FR 3004262 A1 20141010 FR 1353184 A 20130409 PROCEDE D'ETUDE DE LA FIABILITE EN TEMPERATURE D'UN COMPOSANT ELECTRONIQUE Domaine de l'invention La présente invention appartient au domaine de l'analyse des composants électroniques, et concerne plus particulièrement les procédures d'analyse du fonctionnement de composants électroniques soumis à des contraintes thermiques. Les composants électroniques, avant leur mise en oeuvre, sont généralement soumis à des procédures d'analyse au cours desquelles ces composants sont notamment soumis à des contraintes représentatives des contraintes opérationnelles, c'est-à-dire des contraintes auxquelles ils sont susceptibles d'être confrontés dans leur environnement final. Ces procédures d'analyse s'avèrent particulièrement importantes, notamment, pour les composants amenés à fonctionner dans des environnements très contraints, tels que des composants devant être mis en oeuvre dans des missions spatiales et/ou militaires, dans des aéronefs, dans des centrales énergétiques, etc. Etat de la technique Au cours d'une procédure d'analyse de la fiabilité d'un composant électronique, il est courant de soumettre le composant en fonctionnement à une contrainte thermique, qui correspond par exemple à une contrainte thermique opérationnelle (on parle alors de test de fonctionnement) ou à une contrainte thermique appliquée en vue d'accélérer le vieillissement dudit circuit intégré (on parle alors de test de vieillissement). Les tests de vieillissement permettent de révéler les mécanismes de défaillance tels que le claquage de l'oxyde de grille des transistors, l'instabilité 30 de la tension de seuil en température ainsi que le phénomène d'électromigration présent au niveau des métallisations. Ces tests de vieillissement permettent en outre d'anticiper la fatigue thermomécanique du composant présente au niveau des connectiques, des métallisations et de la couche d'arrêt entre les couches de gravure et d'oxyde d'un composant. Pour réaliser les tests de fonctionnement ou de vieillissement, une méthode consiste à procéder à des essais en chambre climatique ou sous une cloche de conditionnement. Ainsi, le composant et son support sont sollicités, statiquement ou par cycle, en température. Cependant, ces essais sollicitent un grand nombre d'éléments tels que la puce du composant, le boîtier, les brasures, les broches de connexion, les fils de connexion, limitant ainsi les possibilités d'interprétation des mécanismes de défaillance. Des méthodes, par contact physique avec des éléments thermiquement conducteurs, permettent une localisation de la contrainte en température, notamment au niveau de la puce. Une préparation spécifique du composant est alors nécessaire pour rendre possible un accès physique direct à la zone d'intérêt (métallisation/semi-conducteur/...). Parmi ces méthodes, on pourra citer celle consistant à réaliser une contrainte thermique localisée à l'aide d'un module à effet Peltier couplé à un élément thermiquement conducteur qui réalise le contact avec le matériau contraint (semi-conducteur, métal, ...) décrite dans la demande de brevet français N° FR 2 959 018. Ainsi, la contrainte thermique est bien plus localisée que dans le cas d'un test en étuve par exemple. Cependant, pour des raisons mécaniques, cette méthode ne permet pas de réduire la taille de l'élément mis en contact avec la zone d'intérêt en dessous du mm2. Or, une zone de sollicitation de taille plus réduite permettrait de limiter l'échauffement des zones autour de celle d'intérêt. Par ailleurs, cette méthode nécessite un contact physique entre la zone d'intérêt et l'élément thermiquement conducteur ce qui, dans certains cas, peut être limitant. Dans d'autres cas, il est intéressant de pouvoir solliciter au contraire sur de beaucoup plus larges surfaces (le contact mécanique pouvant difficilement être assuré sur de larges surfaces, notamment en présence d'aspérités ou de différentes couches). Exposé de l'invention La présente invention entend remédier aux inconvénients de l'art antérieur en proposant une solution qui permet de localiser des contraintes 5 thermiques sur un composant électronique au moyen d'un faisceau laser couplé à un dispositif de refroidissement du composant. A cet effet, la présente invention concerne, dans son acception la plus générale, un procédé d'analyse de la fiabilité en température d'un composant électronique comportant une puce électronique montée dans un boîtier, ladite 10 puce électronique étant composée de plusieurs couches de matériaux, ledit procédé comportant les étapes suivantes : - couplage thermique d'un organe de couplage, thermiquement conducteur, avec la puce électronique ; - détermination d'une longueur d'onde en fonction des couches de 15 matériau à traverser et du taux d'absorption d'une couche de matériau à solliciter ; et - mise sous contrainte thermique d'une zone d'intérêt au moyen d'une source laser émettant la longueur d'onde prédéterminée. Il existe des méthodes d'analyse de défaillance de composant par 20 chauffage laser permettant de repérer des zones d'un composant semiconducteur ayant subi une dégradation. L'invention permet de mettre en oeuvre, par exemple, la méthode de modification de la tension induite thermiquement « TIVA » (pour « Thermally induced voltage alteration ») ou la méthode de modification de la résistance induite thermiquement « OBIRCH » (pour 25 « Optical beam induced resistance change »). Dans le cas de la méthode de modification de la résistance induite thermiquement « OBIRCH », il s'agit notamment d'identifier des dégradations dans les métallisations du composant électronique. Cette méthode s'appuie sur une modification locale des propriétés (résistivité par exemple) de la 30 métallisation suivant que la zone impactée est dégradée ou non. Les variations de température générées par le faisceau laser sont cependant dans ce cas ajustées (en énergie, fréquence ou durée) de telle manière à ne pas contribuer à dégrader ou vieillir le composant. Les variations de température produites sont typiquement de l'ordre de la dizaine de degrés. L'invention permet ainsi de simuler, sur la base des mécanismes physiques de chauffage laser, des domaines de température bien plus importants permettant de reproduire, de manière localisée (à l'échelle d'une ou quelques structures élémentaires dans le composant) les contraintes environnementales et/ou fonctionnelles d'un composant électronique. L'invention permet, par exemple, d'imposer des températures variant entre -55°C à +125°C, suivant les caractéristiques de la source laser et de la source de régulation. Selon une mise en oeuvre, la longueur d'onde est déterminée de sorte que l'énergie des photons du faisceau laser soit inférieure à l'énergie de la bande interdite de la puce électronique. Cette mise en oeuvre permet de prévenir les interactions photoélectriques dans le composant. Dans le cas d'un composant en silicium, la longueur d'onde doit être ainsi inférieure à 1,1 pm. Selon une mise en oeuvre, ledit procédé comporte deux étapes récurrentes : une première étape d'activation de la source laser et une deuxième étape de désactivation de la source laser. Cette mise en oeuvre créée un phénomène de cycle dans le composant qui accélère son 2 0 vieillissement. Selon une mise en oeuvre, ledit procédé comporte une étape d'adaptation de la source laser sur une zone d'intérêt du composant électronique. Cette mise en oeuvre permet de cibler une zone d'intérêt dont la taille est réglable en fonction des besoins. 25 De préférence, ledit procédé comporte une étape de focalisation ou d'ajustement de la taille d'un faisceau collimaté de la source laser sur une ou plusieurs structures d'intérêt du composant électronique. Cette mise en oeuvre permet par exemple, de cibler avec une grande précision, par le biais de l'utilisation d'un objectif à forte magnitude, un transistor ou une fonction logique 30 d'un composant pour lequel un mécanisme sensible peut intervenir, ou si le faisceau est moins focalisé et/ou collimaté, de solliciter un composant en entier. Selon une mise en oeuvre, l'organe de couplage thermique est un dispositif de refroidissement passif. Un dispositif de refroidissement passif comprend les enceintes climatiques, les caissons à cryostats et les dispositifs à convection naturelle. Il permet de maintenir le composant à une température sensiblement constante. Selon une mise en oeuvre, l'organe de couplage thermique est un dispositif de refroidissement actif. Un dispositif de refroidissement actif comprend les modules thermoélectriques, les dispositifs de refroidissement à eau et les dispositifs à convention forcée. Il permet de maintenir, plus efficacement qu'un dispositif passif, le composant à une température sensiblement constante. Selon une mise en oeuvre, ledit composant électronique comprend une face avant et d'une face arrière et l'organe de couplage peut être appliquée sur la même face que la mise sous contrainte thermique ou sur des faces opposées. Cette mise en oeuvre permet d'adapter très efficacement le dispositif de mise en oeuvre du procédé en fonction du test effectué. Selon une mise en oeuvre, le procédé comporte une étape de mise sous contrainte de rayonnement de la puce électronique à travers une ouverture, préalablement ménagée dans le boîtier, l'organe de couplage préservant un accès optique à ladite ouverture. Cette mise en oeuvre permet de limiter les pertes d'énergie du laser pour traverser le boîtier. Selon une mise en oeuvre, ledit procédé comporte en outre : -une seconde étape de détermination d'une longueur d'onde en fonction des couches de matériau à traverser et du taux d'absorption de la couche de matériau à solliciter et - une seconde étape de mise sous contrainte thermique de la zone d'intérêt au moyen d'une source laser émettant la longueur d'onde prédéterminée. Cette mise en oeuvre permet de solliciter le composant électronique par deux sources laser simultanément ayant pour effet d'augmenter les possibilités de transfert d'énergie. De préférence, une première source laser est dirigée sur une face alors que l'autre source est dirigée sur l'autre face. Brève description des dessins On comprendra mieux l'invention à l'aide de la description, faite ci-après à titre purement explicatif, des modes de réalisation de l'invention, en référence aux Figures dans lesquelles : - la Figure 1 illustre un dispositif d'analyse de la fiabilité en température d'un composant électronique selon un premier mode de réalisation, dans lequel le faisceau laser et l'organe de couplage sont dirigés sur la face avant ; - la Figure 2 illustre un dispositif d'analyse selon un deuxième mode de réalisation, dans lequel le faisceau laser est collimaté sur la face avant et l'organe de couplage est en contact avec la face arrière ; - la Figure 3 illustre un dispositif d'analyse selon un troisième mode de réalisation, dans lequel le faisceau laser est focalisé sur la face arrière et l'organe de couplage est en contact avec la face arrière ; - la Figure 4 illustre un dispositif d'analyse selon un quatrième mode de réalisation, dans lequel le faisceau laser est focalisé sur la face avant et l'organe de couplage correspond à une enceinte climatique ; - la Figure 5 illustre un dispositif d'analyse selon un cinquième mode de réalisation, dans lequel le faisceau laser est collimaté sur la face avant et l'organe de couplage correspond à une enceinte climatique ; - la Figure 6 illustre un dispositif d'analyse selon un sixième mode de réalisation, dans lequel le faisceau laser est focalisé sur une large surface de la face avant et l'organe de couplage correspond à une enceinte climatique ; - la Figure 7 illustre l'évolution du coefficient d'absorption par centimètre dans du silicium dopé au bore en fonction de photons de différentes énergies ; - la Figure 8 illustre l'évolution du taux d'absorption de plusieurs matériaux en fonction de la longueur d'onde du laser ; et - la Figure 9 illustre l'évolution de la température dans le composant en fonction de la distance avec la zone d'intérêt. Description détaillée des modes de réalisation de l'invention La Figure 1 illustre un dispositif d'analyse de la fiabilité en température d'un composant électronique 10. Ledit composant 10 est composé d'un boîtier 11 entourant une puce 12, la puce 12 est composée de plusieurs couches 1315 de matériaux. Par exemple, la puce 12 de la Figure 1 peut être composée d'une couche de métallisations 13 en aluminium, d'un substrat 14 en silicium et d'une couche inférieure 15 en cuivre. La puce 12 comporte deux faces 17-18 opposées, une face arrière 18 et une face avant 17. Dans le contexte de l'invention, on entend par « boîtier » 11 tout élément empêchant un accès mécanique à la puce électronique 12. Le boîtier 11 peut par exemple être formé par une coque de protection, une résine d'encapsulation... Sur la face avant 17, le dispositif impose une mise sous contrainte thermique au moyen d'un faisceau laser 33 émanant d'une source laser 32 et une régulation thermique au moyen d'un organe de couplage thermique 25. Dans l'exemple de la Figure 1, l'organe de couplage thermique 25 comporte une source 24 de contrainte thermique, qui peut être de tout type connu. De préférence, la source 24 de contrainte thermique comporte un module thermoélectrique 29, tel qu'un module Peltier. Un module Peltier comporte généralement deux faces opposées. Lorsqu'il est alimenté en courant, l'une de ses faces, dite « face chaude », va s'échauffer, tandis que l'autre face, dite « face froide », va se refroidir. De préférence, la source 24 de contrainte thermique comporte également un module thermorégulateur 23, qui peut être de tout type connu. Il s'agit par exemple d'un module thermorégulateur à circulation de fluide caloporteur (eau, huile, etc.), mis en oeuvre pour réguler la température d'une face du module Peltier, la face froide si l'on souhaite appliquer une contrainte de chaleur au composant électronique 10. L'organe de couplage 25 comporte également une extrémité 26 destinée à être couplée thermiquement à la source 24 de contrainte thermique. L'extrémité 26 de l'organe de couplage 25 est, en tout ou partie, réalisé en matériau thermiquement conducteur, par exemple en cuivre ou en alliage de cuivre, en aluminium ou en alliage d'aluminium, etc. L'extrémité 26 de l'organe de couplage 25 est adaptée, par sa géométrie, à être introduite dans une ouverture 19 préalablement ménagée dans le boîtier 11 du composant électronique 10. Par « géométrie» de l'extrémité 26, on entend son volume extérieur, c'est-a-dire sa forme et ses dimensions. L'ouverture 19 préalablement ménagée dans le boîtier 11 permet d'accéder mécaniquement à tout ou partie de la face avant 17 de la puce électronique 12, avec laquelle une face de couplage de l'extrémité 26 est couplée thermiquement lors de la mise sous contrainte du composant électronique 10. L'organe de couplage 25 comporte une fenêtre optique 30 permettant le passage du faisceau laser 33 pour atteindre la face avant 17 de la puce électronique 12. La fenêtre optique 30 peut prendre toutes les formes connues tel qu'un évidement cylindrique. Les Figures 2 à 4 montrent des autres modes de réalisation du dispositif d'analyse de la fiabilité en température d'un composant électronique 10. L'organe de couplage thermique 25 peut prendre différentes formes autres que celle des Figures 1 et 3 comprenant un module thermoélectrique. La Figure 2 montre un système de convection forcée dans lequel l'organe de couplage 25 est en contact sur toute la face arrière 18 de la puce électronique 12. L'organe de couplage 25 peut ainsi être parcouru par un circuit hydraulique dont la température de l'eau est réglable. Les Figures 4, 5 et 6 illustrent un organe de couplage 25 formé par une enceinte climatique 37 dont la température est entièrement régulée. Le faisceau laser 33 pénètre dans l'enceinte climatique par une fenêtre d'accès optique comportant une surface vitrée. L'organe de couplage 25 a pour effet de limiter au maximum la contrainte thermique subie par l'ensemble du composant électronique 10 à la zone d'intérêt 20. En effet, la sollicitation localisée ne peut être effective que si l'échauffement localisé est couplé à une phase de dissipation pour évacuer la chaleur générée localement ou si une deuxième source est utilisée pour forcer un gradient thermique dans la zone d'intérêt. L'organe de couplage 25 peut-être positionné du côté opposé à l'excitation laser (cas de la Figure 2) ou du même côté (cas des Figures 1 et 3) ou englober le composant électronique 10 (cas de la Figure 4). L'organe de couplage 25 a pour fonction d'amplifier les contraintes thermiques et contraindre plus localement le composant électronique 10. Par ailleurs, le faisceau laser 33 permet de créer un échauffement localisé dans une couche précise 13-15 de la puce électronique 12. Par exemple, dans le cas de la Figure 2, sur un empilement de trois couches d'aluminium 13, de silicium 14 et de cuivre 15, la zone chauffée de manière localisée étant l'aluminium, l'énergie de la source laser 30 est ajustée pour que la température au niveau de la surface de la couche d'aluminium 13 soit de +200°C. La couche de cuivre 15 sert d'interface avec l'organe de couplage 25 imposant une température de -20°C. La présence de ce refroidissement actif permet de diminuer fortement la température au niveau de la couche de silicium 14 de la puce électronique 12 tout en conservant un fort niveau de température au niveau de la couche d'aluminium 13 sur laquelle est placée la zone d'intérêt 20. Le faisceau laser 33 peut également être focalisé au moyen d'objectifs optiques 34 de différentes magnitudes tel qu'illustré sur les Figures 3 et 6. Le faisceau laser 33 focalisé permet suivant l'objectif utilisé de solliciter une ou plusieurs structures élémentaires du composant électronique 10 ou un composant entier. Dans le cas de la Figure 6, le faisceau laser focalisé permet de solliciter un composant en entier. Au contraire, le faisceau laser 33 peut également être collimaté, tel qu'illustré sur les Figures 2 et 5, pour ajuster la taille de la zone d'intérêt 20 sollicitée thermiquement. Par ailleurs, le dispositif peut mettre en oeuvre plusieurs faisceaux laser 33 pour augmenter la sollicitation. Par exemple deux faisceaux laser 33 peuvent être disposés de part et d'autre du composant électronique 10 pour solliciter une structure élémentaire indépendamment de la position de l'organe de couplage 25. Une première source laser est alors disposée pour solliciter le composant 10 par la face avant 17 et une deuxième source laser est disposée pour solliciter le composant 10 par la face arrière 18. Les deux sources laser doivent émettre des faisceaux de longueurs d'onde différentes déterminées en fonction des couches 13-15 de matériaux que les faisceaux laser doivent traverser pour solliciter une même zone d'intérêt 20. Lorsque la source laser 32 émet, elle chauffe très localement le matériau. Du fait de la faible surface chauffée, très rapidement, lorsque la source laser 32 n'émet plus, la zone d'intérêt 20 revient à température ambiante ou à la température de fonctionnement. Le faisceau laser 33 peut ainsi être utilisé pour simuler un vieillissement du composant électronique 10 en alternant des phases d'excitation laser et des phases de non excitation. En outre, la source laser 32 peut également émettre un faisceau laser 33 pulsé ou non pulsé. La longueur d'onde À de la source laser 32 est déterminée selon trois critères : - limiter les autres phénomènes physiques perturbant le fonctionnement normal du composant 10 notamment dans le cas pour lequel le composant 10 est sous tension, - permettre au faisceau laser 33 de traverser, le cas échéant, les couches de matériaux pour atteindre la zone d'intérêt 20, et - maximiser l'absorption de l'énergie laser dans la zone d'intérêt 20. Pour limiter les autres phénomènes physiques perturbant le fonctionnement normal du composant 10, l'énergie des photons devra être inférieure à l'énergie de bande interdite de la puce 12 pour prévenir des interactions photoélectriques dans les matériaux. Par exemple, dans le cas d'un composant électronique 10 en silicium, la longueur d'onde À devra donc être supérieure à 1,1pm si le faisceau est amené à traverser cette zone avant d'atteindre la zone d'intérêt. Pour permettre au faisceau laser 33 de traverser différentes couches de matériaux, il s'agit de minimiser les mécanismes d'absorption pour que la majeure partie de l'énergie du faisceau laser 33 puisse être apportée dans la zone d'intérêt 20. A cet effet, la Figure 7 illustre le taux d'absorption T (en cm-1) dans une couche de matériau en silicium dopé au bore (les dopages sont donnés en 1 el 8/cm3) en fonction de différentes énergies b de photons et pour différentes quantités de dopage. L'énergie b des photons est directement reliée à la longueur d'onde À par la constante de Planck et la célérité de la lumière. L'énergie b de photons présente une phase de décroissance suivie d'une phase de croissance. Malgré la représentation logarithmique du taux d'absorption T qui peut être trompeuse, les évolutions du taux d'absorption T sont plus prononcées lorsque le dopage du silicium augmente. Par exemple, pour un dopage de 2.8e18/cm3, le taux d'absorption T évolue entre 30 et 10 puis entre 10 et 300 alors que pour un dopage de 120e18/cm3, le taux d'absorption T évolue entre 1800 et 800 puis entre 800 et 2000. Le minimum d'énergie diffère en fonction de la quantité de dopage, ce minimum est sensiblement situé vers 1.12 électronvolts (eV) à 300 K. Ainsi, pour des couches de silicium dopé au bore, une longueur d'onde À proche par valeur supérieure à 1.1 pm correspondant à une énergie b de 1.12 eV est préférentiellement utilisée, le silicium étant transparent pour ces longueurs d'onde vis-à-vis des mécanismes d'absorption linéaire. Cette analyse diffère en fonction du matériau de la couche ou des couches à traverser. Pour que l'absorption de l'énergie laser par la zone d'intérêt 20 soit maximale, la longueur d'onde À doit être choisie préférentiellement dans un intervalle de valeurs pour lequel le matériau de la zone d'intérêt 20 présente un taux d'absorption T maximum. A cet effet, la Figure 8 illustre le taux d'absorption T du laser pour différents matériaux en fonction de la longueur d'onde À de la source laser 30. Les matériaux représentés sont l'aluminium (AI), l'argent (Ag), le cuivre (Cu), l'or (Au), le molybdène (Mo) et le fer (Fe). Exception faite de l'aluminium, pour tous les autres matériaux présentés, le taux d'absorption T diminue plus la longueur d'onde À augmente. En ce qui concerne l'aluminium, le taux d'absorption T diminue jusqu'à une longueur d'onde À de 0.5 pm puis présente un pic de résonnance. Ainsi, pour transférer de l'énergie (et donc échauffer) une métallisation en aluminium, une longueur d'onde À entre 800 nm et 1.5pm peut être avantageusement utilisée. En combinant cette contrainte avec les contraintes précédentes, lorsque le faisceau laser 33 traverse une couche de silicium 14 pour atteindre la zone d'intérêt 20, le choix se porte préférentiellement sur une longueur d'onde À de 1.3 pm ou 1.5 pm. La Figure 9 représente l'évolution de la température (en Kelvin) dans l'épaisseur (en pm) d'une puce 12, comprenant une couche en aluminium 13, une couche de silicium 14 et une couche de cuivre 15, sollicitée au niveau de la couche d'aluminium 13. La température au niveau de la couche d'aluminium 13 est environ de 400 K puis celle-ci diminue rapidement dans l'épaisseur de la couche de silicium 14 entre 390 K et 345 K. La température diminue encore dans l'épaisseur de la couche de cuivre 15 entre 310 K et 260 K. Le faisceau laser 33 permet ainsi de chauffer efficacement la couche d'aluminium 13 alors que l'organe de couplage 25 permet une dissipation rapide de la chaleur afin de diminuer la sollicitation thermique des autres couches 14-15. L'invention permet de solliciter un composant électronique 10 de manière localisée et sur des variations de température importantes. L'invention peut être applicable à tout type de composants électroniques (digital, linéaire, de puissance) et de technologies (modulo un ajustement de la longueur d'onde À du laser). L'invention peut également être utilisée sur tout système physique (solide, liquide) nécessitant une mise en contrainte localisée. REVENDICATIONS1. Procédé d'analyse de la fiabilité en température d'un composant (10) électronique comportant une puce (12) électronique montée dans un boîtier (11), ladite puce (12) électronique étant composée de plusieurs couches (13- 15) de matériaux, caractérisé en ce que le procédé comporte les étapes suivantes : - couplage thermique d'un organe de couplage (25), thermiquement conducteur, avec la puce (12) électronique ; - détermination d'une longueur d'onde (À) en fonction des couches (13- 15) de matériau à traverser et du taux d'absorption (T) d'une couche de matériau à solliciter ; et - mise sous contrainte thermique d'une zone d'intérêt (20) au moyen d'une source laser (32) émettant la longueur d'onde (À) prédéterminée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la longueur d'onde (À) est déterminée de sorte que l'énergie des photons du faisceau laser soit inférieure à l'énergie de la bande interdite de la puce (12) électronique. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comporte deux étapes récurrentes : une première étape d'activation de la source laser (32) et une deuxième étape de désactivation de la source laser (32). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'adaptation de la source laser (32) sur une zone d'intérêt (20) du composant électronique (10). 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'ajustement de la taille du faisceau, par focalisation ou agrandissement/réduction du faisceau collimaté de la source laser (32) sur une zone d'intérêt du composant électronique (10). 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'organe de couplage (25) thermique est un dispositif de refroidissement passif. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'organe de couplage (25) thermique est un dispositif de refroidissement actif. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que ledit composant électronique (10) comprend une face avant (17) et une face arrière (18) et l'extrémité (26) de l'organe de couplage (25) peut être appliquée sur la même face (17-18) que la source laser (32) ou sur des faces opposées. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comporte une étape de mise sous contrainte de rayonnement de la puce électronique (12) à travers une ouverture (19), préalablement ménagée dans le boîtier (11), l'organe de couplage (25) préservant un accès optique (30) à ladite ouverture (19). 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il comporte en outre : -une seconde étape de détermination d'une longueur d'onde (À) en fonction des couches (13-15) de matériau à traverser et du taux d'absorption (T) d'une couche de matériau à solliciter et - une seconde étape de mise sous contrainte thermique de la zone d'intérêt (20) au moyen d'une source laser (32) émettant la longueur d'onde (À) prédéterminée.