FR 3006808 A1 20141212 FR 1355221 A 20130606 Dispositif de commutation intégré électriquement activable L'invention concerne les circuits intégrés, et plus particulièrement les dispositifs de commutation comme des interrupteurs ou des commutateurs en particulier les dispositifs de commutation électriquement activables. Actuellement, les dispositifs de commutation réalisés au sein de circuits intégrés sont généralement des commutateurs du type microsystème électromécanique (Micro Electro Mechanical System : MEMS) utilisant des éléments par exemple en polysilicium. Cependant, la technologie utilisée pour réaliser de tels commutateurs est une technologie dédiée, difficile à intégrer dans un flot technologique standard CMOS. Selon un mode de réalisation, il est proposé un nouveau dispositif de commutation qui puisse être intégré dans tous les flots technologiques CMOS par l'adjonction éventuelle de seulement quelques opérations supplémentaires (l'adjonction d'un niveau de masque, par exemple), et ce sans utiliser la technologie classique du type MEMS. Selon un mode de réalisation, il est également proposé un dispositif de commutation qui présente un mouvement planaire bilatéral et qui soit quasiment, voire totalement, insensible aux variations de température ainsi qu'aux contraintes générées pendant sa fabrication. Selon un aspect, il est proposé un circuit intégré comprenant au dessus d'un substrat une partie d'interconnexion comprenant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Une telle partie d'interconnexion est communément désignée par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon de « BEOL » (« Back End Of the Line »). Selon une caractéristique générale de cet aspect, le circuit intégré comprend en outre, au sein de ladite partie d'interconnexion, un dispositif de commutation électriquement activable comportant, dans une cavité d'un logement, au moins un ensemble incluant une poutre maintenue par une structure solidaire du logement, la poutre et la structure étant métalliques et situées au sein d'un même niveau de métallisation. Les emplacements de fixation de la structure sur la poutre sont agencés de façon à définir pour la poutre un point de pivot situé entre ces emplacements de fixation. La structure est sensiblement symétrique, aux imprécisions de fabrication près, par rapport à la poutre et par rapport à un plan perpendiculaire à la poutre, en l'absence d'une différence de potentiel appliquée sur la structure. Par ailleurs, ladite poutre est apte à pivoter dans un premier sens en présence d'une première différence de potentiel appliquée entre une première partie de la structure et à pivoter dans un deuxième sens en présence d'une deuxième différence de potentiel appliquée entre une deuxième partie de la structure. Un tel dispositif de commutation est ainsi réalisé dans la partie dite BEOL des circuits intégrés au sein d'un même niveau de métallisation, et présente donc une structure essentiellement bidimensionnelle et métallique. Il s'intègre donc aisément dans un flot technologique CMOS en utilisant largement les étapes classiques de réalisation de la partie BEOL du circuit intégré. Par ailleurs, la structure étant sensiblement symétrique, aux imprécisions de fabrication près, idéalement par rapport à un point sensiblement confondu avec le point de pivot, elle est quasiment insensible voire totalement insensible aux variations de température car en présence de telles variations de température, les dilatations ou contractions éventuelles de la structure sont réparties symétriquement par rapport à la poutre, ce qui n'engendre quasiment aucun déplacement de cette poutre. Initialement, ledit ensemble, et en particulier la structure, est encapsulé dans un matériau isolant comblant la cavité du logement. Après désencapsulation, c'est-à-dire retrait de ce matériau isolant, permettant de libérer ledit ensemble, le caractère symétrique de la structure permet de conférer à l'ensemble une géométrie identique avant et après encapsulation. Par ailleurs, après désencapsulation, la structure est avantageusement contrainte en tension en l'absence de toute différence de potentiel appliquée sur elle-même. Et, le caractère contraint en tension de la structure va favoriser le pivotement de la poutre lors de l'application de la première ou de la deuxième différence de potentiel. La structure est avantageusement en forme de X, la première partie de la structure sur laquelle est appliquée la première différence de potentiel comportant une première branche du X, et la deuxième partie de la structure sur laquelle est appliquée la deuxième différence de potentiel comportant l'autre branche du X. Selon un mode de réalisation, ledit ensemble du dispositif de commutation comprend en outre, dans le logement, au moins une butée située à distance de la poutre en l'absence de différence de potentiel appliquée sur la structure et agencée pour être en contact avec la poutre lors de l'application sur la structure de l'une des deux différences de potentiel. On peut alors réaliser un limiteur de courant ou encore un détecteur d'intensité de courant. En variante, ledit ensemble du dispositif de commutation peut comprendre en outre dans le logement une première butée et une deuxième butée, toutes deux situées à distance de la poutre en l'absence de différence de potentiel appliquée sur la structure. La première butée est agencée pour être en contact avec la poutre lors de l'application sur la structure de la première différence de potentiel, et la deuxième butée est agencée pour être en contact avec la poutre lors de l'application sur la structure de la deuxième différence de potentiel. On peut alors avec ce mode de réalisation, obtenir un limiteur de courant ou un détecteur d'intensité de courant affecté à deux parties distinctes du circuit intégré qui ne seraient pas en fonctionnement simultanément. D'autres modes de réalisation dudit ensemble sont possibles. Dans le cas où au moins une paroi du logement comporte une ouverture, il est particulièrement avantageux, mais non indispensable, notamment pour réduire le risque de dégradation de l'environnement externe du logement, que le circuit intégré comprenne en outre un moyen, par exemple une plaque métallique, externe audit logement, configurée pour former un obstacle à une diffusion de fluide hors du logement au travers de ladite ouverture, typiquement lors de la désencapsulation de l'ensemble encapsulé dans le logement. Et, lorsqu'il est prévu une métallisation destinée à venir contacter une partie de l'ensemble en traversant une ouverture ménagée dans une paroi du logement, ladite métallisation traverse alors avantageusement le moyen externe, par exemple la plaque métallique. D' autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 illustre schématiquement un mode de réalisation d'un circuit intégré selon l'invention, - la figure 2 illustre plus en détail mais toujours de façon schématique, un mode de réalisation d'un ensemble d'un dispositif de commutation selon l'invention, - la figure 3 illustre schématiquement un ensemble de l'art antérieur logé dans une cavité d'un logement avant et après libération de cet ensemble, et - les figures 4 à 16 sont relatives à différents modes de réalisation d'un circuit intégré selon l'invention. Sur la figure 1, la référence CI désigne un circuit intégré au sein duquel on va réaliser un dispositif de commutation DIS comportant un ensemble 1 logé dans une cavité CV d'un logement LGT. Comme on va le voir plus en détail ci-après, le dispositif métallique DIS et le logement LGT sont réalisés au sein de plusieurs niveaux de métallisation (ici trois niveaux de métallisation M2, M3, M4, et deux niveaux de vias V2, V3) de la partie d'interconnexion RITX du circuit intégré CI, cette partie d'interconnexion étant communément désignée par l'homme du métier sous l'acronyme anglosaxon BEOL (« Back End Of the Line »). Cette partie d'interconnexion se situe au-dessus du substrat SB du circuit intégré et au-dessus des composants, tels que des transistors T, réalisés dans et sur le substrat SB. Comme il est classique en la matière, les pistes métalliques réalisées au sein des différents niveaux de métallisation du circuit intégré sont, pour certaines d'entre elles, mutuellement reliées par des trous d'interconnexion ou vias, l'ensemble de ces pistes et vias étant encapsulés dans une région isolante RIS, qui peut être formée d'un ou de plusieurs matériaux électriquement isolants. Le logement LGT comporte notamment une partie inférieure PI réalisée au niveau de métal M2, une paroi latérale PLD réalisée au niveau de via V2, au niveau de métal M3 et au niveau de via V3, ainsi qu'une autre paroi PLG également réalisée au niveau de via V2 au niveau de métal M3 et au niveau de via V3. Le logement LGT est fermé par un capot troué CPT comportant plusieurs orifices OR. Le capot CPT est réalisé au niveau de métal M4. Comme on le verra plus en détail ci-après, l'ensemble 1 est dans un premier temps encapsulé dans le matériau isolant RIS de la partie d'interconnexion RITX puis, dans un deuxième temps, après retrait de ce matériau RIS de la cavité CV du logement, libéré. La figure 2 est une vue de dessus du niveau de métal 3 illustrant plus en détail un exemple de réalisation de l'ensemble 1. Le logement LGT comporte, outre la paroi PLD et la paroi PLG, deux autres parois PLA et PLF. L'ensemble 1 comporte une structure STR et, ici, deux butées fixes BT1 et BT2. La structure STR est ici une structure symétrique en forme de X maintenant à pivotement une poutre PTR. La structure STR et la poutre PTR sont réalisées au même niveau de métallisation, en l'espèce le niveau de métallisation M3. Sur la figure 2, la poutre PTR est dans un état de repos dans lequel son extrémité est à distance des butées BT1 et BT2. Cet état de repos est obtenu, après désencapsulation de l'ensemble 1, en l'absence de toute différence de potentiel appliquée sur la structure STR. Par contre, comme on le verra plus en détail ci-après, lors de l'application d'une différence de potentiel sur une première partie de la structure, typiquement une première branche du X, la poutre PTR va pivoter pour venir en contact avec l'une des butées, par exemple la butée BT1. Et, lors de l'application d'une autre différence de potentiel sur une autre partie de la structure, typiquement l'autre branche du X, la poutre PTR va pivoter dans l'autre sens pour venir en contact avec la butée BT2. De façon à éviter des courts-circuits au niveau des parois du logement lors de l'application des différentes différences de potentiel, la paroi PLA comporte deux morceaux de paroi PLA1 et PLA2 séparés par un espace ESPA. De même, la paroi PLF comporte deux morceaux de paroi PLF1 et PLF2 séparés par un espace ESPF. Les butées BT1 et BT2 sont respectivement solidaires de deux morceaux de paroi PLG1 et PLG2 de la paroi PLG, ces deux morceaux de paroi PLG1 et PLG2 étant séparés par un espace ESPG. Enfin, dans ce mode de réalisation, les parois PLA, PLG, PLF et PLD sont mutuellement séparées par des espaces ESPC. Avant de revenir en détail sur la structure et le fonctionnement du dispositif DIS de la figure 2, on se réfère maintenant à la figure 3 qui illustre schématiquement un commutateur CMT de l'art antérieur tel que celui décrit dans la demande de brevet français n° 1161407. Le commutateur CMT comporte ici un ensemble ENSI en forme de croix asymétrique. Cet ensemble ENSI comporte un premier bras BR1A et un deuxième bras BR1B solidaire d'une poutre PTR, également dénommée « pointeur central », en deux emplacements EMPA et EMPB respectivement situés sur deux faces opposées de la poutre PTR. Ces deux emplacements EMPA et EMPB sont espacés d'une distance d. La partie gauche de la figure 3 montre le commutateur CMT, et plus particulièrement l'ensemble ENSI encapsulé dans une région isolante RIS tandis que la partie droite de la figure 3 montre le même ensemble après gravure de la région isolante de façon à libérer les bras BR1A et BR1B ainsi que la poutre PTR. L'ensemble ENSI, ainsi libéré, s'étend donc à l'intérieur d'un logement LG résultant du retrait de la région isolante RIS, les deux bras BR1A et BR1B étant solidaires des bords BDA et BDB du logement. Après désencapsulation d'un ensemble de ce type, il y a une relaxation des contraintes, ce qui provoque une déformation longitudinale résiduelle des bras provoquant une déviation a du pointeur, ici dans le sens des aiguilles d'une montre. Plus précisément, si l'on suppose un bras de largeur Wa constante, la déviation a s'exprime par la formule suivante : d.L.L0(L - L0) a= où Lo est la longueur du bras après relaxation L 1+6 E où a désigne la contrainte longitudinale moyenne résiduelle et E le module de Young du matériau (environ égal à 130 GPa pour le cuivre isotrope). a est déterminé expérimentalement à partir de mesures effectuées sur des structures de test présentant diverses valeurs de d et diverses valeurs de Wa. Ainsi, pour 1/d égal à 2 pm-1 et Wa égal à 0,5 [lm, a vaut environ 800 MPa. A titre indicatif, pour des bras de longueur 10 microns et de largeur 0,2 microns, on a une déviation du pointeur de l'ordre de 0,2 microns pour un espacement d de 2 microns. Pour un espacement de 1 micron, on a une déviation a de l'ordre de 0,3 microns. Ceci s'entend pour des commutateurs recuits à 400° avec une région isolante RIS de 0,56 microns. (2L - Lo) -42.L 0 3 0 Lo est égal à Pour une largeur de ligne (largeur de bras) de l'ordre de 0,2 microns, on obtient une déformation résiduelle longitudinale moyenne comprise entre 0,25% et 0,30% pour une largeur de ligne (largeur des bras) de 0,5 microns, 0,20% pour une largeur de ligne de 1 micron, et un peu moins de 0,20% pour une largeur de ligne de 2 microns. Ce déplacement a du pointeur est un paramètre qui doit être pris en compte pour la mise en place de butées éventuelles dans le logement. Par contre, dans les modes de réalisation de l'invention, compte tenu du fait que la structure STR est une structure symétrique, il n'y a pas de déviation de la poutre PTR lors de la désencapsulation de l'ensemble 1 et la configuration illustrée sur la figure 3 est la même avant et après libération de l'ensemble 1 dans la cavité CV du logement LGT. Ceci facilite la définition de l'emplacement des butées dans la cavité relativement à la poutre PTR. En d'autres termes on s'affranchit ici des contraintes générées pendant la fabrication du dispositif et ledit ensemble reste quasiment voire totalement invariant quelles que soient les contraintes générées au cours du procédé de fabrication. En outre, puisqu'il n'y a pas de déplacement de la poutre PTR lors de la libération de l'ensemble 1, il n'y a pas relaxation des contraintes dans la structure STR et celle-ci est alors contrainte en tension après libération de l'ensemble 1. Et, on verra que ces contraintes en tension vont faciliter le pivotement de la poutre lors de l'application d'une différence de potentiel sur la structure STR. On se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 4 pour décrire plus en détail les caractéristiques de l'ensemble 1 et notamment celles de la structure STR. Cette structure STR comprend ici une première paire de premiers bras BR11, BR12. Ces bras BR11 et BR12 sont, comme indiqué ci-avant, contraints en tension. Ils se comportent donc après libération de l'ensemble 1 comme des ressorts en tension. Ils sont par ailleurs solidaires d'un premier bord du logement, en l'espèce la paroi PLA. Plus précisément, le bras BR11 est solidaire du morceau de paroi PLA1 et le bras BR12 est solidaire du morceau de paroi PLA2. La structure STR comporte également une deuxième paire de deuxièmes bras BR21 et BR22. Par analogie ces deux bras BR21 et BR22 sont contraints en tension et sont solidaires d'un deuxième bord du logement, en espèce la paroi PLF. Plus précisément, le deuxième bras BR21 est solidaire du morceau de paroi PLF1 et le deuxième bras BR22 est solidaire du morceau de paroi PLF2. Les deux premiers bras BR11 et BR12 sont fixés par leur autre extrémité sur une première face Fl de la poutre PTR en deux premiers emplacements de fixation EMP11 et EMP12. De même, les deux deuxièmes bras BR21 et BR22 sont fixés par leur autre extrémité, sur une deuxième face F2 de la poutre, opposée à la face F 1, en deux deuxièmes emplacements de fixation EMP21 et EMP22. Les emplacements de fixation EMP11, EMP12, EMP21 et EMP22 sont agencés de façon à définir pour la poutre un point de pivot O qui, lorsque la structure est parfaitement symétrique par rapport aux axes Axl et Ax2, se situe au milieu des emplacements EMP11, EMP12, EMP21, EMP22. Dans ce cas, le point de pivot O forme un point de symétrie pour la structure STR. Ainsi, à titre indicatif, la distance d comptée le long de l'axe Axl entre les bras BR11 et BR12 et entre les bras BR21 et BR22 est typiquement de l'ordre d'un micromètre. La largeur e2 des bras est par exemple de l'ordre d'un micromètre et la largeur el de la poutre, comptée le long de l'axe Ax2, est par exemple de l'ordre d'un micromètre. De façon à favoriser encore le pivotement de la poutre, les extrémités des bras fixées sur la poutre sont avantageusement biseautées. On se réfère maintenant plus particulièrement à la figure 5 pour illustrer un premier cas de fonctionnement du dispositif. Sur la figure 5, on applique un potentiel VA1 sur le morceau de paroi PLA1 et un potentiel VF2 sur le morceau de paroi PLF2 tandis qu'on laisse flottants les potentiels des morceaux de paroi PLA2 et PLF1. A titre indicatif, on peut par exemple appliquer une tension VA1 jusqu'à quelques volts et une tension VF2 nulle (la masse). De ce fait, un courant circule dans le bras BR11 et dans le bras BR22. Il en résulte par conséquent, par effet Joule, une augmentation de la température des bras BR11 et BR22. Cette augmentation de température va dans un premier temps contribuer à relâcher les contraintes en tension dans les bras BR11 et BR22. Et, puisque les bras BR12 et BR21 sont contraints en tension, ils vont avoir tendance à tirer la poutre vers les parois PLA2 et PLF1, provoquant alors un pivotement PVT1 de la poutre autour de son point de pivot en direction de la butée BT1. Puis, après relâchement des contraintes en tension dans les bras BR11 et BR22, l'échauffement de ces bras va conduire à une dilatation de ceux-ci, contribuant alors au pivotement PVT1. Avec des valeurs de l'ordre d'un micromètre pour les paramètres d, el et e2 mentionnés ci-avant, une longueur de bras de l'ordre de 25 micromètres, une longueur de poutre de l'ordre de 30 micromètres et une différence de tension VA1-VF2 de 118 mV, le courant circulant dans les bras BR11 et BR22 est de l'ordre de 54 mA et conduit à un déplacement de l'extrémité de la poutre de l'ordre de 240 nm. Dans le cas où, comme illustré sur la figure 6, on applique cette fois une différence de potentiel VA2 moins VF1 entre les morceaux de paroi PLA2 et PLF1, tout en laissant un potentiel flottant sur les morceaux de paroi PLA1 et PLF2, on fait cette fois-ci circuler un courant dans les bras BR12 et BR21, provoquant cette fois-ci un pivotement PVT2 dans le sens inverse, c'est-à-dire vers la butée BT2. L'explication détaillée ci-avant concernant le pivotement PVT1 de la poutre PTR s'applique bien entendu par analogie pour le pivotement PVT2. Cet ensemble 1 permet donc un mouvement dans le plan XY bilatéral. Une application possible de l'invention peut consister en un limiteur de courant. En effet, si l'on relie le morceau de paroi PLG1 à la masse, et dans le cas de la figure 5, où une portion du circuit intégré est connectée entre les morceaux de paroi PLA1 et PLF2, le courant circulant dans les bras BR11 et BR22 provenant de cette portion de circuit intégré, peut alors, s'il dépasse un certain seuil, faire pivoter la poutre vers la butée BT1. Et, lorsque la poutre PT1 vient en contact avec la butée BT1, une partie du courant s'évacue à travers la butée BT1 et la paroi PLG vers la masse, ce qui limite de facto le courant circulant dans les bras BR11 et BR22, et par conséquent dans la portion correspondante de circuit intégré. On peut également limiter le courant dans une autre portion de circuit intégré ne fonctionnant pas simultanément à la première portion de circuit intégré, en connectant cette fois-ci cette autre portion aux morceaux de paroi PLA2 et PLF1. La limitation du courant se fera alors via la butée BT2. La figure 7 illustre un autre mode de réalisation de l'ensemble 1. Dans ce mode de réalisation, la poutre PTR est symétrique par rapport à la structure et comporte deux morceaux de poutre PTR1 et PTR2. Deux butées BTA et BTB sont respectivement disposées en regard et à distance des extrémités des morceaux de poutre PTR1 et PTR2. Des moyens GEN, classiques et connus en soi, sont aptes à faire circuler un courant électrique dans les bras BR11 et BR22 de façon à provoquer le pivotement de la poutre PTR en direction des butées BTA et BTB, ce qui permet d'établir une liaison électrique entre les points A et B. Ainsi, dans ce mode de réalisation, le dispositif est un commutateur qui est dans un état qui normalement ouvert (« normally off » en langue anglaise) à l'état de repos, et dans un état fermé (« on ») lors de l'application d'une différence de potentiel entre les morceaux de paroi PLA1 et PLF2, ce qui permet d'établir une liaison électrique entre les points A et B. Il conviendra de noter ici qu'on choisira de préférence une impédance suffisamment élevée pour le circuit A-B de façon à forcer le courant à passer dans les bras BR11 et BR12 même lorsque les extrémités des poutres PTR1 et PTR2 sont en contact avec les butées BTA et BTB. Il convient de noter également que si dans les modes de réalisation des figures 4, 5 et 6, les butées BT1 et BT2 étaient directement solidaires d'une paroi du logement, il est possible, dans le mode de réalisation de la figure 7 que ces butées soient maintenues fixes dans le logement par des vias, comme illustré par exemple sur la figure 8, reliant cette butée BTA à une métallisation inférieure par un via V20. On se réfère maintenant plus particulièrement aux figures 9 et 10 pour illustrer un mode de fabrication d'un exemple de réalisation d'un dispositif selon l'invention. On suppose sur ces figures que l'ensemble, ainsi que les butées, sont réalisés au niveau de métallisation M3 (Métal 3). On voit alors (figure 9) que l'on utilise le niveau V2 de vias 2 entre le niveau de métal 2 et le niveau de métal 3 et le niveau V3 de vias 3 entre le métal 3 et le métal 4 pour former les parois latérales du logement et former un mur « de protection » pour la gravure oxyde qui va suivre et permettre la désencapsulation de l'ensemble et des différentes butées. Par ailleurs, tant la structure STR et la poutre du commutateur que la partie fixe, en l'espèce la ou les butées, sont réalisées au niveau du métal 3. Le commutateur DIS, et notamment l'ensemble sont réalisés en utilisant des étapes classiques de fabrication de niveau de métallisation et de vias. Plus précisément, comme illustré sur la figure 9, après réalisation du niveau de métal M2 et de niveau de via V2, l'ensemble, représenté ici en pointillés à des fins de simplification, est réalisé de façon classique par gravure de l'oxyde sous jacent et dépôt de métal en l'espèce du cuivre dans les tranchées. Puis, l'ensemble est recouvert d'oxyde et le niveau de métallisation M4 est ensuite réalisé. Après formation sur le niveau de métal 4 d'une couche classique de nitrure Cl, on procède à la réalisation d'un peigne dans ce niveau de métal 4 de façon à former les orifices OR du capot CPT. Puis, on procède à une gravure sèche isotrope suivie par exemple d'une gravure humide par exemple avec de l'acide fluorhydrique, de façon à éliminer la région isolante (oxyde) encapsulant l'ensemble ainsi que les différentes butées et réaliser par là même la cavité du logement LGT. Puis, on procède à un dépôt non conforme d'oxyde de façon à former une couche C2 bouchant les orifices OR. Bien entendu, ce qui vient d'être décrit pour les niveaux de métal M2, M3, M4 peut se généraliser aux niveaux de métal M1-1, M1+1. Le procédé classique de réalisation des différents niveaux de métallisation supérieurs se poursuit ensuite. Dans certains modes de réalisation, comme par exemple ceux illustrés sur les figures 4 à 6, une au moins des parois du logement peut comporter une ouverture. Dans ce cas, et bien que ce ne soit pas indispensable, il est particulièrement avantageux, comme illustré sur la figure 11 sur laquelle on n'a représenté à des fins de simplification que la partie d'interconnexion RITX (BEOL) du circuit intégré, de prévoir, en regard de l'ouverture OUV d'une paroi, par exemple la paroi PLG du logement LGT, un moyen, ici une plaque PLQ, externe au logement LGT et configurée pour former un obstacle à une diffusion de fluide, notamment le fluide de désencapsulation, hors du logement au travers de l'ouverture OUV. Ceci permet de limiter la diffusion du fluide de désencapsulation hors du logement afin de minimiser le risque que ce fluide ne dégrade d'autres parties du circuit intégré, comme par exemple des transistors réalisés au voisinage extérieur et intérieur du logement. Dans le mode de réalisation de la figure 11, la plaque est réalisée aux niveaux de métallisation M2, M3 et M4 et aux niveaux de vias V2, V3. L'espace entre l'ouverture OUV et la plaque PLQ peut par exemple varier entre 0,12 et 1 micron tandis que l'épaisseur de la plaque, comptée dans le sens des X, peut varier entre 0,2 et 1 micron. Ainsi, comme illustré sur la figure 12, le fluide de désencapsulation FL pénètre dans le logement par les orifices OR du capot trouvé CPT et le fluide se propage également à l'extérieur du logement LGT par l'ouverture OUV pour venir retirer le matériau isolant RIS disposé entre la paroi PLG et la plaque PLQ. Par contre, la diffusion du fluide hors du logement par l'ouverture OUV est contrariée par la plaque PLQ. Il est toutefois possible, comme illustré sur la figure 13, que dans un mode de réalisation, il soit prévu une métallisation 3 traversant une ouverture OUV ménagée dans une paroi du logement LGT, par exemple la paroi PLG, pour venir contacter une butée BT et véhiculer un signal électrique. Comme illustré sur la figure 14 qui est une coupe selon la ligne IV-IV de la figure 13, la paroi PLG dans laquelle est ménagée l'ouverture OUV s'étend, tout comme la paroi PLD, sur les trois niveaux de métallisation M2, M3 et M4 et les deux niveaux de vias V2 et V3. L'ouverture OUV est délimitée dans la direction Dl (direction verticale) par une première portion de la paroi PLG située au niveau de métallisation supérieur, en l'espèce une partie du capot CPT, et par une deuxième portion de paroi située au niveau de métallisation inférieur (le niveau de métal M2) formée ici par une portion de la paroi de plancher PI. L'ouverture OUV est délimitée dans une deuxième direction perpendiculaire à la première direction (en l'espèce la direction horizontale) par une troisième et une quatrième portions de paroi s'étendant en vis-à-vis sur le niveau de métallisation intermédiaire M3 et sur les deux niveaux de vias V2 et V3 encadrant ce niveau de métallisation intermédiaire. Plus précisément, la troisième portion de paroi comprend une portion PV20 située au niveau de via V2 surmontée d'une portion de piste métallique PM30 surmontée d'une autre portion PV30 située au niveau de via V3. De même, la quatrième portion de paroi comporte une portion PV21 située au niveau de via V2 surmontée d'une autre portion de piste métallique PM31 surmontée d'une portion PV31 située au niveau de via V3 Et, la métallisation traversante 3 s'étend au niveau de métallisation M3 en étant à distance des portions métalliques PM30 et PM31, c'est-à-dire en étant électriquement isolée de la paroi PLG. Le circuit intégré CI comporte là encore une plaque PLQ (figure 13 et figure 15) métallique et solidaire de la métallisation 3. Cette plaque PLQ est disposée en face de l'ouverture OUV et s'étend par conséquent ici sur les trois niveaux de métallisation M2, M3, M4 et les deux niveaux de vias V2, V3. Cela étant, cette plaque pourrait également déborder de l'ouverture et par conséquent s'étendre sur des niveaux de métallisation supplémentaires et des niveaux de vias supplémentaires. Plus précisément, comme illustré sur la figure 15 qui est une coupe selon la ligne XV-XV de la figure 13, la plaque PLQ comporte une portion métallique inférieure PLQ2 réalisée au niveau de métal M2, une portion PLQV2 réalisée au niveau de via V2, deux portions métalliques PLQ30 et PLQ31, réalisées au niveau de métallisation M3 et encadrant la métallisation 3. En pratique, la métallisation 3 et les portions PLQ30 et PLQ31 forment une seule et même partie métallique. La plaque PLQ comporte en outre une portion métallique PLQV3 réalisée au niveau de via V3 et enfin une portion métallique PLQ4 réalisée au niveau de métal M4. La plaque PLQ est à distance de l'ouverture OUV, de façon à ne pas court-circuiter la métallisation M3 avec la paroi de plancher PI et le capot CPT. En fait, la plaque PLQ de la figure 15 est analogue à la plaque PLQ de la figure 11 à la différence près qu'elle est traversée par la métallisation 3. Et, d'une façon analogue à ce qui a été décrit ci-avant en référence à la figure 13, lors de la désencapsulation de l'ensemble 1 de la butée BT et de la métallisation 3, le fluide de désencapsulation FL se propage également à l'extérieur du logement LGT par l'ouverture OUV pour venir retirer le matériau isolant RIS disposé entre la paroi PLG et la plaque PLQ mais sa diffusion est contrariée par la plaque PLQ (figure 16). Bien entendu, le moyen, externe peut être différent d'une plaque et peut être par exemple un tunnel solidaire de la paroi PLG autour de l'ouverture OUV comme décrit dans la demande de brevet français n° 13 50 161. REVENDICATIONS1. Circuit intégré, comprenant au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante, caractérisé en ce qu'il comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif de commutation électriquement activable (DIS) comportant dans une cavité d'un logement (LGT) un ensemble (1) incluant une poutre (PTR) maintenue par une structure (STR) solidaire du logement, la poutre et la structure étant métalliques et situées au sein d'un même niveau de métallisation, les emplacements de fixation (EMP11-EMP22) de la structure sur la poutre étant agencés de façon à définir pour la poutre un point de pivot (0) situé entre ces emplacements de fixation, la structure étant sensiblement symétrique par rapport à la poutre et par rapport à un plan perpendiculaire à la poutre en l'absence d'une différence de potentiel appliquée sur la structure, ladite poutre étant apte à pivoter dans un premier sens en présence d'une première différence de potentiel appliquée entre une première partie (BR11, BR22) de la structure et à pivoter dans un deuxième sens en présence d'une deuxième différence de potentiel appliquée entre une deuxième partie (BR12, BR21) de la structure. 2. Circuit intégré selon la revendication 1, dans lequel la structure (STR) est contrainte en tension en l'absence de différence de potentiel appliquée sur la structure. 3. Circuit intégré selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la structure (STR) est en forme de X, ladite première partie comportant une première branche du X et ladite deuxième partie comportant l'autre branche du X. 4. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel ladite structure (STR) comprend une première paire de premiers bras (BR11, BR12) contraints en tension solidaires d'un premier bord du logement et fixés sur une première face de la poutre en deux premiers emplacements de fixation et une deuxième paire dedeuxièmes bras (BR21, BR22) contraints en tension solidaires d'un deuxième bord du logement et fixés sur une deuxième face de la poutre, opposée à la première face, en deux deuxièmes emplacements de fixation, ladite poutre (PTR) étant apte à pivoter dans ledit premier sens (PVT1) en présence de ladite première différence de potentiel appliquée entre un premier bras situé d'un premier côté du point de pivot et le deuxième bras situé du deuxième côté du point de pivot, et à pivoter dans le deuxième sens (PVT2) en présence de ladite deuxième différence de potentiel appliquée entre le premier bras situé du deuxième côté du point de pivot et le deuxième bras situé du premier côté du point de pivot. 5. Circuit intégré selon la revendication 4, dans lequel les extrémités des bras fixées sur la poutre (PTR) sont biseautées. 6. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la structure (STR) est sensiblement symétrique par rapport à un point sensiblement confondu avec le point de pivot. 7. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel le dispositif de commutation comprend en outre dans le logement au moins une butée (BT1) située à distance de la poutre en absence de différence de potentiel appliquée sur la structure et agencée pour être en contact avec la poutre lors de l'application sur la structure de l'une des deux différences de potentiel. 8. Circuit intégré selon la revendication 7, dans lequel le dispositif de commutation comprend en outre dans le logement une première butée (BT1) et une deuxième butée (BT2), toutes deux situées à distance de la poutre en absence de différence de potentiel appliquée sur la structure, la première butée étant agencée pour être en contact avec la poutre lors de l'application sur la structure de la première différence de potentiel et la deuxième butée étant agencée pour être en contact avec la poutre lors de l'application sur la structure de la deuxième différence de potentiel. 9. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel au moins une paroi (PLG) du logement comporte une ouverture (OUV) et le circuit intégré comprend en outre un moyen(PLQ) externe audit logement configuré pour former un obstacle à une diffusion de fluide hors du logement au travers de ladite ouverture. 10. Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, dans lequel au moins une paroi (PLG) du logement comporte une ouverture (OUV) traversée à distance des bords de l'ouverture par une métallisation (3) venant contacter une partie (BT) dudit dispositif de commutation située à l'intérieur du logement, et le circuit intégré comprend en outre un moyen (PLQ) externe audit logement configuré pour former un obstacle à une diffusion de fluide hors du logement au travers de ladite ouverture, ladite métallisation traversant ledit moyen externe (PLQ).