FR 3017558 A1 20150821 FR 1551173 A 20150213 0 1 75 5 8 PROCEDE AMELIORE DE FABRICATION DE COUCHES DE POLISSAGE MECANO-CHIMIOUE La présente invention concerne en général le domaine de fabrication de couches de polissage. La présente invention concerne en particulier un procédé de fabrication de couches de polissage pour une utilisation dans des feutres de polissage mécano-chimique. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposées sur ou retirées d'une surface d'une galette semi-conductrice. De minces couches de matériaux conducteurs, semi-conducteurs, et diélectriques peuvent être déposées par de nombreuses techniques de dépôt. Les techniques de dépôt classiques dans un procédé moderne comprennent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), également connu comme pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur promu par plasma (PECVD), et le placage électrochimique (ECP). Lorsque des couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface la plus haute de la galette devient non-plane. Puisque un traitement subséquent du semi-conducteur (par exemple métallisation) exige que la galette présente une surface plane, la galette doit être planarisée. La planarisation est utile pour éliminer une topographie de surface et des défauts de surface non souhaités, tels que des surfaces rugueuses, des matériaux agglomérés, une détérioration du réseau cristallin, des égratignures, et des couches ou des matériaux pollués. La planarisation mécano-chimique, ou polissage mécano-chimique (CMP), est une technique classique utilisée pour planariser des substrats, tels que des galettes semi-conductrices. Dans un CMP classique, une galette est fixée sur un assemblage de support et mise en contact avec un feutre de polissage dans un appareil CMP. L'assemblage de support fournit une pression réglable à la galette, la comprimant contre le feutre de polissage. Le feutre est déplacé (par exemple mis en rotation) par rapport à la galette par une force de commande externe. Simultanément avec ceci, une composition chimique ("suspension") ou une autre solution de polissage est fournie entre la galette et le feutre de polissage. 301 7 5 5 8 2 La surface de la galette est ainsi polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la surface du feutre et de la suspension. Reinhardt et al., brevet U.S. 5 578 362 décrit des exemples de couches de polissage connues dans la technique. Les couches de polissage 5 de Reinhardt comprennent une matrice polymère présentant des microsphères creuses avec une enveloppe thermoplastique dispersées à travers celle-ci. Les microsphères creuses sont en général combinées et mélangées avec un matériau polymère liquide et transférées dans un moule pour durcissement. Des réglages stricts du procédé sont classique- 10 ment exigés pour faciliter la production de couches de polissage consistantes de lot à lot, jour à jour, et saison à saison. Malgré la mise en place des réglages stricts du procédé, les techniques de traitement classiques résultent néanmoins en une variation non souhaitée (par exemple taille de pore et distribution de pore) dans 15 des couches de polissage produites lot à lot, jour à jour, et saison à saison. Il existe par conséquent un besoin continu de techniques améliorées de fabrication de couches de polissage pour améliorer la consistance du produit, en particulier les pores. La présente invention fournit un procédé de formation d'une 20 couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un substrat magnétique, d'un substrat optique et d'un substrat semi- conducteur, comprenant : fournir un matériau prépolymère liquide ; fournir une pluralité de microsphères creuses ; exposer la pluralité de microsphères creuses à un vide pour former une pluralité de microsphères 25 creuses exposées ; traiter la pluralité de microsphères creuses exposées avec une atmosphère de dioxyde de carbone sur une durée de traitement de 20 minutes à 30 9/0 en volume de CO2 ; combiner le matériau prépolymère liquide avec la 10 pluralité de microsphères creuses traitées pour former un mélange durcissable ; laisser le mélange durcissable réagir pour former un matériau durci, dans lequel on laisse la réaction débuter 5_ 24 heures après la formation de la pluralité de microsphères creuses traitées ; et, dériver au moins une couche de polissage à partir du matériau durci ; dans lequel la 15 au moins une couche de polissage présente une surface de polissage adaptée pour polir le substrat. La présente invention fournit un procédé de formation d'une couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un substrat magnétique, d'un substrat optique et d'un substrat semi- 20 conducteur, comprenant : fournir un moule ; fournir un matériau prépolymère liquide ; fournir une pluralité de microsphères creuses ; exposer la pluralité de microsphères creuses à un vide pour former une pluralité de microsphères creuses exposées ; traiter la pluralité de microsphères creuses exposées avec une atmosphère de dioxyde de 25 carbone sur une durée de traitement de 20 minutes à 30 % en volume de CO2. Selon un autre mode de réalisation particulier, on laisse la réaction débuter _.. 1 heure après la formation de la pluralité de 35 microsphères creuses traitées. 301 7 5 5 8 7 La présente invention fournit un procédé de formation d'une couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un substrat magnétique, d'un substrat optique et d'un substrat semiconducteur, comprenant : fournir un moule ; fournir un matériau 5 prépolymère liquide, dans lequel le matériau prépolymère liquide réagit pour former un poly(uréthane) ; fournir une pluralité de microsphères creuses, dans lequel chaque microsphère creuse dans la pluralité de microsphères creuses présente une enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile et où l'enveloppe 10 copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile encapsule un isobutane ; exposer la pluralité de microsphères creuses à un vide .._ 50 mm Hg sur une durée d'exposition de 20 à 40 minutes pour former la pluralité de microsphères creuses exposées ; traiter la pluralité de microsphères creuses exposées avec une atmosphère de dioxyde de 15 carbone par fluidisation de la pluralité de microsphères creuses exposées en utilisant un gaz sur une durée de traitement de 25 minutes à 1 heure pour former la pluralité de microsphères creuses traitées, dans lequel le gaz est > 30 % en volume de CO2 ; combiner le matériau prépolymère liquide avec la pluralité de microsphères creuses traitées pour former un 20 mélange durcissable ; transférer le mélange durcissable dans le moule ; laisser le mélange durcissable réagir pour former un matériau durci dans le moule, dans lequel on laisse la réaction débuter 5. 24 heures après la formation de la pluralité de microsphères creuses traitées ; et, dériver au moins une couche de polissage à partir du matériau durci en fendant le 25 matériau durci pour former la au moins une couche de polissage ; dans lequel la au moins une couche de polissage présente une surface de polissage adaptée pour polir le substrat. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 30 La figure 1 est un graphique de la courbe de C90 en fonction de l'élévation de la température d'une pluralité de microsphères creuses traitées avec de l'azote sur une durée d'exposition de huit heures. La figure 2 est un graphique de la courbe de C90 en fonction 35 de l'élévation de la température d'une pluralité de microsphères creuses traitées avec CO2 sur une durée d'exposition de trois heures. La figure 3 est un graphique de la courbe de C90 en fonction de l'abaissement de la température d'une pluralité de microsphères creuses traitées avec de l'azote sur une durée d'exposition de huit heures. La figure 4 est un graphique de la courbe de C90 en fonction de l'abaissement de la température d'une pluralité de microsphères creuses traitées avec CO2 sur une durée d'exposition de trois heures. La figure 5 est un graphique de la courbe de C90 en fonction de l'élévation de la température d'une pluralité de microsphères creuses traitées avec CO2 sur une durée d'exposition de cinq heures. DESCRIPTION DETAILLEE On a trouvé de manière surprenante que la sensibilité de la taille de pore dans des couches de polissage par rapport aux conditions du procédé peut être significativement réduite par exposition d'une pluralité de microsphères creuses à un vide suivie par un traitement avec une atmosphère de dioxyde de carbone avant que les microsphères soient combinées avec un matériau prépolymère liquide pour former un mélange durcissable à partir duquel des couches de polissage sont ensuite formées. On a spécifiquement trouvé qu'en conditionnant une pluralité de microsphères creuses comme décrit, des variations plus larges de la température de procédé peuvent être tolérées dans un lot (par exemple à l'intérieur d'un moule), de lot à lot, de jour à jour, et de saison à saison, tout en continuant à produire des couches de polissage présentant une taille de pore, un comptage de pore, et une densité spécifique consistantes. La consistance de la taille de pore et du comptage de pore est particulièrement critique dans des couches de polissage incorporant la pluralité de microsphères creuses, où les microsphères creuses dans la pluralité de microsphères creuses présentent chacune une enveloppe polymère thermiquement expansible. C'est-à-dire que la densité spécifique de la couche de polissage produite en utilisant la même charge (c'est-à-dire, % en masse ou comptage) de microsphères creuses incluses dans le matériau durcissable variera selon la taille réelle (c'est-à-dire le diamètre) des microsphères creuses lors du durcissement du matériau durcissable. Le terme "poly(uréthane)" comme utilisé ici et dans les revendications annexées englobe (a) des polyuréthanes formés par la 301 7 5 5 8 9 réaction de (i) isocyanates et de (ii) polyols (comprenant des diols) ; et, du (b) poly(uréthane) formé par la réaction de (i) isocyanates avec des (ii) polyols (comprenant des diols) et (iii) de l'eau, des amines ou une combinaison d'eau et d'amines. 5 Le terme "point de gel" comme utilisé ici et dans les reven- dications annexées en faisant référence à un mélange durcissable indique le moment dans le procédé de durcissement où le mélange durcissable exhibe une viscosité infinie à cisaillement stabilisé et un module d'équilibre zéro. 10 Le terme "température de durcissement dans le moule" comme utilisé ici et dans les revendications annexées fait référence à la température présentée par le mélange durcissable pendant la réaction pour former le matériau durci. Le terme "température maximale de durcissement dans 15 le moule" comme utilisé ici dans les revendications annexées fait référence à la température maximale présentée par le mélange durcissable pendant la réaction pour former le matériau durci. Le terme "durée de gel" comme utilisé ici et dans les revendications annexées faisant référence à un mélange durcissable indique la 20 durée totale de durcissement pour ce mélange comme déterminé en utilisant un procédé de test standard selon ASTM D3795-00a (réapprouvé en 2006) (Standard Test Method for Thermal Flow, Cure, and Behavior Properties of Pourable Thermosetting Materials by Torque Rheometer). Le matériau prépolymère liquide réagit de préférence (c'est-à- 25 dire durcit) pour former un matériau choisi parmi un poly(uréthane), une polysulfone, une polyéther sulfone, un nylon, un polyéther, un polyester, un polystyrène, un polymère acrylique, une polyurée, un polyamide, un poly(chlorure de vinyle), un poly(fluorure de vinyle), un polyéthylène, un polypropylène, un polybutadiène, une polyéthylène imine, un 30 polyacrylonitrile, un poly(oxyde d'éthylène), une polyoléfine, un poly(acrylate d'alkyle), un poly(méthacrylate d'alkyle), un polyamide, un polyéther imide, une polycétone, une époxy, un silicone, un polymère formé à partir de monomère d'éthylène propylène diène, une protéine, un polysaccharide, un polyacétate et une combinaison d'au moins deux des 35 précédents. Le matériau prépolymère liquide réagit de préférence pour former un matériau comprenant un poly(uréthane). Le matériau prépolymère liquide réagit encore mieux pour former un matériau comprenant un polyuréthane. Le matériau prépolymère liquide réagit (durcit) bien mieux encore pour former un polyuréthane. Le matériau prépolymère liquide comprend de préférence un matériau contenant un polyisocyanate. Le matériau prépolymère liquide comprend encore mieux le produit de réaction d'un polyisocyanate (par exemple diisocyanate) et d'un matériau contenant un groupe hydroxyle. Le polyisocyanate est de préférence choisi parmi le bis-4,4'- cyclohexylisocyanate de méthylène ; le diisocyanate de cyclohexyle ; le diisocyanate d'isophorone ; le diisocyanate d'hexaméthylène ; le 1,2- diisocyanate de propylène; le 1,4-diisocyanate de tétraméthylène ; le diisocyanate de 1,6-hexaméthylène ; le 1,12-diisocyanate de dodécane ; le 1,3-diisocyanate de cyclobutane ; le 1,3-diisocyanate de cyclohexane ; le 1,4-diisocyanate de cyclohexane ; le 1-isocyanato-3,3,5-triméthy1-5- isocyanatométhylcyclohexane ; le diisocyanate de méthylcyclohexylène ; le triisocyanate de diisocyanate d'hexaméthylène ; le triisocyanate de diisocyanate de 2,4,4-triméthy1-1,6-hexane ; l'urètdione de diisocyanate d'hexaméthylène ; le diisocyanate d'éthylène ; le diisocyanate de 2,2,4- triméthylhexaméthylène ; le diisocyanate de 2,4,4-tri-méthylhexa- méthylène ; le diisocyanate de dicyclohexylméthane ; et des combinaisons de ceux-ci. Le polyisocyanate est encore mieux aliphatique et présente moins de 14 pourcent de groupes isocyanate n'ayant pas réagi. Le matériau contenant un groupe hydroxyle utilisé dans la présente invention est de préférence un polyol. Les polyols donnés en exemple comprennent par exemple des polyéther polyols, du polybutadiène terminé par un groupe hydroxy (comprenant des dérivés partiellement et complètement hydrogénés), des polyester polyols, des polycaprolactone polyols, des polycarbonate polyols, et des mélanges de ceux-ci. Les polyols préférés comprennent des polyéther polyols. Des exemples de polyéther polyols comprennent le polytétraméthylène éther glycol ("PTMEG"), le polyéthylène propylène glycol, le polyoxypropylène glycol, et des mélanges de ceux-ci. La chaîne hydrocarbonée peut présenter des liaisons saturées ou insaturées et des groupes aromatiques et cycliques substitués ou non substitués. Le polyol de la présente invention comprend de préférence PTMEG. Les polyester polyols appropriés comprennent, le poly(adipate d'éthylène) glycol ; le poly(adipate de butylène) glycol ; le poly(adipate d'éthylène propylène) glycol ; l'o-phtalate-1,6-hexanediol ; le poly(adipate d'hexaméthylène) glycol ; et des mélanges de ceux-ci mais ne sont pas limités à ceux-ci. La 5 chaîne hydrocarbonée peut présenter des liaisons saturées ou insaturées, ou des groupes cycliques et aromatiques substitués ou non substitués. Les polycaprolactone polyols appropriés comprennent la polycaprolactone initiée par du 1,6-hexanediol ; la polycaprolactone initiée par du diéthylèneglycol ; la polycaprolactone initiée par du triméthylolpropane ; la 10 polycaprolactone initiée par du néopentylglycol ; la polycaprolactone initiée par du 1,4-butanediol ; la polycaprolactone initiée par du PTMEG ; et des mélanges de ceux-ci mais ne sont pas limités à ceux-ci. La chaîne hydrocarbonée peut présenter des liaisons saturées ou insaturées, ou des groupes aromatiques et cycliques substitués ou non substitués. Des 15 polycarbonates appropriés comprennent le poly(carbonate de phtalate) et le poly(carbonate d'hexaméthylène) glycol mais ne sont pas limités à ceux-ci. La pluralité de microsphères creuses est de préférence choisie parmi des matériaux polymères à noyaux creux remplis de gaz et des 20 matériaux polymères à noyaux creux remplis de liquide, où les microsphères creuses dans la pluralité de microsphères creuses présentent chacune une enveloppe polymère thermiquement expansible. L'enveloppe polymère thermiquement expansible est de préférence constituée d'un matériau choisi dans le groupe constitué de poly(alcool vinylique), de 25 pectine, de polyvinylpyrrolidone, d'hydroxyéthylcellulose, de méthylcellulose, d'hydroxypropylméthylcellulose, de carboxyméthylcellulose, d'hydroxypropylcellulose, de poly(acides acryliques), de polyacrylamides, de polyéthylène glycols, de polyhydroxyétheracrylates, d'amidons, de copolymères d'acide maléique, de poly(oxyde d'éthylène), de 30 polyuréthanes, de cyclodextrine et de combinaisons de ceux-ci. L'enveloppe polymère thermiquement expansible comprend encore mieux un polymère d'acrylonitrile (de préférence où le polymère d'acrylonitrile est un copolymère d'acrylonitrile ; encore mieux où le polymère d'acrylonitrile est un copolymère d'acrylonitrile choisi dans le groupe 35 constitué d'un copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylo- nitrile et d'un copolymère de polyacrylonitrile/alkylacrylonitrile ; bien 3 0 1 7 5 5 8 12 mieux encore où le polymère d'acrylonitrile est un copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile). Les microsphères creuses dans la pluralité de microsphères creuses sont de préférence des matériaux polymères à noyaux creux remplis de gaz, où l'enveloppe polymère thermiquement expansible encapsule un gaz hydrocarboné. Le gaz hydrocarboné est de préférence choisi dans le groupe constitué d'au moins un parmi le méthane, l'éthane, le propane, l'isobutane, le n-butane et l'isopentane, le n-pentane, le néo-pentane, le cyclopentane, l'hexane, l'isohexane, le néo-hexane, le cyclohexane, l'heptane, l'isoheptane, l'octane et l'isooctane. Le gaz hydrocarboné est encore mieux choisi dans le groupe constitué d'au moins un parmi le méthane, l'éthane, le propane, l'isobutane, le n-butane, l'isopentane. Le gaz hydrocarboné est bien mieux encore choisi dans le groupe constitué d'au moins un parmi l'isobutane et l'isopentane. Le gaz hydrocarboné est bien mieux encore l'isobutane. Les microsphères creuses dans la pluralité de microsphères creuses sont bien mieux encore des matériaux polymères à noyaux creux remplis de gaz présentant une enveloppe de copolymère d'acrylonitrile et de chlorure de vinylidène encapsulant un isobutane (par exemple microsphères Expancel® disponibles chez Akzo Nobel). Le mélange durcissable comprend un matériau prépolymère liquide et une pluralité de microsphères creuses traitées. Le mélange durcissable comprend de préférence un matériau prépolymère liquide et une pluralité de microsphères creuses traitées, dans lequel la pluralité de microsphères creuses traitées est uniformément dispersée dans le matériau prépolymère liquide. Le mélange durcissable présente de préférence une température maximale de durcissement de moule de 72 à 90°C (encore mieux de 75 à 85°C). Le mélange durcissable comprend éventuellement de plus un agent durcissant. Les agents durcissants préférés comprennent des diamines. Les polydiamines appropriées comprennent des amines primaires et des amines secondaires. Les polydiamines préférées comprennent la diéthyltoluènediamine ("DETDA") ; la 3,5-diméthylthio2,4-toluènediamine et des isomères de celle-ci ; la 3,5-diéthyltoluène-2,4- diamine et des isomères de celle-ci (par exemple 3,5-diéthyltoluène-2,6- diamine) ; le 4,4'-bis-(sec-butylamino)-diphénylméthane ; le 1,4-bis-(sec- butylamino)-benzène ; la 4,4'-méthylène-bis-(2-chloroaniline) ; la 4,4'- 301 7 5 5 8 13 méthylène-bis-(3-chloro-2,6-diéthylaniline) ("MCDEA") ; le di-paminobenzoate de poly(oxyde de tétraméthylène) ; le N,N'- dialkyldiaminodiphénylméthane ; la p,p'-méthylènedianiline ("MDA") ; la m-phénylènediamine ("MPDA") ; la méthylène-bis-2-chloroaniline 5 ("MBOCA") ; la 4,4'-méthylène-bis-(2-chloroaniline) ("MOCA") ; la 4,4°- méthylène-bis-(2,6-diéthylaniline) ("MDEA") ; la 4,4'-méthylène-bis-(2,3- dichloroaniline) ("MDCA") ; le 4,4'-diamino-3,3'-diéthy1-5,5'- dirnéthyldiphénylméthane, le 2,2',3,3'-tétrachlorodiaminodiphénylméthane ; le di-p-aminobenzoate de triméthylèneglycol ; et des mélanges de ceux- 10 ci mais ne sont pas limités à ceux-ci. L'agent durcissant de diamine est de préférence choisi parmi la 3,5-diméthylthio-2,4-toluènediamine et des isomères de celle-ci. Les agents durcissants peuvent également comprendre des diols, des triols, des tétraols et des durcisseurs terminés par un groupe 15 hydroxy. Les diols, triols et groupes tétraols comprennent l'éthylène glycol ; le diéthylène glycol ; le polyéthylène glycol ; le propylène glycol ; le polypropylène glycol ; le polytétraméthylène éther glycol de faible masse moléculaire ; le 1,3-bis(2-hydroxyéthoxy)benzène ; le 1,3-bis-[2-(2- hydroxyéthoxy)éthoxy]benzène ; le 1,3-bis-{2-[2-(2-hydroxyéthoxy) 20 éthoxy]éthoxy}benzène ; le 1,4-butanediol ; le 1,5-pentanediol ; le 1,6- hexanediol ; le résorcinol-di-(bêta-hydroxyéthyl)éther ; l'hydroquinone-di(bêta-hydroxyéthyl)éther ; et des mélanges de ceux-ci. Les durcisseurs terminés par un groupe hydroxy préférés comprennent le 1,3-bis(2- hydroxyéthoxy)benzène ; le 1,3-bis-[2-(2-hydroxyéthoxy)éthoxy]benzène ; 25 le 1,3-bis-{2-[2-(2-hydroxyéthoxy)éthoxy]éthoxy}benzène ; le 1,4- butanediol ; et des mélanges de ceux-ci. Les durcisseurs terminés par un groupe hydroxy et de diamines peuvent comprendre un ou plusieurs groupes cycliques et aromatiques saturés, insaturés. La pluralité de microsphères creuses est exposée à un vide pour 30 former une pluralité de microsphères creuses exposées. La pluralité de microsphères creuses est de préférence exposée à un vide ?.. 25 mm Hg (encore mieux à un vide ..>_ 50 mm Hg ; bien mieux encore à un vide ?._ 70 mm Hg) pour former la pluralité de microsphères creuses exposées. La pluralité de microsphères creuses est de préférence exposée à un vide 35 sur une durée d'exposition de 10 minutes à 5 heures (encore mieux de 20 minutes à 40 minutes ; bien mieux encore de 25 minutes à 35 minutes) 301 7 5 5 8 14 pour former la pluralité de microsphères creuses exposées. La pluralité de microsphères creuses est de préférence exposée à un vide ?._ 25 mm Hg (encore mieux à un vide ?_. 50 mm Hg ; bien mieux encore à un vide ?.. 70 mm Hg) sur une durée d'exposition de 10 minutes à 30 % en volume de CO2 (encore mieux .?_. 33 % en volume de CO2 ; bien mieux encore 25 ?_. 90 % en volume de CO2 ; particulièrement de préférence ?.. 98 % en volume de CO2). L'atmosphère de dioxyde de carbone est de préférence une atmosphère inerte. L'atmosphère de dioxyde de carbone contient de préférence 30 % en volume de CO2 (de préférence ?_ 33 % en volume de CO2 ; encore mieux 90 % en volume de CO2 ; bien mieux encore .?._ 98 % 15 en volume de CO2) ; et, où le gaz contient Le procédé de fabrication d'une couche de polissage de la présente invention comprend de préférence de plus : fournir un moule ; fournir un bloc de fenêtre ; fixer le bloc de fenêtre dans le moule ; et, transférer le mélange durcissable dans le moule ; dans lequel le mélange durcissable est soumis à la réaction pour former le matériau durci dans le moule. Le bloc de fenêtre peut être disposé dans le moule avant ou après le transfert du mélange durcissable dans le moule. Le bloc de fenêtre est de préférence disposé dans le moule avant le transfert du mélange durcissable dans le moule. Le procédé de fabrication d'une couche de polissage de la présente invention comprend préférence de plus : fournir un moule ; fournir un bloc de fenêtre ; fournir un adhésif de bloc de fenêtre ; fixer le bloc de fenêtre dans le moule ; et, transférer ensuite le mélange durcissable dans le moule ; dans lequel le mélange durcissable est soumis à la réaction pour former le matériau durci dans le moule. On pense, qu'en fixant le bloc de fenêtre à la base du moule, on évite la formation de déformations de la fenêtre (par exemple un renflement de la fenêtre vers l'extérieur à partir de la couche de polissage) lors du sectionnement (par exemple fendage) d'un gâteau en plusieurs couches de polissage. Certains modes de réalisation de la présente invention seront maintenant décrits en détail dans les Exemples suivants. Dans les Exemples suivants, un calorimètre chemisé Mettler RC1 est équipé d'un dispositif de réglage de température, d'un réacteur en verre chemisé de 1 L, d'un agitateur, d'une entrée de gaz, d'une sortie de gaz, d'une sonde Lasentec et d'un orifice sur la paroi latérale du réacteur pour étendre l'extrémité de la sonde Lasentec dans le réacteur. On a utilisé la sonde Lasentec pour observer la dilatation dynamique des microsphères traitées données en exemple en fonction de la température. En particulier, à l'aide de l'agitateur engagé, la température de point de consigne pour le calorimètre a été élevée de 25°C jusqu'à 72°C et ensuite abaissée de 72°C à 25°C (comme décrit dans les exemples) tout en mesurant et en enregistrant en continu la taille des microsphères traitées données en exemple en fonction de la température en utilisant la sonde Lasentec (avec une technique de mesure de réflexion de faisceau concentré). Les mesures de diamètre citées dans les Exemples sont les longueurs de corde C90. La longueur de corde C90 est définie comme la longueur de corde pour laquelle 90 % des mesures réelles de la longueur de corde sont inférieurs. Exemples comparatifs Cl-05 et Exemple 1 On a disposé dans le fond du réacteur de calorimètre RC1 dans chacun des Exemples comparatifs Cl-05 et l'Exemple 1 une pluralité de microsphères creuses présentant une enveloppe de copolymère d'acrylonitrile et de chlorure de vinylidène encapsulant de l'isobutane (microsphères Expancel® DE disponibles chez AkzoNobel). On a fermé le réacteur et on a tiré un vide de 75 mm Hg sur le réacteur sur une durée d'exposition indiquée dans le TABLEAU 1 pour former une pluralité de microsphères creuses exposées. On a ensuite libéré le vide avec le gaz indiqué dans le TABLEAU 1 et on a ensuite fait passer en continu un courant de balayage de ce gaz à travers le réacteur sur la durée de traitement indiquée pour former une pluralité de microsphères creuses traitées. On a ensuite interrompu le courant de balayage. On a ensuite engagé l'agitateur pour fluidiser la pluralité de microsphères creuses 301 7 5 5 8 19 traitées dans le réacteur. La température de point de consigne pour le dispositif de réglage de la température de chemise du réacteur RC1 a ensuite été linéairement élevée de 25°C à 82°C pendant une heure tout en mesurant et en enregistrant en continu la taille des microsphères 5 traitées en fonction de la température en utilisant la sonde Lasentec (avec une technique de mesure de coefficient de réflexion de faisceau concentré). La température de point de consigne du dispositif de réglage de la température de chemise du réacteur RC1 a ensuite été maintenue à 82°C pendant trente (30) minutes avant d'être linéairement abaissée de 10 82°C à 25°C sur les trente (30) minutes suivantes tout en mesurant et en enregistrant en continu la taille des microsphères traitées en fonction de la température en utilisant la sonde Lasentec (avec une technique de mesure de coefficient de réflexion de faisceau concentré). La température de point de consigne du dispositif de réglage de la température de chemise du 15 réacteur RC1 a ensuite été maintenue à 25°C pendant les trente (30) minutes suivantes tout en mesurant et en enregistrant en continu la taille des microsphères traitées en fonction de la température en utilisant la sonde Lasentec (avec une technique de mesure de coefficient de réflexion de faisceau concentré). 20 3 0 1 7 5 5 8 20 TABLEAU 1 Ex. Gaz Durée Durée de C90 en fonction de C90 en fonction de l'abaissement de température de post-exposition d'exposition traitement l'élévation de (en minutes) jen minutes) température de post-exposition Cl Azote -- 480 Fig. 1 Fig. 3 C2 CO2 -- 480 A -- C3 CO2 -- 180 Fig. 2 Fig. 4 C4 CO2 -- 300 Fig. 5 -- 05 (CO2+Ne -- 480 B -- 1 CO2 30 30 C -- * mélange de 33 % en volume de CO2 et de 67 % en volume d'azote A Le C90 en fonction de l'élévation de temp. présenté par la pluralité de microsphères traitées de l'exemple comparatif C2 correspondait à 5 celui présenté par la pluralité de microsphères traitées de l'exemple comparatif C4. B Le C90 en fonction de l'élévation de temp. présenté par la pluralité de microsphères traitées de l'exemple comparatif C5 correspondait à celui présenté par la pluralité de microsphères traitées de l'exemple 10 comparatif C4. c Le C90 en fonction de l'élévation de temp. présenté par la pluralité de microsphères traitées de l'exemple 1 correspondait à celui présenté par la pluralité de microsphères traitées de l'exemple comparatif C4. REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'une couche de polissage pour polir un substrat choisi parmi au moins un d'un substrat magnétique, d'un 5 substrat optique et d'un substrat semi-conducteur, comprenant : fournir un matériau prépolymère liquide ; fournir une pluralité de microsphères creuses ; exposer la pluralité de microsphères creuses à un vide pour former une pluralité de microsphères creuses exposées ; 10 traiter la pluralité de microsphères creuses exposées avec une atmosphère de dioxyde de carbone sur une durée de traitement de 20 minutes à 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau prépolymère liquide réagit pour former un matériau choisi dans 25 le groupe constitué d'un poly(uréthane), une polysulfone, une polyéther sulfone, un nylon, un polyéther, un polyester, un polystyrène, un polymère acrylique, une polyurée, un polyamide, un poly(chlorure de vinyle), un poly(fluorure de vinyle), un polyéthylène, un polypropylène, un polybutadiène, une polyéthylène imine, un polyacrylonitrile, un poly(oxyde 30 d'éthylène), une polyoléfine, un poly(acrylate d'alkyle), un poly(méthacrylate d'alkyle), un polyamide, un polyéther imide, une polycétone, une époxy, un silicone, un polymère formé à partir de monomère d'éthylène propylène diène, une protéine, un polysaccharide, un polyacétate et une combinaison d'au moins deux des précédents. 301 7 5 5 8 22 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau prépolymère liquide réagit pour former un matériau comprenant un poly(uréthane). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que 5 chaque microsphère creuse dans la pluralité de microsphères creuses présente une enveloppe polymère d'acrylonitrile. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau prépolymère liquide réagit pour former un poly(uréthane) ; 10 chaque microsphère creuse dans la pluralité de microsphères creuses présente une enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile ; l'enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile encapsule un isobutane ; 15 la pluralité de microsphères creuses est exposée à un vide _>_. 50 mm Hg sur une durée d'exposition de 20 à 40 minutes pour former la pluralité de microsphères creuses exposées ; et, la pluralité de microsphères creuses exposées est traitée avec l'atmosphère de dioxyde de carbone par fluidisation de la pluralité de 20 microsphères creuses exposées en utilisant un gaz sur une durée de traitement de 25 minutes à 1 heure pour former la pluralité de microsphères creuses traitées, où le gaz est > 30 % en volume de CO2. 6. Procédé selon la revendication 1, comprenant deplus : fournir un moule ; et, 25 transférer le mélange durcissable dans le moule ; caractérisé en ce que le mélange durcissable réagit pour former le matériau durci dans le moule. 7. Procédé selon la revendication 6, comprenant de plus : fendre le matériau durci pour former la au moins une couche de 30 polissage. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la au moins une couche de polissage est une pluralité de couches de polissage. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le matériau prépolymère liquide réagit pour former un 35 poly(uréthane) ; 301 7 5 5 8 23 chaque microsphère creuse dans la pluralité de microsphères creuses présente une enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/polyacrylonitrile ; l'enveloppe copolymère de poly(dichlorure de vinylidène)/poly- acrylonitrile encapsule un isobutane ; et, la pluralité de microsphères creuses est exposée à un vide _. 50 mm Hg sur une durée d'exposition de 20 à 40 minutes pour former la pluralité de microsphères creuses exposées ; et, la pluralité de microsphères creuses exposées est traitée 30 % en volume de CO2. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'on laisse la réaction débuter 5_ 1 heure après la formation de la pluralité de microsphères creuses traitées.