FR 3026892 A1 20160408 FR 1402238 A 20141003 26 892 1 Transistor à effet de champ avec contact de drain mixte optimisé et procédé de fabrication Le domaine de l'invention est celui des composants à effet de champ et notamment celui des transistors dont les domaines d'application sont aussi bien ceux des hyperfréquences que ceux de l'électronique de puissance. La présente invention est plus précisément centrée sur la réalisation des contacts et résistance d'accès du contact de drain d'un composant à effet de champ tout en facilitant la réalisation de composants de manière collective et pouvant présenter des caractéristiques différentes, et notamment dans le cas de composants présentant des tailles de grille submicronique. De manière générale, les transistors à effet de champ contactent 15 un barreau de semiconducteur(s) à l'aide de trois contacts : - un contact ohmique de source ; une grille correspondant à un contact pouvant être de type Schottky (métal-semiconducteur) ou une jonction d'un semiconducteur de type opposé à celui du semiconducteur 20 dans lequel les porteurs se propagent ; un contact ohmique de drain. La figure 1 montre le schéma de principe d'un transistor à effet de champ. La solution classique est d'utiliser deux contacts ohmiques de drain CD et de source CS soumis à une tension Vds, pour injecter et collecter les 25 porteurs schématisé par le courant Ids, dont le flux est contrôlé par la tension Vgs portée au niveau de la grille G. Ces types de composants sont largement utilisés et décrits dans des ouvrages d'introduction, dont notamment : « Physique des semiconducteurs et des composants électroniques » Cours et exercices, 30 Henry Mathieu, Hervé Fanet Collection: Sciences Sup, Dunod 2009-51ème édition- EAN13 : 978100516438 De manière générale, on différencie les contacts ohmiques des contacts dits Schottky par la fonction d'évolution du courant en fonction de la tension appliquée. Dans le cas d'un contact ohmique, cette fonction est 35 linéaire et passe par 0, alors qu'elle présente une tension seuil minimale Vrnin pour que le courant soit non nul dans le cas d'un contact Schottky. Un contact ohmique simple doit être réalisé de telle sorte qu'aucune barrière énergétique ne s'oppose au franchissement de l'interface entre le contact ohmique et le semiconducteur à contacter, cela limitant les résistances d'accès. Les solutions classiques de réalisation de contact ohmique reposent sur trois approches qui ne sont d'ailleurs pas exclusives l'une de l'autre. Il est important de mentionner que certains matériaux semiconducteurs ne permettent pas d'utiliser facilement l'ensemble des trois procédés pour différentes raisons (budget thermique, hétérostructure 10 irréalisable, dopage maximal insuffisant, etc.). Plus précisément, ces procédés sont les suivants : - l'inter-diffusion d'alliages métalliques avec le semiconducteur ; - le dopage très élevé du semiconducteur qui permet de diminuer fortement l'épaisseur de la zone de charge d'espace et donc le 15 franchissement de la barrière Schottky par effet tunnel ou équivalent; - l'utilisation sous l'électrode métallique d'un alliage semiconducteur par ingénierie des bandes d'énergie conduisant à l'absence d'une barrière Schottky à l'interface. 20 Ces trois approches requièrent toutes un budget thermique élevé, et pour certains matériaux semiconducteurs les résistances de contact à l'interface métal-semiconducteur demeurent trop élevées et altèrent les performances électriques des dispositifs. On est ainsi amené à chercher des solutions permettant de réduire les résistances d'accès, et notamment du 25 contact de drain. Le Demandeur est parti du constat que cette résistance de contact est inférieure dans le cas d'un contact Schottky polarisé en direct, par rapport à celle d'un contact ohmique classique et propose pour résoudre le problème posé, une solution concernant un transistor à effet de champ, comportant un contact de drain mixte. 30 Il est à noter qu'il a déjà été proposé l'utilisation de contact Schottky et notamment dans les articles de A Girardot, A Henkel, S.L Delage, M.-A DiForte-Poisson, E. Chartier. D. Floriot, S. Cassette and P.A. Rolland, « High performance collector-up InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor with Schottky contact », Electronics Letters, Vol.35, 35 pp.670-672, 1999, ou l'article : Schottky Drain AlGaN/GaN HEMTs for mm-wave Applications, X. Zhao, J.W. Chung, H. Tang, T. Palacios, 14244-1 102-5/07 2007 IEEE. L'inconvénient de cette approche réside dans une tension de déchet importante puisqu'il faut que la jonction passe en direct pour conduire. C'est pourquoi et dans ce contexte, la présente invention a pour objet un transistor à effet de champ comportant un substrat et une structure semiconductrice présentant une zone de canal, ledit transistor comportant un contact de drain, un contact de source, et une grille, lesdits contacts de 10 source et de drain permettant de générer un flux de porteurs de charge dans la zone de canal, ledit flux étant contrôlé par ladite grille, caractérisé en ce que ledit contact de drain est un contact mixte de drain comportant au moins un contact élémentaire ohmique de drain et un contact élémentaire Schottky de drain. 15 Selon une variante de l'invention, le contact de source est un contact mixte comportant au moins un contact élémentaire ohmique de source et un contact élémentaire Schottky de source. Selon une variante de l'invention, le contact élémentaire Schottky de drain et/ou le contact élémentaire Schottky de source chevauche 20 partiellement le contact élémentaire ohmique de drain et/ou le contact élémentaire ohmique de source. Le terme chevauchement partiel signifie que le contact élémentaire ohmique de drain et/ou de source est recouvert d'un contact élémentaire Schottky de drain et/ou de source, ledit contact élémentaire Schottky présentant également une partie en contact avec ledit 25 substrat. Selon une variante de l'invention, ladite grille comprend un contact de type Schottky: métal/conducteur. Selon une variante de l'invention, ladite grille a une forme complexe présentant : 30 une partie dite basse appelée pied de grille, en contact avec la structure semiconductrice comportant la zone de canal et présentant une première section ; une seconde partie dite haute appelée chapeau de grille, en contact avec ladite partie inférieure et présentant une seconde 35 section ; - ladite première section étant inférieure à ladite seconde section. Selon une variante de l'invention, la structure semiconductrice comporte un ensemble de couches de matériaux III-V, dont au moins deux matériaux présentent des bandes interdites différentes, la(les) plus grande(s) bande(s) interdite(s) servant au confinement de porteurs libres dans la plus petite bande interdite. Selon une variante de l'invention, le transistor comprend une couche de diélectrique recouvrant le contact de source et/ou le contact de drain et/ou la grille. Selon une variante de l'invention, le transistor comporte de plus une plaque métallique de champ située sur ledit diélectrique au niveau de ladite grille. L'invention a aussi pour objet un composant comprenant un ensemble de transistors à effet de champ, comprenant plusieurs sous-ensembles de transistors selon l'invention : un sous-ensemble de transistors étant caractérisé par une largeur entre la grille et le contact mixte de drain et une largeur entre ladite grille et le contact élémentaire ohmique dudit contact mixte de drain, pour chacun des transistors dudit sous- ensemble ; ladite largeur entre la grille et le contact mixte de drain étant différente d'un sous-ensemble à l'autre ; ladite longueur entre la grille et le contact élémentaire ohmique dudit contact mixte de drain étant identique d'un sous-ensemble à l'autre. Il est à noter que la commande des transistors à effet de champ est généralement réalisée à l'aide d'une grille métallique qui peut-être isolée (par exemple MOSFET ou MOSHEMT) ou non (HEMT, MESFET, etc.) du barreau de semiconducteur sous-jacent. Cette grille métallique est d'autant plus délicate à réaliser que les fréquences de coupure des gains en courant et de la puissance sont élevées. En effet, il est nécessaire de maîtriser un pied de grille de longueur pouvant être en deçà de 80 nm tout en assurant un profil permettant de réduire les résistances série obtenues par augmentation de la section en haut de l'électrode. Le procédé classique de réalisation de grille utilise des lithographies électroniques, voire optiques. Un empilement de deux résines électro-sensibles différentes (voire photosensibles pour des steppers optiques) est utilisé qui permet de former une grille métallique d'un profil adéquat, dénommé généralement «champignon». Des solutions avec des lithographies électroniques ou optiques successives sont également utilisées en ouvrant tout d'abord le pied de grille à travers un diélectrique puis en réalisant une seconde lithographie qui délimite le «chapeau» de la grille. Un dépôt métallique est alors réalisé qui permet de « mouler» une grille en forme de Gamma ou de T. Du fait des reliefs présents liés aux différentes topologies et au process, la calibration des procédés de fabrication de la grille est critique et 15 entraine des variations dimensionnelles, voire fonctionnelles, insatisfaisantes affectant les rendements de fabrication et les performances des composants. Il est à noter, de plus que pour des applications analogiques ou de puissance il est utile de modifier certaines dimensions des composants. Il devient ainsi très intéressant de pouvoir disposer d'un maximum de 20 reproductibilité dans les procédés collectifs de fabrication d'ensembles de transistors réalisés simultanément et collectivement, les transistors au sein d'un même ensemble étant identiques mais différents d'un ensemble à l'autre. En utilisant les techniques classiques de fabrication, le 25 Demandeur a détecté un problème de rendement de fabrication lorsque l'on cherche à modifier certaines dimensions clefs des dispositifs. L'origine du problème réside pour l'essentiel dans les variations des épaisseurs des résines utilisée pour définir l'électrode de grille lors du franchissement des passages de marche, en l'occurrence des contacts 30 ohmiques de source et de drain. La figure 2 montre à cet effet, les paramètres critiques qui définissent la topologie d'un composant élémentaire, sachant que le composant final consiste souvent en la mise en parallèle de plusieurs composants élémentaires. La dimension perpendiculaire n'est pas 35 représentée mais elle définit le développement total du transistor. On peut également noter que des géométries linéaires sont largement utilisées bien qu'il soit également possible d'utiliser des géométries circulaires ou polygonales. Il apparait ainsi que les paramètres suivants ont les impacts 5 suivants sur le fonctionnement du composant : - la longueur de grille Lg qui est liée à la fréquence de transit du courant, ladite fréquence diminuant lorsque que ladite longueur de grille Lg augmente ; - la section du chapeau de grille CG permettant de dimensionner 10 la résistance de grille, tout en assurant que ladite grille puisse avoir un pied étroit, cette section influençant la résistance de grille et le gain en puissance hyperfréquence ; - la hauteur du pied de grille Hg qui influence la capacité grille-source et plus cette hauteur Hg est élevée, moins le couplage 15 entre le chapeau de la grille et le canal est important, permettant d'augmenter le gain en puissance ; - la distance Lds entre source et drain qui influence la tension de claquage du composant (puissance) et le gain hyperfréquence (plus la distance L_dg est grande et plus la tension de claquage 20 est importante mais au prix d'une dégradation des gains hyperfréquences) ; - la distance Lgs entre la grille et la source qui influence la résistance série Rs et la tenue en tension Grille-Source. Comme mentionné précédemment, il est cependant nécessaire de 25 pouvoir définir sur la même plaquette de semiconducteur des composants de topologies variables pour obtenir des niveaux de puissance, des gains et des rendements électriques adaptés. Pour ce faire, les optimisations nécessaires sont très lourdes du fait des variations d'épaisseurs des résines électro-sensibles ou 30 photosensibles lors des passages de marche. Dans un procédé classique les contacts ohmiques sont définis et ensuite le contact de grille. L'ordre indiqué est souvent conditionné par le budget thermique élevé pour réaliser les contacts ohmiques (alliages métalliques, recuits d'implantation ionique, etc.). Pour illustrer la difficulté, le 35 recuit des contacts ohmiques en technologie GaN atteint souvent 850°C pendant une à deux minutes, soit un budget thermique difficile à imposer à des contacts Schottky. Ces contacts ohmiques ont une épaisseur e_s et e_d qui est proche de la hauteur du pied de grille Hg afin d'avoir la résolution lithographique suffisante. Un procédé classique de réalisation d'une grille possédant un chapeau CG est d'utiliser au moins deux résines : - pouvant être déposées l'une sur l'autre (la cavité qui définit la forme complexe : pied + chapeau est obtenue alors par des chimies et sensibilités différentes aux insolations et aux révélations physicochimiques) ; - ou deux masquages successifs (une première résine, avec gravure d'un diélectrique permettant de définir le pied de grille, suivie de l'utilisation d'une seconde résine permettant de définir la forme du chapeau CG). La cavité complexe étant ainsi préalablement définie, on procède au remplissage final de la cavité par un sandwich métallique. La figure 3 montre la vue en coupe d'un transistor à effet de champ lors de l'enduction de la première résine. On remarque que le comblement de l'intervalle Lds s'effectue différemment selon les conditions 20 d'enduction, de viscosité et de fluage post-enduction de la résine, laissant une largeur Lplateau inhérente. L'épaisseur de cette première résine varie et elle est d'autant plus épaisse que la longueur Lds est petite. Selon la distance, le demandeur a estimé à 25% la variation d'épaisseur lorsque la distance Lds est modifiée de 10 pm à 1,5 pm pour une 25 résine électrosensible utilisée pour des grilles pouvant atteindre 0,15 pm. Une conséquence sur le rendement de fabrication constaté est à titre d'exemple de 90% pour des topologies standard et chute à 40% pour des écartements grille-source de 0,5 pm. Concrètement plus la longueur de grille diminue, et plus les 30 optimisations des doses électroniques pour définir la grille (longueur et forme) deviennent critiques. Il est nécessaire de définir des doses spécifiques pour des conditions d'enduction données pour chaque distance d'une famille donnée et donc des dimensions Lds, Lgs, Lg souhaitées. C'est pourquoi dans ce contexte, la présente invention a aussi 35 pour objet un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - la réalisation d'au moins un contact élémentaire ohmique de source et d'un contact élémentaire ohmique de drain à la surface d'une structure semiconductrice ; la réalisation d'une grille ; la réalisation d'au moins un contact élémentaire Schottky de drain de manière à réaliser un contact mixte de drain comportant au moins un contact élémentaire ohmique et un contact élémentaire Schottky. Selon une variante de l'invention, le procédé comporte la réalisation d'un contact élémentaire Schottky de source de manière à réaliser un contact mixte de source comportant au moins un contact élémentaire ohmique et un contact élémentaire Schottky. Selon une variante de l'invention, la réalisation du contact 15 élémentaire Schottky de drain et/ou de source est effectuée par chevauchement partiel respectivement dudit contact élémentaire ohmique de drain et/ou de source associé. Selon une variante de l'invention, la grille présentant : une partie dite basse appelée pied de grille, en contact avec la 20 structure semiconductrice comportant la zone de canal et présentant une première section ; une seconde partie dite haute appelée chapeau de grille, en contact avec ladite partie inférieure et présentant une seconde section; 25 ladite première section étant inférieure à ladite seconde section, ledit procédé comprend : - la réalisation successive d'au moins deux étapes de dépôts de résine et de photolithographie pour définir lesdites première et seconde parties de ladite grille, postérieures à la réalisation 30 desdits contacts ohmiques de source et de drain. Selon une variante de l'invention, la réalisation dudit contact élémentaire Schottky de drain et/ou dudit contact élémentaire Schottky de source est(sont) effectuée(s) simultanément à la réalisation de ladite grille. Selon une variante de l'invention, la réalisation dudit contact 35 élémentaire Schottky de drain et/ou dudit contact élémentaire Schottky de source est(sont) effectuée(s) simultanément à la réalisation dudit chapeau de grille. L'invention a enfin pour objet un procédé de fabrication collective d'un ensemble de transistors à effet de champ, ledit ensemble de transistors 5 comprenant des sous-ensembles de transistors : - les transistors d'un même sous-ensemble de transistors présentant une largeur entre la grille et le contact mixte de drain identique pour chaque transistor d'un même sous-ensemble et différente d'un sous-ensemble à l'autre ; 10 la largeur entre la grille et le contact élémentaire ohmique de drain étant identique d'un sous-ensemble à l'autre, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - la réalisation des contacts ohmiques de source et de drain ; - la réalisation des grilles ; 15 - la réalisation des contacts élémentaires Schottky de drain, les largeurs entre lesdites grilles et lesdits contacts élémentaires Schottky de drain étant différentes d'un sous-ensemble à l'autre et identiques pour les transistors d'un même sous-ensemble. L'invention permet ainsi d'améliorer le rendement de fabrication 20 des transistors à effet de champ tout en en améliorant leurs rendements en puissance. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non 25 limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : - la figure 1 illustre le schéma de principe d'un transistor à effet de champ ; - la figure 2 illustre les paramètres technologiques importants pour l'optimisation d'un composant à effet de champ 30 - la figure 3 illustre les effets du dépôt d'une résine avec passage de marche entre contacts de drain et de source pour la réalisation d'un transistor à effet de champ ; - la figure 4 illustre une première variante de composant selon l'invention ; - la figure 5 montre le schéma de principe d'un transistor selon l'invention comprenant un contact de drain mixte ; la figure 6 illustre une seconde variante de composant selon l'invention ; la figure 7 illustre une troisième variante de composant selon l'invention ; la figure 8 illustre une quatrième variante de composant selon l'invention ; - la figure 9 illustre un exemple de composant selon l'invention ; - la figure 10 détaille la grille formée selon l'exemple illustré en figure 8; - la figure 11 illustre un procédé de fabrication collective de transistors, permettant de réaliser différentes tailles de composants, avec des dimensions variables de largeur Li G-D entre grille et contact mixte de drain. La présente invention a ainsi pour objet un composant dans lequel, le contact de drain qui est mixte associe un contact ohmique élémentaire classique et un contact élémentaire Schottky métal- Elle permet ainsi de n'avoir à optimiser qu'une seule fois le profil lithographique de la grille et cela pour une gamme étendue de distance entre les contacts ohmiques drain et source, pour une distance grille-source donnée. Elle permet de préserver voire d'améliorer les rendements de 25 puissance ajoutée sans dégradation des gains petits signaux (tensions de claquage améliorée, amélioration légère des résistances série). Elle permet également de définir un contact de drain précis limitant les risques d'effet de pointe provenant soit de mauvaise définition lithographique ou d'interdiffusions, les contacts ohmiques conventionnels 30 présentant notamment un risque de fluctuation locale des résistances de contact et donc l'apparition de phénomènes de filamentation. L'utilisation d'un contact élémentaire Schottky en direct pour collecter les porteurs peut également améliorer la fiabilité en offrant une collection plus homogène des porteurs. De plus, en mode bloqué à forte 35 tension (fonctionnement à faible courant Idsco et Idsch et forte tension Vds) le contact Schottky du contact ohmique mixte assure un rôle de plaque d'écran de champ (Field plate) améliorant les tensions de claquage du composant. Un premier exemple de composant selon la présente invention est 5 illustré en figure 4, comportant un contact mixte de drain. Sur un substrat 1 comprenant un canal non représenté pouvant être simple ou à hétérostructure sont réalisés : - un contact ohmique de source CS oh; - une grille G en forme de champignon ; 10 - un contact mixte de drain comportant un contact élémentaire ohmique de drain CD oh et un contact élémentaire Schottky de drain CD sch. Ainsi, selon la présente invention, la continuité du contact élémentaire Schottky de drain, recouvrant partiellement l'extrémité du contact 15 élémentaire ohmique de drain pouvant présenter des imperfections, permet de pallier des défauts potentiels de réalisation des contacts ohmiques. Le contact ohmique est situé à une distance suffisamment éloignée pour que le contact Schottky de drain puisse couvrir les différents espacements nécessaires aux applications visées. 20 Lors de la réalisation de la grille, le contact élémentaire Schottky de drain peut également être réalisé. Les dénivelés des contacts ohmiques classiques franchis par les résines successivement employées pour réaliser la grille sont donc constants. Cela assure donc un rendement de fabrication meilleur. 25 Le contact élémentaire Schottky de drain apporte de plus la possibilité d'un contact présentant une résistance faible (jonction en direct à porteurs majoritaires) au-dessus de la tension de coude de la diode Schottky. Cela est obtenu de plus avec un faible budget thermique. La résistance conventionnelle en parallèle sur la diode Schottky 30 gouverne le courant à partir duquel la diode passe en direct. Au-delà d'un seuil de courant Ids, la diode Schottky passe en direct et la résistance de drain devient très faible. En dessous de ce seuil le contact Schottky est bloqué et permet de créer une plaque de champ (« field plate») pouvant limiter le champ maximal en bord du contact de drain (amélioration de la 35 fiabilité). Le seuil de conduction de la diode Schottky est atteint lorsque l'équation ci-après est obtenue : (Rco+Rsh')*Ids_co = Vschottky_seuil. La figure 5 illustre le schéma d'un contact ohmique de drain par association d'un contact ohmique classique et d'un contact Schottky. Le courant Ids_co (en traits pleins) correspond au courant passant classiquement via le contact ohmique. Le courant Ids_Sch (en traits pointillés) représente le courant passant via le contact Schottky. Le contrôle de la résistance associé au contact ohmique 10 traditionnel est obtenu soit en jouant sur la topologie du contact (longueur du barreau de semiconducteur à franchir, largeur du contact ohmique), soit sur la conductivité du semiconducteur, soit en utilisant pour cette plaque de champ une jonction Schottky présentant une faible barrière de potentiel. La définition dimensionnelle des contacts Schottky étant souvent 15 meilleure tant dans le plan de la surface que verticalement au sein des matériaux, les tensions de claquage peuvent être améliorées selon les semiconducteurs contactés. La figure 6 schématise un second exemple de composant selon la 20 présente invention comportant un contact mixte de drain et un contact mixte de source. Pour certaines applications, il est en effet possible de réaliser le même contact mixte pour la source (contact Schottky mis également à proximité de la grille et le contact ohmique classique éloigné). Cette 25 structure symétrique permet un fonctionnement symétrique. Cela est néanmoins obtenu avec une augmentation de la résistance source. Sur un substrat 1 comprenant un canal non représenté pouvant être simple ou à hétérostructure sont réalisés : un contact mixte de source comportant un contact élémentaire 30 ohmique de source Cs oh et un contact élémentaire Schottky de source Cs sch ; - une grille G en forme de champignon ; - un contact mixte de drain comportant un contact élémentaire ohmique de drain CD oh et un contact élémentaire Schottky de 35 drain CD sch. La figure 7 schématise un troisième exemple de composant selon la présente invention comportant un contact mixte de drain. Sur un substrat 1 comprenant un canal non représenté pouvant être simple ou à 5 hétérostructure sont réalisés : - un contact ohmique de source Cs oh ; - une grille G en forme de champignon ; - un contact mixte de drain comportant un contact élémentaire ohmique de drain CD oh et un contact élémentaire Schottky de 10 drain CD sch. Le contact mixte de drain est associé à une plaque de champ destinée à éviter les pics de champ électrique. Cette plaque de champ Pch pouvant être portée au potentiel de la source ou de la grille est matérialisée par une couche conductrice au dessus d'une couche de diélectrique 2 et 15 entourant ladite grille G. Cette plaque de champ peut être ou non réalisée avec le même métal que celui du contact élémentaire Schottky de drain CD sch. La figure 8 schématise un quatrième exemple de composant selon 20 la présente invention comportant un contact mixte de drain. Sur un substrat 1 comprenant un canal non représenté pouvant être simple ou à hétérostructure sont réalisés : - un contact ohmique de source Cs oh ; une grille G en forme de champignon ; 25 - un contact mixte de drain comportant un contact élémentaire ohmique de drain CD oh et un contact élémentaire Schottky de drain CD sch. Le contact mixte de drain est associé à une plaque de champ Pch pouvant être portée au potentiel de la source ou de la grille et qui est 30 matérialisée par une couche conductrice au dessus d'une couche de diélectrique 2 et entourant ladite grille G. Cette plaque de champ peut être ou non réalisée avec le même métal que celui du contact élémentaire Schottky de drain CD sch. 302 6 892 14 L'extrémité du contact Schottky de drain vis-à-vis de la grille comporte une excroissance sur le diélectrique permettant d'amplifier l'effet de plaque de champ du drain. Les simulations physiques réalisées montrent que l'invention permet d'obtenir, pour les applications hyperfréquences, des performances préservées voire améliorées au-delà de 10GHz probablement grâce à la diminution de la résistance en dynamique de la résistance du drain (une simulation préliminaire indique une amélioration des rendements 10 électriques et des puissances émises Pout : +2% du rendement de puissance ajoutée (RPA = [Pout - Pin] / Pdc où Pin est la puissance RF incidente sur le composant et Pdc est la puissance électrique consommée par le composant à 20GHz et +6% de puissance vis-à-vis d'un composant classique à 10 GHz). Il est à noter que les modélisations ne 15 tiennent pas compte de l'amélioration pouvant être attendue des tensions de claquage grâce à la présence de plaque de champ intégrée dans les contacts de drain. Dans une variante simple, la réalisation de contacts Schottky de drain ne nécessite pas de réaliser de niveau de lithographie supplémentaire. 20 Il est possible de former ces contacts à d'autres étapes du procédé succédant à la réalisation de la grille (par exemple lors d'un niveau du type plaque de champ par exemple). Exemple de réalisation d'un transistor à effet de champ HEMT, 25 selon l'invention. La figure 9, illustre la réalisation d'un empilement de couches permettant la constitution d'une hétérostructure de transistor à effet de champ. Sur un substrat 100 cristallin homogène ou non (SiC, Si, saphir, 30 GaN ou composite), on réalise l'hétérostructure suivante par l'empilement de couches ci-après : - une couche 101 de nucléation permettant la croissance sur le substrat pouvant être hétérogène (SiC, Si, ou saphir) ; une couche ou un ensemble de couches 102 permettant le 35 contrôle des contraintes mécaniques ; une couche tampon 103 de GaN ou de composé GaN dopé ou non permettant le confinement des porteurs libres présents dans la couche 104; une couche 104 de canal semiconducteur en GaN (pouvant avoir une épaisseur de 40nrn à 250nm selon les applications) ; une couche barrière 105 en A125%Ga75./oN (Pouvant avoir une épaisseur 25nm) ou en In, Selon la présente invention, on peut avantageusement réaliser de manière collective des composants présentant des caractéristiques différentes, en évitant des étapes délicates différenciées pour réaliser les contacts ohmiques, contacts les plus complexes à obtenir. La figure 11 illustre un tel procédé collectif de réalisation d'un 20 ensemble de composants à la surface d'un substrat selon l'invention. Avantageusement l'étape de réalisation complexe de l'ensemble des contacts ohmiques peut être réalisée de manière uniforme. L'étape de réalisation des contacts Schottky de drain est réalisée dans un second temps et permet de réaliser la différenciation recherchée 25 entre composants présentant des performances et caractéristiques différentes et ce en obtenant des distances entre grilles et contacts élémentaires Schottky de drain (CD sch) variables. On obtient ainsi des sous- ensembles de transistors ST,, comportant : - des largeurs entre grille et contact mixte de drain Li G_D variable 30 d'un sous-ensemble à l'autre, soit Li G-D 4 L1+1 G-D , - des largeurs entre grille et contact élémentaire ohmique de drain égales d'un sous-ensemble à l'autre, soit : Li G-CD oh = L 1+1 G-CD oh L'invention permet ainsi de n'avoir à optimiser qu'une seule fois le 35 profil lithographique de la grille et cela pour une gamme étendue de distance entre les contacts ohmiques drain et source, pour une distance grille-source donnée. REVENDICATIONS1. Transistor à effet de champ comportant un substrat et une 5 structure semiconductrice présentant une zone de canal, ledit transistor comportant un contact de drain, un contact de source, et une grille, lesdits contacts de source et de drain permettant de générer un flux de porteurs de charge dans la zone de canal, ledit flux étant contrôlé par ladite grille, caractérisé en ce que ledit contact de drain est un contact mixte de drain 10 comportant au moins un contact élémentaire ohmique de drain (CD oh) et un contact élémentaire Schottky de drain (CD 2. Transistor à effet de champ selon la revendication 1, caractérisé en ce que le contact de source est un contact mixte comportant au moins un 15 contact élémentaire ohmique de source (Cs oh) et un contact élémentaire Schottky de source (Cs sch). 3. Transistor à effet de champ selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le contact élémentaire Schottky de 20 drain (CD se) et/ou le contact élémentaire Schottky de source (Cs soh) chevauche(nt) partiellement le contact élémentaire ohmique de drain (CD oh) et/ou le contact élémentaire ohmique de source (Cs oh). 4. Transistor à effet de champ selon l'une des revendications 1 ou 25 3, caractérisé en ce que ladite grille comprend un contact de type Schottky : métal/conducteur. 5. Transistor à effet de champ selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que ladite grille a une forme complexe présentant : 30 - une partie dite basse appelée pied de grille, en contact avec la structure semiconductrice comportant la zone de canal et présentant une première section ; - une seconde partie dite haute appelée chapeau de grille, en contact avec ladite partie inférieure et présentant une seconde 35 section ;- ladite première section étant inférieure à ladite seconde section. 6. Transistor à effet de champ selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la structure semiconductrice comporte un ensemble de couches de matériaux dont au moins deux matériaux présentent des bandes interdites différentes, la(les) plus grande(s) bande(s) interdite(s) servant au confinement de porteurs libres dans la plus petite bande interdite. 7. Transistor à effet de champ selon l'une des revendications 1 à 10 6, caractérisé en ce qu'il comprend une couche de diélectrique recouvrant le contact de source et/ou le contact de drain et/ou la grille. 8. Transistor à effet de champ selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte une plaque métallique de champ située sur ledit 15 diélectrique au niveau de ladite grille. 9. Composant comprenant un ensemble de transistors à effet de champ, comprenant plusieurs sous-ensembles de transistors selon l'une des revendications 1 à 8 : 20 un sous-ensemble de transistors (STI) étant caractérisé par une largeur entre la grille et le contact mixte de drain (LiG_D) et une largeur entre ladite grille et le contact élémentaire ohmique (Li G-CD oh) dudit contact mixte de drain, pour chacun des transistors dudit sous-ensemble ; 25 ladite largeur entre la grille et le contact mixte de drain (Lic,D) étant différente d'un sous-ensemble à l'autre ; ladite largeur entre la grille et le contact élémentaire ohmique (Li G-CD oh) dudit contact mixte de drain étant identique d'un sous-ensemble à l'autre. 30 10. Procédé de fabrication d'au moins un transistor à effet de champ selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes :la réalisation d'au moins un contact élémentaire ohmique de source (Cs oh) et d'un contact élémentaire ohmique de drain (CD oh) à la surface d'une structure semiconductrice ; la réalisation d'une grille ; la réalisation d'au moins un contact élémentaire Schottky de drain (Co sch) de manière à réaliser un contact mixte de drain comportant au moins un contact élémentaire ohmique (CD oh) et un contact élémentaire Schottky (CD sch). 11. Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte la réalisation d'un contact élémentaire Schottky de source (Cs sel) de manière à réaliser un contact mixte de source comportant au moins un contact élémentaire ohmique (Cs oh) et un contact élémentaire Schottky (Cs sel). 12. Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ selon la revendication 11, caractérisé en ce que la réalisation du contact élémentaire Schottky de drain et/ou de source est effectuée par chevauchement partiel respectivement dudit contact élémentaire ohmique de drain et/ou de source associé. 13. Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ selon l'une des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que la grille présentant : - une partie dite basse appelée pied de grille, en contact avec la structure semiconductrice comportant la zone de canal et présentant une première section ; une seconde partie dite haute appelée chapeau de grille, en contact avec ladite partie inférieure et présentant une seconde section ; - ladite première section étant inférieure à ladite seconde section, ledit procédé comprend : - la réalisation successive d'au moins deux étapes de dépôts de résine et de photolithographie pour définir lesdites première et seconde parties de ladite grille, postérieures à la réalisation desdits contacts ohmiques de source et de drain. 14. Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ selon l'une des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que la réalisation dudit contact élémentaire Schottky de drain (CD sGh) et/ou dudit contact élémentaire Schottky de source (Cs sch) est(sont) effectuée(s) simultanément à la réalisation de ladite grille. 15. Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ selon les revendications 13 et 14, caractérisé en ce que la réalisation dudit contact 10 élémentaire Schottky de drain (CD sch) et/ou dudit contact élémentaire Schottky de source (Cs sch) est(sont) effectuée(s) simultanément à la réalisation dudit chapeau de grille. 16. Procédé de fabrication collective d'un ensemble de transistors 15 à effet de champ, ledit ensemble de transistors comprenant des sous-ensembles de transistors ; - les transistors d'un même sous-ensemble de transistors (STi) présentant une largeur (LiG.D) entre la grille et le contact mixte de drain identique pour chaque transistor d'un même sous- 20 ensemble et différente d'un sous-ensemble à l'autre ; - la largeur entre la grille et le contact élémentaire ohmique de drain (Li G-CD oh) étant identique d'un sous-ensemble à l'autre, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : la réalisation des contacts ohmiques de source et de drain ; 25 la réalisation des grilles ; la réalisation des contacts élémentaires Schottky de drain (CD sch), les largeurs entre lesdites grilles et lesdits contacts élémentaires Schottky de drain étant différentes d'un sous-ensemble à l'autre et identiques pour les transistors d'un même 30 sous-ensemble.