FR 3021645 A1 20151204 FR 1455019 A 20140603 1 STRUCTURE D'ENCAPSULATION A PLUSIEURS CAVITES MUNIES DE CANAUX D'ACCES DE HAUTEURS DIFFERENTES DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR L'invention concerne le domaine des structures d'encapsulation comportant plusieurs cavités avantageusement destinées à comporter des atmosphères différentes, et dans lesquelles différents micro-dispositifs, par exemple de type MEMS, NEMS, MOEMS, NOEMS, ou des détecteurs infrarouges de type micro-bolomètre, sont avantageusement destinés à être encapsulés de façon hermétique. Certains micro-dispositifs nécessitent pour leur bon fonctionnement d'être enfermés dans une cavité dont l'atmosphère (en termes de nature des gaz et de pression) est contrôlée. Pour cela, il est possible de réaliser ces micro-dispositifs collectivement sur des tranches, ou wafers ou substrats, de silicium puis de les encapsuler dans des cavités via un report d'un capot correspondant généralement à un autre substrat en silicium ou en verre (assemblage « Wafer to Wafer », également appelé assemblage W2W), ou via une encapsulation par une ou plusieurs couches minces superposées et déposées sur une couche sacrificielle qui, après destruction, forme des volumes libres entre le substrat et les couches minces formant les cavités (encapsulation « Thin Film Packaging », également appelée TFP, ou PCM pour « Packaging Couche Mince »). Les cavités hermétiques ainsi définies permettent de préserver les atmosphères qui entourent les micro-dispositifs dans les cavités vis-à-vis de l'atmosphère extérieure. L'ajout d'un getter en couche mince, préalablement déposé sur le ou l'un des substrats avant la réalisation d'une cavité, permet de contrôler l'atmosphère dans la cavité. Ainsi, la réalisation d'une cavité incluant un micro-dispositif sous atmosphère contrôlée inclut généralement le dépôt d'un getter sur 3021645 2 l'un ou l'autre des deux substrats au préalable à l'opération d'assemblage pour la technologie W2W ou, dans le cas d'une technologie TFP, le dépôt du getter soit au premier niveau sur le substrat d'accueil du micro-dispositif soit directement sous la forme d'une première couche d'encapsulation. Il est possible d'obtenir 5 par cette technique une pression résiduelle minimale de gaz dans la cavité, par exemple comprise entre environ 10-3 et 10' mbar. L'ajout d'un gaz rare (argon par exemple) lors de l'opération de fermeture de la cavité et en présence d'un getter permet de contrôler des pressions résiduelles supérieures à ces valeurs. Certains micro-dispositifs, par exemple les micro-dispositifs 10 inertiels à six degrés de liberté, incluant notamment un accéléromètre et un gyromètre dans une même puce, nécessitent un procédé de packaging spécifique puisque chacun des micro-dispositifs est encapsulé dans une cavité hermétique distincte sous atmosphère contrôlée du fait que les deux micro-dispositifs fonctionnent à des pressions différentes. Pour fermer hermétiquement au moins 15 deux cavités sous des atmosphères différentes, il existe plusieurs solutions qui s'appliquent généralement pour une encapsulation de type W2W et, dans certains cas, à une encapsulation de type TFP. Le document US 8 590 376 B2 décrit un dispositif comportant deux capteurs encapsulés chacun dans une cavité distincte, les cavités étant 20 obtenues par une encapsulation de type W2W. La nature des gaz et/ou la pression au sein des cavités sont contrôlées individuellement dans chaque cavité en disposant un getter dans l'une des cavités et en ne disposant pas de getter dans l'autre cavité, ou en disposant dans les cavités des getters présentant des propriétés d'absorption différentes. 25 Du fait que le scellement des cavités est réalisé lors de l'assemblage des deux wafers, il est difficile de maîtriser la qualité de l'atmosphère résiduelle (nature des gaz et pression). En effet, celle-ci est liée aux procédés technologiques préalables à l'assemblage qui génèrent des adsorptions gazeuses notamment sur les parois des cavités. Des problèmes de reproductibilité 3021645 3 se posent donc dans ce cas. Cette solution permet donc d'obtenir des pressions comprises entre environ 10-4 mbar et quelques mbar d'une atmosphère non contrôlée. Le document US 8 350 346 B1 propose de créer des cavités de 5 volumes différents. Ainsi, pour une même pression de fermeture, les pressions résiduelles vont dépendre directement du rapport des volumes des cavités car le rapport surface/volume décroît quand la cavité est plus profonde, conférant ainsi une pression plus faible pour la cavité de plus grande profondeur. Toutefois, la variation de volume possible entre les cavités étant limitée, les différences de 10 pression pouvant être obtenues au sein des cavités sont également limitées (différence d'un facteur 2 ou 3 maximum). De plus, un processus de dégazage se produit lors de la fermeture des cavités, qui repose sur les espèces adsorbées au niveau des surfaces des cavités, ce qui pose des problèmes de reproductibilité. Les documents US 8 035 209 B2 et US 2014/0008738 Al 15 proposent de fermer deux cavités lors d'une même opération, puis d'ouvrir au moins une des deux cavités pour la refermer ensuite sous une pression différente via un dépôt d'un film mince. Il est également décrit la possibilité de réaliser, à travers une première couche d'encapsulation, des trous d'accès aux deux cavités, les dimensions des trous étant différentes pour les deux cavités. Ainsi, un premier 20 dépôt d'un film mince permet d'obstruer les trous de plus petites dimensions et fermer hermétiquement la cavité associée à ces trous, alors qu'un second dépôt permet ensuite de fermer hermétiquement l'autre cavité. Toutefois, ce procédé nécessite la mise en oeuvre de nombreuses étapes par rapport aux autres procédés. De plus, il existe un risque 25 de pollution de l'intérieur des cavités, notamment au niveau de celle comportant les trous de plus grandes dimensions lors du dépôt de la première couche d'encapsulation. Enfin, lorsque ce procédé est appliqué pour une encapsulation de type TFP, il présente l'inconvénient de créer aussi un dépôt dans les cavités qui 3021645 4 peut être gênant pour le bon fonctionnement du dispositif ou qui nécessite une conception appropriée pour éviter cet inconvénient. Le document US 2012/0326248 Al décrit quatre solutions pour réaliser plusieurs cavités comportant des atmosphères différentes. 5 La première solution repose sur la création d'une première cavité avant la création d'une seconde cavité lors de l'étape d'assemblage. La première cavité est bouchée en utilisant des procédés de dépôt sur une cavité préexistante. La deuxième solution s'appuie sur le contrôle des cycles 10 d'assemblage entre les wafers, et propose trois technologies. La première technologie met en jeu des cordons de scellement de températures de fusion différentes. Ainsi, lors d'une première fusion il est possible de fermer un premier ensemble de cavités sous une atmosphère donnée, puis en augmentant la température de fermer un second ensemble de cavités sous une autre 15 atmosphère. La seconde technologie repose sur l'utilisation d'un même matériau de scellement, mais des dessins de cordons différents. Pour les premières cavités, les cordons sont continus, alors que pour les secondes cavités, les cordons possèdent une ouverture qui permet de créer une fuite entre l'intérieur de la cavité et la chambre de scellement. Il est ainsi possible de fermer les premières 20 cavités sous une atmosphère donnée, puis de changer l'atmosphère et d'appuyer plus sur l'assemblage de façon à fermer les secondes cavités. La troisième technologie utilise un matériau dégazeur ou getter, qui est introduit dans au moins une cavité au préalable à l'assemblage. Il s'active soit comme dégazeur, soit comme getter sous l'action de la température. Les difficultés essentielles de 25 cette technologie sont toutefois la maîtrise de la pression finale ainsi que la reproductibilité, du fait qu'il est difficile de bien contrôler la teneur en gaz dans le matériau dégazeur. La quatrième technologie met en jeu des cordons de scellement de hauteurs différentes sur l'un des deux wafers à assembler. Ils sont par exemple plus épais sur le pourtour des premières cavités, comparativement 3021645 5 aux secondes cavités. Il est ainsi possible de fermer les premières cavités sous une première atmosphère, puis les secondes sous une autre atmosphère. La troisième solution met en oeuvre la création de réservoir dans les pré-cavités usinées dans le premier substrat. Ces pré-cavités, en dehors 5 de la zone du réservoir, sont en communication avec l'atmosphère ambiante. Les cavités finales sont formées sur les pré-cavités lors de l'assemblage entre les substrats. L'ouverture du réservoir permet alors de remplir la cavité avec le gaz du réservoir. La quatrième solution utilise la création post-assemblage d'un 10 canal débouchant soit sur l'une des cavités soit à proximité de celle-ci, alors que les autres cavités ont été fermées lors de l'assemblage. Dans ce cas de figure, le canal débouche sur une couche d'oxyde de silicium qui se situe sur la périphérie de la cavité et dont la résistance à la perméation des gaz est connue. Il est ainsi possible de contrôler le remplissage de cette cavité par une atmosphère donnée, 15 puis de boucher le canal avec un dépôt approprié. Toutes ces solutions nécessitent soit de nombreuses étapes technologiques, soit utilisent, au moins dans une cavité, une pression résiduelle issue directement du cycle d'assemblage, posant ainsi des problèmes de reproductibilité. 20 Le document US 2014/0038364 Al propose de créer des fenêtres de diffusion de sections différentes dans le capot (notamment pour un capot verre, perméable à l'hélium, les fenêtres de diffusion sont définies par un masque métallique, imperméable à la diffusion de l'hélium, déposé sur le capot). Ces fenêtres sont définies une fois les cavités hermétiques scellées et le gaz est 25 introduit dans les cavités en exposant le composant à une pression contrôlée de gaz, pendant un temps et une température définis. Une fois les cavités remplies à la pression voulue, un film hermétique est déposé en vue de fermer les fenêtres. Cette solution implique toutefois de maîtriser l'atmosphère résiduelle dans les cavités après assemblage des substrats. Il est donc possible de 3021645 6 rencontrer des problèmes d'uniformité sur un même wafer et de reproductibilité d'un wafer à l'autre. De plus, cette technique ne s'applique que pour un capot perméable à certains gaz, ce qui limite le choix de la nature du capot et des gaz. EXPOSÉ DE L'INVENTION 5 Un but de la présente invention est de proposer une structuration d'encapsulation comportant plusieurs cavités dans lesquelles des atmosphères différentes (en termes de nature des gaz et de pression) peuvent être obtenues et ne présentant pas les inconvénients des structures de l'art antérieur précédemment décrites. 10 Pour cela, la présente invention propose une structure d'encapsulation comportant : - au moins un capot solidarisé à au moins un premier substrat et formant au moins des première et deuxième cavités distinctes entre le capot et le premier substrat, 15 - au moins des premier et deuxième canaux formés dans le premier substrat et/ou dans le capot et/ou entre le premier substrat et le capot, tels que le premier canal comporte une première extrémité débouchant dans la première cavité et une deuxième extrémité débouchant hors de la première cavité par l'intermédiaire d'au moins un premier trou formé à travers le capot, et 20 que le deuxième canal comporte une première extrémité débouchant dans la deuxième cavité et une deuxième extrémité débouchant hors de la deuxième cavité par l'intermédiaire d'au moins un deuxième trou formé à travers le capot, dans laquelle une hauteur HA du premier canal au niveau de sa deuxième extrémité est inférieure à une hauteur HB du deuxième canal au niveau 25 de sa deuxième extrémité. Chaque cavité est munie d'au moins un canal mettant en communication l'intérieur de la cavité avec l'extérieur de celle-ci. Du fait que la hauteur HA du premier canal est inférieure à celle (hauteur HB) du deuxième 3021645 7 canal, ce premier canal peut donc être fermé avant le deuxième canal par exemple par le dépôt d'une première couche de fermeture dont l'épaisseur est supérieure à la hauteur HA et inférieure à la hauteur HB, fermant ainsi uniquement la première cavité à l'atmosphère souhaitée sans fermer la deuxième 5 cavité. La deuxième cavité peut être ensuite fermée avec une autre atmosphère indépendamment de celle dans la première cavité. La structure d'encapsulation selon l'invention présente les avantages suivants : - elle permet de réaliser plusieurs cavités fermées avec des 10 atmosphères contrôlées dans chacune d'elles et indépendantes les unes des autres ; - les gammes de pressions pouvant être obtenues dans les cavités sont étendues, et peuvent par exemple aller jusqu'à environ 10-6 mbar ; - pas de limitation concernant les écarts possibles entre les 15 pressions avec lesquelles les cavités peuvent être fermées ; - bonne reproductibilité des atmosphères avec lesquelles les cavités peuvent être fermées ; - nombre d'étapes réduit pour réaliser la fermeture des cavités ; 20 - pas ou peu de risque de pollution à l'intérieur des cavités, notamment par les matériaux utilisés pour fermer les cavités ; - pas de limitation sur la nature des gaz pouvant être enfermés dans les cavités. La hauteur, ou épaisseur, d'un canal peut correspondre à une 25 dimension dudit canal qui est sensiblement perpendiculaire à une direction principale selon laquelle s'étend ledit canal (par exemple, dans le cas d'un canal rectiligne, le canal s'étend selon une direction principale allant de la première extrémité à la deuxième extrémité du canal). La hauteur peut par exemple correspondre à une dimension du canal qui est sensiblement perpendiculaire à 3021645 8 une face principale du premier substrat, par exemple la face du premier substrat sur laquelle se trouve le capot. La hauteur peut par exemple correspondre à une dimension du canal qui est sensiblement perpendiculaire à une face principale du capot, notamment dans le cas d'un canal formé dans le capot, et/ou à une face 5 principale du premier substrat. La hauteur HA du premier canal peut être sensiblement constante sur toute la longueur du premier canal, c'est-à-dire entre sa première extrémité et sa deuxième extrémité. La hauteur Hg du deuxième canal peut être sensiblement constante sur toute la longueur du deuxième canal. 10 Le premier trou peut comporter, au niveau d'une face avant du capot (face opposée à celle se trouvant en regard ou contre le premier substrat), une section appartenant à un plan sensiblement perpendiculaire à la hauteur du premier canal. De même, le deuxième trou peut comporter, au niveau de la face avant du capot, une section appartenant à un plan sensiblement perpendiculaire 15 à la hauteur du deuxième canal. Les premier et deuxième canaux peuvent former des évents latéraux (c'est-à-dire débouchant sur le côté des cavités) présentant des hauteurs différentes. La structure d'encapsulation selon l'invention peut être 20 avantageusement utilisée pour réaliser une encapsulation collective de plusieurs micro-dispositifs destinés à fonctionner sous des atmosphères différentes, c'est-à-dire à des pressions différentes et/ou dans des environnements gazeux différents. Les canaux peuvent être réalisés au niveau des bords des 25 cavités, notamment lorsque les canaux sont formés dans le premier substrat et/ou entre le premier substrat et le capot, et peuvent donc ne pas être disposés à l'aplomb de micro-dispositifs disposés dans les cavités, ce qui évite de les polluer ou de les endommager lors des fermetures des cavités. 3021645 9 La deuxième extrémité du premier canal peut être bouchée par au moins une première portion d'une première couche de fermeture d'épaisseur E1 supérieure à la hauteur HA et inférieure à la hauteur HB, et la deuxième extrémité du deuxième canal peut être bouchée par au moins : 5 - une deuxième portion de la première couche de fermeture et une portion d'une deuxième couche de fermeture d'épaisseur E2 telle que HB REVENDICATIONS1. Structure d'encapsulation (100) comportant : - au moins un capot (114) solidarisé à au moins un premier substrat (102) et formant au moins des première (110) et deuxième (112) cavités distinctes entre le capot (114) et le premier substrat (102), - au moins des premier (116) et deuxième (122) canaux formés dans le premier substrat (102) et/ou dans le capot (114) et/ou entre le premier substrat (102) et le capot (114), tels que le premier canal (116) comporte une première extrémité (117A) débouchant dans la première cavité (110) et une deuxième extrémité (117B) débouchant hors de la première cavité (110) par l'intermédiaire d'au moins un premier trou (120) formé à travers le capot (114), et que le deuxième canal (122) comporte une première extrémité (123A) débouchant dans la deuxième cavité (112) et une deuxième extrémité (123B) débouchant hors de la deuxième cavité (112) par l'intermédiaire d'au moins un deuxième trou (126) formé à travers le capot (114), dans laquelle une hauteur HA du premier canal (116) au niveau de sa deuxième extrémité (117B) est inférieure à une hauteur HB du deuxième canal (122) au niveau de sa deuxième extrémité (123B). 2. Structure d'encapsulation (100) selon la revendication 1, dans laquelle la deuxième extrémité (117B) du premier canal (116) est bouchée par au moins une première portion (132) d'une première couche de fermeture (128) d'épaisseur E1 supérieure à la hauteur HA et inférieure à la hauteur HB, et dans laquelle la deuxième extrémité (123B) du deuxième canal (122) est bouchée par au moins : - une deuxième portion (134) de la première couche de fermeture (128) et une portion (142) d'une deuxième couche de fermeture (136) d'épaisseur E2 telle que HB 3. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des 10 revendications précédentes, dans laquelle au moins un premier micro-dispositif (104) est disposé dans la première cavité (110) et/ou dans laquelle au moins un deuxième micro-dispositif (106) est disposé dans la deuxième cavité (112). 4. Structure d'encapsulation (100) selon les revendications 2 15 et 3, dans laquelle : - lorsque le premier micro-dispositif (104) est disposé dans la première cavité (110), la première couche de fermeture (128) comporte au moins un matériau électriquement conducteur, la structure d'encapsulation (100) comportant au moins un premier élément de connexion électrique (144) relié au 20 premier micro-dispositif (104) et à la première portion (132) de la première couche de fermeture (128), et au moins un premier contact électrique (148) disposé au moins en partie dans le premier trou (120) et relié à la première portion (132) de la première couche de fermeture (128), et/ou - lorsque le deuxième micro-dispositif (106) est disposé dans la 25 deuxième cavité (112), les matériaux (134, 142) bouchant la deuxième extrémité (123B) du deuxième canal (122) sont électriquement conducteurs, la structure d'encapsulation (100) comportant au moins un deuxième élément de connexion électrique (146) relié au deuxième micro-dispositif (106) et à la deuxième portion (134) de la première couche de fermeture (128), et au moins un deuxième 3021645 37 contact électrique (146) disposé au moins en partie dans le deuxième trou (126) et relié à la portion (142) de la deuxième couche de fermeture (136) ou à la portion (152) de matériau brasée sur la deuxième portion (134) de la première couche de fermeture (128). 5 5. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le premier canal (116) traverse au moins une paroi latérale (118) de la première cavité (110) et/ou dans laquelle le deuxième canal (122) traverse au moins une paroi latérale (124) de la deuxième 10 cavité (112). 6. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des revendications précédentes, dans laquelle le capot (114) comporte au moins un substrat dit deuxième substrat solidarisé au premier substrat (102) et tel que les 15 première (110) et deuxième (112) cavités sont formées au moins en partie dans le deuxième substrat. 7. Structure d'encapsulation (100) selon la revendication 6, dans laquelle le deuxième substrat est solidarisé au premier substrat (102) par 20 l'intermédiaire d'une interface de collage disposée entre le premier substrat (102) et le deuxième substrat et telle que les premier (116) et deuxième (122) canaux sont formés au moins en partie dans l'interface de collage. 8. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des 25 revendications 1 à 5, dans laquelle le capot (114) comporte au moins une couche mince disposée sur le premier substrat (102), et dans laquelle les premier (116) et deuxième (122) canaux sont formés au moins dans le premier substrat (102). 3021645 38 9. Structure d'encapsulation (100) selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle le capot (114) comporte au moins deux couches minces (158, 160) superposées l'une au-dessus de l'autre et disposées sur le premier substrat (102), et dans laquelle les premier (116) et deuxième (122) 5 canaux sont formés au moins par des espaces entre les deux couches minces (158, 160). 10. Procédé de réalisation d'une structure d'encapsulation (100), comportant la réalisation d'au moins un capot (114) solidarisé à au moins 10 un premier substrat (102) formant au moins des première (110) et deuxième (112) cavités distinctes entre le capot (114) et le premier substrat (102), et la réalisation d'au moins des premier (116) et deuxième (122) canaux dans le premier substrat (102) et/ou dans le capot (114) et/ou entre le premier substrat (102) et le capot (114), tels que le premier canal (116) comporte une première 15 extrémité (117A) débouchant dans la première cavité (110) et une deuxième extrémité (117B) débouchant hors de la première cavité (110) par l'intermédiaire d'au moins un premier trou (120) formé à travers le capot (114), et que le deuxième canal (122) comporte une première extrémité (123A) débouchant dans la deuxième cavité (112) et une deuxième extrémité (123B) débouchant hors de 20 la deuxième cavité (112) par l'intermédiaire d'au moins un deuxième trou (126) formé à travers le capot (114), dans lequel une hauteur HA du premier canal (116) au niveau de sa deuxième extrémité (117B) est inférieure à une hauteur HB du deuxième canal (122) au niveau de sa deuxième extrémité (123B). 25 11. Procédé selon la revendication 10, comportant en outre, après la réalisation du capot (114) et des premier (116) et deuxième (122) canaux, un dépôt d'au moins une première couche de fermeture (128) d'épaisseur E1 supérieure à la hauteur HA et inférieure à la hauteur HB telle qu'au 3021645 39 moins une première portion (132) de la première couche de fermeture (128) bouche la deuxième extrémité (117B) du premier canal (116), puis : - un dépôt d'au moins une deuxième couche de fermeture (136) d'épaisseur E2 telle que HB 12. Procédé selon l'une des revendications 10 ou 11, dans lequel la réalisation du capot (114) et des premier (116) et deuxième (122) canaux comporte au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation des premier (116) et deuxième (122) canaux au niveau d'une face d'un deuxième substrat destiné à être solidarisé au premier 20 substrat (102) ; - réalisation des première (110) et deuxième (112) cavités au niveau de ladite face du deuxième substrat ; - solidarisation de ladite face du deuxième substrat au premier substrat (102) ; 25 - réalisation des premier (120) et deuxième (126) trous à travers le deuxième substrat, dans lequel le premier canal (116) traverse au moins une paroi latérale (118) de la première cavité (110) et/ou dans lequel le deuxième canal (122) traverse au moins une paroi latérale (124) de la deuxième cavité (112). 3021645 40 13. Procédé selon l'une des revendications 10 ou 11, dans lequel la réalisation du capot (114) et des premier (116) et deuxième (122) canaux comporte au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation des première (110) et deuxième (112) cavités au 5 niveau d'une face d'un deuxième substrat destiné à être solidarisé au premier substrat (102) ; - réalisation d'une interface de collage sur ladite face du deuxième substrat et/ou sur une face (108) du premier substrat (102) à laquelle le deuxième substrat est destiné à être solidarisé, les premier (116) et deuxième 10 (122) canaux étant formés au moins en partie dans l'interface de collage ; - solidarisation de ladite face du deuxième substrat au premier substrat (102) par l'intermédiaire de l'interface de collage ; - réalisation des premier (120) et deuxième (126) trous à travers le deuxième substrat. 15 14. Procédé selon l'une des revendications 10 ou 11, dans lequel la réalisation du capot (114) et des premier (116) et deuxième (122) canaux comporte au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : - réalisation des premier (116) et deuxième (122) canaux dans 20 le premier substrat (102) ; - réalisation de première et deuxième portions de matériau sacrificiel sur le premier substrat (102), dont des volumes correspondent à ceux des première (110) et deuxième (112) cavités et telles que la première portion de matériau sacrificiel recouvre au moins une partie du premier canal (116) et que la 25 deuxième portion de matériau sacrificiel recouvre au moins une partie du deuxième canal (122) ; - dépôt d'au moins une couche mince sur les première et deuxième portions de matériau sacrificiel ; 3021645 41 - réalisation des premier (120) et deuxième (126) trous à travers la couche mince ; - gravure des première et deuxième portions de matériau sacrificiel à travers les premier (120) et deuxième (126) trous. 5 15. Procédé selon l'une des revendications 10 ou 11, dans lequel la réalisation du capot (114) et des premier (116) et deuxième (122) canaux comporte au moins la mise en oeuvre des étapes suivantes : réalisation de première et deuxième portions de matériau 10 sacrificiel sur le premier substrat (102), dont des volumes correspondent à ceux des première (110) et deuxième (112) cavités ; - dépôt d'au moins une première couche mince (158) sur les première et deuxième portions de matériau sacrificiel ; - réalisation de troisième (162) et quatrième (164) trous à 15 travers la première couche mince (158), le troisième trou (162) étant formé au niveau d'un emplacement de la première extrémité (117A) du premier canal (116) destiné à être réalisé et le quatrième trou (164) étant formé au niveau d'un emplacement de la première extrémité (123A) du deuxième canal (122) destiné à être réalisé ; 20 - réalisation, sur la première couche mince (158), d'au moins une troisième portion de matériau sacrificiel dont une épaisseur est égale à la hauteur HA, au moins au niveau d'un emplacement du premier canal (116), et d'au moins une quatrième portion de matériau sacrificiel dont une épaisseur est égale à la hauteur Hg, au moins au niveau d'un emplacement du deuxième 25 canal (122) ; - dépôt d'au moins une deuxième couche mince (160) sur la première couche mince (158), recouvrant les troisième et quatrième portions de matériau sacrificiel ; 3021645 42 - réalisation des premier (120) et deuxième (126) trous à travers la deuxième couche mince (160) ; - gravure des première, deuxième, troisième et quatrième portions de matériau sacrificiel à travers au moins les premier (120) et deuxième 5 (126) trous.