FR 3030157 A1 20160617 FR 1462427 A 20141215 CIRCUIT DE COMPARAISON D'UNE TENSION À UN SEUIL Domaine La présente demande concerne les circuits électroniques de façon générale, et vise plus particulièrement un circuit de comparaison d'une tension à un seuil. Elle vise en particulier un circuit à consommation réduite, pouvant notamment être utilisé dans un générateur à récupération d'énergie ambiante. Elle vise en outre un générateur à récupération d'énergie ambiante comportant un tel circuit. Exposé de l'art antérieur Pour alimenter des systèmes électroniques à faible consommation d'énergie, on a proposé d'utiliser des générateurs adaptés à convertir de l'énergie disponible dans l'environnement du système, par exemple de l'énergie mécanique ou de l'énergie thermique, en énergie électrique. Un tel générateur comprend typiquement un élément de conversion de l'énergie ambiante en électricité, par exemple un élément piézoélectrique, et un circuit de conversion d'énergie électrique, placé en aval de l'élément de conversion d'énergie ambiante en électricité, adapté à transformer l'énergie électrique fournie par l'élément de conversion en énergie électrique exploitable par un système électronique. 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 2 Le circuit de conversion d'énergie électrique peut comprendre un circuit adapté à comparer une tension d'entrée à un seuil, et à fournir une alimentation électrique à une charge lorsque la tension d'entrée dépasse ce seuil. 5 On s'intéresse ici plus particulièrement à un circuit adapté à comparer une tension d'entrée à un seuil et à fournir une tension d'alimentation à une charge lorsque la tension d'entrée dépasse le seuil, ce circuit ne nécessitant pas d'alimentation autre que la tension d'entrée pour son 10 fonctionnement. Un objet d'un mode de réalisation est de prévoir un tel circuit présentant une consommation électrique réduite par rapport aux circuits existants. Un objet d'un mode de réalisation est de prévoir un 15 générateur à récupération d'énergie ambiante comportant un tel circuit. Résumé Ainsi, un mode de réalisation prévoit un circuit de comparaison d'une tension à un seuil, comportant : des premier et 20 deuxième noeuds d'application de ladite tension ; une première branche comportant un premier transistor en série avec une première résistance entre les premier et deuxième noeuds ; une deuxième branche parallèle à la première branche, comportant des deuxième et troisième résistances en série formant un pont diviseur de tension entre les premier et deuxième noeuds, le point milieu du pont diviseur étant connecté ou couplé à un noeud de commande du premier transistor ; et une troisième branche comportant un deuxième transistor en série avec un élément résistif et/ou capacitif, entre le noeud de commande du premier transistor et le premier ou deuxième noeud, un noeud de commande du deuxième transistor étant connecté ou couplé au point milieu de l'association en série du premier transistor et de la première résistance. Selon un mode de réalisation, le point milieu de 35 l'association en série du deuxième transistor et de l'élément 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 3 résistif et/ou capacitif, et le noeud d'application de ladite tension non connecté ou couplé à la troisième branche, constituent des noeuds de fourniture d'une tension de sortie du circuit, destinés à être connectés ou couplés à une charge à alimenter. 5 Selon un mode de réalisation, le circuit comporte en outre : entre le point milieu de l'association en série du deuxième transistor et de l'élément résistif et/ou capacitif, et le noeud d'application de ladite tension non connecté ou couplé à la troisième branche, une quatrième résistance ; et entre le noeud 10 d'application de ladite tension non connecté ou couplé à la troisième branche et un troisième noeud, un troisième transistor dont un noeud de commande est relié au point milieu de l'association en série du deuxième transistor et de l'élément résistif et/ou capacitif, dans lequel le noeud d'application de 15 ladite tension connecté ou couplé à la troisième branche, et le troisième noeud, constituent des noeuds de fourniture d'une tension de sortie du circuit, destinés à être connectés ou couplés à une charge à alimenter. Selon un mode de réalisation : le premier transistor est 20 un transistor bipolaire NPN ou un transistor MOS à canal N ; le deuxième transistor est un transistor MOS à canal P ou un transistor bipolaire PNP ; dans la première branche, la première résistance est côté premier noeud et le premier transistor est côté deuxième noeud ; et la troisième branche est entre le noeud 25 de commande du premier transistor et le premier noeud. Selon un mode de réalisation : le premier transistor est un transistor bipolaire PNP ou un transistor MOS à canal P ; le deuxième transistor est un transistor MOS à canal N ou un transistor bipolaire NPN ; dans la première branche, la première 30 résistance est côté deuxième noeud et le premier transistor est côté premier noeud ; et la troisième branche est entre le noeud de commande du premier transistor et le deuxième noeud. Selon un mode de réalisation, l'élément résistif et/ou capacitif est une résistance. 3030157 B13787 - DD157165P/14-GR4-0686 4 Selon un mode de réalisation, l'élément résistif et/ou capacitif est une cellule RC comportant une résistance et un condensateur. Selon un mode de réalisation, au moins l'une des 5 deuxième et troisième résistances est une thermistance ou une association d'une ou plusieurs résistances et d'une ou plusieurs thermistances. Un autre mode de réalisation prévoit un générateur à récupération d'énergie ambiante, comportant : un élément de 10 conversion d'énergie ambiante en énergie électrique ; un premier condensateur adapté à stocker des charges générées par ledit élément de conversion ; et un premier circuit de comparaison selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, le premier condensateur étant connecté ou couplé entre les premier et deuxième noeuds du 15 premier circuit de comparaison. Selon un mode de réalisation, le générateur comporte en outre un circuit de chargement inductif d'un deuxième condensateur à partir de la tension d'entrée et du premier circuit de comparaison. 20 Selon un mode de réalisation, le circuit de chargement inductif est un circuit abaisseur de tension. Selon un mode de réalisation, le circuit de chargement inductif est un circuit élévateur de tension. Selon un mode de réalisation, le générateur comporte en 25 outre un deuxième circuit de comparaison selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, le deuxième condensateur étant connecté ou couplé entre les premier et deuxième noeuds du deuxième circuit de comparaison. Brève description des dessins 30 Ces caractéristiques et leurs avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 5 la figure 1 est un schéma électrique illustrant un exemple d'un mode de réalisation d'un circuit de comparaison d'une tension à un seuil ; la figure 2 est un schéma électrique illustrant une 5 variante de réalisation d'un circuit de comparaison d'une tension à un seuil ; la figure 3 est un schéma électrique illustrant une autre variante de réalisation d'un circuit de comparaison d'une tension à un seuil ; 10 la figure 4 est un schéma électrique illustrant une autre variante de réalisation d'un circuit de comparaison d'une tension à un seuil ; la figure 5 est un schéma électrique illustrant un exemple d'un mode de réalisation d'un générateur à récupération 15 d'énergie ambiante ; la figure 6 est un schéma électrique d'une variante de réalisation d'un générateur à récupération d'énergie ambiante ; et la figure 7 est un schéma électrique d'une autre 20 variante de réalisation d'un générateur à récupération d'énergie ambiante. Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures. De plus, dans la présente 25 description, sauf indication contraire, les termes "approximativement", "sensiblement", "environ", "de l'ordre de", etc., signifient "à 20% près", ou, lorsqu'il s'agit d'une tension nulle, "comprise entre -300 et 300 mV", ou, lorsqu'il s'agit d'un courant nul, "compris entre -50 et 50 nA". Par ailleurs, dans la présente 30 description, on utilisera le terme "connecté" pour désigner une liaison électrique directe, sans composant électronique intermédiaire, par exemple au moyen d'une piste conductrice, et le terme "couplé" ou le terme "relié", pour désigner soit une liaison électrique directe (signifiant alors "connecté") soit une 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 6 liaison via un ou plusieurs composants intermédiaires (résistance, condensateur, etc.). La figure 1 est un schéma électrique illustrant un exemple d'un mode de réalisation d'un circuit de comparaison d'une 5 tension d'entrée Ve à un seuil. Le circuit de comparaison 100 de la figure 1 comprend une première branche comportant une résistance R1 et un transistor Tl en série entre des noeuds A et B d'application de la tension Ve. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, la 10 résistance R1 a une première extrémité reliée au noeud A et une deuxième extrémité reliée à un noeud C, et le transistor Tl à un premier noeud de conduction relié au noeud C et un deuxième noeud de conduction relié au noeud B. Dans l'exemple représenté, le transistor Tl est un transistor bipolaire de type NPN, dont le 15 collecteur (c) est relié au noeud C et dont l'émetteur (e) est relié au noeud B. Le circuit 100 comprend en outre une deuxième branche parallèle à la première branche, comportant deux résistances R2 et R3 en série entre les noeuds A et B. Plus particulièrement, 20 dans l'exemple représenté, la résistance R2 a une première extrémité reliée au noeud A et une deuxième extrémité reliée à un noeud D, et la résistance R3 a une première extrémité reliée au noeud D et une deuxième extrémité reliée au noeud B. Les résistances R2 et R3 forment un pont diviseur de tension. Le noeud 25 D, ou point milieu du pont diviseur, est relié à un noeud de commande du transistor Tl, à savoir la base (b) du transistor Tl dans l'exemple représenté. Le circuit 100 comprend en outre une troisième branche, comportant un transistor T2 en série avec un élément résistif Rf, 30 entre le noeud A et le noeud D. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, la résistance Rf a une première extrémité reliée au noeud D et une deuxième extrémité reliée à un noeud E, et le transistor T2 a un premier noeud de conduction relié au noeud E et un deuxième noeud de conduction relié au noeud A. Dans l'exemple représenté, le transistor T2 est un transistor MOS à 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 7 canal P dont la source (s) est reliée au noeud A et dont le drain (d) est relié au noeud E. Un noeud de commande du transistor T2, sa grille (g) dans cet exemple, est relié au noeud C. La tension d'entrée Ve peut être une tension continue 5 fournie par une source d'énergie électrique (non représentée), par exemple la tension aux bornes d'un condensateur de collecte de charges électriques générées par un élément de conversion d'énergie ambiante en électricité. Les noeuds E et B sont des noeuds de fourniture d'une tension de sortie Vs du circuit 100. 10 Une charge LD à alimenter, par exemple un capteur sans fil (capteur de température, d'humidité, de luminosité, etc.), une source lumineuse utilisant par exemple une diode électroluminescente ou un ensemble de diodes électroluminescentes, etc., est connectée entre les noeuds E et B du circuit 100. 15 Le fonctionnement du circuit 100 est le suivant. Lorsque la tension d'entrée Ve est basse, la tension aux bornes de la résistance R3 du pont diviseur n'est pas suffisante pour mettre en conduction le transistor Tl. Le transistor Tl est donc bloqué. La tension aux bornes de la résistance R1, correspondant à la 20 tension grille-source du transistor T2 dans cet exemple, est alors sensiblement nulle. Le transistor T2 est donc bloqué. Le courant traversant la charge LD est alors sensiblement nul, et la charge LD n'est pas alimentée. La tension de sortie Vs du circuit 100 est alors approximativement nulle. 25 L'élément résistif Rf contribue alors à abaisser le potentiel du noeud D en le tirant vers celui du noeud E (alors sensiblement égal à celui du noeud B), et renforce donc le blocage du transistor Tl. Lorsque la tension Ve augmente jusqu'à franchir un seuil 30 VSH, la tension aux bornes de la résistance R3 atteint le seuil de mise en conduction du transistor Tl. Le transistor Tl devient alors passant, et un courant circule dans la branche comportant la résistance R1 et le transistor Tl. La tension aux bornes de la résistance R1, ou tension source-grille du transistor T2 dans cet 35 exemple, augmente alors jusqu'à atteindre le seuil de mise en 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 8 conduction du transistor T2. Le transistor T2 devient donc lui aussi passant. La charge LD est alors alimentée, et la tension de sortie Vs du circuit 100 devient sensiblement égale à la tension d'entrée Ve (à la chute de tension du transistor T2 près). 5 L'élément résistif Rf tend alors à rehausser le potentiel du noeud D en le tirant vers celui du noeud E (alors sensiblement égal à celui du noeud A), et contribue donc au maintien à l'état passant du transistor Tl. Lorsque la tension Ve redescend sous un seuil VSB 10 inférieur au seuil VSH, la tension aux bornes de la résistance R3 n'est plus suffisante pour maintenir le transistor Tl à l'état passant. Le transistor Tl se bloque donc, et la tension aux bornes de la résistance R1 devient sensiblement nulle, entrainant le blocage du transistor T2. Il en résulte que la charge LD n'est 15 plus alimentée, et la tension Vs de sortie du circuit 100 devient sensiblement nulle. La présence de la résistance Rf, ou résistance de rétroaction, entre les noeuds D et E, confère au circuit 100 un fonctionnement à hystérésis, c'est-à-dire que son seuil VSH de 20 commutation de l'état bloqué (Vs0) vers l'état passant (Vs Ve) est supérieur au seuil de commutation VSB de l'état passant vers l'état bloqué. Ceci permet d'éviter une oscillation indésirable entre le mode alimenté et le mode non alimenté de la charge LD, notamment dans le cas où la commutation de l'état bloqué vers 25 l'état passant s'accompagne d'un fort appel de courant dans la charge LD. En notant Von la tension de mise en conduction du transistor Tl, c'est-à-dire la tension à appliquer aux bornes de la résistance R3 pour rendre le transistor Tl conducteur, les 30 seuils VSH et VSB peuvent être calculés comme suit : VSH Von VSB Von 11R 3 + 11R 2 +1/R J , et lir?2 11R 3 + 11R 2 + 1/R1 * - 'IR 2 + f 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 9 Les valeurs des résistances R1, R2, R3 et Rf sont de préférence relativement élevées pour limiter la consommation électrique du circuit 100. A titre d'exemple, la résistance R1, la résistance R2+R3 du pont diviseur, et la résistance Rf, sont 5 supérieures à 5 Mf2, et de préférence supérieures à 50 M. Par exemple, la résistance R1 est d'environ 10 Mf2, la résistance R2 est d'environ 50 Mf2, la résistance R3 est d'environ 7 Mf2, et la résistance Rf est d'environ 150 MS). A titre de variante, le transistor Tl peut être remplacé 10 par un transistor MOS à canal N dont la source, le drain et la grille sont respectivement reliés au noeud B, au noeud C et au noeud D. L'utilisation d'un transistor bipolaire présente toutefois l'avantage d'améliorer la précision des seuils de commutation, dans la mesure où la tension de mise en conduction 15 d'un transistor bipolaire est généralement moins sensible aux variations de température et aux dispersions de fabrication que celle d'un transistor MOS. Par ailleurs, le transistor T2 peut être remplacé par un transistor bipolaire de type PNP dont l'émetteur, le collecteur 20 et la base sont respectivement reliés au noeud A, au noeud E et au noeud C. L'utilisation d'un transistor MOS présente toutefois l'avantage de limiter la consommation du circuit 100, un transistor bipolaire consommant en effet un courant de base à l'état passant. 25 La figure 2 est un schéma électrique illustrant une variante de réalisation d'un circuit de comparaison d'une tension d'entrée Ve à un seuil. Le circuit de comparaison 200 de la figure 2 comprend sensiblement les mêmes éléments que le circuit 100 de la figure 1, et diffère du circuit 100 de la figure 1 30 essentiellement en ce que les types de conductivité des transistors Tl et T2 sont inversés, en ce que les positions du transistor Tl et de la résistance R1 sont interverties, en ce que les positions des résistances R2 et R3 sont interverties, et en ce que les positions du transistor T2 et de la charge LD sont 35 interverties. En d'autres termes, dans le circuit 200, les noeuds 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 10 de conduction du transistor Tl sont reliés aux noeuds A et C, les extrémités de la résistance R1 sont reliées aux noeuds C et B, les extrémités de la résistance R2 sont reliées aux noeuds D et B, les extrémités de la résistance R3 sont reliées aux noeuds D 5 et A, les noeuds de conduction du transistor T2 sont reliés aux noeuds E et B, les extrémités de la résistance Rf sont reliées aux noeuds D et E, le noeud de commande du transistor Tl est relié au noeud D, le noeud de commande du transistor T2 est relié au noeud C, et la charge LD est connectée entre les noeuds A et E, 10 qui constituent les noeuds de fourniture de la tension de sortie Vs du circuit 200. Comme dans l'exemple de la figure 1, la tension d'entrée Ve est appliquée entre les noeuds A et B. Dans l'exemple représenté, le transistor Tl est un transistor bipolaire de type PNP dont l'émetteur (e) est relié au 15 noeud A, dont le collecteur (c) est relié au noeud C et dont la base (b) est reliée au noeud D, et le transistor T2 est un transistor MOS à canal N dont la source (s) est reliée au noeud B, dont le drain (d) est relié au noeud E, et dont la grille (g) est reliée au noeud C. 20 Le fonctionnement du circuit 200 de la figure 2 est le suivant. Lorsque la tension d'entrée Ve est basse, la tension aux bornes de la résistance R3 du pont diviseur n'est pas suffisante pour mettre en conduction le transistor Tl. Le transistor Tl est donc bloqué. La tension aux bornes de la résistance R1, 25 correspondant à la tension grille-source du transistor T2 dans cet exemple, est alors sensiblement nulle. Le transistor T2 est donc bloqué. Le courant traversant la charge LD est alors sensiblement nul, et la charge LD n'est pas alimentée. La tension de sortie Vs du circuit 200 est alors approximativement nulle. 30 L'élément résistif Rf contribue à réhausser le potentiel du noeud D en le tirant vers celui du noeud E (alors sensiblement égal à celui du noeud A) , et renforce donc le blocage du transistor Tl. Lorsque la tension Ve augmente jusqu'à franchir un seuil 35 VSH, la tension aux bornes de la résistance R3 atteint le seuil 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 11 de mise en conduction du transistor Tl. Le transistor Tl devient alors passant, et un courant circule dans la branche comportant la résistance R1 et le transistor Tl. La tension aux bornes de la résistance R1, ou tension grille-source du transistor T2 dans cet 5 exemple, augmente alors jusqu'à atteindre le seuil de mise en conduction du transistor T2. Le transistor T2 devient donc lui aussi passant. La charge LD est alors alimentée et la tension de sortie Vs du circuit 200 devient alors sensiblement égale à la tension d'entrée Ve (à la chute de tension du transistor T2 près). 10 L'élément résistif Rf tend alors à abaisser le potentiel du noeud D en le tirant vers celui du noeud E (alors sensiblement égal à celui du noeud B), et contribue donc au maintien à l'état passant du transistor Tl. Lorsque la tension Ve redescend sous un seuil VSB 15 inférieur au seuil VSH, la tension aux bornes de la résistance R3 n'est plus suffisante pour maintenir le transistor Tl à l'état passant. Le transistor Tl se bloque, et la tension aux bornes de la résistance R1 devient sensiblement nulle, entrainant le blocage du transistor T2. Il en résulte que la charge LD n'est plus 20 alimentée, et la tension Vs de sortie du circuit 200 devient sensiblement nulle. Ainsi, le circuit 200 présente un fonctionnement identique ou similaire à celui du circuit 100 de la figure 1, et présente, comme le circuit 100, un fonctionnement à hystérésis, 25 les seuils de commutation haut VSH et bas VSB du circuit pouvant être calculés par les formules mentionnées ci-dessus en relation avec l'exemple de la figure 1 (Von désignant, comme dans l'exemple de la figure 1, la tension à appliquer aux bornes de la résistance R3 pour rendre le transistor Tl conducteur). 30 A titre de variante, le transistor Tl du circuit 200 peut être remplacé par un transistor MOS à canal P dont la source, le drain et la grille sont respectivement reliés au noeud A, au noeud C et au noeud D. L'utilisation d'un transistor bipolaire présente toutefois, comme dans l'exemple de la figure 1, 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 12 l'avantage d'améliorer la précision des seuils de commutation VSH et VSB- Par ailleurs, le transistor T2 du circuit 200 peut être remplacé par un transistor bipolaire de type NPN dont l'émetteur, 5 le collecteur et la base sont respectivement connectés au noeud B, au noeud E et au noeud C. Toutefois, comme dans l'exemple de la figure 1, l'utilisation d'un transistor MOS présente l'avantage de réduire la consommation électrique du circuit 200. La figure 3 est un schéma électrique illustrant une 10 autre variante de réalisation d'un circuit de comparaison d'une tension d'entrée Ve à un seuil. Le circuit de comparaison 300 de la figure 3 comprend les mêmes éléments que le circuit 200 de la figure 2, agencés sensiblement de la même manière que dans l'exemple de la figure 2, et diffère du circuit 200 de la figure 15 2 en ce qu'il comporte en outre une résistance R4 dont les extrémités sont reliées respectivement aux noeuds A et E, et un transistor T3 dont les noeuds de conduction sont reliés respectivement au noeud A et à un noeud F, et dont un noeud de commande est relié au noeud E. 20 La résistance R4 a de préférence une valeur inférieure à la résistance Rf, par exemple comprise entre 5% et 20% de la valeur de la résistance Rf, par exemple de l'ordre de 10% de la valeur de la résistance Rf, de façon à permettre le blocage du transistor T3 lorsque le transistor T2 est non passant. 25 Dans l'exemple représenté, le transistor T3 est un transistor MOS à canal P dont la source est reliée au noeud A, dont le drain est relié au noeud F, et dont la grille est reliée au noeud E. Comme dans les exemples des figures 1 et 2, la tension 30 d'entrée Ve est appliquée entre les noeuds A et B. Toutefois, dans l'exemple de la figure 3, la charge LD est connectée entre les noeuds F et B, qui constituent les noeuds de fourniture de la tension de sortie Vs du circuit. Le fonctionnement du circuit 300 est le suivant. Lorsque 35 la tension d'entrée Ve est basse, la tension aux bornes de la 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 13 résistance R3 du pont diviseur n'est pas suffisante pour mettre en conduction le transistor Tl, qui est donc bloqué. La tension aux bornes de la résistance R1 est alors sensiblement nulle, d'où il résulte que le transistor T2 est bloqué. La tension aux bornes 5 de la résistance R4 est alors inférieure au seuil de commutation du transistor T3, et le transistor T3 est bloqué. La charge LD n'est alors pas alimentée, et la tension de sortie Vs du circuit 300 est approximativement nulle. L'élément résistif Rf contribue à rehausser le potentiel 10 du noeud D en le tirant vers celui du noeud E (alors sensiblement égal à celui du noeud A) , et renforce donc le blocage du transistor Tl. Lorsque la tension Ve augmente jusqu'à franchir un seuil VSH, la tension aux bornes de la résistance R3 atteint le seuil 15 de mise en conduction du transistor Tl, qui devient donc passant. Un courant circule alors dans la branche comportant la résistance R1 et le transistor Tl, et la tension aux bornes de la résistance R1 augmente jusqu'à atteindre le seuil de mise en conduction du transistor T2, qui devient passant. La tension aux bornes de la 20 résistance R4 augmente alors jusqu'à atteindre le seuil de mise en conduction du transistor T3, qui devient passant. La charge LD est donc alimentée, et la tension de sortie Vs du circuit 300 devient sensiblement égale à la tension d'entrée Ve (à la chute de tension du transistor T3 près). 25 L'élément résistif Rf tend alors à abaisser le potentiel du noeud D en le tirant vers celui du noeud E (alors sensiblement égal à celui du noeud B), et contribue donc au maintien à l'état passant du transistor Tl. Lorsque la tension Ve redescend sous un seuil VSB 30 inférieur au seuil VSH, la tension aux bornes de la résistance R3 n'est plus suffisante pour maintenir le transistor Tl à l'état passant. Le blocage du transistor Tl entraine alors celui du transistor T2, puis celui du transistor T3. Ainsi, le circuit 300 de la figure 3 présente, comme 35 dans les exemples précédents, un fonctionnement de type 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 14 hystérésis, les seuils de commutation VSH et VSB étant les mêmes que dans l'exemple de la figure 2, à la différence près que le terme Rf dans la formule de calcul susmentionnée doit être remplacé par Rf+R4. 5 A titre de variante, le transistor T3 peut être remplacé par un transistor bipolaire de type PNP, dont l'émetteur est relié au noeud A, dont le collecteur est relié au noeud F, et dont la base est reliée au noeud E. L'utilisation d'un transistor MOS présente toutefois l'avantage de réduire la consommation 10 électrique du circuit 300. Un avantage du mode de réalisation de la figure 3 est que la charge LD a un noeud d'alimentation relié à la masse (noeud B), ce qui permet d'obtenir une commande robuste, et d'éviter des commutations indésirables liées à des signaux transitoires 15 parasites. On notera qu'une variante de réalisation complémentaire du circuit 300 de la figure 3 peut être réalisée en inversant les types de conductivité des transistors Tl, T2 et T3. Cette variante de réalisation n'a pas été représentée et ne sera pas détaillée, 20 mais découle directement des exemples précédents. A titre d'exemple, cette variante peut être obtenue en ajoutant au circuit 100 de la figure 1 une résistance R4 entre les noeuds E et B, et un transistor MOS à canal N ou un transistor bipolaire de type NPN T3 entre le noeud B et un noeud F, le noeud de commande de ce 25 transistor T3 étant relié au noeud E. La charge LD est alors connectée entre les noeuds A et F, qui constituent les noeuds de fourniture de la tension de sortie Vs du circuit. La figure 4 est un schéma électrique illustrant une autre variante de réalisation d'un circuit de comparaison d'une 30 tension d'entrée Ve à un seuil. Le circuit de comparaison 400 de la figure 4 comprend sensiblement les mêmes éléments que le circuit 200 de la figure 2, et diffère du circuit 200 essentiellement en ce que, dans le circuit 400, la résistance Rf est remplacée par une association en série d'une résistance Rf et 35 d'un condensateur Cf reliant les noeuds D et E. Plus 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 15 particulièrement, dans l'exemple représenté, la résistance Rf a une première extrémité reliée au noeud D et une deuxième extrémité reliée à un noeud G, et le condensateur Cf a une première électrode reliée au noeud G et une deuxième électrode reliée au noeud E. La 5 résistance Rf et le condensateur Cf peuvent toutefois être intervertis. En d'autres termes, dans l'exemple de la figure 4, la résistance Rf est remplacée par une cellule RC. Le fonctionnement du circuit 400 est similaire à celui du circuit 200 de la figure 4, à la différence près que le circuit 10 400 ne présente pas un fonctionnement à hystérésis, mais présente un seul seuil de commutation, correspondant au seuil VSH = VSB du circuit de la figure 2 dans le cas où la valeur Rf des formules de calcul mentionnées en relation avec la figure 2 est infinie (soit VSH = VSB = Von*R2* (1/R3 + 1/R2)). Après une commutation de 15 l'état bloqué vers l'état passant, le circuit 400 reste passant pendant une durée T dépendant notamment des valeurs de la résistance Rf et du condensateur Cf. Ainsi, lorsque la tension d'entrée Ve est basse, le circuit 400 est bloqué, et la charge LD n'est pas alimentée. La 20 tension de sortie Vs du circuit 400 est alors sensiblement nulle. Lorsque la tension Ve augmente jusqu'à franchir le seuil VSH, la tension de sortie Vs du circuit 400 devient sensiblement égale à la tension d'entrée Ve (à la chute de tension du transistor T2 près), et la charge LD est alimentée. 25 A la commutation à l'état passant du circuit 400, le front descendant de la tension entre les noeuds E et B est transmis au noeud G par le condensateur Cf, ce qui tend à abaisser le potentiel du noeud D et contribue ainsi au maintien à l'état passant du transistor Tl tant que le condensateur Cf n'est pas 30 déchargé. Le circuit 400 reste passant et alimente la charge LD pendant une durée T ajustable notamment par la valeur de la résistance Rf et par la valeur du condensateur Cf. A l'issue de cette durée d'alimentation, si la tension Ve est redescendue sous le seuil VSH, le circuit 400 se bloque, 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 16 et cesse d'alimenter la charge LD. La tension de sortie Vs est alors sensiblement nulle. Bien que le circuit 400 de la figure 4 ne présente pas un fonctionnement à hystérésis, la présence de la cellule RC entre 5 les noeuds D et E permet, en garantissant une durée minimale d'alimentation de la charge LD, d'éviter une oscillation indésirable entre le mode alimenté et le mode non alimenté de la charge LD, notamment dans le cas où la commutation de l'état bloqué vers l'état passant s'accompagne d'un fort appel de courant 10 dans la charge LD. A titre d'exemple non limitatif, dans l'exemple de la figure 4, la valeur de la résistance Rf est comprise entre 100 kQ et 10 MQ, par exemple de l'ordre de 1 MQ, et la capacité du condensateur Cf est comprise entre 1 nF et 100 nF, par exemple de 15 l'ordre de 10 nF. A titre de variante, la cellule RC peut être remplacée par une capacité seule, ou par une cellule RC d'un autre type, par exemple une association parallèle d'une résistance Rf et d'un condensateur Cf. De plus, un élément résistif supplémentaire (non 20 représenté) et/ou un élément capacitif supplémentaire (non représenté) peuvent être reliés en parallèle de la cellule RC, entre les noeuds D et E. On notera que la variante de réalisation de la figure 4 est compatible avec tous les exemples de circuits de comparaison 25 décrits précédemment, c'est-à-dire que dans chacun des circuits décrits en relation avec les figures 1, 2 et 3, la résistance Rf peut être remplacée par une cellule RC, ou par une association parallèle d'une cellule RC et d'un élément résistif et/ou d'un élément capacitif. 30 Par ailleurs, dans chacun des exemples des figures 1 à 4, le circuit de comparaison peut en outre comprendre une résistance de décharge, non représentée, entre les noeuds de fourniture de la tension de sortie Vs, en parallèle de la charge LD. La prévision d'une telle résistance de décharge est notamment 35 avantageuse lorsque la charge LD est une diode électroluminescente 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 17 ou une association de plusieurs diodes électroluminescentes, ou comprend des éléments capacitifs ou inductifs, la résistance de décharge permettant alors de ramener plus rapidement à zéro la tension Vs lors de la commutation du circuit de l'état passant 5 vers l'état non passant. A titre d'exemple non limitatif, la résistance de décharge peut avoir une valeur comprise entre 10 kS2 et 5 Fn, par exemple de l'ordre de 100 kS). De plus, dans chacun des exemples des figures 1 à 4, pour réduire l'influence de la température sur le ou les seuils 10 de commutation du circuit de comparaison, l'une et/ou l'autre des résistances R2 et R3 du pont diviseur de tension (de préférence la résistance R3) peut être remplacée par une thermistance, ou par une association série et/ou parallèle comportant une ou plusieurs résistances et une ou plusieurs thermistances, choisie 15 pour compenser la dérive en température de la tension Von de mise en conduction du transistor Tl (de façon à maintenir le ou les seuils de commutation du circuit sensiblement indépendants de la température). Un avantage des circuits de comparaison décrits en 20 relation avec les figures 1 à 4 réside dans leur très faible consommation électrique, qui rend leur utilisation particulièrement avantageuse dans des systèmes à faibles ressources énergétiques, notamment dans des générateurs à récupération d'énergie ambiante. 25 La figure 5 est un schéma électrique illustrant un exemple d'un mode de réalisation d'un générateur à récupération d'énergie ambiante comportant un circuit de comparaison d'une tension à un seuil du type décrit en relation avec les figures 1 à 4. 30 Le générateur de la figure 5 comprend un élément 501 de conversion d'énergie ambiante en électricité, par exemple un élément de conversion piézoélectrique. Le générateur de la figure 5 comprend en outre un premier circuit 510 de mise en forme de l'énergie électrique produite par 35 l'élément 501. Dans l'exemple représenté, le circuit 510 comprend 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 18 un circuit redresseur de tension 512 et un condensateur Cbl de stockage de l'énergie électrique produite par l'élément 501. L'élément 501 est connecté entre des noeuds d'entrée H et I du circuit redresseur 512, qui constituent des noeuds d'entrée du 5 circuit 510, et le condensateur Cbl est connecté entre des noeuds de sortie J et K du circuit redresseur 512, qui constituent des noeuds de sortie du circuit 510. Plus particulièrement, dans l'exemple représenté, le circuit redresseur 512 est un pont de diodes comportant une première branche de deux diodes en série 10 entre les noeuds K et J, et, en parallèle de la première branche, une deuxième branche de deux diodes en série entre les noeuds K et J, les quatre diodes du pont ayant toutes le même sens de conductivité, à savoir que chaque diode a son anode côté noeud K et sa cathode côté noeud J. Dans cet exemple, le point milieu de 15 la première branche est relié au noeud H, et le point milieu de la deuxième branche est relié au noeud I. Le générateur de la figure 5 comprend en outre un circuit de comparaison d'une tension à un seuil du type décrit en relation avec les figures 1 à 4, le circuit 400 de la figure 4 dans cet 20 exemple. Les noeuds de sortie J et K du circuit de conversion 510 sont reliés respectivement aux noeuds d'entrée A et B du circuit de comparaison 400. Le générateur de la figure 5 comprend en outre, en sortie du circuit de comparaison 400, un circuit 520 de chargement 25 inductif d'un deuxième condensateur Cb2, de capacité supérieure à celle du condensateur Cbl. Le circuit 520 comprend des noeuds d'entrée L et M reliés respectivement aux noeuds de sortie A et E du circuit 400, et des noeuds de sortie N et 0, le condensateur Cb2 étant connecté entre les noeuds N et O. Dans cet exemple, le 30 noeud 0 est relié au noeud B du circuit de comparaison 400. Le circuit 520 est un circuit abaisseur de tension (type convertisseur Buck), c'est-à-dire que la tension qu'il délivre aux bornes du condensateur Cb2 est inférieure à la tension d'entrée appliquée entre les noeuds L et 0 du circuit 520. 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 19 Le circuit 520 comprend une résistance R5 dont une première extrémité est reliée au noeud L et dont une deuxième extrémité est reliée au noeud M, et un transistor T4 dont un premier noeud de conduction est relié au noeud L, dont un deuxième 5 noeud de conduction est relié à un noeud P, et dont un noeud de commande est relié au noeud M. Dans cet exemple, le transistor T4 est un transistor MOS à canal P dont les régions de source (s) et de drain (d) sont reliées respectivement aux noeuds L et P, et dont la grille (g) est reliée au noeud M. Le circuit 520 comprend 10 de plus une inductance Ll dont une première extrémité est reliée au noeud P et dont une deuxième extrémité est reliée au noeud N, et une diode Dl, ou diode de roue libre du circuit de puissance, dont l'anode est reliée au noeud 0 et dont la cathode est reliée au noeud P. 15 Une charge à alimenter (non représentée) peut être connectée aux noeuds de sortie N et 0 du circuit 520, qui constituent, dans cet exemple, des noeuds de sortie du générateur. Le fonctionnement du générateur de la figure 5 est le suivant. L'élément 501 de conversion d'énergie ambiante en 20 électricité et le circuit de redressement 512 forment une source d'énergie électrique délivrant un courant à la capacité Cbl, entrainant l'apparition d'une tension Ve aux bornes de la capacité Cbl, cette tension étant elle-même appliquée à l'entrée du circuit de comparaison 400. 25 Lorsque la tension d'entrée Ve délivrée aux bornes du condensateur Cbl est basse, le circuit 400 est bloqué, et la tension Vs délivrée par le circuit 400 aux bornes de la résistance d'entrée R5 du circuit 520 est approximativement nulle. Lorsque la tension d'entrée Ve dépasse le seuil de 30 commutation VSH du circuit 400, la tension de sortie Vs du circuit 400 devient sensiblement égale à la tension d'entrée Ve (à la chute de tension du transistor T2 près), ce qui entraine la mise en conduction du transistor T4. 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 20 Le circuit 400 reste alors passant pendant une durée T ajustable notamment par la valeur de la résistance Rf et par la valeur du condensateur Cf. Pendant toute la durée de conduction du circuit 400, la 5 tension Ve charge, à travers l'inductance Ll, le condensateur Cb2. Après la durée T, si la tension Ve est redescendue sous le seuil VSH, le circuit 400 se bloque, et la tension Vs s'annule jusqu'à ce que la tension Ve remonte au-dessus du seuil VSH- Pendant la période de blocage du circuit 400, la diode de roue 10 libre Dl finit de transférer dans le condensateur Cb2 l'énergie résiduelle présente dans l'inductance Ll. Ainsi, le générateur de la figure 5 permet de charger le condensateur Cb2 à l'aide du circuit inductif 520, à partir d'un condensateur Cbl de plus petite capacité. Ce montage permet 15 d'éviter de mettre un condensateur de grande capacité directement en sortie de l'élément de conversion 501, ce qui dégraderait le rendement de l'élément de conversion 501. La figure 6 est un schéma électrique illustrant une variante de réalisation d'un générateur à récupération d'énergie 20 ambiante comportant un circuit de comparaison d'une tension à un seuil du type décrit en relation avec les figures 1 à 4. Le générateur de la figure 6 diffère du générateur de la figure 5 essentiellement en ce que le circuit de chargement abaisseur de tension 520 du générateur de la figure 5 a été 25 remplacé par un circuit de chargement élévateur de tension 620 (type convertisseur Boost). Le circuit 620 comprend, comme dans l'exemple de la figure 5, des noeuds d'entrée L et M reliés respectivement aux noeuds de sortie A et E du circuit de comparaison 400, et des 30 noeuds de sortie N et 0 connectés aux électrodes d'un condensateur Cb2 de capacité supérieure à celle du condensateur Cbl. Dans cet exemple, le noeud 0 est relié au noeud B du circuit de comparaison 400. Le circuit 620 comprend une inductance Ll dont une première extrémité est reliée au noeud L et dont la deuxième extrémité est 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 21 reliée au noeud M, et une diode Dl dont l'anode est reliée au noeud M et dont la cathode est reliée au noeud N. Une charge à alimenter (non représentée) peut être connectée aux noeuds de sortie N et 0 du circuit 620, qui 5 constituent, dans cet exemple, des noeuds de sortie du générateur. Le fonctionnement du générateur de la figure 6 est identique ou similaire à celui de la figure 5, à la différence près que, dans l'exemple de la figure 6, la tension de sortie du générateur délivrée aux bornes du condensateur Cb2, est supérieure 10 à la tension aux bornes du condensateur Cbl. La figure 7 est un schéma électrique illustrant une autre variante de réalisation d'un générateur à récupération d'énergie ambiante comportant un circuit de comparaison d'une tension à un seuil du type décrit en relation avec les figures 1 15 à 4. Le générateur de la figure 7 comprend les mêmes éléments que le générateur de la figure 6, agencés sensiblement de la même manière, et comprend en outre un deuxième circuit de comparaison de tension 400'. Dans cet exemple, le circuit 400' est identique 20 au circuit 400, avec des valeurs de composants pouvant être différentes, et tous les éléments du circuit 400' ont été désignés sur la figure 7 par les mêmes références que celles de la figure 4, complétées par le signe "'". Les noeuds d'entrée A' et B' du circuit 400' sont reliés 25 respectivement aux noeuds de sortie N et 0 du circuit 620. Une charge LD à alimenter est connectée entre les noeuds de sortie A' et E' du circuit 400', qui constituent les noeuds de sortie du générateur de la figure 7. Ainsi, dans l'exemple de la figure 7, chaque fois que 30 la tension aux bornes du condensateur Cb2 dépasse le seuil de commutation du circuit de comparaison 400', la charge LD est alimentée pendant une durée 'r', par une tension sensiblement égale à la tension aux bornes du condensateur Cb2 (à la chute de tension du transistor T2' près). 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 22 Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, les circuits de comparaison de tension 5 du type décrit en relation avec les figures 1 à 4 peuvent être utilisés dans d'autres applications que des générateurs à récupération d'énergie ambiante. A titre d'exemple non limitatif, un circuit de comparaison d'une tension à un seuil du type décrit en relation avec les figures 1 à 4 peut être utilisé pour 10 surveiller la charge et/ou la décharge d'une batterie, par exemple en vue de déclencher une alarme ou un interrupteur de déconnexion lorsqu'un niveau de charge et/ou de décharge critique est atteint. De plus, pour une utilisation dans un générateur à récupération d'énergie ambiante, les modes de réalisation décrits 15 ne se limitent pas aux exemples particuliers d'architectures de générateurs décrits en relation avec les figures 5 à 7. A titre de variante, un générateur à récupération d'énergie ambiante peut comporter uniquement la partie amont du générateur de la figure 5, sans le circuit de chargement inductif 20 520, une charge à alimenter pouvant alors être connectée entre les noeuds de sortie du circuit de comparaison. En outre, l'homme du métier saura adapter l'exemple de la figure 6 pour remplacer le circuit de chargement inductif 620 par un circuit de chargement de type Flyback, c'est-à-dire un 25 circuit comportant un transformateur permettant de charger le condensateur Cb2 à partir de la tension Ve. De plus, l'homme du métier saura adapter les exemples des figures 5 à 7, en remplaçant les circuits de comparaison 400, 400' par des circuits de comparaison du type décrit en relation 30 avec les figures 1 à 3. En outre, dans l'exemple de la figure 7, les deux circuits de comparaison de tension 400 et 400' peuvent ne pas être identiques, mais présenter des architectures différentes, choisies parmi les architectures décrites en relation avec les 35 figures 1 à 4. 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 23 Par ailleurs, on peut prévoir un générateur du type décrit en relation avec la figure 7, comportant plusieurs étages de chargement inductif cascadés, séparés par des circuits de comparaison de tension du type décrit en relation les figures 1 à REVENDICATIONS1. Circuit (100 ; 200 ; 300 ; 400) de comparaison d'une tension (Ve) à un seuil, comportant : des premier (A) et deuxième (B) noeuds d'application de ladite tension (Ve) ; une première branche comportant un premier transistor (Tl) en série avec une première résistance (R1) entre les premier (A) et deuxième (B) noeuds ; une deuxième branche parallèle à la première branche, comportant des deuxième (R2) et troisième (R3) résistances en 10 série formant un pont diviseur de tension entre les premier (A) et deuxième (B) noeuds, le point milieu (D) du pont diviseur étant connecté à un noeud de commande du premier transistor (Tl) ; et une troisième branche comportant un deuxième transistor (T2) en série avec un élément (Rf, Cf) résistif et/ou capacitif, 15 entre le noeud (D) de commande du premier transistor (Tl) et le premier (A) ou deuxième (B) noeud, un noeud de commande du deuxième transistor (T2) étant connecté au point milieu (C) de l'association en série du premier transistor (Tl) et de la première résistance (R1). 20 2. Circuit (100 ; 200 ; 400) selon la revendication 1, dans lequel le point milieu (E) de l'association en série du deuxième transistor (T2) et de l'élément (Rf, Cf) résistif et/ou capacitif, et le noeud (A ; B) d'application de ladite tension (Ve) non connecté à la troisième branche, constituent des noeuds 25 de fourniture d'une tension de sortie (Vs) du circuit, destinés à être connectés à une charge (LD) à alimenter. 3. Circuit (300) selon la revendication 1, comportant en outre : entre le point milieu (E) de l'association en série du 30 deuxième transistor (T2) et de l'élément (Rf, Cf) résistif et/ou capacitif, et le noeud (A) d'application de ladite tension (Ve) non connecté à la troisième branche, une quatrième résistance (R4) ; et 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 25 entre le noeud (A) d'application de ladite tension (Ve) non connecté à la troisième branche et un troisième noeud (F), un troisième transistor (T3) dont un noeud de commande est relié au point milieu (E) de l'association en série du deuxième transistor 5 (T2) et de l'élément (Rf) résistif et/ou capacitif, dans lequel le noeud (B) d'application de ladite tension (Ve) connecté à la troisième branche, et le troisième noeud (F), constituent des noeuds de fourniture d'une tension de sortie (Vs) du circuit, destinés à être connectés à une charge (LD) à 10 alimenter. 4. Circuit (100) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel : le premier transistor (Tl) est un transistor bipolaire NPN ou un transistor MOS à canal N ; 15 le deuxième transistor (T2) est un transistor MOS à canal P ou un transistor bipolaire PNP ; dans la première branche, la première résistance (R1) est côté premier noeud (A) et le premier transistor (Tl) est côté deuxième noeud (B) ; et 20 la troisième branche est entre le noeud (D) de commande du premier transistor (Tl) et le premier noeud (A.). 5. Circuit (200 ; 300 ; 400) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel : le premier transistor (Tl) est un transistor bipolaire 25 PNP ou un transistor MOS à canal P ; le deuxième transistor (T2) est un transistor MOS à canal N ou un transistor bipolaire NPN ; dans la première branche, la première résistance (R1) est côté deuxième noeud (B) et le premier transistor (Tl) est côté 30 premier noeud (A) ; et la troisième branche est entre le noeud (D) de commande du premier transistor (Tl) et le deuxième noeud (B). 6. Circuit (100 ; 200 ; 300) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel ledit élément résistif et/ou 35 capacitif est une résistance (Rf). 3030157 B13787 - DD15716SP/14-GR4-0686 26 5 thermistance ou une association d'une ou plusieurs résistances et d'une ou plusieurs thermistances. 9. Générateur à récupération d'énergie ambiante, comportant : un élément (501) de conversion d'énergie ambiante en énergie électrique ; un premier condensateur (Cbl) adapté à stocker des 15 charges générées par ledit élément de conversion (501) ; et un premier circuit de comparaison (400) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, le premier condensateur (Cbl) étant connecté entre les premier (A) et deuxième (B) noeuds du premier circuit de comparaison. 20 10. Générateur selon la revendication 9, comportant en outre un circuit de chargement inductif (520 ; 620) d'un deuxième condensateur (Cb2) à partir de la tension d'entrée (Ve) et du premier circuit de comparaison (400). 11. Générateur selon la revendication 10, dans lequel le 25 circuit de chargement inductif (520) est un circuit abaisseur de tension. 12. Générateur selon la revendication 10, dans lequel le circuit de chargement inductif (620) est un circuit élévateur de tension. 30 13. Générateur selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, comportant en outre un deuxième circuit de comparaison (400') selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, le deuxième condensateur (Cb2) étant connecté entre les premier (A') et deuxième (B') noeuds du deuxième circuit de comparaison. 7. Circuit (400) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel ledit élément résistif et/ou capacitif est une cellule RC comportant une résistance (Rf) et un condensateur (Cf). 8. Circuit (100 ; 200 ; 300 ; 400) selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans (R3) lequel au moins l'une une des deuxième (R2) et troisième résistances est