FR 3020719 A1 20151106 FR 1454070 A 20140505 L'invention concerne un dispositif muni d'une paire d'électrodes et d'au moins une particule à transition d'état de spin au contact des électrodes. Elle concerne également différentes utilisations de ce dispositif ainsi qu'un procédé de fabrication de ce dispositif. De manière générale, les particules à transition d'état de spin peuvent être utilisées en combinaison avec des électrodes pour obtenir différentes fonctionnalités (photovoltaïque, photoconducteur, etc...). En effet, un changement d'état électronique de spin peut modifier la conductivité du dispositif. La conductivité ou l'absence de conductivité de l'ensemble électrodes-nanoparticule peut être commandée par un stimulus, par exemple de type température, lumineux ou pression. C'est par exemple ce qui est proposé dans le document FR 2 971 364 (Al). Plus précisément, on propose, dans le document Al, de mettre 15 en oeuvre des électrodes en un matériau magnétique ou magnétisable (ferromagnétique), un aimant permanent et des particules à transition de spin, en solution. Pour assurer le contrôle des particules en solution et en l'occurrence les disposer correctement entre les deux électrodes, ces particules 20 sont recouvertes au moins partiellement d'une couche métallique magnétique ou magnétisable (ferromagnétique). L'action de l'aimant permanent met alors à profit les propriétés ferromagnétiques de la couche métallique recouvrant lesdites particules pour positionner correctement ces particules entre les électrodes. 25 Après positionnement des particules entre les électrodes, on réalise un assèchement de la solution. Le dispositif étant en place, ces particules peuvent alors être commandées par un stimulus, en l'occurrence en température, pour remplir différentes fonctionnalités, par exemple une fonctionnalité de type 30 photoconducteur, l'intensité du courant électrique étant liée au stimulus en température. Dans ce document Al, la commande en température permet de changer l'état électronique de spin des particules. On peut ainsi espérer modifier la conduction électrique entre les électrodes, à travers les particules. Cependant, la présence de la couche métallique sur les particules limite la résistance à la conduction de l'ensemble formé par les électrodes et la ou chaque particule lorsque cette dernière est pourtant dans un état électronique de spin empêchant toute circulation de courant électrique. En effet, on observe parfois un courant électrique parasite passant par la couche métaiiique recouvrant les particules. Il convient par ailleurs de noter que d'autres auteurs ont proposé de mettre à profit les propriétés paramagnétiques de certaines particules pour contrôler leur déplacement en solution. Ainsi. N.B. Chaure & al., "Design and application ° a magnetfc field gradient electrode", Electrochemistry Communications 9 (2007), pp. 155-158 (A2) est un article dans lequel l'influence un champ magnétique sur une réaction chimique est étudiée. A cet effet, les auteurs mettent à profit les propriétés paramagnétiques d'ions impliqués dans la réaction chimique qui prend place dans la solution. Du fait de l'application d'un champ magnétique, ces ions paramagnétiques subissent une force qui dépend du produit entre ledit champ magnétique et de son gradient (produit = VI3'). Pour générer un déplacement des ions paramagnétiques, et donc ici modifier les conditions dans lesquelles la réaction chimique se produit; les auteurs suggèrent d'accroître les gradients de 25 champ magnétique. Dans ce but, ils proposent de plonger une électrode dans la solution. La base de l'électrode est une membrane d'alumine poreuse avec un diamètre de pores de 200 nni et nanotiges CoPt. déposée dans les 30 pores et remplissant partiellement les nanopores. L'électrode possède ses propres aimants permanents incorporés pour générer le champ magnétique (nanotig de CoPt). La membrane est recouverte par un dépôt planaire de Ag (150 nm d'épaisseur) et la couche d'Ag est recouvert d'une couche de Pt (50 nm d'épaisseur, en matériau non ferromagnétique), qui forme la surface de l'électrode.. Une telle structure est conçue pour maximiser 'e'., la fois le champ magnétique et le gradient de champ magnétique autour e l'axe longitudinal des nanotiges CoPt. Les auteurs rapportent, au niveau de la surface de l'électrode de Pt, un champ magnétique de 2.10-2 T et un gradient de champ magnétique de 0,5 à 2.105 T. 1, à savoir une quantité VB 2 de l'ordre de 103 T2.m-1. Les auteurs rapportent que la présence de l'électrode a une grande influence sur le gradient de champ magnétique. même avec un champ magnétique faible et semble avoir une influence sur la convection des espèces paramagnétiques dans l'électrolyte. N. B. Chaure 8: al. ont Proposé une amélioration de la méthode décrite dans A2, présenté dans l'article :e intitulé « Enhanced Oxygen Reduction al Composite Electrocies Producing a Lrge Magnetic Gradient. J. of electrochemical Society, 156 ( ) F39- F46 (2009). Par rapport à l'article A2, les auteurs proposent d'utiliser un moyen pour appliquer un champ magnétique externe à l'électrode, comprenant un matériau ferromagnétique (de nanotubes de Co, par exemple), qui génère alors un champ magnétique induit. En conséquence, le champ magnétique atteint (0.4T d 1T) à l'électrode de surface (Pt) est supérieure à celle du champ magnétique obtenu à l'électrode de surface (Pt) dans l'article A2 (25 mT). Plusieurs électrodes sont comparées mais la meilleure conception est similaire à l'électrode proposée dans A2, sauf que CoPt est remplacé par Co. Grâce à cela, ils obtiennent une quantité V B 2 de l'ordre de 105 T2. , à savoir un facteur 100 (deux ordres de grandeur) supérieure à la valeur de VB 2 dans l'article A2. Exprimé en terme de valeur maximale de fa densité de la force de gradient généré, une application numérique donne une valeur de l'ordre de l0 N.m-3 (pour une sensibilité magnétique molaire 2 à 4.10-8 m3 mor1 et une concentration c des espèces paramagnétiques de 0,01M, à savoir un produit cxm = 2 à 4.10-7). Les auteurs montrent que la variation des taux de réduction de l'oxygène au niveau des surfaces peut se produire lorsque d'importantes forces de gradient intéressantes existent. Cela nécessite une composition spécifique du bain et une surface spécifique de l'électrode (Pt). L'origine de l'effet reste ambigüe, car I, est possible que les forces de Lorentz qui agissent quand un courant de charge se produit (ou courant dans le circuit) peuvent influencer les réactions. Cette force, proportionnelle au champ d'induction et de :a vitesse des ions paramagnétiques, peuvent modifier les propriétés hydrodynamiques de. l'électrolyte. Cependant, même avec ces améliorations, pas de contrôle avancé des ions paramagnétiques (et par suite de la réaction chimique dans ce document) ne peul être effectué. En outre, les applicafions présentées sont limités au processus de réduction de l'oxygène. n bref, il existe un besoin d'un dispositif permettant de mieux contrôler des particules paramagnétiques en solution, notamment pour etre en mesure de proposer un dispositif du type de celui décrit dans le document Al dans lequel on peut limiter voire s'affranchir des problèmes de fuite de courant à travers la couche métallique de la particule disposée entre les électrodes. Un objectif de l'invention est de proposer un dispositif ne présentant pas au moins l'un des inconvénients précités. Pour atteindre l'un au moins de ces objectifs, l'invention propose un dispositif comprenant : - au moins deux électrodes, chaque électrode comportant au moins un matériau ferromagnétique présentant soit aucune couche de couverture en matériau non- ferromagnétique soit une couche de couverture en matériau non-ferromagnétique d'épaisseur inférieure à 40nn-i, les extrémités de ces électrodes étant disposées face à face de sorte que la distance DF entre les matériaux ferromagnétiques des électrodes est comprise entre mm and 111m ; - un moyen pour appliquer un champ magnétique externe Ho afin de magnétiser lesdites électrodes, la combinaison du champ magnétique externe et de l'aimantation M desdites électrodes générant un champ magnétique induit B dans le dispositif ; - au moins une particule à transition d'état électronique de spin au contact des deux électrodes, laquelle présente des propriétés diamagnétiques dans un premier état électronique de spin et des propriétés paramagnétiques dans un deuxième état électronique de spin, l'état électronique de spin de ladite au moins une particule étant commandai:Die par un stimulus, par exemple un stimulus lumineux, de pression ou de température et ladite au moins une particule étant par ailleurs dépourvue de matériau ferromagnétique, notamment à sa surface. Le dispositif selon l'invention pourra comprendre l'une au moins des caractéristiques suivantes, prises seules ou en combinaison - au moins l'une des deux électrodes comprend une couche de couverture réalisée en un matériau non-ferromagnétique, d'une épaisseur inférieure à 40 nm ; - chacune des deux électrodes comprend une couche de couverture réalisée en un matériau non-ferromagnétique, d'une épaisseur inférieure à 40rim ; - l'épaisseur de la couche de couverture réalisée en un matériau non-ferromagnétique de l'une ou, selon le cas, de chaque électrode, est inférieure à 20 nm ; - le matériau ferromagnétique de chaque électrode est choisi parmi un métal, un alliage métallique ou un matériau de type terre rare tel que Gd, Eu ou Sm ; - le matériau ferromagnétique de l'une au moins des deux électrodes, en particulier de chaque électrode, présente des propriétés de rémanence ; - la distance Dp entre les matériaux ferromagnétiques correspondants des électrodes est comprise entre 1 nm et 10Onm; - ledit moyen pour appliouer applioner le champ magnétique externe Ho est choisi parmi un électroaimant, un aimant supraconducteur ou au moins un aimant permanent ; - le champ magnétique externe Ho n'excède pas 5 Teslas ; - l'extrémité de chaque électrode est plane ou en forme de flèche ; - il est prévu un moyen pour contrôler l'intensité du stimulus ; - ladite au moins une particule à transition d'état électronique de spin est commandable en température ; dite au moins une particule est à base d'un complexe répondant à la formule : [Fe (G)3](X), où : G est un ligand 1, 2, 4tiazole portant un substituant R sur l'azote en position 4, noté R-Trz X représente au moins un anion; et n est calculé de telle sorte que l'électroneutralité de la formule soit respectée ; 10 - le substituant R est choisi parmi l'ensemble composé de l'hydrogène et des composés H2N-, Ri-, HR1N-, et R1R2N- où Ri, R2 sont des radicaux alkyles; ladite au moins une particule est à base d'un complexe Fe(PM-L)2(NCS)7 où PM est du N-2'-pyridylméthylène et L est choisi parmi 4-aminoterphényle (TeA). phén o)aniline (AzA), le 4-aminobi hényl ( ou 15 le 4-(phényléthynyl)aniline (PrEA) ; - ladite au moins une particule est à base d'un complexe Fe(1,10- phénanthroline)2(NCS)2 ; - ladite au moins une particule à transition d'état électronique de spin est commandable en pression. 20 - ladite au moins une particule est à base d'un complexe choisi parmi : le [Fe(hyertz)3](3-nitrophényl sulfonate)2 avec hyertz 4-(2'-hydroxyéthyl)1,2,4- triazole ; le [Fe(dpp)2(NCS)21.py avec dpp = dipyrido[3,2-a :2',3'-c]phénazine ; - ladite au moins une particule à transition d'état électronique de spin est commandable en lumière, par exemple le Fe(ptz)6(BF4)2 avec ptz= 1- 25 propyltétrazoie. Un autre objectif de l'invention est de proposer différentes utilisations de ce dispositif. Ainsi, on peut utiliser 10 dispositif selon l'invention comme dispositif photoconducteur, dans lequel les parties externes des deux 30 électrodes sont réalisées en un même métal On peut aussi utiliser ie dispositif selon l'invention comme dispositif photovoltaïque, dans lequel la partie externe de l'une des deux électrodes est en un premier métal et la partie externe de l'autre des deux électrodes est réalisée en un deuxième métal, différent du premier métal. On peut également utiliser le dispositif selon l'invention comme interrupteur électrique. Un autre objectif de l'invention est de proposer un procédé de fabrication d'un tel dispositif. Ainsi, l'invention propose un procédé de fabrication d'un dispositif selon l'invention, comprenant les étapes suivantes : a réaliser au moins deux électrodes, chaque électrodo comportant au moins un 10 matériau ferromagnétique présentant soit aucune couche do couverture en matériau non-ferromagnétique soit une couche de couverture en matériau non-ferromagnétique d'épaisseur inférieure à 40nm, les extrémités de ces électrodes étant disposées face à face de sorte que la distance 0F entre les matériaux ferromagnétiques des électrodes est comprise entre 1 nm and 1 pm; 15 b) plonger lesdites électrodes dans une solution comportant au moins une particule à transition d'état électronique de spin présentant des propriétés diamagnétiques dans un premier état électronique de spin et des propriétés paramagnétiques dans un deuxième état électronique de spin dont l'état électronique de spin est commandable par un stimulus, par exemple un 20 stimulus lumineux, de pression ou de température, ladite au moins une particule étant par ailleurs dépourvue de matériau ferromagnétique, notamment à sa surface; stimuler ladite au moins une particule pour qu'elle soit dans son état électronique de spin paramagnétique; 25 d) appliquer un champ magnétique externe Ho afin de magnétiser lesdites électrodes, la combinaison du champ magnétique externe et de l'aimantation M desdites électrodes générant un champ magnétique induit B dans le dispositif apte à contrôler le déplacement, dans la solution, de ladite au moins une particule dans son état paramagnétique pour la disposer au contact des 30 deux électrodes ; e) assécher la solution. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, avantages et caractéristiques apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, écrite au regard des dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1(a) est un schéma d'une cellule qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre un dispositif selon l'invention ; - la figure 1(b) est une image optique correspondant à vue rapprochée d'une zone d'intérêt de la cellule de la - la figure 1(c) est une vue en gros plan de la figure 1(b) au niveau des électrodes de travail, obtenues par microscopie électronique ; - la figure 2 montre, au moyen de la microscopie électronique, une variante conception pour les électrodes de travail représentés sur la figure 1(c) ; figures 3(a) à 3(d) montrent différentes montages des deux électrodes. l'un et/ou l'autre des électrodes comprenant une coucha de couverture en matériau non-ferromagnétique; - la figure 4 est un schéma d'un dispositif selon l'invention, avec les électrodes de la figure 2 et la source de Hr) de champ magnétique externe ; -la figure 5 montre la densité de ia force du gradient obtenue par simulation numérique résultant d'une application d'un champ magnétique externe à l'appareil de la figure 4 selon la direction longitudinale d'électrodes conformes à celles qui sont représentées sur la figure 3(d) ; - la figure 6 (e) est une vue schématique au comportement électrique du dispositif selon l'invention lorsqu'un champ magnétique externe est appliqué et ladite au moins une particule dans son état paramagnétique ; - la figure 6 (b) est une vue schématique du comportement électrique des électrodes lorsqu'un champ magnétique est appliqué et ladite au moins une particule dans son état diamagnétique; - la figure 7 représente des exemples de particules à transition de spin, commandables en température et présentant un comportement paramagnétique dans l'un de leurs états de spin ; - la figure 8 représente un transistor à effet de champ connu ; - la figure 9 représente la densité de la force du gradient obtenue par simulation numérique résultant d'une application d'un champ magnétique externe à l'appareil de a figure 4 selon une direction transversale d'électrodes conformes à celles qui sont représentées sur la figure 3(d) ; - les figures 10(a) et 10(b) sont représentations schématiques du comportement électrique d'un transistor à effet de champ selon l'invention ; - la figure 11 représente un transistor à effet de champ selon l'invention. Une manière d'obtenir ta cellule 10 de la figure 1 (a) est décrite ci-après. Une paire d'électrodes séparées par un intervalle de quelques micromètres (par exemple un écart de 5 microns) est configurée sur une 10 plaquette Si1Si02 par lithographie UV optique standard en utilisant du AZ5214 réversible. Une double couche de Ti (5nr-n) Au (50nrn) (Au = partie supérieure, Ti = partie inférieure pour améliorer l'adhérence de l'Au sur le substrat) est alors évaporée, ce qui est suivi d'un « lift-off » dans de l'acétone pour obtenir les électrodes métalliques. Le distance inter-électrode (écart) est ensuite diminuée 15 jusqu'à une certaine valeur; par exemple comprise entre 1nm et 100nm, en modelant deux pointes (extrémités des électrodes) face à face par lithographie par faisceau d'électrons. ce stade, on obtient un échantillon ayant des électrodes métalliques 20, 1 sur une plaquette 1 en Si/SiO2. Il convient de noter que les électrodes 20, 21 sont réalisées avec des matériaux 20 ferromagnétiques. La fabrication de la structure PDMS 12 commence par la création d'un modèle maître SU-8 définie par lithographie optique, où une image inversée des canaux microfluidiques est modelée en SU-8 déposée par centrifugation (« spin coating » selon la terminologie anglo-saxonne) sur une 25 tranche de silicium. Un élastomère PDMS disponible dans le commerce, par exemple le Sylgard 184 de la société Dow Corning, peut être utilisé pour être versé sur le maître SU- 8. L'élastomère est mélangé avec un agent de cuisson dans le rapport de 10 à 1 et un dessiccateur (pompe à vide) est utilisé pour éliminer les bulles d'air du mélange. La solution visqueuse PDMS est versée 30 sur le maître et durci à 65 ° C pendant 1 h, après quoi ta réplique est décollée du maître. 3020 719 10 L'accès au circuit microfluidique 13 est obtenu en utilisant un poinçon de biopsie pour faire des trous 14 dans le PDMS 20. Afin d'assurer le collage entre le PDMS 20 et l'échantillon, un plasma d'oxygène sous puissance RF est utilisé pour activer des liaisons chimiques de surface à la fois dans le PDMS et le silicium. L'alignement des canaux d'entrée 14 microfluidiques avec les électrodes à motifs 20, 21 est ensuite réalisé sous microscope pour assurer un positionnement précis de la chaîne 13 sur les électrodes 20, 21 (figure i(b)).Ceci est important afin de définir, au niveau de l'espace entre les électrodes 20, 21, un volume qui peut être rempli par une solution dans laquelle lesdites électrodes peuvent être plongées. Des tubes en plastique 15 sont introduits dans les trous 14 du PDMS 13, avec éventuellement une polymérisation UV de la colle pour éviter toute fuite. Le procédé de fabrication de la cellule 10 est alors terminé. La cellule typique 10 construite d et 40 wri de haut (figure 1 (a)). Sur les figures 1 (a) et 1 b). il convient de noter que l'échelle cette manière est d'environ 100 p111 de large horizontale 11 correspond à 200 nm. L'écart entre les extrémités 201, 211 des électrodes 20, 21 est nettement inférieure à 100 nm. Sur la figure 1 (b), on peut aussi voir une contre-électrode 22 et une électrode de référence 23. Les électrodes d'intérêt (= électrodes de travail) sont les électrodes 20, 21 dont une vue en gros plan est fournie sur la figure 1(c). Sur la figure l(b), la référence 30 correspond au volume dans lequel une solution peut être présente. La solution pourra être une solution comportant une ou des particules à transition de spin, lesquelles peuvent être commandées en température pour être diamagnétiques dans un premier état électronique de spin et paramagnétiques dans un deuxième état électronique de spin. Comme on le verra plus loin, la solution facilite le déplacement de la ou de chaque particule au contact des électrodes en limitant l'agrégation de celles-ci les unes aux autres. Une fois la ou chaque particule au contact des électrodes, un assèchement est ensuite effectué pour être en mesure, finalement, d'utiliser le dispositif. De plus amples informations sur le procédé de fabrication de la cellule peuvent être obtenues dans « Heteronanojunctions with atomic size control using a feb-on-chip electrochemical approacifi with Integrated microfluidics », Lunca Pope et aL, \ianotechnology 22 (2011) 215302 pp 1-7. Pour obtenir finalement un dispositif 100 selon l'invention, un moyen pour appliquer un champ magnétique externe (H0) à travers la cellule est installé. Ce champ magnétise les électrodes ferromagnétiques 20, 21 (avec comme résultante une aimantation M des électrodes) et de générer un champ magnétique induit, B. Le champ magnétique induit B s'écrit g =i /LW/ + M), où M, est l'aimantation locale et ri, le champ magnétique local. A l'intérieur d'un matériau ferromagnétique, on a: 7,', po M., dans la mesure où l'aimantation i domine. A l'extérieur du matériau ferromagnétique, [aimantation est telle que .7 0 et H= + Hm implique donc la somme du champ magnétique externe et le champ Hm généré par la magnétisation des électrodes, si bien que mo(Ho + Hm). Le champ magnétique externe I-10 peut être généré par différents moyens comme un électroaimant, un aimant permanent ou un aimant supraconducteur. Un moyen pour générer un stimulus sur ladite au moins une particule peut être prévu, comme cela sera expliqué de façon plus détaillée dans la suite. Un dispositif conforme à l'invention est représenté sur a figure 4. Le dispositif 100 comprend un conteneur 13 apte à comporter une solution avec au moins une particule à transition d'état électronique de spin dont l'état est commandable par un stimulus. A cet effet, ladite au moins une particule présente des propriétés diamagnétiques dans un premier état électronique de spin et des propriétés paramagnétiques dans un deuxième état électronique de spin, le passage d'un état à J'autre étant commandable par l'effet du stimulus. Elle est par ailleurs dépourvue de matériau ferromagnétique, notamment à sa surface. La nature du stimulus peut être multiple. Il peut s'agir d'un stimulus en pression. Une particule basée sur le complexe [Fe(hyertz)](3-nitrophényl sulfonate)2 avec hyertz 4-(2'-hydroxyéthy1)1.2,4-triazole, répond a un stimulus 10 en pression. On pourra se référer à l'article de Garcia Y. & al., Chem. Mater., 1993, 10, 2426. Une particule basée sur le complexe [Fe(dPp)2(NCS)2.)Y avec dpp dipyrido[3,2-a :2''3'-c]phénazine répond également à un stimulus en pression. On pourra se référer à l'article de Shepherd H.J. & al., 15 Angew,Chem.Int. Ed., 2012, 51, 3910. H peut s'agir d'un stimulus lumineux. Piusieurs effets ont été mis en évidence. Ainsi, la transition d'état électronique de spin photo-induit peut être basée sur l'effet LD-LISC (acronyme pour «Ligand-Driven lnduced 20 Spin Charge » selon la terminologie ando-saxonne) ù ie ligand organique est photo-sensible. Le stimulus lumineux est alors hoisi pour induire des modifications géométriques du ligand, modifications qui affectent ie champ de. ligan et donc les propriétés magnétiques de l'ion Fe2+. La transition d'état électronique de spin petit également être 25 basée sur l'effet LIESST (acronyme pour « Light-lnduced Excited Spin-State Trapping » selon la terminologie anglo-saxonne). Cette approche consiste à augmenter la durée de vie de l'état HS phot-induit obtenu à l'aide de cet effet. Un exemple de particule dont le comportement s'appuie sur cet effet est basé sur le complexe Fe(ptz)6(BF,1);.n avec ptz = 1-propyltétrazole. 30 La transition d'état électronique de spin peut également être basee sur un stimulus lumineux induisant un stimulus thermique. Ici, nous considérerons qu'il s'agit en fait d'un stimulus thermique. Il peut aussi s'agir d'un stimulus en température. C'est par exemple le cas d'une particule basée sur le complexe Fe(PM-L)2(NCS)2 où PM est du N-2'-pyridylméthylène et L est choisi parmi : 4- aminoterphényle (connu sous l'acronyme TeA), 4-(phénylazo)aniline (connu sous l'acronyme AzA), 4-aminobiphényl (connu sous l'acronyme .BiA) ou 4- phényléthynyl)aniline (connu sous l'acronyme PEA). Il convient de noter que !os modes de transition de ces différents exemples, tous commandables en température, diffèrent. Ainsi, le Fe(PM-TeA)2(NCS)2 présente une transition 1.0 électronique de spin très graduelle et incomplète. Le Fe(PM-AzA)2(NCS)2 présente une transition douce avec pratiquement aucune hystérèse. Le Fe(PM-BiA)2(NCS)2 présente une transition très abrupte. Le Fe(PM-PEA)7(NCS)2 présente une transition abrupte avec 15 une hystérèse importante, d'environ 37K. On pourra trouver plus d'informations sur ces différentes particules dans l'article « Structurai approech of the features of the spin crossover transition in iron(ll) compounds », Philippe Guionneau & al., J. Mater. Chem., 1999, 9, pp. 985-994. 20 Un autre exemple de particule dont l'état électronique de spin est comrnandable sous l'effet d'un stimulus en température est une particule basée sur le complexe Fe(1,10-phénanthroline)2(NCS)7. On pourra trouver plus d'informations dans « Robust spin crossover and memristance across a single molecule », Toshio rvuiyamachi & 25 al., Nature Communications, 3 :938, DC.)1 :10.138/ncomms1940, pp. 1-6. Encore un autre exemple de particule à transition de spin dont l'état électronique de spin est commandable par un stimulus en température est une particule à base d'un complexe répondant à la formule (Fi): [Fe (G)3j(Xr, (F1) 30 OÙ : G est un ligand 1, 2, 4-triazole portant un substituant R sur l'azote en position 4, noté R-Trz ; X représente au moins un anion; et n est calculé de telle sorte que l'électroneutralité de la formule soit respectée. En particulier, le substituant R peut être choisi parmi l'ensemble composé de l'hydrogène et des composés H2N-, R1-, HR1N-. et R1R21\1- où R1, R- sont des radicaux alkyles. Pour un même composé, l'élément (G)3 est avantageusement tel que les ligands G sont identiques, mais alternativement, l'un des ligands G peut porter un substituant différent des autres ligands G. Encore alternativement, les trois ligands peuvent avoir des substituants différents. Il est à noter qu'en plus d'un composé vérifiant la formule chimique (F1), II peut être intéressant de remplacer quelques pourcentages des atomes de fer par un autre métal de transition, par exemple du zinc, du chrome, eu ruthénium ou un autre métal de transition de façon à modifier les propriétés photoélectriques du dispositif 100 ou à apporter d'autres propriétés. De même, il peut être intéressant de remplacer quelques pourcentages des ligands G de la particule par des ligands G' qui comportent un substituant R' portant une autre fonctionnalité. La fonctionnalité portée par le substituant R' peut être par exemple une fonctionnalité chromophore ou fluorophore ou une fonctionnalité qui facilite une adhésion ou une répulsion avec des radicaux choisis. Alternativement, les ligands G' peuvent être des ligands anioniques 1,2,4 triozolato, noté Trz, qui ne comportent pas de substituant. Enfin, il est possible de remplacer quelques pourcentages des anions X par des anions Y qui ont une propriété additionnelle, par exemple une propriété chromophore ou une propriété fluorophore ou une propriété de luminescence. Ces variations de la particule autour du composé vérifiant strictement la formule chimique l',.Fi) ne modifient pas de façon fondamentale les propriétés de la particule obtenue. Le remplacement d'un faible pourcentage, par exemple inférieur à 50% ou à 10% ou à 5% ou à 1% ou même à quelques millièmes, d'un ou plusieurs éléments de la formule chimique (Fil) par un ou plusieurs des éléments de remplacement précités conduit à former des particules ayant le même type de propriété électrique ou photoélectrique. Le pourcentage de composés vérifiant la formule chimique (F1) pouvant être remplacé par une variation de ce composé dépend du type de variation envisaaée. En particulier, le remplacement de l'atome de fer, présent au centre du composé par un autre métal est avantageusement limité à quelques millièmes ou centièmes des composés formant la particule, par exemple. inférieur à 5% ou inférieur à 5 millièmes des composés. Un variation d'un ou plusieurs substituants R ou des contre- ions peut être du même ordre de grandeur si les substituants ou les contre-ions sont de dimensions importantes relativement aux substituants ou contre-ions d'origine. Par contre, si l'on remplace un ligand triazole par un ligand anionique triazolato, il peut être avantageux d'introduire la variation sur sensiblement l'ensemble des composés formant la particule pour un ou deux ligands G par composé. Ainsi, l'invention couvre aussi les différents dispositifs comportant les particules présentant les variations mentionnées ci-dessus en plus d'un composé vérifiant strictement la formule chimique (.F. Le tableau de la figure 7 montre plusieurs particules utilisables pour réaliser un dispositif 100 au sens de l'invention, leur formule chimique, leur forme générale, des tailles moyenne_ obtenues, et des températures T112up et Tv2down qui correspondent à des températures provoquant une transition d'état électronique de spin dans les particules. La transition d'état de spin électronique peut présenter un cycle d'hystérésis, c'est-à- dire qu'une transition d'état électronique de spin modifiant le spin dans un sens peut demander une température plus importante ou plus faible que la transition de spin inverse. On peut se référer à l'unique figure de la demande de brevet EP 0842988 pour visualiser un exemple de cycle d'hystérésis pour la transition d'état électronique de spin d'une particule du type de celles utilisables pour former un dispositif selon l'invention. Les particules de formule [Fe(I-I-Trz)2Trz](BF4) peuvent être de forme cubique ou parallélépipédique, de dimensions comprises environ entre 70 n.. par 70 nm par 40 nm et 70 nm par 700 nm par 200 nm et de températures T112. et Te9'1', respectivement voisines de 380K et 360K térese). Ces particules illustrent un cas parti uller où un ligand triazoie est remplacé par un ligand anionique triazolato, pour une très grande majorité des composés formant les particules. Les particules de formule [Fe(NE12-Trz):113r2 peuvent être de forme sensiblement cubique de côté compris environ entre 70 nm et 150 nrn et 10 de températures ruzup et T1i2down respectivement voisines de 315K et 305K (hystérèse) Les particules de formule [Fe(NH z)iC12 peuvent être de forme sensiblement discale ou cylindrique ou parallélépipédique. de dimensions pouvant valoir environ 140 nm par 40 nm ou 100 nrn par 150 nrn de diamètre 15 pour les cylindres et de températures Tv2up et respectivement voisines de 340K et 330K (hystérèse) Enfin, on observe sur la figure 7 la mention de particules de formule [Fe(NH2-Trz)3j(BF4)2, de forme indéfinie, de dimensions proches .de 100 nm jusqu'à 150 nm et de températures T112up et T1i2down respectivement 20 voisines de 225K et 220K (hystérèse). Ainsi, les variations autour de la formule chimique (FI), mentionnées plus haut, peuvent être utilisées pour ajouter des fonctionnalités aux particules ou pour faire varier leurs températures de transition d'état électronique de spin, ou faciliter une synthèse de particules de dimension 25 donnée sens pour autant mettre en péril l'existence d'une transition d'état électronique de spin commandée en température, ni des propriétés photoélectriques. On pourra identifier plus d'informations sur les particules répondant à la formule (F1) et à ses variantes dans le document Al. 30 Le dispositif 100 comprend également au moins deux ctrodes 20, 21. L'extrémité 201, 211 de chaque électrode 20, 21 peut être plane (figure 1(c)) ou en forme de flèche (figure 2). D'autres formes peuvent être envisagées. Chaque électrode 20, 21 comporte par ailleurs au moins un matériau ferromagnétique 200, 210 présentant soit aucune couche de couverture en matériau non-ferromagnétique soit une couche 220, 221 de couverture en matériau non-ferromagnétique d'épaisseur inférieure 40rim. L'intérêt de telles caractéristiques sera précisé plus loin. Les différentes possibilités sont représentées aux 10 figures 3( ), et 3(d). Les extrémités 201, 211 de ces électrodes 20, 21 sont disposées face à face de sorte que la distance DF entre les matériaux ferromagnétiques 200, 210 des électrodes est comprise entre 1nm et 1micron. Le matériau ferromagnétique peut être du Nickel. On pourrait 15 aussi envisager des matériaux magnétiques à haute aimantation tels que Fe ou Co, des alliages ou des terres rares (ex.: Cd , Eu , Sm), Cola peut potentiellement augmenter la valeur de la l'aimantation à saturation (Ms) des électrodes par un facteur allant jusqu'à cinq, en comparaison au Nickel. Le dispositif 100 comprend aussi un moyen 100 pour appliquer 20 un champ magnétique externe Ho afin de magnétiser lesdites électrodes 20, 21, la combinaison du champ magnétique externe et de l'aimantation M desdites électrodes générant un champ magnétique induit B dans les électrodes et le. conteneur 13. Le champ magnétique permet de déplacer ladite au moins une 25 particule lorsqu'elle est dans son état paramagnétique afin de la disposer au contact des deux électrodes 20, 21. Cela implique que ladite au moins une particule comprend au moins une dimension supérieure ou égale à distance inter-électrodes D0, laquelle est inférieur ou égale à la distance Dr- figures 3(a) à 3(d) ; de plus 30 amples explications ci-après). Sur la figure 4, le moyen 100' représenté est un électroaimant, lequel comprend deux bobines 101, 102 disposée sur des côtés opposés du dispositif 100, avec un coeur magnétique 103. La valeur du champ externe Ho peut être contrôlée par l'intensité I du courant circulant dans les bobines 101, 102. Le moyen 100 pourrait être un aimant supraconducteur. Le moyen 100' pourrait également être un aimant permanent utilisé avec un matériau ferromagnétique d'électrodes 20, 21 présentant des propriétés e rémanence. Dans ce cas, l'aimant permanent initie l'aimantation des électrodes ferromagnétiques, laquelle peut persister même l'on retire cet aimant permanent. Dans le cas d'espèce, les électrodes 20, 21 sont intégralement Io constituées d'un matériau ferromagnétique 200, 210 respectivement, qui peut être en contact direct avec la solution 30. La distance inter-électrodes est égale à la distance DF: = DG (aucune couche de couverture en matériau non-ferromagnétique sur les électrodes 20, 21) entre les matériaux ferromagnétiques correspondants 200, 210 des électrodes 20, 21. 15 En utilisant le dispositif de la figure 4 (avec des moyens pour appliquer une Ho de champ magnétique externe), avec les électrodes de travail de la figure 2, une étude du comportement de particules paramagnétiques a été réalisée par voie numérique. Cependant, dans cette simulation numérique, les particules 20 paramagnétiques employées sont des ions Ni2+ en solution. On rappelle que des particules paramagnétiques présentant une concentration c (mol.rn-') dans la solution et une susceptibilité magnétique molaire xn, (m subissent une densité de force de gradient F (N.m-3) qui est de la forme : 25 CXm (EQ1) Dn 2 - V 2go avec: po = 47e10- B, le champ magnétique induit dans les électrodes ferromagnétiques 20, 21 par l'applcston du champ magnétique externe Ho. 30 F est souvent appelé « densité de gradient de force » dans la littérature, car il dépend du produit entre B et le gradient de B. Ci-après, F est également appelé « gradient de force », « champ de force », « densité de force » ou « champ de gradient de force ». La figure 5 montre la densité de la force du gradient résultant de l'application simulée d'un champ magnétique externe sur le dispositif de la fig[..1-e 4. Le champ magnétique extérieur a une amplitude constante de H0 = 0,8 Tesla et est appliqué dans la direction longitudinale des électrodes (direction X), à savoir perpendiculairement aux extrémités planes 201, 211 des électrodes 20, 21. La distance inter-électrodes DG (direction X) vaut DG = 16nm. La largeur W (direction Y) des électrodes est de W = 30 nm et leur hauteur H (direction Z) est de H = 16 nm, et les électrodes ont une longueur L (direction X) de L = 300 nm. La forme des électrodes est arrondie, afin d'éviter la divergence artificielle dans les calculs numériques. Par exemple, une largeur de W = 30 nm se rapporte à une largeur à plat de 20 nm, avec des angles arrondis. Ce choix de valeurs est limité par le maillage nécessaire au calcul et constitue un compromis permettant de limiter le temps de calcul. La concentration c d'ions Ni est c = 1 M et la simulation est effectuée à température ambiante (T = 300 K). On rappelle que, à la température ambiante, la susceptibilité magnétique molaire des ions paramagnétiques Ni2 est d'environ xn, = 4,2 ." 10-8 m3 mor1. Compte tenu de la concentration, cela donne un produit Cïm= 4,2 * 10-5. La simulation est effectuée avec un code de calcul bien défini (Eléments finis), voir le manuel de Magnétisme et matériaux magnétiques avances,édité par Helmut Kronmüller et Stuart Parkn, vol . 2 Micromagnetism 2007, John Wiley & Sons , Ltd ; article «Guided Spin Waves », notamment dans son chapitre 2 intitulé « Micromagnetism and numerical method » ; par Riccardo Hertel du Centre de recherche de Jülich (Jülich, Allemagne) . Compte tenu de l'orientation de la force de gradient magnétique de la figure 5, où le champ magnétique externe est le long des électrodes (direction X), il convient de noter qu'un piège pour les particules paramagnétiques est formé entre les extrémités 201, 211 des électrodes 20, 21. Les ions paramagnétiques sont en effet attirés entre les électrodes 20, 21. une comparaison peut être faite avec e piégeage des ions H20 paramagnétiques près de l'électrode de surface (Pt) dans les articles A2 ou A3. Cependant, l'amplitude maximale de la densité de gradient de force est de l'ordre de 109 N . Cette valeur est de cinq ordres plus élevée que celle obtenue dans l'article A3 (= io N.mi-3). Et même si une correction est faite sur les résultats de J'article A3 pour tenir compte des différences dans la nature o--t la concentration des espèces paramagnétiques entre l'article A3 et la présente simulation (cx, = 2 à 41O dans l'article A3 ;cm = 4,2.10-5 dans la présente simulation), la densité du gradient de force dans A3 est alors de l'ordre de 106 N.m-3, à savoir de trois ordres inférieurs à la densité du gradient de force obtenu dans la présente simulation. Comme le champ magnétique externe est comparable dans . présente simulation (H0 0,8 T) et dans l'article A3 (0,4 T à 1T), cela signifie que les électrodes 20, 21 du dispositif 100 conforme à l'invention permettent de générer des valeurs très élevées du gradient de champ magnétique (dBldz). En effet, le maximum du gradient de champ magnétique (dBldz) est d'environ 4,2.107 T.m1 dans la présente simulation alors qu'il est de 105T. à l'article A3. Selon les inventeurs, le gradient de champ magnétique (dB/dz) élevé est obtenu en raison de la miniaturisation des électrodes 20, 21 elles- mêmes et la proximité de l'effet de champ. Le champ d'induction B est un invariant d'échelle. Mais son gradient est inversement proportionnel à l'échelle. Le champ de gradient de force augmente donc par un ordre de grandeur lors de la diminution Ce l'échelle de la taille d'un ordre de grandeur. Selon les inventeurs également, le dispositif proposé dans A3 est pénalisé par l'épaisseur trop importante du matériau non-ferromagnétique (Pt), d'environ 5Onm. Avec ce code, des tests paramétriques ont été effectuées. Il a été constaté que l'augmentation de la longueur L des électrodes a un effet négligeable sur le résultat numérique. Il e égaiement été constaté que'augmentation de la hauteur H des électrodes (épaisseur) ne modifie pas les résultats non plus. L'augmentation de la largeur W des électrodes ne modifie pas sensiblement la valeur maximale de la densité de force (testé numériquement jusqu'à 1 micron, mais mathématiquement doit rester valide jusqu'à largeurs infinies). Par ailleurs, i ugrnentation de la distance inter-électrodes 10 jusqu'à I micron ne diminue pas les estimations des forces de plus d'un ordre de grandeur. En pratique, le paramètre important est la distance inter- électrodes DG, qui peut alors être comprise entre 1nm et lt.tm. Avantageusement, la distance DG sera comprise entre 1nm et 500nm, entre 15 1nm et 300 nm ou, de préférence entre mm et 100nm, cette dernière gemme de valeurs étant une gamme dans laquelle la valeur maximale du champ de force est similaires aux résultats détaillés ci-dessus pour le cas spécifique de la DG = 16nm. Ainsi, le déplacement des ions paramagnétiques Ni2+ vers le 20 volume inter-électrodes est bien plus important que dans l'article A3. La conséquence est que, dans le cadre de l'invention, on peut réaliser un vrai contrôle du déplacement de particules paramagnétiques, ce déplacement étant par ailleurs contrôlé en l'absence de toute couverture en matériau ferromagnétique de ladite particule, contrairement au document Al. 25 D'après les calculs précités, le demandeur estime, en utilisant un critère de champ de force magnétique d'un ordre de grandeur plus grand que ceux rapportés dans l'article A3 (à savoir une valeur de 107 N.m-3 pour la simulation précitée; de l'ordre de 106 N.m."3 pour une valeur similaire du produit cx,' dans l'article A3), à partir des calculs précités. que le champ de force 30 influant sur les particules paramagnétiques existe jusqu'à une distance de l'ordre de 40 nm à partir du bord d'une matériau ferromagnétique de l'électrode. C'est pourquoi, il est tout à fait envisageable de prévoir une couche 220, 211 (figures 3(a) à 3(d)) en matériau non-ferromagnétique d'épaisseur inférieure à 40 nm. Toutefois, une distance réduite à 20 nm résulte en un char ,p de force d'un ordre de grandeur plus grand (à savoir 108 N.m-3 pour la simu ation précitée). Au contraire, dans l'état de a technique visant à contrôler le déplacement de particules ou espèces paramagnétiques, d est toujours prévu, sur les matériaux ferromagnétiques d'électrode, une couche de couverture en matériau non-ferromagnétique plus épaisse, typiquement comprise entre 50 nm 10 et 200 nm. Par exemple, dans l'article A3, l'électrode est recouverte d'une de couverture en Pt (non ferromagnétique) dont l'épaisseur est de 50 nm. Si l'on revient aux figures 3(a) à 3(d), la distance pertinente qui doit être pris en compte est la distance DF entre les extrémités des matériaux ferromagnétiques 200, 210 des électrodes 20, 21. Cette distance DF est à 15 distinguer de la distance inter- électrodes DG ; de manière générale DG D. Par exemple, si les deux électrodes 20, 21 ont chacune une couche de couverture de 20 nm, nous pouvons avoir une distance inter-électrodes DG de 60 nm et une distance entre les matériaux ferromagnétiques 200, 210 des électrodes qui est de 100 [lm (= 20 nm (couche de couverture de 20 l'électrode 20) + 60 nm (dans la solution) + 20 nm (couche de couverture de l'électrode 21). Enfin, comme mentionné précédemment, d'autres formes que des extrémités planes pour les électrodes 20, 21 peuvent être utilisées, par exemple des électrodes en forme de flèche. Pour la forme en flèche, on 25 s'attend à renforcer le gradient de force, une telle forme permettant d'augmenter la densité de champ magnétique (en particulier au niveau de ses extrémités 201, 211) et par conséquent, le champ d'induction B et son gradient (dB /dz) créé par l'aimantation (M) des électrodes. Ces résultats sont tout à fait transposables au cas d'une 30 particule à transition de spin, telles que des qui ont été décrites e. édernment, lorsque cette particule est dans sont état paramagnétiq Par exemple, dans les différents exemples de particules envisageables décrites précédemment, on note la présence de Fer dans le complexe. Cr, les ions de Fer dans un complexe présentent une concentration sensiblement plus grande que celle des ions Ni2" en solution. De plus, la susceptibilité magnétique des ions Fe2' est plus élevée que la susceptibilité magnétique des ions Nli2+. Tout concourt ainsi, pour une particule répondant à la formule (F1) ou a ses variantes, à définir une force (cf. (EC.).1)) bien plus élevée que celle subie par les ions Ni2+ qui ont fait l'objet de la simulation numérique précitée. Pour faire passer la particule à transition de spin dans son état paramagnétique, il suffit d'un stimulus, par exemple un stimulus lumineux, de pression ou de température. Dans le cas d'une particule épondant à un stimulus lumineux, on peut mettre à profit la lumière naturelle. Cependant, on peut prévoir une lumière artificielle, par exemple une lampe d'intensité variable qui se présente donc sous ft forme d'un moyen 104 (figure pour contrôler le niveau d'éclairement du dispositif 100. De manière analogue, le moyen 104 peut être un moyen pour contrôler la température du dispositif dans le cas où l'état électronique de spin de la particule considérée est commandable en température. De même, le moyen 104 peut être un moyen pour contrôler la pression appliquée au dispositif 100, et plus spécialement à ladite particule, dans le cas où l'état de spin électronique de cette particule est commandable en pression. Lorsque la particule est dans son état paramagnétique, elle est alors attirée par le champ magnétique B induit par l'aimantation des électrodes électromagnétiques. A cet effet, la solution la plus simple est de prévoir un aimant permanent en tant que moyen 100' et des matériaux ferromagnétiques d'électrodes présentent des propriétés do manence afin d'aimanter les électrodes selon la direction longitudinale de celles-ci, comme représenté sur les figures 4 et 5 (H0 orienté scion la direction 3020 719 24 Une fois ladite au moins une particule mise en place entre les deux électrodes comme précisé précédemment, on assèche la solution. En résumé. l'invention propose un procédé de fabrication d'un dispositif 100 selon invention, comprenant les étapes suivantes : 5 a) réaliser au moins deux électrodes 20. 21, chaque électrode comportant au moins un matériau ferromagnétique présentant soit aucune couche de couverture en matériau non-ferromagnétique soit une couche de couverture en matériau non-ferromagnétique d'épaisseur inférieure à 40nm, les extrémités 201, 211 de ces électrodes 20. 21 étant disposées face à face 10 de sorte quo la distance (D-) entre les matériaux ferromagnétiques 200, 210 des électrodes est comprise entre lnm and lui-b) plonger lesdites électrodes 20, 21 dans une solution comportant au moins une particule à transition d'état électronique de spin présentant des propriétés diamagnétiques dans un premier état électronique de spin et des 15 propriétés paramagnétiques dans un deuxième état électronique de spin dont l'état électronique de spin est cornmanclabre par un stimulus, par exemple un stimulus lumineux, de pression ou de température, ladite au moins une particule étant par ailleurs dépourvue de matériau ferromagnétique, notamment à sa surface ; 20 c) stimuler ladite au moins une particule pour qu'elle soit dans son état électronique de spin paramagnétique ; d) appliquer un champ magnétique externe Ho afin de magnétiser lesdites électrodes 20, 21, la combinaison du champ magnétique externe et de l'aimantation M desdites électrodes générant un champ magnétique induit B 25 dans le dispositif apte à contrôler le déplacement, dans la solution, de ladite au moins une particule dans son état paramagnétique pour la disposer au contact des deux électrodes 20, 21 ; e) assécher la solution. il convient de noter que les étapes c) et peuvent être 30 interverties ou selon une autre variante, réalisées en même temps. C'est en effet l'action combinée du champ magnétique externe et l'état paramagnétique de ladite au moins une particule qui permet son déplacement au contact des deux électrodes. Avec ce procédé, on met donc en évidence qu'il est tout à fait possible de contrôler le déplacement de particules paramagnétiques en solution, contrairement aux enseignements de l'état de la technique cité (A1, A2 ou A Après assèchement de la solution, l'aimantation des électrodes permet de maintenir ladite au moins une particule entre les électrodes, quelle que soit son état électronique de spin. 10 Il est alors envisageable d'utiliser te dispositif pour différentes applications. En effet, compte tenu de la distance inter-électrodes (par exemple 100nrn) généralement rencontrées pour les particules à transition de spin décrites précédemment, la 15 ou chaque particule viendra former un pont entre les deux électrodes 20, 21 qui permettra ou non le passage d'un courant électrique, en fonction de l'état électronique de spin de la particule. C'est ce qui est représenté schématiquement sur les figures 6(a) et 6(b). 20 Sur la figure 6(a), sous l'effet du stimulus, on peut mettre la particule dans son état paramagnétique. Le circuit est fermé et un courant électrique peut passer entre les électrodes, via la ou chaque particule (état « ON », avec une résistance RoN). Au contraire, sous l'effet du stimulus, on pourra rendre la 25 particule à transition de spin diamagnétique. Dans ce cas, on ouvre le circuit si bien que le courant électrique ne peut plus passer (état OFF, avec une. résistance RoFF). C'est ce qui est schématisé sur la figure 6(b). Grâce à la commande réalisée par le stimulus, on peut ainsi utiliser le dispositif 100 comme simple interrupteur électrique (fonctionnement 30 ON/OFF). Mais, on peut mettre à profit le dispositif 100 pour d'autres applications. Ainsi, on peut utiliser le dispositif 100 selon l'invention comme dispositif photoconducteur, lorsque les parties externes des deux électrodes 20, 21 sont réalisées en un même métal. Par « partie externe », on entend le matériau ferromagnétique 200, 210 de l'électrode 20, 21 en l'absence de couche de couverture en matériau non-ferromagnétique ou la couche de couverture 220, 221, lorsque cette dernière est prévue. On peut aussi utiliser le dispositif 100 selon l'invention comme dispositif photovoltaïque, lorsque la partie externe de l'une 20 des deux électrodes 20, 21 est en un premier métal et la partie externe de l'autre 21 des deux électrodes 20, 21 est réalisée en un deuxième métal, différent du premier métal. Là encore, on entend par « partie externe » le matériau ferromagnétique 200, 210 de l'électrode 20, 21 en l'absence de couche de couverture en matériau non-ferromagnétique ou la couche de couverture 220, 221, lorsque cette dernière est prévue. Un avantage particulier du dispositif 100 est que la particule ne comporte pas de couche en matériau ferromagnétique, contrairement à ce qui est prévu dans le document Al. Ainsi, on limite, voire on évite toute fuite de courent lorsque cette particule est dans son état diamagnétique. La résistance RoFF en donc nettement augmentée ainsi que le rapport RoN/RoFF. La mise en évidence d'un champ de force très important qui s'applique entre les électrodes décrites précédemment sur une particule paramagnétique ouvre de nombreuses perspectives. On peut en particulier citer un cas d'application à un transistor à effet de champ, dans lequel le comportement du transistor est contrôlé par l'application d'un champ électromagnétique. Tout d'abord, il convient de rappeler brièvement la structure d'un transistor à effet de champ selon l'art antérieur, tel qu'il est représenté sur la figure 8. Le transistor à effet de champ 200 comprend une source 201, un drain 202, un élément semiconducteur 203 reliant la source 201 et le drain 202 et une grille électrostatique 205. Dans le cas de la figure 8, le transistor à effet de champ 200 comprend également un milieu électrolytique 204, globalement neutre mais comportant des anions et des cations. Ce milieu électrolytique 204 peut se présenter sous la forme d'un liquide, d'un gel ou d'un polymère. La grille électrostatique 205 permet. grâce à son potentiel électrique, de polariser le milieu électrolytique 204 et de modifier l'effet de champ électrique (modification de la répartition des anions et des cations au sein du milieu électrolytique 204). En fonction de l'état de polarisation du milieu électrolytique 204 imprimé par la grille électrostatique 205, on peut ainsi contrôler l'intensité du courant électrique passant entre la source 201 et Je drain 202, à travers l'élément 10 semiconducteur 203. Un tel transistor 200 permet d'obtenir un interrupteur de courant électrique entre la source 201 et le drain 202, dont l'intensité est contrôlée par le potentiel appliqué sur la grille 205. Cependant, dans le cadre de l'invention, il est possible de 15 réaliser un transistor à effet de champ dans lequel la fonction de la source est assurée par l'électrode ferromagnétique 20, la fonction du drain est assurée par l'électrode ferromagnétique 21, la fonction de la grille électrostatique est assurée soit (première option) par un moyen pour appliquer un champ magnétique externe soit par une grille 20 électrostatique conforme à l'art antérieur telle que la grille 205 à laquelle est associée un moyen pour appliquer un champ magnétique externe (deuxième option), le milieu électrolytique est un milieu comportant des ions paramagnétiques, et 25 - l'élément semiconducteur pouvant être conforme â ce qui existe dans l'art antérieur. Comme cela est mentionné ci-dessus, deux options sont a priori envisageables. Selon une première option, il n'y a plus physiquement de grille 30 électrostatique dont le potentiel est contrôlé. A la place, on met à profit l'effet de la densité de force de gradient F (N.rn-3), pour polariser le milieu électrolytique et moduler l'effet de champ, qui est de la forme : Xn (EQ1) 2pe où: c (mol.m-1) est la concentration des ions paramagnétiques dans le milieu électrolytique, %m .mol") est la susceptibilité magnétique molaire de ces ions paramagnétiques, po = 4.7[10-7 T.m.A-1 B, le champ magnétique induit dans les électrodes ferromagnétiques 20, 21 par l'application du champ magnétique externe I-10. En effet, comme cela a pu être montré avec la simulation relative à des ions paramagnétiques Ni2+ en solution, des ions paramagnétiques peuvent être fortement attirés lorsque le champ externe Ho induit une aimantation longitudinale (selon l'axe X) dans le dispositif 100. Appliqué au cas du transistor à effet de champ, cela signifie qu'on peut modifier fortement le positionnement des ions paramagnétiques au sein du milieu électrolytique pour les attirer entre les électrodes et donc à proximité de l'élément semiconducteur. il est donc bien possible de modifier l'intensité du courant électrique entre les deux électrodes 20, 21, circulant à travers l'élément semiconducteur sous l'effet de l'aimantation des électrodes. A cet effet, le moyen pour appliquer un champ magnétique externe, faisant office de grille dans le transistor à effet de champ proposé, est adapté pour modifier l'orientation de l'aimantation M des électrodes. Ceci peut s'effectuer en appliquant un champ externe Ho selon la direction longitudinale des électrodes (direction X) et en modifiant l'intensité de ce champ e,:terne Ho. Alternativement ou en complément, ceci peut s'effectuer en modifiant la direction du champ externe Ffi en l'appliquant selon la direction longitudinale des électrodes (direction puis, selon une direction perpendiculaire,, par exemple la direction Y ou inversement En effet, l'application du champ externe Ho selon la direction Y permet de repousser les ions paramagnétiques. La simulation numérique décrite précédemment a en effet également été réalisée avec un champ externe appliqué selon la direction Y, dans les mêmes conditions. On pourra se reporter à la figure 9, qui montre bien que cela permet de repousser les ions paramagnétiques Ni2+ loin des électrodes 20, 21. En combinant les résultats présentés à l'appui des figures 5 et 9, on peut ainsi représenter, dans le cas de l'application à un transistor à effet de champ tel que proposé dans le cadre de l'invention, la circulation du courant électrique entre les deux électrodes, à travers un élément semi- conducteur de type p. On peut se reporter aux figures 10(a) et 10(b) pour le cas de cations paramagnétiques (par exemple des Ni2+). Sur la figure 10(a), le champ externe Ho est imposé selon la direction longitudinale des électrodes (direction X), les cations paramagnétiques sont attirés (effet de grille élevé) entre les électrodes et donc à proximité de l'élément semiconducteur de type p, ce qui bloque le passage du courant électrique (OFF). Sur la figure 10(b), le champ externe Ho est imposé selon une direction transversale (direction Y, en l'occurrence), les cations paramagnétiques sont repoussés loin de l'espace inter-électrodes et donc de l'élément semiconducteur de type p, ce qui permet le passage du courant électrique entre les électrodes (ON). Il en serait de même si le champ externe était appliqué selon la direction Z. Par ailleurs, si l'élément semiconducteur est de type n, toutes choses égales par ailleurs, les états ON et OFF seraient intervertis. Un schéma représentatif d'un transistor 300 conforme à l'invention, selon cette première option, est représenté sur la figure 11, dans le cas où le moyen pour appliquer un champ magnétique externe est un électroaimant. Un transistor à effet de champ 300 conforme à l'invention comprend les caractéristiques suivantes : - au moins deux électrodes 301, 302, dont l'une 301 fait office de source et l'autre 302 de drain, chaque électrode 301, 302 comportant au moins un matériau ferromagnétique 310, 320 présentant soit aucune couche de couverture en matériau non-ferromagnétique soit une couche de couverture en matériau non-ferromagnétique d'épaisseur inférieure à 40 nm, les extrémités 311, 312 de ces électrodes 301, 302 étant disposées face à face de sorte que la distance DF entre les matériaux ferromagnétiques 310, 320 des électrodes est comprise entre 1nm et 1p.m ; - un élément semiconducteur 330 reliant les deux électrodes 301, 302 ; - un milieu électrolytique 340 comportant des ions paramagnétiques, - un moyen 350 pour appliquer un champ magnétique externe Elc pour io magnétiser lesdites électrodes 301, 302, la combinaison du champ magnétique externe Ho et de aimantation M desdites électrodes générant un champ magnétique induit B dans les électrodes et le milieu électrolytique 330, ledit moyen étant adapté pour modifier l'orientation de la magnétisation des électrodes. 15 Avec ce transistor à effet de champ 300, il est ainsi possible d'attirer ou de repousser les ions paramagnétiques et par suite, de régler l'intensité du courant passant entre les électrodes 301, 302 à travers l'élément semiconducteur 330. A noter que sur la figure 8, le moyen 350 est un électroaimant, 20 qui comporte donc des bobines 351, 352, un moyen 353 pour modifier l'orientation du champ magnétique externe Flo par rapport à l'axe longitudinal X des électrodes et également un moyen 354 pour régler l'intensité du courant traversant les bobines et donc l'intensité du champ magnétique externe H. Les électrodes 301, 302 peuvent être réalisées conformément à 25 ce qui a été décrit à l'appui des figures 3(a) à 3(d). Le transistor 300 pourra comprendre, en outre, les caractéristiques suivantes, prises seules ou en combinaison - une grille électrostatique ; - l'élément semiconducteur 320 est réalisé en un matériau choisi parmi un 30 matériau organique, du gra phène, du disulfide de molybdène (FeeS2) ; - l'élément semiconducteur 320 présente une épaisseur inférieure ou égale à 40 nm, voire à 20nm ; - l'une au moins des deux électrodes 301, 302 comprend une couche de couverture réalisée en un matériau non-ferromagnétique d'une épaisseur inférieure à 40nm ; - chacune des deux électrodes 301, 302 comprend une couche de couverture réalisée en un matériau non-ferromagnétique, dune épaisseur inférieure à 40 nm ; - l'épaisseur de la couche de couverture réalisée en un matériau non-ferromagnétique de l'une ou, selon le cas, de chaque électrode 301, 302, est inférieure à 20 nm ; - le matériau ferromagnétique de chaque électrode 301, 302 est choisi parmi un métal, un alliage métallique ou un matériau de type terre rare tel que Gd, Eu ou Sm; - la distance DF entre les matériaux ferromagnétiques 310, 320 correspondants des électrodes 301, 302 est comprise entre 1 nm et 100 ,nm ; - ledit moyen pour appliquer un champ magnétique externe est adapté pour changer l'intensité de ce champ, afin de modifier l'orientation de la magnétisation des électrodes ; - ledit moyen pour appliquer un champ magnétique externe est adapté pour changer la direction de ce champ, afin de modifier orientation de la magnétisation des électrodes ; - ledit moyen pour appliquer le champ magnétique externe Ho est choisi parmi un électroaimant, un aimant supraconducteur ou au moins un aimant permanent ; - le champ magnétique externe He l'excède pas 5 Teslas ; - l'eAtrémité 311, 312 de chaque électrode 301, 302 est plane ou en forme de flèche. REVENDICATIONS1. Dispositif (100) caractérisé en ce qu'il comprend : - au moins deux électrodes (20, 21), chaque électrode comportant au moins un matériau ferromagnétique présentant soit aucune couche de couverture en matériau non-ferromagnétique soit une couche de couverture en matériau non-ferromagnétique d'épaisseur inférieure à 40nm, les extrémités (201, 211) de ces électrodes (20, 21) étant disposées face à face de sorte que la distance (DE) entre les matériaux ferromagnétiques (200, 210) des électrodes est comprise entre 1 nm and 1 m; - un moyen pour appliquer un champ magnétique externe (Ho) afin de magnétiser lesdites électrodes (20, la con-ibinaison du champ magnétique externe et de l'aimantation (M) desdites électrodes générant un champ magnétique induit (B) dans le dispositif ; - au moins une particule à transition d'état électronique de spin au contact des deux électrodes, laquelle présente des propriétés diamagnétiques dans un premier état électronique de spin et des propriétés paramagnétiques dans un deuxième état électronique de spin, l'état électronique de spin de ladite au moins (1 ne particule étant commandable par un stimulus, par exemple un stimulus lumineux, de pression ou de température et ladite au moins une particule étant par ailleurs dépourvue de matériau ferromagnétique, notamment à sa surface. 2. Dispositif (100) selon la revendication 1, dans lequel au moins l'une des deux électrodes (20, 21) comprend une couche de couverture réalisée en un matériau non-ferromagnétique, d'une épaisseur inférieure à 40nm. 3. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel chacune des deux électrodes (20, 21) comprend une couche de couverture réalisée en un matériau non-ferromagnétique, d'une épaisseur inférieure à 40 nm. 4. Dispositif (100) selon l'une des revendications 2 ou 3, dans lequel l'épaisseur de la couche de couverture réalisée en un matériau non-ferromagnétique de l'une (20) ou, selon le cas, de chaque électrode (20, 21), est inférieure à 20 nm. 5. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le matériau ferromagnétique de chaque électrode (20, 21) est choisi parmi un métal, un alliage métallique ou un matériau de type terre rare tel que Gd, Eu ou Sm. 10 6. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le matériau ferromagnétique de l'une au moins des deux électrodes (20, 21), en particulier de chaque électrode, présente des propriétés de rémanence. 15 7. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans equel la distance (DF) entre les matériaux ferromagnétiques (200, 210) correspondants des électrodes (20, 21) est comprise entre 1 nm et 100 nm. 8. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel 20 ledit moyen (101, 102) pour appliquer le champ magnétique externe (N0) est choisi parmi un électroalmant, un aimant supraconducteur ou au moins un aimant permanent. 9. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel 25 le champ magnétique externe (Hn) n'excède pas 5 Teslas. 10. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'extrémité (201, 211) de chaque électrode (20, 21) est plane ou en forme de flèche. 30 11. Dispositif (100) selon l'une des revendications précédentes, dans lequel il est prévu un moyen (104) pour contrôler l'intensité du stimulus. . Dispositif (100) selon l'une d, s revendications précédentes, dans lequel ladite au moins une particule à transition d'état électronique de spin est commanda ble en température. 13. Dispositif (100) selon la revendication précédente, dans lequel ladite au moins une particule est à base d'un complexe répondant à la formule : [Fe (G):3]( hi où : G est un ligand 1, 2, 4-triazole portant un substituant R sur l'azote en position 4, 10 noté R-Trz ; X représente au moins un anion; et n est calculé de telle sorte que l'électroneutralité de la formule soit respectée. 14. Dispositif (100) selon la revendication précédente, dans lequel l- 15 substituant R est choisi parmi l'ensemble composé de l'hydrogène et des composés H2N-, R1-, HRiN-. et R1R2N- où Ri, R2 sont des radicaux alkyles. 15. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel ladite au moins une particule est à base d'un complexe Fe(PI'vl-L)7.(NCS)2 où PM est 20 du N-2'-pyridylméthylène et L est choisi parmi le 4-aminoterphényle (TeA), le 4-(phénylazo)aniline (AzA), le 4-aminobiphényl (BiA) ou le 4-(phényléthynyl)aniline (PFJ-\). 16. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel ladite au moins une 25 particule est à base d'un complexe Fe(1,10-phénanthroline)2(NCS)2. 17. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 1' dans lequel ladite au moins une particule à transition d'état électronique de spin est commandabre en pression. 30 18. Dispositif selon la revendication précédente, dans lequel ladite au moins une particule est à base d'un complexe choisi parmi :- le [Fe(hyertz)3](3-nitrophényl sulfonate)2 avec hyertz = 4-(2'- hydroxyéthy1)1,2,4-triazole ; - le [Fe(dpp)2(NCS)-1.py avec dpp = dipyrido[3,2-a : ' phénazine. 19. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel ladite au moins une particule à transition d'état électronique de spin est commandable en lumière, par exemple le Fe(ptz)6(BF4)2 avec ptz= 1-propyltétrazole. 20. Utilisation d'un dispositif (100) selon l'une des revendications 10 précédentes comme dispositif photoconducteur, dans lequel les parties externes des deux électrodes (20, 21 sont réalisées en un même métal. 21. Utilisation d'un dispositif (100) selon l'une des revendications 1 à 19 comme dispositif photovoltaïque, dans lequel la partie externe de l'une (20) des 15 deux électrodes (20, 21) est en un premier métal et !a partie externe de l'autre (21) des deux électrodes (20, 21) est réalisée en un deuxième métal, différent du premier métal. 22. Utilisation d'un dispositif (100) selon l'une des revendications I à 19 20 comme interrupteur électrique. 23. Procédé de fabrication d'un dispositif ( 00) selon l'une des revendications 1 à 19, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) réaliser au moins deux électrodes (20, 21), chaque électrode comportant au 25 moins un matériau ferromagnétique présentant soit aucune couche de couverture en matériau non-ferromagnétique soit une couche de couverture en matériau non-ferromagnétique d'épaisseur inférieure à 40nm, les extrémités (201, 211) de ces électrodes (20; 21) étant disposées face à face de sorte que la distance (DF) entre les matériaux ferromagnétiques(200, 210) des 30 électrodes est comprise entre mm and 1pm ; b) plonger lesdites électrodes (20, 21) dans une solution comportant au moins une particule à transition d'état électronique de spin présentant des propriétés diamagnétiques dans un premier état électronique de spin et des propriétésparamagnétiques dans un deuxième état électronique de spin dont l'état électronique de spin est commandabie par un stimulus, par exemple un stimulus lumineux, de pression ou de température, ladite au moins une particule étant par ailleurs dépourvue de matériau ferromagnétique, notamment à sa surface ; c) stimuler ladite au moins une particule pour qu'elle soit dans son état électronique de spin paramagnétique d) appliquer un champ magnétique externe (H0) afin de magnétiser lesdites électrodes (20, 21), la combinaison du champ magnétique externe et de 10l'aimantation (M) desdites électrodes générant un champ magnétique induit (B) dans le dispositif apte à contrôler le déplacement, dans la solution, de ladite au moins une particule dans son état paramagnétique pour la disposer au contact des deux électrodes (20, 21) ; e) assécher la solution. 15