FR 3013510 A1 20150522 FR 1361162 A 20131115 B12809 - DD14732E0 1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF PYROÉLECTRIQUE ET/OU PIÉZOÉLECTRIQUE Domaine La présente demande concerne un procédé de fabrication d'un dispositif pyroélectrique et/ou piézoélectrique comprenant un film de polyfluorure de vinylidène (PVDF) ou d'un copolymère du PVDF et un dispositif pyroélectrique et/ou piézoélectrique obtenu par un tel procédé. Exposé de l'art antérieur Les dispositifs pyroélectriques et/ou piézoélectriques peuvent être utilisés comme capteurs, par exemple comme capteurs de pression, comme interrupteurs ou comme dispositifs de récupération d'énergie. Il est connu de réaliser un dispositif pyroélectrique et/ou piézoélectrique en utilisant un film polymère de PVDF ou d'un copolymère du PVDF. Le polymère PVDF et les copolymères du PVDF sont des polymères semi-cristallins, qui après l'étape de polymérisation, ont une cristallinité généralement comprise entre 50 % et 60 %. Le polymère PVDF ou le copolymère du PVDF peut comprendre des phases cristallines de trois types a, 13 et y. La phase 13 peut présenter des propriétés pyroélectriques et piézoélectriques tandis que la phase a n'en présente pas. B12809 - DD14732E0 2 Après l'étape de polymérisation, la phase cristalline obtenue est généralement en majorité la phase a. Un traitement supplémentaire doit alors généralement être prévu pour transformer au moins en partie la phase a en phase 13. Ce traitement peut comprendre : un recuit thermique, par exemple à une température comprise entre 110° C et 170° C pendant une durée variant de plusieurs minutes à plusieurs heures ; l'étirement mécanique du polymère ; l'application au film d'un champ électrique d'inten- sité élevée pendant plusieurs heures ; et/ou l'ionisation de l'air autour du film PVDF. Il peut être souhaitable de former le film de PVDF ou d'un copolymère du PVDF sur un substrat d'un matériau plastique, par exemple du polyéthylène naphtalate (PEN) ou du polyéthylène téréphtalate (PET). Il peut, en outre, être souhaitable de former le film de PVDF ou d'un copolymère du PVDF sur un substrat sur lequel ou dans lequel sont également réalisés d'autres composants électroniques, par exemple des transistors. Un inconvénient des procédés connus d'obtention de la phase cristalline 13 est qu'ils peuvent ne pas être compatibles avec l'utilisation d'un substrat plastique ou avec la formation de composants électroniques, notamment en raison des températures élevées et/ou des contraintes mécaniques appliquées. Résumé Un mode de réalisation vise à pallier les incon- vénients des procédés de fabrication des dispositifs pyroélectriques et/ou piézoélectriques décrits précédemment. Un autre mode de réalisation vise la fabrication d'un 30 dispositif pyroélectrique et/ou piézoélectrique comprenant un film de PVDF ou d'un copolymère du PVDF sur un substrat plastique. Un autre mode de réalisation vise la fabrication d'un dispositif pyroélectrique et/ou piézoélectrique comprenant un 35 film de PVDF ou d'un copolymère du PVDF sur un substrat sur B12809 - DD14732E0 3 lequel ou dans lequel sont également formés d'autres composants électroniques. Un autre mode de réalisation vise à réduire la durée de la fabrication d'un film à base de PVDF pyroélectrique et/ou 5 piézoélectrique. Un autre mode de réalisation vise à réduire, voire supprimer, l'étape du chauffage du substrat. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif piézoélectrique et/ou pyroélectrique 10 comprenant un film comprenant du polyfluorure de vinylidène et/ou au moins un copolymère du polyfluorure de vinylidène, le procédé comprenant les étapes suivantes : former au moins une portion d'une couche d'une solution comprenant un solvant et un composé comprenant du 15 polyfluorure de vinylidène et/ou au moins le copolymère du polyfluorure de vinylidène ; et irradier au moins la portion avec des impulsions d'au moins un rayonnement ultraviolet. Selon un mode de réalisation, le composé comprend un 20 polymère choisi parmi le groupe comprenant le polyfluorure de vinylidène, le poly(polyfluorure de vinylidène - tri fluoro éthylène), le poly(polyfluorure de vinylidène - tétra fluoro éthylène) et un mélange d'au moins deux de ces polymères. Selon un mode de réalisation, le composé comprend, en 25 outre, des particules en céramique. Selon un mode de réalisation, la durée de chaque impulsion est comprise entre 500 ps et 2 ms. Selon un mode de réalisation, la fluence du rayonnement ultraviolet est comprise entre 10 J/cm2 et 25 J/cm2. 30 Selon un mode de réalisation, le solvant a une température d'évaporation comprise entre 110 °C et 140 °C. Selon un mode de réalisation, la solution comprend de 80 % à 95% en poids du solvant et de 5 % à 20 % en poids du composé. B12809 - DD14732E0 4 Selon un mode de réalisation, le procédé comprend, en outre, les étapes suivantes : prévoir un substrat ; déposer sur le substrat un revêtement réfléchissant le 5 rayonnement ultraviolet ; et former le film au moins partiellement sur le revê- tement. Selon un mode de réalisation, le solvant est adapté à absorber au moins partiellement le rayonnement ultraviolet. 10 Un mode de réalisation prévoit un dispositif piézo- électrique et/ou pyroélectrique comprenant un film comprenant du polyfluorure de vinylidène et/ou au moins un copolymère du polyfluorure de vinylidène et ayant deux phases cristallines 13 ayant des orientations différentes. 15 Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un substrat, sur lequel est formé le film, en un polymère ayant une température de transition vitreuse inférieure ou égale à 130 °C. Brève description des dessins 20 Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : les figures LA à 1D sont des coupes, partielles et 25 schématiques, des structures obtenues à des étapes successives d'un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif pyroélectrique/piézoélectrique de PVDF ou d'un copolymère du PVDF ; la figure 2 représente un diagramme de diffraction X 30 obtenu pour un film d'un copolymère du PVDF réalisé selon un procédé de fabrication connu et d'un film d'un copolymère de PVDF réalisé selon le mode de réalisation décrit en relation avec les figures LA à 1D ; la figure 3 représente des courbes d'évolution de la 35 tension obtenue aux bornes d'un dispositif pyroélectrique et/ou B12809 - DD14732E0 piézoélectrique en fonction de la pression appliquée pour un dispositif comprenant un film d'un copolymère du PVDF réalisé selon un procédé de fabrication connu et un dispositif comprenant un film d'un copolymère du PVDF réalisé selon le mode 5 de réalisation décrit en relation avec les figures LA à 1D ; et la figure 4 représente une courbe d'évolution du coefficient pyroélectrique en fonction de la température d'un dispositif comprenant un film d'un copolymère du PVDF réalisé selon le mode de réalisation décrit en relation avec les figures LA à 1D. Description détaillée Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. De plus, seuls les éléments utiles à la compréhension de la présente description ont été représentés et sont décrits. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près". Dans la suite de la description, l'expression élément "à base de PVDF" signifie un élément comprenant au moins 70 % en poids du polymère PVDF et/ou d'au moins un copolymère du PVDF. Un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif pyroélectrique et/ou piézoélectrique comprenant un film à base de PVDF vise notamment à former la phase cristalline 13 qui présente les propriétés piézoélectrique et/ou pyroélectrique souhaitées, en appliquant des impulsions brèves d'un rayonnement ultraviolet (UV) sur une couche liquide comprenant un composé à base de PVDF. Ceci permet de chauffer la couche liquide pour favoriser la formation de la phase cristalline 13. Ceci permet de chauffer localement la couche liquide sans chauffer le substrat sur lequel le film à base de PVDF est formé et/ou sans chauffer des composants électroniques voisins du film à base de PVDF. B12809 - DD14732E0 6 Les figures LA à 1D illustrent un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif pyroélectrique et/ou piézoélectrique comprenant un film à base de PVDF. La figure LA est une coupe, partielle et schématique, 5 de la structure obtenue après avoir formé une première électrode 12 sur un substrat 10. Le substrat 10 peut être en un matériau isolant ou semiconducteur. A titre d'exemple, le substrat 10 est réalisé en verre, en silicium, ou dans une matière plastique. Le substrat 10 10 peut être réalisé en un polymère, par exemple un polyimide, du PEN ou du PET. A titre d'exemple, l'épaisseur du substrat 10 est comprise entre 25 gm et 200 pin. Le substrat 10 peut être flexible. La première électrode 12 est, de préférence, en un 15 matériau réfléchissant le rayonnement ultra-violet, par exemple sur une plage de longueurs d'onde comprises entre 200 nm et 400 nia. Il peut s'agir d'une couche métallique. A tire d'exemple, le matériau composant la couche 12 est choisi parmi le groupe comprenant l'argent (Ag), l'aluminium (Al), l'or (Au) 20 ou un mélange ou un alliage de deux ou plus de deux de ces métaux. L'épaisseur de la couche 12 peut être supérieure ou égale à 30 rua, de préférence comprise entre 30 nia et 300 nm. Le dépôt de la première électrode 12 sur le substrat 10 peut être réalisé par un dépôt physique en phase vapeur ou 25 par des techniques d'impression, notamment par sérigraphie ou par impression à jet d'encre, ou par pulvérisation. La figure 1B représente la structure obtenue après avoir déposé une portion d'une couche liquide 14, éventuellement visqueuse, sur la première électrode 12. La portion de couche 30 liquide 14 comprend un solvant et un composé à base de PVDF dissous dans le solvant. L'épaisseur de la portion 14 est comprise entre 100 nm et 4 pin. Le composé à base de PVDF peut comprendre le seul polymère PVDF, un seul copolymère du PVDF, un mélange de deux ou 35 plus de deux copolymères du PVDF ou un mélange du polymère PVDF B12809 - DD14732E0 7 et d'au moins un copolymère du PVDF. De préférence, le copolymère du PVDF est le poly(fluorure de vinylidène - tri fluoro éthylène) (P(VDF-TrFe)) ou le poly(fluorure de vinylidène - tétrafluoroéthylène), notamment le P(VDFx-TrFeloo_x) où x est un nombre réel compris entre 60 et 80. Le composé à base de PVDF peut, en outre, comprendre des charges. Les charges peuvent correspondre à des particules céramiques, par exemple des particules de titanate de baryum (BaPi03) ou des particules de zirconate titanate de plomb (PZT). 10 La concentration en poids de charges dans le composé à base de PVDF peut varier de 5 % à 25 %. De préférence, le solvant est un solvant polaire. Ceci permet, de façon avantageuse, d'améliorer la dissolution du polymère à base de PVDF. De préférence, le solvant est adapté à 15 absorber, au moins partiellement, le rayonnement UV, par exemple sur une plage de longueurs d'onde comprises entre 200 nm et 400 nia. Selon un mode de réalisation, la température d'évaporation du solvant est comprise entre 110 °C et 140 °C, de préférence entre 110 °C et 130 °C, plus préférentiellement entre 20 120 °C et 130 °C. Le solvant peut être choisi parmi le groupe comprenant le cyclopentanone, le dyméthylsulphoxide (DMSO), le dyméthylformamide (DMF), le dyméthylacétamide (DMAc) ou le Nméthyl-E-pyrrolidone (NMP). De préférence, le solvant est le cyclopentanone. 25 La portion 14 comprend de 1 % à 30 %, de préférence de 1 % à 20 %, en poids du composé à base de PVDF et de 70 % à 99 %, de préférence de 80 % à 99 %, en poids du solvant. De façon avantageuse, la concentration en poids du solvant est choisie pour ajuster la viscosité de la solution obtenue afin de 30 permettre la mise en oeuvre de techniques d'impression. Le procédé de formation de la portion de couche liquide 14 peut correspondre à un procédé dit additif, par exemple par impression directe de la portion 14 aux emplacements souhaités, par exemple par impression par jet d'encre, héliographie, 35 sérigraphie, flexographie, revêtement par pulvérisation (en B12809 - DD14732E0 8 anglais spray coating) ou dépôt de gouttes (en anglais drop-casting). Le procédé de formation de la portion de couche liquide 14 peut correspondre à un procédé dit soustractif, dans lequel la couche liquide est déposée sur la totalité de la structure et dans lequel les portions non utilisées sont ensuite retirées, par exemple par photolithographie ou ablation laser. Selon le matériau considéré, le dépôt sur la totalité de la structure peut être réalisé par exemple par voie liquide, par pulvérisation cathodique ou par évaporation. Il peut s'agir notamment de procédés du type dépôt à la tournette, revêtement par pulvérisation, héliographie, revêtement par filière (en anglais slot-die coating), revêtement à la lame (en anglais blade-coating), flexographie ou sérigraphie. La figure 1C illustre une étape d'irradiation d'au moins une partie de la portion 14, ce qui entraîne la formation d'un film 16 à base de PVDF ayant les propriétés pyroélectriques et/ou piézoélectriques souhaitées. L'irradiation aux rayons UV est représentée de façon schématique en figure 1C par les flèches 18. L'irradiation est réalisée par une succession d'impulsions de rayonnement UV, ou flashs ultraviolets. Par rayonnement UV, on entend un rayonnement dont les longueurs d'onde sont, au moins en partie, comprises entre 200 nia et 400 nia. Selon un mode de réalisation, la durée d'une impulsion UV est comprise entre 500 ps et 2 ms. La durée entre deux impulsions UV successives peut être comprise entre 1 et 5 secondes. La fluence du rayonnement (UV) peut être comprise entre 10 J/cm2 et 25 J/cm2. Le nombre d'impulsions UV dépend notamment de l'épaisseur de la portion 14. A titre d'exemple, pour une épaisseur de la portion 14 de 100 nia, le nombre d'impulsions UV peut être de l'ordre de 1 à 2 avec une fluence entre 10 J/cm2 et 15 J/cm2 et pour une épaisseur de la portion 14 de l'ordre de 4 gm, le nombre d'impulsions UV peut être de l'ordre de 2 à 6 avec une fluence entre 17 J/cm2 et 21 J/cm2. De façon avantageuse, pendant l'irradiation de la 35 portion 14, la première électrode 12 réfléchit une partie du B12809 - DD14732E0 9 rayonnement UV ayant traversé la portion 14. Ceci permet d'améliorer la quantité de rayonnement UV reçue par la portion 14. La réflexion des rayons UV est représentée de façon schématique en figure 1C par les flèches 20. De façon avantageuse, le solvant de la portion de couche liquide 14 absorbe au moins en partie le rayonnement UV. Ceci permet d'améliorer le chauffage du composé à base d'UV et de favoriser la formation de la phase cristalline 13. La température d'évaporation du solvant est avantageusement supérieure à 110 °C pour éviter une évaporation trop rapide du solvant avant la formation de la phase cristalline 13 qui se produit entre 120 °C et 130 °C. De préférence, l'étape d'irradiation entraîne une évaporation de plus de 50 % en poids, de préférence de plus de 15 80 % en poids, du solvant de la portion de couche liquide 14. La figure 1D représente la structure obtenue après avoir déposé une deuxième électrode 22 sur le film 16. L'électrode 22 est, par exemple, en un matériau métallique choisi parmi le groupe comprenant l'argent, le cuivre ou un 20 mélange ou un alliage d'au moins deux de ces matériaux. Selon le matériau considéré, l'électrode 22 peut être déposée par un dépôt physique en phase vapeur (PVD) ou par des techniques d'impression, par exemple par impression par jet d'encre ou par sérigraphie. Dans ce cas, une étape de recuit peut alors être 25 prévue, par exemple par irradiation de l'encre déposée par impulsions UV ayant une fluence comprise entre 15 J/cm2 et 25 J/cm2. Une étape ultérieure d'application d'un champ électrique à la structure peut être prévue. A titre d'exemple, le 30 champ électrique peut varier entre 20 et 80 V/gm et peut être appliqué à une température comprise entre 70 et 90 °C pendant 5 à 10 minutes. Le film 16 obtenu par la mise en oeuvre du mode de réalisation du procédé de fabrication décrit précédemment a des 35 propriétés pyroélectrique et piézoélectrique. B12809 - DD14732E0 10 La figure 2 représente deux diagrammes de diffraction C1 et C2 respectivement de premier et deuxième films à base de PVDF. Le premier film piézoélectrique associé à la courbe C1 5 a été obtenu en formant une couche de 2 gm d'épaisseur par dépôt par sérigraphie d'une solution comprenant 20 % en poids du copolymère P(VDF70-TrFe30) et 80 % en poids de cyclopentanone. La solution a été obtenue en mélangeant 2 g de cyclopentanone et 0,4 g de poudre de P(VDF70-TrFe30) à une température comprise 10 entre 40 et 45 °C pendant plusieurs heures. La couche a été chauffée sur une plaque chauffante 5 minutes à 100 °C et 3 minutes à 130 °C. Le deuxième film piézoélectrique associé à la courbe C2 a été obtenu par le mode de réalisation du procédé de 15 fabrication décrit précédemment en relation avec les figures LA à 1D, dans lequel la portion de couche liquide 14 avait une épaisseur de 2 gm et a été formée en déposant par sérigraphie une solution comprenant 80 % en poids de cyclopentanone et 20 % en poids du copolymère P(VDF70-TrFe30). La solution a été 20 obtenue en mélangeant 0,4 g de poudre de P(VDF70-TrFe30) avec 2 g de cyclopentanone à une température comprise entre 40 et 45 °C pendant plusieurs heures. La couche a été irradiée par 2 impulsions d'un rayonnement UV fourni par une lampe UV dont la longueur d'onde était comprise entre 240 nia de 1000 nia, avec 25 plus de 75 % de l'énergie entre 240 nm et 400 nia. La durée de chaque impulsion était de 2 ms. La durée entre deux impulsions successives était de 1 seconde. La fluence du rayonnement UV était de 21 J/cm2. La courbe C1 comprend un pic P1 pour un angle de 201 30 sensiblement égal à 20°. Ceci indique la présence d'une phase cristalline 13 dans le premier film, caractéristique de propriétés pyroélectrique/piézoélectrique. La courbe C2 comprend également un pic P2 pour l'angle de 201. Toutefois, la courbe C2 comprend, en outre, un pic P2 35 pour un angle 202 sensiblement égal à 32°. Ceci traduit la B12809 - DD14732E0 11 présence d'une autre phase cristalline l dans le deuxième film qui a une orientation différente de la phase cristalline associée à l'ange 201. L'étape d'irradiation par flash UV permet la formation d'au moins deux phases cristallines 13 dans le deuxième film. Les inventeurs ont mis en évidence une amélioration de l'activité piézoélectrique et/ou pyroélectrique d'un film obtenu par le mode de réalisation du procédé de fabrication décrit précédemment en relation avec les figures LA à 1B par rapport à un film piézoélectrique et/ou pyroélectrique obtenu par chauffage. La figure 3 représente des courbes d'évolution C3 et C4 de la tension appliquée entre les bornes de capteurs piézoélectriques comprenant respectivement des troisième et 15 quatrième films à base de PVDF. Le troisième film piézoélectrique associé à la courbe C3 a été obtenu en formant une couche de 2 lm d'épaisseur par sérigraphie d'une solution comprenant 80 % en poids de cyclopentanone et 20 % en poids du copolymère P(VDF70-TrFe30). 20 La solution a été obtenue en mélangeant 0,4 g de poudre de P(VDF70-TrFe30) avec 2 g de cyclopentanone à une température comprise entre 40 et 45°C pendant plusieurs heures. La couche a été chauffée 30 minutes à 130 °C après son dépôt. Le quatrième film piézoélectrique associé à la courbe 25 C4 a été obtenu par le mode de réalisation du procédé de fabrication décrit précédemment en relation avec les figures LA à 1D, dans lequel la portion de couche liquide 14 avait une épaisseur de 2 lm et a été formée en déposant par sérigraphie une solution comprenant 80 % en poids de cyclopentanone et 20 % 30 en poids du copolymère P(VDF70-TrFe30). La solution a été obtenue en mélangeant 0,4 g de poudre de P(VDF70-TrFe30) avec 2 g de cyclopentanone à une température comprise entre 40 et 45°C pendant plusieurs heures. La couche a été irradiée par 4 impulsions d'un rayonnement UV fourni par une lampe UV dont la 35 longueur d'onde était comprise entre 240 nm de 1000 nm, avec B12809 - DD14732E0 12 plus de 75 % de l'énergie entre 240 nia et 400 nia. La durée de chaque impulsion était de 1,5 ms. La durée entre deux impulsions successives était de 1 seconde. La fluence du rayonnement UV était de 17,5 J/cm2. La courbe C4 est située au-dessus de la courbe C3. Ceci signifie que l'activité piézoélectrique du capteur comprenant le quatrième film à base de PVDF est supérieure à l'activité piézoélectrique du capteur comprenant le troisième film à base de PVDF. La figure 4 représente une courbe d'évolution C5 du coefficient pyroélectrique Coeff d'un capteur pyroélectrique comprenant le quatrième film à base de PVDF. La courbe C5 illustre l'activité pyroélectrique du film à base de PVDF fabriqué selon le mode de réalisation du procédé de fabrication décrit précédemment selon les figures LA à 1D. Un avantage du mode de réalisation du procédé de fabrication du dispositif pyroélectrique/piézoélectrique est qu'il a une durée courte, en particulier inférieure à 1 minute. En outre, il ne comprend pas d'étape de chauffage de l'ensemble du substrat sur lequel le film à base de PVDF est formé à une température supérieure à 130 °C. Ceci permet l'utilisation d'un substrat en matière plastique. Ceci permet, en outre, de réaliser d'autres composants électroniques dans et/ou sur le substrat. Un avantage du mode de réalisation du procédé de fabrication du dispositif pyroélectrique/piézoélectrique est que le traitement pour former la phase cristalline comprenant un recuit thermique, l'application de contraintes mécaniques et/ou l'application d'un champ magnétique, peut ne pas être présent. Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif piézoélectrique et/ou pyroélectrique comprenant un film (16) comprenant du polyfluorure de vinylidène et/ou au moins un copolymère du polyfluorure de vinylidène, le procédé comprenant les étapes suivantes : former au moins une portion (14) d'une couche d'une solution comprenant un solvant et un composé comprenant du polyfluorure de vinylidène et/ou au moins le copolymère du polyfluorure de vinylidène ; et irradier au moins la portion avec des impulsions d'au moins un rayonnement ultraviolet. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le composé comprend un polymère choisi parmi le groupe comprenant le polyfluorure de vinylidène, le poly(polyfluorure de vinylidène - tri fluoro éthylène), le poly(polyfluorure de vinylidène - tétra fluoro éthylène) et un mélange d'au moins deux de ces polymères. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le composé comprend, en outre, des particules en céramique. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la durée de chaque impulsion est comprise entre 500 ps et 2 ms. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la fluence du rayonnement ultraviolet est 25 comprise entre 10 J/cm2 et 25 J/cm2. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le solvant a une température d'évaporation comprise entre 110 °C et 140 °C. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 30 à 6, dans lequel la solution comprend de 80 % à 95% en poids du solvant et de 5 % à 20 % en poids du composé. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprend, en outre, les étapes suivantes : prévoir un substrat (10) ;B12809 - DD14732E0 14 déposer sur le substrat un revêtement (12) réfléchissant le rayonnement ultraviolet ; et former le film (16) au moins partiellement sur le revêtement. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le solvant est adapté à absorber au moins partiellement le rayonnement ultraviolet. 10. Dispositif piézoélectrique et/ou pyroélectrique comprenant un film (16) comprenant du polyfluorure de vinylidène et/ou au moins un copolymère du polyfluorure de vinylidène et ayant deux phases cristallines 13 ayant des orientations différentes. 11. Dispositif selon la revendication 10, comprenant un substrat (10), sur lequel est formé le film (16), en un polymère 15 ayant une température de transition vitreuse inférieure ou égale à 130 °C.