FR 3021161 A1 20151120 FR 1454328 A 20140515 PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE RONDELLE THERMOÉLECTRIQUE PAR FRITTAGE DOMAINE DE L'INVENTION L'invention concerne un procédé de préparation par frittage d'une rondelle thermoélectrique présentant sur ses faces latérales interne et/ou externe un revêtement en matériau conducteur électrique et thermique. Il s'agit notamment d'un revêtement en métal. Le domaine d'utilisation de la présente invention concerne notamment les systèmes thermoélectriques permettant de générer un courant électrique par échanges thermiques entre deux fluides. ÉTAT ANTÉRIEUR DE LA TECHNIQUE Dans les systèmes thermoélectriques, des thermo éléments permettent les échanges thermiques entre deux fluides, générant ainsi un courant électrique selon le phénomène de Seebeck. Les thermoéléments utilisés sont constitués de matériaux thermoélectriques, alternativement de type N et P. Les thermoéléments de type P sont généralement séparés des thermoéléments de type N au niveau de leurs faces latérales par un matériau électriquement isolant. Ils sont reliés entre eux par les faces internes et externes par des électrodes. En d'autres termes, les éléments thermoélectriques sont connectés électriquement en série, et thermiquement en parallèle. Les thermoéléments peuvent être obtenus par frittage d'une poudre de matériau 30 thermoélectrique de type N ou P notamment. Certaines applications nécessitent de protéger les parties latérales de ces thermoéléments par dépôt d'une couche. 35 Cette couche peut notamment constituer une protection afin de limiter l'oxydation des thermoéléments. Elle peut également servir de barrière de diffusion contre les espèces chimiques présentes ou ultérieurement apportées lors des étapes d'assemblage des thermoéléments en température. Elle peut aussi permettre la fonctionnalisation des thermoéléments et ainsi favoriser la compatibilité chimique et/ou thermomécanique avec les électrodes ou la brasure liant les électrodes et les thermoéléments. Dans les procédés de l'art antérieur, cette couche additionnelle est déposée après la formation des thermoéléments. Une étape ultérieure est donc nécessaire, ce qui engendre une complication du procédé de fabrication, et des coûts supplémentaires importants puisqu'un dispositif thermoélectrique requiert de nombreux éléments P/N. En outre, en fonction de la méthode de dépôt, la couche de protection/fonctionnalisation peut présenter des propriétés non homogènes, particulièrement en termes d'épaisseur. Afin de remédier à ces problèmes, le Demandeur a mis au point un procédé permettant de réaliser et de fonctionnaliser en une seule étape une rondelle en matériau thermoélectrique de type N ou P. EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention concerne les modes de réalisation décrits ci-après ainsi que toutes leurs combinaisons. Le procédé objet de la présente invention consiste à fonctionnaliser les faces intérieure et/ou extérieure d'une rondelle thermoélectrique lors de sa mise en forme. Ce procédé présente l'avantage de permettre le contrôle de l'état de surface et de l'épaisseur de la couche de fonctionnalisation, et ce sans nécessiter d'étape d'usinage, ce qui représente un gain de temps et de coût pour des productions à l'échelle industrielle. Alors que les procédés de l'art antérieur consistent à insérer un matériau de fonctionnalisation sous forme de poudre sur une surface plane, la présente invention permet d'insérer directement le matériau de fonctionnalisation sous sa forme finale. Il est ainsi possible de préparer une rondelle dont on peut choisir si la couche de fonctionnalisation doit présenter une épaisseur homogène ou non, et ce tout en contrôlant ses caractéristiques. Plus précisément, la présente invention concerne un procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique présentant une surface supérieure, une surface inférieure, une face latérale externe, et une face latérale interne, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - positionnement au sein d'un moule de frittage, d'un premier anneau en matériau conducteur électrique et thermique et d'un deuxième anneau en matériau conducteur électrique, le premier anneau présentant un diamètre supérieur au diamètre du deuxième anneau ; - remplissage du volume séparant les deux anneaux avec un matériau thermoélectrique de type P ou N se présentant sous la forme d'une poudre ; - frittage du matériau thermoélectrique de type P ou N; - obtention d'une rondelle en matériau de type P ou N, dont la face latérale externe est constituée du premier anneau, et la face latérale interne est constituée du deuxième anneau. Selon un mode de réalisation particulier, un seul anneau peut être mis en place dans le moule de frittage afin de fonctionnaliser une seule face latérale de la rondelle thermoélectrique. De manière générale, le premier anneau et le deuxième anneau sont en matériau conducteur électrique. Ils peuvent être constitués du même matériau ou non. Ils peuvent notamment être en métal. Ils jouent le rôle de barrière d'inter-diffusion chimique. Par « rondelle », on entend un objet de forme cylindrique comprenant un canal traversant. La rondelle présente ainsi un diamètre externe définissant le cylindre, et un diamètre interne définissant le canal traversant. La rondelle présente une hauteur avantageusement inférieure à la différence entre le diamètre interne et le diamètre externe. En outre, le canal traversant présente avantageusement une section de forme circulaire. Le terme « thermoélectrique » définit l'aptitude d'un matériau ou objet à convertir un gradient de chaleur entre deux sources de températures distinctes, en courant électrique.35 L'étape de frittage permet également d'assurer la diffusion solide-solide du matériau constituant les anneaux dans le matériau fritté, et assure ainsi une bonne accroche du revêtement et une faible résistance de contact électrique entre les anneaux et le matériau fritté. La face latérale externe et la face latérale interne de la rondelle thermoélectrique correspondent aux couches de fonctionnalisation/protection. Selon un mode de réalisation particulier, le matériau constituant le premier anneau et/ou le deuxième anneau est un métal pouvant être choisi dans le groupe comprenant le nickel ; l'or ; le titane ; et les alliages de ces métaux. Selon un mode de réalisation particulier, le premier et/ou le deuxième anneau (avantageusement le premier anneau) est constitué de deux couches de matériau, par exemple une couche de TiSi2 et une couche de Ni. Cette deuxième couche peut permettre d'améliorer la fonctionnalisation de certains matériaux de type P ou N. L'anneau est préférentiellement en nickel. De manière avantageuse, le métal est le même pour les deux anneaux. D'autre part, le matériau thermoélectrique de type P ou N peut être avantageusement choisi dans le groupe comprenant SiGe ; MnSi ; Mg2Si ; Mg2SiSn ; Mg2SiBi ; Bi2Te3. Mg2SiGe ; Zn45b3 ; CoSb3 ; et PbTe. Il peut notamment s'agir du MnSi de type P ou du Mg2SiSn de type N. De manière avantageuse, la rondelle thermoélectrique peut présenter les dimensions suivantes, indépendamment les unes des autres : hauteur comprise entre 0.5 et 10 millimètres, plus avantageusement entre 2 et 4 millimètres ; diamètre externe compris entre 10 et 40 millimètres, plus avantageusement entre 15 et 20 millimètres ; diamètre interne compris entre 5 et 30 millimètres, plus avantageusement entre 5 et 10 millimètres. Le premier et/ou le deuxième anneau(x) peuvent présenter une épaisseur avantageusement inférieure à 250 micromètres, et plus avantageusement comprise entre 10 et 250 micromètres, et encore plus avantageusement entre 20 et 50 micromètres. Selon un mode de réalisation particulier, le premier et le deuxième anneaux présentent la même épaisseur. Selon un autre mode de réalisation particulier, le premier et/ou le deuxième anneau(x) peuvent présenter une épaisseur homogène ou hétérogène sur toute leur circonférence. Les diamètres du premier anneau et du deuxième anneau correspondent respectivement aux diamètres externe et interne de la rondelle thermoélectrique. A cet égard, il est à noter que la diffusion solide-solide du matériau constituant les anneaux dans le matériau fritté mentionnée ci-dessus ne modifie pas le diamètre des anneaux. En effet, de manière générale, la quantité de matière qui diffuse dans la poudre fait varier l'épaisseur des anneaux de manière négligeable. Les diamètres intérieur et extérieur de la rondelle ne changent pas étant donné que l'ensemble est maintenu sous pression dans les outillages de frittage. Les premier et deuxième anneaux sont avantageusement concentriques. L'étape de remplissage consiste à remplir le volume séparant les deux anneaux avec un matériau thermoélectrique de type P ou N se présentant sous la forme d'une poudre. Selon un mode de réalisation particulier, l'intérieur du deuxième anneau (de diamètre inférieur à celui du premier anneau) est également rempli dudit matériau thermoélectrique de type P ou N. Par conséquent, à l'issue du frittage, le procédé nécessite une étape supplémentaire permettant de supprimer le matériau fritté à l'intérieur du deuxième anneau. Dans ce cas la partie centrale à supprimer peut être, préalablement au frittage, mise en forme, par exemple par compaction à froid, pour avoir une tenue mécanique suffisante et ensuite revêtue (notamment à l'aide d'un spray de carbone ou de nitrure de bore par exemple) afin de pouvoir la désolidariser de l'ensemble une fois la pièce frittée. Selon un mode de réalisation particulier, le frittage est réalisé en l'absence de poudre thermoélectrique à l'intérieur du deuxième anneau. L'absence de poudre thermoélectrique à l'intérieur du deuxième anneau peut être obtenue par le positionnement d'une tige centrale (coulisseau) à l'intérieur du deuxième anneau avant l'étape de remplissage. L'absence de poudre thermoélectrique à l'intérieur du deuxième anneau peut être obtenue par remplissage de l'intérieur du deuxième anneau avec un matériau distinct du matériau thermoélectrique de type P ou N. De manière avantageuse, il s'agit d'un matériau qui ne fritte pas dans les conditions de frittage du matériau thermoélectrique, ce qui évite notamment toute opération ultérieure de suppression de ce matériau car il reste sous sa forme pulvérulente lors du procédé. Il peut également s'agir d'un matériau se présentant sous la forme d'un cru, c'est-à-dire sous la forme d'une pièce issue de la compaction d'une poudre à froid. Un cru a notamment pour avantage de présenter une tenue mécanique permettant sa manipulation. Dans le procédé - objet de la présente invention, la rondelle thermoélectrique est obtenue par frittage de la poudre de matériau thermoélectrique. La température de frittage peut être avantageusement comprise entre 600 et 1400 °C, plus avantageusement entre 600 et 1100 °C. Elle est avantageusement adaptée en fonction du matériau mis en oeuvre. A titre d'exemple, elle peut être avantageusement comprise entre 700 et 750 °C pour un matériau de type N, notamment le matériau Mg2SiSn type N. Elle peut être avantageusement comprise entre 1000 °C et 1080 °C un pour un matériau de type P, notamment le matériau MnSi type P. La durée de frittage peut être avantageusement comprise entre 1 minute et 10 minutes. A titre d'exemple, elle peut être avantageusement comprise entre 2 minutes et 4 minutes pour un matériau de type N tel que le Mg2SiSn type N, et entre 1 minute et 3 minutes pour un matériau de type P tel que le matériau MnSi type P. La rampe de chauffe du frittage peut être avantageusement comprise entre 20 et 30 200°C/min. La rampe de refroidissement suivant le frittage peut être avantageusement comprise entre 10 et 400 °C/min. 35 En outre, l'étape de frittage peut être avantageusement réalisée en appliquant une force de pression sur la poudre de matériau thermoélectrique. Cette pression peut notamment être comprise entre 10 et 100 MPa, avantageusement entre 40 et 60 MPa. L'étape de frittage peut également être mise en oeuvre sous vide, notamment sous vide primaire (105 - 100 pascal), mais aussi sous atmosphère inerte et notamment sous argon. Le frittage est avantageusement réalisé par frittage assisté par courant pulsé tel que l'ECAS (de l'acronyme anglo-saxon « Electric Current Assisted Sintering »), ou par pressage à chaud. Il peut notamment s'agir de : - frittage flash, SPS (de l'acronyme anglo-saxon « Spark Plasma Sintering »). Le SPS repose sur le principe qu'un courant électrique continu pulsé traverse le moule de frittage et l'échantillon à fritter. Dans ce cas, le moule doit permettre de relier les deux électrodes de l'appareil de SPS en passant de manière continue à travers un matériau conducteur. Certaines parties du moule peuvent être cependant isolantes électriquement. L'effet Joule ainsi généré permet de chauffer très rapidement l'échantillon à fritter et le moule. Cette technique est compatible avec l'application simultanée d'une force de pression. - frittage à chaud qui consiste à utiliser une presse hydraulique dont la zone de pressage se situe au niveau du chauffage de l'échantillon (par induction ou par résistance par exemple). Dans ce cas, la durée peut être fortement augmentée par rapport aux durées mentionnées ci-dessus. - frittage naturel avec ou sans liant qui consiste à mettre en forme une pièce sous l'action d'une pression, puis de réaliser la pièce finale par cuisson (sans pression). Dans ce cas, la durée peut être fortement augmentée par rapport aux durées mentionnées ci-dessus. Le domaine d'utilisation de la rondelle thermoélectrique obtenue par mise en oeuvre du procédé selon l'invention concerne notamment les systèmes thermoélectriques. Ces dispositifs permettant de générer un courant électrique par échanges thermiques entre au moins deux fluides, et ainsi de récupérer de l'énergie. fi peut notamment s'agir de la récupération d'énergie d'un gaz chaud vers un liquide de température inférieure, ou de la récupération de chaleur entre liquides. A titre d'exemple, dans le domaine des automobiles, la récupération d'énergie peut concerner l'échappement de moteurs et/ou les systèmes de recirculation de gaz brûlés 35 de moteurs (souvent appelés EGR-C pour « Exhaust gas Recirculation Coolers »). L'invention et les avantages qui en découlent ressortiront mieux des figures suivantes données afin d'illustrer l'invention et non de manière limitative. DESCRIPTION DES FIGURES La figure 1 illustre une rondelle thermoélectrique obtenue selon le procédé - objet de l'invention. La figure 2 illustre un dispositif thermoélectrique comprenant des rondelles thermoélectriques obtenues selon le procédé objet de l'invention. La figure 3 illustre un moule de frittage pouvant être mis en oeuvre selon un mode de réalisation particulier du procédé objet de l'invention. La figure 4 illustre la réalisation d'une rondelle thermoélectrique selon un mode de réalisation particulier du procédé objet de l'invention. La figure 5a représente une vue de dessus d'un moule de frittage et des différents éléments utilisés pour réaliser une rondelle thermoélectrique selon un mode de réalisation particulier du procédé objet de l'invention. La figure 51) représente une vue de dessus des pistons utilisés pour réaliser une rondelle thermoélectrique selon un mode de réalisation particulier du procédé objet de l'invention. La figure Sc représente une vue de dessus des premier et deuxième anneaux utilisés pour réaliser une rondelle thermoélectrique selon un mode de réalisation particulier du procédé objet de l'invention. La figure 5d représente une vue de dessus de la tige centrale utilisée pour réaliser une rondelle thermoélectrique selon un mode de réalisation particulier du procédé objet de 25 l'invention. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION La rondelle thermoélectrique (1) obtenue selon le procédé - objet de la présente 30 invention présente une surface supérieure (2), une surface inférieure (3), une face latérale externe (6), et une face latérale interne (5) (figure 1). La rondelle thermoélectrique (1) est réalisée en matériau thermoélectrique de type P ou N. 35 Les faces interne (5) et externe (6) sont constituées d'un anneau (7, 8), avantageusement en métal. En revanche, les faces supérieure (2) et inférieure (3) de la rondelle thermoélectrique (1) ne sont pas fonctionnalisées. Elles ne présentent pas un revêtement en matériau conducteur électrique et thermique tel qu'un métal. Elles sont avantageusement constituées du matériau thermoélectrique de type P ou N. Une pluralité de rondelles thermoélectriques de type N (1N) et P (1P) peuvent être assemblées de manière à former le dispositif illustré par la figure 2. Les rondelles de type N et P sont séparées par un isolant (15). Ce dispositif comprend les électrodes (16) et (17) respectivement situées à l'intérieur et à l'extérieur de l'assemblage de rondelles thermoélectriques (1N) et (1P). Il peut notamment être utilisé dans un système thermoélectrique générant un courant électrique par échange thermique entre deux fluides circulant à l'intérieur et à l'extérieur du dispositif Dans ce cas, les faces interne (5) et externe (6) des rondelles (1) sont respectivement en contact avec un premier fluide et un deuxième fluide, le premier fluide étant généralement à une température inférieure à celle du deuxième fluide. Ces rondelles (1) peuvent être obtenues à partir du moule (9) de frittage illustré par la figure 3. Les anneaux, notamment en métal, constituant les faces latérales interne et externe de la rondelle (1), permettent notamment de limiter l'éventuelle diffusion d'espèces contenues dans la brasure ou dans les électrodes. En effet, lors de l'utilisation du dispositif, les espèces contenues dans la brasure ou dans l'électrode peuvent diffuser dans le matériau thermoélectrique sous l'effet de la chaleur. Ce phénomène modifie les propriétés du matériau thermoélectrique, et entraine par conséquent une baisse de performances dans le temps, ce qui peut ainsi aller jusqu'à faire perdre ses propriétés thermoélectriques à la rondelle (1). Dans le dispositif selon la figure 2, la brasure permet d'associer le matériau thermoélectrique et les électrodes, alternativement sur les faces inférieure (5) et supérieure (6).35 Selon un mode de réalisation particulier, le procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) peut comprendre les étapes suivantes (figures 2 et 3) : - positionnement d'un piston (12) au sein du moule (9) de frittage ; - optionnellement, positionnement de la tige centrale (13) au sein du moule (9) de frittage et sur le piston (12) ; - positionnement du premier anneau (7) (en métal par exemple) et du deuxième anneau (8) (en métal par exemple) au sein du moule (9) de frittage, le premier anneau présentant un diamètre supérieur au diamètre du deuxième anneau ; - remplissage du volume séparant les deux anneaux avec un matériau thermoélectrique de type P ou N se présentant sous la forme d'une poudre, avantageusement à hauteur des premier et deuxième anneaux ; - positionnement d'un piston (11) au sein du moule (9) de frittage, sur la poudre de matériau thermoélectrique ; - obtention d'une rondelle (10) de poudre de matériau thermoélectrique ; - frittage de la poudre de matériau thermoélectrique de type P ou N; - démontage des pistons (11) et (12) et de de la tige centrale (13) ; - obtention d'une rondelle (1) en matériau de type P ou N, dont la face latérale externe (6) est constituée du premier anneau (7) (en métal par exemple), et la face latérale interne (5) est constituée du deuxième anneau (8) (en métal par exemple). Le moule de frittage et/ou les pistons et/ou la tige centrale peuvent notamment être réalisés en graphite, ou en carbure de tungstène par exemple. De manière avantageuse, le piston (12), positionné dans la partie inférieure du moule de frittage (9), présente une cavité de forme circulaire et dans laquelle la tige centrale (13) vient en butée. Les premier et deuxième anneaux (7, 8) reposent avantageusement sur le piston (12), avantageusement au sein de la cavité du piston (12). En outre, le piston (11), positionné dans la partie supérieure du moule de frittage (9), présente un canal traversant de diamètre inférieur à celui de la tige centrale (13). Selon un mode de réalisation particulier, le piston (12) ne comprend pas de cavité mais un canal traversant de diamètre supérieur à celui de la tige centrale (13) mais inférieur à celui du deuxième anneau (8). La tige centrale (13) peut également être positionnée après le deuxième anneau. Elle est positionnée à l'intérieur du deuxième anneau. Sa présence permet d'éviter le remplissage de l'intérieur du deuxième anneau. Ainsi, les pistons peuvent permettre d'exercer une force de pression pour la mise en forme alors que la tige centrale permet de réaliser le trou à l'intérieur des rondelles. Le premier anneau (7) est en contact avec le moule (9). Le cas échéant, le deuxième anneau est en contact avec la tige centrale (13). Les premier et deuxième anneaux présentent avantageusement la même hauteur. La figure 5a représente une vue de dessus d'une disposition avantageuse du moule et de différents éléments mis en oeuvre. Pour plus de clarté les différences de diamètre sont exagérées. La figure 5b représente une vue de dessus des pistons (11) et (12). Le diamètre interne correspond au canal traversant du piston (12) et à la cavité du piston (11) ou, le cas échéant, au diamètre interne du canal traversant du piston (11). La figure 5c représente une vue de dessus des anneaux (7) et (8). La figure 5d représente une vue de dessus de la tige centrale (13). Elle est positionnée à hauteur des anneaux (7) et (8). Le moule (9) de frittage présente avantageusement une évacuation (14) permettant à l'air de s'échapper lors de l'étape consistant à tasser et/ou à mettre sous pression la poudre de matériau thermoélectrique. 25 La disposition selon la figure 5a permet au piston (11) au moins de glisser dans le diamètre intérieur du premier anneau (7) et dans le diamètre extérieur du deuxième anneau (8), et ainsi de comprimer la poudre de matériau thermoélectrique contre le piston (12). 30 Comme déjà indiqué, les anneaux (7) et (8) reposent avantageusement sur le piston inférieur (12), notamment dans la cavité. Le remplissage du moule consiste à mettre la poudre de matériau thermoélectrique en contact avec les premier et deuxième anneaux et en contact supérieur et inférieur avec 35 les deux pistons. La poudre peut être répartie à l'aide d'une raclette de manière à homogénéiser la surface supérieure et ainsi éviter la formation de bosses ou de creux. 20 Lors du frittage, les anneaux (7) et (8) ne sont pas mobiles. Ils demeurent en place. En revanche, la poudre de matériau thermoélectrique de type N ou P peut diminuer en volume et en particulier en épaisseur au vu de la configuration des forces appliquées par le dispositif de pressage (figure 3 et 4). L'homme du métier saura ajuster les dimensions des éléments du moule de frittage (moule, pistons, et tige centrale) et des anneaux (7) et (8) en fonction des dimensions de la rondelle thermoélectrique à préparer et des matériaux en présence. 10 REVENDICATIONS1. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) présentant une surface supérieure (2), une surface inférieure (3), une face latérale externe (6), et une face latérale interne (5), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - positionnement, au sein d'un moule (9) de frittage, d'un premier anneau (7) en matériau conducteur électrique et thermique et d'un deuxième anneau (8) en matériau conducteur électrique et thermique, le premier anneau présentant un diamètre supérieur au diamètre du deuxième anneau ; - remplissage du volume séparant les deux anneaux avec un matériau thermoélectrique de type P ou N se présentant sous la forme d'une poudre ; - frittage du matériau thermoélectrique de type P ou N; - obtention d'une rondelle (1) en matériau de type P ou N, dont la face latérale externe (6) est constituée du premier anneau (7), et la face latérale interne (5) est constituée du deuxième anneau (8). 2. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau constituant le premier anneau et/ou le deuxième anneau est un métal choisi dans le groupe comprenant le nickel ; l'or ; le titane ; et leurs alliages. 3. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le matériau thermoélectrique de type P ou N est choisi dans le groupe comprenant SiGe ; MnSi ; Mg2Si ; Mg2SiSn ; Mg2SiBi ; Bi2Te3. Mg2SiGe ; Zn4Sb3 ; CoSb3 ; et PbTe. 4. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la rondelle thermoélectrique présente les dimensions suivantes : - hauteur (4) comprise entre 0.5 et 10 millimètres ; - diamètre externe compris entre 10 et 40 millimètres ; - diamètre interne compris entre 5 et 30 millimètres. 5. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le premier anneau et/ou le deuxième anneau présente(nt) une épaisseur comprise entre 10 et 250 micromètres. 6. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la température de frittage est comprise entre 600 et 1400 °C. 7. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la durée de frittage est comprise entre 1 et 10 minutes. 8. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'étape de frittage est réalisée en appliquant une force de pression sur la poudre de matériau thermoélectrique. 9. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le frittage est réalisé par frittage assisté par courant pulsé ou par pressage à chaud. 10. Procédé de préparation d'une rondelle thermoélectrique (1) selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le frittage est réalisé en l'absence de poudre thermoélectrique à l'intérieur du deuxième anneau.20