FR 3011677 A1 20150410 FR 1359667 A 20131004 REALISATION D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE A BRANCHES RAMIFIEES AYANT UNE LOCALISATION CONTROLEE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention a trait à l'élaboration d'une structure semi- conductrice formée de micro-fil(s) et/ou de nano-fil(s) semi-conducteur(s) comportant une portion principale verticale et une branche secondaire. Une telle structure trouve des applications dans la mise en oeuvre de dispositifs électronique(s) et/ou opto-électronique(s) et/ou électro-mécanique(s) et/ou thermoélectrique(s), et/ou de récupération d'énergie. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Actuellement, il existe deux types de procédés de réalisation de fils dans un matériau semi-conducteur : le premier de type communément appelé « bottom up » consiste à faire croitre les fils sur un substrat tandis que le second de type communément appelé « top-down » est réalisée par gravure d'un empilement semi-conducteur. Dans le premier cas, les fils sont classiquement réalisés sur le substrat par dissociation chimique de précurseurs gazeux catalysée par des éléments métalliques. On sait ainsi fabriquer des fils de silicium préparés à partir d'un catalyseur tel que l'or et de précurseurs gazeux tels que le silane selon un mécanisme vapeur-liquide-solide. Le catalyseur métallique peut être sous forme de gouttes déposées sur le substrat. En injectant le gaz précurseur, le fil croit sous une zone de catalyseur métallique et entraîne ce catalyseur avec lui. Une goutte de catalyseur reste ainsi au sommet du fil. Par ailleurs, lors de la croissance catalytique de fils, des résidus de catalyseur métallique peuvent demeurer à la surface sur les flancs ou surfaces latérales du fil. Le document de Gentile et al., « the growth of simili diameter silicon nanowires to nonotrees » 10P publishing 2008, et le document de Oehler et al., « the morphology of silicon nanowires grown in the presence of trimethylaluminium » 10P publishing 2009, divulguent une réalisation de structures semi-conductrices formées de fils verticaux à branches ramifiées obtenues tout autour du fil par croissance à partir de résidus de catalyseur métallique. Pour la mise en oeuvre de dispositifs électronique(s) et/ou opto- électronique(s) et/ou électro-mécanique, la présence de branches ramifiées tout autour des fils verticaux peut s'avérer néfaste. Le document FR 2 964 982 présente une solution pour éliminer les branches secondaires de structures de nanofils verticaux. Elle consiste à faire croitre des branches sacrificielles à base d'un matériau semi-conducteur donné sur un nano-fil vertical à base d'un matériau semi-conducteur différent du matériau semi-conducteur donné et à partir de résidus de catalyseur présents sur la surface du nano-fil. Les branches sacrificielles sont ensuite éliminées par gravure sélective du matériau donné. La présente invention a pour but de réaliser une structure semi- conductrice comportant un fil semi-conducteur vertical doté d'une branche ramifiée, mais dont la localisation est contrôlée. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice formée d'au moins un fil semi-conducteur comprenant une ramification sous forme d'une branche semi-conductrice ou d'un fil secondaire semiconducteur. Le procédé comprend des étapes de : a) croissance, à partir d'un catalyseur formé sur un support d'au moins un fil semi-conducteur donné, de sorte que ledit fil comporte, sur un flanc, un résidu dudit catalyseur, b) former un masquage recouvrant partiellement ledit flanc dudit fil donné et dévoilant une zone dudit résidu de matériau catalyseur, c) faire croitre une branche semi-conductrice ou un fil secondaire semiconducteur à partir de ladite zone dévoilée dudit résidu de matériau catalyseur. Le ou les fils réalisés peut ou peuvent être des micro-fils ou des nanofils. Le fil semi-conducteur donné s'étend dans une direction donnée réalisant un angle non-nul avec le plan principal du support. On entend par « micro-fil », ici et dans tout le reste du document, un fil dont les dimensions de la section transversale, par exemple le diamètre pour un fil de section transversale circulaire, sont comprises entre environ 1 um et 1 mm. De même, on entend par « nano-fil », un fil dont les dimensions de la section transversale sont comprises entre environ 1 nm et 1 um. Ainsi, selon l'invention, on empêche par le biais du masquage la réalisation de fils semi-conducteurs secondaires ou de branches semi-conductrices secondaires sur une région du flanc ou d'une surface latérale du fil par le biais du masquage, tout en gardant une autre région dudit flanc ou de la face latérale comportant une zone de résidu de catalyseur dévoilée, ce qui permet de réaliser une croissance ultérieure d'un fil semi-conducteur ou d'une branche semi-conductrice qui s'étend dans une direction différente de la direction donnée. Le résidu de matériau catalyseur peut, selon une possibilité de réalisation, être sous forme d'un manchon ou d'un anneau ou d'une couronne autour dudit fil donné et recouvrir partiellement le flanc ou la surface latérale dudit fil donné. En variante, le résidu de matériau catalyseur peut être sous forme d'une gaine recouvrant entièrement le flanc ou la surface latérale dudit fil donné. L'étape b) peut comprendre la réalisation d'une ouverture dudit masquage dévoilant ladite zone dudit résidu de matériau catalyseur. Cette ouverture peut être par exemple sous forme d'une fente verticale réalisée dans ledit masquage, éventuellement sur toute la hauteur du fil. En variante, ladite ouverture est une fenêtre réalisée sur une portion du flanc du fil. Selon une possibilité de mise en oeuvre de l'ouverture, celle-ci peut être réalisée à l'étape b) par : - implantation, selon un angle a non-nul par rapport à une normale au plan principal du substrat d'une espèce donnée dans une région donnée dudit masquage, - retrait sélectif de ladite région donnée dudit masquage. Le masquage formé à l'étape b) peut comporter une portion recouvrant une zone résiduelle dudit matériau catalyseur au sommet dudit fil. Le procédé peut alors comprendre en outre, préalablement audit retrait sélectif : une étape d'implantation verticale, à l'aide d'une autre espèce différente de ladite espèce dopante donnée, d'une zone du masquage comprenant ladite portion, ladite portion étant également implantée par ladite espèce donnée lors de ladite implantation inclinée, ledit retrait sélectif étant réalisé par gravure de ladite région donnée dudit masquage sélectivement par rapport à une zone non-implantée du masquage et par rapport à ladite portion implantée à la fois par ladite espèce donnée et ladite autre espèce. Ainsi, l'autre espèce est choisie de manière à rendre insensible ladite portion de masquage à une gravure de ladite région donnée du masquage recouvrant la zone résiduelle de catalyseur au sommet du fil. Le masquage formé à l'étape b) peut recouvrir une zone résiduelle dudit matériau catalyseur disposée au sommet dudit fil. Dans ce cas, le procédé peut comprendre en outre, préalablement à ladite réalisation de ladite ouverture, des étapes de : - retrait d'une partie supérieure dudit masquage située au sommet dudit fil, de manière à dévoiler ladite zone résiduelle dudit matériau catalyseur, - retrait de ladite zone résiduelle de matériau catalyseur au sommet dudit fil. En peut empêcher ainsi une croissance ultérieure d'une branche secondaire par le sommet du fil. étapes de : 5 Le retrait de ladite partie supérieure du masquage peut comprendre des - implantation verticale d'une partie supérieure du masquage située au sommet dudit fil, - gravure sélective de ladite partie supérieure implantée du masquage vis-à-vis du reste du masquage. Selon une autre possibilité de mise en oeuvre, l'ouverture peut être réalisée à l'étape b) par : - implantation, selon un premier angle al non-nul par rapport à une normale au plan principal dudit support, au moins une première espèce donnée dans une région donnée dudit masquage, implantation, selon un deuxième angle a2 non-nul par rapport à une normale au plan principal dudit support et tel que a2> al au moins une deuxième espèce donnée dans une première zone de ladite région donnée, une deuxième zone de ladite région donnée n'étant pas implantée par de ladite deuxième espèce, - gravure sélective d'une desdites première zone ou deuxième zone de ladite région donnée par rapport à l'autre desdites première ou deuxième zones de ladite région donnée. Pendant la réalisation de ladite ouverture, et en particulier la ou les implantations, des moyens formant un écran peuvent être réalisés sur le support de manière à protéger une autre région de la couche de masquage du faisceau d'implantation qui est incliné par rapport à une normale au plan principal du support. On peut ainsi localiser la ou les implantations sur une région donnée du masquage et pas nécessairement sur toute la hauteur du fil. Avantageusement, l'écran à implantation est réalisé par au moins un fil adjacent audit fil donné. Selon une possibilité, la réalisation du masquage peut comprendre des étapes de : - formation d'une couche de masquage recouvrant ledit fil donné et un ou plusieurs fil(s) adjacent(s), ladite couche de masquage étant formée de manière à combler un espace entre ledit fil donné et le ou les fil(s) adjacent(s), - retrait partiel de ladite couche de masquage de manière à dévoiler une région dudit fil donné, la couche de masquage étant conservée dans ledit espace situé entre ledit fil donné et le ou les fil(s) adjacent(s). Le masquage conservé dans cet espace est destiné à empêcher une réalisation de fils secondaires dans l'espace entre le fil donné et les fils adjacents lors de l'étape c). Selon une mise en oeuvre particulière, ce retrait partiel peut être réalisé de manière à former une ouverture entre deux fils adjacents dévoilant ledit fil donné. Selon une variante, pour réaliser une ouverture dans le masquage, on peut effectuer des étapes de : réalisation d'une première zone de masquage autour d'une première région dudit fil donné située au niveau de sa partie inférieure, - formation d'une couche sacrificielle donnée sur ladite première zone de masquage, ladite couche sacrificielle étant disposée autour d'une deuxième région dudit fil donné située sur ladite première région, réalisation sur ladite couche sacrificielle d'une deuxième zone de masquage autour d'une troisième région dudit fil donné située au dessus de la deuxième région, - retrait de ladite couche sacrificielle donnée de ladite deuxième région, de manière à former ladite ouverture. Selon cette variante, la réalisation de la première zone de masquage peut comprendre des étapes de : formation d'une couche de masquage sur ledit fil donné, formation d'une autre couche sacrificielle autour de la première région dudit fil donné située au niveau de sa partie inférieure, - retrait partiel de ladite couche de masquage autour de ladite deuxième région et de ladite première région, par gravure jusqu'à ladite autre couche sacrificielle. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - les figures 1, 2A-2G, 3A-3G illustrent un premier exemple de procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice formée d'un fil doté d'une ramification dans lequel on réalise un masquage sur le fil comportant une fente à travers laquelle on fait croitre un fil secondaire formant une ramification ; - les figures 4, 5A-5E, 6A-6E illustrent un deuxième exemple de procédé de réalisation d'une structure formée d'un fil semi-conducteur doté d'une branche semi-conductrice secondaire dans lequel on réalise un masquage sur le fil doté d'une fenêtre à travers laquelle on peut faire croitre la branche secondaire ; - les figures 7A-7L illustrent un troisième exemple de procédé de réalisation d'une structure de fil semi-conducteur doté d'une ramification dont on contrôle le positionnement par le biais d'un masquage comportant une ouverture localisée sur une région d'un flanc du fil ; - les figures 8A-8B illustrent un quatrième exemple de procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice de fil doté d'une ramification ; - les figures 9A-9C et 10A-10B illustrent une variante de procédé de réalisation d'une structure de fil semi-conducteur à branche ramifiée ; - les figures 11A-11F illustrent une variante de procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice formée d'un fil doté d'une ramification dans lequel on retire un résidu de catalyseur situé au sommet du fil avant de former une branche secondaire sur le fil ; Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les différentes possibilités (variantes et modes de réalisation) doivent être comprises comme n'étant pas exclusives les unes des autres et peuvent se combiner entre elles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un exemple de procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice à branches ramifiées va à présent être donné en liaison avec les figures 1, 2A-2F, et 3A-3F (les figures 3A-3F étant représentatives d'une vue de dessus et selon un plan de coupe passant par un axe B'B indiqué sur la figure 2A). Le support 100 de départ du procédé peut être un substrat semi- conducteur, par exemple un substrat en silicium ou un substrat de type semi-conducteur sur isolant, en particulier de type SOI (pour « Silicon On Insulator » c'est-à-dire silicium sur isolant) doté d'une couche supérieure semi-conductrice, qui peut être éventuellement dopée. Ensuite, à partir d'une zone 102 de matériau catalyseur 103, par exemple sous forme d'un plot, ou d'une goutte (figure 1) de matériau métallique tel que par exemple de l'or ou du platine, ou éventuellement du cuivre, ou de l'aluminium, on fait croitre un fil 110 vertical. Par fil « vertical » on entend un fil qui s'étend dans une direction orthogonale ou sensiblement orthogonale par rapport à un plan principal du substrat (le plan principal du substrat étant un plan défini dans toute la présente description comme passant par le substrat et parallèle au plan [0,x,y] du repère orthogonal [0,x,y,z] défini sur la figure 2A). Le fil 110 que l'on forme peut être un nano-fil ou un micro-fil à base d'un matériau semi-conducteur donné, tel que par exemple du silicium, éventuellement dopé, par exemple selon un dopage de type N. La zone 102 de catalyseur 103 peut avoir été obtenue par dépôt pleine plaque, c'est à dire sur toute la surface du substrat, puis par gravure ou par ablation à l'aide par exemple d'un laser afin de définir au moins une zone de catalyseur localisée et disposée à un endroit précis prédéterminé sur la surface du substrat. La croissance du fil est effectuée à l'aide d'un précurseur du matériau semi-conducteur donné, par exemple du silane dans le cas d'un fil 110 de Si. Ce précurseur peut être éventuellement dilué dans un gaz vecteur. La formation du fil 110 se fait sous le catalyseur, de sorte que, pendant sa croissance, le fil 110 entraine le catalyseur sur son sommet c'est-à-dire sur son extrémité libre opposée à celle sur laquelle il repose sur le support 100. Le procédé de croissance est établi de sorte qu'au moins une zone de résidu 106 de catalyseur 103 peut être formée sur les flancs du fil 110, c'est à dire sur sa surface latérale qui est parallèle à l'axe de croissance du fil, ici vertical. La présence de ce résidu 106 peut dépendre de la pression partielle de silane et de la température à laquelle la croissance est réalisée comme cela est décrit par exemple dans le document FR 2°931°169. Ce résidu 106 peut être par exemple sous forme d'une couronne, ou d'une portion de couronne, ou d'un anneau, ou d'une portion d'anneau ou d'un manchon, disposé(e) autour du fil 110 et à une hauteur donnée par rapport au support 100 (figures 2A et 3A). Une zone 107 résiduelle de catalyseur 103 sous forme d'une goutte est également présente au sommet du fil 110. On recouvre ensuite le sommet et la paroi latérale ou surface latérale, également appelé « flanc» du fil 110 d'une couche 112 de masquage, par exemple à base de SiGe ou de polySiGe ou d'un empilement formé d'une fine couche de Si02 recouverte d'une couche de polysilicium. Le matériau de la couche de masquage 112 est choisi de préférence de manière à être susceptible d'être gravé de manière sélective vis-à-vis de celui du fil 110 (figures 2B et 3B). Ce masquage 112 est réalisé de manière à recouvrir également le résidu 106 et la goutte résiduelle 107, par exemple par dépôt CVD conforme sur et autour du fil 110, et destiné à empêcher une croissance d'éléments semiconducteurs à partir des zones de la surface du fil 110 qu'il recouvre. On effectue un premier dopage localisé de la couche 112 de masquage par implantation à l'aide d'une première espèce. Cette première implantation est effectuée selon un angle incliné a par rapport à une normale fi au plan principal du substrat. Une telle implantation permet de doper une première région 112a seulement de la couche de masquage 112, cette première région 112a ayant la forme d'une bande verticale qui s'étend contre le fil 110. Dans le cas, par exemple, où le masquage 112 est à base de polySi ou de polySiGe, l'implantation peut être réalisée à l'aide de Germanium pour augmenter le ratio de Ge par rapport à celui de Si et passer de SixGey à Six_x,Gey,x. Le dopage peut en variante être réalisé à l'aide de Bore. La région dopée 112a de la couche de masquage 112 ainsi modifiée est susceptible d'être gravée de manière sélective vis-à-vis du matériau semi-conducteur du fil 110 (figures 2C et 3C). Puis, on réalise ensuite un deuxième dopage localisé de la couche 112 de masquage par implantation à l'aide d'une deuxième espèce. Cette deuxième implantation est cette fois verticale, c'est à dire effectuée parallèlement à une normale ii au plan principal du substrat. On implante ainsi à nouveau une portion supérieure 112a2 de la région 112a de la couche de masquage 112 située au sommet du fil 110 et déjà dopée lors de la première implantation. La portion supérieure 112a2 dopée par la première espèce et la deuxième espèce recouvre la goutte résiduelle 107 de catalyseur. Dans le cas, par exemple, où le masquage 112 est à base de polySi, le deuxième dopage peut être réalisé par exemple à l'aide d'atomes d'azote. A l'issue de la deuxième implantation, la couche de masquage 112 peut ainsi comporter une zone 112b non dopée et qui n'a subi de dopage ni lors de la première implantation ni lors de la deuxième implantation. La couche de masquage 112 peut également comporter une région 112a dans laquelle une portion inférieure 112a1 a été dopée par une première espèce lors de la première implantation et n'a pas subi de dopage lors de la deuxième implantation, ainsi qu'une portion 112a2 ayant été dopée par une première espèce lors de la première implantation et par une deuxième espèce lors de la deuxième implantation. De par la transformation qu'elle a subie, la portion 112a1 de la région 112a qui a été dopée par la première espèce, est susceptible d'être gravée sélectivement par rapport à la fois à la portion 112a2 de la région 112a dopée par la première espèce et la deuxième espèce et par rapport à la zone 112b de la couche 112 de masquage non dopée qui a été gardée intacte lors de la première implantation et de la deuxième implantation. On effectue ainsi un retrait de la portion 112a1 dopée une seule fois, par gravure sélective vis-à-vis du reste du masquage 112. Cette gravure peut être, par exemple, une gravure humide réalisée à l'aide de KOH dans le cas où le dopage de la portion 112a1 a été réalisé à l'aide de Bore. Cette gravure peut, selon un autre exemple, avoir été réalisée à l'aide d'un plasma HCI dans le cas où le dopage de la portion 112a1 a été réalisé à l'aide de Germanium. On réalise ainsi une ouverture 116 dans la couche de masquage 112 sous forme d'une fente ou d'une tranchée, qui s'étend dans une direction verticale dans la couche 112 de masquage de la base du fil jusqu'au sommet du fil recouvert par la goutte 107 résiduelle elle même protégée par la portion 112a2 résiduelle de la couche de masquage 112 (figures 2D et 3D). Cette ouverture 116 peut être réalisée avec une dimension critique dc (définie ici comme la plus petite dimension de l'ouverture mesurée dans un plan [0,x,y] sur la figure 3D) comprise par exemple entre 0.7D et 0.9D (avec D le diamètre du nanofil ou dimension critique du nanofil mesurée dans un plan [0,x,y] sur la figure 3D). L'ouverture 116 réalisée dans le masquage 112 permet de dévoiler une zone donnée du résidu 106 de catalyseur tandis qu'une portion restante de ce résidu 106 et la goutte 107 de catalyseur 103 au sommet du fil 110 sont recouverts par la couche de masquage 112. On réalise ensuite (figures 2E et 3E) une croissance d'une branche 120 ou d'un fil dit « secondaire » 120 sur le fil 110. Cette croissance est réalisée dans une direction réalisant un angle 0 non-nul par rapport à la direction dans laquelle s'étend le fil 110. Cet angle 0 peut dépendre notamment de l'orientation cristalline du matériau semiconducteur du fil 110, du diamètre du fil 110, de celui de la branche secondaire. De par la présence du masquage 112 et la dimension dc de l'ouverture 106 réalisée dans ce dernier, la croissance de la branche ou du fil secondaire est limitée à un plan parallèle au plan [0,x,z], qui passe par le fil 110 et est orthogonal au plan principal du substrat. On contrôle ainsi le positionnement de la branche secondaire 120. On peut ensuite retirer les parties restantes du masquage 112 sur le fil par gravure sélective. Cette gravure sélective peut être réalisée par exemple à l'aide d'une gravure plasma isotrope lorsque le masquage est en polySi et que le fil est à base de Si par exemple à l'aide d'un plasma à base de Hcl (figures 2F et 3F). Le fil 110 et une branche 120 ou un fil 120 secondaire ont ainsi été réalisé(e)s forment une structure semi-conductrice à branche ramifiée dont la localisation est contrôlée. Une variante de l'exemple de procédé de réalisation qui vient d'être décrit, va à présent être donnée en liaison avec les figures 4, 5A-5E, 6A-6E (illustrant une vue de dessus et selon un plan de coupe orthogonal au plan des figures et passant par un axe B'B indiqué sur la figure 5A). On forme tout d'abord plusieurs zones 202a, 202b de matériau catalyseur 203, espacées entre elles selon une distance A déterminée sur le substrat 100. Les zones 202a, 202b peuvent être formées par exemple par ablation laser ou par définition d'un masquage 201 comportant des trous espacés entre eux selon la distance A et dans lesquels les zones de catalyseur sont disposées. Puis, on réalise une croissance de fils 210a, 210b, par exemple par une technique de dépôt de type CVD. Les fils 210a, 210b sont, dans cet exemple, réalisés de sorte qu'ils entrainent le catalyseur sur leurs sommets respectifs et comportent des zones de résidu 206 de catalyseur 203 formant une gaine autour des fils 210a, 210b, qui peut être éventuellement répartie sur toute la hauteur du fil (figures 5A et 6A). Pour cela on peut effectuer une croissance par exemple sans chlorure d'hydrogène, et par exemple telle que décrite dans le document « The effects of HC1 on silicon nanowire growth: surface chlorination and existence of a diffusion-limited minimum diameter », Oehler, Gentile, Baron and Ferret, Nanotechnology 20 (2009) 475307. Ensuite, on forme une couche 212 de masquage, par exemple à base de silicium de manière à recouvrir les fils 210a, 210b selon une épaisseur conforme (figures 5B et 6B). On réalise ensuite (figures 5C et 6C) une première implantation inclinée i.e. à l'aide d'un faisceau 215 d'ions incliné selon un premier angle al par rapport à une normale ff au plan principal du substrat 100. Cette implantation permet de modifier localement la nature d'une première région 212a de la couche de masquage 212 située d'un côté des fils 210a, 210b au niveau de la partie supérieure des fils 210a, 210b. Des zones de la couche de masquage 212 situées de l'autre côté des fils et au niveau de la partie inférieure ou au pied des fils 210a, 210b ne sont quant elle pas implantées. Le faisceau 215 peut être par exemple formé de particules de Germanium dans le cas où la couche de masquage 212 est à base de silicium. L'espacement entre les fils 210a, 210b, qui peut être de l'ordre de la distance A et l'angle d'implantation al sont prévus de sorte que, lors de la première implantation, un fil adjacent ou voisin 210b éloigné d'une distance A d'un fil donné forme des moyens de protection de la base dudit fil donné 210a vis-à-vis du faisceau d'implantation 215 incliné. Ainsi, une zone 212b située au pied ou au niveau de la partie inférieure du fil donné 210a est protégée par un fil 210b adjacent qui forme un écran au faisceau 215, cette zone 212b n'étant ainsi pas implantée. Puis (figures 5D, 6D) on effectue une deuxième implantation inclinée i.e. à l'aide d'un deuxième faisceau 225 réalisant un deuxième angle a2 par rapport à une normale ii. au plan principal du substrat 100. L'angle a2 du deuxième faisceau 225 avec lequel on dope les fils 210a, 210b lors de la deuxième implantation peut être prévu supérieur à celui al de la première implantation à faisceau incliné. L'angle a2 peut être prévu par exemple supérieur à 45°, tandis que l'angle al peut être prévu par exemple entre 5° et 10°. La deuxième implantation peut être réalisée avec une espèce ionique différente de celle de la première implantation. Le deuxième faisceau 225, peut être par exemple un faisceau d'ions azote dans le cas où la couche de masquage est à base de silicium. Par cette deuxième implantation, on modifie localement la nature d'une portion supérieure 212a2 de la région 212a de la couche de masquage 212 située au niveau de la partie supérieure des fils 210a, 210b, et qui a été implantée lors de la première implantation. L'espacement entre les fils 210a, 210b, et l'angle d'implantation a2 sont prévus de sorte que lors de cette deuxième implantation, la portion supérieure 212a2 de la région 212a de la couche de masquage 212 recouvrant le fil donné 210a est dopée, tandis qu'une portion inférieure 212a1 de la région 212a de la couche de masquage 212 n'est pas implantée. Cette portion inférieure 212a1 de la couche 212 recouvrant le fil donné 210a est protégée par un fil voisin 210b qui forme alors une protection ou un écran au faisceau d'ions. A l'issue de la deuxième implantation, la couche de masquage 212 peut ainsi comporter une zone 212b qui n'a subi de dopage ni lors de la première implantation ni lors de la deuxième implantation. La couche de masquage 212 peut également comporter une région 212a dans laquelle une portion inférieure 212a1 a été dopée par une première espèce lors de la première implantation et n'a pas subi de dopage lors de la deuxième implantation, ainsi qu'une portion supérieure 212a2 ayant été dopée par une première espèce lors de la première implantation et par une deuxième espèce lors de la deuxième implantation. De par les transformations qu'elle a subies, on peut graver la portion inférieure 212a1 de la région 212a qui a été dopée par la première espèce, sélectivement par rapport à la fois à la portion supérieure 212a2 de la région 212a dopée par la première espèce et la deuxième espèce et par rapport à la zone 212b de la couche 212 de masquage qui n'a été dopée ni par la première implantation, ni par la deuxième implantation. Un procédé humide par exemple à l'aide de KOH ou un plasma, par exemple à base de HCI peuvent être utilisés. Par gravure, on forme alors une ouverture 216 ayant la forme d'une fenêtre, qui peut être éventuellement rectangulaire et s'étend sur une partie seulement de la hauteur du fil 210a ainsi que sur une partie du pourtour du fil 210a. L'ouverture 216 dévoile une région du nano-fil 210a recouverte d'un résidu 206 de catalyseur. Cette région de résidu 206 de catalyseur constitue une zone potentielle de croissance pour un fil semi-conducteur secondaire ou une branche semi- conductrice secondaire, tandis que le reste du résidu 206 entourant le nano-fil est protégé par la couche 212 formant un masque de croissance empêchant une éventuelle croissance de fil semi-conducteur secondaire. La largeur ou dimension critique dc, la hauteur H, et la forme de l'ouverture 216 peuvent être ajustées par réglage des angles al, a2, et de l'espacement A prévu entre les fils 210a et 210b. De par la présence de la couche de masquage 212 et les dimensions de l'ouverture 206, les zones de croissances potentielles sur le fil 110b sont délimitées. On peut effectuer ensuite une croissance d'un fil secondaire 220a semi- conducteur ou une portion secondaire 220a semi-conductrice de fil, ou une branche secondaire semi-conductrice 220a de fil, à partir de la région de résidu 206 dévoilée par l'ouverture 206 en forme de fenêtre (figures 5E, 6E). Un autre exemple de procédé de réalisation d'une structure semiconductrice est illustré sur les figures 7A-7L. Sur un support 100 on forme tout d'abord des fils 310a, 310b, 310c semi-conducteurs verticaux recouverts sur leurs flancs de résidu 306 de matériau catalyseur 303. L'espacement ou l'écart entre deux fils adjacents ou voisins peut être variable. Ainsi, sur la figure 7A, des fils adjacents 310b et 310c sont séparés d'une distance A1 plus faible que la distance A2 entre les fils 310b et 310a voisins. Ensuite, on forme une couche 312 de masquage, par exemple à base de 5i02, par dépôt conforme sur les fils 310a, 310b, 310c (figure 7B). Puis, on dépose une couche sacrificielle 313 à base d'un matériau susceptible d'être gravé de manière sélective vis-à-vis de celui de la couche de masquage 312 et qui peut éventuellement combler d'éventuels espaces entre les fils 310a, 310b. Sur la figure 7C, la couche sacrificielle 313 est formée de manière à recouvrir et entourer le fil 310a. On effectue ensuite une gravure partielle de la couche sacrificielle 313 de manière à retirer une épaisseur de cette dernière. Cette gravure partielle peut être isotrope et réalisée par exemple à l'aide d'un plasma de type SF6 (hexafluorure de soufre). Sur la figure 7D, la couche sacrificielle 313 est retirée dans une région située autour de la partie supérieure des fils 310a, 310b, 310c tandis qu'une épaisseur de la couche sacrificielle 313 est conservée dans une autre région située autour de la base ou de la partie inférieure des fils 310a, 310b, 310c. Une zone 312a de la couche de masquage 312 située dans la première région au niveau de la partie supérieure des fils 310a, 310b, 310c est ainsi dévoilée, tandis qu'une autre zone 312b de la couche de masquage 312 située autour de la partie inférieure des fils 310a, 310b, 310c est recouverte et protégée par la couche sacrificielle 313. On effectue ensuite un retrait de la zone 312a de la couche de masquage 312 qui n'est pas recouverte par la couche sacrificielle 313, de manière à dévoiler la partie supérieure du fil 310a (figure 7E). Ce retrait peut être réalisé par gravure sélective du matériau de la couche de masquage 312 vis-à-vis de celui de la couche sacrificielle 313, par exemple par gravure isotrope à l'aide de CF4-02 ou C4F8 (octafluorobutène). Le retrait peut être réalisé jusqu'au niveau de l'épaisseur restante de la couche sacrificielle 313, de manière à conserver la zone 312b de la couche de masquage 312. Puis, on forme une deuxième couche sacrificielle 314 à base d'un matériau susceptible d'être gravé de manière sélective vis-à-vis de celui de la couche de masquage 312, par exemple du polySiGe. Sur la figure 7F, La deuxième couche sacrificielle 314 est déposée autour de la partie supérieure dévoilée des fils 310a, 310b, 310c, et les recouvre. On peut alors effectuer ensuite une gravure partielle de la deuxième couche sacrificielle 314 de manière à retirer une épaisseur de cette dernière. Sur la figure 7G, Le retrait partiel de la deuxième couche sacrificielle 314 permet de dévoiler le sommet du fil 310a, tandis qu'une épaisseur de la deuxième couche sacrificielle 314 est conservée autour de la partie supérieure de ce dernier. Puis, on forme une deuxième couche de masquage 322, par exemple à base de 5i02 ou de nitrure de silicium, au sommet des fils 310a, 310b, 310c. La deuxième couche de masquage 322 peut être réalisée par exemple par dépôt de type ALD (« Atomic Layer Deposition ») ou CVD et recouvre les fils 310a, 310b, 310c ainsi que la portion restante de la deuxième couche sacrificielle 314 (figure 7H). On forme ensuite des blocs dans la deuxième couche de masquage 322, par exemple par gravure anisotrope. La gravure peut être réalisée par exemple à l'aide de CF4 (tétrafluorométhane) et/ou CHF3(trifluorométhane). Sur la figure 71, des blocs 322a, 322b de la deuxième couche de masquage 322 sont disposés respectivement au sommet du fil 310a et des fils 310b, 310c. On effectue ensuite (figure 7J) un retrait sélectif de la portion restante de la deuxième couche sacrificielle 314. Ce retrait permet de former des ouvertures 316 qui sont délimitées entre les blocs 322a, 322b de la deuxième couche de masquage 322 et des zones 312b restantes de la première couche de masquage 312 entourant la base des fils 310a, 310b. Les ouvertures 316 ont ainsi une hauteur H (mesurée dans une direction orthogonale au plan [0,x,y] donné sur la figure 7J) qui peut être aisément ajustée en fonction de l'épaisseur de la couche sacrificielle 314 sur laquelle les blocs 322a, 322b sont formés. Puis (figure 7K), on réalise une gravure sélective de la portion restante de la première couche sacrificielle 313 située à la base ou au niveau de la partie inférieure des fils 310a, 310b, 310c, par exemple à l'aide de SF6. Cette gravure sélective peut être en particulier une gravure anisotrope. Avec une gravure fortement anisotrope, les blocs 322a et 322b peuvent être affinés. Sur la figure 7K, les ouvertures 316 dévoilent une région des fils 310a, 310b, 310c entourée de résidu 306 de catalyseur 303. Cette région peut servir de base à une croissance d'une branche secondaire pour les fils 310a, 310b, 310c (figure 7L). On empêche une croissance sur les autres régions du fil 310a qui sont recouvertes par le motif 322a du deuxième masquage et le premier masquage 312b. Un autre exemple de procédé est donné sur les figures 8A-8B. Sur des nano-fils 410a, 410b, verticaux (i.e. dont la direction d'allongement est parallèle à l'axe z sur la figure 8A) espacés entre eux d'une distance A prédéterminée, on forme une couche de masquage 412, par exemple à base de 5i02. La couche de masquage 412 peut être réalisée par dépôt de type conforme permettant de recouvrir l'ensemble des nano-fils 410a, 410b et les interstices entre les nano-fils 410a, 410b. L'épaisseur e (mesurée dans le plan [0,x,y] sur la figure 8A) de la couche de masquage 412 contre la surface latérale des nano-fils 410a, 410b est prévue en fonction de la distance A (mesurée dans le plan [0,x,y] sur la figure 8A) séparant les nano-fils 410a, 410b. Cette épaisseur est choisie de préférence supérieure à A/2. Sur la figure 8A, le nano-fil 410a comporte une zone de résidu 406 de catalyseur 403 sur sa surface latérale, c'est-à-dire sur la surface qui s'étend entre son sommet et sa base, parallèlement à la direction d'allongement du nano-fil. La zone de résidu 406 peut être sous forme d'un anneau ou d'une couronne localisée à une hauteur h (mesurée selon l'axe z sur la figure 8A). Dans un cas par exemple où la croissance des nano-fils 410a, 410b, est réalisée en présence de chlorure d'hydrogène, on peut moduler la localisation de la zone de résidu 406 en faisant varier la quantité présente de chlorure d'hydrogène en phase gazeuse pendant la croissance. La zone de résidu 406 est recouverte par la couche de masquage 412 formant un bloc recouvrant l'ensemble des nano-fils 410a, 410b. On effectue ensuite une gravure isotrope de la couche de masquage 412, de manière à retirer cette dernière dans une région autour des nano-fils 410a, 410b, tandis que, du fait de l'écartement A entre les nanofils 410a, 410b, la couche de masquage 412 est conservée dans une région située entre les nano-fils 410a, 410b. La région dévoilée des nano-fils 410a, 410b comporte une zone du résidu 406 de catalyseur qui peut servir de base à une croissance d'une branche semi-conductrice secondaire. Une autre zone du résidu 406 de catalyseur 403 est quant à elle toujours recouverte par la couche de masquage 412. On empêche ainsi à une éventuelle branche semi-conductrice secondaire de croitre sur cette autre zone (figure 8B). Une variante de réalisation de l'exemple de procédé précédemment décrit est donnée sur les figures 9A-9C (représentatives d'une vue de dessus) et 10A-10B (représentatives d'une vue selon une coupe C'C indiquée sur les figures 9A-9B). Un nano-fil 510a comportant un résidu 506 de matériau 503 catalyseur est disposé au centre d'une pluralité de nanofils 510b, 510c, 510d, 510e, 510f, 510h. Les nanofils 510b, 510c, 510d, 510e, 510f, 510h sont espacés entre eux selon un pas donné, qui peut être variable entre deux nano-fils adjacents et sont disposés à une distance D donnée du nano-fil 210a central entouré par la pluralité de nanofils 510b, 510c, 510d, 510e, 510f, 510h. Dans l'exemple de la figure 9A, deux nano-fils 510d, 510e sont espacés selon une distance A2 supérieure à D et à celle A1 séparant deux à deux les autres nanofils de la pluralité de nanofils 510b, 510c, 510d, 510e, 510f, 510h entourant le nano-fil central 510a, A1 étant inférieure à D. Une couche de masquage 512 est tout alors déposée (figures 9B et 10A) de manière conforme sur l'ensemble des nanofils 510a, 510b, 510c, 510d, 510e, 510f, 510h de façon à recouvrir l'ensemble des nano-fils 510a, 510b, 510c, 510d, 510e, 510f, 510h et combler les espaces entre le nano-fil central 510a et les nano-fils 510b, 510c, 510d, 510e, 510f, 510h l'entourant. L'épaisseur de la couche de masquage 512 est prévue supérieure à 0.5*D et par exemple de l'ordre de 0.5D + 0.05D. On effectue ensuite une gravure isotrope de la couche de masquage 512, de manière à retirer cette dernière dans une région située autour de l'ensemble de nano-fils 510b, 510c, 510d, 510e, 510f, 510h et dévoiler une portion de ces derniers. Cette gravure isotrope est menée de manière à former une ouverture 516 entre les nano-fils 510d, 510e entre lesquels l'espacement A2 (supérieur à D et à A1) est le plus important et dévoilant une région du nano-fil central 510a. La région dévoilée du nano-fil central 510a comporte une zone de résidu 506 de catalyseur qui peut servir de base à une croissance d'une portion semi-conductrice secondaire entre les nano-fils 510d, 510e. Dans une autre région située entre le reste de la pluralité de nano-fils 510b, 510c, 510d, 510e, 510f, 510h et le nano-fil central 510a subsiste la couche de masquage 412 destinée à empêcher de faire croitre une branche semi-conductrice ou portion semi-conductrice secondaire à partir du nanofil central dans cette autre région (figures 9C et 10B). Une variante de l'exemple de réalisation qui a été décrit précédemment en liaison avec les figures 1 et 2A-2F, 3A-3F, va à présent être donnée. Pour cette variante, la goutte de catalyseur située au sommet du fil 110 est supprimée avant croissance d'une branche secondaire. Pour cela, après avoir formé la couche 112 de masquage, on effectue un dopage d'une partie supérieure 112c située au sommet du fil 112 et recouvrant la goutte 107 résiduelle de catalyseur. Ce dopage localisé de la couche 112 de masquage peut être réalisée par implantation verticale (figure 11A). Le dopage peut être réalisé à l'aide de germanium dans le cas, par exemple, où le masquage 112 est à base de polySi, de manière à rendre la partie dopée 112c apte à être gravée de manière sélective vis-à-vis du reste de la couche de masquage 112. On effectue ainsi un retrait de la partie supérieure 112c dopée de manière à dévoiler la goutte de catalyseur 107 (figure 11B). Cette gravure peut être par exemple réalisée à l'aide d'un plasma HCI dans le cas où le dopage de la partie supérieure 112c a été réalisé à l'aide de Germanium. On réalise ensuite un retrait de la goutte de catalyseur 107 au sommet du fil 110. Dans le cas, par exemple, où le fil 110 est à base de silicium et le catalyseur est à base d'Au, Ce retrait peut être réalisé par exemple à l'aide d'une solution d'iode et iodure de potassium. Dans un autre cas, par exemple, où le fil 110 est à base de Cu de type appelé « Chrome Etch »: à base de Nitrate de cérium et d'ammonium ((NE14)2Ce(NO3)6) + acide nitrique (HNO3). On réalise ensuite un autre dopage localisé, cette fois d'une région 112d de la couche 112 de masquage par implantation effectuée selon un angle incliné a par rapport à une normale ff au plan principal du substrat. Une telle implantation permet de doper une région 112d ayant la forme d'une bande verticale qui s'étend contre le fil 110 (figure 11C). Le dopage de la région 112d peut être réalisé avec la même espèce dopante que celle utilisée pour effectuer l'étape décrite précédemment de retrait de la partie supérieure de la couche de masquage située au sommet du fil. Dans le cas, par exemple, où le masquage 112 est à base de polySi, ce dopage peut être réalisé à l'aide de germanium. On effectue ainsi un retrait de la région 112d dopée. On réalise ainsi une ouverture 116 dans la couche de masquage 112 sous forme d'une fente ou d'une tranchée, qui s'étend dans une direction verticale dans la couche 112 de masquage de la base du fil jusqu'à son sommet (figure 11D). On réalise ensuite (figures 11E) une croissance d'une branche 120 ou d'un fil dit « secondaire » 120 sur le fil 110. On peut ensuite retirer les parties restantes du masquage 112 sur le fil par gravure sélective. Cette gravure sélective peut être réalisée par exemple à l'aide d'une gravure plasma isotrope, par exemple à l'aide d'un plasma à base de Hcl lorsque le masquage est en polySi et que le fil 110 est à base de Si (figures 11F). REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice comprenant au moins un fil semi-conducteur doté d'une ramification semi-conductrice, le procédé comprenant des étapes consistant à : a) faire croitre, à partir d'un catalyseur (103, 203) formé sur un support au moins un fil (110, 210a, 310a, 410a, 510a) semi-conducteur donné, de sorte que ledit fil comporte, sur un flanc, un résidu (106, 206, 306, 406, 506) dudit catalyseur, b) former un masquage (112, 212, 312a-322a, 412, 512) recouvrant partiellement ledit flanc dudit fil donné et dévoilant une zone dudit résidu de matériau catalyseur, c) faire croitre une branche semi-conductrice (120, 220a) à partir de ladite zone dévoilée dudit résidu de matériau catalyseur. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape b) comprend la réalisation d'une ouverture (116, 216, 316, 516) dans une couche de masquage. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la réalisation de ladite ouverture (116) comprend des étapes de : - implantation inclinée, selon un angle a non-nul par rapport à une normale au plan principal dudit support (100), à l'aide d'une espèce donnée, d'une région donnée (112a1, 112d) dudit masquage (112), - retrait sélectif de ladite région donnée (112a1, 112d) dudit masquage. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le masquage (112) formé à l'étape b) comporte une portion (112a2) recouvrant une zone (107) résiduelle dudit matériau catalyseur au sommet dudit fil, le procédé comprenant en outre, préalablement audit retrait sélectif :- une étape d'implantation verticale, à l'aide d'une autre espèce différente de ladite espèce dopante donnée, d'une zone du masquage (112) comprenant ladite portion (112a2), ladite portion (112a2) étant également implantée par ladite espèce donnée lors de ladite implantation inclinée, ledit retrait sélectif étant réalisé par gravure de ladite région donnée (112a1, 112d) dudit masquage sélectivement par rapport à une zone non-implantée du masquage et par rapport à ladite portion (112a2) implantée à la fois par ladite espèce donnée et ladite autre espèce. 5. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le masquage formé à l'étape b) recouvre une zone résiduelle dudit matériau catalyseur disposée au sommet dudit fil (110), le procédé comprenant en outre, préalablement à ladite réalisation de ladite ouverture, des étapes de : - retrait d'une partie supérieure (112c) dudit masquage située au sommet dudit fil, de manière à dévoiler ladite zone (107) résiduelle dudit matériau catalyseur, - retrait de ladite zone (107) résiduelle de matériau catalyseur au sommet dudit fil. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel ledit retrait de ladite partie supérieure du masquage comprend des étapes de : implantation verticale d'une partie supérieure (112c) du masquage (112) située au sommet dudit fil, - gravure sélective de ladite partie supérieure (112c) implantée du masquage vis-à-vis du reste du masquage. 25 7. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la réalisation de la dite ouverture (216) comprend des étapes consistant à : - implanter, selon un premier angle al non-nul par rapport à une normale au plan principal dudit support (100), au moins une première espèce donnée 30 dans une région donnée (212a) dudit masquage,- implanter, selon un deuxième angle a2 non-nul par rapport à une normale au plan principal dudit support et tel que a2> al au moins une deuxième espèce donnée dans une première zone (212a1) de ladite région donnée (212a), une deuxième zone (212a2) de ladite région donnée (212a) n'étant pas implantée par ladite deuxième espèce, - graver sélectivement l'une desdites première zone ou deuxième zone de ladite région donnée par rapport à l'autre desdites première ou deuxième zones de ladite région donnée. 8. Procédé de réalisation selon la revendication 7, dans lequel pendant l'implantation, un écran (210b) protège une autre région (212b) de la couche de masquage (212) située au dessous de ladite région donnée (212a) et à la base dudit fil donné (210a). 9. Procédé de réalisation selon la revendication 8, l'écran à implantation étant formé par un fil adjacent (210b) audit fil donné. 10. Procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel à l'étape a) un ou plusieurs fil(s) adjacent(s) (410b, 510b, 510c 510d, 510e) audit fil donné (410a, 510) sont également formés, l'étape b) comprenant des étapes consistant à : - former une couche de masquage (412) recouvrant ledit fil donné et le ou les fil(s) adjacent(s) et comblant un espace entre ledit fil donné et le ou les fil(s) adjacent(s), - retirer partiellement de ladite couche de masquage de manière à dévoiler une région dudit fil donné, la couche de masquage étant conservée dans ledit espace. 11. Procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice selon la revendication 10, dans l'étape de retrait partiel est réalisée de manière à former une ouverture (516) entre deux fils adjacents dévoilant ledit fil donné. 12. Procédé de réalisation selon la revendication 2, dans lequel le masquage (312a-322a) à l'étape b) comprend des étapes consistant à : réaliser une première zone de masquage (312a) autour d'une première région dudit fil donné (310a) située au niveau de sa partie inférieure, - former une couche sacrificielle donnée (314) sur ladite première zone de masquage (312a), ladite couche sacrificielle (314) étant disposée autour d'une deuxième région dudit fil donné (310a) située sur ladite première région, réaliser sur ladite couche sacrificielle (314) une deuxième zone de masquage (322a) autour d'une troisième région dudit fil donné située au dessus de la deuxième région, - retirer ladite couche sacrificielle donnée (314) de ladite deuxième région, de manière à former ladite ouverture (316). 13. Procédé de réalisation selon la revendication 12, dans lequel la réalisation de la première zone de masquage (312a) comprend des étapes consistant à : - former une couche de masquage (312) sur ledit fil donné, - former une autre couche sacrificielle (313) autour de la première région dudit fil donné (310a) située au niveau de sa partie inférieure, retirer partiellement ladite couche de masquage (312) autour de ladite deuxième région et de ladite première région, par gravure jusqu'à ladite autre couche sacrificielle (313).