FR 2998711 A1 20140530 FR 1361100 A 20131114 Procédé pour décoller des puces de semi-conducteurs d'un film La présente invention concerne un procédé pour décoller des puces de semi-conducteurs minces d'un film au cours de la phase dite de pré-décollement. Les puces de semi-conducteurs sont habituellement présentées en vue de leur traitement dans un dispositif de montage de semi-conducteurs sur un film retenu par un cadre, appelé tape dans le langage technique. Les puces de semi-conducteurs adhèrent au film. Le cadre muni du film est reçu par une table à plaquettes déplaçable. La table à plaquettes est déplacée par crans pour présenter une puce de semiconducteurs après l'autre à un emplacement et la puce de semi-conducteurs présentée est ensuite saisie par un dispositif de préhension de puce et placée sur un substrat. Le retrait de la puce de semi- conducteurs présentée du film est facilité par un éjecteur de puces (également appelé die ejector dans le langage technique) disposé sous le film. Les puces de semi-conducteur sont habituellement décollées en deux phases, à savoir une première phase dans laquelle la puce de semi-conducteurs est décollée au moins partiellement du film par l'éjecteur de puces sans l'aide du dispositif de préhension de puce, et une deuxième phase dans laquelle le dispositif de préhension de puce saisit la puce de semi-conducteurs et la décolle complètement du film. Les professionnels appellent la première phase « pré-décollement ». L' éjecteur de puces comprend, d'une part, des moyens mobiles mécaniquement tels que des aiguilles ou un chariot mobile ou plusieurs plaques pouvant se lever et s'abaisser, et plusieurs paramètres doivent être déterminés dans une phase de configuration pour définir comment les moyens mécaniques sont déplacés. Les paramètres doivent être ajustés de telle façon que le processus de pré-décollement se déroule, d'une part, dans un temps aussi court que possible, et d'autre part que la puce de semi-conducteurs ne soit pas endommagée. Si le processus de pré-décollement se déroule trop vite, il y a un risque que la puce de semi-conducteurs se casse. La présente invention a pour objet d'améliorer le décollement d'une puce de semi-conducteurs du film pendant la phase de pré-décollement. La présente invention concerne de manière générale des procédés pour le décollement d'une puce de semi-conducteurs du film pendant la phase de pré-décollement. La phase de pré-décollement est la phase pendant laquelle le dispositif de préhension de puce ne participe pas au décollement. Selon un premier aspect, la présente invention concerne un procédé dans lequel sont déterminées et définies, pendant une phase de configuration, des durées dans le temps qui contrôlent les étapes de pré-décollement du processus de décollement pendant lesquelles au moins une partie de la puce de semi-conducteurs reste collée au début de l'étape de processus en question et est courbée. La phase de configuration comprend les étapes suivantes : éclairage d'une puce de semi-conducteurs à enlever avec une lumière qui atteint une surface de la puce de semi-conducteurs selon une incidence sensiblement perpendiculaire, exécution des étapes suivantes pour chaque étape de pré-décollement dont la durée doit être déterminée : démarrage de l'étape de procédé, répétition des deux étapes : acquisition d'une image de la puce de semi-conducteur et attribution à l'image d'une durée écoulée depuis le démarrage de l'étape de procédé, et vérification du fait qu'une zone de bord de la puce de semi-conducteurs est plus sombre dans l'image qu'une valeur de luminosité prédéterminée, jusqu'à ce que la vérification montre qu'aucune zone de bord de la puce de semi-conducteurs n'est plus sombre que la valeur de luminosité prédéterminée, et attribution à l'étape de procédé de la durée attribuée à l'image dernière ou d'une durée dérivée de celle-ci. Selon un deuxième aspect, la présente invention concerne un procédé dans lequel le décollement du film est surveillé en temps réel pendant la phase de pré-décollement. Le procédé comprend les étapes 15 suivantes : éclairage d'une puce de semi-conducteurs à enlever avec une lumière qui atteint une surface de la puce de semi-conducteurs selon une incidence sensiblement perpendiculaire, exécution des étapes suivantes pour chaque étape de pré-décollement au cours de laquelle au moins une partie de la puce de semi-conducteurs reste collée au film au début de l'étape et est courbée : 20 démarrage de l'étape de procédé, répétition des deux étapes : acquisition d'une image de la puce de semi-conducteurs, et vérification du fait qu'une zone de bord de la puce de semi-conducteurs est plus sombre dans l'image qu'une valeur de luminosité prédéterminée, 25 jusqu'à ce que la vérification montre qu'aucune zone de bord de la puce de semi-conducteurs n'est plus sombre que la valeur de luminosité prédéterminée, et exécution de l'étape de procédé suivante. Le décollement de la puce de semi-conducteurs du film dans la phase de pré-décollement est effectué, par exemple, au moyen d'un éjecteur de puces à plaques pouvant se lever et s'abaisser. Dans ce cas, ledit 30 démarrage de l'étape de procédé consiste en l'abaissement des plaques les plus extérieures qui n'ont pas encore été abaissées. Le décollement de la puce de semi-conducteurs du film dans la phase de pré-décollement peut aussi être réalisé au moyen d'un chariot mobile parallèlement à la surface du film. Dans ce cas, ledit démarrage de l'étape de procédé consiste dans le déplacement du chariot d'une distance prédéterminée. La présente invention est expliquée plus précisément ci-après à l'aide des exemples de réalisation et des figures. La Figure 1 représente, schématiquement et à titre d'exemple, la disposition les uns par rapport aux autres des composants d'un dispositif de montage de semi- conducteurs qui sont nécessaires pour l'exécution des processus selon la présente invention ; La Figure 2 représente en vue de dessus une disposition de plaques pouvant se lever et s'abaisser, et Les Figures 3 à 13 représentent des images acquises par une caméra. Comme cela a été évoqué dans l'introduction, les puces de semi-conducteurs d'une plaquette adhèrent sur un film tendu sur un cadre. Le cadre muni du film est reçu par une table à plaquettes. La prochaine puce de semi-conducteurs qui doit être retirée avec un dispositif de préhension de puce est présentée par la table à plaquettes dans un emplacement de prélèvement. Le décollement du film de la puce de semiconducteurs présentée est facilité par un éjecteur de puces disposé sous le film. Le dispositif de montage de semi-conducteurs comprend une caméra dont le champ est dirigé vers l'emplacement de prélèvement et qui sert à déterminer la position de la puce de semi-conducteurs présentée. Selon la présente invention, cette caméra, associée à un éclairage direct de la puce de semi-conducteurs, est utilisée pour différents processus qui concernent l'optimisation et/ou la surveillance du processus de décollement. Ces processus sont les suivants : - orientation précise de la puce de semi-conducteurs par rapport à l'éjecteur de puces, - détermination du comportement d'adhérence de la puce de semi-conducteurs, - détermination des paramètres qui commandent l'éjecteur de puces pour le décollement de la puce de semi-conducteurs du film, - surveillance du décollement de la puce de semi-conducteurs du film, et - contrôle individuel de l'opération de décollement du film pour chaque puce de semi-conducteurs. Ces processus sont expliqués ci-après en détail. La Figure 1 représente, schématiquement et à titre d'exemple, la disposition les uns par rapport aux autres des composants d'un dispositif de montage de semi-conducteurs qui sont nécessaires pour l'exécution des processus selon la présente invention. Ces composants comprennent une table à plaquettes 1, qui reçoit un film 2 portant les puces de semi-conducteurs 3, un éjecteur de puces 4, une caméra 5, un dispositif d'éclairage comprenant un miroir semi-transparent 6, un élément optique 7 et une source lumineuse 8 et un dispositif d'analyse d'images 9. La caméra 5 se présente typiquement comme une puce de semi-conducteurs, l'élément optique 7 est un diaphragme et/ou une lentille dans le point focal de laquelle se situe la source lumineuse 8. La source lumineuse 8 est par exemple une DEL. L'important pour la présente invention est que les rayons lumineux 10 du dispositif d'éclairage arrivent perpendiculairement sur la puce de semi-conducteurs présentée 3A, dans une plage de tolérance prédéfinie de quelques degrés. La caméra 5 capte les rayons lumineux réfléchis verticalement par la puce de semi-conducteurs présentée 3A et par les puces puce de semi-conducteurs voisines 3B, si celles-ci se trouvent dans le champ de la caméra 5, et fournit des enregistrements d'image au dispositif d'analyse d'images 9. La présente invention sera expliquée ci-après à l'aide d'un éjecteur de puces 4 tel que celui décrit en détail dans la demande de brevet FR 2988902 Al. Un tel éjecteur de puces 4 comprend plusieurs plaques 11, en l'occurrence des plaques droites 11A et des plaques en forme de L 11B, qui sont orientées parallèlement et perpendiculairement à des directions désignées par x et y, respectivement. La Figure 2 représente une telle disposition de plaques 11 en vue de dessus, lesquelles plaques peuvent être levées et abaissées dans une direction perpendiculaire à la surface du film, appelée ici direction z. La direction z est perpendiculaire au plan du dessin de la Figure 2. Le film 2 se trouve à la hauteur z=0. Un entraînement contrôlé par un dispositif de commande permet de lever les plaques 11 ensemble puis de les abaisser par paires, en commençant par les plaques de l'extérieur, dans un ordre prédéfini et selon une séquence dans le temps prédéfinie. Les Figures 3 à 13 représentent des images d'une puce de semi-conducteurs centrale 3A et de puces de semi-conducteurs voisines 3B prises par la caméra 5. Les puces de semi-conducteurs utilisées pour ces clichés sont des puces « factices », autrement dit sans structures. La Figure 3 représente une puce de semi-conducteurs 3A qui se trouve au-dessus de l'éjecteur de puces 4 et des parties de puces de semi-conducteurs voisines 3B. La puce de semi-conducteurs 3A comme les puces de semi-conducteurs voisines 3B sont plates, de sorte qu'elles réfléchissent perpendiculairement vers la caméra 5 les rayons lumineux 10 du dispositif d'éclairage qui les atteignent perpendiculairement et apparaissent claires dans l'image. Les rainures 12 formées par le sciage entre les puces de semiconducteurs 3 apparaissent sombres dans l'image. Les lignes de pointillés figurent par une croix le centre du champ de la caméra 5. La Figure 4 représente une puce de semi-conducteurs 3A, dont les zones de bord 13 sont recourbées vers le bas, au-dessus de l'éjecteur de puces 4. La partie centrale plane de la puce de semi-conducteurs 3A réfléchit la lumière du dispositif d'éclairage perpendiculairement vers la caméra 5 et apparaît claire dans l'image. Les parties de bord 13 courbées vers le bas de la puce de semiconducteurs 3A réfléchissent la lumière du dispositif d'éclairage en oblique, de sorte que les rayons lumineux qui y sont réfléchis ne parviennent pas à la caméra 5. Les parties de bord 13 courbées vers le bas de la puce de semi-conducteurs 3A apparaissent donc sombres, voire noires, dans l'image. Le comportement des parties de bord 13 de la puce de semi-conducteurs 3A présentée au-dessus de l'éjecteur de puces 4 est détecté au moyen de la caméra 5 et utilisé de la manière décrite ci-après pour optimiser et/ou vérifier l'ensemble des processus ci-dessus. Cela est expliqué ci-dessous pour les différents processus : 1. Orientation précise de la puce de semi-conducteurs par rapport à l'éjecteur de puces La table à plaquettes 1 est placée et orientée (par translation et rotation) automatiquement par l'automate de montage de semi-conducteurs ou manuellement par un opérateur par rapport à l'éjecteur de puces 4 de telle manière qu'une puce de semi-conducteurs 3A se trouve au-dessus de l'éjecteur de puces 4, les bords de la puce de semi-conducteurs 3A étant orientés autant que possible parallèlement aux plaques 11 en forme de L les plus extérieures de l'éjecteur de puces 4. Quand elle est centrée idéalement, la puce de semi-conducteurs 3A dépasse des plaques 11 les plus extérieures de tous les côtés sur une distance qui est typiquement de 0,3 mm. L'orientation précise de la puce de semi-conducteurs 3A par rapport à l'éjecteur de puces 4 est ensuite réalisée selon les étapes suivantes : - Levage des plaques 11 à une hauteur prédéterminée z1 > 0. La hauteur z1 est avantageusement telle que les parties de bord 13 de la puce de semi-conducteurs 3A se décollent du film 2. Dès que les parties de bord 13 de la puce de semi-conducteurs 3A se sont décollées du film 2, la puce de semi-conducteurs 3A apparaît claire dans l'image. Les parties de bord 14 des puces de semi-conducteurs voisines 3B sont courbées vers le haut avec le film 2 et apparaissent donc sous forme de surfaces noires dans l'image. - Acquisition d'une image avec la caméra 5. Si la puce de semi-conducteurs 3A est centrée, les parties de bord 14 des puces de semi-conducteurs voisines 3B qui apparaissent en noir dans l'image ont toutes la même largeur. Si la puce de semiconducteurs 3A n'est pas centrée par rapport à l'éjecteur de puces 4, les parties de bord 14 des puces de semi-conducteurs immédiatement voisines 3B apparaissant en noir dans l'image ont une largeur différente, comme l'illustre la Figure 5. - Détermination des largeurs B1 à B4 des quatre parties de bord noires. - Calcul de valeurs de correction 4x = 1/2(B1 - B3) et 4y = 1/2 (B2 - B4) selon lesquelles la table à plaquettes 1 doit être déplacée dans le sens x et le sens y, ou calcul de valeurs de correction 4x = 1/2(B3 - B1) et 4y = 1/2 (B4 - B2) selon lesquelles l'éjecteur de puces 4 doit être déplacé dans le sens x et le sens y pour que la puce de semi-conducteurs 3 soit centrée par rapport aux plaques 11 de l'éjecteur de puces 4. La Figure 6 représente une image de la puce de semi-conducteurs 3A et des puces de semi-conducteurs voisines 3B dans laquelle les parties de bord 14A des puces de semi-conducteurs voisines 3B1 se faisant face ont la même largeur et les parties de bord 14B des puces de semi-conducteurs voisines 3B2 se faisant face ont la même largeur. Dans ce cas, par conséquent, la puce de semi-conducteurs 3A est centrée par rapport à l'éjecteur de puces 4. Ces étapes peuvent être répétées afin de vérifier et/ou d'améliorer le centrage. 2. Détermination du comportement d'adhérence des puces de semi-conducteurs Le pouvoir adhérent du film 2 étant variable d'un film à l'autre, les puces de semi-conducteurs 3 de différentes plaquettes adhèrent plus ou moins fortement au film 2. Les étapes suivantes permettent de déterminer le comportement d'adhérence des puces de semi-conducteurs ou le pouvoir adhérent du film : 1. Levage des plaques 11 à une hauteur prédéterminée zo. 2. Définition de zK = zo. 3. Écoulement d'une durée prédéterminée At. 4. Acquisition d'une image avec la caméra 5. 5. Vérification du fait que toute la surface de la puce de semi-conducteurs apparaît claire dans l'image. S'il y a encore des parties de bord qui apparaissent sombres dans l'image, cela signifie qu'elles adhèrent encore au film. 6. Dans ce cas : répétition des étapes suivantes jusqu'à ce que la puce de semi-conducteurs ne contienne plus de parties de bord sombres : 6.1 nouveau soulèvement des plaques 11 d'une distance prédéterminée AzK, 6.2 détermination d'une nouvelle valeur zK = zK + Azx, 6.3 écoulement de la durée At, et 6.4 acquisition d'une image avec la caméra 5, et 6.5 vérification du fait que toute la surface de la puce de semi-conducteurs apparaît claire dans l'image ou qu'elle comporte encore des parties de bord sombres. La hauteur zK déterminée donne une mesure du pouvoir adhérent. 3. Détermination des paramètres qui contrôlent l'éjecteur de puces pour le décollement des puces de semi-conducteurs du film pendant la phase de pré-décollement Les paramètres concernant le décollement de la puce de semi-conducteurs du film doivent généralement être déterminés séparément pour chaque plaquette ou à la rigueur pour plusieurs plaquettes d'un lot avant le début du processus de montage et réglés sur l'automate de montage de semi-conducteurs. Ces paramètres doivent être définis de telle façon que le processus de décollement s'effectue aussi rapidement que possible, d'une part, et d'autre part assez lentement pour qu'aucune puce de semiconducteurs ne soit endommagée ou détruite pendant l'opération. Dans l'exemple choisi d'un éjecteur de puces 4 à plaques 11 pouvant se lever et s'abaisser, le processus de décollement de la puce de semiconducteurs 3A du film 2 se déroule en levant d'abord les plaques 11 ensemble à une hauteur prédéterminée z2, puis en abaissant les plaques 11 en commençant par les plaques les plus extérieures, dans une ordre prédéterminé et selon une séquence dans le temps prédéterminée. Le moment où toutes les plaques 11 sont levées à la hauteur z2 est désigné par to = O. Le moment où les deux plaques 11 les plus extérieures sont abaissées est désigné par t1. Le moment où les deuxièmes plaques 11 à partir de l'extérieur sont abaissées est désigné par t2. Le moment où les troisièmes plaques 11 à partir de l'extérieur sont abaissées est désigné par t3, etc. Les paramètres suivants doivent être définis : - Hauteur z2 La hauteur z2 doit, d'une part, être aussi grande que possible, car le film 2 se décolle d'autant plus facilement de la puce de semi-conducteurs 3A quand la hauteur augmente. D'autre part, la hauteur z2 doit être juste suffisante pour que la contrainte dans les puces de semi-conducteurs voisines 3B ne devienne pas trop importante, car leurs parties de bord 14 tournées vers la puce de semi-conducteurs 3A à décoller se courberaient alors vers le haut. - Durées Ati = t1- to, At2 = t2 - t1, At3 = t3 - t2, etc. Chacune des durées At1, At2, At3, etc. doit être déterminée de telle façon que les parties de bord de la puce de semi-conducteurs 3A dépassant au-delà des plaques 11 qui ne sont pas encore abaissées soient complètement décollées du film 2 à la fin de la durée correspondante. Si une telle durée est réglée trop courte, il est très probable que la puce de semi-conducteurs 3A sera détruite pendant la suite du processus de décollement. Si les durées réglées sont trop longues, le processus de décollement dure plus longtemps que nécessaire, ce qui réduit le rendement de l'automate de montage de semi-conducteurs. La hauteur z2 est déterminée par les étapes suivantes : 1. Levage des plaques 11 à une hauteur prédéterminée zo. 2. Définition de z2 = zo. 3. Acquisition d'une image avec la caméra 5 et détermination des largeurs Bi (i= 1 à 4) des parties de bord noires 14 des puces de semi-conducteurs immédiatement voisines 3B. Détermination d'une largeur B dérivée des largeurs B1 à B4. 4. Si la largeur B déterminée ne dépasse pas une largeur maximale prédéterminée : Répétition des étapes suivantes jusqu'à ce que la largeur B déterminée soit supérieure à la largeur maximale : 4.1 poursuite du levage des plaques 11 sur une distance prédéterminée Az, 4.2 détermination d'une nouvelle valeur z2 = z2 + Az, et 4.3 acquisition d'une image avec la caméra 5 et détermination des nouvelles largeurs B1 à B4 des parties de bord noires 14 des puces de semi-conducteurs immédiatement voisines 3B. 4.4 Détermination de la nouvelle largeur B. 4.5 Vérification du fait que la largeur B déterminée dépasse la largeur maximale. 5. Détermination de la hauteur z2 à la valeur définitive z2 = z2 - Az. La largeur B dérivée des largeurs B1 à B4 est, par exemple, la moyenne des largeurs B1 à B4 ou la plus grande des largeurs B1 à B4. Les Figures 7 à 9 représentent l'état de la puce de semi-conducteurs 3A et des puces de semi-conducteurs voisines 3B comme suit : Figure 7 : après l'étape 3, c'est-à-dire dans l'état où les plaques 11 sont levées à la hauteur zo. Figure 8 : après la première exécution des étapes 4.1 à 4.5, c'est-à-dire dans l'état où les plaques 11 sont levées à la hauteur zo + Az. Figure 9 : après la troisième exécution des étapes 4.1 à 4.5, c'est-à-dire dans l'état où les plaques 11 sont levées à la hauteur zo + 3*Az. Les clichés représentés dans les Figures 7 à 9 ont été pris chacun à un moment où la zone de bord de la puce de semi-conducteurs 3A qui dépasse des plaques 11 de l'éjecteur de puces 4 s' était déjà décollée du film 2. Les durées At', At2, At3, etc. sont déterminées en levant les plaques 11 à la hauteur z2 puis en surveillant le décollement de la puce de semi-conducteurs du film 2 lors de l'abaissement graduel des plaques 11 afin d'identifier le moment où le film 2 se décolle complètement sur les parties de bord de la puce de semi-conducteurs 3 qui dépassent des plaques 11 qui ne sont pas encore abaissées. Les plaques 11 sont alors abaissées chacune au moins jusqu'à ce qu'elles ne touchent plus le film 2. Cela est réalisé, par exemple, par les étapes suivantes : 1. Abaissement des plaques 11 les plus extérieures respectives. 2. Répétition des étapes suivantes : 2.1 acquisition d'une image avec la caméra 5, et 2.2 analyse de l'image avec le dispositif d'analyse d'images 9 pour voir si au moins une des parties de bord 13 de la puce de semi-conducteurs 3A est encore noire ou si toute la puce de semi- conducteurs 3A apparaît claire, jusqu'à ce que toute la puce de semi-conducteurs apparaisse claire pour la première fois dans l'image. 3. Détermination de la durée entre l'abaissement des plaques 11 dans l'étape 1 et l'acquisition de la première image dans laquelle toute la puce de semi-conducteurs 3A est apparue claire dans l'image. L'étape 2 peut aussi être exécutée de telle façon que la caméra 5 acquiert une image après l'autre selon une séquence dans le temps prédéterminée, puis les images sont analysées. Les Figures 10 à 13 représentent l'état de la puce de semi-conducteurs 3A et des puces de semi- conducteurs voisines 3B comme suit : Figure 10 : au moment to, c'est-à-dire immédiatement après le levage des plaques 11, alors que les parties de bord 13 de la puce de semi-conducteurs 3A qui dépassent des plaques ne se sont pas encore décollées du film 2. Figure 11 : au moment t1, où les parties de bord 13 de la puce de semi-conducteurs 3A qui dépassent des plaques se sont décollées du film 2 et apparaissent donc claires elles aussi. Figure 12 : peu avant le moment t1, après que les deux plaques 11 les plus extérieures ont été abaissées et avant que les parties de bord 13 de la puce de semi-conducteurs 3A qui dépassent des plaques 11 restées à la hauteur z2 se décollent du film 2. Figure 13 : au moment t2 où les parties de bord 13 de la puce de semi-conducteurs 3A qui dépassent des plaques 11 restées à la hauteur z2 se sont décollées du film 2. L'état peu après le moment t2, après que les deux deuxièmes plaques 11 à partir de l'extérieur ont été abaissées et avant que les parties de bord 13 de la puce de semi-conducteurs 3A qui dépassent des plaques 11 restées à la hauteur z2 se décollent du film 2, correspond à l'état représenté par la Figure 4. L'état au moment t3 correspond à nouveau à l'état représenté dans la Figure 13. En règle générale, on sait dans quelles parties d'une plaquette les puces de semi-conducteurs 3 adhèrent le plus fortement au film 2. Il est donc avantageux de déterminer les durées Ati, At2, At3, etc. en plusieurs points de la plaquette et de sélectionner ensuite les plus longues comme durées définitives pour les enregistrer comme paramètres de processus. Il est aussi possible d'enregistrer des durées dérivées des durées Ati, At2, At3, etc. déterminées comme paramètres de processus. Une durée dérivée est par exemple une durée allongée d'une durée de sécurité prédéterminée At. La plaquette est ensuite traitée avec les paramètres déterminés de cette manière pour le processus de décollement. 4. Surveillance du décollement de la puce de semi-conducteurs du film dans la phase de pré-décollement Tant que la puce de semi-conducteurs se décolle du film au cours du pré-décollement sans l'aide du dispositif de préhension de puce et que le dispositif de préhension de puce n'est pas encore dans le champ de la caméra 5, la caméra 5 peut être utilisée pour surveiller le processus de décollement, par exemple par les étapes suivantes : 1. Acquisition d'une image avec la caméra 5 après l'écoulement de la durée Ati ou At2 ou At3, etc. correspondante. 2. Analyse de l'image avec le dispositif d'analyse d'images 9 pour voir si toute la puce de semiconducteurs apparaît claire dans l'image. Si c'est le cas : poursuite du processus de décollement. Si ce n'est pas le cas : arrêt du processus de décollement en cours et émission d'une alarme. 5. Contrôle individuel de l'opération de décollement du film pour chaque puce de semi-conducteurs pendant la phase de pré-décollement. Les procédés 3 et 4 peuvent être combinés et légèrement modifiés pour contrôler individuellement le processus de décollement du film pendant la phase de pré-décollement pour chaque puce de semiconducteurs. C'est ce que réalise, par exemple, le procédé suivant les étapes ci-dessous : 1. Détermination de la hauteur z2 de la manière décrite dans le procédé 3, soit individuellement pour une nouvelle plaquette, soit pour tout un lot de plaquettes. 2. Traitement des puces de semi-conducteurs d'une plaquette suivant les étapes : 2.1 Levage des plaques 11 à la hauteur z2. 2.2 Abaissement des plaques 11 les plus extérieures. 2.3 Facultativement, attente d'une durée prédéterminée. 2.4 Acquisition d'une image avec la caméra 5. 2.5 Analyse de l'image avec le dispositif d'analyse d'images 9 pour voir si toute la puce de semi- conducteurs apparaît claire dans l'image. Si c'est le cas : poursuite de l'abaissement des plaques suivantes à partir de l'extérieur, c'est-à- dire étape 2.2 pour les plaques suivantes à partir de l'extérieur qui n'ont pas encore été abaissées. Si ce n'est pas le cas : répétition des étapes 2.4 et 2.5. Dans ce procédé, les plaques 11 suivantes sont toujours abaissées quand le film 2 s'est complètement décollé de la puce de semi-conducteurs 3A dans les parties de bord de la puce de semi-conducteurs 3A qui dépassent des plaques 11 qui ne sont pas encore abaissées. Cela se déroule ainsi jusqu'à ce que les dernières plaques soient abaissées ou que le dispositif de préhension de puce intervienne, retienne la puce de semi-conducteurs et seconde l'achèvement du processus de décollement. La présente invention n'est pas limitée à l'éjecteur de puces 4 susmentionné mais peut être utilisée dans tout processus dans lequel le film 2 est retiré graduellement ou en continu de la puce de semi- conducteurs. Le procédé selon la présente invention peut en particulier être utilisé aussi avec d'autres éjecteurs de puces munis de plaques pouvant être abaissées, par exemple avec l'éjecteur de puces décrit dans le brevet européen EP 2184765, ou avec des éjecteurs de puces munis d'un chariot mobile, par exemple l'éjecteur de puces décrit dans la demande de brevet européen EP 2211372. Dans ce cas, l'abaissement graduel des plaques correspond à une translation graduelle du chariot. REVENDICATIONS1. Procédé pour le décollement de puces de semi-conducteurs d'un film, dans lequel, dans une phase de configuration, des durées sont déterminées et définies pour contrôler les étapes de pré-décollement du processus de décollement dans lesquelles au moins une partie de la puce de semi-conducteurs reste collée au film et est courbée au début de l'étape de procédé en question, caractérisé en ce que la phase de configuration comprend les étapes suivantes : éclairage d'une puce de semi-conducteurs à enlever avec une lumière qui atteint une surface de la puce de semi-conducteurs selon une incidence sensiblement perpendiculaire, exécution des étapes suivantes pour chaque étape de pré-décollement dont la durée doit être déterminée : 1() démarrage de l'étape de procédé, répétition des deux étapes : acquisition d'une image de la puce de semi-conducteur et attribution à l'image d'une durée écoulée depuis le démarrage de l'étape de procédé, et vérification du fait qu'une zone de bord de la puce de semi-conducteurs est plus sombre dans l'image 15 qu'une valeur de luminosité prédéterminée, jusqu'à ce que la vérification montre qu'aucune zone de bord de la puce de semi-conducteurs n'est plus sombre que la valeur de luminosité prédéterminée, et attribution à l'étape de procédé de la durée attribuée à l'image dernière ou d'une durée dérivée de celle-ci. 20 2. Procédé pour le décollement de puces de semi-conducteurs d'un film, comprenant les étapes suivantes : éclairage d'une puce de semi-conducteurs à enlever avec une lumière qui atteint une surface de la puce de semi-conducteurs selon une incidence sensiblement perpendiculaire, exécution des étapes suivantes pour chaque étape de pré-décollement au cours de laquelle au moins une 25 partie de la puce de semi-conducteurs reste collée au film au début de l'étape et est courbée : démarrage de l'étape de procédé, répétition des deux étapes : acquisition d'une image de la puce de semi-conducteurs et vérification du fait qu'une zone de bord de la puce de semi-conducteurs est plus sombre dans l'image 30 qu'une valeur de luminosité prédéterminée, jusqu'à ce que la vérification montre qu'aucune zone de bord de la puce de semi-conducteurs n'est plus sombre que la valeur de luminosité prédéterminée, et exécution de l'étape de procédé suivante. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel un éjecteur de puces (4) avec des plaques (11) 35 pouvant être levées et abaissées est utilisé pour décoller les puces de semi-conducteurs (3) du film (2),caractérisé en ce que ledit démarrage de l'étape de procédé comprend l'abaissement des plaques les plus extérieures qui n'ont pas encore été abaissées. 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel un éjecteur de puces (4) avec un chariot mobile parallèlement à la surface du film (2) est utilisé pour décoller les puces de semi-conducteurs (3) du film (2), caractérisé en ce que ledit démarrage de l'étape de procédé comprend le déplacement du chariot sur une distance prédéterminée.