FR 3033044 A1 20160826 FR 1551493 A 20150220 1 DISPOSITIF DE DETECTION DE RAYONNEMENT COMPORTANT UNE STRUCTURE D'ENCAPSULATION A TENUE MECANIQUE AMELIOREE DOMAINE TECHNIQUE Le domaine de l'invention est celui des dispositifs de détection de rayonnement électromagnétique, en particulier infrarouge ou térahertz, comportant une matrice de détecteurs thermiques et une structure d'encapsulation qui forme une cavité hermétique dans laquelle est logée la matrice de détecteurs. L'invention s'applique notamment au domaine de l'imagerie et de la thermographie thermique. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Un dispositif de détection de rayonnement électromagnétique, par exemple infrarouge ou térahertz, comprend habituellement une matrice de détecteurs thermiques dits élémentaires comportant chacun une portion apte à absorber le rayonnement à détecter. Dans le but d'assurer l'isolation thermique des détecteurs thermiques, chaque portion se présente habituellement sous la forme d'une membrane suspendue au-dessus du substrat et isolée thermiquement de celui-ci par des éléments de maintien et d'isolation thermique. Ces éléments de maintien assurent également une fonction électrique en reliant électriquement les détecteurs thermiques à un circuit de lecture généralement disposé dans le substrat. Pour assurer un fonctionnement optimal des détecteurs, un faible niveau de pression est requis. Pour cela, les détecteurs sont généralement confinés, ou encapsulés, seuls ou à plusieurs, dans des cavités hermétiques sous vide ou sous pression réduite. La figure 1 illustre un exemple de dispositif de détection 1 adapté à détecter un rayonnement infrarouge, plus précisément un pixel du dispositif de détection formé ici d'un détecteur bolométrique 2 reposant sur un substrat 3 et disposé seul dans une cavité hermétique 4, tel que décrit dans la publication de Dumont et al, Current progress on pixel 3033044 2 level packaging for uncooled IRFPA, Proc. SPIE 8353, Infrared Technology and Applications XXXVIII, 8353112012. Dans cet exemple, le dispositif de détection 1 comporte une structure d'encapsulation 5, également appelée capsule, qui définit la cavité 4 dans laquelle se situe le détecteur 5 bolométrique 2. La structure d'encapsulation 5 comporte une couche mince d'encapsulation 6 qui définit avec le substrat 3 la cavité 4, et une couche mince de scellement 7 qui recouvre la couche d'encapsulation 6 et assure l'herméticité de la cavité 4. Les couches d'encapsulation 6 et de scellement 7 sont transparentes au rayonnement électromagnétique à détecter. 10 Le dispositif de détection 1 est réalisé par des techniques de dépôt de couches minces et notamment des couches sacrificielles. Au cours du procédé de réalisation, les couches sacrificielles sont éliminées et évacuées hors de la cavité au travers d'un ou plusieurs évents de libération 8 prévus dans la couche d'encapsulation 6. La couche de scellement 7 assure, après élimination des couches sacrificielles et mise sous vide de la cavité 4, le bouchage des 15 évents de libération 8. Cependant, un inconvénient de cet exemple est que le taux de remplissage (fill factor, en anglais), c'est-à-dire le rapport entre la surface de la membrane absorbante 9 sur la surface totale du pixel, dans le plan du substrat, est diminué par la présence des portions de la structure d'encapsulation 5 qui entourent chaque détecteur thermique 2. 20 La figure 2 montre un exemple de dispositif de détection de rayonnement similaire à l'exemple de la figure 1, tel que divulgué dans le document W0201379855. Dans cet exemple, une matrice de détecteurs thermiques 2 de type bolométrique est disposée dans une même cavité hermétique 4. La structure d'encapsulation 5 forme ici une cavité qui s'étend au-dessus et autour de la matrice de détecteurs bolométriques 2. La structure 25 d'encapsulation 5 comporte plusieurs portions d'appui 10 qui reposent chacune sur les éléments de maintien 11 des membranes absorbantes 9. Si le taux de remplissage est ici augmenté par rapport à celui de l'exemple de la figure 1 par l'absence de portions de la couche d'encapsulation 6 qui entourent chaque détecteur 2, la tenue mécanique de la structure d'encapsulation 5 reste cependant à être améliorée. De plus, par le fait que la 3033044 3 couche d'encapsulation 6 soit en contact avec les éléments de maintien 11 de différents détecteurs thermiques par l'intermédiaire des portions d'appui, un risque de couplage électrique parasite entre les détecteurs apparaît qui peut conduire à une dégradation des propriétés électriques du dispositif de détection. 5 EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention a pour but de remédier au moins en partie aux inconvénients de l'art antérieur, et plus particulièrement de proposer un dispositif de détection de rayonnement électromagnétique, par exemple infrarouge ou térahertz, comportant une matrice de 10 détecteurs thermiques disposés dans une cavité hermétique formée par une structure d'encapsulation, qui présente un taux de remplissage élevé tout en ayant une tenue mécanique de la structure d'encapsulation renforcée. Un but de l'invention est également de proposer un dispositif de détection de rayonnement électromagnétique qui minimise, voire supprime, les risques de couplage électrique 15 parasite entre les détecteurs thermiques. L'invention propose à cet effet un dispositif de détection de rayonnement électromagnétique comprenant un substrat, une matrice de détecteurs thermiques, disposée sur le substrat, une structure d'encapsulation de la matrice de détecteurs thermiques, comportant une couche d'encapsulation s'étendant de manière continue 20 autour et au-dessus de la matrice de détecteurs de manière à définir avec le substrat une cavité dans laquelle la matrice de détecteurs thermiques est située. Selon l'invention, la couche d'encapsulation comprend au moins une portion, dite portion d'appui interne, située entre deux détecteurs thermiques adjacents, qui prend appui directement sur le substrat. 25 La portion d'appui interne peut présenter un profil, dans un plan parallèle au plan du substrat, de forme oblongue, de préférence aux extrémités longitudinales arrondies. 3033044 4 La portion d'appui interne peut comporter une paroi latérale et une partie inférieure, ladite paroi latérale s'étendant de manière sensiblement verticale sur toute la hauteur de la cavité et la partie inférieure étant au contact du substrat. La couche d'encapsulation peut comporter au moins un orifice traversant, dit évent de 5 libération, présentant un profil transversal, dans un plan orthogonal au plan du substrat, dont la largeur croît à mesure que la distance au substrat augmente. La structure d'encapsulation peut comporter en outre une couche de scellement recouvrant la couche d'encapsulation de manière à rendre la cavité hermétique, la couche de scellement comportant une bordure qui s'étend dans le sens de l'épaisseur de la couche 10 de scellement, à partir de la bordure de l'évent de libération, avec un angle a non nul par rapport à un axe sensiblement orthogonal au plan du substrat, et dans lequel le profil transversal de l'évent de libération forme un angle p par rapport au même axe orthogonal supérieur à l'angle a. Les détecteurs thermiques peuvent comporter chacun une membrane adaptée à absorber 15 le rayonnement à détecter, suspendue au-dessus du substrat et isolée thermiquement de celui-ci par des clous d'ancrage et des bras d'isolation thermique. Au moins une portion d'appui interne peut être disposée entre deux membranes absorbantes adjacentes et deux clous d'ancrage adjacents, chacun desdits clous d'ancrage participant au maintien desdites membranes adjacentes, et dans lequel la portion d'appui 20 interne est orientée longitudinalement le long desdites membranes. La couche d'encapsulation peut comprendre une pluralité d'orifices traversants dit évents de libération disposés de sorte qu'au moins une partie des détecteurs thermiques ait chacun un unique évent de libération situé en regard de la membrane absorbante correspondante, de préférence au droit du centre de ladite membrane. 25 Chaque membrane absorbante peut comporter un orifice traversant, en regard de l'évent de libération correspondant, de dimensions égales ou supérieures à celles dudit l'évent. 3033044 5 La membrane suspendue peut comporter un empilement d'une couche bolométrique, d'une couche diélectrique structurée de manière à former deux portions distinctes, et d'une couche électriquement conductrice structurée de manière à former trois électrodes, dont deux électrodes destinées à être portées à une même potentiel électrique encadrent 5 la troisième électrode, dite centrale, destinée à être portée à un potentiel électrique différent, chaque électrode étant au contact de la couche bolométrique, l'électrode centrale étant électriquement isolée des autres électrodes par la couche diélectrique, l'orifice traversant l'électrode centrale et la couche bolométrique dans une zone située dans les portions de la couche diélectrique. 10 La structure d'encapsulation peut comporter en outre une couche de scellement recouvrant la couche d'encapsulation de manière à rendre la cavité hermétique, et dans lequel le substrat comprend une couche d'accroche disposée en regard de l'orifice traversant de la membrane correspondante, et adaptée à assurer l'adhésion du matériau de la couche de scellement. 15 La couche d'accroche peut s'étendre sous l'ensemble de la membrane correspondante et est réalisée en un matériau adapté pour assurer en outre la réflexion du rayonnement électromagnétique à détecter. La couche d'accroche peut comporter en outre des portions sur lesquelles reposent les clous de maintien, et/ou des portions sur lesquelles reposent les portions d'appui interne, 20 et est réalisée en un matériau apte à assurer l'adhésion des clous de maintien et/ou des portions d'appui. La couche d'encapsulation peut comprendre une paroi périphérique qui entoure la matrice de détecteurs, et qui présente une section, dans un plan parallèle au plan du substrat, de forme carrée ou rectangulaire, dont les coins sont arrondis. 25 L'invention porte également sur un procédé de réalisation d'un dispositif de détection de rayonnement électromagnétique selon l'une quelconque des caractéristiques précédentes, comportant les étapes dans lesquelles : 3033044 6 - on réalise une matrice de détecteurs sur un substrat, par dépôt de plusieurs couches dont deux couches sacrificielles empilées l'une sur l'autre, - on grave localement les couches sacrificielles jusqu'au substrat, de manière à former d'une part une tranchée périphérique continue en bordure de la matrice de détecteurs, et 5 d'autre part au moins une tranchée localisée située entre deux détecteurs adjacents, - on réalise une structure d'encapsulation par dépôt conforme d'une couche d'encapsulation sur les couches non gravées et dans les tranchées, de telle sorte que la couche d'encapsulation s'étende de manière continue au-dessus et autour de la matrice de détecteurs, et comporte au moins une portion d'appui interne au niveau de la tranchée 10 localisée, - on élimine les couches sacrificielles pour former une cavité dans laquelle est située la matrice de détecteurs. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 15 D'autres aspects, buts, avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif, et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels, outre les figures 1 et 2 déjà décrites précédemment : la figure 3 est une représentation schématique, en vue de dessus, d'un dispositif de 20 détection selon un mode de réalisation ; la figure 4 est une vue schématique en coupe selon le plan A-A du dispositif de détection représenté sur la figure 3 ; la figure 5 est une vue schématique en coupe selon le plan B-B du dispositif de détection représenté sur la figure 3 ; 25 les figures 6 à 8 sont des vues schématiques en coupe d'un dispositif de détection selon un mode de réalisation, à différentes étapes du procédé de réalisation ; les figures 9 et 10 sont des représentations schématiques, en vue de dessus, d'un dispositif de détection selon d'autres modes de réalisation ; 3033044 7 la figure 11 est une représentation schématique en vue de dessus d'un évent de libération selon un autre mode de réalisation, dans lequel l'évent présente un profil de forme oblongue à extrémités arrondies ; la figure 12 est une vue partielle en coupe d'une partie d'un dispositif de détection 5 selon un mode de réalisation ; la figure 13 est une vue schématique en coupe d'un dispositif de détection selon un mode de réalisation, dans lequel un unique évent d'évacuation par détecteur, disposé en regard de la membrane suspendue, et où la membrane comporte un orifice traversant situé au droit de l'évent d'évacuation ; 10 les figures 14 et 15 sont des vues schématiques d'un dispositif de détection selon un autre mode de réalisation, dans lequel la membrane suspendue comporte une couche diélectrique intermédiaire ; les figures 16 et 17 sont des représentations partielles et schématiques, en vue de dessus, de la paroi périphérique de la couche d'encapsulation selon un mode de 15 réalisation, où la paroi comporte une portion arrondie. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures et dans la suite de la description, les mêmes références représentent des éléments identiques ou similaires. 20 Les figures 3 à 5 illustrent un exemple de dispositif de détection de rayonnement électromagnétique selon un mode de réalisation. Dans cet exemple, le dispositif de détection 1 de rayonnement électromagnétique est adapté à détecter un rayonnement infrarouge ou térahertz. Il comporte une matrice de détecteurs thermiques 2, dits élémentaires, disposés ici en matrice 2x2. Cet exemple est 25 donné uniquement à titre illustratif, des matrices plus complexes étant réalisables, par exemple allant jusqu'à 1024x768 détecteurs élémentaires. Il comprend un substrat 3, par exemple en silicium, comprenant un circuit de lecture (non représenté) par exemple réalisé en technologie CMOS, permettant d'appliquer les 3033044 8 polarisations nécessaires au fonctionnement des détecteurs et de lire les informations issues de ceux-ci. Les détecteurs thermiques 2 comprennent chacun une portion adaptée à absorber le rayonnement à détecter. Cette portion absorbante est généralement isolée 5 thermiquement du substrat et peut être disposée au niveau d'une membrane 9, dite absorbante, suspendue au-dessus du substrat 3 par des éléments de maintien et d'isolation thermique 11 tels que des clous d'ancrage 11a associés à des bras d'isolation thermique 11b. Les membranes 9 sont espacées du substrat 3 d'une distance typiquement comprise entre 1um et 5um, de préférence 2um quand les détecteurs sont conçus pour la détection 10 d'un rayonnement infrarouge dont la longueur d'onde est comprise entre 8um et 14u.m. Dans la suite de la description, les détecteurs thermiques 2 sont des bolomètres dont la membrane absorbante 9 comporte un matériau thermistance dont la conductivité électrique varie en fonction de l'échauffement de la membrane. Cependant, cet exemple est donné à titre illustratif et est nullement limitatif. Tout autre type de détecteur 15 thermique peut être utilisé, par exemple des détecteurs pyroélectriques, ferroélectriques, voire des thermopiles. Les détecteurs thermiques 2 peuvent être rapprochés les uns des autres, notamment en reliant les bras d'isolation thermique 11b de différents détecteurs thermiques à un même clou d'ancrage 11a, l'architecture de lecture des détecteurs thermiques étant alors 20 adaptée, comme le décrivent les documents EP1106980 et EP1359400. Il en résulte une amélioration de la sensibilité des détecteurs 2 de par l'allongement des bras d'isolation 11b et une augmentation du taux de remplissage par la réduction de la surface de chaque pixel non dédiée à l'absorption du rayonnement électromagnétique. Le dispositif de détection est ainsi particulièrement adapté aux petits pas de matriçage, par exemple entre 25um et 25 17um, voire 12u.m. Le dispositif de détection 1 comporte une structure d'encapsulation 5, ou capsule, qui définit, avec le substrat 3, une cavité hermétique 4 à l'intérieur de laquelle se trouve la matrice de détecteurs thermiques 2. La structure d'encapsulation 5 est formée d'une couche mince d'encapsulation 6 déposée de sorte qu'elle comporte une paroi périphérique 3033044 9 6a qui entoure la matrice de détecteurs 2 et une paroi supérieure 6b qui s'étend au-dessus des détecteurs 2. La paroi supérieure 6b est sensiblement plane et s'étend au-dessus des membranes suspendues 9 à une distance par exemple comprise entre 0,5um et 5um, de préférence 1,5um. 5 Comme illustré sur la figure 3, la structure d'encapsulation 5 comporte en outre au moins une portion d'appui interne 12 située entre deux détecteurs adjacents 2, et de préférence une pluralité de portions d'appui interne. Certaines portions d'appui interne peuvent en outre être disposées en périphérie de la matrice de détecteurs 2, en bordure de la cavité 4. Les portions d'appui interne 12 sont formées par la couche mince d'encapsulation 6, qui 10 comporte ainsi de manière continue la paroi périphérique 6a, la paroi supérieure 6b et les portions d'appui interne 12. Les portions d'appui interne 12 reposent, ou prennent appui, directement sur le substrat 3. En d'autres termes, elles sont en contact direct avec le substrat. Ces portions d'appui interne 12 permettent ainsi de renforcer la tenue mécanique de la capsule 5. L'adhérence 15 de la capsule 5 sur le substrat 3 est ainsi assurée d'une part par une partie inférieure de la paroi périphérique 6a de la couche d'encapsulation 6 qui repose sur le substrat en périphérie de la cavité, et d'autre part par la ou les portions d'appui interne 12 disposée(s) dans la cavité. Cette multiplicité de surfaces de contact, réparties en bordure de la cavité et à l'intérieure de celle-ci, permet de renforcer la tenue mécanique de la capsule. 20 Par repose directement sur, ou prennent appui directement sur le substrat, on entend que les portions d'appui interne 12 est en contact directement avec le substrat 3, que ce soit avec le matériau constitutif du substrat ou avec une couche mince déposée sur la surface du substrat, par exemple une couche de passivation ou une couche d'accroche, que ces couches minces s'étendent de manière continue ou non. Les portions d'appui interne ne 25 reposent donc pas sur le substrat par l'intermédiaire d'éléments tridimensionnels tels que les éléments de maintien des membranes suspendues. Les inventeurs ont en effet constaté que, lorsque des portions d'appui de la couche d'encapsulation reposent, non pas sur le substrat, mais sur les éléments de maintien des membranes suspendues, plus précisément sur les clous d'ancrage, des problèmes 3033044 10 d'adhérence de la capsule sur le substrat apparaissent, qui peuvent conduire à un décollement voire à la destruction de la capsule. Il semble en effet que les clous d'ancrage offrent une surface de contact et une planéité insuffisantes pour assurer une bonne adhérence des portions d'appui de la couche d'encapsulation. Le dispositif de détection 5 selon l'invention réduit ainsi les risques de décollement de la capsule liés aux contraintes mécaniques qui siègent dans les couches minces de la capsule, qu'il s'agisse des contraintes intrinsèques desdites couches minces ou des contraintes extrinsèques résultant de la dilatation thermique différentielle de la capsule relativement au substrat. Ainsi, la structure d'encapsulation 5 définit une cavité hermétique 4 qui loge la matrice de 10 détecteurs thermiques 2, cette cavité 4 présentant une forme de réseau de sous-cavités, ou alvéoles, communicantes entre elles, qui logent chacune un sous-ensemble de détecteurs thermiques. Les alvéoles sont séparées les unes des autres par les portions d'appui interne. Comme expliqué précédemment, ce réseau d'alvéoles est délimité par la même couche d'encapsulation 6 qui s'étend de manière continue de manière à former les 15 parois périphérique 6a et supérieure 6b de la cavité 4 ainsi que les portions d'appui interne 12. Ainsi, le dispositif de détection de rayonnement 1 comporte une cavité hermétique 4 qui loge une pluralité de détecteurs thermiques 2 tout en présentant une tenue mécanique de cavité renforcée par la présence de la ou des portions d'appui interne 12 qui reposent 20 directement sur le substrat 3. Le fait de loger une pluralité de détecteurs thermiques 2 dans la cavité autorise l'augmentation du taux de remplissage, par exemple en diminuant le pas de matriçage ou en agrandissant les membranes absorbantes 9, voire en mutualisant les clous d'ancrage 11a. Par ailleurs, le couplage électrique parasite entre détecteurs 2 est évité dans la mesure où les portions d'appui interne 12 ne sont pas en contact des clous 25 d'ancrage. Ce dispositif autorise en outre l'allongement des bras d'isolation thermique 11b pour améliorer l'isolation thermique des membranes absorbantes 9. La figure 4 est une vue en coupe selon le plan A-A du dispositif de détection 1 représenté sur la figure 3. Elle montre plus en détail la couche d'encapsulation 6 s'étendant de manière continue autour et au-dessus de la matrice de détecteurs 2 de manière à former la cavité 3033044 11 4. La paroi périphérique 6a forme la bordure de la cavité et la paroi supérieure 6b s'étend au-dessus des détecteurs 2. La paroi périphérique 6a présente une partie inférieure 6c périphérique qui est en appui, ou repose, directement sur le substrat, de manière à assurer l'adhésion de la capsule sur le substrat. 5 La figure 5 est une vue en coupe selon le plan B-B du dispositif de détection 1 représenté sur la figure 3. Sur cette figure, les portions d'appui interne 12 présentent chacune une paroi latérale périphérique 12a et une partie inférieure 12b, et prennent appui directement sur le substrat 3 au niveau de la paroi inférieure 12b. En d'autres termes, chaque portion d'appui interne 12 est en contact directement avec le substrat 3, que ce soit avec le 10 matériau constitutif du substrat 3 ou, comme mentionné précédemment, avec une couche mince déposée à la surface du substrat. Comme représenté sur la figure 3, les portions d'appui interne 12 peuvent présenter un profil, dans le plan du substrat, de forme oblongue, c'est-à-dire allongée. Elles peuvent être disposées chacune entre deux membranes suspendues adjacentes et deux clous d'ancrage 15 voisins, de manière à optimiser le taux de remplissage. Les extrémités du profil oblong des portions d'appui interne 12 peuvent être arrondies, de manière à renforcer l'adhérence de celles-ci sur le substrat 3 par une meilleure répartition des contraintes mécaniques. La largeur des portions d'appui interne peut être inférieure à 1,5um, par exemple comprise entre 0,5um et 0,8um, et la longueur peut être ajustée en fonction de l'espace disponible 20 entre les détecteurs et notamment les clous d'ancrage. Dans l'exemple de la figure 3, les bras d'isolation thermique 11b s'étendent principalement suivant un premier axe, et les portions d'appui interne 12 de la capsule 5 s'étendent suivant un second axe orthogonal au premier axe, entre deux membranes 9 adjacentes et deux clous d'ancrage 11a voisins. La largeur et la longueur des portions d'appui interne peuvent 25 être optimisées en bénéficiant de la surface laissée libre dans cette zone par l'absence de bras d'isolation thermique. La surface des portions d'appui interne en contact avec le substrat peut ainsi être importante, ce qui améliore l'adhérence et la tenue mécanique de la capsule. 3033044 12 Un exemple de procédé de réalisation est maintenant détaillé, en référence aux figures 6 à 8 qui sont des vues, en coupe selon l'axe C-C, du dispositif de détection représenté sur la figure 3. Le dispositif de détection 1 comprend un substrat 3 dans lequel est prévu un circuit de 5 lecture et de commande des détecteurs thermiques 2. Le substrat 3 peut comprendre une couche de passivation 13, par exemple en oxyde de silicium SiO ou nitrure de silicium SiN. Selon un mode de réalisation détaillé par la suite, le substrat 3 peut également comprendre une couche d'accroche 14, continue ou non, déposée sur la couche de passivation 13. La couche d'accroche 14 peut être réalisée en titane ou en chrome, et présenter une épaisseur 10 par exemple comprise environ entre 100nm et 300nm. De manière connue en soi, on dépose une première couche sacrificielle 15 et on réalise les clous d'ancrage 11a, les bras d'isolation thermique 11b et les membranes absorbantes 9 dans et sur cette couche sacrificielle 15. La couche sacrificielle peut être réalisée en polyimide voire en un matériau minéral tel que de l'oxyde de silicium, du polysilicium ou 15 du silicium amorphe. Comme l'illustre la figure 7, une deuxième couche sacrificielle 16 est ensuite déposée sur la première couche sacrificielle 15, les éléments d'ancrage 11a et d'isolation thermique 11b et les membranes absorbantes 9. Elle est de préférence réalisée dans le même matériau que celui de la première couche sacrificielle 15 et présente une épaisseur par exemple 20 comprise entre 0,5um et 5u.m. Des étapes de photolithographie et de gravure, par exemple de gravure RIE, sont réalisées de manière à former, de préférence au cours d'une séquence d'étapes communes, des tranchées 17, 18 au travers de toute l'épaisseur des couches sacrificielles, c'est-à-dire jusqu'au substrat 3, plus précisément ici jusqu'à la couche d'accroche 14. Une première 25 tranchée 17 est réalisée de manière à s'étendre de manière continue autour de la matrice de détecteurs 2 et est destinée à la réalisation ultérieure de la paroi périphérique de la structure d'encapsulation, et au moins une seconde tranchée 18, de préférence plusieurs, est réalisée entre deux détecteurs adjacents 2 dans le but de former par la suite la portion d'appui interne. Les premières et secondes tranchées 17, 18 présentent une profondeur 3033044 13 sensiblement identique, de sorte que la paroi périphérique de la structure d'encapsulation et les parois latérales des portions d'appui présentent in fine une hauteur sensiblement identique. Le procédé est ainsi simplifié, notamment en ce qui concerne le contrôle de la profondeur de gravure. 5 Dans le cas où les couches sacrificielles 15, 16 sont en polyimide, le procédé de réalisation des tranchées peut impliquer le dépôt d'une couche de protection minérale (non représentée), par exemple en SiN ou en SiO, ou encore en silicium amorphe, sur la surface de la deuxième couche sacrificielle 16. Une étape de photolithographie permet alors de définir des ouvertures dans une couche de résine aux endroits où il est prévu de graver les 10 tranchées. La gravure des tranchées est ensuite réalisée en 2 étapes, une première étape au cours de laquelle la couche de protection est gravée, par exemple par gravure RIE, au droit des ouvertures de la résine, une deuxième étape au cours de laquelle la première et la deuxième couche sacrificielle sont gravées, par exemple par gravure RIE, jusqu'au substrat au droit des ouvertures obtenues dans la couche de protection à la première étape 15 de gravure. A ce stade, la couche de protection peut être supprimée. Cet enchaînement d'étapes est justifié par des contraintes de compatibilité chimique des couches en présence et par des contraintes géométriques (facteur de forme des tranchées). En effet, la couche de résine disparait au cours de la deuxième étape de gravure du polyimide car ces couches sont toutes de nature organique, par conséquent 20 similairement sensibles à la chimie de gravure mise en oeuvre à la deuxième étape. L'ouverture de la couche de protection est alors utilisée comme relais pour continuer à limiter la gravure aux zones où l'on souhaite réaliser les tranchées. Le procédé de la deuxième étape de gravure est par ailleurs adapté pour garantir une grande anisotropie de gravure, ce qui permet d'obtenir des facteurs de forme élevés et des flancs de gravure 25 verticaux (orthogonaux au plan du substrat) sans présence de surplomb. Il est en outre adapté pour garantir une sélectivité élevée d'une part vis-à-vis de la couche de protection (en SiN ou SiO) et d'autre part vis-à-vis de la surface du substrat, généralement recouverte d'une couche de passivation isolante en SiO ou SiN. Cette sélectivité élevée est avantageuse car elle permet de réduire l'épaisseur de la couche de protection (typiquement à 30 nm), ce qui est de nature à faciliter son élimination ultérieure. 3033044 14 Les tranchées 17, 18, notamment les secondes tranchées 18 destinées à la réalisation des portions d'appui interne, présentent un rapport de forme élevé. A titre d'exemple, des tranchées de largeur inférieure ou égale à 1,5um, par exemple comprise entre 0,5um et 0,8um peuvent être réalisées dans une couche de polyimide d'épaisseur comprise entre 5 2um et 6um, par exemple 4u.m. La longueur des secondes tranchées 18 peut être adaptée en fonction des contraintes d'intégration compacte et de robustesse de la capsule, et peut être de l'ordre de quelques microns à quelques millimètres. Ces dimensions des tranchées permettent de réaliser une matrice de détecteurs thermiques à un pas de matriçage particulièrement faible, par exemple 17um voire 12u.m. 10 La couche d'accroche 14 est de préférence réalisée en un matériau vis-à-vis duquel la gravure des tranchées est sélective, de manière à éviter toute gravure du substrat. Le matériau peut être du titane, du chrome et la couche d'accroche peut présenter une épaisseur de l'ordre de 100nm à 300nm. Comme le montre la figure 8, une couche mince d'encapsulation 6, transparente au 15 rayonnement à détecter, est ensuite déposée selon une technique de dépôt conforme adaptée pour obtenir un bon recouvrement des flancs verticaux des tranchées 17, 18, avec une épaisseur de couche sensiblement constante. Il peut s'agir par exemple d'une couche de silicium amorphe élaboré par CVD ou par iPVD, d'une épaisseur typiquement comprise entre environ 200nm et 2000nm lorsqu'elle est mesurée sur une surface plane. Le dépôt 20 de la couche d'encapsulation 6 sur une surface structurée par des tranchées dont au moins une tranchée périphérique 17 continue (périmètre fermé) conduit à la formation de la capsule 5, réalisée avec le matériau de la couche d'encapsulation et formant, en contact avec le substrat 3, une cavité 4 dans laquelle est logée la matrice de détecteurs. Le recouvrement des flancs des tranchées internes 18 par la couche d'encapsulation 6 permet 25 de reproduire la forme des tranchées internes pour former des portions d'appui interne 12, de préférence de forme oblongue avec des extrémités arrondies. Notons que ces portions d'appui interne 12 peuvent être pleines ou creuses (constituées de deux parois espacées) selon que la largeur des tranchées internes 18 est respectivement petite ou grande devant l'épaisseur de la couche d'encapsulation 6. 3033044 15 Des orifices traversants, formant des évents de libération 8 destinés à permettre l'évacuation des couches sacrificielles 15, 16 hors de la cavité 4, sont ensuite réalisés par photolithographie et gravure dans la couche d'encapsulation 6. Chaque évent 8 peut être de forme carrée, rectangulaire, circulaire, voire oblongue. 5 On élimine ensuite les couches sacrificielles 15, 16 par attaque chimique, préférentiellement en phase gazeuse ou en phase vapeur selon la nature des couches sacrificielles (phase gazeuse dans le cas du polyimide décrit ici), de manière à former la cavité 4 logeant la matrice de détecteurs 2, et les portions d'appui interne 12. Une couche de scellement (non représentée sur la figure 8) est ensuite déposée sur la 10 couche d'encapsulation 6 avec une épaisseur suffisante pour assurer le scellement, ou bouchage, des évents de libération 8. La couche de scellement est transparente au rayonnement électromagnétique à détecter et peut présenter une fonction d'antireflet pour optimiser la transmission du rayonnement au travers de la structure d'encapsulation. A ce titre, elle peut être formée de sous-couches de germanium et de sulfure de zinc dans 15 le cas d'un rayonnement à détecter dans la gamme des longueurs d'onde allant de 8um à 12um, par exemple une première sous-couche de germanium de 1,7um environ puis une deuxième sous-couche de sulfure de zinc de 1,2um environ. La couche de scellement est de préférence déposée par une technique de dépôt de couches minces sous vide, comme l'évaporation sous vide d'une source chauffée par faisceau d'électrons (EBPVD) ou comme 20 la pulvérisation, cathodique ou par faisceau d'ions. On obtient ainsi une cavité hermétique 4 sous vide ou pression réduite dans laquelle est logée la matrice de détecteurs thermiques 2. La figure 9 montre un autre mode de réalisation, qui se différencie de l'exemple de la figure 3 où une seule portion d'appui interne 12 est réalisée entre deux détecteurs 2 adjacents, 25 par le fait que plusieurs portions d'appui interne, ici deux portions d'appui interne de profil oblong, s'étendent longitudinalement suivant le même axe, et sont situées entre deux détecteurs 2 adjacents. Comme dans l'exemple de la figure 3, l'axe longitudinal des portions d'appui interne 12 peut être sensiblement perpendiculaire à l'axe suivant lequel s'étendent principalement les bras d'isolation 11b. L'augmentation du nombre de portions 3033044 16 d'appui interne 12 permet de renforcer l'adhérence de la capsule 5 sur le substrat 3 et ainsi de renforcer la tenue mécanique de celle-ci. La figure 10 montre un autre mode de réalisation dans lequel chaque détecteur 2 est relié à quatre clous d'ancrage 11a dont certains sont communs à deux détecteurs directement 5 voisins situés sur la même colonne (ou sur la même ligne). Cette architecture permet à la fois d'améliorer la tenue mécanique des membranes suspendue 9 et autorise une lecture séquentielle ligne après ligne (respectivement colonne après colonne) de la matrice des détecteurs comme il est habituel de le faire en utilisant des moyens de lecture localisés en bout de colonne (respectivement en bout de ligne) dans un circuit de lecture réalisé dans 10 le substrat du dispositif. Cette architecture à clous d'ancrage partagés offre une amélioration de la sensibilité des détecteurs car les bras d'isolation thermique 11b peuvent être allongés et le taux de remplissage est amélioré par la mutualisation des points d'ancrage 11a qui ne contribuent pas à capter le signal infrarouge. Dans cet exemple, les portions d'appui interne 12 de la capsule 5 sont préférentiellement 15 positionnées au pas de répétition des détecteurs, dans les deux dimensions de la matrice des détecteurs. La forme des portions d'appui 12 est essentiellement linéaire et ceux qui sont colinéaires aux bras d'isolation 11b sont avantageusement agencés entre les bras des détecteurs 2 d'une même ligne. Le positionnement des portions d'appui selon deux axes est de nature à renforcer l'adhérence de la capsule sur le substrat. 20 Avantageusement, des portions d'appui interne 12 peuvent également être réalisées entre les détecteurs de bord et la paroi périphérique 6a de la capsule 5. Ces portions d'appui supplémentaires ont essentiellement pour fonction de restituer, pour les détecteurs de bord, un environnement (notamment d'un point de vue optique) comparable à celui des détecteurs de coeur. Une autre possibilité pour réduire ces effets de bord serait de prévoir, 25 en périphérie de matrice, des couronnes de détecteurs postiches, ne contribuant pas au signal vidéo du dispositif matriciel. Des couronnes de un à quelques détecteurs, typiquement deux, remplissent cette fonction de manière satisfaisante. Selon un mode de réalisation représenté sur la figure 11, le profil des évents de libération 8, dans un plan parallèle au plan du substrat, présente une forme oblongue, c'est-à-dire 3033044 17 allongée. Sa petite dimension X, mesurée dans le sens de la largeur de l'évent, est choisie de manière à assurer un scellement efficace de l'évent, et sa grande dimension Y, mesurée dans le sens de la longueur de l'évent, peut être ajustée pour faciliter le transit des espèces réactives et des produits de réaction de la gravure du matériau des couches sacrificielles 5 15, 16 en cours d'élimination, ce qui permet d'optimiser le temps d'évacuation des couches sacrificielles. A ce titre, la largeur X peut être typiquement comprise entre environ 150nm et 600nm, alors que la grande dimension Y peut être de l'ordre de quelques microns, par exemple 5u.m. De manière avantageuse, les évents 8 présentent une forme oblongue aux extrémités 10 longitudinales arrondies. A titre d'exemple, la forme arrondie d'une extrémité peut présenter un rayon de courbure égal à la moitié de la largeur X de l'évent. Plus généralement, elle peut correspondre à une forme courbe continue, comme dans l'exemple de la figure 11, circulaire ou elliptique, ou à une succession de segments droits ou sensiblement courbes. Les inventeurs ont montré que cette forme d'évent permet 15 d'éviter les risques de formation de fissures partant de la couche d'encapsulation 6 et se propageant dans la couche de scellement 7. Il est en effet essentiel d'éviter tout risque de fissures susceptibles de rompre l'herméticité de la cavité, dans la mesure où un défaut local d'herméticité pourrait conduire à la perte fonctionnelle du dispositif complet. Comme le montre la figure 12, les inventeurs ont observé que la couche de scellement 7, 20 en bordure des évents 8, a tendance à s'étendre verticalement, c'est-à-dire dans le sens de l'épaisseur de la couche 7, avec un angle a non nul par rapport à la normale, c'est-à-dire par rapport à un axe orthogonal au plan du substrat, en particulier lorsqu'une technique de dépôt de couche mince sous vide, telle que l'évaporation ou la pulvérisation à basse pression, est utilisée. La largeur moyenne X des évents peut être choisie en fonction de 25 l'épaisseur e de la couche de scellement 7 déposée, de la fraction d'épaisseur B de la couche de scellement assurant effectivement l'herméticité, et de l'angle de croissance a, à partir de la relation : X = 2.e.(1-8).tan(a) 3033044 18 A titre d'exemple, pour une technique de dépôt de la couche de scellement par évaporation, l'angle a est typiquement de l'ordre de 15° à 20°. Pour une épaisseur e de couche de scellement de 1800nm et si l'on souhaite que 1200nm de couche assure l'herméticité (B=2/3), on obtient une largeur moyenne X de l'évent de l'ordre de 320nm à 5 410nm. Par ailleurs, il est avantageux que l'évent de libération 8 ait une section transversale, dans un plan orthogonal à celui du substrat, qui présente une forme dont l'ouverture s'élargit à mesure qu'on s'éloigne du substrat 3. En d'autres termes, l'évent 8 a un profil transversal évasé vers l'extérieur de la cavité. Il est plus étroit au niveau de son orifice inférieur 10 débouchant sur la cavité et plus large au niveau de son orifice supérieur débouchant hors de la cavité. A titre d'exemple, la largeur Xe au niveau de l'orifice inférieur peut être de l'ordre de 100nm à 350nm alors que la largeur Xsup au niveau de l'orifice supérieur peut être de l'ordre de 250nm à 800nm. Dans cet exemple, la couche d'encapsulation 6 présente une épaisseur de l'ordre de 800nm. Il résulte de cette forme de la section transversale de 15 l'évent 8 qu'elle permet d'améliorer la qualité de scellement de l'évent. Plus précisément, pour une même épaisseur e de couche de scellement, les inventeurs ont observé que la fraction B de couche qui assure effectivement le scellement est supérieure au cas où l'évent présenterait une section transversale droite, ce qui améliore la qualité de scellement. Une telle section transversale de l'évent peut être obtenue en générant une pente sur les 20 flancs de la résine avant gravure de l'évent soit par fluage post-développement, soit en modifiant les conditions d'exposition et/ou de développement de la résine (dose d'insolation, focus, température et durée des recuits post-exposition) d'une façon connue par l'homme du métier. Une telle section transversale de l'évent peut également être obtenue lors de la gravure sèche de l'évent en ajoutant une composante isotrope à la 25 gravure par exemple en ajoutant de l'oxygène dans la chimie utilisée pour graver l'évent. Dans le cas où la couche d'encapsulation 6 est constituée de silicium, l'ajout de gaz fluorés dans la chimie de gravure tels que SF6 ou CF4 contribuera également à accroître la composante isotrope de la gravure. 3033044 19 L'effet bénéfique de ce profil particulier de l'évent se manifeste notamment lorsque l'angle 3 que fait le profil de l'évent avec la normale au substrat est supérieur à l'angle a défini précédemment. A titre d'exemple, pour une épaisseur de couche d'encapsulation de 800nm et pour une largeur Xinf de l'orifice inférieur de 100nm, la largeur Xsup de l'orifice 5 supérieur peut être supérieure à 530nm ((3=15°), voire supérieure à 680nm W=200). Dans le mode de réalisation de la figure 12, l'évent 8 est disposé en bordure de la cavité 4, mais il peut être situé à d'autres endroits de la cavité. A ce titre, selon un mode de réalisation illustré sur la figure 13, la couche d'encapsulation 6 comporte au moins un évent de libération 8 disposé de sorte qu'au moins un détecteur 10 thermique 2 présent dans la cavité 4 ait un unique évent de libération 8 situé en regard de sa membrane absorbante 9, de préférence au droit du centre de la membrane absorbante 9. Ainsi, la réalisation de l'évent est simplifiée de par son éloignement des zones à forte topographie que sont les tranchées, ce qui permet d'obtenir un bon contrôle dimensionnel de la forme de l'évent. De plus, les inventeurs ont constaté que ce positionnement d'un 15 unique évent en regard de la membrane absorbante du détecteur thermique permet de s'affranchir, après élimination des couches sacrificielles, de la présence de résidus de couches sacrificielles accrochés à la membrane. La présence de ces résidus a notamment été observée lorsqu'au moins deux évents par détecteur sont disposés de part et d'autre de la membrane. Les résidus sont généralement situés dans une zone équidistante des 20 différents évents, dans laquelle se trouve la membrane suspendue. Ils peuvent modifier les propriétés optiques et/ou électriques et/ou thermiques de la membrane (par exemple par augmentation de la masse de la membrane ce qui induit une diminution du temps de réponse du détecteur), voire modifier le niveau de pression résiduelle sous l'effet d'un dégazage progressif. De plus, l'étape d'élimination des couches sacrificielles est optimisée, 25 notamment en termes de durée d'élimination des couches sacrificielles, par un effet conjugué entre la forme oblongue de l'évent et la position centrale de celui-ci vis-à-vis du détecteur. La couche d'encapsulation comporte au moins un évent de libération, et de préférence une pluralité d'évents de libération disposés de sorte qu'au moins une partie desdits détecteurs 3033044 20 thermiques 2 ait chacun un unique évent de libération 8 situé en regard de la membrane absorbante 9 correspondante. Chaque détecteur thermique de la matrice peut avoir un unique évent disposé en regard de la membrane absorbante correspondante. Alternativement, une partie seulement des détecteurs thermiques peut avoir chacun un 5 unique évent de libération situé en regard de la membrane correspondante. Il est alors avantageux que, pour une ligne ou une colonne de détecteurs thermiques, les évents de libération soient disposés tous les N impair détecteurs. Cela permet d'éviter que des résidus de couches sacrificielles soient présents au niveau de la membrane absorbante d'un détecteur non pourvu d'un évent de libération. A titre d'exemple, dans le cas où N=3, deux 10 détecteurs voisins non pourvus d'évent de libération sont disposés entre deux détecteurs pourvus chacun d'un unique évent de libération. Dans cet exemple, aucun des détecteurs thermiques, qu'ils soient ou non pourvus d'un évent de libération, ne verra sa membrane absorbante dégradée par la présence de résidus de couche sacrificielle. Cette variante de réalisation est particulièrement avantageuse dans le cas des faibles pas de matriçage, par 15 exemple lorsque le pas de disposition des détecteurs est de l'ordre de 12um ou moins. Il est alors avantageux de prévoir un orifice traversant 19 au niveau de la membrane 9 du détecteur, situé au droit de l'évent 8 correspondant, et dont les dimensions sont égales ou supérieures à celles de l'évent 8, moyennant une marge de sécurité pour tenir compte d'un éventuel désalignement de l'évent et/ou de l'orifice de la membrane qui peut être de 20 l'ordre de 200nm à 500nm. Ainsi, lors du dépôt de la couche de scellement, une portion du matériau de scellement susceptible de tomber au travers de l'évent ne viendra pas se déposer sur la membrane mais traversera l'orifice de la membrane et se déposera sur le substrat. Il est alors avantageux de prévoir (au niveau du substrat) une couche d'accroche, sous la 25 membrane 9, au niveau de l'orifice traversant 19, pour assurer l'accroche de l'agglomérat de scellement qui serait tombé. De manière avantageuse, cette couche d'accroche peut être une portion de la couche d'accroche 14 mentionnée précédemment, dont le matériau est alors adapté à assurer en outre l'accroche du matériau de scellement. Ainsi, lors de l'étape de scellement de la cavité, dans le cas où une quantité de matière de la couche de 30 scellement traverserait l'évent, elle viendrait se déposer et adhérer sur la couche 3033044 21 d'accroche. Cela permet notamment de s'affranchir du type de matériau présent en surface du substrat, et plus précisément du matériau utilisé pour passiver la face supérieure du substrat. Cette couche d'accroche 14, peut s'étendre, de manière continue ou discontinue, au niveau 5 de différentes zones de la cavité, plus précisément sous la membrane 9 et en regard de son orifice traversant 19 pour assurer l'accroche du matériau de scellement susceptible de tomber au travers de l'évent 8 ; sous l'ensemble de la membrane 9 pour assurer une fonction optique de réflexion du rayonnement à détecter ; au niveau des différentes tranchées 17, 18 pour la protection du substrat 3 pendant l'étape de gravure lors de la 10 formation des tranchées et pour améliorer l'accroche de la couche d'encapsulation 6 sur le substrat ; et au niveau des clous d'ancrage 11a pour améliorer l'accroche des clous sur le substrat et améliorer la conduction électrique entre les clous et le circuit de lecture disposé dans le substrat. L'épaisseur de cette couche d'accroche est de préférence constante sur toute son étendue, et notamment au niveau des différentes zones mentionnées 15 précédemment. Cette couche d'accroche peut être réalisée en chrome ou titane, en aluminium, en nitrure de titane, ou autre matériau adapté, par exemple sous forme d'empilement des matériaux cités, et présenter une épaisseur de l'ordre de 100nm à 400nm. Selon un mode de réalisation représenté sur les figures 14 et 15, les détecteurs 2 dont la 20 membrane 9 comporte un orifice traversant 19 présentent une architecture de membrane à isolation électrique intermédiaire, telle que décrite dans le document EP1067372. La figure 14 est une vue de dessus d'une membrane absorbante 9 d'un détecteur bolométrique selon ce type d'architecture. Elle est reliée à quatre clous d'ancrage 11a et est suspendue par le biais de deux bras d'isolation thermique 11b. La figure 15 est une vue 25 en coupe selon le plan A-A de la figure 14. La membrane 9 comporte une couche d'un matériau bolométrique 20 (donc résistif), par exemple du silicium amorphe dopé ou de l'oxyde de vanadium. Elle comporte également une couche d'un matériau diélectrique 21, déposée sur la couche bolométrique 20 et qui recouvre celle-ci sur deux zones distinctes 21a, 21b. 3033044 22 Elle comporte également une couche d'un matériau électriquement conducteur 22, déposée sur la couche diélectrique 21 et la couche bolométrique 20 et gravée localement sur toute la largeur de la membrane jusqu'à la couche diélectrique de manière à former trois portions conductrices distinctes 22a, 22b, 22c. La couche conductrice 22 se prolonge 5 sur les bras d'isolation 11b pour relier électriquement les trois portions 22a, 22b, 22c au circuit de lecture. Parmi les trois portions conductrices, deux portions 22a, 22c situées aux extrémités de la membrane 9 sont électriquement reliées à deux parties d'un même bras d'isolation 11b et forment ainsi deux électrodes destinées à être portées à un même potentiel électrique. Ces deux portions d'extrémités 22a, 22c encadrent une portion 10 centrale 22b reliée à un autre bras d'isolation qui forme une électrode destinée à être portée à un autre potentiel électrique. La couche diélectrique 21 est gravée de sorte que chaque électrode 22a, 22b, 22c est en contact électrique avec le matériau bolométrique 20 et que les électrodes d'extrémités 22a, 22c sont électriquement isolées de l'électrode centrale 22b. 15 Dans ce mode de réalisation, la membrane absorbante 9 comporte un orifice traversant 19, ici de profil oblong, disposé au centre de l'électrode centrale 22b. De préférence, l'orifice 19 est disposé au niveau où la couche diélectrique 21 est gravée. L'orifice 19 traverse ainsi uniquement l'électrode centrale 22b et la couche bolométrique 20. De préférence, la distance, mesurée dans le sens de la largeur de l'orifice 19, entre la bordure de l'orifice et 20 la bordure de la couche diélectrique 21, en regard de l'orifice, est supérieure ou égale à l'épaisseur de la couche bolométrique 20 en contact avec l'électrode centrale 22b dans cette zone. Par ce positionnement de l'orifice, toute influence de celui-ci sur les propriétés électriques de la membrane absorbante est minimisée voire supprimée. L'exemple décrit en référence aux figures 14 et 15 montre une couche bolométrique 20 25 dans la partie inférieure de la membrane 9, sur laquelle reposent la couche diélectrique 21 et les électrodes 22a, 22b, 22c. Cependant, un agencement inversé des couches est également réalisable, dans lequel les électrodes 22a, 22b, 22c sont situées dans la partie inférieure de la membrane 9, sur lesquelles reposent la couche diélectrique 21 puis la couche bolométrique 20. 3033044 23 Selon un mode de réalisation représenté sur les figures 3, 9 et 10, la couche d'encapsulation 6 est déposée sur le pourtour de la matrice de détecteurs 2 de sorte que la section de la couche présente, dans un plan parallèle au plan du substrat, une forme à coins arrondis. Comme le montrent les figures 16 et 17, la paroi périphérique 6a de la couche 5 d'encapsulation 6 est formée, au niveau de chaque coin, de deux portions 6a-1, 6a-2 s'étendant de manière sensiblement rectiligne, suivant chacune un axe X1, X2 orthogonal l'un à l'autre. Les portions rectilignes 6a-1 et 6a-2 ne se rejoignent pas suivant un angle droit mais sont reliées l'une à l'autre par une portion arrondie 6a-3. Par portion arrondie, on entend une portion présentant au moins un segment courbe, par 10 exemple circulaire ou elliptique, ou au moins un segment droit, et de préférence plusieurs segments droits, s'étendant suivant un axe non colinéaire à l'axe respectif des portions rectilignes. La figure 16 présente un exemple de portion arrondie 6a-3 sous forme d'un segment en arc de cercle reliant les portions rectilignes 6a-1 et 6a-2. Le rayon de cet arc de cercle, mesuré 15 à partir de la surface externe de la portion arrondie 6a-3, c'est-à-dire orientée vers l'extérieur de la cavité (cercle exinscrit), peut être supérieur ou égal à deux fois la largeur L de la paroi périphérique. De préférence, la dimension de la portion arrondie est telle que le rayon d'un cercle inscrit, c'est-à-dire tangent à la surface interne, orientée vers la cavité, de la portion arrondie est supérieur ou égal à deux fois la largeur L. 20 La largeur L est définie comme la largeur moyenne d'une portion sensiblement rectiligne 6a-1, 6a-2 de la paroi périphérique 6a. La portion arrondie 6a-3 présente de préférence une largeur sensiblement égale à celle des portions rectilignes. La figure 17 présente un autre exemple de la portion arrondie, en variante de celui de la figure 16. Dans cet exemple, la portion arrondie 6a-3 est formée par la succession de deux 25 segments droits inclinés l'un vis-à-vis de l'autre. On peut définir un cercle exinscrit, tangent à la surface externe de chaque segment. L'orientation des segments peut être telle que le rayon du cercle exinscrit est supérieur ou égal à deux fois la largeur L de la paroi périphérique. De préférence, l'orientation des segments est telle que le rayon d'un cercle 3033044 24 inscrit, c'est-à-dire tangent à la surface interne des segments, est supérieur ou égal à deux fois la largeur L. A titre d'exemple, la largeur L de la paroi périphérique de la couche d'encapsulation peut être comprise entre 200nm et 2um environ. Le rayon du cercle exinscrit ou inscrit est 5 supérieur ou égal à une valeur comprise entre 400nm et 4um en fonction de la largeur L, par exemple 2um dans le cas d'une largeur L égale à 800nm. Les inventeurs ont observé que la réalisation de portions arrondies au niveau des coins de la capsule améliore l'adhérence de celle-ci sur le substrat. Il a en effet été observé que l'adhérence de la capsule n'est pas homogène le long de la paroi périphérique et que les 10 coins de la capsule présentent une adhérence renforcée lorsque des portions arrondies sont réalisées. Ainsi, lorsque la capsule comporte des coins arrondis et des portions d'appui interne, on obtient une adhérence globale de la capsule sur le substrat renforcée, de par un effet conjugué entre la multiplicité des surfaces d'appui et le renfort localisé de l'adhérence aux 15 coins de la cavité. REVENDICATIONS1. Dispositif de détection (1) de rayonnement électromagnétique, comprenant : un substrat (3), une matrice de détecteurs thermiques (2), disposée sur le substrat (3), une structure d'encapsulation (5) de la matrice de détecteurs thermiques (2), comportant une couche d'encapsulation (6) s'étendant de manière continue autour et au-dessus de la matrice de détecteurs thermiques (2) de manière à définir avec le substrat (3) une cavité (4) dans laquelle la matrice de détecteurs thermiques (2) est située, caractérisé en ce que la couche d'encapsulation (6) comprend au moins une portion (12), dite portion d'appui interne, située entre deux détecteurs thermiques (2) adjacents, qui prend appui directement sur le substrat (3). 2. Dispositif de détection selon la revendication 1, dans lequel la portion d'appui interne (12) présente un profil, dans un plan parallèle au plan du substrat (3), de forme oblongue, de préférence aux extrémités longitudinales arrondies. 3. Dispositif de détection selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la portion d'appui interne (12) comporte une paroi latérale (12a) et une partie inférieure (12b), ladite paroi latérale (12a) s'étendant de manière sensiblement verticale sur toute la hauteur de la cavité (4) et la partie inférieure (12b) étant au contact du substrat (3). 4. Dispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche d'encapsulation (6) comporte au moins un orifice traversant (8), dit évent de libération, présentant un profil transversal, dans un plan orthogonal au plan du substrat (3), dont la largeur croît à mesure que la distance au substrat (3) augmente. 5. Dispositif de détection selon la revendication 4, dans lequel la structure d'encapsulation (5) comporte en outre une couche de scellement (7) recouvrant la couche d'encapsulation (6) de manière à rendre la cavité (4) hermétique, la couche de scellement (7) comportant une bordure qui s'étend dans le sens de l'épaisseur de la couche de scellement (7), à partir de la bordure de l'évent de libération (8), avec un angle a non nul 3033044 26 par rapport à un axe sensiblement orthogonal au plan du substrat, et dans lequel le profil transversal de l'évent de libération (8) forme un angle (3 par rapport au même axe orthogonal supérieur à l'angle a. 6. Dispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel 5 les détecteurs thermiques (2) comportent chacun une membrane (9) adaptée à absorber le rayonnement à détecter, suspendue au-dessus du substrat (3) et isolée thermiquement de celui-ci par des clous d'ancrage (11a) et des bras d'isolation thermique (11b). 7. Dispositif de détection selon la revendication 6 dépendant de la revendication 2, dans lequel au moins une portion d'appui interne (12) est disposée entre deux membranes 10 absorbantes (9) adjacentes et deux clous d'ancrage (11a) adjacents, chacun desdits clous d'ancrage participant au maintien desdites membranes adjacentes, et dans lequel la portion d'appui interne (12) est orientée longitudinalement le long desdites membranes (9). 8. Dispositif de détection selon la revendication 6 ou 7, dans lequel la couche 15 d'encapsulation (6) comprend une pluralité d'orifices traversants (8) dit évents de libération disposés de sorte qu'au moins une partie des détecteurs thermiques (2) ait chacun un unique évent de libération (8) situé en regard de la membrane absorbante (9) correspondante, de préférence au droit du centre de ladite membrane (9). 9. Dispositif de détection selon la revendication 8, dans lequel chaque membrane 20 absorbante (9) comporte un orifice traversant (19), en regard de l'évent de libération (8) correspondant, de dimensions égales ou supérieures à celles dudit l'évent (8). 10. Dispositif de détection selon la revendication 9, dans lequel la membrane suspendue comporte un empilement d'une couche bolométrique (20), d'une couche diélectrique (21) structurée de manière à former deux portions distinctes (21a, 21b), et d'une couche 25 électriquement conductrice (22) structurée de manière à former trois électrodes (22a, 22b, 22c), dont deux électrodes (22a, 22c) destinées à être portées à une même potentiel électrique encadrent la troisième électrode (22b), dite centrale, destinée à être portée à un potentiel électrique différent, chaque électrode étant au contact de la couche 3033044 27 bolométrique (20), l'électrode centrale (22b) étant électriquement isolée des autres électrodes (22a, 22c) par la couche diélectrique (21), l'orifice traversant l'électrode centrale (22b) et la couche bolométrique (20) dans une zone située dans les portions (21a, 21b) de la couche diélectrique (21). 5 11. Dispositif de détection selon la revendication 9 ou 10, dans lequel la structure d'encapsulation (5) comporte en outre une couche de scellement (7) recouvrant la couche d'encapsulation (6) de manière à rendre la cavité (4) hermétique, et dans lequel le substrat (3) comprend une couche d'accroche (14) disposée en regard de l'orifice traversant (19) de la membrane (9) correspondante, et adaptée à assurer l'adhésion du matériau de la couche 10 de scellement (7). 12. Dispositif de détection selon la revendication 11, dans lequel la couche d'accroche (14) s'étend sous l'ensemble de la membrane (9) correspondante et est réalisée en un matériau adapté pour assurer en outre la réflexion du rayonnement électromagnétique à détecter. 15 13. Dispositif de détection selon la revendication 11 ou 12, dans lequel la couche d'accroche (14) comporte en outre des portions sur lesquelles reposent les clous de maintien (11a), et/ou des portions sur lesquelles reposent les portions d'appui interne (12), et est réalisée en un matériau apte à assurer l'adhésion des clous de maintien et/ou des portions d'appui. 20 14. Dispositif de détection selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel la couche d'encapsulation (6) comprend une paroi périphérique (6a) qui entoure la matrice de détecteurs, et qui présente une section, dans un plan parallèle au plan du substrat, de forme carrée ou rectangulaire, dont les coins sont arrondis. 15. Procédé de réalisation d'un dispositif de détection (1) de rayonnement 25 électromagnétique, comportant les étapes dans lesquelles : on réalise une matrice de détecteurs (2) sur un substrat (3), par dépôt de plusieurs couches dont deux couches sacrificielles (15, 16) empilées l'une sur l'autre, 3033044 28 on grave localement les couches sacrificielles (15, 16) jusqu'au substrat, de manière à former d'une part une tranchée périphérique (17) continue en bordure de la matrice de détecteurs, et d'autre part au moins une tranchée localisée (18) située entre deux détecteurs (2) adjacents, 5 on réalise une structure d'encapsulation (5) par dépôt conforme d'une couche d'encapsulation (6) sur les couches non gravées et dans les tranchées (17, 18), de telle sorte que la couche d'encapsulation (6) s'étende de manière continue au-dessus et autour de la matrice de détecteurs (2), et comporte au moins une portion d'appui interne (12) au niveau de la tranchée localisée (18), 10 on élimine les couches sacrificielles (15, 16) pour former une cavité (4) dans laquelle est située la matrice de détecteurs (2).