FR 3009644 A1 20150213 FR 1301905 A 20130808 La présente invention se rapporte à un procédé de séparation d'une structure d'un substrat par irradiations électromagnétiques, à un empilement de séparation d'une structure d'un substrat par irradiations électromagnétiques, ainsi qu'à un ensemble de séparation. Un procédé de séparation d'une structure d'un substrat par irradiations électromagnétiques appartenant à un domaine spectral connu de l'état de la technique, notamment du document US 2002/0068201 Al (ci-après D1), comporte les étapes : a) fournir le substrat, le substrat étant transparent dans ledit domaine 10 spectral, b) former au moins une couche de séparation sur le substrat, le domaine spectral des irradiations électromagnétiques étant adapté de sorte que la ou les couches de séparation sont absorbantes dans ledit domaine spectral, c) former la structure à séparer sur la ou les couches de séparation, 15 d) exposer la ou les couches de séparation aux irradiations électromagnétiques via le substrat pendant une durée d'exposition à une densité de puissance donnée de sorte que la ou les couches de séparation se décomposent sous l'effet de la chaleur issue de l'absorption desdites irradiations électromagnétiques. 20 La structure à séparer peut être transférée sur un substrat final après séparation. La structure à séparer peut comporter au moins une couche active. Par « active », on entend une couche sur laquelle ou dans laquelle seront fabriqués des composants destinés à des applications notamment dans le domaine de la microélectronique. 25 Dans D1, la structure à séparer est une couche réalisée dans un matériau du type (AI, Ga, In)N. Le substrat utilisé dans D1 est un substrat dit modèle (template en langue anglaise) sacrificiel. D1 envisage une ou plusieurs couches de séparation (voir [0073]). Un tel procédé de séparation de l'état de la technique n'est pas 30 entièrement satisfaisant dans la mesure où la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation est susceptible de dégrader fortement le substrat et/ou la structure à séparer, et ce d'autant plus lorsque le substrat et la structure à séparer présentent des coefficients de dilation thermique sensiblement différents. C'est pourquoi le substrat utilisé dans D1 est un substrat sacrificiel qui ne peut être recyclé. Par ailleurs, la dégradation de la structure à séparer est susceptible d'engendrer la dégradation de la ou des couches actives. La présente invention vise à remédier en tout ou partie aux inconvénients précités et concerne un procédé de séparation d'une structure d'un substrat par irradiations électromagnétiques appartenant à un domaine 10 spectral, le procédé de séparation comportant les étapes : a) fournir le substrat, le substrat étant transparent dans ledit domaine spectral, b) former au moins une couche de séparation sur le substrat, le domaine spectral des irradiations électromagnétiques étant adapté de sorte que la ou 15 les couches de séparation sont absorbantes dans ledit domaine spectral, c) former la structure à séparer sur la ou les couches de séparation, d) exposer la ou les couches de séparation aux irradiations électromagnétiques via le substrat pendant une durée d'exposition à une densité de puissance donnée de sorte que la ou les couches de séparation 20 se décomposent sous l'effet de la chaleur issue de l'absorption desdites irradiations électromagnétiques, le procédé de séparation étant remarquable en ce qu'il comporte une étape b1) former une couche de barrière thermique sur la ou les couches de séparation, le domaine spectral des irradiations électromagnétiques étant adapté de sorte que la couche de barrière 25 thermique est transparente dans ledit domaine spectral, la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique étant adaptées de sorte que la température de la structure à séparer demeure inférieure à un seuil pendant la durée d'exposition au-delà duquel des défauts sont susceptibles d'apparaitre dans ladite structure, l'étape c) étant 30 exécutée de sorte que la structure à séparer est formée sur la couche de barrière thermique. Ainsi, un tel procédé de séparation selon l'invention permet de protéger la structure à séparer de la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation par l'intermédiaire de la couche de barrière thermique. La couche de barrière 5 thermique est transparente dans le domaine spectral des irradiations électromagnétiques afin de ne pas générer de la chaleur à proximité de la structure à séparer, ce qui serait le cas si la couche de barrière thermique était absorbante dans le domaine spectral des irradiations électromagnétiques. La couche de barrière thermique présente une 10 épaisseur adaptée à la durée d'exposition afin de maintenir la température de la structure à séparer inférieure à un seuil. Si l'épaisseur de la couche de barrière thermique est un paramètre fixé, alors la durée d'exposition est adaptée à ladite épaisseur afin de maintenir la température de la structure à séparer inférieure à un seuil. 15 Selon une forme d'exécution, les irradiations électromagnétiques sont des impulsions électromagnétiques, et la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique, notée E1, vérifient la relation suivante : > .'/2D1r ; où D1 est le coefficient de diffusion thermique de la couche de barrière thermique, t est la durée d'une impulsion électromagnétique. 20 Ainsi, l'épaisseur de la couche de barrière thermique est supérieure à la longueur de diffusion thermique dans la couche de barrière thermique. Il est préférable de choisir un matériau pour la couche de barrière thermique et une durée d'une impulsion électromagnétique tels que la longueur de diffusion thermique est faible relativement à l'épaisseur de la couche de 25 barrière thermique afin de confiner au mieux la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation. Cela revient à minimiser D1 T. Un autre avantage d'une faible diffusion thermique est qu'il est possible d'envisager une faible épaisseur pour la couche de barrière thermique. Cela conduit à un gain de temps d'exécution 30 du procédé par exemple lorsque la couche de barrière thermique est formée par épitaxie. Dans un mode de mise en oeuvre, le procédé de séparation comporte une étape al) former une couche de barrière thermique additionnelle sur le substrat, le domaine spectral des irradiations électromagnétiques étant adapté de sorte que la couche de barrière thermique additionnelle est transparente dans ledit domaine spectral, la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique additionnelle étant adaptées de sorte que la température du substrat demeure inférieure à un seuil pendant la durée d'exposition au-delà duquel des défauts sont susceptibles d'apparaitre dans ledit substrat, et l'étape b) est exécutée de sorte que la ou les couches de séparation sont formées sur la couche de barrière thermique additionnelle. Ainsi, un tel procédé de séparation selon l'invention permet de protéger le substrat de la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation par l'intermédiaire de la couche de barrière thermique additionnelle. Il est donc possible de recycler le substrat. La couche de barrière thermique additionnelle est transparente dans le domaine spectral des irradiations électromagnétiques afin : - d'autoriser l'exposition de la ou des couches de séparation aux irradiations 20 électromagnétiques, et - de ne pas générer de la chaleur à proximité du substrat. La couche de barrière thermique additionnelle présente une épaisseur adaptée à la durée d'exposition afin de maintenir la température du substrat inférieure à un seuil. Si l'épaisseur de la couche de barrière thermique 25 additionnelle est un paramètre fixé, alors la durée d'exposition est adaptée à ladite épaisseur afin de maintenir la température du substrat inférieure à un seuil. Selon une forme d'exécution, les irradiations électromagnétiques sont des impulsions électromagnétiques, et la durée d'exposition et l'épaisseur 30 de la couche de barrière thermique additionnelle, notée E2, vérifient la relation suivante : E2 .J2b-271: ; Où D2 est le coefficient de diffusion thermique de la couche de barrière thermique additionnelle, t est la durée d'une impulsion électromagnétique. Ainsi, l'épaisseur de la couche de barrière thermique additionnelle est supérieure à la longueur de diffusion thermique dans la couche de barrière thermique additionnelle. Il est préférable de choisir un matériau pour la couche de barrière thermique additionnelle et une durée d'une impulsion électromagnétique tels que la longueur de diffusion thermique est faible relativement à l'épaisseur de la couche de barrière thermique additionnelle afin de confiner au mieux la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation. Cela revient à minimiser D2 T. Un autre avantage d'une faible diffusion thermique est qu'il est possible d'envisager une faible épaisseur pour la couche de barrière thermique additionnelle. Cela conduit à un gain de temps d'exécution du procédé par exemple lorsque la couche de barrière thermique additionnelle est formée par épitaxie. Dans un mode de mise en oeuvre, la couche de barrière thermique et la couche de barrière thermique additionnelle présentent chacune un coefficient de diffusion thermique, et la durée d'exposition des irradiations électromagnétiques et lesdits coefficients de diffusion thermique sont adaptés de sorte que la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation est confinée entre la couche de barrière thermique et la couche de barrière thermique additionnelle. Ainsi, un tel confinement permet à la fois d'améliorer la 25 décomposition de la ou des couches de séparation et la protection de la structure à séparer et du substrat. Dans un mode de mise en oeuvre, la couche de barrière thermique additionnelle est réalisée dans un matériau présentant un paramètre de maille compris entre le paramètre de maille du substrat et le paramètre de 30 maille de la ou les couches de séparation, les étapes al) et b) étant de préférence exécutées par épitaxie. Ainsi, la couche de barrière thermique additionnelle assure une fonction supplémentaire de couche tampon pour l'adaptation des paramètres de maille, et ce afin d'obtenir une épitaxie avec un minimum de défauts. Dans un mode de mise en oeuvre, la couche de barrière thermique est réalisée dans un matériau présentant un paramètre de maille compris entre le paramètre de maille de la structure à séparer et le paramètre de maille de la ou les couches de séparation, les étapes c) et d) étant de préférence exécutées par épitaxie. Ainsi, la couche de barrière thermique assure une fonction supplémentaire de couche tampon pour l'adaptation des paramètres de maille, et ce afin d'obtenir une épitaxie avec un minimum de défauts. Selon une forme d'exécution, le substrat comporte du GaN, la ou les couches de séparation comportent de l'In(X)Ga(lx)N, 0,10 x 0.20, de 15 préférence 0,12 La présente invention se rapporte également à un empilement de séparation d'une structure d'un substrat par irradiations électromagnétiques appartenant à un domaine spectral pendant une durée d'exposition à une 5 densité de puissance donnée, l'empilement de séparation comportant : - le substrat, le substrat étant transparent dans ledit domaine spectral, - au moins une couche de séparation formée sur le substrat, la ou les couches de séparation étant absorbantes dans le domaine spectral, la ou les couches de séparation étant susceptibles de se décomposer sous l'effet 10 de la chaleur issue de l'absorption desdites irradiations électromagnétiques, - la structure à séparer formée sur la ou les couches de séparation, l'empilement de séparation étant remarquable en ce qu'il comporte une couche de barrière thermique agencée entre la ou les couches de séparation et la structure à séparer, la couche de barrière thermique étant 15 transparente dans le domaine spectral, la couche de barrière thermique présentant une épaisseur adaptée à la durée d'exposition de sorte que la température de la structure à séparer demeure inférieure à un seuil pendant la durée d'exposition au-delà duquel des défauts sont susceptibles d'apparaitre dans ladite structure. 20 Ainsi, un tel empilement de séparation selon l'invention permet de protéger la structure à séparer de la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation par l'intermédiaire de la couche de barrière thermique. La couche de barrière thermique est transparente dans le domaine spectral des irradiations 25 électromagnétiques afin de ne pas générer de la chaleur à proximité de la structure à séparer, ce qui serait le cas si la couche de barrière thermique était absorbante dans le domaine spectral des irradiations électromagnétiques. La couche de barrière thermique présente une épaisseur adaptée à la durée d'exposition afin de maintenir la température 30 de la structure à séparer inférieure à un seuil. Selon une forme d'exécution, les irradiations électromagnétiques sont des impulsions électromagnétiques, et l'épaisseur de la couche de barrière thermique, notée E1, vérifie la relation suivante : E1 > .'/ 2Dit ; où D1 est le coefficient de diffusion thermique de la couche de barrière thermique, est la durée d'une impulsion électromagnétique. Ainsi, l'épaisseur de la couche de barrière thermique est supérieure à la longueur de diffusion thermique dans la couche de barrière thermique. Il est préférable de choisir un matériau pour la couche de barrière thermique tel que la longueur de diffusion thermique est faible relativement à l'épaisseur de la couche de barrière thermique afin de confiner au mieux la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation. Cela revient à minimiser D1 r. Un autre avantage d'une faible diffusion thermique est qu'il est possible d'envisager une faible épaisseur pour la couche de barrière thermique. Cela conduit à un gain de temps d'exécution du procédé par exemple lorsque la couche de barrière thermique est formée par épitaxie. Dans un mode de réalisation, l'empilement de séparation comporte une couche de barrière thermique additionnelle agencée entre la ou les couches de séparation et le substrat, la couche de barrière additionnelle étant transparente dans le domaine spectral, la couche de barrière thermique additionnelle présentant une épaisseur adaptée à la durée d'exposition de sorte que la température du substrat demeure inférieure à un seuil pendant la durée d'exposition au-delà duquel des défauts sont susceptibles d'apparaitre dans le substrat. Ainsi, un tel empilement de séparation selon l'invention permet de protéger le substrat de la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation par l'intermédiaire de la couche de barrière thermique additionnelle. Il est donc possible de recycler le substrat. La couche de barrière thermique additionnelle est transparente dans le domaine spectral des irradiations électromagnétiques afin : - d'autoriser l'exposition de la ou des couches de séparation aux irradiations électromagnétiques, et - de ne pas générer de la chaleur à proximité du substrat. La couche de barrière thermique additionnelle présente une épaisseur adaptée à la durée d'exposition afin de maintenir la température du substrat inférieure à un seuil. Selon une forme d'exécution, les irradiations électromagnétiques sont 5 des impulsions électromagnétiques, et l'épaisseur de la couche de barrière thermique additionnelle, notée E2, vérifie la relation suivante : E22./.\ ; Où D2 est le coefficient de diffusion thermique de la couche de barrière thermique additionnelle, t est la durée d'une impulsion électromagnétique. Dans un mode de réalisation, la couche de barrière thermique et la 10 couche de barrière thermique additionnelle présentent chacune un coefficient de diffusion thermique, et lesdits coefficients de diffusion thermique sont adaptés relativement à la durée d'exposition des irradiations électromagnétiques de sorte que la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques par la ou les couches de séparation est 15 confinée entre la couche de barrière thermique et la couche de barrière thermique additionnelle. Ainsi, un tel confinement permet à la fois d'améliorer la décomposition de la ou des couches de séparation et la protection de la structure à séparer et du substrat. 20 Dans un mode de réalisation, la couche de barrière thermique additionnelle est réalisée dans un matériau présentant un paramètre de maille compris entre le paramètre de maille du substrat et le paramètre de maille de la ou les couches de séparation. Ainsi, la couche de barrière thermique additionnelle assure une 25 fonction supplémentaire de couche tampon pour l'adaptation des paramètres de maille. Dans un mode de réalisation, la couche de barrière thermique est réalisée dans un matériau présentant un paramètre de maille compris entre le paramètre de maille de la structure à séparer et le paramètre de maille de 30 la ou les couches de séparation. Ainsi, la couche de barrière thermique assure une fonction supplémentaire de couche tampon pour l'adaptation des paramètres de maille. Selon une forme d'exécution, le substrat comporte du GaN, la ou les couches de séparation comportent de l'In(X)Ga(lx)N, 0,10 5_ x 5_ 0.20, de préférence 0,12 Selon une autre forme d'exécution, le substrat comporte de l'InP, la ou les couches de séparation comportent de l'In(X)Ga(l)As, de préférence x D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre de deux modes de réalisation d'un empilement de séparation selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels la figure 1 est une vue schématique d'un empilement de séparation conforme à l'invention. Pour les différents modes de réalisation, les mêmes références seront utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction, par souci de simplification de la description. L'empilement de séparation illustré à la figure 1 est un empilement de 10 séparation d'une structure 1 d'un substrat 2 par irradiations électromagnétiques IE appartenant à un domaine spectral pendant une durée d'exposition à une densité de puissance donnée. La structure 1 à séparer peut être transférée sur un substrat final après séparation. La structure 1 à séparer peut comporter au moins une 15 couche active. Par « active », on entend une couche sur laquelle ou dans laquelle seront fabriqués des composants destinés à des applications notamment dans le domaine de la microélectronique. L'empilement de séparation comporte : - le substrat 2 transparent dans le domaine spectral, 20 - une couche de séparation 3 absorbante dans le domaine spectral, et susceptible de se décomposer sous l'effet de la chaleur issue de l'absorption desdites irradiations électromagnétiques 1E, - la structure 1 à séparer, - une couche de barrière thermique 4 agencée entre la couche de 25 séparation 3 et la structure 1, - une couche de barrière thermique additionnelle 5 agencée entre la couche de séparation 3 et le substrat 1, la couche de barrière thermique 4 et la couche de barrière thermique additionnelle 5 étant transparentes dans le domaine spectral. 30 La couche de séparation 3 peut comporter une sous-couche absorbante dans le domaine spectral et une sous-couche adjacente susceptible de se décomposer sous l'effet de la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques IE par la sous-couche absorbante. La décomposition de la couche de séparation 3 peut être une décomposition thermique ou une relaxation des contraintes thermomécaniques. La durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique 4 sont adaptées de sorte que la température de la structure 1 à séparer demeure inférieure à un seuil pendant la durée d'exposition au-delà duquel des défauts sont susceptibles d'apparaitre dans ladite structure 1. De même, la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique additionnelle 5 sont adaptées de sorte que la température du substrat 2 demeure inférieure à un seuil pendant la durée d'exposition au- delà duquel des défauts sont susceptibles d'apparaitre dans ledit substrat 2. A cet effet, lorsque les irradiations électromagnétiques IE sont des impulsions électromagnétiques, la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique 4, notée E1, vérifient la relation suivante : E1 ; où D1 est le coefficient de diffusion thermique de la couche de barrière thermique 4, r est la durée d'une impulsion électromagnétique. De même, la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique additionnelle 5, notée E2, vérifient la relation suivante : E2 > .N/15-27 ; Où D2 est le coefficient de diffusion thermique de la couche de 20 barrière thermique additionnelle 5, -r est la durée d'une impulsion électromagnétique. La couche de barrière thermique 4 et la couche de barrière thermique additionnelle 5 présentent chacune un coefficient de diffusion thermique D1, D2. La durée d'exposition des irradiations électromagnétiques IE et lesdits 25 coefficients de diffusion thermique D1, D2 sont adaptés de sorte que la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques IE par la couches de séparation 3 est confinée entre la couche de barrière thermique 4 et la couche de barrière thermique additionnelle 5. En d'autres termes, la longueur de diffusion thermique dans la barrière thermique 4 est faible 30 relativement à l'épaisseur de la couche de barrière thermique 4. De la même façon, la longueur de diffusion thermique dans la couche de barrière additionnelle 5 est faible relativement à l'épaisseur de la couche de barrière additionnelle 5. La couche de barrière thermique 4 est réalisée dans un matériau présentant un paramètre de maille compris entre le paramètre de maille de la structure 1 à séparer et le paramètre de maille de la couche de séparation 3. La couche de barrière thermique additionnelle 5 est réalisée dans un matériau présentant un paramètre de maille compris entre le paramètre de maille du substrat 2 et le paramètre de maille de la couche de séparation 3. Les irradiations électromagnétiques IE peuvent être émises par un 10 laser associé à un oscillateur paramétrique optique. Dans un premier mode de réalisation, le substrat 2 comporte du GaN. La couche de séparation 3 comporte de l'In(X)Ga(1X)N, 0,10 x 0.20, de préférence 0,12 Bien entendu, les modes de réalisation de l'invention décrits ci- dessus ne présentent aucun caractère limitatif. Des détails et améliorations peuvent y être apportés dans d'autres variantes d'exécution sans pour autant sortir du cadre de l'invention.10 REVENDICATIONS1. Procédé de séparation d'une structure (1) d'un substrat (2) par irradiations électromagnétiques (1E) appartenant à un domaine spectral, le procédé de séparation comportant les étapes : a) fournir le substrat (2), le substrat (2) étant transparent dans ledit domaine spectral, b) former au moins une couche de séparation (3) sur le substrat (2), le domaine spectral des irradiations électromagnétiques (1E) étant adapté de 10 sorte que la ou les couches de séparation (3) sont absorbantes dans ledit domaine spectral, c) former la structure (1) à séparer sur la ou les couches de séparation (3), d) exposer la ou les couches de séparation (3) aux irradiations électromagnétiques (1E) via le substrat (2) pendant une durée d'exposition à 15 une densité de puissance donnée de sorte que la ou les couches de séparation (3) se décomposent sous l'effet de la chaleur issue de l'absorption desdites irradiations électromagnétiques (1E), le procédé de séparation étant caractérisé en ce qu'il comporte une étape b1) former une couche de barrière thermique (4) sur la ou les couches de séparation (3), le 20 domaine spectral des irradiations électromagnétiques (1E) étant adapté de sorte que la couche de barrière thermique (4) est transparente dans ledit domaine spectral, la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique (4) étant adaptées de sorte que la température de la structure (1) à séparer demeure inférieure à un seuil pendant la durée 25 d'exposition au-delà duquel des défauts sont susceptibles d'apparaitre dans ladite structure (1), l'étape c) étant exécutée de sorte que la structure (1) à séparer est formée sur la couche de barrière thermique (4). 2. Procédé de séparation selon la revendication 1, caractérisé en ce que les 30 irradiations électromagnétiques (1E) sont des impulsions électromagnétiques, et en ce que la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique (4), notée E1, vérifient la relation suivante :f0517r ; où Di est le coefficient de diffusion thermique de la couche de barrière thermique (4), I" est la durée d'une impulsion électromagnétique. 3. Procédé de séparation selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce 5 qu'il comporte une étape al) former une couche de barrière thermique additionnelle (5) sur le substrat (2), le domaine spectral des irradiations électromagnétiques (1E) étant adapté de sorte que la couche de barrière thermique additionnelle (5) est transparente dans ledit domaine spectral, la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique 10 additionnelle (5) étant adaptées de sorte que la température du substrat (2) demeure inférieure à un seuil pendant la durée d'exposition au-delà duquel des défauts sont susceptibles d'apparaître dans ledit substrat (2), et en ce que l'étape b) est exécutée de sorte que la ou les couches de séparation (3) sont formées sur la couche de barrière thermique additionnelle (5). 15 4. Procédé de séparation selon la revendication 3, caractérisé en ce que les irradiations électromagnétiques (1E) sont des impulsions électromagnétiques, et en ce que la durée d'exposition et l'épaisseur de la couche de barrière thermique additionnelle (5), notée E2, vérifient la relation 20 suivante : E2 .'/2D2-r ; Où D2 est le coefficient de diffusion thermique de la couche de barrière thermique additionnelle (5), r est la durée d'une impulsion électromagnétique. 5. Procédé de séparation selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce 25 que la couche de barrière thermique (4) et la couche de barrière thermique additionnelle (5) présentent chacune un coefficient de diffusion thermique, et en ce que la durée d'exposition des irradiations électromagnétiques et lesdits coefficients de diffusion thermique sont adaptés de sorte que la chaleur issue de l'absorption des irradiations électromagnétiques (1E) par la 30 ou les couches de séparation (3) est confinée entre la couche de barrière thermique (4) et la couche de barrière thermique additionnelle (5).. Procédé de séparation selon l'une des revendications 3 à 5, caractérisé en ce que la couche de barrière thermique additionnelle (5) est réalisée dans un matériau présentant un paramètre de maille compris entre le paramètre de maille du substrat (2) et le paramètre de maille de la ou les couches de séparation (3), les étapes al) et b) étant de préférence exécutées par épitaxie. 7. Procédé de séparation selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la couche de barrière thermique (4) est réalisée dans un matériau présentant un paramètre de maille compris entre le paramètre de maille de la structure (1) à séparer et le paramètre de maille de la ou les couches de séparation (3), les étapes c) et d) étant de préférence exécutées par épitaxie. 8. Procédé de séparation selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat (2) comporte du GaN, en ce que la ou les couches de séparation (3) comportent de l'In(x)Ga(l..x)N, 0,10 5_ x 5_ 0.20, de préférence 0,12 5.x 0.15, en ce que la couche de barrière thermique (4) comporte de l'AlGaN, et en ce que le domaine spectral des irradiations électromagnétiques (1E) est compris entre 400 et 450 nm. 9. Procédé de séparation selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat (2) comporte de l'InP, en ce que la ou les couches de séparation (3) comportent de l'InooGati.x)As, de préférence x