FR 3000294 A1 20140627 FR 1262537 A 20121221 Support fonctionnel comprenant des nanofils et des nano-empreintes et procédé de fabrication dudit support Le domaine de l'invention est celui des composants à base de 5 nanofils, réalisés collectivement par croissance localisée sur un substrat pouvant être en silicium, ou en GaN ou en en saphir, ou autre. Plus précisément, le domaine de l'invention peut adresser des composants à base de nanofils photoconducteurs ou photo-émetteurs pouvant être utilisés par exemple pour produire de la lumière, notamment 10 des diodes électroluminescentes, couramment désignées par l'acronyme LED (« Light Electroluminescent Diode »). Au cours de ces dernières années, il a été réalisé par exemple, des diodes électroluminescentes (LEDs) visibles à base de nanofils InGaN/GaN verticaux contenant une jonction p-n et connectés collectivement en 15 parallèle. Grâce à leurs propriétés intrinsèques potentielles (bonne qualité cristalline, relaxation des contraintes aux surfaces libres verticales, bonne efficacité d'extraction de la lumière par effet de guide d'onde...), les nanofils sont considérés comme des candidats très intéressants pour pallier les 20 difficultés rencontrées actuellement avec des LEDs GaN conventionnelles fabriquées en structure planaire (2D). Deux approches LEDs Nanofils, basées sur des techniques de croissance différentes, ont été développées au CEA Grenoble. La première filière consiste à épitaxier des nanofils GaN contenant 25 des puits quantiques InGaN en configuration axiale par Epitaxie par Jet Moléculaire (MBE). Les dispositifs fabriqués à partir de ces nanofils ont donné des résultats intéressants dans le domaine spectral vert. Les puces processées de 1 mm2 peuvent émettre autour de 10 pW à 550 nm pour un courant continu de fonctionnement de 100 mA. 30 La figure 1 illustre une telle configuration mettant en évidence des nanofils NT; à la surface d'un substrat 11 typiquement en silicium en contact avec un contact inférieur de type n 10, le contact supérieur de type p étant assuré par une couche transparente 12 et la reprise de contact effectuée par une reprise de contact p, épaisse 13. Les nanofils NT; de structure axiale 35 comportent une zone dopée n pouvant typiquement être en GaN dopée n, une zone active ZA en InGaN ou possédant une structure à puits quantique, et une zone dopée p pouvant être en GaN dopée p. Avec la technique de croissance par jets moléculaires (MBE), certaines inhomogénéités apparaissent en raison de mécanismes de nucléation aléatoire, mais typiquement il a été obtenu une puissance optique sur un fil unique émettant à 550nm de 50nW, soit 5 W/mm2 avec une centaine de nanofils émetteurs/mm2. Plus récemment, la technique de croissance MOCVD (dépôt chimique en phase vapeur à base d'organométalliques) a permis la 10 réalisation de nanofils InGaN/GaN contenant une structure LED radiale (configuration Coeur/Coquille). La figure 2 illustre ce type de configuration dans laquelle, des nanofils NT, sont réalisés à la surface d'un substrat 11 recouvert d'une couche de nucléation 21, une couche de contact inférieur 10 étant également 15 prévue. L'épitaxie localisée est assurée au travers d'un masque 20. La structure des nanofils est de type coeur/coquille. Le coeur 30 peut comprendre un matériau GaN dopé n, typiquement avec un taux de dopage de 10-19 cm"3, une structure à puits quantique avec une alternance de couches, pouvant respectivement être en GaN non dopée et InGaN, et enfin 20 une coquille 31 pouvant être constituée d'une couche GaN dopée p avec typiquement un taux de dopage de 10-19 cm-3. Une couche diélectrique 40 assure l'isolation entre les contacts inférieur et supérieur. Le contact supérieur est assuré via une couche supérieure 50, 25 conductrice et transparente à la longueur d'onde d'émission de la structure photoconductrice. Une couche de contact métallique 60 étant également prévue. Dans cette approche, la structure LED étant en configuration Coeur/Coquille, la surface de la zone active est plus importante que dans 30 l'approche LEDs nanofils 2D. Cette propriété apporte deux avantages : l'augmentation de la surface émissive et la diminution des densités de courant dans la zone active. Des structures complètes de LEDs nanofils MOCVD ont été réalisées sur substrat silicium et l'électroluminescence dans le domaine spectral bleu (450nm) a été obtenue sur un ensemble de nanofils intégrés après process technologique. Néanmoins, le Demandeur est parti du constat que les procédés d'épitaxie tel que le procédé MOCVD génèrent de par toute la consommation d'espèces gazeuses, des effets de bord, préjudiciables à l'obtention de composants homogènes, et des discontinuités dans les zones de croissance des nanofils, plus précisément, une variation sur la plaque du taux de surface de croissance. En effet, notamment dans le cas des LEDs, les nanof ils fabriqués par 10 épitaxie par exemple de GaN sur des motifs de croissances peuvent être élaborés par les techniques standards de la microélectronique. Ces motifs sont regroupés sur le substrat sous la forme de motifs réguliers dans des zones compactes, carrées, rondes .... qui définissent la surface active de la LED. Ces zones ont des dimensions définies par les 15 besoins du client final du produit, par exemple 1mm par 1 mm. Chaque zone de croissance est séparée de sa voisine par un espacement dont la dimension est ajustée au minimum pour permettre le passage des connexions métalliques d'alimentation des LED et la découpe par sciage des substrats. 20 Ces espacements entre les zones de croissances, dans lesquels aucune épitaxie n'est souhaitée, provoquent l'apparition de défauts multiples : - des non-uniformités en hauteurs et en morphologies, dans les réseaux de fils, liées aux discontinuités dans les zones de croissances ; 25 - des croissances inorganisées de nano-cristaux par exemple de GaN qui sont des défauts tueurs pour les circuits lors de la fin des étapes de technologie ; - des dépôts de InGaN parasites qui tapissent les surfaces des plaques de matériaux conducteurs. 30 La figure 3 illustre une vue réalisée sur un ensemble de nanofils et un ensemble de défauts apparaissant dans les zones de non-croissance, photographie faite au microscope électronique à balayage, qui met en évidence des croissances parasites Crpa, des dépôts de résidus de croissance Rcr. . C'est pourquoi, pour pallier les inconvénients précités, le Demandeur propose une solution permettant notamment d'éliminer les défauts en homogénéisant l'ensemble de la surface d'un substrat en termes de croissance de nanofils et en sélectionnant une zone élémentaire de nanofils parmi l'ensemble plus important de nanofils, permettant ainsi de disposer de support fonctionnel présentant des nanofils homogènes. Plus précisément la présente invention a pour objet un support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils, caractérisé en ce qu'il comprend des éléments nanométriques dits nano-empreintes, appartenant à l'une des configurations suivantes : - le substrat étant recouvert d'un masque à sa surface, ledit masque comporte une première série d'ouvertures dans lesquelles sont présents les nanofils et une seconde série d'ouvertures dans lesquelles sont présentes lesdites nano-empreintes ; - le substrat comprenant à sa surface un ensemble de nano-plots, ledit ensemble comporte : o un premier sous-ensemble de nano-plots supportant lesdits nanofils ; o un second sous-ensemble de nano-plots comportant lesdites nano-empreintes. Selon une variante de l'invention, le support comprend une couche de diélectrique au-dessus des nano-empreintes. Selon une variante de l'invention, la seconde série d'ouvertures constitue l'ensemble desdites nano-empreintes. Selon une variante de l'invention, lesdites nano-empreintes sont des éléments de même nature que celle des nanofils intégrés dans lesdites premières ouvertures. Selon une variante de l'invention, les nano-empreintes sont les nanoplots dudit second sous-ensemble. Selon une variante de l'invention, le masque est en SiN ou en 5i02. Selon une variante de l'invention, les nano-plots sont en métal pouvant être en TiN. Selon une variante de l'invention, le substrat est en silicium. Selon une variante de l'invention, les nanofils sont en matériau(x) Ill-35 V ou en alliage de matériau(x) III-V. Selon une variante de l'invention, les nanofils sont photoconducteurs ou photo-émetteurs. L'invention a aussi pour objet un support fonctionnel collectif comprenant un substrat et un ensemble de nanofils, lesdits nanofils étant organisés en sous-ensemble de nanofils, caractérisé en ce que lesdits sous-ensembles de nanofils sont séparés sur le substrat par des éléments nanométriques dits nano-empreintes, l'ensemble desdits éléments nanométriques d'empreinte appartenant à l'une des configurations suivantes : - le substrat étant recouvert d'un masque à sa surface, ledit masque comporte une première série d'ouvertures dans lesquelles sont présents les nanofils et une seconde série d'ouvertures dans lesquelles sont présentes lesdites nano-empreintes ; - le substrat comprenant à sa surface un ensemble de nano-plots 15 comportant : o un premier sous-ensemble de nano-plots supportant lesdits nanofils ; o un second sous-ensemble de nano-plots comportant lesdites nano-empreintes. 20 L'invention a aussi pour objet une ou des diode(s) électoluminescente(s) caractérisée(s) en ce qu'elle comporte un support fonctionnel selon l'invention. L'invention a encore pour objet un procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comporte les 25 étapes suivantes : - la croissance localisée à la surface d'un substrat, d'un ensemble de nanofils : o au travers d'un ensemble d'ouvertures dans un masque réalisé à la surface dudit substrat ou 30 o sur des nano-plots ; - l'élimination d'un sous-ensemble de nanofils dits secondaires de manière à laisser un premier-sous ensemble de nanofils dits principaux et un sous-ensemble de nano-empreintes, lesdites nano-empreintes étant situées : o dans sous-ensemble d'ouvertures ou 35 o au niveau d'un sous-ensemble de nano-plots. Selon une variante de l'invention, le procédé de fabrication comprend le dépôt d'une couche d'isolant électrique au dessus des nano-empreintes. Selon une variante de l'invention, l'élimination d'un sous-ensemble de nanofils comporte les étapes suivantes : - la réalisation d'un masque de protection présentant des ouvertures au niveau desdits nanofils secondaires et encapsulant ledit sous-ensemble de nanofils principaux ; - l'élimination desdits nanofils secondaires. Selon une variante de l'invention, l'élimination desdits nanofils 10 secondaires est réalisée par une opération de gravure directe au travers dudit masque de protection. Selon une variante de l'invention, l'élimination desdits nanofils secondaires est réalisée par une opération de gravure chimique directe au travers dudit masque de protection, ledit masque étant un masque dur 15 pouvant être en SiN ou en 5i02. Selon une variante de l'invention, l'élimination desdits nanofils secondaires est réalisée par une opération de gravure directe sèche au travers dudit masque de protection, avec un plasma de type RIE (« Reactivelon-Etching »), ou ICP (« Ions-Couple-Plasma ») 20 Selon une variante de l'invention, la croissance des nanofils étant réalisée par croissance sur une couche de nucléation, l'étape d'élimination des nanofils secondaires est réalisée par attaque chimique de ladite couche de nucléation. Selon une variante de l'invention, l'élimination des nanofils 25 secondaires est réalisée par une action mécanique générant la rupture desdits nanofils secondaires. Selon une variante de l'invention, l'action mécanique est réalisée par ultra-sons. Selon une variante de l'invention, l'action mécanique est effectuée 30 par un jet de fluide à haute pression. Selon une variante de l'invention, l'action mécanique est effectuée en présence d'un outil solide. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles : - la figure 1 illustre un premier exemple de LED comprenant des nanofils selon l'art connu ; - la figure 2 illustre un second exemple de LED comprenant des nanofils selon l'art connu ; - la figure 3 illustre une vue d'un ensemble de nanofils séparés par des zones de non croissance dans lesquelles sont présents des défauts dans une configuration de l'art connu ; - les figures 4a et 4b illustrent une première variante de l'invention dans laquelle, les nano-empreintes sont réalisées dans un masque de croissance ; - les figures 5a et 5b illustrent une seconde variante de l'invention dans laquelle, les nano-empreintes sont réalisées au niveau de plots de croissance ; - les figures 6a à 6j illustrent l'ensemble des étapes d'un exemple de procédé de fabrication d'une LED selon l'invention comprenant une opération mécanique de retrait d'un sous-ensemble de nanofils. De manière générale, il est proposé dans la présente invention de concevoir un support fonctionnel à base de nanofils dont on a réussi à éliminer les discontinuités de fabrication. Il est proposé de présenter à l'épitaxie une surface homogène de motifs de croissance à l'échelle de l'ensemble du support, réalisant ainsi une « mer » de nanofils, puis d'éliminer les nanofils dans les zones dans lesquelles, ils ne sont pas utiles. Les nanofils sont généralement obtenus par croissance localisée sur 30 un substrat et ce principalement selon deux options de croissance. Première variante de croissance localisée : Comme illustré en figure 4a, on réalise à la surface d'un substrat 100, un masque de croissance 200, dans lequel on a réalisé de manière classique des ouvertures permettant de localiser la croissance localisée par épitaxie des nanofils NT, et ce de manière connu de l'homme de l'art. Selon l'invention, l'ensemble du substrat est recouvert d'une mer de nanofils NT, et l'on procède dans un second temps au retrait localisé dans 5 des zones pré-établies de sous-ensembles de nanofils, de manière à contrer les inhomogénéités de croissance. La figure 4b, met ainsi en évidence : - les nanofils NT; préservés et - les zones dans lesquelles les nanofils ont été retirés conduisant 10 à la formation de nano-empreintes Nei constituées au niveau des ouvertures dans lesquelles les nanofils ont été retirés intégralement ou au moins en surface desdites ouvertures. Seconde variante de croissance localisée : 15 Comme illustré en figure 5a, on peut aussi effectuer une croissance localisée de nanofils NT, à la surface d'un substrat 100, en réalisant des nano-plots NP,, destinés à faire croître de manière localisée lesdits nanofils. Selon l'invention et après retrait d'un sous-ensemble de nanofils, on conserve des nanofils NT; à la surface de nano-plots NP; et des nano20 empreintes Nei correspondant à un sous-ensemble de nano-plots, comme illustré en figure 5b. Différents moyens peuvent être utilisés dans la présente invention pour réaliser ce retrait d'un sous-ensemble de nanofils. 25 Plus précisément, cette élimination peut être réalisée par les moyens habituels de la microélectronique après protection des zones ou l'on souhaite conserver les nanofils, en utilisant un masque dur ou un masque en résine selon les procédés choisis. 30 Premier moyen de retrait d'un sous-ensemble de nanofils utilisant un procédé de gravure chimique : Après avoir enrobé les nanofils à conserver dans un masque de protection, on peut procéder à une opération de gravure directe à l'aide par exemple d'une solution d'hydroxyde de potassium KOH à chaud, on choisit dans ce cas un masque résistant à cette solution et donc un masque dit dur pouvant être en Si02, SiN, autres.... Second moyen de retrait d'un sous-ensemble de nanofils utilisant un 5 procédé de gravure sèche : Après avoir enrobé les nanofils à conserver dans un masque de protection, pouvant être en résine, on peut procéder à une opération de gravure sèche. On peut avantageusement utiliser des réacteurs plasma permettant de fortes vitesses de gravure. 10 Pour cela on peut utiliser notamment deux types de sources RF, classées en deux catégories de réacteurs : les réacteurs à couplage capacitif (CCP) et ceux à couplage inductif (ICP) et un gaz à base de chlore, par exemple de chimie SiCI4 et Cl2 ou un mélange de gaz Cl2 et Ar. 15 Troisième moyen de retrait d'un sous-ensemble de nanofils utilisant un procédé de gravure chimique d'une couche de nucléation : Par exemple, lors de la croissance de nanofils à base de GaN sur substrat de silicium, on utilise une couche de nucléation en TiN. Après avoir enrobé les nanofils à conserver dans un masque de 20 protection, on peut procéder à l'attaque chimique sélective de la couche de nucléation avec une solution pouvant être à base de H202, NH4OH, H20. Quatrième moyen de retrait d'un sous-ensemble de nanofils utilisant la rupture de nanofils par une action mécanique : 25 Après avoir enrobé les nanofils à conserver dans un masque de protection, on procède à la mise en place du support dans un milieu soumis par exemple à des ultra-sons qui auront une action mécanique de vibration et donc de rupture sur les nanofils non protégés car non enrobés. L'action mécanique peut également être mise en oeuvre avec un jet 30 haute pression d'eau ou d'un autre fluide (gaz neutre, CO2, ....). L'action mécanique peut encore être réalisée à l'aide d'un outil solide, éventuellement coupant ou abrasif, par déformation du fil au delà de sa limite à la rupture, ou usure du fil. Exemple de réalisation d'un procédé de l'invention dans le cadre de la fabrication de diode électroluminescente à base de nanofils de GaN. Les figures 6a à 6j illustrent l'ensemble des différentes étapes mises 5 en oeuvre pour obtenir un ensemble de LED à partir du dépôt uniforme de nanofils à la surface d'un substrat. Etape 1 illustrée en figure 6a: De manière connue, on réalise des nanofils dans une configuration 10 coeur/coquille telle que celle illustrée en figure 2. Plus précisément, à la surface d'une substrat 100, une couche de contact inférieur 101, recouvert d'une couche de nucléation 102, on réalise la croissance de nanofils NT; au travers des ouvertures d'un masque en diélectrique 200, le coeur des nanofils 300, est typiquement en GaN dopé n 15 et GaN intrinsèquement non dopé, la coquille 301, étant en GaN dopé p. On procède alors au dépôt d'une résine 400 photosensible de protection des nanofils NT;. Etape 2 illustrée en figure 6b: Par une opération de photolithographie classique, on procède au 20 dégagement de la résine 400, au niveau des nanofils destinés à être éliminés, pour ne laisser que le sous-ensemble de nanofils NT; enrobés de résine. Etape 3 illustrée en figure 6c: L'ensemble obtenu, est soumis à l'action d'ultra-sons capables de 25 provoquer la cassure des nanofils dans le plan de surface du masque 200. On obtient ainsi, un ensemble de nanofils NT;, conservés car protégés dans la couche de résine de protection et des nano-empreintes Nei résultant de la cassure des nanofils non protégés. Etape 4 illustrée en figure 6d: 30 On procède alors au retrait de l'ensemble de la résine de protection, laissant à nu l'ensemble des nanofils fonctionnels NT;. Etape 5 illustrée en figure 6e: On réalise le dépôt d'une couche de diélectrique 500, sur l'ensemble préalablement obtenu. 35 Etape 6 illustrée en figure 6f: On réalise alors un masque de gravure destiné au contact supérieur de type p, à l'aide d'une résine photosensible 600 pouvant être identique à la résine 400. Etape 7 illustrée en figure 6q : On réalise une opération de gravure partielle de la couche de diélectrique 500, au travers de la couche de masquage 600. Etape 8 illustrée en figure 6h : On procède à l'élimination de la couche de résine 600, laissant à nu 10 la couche de diélectrique 500, partiellement gravée. Etape 9 illustrée en figure 6i : On procède alors au dépôt d'une couche conductrice 700, transparente de commande pouvant être typiquement en ITO (oxyde d'indium et d'étain), permettant à la lumière émise sous l'action d'une 15 commande électrique d'être transmise. Etape 10 illustrée en figure 6j : On réalise enfin le dépôt et la gravure et de contacts métalliques 800, entre les nanofils. 20 En synthèse, il est rappelé les différents avantages du procédé de fabrication mis en oeuvre dans la présente invention, utilisant la réalisation d'une mer de nanofils et qui présente les avantages suivants : - ne pas avoir d'effets de bords lors de l'épitaxie des nanofils, ce qui implique une très grande uniformité des croissances des nano 25 fils à l'échelle de la plaque ; - ne pas avoir de croissance parasite de cristaux par exemple de GaN entre les motifs utiles de la technologie ; - bénéficier d'un unique procédé pour les épitaxies, et non de procédés multiples en fonction des designs procurant une plus 30 grande maitrise des procédés ; - bénéficier d'un seul design au niveau des technologies préépitaxie, permettant une plus grande facilité dans l'organisation de la logistique de fabrication ; - personnaliser tardivement des supports fonctionnalisés. 35 REVENDICATIONS1. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de 5 nanofils (NT;), caractérisé en ce qu'il comprend des éléments nanométriques dits nano-empreintes appartenant à l'une des configurations suivantes : - le substrat étant recouvert d'un masque à sa surface, ledit masque comporte une première série d'ouvertures dans lesquelles sont présents les nanofils (NT), et une seconde série d'ouvertures dans 10 lesquelles sont présentes lesdites nano-empreintes (Nej) ; - le substrat comprenant à sa surface un ensemble de nano-plots (NPn) comportant : o un premier sous-ensemble de nano-plots, supportant lesdits nanofils (NTI) ; 15 o un second sous-ensemble de nano-plots, comportant lesdites nano-empreintes (Nei). 2. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une 20 couche de diélectrique au-dessus des nano-empreintes. 3. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la seconde série d'ouvertures constitue l'ensemble desdites nano-empreintes. 4. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que lesdites nano-empreintes (Ne) sont des éléments de même nature que celle des nanofils intégrés dans lesdites secondes ouvertures. 5. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les nano-empreintes sont les nano-plots dudit second sous-ensemble. 25 30 6. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le masque est en SIN ou en Si02. 7. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les nano-plots sont en métal de TiN. 8. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de 10 nanofils selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat est en silicium. 9. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que les 15 nanofils sont en matériau(x) Ill-V ou en alliage de matériau(x) III-V. 10. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que les nanofils sont photoconducteurs ou photo-émetteurs. 20 11. Support fonctionnel comprenant un substrat et un ensemble de nanofils, lesdits nanofils étant organisés en sous-ensemble de nanofils, caractérisé en ce que lesdits sous-ensembles de nanofils sont séparés sur le substrat par des éléments nanométriques dits nano-empreintes, 25 l'ensemble desdits éléments nanométriques d'empreinte appartenant à l'une des configurations suivantes : - le substrat étant recouvert d'un masque à sa surface, ledit masque comporte une première série d'ouvertures dans lesquelles sont présents les nanofils (NT), et une seconde série d'ouvertures dans 30 lesquelles sont présentes lesdites nano-empreintes (Ne); - le substrat comprenant à sa surface un ensemble de nano-plots (NP,1), ledit ensemble comporte : o un premier sous-ensemble de nano-plots, supportant lesdits nanofils (NTI) ;o un second sous-ensemble de nano-plots, comportant lesdites nana-empreintes (Ne). 12. Diode(s) électroluminescente(s) caractérisée(s) en ce qu'elle 5 comporte un support fonctionnel selon l'une des revendications 10 ou 11. 13. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - la croissance localisée à la surface d'un substrat, d'un ensemble lo de nanofils (NT): o au travers d'un ensemble d'ouvertures dans un masque réalisé à la surface dudit substrat ou o sur des nana-plots (NPn); - l'élimination d'un sous-ensemble de nanofils dits secondaires de 15 manière à laisser un premier-sous ensemble de nanofils dits principaux (NTI) et un sous-ensemble de nana-empreintes (Ne), lesdites nano-empreintes étant situées : o dans sous-ensemble d'ouvertures ou o au niveau d'un sous-ensemble de nana-plots. 20 14. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'une couche d'isolant électrique à la surface des nano-empreintes. 25 15. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon l'une des revendications 13 ou 14, caractérisé en ce que l'élimination d'un sous-ensemble de nanofils comporte les étapes suivantes : - la réalisation d'un masque de protection présentant des ouvertures au niveau desdits nanofils secondaires et encapsulant ledit sous-30 ensemble de nanofils principaux ; - l'élimination desdits nanofils secondaires. 16. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon l'une des revendications 13 ou 14, caractérisé en ce que l'élimination desdits nanofilssecondaires est réalisée par une opération de gravure directe au travers dudit masque de protection. 17. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'élimination desdits nanofils secondaires est réalisée par une opération de gravure chimique directe au travers dudit masque de protection, ledit masque étant un masque dur pouvant être en SiN ou en Si02. 18. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'élimination desdits nanofils secondaires est réalisée par une opération de gravure directe sèche au travers dudit masque de protection, avec un plasma de type RIE ou ICP. 19. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon la revendication 16, caractérisé en ce que la croissance des nanofils étant réalisée par croissance sur une couche de nucléation, l'étape d'élimination des nanofils secondaires est réalisée par attaque chimique de ladite couche de nucléation. 20. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'élimination des nanofils secondaires est réalisée par une action mécanique générant la rupture desdits nanofils secondaires. 21. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'action mécanique est réalisée par ultra-sons. 22. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'action mécanique est effectuée par un jet de fluide à haute pression. 23. Procédé de fabrication d'un support fonctionnel selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'action mécanique est effectuée en présence d'un outil solide.5