FR 3025868 A1 20160318 FR 1558696 A 20150916 ARRIÈRE-PLAN Domaine Des exemples de modes de réalisation de l'invention concernent une lampe pour véhicule destinée à être utilisée dans une automobile ou analogue et concernent en particulier un circuit de protection contre les surintensités. Technique associée On a utilisé jusqu'à présent de façon prédominante des lampes à halogène et des lampes à décharge à haute intensité (HID) en tant que sources de lumière de lampes pour véhicule et en particulier pour des phares. L'avènement récent des sources de lumière à semiconducteur telles que les diodes électroluminescentes (DEL) progresse en tant qu'alternative. JP 2004-140885 A (correspondant à US 2004/0070374 Al) décrit par exemple une lampe pour véhicule incluant une diode laser (également appelée « laser à semiconducteur ») et un luminophore en remplacement des DEL pour améliorer davantage la visibilité. Dans JP 2004-140885 A, le luminophore est irradié avec de la lumière ultraviolette qui est une lumière d'excitation émise par une diode laser. Le luminophore génère de la lumière blanche lorsqu'il reçoit la lumière ultraviolette. La lumière blanche générée par le luminophore est émise en avant de la lampe pour véhicule, de manière à former ainsi un motif de répartition de lumière spécifique. La figure 1 est un schéma de circuit d'une lampe pour véhicule ir étudiée par l'inventeur. Une source de lumière 2 comporte une diode laser 3. Un circuit d'éclairage lOr comporte un convertisseur élévateur (convertisseur élévateur continu-continu) qui reçoit et élève une tension d'alimentation VBAT provenant d'une batterie. Un circuit d'attaque 20r comporte une bobine d'induction L21, un transistor de commutation M21, une diode redresseuse D21 et un condensateur de sortie C21. Un contrôleur 22 exécute une commande de rétroaction pour le rapport cyclique du transistor de commutation M21 de sorte que le courant ILD s'écoulant dans la diode laser 3 correspond à un courant cible. La diode laser 3 présente une faible aptitude à supporter une surintensité. Il existe un problème en ce que la fiabilité de la diode laser 3 peut se dégrader si on lui délivre une surintensité. Une surintensité peut 3025868 2 se produire dans la lampe pour véhicule par exemple, dans les circonstances suivantes. Compte tenu de la maintenabilité, il existe un cas où la diode laser 3 est connectée au circuit d'éclairage 10r de façon à être remplaçable. De 5 façon plus spécifique, la diode laser 3 peut être connectée au circuit d'éclairage lOr par l'intermédiaire d'un connecteur. Il existe un problème en ce que, si le point de connexion du connecteur peut fluctuer entre un état de contact et un état sans contact (instabilité), la charge stockée dans le condensateur de sortie C21 du circuit d'attaque 20r peut s'écouler dans 10 la diode laser 3 au moment où le point de connexion est rétabli à l'état de contact, ce qui peut générer une surintensité. Dans l'état normal sans perturbation, le circuit d'attaque 20r effectue une opération de commutation avec un rapport cyclique fixe donné. Lorsque la tension d'alimentation VBAT augmente rapidement, il est 15 nécessaire de diminuer immédiatement le rapport cyclique pour maintenir constant le courant d'attaque (courant de lampe) ILI) s'écoulant dans la diode laser 3. Il existe toutefois un problème en ce que, en raison du retard de la boucle de rétroaction, une commutation s'effectue avec un rapport cyclique important juste avant la fluctuation de la tension 20 d'alimentation, une quantité excessive d'énergie est stockée dans la bobine d'induction et de l'énergie est délivrée à la diode laser 3 en tant que surintensité. Ces problèmes ne se produisent pas seulement dans les convertisseurs élévateurs, mais ils peuvent également se produire dans un 25 système de circuit qui commande la diode laser 3 en utilisant une source d'alimentation ayant une topologie incluant une bobine d'induction ou un transformateur et un condensateur de sortie, tel qu'un convertisseur buck (convertisseur abaisseur continu-continu), un convertisseur Cuk, un convertisseur Zeta, un convertisseur flyback ou un convertisseur direct. 30 Des problèmes similaires peuvent également se produire dans un système de circuit qui commande la diode laser 3 en utilisant un régulateur linéaire. La protection contre les surintensités est également importante dans le cas où l'on utilise une DEL en tant que source de lumière 2 à la place d'une diode laser 3. 35 302 5 8 6 8 3 RÉSUMÉ L'inventeur a cherché à insérer un circuit de protection contre les surintensités (OCP) entre le circuit d'attaque 20r et la diode laser 3, de façon à supprimer les surintensités. Les figures 2A et 2B sont des schémas 5 de circuit de circuits d'OCP étudiés par l'inventeur. Dans les circuits des figures 2A et 2B, un transistor 180 est disposé sur le trajet du courant de la lampe ILD et la valeur de résistance du transistor 180 augmente en continu avec l'augmentation du courant de lampe 'ID. C'est-à-dire que le transistor 180 joue le rôle d'élément à résistance variable. 10 Le circuit d'OCP 30r de la figure 2A comporte le transistor 180 et une résistance R31, qui sont disposés sur le trajet du courant de lampe ILD, et un amplificateur d'erreur 182. Une source d'alimentation 184 génère une tension de seuil VTH. L'amplificateur d'erreur 182 amplifie l'erreur entre la chute de tension Vs apparaissant aux bornes de la 15 résistance de détection R31 et la tension de seuil VTH et fournit ensuite en sortie l'erreur amplifiée à la grille du transistor 180. Dans le circuit d'OCP 30r, dans l'état où Vs VTH, alors la tension de sortie VG de l'amplificateur d'erreur 180 augmente, la tension grille-source du transistor 180 s'approche de zéro, la valeur de résistance du transistor 180 augmente et le courant de lampe 25 ILI) est supprimé. Toutefois, la compensation de phase pour stabiliser le système de commande introduit un retard de réponse non négligeable dans l'amplificateur d'erreur 182. Ainsi, lorsqu'il se produit une variation brutale de l'état d'éclairage normal (Vs VTH), 30 la tension de grille VG du transistor 180 ne peut pas augmenter instantanément d'un niveau passant (0V) à un niveau bloqué, de sorte qu'une surintensité circule. Dans le circuit d'OCP 30s de la figure 2B, la chute de tension Vs de la résistance de détection 31 est introduite entre la base et l'émetteur du 35 transistor bipolaire 186. Le potentiel VG au point de connexion entre le transistor 186 et une résistance 188 est appliqué en entrée à la grille du 302 5 8 6 8 4 transistor 180. Dans l'état d'éclairage normal, le transistor 186 est BLOQUÉ et aucun courant ne circule dans la résistance 188. En conséquence, la tension de grille VG du transistor 190 est diminuée et le transistor 180 est rendu complètement PASSANT. Dans l'état de 5 surintensité, le transistor 186 est rendu PASSANT, un courant circule dans la résistance 188, la tension de grille VG du transistor 180 augmente, la valeur de résistance du transistor 180 augmente et la surintensité peut être supprimée. Toutefois, il n'y a pas une grande différence entre le courant de 10 lampe ILI) dans l'état d'éclairage normal et le courant nominal maximum de la diode laser 3 (c'est-à-dire, la valeur de seuil de protection contre les surintensités) dans la lampe pour véhicule. En conséquence, la chute de tension Vs de la résistance de détection R31 est importante dans l'état d'éclairage normal et la perte de puissance est importante. D'autre part, la 15 valeur de seuil de surintensité fluctue avec la température car la tension entre la base et l'émetteur du transistor bipolaire 186 présente des caractéristiques qui dépendent de la température. Des exemples de modes de réalisation de l'invention ont été réalisés compte tenu des circonstances ci-dessus et certains des exemples 20 de modes de réalisation fournissent un circuit d'éclairage capable de supprimer les surintensités délivrées à la source de lumière. (1) Selon un exemple de mode de réalisation, un circuit d'éclairage pour une source de lumière comporte un circuit d'attaque et un circuit de protection contre les surintensités. Le circuit d'attaque délivre de l'énergie 25 à la source de lumière. Le circuit de protection contre les surintensités est inséré entre le circuit d'attaque et la source de lumière. Le circuit de protection contre les surintensités limite le courant de lampe circulant dans la source de lumière de sorte que le courant de lampe ne dépasse pas une valeur de seuil de surintensité. Le circuit de protection contre les 30 surintensités comporte un transistor, une bobine d'induction, un redresseur, un détecteur de courant et un contrôleur de protection contre les surintensités. Le détecteur de courant génère un signal de détection de courant en fonction du courant de lampe. Le contrôleur de protection contre les surintensités commande l'état PASSANT/BLOQUÉ du transistor 35 en se basant sur le signal de détection de courant et sur la valeur de seuil 302 5 86 8 5 de surintensité. Le transistor, la bobine d'induction et le redresseur sont disposés en forme de T. Dans ce circuit de protection contre les surintensités, le transistor est commuté dans l'état PASSANT dans l'état d'éclairage normal où le 5 courant de lampe est inférieur à la valeur de seuil de surintensité. D'autre part, dans un état de surintensité où le courant de lampe est supérieur à la valeur de seuil de surintensité, le transistor est commuté dans l'état PASSANT et le trajet du courant du circuit d'attaque à la source de lumière est interrompu. C'est-à-dire que le transistor est utilisé en tant que 10 commutateur, plutôt que comme élément à résistance variable. Un circuit de protection contre les surintensités à grande vitesse peut ainsi être réalisé. D'autre part, on peut obtenir une faible perte de puissance dans l'état d'éclairage normal. De plus, la bobine d'induction peut supprimer les fluctuations dans le courant de lampe. En conséquence, même si un retard 15 apparaît en rendant le transistor PASSANT, les surintensités peuvent être supprimées. De plus, la force contre-électromotrice qui est générée lorsque le transistor est commuté dans l'état PASSANT peut être limitée par le redresseur. (2) Dans le circuit d'éclairage selon (1), si le signal de détection de 20 courant dépasse une valeur de seuil supérieure qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de surintensité, le contrôleur de protection contre les surintensités peut commuter le transistor dans l'état BLOQUÉ. Si le signal de détection de courant chute en dessous d'une valeur de seuil inférieure qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de 25 surintensité, le contrôleur de protection contre les surintensités peut commuter le transistor dans l'état PASSANT. (3) Dans le circuit d'éclairage selon (2), le contrôleur de protection contre les surintensités peut inclure un comparateur à hystérésis et un amplificateur. Le comparateur à hystérésis reçoit le signal de détection de 30 courant sur une première borne d'entrée de celui-ci. Le comparateur à hystérésis reçoit une tension de valeur de seuil prédéterminée sur une seconde borne de celui-ci. Le comparateur à hystérésis génère un signal de protection indiquant le résultat de la comparaison. L'amplificateur commande le transistor en fonction du signal de protection. 35 (4) Dans le circuit d'éclairage selon (1), si le signal de détection de courant dépasse un niveau de valeur de seuil qui est déterminé en 302 5 86 8 6 fonction de la valeur de seuil de surintensité, le contrôleur de protection contre les surintensités peut immédiatement commuter le transistor dans l'état BLOQUÉ. Si le signal de détection de courant descend en dessous du niveau de valeur de seuil, le contrôleur de protection contre les 5 surintensités peut commuter le transistor dans l'état PASSANT après qu'un temps de retard prédéterminé s'est écoulé. (5) Dans le circuit d'éclairage selon (4), le contrôleur de protection contre les surintensités peut inclure un comparateur et un premier circuit séquenceur. Le comparateur reçoit le signal de détection de courant sur 10 une première borne d'entrée de celui-ci. Le comparateur reçoit une tension de valeur de seuil prédéterminée sur une seconde borne d'entrée de celui-ci. Le comparateur génère un signal de protection qui est positionné lorsque le signal de détection de courant dépasse la tension de valeur de seuil. Le premier circuit séquenceur retarde un front, 15 correspondant à la transition du temps de retard d'un niveau positionné à un niveau annulé, du signal de protection. (6) Dans le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (5), le transistor et la bobine d'induction peuvent être disposés en série entre la sortie positive du circuit d'attaque et l'électrode positive de la 20 source de lumière. Le redresseur peut être disposé entre (i) le point de connexion entre le transistor et la bobine d'induction et (ii) une ligne de source d'alimentation qui connecte la sortie négative du circuit d'attaque et l'électrode négative de la source de lumière. (7) Dans le circuit d'éclairage selon (3), le transistor peut être un 25 MOSFET à canal p. Le contrôleur de protection contre les surintensités peut inclure en outre une source de tension. La source de tension reçoit une tension depuis le circuit d'attaque. La source de tension génère une tension qui est obtenue en décalant la tension reçue d'une valeur spécifique côté potentiel bas. La source de tension délivre la tension 30 générée à une borne de source d'alimentation côté inférieur de l'amplificateur. (8) Dans le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (5), le transistor et la bobine d'induction peuvent être disposés en série entre la sortie négative du circuit d'attaque et l'électrode négative de la 35 source de lumière. Le redresseur peut être disposé entre (i) le point de connexion entre le transistor et la bobine d'induction et (ii) une ligne de 3025868 7 source d'alimentation qui connecte la sortie positive du circuit d'attaque à l'électrode positive de la source de lumière. (9) Dans le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (8), le contrôleur de protection contre les surintensités peut inclure un 5 circuit verrou de BLOCAGE qui fixe le transistor dans l'état BLOQUÉ lorsqu'un état subsiste pendant une durée prédéterminée où le transistor effectue des commutations répétées entre les états PASSANT et BLOQUÉ. Si une défaillance se produit dans un transistor de commutation, due à un court-circuit dans le cas où le circuit d'attaque est un 10 convertisseur à commutation, si une défaillance se produit dans un transistor de sortie due à un court-circuit dans le cas où le circuit d'attaque est un régulateur linéaire ou si un circuit de rétroaction du circuit d'attaque présente une défaillance, la commande du courant d'attaque délivré à la source de lumière est perdue et l'état de surintensité 15 devient continu. Lorsque l'état de surintensité est resté continu pendant une longue période, l'exemple de mode de réalisation suppose qu'il y a une défaillance du circuit et fixe dans l'état BLOQUÉ le transistor du circuit de protection contre les surintensités. La source de lumière est ainsi éteinte et la sécurité peut être améliorée. 20 (10) Dans le circuit d'éclairage selon (9), le circuit verrou de BLOCAGE peut surveiller un signal pour demander une commutation PASSANT/BLOQUÉ du transistor. (11) Dans le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (9) à (10), le circuit verrou de BLOCAGE peut inclure un détecteur de 25 commutation, un second circuit séquenceur et un circuit de BLOCAGE forcé. Le détecteur de commutation génère un signal de détection de commutation qui adopte un premier état lorsque le transistor est établi dans l'état PASSANT et un second état lorsque le transistor commute de façon répétée entre les états PASSANT et BLOQUÉ. Le second circuit 30 séquenceur positionne le signal de suspension lorsque le second état du signal de détection de commutation s'est poursuivi pendant le temps spécifique. Le circuit de BLOCAGE forcé commute de force le transistor dans l'état BLOQUÉ lorsque le signal de suspension est positionné. (12) Le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (11) 35 peut inclure en outre un détecteur d'anomalie. Le détecteur d'anomalie surveille optiquement la source de lumière. Le détecteur d'anomalie 3025868 8 positionne un signal de détection d'anomalie lorsque l'intensité de la source de lumière dépasse un niveau autorisé dans un mode à faible luminance dans lequel la source de lumière est allumée à une intensité inférieure au niveau normal. Le transistor est commuté dans l'état 5 PASSANT lorsque le signal de détection d'anomalie est positionné. (13) Selon un autre exemple de mode de réalisation, un circuit d'éclairage pour une source de lumière comporte un circuit d'attaque, un détecteur d'anomalie et un circuit de protection. Le circuit d'attaque délivre une alimentation à la source de lumière. Le détecteur d'anomalie 10 surveille optiquement la source de lumière. Le détecteur d'anomalie positionne un signal de détection d'anomalie lorsque l'intensité de la source de lumière dépasse un niveau autorisé dans un mode à faible luminance dans lequel la source de lumière est allumée à une intensité inférieure à un niveau normal. Le circuit de protection limite l'alimentation 15 de la source de lumière provenant du circuit d'attaque lorsque le signal d'anomalie est positionné. Avec cette configuration, on peut empêcher une émission de lumière puissante dans des conditions et/ou dans des situations d'utilisation où l'intensité de la lumière doit être réduite. 20 Le mode à faible luminance peut être par exemple un mode d'essai dans lequel on fait émettre faiblement de la lumière par la source de lumière 2 pour les besoins de réglages d'axe de lumière, d'essai ou de maintenance. La sécurité des opérateurs pendant la maintenance peut ainsi être améliorée. 25 (14) Le circuit d'éclairage selon (13) peut inclure en outre un détecteur de lumière d'émission qui détecte optiquement si la source de lumière est ou non allumée normalement. Le détecteur d'anomalie peut positionner le signal de détection d'anomalie lorsque le détecteur de lumière d'émission indique un éclairage normal dans le mode à faible 30 luminance. Avec des sources de lumière à semiconducteur telles que des diodes laser, il existe parfois un mode de défaillance dans lequel la lumière cesse d'être émise (détérioration optique catastrophique (COD)) même si ses caractéristiques électriques sont normales. En conséquence, un 35 détecteur de lumière émise qui détecte optiquement la lumière émise par la diode laser peut être utilisé dans une lampe pour véhicule incluant une 3 0 2 5 86 8 9 diode laser. Une valeur de seuil de détection du détecteur de lumière émise peut être fixée à un niveau supérieur à ce qui est autorisé dans le mode à faible lumière. La sortie du détecteur de lumière émise peut ainsi également être utilisée dans la détection d'anomalie par un détecteur 5 d'anomalie. D'autre part, l'augmentation de l'aire de surface du circuit peut être supprimée. (15) Selon encore un autre exemple de mode de réalisation, une lampe pour véhicule comporte une source de lumière et le circuit d'éclairage selon l'un quelconque parmi (1) à (14) qui attaque la source de 10 lumière. La source de lumière peut inclure une diode laser et un luminophore. La diode laser émet une lumière d'excitation. Le luminophore émet une fluorescence lorsqu'il est excité par la lumière d'excitation. La source de lumière génère une lumière blanche de sortie incluant le spectre 15 de la lumière d'excitation et de la fluorescence. Selon les exemples de modes de réalisation décrit ci-dessus, un circuit peut être protégé contre une surintensité brutale. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS 20 L'invention sera bien comprise et ses avantages seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui suit. La description se rapporte aux dessins indiqués ci-après et qui sont donnés à titre d'exemple. La figure 1 est un schéma de circuit d'un circuit d'éclairage d'une 25 source de lumière étudiée par l'inventeur ; les figures 2A et 2B sont des schémas de circuit de circuits d'OCP étudiés par l'inventeur ; la figure 3 est un schéma de circuit d'une lampe pour véhicule selon un premier exemple de mode de réalisation ; 30 la figure 4 est un schéma de circuit montrant un exemple de configuration spécifique d'un circuit d'OCP ; la figure 5 est un schéma de circuit représentant un exemple de configuration spécifique du circuit d'OCP de la figure 4 ; la figure 6A représente des formes d'onde de fonctionnement du 35 circuit d'éclairage de la figure 1 ; 3025868 10 la figure 6B représente des formes d'onde fonctionnelles des circuits d'éclairage des figures 3 à 5 ; la figure 7 est un schéma de circuit d'un circuit d'OCP selon un deuxième exemple de mode de réalisation ; 5 la figure 8 représente des formes d'onde de fonctionnement pendant le rétablissement du point de contact d'un connecteur du circuit d'éclairage de la figure 7 ; la figure 9 est un schéma de circuit montrant un exemple de configuration spécifique du circuit d'OCP de la figure 7 ; 10 la figure 10 est un schéma de circuit d'un circuit d'éclairage muni d'un circuit d'OCP selon un troisième exemple de mode de réalisation ; les figures 11A et 11B sont des schémas de circuit montrant des exemples de configurations du circuit d'OCP de la figure 10 ; la figure 12 est un schéma de circuit d'un circuit d'éclairage muni 15 d'un circuit d'OCP selon un quatrième exemple de mode de réalisation ; les figures 13A et 13B sont des schémas par blocs d'un circuit verrou de BLOCAGE ; la figure 14 est un schéma de circuit du circuit verrou de BLOCAGE ; 20 les figures 15A et 15B expliquent le fonctionnement d'un circuit verrou de BLOCAGE ; la figure 16 est un schéma par blocs d'une lampe pour véhicule selon un cinquième exemple de mode de réalisation ; la figure 17 est un schéma de circuit montrant un exemple de 25 configuration spécifique d'un circuit d'éclairage du cinquième exemple de mode de réalisation ; et la figure 18 est une vue en perspective d'une unité de lampe munie d'une lampe pour véhicule selon un exemple de mode de réalisation. 30 DESCRIPTION DÉTAILLÉE Des exemples de modes de réalisation de l'invention vont être décrits ci-dessous en référence aux dessins annexés. Des éléments constitutifs, organes et traitements identiques ou équivalents représentés 35 sur les dessins respectifs reçoivent les mêmes numéros de référence et une explication redondante de ceux-ci sera omise. De plus, les modes de 3025868 11 réalisation sont simplement des exemples et ne limitent pas l'invention. Toutes les caractéristiques décrites dans les exemples de modes de réalisation suivant et leurs combinaisons ne sont pas toujours essentielles pour l'invention. 5 Dans la présente description, un « élément A se trouve dans un état où l'élément A est connecté à un élément B » comporte le cas où l'élément A et l'élément B sont directement connectés physiquement ensemble et le cas où l'élément A est l'élément B sont indirectement connectés ensemble par l'intermédiaire d'un autre élément dans la mesure 10 où (i) il n'y a aucun impact sensible sur leur état de connexion électrique ou (ii) il n'y a aucune dégradation de la fonctionnalité et des effets fournis par leur connexion mutuelle. De façon similaire, un « élément C se trouve dans un état où l'élément C est disposé entre un élément A et un élément B » comporte le 15 cas où l'élément A est directement connecté à l'élément B, le cas où l'élément B est directement connecté à l'élément C et le cas où une connexion indirecte est réalisée par l'intermédiaire d'un autre élément dans la mesure où (i) il n'y a aucun impact sensible sur leur état de connexion électrique ou (ii) il n'y a aucune dégradation de la fonctionnalité 20 et des effets présentés par leur connexion mutuelle. Dans la présente description, les symboles attribués au signaux électriques tels que les signaux de tension et les signaux de courant, et aux éléments de circuits tels que les résistances et les condensateurs, représentent respectivement des valeurs de tension et des valeurs de 25 courant ou des valeurs de résistance et des valeurs de capacité, selon le cas. Un homme de l'art comprendra qu'il est possible de remplacer les uns par les autres des transistors bipolaires, des MOSFET et des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de permuter les transistors à 30 canal p (type pnp) et les transistors à canal n (type npn) et d'inverser électriquement la source d'alimentation et la masse. (Premier exemple de mode de réalisation) La figure 3 est un schéma de circuit d'une lampe pour véhicule 1 selon un premier exemple de mode de réalisation. La lampe pour véhicule 35 1 comporte une source de lumière 2 et un circuit d'éclairage 10 qui attaque la source de lumière 2. 302 5 8 6 8 12 La source de lumière 2 peut inclure par exemple une diode laser 3 et un luminophore (non représenté sur les dessins). La diode laser 3 émet une lumière d'excitation. Le luminophore émet une lumière fluorescente lorsqu'il est excité par la lumière d'excitation. La source de lumière est 5 configurée pour générer de la lumière blanche en sortie incluant les spectres de la lumière d'excitation et de la lumière fluorescente. En variante, la source de lumière 2 peut inclure une DEL blanche ou une combinaison de DEL rouge, verte et bleue. Lorsqu'un commutateur 6 est commuté de PASSANT à BLOQUÉ, une tension VBAT provenant d'une 10 batterie 4 est appliqué au circuit d'éclairage 10 qui élève et fournit la tension VBAT à la source de lumière 2. Le circuit d'éclairage 10 comporte un circuit d'attaque 20 et un circuit d'OCP 30. Le circuit d'attaque 20 exécute une commande de rétroaction pour l'alimentation délivrée à la source de lumière 2. Dans le 15 premier exemple de mode de réalisation, le circuit d'attaque 20 est un convertisseur élévateur de commande de courant (convertisseur élévateur). Le circuit d'attaque 20 comporte une bobine d'induction L21, un transistor de commutation M21, une diode redresseuse D21, un condensateur de sortie 21 et un contrôleur 22. Le contrôleur 22 détecte 20 un courant de lampe ILD délivré à la source de lumière 2, génère une impulsion de grille dont le rapport cyclique est réglé de façon à s'approcher d'un courant cible IREF qui est donné en fonction de la luminance cible de la source de lumière 2 et attaque le transistor de commutation M21. La tension de sortie Voir générée aux bornes du 25 condensateur de sortie C21 est délivrée à la source de lumière 2 par l'intermédiaire du circuit d'OCP 30. Le circuit d'OCP 30 est inséré entre le circuit d'attaque 20 et la source de lumière 2. Le circuit d'OCP 30 limite le courant ILD circulant dans la source de lumière 2, de sorte que le courant ILD ne dépasse pas une 30 valeur de seuil de surintensité ITH. La valeur de seuil de surintensité ITH est réglée de manière à être supérieure à la valeur maximale du courant cible IREF et à être inférieure au courant nominal maximum de la diode laser 3. Le circuit d'OCP 30 comporte un transistor M31, une bobine d'induction L31, un redresseur D31, un détecteur de courant 32 et un 35 contrôleur d'OCP 34. Le transistor M31, la bobine d'induction L31 et le redresseur D31 sont disposés en forme de T. Dans le premier exemple de 302 5 8 6 8 13 mode de réalisation, le transistor M31 et la bobine d'induction L31 sont disposés en série sur le trajet d'une ligne de source d'alimentation Lp qui connecte une sortie d'électrode positive OUTP du circuit d'attaque 20 et une électrode positive (anode) de la source de lumière 2. Le redresseur 5 D31 est disposé entre (i) le point de connexion N1 entre le transistor M31 et la bobine d'induction L31 et (ii) une ligne de source d'alimentation LN, qui connecte une sortie d'électrode négative OUTN du circuit d'attaque 20 et une électrode négative (cathode) de la source de lumière 2. Bien que l'on utilise de manière appropriée une diode en tant que redresseur D31, 10 on peut utiliser un TEC en remplacement d'une diode et on peut faire commuter le TEC de façon complémentaire au transistor M31. Le détecteur de courant 32 génère un signal de détection de courant Is fonction du courant de lampe ILD circulant dans la source de lumière 2. Le contrôleur d'OCP 34 commande la commutation 15 PASSANT/BLOQUÉ du transistor M31 en se basant sur le signal de détection de courant Is et sur la valeur de seuil de surintensité ITH. De façon plus spécifique, le contrôleur d'OCP 34 commute le transistor M31 dans l'état BLOQUÉ si le signal de détection de courant Is dépasse une valeur de seuil supérieure ITHH qui est déterminée en fonction 20 de la valeur de seuil de surintensité ITH. D'autre part, le contrôleur d'OCP 34 commute le transistor M31 dans l'état PASSANT si le signal de détection de courant Is est inférieur à une valeur de seuil inférieure ITHL qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de surintensité 'TH. Ce qui suit est la configuration de base de la lampe pour véhicule 25 1. La figure 4 est un schéma de circuit montrant un exemple de configuration spécifique du circuit d'OCP 30. Le détecteur de courant 32 comporte la résistance de détection R31 pour la détection du courant et un amplificateur 36. La résistance de détection R31 est disposée sur le 30 trajet de la ligne de la source d'alimentation Lp le long de laquelle la tension de sortie VouT est délivrée par le circuit d'attaque 20 de l'étage précédent. L'amplificateur 36 amplifie la chute de tension Vs aux bornes de la résistance de détection R31. La sortie de l'amplificateur 36 est constituée du signal de détection de courant Is qui varie de façon linéaire 35 par rapport au courant de lampe ILD. On notera que l'amplificateur 36 de la figure 4 ou de la figure 5 peut être omis. De plus, la résistance de 3025868 14 détection R31 peut être placée sur la ligne de la source d'alimentation LN en remplacement de la ligne de la source d'alimentation Lp. La résistance de détection R31 peut être utilisée en tant que résistance de détection de courant pour détecter le courant de lampe ILD lorsqu'une commande de 5 rétroaction est exécutée pour le courant de lampe ILD dans un état d'éclairage normal. Le contrôleur d'OCP 34 comporte principalement un comparateur à hystérésis 38 et un dispositif de décalage de niveau 40. Une première borne d'entrée (+) du comparateur à hystérésis 38 reçoit le signal de 10 détection de courant Is. Une seconde borne d'entrée (-) du comparateur à hystérésis 38 reçoit la valeur de seuil prédéterminée VTH. Le dispositif de décalage de niveau 40 décale de manière appropriée le niveau du signal de sortie (appelé également « signal de protection ») Sou du comparateur à hystérésis 38 et commande l'état PASSANT/BLOQUÉ du transistor M31. 15 La valeur de seuil supérieure ITHH et la valeur de seuil inférieure ITHL sont réglées dans le comparateur à hystérésis 38 en fonction de la valeur de seuil VTH. Si Is le contrôleur d'OCP 64 génère un signal de protection positionné Sou (par exemple, au niveau haut). Lorsque le signal de protection Sou) effectue une transition d'un niveau annulé à un niveau positionné, le premier circuit séquenceur 68 10 commute immédiatement le transistor M61 dans l'état BLOQUÉ sans retard. Inversement, lorsque le signal de protection Soc effectue une transition du niveau positionné au niveau annulé, le premier circuit séquenceur 68 commute le transistor M61 dans l'état PASSANT après un retard du temps de retard T. Le premier circuit séquenceur 68 peut être 15 considéré comme un circuit de retard qui est effectif pour un front parmi le front positif et le front négatif du signal de protection Socp et n'a aucun effet pour l'autre front. La figure 8 représente des formes d'onde du circuit d'éclairage 10 lorsque le contact du connecteur du circuit d'éclairage 10 de la figure 7 est 20 rétabli. Le contact est rétabli au temps tO. Une charge stockée dans le condensateur de sortie Cl du circuit d'attaque 20 circule ainsi dans la source de lumière 2 et le courant de lampe ILD augmente brutalement. Si le courant de lampe Tu) dépasse la valeur de seuil 'TH, le signal de protection Sou est positionné (au niveau haut dans ce cas) et le 25 transistor M61 est immédiatement commuté dans l'état PASSANT. Lorsque le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT, le courant de lampe ILL) commence à diminuer à travers la bobine d'induction L61 et la diode D61 et devient rapidement inférieur à la valeur de seuil ITH et le signal de protection Soc est annulé. Les fronts correspondant au signal de 30 protection Soc effectuant une transition de l'état positionné à l'état annulé (fronts négatifs) sont retardés par le premier circuit séquenceur 68. Le transistor M61 est commuté en retour dans l'état PASSANT après que le temps de retard 1' s'est écoulé. Lorsque le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT, le courant de lampe ILD commence à augmenter. Le 35 circuit d'OCP 60 répète cette opération, ce qui permet de limiter le courant 302 5 8 6 8 19 de lampe ILD à des valeurs inférieures à la valeur de seuil de surintensité ITH- La pente de la diminution du courant de lampe ILL) pendant le temps de retard i dépend de la bobine d'induction L61 et de la tension VLD 5 aux bornes de la diode laser 3, et elle est donnée par VLD/L61. En conséquence, la valeur de la diminution du courant de lampe ILD pendant le temps de retard 'C est égale à T x VLD/L61. En conséquence, puisque le temps de retard T est déterminé de façon à satisfaire à ILow = ITH T X VLD/L61 > IREF, la protection contre les surintensités fonctionne dans 10 l'état d'éclairage normal et on peut empêcher le transistor M61 de commuter. Ainsi, le passage dans l'état PASSANT du transistor M61 est retardé par le contrôleur d'OCP 64 du deuxième exemple de mode de réalisation, ce qui permet de limiter le courant de lampe ILD à des valeurs 15 comprises entre les valeurs de seuil ITH et ILow. La figure 9 est un schéma de circuit montrant un exemple spécifique de configuration du circuit d'OCP 60 de la figure 7. Le détecteur de courant 62 comporte une résistance R62 pour la détection du courant. La résistance R62 est disposée sur le trajet du courant de lampe ILD. La 20 chute de tension aux bornes de la résistance R62 constitue le signal de détection de courant I. De façon similaire au premier exemple de mode de réalisation, un amplificateur qui amplifie la chute de tension aux bornes de la résistance R62 peut être ajouté. La résistance R62 est disposée sur la ligne de la source d'alimentation LN qui connecte la sortie d'électrode 25 négative OUTN du circuit d'attaque 20 de l'étage précédent et la borne d'électrode négative (cathode) de la source de lumière 2. De façon similaire au premier exemple de mode de réalisation, la résistance R62 peut être disposée sur la ligne de la source d'alimentation L. Des résistances R63 à R67 et un amplificateur opérationnel 0A61 30 constituent un comparateur à hystérésis et correspondent au comparateur 66 représenté sur la figure 7. On notera que cette hystérésis sert à empêcher une instabilité et que l'hystérésis est ici différente au sens technique de celle du premier exemple de mode de réalisation. Le premier circuit séquenceur 68 comporte une résistance R68, un 35 transistor M62 et un condensateur C61. Le condensateur C61 peut utiliser la capacité de grille du transistor M61. Lorsque le signal de protection SOCP 302 5 868 20 est positionné (au niveau haut), le transistor M62 est commuté dans l'état PASSANT, le condensateur C61 se décharge immédiatement, la tension grille-source du transistor M61 devient nulle, le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT et la protection contre les surintensités est 5 activée. Lorsque le signal de protection Sccp est annulé (niveau bas), le transistor M62 est commuté dans l'état PASSANT. Le condensateur C61 est chargé à travers la résistance R68 avec une constante de temps donnée. Après un temps de retard i correspondant à l'écoulement de la 10 constante de temps, la tension grille-source du transistor M61 dépasse la valeur de la tension de seuil d'un TEC, le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT et la protection contre les surintensités est désactivée. Une diode D62 est prévue pour les besoins de la limitation de la force contre-électromotrice de la bobine d'induction L61 lorsque la ligne de 15 connexion entre le circuit d'éclairage 10 et la source de lumière 2 et en particulier le connecteur, est dans un état déconnecté. Le deuxième exemple de mode de réalisation présente l'effet avantageux suivant par rapport au premier exemple de mode de réalisation. 20 Dans le deuxième exemple de mode de réalisation, lorsque le courant de lampe ILD dépasse la valeur de seuil donnée ITH, le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT. Après cela, lorsque le courant de lampe ILL) chute jusqu'à un niveau ILow qui est inférieur à la valeur de seuil ITH, le transistor M61 est commuté dans l'état PASSANT. Dans ce sens, le 25 deuxième exemple de mode de réalisation est similaire au premier exemple de mode de réalisation. Toutefois, les premier et deuxième exemples de modes de réalisation sont différents en ce que, tandis que le premier exemple de mode de réalisation règle le niveau côté inférieur ILOW en utilisant la valeur de seuil inférieure ITHL du comparateur à hystérésis, 30 le deuxième exemple de mode de réalisation règle le niveau côté inférieur ILow en utilisant le temps de retard T. Dans le circuit d'OCP 30 de la figure 4, il est nécessaire de comparer le courant de lampe ILD à la valeur de seuil inférieure ITHL au moyen du comparateur à hystérésis 38 dans un état où le transistor M31 35 est dans l'état BLOQUÉ. En conséquence, la résistance de détection R31 ne peut pas être disposée côté borne de masse (OUTN) du transistor M31. 302 5 8 6 8 21 En conséquence, pour que le comparateur à hystérésis 38 effectue la comparaison de tension en utilisant la tension de la masse comme référence, il est nécessaire que l'amplificateur 36 convertisse la chute de tension Vs en un signal de détection de courant Is qui est basé sur la 5 tension de la masse servant de référence. Toutefois, puisque l'amplificateur à grande vitesse 36 est généralement coûteux, le coût peut être important dans le circuit d'OCP 30 de la figure 4. En revanche, dans le deuxième exemple de mode de réalisation, puisque le séquencement selon lequel le transistor M61 est mis dans l'état 10 PASSANT est déterminé par le premier circuit séquenceur 68, il n'est pas nécessaire que le courant de lampe ILD soit détecté pendant le temps où le transistor M61 est dans l'état BLOQUÉ. C'est-à-dire que la résistance R62 de détection du courant de lampe ILD peut être disposée côté borne de masse (OUTN) comme représenté sur la figure 9. Ainsi, le signal de 15 détection de courant Is qui est fondé sur la tension de la masse servant de référence peut être généré même sans l'amplificateur 36 de la figure 4. En conséquence, le coût peut être réduit. (Troisième exemple de mode de réalisation) La figure 10 est un schéma de circuit d'un circuit d'éclairage 10 20 muni d'un circuit d'OCP selon un troisième exemple de mode de réalisation. Un circuit d'OCP 50 est inséré entre un circuit d'attaque 20 et une diode laser 3 dans le troisième exemple de mode de réalisation. Le circuit d'OCP 50 comporte un détecteur de courant 52, un comparateur 54, un circuit séquenceur 56, un transistor de dérivation M51 25 et une résistance de limitation de courant R51. Le détecteur de courant 52 détecte un courant de lampe ILD et génère un signal de détection de courant Is fonction du courant de lampe ILD. Le comparateur 54 compare le signal de détection de courant Is à la valeur de seuil de surintensité ITH et génère un signal de protection 30 positionné (par exemple, au niveau haut) Soc lorsque Is > ITH. Il est préférable que le comparateur 54 soit un comparateur à hystérésis. La résistance de limitation de courant R51 est disposée sur le trajet du courant de lampe Tu> Le transistor de dérivation M51 est disposé en parallèle avec la résistance de limitation de courant R51. Le transistor 35 de dérivation M51 est commuté dans l'état PASSANT pendant une période au cours de laquelle le signal de protection Sou est annulé. D'autre part, 302 5 8 6 8 22 le transistor de dérivation M51 est commuté dans l'état PASSANT pendant une période au cours de laquelle le signal de protection Soep est positionné. Le circuit séquenceur 56 est inséré entre le transistor de dérivation 5 M51 et le comparateur 54. Lorsque le signal de protection Socp effectue une transition d'un état annulé à un état positionné, le circuit séquenceur 56 commute immédiatement le transistor de dérivation M51 dans l'état BLOQUÉ sans retard. Inversement, lorsque le signal de protection Soc effectue une transition du niveau positionné au niveau annulé, le circuit 10 séquenceur 56 commute le transistor de dérivation M51 dans l'état PASSANT après qu'un retard de temps spécifique s'est écoulé. Le circuit séquenceur 56 peut être considéré comme un circuit de retard qui prend effet pour un front parmi le front positif et le front négatif du signal de protection Sou et n'a aucun effet pour l'autre front. 15 Lorsqu'un état de surintensité de ILD > ITH est détecté, le circuit d'OCP 50 selon le troisième exemple de mode de réalisation commute immédiatement le transistor M51 dans l'état BLOQUÉ et la surintensité peut être supprimée. Inversement, lorsque l'état est ramené à un état d'éclairage normal de ILD REVENDICATIONS1. Circuit d'éclairage (10, 10a) pour une source de lumière (2), le circuit d'éclairage (10, 10a) comprenant : un circuit d'attaque (20) qui délivre de l'énergie à la source de lumière (2) ; et un circuit de protection contre les surintensités (30, 60, 60a) qui est inséré entre le circuit d'attaque (20) et la source de lumière (2) et qui limite le courant de lampe (ILD) circulant dans la source de lumière (2) de 10 sorte que le courant de lampe (ILD) ne dépasse pas une valeur de seuil de surintensité (ITH), dans lequel le circuit de protection contre les surintensités (30, 60, 60a) comprend : un transistor (M31, M61), une bobine d'induction (L31, L61), un redresseur (D31, D61), un détecteur de courant (32, 62) qui génère un signal de détection de courant (Is) en fonction du courant de lampe (ILD), et un contrôleur de protection contre les surintensités (34, 64, 64a) 20 qui commande l'état PASSANT/BLOQUÉ du transistor (M31, M61) en se basant sur le signal de détection de courant (Is) et sur la valeur de seuil de surintensité (ITH), le transistor (M31, M61), la bobine d'induction (L31, L61) et le redresseur (D31, D61) sont disposés en forme de T. 2. Circuit d'éclairage (10) selon la revendication 1, dans lequel si le signal de détection de courant (Is) dépasse une valeur de seuil supérieure (ITHH) qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de surintensité (ITH), le contrôleur de protection contre les surintensités (34) commute le transistor (M31) dans l'état BLOQUÉ, et si le signal de détection de courant (Is) chute en dessous d'une valeur de seuil inférieure (ITHL) qui est déterminée en fonction de la valeur de seuil de surintensité (ITH), le contrôleur de protection contre les surintensités (34) commute le transistor (M31) dans l'état PASSANT. 3. Circuit d'éclairage (10) selon la revendication 2, dans lequel le contrôleur de protection contre les surintensités (34) comprend : un comparateur à hystérésis (38) qui reçoit le signal de détection de courant (Is) sur une première borne d'entrée de celui-ci, reçoit une tension de valeur de seuil prédéterminée (VTH) sur une seconde borne d'entrée de celui-ci, et génère un signal de protection (Socp) indiquant le résultat de la comparaison, et un amplificateur (42), qui commande le transistor (M31) en fonction du signal de protection (Socp). 4. Circuit d'éclairage (10, 10a) selon la revendication 1, dans lequel si le signal de détection de courant (Is) dépasse un niveau de valeur de seuil qui est déterminé en fonction de la valeur de seuil de surintensité (ITH), le contrôleur de protection contre les surintensités (64) 15 commute immédiatement le transistor (M61) dans l'état BLOQUÉ, et si le signal de détection de courant (Is) descend en dessous du niveau de valeur de seuil, le contrôleur de protection contre les surintensités (64) commute le transistor (M61) dans l'état PASSANT après qu'un temps de retard prédéterminé (t) s'est écoulé. 5. Circuit d'éclairage (10, 10a) selon la revendication 4, dans lequel le contrôleur de protection contre les surintensités (64) comprend un comparateur (66) qui reçoit le signal de détection de courant (Is) sur une première 25 borne d'entrée celui-ci, qui reçoit une tension de valeur de seuil prédéterminée sur une seconde borne d'entrée celui-ci, et qui génère un signal de protection (Socp) qui est positionné lorsque le signal de détection de courant (Is) dépasse la tension de valeur 30 de seuil, et un premier circuit séquenceur (68) qui retarde un front, correspondant à la transition du temps de retard (t) d'un niveau positionné à un niveau annulé, du signal de protection (SOCP). 6. Circuit d'éclairage (10) selon l'une quelconque des 35 revendications 1 à 5, dans lequel : le transistor (M31) et la bobine d'induction (L31) sont disposés en série entre la sortie positive du circuit d'attaque (20) et l'électrode positive de la source de lumière (2), et le redresseur (D31) est disposé entre (i) le point de connexion entre le transistor (M31) et la bobine d'induction (L31) et (ii) une ligne de source d'alimentation (Lp) qui connecte la sortie négative du circuit d'attaque (20) et l'électrode négative de la source de lumière (20). 7. Circuit d'éclairage (10) selon la revendication 3, dans lequel le transistor (M31 est un MOSFET à canal p, et le contrôleur de protection contre les surintensités (34) comprend en outre une source de tension (44) qui reçoit une tension (VouT) depuis le circuit d'attaque (20), qui génère une tension qui est obtenue en décalant la tension reçue d'une valeur spécifique côté potentiel bas, et qui délivre la tension générée (VL) à une borne de source d'alimentation côté inférieur du circuit d'attaque (42). 8. Circuit d'éclairage (10a) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le transistor (M61) et la bobine d'induction (L61) sont disposés en série entre la sortie négative du circuit d'attaque (20) et l'électrode négative de la source de lumière (2) ; et le redresseur (D61) est disposé entre (i) le point de connexion entre le transistor (M61) et la bobine d'induction (L61) et (ii) une ligne de source d'alimentation (Lp) qui connecte la sortie positive du circuit d'attaque (20) à l'électrode positive de la source de lumière (2). 9. Circuit d'éclairage (10a) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le contrôleur de protection contre les surintensités (64a) comprend un circuit verrou de BLOCAGE (70) qui fixe le transistor (M61) dans l'état BLOQUÉ lorsqu'un état subsiste pendant une durée prédéterminée (i2) où le transistor (M61) effectue des commutations répétées entre les états PASSANT et BLOQUÉ. 10. Circuit d'éclairage (10a) selon la revendication 9, dans lequel le circuit verrou de BLOCAGE (70) surveille un signal pour demander une commutation PASSANT/BLOQUÉ du transistor (M61). 11. Circuit d'éclairage (10a) selon l'une quelconque des revendications 9 à 10, dans lequel 302 5 868 38 le circuit verrou de BLOCAGE (70) comprend un détecteur de commutation (72) qui génère un signal de détection de commutation (S11) qui adopte un premier état lorsque le transistor (M61) est établi dans l'état 5 PASSANT, et un second état lorsque le transistor (M61) commute de façon répétée entre les états PASSANT et BLOQUÉ ; un second circuit séquenceur (74) qui positionne un signal de suspension (S12) lorsque le second état du signal de détection de 10 commutation (S11) s'est poursuivi pendant le temps spécifique (r2), et un circuit de BLOCAGE forcé (78) qui commute de force le transistor (M61) dans l'état BLOQUÉ lorsque le signal de suspension (S12) est positionné. 12. Circuit d'éclairage (10, 10a) selon l'une quelconque des 15 revendications 1 à 11, comprenant en outre un détecteur d'anomalie (100) qui surveille optiquement la source de lumière (2) et qui positionne un signal de détection d'anomalie (S20) lorsque l'intensité de la source de lumière (20) dépasse un niveau autorisé dans un mode à faible luminance dans lequel la source de lumière (2) est 20 allumée à une intensité inférieure au niveau normal, dans lequel le transistor (M31, M61) est commuté dans l'état PASSANT lorsque le signal de détection d'anomalie (S20) est positionné. 13. Circuit d'éclairage (10b) pour une source de lumière (2), le circuit d'éclairage (10b) comprenant : 25 un circuit d'attaque (20) qui délivre de l'énergie à la source de lumière (2) ; un détecteur d'anomalie (100) qui surveille optiquement la source de lumière (2) et qui positionne un signal de détection d'anomalie (S20) lorsque l'intensité de la source de lumière (20) dépasse un niveau autorisé 30 dans un mode à faible luminance dans lequel la source de lumière (2) est allumée à une intensité inférieure à un niveau normal ; et un circuit de protection (110) qui limite l'alimentation de la source de lumière (2) provenant du circuit d'attaque (20) lorsque le signal d'anomalie (S20) est positionné. 35 14. Circuit d'éclairage (10b) selon la revendication 13, comprenant en outre : 3025868 39 un détecteur de lumière d'émission (102) qui détecte optiquement si la source de lumière (2) est ou non allumée normalement, dans lequel le détecteur d'anomalie (100) positionne le signal de détection d'anomalie (S20) lorsque le détecteur de lumière d'émission (102) indique 5 un éclairage normal dans le mode à faible luminance. 15. Lampe pour véhicule (1, la, lb) comprenant : une source de lumière (2) ; et le circuit d'éclairage (10, 10a, 10b) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14 qui attaque la source de lumière (2). 10