FR 3011982 A1 20150417 FR 1302390 A 20131015 Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque. Domaine technique de l'invention L'invention est relative à un procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque ainsi qu'à une cellule photovoltaïque ainsi obtenue. io État de la technique Une cellule photovoltaïque peut être formée par un empilement multicouche, comprenant le plus souvent des matériaux semi-conducteurs et permettant de convertir directement les photons reçus en un signal électrique. 15 Une telle cellule photovoltaïque peut, par exemple, être une cellule photovoltaïque à homojonction ou à hétérojonction. Ces cellules sont souvent en silicium. Une des étapes intervenant lors de la réalisation de cellules photovoltaïques est 20 l'étape de métallisation. Cette métallisation intervient vers la fin du procédé de réalisation des cellules photovoltaïques et elle consiste à déposer sur au moins une des faces de la cellule des contacts métalliques, généralement sous la forme de peignes ou de grilles. Ces contacts métalliques sont destinés à collecter le courant et à interconnecter les cellules entre elles. 25 Pour réaliser les contacts électriques, des lignes métalliques sont en général déposées par sérigraphie. Les lignes métalliques sont, par exemple, à base d'argent. Cette technique permet de réaliser rapidement des contacts métalliques. Elle 30 présente toutefois un certain nombre de limitations comme, par exemple, une résistivité élevée du contact électrique et une largeur importante des lignes. La largeur des lignes est, généralement, de l'ordre de 70 µm à 120pm, ce qui provoque un taux d'ombrage conséquent sur la face de la cellule diminuant ainsi son rendement. De plus, après le dépôt de la pâte d'argent sur la cellule photovoltaïque, un recuit est nécessaire pour permettre à la fois la prise de contact et la densification de la pâte. Pour les cellules à homojonction, les recuits sont réalisés à haute température, de l'ordre de 800°C. La prise de contact a lieu lorsque l'argent traverse la couche antireflet de la cellule et vient en contact avec la région émettrice de ladite cellule. Pour les cellules à hétérojonction, les recuits sont réalisés à plus basse température, de l'ordre de 200°C, car les couches amorphes, présentes dans les cellules à hétérojonction, ont une mauvaise tenue en température. Elles se recristallisent partiellement à des températures supérieures à 200°C, perdant ainsi leurs propriétés de passivation. La prise de contact se fait directement dans le cas des cellules à hétérojonction sur la couche d'oxyde conducteur transparent. Or, la résistivité d'une pâte d'argent cuite à haute température est près de deux fois supérieure à la résistivité de l'argent volumique et la résistivité d'une pâte d'argent densifiée à basse température est quatre à cinq fois supérieure à la résistivité de l'argent volumique. La résistivité des contacts électriques obtenus avec cette technique est donc très supérieure à celle du métal volumique. Une augmentation de la température du recuit permettrait de diminuer la résistivité des contacts métalliques mais cette augmentation entraînerait la cristallisation partielle des couches amorphes présentes dans les cellules à hétérojonction. Le procédé de réalisation des contacts électriques consiste donc à trouver un compromis entre la qualité des contacts électriques, et notamment leurs propriétés de résistivité électrique, et la qualité des couches amorphes, la qualité de l'une se faisant souvent au détriment de l'autre. Une autre technique utilisée pour former des contacts électriques est la photolithographie associée à une croissance électrolytique. La photolithographie, issue des techniques utilisées dans le domaine de la microélectronique, permet de réaliser des motifs très étroits, de l'ordre de 10pm ou 20 pm, sur les cellules photovoltaïques à température ambiante, grâce au dépôt d'une résine photosensible. L'ombrage est ainsi limité et les rendements des cellules photovoltaïques sont améliorés. Cependant, cette technique est longue à mettre en oeuvre et présente un coût très élevé, ce qui n'est pas compatible avec la production de cellules photovoltaïques. Par ailleurs, le principal inconvénient des recharges galvaniques réside dans l'adhérence des dépôts sur le substrat. Dans le cas des cellules à homojonction, une sous-couche de nickel est utilisée pour former un siliciure de nickel et ainsi permettre une meilleure accroche du dépôt électrolytique. Cependant, la formation des siliciures de nickel conduit généralement à l'apparition de micro-court-circuits. Dans le cas de cellules à hétérojonction, l'adhésion des dépôts galvaniques sur la couche en oxyde transparent conducteur est toujours insuffisante. La difficulté industrielle est donc de réaliser des contacts métalliques, pour les cellules photovoltaïques, relativement étroits, peu résistifs, et présentant une bonne adhérence sur le support, avec une cadence de production relativement élevée et, dans le cas des cellules à hétérojonction, sans cristalliser les couches amorphes. Objet de l'invention L'invention a pour but de remédier aux inconvénients de l'art antérieur et, en particulier, de proposer un procédé d'élaboration d'une cellule photovoltaïque permettant de réaliser des contacts électriques, présentant une faible résistivité, tout en préservant les couches en matériau semi-conducteur sous-jacentes. Cet objet est atteint par un procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque io comprenant les étapes successives suivantes : i) fournir un substrat comprenant une jonction photovoltaïque p/n, recouvert successivement par une première couche en matériau électriquement isolant et une seconde couche en matériau métallique, ii) procéder à un traitement thermique localisé par irradiation laser dans des 15 conditions permettant de faire réagir localement le matériau électriquement isolant et le matériau métallique pour former une couche d'amorce, en composé vitreux chargé en métal, ladite couche d'amorce étant électriquement connectée à la jonction p/n, iii) procéder au retrait de la seconde couche en matériau métallique, 20 iv) procéder à la formation par dépôt électrochimique d'un contact électrique sur la couche d'amorce. Cet objet est également atteint par une cellule photovoltaïque comprenant un substrat muni d'une jonction photovoltaïque p/n et d'au moins un contact 25 électrique, caractérisée en ce que le contact électrique repose directement sur une couche d'amorce, en composé vitreux dopé par un métal, ménagée à travers une couche en matériau électriquement isolant, ladite couche d'amorce étant connectée électriquement à la jonction photovoltaïque p/n. 30 Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention 5 donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : - les figures 1 à 4 représentent, de manière schématique et en coupe, différentes étapes de réalisation d'une cellule photovoltaïque, selon un premier mode de réalisation, 10 - les figures 5 et 6 représentent, de manière schématique et en coupe, une cellule photovoltaïque, selon un deuxième mode et un troisième mode de réalisation. 15 Description d'un mode de réalisation préférentiel de l'invention Le procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque comprend les étapes successives suivantes : i) fournir un substrat 1 comprenant une jonction photovoltaïque p/n, recouvert 20 successivement par une première couche en matériau électriquement isolant 2 et une seconde couche 3 en matériau métallique, ii) procéder à un traitement thermique localisé par irradiation laser dans des conditions permettant de faire réagir localement le matériau électriquement isolant et le matériau métallique pour former une couche d'amorce 4, en 25 composé vitreux chargé en métal, ladite couche d'amorce 4 étant électriquement connectée à la jonction p/n, iii) procéder au retrait de la seconde couche 3 en matériau métallique, iv) procéder à la formation par dépôt électrochimique d'un contact électrique 5 sur la couche d'amorce 4. 30 Selon un mode de réalisation préférentiel, le substrat comporte une couche d'oxyde transparent conducteur 6, interposée entre la jonction photovoltaïque p/n et la première couche en matériau électriquement isolant 2. C'est plus particulièrement le cas pour les cellules à hétérojonction. La couche d'amorce 4 formée à l'étape ii), i.e. lors du traitement thermique localisé par irradiation laser, est alors électriquement connectée à la jonction p/n par l'intermédiaire de la couche d'oxyde transparent conducteur 6. Cette couche en oxyde transparent conducteur 6 permet de disposer d'une bonne conductivité latérale et de protéger thermiquement les couches en matériau semi-conducteur formant le substrat lors de la formation de la couche d'amorce 4. L'apport de chaleur est ainsi généré jusqu'à la couche en oxyde transparent conducteur 6. En étape ii), le faisceau laser est appliqué à partir d'une source (non représentée sur la figure 1) disposée au-dessus de la cellule photovoltaïque. Le faisceau laser est appliqué sélectivement à l'endroit où la couche d'amorce 4 doit être formée (flèches F sur la figure 1). L'utilisation d'un faisceau laser permet, avantageusement, de générer un apport de chaleur homogène mais contrôlé notamment dans l'espace et le temps. L'irradiation laser est réalisée dans des conditions (fluence, durée du pulse) telles que l'apport de chaleur, créé par l'application localisée du faisceau laser au niveau de la seconde couche 3 en matériau métallique, aussi appelée couche métallique 3, est suffisamment élevé pour faire fusionner localement ladite couche métallique 3 et provoquer au moins un ramollissement, voire la fusion, de la première couche en matériau électriquement isolant 2, et éventuellement d'une partie de la couche d'oxyde conducteur transparent 6. Cette étape permet de former une couche d'amorce 4 électriquement conductrice. Selon un mode de réalisation préférentiel, l'irradiation laser est réalisée de manière à provoquer le ramollissement plutôt que la fusion de la couche électriquement isolante 2, limitant ainsi la réaction avec la couche d'oxyde 5 conducteur transparent 6. La température du traitement thermique, c'est-à-dire la température appliquée à la couche métallique 3 pendant l'application du faisceau laser, est, avantageusement, supérieure ou égale à la température permettant la fusion de 10 la couche métallique 3, et, de préférence supérieure à 900°C. Lors de l'irradiation laser, le matériau formant la couche d'amorce 4 se crée sous la forme d'un composé vitreux, notamment un verre ramolli, chargé en métal tel que l'argent. Il est par exemple du type des verres qui se forment lors 15 de la cuisson des pâtes d'argent dites « haute température » utilisées en sérigraphie. Ces pâtes sont composées d'une poudre d'argent et d'une fritte de verre dispersées dans un liant organique. Par fritte, on entend une poudre de verre broyé qui lors de la cuisson se ramollit ou fusionne pour former un composé vitreux dans lequel se dissout en partie l'argent pour former un verre 20 de SiO2 dopé Ag. Après irradiation laser et lors du refroidissement, une couche fine de ce verre chargé, de quelques dizaines de nanomètres d'épaisseur, se forme à l'interface entre la première couche en matériau électriquement isolant 2 et la seconde 25 couche 3 en matériau métallique. Des cristallites d'argent peuvent se former, favorisant le contact électrique. Cette couche permet d'améliorer l'adhérence des métallisations, i.e. des contacts électriques. Avantageusement, et comme représenté sur les figures 2 à 6, la couche 30 d'amorce 4 en matériau vitreux réagit chimiquement partiellement avec l'oxyde transparent conducteur 6 et/ou mécaniquement, ce qui permet de réaliser la prise de contact entre la couche d'amorce 4 et la couche d'oxyde 6 et de connecter électriquement la couche d'amorce 4 avec la jonction p/n du substrat 1. Selon un premier mode de réalisation, l'accrochage de la couche d'amorce 4 à l'état vitreux avec la couche en oxyde transparent conducteur 6 est réalisé par voie chimique, solidarisant efficacement les deux couches entre elles. Le matériau de la couche d'amorce 4 est alors un mélange des matériaux de la couche métallique 3, de la couche isolante 2 et de la couche en oxyde transparent conducteur 6. Selon un autre mode de réalisation, lors de la fusion des couches isolante 2 et métallique 3, le matériau vitreux pénètre dans les pores de la couche en oxyde transparent conducteur 6 jusqu'au joint de grains, permettant un accrochage 15 mécanique fort de la couche d'amorce 4 dans la couche d'oxyde 6. La diffusion et/ou la formation du matériau vitreux, composé des matériaux de la couche métallique 3 et de la couche isolante 2, entraînent la formation d'un trou 9 traversant à la fois la couche métallique 3 et au moins une partie de la 20 couche isolante 2, comme représenté sur la figure 2. La couche d'amorce 4 est ainsi formée au fond du trou 9, les parois latérales du trou 9 étant formées par l'épaisseur de la couche isolante 2 et de la couche 3 non fusionnée avant son retrait. Le trou 9 est, avantageusement, sous la forme 25 d'une rainure. Le contact électrique 5 formé sur la couche d'amorce 4 aura alors la forme d'une ligne. La largeur de la rainure, et donc du trou, correspond à peu près à la taille du faisceau laser. Par exemple, en utilisant un faisceau laser générant un spot focalisé de 15-20pm, on réalisera une couche d'amorce 4 de largeur d'environ 25pm. Comme représenté sur les figures 2 à 4, le procédé comprend, après l'étape de 5 formation de la couche d'amorce 4: - le retrait de la couche métallique 3 n'ayant pas fusionné pour former la couche d'amorce 4, - le dépôt d'un contact électrique 5 sur la couche d'amorce 4 électriquement conductrice. 10 Préférentiellement, la couche métallique 3 est retirée par gravure. Encore plus préférentiellement, elle est retirée par gravure chimique. De manière avantageuse, la cinétique de gravure du matériau de la couche 15 d'amorce 4 est inférieure à celle de la couche métallique 3, ce qui permet de réaliser une gravure dite sélective. Cette différence de cinétique de gravure est dûe à la présence de la phase vitreuse dans le matériau composant la couche d'amorce 4, le métal apportant à la couche d'amorce 4 la conduction électrique permettant notamment la formation ultérieure du contact métallique par dépôt 20 électrochimique. Le matériau de la couche métallique 3 est ainsi gravé, alors que la couche d'amorce 4 n'est pas ou que légèrement gravée. Lors de la gravure, seule la couche métallique 3 sera retirée, libérant la couche isolante 2. Comme représenté sur la figure 3, après le retrait de la couche métallique 3, la 25 surface de la cellule est formée par la couche électriquement isolante 2 à travers laquelle est ménagée la couche d'amorce 4. Le contact électrique 5 est, ensuite, déposé sur la couche d'amorce 4. Préférentiellement, l'étape iv), i.e. la formation du contact électrique 5 sur la 30 couche d'amorce 4, est réalisée par dépôt autocatalytique et/ou électrolytique. La couche d'amorce 4 a une résistivité telle qu'il sera possible de déposer un contact électrique 5 par dépôt électrochimique, ou par dépôt auto-catalytique sur la couche d'amorce 4. De par sa composition notamment, la couche d'amorce 4 a une résistivité inférieure à celle de la couche électriquement isolante 2 et une résistivité supérieure à celle de la couche métallique 3. Préférentiellement, le matériau formant le contact électrique 5 a une résistivité inférieure à celle du matériau formant la couche d'amorce 4. A titre d'exemple, la résistivité de la couche d'amorce 4 est de l'ordre de 1.104 ohm.cm - 1.10-3 ohm.cm, et celle du contact électrique 5 formé est de l'ordre de 1.10-6 ohm.cm. Le contact électrique 5 est déposé par dépôt électrochimique (ECD pour electrochemical deposition » en anglais). La couche d'amorce 4 sert ainsi de couche d'activation (aussi appelée « seed layer » en anglais), c'est-à-dire que 15 la couche d'amorce 4 sert de couche de départ ou de germination pour la formation du contact électrique 5. Le contact électrique 5 peut en particulier être déposé par dépôt électrolytique ou auto-catalytique (( Par exemple, pour une couche d'amorce 4 de 20pm de largeur et pour un contact électrique 5 ayant une épaisseur de 7pm, la largeur du contact électrique est de 35pm. Par épaisseur du contact électrique on entend, la 5 somme des épaisseurs de la base et de la tête du contact électrique 5. Des lignes encore plus étroites peuvent être obtenues en effectuant une irradiation laser à travers un masque. Il est ainsi possible d'obtenir une forte productivité en utilisant un laser de grande taille.Dans ce cas, les pistes 4 10 obtenues pourront avoir des largeurs de lOpm et les contacts électriques 5 des largeurs de 25pm. Le contact électrique 5 peut être par exemple en nickel, en argent, en cuivre, en 15 cobalt, en étain ou un de leurs alliages. Selon un mode de réalisation préférentiel, le contact électrique 5 est en cuivre ou en argent, afin d'avoir une conductivité plus élevée. Avantageusement, l'utilisation du cuivre plutôt que de l'argent, par exemple, permet de diminuer les coûts d'élaboration de la cellule photovoltaïque. La conductivité du cuivre (63.106 S.m-1) est sensiblement 20 meilleure que celle de l'argent (59,6.106 S.m-1). Dans le cas de l'utilisation d'un contact électrique 5 en cuivre et d'une cellule photovoltaïque en silicium, la présence de la couche d'amorce 4 joue le rôle de couche barrière entre ledit contact électrique 5 et le silicium de la cellule 25 photovoltaïque 1, c'est-à-dire que cette couche empêche la diffusion du cuivre, qui a une forte propension à diffuser lors des traitements thermiques même à basse température. La couche d'amorce 4 permet d'éviter la contamination du silicium. C'est à cause de cette contamination qu'il n'est pas courant d'utiliser sans barrière du cuivre dans la métallisation de cellule photovoltaïque. 30 Selon un mode de réalisation particulier, le contact électrique 5 peut être réalisé par dépôt successif de plusieurs métaux, avantageusement choisis parmi le cuivre, l'argent et l'étain. Les métaux formant le contact électrique 5 sont choisis parmi le cuivre, l'argent et l'étain. L'épaisseur cumulée des films métalliques est inférieure à 30pm, préférentiellement inférieure à 15pm. Cette gamme d'épaisseur permet d'obtenir des contacts 5 présentant une faible résistivité tout en étant peu coûteux en matière première. Le contact électrique 5 est, par exemple, réalisé par dépôts successifs d'un film d'argent, d'un film de cuivre puis d'un film d'étain. Les films ont, par exemple, des épaisseurs respectives de 1pm, 6pm, 2pm soit une épaisseur totale de 9pm. Préférentiellement, le film en cuivre est intercalé entre les autres films métalliques : il est positionné au coeur du contact électrique 5. Le contact électrique 5 est, par exemple, sous la forme d'un peigne, c'est-à-dire sous forme de lignes parallèles ou sensiblement parallèles. Les lignes sont connectées entre elles à une de leurs extrémités par une ligne supplémentaire, perpendiculaire aux autres lignes. Le contact électrique 5 peut être composé d'un seul peigne ou de plusieurs peignes interdigités. Le contact électrique 5 peut, par exemple, être formé de lignes parallèles, d'une largeur comprise entre 20pm et 70pm, de préférence entre 20pm et 45pm, d'une épaisseur comprise entre 5pm et 30pm et avec un espace interligne 25 compris entre 1 mm et 3mm. Par ailleurs, le motif de la couche d'amorce 4 formé à la surface du substrat est réalisé en fonction de la géométrie du contact électrique 5 souhaitée. 30 Les différents matériaux utilisés pour réaliser les cellules photovoltaïques précédemment décrites seront choisis par l'homme du métier. En particulier, la couche métallique 3 doit être électriquement conductrice afin de former lors de la fusion de ladite couche avec la couche isolante 2 un troisième matériau électriquement conducteur. Préférentiellement, la couche métallique 3 est une couche non transparente afin de pouvoir absorber le rayonnement laser. Préférentiellement, le matériau métallique de la couche 3 est à base d'argent. Il peut être en argent et/ou en oxyde d'argent. Il peut également s'agir d'un alliage d'argent. L'argent, même sous une forme oxydée, est un matériau conducteur électriquement. L'oxydation de l'argent peut survenir lors de l'étape de fusion. L'épaisseur de la couche métallique 3 est, préférentiellement, supérieure à 10nm, et encore plus préférentiellement supérieure à 30nm. L'épaisseur de la couche métallique 3 est ainsi suffisamment grande pour absorber l'énergie du laser. Le dépôt de la couche métallique peut être réalisé par dépôt physique en phase vapeur (ou PVD pour physical vapor deposition), ce qui permet d'obtenir une couche adhérant bien sur la couche inférieure et de consommer un minimum de métal. La couche électriquement isolante 2 est une couche inorganique, avantageusement à base d'oxyde de silicium, par exemple en SiO2 ou en SiO2 dopé ou bien il peut s'agir d'un empilement multi-couches SiN-Si02 ou Si02/MgF2. En particulier, la température nécessaire à l'obtention de la couche d'amorce 4 en troisième matériau pourra être abaissée en utilisant une couche de SiO2 dopée, par exemple par addition de Ca, de B ou de P. On utilisera, préférentiellement, un élément compatible avec le type de dopage utilisé dans la couche en matériau semi-conducteur situé sur la même face de la cellule photovoltaïque. La couche électriquement isolante 2 a de préférence une épaisseur inférieure à 200nm et, de préférence, inférieure à 50nm, ce qui permet de faciliter le ramollissement de ladite couche et la faire réagir dans toute son épaisseur avec le métal. Le rapport entre l'épaisseur de la couche métallique 3 électriquement conductrice et l'épaisseur de la couche électriquement isolante 2 est de plus avantageusement supérieur à 10% et, de préférence, supérieur à 30%. Préférentiellement, la couche électriquement isolante 2 est en SiO2 et la couche métallique 3 est en argent. Par exemple, la couche électriquement isolante 2 est une couche en SiO2 de 50nm d'épaisseur et la couche métallique est une couche d'argent de 25nm d'épaisseur, le rapport entre l'épaisseur de la couche métallique 3 et l'épaisseur de la couche électriquement isolante 2 étant de 50%. Préférentiellement, le matériau formant la couche d'oxyde transparent conducteur 6 (ou TCO pour « transparent conductive oxide » en anglais) est un composé à base d'indium, par exemple de l'oxyde d'indium et d'étain (ou ITO pour indium-tin oxide en anglais), de l'oxyde d'indium, de l'oxyde d'indium et de tungstène ou un composé à base de zinc, par exemple de l'oxyde de zinc éventuellement dopé au bore ZnO(B). Selon un autre mode de réalisation non représenté, la couche d'oxyde peut aussi être élaborée à partir de plusieurs oxydes transparents conducteurs. L'épaisseur de la couche d'oxyde transparent 6 est inférieure à 200nm. L'épaisseur est, avantageusement, comprise entre 10nm et 100nm et, de préférence, entre 20nm et 100nm. L'épaisseur de la couche d'oxyde transparent conducteur 6 est, par exemple, comprise entre 50nm et 100nm, ce qui permet de préserver au moins une partie de l'épaisseur de la couche d'oxyde transparent conducteur 6 lors de la formation de la couche d'amorce 4 et donc de protéger le susbtrat 1. La couche d'oxyde transparent conducteur 6 peut être déposée par une 5 technique de dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma ou par dépôt physique en phase vapeur. La couche d'oxyde transparent conducteur 6 possède également des caractéristiques physico-chimiques particulières permettant de passiver la 10 surface de la couche dopée 8. Avantageusement, la présence de la couche d'oxyde transparent conducteur 6 permet aussi d'améliorer les propriétés optiques de la cellule. Elle permet d'éviter qu'une proportion trop importante du flux lumineux qui atteint la surface de la cellule ne soit réfléchie, permettant d'augmenter le courant produit par la cellule. 15 Les couches formant le substrat sont, par exemple, comme représentées sur les figures 1 à 6 : - une couche en matériau semi-conducteur faiblement dopé 7 selon un type prédéterminé n ou p, muni d'une face avant et d'une face arrière, 20 une couche en matériau semi-conducteur fortement dopé 8, soit selon un type de dopage inverse à celui de la couche 7 pour réaliser une jonction p/n, dans le cas d'une structure standard avec émetteur en face avant, soit selon un type de dopage identique à celui de la couche 7, dans le cas d'une structure inversée avec émetteur en face arrière, la deuxième 25 couche étant disposée sur la face avant de la couche 7. Dans le cas de la face avant d'une structure de cellule hétérojonction à émetteur inversé, de type de dopages identiques, toute la couche d'oxyde conducteur transparent 6 peut participer à la formation du troisième matériau 30 constituant la couche d'amorce 4 sans risque de court-circuit dans la cellule. Par contre dans le cas de la face avant d'une structure de cellule hétérojonction à émetteur standard, de type de dopages inverses, toute l'épaisseur de la couche d'oxyde conducteur transparent 6 ne participe pas à la formation du troisième matériau constituant la couche d'amorce 4. Au moins une partie de l'épaisseur de la couche d'oxyde transparent conducteur 6 n'est pas modifiée par l'irradiation laser, ce qui permet de limiter la diffusion du troisième matériau formant la couche d'amorce 4 dans le substrat 1 limitant ainsi les risques de court-circuit, notamment dans le cas de la face avant d'une structure de cellule hétérojonction à émetteur standard, de type de dopages inverses. Par au moins une partie de l'épaisseur de la couche d'oxyde transparent conducteur 6, on entend la partie de l'épaisseur directement en contact avec le substrat 1 et, plus particulièrement, la couche 8 en matériau semi-conducteur fortement dopé. La cellule photovoltaïque, obtenue selon le procédé précédemment décrit, comprend un substrat 1 muni d'une jonction photovoltaïque p/n et au moins un contact électrique 5. Le contact électrique 5 repose directement sur une couche d'amorce 4, en composé vitreux dopé par un métal, ménagée à travers une couche en matériau électriquement isolant 2, ladite couche d'amorce 4 étant connectée électriquement à la jonction photovoltaïque p/n. La couche d'amorce 4 électriquement conductrice est recouverte par le contact électrique 5 en matériau métallique. Le contact électrique 5 a une largeur inférieure à 50pm et, de préférence, inférieure à 35pm. Selon un mode de réalisation préférentiel, une couche d'oxyde transparent conducteur 6 est disposée entre le substrat 1 et la couche en matériau 30 électriquement isolant 2 et la couche d'amorce 4 est électriquement connectée à la jonction p/n par l'intermédiaire de la couche d'oxyde transparent conducteur 6. Sur les figures 1 à 4, la face arrière du substrat 1 est plane. Cette face arrière 5 peut, avantageusement, être recouverte d'une électrode. Elle peut, cependant, dans d'autres cas, être texturée et/ou recouverte d'un empilement multicouche. A titre d'exemple et comme représenté sur la figure 5, une cellule photovoltaïque peut comporter en plus des éléments précédemment décrits : 10 une couche 10 en matériau semi-conducteur dopé selon le type de dopage inverse à celui de la couche 8 placée en face avant, ladite couche 10 étant déposée sur la face arrière du substrat 1, par exemple, en silicium amorphe dopée, une couche en oxyde transparent conducteur 11 déposée sur la 15 troisième couche 10, par exemple en ITO ou en ZnO. La cellule photovoltaïque comporte également une couche métallique 12, par exemple en argent. 20 Sur les figures 1 à 5, les contacts électriques 5 sont réalisés sur une seule face de la cellule photovoltaïque. Lors de l'immersion de la cellule photovoltaïque dans le bain électrolytique, contenant le métal à déposer sous une forme dissoute, la face arrière du substrat 1 peut être protégée. Autrement, un dispositif permettant de mettre l'électrolyte en contact avec une seule face peut 25 être utilisé. Selon un autre mode de réalisation, la cellule photovoltaïque peut aussi avoir une structure dite bifaciale. Le procédé décrit précédemment est appliqué sur les deux faces de la cellule. L'irradiation par faisceau laser localisée est réalisée 30 à la fois sur la face avant et sur la face arrière. La cellule photovoltaïque est alors entièrement immergée dans l'électrolyte pour former au moins un contact électrique en face avant et au moins un contact électrique en face arrière. Comme représenté sur la figure 6, la cellule photovoltaïque obtenue comporte 5 alors, en face arrière du substrat 1, le même empilement que la face avant, c'est-à-dire : une couche en matériau semi-conducteur 13 dopé selon le type de dopage inverse à celui de la couche 8 placée en face avant, une couche en oxyde transparent conducteur 14, 10 une couche électriquement isolante 15, ladite couche électriquement isolante 15 comportant localement un trou, une couche d'amorce 16 électriquement conductrice, en composé vitreux chargé en métal, ladite couche d'amorce 16 étant formée d'un mélange du matériau de la couche isolante 15 et d'un métal, ladite piste étant 15 électriquement connectée à la jonction p/n du substrat 1 via la couche d'oxyde transparent conducteur 14, un contact électrique 17 déposé sur ladite couche d'amorce 16. Le procédé décrit précédemment peut être utilisé pour réaliser des cellules 20 photovoltaïques à homojonction et des cellules photovoltaïques à hétérojonction. Dans le cas d'une cellule photovoltaïque à homojonction, les couches en matériau semi-conducteur faiblement dopé 7 et fortement dopé 8 du substrat 1 25 sont en matériau semi-conducteur cristallin. Par contre, le substrat ne comporte pas de couche en oxyde transparent conducteur. Dans le cas d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction, la couche en matériau semi-conducteur faiblement dopé 7 du substrat 1 est en matériau 30 semi-conducteur cristallin, et couche en matériau semi-conducteur fortement dopé 7 est en matériau semi-conducteur amorphe. Préférentiellement, le matériau semi-conducteur utilisé pour réaliser les cellules à homojonction et à hétérojonction est du silicium. Les couches en matériau semi-conducteur 8, 10 et 13 sont préférentiellement un empilement bicouche de silicium amorphe hydrogéné intrinsèque puis dopé. L'épaisseur de l'empilement est comprise entre 5nm et 25nm. Ces couches peuvent être déposées par tout type de méthodes utilisées dans 10 le domaine. Les couches peuvent être déposées par exemple par PECVD pour « Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition » en anglais) à une température inférieure à 300°C. Les couches du substrat 1 pourraient aussi être en un ou plusieurs autres 15 matériaux semi-conducteurs, tels que le germanium ou un alliage silicium- germanium. Pour éviter une trop grande réflexion de la lumière incidente, la surface du substrat 1, et, donc, la surface de la couche 8 peut, avantageusement, 20 présenter en plus une texturation (non représentée sur les figures), par exemple en forme de pyramide. Selon un mode de réalisation particulier, après le dépôt du contact électrique 5, la couche isolante 2 peut être retirée par toute technique adaptée. 25 Selon un autre mode de réalisation, ladite couche isolante 2 n'est pas retirée et fera partie de la cellule finale. La couche isolante 2 est alors choisie en fonction de ses propriétés optiques. Si la couche isolante 2 est laissée, celle-ci sera avantageusement transparente au rayonnement solaire afin de ne pas diminuer 30 le rendement de la cellule. Une couche de Si02 d'indice optique n=1.4 (k proche de 0) présente des propriétés optiques idéales, car intermédiaire entre 3 0 1 1 9 82 21 l'indice de l'air et celui de la couche d'ITO (n=2) sur laquelle elle peut être déposée dans le cas des structures hétérojonctions. Dans le cas des structures de cellules homojonction, une couche de SiO2 voire un bicouche SiN-Si02 peuvent aussi être intéressants. 5 Le faisceau laser utilisé pour ce procédé a, de préférence, une longueur d'onde comprise entre 248nm et 1025nm, et plus particulièrement entre 248nm et 552 nm. Avantageusement, l'utilisation de lasers à faible durée de pulsation, dans la gamme des nanosecondes ou des picosecondes, de préférence dans la gamme comprise entre 15ps et 300ns permettra de mieux contrôler l'énergie transmise pour faire juste fusionner le métal, La puissance, c'est-à-dire la fluence du laser est de préférence comprise entre 0.3 J/cm2 et 3 J/cm2, de préférence entre 0.5 J/cm2 et 1.5 J/cm2. Divers types de laser peuvent être utilisés : soit des lasers avec des spots de petite taille correspondant approximativement à la largeur de la couche d'amorce 4 à former, soit des lasers avec des spots de grande taille et en insérant un masque entre le faisceau et le substrat. A titre d'exemple, la couche d'amorce 4 peut être formée, sans masque, avec un laser ayant une longueur d'onde de 355nm, une durée de pulsation de l'ordre de la picoseconde et ayant une taille de spot de 20pm. Une puissance de 0.10W associée à un balayage à grande vitesse, par exemple 1000mm/s, permettra de réaliser la couche d'amorce 4 sous forme de lignes d'environ 28pm de large en fusionnant le métal tout en restant en dessous du seuil d'ablation. Préférentiellement on utilisera un laser à haute fréquence permettant des pulses très courts, comme par exemple un laser nanoseconde ou de préférence un laser picoseconde, permettant de bien doser l'apport thermique et de limiter la réaction avec la couche d'oxyde transparent conducteur 6. La température du traitement thermique, c'est-à-dire la température appliquée à la couche métallique 3 pendant l'application du faisceau laser, est, avantageusement, proche de la température permettant la fusion de la couche métallique 3. Elle est avantageusement inférieure à 1000°C, et encore plus avantageusement comprise entre 900°C et 100C. Cette gamme de température, dans le cas d'une couche métallique en Ag et d'une couche isolante en SiO2, permet la fusion directe de la couche métallique, seulement le ramollissement de la couche d'oxyde isolante et juste une réaction en surface de l'oxyde transparent conducteur. La réaction a lieu, par exemple, sur 10nm à 20 nm en profondeur de la couche d'oxyde transparent conducteur. On pourra réaliser des pistes 4 encore plus étroites en utilisant un laser eximer disposant d'un spot de plus d'1cm2 associé à un masque. Avec un laser excimer 308nmm, 15Ons utilisé avec une fluence de 0.7J/cm2 à travers un masque disposant de fentes de 15pm, on réalisera la couche d'amorce 4 sous forme de segments de couche d'amorce 4 d'environ 20 pm de large en fusionnant le métal tout en restant en dessous du seuil d'ablation. Le procédé de réalisation de cellules photovoltaïques selon l'invention permet d'obtenir une faible résistance de ligne des contacts électriques et, en même temps, permet de conserver les propriétés de passivation de la couche amorphe. De plus, ce procédé présente l'avantage d'être robuste et facile à mettre en oeuvre. Avantageusement, toutes les étapes du procédé sont réalisées à des températures inférieures à 220°C. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque comprenant les étapes successives suivantes : i) fournir un substrat (1) comprenant une jonction photovoltaïque p/n, recouvert successivement par une première couche en matériau électriquement isolant (2) et une seconde couche (3) en matériau métallique, ii) procéder à un traitement thermique localisé par irradiation laser dans des conditions permettant de faire réagir localement le matériau électriquement isolant et le matériau métallique pour former une couche d'amorce (4), en composé vitreux chargé en métal, ladite couche d'amorce (4) étant électriquement connectée à la jonction p/n, iii) procéder au retrait de la seconde couche (3) en matériau métallique, iv) procéder à la formation par dépôt électrochimique d'un contact électrique (5) sur la couche d'amorce (4). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (1) comporte une couche d'oxyde transparent conducteur (6), interposée entre la jonction photovoltaïque p/n et la première couche en matériau électriquement isolant (2) et en ce que la couche d'amorce (4) formée à l'étape ii) est électriquement connectée à la jonction p/n par l'intermédiaire de la couche d'oxyde transparent conducteur (6). 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'oxyde transparent conducteur est un composé à base d'indium, par exemple de l'oxyde d'indium et d'étain, de l'oxyde d'indium, de l'oxyde d'indium et de tungstène ou un composé à base de zinc, par exemple de l'oxyde de zinc éventuellement dopé au bore.30 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'étape iv) est réalisée par dépôt autocatalytique et/ou électrolytique. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce 5 que le contact électrique (5) a une largeur inférieure à 50pm et, de préférence, inférieure à 35pm. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le contact électrique (5) est en cuivre. 10 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'étape iv) est réalisée par dépôt successif de plusieurs métaux, avantageusement choisis parmi le cuivre, l'argent et l'étain. 15 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le matériau métallique est à base d'argent. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le matériau électriquement isolant est à base d'oxyde de silicium. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le rapport entre l'épaisseur de la seconde couche (3) en matériau métallique et l'épaisseur de la première couche en matériau électriquement isolant (2) est supérieur à 10% et, de préférence, supérieur à 30%. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que la première couche en matériau électriquement isolant (2) a une épaisseur inférieure à 200nm et, de préférence, inférieure à 50nm. 30 12. Cellule photovoltaïque comprenant un substrat (1) muni d'une jonction photovoltaïque p/n et au moins un contact électrique (5), caractérisée en ce que 20 25le contact électrique (5) repose directement sur une couche d'amorce (4), en composé vitreux dopé par un métal, ménagée à travers une couche en matériau électriquement isolant (2), ladite couche d'amorce (4) étant connectée électriquement à la jonction photovoltaïque p/n. 13. Cellule selon la revendication 12, caractérisée en ce qu'une couche d'oxyde transparent conducteur (6) est disposée entre le substrat (1) et la couche en matériau électriquement isolant (2) et en ce que la couche d'amorce (4) est électriquement connectée à la jonction p/n par l'intermédiaire de la couche d'oxyde transparent conducteur (6). 14. Cellule selon l'une des revendications 12 et 13, caractérisée en ce que le contact électrique (5) a une largeur inférieure à 50pm et, de préférence, inférieure à 35pm.15