FR 3024910 A1 20160219 FR 1457861 A 20140818 B13634 - 13-GR3-1037FR 1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ PHOTONIQUE COUPLÉ OPTIQUEMENT À UN LASER EN UN MATÉRIAU III-V Domaine La présente demande concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant des composants photoniques sur silicium et un laser en un matériau III-V, l'un des composants photoniques étant un guide d'onde couplé optiquement au laser. Exposé de l'art antérieur Actuellement, des composants photoniques passifs ou actifs tels que des guides d'onde, des structures de couplage, des modulateurs, des photodétecteurs, etc... peuvent tous être formés dans une couche semiconductrice, couramment du silicium, et être associés de façon à former un circuit intégré photonique. Afin de connecter ces composants photoniques, une structure d'interconnexion encapsulée dans une région isolante est disposée sur une face de la couche de silicium. La structure d'interconnexion comprend plusieurs niveaux de métallisation reliés entre eux et aux composants photoniques par des vias électriquement conducteurs. Un composant photonique intéressant connu est un laser comprenant un milieu amplificateur en un matériau semiconducteur 20 composite III-V couplé optiquement à un guide d'onde d'un circuit intégré photonique. 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 2 Pour réaliser l'assemblage d'un tel laser en un matériau III-V et des éléments du circuit intégré photonique sur silicium, on peut procéder par report d'une plaquette de matériaux III-V comprenant les éléments du laser sur la couche de silicium dans 5 laquelle sont formés les composants photoniques. On considère ici le cas où la structure d'interconnexion est disposée du côté d'une face avant de la couche de silicium et où la plaquette de matériaux III-V est disposée du côté de la face arrière de cette couche de silicium. 10 Résumé On propose un procédé de réalisation d'un assemblage tel que ci-dessus et un circuit intégré photonique associé à un laser Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé de 15 fabrication d'un circuit intégré comprenant des composants photoniques sur silicium et un laser en un matériau III-V, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) prévoir une couche de silicium ayant une face avant et une face arrière, cette dernière reposant sur une première couche isolante elle- même reposant sur un support ; b) graver à partir de la face avant des premières tranchées à travers la couche de silicium en s'arrêtant sur la première couche isolante et recouvrir les parois et le fond des premières tranchées d'une couche de nitrure de silicium ; c) graver à partir de la face avant des deuxièmes tranchées à travers une partie seulement de l'épaisseur de la couche de silicium, ces deuxièmes tranchées étant formées à l'emplacement d'au moins certains des composants photoniques ; d) remplir les premières et deuxièmes tranchées d'oxyde de silicium et aplanir jusqu'à la face avant ; e) éliminer le support et la première couche isolante en s'arrêtant sur ladite face arrière et sur la couche de nitrure ; et f) coller, du côté de la face arrière, une plaque comportant une hétéro-structure III-V et graver ladite plaque pour délimiter le laser. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, entre 35 les étapes d) et e), les étapes successives suivantes : g) 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 3 recouvrir la face avant d'une deuxième couche isolante ; h) au-dessus d'une première tranchée, graver des troisièmes tranchées à travers la deuxième couche isolante et l'oxyde de silicium en s'arrêtant sur la couche de nitrure et remplir les troisièmes 5 tranchées de premiers vias d'un premier métal ; et i) former, du côté de la face avant, une structure d'interconnexion, un côté avant de chacun des premiers vias étant en contact avec une portion d'un niveau de métallisation de la structure d'interconnexion ; le procédé comprenant en outre, après l'étape f), les étapes 10 successives suivantes : j) recouvrir la structure d'interconnexion et le laser d'une région isolante ayant une surface exposée plane ; et k) graver, en regard du côté arrière des premiers vias, des quatrièmes tranchées à travers la région isolante en s'arrêtant sur la couche de nitrure, graver des portions exposées de la 15 couche de nitrure, et remplir les quatrièmes tranchées de deuxièmes vias d'un deuxième métal. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, à l'étape h), une étape de gravure de cinquièmes tranchées à travers la deuxième couche isolante jusqu'à des régions de prise de 20 contact de composant photonique du circuit intégré, et une étape de remplissage des cinquièmes tranchées de troisièmes vias du premier métal. Selon un mode de réalisation, le matériau de la première couche isolante est de l'oxyde de silicium. 25 Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre à l'étape f), le dépôt d'une couche d'oxyde de silicium sur la face arrière préalablement au collage de la plaque III-V. Selon un mode de réalisation, l'hétéro-structure III-V comprend successivement à partir du côté de la face arrière, une 30 couche de matériaux III-V dopés d'un premier type de conductivité, un empilement de couches de matériaux III-V adapté à former des puits quantiques, et une couche en un matériau III-V dopé du second type de conductivité. Selon un mode de réalisation, la plaque III-V est collée 35 par collage moléculaire à l'étape f). 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 4 Selon un mode de réalisation, l'épaisseur de la couche de nitrure de silicium est comprise entre 10 et 100 nia. Selon un autre aspect, un mode de réalisation prévoit un circuit intégré photonique comprenant une structure 5 d'interconnexion disposée du côté d'une face avant d'une couche de silicium, un laser comprenant des matériaux composites III-V disposé du côté d'une face arrière de la couche de silicium, et, dans la couche de silicium, des composants photoniques dont au moins un guide d'onde couplé optiquement au laser, chaque 10 composant étant délimité par des premières tranchées s'étendant à partir de la face avant jusqu'au niveau de la face arrière, chaque première tranchée étant revêtue d'une couche de nitrure de silicium et étant remplie d'oxyde de silicium, au moins certains des composants comprenant des deuxièmes tranchées remplies d'oxyde 15 de silicium s'étendant à partir de la face avant sur une partie seulement de l'épaisseur de la couche de silicium. Selon un mode de réalisation, le circuit comprend en outre au moins un premier via s'étendant depuis un niveau de métallisation de la structure d'interconnexion jusqu'au fond d'une 20 première tranchée, le circuit comprenant en outre au moins un deuxième via s'étendant depuis la surface exposée d'une région isolante encapsulant ledit laser jusqu'à l'un desdits au moins un premier via. Brève description des dessins 25 Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures 1 à 10 sont des vues en coupe schématiques 30 illustrant des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un circuit intégré photonique associé à un laser III-V. Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 5 cela est habituel dans la représentation des circuits intégrés, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Description détaillée Dans la suite de la description, sauf indication 5 contraire, les termes "environ", "de l'ordre de", etc., signifient "à 20% près", et des références directionnelles telles que "supérieur", "au-dessus", "latéral", "fond", etc., s'appliquent à des dispositifs orientés de la façon illustrée dans les vues en coupe correspondantes, étant entendu que, dans la pratique, ces 10 dispositifs peuvent être orientés différemment. Les figures 1 à 10 sont des vues en coupe schématiques illustrant des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un circuit intégré photonique comprenant d'une part des composants photoniques formés dans une couche 15 semiconductrice, couramment du silicium, et d'autre part un laser III-V couplé optiquement à un guide d'onde du circuit intégré photonique. En figure 1, des tranchées profondes 1 ont été gravées dans une couche de silicium 3 de type SOI ("Silicon On Insulator" 20 - silicium sur isolant) dont la face arrière F1 repose sur une couche isolante 5, par exemple une couche d'oxyde de silicium, désignée par l'acronyme BOX ("Buried OXide" - oxyde enterré), la couche isolante 5 reposant elle-même sur un support 7. Avant la gravure, la face avant F2 de la couche de 25 silicium 3 peut être revêtue d'une ou plusieurs couches de protection, par exemple d'une couche d'oxyde de silicium 9 elle-même revêtue d'une couche de nitrure de silicium 11. La gravure des tranchées 1 est effectuée à partir de la face avant F2 de la couche silicium 3 jusqu'à la face arrière Fl. 30 Après la gravure, une couche de nitrure de silicium 13 est déposée sur la surface exposée de la structure de sorte que les parois et le fond des tranchées profondes 1 sont revêtus de cette couche 13. Les tranchées profondes 1 délimitent des portions de la couche silicium 3 dans lesquelles seront formés des composants photoniques intégrés. 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 6 Lors de la gravure des tranchées profondes 1, on prévoit que certaines tranchées sont nettement plus larges que les autres. Certaines de ces tranchées plus larges sont destinées, comme on le verra ci-après, à accueillir des vias d'interconnexion. Une 5 seule tranchée plus large 1' est représentée ici. A titre d'exemple, le support 7 est une plaque de silicium. L'épaisseur de la couche de silicium 3 est par exemple comprise entre 200 nia et 1 gm et peut être égale à 300 nia. L'épaisseur de la couche isolante 5 est par exemple comprise entre 10 500 nia et 2,5 gm et peut être égale à 700 nia. L'épaisseur de la couche de nitrure 13 est par exemple comprise entre 10 et 100 nia et peut être égale à 30 nia. En figure 2, on a représenté la structure après gravure de tranchées partielles 15 dans la couche de silicium 3. Les 15 tranchées partielles 15 sont gravées à partir la face avant F2 de la couche de silicium 3 sur une partie seulement de l'épaisseur de cette couche, typiquement sur la moitié environ de l'épaisseur. La formation des tranchées partielles 15 est suivie du dépôt et de l'aplanissement d'oxyde de silicium 17 pour remplir les 20 tranchées 1, 1' et 15, le dépôt d'oxyde de silicium 17 étant par exemple effectué par dépôt chimique en phase vapeur. On a représenté à titre d'exemple des guides d'onde 19 et 21, un coupleur 23 et un modulateur 25 séparés par des tranchées profondes 1. Chacun de ces composants photoniques est défini dans 25 la couche de silicium de façon classique par la forme, la position et les dimensions des tranchées partielles 15 remplies d'oxyde de silicium 17. En figure 3, on a représenté la structure après un aplanissement s'arrêtant au niveau de la face avant F2 de la 30 couche de silicium 3, cette étape étant par exemple effectuée par polissage mécano-chimique. Des étapes d'implantation d'espèces dopantes peuvent être effectuées afin de former une ou plusieurs régions dopées de type N ou P dans la couche de silicium 3, par exemple pour former 35 des régions dopées du modulateur photonique intégré 25. Des 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 7 régions de prise de contact 27 avec ces régions dopées sont ensuite formées. En figure 4, on a représenté la structure après le dépôt sur la face avant F2 d'une couche isolante 29, par exemple une 5 couche d'oxyde de silicium, suivie de la gravure de tranchées 31 et 33 à partir de la surface supérieure de la couche isolante 29. Les tranchées 31 s'étendent à travers la couche 29 jusqu'aux régions de prise de contact 27. Les tranchées 33, formées en regard de la tranchée 1', s'étendent à travers la couche isolante 10 29 et à travers l'oxyde de silicium 17 remplissant la tranchée 1' jusqu'à la couche de nitrure 13 revêtant le fond de cette tranchée 1'. On voit ici un premier avantage de la couche de nitrure de silicium 13 qui sert de couche d'arrêt de gravure. En effet, 15 en l'absence de la couche de nitrure 13, la gravure des tranchées 33 à travers l'oxyde de silicium 17 ne pourrait pas être arrêtée sur l'oxyde de silicium de la couche isolante 5 (BOX). En figure 5, on a représenté la structure après le remplissage des tranchées 31 et 33 d'un métal pour constituer des 20 vias conducteurs qui seront également désignés par les références 31 et 33. Le métal des vias 31 et 33 peut être du tungstène. La réalisation des vias 31 et 33 est suivie de la formation, du côté de la face avant F2, d'une structure d'interconnexion. La structure d'interconnexion comprend des niveaux de 25 métallisation 39 séparés par des régions isolantes globalement désignées par la référence 35, et associés entre eux par des vias 41. Le côté avant de chacun des vias 31 et 33 est en contact avec des portions d'au moins certains des niveaux de métallisation 39 de sorte que certains des composants photoniques sont connectés 30 par l'intermédiaire de la structure d'interconnexion. Les niveaux de métallisation 39 et les vias 41 peuvent être en cuivre. Les régions isolantes 35 comprennent par exemple des empilements de couches d'oxyde de silicium et de nitrure de silicium. L'épaisseur de l'ensemble des régions isolantes 35 est par exemple comprise 35 entre 2 gm et 5 pm et peut être égale à environ 3 gm. 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 8 On notera que, lors de la réalisation des niveaux de métallisation, une portion 43 de l'un de ces niveaux peut être formée en regard du coupleur 23. Cette portion 43 de couche métallique constitue un miroir permettant de réfléchir la lumière 5 provenant du coupleur 23. Une poignée 37 est ensuite fixée, par exemple par collage moléculaire, à la surface supérieure des régions isolantes 35 de la structure d'interconnexion, la poignée étant par exemple une plaquette de silicium. 10 En figure 6, on a représenté la structure de la figure 5 après retournement et élimination du support 7 et de la couche isolante 5, l'élimination de la couche isolante 5 s'arrêtant sur la face arrière F1 de la couche de silicium 3 et sur la couche de nitrure 13. 15 On voit ici un deuxième avantage de la présence de la couche de nitrure de silicium 13. En l'absence de cette couche de nitrure, l'élimination de l'oxyde de silicium de la couche isolante 5 (BOX) ne peut pas être arrêtée exactement sur l'oxyde de silicium 17 remplissant les tranchées 1 et 1' ce qui conduirait 20 à une structure ayant une surface supérieure (du côté de la face arrière F1 en figure 6) non plane. La face arrière F1 de la couche de silicium 3 est ensuite revêtue d'une couche mince d'oxyde de silicium 45 dont l'épaisseur est par exemple comprise entre 10 et 300 nm et peut être égale à 25 100 nia. Du fait que la présence de la couche de nitrure de silicium 13 conduit à une face F1 ayant une surface plane, la surface supérieure de la couche mince d'oxyde de silicium est également plane. Dans certains modes de réalisation, il peut être utile 30 de former un élément de couplage entre le milieu amplificateur III-V d'un laser et le guide d'onde 19 formé dans la couche de silicium 3. Dans ce cas, comme cela est représenté en figure 6, la couche mince d'oxyde de silicium 45 est revêtue d'une couche de silicium amorphe 47 elle-même revêtue d'une couche mince 35 d'oxyde de silicium 49 dont la surface supérieure est également 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 9 plane. L'épaisseur de la couche de silicium amorphe 47 est par exemple comprise entre 100 et 300 nia et peut être égale à environ 200 nia. En figure 7, on a représenté la structure sur laquelle, 5 du côté de la face arrière Fl, une plaque ou une puce comprenant une hétéro-structure 51 de matériaux semiconducteurs composites III-V a été fixée par collage moléculaire. Par exemple, l'hétérostructure 51 comprend successivement, à partir du côté de la face Fl, une couche 53 comprenant des matériaux III-V dopés de type N, 10 un empilement de couches 55 formant des puits quantiques, et une couche 57 en un matériau composite III-V dopé de type P. Cette hétéro-structure repose initialement sur un support tel qu'un substrat en InP séparé de la couche 57 par une couche d'arrêt de gravure, le support et la couche d'arrêt de gravure étant retirés 15 par gravure une fois le collage moléculaire de la plaque ou de la puce comprenant l'hétéro-structure 51 effectué. La couche 53 peut être un empilement de couches en InP et en InGaAs, l'épaisseur de la couche 53 étant par exemple d'environ 200 nia. L'empilement de couches 55 formant les puits quantiques comprend par exemple des 20 couches en InGaAsP, l'épaisseur de cet empilement 55 pouvant être de l'ordre de 300 nia. La couche 57 est par exemple en InP. L'épaisseur de l'hétéro-structure 51 après retrait du support est par exemple comprise entre 2 et 10 gm et peut être égale à environ 3 gm. 25 La présence d'une couche de nitrure de silicium 13 ayant permis l'obtention, en figure 6, d'une structure dont la surface supérieure est revêtue d'une couche mince d'oxyde de silicium ayant une surface supérieure plane, le collage moléculaire de la plaque 51 sur cette couche est particulièrement satisfaisant. 30 En figure 8 on a représenté la structure après gravure de la plaque 51 et des couches 49 et 47. Dans cet exemple, une première gravure est effectuée à partir de la surface supérieure de la plaque 51 jusqu'à la couche mince 45 en laissant en place, de préférence en regard du guide d'onde 19, des portions des 35 couches 47 et 49 dont une partie au moins est surmontée de portions 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 10 des couches 53, 55 et 57 de la plaque 51. Une deuxième gravure est effectuée pour retirer des parties latérales des portions restantes des couches 55 et 57. Les portions restantes des couches 53, 55 et 57 constituent le milieu amplificateur 59 III-V d'un 5 laser, et la portion restante de la couche 47 constitue un moyen de couplage 61, par exemple un guide d'onde, couplant optiquement le milieu amplificateur 59 au guide d'onde 19 formé dans la couche de silicium 3. Ces étapes de gravure sont suivies de la formation de 10 régions de prise de contact 63 sur le milieu amplificateur 59, plus particulièrement au niveau des surfaces supérieures des portions restantes des couches 57 et 53. Une région isolante 65 est ensuite déposée du côté de la face arrière F1 sur toute la structure, la région isolante 15 s'étendant depuis la couche mince d'oxyde de silicium 45 jusqu'à un niveau supérieur à celui de la surface supérieure du milieu amplificateur 59. La région isolante est par exemple une couche d'oxyde de silicium aplanie. En figure 9 on a représenté la structure après gravure 20 de tranchées 67 et 69. Chaque tranchée 67 s'étend depuis la surface supérieure de la région isolante 65 jusqu'à une région de prise de contact 63. Chaque tranchée 69 est disposée en regard d'un via 33 et s'étend depuis la surface supérieure de la région isolante 65 jusqu'à la couche de nitrure de silicium 13 revêtant le fond 25 de la tranchées 1'. On voit ici un troisième avantage de la couche de nitrure de silicium 13 qui sert de couche d'arrêt de gravure. En l'absence de cette couche de nitrure 13, la gravure des tranchées 69 à travers l'oxyde de silicium de la région isolante 65 et de la 30 couche mince 45 jusqu'aux côtés arrières des vias 33 pourrait conduire à une gravure de l'oxyde de silicium 17 remplissant les tranchées 1 et 1'. En figure 10 on a représenté la structure après gravure des portions de la couche de nitrure de silicium 13 disposées au 35 fond des tranchées 69 pour découvrir le métal des vias 33 du côté 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 11 supérieur de ces derniers. Cette étape de gravure est suivie du remplissage des tranchées 67 et 69 d'un métal pour constituer des vias conducteurs qui seront également désignés par les références 67 et 69. 5 Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. Bien que l'on ait décrit un procédé de fabrication dans lequel une couche de silicium amorphe 47 et une couche mince 10 d'oxyde de silicium 49 ont été déposées sur la couche mince d'oxyde de silicium 45, dans des variantes de réalisation ne comprenant pas de moyen de couplage supplémentaire 61, les couches 47 et 49 peuvent ne pas être formées et le collage de la plaque 51 de matériaux III-V peut être effectué directement sur la couche mince 15 d'oxyde de silicium 45. De nombreuses variantes de réalisation de la source laser III-V et du couplage de cette source à un guide d'onde, avec ou sans coupleur intermédiaire, peuvent être prévues. Dans des variantes de réalisation, le moyen de couplage 61 peut être 20 disposé du côté de la face avant F2 de la couche de silicium 3. Dans ce cas, avant le dépôt de la couche isolante 29, on prévoit le dépôt sur la face F2 d'une couche mince d'oxyde de silicium, d'une couche de silicium amorphe, et d'une autre couche mince d'oxyde de silicium que l'on grave ensuite pour former un moyen 25 de couplage. On comprend ainsi que des étapes du procédé de fabrication peuvent être ajoutées ou supprimées et que l'ordre dans lequel sont réalisées ces étapes peut être modifié. De plus, bien que l'on n'ait pas décrit ici la réalisation d'une cavité résonante couplée optiquement au guide 30 d'onde 19 et au milieu amplificateur 59 du laser, une telle cavité peut être réalisée de manière classique par l'homme de métier, par exemple en gravant des réseaux de Bragg au niveau du guide d'onde 19 ou au niveau du moyen de couplage 61. On a présenté les avantages de la présence d'une couche 35 de nitrure 13 lorsque la couche isolante 5 (BOX) est en un même 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 12 matériau que celui remplissant les tranchées profondes 1 et 1', ici de l'oxyde de silicium. Ces avantages demeurent également lorsque les matériaux de ces régions sont différents et que l'élimination du matériau de la couche isolante 5 (BOX) est 5 effectuée par un procédé, par exemple par gravure, non sélectif par rapport au matériau remplissant les tranchées 1 et 1'. La disposition, la forme et le nombre des vias 31, 33, 41, 57 et 69, des niveaux de métallisation 39, et des composants photoniques 19, 21, 23 et 25 peuvent être adaptés par l'homme de 10 métier. D'autres composants photoniques tels qu'un photodétecteur peuvent également être formés dans la couche de silicium 3. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant des composants photoniques (19, 21, 23, 25) sur silicium et un laser (59) en un matériau III-V, le procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) prévoir une couche de silicium (3) ayant une face avant (F2) et une face arrière (F1), cette dernière reposant sur une première couche isolante (5) elle-même reposant sur un support (7) ; b) graver à partir de la face avant (F2) des premières tranchées (1, 1') à travers la couche de silicium (3) en s'arrêtant sur la première couche isolante (5) et recouvrir les parois et le fond des premières tranchées d'une couche de nitrure de silicium (13) ; c) graver à partir de la face avant (F2) des deuxièmes tranchées (15) à travers une partie seulement de l'épaisseur de la couche de silicium (3), ces deuxièmes tranchées étant formées à l'emplacement d'au moins certains des composants photoniques (19, 21, 23, 25) ; d) remplir les premières et deuxièmes tranchées d'oxyde de silicium (17) et aplanir jusqu'à la face avant (F2) ; e) éliminer le support (7) et la première couche isolante (5) en s'arrêtant sur ladite face arrière (F1) et sur la couche de nitrure (13) ; et f) coller, du côté de la face arrière (F1), une plaque 25 comportant une hétéro-structure III-V (51) et graver ladite plaque pour délimiter le laser (59). 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant, entre les étapes d) et e), les étapes successives suivantes : g) recouvrir la face avant (F2) d'une deuxième couche 30 isolante (29) ; h) au-dessus d'une première tranchée (1'), graver des troisièmes tranchées (33) à travers la deuxième couche isolante (29) et l'oxyde de silicium (17) en s'arrêtant sur la couche de 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 14 nitrure (13) et remplir les troisièmes tranchées de premiers vias (33) d'un premier métal ; et i) former, du côté de la face avant, une structure d'interconnexion (39, 41), un côté avant de chacun des premiers 5 vias (33) étant en contact avec une portion d'un niveau de métallisation (39) de la structure d'interconnexion ; le procédé comprenant en outre, après l'étape f), les étapes successives suivantes : j) recouvrir la structure d'interconnexion (39, 41) et 10 le laser (59) d'une région isolante (65) ayant une surface exposée plane ; et k) graver, en regard du côté arrière des premiers vias (33), des quatrièmes tranchées (69) à travers la région isolante (65) en s'arrêtant sur la couche de nitrure (13), graver des 15 portions exposées de la couche de nitrure, et remplir les quatrièmes tranchées de deuxièmes vias (69) d'un deuxième métal. 3. Procédé selon la revendication 2, comprenant, à l'étape h), une étape de gravure de cinquièmes tranchées (31) à travers la deuxième couche isolante (29) jusqu'à des régions de 20 prise de contact (27) de composant photonique (25) du circuit intégré, et une étape de remplissage des cinquièmes tranchées de troisièmes vias (31) du premier métal. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le matériau de la première couche isolante (5) 25 est de l'oxyde de silicium. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre à l'étape f), le dépôt d'une couche d'oxyde de silicium (45) sur la face arrière (F1) préalablement au collage de la plaque III-V. 30 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel l'hétéro-structure III-V (51) comprend successivement à partir du côté de la face arrière (F1), une couche (53) de matériaux III-V dopés d'un premier type de conductivité, un empilement de couches (55) de matériaux III-V 3024910 B13634 - 13-GR3-1037FR 15 adapté à former des puits quantiques, et une couche (59) en un matériau III-V dopé du second type de conductivité. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la plaque III-V est collée par collage moléculaire 5 à l'étape f). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel l'épaisseur de la couche de nitrure de silicium (13) est comprise entre 10 et 100 rua. 9. Circuit intégré photonique comprenant une structure 10 d'interconnexion (39, 41, 35) disposée du côté d'une face avant (F2) d'une couche de silicium (3), un laser (59) comprenant des matériaux composites III-V disposé du côté d'une face arrière (F1) de la couche de silicium, et, dans la couche de silicium, des composants photoniques (19, 21, 23, 25) dont au moins un guide 15 d'onde (19) couplé optiquement au laser, chaque composant étant délimité par des premières tranchées (1, 1') s'étendant à partir de la face avant jusqu'au niveau de la face arrière, chaque première tranchée étant revêtue d'une couche de nitrure de silicium (13) et étant remplie d'oxyde de silicium (17), au moins 20 certains des composants comprenant des deuxièmes tranchées (15) remplies d'oxyde de silicium (17) s'étendant à partir de la face avant sur une partie seulement de l'épaisseur de la couche de silicium. 10. Circuit selon la revendication 9, comprenant en outre au moins un premier via (33) s'étendant depuis un niveau de métallisation (39) de la structure d'interconnexion jusqu'au fond d'une première tranchée (1, 1'), le circuit comprenant en outre au moins un deuxième via (69) s'étendant depuis la surface exposée d'une région isolante (65) encapsulant ledit laser (59) jusqu'à l'un desdits au moins un premier via (33).