FR 3002687 A1 20140829 FR 1300439 A 20130226 DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé de traitement d'une structure. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Un procédé de traitement d'une structure 1 connu de l'état de l'art, et illustré aux figures 1 et 2, est un procédé de traitement d'une structure 1, la structure 1 comprenant de sa face arrière vers sa face avant un substrat support 4, une couche d'isolant 3, et une couche utile 2, la couche utile 2 présentant une surface libre S, la structure 1 étant placée dans une atmosphère comprenant des espèces chimiques 6 sous forme gazeuse, les espèces chimiques 6 étant susceptibles de réagir chimiquement avec la couche utile 2, avec une cinétique strictement croissante en fonction de la température de la couche utile 2. Pendant le procédé de traitement, la structure 1 est maintenue sur un support de structure 5 (ou « chuck » selon la terminologie anglo-saxonne). Le support de structure 5 est disposé dans une chambre de réaction 9. La couche utile 2 est généralement chauffée de manière uniforme par l'intermédiaire d'un système de chauffage 7, par exemple des résistances chauffantes ou encore des lampes halogènes. Ainsi, les espèces chimiques 6 injectées dans la chambre de réaction 9 réagissent chimiquement avec la surface libre S de la couche utile 2. Le type de réaction chimique dépend de la nature des espèces chimiques 6 et de la couche utile 2, et peut alors prendre la forme d'un amincissement par une gravure de la couche utile 2, ou encore d'un épaississement par épitaxie de la couche utile 2. Cependant, la couche utile 2 présente généralement des variations d'épaisseurs. Par conséquent, pour un chauffage uniforme de la couche utile 2, la cinétique de la réaction chimique entre les espèces chimiques 6 et la couche utile 2 étant la même en tout point de la surface libre S de la couche utile 2, les variations d'épaisseurs de la couche utile 2 subsistent après le procédé de traitement. Donc, le principal inconvénient de ce procédé de traitement est que, lors de la réaction d'amincissement ou d'épaississement, les variations d'épaisseurs de la couche utile 2 subsistent et peuvent même être dégradées. Ainsi, dans les structures 1, telles que de semi-conducteur sur isolant (Se01), des variations d'épaisseurs sont observées sur une gamme de distances variant de quelques nanomètres à la taille de la structure 1. Certaines techniques permettent de réduire les variations d'épaisseur sur des distances inférieures à 2 pm. Cependant, sur la gamme de distances comprises entre 2 pm et quelques centimètres, la réduction des non uniformités en épaisseur de la couche utile 2 reste très difficile. Notamment, un procédé d'épaississement par épitaxie de la couche de semi-conducteur, ou d'amincissement par gravure de la couche de semiconducteur, d'une structure 1 de type Se01, ne réduit pas les variations 15 d'épaisseurs de la couche de semi-conducteur. L'invention propose donc un procédé de traitement d'une structure 1 visant à réduire les variations d'épaisseur de la couche utile 2. BREVE DESCRIPTION DE L'INVENTION La présente invention vise à remédier en tout ou partie à l'inconvénient 20 précité, et concerne un procédé de traitement d'une structure , la structure comprenant de sa face arrière vers sa face avant un substrat support, une couche d'isolant, et une couche utile, la couche utile présentant une surface libre, la structure étant placé dans une atmosphère comprenant des espèces chimiques sous forme gazeuse, les espèces chimiques étant susceptibles 25 de réagir chimiquement avec la couche utile, avec une cinétique strictement croissante en fonction de la température de la couche utile ; ledit procédé de traitement étant remarquable en ce que la couche utile est chauffée par un faisceau laser à impulsions, le faisceau balayant au moins en partie la surface libre de la couche utile, la longueur d'onde du faisceau s'étendant à 30 plus ou moins 15 nm, de préférence à plus ou moins 7 nm, d'une longueur d'onde centrale, la longueur d'onde centrale étant choisie de sorte à ce que la sensibilité de la réflectivité de la structure par rapport à la couche d'isolant soit nulle. Pour une structure comprenant une première couche et une seconde couche, par sensibilité de la réflectivité de la structure par rapport à la première couche, on entend le rapport entre : - la différence entre les réflectivités de deux structures pour lesquels la première couche présente une différence d'épaisseur donnée et - ladite différence d'épaisseur donnée, les épaisseurs des secondes couches étant quant à elles fixes et identiques dans les deux structures. La différence d'épaisseur donnée étant avantageusement inférieure à 1A. De manière plus formelle, la sensibilité de la réflectivité de la structure par rapport à une couche correspond à la dérivée partielle de la réflectivité par rapport à l'épaisseur de ladite couche, les épaisseurs des autres 15 couches comprises dans la structure étant fixées. Ainsi, les impulsions laser permettent de générer un échauffement au point d'impact desdites impulsions sur la surface libre de la couche utile. La température ainsi atteinte par la couche utile audit point d'impact permet d'activer la réaction chimique des espèces chimiques avec la couche 20 utile. Par ailleurs, pour une la longueur d'onde du faisceau s'étendant à plus ou moins 15 nm, de préférence à plus ou moins 7 nm, d'une longueur d'onde centrale, la Déposante a constaté que l'échauffement de la couche utile ne dépend que de l'épaisseur de la couche utile. 25 Dit autrement, l'échauffement de la couche utile est essentiellement indépendant des épaisseurs de la couche d'isolant considérée dans le calcul de la sensibilité de la réflectivité de la structure par rapport à la couche d'isolant. L'échauffement de la couche utile reste essentiellement indépendant 30 de l'épaisseur de la couche d'isolant également pour de faibles variations d'épaisseur de la couche utile autour de l'épaisseur moyenne Em. Par faibles variations d'épaisseurs de la couche utile, on entend une variation de +/- 15 A, de préférence +/- 10 A, encore plus préférentiellement +/- 5 A autour de la valeur moyenne Em de l'épaisseur de la couche utile. La longueur d'onde centrale du faisceau laser à impulsions est alors calculée pour une épaisseur moyenne de la couche utile, et la longueur d'onde du faisceau laser à impulsions est choisie dans une gamme comprise à +/- 15 nm, de préférence à +/- 7 nm autour de la longueur centrale X0. Par conséquent, la longueur d'onde des impulsions laser peut être 10 choisie de sorte à chauffer les zones de la couche utile les plus épaisses à une température plus importante que les zones les moins épaisses. Ainsi, une réaction d'amincissement par gravure présentera une cinétique plus importante dans les zones les plus épaisses de la couche utile. 15 De la même manière, la longueur d'onde des impulsions laser peut être choisie de sorte à chauffer les zones de la couche utile les moins épaisses à une température plus importante que les zones les plus épaisses. Ainsi, une réaction d'épaississement par épitaxie présentera une cinétique plus importante dans les zones les plus fines de la couche utile. 20 Le contrôle, en fonction de l'épaisseur, de la cinétique de réaction permet, tout en épaississant ou en amincissant la couche utile, ainsi de réduire les variations d'épaisseurs de la couche utile lorsqu'elle est balayée de manière équivalente en tout point de sa surface libre en présence des espèces chimiques. 25 Selon un mode de mise en oeuvre, la structure est disposée dans une enceinte réactive comprenant les espèces chimiques. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche utile présente des variations d'épaisseur selon une longueur d'onde spatiale I, la durée des impulsions du faisceau laser étant inférieure à une valeur tv, tv étant égal à : 30 tv = /2/D, D étant le coefficient de diffusion thermique dans la couche utile. On entend par la durée d'une impulsion laser, un temps unitaire durant lequel un faisceau est émis. Par variations d'épaisseur selon une longueur d'onde spatiale, on entend la période spatiale selon laquelle des variations d'épaisseur de la couche utile sont observables. Ainsi, pour des durées d'impulsions inférieures à tv, il est possible de ne pas atteindre l'équilibre thermique au point d'impact des impulsions laser sur la couche utile. Ceci est particulièrement intéressant lorsque des variations d'épaisseurs de la couche utile sont observées à une échelle de distance inférieure à la taille du point d'impact des impulsions laser. En effet, pour de telles durées d'impulsions, le point d'impact ne subit pas un échauffement uniforme sur toute sa surface, plus précisément les zones du point d'impact les plus fines ne sont pas chauffées à la même température que les zones du point d'impact les plus épaisses. Notamment, cet effet est particulièrement avantageux dans le cas de structure Se01 présentant des trous non traversant de taille inférieure à quelques centaines de micromètres sur la couche utile. Par trous non traversant, on entend des trous qui ne s'étendent pas sur toute l'épaisseur de la couche utile. L'utilisation d'impulsions laser d'une durée inférieure à tv permettra ainsi de réduire les variations d'épaisseur de la couche utile sur les distances inférieures aux dimensions du point d'impact.. Selon un mode de mise en oeuvre, dans lequel le faisceau laser à impulsions a une durée d'impulsion inférieure à 100 ns. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche utile' est une couche de 25 matériau semi-conducteur comprenant au moins un des matériaux suivant Silicium, Germanium, Alliage de silicium Germanium. Selon un mode de mise en oeuvre, les espèces chimiques permettent de graver la couche utile, la longueur d'onde du faisceau laser à impulsions est choisie de sorte à correspondre à une valeur négative de la sensibilité de 30 la réflectivité de la structure par rapport à la couche utile. Ainsi, plus la zone de la couche utile impactée par les impulsions laser est épaisse plus la température atteinte lors de l'échauffement est importante. Par conséquent, plus la zone de la couche utile est épaisse, plus la cinétique de gravure est importante. Il est donc possible d'effectuer une gravure partielle de la couche utile sur toute sa surface tout en réduisant la variation d'épaisseur de la couche utile. Selon un mode de mise en oeuvre, les espèces chimiques comprennent du HCI. Ainsi, il est possible de graver une couche utile comprenant des 10 éléments semi-conducteurs tels que du Silicium, du Germanium, ou encore des alliages de Silicium Germanium. Selon un mode de mise en oeuvre, les espèces chimiques permettent d'épaissir la couche utile par épitaxie, et la longueur d'onde du faisceau laser à impulsions est choisie de sorte à correspondre à une valeur positive 15 de la sensibilité de la réflectivité de la structure par rapport à la couche utile. Ainsi, plus la zone de la couche utile impactée par les impulsions laser est fine, plus la température atteinte lors de l'échauffement est importante. Par conséquent, plus la zone de la couche utile est fine, plus la cinétique d'épaississement par épitaxie est importante. Il est donc possible 20 d'effectuer un épaississement par épitaxie de la couche utile sur toute sa surface tout en réduisant la variation d'épaisseur de la couche utile. Selon un mode de mise en oeuvre, les espèces chimiques comprennent au moins une des espèces suivante : Silane, di-silane, tri- silane, mono-chlorosiliane, di-chlorosilane, tri-chlorosilane, tétra- 25 chlorosilane, germane, mono-chlorogermane, di-chlorogermane, trichlorogermane, tétrachlorogermane. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche d'isolant comprend du dioxyde de silicium. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche d'isolant présente une 30 épaisseur inférieure à 150 nm, de préférence inférieure à 50 nm, encore plus préférentiellement inférieure à 25 nm. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche utile présente une épaisseur inférieure à 50 nm, préférentiellement inférieure à 25 nm. Selon un mode de mise en oeuvre, dans lequel la surface du point d'impact du faisceau laser sur la surface libre de la couche utile est 5 supérieure à 0.1 mm2, de préférence supérieure à 10 mm2. Selon un mode de mise en oeuvre, dans lequel le faisceau laser à impulsions a une énergie d'impulsion comprise entre 100 et 1500 mJ/cm2. Selon un mode de mise en oeuvre, dans lequel le faisceau laser à impulsions a une fréquence de répétition des impulsions comprise entre 1 10 Hz, et 10 kHz. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche utile présente une variation d'épaisseur inférieure à 30 A, de préférence inférieure à 20 A, encore plus préférentiellement inférieure à 10 A. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS 15 D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre de deux modes de mise en oeuvre d'un procédé de traitement d'une structure selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est une vue en coupe d'une structure traité par un procédé 20 de traitement selon les techniques connues de l'art antérieur, - la figure 2 illustre de manière schématique une enceinte de réaction permettant de traiter une structure selon les techniques connues de l'art antérieur, - la figure 3 est une vue en coupe d'une structure traitée par un procédé 25 de traitement selon l'invention, la figure 4 illustre de manière schématique une enceinte de réaction permettant de traiter une structure selon l'invention, la figure 5 illustre de manière schématique les réflexions se produisant dans deux couches d'une structure, 30 - la figure 6 présente les courbes de la sensibilité de la réflectivité d'une structure de silicium sur isolant, en fonction de la longueur d'onde, par rapport à la couche mince de silicium (courbes Sil et Si2) et par rapport à la couche d'oxyde enterrée (courbes BOX1 et BOX2), - la figure 7 présente l'élévation de température générée par un laser à impulsions sur une structure de silicium sur isolant comprenant une couche d'oxyde de silicium enterrée de 250 À, une couche de silicium de 120 A dans une zone de la structure, et de 130 A dans une autre zone de la structure, - La figure 8 est un schéma de principe du chauffage d'une zone de la couche utile présentant une variation d'épaisseur à une échelle de distances inférieure à la taille du faisceau laser à impulsions. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION Pour les différents modes de mise en oeuvre, les mêmes références seront utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction, par souci de simplification de la description. Le procédé de traitement illustré aux figures 3 et 4 est un procédé de traitement d'une structure 1, la structure 1 comprenant de sa face arrière vers sa face avant une substrat support 4, une couche d'isolant 3, et une couche utile 2, la couche utile 2 présentant une surface libre S, la structure 1 étant placée dans une atmosphère comprenant des espèces chimiques 6 sous forme gazeuse, les espèces chimiques 6 étant susceptibles de réagir chimiquement avec la couche utile 2, avec une cinétique strictement croissante en fonction de la température de la couche utile 2; la couche utile 2 est chauffée par un faisceau 8 laser à impulsions, le faisceau 8 balayant au moins en partie la surface libre S de la couche utile 2, la longueur d'onde du faisceau 8 s'étendant à plus ou moins 15 nm, de préférence à plus ou moins 7 nm, d'une longueur d'onde centrale, la longueur d'onde centrale étant choisie de sorte à ce que la sensibilité de la réflectivité de la structure 1 par rapport à la couche d'isolant 3 soit nulle. La couche d'isolant 3 peut comprendre du dioxyde de silicium. La couche d'isolant 3 peut présenter une épaisseur inférieure à 150 nm, de préférence inférieure à 50 nm, encore plus préférentiellement inférieure à 25 nm. La couche utile 2 peut présenter une épaisseur inférieure à 50 nm, préférentiellement inférieur à 25 nm. De manière avantageuse, la couche utile 2 peut présenter une variation d'épaisseur inférieure à 30 A, de préférence inférieure à 20 A, encore plus préférentiellement inférieure à 10 A. Description du mode de chauffage de la couche utile 2 : a/ Réflectivité d'une structure 1 en fonction de la longueur d'onde Considérons tout d'abord, tel qu'illustré à la figure 3, une structure 1 comprenant un couche utile 2 et une couche d'isolant 3 toutes deux disposées sur un substrat support 4. La figure 5 illustre de manière schématique les réflexions se produisant dans la couche utile 2 et la couche d'isolant 3 (le substrat support 4 n'a pas été représenté). Un rayon incident sur la surface libre S est partiellement réfléchi sur ladite surface et partiellement transmis à travers la couche utile 2. La partie du rayon transmis est à son tour partiellement réfléchie à l'interface entre la couche utile 2 et la couche d'isolant 3, et partiellement transmise à travers la couche d'isolant 3. La couche utile 2 et la couche d'isolant 3 présentent des indices de réfraction différents, notés respectivement n1 et n2. Il est possible d'exprimer de manière matricielle la réflectivité d'un tel empilement de la couche utile 2 et de la couche d'isolant 3. L'équation : rEitEi [E,±,±1 LEm+i, où Ei)E et sont les composantes du champ électrique incident et réfléchies sur la couche utile 2, M est la matrice de diffusion et Em+ +1 et E,i,+lsont les composantes du champ électrique incident et réfléchies sur la couche m+1, m+1 étant égal au nombre de couches de la structure 1 (l'indice 0 correspondant au milieu entourant la structure 1), peut s'écrire sous la forme : - im(m+1) M = [M1.1 M121 = M22 q- M21 = tjk P où L = [e-i") 0 -,1/2 compris entre 1 et m+1, ll sur la surface sur la surface S de la j. o e de rik et de transmission qi = fiicostb = - igsincpoi (perpendiculaire d'incidence) : 00 et (Pj sont respectivement structure 1 et de réflexion Les coefficients complexes tjk sont définis par les formules - pour la polarisation s l'angle m ï suivantes [ rik Fresnel 1 (v-1)v Lv , j v=1 rik tir est - = - 11 un entier d'incidence de la couche de réflexion : au plan qj-qk agi, 1 - 2qi i rk - - = qi+qk c1J+qk - pour la polarisation p (dans le plan d'incidence) : 2 -2 nkCIJ Clk anjnigj rik = negj+nfqk et tik = Ces coefficients permettent de simuler la réflectivité de l'empilement de 15 la couche utile 2 et de la couche d'isolant 3 pour toute la gamme de longueurs d'ondes accessibles avec les lasers connus. La réflectivité de l'empilement de la couche utile 2 et de la couche d'isolant 3 dépend de plusieurs paramètres : l'épaisseur de chacune des couches, la polarisation du flux lumineux incident, l'angle d'incidence et la 20 longueur d'onde du flux lumineux. La connaissance de la réflectivité d'une structure 1 permet de définir une nouvelle grandeur : la sensibilité de la réflectivité de la structure 1 par rapport à une couche comprise dans ladite structure. bi Définition de la sensibilité de la réflectivité de la structure 1 25 Pour une structure 1 comprenant une couche utile 2 et une couche d'isolant 3, la sensibilité de la réflectivité de la structure 1 par rapport à la couche d'isolant 3 est définie comme le rapport entre : - la différence entre les réflectivités de deux structures 1 pour lesquelles la couche d'isolant 3 présente une différence d'épaisseur donnée et - ladite différence d'épaisseur donnée, l'épaisseur de la couche utile 2 étant identique dans les deux structures 1. La différence d'épaisseur donnée étant avantageusement inférieure à 1A. De manière plus formelle, la sensibilité de la réflectivité de la structure 1 par rapport à la couche d'isolant 3 (respectivement la couche utile 2) correspond à la dérivée partielle de la réflectivité par rapport à l'épaisseur de 10 la couche d'isolant 3 (respectivement la couche utile 2), l'épaisseur de la couche utile 2 (respectivement la couche d'isolant 3) comprise dans la structure 1 étant fixée. Par exemple, pour une structure 1 de type silicium sur isolant, telle qu'illustrée à la figure 3, on calcule la sensibilité de la réflectivité de la 15 structure 1 par rapport à la couche utile 2 en fixant l'épaisseur de la couche d'isolant 3 et en déterminant la réflectivité de la structure 1 pour deux épaisseurs différentes de la couche utile 2, la différence entre ces deux épaisseurs étant par exemple de 1 A. Pour la même structure 1, on définit la sensibilité de la réflectivité de la 20 structure 1 par rapport à la couche d'isolant 3 en fixant l'épaisseur de la couche utile 2 et en déterminant la réflectivité de la structure 1 pour deux épaisseurs différentes de la couche d'isolant 3, la différence entre ces deux épaisseurs étant par exemple de 1 A. La figure 6 illustre les courbes de la sensibilité de la réflectivité (notée 25 SR, exprimée en A-1) d'une structure 1 de silicium sur isolant en fonction de la longueur d'onde À avec une lumière non polarisée calculées par rapport à la couche de silicium (courbes Sil et Si2) et par rapport à la couche d'oxyde enterrée (courbes BOX1 et BOX2), pour une variation d'épaisseur de 1 A de la couche considérée. Dans cette structure 1, la couche de silicium présente 30 une épaisseur de 12 nm environ et la couche d'oxyde enterrée une épaisseur de 25 nm environ. 3 002 6 8 7 12 cl Critère de choix de la longueur d'onde du faisceau laser à impulsions La déposante a défini une longueur d'onde annulant la sensibilité de la réflectivité d'une structure 1 par rapport à la couche d'isolant 3, l'épaisseur de la couche utile 2 étant égale à une valeur moyenne Em. La longueur d'onde du laser à impulsions permettant de réaliser cette condition est notée longueur d'onde centrale, notée Xo. Pour des longueurs d'ondes du laser à impulsion proche de la longueur centrale X0, la déposante a constaté qu'il se produit un échauffement de la couche utile 2. Par ailleurs, l'échauffement de la couche utile 2 est essentiellement indépendant des épaisseurs de la couche d'isolant 3 considérée dans le calcul de la sensibilité de la réflectivité de la structure 1 par rapport à la couche d'isolant 3. L'échauffement de la couche utile 2 reste essentiellement indépendant de l'épaisseur de la couche d'isolant 3 également pour de faibles variations d'épaisseur de la couche utile 2 autour de l'épaisseur moyenne Em. Par faibles variations d'épaisseurs de la couche utile 2, on entend une variation de +1- 15 A, de préférence +1- 10 A, encore plus préférentiellement 20 +1- 5 A autour de la valeur moyenne Em de l'épaisseur de la couche utile 2. Par longueurs d'ondes proches de la longueur d'onde centrale, on entend des longueurs d'ondes comprises dans la gamme de longueurs d'ondes X0-15 nm à X0+15 nm, encore plus préférentiellement dans la gamme de longueurs d'ondes X0-7 nm à X0+7 nm. 25 La longueur d'onde centrale du faisceau 8 laser à impulsions est alors calculée pour une épaisseur moyenne de la couche utile 2, et la longueur d'onde du faisceau 8 laser à impulsions est choisie dans une gamme comprise à +1- 30 nm, de préférence à +1- 15 nm autour de la longueur centrale Xo. 30 L'utilisation d'un faisceau 8 laser à impulsions, plutôt qu'un laser continu, permet de circonscrire l'échauffement au niveau du point d'impact P (illustré sur la figure 4) du faisceau 8 sur la couche utile 2 et son volume sous-jacent. Par ailleurs, la longueur d'onde du laser à impulsions peut être sélectionnée de sorte à ce que plus la couche utile 2 est fine, plus la température atteinte par la couche utile 2 est importante. Ce résultat est obtenu lorsque les deux conditions suivantes sont réalisées: la longueur d'onde du laser est comprise dans la gamme de longueurs d'ondes X0-15 nm à X0+15 nm, encore plus préférentiellement dans la gamme de longueurs d'ondes 2^,0-7 nm à X0+7 nm, où Io étant la longueur d'onde annulant la sensibilité de la réflectivité d'une structure 1 donnée par rapport à la couche d'isolant 3 tel que défini plus haut. la sensibilité de la réflectivité d'une structure 1 donnée par rapport à la couche utile 2 est positive. Ces conditions sont notées mode de chauffage A. En effet, selon le mode de chauffage A, l'intensité du rayonnement réfléchi augmente lorsque l'épaisseur de la couche utile augmente. Par conséquent, l'échauffement est moins important lorsque l'épaisseur de la couche utile 2 augmente. Inversement, la longueur d'onde du laser à impulsions peut être sélectionnée de sorte à ce que plus la couche utile 2 est épaisse, plus la température atteinte par la couche utile 2 est importante. Ce résultat est obtenu lorsque les deux conditions suivantes sont réalisées: la longueur d'onde du laser est comprise dans la gamme de longueurs d'ondes X0-15 nm à X0+15 nm, encore plus préférentiellement dans la gamme de longueurs d'ondes a,0-7 nm à X0+7 nm, où X0 étant la longueur d'onde annulant la sensibilité de la réflectivité d'une structure 1 donnée par rapport à la couche d'isolant 3 tel que défini plus haut. la sensibilité de la réflectivité d'une structure 1 donnée par rapport à la couche utile 2 est négative. Ces conditions sont notées mode de chauffage B. En effet, selon le mode de chauffage B, l'intensité du rayonnement réfléchi diminue lorsque l'épaisseur de la couche utile augmente. Par conséquent, l'échauffement est plus important lorsque l'épaisseur de la 5 couche utile 2 augmente. Un faisceau laser à impulsions balayant la surface libre S de la couche utile 2 chauffe de manière individuelle les différents points d'impacts de la couche utile 2. L'échauffement sur chaque point d'impact de la couche utile 2 dépend de l'épaisseur de couche utile 2 audit point d'impact P. 10 A titre d'exemple, considérons une structure 1 de Silicium sur isolant comprenant une couche de dioxyde de silicium de 250 A, et une couche de silicium de 125 A en moyenne, et présentant une variation d'épaisseur de +/15 5 A autour de l'épaisseur moyenne. Selon la figure 6, présentant la sensibilité de la réflectivité de la structure 1 par rapport à l'épaisseur de la couche de dioxyde de silicium, l'énergie d'un faisceau 8 laser de longueur d'onde égale à 510 nm correspond à un mode de chauffage A. 20 La structure 1 est irradiée par un laser à impulsions présentant les caractéristiques suivantes : - une longueur d'onde de 510 nm ; - des impulsions de 10 ns ; - fréquence de répétition des impulsions de 10 kHz ; 25 énergie des impulsions 500 mJ/cm2; Telle que représentée à la figure 7, la température atteinte par la couche de silicium est de 1000°C pour une couche de 120 A, tandis qu'elle n'est que de 950°C pour une couche de 130 A. Les zones les plus fines de la couche de silicium sont chauffées à des 30 températures plus importantes que les zones les plus épaisses. Par ailleurs, l'échauffement de la couche utile 2, généré par le laser à impulsion, un front de diffusion de la chaleur diffuse sur une distance d selon la loi : d = V(Dt) où t est la durée d'une impulsion laser, D le coefficient de diffusion thermique, et d la distance parcourue par le front de diffusion de chaleur. Considérons alors une couche utile 2 présentant des variations d'épaisseur selon une longueur d'onde spatiale I. Il est particulièrement avantageux de sélectionner une durée d'impulsion laser inférieure à tv, où tv est définie par la loi suivante : /2 tv = D Ainsi, pour des durées d'impulsions t inférieures à tv, il est possible de ne pas atteindre l'équilibre thermique au point d'impact des impulsions laser sur la couche utile 2. Ceci est particulièrement intéressant lorsque des variations d'épaisseurs de la couche utile 2 sont observées à une échelle de distance inférieure à la taille du point d'impact des impulsions laser. En effet, pour de telles durées d'impulsions, le point d'impact ne subit pas un échauffement uniforme sur toute sa surface. Plus précisément les zones du point d'impact les plus fines ne sont pas chauffées à la même température que les zones du point d'impact les plus 20 épaisses. A titre d'exemple, considérons le cas de structure 1 SOI (silicium sur isolant) présentant des trous non traversant de largeur inférieure à 1 micromètre sur la couche utile 2. Par trous non traversant, on entend des trous qui ne s'étendent pas sur 25 toute l'épaisseur de la couche utile 2. Le coefficient de diffusion thermique du silicium est égal à 87 mm2/s. tv est alors égale à 11.5 ns. Telle qu'illustrée à la figure 8, une structure 1 présente une région S1 plus épaisse qu'une région S2. Les régions S1 et S2 sont irradiées par un faisceau 8 laser à impulsions respectant par exemple les conditions de mode de chauffage A. L'équilibre thermique au point d'impact n'étant pas atteint pour des impulsions d'une durée inférieure à tv, il est alors possible d'observer un 5 échauffement plus important dans la zone S2 que dans la zone S1. Pour des conditions selon un mode de chauffage B, l'effet inverse sera observé. De manière particulièrement avantageuse, les modes de chauffage A et B sont réalisés avec un laser à impulsions présentant au moins une des caractéristiques suivantes : 10 Le point d'impact P du faisceau 8 laser à impulsions peut avoir une surface supérieure à 0.1 mm2, de préférence supérieure à 10 mm2. - une durée d'impulsion inférieure à 100 ns, de préférence inférieure à 50 ns, par exemple 10 ns. - une énergie d'impulsion comprise entre 100 et 1500 mJ/cm2 15 une fréquence de répétition des impulsions comprise ente 1 Hz, et 10 kHz. Cette méthode d'échauffement de la couche utile 2 peut avantageusement être mise à profit pour des procédés de traitement d'une structure 1 comprenant une couche utile 2 en recouvrement d'une couche 20 d'isolant 3, ladite couche utile 2 présentant des variations d'épaisseurs. Premier mode de réalisation. Dans un premier mode de réalisation, illustré aux figures 3 et 4, il est question de réaliser un épaississement par épitaxie de la couche utile 2. La structure 1 est donc installée de préférence sur un support de 25 structure 5 dans une enceinte de réaction 9. De manière particulièrement avantageuse, la couche utile 2 est une couche de semi-conducteur comprenant au moins un des matériaux suivants : Silicium, Germanium, Alliage de Silicium Germanium. Des espèces chimiques 6 sous forme gazeuse sont introduites dans 30 l'enceinte de réaction 9, les espèces chimiques 6 étant susceptibles de réagir chimiquement avec la couche utile 2, avec une cinétique strictement croissante en fonction de la température de la couche utile 2. De manière particulièrement avantageuse, les espèces chimiques 6 introduites dans la chambre de réaction peuvent comprendre au moins une des espèces suivantes : Silane, di-silane, tri-silane, mono-chlorosiliane, di- chlorosilane, tri-chlorosilane, tétra-chlorosilane, germane, monochlorogermane, di-chlorogermane, tri-chlorogermane, tétra-chlorogermane. Les espèces chimiques 6 injectées dans la chambre de réaction sont généralement diluées dans un gaz porteur comprenant au moins un des gaz suivants : Azote, Argon, Dihydrogène. La couche utile 2 est alors chauffée par un faisceau 8 laser à impulsions, le faisceau 8 balayant au moins en partie la surface libre S la couche utile 2. Une fenêtre transparente au faisceau 8 laser à impulsions est ménagée dans l'enceinte, de sorte à permettre au faisceau 8 laser à impulsions, généré hors de l'enceinte réactive, de produire une échauffement de la couche utile 2 disposée à l'intérieur de l'enceinte réactive. La surface libre S de la couche utile 2 est alors balayée par mouvements du faisceau 8 laser à impulsions et/ou par mouvement du support 5 sur lequel repose la structure 1. La longueur d'onde du faisceau 8 laser est choisie pour remplir les deux conditions d'un mode de chauffage A. Ainsi, lors de l'impact du faisceau 8 laser à impulsions sur la surface libre S de la couche utile 2, il se produit un échauffement de la couche utile 25 2 au niveau du point d'impact P. Ainsi, lorsque le faisceau 8 laser à impulsions balaie la surface, il se produit un échauffement plus important dans les zones de la couche utile 2 les plus fines que dans les zones les plus épaisses. Cet échauffement provoque la réaction des espèces chimiques 6 avec 30 la couche utile 2. 3002 687 18 Dans le présent mode de réalisation, la réaction chimique est une réaction d'épaississement par épitaxie de la couche utile 2. Les zones les plus fines de la couche utile 2 subissant un échauffement plus important que les zones épaisses, la réaction d'épaississement par 5 épitaxie se déroule à une vitesse plus importante dans les zones fines que dans les zones épaisses. Par conséquent, lors de l'épaississement de la couche utile 2, l'écart d'épaisseur entre les zones fines et les zones épaisses de la couche utile 2 diminue. 10 De manière particulièrement avantageuse, la structure 1 est un substrat de silicium sur isolant. A titre d'exemple, la couche d'isolant 3 est une couche de dioxyde de silicium de 250 A. La couche utile 2 peut une couche de silicium de 125 A en moyenne. 15 La couche de silicium présente une variation d'épaisseur s'étendant de 120 A à 130 A. La figure 6 présente les sensibilités de la réflectivité de la structure 1 par rapport à la couche de silicium et la couche de dioxyde de silicium, respectivement. 20 Le rectangle en pointillés apparaissant sur ce graphe, indique une gamme de longueurs d'ondes appropriées pour un mode de chauffage A. Ainsi, cette structure 1 est irradiée par un laser à impulsions d'une longueur d'onde de 510 nm, avec des impulsions de 10 ns, les impulsions étant répétées à une fréquence de 10 kHz, chaque impulsion ayant une 25 énergie de 500 mJ/cm2 permet de chauffer la couche silicium. Le temps de traitement étant de 10 secondes par zone irradiée. Pendant l'irradiation, la structure 1 est dans une atmosphère d'espèces chimiques 6 comprenant un mélange de dichlorsilane et de dihydrogène, à une pression de 80 mT. Un tel traitement exécuté sur toute la structure 1 permet de réduire la non uniformité en épaisseur à 2 A par rapport à une non uniformité initiale de 10 A. Par ailleurs, des variations d'épaisseur de la couche utile 2 sur des distances inférieures à la taille du faisceau 8, une diminution de la non uniformité sera aussi observée dans le cas de durées d'impulsions du laser inférieures à tv. tv est calculé selon la loi précédemment citée, et pour une longueur d'onde spatiale pour laquelle des variations d'épaisseur de la couche utile 2 sont observables. Second mode de réalisation. Dans un second mode de réalisation, il est question de réaliser un amincissement par gravure de la couche utile 2. La structure 1 est donc installée de préférence sur un support de structure 5 dans une enceinte de réaction 9. De manière particulièrement avantageuse, la couche utile 2 est une couche de semi-conducteur comprenant au moins un des matériaux suivants : Silicium, Germanium, Alliage de Silicium Germanium. Des espèces chimiques 6 sous forme gazeuse sont introduites dans l'enceinte de réaction 9, les espèces chimiques 6 étant susceptibles de réagir chimiquement avec la couche utile 2, avec une cinétique strictement croissante en fonction de la température de la couche utile 2. De manière particulièrement avantageuse, les espèces chimiques 6 introduites dans la chambre de réaction comprennent au moins une des espèces suivantes : HCL. Les espèces chimiques 6 injectées dans la chambre de réaction sont généralement diluées dans un gaz porteur comprenant au moins une des gaz suivants : Argon, Dihydrogène. La couche utile 2 est alors chauffée par un faisceau 8 laser à impulsions, le faisceau 8 balayant au moins en partie la surface libre S la 30 couche utile 2. Une fenêtre transparente au faisceau 8 laser à impulsions est ménagée dans l'enceinte, de sorte à permettre au faisceau 8 laser à impulsions généré hors de l'enceinte réactive de chauffer la couche utile 2 disposée à l'intérieur de l'enceinte réactive. La surface libre S de la couche utile 2 est alors balayée par mouvement du faisceau 8 laser à impulsions et/ou par mouvement de la structure 1. La longueur d'onde du faisceau 8 laser est choisie pour remplir les deux conditions d'un mode de chauffage B. Ainsi, lors de l'impact du faisceau 8 laser à impulsions sur la surface libre S de la couche utile 2, il se produit un échauffement de la couche utile 2 au niveau du point d'impact. Par ailleurs, lorsque le faisceau 8 laser à impulsions balaie la surface libre S de la couche utile 2, il se produit un échauffement plus important dans les zones de la couche utile 2 les plus épaisses que dans les zones les plus fines. Cet échauffement provoque la réaction des espèces chimiques 6 avec la couche utile 2. Dans le présent mode de réalisation, la réaction chimique est une réaction d'amincissement par gravure de la couche utile 2. Les zones les plus épaisses de la couche utile 2 subissant un échauffement plus important que les zones les plus fines, la réaction 20 d'amincissement par gravure se déroule à une vitesse plus importante dans les zones épaisses que dans les zones fines. Par conséquent, lorsque la réaction d'amincissement par gravure de la couche utile 2 se déroule, l'écart d'épaisseur entre les zones fines et les zones épaisses de la couche utile 2 diminue. 25 Pendant l'irradiation, la structure 1 est dans une atmosphère d'espèces chimiques 6 comprenant un mélange d'acide chlorhydrique et de dihydrogène, à une pression comprise entre 2.67 Pa et 1*105 Pa (20 mTorr et 760 Torr). Un tel traitement exécuté sur toute la structure 1 permet de réduire la 30 non uniformité en épaisseur par rapport à une non uniformité initiale de la couche utile 2. Par ailleurs, des variations d'épaisseur de la couche utile 2 sur des distances inférieures à la taille du point d'impact du faisceau 8, une diminution de la non uniformité sera aussi observée dans le cas de durées d'impulsions du laser inférieures à tv. tv est calculé selon la loi précédemment citée, et pour une longueur d'onde spatiale pour laquelle des variations d'épaisseur de la couche utile 2 sont observables. REVENDICATIONS1. Procédé de traitement d'une structure (1), la structure (1) comprenant de sa face arrière vers sa face avant un substrat support (4), une couche d'isolant (3), et une couche utile (2), la couche utile (2) présentant une surface libre (S), la structure (1) étant placé dans une atmosphère comprenant des espèces chimiques (6) sous forme gazeuse, les espèces chimiques (6) étant susceptibles de réagir chimiquement avec la couche utile (2), avec une cinétique strictement croissante en fonction de la température de la couche utile (2); ledit procédé de traitement étant caractérisé en ce que la couche utile (2) est chauffée par un faisceau (8) laser à impulsions, le faisceau (8) balayant au moins en partie la surface libre (S) de la couche utile (2), la longueur d'onde du faisceau (8) s'étendant à plus ou moins 15 nm, de préférence à plus ou moins 7 nm, d'une longueur d'onde centrale, la longueur d'onde centrale étant choisie de sorte à ce que la sensibilité de la réflectivité de la structure (1) par rapport à la couche d'isolant (3) soit nulle. 2. Procédé de traitement selon la revendication 1, dans lequel la couche utile (2) présente des variations d'épaisseur selon une longueur d'onde spatiale I, la durée des impulsions du faisceau laser étant inférieure à une valeur tv, tv étant égal à : = 12/D, D étant le coefficient de diffusion thermique dans la couche utile 2. 3. Procédé de traitement selon la revendication 1, dans lequel le faisceau (8) laser à impulsions a une durée d'impulsion inférieure à 100 ns. 4. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche utile (2) est une couche de matériau semi-conducteur comprenant au moins un des matériaux suivant : Silicium, Germanium, Alliage de silicium Germanium. 5. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel les espèces chimiques (6) permettent de graver la couche utile (2), la longueur d'onde du faisceau (8) laser à impulsions est choisie de sorte à correspondre à une valeur négative de la sensibilité de la réflectivité de la structure (1) par rapport à la couche utile (2). 6. Procédé de traitement selon la revendication 5, dans lequel les espèces chimiques (6) comprennent du HCI. 7. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel les espèces chimiques (6) permettent d'épaissir la couche utile (2) par épitaxie, et la longueur d'onde du faisceau (8) laser à impulsions est choisi de sorte à correspondre à une valeur positive de la sensibilité de la réflectivité de la structure (1) par rapport à la couche utile (2). 8. Procédé de traitement selon la revendication 7, dans lequel les espèces chimiques (6) comprennent au moins une des espèces suivante : Silane, di-silane, tri-silane, mono-chlorosiliane, di-chlorosilane, tri-chlorosilane, tétra- chlorosilane, germane, mono-chlorogermane, d i-chlorogermane, trichlorogermane, tétrachlorogermane. 9. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel la couche d'isolant (3) comprend du dioxyde de silicium. 10. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel la couche d'isolant (3) présente une épaisseur inférieure à 150 nm, de préférence inférieure à 50 nm, encore plus préférentiellement inférieure à 25 nm. 11. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel la couche utile (2) présente une épaisseur inférieure à 50 nm, préférentiellement inférieur à 25 nm. 12. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel la surface du point d'impact (P) du faisceau laser sur la surface libre (S) de la couche utile (2) est supérieure à 0.1 mm2, de préférence supérieure à 10 mm2. 13. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel le faisceau (8) laser à impulsions a une énergie d'impulsion comprise entre 100 et 1500 mJ/cm2. 10 14. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 13, dans lequel le faisceau (8) laser à impulsions a une fréquence de répétition des impulsions comprise ente 1 Hz, et 10 kHz. 15. Procédé de traitement selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel 15 la couche utile (2) présente une variation d'épaisseur inférieure à 30 A, de préférence inférieure à 20 A, encore plus préférentiellement inférieure à 10 A.