FR 3023669 A1 20160115 FR 1456708 A 20140711 B13128 - Embedded switch 1 CIRCUIT OPTOÉLECTRONIQUE À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES À SCINTILLEMENT RÉDUIT Domaine La présente description concerne un circuit optoélectronique, notamment un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes. Exposé de l'art antérieur Il est souhaitable de pouvoir alimenter un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes avec une tension alternative, notamment une tension sinusoïdale, par exemple la tension du secteur. La figure 1 représente un exemple de circuit optoélectronique 10 comprenant des bornes d'entrée IN' et IN2 entre lesquelles est appliquée une tension alternative VIN. Le circuit optoélectronique 10 comprend, en outre, un circuit redresseur 12 comportant un pont de diodes 14, recevant la tension VIN et fournissant une tension VAtim redressée, entre des noeuds Ai et A2, qui alimente des diodes électroluminescentes 16, par exemple montées en série avec une résistance 18. On appelle IALim le courant traversant les diodes électroluminescentes 16. La figure 2 est un chronogramme de la tension 20 d'alimentation VALim et du courant d'alimentation 'A= pour un exemple dans lequel la tension alternative VIN correspond à une B13128 - Embedded switch 2 tension sinusoïdale. Lorsque la tension VAtim est supérieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes 16, les diodes électroluminescentes 16 deviennent passantes. Le courant d'alimentation 'A= suit alors la tension d'alimentation VALIm. Il y a donc une alternance de phases OFF d'absence d'émission de lumière et de phases ON d'émission de lumière. Un inconvénient est que tant que la tension VALim est inférieure à la somme des tensions de seuil des diodes électroluminescentes 16, aucune lumière n'est émise par le circuit optoélectronique 10. Un observateur peut percevoir cette absence d'émission de lumière lorsque la durée de chaque phase OFF d'absence d'émission de lumière entre deux phases ON d'émission de lumière est trop importante. Une possibilité pour augmenter la durée de chaque phase ON est de diminuer le nombre de diodes électroluminescentes 16. Un inconvénient est alors que la puissance électrique perdue dans la résistance 18 est importante. La figure 3 représente un autre exemple de circuit optoélectronique 20. Les éléments communs avec le circuit optoélectronique 10 sont désignés par les mêmes références. Les diodes électroluminescentes élémentaires sont regroupées en N ensembles de diodes électroluminescentes élémentaires, appelés diodes électroluminescentes globales Di dans la suite de la description, N étant un nombre entier supérieur ou égal à 2. Le circuit optoélectronique 20 comprend N-1 interrupteurs SW1 à SWN_1. Chaque interrupteur SWi relie la cathode de la diode électroluminescente Di et le noeud A2. Chaque interrupteur SWi est commandé par un signal de commande Si fourni par un module de commande 22. Lors d'une phase de croissance de la tension d'alimentation VAtim, les interrupteurs SW1 à SWN_i_ sont ouverts successivement de façon que le nombre de diodes électroluminescentes recevant la tension d'alimentation VALim augmente progressivement. Lors d'une phase de décroissance de la tension d'alimentation VALim, les interrupteurs SWN_i_ à SW1 sont fermés successivement de façon que le nombre de diodes B13128 - Embedded switch 3 électroluminescentes recevant la tension d'alimentation VALim diminue progressivement. Ceci permet de réduire la durée de chaque phase d'absence d'émission de lumière. Un inconvénient du circuit optoélectronique 20 est que le module de commande 22 doit être adapté à fournir les signaux d'ouverture ou de fermeture des interrupteurs SWi aux bons moments en fonction de l'évolution de la tension d'alimentation VAtim. La structure du module de commande 22 peut être relativement complexe. En outre, il peut être souhaitable de réaliser chaque interrupteur SWi par un transistor, par exemple un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde ou transistor MOS, notamment pour réaliser au moins en partie le circuit optoélectronique 20 par des procédés classiques de fabrication de circuits intégrés. Le signal Si correspond alors à la tension appliquée à la grille du transistor. Un inconvénient du circuit optoélectronique 20 est que les tensions appliquées aux bornes, notamment entre le drain et la source, d'au moins certains des transistors SWi sont proches de la tension VAtim et peuvent dépasser 100 V. Il est alors nécessaire d'utiliser des composants électroniques spécifiques compatibles avec des tensions élevées. En outre, le module de commande 22 doit produire des commandes différentes pour tous les transistors SWi, ce qui peut augmenter la complexité du module de commande 22. Résumé Un objet d'un mode de réalisation est de palier tout ou partie des inconvénients des circuits optoélectroniques décrits précédemment. Un autre objet d'un mode de réalisation est de réduire 30 la durée des phases d'absence d'émission de lumière du circuit optoélectronique. Un autre objet d'un mode de réalisation est de réduire l'encombrement du circuit optoélectronique. B13128 - Embedded switch 4 Un autre objet d'un mode de réalisation est que le circuit optoélectronique peut être réalisé en totalité de façon intégrée. Un mode de réalisation prévoit un circuit 5 optoélectronique destiné à recevoir une tension variable contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant : une alternance d'éléments résistifs et d'ensembles de diodes électroluminescentes montés en série, chaque ensemble 10 comprenant deux bornes, chaque élément résistif étant interposé entre deux ensembles successifs ; pour chaque ensemble parmi une pluralité desdits ensembles, un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde à appauvrissement dont le drain et la source sont couplés aux bornes 15 dudit ensemble et dont la grille est couplée à l'une des bornes de l'ensemble suivant. Selon un mode de réalisation, le circuit électronique comprend N ensembles où N est un nombre entier compris entre 2 et 200, et comprenant pour chacun des N-1 ensembles, un transistor à 20 effet de champ à grille métal-oxyde à appauvrissement dont le drain et la source sont couplés aux bornes dudit ensemble et dont la grille est couplée à l'une des bornes de l'ensemble suivant. Selon un mode de réalisation, au moins certains des éléments résistifs ont des valeurs de résistance différentes. 25 Selon un mode de réalisation, chaque élément résistif comprend au moins une résistance électrique. Selon un mode de réalisation, le circuit électronique comprend, en outre, pour au moins certains des transistors, un élément résistif supplémentaire couplé entre le drain ou la source 30 du transistor et l'une des bornes dudit ensemble. Selon un mode de réalisation, le circuit électronique comprend, en outre, un circuit redresseur double alternance adapté à fournir ladite tension. Selon un mode de réalisation, le circuit électronique 35 comprend, en outre, un circuit intégré comportant les ensembles B13128 - Embedded switch de diodes électroluminescentes, les éléments résistifs et les transistors. Selon un mode de réalisation, chaque diode électroluminescente est une diode plane. 5 Selon un mode de réalisation, le circuit électronique comprend, en outre, un circuit intégré comprenant un support, les ensembles de diodes électroluminescentes reposant sur le support, chaque diode électroluminescente comprenant au moins un élément semiconducteur filaire, conique ou tronconique. Selon un mode de réalisation, le circuit électronique comprend, en outre, au moins une couche isolante recouvrant au moins partiellement le support, et, pour chaque transistor, une portion semiconductrice s'étendant sur la couche isolante et formant la source, le drain du transistor et le canal du transistor, une portion isolante recouvrant la portion semiconductrice du côté opposé à la couche isolante et formant l'isolant de grille du transistor. Selon un mode de réalisation, le support comprend un substrat semiconducteur non dopé ou dopé d'un premier type de conductivité, le circuit optoélectronique comprenant, pour chaque transistor, des régions semiconductrices dopées d'un deuxième type de conductivité et plus fortement dopées que le substrat, s'étendant dans le substrat et formant la source, le drain et le canal du transistor et une portion isolante s'étendant sur le substrat et formant l'isolant de grille du transistor. Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation 30 avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, décrite précédemment, est un schéma électrique d'un exemple d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; B13128 - Embedded switch 6 la figure 2, décrite précédemment, est un chronogramme de la tension et du courant d'alimentation des diodes électroluminescentes du circuit optoélectronique de la figure 1 ; la figure 3, décrite précédemment, est un schéma 5 électrique d'un autre exemple d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; la figure 4 représente un schéma électrique d'un mode de réalisation d'un circuit optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes ; 10 les figures 5 et 6 illustrent deux agencements des diodes électroluminescentes du circuit optoélectronique de la figure 4 ; la figure 7 représente un schéma électrique d'un autre mode de réalisation d'un circuit optoélectronique comprenant des 15 diodes électroluminescentes ; les figures 8A. et 8B sont des vues en coupe, partielles et schématiques, d'un mode de réalisation du circuit optoélectronique représenté en figure 4 ou 7 formé de façon intégrée ; et 20 les figures 9A. à 9C sont des vues en coupe, partielles et schématiques, d'un autre mode de réalisation du circuit optoélectronique représenté en figure 4 ou 7 formé de façon intégrée. Description détaillée 25 Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "sensiblement", "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % 30 près". En outre, on entend par "composé principalement constitué d'un matériau" ou "composé à base d'un matériau" qu'un composé comporte une proportion supérieure ou égale à 95 % dudit matériau, cette proportion étant préférentiellement supérieure à 99 %. La figure 4 représente un schéma électrique d'un mode 35 de réalisation d'un circuit optoélectronique 30. Les éléments B13128 - Embedded switch 7 communs avec le circuit optoélectronique 20 représenté en figure 3 sont désignés par les mêmes références. A titre d'exemple, la tension d'entrée VIN peut être une tension sinusoïdale, notamment une tension sinusoïdale dont la fréquence est comprise entre 10 Hz et 1 MHz. La tension VIN correspond, par exemple, à la tension du secteur. Le nombre N de diodes électroluminescentes globales est, par exemple, compris entre 2 et 200. Pour i variant de 1 à N, le circuit optoélectronique 30 comprend une résistance Ri en série avec la diode électroluminescente Di. Les résistances Ri ont des valeurs différentes. Chaque diode électroluminescente globale D1 à DN comprend au moins une diode électroluminescente élémentaire et est, de préférence, composée de la mise en série et/ou en parallèle d'au moins deux diodes électroluminescentes élémentaires. Dans le présent mode de réalisation, pour i variant de 1 à N-1, la cathode de la diode électroluminescente globale Di est couplée à une borne de la résistance Ri et l'autre borne de la résistance Ri est couplée à l'anode de la diode électroluminescente Di+1. L'anode de la diode électroluminescente globale D1 est couplée au noeud Al. La cathode de la diode électroluminescente DN est couplée à une borne de la résistance RN et l'autre borne de la résistance RN est couplée au noeud A2. Les diodes électroluminescentes globales Di, i variant de 1 à N, peuvent comprendre le même nombre de diodes électroluminescentes élémentaires ou des nombres différents de diodes électroluminescentes élémentaires. Pour i variant de 1 à N-1, le circuit optoélectronique 30 comprend un transistor MOS Ti comprenant des première et deuxième bornes de puissance, à savoir le drain et la source, et une borne de commande, à savoir la grille. La première borne de puissance du transistor Ti est couplée à l'anode de la diode électroluminescente globale Di et la deuxième borne de puissance du transistor Ti est couplée à la cathode de la diode électroluminescente globale Di. La grille du transistor Ti est couplée à l'anode de la diode électroluminescente Di+1. Le corps, ou région de formation de canal, du transistor Ti est relié à la B13128 - Embedded switch 8 deuxième borne de puissance du transistor Ti. Dans la suite de la description, on considère que la première borne de puissance du transistor Ti correspond au drain et la deuxième borne de puissance du transistor Ti correspond à la source. On appelle VGsi la tension entre la grille et la source du transistor Ti. La tension VGsi correspond à la tension aux bornes de la résistance Ri. Chaque transistor Ti est un transistor MOS à appauvrissement, également appelé transistor MOS à déplétion. Il s'agit d'un transistor MOS qui est dit normalement passant (en anglais normally on), ce qui signifie qu'il est à l'état passant lorsque la tension VGsi est égale à 0 V. Le transistor Ti est à l'état bloqué lorsque la tension VGsi est négative et inférieure à une tension de seuil de tension négative, par exemple de l'ordre de -1 V. Selon un mode de réalisation, les transistors Ti sont identiques pour i variant de 1 à N-1. En particulier, les tensions de seuil des transistors Ti sont identiques. Selon un autre mode de réalisation, les transistors sont différents. En particulier, les tensions de seuil des transistors Ti sont différentes. Lorsque le transistor Ti est à l'état passant, il court- circuite la diode électroluminescente globale Di associée qui n'est alors pas traversée par le courant IAtim. Lorsque le transistor Ti est à l'état bloqué, la diode électroluminescente globale Di associée est traversée par le courant IALIm. La figure 5 représente un mode de réalisation de la diode électroluminescente globale D1 dans lequel la diode électroluminescente globale D1 comprend R branches 32 montées en parallèle, chaque branche comprenant S diodes électroluminescentes élémentaires 34 montées en série dans le même sens passant, R et S étant des nombres entiers supérieurs ou égaux à 1. La figure 6 représente un autre mode de réalisation de la diode électroluminescente globale D1 dans lequel la diode électroluminescente globale D1 comprend P blocs 36 montés en série, chaque bloc comprenant Q diodes électroluminescentes élémentaires 34 montées en parallèle, P et Q étant des nombres B13128 - Embedded switch 9 entiers supérieurs ou égaux à 1 et Q pouvant varier d'un bloc à l'autre. Les diodes électroluminescentes globales D2 à DN peuvent avoir une structure analogue à la diode électroluminescente 5 globale D1 représentée en figure 5 ou 6. Les diodes électroluminescentes élémentaires 32 peuvent correspondre à des composants discrets. A titre de variante, l'ensemble des diodes électroluminescentes élémentaires 32 ou certaines d'entre elles peuvent être réalisées de façon intégrée 10 sur un seul circuit. Les autres composants électroniques du circuit optoélectronique, notamment les résistances et les transistors, peuvent être des composants discrets ou peuvent être réalisés, au moins en partie, de façon intégrée. Les diodes électroluminescentes élémentaires 32 peuvent 15 être réalisées sur un premier circuit qui est distinct d'un deuxième circuit sur lequel sont réalisés les autres composants électroniques du circuit optoélectronique. Le premier circuit est, par exemple, fixé au deuxième circuit par une liaison du type "puce retournée" (en anglais flip-chip). 20 A titre de variante, les diodes électroluminescentes élémentaires 32 peuvent être réalisées de façon intégrée avec les autres composants électroniques du circuit optoélectronique ou une partie d'entre eux. Les diodes électroluminescentes élémentaires 32 sont, 25 par exemple, des diodes électroluminescentes planes ou des diodes électroluminescentes formées à partir d'éléments tridimensionnels, notamment des microfils ou nanofils semiconducteurs, comprenant, par exemple, un matériau semiconducteur à base d'un composé comportant majoritairement au moins un élément du groupe 30 III et un élément du groupe V (par exemple du nitrure de gallium GaN), appelé par la suite composé III-V, ou comportant majoritairement au moins un élément du groupe II et un élément du groupe VI (par exemple de l'oxyde de zinc Zn0), appelé par la suite composé II-VI. B13128 - Embedded switch 10 Le fonctionnement du circuit optoélectronique 30 va maintenant être décrit pour un exemple dans lequel la tension /IM fournie par le pont redresseur 12 est une tension sinusoïdale rectifiée comprenant une succession de cycles dans 5 chacun desquels la tension VALim augmente depuis la valeur nulle, passe par un maximum et diminue jusqu'à la valeur nulle. A l'instant initial, au début d'un cycle, la tension /ALim est nulle. Le courant 'A= est donc également nul et les tensions VGsi sont égales à 0 V pour i variant de 1 à N-1. Tous 10 les transistors Ti sont alors à l'état passant. Lorsque la tension aux bornes de la diode électroluminescente globale DN passe au-dessus de la tension de seuil de la diode électroluminescente globale DN, la diode électroluminescente globale DN devient passante. Au fur et à mesure que la tension ViAtim augmente, le 15 courant 'A= qui est fixé par les résistances Ri, i variant de 1 à N, augmente. De ce fait, chaque tension VGsi, qui est négative, augmente en valeur absolue. Toutefois, comme les résistances Ri ont des valeurs différentes, les tensions VGsi sont différentes. Pour i variant de 1 à N-1, à chaque fois que la tension VGsi 20 devient inférieure, en valeur négative, à la tension de seuil du transistor Ti, celui-ci passe à l'état bloqué. Pour i variant de 1 à N-1, les transistors Ti passent à l'état bloqué à des instants successifs qui dépendent des valeurs des résistances Ri et de l'évolution de la tension d'alimentation VALIm. La résistance Ri 25 est, en outre, choisie pour que, lorsque le transistor Ti passe à l'état bloqué, la tension appliquée aux bornes de la diode électroluminescente globale Di soit supérieure à la tension de seuil équivalente de la diode électroluminescente globale Di. Cette tension de seuil équivalente est égale à la somme des 30 tensions de seuil des diodes électroluminescentes en série constituant la diode électroluminescente globale Di. Ainsi la diode électroluminescente globale Di est passante après commutation à l'état bloquant du transistor. Dans une phase décroissante de la tension VALim, les transistors Ti passent B13128 - Embedded switch 11 successivement de l'état bloqué à l'état passant en court-circuitant les diodes électroluminescentes globales Di associées. Selon une variante, chaque résistance Ri, ou certaines d'entre elles, peut être remplacée par un composant électronique 5 ou un ensemble de composants électroniques ayant une résistance équivalente à Ri. Selon un exemple, chaque résistance Ri peut être formée par plusieurs résistances, éventuellement de même valeur, montées en parallèle. La figure 7 représente un schéma électrique d'un autre 10 mode de réalisation d'un circuit optoélectronique 40. Le circuit optoélectronique 40 comprend l'ensemble des éléments du circuit optoélectronique 30 et comprend, en outre, pour chaque transistor i variant de 1 à N-1, une résistance R'i montée entre la source du transistor Ti et la cathode de la diode 15 électroluminescente globale Di. A titre de variante, la résistance R'i peut être montée entre le drain du transistor Ti et l'anode de la diode électroluminescente globale Di. A un instant donné, au cours de l'évolution de la tension /ALIM, la résistance équivalente des résistances en conduction du 20 circuit optoélectronique 40 est sensiblement égale à la somme de toutes les résistances R1 à RN et de chaque résistance R'i en série avec un transistor Ti qui est à l'état passant. La tension /RES EQUIVALENTE aux bornes de cette résistance équivalente est égale à VALim diminuée de la somme des tensions aux bornes des 25 diodes électroluminescentes globales Di en conduction. Le courant traversant le circuit optoélectronique 40 est donc égal au rapport entre la tension V RES EQUIVALENTE et la résistance équivalente des résistances en conduction. Ceci signifie que la résistance équivalente du circuit optoélectronique 40 est maximale lorsque 30 la tension VAtim est nulle, diminue par paliers lors d'une phase de croissance de la tension VAtim, à chaque fois que l'un des transistors Ti passe à l'état bloqué, est minimale lorsque la tension VALim est maximale et augmente par paliers lors d'une phase de décroissance de la tension VAtim, à chaque fois que l'un 35 des transistors Ti devient passant. Le courant résultant est donc B13128 - Embedded switch 12 minimal lorsque ViAtim est nulle, augmente par paliers, à chaque fois que l'un des transistors Ti passe à l'état bloqué, est maximal lorsque la tension ViAtim est maximale et diminue par paliers lors d'une phase de décroissance de la tension VALim, à chaque fois que l'un des transistors Ti devient passant. Ceci permet avantageusement d'augmenter le facteur de puissance du circuit optoélectronique 40 par rapport au circuit optoélectronique 30. Un avantage des modes de réalisation décrits précédemment est que le circuit optoélectronique 30, 40 ne comprend pas de module de contrôle adapté à commander la mise à l'état passant ou bloqué des transistors Ti. En effet, le passage entre les états passant et bloqué de chaque transistor Ti est réalisé de façon automatique au cours de l'évolution de la tension VALIm. La structure du circuit optoélectronique 30, 40 est donc particulièrement simple. Un autre avantage est que, comme la commande de diodes électroluminescentes est réalisée par des transistors MOS et des résistances, ces composants électroniques peuvent de façon avantageuse être réalisés de façon intégrée avec les diodes électroluminescentes. Les circuits optoélectroniques 30 et 40 décrits précédemment peuvent être réalisés par un dispositif optoélectronique comprenant des diodes électroluminescentes planes ou formées à partir d'éléments tridimensionnels, par exemple des microfils, des nanofils, des éléments coniques ou des éléments tronconiques. Dans la suite de la description, des modes de réalisation vont être décrits pour des diodes électroluminescentes formées à partir de microfils ou de nanofils. Toutefois, ces modes de réalisation peuvent être mis en oeuvre pour des éléments tridimensionnels autres que des microfils ou des nanofils, par exemple des éléments tridimensionnels en forme de pyramide. Le terme "microfil" ou "nanofil" désigne une structure tridimensionnelle de forme allongée selon une direction privilégiée dont au moins deux dimensions, appelées dimensions 35 mineures, sont comprises entre 5 nia et 2,5 pin, de préférence entre B13128 - Embedded switch 13 50 nia et 2,5 pin, la troisième dimension, appelée dimension majeure, étant au moins égale à 1 fois, de préférence au moins 5 fois et encore plus préférentiellement au moins 10 fois, la plus grande des dimensions mineures. Dans certains modes de 5 réalisation, les dimensions mineures peuvent être inférieures ou égales à environ 1 pin, de préférence comprises entre 100 nia et 1 pin, plus préférentiellement entre 100 nia et 300 nia. Dans certains modes de réalisation, la hauteur de chaque microfil ou nanofil peut être supérieure ou égale à 500 nia, de préférence 10 comprise entre 1 gm et 50 pin. Dans la suite de la description, on utilise le terme "fil" pour signifier "microfil ou nanofil". De préférence, la ligne moyenne du fil qui passe par les barycentres des sections droites, dans des plans perpendiculaires à la direction 15 privilégiée du fil, est sensiblement rectiligne et est appelée par la suite "axe" du fil. Les figures 8A. et 8B sont des coupes d'un mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 45 comprenant des diodes électroluminescentes et des transistors MOS réalisés de 20 façon intégrée. Le dispositif optoélectronique 45 peut être utilisé pour réaliser les circuits optoélectroniques 30 et 40 décrits précédemment. Sur les figures u. et 8B, on a seulement représenté les diodes électroluminescentes globales D1, D2. En outre, on a 25 représenté à titre d'exemple une seule diode électroluminescente élémentaire pour chaque diode électroluminescente globale D1, D2. En figure 8A, on a représenté une structure de dispositif optoélectronique 45 comprenant : - un substrat semiconducteur 50, non dopé ou faiblement 30 dopé d'un premier type de conductivité, comprenant une face supérieure 52, de préférence plane au moins au niveau des diodes électroluminescentes ; - des régions semiconductrices 541, 542 s'étendant dans le substrat 50 depuis la face 52, dopées d'un deuxième type de B13128 - Embedded switch 14 conductivité opposé au premier type, et plus fortement dopées que le substrat 50 ; - des plots de germination 561, 562 favorisant la croissance de fils et disposés sur la face 52, chaque plot de 5 germination 561, 562 étant au contact de la région dopée 541, 542 sous-jacente ; - une couche isolante 58 recouvrant la face 52 et une partie de chaque plot de germination 561, 562 ; - des fils 601, 602 (deux fils étant représentés à titre 10 d'exemple), chaque fil 601, 602 étant en contact avec l'un des plots de germination 561, 562 au travers de la couche isolante 58 ; - une coque 621, 622 comprenant un empilement de couches semiconductrices recouvrant une portion supérieure de chaque fil 15 601, 602 ; - une couche isolante 64 s'étendant sur la couche isolante 58 et sur les flancs latéraux de chaque fil 601, 602 non recouverts par la coque 621, 622 et sur la partie inférieure de la coque 621, 622 ; 20 - une couche 661, 662 formant une électrode recouvrant chaque coque 621, 622 et s'étendant, en outre, sur une partie de la couche isolante 64 ; - une portion semiconductrice 68 dopée du deuxième type de conductivité s'étendant au travers des couches isolantes 58 et 25 64 au contact de la région semiconductrice dopée - une région semiconductrice 70 dopée du deuxième type de conductivité s'étendant sur la couche isolante 64 et au contact de la portion semiconductrice 68 ; - une portion isolante 72 s'étendant sur une partie de 30 la région semiconductrice 70 ; - une portion semiconductrice 74 s'étendant sur la portion isolante 72, éventuellement recouverte d'une portion de siliciure 76 ; - des espaceurs isolants 78 de part et d'autre de la 35 portion semiconductrice 74, les parties de la région B13128 - Embedded switch 15 semiconductrice 70 non recouvertes par les espaceurs 78 et la portion isolante 72 pouvant être recouvertes d'une portion siliciurée 801, 802, l'électrode 661 venant au contact de la portion siliciurée 801 le long d'un bord de celle-ci et 5 l'électrode 662 venant au contact de la portion siliciurée 802 ; - une portion semiconductrice ou métallique 82 au contact de la portion siliciurée 76 et s'étendant sur la couche isolante 64 et venant au contact de l'électrode 662 comme cela est représenté sur la figure 8B. 10 La figure 8B est une vue en coupe dont le plan de coupe est perpendiculaire au plan de coupe de la figure aA. La portion 82 recouvre l'un des espaceurs 78, s'étend sur une partie de la couche isolante 64 et vient au contact de l'électrode 662 dans le plan de la figure 8B. Le matériau et la géométrie de la portion 15 82 sont ajustés pour obtenir la valeur de la résistance R1. A titre d'exemple, la longueur de la portion 82 reposant sur la couche isolante 64 peut être augmentée pour obtenir une valeur de résistance R1 plus grande. A titre d'exemple, l'épaisseur de la portion 82 peut être augmentée pour obtenir une valeur de 20 résistance R1 plus faible. A titre de variante, la portion 82 peut venir recouvrir l'un des espaceurs 78 et peut venir au contact de l'électrode 662 dans le plan de la figure aA. A titre de variante, l'électrode 662 peut être confondue avec la portion semiconductrice 82. 25 Il peut être prévu une couche conductrice, non représentée, recouvrant la couche d'électrode 661, 662, entre les fils 601, 602 mais ne s'étendant pas sur les fils 601, 602. Une couche d'encapsulation, non représentée, recouvrant l'ensemble de la structure et notamment chaque couche d'électrode 661, 662 peut 30 être prévue. Le dispositif optoélectronique 45 peut, en outre, comprendre une couche de luminophores, non représentée, confondue avec la couche d'encapsulation, ou prévue sur la couche d'encapsulation. Le fil 601 et la coque 621 associée forment une diode 35 électroluminescente élémentaire de la diode électroluminescente B13128 - Embedded switch 16 globale D1 et le fil 602 et la coque 622 associée forment une diode électroluminescente élémentaire de la diode électroluminescente globale D2. Dans le présent mode de réalisation, le support sur lequel reposent les diodes électroluminescentes comprend le substrat 50 et les plots de germination 561, 562. La portion semiconductrice 74 forme la grille du transistor Ti. La portion isolante 72 forme l'isolant de grille du transistor Ti. Le canal du transistor Ti correspond à la zone de la région semiconductrice 70 recouverte par la portion isolante 72. Le drain et la source du transistor Ti correspondent aux zones latérales de la région semiconductrice 70. La résistance R1 est formée par la portion semiconductrice 82. A titre de variante, la résistance R1 peut être formée par une région semiconductrice formée dans le substrat 50. Dans le présent mode de réalisation, le substrat semiconducteur 50 correspond à une structure monolithique. Le substrat 50 semiconducteur est, par exemple, un substrat en silicium, en germanium, en carbure de silicium, en un composé III-V, tel que du GaN ou du GaAs, ou un substrat en ZnO. De préférence, le substrat 50 est un substrat de silicium monocristallin. Le substrat 50 est un substrat non dopé ou faiblement dopé avec une concentration de dopants inférieure ou égale à 5*1016 atomes/cm3, de préférence sensiblement égale à 1015 atomes/cm3. Le substrat 50 a une épaisseur comprise entre 275 gm et 1,5 mm, de préférence 725 pin. Dans le cas d'un substrat 50 de silicium, des exemples de dopants de type P sont le bore (B) ou l'indium (In) et des exemples de dopants de type N sont le phosphore (P), l'arsenic (As), ou l'antimoine (Sb). De préférence, le substrat 50 est dopé de type P au Bore. Les plots de germination 561, 562 appelés également îlots de germination, sont en un matériau favorisant la croissance des fils 601, 602. A titre de variante, les plots de germination 561, 562 peuvent être remplacés par une couche de germination recouvrant la face 52 du substrat 50 dans la zone associée à chaque diode électroluminescente D1, D2. En outre, les plots de B13128 - Embedded switch 17 germination 561, 562 assurent la continuité électrique entre les fils 601, 602 et les régions dopées 541, 542 sous-jacentes. A titre d'exemple, le matériau composant les plots de germination 561, 562 peut être un nitrure, un carbure ou un borure d'un métal de transition de la colonne IV, v ou VI du tableau périodique des éléments ou une combinaison de ces composés. Les plots de germination 561, 562 peuvent être dopés du même type de conductivité que le substrat 50. Les plots de germination 561, 562 peuvent être obtenus par le dépôt d'une couche de germination sur la face 52 et par la gravure de portions de la couche de germination jusqu'à la face 52 du substrat 50 pour délimiter les plots de germination. La couche de germination peut être déposée par un procédé du type dépôt chimique en phase vapeur (CVD, sigle anglais pour Chemical Vapor Deposition) ou dépôt chimique en phase vapeur organométallique (vIOCVD, acronyme anglais pour Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), également connu sous le nom d'épitaxie organométallique en phase vapeur (ou MOVPE, acronyme anglais pour Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy). Toutefois, des procédés tels que l'épitaxie par jets moléculaires (MBE, acronyme anglais pour Molecular-Beam Epitaxy), la MBE à source de gaz (GSMBE), la MBE organométallique (MOMBE), la MBE assistée par plasma (RAMBE), l'épitaxie par couche atomique (ALE, acronyme anglais pour Atomic Layer Epitaxy), l'épitaxie en phase vapeur aux hydrures (HVPE, acronyme anglais pour Hydride Vapor Phase Epitaxy) peuvent être utilisés ou un procédé de dépôt de couche mince atomique (ALD, acronyme anglais pour Atomic Layer Deposition). En outre, des procédés tels l'évaporation ou la pulvérisation cathodique réactive peuvent être utilisés. Lorsque les plots de germination 561, 562 sont en nitrure d'aluminium, ils peuvent être sensiblement texturés et posséder une polarité préférentielle. La texturation des plots 561, 562 peut être obtenue par un traitement supplémentaire réalisé après le dépôt de la couche de germination. Il s'agit, par exemple, d'un recuit sous flux d'ammoniac (NH3). B13128 - Embedded switch 18 Les couches isolantes 58, 64 peuvent être en un matériau diélectrique, par exemple en oxyde de silicium (Si02), en nitrure de silicium (SixNy, où x est environ égal à 3 et y est environ égal à 4, par exemple du Si3N4), en oxynitrure de silicium (SiOxNy où x peut être environ égal à 1/2 et y peut être environ égal à 1, par exemple du Si2ON2), en oxyde d'aluminium (A1203), en oxyde d'hafnium (Hf02) ou en diamant. A titre d'exemple, l'épaisseur de chaque couche isolante 58, 64 est comprise entre 5 nm et 800 nm, par exemple égale à environ 30 nm. Les fils 601, 602 sont, au moins en partie, formés à partir d'au moins un matériau semiconducteur. Le matériau semiconducteur peut être du silicium, du germanium, du carbure de silicium, un composé III-V, un composé II-VI ou une combinaison de ces composés. Les fils 601, 602 peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé III-V, par exemple des composés III-N. Des exemples d'éléments du groupe III comprennent le gallium (Ga), l'indium (In) ou l'aluminium (Al). Des exemples de composés III- N sont GaN, AIN, InN, InGaN, AlGaN ou AlInGaN. D'autres éléments du groupe V peuvent également être utilisés, par exemple, le phosphore ou l'arsenic. De façon générale, les éléments dans le composé III-V peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. Les fils 601, 602 peuvent être, au moins en partie, formés à partir de matériaux semiconducteurs comportant majoritairement un composé II-VI. Des exemples d'éléments du groupe II comprennent des éléments du groupe HA, notamment le béryllium (Be) et le magnésium (Mg) et des éléments du groupe IIB, notamment le zinc (Zn) et le cadmium (Cd). Des exemples d'éléments du groupe VI comprennent des éléments du groupe VIA, notamment l'oxygène (0) et le tellure (Te). Des exemples de composés II-VI sont ZnO, ZhMg0, CdZnO ou CdZnMg0. De façon générale, les éléments dans le composé II-VI peuvent être combinés avec différentes fractions molaires. B13128 - Embedded switch 19 Les fils 601, 602 peuvent comprendre un dopant. A titre d'exemple, pour des composés III-V, le dopant peut être choisi parmi le groupe comprenant un dopant de type P du groupe II, par exemple, du magnésium (Mg), du zinc (Zn), du cadmium (Cd) ou du 5 mercure (Hg), un dopant du type P du groupe IV, par exemple du carbone (C) ou un dopant de type N du groupe IV, par exemple du silicium (Si), du germanium (Ge), du sélénium (Se), du souffre (S), du terbium (Tb) ou de l'étain (Sn). La section droite des fils 601, 602 peut avoir 10 différentes formes, telles que, par exemple, une forme ovale, circulaire ou polygonale, notamment triangulaire, rectangulaire, carrée ou hexagonale. Ainsi, on comprend que, quand on mentionne ici le "diamètre" dans une section droite d'un fil ou d'une couche déposée sur ce fil, il s'agit d'une grandeur associée à la surface 15 de la structure visée dans cette section droite, correspondant, par exemple, au diamètre du disque ayant la même surface que la section droite du fil. Le diamètre moyen de chaque fil 601, 602 peut être compris entre 50 nia et 2,5 pin. La hauteur de chaque fil 601, 602 peut être comprise entre 250 nia et 50 pin. Chaque fil 601, 20 602 peut avoir une structure semiconductrice allongée selon un axe sensiblement perpendiculaire à la face 52. Chaque fil 601, 602 peut avoir une forme générale cylindrique. Les axes de deux fils adjacents d'une même diode électroluminescente globale peuvent être distants de 0,5 gm à 10 gm et de préférence de 1,5 gm 25 à 5 pin. A titre d'exemple, les fils 601, 602 peuvent être régulièrement répartis, notamment selon un réseau hexagonal. A titre d'exemple, la portion inférieure de chaque fil 601, 602 est principalement constituée du composé III-N, par exemple du nitrure de gallium, dopé du même type que le substrat 30 50, par exemple de type N, par exemple au silicium. La portion inférieure 601, 602 s'étend sur une hauteur qui peut être comprise entre 100 nia et 25 gm. A titre d'exemple, la portion supérieure de chaque fil 601, 602 est au moins partiellement réalisée dans un composé III-35 N, par exemple du GaN. La portion supérieure peut être dopée du B13128 - Embedded switch 20 même type que la portion inférieure du fil 601, 602, par exemple de type N, éventuellement moins fortement dopée que la portion inférieure ou ne pas être intentionnellement dopée. La portion supérieure s'étend sur une hauteur qui peut être comprise entre 100 nia et 25 pin. Le procédé de croissance des fils 601, 602 peut être un procédé du type CVD, MOCVD, MBE, GSMBE, PAMBE, ALE, HVPE, ALD. En outre, des procédés électrochimiques peuvent être utilisés, par exemple, le dépôt en bain chimique (CBD, sigle anglais pour Chemical Bath Deposition), les procédés hydrothermiques, la pyrolyse d'aérosol liquide ou l'électrodépôt. A titre d'exemple, le procédé de croissance des fils peut comprendre l'injection dans un réacteur d'un précurseur d'un élément du groupe III et d'un précurseur d'un élément du groupe 15 V. Des exemples de précurseurs d'éléments du groupe III sont le triméthylgallium (TMGa), le triéthylgallium (TEGa), le triméthylindium (TMIn) ou le triméthylaluminium (TMA1). Des exemples de précurseurs d'éléments du groupe V sont l'ammoniac (NH3), le tertiarybutylphosphine (TBP), l'arsine (A5H3), ou le 20 diméthylhydrazine asymétrique (UDMH). Selon un mode de réalisation de l'invention, dans une première phase de croissance des fils du composé III-V, un précurseur d'un élément supplémentaire est ajouté en excès en plus des précurseurs du composé III-V. L'élément supplémentaire peut 25 être le silicium (Si). Un exemple de précurseur du silicium est le silane (SiH4). La présence de silane parmi les gaz précurseurs entraîne l'incorporation de silicium au sein du composé GaN. On obtient ainsi une portion inférieure de fils 601, 602 dopée de type N. En 30 outre, ceci se traduit par la formation d'une couche de nitrure de silicium, non représentée, qui recouvre le pourtour de la portion de fils 601, 602, à l'exception du sommet au fur et à mesure de la croissance de la portion inférieure. Pour la croissance de la portion supérieure, les 35 conditions de fonctionnement utilisées pour la croissance de la B13128 - Embedded switch 21 portion inférieure sont, à titre d'exemple, maintenues à l'exception du fait que le flux du précurseur de l'élément supplémentaire, par exemple le silane, est réduit ou arrêté. Même lorsque le flux de silane est arrêté, la portion supérieure de 5 fils 601, 602 peut être dopée de type N en raison de la diffusion dans cette portion active de dopants provenant des portions passivées adjacentes ou en raison du dopage résiduel du GaN. La coque 621, 622 peut comprendre un empilement de plusieurs couches comprenant notamment : 10 - une couche active recouvrant la portion supérieure du fil 601, 602 associé ; - une couche intermédiaire de type de conductivité opposé à la portion inférieure du fil 601, 602 et recouvrant la couche active ; et 15 - une couche de liaison recouvrant la couche intermédiaire et recouverte par l'électrode 661, 662. La couche active est la couche depuis laquelle est émise la majorité du rayonnement fourni par la diode électroluminescente élémentaire. Selon un exemple, la couche active peut comporter 20 des moyens de confinement, tels que des puits quantiques multiples. Elle est, par exemple, constituée d'une alternance de couches de GaN et de InGaN ayant des épaisseurs respectives de 5 à 20 nm (par exemple 8 nm) et de 1 à 10 nm (par exemple 2,5 nm). Les couches de GaN peuvent être dopées, par exemple de type N ou 25 P. Selon un autre exemple, la couche active peut comprendre une seule couche d'InGaN, par exemple d'épaisseur supérieure à 10 nm. La couche intermédiaire, par exemple dopée de type P, peut correspondre à une couche semiconductrice ou à un empilement de couches semiconductrices et permet la formation d'une jonction 30 P-N ou P-I-N, la couche active étant comprise entre la couche intermédiaire de type P et la portion supérieure du fil 601, 602 de type N de la jonction P-N ou P-I-N. La couche de liaison peut correspondre à une couche semiconductrice ou à un empilement de couches semiconductrices et 35 permet la formation d'un contact ohmique entre la couche B13128 - Embedded switch 22 intermédiaire et l'électrode 661, 662. A titre d'exemple, la couche de liaison peut être dopée très fortement du type opposé à la portion inférieure de chaque fil 601, 602, jusqu'à dégénérer la ou les couches semiconductrices, par exemple dopée de type P à une concentration supérieure ou égale à 1020 atomes/cm3. L'empilement de couches semiconductrices peut comprendre une couche de blocage d'électrons formée d'un alliage ternaire, par exemple en nitrure de gallium et d'aluminium (AlGaN) ou en nitrure d'indium et d'aluminium (AlInN) en contact avec la couche active et la couche intermédiaire, pour assurer une bonne répartition des porteurs électriques dans la couche active. L'électrode 661, 662 est adaptée à polariser la couche active de chaque fil 601, 602 et à laisser passer le rayonnement électromagnétique émis par les diodes électroluminescentes. Le matériau formant l'électrode 661, 662 peut être un matériau transparent et conducteur tel que de l'oxyde d'indium-étain (ou ITO, acronyme anglais pour Indium Tin Oxide), de l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium ou du graphène. A titre d'exemple, la couche d'électrode 661, 662 a une épaisseur comprise entre 5 nm. et 200 rua, de préférence entre 20 nia et 50 nia. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau isolant au moins partiellement transparent. L'épaisseur minimale de la couche d'encapsulation est comprise entre 250 nia et 50 gm de sorte que la couche d'encapsulation recouvre complètement chaque électrode 661, 662 au sommet des ensembles de diodes électroluminescentes D1, D2. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau inorganique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, le matériau inorganique est choisi parmi le groupe comprenant les oxydes de silicium du type SiOx où x est un nombre réel compris entre 1 et 2 ou SiOyNz où y et z sont des nombres réels compris entre 0 et 2 et les oxydes d'aluminium, par exemple A1203. La couche d'encapsulation peut être réalisée en un matériau organique au moins partiellement transparent. A titre d'exemple, la couche d'encapsulation est un polymère B13128 - Embedded switch 23 silicone, un polymère époxyde, un polymère acrylique ou un polycarbonate. La portion semiconductrice 68 peut être composée des mêmes matériaux que le substrat 50. Elle peut être formée par 5 épitaxie ou par dépôt après ouverture des couches isolantes 58 et 64. La région semiconductrice 70 peut être composée des mêmes matériaux que le substrat 50. La région semiconductrice 70 peut avoir une épaisseur comprise entre 10 nia et 500 nia. La région 10 semiconductrice 70 peut être formée par dépôt puis mise en forme par gravure après une étape de photolithographie. La portion isolante 72 peut être en oxyde de silicium du type SiOx où x est un nombre réel compris entre 1 et 2 ou SiOy Nz où y et z sont des nombres réels compris entre 0 et 2, en 15 oxyde d'hafnium Hf02, en oxyde de lanthane La203, en oxyde de zirconium Zr02, en oxyde de tantale Ta203 ou bien un composé de ces précédents matériaux. La portion isolante 72 peut avoir une épaisseur comprise entre 1 nia et 25 nia. La portion isolante 72 peut être formée par dépôt ou par oxydation de la région 20 semiconductrice 70. La portion semiconductrice 74 peut être en silicium polycristallin, en nitrure de titanium (TiN), en tungstène (W), en nitrure de tantale (TaN), en tantale (Ta) ou en platine (Pt) ou bien un multi-couche de ces matériaux. La portion 25 semiconductrice 74 peut avoir une épaisseur comprise entre 10 nia et 200 nia. La portion semiconductrice 74 peut être formée par CVD, par dépôt physique en phase vapeur (PVD, acronyme anglais pour Physical Vapor Deposition) ou par dépôt chimique en phase plasma (PECVD, acronyme anglais pour Plasma-Enhanced CVD). 30 La portion semiconductrice ou métallique 82 peut être en silicium polycristallin, tungstène, cuivre, nickel, molybdène, argent, or, palladium, platine ou un alliage par exemple en Fer-Nickel (FeNi) ou en Fer-Nickel-Cobalt (FeNiCo). La portion semiconductrice ou métallique 82 peut avoir une épaisseur comprise 35 entre 10 nia et 150 nia. La portion semiconductrice 82 peut être B13128 - Embedded switch 24 formée par dépôt puis mise en motif par des étapes de photolithographie et gravure. Les figures 9A, 9B et 9C sont des coupes d'un autre mode de réalisation d'un dispositif optoélectronique 90. Les éléments communs avec le dispositif optoélectronique 45 représenté sur les figures 8A et 8B sont désignées par les mêmes références. Le dispositif optoélectronique 90 comprend des régions semiconductrices supplémentaires 92, 94 dopées du même type de conductivité que la région 541 et qui s'étendent dans le substrat 50 depuis la face 52. La région semiconductrice 92 forme le canal du transistor Ti et le drain et la source du transistor Ti sont formés dans les régions semiconductrices 541 et 94. La portion isolante 72, formant l'isolant de grille du transistor Ti, repose sur la région semiconductrice dopée 92. L'électrode 661 est en contact électrique avec la région semiconductrice 94 au travers des couches isolantes 58, 64, éventuellement par l'intermédiaire d'une portion siliciurée 98. La figure 9B est une vue en coupe dont le plan de coupe est perpendiculaire au plan de coupe de la figure 9A. La portion 82 recouvre l'un des espaceurs 78 et peut venir au contact de l'électrode 662 dans le plan de la figure 9B. A titre de variante, la portion 82 peut venir au contact de l'électrode 662 dans le plan de la figure 9A. A titre de variante, l'électrode 662 peut être confondue avec la portion semiconductrice 82. Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On notera que l'homme de l'art pourra combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. REVENDICATIONS1. Circuit optoélectronique (30 ; 40) destiné à recevoir une tension variable (VALIM) contenant une alternance de phases croissantes et décroissantes, le circuit optoélectronique comprenant : une alternance d'éléments résistifs (Ri) et d'ensembles (Di) de diodes électroluminescentes montés en série, chaque ensemble comprenant deux bornes, chaque élément résistif étant interposé entre deux ensembles successifs ; pour chaque ensemble parmi une pluralité desdits 10 ensembles, un transistor (Ti) à effet de champ à grille métal- oxyde à appauvrissement dont le drain et la source sont couplés aux bornes dudit ensemble et dont la grille est couplée à l'une des bornes de l'ensemble suivant. 2. Circuit optoélectronique selon la revendication 1, 15 comprenant N ensembles (Di) où N est un nombre entier compris entre 2 et 200, et comprenant pour chacun des N-1 ensembles, un transistor à effet de champ à grille métal-oxyde à appauvrissement dont le drain et la source sont couplés aux bornes dudit ensemble et dont la grille est couplée à l'une des bornes de l'ensemble 20 suivant. 3. Circuit optoélectronique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel au moins certains des éléments résistifs (Ri) ont des valeurs de résistance différentes. 4. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des 25 revendications 1 à 3, dans lequel chaque élément résistif comprend au moins une résistance électrique. 5. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant, en outre, pour au moins certains des transistors (Ti), un élément résistif supplémentaire (R'i) 30 couplé entre le drain ou la source du transistor et l'une des bornes dudit ensemble (Di). 6. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant, en outre, un circuit (12)B13128 - Embedded switch 26 redresseur double alternance adapté à fournir ladite tension (VALim) . 7. Circuit optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant un circuit intégré (45 ; 90) 5 comportant les ensembles (Di) de diodes électroluminescentes, les éléments résistifs (Ri) et les transistors (Ti). 8. Circuit optoélectronique selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel chaque diode électroluminescente est une diode plane. 10 9. Circuit optoélectronique selon l'une des revendications 1 à 7, comprenant un circuit intégré comprenant un support (50, 561, 562), les ensembles de diodes électroluminescentes (Di) reposant sur le support, chaque diode électroluminescente comprenant au moins un élément semiconducteur 15 filaire (601, 602), conique ou tronconique. 10. Circuit optoélectronique selon la revendication 9, comprenant, en outre, au moins une couche isolante (58, 64) recouvrant au moins partiellement le support (50, 561, 562), et, pour chaque transistor (Ti), une portion semiconductrice (70) 20 s'étendant sur la couche isolante et formant la source, le drain du transistor et le canal du transistor, une portion isolante (72) recouvrant la portion semiconductrice du côté opposé à la couche isolante et formant l'isolant de grille du transistor. 11. Circuit optoélectronique selon la revendication 9, 25 dans lequel le support (50, 561, 562) comprend un substrat semiconducteur (50) non dopé ou dopé d'un premier type de conductivité, le circuit optoélectronique comprenant, pour chaque transistor (Ti), des régions semiconductrices (94, 92, 541) dopées d'un deuxième type de conductivité et plus fortement dopées que 30 le substrat, s'étendant dans le substrat et formant la source, le drain et le canal du transistor et une portion isolante (72) s'étendant sur le substrat et formant l'isolant de grille du transistor.