FR 3023064 A1 20160101 FR 1460204 A 20141023 DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne de manière générale un procédé de réalisation de dispositifs photovoltaïques 5 comportant une ou plusieurs couches déposées par impression à jet d'encre. L'invention appartient au domaine de la réalisation de dispositifs photovoltaïques et, plus particulièrement aux dispositifs photovoltaïques sous forme d'empilements de 10 matériaux de différentes natures. Ces dispositifs sont élaborés à partir d'un ou plusieurs matériaux dit(s) fonctionnel(s) puisque réagissant sous l'effet d'un facteur externe. On parle de matériau présentant une fonction photovoltaïque lorsque, sous 15 exposition lumineuse, il absorbe des photons et génère des charges. Dans un dispositif photovoltaïque, ces charges sont à l'origine du photocourant généré. Concernant la réalisation de ces dispositifs, plusieurs technologies sont actuellement disponibles. Il s'agit plus 20 particulièrement de technologies à base de silicium amorphe en couche mince (A-Si), d'alliages CIGS (cuivre, indium, gallium et sélénium) qui sont des dispositifs possédant leurs caractéristiques propres (électriques : performance, rendement de conversion ; et mécaniques : souplesse, rayon de courbure, 25 aspect). A cela, vient s'ajouter aujourd'hui la technologie photovoltaïque organique, généralement désigné par l'acronyme OPV (correspondant aux termes anglais « Organic PhotoVoltaics »), mettant en oeuvre, pour la couche active, des 30 matériaux fonctionnels organiques, donneurs et accepteurs d'électrons, comme par exemple le P3HT:PCBM (P3-1-1T étant l'acronyme désignant le poly(3-hexylthiophène) et le PCBM étant l'acronyme désignant [6,6]-phényl-C61-butanoate de méthyle), disposés entre deux électrodes conductrices avec potentiellement des couches interfaciales. Le tout est déposé successivement sur un substrat, rigide ou flexible. Les applications actuelles sont cependant limitées par : - la formation de différentes couches nécessairement de forme géométrique simple, par exemple rectangulaire (aplats), - l'impossibilité technique de personnaliser les produits sans modification de l'outillage de réalisation, - l'impossibilité technique de réaliser un dépôt par contact en raison de la sensibilité de certains matériaux et objets, - des coûts élevés dus à un faible taux d'utilisation des matériaux mis en oeuvre (pertes importantes) en raison du type de procédé utilisé (sérigraphie ou autres techniques d'impression ou d'enduction ou de dépôt sous vide), - des épaisseurs uniformes et déterminées de par le procédé de réalisation. Afin de résoudre les inconvénients de l'art antérieur, le demandeur a mis au point un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque, dans lequel une ou plusieurs couches sont appliquées par impression à jet d'encre ce qui rend possible la personnalisation, à façon, des couches ainsi appliquées. En outre, le procédé de fabrication selon l'invention permet d'obtenir des dispositifs possédant des formes plus ou moins complexes et personnalisables. Plus particulièrement, la présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d'un support conducteur, pouvant être : - soit un substrat non conducteur présentant au moins deux faces opposées, dont l'une est revêtue d'au moins une couche d'un premier matériau conducteur, - soit un substrat de premier matériau conducteur ; b) le dépôt sur la couche ou le substrat de premier matériau conducteur, selon un motif prédéfini, d'au moins une première couche interfaciale composée : soit d'un matériau organique semi-conducteur, dopé n ou p, soit d'un matériau inorganique semi-conducteur, dopé n ou p, soit d'un mélange hybride de matériaux semiconducteurs, tous les deux dopés soit n, soit p, l'un des matériaux semi-conducteurs étant organique et l'autre matériau semi-conducteur étant inorganique ; c) le dépôt sur la première couche interfaciale, selon un motif prédéfini, d'au moins une couche active photovoltaïque comprenant au moins un matériau semi- conducteur organique type p et un matériau semi- conducteur organique type n ; d) le dépôt sur la couche active photovoltaïque, selon un motif prédéfini, d'au moins une deuxième couche interfaciale composée : soit d'un matériau organique semi-conducteur, dopé n si la première couche interfaciale est composée d'un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs dopés p ; ou inversement, soit d'un matériau inorganique semi-conducteur, dopé n, si la première couche interfaciale est composée d'un ou plusieurs matériaux semiconducteurs dopés p ; ou inversement, soit d'un mélange de matériaux semi-conducteurs dopés n, comprenant au moins un matériau semi- conducteur organique et un matériau semiconducteur inorganique, si la première couche interfaciale est composée d'un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs dopés p ou inversement ; e) le dépôt, selon un motif prédéfini, d'au moins une couche d'un deuxième matériau conducteur ; f) le dépôt d'une reprise de contact au-dessus de la couche de deuxième matériau conducteur ; ledit procédé étant caractérisé en ce que le dépôt de la couche de premier matériau conducteur, et/ou le dépôt des deux couches interfaciales, et/ou le dépôt de la couche active photovoltaïque et/ou le dépôt de la couche de deuxième matériau conducteur et/ou le dépôt de la reprise de contact sont réalisés par un procédé d'impression numérique à jet d'encre suivant un motif prédéfini pouvant être réalisé à façon. L'impression à jet d'encre permet de maitriser et d'adapter les caractéristiques optiques et électriques du 20 dispositif photovoltaïque par la ou les variations de l'une au moins des caractéristiques suivantes : - la nature des couches interfaciales, - la nature de la couche active, - la nature d'un ou des matériaux conducteur, 25 - le contrôle de l'épaisseur de la couche active, - le contrôle de l'épaisseur des couches interfaciales, et - le contrôle de l'épaisseur de la ou des couches de matériaux conducteurs. 30 En outre, l'utilisation de l'impression à jet d'encre permet de réduire considérablement et au juste nécessaire le volume de matériaux utilisés pour la réalisation des couches dont le coût impacte de façon considérable le prix de revient du produit final. Le support conducteur selon l'invention peut être soit un substrat entièrement constitué d'un matériau conducteur (dit premier matériau conducteur), soit un substrat non conducteur dont l'une au moins de ses faces est revêtue d'une 5 couche de (premier) matériau conducteur, c'est-à-dire une couche conductrice appliquée ou non par impression à jet d'encre. Selon un mode de réalisation avantageux de l'invention, l'empilement constitué du substrat non conducteur et de la 10 première couche conductrice se présente sous la forme d'élément stratifié associant au moins un substrat non conducteur et un matériau conducteur. L'utilisation d'un élément stratifié permet la réduction du nombre d'étapes du procédé selon l'invention. 15 Avantageusement, cet élément stratifié peut être un polyester aluminé. Pour un tel mode de réalisation, on peut utiliser, à titre de substrat non conducteur, soit un substrat de nature organique (carton, papier ou à base de polymère par exemple), 20 soit un substrat à base de matériaux inorganiques (verre, métal ou céramique par exemple). La couche conductrice du substrat pourra dans la présente invention soit être déposée par jet d'encre, soit être structurée avec un motif défini réalisé par exemple : 25 - par gravure chimique ou physique à travers un masque, - par dépôt sélectif à travers un masque ou par un procédé de microstructuration par photolithographie de type « lift-off », 30 - par ablation avec un laser ponctuel, ou - par ablation laser à travers un masque. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux de la présentation, on applique, suivant un motif prédéfini, sur l'une des faces opposées du substrat non conducteur, une encre conductrice pour former une couche d'un premier matériau conducteur possédant une viscosité comprise entre 1 et 60 mPa/s à la température de travail (c'est-à-dire à la température de fonctionnement du dispositif d'impression jet d'encre) ; et une tension superficielle comprise entre 18 à 46 mN/m, puis on procède à un traitement thermique à une température comprise entre 50°C et 300°C. Avantageusement, la ou les encres conductrices peuvent comprendre au moins : - soit un ou plusieurs matériaux organiques conducteurs, - soit un ou plusieurs matériaux inorganiques conducteurs, comme des nanoparticules métalliques d'aluminium, de cuivre, d'étain, ou d'argent, ou des nanoparticules d'oxydes conducteurs transparentes ou non, de carbone ou de graphite. - soit un matériau hybride conducteur conjuguant des matériaux organiques et inorganiques, comme le mélange entre le poly(3,4-éthylènedioxythiophène) (PEDOT) et le poly(styrènesulfonate) de sodium (PSS) désigné par l'acronyme PEDOT/PSS. Les tailles des nanoparticules métalliques peuvent avantageusement être comprises entre 1 nm et 50 pm. Les propriétés liées aux tailles des nanoparticules métalliques de l'encre (du premier matériau conducteur) et à leur viscosité sont importantes, car des nanoparticules dont la taille est comprise entre 1 nm et 50 wa peuvent être projetables par une tête d'impression jet d'encre. Le motif peut être réalisé par la structuration de la couche de premier matériau conducteur, quelque soit le mode de dépôt de cette couche (jet d'encre, gravure, ablation laser ou dépôt avec un masque). Le dépôt par jet d'encre permet de s'abstenir d'utiliser des outils onéreux de type masque ou laser. On dépose sur la couche de premier matériau conducteur, selon l'invention et selon un motif prédéfini, une ou plusieurs couches : - soit d'un matériau organique semiconducteur dopé n ou p, - soit d'un matériau inorganique semiconducteur dopé n ou p, - soit d'un mélange hybride de matériaux semiconducteurs tous les deux dopés n ou p, l'un des matériaux semiconducteurs étant organique et l'autre matériau semiconducteur étant inorganique. Cette couche est appelée première couche interfaciale. Sur cette couche interfaciale, on dépose, selon le procédé de l'invention au moins une couche active 15 photovoltaïque selon un motif prédéfini, ladite couche active comprenant au moins un matériau semi-conducteur organique dopé p et un matériau semi-conducteur dopé n. Avantageusement, la couche active peut être constitué d'un polymère conjugué comme le poly(3-hexylthiophène) (P3HT), 20 le PCBTDPP (polymère à base de carbazole et de diketopyrrolopyrrole) ou le PTB7 (poly(thienol[3,4-b]- thiophène/benzodithiophène), ou un oligomère dopé de type n et/ou p, ou un oxyde métallique comme les oxydes de zinc, ou un fullerène comme le PC60BM ([6,6]-phenyl-C61-butanoate de 25 méthyle), ou le PC70BM ([6,6]-phenyl-C71-butanoate de méthyle), ou hybrides comme les pérovskytes. Puis, selon l'invention, on dépose sur cette couche active photovoltaïque, selon un motif prédéfini, au moins une deuxième couche interfaciale composée : 30 - soit d'un matériau organique semi-conducteur, dopé n si la première couche interfaciale est composée d'un ou plusieurs matériaux semiconducteurs dopés p ; ou inversement, - soit d'un matériau inorganique semiconducteur, dopé n, si la première couche interfaciale est composée d'un ou plusieurs matériaux semiconducteurs dopés p ; ou inversement, - soit d'un mélange de matériaux semiconducteurs dopés n, comprenant au moins un matériau semiconducteur organique et un matériau semiconducteur inorganique, si la première couche interfaciale est composée d'un ou plusieurs matériaux semiconducteurs dopés ou inversement. Avantageusement, une au moins des couches interfaciales peut être constituée d'un matériau hybride, dopé de type n ou p, conjuguant des matériaux organiques et inorganiques choisi parmi les oxydes transparents conducteurs tels que les trioxydes de tungstène (W03), les dioxydes de titane (Ti02), les oxydes de zinc (Zn0), ou le ZnO/Al, ou parmi les polymères conducteurs tels que le PEDOT/PSS qui est un mélange de deux polymères, le poly(3,4-éthylènedioxythiophène) (PEDOT) et le poly(styrène sulfonate) de sodium (PSS). Après le dépôt de la deuxième couche interfaciale, on dépose selon un motif prédéfini, conformément au procédé selon l'invention, au moins une couche d'un deuxième matériau conducteur. La couche de deuxième matériau conducteur peut être avantageusement transparente pour que la couche active photovoltaïque soit exposée à la lumière extérieure. Avantageusement, la couche de deuxième matériau conducteur pourra également être appliquée par impression à 30 jet d'encre de manière à optimiser la quantité de matière appliquée. De manière préférée, les couches de premier matériau conducteur et de deuxième matériau conducteur peuvent être toutes deux transparentes, ce qui permet de créer un dispositif photovoltaïque transparent biface (c'est-à-dire un dispositif pouvant être exposé au soleil selon ses deux faces). La couche de deuxième matériau conducteur peut comprendre au moins un mélange de deux polymères, le poly(3,4- éthylènedioxythiophène) (PEDOT) et le poly(styrène sulfonate) de sodium (PSS), ci-après désigné par l'acronyme PEDOT/PSS, ce mélange se présentant sous forme de solution colloïdale. Après application de cette couche de deuxième matériau 10 conducteur, on dépose sur cette dernière des particules métalliques matérialisant la reprise de contact. Cette reprise de contact peut être déposée suivant une forme prédéfinie. Par exemple, elle peut prendre la forme d'une grille. Ces particules métalliques peuvent être en argent et 15 permet d'améliorer la conductivité de la couche de deuxième matériau conducteur. La reprise de contact permet d'extraire le photocourant engendré par l'absorption de photons. Avantageusement, la reprise de contact peut être 20 également appliquée par impression à jet d'encre. Le dépôt de chacune des couches appliquées peut nécessiter un traitement thermique, en respect des contraintes des couches antérieures et du support (50 à 300°C), ou un traitement UV, par insolation, ou un traitement photonique, 25 par exemple via une source pulsée au Xenon ou infrarouge, ou un traitement micro-ondes afin d'obtenir ses propriétés fonctionnelles. La présente invention a encore pour objet un dispositif photovoltaïque susceptible d'être obtenu selon le procédé de 30 l'invention. Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux de l'invention, le dispositif est souple. Par souple, on entend au sens de la présente invention, un dispositif pouvant en outre supporter une modification réversible de sa forme sous contrainte mécanique et ainsi se conformer en acceptant un rayon de courbure supérieur à 1 cm. Le dispositif photovoltaïque selon l'invention comprend un substrat pouvant prendre la forme d'un objet plan 5 bidimensionnel (ou 2D) ou pouvant prendre la forme d'un objet tridimensionnel (ou 3D). Par élément plan bidimensionnel, on entend au sens de la présente invention, un élément bidimensionnel, c'est-à-dire un élément dont la longueur et la largeur sont bien plus 10 importantes que l'épaisseur. Par exemple, un élément plan bidimensionnel peut être un film, une feuille, ou une plaque. Par objet tridimensionnel, on entend au sens de la présente invention, un objet en volume qui n'est pas un plan bidimensionnel. 15 Le dispositif photovoltaïque selon l'invention est apte à être appliqué sous forme souple ou rigide à des produits de type équipement sportif léger, poussette, packaging, notamment de luxe (emballage, flaconnage, bouchon), bagagerie, maroquinerie, décoration intérieur, électronique, panneau 20 publicitaire sur lieu de vente, équipement de protection individuel, ganterie, jouet et loisir éducatif, mobilier, parasol, textile, cycle, et automobile. Le dispositif photovoltaïque selon l'invention peut être associé à un dispositif électroluminescent, l'association 25 étant gérée par une carte électronique assurant les fonctions de conversion électrique et de stockage d'énergie au sein d'une batterie. Avantageusement, la carte électronique peut intégrer un système d'optimisation du point de fonctionnement du 30 dispositif photovoltaïque suivant ses propres caractéristiques optiques et électriques. Par point de fonctionnement, on entend au sens de la présente invention, le couple comprenant une valeur de tension U et une valeur d'intensité I pour lequel la puissance induite par le dispositif photovoltaïque est maximale. Lorsque ce point de fonctionnement est atteint, on se trouve dans la configuration où I = Impp et U = Umpp, avec Impp désignant l'intensité en Ampère atteinte au point de fonctionnement et 5 Umpp la tension en Volt atteinte au point de fonctionnement. Un premier système d'optimisation du point de fonctionnement, utilisable dans le cadre de la présente invention, est le système connu sous la dénomination « Max Power Point Cracking » en anglais (désigné par l'acronyme 10 MPPT), qui consiste à balayer une plage de tensions par incrémentation pour repérer le couple (U, I) pour lequel la puissance induite par le dispositif photovoltaïque est maximale. Lorsque ce point est repéré, le système MPPT permet de converger vers ce point particulier. 15 Un second système d'optimisation du point de fonctionnement, utilisable dans le cadre de la présente invention, est le système connu sous la dénomination pseudoMPPT. Ce système consiste à sélectionner une plage de tension dans laquelle se situe le point de fonctionnement. Ce système 20 permet d'osciller autour du point de fonctionnement. D'autres avantages et particularités de la présente invention résulteront de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif et faite en référence aux figures annexées et aux exemples correspondants : 25 la figure 1 représente une vue schématique d'un dispositif photovoltaïque dans lequel le substrat non conducteur est un objet tridimensionnel en verre transparent, la figure 2 représente une vue schématique d'un dispositif photovoltaïque dans lequel le support conducteur est 30 constitué d'un film polyester aluminé, la figure 3 représente une vue schématique transversale d'un dispositif photovoltaïque dans lequel le substrat non conducteur est un garde boue pour le cycle, - la figure 4 représente une vue schématique de profil d'un dispositif photovoltaïque associé à un dispositif electroluminescent dans lequel le substrat non conducteur est un garde-boue pour le cycle. EXEMPLE 1 (selon l'invention) illustré sur la figure 1 : Substrat constitué d'un objet tridimensionnel en verre. On élabore un empilement de couches de natures différentes suivant le mode de réalisation du procédé de l'invention décrit ci-dessous sur un objet 3D en verre transparent. Avantageusement, cet objet 3D est un flacon en verre. a) b) Cet empilement est fabriqué de la manière suivante : la fourniture d'un objet en verre 3D transparent non-conducteur 2 ; le dépôt par impression à jet d'encre selon un motif prédéfini d'un premier matériau conducteur 3 transparent, ou semi-transparent pouvant être de l'ITO ; le dépôt par impression à jet d'encre sur le premier matériau conducteur 3, selon un motif prédéfini, d'une couche interfaciale 4 composée d'un matériau dopé n pouvant être un matériau inorganique, par exemple de l'oxyde de titane ; le dépôt sur la première couche interfaciale 4, selon un motif prédéfini, d'une couche active photovoltaïque 5 comprenant au moins un matériau semiconducteur organique dopé p et un matériau semiconducteur organique dopé n, pouvant être un mélange P3HT :PCBM ; le dépôt sur la couche active photovoltaïque 5, selon un motif prédéfini, d'une deuxième couche interfaciale 6 composée d'un matériau dopé p pouvant être un matériau organique, par exemple du PEDOT:PSS ; c) d) e) f) le dépôt par impression à jet d'encre, selon un motif prédéfini, d'un deuxième matériau conducteur 7. Avantageusement, ce matériau sera transparent ou semitransparent afin d'obtenir un dispositif photovoltaïque transparent ou semi-transparent sur le support verre transparent ; avantageusement, ce second matériau conducteur 7 peut être de l'argent imprimé par jet d'encre sous la forme d'un motif grille pour combiner la semi-transparence de ce motif et la conductivité élevée d'un dépôt réalisé à partir d'une encre conductrice à base de nanoparticules d'argent ; puis g) le dépôt d'une reprise de contact 8 par impression à jet d'encre. EXEMPLE 2 (selon l'invention) illustré sur la figure 2 : Utilisation d'un substrat métallisé. On élabore un empilement de couches de natures différentes suivant le mode de réalisation du procédé de l'invention décrit ci-dessous. Avantageusement, le procédé est réalisé sur un substrat 2D métallisé pouvant être un film polyester aluminé (PET/Al par exemple). Cet empilement est fabriqué de la manière suivante : a) la fourniture d'un substrat métallisé avec un motif prédéfini pouvant être réalisé par ablation laser ; b) le dépôt par impression à jet d'encre sur le premier matériau conducteur 3, selon un motif prédéfini, d'une couche interfaciale 4 composée d'un matériau dopé n pouvant être un matériau inorganique, par exemple de l'oxyde de titane ; c) le dépôt sur la première couche interfaciale 4, selon un motif prédéfini, d'une couche active photovoltaïque 5 comprenant au moins un matériau semiconducteur organique dopé p et un matériau semiconducteur organique dopé n, pouvant être un mélange P3HT :PCBM ; d) le dépôt sur la couche active photovoltaïque 5, selon un motif prédéfini, d'une deuxième couche interfaciale 6 composée d'un matériau dopé p pouvant être un matériau organique, par exemple du PEDOT:PSS ; e) le dépôt par impression à jet d'encre, selon un motif prédéfini, d'un deuxième matériau conducteur 7 transparent ou semi-transparent ; avantageusement, ce second matériau conducteur 7 peut être de l'argent imprimé par jet d'encre sous la forme d'un motif grille pour combiner la semi-transparence de ce motif et la conductivité élevée d'un dépôt réalisé à partir d'une encre conductrice à base de nanoparticules d'argent ; puis f) le dépôt d'une reprise de contact 8 par impression à jet d'encre. EXEMPLE 3 (selon l'invention) illustré sur les figures 3 et 4 20 Substrat constitué d'un objet tridimensionnel en plastique. On élabore un empilement de couches de natures différentes suivant le mode de réalisation du procédé de l'invention décrit ci-dessous sur un objet 3D en plastique. 25 Avantageusement, cet objet 3D est un garde-boue pour le cycle. Cet empilement est fabriqué de la manière suivante : a) la fourniture d'un objet 3D plastique non-conducteur 2; b) le dépôt par impression à jet d'encre selon un motif prédéfini d'un premier matériau conducteur 3 pouvant 30 être de l'argent imprimé à partir d'une encre conductrice à base de nanoparticules d'argent ; c) le dépôt par impression à jet d'encre sur le premier matériau conducteur 3, selon un motif prédéfini, d'une couche interfaciale 4 composée d'un matériau dopé n pouvant être un matériau inorganique, par exemple de l'oxyde de titane ; d) le dépôt sur la première couche interfaciale 4, selon un motif prédéfini, d'une couche active photovoltaïque 5 comprenant au moins un matériau semiconducteur organique dopé p et un matériau semiconducteur organique dopé n, pouvant être un mélange P3HT:PCBM ; e) le dépôt sur la couche active photovoltaïque 5, selon un motif prédéfini, d'une deuxième couche interfaciale 6 composée d'un matériau dopé p pouvant être un matériau organique, par exemple du PEDOT:PSS ; f) le dépôt par impression à jet d'encre, selon un motif prédéfini, d'un deuxième matériau conducteur 7 transparent ou semi-transparent ; avantageusement, ce second matériau conducteur 7 peut être de l'argent imprimé par jet d'encre sous la forme d'un motif grille pour combiner la semi-transparence de ce motif et la conductivité élevée d'un dépôt réalisé à partir d'une encre conductrice à base de nanoparticules d'argent ; puis g) le dépôt d'une reprise de contact 8 par impression à jet d'encre. EXEMPLE 4 (selon l'invention) Association d'un dispositif photovoltaïque avec un dispositif électroluminescent. On élabore un dispositif couplant un dispositif photovoltaïque 1 selon l'invention à un dispositif électroluminescent 9 (cf. figure 3). L'association des dispositifs électroluminescents 9 et photovoltaïque 1 est gérée par une carte électronique 10 (cf. figure 4) assurant les fonctions de conversion électrique et de stockage d'énergie au sein d'une batterie. Avantageusement, la carte électronique 10 intègre un système d'optimisation du point de fonctionnement dudit dispositif (non représenté sur les figures 3 et 4). Un tel dispositif peut être réalisé à partir des dispositifs photovoltaïques des exemples 1 à 3. En particulier, le système réalisé à partir d'un dispositif photovoltaïque de l'exemple 3 associé à un dispositif électroluminescent de décoration et/ou de sécurité 11 est appliqué sur un garde-boue de cycle (cf. figure 4). EXEMPLE 5 (selon l'invention): Dispositif photovoltaïque sur support souple pour intégration dans un objet 3D On élabore un empilement de couches de natures différentes suivant un des modes de réalisation du procédé de l'invention sur un support souple. Avantageusement, ce support souple est un polyester, par exemple un PET. Le dispositif photovoltaïque 1 réalisé à partir de cet 20 empilement est ensuite appliqué sur un objet 3D pour se conformer à celui-ci. Un tel dispositif peut être utilisé à partir des dispositifs photovoltaïques des exemples 1 à 3. Avantageusement, on élabore un dispositif couplant ce dispositif photovoltaïque sur support souple à un dispositif 25 électroluminescent 9. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif photovoltaïque (1), comprenant les étapes suivantes : a) la fourniture d'un support conducteur, pouvant être : - soit un substrat non conducteur (2) présentant au moins deux faces opposées (20, 21), dont l'une (21) est revêtue d'au moins une couche d'un premier matériau conducteur (3), - soit un substrat de premier matériau conducteur (3) ; b) le dépôt sur la couche ou le substrat de premier matériau conducteur (3), selon un motif prédéfini, d'au moins une première couche interfaciale (4) composée : - soit d'un matériau organique semi-conducteur, dopé n ou p, - soit d'un matériau inorganique semi-conducteur, dopé n ou p, - soit d'un mélange hybride de matériaux semiconducteurs, tous les deux dopés soit n, soit p, l'un des matériaux semi-conducteurs étant organique et l'autre matériau semi-conducteur étant inorganique ; c) le dépôt sur la première couche interfaciale (4), selon un motif prédéfini, d'au moins une couche active photovoltaïque (5) comprenant au moins un matériau semi-conducteur organique dopé p et un matériau semi-conducteur organique dopé n ; d) le dépôt sur la couche active photovoltaïque (5), selon un motif prédéfini, d'au moins une deuxième couche interfaciale (6) composée :- soit d'un matériau organique semi-conducteur, dopé n si la première couche interfaciale est composée d'un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs dopés p ; ou inversement, soit d'un matériau inorganique semi-conducteur, dopé n, si la première couche interfaciale est composée d'un ou plusieurs matériaux semi- conducteurs dopés p ; ou inversement, - soit d'un mélange de matériaux semi-conducteurs dopés n, comprenant au moins un matériau semi- conducteur organique et un matériau semiconducteur inorganique, si la première couche interfaciale est composée d'un ou plusieurs matériaux semi-conducteurs dopés p ou inversement ; e) le dépôt, selon un motif prédéfini, d'au moins une couche d'un deuxième matériau conducteur (7) ; f) le dépôt d'une reprise de contact (8) au-dessus de la couche de deuxième matériau conducteur (7) ; ledit procédé étant caractérisé en ce que le dépôt de la couche de premier matériau conducteur (3), et/ou le dépôt des deux couches interfaciales (4) et (6), et/ou le dépôt de la couche active photovoltaïque (5) et/ou le dépôt de la couche de deuxième matériau conducteur (7) et/ou le dépôt de la reprise de contact (8) sont réalisés par un procédé d'impression numérique à jet d'encre suivant un motif prédéfini pouvant être réalisé à façon. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel : - on applique, suivant un motif prédéfini, sur l'une des faces opposées (20, 21) du substrat non conducteur (2), une encre conductrice pour former une couche d'un premier matériau conducteur (3) possédant une viscosité comprise entre 1 et60amPa/s à la température de travail ; et une tension superficielle comprise entre 18 à 46 mN/m, puis - on procède à un traitement thermique à une température comprise entre 50°C et 300°C. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel la ou les encres conductrices comprennent au moins : - soit un ou plusieurs matériaux organiques conducteurs, - soit un ou plusieurs matériaux inorganiques conducteurs. - soit un matériau hybride conducteur conjuguant des matériaux organiques et inorganiques. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes 1 à 3, dans lequel la couche ou le substrat de premier (3) et/ou la couche de deuxième (7) matériau 20 conducteur sont transparentes. 5. Dispositif photovoltaïque (1) susceptible d'être obtenu selon le procédé tel que défini selon l'une quelconque des revendications 1 à 4. 25 6. Dispositif photovoltaïque (1) selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il est souple. 7. Dispositif photovoltaïque (1) selon la revendication 30 5 ou la revendication 6, dans lequel le substrat est un objet bidimensionnel ou tridimensionnel. 8. Dispositif photovoltaïque (1), selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, apte à être appliqué sous forme 35 souple ou rigide à des produits de type équipement sportifléger, poussette, packaging, bagagerie, maroquinerie, décoration intérieur, électronique, panneau publicitaire sur lieu de vente, équipement de protection individuel, ganterie, jouet et loisir éducatif, mobilier, parasol, textile, cycle, 5 et automobile. 9. Dispositif photovoltaïque (1) selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, caractérisé en ce qu'il est associé à un dispositif électroluminescent, l'association étant gérée 10 par une carte électronique assurant les fonctions de conversion électrique et de stockage d'énergie au sein d'une batterie. 10. Dispositif photovoltaïque (1) selon la revendication 15 9, dans lequel la carte électronique intègre un système d'optimisation du point de fonctionnement dudit dispositif (1).