FR 3034567 A1 20161007 FR 1552744 A 20150331 1 Dispositif métallique à pièce(s) mobile(s) amélioré logé dans une cavité de la partie d'interconnexion (« BEOL ») d'un circuit intégré Des modes de réalisation de l'invention concernent les circuits intégrés, notamment les dispositifs configurables logés dans des logements ou cavités situées dans les parties d'interconnexion communément désignées par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon de « BEOL » (« Back End Of Line »), et plus particulièrement les contacts ohmiques entre des pièces mobiles relativement l'une à l'autre appartenant à de tels dispositifs. Des dispositifs logés dans des cavités des parties d'interconnexion (BEOL) de circuits intégrés et comportant au moins une pièce métallique mobile, sont connus. Ils peuvent par exemple former des commutateurs servant à établir ou interrompre des liaisons électriques, ou encore former des condensateurs ayant des valeurs capacitives thermiquement variables. De tels dispositifs sont par exemple décrits dans les demandes de brevets FR 2984009, FR 2984010, WO 2013/083386. Bien que ces dispositifs donnent entière satisfaction, il peut arriver dans certains cas que les pièces métalliques mobiles relativement l'une à l'autre s'oxydent en surface au contact de l'air présent dans la cavité. Il en résulte alors, lorsque le dispositif est utilisé en tant que commutateur, une baisse de la qualité du contact ohmique entre ces pièces métalliques ce qui peut conduire dans le pire des cas à empêcher l'établissement d'une liaison électrique passant par ces parties métalliques. Lorsque le dispositif est utilisé pour former un condensateur de valeur capacitive variable, la formation d'un oxyde métallique sur la surface de ces pièces en regard l'une de l'autre peut créer un diélectrique supplémentaire qui va modifier la valeur attendue de la 3034567 2 valeur capacitive du condensateur pour une distance donnée, entre ces pièces métalliques. Selon un mode de réalisation il est proposé d'éviter autant que possible la dégradation d'un contact ohmique ou la formation d'un 5 diélectrique supplémentaire au niveau de pièces mobiles relativement l'une à l'autre d'un dispositif logé dans une cavité, et ce tout en restant compatible avec les flots technologiques CMOS et avec un surcoût volumique réduit. Selon un mode de réalisation, il est proposé d'utiliser 10 l'opération de gravure des vias du niveau de vias immédiatement supérieur au niveau de métallisation contenant lesdites pièces mobiles relativement l'une à l'autre, pour réaliser dans le diélectrique inter-métal (IMD : InterMetal Dielectric) simultanément aux orifices destinés à former ultérieurement lesdits vias, des orifices additionnels 15 dont les ouvertures chevauchent lesdites pièces mobiles. La gravure des orifices destinés à former les vias est classiquement une gravure dont la durée est volontairement choisie suffisamment grande pour permettre d'ouvrir correctement les vias sur toute la plaquette (wafer) y compris à la périphérie de celle-ci. 20 De ce fait puisque les ouvertures des orifices additionnels chevauchent lesdites pièces mobiles, ladite gravure va creuser le diélectrique inter métal situé non seulement sur ledit niveau de vias mais également au moins partiellement celui situé autour du niveau de métallisation, latéralement par rapport auxdites pièces métalliques. 25 Et une fois remplis par au moins un matériau électriquement conducteur, ces orifices additionnels vont former des vias déportés, c'est-à-dire des parties saillantes, en vis-à-vis. Dans une variante qui permet de s'affranchir d'un niveau de métallisation supplémentaire, seul une partie du diélectrique inter 30 métal peut être gravé pour réaliser les vias déportés tandis que les autres vias de niveaux de vias sont alors réalisés en deux fois (dépôt de deux couches successives de diélectrique inter métal). Et en utilisant un matériau de remplissage résistant à la formation surfacique au contact du fluide présent dans ladite cavité, 3034567 3 d'un composé électriquement isolant, par exemple un oxyde électriquement isolant, on évite autant que possible la dégradation d'un contact ohmique ou la formation d'un diélectrique supplémentaire au niveau des pièces mobiles relativement l'une à l'autre d'un 5 dispositif logé dans ladite cavité, et ce tout en restant compatible avec les flots technologiques CMOS et avec un surcoût volumique réduit. Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant au-dessus d'un substrat, une partie d'interconnexion comprenant au sein d'une région isolante plusieurs niveaux de métallisation séparés 10 par des niveaux de vias. Une telle partie d'interconnexion est comme indiqué ci-avant, communément désignée par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon de « BEOL ». Le circuit intégré comprend par ailleurs au sein de ladite partie d'interconnexion, un dispositif comportant dans un logement (ou 15 cavité) rempli d'un fluide, généralement de l'air, deux parties métalliques situées toutes les deux au sein d'un même niveau de métallisation et mobiles relativement l'une à l'autre parallèlement au substrat (l'une des pièces peut être fixe et l'autre mobile ou bien les deux peuvent être mobiles). 20 Selon une caractéristique générale de cet aspect le dispositif comprend en outre deux appendices électriquement conducteurs solidaires respectivement desdites deux parties métalliques, chaque appendice étant situé d'une part au moins partiellement audit même niveau de métallisation et d'autre part au moins partiellement au 25 niveau de via immédiatement supérieur. Chaque appendice possède une partie saillante tournée vers la partie saillante de l'autre appendice. Chaque partie saillante comporte au moins un composé électriquement conducteur résistant à (ou réfractaire à) la formation surfacique au contact du fluide présent dans ledit logement, d'un composé 30 électriquement isolant. Un composé résistant à ou réfractaire à la formation surfacique au contact du fluide présent dans le logement est par exemple un composé qui ne forme pas de composé électriquement isolant ou qui le formera au bout d'une durée extrêmement longue et typiquement 3034567 4 supérieure à la durée de vie du circuit intégré, et ce à la température de fonctionnement du circuit intégré, typiquement inférieure à 150°C. De nombreuses possibilités existent pour choisir un tel composé. 5 On pourra par exemple choisir ce composé parmi les céramiques, comme par exemple le titane, le tantale, le tungstène ou le ruthénium. Il convient de noter ici que le ruthénium, même s'il s'oxyde, forme un oxyde de ruthénium qui est lui-même électriquement 10 conducteur. Cela étant, en pratique, le composé peut être un composé résistant à l'oxydation, par exemple un composé quasi inoxydable à une température inférieure à 150°C au contact de l'air présent dans le logement. 15 A titre d'exemple, le composé peut être choisi dans le groupe formé par le titane, le nitrure de titane, le tantale, le nitrure de tantale, le tungstène, le ruthénium, l'or et une combinaison de certains au moins de ces différents éléments. Cela étant, en pratique, la composition des appendices (vias 20 déportés) est avantageusement identique à celle des vias. Ainsi, selon un mode de réalisation, lorsque les niveaux de métallisation comprennent de l'aluminium, chaque appendice comporte du tungstène enrobé par une couche barrière comportant du titane et du nitrure de titane. Et, c'est cette couche barrière, résistante à la 25 formation d'un composé électriquement isolant, qui va assurer le contact ohmique, par exemple, entre les deux parties mobiles relativement l'une à l'autre. En variante, lorsque les niveaux de métallisation comprennent du cuivre, chaque appendice peut alors comporter du cuivre enrobé par 30 une couche barrière comportant du tantale et du nitrure de tantale. Selon un mode de réalisation, le dispositif comporte une structure configurable, logée au moins partiellement dans ledit logement, incorporant lesdites deux parties métalliques et possédant une première configuration dans laquelle les deux appendices sont en 3034567 5 contact de façon à autoriser une liaison électrique passant par les deux appendices et les deux parties métalliques, et une deuxième configuration dans laquelle les deux appendices sont à distance l'un de l'autre de façon à interdire ladite liaison électrique. 5 En d'autres termes, le dispositif se comporte ici comme un dispositif mécanique de commutation électrique intégré. En variante, le dispositif peut comporter une structure configurable, logée au moins partiellement dans ledit logement, incorporant lesdites deux parties métalliques et possédant au moins 10 une première configuration dans laquelle les deux appendices sont à une première distance l'un de l'autre de façon à former un premier condensateur ayant une première valeur capacitive et une deuxième configuration dans laquelle les deux appendices sont à une deuxième distance l'un de l'autre de façon à former un deuxième condensateur 15 ayant une deuxième valeur capacitive. En d'autres termes, le dispositif se comporte ici comme un dispositif capacitif intégré ayant une valeur capacitive variable, par exemple thermiquement variable. La structure peut être thermiquement activable. 20 En variante, la structure peut comprendre un premier élément métallique incorporant l'une des deux parties, un deuxième élément métallique incorporant l'autre partie, et un troisième élément situé en regard du premier élément, le premier élément et le troisième élément comportant respectivement deux appendices saillants supplémentaires 25 électriquement conducteurs, ayant une composition identique à celle desdits appendices, situés en regard l'un de l'autre, et le dispositif comporte en outre des moyens d'activation configurés pour faire passer la structure d'une configuration à une autre sous l'action d'une force électrostatique exercée entre les deux appendices saillants 30 supplémentaires. Ainsi, le fait de prévoir des appendices saillants supplémentaires électriquement conducteurs permet de réduire l'espace entre le premier élément et le troisième élément, ce qui permet d'activer la structure avec une force électrostatique moindre que celle 3034567 6 qu'il aurait été nécessaire d'exercer en l'absence de ces appendices saillants supplémentaires. D' autres avantages et caractéristiques de l' invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de 5 réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : -les figures 1 à 5 sont relatives à l'art antérieur, et, -les figures 6 à 22 sont relatives à différents modes de réalisation de l'invention. Bien que l'invention s'applique à tout dispositif comportant 10 deux pièces mobiles relativement l'une à l'autre parallèlement au substrat, l'invention s'applique tout particulièrement aux dispositifs mécaniques de commutation électrique intégrés ou encore aux dispositifs capacitifs présentant une valeur capacitive variable, par exemple thermiquement, par exemple ceux décrits dans les demandes 15 de brevets publiées précitées. Un exemple de dispositif de commutation intégré est décrit dans la demande de brevet FR 2 984 009. On en rappelle ici les principales caractéristiques en se référant aux figures 1 à 5. 20 Si l'on se réfère à la figure 1, on voit que le dispositif mécanique de commutation ou commutateur CMT est réalisé au sein d'un même niveau de métallisation Mi de la partie d'interconnexion PITX du circuit intégré CI, cette partie d'interconnexion étant également communément désignée par l'homme du métier sous 25 l'acronyme anglosaxon « BEOL ». Cette partie PITX se situe au dessus du substrat SB. Dans les exemples décrits ici, le commutateur CMT est métallique, et plus particulièrement en aluminium. Cela étant, le métal pourrait être du cuivre sans que ces deux exemples ne soient limitatifs. 30 Le commutateur CMT comporte ici un ensemble ou structure ENSI en forme de croix asymétrique. Cet ensemble ENSI comporte un premier bras BR1A et un deuxième bras BR1B solidaire d'une poutre PTR, également dénommée « pointeur central », en deux emplacements EMPA et EMPB respectivement situés sur deux faces opposées de la 3034567 7 poutre PTR. Ces deux emplacements EMPA et EMPB sont espacés d'une distance d. Comme on le verra plus en détail ci après, l'ensemble ENSI est réalisé en utilisant des techniques classiques de réalisation des pistes 5 métalliques de la partie d'interconnexion PITX, utilisées en technologie CMOS notamment. La partie gauche de la figure 1 montre le commutateur CMT, et plus particulièrement l'ensemble ENSI encapsulé dans une région isolante RIS tandis que la partie droite de la figure 1 montre le même 10 ensemble après gravure de la région isolante de façon à libérer les bras BR1A et BR1B ainsi que la poutre PTR. L'ensemble ENSI, ainsi libéré, s'étend donc à l'intérieur d'un logement LG résultant du retrait de la région isolante RIS, les deux bras BR1A et BR1B étant solidaires des bords BDA et BDB du 15 logement. Il a été montré dans l'article de R. Vayrette et autres intitulé : « Residual stress estimation in damascene copper interconnects using embedded sensors », Microelectronics Engineering 87 (2010) 412-415, qu'après désencapsulation d'un ensemble de ce type, il y a une 20 relaxation des contraintes, ce qui provoque une déformation longitudinale résiduelle des bras provoquant une déviation a du pointeur, ici dans le sens des aiguilles d'une montre. Selon les applications qui seront envisagées, et notamment selon la précision souhaitée, par exemple dans le cas d'une détection 25 de température, on pourra tenir compte ou ne pas tenir compte de cette déviation résiduelle a du pointeur PTR. Dans l'exemple illustré sur la figure 2, le commutateur CMT comprend, outre l'ensemble ENSI, deux butées électriquement conductrices BTA et BTB, par exemple deux butées métalliques, 30 réalisées également au sein du même niveau de métallisation que celui dans lequel a été réalisé l'ensemble ENSI. Sur la partie gauche de la figure 2, on a représenté l'ensemble ENSI avant désencapsulation de la région isolante RIS et sur la partie centrale de la figure 2, on a représenté le même ensemble ENSI une 3034567 8 fois désencapsulé c'est-à-dire libéré de la région isolante RIS. Dans l'exemple montré ici, on tient compte de la déviation résiduelle de la poutre PTR (pointeur) liée à la relaxation des contraintes lors de la libération de l'ensemble ENSI de la région isolante RIS qui 5 1 ' entourait. Sur la partie centrale de la figure 2, le premier ensemble ENSI présente alors une première configuration lorsqu'il a une première température, par exemple la température ambiante. Dans cette première configuration, la poutre est à distance des deux butées et aucune 10 liaison électrique ne peut passer par ces butées et la poutre. Sur la partie droite de la figure 2, l'ensemble ENSI a été thermiquement activé pour prendre une deuxième configuration dans laquelle la poutre PTR vient au contact des deux butées BTA et BTB. Cette activation thermique a été provoquée par une élévation de 15 température des bras d'expansion BR1A et BR1B. En effet, de par l'élévation de température, ces bras se dilatent et, comme les deux points de fixation des deux bras BR1A et BR1B sur la poutre PTR sont espacés dans la direction longitudinale de la poutre, cette dilatation provoque un moment de force non nul résultant 20 en une rotation RTX2 de la poutre PTR dans le sens inverse des aiguilles d'une montre et parallèle au substrat, rotation RTX 2 inverse de la rotation RTX1 (partie centrale de la figure 2) résultant de la relaxation des contraintes sur l'ensemble ENSI. Connaissant le coefficient de dilatation thermique du matériau 25 formant les bras d'expansion, la géométrie des bras, notamment leur longueur et leur largeur ainsi que leur épaisseur, et l'espacement d entre les deux points de fixation, on peut aisément simuler la déviation du pointeur PTR résultant de la rotation RTX2. Par voie de conséquence, on peut positionner les butées BTA et 30 BTB dans le logement de façon qu'au-delà d'une température de seuil, la poutre PTR vienne contacter ces deux butées BTA et BTB. Il devient alors possible d'établir une liaison électrique passant par les butées BTA, BTB et par la poutre PTR. 3034567 9 On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 3 à 5, pour illustrer un mode de fabrication d'un exemple de réalisation d'un commutateur CMT. On suppose sur ces figures que l'ensemble ENSI, ainsi que les 5 butées, sont réalisés au niveau de métallisation M3 (Métal 3). On voit alors (figure 3) que l'on utilise le niveau V2 de vias 2 entre le niveau de métal 2 et le niveau de métal 3 et le niveau V3 de vias 3 entre le métal 3 et le métal 4 pour former un mur « de protection » pour la gravure oxyde qui va suivre et permettre la 10 désencapsulation de l'ensemble ENSI et des différentes butées. Par ailleurs, comme illustré sur la figure 4, tant la partie mobile du commutateur CMT, en l'espèce la poutre PTR, que la partie fixe, en l'espèce la butée BTA, sont réalisées au niveau du métal 3. Par ailleurs, la butée BTA est reliée au niveau de métal 2 par un via 15 V20. Le commutateur CMT, et notamment l'ensemble ENSI sont réalisés en utilisant des étapes classiques de fabrication de niveau de métallisation et de vias. Plus précisément, comme illustré sur la figure 5, après réalisation du niveau de métal M2 et de niveau de via V2, 20 l'ensemble ENSI, représenté ici en pointillés à des fins de simplification, est réalisé de façon classique par gravure de l'oxyde sous jacent et dépôt de métal en l'espèce du cuivre dans les tranchées. Puis, l'ensemble est recouvert d'oxyde et le niveau de métallisation M4 est ensuite réalisé. 25 Après formation sur le niveau de métal 4 d'une couche classique de nitrure Cl, on procède à la réalisation d'un peigne dans ce niveau de métal 4 de façon à former des orifices OR. Puis, on procède à une gravure sèche isotrope suivie d'une gravure humide par exemple avec de l'acide fluorhydrique, de façon à 30 éliminer la région isolante (oxyde) encapsulant l'ensemble ENSI ainsi que les différentes butées et réaliser par là même le logement LG. Puis, on procède à un dépôt non conforme d'oxyde de façon à former une couche C2 bouchant les orifices OR. 3034567 10 Bien entendu, ce qui vient d'être décrit pour les niveaux de métal M2, M3, M4 peut se généraliser aux niveaux de métal M1, MI, M +1. Le procédé classique de réalisation des différents niveaux de 5 métallisation supérieurs se poursuit ensuite. De façon à éviter l'apparition éventuelle d'un oxyde en surface de deux pièces métalliques mobiles relativement l'une à l'autre, par exemple la poutre PTR et les butées BTA et BTB du dispositif de l'art antérieur décrit, il est prévu d'une façon générale d'équiper deux 10 parties métalliques mobiles relativement l'une à l'autre de deux appendices saillants comportant au moins un composé électriquement conducteur résistant à la formation surfacique au contact du fluide présent dans le logement, d'un composé électriquement isolant. Ceci est illustré schématiquement sur les figures 6 à 20. 15 Sur la figure 6, la référence 1 désigne un élément, fixe ou mobile parallèlement au substrat du circuit intégré, d'une structure STR logée au moins partiellement dans le logement LG de la partie BEOL PITX, comportant dans cet exemple, un bras 10 dont l'extrémité 100 est destinée à être mobile relativement à une autre extrémité d'un 20 autre élément. On voit dans cet exemple que l'élément 1 comporte un appendice 101 solidaire de l'extrémité 100 et saillant de cette extrémité 100. La figure 6 est une vue schématique du type « schéma de 25 placement » (layout) tandis que la figure 7 illustre schématiquement la configuration géométrique de l'appendice 101 une fois réalisé. La figure 8 est une vue en perspective de l'élément 1. On voit que cet appendice 101 comporte une partie supérieure 1010 située au niveau de via immédiatement supérieur au niveau de 30 métallisation comportant la partie métallique en mouvement et une partie inférieure 1011 s'étendant, au moins partiellement et généralement totalement, audit niveau de métallisation. Si l'on considère par exemple que cet élément 1 est la poutre métallique PTR du dispositif décrit en référence aux figures 1 à 5 qui 3034567 11 est réalisée au niveau de métallisation M3, alors la partie 1010 de l'appendice 101 se situe au niveau de vias V3 tandis que la partie 1011 de l'appendice 101 se situe au niveau de métallisation M3. On reviendra plus en détail ci-après sur la formation de cet 5 appendice qui est en fait un via déporté, pour expliquer la disposition de ces deux parties 1010 et 1011. En fait, comme on le verra plus précisément en détails ci-après, cet appendice ou via déporté sera réalisé simultanément aux vias niveau de via V3. 10 Aussi, même si, comme indiqué ci-avant, il existe nombreuses possibilités pour choisir le ou les composés formant ce via déporté 101, il est particulièrement avantageux que l'appendice ou via déporté 101 ait une composition identique à celle des vias du circuit intégré. 15 Et, à titre d'exemple, lorsque les niveaux de métallisation sont réalisés en aluminium, les vias comportent généralement du tungstène enrobé par une couche barrière comportant du titane et du nitrure de titane. Ceci est illustré plus précisément sur les figures 10 et 12 qui 20 sont respectivement des coupes selon les lignes X-X et XII-XII des figures 9 et 11. Sur la figure 9, on a représenté deux éléments 1 et 2 de la structure STR, dont les parties métalliques 100 et 200 sont mobiles relativement l'une à l'autre. Chacune des deux parties pourrait être 25 mobile ou bien l'une des deux parties peut être fixe tandis que l'autre est mobile. C'est le cas par exemple de la poutre PTR et des butées BTA et BTB du dispositif des figures 1 à 5. Chaque partie métallique 100 et 200 est équipée d'un appendice saillant 101, 201 30 Dans la configuration illustrée sur la figure 9, les deux parties saillantes 101 et 201, en regard l'une de l'autre, sont espacées de façon à interdire toute liaison électrique passant par les éléments 1 et du de 2. 3034567 12 On voit sur la figure 10, que la partie centrale 10100, 20100 de chaque appendice est formée de tungstène enrobé latéralement par la couche barrière 10101, 20101. A titre indicatif, la couche barrière comporte une couche de titane d'épaisseur 50 Angstrôms et une couche 5 de nitrure de titane TIN d'épaisseur 50 Angstrôms, la couche de nitrure de titane étant en contact du tungstène. Sur la figure 11, les deux appendices 201 et 202 sont en contact ohmique autorisant une liaison électrique à passer par les éléments métallique 1 et 2. 10 On voit sur la figure 12 que ce sont en fait les deux couches barrière 10101 et 20101 qui sont en contact, ce qui améliore la qualité du contact ohmique, et évite une dégradation de celui-ci au cours du temps puisque la couche barrière formée de titane et de nitrure de titane ne va pas former en surface un matériau électriquement isolant 15 au contact de l'air présent dans la cavité et aux températures habituelles de fonctionnement du circuit intégré. Par ailleurs le fait d'utiliser des appendices saillants (vias déportés) pour réaliser le contact électrique permet d'augmenter la surface de contact par rapport à une configuration classique (sans vias déportés) et donc de 20 réduire la résistance électrique de contact. On se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 13 pour illustrer un mode de mise en oeuvre d'un procédé de réalisation des appendices saillants. Comme expliqué ci-avant en référence notamment aux figures 3 25 à 5, après avoir réalisé la paroi de plancher du logement au niveau de métallisation M2 puis le niveau de vias V2 comportant les portions correspondantes de parois latérales du logement, on dépose sur le niveau de vias V2 et sur la région isolante RIS englobant les vias du niveau de via V2, une couche d'aluminium (par exemple) destinée à 30 former les différentes pistes métalliques et éléments du dispositif situés au niveau de métallisation M3. Une fois ce dépôt d'aluminium effectué, on procède à une gravure de cette couche de façon à former les éléments 30 et 40 de parois latérales du logement, les parties mobiles 10 et 20 des deux 3034567 13 éléments 1 et 2 destinés à être relativement mobiles l'un par rapport à l'autre ainsi qu'à l'extérieur du logement, des pistes métalliques 50 du circuit intégré. Puis, on procède à nouveau à un dépôt d'oxyde pour continuer 5 à former la région isolante RIS. Après avoir effectué un polissage mécanochimique, on procède à une gravure des vias du niveau de vias V3. Cette gravure est classiquement une gravure plasma et permet de réaliser, dans la région isolante RIS, les orifices 33, 44 et 55 qui seront destinés à former, après remplissage par le matériau de 10 remplissage des vias, d'autres parties de parois latérales du logement LG ainsi que, en ce qui concerne l'orifice 55, un via destiné à relier la piste métallique 50 du niveau de métal M3 à une piste métallique située à un niveau de métallisation supérieur. Cette gravure permet également de réaliser deux orifices 12 et 15 22, qui sont des orifices déportés par rapport aux éléments métalliques 10 et 20. La gravure a une durée classiquement choisie suffisamment grande de façon à pouvoir ouvrir correctement les orifices destinés à recevoir les vias sur tout l'ensemble de la plaquette semiconductrice 20 (« wafer »), notamment aux extrémités de celle-ci. De ce fait, l'opération de gravure va, en ce qui concerne les orifices 12 et 22, ouvrir tout d'abord les parties supérieures 120 et 220 de ces orifices puis, comme ces orifices sont déportés, permettre l'ouverture des parties inférieures de ces orifices 121 et 221 situées au 25 moins partiellement, et en général totalement, au niveau de métallisation M3. On procède ensuite au remplissage des vias par un dépôt conforme de la couche barrière Ti/TiN puis par un dépôt de tungstène, classiquement par un dépôt chimique en phase vapeur (dépôt CVD). Il 30 convient de noter à cet égard que ce dépôt est avantageusement précédé d'une gravure plasma (« soft sputter etch ») qui permet d'éliminer l'oxyde natif sur l'aluminium afin que le titane soit en contact direct avec l'aluminium. Ceci est possible car entre la chambre de gravure et celle de dépôt du titane, il n'y a pas de remise à l'air. Il 3034567 14 s'agit ici d'un procédé sous vide qui permet avantageusement d'assurer un bon contact électrique entre la couche barrière et 1 ' aluminium. Après avoir procédé à un polissage mécanochimique, tous les 5 vias du niveau de vias V3 sont réalisés de même que les appendices saillants qui remplissent les orifices 12 et 22. La formation des vias déportés va nécessiter dans ce mode de mise en oeuvre un niveau de vias et un niveau de métallisation supplémentaires pour fermer le logement ce qui représente un surcoût 10 d'encombrement volumique toutefois réduit. En variante il serait possible d'éviter de former ces niveaux de vias et de métallisation supplémentaires en formant comme illustré schématiquement sur la figure 14, des vias déportés s'étendant partiellement ou totalement au niveau de métal M, ( par exemple le 15 niveau M3) et ne s'étendant que partiellement au niveau de vias V, immédiatement supérieur (par exemple le niveau V3) et en réalisant les autres vias en deux fois. Plus précisément on dépose tout d'abord sur le niveau de métal M3 une couche isolante CSS1 plus fine que la future région isolante 20 RIS destiné à séparer les niveaux de métallisation adjacents M3 et M4. Puis on réalise l'appendice saillant 201 (via déporté) solidaire de la partie mobile 20 d'une façon analogue à ce qui a été décrit ci-avant. Comme l'épaisseur de la couche CSS1 est plus faible que la 25 distance inter niveaux de métallisation, la partie supérieure 2010 de l'appendice ne s'étend que partiellement au niveau de vias V3 tandis que la partie inférieure 2011 de ce via déporté s'étend ici totalement au niveau de métallisation M3. Puis on redépose une couche complémentaire isolante C552 de 30 façon à former la région isolante RIS. C'est dans cette région RIS que l'on va alors réaliser les autres vias V du niveau de vias V3. La géométrie des appendices saillants peut être quelconque et ne pas limiter à la forme illustrée sur les figures 6 à 12. 3034567 15 Ainsi, comme illustré sur les figures 15 et 16, l'appendice saillant 101 peut se situer au voisinage de l'extrémité de l'élément mobile 1 et chevaucher totalement transversalement cet élément mobile 1. 5 De même, l'élément 2, qui peut être par exemple un élément fixe, est alors pourvu sur un de ses côtés d'un appendice 201. Sur la figure 15, les deux appendices sont à distance l'un de l'autre, correspondant à un commutateur ouvert, tandis que sur la figure 16, les deux appendices 101 et 201 sont en contact ohmique 10 correspondant à un interrupteur fermé. Sur les figures 17 et 18, qui représentent également un commutateur dans son état ouvert et fermé, l'appendice 101 peut enrober totalement l'extrémité libre de l'élément 1 supposé être l'élément mobile de façon à avoir une partie en regard de l'appendice 15 201 de l'élément fixe 2. Le passage d'une configuration du type commutateur ouvert à une configuration type commutateur fermé peut être dû à une activation thermique obtenue par exemple par une déformation de l'un au moins des éléments suite par exemple à une élévation de 20 température du circuit intégré. Ceci est décrit par exemple dans la demande de brevet français précitée ou alors dans la demande de brevet WO 2013/08 33 85. En variante, cette élévation de température peut être obtenue par effet Joule par circulation d'un courant dans l'un au moins des 25 éléments métalliques. En variante, comme illustré sur les figures 19 et 20, il est possible que cette activation soit obtenue par l'application d'une force électrostatique F générée par des moyens d'activation connus en soi. Ces moyens d' activation peuvent comprendre par exemple un 30 générateur GEN apte à appliquer une différence de potentiel entre les deux appendices 102 et 301. Plus précisément, dans ce cas, comme illustré sur la figure 19, la structure STR comprend un premier élément 1 supposé être un élément mobile équipé à son extrémité d'un appendice saillant 101 3034567 16 situé en regard de l'appendice saillant 201 d'un deuxième élément 2 supposé être fixe. Le commutateur est alors dans un état ouvert. Par ailleurs, un troisième élément 3 est équipé également d'un appendice saillant supplémentaire 301 qui est situé en regard d'un 5 appendice saillant supplémentaire 102 du premier élément 1. Compte tenu du caractère saillant des appendices supplémentaires, la distance e2 entre ces appendices est plus faible que la distance el qui séparerait les éléments 1 et 3 en l'absence d'appendices saillants supplémentaires. 10 Comme illustré schématiquement sur la figure 20, par application d'une force électrostatique F entre les appendices saillants supplémentaires 102 et 301, l'appendice saillant 101 vient au contact de l'appendice saillant 201 pour placer le commutateur dans son état fermé. 15 Et, compte tenu que la distance e2 et inférieure à la distance el, et que la surface de la capacité d'activation est plus importante en raison de la présence des appendices saillants supplémentaires, la force électrostatique F nécessaire pour mettre en contact les appendices saillants 101 et 201 est plus faible que la force 20 électrostatique qu'il aurait été nécessaire d'appliquer entre les éléments 3 et 1 en l'absence d'appendices saillants supplémentaires 301 et 102. La diminution de la tension d'activation liée au gain de surface peut atteindre par exemple un facteur 2. L'invention ne s'applique pas uniquement à des commutateurs 25 mécaniques intégrés mais peut également trouver une application pour des dispositifs capacitifs intégrés ayant une valeur capacitive variable, par exemple thermiquement variable comme par exemple celui décrit dans la demande de brevet FR 2 984 010. En effet, comme illustré sur la figure 21, la structure 30 métallique STR, comprenant les deux éléments métalliques 1 et 2 équipés de leur appendice saillant respectif 101 et 201 peut former, lorsque les deux appendices saillants sont distants de la distance dl un condensateur ayant une première valeur capacitive Cl. 3034567 17 Dans une deuxième configuration, illustrée sur la figure 22, l'élément mobile 1 se rapproche de l'élément fixe 2 de façon à ce que la distance d2 entre les deux appendices saillants 101 et 201 soit plus faible que la distance dl, ce qui confère au condensateur une deuxième 5 valeur capacitive C2 différente de la valeur capacitive Cl. Et, puisque les appendices saillants sont formés d'un composé résistant ou réfractaire à la formation surfacique d'un matériau électriquement isolant, il n'y a pas de risque de formation au niveau des appendices saillants d'un tel matériau isolant qui pourrait former 10 un diélectrique parasite et fausser les valeurs capacitives Cl et C2 qui ont été calculées à partir des distances dl et d2. REVENDICATIONS1. Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie d'interconnexion (PITX) comportant au sein d'une région isolante plusieurs niveaux de métallisation séparés par des niveaux de vias, et au sein de ladite partie d'interconnexion, un dispositif comportant dans un logement (LG) rempli d'un fluide, deux parties métalliques (100, 200) situées toutes les deux au sein d'un même niveau de métallisation (M3) et mobiles relativement l'une à l'autre parallèlement au substrat, caractérisé en ce que le dispositif comprend en outre deux appendices électriquement conducteurs (101, 201) solidaires respectivement desdites deux parties (100, 200), chaque appendice étant situé d'une part au moins partiellement audit même niveau de métallisation (M3) et d'autre part au moins partiellement au niveau de via immédiatement supérieur (V3), chaque appendice possédant une partie saillante tournée vers la partie saillante de l'autre appendice, chaque partie saillante comportant au moins un composé électriquement conducteur (10101, 20101) résistant à la formation surfacique au contact du fluide présent dans ledit logement (LG), d'un composé électriquement isolant. 2. Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel ledit composé électriquement conducteur (10101, 20101) comprend un matériau résistant à l'oxydation. 3. Circuit intégré selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ledit composé électriquement conducteur (10101, 20101) est choisi dans le groupe formé par le titane, le nitrure de titane, le tantale, le nitrure de tantale, le tungstène, le ruthénium, l'or. 4. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la composition des appendices (101, 201) est identique à celle des vias. 5. Circuit intégré selon la revendication 4, dans lequel les niveaux de métallisation comprennent de l'aluminium et chaque 3034567 19 appendice (101, 201) comporte du tungstène enrobé par une couche barrière comportant du titane et du nitrure de titane. 6. Circuit intégré selon la revendication 4, dans lequel les niveaux de métallisation comprennent du cuivre et chaque appendice 5 (101, 201) comporte du cuivre enrobé par une couche barrière comportant du tantale et du nitrure de tantale. 7. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif comporte une structure configurable (STR), logée au moins partiellement dans ledit logement (LG), incorporant 10 lesdites deux parties (100, 200) et possédant une première configuration dans laquelle les deux appendices (101, 201) sont en contact de façon à autoriser une liaison électrique passant par les deux appendices (101, 201) et les deux parties métalliques (100, 200), et une deuxième configuration dans laquelle les deux appendices (101, 15 201) sont à distance l'un de l'autre de façon à interdire ladite liaison électrique. 8. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif comporte une structure configurable (STR), logée au moins partiellement dans ledit logement (LG), incorporant 20 lesdites deux parties et possédant au moins une première configuration dans laquelle les deux appendices (101, 201) sont à une première distance (dl) l'un de l'autre de façon à former un premier condensateur (Cl) ayant une première valeur capacitive et une deuxième configuration dans laquelle les deux appendices (101, 201) 25 sont à une deuxième distance (d2) l'un de l'autre de façon à former un deuxième condensateur (C2) ayant une deuxième valeur capacitive. 9. Circuit intégré selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la structure comprend un premier élément métallique (1) incorporant l'une des deux parties, un deuxième élément métallique (2) 30 incorporant l'autre partie, et un troisième élément (3) situé en regard du premier élément, le premier élément et le troisième élément comportant respectivement deux appendices saillants supplémentaires électriquement conducteurs (102, 301), ayant une composition identique à celle desdits appendices, situés en regard l'un de l'autre, et 3034567 20 le dispositif comporte en outre des moyens d'activation (GEN) configurés pour faire passer la structure (STR) d'une configuration à une autre sous l'action d'une force électrostatique (F) exercée entre les deux appendices saillants supplémentaires. 5 10. Circuit intégré selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la structure (STR) est thermiquement activable.