FR 3010196 A1 20150306 FR 1358376 A 20130902 Dispositif de génération d'une modulation d'un signal optique La présente invention concerne un dispositif de génération d'une modulation d'un signal optique. La présente invention se rapporte également à un procédé d'annulation du chirp introduit par un dispositif de génération d'une modulation d'un signal optique pour un signal optique incident Dans le domaine des transmissions optiques, des dispositifs de génération d'une modulation d'un signal optique sont utilisés. Dans toute la suite de la description, un dispositif de génération d'une modulation d'un signal optique est simplement nommé dispositif de modulation. Lorsqu'un dispositif de modulation est utilisé pour effectuer une modulation en intensité d'un signal optique d'entrée, le signal optique de sortie obtenu est généralement également modulé en phase, ce qui n'est pas désiré. Par définition, le paramètre de chirp noté a traduit l'existence de cette modulation de phase non voulue sur le signal de sortie. Une définition mathématique possible du paramètre de chirp a est la suivante : (let) a = 2I(t). dt dl (t) dt où : - 1(t) est l'intensité instantanée du champ optique mesurée à une sortie du dispositif de modulation considéré, et - 0(f) est la phase instantanée du champ optique mesurée à une sortie du dispositif de modulation considéré. Dans le document de M. Seimetz dont le titre est « High-Order Modulation for Optical Fiber Transmission » paru chez Springer 2009, il est montré comment générer des signaux optiques suivant une modulation complexe. Une telle modulation complexe est dite « modulation 1-Q ». La génération de signaux optiques suivant une modulation complexe implique l'emploi de plusieurs dispositifs de modulation présentant un paramètre de chirp a nul. Il existe donc un besoin pour un dispositif de génération d'une modulation en intensité d'un signal optique permettant d'obtenir un signal optique modulé en sortie dont la phase n'est pas modulée. A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif de génération d'une modulation d'un signal optique comprenant un premier modulateur en anneau résonant comportant un premier guide d'ondes présentant une entrée et une sortie, un premier guide d'ondes en anneau, dit premier anneau, le premier anneau étant couplé optiquement au premier guide d'ondes et présentant un premier indice effectif, et un premier dispositif de commande propre à moduler le premier indice effectif du premier anneau selon une première loi de commande. Le dispositif comporte également un deuxième modulateur en anneau résonant comportant un deuxième guide d'ondes présentant une entrée et une sortie, l'entrée du deuxième guide d'ondes étant reliée à la sortie du premier guide d'ondes, un deuxième guide d'ondes en anneau, dit deuxième anneau, le deuxième anneau étant couplé optiquement au deuxième guide d'ondes, présentant un deuxième indice effectif, et étant indépendant du premier anneau, et un deuxième dispositif de commande propre à moduler le deuxième indice effectif du deuxième anneau selon une deuxième loi de commande. Le dispositif présente au moins une caractéristique influençant le chirp introduit par le dispositif, les caractéristiques du dispositif étant choisies de sorte à minimiser la valeur absolue du chirp introduit par le dispositif. Suivant des modes de réalisation particuliers, le dispositif comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - le premier modulateur en anneau résonant présente une première fonction de transfert définie comme le rapport entre le champ optique en sortie du premier modulateur et le champ optique incident et présente des premiers paramètres influençant la première fonction de transfert, le deuxième modulateur en anneau résonant présente une deuxième fonction de transfert définie comme le rapport entre le champ optique en sortie du deuxième modulateur et le champ optique incident et présente des deuxièmes paramètres influençant la deuxième fonction de transfert, les caractéristiques influençant le chirp introduit par le dispositif étant les premiers paramètres et les deuxièmes paramètres. - les deux modulateurs en anneau résonant sont identiques. - la première loi de commande et la deuxième loi de commande sont telles que lorsque le premier indice effectif varie d'une première quantité, le deuxième indice effectif varie d'une deuxième quantité opposée à la première quantité. - les première et deuxième lois de commandes commandent respectivement les premier et deuxième modulateurs en anneau par injection de porteurs, la première loi de commande étant une tension variant entre VBIAS et VBIAS A, A étant une valeur positive et VBIAS étant une valeur strictement supérieure à A et la deuxième loi de commande étant une tension variant entre VBIAS et VBIAS +[3*A, [3 étant une valeur strictement positive. - les première et deuxième lois de commandes commandent respectivement les premier et deuxième modulateurs en anneau par déplétion de porteurs, la première loi de commande étant une tension variant entre - VBIAS et - VBIAS +A, A étant une valeur positive et VBIAS étant une valeur strictement supérieure à A et la deuxième loi de commande étant une tension variant entre - VBIAS et - VB,AS - [3*A, [3 étant une valeur strictement positive. - le dispositif comporte une entrée, une sortie et un guide d'ondes intermédiaire, le guide d'ondes intermédiaire reliant l'entrée du deuxième guide d'ondes à la sortie du premier guide d'ondes. - le dispositif comporte une entrée, une sortie, le premier modulateur en anneau résonant comportant un troisième guide d'ondes présentant une entrée et une sortie, le troisième guide d'ondes étant couplé optiquement au premier anneau, l'entrée du dispositif étant l'entrée du troisième guide d'ondes. - le premier guide d'ondes et le deuxième guide d'ondes sont confondus. L'invention concerne aussi un procédé d'annulation du chirp introduit par un dispositif de génération d'une modulation d'un signal optique pour un signal optique incident pour un signal optique incident comprenant un premier modulateur en anneau résonant comportant un premier guide d'ondes présentant une entrée et une sortie, un premier guide d'ondes en anneau, dit premier anneau, le premier anneau étant couplé optiquement au premier guide d'ondes et présentant un premier indice effectif, et un premier dispositif de commande propre à moduler le premier indice effectif du premier anneau selon une première loi de commande. Le dispositif comprend également un deuxième modulateur en anneau résonant comportant un deuxième guide d'ondes présentant une entrée et une sortie, l'entrée du deuxième guide d'ondes étant reliée à la sortie du premier guide d'ondes, un deuxième guide d'ondes en anneau, dit deuxième anneau, le deuxième anneau étant couplé optiquement au deuxième guide d'ondes, présentant un deuxième indice effectif, et étant indépendant du premier anneau, et un deuxième dispositif de commande propre à moduler le deuxième indice effectif du deuxième anneau selon une deuxième loi de commande. Le procédé comprend les étapes de choix de caractéristiques de départ pour le dispositif, et modification d'au moins une des caractéristiques de départ du dispositif de sorte à minimiser la valeur absolue du chirp introduit par le dispositif.. Suivant des modes de réalisation particuliers, le procédé comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prise(s) isolément ou suivant toutes les combinaisons techniquement possibles : - le premier modulateur en anneau résonant présente une première fonction de transfert définie comme le rapport entre la puissance optique en sortie du premier modulateur et la puissance optique incidente et présente des premiers paramètres influençant la première fonction de transfert et le deuxième modulateur en anneau résonant présente une deuxième fonction de transfert définie comme le rapport entre la puissance optique en sortie du deuxième modulateur et la puissance optique incidente et présente des deuxièmes paramètres influençant la deuxième fonction de transfert, les caractéristiques modifiées à l'étape de modification étant choisies parmi les premiers paramètres et les deuxièmes paramètres. - à l'étape de choix, les caractéristiques de départ pour le dispositif de génération d'une modulation sont telles que les deux modulateurs en anneau résonant sont identiques. - à l'étape de modification, seules les caractéristiques relatives à la première loi de commande et les caractéristiques relatives à la deuxième loi de commande sont modifiées. - à l'étape de modification, la première loi de commande et la deuxième loi de commande sont modifiées de sorte que lorsque le premier indice effectif varie d'une première quantité, le deuxième indice effectif varie d'une deuxième quantité opposée à la première quantité. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui suit de modes de réalisation de l'invention, donnée à titre d'exemple uniquement et en référence aux dessins qui sont : figure 1, une vue schématique d'un dispositif de génération d'une modulation selon un premier mode de réalisation de l'invention ; figure 2, un ordinogramme d'un exemple de procédé d'annulation du chirp du dispositif de la figure 1 ; figure 3, un graphe présentant l'évolution temporelle d'un exemple de lois de commande en tension appliquées au dispositif de la figure 1 ; figures 4 et 5, des graphes présentant l'évolution simulée de l'intensité et respectivement de la phase du champ optique en fonction de la variation de l'indice effectif en sortie du dispositif de la figure 1 et en sortie d'un dispositif avec un seul modulateur en anneau résonant ; figure 6, une vue schématique d'un dispositif de génération d'une modulation selon un deuxième mode de réalisation de l'invention ; figure 7 et 8, respectivement les mêmes figures que les figures 4 et 5 pour le dispositif selon le deuxième mode de réalisation; figure 9, une vue schématique d'un modulateur en anneau résonant ; figure 10, un graphe présentant l'évolution simulée du module de la fonction de transfert en sortie du port Drop en fonction de la longueur d'onde de la lumière en entrée du modulateur de la figure 9 en présence et en l'absence d'une modulation de l'indice effectif de l'anneau; figure 11, un graphe montrant l'évolution du module de la fonction de transfert ainsi que la phase de la fonction de transfert à la longueur d'onde de résonance en sortie du port Drop en fonction de l'indice effectif pour le modulateur de la figure 9 ; figures 12 et 13, respectivement les mêmes figures que les figures 10 et 11 en sortie du port Through au lieu du port Drop. Un dispositif de génération d'une modulation 10 d'un signal optique est présenté à la figure 1. Dans la suite, le dispositif de génération d'une modulation 10 est simplement noté dispositif de modulation 10. Le dispositif de modulation 10 comprend une entrée 10E et une sortie 10S. Il est souhaité que le dispositif de modulation 10 présente une valeur absolue du chirp introduit par le dispositif de modulation 10 pour un signal optique incident minimale. Ce chirp est quantifié par un paramètre de chirp noté a. Ainsi qu'expliqué précédemment, une définition mathématique possible du paramètre de chirp a est la suivante : (let) t a = 21(t). dl d(t) dt où : - 1(t) est l'intensité instantanée du champ optique mesurée à la sortie 10S du dispositif de modulation 10, et - cP(t) est la phase instantanée du champ optique mesurée à la sortie 10S du dispositif de modulation 10. La mesure du paramètre de chirp a est, par exemple, effectuée selon le protocole détaillé dans l'article de F. Devaux, intitulé "Simple Measurement of Fiber Dispersion and of Chirp Parameter of lntensity Modulated Light Emitter"et qui a été publié dans la revue JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY dans le volume 11, n°12 daté de décembre 1993. Pour obtenir ce résultat, il est proposé un arrangement de deux anneaux en configuration push-pull pour éliminer le chirp. Le chirp est éliminé puisque le signal électrique est complémentaire entre les deux anneaux, donc le chirp qui est introduit au premier anneau est compensé au deuxième anneau. Ce principe est décrit plus précisément dans la description qui va suivre. Le dispositif de modulation 10 comporte un premier modulateur 12A en anneau résonant et un deuxième modulateur 12B en anneau résonant. Les éléments d'un modulateur en anneau résonant sont décrits en détails dans l'annexe décrivant les figures 9 à 13. Seule une partie de ces éléments sont repris ici, les définitions de ces éléments étant supposées connues grâce à l'annexe. Le premier modulateur 12A comporte un premier guide d'ondes 14A, un premier guide d'ondes en anneau 16A, dit premier anneau 16A et un premier dispositif de commande 18A. Le premier guide d'ondes 14A présente une entrée 20A et une sortie 22A. La forme du premier guide d'ondes 14A est quelconque. Dans le cas de la figure 1, à titre d'exemple, l'entrée 20A est le port In et la sortie 22A est le port Through. Le premier anneau 16A est couplé optiquement au premier guide d'ondes 14A. Le premier anneau 16A présente un premier indice effectif Neff1. Le premier dispositif de commande 18A est propre à moduler le premier indice effectif Neff1 du premier anneau 16A selon une première loi de commande L1. De manière similaire, le deuxième modulateur 12B comporte un deuxième guide d'ondes 14B, un deuxième guide d'ondes en anneau 16B, dit deuxième anneau 16B et un deuxième dispositif de commande 18B. Le deuxième guide d'ondes 14B présente des propriétés similaires aux propriétés décrites pour le premier guide d'ondes 14A. Notamment, le deuxième guide d'ondes 14B présente une entrée 20B et une sortie 22B. L'entrée 20B du deuxième guide d'ondes 14B est reliée à la sortie 22A du premier guide d'ondes 14A. Une telle propriété permet que le signal optique en sortie du dispositif de modulation 10 soit influencé à la fois par le premier anneau 16A et le deuxième anneau 16B. Plusieurs configurations sont possibles pour relier l'entrée 20B du deuxième guide d'ondes 14B à la sortie 22A du premier guide d'ondes 14A Dans le cas de la figure 1, à titre d'exemple, l'entrée 20B du deuxième guide d'ondes 14B est le port In du deuxième modulateur 12B et la sortie 22B deuxième guide d'ondes 14B est le port Through du deuxième modulateur 12B. Le dispositif de modulation 10 comprend un guide d'ondes intermédiaire 24. Le guide d'ondes intermédiaire 24 relie le port In 20B du deuxième guide d'ondes 14B au port Through 22A du premier guide d'ondes 14A. Dans cette configuration, l'entrée 10E du dispositif de modulation 10 est le port In 20A du premier modulateur 12A et la sortie 10S du dispositif de modulation 10 est le port Through 22B du deuxième modulateur 12B. Selon une deuxième configuration illustrée par la figure 6, chaque modulateur 12A, 12B comporte deux guides d'ondes couplé chacun optiquement à leur anneau 16A, 16B respectif. Ainsi, le premier modulateur 12A en anneau résonant comporte le premier guide d'ondes 14A qui s'étend entre le port Add 20A et le port Drop 22A et le troisième guide d'ondes 26A qui s'étend entre le port In 28A et le port Through 30A. Similairement, le deuxième modulateur 12B en anneau résonant comporte le deuxième guide d'ondes 14B qui s'étend entre le port In 20B et le port Through 22B et le quatrième guide d'ondes 26B qui s'étend entre le port Drop 28B et le port Add 30B . Le dispositif de modulation 10 comprend, également, un guide d'ondes intermédiaire 24 reliant le port Drop 22A du premier modulateur 12A au port In 20B du deuxième modulateur 14B. Dans cette deuxième configuration, l'entrée 10E du dispositif de modulation 10 est le port In 28A du premier modulateur 12A et la sortie 10S du dispositif de modulation 10 est le port Add 30B du deuxième modulateur 12B. Selon une troisième configuration non représentée, le premier guide d'ondes 14A et le deuxième guide d'ondes 14B sont confondus. Dans cette troisième configuration, l'entrée 10E du dispositif de modulation 10 est à la fois le port In du premier modulateur 12A et le port In du deuxième modulateur 12B tandis que la sortie 10S du dispositif de modulation 10 est à la fois le port Through du premier modulateur 12A et le port Through du deuxième modulateur 12B. Dans ces trois configurations, à chaque fois, l'entrée 20B du deuxième guide d'ondes 14B est reliée à la sortie 22A du premier guide d'ondes 14A. Le deuxième anneau 16B présente des propriétés similaires aux propriétés décrites pour le premier anneau 16A. Notamment, le deuxième anneau 16B présente un deuxième indice effectif Neff2. Le deuxième anneau 16B est indépendant du premier anneau 16A. Par définition, deux anneaux sont indépendants si l'indice effectif d'un des deux anneaux peut être varié indépendamment de l'indice effectif de l'autre anneau. Par exemple, les deux zones extérieures des anneaux sont en contact électrique, ce contact correspondant à la masse électrique alors que les deux zones intérieures des anneaux ne sont pas en contact électrique. La tension appliquée à la zone intérieure du premier anneau est indépendante de la tension appliquée à la zone intérieure du deuxième anneau. Le deuxième dispositif de commande 18B présente des propriétés similaires aux propriétés décrites pour le premier dispositif de commande 18A. Notamment, le deuxième dispositif de commande 18B est propre à moduler le deuxième indice effectif Neff2 du deuxième anneau 16B selon une deuxième loi de commande L2. Le dispositif de modulation 10 présente au moins une caractéristique influençant le chirp introduit par le dispositif de modulation 10 pour un signal optique incident. La ou les caractéristiques du dispositif de modulation 10 sont alors choisies de sorte à minimiser la valeur absolue du chirp introduit par le dispositif de modulation 10 pour un signal optique incident. A titre d'exemple, en référence à l'annexe, la ou les caractéristiques sont choisies parmi l'une des caractéristiques suivantes : - la distance entre le premier anneau 16A et le premier guide d'ondes 14A du premier modulateur 12A, - la distance entre le deuxième anneau 16B et le deuxième guide d'ondes 14B du deuxième modulateur 12B, - le rayon de courbure du premier anneau 16A du premier modulateur 12A, - le rayon de courbure du deuxième anneau 16B du deuxième modulateur 12B, - la longueur d'interaction entre le premier anneau 16A et le premier guide d'ondes 14A du premier modulateur 12A, - la longueur d'interaction entre le deuxième anneau 16B et le deuxième guide d'ondes 14B du deuxième modulateur 12B, - la première loi de commande L1, - la deuxième loi de commande L2, - le paramètre de couplage entre le premier anneau 16A et le premier guide d'ondes 14A du premier modulateur 12A, et - le paramètre de couplage entre le deuxième anneau 16B et le deuxième guide d'ondes 14B du deuxième modulateur 12B. Selon une variante, le premier modulateur 12A en anneau résonant présente une première fonction de transfert T1 définie comme le rapport entre le champ optique (c'est- à-dire le champ électrique associé à une onde lumineuse) en sortie du premier modulateur 12A et le champ optique incident et présente des premiers paramètres influençant la première fonction de transfert T1. Comme expliqué en référence à l'annexe, les premiers paramètres sont, par exemple, la distance entre le premier anneau 16A et le premier guide d'ondes 14A du premier modulateur 12A, le rayon de courbure du premier anneau 16A du premier modulateur 12A, la longueur d'interaction entre le premier anneau 16A et le premier guide d'ondes 14A du premier modulateur 12A et la première loi de commande L1. De manière alternative, les premiers paramètres sont, par exemple, le paramètre de couplage entre le premier anneau 16A et le premier guide d'ondes 14A du premier modulateur 12A, et la première loi de commande L1. Dans cette variante, la ou les caractéristiques influençant le chirp introduit par le dispositif de modulation 10 sont les premiers paramètres. Selon une autre variante, le deuxième modulateur 12B en anneau résonant présente une deuxième fonction de transfert T2 définie comme le rapport entre le champ optique en sortie du deuxième modulateur 12B et le champ optique incident et présente des deuxièmes paramètres influençant la deuxième fonction de transfert T2. Comme expliqué en référence à l'annexe, les deuxièmes paramètres sont, par exemple, la distance entre le deuxième anneau 16B et le deuxième guide d'ondes 14B du deuxième modulateur 12B, le rayon de courbure du deuxième anneau 16B du deuxième modulateur 12B, le rayon de courbure du deuxième anneau 16B du deuxième modulateur 12B, la longueur d'interaction entre le deuxième anneau 16B et le deuxième guide d'ondes 14B du deuxième modulateur 12B et la deuxième loi de commande L2. De manière alternative, les premiers paramètres sont, par exemple, le paramètre de couplage entre le deuxième anneau 16B et le deuxième guide d'ondes 14B du deuxième modulateur 12B et la deuxième loi de commande L2. Dans cette variante, la ou les caractéristiques influençant le chirp introduit par le dispositif de modulation 10 sont les deuxièmes paramètres. Selon encore une autre variante, la ou les caractéristiques influençant le chirp introduit par le dispositif de modulation 10 sont les premiers paramètres et les deuxièmes paramètres ou sont choisies parmi les premiers paramètres et les deuxièmes paramètres De préférence, selon une variante, les deux modulateurs 12A, 12B sont identiques. On entend par modulateur « identique » dans le cadre de cette invention des modulateurs 12A et 12B présentant des paramètres de couplage identiques. De tels modulateurs 12A, 12B sont généralement des modulateurs dont les paramètres géométriques sont identiques. Cela rend la fabrication de ces modulateurs plus aisés puisqu'il est plus facile de réaliser deux modulateurs avec les mêmes dimensions que de réaliser deux anneaux différents dont on veut espacer la longueur de résonance d'une valeur fixe souhaitée. Dans cette variante, la ou les caractéristiques sont le ou les paramètres caractérisant la première loi de commande L1 et la deuxième loi de commande L2. La première loi de commande L1 et la deuxième loi de commande L2 sont telles que lorsque le premier indice effectif Neff1 varie d'une première quantité ANeff1, le deuxième indice effectif Neff2 varie d'une deuxième quantité 3,Neff2 opposée à la première quantité -3,Neff1. Mathématiquement, cela se traduit par l'égalité ANeff2 = -3,Neff1. Il en résulte que la première loi de commande L1 et la deuxième loi de commande L2 sont telles que la somme du premier indice effectif Neff1 et du deuxième indice effectif Neff2 est constante au cours du temps. A titre d'exemple, les lois de commande L1 et L2 sont deux tensions de modulation reproduisant la série de bits à transmettre en opposition de phase. De ce fait, les deux modulateurs 12A et 12B sont dits modulés en push-pull, ce qui signifie modulés par des tensions en opposition de phase. Ainsi, la première loi de commande L1 s'écrit VBIAS V(t) tandis que la deuxième loi de commande L2 s'écrit VDc - V(t) où : - V(t) est la tension de modulation, et - VBIAS est une tension statique (positive ou négative selon la nature du phénomène électro-optique permettant de changer l'indice effectif de l'anneau 16A ou 16B considéré) permettant de polariser continûment le modulateur 12A ou 12B considéré. En mode injection de porteurs, la première loi de commande L1 est une tension variant entre VBIAS et VBIAS A, A étant une valeur positive et VBIAS étant une valeur strictement supérieure à A. La deuxième loi de commande L2 est une tension variant entre VBIAS et VBIAS + [3*A, [3 étant une valeur strictement positive. Dans ce cas, les deux modulateurs 12A et 12B sont polarisés continûment à la tension VBIAS. Plus précisément, quand la tension appliquée par la première loi de commande L1 varie de VBIAS à VBIAS - A pour donner lieu à la variation d'indice de ANeff1, la tension appliquée par la deuxième loi de commande L2 varie de VBIAS à VBIAS P*A pour donner lieu à la variation d'indice ANeff2 = -3.Neff1. Réciproquement, lorsque la tension appliquée par la première loi de commande L1 varie de VBIAS -A à VBIAS pour donner lieu à la variation d'indice de - ANeff1, la tension appliquée par la deuxième loi de commande L2 varie de VBIAS + [3*A à VBIAS pour donner lieu à la variation d'indice - ANeff2. Le tableau ci-dessus donne les correspondances entre les tensions appliquées par les lois de commandes L1 et L2 des modulateurs 12A et 12B selon le bit à transmettre 0 ou 1, pour assurer la génération d'une modulation sans chirp en mode injection de porteurs. Bit 1 0 Tension appliquée sur le VBIAS - A VBIAS premier modulateur 12A Tension appliquée sur le VBIAS + ir A VBIAS deuxième modulateur 12B En mode déplétion de porteurs, la première loi de commande L1 est une tension variant entre -VBIAS et -VBIAS + A, A étant une valeur positive et VBIAS étant une valeur strictement supérieure à A. La deuxième loi de commande L2 est une tension variant entre -VBIAS et -VBIAS- [3*A, [3 étant une valeur strictement positive. Dans ce cas, les deux modulateurs 12A et 12B sont polarisés continûment à la tension -VBIAS. Plus précisément, quand la tension appliquée par la première loi de commande L1 varie de -VBIAS à -VBIAS + A pour donner lieu à la variation d'indice de ANeff1, la tension appliquée par la deuxième loi de commande L2 varie de -VBIAS à -VBIAS - VA pour donner lieu à la variation d'indice ANeff2 = -3.1\leff1. Lorsque la tension appliquée par la première loi de commande L1 varie de -VBIAS + A à -VBIAS pour donner lieu à la variation d'indice de -3.1\leff1, la tension appliquée par la deuxième loi de commande L2 varie de -VBIAS- VA à -VBIAS pour donner lieu à la variation d'indice -3.1\leff2. Le tableau ci-dessus donne les correspondances entre les tensions appliquées par les lois de commandes L1 et L2 des modulateurs 12A et 12B selon le bit à transmettre 0 ou 1, pour assurer la génération d'une modulation sans chirp en mode déplétion de porteurs. Bit 1 0 Tension appliquée sur le -VBIAS + A -VBIAS premier modulateur 12A Tension appliquée sur le -VBIAS -13*A -VBIAS deuxième modulateur 12B Selon le cas particulier illustré par la figure 3, en mode injection de porteurs, la tension de statique VBIAS vaut A, A étant une valeur strictement positive. La première loi de commande L1 est alors une tension binaire variant entre 0 et A, A étant une valeur strictement positive et la deuxième loi de commande L2 est une tension binaire variant entre A et 2A. Plus précisément, sur un bit 0 à transmettre, une tension de modulation d'amplitude V(t) = -A est appliquée aux deux anneaux 16A, 16B tandis que sur un bit 1, une tension d'amplitude V(t) = A est appliquée deux anneaux 16A, 16B. Autrement formulé, la première loi de commande L1 et la deuxième loi de commande L2 sont telles que lorsque la tension appliquée par la première loi de commande L1 est nulle, la tension appliquée par la deuxième loi de commande L2 est égale à 2A et lorsque la tension appliquée par la première loi de commande L1 est une tension valant A, la tension appliquée la deuxième loi de commande L2 est égale à A. Dans le cas d'un mode en déplétion de porteurs, la tension de statique VBIAS vaut alors -A, A étant une valeur strictement positive. La première loi de commande L1 est alors une tension binaire variant entre 0 et -A, A étant une valeur strictement positive et la deuxième loi de commande L2 est une tension binaire variant entre -A et -2A. Plus précisément, sur un bit 0 à transmettre, une tension de modulation d'amplitude V(t) = -A est appliquée aux deux anneaux 16A, 16B tandis que sur un bit 1, une tension d'amplitude V(t) = A est appliquée deux anneaux 16A, 16B. Autrement formulé, la première loi de commande Ll et la deuxième loi de commande L2 sont telles que lorsque la tension appliquée par la première loi de commande Ll est nulle, la tension appliquée par la deuxième loi de commande L2 est égale à -A et lorsque la tension appliquée par la première loi de commande Ll est une tension valant -A, la tension appliquée la deuxième loi de commande L2 est égale à -2A. Pour de telles lois de commande, en fonctionnement, le dispositif de modulation 10 est tel que le paramètre de chirp al introduit par le premier modulateur 12A est opposé au deuxième paramètre de chirp a2. Les performances associées sont illustrées par les figures 4 et 5. Sur les figures 4 et 5, les courbes en traits pointillés sont relatives à un dispositif comportant un seul anneau tandis que les courbes en traits pleins correspondent au dispositif de modulation 10 selon le premier mode de réalisation représenté à la figure 1. Les performances simulées le sont pour un paramètre de rayon de courbure des anneaux R égal à 5 iim, une longueur d'interaction nulle et des paramètres de couplage égaux à 0,0546. Pour la figure 4, le tableau suivant permet d'effectuer une comparaison des performances obtenues : Etat de la technique (dB) Invention (dB) Pertes de transmission - 0,8 - 3,3 sur l'état ON Pertes de transmission - 3,4 - 12,7 sur l'état OFF Taux d'extinction 2,6 9,4 Il est notamment constaté que le taux d'extinction est plus élevé avec le dispositif de modulation 10 selon l'invention, ce qui est avantageux (obtention d'une meilleure modulation). En outre, il apparaît à la figure 5 que le paramètre de chirp a est compris entre -0,3 et 0 pour une variation d'indice effectif compris entre -3x10-4 et O. Il en résulte que le paramètre de chirp a est proche de zéro sur la plage de modulation optimale pour le dispositif de modulation 10 selon le premier mode de réalisation. Des observations similaires sont constatables sur les figures 7 et 8 pour le dispositif de modulation 10 selon le deuxième mode de réalisation dans lequel les paramètres de couplage sont pris égaux à 0,02. Dans les différents modes de réalisation, le dispositif de modulation 10 selon l'invention présente de meilleures performances qu'un dispositif comportant un seul modulateur en anneau résonant. Pour contrôler un modulateur en anneau résonant, une tension variant entre 0 et V est appliquée. En notant C la capacité de l'anneau, la consommation du modulateur est C.V2. Dans le cas du dispositif de modulation 10, sur chaque anneau 16A, 16B, il est appliqué une tension ayant une amplitude de V/2. Plus précisément, la tension appliquée sur l'anneau 16A du premier modulateur 12A varie entre 0 et V/2 et la tension appliquée sur l'anneau 16B du deuxième modulateur 12B varie entre V/2 et V. En notant C la capacité de chacun des anneaux 16A, 16B la consommation du dispositif 10 est donnée par : 2 C.(V/2)2 = C.V2/2 Ainsi, le dispositif de modulation 10 de l'invention consomme deux fois moins d'énergie électrique qu'un dispositif de modulation comprenant un seul modulateur en anneau résonant pour générer une modulation en intensité d'un signal optique. En outre, à la longueur d'onde de fonctionnement du dispositif de modulation 10, le taux d'extinction est plus grand pour le dispositif de modulation 10 selon l'invention que pour un dispositif de modulation comprenant un seul modulateur en anneau résonant.. La modulation du signal optique est donc de meilleure qualité lorsque le dispositif de modulation 10 selon l'invention est utilisé. De plus, l'excursion de la phase du champ optique en sortie du dispositif de modulation 10 selon l'invention est également réduite par rapport à l'excursion en sortie d'un dispositif de modulation avec un seul modulateur en anneau résonant. A l'observation des figures 5 et 8, il apparaît bien que la phase présente une excursion bien plus faible que l'excursion de la phase observée pour un dispositif comprenant un seul modulateur en anneau. Les valeurs des caractéristiques influençant le chirp pour le dispositif de modulation 10 sont, par exemple, obtenues par un procédé d'annulation. Ce procédé d'annulation est décrit en référence à l'ordinogramme de la figure 2. Le procédé comporte une étape 100 de choix de caractéristiques de départ pour le dispositif de modulation 10. Le procédé comporte alors une étape 102 de modification d'au moins une des caractéristiques de départ du dispositif 10 de génération d'une modulation de sorte à minimiser la valeur absolue du chirp introduit par le dispositif 10 de génération d'une modulation pour un signal optique incident. A titre d'illustration, cette modification est effectuée par une série d'itérations dans un programme d'optimisation. Le but de ce programme d'optimisation, en partant de caractéristiques initiales, est d'obtenir les caractéristiques du dispositif de modulation 10 conférant au dispositif de modulation 10 un paramètre de chirp a s'approchant autant que possible de la valeur nulle. Pour cela, une fonction de coût C, représentative des écarts pour le paramètre de chirp a entre le dispositif de modulation 10 commandé par les lois de commande en tension à optimiser et 0, est définie comme suit. La fonction de coût C écrite sous la forme suivante est considérée : C at2 Où : - a, est la valeur du paramètre de chirp a introduit par le dispositif de modulation 10 sur lequel sont appliquées les lois de commande en tension à optimiser à la i-ème itération. La valeur a, est calculée à l'aide d'une simulation numérique. La fonction de coût C ainsi définie est une fonction positive qu'il convient de minimiser au cours l'étape 102 de modification des lois de commandes. Pour procéder à cette minimisation, il suffit de partir des caractéristiques choisies initialement à l'étape 100 de choix des caractéristiques et d'utiliser une méthode de calcul permettant de faire diminuer par itérations la valeur de la fonction de coût C. A titre d'exemple, la méthode de calcul utilisée est une méthode des moindres carrés amortis (souvent appelée sous l'acronyme anglais DLS pour « damped least-squares »). Des caractéristiques à appliquer au dispositif de modulation 10 sont ainsi obtenues pour le dispositif de modulation 10, après itérations du programme d'optimisation. Le procédé proposé présente l'avantage d'être de mise en oeuvre aisé. Dans une variante préférée, l'annulation du paramètre de chirp a est obtenue sans itérations, un calcul permettant d'obtenir les caractéristiques conduisant à une telle annulation. Selon des modes de réalisation préférées, à l'étape de choix, les caractéristiques de départ pour le dispositif 10 de génération d'une modulation sont telles que les deux modulateurs 12A, 12B en anneau résonant sont identiques. Cela permet de simplifier encore plus la mise en oeuvre du procédé d'annulation. Pour augmenter encore cet effet, à l'étape de modification, seules les caractéristiques relatives à la première loi de commande L1 et les caractéristiques relatives à la deuxième loi de commande L2 sont modifiées. Dans une telle situation, le calcul peut être effectuée sans utiliser d'itérations. Par exemple, à l'étape de modification, la première de commande L1 et la deuxième loi de commande L2 sont modifiées de sorte que lorsque le premier indice effectif Neff1 varie d'une première quantité, le deuxième indice effectif Neff2 varie d'une deuxième quantité opposée à la première quantité. Cela permet d'obtenir, à titre d'illustration, les lois de commandes L1 et L2 obtenues en référence à la figure 3. ANNEXE : Généralités sur les modulateurs en anneau Dans les transmissions optiques, des dispositifs de modulation d'intensité optique sont généralement utilisés. Il en existe de deux types. Certains dispositifs de modulation ont la capacité de moduler directement l'intensité optique de l'onde lumineuse incidente lorsqu'une commande électrique modulée est appliquée au dispositif. Le modulateur à électro-absorption, souvent désigné par l'acronyme EAM qui renvoie à la terminologie anglaise « electro-absorption modulator », est un exemple de tels dispositifs D'autres modulateurs module la phase du champ optique de l'onde lumineuse incidente. En agençant un modulateur de phase dans un interféromètre, il est alors possible d'obtenir un dispositif de modulation propre à moduler l'intensité optique de l'onde lumineuse incidente. Le modulateur Mach-Zehnder et le modulateur en anneau résonant font partie de ce type de modulateur. Le modulateur en anneau résonant est souvent désigné par son acronyme anglais RRM pour « Ring Resonator Modulator ». Ce dispositif est plus particulièrement bien connu dans la technologie « photonique silicium » ou « photonique CMOS », dans laquelle le modulateur est implémenté sur un substrat silicium comprenant un empilement « silicium sur isolant ». Le modulateur en anneau résonant, tel que réalisé dans la technologie « photonique silicium » est décrit par exemple dans les articles de Sasikanth Manipatruni, intitulé "Ultra-low voltage, ultra-small mode volume silicon microring modulatof, paru dans la revue OPTICS EXPRESS, volume 18, numéro 17 datée du 16 août 2010 et de Lin Zhang, intitulé « Silicon-Based Microring Resonator Modulators for Intensity Modulation » paru dans la revue IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, volume 16, numéro 1, datée de janvier/février 2010. Un tel modulateur 12 en anneau résonant est, par exemple, illustré par la figure 9. Le modulateur 12 comporte un guide d'ondes 14 possédant une entrée et une sortie et un guide d'onde en anneau 16. Le guide d'onde en anneau est noté simplement anneau 16 dans la suite de l'annexe. L'entrée 20 du premier guide d'ondes 14 est un premier port d'injection de lumière 20 pour le modulateur 12 noté sous la terminologie anglaise « port In ». La sortie 22 du premier guide d'ondes 14 est un premier port de sortie de lumière 22 pour le modulateur 12 noté sous la terminologie anglaise « port Through ». Les terminologies anglaises précédentes étant généralement utilisées par l'homme du métier du domaine seront utilisées dans la suite de l'annexe. Ainsi l'entrée 20 du premier guide d'ondes 14 sera appelée port In et la sortie 22 du guide d'ondes 14 sera appelée port Through. Un guide d'ondes en anneau 16 est un guide d'ondes ayant la forme d'une boucle fermée. L'anneau 16 présente, selon l'exemple de la figure 1, une forme sensiblement oblongue. Un tel anneau 16 est souvent désigné sous l'appellation anglaise de « racetrack » du fait de sa similitude avec une piste de course automobile. En variante, l'anneau 16 a une forme circulaire. L'anneau 16 est couplé optiquement au guide d'ondes 14. Cela signifie que l'agencement de l'anneau 16 et du guide d'ondes 14 est tel qu'une partie de la lumière guidée dans le guide d'ondes 14 est propre à se coupler puis à être guidée dans l'anneau 16. Un tel couplage est usuellement caractérisé par un paramètre de couplage noté K. Par définition, le paramètre de couplage K en amplitude est le ratio de l'amplitude du champ optique qui est couplé depuis le guide d'ondes vers l'anneau par rapport à l'amplitude du champ optique incident dans le guide d'onde . Le mode se propageant dans l'anneau 16 est caractérisé par un indice effectif Neff. Il est entendu par l'expression « indice effectif » l'indice du mode guidé dans l'anneau 16. Le modulateur 12 comporte également un dispositif de commande 18 propre à moduler l'indice effectif Neff de l'anneau 16 selon une loi de commande. A titre d'exemple, le dispositif de commande 18 est propre à appliquer une tension de modulation entre les zones extérieures dopées N (ou P) et la zone intérieure dopée P (respectivement N) de l'anneau 16 de sorte que l'indice effectif Neff de l'anneau 16 varie. Ainsi, le dispositif de commande 18 module l'indice effectif Neff de l'anneau 16 entre une valeur NO (correspondant à une tension VO) à Nmax (correspondant à une tension Vmax). Par définition, lorsque l'indice effectif de l'anneau 16 est égal à la valeur NO, le modulateur 12 est dans l'état ON. L'intensité optique mesurée en sortie du modulateur 12 dans cet état ON est appelée ION. Similairement, lorsque l'indice effectif de l'anneau 16 est égal à la valeur Nmax, le modulateur 12 est dans l'état OFF. L'intensité optique mesurée en sortie du modulateur 12 dans cet état OFF est appelée 'OFF- Un des moyens de caractériser les performances du modulateur 12 est de donner sont taux d'extinction ER qui est défini par ER 10.1og ION 'OFF En fonctionnement, lorsque de la lumière issue par exemple d'une diode laser est 35 injectée au niveau du port in du modulateur 12, la lumière est guidée dans le guide d'ondes 14. Une partie de cette lumière est couplée dans l'anneau 16. Après s'être propagée un certain nombre de fois dans l'anneau 16, la lumière est redécouplée dans le guide d'ondes 14. Lorsque le chemin optique parcouru dans l'anneau 16 correspond à un nombre entier de fois la longueur d'onde de la lumière, une résonance se crée dans l'anneau 16, se traduisant par un minimum de transmission, à cette longueur d'onde, dite de résonance, au port Through du guide d'ondes 14. Cette longueur d'onde de résonance se décale lorsque l'indice effectif de propagation du mode dans l'anneau 16 varie, sous l'action d'un dispositif de commande 18. A une longueur d'onde donnée, une variation de la transmission optique apparaît alors en fonction de la loi de commande. Dans certains cas comme illustré pour l'exemple de la figure 9, le modulateur 12 comprend également un deuxième guide d'ondes 26 possédant une entrée 30 et une sortie 18. Le guide d'ondes 14 est alors désigné sous l'expression « premier guide d'ondes ». L'entrée 30 du deuxième guide d'ondes 26 est un deuxième port d'injection de lumière 30 pour le modulateur 12 noté sous la terminologie anglaise « port Add ». La sortie 18 du deuxième guide d'ondes 26 est un deuxième port de sortie de lumière 18 pour le modulateur 12 noté sous la terminologie anglaise « port Drop ». Les terminologies anglaises précédentes étant généralement utilisées par l'homme du métier du domaine seront utilisées dans la suite de l'annexe. Ainsi l'entrée 30 du deuxième guide d'ondes 26 sera appelée port Add et la sortie 18 du deuxième guide d'ondes 26 sera appelée port Drop. L'anneau 16 est également couplé optiquement au deuxième guide d'ondes 26. En fonctionnement, lorsque de la lumière issue par exemple d'une diode laser est injectée au niveau du port in du modulateur 12, la lumière est guidée dans le premier guide d'ondes 14. Une partie de cette lumière est couplée dans l'anneau 16. Après s'être propagée un certain nombre de fois dans l'anneau 16, la lumière est redécouplée dans le deuxième guide d'ondes 26. Lorsque le chemin optique parcouru dans l'anneau 16 correspond à la somme d'un nombre entier de fois la longueur d'onde de la lumière avec la moitié de la longueur d'onde de la lumière, une résonance se crée dans l'anneau 16, se traduisant par un maximum de transmission, à cette longueur d'onde, dite de résonance, au port drop du deuxième guide d'ondes 26. Cette longueur d'onde de résonance se décale lorsque l'indice effectif de propagation du mode dans l'anneau 16 varie, sous l'action d'un dispositif de commande 18. A une longueur d'onde donnée, une variation de la transmission optique apparaît alors en fonction de la loi de commande. Dans la configuration illustrée par la figure 9, deux modes de fonctionnement ont donc été décrits, l'un correspondant à une première fonction de transfert appelée « fonction Through » dans la suite en référence au fait que la sortie du modulateur 12 utilisée dans cette configuration est le port Through et une deuxième fonction de transfert appelée « fonction Drop » dans la suite en en référence au fait que la sortie du modulateur 12 utilisée dans cette configuration est le port Drop. Les fonctions Through et Drop sont les mêmes que le modulateur 12 soit utilisé en mode injection de porteurs ou en mode déplétion de porteurs. Pour exprimer mathématiquement ces différentes fonctions, il convient, dans un premier temps, de définir des paramètres caractérisant le modulateur 12. Dans un souci de clarté, nous allons définir ces paramètres pour la géométrie spécifique du modulateur 12 de la figure 9, étant entendu que l'homme du métier saura définir ces paramètres pour une géométrie quelconque. Dans le cas de la figure 9, l'anneau 16 comporte quatre tronçons : deux tronçons intermédiaires 31 et 32 reliés à deux tronçons d'extrémités 33 et 34. Chaque tronçon 31, 32, 33, 34 est délimité par des traits pointillés 36. Chaque tronçon intermédiaire 31, 32 de l'anneau 16 est un tronçon rectiligne s'étendant le long d'un axe X. Le premier tronçon intermédiaire 31 est le tronçon qui est le plus proche du premier guide d'ondes 14. La distance dl entre le premier tronçon intermédiaire 31 et le premier guide d'ondes 14 est appelée, dans la suite, la distance entre le premier guide d'ondes 14 et l'anneau 16. Le premier tronçon intermédiaire 31 s'étend entre une première extrémité 38 et une deuxième extrémité 40. La distance entre les deux extrémités 38 et 40 du premier tronçon intermédiaire 31 définit la longueur Ll du premier tronçon intermédiaire 31. Cette longueur Ll correspond à la longueur d'interaction entre l'anneau 16 et le premier guide d'ondes 14. Selon la variante dans laquelle l'anneau 16 est circulaire, la longueur Ll est nulle. Le deuxième tronçon intermédiaire 32 est le tronçon qui est le plus proche du deuxième guide d'ondes 26. La distance d2 entre le deuxième tronçon intermédiaire 32 et le deuxième guide d'ondes 26 est appelée, dans la suite, la distance entre le deuxième guide d'ondes 26 et l'anneau 16. Le deuxième tronçon intermédiaire 32 s'étend entre deux extrémités 42 et 44. La distance entre les deux extrémités 42 et 44 du deuxième tronçon intermédiaire 32 définit la longueur L2 du deuxième tronçon intermédiaire 32. Cette longueur L2 correspond à la longueur d'interaction entre l'anneau 16 et le deuxième guide d'ondes 26. Selon la variante dans laquelle l'anneau 26 est circulaire, la longueur L2 est nulle. Selon l'exemple particulier de la figure 9, les deux longueurs d'interaction L1, L2 sont égales, ce qui s'écrit mathématiquement par la relation Ll = L2 = L. Les deux tronçons d'extrémité 33, 34 sont des guides d'ondes en forme de demi-cercles de même rayon de courbure R. Par abus de langage, le rayon de courbure R des tronçons d'extrémités 33, 34 est considéré comme le rayon de courbure de l'anneau 16. Selon une variante, les deux rayons de courbures des deux tronçons d'extrémité 33, 34 sont différents. Dans ce cas, le rayon de courbure de l'anneau 26 est une moyenne des deux rayons de courbure des deux tronçons d'extrémité 33, 34. Ainsi, en toute généralité, l'anneau 16 est caractérisé par cinq distances qui sont : - la distance dl entre l'anneau 16 et le premier guide d'ondes 14 du modulateur 12, - la distance d2 entre l'anneau 16 et le deuxième guide d'ondes 26 du modulateur 12, - le rayon de courbure R de l'anneau 16 du modulateur 12, - la longueur d'interaction Ll entre l'anneau 16 et le premier guide d'ondes 14 du modulateur 12, - la longueur d'interaction L2 entre l'anneau 16 et le deuxième guide d'ondes 26 du modulateur 12, Le modulateur 12 n'est pas seulement caractérisé par des paramètres géométriques tels que précédemment présentés. Le modulateur 12 est également caractérisable par d'autres paramètres qui sont : - la loi de commande en tension appliquée à l'anneau 16 du modulateur 12, - le paramètre de couplage kl entre l'anneau 16 et le premier guide d'ondes 14 du modulateur 12, - le paramètre de couplage k2 entre l'anneau 16 et le deuxième guide d'ondes 26 du modulateur 12. Il est à noter que les paramètres de couplages kl et k2 incluent les paramètres de type géométrique puisque ces paramètres dépendent de la longueur d'interaction Ll et L2 ainsi que des distances dl et d2 entre le guide d'ondes considéré et l'anneau 16. En outre, toute combinaison linéaire ou grandeur issues des paramètres précédents par une fonction mathématique est susceptible d'être utilisée pour caractériser le modulateur 12. Ainsi que montré dans la suite de la description, ces paramètres permettent d'exprimer des fonctions de transfert pour le modulateur 12. Pour cela, il est courant de définir une matrice de transfert de l'anneau 16. Cette matrice de transfert M est définie par la relation suivante : E add Edrop (t =M Ein(t) Où: EThrough (t) - Eadd est le champ optique au port Add de l'anneau 16 -dd - Edrop (t) est le champ optique au port Drop de l'anneau 16 - E,n (t) est le champ optique au port In de l'anneau 16, et - -through (t) est le champ optique au port Through de l'anneau 16. La matrice de transfert M s'écrit : M = H2.G.Hi Où: - 1 - ki2 e H2 = -G= ik12 1 - k; - eie a.eifiR - ,N11-k; ik; 0 1 e-OR a. - a = a2 est l'atténuation de l'intensité optique après un tour d'anneau 16, - Àopi- est la longueur d'onde de la lumière en entrée du modulateur 12, et fi 27/Neff 2OPT Pour un champ optique E,n en entrée du modulateur, dont la puissance optique Pin vaut 1 et la phase (1),n est nulle (une simple normalisation permet de se ramener à ce cas), cette relation matricielle permet de déduire les fonctions de transfert dites « fonction Drop » et « fonction Through » définies précédemment. La figure 10 est un graphe illustrant l'évolution du module de la fonction de transfert dite fonction Drop, c'est-à-dire la variation de l'intensité transmise au port Drop, en fonction de la longueur d'onde de la lumière en entrée de l'anneau 16. La courbe en pointillés illustre l'évolution du module fonction de transfert sans variation de l'indice effectif de l'anneau 16 alors que la courbe en traits pleins montre l'évolution du module fonction de transfert en présence d'une variation de l'indice effectif de l'anneau 16 de 2.104. Dans le cadre de cette simulation, les valeurs caractéristiques prises pour l'anneau 16 sont R = 5pm, L = 0, P = 2dB/cm et k = 0,2. Il est observé un décalage du maximum de la fonction de transfert. Dans les mêmes conditions de simulations, la figure 11 est un graphe montrant l'évolution du module de la fonction de transfert dite fonction Drop ainsi que de la phase de la fonction de transfert dite fonction Drop à la longueur d'onde de résonance en fonction de l'indice effectif Neff de l'anneau 16. Il apparaît qu'il est possible de faire varier l'intensité du champ optique transmise sur le port Drop. Dans l'exemple considéré, le taux d'extinction du modulateur est de 6,8 dB pour une variation d'indice effectif de 2.104. En outre, il est à noter que le paramètre de chirp a calculé est égal à 2,4. La figure 12 est un graphe illustrant l'évolution du module de la fonction de transfert dite fonction Drop, c'est-à-dire la variation de l'intensité transmise au port Through, en fonction de la longueur d'onde de la lumière en entrée de l'anneau 16. La courbe en pointillés illustre l'évolution du module fonction de transfert sans variation de l'indice effectif de l'anneau 16 alors que la courbe en traits pleins montre l'évolution du module fonction de transfert en présence d'une variation de l'indice effectif de l'anneau 16 de 2.104. Dans le cadre de cette simulation, les valeurs caractéristiques prises pour l'anneau 16 sont R = 5 pm, L = 0, P = 2dB/cm, k1 = 0,2 et k2 = 0. Il est observé un décalage du minimum de la fonction de transfert. Dans les mêmes conditions de simulations, la figure 13 est un graphe montrant l'évolution du module de la fonction de transfert dite fonction Through ainsi que de la phase de la fonction de transfert dite fonction Through à la longueur d'onde de résonance en fonction de l'indice effectif Neff de l'anneau 16. Il apparaît qu'il est possible de faire varier l'intensité du champ optique transmise sur le port Through. Dans l'exemple considéré, le taux d'extinction du modulateur est de 25 dB pour une variation d'indice effectif de 2.104. En outre, il est à noter que le paramètre de chirp a est très grand et variable dans le temps. Du point de vue technologie de fabrication, de manière générale, le modulateur en anneau 12 est réalisable dans toute technologie montrant un effet électro-optique, c'est-à- dire un changement de l'indice effectif du guide d'onde en anneau sous l'effet d'une tension (ou d'un courant). Le phosphure d'indium (souvent désigné sous sa formule chimique InP) ou le niobate de lithium (souvent désigné sous sa formule chimique LiNbO3) sont des exemples de technologie montrant un effet électro-optique. La technologie photonique Silicium offre également de telles propriétés électro-optiques : ainsi, il est possible de moduler l'indice effectif d'un guide d'onde en silicium sur lequel est formée une ou plusieurs jonctions PN ou PIN, en appliquant une tension modulée aux bornes de cette (ou ces jonctions) PN ou PIN. Lorsque le modulateur résonant en anneau est réalisé en technologie « photonique silicium », une jonction PN ou PIN est ainsi formée sur le guide d'onde en anneau (le long du guide d'onde ou transversalement au guide d'onde). Dans le cas d'une jonction formée le long du guide d'onde, La zone intérieure est par exemple en silicium dopé P (ou dopé N), et la zone extérieure de l'anneau en silicium dopé N (respectivement P).15 REVENDICATIONS1.- Dispositif (10) de génération d'une modulation d'un signal optique caractérisé en ce que le dispositif (10) comprend : - un premier modulateur (12A) en anneau résonant comportant : - un premier guide d'ondes (14A) présentant une entrée (20A) et une sortie (22A), - un premier guide d'ondes en anneau (16A), dit premier anneau (16A), le premier anneau (16A) étant couplé optiquement au premier guide d'ondes (14A) et présentant un premier indice effectif (Neff1), et - un premier dispositif de commande (18A) propre à moduler le premier indice effectif (Neff1) du premier anneau (16A) selon une première loi de commande (L1), et - un deuxième modulateur (12B) en anneau résonant comportant : - un deuxième guide d'ondes (14B) présentant une entrée (20B) et une sortie (20B), l'entrée (20B) du deuxième guide d'ondes (14B) étant reliée à la sortie (22A) du premier guide d'ondes (14A), - un deuxième guide d'ondes en anneau (16B), dit deuxième anneau (16B), le deuxième anneau (16B) étant couplé optiquement au deuxième guide d'ondes (14B), présentant un deuxième indice effectif (Neff2), et étant indépendant du premier anneau (16A), et - un deuxième dispositif de commande (18B) propre à moduler le deuxième indice effectif (Neff2) du deuxième anneau (16B) selon une deuxième loi de commande (L2), le dispositif (10) présentant au moins une caractéristique influençant le chirp introduit par le dispositif (10), les caractéristiques du dispositif (10) étant choisies de sorte à minimiser la valeur absolue du chirp introduit par le dispositif (10). 2.- Dispositif selon la revendication 1, dans lequel : - le premier modulateur (12A) en anneau résonant présente une première fonction de transfert (T1) définie comme le rapport entre le champ optique en sortie du premier modulateur (12A) et le champ optique incident et présente des premiers paramètres influençant la première fonction de transfert (T1), - le deuxième modulateur (12B) en anneau résonant présente une deuxième fonction de transfert (T2) définie comme le rapport entre le champ optique en sortie dudeuxième modulateur (12B) et le champ optique incident et présente des deuxièmes paramètres influençant la deuxième fonction de transfert (T2), les caractéristiques influençant le chirp introduit par le dispositif (10) étant les premiers paramètres et les deuxièmes paramètres. 3.- Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les deux modulateurs (12A, 12B) en anneau résonant sont identiques. 4.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la première loi de commande (L1) et la deuxième loi de commande (L2) sont telles que lorsque le premier indice effectif (Neff1) varie d'une première quantité, le deuxième indice effectif (Neff2) varie d'une deuxième quantité opposée à la première quantité. 5.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les première et deuxième lois de commandes (L1, L2) commandent respectivement les premier et deuxième modulateurs en anneau (12A, 12B) par injection de porteurs, dans lequel la première loi de commande (L1) est une tension variant entre VBIAS et VBIAS A, A étant une valeur positive et VgiAS étant une valeur strictement supérieure à A et la deuxième loi de commande (L2) est une tension variant entre VBIAS et VBIAS +VA, [3 étant une valeur strictement positive. 6.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel les première et deuxième lois de commandes (L1, L2) commandent respectivement les premier et deuxième modulateurs en anneau (12A, 12B) par déplétion de porteurs, dans lequel la première loi de commande (L1) est une tension variant entre - VBIAS et - VBIAS +A, A étant une valeur positive et VBIAS étant une valeur strictement supérieure à A et la deuxième loi de commande (L2) est une tension variant entre -Vbias et - VBIAS [3 étant une valeur strictement positive. 7.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 comprenant une entrée (10E), une sortie (10S) et un guide d'ondes intermédiaire (24), dans lequel le guide d'ondes intermédiaire (24) relie l'entrée (20B) du deuxième guide d'ondes (14B) à la sortie (22A) du premier guide d'ondes (14A). 8.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 comprenant une entrée (10E), une sortie (10S), dans lequel- le premier modulateur (12A) en anneau résonant comporte un troisième guide d'ondes (26A) présentant une entrée (28A) et une sortie (30A), le troisième guide d'ondes (26A) étant couplé optiquement au premier anneau (16A), l'entrée (10E) du dispositif (10) étant l'entrée (28A) du troisième guide d'ondes (26A). 9.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le premier guide d'ondes (14A) et le deuxième guide d'ondes (14B) sont confondus. 10.- Procédé d'annulation du chirp introduit par un dispositif (10) de génération d'une modulation d'un signal optique pour un signal optique incident, le dispositif (10) de génération d'une modulation comprenant : un premier modulateur (12A) en anneau résonant comportant : - un premier guide d'ondes (14A) présentant une entrée (20A) et une sortie (22A), - un premier guide d'ondes en anneau (16A), dit premier anneau (16A), le premier anneau (16A) étant couplé optiquement au premier guide d'ondes (14A) et présentant un premier indice effectif (Neff1), et - un premier dispositif de commande (18A) propre à moduler le premier indice effectif (Neff1) du premier anneau (16A) selon une première loi de commande (L1), et un deuxième modulateur (12B) en anneau résonant comportant : - un deuxième guide d'ondes (14B) présentant une entrée (20B) et une sortie (20B), l'entrée (20B) du deuxième guide d'ondes (14B) étant reliée à la sortie (22A) du premier guide d'ondes (14A), - un deuxième guide d'ondes en anneau (16B), dit deuxième anneau (16B), le deuxième anneau (16B) étant couplé optiquement au deuxième guide d'ondes (14B), présentant un deuxième indice effectif (Neff2), et étant indépendant du premier anneau (16A), et - un deuxième dispositif de commande (18B) propre à moduler le deuxième indice effectif (Neff2) du deuxième anneau (16B) selon une deuxième loi de commande (L2), le procédé comprenant les étapes de: - choix de caractéristiques de départ pour le dispositif (10), et - modification d'au moins une des caractéristiques de départ du dispositif (10) de sorte à minimiser la valeur absolue du chirp introduit par le dispositif (10). 11.- Procédé d'annulation selon la revendication 10, dans lequel : - le premier modulateur (12A) en anneau résonant présente une première fonction de transfert (T1) définie comme le rapport entre la puissance optique en sortie du premier modulateur (12A) et la puissance optique incidente et présente des premiers paramètres influençant la première fonction de transfert (T1), - le deuxième modulateur (12B) en anneau résonant présente une deuxième fonction de transfert (T2) définie comme le rapport entre la puissance optique en sortie du deuxième modulateur (12B) et la puissance optique incidente et présente des deuxièmes paramètres influençant la deuxième fonction de transfert (T2), les caractéristiques modifiées à l'étape de modification étant choisies parmi les premiers paramètres et les deuxièmes paramètres. 12.- Procédé d'annulation selon la revendication 10 ou 11, dans lequel à l'étape de choix, les caractéristiques de départ pour le dispositif (10) de génération d'une modulation sont telles que les deux modulateurs (12A, 12B) en anneau résonant sont identiques. 13.- Procédé d'annulation selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel à l'étape de modification, seules les caractéristiques relatives à la première loi de commande (L1) et les caractéristiques relatives à la deuxième loi de commande (L2) sont modifiées. 14.- Procédé d'annulation selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel, à l'étape de modification, la première loi de commande (L1) et la deuxième loi de commande (L2) sont modifiées de sorte que lorsque le premier indice effectif (Neff1) varie d'une première quantité, le deuxième indice effectif (Neff2) varie d'une deuxième quantité opposée à la première quantité.