FR 3019188 A1 20151002 FR 1452629 A 20140327 Procédé de croissance d'un élément allongé à partir d'un germe formé dans un creux d'une couche ou d'un plot de nucléation Domaine technique de l'invention L'invention concerne la croissance d'un élément allongé, notamment de type microfil ou de nanofil, dans le domaine de l'électronique, en particulier de l'optoélectronique. L'invention a pour objet plus particulièrement un procédé de croissance d'un élément allongé, notamment un fil de type nanofil ou microfil. État de la technique Le fort coût par lumen des diodes électroluminescentes planaires actuelles, notamment blanches, incite le développement de nouvelles solutions en rupture. Afin de diminuer ce coût, une possibilité est d'une part utiliser un substrat, notamment en silicium, et d'autre part réaliser des structures de diodes électroluminescentes à base de microfils/nanofils pour éviter l'étape critique de la croissance planaire, par exemple de GaN sur Si. Cependant, la croissance maîtrisée de microfils parfaitement verticaux est indispensable pour la réalisation optimale de toutes les étapes technologiques ultérieures nécessaires à la fabrication du composant. Il est connu d'utiliser une couche de nucléation sur laquelle il est formé un masque. Le masque comporte une pluralité d'ouvertures permettant chacune de délimiter un site de croissance d'un microfil. Cependant, on constate, après croissance des microfils, qu'un certain nombre de ces derniers ne sont pas verticaux. Ceci induit des problématiques pour réaliser les étapes ultérieures de fonctionnalisation des microfils. Ainsi, il résulte une nécessité d'augmenter la probabilité de formation d'un élément allongé vertical, et dans l'idéal de permettre d'assurer que ce dernier soit à coup sûr vertical. Objet de l'invention Le but de la présente invention est de proposer une solution qui remédie en tout ou partie aux inconvénients listés ci-dessus. On tend vers ce but notamment par l'utilisation d'un procédé de croissance d'un élément allongé, notamment un fil de type nanofil ou microfil, qui comporte les étapes suivantes : - une formation d'une surface de nucléation ayant au moins un site 20 de germination adoptant la forme d'un creux de germination et délimitée au moins en partie par un masque, ledit au moins un creux de germination étant situé à distance du masque, - une nucléation d'un germe destiné à participer à la croissance dudit élément allongé sur ledit au moins un creux de germination, 15 25 - une croissance dudit élément allongé à partir dudit germe. Selon une mise en oeuvre, l'étape de formation de la surface de nucléation comporte une étape de formation du masque sur une couche de nucléation, une ouverture dudit masque formant, avec une partie de la couche de nucléation, un trou borgne dont le fond formé par ladite partie de la couche de nucléation correspond à la surface de nucléation. Préférentiellement, il est réalisé successivement les étapes suivantes : une modification de la topologie de la couche de nucléation de sorte à former ledit au moins un creux de germination, l'étape de formation du masque, l'étape de nucléation du germe, l'étape de croissance de l'élément allongé. Selon une autre mise en oeuvre, le procédé comporte une étape de fourniture d'un substrat sur lequel est formée une couche de nucléation, et l'étape de formation de la surface de nucléation comporte les étapes suivantes : - une gravure de la couche de nucléation jusqu'au substrat de sorte à former un plot, - une formation du masque sur le substrat, ledit masque entourant ledit plot, notamment au niveau de sa base disposée à l'angle dudit plot avec le substrat. De préférence, selon cette autre mise en oeuvre, le procédé comporte successivement les étapes suivantes : une modification de la topologie de la couche de nucléation de sorte à former ledit au moins un creux de germination, la gravure de la couche de nucléation, la formation du masque, l'étape de nucléation du germe, l'étape de croissance de l'élément allongé. Avantageusement, le procédé comporte une étape de formation dudit au moins un creux de germination réalisée de telle sorte que ledit au moins un creux de germination définisse une zone de nucléation du germe présentant une variation d'énergie nécessaire à la formation dudit germe, au niveau de la seule zone de nucléation, inférieure à la variation d'énergie nécessaire à la formation d'un même germe au niveau de l'angle entre le masque et la surface de nucléation. Selon un perfectionnement, l'étape de formation de la surface de nucléation est telle qu'elle comporte une étape de détermination de la forme dudit au moins un creux de germination prenant en compte un premier facteur de mouillabilité du matériau destiné à former le germe sur le matériau utilisé pour former la surface de nucléation et un deuxième facteur de mouillabilité du matériau destiné à former le germe sur le matériau utilisé pour former le masque, et une étape de formation dudit au moins un creux de germination selon la forme déterminée. Par exemple, le creux de germination adopte, notamment en tout ou partie, la forme d'un cône, notamment de révolution ou en pyramide, dont la surface est définie par une droite génératrice passant par un point fixe appartenant à un axe principal sécant, notamment perpendiculaire, au plan incluant une courbe directrice dudit cône, et le procédé comporte une étape de détermination d'un angle a/2, notamment maximal, entre la droite génératrice et ledit axe principal, ledit angle a/2 étant déterminé à partir des premier et deuxième facteurs de mouillabilité. En particulier, l'étape de détermination de l'angle a/2 peut comporter la résolution de l'équation suivante - AE/ = cte - 2 a 1 pour laquelle - cos - -- 2 le résultat DE"-DE' doit être inférieur ou égal à 0, avec cte supérieur à 0, fl le premier facteur de mouillabilité tel que 1:',f11, f2 le deuxième facteur de mouillabilité tel que -1f20. Préférentiellement, l'étape de formation de la surface de nucléation est telle que ledit au moins un creux de germination adopte, notamment en tout ou partie, la forme d'un cône, notamment de révolution ou en pyramide, dont la surface est définie par une droite génératrice passant par un point fixe appartenant à un axe principal sécant, notamment perpendiculaire, au plan incluant une courbe directrice dudit cône, l'angle a/2 maximal entre la droite génératrice et l'axe principal étant inférieur à 53 degrés. L'invention est aussi relative à un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, notamment optoélectronique, qui comporte une étape de mise en oeuvre du procédé de croissance d'un élément allongé tel que décrit, et une étape de fonctionnalisation dudit élément allongé de sorte que ce dernier participe à l'émission, ou à la réception, de photons. L'invention est aussi relative à un substrat fonctionnalisé pour la croissance d'un élément allongé, notamment un fil de type nanofil ou microfil, ledit substrat comportant une surface de nucléation permettant la croissance de l'élément allongé, un masque délimitant au moins en partie ladite surface de nucléation, ladite surface de nucléation comportant au moins un creux de germination situé à distance du masque. Dans le cadre du substrat fonctionnalisé, ledit au moins un creux de germination adopte la forme d'un cône, notamment de révolution ou en pyramide, dont tout ou partie de la surface est définie par une droite génératrice passant par un point fixe appartenant à un axe principal sécant, notamment perpendiculaire, au plan incluant une courbe directrice dudit cône, l'angle a/2 maximal entre la droite génératrice (dl ) et l'axe principal étant inférieur à 53 degrés. L'invention est aussi relative à un dispositif électronique, notamment optoélectronique, comportant un élément allongé s'étendant à partir d'une surface de nucléation, ledit au moins un creux de germination appartenant à la surface de nucléation est comblé par de la matière de l'élément allongé. De préférence, le dispositif comporte un organe émetteur ou récepteur de photons, ledit organe comportant une jonction P-N dont une partie est formée par ledit élément allongé. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés sur les dessins annexés, dans lesquels : - les figures 1 à 3 sont des vues en coupes de différentes étapes de croissance d'un microfil selon l'art antérieur, - les figures 4 à 6 sont des vues en coupes de différentes étapes de croissance d'un élément allongé selon un mode d'exécution particulier de l'invention, - les figures 7 à 11 sont des vues en coupes de différentes étapes de croissance d'un élément allongé selon un autre mode d'exécution de l'invention, - la figure 12 représente schématiquement la formation d'un germe cristallin sous la forme d'une calotte sphérique, - les figures 13 et 14 illustrent deux variantes de nucléation d'un germe, - la figure 15 illustre plus en détails la forme d'un creux de germination formé à la surface de nucléation, - les figures 16 et 17 illustrent la variation de DE"-DE' en fonction de l'angle a/2 - la figure 18 illustre vue en coupe un dispositif optoélectronique apte à émettre, ou recevoir, des photons. Description de modes préférentiels de l'invention La présente invention diffère de ce qui a été décrit dans l'art antérieur en ce qu'il est proposé de contrôler la topologie de surface de la couche de nucléation (couche qui va permettre la croissance des fils, notamment de GaN) afin de contrôler le phénomène de germination du GaN et d'améliorer la verticalité desdits fils. Comme illustré à la figure 1, des tests ont démontré qu'en utilisant un substrat 1 sur lequel est formé un masque 2 de sorte à laisser libre d'accès une surface de nucléation 3 issue du substrat 1, il était possible d'observer que la problématique de non-verticalité des fils était issue d'un phénomène se réalisant dans les premiers instants de la phase de germination d'un fil, par exemple en GaN sur un substrat de silicium (formé au moins en partie par le substrat 1). En fait, comme l'illustre la figure 2, le germe 4 a tendance à se former à l'angle entre le masque 2 et la surface de nucléation 3. Dès lors, le germe n'est pas centré sur la surface de nucléation, et c'est ce comportement qui génère une croissance non verticale de fil 5 par rapport au substrat 1 (figure 3). En ce sens, il est apparu qu'en modifiant la topologie de la surface de nucléation, notamment en y formant un creux de germination préférentiellement adapté, le germe aurait plus tendance à se former au niveau du creux de germination et non pas à l'angle entre le masque 2 et la surface de nucléation 3. Pour éviter la croissance non-verticale, ce creux de germination est formé à distance du masque 2. Dans l'explication ci-dessus, il est fait référence à un fil. Cependant, il est possible d'élargir cette notion de fil à tout élément allongé. En particulier, l'élément allongé peut être un fil, par exemple, de type nanofil ou microfil. Le terme `microfil' ou `nanofil' dans la suite de la description, signifie préférentiellement une structure tridimensionnelle de forme allongée dont la dimension longitudinale est au moins supérieure à une fois la ou les dimensions transversales, de préférence au moins cinq fois et encore plus préférentiellement au moins dix fois. La ou les dimensions transversales sont comprises entre 5 nm et 2,5 pm. Dans certains modes de réalisation, les dimensions transversales peuvent être inférieures ou égales à environ 1 pm, de préférence comprises entre 100 nm et 300 nm. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque nanofil, ou microfils, peut être supérieure ou égale à 500 nm, de préférence comprise entre 1 pm et 50 pm. En ce sens, comme illustré aux figures 4 à 6, le procédé de croissance d'un élément allongé 5, notamment un fil par exemple de type nanofil ou microfil, comporte une étape de formation d'une surface de nucléation 3 (notamment formant ainsi une zone privilégiée 6 de croissance dudit élément allongé 5) ayant au moins un site de germination adoptant la forme d'un creux de germination 7. La surface de nucléation 3 est délimitée au moins en partie par un masque 2. Ledit au moins un creux de germination 7 est situé à distance du masque 2. En outre, le procédé de croissance comporte une étape de nucléation, ou aussi appelée dans le domaine étape de germination (on comprend alors que dans la présente description les termes nucléation et germination ont le même sens), (figure 5) d'un germe 4 destiné à participer à la croissance dudit élément allongé 5 (en cas de présence de plusieurs creux de germination 7, un germe 4 peut être nucléé dans chaque creux de germination 7 au cours de l'étape de nucléation) sur ledit au moins un creux de germination 7 de la surface de nucléation 3. Enfin, le procédé comporte une étape croissance dudit élément allongé 5 à partir du germe 4. Par « creux de germination situé à distance du masque », on entend que le creux de germination 7 ne se situe pas au niveau de l'angle entre le masque 2 et la surface de nucléation 3 mais à une certaine distance dudit masque 2. Par « certaine distance », on entend que le creux de germination 7 est situé à une distance du masque 2 au moins égale à une fois, deux fois, cinq fois, ou dix fois, la largeur du creux de germination 7. Préférentiellement, le creux de germination 7 est situé sensiblement au centre de la surface de nucléation 3 dont la périphérie est délimitée par le masque 2. Par « surface de nucléation », on entend au moins une partie d'une surface extérieure d'un élément tel un plot, ou une couche, formé dans un matériau compatible avec la formation d'un germe 4 en vue de permettre la croissance de l'élément allongé 5. L'étape de croissance est préférentiellement telle que l'élément allongé s'étend, selon sa direction d'allongement à partir de ladite surface de nucléation 3 tout en s'éloignant de ladite surface de nucléation 3. Selon une première mise en oeuvre (figure 4 à 6), l'étape de formation de la surface de nucléation 3 comporte une étape de formation du masque 2 sur une couche de nucléation 8, une ouverture dudit masque 2 formant, avec une partie de la couche de nucléation 8, un trou borgne dont le fond formé par ladite partie de la couche de nucléation 8 correspond à la surface de nucléation 3 délimitée par le masque 2. Préférentiellement, dans le cadre de cette première mise en oeuvre, il est réalisé successivement les étapes suivantes : une modification de la topologie de la couche de nucléation 8 de sorte à former ledit au moins un creux 7 de germination, l'étape de formation du masque 2, l'étape de nucléation du germe 4, l'étape de croissance de l'élément allongé 5. Selon une deuxième mise en oeuvre illustrée aux figures 7 à 11, le procédé comporte une étape de fourniture d'un substrat 9 sur lequel est formé une couche de nucléation 8 (figure 7), et l'étape de formation de la surface de nucléation 3 comporte les étapes suivantes : une gravure de la couche de nucléation 8 jusqu'au substrat 9 de sorte à former un plot 10 (figure 9) ; une formation du masque 2 sur le substrat 9, ledit masque 2 entourant ledit plot 10, notamment au niveau de sa base disposée à l'angle dudit plot 10 avec le substrat 9. Le plot 10 peut former une saillie par rapport au masque 2, mais préférentiellement le plot 10 affleure avec le masque 2. Alternativement, le substrat fourni peut aussi directement comporter le plot 10 (obtenu de n'importe quelle manière). Préférentiellement, dans le cadre de cette deuxième mise en oeuvre, le procédé comporte successivement les étapes suivantes : une modification de la topologie de la couche de nucléation 8 (figure 8) de sorte à former ledit au moins un creux de germination 7, la gravure de la couche de nucléation 8, la formation du masque 2 (figure 9), l'étape de nucléation du germe 4 (figure 10), l'étape de croissance de l'élément allongé 5 (figure 11). De manière applicable aux première et deuxième mises en oeuvre, la couche de nucléation peut comporter, ou être constituée par, du nitrure d'aluminium, ou un nitrure d'un métal de transition, par exemple choisi parmi TaN, ZrN, HfN, NbN, etc., dont l'épaisseur peut être comprise entre 10nm et 100nm. Préférentiellement, cette couche de nucléation 8 (par exemple préparée ex-situ) peut être formée en deux étapes : tout d'abord le métal (Ta, Zr, Hf, Nb, etc.) est déposé sur le substrat 9 (substrat visible aux figures 4 à 11), puis après ce dépôt, il est réalisé une étape de nitruration sous NH3 de la couche de métal déposée pour obtenir le composé MxNy (avec M le métal choisi et N le nitrure, x et y représentant les stoechiométries du métal de transition nitruré). Préférentiellement, le substrat 9 est en silicium dopé n, notamment dopé n+. Ceci permet par exemple d'injecter des porteurs de charge via le substrat en silicium dans la partie active du dispositif qui va se trouver au niveau de l'élément allongé 5. Les substrats dopés n+ ont une résistance électrique très faible, de l'ordre de quelques mû.cm. Préférentiellement, l'étape de modification de la topologie de la couche de nucléation 8 de sorte à former ledit au moins un creux de germination 7 est réalisée par indentation. Par « indentation », on entend que l'étape met en oeuvre l'utilisation d'une pointe dont l'extrémité est conformée de sorte à pénétrer partiellement la couche de nucléation 8 de sorte qu'après retrait de la pointe, le creux de germination 7 obtenu ait une forme prédéterminée. Préférentiellement, le germe 4 nucléé lors de l'étape de nucléation est en nitrure de gallium. Avantageusement, l'étape de nucléation du germe 4 est réalisée selon la technique MOCVD. MOCVD étant l'acronyme de « Metalorganic chemical vapor deposition » signifiant en français dépôt chimique en phase vapeur utilisant des précurseur métallo-organiques. Par ailleurs, l'élément allongé 5 obtenu au terme de l'étape de croissance peut être en nitrure de gallium préférentiellement dopé n. La croissance est peut être réalisée selon la technique MOCVD. Dans le cadre de la première mise en oeuvre, le masque 2 peut être déposé sur la couche de nucléation 8. Le dépôt peut être aléatoire (par exemple in situ à l'aide par exemple de SixNy) ou organisé (par exemple Si3N4, Si02, ...). Dans le cadre de la deuxième mise en oeuvre, après gravure de la couche de nucléation 8, le substrat 9, préférentiellement en silicium, présente des zones apparentes là où la gravure a été réalisée. Ces zones apparentes délimitent le ou les plots 10. Dans ce cas, il est possible de former le masque 2 par mise en oeuvre d'une étape de nitruration sous NH3 des zones apparentes du substrat en silicium (le masque est alors en SixNy). On comprend de ce qui a été dit ci-dessus que la présence du creux de germination 7 permet de favoriser la croissance verticale d'un élément allongé par rapport au plan dans lequel est formé le masque ou le substrat 9. Par « croissance verticale de l'élément allongé 5 », on entend que ce dernier présente deux extrémités longitudinales opposées dont l'une est en contact avec la couche de nucléation 3 et l'autre est à distance de ladite couche de nucléation 3, la direction d'allongement étant sensiblement perpendiculaire au plan incluant la surface de nucléation 3 et/ou à un plan incluant le substrat 9. En adaptant la forme du creux de germination 7, il est aussi possible d'augmenter les probabilités de nucléation du germe 4 au niveau dudit creux de germination 7. 3019 188 14 Selon un exemple particulier, le phénomène de nucléation d'un germe en nitrure de gallium sur un substrat, notamment par la technique MOCVD, peut être compris par une approche purement thermodynamique impliquant un bilan énergétique des surfaces et interfaces. La 5 germination hétérogène de GaN sur un substrat 9 peut être schématisée par un embryon cristallin (correspondant au germe 4 décrit ci-dessus) dont la forme est celle d'une calotte sphérique formée sur un substrat plan comme cela est représenté sur la figure 12. On désigne par acG la tension interfaciale pour la surface cristal-gaz, asG la tension interfaciale 10 pour la surface substrat-gaz et asc l'énergie d'interface substrat-cristal. Les énergies d'interface sont reliées par la relation de Young-Dupré : GSG=GcG COS 0 «Tsc où 0 est l'angle de contact de l'embryon/germe 4 sur le substrat 9. Les figures 13 et 14 illustrent chacune une couche de nucléation 8 15 préférentiellement portée par un substrat 9 et sur laquelle un masque 2 est formé. Sur la figure 13, le germe 4 est formé à l'angle entre la couche de nucléation 8 (au niveau de la surface de nucléation 3) et le masque 2, et sur la figure 14 le germe 4 est formé au centre de la surface de nucléation 3 (ici dépourvue du creux de germination 7 selon l'invention). 20 En appliquant le modèle décrit ci-dessus aux géométries des figures 13 et 14, il est possible d'accéder à la variation d'énergie DE' associée à la formation d'un germe de GaN lorsque celui-ci se trouve à l'angle entre le masque et la couche de nucléation (figure 13) ainsi qu'à celle AEll associée à la germination d'un cristal de GaN lorsque celui-ci prend pied uniquement sur la couche de nucléation 8 (figure 14). La différence entre ces deux variations d'énergie peut s'exprimer selon l'expression suivante : Où cte est une constante positive, fi représente le facteur de mouillabilité du nitrure de gallium sur la couche de nucléation 8 (TaxNy dans le cas de l'exemple) avec 1:1f11, et f2 le facteur de mouillabilité de GaN sur le masque 2 (SixNy dans le cas de l'exemple) avec -1f20. En prenant f1=cos OGaN/CN OÙ OGaN/CN est l'angle de contact de l'embryon (le germe 4) en GaN sur la couche de nucléation. On suppose qu'il y a une interaction forte entre GaN et la couche de nucléation, c'est-à-dire que 0 °0GaNtcN 90°. Par exemple, quand OGaN/CN =0 (fl =1 ), il y a mouillage total de GaN sur la couche de nucléation. En prenant f2=cos OGaN/SixNy OÙ OGaN/SiNx est l'angle de contact de l'embryon (le germe 4) en GaN sur le masque 2 (SixNy). On suppose qu'il y a une interaction faible entre GaN et SixNy, c'est-à-dire que 90 °Dr)GaNtsixNy 180°. Quand OGaN/SixNy =180° (f2=-1), il y a démouillage total de GaN sur le masque. Les valeurs des paramètres f1 et f2 peuvent être estimées par des mesures d'angle de gouttes. II apparait ici que quelle que soit la valeur de f1 et f2, la différence - 3,Eri est toujours négative, ce qui signifie que la germination de GaN sur un « bord du masque » (figure 13) est énergétiquement plus probable que celle se produisant directement sur la couche de nucléation (figure 14). Autrement dit, au-delà du simple creux de germination 7 de forme quelconque, il est préférable que le procédé comporte une étape de formation dudit au moins un creux de germination 7 réalisée de telle sorte que ledit au moins un creux de germination 7 définisse une zone de nucléation du germe 4 présentant une variation d'énergie nécessaire à la formation dudit germe, au niveau de la seule zone de nucléation, inférieure à la variation d'énergie nécessaire à la formation d'un même germe au niveau de l'angle entre le masque 2 et la surface de nucléation 3. En particulier, on comprend que l'étape de formation de la surface de nucléation 3 peut être telle qu'elle comporte une étape de détermination de la forme dudit au moins un creux de germination 7 prenant en compte un premier facteur de mouillabilité fl du matériau destiné à former le germe 4 sur le matériau utilisé pour former la surface de nucléation 3 et un deuxième facteur de mouillabilité f2 du matériau destiné à former le germe 4 sur le matériau utilisé pour former le masque 2, et une étape de formation dudit au moins un creux de germination 7 selon la forme déterminée. Préférentiellement, ledit au moins un creux de germination 7 présente une forme générale d'un cône de révolution, le procédé comporte une étape de détermination d'un angle a/2, notamment maximal, de la droite génératrice dl du cône par rapport à l'axe de rotation Al de ladite droite génératrice dl à partir des premier et deuxième facteurs de mouillabilité f1, f2. Ainsi, comme illustré à la figure 15, le creux de germination 7 peut être caractérisé par un angle a représentant en fait deux fois l'angle de la droite génératrice dl du cône typiquement défini par l'angle entre la droite génératrice dl et l'axe de rotation Al de la droite génératrice dl. Par angle a/2 maximal, on entend que le creux de germination 7 sera préférentiellement conformé de sorte que l'angle de la droite génératrice dl du cône par rapport à l'axe de rotation Al de ladite droite génératrice dl soit inférieur à a/2. Bien entendu, du fait de la présence du creux de germination 7, a/2 est strictement supérieur à 0. Par exemple, a/2 est supérieur à 5° ou 10°. Il a été décrit ci-dessus un creux de germination 7 en forme générale de cône de révolution, cet exemple n'est pas limitatif dans le sens où le creux de germination 7 peut aussi avoir une forme de cône en forme de pyramide. Par définition, un cône présente une surface réglée définie par une droite génératrice passant par un point fixe appelé sommet et un point variable décrivant une courbe plane fermée appelée courbe directrice. Cette courbe directrice peut adopter la forme d'un cercle (cône de révolution) d'un carré (cône en forme de pyramide), une forme quelconque, etc. En ce sens, tout ce qui est dit dans la présente description pour un cône de révolution peut s'appliquer pour ces autres formes, et plus généralement, le creux de germination 7 peut adopter, notamment en tout ou partie, la forme d'un cône, notamment de révolution ou en pyramide, dont la surface est définie par une droite génératrice passant par un point fixe appartenant à un axe principal sécant, notamment perpendiculaire, au plan incluant une courbe directrice dudit cône. En particulier, le procédé comporte une étape de détermination d'un angle a/2, notamment maximal, entre la droite génératrice (dl ) et ledit axe principal, ledit angle a/2 étant déterminé à partir des premier et deuxième facteurs de mouillabilité f1, f2. Ainsi, en considérant une structuration (c'est-à-dire un creux) de la couche de nucléation dont la morphologie peut être caractérisée par une distance de référence r et un angle a (figure 15), il est possible comme dans les cas précédents d'évaluer la variation d'énergie 'Hl associée à la germination du GaN sur ce « creux », ou plus généralement associé à la nucléation d'un germe 4 sur le creux de germination 7 (on considère pour l'évaluation des surfaces des objets 3D, c'est à dire impliquant les surfaces d'un cône et d'une calotte sphérique). La distance de référence r est posée comme une variable arbitraire. En pratique r peut être de l'ordre de quelques nanomètres à quelque dizaines de nanomètres. La différence entre cette variation d'énergie LE" et celle associée à la formation d'un germe de GaN lorsque celui-ci se trouvent à l'angle entre le masque et la couche de nucléation (LEI comme défini ci-dessus) permet d'accéder aux valeurs de l'angle a pour lesquelles la différence LE" - LEI est négative, autrement dit pour quels angles du creux de germination 7 il devient plus probable d'un point de vue du bilan énergétique de favoriser la germination de GaN directement sur la couche de nucléation structurée plutôt que sur le bord du masque. Le graphique de la figure 16 montre l'évolution de iLE - AEI en fonction de l'angle a/2 (c'est-à-dire l'angle entre la droite génératrice dl du cône de révolution et l'axe de rotation Al de la droite dl ) pour différentes valeurs de l'expression fl -f2. Nous voyons donc que dans le cas où fl et f2 sont connus, l'équation : - AEI = a , - COS- - -sire - 2 2 2 donne accès à une valeur seuil -seuil de l'angle a. En dessous de ("Y -seuil, 0 et on favorise la nucléation du germe de GaN sur la couche de nucléation structurée. (Nota : la valeur de l'angle -seuil pour laquelle est indépendante de l'énergie de surface de GaN) Autrement dit, l'étape de détermination de l'angle a/2, notamment entre la droite génératrice dl du cône et l'axe de rotation Al de ladite droite génératrice dl, comporte la résolution de l'équation suivante - AE1 = - 1 (f - Î2) + 2 1 ç pour laquelle le résultat LE" - LEI doit être inférieur ou égal à 0, avec cte supérieur à 0, fl le premier facteur de mouillabilité tel que 0f11 , et f2 le deuxième facteur de mouillabilité tel que -1 f20. Ainsi, on comprend que la résolution de l'équation - f2) ± 2 I, 1 -c - -5 va donner une valeur de l'angle a et qu'il faudra préférentiellement rester en dessous si l'on veut favoriser au mieux la nucléation du germe au niveau du creux de germination 7. Dans les équations ci-dessus, cte est un préfacteur constant et positif qui inclut préférentiellement la valeur de la distance de référence r. Sur la figure 17 identique à la figure 16, il est tracé une droite en pointillés permettant d'identifier qu'en dessous de aseuil égal à 106 degrés, la valeur DE"-DE' est toujours négative. En fait, quelle que soit la valeur des facteurs de mouillabilité, notamment du GaN, sur la couche de nucléation (f1) ou sur le masque (f2), et donc quelle que soit la valeur de la différence fl -f2, il existe une valeur seuil aseuil de l'angle a en dessous de laquelle on est certain que DE"-DE' soit négatif et donc que l'on favorisera la nucléation du germe sur ladite couche de nucléation 3. En ce sens, il est possible de généraliser en précisant que le creux de germination 7 ayant une forme générale d'un cône de révolution, l'angle de la droite génératrice dl du cône de révolution par rapport à l'axe de rotation Al de ladite droite génératrice est inférieur à 53 degrés. Autrement dit, l'étape de formation de la surface de nucléation 3 est telle que le creux de germination 7 présente une forme générale d'un cône de révolution, l'angle de la droite génératrice du cône de révolution par rapport à l'axe de rotation de ladite droite génératrice étant inférieur à 53 degrés. Alternativement, le creux de germination 7 adopte, notamment en tout ou partie, la forme d'un cône, notamment de révolution ou en pyramide, dont la surface est définie par une droite génératrice passant par un point fixe appartenant à un axe principal sécant, notamment perpendiculaire, au plan incluant une courbe directrice dudit cône, l'angle a/2 maximal entre la droite génératrice dl et l'axe principal étant inférieur à 53 degrés. Selon une autre formulation, on considère que la formation du germe 4 est favorisée lorsque l'intégralité des points délimitant la surface du creux de germination 7 est comprise dans un volume prédéterminé. Dans le cas présent, ce volume correspond à un cône de révolution dont l'angle entre la droite génératrice dl et l'axe de rotation Al de ladite droite génératrice est inférieur à 53 degrés. De manière générale, le cône de révolution comporte un rayon dépendant de l'angle a/2 et de la distance de référence r. On a décrit ci-avant un procédé de croissance d'un élément allongé. Bien entendu, ce procédé ne se limite pas à la croissance un unique élément allongé. En ce sens, il est possible de réaliser la croissance, notamment simultanée d'une pluralité d'éléments allongés distincts à partir d'une pluralité de sites de croissance distincts en particulier délimités chacun par un même masque. Autrement dit, tout ce qui a été dit ci-dessus peut s'appliquer dans le cadre d'un procédé de croissance d'une pluralité d'éléments allongés comportant les étapes suivantes : - une formation d'une pluralité de surfaces de nucléation chacune délimitée au moins en partie par un masque, chaque surface de nucléation comportant au moins un creux de germination situé à distance 20 du masque, - une nucléation d'un germe, au niveau de chaque surface de nucléation, destiné à participer à la croissance dudit élément allongé correspondant sur ledit au moins un creux de germination de ladite surface de nucléation correspondante, - une croissance, d'un élément allongé correspondant à partir de chaque surface de nucléation. En outre, le procédé de croissance d'un, ou plusieurs, élément(s) allongé(s) tel que décrit ci-dessus peut être utilisé dans le cadre d'un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, notamment optoélectronique. Autrement dit, le procédé de fabrication du dispositif électronique, notamment optoélectronique, peut comporter une étape de mise en oeuvre du procédé de croissance d'un élément allongé 5 et une étape de fonctionnalisation dudit élément allongé 5 de sorte que ce dernier participe à l'émission, ou à la réception, de photons (formant ainsi soit une diode électroluminescente, soit une cellule solaire). L'étape de fonctionnalisation peut comporter une étape de formation d'un organe détecteur ou émetteur de lumière comprenant une jonction munie d'un premier organe dopé d'un premier type et d'un deuxième organe dopé d'un deuxième type distinct du premier type, ledit premier organe étant formé par ledit élément allongé. Les premier et deuxième types sont à choisir parmi un dopage de type n ou un dopage de type p. On comprend de ce qui a été dit ci-dessus que l'invention peut aussi être relative à un substrat fonctionnalisé pour la croissance d'un élément allongé 5, notamment un fil de type nanofil ou microfil, ce substrat comporte une surface de nucléation 3 d'un germe 4 permettant la croissance de l'élément allongé, un masque 2 délimitant au moins en partie (voire toute) ladite surface de nucléation. Ladite surface de nucléation 3 comporte au moins un creux de germination 7 situé à distance du masque 2. Le creux de germination peut être comblé par un germe correspondant configuré de sorte à permettre la croissance dudit élément allongé. De préférence, le creux de germination 7 est conformé selon l'une des manières décrites ci-avant. Ce substrat fonctionnalisé est alors avantageusement utilisé dans le cadre du procédé de croissance pour réaliser l'étape de nucléation du germe 4 et l'étape de croissance de l'élément allongé 5. Autrement dit, dans le cadre du procédé de croissance visé ci-avant, l'étape de formation de la surface de nucléation 3 (et potentiellement de nucléation du germe) met en oeuvre une étape de formation du substrat fonctionnalisé tel que décrit ci-dessus. Comme illustré à la figure 18, on comprend que l'invention est aussi relative à un dispositif électronique 100, notamment optoélectronique, comportant un élément allongé 5 s'étendant à partir d'une surface de nucléation 3, notamment délimitée au moins en partie par un masque 2. Au moins un creux de germination 7 appartenant à la surface de nucléation 3 est comblé par de la matière de l'élément allongé 5. Le dispositif peut comporter un organe 101 émetteur ou récepteur de photons, ledit organe 101 comportant une jonction P-N dont une partie est formée par ledit élément allongé 5. L'élément allongé est alors dopé d'un type P ou N. L'autre partie de la jonction P-N peut être formée par un autre élément 102 dopé de manière opposée à l'élément allongé 5, ledit autre élément 102 dopé recouvrant une partie de l'élément allongé, par exemple à la manière d'un fourreau comme à la figure 18. L'invention n'est pas limitée à la nucléation d'un germe GaN sur une couche de nucléation en TaN, elle peut s'appliquer à tous les matériaux de couches de nucléation CN (TiN, VN, CrN, ZrN, NbN, MoN, HfN, TaN) ainsi qu'à AIN puisqu'il peut y avoir hétéroépitaxie de GaN sur l'un de ces matériaux. Dans ce cas, le paramètre « f1 » qui représente le facteur de mouillabilité de GaN sur la couche de nucléation ou d'AIN est toujours compris entre 0 et 1 et le modèle reste vrai. En ce qui concerne les dimensions des creux de germination, elles peuvent être extrêmement petites, de l'ordre du quelques nanomètres 10 (profondeur/largeur entre 1 et 10 nm) puisque l'on considère ici uniquement la phase de germination. REVENDICATIONS1. Procédé de croissance d'un élément allongé (5), notamment un fil de type nanofil ou microfil, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - une formation d'une surface de nucléation (3) ayant au moins un site de germination adoptant la forme d'un creux de germination (7) et délimitée au moins en partie par un masque (2), ledit au moins un creux de germination (7) étant situé à distance du masque (2), - une nucléation d'un germe (4) destiné à participer à la croissance dudit élément allongé (5) sur ledit au moins un creux de germination (7), - une croissance dudit élément allongé (5) à partir dudit germe (4). 2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape de formation de la surface de nucléation (3) comporte une étape de formation du masque (2) sur une couche de nucléation (8), une ouverture dudit masque (2) formant, avec une partie de la couche de nucléation (8), un trou borgne dont le fond formé par ladite partie de la couche de nucléation (8) correspond à la surface de nucléation (3). 3. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il est réalisé successivement les étapes suivantes : une modification de la topologie de la couche de nucléation (8) de sorte à former ledit au moinsun creux de germination (7), l'étape de formation du masque (2), l'étape de nucléation du germe (4), l'étape de croissance de l'élément allongé (5). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de fourniture d'un substrat (9) sur lequel est formée une couche de nucléation (8), et en ce que l'étape de formation de la surface de nucléation (3) comporte les étapes suivantes : - une gravure de la couche de nucléation (8) jusqu'au substrat (9) de sorte à former un plot (10), - une formation du masque (2) sur le substrat (9), ledit masque (2) entourant ledit plot (10), notamment au niveau de sa base disposée à l'angle dudit plot (10) avec le substrat (9). 5. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comporte successivement les étapes suivantes : une modification de la topologie de la couche de nucléation (8) de sorte à former ledit au moins un creux de germination (7), la gravure de la couche de nucléation (8), la formation du masque (2), l'étape de nucléation du germe (4), l'étape de croissance de l'élément allongé (5). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de formation dudit au moins un creux de germination (7) réalisée de telle sorte que ledit au moins un creux de germination (7) définisse une zone de nucléation du germe (4) présentant une variation d'énergie nécessaire à la formation dudit germe, au niveau de la seule zone de nucléation, inférieure à la variationd'énergie nécessaire à la formation d'un même germe au niveau de l'angle entre le masque (2) et la surface de nucléation (3). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de formation de la surface de nucléation (3) est telle qu'elle comporte une étape de détermination de la forme dudit au moins un creux de germination (7) prenant en compte un premier facteur de mouillabilité (f1) du matériau destiné à former le germe (4) sur le matériau utilisé pour former la surface de nucléation (3) et un deuxième facteur de mouillabilité (f2) du matériau destiné à former le germe (4) sur le matériau utilisé pour former le masque (2), et une étape de formation dudit au moins un creux de germination (7) selon la forme déterminée. 8. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le creux de germination (7) adopte, notamment en tout ou partie, la forme d'un cône, notamment de révolution ou en pyramide, dont la surface est définie par une droite génératrice passant par un point fixe appartenant à un axe principal sécant, notamment perpendiculaire, au plan incluant une courbe directrice dudit cône, et en ce que le procédé comporte une étape de détermination d'un angle a/2, notamment maximal, entre la droite génératrice (dl ) et ledit axe principal, ledit angle a/2 étant déterminé à partir des premier et deuxième facteurs de mouillabilité (f1, f2). 9. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape de détermination de l'angle a/2 comporte la résolution de l'équation suivante - AEI = 1- f2) - cos- 2 - - l pour laquelle le résultat DE"-DE' doit être inférieur ou égal à 0, avec cte supérieur à 0,fl le premier facteur de mouillabilité tel que 1:',f11, f2 le deuxième facteur de mouillabilité tel que -1f20. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de formation de la surface de nucléation (3) est telle que ledit au moins un creux de germination (7) adopte, notamment en tout ou partie, la forme d'un cône, notamment de révolution ou en pyramide, dont la surface est définie par une droite génératrice passant par un point fixe appartenant à un axe principal sécant, notamment perpendiculaire, au plan incluant une courbe directrice dudit cône, l'angle a/2 maximal entre la droite génératrice (dl ) et l'axe principal étant inférieur à 53 degrés. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif électronique, notamment optoélectronique, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de mise en oeuvre du procédé de croissance d'un élément allongé (5) selon l'une quelconque des revendications précédentes, et une étape de fonctionnalisation dudit élément allongé (5) de sorte que ce dernier participe à l'émission, ou à la réception, de photons. 12. Substrat fonctionnalisé pour la croissance d'un élément allongé (5), notamment un fil de type nanofil ou microfil, caractérisé en ce qu'il comporte une surface de nucléation (3) permettant la croissance de l'élément allongé (5), un masque (2) délimitant au moins en partie ladite surface de nucléation (3), caractérisé en ce que ladite surface de nucléation (3) comporte au moins un creux de germination (7) situé à distance du masque (2). 13. Substrat selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit au moins un creux de germination (7) adopte la forme d'un cône, notamment de révolution ou en pyramide, dont tout ou partie de la surface est définie par une droite génératrice passant par un point fixe appartenant à un axe principal sécant, notamment perpendiculaire, au plan incluant une courbe directrice dudit cône, l'angle a/2 maximal entre la droite génératrice (dl ) et l'axe principal étant inférieur à 53 degrés. 14. Dispositif électronique, notamment optoélectronique, comportant un élément allongé (5) s'étendant à partir d'une surface de nucléation (3), caractérisé en ce qu'au moins un creux de germination (7) appartenant à la surface de nucléation (3) est comblé par de la matière de l'élément allongé (5). 15. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comporte un organe (101) émetteur ou récepteur de photons, ledit organe comportant une jonction P-N dont une partie est formée par ledit élément allongé (5).