FR 3012705 A1 20150501 FR 1360551 A 20131029 CIRCUIT ELECTRONIQUE D'INJECTION DE CHARGES POUR DETECTEUR DE RAYONNEMENT L'invention concerne un circuit électronique pour un détecteur de rayonnement apte à quantifier un rayonnement de photons reçus au moyen d'un circuit d'injection de contre-charges. Elle concerne en particulier les détecteurs de rayonnement matriciels destinés à l'imagerie radiologique par rayons X ou gamma, comprenant une matrice de pixels de technologie CMOS associée à une structure de conversion des rayons X ou gamma en charges électriques. Un détecteur de rayonnement matriciel comprend une matrice de pixels et un circuit électronique formant des moyens de lecture. Chaque pixel comprend un élément photosensible générant des charges électriques proportionnellement à la quantité reçue de photons. Ces charges électriques, également appelées photocharges, sont traitées par les moyens de lecture afin de fournir une information représentative de la quantité reçue de photons par chaque élément photosensible. L'utilisation de la technologie CMOS a permis d'intégrer les moyens de lecture au niveau de chaque pixel. Ainsi, les charges électriques peuvent être converties en signaux numériques à l'intérieur même des pixels pour faciliter le transfert du résultat de la détection vers l'extérieur de la matrice. Une solution courante pour réaliser les moyens de lecture est d'utiliser un circuit fonctionnant par intégration des charges électriques. Ce circuit d'intégration comprend une capacité d'intégration recevant les charges issues de l'élément photosensible, un comparateur à seuil, un compteur et un circuit d'injection de contre-charges. Pendant une phase d'exposition, l'arrivée de charges électriques sur la capacité d'intégration entraîne une diminution de la tension à ses bornes. Pendant une phase de lecture des charges électriques, le comparateur à seuil bascule un certain nombre de fois, tant que la tension aux bornes de la capacité d'intégration est inférieure à une tension seuil. Chaque basculement du comparateur incrémente le compteur d'une unité et commande au circuit d'injection l'injection d'un paquet de contre-charges dont la quantité QO est calibrée. Le compteur est ainsi incrémenté du nombre de paquets de charges nécessaire pour ramener une tension supérieure à la tension seuil aux bornes de la capacité d'intégration. Généralement, l'injection de contre- charges est réalisée au fur et à mesure que des photocharges sont collectées, un compteur déterminant le nombre de bascules du comparateur, afin d'estimer la quantité totale de charges injectée. La lecture correspond alors à la lecture du contenu des compteurs. Le nombre d'incrémentations du compteur fournit une valeur numérique représentative de la quantité de photons reçue par l'élément photosensible. Le circuit d'injection de contre-charges est un élément critique du circuit d'intégration. En effet, la précision de la mesure repose sur le calibrage de la quantité QO de contre-charges. D'une part, la quantité QO de contre-charges doit être relativement faible puisqu'elle correspond au pas de la quantification des charges ; d'autre part, cette quantité doit être identique pour chaque paquet de contre-charges puisqu'elle quantifie les charges reçues par la capacité d'intégration. Or, dans les circuits actuels d'injection de contre-charges, la quantité de charges injectées lors de chaque basculement du comparateur peut fluctuer. En effet, ces circuits comportent des transistors à effet de champ, dont les canaux sont affectés par un bruit aléatoire dit rts pour son acronyme anglo-saxon "Random Telegraph Signal". Le caractère aléatoire de ce bruit influe sur la quantité de contre-charges injectée : les injections sont affectées par ce bruit, différemment les unes des autres. Aussi, lorsqu'on souhaite estimer la charge totale injectée par un certain nombre d'injections, on ne sait pas exactement comment les injections ont été affectées. Par exemple, un circuit d'injection de contre-charges comprend fréquemment deux transistors à effet de champ (FET) connectés en série et un condensateur connecté entre le point de liaison des transistors et une tension fixe, par exemple la masse. Un premier transistor permet de charger le condensateur à une première valeur de tension, dite tension de charge, commandée par la tension de grille de ce transistor. Le deuxième transistor permet de décharger le condensateur à une deuxième valeur de tension, dite tension de décharge, commandée par la tension de grille de ce transistor. La quantité QO de contre-charges injectées depuis le condensateur vers la capacité d'intégration du circuit d'intégration est fonction de la valeur de la capacité du condensateur et de la différence entre les tensions de charge et de décharge. Cependant, les tensions de charge et de décharge ne sont pas directement déductibles des tensions de grille des transistors. Les tensions de charge et de décharge correspondent aux potentiels internes des transistors, qui ne sont pas connus précisément en raison du bruit rts dû au piégeage de charges dans le canal de chaque transistor. Ce bruit rts est d'autant plus significatif que les composants ont des dimensions réduites afin de générer des quantités QO de contre-charges relativement faibles. En pratique, ce bruit rts modifie la valeur de la quantité QO de quelques pourcents. Cette modification se répercute directement sur l'évaluation de la quantité de photons reçue, et donc sur la qualité de l'image obtenue. Or, une telle erreur est généralement gênante, en particulier dans le domaine de l'imagerie médicale. Des solutions pour remédier aux inconvénients précités existent. Elles consistent à déterminer précisément la quantité de contre-charges injectées pour évaluer la quantité de charges générées par un élément photosensible. Ainsi, la quantité de charges injectée à chaque basculement du comparateur est maîtrisée. La mesure de la quantité totale de la charge collectée par un détecteur est alors améliorée, ce qui accroît la précision de la mesure. Cette technique fonctionne bien lorsque la quantité QO de contre- charges est importante. Néanmoins, lorsqu'on souhaite accéder à des charges QO plus petites (typiquement de l'ordre de 100 charges élémentaires injectées, c'est-à-dire des électrons ou des trous, ou moins), des inconvénients apparaissent. Par exemple, la charge injectée QO peut dépendre d'une différence de potentiel variable en raison de dispersions technologiques. La valeur de cette différence de potentiel doit être supérieure à sa variation pour que les dispersions de QO soient acceptables. Autrement dit, la variation de la différence de potentiel doit être négligeable par rapport à la différence de potentiel elle-même. De plus, pour obtenir de petites valeurs de QO, on utilise des petits transistors qui sont plus sensibles au bruit rts. Ce bruit génère des variations de tensions de seuil, de durées variables. La correction de ces variations demande des dispositifs complexes. Ce problème est abordé dans la demande de brevet FR2977413.35 L'invention vise à pallier tout ou partie des problèmes cités plus haut en proposant un circuit électronique pour détecteur de rayonnement permettant à la fois de maîtriser la quantité de charges injectée à chaque basculement du comparateur et de délivrer de petites quantités de contre- charges. A cet effet, l'invention a pour objet un circuit électronique pour détecteur de rayonnement comprenant : - un élément sensible au rayonnement, - un circuit d'injection, apte à injecter une charge à une borne de l'élément sensible, le circuit d'injection s'étendant entre au moins une borne d'entrée et une borne de sortie, la borne de sortie étant apte à être connectée audit élément sensible, le circuit d'injection étant apte à produire une charge sous l'effet d'une impulsion de déclenchement, caractérisé en ce que le circuit d'injection est apte à injecter une première 15 charge lorsqu'une borne d'entrée est raccordée à un premier potentiel d'entrée et une deuxième charge lorsqu'une borne d'entrée est raccordée à un deuxième potentiel d'entrée, et en ce que le circuit comporte un moyen de mémorisation d'une différence entre un potentiel de sortie du circuit d'injection, dit potentiel d'équilibre, et un 20 potentiel de référence et de telle sorte que la deuxième charge dépende du deuxième potentiel d'entrée et dudit potentiel d'équilibre. L'invention a également pour objet un procédé mettant en oeuvre le circuit électronique, caractérisé en ce qu'il comporte une phase 25 d'initialisation, comportant les étapes suivantes : - Connexion d'une borne d'entrée du circuit d'injection à un premier potentiel - Injection d'une première charge sur la borne de sortie du circuit 30 d'injection - Mémorisation d'une différence entre un potentiel de sortie du circuit d'injection, dit potentiel d'équilibre, et un potentiel de référence, ledit potentiel d'équilibre correspondant audit potentiel de sortie , lorsque ladite première charge, délivrée par le circuit d'injection, est inférieure à un seuil 35 prédéterminé, - Eventuellement mise du noeud d'intégration à un potentiel de déclenchement, - Connexion d'une borne d'entrée du circuit d'injection à un deuxième potentiel, de telle sorte que le circuit d'injection délivre une deuxième charge 5 en fonction de la différence entre le potentiel du noeud d'intégration et le potentiel de déclenchement. Selon un mode de réalisation, le potentiel d'équilibre correspond au potentiel au noeud d'intégration à l'issue d'une phase d'initialisation. Ce 10 potentiel d'équilibre constitue alors le potentiel de déclenchement, au deçà ou au-delà duquel le circuit d'injection délivre une deuxième charge. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description détaillée d'un mode de réalisation 15 donné à titre d'exemple, description illustrée par le dessin joint dans lequel : - la figure 1 représente un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'état de la technique ; - les figures 2A, 2B, 2C représentent des modes de réalisation d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon 20 l'invention ; - la figure 3 représente un autre mode de réalisation de la première variante d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention ; - la figure 4 représente une autre variante d'un schéma 25 électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention ; - la figure 5 représente une variante d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention ; - la figure 6 représente une variante d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention ; 30 - la figure 7 représente une variante d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention ; - la figure 8 représente une variante d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention ; - la figure 9 illustre les étapes d'une phase d'initialisation mettant 35 en oeuvre le circuit électronique selon l'invention ; - la figure 10 représente un détecteur de rayonnement comportant un circuit électronique selon l'invention ; - la figure 11 représente une variante d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention ; - la figure 12 représente une variante d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention ; - la figure 13 représente une variante d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention. Par souci de clarté, les mêmes éléments porteront les mêmes repères dans les différentes figures. La figure 1 représente le schéma d'un circuit électronique d'un pixel 10 dans un détecteur de rayonnement matriciel selon l'état de la technique (comme par exemple décrit dans la demande de brevet FR2977413). Chaque pixel 10 forme un point photosensible du détecteur matriciel. Le circuit électronique comprend un élément sensible 11 au rayonnement, un comparateur 12 possédant un potentiel de basculement Vcomp_bascul avec une première entrée recevant un potentiel de seuil Vcomp et une deuxième entrée apte à être connectée à un noeud d'intégration B relié à la cathode de l'élément sensible 11. L'élément sensible 11 possède une capacité parasite. Des charges électriques générées par l'élément sensible 11 à la réception du rayonnement peuvent être stockées par la capacité parasite de l'élément sensible 11. Les charges collectées entraînent une variation du potentiel sur le noeud d'intégration B, dit potentiel d'intégration. L'élément sensible 11 peut être une photodiode ou un phototransistor ou, plus généralement, tout élément photosensible générant des charges électriques proportionnellement à la quantité de photons qu'il reçoit. Les photons considérés ont par exemple une longueur d'onde dans le domaine visible, dans le domaine de l'infrarouge ou dans le domaine des rayons X. Dans ce dernier cas, soit l'élément photosensible produit directement des charges électriques sous l'effet d'un rayonnement X, soit il est sensible au rayonnement visible, un scintillateur étant alors interposé entre la source de rayonnement X et l'élément photosensible. 3012 705 7 L'élément sensible 11 possède une capacité parasite C_det utilisée comme capacité d'intégration pour stocker les charges électriques générées pendant une phase d'exposition. La capacité parasite C_det de l'élément sensible est généralement suffisante. Néanmoins, un condensateur 5 pourrait être connecté en parallèle de l'élément sensible pour augmenter la capacité d'intégration, comme détaillé ci après. Une borne de l'élément sensible 11 est reliée à un potentiel fixe. Elle est par exemple connectée à la masse électrique. Le comparateur à seuil 12 reçoit sur une entrée positive le potentiel de seuil Vcomp. L'entrée négative est connectée au noeud 10 d'intégration de l'élément sensible 11. Le circuit électronique comprend un circuit d'injection 14 de charges, apte à injecter des charges au noeud d'intégration B. Le circuit d'injection 14 peut aussi être appelé injecteur. Le circuit d'injection 14 est apte à injecter des charges au noeud d'intégration B à chaque basculement 15 du comparateur 12. Selon le fonctionnement du détecteur, ces charges sont soit positives (lorsque le détecteur collecte des électrons), soit négatives (lorsque le détecteur collecte des trous). Lorsque le potentiel d'intégration VB s'écarte d'un seuil, dit potentiel de déclenchement, le circuit d'injection 14 est configuré pour 20 injecter des charges au noeud d'intégration B. Lorsque le détecteur 11 collecte des électrons, le potentiel d'intégration VB devient inférieur au potentiel de déclenchement. Le comparateur 12 bascule, ce qui entraîne une injection de charges, dites « contre-charges », au noeud d'intégration B. Le terme contre-charges désigne le fait que les charges injectées sont destinées 25 à ramener le potentiel d'intégration VB en dessus du potentiel de déclenchement. De manière analogue, lorsque le détecteur 11 collecte des charges positives (aussi appelées trous), le potentiel d'intégration VB devient supérieur au potentiel de déclenchement. Le comparateur 12 bascule, ce qui 30 entraîne une injection de charges destinées à ramener le potentiel d'intégration VB en dessous du potentiel de déclenchement. Ainsi, d'une façon générale, le circuit d'injection de charges 14 est apte à injecter des charges vers le noeud d'intégration B en fonction d'une comparaison entre le potentiel d'intégration VB et le potentiel de 35 déclenchement. 3012 705 8 Le circuit d'injection 14 fonctionne en mode impulsionnel : il délivre une quantité déterminée QO de charges sous l'action d'une impulsion. On parle également de cycles d'injection. Tant que le potentiel d'intégration VB n'a pas franchi le potentiel de déclenchement, le circuit d'injection 14 injecte 5 successivement ladite quantité de charges QO. Dans l'exemple représenté sur la figure 1, le potentiel de déclenchement est relié au potentiel Vcomp de l'entrée du comparateur 12, à l'offset du comparateur près. Lorsque le potentiel d'intégration VB est inférieur au potentiel de basculement du comparateur 12, appelée 10 Vcompbascul, le comparateur 12 bascule, ce qui entraîne des injections successives de contre-charges, jusqu'à ce que le potentiel d'intégration VB franchisse Vcomp_bascul- Ainsi, dans cet exemple, le potentiel de déclenchement correspond à Vcomp_basce Le circuit électronique comprend un compteur 13 connecté en 15 sortie du comparateur 12 de manière à comptabiliser le nombre de basculements du comparateur, c'est-à-dire comptabiliser le nombre de cycles d'injection de charges. Des éléments de mise en forme du signal issu du comparateur 12 peuvent être interposés entre ce dernier et le compteur 13. 20 Le comparateur à seuil 12, le compteur 13 et le circuit d'injection 14 forment un circuit électronique permettant une lecture de l'élément sensible 11. Le circuit d'injection de contre-charges 14 comprend deux 25 interrupteurs 21 et 22 pilotés respectivement par Phi_1 et Phi_2, une source de tension 141 de tension d'injection V_inj, un condensateur 143 de capacité d'injection C_inj. L'interrupteur 21, l'interrupteur 22 et une borne du condensateur 143 sont reliés en un point A, appelé noeud du circuit d'injection de contre-charges. Le premier interrupteur 21 permet de 30 connecter la source de tension 141 et le point A précédemment défini. Le premier interrupteur 21 permet de constituer une charge au niveau du noeud A du circuit d'injection de charge. On l'appellera interrupteur de précharge. L'interrupteur 22 permet de connecter le point A à la cathode de l'élément sensible 11, de manière à pouvoir y injecter des contre-charges. 35 Aussi, l'interrupteur 22 peut être appelé interrupteur de transfert. Précisons 3012 705 9 que la cathode de l'élément sensible 11 correspond également au point où s'accumulent des charges générées par les interactions du rayonnement dans le détecteur. Ce point peut être appelé noeud d'intégration B du pixel. Autrement dit, le noeud B est un point de connexion entre l'élément sensible 5 11 et son circuit électronique de lecture. Il peut recevoir, d'une part, des charges électriques de l'élément sensible 11 lorsqu'il est exposé et, d'autre part, des contre-charges électriques du circuit d'injection de contre-charges 14. La collection de charges électriques et l'injection de contre- 10 charges sur le noeud B entraînent une variation du potentiel au noeud d'intégration B. A titre d'exemple, on considère que, lors de la réception de photons, l'élément sensible 11 génère des charges négatives (des électrons) stockées sur sa cathode. Ces charges négatives entraînent une diminution du potentiel au noeud B. Lorsque le potentiel au noeud B devient inférieur au 15 potentiel de basculement du comparateur Vcomp_bascul, le comparateur 12 bascule. Chaque basculement est comptabilisé par le compteur 13. Le principe de fonctionnement du circuit d'injection de contre-charges 14 est le suivant. On choisit le potentiel d'injection V_inj supérieur au potentiel de seuil Vcomp de delta_V_inj. Autrement dit, le potentiel 20 d'injection V_inj de 141 est égale à la somme du potentiel de seuil Vcomp et de delta_V_inj. On précharge le point A au potentiel V_inj par une impulsion Phi_1 de l'interrupteur 21. Lorsque le potentiel VB au noeud d'intégration B passe en-dessous du potentiel de basculement du comparateur, l'interrupteur 22 est rendu passant par une impulsion Phi_2. On injecte alors 25 sur le noeud d'intégration B une charge QO. La quantité QO de contre-charges injectées sur le noeud d'intégration B et donc sur l'élément sensible 11 vaut C_inj x delta_V_inj x C_det / (C_det + C_inj). On répète le cycle de précharge et d'injection autant de fois que nécessaire, c'est-à-dire jusqu'à ce que le potentiel au noeud B atteigne le potentiel de basculement du 30 comparateur. Ces cycles sont comptés dans le compteur. Il est à noter que la capacité de l'élément sensible 11 peut être suffisamment faible pour que l'injection d'une seule contre-charge amène le potentiel du noeud B au potentiel de basculement, ce qui entraîne le basculement du comparateur 12. Supposons maintenant que C_inj x C_det / (C_det + C_inj) soit 35 égal à un femto Farad (fF), ce qui est déjà plus faible que ce qu'on maîtrise généralement en conception CMOS. Si on souhaite une valeur de QO égale à 100 charges élémentaires injectées, il faut alors que : delta_V_inj = 100 x q / lfF = 16 mV. Les comparateurs des différents pixels de l'imageur sont soumis à des variations des tensions de seuil, de l'ordre de 10 mV, et qui varient d'un pixel à l'autre notamment à cause des dispersions technologiques, de la température et du vieillissement de l'imageur. Il est donc très difficile, voire impossible, de maîtriser une charge QO faible. Par ailleurs, il y a des capacités parasites dans le montage, en particulier avec les commandes Phi_1 et Phi_2 des interrupteurs 21 et 22. Si on suppose que Phi_1 et Phi_2 sont pulsées entre 0 et 1.2V et que les capacités parasites sont aussi de 1 femto Farad, alors les charges parasites injectées sont de 1.2 x 1 fF / q, soit 7500 charges élémentaires injectées. Le schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'état de la technique n'est pas adapté à la fabrication de petites contre-charges QO. L'invention présentée vise à proposer un schéma électrique fonctionnel avec des petites contre-charges QO. La figure 2A représente un premier mode de réalisation du circuit électronique d'un détecteur de rayonnement selon l'invention. Le schéma électrique du pixel 20 comprend les mêmes éléments que le schéma électrique du pixel 10 représenté sur la figure 1. Selon l'invention, le circuit d'injection 14 est apte à injecter une charge à une borne de l'élément sensible (11). Le circuit d'injection 14 s'étend entre au moins une borne d'entrée El et une borne de sortie S, la borne de sortie S étant apte à être connectée audit élément sensible 11. Le circuit d'injection 14 est apte à produire une charge sous l'effet d'une impulsion de déclenchement. Selon l'invention, le circuit d'injection 14 est apte à injecter une première charge lorsqu'une borne d'entrée El est raccordée à un premier potentiel V_inj_1 d'entrée et une deuxième charge lorsqu'une borne d'entrée El est raccordée à un deuxième potentiel d'entrée V_inj_2. Le circuit électronique comporte un moyen de mémorisation d'une différence entre un potentiel de sortie Vs du circuit d'injection 14, dit potentiel d'équilibre Vequ, et un potentiel de référence et de telle sorte que la deuxième charge dépende du deuxième potentiel 3012 705 11 d'entrée et dudit potentiel d'équilibre Vequ. Dans cet exemple, le potentiel de référence correspond au potentiel de basculement du comparateur. Le circuit d'injection 14 est relié au noeud d'intégration B et est apte à délivrer une charge Qtot. Le circuit électronique du pixel 20 comprend 5 en outre des moyens pour placer le comparateur 12 à la tension de basculement quand le noeud d'intégration B atteint un potentiel d'équilibre, noté Vequ, pendant une phase d'initialisation, et un moyen de mémorisation connecté à une entrée du comparateur 12 aptes à stocker la tension de basculement du comparateur 12. 10 Dans la figure 2A, le moyen de mémorisation comprend un deuxième condensateur 200 relié à la deuxième entrée du comparateur 12, l'entrée inverseuse, et un interrupteur 1_3 raccordé entre l'entrée inverseuse du comparateur 12, à laquelle est relié le deuxième condensateur 200, et la 15 sortie du comparateur 12. Le condensateur 200 de capacité CL est raccordé entre le noeud d'intégration B et un point C correspondant à l'entrée inverseuse du comparateur 12. Le condensateur 200 doit disposer d'une capacité CL suffisamment forte devant les capacités parasites afin que les variations de tension au noeud d'intégration B soient, au premier ordre, 20 transmises à la deuxième entrée du comparateur 12. Dans cette première variante, le circuit d'injection 14 comporte une borne d'entrée E1, apte à être raccordée à un premier potentiel (V_inj_1) ou à un deuxième potentiel (V_inj_2). Il comporte également une borne de sortie S, qui correspond ici au noeud d'intégration B du détecteur 11. 25 Lorsque la borne d'entrée El est raccordée au premier potentiel (V_inj_1), le circuit d'injection 14 délivre une première charge 01. Lorsque la borne d'entrée El est raccordée au deuxième potentiel (V_inj_2), le circuit d'injection 14 délivre une deuxième charge Q2. Dans une première phase d'initialisation, la borne d'entrée El du 30 circuit d'injection 14 est raccordée au premier potentiel V_inj_1. Les deux interrupteurs 21 et 22 sont passants. La tension aux bornes de l'élément sensible 11 est donc égale à V_inj_1. L'interrupteur 1_3 est également passant. Le comparateur 12 est proche de son potentiel de basculement Vcomp_bascul. Le potentiel de basculement correspond au potentiel de seuil 35 Vcomp, à l'offset près du comparateur 12. La capacité CL du condensateur 200 est donc chargée à une tension égale à la différence entre le premier potentiel d'injection (V_inj_1) et le potentiel de basculement du comparateur 12, soit (V_inj_1 - Vcomp_bascul). On bloque alors l'interrupteur l_3. Le terme bloquer désigne le fait qu'on ouvre l'interrupteur. La charge sur le condensateur 200 est alors figée. Ainsi, la tension aux bornes de la capacité de liaison CL est fixée à une valeur prenant en compte le premier potentiel (V_inj_1) ainsi que le potentiel de basculement du comparateur (Vcompbascul), ce dernier pouvant être assimilé à un potentiel de référence fixe. En effet, il dépend du potentiel 1 0 de seuil (potentiel de l'entrée non inverseuse) et de l'offset du comparateur 12. Chaque fois que le potentiel du noeud d'intégration B atteint le premier potentiel d'injection V_inj_1, l'entrée inverseuse du comparateur 12 est au potentiel de basculement Vcomp_bascul. Lorsque l'interrupteur l_3 est bloqué, la capacité constitue un 15 moyen de mémorisation d'une différence entre le potentiel au noeud d'intégration, qui est aussi le potentiel de la borne de sortie S du circuit d'injection 14, et le potentiel de référence Vcomp_bascul. On rappelle que la borne de sortie S et le noeud d'intégration B étant confondus. A l'issue de la phase d'initialisation, la différence de potentiel 20 stockée aux bornes de la capacité est un potentiel à la sortie de l'injecteur, dit potentiel d'équilibre Vequ (avec, dans cet exemple, Vequ = V_inj_1) et le potentiel de référence Vcomp_bascul. Dans une deuxième phase d'utilisation du détecteur, les 25 interrupteurs 21 et 22 sont initialement bloqués. On règle alors le potentiel d'injection V_inj égal au deuxième potentiel V_inj_2, avec V_inj_2 - Vinj_l = delta_V_inj . 30 On active alors le premier interrupteur 21 par une impulsion, pour précharger le noeud A du circuit d'injection 14 au deuxième potentiel d'injection V_inj_2. Lorsqu'une interaction se produit dans le détecteur 11, la charge collectée par le détecteur modifie le potentiel VB au noeud d'intégration B. 35 Chaque fois que le potentiel au noeud d'intégration B atteint le potentiel d'injection V_inj_1, l'entrée C du comparateur 12 est à son potentiel de basculement. Un cycle d'injection de contre-charges est déclenché : lorsque le potentiel de l'entrée C du comparateur 12 est inférieur au potentiel de basculement Vcomp_bascul, l'interrupteur 22 est rendu passant par une impulsion de Phi_2. On injecte alors sur le noeud d'intégration B une deuxième charge Q2. La quantité Q2 de contre-charges injectées sur le noeud d'intégration B et donc sur l'élément sensible 11 vaut Q2 = (C_inj x delta_V_inj x C_det) (C_det + C_inj) Ainsi, la deuxième charge dépend du deuxième potentiel d'entrée V_inj_2 du circuit d'injection 14, et du potentiel de sortie V_inj_1 mémorisé alors que le circuit d'injection 14 délivre une première charge 01. L'ensemble formé par les deux interrupteurs 21 et 22 et le condensateur 143 de capacité d'injection C_inj peut être considéré comme une résistance à capacités commutées : la quantité de charge délivrée est proportionnelle à la différence de potentiel entre le potentiel d'entrée (V_inj_1 ou V_inj_2) et le potentiel de sortie. On répète le cycle de précharge et d'injection autant de fois que 20 nécessaire, c'est-à-dire jusqu'à ce que le potentiel au noeud B atteigne ou dépasse un potentiel d'équilibre Vequ, ce dernier étant égal à V_inj_1 dans ce mode de réalisation, l'effet des charges parasites ayant été négligé. Autrement dit, le circuit d'injection 14 injecte des charges en fonction de la valeur du potentiel au noeud d'intégration B, et les interrupteurs 21, 22 du 25 circuit d'injection 14 sont activés une pluralité de fois, dépendant de la quantité de charge collectée par le détecteur lors de l'interaction. Ces cycles sont comptés dans le compteur 13, de façon à estimer la charge totale collectée. L'introduction du condensateur 200 permet de s'affranchir des 30 variations de tension de basculement du comparateur 12. Elle permet aussi de choisir le potentiel de fonctionnement VB de l'élément sensible 11 indépendamment du potentiel de basculement du comparateur 12, ce qui est particulièrement intéressant quand l'élément sensible 11 et le comparateur 12 n'ont pas les mêmes optima de potentiel de fonctionnement. Par contre, la présence de capacités parasites dans le circuit électronique a pour conséquence une injection de charges Q2 beaucoup plus importantes qu'il n'est souhaité. En l'absence d'injection volontaire, c'est-à-dire si le deuxième potentiel d'injection V_inj_2 est choisi égal au premier potentiel d'injection V_inj_1, les couplages parasites créent une injection parasite Qpar. Ainsi, à chaque cycle d'injection des interrupteurs 21 et 22, une quantité Qpar est injectée sur le noeud d'intégration B alors que delta_V_inj = O. Par conséquent, le potentiel du noeud d'intégration B évolue positivement si Qpar est positive et négativement si Qpar est négative. Selon un deuxième mode de réalisation, on cherche à s'affranchir de l'effet de charges parasites, afin de maîtriser la quantité de charges injectées, à chaque cycle, lors du fonctionnement du détecteur. Selon ce mode de réalisation, au cours de la phase d'initialisation, on effectue successivement plusieurs injections de premières charges 01. A chaque injection, une quantité de charges parasites Qpar est injectée au noeud d'intégration B, cette quantité étant positive ou négative. Lors de l'injection suivante, si le potentiel du noeud d'intégration B est devenu positif (respectivement négatif) par rapport au premier potentiel V_inj_1, c'est-à-dire par rapport au potentiel de précharge du point A, alors, lorsque l'interrupteur 22 devient passant, une charge positive Qechap (respectivement négative) s'échappe de B pour aller vers A afin de s'opposer à la croissance (respectivement décroissance) du potentiel du noeud d'intégration B. Les charges s'échappant du noeud d'intégration B pour aller vers le point A sont d'autant plus importantes que la tension du noeud d'intégration B augmente (respectivement décroît). En présence de capacités parasites de couplage, il existe nécessairement un potentiel d'équilibre à la sortie de l'injecteur S, noté Vequ, pour lequel l'apport de charges Qpar par le parasite est égal à l'échappement des charges Qechap lorsque l'interrupteur 22 est passant. Lorsque ce potentiel d'équilibre est atteint, la charge injectée est nulle et ne fluctue pas du fait des charges parasites. Par charge injectée nulle, on entend une charge inférieure à un seuil prédéterminé, au dessous duquel l'injection de charge est considérée comme négligeable. La première charge 01 injectée peut être exprimée par la relation : 01 = (V_inj_1 - Vs)x(C_inj x C_det)/(C_det + C_inj) + Qpar, Vs correspondant au potentiel de sortie de l'injecteur (Vs = VO. Lorsque Vs atteint le potentiel d'équilibre Vequ, 01 = 0, donc Qpar = - (V_inj_1 - Vequ)x(C_inj x C_det)/(C_det + C_inj). Pour tenir compte de l'établissement d'un tel potentiel d'équilibre, le principe de fonctionnement du circuit comporte une phase d'initialisation 15 comportant les étapes suivantes : - Connexion d'une borne d'entrée du circuit d'injection à un premier potentiel, - Injection d'une première charge sur la borne de sortie du circuit d'injection, 20 - Mémorisation d'une différence entre un potentiel de sortie (Vs) du circuit d'injection (14), dit potentiel d'équilibre (Vequ), et un potentiel de référence Vref, cette mémorisation étant effectuée de préférence lorsque ladite première charge, délivrée par le circuit d'injection, est inférieure à un seuil prédéterminé, 25 - Eventuellement mise du noeud d'intégration à un potentiel de déclenchement, - Connexion d'une borne d'entrée du circuit d'injection à un deuxième potentiel, de telle sorte que l'injecteur délivre une deuxième charge en fonction de la différence entre le potentiel du noeud d'intégration et le 30 potentiel de déclenchement. Selon ce mode de réalisation, le potentiel de référence Vref est un potentiel fixe, correspondant au potentiel de basculement Vcomp_bascui du comparateur 35 La phase d'initialisation ainsi définie a pour but de prendre en compte tous les parasites et de les annuler. On donne au potentiel d'injection V_inj la valeur V_inj_1. Autrement dit, la borne d'entrée El du circuit d'injection 14 est raccordée au premier potentiel V_inj_1, de façon à injecter 5 une première charge 01 au noeud d'intégration B. L'interrupteur l_3 est passant. L'entrée C du comparateur 12 est à son potentiel de basculement Vcomp_bascul, c'est-à-dire V_C est égale à Vcomp_basce On active successivement les interrupteurs 21 et 22 un nombre suffisant de fois pour que le potentiel du noeud d'intégration B, qui correspond également au 1 0 potentiel de sortie du circuit d'injection 14, atteigne le potentiel d'équilibre Vequ précédemment décrit. En théorie, plus le nombre de cycles de fermeture et d'ouverture des deux interrupteurs 21 et 22 est élevé, plus le potentiel au noeud d'intégration B se rapproche asymptotiquement du potentiel d'équilibre Vequ. 15 Typiquement, on pulse entre 10 et 100 fois, sur une durée d'environ 50 ils. Le potentiel d'équilibre Vequ est atteint quand la charge injectée est considérée comme nulle, le potentiel du noeud d'intégration B étant alors égal à Vequ. A cet instant, ce potentiel d'équilibre Vequ n'évolue plus entre deux injections de charges successives. 20 Le circuit électronique comprend un moyen pour mémoriser la différence de potentiel entre le potentiel d'équilibre Vequ et un potentiel de référence Vref, correspondant dans cet exemple au potentiel de basculement du comparateur 12, au bout d'un nombre prédéterminé d'impulsions de déclenchement. Dans la pratique, on mémorise le potentiel d'équilibre 25 lorsqu'on estime qu'il est atteint à une erreur acceptable près. Lorsqu'il est atteint, le potentiel de sortie du circuit d'injection n'évolue plus de façon significative : la charge délivrée, à chaque injection de charge, est alors nulle à un seuil prédéterminé près. Le nombre prédéterminé d'impulsions de déclenchement est déterminé soit expérimentalement, soit par des 30 simulations. La phase d'initialisation s'achève par la mémorisation, aux bornes du condensateur 200 de capacité de liaison CL , d'une différence entre un potentiel de sortie Vs du circuit d'injection 14, dit potentiel d'équilibre Vequ, et le potentiel de référence Vref. Cette mémorisation est obtenue en ouvrant 35 l'interrupteur l_3, de telle sorte que la charge sur le condensateur 200 soit figée et égale à Vequ - Vcomp_bascul- Cette charge prend en compte non seulement les variations de tension de basculement du comparateur 12, mais aussi la tension d'équilibre du noeud d'intégration B liée aux couplages parasites. La suite du fonctionnement du circuit est identique au cas présenté précédemment : la borne d'entrée El du circuit d'injection de charges 14 est raccordée à un deuxième potentiel V_inj_2., de telle sorte qu'à chaque injection de charge, le circuit d'injection de charges 14 injecte une deuxième charge Q2, Q2 = (V_inj_2 - Vequ)x(C_inj x C_det)/(C_det + C_inj) + Qpar, où Qpar représente la charge parasite. Or Qpar = (V_inj_1 - Vequ) x (C_inj x C_det)/(C_det + C_inj). Donc Q2 = (V_inj_2 - V_inj_1)x(C_inj x C_det)/(C_det + C_inj). On remarque que la quantité de contre-charges injectée QO = Q2 est indépendante de Qpar. Chaque fois que le potentiel au noeud d'intégration s'écarte du potentiel d'équilibre Vequ, et donc que le comparateur 12 est à son potentiel de basculement, un cycle d'injection de contre-charges est déclenché, les interrupteurs 21 et 22 étant actionnés. On injecte alors sur le noeud d'intégration B une charge Q2. On répète le cycle de précharge et d'injection autant de fois que nécessaire, c'est-à-dire jusqu'à ce que le potentiel au noeud B atteigne le potentiel de basculement Vcump_basce Ces cycles sont comptés dans le compteur. On remarque que selon ce mode de réalisation, le potentiel de déclenchement, qui correspond au potentiel en deçà duquel 3012 705 18 une injection de charges est commandée, correspond au potentiel d'équilibre Vequ. La phase d'initialisation permet de supprimer l'effet des parasites de couplage d'une façon automatique. Elle permet de s'adapter aux 5 variations que l'on peut rencontrer sur un pixel, à savoir les variations technologiques, thermiques, de pilotage, ainsi que les variations dues au vieillissement. Ainsi, on maîtrise la contre-charge injectée à chaque basculement du comparateur, cette dernière pouvant être ajustée en réglant V_inj_1 et 10 V_inj_2. On peut renouveler la phase d'initialisation par exemple lorsque la température ambiante varie ou de façon périodique pour se prémunir du vieillissement. 15 Selon une variante de ce mode de réalisation, représentée sur le pixel 20' de la figure 2B, le circuit d'injection 14 comporte une borne d'entrée 145 apte à être commutée entre : - un premier potentiel d'entrée, égal à Phi_inj_1 et un potentiel de base Phi_inj_0, 20 OU - un deuxième potentiel d'entrée, égal à Phi_inj_2 et un potentiel de base Phi_inj_0. Par ailleurs, le circuit d'injection 14 est connecté à un potentiel 25 d'alimentation fixe V_inj. L'injection d'une charge est obtenue en actionnant l'interrupteur 21, de façon à précharger la capacité d'injection C_inj, tandis que la borne d'entrée 145 est reliée au potentiel de base Phi_inj_0. Lorsque la capacité C_inj est préchargée, l'interrupteur 21 est bloqué puis l'interrupteur 22 est rendu passant ; la borne d'entrée 145 est alors reliée au 30 premier potentiel Phi_inj_1, permettant l'injection d'une première charge 01 à la sortie S du circuit d'injection 14, qui correspond au noeud d'intégration B. 01 = (V_inj - Vs)x(C_inj x C_det)/(C_det + C_inj) + Qpar + (Phi_inj_1 - Phi_inj_0) x (C_inj x C_det)/(C_det + C_inj). 3012 705 19 Durant la phase d'initialisation, de même que dans le précédent mode de réalisation, on effectue une pluralité d'injections de premières charges 01, jusqu'à ce que le potentiel de sortie Vs atteigne un potentiel d'équilibre Vequ. A ce moment, la première charge injectée 01, inférieure à un 5 seuil prédéterminé, est considérée comme nulle. On bloque alors l'interrupteur 1_3, de façon à mémoriser, aux bornes de la capacité C2, une différence entre le potentiel d'équilibre Vequ à la sortie de l'injecteur (c'est-à-dire au noeud d'intégration B) et un potentiel de référence, Vref, ce dernier correspondant au potentiel de basculement Vqomp_bascul du comparateur 12. 10 A l'issue de cette phase d'initialisation, la borne d'entrée 145 est commutée entre le potentiel de base Phi_inj_0 et le deuxième potentiel Phi_inj_2, de telle sorte que le circuit d'injection 14 est apte à générer une deuxième charge Q2, telle que 15 20 Vequ, Q2 = (V_inj - Vequ)x(C_inj x C_det)/(C_det + C_inj) + Opar + (Phi_inj_2 - Phi_inj_0) x (C_inj x C_det)/(C_det + C_inj). Comme précédemment observé, sachant que 01 = 0 lorsque Vs = Q2 = (Phi_inj_2 - Phi_inj_1)x(C_inj x C_det)/(C_det + C_inj). On remarque que la quantité de contre-charges injectée 00 = Q2 est indépendante de Opar. 25 De même que dans l'exemple précédent, le potentiel de déclenchement, qui correspond au potentiel en deçà duquel une injection de charges est commandée, correspond au potentiel d'équilibre Vequ. Les interrupteurs 21, 22 et 1_3 ne sont jamais parfaits. Ils 30 possèdent des courants de fuite lorsqu'ils sont bloqués. Pour les interrupteurs 21 et 22, les courants de fuite s'ajoutent au courant de l'élément sensible 11. L'élément sensible 11 possède lui-même un courant de fuite généralement supérieur aux courants de fuite des interrupteurs. Ces courants de fuite peuvent être éliminés par des calibrations d'offset. Les courants de fuite des interrupteurs 21 et 22 sont ainsi traités simultanément. Par contre, les courants de fuite de l'interrupteur 1_3 s'accumulent au point C, donc sur une des armatures du condensateur 200. Ces courants de fuite modifient petit à petit la valeur de la charge accumulée dans le condensateur 200 lors de la phase d'initialisation. Lorsque la dérive de la valeur des contre-charges devient inacceptable, il faut relancer un cycle d'initialisation. Comme il est souhaitable d'espacer au maximum les cycles d'initialisation, on a tout intérêt à réduire autant que possible le courant de fuite de l'interrupteur 1_3. La figure 3 représente un schéma électrique d'un pixel 30, autre mode de réalisation de la première variante présentée sur la figure 2A dans un détecteur de rayonnement selon l'invention. Le schéma électrique du pixel 30 comprend les mêmes éléments que le schéma du pixel 20 représenté sur la figure 2A. L'interrupteur 1_3 est un transistor de type MOS comprenant une grille G, une source S, un drain D. La source S et le drain D forment deux bornes. Une première borne (dans cet exemple la source) est connectée à la deuxième entrée du comparateur 12, et une seconde borne (dans cet exemple le drain) est connectée à la sortie du comparateur 12. Il est à noter que les appellations source et drain peuvent être inversées sur un transistor MOS en contre-réaction d'un amplificateur. La fuite sur la source S peut provenir d'une fuite dépendant de la tension source-drain. Cette tension est nulle à la fin de la phase d'initialisation, mais ensuite, si le potentiel de source, c'est-à-dire le potentiel d'entrée du comparateur 12, bouge très peu, le potentiel drain, c'est-à-dire le potentiel de sortie du comparateur 12, bouge au contraire beaucoup en fonction des photocharges détectées. La fuite peut aussi provenir d'une fuite dépendant de la tension source-substrat. La figure 4 représente une autre variante d'un schéma électrique d'un pixel 40 dans un détecteur de rayonnement selon l'invention. Le schéma électrique du pixel 40 comprend les mêmes éléments que le schéma du pixel 30 représenté sur la figure 3. Il comprend en plus un interrupteur 1_4 raccordé entre le drain D de l'interrupteur 1_3 et la sortie du comparateur 12, un condensateur C2 raccordé entre le drain D de l'interrupteur 1_3 et une tension fixe, un condensateur C3 raccordé entre la source S et le drain D de l'interrupteur 1_3. Cette variante permet de réduire le courant de fuite de l'interrupteur 1_3. Pendant la phase d'initialisation, les interrupteurs 1_3 et 1_4 sont passants. Le fonctionnement reste inchangé par rapport au fonctionnement correspondant à la figure 2A. A la fin de la phase d'initialisation, les interrupteurs 1_3 et 1_4 sont bloqués. De préférence, l'interrupteur 1_3 est bloqué avant l'interrupteur 1_4. Avant le blocage de l'interrupteur 1_3, les tensions source et drain du transistor de type MOS formant l'interrupteur 1_3 sont égales. Le blocage de l'interrupteur 1_3 transforme le montage du comparateur 12 en un montage intégrateur, le condensateur d'intégration étant C3. La charge parasite Qpar de l'interrupteur 1_3 injectée en C par le blocage de l'interrupteur 1_3 est donc principalement stockée sur le condensateur d'intégration C3. La charge parasite Qpar de l'interrupteur 1_3 ne crée donc quasiment pas de perturbation au noeud C. Quant à la perturbation créée au noeud D, elle vaut -Qpar/C3. La charge parasite Qpar de l'interrupteur 1_3 étant une charge parasite, donc faible, la perturbation du noeud D est donc aussi faible, bien que notablement plus importante qu'au noeud C. Le courant de fuite source-drain de l'interrupteur 1_3 dépendant de la différence des tensions entre C et D est donc ainsi faible. Lors du blocage de 1_4, la charge parasite injectée au noeud D est stockée sur C2. Si la capacité de C2 a été choisie suffisamment grande, alors la variation de tension du noeud D est faible, et la différence des tensions entre C et D reste faible. Le courant de fuite source-drain de l'interrupteur 1_3 reste donc faible. La figure 5 représente une autre variante d'un schéma électrique d'un pixel 50 dans un détecteur de rayonnement selon l'invention. Le schéma électrique du pixel 50 comprend les mêmes éléments que le schéma du pixel 40 représenté sur la figure 4. Le transistor MOS formant l'interrupteur 1_3 est réalisé sur un substrat Sub, et le substrat Sub est connecté au drain D de l'interrupteur 1_3. La fin de la phase d'initialisation assure une quasi-égalité entre les tensions à la deuxième entrée du comparateur 12, au point D et Vcomp_bascul. La tension entre la source S et le drain D de l'interrupteur 1_3 est réduite, d'où une réduction des courants de fuite dans l'interrupteur 1_3. La connexion du substrat Sub de l'interrupteur 1_3 au drain D assure que la tension source-substrat de l'interrupteur 1_3 est quasiment nulle. De ce fait, le courant de fuite source-substrat est limité. Il est à noter que la mise en oeuvre de la connexion du substrat 5 Sub de l'interrupteur 1_3 au condensateur C2 suppose que le procédé technologique employé pour la réalisation des transistors MOS (et donc de l'interrupteur 1_3) autorise à connecter comme on le souhaite le substrat Sub de l'interrupteur MOS 1_3. Si on utilise un MOS P, cela ne pose généralement pas de problème. Néanmoins, si on utilise un MOS N, les 10 règles de conception, dépendantes du procédé technologique utilisé, interdisent parfois cette connexion. Le choix d'un MOS N ou P dépend aussi de la tension de basculement du comparateur 12 que l'on souhaite avoir. La figure 6 représente un autre mode de réalisation d'un schéma 15 électrique d'un pixel 60 dans un détecteur de rayonnement selon l'invention. Selon l'invention, le circuit d'injection 14 est relié au noeud d'intégration B auquel est relié l'élément sensible 11. Le circuit d'injection 14 est apte à délivrer une première charge 01 ou une deuxième charge Q2. Le comparateur 12 est relié au noeud d'intégration B au niveau de sa borne 20 positive. Le circuit électronique du pixel 60 comprend en outre des moyens pour placer l'entrée inverseuse du comparateur 12 à un potentiel de seuil Vcomp quand le noeud d'intégration atteint un potentiel d'équilibre, et un moyen de mémorisation connecté à une entrée du comparateur 12 aptes à stocker la tension de basculement du comparateur 12. 25 Tout comme sur la figure 2A, le moyen de mémorisation comprend un condensateur 201 relié à une entrée du comparateur 12 et un interrupteur 1_3 raccordé entre l'entrée du comparateur 12 à laquelle est relié le condensateur 201 et la sortie du comparateur 12. Le condensateur 201 est raccordé entre la borne négative du comparateur 12 et une tension fixe, par 30 exemple la masse électrique. Pendant une phase d'initialisation, l'interrupteur 1_3 est passant. Les interrupteurs 21 et 22 du circuit d'injection 14 sont activés de façon à injecter successivement des premières charges 01 au noeud d'intégration B, jusqu'à ce que le potentiel au noeud d'intégration atteigne un potentiel 35 d'équilibre Vequ. Le potentiel du noeud d'intégration B n'évolue plus, c'est-à- dire que si on active les interrupteurs 21 et 22, la charge injectée est négligeable à un seuil prédéterminé près. Le potentiel d'équilibre Vequ du noeud d'intégration B, qui correspond au potentiel de la borne positive du comparateur 12, se retrouve 5 à la borne négative de ce comparateur à un offset près. On bloque alors l'interrupteur l_3. Le condensateur 201 permet alors de mémoriser une différence entre un potentiel de sortie Vs du circuit d'injection 14, dit potentiel d'équilibre Vequ, lorsque ladite première charge, est inférieure à un seuil prédéterminé, et un potentiel de référence Vref. Dans 10 cet exemple, le potentiel de référence, fixe, est la masse. De même que dans l'exemple précédent, le potentiel de basculement correspond au potentiel d'équilibre Vequ. Avec la variante présentée sur les figures 2A à 6, le potentiel de 15 basculement Vcomp_bascui du comparateur 12 est fixe et le potentiel d'équilibre Vequ au noeud d'intégration B est différent de la tension de basculement Vcomp_bascul du comparateur 12. Avec la variante présentée sur la figure 6, la tension de seuil Vcomp du comparateur 12 est variable et est ajustée en fonction du potentiel 20 d'équilibre Vequ au noeud d'intégration. Dans les deux cas, un condensateur permet de mémoriser la différence entre le potentiel d'équilibre Vequ au noeud d'intégration B et un potentiel de référence, ce dernier étant : - le potentiel Vcomp_bascul dans la variante présentée sur les figures 2A à 25 5, - la masse dans la variante présentée sur la figure 6. Dans les variantes présentées aux figures 2A, 2B, 3, 4, 5 et 6, la quantité de charges injectées pendant la phase d'initialisation pour que le 30 potentiel de sortie de l'injecteur atteigne un point d'équilibre dépend de la différence de potentiels entre la sortie du circuit d'injectionl4 et une borne d'entrée (141 ou Phi_inj_1) du circuit d'injection 14. Dans les figures 2A à 6, durant la phase d'utilisation, la quantité de charge injectée à chaque injection de charges dépend également de la 35 différence de potentiels entre la sortie du circuit d'injection 14 et une borne d'entrée (141 ou Phi_inj_1) du circuit d'injection 14. Cependant, cela n'est pas le cas dans la figure 7. En effet, dans la variante décrite dans cette figure, le circuit d'injection de charge comporte deux entrées, et la charge injectée dépend de la différence de potentiels de chacune de ses entrées. Lors de la phase d'initialisation, une borne d'entrée est reliée à la borne de sortie, tandis que lors de la phase d'utilisation, la borne de sortie est reliée au noeud d'intégration, mais pas à une borne d'entrée. Durant la phase d'utilisation, le fait que l'injection de charges soit indépendante du potentiel de sortie permet de s'affranchir de la fluctuation du 10 potentiel de sortie lorsque la sortie du circuit d'injection est raccordée au noeud d'intégration. La figure 7 représente une variante d'un schéma électrique d'un pixel 70 dans un détecteur de rayonnement selon l'invention. Le schéma 15 électrique du pixel 70 comprend les mêmes éléments que le schéma du pixel 10 représenté sur la figure 1. Selon l'invention et de même que dans la variante présentée sur la figure 2A, le circuit d'injection 14 relié au noeud d'intégration B est apte à délivrer une charge Qtot. Ce circuit d'injection comporte un premier circuit d'injection 141 et un deuxième circuit d'injection 20 142. Le premier circuit d'injection 141, décrit dans la demande de brevet FR2977413, permet de délivrer une charge positive au point de sortie S. Il comporte deux transistors MOS 211 et 221, de type p, reliés à un générateur d'impulsions positives Phi1 1. L'impulsion Phi1 1 permet de 25 précharger le noeud d'injection Al du premier circuit d'injection 141. Le transistor 221 est apte à être activé par une impulsion Phi21, pour injecter la charge au point de sortie S. Le potentiel crête du générateur d'impulsion Phi_21 correspond au potentiel de l'entrée E. Le circuit d'injection 142 est un circuit similaire, pour délivrer une 30 charge négative au point de sortie S. On note que dans le deuxième circuit d'injection, les transistors MOS 212 et 222 sont des transistors de type n. L'impulsion Phi12 permet de précharger le noeud d'injection A2 du deuxième circuit d'injection 142. Le transistor 222 est apte à être activé par une impulsion Phi22, pour injecter la charge au point de sortie S. Le potentiel 35 crête du générateur d'impulsion Phi_22 correspond au potentiel de l'entrée E. 3012 705 25 Le moyen de mémorisation comprend un condensateur Cmem, dont une première borne est connectée au noeud E et dont une seconde borne est connectée à un potentiel de référence. Le moyen de mémorisation comprend également un interrupteur 1_1 raccordé entre le noeud E et le point 5 de sortie S. Le noeud E est équivalent au noeud d'intégration B quand l'interrupteur 1_1 est passant. Notons que les transistors 221 et 222 sont polarisés en mode de saturation : la charge qu'ils delivrent ne dépend pas du potentiel au point de sortie S. Par ailleurs, les deux circuits d'injection 141 et 142 comportent une même borne d'entrée E. Il existe un certain potentiel de E, pour lequel les charges respectivement injectées par le premier et le deuxième circuit d'injection (141 et 142) s'annulent. Les circuits d'injection 141 et 142 sont activés de façon synchrone. A cet effet, le circuit électronique représenté sur la figure 7 comprend également un circuit de commande 15 de façon à déclencher une série d'injections de charges indépendamment de la sortie du comparateur 12 pendant la phase d'initialisation. Lors de la phase d'initialisation, l'interrupteur 1_1 est passant. Ainsi, le potentiel de sortie Vs de l'injecteur est égal au potentiel d'entrée VE 20 (Vs = VE). Un interrupteur 1_2, situé entre la sortie de l'injecteur et le noeud d'intégration B, est préférentiellement bloqué. La phase d'initialisation consiste à actionner les circuits d'injection 141 et 142 une série de fois. A chaque injection, le noeud d'injection S reçoit la charge Qtot = C x (Vg1 - Vs) + C2 x (Vg2 - Vs) + Qpar. La charge injectée 25 Qtot dépend de la valeur de Vs : Si Vs > (C x Vg1 + C2 x Vg2 + Qpar)/(C+C2), alors Qtot 0, et Vs augmente ; Si Vs = (C x Vg1 + C2 x Vg2 + Qpar)/(C+C2), alors Qtot=O, et Vs est 30 constante. En fin de phase d'initialisation une valeur d'équilibre Vequ est obtenue pour Vequ = (C x Vg1 + C2 x Vg2 + Qpar)/(C+C2). Cette valeur prend en compte les parasites ou la dérive thermique qu'il peut y avoir. Le potentiel de sortie Vs atteint alors un potentiel d'équilibre Vequ, pouvant être mémorisé aux bornes du condensateur Cmem en bloquant l'interrupteur 1_1. Ainsi, le condensateur forme un moyen de mémorisation apte à stocker une différence de potentiel entre le potentiel d'équilibre et un potentiel de référence, en l'occurrence la masse. A la fin de la phase d'initialisation, les interrupteurs I_2 et I_3 sont 10 rendus passants. Ainsi, Vs = VS = Vcomp_bascul- L'interrupteur 1_3 est alors bloqué. Lors de la phase de fonctionnement, une des commandes (Vg1, Vg2) d'un transistor 211 ou 212 est ajustée, de façon que l'injecteur 14 injecte une charge non nulle et indépendante du potentiel de sortie V. 15 Ainsi, lors de la phase de fonctionnement, la charge injectée ne dépend que du potentiel d'équilibre Vequ et du potentiel de commande (Vg1, Vg2) ainsi modifié. Comme décrit précédemment, lors de la phase d'initialisation, on 20 laisse la tension au noeud de sortie S évoluer pour trouver sa valeur d'équilibre. Afin que cet état d'équilibre soit obtenu, il est nécessaire que l'élément sensible 11 ne délivre pas de courant sur ce noeud S. Dans le cas de la variante décrite en figure 7, ceci est préférentiellement obtenu en bloquant l'interrupteur 1_2 pendant cette phase d'initialisation.Pour les cas 25 des variantes décrites dans les figures 2A à 6, une solution de base consiste à effectuer la phase d'initialisation à un moment où l'élément sensible 11 n'est pas soumis au rayonnement auquel il est sensible. Ceci est en particulier possible en radiologie lorsque des tubes émetteurs de rayons X pulsés sont utilisés. Entre deux phases d'irradiation correspondant à deux 30 images successives, il y a une phase d'obscurité dont on peut profiter pour faire l'initialisation. Néanmoins, pour certaines applications, l'irradiation est continue. C'est le cas en radiologie lorsque des tubes émetteurs de rayons X continus sont utilisés. C'est aussi le cas pour un détecteur de rayonnement visible ou 35 infrarouge. De plus, même avec une phase d'obscurité, il arrive que le 3012 705 27 courant de l'élément sensible 11 ne s'annule pas. C'est le cas par exemple lorsqu'il y a du traînage qui peut être dû au détecteur lui-même ou à un autre élément tel qu'une couche scintillatrice recouvrant un élément photosensible. Il faut donc stopper le courant de l'élément sensible 11 pendant la 5 phase d'initialisation. La figure 8 représente une autre variante d'un schéma électrique d'un pixel dans un détecteur de rayonnement selon l'invention. Le schéma électrique du pixel 80 comprend les mêmes éléments que le schéma du pixel 20 représenté sur la figure 2A. Dans la figure 8, le circuit électronique comprend un interrupteur 1_5 raccordé entre l'élément sensible 11 et le noeud d'intégration B. De même, il est tout à fait possible de raccorder l'interrupteur 1_5 entre l'élément sensible 11 et le noeud d'intégration B dans les schémas électriques des pixels 20', 30, 40, 50, 60 et 70 représentés sur les figures 2B, 3, 4, 5, 6 et 7. La phase d'initialisation comporte au préalable une étape de déconnexion de l'élément sensible 11 du noeud d'intégration B au moyen de l'interrupteur 1_5. Pendant la phase d'initialisation, l'interrupteur 1_5 est ouvert. Il est à noter que les charges créées par l'éclairement pendant l'ouverture de l'interrupteur 1_5 ne sont pas perdues. Elles s'accumulent sur la capacité de l'élément sensible 11 et rejoindront le noeud d'intégration B après la fin de la phase d'initialisation, après fermeture de l'interrupteur 1_5. Avantageusement, on peut remplacer l'élément sensible 11 et l'interrupteur 1_5 par une diode pincée, aussi appelée « pinned diode » dans la littérature anglo-saxonne. Et pour pouvoir travailler en irradiation continue, on peut utiliser une diode pincée munie d'un transistor de sortie, aussi appelé Transfer Gate dans la littérature anglo-saxonne. Une telle diode pincée dispose de plusieurs avantages. La zone de détection et la zone de drain sur laquelle les charges s'accumulent sont disjointes. La zone de drain est notablement moins capacitive que dans une photodiode classique pour laquelle la zone capacitive correspond à la zone de détection. Le circuit électronique dans lequel la diode pincée est intégrée est donc beaucoup plus sensible. Lorsque le transistor de sortie est bloqué, les charges s'accumulent sur la zone de détection, et la capacité électrique de la sortie reste égale à celle de la zone de drain. Elle est donc inchangée. Ceci améliore la qualité de la phase d'initialisation. La figure 9 illustre les étapes d'une phase d'initialisation mettant en oeuvre le circuit électronique selon l'invention. La phase d'initialisation comporte les étapes suivantes : - Connexion d'une borne d'entrée de l'injecteur à un premier potentiel (étape 301), - Injection d'une première charge sur la borne de sortie de l'injecteur (étape 302), - Mémorisation d'une différence entre un potentiel de sortie Vs du circuit d'injection 14, dit potentiel d'équilibre Vequ, et un potentiel de référence Vref, cette mémorisation étant effectuée de préférence lorsque ladite première charge, délivrée par le circuit d'injection, est inférieure à un seuil prédéterminé (étape 303), - Mise du noeud d'intégration à un potentiel de déclenchement (étape 304), - Connexion d'une borne d'entrée de l'injecteur à un deuxième potentiel (étape 305), de telle sorte que l'injecteur délivre une deuxième charge en fonction de la différence entre le potentiel du noeud d'intégration et le 20 potentiel de déclenchement. La phase d'initialisation peut comporter au préalable une étape de déconnexion de l'élément sensible 11 du noeud d'intégration B (étape 300). 25 Selon la variante du schéma électrique d'un pixel selon l'invention, le circuit d'injection 14 peut injecter une première charge (étape 302) en fonction de la valeur du potentiel du noeud d'intégration B, et les interrupteurs 21, 22 du circuit d'injection 14 sont activés une pluralité de fois (étape 301). La pluralité est prédéterminée de façon à ce que les charges injectées 30 atteignent une valeur inférieure à une valeur de seuil prédéterminé. Ainsi, la phase d'initialisation comporte l'injection d'un nombre prédéterminé de premières charges, suite à quoi le noeud d'intégration B atteint un potentiel d'équilibre. Autrement dit, la phase d'initialisation comporte la commande d'un nombre prédéterminé N d'impulsions de 35 déclenchement, de telle sorte qu'au bout de N impulsions, ladite première charge injectée soit inférieure audit seuil prédéterminé. N peut être égal à 1, mais est en général compris entre 10 et 100. La figure 10 représente un détecteur de rayonnement 90 5 comprenant un circuit électronique selon l'invention. Le détecteur de rayonnement 90 peut comporter le circuit électronique 20, 20', 30, 40, 50, 60, 70 ou 80 représentés sur les figures 2A, 2B, 3, 4, 5, 6, 7 et 8. Le détecteur peut être un détecteur matriciel. Les pixels sont arrangés en lignes et en colonnes pour former une matrice. La matrice peut comporter une seule 10 ligne. On parle dans ce cas de barrette. Le compteur 13 peut être connecté en sortie du comparateur 12, de manière à comptabiliser des franchissements de la tension de seuil Vcomp par la tension de détection. Le compteur 13 peut aussi être connecté en bout de ligne de la matrice ou barrette. 15 Selon une variante, applicable à l'ensemble des modes de réalisations précédemment décrits, lors de la phase de fonctionnement du détecteur, la quantité de charges délivrée par le circuit d'injection de charges 14 est variable. 20 Autrement dit, le circuit d'injection de charges 14 est adapté pour générer une deuxième charge, mais également une troisième charge, différente de la deuxième charge. Ainsi, durant la phase de fonctionnement, un moyen de 25 commande peut agir sur le circuit d'injection de charges, de façon à moduler la charge délivrée par le circuit d'injection 14 à chaque injection de charge. On rappelle qu'au début de la phase de fonctionnement, le noeud d'intégration B est placé à un potentiel de déclenchement, de façon que, 30 lorsque le noeud d'intégration B intègre des charges générées par le détecteur, une injection de charges soit déclenchée jusqu'à ce que le potentiel au noeud d'intégration B atteigne le potentiel de déclenchement. Lorsque le détecteur est utilisé en mode comptage, au cours d'une 35 interaction, au cours de laquelle le détecteur de rayonnement collecte des électrons, le potentiel au noeud d'intégration B chute. Tant que le potentiel du noeud d'intégration B est inférieur au potentiel de déclenchement préalablement établi, le circuit commande des injections de contre-charges. Le nombre de cycles d'injections est un indicateur de l'énergie libérée dans le détecteur par l'interaction. Un compteur 13 permet le comptage du nombre de cycles d'injections de charge, ce qui permet une estimation de l'énergie. Dans un tel fonctionnement, la charge injectée à chaque cycle doit être inférieure à l'énergie maximale. Il peut notamment s'agir de la moitié de l'énergie maximale, voire du dixième, voire du centième, en fonction de la performance souhaitée en terme de résolution en énergie. Typiquement, une contre-charge équivalente à 100 electrons peut être injectée à chaque cycle d'injection. Lorsque le détecteur est utilisé en mode intégration, on accumule la quantité de charges collectées par le détecteur durant une période donnée. Le nombre de cycles d'injections est un indicateur de l'énergie libérée dans le détecteur pendant la durée d'intégration. Un compteur permet le comptage du nombre de cycles d'injections de charge, ce qui permet une estimation de l'énergie collectée au cours de la période d'interaction. La dynamique de mesure est bien supérieure au cas précédent, la quantité de charges collectées pouvant être beaucoup plus importante. Dans un tel mode de réalisation, la contre-charge injectée à chaque cycle d'intégration peut être plus importante, par exemple 10 fois ou 100 fois supérieure à celle injectée lorsque le détecteur fonctionne en mode comptage. Le fait d'utiliser une contre-charge plus importante réduit le nombre de cycles d'injections de contre-charges, ce qui réduit la consommation, au détriment de la précision de l'estimation de la charge totale collectée par le détecteur. Ainsi, lorsqu'on souhaite estimer la quantité de charges collectée 35 lors de chaque interaction, (mode comptage), le circuit d'injection de charges est configuré pour injecter une deuxième quantité de charges Q2. Pour cela, un commutateur place une borne d'entrée du circuit d'injection à un deuxième potentiel (V_inj_2, Phi_inj_2). A l'inverse, lorsqu'on souhaite estimer la quantité de charges collectée par le détecteur durant une période donnée, le circuit d'injection de charges 14 est configuré pour injecter une troisième quantité de charges Q3, telle que Q3 > Q2, comme représenté sur la figure 2C du pixel 20". Le schéma de la figure 2C comprend les mêmes éléments que le schéma de la figure 2B. De plus, un commutateur place une borne d'entrée du circuit d'injection 14 à un troisième potentiel (V_inj_3, Phi_inj_3). Selon un perfectionnement, ce commutateur peut agir sur le circuit d'injection de contre charges 14 en fonction d'un nombre de cycles d'injections de contre charges mémorisé dans le compteur 13. La quantité de charge générée par chaque contre-charge est alors modulée en fonction du nombre de cycles d'injection enregistré dans le compteur 13. Par exemple, lorsque le détecteur fonctionne en intégration, le circuit peut être configuré pour injecter une quatrième quantité de charges Q4. Pour cela, un commutateur place une borne d'entrée du circuit d'injection à un quatrième potentiel (V_inj4, Phi_inj4). Tant que le nombre d'injections de contre-charges n'a pas atteint un seuil prédéterminé, la quantité de charges à chaque injection s'élève à Q3. Lorsque le seuil est franchi, la quantité de charges à chaque injection s'élève à Q4, avec Q3 Tant que cette durée atteint un certain pourcentage, par exemple 90%, de la durée totale d'intégration T, la quantité de charges à chaque injection s'élève à Q3. Au-delà, et jusqu'à la fin de la période d'intégration T, la quantité de charges à chaque injection s'élève à Q4. Cela permet d'améliorer la précision de la mesure. Selon ce perfectionnement, Q4 Lorsque le commutateur piloté par la commande l_inj est bloqué, la valeur de la contre-charge injectée lors de chaque injection de charge est égale à : Q2 = (Phi_inj_2 - Phi_inj_0) x (C_inj x C_det)/(C_det + C_inj). Lorsque le commutateur piloté par la commande l_inj est passant la valeur de la contre-charge injectée lors de chaque injection de charge est égale à : Q2 = (Phi_inj_2 - Phi_inj_0) x ((C_inj + C_inj2) x C_det)/(C_det + C_inj + C_inj2). Ainsi, le circuit d'injection 14 peut comporter une deuxième capacité d'injection, apte à être connectée au noeud d'injection, ce qui 25 permet de moduler la charge générée par le circuit d'injection 14. On note qu'un tel circuit d'injection ne nécessite pas forcément le recours à une phase d'initialisation, afin d'établir un potentiel d'équilibre au niveau de la sortie de l'injecteur, correspondant à une injection de charge 30 négligeable. De même, un tel circuit d'injection ne nécessite pas forcément un moyen de mémorisation du potentiel d'équilibre décrit en lien avec les figures 1 à 7. Selon un autre mode de réalisation illustré sur la figure 13, on 35 dispose d'un moyen pour moduler la capacité apparente du détecteur C_det. Il peut notamment s'agir d'une capacité dite capacité de lest et notée C_lest, disposée parallèlement au détecteur, et apte à être connectée au noeud d'intégration B lorsqu'un interrupteur l_lest est activé. L'activation de l'interrupteur l_lest augmente la capacité apparente C_app du détecteur, cette dernière prenant la valeur C_app = C_det + C_lest. Inversement, le blocage de l'interrupteur l_lest diminue la capacité apparente C_app du détecteur, cette dernière prenant la valeur C_app = C_det. En se référant au mode de réalisation représenté sur la figure 2A, 10 lors de chaque injection de charge, le potentiel au noeud d'intégration B varie selon l'expression : AVB = (V_inj_2 - V_inj_1) x C_inj / (C_det + C_inj). 15 De même, en se référant au mode de réalisation représenté sur la figure 2B, lors de chaque injection de charge, le potentiel au noeud d'intégration B varie selon l'expression : AVB = (Phi_inj_2 - Phi_inj_1) x C_inj / (C_det + C_inj). 20 On remarque que la variation de potentiel au noeud d'intégration B évolue en fonction de la capacité du détecteur. Lorsque le détecteur fonctionne en mode comptage, il est préférable que, pour une injection de charge donnée, la variation de potentiel au point B soit importante, de façon 25 à diminuer le temps de réaction du comparateur. Aussi, il est préférable que C_det soit faible. Lorsque le détecteur fonctionne en mode intégration, la quantité de charge injectée peut être choisie plus importante. Afin de limiter la 30 variation de potentiel au point B, il est préférable que C_det soit plus élevée. En activant l'interrupteur l_lest, de façon à ajouter une capacité montée en parallèle par rapport au détecteur, on obtient, sur la configuration représentée sur la figure 2A 35 AVB = (V_inj_2 - V_inj_1) x C_inj / (C_app + C_inj). L'ajout de la capacité C_lest permet de contrôler la plage de variation du potentiel au noeud d'intégration. Cela permet par exemple de placer le potentiel au noeud d'intégration dans une plage de fonctionnement acceptable, compatible avec le bon fonctionnement du circuit. REVENDICATIONS1. Circuit électronique pour détecteur de rayonnement comprenant : - un élément sensible (11) au rayonnement, - un circuit d'injection (14), apte à injecter une charge à une borne de l'élément sensible (11), le circuit d'injection (14) s'étendant entre au moins une borne d'entrée (El) et une borne de sortie (S), la borne de sortie (S) étant apte à être connectée audit élément sensible (11), le circuit d'injection (14) étant apte à produire une charge sous l'effet d'une impulsion de déclenchement, caractérisé en ce que - le circuit d'injection (14) est apte à injecter une première charge lorsqu'une borne d'entrée (El) est raccordée à un premier potentiel d'entrée et une deuxième charge lorsqu'une borne d'entrée (El ) est raccordée à un deuxième potentiel d'entrée (V_inj_2, Phi_inj), - et en ce que le circuit comporte un moyen de mémorisation d'une différence entre un potentiel de sortie (Vs) du circuit d'injection (14), dit potentiel d'équilibre (Vequ), et un potentiel de référence (Vref) et de telle sorte que la deuxième charge dépende du deuxième potentiel d'entrée et dudit potentiel d'équilibre (Vequ). 2. Circuit électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen pour mémoriser ladite différence de potentiel au bout d'un nombre prédéterminé d'impulsions de déclenchement. 3. Circuit éléctronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend un comparateur (12) possédant un potentiel de basculement (Vcomp_bascul), avec une première entrée recevant un potentiel de seuil et une deuxième entrée apte à être connectée à un noeud d'intégration (B) pouvant stocker des charges électriques générées par l'élément sensible (11) à la réception du rayonnement, les charges entraînant une variation d'un potentiel au noeud d'intégration (B), et en ce que le circuit d'injection (14) est apte à injecter des charges au noeud d'intégration (B) à chaque basculement du comparateur (12). 4. Circuit électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend un comparateur (12) 5 possédant un potentiel de basculement (Vcomp_bascul), avec une première entrée recevant un potentiel de seuil et une deuxième entrée apte à être connectée à un noeud d'intégration (B) pouvant stocker des charges électriques générées par l'élément sensible (11) à la réception du rayonnement, les charges entraînant une variation d'un potentiel au noeud 10 d'intégration (B), et en ce qu'il comprend un premier interrupteur (1_5) raccordé entre l'élément sensible (11) et le noeud d'intégration (B). 5. Circuit électronique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le moyen de mémorisation comprend : 15 - un premier condensateur (Cmem), dont une première borne est connectée au noeud d'intégration (B) et dont une seconde borne est connectée à un potentiel de référence, - un deuxième interrupteur (1_1) raccordé entre le noeud d'intégration (B) et la première borne du premier condensateur (Cmem). 20 6. Circuit électronique selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que le moyen de mémorisation comprend : - un deuxième condensateur (200) relié à la deuxième entrée du comparateur (12). 25 - un troisième interrupteur (1_3) raccordé entre la deuxième entrée du comparateur (12) à laquelle est relié le deuxième condensateur (200) et la sortie du comparateur (12). 7. Circuit électronique selon la revendication 6, caractérisé en ce 30 que le troisième interrupteur (1_3) est un transistor de type MOS comprenant une grille (G), une source (S), un drain (D), la source (S) et le drain (D) formant deux bornes, en ce que une première borne est connectée à la deuxième entrée du comparateur (12) et une seconde borne est connectée à la sortie du comparateur (12), et en ce que le circuit électronique comprend : 35 - un quatrième interrupteur (1_4) raccordé entre le drain (D) du troisième interrupteur (1_3) et la sortie du comparateur (12), 3012 705 38 - un troisième condensateur (C2) raccordé entre le drain (D) du troisième interrupteur (I_3) et une deuxième tension fixe, - un quatrième condensateur (C3) raccordé entre les deux bornes du troisième interrupteur (I_3). 8. Circuit électronique selon la revendication 7, caractérisé en ce que le transistor formant le troisième interrupteur (I_3) est réalisé sur un substrat (Sub), et en ce que le substrat (Sub) est connecté au drain (D). 9. Circuit électronique selon l'une des revendications 3 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend un comparateur (12) possédant un potentiel de basculement (Vcomp_bascui), avec une première entrée recevant un potentiel de seuil et une deuxième entrée apte à être connectée à un noeud d'intégration (B) pouvant stocker des charges électriques générées par l'élément sensible (11) à la réception du rayonnement, les charges entraînant une variation d'un potentiel au noeud d'intégration (B), et en ce que le moyen de mémorisation comprend : - un cinquième condensateur (201) relié à la première entrée du comparateur (12), - un troisième interrupteur (I_3) raccordé entre la première entrée du comparateur (12) à laquelle est relié le cinquième condensateur (201) et la sortie du comparateur (12). 10. Circuit électronique selon l'une des revendications 3 à 9 25 comportant un compteur (13) connecté en sortie du comparateur (12), de manière à comptabiliser le nombre de basculements du comparateur (12). 11. Détecteur matriciel composé de pixels caractérisé en ce que chaque pixel comprend un circuit électronique selon l'une des revendications 30 précédentes. 12. Procédé mettant en oeuvre le circuit électronique selon l'une des revendications 1 à 10 comprenant un comparateur (12) possédant un potentiel de basculement (Vcomp_bascul), avec une première entrée recevant un 35 potentiel de seuil et une deuxième entrée apte à être connectée à un noeud 3012 705 39 d'intégration (B) pouvant stocker des charges électriques générées par l'élément sensible (11) à la réception du rayonnement, les charges entraînant une variation d'un potentiel au noeud d'intégration (B), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte une phase d'initialisation, comportant les 5 étapes suivantes : - Connexion d'une borne d'entrée du circuit d'injection à un premier potentiel - Injection d'une première charge sur la borne de sortie du circuit 10 d'injection - Mémorisation d'une différence entre un potentiel de sortie (Vs) du circuit d'injection (14), dit potentiel d'équilibre (Vequ), et un potentiel de référence Vref, cette mémorisation étant effectuée de préférence lorsque ladite première charge, délivrée par le circuit d'injection, est inférieure à un 15 seuil prédéterminé, - Mise du noeud d'intégration à un potentiel de déclenchement - Connexion d'une borne d'entrée du circuit d'injection à un deuxième potentiel, de telle sorte que le circuit d'injection délivre une deuxième charge en fonction de la différence entre le potentiel du noeud d'intégration (B) et le 20 potentiel de déclenchement. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la phase d'initialisation comporte l'injection d'un nombre prédéterminé de premières charges, suite à quoi le noeud d'intégration (B) atteint un potentiel 25 d'équilibre. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le potentiel d'équilibre correspond au potentiel au noeud d'intégration (B) à l'issue d'une phase d'initialisation, ledit potentiel d'équilibre constituant alors 30 le potentiel de déclenchement, au deçà ou au-delà duquel le circuit d'injection délivre une deuxième charge. 15. Procédé selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que ladite différence de potentiel entre ledit potentiel d'équilibre et le 35 potentiel de référence est mémorisée aux bornes d'un condensateur deliaison, ledit condensateur étant disposé entre le noeud d'intégration du détecteur et la deuxième entrée du comparateur (12).5