FR 3013898 A1 20150529 FR 1361575 A 20131125 PROCEDE DE FORMATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un procédé de formation d'une cellule photovoltaïque, et plus particulièrement un procédé de formation de contacts conducteurs d'une cellule photovoltaïque. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Les contacts conducteurs ou métallisations d'une cellule photovoltaïque sont couramment réalisés par sérigraphie de pâtes métalliques. La face d'une cellule photovoltaïque qui est destinée à être exposée au rayonnement lumineux, dite face avant, est couramment recouverte d'une couche antireflet. De telles couches antireflet, couramment désignées par l'acronyme d'origine anglo-saxonne ARC (« Anti Reflective Coating »), sont habituellement isolantes électriquement. Pour former un contact conducteur sur une zone d'une cellule photovoltaïque recouverte d'une couche antireflet, une solution consiste à déposer une pâte conductrice par sérigraphie sur la couche antireflet puis à réaliser un traitement thermique. Le traitement thermique permet de réaliser la prise de contact en permettant à la pâte conductrice de traverser la couche antireflet et d'atteindre la zone de la cellule à contacter. Les pâtes métalliques utilisées dépendent notamment du type de conductivité des zones de la cellule photovoltaïque que l'on souhaite contacter. Plusieurs pâtes métalliques différentes sont couramment utilisées pour former les contacts conducteurs d'une même cellule photovoltaïque. Il existe alors un compromis difficile à satisfaire pour trouver des conditions de traitement thermique optimales pour les différentes pâtes métalliques. Il en résulte une dégradation des performances électriques et/ou mécaniques des contacts, par exemple une faible adhérence des contacts. En outre, un traitement thermique correspondant à un budget thermique trop élevé pour une pâte métallique peut entraîner une avancée du contact dans la zone dopée à contacter. Il en résulte une dégradation de la qualité électrique de la jonction photovoltaïque, ce qui entraîne une réduction des performances électriques de la cellule photovoltaïque, notamment une réduction de la tension de circuit ouvert (Voc). Ce phénomène est notamment observé dans le cas de l'utilisation de pâtes métalliques à base d'argent et d'aluminium pour contacter des couches dopées au bore de cellules photovoltaïques comprenant un substrat de type N. Le contact peut même atteindre le substrat, ce qui a pour effet de court-circuiter la jonction de la cellule photovoltaïque. Il en résulte une dégradation des performances électriques de la cellule photovoltaïque, notamment une réduction de son facteur de forme FF (« Fill Factor » en anglais). EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention propose un procédé de formation de contacts conducteurs d'une cellule photovoltaïque par sérigraphie visant notamment à résoudre ces problèmes. Il a déjà été proposé d'augmenter la profondeur de la zone dopée à contacter par redistribution des éléments dopants. Une telle redistribution des éléments dopants peut être réalisée par voie thermique, de manière globale à l'échelle du substrat. Un exemple d'une telle méthode de redistribution des éléments dopants est décrit dans l'article de L.J. Koduvelikulathu et al. intitulé « Metallization and firing process impact on Voc - a simulation study » (Proceedings of the 27th EUPVSEC, p.1432-1434, 2012). Une autre méthode de redistribution des éléments dopants utilise la voie laser, et dans ce cas la redistribution des éléments dopants s'effectue de manière localisée. Un exemple d'une telle méthode est décrit dans l'article de S. Hopman et al. intitulé « Study on laser parameters for Silicon solar cells with LCP selective emitters » (Proceedings of the 24th EUPVSEC, p.1072-1076, 2009). Un inconvénient de telles méthodes est lié au fait que la redistribution des éléments dopants entraîne une réduction de la concentration des éléments dopants en surface. Il en résulte une augmentation de la résistance électrique à l'interface entre le contact conducteur et la zone dopée à contacter. En outre, un inconvénient des méthodes de redistribution des éléments dopants par voie thermique est lié au fait que la redistribution des éléments dopants en profondeur s'effectue sur l'ensemble de la surface du substrat, ce qui a pour effet d'augmenter l'activité recombinante au sein de la cellule photovoltaïque et donc de dégrader le courant de court-circuit (Icc). Un autre inconvénient des méthodes de redistribution des éléments dopants par voie thermique est lié au fait que le budget thermique requis pour redistribuer significativement les éléments dopants, c'est-à-dire sur une profondeur supérieure à 1 um, est élevé. Un traitement thermique est par exemple effectué à une température supérieure à 950°C pendant une durée supérieure à 1 heure. Il en résulte une dégradation de la qualité du substrat. Un inconvénient des méthodes de redistribution des éléments dopants par voie laser est lié au fait que le faisceau laser est susceptible d'introduire localement des défauts dans le substrat. La présente invention propose un procédé de formation de contacts conducteurs d'une cellule photovoltaïque permettant d'éloigner les contacts conducteurs de la jonction photovoltaïque. Plus précisément, la présente invention propose d'éloigner de la jonction photovoltaïque l'interface entre le contact conducteur et la zone dopée à contacter. Pour cela, une structuration particulière est formée à la surface du substrat et une couche tampon est localisée au fond des motifs de structuration. La présente invention concerne un procédé de formation d'une cellule photovoltaïque, comprenant les étapes suivantes : a) former un motif de structuration, comportant au moins deux cavités et au moins un pilier, à partir de la surface d'un substrat semi-conducteur ; b) former à partir de la surface du substrat une zone dopée selon le type de conductivité opposé à celui du substrat, de façon que le pilier soit formé de ladite zone dopée ; c) former une couche tampon au fond d'au moins une cavité ; et d) former un contact conducteur avec la zone dopée située dans le pilier, par dépôt sérigraphique dans ladite au moins une cavité sur la couche tampon et traitement thermique de reprise de contact. Selon un mode de réalisation de la présente invention, lors de l'étape b), la zone dopée est formée de façon conforme par rapport au motif de structuration. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le procédé comprend en outre, entre les étapes b) et c), une étape de formation d'une couche électriquement isolante sur la surface du substrat. La couche électriquement isolante peut être une couche antireflet et/ou une couche de passivation. Lors de l'étape de traitement thermique de reprise de contact, la couche antireflet est partiellement éliminée et l'avancée du contact conducteur dans la zone dopée s'effectue perpendiculairement à l'interface entre le contact conducteur et la zone dopée. Un avantage d'un procédé du type de celui décrit ci-dessus réside dans le fait qu'il permet d'éviter tout risque de court-circuit et/ou de dégradation électrique de la jonction photovoltaïque entre le substrat et la zone dopée. La largeur de l'au moins un pilier est inférieure ou égale à deux fois l'épaisseur de ladite zone dopée. Ainsi, l'au moins un pilier ne comprend pas de jonction P/N. Selon un mode de réalisation de la présente invention, lors de l'étape a), on forme un motif de structuration comportant une cavité principale et une première et une seconde cavités secondaires disposées de part et d'autre de la cavité principale et séparées de celle-ci par un premier et un second piliers. Lors de l'étape c), on forme une couche tampon au fond de la cavité principale. Lors de l'étape d), on forme un contact conducteur dans la cavité principale. La profondeur de la première cavité secondaire et la profondeur de la seconde cavité secondaire sont inférieures ou égales à la profondeur de la cavité principale. Les première et seconde cavités secondaires peuvent être de même profondeur et de même largeur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, lors de l'étape a), on forme un motif de structuration comportant une première cavité et une seconde cavité séparées par un pilier. Lors de l'étape c), on forme une couche tampon au fond des première et seconde cavités. Lors de l'étape d), on forme un contact conducteur dans les première et seconde cavités autour du pilier. Les première et seconde cavités peuvent être de même profondeur et de même largeur. Dans ce cas, la largeur du contact conducteur est strictement inférieure à deux fois la largeur des première et seconde cavités. La présente invention concerne en outre une cellule photovoltaïque comprenant un substrat semi-conducteur, dopé selon un premier type de conductivité, dont la surface comprend un motif de structuration comportant au moins deux cavités et au moins un pilier, une zone dopée selon un second type de conductivité s'étendant à partir de la surface du substrat, l'au moins un pilier étant dopé selon le second type de conductivité. Une couche tampon est disposée au fond d'au moins une cavité. Un contact conducteur est disposé dans ladite au moins une cavité sur la couche tampon, le contact conducteur étant en contact avec le pilier. La largeur de l'au moins un pilier est inférieure ou égale à deux fois l'épaisseur de ladite zone dopée. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le motif de structuration comporte une cavité principale et une première et une seconde cavités secondaires disposées de part et d'autre de la cavité principale et séparées de celle-ci par un premier et un second piliers. La couche tampon est disposée au fond de la cavité principale. Le contact conducteur est disposé dans la cavité principale sur la couche tampon. La profondeur de la première cavité secondaire et la profondeur de la seconde cavité secondaire sont inférieures ou égales à la profondeur de la cavité principale. Les première et seconde cavités secondaires peuvent être de même profondeur et de même largeur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le motif de structuration comporte une première cavité et une seconde cavité séparées par un pilier. La couche tampon est disposée au fond de la première cavité et au fond de la seconde cavité. Le contact conducteur est disposé dans les première et seconde cavités sur la couche tampon, autour du pilier. Les première et seconde cavités peuvent être de même profondeur et de même largeur. Dans ce cas, la largeur du contact conducteur est strictement inférieure à deux fois la largeur des première et seconde cavités. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description suivante et en référence aux dessins annexés, donnés à titre uniquement illustratif et nullement limitatifs. Les figures 1A à 1D sont des vues en coupe illustrant de façon schématique des étapes successives d'un procédé de formation de contacts conducteurs d'une cellule photovoltaïque selon l'invention. Les figures 2A à 2D sont des vues en coupe illustrant de façon schématique des étapes successives d'un autre procédé de formation de contacts conducteurs d'une cellule photovoltaïque selon l'invention. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS L'inventeur propose un procédé de formation de contacts conducteurs d'une cellule photovoltaïque permettant d'éloigner les contacts conducteurs de la jonction photovoltaïque. Plus précisément, l'inventeur propose d'éloigner de la jonction photovoltaïque l'interface entre le contact conducteur et la zone dopée à contacter. Pour cela, l'inventeur propose de former une structuration particulière à la surface du substrat et d'utiliser une couche tampon localisée au fond des motifs de structuration. Les figures 1A à 1D sont des vues en coupe illustrant de façon schématique des étapes successives d'un procédé de formation de contacts conducteurs d'une cellule photovoltaïque. La figure 1A représente un substrat en matériau semi-conducteur 11, par exemple en silicium, à la surface duquel un motif de structuration a été formé. Le motif de structuration comporte une cavité principale 14, de profondeur e0 et de largeur L0, et deux cavités secondaires 16 et 18 disposées de part et d'autre de la cavité principale 14. La cavité secondaire 16 est séparée de la cavité principale 14 par un pilier 17 en matériau semi-conducteur 11, de largeur d. La cavité secondaire 18 est séparée de la cavité principale 14 par un pilier 19 en matériau semi-conducteur 11, de largeur d. Les cavités 16 et 18 ont par exemple la même profondeur e1 et la même largeur L1. La profondeur des cavités secondaires 16 et 18 est inférieure ou égale à la profondeur e0 de la cavité principale 14. De préférence, la largeur des cavités secondaires 16 et 18 est inférieure ou égale à la largeur L0 de la cavité principale 14. Les cavités 14, 16 et 18 sont avantageusement formées par gravure du substrat semi-conducteur 11, à partir de la surface du substrat. De préférence, les cavités sont formées par photolithographie puis gravure par voie exclusivement chimique (gravure humide) ou par voie laser associée à une gravure humide. De telles méthodes de gravure permettent de former le motif de structuration tout en générant peu de défauts. La figure 1B illustre la formation d'une zone dopée 21, de type de conductivité opposé à celui du substrat 11, à partir de la surface structurée 12 du substrat 11 jusqu'à une profondeur e2 dans le substrat. La zone dopée 21 est couramment appelée émetteur. La zone dopée 21 est formée par voie thermique, c'est-à-dire par insertion puis substitution d'éléments dopants dans le réseau cristallin du substrat semi-conducteur 11. Toute méthode de dopage permettant d'obtenir une zone dopée 21 conforme par rapport au motif de structuration de surface du substrat 11, c'est-à-dire d'épaisseur constante par rapport à la surface structurée 12 du substrat, pourra être utilisée. Par exemple, la zone dopée 21 peut être formée par diffusion thermique ou par implantation ionique ou par immersion plasma. La jonction photovoltaïque 22 formée par le substrat 11 et la zone dopée 21 est située à une distance e2 de la surface structurée 12 du substrat. L'homme du métier saura choisir l'épaisseur e2 de la zone dopée 21 en fonction des caractéristiques de la cellule photovoltaïque à fabriquer. La largeur d des piliers 17 et 19 est préalablement choisie de sorte que les piliers 17 et 19 soient entièrement dopés selon le type de conductivité opposé à celui du substrat 11, autrement dit de sorte que les piliers 17 et 19 soient formés uniquement de la zone dopée 21 et ne comprennent pas de jonction PIN. La largeur d des piliers 17 et 19 est choisie de sorte à être inférieure ou égale à deux fois l'épaisseur e2 de la zone dopée 21. Une couche 23, électriquement isolante, par exemple en nitrure de silicium, est formée sur la surface structurée 12 du substrat 11. Il s'agit avantageusement d'une couche antireflet et/ou d'une couche de passivation. Une couche dite « tampon » 25 est formée au fond de la cavité principale 14, sur la couche 23. L'épaisseur e3 de la couche tampon 25 est inférieure à la profondeur e0 de la cavité principale 14. La couche tampon 25 est destinée à servir de barrière entre la pâte conductrice (et le contact conducteur formé ultérieurement) et la partie de la couche 23 la plus proche de la jonction photovoltaïque 22. Pour former la couche tampon 25, on choisira un matériau non poreux, c'est-à-dire un matériau ne laissant pas passer les particules contenues dans la pâte conductrice utilisée ultérieurement pour former le contact conducteur. Le matériau choisi sera également inactif chimiquement par rapport à la pâte conductrice. Le matériau choisi pour la couche tampon 25 présente avantageusement une porosité ouverte inférieure ou égale à 1 um et de préférence inférieure ou égale à 500 nm. La porosité ouverte peut être évaluée par microscopie électronique à balayage (MEB). La couche tampon 25 peut être électriquement conductrice. Dans ce cas, la couche tampon 25 est par exemple une couche de nickel obtenue par pulvérisation, par exemple par dépôt physique en phase vapeur (PVD, « Physical Vapor Deposition »). Selon une alternative, la couche tampon 25 peut être électriquement isolante. Dans ce cas, la couche tampon 25 est par exemple en oxyde de silicium ou en verre obtenu par centrifugation connu sous le nom anglo-saxon de « spin on glass » ou en un matériau polymère par exemple déposé par sérigraphie. La figure 1C illustre la formation d'un contact conducteur 27 par dépôt sérigraphique (ou sérigraphie) dans la cavité principale 14, sur la couche tampon 25. Le contact conducteur 27 recouvre des portions 23a, 23b de la couche 23 recouvrant les piliers 17 et 19. Une pâte conductrice à base d'argent et/ou d'aluminium est par exemple utilisée pour former le contact conducteur 27. L'ouverture de l'écran de sérigraphie utilisé est par exemple de largeur supérieure à la largeur Lo de la cavité principale 14. Ainsi, même en cas de désalignement de l'écran de sérigraphie par rapport à la cavité 14, le contact conducteur 27 recouvre des portions de la couche 23 recouvrant les piliers 17 et 19. La figure 1D illustre la structure obtenue après un traitement thermique de reprise de contact du contact conducteur 27 sur la zone dopée 21. Le traitement thermique est par exemple réalisé dans un four dit « à passage » utilisant des lampes infrarouge. Il permet d'activer des composants contenus dans la pâte conductrice utilisée pour former le contact conducteur 27, par exemple de la fritte de verre. Sous l'effet du traitement thermique, la fritte de verre grave les portions 23a et 23b de la couche 23 qui sont en contact avec le contact conducteur 27. La couche 23 est éliminée entre le contact conducteur 27 et une partie de la zone dopée 21 située dans les piliers 17 et 19. L'avancée du contact conducteur 27 dans la zone dopée 21 s'effectue sensiblement perpendiculairement à l'interface entre le contact conducteur 27 et la zone dopée 21. Cette avancée du contact 27 dans la zone dopée 21 est représentée par des zones hachurées 29a et 29b. On a ainsi formé un contact conducteur sur la zone dopée 21, les zones 29a et 29b d'interface entre le contact conducteur 27 et la zone dopée 21 étant disposées à distance de la jonction photovoltaïque 22. Un avantage d'un procédé du type de celui décrit en relation avec les figures 1A-1D réside dans le fait qu'il permet d'éviter tout risque de court-circuit et/ou de dégradation électrique de la jonction photovoltaïque. Il en résulte une amélioration des performances des cellules photovoltaïques. A titre d'exemple de dimensions : - la largeur L0 de la cavité principale 14 est inférieure ou égale à 200 iim, et avantageusement comprise entre 20 iim et 90 iim ; - la largeur L1 des cavités secondaires 16 et 18 est inférieure ou égale à 50 iim, et avantageusement comprise entre 0,5 iim et 10 iim ; - la profondeur e0 de la cavité principale 14 est inférieure ou égale à 40 iim, et avantageusement comprise entre 20 iim et 30 iim ; - la profondeur e1 des cavités secondaires 16 et 18 est inférieure ou égale à e0, et avantageusement telle que [e0 - e3] A titre d'exemple de dimensions : - la largeur L0 des cavités 44 et 46 est inférieure ou égale à 200 um, et avantageusement comprise entre 20 um et 90 um ; - la profondeur e0 des cavités 44 et 46 est inférieure ou égale à 40 um, et avantageusement comprise entre 20 um et 30 um ; - l'épaisseur e3 de la couche tampon 55 est inférieure ou égale à 10 um, et avantageusement comprise entre 1 um et 5 um ; et - l'épaisseur e2 de la zone dopée 51 est supérieure ou égale à 0,5 um et inférieure ou égale à 2 um. La figure 1D représente un mode de réalisation d'une cellule photovoltaïque. La cellule photovoltaïque comprend un substrat semi-conducteur 11, dont la surface comprend un motif de structuration du côté de la face 12 de la cellule destinée à être exposée au rayonnement lumineux. Le motif de structuration comporte une cavité principale 14 et deux cavités secondaires 16 et 18 disposées de part et d'autre de la cavité principale 14 et séparées de celle-ci par des piliers 17 et 19 en matériau semiconducteur 11. Les cavités 16 et 18 ont par exemple la même profondeur e1 et la même largeur L1. La profondeur des cavités secondaires 16 et 18 est inférieure ou égale à la profondeur e0 de la cavité principale 14. Une zone dopée 21, de type de conductivité opposé à celui du substrat 11, s'étend à partir de la surface structurée 12 du substrat 11 jusqu'à une profondeur e2 dans le substrat. La zone dopée 21 est conforme par rapport à la surface structurée 12 du substrat 11. La zone dopée 21 est continue, y compris dans les piliers 17 et 19. Les piliers 17 et 19 sont entièrement dopés selon le type de conductivité opposé à celui du substrat 11, autrement dit les piliers 17 et 19 sont formés uniquement de la zone dopée 21 et ne comprennent pas de jonction PIN. La largeur d des piliers 17 et 19 est inférieure ou égale à deux fois l'épaisseur e2 de la zone dopée 21. Une couche 23 électriquement isolante, par exemple une couche antireflet et/ou une couche de passivation, recouvre la surface structurée 12 du substrat 11, excepté des portions supérieures des piliers 17 et 19. La couche 23 est conforme par rapport à la surface structurée 12 du substrat 11. Une couche tampon 25 est disposée au fond de la cavité principale 14, sur la couche 23. Un contact conducteur 27 est disposé dans la cavité principale 14, sur la couche tampon 25. Le contact conducteur 27 est en contact direct avec les portions des piliers 17 et 19 non recouvertes de la couche 23, situées au-dessus de la couche tampon 25. Les zones 29a et 29b d'interface entre le contact conducteur 27 et la zone dopée 21 sont disposées à distance de la jonction photovoltaïque 22 formée par le substrat 11 et la zone dopée 21. La figure 2D représente un autre mode de réalisation d'une cellule photovoltaïque. La cellule photovoltaïque comprend un substrat semi-conducteur 41 dont la surface comprend un motif de structuration du côté de la face 42 de la cellule destinée à être exposée au rayonnement lumineux. Le motif de structuration comporte deux cavités 44 et 46 séparées par un pilier 47 en matériau semi-conducteur 41. Les cavités 44 et 46 ont par exemple la même profondeur e0 et la même largeur L0. Une zone dopée 51, de type de conductivité opposé à celui du substrat 41, s'étend à partir de la surface structurée 42 du substrat 41 jusqu'à une profondeur e2 dans le substrat. La zone dopée 51 est conforme par rapport à la surface structurée 42 du substrat 41. La zone dopée 51 est continue, y compris dans le pilier 47. Le pilier 47 est entièrement dopé selon le type de conductivité opposé à celui du substrat 41, autrement dit le pilier 47 est formé uniquement de la zone dopée 51 et ne comprend pas de jonction PIN. La largeur d du pilier 47 est inférieure ou égale à deux fois l'épaisseur e2 de la zone dopée 51. Une couche 53 électriquement isolante, par exemple une couche antireflet et/ou une couche de passivation, recouvre la surface structurée 42 du substrat 41, excepté une portion supérieure du pilier 47. La couche 53 est conforme par rapport à la surface structurée 42 du substrat 41. Une couche tampon 55 est disposée au fond de chaque cavité 44 et 46, sur la couche 53. Un contact conducteur 57 est disposé dans les cavités 44 et 46, sur la couche tampon 55, autour du pilier 47. Le contact conducteur 57 est en contact direct avec la portion du pilier 47 située au-dessus de la couche tampon 55 et non recouverte de la couche 53. La largeur 1_, du contact 57 est strictement inférieure à la somme des largeurs des cavités 44 et 46 (1_, REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'une cellule photovoltaïque, comprenant les étapes suivantes : a) former un motif de structuration, comportant au moins deux cavités et au moins un pilier, à partir de la surface d'un substrat semi-conducteur (11, 41) ; b) former à partir de la surface du substrat une zone dopée (21, 51) selon le type de conductivité opposé à celui du substrat, de façon que le pilier soit formé de ladite zone dopée ; c) former une couche tampon (25, 55) au fond d'au moins une cavité ; et d) former un contact conducteur (27, 57) avec la zone dopée située dans le pilier, par dépôt sérigraphique dans ladite au moins une cavité sur la couche tampon et traitement thermique de reprise de contact. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, lors de l'étape b), la zone dopée (21, 51) est formée de façon conforme par rapport au motif de structuration. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre, entre les étapes b) et c), une étape de formation d'une couche électriquement isolante (23, 53) sur la surface du substrat, ladite couche électriquement isolante étant par exemple une couche antireflet et/ou une couche de passivation. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la largeur (d) de l'au moins un pilier est inférieure ou égale à deux fois l'épaisseur (e2) de ladite zone dopée (21, 51). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel : -lors de l'étape a), on forme un motif de structuration comportant une cavité principale (14) et une première (16) et une seconde (18) cavités secondairesdisposées de part et d'autre de la cavité principale et séparées de celle-ci par un premier (17) et un second (19) piliers ; -lors de l'étape c), on forme une couche tampon (25) au fond de la cavité principale (14) ; et -lors de l'étape d), on forme un contact conducteur (27) dans la cavité principale (14). 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la profondeur de la première cavité secondaire (16) et la profondeur de la seconde cavité secondaire (18) sont inférieures ou égales à la profondeur (e0) de la cavité principale (14). 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel les première et seconde cavités secondaires (16, 18) ont la même profondeur (e1) et la même largeur (L1). 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel : -lors de l'étape a), on forme un motif de structuration comportant une première cavité (44) et une seconde cavité (46) séparées par un pilier (47) ; -lors de l'étape c), on forme une couche tampon (55) au fond des première et seconde cavités (44, 46) ; et -lors de l'étape d), on forme un contact conducteur (57) dans les première et seconde cavités (44, 46) autour du pilier (47). 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel les première et seconde cavités (44, 46) ont la même profondeur (e0) et la même largeur (L0). 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel la largeur (Le) du contact conducteur (57) est strictement inférieure à deux fois la largeur (L0) des première et seconde cavités (44, 46).30 11. Cellule photovoltaïque comprenant : -un substrat semi-conducteur (11, 41), dopé selon un premier type de conductivité, dont la surface comprend un motif de structuration comportant au moins deux cavités et au moins un pilier, une zone dopée (21, 51) selon un second type de conductivité s'étendant à partir de la surface (12, 42) du substrat, l'au moins un pilier étant dopé selon le second type de conductivité ; -une couche tampon (25, 55) disposée au fond d'au moins une cavité ; et -un contact conducteur (27, 57) disposé dans ladite au moins une cavité sur la couche tampon, le contact conducteur étant en contact avec le pilier. 12. Cellule photovoltaïque selon la revendication 11, dans laquelle la largeur (d) de l'au moins un pilier est inférieure ou égale à deux fois l'épaisseur (e2) de ladite zone dopée (21, 51). 13. Cellule photovoltaïque selon la revendication 11 ou 12, dans laquelle : -le motif de structuration comporte une cavité principale (14) et une première (16) et une seconde (18) cavités secondaires disposées de part et d'autre de la cavité principale et séparées de celle-ci par un premier (17) et un second (19) piliers ; -la couche tampon (25) est disposée au fond de la cavité principale (14) ; et le contact conducteur (27) est disposé dans la cavité principale (14) sur la couche tampon. 14. Cellule photovoltaïque selon la revendication 13, dans laquelle la profondeur de la première cavité secondaire (16) et la profondeur de la seconde cavité secondaire (18) sont inférieures ou égales à la profondeur (e0) de la cavité principale (14). 15. Cellule photovoltaïque selon la revendication 13 ou 14, dans laquelle les première et seconde cavités secondaires (16, 18) ont la même profondeur (e1) et la même largeur (L1). 16. Cellule photovoltaïque selon la revendication 11 ou 12, dans laquelle : -le motif de structuration comporte une première cavité (44) et une seconde cavité (46) séparées par un pilier (47) ; -la couche tampon (55) est disposée au fond de la première cavité (44) et au fond de la seconde cavité (46) ; et le contact conducteur (57) est disposé dans les première et seconde cavités (44, 46) sur la couche tampon, autour du pilier (47). 17. Cellule photovoltaïque selon la revendication 16, dans laquelle les première et seconde cavités (44, 46) ont la même profondeur (e0) et la même largeur (L0). 18. Cellule photovoltaïque selon la revendication 17, dans laquelle la largeur (Le) du contact conducteur (57) est strictement inférieure à deux fois la largeur (L0) des première et seconde cavités (44, 46).20