FR 3019708 A1 20151009 FR 1453000 A 20140404 L'invention se rattache au secteur technique de la production de plasma par résonnance électronique (RCE) à partir d'un milieu gazeux. Plus particulièrement, l'invention concerne le traitement de surface sous vide 5 par plasma de tout type d'éléments filiformes tels que fils, tubes, fibres et plus généralement de tout produit dont la longueur est très importante par rapport au diamètre. L'élément filiforme étant entraîné linéairement en continu. Par traitement de surface sous vide par plasma on entend nettoyage, décapage, activation greffage de fonctions ou revêtement de la surface par exemple par 10 PECVD (dépôt physique en phase vapeur assisté par plasma) de l'élément filiforme. On connaît de nombreuses solutions techniques pour réaliser des applicateurs micro-ondes pour le traitement de différents types de pièces. On peut citer par 15 exemple, à titre indicatif et non limitatif, l'enseignement du brevet EP 1075168 qui concerne un procédé et un dispositif de production de plasmas élémentaires en vue de créer un plasma uniforme pour une surface d'utilisation. On peut citer également l'enseignement du brevet FR 2 922 358 qui concerne. un procédé de traitement de surface d'au moins une pièce au moyen de sources élémentaires de 20 plasma par résonnance cyclotronique électronique. Les différentes solutions relevant de ces brevets sont particulièrement adaptées pour le traitement de grande surface ou de lots de pièces placées les unes à côté des autres et présentant généralement de multiples faces à traiter. Selon l'état antérieur de la technique en utilisant un applicateur micro-onde 25 avec embout magnétique, il apparait que le plasma est généré en bout de chaque aimant créant une zone dense de plasma. Il est connu également que pour générer un plasma micro-onde à basse pression, on utilise l'effet de la résonnance cyclotronique électronique. La probabilité de chocs à haute vitesse est considérablement accrue ce qui créé un plasma dense dans la zone RCE. Ainsi, pour une fréquence de 2,45 GHz , la zone RCE se trouve au niveau des lignes de champ magnétique à 875 Gauss (G). Cette zone à 875 Gauss (G) se trouve autour de l'aimant. Cette technologie d'applicateur plasma n'est pas adaptée pour le traitement en continu d'un fil (ou autre élément filiforme) nécessitant plusieurs applicateurs placés radialement et répétés plusieurs fois selon l'axe de défilement du f l à traiter pour obtenir une vitesse de défilement. En effet le volume de plasma étant localisé ponctuellement en bout des applicateurs, il est nécessaire d'utiliser plusieurs applicateurs tout autour du fil (ou autre élément filiforme) pour garantir un dépôt uniforme axisymétrique. Une telle configuration nécessite une grande chambre de dépôt ce qui est consommateur de gaz et d'énergie. La multiplication des applicateurs et le manque de compacité rend ce système cher à la construction. 11 apparait donc que la juxtaposition de sources RCE classiques ne permet pas d'obtenir une configuration plasma favorable au dépôt sur un élément. filiforme. Pour le traitement de fils sous vide, selon l'état de la technique, on a proposé des traitements du type PVD (dépôt physique par phase vapeur), dépôt physique 20 par phase vapeur comme il ressort par exemple de l'enseignement des documents WO 2005/095078, WO 2006/002673, FR 2667616 et EP 1231292' EP 1277874. On connaît également le brevet US 6,638,569 selon lequel on utilise une enceinte à vide classique et on soumet le fil à de multiples allers retours dans ladite 25 enceinte de façon à exposer le maximum de surface du fil au plasma. Cette solution est peu efficace car la surface du fil est négligeable par rapport à la taille de l'enceinte et relève d'une relative complexité en mettant en oeuvre des systèmes de renvoi fonctionnant sous vide. A partir de cet état de la technique, le but recherché est de pouvoir réaliser sur tout type d'élément filiforme un traitement de surface sous vide par plasma tel que défini précédemment. Selon l'enseignement du brevet US 5,595,793, on dépose un revêtement par PECVD, par exemple un revêtement carboné, sur une fibre en 5 utilisant une onde de plasma micro-onde de surface pour générer le plasma.. Toutefois, cette solution est très liniitée en application étant donné qu'elle ne peut fonctionner que sur des diélectriques et uniquement pour réaliser des dépôts isolants électriques. Autrement dit, il n'est pas possible de revêtir des fibres conductrices. Par ailleurs la fréquence du générateur doit être adaptée à la 10 -constante diélectrique de chaque matériau constituant la fibre. Le procédé n'est donc pas facilement transférable en passant d'un matériau à l'autre. Enfin le procédé est difficile à maitriser car au fur et à mesure que le dépôt se réalise, la constante diélectrique du matériau se modifie. Cette modification a un effet rétroactif sur le couplage de l'onde de surface avec le plasma. 15 Il ressort donc de cette analyse de l'état de la technique que la génération de plasma en utilisant les applicateurs, n'est pas adaptée pour le traitement en continu d'éléments filiformes, le volume de l'enceinte étant surdimensionné par rapport à la taille de l'élément, le gaz précurseur et l'énergie nécessaire étant important tandis que le plasma n'est pas généré à proximité du fil à revêtir. Il ressort 20 également que les techniques de plasma micro-onde alternatives basées sur des ondes de surface sont limitées dans leurs applications et difficiles à mettre en oeuvre. L'invention s'est fixée pour but de remédier à ces inconvénients de manière 25 simple, sure, efficace et rationnelle. Le problème que se propose de résoudre l'invention est de permettre la génération d'un plasma linéaire confiné autour de tout type d'élément filiforme tel que défini, afin de minimiser le volume de la chambre et, par conséquent, l'investissement de consommation de gaz précurseur et de l'énergie nécessaire avec, pour objectif, de générer du plasma axisymétrique afin de garantir l'homogénéité du traitement sur la pièce, notamment par PECVD. Pour résoudre un tel problème il a été conçu et mis au point un procédé pour réaliser un traitement de surface ou un revêtement sous vide en utilisant un plasma excité par une énergie micro-onde dans le domaine de la résonnance cyclotronique électronique (RCE) autour d'un élément filiforme selon lequel, - on déplace linéairement en continu l'élément filiforme au travers de dipôles magnétique disposés en regard et autour d'un tube constituant une chambre de traitement, - on introduit l'énergie micro-onde entre au moins deux dipôles magnétiques. L'invention concerne également un dispositif pour générer un traitement sous vide par plasma sur un élément filiforme entraîné linéairement en continu et comprenant des moyens de production d'une énergie micro-onde dans le domaine de la résonnance cyclotronique - caractérisé en ce qu'il comprend au moins un module composé de deux dipôles magnétiques disposés en regard et montés préférentiellement autour d'un tube constituant une chambre de traitement et au travers duquel est déplacé linéairement l'élément filiforme à traiter, un applicateur micro-onde est monté entre les deux dipôles. Il résulte de ces caractéristiques que la taille du dispositif (réacteur) est diminuée réduisant, par conséquent, les investissements permettant une diminution des consommations de gaz. On observe également que le plasma le plus dense se trôuve sur le fil et non plus à proximité de ce dernier comme il ressort des solutions relevant de l'état antérieur de la technique, permettant ainsi une augmentation de vitesse de dépôt. Ces caractéristiques permettent également d'obtenir un dépôt homogène sur le fil compte tenu de l'axisymétrie des lignes de champ magnétique. A noter également, en ce qui concerne un traitement plasma afin de réaliser un dépôt chimique, que l'on obtient une meilleure utilisation du monomère et un encrassement moins rapide des parois du réacteur. Selon d'autres caractéristiques : - les dipôles magnétiques sont des aimants annulaires. Ces aimants annulaires peuvent être des aimants permanents soit des bobines électromagnétiques ou tout autre moyen permettant de créer un champ magnétique - l'applicateur micro-onde est disposé perpendiculairement à l'axe du tube, - le tube constitue un Té dont la branche médiane reçoit l'applicateur micro-onde tandis que les deux autres branches reçoivent les aimants de part et d'autre de ladite branche médiane. Le dimensionnement des aimants annulaires doit être tel que le champ magnétique au centre du système entre deux aimants doit être égal au champ magnétique à la résonnance cycl.otronique électronique. Par exemple si les aimants annulaires sont des bobines de rayon R comprenant n spires parcourues par un courant d'ampérage L la distance D qui sépare ces deux bobines doit être telle que : e R R2 R2 + (D-2-)) 2 Où m est la masse des électrons, e leur charge et o.) la pulsation de l'onde micro-onde. On reconnait dans le terme à droite de cette équation, l'équation de Biot et Savart. 3/2 m. co tio. n.1 25 Dans une forme de réalisation, le dispositif comprend plusieurs modules montés en série en alignement linéaire et reliés entre eux. par une bague d'étanchéité. Chaque bague fait office soit de zone de pompage en étant reliée à un collecteur de pompage de gaz soit de zone de zone d'injection de gaz étant reliée à des dispositifs d'alithentation en gaz. A noter que l'élément filiforme peut être électriquement polarisé afin de permettre un bombardement par les ions du plasma. Lorsque l'élément filiforme est polarisé, on peut réaliser une implantation ionique d'un gaz sur ledit élément. 10 L'invention est exposée ci-après plus en détail à l'aide des figures des dessins annexés dans lesquels : La fig. 1 montre un schéma de principe d'un réacteur selon l'état antérieur de la technique pour générer un dépôt sur un fil à revêtir ; 15 La fig. 2 est une vue correspond à la figure 1 montrant le principe du dispositif selon. l'invention ; La fig. 3 est une vue en perspective d'un module de base du dispositif selon l'invention. ; La fig. 4 est une vue en perspective montrant le montage de plusieurs 20 modules du dispositif pour augmenter la vitesse de traitement, La 4..5 est une courbe des analyses FITR montrant de façon très classique que le dépôt s'approche d'autant plus du Si02 que la ration 02/1-IMDSO est élevé. 25 Comme indiqué, l'invention trouve une application particulièrement avantageuse pour générer un plasma en vue du traitement de surface de tout type d'élément filiforme, y compris conducteur, du type fils, fibres, tubes, gaines... et plus généralement tout élément (F) présentant une longueur importante par rapport à son diamètre. Le but recherché selon l'invention est de traiter en continu l'élément (F) au « défilé », autrement dit, par entraînement linéaire du fil. Selon l'invention, le dispositif ou réacteur comprend, au moins un module composé de deux dipôles magnétiques (1) et (2) disposés en regard et montés de préférence autour d'un tube (3), constituant une chambre de traitement. Chaque dipôle magnétique (1) et (2) est par exemple constitué par un aimant annulaire disposé concentriquement au tube (3). Ce montage facilite en particulier le refroidissement des aimants. En effet, contrairement aux applicateurs RCE décrits dans l'état de l'art, les aimants ne sont pas sous vide. L'élément (F) est engagé coaxialement au tube (3) et entraîné linéairement en continu par tout moyen connu et approprié.. Un applicateur micro-onde (4), de tout type connu et approprié, est monté entre les deux aimants (1) et (2). L'applicateur micro-onde (4) est disposé perpendiculairement à l'axe du tube (3). De préférence les polarités en regard sont opposées afin que les lignes de champs soient parallèles à l'élément F. On renvoie à la figure 2 qui montre que le plasma au niveau de la zone RCE se trouve sur le fil. On observe également une axisymétrie des lignes de champ magnétiques (C) permettant de réaliser un dépôt homogène sur l'élément (F). Dans une forme de réalisation, le tube (3) constitue un Té dont la branche médiane (3a) reçoit l'applicateur micro-onde (4) notamment, son guide coaxial (4a). Les deux autres branches (3b) et (3c) du Té reçoivent les aimants (1) et (2) de part et d'autre de la branche médiane (3a). A partir de cette conception de base du dispositif, il est possible de monter en série et en alignement linéaire plusieurs modules comme le montre la figure (4). Dans cette configuration, la liaison entre les modules est assurée par une bague d'étanchéité (5) qui fait également office de zone de pompage en étant raccordée à un connecteur (6) de pompage de gaz. Dans cette configuration les gaz plasmagènes et éventuellement réactifs sont préférentiellement injectés en vis-à-vis des applicateurs micro-onde (injection non représentée sur la figure). Une configuration alternative à celle représentée consiste à ce que les bagues d'étanchéité font alternativement office de zone de pompage et de zone d'injection de gaz. Le pompage est réparti entre le centre du réacteur et les extrémités droite et gauche de ce dernier. L'élément filiforme (F) est introduit linéairement dans la chambre de traitement résultant du tube constitué par un alignement linéaire et le montage en série des différentes branches (3b), (3c) des tubes et des bagues (5). Pour augmenter la vitesse de défilement de l'élément filiforme (F), il suffit de multiplier le nombre de modules. A noter qu'il est possible d'injecter, dans chaque module, un précurseur adapté et de laminer les circuits de pompage pour régler les pressions de travail de chaque 15 module. Des essais ont été effectués avec des aimants en samarium Cobalt (Sm,Co17) sans pour cela exclure tout autre matériau pour engendrer un champ magnétique de 875 G tel que le Néodyme Fer Bore. 20 Ces essais ont été effectués selon deux configurations. Première configuration : Les aimants ont les dimensions suivantes : 25 diamètre interne 20 mm, diamètre externe 28 mm, épaisseur 20 mm, polarisation suivant l'épaisseur, distance entre les aimants 31, 5 mm polarités opposées entre les aimants. t Deuxième configuration : Les aimants ont les dimensions suivantes : diamètre interne 33,8 mm., - diamètre externe 50 mm, épaisseur 25 mm, polarisation. suivant l'épaisseur, distance entre les aimants 46 mm caractéristique du tube servant de chambre de traitement : DN25 soit 33,7 mm de diamètre extérieur polarités opposées entre les aimants. Dans ces deux configurations : - Les micro-ondes sont injectées au centre de l'espace entre les deux aimants. La profondeur de pénétration de l'injecteur micro-onde doit être optimisée pour faciliter l'amorçage et le fonctionnement du plasma. Les aimants sont à la pression atmosphérique. Les aimants sont refroidis par contact avec une enveloppe externe dans laquelle circule un fluide par exemple de l'eau. Les zones de pompage et les zones d'injection de gaz ont été alternées. Les aimants sont maintenus dans le système par trois vis de pression pour éviter qu'ils ne s'attirent. Les avantages ressortent bien de la description, en particulier, on souligne et on rappelle : - la génération d'un plasma linéaire confiné autour de l'élément à traiter afin de minimiser le volume de la chambre et par conséquent diminuer les investissements et la consommation du gaz précurseur et de l'énergie, la génération d'un plasma axisymétrique afin de garantir l'homogénéité du dépôt sur l'élément à traiter, la possibilité de traiter tout type d'éléments filiformes y compris conducteur du type fils, tubes, fibres et plus généralement tout produit dont la longueur est importante par rapport à son diamètre. A titre d'exemple, on décrit ci-dessous des essais de dépôt de SiOx par PECVD ECR dans un réacteur selon la deuxième configuration Premier procédé PECVD Débit de TMS (Tétraméthyl Silane) : 5 sccm Débit de d'02 (dioxygène) : 18 sccm Pression : 1,3.10-2 mbar Puissance d'injection des micro-ondes : 100 W Avec ce ratio 02/TMS de 3,6 la vitesse de dépôt constatée entre les deux aimants au milieu de la chambre est de 250 mn/min. La vitesse de dépôt est mesurée sur une plaque de silicium posée au centre du réacteur. Deuxième procédé PECVD - Pression : 1.10-2 mbar - Puissance d'injection des micro-ondes : 50 W Utilisation d'un mélange O2IIIMDSO Ratio 02/I-IMDSO Vitesse de dépôt nm/min 9 530 3 875 1,7 110025