FR 3022628 A1 20151225 FR 1455623 A 20140619 - 1 - « Elément sensible, procédé pour réaliser un tel élément sensible, capteur et procédé de mesure de température et/ou de pression mettant en oeuvre un tel élément sensible » L'invention concerne un élément capteur prévu pour être utilisé dans un capteur de température et/ou de pression incluant un élément sensible mettant en oeuvre le principe de la jauge dite de Pirani. L'invention concerne également un procédé pour la réalisation d'un tel élément capteur, et un capteur de pression et/ou de température mettant en oeuvre un tel élément capteur. Le domaine de l'invention est le domaine de capteurs de pression et/ou de température selon le principe de la jauge de Pirani. Etat de la technique Le principe de la jauge Pirani est bien connu de l'homme du métier. Ce principe repose sur la variation de la conductivité thermique d'un gaz en fonction de la pression et donc sur le libre parcours moyen des molécules de ce gaz. Les capteurs mettant en oeuvre le principe de la jauge Pirani comprennent une partie, aussi appelée « élément sensible », qui est immergée dans le milieu dont la température et/ou la pression est mesurée. Cet élément sensible peut prendre par exemple la forme d'un fil ou d'un barreau ou d'un ruban mince. Il est composé d'un conducteur électrique dont la résistivité change en fonction de la température. La mesure de la résistance de l'élément sensible permet de déterminer la température et/ou la pression du milieu. Utilisé de façon passive, la jauge Pirani permet de mesurer la température. En chauffant l'élément sensible, elle permet de mesurer la pression du milieu environnant. Dans les capteurs connus, l'élément sensible est généralement utilisé comme générateur de chaleur par effet Joule pour permettre les mesures de pression. 3022628 - 2 - Les capteurs Pirani actuels utilisent comme élément sensible des films métalliques suspendus, tels que des films en or ou en platine, voire en aluminium, en nickel ou en chrome ; ou possiblement des films en semiconducteurs. Or, ces capteurs souffrent de plusieurs inconvénients. 5 Tout d'abord, les films métalliques utilisés dans ces capteurs présentent des coefficients de température faibles, compris entre 5.10-4 K-1 et 4.10-3 K-1. La sensibilité de ces capteurs est ainsi très limitée car proportionnelle à ce coefficient. Le domaine des pressions mesurables par ces capteurs est déterminé par la géométrie de l'élément sensible, et est 10 ainsi limité le plus souvent seulement aux basses pressions et par exemple seulement des pressions inférieures à 100 mbar, ou tout au plus jusqu'à 1000 mbar. De plus, pour pallier en partie cette limitation, le courant injecté dans l'élément sensible peut être augmenté, ce qui conduit à une augmentation 15 de l'énergie électrique nécessaire et donc à des capteurs gourmands en énergie, de l'ordre du milliwatt au minimum. Par ailleurs, les films métalliques utilisés comme élément sensible dans les capteurs actuels ne présentent pas une stabilité suffisante pour être utilisés dans certains milieux, tels que par exemple sous atmosphère 20 oxydante. En outre, dans les mesures en pression, de tels capteurs possèdent une sensibilité limitée, due à une faible variation de la résistance R en fonction de la pression, de l'ordre de dR/R=10% environ. De plus, les matériaux utilisés possèdent par nature un bruit en 1/f 25 important, qui influe sur le rapport signal/bruit du capteur et est donc limitant pour un capteur de haute sensibilité et/ou précision. Ces limites jouent en particulier sur le domaine de température et/ou de pression dans lequel le capteur peut opérer. D'une façon générale, les caractéristiques de ce type de capteurs 30 limitent leurs performances, leurs plages d'utilisation, et les environnements et situations dans lesquels ils sont utilisables. Un but de l'invention est de remédier aux inconvénients précités. Un autre but de l'invention est de proposer un élément capteur permettant 3022628 - 3 - d'obtenir un capteur de température et/ou de pression mettant en oeuvre le principe de la jauge de Pirani plus sensible tout en étant moins gourmand en énergie, ou un meilleur compromis entre les deux. Un autre but de l'invention est de proposer un élément capteur 5 permettant d'obtenir un capteur de température et/ou de pression mettant en oeuvre le principe de la jauge de Pirani plus robuste et/ou pouvant être utilisé dans des domaines plus variés ou plus larges. Un autre but de l'invention est de proposer un élément capteur permettant d'obtenir un capteur de température et/ou de pression mettant 10 en oeuvre le principe de la jauge de Pirani sous une forme plus compacte et/ou plus simple et/ou plus souple à concevoir ou à fabriquer. Exposé de l'invention L'invention permet d'atteindre au moins un de ces buts par un 15 capteur de température et/ou de pression mettant en oeuvre le principe de la jauge de Pirani, ou un élément sensible prévu pour un tel capteur, caractérisé en ce que ledit élément sensible est réalisé au moins partiellement, et de préférence dans sa totalité, en un oxyde pérovskite à forte résistivité, de préférence sous forme cristalline. 20 Les oxydes pérovskites sont définis de façon connue comme l'ensemble des oxydes de formule générale ABO3 présentant une structure cristalline particulière bien connue, dite pérovskite. Cette structure cristalline a été décrite en 1839, initialement pour le titanate de calcium de formule CaTiO3. 25 De préférence, cet oxyde pérovskite sera choisi parmi ceux qui présentent une importante variation de résistivité p par rapport à la température T, que l'on peut exprimer par un Coefficient de variation de la Résistivité en Température TCR défini par TCR=1/p.dp/dT. Par exemple, on choisira un matériau pour lequel : TCR40 mK-1. 30 Plus précisément, l'invention propose d'utiliser pour un tel élément sensible au moins un oxyde pérovskite de formule : (m1)1 x(m2)xm303 avec x compris entre 0 et 1 en incluant les cas x=0 et cas x=1, et où : 3022628 - 4 - - M1 est une terre rare telle que l'Yttrium (Y) voire un lanthanide comme le Lanthane (La) ou le Néodyme (Nd) ou le Gadolinium (Gd) ; - M2 est un alcalino-terreux, comme par exemple le Strontium (Sr) ; 5 - M3 est un métal de transition, choisi par exemple parmi le Titane (Ti), le Manganèse (Mn), le Fer (Fe), le Chrome (Cr) et le Cobalt (Co) ; - O est l'oxygène. 10 Selon une particularité de l'invention, l'élément M3 est choisi parmi le titane (Ti) ou le manganèse (Mn). Des exemples particulièrement intéressants d'oxydes pérovskites convenant pour l'élément sensible sont les suivants : 15 - Lai_xSrxMn03_Ô (ou LSMO) - Lai_XBaxMn03_Ô (ou LBMO) - (La,Sr)TiO3_b (ou LSTO) - SrTiO3 (STO) avec dopage, par exemple avec du Nobium sous la forme Nb:SrTiO3. 20 Dans la suite de la description, l'expression « élément capteur » désigne un élément capteur pour la mesure de température et/ou de pression mettant en oeuvre le principe de la jauge de Pirani, et l'expression « élément sensible » désigne un élément sensible destiné à être immergé 25 dans le milieu mesuré, au sein d'un tel capteur. En particulier, l'invention propose de réaliser l'élément sensible en un film d'un tel oxyde de pérovskite formant un pont connecté à ses deux extrémités et libéré sur la majorité ou la totalité de sa périphérie, vue selon 30 une section transversale au passage du courant utilisé pour la mesure selon la jauge de Pirani, de façon à pouvoir être immergé dans le milieu à mesurer. Cet élément sensible peut prendre par exemple la forme d'une plaque ou d'un ruban s'étendant entre deux bornes de connexion électrique. Il peut 3022628 - 5 - être connecté à des bornes constituées de matériaux différents. Il peut aussi constituer lui-même une partie étroite entre deux régions plus larges d'une même couche d'oxyde de pérovskite, ces parties plus larges formant alors lesdites bornes de connexion électrique ou faisant partie intégrante du 5 circuit intégré qui constitue ou met en oeuvre le capteur. Exemples d'avantages Les oxydes de pérovskite sont connus depuis très longtemps, mais certains d'entre eux sous certaines conditions présentent un coefficient de 10 température compris entre 20.10-3 K-1 et 500.10-3 K-1, c'est-à-dire 10 à 1000 fois plus grand que les coefficients thermiques des films métalliques utilisés pour réaliser les éléments sensibles des capteurs actuels. En utilisant ce type de matériau pour réaliser un élément sensible de jauge Pirani, les inventeurs ont déterminé que l'on obtient un certain 15 nombre d'avantages intéressants et inattendus. Sensibilité Dans un capteur de type Pirani, l'évolution de la résistance de l'élément sensible en fonction de la température et/ou de la pression 20 présente une variation significative dans une certaine plage de température ou de pression (selon la configuration du capteur), sur laquelle il est donc possible d'obtenir une mesure. Cette plage de mesure peut être choisie à travers le choix des paramètres de réalisation du capteur, en particulier des paramètres géométriques. 25 L'ampleur de la variation dR de la résistance électrique R sur la totalité de cette plage de mesure, relativement à la valeur de R, détermine la sensibilité qui peut être obtenue par cet élément sensible. Sur cette plage de mesure, le capteur selon l'invention peut permettre une mesure de R, et donc directement de T sous champ 30 magnétique négligeable, avec une plus grande sensibilité. Du fait de l'augmentation de la variation de la résistivité selon la température par rapport aux matériaux de l'état de la technique, c'est-à-dire la valeur importante de TCR=1/p.dp/dT, on obtient une augmentation de la sensibilité du capteur. Il est ainsi possible d'obtenir une valeur de dR/R 3022628 - 6 - largement supérieure à 10%, et par exemple une valeur dR/R de l'ordre de 80% dans certaines configurations. Un élément sensible selon l'invention permet ainsi d'obtenir un capteur de température et/ou de pression plus sensible que les capteurs 5 actuels. Domaine de pression En outre, cette meilleure sensibilité rend plus exploitable les extrémités de la zone de variation de la résistance électrique, ce qui étend légèrement le domaine de mesure utilisable par rapport aux capteurs 10 actuels. Dans certaines configurations, le domaine de mesure de pression peut ainsi s'étendre au-dessus de 10mbar voire 100 mbar, voire même se situer autour de 1 bar ou 2 bar, tout en conservant une bonne résolution. Une mesure de type impulsionnel sera également plus sensible avec de tels matériaux. 15 Consommation Pour la mesure en pression, l'élément sensible selon l'invention nécessite aussi un courant d'alimentation plus faible que les éléments sensibles connus, ce qui permet d'obtenir un capteur moins gourmand en énergie. Il devient possible d'obtenir une consommation inférieure à 10 pW, 20 ce qui peut représenter un gain d'un facteur 1000 environ. Bruit en 1/f De plus, il apparaît que la nature même des oxydes pérovskites fournit un bruit en 1/f inférieur à celui obtenu par les éléments sensibles métalliques ou en semiconducteur. 25 Encombrement et coût En outre, les oxydes sont déposés en couches ultraminces, mais leur grande rigidité structurelle permet de les manipuler plus facilement que d'autres matériaux de mêmes dimensions, ce qui facilite la fabrication de dispositifs miniatures. Il est ainsi possible grâce à l'élément capteur selon 30 l'invention de concevoir des capteurs de température et/ou de pression plus compacts et de dimensions plus petites que les capteurs actuels, ce qui leur permet d'être encore plus sensibles à des pressions plus élevées et surtout moins gourmands en énergie. 3022628 - 7 - Ces avantages peuvent ainsi être obtenus avec un encombrement réduit, par exemple d'un facteur 1000 environ. Il devient ainsi possible de réaliser des capteurs dont l'élément sensible est de dimensions de l'ordre du micromètre voire de quelques dizaines de nanomètres, et peut tout à fait 5 être intégré au sein d'un circuit intégré de type électronique ou électro- optique. Un tel capteur peut alors être réalisé de façon très économique et reproductible par des technologies utilisées par exemple pour l'électronique ou les MEMS ou NEMS, et être agencé et positionné de façon extrêmement souple vis à vis des autres circuits ou du milieu à mesurer. 10 En outre, il devient possible d'intégrer le capteur dans la même puce que certains circuits électroniques, y compris les circuits de correction qui servent à corriger sa non-linéarité, donc de limiter grandement les variations et interférences entre eux. Par exemple, la compensation en température peut être obtenue de manière in-situ par des circuits intégrés 15 dans la même puce que le capteur. La non-linéarité de ce type de mesure devient ainsi beaucoup plus acceptable et moins gênante pour la mesure finale, ce qui augmente encore le domaine de mesure accessible. Par ailleurs, un tel capteur peut être mis en oeuvre avec des tensions inférieures à 5V, et par exemple avec une tension de sortie dans la gamme 20 des amplificateurs fonctionnant en 3,3V, ce qui permet une grande souplesse, simplicité et économie dans le dispositif utilisant ou intégrant le capteur. Environnement et température De plus, les oxydes pérovskites répondant à la formulation donnée 25 sont plus stables et plus robustes que les films métalliques et peuvent être utilisés dans des environnements hostiles et notamment dans une atmosphère oxydante, ce qui n'est pas possible avec les éléments sensibles actuels. Ils sont aussi plus résistants en température, et peuvent supporter 30 des températures plus élevées que celle des contacts électriques d'un type classique, c'est-à-dire par exemple de l'ordre de 400°C ou plus. En outre, l'élément sensible est très résistant mécaniquement, du fait de la rigidité du matériau mais aussi du fait de ses faibles dimensions. Il ne présente pas de fluage et est moins sensible au vieillissement. Il a 3022628 - 8 - également une meilleure tenue structurelle car les oxydes présentent un module d'Young supérieur à celui des métaux et un coefficient de dilatation thermique inférieur, ce qui les rend moins sensibles structurellement aux variations de température et aux chocs mécaniques. 5 L'élément sensible peut être réalisé dans des dimensions très variées, allant par exemple de 5nm par 1nm de large à 10cm de long par 5cm de large. Son épaisseur peut être proche de sa largeur, formant un "fil" ; ou plus faible que sa largeur, formant un "ruban" 10 Avantageusement, l'élément sensible selon l'invention présente des dimensions telles que : sa longueur est comprise entre 100nm et 2cm, et de préférence entre 10 pm et 100 pm, et/ou sa largeur est comprise entre 50nm et 1mm, et de préférence 15 entre 2pm et 15pm, et/ou son épaisseur est comprise entre 1nm et 10pm, et de préférence entre 10nm et 200nm. Ces trois critères de dimensions sont réunis, et de préférence selon les trois plages préférées ci-dessus. 20 A titre d'exemple, il est envisagé un élément sensible formant un pont : à section "ruban" de 100nm x 50nm pour un capteur conçu en laboratoire, ou à section "fil" de 3cm x 2mm pour un capteur commercial d'usage 25 général, ou à section "ruban" dits micro-Pirani de 5pm x 2pm x 160nm pour d'autres types d'usages intermédiaires. Selon un autre aspect de l'invention il est proposé un capteur de 30 température et/ou de pression comprenant un élément sensible tel qu'exposé ici. Selon une particularité de l'invention, ce capteur est « multi-fils », c'est-à-dire qu'il peut comprendre une pluralité d'éléments sensibles tels qu'exposé ici (qu'il s'agisse en fait de fils ou de rubans), réalisés de façon 3022628 - 9 - intégrés sur une même portion de substrat. Un tel capteur multi-fils peut permettre par exemple de réaliser plusieurs mesures simultanément et dans le même environnement aussi bien électronique que du point de vue du milieu à mesurer. 5 Il est ainsi possible d'utiliser plusieurs éléments sensibles en redondance pour une même mesure, et gagner ainsi en stabilité, fidélité et/ou en fiabilité. Il est aussi possible d'utiliser des éléments sensibles différents pour des mesures de type différent, par exemple certains dédiés à la température et d'autres à la pression ; ou pour des gammes valeurs de 10 mesures différentes, par exemple haute et basse pression, en leur fournissant une gestion ou des dimensions différentes. Selon une autre particularité, un tel capteur comprend outre au moins un élément sensible suspendu, par exemple libéré à plus de 90% en 15 surface de l'élément sensible, et au moins un élément sensible non suspendu, par exemple libéré à moins de 30% en surface, par exemple utilisé pour mesurer la température. Les dimensions et le type de technologie de fabrication permettent en effet de réaliser des « fils » multiples, voire de formes variées, avec un 20 surcoût économique ou de complexité très faible voire nul. Il est ainsi possible de réaliser des capteurs multifonctions, ou avec redondance d'éléments sensibles, ou les deux. Par exemple un capteur comprenant deux éléments sensibles utilisés pour la mesure de pression, soit de manière redondante pour la fiabilité soit avec des caractéristiques 25 différentes pour mesurer des gammes de pression différentes. Ces deux éléments sensibles pour la pression peuvent par exemple être associés à un troisième élément sensible utilisé pour la mesure de température, par exemple réalisé de façon non suspendue c'est-à-dire non libéré du support, par exemple pour des raisons de fiabilité ou de simplicité de fabrication. 30 Selon un autre aspect, l'invention propose aussi un procédé de mesure de pression et/ou de température comprenant une utilisation d'un élément sensible ou un capteur tel qu'exposé ici ; ou un élément sensible ou un capteur réalisé tel qu'exposé ici, pour la mesure de température et/ou de pression selon le principe de la jauge de Pirani. 3022628 - 10 - Selon encore un autre aspect de l'invention il est proposé un procédé pour la réalisation d'un élément sensible selon l'invention ou d'un capteur comprenant un tel élément sensible, comprenant les étapes suivantes : 5 a/ - dépôt sur un support d'une couche d'oxyde de pérovskite en un motif déterminé comprenant une région formant l'élément sensible à réaliser ; et b/ - libération dudit élément sensible de son support, en tout ou partie, par sous-gravure dudit support sous la région de ladite couche d'oxyde 10 de pérovskite formant ledit élément sensible par au moins une attaque chimique, par exemple par du XeF2. L'étape a/ de dépôt d'un motif de revêtement de pérovskite peut être réalisée de différentes façons et inclure différentes méthodes de croissance 15 et/ou de lithographies connues de l'homme du métier. Il peut être réalisé par exemple par un dépôt dans une zone déterminée, par exemple au travers d'un masque préalablement formé pour délimiter la zone du revêtement à former. Il peut être aussi réalisé par un dépôt sur une zone plus grande que 20 le motif à obtenir, suivi par une gravure selon les contours du motif visé. Un tel procédé est particulièrement adapté à la réalisation de films d'oxydes pérovskites en vue de l'obtention d'un élément capteur selon l'invention. L'utilisation du XeF2 pour la destruction de tout ou partie du 25 support est moins agressive que les techniques actuellement connues et permet d'obtenir un élément sensible de dimensions et de forme contrôlées de manière plus maîtrisée que les procédés connus de réalisation de capteurs Pirani. En effet, la préparation de dépôts, par exemple suspendus, passe 30 souvent par des étapes de gravure qui sont susceptibles d'affecter la morphologie du dépôt d'oxyde, par exemple par des phénomènes d'abrasion qui sont de nature à diminuer son épaisseur et/ou à modifier la forme du dépôt, notamment en « rognant » les bordures. De telles modifications affectent la sensibilité du capteur et la régularité des fabrications. 3022628 - 11 - Plus généralement, il est souvent difficile avec les techniques connues de synthétiser des objets à base d'oxydes de pérovskites de taille et de forme contrôlées, en particulier des objets présentant au moins une dimension inférieure à 1 dam, tels que des films d'épaisseur inférieure ou 5 égale à 500 nm ou des fils de diamètre inférieur ou égal à 500 nm, que ces objets soient ou non sur un support. Le procédé selon l'invention permet de pallier ces inconvénients notamment par l'utilisation du XeF2 comme agent de destruction d'une partie ou de la totalité du support. En effet, les inventeurs ont constaté de 10 manière surprenante que le XeF2 réalise une destruction sélective du support sans affecter l'intégrité du dépôt d'oxyde de pérovskite. Selon les configurations, la ou les attaques du support par le XeF2 peut être contrôlée de façon à obtenir différents résultats. Ce contrôle 15 s'effectue en particulier en fonction des dimensions transversales du pont formant l'élément sensible, en particulier dans sa largeur la plus faible. L'attaque est contrôlée en réglant par exemple certains paramètres connus, tels que le temps d'exposition au gaz, de façon à provoquer une « sous gravure » pénétrant plus ou moins profondément sous les bords du motif 20 d'oxyde de pérovskite. Dans une version préférée de l'invention, le support utilisé est un substrat de silicium monocristallin. La fabrication peut ainsi être réalisée dans les installations existantes pour la technologie silicium, et le capteur 25 peut également être facilement intégré à moindre coût et complexité dans des circuits intégrés classiques à base de silicium. Avantageusement, l'étape de dépôt d'une couche d'oxyde de pérovskite est conduite en déposant une couche d'oxyde de pérovskite sur un support préalablement traité par croissance épitaxiale d'au moins une 30 couche intermédiaire, choisie pour permettre d'obtenir une bonne qualité pour la couche d'oxyde pérovskite, et si possible choisie pour ne pas être attaquée par l'étape de gravure de libération. Selon une variante préférée, on réalise une unique couche intermédiaire obtenue par croissance épitaxiale de SrTiO3 sur le substrat de 3022628 - 12 - silicium monocristallin. Cette couche peut être réalisée par exemple selon la méthode divulguée dans la publication McKee et al. (McKee RA, Walker FJ, Chisholm MF. Phys Rev Lett 998;81(14):3014-7) Selon d'autres variantes, qui peuvent apporter de moins bonnes 5 performances, il est possible d'utiliser une pluralité de couches intermédiaires successives de matériaux différents, comme en Ce02/YSZ ou d'autres matériaux connus de l'homme du métier. Par exemple, une couche fonctionnelle de LSMO peut être déposée sur un empilement comprenant du STO sur Ce02 sur YSZ sur silicium, dans lesquels Ce02 et YSZ sont des 10 oxydes pseudo-pérovskites mais ne sont pas obligatoirement de type ABO3. De préférence, la couche d'oxyde de pérovskite est déposée sous la forme d'un revêtement cristallin sur la totalité de la région formant l'élément sensible. 15 Dans certains modes de réalisation, l'attaque par le XeF2 est réalisée, dans au moins une région formant un élément sensible, jusqu'à désolidarisation de la couche d'oxyde de pérovskite du support ; c'est à dire de préférence libéré et sans contact aucun avec le support sur toute sa périphérie transversale, et de préférence sur au moins 80% de la longueur 20 du pont ou de la partie étroite. La couche d'oxyde pérovskite subsistant ainsi dans cette région est dite « suspendue », et peut ainsi être immergée de façon efficace dans le milieu à mesurer, en particulier pour la mesure de la pression. Il est à noter que plusieurs éléments sensibles peuvent être réalisés 25 au sein d'un même capteur qui peut être appelé « multi-fils ». Un tel capteur peut être réalisé par exemple de façon intégrée, en réalisant des découpes laissant subsister plusieurs ponts entre deux parties opposées d'une même couche initiale d'oxyde de pérovskite. Selon une variante, l'attaque du support par le XeF2 est contrôlée 30 pour que la couche d'oxyde de pérovskite reste solidaire du support après ladite attaque dans au moins une région formant un élément sensible, par exemple sur au moins 30% de sa périphérie transversale sur toute la longueur du pont ou de la partie étroite. 3022628 - 13 - II est à noter que ces deux types d'éléments sensibles peuvent être combinés au sein d'un même capteur multi-fils. Ainsi, selon une particularité, l'attaque par le XeF2 est contrôlée de façon à ce que : 5 - la couche d'oxyde de pérovskite soit totalement désolidarisée du support, comme exposé précédemment, dans au moins une région formant un premier élément sensible ; et - la couche d'oxyde de pérovskite reste solidaire du support, comme exposé précédemment, après ladite attaque dans au moins une région 10 formant un deuxième élément sensible. Dans les exemples présentés plus loin, le capteur reste solidaire du substrat sur lequel il a été réalisé, même si un ou plusieurs éléments sensibles ont été complètement libérés. 15 Cependant, dans d'autres modes de réalisations du procédé selon l'invention non illustrés ici, l'attaque par le XeF2 est réalisée jusqu'à désolidarisation complète de la couche d'oxyde de pérovskite du support, formant ainsi un capteur entièrement libéré. L'invention permet ainsi de disposer de façon indépendante d'un 20 capteur performant et très peu encombrant qui peut être inséré de façon souple dans de nombreux types d'appareils, même si ceux-ci ne sont pas fabriqués ou même conçus conjointement avec le capteur. Le procédé selon l'invention peut alors comprendre en outre une étape de connexion, ultérieure ou préalable, dudit capteur au sein d'un 25 dispositif de mesure de température et/ou de pression agencé pour fonctionner selon le principe de la jauge de Pirani. Selon un autre aspect, l'invention propose aussi un procédé de mesure de pression et/ou de température utilisant, selon le principe de la 30 jauge de Pirani, un élément sensible ou un capteur tel qu'exposé ici, ou un élément sensible ou un capteur réalisé par un procédé tel qu'exposé ici. 3022628 - 14 - Liste des figures D'autres particularités et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée d'un mode de mise en oeuvre nullement limitatif, et des dessins annexés sur lesquels : 5 la FIGURE 1 est une représentation schématique en vue du dessus d'un exemple de capteur selon l'invention, dans un mode de réalisation à un seul élément sensible entièrement libéré ; la FIGURE 2 est une représentation schématique en vue du dessus d'un exemple de capteur selon l'invention, dans un mode de 10 réalisation à trois éléments sensibles dont un non libéré ; les FIGURE 3a à f sont des représentations schématiques de différents états d'avancement de la réalisation du capteur de la FIGURE 1, vus en coupe selon l'axe AA, d'un mode de réalisation du procédé de fabrication selon l'invention, selon différentes variantes et en 15 particulier : o en partie gauche : sur un substrat silicium monobloc, o en partie droite : sur un substrat en silicium avec isolant enterré (S.O.I.) ; la FIGURE 4a est une photo d'un exemple de capteur selon l'invention, 20 dans un mode de réalisation à trois éléments sensibles en série et entièrement libérés ; la FIGURE 4b est un détail de la photo de l'élément sensible central du capteur de la FIGURE 4a ; la FIGURE 5 est une photo d'un autre exemple de capteur selon 25 l'invention, dans un mode de réalisation à trois éléments sensibles alignés et entièrement libérés et d'une plus grande longueur ; la FIGURE 6 est un graphique représentant la courbe de résistivité en fonction de la température pour un capteur de pression de type Pirani : 30 o en pointillé : mesurée avec élément sensible en film de platine selon l'art antérieur, et o en trait plein : avec élément sensible en LBMO selon l'invention configuré pour une utilisation autour de 300K, d'après les caractéristiques du matériau LBMO ; 3022628 - 15 - les FIGURE 7 et FIGURE 8 sont des représentations schématiques des résultats obtenus avec plusieurs éléments capteurs selon l'invention ; la FIGURE 9 est un schéma en perspective illustrent un exemple de mode de réalisation de l'invention avec un capteur réalisé en LBMO ; 5 les FIGURE 10a à FIGURE 10c sont des représentations schématiques des résultats obtenus pour un élément capteur selon l'invention, dans un mode de réalisation en LBMO : o FIGURE 10a : stabilité dans le temps de la sensibilité en Volts/décade de pression dans la gamme la plus sensible du 10 capteur, o FIGURE 10b : stabilité du signal dans le temps en régime statique, o FIGURE 10c : évolution selon la pression, pour différentes températures. 15 Description détaillée En FIGURE 1 et FIGURE 2 sont représentés schématiquement, en vue du dessus, deux exemples de capteurs selon l'invention. Dans l'exemple de la FIGURE 1, le capteur comprend une couche 20 d'oxyde pérovskite formant un contour 40 qui inclut deux parties larges formant des bornes ou « pads » de connexion 404, réunies entre elles par un pont formant l'élément sensible 403. Ce capteur 40 est encore lié à son support 400 formé par un substrat, par exemple en silicium. Les traits en pointillés représentent les contours de 25 la partie dite « subsistante » 406 du substrat initial, qui solidarisent encore les bornes 404 au support 400. Ainsi qu'on le voit en FIGURE 3e, cette partie subsistante 406 ne s'étend plus sous le pont formant l'élément sensible 403. Celui-ci est donc entièrement libéré du support, et peut ainsi être entièrement immergé dans le milieu à mesurer, par exemple un gaz 30 ambiant ou l'air atmosphérique (pour mesurer la pression ou la température), ou un liquide (pour mesurer la température) dans lequel est plongé le capteur. Ce capteur peut aussi être réalisé sur un substrat de type Silicon On Insulator(SOI). 3022628 - 16 - Les FIGURE 3a à FIGURE 3f représentent schématiquement différents états d'avancement de la réalisation du capteur de la FIGURE 1, vus en coupe selon l'axe AA, dans un mode de réalisation du procédé de fabrication selon l'invention. 5 La partie gauche des figures FIGURE 3a à FIGURE 3f illustre le cas de l'utilisation d'un substrat de silicium monolithique, ou d'un substrat comportant une couche de surface suffisamment importante pour être équivalente à un substrat monolithique du point de vue du procédé ici décrit. 10 L'étape a/ de dépôt sur un support d'une couche d'oxyde de pérovskite en un motif déterminé 40 comprenant une région 403 formant l'élément sensible à réaliser, est obtenue par exemple par : croissance 100a épitaxiale d'une couche d'oxyde pérovskite 402 de LSMO sur une couche intermédiaire de SrTiO3 401, elle-même déposée 15 par croissance épitaxiale sur le substrat Si 400, donnant l'état illustré en FIGURE 3a ; puis réalisation 100b des bornes 404 et de l'élément sensible 403 du capteur, par lithographie puis gravure des couches d'oxyde 402 et 401 à l'extérieur du contour 40 (par gravure par faisceau d'ions), donnant 20 l'état illustré en FIGURE 3b ; puis (optionnellement) gravure 100c du silicium du support 400 sur une certaine épaisseur autour du contour du capteur 40, par exemple par gravure humide pendant 45 secondes, donnant l'état illustré en FIGURE 3c. Dans cet état, le capteur peut être utilisé en capteur de 25 température. Bien que non illustré sur les figures, il est à noter que l'étape a/ de réalisation du motif 40 d'oxyde pérovskite peut aussi être réalisée en ne faisant croître l'oxyde pérovskite que dans la zone 40 déterminée, par exemple au travers d'un masque préalablement déposé sur le support 400 30 ou sur la couche intermédiaire 401. L'étape b/ de libération de l'élément sensible de son support comprend alors au moins une sous gravure 100d par du XeF2, sous les 3022628 - 17 - bords du contour du capteur 40, uniquement dans la région 403 de l'élément sensible ou sur la totalité du capteur. Cette sous gravure peut être ajustée pour réaliser une libération partielle de l'élément sensible, en laissant subsister une partie 407 de 5 substrat encore solidaire sous cet élément sensible 403, comme illustré en FIGURE 3d. On obtient alors un élément sensible formant un capteur de température, qui est peu ou pas sensible en pression. La sous gravure peut aussi être ajustée 100e pour libérer complètement l'élément sensible 403, qui est ainsi séparé du support par 10 un espace ou "gap" 409, tout en conservant une partie de support 406 solidaire des bornes 404 du capteur, ainsi qu'illustré en FIGURE 3e. Cette sous gravure peut être ajustée ainsi par exemple en excluant les bornes 404 de la région d'attaque par une étape de lithographie supplémentaire permettant d'apposer une résine protectrice sur les bornes uniquement, ou 15 par exemple en réalisant des bornes 404 plus larges que le pont 403 et en arrêtant l'attaque avant libération complète de ces bornes, par exemple en réalisant deux cycles d'attaque de XeF2. Comme illustré en FIGURE 3f, une alternative consiste à poursuivre la sous gravure 100f jusqu'à obtenir une libération totale de l'élément 20 sensible 403 ainsi que des bornes 404 auxquelles il est relié. Comme indiqué par la flèche vers le haut, on obtient ainsi une jauge 40 totalement indépendante. Celle-ci peut par exemple être fixée sur une base complètement différente du substrat initial 400 de fabrication, ou être simplement maintenue par des conducteurs électriques fixés à ses 25 bornes 404. La partie droite des figures FIGURE 3a à FIGURE 3f illustre en variante le cas de l'utilisation d'un substrat multicouches, par exemple de type silicium sur isolant appelé "SOI" (pour Silicon On Insulator). Il ne sera 30 décrit que dans ses différences. Ce substrat 400 comprend ainsi une couche supérieure de silicium 400a, sur une couche intérieure de dioxyde de silicium 400b, elle-même sur une couche inférieure de silicium 400c. 3022628 - 18 - Au cours de l'étape b/, l'élément sensible 403 est libéré 100c de son support 400 par attaque de la couche supérieure 400a du substrat 400. La couche intérieure 400b est d'une nature chimique différente de la couche superficielle 400a, et réagit donc différemment au traitement d'attaque. 5 Dans le cas de la silice SiO2, la couche intérieure 400b est peu attaquée ou pas du tout. Il est donc aisé d'obtenir une épaisseur précise et régulière du "gap" 409, en prolongeant la sous-gravure 100e suffisamment pour éliminer la totalité de l'épaisseur de la couche superficielle 400a sous l'élément sensible 403. La surface des bornes 404 étant beaucoup plus importante 10 que celle sous l'élément sensible, la durée de la sous gravure 100e peut être prolongée sans risquer d'éliminer complètement leur partie de support 406 pendant un temps suffisamment long pour assurer un détachement complet de l'élément sensible. On obtient ainsi un gap précis et prévisible, avec un réglage facile de la durée de sous-gravure. 15 En outre, il est ainsi possible de choisir l'épaisseur du gap obtenu en choisissant un substrat multicouche dont la couche superficielle 400a présente l'épaisseur visée pour le gap 409, ou en réglant l'épaisseur de la couche intermédiaire 401 et en utilisant une méthode de gravure suffisamment sélective permet de la supprimer sans affecter les autres 20 matériaux formant l'élément sensible. La FIGURE 2 représente schématiquement en vue du dessus un autre exemple de capteur selon l'invention, dans un mode de réalisation à trois éléments sensibles dont un non libéré. Dans cet exemple, deux ponts 25 libérés 403 et 403b forment des éléments sensibles entièrement libérés, utilisés par exemple pour une mesure redondante de la pression gazeuse ambiante. Comme l'indique les pointillés représentant le contour extérieur 406b de la partie subsistante du support, le troisième pont 403b n'est pas entièrement libéré, par exemple grâce à une largeur plus importante, et 30 forme un troisième élément sensible utilisé par exemple pour mesurer la température du gaz ambiant. A partir des dimensions très compactes qui peuvent être obtenues à travers ces technologies, on voit qu'il est possible de réaliser de nombreuses combinaisons de différents types d'éléments sensibles, par 3022628 - 19 - exemple en combinant plusieurs modes de réalisation de l'invention, dans un même espace et/ou sur un même capteur. Les coûts et l'encombrement en sont très limités. La fiabilité et la stabilité sont en outre améliorées par le rapprochement des différents éléments sensibles, qui peuvent ainsi mesurer 5 une même région étroite du milieu ambiant. Les FIGURE 4a et FIGURE 4b sont des photos prises au microscope électronique à balayage d'un exemple de capteur selon l'invention, dans un mode de réalisation à trois éléments sensibles en série et entièrement 10 libérés. Une telle configuration peut être utilisée pour réaliser des tests en laboratoire, ou pour fournir des mesures redondantes au sein d'un capteur, permettant par exemple une meilleure robustesse ou un autodiagnostic. Ce capteur 30 comprend en un seul élément d'oxyde pérovskite solidaire d'un support 300 par ses électrodes : 15 - un premier pont 301 libéré formant un premier élément sensible entre une première borne ou électrode 3041 sur sa gauche et deux deuxièmes électrodes 3042 réparties de chaque côté sur sa droite ; - un deuxième pont 302 formant un élément deuxième sensible central entre les deuxième électrodes 3042 sur sa gauche et deux troisièmes 20 électrodes 3043 réparties de chaque côté sur sa droite ; - un troisième pont 303 libéré formant un troisième élément sensible entre l'électrode 3043 sur sa gauche et une quatrième électrode 3044 sur sa droite. Ainsi qu'on le voit sur la photo de la FIGURE 4b, le pont central 302 25 présente une longueur (libérée) d'environ 50pm sur une largeur 10 dam. La couche d'oxydes de pérovskites formant le capteur 30 est un LSMO répondant à la formulation Lai_xSrxMn03, où x est compris entre 0.05 et 0.5, sur un support en silicium, et valant 0.33 dans cet exemple. 30 La FIGURE 5 est une photo d'un autre exemple de capteur de même type que la FIGURE 4, dans lequel l'élément sensible central est un pont 302 d'une longueur (libérée) plus importante, et valant 100pm. 3022628 - 20 - Aux FIGURE 4 et FIGURE 5, on peut voir aux angles des électrodes les arêtes de la partie subsistante 306 du support qui les lient au support 300. 5 La FIGURE 6 illustre les avantages de sensibilité du capteur selon l'invention. Sur ce graphique, on voit tracée en trait plein la résistivité électrique p d'un élément sensible conçu en LBMO en fonction de la température T. Le coefficient en température TCR=(1/p)(dp/dT) est 10 d'autant plus élevé que la pente de la courbe est abrupte. La sensibilité des mesures de température et de pression étant directement proportionnelle à la TCR du matériau, on peut apprécier le gain en sensibilité obtenu pour un élément sensible en LBMO par rapport à un élément sensible qui serait formé uniquement de platine dont la courbe équivalente est présentée en 15 traits pointillés. Avec un coefficient en résistance maximum 10 fois supérieur à celui d'un métal comme le platine, la réponse de l'élément en pression sera 10 fois plus sensible. Ce gain en sensibilité est cependant obtenu en échange de certaines contraintes sur la plage d'utilisation ou la configuration géométrique, En 20 effet, on voit que ce gain en sensibilité est possible uniquement sur certaines plages de température dT, car on voit qu'à très basse température par exemple, le platine est plus sensible que le LBMO. Le maximum de TCR atteignable est centré autour de 300K pour une couche de LBMO de bonne qualité cristalline. Ce maximum peut être déplacé en jouant sur la qualité 25 du matériau ou en optant pour une autre manganite comme par exemple le LSMO. Les FIGURE 7 et FIGURE 8 représentent des résultats obtenus avec plusieurs éléments capteurs selon l'invention ; 30 La FIGURE 7 montre pour un élément capteur sous la forme d'un pont en oxyde de pérovskite de type LSMO, de longueur 20pm et de largeur 10pm et d'épaisseur 25nm, la puissance dissipée en pW sur l'axe des ordonnées en fonction de la pression en mbar sur l'axe des abscisses, pour plusieurs courants d'alimentation en pA, à savoir 2, 3 et 4 pA. 3022628 - 21 - Ainsi, on voit sur la FIGURE 7 que les éléments capteurs selon l'invention permettent de consommer moins que les éléments capteurs de l'état de la technique. La FIGURE 8 montre pour le même élément capteur la variation de la 5 résistance en pourcentage sur l'axe des ordonnées en fonction de la pression en mbar sur l'axe des abscisses, pour plusieurs courants d'alimentation en pA, à savoir 0,5pA, 1pA, 2pA, 3pA et 4 pA. Ainsi qu'on le voit en FIGURE 7, ce capteur présente une modulation de résistance de l'ordre de 80%, c'est-à-dire à courant constant à la 10 variation de la puissance dissipée avec la pression sur la plage de pression mesurée ici. Ce résultat de 81,4% est obtenu avec une consommation de l'ordre du pW, ici moins de 5pW. Avec une consommation de 3pA, ce capteur présente une modulation de 64,5% pour une consommation inférieure à 3pW, et une modulation de 15 44,5% pour une consommation inférieure à 1,5pW. A titre de comparaison, la publication Quiu et al., "A Novel Micro Pirani Gauge with Mono-wire Sensing Unit for Microsystem Application; 2009 International Conference on Electronic Packaging Technology & High Density Packaging; pp 467-470 (2009)" présente un résultat obtenu sur des 20 jauges à base de Pt ou Si-AI, avec un encombrement de 8 mm x 25 dam. Malgré cet encombrement beaucoup plus important, les résultats présentés montre que la variation de résistance en fonction de la pression atteint un maximum de 17% avec une consommation de l'ordre de la dizaine de mW. Par rapport à cet état de la technique, l'invention permet ainsi 25 d'obtenir une modulation plus de 4 fois plus grande (81,4% par rapport à 17%), avec une consommation plus de 1000 fois inferieure à la jauge à base matériau métallique, et ce malgré un encombrement également réduit d'un facteur 1000. La variation de la résistance en fonction de la pression montrée sur la 30 FIGURE 8 pour plusieurs courants d'alimentation confirme bien que les capteurs selon l'invention permettent une amélioration de sensibilité par rapport aux éléments capteurs de l'état de la technique. 3022628 - 22 - La FIGURE 9 illustre un autre exemple de mode de réalisation de l'invention, dans lequel l'élément Pirani est formé par plusieurs fils chauds suspendus de dimensions micrométriques. Une première couche de SrTiO3 est épitaxiée, par exemple par épitaxie par jets moléculaires, sur un 5 substrat industriel de silicium orienté en . La couche fonctionnelle, en La0.8Ba0.2Mn03 (LBMO), est ensuite déposée par ablation laser directement sur le SrTiO3 (STO). Les épaisseurs sont de 500pm, 15nm et 80nm pour le silicium, le STO et le LBMO respectivement. L'échantillon est ensuite traité en salle blanche en utilisant les 10 procédés de fabrication usuels au silicium. Les ponts 403 et les pads de contact 410 sont définis par lithographie optique, la gravure des ponts se fait par gravure par faisceau d'ions (IBE) et le dépôt des pads métalliques 410 par évaporation ou pulvérisation cathodique. Les ponts sont finalement libérés en gravant une partie du silicium 400 par gravure chimique réactive 15 (RIE) sous forte pression de réactifs afin d'obtenir une gravure isotrope, ou en utilisant une gravure par XeF2 en phase gazeuse comme décrit précédemment. La définition de la géométrie des ponts (forme, longueur/largeur) ainsi que les paramètres de gravure du silicium (pression, temps) sont utilisés comme paramètres de contrôle pour obtenir les 20 dimensions voulues pour les ponts et le gap 409 séparant les ponts 403 du substrat 400. Les FIGURE 10a à FIGURE 10c montrent les résultats d'une étude de stabilité effectuée sur un capteur selon l'invention dans une version en LBMO, avec une largeur et une longueur réduites afin de diminuer le gap. 25 Ce capteur est du type de celui de la FIGURE 9, avec 16 ponts identiques en parallèle, chacun de 10pm de long par 2pm de large sur environ 100nm d'épaisseur. Ainsi qu'on le voit, ce capteur fournit une stabilité en température du système qui est intéressante pour des températures mesurées ici à 10°C, 30 25°C, 60°C et 110°C. Même si la variation totale s'avère être réduite dans les hautes températures, l'utilisation du capteur sur une plage de température de -40°C à +125°C s'avère désormais possible. Ce capteur présente une très faible consommation, même avec le LBMO, puisque qu'elle reste très inférieure au milliwatt. Différents montages en pont de 3022628 - 23 - Wheatstone, par exemple en tension, courant ou puissance constante, permettent d'implémenter ce capteur dans un système adapté selon les performances désirées. Un tel capteur a été aussi réalisé en LSMO et donne des résultats 5 avantages similaires. On voit ainsi que l'invention permet différents avantages qui incluent : - la possibilité de réaliser des capteurs de pression et température 10 intégrés ; - une grande sensibilité ; - des utilisations possibles dans des conditions extrêmes, notamment en température ou pour la mesure de gaz oxydants ; - la possibilité de réaliser des capteurs à basse consommation, de l'ordre 15 du mW voire du pW ; - la possibilité de réaliser des capteurs de faibles dimensions ; - de meilleurs compromis dans les résultats et performances obtenus lorsque les paramètres ci-dessus entrent en jeu. 20 Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. En particulier, les variantes d'éléments sensibles décrites précédemment sont combinables entre elles dans un même capteur. 25 REVENDICATIONS1. Elément sensible (301, 302, 303, 403, 403a, 403b) pour un capteur de température et/ou de pression mettant en oeuvre le principe de la jauge de Pirani, caractérisé en ce que ledit élément sensible est réalisé au moins partiellement en un oxyde pérovskite, de préférence cristallin, répondant à la formulation : (m1)1 x(m2)xm303 avec x compris entre 0 et 1 en incluant les cas x=0 et cas x=1, et où : M1 est un lanthanide M2 est du strontium M3 est choisi parmi le Titane (Ti), Manganèse (Mn), le Fer (Fe), le Chrome (Cr) et le Cobalt (Co). 2. Elément sensible (301, 302, 303, 403, 403a, 403b) selon la revendication 1, caractérisé en ce que M3 est le Titane (Ti) ou le Manganèse (Mn). 3. Elément sensible (301, 302, 303, 403, 403a, 403b) selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément sensible est réalisé en un matériau choisi parmi : - Lai_xSrxM1103-Ô ; - Lai_xBaxMn03_Ô ; - (La,Sr)TiO3_Ô ; et - SrTiO3 (STO) avec dopage, notamment avec du Nobium sous la forme Nb:SrTiO3. 4. Elément sensible (301, 302, 303, 403, 403a, 403b) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il présente des dimensions telles que : sa longueur est comprise entre 100nm et 2cm, et sa largeur est comprise entre 50nm et 1mm, et son épaisseur est comprise entre 1nm et 10pm. 3022628 -25- 5. Capteur (40, 40b, 30) de température et/ou de pression comprenant en oeuvre au moins un élément sensible (301, 302, 303, 403, 403a, 403b) selon l'une quelconque des revendications précédentes. 5 6. Capteur (40, 40b, 30) selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comprend une pluralité d'éléments sensibles (403, 403a, 403b) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 réalisés de façon intégrée au sein d'un même circuit intégré. 10 7. Capteur (40, 40b, 30) selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un élément sensible (301, 302, 303, 403, 403b) suspendu et au moins un élément sensible non suspendu (403a). 8. Procédé pour la réalisation d'un élément sensible (301, 302, 303, 403, 15 403a, 403b) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 ou un capteur selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, comprenant les étapes suivantes : dépôt (a/) sur un support d'une couche d'oxyde de pérovskite en un motif déterminé (40) comprenant une région (403) formant l'élément 20 sensible à réaliser ; et libération (b/) dudit élément sensible (403) de son support (400, 407), en tout ou partie, par sous-gravure dudit support sous la région (403) de ladite couche d'oxyde de pérovskite (402) formant ledit élément sensible, par exemple par au moins une attaque par du XeF2. 25 9. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le support (300, 400) est du silicium ou comprend du silicium. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 9, caractérisé 30 en ce que le support (300, 400) est un substrat multicouche, et notamment de silicium (400a) avec un isolant enterré (SOI) (400b). 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisé en ce que l'attaque (b/) par le XeF2 est réalisée, dans au moins une région 3022628 - 26 - formant un élément sensible (403, 403b), jusqu'à désolidarisation de la couche d'oxyde de pérovskite du support (400). 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisé 5 en ce que l'attaque du support par le XeF2 est contrôlée pour que la couche d'oxyde de pérovskite reste solidaire (407) du support (400) après ladite attaque dans au moins une région formant un élément sensible (403a). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, caractérisé 10 en ce que l'attaque (b/) par le XeF2 est contrôlée de façon à ce que : - la couche d'oxyde de pérovskite soit totalement désolidarisée du support dans au moins une région formant un premier élément sensible (403, 403b) ; et - la couche d'oxyde de pérovskite reste solidaire (407) du support (400) 15 après ladite attaque dans au moins une région formant un deuxième élément sensible (403a). 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 11 ou 13, caractérisé en ce que : 20 - l'attaque (b/) par le XeF2 est réalisée jusqu'à désolidarisation complète de la couche d'oxyde de pérovskite (402) du support (400), formant ainsi un capteur (40) entièrement libéré ; et - le procédé comprend en outre une étape de connexion dudit capteur (40) au sein d'un dispositif de mesure de température et/ou de pression 25 agencé pour fonctionner selon le principe de la jauge de Pirani. 15. Procédé selon l'une des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que l'étape (a/) de dépôt d'une couche d'oxyde de pérovskite est conduite en déposant une couche d'oxyde de pérovskite (402) sur un support 30 préalablement traité (202, 204) par croissance épitaxiale d'au moins une couche intermédiaire (401). 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 15, caractérisé en ce que la couche d'oxyde de pérovskite (402) est déposée sous la forme 3022628 - 27 - d'un revêtement continument cristallin sur la totalité de la région formant l'élément sensible (403). 17. Procédé de mesure de pression et/ou de température comprenant une 5 utilisation d'un élément sensible ou un capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, ou un élément sensible ou un capteur réalisé selon l'une quelconque des revendications 8 à 16, pour la mesure de température et/ou de pression selon le principe de la jauge de Pirani.