FR 3031622 A1 20160715 FR 1550273 A 20150114 B13979 1 POINT MEMOIRE MAGNETIQUE Domaine La présente invention concerne un point mémoire magnétique, et plus particulièrement un point mémoire magnétique de 5 type à retournement induit par un courant. État de la technique La demande de brevet français N°2 963 152 décrit un point mémoire magnétique tel que représenté schématiquement en figures lA, lB et 2. Les figures lA et lB représentent respecti- 10 vement une vue en coupe et une vue en perspective d'un point mémoire magnétique tel que décrit en relation avec les figures lc-lf, 2a-2b et 3a-3d de la demande de brevet français N°2 963 152. La figure 2 est une vue en perspective simplifiée de ce point mémoire. 15 Comme l'illustrent les figures lA et lB, ce point mémoire comprend, au-dessus d'une piste conductrice 1, un plot 3. Le plot 3 comprend un empilement de régions dont chacune est formée d'une portion d'une couche mince ou d'un empilement de plusieurs couches minces. La piste conductrice 1 est par exemple 20 formée sur un substrat 5 constitué d'une plaquette de silicium revêtue d'une couche d'oxyde de silicium et est connectée entre des bornes A et B. L'empilement constituant le plot 3 comprend 3031622 B13979 2 successivement à partir de la piste 1, une région 10 en un matériau conducteur non magnétique, une région 11 en un matériau magnétique, une région 12 en un matériau non magnétique, une région 13 en un matériau magnétique et une électrode 14. Le matériau de la couche 12 peut être conducteur ; c'est de préférence un matériau isolant suffisamment mince pour pouvoir être traversé par des électrons par effet tunnel. Il existe une différence structurelle entre les régions non magnétiques 10 et 12 de façon à avoir un système asymétrique dans une direction orthogonale au plan des couches. Cette différence peut résulter notamment d'une différence de matériau, d'épaisseur, ou de mode de croissance de ces couches. Des listes de matériaux pouvant constituer les diverses couches sont données dans la demande de brevet susmentionnée. Les matériaux magnétiques des régions 11 et 13 sont formés dans des conditions telles qu'ils présentent une aimantation dirigée orthogonalement au plan des couches. Le matériau magnétique de la couche 13 est formé dans des conditions telles qu'il conserve une aimantation intangible (couche piégée). La couche d'électrode supérieure 14 est connectée à une borne C. La programmation du point mémoire est effectuée en faisant circuler un courant entre les bornes A et B, tandis qu'un champ H orienté horizontalement (parallèlement au plan des couches et à la direction du courant entre les bornes A et B) est appliqué. Selon les sens relatifs du courant entre les bornes A et B et du vecteur de champ H, la couche 11 est programmée de sorte que son aimantation s'oriente vers le haut ou vers le bas. Pour la lecture de ce point mémoire, une tension est appliquée entre la borne C et l'une ou l'autre des bornes A et B. Le courant résultant entre la borne C et l'une ou l'autre des bornes A et B prend des valeurs différentes selon le sens relatif des aimantations des couches 11 et 13 : valeur haute si les deux aimantations sont dans le même sens et valeur basse si les deux aimantations sont de sens opposés. 3031622 B13979 3 Une caractéristique importante du point mémoire décrit ci-dessus est que sa programmation se fait uniquement grâce à un courant circulant entre les bornes A et B et à un champ magnétique appliqué dans le plan des couches, parallèlement au courant. Aucun 5 courant ne circule de la borne A ou B vers la borne C lors de la programmation. Ceci présente l'avantage de dissocier complètement les opérations de lecture et d'écriture du point mémoire. De nombreuses variantes de réalisation sont possibles. Notamment, chaque couche décrite précédemment peut être constituée 10 d'un empilement de couches de façon connue dans la technique pour acquérir les caractéristiques souhaitées. La portion de couche 10 en un matériau conducteur non magnétique peut être omise, à condition que la piste 1 soit en un matériau non magnétique convenant à la croissance de la couche 15 magnétique 11. La piste 1 peut alors présenter une surépaisseur sous le plot 3. Pour que le retournement de l'aimantation dans la couche 11 puisse se faire, il faut aussi que des couples de spin-orbite soient présents dans la couche magnétique. Pour ce faire, il faut par exemple que la couche en contact avec cette couche 11 20 (ou séparée d'elle par une couche séparatrice fine) soit constituée d'un matériau ou composée de matériaux à fort couplage spin-orbite. Une autre solution est, par exemple, que le contact entre la couche magnétique 11 et l'une ou l'autre des couches 10 et 12 crée ce couplage spin-orbite ; c'est ce qui peut par exemple 25 arriver par hybridation de la couche magnétique 11 avec la couche 12 si celle-ci est constituée d'un isolant (voir "Spin-orbit coupling effect by minority interface resonance states in singlecrystal magnetic tunnel junctions", Y. Lu et al. Physical Review B, Vol. 86, p.184420 (2012)). 30 On notera que le point mémoire des figures lA et 1B peut être décomposé en deux éléments : un élément de mémorisation comprenant la piste 1 munie des bornes A et B et les portions de couches 10, 11 et 12, et un élément de lecture comprenant dans l'exemple donné ci-dessus les couches 13 et 14 et l'électrode C. 3031622 B13979 4 Avec le même élément de mémorisation, divers modes de lecture pourraient être envisagés, par exemple une lecture optique. La figure 2 reprend de façon simplifiée une vue en perspective du point mémoire de la figure 1B. Seule la piste 1 et 5 l'empilement de couches ou plot 3 sont représentés, ainsi que les électrodes A et B connectées à des contacts 20 et 21. Comme on l'a indiqué précédemment, ce point mémoire est programmable par l'application d'un courant entre les bornes A et B simultanément à l'application d'un champ magnétique ayant une 10 composante non nulle selon la direction du courant. Des exemples de moyens de génération d'un champ magnétique sont donnés dans la demande de brevet susmentionnée. L'application d'un champ externe ou la réalisation de couches magnétiques spécifiques propres à créer le champ H pose des problèmes de réalisation pratique. 15 Résumé Un objet de la présente demande est de prévoir un point mémoire magnétique du même type que celui décrit précédemment et dans lequel la programmation du point mémoire soit simplifiée. Plus particulièrement, il est prévu ici que le point 20 mémoire puisse être programmé par la simple application d'un courant en l'absence de champ magnétique. Pour atteindre cet objet, il est prévu de remplacer le plot symétrique décrit dans la demande de brevet susmentionnée par un plot asymétrique. On constate alors que le point mémoire 25 peut être programmé par la simple application d'un courant électrique dans la piste sur laquelle repose le plot mémoire, en l'absence de tout champ magnétique. Plus particulièrement, il est prévu ici un point mémoire comprenant un plot constitué d'un empilement de régions en couches 30 minces, comprenant : une première région en un matériau conducteur non magnétique ; une deuxième région en un matériau magnétique présentant une aimantation dans une direction perpendiculaire au plan principal du plot ; une troisième région en un matériau conducteur non magnétique de caractéristiques différentes de celles de la première région ; ledit plot reposant sur une piste 3031622 B13979 5 conductrice adaptée à faire circuler un courant de programmation de sens choisi, dans lequel le plot a une forme asymétrique d'une part par rapport à tout plan perpendiculaire au plan des couches et parallèle à l'axe central de la piste, et d'autre part par 5 rapport à son barycentre, d'où il résulte que le sens de l'aimantation dans la deuxième couche est programmable par le sens de circulation dudit courant de programmation, en l'absence de champ magnétique externe. Selon un mode de réalisation, la première région 10 correspond à une portion de la piste sous-jacente au plot ou à une surépaisseur de cette portion sous-jacente. Selon un mode de réalisation, le plot a une forme triangulaire avec un premier côté parallèle au sens du courant de programmation et deux autres côtés faisant par exemple un angle 15 de ± 20° à ± 70° par rapport au premier côté. Selon un mode de réalisation, le plot a une forme triangulaire à coins arrondis. Selon un mode de réalisation, le plot ne s'étend que sur une partie de la largeur de la piste. 20 Selon un mode de réalisation, la deuxième région comporte un alliage présentant une anisotropie magnétique perpendiculaire propre, à savoir, notamment FePt, FePd, CoPt ou bien encore un alliage de terre rare / métal de transition, notamment GdCo, TbFeCo. 25 Selon un mode de réalisation, la deuxième région comporte un métal ou un alliage présentant dans l'empilement une anisotropie magnétique perpendiculaire induite par les interfaces, notamment Co, Fe, CoFe, Ni, CoNi. Selon un mode de réalisation, au moins la première 30 région ou la troisième région est conductrice et est en un métal non magnétique, tel que Pt, W, Ir, Ru, Pd, Cu, Au, Bi, Hf ou en un alliage de ces métaux, ou est formée d'un empilement de plusieurs couches de chacun de ces métaux. 3031622 B13979 6 Selon un mode de réalisation, la troisième région est en un oxyde diélectrique tel que SiOx, AlOx, MgOx, TiOx, TaOx, HfOx ou en un nitrure diélectrique tel que SiNx, BNx. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur des première 5 et troisième régions est comprise entre 0,5 et 200 nm, plus particulièrement entre 0,5 et 100 nm, et préférentiellement inférieure à 3 nm. Selon un mode de réalisation, la troisième région est recouverte d'une couche de lecture en matériau magnétique et d'une 10 électrode de lecture. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la deuxième région est inférieure à 3 nm. Selon un mode de réalisation, la première région est en un matériau antiferromagnétique conducteur. 15 Selon un mode de réalisation, le point mémoire comprend une couche tampon conductrice entre la première région et la piste. Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la première région en un matériau antiferromagnétique est comprise entre 1 et 20 200 nm, et de préférence inférieure à 10 nm. Un mode de réalisation prévoit un procédé de programmation d'un point mémoire tel que ci-dessus, comprenant l'étape consistant à faire passer dans la piste, et par voie de conséquence dans la première région de matériau antiferromagnétique, un 25 courant d'intensité propre à chauffer ce matériau de façon à désorganiser son aimantation, le sens de ce courant étant choisi pour programmer l'aimantation du matériau de la couche de mémorisation selon une orientation désirée. Brève description des dessins 30 Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 3031622 B13979 7 les figures 1A, 1B et 2 sont des représentations schématiques d'un point mémoire tel que décrit dans la demande de brevet français N°2 963 152 ; la figure 3 est une vue en perspective schématique d'un 5 mode de réalisation d'un point mémoire ; la figure 4 est une vue de dessus schématique du plot de la figure 3 ; les figures 5A à 5J sont des vues de dessus schématiques de contours de divers modes de réalisation d'un point mémoire ; 10 la figure 6 est une vue en perspective schématique d'un autre mode de réalisation d'un point mémoire ; et la figure 7 représente diverses courbes illustrant le fonctionnement du point mémoire de la figure 6. Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés 15 par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des composants intégrés, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Description détaillée Comme le représente la figure 3, un mode de réalisation 20 de point mémoire comprend, sur une piste conductrice 1 comprenant à ses extrémités des couches de connexion 20 et 21 reliées à des bornes A et B, un plot 30 comprenant le même empilement de couches que le plot 3 décrit précédemment. Ainsi le plot 30 comprend une région 40 en un matériau conducteur non magnétique, une région 41 25 en un matériau magnétique, une région 42 en un matériau non magnétique, cette région 42 présentant une différence par rapport à la région 40, une région 43 en un matériau magnétique et une électrode 44. Les mêmes variantes que celles décrites ci-dessus et dans la demande de brevet français susmentionnée s'appliquent. 30 Contrairement au plot 3 de la figure 2, le plot 30 a une configuration doublement asymétrique. D'une part, il est asymétrique par rapport à tout plan perpendiculaire au plan des couches et parallèle à l'axe central de la piste 1. D'autre part, il est asymétrique par rapport à son barycentre qui correspond au 35 point C en figure 3. Comme on le voit mieux dans la vue de dessus 3031622 B13979 8 de la figure 4, ce plot a par exemple une forme triangulaire. Un premier côté est parallèle au sens du courant de programmation (de A à B). Les deux autres côtés forment par exemple un angle de ± 20° à ± 70° et de préférence de ± 30° à ± 60° par rapport au 5 premier côté. Du fait des défauts de photolithographie les coins du triangle seront généralement arrondis. On pourra rechercher volontairement à obtenir une telle forme arrondie. Il a été constaté qu'avec un plot ayant une telle forme doublement asymétrique (par rapport à un plan et par rapport à 10 son barycentre), la seule application d'un courant de programmation entre les bornes A et B permet de programmer la couche 41 de sorte que son aimantation soit dirigée vers le haut ou vers le bas selon le sens du courant de programmation. Ceci est effectué sans application d'un champ magnétique externe. Bien entendu, si 15 une région 40 conductrice est prévue, sa résistivité et celle de la piste 1 sont choisies pour qu'une partie notable du courant entre les bornes A et B circule dans la région 40. On rappellera que si la piste 1 est en en matériau non magnétique, la région 40 pourra correspondre à la portion de piste sous-jacente au plot ou 20 à une surépaisseur de cette région. Les figures aA à 5J représentent à titre d'exemple diverses formes de plots asymétriques qui peuvent être utilisées sur une piste 1. On considèrera que ces figures font partie intégrante de la présente description. 25 Les plots 50 et 51 des figures aA et 5B ont des formes de triangles comme le plot de la figure 4, mais avec des proportions et des centrages différents. Le plot 52 de la figure 5C a une forme de croissant allongé dans le sens de la piste. En d'autres termes, le plot 52 30 a une forme trapézoïdale munie de deux protubérances effilées 52A et 52B aux extrémités de la base du trapèze. On considère aujourd'hui que la présence des protubérances effilées facilite le déclenchement du retournement de l'aimantation lors du passage du courant de programmation. 3031622 B13979 9 Les plots 53 à 55 des figures 5D à 5F ont des formes en chevron, la pointe du chevron étant tournée vers un côté de la piste 1, les chevrons ayant des dimensions et des positionnements divers par rapport à la largeur de la piste. 5 Les plots 56 à 59 des figures 5G à 5J sont des plots en forme de triangles et de chevrons à coins arrondis. Les diverses formes décrites ci-dessus sont combinables et modifiables du moment que la règle de double asymétrie mentionnée ici est respectée. En particulier, toutes les formes 10 envisagées peuvent être "arrondies" ou ne s'étendre que sur une partie de la largeur de la piste 1. En ce qui concerne les matériaux et les épaisseurs des diverses régions du plot, on pourra se référer à la demande de brevet français susmentionnée. 15 A titre d'exemple : - la région magnétique (41) peut comporter un alliage présentant une anisotropie magnétique perpendiculaire propre, à savoir, notamment FePt, FePd, CoPt ou bien encore un alliage de terre rare / métal de transition, notamment GdCo, TbFeCo, 20 - la région magnétique (41) peut comporter un métal ou un alliage présentant dans l'empilement une anisotropie magnétique perpendiculaire induite par les interfaces, notamment Co, Fe, CoFe, Ni, CoNi, - au moins la région (40) ou la région (42) peut être 25 conductrice, en un métal non magnétique, tel que Pt, W, Ir, Ru, Pd, Cu, Au, Bi, Hf ou en un alliage de ces métaux ou sous la forme d'un empilement de plusieurs couches de chacun de ces métaux, - la région (42) peut être en un oxyde diélectrique tel que SiOx, AlOx, MgOx, TiOx, TaOx, HfOx ou en un nitrure 30 diélectrique tel que SiNx, BNx, d'une épaisseur propre à autoriser un effet tunnel, - l'épaisseur d'une des régions (40) et (42) peut être comprise entre 0,5 nm et 200 nm, plus particulièrement entre 0,5 nm et 100 nm, et préférentiellement inférieure à 3 nm , 3031622 B13979 10 - la région supérieure (42) peut être recouverte d'une couche de lecture (43) formée d'un matériau magnétique, ou d'un composé de matériaux magnétiques, ou de plusieurs couches de matériaux magnétiques et non magnétiques et d'une électrode de 5 lecture (44), et - l'épaisseur de la région magnétique peut être inférieure à 3 nm. En vue de dessus, les dimensions latérales du plot peuvent être de l'ordre de 10 à 100 nm. 10 Les points mémoire décrits ci-dessus peuvent être assemblés en une matrice mémoire, comme cela est décrit dans la demande de brevet français susmentionnée. Mode de réalisation à forte stabilité thermique Les points mémoire décrits précédemment ont des fonc- 15 tionnements satisfaisants. Néanmoins, pour que l'intensité du courant nécessaire à la programmation ne soit pas excessive, il convient de prévoir des couches de mémorisation aussi minces que possible. On en arrive à réaliser des couches de mémorisation d'une épaisseur inférieure à 3 nanomètres, ayant même par exemple 20 une épaisseur inférieure au nanomètre. Une telle réduction d'épaisseur, si elle favorise la réduction de l'intensité du courant de programmation, entraine un défaut de stabilité des points mémoire. En effet, des points mémoire comprenant une couche de mémorisation aussi mince, risquent de changer d'état acciden- 25 tellement, notamment par suite de perturbations telles que l'agitation thermique ou des champs magnétiques parasites. Ainsi, ces points mémoire ont, en moyenne, une stabilité thermique limitée, ce qui conduit à prévoir de les reprogrammer périodiquement. 30 Pour pallier cet inconvénient il est prévu de coupler la région magnétique, généralement ferromagnétique, de mémorisation à une région d'un matériau antiferromagnétique. La figure 6 représente un mode de réalisation d'un point mémoire à stabilité thermique augmentée, correspondant au mode de 35 réalisation de la figure 3. En figure 6, la couche conductrice 3031622 B13979 11 non magnétique 40 de la figure 3 est remplacée par une couche conductrice 60 en un matériau antiferromagnétique. Ce matériau antiferromagnétique se couple par interaction d'échange avec le matériau magnétique, par exemple ferromagnétique, de la couche de 5 mémorisation 41. Ceci permet de piéger l'aimantation de cette couche magnétique et d'assurer une stabilité thermique. Cette structure est susceptible de diverses variantes. Notamment, sous la couche de matériau antiferromagnétique 60 peut être prévue une sous-couche tampon conductrice (non représentée), 10 destinée notamment à permettre un dépôt satisfaisant de la couche de matériau antiferromagnétique 60. De plus, une couche mince d'un matériau conducteur non magnétique, par exemple du cuivre peut être disposée entre les régions ferromagnétique et antiferromagnétique pour réduire, si nécessaire, le couplage entre 15 ces régions. Comme l'illustrent les courbes de la figure 7, la programmation du point mémoire s'effectue de la façon suivante. A partir d'un instant tO, on envoie une impulsion de courant I entre les bornes A et B, ce courant ayant une direction propre à assurer 20 le retournement de l'aimantation de la couche magnétique 41. Dans un premier temps, rien ne se produit en raison du couplage entre les couches magnétique 41 et antiferromagnétique 60. Toutefois, la température Taf du matériau antiferromagnétique augmente par effet Joule et l'organisation en aimantation de ce matériau se 25 dégrade, d'où il résulte que le couplage entre les matériaux magnétique 41 et antiferromagnétique 60 diminue. A partir d'un instant tl, ce couplage devient suffisamment faible pour que de l'aimantation "pol" de la couche 41 s'inverse sous l'effet de la partie du courant I circulant dans les couches ferromagnétique et 30 antiferromagnétique du plot. Une fois que l'impulsion de courant entre les bornes A et B cesse, à un instant t2, la température Taf du matériau antiferromagnétique diminue et celui-ci reprend, à un instant t3, un état organisé qui se recouple avec la polarisation modifiée de l'aimantation dans la couche de mémorisation 35 41 et assure sa stabilité. Afin d'éviter d'éventuelles erreurs 3031622 B13979 12 d'écriture dues à l'agitation thermique au cours du refroidissement du point mémoire, le courant I pourra être diminué de façon graduelle et contrôlée afin de contrôler la température du plot et l'amplitude des couples responsables du retournement 5 de l'aimantation de façon plus indépendante. Le courant I sera par exemple diminué graduellement sur un intervalle de temps inférieur à 1 ps, plus particulièrement inférieur à 100 ns et de préférence inférieur ou égal à 10 ns. On choisira une couche de matériau antiferromagnétique 10 d'une nature telle que la température TR pour laquelle la diminution du couplage d'échange avec la couche magnétique, qui permet à l'aimantation dans cette dernière d'être plus libre de se retourner, soit nettement supérieure aux températures d'utilisation prévues pour le fonctionnement du point mémoire ou 15 de la mémoire dans laquelle ce point mémoire est incorporé. La température TR est par exemple de l'ordre de 140°C pour des écritures lentes et de l'ordre de 220 à 300°C pour des écritures rapides. A titre d'exemple de matériaux antiferromagnétiques 20 utilisables ici, on peut citer des alliages comme par exemple ceux à base de Mn tels que IrMn, FeMn, PtMn, ou des alliages de ces composés comme PtFeMn ou encore des matériaux obtenus par laminage de ces composés ou encore des oxydes tels que CoOx ou NiOx, le matériau magnétique, de préférence ferromagnétique, utilisé pour 25 la couche de mémorisation étant alors un matériau tel que décrit précédemment pour la couche 41. De façon générale, la conductivité électrique du matériau antiferromagnétique doit être suffisante pour que du courant y passe pendant la phase d'écriture et tout matériau antiferromagnétique répondant à cette condition, se 30 couplant par échange avec le matériau ferromagnétique et ayant une température de blocage comprise entre 120 et 450°C, pourra être utilisé. Ainsi, le point mémoire décrit précédemment peut être stabilisé, même en prévoyant une couche magnétique très mince, 35 d'une épaisseur inférieure à 3 nm et de préférence inférieure à 1 3031622 B13979 13 nm. La couche de matériau antiferromagnétique 60 aura une épaisseur comprise entre 1 et 200 nm, plus particulièrement entre 1 et 50 nm et de préférence inférieure à 10 nm. Cette épaisseur dépendra du matériau utilisé, par exemple de l'ordre de 10 nm pour 5 du FeMn, et de l'ordre de 4 à 5 nm pour de l'IrMn. Le temps de retournement d'un tel point magnétique peut être très faible. Les impulsions de courant I représentées en figure 7 pourront, par exemple, avoir une durée inférieure à 15 nanosecondes. REVENDICATIONS1. Point mémoire comprenant un plot (30) constitué d'un empilement de régions en couches minces, comprenant : une première région (40 ; 60) en un matériau conducteur ; une deuxième région (41) en un matériau magnétique 5 présentant une aimantation dans une direction perpendiculaire au plan principal du plot ; une troisième région (42) en un matériau conducteur non magnétique de caractéristiques différentes de celles de la première région ; 10 ledit plot reposant sur une piste conductrice (1) adaptée à faire circuler un courant de programmation de sens choisi, dans lequel ledit plot a une forme asymétrique, d'une part par rapport à tout plan perpendiculaire au plan des couches 15 et parallèle à l'axe central de la piste, et d'autre part par rapport à son barycentre, d'où il résulte que le sens de l'aimantation dans la deuxième couche est programmable par le sens de circulation dudit courant de programmation, en l'absence de champ magnétique 20 externe. 2. Point mémoire selon la revendication 1, dans lequel la première région (40) correspond à une portion de la piste (1) sous-jacente au plot ou à une surépaisseur de cette portion sous-jacente. 25 3. Point mémoire selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le plot a une forme triangulaire avec un premier côté parallèle au sens du courant de programmation et deux autres côtés faisant par exemple un angle de ± 20° à ± 70° par rapport au premier côté. 30 4. Point mémoire selon la revendication 3, dans lequel le plot a une forme triangulaire à coins arrondis. 5. Point mémoire selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 4, dans lequel le plot ne s'étend que sur une partie de la largeur de la piste (1). 3031622 B13979 15 6. Point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième région (41) comporte un alliage présentant une anisotropie magnétique perpendiculaire propre, à savoir, notamment FePt, FePd, CoPt ou bien encore un alliage de terre rare / métal de transition, notamment GdCo, TbFeCo. 7. Point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la deuxième région (41) comporte un métal ou un alliage présentant dans l'empilement une anisotropie magnétique perpendiculaire induite par les interfaces, notamment Co, Fe, CoFe, Ni, CoNi. 8. Point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel au moins la première région (40) ou la troisième région (42) est conductrice et est en un métal non magnétique, tel que Pt, W, Ir, Ru, Pd, Cu, Au, Bi, Hf ou en un alliage de ces métaux, ou est formée d'un empilement de plusieurs couches de chacun de ces métaux. 9. Point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la troisième région (42) est en un 20 oxyde diélectrique tel que SiOx, AlOx, MgOx, TiOx, TaOx, HfOx ou en un nitrure diélectrique tel que SiNx, BNx. 10. Point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel l'épaisseur des première (40) et troisième (42) régions est comprise entre 0,5 et 200 nm, plus 25 particulièrement entre 0,5 et 100 nm, et préférentiellement inférieure à 3 nm. 11. Point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel la troisième région (42) est recouverte d'une couche de lecture (43) en matériau magnétique et 30 d'une électrode de lecture (44). 12. Point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l'épaisseur de la deuxième région (41) est inférieure à 3 nm. 3031622 B13979 16 13. Point mémoire selon l'une quelconque des revendications 1, 3 à 7, 11 et 12, dans lequel la première région (60) est en un matériau antiferromagnétique conducteur. 14. Point mémoire selon la revendication 13, comprenant 5 une couche tampon conductrice entre la première région (60) et la piste (1). 15. Point mémoire selon la revendication 13 ou 14, dans lequel l'épaisseur de la première région (60) en un matériau antiferromagnétique est comprise entre 1 et 200 nm, et de 10 préférence inférieure à 10 nm. 16. Procédé de programmation d'un point mémoire selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, comprenant l'étape consistant à faire passer dans la piste, et par voie de conséquence dans la première région (60) de matériau antiferromagnétique, un 15 courant d'intensité propre à chauffer ce matériau de façon à désorganiser son aimantation, le sens de ce courant étant choisi pour programmer l'aimantation du matériau de la couche de mémorisation (41) selon une orientation désirée.