FR 3034032 A1 20160930 FR 1652618 A 20160325 1 ARRIERE-PLAN [0001] La présente invention concerne des fenêtres de tampon de polissage utiles pour suivre la vitesse de polissage et détecter la fin d'opération de polissage. En particulier, elle concerne une configuration de fenêtre utile pour limiter les défauts de polissage ou utile pour réduire les variations dans la transmission des signaux. [0002] Les tampons de polissage en polyuréthane représentent le principal type de tampons pour différentes applications de polissage de précision exigeantes. Par exemple, les tampons de polissage en polyuréthane ont une grande résistance mécanique pour résister au déchirement, une grande résistance à l'abrasion pour éviter les problèmes d'usure pendant le polissage, et une grande stabilité pour résister aux attaques par les solutions de polissage fortement acides et fortement caustiques. Ces tampons de polissage en polyuréthane sont efficaces pour polir de multiples substrats, incluant les suivants: les galettes en silicium, les galettes en arséniure de gallium et en d'autres semi-conducteurs des groupes III-V, en SiC, les galettes à motifs, les dispositifs d'affichage à écran plat, le verre, tel que le saphir, et les disques de stockage magnétiques. En particulier, les tampons de polissage en polyuréthane procurent l'intégrité mécanique et la résistance chimique pour la plupart des opérations de polissage utilisées pour fabriquer des circuits intégrés. Malheureusement, ces tampons de polissage en polyuréthane ont tendance à avoir une transparence insuffisante pour la détection par laser ou optique de la fin d'opération pendant le polissage. [0003] Depuis le milieu des années 1990, des systèmes de suivi optique avec détection de la fin d'opération servent à déterminer la durée de polissage avec une détermination par laser ou optique de la fin d'opération pour les applications de type semi-conducteurs. Ces systèmes de suivi optique permettent la détection de la fin d'opération de polissage in situ 30 d'un substrat de type galette pendant le polissage avec une source 3034032 2 lumineuse et un détecteur de lumière. La source lumineuse dirige un faisceau lumineux qui traverse une fenêtre transparente en direction du substrat qui est en cours de polissage. Le détecteur de lumière mesure la lumière réfléchie par le substrat de type galette qui traverse de nouveau la 5 fenêtre transparente dans l'autre sens. Un chemin optique est formé depuis la source lumineuse, qui traverse la fenêtre transparente et parvient sur le substrat qui est en cours de polissage, la lumière réfléchie traversant de nouveau la fenêtre transparente dans l'autre sens pour parvenir au détecteur de lumière. 10 [0004] Typiquement, la fenêtre transparente est dans le même plan que la surface de polissage des tampons de polissage. Toutefois, d'autres configurations comportent un évidement entre la fenêtre et la surface de la galette. Pendant le polissage, cet évidement se remplit de suspension. Si l'évidement est trop profond, la suspension et les débris de polissage 15 peuvent bloquer ou diffuser (diffracter) le chemin optique de sorte que l'intensité du signal peut être insuffisante pour obtenir une détection fiable de la fin d'opération de polissage. Les débris de polissage accumulés sur la surface d'une fenêtre en retrait peuvent érafler le substrat de type galette et créer des défauts dans le semi-conducteur résultant. 20 [0005] Il subsiste un besoin de fenêtre ayant une intensité du signal optique améliorée combinée avec un plus faible risque de créer des défauts de polissage dans la galette. EXPOSE DE L'INVENTION [0006] Un aspect de l'invention fournit un tampon de polissage approprié 25 pour polir ou planariser au moins un substrat parmi les substrats semi- conducteurs, les substrats optiques et les substrats magnétiques, le tampon de polissage ayant une surface de polissage, une ouverture à travers le tampon de polissage, un rayon qui s'étend depuis le centre du tampon de polissage jusqu'au périmètre du tampon de polissage et une 30 fenêtre transparente dans l'ouverture dans le tampon de polissage, la 3034032 3 fenêtre transparente étant fixée au tampon de polissage et étant transparente à au moins un signal parmi les signaux magnétiques et les signaux optiques, la fenêtre transparente ayant une surface concave par rapport à la surface de polissage, la surface concave ayant une profondeur 5 maximale dans une région centrale de la fenêtre transparente, telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage, qui augmente avec l'utilisation du tampon de polissage ; une région de signal dans la fenêtre transparente adjacente à la région centrale et du côté le plus proche du centre du tampon de polissage pour transmettre au moins un signal parmi 10 des signaux optiques et des signaux magnétiques à une galette, la région de signal étant inclinée vers le bas en direction de la région centrale pour faciliter le retrait des débris, et une rainure d'évacuation des débris qui s'étend à travers la région centrale dans le tampon de polissage, de sorte que la rotation du tampon de polissage avec du fluide de polissage dans la 15 rainure d'évacuation des débris envoie les débris depuis la région centrale dans le tampon de polissage par le biais de la rainure d'évacuation des débris et dans lequel la profondeur de la rainure d'évacuation des débris est plus grande que la profondeur de la région centrale. [0007] Un autre aspect de l'invention fournit un tampon de polissage 20 approprié pour polir ou planariser au moins un substrat parmi les substrats semi-conducteurs, les substrats optiques et les substrats magnétiques, le tampon de polissage contenant des microsphères remplies de fluide et ayant une surface de polissage, une ouverture à travers le tampon de polissage, un rayon qui s'étend depuis le centre du tampon de polissage 25 jusqu'au périmètre du tampon de polissage et une fenêtre transparente dans l'ouverture dans le tampon de polissage, la fenêtre transparente étant fixée au tampon de polissage avec un espacement latéral plus petit que le diamètre moyen des microsphères remplies de fluide et étant transparente à au moins un signal parmi les signaux magnétiques et les signaux optiques, la fenêtre transparente ayant une surface concave par 3034032 4 rapport à la surface de polissage, la surface concave ayant une profondeur maximale dans une région centrale de la fenêtre transparente, telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage, qui augmente avec l'utilisation du tampon de polissage ; une région de signal dans la fenêtre 5 transparente adjacente à la région centrale et du côté le plus proche du centre du tampon de polissage pour transmettre au moins un signal parmi des signaux optiques et des signaux magnétiques à une galette, la région de signal étant inclinée vers le bas en direction de la région centrale pour faciliter le retrait des débris, et une rainure d'évacuation des débris qui 10 s'étend à travers la région centrale dans le tampon de polissage, de sorte que la rotation du tampon de polissage avec du fluide de polissage dans la rainure d'évacuation des débris envoie les débris depuis la région centrale dans le tampon de polissage par le biais de la rainure d'évacuation des débris et dans lequel la profondeur de la rainure d'évacuation des débris 15 est plus grande que la profondeur de la région centrale. DESCRIPTION DES DESSINS [0008] La figure 1 est une représentation schématique d'une fenêtre drainée de l'invention ayant une rainure circonférentielle, c'est-à-dire parallèle à la circonférence, contiguë à une rainure circonférentielle du 20 tampon de polissage. [0009] La figure 1A est une représentation schématique agrandie d'une fenêtre drainée de la figure 1. [0010] La figure 1B est une coupe transversale radiale de la fenêtre drainée de la figure 1 ayant une rainure circonférentielle contiguë à une 25 rainure circonférentielle du tampon de polissage avant le polissage. [0011] La figure 1C est une coupe transversale radiale d'une fenêtre drainée de la figure 1 ayant une rainure circonférentielle contiguë à une rainure circonférentielle du tampon de polissage après le polissage de multiples galettes. 3034032 5 [0012] La figure 2 est une représentation schématique d'une fenêtre drainée de l'invention ayant une rainure radiale contiguë à une rainure radiale du tampon de polissage. [0013] La figure 2A est une représentation schématique agrandie 5 d'une fenêtre drainée de la figure 2. [0014] La figure 2B est une coupe transversale radiale de la fenêtre drainée de la figure 2 ayant une rainure radiale contiguë à une rainure radiale du tampon de polissage avant le polissage. [0015] La figure 2C est une coupe transversale radiale d'une fenêtre 10 drainée de la figure 2 ayant une rainure radiale contiguë à une rainure radiale du tampon de polissage après le polissage de multiples galettes. [0016] La figure 3 est une représentation schématique d'une fenêtre drainée de l'invention ayant une rainure circonférentielle et une rainure radiale respectivement contiguës à une rainure circonférentielle et à une 15 rainure radiale du tampon de polissage. [0017] La figure 3A est une représentation schématique agrandie d'une fenêtre drainée de la figure 3. [0018] La figure 3B est une coupe transversale radiale de la fenêtre drainée de la figure 3 ayant une rainure circonférentielle et une rainure 20 radiale contiguës à une rainure circonférentielle et à une rainure radiale du tampon de polissage avant le polissage. [0019] La figure 3C est une coupe transversale radiale d'une fenêtre drainée de la figure 3 ayant une rainure circonférentielle et une rainure radiale contiguës à une rainure circonférentielle et à une rainure radiale du 25 tampon de polissage après le polissage de multiples galettes. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION [0020] Le tampon de polissage de l'invention est approprié pour polir ou planariser au moins un substrat parmi les substrats semiconducteurs, les substrats optiques et les substrats magnétiques. De 30 préférence, le tampon polit ou planarise un substrat semi-conducteur. Le 3034032 6 tampon de polissage peut être un substrat poreux ou non poreux. Les exemples de substrats poreux incluent les tampons expansés, les tampons extrudés contenant un gaz dissous et les matrices dans lesquelles sont incluses des microsphères polymériques creuses. Une fenêtre transparente 5 qui est transparente à au moins un signal parmi les signaux magnétiques et les signaux optiques est fixée au tampon de polissage. De préférence, la fenêtre est transparente aux signaux optiques. De préférence encore, la fenêtre est en un polymère optiquement transparent. Les matériaux de type polyuréthane non chargés peuvent avoir une excellente combinaison 10 de transparence, d'aptitude au polissage et de faible défectuosité pour polir des substrats semi-conducteurs. Typiquement, ces polyuréthanes représentent un mélange de polyuréthanes aliphatiques pour la transparence et de polyuréthanes aromatiques pour la résistance mécanique. De préférence, le tampon de polissage est poreux, la fenêtre 15 transparente est non-poreuse et le moulage du tampon de polissage autour de la fenêtre transparente fixe la fenêtre transparente au tampon de polissage. [0021] Dans les tampons de CMP formés sans coussin adéquat entre la fenêtre et le tampon de polissage, une cavité peu profonde se 20 forme quand la fenêtre devient plus concave. La fenêtre transparente forme une surface concave par rapport à la surface de polissage pendant la fabrication ou le polissage. La surface concave a une profondeur maximale dans une région centrale de la fenêtre transparente, telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage, qui augmente avec 25 l'utilisation du tampon de polissage. Un petit espacement ou l'absence d'espacement entre la fenêtre et le tampon de polissage peut augmenter la profondeur de la fenêtre transparente concave. De plus, les microsphères polymériques remplies de fluide dans le tampon de polissage peuvent augmenter encore la profondeur de la fenêtre transparente 30 concave. Par exemple, la compression des microsphères remplies de gaz, 3034032 7 de liquide ou d'un mélange gaz-liquide peut concentrer les forces appliquées contre la fenêtre. Cette cavité peu profonde peut se remplir de suspension et de débris de polissage qui atténuent l'intensité du signal qui traverse la fenêtre. Quand la fenêtre devient plus concave, la cavité 5 devient plus profonde et un supplément de suspension et de débris de polissage a tendance à s'accumuler, ce qui réduit encore l'intensité du signal. Dans le tampon de polissage de l'invention, la région de signal est inclinée vers le bas en direction de la région centrale pour faciliter le retrait de la suspension et des débris de polissage et une rainure 10 d'évacuation des débris s'étend à travers la région centrale dans le tampon de polissage. La rotation du tampon de polissage avec du fluide de polissage dans la rainure d'évacuation des débris envoie les débris de polissage depuis la région centrale de la fenêtre transparente dans la rainure du tampon de polissage. Bien que toutes les figures représentent 15 une fenêtre de forme rectangulaire, la fenêtre peut aussi avoir une forme ronde, carrée, ovale ou une autre forme. [0022] En se référant aux figures 1 et 1A, le tampon de polissage 10 ayant des rainures circulaires 12 peut polir ou planariser des substrats semi-conducteurs, optiques ou magnétiques (non représentés). Le tampon 20 de polissage inclut typiquement une matrice en polyuréthane poreuse, mais la matrice peut être formée d'autres polymères. Éventuellement, la matrice polymérique du tampon de polissage 10 inclut des microsphères remplies de fluide (non représentées). À titre d'alternative, les rainures peuvent être combinées avec des rainures en spirale, à faible écoulement, 25 des rainures X-Y, des rainures en forme d'hexagones concentriques, des rainures en forme de dodécagones concentriques, des rainures en forme d'hexadécagones concentriques, des rainures polygonales ou des rainures ayant d'autres formes connues. Le tampon de polissage 10 a une surface de polissage 16 qui interagit avec le substrat semi-conducteur, optique ou 30 magnétique. Une ouverture 18 à travers le tampon de polissage 10 fournit 3034032 8 un emplacement pour fixer une fenêtre transparente 20. Quand la matrice polymérique du tampon de polissage 10 inclut des microsphères remplies de fluide, le tampon de polissage et la fenêtre sont de préférence fixés l'un à l'autre avec un espacement latéral plus petit que le diamètre moyen 5 des microsphères remplies de fluide. Par exemple, le moulage de la fenêtre dans le tampon fournit une liaison directe entre la fenêtre transparente 20 et le tampon de polissage 10 sensiblement sans espace entre la fenêtre transparente 20 et le tampon de polissage 10. Un rayon R1 s'étend depuis le centre 22 jusqu'au périmètre 24 du tampon de 10 polissage 10. En se référant à la figure 1A, une rainure circulaire 12 s'étend dans la rainure d'évacuation des débris en forme d'arc 12A pour faciliter le retrait des débris. La rainure d'évacuation des débris en forme d'arc 12A s'étend sur toute la largeur de la fenêtre transparente 20. [0023] En se référant aux figures 1B et 1C, la fenêtre 20 du tampon 15 de polissage 10 peut avoir une surface plane 30 parallèle à la surface de polissage 16 ou une surface concave 32 telle qu'elle est mesurée par rapport à la surface de polissage 16. Un sous-tampon 34 supporte le tampon de polissage 10 et le périmètre externe de la fenêtre 20. Pendant le polissage, la fenêtre 20 se déforme et devient concave. Typiquement, la 20 fenêtre 20 devient de plus en plus concave au fur et à mesure que le polissage progresse. Eventuellement, le tampon 10 peut comporter une surface concave 32 dès le début du polissage. La surface concave 32 a une profondeur maximale D1 dans une région centrale 36 de la fenêtre transparente 20 telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de 25 polissage 16. Pendant le polissage la fenêtre 20 se déforme ce qui augmente la valeur de D1. Une région de signal 38 dans la fenêtre transparente 20 est adjacente à la région centrale 36 et est disposée du côté le plus proche du centre 22 (figure 1) du tampon de polissage 10. La région de signal 38 transmet au moins un signal parmi des signaux 30 optiques et des signaux magnétiques à une galette 40 maintenue par le 3034032 9 support de galette 42. La région de signal 38 est inclinée vers le bas en direction de la région centrale 36 pour faciliter le retrait des débris. La rainure d'évacuation des débris en forme d'arc 12A s'étend à travers la région centrale 36 dans le tampon de polissage 10 de sorte que la rotation 5 du tampon de polissage 10 avec du fluide de polissage dans la rainure d'évacuation des débris en forme d'arc 12A envoie les débris depuis la région centrale 36 dans le tampon de polissage 10 par le biais de la rainure d'évacuation des débris en forme d'arc 12A. La profondeur de la rainure d'évacuation des débris en forme d'arc 12A est plus grande que la 10 profondeur D1 de la région centrale 36 telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage 16. [0024] Pendant le polissage, le détecteur de fin d'opération 50 envoie le signal 52 à travers la région de signal 38 de la fenêtre transparente 20 de sorte que le signal frappe la galette 40. Le signal 52 15 traverse ensuite de nouveau la région de signal 38 et le détecteur e fin d'opération 50 détermine s'il faut continuer ou cesser le polissage de la galette 40. [0025] En se référant aux figures 2 et 2A, le tampon de polissage 110 ayant des rainures radiales 114 peut polir ou planariser des substrats 20 semi-conducteurs, optiques ou magnétiques (non représentés). Le tampon de polissage inclut typiquement une matrice en polyuréthane poreuse, mais la matrice peut être formée d'autres polymères. Éventuellement, la matrice polymérique du tampon de polissage 110 inclut des microsphères remplies de fluide (non représentées). À titre d'alternative, les rainures 25 peuvent être combinées avec des rainures circulaires concentriques, des rainures en spirale, à faible écoulement, des rainures X-Y, des rainures en forme de dodécagones concentriques, des rainures en forme d'hexagones concentriques, des rainures en forme d'hexadécagones concentriques, des rainures polygonales ou des rainures ayant d'autres formes connues. Le 30 tampon de polissage 110 a une surface de polissage 116 qui interagit avec 3034032 10 le substrat semi-conducteur, optique ou magnétique. Une ouverture 118 à travers le tampon de polissage 110 fournit un emplacement pour fixer une fenêtre transparente 120. Quand la matrice polymérique du tampon de polissage 110 inclut des microsphères remplies de fluide, le tampon de 5 polissage et la fenêtre sont de préférence fixés l'un à l'autre avec un espacement latéral plus petit que le diamètre moyen des microsphères remplies de fluide. Par exemple, le moulage de la fenêtre dans le tampon fournit une liaison directe entre la fenêtre transparente 120 et le tampon de polissage 110 sensiblement sans espace entre la fenêtre transparente 10 120 et le tampon de polissage 110. Un rayon R2 s'étend depuis le centre 122 jusqu'au périmètre 124 du tampon de polissage 110. En se référant à la figure 2A, une rainure radiale 114 s'étend depuis la rainure d'évacuation des débris radiale 114A pour faciliter le retrait des débris. La longueur de la rainure d'évacuation des débris radiale 114A s'étend sur environ la 15 moitié de la longueur de la fenêtre transparente 120. [0026] En se référant aux figures 2B et 2C, la fenêtre 120 du tampon de polissage 110 peut avoir une surface plane 130 parallèle à la surface de polissage 116 ou une surface concave 132 telle qu'elle est mesurée par rapport à la surface de polissage 116. Un sous-tampon 134 20 supporte le tampon de polissage 110 et le périmètre externe de la fenêtre 120. Pendant le polissage, la fenêtre 120 se déforme et devient concave. Typiquement, la fenêtre 120 devient de plus en plus concave au fur et à mesure que le polissage progresse. Eventuellement, le tampon 110 peut comporter une surface concave 132 dès le début du polissage. La surface 25 concave 132 a une profondeur maximale D2 dans une région centrale 136 de la fenêtre transparente 120 telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage 116. Pendant le polissage la fenêtre 120 se déforme ce qui augmente la valeur de D2. Une région de signal 138 dans la fenêtre transparente 120 est adjacente à la région centrale 136 et est 30 disposée du côté le plus proche du centre 122 (figure 2) du tampon de 3034032 11 polissage 110. La région de signal 138 transmet au moins un signal parmi des signaux optiques et des signaux magnétiques à une galette 140 maintenue par le support de galette 142. La région de signal 138 est inclinée vers le bas en direction de la région centrale 136 pour faciliter le 5 retrait des débris. La rainure d'évacuation des débris 114A s'étend à travers la région centrale 136 dans le tampon de polissage 110 de sorte que la rotation du tampon de polissage 110 avec du fluide de polissage dans la rainure d'évacuation des débris radiale 114A envoie les débris depuis la région centrale 136 dans le tampon de polissage 110 par le biais 10 de la rainure d'évacuation des débris radiale 114A. La profondeur de la rainure d'évacuation des débris radiale 114A est plus grande que la profondeur D2 de la région centrale 136 telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage 116. [0027] Pendant le polissage le détecteur de fin d'opération 150 15 envoie le signal 152 à travers la région de signal 138 de la fenêtre transparente 120 de sorte que le signal frappe la galette 140. Le signal 152 traverse ensuite de nouveau la région de signal 138 et le détecteur de fin d'opération 150 détermine s'il faut continuer ou cesser le polissage de la galette 140. 20 [0028] En se référant aux figures 3 et 3A, le tampon de polissage 210 ayant des rainures circulaires concentriques 212 et des rainures radiales 214 peut polir ou planariser des substrats semi-conducteurs, optiques ou magnétiques (non représentés). Le tampon de polissage inclut typiquement une matrice en polyuréthane poreuse, mais la matrice peut 25 être formée d'autres polymères. Éventuellement, la matrice polymérique du tampon de polissage 210 inclut des microsphères remplies de fluide (non représentées). À titre d'alternative, les rainures peuvent être combinées avec des rainures circulaires concentriques, des rainures en spirale, à faible écoulement, des rainures X-Y, des rainures en forme 30 d'hexagones concentriques, des rainures en forme de dodécagones 3034032 12 concentriques, des rainures en forme d'hexadécagones concentriques, des rainures polygonales ou des rainures ayant d'autres formes connues. Le tampon de polissage 210 a une surface de polissage 216 qui interagit avec le substrat semi-conducteur, optique ou magnétique. Une ouverture 218 à 5 travers le tampon de polissage 210 fournit un emplacement pour fixer une fenêtre transparente 220. Quand la matrice polymérique du tampon de polissage 210 inclut des microsphères remplies de fluide, le tampon de polissage et la fenêtre sont de préférence fixés l'un à l'autre avec un espacement latéral plus petit que le diamètre moyen des microsphères 10 remplies de fluide. Par exemple, le moulage de la fenêtre dans le tampon fournit une liaison directe entre la fenêtre transparente 220 et le tampon de polissage 210 sensiblement sans espace entre la fenêtre transparente 220 et le tampon de polissage 210. Un rayon R3 s'étend depuis le centre 222 jusqu'au périmètre 224 du tampon de polissage 210. En se référant à 15 la figure 3A, une rainure circulaire 212 s'étend dans la rainure d'évacuation des débris en forme d'arc 212A pour faciliter le retrait des débris. La rainure d'évacuation des débris en forme d'arc 212A s'étend sur toute la largeur de la fenêtre transparente 220 et communique avec la rainure d'évacuation des débris radiale 214A pour permettre aux débris de 20 s'écouler entre les canaux de retrait des débris. Une rainure radiale 214 s'étend depuis la rainure d'évacuation des débris radiale 214A pour faciliter le retrait des débris. La longueur de la rainure d'évacuation des débris radiale 214A s'étend sur environ la moitié de la longueur de la fenêtre transparente 220. 25 [0029] En se référant aux figures 3B et 3C, la fenêtre 220 du tampon de polissage 210 peut avoir une surface plane 230 parallèle à la surface de polissage 216 ou une surface concave 232 telle qu'elle est mesurée par rapport à la surface de polissage 216. Un sous-tampon 234 supporte le tampon de polissage 210 et le périmètre externe de la fenêtre 30 220. Pendant le polissage, la fenêtre 220 se déforme et devient concave. 3034032 13 Typiquement, la fenêtre 220 devient de plus en plus concave au fur et à mesure que le polissage progresse. Eventuellement, le tampon 210 peut comporter une surface concave 232 dès le début du polissage. La surface concave 232 a une profondeur maximale D3 dans une région centrale 236 5 de la fenêtre transparente 220 telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage 216. Pendant le polissage la fenêtre 220 se déforme ce qui augmente la valeur de D3. Une région de signal 238 dans la fenêtre transparente 220 est adjacente à la région centrale 236 et est disposée du côté le plus proche du centre 222 (figure 3) du tampon de 10 polissage 210. La région de signal 238 transmet au moins un signal parmi des signaux optiques et des signaux magnétiques à une galette 240 maintenue par le support de galette 242. La région de signal 238 est inclinée vers le bas en direction de la région centrale 236 pour faciliter le retrait des débris. Les rainures d'évacuation des débris 212A et 214A 15 s'étendent à travers la région centrale 236 dans le tampon de polissage 210 de sorte que la rotation du tampon de polissage 210 avec du fluide de polissage dans les rainures d'évacuation des débris 212A et 214A envoie les débris depuis la région centrale 236 dans le tampon de polissage 210 par le biais des rainures d'évacuation des débris 212A et 214A. Les 20 profondeurs des rainures d'évacuation des débris 212A et 214A sont plus grandes que la profondeur D3 de la région centrale 236 telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage 216. [0030] Pendant le polissage le détecteur de fin d'opération 250 envoie le signal 252 à travers la région de signal 238 de la fenêtre 25 transparente 220 de sorte que le signal frappe la galette 240. Le signal 252 traverse ensuite de nouveau la région de signal 238 et le détecteur de fin d'opération 250 détermine s'il faut continuer ou cesser le polissage de la galette 240. [0031] Les exemples ci-dessus comportent des rainures circulaires, 30 des rainures radiales et des rainures circulaires et radiales combinées. Ces 3034032 14 exemples opèrent en alignant la rainure d'évacuation des débris avec les rainures du tampon de polissage. Ce concept fonctionne aussi avec des rainures présentant d'autres formes, comme des rainures en spirale, à faible écoulement, des rainures X-Y, des rainures en forme d'hexagones 5 concentriques, des rainures en forme de dodécagones concentriques, des rainures en forme d'hexadécagones concentriques, des rainures polygonales ou des rainures ayant d'autres formes connues ou des combinaisons de ces formes. Dans ces configurations de rainures, les rainures d'évacuation des débris s'alignent avec les rainures du tampon de 10 polissage pour un retrait efficace des débris. [0032] La fenêtre de l'invention fournit un canal constitué par une rainure qui fonctionne pour retirer les débris pour les fenêtres de tampon de polissage concaves. Du fait que la rainure affaiblit la structure de la fenêtre et favorise la flexion, il est contre-indiqué d'affaiblir la structure de 15 la fenêtre. La conception de fenêtre de l'invention retire les débris tout en maintenant la transparence en vue d'une intensité du signal et d'une détection du point final efficaces. REVENDICATIONS1. Tampon de polissage (10 ; 110 ; 210) approprié pour polir ou planariser au moins un substrat parmi les substrats semi-conducteurs, les substrats optiques et les substrats magnétiques, le tampon de polissage (10 ; 110 ; 210) a une surface de polissage (16 ; 116 ; 216), une ouverture (18 ; 118 ; 218) à travers le tampon de polissage, un rayon (Ri ; R2 ;R3) qui s'étend depuis le centre (22 ; 122 ; 222) du tampon de polissage jusqu'au périmètre (24 ; 124 ; 224) du tampon de polissage et une fenêtre transparente (20 ; 120 ; 220) dans l'ouverture (18 ; 118 ; 218) dans le tampon de polissage, la fenêtre transparente (20 ; 120 ; 220) étant fixée au tampon de polissage et étant transparente à au moins un signal parmi les signaux magnétiques et les signaux optiques, la fenêtre transparente ayant une surface concave (32 ; 132 ; 232) par rapport à la surface de polissage (16 ; 116 ; 216), la surface concave ayant une profondeur maximale (D1 ; D2 ; D3) dans une région centrale (36 ; 136 ; 236) de la fenêtre transparente telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage qui augmente avec l'utilisation du tampon de polissage ; une région de signal (38 ; 138 ; 238) dans la fenêtre transparente adjacente à la région centrale (36 ; 136 ; 236) et disposée du côté le plus proche du centre (22 ; 122 ; 222) du tampon de polissage pour transmettre au moins un signal parmi des signaux optiques et des signaux magnétiques à une galette (40 ; 140 ; 240), la région de signal (38 ; 138 ; 238) étant inclinée vers le bas en direction de la région centrale (36 ; 136 ; 236) pour faciliter le retrait des débris, et une rainure d'évacuation des débris (12A ; 114A ; 212A, 214A) qui s'étend à travers la région centrale dans le tampon de polissage, de sorte que la rotation du tampon de polissage avec du fluide de polissage dans la rainure d'évacuation des débris envoie les débris depuis la région centrale dans le tampon de polissage par le biais de la rainure d'évacuation des débris et dans lequel la profondeur de 3034032 16 la rainure d'évacuation des débris (12A ; 114A ; 212A, 214A) est plus grande que la profondeur (D1 ; D2 ; D3) de la région centrale (36 ; 136 ; 236). 5 2. Tampon de polissage (110 ; 210) selon la revendication 1, dans lequel la rainure d'évacuation des débris (114A ; 214A) s'étend suivant le rayon (R2 ; R3) s'étendant depuis le centre (122 ; 222) du tampon de polissage jusqu'au périmètre (124 ; 224) du tampon de polissage. 10 3. Tampon de polissage (10 ; 210) selon la revendication 1, dans lequel la rainure d'évacuation des débris (12A ; 212A) s'étend parallèlement à la circonférence du tampon de polissage. 4. Tampon de polissage (10 ; 110 ; 210) selon l'une quelconque des 15 revendications 1 à 3, dans lequel la fenêtre (20 ; 120 ; 220) est en un polymère optiquement transparent. 5. Tampon de polissage (10 ; 110 ; 210) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le tampon de polissage est poreux, la 20 fenêtre transparente est non-poreuse et le tampon de polissage est moulé autour de la fenêtre transparente de sorte à fixer la fenêtre transparente au tampon de polissage. 6. Tampon de polissage (10 ; 110 ; 210) approprié pour polir ou planariser 25 au moins un substrat parmi les substrats semi-conducteurs, les substrats optiques et les substrats magnétiques, le tampon de polissage (10 ; 110 ; 210) contenant des microsphères remplies de fluide et a une surface de polissage (16 ; 116 ; 216), une ouverture (18 ; 118 ; 218) à travers le tampon de polissage, un rayon (R1 ; R2 ;R3) qui s'étend depuis le centre 30 (22 ; 122 ; 222) du tampon de polissage jusqu'au périmètre (24 ; 124 ; 3034032 17 224) du tampon de polissage et une fenêtre transparente (20 ; 120 ; 220) dans l'ouverture (18 ; 118 ; 218) dans le tampon de polissage, la fenêtre transparente (20 ; 120 ; 220) étant fixée au tampon de polissage avec un espacement latéral plus petit que le diamètre moyen des microsphères 5 remplies de fluide et étant transparente à au moins un signal parmi les signaux magnétiques et les signaux optiques, la fenêtre transparente (20 ; 120 ; 220) ayant une surface concave (32 ; 132 ; 232) par rapport à la surface de polissage (16 ; 116 ; 216), la surface concave ayant une profondeur maximale (D1 ; D2 ; D3) dans une région centrale (36 ; 136 ; 10 236) de la fenêtre transparente, telle qu'elle est mesurée depuis le plan de la surface de polissage, qui augmente avec l'utilisation du tampon de polissage ; une région de signal (38 ; 138 ; 238) dans la fenêtre transparente adjacente à la région centrale (36 ; 136 ; 236) et disposée du côté le plus proche du centre (22 ; 122 ; 222) du tampon de polissage 15 pour transmettre au moins un signal parmi des signaux optiques et des signaux magnétiques à une galette (40 ; 140 ; 240), la région de signal (38 ; 138 ; 238) étant inclinée vers le bas en direction de la région centrale (36 ; 136 ; 236) pour faciliter le retrait des débris, et une rainure d'évacuation des débris (12A ; 114A ; 212A, 214A) qui s'étend à travers la 20 région centrale dans le tampon de polissage, de sorte que la rotation du tampon de polissage avec du fluide de polissage dans la rainure d'évacuation des débris envoie les débris depuis la région centrale dans le tampon de polissage par le biais de la rainure d'évacuation des débris et dans lequel la profondeur de la rainure d'évacuation des débris (12A ; 25 114A ; 212A, 214A) est plus grande que la profondeur (D1 ; D2 ; D3) de la région centrale (36 ; 136 ; 236). 7. Tampon de polissage (110 ; 210) selon la revendication 6, dans lequel la rainure d'évacuation des débris (114A ; 214A) s'étend suivant le rayon 3034032 18 (R2 ; R3) s'étendant depuis le centre (122 ; 222) du tampon de polissage jusqu'au périmètre (124 ; 224) du tampon de polissage. 8. Tampon de polissage (10 ; 210) selon la revendication 6, dans lequel la 5 rainure d'évacuation des débris (12A ; 212A) s'étend parallèlement à la circonférence du tampon de polissage. 9. Tampon de polissage (10 ; 110 ; 210) selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, dans lequel la fenêtre (20 ; 120 ; 220) est en un 10 polymère optiquement transparent. 10. Tampon de polissage (10 ; 110 ; 210) selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, dans lequel le tampon de polissage est poreux, la fenêtre transparente est non-poreuse et le tampon de polissage est moulé 15 autour de la fenêtre transparente de sorte à fixer la fenêtre transparente au tampon de polissage.