FR 3002096 A1 20140815 FR 1450982 A 20140209 DISPOSITIF DE COMMUTATION À CORPS POLARISÉ Des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement le domaine des circuits, et plus particulièrement un dispositif de commutation à corps polarisé utilisant un transistor à effet de champ (« FET »). Pour des dispositifs de commutation à silicium sur isolant (« SOI »), une connexion à polarisation de corps négative est utilisée pour réduire des effets de corps flottant durant un fonctionnement en mode d'arrêt. Les conceptions actuelles nécessitent l'utilisation d'une pompe de charge pour fournir la tension négative directement au corps. Les éléments de circuit utilisés pour utiliser une telle conception peuvent être associés avec un couplage de bruit par substrat, un nombre augmenté de lignes de commande à un circuit de décodeur, des signaux parasites entrant dans un noyau de commutateur radiofréquence (« RF ») (en raison d'une restriction de trajets d'acheminement disponibles), et une taille de puce plus importante. La présente invention a notamment pour objet un circuit configuré pour commuter des signaux radiofréquences (« RF »), le circuit comprenant : un transistor à effet de champ (« FET ») comprenant une borne de source, une borne de porte, une borne de drain, et une borne de corps ; et un circuit de polarisation de corps couplé avec la borne de source, la borne de drain et la borne de corps , le circuit de polarisation de corps étant configuré pour : dériver une tension de polarisation négative en fonction d'un signal RF appliqué sur le FET ; et fournir la tension de polarisation négative à la borne de corps lorsque le FET est dans un état d'arrêt. Dans divers modes de réalisation de l'invention, on peut avoir recours en outre à l'une et / ou à l'autres des dispositions suivantes : le circuit comprend en outre une pluralité de FET, y compris le FET susmentionné, couplés en série les uns avec les autres ; le FET est un FET de type n; le circuit de polarisation de corps est seulement couplé avec la borne de source, la borne de drain et la borne de corps ; le circuit comprend un circuit à silicium sur isolant (« SOI ») ; le FET est un premier FET et le circuit de polarisation de corps comprend : un noeud couplé avec la borne de corps, un deuxième FET possédant : une borne de source couplée avec la borne de source du premier FET ; et une borne de drain couplée avec le noeud ; et un troisième FET possédant : une borne de drain couplée avec le noeud ; et une borne de source couplée avec la borne de drain du premier FET ; le deuxième FET comprend en outre une borne de porte couplée avec la borne de drain du premier FET ; et le troisième FET comprend en outre une borne de porte couplée avec la borne de source du premier FET ; - les premier et deuxième FET sont des FET connectés par diode ; le deuxième FET comprend en outre une borne de porte couplée avec le noeud ; et le troisième FET comprend en outre une borne de porte couplée avec le noeud ; le circuit de polarisation de corps comprend : un noeud couplé avec la borne de corps ; une première diode couplée avec la borne de source et le noeud ; et une seconde diode couplée avec la borne de drain et le noeud ; la première diode comprend une borne de cathode couplée avec la borne de source et une borne d'anode couplée avec le noeud ; et la seconde diode comprend une borne de cathode couplée avec la borne de drain et une borne d'anode couplée avec le noeud ; le circuit de polarisation de corps est adapté pour dériver la tension de polarisation négative en étant configuré pour redresser le signal RF. Par ailleurs, l'invention a également pour objet un dispositif de communication sans fil, comprenant : un émetteur-récepteur ; une antenne ; et une étage frontal radiofréquence (« RF ») couplé avec l'émetteur-récepteur et l'antenne et configuré pour communiquer des signaux entre l'émetteur-récepteur et l'antenne, l'étage frontal radiofréquence comprenant un dispositif de commutation à silicium sur isolant qui comporte : un décodeur configuré pour régler une pluralité de transistors à effet de champ (« FET ») de commutateur dans un état d'arrêt ou un état de marche ; et le circuit tel que défini ci-dessus, dans lequel le FET est un parmi la pluralité de FET susmentionnée. L'invention a également pour objet un procédé, comprenant : la commande, avec un circuit de décodeur, d'un transistor à effet de champ (« FET ») de commutation pour qu'il soit dans un état d'arrêt ; la dérivation, avec un circuit de polarisation de corps, d'une tension de polarisation négative en fonction d'un signal radiofréquence (« RF ») appliqué sur le FET de commutation alors que le FET de commutation est dans l'état d'arrêt ; et la fourniture, par le circuit de polarisation de corps, de la tension de polarisation négative à un corps du FET de commutation alors que le FET de commutation est dans l'état d' arrêt, dans lequel la dérivation de la tension de polarisation négative comprend facultativement : le redressement du signal RF appliqué sur le FET de commutation. Enfin, l'invention a encore pour objet un circuit configuré pour commuter des signaux radiofréquences (« RF »), le circuit comprenant : un transistor à effet de champ (« FET ») comprenant une borne de source, une borne de porte, une borne de drain, et une borne de corps ; et un circuit de polarisation de corps possédant : un noeud couplé avec la borne de corps ; une première résistance couplée avec la borne de drain et le noeud ; et une seconde résistance couplée avec la borne de source et le noeud, dans lequel le circuit de polarisation de corps est configuré pour : dériver une tension de polarisation en fonction d'un signal RF appliqué sur le FET ; et fournir la tension de polarisation à la borne de corps. Eventuellement, la première résistance et la seconde résistance sont de taille égale ; le circuit de polarisation de corps est configuré pour fournir la tension de polarisation sous forme de tension directe d'approximativement zéro volt ; et/ou la borne de porte du FET est couplée avec un décodeur et la borne de drain du FET n'est pas couplée avec le décodeur. Des modes de réalisation sont illustrés à titre d'exemple et non à titre de limitation sur les figures des dessins joints, sur lesquels des références similaires indiquent des éléments similaires. La figure 1 illustre une cellule élémentaire conformément à certains modes de réalisation. La figure 2 illustre un schéma d'un transistor de commutation conformément à certains modes de réalisation. La figure 3 illustre une cellule élémentaire conformément à d'autres modes de réalisation. Les figures 4(a) et 4(b) illustrent des graphiques de la tension par rapport au temps conformément à certains modes de réalisation. La figure 5 illustre une cellule élémentaire conformément à d'autres modes de réalisation. La figure 6 illustre une cellule élémentaire conformément à d'autres modes de 15 réalisation. La figure 7 illustre un organigramme d'un procédé de fonctionnement conformément à certains modes de réalisation. La figure 8 illustre un dispositif de commutation conformément à certains modes de réalisation. 20 La figure 9 illustre un dispositif de communication sans fil conformément à certains modes de réalisation. Divers aspects des modes de réalisation illustratifs vont être décrits en utilisant des termes couramment utilisés par l'homme du métier pour communiquer la substance de son travail à d'autres hommes du métier. Cependant, l'homme du 25 métier comprendra que d'autres modes de réalisation peuvent être pratiqués avec seulement certains des aspects décrits. Dans des buts explicatifs, des dispositifs et des configurations spécifiques sont présentés afin de fournir une compréhension approfondie des modes de réalisation illustratifs. Cependant, l'homme du métier comprendra que d'autres modes de réalisation peuvent être pratiqués sans les détails 30 spécifiques. Dans d'autres cas, des caractéristiques bien connues sont omises ou simplifiés afin de ne pas compliquer les modes de réalisation illustratifs. Diverses opérations supplémentaires seront décrites sous forme de multiples opérations distinctes, une par une, d'une manière qui est la plus utile pour la compréhension de la présente invention ; cependant, l'ordre de description ne doit pas être interprété comme insinuant que ces opérations dépendent nécessairement de l'ordre. En particulier, ces opérations n'ont pas besoin d'être réalisées dans l'ordre de présentation. L'expression « dans un mode de réalisation » est utilisée à plusieurs reprises. L'expression ne fait généralement pas référence au même mode de réalisation ; cependant, ceci est possible. Les termes « comprenant », « possédant », et « incluant » sont synonymes, sauf ordre contraire du contexte. Le terme « couplé avec », conjointement avec ses dérivés, peut être utilisé dans les présentes. « Couplé » peut prendre une ou plusieurs des significations suivantes. « Couplé » peut signifier que deux éléments ou plus sont en contact physique ou électrique direct. Cependant, « couplé » peut également signifier que deux éléments, ou plus, entrent indirectement en contact l'un avec l'autre, mais cependant coopèrent ou interagissent toujours l'un avec l'autre, et peut signifier qu'un ou plusieurs autres éléments sont couplés ou connectés entre les éléments qui sont dits être couplés l'un avec l'autre. Des modes de réalisation peuvent comprendre un circuit, utilisé dans un dispositif de commutation, comprenant un transistor à effet de champ (« FET »). Le FET peut comprendre un corps, une source, un drain et une porte avec des bornes respectives couplées avec chacun. Le dispositif de commutation peut être un dispositif de commutation à silicium sur isolant (« SOI »). Le circuit peut également comprendre un circuit de polarisation de corps qui comprend une paire d'éléments de circuit et est configuré pour dériver une tension de polarisation en fonction d'un signal radiofréquence (« RF ») appliqué sur le FET et fournir la tension de polarisation à une borne de corps du FET lorsque le FET est éteint. Dans certains modes de réalisation, la tension de polarisation dérivée peut être une tension de polarisation négative. Divers modes de réalisation vont être décrits de façon plus détaillée ci-dessous en faisant référence aux figures. La figure 1 illustre un circuit 100 conformément à divers modes de réalisation. Le circuit 100 peut également être appelé cellule élémentaire 100, ou simplement cellule 100. La cellule 100 peut comprendre un FET 104, qui peut également être appelé FET de commutation 104. Le FET 104 peut être un transistor à effet de champ de type n (« nFET »), et est généralement représenté sous cette forme. Le FET 104 peut comprendre une borne de source 108, une borne de drain 112, une borne de porte 116, et une borne de corps 120 couplée avec un drain, une source, une porte, et un corps respectifs du FET, comme cela est décrit ci-dessous en faisant référence à la figure 2. La cellule 100 peut en outre comprendre un circuit de polarisation de corps 124. Le circuit de polarisation de corps 124 peut être couplé avec la borne de source 108, la borne de drain 112 et la borne de corps 120 du FET 104. Le circuit de polarisation de corps 124 peut être utilisé pour fournir une tension de polarisation appropriée à la base du FET 104, comme cela va être décrit ci-dessous. Dans divers modes de réalisation, le circuit de polarisation de corps 124 sera seulement couplé avec les trois bornes du FET 104. À savoir, aucune ligne de connexion ou de commande externe n'a besoin d'être couplée avec le circuit de commande de polarisation 124. Le circuit de polarisation de corps 124 peut comprendre une première résistance 128, un noeud 132, et une seconde résistance 136. La première résistance 128 peut être couplée avec et entre la borne de source 108 et le noeud 132. La seconde résistance 136 peut être couplée avec et entre la borne de drain 112 et le noeud 132. Le noeud 132 peut être couplé avec la borne de corps 120. Les résistances 128, 136 peuvent être de taille égale. Le FET 104 peut être un FET à enrichissement ou à appauvrissement. Dans certains modes de réalisation le FET 104 peut être un FET à semi-conducteur à oxyde métallique (« MOSFET ») alors que, dans d'autres modes de réalisation, le FET 104 peut être appelé FET à porte isolée (« IGFET ») ou FET métal-isolantsemi-conducteur (« MISFET »). Divers modes de réalisation proposent une technique de polarisation de corps destinée à être utilisée dans la polarisation de la tension du corps du FET 104. La technique de polarisation est décrite dans les présentes en faisant référence à un nFET. Cependant, dans d'autres modes de réalisation, la technique de polarisation peut être utilisée avec un autre type de FET, tel qu'un FET de type p. Dans divers modes de réalisation, le FET 104 peut sélectivement réaliser une transition entre un état d'arrêt et un état de marche pour faciliter la commutation d'un signal de transmission, ci-après appelé signal radiofréquence (« RF »). Par exemple, le FET 104 peut faire passer le signal RF entre la borne de source 108 et la borne de drain 112 si le FET 104 est dans l'état de marche, et le FET 104 peut empêcher le passage du signal RF entre la borne de drain 112 et la borne de source 108 si le FET 104 est dans l'état d'arrêt. Le FET 104 peut recevoir un signal de commande à la borne de porte 116 pour entraîner une transition du FET 104 entre l'état d'arrêt et l'état de marche. Par exemple, une tension directe de +2,5 V par rapport à la tension directe de la borne de drain 112 et la borne de source 108 - également appelée tension porte-source - peut être appliquée sur la borne de porte 116. Dans certains modes de réalisation, la tension peut être appliquée par un décodeur (non représenté sur la figure 1). La tension de +2,5 V peut présenter l'effet de mettre le FET 104 dans l'état de marche en faisant en sorte que la résistance entre la borne de drain 112 et la borne de source 108 devienne très basse pour qu'un signal RF puisse passer entre la borne de drain 112 et la borne de source 108. L'application d'une tension porte-source positive peut permettre au signal RF de passer à travers le FET 104 car le FET 104, lorsqu'il est inclus dans un dispositif de commutation SOI, peut généralement comprendre des parties telles qu'elles sont représentées sur la figure 2. Le FET 104 peut être composé d'un drain 200 connecté à la borne de drain 112, d'une source 204 connectée à la borne de source 108, et d'une porte 208 connectée à la borne de porte 116. Dans des modes de réalisation, le drain 200, la source 204, et la porte 208 peuvent tous être composés d'un métal ou matériau conducteur, par exemple, de l'aluminium ou du cuivre. Dans des modes de réalisation le drain 200, la source 204, et la porte 208 peuvent être composés du même matériau, ou de matériaux différents. Le FET 104 peut en outre comprendre un corps 212 connecté à la borne de corps 120. Le FET 104 peut en outre comprendre une partie drain de type n 220 positionnée entre le drain 200 et le corps 212, et une partie source de type n 228 positionnée entre la source 204 et le corps 212, comme cela sera décrit de façon plus détaillée ci-dessous. Telle qu'elle est utilisée dans les présentes, une borne est un élément du FET 104 où le FET 104 se connecte à un autre élément dans un circuit. Dans certains modes de réalisation, le drain 200 et la borne de drain 112 peuvent être considérés être le même élément, par exemple, le FET 104 peut se connecter à un autre élément dans un circuit par l'intermédiaire d'une connexion directe entre le drain 200 et l'élément dans le circuit. Dans d'autres modes de réalisation, la borne de drain 112 peut être une borne, par exemple, un fil conducteur, qui est électriquement couplé avec le drain 200. Par exemple, dans ces d'autres modes de réalisation, le FET 104 peut se connecter avec un autre élément dans le circuit par l'intermédiaire de la borne de drain 112 qui peut être un fil métallique, tel qu'un fil conducteur en cuivre ou autre, qui à son tour peut être couplé avec le drain 200. De façon similaire, la source 204 et la borne de source 108 peuvent être identiques l'une à l'autre, ou électriquement couplées l'une avec l'autre, comme cela est décrit ci-dessus par rapport au drain 200 et à la borne de drain 112. De façon similaire, la porte 208 et la borne de porte 116 peuvent être identiques l'une à l'autre, ou électriquement couplées l'une avec l'autre. Enfin, le corps 212 et la borne de corps 120 peuvent être identiques l'un à l'autre ou couplés l'un avec l'autre. Tels qu'ils sont utilisés dans les présentes, les noms donnés aux éléments ont pour but de distinguer un élément du FET 104 d'un autre, et différents modes de réalisation peuvent utiliser différents noms, par exemple, en appelant la partie drain de type n 220 le drain ou la partie source de type n 228 la source du FET 104. À titre d'exemple d'utilisation du FET 104, une tension directe sera décrite comme étant appliquée sur la borne de porte 116, qui à son tour peut faire en sorte que la porte 208 obtienne la tension spécifiée. Cependant, dans certains modes de réalisation, la tension directe peut être appliquée directement sur la porte 208. A titre d'autre exemple, le signal RF peut être reçu soit à la source 204 ou à la borne de source 108 (ou au drain 200 ou à la borne de drain 112), et peut passer à travers le FET 104 lorsque le FET 104 est dans un état de marche, vers le drain 200 ou la borne de drain 112 (ou la source 204 ou la borne de source 108). Le corps 212 peut être composé d'un matériau de type p, par exemple, un élément de Groupe IV, tel que du silicium ou du germanium, dopé avec des éléments de Groupe III, tels que du bore ou de l'aluminium. Les parties drain et source de type n 220, 228 peuvent être composées d'un élément de Groupe IV, tel que du silicium ou germanium, dopé avec un élément de Groupe V, tel que de l'arsenic ou du phosphore. Les parties drain et source de type n 220, 228 peuvent être séparées l'une de l'autre par le corps 212. En général, un matériau de type p manque d'électrons et est dit comporter des trous d'électron. Un matériau de type n comporte des électrons supplémentaires qui peuvent être capables de se déplacer sous forme de courant électrique à l'intérieur ou hors du matériau de type n, et peut donc être dit comporter des électrons mobiles. Comme cela est noté ci-dessus, la porte 208 du FET 104 peut être composée d'un métal conducteur, tel que du cuivre ou de l'aluminium. Dans d'autres modes de réalisation, la porte 208 peut être composée de tantale, de tungstène ou de nitrure de tantale. Dans d'autres modes de réalisation, la porte 208 du FET 104 peut être composée d'un matériau polysilicium. Le drain 200, la source 204, la porte 208, et le corps 212 peut tous être séparés les uns des autres par un diélectrique 224, par exemple du dioxyde de silicium, de l'oxynitrure de silicium, ou un certain autre diélectrique à k élevée qui empêche le passage d'électrons entre le drain 200 et la source 204. Pour allumer le FET 104, un champ électrostatique peut être créé entre la porte 208 et le reste du FET 104. Ceci peut être réalisé par le décodeur appliquant une tension positive, par exemple, 2,5 V, sur la porte 208. Le drain 200 et la source 204 peuvent présenter une tension de polarisation directe de, par exemple, 0 V. Le corps 212 peut flotter, entraînant une tension de polarisation directe, par exemple, d'approximativement 0 V, avec un faible niveau de puissance de modulation fourni par un signal RF transmis à travers le FET 104. La tension porte-source positive peut repousser les trous d'électron dans le matériau de type p du corps 212 tout en attirant les électrons libres dans le matériau de type p du corps 212. En même temps, la tension porte-source positive peut attirer les électrons mobiles dans les parties drain et source de type n 220, 228. Lorsque la tension positive de la porte 208 devient suffisamment élevée par rapport à la tension directe du drain 200 et de la source 204, une tension appelée tension de seuil, le repoussement dans le matériau de type p du corps 212, et l'attraction des électrons libres dans le corps 212 et des électrons mobiles dans les parties drain et source de type n 220, 228, peut créer un canal électrique. Le canal électrique est parfois appelé couche d'inversion, et peut être entre les parties drain et source de type n 220, 228 et directement sous le diélectrique 224. Autrement dit, le canal électrique entre les parties drain et source de type n 220, 228 peut être directement entre le corps 212 et le diélectrique 224. Dans certains modes de réalisation, l'augmentation de la tension appliquée sur la porte 208 peut augmenter la taille du champ électrostatique. L'augmentation du champ électrostatique peut augmenter la taille du canal électrique, et ainsi la quantité du courant qui peut passer entre le drain 200 et la source 204. Pour éteindre le FET 104, le décodeur peut appliquer une tension de -2,5 V sur la porte 208. Le drain 200 et la source 204 peuvent rester polarisés par courant continu à 0 V. Cependant, le corps 212 peut être modulé avec de l'énergie à partir du signal RF à travers la première résistance 128 et la seconde résistance 136. Cette fourniture de la tension de polarisation de corps, qui peut être approximativement 0 V, peut être réalisée entièrement par une tension de polarisation dérivée du signal RF et ne nécessite pas de ligne de commande supplémentaire à partir d'un décodeur. La figure 3 illustre une cellule 300 conformément à divers modes de réalisation. La cellule 300 peut être similaire à la cellule 100, des éléments à noms similaires étant sensiblement interchangeables. La cellule 300 peut comprendre un FET de commutation 304 possédant une borne de source 308, une borne de drain 312, et une borne de porte 316. La cellule 300 peut en outre comprendre un circuit de polarisation de corps 324 qui comprend un premier FET de polarisation 328, un noeud 332 couplé avec la borne de corps 320, et un second FET de polarisation 336. Les FET de polarisation 328, 336 peuvent être généralement appelés nFET. Cependant, d'autres modes de réalisation peut utilisent d'autres types de FET, tels que des pFET. Le premier FET de polarisation 328 peut comprendre une borne de source 340 couplée avec la borne de source 308, une borne de drain 344 couplée avec le noeud 332, et une borne de porte 348 couplée avec la borne de drain 312. Le second FET de polarisation 336 peut comprendre une borne de drain 352 couplée avec le noeud 332, une borne de source 356 couplée avec la borne de drain 312, et une borne de porte 360 couplée avec la borne de source 308. Lorsque le FET de commutation 304 est dans un état d'arrêt, le circuit de polarisation de corps 324 peut générer une tension négative pour polariser le corps en fonction d'un signal RF appliqué sur le FET de commutation 304. Ceci peut être réalisé en conséquence de la connexion des portes des FET de polarisation 328, 336 aux bornes de source et drain opposées du FET de commutation 304, comme cela est représenté. La configuration des FET de polarisation 328, 336 de cette manière peut fonctionner pour limiter, ou couper, la tension positive du signal RF et amplifier la tension négative du signal RF, entraînant une tension de polarisation négative appliquée sur la borne de corps 320. Ceci peut être vu sur les graphiques de la figure 4, qui tracent un nombre de signaux RF, à différents niveaux de puissance, en fonction du temps et de la tension. En particulier, la figure 4(a) trace des tensions de signaux RF appliqués sur le FET de commutation 304 par rapport au temps et la figure 4(b) trace les tensions correspondantes appliquées sur le corps du FET de commutation 304 par le circuit de polarisation de corps 324 par rapport au temps. L'application d'une tension de polarisation négative sur le corps, comme cela est réalisé par la cellule 300, peut améliorer les performances de la cellule 300. Ceci peut être dû à la tension source-corps négative, conjointement avec la tension porte- source négative, créant un champ électrostatique négatif qui fournit une résistance élevée entre la borne de drain 312 et la borne de source 308. Ceci est dû au champ électrostatique négatif attirant simultanément les trous d'électron dans le corps de type p et repoussant les électrons mobiles dans les parties drain et source de type n, empêchant ainsi le transfert d'électrons entre la source et le drain. Dans d'autres modes de réalisation où un pFET est utilisé au lieu d'un nFET, le corps peut être un matériau de type n et les parties drain et source peuvent être un matériau de type p. La fourniture du champ électrostatique négatif, comme cela est décrit ci-dessus, peut entièrement appauvrir le canal entre la source et drain du FET de 20 commutation 304. Ceci pourrait limiter un effet de modulation de grands signaux RF qui pourrait autrement se produire lorsque le FET de commutation 304 est dans l'état d'arrêt et comporte seulement un canal partiellement appauvri. Si le canal était seulement partiellement appauvri, le FET de commutation 304 servirait de transistor à jonctions bipolaires parasite horizontal avec une partie du canal partiellement 25 appauvri servant de section P de la jonction NPN. La figure 5 illustre une cellule 500 conformément à divers modes de réalisation. La cellule 500 peut être similaire aux cellules 100 ou 300, des éléments à noms similaires étant sensiblement interchangeables. La cellule 500 peut comprendre un FET 504 possédant une borne de 30 source 508, une borne de drain 512, une borne de porte 516, et une borne de corps 520. La cellule 500 peut en outre comprendre un circuit de polarisation de corps 524 qui comprend une première diode de polarisation 528, un noeud 532 couplé avec la borne de corps 520, et une seconde diode de polarisation 536. La première diode de polarisation 528 peut comprendre une borne de diode 540 couplée avec la borne de source 508 ; et une borne de cathode 544 couplée avec le noeud 532. La seconde diode de polarisation 536 peut comprendre une borne d'anode 548 couplée avec le noeud 532 ; et une borne de cathode 552 couplée avec la borne de drain 512. Lorsque le FET 504 est dans un état de marche, les diodes de polarisation 528, 536 ne seront pas conductrices et le corps flottera. Le corps peut généralement rester à environ 0 V lorsqu'il flotte. Lorsque le FET 504 est dans un état d'arrêt, les diodes de polarisation 528, 536 peuvent redresser le signal RF en un signal à courant continu pour faire passer le corps du FET de commutation 504 de la flottaison à une tension négative moyenne, qui dépend d'une tension de crête du signal RF sur le FET de commutation 504. Les formes d'onde de la tension appliquée sur le corps peuvent être similaires à celles représentées sur la figure 4(b). La figure 6 illustre une cellule 600 conformément à divers modes de réalisation. La cellule 600 peut être similaire aux cellules 100, 300, ou 500, des éléments à noms similaires étant sensiblement interchangeables. La cellule 600 peut comprendre un FET 604, également appelé FET de commutation 604, possédant une borne de source 608, une borne de drain 612, une borne de porte 616, et une borne de corps 620. La cellule 600 peut en outre comprendre un circuit de polarisation de corps 624 qui comprend un premier FET de polarisation 628, un noeud 632 couplé avec la borne de corps 620, et un second FET de polarisation 636. Les FET de polarisation 628, 636 peuvent être des nFET. Bien que d'autres modes de réalisation puissent utiliser d'autres types de FET, tels que des pFET. Le premier FET de polarisation 628 peut comprendre une borne de source 640 couplée avec la borne de source 608 ; une borne de drain 644 couplée avec le noeud 632 ; et une borne de porte 648 couplée avec le noeud 632. Le second FET de polarisation 636 peut comprendre une borne de drain 652 couplée avec le noeud 632 ; une borne de source 656 couplée avec la borne de drain 612, et une borne de porte 660 couplée avec le noeud 632. De cette manière, les FET de polarisation 628, 636 peuvent être des FET connectés par diode disposés entre le drain et la source du FET de commutation 604, avec un point médian du circuit de polarisation de corps 624 couplé avec le corps du FET de commutation 604. Les FET connectées par diode 628, 636 peuvent fonctionner de façon similaire aux diodes de polarisation décrites ci-dessus par rapport à la figure 5. Cependant, les FET connectées par diode peuvent présenter une tension d'allumage qui est inférieure à une tension d'allumage des diodes de polarisation, par exemple de 0,2 ou 0,3 V. Ceci peut avoir pour résultat une tension plus négative appliquée sur le corps lorsque le FET de commutation 604 est dans un état d'arrêt. La figure 7 représente un organigramme d'un procédé 700 de fonctionnement d'une cellule élémentaire, par exemple, la cellule 100, 300, 500 ou 600, conformément à certains modes de réalisation. Au bloc 704, le procédé 700 peut comprendre la commande du FET de commutation pour qu'il soit dans un état de marche. Ceci peut être réalisé, par exemple, par un décodeur fournissant une tension porte-source positive sur le FET de commutation. Le procédé 700 peut en outre comprendre, au bloc 704, le fait de laisser un corps du FET de commutation flotter, ce qui peut être approximativement 0 V. Ceci peut être réalisé, par exemple, par une configuration de couplage du circuit de polarisation de corps par rapport aux bornes de drain, de source, et de corps du FET de commutation, tels que celles représentées et décrites par rapport aux figures 1, 3, 5, ou 6. Au bloc 708, le procédé 700 peut comprendre la commande du FET de commutation pour qu'il soit dans un état d'arrêt. Ceci peut être réalisé, par exemple, par le décodeur fournissant une tension porte-source négative sur le FET de commutation. Le procédé 700 peut en outre comprendre, au bloc 708, la fourniture d'une tension de polarisation au corps du FET de commutation. Comme cela est décrit ci-dessus, ceci peut être réalisé par le circuit de polarisation de corps dérivant la tension de polarisation de corps du signal RF appliquée sur le FET de commutation. Dans certains modes de réalisation, la tension de polarisation de corps peut être une tension de polarisation négative. La figure 8 illustre un exemple d'un dispositif commutateur 800 conformément à certains modes de réalisation. Le dispositif commutateur 800 peut comprendre une pluralité de cellules séries 804 couplées en série les unes avec les autres sur une ligne série 808. Le dispositif commutateur 800 peut en outre comprendre une pluralité de cellules shunts 812 couplées en série les unes avec les autres sur une ligne shunt 816. 11 peut être souhaitable de coupler de nombreuses cellules séries comme cela est représenté car, comme cela est noté ci-dessus, lorsque le FET de commutation est dans l'état d'arrêt, une grande résistance est créée entre la borne de source et la borne de drain. Si le courant du signal RF est très grand, alors le FET de commutation peut être endommagé. En couplant une pluralité de FET en série, la charge créée par le grand signal RF peut être distribuée pour que chaque FET supporte seulement une partie de la charge. De cette manière, la vie utile des FET peut être prolongée. Des cellules individuelles du dispositif commutateur 800 peuvent être similaires aux cellules 100, 300, 500, ou 600. Le dispositif commutateur 800 peut en outre comprendre un décodeur 820. Le décodeur 820 peut être couplé avec les cellules par l'intermédiaire de lignes de décodeur 824 (représentées avec une grosseur de ligne plus légère que la ligne série 808 et la ligne shunt 816). En particulier, une ligne de décodeur 824 peut être fournie à une borne de porte de chaque cellule. Étant donné que les circuits de polarisation de corps des cellules séries 804 et des cellules shunts 812 utilisent le signal RF pour dériver une tension de polarisation de corps appropriée, les cellules ne nécessitent pas de ligne de décodeur couplée avec leurs bornes de corps. Cette réduction de lignes de commande peut avoir pour résultat une taille de puce plus petite, moins de couplage de bruit par substrat, et une réduction de signaux parasites entrant dans un noyau de commutateur RF à partir d'une quelconque circuiterie de pompe de charge sur puce. Lorsque le dispositif commutateur 800 est dans un état de marche, pour faire passer le signal RF d'une entrée à une sortie, le décodeur 820 peut régler chacune des cellules séries 804 à un état de marche et peut régler chacune des cellules shunts 812 à un état d'arrêt. Lorsque le dispositif commutateur 800 est dans un état d'arrêt, pour empêcher le passage du signal RF de l'entrée à la sortie, le décodeur 820 peut régler chacune des cellules séries 804 à un état d'arrêt et peut régler chacune des cellules shunts 812 à un état de marche. Un dispositif de communication sans fil 900 est illustré sur la figure 9 conformément à certains modes de réalisation. Le dispositif de communication sans fil 900 peut présenter un étage frontal RF 904 comprenant un ou plusieurs commutateurs RF 908. Les commutateurs RF 908 peuvent être similaires au dispositif commutateur 800 et sensiblement interchangeables avec celui-ci. Les commutateurs RF 908 peuvent être déployés dans divers éléments de l'étage frontal RF 904 tels que, mais sans y être limités, un module commutateur d'antenne, un commutateur de distribution, un émetteur, un récepteur, etc. L'étage frontal RF 904 peut également comprendre d'autres éléments non spécifiquement représentés ou décrits tels que, mais sans y être limités, des amplificateurs, des convertisseurs, des filtres, etc. En plus de l'étage frontal RF 904, le dispositif de communication sans fil 900 peut présenter une structure d'antenne 916, un émetteur-récepteur 920, un processeur 924, et une mémoire 928 couplés les uns avec les autres au moins comme cela est représenté. Le processeur 924 peut exécuter un programme de système d'exploitation de base, stocké dans la mémoire 928, afin de commander le fonctionnement général du dispositif de communication sans fil 900. Par exemple, le processeur principal 924 peut commander la réception de signaux et la transmission de signaux par l'émetteur-récepteur 920. Le processeur principal 924 peut être capable d'exécuter d'autres procédés et programmes résidents dans la mémoire 928 et peut déplacer des données dans ou hors de la mémoire 928, comme cela est souhaité par un procédé d' exploitation. L'émetteur-récepteur 920 peut recevoir des données en sortie (par exemple, des données vocales, des données Web, un e-mail, des données de signalisation, etc.) à partir du processeur 924, peut générer un signal RF ou des signaux RF pour représenter les données en sortie, et fournir le signal RF ou les signaux RF à l'étage frontal RF 904. Inversement, l'émetteur-récepteur 920 peut recevoir des signaux RF à partir de l'étage frontal RF 904 qui représentent des données en entrée. L'émetteur-récepteur 920 peut traiter les signaux RF et envoyer des signaux en entrée au processeur 924 pour un traitement supplémentaire. L'étage frontal RF 904 peut fournir une fonctionnalité d'étage frontal diverse. La fonctionnalité d'étage frontal comprend, mais sans y être limitée, la commutation prévue par les commutateurs RF 908. En particulier, les commutateurs RF 908 peuvent sélectivement faire passer un signal RF ou des signaux RF vers des composants du dispositif de communication sans fil 900, à partir de ceux-ci, ou à l'intérieur de ceux-ci. Dans divers modes de réalisation, le dispositif de communication sans fil 900 peut être, mais sans y être limité, un téléphone mobile, un dispositif de radiomessagerie, un assistant électronique de poche, un dispositif de message SMS, un ordinateur portable, un ordinateur de bureau, une station de base, un appareil d'abonné, un point d'accès, un radar, un dispositif de communication par satellite, ou tout autre dispositif capable de transmettre/recevoir sans fil des signaux RF. L'homme du métier reconnaîtra que le dispositif de communication sans fil 900 est fourni à titre d'exemple et que, pour la simplicité et la clarté, seulement autant de la construction et du fonctionnement du dispositif de communication sans fil 900 que ce qui est nécessaire pour une compréhension des modes de réalisation est représenté et décrit. Divers modes de réalisation contemplent un quelconque composant approprié ou une quelconque association appropriée de composants réalisant de quelconques tâches appropriées en association avec le dispositif de communication sans fil 900, selon des besoins particuliers. En outre, il est entendu que le dispositif de communication sans fil 900 ne doit pas être interprété pour limiter les types de dispositifs dans lesquels des modes de réalisation peuvent être réalisés. Divers modes de réalisation décrivent un circuit configuré pour commuter des signaux radiofréquences (« RF »), le circuit comprenant : un FET comprenant une borne de source, une borne de porte, une borne de drain, et une borne de corps ; et un circuit de polarisation de corps couplé avec la borne de source, la borne de drain et la borne de corps, le circuit de polarisation de corps étant configuré pour : dériver une tension de polarisation négative en fonction d'un signal RF appliqué sur le FET ; et fournir la tension de polarisation négative à la borne de corps lorsque le FET est dans un état d'arrêt. Le circuit peut comprendre une pluralité de FET, y compris le FET (par exemple, un FET de type n), couplés en série les uns avec les autres. Le circuit de polarisation de corps peut seulement être couplé avec la borne de source, la borne de drain, et la borne de corps. Le circuit peut être un circuit SOI. Lorsque le FET est un premier FET, le circuit de polarisation de corps peut 30 comprendre un noeud couplé avec la borne de corps ; un deuxième FET possédant : une borne de source couplée avec la borne de source du premier FET ; et une borne de drain couplée avec le noeud ; et un troisième FET possédant : une borne de drain couplée avec le noeud ; et une borne de source couplée avec la borne de drain du premier FET. Le deuxième FET peut en outre comprendre une borne de porte couplée avec la borne de drain du premier FET ; et le troisième FET peut en outre comprendre une 5 borne de porte couplée avec la borne de source du premier FET. Les premier et deuxième FET peuvent être des FET connectés par diode ; le deuxième FET peut en outre comprendre une borne de porte couplée avec le noeud ; et le troisième FET peut en outre comprendre une borne de porte couplée avec le noeud. 10 Le circuit de polarisation de corps peut comprendre un noeud couplé avec la borne de corps ; une première diode couplée avec la borne de source et le noeud ; et une seconde diode couplée avec la borne de drain et le noeud. La première diode peut comprendre une borne de cathode couplée avec la borne de source et une borne d'anode couplée avec le noeud ; et la seconde diode 15 comprend une borne de cathode couplée avec la borne de drain et une borne d'anode couplée avec le noeud. Le circuit de polarisation de corps peut dériver la tension de polarisation négative en redressant le signal RF. Certains modes de réalisation décrivent un dispositif de communication sans 20 fil comprenant : un émetteur-récepteur ; une antenne ; et un étage frontal radiofréquence (« RF ») couplé avec l'émetteur-récepteur et l'antenne et configuré pour communiquer des signaux entre l'émetteur-récepteur et l'antenne, l'étage frontal radiofréquence comprenant un dispositif de commutation à silicium sur isolant qui comporte : un décodeur configuré pour mettre une pluralité de FET de 25 commutations dans un état d'arrêt ou un état de marche ; et une cellule avec un premier FET de la pluralité de FET et un circuit de polarisation de corps, le circuit de polarisation de corps étant configuré pour fournir une tension négative à un corps du transistor à effet de champ lorsque le premier FET est dans un état d'arrêt, la tension négative dérivée d'un signal RF étant appliquée sur le premier FET. 30 Le circuit de polarisation de corps peut comprendre un noeud couplé avec une borne de corps du premier FET ; un deuxième FET possédant : une borne de source couplée avec une borne de source du premier FET ; et une borne de drain couplée avec le noeud ; et un troisième FET possédant : une borne de drain couplée avec le noeud ; et une borne de source couplée avec la borne de drain du premier FET. Le deuxième FET peut en outre comprendre une borne de porte couplée avec la borne de drain du premier FET ; et le troisième FET peut en outre comprendre une 5 borne de porte couplée avec la borne de source du premier FET. Certains modes de réalisation peuvent comprendre un procédé comprenant : la commande, avec un circuit de décodeur, d'un transistor à effet de champ (« FET ») de commutation pour qu'il soit dans un état d'arrêt ; la dérivation, avec un circuit de polarisation de corps, d'une tension de polarisation négative en fonction d'un signal 10 RF appliqué sur le FET de commutation alors que le FET de commutation est dans l'état d'arrêt ; et la fourniture, par le circuit de polarisation de corps, de la tension de polarisation négative à un corps du FET de commutation alors que le FET de commutation est dans l'état d'arrêt. La dérivation de la tension de polarisation négative peut comprendre le 15 redressement du signal RF appliqué sur le FET de commutation. Certains modes de réalisation décrivent un circuit configuré pour commuter des signaux RF, le circuit comprenant : un FET comprenant une borne de source, une borne de porte, une borne de drain, et une borne de corps ; et un circuit de polarisation de corps possédant : un noeud couplé avec la borne de corps ; une 20 première résistance couplée avec la borne de drain et le noeud ; et une seconde résistance couplée avec la borne de source et le noeud, le circuit de polarisation de corps étant configuré pour : dériver une tension de polarisation en fonction d'un signal RF appliqué sur le FET ; et fournir la tension de polarisation à la borne de corps. 25 La première résistance et la seconde résistance peuvent être de taille égale. Le circuit de polarisation de corps peut être configuré pour fournir la tension de polarisation sous forme de tension directe d'approximativement zéro volt. La borne de porte du FET peut être couplée avec un décodeur ; et la borne de drain du FET n'est pas couplée avec le décodeur. 30 Bien que la présente invention ait été décrite par rapport aux modes de réalisation illustrés ci-dessus, l'homme ordinaire du métier appréciera qu'une grande variété de mises en oeuvre autres et/ou équivalentes calculées pour atteindre les mêmes objectifs peuvent être substituées aux modes de réalisation spécifiques représentés et décrits sans s'éloigner de la portée de la présente invention. L'homme du métier appréciera facilement que les enseignements de la présente invention peuvent être mis en oeuvre dans une grande variété de modes de réalisation. La présente description est prévue pour être considérée comme étant illustrative plutôt que restrictive. REVENDICATIONS1. Circuit (100, 300, 500, 600) configuré pour commuter des signaux radiofréquences (« RF »), le circuit comprenant : un transistor à effet de champ (« FET ») (104, 304, 504, 604) comprenant une borne de source (108, 304, 504, 604), une borne de porte (116, 316, 516, 616), une borne de drain (112, 312, 512, 612), et une borne de corps (120, 320, 520, 620) ; et un circuit de polarisation de corps (124, 324, 524, 624) couplé avec la borne de source (108, 304, 504, 604), la borne de drain (112, 312, 512, 612) et la borne de corps (120, 320, 520, 620), le circuit de polarisation de corps (124, 324, 524, 624) étant configuré pour : dériver une tension de polarisation négative en fonction d'un signal RF appliqué sur le FET (104, 304, 504, 604) ; et fournir la tension de polarisation négative à la borne de corps (120, 320, 520, 620) lorsque le FET (104, 304, 504, 604) est dans un état d'arrêt. 2. Circuit (100, 300, 500, 600) selon la revendication 1, comprenant en outre : une pluralité de FET, y compris le FET (104, 304, 504, 604) susmentionné, couplés en série les uns avec les autres. 3. Circuit (100, 300, 500, 600) selon la revendication 1, dans lequel le FET (104, 304, 504, 604) est un FET de type n. 4. Circuit (100, 300, 500, 600) selon la revendication 1, dans lequel le circuit de polarisation de corps (124, 324, 524, 624) est seulement couplé avec la borne de source (108, 304, 504, 604), la borne de drain (112, 312, 512, 612), et la borne de corps (120, 320, 520, 620). 5. Circuit (100, 300, 500, 600) selon la revendication 1, dans lequel le circuit (100, 300, 500, 600) comprend un circuit à silicium sur isolant (« SOI »). 6. Circuit (100, 300, 500, 600) selon la revendication 1, dans lequel le FET (104, 304, 504, 604) est un premier FET et le circuit de polarisation de corps (124, 324, 524, 624) comprend : un noeud (132, 332, 532, 632) couplé avec la borne de corps (120, 320, 520, 620) ; un deuxième FET possédant : une borne de source (108, 304, 504, 604) couplée avec la borne de source (108, 304, 504, 604) du premier FET ; et une borne de drain (112, 312, 512, 612) couplée avec le noeud (132, 332, 532, 632) ; et un troisième FET possédant : une borne de drain (112, 312, 512, 612) couplée avec le noeud (132, 332, 532, 632) ; et une borne de source (108, 304, 504, 604) couplée avec la borne de drain (112, 312, 512, 612) du premier FET. 7. Circuit (100, 300, 500, 600) selon la revendication 6, dans lequel : le deuxième FET comprend en outre une borne de porte (116, 316, 516, 616) couplée avec la borne de drain (112, 312, 512, 612) du premier FET ; et le troisième FET comprend en outre une borne de porte (116, 316, 516, 616) couplée avec la borne de source (108, 304, 504, 604) du premier FET. 8. Circuit (100, 300, 500, 600) selon la revendication 6, dans lequel les premier et deuxième FET sont des FET connectés par diode (628, 636) et : le deuxième FET comprend en outre une borne de porte (116, 316, 516, 616) couplée avec le noeud (132, 332, 532, 632) ; et le troisième FET comprend en outre une borne de porte (116, 316, 516, 616) couplée avec le noeud (132, 332, 532, 632). 9. Circuit (500) selon la revendication 1, dans lequel le circuit de polarisation de 30 corps (524) comprend : un noeud (532) couplé avec la borne de corps (520) ; une première diode (528) couplée avec la borne de source (504) et le noeud (532) ; et une seconde diode (536) couplée avec la borne de drain (512) et le noeud (532). 10. Circuit (500) selon la revendication 1, dans lequel : la première diode (528) comprend une borne de cathode (544) couplée avec la borne de source (508) et une borne d'anode couplée avec le noeud (532) ; et la seconde diode (536) comprend une borne de cathode (552) couplée avec la borne de drain (512) et une borne d'anode couplée avec le noeud (532). 11. Circuit selon la revendication 1, dans lequel le circuit de polarisation de corps est adapté pour dériver la tension de polarisation négative en étant configuré pour redresser le signal RF. 12. Dispositif de communication sans fil (900), comprenant : un émetteur-récepteur (920) ; une antenne (916) ; et une étage frontal radiofréquence (« RF ») (904) couplé avec l'émetteur- récepteur (920) et l'antenne (916) et configuré pour communiquer des signaux entre l'émetteur-récepteur (920) et l'antenne (916), l'étage frontal radiofréquence (904) comprenant un dispositif de commutation à silicium sur isolant qui comporte : un décodeur configuré pour régler une pluralité de transistors à effet de 20 champ (« FET ») de commutateur dans un état d'arrêt ou un état de marche ; et le circuit selon une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel le FET est un parmi la pluralité de FET susmentionnée. 13. Procédé (700), comprenant : 25 la commande (704), avec un circuit de décodeur, d'un transistor à effet de champ (« FET ») de commutation pour qu'il soit dans un état d'arrêt ; la dérivation, avec un circuit de polarisation de corps, d'une tension de polarisation négative en fonction d'un signal radiofréquence (« RF ») appliqué sur le FET de commutation alors que le FET de commutation est dans l'état d'arrêt ; et 30 la fourniture (708), par le circuit de polarisation de corps, de la tension de polarisation négative à un corps du FET de commutation alors que le FET de commutation est dans l'état d'arrêt,dans lequel la dérivation de la tension de polarisation négative comprend facultativement : le redressement du signal RF appliqué sur le FET de commutation. 14. Circuit (100, 300, 500, 600) configuré pour commuter des signaux radiofréquences (« RF »), le circuit comprenant : un transistor à effet de champ (« FET ») (104, 304, 504, 604) comprenant une borne de source (108, 304, 504, 604), une borne de porte (116, 316, 516, 616), une borne de drain (112, 312, 512, 612), et une borne de corps (120, 320, 520, 620) ; et un circuit de polarisation de corps (124, 324, 524, 624) possédant : un noeud (132, 332, 532, 632) couplé avec la borne de corps (120, 320, 520, 620) ; une première résistance couplée avec la borne de drain (112, 312, 512, 612) et le noeud (132, 332, 532, 632) ; et une seconde résistance couplée avec la borne de source (108, 304, 504, 604) et le noeud (132, 332, 532, 632), dans lequel le circuit de polarisation de corps (124, 324, 524, 624) est configuré pour : dériver une tension de polarisation en fonction d'un signal RF appliqué sur le FET (104, 304, 504, 604) ; et fournir la tension de polarisation à la borne de corps (120, 320, 520, 620). 15. Circuit (100, 300, 500, 600) selon la revendication 14, dans lequel : la première résistance et la seconde résistance sont de taille égale ; le circuit de polarisation de corps (124, 324, 524, 624) est configuré pour fournir la tension de polarisation sous forme de tension directe d'approximativement zéro volt ; et/ou la borne de porte (116, 316, 516, 616) du FET (104, 304, 504, 604) est couplée avec un décodeur et la borne de drain (112, 312, 512, 612) du FET (104, 304, 504, 604) n'est pas couplée avec le décodeur.