FR 3011382 A1 20150403 FR 1359365 A 20130927 PROCEDE DE REALISATION D'UN CIRCUIT INTEGRE DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION Le domaine technique de l'invention est celui des procédés de réalisation de circuits intégrés. La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un transistor et en particulier un procédé de réalisation d'un transistor avec des contacts auto-alignés dans une approche « gate first ». ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION La technologie SOI (de l'anglais « silicon on insulator », c'est-à-dire « silicium sur isolant ») est une alternative avantageuse par rapport à l'approche sur silicium massif (« bulk silicon » en langue anglaise), notamment pour la fabrication de composants, par exemple des transistors, à haute fréquence. L'évolution des circuits intégrés pousse dans le même temps à une diminution constante des dimensions de ces circuits intégrés et à une augmentation de leur densité. La réduction des dimensions des circuits intégrés s'accompagne de spécifications d'alignement niveau à niveau de plus en plus difficiles à atteindre. On souhaite en particulier être en mesure d'aligner, dans une architecture avancée de transistor, les contacts par rapport aux grilles. Dans ce contexte, une technique d'auto-alignement des contacts par rapport aux grilles est avantageusement mise en oeuvre. L'état de la technique connaît un procédé de réalisation de circuits intégrés avec des contacts auto-alignés dans une approche « gate last », comme décrit dans le document WO 2011/090571 A2. Un procédé de réalisation d'un transistor avec une approche de type « gate last » comporte une étape de réalisation d'une zone de grille dans un empilement sacrificiel, puis une étape de remplacement de l'empilement sacrificiel par un empilement de grille définitif. Une autre approche possible est l'approche « gate first ». Dans le cas d'une approche de type « gate first », une zone de grille est directement réalisée dans un empilement de grille, qui constituera la zone de grille dans le circuit intégré final. Une approche de type « gate first » ne nécessite pas l'usage de matériaux sacrificiels et est donc avantageusement moins onéreuse à mettre en oeuvre qu'une approche de type « gate last ». En outre, la technologie SOI favorise des approches de type « gate first » dans les procédés de fabrication des composants, car les spécifications en matière de tension de seuil sont un peu plus relâchées que sur les approches de type « bulk ». Un procédé 100 de réalisation de transistors MOSFET avec des contacts auto-alignés dans une approche « gate first » selon l'état de la technique est par exemple décrit aux figures 1 à 12. Les figures 1 à 12 sont décrites conjointement. Une première étape 101 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure la et selon une vue de dessus à la figure 1 b. La vue en coupe est suivant un premier plan P1 de centre O et d'axes orthogonaux X et Z ; la vue de dessus est suivant un deuxième plan P2 de centre O et d'axes orthogonaux X et Y. Le deuxième plan P2 est perpendiculaire au premier plan P1. Selon la première étape 101, on part d'un substrat 10 de type SOI intégrant une isolation STI (de l'anglais « shallow trench isolation »). Le substrat 10 comporte une première couche 11 de Si, sur laquelle s'étend une couche isolante 12 de SiO2, également appelée Box (de l'anglais « buried oxide »). La couche isolante 12 a une épaisseur, mesurée suivant l'axe Z, typiquement inférieure ou égale à 25 nm. Une fine couche 13 de Si s'étend sur la couche isolante 12. La fine couche 13 de Si a une épaisseur, mesurée suivant l'axe Z, typiquement inférieure à 5 nm. La fine couche 13 de Si forme une zone active. Le substrat 10 intègre des zones 14 d'isolation STI. Le substrat 10 alterne ainsi les zones 14 d'isolation et les zones 13 actives. Une deuxième étape 102 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 2. La vue en coupe est suivant le premier plan P1. Selon la deuxième étape 102, on dépose un empilement 15 de grille sur le substrat 10. L'empilement 15 de grille peut typiquement comporter : - une première couche 15-1 d'un diélectrique high-k, la première couche 15-1 s'étendant sur le substrat 10 ; - une deuxième couche 15-2 d'un nitrure de titane, la deuxième couche 15-2 s'étendant sur la première couche 15-1 ; - une troisième couche 15-3 de polysilicium, la troisième couche 15-3 s'étendant sur la deuxième couche 15-2 ; - une quatrième couche 15-4 d'un diélectrique, par exemple un nitrure, la quatrième couche 15-4 s'étendant sur la troisième couche 15-3. Une troisième étape 103 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 3a et selon une vue de dessus à la figure 3b. La vue en coupe est suivant le premier plan P1 et la vue de dessus est suivant le deuxième plan P2. Selon la troisième étape 103, des zones 16 de grille sont définies dans l'empilement 15 de grille, par exemple par lithographie et gravure anisotrope de l'empilement 15 de grille. Chaque zone 16 de grille présente, dans l'exemple représenté, une largeur de 14 nm, mesurée suivant l'axe X. Le pas d'espacement, suivant l'axe X, de deux zones 16 de grille consécutives est, dans l'exemple représenté, de 64 nm. Des premiers espaceurs 17 isolants sont ensuite réalisés autour de chaque zone 16 de grille. Une quatrième étape 104 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 4a et selon une vue de dessus à la figure 4b. La vue en coupe est suivant le premier plan P1 et la vue de dessus est suivant le deuxième plan P2. Selon la quatrième étape 104, on commence par protéger, à l'aide d'un premier masque M1, une région destinée à former ultérieurement, dans l'exemple représenté, des transistors pMOS. Puis on réalise des premières zones 18 de source et de drain qui sont, dans l'exemple représenté, de type n. Le premier masque M1 est retiré à l'issue de la troisième étape 103. Une cinquième étape 105 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 5a et selon une vue de dessus à la figure 5b. La vue en coupe est suivant le premier plan P1 et la vue de dessus est suivant le deuxième plan P2. Selon la cinquième étape 105, on commence par protéger, à l'aide d'un deuxième masque M2, une région destinées à former ultérieurement, dans l'exemple représenté, des transistors nMOS. Puis on réalise des deuxièmes zones 19 de source et de drain qui sont de type p. Le deuxième masque M2 est retiré à l'issue de la cinquième étape 105. Une sixième étape 106 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 6a et selon une vue de dessus à la figure 6b. La vue en coupe est suivant le premier plan P1 et la vue de dessus est suivant le deuxième plan P2. Selon la sixième étape 106, des deuxièmes espaceurs 20 isolants sont réalisés autour des premiers espaceurs 17 isolants. Les deuxièmes espaceurs 20 isolants sont réalisés dans un matériau diélectrique, par exemple un nitrure. On peut également réaliser d'autres espaceurs au contact des deuxièmes espaceurs. Une septième étape 107 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 7. La vue en coupe est suivant le premier plan P1. Selon la septième étape 107, la quatrième couche 15-4 de diélectrique, située au sommet de chaque zone 16 de grille, est retirée, mettant ainsi la troisième couche 15-3 de polysilicium à nu. Une couche 21 d'un matériau apte à être siliciuré, par exemple une couche de nickel Ni, est ensuite déposée à la surface du dispositif, recouvrant notamment chaque troisième couche 15-3 des zones 16 de grille ainsi que les premières zones 18 et les deuxièmes zones 19 de source et de drain. Une huitième étape 108 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 8a et selon une vue de dessus à la figure 8b. La vue en coupe est suivant le premier plan P1 et la vue de dessus est suivant le deuxième plan P2. Selon la huitième étape 108, un traitement thermique est réalisé pour provoquer, à partir de la couche 21, la formation de zones 22 de siliciure à la surface de chaque troisième couche 15-3 des zones 16 de grille ainsi que des premières zones 18 et des deuxièmes zones 19 de source et de drain. Le matériau résiduel de la couche 21 est ensuite retiré par gravure, sélectivement par rapport au matériau des deuxièmes espaceurs 20. Une neuvième étape 109 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 9. La vue en coupe est suivant le premier plan Pl. Selon la neuvième étape 109, on réalise le dépôt d'une couche 23 d'un matériau diélectrique PMD (de l'anglais « pre-metal dielectric) à la surface de l'ensemble du dispositif. On réalise ensuite une étape de polissage de la couche 23 du matériau diélectrique PMD, par exemple une étape de polissage mécano-chimique CMP (de l'anglais « chemical-mechanical polishing »). Une dixième étape 110 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 10. La vue en coupe est suivant le premier plan P1. Selon la dixième étape 110, un troisième masque M3 est déposé sur la couche 23 du matériau diélectrique PMD. Le troisième masque M3 peut par exemple être une couche de résine. Une étape de lithographie est ensuite réalisée dans le troisième masque M3 pour définir des zones à graver dans le matériau diélectrique PMD. A l'issue de cette étape de lithographie, le troisième masque M3 est conservé au-dessus des zones 14 d'isolation et protège donc les zones 14 d'isolation. Une onzième étape 111 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 11 a et selon une vue de dessus à la figure 11b. La vue en coupe est suivant le premier plan P1 et la vue de dessus est suivant le deuxième plan P2. Selon la onzième étape 111, on réalise une gravure anisotrope de la couche 23 de matériau diélectrique PMD non protégée par le troisième masque M3, par exemple par un procédé de gravure ionique réactive RIE (de l'anglais « reactiveion etching »). Le troisième masque M3 est ensuite retiré, par exemple par un procédé de stripping. Une douzième étape 112 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 12. La vue en coupe est suivant le premier plan P1. Selon la douzième étape 112, on réalise un dépôt d'une couche 24 de métal des précontacts. Le métal des précontacts peut par exemple être du tungstène. Une treizième étape 113 du procédé 100 est illustrée selon une vue en coupe à la figure 13. La vue en coupe est suivant le premier plan P1. Selon la treizième étape 113, on réalise une étape de polissage de la couche 24 de métal des précontacts, par exemple par polissage mécano-chimique CMP. Cette étape de polissage est nécessaire afin de dé-court-circuiter les zones 16 de grille, les premières zones 18 de source et de drain et les deuxièmes zones 19 de source et de drain. Cette nécessaire étape de dé-court-circuitage a néanmoins pour inconvénient de retirer également les zones 22 de siliciure précédemment formées à la surface des zones 16 de grille. Le procédé 100 de l'état de l'art précédemment décrit met en évidence une difficulté d'obtention, dans une approche « gate first », de contacts auto-alignés tout en ayant des grilles siliciurées. EXPOSE DE L'INVENTION L'invention offre une solution au problème évoqué précédemment, en proposant un procédé de réalisation d'un circuit intégré avec des contacts auto-alignés dans une approche « gate first », permettant notamment d'obtenir des zones de grille, de source et de drain dé-court-circuitées les unes des autres tout en ayant une zone de faible résistivité électrique à la surface des zones de grille. L'invention concerne donc un procédé de réalisation d'un circuit intégré sur un substrat comportant les étapes suivantes : - réalisation d'un empilement de grille à la surface d'une zone active, comportant les sous-étapes suivantes : - dépôt d'une couche d'un premier diélectrique de grille s'étendant sur la zone active ; - dépôt d'une couche conductrice de grille s'étendant sur la couche du premier diélectrique ; - dépôt d'une couche d'un premier métal, la couche du premier métal s'étendant sur la couche conductrice de grille ; - dépôt d'une couche d'un deuxième métal, la couche du deuxième métal s'étendant sur la couche du premier métal ; - dépôt d'une couche d'un deuxième diélectrique s'étendant sur la couche du deuxième métal ; - gravure partielle de l'empilement de grille pour la formation d'une zone de grille sur zone active ; - réalisation d'espaceurs isolants de part et d'autre de la zone de grille sur zone active ; - réalisation de zones de source et de drain ; - réalisation de zones de siliciuration à la surface des zones de source et de drain ; - gravure, sur la zone de grille sur zone active, de la couche de deuxième diélectrique et de la couche du deuxième métal avec arrêt sur la couche du premier métal, de manière à former une cavité entre les espaceurs isolants ; - réalisation d'un bouchon de protection à la surface de la couche du premier métal de la zone de grille sur zone active, le bouchon de protection venant combler la cavité. Grâce à l'invention, on met avantageusement en oeuvre un empilement de grille comprenant une couche d'un premier métal et une couche d'un deuxième métal. Ainsi, lors de l'étape de gravure, sur la zone de grille sur zone active, de la couche de diélectrique, on est en mesure d'assurer la conservation de la couche du premier métal, qui forme une zone de faible résistivité électrique à la surface de la zone de grille sur zone active. La réalisation du bouchon de protection à la surface de la zone de grille sur zone active permet d'assurer la protection de la couche du premier métal au cours d'étapes ultérieures du procédé d'intégration, et notamment au cours d'étapes de gravure et/ou de polissage. Le fait, dans le procédé de l'invention, de former des espaceurs autour de la zone de grille sur zone active puis de graver la couche de diélectrique et la couche du deuxième métal de la zone de grille sur zone active, permet avantageusement de former une cavité au sommet de la zone de grille sur zone active, entre les espaceurs isolants. Grâce à cette cavité, qui est ensuite comblée par le bouchon de protection, on réduit la hauteur de la zone de grille sur zone active tout en autorisant une augmentation de la distance entre la zone de grille sur zone active et un futur contact. La zone de grille sur zone active sera en effet séparée du futur contact par la couche du deuxième métal et par le bouchon de protection. On diminue ainsi avantageusement la capacité parasite de couplage entre la zone de grille sur zone active et le futur contact. Outre les caractéristiques qui viennent d'être évoquées dans le paragraphe précédent, le procédé selon l'invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : - La couche du premier métal est une couche réalisée dans un alliage de métal réfractaire. On entend par « métal réfractaire » un métal apte à supporter un budget thermique de l'ordre de 1000°C, en particulier lors de la réalisation des zones de source et de drain, qui met usuellement en oeuvre une étape d'implantation suivie d'une étape de recuit thermique. - La couche du premier métal est une couche d'un des matériaux suivants : - un alliage de titane Ti ; - un alliage de tungstène W ; - un alliage de tantale Ta ; - un alliage d'un métal et de silicium Si ; Lorsque la couche du premier métal est un alliage d'un métal et de silicium, on peut avantageusement obtenir ladite couche du premier métal par une étape de siliciuration de la couche conductrice de grille, la couche conductrice de grille étant alors par exemple réalisée en silicium polycristallin. - La couche du deuxième métal est une couche réalisée dans un alliage de métal réfractaire. - La couche du deuxième métal est une couche d'un des matériaux suivants : - un alliage de titane Ti ; - un alliage de tungstène W ; - un alliage de tantale Ta ; - un alliage de tout autre métal réfractaire. 10 - Le premier métal de la couche du premier métal est avantageusement différent du deuxième métal de la couche du deuxième métal. On facilite ainsi, lors de la gravure de la couche de diélectrique et de la couche du deuxième métal, l'arrêt de ladite gravure sur la couche du premier métal 15 afin de conserver ladite couche du premier métal. - La couche du deuxième métal peut être gravée sélectivement par rapport à la couche du premier métal. 20 - La sélectivité de gravure entre la couche du deuxième métal et la couche du premier métal est supérieure à 5:1. On entend par « la sélectivité de gravure entre la couche du deuxième métal et la couche du premier métal est supérieure à 5:1 » le fait que, lors d'une même étape de gravure, la couche du deuxième métal peut être 25 gravée plus de cinq fois plus vite que la couche du premier métal. - La couche du premier métal a une épaisseur supérieure ou égale à 15 nm. - La couche du deuxième métal a une épaisseur comprise entre 20 nm et 50 30 nm. - La couche conductrice de grille a une épaisseur supérieure ou égale à 15 nm. - L'épaisseur cumulée de la couche conductrice de grille et de la couche du premier métal est inférieure ou égale à 100 nm. - Le procédé de l'invention comporte en outre les étapes suivantes : - dépôt d'une couche conductrice sur l'ensemble du dispositif ; - polissage de la couche conductrice afin de dé-court-circuiter les zones de siliciuration de source et de drain. 10 - Le procédé de l'invention comporte en outre les étapes suivantes : - dépôt d'une couche d'arrêt sur l'ensemble du dispositif ; - dépôt d'une couche d'un diélectrique sur la couche d'arrêt ; - gravure sélective de la couche de diélectrique et de la couche d'arrêt 15 pour la mise à nu de la couche conductrice, de façon à creuser des tranchées au-dessus des zones de siliciuration de source et de drain ; - remplissage desdites tranchées avec un matériau conducteur pour la réalisation de contacts sur les zones de siliciuration de source et de drain. 20 - Circuit intégré obtenu par un procédé de réalisation selon l'invention, comprenant : - au moins une zone active et au moins une zone d'isolation ; - au moins une zone de grille sur zone active, comportant une couche 25 d'un premier diélectrique, une couche conductrice de grille, une couche d'un premier métal et un bouchon de protection ; - au moins une zone de grille sur zone d'isolation, comportant une couche d'un premier diélectrique, une couche conductrice de grille, une couche d'un premier métal et une couche d'un deuxième métal. 30 L'invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l'examen des figures qui l'accompagnent. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. - Les figures 1 a à 13 illustrent des étapes d'un procédé de réalisation de circuits intégrés avec des contacts auto-alignés dans une approche « gate first » selon l'état de la technique. - Les figures 14a, 14b, 14c et 14d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une première étape d'un procédé selon l'invention permettant de réaliser un circuit intégré avec des contacts auto-alignés dans une approche « gate first ». - Les figures 15a, 15b, 15c et 15d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une deuxième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 16a, 16b, 16c et 16d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une troisième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 17a, 17b, 17c et 17d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une quatrième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 18a, 18b, 18c et 18d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une cinquième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 19a, 19b, 19c et 19d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une sixième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 20a, 20b, 20c et 20d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une septième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 21a, 21b, 21c et 21d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une huitième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 22a, 22b, 22c et 22d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une neuvième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 23a, 23b, 23c et 23d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une dixième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 24a, 24b, 24c et 24d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une onzième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 25a, 25b, 25c et 25d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une douzième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 26a, 26b, 26c et 26d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une treizième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 27a, 27b, 27c et 27d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une quatorzième étape du procédé selon l'invention. - Les figures 28a, 28b, 28c et 28d représentent, respectivement en vue de dessus et selon une première, deuxième et troisième coupes, une quinzième étape du procédé selon l'invention. - La figure 29 est un diagramme de l'organisation des différentes étapes d'un procédé selon l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE D'AU MOINS UN MODE DE REALISATION DE L'INVENTION Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique. Les figures 14a à 28d représentent schématiquement les étapes d'un procédé 200 selon l'invention dans le cadre de la réalisation d'un circuit intégré avec des contacts auto-alignés et dans une approche « gate first ». La figure 29 est un diagramme récapitulant l'organisation des différentes étapes du procédé 200 selon l'invention. Le procédé 200 propose ainsi une alternative à l'approche classique, précédemment décrite en lien avec les figures 1 a à 13, et qui est incompatible avec la conservation de zones de siliciure sur les zones de grille. Une première étape 201 du procédé 200 est illustrée aux figures 14a, 14b, 14c et 14d. - La figure 14a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2 d'axes orthogonaux X et Y, du dispositif lors de la première étape 201. Un premier plan de coupe A, un deuxième plan de coupe B et un troisième plan de coupe C sont représentés sur la figure 14a. Le premier plan de coupe A et le deuxième plan de coupe B sont parallèles au premier plan P1 d'axes orthogonaux X et Z. Le troisième plan de coupe C est parallèle à un troisième plan de coupe P3 d'axes orthogonaux Y et Z. Le troisième plan de coupe C est donc perpendiculaire au premier et au deuxième plans de coupe A et B. - La figure 14c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la première étape 201. - La figure 14d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la première étape 201. - La figure 14b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la première étape 201. Lors de la première étape 201, on commence par réaliser, sur un substrat, une couche initiale 300. Le substrat est, dans l'exemple représenté, un substrat de type SOI. Néanmoins le substrat peut également être un substrat silicium de type « bulk ». Lorsque le substrat est de type SOI, il comporte une couche isolante 303, par exemple d'oxyde SiO2, également appelée Box. La couche isolante 303 a une épaisseur, mesurée suivant l'axe OZ, typiquement inférieure à 25 nm. La couche initiale 300 comporte, dans l'exemple représenté, plusieurs zones actives 301 séparées entre elles par des zones d'isolation 302. Les zones actives 301 sont de préférence réalisées en silicium monocristallin. Les zones d'isolation 302 sont formées d'un matériau diélectrique, qui est par exemple un oxyde de silicium. Les zones actives 301 et les zones d'isolation 302 s'étendent, dans l'exemple représenté, sur la couche isolante 303. Les zones actives 301 ont une épaisseur typiquement inférieure ou égale à 5 nm. Les zones actives 301 présentent une largeur W active mesurée suivant l'axe Y. On réalise ensuite sur la couche initiale 300 le dépôt d'un empilement 305 de grille. L'empilement 305 de grille comporte, dans l'exemple de la présente description : - une première couche 305-1 d'un diélectrique high-k, la première couche 305-1 s'étendant sur la couche initiale 300 ; - une deuxième couche 305-2 d'un nitrure de titane, la deuxième couche 305-2 s'étendant sur la première couche 305-1 ; - une troisième couche 305-3 d'un matériau conducteur de grille, par exemple du polysilicium, la troisième couche 305-3 s'étendant sur la deuxième couche 305-2 ; - une quatrième couche 305-4 d'un premier métal, la quatrième couche 3054 s'étendant sur la troisième couche 305-3 ; - une cinquième couche 305-5 d'un deuxième métal, la cinquième couche 305-5 s'étendant sur la quatrième couche 305-4 ; - une sixième couche 305-6 d'un diélectrique, par exemple un nitrure, la sixième couche 305-6 s'étendant sur la cinquième couche 305-5. La présente description est réalisée dans le cas où la première couche 305-1 est une couche d'un diélectrique high-k, néanmoins l'invention ne s'y limite pas et concerne plus généralement un empilement 305 de grille comprenant une première couche 305-1 d'un diélectrique. De même, la présente description est réalisée dans le cas où l'empilement 305 de grille comprend la deuxième couche 305-2 d'un nitrure de titane, néanmoins l'invention ne s'y limite pas et concerne plus généralement tout empilement de grille comprenant la première couche 305-1 d'un diélectrique et la troisième couche 305-3 d'un matériau conducteur de grille, et qui comporte optionnellement la deuxième couche 305-2. Le premier métal de la quatrième couche 305-4 est avantageusement un alliage de titane Ti, un alliage de tungstène W, un alliage de tantale Ta ou un alliage d'un métal et de silicium Si. Lorsque la quatrième couche 305-4 est un alliage d'un métal et de silicium, on peut avantageusement obtenir ladite quatrième couche 305-4 par une siliciuration de la troisième couche 305-3 conductrice de grille, la couche conductrice de grille étant alors par exemple réalisée en silicium polycristallin. Le deuxième métal de la cinquième couche 305-5 est avantageusement un alliage de titane Ti, par exemple un nitrure de titane, un alliage de tungstène W ou un alliage de tantale Ta. L'empilement 305 de grille présente typiquement une hauteur, mesurée suivant l'axe OZ, comprise entre 30 nm et 75 nm. Des zones 306 de grille sont alors définies dans l'empilement 305 de grille. Chaque zone 306 de grille forme une ligne qui s'étend parallèlement à l'axe Y. Chaque zone 306 de grille présente, dans l'exemple représenté, une largeur de 14 nm, mesurée suivant la direction OX. Le pas d'espacement suivant la direction OX de deux zones 306 de grille consécutives, également appelé « pitch » ou noeud technologique, est dans l'exemple représenté de 64 nm. La présente description est réalisée dans le cas particulier d'un pas d'espacement de 64 nm, néanmoins l'invention ne se limite pas à des pas d'espacement de 64 nm et concerne notamment des pas d'espacement compris entre 20 nm et 64 nm. Le dimensionnement des zones 306 de grille peut typiquement être le suivant : - la première couche 305-1 de diélectrique présente typiquement une épaisseur, mesurée suivant l'axe OZ, de 5 nm ; - la deuxième couche 305-2 présente typiquement une épaisseur, mesurée suivant l'axe OZ, de 5 nm ; - la troisième couche 305-3 et la quatrième couche 305-4 présentent respectivement une épaisseur, mesurée suivant l'axe Z, typiquement supérieure ou égale à 15 nm, la somme de l'épaisseur de la troisième couche 305-3 et de l'épaisseur de la quatrième couche 305-4 étant comprise entre 30 nm et 100 nm. Plus le noeud technologique souhaité est petit, plus la somme des épaisseurs de la troisième couche 305-3 et de la quatrième couche 305-4 est avantageusement faible afin de minimiser d'éventuelles capacités parasites. L'épaisseur de la quatrième couche 305- 4 doit néanmoins être suffisante pour diminuer la résistivité de la zone 306 de grille ; - la cinquième couche 305-5 du deuxième métal présente typiquement une épaisseur, mesurée suivant l'axe OZ, comprise entre 20 nm et 50 nm. L'épaisseur de la cinquième couche 305-5 est choisie en fonction des performances des étapes ultérieures de polissage et de gravure, et notamment en fonction de la sélectivité de gravure et/ou de la précision de l'arrêt de gravure que l'on parvient à mettre en oeuvre. On veut en effet s'assurer que l'épaisseur de ladite couche 305-5 sera suffisante pour que la quatrième couche 305-4 soit conservée à la surface des zones 306 de grille ; - la sixième couche 305-6 de diélectrique présente typiquement une épaisseur, mesurée suivant l'axe OZ, de 15 nm. L'approche du procédé 200 selon l'invention étant de type « gate first », chaque zone 306 de grille est directement réalisée dans l'empilement 305 de grille. Ainsi, l'empilement 305 de grille déposé lors de la première étape 201 est directement constitué des matériaux destinés à former les zones 306 de grille. Les zones 306 de grilles peuvent être réalisées de différentes manières, notamment en fonction des dimensions souhaitées pour le circuit intégré à réaliser. En effet, lorsqu'on réalise des circuits intégrés conformes à des noeuds technologiques assez élevés - par exemple conformes à un noeud technologique supérieur à 32 nm, les zones 306 de grille peuvent être réalisées par photolithographie classique. Dans ce cas, suite au dépôt de l'empilement 305 de grille sur la couche initiale 300, on dépose sur l'empilement 305 de grille un masque définissant la forme des zones 306 de grille. L'empilement 305 de grille est ensuite insolé à travers le masque. Les parties insolées de l'empilement 305 de grille sont alors éliminées à l'aide d'un solvant adapté. Lorsque le circuit intégré que l'on cherche à réaliser avec le procédé 200 selon l'invention est conforme à un noeud technologique faible - par exemple à un noeud technologique inférieur à 32 nm, les zones 306 de grille peuvent être réalisées par des techniques de double exposition (ou « double patterning » en anglais) ou de « spacer patterning ». La technique de double exposition est connue de l'homme du métier et consiste à effectuer deux étapes de photolithographie pour réaliser un seul niveau. En effet, selon cette méthode, on effectue d'abord une première étape de photolithographie de manière à définir un motif sur deux, puis on effectue une deuxième étape de photolithographie de manière à définir les motifs restants. Cette technique permet de réaliser des motifs avec une résolution deux fois plus grande qu'avec les techniques de lithographie classiques. Des premiers espaceurs 307 isolants sont ensuite réalisés de part et d'autre de chaque zone 306 de grille. Les premiers espaceurs 307 sont formés d'un matériau diélectrique, qui peut par exemple être un nitrure ou une bicouche oxyde/nitrure. Tous les premiers espaceurs 307 peuvent être constitués du même matériau, ou alors ils peuvent être réalisés dans des matériaux différents. L'épaisseur maximum, mesurée suivant l'axe X, des premiers espaceurs 307 est typiquement de 8 nm. Les procédés permettant de réaliser les premiers espaceurs 307 isolants sont connus de l'art antérieur. On peut par exemple réaliser les premiers espaceurs 307 isolants de la manière suivante : - on dépose une couche de matériau isolant constitutif des premiers espaceurs 307 isolants (par exemple du nitrure ou une bicouche nitrure-oxyde) sur l'ensemble des zones 306 de grille et sur la couche initiale 300 ; - on grave de manière anisotrope la couche de matériau isolant de manière à conserver les parties verticales de la couche en matériau isolant. Les parties verticales de la couche en matériau isolant forment alors les premiers espaceurs 307 de part et d'autre de chaque zone 306 de grille. On peut ensuite planariser les surfaces supérieures des premiers espaceurs 307 isolants de manière qu'elles soient alignées avec les surfaces supérieures des zones 306 de grille. Cette étape peut par exemple être effectuée par polissage mécano-chimique CMP. Les premiers espaceurs 307 isolants contribueront à isoler les zones 306 de grille des contacts qui seront réalisés par la suite. Une deuxième étape 202 du procédé 200 est illustrée aux figures 15a, 15b, 15c et 15d. - La figure 15a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la deuxième étape 202. - La figure 15c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la deuxième étape 202. - La figure 15d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la deuxième étape 202. - La figure 15b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la deuxième étape 202. Lors de la deuxième étape 202, on réalise des zones 308 de source et de drain. Les zones 308 sont situées sur les zones actives 301, de part et d'autre des zones 306 de grille sur zones actives 301 entourées des premiers espaceurs 307 isolants. La réalisation des zones 308 de source et de drain peut comporter une étape de croissance par épitaxie à partir des zones actives 301 en Si. Les zones 308 de source et de drain ont alors avantageusement une forme de tronc de pyramide, le tronc de pyramide ayant une base carrée s'étendant suivant le deuxième plan P2 et une hauteur, mesurée suivant l'axe Z, de 15 nm typiquement. Chaque zone 308 de source ou de drain présente alors avantageusement quatre facettes 308-F qui sont les quatre parois du tronc de la pyramide. Les facettes 308-F forment typiquement un angle a de 72° avec la base carrée. De telles facettes 308-F permettent avantageusement d'augmenter la distance entre les zones de grille 306 sur zones actives 301 d'une part, et les zones 308 de source et de drain adjacentes à chaque zone de grille 306 sur zone active 301 d'autre part. Les zones 308 de source et de drain sont dopées in situ lors de leur croissance le cas échéant, ou bien lors d'une étape d'implantation spécifique. Une troisième étape 203 du procédé 200 est illustrée aux figures 16a, 16b, 16c et 16d. - La figure 16a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la troisième étape 203. - La figure 16c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la troisième étape 203. - La figure 16d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la troisième étape 203. - La figure 16b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la troisième étape 203. Lors de la troisième étape 203, on réalise des deuxièmes espaceurs 309 isolants autour des premiers espaceurs 307 isolants. Les deuxièmes espaceurs 309 isolants sont réalisés dans un matériau diélectrique, par exemple un nitrure. L'épaisseur maximum, mesurée suivant l'axe X, des deuxièmes espaceurs 309 est typiquement de 10 nm. L'épaisseur maximum cumulée des premiers espaceurs 307 et des deuxièmes espaceurs 309, mesurée suivant l'axe X, est donc typiquement de 18 nm. Une quatrième étape 204 du procédé 200 est illustrée aux figures 17a, 17b, 17c et 17d. - La figure 17a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la quatrième étape 204. - La figure 17c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la quatrième étape 204. - La figure 17d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la quatrième étape 204. - La figure 17b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la quatrième étape 204. Lors de la quatrième étape 204, on réalise des zones 310 de siliciuration à la surface des zones 308 de source et de drain. La siliciuration est connue de l'art antérieur ; elle correspond à la métallisation des zones 308 de source et de drain par réaction chimique entre le silicium constitutif des zones 308 de source et de drain et un métal, par exemple du nickel, de façon à former des zones de faible résistivité. On notera que, contrairement au procédé 100 précédemment décrit, aucune zone de siliciuration n'est réalisée, à ce stade du procédé, sur les zones 306 de grille, à la surface desquelles se trouve toujours la sixième couche 305-6 en nitrure. En effet les zones 306 de grille intègrent déjà la quatrième couche 3054 du premier métal, qui assure une fonction de siliciuration. Une cinquième étape 205 du procédé 200 est illustrée aux figures 18a, 18b, 18c et 18d. - La figure 18a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la cinquième étape 205. - La figure 18c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la cinquième étape 205. - La figure 18d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la cinquième étape 205. - La figure 18b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la cinquième étape 205. Lors de la cinquième étape 205, on réalise le dépôt d'une couche 311 d'un premier niveau de diélectrique ILD (de l'anglais « inter-layer dielectric », c'est-à- dire un diélectrique inter-couche), sur le dispositif. Le matériau diélectrique utilisé pour former la couche 311 du premier niveau de diélectrique ILD peut par exemple être de la silice SiO2. Une sixième étape 206 du procédé 200 est illustrée aux figures 19a, 19b, 19c et 19d. - La figure 19a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la sixième étape 206. - La figure 19c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la sixième étape 206. - La figure 19d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la sixième étape 206. - La figure 19b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la sixième étape 206. Lors de la sixième étape 206, on réalise une planarisation de la couche 311 du premier niveau de diélectrique ILD précédemment déposée à la cinquième étape 205. Cette planarisation est, dans l'exemple représenté, effectuée en deux temps : - on réalise dans un premier temps un polissage mécano-chimique CMP partiel, à l'issue duquel une partie de l'épaisseur de la couche 311 du premier niveau de diélectrique ILD, mesurée suivant l'axe Z, subsiste à la surface des zones 306 de grille. Le polissage mécano-chimique CMP est donc arrêté un peu avant la surface supérieure des zones 306 de grille ; - on effectue dans un second temps une finalisation du polissage par un procédé de rétrogravure etch-back, qui vient déboucher à la surface des zones 306 de grille pour la mise à nu de la sixième couche 305-6. A l'issue de la sixième étape 206, l'espace entre les premiers espaceurs 307 isolants est entièrement rempli par la couche 311 du premier niveau de diélectrique ILD. Une septième étape 207 du procédé 200 est illustrée aux figures 20a, 20b, 20c et 20d. - La figure 20a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la septième étape 207. - La figure 20c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la septième étape 207. - La figure 20d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la septième étape 207. - La figure 20b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la septième étape 207. Lors de la septième étape 207, on réalise au niveau de chaque zone d'isolation 302 un quatrième masque M4, afin de protéger lesdites zones d'isolation 302. La 30 distance, mesurée suivant l'axe Y, entre deux masques M4 recouvrant deux zones d'isolation 302 consécutives, est supérieure à la largeur W - active des zones actives 301. On grave ensuite, sur les zones actives 301 non protégées par le quatrième masque M4, la sixième couche 305-6 du diélectrique ainsi que la cinquième couche 305-5 du deuxième métal. La gravure est donc arrêtée sur la quatrième couche 305-4 du premier métal. La gravure, sur lesdites zones actives 301 non protégées par le quatrième masque M4, des sixième et cinquième couches 305-6 et 305-5 entraîne l'apparition d'une cavité 306-C à la surface de chaque zone 306 de grille sur zone active 301, entre les premiers espaceurs isolants 307. Les zones 306 de grille sur zone d'isolation 302 sont protégées par le quatrième masque M4 au cours de la septième étape 207. Le quatrième masque M4 est ensuite retiré. Le fait que la distance, mesurée suivant l'axe Y, entre deux masques M4 recouvrant deux zones d'isolation 302 consécutives, est supérieure à la largeur W - active des zones actives 301 permet avantageusement de s'assurer que, sur les zones actives 301, la cinquième couche 305-5 du deuxième métal est totalement retirée, et qu'il n'y a pas de résidu éventuel. On a précédemment indiqué que le premier métal de la quatrième couche 305-4 est avantageusement un alliage de titane, un alliage de tungstène, un alliage de tantale ou un alliage d'un métal et de silicium. Plus généralement, tout métal réfractaire est adapté pour former la quatrième couche 305-4. De même, on a précédemment indiqué que le deuxième métal de la cinquième couche 305-5 est avantageusement un alliage de titane, de tungstène ou de tantale. Plus généralement, tout matériau réfractaire et pouvant se graver, par exemple par plasma ou par gravure humide, sélectivement par rapport au premier métal, à la couche 311 du premier niveau de diélectrique ILD et aux matériaux des premiers et deuxièmes espaceurs 3074 et 309, avantageusement avec une sélectivité supérieure à 5:1 par rapport au premier métal, est adapté pour former la cinquième couche 305-5. On entend par « métal réfractaire » un métal apte à supporter un budget thermique de l'ordre de 1000°C, en particulier lors de la réalisation des zones 308 de source et de drain, qui met usuellement en oeuvre une étape d'implantation suivie d'une étape de recuit thermique. On entend par « la sélectivité de gravure supérieure à 5:1 » le fait que, lors d'une même étape de gravure, la couche du deuxième métal peut être gravée plus de cinq fois plus vite que la couche du premier métal. Dans ce contexte, le premier métal est avantageusement distinct du deuxième métal, c'est-à-dire que le premier métal et le deuxième métal ont avantageusement une composition chimique différente afin de contribuer à obtenir une bonne sélectivité de gravure. Cependant, il est envisageable, sans sortir du cadre de l'invention, que le premier métal et le deuxième métal soient un seul et même matériau. Dans ce cas, la quatrième couche 305-4 et la cinquième couche 305-5 ne forment plus qu'une seule et même couche. L'arrêt de gravure de la cinquième couche 305-5 doit alors être maîtrisé afin de ne pas consommer la quatrième couche 305-4. Une huitième étape 208 du procédé 200 est illustrée aux figures 21a, 21b, 21c, 21d. - La figure 21a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la huitième étape 208. - La figure 21c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la huitième étape 208. - La figure 21d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la huitième étape 208. - La figure 21 b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la huitième étape 208. Lors de la huitième étape 208, on réalise un dépôt d'une couche 312 d'un diélectrique, par exemple un nitrure de silicium SiN, sur l'ensemble du dispositif. Le matériau diélectrique déposé dans la couche 312 a pour rôle principal d'isoler de futurs contacts auto-alignés par rapport aux zones 306 de grille sur zone active 301. Le matériau diélectrique de la couche 312 peut notamment être du SiN, du BN ou du Hf02, déposé par une technique de dépôt de couches minces atomiques ALD (de l'anglais « Atomic Layer Deposition » ou par une technique de dépôt de couches minces atomiques assisté par plasma PEALD (de l'anglais « Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition). La couche 312 de diélectrique est notamment déposée, sur chaque zone 306 de grille sur zone active 301, au contact de la quatrième couche 305-4 du premier métal précédemment mise à nu lors de la septième étape. On réalise ensuite un polissage CMP de ladite couche 312 de diélectrique. A l'issue de cette étape de polissage, la couche 312 de diélectrique est uniquement conservée au-dessus des zones 306 de grille sur zone active 301, formant ainsi un bouchon de protection au-dessus de chaque zone 306 de grille sur zone active 301, qui vient combler les cavités 306-C précédemment formées. Ces bouchons de protection contribuent à éviter un court-circuit entre les zones 306 de grille sur zone active 301 et des contacts de source et de drain, ultérieurement formés et auto-alignés avec lesdites zones 306 de grille sur zone active 301. Les bouchons de protection contribuent également à diminuer une éventuelle capacité de couplage parasite entre les zones 306 de grille sur zone active 301 et lesdits contacts de source et de drain. A l'issue de la huitième étape 208, chaque zone de grille 306 sur zone active 301 comporte ainsi, dans l'exemple représenté : - la première couche 305-1 de diélectrique ; - la deuxième couche 305-2 de nitrure de titane ; - la troisième couche 305-3 conductrice de grille ; - la quatrième couche 305-4 du premier métal ; - le bouchon de protection 312 en diélectrique. Une neuvième étape 209 du procédé 200 est illustrée aux figures 22a, 22b, 22c et 22d. - La figure 22a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la neuvième étape 209. - La figure 22c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la neuvième étape 209. - La figure 22d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la neuvième étape 209. - La figure 22b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la neuvième étape 209. Lors de la neuvième étape 209, on réalise au niveau de chaque zone d'isolation 302 un cinquième masque M5 afin de protéger lesdites zones d'isolation 302. La distance, mesurée suivant l'axe Y, entre deux masques M5 recouvrant deux zones d'isolation 302 consécutives, est inférieure à la largeur W - active des zones actives 301. Le cinquième masque M5 est un masque dur, par exemple un masque dur en nitrure. On grave ensuite la couche 311 du premier niveau de diélectrique ILD présente sur les zones 301 actives et non protégée par le cinquième masque M5. Cette gravure est effectuée sélectivement par rapport aux zones 310 de siliciuration, aux premiers espaceurs 307 et aux deuxièmes espaceurs 309, par exemple par gravure plasma. A l'issue de la neuvième étape 209, les zones 310 de siliciuration sont mises à nu. Le premier niveau de diélectrique 311 ILD présent sur les zones 302 d'isolation est protégé par le cinquième masque M5 et il est donc conservé à l'issue de la neuvième étape 209. On retire ensuite le cinquième masque M5. Une dixième étape 210 du procédé 200 est illustrée aux figures 23a, 23b, 23c et 23d. - La figure 23a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la dixième étape 210. - La figure 23c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la dixième étape 210. - La figure 23d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la dixième étape 210. - La figure 23b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la dixième étape 210. Lors de la dixième étape 210, on effectue le dépôt d'une couche 313 d'un matériau conducteur constitutif des futurs contacts de source et de drain. Le premier matériau constitutif des contacts de source et de drain peut être tout métal habituellement utilisé pour réaliser les contacts de source et de drain dans les transistors de l'art antérieur. Une onzième étape 211 du procédé 200 est illustrée aux figures 24a, 24b, 24c et 30 24d. - La figure 24a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la onzième étape 211. - La figure 24c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la onzième étape 211. - La figure 24d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la onzième étape 211. - La figure 24b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la onzième étape 211. Lors de la onzième étape 211, on effectue un polissage CMP de la couche 313 de matériau conducteur précédemment déposée à la dixième étape 210 afin de dé-court-circuiter les zones 308 de source et de drain. A l'issue de la onzième étape 211, le matériau conducteur 313 est uniquement conservé sur les zones actives 301, entre les zones de grille 306 sur zone active 301. Il n'y a plus de matériau conducteur 313 sur les zones 302 d'isolation. Les zones de grille 306 sur les zones actives 301 comportent, à l'issue de la onzième étape 211 de polissage : - la première couche 305-1 de diélectrique high-k qui s'étend sur la couche initiale 300 ; - la deuxième couche 305-2 de nitrure de titane qui s'étend sur la première couche 305-1 ; - la troisième couche 305-3 de polysilicium qui s'étend sur la deuxième couche 305-2 ; - la quatrième couche 305-4 du premier métal qui s'étend sur la troisième couche 305-3 ; - le bouchon de protection 312 en diélectrique. Chaque zone de grille 306 sur zone active 301 est ainsi protégée par un bouchon de protection 312 qui s'étend sur la quatrième couche 305-4 du premier métal. Le premier métal 305-4, qui fait fonction de siliciure, demeure donc bien présent sur les zones actives 301 malgré la onzième étape 211 de polissage. Les zones 306 de grille sur les zones 302 d'isolation comportent quant à elles, à l'issue de la onzième étape 211 de polissage : - la première couche 305-1 de diélectrique high-k qui s'étend sur la couche initiale 300 ; - la deuxième couche 305-2 de nitrure de titane qui s'étend sur la première couche 305-1 ; - la troisième couche 305-3 de polysilicium qui s'étend sur la deuxième couche 305-2 ; - la quatrième couche 305-4 du premier métal qui s'étend sur la troisième couche 305-3 ; - la cinquième couche 305-5 du deuxième métal qui s'étend sur la quatrième couche 305-4 ; - la sixième couche 305-6 de diélectrique qui s'étend sur la cinquième couche 305-5. Une douzième étape 212 du procédé 200 est illustrée aux figures 25a, 25b, 25c et 25d. - La figure 25a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la douzième étape 212. - La figure 25c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la douzième étape 212. - La figure 25d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la douzième étape 212. - La figure 25b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la douzième étape 212. Lors de la douzième étape 212, on retire : - la sixième couche 305-6 de diélectrique, qui demeurait uniquement, à l'issue de la septième étape 207, sur les zones 302 d'isolation ; - la cinquième couche 305-5 du deuxième métal, qui demeurait également sur les zones 302 d'isolation. Les zones de grille 306 sur zone active 301 sont protégées, lors de la douzième étape 212, par les bouchons 312 de nitrure. Une treizième étape 213 du procédé 200 est illustrée aux figures 26a, 26b, 26c et 26d. - La figure 26a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la treizième étape 213. - La figure 26c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la treizième étape 213. - La figure 26d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la treizième étape 213. - La figure 26b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la treizième étape 213. Lors de la treizième étape 213, on réalise le dépôt d'une couche 314 d'arrêt ESL (de l'anglais « etch stop layer »). La couche 314 est par exemple un nitrure de silicium. Une quatorzième étape 214 du procédé 200 est illustrée aux figures 27a, 27b, 27c et 27d. - La figure 27a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la quatorzième étape 214. - La figure 27c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la quatorzième étape 214. - La figure 27d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la quatorzième étape 214. - La figure 27b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la quatorzième étape 214. Lors de la quatorzième étape 214, on réalise le dépôt d'une couche 315 d'un deuxième niveau de diélectrique ILD. Une quinzième étape 215 du procédé 200 est illustrée aux figures 28a, 28b, 28c et 28d. - La figure 28a montre une vue de dessus, selon le deuxième plan P2, du dispositif lors de la quinzième étape 215. - La figure 28c est une vue en coupe, selon le premier plan de coupe A, du dispositif lors de la quinzième étape 215. - La figure 28d est une vue en coupe, selon le deuxième plan de coupe B, du dispositif lors de la quinzième étape 215. - La figure 28b est une vue en coupe, selon le troisième plan de coupe C, du dispositif lors de la quinzième étape 215. Lors de la quinzième étape 215, on commence par définir les contours des futurs contacts de source, de drain et de grille, c'est-à-dire qu'on réalise le patterning des contacts, par lithographie. Des contacts 317 de source et de drain seront situés sur zone active 301, de part et d'autre des zones de grille 306 sur zone active 301. Un contact 318 de grille sera situé sur zone d'isolation 302. On vient alors ouvrir, à partir du patterning précédemment réalisé, les niveaux des contacts 317 de source et de drain et 318 de grille par une étape de gravure de la couche 315 du deuxième niveau de diélectrique ILD et de la couche 314 d'arrêt ESL. On réalise ensuite le dépôt d'un matériau conducteur 316 dans les niveaux de contacts précédemment définis. A l'issue de cette quinzième étape 215, on a donc réalisé, pour chaque zone de grille 306 sur zone active 301, des contacts 317 de source et drain auto-alignés sur ladite zone de grille 306 sur zone active 301. On notera qu'un certain désalignement des contacts 317 de source et de drain par rapport à chaque zone 306 de grille sur zone active 301 est possible, sans nuire au bon fonctionnement du circuit intégré finalement réalisé, grâce à la présence des bouchons de protection 312 en diélectrique à la surface des zones 306 de grille sur zones actives 301. A l'issue de cette quinzième étape 215, on a en outre réalisé un contact 318 de grille sur zone d'isolation 302. Ce contact 318 de grille est directement en contact avec la cinquième couche 305-5 du deuxième métal de la zone de grille 306 sur zone d'isolation 302, sans qu'il soit nécessaire de réaliser une étape de gravure d'une couche isolante. Grâce à la quatrième couche 305-4 du premier métal et à la cinquième couche 305-5 du deuxième métal initialement déposées dans l'empilement 305 de grille, le procédé de l'invention contribue avantageusement à obtenir un relief particulier permettant la réalisation fonctionnelle du contact 308 de grille sur zone d'isolation 302 et des zones de grille 306 sur zones actives 301. La quatrième couche 305-4 des zones de grille 306 sur zones actives 301 possède une coordonnée Z1 suivant l'axe Z. Le niveau inférieur des contacts 318 de grille et 317 de source et de drain possède une coordonnée Z2 suivant l'axe Z. Le procédé 200 de l'invention permet avantageusement d'obtenir des zones de grille 306 sur zones actives 301 dont la quatrième couche 305-4 de premier métal, qui est sensiblement parallèle au plan P2, est située en-dessous du niveau inférieur, également sensiblement parallèle au plan P2, des contacts 318 de grille et 317 de source et de drain, c'est-à-dire que Z1 est inférieur à Z2. REVENDICATIONS1. Procédé (200) de réalisation d'un circuit intégré sur un substrat comportant les étapes suivantes : (a) réalisation d'un empilement de grille (305) à la surface d'une zone active (301), comportant les sous-étapes suivantes : - dépôt d'une couche d'un premier diélectrique (305-1) s'étendant sur la zone active (301) ; - dépôt d'une couche conductrice de grille (305-3) s'étendant sur la couche du premier diélectrique (305-1) ; - dépôt d'une couche d'un premier métal (305-4), la couche du premier métal (305-4) s'étendant sur la couche conductrice de grille (305-3) ; - dépôt d'une couche d'un deuxième métal (305-5), la couche du deuxième métal (305-5) s'étendant sur la couche du premier métal (305- 4) ; - dépôt d'une couche d'un deuxième diélectrique (305-6) s'étendant sur la couche du deuxième métal (305-5) ; (b) gravure partielle de l'empilement de grille (305) pour la formation d'une zone de grille (306) sur zone active (301) ; (c) réalisation d'espaceurs isolants (307) de part et d'autre de la zone de grille (306) sur zone active (301) ; (d) réalisation de zones de source et de drain (308) ; (e) réalisation de zones de siliciuration (310) à la surface des zones de source et de drain (308) ; (f) gravure, sur la zone de grille (306) sur zone active (301), de la couche de deuxième diélectrique (305-6) et de la couche du deuxième métal (305-5) avec arrêt sur la couche du premier métal (305-4), de manière à former une cavité (306-C) entre les espaceurs isolants (307) ; (g) réalisation d'un bouchon de protection (312) à la surface de la couche du premier métal (305-4) de la zone de grille (306) sur zone active (301), le bouchon de protection (312) venant combler la cavité (306-C). 2. Procédé (200) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la couche (305-4) du premier métal est une couche réalisée dans un alliage de métal réfractaire. 3. Procédé (200) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la couche (305-4) du premier métal est une couche d'un des matériaux suivants : - un alliage de titane Ti ; - un alliage de tungstène W ; - un alliage de tantale Ta ; - un alliage d'un métal et de silicium Si. 4. Procédé (200) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche (305-5) du deuxième métal est une couche réalisée dans un alliage de métal réfractaire. 5. Procédé (200) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la couche (305-5) du deuxième métal est une couche d'un des matériaux suivants : - un alliage de titane Ti ; - un alliage de tungstène W ; - un alliage de tantale Ta. 6. Procédé (200) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le premier métal de la couche (305-4) du premier métal est différent du deuxième métal de la couche (305-5) du deuxième métal. 7. Procédé (200) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la couche (305-5) du deuxième métal peut être gravée sélectivement par rapport à la couche (305-4) du premier métal. 8. Procédé (200) selon la revendication précédente caractérisé en ce que la sélectivité de gravure entre la couche (305-5) du deuxième métal et lacouche (305-4) du premier métal est supérieure à 5:1. 9. Procédé (200) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche (305-4) du premier métal a une épaisseur supérieure ou égale à 15 nm. 10. Procédé (200) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche (305-5) du deuxième métal a une épaisseur comprise entre 20 nm et 50 nm. 11. Procédé (200) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la couche conductrice de grille (305-3) a une épaisseur supérieure ou égale à 15 nm. 12. Procédé (200) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que l'épaisseur cumulée de la couche conductrice de grille (305-3) et de la couche (305-4) du premier métal est inférieure ou égale à 100 nm. 13. Procédé (200) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes suivantes : (h) dépôt d'une couche conductrice (313) sur l'ensemble du dispositif ; (i) polissage de la couche conductrice (313) afin de dé-court-circuiter les zones (310) de siliciuration de source et de drain. 14. Procédé (200) selon la revendication précédente caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes suivantes : (j) dépôt d'une couche d'arrêt (314) sur l'ensemble du dispositif ; (k) dépôt d'une couche d'un diélectrique (315) sur la couche d'arrêt (314) ; (I) gravure sélective de la couche de diélectrique (315) et de la couche d'arrêt (314) pour la mise à nu de la couche conductrice (313), de façon à creuser des tranchées au-dessus des zones (310) de siliciuration de source et de drain ; (m)remplissage desdites tranchées avec un matériau conducteur (316) pour laréalisation de contacts (317) sur les zones (310) de siliciuration de source et de drain. 15. Circuit intégré comprenant : - au moins une zone active (301) et au moins une zone d'isolation (302) ; - au moins une zone de grille (306) sur zone active (301), comportant une couche d'un premier diélectrique (305-1), une couche conductrice de grille (305-3), une couche d'un premier métal (305-4) et un bouchon de protection (312) ; - au moins une zone de grille (306) sur zone d'isolation (302), comportant une couche d'un premier diélectrique (305-1), une couche conductrice de grille (305-3), une couche d'un premier métal (305-4) et une couche d'un deuxième métal (305-5). 16. Circuit intégré selon la revendication 15, obtenu par un procédé (200) selon l'une quelconque des revendications 1 à 14.