FR 3020176 A1 20151023 FR 1400950 A 20140422 S55100 /SD-T 1 MATRICE DE PHOTODIODES EN CdHgTe. DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne le domaine des photodiodes infrarouges en CdHgTe, utilisées pour détecter un rayonnement infrarouge. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE On connaît dans l'art antérieur différentes sortes de matrices de photodiodes, en particulier les matrices de photodiodes réalisées dans une couche en matériau semi-conducteur fait d'un alliage de cadmium, mercure et tellure Cd,cligi,Te, avec x un réel compris entre 0 et 1, les bornes étant exclues. Dans tout le texte, toute cette couche en matériau semi-conducteur est nommée « couche utile ». Dans tout le texte, la couche utile désigne toute la couche en matériau semi-conducteur, incluant la région d'absorption des photons présentant un premier type de dopage N ou P, les jonctions PN, et les zones dites dopées présentant un deuxième type de dopage P ou N. Ces matrices de photodiodes sont utilisées par exemple dans le domaine spatial, pour la détection du rayonnement infrarouge, notamment l'infrarouge moyen (ou MWIR pour l'anglais « Middle Wave InfraRed », correspondant à des longueurs d'onde comprises entre 4 gm et 5 wn à 80 K) et l'infrarouge lointain (ou LWIR pour l'anglais « Long Wave InfraRed » correspondant à des longueurs d'onde supérieures à 8 p.m à 80 K). On peut également les utiliser pour la détection du SWIR « Small Wave Infrared » correspondant à des longueurs d'onde entre 2 et 3µm à 80 K, et du S55100 /SD-T 2 VLWIR « Very Long Wave Infrared » correspondant à des longueurs d'ondes supérieures à 12 µm à 80 K. On réalise par exemple des matrices rectangulaires regroupant 640x512 photodiodes, pour un pas 15 pm (largeur d'une photodiode). La qualité d'une matrice de photodiodes peut être quantifiée par différents indicateurs. L'un de ces indicateurs est par exemple sa fonction de transfert de modulation (FTM). Elle est généralement représentée par un graphique représentant un rapport entre un contraste mesuré et un contraste théorique, en fonction d'une fréquence (ici l'inverse du pas de la matrice de photodiodes). La FTM illustre la capacité de la matrice de photodiodes à transcrire fidèlement une répartition de photons incidents, sous la forme d'une carte de courants mesurés sur les photodiodes. Il est donc avantageux qu'une matrice de photodiodes présente une bonne FTM, afin qu'elle offre une image qui retranscrit fidèlement la réalité. Un autre indicateur est son courant dit courant d'obscurité. Le courant d'obscurité est le courant électrique résiduel d'un photodétecteur en l'absence d'éclairement lumineux. Un objectif de la présente invention est de proposer une matrice de photodiodes CdxHgi,Te présentant une qualité améliorée à l'égard d'au moins un des indicateurs communément utilisés pour quantifier cette qualité. Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'une telle matrice de photodiodes. EXPOSÉ DE L'INVENTION Cet objectif est atteint avec une matrice de photodiodes comprenant : S55100 /SD-T 3 une couche dite utile en un alliage semi-conducteur de cadmium, mercure et tellure de type Cd,,Hgi,Te, la couche utile présentant une face supérieure et une face inférieure ; au moins deux premières zones dopées, situées dans la couche utile, formant chacune une jonction PN avec une deuxième zone dopée entourant les premières zones dopées, les jonctions PN affleurant la face supérieure de la couche utile. Selon l'invention, caractérisée en ce que la matrice comprend au moins une région, située entre deux jonctions PN voisines, et présentant un gradient de concentration en cadmium décroissant depuis la face supérieure vers la face inférieure de la couche utile. Avantageusement, la concentration moyenne en cadmium dans ladite région est supérieure à la concentration moyenne en cadmium dans le reste de la couche utile. Selon un premier mode de réalisation, ladite région s'étend entre deux jonctions PN, et à l'extérieur de chaque première zone dopée. Selon ce premier mode de réalisation, ladite région peut s'étendre dans la couche utile plus profondément que les premières zones dopées. Selon une deuxième mode de réalisation, ladite région s'étend entre deux jonctions PN, et dans un volume périphérique supérieur de chacune des premières zones dopées. Selon ce deuxième mode de réalisation, ladite région peut s'étendre dans la couche utile moins profondément que les premières zones dopées. Ladite région peut s'étendre dans une première zone dopée sur moins de la moitié du volume de celle-ci. Selon un troisième mode de réalisation, ladite région présente : une première portion s'étendant à l'extérieur des premières zones dopées ; et S55100 /SD-T 4 - une seconde portion s'étendant dans un volume périphérique supérieur d'au moins une première zone dopée ; la première portion s'étendant plus profondément dans la couche utile que la seconde portion, et la première portion étant entourée par la seconde portion. La première zone dopée est avantageusement dopée P par des atomes d'arsenic. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes selon l'invention, comprenant les étapes suivantes : réalisation, sur la face supérieure de la couche utile, d'une couche dite structurée présentant au moins une ouverture traversante, et ayant une concentration en cadmium supérieure à la concentration en cadmium de la couche utile ; recuit de la couche utile recouverte de la couche structurée, réalisant une diffusion des atomes de cadmium de la couche structurée, depuis la couche structurée vers la couche utile ; réalisation d'au moins deux jonctions PN dans la couche utile. La réalisation d'une couche structurée peut mettre en oeuvre : - un dépôt d'une couche de réservoir sur la face supérieure de la 2 0 couche utile ; et - une gravure d'au moins une ouverture traversante dans la couche de réservoir, la gravure étant une gravure chimique. Les étapes de réalisation d'une couche structurée et recuit, forment 25 avantageusement un cycle de fabrication, et on met en oeuvre au moins deux cycles de fabrication. L'étape de réalisation de jonctions PN peut mettre en oeuvre une implantation ionique d'arsenic. S55100 /SD-T De préférence, le recuit est réalisé à une température comprise entre 100°C et 500°C. Le recuit est avantageusement réalisé pendant une durée comprise entre 1h et 100h. 5 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : la figure 1 illustre de manière schématique un premier mode de réalisation de procédé selon l'invention ; - la figure 2 illustre de manière schématique un deuxième mode de réalisation de procédé selon l'invention ; la figure 3 illustre de manière schématique un premier mode de réalisation de matrice de photodiodes selon l'invention ; - la figure 4 illustre de manière schématique un deuxième mode de réalisation de matrice de photodiodes selon l'invention ; et la figure 5 illustre de manière schématique un troisième mode de réalisation de matrice de photodiodes selon l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Pour des raisons de clarté, on illustrera tout d'abord un procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes selon l'invention. On a illustré, en figure 1, et de façon schématique, les étapes d'un tel procédé. On dispose initialement d'une couche utile 10 en matériau semi-conducteur fait d'un alliage de cadmium, mercure et tellure CdxHgi_je, avec x un réel compris entre 0 et 1, les bornes étant exclues. On a typiquement x compris entre S55100 /SD-T 6 0,2 et 0,4 par exemple x=0,22. Dans cet exemple, la composition de la couche utile 10 est initialement constante dans l'espace. Par exemple, on cherchera à détecter un rayonnement dans l'infrarouge moyen dit MWIR, ce qui correspond à une concentration en cadmium x=0,3. En variante, on cherche à détecter un rayonnement dans l'infrarouge lointain dit LWIR, ce qui correspond à une concentration en cadmium définie par x=0,22. Cette couche utile 10 est réalisée ici sur un substrat 11, par exemple un substrat fait d'un alliage de cadmium, zinc, tellure. Un tel alliage offre un accord de maille très avantageux du matériau de la couche utile 10 avec le substrat 11. Le substrat 11 est avantageusement transparent aux longueurs d'onde que l'on souhaite détecter. Selon une variante non représentée, le substrat est séparé de la couche utile avant, pendant ou après la mise en oeuvre du procédé selon l'invention. La couche utile 10 présente typiquement une épaisseur comprise entre 0,1 gm et 20 gm, par exemple 15 pm. Le substrat 11 présente une épaisseur de l'ordre de 500 gm. Pour des raisons de clarté des figures, l'épaisseur du substrat 11 est sous-dimensionnée sur les figures. La couche utile est avantageusement réalisée sur le substrat 11 par une technique dite d'épitaxie en phase liquide. L'épitaxie en phase liquide est une technique de croissance d'un cristal dans laquelle le substrat 11 est mis en contact avec une phase liquide d'un élément souhaité (ici Cd,(1-Ig1,Te) qui se cristallise sur le substrat. En variante, la couche utile peut être réalisée sur le substrat 11 par une technique dite d'épitaxie par jet moléculaire. L'épitaxie par jet moléculaire est une technique de croissance d'un cristal dans laquelle les éléments à déposer sur le substrat 11 sont évaporés puis vont se déposer sur le substrat. On pourra également envisager toute autre technique de dépôt d'une couche cristalline sur un substrat, par exemple un dépôt chimique en phase vapeur. S55100 /SD-T 7 La couche utile présente par exemple une forme de parallélépipède, notamment un parallélépipède rectangle. On définit dans cette couche utile un axe z définissant l'axe de la profondeur, partant de la face supérieure 108, et reliant les faces 108 et 109. La face 109 est une face inférieure, au contact du substrat 11. La face 108 est une face supérieure du côté opposé à la face inférieure 109. Etape 100 : Lors de l'étape 100, on dépose sur la face supérieure 108 de la couche utile 10 une couche dite couche de réservoir 12 dont un des éléments est du cadmium et présentant une concentration en cadmium supérieure à la concentration en cadmium de la couche utile 10. La couche de réservoir 12 présente une épaisseur de l'ordre du micromètre, par exemple entre 0,1 p.m et 2 gm, en particulier 1 p.m. Le dépôt de la couche de réservoir 12 est effectué par toute technique connue de dépôt de couche mince La couche de réservoir est réalisé en un matériau binaire, ternaire, quaternaire voire plus, à partir notamment des éléments des colonnes II et VI : par exemple et de manière non limitative CdS, CdSe, CdTe, CdZnSe, CdMnSSe... La couche de réservoir 12 forme ainsi une couche uniforme qui recouvre toute la face supérieure 108 de la couche utile 10. Etape 101 : La couche de réservoir 12 est ensuite gravée de façon à y former des ouvertures traversantes 120. On nomme cette étape structuration, ou texturation de la couche de réservoir 12. La couche de réservoir après structuration forme une couche dite structurée 121. La couche structurée 121 présente donc la même concentration en cadmium que la couche de réservoir. S55100 /SD-T Dans l'exemple représenté en figure 1, la couche structurée 121 consiste en des plots 122 ou des lignes, présentant par exemple une largeur Li. de 1 et répartis selon un maillage carré présentant un pas P1 de 15 [lm. La couche structurée peut dessiner un maillage présentant tout type de forme élémentaire, par exemple un rond, un carré, ou toute autre forme. Par abus de langage, on peut dire que chaque forme est destinée à entourer une photodiode (voir plus loin). Chaque forme destinée à entourer une photodiode peut être continue ou discontinue (par exemple rond continu ou en pointillés). La couche structurée peut également être telle que seulement certaines photodiodes seront entourées par une forme élémentaire. Cette couche structurée peut également être de largeur variable d'un endroit à l'autre le long d'une forme destinée à entourer une photodiode, par exemple passant d'une largeur de 2µm à 4 gm. En fonction des caractéristiques souhaitées de la structure, l'homme du métier saura adapter les conditions de dépôt et de gravure. L'étape 101 se décompose par exemple en deux étapes 101a et 101b. Etape 101a : Dans une première étape 101a, on dépose une couche de résine sur la couche de réservoir 12, puis on grave dans cette résine des ouvertures traversantes 130. Il s'agit préférentiellement d'une gravure par photolithographie. On forme ainsi un masque de résine 13, situé sur la couche de réservoir 12. Etape 101b : Dans une deuxième étape 101b, on grave la couche de réservoir 12 à travers le masque de résine 13. Ainsi, on grave la couche de réservoir 12 uniquement aux emplacements non recouverts par la résine. La gravure est avantageusement une gravure chimique, typiquement une gravure chimique à l'aide d'une solution de Brome (solution de dibrome Br2). S55100 /SD-T 9 On ajuste la profondeur de gravure en ajustant une durée de la gravure chimique. En pratique, la couche de réservoir peut présenter un aspect différent de la couche utile, c'est pourquoi on pourra repérer optiquement le moment à compter duquel on peut faire cesser la gravure chimique. D'autres méthodes de structuration du réservoir de cadmium sont également envisageables telles qu'une gravure chimique sélective s'arrêtant sur la couche utile ou une gravure sèche de type ionique ou plasma. Toute autre technique de structuration du réservoir est également envisageable. Les étapes suivantes : - dépôt 100, sur la face supérieure 108 de la couche utile, d'une couche de réservoir 12 présentant une concentration en cadmium supérieure à la concentration moyenne en cadmium de la couche utile 10 ; et - gravure 101 d'au moins une ouverture traversante 120 dans la couche de réservoir, formant ainsi une couche dite structurée 121; forment ensemble une étape de réalisation, sur ladite face supérieure 108, d'une couche structurée 121 présentant au moins une ouverture traversante 120, et une concentration en cadmium supérieure à la concentration moyenne en cadmium dans la couche utile 10. Il est également envisageable de réaliser la couche structurée 121 par une technologie « lift-off ». Il s'agit par exemple de déposer une couche structurée de résine sur la face supérieure 108, et de recouvrir le tout par la couche de réservoir 12. La couche de réservoir se dépose donc sur la résine, là où la résine est présente, et sur la couche utile 10 au niveau des ouvertures traversantes dans la résine. En retirant la résine, on obtient la couche structurée 121. Etape 102 : On effectue ensuite un recuit de l'ensemble formé par la couche utile 10 et la couche structurée 121. Ce recuit sera par exemple effectué à une température S55100 /SD-T 10 comprise entre 100°C et 500°C, de préférence entre 300°C et 500°C, et pendant une durée pouvant aller de quelques minutes à plusieurs heures, par exemple entre 1h et 40h. Dans l'exemple représenté en figure 1, le recuit correspond à un chauffage à 430° durant 50 h. Pour l'ensemble des recuits nécessaires, l'homme du métier saura procéder à des recuits dans des conditions de pression et température qui limitent la dégradation du matériau. Au cours de ce recuit, les atomes de cadmium de la couche structurée 121 vont diffuser vers la couche utile 10. On peut donc parler d'un recuit de diffusion. Il se forme ainsi dans la couche utile des régions 14 présentant chacune un gradient de concentration en cadmium décroissant, depuis la face supérieure 108 vers la face inférieure 109 de la couche utile. Les graphiques 102a et 102b représentant une concentration en cadmium Cd dans la couche utile (axe des abscisses) en fonction de la profondeur dans la couche utile (axe des ordonnées). Le graphique 102b correspond à une coupe dans la couche utile selon l'axe BB' ne passant pas dans une région 14 telle que décrite ci-dessus. On voit bien que la concentration en cadmium présente alors une valeur constante, et correspondante à la concentration initiale en cadmium de la couche utile. Le graphique 102a correspond à une coupe dans la couche utile selon l'axe AA' passant dans une région 14 telle que décrite ci-dessus. La concentration en cadmium présente un profil décroissant progressivement à partir de la face supérieure 108 et en direction de la face inférieure 109. Par exemple, ce gradient prend une valeur maximale définie par x=0,5 dans du CdXHgi_Je, et une valeur minimale définie par x=0,22 et correspondant à la concentration initiale en cadmium de la couche utile. Le gradient, et donc la région 14, s'étend dans la couche utile jusqu'en A". Dans tout le texte, une concentration constante de cadmium ne définit pas un gradient de concentration. S55100 /SD-T 11 On peut considérer des surfaces dans la couche utile, parallèles à la face supérieure 108, et définie par une profondeur z dans la couche utile. Passé une profondeur prédéterminée z=zo (voir figure 3) dans la couche utile 10, l'intersection d'une telle surface avec les régions 14 présente une concentration moyenne en cadmium supérieure à la concentration moyenne en cadmium de l'intersection de cette même surface avec le reste de la couche utile. On a en particulier, zo=0. En d'autres termes, la concentration moyenne en cadmium dans les régions 14 est supérieure à la concentration moyenne en cadmium dans le reste de la couche utile, notamment dans une région destinée à former une région d'absorption de la couche utile, dans laquelle les photons à la longueur d'onde que l'on souhaite détecter vont former des porteurs minoritaires. On peut nommer les régions 14 « hétéro-structure 3D». Les régions 14 débouchent toutes sur la face supérieure 108. En fonction des caractéristiques souhaitées du profil du gradient de concentration en cadmium dans les régions 14, l'homme du métier saura adapter la température et la durée du recuit. La diffusion des atomes, notamment des atomes de cadmium, peut être approximée par une loi de diffusion standard de type Fick : 2 1 t n(z, t) rD i 4Dt, avec - n(z, t) la concentration volumique en atomes d'une espèce donnée en fonction de la profondeur z et du temps t ; - t la durée du recuit ; Ea - D le coefficient de diffusion de l'atome, avec D=Doe-kT, T la température du recuit et Ea l'énergie d'activation de la diffusion (quantité d'énergie nécessaire pour lancer le processus de diffusion des atomes). On voit sur le graphique 102a que le gradient de concentration en cadmium suit bien une courbe décroissante en partant de la face supérieure 108 (point A) S55100 /SD-T 12 et en direction de la face inférieure 109 (jusqu'au point A"), selon une décroissance sensiblement exponentielle. Etape 103 : Au cours de l'étape 103, on réalise au moins deux jonctions PN 15 dans la couche utile. Chaque jonction PN forme une photodiode. Les jonctions PN sont réalisées entre les régions 14, par exemple par implantation ionique entre des plots 122. A chaque photodiode correspond une première zone dopée 151. Chaque jonction PN sépare une première zone dopée 151, d'une deuxième zone dopée 152 commune à chacune des photodiodes. La deuxième zone dopée 152 entoure les premières zones dopées 151, et présente un dopage de type différent (N ou P). Chaque jonction PN forme une surface convexe dans la couche utile, entre l'une des premières zones dopées 151 et la deuxième zone dopée 152. Les jonctions PN affleurent sur la face supérieure 108 de la couche utile. On pourra envisager de réaliser une jonction PN selon l'une des nombreuses techniques connues dans l'art antérieur. De façon avantageuse, on réalise une zone dopée P (excès « trous », ou en d'autres termes défaut d'électrons) au sein d'un matériau dopé N (excès d'électrons). Pour cela, on implante un élément dopant P dans la couche utile, préférentiellement de l'arsenic. On réalise ensuite un recuit à environ 400°C pour activer le dopant P. Ce recuit crée des lacunes de mercure dans toute la couche utile 10. On obtient donc une zone fortement dopée P (grâce à l'implantation d'arsenic) et une zone faiblement dopée P (à cause des lacunes de mercure). On réalise ensuite un recuit à environ 220°C sous pression saturante de mercure pour combler les lacunes de mercure. La zone faiblement dopée P devient dopée N. La zone fortement dopée P est référencée 151 et correspond à une première zone dopée selon l'invention. La zone dopée N est référencée 152 et correspond à la deuxième zone dopée selon l'invention. S55100 /SD-T 3020176 13 La densité de dopage dans la deuxième zone dopée 152 est alors de l'ordre de 1.1016 atomes/cm3. La densité de dopage dans les premières zones dopées 151 est de l'ordre de 1018 atomes/cm3. En variante, on pourra réaliser une zone fortement dopée N (première zone 5 dopée 151) dans un matériau dopé P (deuxième zone dopée 152). Pour cela, on réalise un recuit pour ajuster le niveau de lacunes de mercure, de façon à doper P le reste de la couche utile puis on implante un élément dopant N dans la couche utile, préférentiellement du bore. Ces deux premiers exemples de réalisation d'une jonction PN 10 correspondent à une implantation ionique. On obtient ainsi une photodiode présentant une structure planaire, sans étape de gravure pouvant impacter le courant d'obscurité. En variante, on pourra réaliser une photodiode à avalanche dans la couche utile. On réalise tout d'abord un recuit pour ajuster le niveau de lacunes de 15 mercure, de façon à doper P la couche utile puis on crée, par un procédé technologique adéquat, une zone dopée N Tout autre type de diode pourrait être réalisé. L'étape 103 de réalisation de jonctions PN est avantageusement mise en oeuvre après la réalisation des régions 14. Cependant, on peut également 20 envisager de réaliser les jonctions PN avant réalisation des régions 14, en particulier dans le cas où les premières zones dopées 151 sont dopées P. Le recuit de diffusion des atomes de cadmium peut réaliser également l'activation d'un dopant P. On pourra ensuite réaliser des étapes classiques d'installation d'au moins 25 un élément de contact électrique au contact de la couche utile. Cet élément de contact électrique permet de polariser électriquement la photodiode. On peut supprimer la couche correspondant, après recuit, à la couche structurée 121. On utilisera par exemple une gravure chimique telle que décrite en référence à l'étape 101b de la figure 1. S55100 /SD-T 14 On obtient ainsi une matrice de photodiodes 300 telle que représentée en figure 3. Les régions 14 présentent un gradient de concentration en cadmium, et s'étendent en profondeur dans la couche utile, plus ou moins profondément que les premières zones dopées 151. Ces régions 14 à gradient de composition peuvent également traverser entièrement la couche utile, c'est-à-dire s'étendre jusqu'à la couche inférieure 109. Dans l'exemple représenté en figure 3, les régions 14 s'étendent plus profondément dans la couche utile que les premières zones dopées 151. Par exemple, les premières zones dopées 151 s'étendent sur 1 j..tm de profondeur dans la couche utile 10, et les régions 14 s'étendent sur 3 jim de profondeur dans la couche utile 10. En outre, les régions 14 s'étendent à l'extérieur des premières zones dopées 151. Ces deux caractéristiques sont obtenues grâce à l'utilisation : - d'un recuit long et à température élevée, permettant la diffusion du cadmium en profondeur dans la couche utile ; et - d'une couche structurée présentant des plots 122 étroits, ce qui évite que la diffusion des atomes de cadmium dans la couche utile étale les régions 14 et ne permette plus que ces régions restent à l'extérieur des premières zones dopées 151. Un plot est dit étroit par exemple lorsque la largeur des plots est inférieure à la différence entre le pas de pixel et la largeur des premières régions dopées 151 (les premières régions dopées étant supposées de largeur fixe pour une même matrice). En particulier, la largeur des plots peut être au moins 1,2 fois inférieure à la différence entre le pas de pixel et la largeur des premières régions dopées 151, par exemple deux fois inférieure. On a observé que dans un matériau semi-conducteur en CdxHgi_Je, la bande interdite, nommée « gap », dépend de la concentration en cadmium. Plus cette concentration est élevée, plus le gap est élevé. S55100 /SD-T 3020176 15 Du fait de la différence entre une concentration moyenne en cadmium dans une région 14 et dans le reste de la couche utile, chaque région 14 forme une barrière de potentiel en profondeur, entre deux premières zones dopées 151 voisines, ou en d'autres termes entre deux photodiodes voisines. 5 En fonctionnement, un photon 370 à une longueur d'onde que l'on souhaite détecter pénètre dans la matrice de photodiodes du côté de sa face inférieure, et au regard d'une photodiode donnée. Ce photon entraîne l'apparition d'un porteur minoritaire 371 dans la couche utile 10. Ce porteur minoritaire 371 diffuse dans la couche utile, jusqu'à ce qu'il se recombine avec un 10 porteur de nature différente. Si ledit porteur minoritaire traverse une jonction PN avant de se recombiner, il permet la création d'un courant mesurable. Le porteur minoritaire présente une longueur de diffusion qui correspond à la distance parcourue avant de se recombiner. Lorsque la longueur de diffusion est élevée, il existe donc un risque que le porteur minoritaire se recombine après 15 traversée de la jonction PN d'une photodiode voisine. Ce risque est d'autant plus élevé que le pas de la matrice de photodiodes est faible au regard de la longueur de diffusion. Or, selon l'invention, la matrice de photodiodes présente, entre deux photodiodes voisines, une barrière de potentiel pour les porteurs minoritaires. 20 Les porteurs minoritaires sont donc empêchés de passer à travers cette barrière de potentiel, ce qui évite qu'un porteur minoritaire pénètre dans la matrice de photodiodes au regard d'une première photodiode, et traverse la jonction PN d'une photodiode voisine. Ainsi, un porteur minoritaire qui pénètre dans la matrice de photodiodes au regard d'une première photodiode reste enfermé 25 dans un couloir entre plusieurs régions 14, et ne peut donc traverser la jonction PN d'une autre photodiode. On évite ainsi qu'un photon incident : ne provoque pas l'apparition d'un courant dans la photodiode au regard de laquelle il pénètre dans la matrice de photodiodes ; et S55100 /SD-T 16 provoque l'apparition d'un courant dans une photodiode autre que celle au regard de laquelle il pénètre dans la matrice de photodiodes. Ainsi, la matrice de photodiodes 300 selon l'invention présente une FTM améliorée. Cet aspect de l'invention est particulièrement avantageux lorsque l'on souhaite que la matrice de photodiodes présente un pas inférieur à la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Cet aspect de l'invention est donc particulièrement avantageux dans le cas où la première zone dopée 151 est dopée P, et la deuxième zone dopée 152 est dopée N (technologie dite « P sur N »). En effet, dans cette technologie, les porteurs minoritaires présentent une durée de vie élevée ce qui leur confère de grandes longueurs de diffusion (en comparaison avec la technologie dite « N sur P » correspondant à une zone 151 dopée N et une zone 152 dopée P). En faisant varier la température et/ou la durée du recuit, on obtient un profil désiré du gradient de gap dans chaque région 14. On remarque également que les régions 14, puisqu'elles présentent le même dopage que la deuxième zone dopée 152, n'empêchent pas de polariser toutes les photodiodes d'une même matrice à l'aide d'un même point de contact électrique. L'invention est particulièrement intéressante dans le cadre de régions 14 traversant entièrement la couche utile. Dans ce cas, les diodes sont complètement isolés les unes des autres et la FTM est optimale. Dans cette configuration et afin de limiter l'impact de la diffusion latérale du cadmium lors de la formation des régions 14, la couche utile est avantageusement réduite à une épaisseur de 1 à 2 gm par exemple. On remarquera également que l'invention permet de réaliser une couche utile offrant une excellente qualité cristalline puisque les gradients de cadmium sont réalisés par un recuit de diffusion qui préserve l'arrangement cristallin du S55100 /SD-T 17 Cdxl-Igije. Il ne serait pas possible d'obtenir une même qualité cristalline par des techniques de reprise d'épitaxie localisée. L'invention est particulièrement intéressante dans le cas d'une couche utile 10 réalisée par épitaxie en phase liquide. En effet, un avantage de cette technique est d'offrir la meilleure qualité cristalline. Il serait contre-productif de privilégier cette technique de croissance de la couche utile, si l'on venait ensuite détériorer fortement la qualité cristalline de la couche utile (soit par des contaminations de l'environnement extérieur, soit en créant un gradient de gap par une technique ne préservant pas la grande qualité cristalline de la couche utile). La figure 2 illustre de manière schématique un deuxième mode de réalisation de procédé selon l'invention. Le mode de réalisation illustré en figure 2 ne sera décrit que pour ses différences relativement au mode de réalisation représenté en figure 1. Les références numériques 10, 11, 13, 100, 108, 109, 101, 101a, 101b, 120, 121, 122, 102, 102a, 102b, 14, 15, 151, 152 correspondent respectivement aux références numériques 20, 21, 23, 200, 208, 209, 201, 201a, 201b, 220, 221, 222, 202, 202a, 202b, 24, 25, 251, 252. A l'étape 201, la couche structurée 221 forme des plots 222 présentant une largeur L2 de 12 gm, et répartis selon un maillage carré présentant un pas P1 de 1511m. A l'étape 202, on effectue un recuit correspondant, par exemple, à un chauffage à 430° durant 50h. Le graphique 202b correspond au graphique 102b de la figure 1. Le graphique 202a correspond à une coupe dans la couche utile selon l'axe DD' passant dans une région 24. Le gradient, et donc la région 24, s'étend dans la couche utile jusqu'en D". On obtient, grâce au procédé illustré en figure 2, une matrice de photodiodes 400 telle que représentée en figure 4. S55100 /SD-T 18 Les régions 24 et les premières zones dopées 251 sont ici partiellement superposées. Plus précisément, les régions 24 s'étendent dans un volume périphérique supérieur 255 de chacune des premières zones dopées 251. Par exemple, chaque première zone dopée 251 présente une largeur W de 8 gm (largeur au niveau de la face supérieure 208), et son volume périphérique supérieur 255 présente une largeur y de 2 pm (largeur au niveau de la face supérieure 208). Les régions 24 s'étendent, dans une première zone dopée 251, sur environ un quart du volume de celle-ci. En outre, les régions 24 s'étendent ici peu profondément dans la couche utile, moins profondément que les premières zones dopées 251. Par exemple, les premières zones dopées 251 s'étendent sur 1µm de profondeur dans la couche utile 20, et les régions 24 s'étendent sur 0,5 'lm de profondeur dans la couche utile 20. Typiquement, les premières zones dopées 251 s'étendent dans la couche utile plus profondément que les régions 24, par exemple 1,5 fois plus profondément. Selon ce mode de réalisation, les performances optimales sont obtenues pour des premières zones dopées 251 traversantes (c'est-à-dire s'étendant jusqu'à la face inférieure 209). Ces deux caractéristiques sont obtenues grâce à l'utilisation : - d'un recuit à température moindre (280°C, contre 430°C dans le premier mode de réalisation de procédé selon l'invention), permettant la diffusion du cadmium peu profondément dans la couche utile, et/ou d'un temps de recuit moindre (10h au lieu de 50 h) ; et - d'une couche structurée présentant des plots 222 relativement larges, ce qui permet que les régions 24 s'étendent jusque dans les premières zones dopées 251. Un plot est dit large par exemple lorsque la largeur des plots est supérieure à la différence entre le pas de pixel et la largeur des premières régions dopées 251 (les premières régions dopées étant supposées de largeur fixe pour une même matrice), par exemple 1,2 fois supérieure à cette différence. S55100 /SD-T 3020176 19 La matrice de photodiodes 400 présente donc un gradient de concentration en cadmium décroissant depuis sa face supérieure 208 vers sa face inférieure 209, et présent uniquement entre les premières zones dopées 251 et sur les bords de celles-ci. 5 Ainsi les bords des premières zones dopées 251 sont positionnés dans un matériau plus grand gap permettant de réduire la génération-recombinaison des porteurs dans la ZCE (Zone de Charge d'Espace). En effet, selon ce mode de réalisation, une grande partie de la ZCE (sur les bords de la photodiode) est comprise dans un matériau plus grand gap. Cette diminution locale de la 10 génération-recombinaison va entrainer une baisse du courant d'obscurité de la photodiode. La matrice de photodiodes 400 présente alors un courant d'obscurité réduit, en comparaison avec une matrice de photodiodes selon l'art antérieur. En particulier, pour une même technique de réalisation d'une jonction PN, on 15 obtient une photodiode présentant un courant d'obscurité réduit, par exemple diminué de moitié. Ces observations peuvent s'expliquer de la façon suivante : Une photodiode ne permet de détecter que des longueurs d'onde dont l'énergie correspond sensiblement au gap du matériau de la deuxième zone 20 dopée 252. Comme précisé en référence à la figure 3, un matériau en CdxHgi,Te présente un gap qui dépend de la concentration en cadmium. Une faible concentration en cadmium assure un faible gap et donc la détection d'un rayonnement de grande longueur d'onde, et inversement. En pratique, on 25 cherche préférentiellement à détecter un rayonnement infrarouge, ce qui correspond à un faible gap du matériau de la deuxième zone dopée 252. Un inconvénient d'un matériau à faible gap est cependant qu'il présente une sensibilité accrue aux défauts de la photodiode. En effet, plus le gap est petit, plus il est probable que des défauts du matériau introduisant un niveau d'énergie S55100 /SD-T 20 intermédiaire dans le matériau favorisent un franchissement spontané du gap par un électron. Il se forme ainsi spontanément des paires électron-trou dans le matériau. Une paire électron-trou correspond à l'apparition dans la couche utile d'un porteur minoritaire (l'électron ou le trou). Lorsque le porteur minoritaire traverse une jonction PN, on mesure un courant électrique qui ne correspond pas à l'absorption d'un rayonnement électromagnétique. On parle pour cette raison de courant d'obscurité. Le courant d'obscurité va ainsi être une limite à la détection de très faibles rayonnements dans l'infrarouge. Les défauts dans la couche utile sont plus nombreux en surface, à proximité de la face supérieure 208. Cela s'explique par le fait que la qualité cristalline d'une interface ne peut être aussi élevée que la qualité cristalline au centre de la couche utile. En outre, la face supérieure 208 est la face exposée à l'environnement, en particulier aux différents traitements subis par la couche utile 20, susceptibles d'introduire des impuretés. Ces traitements correspondent notamment aux étapes de réalisation de jonctions PN. Par exemple, dans le cas précédemment cité de la réalisation d'une jonction PN par implantation ionique d'arsenic Les défauts dans la couche utile sont ainsi plus nombreux à proximité à la fois de la face supérieure 208 et des jonctions PN, notamment lorsque les jonctions PN sont réalisées par implantation d'arsenic. Les régions 24 de la matrice de photodiodes 400 selon l'invention présentent chacune un gradient de cadmium, qui correspond donc à un gradient de gap nommé ouverture de gap. Selon l'invention, la matrice de photodiodes présente : un gap élevé en surface et entre les jonctions PN, ce qui diminue la sensibilité de la couche utile aux défauts présents en surface et entre les jonctions PN, un gap élevé en surface et au niveau des jonctions PN, dans des volumes périphériques supérieurs 255 des premières zones dopées 251, ce qui S55100 /SD-T 21 diminue la sensibilité de la couche utile aux défauts provenant d'une implantation ionique, et un gap qui reste réduit en profondeur, dans une région dite d'absorption, ce qui permet de détecter un rayonnement électromagnétique à la longueur d'onde souhaitée. Par ailleurs les premières zones dopées 251 ne sont pas enfermées à l'intérieur d'une région 24, permettant de ne pas limiter le rendement quantique. Ces premières zones dopées 251 s'étendent dans la couche utile plus profondément que les régions 24, ce qui améliore encore le rendement quantique. Chaque ouverture de gap forme également une barrière de potentiel qui empêche des porteurs minoritaires formés en profondeur dans la couche utile de venir se recombiner sur les défauts de surface, sans traverser une jonction PN et donc sans former un courant. On relève qu'il n'est pas gênant que le gradient de concentration en cadmium ne soit pas présent dans un volume central des premières zones dopées 251. En effet, la densité de dopage dans ces premières zones dopées est généralement suffisamment élevée pour limiter l'impact des défauts présents. Avantageusement, les régions 24 ne recouvrent les premières zones dopées 251 que sur un volume réduit, et donc ne recouvrent les jonctions PN que sur une surface réduite de chacune d'elles. Par exemple, les régions 24 recouvrent moins de 20% de la surface totale de chaque jonction PN. On maximise ainsi le rendement quantique, en limitant les portions de jonction PN auxquelles les porteurs minoritaires n'auront pas accès du fait de la barrière de potentiel associée à une région 24. De préférence, les régions 24 sont présentes avant même toute étape de réalisation d'une jonction PN. Ainsi, lors de la réalisation d'une jonction PN, la couche utile est protégée sur une majeure partie de sa face supérieure 208 grâce S55100 /SD-T 22 aux gradients de cadmium. En d'autres termes, la couche utile est rendue moins sensible à toute contamination par l'environnement. Par ailleurs lors de la réalisation d'une jonction PN, les défauts liés à l'implantation ioniques seront localisés dans un matériau plus grand gap. On voit donc que l'invention est particulièrement avantageuse pour la détection de grandes longueurs d'onde, dans l'infrarouge lointain (LWIR), voir très lointain (VLWIR, pour l'anglais « Very Long Wave InfraRed », correspondant à des longueurs d'onde supérieures à 8µm à 80 K). En effet, pour la détection de ces longueurs d'onde, on doit réaliser une faible concentration en cadmium dans la deuxième zone dopée 252 (x Ainsi, la matrice de photodiodes 500 combine les avantages cités à propos de la matrice de photodiodes 300 illustrée en figure 3 et de la matrice de photodiodes 400 illustrée en figure 4. On pourra imaginer toutes sortes de variantes, mettant en oeuvre un ou plusieurs cycles comprenant les étapes telles que décrites en référence aux figures 1 ou 2, de réalisation d'une couche structurée riche en cadmium et recuit. Entre deux cycles, on supprime avantageusement la couche correspondant, après recuit, à la couche structurée précédemment formée. Chacun des cycles peut mettre en oeuvre une couche structurée de forme différente. S55100 /SD-T 24 L'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être cités, et on pourra envisager toutes sortes de variantes, notamment différentes formes de régions présentant un gradient de cadmium. Ces formes pourront être obtenues à l'aide de procédés selon l'invention, par une couche structurée adaptée et le recours éventuel à plusieurs cycles tels que décrits ci-dessus. Par ailleurs ces régions peuvent être traversantes sur toute l'épaisseur de la couche utile. REVENDICATIONS1. Matrice de photodiodes (300 ; 400 ; 500) comprenant : - une couche dite utile (10 ; 20 ; 50) en un alliage semi-conducteur de cadmium, mercure et tellure de type CdxHgi_xTe, la couche utile présentant une face supérieure (108 ; 208) et une face inférieure (109 ; 209) ; - au moins deux premières zones dopées (151 ; 251 ; 551), situées dans la couche utile, formant chacune une jonction PN (15 ; 25) avec une deuxième zone dopée (152 ; 252 ; 552) entourant les premières zones dopées, les jonctions PN affleurant la face supérieure (108 ; 208) de la couche utile ; caractérisée en ce que la matrice (300 ; 400 ; 500) comprend au moins une région (14 ; 24 ; 54), située entre deux jonctions PN voisines (15 ; 25), et présentant un gradient de concentration en cadmium décroissant depuis la face supérieure (108 ; 208) vers la face inférieure (109 ; 209) de la couche utile. 2. Matrice (300 ; 400 ; 500) selon la revendication 1, caractérisée en ce que la concentration moyenne en cadmium dans ladite région (14 ; 24 ; 54) est supérieure à la concentration moyenne en cadmium dans le reste de la couche utile (10 ; 20 ; 50). 3. Matrice (300) selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que ladite région (14) s'étend entre deux jonctions PN (15), et à l'extérieur de chaque première zone dopée (151). 25 4. Matrice (300) selon la revendication 3, caractérisée en ce que ladite région (14) s'étend dans la couche utile (10) plus profondément que les premières zones dopées (151). 20S55100 /SD-T 26 5. Matrice (400 ; 500) selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que ladite région (24 ; 54) s'étend entre deux jonctions PN (25), et dans un volume périphérique supérieur (255 ; 555) de chacune des premières zones dopées (251 ; 551). 6. Matrice (400) selon la revendication 5, caractérisée en ce que ladite région (24) s'étend dans la couche utile (20) moins profondément que les premières zones dopées (251). 7. Matrice (400 ; 500) selon la revendication 5 ou 6, caractérisée en ce que ladite région (24 ; 54) s'étend dans une première zone dopée (251 ; 551) sur moins de la moitié du volume de celle-ci. 8. Matrice (500) selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce que ladite région (54) présente : une première portion (560) s'étendant à l'extérieur des premières zones dopées (551) ; et une seconde portion (561) s'étendant dans un volume périphérique supérieur (555) d'au moins une première zone dopée (551) ; la première portion (560) s'étendant plus profondément dans la couche utile (50) que la seconde portion (561), et la première portion (560) étant entourée par la seconde portion (561). 9. Matrice (300 ; 400 ; 500) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que la première zone dopée (151 ; 251 ; 551) est dopée P par des atomes d'arsenic.S55100 /SD-T 27 10. Procédé de fabrication d'une matrice de photodiodes (300 ; 400 ; 500) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - réalisation (100, 101; 200, 201), sur la face supérieure (108 ; 208) de la couche utile (10 ; 20), d'une couche dite structurée (121 ; 221) présentant au moins une ouverture traversante (120; 220), et ayant une concentration en cadmium supérieure à la concentration en cadmium de la couche utile ; recuit (102 ; 202) de la couche utile (10 ; 20) recouverte de la couche structurée (121; 221), réalisant une diffusion des atomes de cadmium de la couche structurée, depuis la couche structurée (121; 221) vers la couche utile (10 ; 20) ; - réalisation (103 ; 203) d'au moins deux jonctions PN (15 ; 25) dans la couche utile. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la réalisation (100, 101; 200, 201) d'une couche structurée (121 ; 221) met en oeuvre : - un dépôt (100 ; 200) d'une couche de réservoir (12 ; 22) sur la face supérieure (108 ; 208) de la couche utile (10 ; 20) ; et - une gravure (101 ; 201) d'au moins une ouverture traversante dans la couche de réservoir, la gravure étant une gravure chimique. 12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que les étapes de réalisation (100, 101 ; 200, 201) d'une couche structurée et recuit (102 ; 202), forment un cycle de fabrication, et en ce que l'on met en oeuvre au moins deux cycles de fabrication. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que l'étape de réalisation de jonctions PN (103 ; 203) met en oeuvre une implantation ionique d'arsenic.S55100 /SD-T 28 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que le recuit est réalisé à une température comprise entre 100°C et 500°C. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le recuit (103 ; 303) est réalisé pendant une durée comprise entre 1h et 100h.