FR 3005528 A1 20141114 FR 1454139 A 20140507 CONDENSATEUR A ELECTROLYTE SOLIDE CONTENANT UN REVETEMENT D'ADHERENCE MULTI-COUCHE Les condensateurs à électrolyte solide (par exemple, les condensateurs au tantale) ont largement contribué à la miniaturisation des circuits électroniques et ont permis l'utilisation de ces 5 circuits dans des environnements extrêmes. Les condensateurs à électrolyte solide classiques peuvent être formés en compressant une poudre de métal (par exemple, du tantale) autour d'un fil de connexion métallique, en frittant l'élément compressé, en 10 anodisant l'anode frittée, et en appliquant ensuite un électrolyte solide. Des polymères intrinsèquement conducteurs sont souvent employés en tant qu'électrolyte solide en raison de leur faible résistance équivalente en série (« RSE », equivalent 15 series resistance "ESR" en anglais) avantageuse et de leur mode de défaillance « sans combustion/sans allumage ». Ces électrolytes peuvent être formés par la polymérisation in situ du monomère en la présence d'un catalyseur et d'un dopant. En variante, des suspensions 20 préfabriquées de polymère conducteur peuvent également être employées. Indépendamment de la manière dont ils sont formés, un problème avec les électrolytes en polymère conducteur est qu'il est difficile pour ces polymères de pénétrer et revêtir uniformément les pores 25 de l'anode. Ceci ne réduit pas seulement les points de contact entre l'électrolyte et le diélectrique, mais peut également faciliter la délamination du polymère du diélectrique lors du montage ou de l'utilisation. En raison de ces problèmes, il est souvent difficile d'obtenir des valeurs RSE et/ou de courant de fuite très faibles dans les condensateurs en polymère conducteur classiques. De ce fait, il est actuellement nécessaire de proposer un condensateur électrolytique amélioré contenant un électrolyte solide en polymère conducteur. Un mode de réalisation de la présente invention décrit un condensateur à électrolyte solide qui comprend un corps d'anode, un diélectrique qui recouvre le corps d'anode, un revêtement d'adhérence qui recouvre le diélectrique et un électrolyte solide qui recouvre le diélectrique et le revêtement d'adhérence. Le revêtement d'adhérence contient une précouche discontinue et une couche résineuse, et la précouche discontinue contient une pluralité de nanoprojections discrètes d'un oxyde de manganèse. L'électrolyte solide comporte une couche de polymère conducteur. Un autre mode de réalisation de la présente invention décrit un procédé de formation d'un condensateur à électrolyte solide. Le procédé comprend la mise en contact d'une anode qui contient un corps d'anode et un diélectrique avec un revêtement d'adhérence multi-couche revêtu par un procédé qui inclut la formation d'une précouche discontinue par application d'une solution à l'anode qui contient un précurseur d'oxyde de manganèse et par conversion pyrolytique du précurseur pour former une pluralité de nanoprojections discrètes d'un oxyde de manganèse et la formation d'une couche résineuse par application d'une solution à l'anode qui contient une résine naturelle ou synthétique. Une couche de polymère conducteur est formée, qui recouvre le revêtement d'adhérence et le diélectrique. D'autres caractéristiques et aspects de la 5 présente invention sont définis dans de plus amples détails ci-après. Une description complète et habilitante de la présente invention, incluant le meilleur mode de réalisation de celle-ci et destinée à l'homme du métier, 10 est effectuée de manière plus particulière dans le reste du Mémoire, qui fait référence à la figure annexée : la figure 1 est une représentation schématique d'un mode de réalisation d'un condensateur qui peut 15 être formé selon la présente invention. Une utilisation répétée de caractères de référence dans le présent Mémoire et sur le dessin est censée représenter des caractéristiques ou éléments identiques ou analogues de l'invention. 20 Il doit être entendu par l'homme du métier que le présent exposé n'est une description d'exemples de modes de réalisation, et n'est pas censée limiter les aspects plus larges de la présente invention, lesquels aspects plus larges sont intégrés dans l'exemple de 25 construction. En règle générale, la présente invention concerne un condensateur à électrolyte solide qui contient un corps d'anode, un diélectrique situé au-dessus et/ou à l'intérieur du corps d'anode, un revêtement d'adhérence 30 superposé au diélectrique, et un électrolyte solide superposé au diélectrique et au revêtement d'adhérence qui contient un polymère conducteur. Il est à noter que le revêtement d'adhérence est multi-couche et emploie une couche résineuse en combinaison avec une couche discontinue contenant une pluralité de nanoprojections discrètes d'un oxyde de manganèse (par exemple, dioxyde de manganèse). Les présents inventeurs ont découvert que, grâce à une telle construction unique, le revêtement d'adhérence peut améliorer de manière significative la performance électrique du condensateur obtenu. Par exemple, sans vouloir pour autant se borner à la théorie, on pense que la petite taille des nanoprojections discrètes leur permet de pénétrer plus rapidement dans les petits pores du corps d'anode que ne le permettrait un polymère conducteur classique. Lorsqu'elles sont déposées sur le diélectrique, les nanoprojections peuvent également être logées dans la couche de polymère conducteur lorsqu'elle est formée, ce qui peut améliorer l'adhérence entre le diélectrique et la couche de polymère conducteur. Par ailleurs, la couche résineuse contient un matériau qui est relativement stable à des températures élevées, ce qui lui permet de servir efficacement de mécanisme d'ancrage et de stablisation à la fois pour les nanoprojections et la couche de polymère conducteur lors de l'utilisation du condensateur dans une large variété de conditions différentes. Ainsi, la combinaison de la précouche et de la couche résineuse fournit un revêtement d'adhérence unique et efficace pour réduire la probabilité de délamination du polymère conducteur, ce qui peut finalement améliorer la capacité tout en minimisant également le courant de fuite et la RSE. Nous allons maintenant décrire différents modes de réalisation de l'invention dans de plus amples détails. 5 I. Anode L'anode peut être formée à partir d'une poudre ayant une charge spécifique d'environ 2000 microFarads*Volts par gramme (« pF*V/g ») à environ 350 000 1.1,F*V/g. Comme connu dans l'art, la 10 charge spécifique peut être déterminée en multipliant la capacité par la tension d'anodisation employée, et puis en divisant ce produit par le poids du corps d'électrode anodisé. Dans certains modes de réalisation, la poudre peut avoir une charge spécifique élevée, 15 telle que d'environ 70 000 1.1,F*Vg ou plus, dans certains modes de réalisation, d'environ 80 000 pF*V/g ou plus, dans certains modes de réalisation, d'environ 90 000 pF*V/g ou plus, dans certains modes de réalisation, d'environ 100 000 à environ 300 000 1.1,F*V/g, 20 et dans certains modes de réalisation, d'environ 120 000 à environ 250 000 1.1,F*V/g. Les poudres ayant une charge spécifique élevée ont généralement une configuration de compactage relativement dense ; néanmoins, les présents inventeurs ont découvert que le 25 polymère conducteur peut être facilement imprégné dans les pores de l'anode grâce à l'utilisation du revêtement d'adhérence multi-couche de la présente invention. Bien entendu, la poudre peut également avoir une charge spécifique faible, telle que d'environ 30 70 000 1.1,F*V/g ou moins, dans certains modes de réalisation, d'environ 60 000 1.1,F*V/g ou plus, dans certains modes de réalisation, d'environ 50 000 p.F*V/g ou plus, dans certains modes de réalisation, d'environ 2000 à environ 40 000 p.F*V/g et dans certains modes de réalisation, d'environ 5000 à environ 35 000 p.F*V/g. La poudre peut contenir des particules individuelles et/ou des agglomérats de ces particules. Les composés de formation de la poudre incluent un métal de valve (à savoir, un métal qui est capable de s'oxyder) ou un composé à base de métal de valve, tel que le tantale, le niobium, l'aluminium, le hafnium, le titane, leurs alliages, leurs oxydes, leurs nitrures, etc. Par exemple, la composition de métal de valve peut contenir un oxyde de niobium électroconducteur, tel qu'un oxyde de niobium ayant un rapport atomique du niobium sur l'oxygène de 1:1,0 ± 1,0, dans certains modes de réalisation, de 1:1,0 ± 0,3, dans certains modes de réalisation, de 1:1,0 ± 0,1 et dans certains modes de réalisation, de 1:1,0 ± 0,05. Par exemple, l'oxyde de niobium peut être Nb00.7, Nb01.0, Nb01.1 et Nb02. Des exemples de ces oxydes de métal de valve sont décrits dans les brevets U.S. n° 6 322 912 de Fife ; 6 391 275 de Fife et al. ; 6 416 730 de Fife et al. ; 6 527 937 de Fife ; 6 576 099 de Kimmel et al. ; 6 592 740 de Fife et al. ; 6 639 787 de Kimmel et al. et 7 220 397 de Kimmel et al., ainsi que dans les publications de demandes de brevet U.S. n° 2005/0019581 de Schnitter ; 2005/0103638 de Schnitter, et al. et 2005/0013765 de Thomas, et al. La densité apparente (ou densité de Scott) de la 30 poudre peut varier selon le besoin, mais va d'ordinaire d'environ 1 à environ 8 grammes par centimètre cuber (g/cm3), dans certains modes de réalisation, d'environ 2 à environ 7 g/cm3, et dans certains modes de réalisation, d'environ 3 à environ 6 g/cm3. Pour obtenir le niveau souhaité de compactage et de densité apparente, la taille et la forme des particules (ou des agglomérats) peuvent être soigneusement contrôlées. Par exemple, la forme des particules peut être généralement sphérique, nodulaire, etc. Les particules peuvent avoir une taille moyenne d'environ 0.1 à environ 20 micromètres, dans certains modes de réalisation, d'environ 0,5 à environ 15 micromètres, et dans certains modes de réalisation, d'environ 1 à environ 10 micromètres. La poudre peut être formée en utilisant des techniques connues de l'homme du métier. Une poudre de tantale précurseur, par exemple, peut être formée en réduisant un sel de tantale (par exemple, fluotantalate de potassium (K2TaF7), fluotantalate de sodium (Na2TaF7), pentachlorure de tantale (TaC15), etc.) avec un agent réducteur (par exemple, hydrogène, sodium, potassium, magnésium, calcium, etc.). Ces poudres peuvent être agglomérées d'une diversité de manières, comme par le biais d'une ou plusieurs étapes de traitement thermique à une température d'environ 700°C à environ 1400°C, dans certains modes de réalisation, d'environ 750°C à environ 1200°C, et dans certains modes de réalisation, d'environ 800°C à environ 1100°C. Le traitement thermique peut être opéré dans une atmosphère inerte ou réductrice. Par exemple, le traitement thermique peut être opéré dans une atmosphère contenant de l'hydrogène ou un composé de libération d'hydrogène (par exemple, chlorure d'ammonium, hydrure de calcium, hydrure de magnésium, etc.) pour fritter partiellement la poudre et réduire la teneur en impuretés (par exemple, fluor). Si souhaité, l'agglomération peut également être réalisée en la présence d'un getter, tel que du magnésium. Après traitement thermique, les agglomérats grossiers hautement réactifs peuvent être passivés par admission graduelle d'air. D'autres techniques d'agglomération appropriées sont également décrites dans les brevets U.S. n° 6 576 038 de Rao ; 6 238 456 de Wolf et al. ; 5 954 856 de Pathare et al. ; 5 082 491 de Rerat ; 4 555 268 de Getz ; 4 483 819 d'Albrecht et al. ; 4 441 927 de Getz et al. et 4 017 302 de Bates et al. La taille et/ou la forme souhaitée(s) des particules peut/peuvent être obtenue(s) en contrôlant différents paramètres de traitement comme connu dans l'art, tels que les paramètres relatifs à la formation de poudre (par exemple, processus de réduction) et/ou l'agglomération (par exemple, température, atmosphère, etc.). Des techniques de broyage peuvent également être employées pour broyer une poudre précurseur à la taille souhaitée. N'importe laquelle d'une diversité de techniques de broyage peut être utilisée pour obtenir les caractéristiques de particules souhaitées. Par exemple, la poudre peut initialement être dispersée dans un milieu fluide (par exemple, éthanol, méthanol, fluide fluoré, etc.) pour former une suspension. La suspension peut être ensuite combinée avec un milieu de broyage (par exemple, des billes de métal, notamment de tantale) dans un broyeur. Le nombre du milieu de broyage peut généralement varier en fonction de la taille du broyeur, tel que d'environ 100 à environ 2000, et dans certains modes de réalisation, d'environ 600 à environ 1000. La poudre de départ, le milieu fluide et le milieu de broyage peuvent être combinés dans n'importe quelle proportion. Par exemple, le rapport de la poudre de départ sur le milieu de broyage peut être d'environ 1:5 à environ 1:50. De même, le rapport du volume du milieu fluide sur le volume combiné de la poudre de départ peut être d'environ 0,5:1 à environ 3:1, dans certains modes de réalisation, d'environ 0,5:1 à environ 2:1, et dans certains modes de réalisation, d'environ 0,5:1 à environ 1:1. Certains exemples de broyeurs qui peuvent être utilisés dans la présente invention sont décrits dans les brevets U.S. n° 5 522 558 ; 5 232 169 ; 6 126 097 et 6 145 765. Le broyage peut être opéré pendant n'importe quelle quantité de temps prédéterminée nécessaire pour obtenir la taille cible. Par exemple, le temps de broyage peut aller d'environ 30 minutes à environ 40 heures, dans certains modes de réalisation, d'environ 1 heure à environ 20 heures et dans certains modes de réalisation, d'environ 5 heures à environ 15 heures. Le broyage peut être opéré à n'importe quelle température souhaitée, y compris à température ambiante ou à une température élevée. Après broyage, le milieu fluide peut être séparé ou retiré de la poudre, par exemple, par séchage à l'air, chauffage, filtrage, évaporation, etc. Divers autres traitements classiques peuvent également être employés dans la présente invention pour améliorer les propriétés de la poudre. Par exemple, dans certains modes de réalisation, les particules peuvent être traitées avec des retardateurs de frittage en la présence d'un dopant, tel que des acides aqueux (par exemple, acide phosphorique). La quantité de dopant ajoutée dépend en partie de la surface de la poudre, mais il est d'ordinaire présent dans une quantité ne dépassant pas 200 parties par million (« ppm »). Le dopant peut être ajouté avant, pendant et/ou après n'importe quelle(s) étape(s) de traitement thermique. Les particules peuvent également être soumises à un ou plusieurs traitements de désoxydation pour améliorer la ductilité et réduire le courant de fuite 15 dans les anodes. Les particules peuvent notamment être exposées à une matière de piégeage « getter » (par exemple, du magnésium), comme décrit dans le brevet U.S. n° 4 960 471. Le getter peut être présent dans une quantité d'environ 2 % à environ 6 % en poids. La 20 température à laquelle la désoxydation se produit peut varier, mais va d'ordinaire d'environ 700°C à environ 1600°C, dans certains modes de réalisation, d'environ 750°C à environ 1200°C, et dans certains modes de réalisation, d'environ 800°C à environ 1000°C. Le temps 25 total du/des traitement(s) de désoxydation peut aller d'environ 20 minutes à environ 3 heures. La désoxydation se produit également de préférence dans une atmosphère inerte (par exemple, argon). Lors de l'exécution du/des traitement(s) de désoxydation, le 30 magnésium ou autre getter se vaporise d'ordinaire et forme un précipité sur la paroi froide du four. Pour procéder à l'élimination du getter, cependant, les agglomérats fins et/ou les agglomérats grossiers peuvent être soumis à une ou plusieurs étapes de lixiviation acide, telles qu'avec de l'acide nitrique, de l'acide fluorhydrique, etc. Pour faciliter la construction de l'anode, certains composants peuvent également être inclus dans la poudre. Par exemple, la poudre peut éventuellement être mélangée avec un liant et/ou lubrifiant pour s'assurer que les particules adhèrent adéquatement les unes aux autres lorsqu'elles sont compressées pour former le corps d'anode. Les liants appropriés peuvent inclure, par exemple, le polybutyral de vinyle ; le polyacétate de vinyle ; l'alcool polyvinylique ; le polyvinylpyrollidone ; les polymères cellulosiques, tels que le carboxyméthyl cellulose, le méthyl cellulose, l'éthyl cellulose, l'hydroéthyl cellulose et le méthylhydroxyéthyl cellulose ; le polypropylène atactique, le polyéthylène ; le polyéthylène glycol (par exemple, Carbowax de Dow Chemical Co.) ; le polystyrène, le poly(butadiène/styrène) ; les polyamides, polyimides et polyacrylamides, les polyéthers de masse moléculaire élevée ; les copolymères d'oxyde d'éthylène et d'oxyde de propylène ; les fluoropolymères, tels que le polytétrafluoroéthylène, le fluorure de polyvinylidène et les copolymères de fluoro-oléfine ; les polymères acryliques, tels que le polyacrylate de sodium, les polyacrylates d'alkyle inférieur, les polyméthacrylates d'alkyle inférieur et les copolymères d'acrylates et méthacrylates d'alkyle inférieur ; et les acides gras et les cires, tels que les acides gras stéariques et autres acides gras savonneux, la cire végétale, les microcires (paraffines purifiées), etc. Le liant peut être dissous et dispersé dans un solvant. Les exemples 5 de solvant peuvent inclure l'eau, les alcools, etc. Lorsqu'ils sont utilisés, le pourcentage de liants et/ou lubrifiants peut varier d'environ 0,1 % à environ 8 % en poids de la masse totale. Il doit être entendu, cependant, que les liants et/ou lubrifiants ne sont pas 10 nécessairement requis dans la présente invention. La poudre obtenue peut être compactée pour former une pastille en utilisant n'importe quel dispositif de compression de poudre classique. Par exemple, on peut employer un moule de presse, consistant en une presse à 15 compaction monoposte contenant une filière et un ou plusieurs poinçons. En variante, il est possible d'utiliser des moules de presse à compaction de type à enclume qui n'utilisent qu'une filière et un seul poinçon inférieur. Les moules de presse à compaction 20 monoposte sont disponibles dans plusieurs types de base, tels que presses à came, bascule/genouillère et excentrique/manivelle ayant des capacités variables, telles que simple action, double action, matrice flottante, plateau mobile, poussoir opposé, vis, impact, 25 compression à chaud, matriçage ou calibrage. La poudre peut être compactée autour d'un fil d'anode (par exemple, fil de tantale). Il doit en outre être entendu que le fil d'anode peut en variante être attaché (par exemple, soudé) au corps d'anode suite à la compression 30 et/ou au frittage du corps d'anode. Après compactage, tout liant/lubrifiant peut être éliminé en chauffant la pastille sous vide à une certaine température (par exemple, d'environ 150°C à environ 500°C) pendant plusieurs minutes. En variante, le liant/lubrifiant peut également être éliminé en mettant en contact la pastille avec une solution aqueuse, comme décrit dans le brevet U.S. n° 6 197 252 de Bishop et al. Ensuite, la pastille est frittée pour former une masse solidaire poreuse. Par exemple, dans un mode de réalisation, la pastille peut être frittée à une température d'environ 1200°C à environ 2000°C, et dans certains modes de réalisation, d'environ 1500°C à environ 1800°C sous vide ou dans une atmosphère inerte. Lors du frittage, la pastille se contracte en raison de la croissance des liaisons entre les particules. La densité compressée de la pastille après frittage peut varier, mais est d'ordinaire d'environ 2,0 à environ 7,0 grammes par centimètre cube, dans certains modes de réalisation, d'environ 2,5 à environ 6,5, et dans certains modes de réalisation, d'environ 3,0 à environ 6,0 grammes par centimètre cube. La densité compressée est déterminée en divisant la quantité de matière par le volume de la pastille compressée. L'anode peut également avoir une teneur en carbone et en oxygène relativement faible. Par exemple, l'anode peut avoir pas plus d'environ 50 ppm de carbone, et dans certains modes de réalisation, pas plus d'environ 10 ppm de carbone. De même, l'anode peut avoir pas plus d'environ 0,15 ppm/pC/g d'oxygène, et dans certains modes de réalisation, pas plus d'environ 0,10 ppm/pC/g d'oxygène. La teneur en oxygène peut être mesurée au moyen d'un analyseur d'oxygène LECO et inclut l'oxygène dans l'oxyde naturel sur la surface de tantale et l'oxygène en vrac dans les particules de tantale. La teneur d'oxygène en vrac est contrôlée par période de réseau cristallin de tantale, augmentant linéairement avec l'augmentation de la teneur en oxygène dans le tantale jusqu'à ce que la limite de solubilité soit obtenue. Ce procédé a été décrit dans « Critical Oxygen Content In Porous Anodes Of Solid Tantalum Capacitors », Pozdeev-Freeman et al., Journal of Materials Science: Materials In Electronics 9, (1998) 309-311 où une analyse par diffraction des rayons X (DRX) a été employée pour mesurer la période du réseau cristallin de tantale. L'oxygène dans les anodes de tantale frittées peut être limité à un oxyde de surface naturelle mince, alors que la masse de tantale est pratiquement exempte d'oxygène. Bien que cela ne soit pas requis, l'épaisseur de l'anode peut être choisie pour améliorer la performance électrique du condensateur. Par exemple, l'épaisseur de l'anode peut être d'environ 4 millimètres ou moins, dans certains modes de réalisation, d'environ 0,05 à environ 2 millimètres, et dans certains modes de réalisation, d'environ 0,1 à environ 1 millimètre. La forme de l'anode peut également être choisie pour améliorer les propriétés électriques du condensateur obtenu. Par exemple, l'anode peut avoir une forme qui est incurvée, sinusoïdale, rectangulaire, en U, en V, etc. L'anode peut également avoir une forme « cannelée » en ce qu'elle contient un(e) ou plusieurs sillons, gorges, dépressions ou indentations pour augmenter le rapport surface sur volume pour minimiser la RSE et étendre la réponse en fréquence de la capacité. Ces anodes « cannelées » sont décrites, par exemple, dans les brevets U.S. n° 6 191 936 de Webber et al. ; 5 949 639 de Maeda et al. et 3 345 545 de Bourgault et al., ainsi que dans la publication de demande de brevet U.S. n° 2005/0270725 de Hahn et al. II. Diélectrique L'anode est également revêtue d'un diélectrique. Le diélectrique peut être formé par oxydation anodique (« anodisation ») de l'anode frittée, de sorte qu'une couche diélectrique est formée au-dessus et/ou à l'intérieur de l'anode. Par exemple, une anode en tantale (Ta) peut être anodisée en pentoxyde de tantale (Ta205). D'ordinaire, l'anodisation est effectuée en appliquant initialement une solution à l'anode, comme en plongeant l'anode dans l'électrolyte. Un solvant est généralement employé, tel que de l'eau (par exemple, de l'eau désionisée). Pour améliorer la conductivité ionique, il est possible d'employer un composé qui est capable de se dissocier dans le solvant pour former des ions. Des exemples de ces composés incluent notamment les acides, tels que décrits ci-après par rapport à l'électrolyte. Par exemple, un acide (notamment, un acide phosphorique) peut constituer d'environ 0,01 % en poids à environ 5 % en poids, dans certains modes de réalisation, d'environ 0,05 % en poids à environ 0,8 % en poids, et dans certains modes de réalisation, d'environ 0,1 % en poids à environ 0,5 % en poids de la solution d'anodisation. Si souhaité, des mélanges d'acides peuvent également être employés. Un courant est passé à travers la solution d'anodisation pour former la couche diélectrique. La valeur de la tension de formation gère l'épaisseur de la couche diélectrique. Par exemple, l'alimentation peut être définie initialement à un mode galvanostatique jusqu'à ce que la tension requise soit atteinte. Ensuite, l'alimentation peut être commutée sur un mode potentiostatique pour s'assurer que l'épaisseur diélectrique souhaitée est formée sur l'ensemble de la surface de l'anode. Bien entendu, d'autres procédés connus peuvent également être employés, tels que des procédés potentiostatiques par impulsions ou étapes. La tension à laquelle se produit l'oxydation anodique va d'ordinaire d'environ 4 à environ 250 V, dans certains modes de réalisation, d'environ 9 à environ 200 V, et dans certains modes de réalisation, d'environ 20 à environ 150 V. Pendant l'oxydation, la solution d'anodisation peut être maintenue à une température élevée, telle que d'environ 30°C ou plus, dans certains modes de réalisation, d'environ 40°C à environ 200°C, et dans certains modes de réalisation, d'environ 50°C à environ 100°C. L'oxydation anodique peut également être réalisée à température ambiante ou à une température inférieure. La couche diélectrique résultante peut être formée sur une surface de l'anode et à l'intérieur de ses pores. Si souhaité, chaque étape d'anodisation peut être répétée sur un ou plusieurs cycles pour obtenir l'épaisseur diélectrique souhaitée. Par ailleurs, l'anode peut également être rincée ou lavée avec un autre solvant (par exemple, de l'eau) après la première étape et/ou la seconde étape pour éliminer l'électrolyte. III. Revêtement d'adhérence Comme indiqué plus haut, le revêtement d'adhérence du condensateur est multi-couche et contient une précouche discontinue et une couche résineuse, qui peut être continue ou discontinue par nature. L'agencement particuler de ces couches peut varier selon le besoin. Dans un mode de réalisation, par exemple, la précouche peut être formée initialement sur le diélectrique, et la couche résineuse peut ensuite être appliquée au diélectrique revêtu. Dans ces modes de réalisation, la précouche recouvre le diélectrique et la couche résineuse recouvre la précouche et peut être en contact avec la précouche et/ou le diélectrique. Malgré la présence de la couche résineuse, on pense que les nanoprojections revêtues de la précouche restent aptes à être incorporées dans la couche de polymère conducteur. Dans un autre mode de réalisation, la couche résineuse peut être appliquée initialement au diélectrique, et la précouche peut ensuite être formée sur celle-ci. Dans ces modes de réalisation, la couche résineuse recouvre le diélectrique et la précouche recouvre la couche résineuse. Différents modes de réalisation de ces couches sont décrits dans de plus amples détails ci-après. A. Précouche La précouche contient une pluralité de nanoprojections discrètes d'un oxyde de manganèse (par 30 exemple, dioxyde de manganèse) qui peuvent pénétrer dans les petits pores du corps d'anode et se loger pour finir dans la couche de polymère conducteur. Etant donné que la précouche est sous la forme de nanoprojections discrètes plutôt que d'une couche continue, le polymère conducteur peut être apte à entrer directement en contact avec une partie importante du diélectrique, soit directement, soit par le biais d'un contact avec la couche résineuse. Le degré de contact relativement important entre le polymère conducteur et le diélectrique peut même encore réduire la RSE. Pour accomplir le résultat souhaité sans altérer de façon négative la performance globale du condensateur, la taille moyenne (par exemple, le diamètre moyen) des nanoprojections est d'ordinaire suffisamment importante pour obtenir une amélioration de l'adhérence, mais pas trop importante pour qu'elles soient incapables de pénétrer dans les pores de l'anode. A cet égard, les nanoprojections ont d'ordinaire une taille moyenne d'environ 5 nanomètres à environ 500 nanomètres, dans certains modes de réalisation, d'environ 6 nanomètres à environ 250 nanomètres, dans certains modes de réalisation, d'environ 8 nanomètres à environ 150 nanomètres, et dans certains modes de réalisation, d'environ 10 nanomètres à environ 110 nanomètres. Le terme « diamètre moyen » peut, par exemple, designer la valeur moyenne pour l'axe principal des nanoprojections lorsqu'elles sont vues de dessus (le diamètre maximum). Ces diamètres peuvent être obtenus, par exemple, en utilisant des techniques connues, telles que la spectroscopie par corrélation de photons, la diffusion dynamique de la lumière, la diffusion de lumière quasi- élastique, etc. Différents analyseurs de taille de particule peuvent être employés pour mesurer le diamètre de cette manière. Un exemple particulier est l'analyseur de taille de particule VASCO 3 de Cordouan. Bien que cela ne soit pas nécessairement requis, les nanoprojections peuvent également présenter une répartition granulométrique étroite, ce qui peut en outre améliorer les propriétés du condensateur. Par exemple, environ 50 % ou plus, dans certains modes de réalisation, environ 70 % ou plus, et dans certains modes de réalisation, environ 90 % ou plus des nanoprojections peuvent avoir une taille moyenne à l'intérieur des plages susmentionnées. Le nombre de nanoprojections ayant une certaine taille peut être déterminé en utilisant les techniques indiquées ci-dessus, où le volume en pourcentage peut être mis en corrélation avec le nombre de particules ayant une certaine unité d'absorbance (« ua »). En plus de leur taille, la couverture de surface des nanoprojections sur le diélectrique peut également être contrôlée sélectivement pour aider à obtenir la performance électrique souhaitée. A savoir, une couverture de surface trop faible peut limiter l'aptitude de la couche de polymère conducteur à mieux adhérer au diélectrique, mais une couverture trop importante peut condensateur. A nanoprojections environ 40 %, d'environ 0,5 % de réalisation, avoir un effet négatif sur la RSE du cet égard, la couverture de surface des est d'ordinaire d'environ 0,1 % à dans certains modes de réalisation, à environ 30 %, et dans certains modes d'environ 1 % à environ 20 %. Le degré de couverture de surface peut être calculé d'une diversité de manières, telles qu'en divisant la valeur de « capacité réelle » par la valeur de « capacité normale » et en multipliant ensuite par 100. La « capacité normale » est déterminée après formation des nanoprojections et puis imprégnation de l'anode avec la solution de polymère conducteur, alors que la « capacité réelle » est déterminée après formation des nanoprojections, imprégnation de l'anode avec la solution de polymère conducteur, lavage de la solution de polymère conducteur depuis l'intérieur de l'anode, et puis séchage de l'anode pour éliminer l'humidité. Plusieurs techniques différentes peuvent être employées pour former la précouche de la présente invention. Comme on le sait dans l'art, les oxydes de manganèse (par exemple, le dioxyde de manganèse) sont d'ordinaire formés par le biais de la décomposition pyrolytique d'un précurseur (par exemple, nitrate de manganèse (Mn(NO3)2)), comme décrit dans le brevet U.S. n° 4 945 452 de Sturmer et al. Par exemple, un corps d'anode revêtu d'un diélectrique peut être mis en contact avec une solution (par exemple, plongé, immergé, pulvérisé, etc.) qui contient le précurseur et puis chauffé pour conversion en oxyde. Si souhaité, de multiples étapes d'application peuvent être employées. La quantité de temps pendant laquelle le corps d'anode est en contact avec une solution précurseur d'oxyde de manganèse peut varier selon le besoin. Par exemple, le corps d'anode peut être plongé dans une telle solution pendant une période de temps allant d'environ 10 secondes à environ 10 minutes. La solution précurseur d'oxyde de manganèse peut éventuellement contenir un tensioactif. Sans pour autant vouloir se borner à la théorie, on pense qu'un tel tensioactif peut réduire la tension superficielle 5 et améliorer de ce fait la pénétration de la solution à l'intérieur du corps d'anode. Les tensioactifs particulièrement appropriés sont les tensioactifs non ioniques, tels que l'éther de polyglycol (par exemple, polyoxyéthylène alkyl éther), le nonylphénoxypoly10 (éthylèneoxy)éthanol (par exemple, Igepal CO-630) ; l'isooctylphénoxy-polyéthoxyéthanol (par exemple, Triton X-100), le condensat d'oxyde benzylétheroctylphénol-éthylène (par exemple, Triton CF-10), le 3,6-diméthy1-4-octyne-3,6-diol (par exemple, 15 Surfynol 82), etc. Pour obtenir l'amélioration souhaitée dans l'imprégnation du précurseur d'oxyde de manganèse sans agir de manière négative sur d'autres caractéristiques du condensateur, il est généralement souhaitable que la concentration du tensioactif soit 20 sélectivement contrôlée dans une certaine plage. Par exemple, la solution dans laquelle est plongé le corps d'anode peut contenir le tensioactif dans une quantité d'environ 0,01 % en poids à environ 30 % en poids, dans certains modes de réalisation, d'environ 0,05 % en 25 poids à environ 25 % en poids, et dans certains modes de réalisation, d'environ 0,1 % en poids à environ 20 % en poids. Le(s) précurseur(s) (par exemple, nitrate de manganèse) peut/peuvent de même constituer d'environ 1 % en poids à environ 55 % en poids, dans certains 30 modes de réalisation, d'environ 2 % en poids à environ 15 % en poids, et dans certains modes de réalisation, d'environ 5 % en poids à environ 10 % en poids, de la solution. Un support, tel que de l'eau, peut également être employé dans la solution. Les solutions aqueuses de la présente invention peuvent, par exemple, contenir de l'eau dans une quantité d'environ 30 % en poids à environ 95 % en poids, dans certains modes de réalisation, d'environ 40 % en poids à environ 99 % en poids et dans certains modes de réalisation, d'environ 50 % en poids à environ 95 % en poids. Il doit être entendu que les quantités réelles des composants dans la solution peuvent varier en fonction des facteurs tels que la taille de particule et la répartition des particules dans l'anode, la température à laquelle la décomposition est réalisée, l'identité du dispersant, l'identité du support, etc. Si souhaité, le corps d'anode peut être mis en contact avec une atmosphère humidifiée dans une étape de prétraitement qui se produit avant la mise en contact avec une solution précurseur d'oxyde de manganèse. Sans pour autant vouloir se borner à la théorie, les présents inventeurs pensent que la présence d'une certaine quantité de vapeur d'eau peut ralentir la réaction de décomposition thermique du dioxyde de manganèse, l'amenant ainsi à former des nanoprojections dispersées. Par exemple, pendant l'étape de prétraitement, le corps d'anode peut être exposé à une atmosphère ayant un niveau d'humidité d'environ 1 à environ 30 grammes d'eau par mètre cube d'air (g/m3), dans certains modes de réalisation, d'environ 4 à environ 25 g/m3, et dans certains modes de réalisation, d'environ 5 à environ 20 g/m3. L'humidité relative peut de même aller d'environ 30 % à environ 90 %, dans certains modes de réalisation, d'environ 40 % à environ 85 %, et dans certains modes de réalisation, d'environ 50 % à environ 80 %. La température de l'atmosphère humidifiée peut varier, comme d'environ 10°C à environ 50°C, dans certains modes de réalisation, d'environ 15°C à environ 45°C, et dans certains modes de réalisation, d'environ 20°C à environ 40°C. Outre une étape de prétraitement, le corps d'anode peut également être mis en contact avec une atmosphère humidifiée dans une étape de traitement intermédiaire, qui se produit après mise en contact avec une solution précurseur d'oxyde de manganèse. L'atmosphère humidifiée dans l'étape de traitement intermédiaire peut présenter les mêmes conditions ou des conditions différentes à celles de l'étape de prétraitement, mais est généralement dans les plages susmentionnées. Indépendamment, une fois en contact avec la solution précurseur pendant la quantité de temps souhaitée, l'élément est chauffé à une température suffisante pour convertir pyrolitiquement le précurseur (par exemple, manganèse de nitrate) en un oxyde. Le chauffage peut être réalisé, par exemple, dans un four à une température d'environ 150°C à environ 300°C, dans certains modes de réalisation, d'environ 180°C à environ 290°C, et dans certains modes de réalisation, d'environ 190°C à environ 260°C. Le chauffage peut être opéré dans une atmosphère humide ou sèche. Dans certains modes de réalisation, par exemple, le chauffage peut être opéré dans une atmosphère humidifiée, qui peut être identique ou différente des atmosphères utilisées dans les étapes de prétraitement et de traitement intermédiaire susmentionnées, mais généralement dans les conditions susmentionnées. Le temps de conversion dépend de la température du four, de la vitesse de transfert de chaleur et de l'atmosphère, mais est généralement d'environ 3 à environ 5 minutes. Après pyrolyse, le courant de fuite peut parfois être élevé en raison de l'endommagement subi par le film diélectrique lors du dépôt du dioxyde de manganèse. Pour réduire cette fuite, le condensateur peut être reformé dans un bain d'anodisation comme connu dans l'art. Par exemple, le condensateur peut être plongé dans un électrolyte tel que décrit plus haut et puis soumis à un courant continu. B. Couche résineuse La couche résineuse inclut de manière générale une résine naturelle ou synthétique, qui peut être une matière solide ou semi-solide qui est polymérique par nature ou capable d'être polymérisée, murie ou durcie d'une autre manière. Il est d'ordinaire également souhaitable que la résine soit relativement isolante par nature. Tel qu'utilisé ici, le terme « relativement isolante » signifie généralement plus résistive que le polymère conducteur qui forme principalement la couche polymère conductrice. Par exemple, dans certains modes de réalisation, une résine relativement isolante peut avoir une résistivité à 20°C d'environ 1000 f2-cm ou plus, dans certains modes de réalisation, d'environ 10 000 f2-cm ou plus, dans certains modes de réalisation, d'environ 1 x 105 f)-cm ou plus, et dans certains modes de réalisation, d'environ 1 x 1010 1:2-cm ou plus. Parmi les exemples de résines appropriées qui peuvent être employées, on trouve, mais sans limitation, le polyuréthane, le polystyrène, les esters d'acides gras insaturés ou saturés (par exemple, les glycérides), etc. Par exemple, les esters appropriés d'acides gras incluent, mais sans limitation, les esters d'acide laurique, d'acide myristique, d'acide palmitique, d'acide stéarique, d'acide oléostéarique, d'acide oléique, d'acide linoléique, d'acide aleuritique, d'acide shellolique, etc. Ces esters d'acides gras s'avèrent particulièrement utiles lorsqu'ils sont utilisés dans des combinaisons relativement complexes pour former une « huile séchante », qui permet au film obtenu de polymériser rapidement en une couche stable. Ces huiles séchantes peuvent inclure les mono-, di- et/ou tri-glycérides, qui ont un squelette de glycérol comportant respectivement un, deux et trois résidus d'acyle gras qui sont estérifiés. Par exemple, certaines huiles séchantes appropriées qui peuvent être utilisées incluent, mais sans limitation, l'huile d'olive, l'huile de lin, l'huile de ricin, l'huile de bois de Chine, l'huile de soja et la gomme laque. La gomme laque, qui est censée contenir des esters de divers hydroxy-acides aliphatiques et alicycliques (par exemple, acide aleuritique et acide shellolique), est particulièrement appropriée. Ces matières et autres matières de résine sont décrites dans de plus amples détails dans le brevet U.S. n° 6 674 635 de Fife et al. Lorsqu'ils sont employés, les esters d'acides gras, tels que ceux décrits plus haut, peuvent exister naturellement ou être raffinés à partir de matériaux naturels. Par exemple, l'huile de soja est souvent obtenue à partir de graines de soja au moyen d'un raffinage par extraction de solvant avec des hydrocarbures d'origine pétrolière ou par des opérations de pressoir à vis continues. Lors de l'extraction, l'huile de soja obtenue est principalement constituée de triglycérides d'acide oléique, d'acide linoléique et d'acide linolénique. L'huile de bois de Chine, pour sa part, est une huile séchante qui souvent ne requiert pas un tel raffinage. Dans certains cas, il peut être souhaitable de procéder à une estérification plus importante d'un mélange d'acide gras en faisant réagir un alcool avec lui. Ces dérivés d'acide gras/ester alcoolique peuvent généralement être obtenus en utilisant n'importe quel alcool connu capable de réagir avec un acide gras. Par exemple, dans certains modes de réalisation, des alcools monohydriques et/ou polyhydriques ayant moins de 8 atomes de carbone, et dans certains modes de réalisation, moins de 5 atomes de carbone, peuvent être utilisés dans la présente invention. Des modes de réalisation spécifiques de la présente invention incluent l'utilisation de méthanol, éthanol, butanol, ainsi que de divers glycols, tels que le propylène glycol, l'hexylène glycol, etc. Dans un mode de réalisation particulier, la gomme laque peut être estérifiée en la mélangeant avec un alcool, comme décrit ci-dessus. De manière spécifique, la gomme laque est une excrétion résineuse d'un insecte qui est censée contenir un mélange complexe d'acides gras qui, dans une certaine mesure, sont estérifiés. Ainsi, lorsqu'ils sont mélangés à un alcool, les groupes d'acide gras de la gomme laque sont en outre estérifiés par réaction avec l'alcool. Une couche résineuse peut être formée d'une diversité de manières différentes. Par exemple, dans un mode de réalisation, l'anode peut être plongée dans une solution de la/des résine(s) souhaitée(s). La solution peut être formée en dissolvant la résine de protection choisie dans un solvant, tel que de l'eau ou un solvant non aqueux. Parmi les solvants non aqueux appropriés, on trouve, mais sans limitation, le méthanol, l'éthanol, le butanol, ainsi que différents glycols, tels que le propylène glycol, l'hexylène glycol, le di(éthylène acétate)glycol, etc. Les solvants non aqueux particulièrement souhaitables sont ceux ayant un point d'ébullition supérieur à environ 80°C, dans certains modes de réalisation, supérieur à environ 120°C, et dans certains modes de réalisation, supérieur à environ 150°C. Comme décrit plus haut, la formation d'une solution utilisant un solvant non aqueux peut également conduire à une estérification plus importante des acides gras lorsque de telles matières résineuses sont utilisées. L'anode peut être plongée dans la solution une ou plusieurs fois, en fonction de l'épaisseur souhaitée. Par exemple, dans certains modes de réalisation, de multiples couches résineuses peuvent être employées, comme par exemple, de 2 à 10 couches, et dans certains modes de réalisation, de 3 à 7 couches. Chaque couche peut avoir par exemple, une épaisseur cible d'environ 100 nanomètres ou moins, dans certains modes de réalisation, d'environ 30 nanomètres ou moins, et dans certains modes de réalisation, 5 d'environ 10 nanomètres ou moins. Outre le trempage, il doit être entendu que d'autres procédés d'application classiques, tels que la pulvérisation cathodique, la sérigraphie, le dépôt électrophorétique, le couchage par faisceau d'électrons, le dépôt sous vide, la 10 pulvérisation et similaire, peuvent être utilisés. Après formation de la couche résineuse, l'élément anode peut être chauffé ou durci d'une autre manière. Le chauffage peut faciliter l'évaporation de n'importe quel solvant utilisé pendant l'application, et peut 15 également aider à l'estérification et/ou à la polymérisation des matières résineuses. Pour faciliter l'estérification et/ou la polymérisation, des agents durcisseurs peuvent également être ajoutés à la couche résineuse. Un exemple d'un agent durcisseur qui peut 20 être utilisé avec la gomme laque est notamment l'acide sulfurique. Le temps de chauffage et la température à laquelle le chauffage se produit varient généralement en fonction des matières résineuses spécifiques utilisées. D'ordinaire, chaque couche est séchée à une 25 température allant d'environ 30°C à environ 300°C, et dans certains modes de réalisation, d'environ 50°C à environ 150°C, pendant une période de temps allant d'environ 1 minute à environ 60 minutes, et dans certains modes de réalisation, d'environ 15 minutes à 30 environ 30 minutes. Il doit également être entendu qu'il n'est pas nécessaire de procéder à un chauffage après application de chaque couche résineuse. IV. Electrolyte solide Comme indiqué plus haut, l'électrolyte solide comporte une couche de polymère conducteur qui recouvre et est en contact avec les nanoprojections et le diélectrique, soit directement, soit par le biais de la couche résineuse. Le polymère conducteur est d'ordinaire n-conjugué et possède une conductivité électrique après oxydation ou réduction, telle qu'une conductivité électrique d'au moins environ 1 pS/cm. Parmi les exemples de ces polymères conducteurs n-conjugués, on trouve, les polyhétérocycles (par exemple, polypyrroles, polythiophènes, polyanilines, etc.), les polyacétylènes, les poly-p-phénylènes, les polyphénolates, etc. Dans un mode de réalisation, par exemple, le polymère est un polythiophène substitué, tel que ceux ayant la structure générale suivante : dans laquelle, T est 0 ou S ; D est un radical d'alkylène en C1 à Cs éventuellement substitué (par exemple, méthylène, 25 éthylène, n-propylène, n-butylène, n-pentylène, etc.) ; R7 est un radical alkyle C1 à C18 linéaire ou ramifié, éventuellement substitué (par exemple, méthyle, éthyle, n- ou iso-propyle, n-, iso-, sec- ou tertbutyle, n-pentyle, 1-méthylbutyle, 2-méthylbutyl, 3- méthylbutyle, 1-éthylpropyle, 1,1-diméthylpropyle, 1,2- diméthylpropyle, 2,2-diméthylpropyle, n-hexyle, n- heptyle, n-octyle, 2-éthylhexyle, n-nonyle, n-décyle, n-undécyle, n-dodécyle, n-tridécyle, n-tétradécyle, n- hexadécyle, n-octadécyle, etc.) ; un radical cycloalkyle en Cs à Cn éventuellement substitué (par exemple, cyclopentyle, cyclohexyle, cycloheptyle, cyclooctyle, cyclononyle, cyclodécyle, etc.) ; un radical aryle en C6 à C14 éventuellement substitué (par exemple, phényle, naphthyle, etc.) ; un radical aralkyle en C7 à C18 éventuellement substitué (par exemple, benzyle, o-, m-, p-tolyle, 2,3-, 2,4-, 2,5-, 2-6, 3-4-, 3,5-xylyle, mésityle, etc.) ; un radical hydroxyalkyle en C1 à C4 éventuellement substitué, ou un radical hydroxyle ; et q est un entier de 0 à 8, dans certains modes de réalisation, de 0 à 2, et dans un mode de réalisation, de 0 ; et n est de 2 à 5000, dans certains modes de réalisation de 4 à 2000, et dans certains modes de réalisation, de 5 à 1000. Parmi les exemples de substituants pour les radicaux « D » ou « R7 », on trouve les groupes alkyle, cycloalkyle, aryle, aralkyle, alcoxy, halogène, éther, thioéther, disulfure, sulfoxyde, sulfone, sulfonate, amino, aldéhyde, céto, ester d'acide carboxylique, acide carboxylique, carbonate, carboxylate, cyano, alkylsilane et alcoxysilane, les groupes carboxylamide, etc. Les polymères de thiophène particulièrement appropriés sont ceux dans lesquels « D » est un radical alkylène en C2 à C3 éventuellement substitué. Par exemple, le polymère peut être un poly(3,4- éthylènedioxythiophène) éventuellement substitué, qui possède la structure générale suivante : Les procédés de formation de polymères conducteurs, tels que décrits ci-dessus, sont bien connus dans l'art. Par exemple, le brevet U.S. n° 6 987 663 de Merker et al., décrit diverses techniques de formation de polythiophènes substitués à partir d'un précurseur monomère. Le précurseur monomère peut, par exemple, posséder la structure suivante : dans laquelle, T, D, R7 et q sont définis plus haut. Les monomères de thiophène particulièrement appropriés sont ceux dans lesquels « D » est un radical alkylène en C2 à C3 éventuellement substitué. Par exemple, on peut employer des 3,4-alkylènedioxythiophènes éventuellement substitués qui possèdent la structure générale : dans laquelle, R7 et q sont tels que définis plus haut. Dans un mode de réalisation particulier, « q » est 0. Un exemple commercialement approprié de 3,4- éthylènedioxthiophène est disponible chez Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG sous la désignation CleviosTM M. D'autres monomères appropriés sont également décrits dans les brevets U.S. n° 5 111 327 de Blohm et al. et 6 635 729 de Groenendaal et al. Il est également possible d'employer des dérivés de ces monomères qui sont, par exemple, des dimères ou trimères des monomères ci-dessus. Des dérivés de masse moléculaire plus élevée, à savoir, les tétramères, pentamères, etc. des monomères sont appropriés pour être utilisés dans la présente invention. Les dérivés peuvent être constitués d'unités monomères identiques ou différentes et utilisés sous forme pure et mélangés les uns avec les autres et/ou avec les monomères. Des formes oxydées ou réduites de ces précurseurs peuvent également être employées. Le polymère conducteur peut être formé in situ ou pré-polymérisé et puis appliqué au corps d'anode sous la forme d'une dispersion. Pour former une couche polymérisée in situ, le monomère peut être polymérisé chimiquement, éventuellement en la présence d'un catalyseur oxydatif. Le catalyseur oxydatif inclut d'ordinaire un cation de métal de transition, tels que les cations de fer(III), de cuivre(II), de chrome(VI), de cérium(IV), de manganèse(IV), de manganèse(VII) ou de ruthénium(III), etc. Un dopant peut également être employé pour fournir un excès de charge au polymère conducteur et stabiliser la conductivité du polymère. Le dopant comporte d'ordinaire un anion inorganique ou organique, tel qu'un ion d'un acide sulfonique. Dans certains modes de réalisation, le catalyseur oxydatif présente à la fois une fonctionnalité catalytique et dopante en ce qu'il comporte un cation (par exemple, métal de transition) et un anion (par exemple, acide sulfonique). Par exemple, le catalyseur oxydatif peut être un sel de métal de transition qui inclut des cations de fer(III), tels que les halogénures de fer(III) (par exemple, FeC13) ou des sels de fer(III) d'autres acides inorganiques, tels que Fe(C104)3 ou Fe2(SO4)3 et des sels de fer(III) d'acides organiques et d'acides inorganiques comprenant des radicaux organiques. Parmi les exemples de sels de fer(III) d'acides inorganiques ayant des radicaux organiques, on trouve les sels de fer(III) de monoesters d'acide sulfurique d'alcanols en C1 à C20 (par exemple, sel de fer(III) de sulfate de lauryle). De même, parmi les exemples de sels de fer(III) d'acides organiques, on trouve les sels de fer(III) d'acides sulfoniques d'alcane en Ci à C20 (par exemple, acide sulfonique de méthane, éthane, propane, butane ou dodécane) ; les sels de fer(III) d'acides perfluorosulfoniques aliphatiques (par exemple, acide sulfonique de trifluorométhane, acide sulfonique de perfluorobutane ou acide sulfonique de perfluorooctane) ; les sels de fer(III) d'acides carboxyliques en C1 à C20 aliphatiques (par exemple, acide 2-éthylhexylcarboxylique) ; les sels de fer(III) d'acides perfluorocarboxyliques aliphatiques (par exemple, acide trifluoroacétique ou perfluorooctane) ; les sels de fer(III) d'acides sulfoniques aromatiques éventuellement substitués par des groupes alkyle en C1 à C20 (par exemple, acide sulfonique de benzène, acide sulfonique de o-toluène, acide sulfonique de p-toluène ou acide sulfonique de dodécylbenzène) ; les sels de fer(III) d'acides sulfoniques de cycloalkane (par exemple, acide sulfonique de camphre) ; etc. Des mélanges de ces sels de fer(III) susmentionnés peuvent également être utilisés. Le p-toluène sulfonate de fer(III), le o- toluène sulfonate de fer(III) et les mélanges de ceux- ci sont particulièrement appropriés. Un exemple commercialement approprié de p-toluène sulfonate de fer(III) est disponible chez Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG sous la désignation CleviosTM C. Le catalyseur oxydatif et le monomère peuvent être appliqués en séquence ou bien ensemble pour lancer la réaction de polymérisation. Parmi les techniques d'application appropriées pour appliquer ces composants, on trouve la sérigraphie, le trempage, le revêtement électrophorétique et la pulvérisation. Par exemple, le monomère peut être initialement mélangé avec le catalyseur oxydatif pour former une solution précurseur. Une fois e mélange formé, il peut être appliqué à l'élément anode et puis on le laisse polymériser de sorte à obtenir un revêtement conducteur sur la surface. En variante, le catalyseur oxydatif et le monomère peuvent être appliqués en séquence. Dans un mode de réalisation, par exemple, le catalyseur oxydatif est dissous dans un solvant organique (par exemple, du butanol) et puis appliqué comme une solution de trempage. L'élément anode peut ensuite être séché pour en éliminer le solvant. Ensuite, l'élément peut être plongé dans une solution contenant le monomère. Indépendamment, la polymérisation est d'ordinaire effectuée à des températures d'environ -10°C à environ 250°C, et dans certains modes de réalisation, d'environ 0°C à environ 200°C, en fonction de l'agent oxydant et du temps de réaction souhaité. Les techniques de polymérisation appropriées, telles que décrites plus haut, peuvent être décrites dans de plus amples détails dans le brevet U.S. n° 7 515 396 de Biler. D'autres procédés d'application d'un tel/de tels revêtement(s) conducteur(s) peuvent être décrits dans les brevets U.S. n° 5 457 862 de Sakata et al., 5 473 503 de Sakata et al., 5 729 428 de Sakata et al. et 5 812 367 de Kudoh et al. V. Autres couches Si souhaité, le condensateur peut également contenir d'autres couches comme connu dans l'art. Par exemple, il est possible d'appliquer à l'élément une couche de carbone (par exemple, graphite) et une couche d'argent, respectivement. Le revêtement d'argent peut, par exemple, agir comme un conducteur soudable, une couche de contact et/ou un collecteur de charge pour le condensateur et le revêtement de carbone peut limiter le contact de la couche d'argent avec l'électrolyte solide. Ces revêtements peuvent couvrir une partie ou l'ensemble de l'électrolyte solide. VI. Terminaisons Le condensateur peut également être doté de terminaisons, en particulier lorsqu'il est employé dans des applications de montage en surface. Par exemple, le condensateur peut contenir une terminaison d'anode à laquelle le fil d'anode de l'élément condensateur est connecté électriquement et une terminaison de cathode à laquelle la cathode de l'élément condensateur est connectée électriquement. N'importe quel matériau conducteur peut être employé pour former les terminaisons, tel qu'un métal conducteur (par exemple, cuivre, nickel, argent, nickel, zinc, étain, palladium, plomb, cuivre, aluminium, molybdène, titane, fer, zirconium, magnésium et alliages de ceux-ci). Parmi les métaux particulièrement appropriés, on trouve, par exemple, le cuivre, les alliages de cuivre (par exemple, cuivre-zirconium, cuivre-magnésium, cuivre-zinc ou cuivre-fer), le nickel et les alliages de nickel (par exemple, nickel-fer). L'épaisseur des terminaisons est généralement choisie pour minimiser l'épaisseur du condensateur. Par exemple, l'épaisseur des terminaisons peut aller d'environ 0,05 à environ 1 millimètre, dans certains modes de réalisation, d'environ 0,05 à environ 0,5 millimètres, et d'environ 0,07 à environ 0,2 millimètres. Un exemple de matériau conducteur est une plaque métallique en alliage de cuivre-fer disponible chez Wieland (Allemagne). Si souhaité, la surface des terminaisons peut être électrogalvanisée avec du nickel, de l'argent, de l'or, 5 de l'étain, etc., comme connu dans l'art pour s'assurer que l'élément final est montable sur la carte de circuit imprimé. Dans un mode de réalisation particulier, les deux surfaces des terminaisons sont plaquées avec des films minces de nickel et d'argent, 10 respectivement, alors que la surface de montage est également plaquée avec une couche de soudure d'étain. La figure 1 représente un mode de réalisation d'un condensateur électrolytique 30 qui comporte une terminaison d'anode 62 et une terminaison de cathode 72 15 en connexion électrique avec un élément condensateur 33. L'élément condensateur 33 a une surface supérieure 37, une surface inférieure 39, une surface avant 36 et une surface arrière 38. Bien qu'elle puisse être en contact électrique avec l'une quelconque des surfaces 20 de l'élément condensateur 33, la terminaison de cathode 72 dans le mode de réalisation illustré est en contact électrique avec la surface inférieure 39 et la surface arrière 38. De manière plus spécifique, la terminaison de cathode 72 contient un premier 25 composant 73 positionné de façon sensiblement perpendiculaire à un second composant 74. Le premier composant 73 est en contact électrique et généralement parallèle à la surface inférieure 39 de l'élément condensateur 33. Le second composant 74 est en contact 30 électrique et généralement parallèle à la surface arrière 38 de l'élément condensateur 33. Bien qu'illustré comme étant solidaires, il doit être entendu que ces parties peuvent en variante être des pièces séparées qui sont connectées ensemble, soit directement, soit via un élément conducteur supplémentaire (par exemple, du métal). Par ailleurs, dans certains modes de réalisation, il doit être entendu que le second composant 74 peut être éliminé de la terminaison de cathode 72. La terminaison d'anode 62 contient de même un premier composant 63 positionné de façon sensiblement perpendiculaire à un second composant 64. Le premier composant 63 est en contact électrique et généralement parallèle à la surface inférieure 39 de l'élément condensateur 33. Le second composant 64 contient une région 51 qui comporte un fil d'anode 16. Dans le mode de réalisation illustré, la région 51 possède une « forme en U » pour améliorer encore le contact de surface et la stabilité mécanique du fil 16. Les terminaisons peuvent être connectées à l'élément condensateur en utilisant n'importe quelle technique connue dans l'art. Dans un mode de réalisation, par exemple, une grille de connexion qui définit la terminaison de cathode 72 et la terminaison d'anode 62 peut être prévue. Pour attacher l'élément condensateur électrolytique 33 à la grille de connexion, un adhésif conducteur peut initialement être appliqué à une surface de la terminaison de cathode 72. L'adhésif conducteur peut inclure, par exemple, des particules de métal conducteur contenant une composition de résine. Les particules de métal peuvent être de l'argent, du cuivre, de l'or, du platine, du nickel, du zinc, du bismuth, etc. La composition de résine peut inclure une résine thermodurcie (par exemple, une résine époxy), un agent durcisseur (par exemple, un anhydride acide), et un agent de couplage (par exemple, un agent de couplage au silane). Les adhésifs conducteurs appropriés peuvent être décrits dans la publication de brevet U.S. n° 2006/0038304 d'Osako et al. N'importe laquelle d'une diversité de techniques peut être utilisée pour appliquer l'adhésif conducteur sur la terminaison de cathode 72. Des techniques d'impression peuvent par exemple être employées en raison des avantages pratiques et d'économie de coûts qu'elles présentent. Plusieurs procédés peuvent généralement être employés pour attacher les terminaisons au condensateur. Dans un mode de réalisation, par exemple, le second composant 64 de la terminaison d'anode 62 et le second composant 74 de la terminaison de cathode 72 sont initialement fléchis vers le haut vers la position représentée sur la figure 1. Ensuite, l'élément condensateur 33 est positionné sur la terminaison de cathode 72 de sorte que sa surface inférieure 39 entre en contact avec l'adhésif et le fil d'anode 16 est reçu par la région en U supérieure 51. Si souhaité, un matériau isolant (non représenté), tel qu'un tampon ou ruban plastique, peut être positionné entre la surface inférieure 39 de l'élément condensateur 33 et le premier composant 63 de la terminaison d'anode 62 pour isoler électriquement les terminaisons d'anode et de cathode. Le fil d'anode 16 est ensuite connecté électriquement à la région 51 en utilisant n'importe quelle technique connue dans l'art, telle qu'un soudage mécanique, un soudage au laser, des adhésifs conducteurs, etc. Par exemple, le fil d'anode 16 peut être soudé à la terminaison d'anode 62 au moyen d'un laser. Les lasers contiennent généralement des résonateurs qui contiennent un milieu laser capable de libérer des photons par émission stimulée et une source d'énergie qui excite les éléments du milieu laser. Un type de laser approprié est un laser dans lequel le milieu laser est constitué d'un grenat d'yttrium et d'aluminium (YAG), dopé au néodyme (Nd). Les particules excitées sont des ions néodyme Nd3+. La source d'énergie peut fournir une énergie continue au milieu laser pour émettre un faisceau laser continu ou des décharges d'énergie pour émettre un faisceau laser pulsé. Lors de la connexion électrique du fil d'anode 16 à la terminaison d'anode 62, l'adhésif conducteur peut ensuite être durci. Par exemple, une presse à chaleur peut être utilisée pour appliquer de la chaleur et une pression pour s'assurer que l'élément condensateur électrolytique 33 adhère de manière adéquate à la terminaison de cathode 72 au moyen de l'adhésif. Une fois que l'élément condensateur est attaché, 25 la grille de connexion est enfermée à l'intérieur d'un boîtier de résine, qui peut ensuite être remplie de silice et d'un quelconque autre matériau d'encapsulation connu. La longueur et la largeur du boîtier peuvent varier en fonction de l'application 30 prévue. Les boîtiers appropriés peuvent inclure, par exemple, « A », « B », « C », « D », « E », « F », « G », « H », « J », « K », « L », « M », « N », « P », « R », « S », « T », « V », « W », « Y », « X » ou « Z » (AVX Corporation). Indépendamment de la taille du boîtier employé, l'élément condensateur est encapsulé de sorte qu'au moins une partie des terminaisons d'anode et de cathode soient exposées pour montage sur une carte de circuit imprimé. Comme le montre la figure 1, par exemple, l'élément condensateur 33 est encapsulé dans un boîtier 28 de sorte qu'une partie de la terminaison d'anode 62 et une partie de la terminaison de cathode 72 soient exposées. Indépendamment de la manière particulière avec laquelle il est formé, le condensateur obtenu peut présenter d'excellentes propriétés électriques. La résistance équivalente en série (« RSE ») peut, par exemple, être d'environ 300 milliohms ou moins, dans certains modes de réalisation, d'environ 200 milliohms ou moins, et dans certains modes de réalisation, d'environ 1 à environ 100 milliohms, telle que mesurée avec une polarisation CC de 2,2 volts et un signal sinusoïdal crête à crête de 0,5 volt, sans harmonique, à une fréquence de 100 kHz. Par ailleurs, le courant de fuite, qui désigne généralement le courant passant d'un conducteur à un conducteur adjacent à travers un isolant, peut être maintenu à des niveaux relativement faibles. Par exemple, le courant de fuite peut être d'environ 40 pA ou moins, dans certains modes de réalisation, d'environ 25 pA ou moins, et dans certains modes de réalisation, d'environ 15 pA ou moins. La valeur numérique du courant de fuite normalisé du condensateur peut de même être d'environ 0,2 pA/pF*V ou moins, dans certains modes de réalisation, d'environ 0,1 pA/pF*V ou moins, et dans certains modes de réalisation, d'environ 0,05 pA/pF*V ou moins, où pA signifie microampères et pF*V est le produit de la capacité et de la tension nominale. Les valeurs RSE et de courant de fuite normalisé peuvent même être maintenues à des températures relativement élevées. Par exemple, les valeurs peuvent être maintenues après reflux (par exemple, pendant 10 secondes) à une température d'environ 100°C à environ 350°C, et dans certains modes de réalisation, d'environ 200°C à environ 300°C (par exemple, 240°C) La présente invention peut être mieux comprise en référence aux exemples suivants. Procédures d'essai Résistance équivalente en série (RSE) La résistance équivalente en série peut être mesurée en utilisant un appareil de mesure Keithley 3330 Precision LCZ à fils Kelvin avec une polarisation CC de 2,2 volts et un signal sinusoïdal crête à crête de 0,5 volt. La fréquence opérationnelle peut être de 100 kHz et la température peut être de 23°C + 2°C. Capacité La capacité peut être mesurée en utilisant un appareil de mesure Keithley 3330 Precision LCZ à fils Kelvin avec une polarisation CC de 2,2 volts et un signal sinusoïdal crête à crête de 0,5 volt. La fréquence opérationnelle peut être de 120 Hz et la température peut être de 23°C + 2°C. Courant de fuite : Le courant de fuite (« DCL ») peut être mesuré en utilisant un ensemble d'essai d'étanchéité qui mesure le courant de fuite à une température d'environ 25°C et à la tension nominale (par exemple, 4 V) au bout de 60 secondes. Exemple 1 200 000 pFV/g de poudre de tantale ont été utilisés pour former des échantillons d'anode. Chaque échantillon d'anode a été intégré avec un fil de tantale, fritté à 1250°C et compressé à une densité de 5,8 g/cm3. Les pastilles obtenues avaient une taille de 0,76 x 1,22 x 0,67 mm. Les pastilles ont été anodisées à 10,4 V dans un électrolyte d'acide nitrique à 0,1 % en poids pendant 10 heures pour former la couche diélectrique. Pour former la précouche, l'élément anode a été placé dans une atmosphère humidifiée (30°C, humidité de 8 g/m3) pendant 30 minutes et puis plongé pendant 3 minutes dans une solution contenant du nitrate de manganèse (gravité spécifique de 1,09) et 1 % en poids d'un tensioactif d'éther polyalkylique. L'élément a été placé dans une autre atmosphère humidifiée (30°C, humidité de 8 g/m3) pendant 120 minutes, et traité ensuite thermiquement à 250°C dans une atmosphère ayant une humidité relative de 80 %. Il a été déterminé que les nanoprojections de dioxyde de manganèse obtenues avaient une taille moyenne d'environ 10 nanomètres et que la couverture de surface était d'environ 10 %. La reformation a été effectuée à 8,4 V dans un électrolyte d'acide acétique à 0,1 % en poids pendant 20 minutes. L'élément anode a ensuite été plongé pendant 30 secondes dans une solution contenant 0,8 % en poids de gomme shellac et d'éthanol, et traité thermiquement à 125°C pendant 30 minutes. Pour former la couche de polymère conducteur, l'élément anode a été plongé initialement pendant 30 secondes dans une solution contenant 1 part de monomère de 3,4-éthylènedioxthiophène, 6,4 parts d'un oxydant (50 % en poids de p-toluènesulfonate de fer), 6 parts d'éthanol et 1 part d'eau. On a laissé le monomère polymériser pendant 60 minutes à 20°C dans une atmosphère contenant 80 % d'humidité relative, et puis on l'a lavé dans une solution contenant de l'eau, du butanol et du p-toluènesulfonate (2 % en poids). Une reformation a été effectuée pendant 30 minutes à 8,4 V dans un électrolyte contenant 0,01 % en poids d'acide phosphorique. L'élément d'anode a ensuite été plongé pendant 30 secondes dans une solution contenant un oxydant (55 % en poids de p-toluènesulfonate de fer) et séché pendant 5 minutes à 85°C, plongé pendant 1 seconde dans une solution contenant du monomère de 3,4-éthylènedioxthiophène, et on l'a ensuite laissé polymériser pendant 5 à 60 minutes à 20°C dans une atmosphère contenant 80 % d'humidité relative. L'élément a été lavé dans une solution contenant de l'eau, du butanol et du p-toluènesulfonate (2 % en poids). L'élément a été plongé dans une dispersion de graphite et séché, et puis plongé dans une dispersion d'argent et séché. Les éléments finis ont été terminés par une technologie d'assemblage classique. Après l'essai, on a déterminé que la capacité était de 45,5 pF, que la RSE était de 91 mS2 et que le courant de fuite était de 14,6 pA (le courant de fuite normalisé était de 0,051 pA/pF*V pour une tension nominale de 6,3 V). Exemple 2 150 000 pFV/g de poudre de tantale ont été utilisés pour former des échantillons d'anode. Chaque échantillon d'anode a été intégré avec un fil de tantale, fritté à 1300°C et compressé à une densité de 5,8 g/cm3. Les pastilles obtenues avaient une taille de 1,01 x 1,52 x 0,57 mm. Les pastilles ont été anodisées à 10,4 V dans un électrolyte d'acide nitrique à 0,1 % en poids pendant 10 heures pour former la couche diélectrique. Pour former la précouche, l'élément anode a été placé dans une atmosphère humidifiée (30°C, humidité de 8 g/m3) pendant 30 minutes et puis plongé pendant 3 minutes dans une solution contenant du nitrate de manganèse (gravité spécifique de 1,09) et 1 % en poids d'un tensioactif d'éther polyalkylique. L'élément a été placé dans une autre atmosphère humidifiée (30°C, humidité de 8 g/m3) pendant 120 minutes, et traité ensuite thermiquement à 250°C dans une atmosphère ayant une humidité relative de 80 %. On a déterminé que les nanoprojections de dioxyde de manganèse avaient une taille moyenne de 11 nanomètres et que la couverture de surface était d'environ 10 %. Une reformation a été effectuée à 8,4 V dans un électrolyte d'acide acétique à 0,1 % en poids pendant 20 minutes. L'élément anode a ensuite été trempé pendant 30 secondes dans une solution contenant 0,8 % en poids de gomme laque et d'éthanol, et traité thermiquement à 125°C pendant 30 minutes. Les parties restantes du condensateur, y compris la couche de polymère conducteur, ont été formées comme décrit dans l'exemple 1. Après l'essai, on a déterminé que la capacité était de 46,6 pF, que la RSE était de 71 mS2 et que le courant de fuite était de 12,1 pA (le courant de fuite normalisé était de 0,041 pA/pF*V pour une tension nominale de 6,3 V). Exemple 3 100 000 pFV/g de poudre de tantale ont été utilisés pour former des échantillons d'anode. Chaque échantillon d'anode a été intégré avec un fil de tantale, fritté à 1325°C et compressé à une densité de 6,0 g/cm3. Les pastilles obtenues avaient une taille de 0,70 x 1,08 x 0,57 mm. Les pastilles ont été anodisées à 19,4 V dans un électrolyte d'acide nitrique à 0,1 % en poids pendant 8 heures pour former la couche diélectrique. Pour former la précouche, l'élément anode a été placé dans une atmosphère humidifiée (30°C, humidité de 8 g/m3) pendant 30 minutes et puis plongé pendant 3 minutes dans une solution contenant du nitrate de manganèse (gravité spécifique de 1,09) et 1 % en poids d'un tensioactif d'éther polyalkylique. L'élément a été placé dans une autre atmosphère humidifiée (30°C, humidité de 8 g/m3) pendant 120 minutes, et traité ensuite thermiquement à 250°C dans une atmosphère ayant une humidité relative de 80 %. On a déterminé que les nanoprojections de dioxyde de manganèse obtenues avaient une taille moyenne de 11 nanomètres et que la couverture de surface était d'environ 10 %. La reformation a été effectuée à 17,4 V dans un électrolyte d'acide acétique à 0,1 % en poids pendant 20 minutes. L'élément d'anode a ensuite été plongé pendant 30 secondes dans une solution contenant 0,8 % en poids de gomme shellac et d'éthanol et traité thermiquement à 125°C pendant 30 minutes. Les parties restantes du condensateur, y compris la couche de polymère conducteur, ont été formées comme décrit dans l'exemple 1. Après l'essai, on a déterminé que la capacité était de 9,8 pF, que la RSE était de 132 mS2 et que le courant de fuite était de 0,3 pA (le courant de fuite normalisé était de 0,003 pA/pF*V pour une tension nominale de 10 V). Ces modifications et variations et autres modifications et variations de la présente invention peuvent être mises en oeuvre par l'homme du métier, sans s'écarter de l'esprit et de la portée de la présente invention. Par ailleurs, il doit être entendu que des aspects des différents modes de réalisation peuvent être interchangés à la fois en totalité et en partie. En outre, l'homme du métier comprendra que la description précédente est fournie à titre d'exemple uniquement et n'est pas censée limiter l'invention, qui sera décrite dans les revendications annexées. REVENDICATIONS1. Condensateur à électrolyte solide (30) comprenant : un corps d'anode ; un diélectrique qui recouvre le corps d'anode ; un revêtement d'adhérence qui recouvre le diélectrique, le revêtement d'adhérence contenant une précouche discontinue et une couche résineuse, la précouche discontinue contenant une pluralité de nanoprojections discrètes d'un oxyde de manganèse ; et un électrolyte solide qui recouvre le diélectrique et le revêtement d'adhérence, l'électrolyte solide incluant une couche de polymère conducteur. 2. Condensateur à électrolyte solide (30) selon la revendication 1, dans lequel le corps d'anode inclut du 15 tantale et le diélectrique inclut du pentoxyde de tantale. 3. Condensateur à électrolyte solide (30) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les nanoprojections ont une taille moyenne de 20 5 nanomètres à 500 nanomètres, de préférence, de 6 nanomètres à 250 nanomètres, plus préférablement, de 8 nanomètres à 150 nanomètres, et encore plus préférablement, de 10 nanomètres à 110 nanomètres. 4. Condensateur à électrolyte solide (30) selon 25 l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel 50 % ou plus, de préférence, 70 ou plus, et plus préférablement, 90 % ou plus des nanoprojections ont une taille moyenne de 10 nanomètres à 110 nanomètres. 5. Condensateur à électrolyte solide (30) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couverture de surface des nanoprojections est de 0,1 % à 40 %, de préférence, de 0,5 % à 30 %, et plus préférablement, de 1 % à 20 %. 6. Condensateur à électrolyte solide (30) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel l'oxyde de manganèse est un dioxyde de manganèse. 7. Condensateur à électrolyte solide (30) selon 10 l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la précouche recouvre le diélectrique et la couche résineuse recouvre la précouche. 8. Condensateur à électrolyte solide (30) selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel 15 la couche résineuse recouvre le diélectrique et la précouche recouvre la couche résineuse. 9. Condensateur à électrolyte solide (30) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche résineuse inclut une résine naturelle 20 ou synthétique. 10. Condensateur à électrolyte solide (30) selon la revendication 9, dans lequel la résine est relativement isolante. 11. Condensateur à électrolyte solide (30) selon 25 la revendication 9, dans lequel la résine est polymérique. 12. Condensateur à électrolyte solide (30) selon la revendication 9, dans lequel la résine est formée à partir d'un polyurétane, d'un polystyrène, d'un ester 30 d'un acide gras insaturé ou saturé, ou d'une combinaison de ceux-ci. 13. Condensateur à électrolyte solide (30) selon la revendication 9, dans lequel la résine est formée à partir de gomme laque. 14. Condensateur à électrolyte solide (30) selon 5 l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche de polymère conducteur inclut un polymère conducteur polymérisé chimiquement. 15. Condensateur à électrolyte solide (30) selon la revendication 14, dans lequel le polymère conducteur 10 est un polythiophène substitué. 16. Condensateur à électrolyte solide (30) selon la revendication 15, dans lequel le polythiophène substitué est un poly(3,4-éthylènedioxythiophène). 17. Condensateur à électrolyte solide (30) selon 15 l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel une couche de carbone, une couche d'argent ou les deux recouvre(nt) l'électrolyte solide. 18. Condensateur à électrolyte solide (30) selon l'une quelconque des revendications précédentes, 20 comprenant en outre une terminaison d'anode (62) qui est connectée électriquement à l'anode et une terminaison de cathode (72) qui est connectée électriquement à l'électrolyte solide. 19. Condensateur à électrolyte solide (30) selon 25 l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le condensateur présente une RSE de 300 milliohms ou moins, de préférence, de 200 milliohms ou moins, et encore plus préférablement, de 1 à 100 milliohms, comme déterminé à une fréquence de 30 100 kHz.' 51 20. Condensateur à électrolyte solide (30) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le condensateur présente un courant de fuite normalisé de 0,2 pA/pF*V ou moins, de préférence, de 0,1 pA/pF*V ou moins, et plus préférablement, de 0,05 pA/pF*V ou moins. 21. Procédé de formation d'un condensateur à électrolyte solide (30), le procédé comprenant : la mise en contact d'une anode qui contient un 10 corps d'anode et un diélectrique avec un revêtement d'adhérence multi-couche d'au moyen d'un procédé qui inclut : la formation d'une précouche discontinue par application d'une solution à l'anode qui contient un 15 précurseur d'oxyde de manganèse et par conversion pyrolytique du précurseur pour former une pluralité de nanoprojections discrètes d'un oxyde de manganèse ; et la formation d'une couche résineuse par application d'une solution à l'anode qui contient une 20 résine naturelle ou synthétique ; et la formation d'une couche de polymère conducteur qui recouvre le revêtement d'adhérence et le diélectrique. 22. Procédé selon la revendication 21, dans lequel 25 le précurseur d'oxyde de manganèse est du nitrate de manganèse. 23. Procédé selon la revendication 21, dans lequel la solution contient un tensioactif dans une quantité de 0,01 % en poids à 30 % en poids, de préférence, de 30 0,05 % en poids à 25 % en poids, et plus préférablement, de 0,1 % en poids à 20 % en poids. 24. Procédé selon la revendication 21, comprenant en outre la mise en contact de l'anode avec une atmosphère humidifiée avant la mise en contact avec la solution contenant le précurseur d'oxyde de manganèse. 25. Procédé selon la revendication 21, comprenant en outre la mise en contact de l'anode avec une atmosphère humidifiée après mise en contact avec la solution contenant le précurseur d'oxyde de manganèse, mais avant la conversion pyrolytique du précurseur. 26. Procédé selon la revendication 21, dans lequel le précurseur est converti pyrolytiquement en la présence d'une atmosphère humidifiée. 27. Procédé selon la revendication 24, 25 ou 26, dans lequel l'atmosphère humidifiée a un niveau 15 d'humidité de 1 à 30 g/m3, de préférence, de 4 à 25 g/m3, et plus préférablement, de 5 à 20 g/m3. 28. Procédé selon la revendication 24, 25 ou 26, dans lequel l'atmosphère humidifiée a une humidité relative de 30 % à 90 %, de préférence, de 40 % à 85 %, 20 et plus préférablement, de 50 % à 80 %. 29. Procédé selon la revendication 21, dans lequel le précurseur est converti pyrolytiquement à une température de 150°C à 300°C. 30. Procédé selon la revendication 21, dans lequel 25 le corps d'anode inclut du tantale et le diélectrique inclut du péroxyde de tantale. 31. Procédé selon la revendication 21, dans lequel les nanoprojections ont une taille moyenne de 5 nanomètres à 500 nanomètres, de préférence, de 30 6 nanomètres à 250 nanomètres, plus préférablement, de. 53 8 nanomètres à 150 nanomètres, et plus préférablement encore, de 10 nanomètres à 110 nanomètres. 32. Procédé selon la revendication 21, dans lequel 50 % ou plus, de préférence, 70 % ou plus, et encore plus préférablement, 90 (-à. ou plus des nanoprojections ont une taille moyenne de 10 nanomètres à 110 nanomètres. 33. Procédé selon la revendication 21, dans lequel la couverture de surface des nanoprojections est de 10 0,1 % à 40 %, de préférence, de 0,5 % à 30 %, et plus préférablement, de 1 % à 20 %. 34. Procédé selon la revendication 21, dans lequel l'oxyde de manganèse est du dioxyde de manganèse. 35. Procédé selon la revendication 21, dans lequel 15 la couche de polymère conducteur est formée par polymérisation chimique d'un monomère. 36. Procédé selon la revendication 35, dans lequel le monomère est un 314-éthylènedioxythiophène. 37. Procédé selon la revendication 21, dans lequel 20 la résine est relativement isolante. 38. Procédé selon la revendication 21, dans lequel la résine est formée à partir de gomme laque. 39. Procédé selon la revendication 21, dans lequel la solution contenant de la résine contient également 25 un solvant non aqueux, un agent durcisseur ou une combinaison de ceux-ci. 40. Procédé selon la revendication 21, comprenant en outre le chauffage de la solution contenant de la résine après application à l'anode. 30 41. Procédé selon la revendication 21, dans lequel la couche résineuse est formée après la précouche. 42. Procédé selon la revendication 21, dans lequel la précouche est formée après la couche résineuse.