FR 3012699 A1 20150501 FR 1360660 A 20131031 B12569 - 12-T0-1009FRO1 1 CIRCUIT DE COMMANDE POUR DIODES EN DEMI-PONT Domaine La présente description concerne, de façon générale, les circuits électroniques et, plus particulièrement, un circuit de commande pour diodes à effet de champ montées en demi-pont. La présente description s'applique plus particulièrement à la réalisation d'un convertisseur sous la forme d'une alimentation à découpage. Exposé de l'art antérieur Les alimentations à découpage utilisent, en parti-10 culier au secondaire, des diodes de roue libre qui sont, le plus souvent, montées avec une électrode (anode ou cathode) commune, donc en demi-pont. Dans la réalisation d'un convertisseur de puissance, il est souvent difficile de trouver un compromis acceptable 15 entre la tension aux bornes des diodes à l'état passant et le courant de fuite à l'état bloqué. Résumé Un mode de réalisation de la présente description vise à pallier tout ou partie des inconvénients des montages 20 exploitant des diodes montées en demi-pont. B12569 - 12-T0-1009FR01 2 Un autre mode de réalisation vise à proposer un montage de diodes en demi-pont à compromis, chute de tension en direct - courant de fuite, amélioré. Un autre objet d'un mode de réalisation vise une 5 réalisation exploitant des diodes à effet de champ comportant une poche de diffusion dans le substrat. Ainsi, un mode de réalisation prévoit un circuit comportant : un premier transistor à effet de champ monté en 10 première diode et pourvu d'électrodes de drain, de source, de grille, ainsi que d'une électrode supplémentaire ; un deuxième transistor à effet de champ monté en deuxième diode et pourvu d'électrodes de drain, de source, de grille, ainsi que d'une électrode supplémentaire ; 15 un premier interrupteur reliant la grille du premier transistor à son drain ; un deuxième interrupteur reliant la grille du deuxième transistor à son drain ; et un circuit de commande des premier et deuxième 20 interrupteurs. Selon un mode de réalisation : l'électrode supplémentaire du premier transistor est en outre directement connectée à la grille du deuxième transistor ; et 25 l'électrode supplémentaire du deuxième transistor est en outre directement connectée à la grille du premier transistor. Selon un mode de réalisation les deux interrupteurs sont commandés pour être simultanément ouverts dans une phase où 30 l'une des diodes risque, sous l'effet de la connexion de sa grille à l'électrode supplémentaire de l'autre diode, d'être passante alors qu'elle est polarisée en inverse. Selon un mode de réalisation, les diodes sont interconnectées par leurs anodes. B12569 - 12-T0-1009FR01 3 Selon un mode de réalisation, les diodes sont interconnectées par leurs cathodes. Selon un mode de réalisation, chaque électrode supplémentaire contacte une poche de diffusion dans un substrat. Selon un mode de réalisation, chaque électrode supplémentaire contacte une couche isolante. Un mode de réalisation prévoit également un convertisseur de puissance de type alimentation à découpage comportant, au secondaire d'un transformateur au moins un élément inductif et un élément capacitif, et un circuit tel que décrit ci-dessus. Selon un mode de réalisation, la première diode relie une borne de référence d'une tension fournie par le convertisseur à une électrode d'un enroulement du secondaire du transformateur, la deuxième diode reliant cette borne de référence à l'autre borne de cet enroulement du secondaire. Selon un mode de réalisation, ledit circuit de commande est constitué d'une bascule dont une sortie inversée commande lesdits interrupteurs constitués de transistors MOS, et dont les bornes de mise à un et de réinitialisation reçoivent des signaux de commande d'un circuit de commande du convertisseur de puissance. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, 25 seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est une représentation schématique et simplifiée d'un convertisseur de puissance formé d'une 30 alimentation à découpage de type abaisseur de tension (type Forward) ; la figure 2 est une représentation schématique d'un exemple de diodes à effet de champ à poche de diffusion dans le substrat, montées en demi-pont ; B12569 - 12-T0-1009FR01 4 la figure 3 est une coupe schématique d'une structure reproduisant le schéma de la figure 2 ; la figure 3A est une coupe schématique et partielle d'une autre structure reproduisant le schéma de la figure 2 ; la figure 4 est une représentation schématique de la paire de diodes à effet de champ de la figure 3 ; la figure 5 représente un mode de réalisation d'un circuit de commande de la paire de diodes de la figure 4 ; la figure 6 illustre un exemple de montage du circuit 10 de la figure 5 au secondaire d'un convertisseur de puissance de type Forward ; et les figures 7A, 7B, 7C, 7D, 7E et 7F illustrent, sous forme de chronogrammes, le fonctionnement du circuit de la figure 6. 15 Description détaillée De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures. Par souci de clarté, seuls les éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation qui vont être décrits ont été représentés et seront détaillés. 20 En particulier, la commande et l'asservissement d'un convertisseur de puissance de type alimentation à découpage n'ont pas été détaillés, les modes de réalisation décrits étant compatibles avec la réalisation usuelle de tels convertisseurs de puissance. De plus, la réalisation de diodes à effet de champ 25 à poche de diffusion dans le substrat n'a pas été détaillée. On pourra, pour la réalisation de ces diodes, s'inspirer des publications US-B2-8,148,748, US2009/0267111, US-B2-8,421,118, US2010/0271851 et US2011/0051305 dont les contenus sont incorporés dans la présente description dans leur totalité. En 30 outre, les applications auxquelles peuvent être destinés le circuit de commande et le convertisseur de puissance n'ont pas été détaillées, les modes de réalisation décrits étant là encore compatibles avec les applications usuelles de tels convertisseurs. B12569 - 12-T0-1009FR01 La figure 1 représente, de façon très schématique, un exemple de convertisseur de puissance de type alimentation à découpage de type Forward, par exemple abaisseur de tension. On notera toutefois que ce type de convertisseur peut également 5 être utilisé en élévateur de tension. Son fonctionnement est basé sur une isolation galvanique (transformateur 12) entre un primaire 2 et un secondaire 3 et un découpage d'une tension continue Vdc appliqué entre deux bornes 21 et 23 d'alimentation du primaire. Dans l'exemple représenté, un élément inductif Ll constituant le primaire du transformateur 12 est relié, par l'intermédiaire d'interrupteurs, respectivement K25, K27, aux bornes 21 et 23. Les interrupteurs K25 et K27 ont pour rôle, sous commande d'un circuit 24 (CTRL), de découper la tension continue Vdc, ce découpage étant transmis par le transformateur 12 à son secondaire 3. Deux diodes D26 et D28 relient les noeuds de connexion respectifs 25 et 27 de l'enroulement Ll avec les interrupteurs K25 et K27, aux bornes 23 et 21, l'anode de la diode D26 étant côté borne 23 et la cathode de la diode D28 étant côté noeud 21. Le rôle du circuit 24 est de provoquer la fermeture des interrupteurs K25 et K27 à une fréquence relativement élevée (de l'ordre de la dizaine à la centaine de kilohertz). Au secondaire du transformateur 12, un enroulement inductif L', associé à un élément capacitif C et à un demi-pont redresseur constitué de diodes D32 et D34, servent à redresser et à lisser la tension récupérée aux bornes de l'enroulement inductif L2 constituant le secondaire du transformateur, pour fournir une tension continue de sortie Vout entre des bornes 31 et 33. L'élément L' connecte une première borne 35 de l'enroulement secondaire L2 à la borne 31. L'élément capacitif C relie les bornes 31 et 33. La diode D32 relie une deuxième borne 37 de l'enroulement L2 à la borne 33, son anode étant côté borne 33. Enfin, la diode D34 relie la première borne 35 de l'enroulement L2 à la borne 33, son anode étant côté borne 33. En figure 1, une charge 4 (Q), destinée à être raccordée aux B12569 - 12-T0-1009FR01 6 bornes 31 et 33 pour être alimentée par la tension Vout, a été illustrée. Le fonctionnement d'une alimentation à découpage tel qu'illustré par la figure 1 est usuel. Le plus souvent, le circuit 24 adapte le rapport cyclique des périodes de fermeture des interrupteurs K25 et K27 en fonction des besoins d'énergie de la charge 4. Un problème lié à l'utilisation de diodes est qu'elles engendrent des pertes en conduction liées à leur chute de tension à l'état passant. On a récemment développé un type de diodes à effet de champ, basé sur une structure de transistor MOS vertical, qui permet d'améliorer le compromis entre la chute de tension en direct (provenant de la résistance drain-source à l'état passant et d'une barrière de potentiel crée par la connexion grille-source) et le courant de fuite en inverse. Idéalement, on souhaite que ces deux grandeurs soient minimales. Ce type de diodes à effet de champ comprend, en plus des électrodes habituelles de source, de drain, de grille et de substrat (au sens MOS du terme), une électrode supplémentaire, dite de poche, connectée, soit à une poche de diffusion occupant une partie de l'espace séparant deux canaux de transistor MOS, soit à une couche de silicium polycristallin déposée sur l'oxyde de grille au-dessus de ce même espace de façon à former avec celui-ci une capacité. Dans le fonctionnement en mode diode, les électrodes de source, de grille, de substrat (au sens MOS du terme) et de poche sont connectées entre elles, et il ne reste donc que deux électrodes distinctes, celle de source et celle de drain. Dans le cas d'un montage en demi-pont, seules les électrodes de source et de substrat sont connectées entre elles. L'électrode de grille d'une des diodes du demi-pont est reliée à l'électrode de poche de l'autre diode et réciproquement. La figure 2 est une représentation schématique d'une 35 réalisation des diodes D32 et D34 en utilisant une technologie B12569 - 12-T0-1009FR01 7 de diodes à effet de champ à poches de diffusion connectées au substrat. La figure 3 est un exemple simplifié de structure des diodes D32 et D34 conformément au schéma de la figure 2. Les figures 2 et 3 s'inspirent des réalisations décrites dans le document US-B2-8,421,118. Dans cet exemple, on réalise les diodes en utilisant une technologie de transistor MOS vertical dans une plaquette 40 de type N (N-). Des régions de la plaquette 40 définissant chacune des diodes sont séparées, généralement par la découpe de la plaquette dans laquelle elles sont réalisées, la résine des boîtiers (non représentés) isolant les diodes les unes des autres. Chaque transistor formant l'une des diodes comporte 15 quatre électrodes : une électrode de source Sl, respectivement S2, contactant une région de source Si', respectivement S2', dopée N (N++) ainsi qu'une région 43, dite de substrat (au sens MOS du terme), dopée P (P+); 20 une électrode de drain Dl, respectivement D2, contactant une région de drain Dl', respectivement D2', de type N (N++) ; une électrode de grille Gl, respectivement G2, contactant une couche 47 en silicium polycristallin déposée sur 25 une couche isolante 45 (oxyde de grille) et commandant la conductivité d'un canal étroit 41, respectivement 42, en une région de type P (P+) ; et une électrode supplémentaire de poche Pl, respectivement P2 contactant une poche Pl', respectivement P2' de 30 diffusion, dans cet exemple de type P (P++), dans la plaquette 40. Un rôle de l'électrode de poche est d'extraire un signal qui peut être utilisé comme signal de commande de grille pour le transistor voisin formant l'autre diode. B12569 - 12-T0-1009FR01 8 Dans l'exemple de la figure 3, on suppose des grilles et sources annulaires et concentriques, les électrodes de poche étant au centre. La figure 3A illustre une réalisation dans laquelle la 5 poche de diffusion est remplacée par une capacité. La figure 3A n'illustre que la partie gauche de la structure (diode D32). La même modification est effectuée sur l'autre diode (D34). Par rapport à la réalisation de la figure 3, la couche isolante 45 (oxyde de grille) s'étend ici sous l'électrode 10 supplémentaire Pl qui contacte cette couche isolante par un plot dans la couche 47 en silicium polycristallin. Quand la structure, par exemple D32, est à l'état passant, la chute de tension entre la source S1' et le drain Dl' est faible, engendrant un faible signal au niveau de la poche 15 Pl'. Dans l'état bloqué, la zone déplétée change avec la tension appliquée entre la source et le drain. Pour une faible tension appliquée, la zone de déplétion se situe entre la poche Pl' et la source et se termine typiquement sous la grille. Dans cet état, la poche Pl' peut être considérée comme étant court- 20 circuitée avec le drain et le potentiel de l'électrode de poche Pl suit celui de l'électrode de drain Dl. Toutefois, pour des tensions appliquées plus élevées, la zone de déplétion s'étend sous la poche Pl'. Le potentiel de la poche est alors sensiblement constant et indépendant du potentiel de drain. Le 25 signal présent sur l'électrode de poche Pl peut donc être utilisé comme signal indicateur de l'état passant ou bloqué de la structure D32. Pour réaliser un demi-pont de diodes, la grille Gl du transistor formant la diode D32 est connectée à la poche P2 de 30 la structure D34 tandis que la grille G2 de cette dernière est connectée à la poche Pl de la structure D32. Dans l'exemple d'une réalisation à base de transistors à canal N tel qu'illustré par la figure 3, les sources S1 et S2 sont interconnectées pour former l'anode commune des diodes D32 35 et D34 (A) tandis que les drains respectifs Dl et D2 définissent B12569 - 12-T0-1009FR01 9 les cathodes respectives K1 et K2 des diodes D32 et D34. Une telle interconnexion permet de tirer profit des caractéristiques électriques des structures à poches de diffusion et en particulier de faciliter le compromis entre la tension directe et le courant de fuite. En d'autres termes, pour un courant de fuite donné, la tension directe d'une diode du demi-pont, lorsque sa grille est polarisée par l'électrode de poche de l'autre demi-diode du demi-pont, elle-même polarisée en inverse, sera significativement plus faible que celle d'une diode usuelle, y compris lorsqu'elle est réalisée à partir de la même structure fonctionnant en mode diode simple (source, grille, poche de diffusion court-circuitées). La figure 4 est une représentation schématique des diodes D32 et D34, connectées à la manière des figures 2 et 3. Les diodes ont été symbolisées de façon spécifique en faisant apparaître leurs électrodes de poche Pl et P2 et leurs électrodes de grille Gl et G2 respectives et leurs connexions croisées. Dans un montage du type de celui de la figure 1, les 20 états respectifs conducteurs et bloqués des diodes ne dépendent que des tensions appliquées à leurs bornes (anode et cathode). Il y a donc quatre états possibles pour ces deux diodes. Un état dans lequel les tensions cathode-anode V1 et V2 sont toutes les deux positives. Un état dans lequel les tensions 25 cathode-anode V1 et V2 sont toutes les deux négatives. Un état dans lequel la tension V1 est positive et la tension V2 est négative. Un état dans lequel la tension V1 est négative et la tension V2 est positive. En supposant une tension V1 positive et une tension V2 30 négative, la diode D32 est passante et la diode D34 est bloquée. Le fait que l'électrode de poche P2 soit reliée à la grille Gl améliore (réduit) la chute de tension en direct. Le potentiel de la poche Pl est très faible car sa hauteur de barrière a été abaissée par la polarisation ramenée de la poche de l'autre 35 demi-diode. En conséquence, la diode en inverse aura un B12569 - 12-T0-1009FR01 10 potentiel de grille sensiblement égal à son potentiel de source et le courant de fuite sera donc équivalent à celui d'une diode dont les électrodes grille et source sont court-circuitées (ce qui correspond à la structure traditionnelle). L'état inverse correspond à une tension V2 positive aux bornes de la diode D34 et une tension V1 négative aux bornes de la diode D32. La diode D34 est alors passante et la diode D32 est bloquée. Comme pour le cas ci-dessus, la diode bloquée présente un potentiel de poche qui abaisse la hauteur de barrière de la diode passante, celle-ci présente donc une plus faible tension directe. Dans le cas où les deux diodes sont polarisées en direct (tensions V1 et V2 positives), leur potentiel de poche reste voisin de leur potentiel de source et on se trouve dans la 15 configuration où grille et source se trouvent au même potentiel (ce qui correspond à une structure traditionnelle). Il n'y a donc pas d'amélioration des tensions directes dans ce mode de fonctionnement. Dans le cas où les deux diodes sont polarisées en 20 inverse (tension V1 et V2 négatives), elles présentent toutes les deux des potentiels de poche élevés qui vont abaisser fortement la hauteur de barrière des diodes. Celles-ci vont donc présenter un courant de fuite important, voire un comportement de type passant bien que les tensions soient inverses. Ce cas 25 constitue un problème puisque les diodes peuvent perdre leur fonction de redressement. La figure 5 est un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un montage en demi-pont de deux diodes D32 et D34 du type illustré par les figures 2 à 4. 30 On prévoit d'intercaler, d'une part entre la grille G1 faisant partie de la diode D32 et la masse (borne 33), et d'autre part entre la grille G2 faisant partie de la diode D34 et cette même masse 33, des interrupteurs 54 et 56 commandés par un circuit 52 (CTR) dont un mode de réalisation sera décrit 35 ultérieurement. Le rôle du circuit 52 est de provoquer la B12569 - 12-T0-1009FR01 11 fermeture des interrupteurs 54 et 56 afin de porter les grilles et les poches de diffusion, des transistors MOS constituant les diodes, à la masse. Les interrupteurs 54 et 56 sont fermés en même temps dans la mesure où la situation posant problème dans le circuit de la figure 4 est lorsque les deux diodes doivent être bloquées. Par exemple, le circuit 52 reçoit un ou plusieurs signaux de consigne CT de l'extérieur, typiquement, du circuit 24 de commande du convertisseur de puissance. Il faut alors 10 prévoir une isolation galvanique. Selon un autre exemple, le circuit 52 intègre des circuits de mesure des tensions V1 et V2 capables de générer ses propres signaux de consigne. Le circuit 52 comporte alors deux bornes d'entrée reliées aux cathodes K1 et K2. 15 La figure 6 représente un exemple de montage du demi- pont commandé 5 de la figure 5 au secondaire d'un convertisseur du type de celui de la figure 1. Pour simplifier, les éléments connectés en amont du primaire Ll du transformateur 12 n'ont pas été illustrés en figure 6. Au secondaire, on retrouve les 20 éléments C, L', D32 et D34 et, selon ce mode de réalisation, un circuit de commande 52 associé à des interrupteurs 54 et 56 tels que décrits en relation de la figure 5. Dans l'exemple de la figure 6, le circuit 52 est formé d'une bascule RS dont la sortie inversée NQ est connectée aux 25 électrodes de commande des interrupteurs 54 et 56 et dont les entrées de mise à 1 et de remise à 0 respectives reçoivent des signaux SET, RESET, générés à partir d'une mesure des tensions V1 et V2. A titre d'exemple particulier de réalisation, les interrupteurs 54 et 56 sont réalisés sous la forme de 30 transistors MOS à canal N. Les figures 7A, 7B, 7C, 7D, 7E et 7F sont des chronogrammes illustrant le fonctionnement du demi-pont 5 de la figure 6 lorsque celui-ci fonctionne en mode de conduction discontinu, et représentent respectivement des exemples 35 d'allures des signaux SET et RESET ainsi que des exemples B12569 - 12-T0-1009FR01 12 correspondants d'allures des tensions Vi et V2 aux bornes des diodes D32 et D34 et des courants Il et 12 traversant ces diodes (anode vers cathode). On suppose une première période Tl débutant à un 5 instant t0 pendant laquelle la diode D34 est bloquée tandis que la diode D32 est passante (tension V2 positive et tension Vi nulle). Dans cette situation, le signal SET est activé (état haut), ce qui force l'ouverture des interrupteurs 54 et 56. On se trouve alors dans le fonctionnement normal des diodes à effet 10 de champ à poche de diffusion tel qu'illustré en relation avec les figures 2 à 4. Le courant Il dans la diode Dl croît jusqu'à un instant t1 où le primaire du transformateur 12 est commuté (ouverture des interrupteurs K25 et K27, figure 1). A l'instant t1, cette ouverture du primaire inverse le 15 sens de circulation au secondaire (fonctionnement en roue-libre) et provoque la circulation d'un courant dans la diode D34. La diode D32 est bloquée (sa tension Vi étant à un niveau maximal). A l'issue d'une période T2, débutant à l'instant t1 et s'achevant à un instant t2, on commute le signal RESET à l'état 20 1 de façon à forcer la mise en conduction des interrupteurs 54 et 56 et ramener alors à la masse les grilles des transistors des diodes D32 et D34. Entre les instants t1 et t2, le signal SET ainsi que le signal RESET sont à l'état bas. Les interrupteurs 54 et 56 25 restent cependant ouverts. La fermeture des interrupteurs 54 et 56 garantit qu'entre des instants t3 et t'0 (de début du cycle suivant), alors que le courant dans la diode D34 a disparu, les deux diodes D32 et D34 soient bien bloquées. Pendant cette période 30 T3, la tension aux bornes dépend du mode de fonctionnement du convertisseur Forward. Dans un mode de fonctionnement discontinu, qui se produit généralement à faible charge, le courant 12 s'annule avant l'instant tO' et on assiste à une oscillation des tensions Vi et V2 autour de la tension Vout si 35 les diodes sont bloquées. Dans un mode de fonctionnement B12569 - 12-T0-1009FR01 13 continu, qui se produit généralement à forte charge, le courant 12 ne s'annule pas avant l'instant tO' et il n'y à donc pas de tension inverse aux bornes des diodes car elles sont en conduction. Le même fonctionnement se reproduit à partir de l'instant tcp pour un cycle suivant. Un avantage des modes de réalisation qui ont été décrits est que l'utilisation des diodes à poche de diffusion procure un gain en performances par rapport à des diodes classiques, ainsi qu'un gain d'encombrement. Un autre avantage est que la commutation proposée est particulièrement simple à réaliser et évite le phénomène de conduction parasite. On tire ainsi profit de ce nouveau type de diodes à effet de champ tout en préservant le fonctionnement d'une alimentation à découpage. La génération des signaux SET et RESET et leurs synchronisations respectives dépendent du type d'application dans lequel le demi-pont est inséré. En pratique, selon l'application, on effectue une analyse des tensions présentes et de leurs variations attendues pour, dans une phase de conception, prévoir une génération adaptée des signaux SET et RESET. Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. Ces modes de réalisation et variantes sont bien entendu combinables. En particulier, bien que les modes de réalisation aient été décrits en relation avec un exemple de diodes dont les anodes sont communes (réalisées à base de transistors à effet de champ à canal N), on pourra également former un pont de diodes à cathodes communes en réalisant ces diodes à l'aide de transistors à canal P. En outre, le dimensionnement des composants dépend de l'application ainsi que la génération des signaux SET et RESET. Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation décrits est à la portée de l'homme du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus. REVENDICATIONS1. Circuit électronique à diodes comportant un premier transistor à effet de champ monté en première diode (D32) et pourvu d'électrodes de drain (D1), de source (Si), de grille (G1), ainsi que d'une électrode supplémentaire (P1) ; un deuxième transistor à effet de champ monté en deuxième diode (D34) et pourvu d'électrodes de drain (02), de source (52), de grille (G2), ainsi que d'une électrode supplémentaire (P2) ; un premier interrupteur (54) reliant la grille (G1) du premier transistor à son drain (D1) ; un deuxième interrupteur (56) reliant la grille (G2) du deuxième transistor à son drain (D2) ; et un circuit (52) de commande des premier et deuxième 15 interrupteurs. 2. Circuit selon la revendication 1, dans lequel l'électrode supplémentaire (P1) du premier transistor est en outre directement connectée à la grille (G2) du deuxième transistor ; et 20 l'électrode supplémentaire (P2) du deuxième transistor est en outre directement connectée à la grille (GI) du premier transistor. 3. Circuit selon la revendication 2, dans lequel les deux interrupteurst (54, 56) sont commandés pour être simul- 25 tanément ouverts dans une phase (T3) où l'une des diodes risque, sous l'effet de la connexion de sa grille (G1, G2) à l'électrode supplémentaire (P2, Pl) de l'autre diode, d'être passante alors qu'elle est polarisée en inveree. 4. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 30 à 3, dans lequel les diodes sont interconnectées par leurs anodes. 5. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les diodes sont interconnectées par leurs cathodes.2569 - 12-T0-1009FRO1 15 6. à 5, dans contacte une 7. à 5, dans contacte une 8. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 lequel chaque électrode supplémentaire (P1, P2) poche (P1', P2') de diffusion dans un substrat. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 lequel chaque électrode supplémentaire (P1, P2) couche isolante (47). Convertisseur de puissance de type alimentation à découpage comportant, au secondaire d'un transformateur (12) au moins un élément inductif (L') et un élément capacitif (C), et 10 un circuit conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 5. 9. Convertisseur de puissance selon la revendication 8, dans lequel la première diode (D32) relie une borne de référence (33) d'une tension fournie par le convertisseur à une électrode (37) d'un enroulement (L2) du secondaire du 15 transformateur (12), la deuxième diode (D34) reliant cette borne de référence à l'autre borne (35) de cet enroulement du secondaire. 10. Convertisseur de puissance selon la revendication 8 ou 9, dans lequel ledit circuit de commande est constitué d'une 20 bascule (RS) dont une sortie inversée commande lesdits interrupteurs (54, 56) constitués de transistors MOS, et dont les bornes de mise à un et de réinitialisation reçoivent des signaux de commande d'un circuit de commande (24) du convertisseur de puissance.