FR 3003693 A1 20140926 FR 1352533 A 20130321 PROCEDE D'ENCAPSULATION ET DISPOSITIF ASSOCIE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne le domaine de l'encapsulation de composants électroniques, notamment de composants opto-électroniques. L'invention concerne également le domaine des dispositifs électroniques comprenant un tel composant. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Certains composants électroniques nécessitent pour leur bon fonctionnement d'être maintenus sous atmosphère contrôlée. Il s'agit par exemple de composants opto- 1 5 électroniques tels que des diodes électroluminescentes organiques dites OLED (pour l'anglais « Organic Light-Emitting Diode »). A cette fin, ces composants sont enfermés, ou encapsulés, de manière hermétique à l'intérieur d'une cavité dont l'atmosphère est contrôlée (contrôle notamment de la nature du gaz et de la pression régnant dans la cavité). 20 Le composant est classiquement réalisé par dépôt de couches sur un support (ou substrat) et est recouvert d'un capot. Le capot forme, avec le substrat, la cavité hermétique souhaitée. Ce capot est parfois appelé « structure d'encapsulation ». Il est généralement réalisé par dépôt d'au moins une couche mince, dite couche d'encapsulation, recouvrant et enveloppant latéralement le composant. 25 Le composant est relié à au moins une piste de contact électrique conductrice d'électricité, qui permet l'alimentation électrique du composant, l'utilisation de signaux que ledit composant est appelé à générer, ou encore le pilotage de fonctions qu'il incorpore. La piste de contact électrique est typiquement formée sur le substrat. Les couches d'encapsulation sont des isolants électriques. Lors de l'encapsulation du composant se pose donc la question de savoir comment préserver les pistes de contact électrique, pour éviter qu'elles ne soient recouvertes par une couche d'encapsulation. La difficulté provient du fait que les techniques usuelles d'encapsulation n'autorisent pas un dépôt d'une couche d'encapsulation de façon localisée. Ainsi, les pistes de contact électrique se trouvent recouvertes par la couche d'encapsulation. C'est notamment le cas lors d'un dépôt chimique en phase vapeur dit dépôt CVD (pour l'anglais « Chemical Vapor Deposition »), en particulier un dépôt PECVD (pour « Plasma Enhanced CVD ») ou un dépôt ALD (pour l'anglais « Atomic Layer Deposition »). Un dépôt CVD désigne une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. Un dépôt CVD présente l'avantage de préserver l'intégrité de composants fragiles, notamment des composants organiques. Il est donc préféré à d'autres techniques de dépôt, comme le dépôt PVD (pour l'anglais « Physical Vapor Deposition ») autorisant éventuellement un dépôt localisé mais détériorant le composant à encapsuler. On connaît dans l'art antérieur différentes techniques pour préserver les pistes de contact électrique. On connaît par exemple des procédés pour éliminer localement la couche d'encapsulation, de façon à découvrir les pistes de contact électrique. Un tel procédé est décrit dans le document US 2006/0051951, qui propose une ablation par exposition à un rayonnement laser. Pour que l'ablation soit efficace, ce document propose un empilement particulier de couches au-dessus des pistes de contact électrique, ce qui rend le procédé particulièrement long et complexe. Un objectif de la présente invention est de proposer un procédé d'encapsulation et un dispositif électronique, permettant de connecter électriquement un composant encapsulé et qui ne présente pas au moins l'un des inconvénients de l'art antérieur. En particulier, un objectif de la présente invention est de proposer un procédé simple et efficace, permettant de connecter électriquement un composant encapsulé. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention est définie par un procédé d'encapsulation d'au moins un composant électronique, ledit composant étant relié à au moins une piste de contact électrique constituée d'une couche de métal, le procédé comprenant une étape de dépôt d'une couche d'encapsulation en oxyde d'aluminium par dépôt de couches minces atomiques. Selon l'invention : - le procédé comprend en outre une étape de dépôt d'une couche de nitrure de titane sur au moins une partie de la piste de contact électrique ; et - le dépôt de la couche d'encapsulation est réalisé de façon à ce que ladite couche d'encapsulation recouvre la couche de nitrure de titane. Le dépôt de la couche de nitrure de titane sur au moins une partie de la piste de contact électrique peut être réalisé par dépôt physique en phase vapeur. Avantageusement, le dépôt de la couche de nitrure de titane sur au moins une partie de la piste de contact électrique est réalisé au cours d'une étape de fabrication du composant, le composant étant fabriqué par dépôts successifs de couches dont l'une au moins est une couche de nitrure de titane. L'invention concerne également un dispositif électronique comprenant : - au moins un composant électronique ; - une couche d'encapsulation en oxyde d'aluminium, déposée par dépôt de couches minces atomiques, recouvrant le composant ; et - au moins une piste de contact électrique reliée au composant et constituée d'une couche de métal. Selon l'invention, au moins une partie de la piste de contact électrique est recouverte d'une couche de nitrure de titane, elle-même recouverte de ladite couche d'encapsulation. La couche d'encapsulation peut former une surface externe du dispositif. De préférence, la couche de métal est une couche d'un alliage aluminium et cuivre. Alternativement, la couche de métal peut être une couche de cuivre ou une couche d'aluminium ou une couche de chrome. La couche d'encapsulation présente avantageusement une épaisseur comprise entre 20 nm et 200 nm. La couche de nitrure de titane présente avantageusement une épaisseur comprise entre 5 nm et 250 nm. Le composant peut être une cellule solaire inorganique, une OLED, un OPV, ou un composant micro-électronique tel qu'un transistor. Selon un mode de réalisation avantageux, le dispositif selon l'invention comprend en outre un élément de contact électrique câblé sur le dessus de la couche d'encapsulation, et agencé pour amener un courant jusqu'à la piste de contact électrique. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés parmi lesquels : la figure 1 illustre le principe à la base de l'invention ; la figure 2 illustre un premier mode de réalisation d'un dispositif électronique selon l'invention ; la figure 3 illustre un deuxième mode de réalisation d'un dispositif électronique selon l'invention ; et la figure 4 illustre un troisième mode de réalisation d'un dispositif électronique selon l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS L'idée à la base de l'invention est d'exploiter la mise en évidence de la conduction électrique d'un empilement particulier de couches. Cette propriété est illustrée de façon schématique à la figure 1, représentant un empilement 10 soumis à une tension électrique par un générateur 105. L'empilement 10 comprend : - une couche de métal 101; une couche de nitrure de titane (TiN) 102, déposée sur la couche de métal 101 ; et une couche d'oxyde d'aluminium (A1203) 103 déposée par un dépôt de couches minces atomiques (ou ALD pour « Atomic Layer Deposition ») sur la couche de nitrure de titane 102. L'incorporation de la couche de nitrure de titane 102 entre la couche de métal 101 et la couche d'oxyde d'aluminium (ou alumine) 103 autorise une reprise de contact électrique à travers la couche d'oxyde d'aluminium 103, notamment à l'aide d'une pointe ou par des techniques usuelles de câblage par fil (« wire bonding » en anglais). Pour mémoire, on rappelle que la technique de dépôt ALD est un cas particulier de dépôt CVD, qui consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques pendant des intervalles de temps prédéterminés (cycles de dépôt) afin d'obtenir des couches ultra-minces. Un dépôt ALD met en oeuvre au moins un cycle de dépôt de monocouche ultra-mince sur une surface. Au cours de chaque cycle, des précurseurs chimiques réagissent de façon à recouvrir in fine la surface par une couche qui, selon les applications, peut être ultra-mince (typiquement la monocouche, ou de 1 nm à 30 nm d'épaisseur) ou plus épaisse (par exemple jusqu'à 100 nm, ou entre 25 nm et 50 nm). Le nombre de cycles mis en oeuvre permet d'obtenir une épaisseur désirée sur la surface. Une application particulièrement avantageuse de cette propriété concerne le domaine de l'encapsulation de composants électroniques, en particulier opto- électroniques, notamment lorsque ces composants comportent une couche active organique. Grâce à un choix judicieux de couche d'encapsulation (oxyde d'aluminium déposé par dépôt ALD), et en intercalant une couche de nitrure de titane entre la piste de contact électrique en métal et la couche d'encapsulation, on autorise un contact électrique sur la piste de contact électrique et au travers de la couche d'encapsulation. En particulier, un courant électrique peut traverser la couche d'encapsulation pour atteindre la piste de contact électrique. On obtient ainsi une encapsulation permettant de connecter électriquement les composants encapsulés, et ne présentant qu'un faible nombre d'étapes. Le procédé selon l'invention est très simple à mettre en oeuvre. En particulier, aucune étape de masquage, ou de photolithographie et gravure, ou encore d'ablation partielle n'est nécessaire. En outre, la couche d'encapsulation n'étant pas ouverte au niveau des pistes de contact électrique, le dispositif électronique selon l'invention présente une excellente stabilité mécanique. On pourra également remarquer que dans de nombreux cas, le procédé usuel d'encapsulation recouvre les pistes de contact électriques par une couche d'oxyde d'aluminium. Ce sera par exemple le cas si l'on met en oeuvre un procédé d'encapsulation appelé SHB (pour Super Haute Barrière) décrit par exemple dans la demande de brevet FR2958795. Selon ce procédé, on protège efficacement un composant à l'aide d'un empilement tricouche fait d'une couche d'oxyde, d'une couche de polymère organique et d'une couche externe d'oxyde d'aluminium déposée par dépôt ALD. Dans de tels cas, la mise en oeuvre du procédé selon l'invention ne nécessitera que l'ajout d'une couche intermédiaire de nitrure de titane. Un autre avantage de l'invention est que la couche d'oxyde d'aluminium sur les pistes de contact électrique permet de les protéger contre des agressions environnementales (notamment en empêchant la corrosion), ce qui augmente la durée de vie du dispositif électronique. Dans la suite, on décrira plusieurs modes de réalisation de dispositifs électroniques selon l'invention. La description des dispositifs électroniques permettra également d'illustrer le procédé selon l'invention. La figure 2 illustre un premier mode de réalisation d'un dispositif électronique 1 selon l'invention. Selon ce mode de réalisation, un composant 2 électronique ou opto-électronique, réalisé sur un substrat 3, est encapsulé par un capot d'encapsulation constitué d'une unique couche d'encapsulation 4. La couche d'encapsulation 4 est formée par une couche mince d'oxyde d'aluminium déposée par dépôt ALD. On pourra reconnaître en pratique, que l'oxyde d'aluminium a été déposé par ALD, car il présente alors généralement une microstructure dense et non colonnaire. Cette microstructure peut être observée par microscopie électronique en transmission (TEM en anglais pour « Transmission Electron Microscopy »), couplée à une analyse dispersive en énergie (EDX en anglais pour « Energy Dispersive X-ray spectrometry »). Si l'on compare la microstructure d'un dépôt d'Al203 par ALD et par PVD, selon une vue en coupe, on observe dans le premier cas une structure homogène alors que dans le deuxième cas l'image présente des tâches ovales partiellement superposées les unes sur les autres. Le composant 2 présente deux pistes de contact électrique constituées chacune d'une couche de métal 101 sur le substrat 3, au contact direct du composant 2. Ces pistes de contact électrique sont dédiées à la connexion électrique du composant 2 et permettent notamment de le raccorder à une électronique d'adressage située à l'extérieur du capot d'encapsulation. Lors du dépôt de la couche d'encapsulation sur et autour du composant 2, ces pistes de contact électriques se trouvent recouvertes par de l'oxyde d'aluminium. Selon l'invention, une couche de nitrure de titane 102 est déposée directement sur la couche de métal 101 formant la piste de contact électrique, avant que le composant 2 et les pistes de contact électrique ne soient recouverts par la couche d'encapsulation 4. La partie de la couche d'encapsulation située au-dessus de la piste de contact électrique en métal forme une couche d'oxyde d'aluminium 103 telle que présentée en référence à la figure 1. On réalise ainsi, dans une zone 5 du dispositif électronique 1, un empilement 10 tel que décrit en référence à la figure 1. Le dispositif électronique 1 selon l'invention permet ainsi une reprise de contact électrique au travers de la couche d'oxyde d'aluminium. On pourra donc réaliser la connexion électrique du composant 2, via les pistes de contact électrique en métal 101, directement après le dépôt de la couche d'encapsulation 4. La connexion électrique du composant 2 peut par exemple mettre en oeuvre un câblage par fil dit « wire bonding ». Un fil de contact (non représenté), par exemple en aluminium, est déposé et soudé sur le dessus de la couche d'encapsulation 4, au-dessus de la couche de métal 101. Le procédé selon l'invention peut comprendre cette étape de câblage d'un élément de contact électrique, directement sur le dessus de la couche d'encapsulation. Le dépôt de la couche de nitrure de titane 102 est typiquement réalisé par dépôt physique en phase vapeur, dit dépôt PVD (pour l'anglais « Physical Vapor Deposition »). Un dépôt PVD permet de déposer une couche mince sur une surface, par condensation d'un matériau en phase gazeuse sur ladite surface. Un avantage de recourir à un tel type de dépôt est que le dépôt de couche peut être plus facilement localisé uniquement au niveau de la piste de contact électrique, par l'emploi de masque dits pochoirs (« shadow masks » en langue anglaise). Dans certains cas, on réalisera également les pistes de contact électrique, par dépôt PVD d'une couche de métal 101 sur un substrat tel que de l'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO). L'épaisseur 120 de la couche d'encapsulation 4 est typiquement comprise entre 20 nm et 200 nm, par exemple 50 nm ou 100 nm. Préférentiellement, cette épaisseur est comprise entre 25 nm et 120 nm. De telles épaisseurs permettent de réaliser des couches d'encapsulation offrant une excellente étanchéité et une durée de vie élevée. On a constaté que de telles épaisseurs permettaient toujours la reprise du contact électrique au travers de la couche d'encapsulation. L'épaisseur 121 de la couche de nitrure de titane 102 est comprise entre 5 nm et 250 nm, par exemple 7 nm, 25 nm, 50 nm ou 100 nm. Préférentiellement, cette épaisseur est comprise entre 25 nm et 120 nm. On voit donc que même de faibles épaisseurs de nitrure de titane permettent d'obtenir l'effet recherché de conduction électrique. La couche de métal 101 est par exemple en alliage d'aluminium et cuivre AICu. L'alliage présente typiquement un taux de cuivre compris entre 1% et 2 %. On pourra également envisager d'autres métaux, par exemple de l'aluminium, du chrome ou du cuivre. On a réalisé en laboratoire plusieurs séries d'expériences, montrant qu'un empilement 10 selon l'invention permet d'établir un contact électrique entre une pointe de test et la couche de métal 101 formant une piste de contact électrique. Ce contact électrique peut être réalisé à l'aide d'une pointe dite douce, c'est-à-dire qui ne pénètre pas à l'intérieur de la couche d'oxyde d'aluminium. Une pointe douce est par exemple en alliage béryllium cuivre. On a par exemple réalisé les empilements suivants : - 200 nm d'aluminium déposé par évaporation par faisceau d'électrons ; - 100 nm de nitrure de titane déposé par pulvérisation magnétron à 2 0 température ambiante ; - 25 nm d'oxyde d'aluminium déposé par ALD à une température de 85°C, et dans une variante, à 250°C. De tels empilements offrent une résistance de contact négligeable et permettent un 25 contact électrique entre une pointe douce et la couche d'aluminium. On a également réalisé l'empilement suivant : - chrome déposé par évaporation par faisceau d'électrons ; - nitrure de titane déposé par évaporation par faisceau d'électrons ; 30 - 25 nm d'oxyde d'aluminium déposé par ALD à une température de 85°C. Un tel empilement offre une résistance de contact de 13 c) et permet un contact électrique entre une pointe douce et la couche de chrome. On a également réalisé l'empilement suivant : 200 nm d'alliage AICu déposé par pulvérisation magnétron sur 5 nm de nitrure de titane ; 7 nm de nitrure de titane déposé par pulvérisation magnétron ; - 25 nm ou 50 nm d'oxyde d'aluminium déposé par ALD à une température de 85°C. Un tel empilement offre une résistance de contact négligeable et permet un contact électrique entre une pointe douce et la couche d'alliage AICu. On a également réalisé l'empilement suivant : 100 nm de chrome déposé par évaporation par faisceau d'électrons ; 30 nm de nitrure de titane déposé par pulvérisation magnétron ; 25 nm d'oxyde d'aluminium déposé par ALD à une température de 85°C. Un tel empilement offre une résistance de contact de 29 c) et permet un contact électrique entre une pointe douce et la couche de chrome. Si l'on remplace la couche d'oxyde d'aluminium par un autre oxyde tel qu'un oxyde de silicium SiOx, on perd le contact électrique à l'aide d'une pointe douce. Il en est de même si l'on supprime la couche intermédiaire de nitrure de titane. Le dépôt par ALD est réalisé par exemple à une température inférieure à 100°C, notamment inférieure à 85°C. Cependant, on peut envisager d'autres gammes de températures. On voit notamment qu'un dépôt à 250°C permet toujours d'obtenir l'effet recherché. Le composant 2 est un dispositif sensible à l'atmosphère. Il peut s'agir d'au moins un composant parmi : un dispositif organique tel qu'un transistor organique OTFT (pour « Organic Thin-Film Transistor »), un dispositif OPV (pour « organic photovoltaic »), ou une OLED, construit sur un support souple ; un micro-afficheur formé par un afficheur organique (en particulier une OLED) construit sur un circuit CMOS (pour « Complementary Metal Oxide Semiconductor ») ; une cellule solaire inorganique, par exemple à base d'oxyde de zinc (ZnO) ; un dispositif micro-électronique tel qu'un transistor utilisant des oxydes transparents sensibles à l'environnement (transistor TFT, pour l'anglais « Thin-Film Transistor », comprenant de l'INZO (pour « Indium Gallium Zinc Oxide »)); un circuit imprimé PCB (pour « Printed Circuit Board »). Il s'agit plus particulièrement de composants pouvant nécessiter une protection par procédé SHB, c'est-à-dire pour lesquels on met déjà en oeuvre une encapsulation à l'aide d'une couche d'oxyde d'aluminium déposée par ALD. On va maintenant décrire, en référence à la figure 3, un deuxième mode de réalisation de dispositif électronique 1 selon l'invention. La figure 3 ne sera décrite que pour ses différences relativement à la figure 2. A la figure 3, chaque piste de contact électrique 101 est formée par un bord d'une couche métallique appartenant au composant 2. En particulier, le composant 2 est formé par un empilement de couches dont une première couche métallique 30 formant anode et une deuxième couche métallique 31 formant cathode, un bord de la première couche métallique formant une première piste de contact électrique et un bord de la deuxième couche métallique formant une deuxième piste de contact électrique. La première couche métallique 30 forme une couche inférieure du composant 2, côté substrat 3. La deuxième couche métallique 31 forme une couche supérieure du composant 2, du côté opposé au substrat 3. Dans le mode de réalisation de la figure 3, un isolant 32 permet d'isoler électriquement les couches métalliques 30 et 31. Le composant 2 est recouvert par un capot d'encapsulation comprenant plusieurs couches 41, 42. La couche d'encapsulation la plus externe (du côté du capot opposé au composant 2) est une couche d'oxyde d'aluminium déposée par dépôt ALD. Cette dernière couche 42 forme la couche d'encapsulation selon l'invention. Seule la couche d'encapsulation 42 recouvre les pistes de contact électrique, elle-même recouverte d'une couche de nitrure de titane 102. On pourra imaginer de nombreuses variantes dans lesquelles le capot d'encapsulation est constitué d'un empilement de plusieurs couches. Dans tous les cas, on s'assurera que seul l'empilement nitrure de titane et oxyde d'aluminium recouvre les pistes de contact. On va maintenant décrire, en référence à la figure 4, un troisième mode de réalisation d'un dispositif électronique 1 selon l'invention. La figure 4 ne sera décrite que pour ses différences relativement à la figure 3. Dans ce mode de réalisation, le capot d'encapsulation est constitué de la seule couche d'oxyde d'aluminium déposé par dépôt ALD, et formant la couche d'encapsulation 4 selon l'invention. Le composant 2 est représenté hachuré entre le substrat 3 et la couche d'encapsulation 4. Le composant 2 est réalisé par dépôts successifs de couches minces. L'une des couches minces constituant le composant 2 est une couche de nitrure de titane. Sur une des pistes de contact électrique, la couche de nitrure de titane 102 est réalisée simplement en prolongeant la couche de nitrure de titane faisant partie du composant 2. Dans l'exemple particulier représenté à la figure 4, cette couche de nitrure de titane forme l'anode 30 du composant 2, qui est alors prolongée jusque sur une piste électrique en métal. La couche de nitrure de titane recouvrant cette piste de contact électrique est donc simplement le prolongement de l'une des couches constituant le composant 2. Ce mode de réalisation est particulièrement avantageux, puisqu'il combine une étape nécessaire à la fabrication du composant, avec une étape spécifique à la mise en oeuvre de la présente invention. Aucune étape supplémentaire n'est mise en oeuvre, puisqu'il suffit simplement d'adapter l'étendue de dépôt d'une des couches constituant le composant. Selon une variante non représentée, la couche de nitrure de titane forme la cathode du composant 2, qui est alors prolongée jusque sur une piste électrique en métal. On pourra également envisager le cas où la couche de nitrure de titane est une couche intermédiaire du composant 2. Dans ces deux variantes, la couche de nitrure de titane est déposée sur au moins une partie de la piste de contact électrique et sur une couche intermédiaire du composant. Des composants courants tels que des OLED utilisées notamment pour la réalisation de micro-afficheurs sur circuit CMOS présentent généralement une couche de nitrure de titane. Un empilement AICu/TiN (alliage aluminium cuivre puis nitrure de titane) est également courant dans le domaine des semi-conducteurs. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits. On pourra notamment envisager de nombreuses combinaisons des modes de réalisation décrits. On pourra également envisager d'autres exemples d'épaisseurs de couches, d'autres exemples de métaux formant la couche de métal, d'autres températures de dépôt ALD, d'autres réalisations de capot d'encapsulation. On pourra également imaginer de nombreux dispositifs électroniques mettant en oeuvre l'invention, par exemple avec une piste de contact électrique sur le composant lui-même et non sur le substrat.20 REVENDICATIONS1. Procédé d'encapsulation d'au moins un composant électronique (2), ledit composant (2) étant relié à au moins une piste de contact électrique constituée d'une couche de métal (101), le procédé comprenant une étape de dépôt d'une couche d'encapsulation (4 ; 42) en oxyde d'aluminium par dépôt de couches minces atomiques, caractérisé en ce que : - le procédé comprend en outre une étape de dépôt d'une couche de nitrure de titane (102) sur au moins une partie de la piste de contact électrique (101) ; et - le dépôt de la couche d'encapsulation est réalisé de façon à ce que ladite couche d'encapsulation (4 ; 42) recouvre la couche de nitrure de titane (102). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt de la couche de nitrure de titane (102) sur au moins une partie de la piste de contact électrique (101) est réalisé par dépôt physique en phase vapeur. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le dépôt de la couche de nitrure de titane (102) sur au moins une partie de la piste de contact électrique (101) est réalisé au cours d'une étape de fabrication du composant (2), le composant (2) étant fabriqué par dépôts successifs de couches dont l'une au moins est une couche de nitrure de titane. 4. Dispositif électronique (1) comprenant : au moins un composant électronique (2) ; une couche d'encapsulation (4; 42) en oxyde d'aluminium, déposée par dépôt de couches minces atomiques, recouvrant le composant (2) ; et au moins une piste de contact électrique reliée au composant (2) et constituée d'une couche de métal (101) ;caractérisé en ce qu'au moins une partie de la piste de contact électrique (101) est recouverte d'une couche de nitrure de titane (102), elle-même recouverte de ladite couche d'encapsulation (4 ; 42). 5. Dispositif (1) selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche d'encapsulation (4 ; 42) forme une surface externe du dispositif (1). 6. Dispositif (1) selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que la couche de métal (101) est une couche d'un alliage aluminium et cuivre. 7. Dispositif (1) selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que la couche de métal (101) est une couche de cuivre ou une couche d'aluminium ou une couche de chrome. 8. Dispositif (1) selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que la couche d'encapsulation (4 ; 42) présente une épaisseur comprise entre 20 nm et 200 nm. 9. Dispositif (1) selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que la couche de nitrure de titane (102) présente une épaisseur comprise entre 5 nm et 250 nm. 10. Dispositif (1) selon l'une quelconque des revendications 4 à 9, caractérisé en ce que le composant (2) est une cellule solaire inorganique, une OLED, un OPV, ou un composant micro-électronique tel qu'un transistor. 11. Dispositif (1) selon l'une quelconque des revendications 4 à 10, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un élément de contact électrique câblé sur le dessus de la couche d'encapsulation (4 ; 42), et agencé pour amener un courant jusqu'à la piste de contact électrique (101).