FR 3028350 A1 20160513 FR 1460849 A 20141110 PROCEDE AMELIORE DE REALISATION DE MOTIFS DANS UNE COUCHE MINCE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ETAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La présente invention concerne le domaine de la réalisation de motifs dans une couche mince, en particulier dans une couche mince semi-conductrice pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. En microélectronique, on réalise couramment, à l'aide de procédés de photolithographie, des motifs ayant une dimension minimale (hormis l'épaisseur) qui dépend des longueurs d'ondes des rayonnements utilisés. Des techniques de lithographie EUV (EUV pour « Extreme Ultra-Violet ») employant un rayonnement UV de longueur d'onde de l'ordre de 10 à 15 nanomètres ont notamment été développées afin de réaliser des motifs de dimension minimale très faible, typiquement inférieure à 30 nm. Ainsi, on se rapproche des limites de longueurs d'ondes qu'il est possible d'utiliser par photolithographie et par conséquent des dimensions minimales de motifs qu'il est possible de réaliser par ce biais. Pour réduire davantage la taille des motifs, des procédés de lithographie non-optique peuvent être employés en complément. Cependant, ces procédés ne permettent généralement pas de définir des motifs suffisamment précis. Il se pose le problème de trouver un nouveau procédé permettant de définir précisément un ou plusieurs motifs dans une couche mince, en particulier dans une couche semi-conductrice ou dans une couche située sous une couche semiconductrice, et qui soit apte à produire des motifs de très petite taille, typiquement de l'ordre de 20 nm ou 10 nm voire inférieure. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé pour réaliser au moins un motif dans une couche reposant sur un support, et comprenant des étapes consistant à : a) rendre amorphe au moins un premier bloc d'une couche appelée couche supérieure à base de matériau cristallin reposant sur une première couche du support, la première couche étant amorphe, tandis que la structure cristalline d'un deuxième bloc de la couche supérieure accolé et juxtaposé audit premier bloc est conservée, b) effectuer une recristallisation partielle du premier bloc en se servant d'au moins une face latérale du deuxième bloc en contact avec le premier bloc comme zone de départ d'un front de recristallisation, la recristallisation partielle étant effectuée de manière à conserver une région de matériau amorphe dans le premier bloc, c) effectuer une gravure du matériau amorphe de la couche supérieure sélective vis-à-vis du matériau cristallin de la couche supérieure. De cette manière, on peut former au moins un premier motif dans la couche supérieure. La gravure effectuée à l'étape c) est de préférence également sélective vis-à-vis du matériau amorphe de la première couche. La couche supérieure est avantageusement une couche de matériau semi-conducteur. L'étape a) peut être réalisée par implantation ionique, lors de laquelle le deuxième bloc est protégé par un premier masque à implantation ionique. En effectuant la recristallisation sur une couche du support à base d'un matériau amorphe et en se servant d'une face latérale d'un bloc cristallin on peut contrôler l'étendue de portions recristallisées de la couche supérieure et en particulier d'une portion recristallisée du premier bloc. On peut donc contrôler la taille de la région à base de matériau cristallin par rapport à celle de matériau amorphe. Ainsi, on peut former un motif de dimension définie dans la couche supérieure. Par ailleurs, avec un tel procédé, la taille du premier motif dépend avantageusement de l'étendue de propagation du front de recristallisation à l'étape b) et n'est pas nécessairement liée à celle de motifs du premier masque. La recristallisation peut être réalisée par le biais d'un recuit thermique. Dans ce cas, l'étendue de propagation du front de recristallisation et l'étendue que l'on souhaite donner à la ou les régions recristallisée(s) est ajustée en contrôlant la température et la durée de recuit. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, la couche supérieure dans laquelle on forme le ou les premiers motifs peut être une couche semi- conductrice superficielle d'un substrat de type semi-conducteur sur isolant, par exemple de type SOI (pour « Silicon On Insulator ») ou Ge01 (pour « Germanium On Insulator ») ou SGOI (pour « Silicon Germanium On Insulator »). Dans ce cas, la première couche de support est la couche isolante du substrat et repose sur une deuxième couche de support qui est semi-conductrice. Selon une première possibilité de mise en oeuvre pour laquelle l'étape c) est une gravure de matériau amorphe vis-à-vis du matériau semi-conducteur cristallin effectuée de sorte qu'a l'issue de cette gravure le deuxième bloc et une portion recristallisée du premier bloc sont conservées tandis qu'une zone du masque à implantation est conservée sur le deuxième bloc, le procédé peut comprendre en outre des étapes consistant à : - former un deuxième masque à implantation recouvrant au moins la portion recristallisée du premier bloc, - retirer le premier masque à implantation de manière à dévoiler le deuxième bloc, - rendre amorphe le deuxième bloc tout en conservant la structure cristalline du matériau de ladite portion recristallisée du premier bloc. Lorsque l'étape a) est réalisée par implantation ionique, à travers une ou plusieurs ouvertures du premier masque, et que l'étape c) est une gravure de matériau amorphe de manière à former un ou plusieurs trous dans la couche supérieure, avantageusement, le deuxième masque à implantation est réalisé de manière à combler au moins une ouverture pratiquée dans le premier masque et au moins un trou formé dans la couche supérieure. Selon cette première possibilité de mise en oeuvre du procédé, après implantation du deuxième bloc, on peut effectuer une étape consistant à graver sélectivement le matériau amorphe vis-à-vis du matériau cristallin de la couche supérieure, de manière à retirer le deuxième bloc et former au moins un deuxième motif dans la couche supérieure. Cette gravure est de préférence également sélective vis-à-vis du matériau amorphe de la première couche de support. Le deuxième motif a avantageusement une taille réduite par rapport au premier motif. On peut ainsi réaliser des motifs dans une couche de matériau cristallin ayant une dimension critique plus petite que celle de motifs habituellement réalisés par photolithographie. Par dimension critique d'un élément on entend la plus petite dimension de cet élément hormis son épaisseur. Le procédé peut comprendre en outre une étape consistant à retirer le deuxième masque. Selon une deuxième possibilité de mise en oeuvre du procédé, on peut en variante après implantation du deuxième bloc, réaliser des étapes consistant à : effectuer une recristallisation partielle du deuxième bloc en se servant d'au moins une face latérale d'une portion cristalline du premier bloc comme zone de départ d'un front de recristallisation, - effectuer un retrait du matériau semi-conducteur amorphe sélectivement vis-à-vis du matériau semi-conducteur cristallin, de manière à former au moins un autre motif dans la couche semi-conductrice et de taille réduite par rapport au premier motif. Le procédé peut comprendre en outre une étape consistant à retirer le deuxième masque. Le procédé peut également permettre la réalisation de motifs dans une couche située sous la couche supérieure. Ainsi, en variante de la deuxième possibilité de mise en oeuvre, après avoir retiré le deuxième masque, on peut effectuer une étape consistant à reproduire ledit autre motif dans la première couche de support. On peut également effectuer une étape consistant à reproduire ledit autre motif dans la deuxième couche de support. Selon une troisième possibilité de mise en oeuvre pour laquelle l'étape a) est réalisée par implantation du premier bloc tandis que le deuxième bloc est protégé par un premier masque à implantation, le procédé peut comprendre en outre, après l'étape c), des étapes consistant à : - retirer le premier masque, - reproduire ledit premier motif dans la première couche de support. Le procédé peut comprendre en outre une étape consistant à reproduire ledit premier motif dans la deuxième couche de support. Selon une quatrième possibilité de mise en oeuvre pour laquelle l'étape c) est une gravure du matériau amorphe sélective vis-à-vis du matériau cristallin et conduit à la formation d'au moins un trou traversant la couche supérieure, le procédé peut comprendre en outre des étapes de : - remplissage du trou à l'aide d'au moins un matériau donné, - gravure sélective de la couche supérieure vis-à-vis du matériau donné. Ainsi, le trou rempli de matériau donné forme un motif dont la taille dépend de celle du trou, la taille du trou dépendant elle-même de celle de la ou des régions amorphes conservée(s) après recristallisation à l'étape b), celle-ci pouvant être avantageusement inférieure à celle de motifs habituellement réalisés par photolithographie. Le trou rempli de matériau donné peut former une zone d'un masque de gravure. Dans ce cas, cette quatrième possibilité de mise en oeuvre du procédé permet avantageusement de réaliser des motifs d'un masque de gravure ayant une taille inférieure à celle de motifs habituellement réalisés par photolithographie. Le procédé peut comprendre en outre une étape consistant à reproduire le motif donné du masque de gravure dans la première couche de support ou dans une deuxième couche de support située sous la première couche de support. Le procédé peut comprendre à l'étape a) une implantation ionique à travers au moins une ouverture d'un masque en forme de cadre ou une forme géométrique tel qu'un cercle ou rectangle, de manière à former un premier bloc amorphe ayant une première géométrie, la recristallisation partielle étant effectuée de manière à conserver une région de matériau amorphe de géométrie similaire mais de dimension différente dans le premier bloc. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé dans lequel l'étape c) est une gravure du matériau amorphe sélective vis-à-vis du matériau cristallin et conduit à la formation d'au moins un trou traversant la couche supérieure, le procédé peut comprendre en outre une ou plusieurs étapes consistant à reproduire le trou dans la première couche de support ou dans la première couche de support et une deuxième couche de support sur laquelle repose la première couche de support. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1A-16 illustrent un premier exemple de procédé de réalisation de premiers motifs dans une couche semi-conductrice cristalline à l'aide d'étapes d'amorphisation, de recristallisation, puis de gravure sélective de régions de matériau semi-conducteur amorphes vis-à-vis de régions à base de matériau semiconducteur cristallin, - les figures 1F-1J illustrent un exemple de procédé pour réduire les premiers motifs semi-conducteurs réalisés à l'aide du premier exemple de procédé, et obtenir des motifs de taille qui peut être inférieure à celle obtenue habituellement par photolithographie, - les figures 2A-2C illustrent une variante du procédé permettant de former des motifs semi-conducteurs de taille réduite, - les figures 3A-3C illustrent un exemple de procédé dans lequel on reproduit les motifs semi-conducteurs formés à l'aide du procédé selon les figures 2A-2C dans une ou plusieurs couches sous-jacentes, - les figures 4A-4C illustrent un exemple de procédé dans lequel on reproduit les motifs semi-conducteurs formés à l'aide du procédé selon les figures 1A-1E dans une ou plusieurs couches sous-jacentes afin de former dans ces couches sous-jacentes des motifs de taille qui peut être inférieure à celle obtenue habituellement par photolithographie, - les figures 5A-5D illustrent un exemple de procédé dans lequel on forme un masque de gravure comportant des motifs de taille qui peut être inférieure à celle obtenue habituellement par photolithographie, - les figures 6A-6C et 7A-7C illustrent la réalisation de motifs de géométries différentes par amorphisation puis recristallisation latérale d'un matériau, - les figures 8A-8C et 9 illustrent la réalisation d'un motif en forme de cadre par amorphisation puis recristallisation latérale d'un matériau. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. En outre, dans la description ci-après, des termes qui dépendent de l'orientation de la structure comme « latéral », « supérieure », « inférieure », « sous », « su r », s'appliquent en considérant que la structure est orientée de la façon illustrée dans les figures. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un premier exemple de procédé pour réaliser un ou plusieurs motifs dans une couche mince va à présent être décrit en liaison avec les figures 1A-1E. La couche dite « supérieure » dans laquelle le ou les motifs sont formés est une couche à base de matériau cristallin, qui peut être par exemple du saphir, du quartz ou encore un matériau semi-conducteur tel que du silicium, du germanium, du diamant, du SiC, du SiGe, un matériau III-V tel que du GaAs, du GaN, de l'INP. Cette couche supérieure repose sur une couche de support à base d'un matériau amorphe présentant une sélectivité de gravure par rapport à la phase amorphe du matériau cristallin de la couche supérieure. Ce matériau amorphe peut être par exemple un diélectrique. La couche supérieure peut être comme illustré sur la figure 1A une couche 13 superficielle d'un substrat de type semi-conducteur sur isolant, par exemple de type SOI (pour « Silicon on Insulator » ou silicium sur isolant), la couche de support à base de matériau amorphe étant la couche isolante 12 du substrat couramment appelée couche de BOX (pour « Burried Oxide »), elle-même disposée sur une deuxième couche de support 11 à base de matériau semi-conducteur. La couche superficielle semi-conductrice 13 peut avoir une épaisseur e (mesurée dans une direction z d'un repère orthogonal [O; x; y; z] sur la figure 1A, et orthogonale au plan du substrat) par exemple comprise entre 5 nm et 150 nm. On réalise tout d'abord un masque 20 à implantation à base d'un matériau 19 (figure 1A). Un ou plusieurs premiers bloc(s) 131 de la couche superficielle semi-conductrice 13 sont dévoilés respectivement par une ou plusieurs ouvertures 21 du masque 20 tandis que des zones 22 du masque sont réparties sur un ou plusieurs deuxièmes bloc(s) 132 de la couche superficielle semi-conductrice 13 juxtaposés aux premiers blocs 131. Les zones 22 du masque 20 peuvent avoir une dimension critique D1 (correspondant à la plus petite dimension dans le plan du substrat [0 ;x ;y] sur l'exemple de la figure 1A il s'agit de la dimension selon x), comprise par exemple entre 20 nm et 1 um. Ce masque 20 est réalisé à partir de moyens standard de lithographie. Le matériau 19 du masque est choisi de sorte qu'il ne permette pas aux espèces ultérieurement implantées d'atteindre la couche 12 sous-jacente. Le matériau 19 du masque 20 est choisi également de sorte que celui-ci puisse également servir ultérieurement de masque de gravure. Le matériau 19 peut être par exemple du nitrure de silicium (de formule générale SixNy) ou de l'oxyde de Silicium (de formule générale Si0x). Ensuite, on effectue une implantation ionique (figure 1B) à travers la ou les ouvertures 21 du masquage 20, de manière à rendre amorphe le ou les premier(s) bloc(s) 131 de la couche superficielle semi-conductrice 13, tandis que le ou les deuxième(s) bloc(s) 132 protégés par le masque 20 ne sont pas implantés et conservent ainsi leur structure cristalline. L'implantation ionique peut être une implantation dite « classique » dans laquelle des ions sont transportés dans un faisceau, ou une implantation par des techniques d'immersion en plasma. Dans l'exemple de la figure 1B, les premiers blocs 131 sont rendus amorphes sur toute leur épaisseur e c'est-à-dire jusqu'à la couche isolante 12 du substrat. L'implantation amorphisante peut être réalisée par exemple à base d'atomes de Ge, ou de Si, ou d'As, ou de C, ou d'Ar, ou de P, ou de N, à une énergie choisie en fonction de la nature des espèces implantées, de la nature et épaisseur de la couche superficielle 13, de la densité de courant d'implantation et de la température du substrat lors de l'implantation. L'énergie d'implantation peut être par exemple comprise entre 3 keV et 40 keV, et la dose d'implantation est par exemple comprise entre 101' et 5 x 1015 atomes/cm' implantée à un courant de 6 mA dans un équipement qui contrôle la température du substrat à 20 °C. Par exemple, pour amorphiser une épaisseur de 15 nm de Si, on peut implanter des ions Si à une énergie comprise entre 6 keV à 8 keV avec une dose comprise entre 4 x 1014 et 1 x 1015 atomes/cm'. Pour rendre amorphe une épaisseur de 30 nm de Si, on peut par exemple implanter des ions Si à une énergie comprise entre 14 keV et 25 keV à une dose de l'ordre de 5 x 1014 atomes/cm'. Puis (figure 1C donnant une vue agrandie par rapport à la figure 1B), on effectue une recristallisation partielle d'au moins un premier bloc 131 rendu amorphe, en se servant comme zone de départ à un front de recristallisation d'au moins une face latérale 132a d'un deuxième bloc 132 adjacent qui jouxte, et est accolé au premier bloc 131, et dont la structure cristalline a été conservée lors de l'implantation. Par recristallisation partielle, on entend ici que l'on conserve au moins une région amorphe dans la couche superficielle 13. Par « face latérale » on entend une face qui n'est pas parallèle au plan principal du substrat (le plan principal du substrat étant défini ici et dans toute la description comme un plan passant par le substrat et parallèle au plan [0, x, y] donné sur la figure 1C), et réalise ainsi un angle non-nul avec le plan principal du substrat. Dans l'exemple de la figure 1C, la face latérale 132a s'étend orthogonalement au plan principal du substrat, selon la direction z du repère orthogonal [0, x, y, z]. Chaque premier bloc 131 rendu amorphe peut être accolé à plusieurs blocs cristallins 132, voire être entouré sur toute sa périphérie par des blocs cristallins, de sorte que plusieurs fronts de recristallisation (représentés par le biais de flèches F1 et F2 sur la figure 1C) se propagent dans ce premier bloc 131. On fait ainsi croitre latéralement des germes cristallins depuis la périphérie du premier bloc 131 vers son centre, les fronts de recristallisation se déplaçant horizontalement, c'est à dire parallèlement au plan principal du substrat et à la couche isolante 11. Le fait que la couche de support 12 sur laquelle repose le premier bloc 131 soit elle-même amorphe permet d'éviter qu'une recristallisation s'initie verticalement depuis la couche de support, permettant ainsi de conserver amorphe la partie centrale du premier bloc 131 rendu amorphe, située entre les fronts de recristallisation. Il est important également que cette couche de support 12 ne recristallise pas elle-même pendant le recuit de recristallisation du premier bloc 131. On choisira le matériau de cette couche de support 12 ainsi que les conditions (température notamment) du recuit en conséquence. Pour effectuer cette recristallisation, un recuit est réalisé à une température T suffisante pour obtenir cette recristallisation à partir de cristaux latéraux (solid phase epitaxial regrowth : SPER en anglais), mais inférieure à la température engendrant la nucléation des cristaux aléatoirement dans la partie amorphe (avec Tsper T Dans le cas du silicium, cette température peut être comprise par exemple entre 480°C et 1100°C, et selon une durée par exemple comprise entre 1 s et 10 h. Avantageusement, ce recuit est effectué entre 580°C et 650°C afin de limiter le nombre de défauts dans la partie recristallisée. A température donnée, on ajuste le temps de recuit pour contrôler la dimension de la zone recristallisée latéralement depuis la face latérale 132a au niveau de laquelle a été initié le front de recristallisation (selon la direction de propagation du front de recristallisation). On contrôle ainsi les dimensions dans le plan du substrat d'une zone résiduelle amorphe 1311. Plus la température de recristallisation est basse, plus la vitesse de recristallisation est lente. A l'issue de cette recristallisation partielle, on peut obtenir une couche semi-conductrice superficielle 13 comportant une ou plusieurs régions de matériau semiconducteur cristallin formées des deuxièmes blocs 132 qui sont accolés à une ou plusieurs portions recristallisées 1312 des premiers blocs 131. La couche semi-conductrice superficielle 13 comporte également des régions résiduelles 1311 des premiers blocs 131 restées amorphes (figure 1D). On effectue ensuite une gravure sélective des régions 1311 amorphes vis-à-vis du matériau semi-conducteur cristallin (figure 1E). Cette gravure est de préférence également sélective vis-à-vis du matériau de la couche de support 12. Cette gravure sélective peut être réalisée par exemple à l'aide de HCI en phase gazeuse à une température qui peut être comprise par exemple entre 400°C et 800°C lorsque la couche superficielle 13 est à base de Si, ou de SiGe, ou de Ge et la couche 12 à base de 5i02. A l'issue de cette gravure, on conserve une ou plusieurs régions de matériau semi-conducteur cristallin formant des premiers motifs M1 de plus petite dimension (hormis l'épaisseur) appelée dimension critique dci définis de manière précise dans la couche semi-conductrice 13. Les régions gravées de la couche semi-conductrice forment des trous 133 dévoilant la couche de support 12 isolante. Ces trous 133 ont une dimension critique D2 réduite par rapport aux dimensions du masque 20 et peuvent donc être d'une dimension inférieure à ce qui peut être obtenu avec un procédé de lithographie standard. Ces trous 133, on le verra ultérieurement (notamment en lien avec les modes de réalisation des figures 4A à 4C et 5A à 5D) peuvent servir à la réalisation de trous ou de motifs de petites dimensions (D2). Le masque à implantation 20 peut être ensuite retiré, par exemple par gravure chimique à l'aide d'acide fluorhydrique dans le cas d'un masque dur en oxyde de silicium. On peut également utiliser des gravures plasmas de type RIE, par exemple à base de CHF3 pour graver de l'oxyde de silicium. Selon une variante de réalisation (figures 1F à 1J), on peut prévoir d'obtenir des motifs de taille réduite par rapport à la taille des premiers motifs M1. Pour cela, de manière alternative, on peut conserver le masque 20 à implantation à l'issue de la réalisation des trous 133. On dépose ensuite (figure 1F) un matériau 39 de remplissage comblant les ouvertures 21 du masque 20 et les trous 133 réalisés dans la couche semi-conductrice superficielle. Le matériau 39 de remplissage est choisi notamment, de sorte à pouvoir résister à une gravure sélective du matériau du masque 20 à implantation. Le matériau 39 déposé peut être par exemple du nitrure de silicium (de formule général SixNy). Le matériau 39 est également choisi de sorte à pouvoir former par remplissage des ouvertures 21 et des trous 133. Ensuite, une étape de planarisation ou de polissage par exemple de type CMP (CMP pour « chemical mechanical planarization ») est réalisée de manière à mettre le matériau de remplissage 39 et le premier masque 20 au même niveau. Le deuxième masque 40 à implantation ainsi formé recouvre les portions recristallisées 1312 des premiers blocs 131, et comporte des motifs de dimension critique D2 correspondant à la dimension critique des trous 133 formés dans la couche semi-conductrice 13, et telle que D2 est inférieure à la dimension critique D1 des motifs du premier masque 20. On effectue ensuite un retrait (figure 1G) du premier masque 20 à implantation. Ce retrait peut être réalisé par gravure sélective du matériau 19 vis-à-vis du matériau 39 formant le deuxième masque 40 à implantation. Dans le cas, par exemple, où le matériau 19 du masque 20 est du 5i02 et que le matériau 39 du deuxième masque 40 est du SiN, cette gravure sélective peut être réalisée par exemple à l'aide d'acide fluorhydrique. A l'issue de ce retrait, le ou les deuxièmes blocs 132 de la couche semiconductrice 13 dont la structure cristalline a été conservée sont dévoilés et ne sont pas protégés par le deuxième masque 40. Ensuite, on effectue une amorphisation des deuxièmes blocs 132 par implantation à travers des ouvertures 41 du deuxième masque 40 (figure 1H) tandis que les portions recristallisées 1312 sont protégées par le deuxième masque 40. On effectue ensuite une gravure sélective (figure 11) du matériau amorphe des blocs 132 vis-à-vis du matériau cristallin de manière à retirer le ou les deuxième(s) blocs 132 de la couche semi-conductrice. Cette gravure est de préférence également sélective vis-à-vis du matériau de la couche de support 12. A l'issue de ce retrait, les portions respectives 1312 des blocs 131 qui ont été recristallisées forment des deuxièmes motifs M2 de dimension critique dc2 qui peut être par exemple comprise entre 2 nm et 25 nm et qui est inférieure aux dimensions critiques D1 du premier masque 20 et D2 du deuxième masque 40 (obtenues par lithographie standard). Puis, on peut retirer le deuxième masquage 40 à implantation (figure 1J). Ce retrait peut être effectué par exemple à l'aide d'acide orthophosphorique chaud lorsque le matériau 40 est du nitrure de silicium. Les portions 1312 de matériau semi-conducteur cristallin formés dans la couche semi-conductrice 13 peuvent être par exemple sous forme de barreaux semi- conducteurs destinés par exemple à réaliser des zones de canal de transistors, en particulier de type finFET. Une autre variante de procédé permettant de réduire les premiers motifs M1 réalisés dans la couche semi-conductrice 13 est illustrée sur les figures 2A-2C. Selon cette variante, après l'étape d'amorphisation par implantation à travers les ouvertures 41 du deuxième masque 40 (décrite précédemment en liaison avec la figure 1H) on peut effectuer une recristallisation partielle des deuxièmes blocs 132 en se servant des flancs latéraux 1312a des portions recristallisées 1312 des premiers blocs 131 comme zone de départ à des fronts de recristallisation (figure 2A). On effectue ensuite une gravure sélective de régions amorphes 1313 de la couche semi-conductrice 13 vis-à-vis des régions de matériau cristallin et de la couche de support 12. Cette gravure est de préférence également sélective vis-à-vis du matériau de la couche de support 12. On retire ainsi les portions amorphes des deuxièmes blocs 132 de manière à former des trous 1333 (figure 2B). Les régions de matériau semi-conducteur cristallin qui ont été conservées forment ainsi des motifs M3 dans la couche semiconductrice superficielle 13 de dimension critique dc3 réduite par rapport à la dimension critique dci des motifs M1. De plus, les trous 1333 et 133 des dimensions critiques respectives inférieures à celles qui pourraient être obtenues avec des moyens standards de lithographie ainsi qu'une plus grande densité, cette densité pouvant être le double de celle des ouvertures du masque 20 initial. Les trous 133 et 1333 peuvent notamment avoir une dimension inférieure à 30 nm, par exemple entre 5 nm et 10 nm. Puis, on peut effectuer un retrait du deuxième masque 40 à implantation (figure 2C). En variante de l'un ou l'autre des exemples de procédé qui viennent d'être décrits, on peut ensuite reproduire le ou les motifs formés dans la couche semiconductrice 13 dans une couche sous-jacente à cette dernière et qui se trouve dans le support sur laquelle la couche semi-conductrice 13 repose. On peut également, comme on le verra ultérieurement, reproduire les trous formés dans la couche semi-conductrice 13. Un transfert de motifs M3 formé(s) dans la couche semi-conductrice 13 à l'aide d'un procédé tel que décrit précédemment en liaison avec les figures 2A-2C est illustré sur les figures 3A-3C. Cette étape peut être réalisée suite à l'étape illustrée en liaison avec la figure 1.J. Pour cela, on effectue tout d'abord une gravure de la couche isolante 12 (figure 3A) de support en se servant des régions de matériau cristallin comme d'un masquage à gravure. Cette gravure peut être réalisée par exemple par gravure ionique réactive type RIE, par exemple à base de CHF3 s'il faut graver de l'oxyde de silicium. Elle permet de former des motifs NA% dans cette couche 12 reproduisant les motifs M3. Ensuite, on peut effectuer une gravure de la couche semi-conductrice 11 de support (figure 3B) en se servant des régions de matériau cristallin M3 comme d'un masquage à gravure si une sélectivité de gravure existe entre le matériau cristallin de la couche 13 et le matériau de la couche 11 de support. Pour graver la couche 11 de support il est possible en variante de se servir des motifs NA% réalisés dans la couche isolante 12 comme masque de gravure si une sélectivité existe entre le matériau de la couche isolante 12 et celui de la couche 11 de support. Les motifs M'3, M"3 réalisés ont ainsi une dimension critique dc3 correspondant à celle des motifs M3 formés précédemment par retrait de régions amorphes de la couche semi-conductrice. On peut ensuite éventuellement effectuer un retrait des motifs NA% de la couche isolante 12 (figure 3C). Les motifs M"3 peuvent être sous forme de barreaux semi-conducteurs destinés par exemple à réaliser des zones de canal de transistors, en particulier de type finFET. En variante, les motifs M"3 peuvent être mis en oeuvre pour fabri quer un dispositif photonique et être destinés à former par exemple des réseaux de diffraction ou des miroirs, en particulier de type « Distributed Bragg Reflectors » (DBR) ou de type « Distributed Feedback » (DFB), ou encore par exemple des piliers émetteurs de lumières. Selon une autre variante, les motifs M"3 peuvent former des motifs d'un moule d'embossage destiné à être utilisé dans un procédé de lithographie selon une technique communément appelée de « nano-imprint ». Selon une autre variante, la structure de la figure 3C peut être destinée à former un ensemble de canaux pour un dispositif fluidique. Un transfert dans une couche sous-jacente des trous 133 de faible dimension critique à partir du masque formé des premiers motifs M1 réalisés dans la couche semi-conductrice 13 à l'aide d'un procédé tel que décrit précédemment en liaison avec les figures 2A-2C est illustré sur les figures 4A-4C. Pour réaliser ce transfert, après l'étape de formation de trous 133 décrite précédemment en liaison avec la figure 1E, on peut effectuer un retrait du premier masque 20 à implantation (figure 4A), par exemple par gravure à l'aide d'acide orthophosphorique chaud (par exemple de l'ordre de 185°C) lorsque ce masque est à base de SiN. On peut ensuite effectuer un retrait de zones de la couche isolante 12 de support située au fond des trous 133 (figure 4B). On prolonge ainsi les trous 133 dans la couche isolante 12 de support. On peut ainsi reproduire dans la couche isolante 12 les motifs M1 réalisés dans la couche semi-conductrice 13 et former des motifs M'l semblables dans la couche isolante 12. Ce retrait peut être réalisé par exemple par gravure ionique réactive type RIE, par exemple à base de CH F3 si la couche isolante 12 est en oxyde de silicium, en se servant de régions de matériau cristallin formées des portions recristallisées 1312 et des deuxièmes blocs 132 dont la structure cristalline a été conservée comme d'un masque de gravure. On peut ensuite prolonger les trous 133 dans la deuxième couche de support 11 semi-conductrice (figure 4C). Ce retrait peut être réalisé par exemple par gravure à l'aide de gravure ionique réactive (RIE), par exemple en utilisant un gaz chloré tel que le BCI3 ou SiCI4. On peut ainsi former des motifs M"1 dans la deuxième couche de support 11, reproduisant les motifs M1 réalisés dans la couche semiconductrice 13 ou ceux M'1 formés dans la couche isolante 12. Les trous 133 peuvent être destinés à former des isolations électriques par exemple de type STI (pour « Shallow Trench Isolation »). Selon une variante, les motifs trous 133 peuvent être destinés à former des canaux pour un dispositif fluidique. Selon une autre variante, la structure illustrée sur la figure 4C peut être destinée à former un moule d'embossage pour la lithographie de type nano-imprint. Dans un autre exemple de réalisation, illustré sur les figures 5A-5D, on cherche à obtenir non pas des trous de petites tailles comme dans l'exemple précédent mais des éléments en protrusion de petites tailles. Pour cette autre variante, après avoir réalisé l'étape de retrait du premier masque à implantation 20 décrite précédemment en liaison avec la figure 1G, on peut effectuer un retrait d'une épaisseur du deuxième masque 40 à implantation, de manière à ne conserver le matériau 39 du deuxième masque 40 que dans les trous 133. Ce retrait peut être réalisé par planarisation CMP, et de manière à atteindre la face supérieure de la couche semi-conductrice superficielle 13 et mettre le matériau 39 au même niveau que la couche semi-conductrice superficielle 13 (figure 5A). A l'issue de ce retrait, le masque 40 comporte des motifs M4, de dimension critique dc4 correspondant à celle des trous 133. On effectue ensuite un retrait sélectif de la couche semi-conductrice vis- à-vis du matériau 39 (par exemple SiN) du deuxième masque 40 (figure 5B). Cette gravure sélective peut être réalisée par exemple par exemple par gravure ionique réactive (RIE), en utilisant par exemple un gaz chloré tel que BCI3ou SiCI4. Puis, on effectue une gravure de la couche isolante 12 (figure 5C) de support à travers des ouvertures 51, de manière à former des motifs Net dans la couche isolante 12. Cette gravure peut être réalisée par exemple à l'aide de d'une gravure ionique réactive type RIE, par exemple en utilisant un gaz fluoré de type CHF3. Ensuite, on peut effectuer une gravure de la couche semi-conductrice 11 de support (figure 5D) à travers le deuxième masque 40, s'il existe une sélectivité de gravure et/ou à travers le masque formé des motifs Net formés dans la couche isolante, de manière à former des motifs M"4 dans cette couche 11 reproduisant ceux du deuxième masque 40. Cette gravure peut être réalisée par exemple à l'aide de gravure ionique réactive (RIE), par exemple en utilisant un gaz chloré tel que du BCI3 ou du SiCI4. Les motifs Net, M"4 réalisés ont ainsi une dimension critique dc4 correspondant à celle des trous 133 formés précédemment par retrait de régions amorphes de la couche semi-conductrice, inférieure aux dimensions qui peuvent être obtenues avec un procédé de lithographie standard. Les motifs M"4 peuvent être par exemple destinés à former des structures de canaux de transistors de type FinFET, ou par exemple des piliers émetteurs d'un dispositif émetteur de rayonnement lumineux, ou par exemple des motifs d'un moule d'embossage. En variante, les motifs M"4 peuvent être destinés à délimiter des canaux d'un dispositif fluidique. En fonction de la géométrie du masque 20 à implantation, des motifs de formes diverses et de tailles diverses peuvent être mis en oeuvre dans la couche semiconductrice 13 à l'aide d'un procédé tel que décrit précédemment. La figure 6A illustre un exemple de réalisation dans lequel le masque employé pour l'amorphisation a une forme rectangulaire ou carrée, ce qui conduit à la mise en oeuvre de blocs 131 de forme rectangulaire ou carrée, tandis que la figure 7A illustre un exemple de réalisation dans lequel le masque employé pour l'étape d'amorphisation est en forme de disque, ce qui conduit à la mise en oeuvre de blocs 131 en forme de disque. Après amorphisation, une recristallisation par recuit est réalisée de manière à réduire la taille des blocs amorphes 131 (figure 6B et 7B). Si l'on souhaite réduire davantage la taille des blocs amorphes, on peut prolonger le recuit de recristallisation (figure 6C et 7C). L'intérêt de la méthode est ainsi de pouvoir obtenir des motifs de tailles différentes (6A-6C, 7A-7C) de plus en plus petits à partir d'un unique masque 20 initial en contrôlant simplement les paramètres du recuit de recristallisation et par exemple uniquement le temps de recuit à température de recuit constante. Un procédé suivant l'invention peut également permettre de réaliser des motifs en forme de cadre réalisant par exemple une couronne ou un anneau, ou qui peut être rectangulaire, ou carré. Un procédé suivant l'invention peut éventuellement être utilisé pour agrandir une zone semi-conductrices cristalline, en réalisant après amorphisation, une recristallisation par recuit d'une région périphérique à cette zone. Un exemple particulier de réalisation d'un motif en forme de cadre rectangulaire est illustré sur les figures 8A-8C. Pour cela, on met en oeuvre un procédé tel que décrit précédemment en liaison avec les figures 1A-1D, en effectuant tout d'abord une amorphisation de la couche supérieure cristalline à travers une ouverture 21 du masque 20 ayant elle-même une forme de cadre rectangulaire (figure 8A). On réalise ainsi une zone 131 de matériau rendu amorphe et formant un cadre entourant une première région centrale 132a de matériau cristallin, la zone amorphe 131 étant elle-même entourée par une deuxième région 132b périphérique de matériau cristallin. On effectue ensuite le recuit de recristallisation latérale de manière réduire la zone 131 dans les directions de propagation respectives des fronts de recristallisation (indiquées par des flèches sur la figure 8B). La recristallisation est réalisée jusqu'à obtenir une zone 131 amorphe en forme de cadre de dimension critique D2 souhaitée. On ainsi étendu dans le même temps la première région centrale 132a et la deuxième région 132b périphérique de matériau cristallin. On peut ensuite retirer le masque 20 (figure 8C). Avec une telle variante de procédé obtient ainsi des formes qu'il n'est pas possible d'obtenir par lithographie standard. La zone amorphe 131 peut alors être ensuite gravée sélectivement vis-à- vis des régions cristallines 132a, 132b ou fronts de recristallisation pour réaliser un trou 133 en forme de cadre (figure 9). Ce trou 133 peut être ensuite éventuellement comblé par un autre matériau afin de réaliser un motif en forme de cadre de dimension critique dc2 dans cet autre matériau. Le trou 133 peut être par exemple rempli de matériau diélectrique afin de former une structure isolante, par exemple de type STI, entourant un dispositif micro- électronique. En variante, le trou 133 peut être par exemple destiné à former une cavité pour un dispositif MEMS (microsystème électromécanique). REVENDICATIONS1. Procédé pour réaliser au moins un motif dans une couche reposant sur un support (12,11) comprenant des étapes consistant à : a) rendre amorphe au moins un premier bloc (131) d'une couche de matériau cristallin (13) dite « couche supérieure » reposant sur une première couche (12) de support constituée d'un matériau amorphe, ce matériau amorphe présentant une sélectivité de gravure par rapport à la phase amorphe du matériau cristallin (13), tandis que la structure cristalline d'un deuxième bloc (132) de la couche supérieure (13) accolé et juxtaposé audit premier bloc (131) est conservée, b) effectuer une recristallisation partielle du premier bloc (131) par traitement thermique en se servant d'au moins une face latérale du deuxième bloc (132) en contact avec le premier bloc comme zone de départ d'un front de recristallisation, la recristallisation partielle étant effectuée de manière à conserver une région de matériau amorphe (1311) dans le premier bloc et en maintenant amorphe la première couche (12) de support, c) effectuer une gravure sélective du matériau amorphe de la couche supérieure vis-à-vis du matériau cristallin de la couche supérieure de manière à former au moins un premier motif (M1) dans la couche supérieure (13). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la température et la durée du traitement thermique sont choisies de manière à moduler les dimensions de la région de matériau amorphe (1311) conservée dans le premier bloc. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'étape a) est réalisée par implantation ionique du premier bloc (131), tandis que le deuxième bloc (132) est protégé par un premier masque (20) à implantation, et dans lequel l'étape c) de gravure du matériau amorphe est effectuée de sorte qu'a l'issue de cette gravure, le deuxième bloc (132) et une portion recristallisée (1312) du premier bloc sont conservéestandis qu'une zone du masque (20) à implantation ionique est conservée sur le deuxième bloc, le procédé comprenant en outre des étapes consistant à : - former un deuxième masque à implantation (40) complémentaire du premier masque et recouvrant notamment la portion recristallisée (1312) du premier bloc (131), - retirer le premier masque (20) à implantation de manière à dévoiler le deuxième bloc (132), - rendre amorphe le deuxième bloc (132) tout en conservant la structure cristalline du matériau de ladite portion recristallisée (1312) du premier bloc (131). 4. Procédé selon la revendication 3, le deuxième bloc étant rendu amorphe par implantation ionique au travers d'une ouverture d'un deuxième masque (40) à implantation. 5. Procédé selon l'une des revendications 3 ou 4, comprenant en outre après l'amorphisation du deuxième bloc, une étape consistant à effectuer une gravure sélective du matériau amorphe de la couche supérieure (13) vis-à-vis du matériau cristallin de la couche supérieure (13), de manière à retirer le deuxième bloc (132) et former au moins un deuxième motif (M2), dans la couche supérieure (13), de taille réduite par rapport au premier motif (M1). 6. Procédé selon la revendication 3, comprenant en outre après rendu amorphe le deuxième bloc, des étapes consistant à : - effectuer une recristallisation partielle du deuxième bloc (132) par recuit en se servant d'au moins une face latérale (1312a) de la portion recristallisée (1312) du premier bloc (131) comme zone de départ d'un front de recristallisation, tout en maintenant amorphe la première couche (12) de support.- effectuer un retrait du matériau amorphe sélectivement vis-à-vis du matériau cristallin, de manière à former au moins un autre motif (M3), de taille réduite par rapport au premier motif (M1), dans la couche semi-conductrice (13). 7. Procédé selon l'une des revendications 5 ou 6, comprenant en outre une étape consistant à retirer le deuxième masque (40). 8. Procédé selon la revendication 7, comprenant, après avoir retiré le deuxième masque (40) : une étape consistant à reproduire ledit autre motif (M3) dans la première couche (12) de support. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel la première couche (12) de support, repose sur une deuxième couche (11) de support, le procédé comprenant en outre une étape consistant à reproduire ledit autre motif (M3) dans une deuxième couche de support (11) située sous la première couche (12) de support. 10. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape a) est réalisée par implantation ionique du premier bloc (131), tandis que le deuxième bloc (132) est protégé par un premier masque (20) à implantation, le procédé comprenant en outre, après l'étape c) des étapes consistant à : - retirer le premier masque (20), - reproduire ledit premier motif (M1) dans la première couche (12) de support. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la première couche (12) de support repose sur une deuxième couche (11) de support, le procédé comprenant en outre une étape consistant à reproduire ledit premier motif (M1) dans la deuxième couche de support. 12. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape c) est une gravure du matériau amorphe sélective vis-à-vis du matériau cristallin et conduit à la formation d'au moins un trou (133) traversant la couche supérieure (13), le procédé comprenant en outre une ou plusieurs étapes consistant à reproduire le trou (133) dans la première couche (12) de support ou dans la première couche (12) de support et une deuxième couche (11) de support sur laquelle repose la première couche (12) de support. 13. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape c) est une gravure du matériau amorphe sélective vis-à-vis du matériau cristallin et conduit à la formation d'au moins un trou (133) traversant la couche supérieure (13), le procédé comprenant en outre des étapes de : - remplissage du trou (133) à l'aide d'au moins un matériau (19) donné, - gravure sélective de la couche supérieure (13) vis-à-vis du matériau donné (19). 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel le trou (133) rempli de matériau donné (19) forme une zone de masque de gravure réalisant un motif donné (M4), le procédé comprenant en outre une étape consistant à reproduire le motif donné (M4) dans la première couche (12) de support. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la première couche (12) de support repose sur une deuxième couche (11) de support, le procédé comprenant en outre une étape consistant à reproduire ledit motif donné (M4) dans la deuxième couche de support. 16. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel la couche supérieure (13) est une couche semi-conductrice superficielle d'un substrat de type semiconducteur sur isolant, la première couche de support (12) étant une couche isolante du substrat reposant sur une deuxième couche de support (11) semi-conductrice. 20 25 30 17. Procédé selon l'une des revendications 1 à 16, dans lequel l'étape a) est réalisée par implantation ionique à travers au moins une ouverture (21) d'un masque (20), de manière à former un premier bloc amorphe selon une première géométrie fermée, la recristallisation partielle étant effectuée de manière à conserver une région de matériau amorphe de géométrie similaire à la première géométrie mais de dimensions différentes dans le premier bloc. 18. Procédé selon l'une des revendications 1 à 17, dans lequel l'étape c) comprend en outre une étape de gravure sélective vis-à-vis du matériau amorphe de la première couche de support (12).