FR 3030115 A1 20160617 FR 1462194 A 20141210 1 DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un condensateur à capacité variable comprenant un matériau à changement d'état résistif et un procédé de variation de la capacité. L'invention trouvera son application dans le domaine de la micro-électronique ce qui comprend les nanotechnologies et notamment dans des applications nécessitant des composants dont les propriétés appartiennent au domaine de la micro-électronique et plus particulièrement dans des applications nécessitant des composants dont les propriétés peuvent être modifiées en fonction du besoin. ETAT DE LA TECHNIQUE L'industrie de la microélectronique est soumise à des contraintes importantes de miniaturisation afin de réaliser des circuits de plus en plus complexes dans un encombrement de plus en plus réduit. Par exemple pour répondre aux besoins de la téléphonie mobile il est nécessaire de réaliser des circuits permettant de commuter entre les différentes fonctions du téléphone (téléphonie sur différentes bandes de fréquences, réseau local, internet,...) sans augmenter la taille de l'appareil. On connaît de US-B1-6,977,198 des condensateurs métal-isolant-métal réalisés en alternant des couches de métaux et d'isolants permettant de mettre deux condensateurs ayant une électrode commune en parallèle afin d'obtenir une valeur de capacité plus importante sur une surface équivalente. Ces condensateurs ne permettent pas de faire varier la valeur de la capacité. Afin de faire face à cette demande, il est nécessaire de développer des composants variables dont les propriétés peuvent être modifiées en fonction du besoin. Dans ce contexte, les capacités variables sont un élément essentiel du développement des circuits électroniques et en particulier des circuits RF (Radio Fréquences). On connaît les capacités commutées sous forme de Microsystèmes électromécaniques (MEMS). Dans une capacité commutée MEMS telle que décrite dans US-A1-2012/0280393, deux états de capacités peuvent être obtenus en appliquant un signal de commande électrostatique permettant de déplacer une électrode suspendue de la capacité. Le déplacement de cette électrode permet de faire varier l'espacement inter-électrode de la capacité modifiant ainsi la valeur de la capacité. Un tel dispositif fait appel à une conception électromécanique complexe et doit être protégé par un packaging afin de pouvoir garantir sa fiabilité. On connait des empilements Metal Oxyde Semiconducteur (MOS) et des diodes varactor (de l'anglais variable reactor) à capacité variable ou bien des empilements avec deux électrodes enchâssant un matériau de type ferroélectrique dont la constante diélectrique peut être modifiée de façon continue entre deux valeurs en lui appliquant 3030115 2 un champ diélectrique externe. Dans ces trois dispositifs, la capacité peut être modifiée de façon continue entre deux valeurs, mais une tension de courant continu doit rester appliquée pour maintenir une valeur de capacité. Il existe donc le besoin de proposer un condensateur à capacité variable qui soit 5 facilement intégrable au sein des circuits micro-électronique et de préférence nécessitant peu de puissance pour fonctionner. RÉSUMÉ DE L'INVENTION La présente invention propose à cet effet un condensateur à capacité variable qui peut être basé sur le principe d'une capacité MIM (Métal-isolant-Métal) intégrant un 10 matériau à changement d'état afin de pouvoir faire varier la valeur de la capacité. Le condensateur selon l'invention comprend une première et une deuxième électrode en regard l'une de l'autre et espacées par un matériau diélectrique. La deuxième électrode est formée d'une part d'une électrode primaire en matériau conducteur électriquement et d'autre part d'une électrode additionnelle comprenant un 15 matériau à changement d'état. L'électrode primaire et l'électrode additionnelle sont en regard de la première électrode. Le matériau à changement d'état est au moins partiellement disposé au contact de l'électrode primaire. Le matériau à changement d'état est configuré pour prendre alternativement un état fortement résistif et un état faiblement résistif. Dans l'état faiblement résistif, le matériau à changement d'état est 20 conducteur se mettant en conduction électrique avec l'électrode primaire. Dans l'état fortement résistif, le matériau à changement d'état est résistant de sorte à isoler l'électrode primaire. La surface électriquement active de la deuxième électrode est différente selon l'état du matériau à changement d'état. Ce changement de surface électriquement active entraîne une variation de la capacité du condensateur. 25 De cette manière, lorsque le matériau à changement d'état est dans un état fortement résistif, la surface électriquement active de la deuxième électrode en regard de la première électrode correspond à la surface de l'électrode primaire en regard de la première électrode. Lorsque le matériau à changement d'état est dans un état faiblement résistif, la surface électriquement active de la deuxième électrode 30 correspondant à la somme des surfaces de l'électrode primaire et de l'électrode additionnelle en regard de la première électrode. L'invention ne comporte aucun élément mobile, il ne nécessite donc pas d'environnement adapté. Le condensateur selon l'invention peut prendre au moins deux valeurs de 35 capacité. Le changement entre les différentes valeurs de capacités est obtenu en fonction de l'état du matériau à changement d'état. Avantageusement, le condensateur 3030115 3 comprend des moyens de commande configurés pour appliquer un signal de commande adapté au niveau du matériau à changement d'état. Une fois le changement effectué, le matériau à changement d'état reste dans un état stable jusqu'au changement suivant. Préférentiellement, une fois le changement d'état 5 effectué, le signal de commande peut être coupé, le matériau est stable dans son état jusqu'à l'application d'un nouveau signal de commande. Il n'y a donc pas de consommation d'énergie en dehors des phases de changement d'état. De plus, l'invention utilise des matériaux à changement d'état tels que des matériaux à changement de phase, qui présentent une très bonne compatibilité avec 10 les technologies MOS permettant de réaliser sur une même plaque de silicium le condensateur objet de l'invention et des circuits actifs. Selon un mode de réalisation préféré, l'électrode additionnelle comprend une couche de matériau conducteur électriquement disposée de sorte à ce que le matériau à changement d'état soit placé entre l'électrode primaire et la couche de matériau 15 conducteur électriquement de l'électrode additionnelle. L'invention concerne également un condensateur à capacité variable comprenant une pluralité d'empilements tels que décrits ci-dessus. Avantageusement, chaque empilement est réuni avec l'empilement n+1 par la première électrode de l'empilement n qui joue le rôle d'électrode primaire de la deuxième électrode de l'empilement n+1. 20 Avantageusement, la première électrode l'empilement n+1 est électriquement reliée à la deuxième électrode de l'empilement n. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière 25 qui est illustré par les figures d'accompagnement dans lesquelles : Figure 1 : Vue en coupe d'un condensateur à capacité variable suivant un premier mode de réalisation. Figure 2 : Schéma électrique du condensateur illustré à la figure 1. Figure 3 : Vue en coupe d'un condensateur à capacité variable suivant une 30 première variante du premier mode de réalisation. Figure 4 : Vue en perspective partiellement éclatée suivant la figure 3. Figure 5 : Vue en perspective partiellement éclatée d'une deuxième variante de la figure 3. Figure 6 : Vue en perspective partiellement éclatée d'une troisième variante du 35 premier mode de réalisation. 3030115 4 Figure 7 : Vue en coupe d'un condensateur à capacité variable suivant un deuxième mode de réalisation. Figure 8: Vue en coupe d'un condensateur à capacité variable suivant un troisième mode de réalisation. 5 Figure 9 : Vue en coupe d'un condensateur à capacité variable comprenant deux empilements suivant le premier mode de réalisation. Figure 10 : Schéma électrique du condensateur illustré à la figure 9. Les dessins joints sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à 10 faciliter la compréhension de l'invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les épaisseurs relatives des différentes couches et films ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION 15 Avant d'entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l'invention, sont énoncées ci-après des caractéristiques optionnelles qui peuvent éventuellement être utilisées en association ou alternativement. On rappelle tout d'abord que l'invention porte, selon un aspect, sur un condensateur électrique à capacité variable comprenant au moins un premier 20 empilement comprenant une première électrode et une deuxième électrode en regard de la première électrode et une zone d'un matériau diélectrique disposée entre lesdites première et deuxième électrodes caractérisé en que la deuxième électrode est formée pour une part d'une électrode primaire en un matériau électriquement conducteur et, pour une autre part, d'une électrode additionnelle comprenant un matériau à 25 changement d'état, l'électrode primaire et l'électrode additionnelle étant en regard de la première électrode, ledit matériau à changement d'état étant disposé au moins partiellement au contact de l'électrode primaire et configurée pour prendre alternativement un état fortement résistif dans lequel l'électrode additionnelle est isolée électriquement de l'électrode primaire et un état faiblement résistif dans lequel 30 l'électrode additionnelle est en conduction électrique avec l'électrode primaire de sorte à faire varier la surface électriquement active de la deuxième électrode. Avantageusement, l'électrode additionnelle comprend une couche de matériau conducteur électriquement disposée de sorte que le matériau à changement d'état soit placé au moins partiellement entre l'électrode primaire et la couche de matériau 35 conducteur électriquement de l'électrode additionnelle. Préférentiellement, la couche 3030115 5 de matériau conducteur électriquement de l'électrode additionnelle est en contact avec la couche de matériau à changement d'état. Avantageusement, l'électrode primaire et l'électrode additionnelle sont au moins partiellement superposées. 5 Avantageusement, la première électrode comprend une première couche de matériau conducteur électriquement et une deuxième couche de matériau conducteur électriquement connectées électriquement de sorte à enchâsser la zone de matériau diélectrique, la zone de matériau diélectrique enchâssant la deuxième électrode. Avantageusement, l'électrode primaire et l'électrode additionnelle sont au moins 10 partiellement dans un même plan. Avantageusement, le matériau à changement d'état comprend une couche discontinue formant des parcelles placées dans une matrice de matériau diélectrique. Avantageusement, l'électrode primaire est une couche discontinue configurée pour permettre un recouvrement au moins partiel avec la couche discontinue de 15 matériau à changement d'état, préférentiellement placée dans une matrice de matériau diélectrique Avantageusement, la couche de matériau conducteur électriquement de l'électrode additionnelle est une couche discontinue configurée pour permettre un recouvrement au moins partiel avec la couche discontinue de matériau à changement 20 d'état, préférentiellement placée dans une matrice de matériau diélectrique. Avantageusement, le condensateur comprend des moyens de commande de l'état du matériau à changement d'état. Avantageusement, le matériau à changement d'état est un matériau bistable, préférentiellement dans un état faiblement résistif et dans un état fortement résistif, en 25 l'absence d'action des moyens de commande. Avantageusement, les moyens de commande sont conformés pour appliquer une différence de potentiel entre l'électrode primaire et la couche de matériau conducteur électriquement de l'électrode additionnelle. Avantageusement, les moyens de commande comprennent une source de 30 chaleur configurée pour générer un échauffement du matériau à changement d'état. Avantageusement, la source de chaleur est une source de lumière. Avantageusement, la source de lumière est un signal laser pulsé. Avantageusement, le condensateur comprend au moins deux empilements dans lequel une des électrodes choisie parmi la première ou la deuxième électrode d'un 35 empilement n étant commune à une électrode choisie parmi la deuxième ou la première électrode d'un empilement n+1, ladite électrode commune étant formée pour 3030115 6 une part d'une électrode primaire de l'empilement n+1 en un matériau conducteur électriquement et, pour une autre part, d'une électrode additionnelle comprenant un matériau à changement d'état, l'électrode primaire et l'électrode additionnelle étant en regard d'une première électrode de l'empilement n+1, ledit matériau à changement 5 d'état étant disposé au moins partiellement au contact de l'électrode primaire et configuré pour prendre alternativement un état fortement résistif dans lequel l'électrode additionnelle est isolée électriquement de l'électrode primaire et un état faiblement résistif dans lequel l'électrode additionnelle est en conduction électrique avec l'électrode primaire de sorte à faire varier la surface électriquement active de ladite 10 électrode commune. Avantageusement, la première électrode d'un empilement n comprend une première couche de matériau conducteur électriquement et une deuxième couche de matériau conducteur électriquement connectées électriquement de sorte à enchâsser la deuxième électrode de l'empilement n et la zone de matériau diélectrique et dans 15 lequel l'électrode primaire de la deuxième électrode de l'empilement n+1 est formée par la deuxième couche de matériau conducteur électriquement de la première électrode de l'empilement n. Avantageusement, la première électrode de l'empilement n+ 1 est connectée électriquement à la l'électrode primaire de l'empilement n de sorte à enchâsser la 20 deuxième électrode de l'empilement n+1. Suivant un autre aspect l'invention concerne, un procédé de variation de la capacité d'un condensateur à capacité variable tel que décrit ci-dessus caractérisé en ce qu'il comprend l'application d'un signal de commande de changement d'état du matériau à changement d'état de sorte à le faire passer d'un état fortement résistif 25 dans lequel l'électrode additionnelle est isolée électriquement de l'électrode primaire et un état faiblement résistif dans lequel l'électrode additionnelle est en conduction électrique avec l'électrode primaire de sorte à faire varier la surface électriquement active de la deuxième électrode et de fait la capacité du condensateur. Avantageusement, l'application d'un signal de commande est d'une durée limitée 30 au changement d'état du matériau à changement d'état, lorsque le matériau à changement d'état est bistable. Avantageusement, le signal de commande est une différence de potentiel appliqué entre la couche de matériau conducteur électriquement de l'électrode primaire et la couche de matériau conducteur électriquement de l'électrode additionnelle. 35 Avantageusement, le signal de commande est un échauffement du matériau à changement d'état généré par une source de chaleur. 3030115 7 Avantageusement, la source de chaleur est une source de lumière. Avantageusement, la source de lumière est un signal laser pulsé. Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur », « surmonte » ou « sous-jacent » ou leurs équivalents ne signifient pas obligatoirement 5 « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt d'une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que la première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact soit en étant séparée d'elle par une autre couche ou un autre élément. 10 Il est établit que la capacité électrique d'un condensateur se détermine essentiellement en fonction de la géométrie des électrodes et de la nature du ou des isolants ; la formule simplifiée suivante est souvent utilisée pour estimer sa valeur : C = E -e Formule I avec S : surface des électrodes en regard, e distance entre les électrodes 15 et c la permittivité du diélectrique. On entend par surface électriquement active de la deuxième électrode, la surface de la deuxième électrode 5 en regard de la première électrode 2 et qui est dans un état conducteur électriquement. Le condensateur selon l'invention est formé sur un substrat 20, par exemple en 20 silicium passive. Le condensateur selon l'invention comprend un premier empilement comprenant une première électrode 2 et une deuxième électrode 5 en regard l'une de l'autre et espacée par une zone de matériau diélectrique 10. De manière plus générale, le condensateur comprend une première armature et 25 une deuxième armature. Les parties de la première armature et de la deuxième armature en regard constituent respectivement la première électrode 2 et la deuxième électrode 5. La zone de matériau diélectrique 10 espace la première électrode 2 et la deuxième électrode 5. On entend par zone une ou plusieurs couches de matériau 30 diélectrique reliées entre elles. La zone 10 comprend préférentiellement, au moins une couche d'au moins un matériau diélectrique et telle qu'illustrée aux figures 1 et 3 à 7 au moins deux couches reliées. A titre d'exemple, le au moins un matériau diélectrique est choisi parmi SiO2 ou SiN. Préférentiellement, le matériau diélectrique est déposé par PECVD (en anglais Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le matériau 35 diélectrique est préférentiellement le même dans toute la zone 10. 3030115 8 La première électrode 2 est en matériau conducteur électriquement. Préférentiellement, la première électrode comprend au moins une première couche de matériau conducteur électriquement 3. Selon l'invention, la deuxième électrode 5 comprend une électrode primaire 6 et 5 une électrode additionnelle 7. L'électrode primaire 6 comprend une couche de matériau électriquement conducteur et préférentiellement l'électrode primaire 6 est en matériau électriquement conducteur L'électrode additionnelle 7 comprend un matériau à changement d'état 8. L'électrode primaire 6 et l'électrode additionnelle 7 sont en regard de la première électrode 2. 10 L'électrode primaire 6 et l'électrode additionnelle 7 sont au moins partiellement en contact l'une de l'autre. Selon un exemple illustré sur les figures 1 à 7, l'électrode primaire 6 et l'électrode additionnelle 7 sont superposées au moins partiellement. Selon un autre exemple illustré en figure 8, l'électrode primaire 6 et l'électrode additionnelle 7 sont sur un même niveau d'empilement, préférentiellement en contact 15 dans le plan. Le matériau à changement d'état 8 est un matériau dans lequel une transition résistive peut être observée. Le matériau à changement d'état 8 est configuré pour prendre alternativement un état fortement résistif et un état faiblement résistif. Le matériau à changement d'état 8 est dit dans un état fortement résistif, lorsque sa 20 résistance est typiquement de l'ordre de 1 Mn. Le matériau à changement d'état 8 est dit dans un état faiblement résistif lorsque que sa résistance est typiquement de l'ordre de 1 û. Le ratio défini entre la résistance du matériau à changement d'état dans un état fortement résistif et sa résistance dans un état faiblement résistif est compris entre 10, préférentiellement 100, et 1 000 000 Un ratio de 10, préférentiellement 100, est 25 défini entre la résistance du matériau à changement d'état dans un état fortement résistif et sa résistance dans un état faiblement résistif. La capacité totale du condensateur Ctot est mesurée entre les deux bornes 24, 25 de la première électrode 2 et de l'électrode primaire 6 de la deuxième électrode 5. Dans l'état fortement résistif, la résistance du matériau à changement d'état 8 30 est telle que celui-ci se comporte comme un isolant et ne conduit pas de courant électrique. Dans l'état faiblement résistif, la résistance du matériau à changement d'état 8 est telle que celui-ci permet une conduction du courant électrique. Cette différence d'état entraîne une variation de la surface électriquement 35 active de la deuxième électrode 5 et de fait une variation dans la capacité du condensateur suivant la formule I donnée ci-avant. Dans un état fortement résistif, la 3030115 9 surface électriquement active de la deuxième électrode 5 correspond à la surface de l'électrode primaire 6 en regard de la première électrode 2. Dans un état faiblement résistif, la surface électriquement active de la deuxième électrode 5 correspond à la somme de la surface de l'électrode primaire 6 en regard de la première électrode 2 et 5 de la surface de l'électrode additionnelle 7 en regard de la première électrode 2. Selon un mode de réalisation préféré illustré sur l'ensemble des figures, l'électrode additionnelle 7 comprend une couche de matériau conducteur électriquement 9 agencée de sorte que le matériau à changement d'état 8 se situe au moins partiellement entre l'électrode primaire 6 et la couche de matériau conducteur 10 électriquement 9 de l'électrode additionnelle 7. Suivant une première possibilité de ce mode de réalisation, la première électrode 2 comprend une première couche de matériau électriquement conducteur 3 et une deuxième couche de matériau électriquement conducteur 4 connectées électriquement. La première couche de matériau électriquement conducteur 3 étant au 15 moins partiellement en regard de l'électrode primaire 6 espacées par au moins une portion de la zone de matériau diélectrique 10. La deuxième couche de matériau électriquement conducteur 4 étant au moins partiellement en regard de l'électrode additionnelle 7 espacées par au moins une portion de la zone de matériau diélectrique 10. La première électrode 2 enchâsse la deuxième électrode 5 et la zone de matériau 20 diélectrique. La première électrode a une forme en U. Plus précisément, on peut obtenir l'empilement illustré en figure 1 et ses variantes illustrées aux figures 3 à 6. Défini différemment, le condensateur selon l'invention comprend successivement au moins un empilement comprenant de bas en haut au moins : - une première capacité comprenant : 25 - une première couche de matériau conducteur formant une première électrode, - une première couche du matériau diélectrique, - une deuxième couche de matériau conducteur formant une deuxième électrode, 30 - une deuxième capacité comprenant : - une troisième couche de matériau conducteur formant une troisième électrode, - une deuxième couche du matériau diélectrique, - une quatrième couche de matériau conducteur formant une 35 quatrième électrode. 3030115 10 Selon cette définition, l'empilement du condensateur comprend une couche de matériau à changement d'état disposée entre la deuxième électrode et la troisième électrode configurée pour prendre alternativement un état faiblement résistif dans lequel la deuxième électrode et la troisième électrode sont en continuité électrique et 5 un état fortement résistif dans lequel la deuxième électrode et la troisième électrode sont isolées électriquement et que la première couche de matériau conducteur et la quatrième couche de matériau conducteur sont électriquement connectées. Une première capacité Cl du condensateur est formée entre la première électrode 2 et l'électrode primaire 6 espacée par au moins une portion de la zone de 10 matériau diélectrique 10. Une deuxième capacité C2 du condensateur est formée entre la première électrode 2 et l'électrode additionnelle 7 espacée par au moins une portion de la zone de matériau diélectrique 10. On entend par portion de la zone de matériau diélectrique 10 une partie de la 15 zone formant une couche entre deux couches de matériau conducteur électriquement. Lorsque le matériau à changement d'état 8 est dans un état faiblement résistif : - la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 est électriquement connectée à l'électrode primaire 6. Dans ce cas, la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 et l'électrode primaire 6 forment une 20 électrode commune, la deuxième électrode 5. Comme la première couche de matériau conducteur 3 et la deuxième couche de matériau conducteur 4 forment aussi une électrode commune par construction, la première électrode 2, alors la deuxième capacité C2 se retrouve placée électriquement en parallèle sur Cl entre les deux bornes 24, 25 du condensateur. La capacité totale Ctot du condensateur est donc la 25 résultante des capacités Cl et C2 placées en parallèle ; - la couche de matériau conducteur 9 est en continuité électrique avec l'électrode primaire 6. La surface électriquement active de la deuxième électrode 5 comprend la surface de l'électrode primaire 6 en regard de la première électrode 2, plus précisément en regard de la première couche de matériau conducteur 3 et la 30 surface de l'électrode additionnelle 7, c'est-à-dire la couche de matériau conducteur 9 si elle est présente ou à défaut la surface du matériau à changement d'état 8, en regard de la première électrode 2, plus précisément de la deuxième couche de matériau conducteur électriquement 4 ; - et comme le modèle électrique du matériau à changement d'état 8 peut être 35 considéré comme une résistance R1, dont la valeur dépend de l'état dudit matériau à changement d'état 8, en parallèle avec une capacité C3, dont la valeur dépend 3030115 11 principalement de la largeur de l'électrode primaire 6, de l'épaisseur du matériau à changement d'état 8 et de l'épaisseur de la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 et tel le schéma illustré en figure 2. Suivant ce schéma, lorsque le matériau à changement d'état est dans un état faiblement résistif, la couche 5 de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 est électriquement connectée à l'électrode primaire 6 par la résistance R1 et peuvent être considérées comme une électrode commune, la deuxième électrode 5. Comme la première couche de matériau conducteur 3 et la deuxième couche de matériau conducteur 4 forment aussi une électrode commune par construction, la première électrode 2 alors la deuxième 10 capacité C2 se retrouve placée électriquement en parallèle sur Cl entre les deux bornes 24, 25 du condensateur. La capacité totale Ctot du dispositif est donc la résultante des capacités Cl et C2 placées en parallèle, C3 étant négligeable. A contrario, lorsque le matériau à changement d'état 8 est dans un état fortement résistif : 15 - la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 est électriquement isolée de l'électrode primaire 6 par la forte résistance du matériau à changement d'état 8. Dans ce cas la capacité totale Ctot du dispositif est uniquement égale à Cl ; - seule l'électrode primaire 6 constitue une surface électriquement active de la 20 deuxième électrode 5 ; - et comme le modèle électrique du matériau à changement d'état 8 peut être considéré comme une résistance R1, dont la valeur dépend de l'état dudit matériau à changement d'état 8, en parallèle avec une capacité C3, dont la valeur dépend principalement de la largeur de l'électrode primaire 6, de l'épaisseur du matériau à 25 changement d'état 8 et de l'épaisseur de la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 et tel le schéma illustré en figure 2. Suivant ce schéma, lorsque le matériau à changement d'état 8 est dans un état fortement résistif, la couche de matériau électriquement conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 est électriquement isolée de l'électrode primaire 6 par la forte résistance du matériau à 30 changement d'état 8 et électriquement connectée à l'électrode primaire 6 par une capacité C3. Dans ce cas on peut considérer que la capacité totale Ctot du condensateur est la résultante de la capacité Cl placée en parallèle des deux capacités séries C2 et C3. Les couches de matériaux conducteurs électriquement 3, 4, 6, 9, sont par 35 exemple des métaux comme du Nickel (Ni), de l'Argent (Ag), de l'Aluminium (AI), du cuivre (Cu), de l'or (Au) ou du Tungstène ('N) déposé par exemple par une méthode 3030115 12 PVD (Physical vapor Deposition). Outre les métaux, ces matériaux peuvent être tout type de conducteurs électriques comme par exemple des semiconducteurs (Silicium dopé par exemple), des oxydes métalliques (exemple : oxyde de ruthénium RuO2, Oxyde d'iridium lrO2) des films conducteurs transparents (exemple : oxyde conducteur 5 comme l'ITO, polymère conducteur comme le PEDOT). Les motifs géométriques des couches de matériaux conducteurs électriquement sont ensuite formés par exemple par des étapes de photo litho gravure. Préférentiellement des couches intermédiaires de TiN par exemple peuvent être déposées entre les couches de matériaux conducteurs, le matériau diélectrique et le 10 matériau à changement d'état pour former des couches de passivation ou des couches d'accroches. Ces couches ne sont ni détaillées, ni représentées sur les figures car elles ne sont pas fonctionnelles dans le cadre de la présente invention. Le condensateur selon l'invention comprend des moyens de commande de l'état du matériau à changement d'état 8. 15 Préférentiellement selon l'invention, les matériaux à changement d'état 8 sont de type matériaux à changement de phase et utilisent préférentiellement un échauffement par effet joule pour changer d'état. Selon une possibilité, cet échauffement par effet joule est effectué de préférence en appliquant une différence de potentiel pour générer un pulse de courant dans le 20 matériau à changement d'état 8. Avantageusement, la transition résistive du matériau à changement d'état 8 est contrôlée par la couche de matériau conducteur électriquement 9 de l'électrode additionnelle 7. Les moyens de commandes comprennent selon une possibilité une ligne de 25 commande connectée à la couche de matériau conducteur électriquement 9 destinée à appliquer une tension de polarisation entre la ligne de commande et la borne 24 de l'électrode primaire 6. Les tensions de polarisation nécessaires pour obtenir le changement d'état du matériau à changement d'état 8 sont de l'ordre de quelques volts (1 à 10V) et la puissance demandée de l'ordre de la dizaine de mW 30 Cette disposition permet d'amener le signal de commande du changement d'état par une ligne de commande indépendante des bornes 24, 25 d'entrée et de sortie, ce qui autorise le découplement du signal de commande du signal à transmettre. Selon une autre possibilité, toute source de chauffage permettant un échauffement intense et bref du matériau à changement d'état 8 peut être utilisé. On 35 pourra par exemple commander le changement d'état grâce à une impulsion laser tel qu'illustré en figure 6. Les moyens de commande comprennent une source de chaleur, 3030115 13 par exemple une source de lumière notamment de lumière pulsée type laser. Suivant cette possibilité, la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 peut être conservée comme une simple électrode flottante ou peut être supprimée. Selon un mode de réalisation illustré en figures 3 à 5, le matériau à changement 5 d'état 8 peut être remplacé par au moins une parcelle 11 de ce matériau à changement d'état placée dans une matrice de matériau diélectrique 10. Les dimensions géométriques de cette parcelle sont suffisamment petites pour permettre une transition résistive plus efficace, c'est-à-dire avec un contraste de résistance plus élevé. Le changement d'état nécessite également moins d'énergie. 10 Préférentiellement, l'empilement 1 du condensateur comprend un réseau de parcelles 11, illustré aux figures 3 à 5. Cette mise en réseau permet de diminuer la résistance totale entre l'électrode primaire 6 et la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 lorsque le matériau à changement d'état 8 est dans un état faiblement résistif. 15 Les parcelles 11 peuvent prendre différentes formes géométriques que ce soit des lignes ou des plots. Les parcelles 11 peuvent être commandées par des moyens de commande communs ou indépendants. Dans le cas tel que sur les figures 3 et 4, la ligne de commande de la couche de 20 matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 peut être remplacée par un réseau de lignes de commandes, chaque ligne commandant la transition résistive d'une parcelle 11 de matériau à changement d'état 8. Il est alors possible de contrôler indépendamment chaque parcelle 11 pour être certain d'avoir une transition résistive complète sur l'ensemble des parcelles 11. Ce contrôle individuel permet également de 25 pouvoir faire commuter séparément chaque parceIIe11 afin de pouvoir obtenir plusieurs valeurs de résistance. Le matériau à changement d'état 8 devient ainsi une couche résistive ajustable pouvant prendre plusieurs valeurs de résistances. La couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 s'apparente à une électrode de commande de l'état du matériau à changement de d'état 8. Dans le 30 mode de réalisation où le matériau à changement d'état 8 est sous forme de parcelles 11, la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 est préférentiellement sous forme d'une grille. Cette grille est préférentiellement complémentaire du réseau de parcelles 11 du matériau à changement d'état 8.. La forme de la grille est préférentiellement configurée pour permettre un recouvrement au 35 moins partiel avec les parcelles 11. Il y a un contact entre les parcelles 11 et la grille. 3030115 14 Cette forme de grille telle qu'en figure 5 permet de concentrer les lignes de champ électrique et/ou le passage du courant dans les parcelles. L'électrode primaire 6 peut être optimisée de la même façon. Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, le condensateur est défini 5 dans un plan afin de réaliser un condensateur ajustable en utilisant moins de niveaux technologiques. Un exemple de ce mode de réalisation est illustré à la figure 7. Le condensateur comprend une première électrode 2 comprenant une couche de matériau conducteur 3 planaire et une deuxième électrode 5 comprenant une électrode primaire 6 en matériau conducteur et une électrode additionnelle 7 comprenant un 10 matériau à changement d'état 8 et une couche de matériau conducteur électrique 9. Le matériau à changement d'état 8 est placé entre l'électrode primaire 6 et la couche de matériau conducteur électriquement 9. Une zone de matériau diélectrique 10 sépare la première électrode 2 de la deuxième électrode 5. La couche de matériau conducteur électriquement 9 est disposée en regard de la première électrode 2, plus précisément 15 en regard de la couche de matériau conducteur électriquement 3. De cette manière, l'empilement 1 du condensateur comprend au moins un niveau de matériau conducteur de moins que le mode de réalisation illustré aux figures précédentes 1 à 6. L'empilement comprend de bas en haut sur un substrat 20 une couche de 20 matériau conducteur 3 formant la première électrode 2, puis une zone de matériau diélectrique 10, puis une couche de matériau conducteur électriquement 9 formant une partie de l'électrode additionnelle 7, puis un matériau à changement d'état 8, puis une couche de matériau conducteur électriquement formant l'électrode primaire 6. Cette électrode primaire 6 forme plusieurs niveaux de matériau conducteur de haut en bas, 25 plus précisément sur trois niveaux : au-dessus et en contact du matériau à changement d'état 8, niveau 21, puis sur le même niveau 22 que la couche de matériau conducteur électriquement 9 mais séparé par une zone de matériau diélectrique 10, puis au niveau 23 de la couche de matériau conducteur 3 de la première électrode 2 mais séparé par une zone de matériau diélectrique 10. 30 Le niveau 22 de l'électrode primaire 6 en regard de la couche de matériau conducteur 3 de la première électrode 2 espacée par une zone de matériau diélectrique 10 forme une première capacité Cl. Une deuxième capacité C2 est formée par la couche de matériau conducteur électriquement 9 en regard de la couche de matériau conducteur 3 de la première 35 électrode 2 espacée par une zone de matériau diélectrique 10. 3030115 15 Lorsque le matériau à changement d'état 8 est dans un état fortement résistif la capacité totale mesurée entre les bornes 24, 25 de la première électrode 2 et de la deuxième électrode 5 est proche de la valeur de la capacité Cl mesurée entre les parties de la première électrode 2 et la deuxième électrode 5 en vis-à-vis c'est-à-dire 5 entre la première électrode 2 en vis-à-vis de l'électrode primaire 6. Lorsque le matériau à changement d'état est dans un état faiblement résistif alors l'électrode primaire 6 peut être considérée comme électriquement connectée à la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7. L'électrode primaire 6 et la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 forment ainsi la 10 deuxième électrode 5. Dans ce cas la capacité totale mesurée entre les bornes 24, 25 de la première électrode 2 et de l'électrode primaire 6 est proche de la résultante des capacités Cl et C2 placées en parallèles, C2 étant la capacité formée par les parties en vis-à-vis de la première électrode 2 et du matériau à changement de d'état 8 ou de la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 si présente. 15 L'invention concerne également un condensateur comprenant n empilements, étant compris entre 2 et 10, plus préférentiellement entre 2 et 5. Pour la suite de la description, on parle de premier et de deuxième empilement : un premier empilement 1 et un deuxième empilement 13. Préférentiellement, les empilements sont identiques. Chaque empilement comprend avantageusement une première électrode, une 20 deuxième électrode et une couche de matériau diélectrique. Une des deux électrodes comprend une couche de matériau à changement d'état. Le condensateur comprend plusieurs niveaux de matériaux à changement d'état 8, 18. Sur la figure 9 est donné un exemple comprenant deux empilements 1 et 13, soit deux couches de matériaux à changement d'état 8,18. Avantageusement, le système 25 comprend une électrode commune au premier empilement 1 et au deuxième empilement 13. Selon un mode de réalisation, l'électrode commune est la première électrode 2 du premier empilement 1 qui constitue alors l'électrode primaire du deuxième empilement 13. Selon l'invention, le premier empilement 1 comprend, tel que décrit ci-avant, une 30 première électrode 2 et une deuxième électrode 5 en regard de la première électrode 2 et une zone d'un matériau diélectrique 10 disposée entre lesdites première et deuxième électrodes, la deuxième électrode 5 est formée pour une part d'une électrode primaire 6 en un matériau électriquement conducteur et, pour une autre part, d'une électrode additionnelle 7 comprenant un matériau à changement d'état 8, 35 l'électrode primaire 6 et l'électrode additionnelle 7 étant en regard de la première électrode 2, ledit matériau à changement d'état 8 étant disposé au moins partiellement 3030115 16 au contact de l'électrode primaire 6 et configurée pour prendre alternativement un état fortement résistif dans lequel l'électrode additionnelle est isolée électriquement de l'électrode primaire et un état faiblement résistif dans lequel l'électrode additionnelle est en conduction électrique avec l'électrode primaire 6 de sorte à faire varier la 5 surface électriquement active de la deuxième électrode 5. Le deuxième empilement 13 comprend une deuxième électrode 14 et une première électrode 17 en regard de la deuxième électrode 14 et une zone d'un matériau diélectrique 10 disposée entre lesdites deuxième et première électrodes, la deuxième électrode 14 est formée pour une part d'une électrode primaire en un 10 matériau électriquement conducteur et, pour une autre part, d'une électrode additionnelle 16 comprenant un matériau à changement d'état 18. L'électrode primaire et l'électrode additionnelle 16 étant en regard de la première électrode 17, ledit matériau à changement d'état 18 étant disposé au moins partiellement au contact de l'électrode primaire et configuré pour prendre alternativement un état fortement résistif 15 dans lequel l'électrode additionnelle 16 est isolée électriquement de l'électrode primaire et un état faiblement résistif dans lequel l'électrode additionnelle 16 est en conduction électrique avec l'électrode primaire de sorte à faire varier la surface électriquement active de la deuxième électrode 14. Préférentiellement, l'électrode primaire du deuxième empilement 13 est la première électrode 2 du premier 20 empilement 1 et plus précisément la couche de matériau conducteur 4. La première électrode 17 du deuxième empilement 13est reliée électriquement à la deuxième électrode 5 du premier empilement 1. Selon l'invention, l'électrode additionnelle 16 de la deuxième électrode 14 comprend le matériau à changement d'état 18 et une couche de matériau conducteur 25 électriquement 15. Préférentiellement, les transitions résistives de ces deux couches de matériaux à changement d'état 8,18 sont commandées par deux lignes de commandes distinctes formées par des couches de matériaux conducteurs électriquement 9, 15. Avec un condensateur avec deux empilements tels que décrits ci-dessus, quatre 30 valeurs de capacité différentes peuvent être obtenues : - Valeur 1 : les deux matériaux à changement d'état 8, 18 sont dans un état hautement résistif. Dans le premier empilement : - la deuxième électrode 5 du premier empilement 1 est formée par la première 35 électrode primaire 6 uniquement, en regard de la première couche de matériau conducteur 3 de la première électrode 2 ; 3030115 17 - la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 est électriquement isolée de l'électrode primaire 6 par la forte résistance du matériau à changement d'état 8. Dans le deuxième empilement 13 : 5 - la couche de matériau conducteur 15 de l'électrode additionnelle 16 est électriquement isolée de l'électrode primaire 4 par la forte résistance du matériau à changement d'état 18. Dans ce cas la capacité totale Ctot du dispositif est uniquement égale à Cl formée entre l'électrode primaire 6 du premier empilement et la couche de matériau 10 conducteur 3 du premier empilement 1. - Valeur 2 : la première couche de matériau à changement d'état 8 est dans un état faiblement résistif et la deuxième couche 18 dans un état fortement résistif. Dans le premier empilement : - la deuxième électrode 5 du premier empilement est formée par l'électrode 15 primaire 6 en regard de la première couche de matériau conducteur 3 de la première électrode 2 et de la couche de matériau conducteur électriquement 9 de l'électrode additionnelle 7 en regard de la deuxième couche de matériau conducteur 4 de la première électrode 2. Dans le deuxième empilement 13 : 20 - la couche de matériau conducteur 15 de l'électrode additionnelle 16 est électriquement isolée de l'électrode primaire 4 du deuxième empilement par la forte résistance du matériau à changement d'état 18. Dans ce cas la capacité totale Ctot du dispositif est égale à la résultante des capacités Cl et C2 placées en parallèle, Cl étant formée entre l'électrode primaire 6 25 du premier empilement et la couche de matériau conducteur 3 du premier empilement 1 et C2 entre la couche de matériau conducteur 4 de la première électrode 2 du premier empilement 1 et la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 du premier empilement. - Valeur 3 : la première couche de matériau à changement d'état 8 est dans un 30 état fortement résistif et la deuxième couche 18 dans un état faiblement résistif. Dans le premier empilement : - la deuxième électrode 5 est formée par l'électrode primaire 6 uniquement, en regard de la première couche de matériau conducteur 3 de la première électrode 2 ; - la couche de matériau conducteur 9 de l'électrode additionnelle 7 est 35 électriquement isolée de l'électrode primaire 6 par la forte résistance du matériau à changement d'état 8. 3030115 18 Dans le deuxième empilement 13 : - la deuxième électrode 14 est formée par l'électrode primaire 4 électriquement connectée à la couche de matériau conducteur 3 de la première électrode 2 du premier empilement 1 et par la couche de matériau conducteur électriquement 15 de l'électrode 5 additionnelle 16 du deuxième empilement 13 en regard de la couche de matériau conducteur de la première électrode 17 électriquement connectée à l'électrode primaire 6 du premier empilement 1. De cette manière, la capacité totale Ctot du condensateur est égale à la résultante des capacités Cl et C4 placées en parallèle, Cl étant formée entre 10 l'électrode primaire 6 du premier empilement 1 et la couche de matériau conducteur 3 du premier empilement 1 et C4 entre la première électrode 17 et la couche de matériau conducteur 15 du deuxième empilement 13. - Valeur 4 : les deux couches de matériaux à changement d'état 8,18 sont dans un état faiblement résistif. 15 Dans le premier empilement : - la deuxième électrode 5 du premier empilement 1 est formée par l'électrode primaire 6 en regard de la première couche de matériau conducteur 3 de la première électrode 2 et par la couche de matériau conducteur électriquement 9 de l'électrode additionnelle 7 en regard de la deuxième couche de matériau conducteur 4 de la 20 première électrode 2. Dans le deuxième empilement 13 : - la deuxième électrode 14 est formée par la couche de matériau conducteur de l'électrode primaire 4 électriquement connectée à la couche de matériau conducteur 3 de la première électrode 2 et par la couche de matériau conducteur électriquement 15 25 de l'électrode additionnelle 16 en regard de la couche de matériau conducteur de la première électrode 17 électriquement connectée à l'électrode primaire 6 du premier empilement 1. De cette manière la capacité totale Ctot du condensateur est égale à la résultante des capacités Cl, C2 et C4 placées en parallèle, Cl étant formée entre 30 l'électrode primaire 6 du premier empilement 1 et la couche de matériau conducteur 3 du premier empilement 1, C2 entre la couche de matériau conducteur 4 de la première électrode 2 du premier empilement 1 et la couche de matériau conducteur 9 du premier empilement 1 et C4 entre la couche de matériau conducteur de de la première électrode 17 et la couche de matériau conducteur 15 du deuxième empilement 13. 35 Selon une possibilité de l'invention, le matériau à changement d'état 8,18 est un matériau à changement de phase tel du Ge2Sb2Te5 ou du GeTe dans lequel un 3030115 19 contraste de résistance de 106 peut être obtenu suite à un échauffement par effet joule. Cette modification est due au changement rapide et réversible entre une phase amorphe hautement résistive et une phase cristalline peu résistive. Selon une possibilité, le matériau à changement d'état 8,18 est un isolant comme 5 un verre de chalcogénures, par exemple GeTe, GeSe, GeS, AsS ou un isolant comme un oxyde tel SiO2 ou W03. Préférentiellement, selon cette possibilité l'électrode primaire 6 est en Nickel ou en Aluminium et l'électrode additionnelle 7 comprend une couche de matériau conducteur électriquement 9 en argent ou en cuivre. Avantageusement, selon cette possibilité, le matériau à changement d'état 8,18 est 10 dopé par un élément métallique mobile comme de l'Argent ou du Cuivre. L'application d'une impulsion électrique polarisée entre l'électrode primaire 6 et la couche de matériau conducteur électriquement 9 de l'électrode additionnelle 7 permet de former un pont conducteur entre l'électrode primaire 6 et la couche de matériau conducteur électriquement 9 de l'électrode additionnelle 7, ou inversement de rompre ce pont 15 conducteur en inversant la polarisation, par des mécanismes de déplacement d'ions ou d'oxydoréduction. Selon une autre possibilité, le matériau à changement d'état 8, 18 est un oxyde actif tel qu'un oxyde à transition métallique de type NiO, TiO, CuO, ZrO, HfO. La transition résistive est obtenue par création d'un pont conducteur dans l'oxyde lors de 20 l'application d'un champ électrique entre l'électrode primaire 6 et la couche de matériau conducteur électriquement 9 de l'électrode additionnelle 7ou rupture de ce pont lors de l'inversion de la polarisation. Le matériau à changement d'état 8, 18 peut être déposé par des méthodes PVD ou CVD (Chemical Vapor Deposition), et les motifs sont ensuite formés par des étapes 25 de photo litho gravure. Dans le mode de réalisation comprenant plusieurs couches de matériaux à changement d'état 8, 18, comme dans le système de condensateurs selon l'invention, les couches de matériaux à changement d'état 8, 18 peuvent être identiques ou bien différentes. 30 L'invention concerne également un procédé de variation de la capacité d'un condensateur tel que décrit ci-dessus. Le procédé comprend l'application d'un signal de commande de l'état du matériau à changement d'état 8 de sorte à le faire passer d'un état fortement résistif dans lequel l'électrode additionnelle 7 est isolée électriquement de l'électrode primaire 6 et un état faiblement résistif dans lequel 35 l'électrode additionnelle 7 est en conduction électrique avec l'électrode primaire 6 de 3030115 20 sorte à faire varier la surface électriquement active de la deuxième électrode 5 et de fait la capacité du condensateur. Un exemple détaillé des étapes de fabrication d'un condensateur selon l'invention est donné ci-après. Sur un substrat 20 support, par exemple un substrat de 5 silicium passive par une couche de SiO2 (dioxyde de silicium) une première électrode 2 est réalisée. Cette électrode 2 en matériau conducteur est par exemple réalisée avec du W (Tungstène) d'épaisseur 200nm déposé par PVD (Physical Vapor deposition) et le motif de l'électrode 2 est réalisé par photolithographie et gravure RIE (reactive ionic etching). 10 Un premier niveau de matériau diélectrique 10 est réalisé, par exemple par dépôt PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor deposition) de 100nm de SiN puis photolithographie et gravure des motifs par RIE. Dépôt d'un deuxième niveau de matériau conducteur électrique formant l'électrode primaire 6 constituée par exemple d'une couche de TiN d'épaisseur 50nm et 15 d'une couche en W d'épaisseur 200nm déposés par PVD. Les motifs sont réalisés par photolithographie puis gravure RIE successive du W puis du TiN. Le matériau à changement d'état 8, par exemple du GeTe d'épaisseur 100nm, est ensuite déposé entre deux couches de TiN de 5nm. L'ensemble de cet empilement est déposé par PVD puis les motifs sont formés par photolithographie et gravure IBE 20 (Ion Beam Etching) de l'empilement. Dépôt d'un troisième niveau de matériau conducteur électrique 9 formant partiellement l'électrode additionnelle 7 constituée par exemple d'une couche de TiN d'épaisseur 15nm et d'une couche en W d'épaisseur 200nm déposés par PVD. Les motifs sont réalisés par photolithographie puis gravure RIE successive du W puis du 25 TiN. Un deuxième niveau de matériau diélectrique 10 est réalisé, par exemple par un dépôt PECVD de 100nm de SiN puis photolithographie et gravure des motifs par RIE. Finalement la dernière couche de matériau conducteur électriquement formant partiellement la première électrode 2 est réalisée. Cette électrode en matériau 30 conducteur 4 est par exemple composée d'un empilement de TiN d'épaisseur 50 nm et de W d'épaisseur 200nm déposés par PVD et le motif de l'électrode est réalisé par une étape de photolithographie et la gravure RIE successive du VV et du TiN. 3030115 21 REFERENCES 1. Premier empilement 2. Première électrode 5 3. Première couche de matériau conducteur électriquement 4. Deuxième couche de matériau conducteur électriquement / Electrode primaire 5. Deuxième électrode 6. Electrode primaire 7. Electrode additionnelle 10 8. Matériau à changement d'état 9. Couche de matériau conducteur électriquement 10. Zone de matériau diélectrique 11. Parcelle de matériau à changement d'état 12. Commande laser 15 13. Deuxième empilement 14. Deuxième électrode 15. Couche de matériau conducteur électriquement 16. Electrode additionnelle 17. Première électrode 20 18. Matériau à changement d'état 19. Zone de matériau diélectrique 20. Substrat 21. Niveau 22. Niveau 25 23. Niveau 24. Borne 25. Borne Cl. Première capacité C2. Deuxième capacité 30 C3. Troisième capacité R1. Résistance de la troisième capacité C4. Quatrième capacité C5. Cinquième capacité R2. Résistance de la cinquième capacité 35 REVENDICATIONS1. Condensateur électrique à capacité variable comprenant au moins un premier empilement comportant une première électrode (2) et une deuxième électrode (5) en regard de la première électrode (2) et une zone d'un matériau diélectrique (10) disposée entre lesdites première et deuxième électrodes (2, 5) caractérisé en que la deuxième électrode (5) est formée pour une part d'une électrode primaire (6) en un matériau électriquement conducteur et, pour une autre part, d'une électrode additionnelle (7) comprenant un matériau à changement d'état (8), l'électrode primaire (6) et l'électrode additionnelle (7) étant en regard de la première électrode (2), ledit matériau à changement d'état (8) étant disposé au moins partiellement au contact de l'électrode primaire (6) et configurée pour prendre alternativement un état fortement résistif dans lequel l'électrode additionnelle (7) est isolée électriquement de l'électrode primaire (6) et un état faiblement résistif dans lequel l'électrode additionnelle (7) est en conduction électrique avec l'électrode primaire (6) de sorte à faire varier la surface électriquement active de la deuxième électrode (5). 2. Condensateur selon la revendication précédente dans lequel l'électrode additionnelle (7) comprend une couche de matériau conducteur électriquement (9) disposée de sorte que le matériau à changement d'état (8) soit placé au moins partiellement entre l'électrode primaire (6) et la couche de matériau conducteur électriquement (9) de l'électrode additionnelle (7). 3. Condensateur selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'électrode primaire (6) et l'électrode additionnelle (7) sont au moins partiellement superposées. 4. Condensateur selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la première électrode (2) comprend une première couche de matériau conducteur électriquement (3) et une deuxième couche de matériau conducteur électriquement (4) connectées électriquement de sorte à enchâsser la zone de matériau diélectrique (10), elle-même enchâssant la deuxième électrode (5). 5. Condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 dans lequel l'électrode primaire (6) et l'électrode additionnelle (7) sont au moins partiellement dans un même plan. 6. Condensateur selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau à changement d'état (8) comprend une couche discontinue formant des parcelles (11) placées dans une matrice de matériau diélectrique. 3030115 23 7. Condensateur selon la revendication précédente dans lequel l'électrode primaire (6) est une couche discontinue configurée pour permettre un recouvrement au moins partiel avec la couche discontinue de matériau à changement d'état (8). 8. Condensateur selon l'une quelconques des deux revendications précédentes en 5 combinaison avec la revendication 2 dans lequel la couche de matériau conducteur électriquement (9) de l'électrode additionnelle (7) est une couche discontinue configurée pour permettre un recouvrement au moins partiel avec la couche discontinue de matériau à changement d'état (8). 9. Condensateur selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 10 lequel le matériau à changement d'état (8) est un matériau bistable. 10. Condensateur selon l'une quelconque des revendications précédentes comprenant des moyens de commande de l'état du matériau à changement d'état (8). 11. Condensateur selon la revendication précédente en combinaison de la revendication 6 comprenant des moyens de commande indépendants pour chaque 15 parcelle (11). 12. Condensateur selon l'une quelconque des deux revendications précédentes en combinaison de la revendication 2 dans lequel les moyens de commande sont conformés pour appliquer une différence de potentiel entre l'électrode primaire (6) et la couche de matériau conducteur électriquement (9) de l'électrode additionnelle (7). 20 13. Condensateur selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11 dans lequel les moyens de commande comprennent une source de chaleur configurée pour générer un échauffement du matériau à changement d'état (8). 14. Condensateur selon la revendication précédente dans lequel la source de chaleur est une source de lumière. 25 15. Condensateur à capacité variable comprenant au moins deux empilements selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel une des électrodes choisie parmi la première ou la deuxième électrode d'un empilement n étant commune à une électrode choisie parmi la deuxième ou la première électrode d'un empilement n+1, ladite électrode commune étant formée pour une part d'une électrode primaire (4) 30 de l'empilement n+1 en un matériau conducteur électriquement et, pour une autre part, d'une électrode additionnelle (16) comprenant un matériau à changement d'état (18), l'électrode primaire (4) et l'électrode additionnelle (16) étant en regard d'une première électrode (17) de l'empilement n+1 ledit matériau à changement d'état (18) étant disposé au moins partiellement au contact de l'électrode primaire (4) et configuré pour 35 prendre alternativement un état fortement résistif dans lequel l'électrode additionnelle (16) est isolée électriquement de l'électrode primaire (4) et un état faiblement résistif 3030115 24 dans lequel l'électrode additionnelle (16) est en conduction électrique avec l'électrode primaire (4) de sorte à faire varier la surface électriquement active de ladite électrode commune. 16. Condensateur selon la revendication précédente dans lequel la première 5 électrode (2) d'un empilement n comprend une première couche de matériau conducteur électriquement (3) et une deuxième couche de matériau conducteur électriquement (4) connectées électriquement de sorte à enchâsser la deuxième électrode (5) de l'empilement n et la zone de matériau diélectrique (10) et dans lequel l'électrode primaire de l'empilement n+1 est formée par la deuxième couche de 10 matériau conducteur électriquement (4) de la première électrode (2) de l'empilement n. 17. Condensateur selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel la première électrode (17) de l'empilement n+1 est connectée électriquement à l'électrode primaire (6) de l'empilement n, de sorte à enchâsser la deuxième électrode (14). 15 18. Procédé de variation de la capacité d'un condensateur à capacité variable selon l'une quelconque des revendications 1 à 17 caractérisé en ce qu'il comprend l'application d'un signal de commande de l'état du matériau à changement d'état (8) de sorte à le faire passer d'un état fortement résistif dans lequel l'électrode additionnelle (7) est isolée électriquement de l'électrode primaire (6) et un état faiblement résistif 20 dans lequel l'électrode additionnelle (7) est en conduction électrique avec l'électrode primaire (6) de sorte à faire varier la surface électriquement active de la deuxième électrode (5) et de fait la capacité du condensateur. 19. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'application d'un signal de commande est d'une durée limitée au changement d'état du matériau à 25 changement d'état (8) lorsque ce dernier est bistable. 20. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le signal de commande est une différence de potentiel appliqué entre la couche de matériau conducteur électriquement de l'électrode primaire (6) et la couche de matériau conducteur électriquement (9) de l'électrode additionnelle (7). 30 21. Procédé selon l'une quelconque des revendications 18 ou 19 dans lequel le signal de commande est un échauffement du matériau à changement de d'état (8) généré par une source de chaleur. 22. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la source de chaleur est une source de lumière. 35