FR 3024064 A1 20160129 FR 1557186 A 20150728 1 La présente invention concerne un procédé pour un polissage mécano-chimique d'un substrat comprenant du ruthénium et du cuivre. La présente invention concerne plus particulièrement un procédé pour un polissage mécano-chimique d'un substrat semi-conducteur comprenant du ruthénium et du cuivre. Comme les largeurs de lignes et les épaisseurs de couches dans des substrats semiconducteurs continuent à diminuer, le ruthénium remplace de plus en plus l'utilisation de couches de germes de cuivre dans différents schémas d'intégration. Les demandes croissantes pour des circuits intégrés de densité élevée mènent de plus à des conceptions de dispositifs incorporant des couches multiples de sur-revêtement de structures d'interconnexions métalliques. Pour faciliter de telles conceptions de dispositifs multicouches, il est critique de planariser chaque couche du dispositif. Les fabrications de semi-conducteurs sont basées sur un polissage mécano-chimique comme un moyen efficace en coût pour fournir des surfaces de substrats planes. Comme les schémas d'intégration utilisés par différents fabricants de semi-conducteurs varient, la sélectivité de vitesse exigée pour différentes couches de dispositifs polies dans des étapes de polissage mécano-chimique varie également. Les produits secondaires de polissage mécano-chimique présents pendant une opération de polissage donnée pour une configuration de dispositif donnée peuvent de plus varier. Des compositions de polissage classiques mises au point pour un polissage du ruthénium contiennent par exemple typiquement un fort agent oxydant, présentent un faible pH ou présentent à la fois un faible pH et un fort agent oxydant. De telles formulations peuvent fournir des vitesses de retrait du ruthénium utiles ; elles fournissent cependant également un potentiel pour former du tétraoxyde de ruthénium. Le tétraoxyde de ruthénium est un gaz hautement toxique, lequel exige des précautions spéciales pendant les opérations de polissage mécano-chimique. De plus, le cuivre s'oxyde très rapidement lorsqu'il est exposé à des compositions de polissage contenant de forts agents oxydants. Etant donné la différence du potentiel de réduction du ruthénium et du cuivre, le cuivre peut être soumis à une attaque galvanique par le ruthénium lors du polissage de certaines configurations de dispositifs utilisant des compositions de polissage de ruthénium classiques. Ceci peut mener à 3024064 2 différentes vitesses de retrait du cuivre et du ruthénium lors du polissage, résultant en des non-uniformités non souhaitées. Une solution avancée pour un polissage de couches de substrats contenant du ruthénium et du cuivre est décrite par Li et al. 5 dans la publication de demande de brevet U.S. n° 2009/0124173. Li et al. décrit une composition de polissage mécano-chimique comprenant : (a) un abrasif, (b) un support aqueux, (c) un agent oxydant présentant un potentiel de réduction standard supérieur à 0,7 V et inférieur à 1,3 V par rapport à une électrode d'hydrogène standard, et (d) éventuellement une 10 source d'anions borate, à condition que, lorsque l'agent oxydant comprend un peroxyde différent du perborate, du percarbonate, ou du perphosphate, la composition de polissage mécano-chimique comprend de plus une source d'anions borate, dans laquelle le pH de la composition de polissage mécano-chimique est compris entre environ 7 et environ 12. 15 Il existe cependant un besoin continu de nouvelles compositions de suspensions et de nouveaux procédés de polissage mécano-chimique pour une utilisation dans le polissage de substrats présentant des reliefs de surface de ruthénium et de cuivre. La présente invention fournit un procédé pour un polissage 20 mécano-chimique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'une machine de polissage ; la fourniture d'un substrat, dans lequel le substrat comprend du ruthénium et du cuivre ; la fourniture d'une composition de suspension de polissage mécano-chimique comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; de 0,1 à 25 % en poids d'un abrasif ; de 25 0,05 à 1 % en poids d'hypochlorite de sodium ou d'hypochlorite de potassium ; de 0,001 à 1 % en poids d'un copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique ; de 0,005 à 1 % en poids d'un inhibiteur de corrosion pour le cuivre (de préférence BTA) ; de 0 à 0,01 °A) en poids d'un polyméthylvinyléther (PMVE) ; de 0 à 0,1 % en poids d'un tensioactif 30 non ionique ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique présente un pH de 8 à 12 ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; l'installation du feutre de polissage mécano-chimique et du substrat dans la machine de polissage mécano-chimique ; la création d'un contact dynamique entre le feutre de polissage mécano- 35 chimique et le substrat avec une force descendante de 0,69 à 34,5 kPa ; la distribution de la composition de suspension de polissage mécano- 3024064 3 chimique à proximité d'une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique entre en contact avec le ruthénium et le cuivre du substrat ; dans lequel le substrat est poli ; et, dans lequel une 5 certaine quantité du ruthénium est retirée du substrat. La présente invention fournit un procédé pour un polissage mécano-chimique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'une machine de polissage ; la fourniture d'un substrat, dans lequel le substrat comprend du ruthénium et du cuivre ; la fourniture d'une composition de 10 suspension de polissage mécano-chimique comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; de 5 à 15 % en poids de l'abrasif, dans lequel l'abrasif est un abrasif de silice colloïdale ayant une taille moyenne de particules de 1 à 100 nm ; de 0,05 à 1 % en poids d'hypochlorite de sodium ; de 0,001 à 1 % en poids du copolymère d'acide acrylique et 15 d'acide méthacrylique, dans lequel le copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique présente un rapport acide acrylique à acide méthacrylique de 1:5 à 5:1 et une masse moléculaire moyenne en masse de 10 000 à 50 000 g/mol ; de 0,005 à 1 % en poids de l'inhibiteur de corrosion pour le cuivre, dans lequel l'inhibiteur de corrosion pour le cuivre 20 est le benzotriazole ; de 0,0005 à 0,005 % en poids du poly(méthylvinyléther), dans lequel le poly(méthylvinyléther) présente une masse moléculaire moyenne en masse de 10 000 à 50 000 g/mol ; de 0,005 à 0,05 % en poids du tensioactif non ionique, dans lequel le tensioactif non ionique est un monolaurate de polyéthyèneglycol sorbitane 25 ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique présente un pH de 9 à 11 ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; l'installation du feutre de polissage mécano-chimique et du substrat dans la machine de polissage mécano-chimique ; la création d'un contact dynamique entre le feutre de polissage mécano-chimique et le 30 substrat avec une force descendante de 0,69 à 34,5 kPa ; la distribution de la composition de suspension de polissage mécano-chimique à proximité d'une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique entre en contact avec le ruthénium et le cuivre du 35 substrat ; dans lequel le substrat est poli ; et, dans lequel une certaine quantité du ruthénium est retirée du substrat. 3024064 4 La présente invention fournit un procédé pour un polissage mécano-chimique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'une machine de polissage ; la fourniture d'un substrat, dans lequel le substrat comprend du ruthénium et du cuivre ; la fourniture d'une composition de 5 suspension de polissage mécano-chimique comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; de 5 à 15 % en poids de l'abrasif, dans lequel l'abrasif est un abrasif de silice colloïdale ayant une taille moyenne de particules de préférence de 25 à 85 nm ; de 0,05 à 1 % en poids d'hypochlorite de sodium ; de 0,001 à 1 % en poids du copolymère 10 d'acide acrylique et d'acide méthacrylique, dans lequel le copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique présente un rapport acide acrylique à acide méthacrylique de 1:5 à 5:1 et une masse moléculaire moyenne en masse de préférence de 20 000 à 25 000 g/mol ; de 0,005 à 1 % en poids de l'inhibiteur de corrosion pour le cuivre, dans lequel 15 l'inhibiteur de corrosion pour le cuivre est le benzotriazole ; de 0,0005 à 0,005 % en poids du poly(méthylvinyléther), dans lequel le poly(méthylvinyléther) présente une masse moléculaire moyenne en masse de préférence de 25 000 à 40 000 g/mol ; de 0,005 à 0,05 % en poids du tensioactif non ionique, dans lequel le tensioactif non ionique est 20 un monolaurate de polyéthylèneglycol sorbitane ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique présente un pH de 9 à 11 ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; l'installation du feutre de polissage mécano-chimique et du substrat dans la machine de polissage mécano-chimique ; la création d'un contact 25 dynamique entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat avec une force descendante de 0,69 à 34,5 kPa ; la distribution de la composition de suspension de polissage mécano-chimique à proximité d'une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano- 30 chimique entre en contact avec le ruthénium et le cuivre du substrat ; dans lequel le substrat est poli ; et, dans lequel une certaine quantité du ruthénium est retirée du substrat. La présente invention fournit un procédé pour un polissage mécano-chimique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'une machine 35 de polissage ; la fourniture d'un substrat, dans lequel le substrat comprend du ruthénium et du cuivre ; la fourniture d'une composition de 3024064 5 suspension de polissage mécano-chimique comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; de 7 à 12 % en poids de l'abrasif de silice colloïdale, dans lequel l'abrasif de silice colloïdale présente une taille moyenne de particules de 25 à 85 nm ; de 0,07 à 1 % en poids 5 d'hypochlorite de sodium ; de 0,01 à 0,1 % en poids du copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique, dans lequel le copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique présente un rapport acide acrylique à acide méthacrylique de 1:5 à 5:1 et une masse moléculaire moyenne en masse de 15 000 à 30 000 g/mol ; de 0,03 à 0,05 % en poids 10 du benzotriazole ; de 0,001 à 0,0025 % en poids du poly(méthylvinyléther), dans lequel le poly(méthylvinyléther) présente une masse moléculaire moyenne en masse de 25 000 à 40 000 g/mol ; de 0,0075 à 0,015 % en poids du tensioactif non ionique, dans lequel le tensioactif non ionique est un monolaurate de polyéthylèneglycol 15 sorbitane ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique présente un pH de 10 à 11 ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; l'installation du feutre de polissage mécano-chimique et du substrat dans la machine de polissage mécano-chimique ; la création d'un contact dynamique entre le feutre de polissage mécano- 20 chimique et le substrat avec une force descendante de 0,69 à 34,5 kPa ; la distribution de la composition de suspension de polissage mécano-chimique à proximité d'une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique entre en contact avec le ruthénium et le 25 cuivre du substrat ; dans lequel le substrat est poli ; et, dans lequel une certaine quantité du ruthénium est retirée du substrat. La présente invention fournit un procédé pour un polissage mécano-chimique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'une machine de polissage ; la fourniture d'un substrat, dans lequel le substrat 30 comprend du ruthénium et du cuivre ; la fourniture d'une composition de suspension de polissage mécano-chimique comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau, de 7 à 12 % en poids de l'abrasif de silice colloïdale, dans lequel l'abrasif de silice colloïdale présente une taille moyenne de particules de 25 à 85 nm ; de préférence de 0,075 à 0,5 % 35 en poids d'hypochlorite de sodium ; de préférence de 0,05 à 0,075 % en poids du copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique, dans 3024064 6 lequel le copolymère présente un rapport acide acrylique à acide méthacrylique de 2:3 et une masse moléculaire moyenne en masse de 20 000 à 25 000 g/mol ; de 0,03 à 0,05 % en poids du benzotriazole ; de 0,001 à 0,0025 % en poids du poly(méthylvinyléther), dans lequel le 5 poly(méthylvinyléther) présente une masse moléculaire moyenne en masse de 25 000 à 40 000 g/mol ; de 0,0075 à 0,015 % en poids du tensioactif non ionique, dans lequel le tensioactif non ionique est un monolaurate de polyéthylèneglycol sorbitane ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique présente un pH de 10 à 11 ; 10 la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; l'installation du feutre de polissage mécano-chimique et du substrat dans la machine de polissage mécano-chimique ; la création d'un contact dynamique entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat avec une force descendante de 0,69 à 34,5 kPa ; la distribution de la composition de 15 suspension de polissage mécano-chimique à proximité d'une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique entre en contact avec le ruthénium et le cuivre du substrat ; dans lequel le substrat est poli ; et, dans lequel une certaine quantité du ruthénium est retirée du 20 substrat. DESCRIPTION DETAILLEE Un grand nombre de compositions de polissage mécano-chimique éventuelles présentant une vitesse de retrait de ruthénium et 25 une sélectivité du ruthénium au cuivre souhaitables, comme mis en évidence par des expériences de polissage d'une couche témoin, font défaut pour présenter une performance de polissage robuste pour différentes configurations de dispositifs présentées par différents substrats à motifs (c'est-à-dire des substrats présentant des reliefs de surface à la 30 fois du ruthénium et du cuivre). On pense que les produits secondaires produits pendant le polissage mécano-chimique de substrats comprenant du ruthénium et du cuivre comprennent des ions cuivre. On pense de plus que ces ions cuivre mènent à la décomposition d'oxydant d'hypochlorite de sodium. On a trouvé de manière surprenante que la composition de 35 suspension de polissage mécano-chimique contenant un oxydant d'hypochlorite de sodium utilisée dans le procédé de la présente invention 3024064 7 présente de robustes propriétés de polissage sur une variété de différentes configurations de dispositifs présentant des reliefs de surface à la fois du ruthénium et du cuivre. Le procédé pour un polissage mécano-chimique d'un substrat 5 de la présente invention est utile pour un polissage mécano-chimique d'une surface d'un substrat comprenant du ruthénium et du cuivre. Le procédé pour un polissage mécano-chimique d'une surface d'un substrat de la présente invention est particulièrement utile pour un polissage mécano-chimique d'une surface d'une galette de semi-conducteur 10 présentant des reliefs de surface du ruthénium et du cuivre, dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique entre en contact avec du ruthénium et du cuivre des reliefs de surface ; et, dans lequel une certaine quantité du ruthénium est retirée du substrat. L'eau utilisée comme constituant initial dans la composition de 15 suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention est de préférence au moins une parmi une eau désionisée et une eau distillée pour limiter les impuretés incidentes. Les abrasifs appropriés dans la composition de suspension de 20 polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention comprennent par exemple des oxydes inorganiques, des hydroxydes inorganiques, des oxydes hydroxydes inorganiques, des borures de métaux, des carbures de métaux, des nitrures de métaux, des particules polymères et des 25 mélanges comprenant au moins un des précédents. Les oxydes inorganiques appropriés comprennent par exemple la silice (SiO2), l'alumine (A1203), l'oxyde de zirconium (ZrO2), l'oxyde de cérium (Ce02), l'oxyde de manganèse (Mn02), l'oxyde de titane (Ti02) ou des combinaisons comprenant au moins un des oxydes précédents. Des 30 formes modifiées de ces oxydes inorganiques, telles que des particules d'oxydes inorganiques revêtues d'un polymère organique et des particules revêtues d'une matière inorganique, peuvent également être utilisées si souhaité. Les carbures, borures et nitrures de métaux appropriés comprennent par exemple le carbure de silicium, le nitrure de silicium, le 35 carbonitrure de silicium (SiCN), le carbure de bore, le carbure de tungstène, le carbure de zirconium, le borure d'aluminium, le carbure de 3024064 8 tantale, le carbure de titane, ou des combinaisons comprenant au moins un des carbures, borures et nitrures de métaux précédents. L'abrasif utilisé est de préférence un abrasif de silice colloïdale. L'abrasif utilisé est encore mieux une silice colloïdale présentant une taille moyenne de 5 particules de 1 à 100 nm (de préférence de 10 à 100 nm ; encore mieux de 25 à 85 nm) comme déterminé par des techniques de dispersion de lumière laser bien connues. La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la 10 présente invention comprend de préférence, comme un constituant initial, de 0,1 à 25 % en poids (de préférence de 1 à 20 % en poids ; encore mieux de 5 à 15 % en poids ; bien mieux encore de 7 à 12 % en poids) d'un abrasif. L'abrasif est de préférence un abrasif de silice colloïdale. L'abrasif est encore mieux un abrasif de silice colloïdale ayant une taille 15 moyenne de particules de 1 à 100 nm (encore mieux de 10 à 100 nm ; bien mieux encore de 25 à 85 nm). La composition de suspension de polissage mécano-chimique de la présente invention comprend bien mieux encore, comme un constituant initial, de 5 à 15 % en poids (encore mieux de 7 à 12 % en poids) d'un abrasif de silice colloïdale présentant une taille 20 moyenne de particules de 10 à 100 nm (encore mieux de 25 à 85 nm). La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention comprend de préférence, comme un constituant initial, de 0,05 à 1 % en poids (encore mieux de 0,07 à 1 % en poids ; bien 25 mieux encore de 0,075 à 0,5 % en poids) d'au moins un parmi l'hypochlorite de sodium et l'hypochlorite de potassium. La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention comprend encore mieux de préférence, comme un constituant initial, de 0,05 à 1 % en 30 poids (encore mieux de 0,07 à 1 % en poids ; bien mieux encore de 0,075 à 0,5 % en poids) d'hypochlorite de sodium. La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention comprend de préférence, comme un constituant initial, 35 de 0,001 à 1 % en poids (de préférence de 0,0075 à 0,5 % en poids ; encore mieux de 0,01 à 0,1 % en poids ; bien mieux encore de 0,05 à 3024064 9 0,075 % en poids) d'au moins un copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique. Le au moins un copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique est de préférence choisi dans le groupe de copolymères d'acide acrylique et d'acide méthacrylique ayant un rapport acide acrylique 5 à acide méthacrylique de 1:10 à 10:1 (encore mieux de 1:5 à 5:1 ; bien mieux encore de 2:3). Le au moins un copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique est de préférence choisi dans le groupe de copolymères d'acide acrylique et d'acide méthacrylique ayant une masse moléculaire moyenne en masse de 5 000 à 100 000 g/mol (encore mieux 10 de 10 000 à 50 000 g/mol ; bien mieux encore de 15 000 à 30 000 g/mol ; particulièrement de préférence de 20 000 à 25 000 g/mol). Le au moins un copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique est bien mieux encore choisi dans le groupe de copolymères d'acide acrylique et d'acide méthacrylique ayant un rapport acide acrylique à acide méthacrylique de 15 1:10 à 10:1 (encore mieux de 1:5 à 5:1, bien mieux encore de 2:3) et ayant une masse moléculaire moyenne en masse de 5 000 à 100 000 g/mol (encore mieux de 10 000 à 50 000 g/mol ; bien mieux encore de 15 000 à 30 000 g/mol ; particulièrement de préférence de 20 000 à 25 000 g/mol). 20 La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention comprend de préférence, comme un constituant initial, de 0,005 à 1 % en poids (de préférence de 0,0075 à 0,5 % en poids ; encore mieux de 0,01 à 0,1 % en poids ; bien mieux encore de 0,03 à 25 0,05 % en poids) d'un inhibiteur de corrosion pour le cuivre. L'inhibiteur de corrosion pour le cuivre est de préférence un inhibiteur d'azote. L'inhibiteur de corrosion pour le cuivre est bien mieux encore un inhibiteur d'azote choisi dans le groupe constitué de benzotriazole (BTA), mercapobenzotriazole (MBT), tolytriazole (TTA) et imidazole. L'inhibiteur 30 de corrosion pour le cuivre est bien mieux encore le benzotriazole. La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention comprend éventuellement, comme un constituant initial, de 0 à 0,01 % en poids (de préférence de 0,0005 à 0,005 % en 35 poids ; encore mieux de 0,0010 à 0,0025 % en poids) d'un poly(méthylvinyléther) (PMVE). Le poly(méthylvinyléther) dans la 3024064 10 composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé de la présente invention présente de préférence une masse moléculaire moyenne en masse de 5 000 à 100 000 g/mol (encore mieux de 10 000 à 50 000 g/mol ; bien mieux encore de 25 000 à 40 000 g/mol). 5 La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention comprend éventuellement, comme un constituant initial, de 0 à 0,1 % en poids (de préférence de 0,005 à 0,05 % en poids ; encore mieux de 0,0075 à 0,015 % en poids) d'un tensioactif non ionique. 10 Le tensioactif non ionique est de préférence un monolaurate de polyéthylèneglycol sorbitane (par exemple Tween® 20 disponible chez Sigma-Aldrich). La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la 15 présente invention présente a de préférence un pH de 8 à 12 (de préférence de 9 à 11 ; encore mieux de 9,5 à 11 ; bien mieux encore de 10 à 11). La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention comprend éventuellement un agent d'ajustement du 20 pH. L'agent d'ajustement du pH éventuel est de préférence choisi parmi un acide inorganique ou une base inorganique. L'agent d'ajustement du pH éventuel est encore mieux choisi parmi l'acide nitrique, l'acide sulfurique, l'acide chlorhydrique, l'acide phosphorique, le sulfate de potassium et l'hydroxyde de potassium. 25 La composition de suspension de polissage mécano-chimique utilisée dans le procédé pour un polissage mécano-chimique de la présente invention est de préférence exempte d'oxydant peroxy. Le terme "oxydant peroxy" comme utilisé ici et dans les revendications annexées indique des oxydants choisis parmi le peroxyde d'hydrogène, l'urée 30 peroxyde d'hydrogène, des sels de percarbonate, le peroxyde de benzoyle, l'acide peracétique, le peroxyde de sodium, le peroxyde de di-tert-butyle, des sels de monopersulfate, des sels de dipersulfate, des composés du fer (III). Le terme "exempt d'oxydant peroxy" comme utilisé ici et dans les revendications annexées indique que la composition de suspension de 35 polissage mécano-chimique contient REVENDICATIONS1. Procédé pour un polissage mécanochimique d'un substrat, caractérisé en ce qu'il comprend : la fourniture d'une machine de polissage ; la fourniture d'un substrat, dans lequel le substrat comprend du ruthénium et du cuivre ; la fourniture d'une composition de suspension de polissage mécano-chimique, comprenant, comme constituants initiaux : de l'eau ; de 0,1 à 25 % en poids d'un abrasif ; de 0,05 à 1 % en poids d'hypochlorite de sodium ou d'hypochlorite de potassium ; de 0,001 à 1 % en poids d'un copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique ; de 0,005 à 1 % en poids d'un inhibiteur de corrosion pour le cuivre (de préférence BTA) ; de 0 à 0,01 % en poids d'un polyméthylvinyléther (PMVE) ; de 0 à 0,1 % en poids d'un tensioactif non ionique ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano- chimique présente un pH de 8 à 12 ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; l'installation du feutre de polissage mécano-chimique et du substrat dans la machine de polissage mécano-chimique ; la création d'un contact dynamique entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat avec une force descendante de 0,69 à 34,5 kPa ; la distribution de la composition de suspension de polissage mécano-chimique à proximité d'une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique entre en contact avec le ruthénium et le cuivre du substrat ; dans lequel le substrat est poli ; et, dans lequel une certaine quantité du ruthénium est retirée du substrat. 3024064 18 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la composition de suspension de polissage mécano-chimique comprend, comme constituants initiaux : de l'eau ; 5 de 5 à 15 % en poids de l'abrasif, dans lequel l'abrasif est un abrasif de silice colloïdale ayant une taille moyenne de particules de 1 à 100 nm ; de 0,05 à 1 % en poids d'hypochlorite de sodium ; de 0,001 à 1 % en poids du copolymère d'acide acrylique et 10 d'acide méthacrylique, dans lequel le copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique présente un rapport acide acrylique à acide méthacrylique de 1:5 à 5:1 et une masse moléculaire moyenne en masse de 10 000 à 50 000 g/mol ; de 0,005 à 1 % en poids de l'inhibiteur de corrosion pour le 15 cuivre, dans lequel l'inhibiteur de corrosion pour le cuivre est le benzotriazole ; de 0,0005 à 0,005 % en poids du poly(méthylvinyléther), dans lequel le poly(méthylvinyléther) présente une masse moléculaire moyenne en masse de 10 000 à 50 000 g/mol ; 20 de 0,005 à 0,05 % en poids du tensioactif non ionique, dans lequel le tensioactif non ionique est un monolaurate de polyéthylèneglycol sorbitane ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-chimique présente un pH de 9 à 11. 25 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'abrasif de silice colloïdale présente une taille moyenne de particules de 25 à 85 nm. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique présente une masse 30 moléculaire moyenne en masse de 20 000 à 25 000 g/mol. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le polyméthylvinyléther présente une masse moléculaire moyenne en masse de 25 000 à 40 000 g/mol. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'abrasif de silice colloïdale présente une taille moyenne de particules de 25 à 85 nm ; le copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique 3024064 19 présente une masse moléculaire moyenne en masse de 20 000 à 25 000 g/mol ; et, le polyméthylvinyléther présente une masse moléculaire moyenne en masse de 25 000 à 40 000 g/mol. 7. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la 5 composition de suspension de polissage mécano-chimique comprend, comme constituants initiaux : de l'eau ; de 7 à 12 % en poids de l'abrasif de silice colloïdale, dans lequel l'abrasif de silice colloïdale présente une taille moyenne de 10 particules de 25 à 85 nm ; de 0,07 à 1 % en poids d'hypochlorite de sodium ; de 0,01 à 0,1 % en poids du copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique, dans lequel le copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique présente un rapport acide acrylique à acide 15 méthacrylique de 1:5 à 5:1 et une masse moléculaire moyenne en masse de 15 000 à 30 000 g/mol ; de 0,03 à 0,05 % en poids du benzotriazole ; de 0,001 à 0,0025% en poids du poly(méthylvinyléther), dans lequel le poly(méthylvinyléther) présente une masse moléculaire moyenne 20 en masse de 25 000 à 40 000 g/mol ; de 0,0075 à 0,015 % en poids du tensioactif non ionique, dans lequel le tensioactif non ionique est un monolaurate de polyéthylèneglycol sorbitane ; dans lequel la composition de suspension de polissage mécano-25 chimique présente un pH de 10 à 11. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la composition de suspension de polissage mécano-chimique comprend, comme un constituant initial : de 0,075 à 0,5 % en poids d'hypochlorite de sodium. 30 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la composition de suspension de polissage mécano-chimique comprend, comme un constituant initial : de 0,05 à 0,075 % en poids du copolymère d'acide acrylique et d'acide méthacrylique, dans lequel le copolymère présente un rapport acide acrylique à acide méthacrylique de 2:3 et une 35 masse moléculaire moyenne en masse de 20 000 à 25 000 g/mol. 3024064 20 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la composition de suspension de polissage mécano-chimique comprend, comme un constituant initial : de 0,075 à 0,5 % en poids d'hypochlorite de sodium ; et, de 0,05 à 0,075 % en poids du copolymère de poly(acide 5 acrylique) et d'acide méthacrylique, dans lequel le copolymère présente un rapport acide acrylique à acide méthacrylique de 2:3 et une masse moléculaire moyenne en masse de 20 000 à 25 000 g/mol.