FR 3016442 A1 20150717 FR 1450163 A 20140110 La présente invention se rapporte de manière générale à l'alimentation de charges inductives et plus spécialement à la mesure et à la détection d'anomalie(s) sur des résistances de reprise de contacts dans une structure de commutation telle qu'un pont de transistors, par exemple, adaptée pour piloter un courant de valeur déterminée dans une telle charge inductive. L'invention trouve des applications, en particulier, dans le domaine de l'automobile. Elle peut être mise en oeuvre, par exemple, pour le contrôle de connectique(s) de structure(s) de commutation telle qu'un pont en H. De telles structures sont utilisées pour la commande du sens et/ou de l'intensité du courant électrique dans des charges inductives comme par exemple des moteurs électriques. Ces moteurs peuvent être utilisés dans des systèmes de commande électronique d'un actuateur, comme un dispositif de commande du papillon des gaz (ou dispositif ETC, acronyme de « Electronic Throttle Control » en anglais), ou plus généralement de tout autre équipement actionné par moteur électrique tel qu'un lève-vitre, par exemple. La figure 1 illustre schématiquement une commande d'une charge inductive 10 (moteur électrique ou autre) s'effectuant de manière connue à l'aide d'une structure de commutation 2 (de type pont en H). Une telle structure de commutation 2 comprend notamment quatre interrupteurs de puissance HS1, HS2, LS1 et LS2, chaque interrupteur étant composé en général d'un transistor MOS (acronyme anglais de « Metal Oxyde Semiconductor ») de puissance. Ces quatre transistors sont gérés au niveau d'une couche « commande » du système, venant au-dessus d'une couche « composant » constituée par les composants électroniques du pont en H proprement dits. Une séquence de signaux de commande pour chacun des transistors est produite selon une stratégie déterminée, par exemple à partir d'un signal de commande de consigne. Cette stratégie provoque la commande du pont en H dans certaines configurations déterminées à l'aide de jeux de commandes laissant certaines combinaisons ou certains jeux de commandes inutilisés. Les composants qui constituent la structure de commande du pont en H sont généralement intégrés dans des boitiers appelés circuits intégrés. De tels circuits sont conçus à l'aide des techniques de conception et d'assemblage issues de la microélectronique. Dans un souci d'augmentation des performances et de diminution des coûts, les circuits intégrés de manière générale et les circuits intégrés dédiés à l'industrie automobile en particulier font face à un besoin incessant de diminution de leur taille et d'une augmentation de leur intégration et de leur performance pouvant provoquer parfois des problématiques de surchauffe dans les circuits. Une source d'échauffement au niveau d'un circuit intégré, tel un pont en H 2 illustré sur la figure 1, est la connexion de ce circuit à des bornes d'accès à ce circuit pour, par exemple, son alimentation électrique et à sa liaison à la charge correspondante. Dans le cas illustré sur la figure 1, les transistors HS1, HS2, LS1 et LS2 sont reliés, d'une part, 5 à une batterie 3 délivrant une tension Vbat et à un potentiel de référence tel une masse GND et, d'autre part, à la charge inductive 10. À chaque fois, une connexion appelée reprise de contact 6 est réalisée entre un point de liaison 4 entre deux transistors et une borne 8 d'accès au pont en H 2. Ces reprises de contact 6 introduisent des résistances dans le circuit qui dégagent alors de la chaleur par effet Joule lors du 10 fonctionnement du circuit. Plusieurs techniques de connexion sont possibles et bien connues de l'homme du métier, telles que par exemple la technique de connexion à l'aide de fils conducteurs nommée en anglais « Wire Bonding » mettant en oeuvre des fils métalliques pour relier les divers composants. Afin d'optimiser et/ou de fiabiliser les reprises de 15 contacts entre les divers éléments, il est possible d'utiliser plusieurs fils de connexion qui sont alors connectés en parallèle. Lors de la commande d'un moteur par exemple, des combinaisons prédéterminées activent certaines paires de transistors de commande du pont en H 2 et font circuler des courants plus ou moins forts dans les fils de connexion correspondants 20 pouvant engendrer des surchauffes dues au passage d'un courant important. Ces surchauffes provoquent une élévation localisée de la température au niveau principalement des fils de connexion et engendrent une variation relativement importante de la résistance interne des fils de connexion concernés pouvant dans certains cas provoquer leur rupture. 25 Si un fil de connexion est mal connecté, la résistance globale de la reprise de contact correspondante, appelée aussi résistance de contact, est affectée. Idéalement, il convient de vérifier le bon branchement de chaque fil de connexion en mesurant par exemple la résistance de contact correspondante. Il est nécessaire de pouvoir tester séparément et indépendamment les reprises de contact afin d'identifier si au moins un fil 30 est défaillant. Les résistances de reprise de contact peuvent être estimées théoriquement à partir de la connaissance de la longueur (valeur maximale pour le pire cas) et du diamètre (valeur minimale pour le pire cas) des fils utilisés, le matériau utilisé étant connu. La valeur théorique maximale peut servir de référence de comparaison pour la mesure. 35 La présente invention a pour but de fournir des moyens permettant de déterminer que toutes les connexions internes sont correctement réalisées par la mesure de la résistance de contact au niveau d'une reprise de contact d'un pont en H. À cet effet, la présente invention propose un dispositif pour la détermination d'une résistance de contact d'un pont en H comportant quatre transistors disposés en H, chaque transistor présentant un point de liaison à deux transistors voisins, une reprise de contact étant réalisée à chaque fois entre un point de liaison situé entre deux transistors et une borne d'accès. Selon la présente invention, ce dispositif comporte : - des moyens pour appliquer une tension d'alimentation déterminée à une borne d'accès, - des moyens pour déterminer le courant circulant dans la reprise de contact correspondant à ladite borne d'accès, - des moyens de mesure de la tension entre deux bornes d'accès, et - des moyens de commande pour agir sur l'état ouvert/fermé des transistors du pont en H. Les moyens présentés ici dans la configuration proposée, en choisissant le bon état pour les transistors, permet de mesurer, d'une part, le courant passant dans la résistance de contact que l'on cherche à déterminer et, d'autre part, la différence de potentiel à ses bornes. Un simple calcul (une division) permet alors de déterminer la valeur de résistance recherchée. Dans une forme de réalisation de l'invention, la tension appliquée à une des 20 deux bornes d'accès est avantageusement inférieure à la tension utilisée opérationnellement. La tension appliquée à la borne d'accès peut être par exemple comprise entre 0,5 V et 5 V. Dans un pont en H, l'une des bornes d'accès est reliée à la masse. Pour 25 pouvoir déterminer en une mesure la valeur de la résistance de contact correspondant à cette borne d'accès et celle d'une résistance de contact correspondant à une borne d'accès voisine, le dispositif selon l'invention comporte une seule borne d'accès reliée à la masse et avantageusement des moyens de mesure de la tension à la borne d'accès opposée à la borne d'accès reliée à la masse. Ce dispositif comporte alors deux moyens 30 distincts (voltmètres) de mesure de tension. La présente invention concerne également un procédé pour la détermination d'une résistance de contact d'un pont en H comportant quatre transistors disposé en H, chaque transistor présentant un point de liaison à deux transistors voisins, une reprise de contact étant réalisée à chaque fois entre un point de liaison situé entre deux transistors 35 et une borne d'accès. Selon l'invention, ce procédé comporte les étapes suivantes : - action sur l'état ouvert/fermé des transistors du pont en H de telle sorte que les transistors de part et d'autre du point de liaison correspondant à la borne d'accès soient fermés, - application d'une tension déterminée à une borne d'accès, - détermination du courant circulant dans la reprise de contact correspondant à ladite borne d'accès, - mise à la masse d'une borne d'accès voisine à ladite borne d'accès si cette borne d'accès voisine n'est pas déjà reliée à la masse, et - mesure de la tension à l'autre borne d'accès voisine. Pour la mise en oeuvre de ce procédé la tension appliquée à la borne d'accès est avantageusement inférieure à la tension de commande de chacun des transistors. Elle peut être comprise entre 0,5 V et 5 V. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront encore à la lecture de la description qui va suivre. Celle-ci est purement illustrative et est faite en 15 regard du dessin annexé sur lequel : - La figure 1 est un schéma fonctionnel illustrant un pont en H et une charge inductive commandée, - Les figures 2a à 2h sont des schémas illustrant les modes de commande opérationnels d'une charge inductive, 20 - La figure 3 illustre les résistances de contact d'un pont en H connecté, - La figure 4 est un schéma fonctionnel pour la mise en oeuvre de la présente invention, - La figure 5 est un tableau indiquant les caractéristiques de divers états opérationnels d'un pont en H, il reprend les états mis en oeuvre dans les 25 figures 2a à 2h, - La figure 6 est un tableau illustrant des commandes de transistors d'un pont en H pour la mise en oeuvre de la présente invention, et - Les figures 7 à 14 illustrent la mise en oeuvre des commandes du tableau de la figure 6. 30 En référence à la figure 1, un dispositif de commande d'une charge inductive 1 comprend une structure de commutation de type « pont en H ». Une telle structure de commutation comprend quatre interrupteurs de puissance, étant composés chacun, dans la forme de réalisation illustrée d'un transistor MOS de puissance. Les figures suivantes présentent un exemple de connectique reliant le pont en H à un 35 moteur 10 électrique. Un premier transistor HS1 est connecté entre, d'une part, une borne d'alimentation positive portée à la tension Vbat d'une batterie 3 et, d'autre part, une première borne OUT1 du moteur 10. Un deuxième transistor LS1 est connecté entre, d'une part, ladite première 5 borne OUT1 du moteur 10 et, d'autre part, une borne portée à un potentiel de référence, ici une masse GND. Un troisième transistor LS2 est connecté entre, d'une part, une seconde borne OUT2 du moteur 10 et, d'autre part, la masse GND. Enfin, un quatrième transistor HS2 est connecté entre, d'une part, la batterie 3 10 au niveau de sa borne d'alimentation positive Vbat et, d'autre part, la seconde borne OUT2 du moteur 10. Les transistors HS1 et HS2 sont appelés transistors hauts (« High Side » en anglais) et les transistors LS1 et LS2 sont appelés transistors bas (« Low Side » en anglais). Le pont en H peut être commandé selon plusieurs états. 15 Dans un premier état, la paire formée du transistor haut HS1 et du transistor bas LS2 permet, lorsque ces transistors sont passants (interrupteurs fermés), de faire circuler un courant à travers le moteur 10 dans un premier sens, comme indiqué par une flèche à la figure 2a. Les transistors HS2 et LS1 sont alors bloqués (interrupteurs ouverts). Cet état est appelé F (pour "Forward" en anglais, soit avant en français). 20 Dans un deuxième état, la paire formée du transistor bas LS1 et du transistor haut HS2 permet, lorsque ces transistors sont passants (interrupteurs fermés), de faire circuler un courant à travers le moteur 10 dans l'autre sens, comme indiqué par la flèche à la figure 2b. Les transistors HS1 et LS2 sont alors bloqués (interrupteurs ouverts). Cet état est appelé R (de l'anglais "Reverse" soit inverse en français). 25 Enfin, deux autres états illustrés sur les figures 2c et 2f correspondent à deux états appelés roue libre ou RL. Lorsque les transistors hauts HS1 et HS2 sont bloqués (interrupteurs ouverts) et les transistors bas LS1 et LS2 sont passants (interrupteurs fermés). L'état de roue libre correspondant est appelé état de roue libre bas (ou RL LS) et inversement quand les transistors hauts HS1 et HS2 sont 30 passants (interrupteurs fermés) et les transistors bas LS1 et LS2 sont bloqués (interrupteurs ouvert), cela correspond à un état de roue libre haut (RL HS). Les roues libres peuvent aussi avoir lieu avec un seul des quatre MOS fermés, suivant le sens du courant, comme présenté dans les figures 2d, 2e, 2g, et 2h. Le pont en H, ou plus précisément les composants constituant la structure du 35 pont en H tels que par exemple les transistors MOS cités précédemment, sont généralement intégrés dans un boitier ou plus communément appelé circuit intégré ayant été fabriqué à l'aide des techniques de conception et d'assemblage de la microélectronique. Pour prolonger la connectique du circuit intégré vers l'extérieur, il est nécessaire de connecter ledit circuit intégré à des éléments extérieurs comme expliqué au préambule en référence à la figure 1. Pour ce faire plusieurs techniques de connexions sont possibles et bien 5 connues de l'homme du métier, telles que par exemple la technique de connexion à l'aide de fils métalliques nommée en anglais « Wire Bonding ». Ces fils permettent la connexion du circuit intégré à des bornes d'éléments externes. Afin d'optimiser la reprise de contact entre le circuit intégré et les éléments externes, on utilise couramment plusieurs fils de connexion, lesdits fils étant alors mis en parallèle entre le circuit intégré et l'élément 10 externe correspondant sur un même plot de contact à chacune des extrémités des fils de connexion. La présence de ces fils de connexion (appelés aussi couramment fils de bonding ou fils de reprise de contact) engendre l'apparition entre autres de résistances dites résistances de contact. Ces résistances de contact varient en fonction, d'une part, 15 de la nature du métal utilisé pour réaliser les fils de connexion et, d'autre part, de la géométrie et du nombre de fils de connexion utilisés. La figure 3 représente schématiquement les résistances de contact équivalentes pour la connexion d'un pont en H. Sur cette figure 3, par rapport à la figure 1, les points de liaison 4 (figure 1) ont été référencés avec les lettres B, D, F et H (figure 3) 20 tandis que les bornes d'accès 8 (figure 1) ont été référencées avec les lettres A, C, E et G (figure 3). Une première résistance Rab correspond au(x) fil(s) de connexion reliant le point de liaison B entre les transistors HS1 et HS2 à la borne d'accès A reliée elle même à la borne positive de la batterie 3, lors de l'utilisation opérationnelle du pont en H. 25 Une deuxième résistance de contact Rgh correspond au(x) fil(s) de connexion reliant, d'une part, le point de liaison H des transistors LS1 et LS2 et, d'autre part, une borne de connexion à la masse GND appelée G. Une troisième résistance de contact Rcd correspond au(x) fil(s) de connexion reliant, d'une part, le point de liaison D des transistors HS1 et LS1 et, d'autre part, un 30 point C correspondant à une broche de sortie du pont en H destinée à être connectée à la borne OUT1 du moteur 10. Une quatrième résistance de contact Ref correspond au(x) fil(s) de connexion reliant, d'une part, le point de liaison F des transistors HS2 et LS2 et, d'autre part, un point E correspondant à une broche de sortie du pont en H destinée à être connectée à la 35 borne OUT2 du moteur 10. Afin de mesurer les résistances de contact séparément, il est proposé de faire commuter dans des états ouverts ou fermés les quatre transistors du pont en H selon une stratégie particulière à la mesure. Cette stratégie implique nécessairement des combinaisons de commande différentes de celles mises en jeu lors de la commande de la charge inductive. La figure 5 présente une table de combinaisons pouvant être mise en oeuvre lors de la commande de la charge inductive. Ainsi, les mesures des résistances Rcd et Ref ne peuvent pas être faites à partir des combinaisons présentées à la figure 5 car elles impliqueraient des connexions qui aboutiraient à des courts-circuits inacceptables dans le mode opérationnel. La figure 6 présente une table de combinaisons permettant la mesure des résistances Rcd et Ref. Cette stratégie utilisant entre autre les combinaisons présentées à la figure 6 10 peut être mise en oeuvre avec une structure comme celle représentée sur la figure 4. Une unité de commande 12 permet, en fonction de signaux numériques à travers une liaison numérique de ne plus être commandée par des signaux PWM et DIR. Ainsi, l'unité de commande 12 peut établir un jeu de commande CH1 (pour HS1), un jeu de commande CTd lorsqu'un transistor Td est couplé entre le point D et le point B, un jeu de 15 commande CH2 (pour HS2), un jeu de commande CTe lorsqu'un transistor Tf est couplé entre le point E et le point B, un jeu de commande CL1 (pour LS1) et un jeu de commande CL2 (pour LS2) en fonction du code reçu. Il convient de sécuriser l'entrée dans ce mode afin d'interdire que les combinaisons ne soient possibles sous l'effet d'un simple parasite lors du mode opérationnel. 20 Les transistors hauts (HS1 et HS2) peuvent imposer, suivant la technologie utilisée, des conditions quant à la tension à appliquer à la borne A. Par exemple, dans le cas de transistors MOS de type P, il faut que cette tension, appliquée à la source, soit suffisante pour que la tension VGS puisse atteindre au moins 3V. Dans ce cas, on peut être amené à insérer une résistance côté masse pour limiter le courant. L'emploi de 25 transistors MOS de type N n'impose pas une telle contrainte à condition d'appliquer directement au moins 5 V à la sortie de la pompe de charges (dans une conception ciblée sur le mode opérationnel, la pompe de charges n'est pas efficace à faible tension). Certaines figures représentent des cas où les transistors hauts sont de type P. Dans ce cas, le type P est mentionné sur la figure par une extension « -P » après le nom 30 du transistor concerné. Lorsqu'il n'est pas fait mention du type, il s'agit de MOS de type N. Si la résistance totale est de 100 mn (en incluant les résistances de contact et de câblage), alors un courant de 10 A est injecté. Si la résistance de contact à mesurer est de l'ordre de 10 mn, alors il s'agit de mesurer par un voltmètre 18 une tension de l'ordre de 100 mV. 35 Dans un premier temps, la caractérisation de la résistance Rab est décrite en détails. La caractérisation des autres résistances sera ensuite décrite plus succinctement. Une alimentation stabilisée 14 est connectée à la borne d'accès A et un ampèremètre 16 en série avec la résistance de contact Rab mesure le courant I la traversant comme présentée sur la figure 7a. Une borne d'accès voisine de la borne d'accès A du pont en H est connectée 5 à la masse. Dans la forme de réalisation de la figure 7, la borne d'accès E est ainsi connectée à la masse. L'autre borne d'accès voisine, c'est-à-dire ici la borne d'accès C est connectée à une broche d'entrée nommée Vm ( point froid) d'un voltmètre 18 capable de mesurer une tension électrique V correspondant à la différence de potentiel entre les bornes d'accès A et C. L'autre borne Vp (point chaud) du voltmètre 18 est connectée à la 10 borne d'accès A. Le point chaud Vp est un point à un potentiel plus élevé que le point froid Vm. Pour caractériser la résistance de contact Rab par exemple il faut ici que les transistors HS1 et HS2 (figures 6 et 7a) soient en position « ON », position correspondant à un état commuté ou passant. Les transistors LS1 et LS2 sont quant à eux en 15 position « OFF » c'est-à-dire en position ouverte ou bloquée. La figure 7a représente ainsi ces transistors en traits pointillés. On trouve sur le tableau de la figure 6 les différents jeux de commutations pour les transistors HS1, HS2, LS1 et LS2 permettant la caractérisation des résistances de contact Rab, Rcd, Ref et Rgh. 20 Le potentiel appliqué à la borne d'accès A par l'alimentation stabilisée 14 comme décrit précédemment peut être par exemple de l'ordre de 1 V. Il sera le plus constant possible et sa valeur sera par exemple comprise entre 0,5 V et 5 V. Le potentiel mesuré au point C est en fait sensiblement identique au potentiel du point B. En effet, du fait de l'état « ON » ou passant du transistor HS1, la chute de 25 tension aux bornes du transistor HS1 est négligeable. En outre, la résistance du voltmètre 18 est très grande devant toutes les résistances du circuit si bien qu'un courant extrêmement faible circule dans le transistor HS1 et dans la résistance de contact Rcd. Ainsi les potentiels en B et en C peuvent être considérés comme égaux. Le courant électrique traversant la résistance Rab à caractériser est mesuré par l'ampèremètre 16. 30 Ladite valeur de la résistance à caractériser est alors égale à : Rab = V / I (Eq.1) V étant la valeur de la tension mesurée par le voltmètre 18 au point C, et I la valeur du courant traversant la résistance à caractériser Rab mesurée par l'ampèremètre 16. 35 La valeur de la résistance de contact Rab dépend entre autres de la nature du métal utilisé pour la fabrication des fils de connexion utilisés pour réaliser la reprise de contact correspondante. En supposant tous les fils de connexion similaires dans une même reprise de contact, la résistance de contact correspondante dépend en fait surtout du nombre de fils de connexion entre le point de liaison du pont en H et la borne d'accès. La résistance Rab représente la résistance équivalente de tous les fils de connexion utilisés pour la reprise de contact reliant le point de liaison B à la borne d'accès A. Ces fils étant montés en parallèle les uns aux autres, leur résistance équivalente nommée Rab est égale à : Rab - 1 1 , (Eq.2) 1 1 1 1 1 + + + n( Rabn) Rabl Rab 2 Rab 3 Rabn où Rabn représente la résistance d'un fil de connexion utilisé pour réaliser la reprise de contact correspondante. Au vu de la formule ci-dessus de la résistance équivalente Rab, nous pouvons à titre d'exemple en déduire la résistance équivalente Rab pour deux fils de connexion utilisés pour réaliser la reprise de contact comme suit : 1 Rabl x Rab2 Rab - , (Eq.3) 1+ 1 Rabl + Rab2 Rabl Rab2 Rab1 représentant la résistance du premier fil de connexion, Rab2 représentant la résistance du second fil de connexion. Si nous considérons que la valeur de la résistance de contact d'un fil de connexion est par exemple de l'ordre de 20 mn alors la valeur de la résistance Rab correspondant à la résistance équivalente des deux fils de connexion montés en parallèle sera égale à 10 mn. Dans le cas d'une rupture d'un des deux fils de connexion utilisés pour faire cette reprise de contact, la valeur de la résistance sera doublée et passera à 20 mn. Cette modification de la valeur de Rab aura pour effet de modifier les valeurs mesurées de V (essentiellement) et de I (très légèrement). Une fois la valeur de la résistance de contact obtenue celle-ci peut être soit stockée dans un registre interne à l'unité de calcul ou dans un composant extérieur à l'unité de calcul pour un traitement ultérieur ou celle-ci peut être utilisée pour être comparée à des valeurs de références de résistances de contact. Plusieurs stratégies de comparaisons ou de suivis des résistances de contacts peuvent être envisagées. A la figure 7b, pour la mesure de Rab, les transistors hauts HS1 et HS2, de 30 type P et notés HS1-P et HS2-P, ne peuvent être commandés par une tension aussi basse que 1V. La tension délivrée par l'alimentation 14 est ainsi fixée à 5V, et le courant est limité par une résistance de 0,4 û entre la borne E et la masse. Une autre configuration possible de circuiterie pour la mesure de Rab est proposée sur la figure 8a (et dans le tableau de la figure 6). Dans la configuration de la figure 8a par rapport à celle de la figure 7a, les changements de connectique et de branchement n'interviennent pas sur l'alimentation en tension, l'alimentation stabilisée 14 restant connectée à la broche d'accès A ainsi que l'ampèremètre 16. Il est proposé sur la figure 8a de mesurer la tension entre les bornes d'accès A et E et de mettre l'autre borne d'accès voisine à la borne d'accès A, c'est-à-dire la borne d'accès C à la masse. L'homme du métier comprendra immédiatement que ce montage est équivalent à celui de la figure 7a et permet de manière tout à fait semblable de déterminer la résistance Rab. Egalement, de légers changements permettent de passer de la figure 7b à la figure 8b en invertissant les rôles des bornes C et E. La deuxième résistance de contact à caractériser sur les quatre représentées sur la figure 3 est la résistance Ref. Pour ce faire, comme représenté à la figure 9a, l'alimentation stabilisée 14 est connectée à la borne d'accès E correspondant à cette résistance Ref. L'ampèremètre 16 15 est branché en série pour déterminer le courant I circulant dans la résistance Ref. On remarque ici que la borne d'accès G, qui est une borne d'accès voisine de la borne d'accès E correspondant à la résistance de contact que l'on souhaite caractériser est déjà par construction reliée à la masse. On vient alors uniquement brancher le voltmètre 18 pour déterminer la tension entre les bornes d'accès E et A. 20 Pour déterminer la résistance de contact Ref, il est proposé ici que les transistors HS2 et LS2 (figure 9a) reliés au niveau du point de liaison correspondant à la résistance de contact que l'on cherche à déterminer soient en position « ON », position correspondant à un état commuté ou passant. Les transistors HS1 et LS1 sont quant à eux en position « OFF » c'est-à-dire en position ouverte ou bloqués. 25 Le potentiel appliqué par l'alimentation stabilisée comme décrit précédemment peut être par exemple de l'ordre de 1V et sera appliqué à la borne E comme présenté sur la figure 9a. Le potentiel au point A est identique au potentiel au point F du fait de l'état « ON » ou passant du transistor HS2. Le courant électrique traversant le circuit et plus spécialement le courant traversant la résistance à caractériser c'est-à-dire la 30 résistance Ref est mesuré par l'ampèremètre 16. La différence de potentiel V est mesurée entre les bornes E (point chaud) et A (point froid). La valeur de la résistance à caractériser est alors égale à : Ref = V / I (Eq.4) Les figures 9b et 9c représentent des possibilités de mesure de la 35 résistance Ref lorsque les transistors hauts sont de type P. Il est alors indispensable d'avoir recours à un transistor additionnel Tf pour amener le potentiel de F à un point mesurable (A dans la figure 9b, ou K dans la figure 9c). Ce transistor Tf est un MOS de type N de très petite taille et dont la résistance peut atteindre quelques Ohms, ce qui n'altère pratiquement pas la mesure. La troisième résistance de reprise de contacts sur les quatre représentées sur le schéma de la figure 3 est la résistance Rcd. Pour ce faire (figure 10a) l'alimentation stabilisée 14 est connectée à la borne d'accès C correspondant à la résistance de contact à caractériser. L'ampèremètre 16 est branché en série avec la résistance Rcd pour mesurer le courant la traversant. De même que pour la détermination de la valeur de la résistance Ref, on remarque qu'une borne d'accès (la borne d'accès G) voisine de la borne d'accès C 10 correspondant à la résistance de contact que l'on souhaite déterminer est déjà connectée à la masse. Comme précédemment, on vient ici déterminer la tension au niveau de l'autre borne d'accès voisine à la borne d'accès correspondant à la résistance de contact que l'on souhaite déterminer. La borne d'accès A est alors connectée à une broche d'entrée 15 nommée Vm (point froid) du voltmètre 18 comme présentée sur la figure 10a. L'autre borne Vp du voltmètre 18 est quant à elle connectée à la borne C. Pour caractériser la résistance de contact Rcd il est proposé que les transistors nommés HS1 et LS1 (figure 10a) soient en position « ON », position correspondant à un état commuté ou passant. Les transistors HS2 et LS2 sont quant à 20 eux en position « OFF » c'est-à-dire en position ouverte ou bloqués (figures 6 et 10a). Comme déjà expliqué précédemment pour les résistances Rab et Ref, a valeur de la résistance à caractériser est alors égale à : Rcd = V / I (Eq.5) Les figures 10b et 10c représentent des possibilités de mesure de la 25 résistance Rcd lorsque les transistors hauts sont de type P. Un transistor auxiliaire Td est alors nécessaire pour ramener le potentiel du point B au point A (figure 10b) ou au point K (figure 10c). La quatrième et dernière résistance de reprise de contact sur les quatre représentées sur le schéma de la figure 3 est la résistance Rgh. 30 II est proposé ici (figures 6 et 11) de venir brancher l'alimentation stabilisée 14 à la borne d'accès C et de mesurer le courant dans la résistance Rcd correspondante à l'aide de l'ampèremètre 16. La borne d'accès G est déjà connectée à la masse. Le voltmètre 18 est utilisé ici pour mesurer la tension entre la borne d'accès E 35 et la borne d'accès G, c'est-à-dire la masse. Les transistors nommés LS1 et LS2 (figure 11) sont en position « ON », position correspondant à un état commuté ou passant. Les transistors HS1 et HS2 sont quant à eux en position « OFF » c'est-à-dire en position ouverte ou bloqués. Le courant circulant dans la résistance de contact Rcd correspond également au courant circulant dans la résistance de contact Rgh que l'on cherche à déterminer. En outre, le potentiel au point E est (très sensiblement) identique au potentiel du point de liaison H si l'on néglige la chute de tension aux bornes du transistor LS2. On connaît donc d'une part la différence de potentiel aux bornes de Rgh et d'autre part le courant circulant dans cette résistance. La résistance Rgh peut donc être déterminée. Par symétrie du pont en H, comme suggéré sur la figure 6, il est aussi possible pour déterminer Rgh de connecter l'ampèremètre 16 et l'alimentation stabilisée 14 à la borne d'accès E et de mesurer le potentiel électrique de la borne d'accès C à l'aide du voltmètre 18, ce qui est proposé par la figure 12. Grâce à deux autres jeux de combinaisons et deux autres connectiques spécifiques il est possible de mesurer simultanément les couples de résistances [Ref ; Rgh] et [Rcd ; Rgh]. L'utilisation d'un appareil de mesure de tension supplémentaire 19 est proposée pour effectuer la caractérisation de ce couple de résistances. Les figures 13 et 14 présentent les positions des différents appareils de 20 mesure et alimentation utilisés pour la mesure de ces couples de résistances et également un jeu de commande pour les transistors MOS de puissance. Cette technique va permettre de mesurer deux résistances de reprise de contacts simultanément. On appréciera que l'invention ne soit pas limitée à la forme de réalisation des interrupteurs de puissance (transistors MOS) qui n'est qu'un exemple illustratif non 25 limitatif. La description ci-dessus a été donnée à titre illustratif seulement, et n'est pas limitative de la portée de l'invention. Toute variante de réalisation à la portée de l'homme du métier sur la base de la description qui précède peut être envisagée dans le cadre de la présente invention. 30 De même, les valeurs numériques ne sont pas limitées aux exemples donnés ici à titre purement illustratif, et peuvent être de toutes autres valeurs du fait du système de réalisation. Enfin, il est bien entendu que l'invention s'applique à la commande de toute charge inductive, pas uniquement à celle d'un moteur électrique. Il peut s'agir, par 35 exemple, d'un actuateur électromagnétique à bobine fixe et noyau mobile (ou l'inverse). REVENDICATIONS1. Dispositif pour la détermination d'une résistance de contact (Rab, Rcd, Ref, Rgh) d'un pont en H (2) comportant quatre transistors (HS1, HS2, LS1, LS2) disposés en H, chaque transistor présentant un point de liaison (4, B, D, F, H) à deux transistors voisins, une reprise de contact (6) étant réalisée à chaque fois entre un point de 5 liaison (4, B, D, F, H) situé entre deux transistors et une borne d'accès (8, A, C, E, G), caractérisé en ce qu'il comporte : - des moyens pour appliquer une tension d'alimentation déterminée (14) à une borne d'accès (8, A, C, E, G), - des moyens pour déterminer le courant (16) circulant dans la reprise de 10 contact (6) correspondant à ladite borne d'accès (8, A, C, E, G), - des moyens de mesure de la tension (18) entre deux bornes d'accès (8, A, C, E, G), et - des moyens de commande (12) pour agir sur l'état ouvert / fermé des transistors (HS1, HS2, LS1, LS2) du pont en H. 15 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la tension appliquée à une des deux bornes d'accès (8, A, C, E, G) est inférieure à la tension utilisée opérationnellement. 3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la tension appliquée à la borne d'accès (8, A, C, E, G) est comprise entre 0,5 V 20 et 5 V. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte une seule borne d'accès (G) reliée à la masse ainsi que des moyens de mesure de la tension (18) à la borne d'accès (A) opposée à la borne d'accès (G) reliée à la masse. 25 5. Procédé pour la détermination d'une résistance de contact (Rab, Rcd, Ref, Rgh) d'un pont en H (2) comportant quatre transistors (HS1, HS2, LS1, LS2) disposés en H, chaque transistor présentant un point de liaison (4, B, D, F, H) à deux transistors voisins, une reprise de contact (6) étant réalisée à chaque fois entre un point de liaison (4, B, D, F, H) situé entre deux transistors et une borne d'accès (8, A, C, E, G), 30 caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes :- action sur l'état ouvert/fermé des transistors du pont en H de telle sorte que les transistors de part et d'autre du point de liaison (4, B, D, F, H) correspondant à la borne d'accès (8, A, C, E, G) soient ouverts, - application d'une tension déterminée à une borne d'accès (8, A, C, E, G), - détermination du courant circulant dans la reprise de contact (6) correspondant à ladite borne d'accès (8, A, C, E, G), - mise à la masse d'une borne d'accès voisine à ladite borne d'accès (8, A, C, E, G) si cette borne d'accès voisine n'est pas déjà reliée à la masse, et - mesure de la tension à l'autre borne d'accès (8, A, C, E, G) voisine. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la tension appliquée à la borne d'accès (8, A, C, E, G) est inférieure à la tension de commande de chacun des transistors. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que la tension appliquée à la borne d'accès (8, A, C, E, G) est comprise entre 0,5 V et 5 V.