FR 3009430 A1 20150206 FR 1357766 A 20130805 Procédé de réalisation d'un motif dans un circuit intégré et circuit intégré correspondant L'invention concerne les circuits intégrés, notamment l'auto- alignement entre elles de parties de circuits intégrés et plus particulièrement la formation de motifs dans et/ou sur un circuit intégré. L'auto-alignement de parties de circuit intégré, par exemple une tranchée auto-alignée avec une ligne de polysilicium, est parfois complexe à obtenir. Par ailleurs, la réalisation de motifs est généralement utilisée dans les techniques dites de « double modelage de contours » (« double patterning » en langue anglaise). Cette technique de « double patterning » est utilisée lorsque l'on veut créer des motifs ayant des dimensions plus faibles que la finesse de gravure autorisée par la photolithographie. Dans ce cas, une solution classique consiste à utiliser deux étapes de photolithographie combinées avec des dépôts de couches de matériaux sacrificiels de façon à réduire in fine notamment les espaces entre les motifs créés. Cependant, une telle technique présente l'inconvénient d'utiliser deux masques de photolithographie avec des risques de décalage spatiaux (« overlay » en langue anglaise) entre les masques et in fine entre les différents éléments des motifs réalisés. Une autre solution pour transférer des motifs dans un circuit intégré consiste à utiliser une technique connue par l'homme du métier sous la dénomination anglo-saxonne de SIT : « Sidewall Image Transfer ». Là encore, une telle technique est utilisée lorsque les outils de lithographie atteignent leur limite de résolution. Cette technique dite SIT permet d'obtenir des espacements entre des tranchées bien inférieurs à ceux que l'on aurait obtenus avec un seul masque de photolithographie. Cette technique comprend ainsi la formation d'espaceurs sur les flancs d'éléments intermédiaires définis par masquage, puis un retrait de ces éléments intermédiaires et un transfert dans le substrat sous-jacent par une gravure utilisant les espaceurs comme masque de gravure. Une telle technique n'utilise certes qu'un seul masque de photolithographie mais comporte de nombreuses étapes. Selon un mode de mise en oeuvre il est proposé un procédé permettant d'obtenir de façon simple un auto-alignement de parties de circuit intégré. Selon un mode de mise en oeuvre, il est proposé de réaliser un motif dans un élément d'un circuit intégré nécessitant un nombre réduit de masques et d'étapes et permettant également, à l'aide de ce motif, de réaliser en particulier des tranchées auto-alignées avec d'autres parties du circuit intégré comme par exemple des régions de grille de transistors. Selon un aspect, il est proposé un procédé comprenant : a) une formation dans au moins un élément d'un circuit intégré d'au moins un bloc en saillie, cet élément pouvant être de nature quelconque, par exemple en silicium, polysilicium, métal, tel que de l'aluminium ou du nickel sans que cette liste soit exhaustive. b) un recouvrement dudit bloc en saillie par une première couche de recouvrement, par exemple une couche d'oxyde telle que du dioxyde de silicium, de façon à former au dessus du bloc en saillie un monticule concave auto-aligné avec ledit bloc en saillie et tournant sa concavité vers le bloc en saillie, et c) une formation dans le monticule d'une première tranchée, auto-alignée avec le monticule et le bloc en saillie, jusqu'à atteindre le bloc en saillie. La formation d'un monticule concave auto-aligné avec le bloc en saillie permet de réaliser très simplement une tranchée auto-alignée avec ce monticule et le bloc en saillie. La notion d'auto-alignement de deux parties d'un circuit intégré est une notion bien connue de l'homme du métier. Ainsi, selon une définition possible, une première partie d'un circuit intégré, par exemple un monticule ou une tranchée, est dite auto-alignée avec une deuxième partie du circuit intégré, par exemple un bloc en saillie ou une tranchée, lorsque le positionnement relatif de ces deux parties est obtenu sans utilisation de masque, et que ce positionnement reste identique quelles que soient les variations éventuelles des paramètres physiques et/ou chimiques du procédé permettant la formation de ces deux parties. Lorsque les deux parties auto-alignées présentent chacune au moins un plan de symétrie, le nombre de plan(s) de symétrie de la première partie peut être égal ou non au nombre de plan(s) de symétrie de la deuxième partie. Par ailleurs au moins un plan de symétrie de l'une des parties auto-alignée avec l'autre partie peut être sensiblement confondu ou non avec au moins un plan de symétrie de l'autre partie. Dans le cas où les deux plans de symétrie ne sont pas confondus, ils restent néanmoins à égale distance l'un de l'autre quelles que soient les variations éventuelles des paramètres physiques et/ou chimiques du procédé permettant la formation de ces deux parties. Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé comprend en outre : d) une gravure du bloc en saillie utilisant le monticule et sa première tranchée comme masque de gravure, de façon à former une deuxième tranchée dans ledit bloc en saillie, auto-alignée avec la première tranchée, et e) un retrait du reliquat de première couche de recouvrement, de façon à réaliser au moins un motif comportant ladite deuxième tranchée ainsi que les parties non gravées du bloc en saillie délimitant cette deuxième tranchée. La formation du monticule concave auto-aligné avec le bloc en saillie va permettre de réaliser tout d'abord une tranchée auto-alignée avec ce monticule et le bloc en saillie puis ultérieurement, la deuxième tranchée qui elle-même sera auto-alignée avec la première tranchée. On obtient donc de façon très simple, et avec essentiellement un seul masque (pour la réalisation du bloc en saillie) et deux étapes, un motif qui va permettre éventuellement ultérieurement de réaliser un auto- alignement entre ce motif et une troisième tranchée réalisée dans un substrat sous-jacent par exemple. Selon un mode de mise en oeuvre, le monticule contient un premier matériau, par exemple un oxyde, et l'étape c) comprend une formation de part et d'autre du monticule d'une région latérale contenant un deuxième matériau différent du premier, par exemple un matériau planarisant utilisé dans les couches antireflets dites BARC (Bottom Anti Reflective Coating). Cette région latérale est disposée au-dessus de ladite première couche de recouvrement de part et d'autre du monticule en laissant découverte une partie supérieure du monticule. Le procédé selon cette mise en oeuvre comprend également une gravure anisotrope du monticule à partir de ladite partie supérieure découverte, ladite gravure anisotrope étant sélective par rapport au deuxième matériau. Plusieurs variantes sont possibles pour obtenir cette partie supérieure découverte du monticule. Selon une première variante, la formation de la région latérale comprend une formation d'une deuxième couche de recouvrement plane, formée dudit deuxième matériau, recouvrant la première couche de recouvrement et ledit monticule, et une gravure non sélective de la deuxième couche de recouvrement et de l'extrémité supérieure du monticule de façon à découvrir une surface plane du monticule formant ladite partie supérieure découverte du monticule. Selon une autre variante, la formation de la région latérale comprend une formation d'une deuxième couche de recouvrement plane formée dudit deuxième matériau, recouvrant la première couche de recouvrement et ledit monticule, et une gravure de la deuxième couche de recouvrement, sélective par rapport au premier matériau, de façon à découvrir l'extrémité supérieure du monticule, cette extrémité supérieure formant ladite partie supérieure découverte du monticule et étant en saillie par rapport à la région latérale. Une telle variante présente l'avantage de pouvoir ajuster plus précisément la dimension de la base de l'extrémité supérieure découverte du monticule qui va conditionner la dimension de la tranchée qui sera ultérieurement réalisée dans le bloc en saillie. Quelle que soit la variante utilisée, la formation de la deuxième couche de recouvrement peut comprendre un dépôt d'un matériau planarisant, par exemple un matériau de type SiO'Ny. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape b) comporte avantageusement un dépôt du premier matériau formant cette première couche de recouvrement à l'aide d'un plasma haute densité. Un tel dépôt est connu par l'homme du métier sous le vocable « dépôt HDP » (High Density Plasma). Le premier matériau peut être un oxyde de silicium et ledit élément peut contenir au moins un matériau semiconducteur. Lorsque ledit élément est lui-même supporté par un support, par exemple un substrat sous-jacent, le procédé peut comporter, selon un mode de mise en oeuvre, une étape f) de gravure du support utilisant ladite deuxième tranchée ainsi que les parties non gravées du bloc en saillie délimitant cette deuxième tranchée, comme masque de gravure de façon à former une troisième tranchée dans ledit support auto-alignée à la deuxième tranchée et avec les parties non gravées du bloc en saillie. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape a) comprend une formation dans ledit élément de plusieurs blocs en saillie, l'étape b) comprend un recouvrement de chaque bloc en saillie par la première couche de recouvrement de façon à former au-dessus de chaque bloc en saillie un monticule concave auto-aligné avec ledit bloc en saillie correspondant et tournant sa concavité vers le bloc en saillie, et le procédé comprend une application des étapes c) à e) pour chaque monticule et chaque bloc en saillie associé, ledit motif comportant alors plusieurs groupes mutuellement espacés, chaque groupe comportant une deuxième tranchée ainsi que les parties non gravées du bloc en série correspondant délimitant cette deuxième tranchée. Il est alors possible d'appliquer l'étape f) de gravure pour chaque groupe. Selon un autre aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant un domaine possédant au moins un motif susceptible d'être obtenu par le procédé tel que défini ci-avant. Selon un mode de réalisation, ledit domaine comprend un substrat semiconducteur surmonté par une région semiconductrice, ladite région semiconductrice étant traversée par une première tranchée subdivisant la région semiconductrice en deux portions de région et le substrat comporte une deuxième tranchée auto-alignée avec la première tranchée et les flancs des deux portions de région. On peut ainsi par exemple réaliser dans la tranchée un transistor vertical qui sera auto-aligné avec deux transistors dont les deux portions de région forment respectivement les deux régions de grille de ces deux transistors. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de mise en oeuvre et de réalisation nullement limitatifs, sur lesquels : les figures 1 à 41 illustrent schématiquement différents modes de mise en oeuvre et de réalisation de l' invention. Sur la figure 1, la référence 1 désigne un élément d'un circuit intégré, par exemple une couche de silicium, de polysilicium, une couche métallique, ou encore une couche isolante sans que ces exemples ne soient limitatifs. Après formation sur l'élément 1 d'un bloc de résine RS (obtenu de façon classique et connu en soi par exemple par dépôt d'une couche de résine puis photolithographie utilisant un masque, insolation et développement de la résine) on effectue une gravure de la structure ainsi obtenue de façon à former, comme illustré sur la figure 2, un bloc en saillie BLC sur l'élément 1. Il convient de noter ici que dans cet exemple, on ne grave pas totalement l'élément 1 pour former le bloc BLC, bien qu'une gravure totale soit possible, comme on le verra plus en détail ci-après dans un autre mode de mise en oeuvre. Après retrait du bloc de résine RS, on obtient la structure illustrée sur la figure 3, c'est-à-dire l'élément 1 possédant un bloc en saillie BLC au-dessus de sa face supérieure. On procède ensuite comme illustré sur la figure 4, à un recouvrement de l'élément 1 par une première couche de recouvrement 2. Ce recouvrement conduit à la formation au-dessus du bloc en saillie BLC d'un monticule concave 20 auto-aligné avec le bloc en saillie et tournant sa concavité vers le bloc en saillie. Comme illustré sur la figure 5, le bloc BLC peut être en fait une ligne parallélépipédique possédant ici un plan longitudinal de symétrie PS et un plan transversal de symétrie perpendiculaire au plan longitudinal PS. Le monticule 20 présente ici également deux plans de symétrie longitudinal et transversal sensiblement confondus avec les plans de symétrie longitudinal et transversal du bloc BLC. Bien que le monticule ait sur la figure 4 son extrémité supérieure pointue, il peut être formé en pratique d'un dôme arrondi à son extrémité supérieure. Cela étant, même dans cette configuration, il présente néanmoins un profil symétrique et reste auto-aligné avec le bloc en saillie BLC. L'obtention d'un monticule concave 20 résulte ici de la combinaison de la présence des flancs verticaux du bloc en saillie BLC et du procédé de dépôt du matériau de la couche de recouvrement 2. Plus précisément, lorsqu'on utilise de l'oxyde comme matériau de la première couche de recouvrement 2, par exemple du dioxyde de silicium, on peut le déposer par un procédé dit « HDP » (High Density Plasma) qui comporte un dépôt et un bombardement plasma utilisant des gaz tels que du silane, de l'oxygène et de l'argon. Un tel procédé est bien connu de l'homme du métier et est notamment utilisé pour le remplissage des tranchées d'isolation peu profondes (STI : Shallow Trench Isolation) d'un circuit intégré. A toutes fins utiles, l'homme du métier pourra se référer à l'article de J. W. Kim, J. B. Lee, J. G. Hong, B. K. Hwang, S. T. Kim, and M. S. Han, "Characterization of the HDP-CVD oxide as interlayer dielectric material for sub-quarter micron CMOS," in Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), pp. 274-276. Du dioxyde de silicium n'est pas le seul matériau utilisable pour la première couche de recouvrement 2. On pourrait également utiliser par exemple du nitrure de silicium. Les étapes suivantes vont comporter une formation dans le monticule 20 d'une première tranchée auto-alignée avec le monticule et le bloc en saillie jusqu'à atteindre le bloc en saillie BLC puis une gravure du bloc en saillie BLC utilisant le monticule et sa première tranchée comme masque de gravure de façon à former une deuxième tranchée dans le bloc en saillie BLC, deuxième tranchée auto-alignée avec la première tranchée. Ceci va maintenant être décrit plus en détail en se référant aux figures 6 à 9. Plus précisément, on recouvre (figure 6) la première couche de recouvrement et son monticule 20 par une deuxième couche de recouvrement plane 3. Le matériau formant la deuxième couche de recouvrement 3 est différent du matériau formant la première couche de recouvrement 2. La formation de la deuxième couche de recouvrement plane 3 peut s'effectuer de différentes façons, par exemple en déposant un matériau planarisant ou bien en effectuant un dépôt conforme du matériau formant la couche 3 suivi d'un polissage mécano-chimique. En pratique, on utilisera de préférence un dépôt planarisant. A titre d'exemple non limitatif, on peut utiliser comme matériau planarisant un matériau utilisé dans les couches anti-reflets dites BARC. Ainsi on peut utiliser par exemple un matériau de type SiO'Ny. Il convient de noter que les matériaux de type BARC ne sont pas les seuls matériaux utilisables. On pourrait également utiliser de la résine ou bien une couche carbonée. On effectue ensuite une gravure non sélective GR1 sur la structure illustrée sur la figure 6 de façon à graver la partie supérieure de la deuxième couche de recouvrement 3 et à découvrir une partie supérieure du monticule 20. On peut utiliser par exemple pour la gravure GR1 une gravure plasma. Et, lorsqu'on utilise une gravure GR1 non sélective, on grave en fait comme illustré sur la figure 7, l'extrémité supérieure du monticule 20 et l'on obtient alors la structure illustrée sur la figure 7 sur laquelle la partie supérieure découverte du monticule comporte une surface plane 200 ayant une dimension transversale a. Puis, on procède à une gravure anisotrope GR2 du monticule 20 à partir de la partie supérieure découverte 200. Cette gravure GR2 anisotrope est sélective vis-à-vis du matériau de la deuxième couche de recouvrement 3. A titre indicatif, lorsque le matériau de la première couche de recouvrement est du dioxyde de silicium et que le matériau de la deuxième couche de recouvrement 3 est un matériau de type BARC, on pourra utiliser une gravure plasma à base de CH2F2/CF4/He à une température de 60°C. Comme illustré sur la figure 8, cette gravure GR2 va permettre de former dans le monticule 20 une première tranchée TR1 qui va être auto-alignée avec ce monticule et par conséquent avec le bloc BLC sous-jacent. Là encore, la tranchée TR1 est auto-alignée car elle présente dans cet exemple des plans de symétrie sensiblement confondus avec les plans de symétrie du monticule 20. Sur la figure 8, on voit que la tranchée TR1 présente en fait à son extrémité supérieure, une forme d'entonnoir se rétrécissant en direction du bloc BLC. En effet, la gravure GR2 qui utilise notamment une gravure par plasma, n'est pas en pratique totalement anisotrope. Par conséquent, au début de l'opération de gravure, il y a une certaine composante isotrope de la gravure qui va consommer les bords pentus du monticule 20 ainsi qu'une partie de la deuxième couche de recouvrement 3. En effet, même si une vitesse de sélectivité de l'ordre 3 pour 1 est suffisante, il y a quand même une consommation du matériau 3. Par contre, lorsque le matériau de la deuxième couche de recouvrement 3 est du type BARC, il comporte des résidus carbonés qui, lors de la gravure GR2 vont être pulvérisés sur les flancs de la tranchée TR1 pour former des polymères qui vont atténuer, voire supprimer la composante isotrope de la gravure GR2. C'est la raison pour laquelle au fur et à mesure de l'opération de gravure, la largeur de la tranchée TR1 se rétrécit jusqu'à obtenir une dimension transversale (largeur) égale à b. Et, en pratique, cette largeur b est égale à la largeur a de la surface plane supérieure 200 du monticule 20 (figure 7). On voit donc ici que la largeur b dépend de la largeur a. Et, cette largeur a est, dans le mode de mise en oeuvre qui vient d'être décrit, déterminé par la durée de la gravure non sélective GR1. La gravure GR2 est quant à elle une durée au temps. En effet, on connaît la vitesse de gravure ainsi que la hauteur h (figure 7) du monticule à graver. Il convient de noter ici que la dimension b va déterminer la largeur de la deuxième tranchée TR2 qui va être formée dans le bloc en saillie BLC comme cela va maintenant être expliqué en référence à la figure 9. Plus précisément, on procède cette fois-ci à une gravure GR3, du matériau formant le bloc en saillie BLC, sélective par rapport au matériau de la première couche de recouvrement 2 en l'espèce l'oxyde de silicium. Une telle gravure est classique et connue en soi. A tire d'exemple non limitatif, on peut utiliser une gravure plasma à base de C12/HBr/02 à une température de 60°C. Et, la gravure GR3 utilise le monticule et sa première tranchée TR1 comme masque dur de façon à réaliser la deuxième tranchée TR2. De ce fait, la deuxième tranchée TR2 est auto-alignée avec la première tranchée TR1. Après gravure, cette deuxième tranchée TR2 est délimitée par les parties non gravées BLCa et BLCb du bloc en saillie BLC. On procède ensuite à un retrait du reliquat de première couche de recouvrement 2 et éventuellement du reliquat de deuxième couche de recouvrement 3 de façon à obtenir le motif MTF illustré sur la figure 10. Ce motif comporte la deuxième tranchée TR2 ainsi que les parties non gravées BLCa et BLCb du bloc en saillie délimitant cette deuxième tranchée TR2. La figure 10 est en fait une coupe selon la ligne X-X de la figure 11. A cet égard, il serait possible, si l'on souhaite former des lignes BLCa et BLCb de couper les extrémités transversales BLCc et BLCd du bloc BLC, par exemple par une opération de photolithographie utilisant un masque connu par l'homme du métier sous la dénomination de masque « CUT » suivi d'une gravure. Dans le mode de mise en oeuvre qui vient d'être décrit, on a vu que la partie supérieure découverte du monticule 20, ayant la largeur a, avait été obtenue par une gravure GR1 non sélective. Il serait possible, en variante, comme illustré sur la figure 12, de procéder sur la structure illustrée à la figure 6, à une gravure GR4 de la deuxième couche de recouvrement 3 qui soit sélective par rapport au matériau de la première couche de recouvrement 2 de façon à laisser subsister l'extrémité supérieure 200 du monticule 20. Une telle variante permet d'ajuster plus précisément la valeur du paramètre a. A titre indicatif, lorsque le matériau de la première couche de recouvrement est du dioxyde de silicium et que le matériau de la deuxième couche de recouvrement 3 est un matériau de type BARC, on pourra utiliser par exemple une gravure plasma à base d'oxygène à une température de 60°C. Dans les modes de mise en oeuvre et de réalisation qui viennent d'être décrits, l'élément 1 n'est pas totalement gravé pour former le bloc BLC. Cela étant l'élément 1 peut être totalement gravé, notamment lorsque, comme illustré sur la figure 13, l'élément 1 est supporté par un support 5. Dans ce cas, on peut, en utilisant le bloc de résine RS, graver entièrement l'élément 1 de part et d'autre du bloc de résine RS de façon à former un bloc BLC en saillie, l'élément 1 se réduisant alors après gravure à ce bloc en saillie BLC (figure 14). Puis, d'une façon analogue à ce qui a été décrit ci-avant, on forme (figure 15) dans le bloc BLC le motif MTF qui vient d'être décrit en référence par exemple aux figures 1 à 10. Alors que dans les modes de réalisations qui viennent d'être évoqués on n'a décrit la formation que d'un seul bloc saillant, il est en général prévu, dans certaines applications, notamment du « double patterning », de réaliser plusieurs blocs en saillie au sein de l'élément 1. Ceci est illustré sur les figures 16 à 24. Les différentes étapes qui viennent d'être décrites en référence aux figures 1 à 12 pour un bloc, sont valables pour chacun des blocs. On ne reviendra donc pas plus en détail sur ces étapes. Sur la figure 16, on réalise plusieurs blocs de résine RS1, RS2, RS3 ayant chacun une largeur ou dimension critique CDa, deux blocs de résine étant séparés par une distance S. Puis, comme cela a été expliqué ci-avant, on forme (figure 17 et figure 18) plusieurs blocs en saillies BLC1, BLC2, BLC3 au sein de l'élément 1. Et, bien évidemment, chaque bloc en saillie BLCi possède la dimension critique CDa et est espacée du bloc adjacent par la distance S. Puis, comme illustré sur la figure 19, on recouvre chaque bloc BLCi de la première couche de recouvrement 2 de façon à former au- dessus de chaque bloc BLCi un monticule auto-aligné 20. D'une façon analogue à ce qui a été décrit ci-avant, on découvre (figures 20 et 21) une surface plane supérieure 200 au niveau de chaque monticule 20. Puis, comme illustré sur la figure 22, on réalise au sein de chaque monticule 20 auto-aligné avec le bloc en saillie sous-jacent, une première tranchée TRli auto-alignée avec le bloc sous-jacent BLCi. Puis comme illustré sur la figure 23, on grave chaque bloc en saillie BLCi, d'une façon analogue à ce qui a été décrit ci-avant, pour former une deuxième tranchée TR2i auto-alignée avec la première tranchée TR1i. Après retrait du reliquat de matériaux 2 et 3, on obtient la structure illustrée sur la figure 24 comportant un motif MTF comprenant plusieurs groupes GRPi. Chaque groupe, par exemple le groupe GRP2, comporte une deuxième tranchée, par exemple TR22, ainsi que les parties non gravées, par exemple BLCa2, BLCb2, du bloc en saillie correspondant délimitant cette deuxième tranchée. Et, on remarque que la dimension critique CDf de chaque partie de bloc en saillie non gravée a été réduite par rapport à la dimension critique initiale CDa, chaque groupe restant espacé du groupe adjacent de la distance S. On a donc obtenu très simplement une réduction de la dimension critique sans décalage latéral des différents groupes les uns par rapport aux autres. L'invention peut trouver une application intéressante dans le domaine du « double patterning », comme illustré sur les figures 25 à 30. Plus précisément, on suppose ici que la finesse de lithographie ne permet d'obtenir que des blocs de dimension critique CD alors que l'on souhaite obtenir une dimension critique réduite de moitié. Comme illustré sur la figure 25, on dépose sur la couche 1, par exemple une couche de silicium, de polysilicium, une couche métallique, ou encore une couche isolante sans que ces exemples ne soient limitatifs, une couche 8 d'un matériau sacrificiel sur lequel on réalise, en utilisant notamment un masque de photolithographie, des blocs de résine PR ayant chacun la dimension critique CD, deux blocs de résine étant espacés de la distance S. Puis, après avoir gravé le matériau sacrificiel en utilisant les blocs de résine comme masque, on effectue sur la structure obtenue un dépôt conforme (figure 26) d'une couche 9, par exemple du dioxyde de silicium, ayant une épaisseur égale à S/4. Après avoir effectué un retrait des parties horizontales de fond de la couche 9, typiquement par gravure, on procède à une gravure de la couche (l'élément) 1 de façon à obtenir des blocs BLC1, BLC2, BLC3. Chaque bloc a par conséquent une dimension critique égale à CD+S/2 et est espacé du bloc adjacent de la distance S/2 Puis comme illustré sur les figures 28, 29 et 30, on met en oeuvre les étapes du procédé qui ont été décrites ci-avant. Plus précisément, on recouvre (figure 28) les blocs BLCi par la première couche de recouvrement 2 de façon à former au-dessus de chaque bloc un monticule auto-aligné. On recouvre ensuite l'ensemble par la deuxième couche de recouvrement 3. Puis, on effectue par exemple (figure 29) une gravure non sélective de façon à découvrir au niveau de chaque monticule une surface plane supérieure 200 ayant une largeur (dimension transversale) égale à S/2. Puis, d'une façon analogue à ce qui a été décrit ci-avant, on procède dans chaque monticule à la formation d'une première tranchée, puis à la formation dans chaque bloc BLC1, BLC2, BLC3 d'une deuxième tranchée TR2 auto-alignée avec cette première tranchée (figure 30). Et, la dimension transversale de chaque deuxième tranchée TR2 est égale à S/2. On obtient donc in fine, après retrait du reliquat de matériau 2 et 3, un motif MTF comportant des parties de blocs en saillie non gravés BLCg, chaque partie BLCg ayant une dimension critique égale à CD/2 et étant séparée de la partie BLCg adjacente de la distance S/2. Et le motif MTF est symétrique c'est-à-dire qu'il ne présente pas de décalage latéral entre les différentes parties BLCg, l'espace entre deux parties adjacentes BLCg restant constant et égal à S/2. Une autre application intéressante de l'invention est illustrée sur les figures 31 à 37. La figure 31 illustre schématiquement un domaine d'un circuit intégré CI comportant un substrat semiconducteur 8 formé de plusieurs parties de conductivité différentes surmonté d'un empilement 1 comportant dans cet exemple deux couches de polysilicium et formant par exemple un empilement d'un matériau de grille d'un transistor MOS. Le tout est surmonté d'une couche de résine 9. Après avoir insolé la résine à l'aide d'un masque de photolithographie et développé la résine de façon à former un bloc PR (figure 32) on procède à une gravure GRV de l'empilement 1 de façon à former un bloc en saillie BLC (figure 33). Puis, comme décrit ci-avant, et illustré sur la figure 34, on réalise au-dessus du bloc BLC un monticule auto-aligné 20 surmonté de la deuxième couche de recouvrement 3. On procède ensuite d'une façon analogue à ce qui a été décrit ci-avant aux différentes opérations de gravure de façon à former dans le monticule 20 une première tranchée TR1 puis, dans le bloc BLC, une deuxième tranchée TR2 auto-alignée avec la première tranchée TR1 (figure 35). Dans cet exemple de réalisation, on réalise ensuite une implantation de dopants 80 dans le substrat 8 au fond de la tranchée TR2. Puis, comme illustré sur la figure 36, on réalise une gravure du support (le substrat 8) en utilisant la deuxième tranchée TR2 ainsi que les parties non gravées BLCa et BLCb du bloc BLC comme masque de gravure, de façon à former une troisième tranchée TR3 dans le substrat 8, auto-alignée avec la deuxième tranchée TR2 et avec les parties non gravées BLCa et BLCb du bloc en saillie BLC. Puis, dans l'application décrite ici, on procède à une nouvelle implantation de dopants 84 au fond de la tranchée TR3 et, comme illustré sur la figure 37, on procède à un remplissage de la tranchée TR3 par du polysilicium 82 par exemple, de façon à former par exemple un transistor vertical, les régions 81 et 83 formant des régions d'électrodes de deux autres transistors MOS. On obtient ainsi un transistor vertical auto-aligné avec les empilements de grilles BLCa et BLCb de ces deux autres transistors, et par conséquent auto-alignés avec ces deux autres transistors. Selon un autre aspect de l'invention, il est possible comme illustré schématiquement sur les figures 38 à 41, d'utiliser certaines des étapes décrites ci-avant pour auto-aligner une partie d'un circuit intégré, tel qu'un contact électriquement conducteur, un implant ou une tranchée entre deux motifs. Comme illustré sur la figure 37, et d'une façon analogue à ce qui a été décrit ci-avant, notamment en référence aux figures 19 à 22, on forme par exemple à partir d'un empilement d'une couche d'oxyde de grille et d'une couche de polysilicium reposant sur un substrat semiconducteur SB, plusieurs blocs en saillie BLCi formant des régions de grilles isolées de transistors MOS. Puis on procède à un recouvrement de chaque bloc en saillie BLCi par la première couche de recouvrement 2 de façon à former au-dessus de chaque bloc en saillie un monticule concave auto-aligné avec ledit bloc en saillie correspondant BLCi et tournant sa concavité vers le bloc en saillie correspondant (BLCi). Puis on réalise respectivement dans les différents monticules différentes premières tranchées TR11-TR13 auto-alignées avec leur bloc en saillie correspondant, ces tranchées s'étendant jusqu'aux blocs en saillie BLCi. Les premières tranchées TR11-TR13 ainsi sont mutuellement séparées par des parties résiduelles saillantes 210, 212, 223 de la première couche de recouvrement 2 (surépaisseur d'oxyde entre les lignes de polysilicium). On notera que le matériau de la deuxième couche de recouvrement 3 (BARC par exemple) a été complètement consommé. Le procédé comprend alors en outre un recouvrement de la structure STR1 obtenue à la figure 38 par une couche de recouvrement supplémentaire 2', préférentiellement identique à la première couche de recouvrement 2, de façon à remplir lesdites premières tranchées TR11-TR13 et former au-dessus de chaque partie saillante résiduelle 210, 212, 223 un monticule concave supplémentaire 2100, 2120, 2230 auto-aligné avec ladite partie saillante résiduelle correspondante 210, 212, 223 et tournant sa concavité vers ladite partie saillante résiduelle correspondante 210, 212, 223 (figure 39). Et du fait de la surépaisseur d'oxyde entre les lignes de polysilicium avant le dépôt HDP de la couche 2', les pointes d'oxyde 2100, 2120, 2230 sont de ce fait également auto-alignées entre deux lignes de polysilicium adjacentes. Puis d'une façon analogue à ce qui a été décrit ci-avant, on recouvre la couche 2' par une couche 3' préférentiellement analogue à la deuxième couche de recouvrement 3 (BARC) et on forme (figure 40) dans chaque monticule supplémentaire 2100, 2120, 2230 une tranchée supplémentaire TR200, TR210, TR230 auto-alignée avec le monticule supplémentaire correspondants entre les deux blocs en saillie adjacents correspondants BLC1-BLC3. Le fond des tranchées supplémentaires TR200, TR210, TR230 se situent sensiblement au même niveau que les bases des blocs en saillie BLCi et les tranchées supplémentaires débouchent sur le substrat SB. On peut alors effectuer (figure 41) sur la structure STR2 de la figure 40, une étape supplémentaire 410 comportant par exemple selon les applications une réalisation d'un contact électriquement conducteur dans au moins une des tranchées supplémentaires, et/ou une implantation de dopants dans le substrat au fond d'au moins une des tranchées supplémentaires, et/ou une formation d'une tranchée additionnelle dans le substrat dans le prolongement d'au moins une des tranchées supplémentaires TR200, TR210, TR230 et auto-alignée avec cette tranchée supplémentaire. Ces implants et/ou contacts et/ou tranchées additionnelles peuvent ainsi être définis de manière auto-alignée avec et entre les régions de grilles BLCi. REVENDICATIONS1. Procédé, comprenant a) une formation dans au moins un élément (1) d'un circuit intégré d'au moins un bloc en saillie (BLC), b) un recouvrement dudit au moins un bloc en saillie (BLC) par une première couche de recouvrement (2) de façon à former au-dessus du bloc en saillie (BLC) un monticule concave (20) auto-aligné avec ledit bloc en saillie et tournant sa concavité vers le bloc en saillie, et c) une formation dans le monticule (20) d'une première tranchée (TR1) auto-alignée avec le monticule et le bloc en saillie jusqu'à atteindre le bloc en saillie 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre d) une gravure (GR2) du bloc en saillie (BLC) utilisant le monticule (20) et sa première tranchée (TR1) comme masque de gravure de façon à former une deuxième tranchée (TR2) dans ledit bloc en saillie auto- alignée avec la première tranchée (TR1) et e) au moins un retrait du reliquat de première couche de recouvrement (2), de façon à réaliser au moins un motif (MTF) comportant ladite deuxième tranchée (TR2) ainsi que les parties non gravées (BLCa, BLCb) du bloc en saillie délimitant ladite deuxième tranchée (TR2). 3. Procédé selon la revendication 2, comprenant en outre, ledit élément (1) étant supporté par un support (8), f) une gravure du support (8) utilisant ladite deuxième tranchée (TR2) ainsi que les parties non gravées (BLCa, BLCb) du bloc en saillie délimitant ladite deuxième tranchée, comme masque de gravure de façon à former une troisième tranchée (TR3) dans ledit support (8) auto-alignée avec la deuxième tranchée (TR2) et avec lesdites parties non gravées (BLCa, BLCb) dudit bloc en saillie. 4. Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3, dans lequel le monticule (20) contient un premier matériau et l'étape c) comprend une formation de part et d'autre du monticule (20), d'une région latérale (3) contenant un deuxième matériau différent du premier, disposée au dessus de ladite première couche de recouvrement (2) de part et d'autre du monticule (20) en laissant découverte une partiesupérieure (200) du monticule, et une gravure anisotrope (GR2) du monticule (20) à partir de ladite partie supérieure découverte (200), ladite gravure anisotrope (GR2) étant sélective par rapport au deuxième matériau. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la formation de la région latérale comprend une formation d'une deuxième couche de recouvrement plane (3), formée dudit deuxième matériau, recouvrant la première couche de recouvrement (2) et ledit monticule (20), et une gravure non sélective (GR1) de la deuxième couche de recouvrement (2) et de l'extrémité supérieure du monticule (20) de façon à découvrir une surface plane (200) du monticule formant ladite partie supérieure découverte (200) du monticule (20). 6. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la formation de la région latérale (3) comprend une formation d'une deuxième couche de recouvrement plane (3), formée dudit deuxième matériau, recouvrant la première couche de recouvrement (2) et ledit monticule (20), et une gravure (GR4) de la deuxième couche de recouvrement (3), sélective par rapport au premier matériau, de façon à découvrir l'extrémité supérieure (200) du monticule, cette extrémité supérieure (200) formant ladite partie supérieure découverte du monticule (20) et étant en saillie par rapport à la région latérale (3). 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel la formation de la deuxième couche de recouvrement (3) comprend un dépôt d'un matériau planarisant (3). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le matériau planarisant (3) comprend un matériau de type SiO'Ny. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape b) comporte un dépôt du premier matériau formant cette première couche de recouvrement (2) à l'aide d'un plasma haute densité. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel le premier matériau est un oxyde de silicium. 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ledit élément (1) contient au moins un matériau semiconducteur. 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'étape a) comprend une formation dans ledit au moins un élément (1) de plusieurs blocs en saillie (BLCi), l'étape b) comprend un recouvrement de chaque bloc en saillie (BLCi) par la première couche de recouvrement (2) de façon à former au-dessus de chaque bloc en saillie un monticule concave (20) auto-aligné avec ledit bloc en saillie correspondant (BLCi) et tournant sa concavité vers le bloc en saillie correspondant (BLCi), et le procédé comprenant une application de l'étape c) pour chaque monticule (20) et chaque bloc en saillie associé (BLCi). 13. Procédé selon les revendications 2 et 12, comprenant en outre une application des étapes d) et e) pour chaque monticule (20) et chaque bloc en saillie associé (BLCi), ledit motif (MTF) comportant plusieurs groupes (GRPi) mutuellement espacés, chaque groupe (GRPi) comportant une deuxième tranchée (TR2i) ainsi que les parties non gravées (BLCai, BLCbi) du bloc en saillie correspondant (BLCi) délimitant ladite deuxième tranchée (TR2i). 14. Procédé selon les revendications 3 et 13, comprenant une application de l'étape f) pour chaque groupe (GRPi). 15. Procédé selon la revendication 12, dans lequel les premières tranchées (TR11, TR12, TR13) obtenues à l'étape c) sont séparées par des parties résiduelles saillantes (210, 212, 223) de la première couche de recouvrement (2) et le procédé comprend en outre un recouvrement de la structure (STR1) obtenue à l'étape c) par une couche de recouvrement supplémentaire (2') de façon à remplir lesdites premières tranchées (TR11, TR12, TR13) et former au-dessus de chaque partie saillante résiduelle un monticule concave supplémentaire (2100, 2120, 2230) auto-aligné avec ladite partie saillante résiduelle correspondante (210, 212, 223) et tournant sa concavité vers ladite partie saillante résiduelle correspondante, une formation dans chaque monticule supplémentaire (2100, 2120, 2230)d'une tranchée supplémentaire (TR200, TR210, TR230) auto-alignée avec le monticule supplémentaire entre les deux blocs en saillie adjacents correspondants, le fond de ladite tranchée supplémentaire se situant sensiblement au même niveau que les bases des blocs en saillie. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel les blocs en saillie reposent sur un substrat (SB) et les tranchées supplémentaires (TR200, TR210, TR230) débouchent sur le substrat. 17. Procédé selon la revendication 16, comprenant une étape supplémentaire (410) comportant une réalisation d'un contact électriquement conducteur dans au moins une des tranchées supplémentaires, et/ou une implantation de dopants dans le substrat au fond d'au moins une des tranchées supplémentaires, et/ou une formation d'une tranchée additionnelle dans le substrat dans le prolongement d'au moins une des tranchées supplémentaires et auto- alignée avec cette tranchée supplémentaire. 18. Circuit intégré comprenant un domaine possédant un motif (MTF) susceptible d'être obtenu par le procédé selon l'une des revendications 1 à 17. 19. Circuit intégré selon la revendication 18, dans lequel ledit domaine comprend un substrat semiconducteur (8) surmonté par une région semiconductrice (BLC), ladite région semiconductrice (BLC) étant traversée par une première tranchée (TR2) subdivisant la région semiconductrice en deux portions de régions (BLCa, BLCb), et le substrat (8) comporte une deuxième tranchée (TR3) auto alignée avec la première tranchée (TR2) et les flancs des deux portions de régions (BLCa, BLCb). 20. Circuit intégré selon la revendication 19, dans lequel ladite deuxième tranchée (TR3) est remplie par au moins un matériau semiconducteur (82).