FR 3034204 A1 20160930 FR 1552385 A 20150323 B14045 - 14-GR2-0765 1 CIRCUIT ET PROCEDE POUR CONTROLER UN RESEAU SPAD. Domaine La présente description concerne le domaine des réseaux SPAD (de l'anglais "single photon avalanche diode" - diode à avalanche par un seul photon), et en particulier un circuit et un 5 procédé pour contrôler un réseau SPAD. Exposé de l'art antérieur Les réseaux SPAD peuvent être utilisés dans diverses applications, comprenant la mesure de distance, la reconnaissance de gestes en Z ou en 3D et l'imagerie 3D. Un dispositif destiné à 10 de telles applications comprend en général une source lumineuse pour transmettre une impulsion lumineuse dans la scène de l'image. La lumière réfléchie renvoyée par tout objet se trouvant dans la scène de l'image est détectée par le réseau SPAD, et utilisée pour déterminer le temps de vol de l'impulsion lumineuse. La distance 15 entre l'objet et le dispositif peut être déduite sur la base de ce temps de vol. La détection par le réseau SPAD de l'impulsion lumineuse renvoyée est basée sur une détection d'événements dans les cellules du réseau SPAD. En particulier, chaque cellule va fournir 20 une impulsion en sortie lorsqu'un photon est détecté, et en surveillant les événements, l'instant d'arrivée de l'impulsion renvoyée peut être estimé. 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 2 Le nombre total d'événements détecté par le réseau SPAD dans une période de temps donnée va varier en fonction de facteurs comme la lumière ambiante, la réflectivité de la cible, la puissance émise, la sensibilité SPAD et la distance par rapport à l'objet cible. Un problème est que, lorsque le nombre d'événements détectés est élevé, la précision de mesure du réseau SPAD peut se détériorer. Résumé Un objet de modes de réalisation de la présente 10 description est de résoudre au moins partiellement un ou plusieurs problèmes de l'art antérieur. Selon un aspect, on prévoit un circuit comprenant : un réseau de cellules SPAD (diode à avalanche par un seul photon), dans lequel chaque cellule SPAD est activée sélectivement par un 15 signal d'activation ; et un circuit de commande adapté à activer sélectivement seulement un sous-ensemble des cellules SPAD du réseau sur la base d'une cadence de comptage mesurée du réseau SPAD. Selon un mode de réalisation, au moins une première 20 cellule du réseau SPAD comporte une zone photosensible au moins partiellement protégée par un écran de sorte que ladite au moins une première cellule a une sensibilité inférieure à celles des autres cellules du réseau SPAD. Selon un mode de réalisation, l'écran comporte une 25 ouverture ayant une surface comprise entre 5 % et 90 % de la surface de la zone photosensible. Selon un mode de réalisation, le sous-ensemble activé de cellules SPAD comprend ladite au moins une première cellule. Selon un mode de réalisation, la cadence de comptage 30 mesurée est la plus élevée d'une pluralité de cadences de comptage mesurées. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend en outre une source de lumière, et le circuit de commande comprend un additionneur pour générer la cadence de comptage mesurée en 35 ajoutant une cadence d'ambiante, mesurée pendant que la source de 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 3 lumière est désactivée, à une autre cadence mesurée pendant que la source de lumière est activée. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est adapté à déterminer, sur la base de la cadence de comptage mesurée, 5 une première valeur indiquant le nombre de cellules SPAD du réseau, pour former le premier sous-ensemble de cellules activé. Selon un mode de réalisation, le circuit de commande est adapté à comparer la première valeur à une valeur de seuil et à activer sélectivement ladite au moins une première cellule du 10 réseau SPAD sur la base de la comparaison. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend en outre un circuit de comptage comprenant un ou plusieurs compteurs adaptés à compter des événements détectés par chaque cellule activée du réseau SPAD pendant une fenêtre de comptage. 15 Selon un mode de réalisation, les cellules du réseau SPAD sont désactivées pendant un temps mort entre des phases de détection, et le circuit de commande est adapté à générer la valeur de seuil sur la base de la durée de la période de temps mort. 20 Selon un mode de réalisation, le réseau SPAD comprend au moins des premier, deuxième et troisième sous-ensembles de cellules, et le circuit de commande est adapté à générer : un premier signal d'activation pour activer sélectivement les cellules du premier sous-ensemble ; et un deuxième signal 25 d'activation pour activer sélectivement les cellules du deuxième sous-ensemble. Selon un mode de réalisation, chaque cellule du réseau SPAD comprend un premier transistor couplé par ses noeuds de conduction principaux entre un noeud de sortie de la cellule et 30 un premier rail de tension d'alimentation, un noeud de commande du premier transistor étant contrôlé sur la base du signal d'activation. Selon un mode de réalisation, chaque cellule du réseau SPAD comprend : une diode à avalanche ; et un deuxième transistor 35 couplé par ses noeuds de conduction principaux entre un noeud de 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 4 la diode à avalanche et un deuxième rail de tension d'alimentation, un noeud de commande du deuxième transistor étant contrôlé sur la base du signal d'activation. Selon un autre aspect, on prévoit un procédé comprenant : 5 activer sélectivement, par un circuit de commande, seulement un sous-ensemble des cellules d'un réseau de cellules SPAD (diode à avalanche par un seul photon) sur la base d'une cadence de comptage mesurée du réseau SPAD. Brève description des dessins Les caractéristiques et avantages susmentionnés, et d'autres, apparaîtront clairement avec la description détaillée suivante de modes de réalisation, donnée à titre d'illustration et non de limitation, en faisant référence aux dessins joints dans lesquels : la figure 1 illustre schématiquement un dispositif SPAD selon un exemple de réalisation de la présente description ; la figure 2 illustre schématiquement un circuit de détection de retard de la figure 1 plus en détail selon un exemple de réalisation ; la figure 3 est un chronogramme illustrant des exemples de signaux dans le circuit de la figure 2 selon un exemple de réalisation ; la figure 4 illustre un réseau SPAD comprenant des sous-ensembles de cellules selon un exemple de réalisation ; la figure 5 illustre schématiquement le circuit d'une cellule SPAD selon un exemple de réalisation ; la figure 6A illustre schématiquement un circuit pour générer des signaux d'activation pour les cellules SPAD d'un réseau SPAD selon un exemple de réalisation ; la figure 6B illustre schématiquement un circuit de commande de la figure 6A plus en détail selon un exemple de réalisation ; la figure 7A est une vue à plat d'une cellule SPAD munie d'un écran annulaire selon un exemple de réalisation ; 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 5 la figure 7B est une vue en coupe d'une cellule SPAD de la figure 7A selon un exemple de réalisation ; et la figure 8 est un organigramme représentant un procédé pour déterminer un nombre de cellules SPAD d'un réseau SPAD à 5 activer, selon un exemple de réalisation de la présente descripti0Q- Description détaillée Dans la présente description, le terme "connecté" est utilisé pour désigner une connexion électrique directe entre deux 10 éléments, tandis que le terme "couplé" est utilisé pour désigner une connexion électrique entre deux éléments qui peut être directe, ou se faire par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres composants comme des résistances, des condensateurs ou des transistors. En outre, tel qu'il est utilisé ici, le terme 15 "sensiblement" est utilisé pour désigner une plage de +/- 10 % par rapport à la valeur en question. La figure 1 illustre un dispositif SPAD 100, qui est par exemple un dispositif de mesure de distance, un dispositif de reconnaissance de gestes en Z ou en 3D, ou un dispositif d'imagerie 20 3D. Le dispositif 100 comprend une source de lumière 102, qui est par exemple un laser, pour générer un faisceau d'impulsions lumineuses transmis dans la scène d'image, par exemple par l'intermédiaire d'une lentille 104. Les impulsions de lumière renvoyées sont par exemple reçues par l'intermédiaire d'une autre 25 lentille 106. Le dispositif SPAD comprend en outre un circuit de détection 108 pour déterminer la distance entre le dispositif 100 et un objet de la scène d'image sur lequel se réfléchissent les impulsions lumineuses. Le circuit de détection 108 comprend par 30 exemple un réseau SPAD cible (TARGET SPAD) 110, qui reçoit les impulsions lumineuses renvoyées par l'intermédiaire de la lentille 106. Le réseau SPAD cible 110 comprend par exemple un réseau de 4 à plusieurs centaines de cellules SPAD. Dans un exemple, le réseau est un réseau 12 par 12 comprenant 144 cellules SPAD. 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 6 Le circuit de détection 108 comprend aussi par exemple un réseau SPAD de référence (REF SPAD) 112, qui a par exemple les mêmes dimensions que le réseau SPAD cible 110, et reçoit une réflexion interne des impulsions lumineuses émises. Un circuit de 5 détection de retard (DELAY DETECTION) 114 est par exemple couplé au réseau SPAD cible 110 et au réseau SPAD de référence 112, et estime le retard entre chaque impulsion lumineuse émise et l'impulsion lumineuse renvoyée reçue par le réseau SPAD cible 110. Le circuit de détection 108 comprend aussi par exemple un circuit 10 de génération de fréquence (FREQUENCY GENERATION) 116, qui génère un signal de tension VCSEL fourni à un circuit de modulation laser (LASER MOD) 118 pour générer un signal pour piloter la source de lumière 102. La figure 2 illustre schématiquement plus en détail un 15 circuit 200 faisant partie d'un circuit de détection de retard 114 de la figure 1 selon un exemple de réalisation. Le circuit 200 reçoit des signaux provenant des cellules du réseau SPAD cible 110. Un circuit similaire est par exemple prévu pour recevoir les signaux provenant des cellules du réseau SPAD de référence 112. 20 Le circuit 200 comprend par exemple un arbre de portes OU (OR TREE) 202 ayant des entrées respectivement couplées à chacune des cellules SPAD, SPAD1 à SPADN du réseau 110, et fournissant, sur sa ligne de sortie 204, des impulsions générées à chaque fois qu'un événement est détecté par l'une des cellules 25 SPAD. La ligne de sortie 204 est couplée à des compteurs pour compter les événements détectés. Dans l'exemple de la figure 2, la ligne de sortie est couplée à l'entrée d'horloge d'un compteur montant (UP) 206 et d'un compteur descendant (DN) 208. Le compteur montant 206 est activé pendant une période de comptage montant, 30 sur la base d'un signal UP reçu d'un circuit de génération de synchronisation (TIMING GEN) 210, qui reçoit un signal d'horloge CLK. De façon similaire, le compteur descendant 208 est activé pendant une période de comptage descendant, sur la base d'un signal DN reçu du circuit de génération de synchronisation 210. La sortie du compteur 206 est par exemple resynchronisée par une 3034204 314045 - 14-GR2-0765 7 bascule 212 sur la base du signal d'horloge CLK, et la sortie du compteur 208 est par exemple resynchronisée par une bascule 214 sur la base du signal d'horloge CLK. Une différence entre les sorties des bascules 212 et 214 est générée par un module de 5 soustraction 216 pour obtenir un signal COUNTSUM. Ce signal est analysé par un circuit d'analyse 218 afin de déterminer la synchronisation à appliquer par le circuit de génération de synchronisation 210. Le circuit 200 comprend en outre par exemple un circuit 10 de commande (CTRL) 220 adapté à activer seulement un sous-ensemble des cellules SPAD du réseau SPAD 110 sur la base d'une cadence de comptage mesurée du réseau. Par exemple la cadence de comptage est déterminée en comptant, pendant des périodes successives, les événements sur la ligne 204 à la sortie de l'arbre de portes OU. 15 La figure 3 illustre une fenêtre de comptage (COUNT WINDOW) des compteurs 206, 208 de la figure 2, et les signaux UP et DN contrôlant les compteurs 206, 208, le signal COUNTSUM et le signal VCSEL utilisé pour générer les impulsions optiques. La fenêtre de comptage pour chaque phase de détection a 20 par exemple une durée tCW, et les fenêtres de comptage sont séparées par des périodes de temps mort de durée tDT pendant lesquelles les compteurs 206, 208 sont désactivés. Le signal UP est par exemple activé pendant la première moitié de la-fenêtre de comptage, et le signal DN est par exemple 25 activé pendant la deuxième moitié de la fenêtre de comptage. En particulier, le signal VCSEL est par exemple le signal utilisé pour générer les impulsions lumineuses émises, et ainsi une différence de temps entre cette impulsion et le centre de la fenêtre de comptage, moyennée sur plusieurs phases de 30 détection, peut être utilisée pour déterminer un premier retard entre VCSEL et l'impulsion lumineuse renvoyée. De façon similaire, un deuxième retard entre VCSEL et l'impulsion de référence est par exemple calculé. La différence entre les premier et deuxième retards est par exemple déterminée afin d'estimer le temps de vol. 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 8 Le circuit de la figure 2 donne un exemple particulier de mise en oeuvre d'un circuit de détection pour un réseau SPAD. Toutefois il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que les principes du procédé de contrôle de réseau SPAD décrit ci-après 5 pourraient être appliqués à des types différents de circuits de détection SPAD. La figure 4 illustre schématiquement le réseau SPAD 110 selon un exemple de réalisation, dans un exemple où il comprend un réseau de 12 par 12 cellules SPAD. Le réseau 110 est par exemple 10 divisé en une pluralité de sous-ensembles de cellules SPAD. Dans l'exemple de la figure 4, le réseau est divisé en : - un ensemble de 64 cellules 402 représenté avec un premier type de hachures ; - un ensemble de 31 cellules 404 représenté avec un 15 deuxième type de hachures ; - un ensemble de 14 cellules 406 représenté avec un troisième type de hachures ; - un ensemble de 7 cellules 408 représenté avec un quatrième type de hachures ; 20 - un ensemble de 4 cellules 410 représenté avec un cinquième type de hachures ; - un ensemble de 12 cellules 412 représenté avec un sixième type de hachures ; - un ensemble de 6 cellules 414 représenté avec un 25 septième type de hachures ; et - un ensemble de 6 cellules 416 représenté avec un huitième type de hachures. Dans un exemple, les cellules 412, 414 et 416 ont toutes une sensibilité réduite par rapport aux autres cellules du réseau. 30 Par exemple, ces cellules comportent, au-dessus d'elles, un écran limitant au moins partiellement l'exposition de la zone photosensible des cellules SPAD à la scène de l'image. Les écrans sont par exemple annulaires, ou pourraient avoir une autre forme comportant un passage ouvert assurant une ouverture. Dans un mode 35 de réalisation, ces cellules ont la surface de leur zone sensible 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 9 réduite d'un facteur sensiblement égal à 7,5 par rapport aux autres cellules du réseau. Certaines ou la totalité des cellules SPAD du réseau SPAD 110 peuvent être sélectivement et individuellement activées, 5 comme on va le décrire maintenant en référence à l'exemple de la figure 5. La figure 5 illustre schématiquement le circuit 500 d'une cellule SPAD selon un exemple de réalisation. Chacune des cellules du réseau SPAD cible 110 est par exemple mise en oeuvre 10 par un circuit similaire. Une photodiode 502 a son anode couplée à la masse par l'intermédiaire des noeuds de conduction principaux d'un transistor NMOS 504. La grille du transistor 504 est par exemple couplée à un noeud 506 à la sortie d'un inverseur constitué d'un transistor PMOS 508 et d'un transistor NMOS 510. Le 15 transistor PMOS 508 a sa source couplée à un rail de tension d'alimentation à un niveau de tension VQ UENCH , qui est par exemple égal à environ 1,8 V. Les grilles des transistors 508, 510 sont par exemple couplées à un noeud de sortie 512 d'un autre inverseur constitué d'un transistor PMOS 514 et d'un transistor NMOS 516. 20 Le transistor PMOS 514 a par exemple sa source couplée à un rail de tension d'alimentation à un niveau de tension VSPADOFF, qui lorsqu'il est activé est environ au même niveau que VQ Les UENCH- grilles des transistors 514, 516 sont couplées de façon à recevoir le signal d'activation SPAD ENSPAD. 25 L'anode de la photodiode 502 est par exemple aussi couplée au niveau de tension VSPADOFF par l'intermédiaire d'un transistor PMOS 518, et à une entrée d'une porte NON ET. L'autre entrée de la porte NON ET est couplée de façon à recevoir le signal d'activation ENSPAD. La porte NON ET comprend par exemple 30 deux transistors NMOS 520, 522 couplées en série par leurs noeuds de conduction principaux entre un noeud de sortie 524 de la cellule SPAD et la masse, et ayant leurs grilles couplées respectivement à la ligne recevant le signal d'activation ENSPAD et à la photodiode 502. La porte NON ET comprend en outre deux transistors 35 PMOS 526, 528 couplés en parallèle entre eux entre le noeud de 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 10 sortie 524 et la tension d'alimentation VDD, et ayant leurs grilles couplées respectivement à la ligne recevant le signal d'activation ENSPAD et à la photodiode 502. Ainsi si le signal d'activation ENSPAD est à un niveau logique haut, le transistor 5 504 va recevoir le signal de tension VQUENCH sur sa grille, et la porte NON ET va devenir un inverseur qui amplifie le signal provenant de la photodiode. Dans l'autre cas, si le signal d'activation ENSPAD est à un niveau logique bas, le signal de sortie de la cellule SPAD va être à la tension d'alimentation VDD, 10 et la photodiode 502 va avoir son anode couplée au rail de tension VSPADOFF. Bien sûr, la figure 5 n'est qu'un exemple, et de nombreux montages de circuits différents seraient possibles pour mettre en oeuvre chaque cellule SPAD. 15 La figure 6A illustre schématiquement un exemple de circuit de sélection 600 pour activer sélectivement un ou plusieurs sous-ensembles des cellules SPAD formant le réseau SPAD cible 110. Par exemple, le circuit 600 comprend un registre 602 mémorisant une valeur binaire associée à chaque cellule SPAD 20 indiquant si cette cellule fonctionne correctement. Toute cellule défectueuse est par exemple désactivée de façon permanente par la valeur correspondante mémorisée dans le registre 602. En outre, une porte ET 604 est prévue pour chaque cellule SPAD du réseau. Les portes ET 604 fournissent respectivement des signaux 25 d'activation ENSPADO à ENSPADN. Chaque porte ET 604 a l'une de ses entrées couplée à une sortie correspondante du registre 602, et l'autre de ses entrées couplée à l'une d'une pluralité de lignes de sortie 606 du circuit de commande 220. En particulier, il y a par exemple M lignes de sortie 606, fournissant 30 respectivement des signaux de validation de bloc ENBLOCK1 à ENBLOCKM. Chacun de ces signaux est par exemple couplé aux portes ET 604 correspondant à un sous-ensemble différent des cellules SPAD du réseau. Par exemple, en faisant référence à l'exemple de la figure 4, la ligne 606 avec le signal ENBLOCK1 est par exemple 35 couplée aux cellules 402, la ligne 606 avec le signal ENBLOCK2 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 11 est couplée aux cellules 404, et ainsi de suite, jusqu'à la ligne 606, avec le signal ENBLOCKM, qui est par exemple couplée aux cellules 416. En fonctionnement, le circuit de commande 220 active par 5 exemple un ou plusieurs des signaux ENBLOCK1 à ENBLOCKM sur la base d'une valeur de cadence de comptage déterminée sur la base des événements présents sur la ligne 204 à la sortie de l'arbre OU 202 du réseau SPAD de la figure 2. La figure 6B illustre schématiquement un exemple de mise 10 en oeuvre du circuit de commande 220 de la figure 6A plus en détail selon un exemple de réalisation. La ligne 204 à la sortie de l'arbre OU 202 du réseau SPAD 110 est par exemple couplée à l'entrée d'horloge d'un compteur 608, qui est activé et réinitialisé par un autre signal 15 d'horloge CLK. La sortie du compteur 608 est par exemple fournie à un circuit d'extraction de valeur crête 610, qui est par exemple cadencé par le signal d'horloge CLK, et détermine la cadence de comptage crête en mémorisant la valeur de comptage la plus élevée fournie par le compteur 608 sur plusieurs cycles d'une phase de 20 détection. Dans certains modes de réalisation, le circuit 610 fournit une cadence VCSEL RATE correspondant à la valeur de comptage crête pendant que les impulsions optiques sont actives, et aussi une cadence d'ambiante AMBIENT RATE correspondant à la cadence de comptage pendant que la source lumineuse 102 est 25 désactivée. Les cadences de comptage mesurées par le circuit 610 sont par exemple fournies à un circuit de traitement 612, qui. génère les signaux sur les lignes 606 sur la base des cadences de comptage mesurées. 30 Plutôt que d'être fournies par les éléments 608 et 610, les cadences de comptage pourraient à la place être fournies par un compteur placé en parallèle avec les compteurs UP et DN 206, 208, qui accumulent les événements sur la ligne 204 dans le temps. Dans encore un autre exemple, les cadences de comptage 35 pourraient être calculées en utilisant un compteur par SPAD. 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 12 La figure 7A est une vue à plat d'une cellule SPAD 700 comportant un écran annulaire 702 pour réduire sa sensibilité. L'écran annulaire 702 a par exemple la forme d'une plaque de blocage de lumière ayant un passage ouvert 704 formant une 5 ouverture. Une zone photosensible de la cellule SPAD est représentée par un rectangle hachuré 706 en figure 7A, et l'ouverture 704 expose par exemple une sous-portion de la zone photosensible de sorte que la sensibilité de la cellule SPAD est réduite. Par exemple, la région photosensible exposée par 10 l'ouverture 704 a une surface correspondant à entre 5 % et 90 % de la surface de la zone photosensible 706. La figure 7B est une vue en coupe de la cellule SPAD 700 de la figure 7A, prise suivant une ligne A-A en trait interrompu en figure 7A. Comme cela est illustré, l'écran annulaire est par 15 exemple formé dans au moins deux couches métalliques 710, 712 du dispositif, séparées par exemple par des couches d'oxyde. L'ouverture 704 est par exemple aussi remplie d'oxyde. La zone photosensible 706 comprend par exemple une couche de type N fortement dopée (n+). La couche de type P fortement dopée (p+) 20 est par exemple formée sous-jacente à au moins une portion de la couche de type N 706. Les couches dopées 706 et 714 sont par exemple formées dans un caisson de type P 716, qui est par exemple formé dans un substrat de type N 718. La structure de silicium de la figure 7B est simplement 25 un exemple, et il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que de nombreuses variantes de cette structure sont possibles. La figure 8 est un organigramme illustrant un exemple de procédé mis en oeuvre par le circuit de traitement 612 de la figure 6 pour déterminer un nombre de cellules SPAD à activer, et 30 pour déterminer optionnellement si une ou plusieurs cellules SPAD écrantées doivent être activées. Ce procédé est par exemple mis en oeuvre sous forme de matériel, ou par du logiciel s'exécutant sur un processeur. Le procédé de la figure 8 est par exemple basé sur une 35 ou plusieurs mesures de cadence de comptage pour le réseau SPAD. 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 13 Par exemple, une cadence d'ambiante (AMBIENT RATE) et une cadence avec les impulsions optiques activées (VCSELRATE) sont toutes deux fournies en entrée, et additionnées entre elles par une opération d'addition 802 pour obtenir une cadence de comptage 5 totale (TOTAL_RATE). La cadence VCSEL_RATE est par exemple une cadence crête. La cadence d'ambiante AMBIENT RATE est par exemple déterminée en comptant des événements se produisant seulement à l'extérieur de la fenêtre de comptage. La cadence VCSEL_RATE est par exemple déterminée en comptant des événements ayant lieu 10 seulement pendant la fenêtre de comptage. Dans certains modes de réalisation, la cadence de comptage totale est convertie en une cadence de comptage par cellule SPAD en divisant la valeur par le nombre de cellules SPAD activées. La valeur de cadence de comptage totale est par exemple 15 ensuite multipliée par un ou plusieurs autres paramètres dans une opération de multiplication 804. Par exemple, la cadence totale est multipliée par un paramètre noté PILE_UP_SAFETY, qui indique un rapport entre la cadence de comptage maximale du réseau SPAD et la cadence de comptage maximum souhaitée pour empêcher un 20 empilement dans le circuit de détection. Par exemple, ce paramètre est choisi pour être dans la plage de 10 à 40 et est par exemple sensiblement égal à 20. En plus ou à la place, la cadence totale est par exemple multipliée par la largeur de l'impulsion OU, notée OR PULSE WIDTH(0) en figure 8, qui correspond à la largeur de 25 l'impulsion numérique à la sortie de l'arbre OU fournie aux compteurs, qui assure que les compteurs ne vont pas manquer l'événement. Ce paramètre est par exemple dans la plage de 1 à 10 ns, et sensiblement égal à 1,8 ns dans un exemple. L'inverse de la sortie de l'opération de multiplication 30 est par exemple calculé par une opération 806, et le résultat indique par exemple un nombre NSPAD de cellules SPAD à activer. Pour donner un exemple typique, en prenant une cadence d'ambiante égale à 1 Mcps (million de coups par seconde) et une cadence VCSEL égale à 2,5 Mcps, une valeur de sécurité 35 d'empilement de 20, et une largeur d'impulsion OU de 1,8 ns, la 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 14 valeur NSPAD serait déterminée comme égale à 7,93. Un ou plusieurs sous-ensembles de cellules SPAD ayant un nombre de cellules inférieur à NSPAD sont par exemple sélectionnés. Par conséquent, en prenant l'exemple du réseau SPAD 110 de la figure 4, les sept 5 cellules SPAD 408 sont par exemple activées dans cet exemple. En outre, six cellules SPAD d'ouverture peuvent aussi être activées. Le procédé de la figure 8 implique aussi par exemple le fait de déterminer si des cellules SPAD munies d'ouvertures restreintes doivent être utilisées. C'est par exemple le cas si 10 la cadence de comptage par cellule SPAD dépasse une certaine limite. Par exemple, un seuil D est déterminé par une opération de division 808 basée sur le rapport entre le temps mort SPAD et la largeur de l'impulsion OU. Par exemple dans le cas où le temps mort SPAD est égal à 10 ns et où la largeur de l'impulsion OU est 15 égale à 1,8 ns, le seuil D est égal à 5,5. La valeur NSPAD est comparée au seuil D dans une opération 810. Ainsi, si NSPAD est inférieur à 5,5, une ou plusieurs cellules SPAD munies d'écrans annulaires vont par exemple être utilisées pour empêcher les cellules individuelles d'être surexposées. 20 Dans un exemple, en supposant que la cadence d'ambiante est égale à 3 Mcps et que la cadence VCSEL est égale à 4 Mcps, NSPAD est par exemple déterminé comme égal à 3,97. Dans un tel cas, les 24 cellules 412, 414 et 416 ayant une ouverture réduite sont par exemple activées. En effet, chacune de ces cellules a 25 par exemple une sensibilité égale à 1/7,5 par rapport à celle d'une cellule normale, et ainsi la sensibilité des 24 cellules va correspondre à 3,2 cellules SPAD standard. Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que le procédé de la figure 8 est simplement un exemple particulier, et 30 que de nombreuses variantes de ce procédé sont possibles. Par exemple, plutôt que de calculer une cadence de comptage totale égale à la somme des cadences d'ambiante et VCSEL, le procédé pourrait être basé seulement sur l'une de ces cadences. En outre, la valeur de NSPAD pourrait simplement être calculée par une seule 35 opération de division d'un paramètre fixe par la valeur de la 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 15 cadence de comptage. En outre, dans certains modes de réalisation, le seuil D pourrait être un paramètre fixé du système, programmé par un utilisateur. Un avantage des modes de réalisation décrits ici est 5 que, en activant sélectivement seulement un sous-ensemble des cellules SPAD du réseau SPAD, la sensibilité du réseau SPAD peut être améliorée en empêchant une cadence de comptage trop élevée qui serait susceptible de conduire à des événements manqués, ou à ce que des statistiques d'arrivée de photons soient faussées. En 10 outre, en prévoyant une ou plusieurs cellules SPAD ayant une ouverture réduite, et donc une sensibilité réduite, il est possible d'éviter qu'une cadence de comptage maximum par cellule soit dépassée. Avec la description ainsi faite d'au moins un mode de 15 réalisation illustratif, diverses altérations, modifications et améliorations apparaîtront facilement à l'homme de l'art. Par exemple, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que bien que des modes de réalisation aient été décrits sur la base de transistors MOS, des variantes de réalisation pourraient 20 être basées au moins partiellement sur d'autres technologies de transistors comme la technologie bipolaire. En outre, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que le rail d'alimentation positif et le rail de masse pourraient être permutés dans les divers modes de réalisation, et que plutôt 25 que d'utiliser une tension de masse, on pourrait utiliser un niveau de tension d'alimentation différent, comme une tension négative. En outre, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que les divers éléments décrits en relation avec les divers modes 30 de réalisation pourraient être combinés, dans des variantes de réalisation, selon des combinaisons quelconques. REVENDICATIONS1. Circuit comprenant : un réseau (110) de cellules SPAD (diode à avalanche par un seul photon), dans lequel chaque cellule SPAD (500) est activée sélectivement par un signal d'activation (ENSPAD) ; et un circuit de commande (220) adapté à activer sélectivement seulement un sous-ensemble des cellules SPAD du réseau sur la base d'une cadence de comptage mesurée du réseau SPAD. 2. Circuit selon la revendication 1, dans lequel au 10 moins une première cellule du réseau SPAD comporte une zone photosensible (706) au moins partiellement protégée par un écran (702) de sorte que ladite au moins une première cellule a une sensibilité inférieure à celles des autres cellules du réseau SPAD. 15 3. Circuit selon la revendication 2, dans lequel l'écran comporte une ouverture (704) ayant une surface comprise entre 5 % et 90 % de la surface de la zone photosensible (706). 4. Circuit selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le sous-ensemble activé de cellules SPAD comprend ladite au moins 20 une première cellule. 5. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la cadence de comptage mesurée est la plus élevée d'une pluralité de cadences de comptage mesurées. 6. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 25 à 5, comprenant en outre une source de lumière (102), le circuit de commande (220) comprenant un additionneur pour générer là cadence de comptage mesurée (TOTAL RATE) en ajoutant une cadence d'ambiante (AMBIENTRATE), mesurée pendant que la source de lumière est désactivée, à une autre cadence (VCSEL RATE) 'ULesurée 30 pendant que la source de lumière est activée. 7. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le circuit de commande (220) est adapté à déterminer, sur la base de la cadence de comptage mesurée (TOTAL RATE), une première valeur (NSPAD) indiquant le nombre de 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 17 cellules SPAD du réseau, pour former le premier sous-ensemble de cellules activé. 8. Circuit selon la revendication 7 dans sa dépendance de la revendication 2 ou 3, dans lequel le circuit de commande 5 (220) est adapté à comparer la première valeur (NSPAD) à une valeur de seuil (D) et à activer sélectivement ladite au moins une première cellule du réseau SPAD sur la base de la comparaison. 9. Circuit selon la revendication 8, comprenant en outre un circuit de comptage (206, 208, 212, 214) comprenant un ou plusieurs compteurs adaptés à compter des événements détectés par chaque cellule activée du réseau SPAD pendant une fenêtre de comptage (COUNT WINDOW). 10. Circuit selon la revendication 8 ou 9, dans lequel les cellules du réseau SPAD sont désactivées pendant un temps mort 15 entre des phases de détection, et dans lequel le circuit de coi onde (220) est adapté à générer la valeur de seuil sur la base de la durée (S) de la période de temps mort. 11. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le réseau SPAD (110) comprend au moins des 20 premier, deuxième et troisième sous-ensembles de cellules, et dans lequel le circuit de commande est adapté à générer : un premier signal d'activation (ENBLOCK1) pour activer sélectivement les cellules du premier sous-ensemble ; et un deuxième signal d'activation (ENBLOCK2) pour activer 25 sélectivement les cellules du deuxième sous-ensemble. 12. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel chaque cellule du réseau SPAD (110) comprend un premier transistor (526) couplé par ses noeuds de conduction principaux entre un noeud de sortie (524) de la cellule et un 30 premier rail de tension d'alimentation (VDD), un noeud de commande du premier transistor étant contrôlé sur la base du signal d'activation (ENSPAD). 13. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel chaque cellule du réseau SPAD comprend : 35 une diode à avalanche (502) ; et 3034204 B14045 - 14-GR2-0765 18 un deuxième transistor (504) couplé par ses noeuds de conduction principaux entre un noeud de la diode à avalanche et un deuxième rail de tension d'alimentation, un noeud de commande du deuxième transistor étant contrôlé sur la base du signal 5 d'activation (ENSPAD). 14. Procédé comprenant : activer sélectivement, par un circuit de commande (220), seulement un sous-ensemble des cellules d'un réseau de cellules SPAD (diode à avalanche par un seul photon) sur la base d'une 10 cadence de comptage mesurée du réseau SPAD.