FR 3019376 A1 20151002 FR 1452573 A 20140326 DISPOSITIF DE MEMOIRE VIVE RESISTIVE DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne le domaine des mémoires réinscriptibles non volatiles, et plus spécifiquement celui des mémoires vives résistives. Une mémoire vive résistive comprend des première et seconde électrodes séparées par une couche en matériau électriquement isolant, et passe d'un état isolant à un état conducteur par formation d'un filament conducteur entre les première et seconde électrodes. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION Les mémoires vives à résistance variable (appelées mémoires RRAM pour « Resistive Random Access Memories » en anglais) sont aujourd'hui le sujet d'une grande attention, en raison notamment de leur faible consommation électrique et leur vitesse de fonctionnement élevée. Une cellule mémoire de type résistive présente au moins deux états : un état fortement résistif « HRS » (« High Resistance State »), appelé également état « OFF », et un état faiblement résistif « LRS » (« Low Resistance State ») ou état « ON ». Elle peut donc être utilisée pour stocker une information binaire. On peut distinguer trois types de mémoires résistives : les mémoires à base de mécanisme thermochimique, les mémoires à base de changement de valence, et les mémoires à base de métallisation électrochimique. Le domaine de la présente invention concerne plus particulièrement cette dernière catégorie basée sur des matériaux à conduction ionique (mémoires CBRAM ou « Conductive Bridging RAM »). Le fonctionnement réside dans la formation et la rupture réversibles d'un filament conducteur dans un électrolyte solide, par dissolution d'une électrode soluble. Ces mémoires sont prometteuses de par leur faibles tensions de programmation (de l'ordre du Volt), leur temps de programmation court ( Comme indiqué précédemment, l'état mémoire d'un dispositif mémoire CBRAM résulte de la différence de résistivité électrique entre deux états : « ON » et « OFF ». A l'état « OFF », les ions métalliques (ici les ions Cu2+ pour une électrode soluble comprenant du Cu) issus de la portion de métal ionisable sont dispersés dans tout l'électrolyte solide 2. Ainsi, aucun contact électrique n'est établi entre la cathode 3 et l'anode 4, c'est-à-dire entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure. L'électrolyte solide comporte une zone électriquement isolante de grande résistivité entre l'anode et la cathode. Lorsqu'un potentiel V positif est appliqué sur l'électrode soluble supérieure 4 (l'anode), une réaction d'oxydo-réduction a lieu à cette électrode, créant des ions mobiles 5. Dans le cas d'une électrode 4 de cuivre, la réaction suivante a lieu : Cu -> Cu2+ + 2 e-. Les ions 5 se déplacent alors dans l'électrolyte 2 sous l'effet du champ électrique appliqué aux électrodes. La vitesse de déplacement dépend de la mobilité de l'ion dans l'électrolyte en question, ce qui guide le choix du couple électrode soluble/électrolyte (exemples : Ag/GeS ; Cu/A1203...). Les vitesses de déplacement des ions sont de l'ordre du nm/ns. Arrivés à l'électrode inerte 3 (la cathode), les ions 5 sont réduits de par la présence d'électrons fournis par l'électrode 3, entraînant la croissance d'un filament métallique 6 selon la réaction suivante : Cu2+ + 2 e- -> Cu Le filament 6 croît préférentiellement dans la direction de l'électrode soluble 4. La mémoire 1 passe alors dans l'état « ON » lorsque le filament 6 permet le contact entre les électrodes 3 et 4, rendant l'empilement conducteur. Cette phase est appelée « SET » de la mémoire. Pour passer à l'état « OFF » (phase de « RESET » de la mémoire), une tension V négative est appliquée sur l'électrode supérieure 4, entrainant la dissolution du filament conducteur. Pour justifier cette dissolution, des mécanismes thermiques (échauffement) et d'oxydoréduction sont généralement invoqués. Plus précisément, l'étape consistant à écrire pour la première fois la mémoire 1, c'est-à-dire à former pour la première fois le filament 6 dans l'électrolyte 2 de la mémoire 1, est appelée « forming ». On entend donc par « SET » l'étape de formation du filament 6 réalisée après au moins un premier effacement de la cellule mémoire, c'est-à-dire après que le filament de la cellule mémoire a au moins été formé une première fois (étape de forming) puis dissous (étape de RESET). Souvent, l'électrolyte 2 contient dans l'état « OFF » un filament résiduel 6 en contact avec la cathode 3. Celui-ci provient de la phase de SET précédente et n'a pas été dissous complétement lors du RESET de la mémoire. Le filament est dit résiduel lorsqu'il n'établit pas une conduction électrique suffisante entre les électrodes pour obtenir l'état « ON ». Une voie de développement pour les mémoires CBRAM concerne la rétention de l'information, c'est-à-dire la rétention de l'état « OFF » et de l'état « ON ». On cherche à améliorer la stabilité des états isolant et conducteur, notamment pour des températures de fonctionnement élevées. Pour améliorer la rétention de l'information, des mémoires CBRAM à base d'oxyde métallique ont été proposées. De nombreuses études portent sur ces mémoires CBRAM pour améliorer leurs performances électriques. Une des difficultés des mémoires CBRAM à base d'oxyde métallique concerne en effet la difficulté de former le filament dans l'électrolyte lors de la première utilisation de la mémoire, c'est-à-dire lors de l'étape de forming. Il s'agit donc de parvenir à réduire la tension, dite « tension de forming », nécessaire à la formation du filament dans l'électrolyte lors de la première utilisation de la cellule mémoire CBRAM. RESUME DE L'INVENTION L'invention vise à apporter une solution aux problèmes évoqués précédemment en proposant une cellule mémoire CBRAM à base d'oxyde métallique aux performances électriques améliorées, et en particulier avec une tension de forming réduite, en facilitant la formation du filament conducteur. Réduire la tension de forming d'une cellule mémoire CBRAM permet notamment, à tension constante, de travailler avec des temps de switch plus courts et donc d'obtenir une cellule mémoire CBRAM plus rapide. On entend par « temps de switch » de la cellule mémoire CBRAM, le temps nécessaire à la cellule mémoire CBRAM pour passer de l'état « OFF » à l'état « ON ». Un premier aspect de l'invention concerne donc un dispositif de mémoire vive résistive comportant : - une première électrode en matériau inerte ; - une deuxième électrode en matériau soluble ; - un électrolyte solide, les première et deuxième électrodes étant respectivement en contact avec l'une des faces de l'électrolyte de part et d'autre dudit électrolyte, la deuxième électrode étant apte à fournir des ions mobiles circulant dans l'électrolyte solide vers la première électrode pour former un filament conducteur entre les première et deuxième électrodes lorsqu'une tension est appliquée entre les première et deuxième électrodes ; l'électrolyte solide comportant une région réalisée en un oxyde d'un premier métal, dit « premier oxyde métallique » et ladite région étant dopée par un deuxième métal, distinct du premier métal et apte à former un deuxième oxyde métallique, ledit deuxième métal étant choisi de sorte que le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente une énergie de bande interdite inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal. On entend par « énergie de bande interdite », ou « gap », d'un matériau, la largeur de la bande interdite dudit matériau, c'est-à-dire la différence d'énergie entre le minimum de la bande de conduction et le maximum de la bande de valence. L'invention permet avantageusement de contribuer à la création d'une pluralité de lacunes d'oxygène dans l'électrolyte, et particulièrement dans la région de l'électrolyte en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal. Cette pluralité de lacunes d'oxygène permet de faciliter le déplacement des ions mobiles, et donc la formation du filament conducteur. On contribue ainsi à diminuer la tension de forming, c'est-à-dire la tension à appliquer entre l'électrode soluble et l'électrode inerte pour permettre la formation du filament conducteur lors de l'étape de forming. La quantité de lacunes d'oxygène dans ladite région en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal est avantageusement suffisamment importante pour réduire l'énergie de bande interdite de ladite région, et donc pour augmenter la conductivité de ladite région. Le deuxième métal est avantageusement choisi pour que l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique dopé par ledit deuxième métal soit inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal. Outre les caractéristiques qui viennent d'être évoquées dans le paragraphe précédent, le dispositif selon un aspect de l'invention peut présenter une ou plusieurs caractéristiques complémentaires parmi les suivantes, considérées individuellement ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles : - Le deuxième métal est avantageusement choisi de sorte que l'énergie de bande interdite du deuxième oxyde métallique est inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique. - Le premier oxyde métallique est avantageusement de l'oxyde de gadolinium Gd203 et le deuxième métal est avantageusement choisi parmi les métaux suivants : o de l'hafnium Hf ; o du zirconium Zr ; o du titane Ti. - Alternativement, l'énergie de bande interdite du deuxième oxyde métallique est supérieure à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique et la concentration atomique du deuxième métal dopant au sein de la région de l'électrolyte solide est avantageusement telle que le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente une énergie de bande interdite inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal. - Le premier oxyde métallique est avantageusement de l'oxyde de gadolinium Gd203 et le deuxième métal est avantageusement de l'aluminium Al. - Le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente un ratio R inférieur à 1, le ratio R s'exprimant par : R = (M-1 +M2)/0, avec M-I la concentration atomique de premier métal, M2 la concentration atomique de deuxième métal et O la concentration atomique de l'oxygène. Dans le cas où l'énergie de bande interdite du deuxième oxyde métallique est inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique, le dopage est avantageusement réalisé de telle sorte que le ratio R = (M1+M2)/0 du premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal est supérieur au ratio R' = M1/0 du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal. Alternativement, dans le cas où l'énergie de bande interdite du deuxième oxyde métallique est supérieure à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique, le dopage est avantageusement réalisé de telle sorte que : le ratio R = (M1+M2)/O du premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal augmente jusqu'à ce que l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal devienne inférieure à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal. - Alternativement, le premier oxyde métallique pourra notamment être de l'oxyde d'aluminium A1203, du dioxyde de zirconium ZrO2, du dioxyde de titane TiO2 ou de l'oxyde de tantale Ta205. Dans l'exemple particulier où le premier oxyde métallique est de l'oxyde d'aluminium A1203, le deuxième métal pourra par exemple être de l'hafnium Hf ou du titane Ti. - Le pourcentage atomique du deuxième métal au sein de la région de l'électrolyte solide est avantageusement sensiblement compris entre 5% et 30%, et préférentiellement sensiblement compris entre 10% et 20%. La cellule mémoire présente ainsi des performances électriques améliorées. On entend par « pourcentage atomique du deuxième métal au sein de la région de l'électrolyte solide » le pourcentage atomique du deuxième métal dans le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal, c'est-à-dire le pourcentage d'atomes de deuxième métal par rapport à la somme des pourcentages d'atomes de premier métal, d'oxygène et de deuxième métal. - Selon une première alternative, la région en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal peut être située dans une partie supérieure de l'électrolyte solide, en contact avec la deuxième électrode en matériau soluble. - Selon une deuxième alternative, la région en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal peut être située dans une partie inférieure de l'électrolyte solide, en contact avec la première électrode en matériau inerte. - Selon une troisième alternative, l'électrolyte solide comporte avantageusement : o une première sous-couche en contact avec la première électrode en matériau inerte, et o une deuxième sous-couche en contact avec la deuxième électrode en matériau soluble ; la région de l'électrolyte solide en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal étant une sous-couche centrale comprise entre les première et deuxième sous-couches. - Selon une quatrième alternative, l'électrolyte solide est entièrement formé par la région en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal. L'invention et ses différentes applications seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et à l'examen des figures qui l'accompagnent. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES Les figures sont présentées à titre indicatif et nullement limitatif de l'invention. - La figure 1 illustre schématiquement le passage d'un état « OFF » à un état « ON » pour un dispositif mémoire 1 de type CBRAM. - Les figures 2A et 2B illustrent les résultats de calculs « ab initio », réalisés pour l'exemple d'une cellule mémoire CBRAM présentant un électrolyte à base d'oxyde de gadolinium Gd203 et fonctionnant par transport de cuivre dans l'électrolyte pour la formation du filament conducteur. - La figure 3 montre schématiquement la structure d'une cellule mémoire CBRAM à base d'oxyde selon un mode de réalisation de l'invention. - La figure 4 montre schématiquement la structure d'une cellule mémoire CBRAM à base d'oxyde selon une variante du mode de réalisation de l'invention de la figure 3. - La figure 5 montre les tensions de forming nécessaires pour obtenir un rendement de forming de 50 % pour différents types de cellules mémoires CBRAM selon l'invention, comparativement à une cellule mémoire CBRAM selon l'art antérieur. DESCRIPTION DETAILLEE D'AU MOINS UN MODE DE REALISATION DE L'INVENTION Sauf précision contraire, un même élément apparaissant sur des figures différentes présente une référence unique. Dans la présente description, on entend par « cellule mémoire CBRAM à base d'oxyde » une cellule mémoire CBRAM comportant un électrolyte réalisé à base d'un oxyde métallique. Une des difficultés des mémoires CBRAM à base d'oxyde concerne la formation du filament dans l'électrolyte. En effet, les oxydes métalliques étant des matériaux denses, il est difficile d'introduire des atomes constitutifs du filament dans un électrolyte à base d'oxyde métallique. Les figures 2A et 2B illustrent les résultats de calculs « ab initio », réalisés pour l'exemple d'une cellule mémoire CBRAM présentant un électrolyte à base d'oxyde de gadolinium Gd203 et fonctionnant par transport de cuivre dans l'électrolyte pour la formation du filament conducteur. La figure 2A montre ainsi une première courbe Cl de l'évolution de l'énergie de formation, mesurée en eV, du filament conducteur en fonction du nombre d'atomes de cuivre présents dans l'électrolyte. La première courbe Cl indique une augmentation continue de l'énergie de formationen fonction du nombre d'atomes de cuivre dans l'électrolyte. La figure 2B montre quant à elle : - une deuxième courbe C2 de l'évolution de la densité d'états en fonction de l'énergie dans l'électrolyte lorsqu'aucun atome de cuivre n'est introduit dans l'électrolyte ; - une troisième courbe C3 de l'évolution de la densité d'états en fonction de l'énergie dans l'électrolyte lorsque des atomes de cuivre sont introduits dans l'électrolyte. La densité d'états est mesurée en nombre d'états électroniques par eV. L'énergie est mesurée en eV. On représente plus exactement, en abscisse de la figure 2B, l'énergie moins l'énergie de Fermi, mesurée en eV. Le niveau de Fermi se trouve ainsi à l'abscisse nulle. La deuxième courbe C2 montre que, lorsqu'aucun atome de cuivre n'est inclus dans l'électrolyte, le niveau de Fermi se trouve dans la bande interdite, ou « gap », du matériau de l'électrolyte, qui ne comporte aucun état électronique : l'électrolyte est isolant. La troisième courbe C3 montre que, lorsque des atomes de cuivre sont inclus dans l'électrolyte, des états électroniques apparaissent dans ce qui était précédemment la bande interdite du matériau de l'électrolyte. Cela traduit le fait que l'électrolyte devient conducteur, c'est-à-dire que le filament se forme. Le tableau ci-dessous regroupe des résultats de simulations « ab initio » réalisées pour de l'oxyde de gadolinium Gd203 cubique. L'énergie nécessaire pour insérer un atome de cuivre dans l'électrolyte, ou enthalpie de formation AHf, est calculée selon la formule : AHf = U(Gd203: Cu+q) - U(Gd203) + U(0(9)) - U(Cu(s)) + q x kte U(espèce) désigne l'énergie interne d'une espèce ; pe désigne le potentiel chimique d'un électron et q désigne la charge d'un électron. Enthalpie de formation AHf (eV) Stress (GPa) Atome de Cu interstitiel 3,77 1,23 Atome de Cu substitué à un atome d'O 8,84 -1,41 Atome de Cu substitué à un atome de Gd 10,50 -1,40 Atome de Cu interstitiel et 8,84 -1,41 lacune d'un atome d'O Lacune d'un atome d'O 7,41 0,15 Atome de Cu interstitiel dans 1,43 1,38 une lacune d'un atome d'O initialement présente Atome d'O interstitiel 1,10 -10-3 Ces simulations montrent que l'insertion d'un atome de cuivre en interstitiel dans de l'oxyde de gadolinium Gd203 est une configuration plus favorable, c'est-à-dire nécessitant moins d'énergie et ayant une enthalpie de formation AHf plus faible, que la substitution d'un atome d'oxygène ou de gadolinium par un atome de cuivre. L'enthalpie de formation pour l'insertion d'un atome de cuivre en interstitiel vaut en effet 3,77 eV, tandis que l'enthalpie de formation pour la substitution d'un atome de cuivre à un atome de gadolinium (respectivement, à un atome d'oxygène) vaut 10,50 eV (respectivement, 8,84 eV). Lorsque des lacunes d'oxygène sont présentes dans le Gd203, le coût énergétique pour introduire du cuivre dans le Gd203 est réduit de 3,77 eV à 1,43 eV. Ces calculs ab initio permettent donc de conclure que la présence de lacunes d'oxygène favorise l'introduction de cuivre dans l'oxyde de gadolinium, donc la formation du filament au sein de l'électrolyte. La figure 3 montre schématiquement la structure d'une cellule mémoire CBRAM à base d'oxyde selon un premier mode de réalisation de l'invention. La cellule mémoire 10 comporte : - une première électrode 11, également appelée cathode ou électrode inerte par la suite ; 10 - un électrolyte solide 12. L'électrolyte solide 12 comporte une région en oxyde d'un premier métal, dit « premier oxyde métallique », ladite région étant dopée par un deuxième métal, distinct du premier métal et apte à former un deuxième oxyde métallique. Le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente une énergie de bande interdite inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal. La diminution de l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique dopé par rapport au premier oxyde métallique non dopé traduit l'augmentation de la quantité de lacunes d'oxygène 16 dans ledit premier oxyde métallique dopé de l'électrolyte solide 12 ; - une deuxième électrode 17, également appelée anode ou électrode soluble par la suite, et comportant une couche de source d'ions 13 et une ligne métallique 14 ; Lorsqu'une tension est appliquée entre l'électrode inerte 11 et la ligne métallique 14 de l'électrode soluble 17, la couche de source d'ions 13 fournit des ions mobiles 15 qui circulent dans l'électrolyte solide 12 vers l'électrode inerte 11 pour former un filament conducteur entre l'électrode inerte 11 et l'électrode soluble 17. Les lacunes d'oxygène 16 facilitent l'inclusion interstitielle des ions mobiles 15 dans l'électrolyte solide 12. Selon le premier mode de réalisation illustré à la figure 3, l'électrode inerte 11 est un plot, par exemple réalisé à partir d'un métal inerte d'interconnexion, tel que du tungstène W, du nitrure de titane TiN ou du nitrure de tantale TaN. Selon le premier mode de réalisation illustré à la figure 3, l'électrolyte solide 12 est réalisé en oxyde de gadolinium Gd203 et le deuxième métal dopant est de l'hafnium Hf. Alternativement, le deuxième métal dopant pourra notamment être du zirconium Zr, de l'aluminium Al ou du titane Ti. Selon le premier mode de réalisation illustré à la figure 3, la couche de source d'ions 13 de l'électrode soluble 17 est réalisée à partir d'un alliage de cuivre Cu et d'un élément de la famille des chalcogènes tel que du Te. La couche de source d'ions 13 de l'électrode soluble 17 peut donc être réalisée à partir de CuTe. Plus généralement, la couche de source d'ions 13 peut être réalisée à partir de cuivre Cu et de ses alliages, d'argent Ag et de ses alliages, de zinc Zn et de ses alliages, d'un alliage de cuivre et/ou de zinc et/ou d'argent, tel que : AgCu, AgZn, CuZn, AgCuZn, et de ses alliages. Plusieurs variantes sont possibles pour le premier mode de réalisation selon lequel la région de l'électrolyte solide 12 est dopée avec de l'hafnium Hf, parmi lesquelles : - une première variante selon laquelle l'ensemble de l'électrolyte solide 12 est dopé, le pourcentage atomique de l'hafnium Hf dans l'électrolyte solide 12 étant sensiblement égal à 15% ; - une deuxième variante, plus particulièrement illustrée à la figure 4, selon laquelle la région dopée de l'électrolyte solide 12 est une sous-couche centrale 12-c dudit électrolyte solide 12, le pourcentage atomique de l'hafnium Hf dans la sous-couche centrale 12-c étant sensiblement égal à 20%. La sous-couche centrale 12-c de l'électrolyte solide 12 est comprise entre des première et deuxième sous-couches 12-1 et 12-2 de l'électrolyte solide 12, la première sous-couche 12-1 étant en contact avec l'électrode inerte 11, et la deuxième sous-couche 12-2 étant en contact avec la couche de source d'ions 13. Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, l'électrolyte solide 12 est réalisé en oxyde de gadolinium Gd203 et le deuxième métal dopant est du titane Ti, le pourcentage atomique de titane Ti dans l'électrolyte solide 12 étant sensiblement égal à 18%. Selon le premier mode de réalisation, l'énergie de bande interdite de l'électrolyte solide en Gd203 dopé à l'hafnium est typiquement de l'ordre de 4,4 eV +/- 1 eV, en fonction notamment du mode de dépôt, de la qualité du matériau, etc. Selon le deuxième mode de réalisation, l'énergie de bande interdite de l'électrolyte solide en Gd203 dopé au titane est typiquement de l'ordre de 4,1 eV +/- 1eV, en fonction notamment du mode de dépôt, de la qualité du matériau, etc. En comparaison, une énergie de bande interdite de l'ordre de 6 eV a été mesurée pour un électrolyte solide en oxyde de gadolinium Gd203 non dopé. Plus généralement, que la région en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal forme l'ensemble de l'électrolyte solide 12 ou uniquement une partie de l'électrolyte solide 12, ladite région en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente un pourcentage atomique de deuxième métal compris entre 5% et 30%, et préférentiellement compris entre 10% et 20%. La figure 5 décrite ci-après réunit plusieurs résultats expérimentaux permettant de montrer quantitativement l'amélioration des performances électriques de cellules 20 mémoires CBRAM selon l'invention, par rapport à une cellule mémoire CBRAM classique selon l'état de la technique. La figure 5 montre ainsi les tensions de forming nécessaires pour obtenir un rendement de forming correspondant à la valeur médiane de la tension de 25 formation du filament, pour une expérience portant sur une centaine de cellules mémoires CBRAM. Pour rappel, on entend par « forming » d'une cellule mémoire CBRAM l'étape consistant à écrire pour la première fois ladite cellule mémoire CBRAM, c'est-à-dire à former pour la première fois le filament dans l'électrolyte de ladite cellule mémoire CBRAM. Un rendement de forming de 50% signifie donc 30 que les filaments de 50% des cellules mémoires testées ont effectivement été formés pour la première fois. Les expériences dont les résultats sont rassemblés en figure 5 ont été effectuées sur des échantillons dont la taille est de l'ordre de cent cellules mémoires CBRAM. - La tension de forming pour une cellule mémoire CBRAM selon la première variante du premier mode de réalisation, présentant un électrolyte solide en Gd203 dopé avec un pourcentage atomique d'hafnium Hf de l'ordre de 15%, est réduite de l'ordre de 350 mV par rapport au cas de référence. - La tension de forming pour une cellule mémoire CBRAM selon le deuxième mode de réalisation de l'invention, c'est-à-dire qui présente un électrolyte solide en Gd203 dopé avec un pourcentage atomique de titane Ti de l'ordre de 18%, est réduite de l'ordre de 1,1 V par rapport au cas de référence. Plusieurs variantes de réalisation d'une cellule mémoire CBRAM selon l'invention ont été décrites jusqu'à présent. On donne ainsi plusieurs exemples de dopants possibles et plusieurs exemples de pourcentages atomiques possibles desdits dopants au sein de la région dopée de l'électrolyte solide 12. Ladite région dopée de l'électrolyte solide 12 peut en outre être une partie, ou l'ensemble de l'électrolyte solide 12. Nous décrivons à présent un exemple de règle expérimentale permettant de contribuer à déterminer des variantes supplémentaires de cellules mémoires CBRAM conformes à l'invention. On rappelle ici que la région dopée de l'électrolyte solide 12 est réalisée en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal. Le premier oxyde métallique présente un premier ratio métal/oxyde R1, qui s'exprime ainsi : R1 = M1/0, avec M1 la concentration atomique du premier métal et O la concentration atomique de l'oxygène. Le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente quant à lui un deuxième ratio métal/oxyde R2, qui s'exprime ainsi : R2 = (M1 + M2)/0, avec M1 la concentration atomique de premier métal, M2 la concentration atomique de deuxième métal et O la concentration atomique de l'oxygène. Afin d'obtenir une cellule mémoire CBRAM conforme à l'invention, il s'agit que le deuxième ratio métal/oxyde R2 respecte la première condition suivante : R2 > R1. 30 Avantageusement, le deuxième ratio métal/oxyde R2 respecte également la deuxième condition suivante : R2 REVENDICATIONS1. Dispositif (10) de mémoire vive résistive comportant : - une première électrode (11) en matériau inerte ; - une deuxième électrode (17) en matériau soluble ; - un électrolyte solide (12), les première et deuxième électrodes (11, 17) étant respectivement en contact avec l'une des faces de l'électrolyte (12) de part et d'autre dudit électrolyte, la deuxième électrode (17) étant apte à fournir des ions mobiles (15) circulant dans l'électrolyte solide (12) vers la première électrode (11) pour former un filament conducteur entre les première et deuxième électrodes lorsqu'une tension est appliquée entre les première et deuxième électrodes ; ledit dispositif (10) étant caractérisé en ce que l'électrolyte solide (12) comporte une région réalisée en un oxyde d'un premier métal, dit « premier oxyde métallique » et en ce que ladite région est dopée par un deuxième métal, distinct du premier métal et apte à former un deuxième oxyde métallique, ledit deuxième métal étant choisi de sorte que le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente une énergie de bande interdite inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal. 2. Dispositif (10) selon la revendication 1 caractérisé en ce que ledit deuxième métal est choisi de sorte que l'énergie de bande interdite du deuxième oxyde métallique est inférieure ou égale à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique. 3. Dispositif (10) selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'énergie de bande interdite du deuxième oxyde métallique est supérieure à l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique et en ce que la concentration atomique du deuxième métal dopant au sein de la région de l'électrolyte solide (12) est telle que le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente une énergie de bande interdite inférieure ou égale à4. - - - 5. 6. 7. 8. l'énergie de bande interdite du premier oxyde métallique non dopé par le deuxième métal. Dispositif (10) selon la revendication 2 caractérisé en ce que le premier oxyde métallique est de l'oxyde de gadolinium Gd203 et en ce que le deuxième métal est choisi parmi les métaux suivants : de l'hafnium Hf ; du zirconium Zr ; du titane Ti. Dispositif (10) selon la revendication 3 caractérisé en ce que le premier oxyde métallique est de l'oxyde de gadolinium Gd203 et en ce que le deuxième métal est de l'aluminium Al. Dispositif (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 caractérisé en ce que le premier oxyde métallique est de l'oxyde d'aluminium A1203, du dioxyde de zirconium ZrO2, du dioxyde de titane TiO2 ou de l'oxyde de tantale Ta205. Dispositif (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal présente un ratio R inférieur à 1, le ratio R s'exprimant par : R = (M1+M2)/O, avec M1 la concentration atomique de premier métal, M2 la concentration atomique de deuxième métal et O la concentration atomique de l'oxygène. Dispositif (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le pourcentage atomique du deuxième métal au sein de la région de l'électrolyte solide (12) est sensiblement compris entre 5% et 30% et préférentiellement entre 10% et 20%. 9. Dispositif (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que l'électrolyte solide (12) comporte :- une première sous-couche (12-1) en contact avec la première électrode (11) en matériau inerte, et - une deuxième sous-couche (12-2) en contact avec la deuxième électrode (17) en matériau soluble ; la région de l'électrolyte solide (12) en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal étant une sous-couche centrale (12-c) comprise entre les première et deuxième sous-couches (12-1, 12-2). 10. Dispositif (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 caractérisé en ce que l'électrolyte solide (12) est entièrement formé par la région en premier oxyde métallique dopé par le deuxième métal.