FR 3006219 A1 20141205 FR 1454943 A 20140530 TAMPON DE POLISSAGE CHIMIQUE MECANIQUE A FENETRE, SOUPLE ET CON DITIONNABLE La présente invention concerne des tampons de polissage chimique mécanique et des procédés pour les préparer et les utiliser. Plus particulièrement, la présente invention concerne un tampon de polissage chimique mécanique comprenant une couche de polissage ; un bloc-fenêtre de détection de point limite encastré ; une couche rigide ; et un adhésif thermofusible collant la couche de polissage à la couche rigide ; dans lequel la couche de polissage comprend le produit de la réaction d'ingrédients comprenant : un isocyanate polyfonctionnel ; et un système durcisseur ; dans lequel le système durcisseur contient un durcisseur polyol amorcé par une amine et un durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ; dans lequel la couche de polissage présente une masse volumique supérieure à 0,6 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 40 ; un allongement à la rupture de 100 à 450 °h ; et une vitesse de coupe de 25 à 150 pm/h ; et dans lequel la couche de polissage a une surface de polissage adaptée pour le polissage du substrat. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semi- conducteurs et diélectriques sont déposées sur ou retirées d'une surface d'une galette de semi-conducteur. Des couches minces de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques peuvent être déposées par un certain nombre de techniques de déposition. Les techniques courantes de déposition dans les traitements modernes de galettes comprennent, entre autres, le dépôt par procédé physique en phase vapeur (PVD), également appelée pulvérisation cathodique, le dépôt par procédé chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt par procédé chimique en phase vapeur amplifié par plasma (PECVD), et le placage électrochimique (ECP). Les techniques courantes de retrait comprennent, entre autres, la gravure isotropique ou anisotropique, à l'état humide ou à sec. Quand les couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface la plus supérieure de la galette devient non plane. Comme un traitement de semi-conducteur subséquent (par exemple une métallisation) requiert que la galette ait une surface plate, la galette doit être planarisée. La planarisation est utile pour retirer les topographies de surface et les défauts de surface non souhaités, tels que les rugosités de surface, les matériaux agglomérés, les réseaux cristallins endommagés, les rayures, et les couches ou matériaux contaminés. La planarisation chimique mécanique, ou le polissage chimique mécanique (CMP), est une technique couramment utilisée pour planariser ou polir des pièces à usiner telles que des galettes de semi-conducteur. Dans un CMP conventionnel, un support de galette, ou tête de polissage, est monté sur un assemblage de support. La tête de polissage maintient la galette et positionne la galette en contact avec une couche de polissage d'un tampon de polissage qui est monté sur une table ou un disque (ou platine) à l'intérieur d'un dispositif de CMP. L'assemblage de support permet un contrôle de la pression entre la galette et le tampon de polissage. Simultanément, un milieu de polissage (par exemple une bouillie) est placé sur le tampon de polissage et est attiré dans l'espace entre la galette et la couche de polissage. Pour effectuer le polissage, le tampon de polissage et la galette typiquement tournent l'un par rapport à l'autre. Lorsque le tampon de polissage tourne sous la galette, la galette balaye une piste de polissage, ou région de polissage, typiquement annulaire, où la surface de la galette affronte directement la couche de polissage. La surface de la galette est polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la couche de polissage et du milieu de polissage sur la surface. Le "conditionnement" ou "dressage" de la surface du tampon est critique au maintien d'une surface de polissage constante pour une performance de polissage stable. Au cours du temps, la surface de polissage du tampon de polissage s'use, en lissant la microtexture de la surface de polissage - phénomène appelé "lustrage". Le conditionnement d'un tampon de polissage est typiquement réalisé par abrasion de la surface de polissage mécaniquement avec un disque de conditionnement. Le disque de conditionnement a une surface de conditionnement rugueuse typiquement constituée de pointes de diamant enchâssées. Le disque de conditionnement est porté au contact de la surface de polissage soit durant des arrêts intermittents au cours du procédé CMP quand le polissage est mis en pause ("ex situ"), soit pendant que le procédé CMP est en cours ("in situ"). Typiquement, le disque de conditionnement tourne dans une position qui est fixée par rapport à l'axe de rotation du tampon de polissage, et balaye une région de conditionnement annulaire lorsque le tampon de polissage tourne. Le procédé de conditionnement tel que décrit découpe des sillons microscopiques dans la surface du tampon, en abrasant et labourant en même temps le matériau de tampon et en renouvelant la texture de polissage. Les dispositifs à semi-conducteur deviennent de plus en plus complexes, avec des caractéristiques plus fines et davantage de couches de métallisation. Cette tendance requiert de meilleures performances des consommables de polissage afin que la planarité soit maintenue et que les défauts de polissage soient limités. Ces derniers peuvent créer des ruptures électriques ou des courts-circuits des lignes conductrices, susceptibles de rendre le dispositif à semi-conducteur non fonctionnel. On sait généralement qu'une approche pour réduire les défauts de polissage, tels que les micro-rayures ou les marques de broutage, consiste à utiliser un tampon de polissage plus doux. Une famille de couches de polissage en polyuréthane doux est divulguée par James, et al. dans le brevet US N° 7 074 115. James et al. divulguent un tampon de polissage comprenant un produit de la réaction d'un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate avec un durcisseur diamine ou polyamine aromatique, dans lequel le produit réactionnel présente une porosité d'au moins 0,1 % en volume, un facteur de perte d'énergie KEL à 40°C et à 1 rad/s de 385 à 750 I/Pa, et un module E' à 40°C et 1 rad/s de 100 à 400 MPa. Comme décrit ci-dessus, il est nécessaire de conditionner au diamant la surface des tampons de polissage chimique mécanique pour créer une microtexture favorable à une performance de polissage optimale. Toutefois, il est difficile de créer une telle texture dans des matériaux conventionnels de couche de polissage, tels que ceux décrits par James et al., parce que ces matériaux présentent une ductilité élevée, telle que mesurée par les valeurs d'allongement à la rupture en traction. En résultat, quand ces matériaux sont soumis à un conditionnement avec un disque de conditionnement au diamant, plutôt que de découper des sillons dans la surface du tampon, les diamants dans le disque de conditionnement simplement poussent de côté le matériau de tampon sans le découper. Par conséquent, il se crée très peu de texture dans la surface de ces matériaux conventionnels en résultat d'un conditionnement avec un disque de conditionnement au diamant. Un autre problème lié à ces matériaux conventionnels de tampon de polissage chimique mécanique apparaît au cours du traitement d'usinage pour former des motifs de macro-rainures dans la surface du tampon. Les tampons de polissage chimique mécanique sont typiquement dotés d'un motif de rainures découpé dans leur surface de polissage pour favoriser l'écoulement de la bouillie et pour éliminer les débris de polissage à l'interface tampon-galette. Ces rainures sont fréquemment découpées dans la surface de polissage du tampon de polissage au moyen soit d'un tour soit d'une machine de meulage CNC. Toutefois, avec les matériaux de tampon doux, il se pose un problème similaire à celui du conditionnement au diamant, qui est qu'après que le trépan est passé, le matériau de tampon simplement rebondit et les rainures formées se referment sur elles-mêmes. La qualité des rainures est par conséquent médiocre, et il est plus difficile de réussir à fabriquer des tampons acceptables dans le commerce avec de tels matériaux doux. Ce problème empire lorsque la dureté du matériau de tampon diminue. Par conséquent, on a constamment besoin de tampons de polissage chimique mécanique qui présentent un profil de propriétés physiques en bonne corrélation avec celui associé à des formulations ayant peu de défauts, mais également conférant à la couche de polissage une meilleure aptitude au conditionnement (c'est-à-dire en présentant une vitesse de coupe de 25 à 150 pm/h). La présente invention met à disposition un tampon de polissage chimique mécanique, comprenant : une couche de polissage ayant une surface de polissage et une surface de base, une ouverture de contre-alésage, une ouverture traversante, une épaisseur moyenne, Tp-avg, mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; un bloc-fenêtre de détection de point limite encastré ayant une épaisseur moyenne, Tw_avg, le long d'un axe perpendiculaire à un plan de la surface de polissage ; une couche rigide ayant une surface supérieure et une surface inférieure ; un adhésif thermofusible interposé entre la surface de base de la couche de polissage et la surface supérieure de la couche rigide ; l'adhésif thermofusible collant la couche de polissage à la couche rigide ; éventuellement un adhésif sensible à la pression pour disque ; l'adhésif sensible à la pression pour disque étant disposé sur la surface inférieure de la couche rigide ; éventuellement une doublure antiadhésive ; l'adhésif sensible à la pression pour disque étant interposé entre la surface inférieure de la couche rigide et éventuellement la doublure antiadhésive; dans lequel la couche de polissage comprend le produit de la réaction d'ingrédients comprenant : un isocyanate polyfonctionnel ; et un système durcisseur comprenant : au moins 5 % en poids d'un durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant au moins un atome d'azote par molécule ; le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant en moyenne au moins trois groupes hydroxyle par molécule ; 25 à 95 % en poids d'un durcisseur polyol de masse moléculaire élevée, le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 2 500 à 100 000 ; et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant en moyenne 3 à 10 groupes hydroxyle par molécule ; et 0 à 70 % en poids d'un durcisseur difonctionnel ; dans lequel la couche de polissage présente une masse volumique supérieure à 0,6 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 40 ; un allongement à la rupture de 100 à 450 % ; et une vitesse de coupe de 25 à 150 pm/h ; dans lequel l'ouverture traversante s'étend à travers la couche de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; dans lequel l'ouverture de contre-alésage s'ouvre sur la surface de polissage, élargit l'ouverture traversante et forme un épaulement ; dans lequel l'ouverture de contre-alésage a une profondeur moyenne, Do_avg, depuis un plan de la surface de polissage vers l'épaulement, mesurée dans une direction perpendiculaire au plan de la surface de polissage ; dans lequel la profondeur moyenne, Do_avg, est inférieure à l'épaisseur moyenne, Tp-avg ; dans lequel le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré est disposé à l'intérieur de l'ouverture de contre-alésage ; et dans lequel le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré est collé à la couche de polissage. Selon une caractéristique particulière, au moins l'une quelconque des caractéristiques suivantes est remplie ; - la surface inférieure de la couche rigide est non rainurée ; la surface supérieure et la surface inférieure de la couche rigide ont une rugosité, Ra, de 1 à 500 nm.35 Selon une autre caractéristique particulière, au moins l'une quelconque des caractéristiques suivantes est remplie ; - la couche rigide est faite en un poly(téréphtalate d'éthylène) à orientation biaxial ; la couche rigide a une épaisseur moyenne de 6 à 10 mils ; - la couche rigide présente un module de Young de 3 000 à 7 000 MPa. Selon une autre caractéristique particulière, l'isocyanate polyfonctionnel est un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate ayant 2 à 12 °h en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi ; et le système durcisseur est constitué de : 5 à 20 % en poids du durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant deux atomes d'azote par molécule ; le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant en moyenne 4 groupes hydroxyle par molécule ; et le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 200 à 400; 50 à 75 % en poids du durcisseur polyol de masse moléculaire élevée, le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 10 000 à 12 000 ; et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant en moyenne 6 groupes hydroxyle par molécule ; 10 à 30 % en poids du durcisseur difonctionnel ; le durcisseur difonctionnel étant un durcisseur diamine choisi dans le groupe constitué par : la 4,4'-méthylènebis(2-chloroaniline) (MBOCA) ; la 4,4'-méthylènebis(3-chloro-2,6-diéthylaniline) (MCDEA) ; et leurs isomères ; le rapport stoechiométrique des groupes hydrogène réactifs dans le système durcisseur aux groupes isocyanate n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel étant de 0,95 à 1,05 ; et la couche de polissage présente une masse volumique de 0,75 à 1,0 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 20 ; un allongement à la rupture de 150 à 300 °h ; et une vitesse de coupe de 30 à 60 pm/h. Selon une autre caractéristique particulière, le tampon de polissage chimique mécanique est constitué de : la couche de polissage, le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré, la couche rigide, l'adhésif thermofusible interposé entre la couche de polissage et la couche rigide, l'adhésif sensible à la pression pour disque disposé sur la surface inférieure de la couche rigide et la doublure antiadhésive. Selon une autre caractéristique particulière, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate a 5 à 7 % en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi ; et le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate 10 présente une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 400 à 2500. Selon un second aspect, la présente invention concerne un procédé pour fabriquer un tampon de polissage chimique mécanique, comprenant les opérations consistant à : disposer d'une couche de polissage ayant une surface de polissage, 15 une surface de base et une épaisseur moyenne, Tp-avg, mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; disposer d'un bloc-fenêtre de détection de point limite encastré ayant une épaisseur moyenne, Tw_avg, le long d'un axe perpendiculaire à 20 un plan de la surface de polissage ; disposer d'une couche rigide ayant une surface supérieure et une surface inférieure ; disposer d'un adhésif thermofusible à l'état non durci ; disposer d'une ouverture traversante qui s'étend à travers la couche 25 de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; disposer d'une ouverture de contre-alésage qui s'ouvre sur la surface de polissage, élargit l'ouverture traversante et forme un épaulement ; où l'ouverture de contre-alésage a une profondeur moyenne, Do_avg, depuis un plan de la surface de polissage vers 30 l'épaulement, mesurée dans une direction perpendiculaire au plan de la surface de polissage ; où la profondeur moyenne, Do_avg, est inférieure à l'épaisseur moyenne, TP-avg ; interposer l'adhésif thermofusible dans son état non durci entre la surface de base de la couche de polissage et la surface supérieure de la 35 couche rigide ; durcir l'adhésif thermofusible, en collant ensemble la couche de polissage et la couche rigide ; et disposer le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré à l'intérieur de l'ouverture de contre-alésage et coller le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré à la couche de polissage ; dans lequel la couche de polissage comprend le produit de la réaction d'ingrédients comprenant : un isocyanate polyfonctionnel ; et un système durcisseur comprenant : au moins 5 % en poids d'un durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant au moins un atome d'azote par molécule ; le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant en moyenne au moins trois groupes hydroxyle par molécule ; 25 à 95 % en poids d'un durcisseur polyol de masse moléculaire élevée, le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 2 500 à 100 000 ; et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant en moyenne 3 à 10 groupes hydroxyle par molécule ; et 0 à 70 % en poids d'un durcisseur difonctionnel ; dans lequel la couche de polissage présente une masse volumique supérieure à 0,6 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 40 ; un allongement à la rupture de 100 à 450 % ; et une vitesse de coupe de 25 à 150 pm/h. Selon une autre caractéristique particulière, la présente invention concerne un procédé tel que défini ci-dessus, comprenant en outre les opérations consistant à : disposer d'un adhésif sensible à la pression pour disque ; disposer d'une doublure antiadhésive ; appliquer l'adhésif sensible à la pression pour disque sur la surface inférieure de la couche rigide ; et appliquer la doublure antiadhésive au-dessus de l'adhésif de platine sensible à la pression, l'adhésif de platine sensible à la pression étant interposé entre la surface inférieure de la couche rigide et la doublure antiadhésive. La présente invention met à disposition un tampon de polissage 35 chimique mécanique, comprenant : une couche de polissage ayant une surface de polissage et une surface de base, une ouverture de contre- alésage, une ouverture traversante, une épaisseur moyenne, Tp-avg, mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; un bloc-fenêtre de détection de point limite encastré ayant une épaisseur moyenne, Tw_avg, le long d'un axe perpendiculaire à un plan de la surface de polissage ; une couche rigide ayant une surface supérieure et une surface inférieure ; un adhésif thermofusible interposé entre la surface de base de la couche de polissage et la surface supérieure de la couche rigide ; l'adhésif thermofusible collant la couche de polissage à la couche rigide ; éventuellement un adhésif sensible à la pression pour disque ; l'adhésif sensible à la pression pour disque étant disposé sur la surface inférieure de la couche rigide ; éventuellement une doublure antiadhésive ; l'adhésif sensible à la pression pour disque étant interposé entre la surface inférieure de la couche rigide et la doublure antiadhésive optionnelle ; dans lequel la couche de polissage comprend le produit de la réaction d'ingrédients comprenant : un isocyanate polyfonctionnel ; et un système durcisseur comprenant : au moins 5 °A) en poids d'un durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant au moins un atome d'azote par molécule ; le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant en moyenne au moins trois groupes hydroxyle par molécule ; 25 à 95 % en poids d'un durcisseur polyol de masse moléculaire élevée, le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 2 500 à 100 000 ; et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant en moyenne 3 à 10 groupes hydroxyle par molécule ; et 0 à 70 % en poids d'un durcisseur difonctionnel ; dans lequel la couche de polissage présente une masse volumique supérieure à 0,6 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 40 ; un allongement à la rupture de 100 à 450 % ; et une vitesse de coupe de 25 à 150 pnri/h ; dans lequel l'ouverture traversante s'étend à travers la couche de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; dans lequel l'ouverture de contre-alésage s'ouvre sur la surface de polissage, élargit l'ouverture traversante et forme un épaulement ; dans lequel l'ouverture de contre-alésage a une profondeur moyenne, Do_avg, depuis un plan de la surface de polissage vers l'épaulement, mesurée dans une direction perpendiculaire au plan de la surface de polissage ; dans lequel la profondeur moyenne, Do_avg, est inférieure à l'épaisseur moyenne, Tp-avg ; dans lequel le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré est disposé à l'intérieur de l'ouverture de contre-alésage ; dans lequel le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré est collé à la couche de polissage ; dans lequel la surface supérieure de la couche rigide n'est pas rainurée ; dans lequel la surface inférieure de la couche rigide est non rainurée ; et dans lequel la surface supérieure et la surface inférieure de la couche rigide ont une rugosité, Ra, de 1 à 500 nm. La présente invention met à disposition un procédé pour fabriquer un tampon de polissage chimique mécanique, comprenant les opérations consistant à : disposer d'une couche de polissage ayant une surface de polissage, une surface de base et une épaisseur moyenne, Tp-avg, mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; disposer d'un bloc-fenêtre de détection de point limite encastré ayant une épaisseur moyenne, Tw_avg, le long d'un axe perpendiculaire à un plan de la surface de polissage ; disposer d'une couche rigide ayant une surface supérieure et une surface inférieure ; disposer d'un adhésif thermofusible à l'état non durci ; disposer d'une ouverture traversante qui s'étend à travers la couche de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; disposer d'une ouverture de contre-alésage qui s'ouvre sur la surface de polissage, élargit l'ouverture traversante et forme un épaulement ; où l'ouverture de contre-alésage a une profondeur moyenne, Do_avg, depuis un plan de la surface de polissage vers l'épaulement, mesurée dans une direction perpendiculaire de la surface de polissage ; où la profondeur moyenne, Do_avg, est inférieure à l'épaisseur moyenne, Tp-avg ; interposer l'adhésif thermofusible dans son état non durci entre la surface de base de la couche de polissage et la surface supérieure de la couche rigide ; durcir l'adhésif thermofusible, en collant ensemble la couche de polissage et la couche rigide ; et disposer le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré à l'intérieur de l'ouverture de contre-alésage et coller le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré à la couche de polissage ; dans lequel la couche de polissage comprend le produit de la réaction d'ingrédients comprenant : un isocyanate polyfonctionnel ; et un système durcisseur comprenant : au moins 5 % en poids d'un durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant au moins un atome d'azote par molécule ; le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant en moyenne au moins trois groupes hydroxyle par molécule ; 25 à 95 °h en poids d'un durcisseur polyol de masse moléculaire élevée, le durcisseur polyol de masse moléculaire 5 élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 2 500 à 100 000 ; et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant en moyenne 3 à 10 groupes hydroxyle par molécule ; et 0 à 70 °h en poids d'un durcisseur difonctionnel ; dans lequel la couche de polissage présente une masse volumique supérieure à 0,6 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 10 40 ; un allongement à la rupture de 100 à 450 % ; et une vitesse de coupe de 25 à 150 pm/h. Brève description des dessins La Figure 1 représente une vue en perspective d'un tampon de polissage chimique mécanique de la présente invention. 15 La Figure 2 représente une vue en coupe transversale d'un tampon de polissage chimique mécanique de la présente invention. La Figure 3 est une vue en plan de dessus d'un tampon de polissage chimique mécanique de la présente invention. La Figure 4 est une vue en perspective latérale d'une couche de 20 polissage de la présente invention. La Figure 5 est une vue en élévation latérale d'une coupe transversale d'un tampon de polissage chimique mécanique de la présente invention. La Figure 6 est une vue en élévation latérale d'un bloc-fenêtre de 25 détection de point limite encastré de la présente invention. La Figure 7 représente une vue en coupe transversale d'un tampon de polissage chimique mécanique de la présente invention. Description détaillée L'expression "épaisseur totale moyenne Tr_avg", telle qu'utilisée ici et 30 dans les revendications annexées en référence à un tampon de polissage chimique mécanique (10) ayant une surface de polissage (14), signifie l'épaisseur moyenne, TT, du tampon de polissage chimique mécanique, mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage (14) depuis la surface de polissage (14) (voir les Figures 1, 2, 5 et 7). 35 L'expression "section transversale pratiquement circulaire", telle qu'utilisée ici et dans les revendications annexées en référence à un tampon de polissage chimique mécanique (10) signifie que le rayon le plus long, r, de la section transversale depuis l'axe central (12) vers le périmètre extérieur (15) de la surface de polissage (14) de la couche de polissage (20) est Le tampon de polissage chimique mécanique (10) a une couche de polissage (20) qui présente une combinaison unique de faible dureté (c'est-à-dire une dureté Shore D De préférence, l'isocyanate polyfonctionnel utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) est choisi dans le groupe constitué par un isocyanate polyfonctionnel aliphatique, un isocyanate polyfonctionnel aromatique, et un mélange de ceux-ci. Mieux encore, l'isocyanate polyfonctionnel utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) est un diisocyanate choisi dans le groupe constitué par le diisocyanate de 2,4- toluène ; le diisocyanate de 2,6-toluène ; le diisocyanate de 4,4'- diphénylméthane ; le 1,5-diisocyanate de naphtalène ; le diisocyanate de toluidine ; le diisocyanate de paraphénylène ; le diisocyanate de xylylène ; le diisocyanate d'isophorone ; le diisocyanate d'hexaméthylène ; le diisocyanate de 4,4'-dicyclohexylméthane ; le diisocyanate de cyclohexane ; et leurs mélanges. Plus particulièrement, l'isocyanate polyfonctionnel utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) est un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate formé par la réaction d'un diisocyanate avec un polyol prépolymère. De préférence, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) a 2 à 12 % en poids de groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi. Mieux encore, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) a 2 à 10 % en poids (plus particulièrement 4 à 8 % en poids ; tout spécialement 5 à 7 % en poids) de groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi. De préférence, le polyol prépolymère utilisé pour former le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate polyfonctionnel est choisi dans le groupe constitué par les diols, les polyols, les polyol-diols, leurs copolymères, et leurs mélanges. Mieux encore, le polyol prépolymère est choisi dans le groupe constitué par les polyéther-polyols (par exemple poly(oxytétraméthylène)glycol, poly(oxypropylène)glycol et leurs mélanges) ; les polycarbonate-polyols ; les polyester-polyols ; les polycaprolactone-polyols ; leurs mélanges ; et leurs mélanges avec un ou plusieurs polyols de faible masse moléculaire choisis dans le groupe constitué par l'éthylèneglycol ; le 1,2-propylèneglycol ; le 1,3- propylèneglycol ; le 1,2-butanediol ; le 1,3-butanediol ; le 2-méthy1-1,3- propanediol ; le 1,4-butanediol ; le néopentylglycol ; le 1,5-pentanediol ; le 3-méthy1-1,5-pentanediol ; le 1,6-hexanediol ; le diéthylèneglycol ; le dipropylèneglycol ; et le tripropylèneglycol. Plus particulièrement, le polyol prépolymère est choisi dans le groupe constitué par le polytétraméthylène- étherglycol (PTMEG) ; les polyols à base d'esters (tels que les adipates d'éthylène, les adipates de butylène) ; les polypropylène-étherglycols (PPG) ; les polycaprolactone-polyols ; leurs copolymères ; et leurs mélanges. Tout spécialement, le polyol prépolymère est choisi dans le groupe constitué par les PTMEG et PPG. De préférence, quand le polyol prépolymère est un PTMEG, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate a une concentration d'isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi de 2 à 10 °A) en poids (mieux encore de 4 à 8 % en poids ; tout spécialement de 6 à 7 % en poids). Des exemples de prépolymères d'uréthane à terminaison isocyanate à base de PTMEG disponibles dans le commerce comprennent les prépolymères ImuthaneC) (disponibles chez COIM USA, Inc., tels que PET-80A, PET-85A, PET-90A, PET-93A, PET-95A, PET-60D, PET-70D, PET-75D) ; les prépolymères AdipreneC) (disponibles chez Chemtura, tels que LF 800A, LF 900A, LF 910A, LF 930A, LF 931A, LF 939A, LF 950A, LF 952A, LF 600D, LF 601D, LF 650D, LF 667, LF 700D, LF750D, LF751D, LF752D, LF753D et L325) ; les prépolymères AndurC) (disponibles chez Anderson Development Company, tels que 70APLF, 80APLF, 85APLF, 90APLF, 95APLF, 60DPLF, 70APLF, 75APLF). De préférence, quand le polyol prépolymère est un PPG, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate a une concentration d'isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi de 3 à 9 % en poids (mieux encore de 4 à 8 °A3 en poids, tout spécialement de 5 à 6 °hi en poids). Des exemples de prépolymères d'uréthane à terminaison isocyanate à base de PPG disponibles dans le commerce comprennent les prépolymères ImuthaneC) (disponibles chez COIM USA, Inc., tels que PPT-80A, PPT-90A, PPT-95A, PPT-65D, PPT-75D) ; les prépolymères AdipreneC) (disponibles chez Chemtura, tels que LFG 963A, LFG 964A, LFG 740D) ; et les prépolymères AndurC) (disponibles chez Anderson Development Company, tels que 8000APLF, 9500APLF, 6500DPLF, 7501DPLF). De préférence, le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) est un prépolymère d'uréthane à faible teneur en terminaison isocyanate libre, ayant une teneur en monomère de toluène-diisocyanate (TDI) libre inférieure à 0,1 % en poids. On peut aussi utiliser des prépolymères d'uréthane à terminaison isocyanate non à base de TDI. Par exemple, sont acceptables les prépolymères d'uréthane à terminaison isocyanate comprenant ceux formés par la réaction de diisocyanate de 4,4'-diphénylméthane (MDI) et de polyols tels que le polytétraméthylèneglycol (PTMEG) avec des diols facultatifs tels que le 1,4-butanediol (BDO). Quand on utilise de tels prépolymères d'uréthane à terminaison isocyanate, la concentration d'isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi est de préférence de 4 à 10 % en poids (mieux encore de 4 à 8 % en poids, tout spécialement de 5 à 7 % en poids). Des exemples de prépolymères d'uréthane à terminaison isocyanate disponibles dans le commerce de cette catégorie comprennent les prépolymères Imuthane® (disponibles chez COIM USA, Inc. tels que 27-85A, 27-90A, 27-95A) ; les prépolymères AndurC) (disponibles chez Anderson Development Company, tels que IE75AP, IE80AP, JE 85AP, IE90AP, IE95AP, IE98AP) ; et les prépolymères VibrathaneC) (disponibles chez Chemtura, tels que B625, B635, B821). De préférence, le système durcisseur utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) contient : au moins 5 % en poids (de préférence 5 à 30 % en poids ; mieux encore de 5 à 25 % en poids ; tout spécialement de 5 à 20 % en poids) d'un durcisseur polyol amorcé par une amine ; 25 à 95 % en poids (de préférence 35 à 90 % en poids ; mieux encore 50 à 75 % en poids ; tout spécialement 60 à 75 % en poids) d'un durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ; et 0 à 70 % en poids (de préférence 5 à 60 % en poids ; mieux encore 10 à 15 °h en poids ; plus particulièrement 10 à 30 °A) en poids ; tout spécialement 10 à 20 % en poids) d'un durcisseur difonctionnel. De préférence, le durcisseur polyol amorcé par une amine utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) contient au moins un atome d'azote par molécule. Mieux encore, le durcisseur polyol amorcé par une amine utilisé contient un à quatre (plus particulièrement deux à quatre ; tout spécialement deux) atomes d'azote par molécule. De préférence, le durcisseur polyol amorcé par une amine utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) a en moyenne au moins trois groupes hydroxyle par molécule. Mieux encore, le durcisseur polyol amorcé par une amine utilisé a en moyenne trois à six (plus particulièrement trois à cinq ; tout spécialement quatre) groupes hydroxyle par molécule. De préférence, le durcisseur polyol amorcé par une amine utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) a une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, De préférence, le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) a une masse moléculaire qui est supérieure à la masse moléculaire du durcisseur polyol amorcé par une amine utilisé dans le système durcisseur ; et a un indice d'hydroxyle qui est inférieur à celui du durcisseur amorcé par une amine utilisé dans le système durcisseur. Des exemples de durcisseurs polyols de masse moléculaire élevée disponibles dans le commerce comprennent les polyols SpecflexC), les polyols VoranolC) et les polyols Voralux® (disponibles chez The Dow Chemical Company) ; les polyols techniques MultranolC) et les polyols flexibles UltraceIC) (disponibles chez Bayer Material Science LLC) ; et les polyols Pluracol0 (disponibles chez BASF). Un certain nombre de durcisseurs polyols de masse moléculaire élevée préférés sont indiqués dans le Tableau 2. Tableau 2 Durcisseur polyol de Nombre de groupes MN Indice masse moléculaire élevée OH par molécule d'hydroxyle (mg KOH/g) Polyol MultranolC) 3901 3,0 6 000 28 Polyol PluracolC) 1385 3,0 3 200 50 Polyol PluracolC) 380 3,0 6 500 25 Polyol PluracolC) 1123 3,0 7 000 24 Polyol ULTRACELC) 3000 4,0 7 500 30 Polyol SPECFLEXC) NC630 4,2 7 602 31 Polyol SPECFLEXC) NC632 4,7 8 225 32 Polyol VORALUXC) HF 505 6,0 11 400 30 Polyol MULTRANOLC) 9185 6,0 3 366 100 Polyol VORANOLC) 4053 6,9 12 420 31 De préférence, le durcisseur difonctionnel utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) est choisi parmi les diols et les diamines. Mieux encore, le durcisseur difonctionnel utilisé est une diamine choisie dans le groupe constitué par les amines primaires et les amines secondaires. Plus particulièrement, le durcisseur difonctionnel utilisé est choisi dans le groupe constitué par la diéthyltoluènediamine (DETDA) ; la 3,5-diméthylthio-2,4-toluènediamine et ses isomères ; la 3,5- diéthyltoluène-2,4-diamine et ses isomères (par exemple la 3,5- diéthyltol uène-2,6-diami ne) ; le 4,4'-bis(sec-butylamino)diphényl méthane ; le 1,4-bis(sec-butylamino)benzène ; la 4,4'-méthylènebis(2-chloroaniline) ; la 4,4'-méthylènebis(3-chloro-2,6-diéthyla ni line) (MCDEA) ; le di-p-aminobenzoate de polyoxytétraméthylène ; un N,N1-dialkyldiaminodiphénylméthane ; la p,p'-méthylènedianiline (MDA) ; la m-phénylènediamine (MPDA) ; la 4,4'-méthylènebis(2-chloroaniline) (MBOCA) ; la 4,4'-méthylènebis(2,6-diéthylaniline) (MDEA) ; la 4,4'- rnéthylènebis(2,3-dichloroaniline) (MDCA) ; le 4,4'-diamino-3,3'-diéthy1- 5,5'-diméthyldiphénylméthane ; le 2,2',3,3'-tétrachlorodiami no- diphénylméthane ; le di-p-aminobenzoate de triméthylèneglycol ; et leurs mélanges. Tout spécialement, l'agent durcisseur diamine utilisé est choisi dans le groupe constitué par la 4,4'-méthylènebis-(2-chloroaniline) (MBOCA) ; la 4,4'-méthylènebis-(3-chloro-2,6-diéthylaniline) (MCDEA) ; et leurs isomères. De préférence, le rapport stoechiométrique des groupes hydrogène réactifs (c'est-à-dire la somme des groupes amine (NH2) et des groupes hydroxyle (OH)) dans les composants du système durcisseur aux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel est de 0,85 à 1,15 (mieux encore de 0,90 à 1,10 ; tout spécialement de 0,95 à 1,05). La couche de polissage (20) comprend en outre éventuellement une pluralité de micro-éléments. De préférence, la pluralité de micro-éléments est uniformément dispersée dans toute la couche de polissage (20). De préférence, la pluralité de micro-éléments est choisie parmi les bulles de gaz piégées, les matériaux polymères à coeur creux, les matériaux polymères à coeur creux rempli de liquide, les matériaux solubles dans l'eau et les matériaux à phase insoluble (par exemple l'huile minérale). Mieux encore, la pluralité de micro-éléments est choisie parmi les bulles de gaz piégées et les matériaux polymères à coeur creux uniformément distribués dans toute la couche de polissage (20). De préférence, la pluralité de micro-éléments a un diamètre moyen en masse inférieur à 150 pm (mieux encore inférieur à 50 pm ; tout spécialement de 10 à 50 pm). De préférence, la pluralité de micro-éléments comprend des microballons polymères avec des parois de coque soit en polyacrylonitrile soit en un copolymère de polyacrylonitrile (par exemple Expancel® d'Akzo Nobel). De préférence, la pluralité de micro-éléments est incorporée dans la couche de polissage (20) à une porosité de 0 à 35 % en volume (mieux encore une porosité de 10 à 25 % en volume). La couche de polissage (20) peut être dotée d'une configuration poreuse ou d'une configuration non poreuse (c'est-à-dire non remplie). De préférence, la couche de polissage (20) présente une masse volumique > 0,6 g/cm3, telle que mesurée conformément à la norme ASTM D1622. Mieux encore, la couche de polissage (20) présente une masse volumique de 0,6 à 1,2 g/cm3 (plus particulièrement de 0,7 à 1,1 g/cm3 ; tout spécialement de 0,75 à 1,0 g/cm3), telle que mesurée conformément à la norme ASTM D1622. De préférence, la couche de polissage (20) présente une dureté Shore D de 5 à 40, telle que mesurée conformément à la norme ASTM D2240. Mieux encore, la couche de polissage (20) présente une dureté Shore D de 5 à 30 (plus particulièrement de 5 à 20 ; tout spécialement de 5 à 15), telle que mesurée conformément à la norme ASTM D2240. Les couches de polissage présentant une dureté Shore D inférieure à 40 ont typiquement des valeurs très élevées d'allongement à la rupture (c'est-à-dire > 600 °h). Les matériaux présentant de telles valeurs élevées d'allongement à la rupture se déforment de manière réversible quand ils sont soumis à des opérations d'usinage, ce qui conduit à la formation médiocre inacceptable de rainures et à la création d'une texture durant un conditionnement au diamant qui est insuffisante. Le système durcisseur unique utilisé dans la formation de la couche de polissage (20) du tampon de polissage chimique mécanique (10) de la présente invention offre une dureté faible couplée à un allongement à la rupture de 100 à 450 %, tel que mesuré conformément à la norme ASTM D412. De préférence, la couche de polissage (20) présente un allongement à la rupture de 125 à 425 % (plus particulièrement de 150 à 300 % ; tout spécialement de 150 à 200 %), tel que mesuré conformément à la norme ASTM D412. De préférence, la couche de polissage (20) présente une vitesse de coupe de 25 à 150 pm/h, telle que mesurée par le procédé décrit ici dans les exemples. Mieux encore, la couche de polissage (20) présente une vitesse de coupe de 30 à 125 pm/h (plus particulièrement de 30 à 100 pm/h ; tout spécialement de 30 à 60 pm/h), telle que mesurée par le procédé décrit ici dans les exemples. Les personnes ayant une connaissance ordinaire de la technique sauront comment sélectionner une couche de polissage (20) ayant une épaisseur, Tp, convenant pour une utilisation dans un tampon de polissage chimique mécanique (10) pour une opération de polissage donnée. De préférence, la couche de polissage (20) présente une épaisseur moyenne, Tp-avg, le long d'un axe (A) perpendiculaire à un plan (28) de la surface de polissage (25). Mieux encore, l'épaisseur moyenne Tp-avg est de 20 à 150 mils (mieux encore de 30 à 125 mils ; tout spécialement de 40 à 120 mils (voir les Figures 2, 5 et 7). De préférence, la surface de polissage (14) de la couche de polissage (20) est adaptée pour le polissage d'au moins un substrat choisi parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semiconducteur (mieux encore un substrat semi-conducteur ; tout spécialement une galette à semi-conducteur). La surface de polissage (14) de la couche de polissage (20) présente au moins l'une parmi une macrotexture et une microtexture pour faciliter le polissage du substrat. De préférence, la surface de polissage (14) présente une macrotexture, la macrotexture étant conçue pour accomplir au moins l'une des opérations suivantes : (i) réduire au moins l'hydroplanage ; (ii) influencer l'écoulement du milieu de polissage ; (iii) modifier la raideur de la couche de polissage ; (iv) réduire les effets de bords; et (v) faciliter le transfert de débris de polissage à distance de la zone entre la surface de polissage (14) et le substrat qui est poli. La surface de polissage (14) présente de préférence une macrotexture qui est au moins l'une parmi des perforations et des rainures. De préférence, les perforations peuvent s'étendre depuis la surface de polissage (14) en traversant tout ou partie de l'épaisseur de la couche de polissage (20). De préférence, les rainures sont agencées sur la surface de polissage (14) de façon qu'à la suite d'une rotation du tampon (10) durant le polissage, au moins une rainure balaye le substrat. De préférence, les rainures sont choisies parmi les rainures incurvées, les rainures linéaires et leurs combinaisons. Les rainures présentent une profondeur > 10 mils (de préférence de 10 à 150 mils). De préférence, les rainures forment un motif de rainures qui comprend au moins deux rainures ayant une combinaison d'une profondeur choisie parmi > 10 mils, > 15 mils, et 15 à 150 mils ; une largeur choisie parmi > 10 mils et 10 à 100 mils ; et un pas choisi parmi > 30 mils, > 50 mils, 50 à 200 mils, 70 à 200 mils, et 90 à 200 mils. De préférence, la couche de polissage (20) contient 5 à 60 mils (mieux encore de 6 à 30 mils ; plus particulièrement de 6 à 15 mils ; tout spécialement de 6 à 10 mils). De préférence, la surface supérieure (26) et la surface inférieure (27) de la couche rigide (25) sont toutes deux non rainurées. Mieux encore, la surface supérieure (26) et la surface inférieure (27) sont toutes deux lisses. Tout spécialement, la surface supérieure (26) et la surface inférieure (27) ont une rugosité, Ra, de 1 à 500 nm (de préférence de 1 à 100 nm ; mieux encore de 10 à 50 nm ; tout spécialement de 20 à 40 nm) telle que déterminée au moyen d'un profilomètre optique. De préférence, la couche rigide (25) présente un module de Young, mesuré conformément à la norme ASTM D882-12, > 100 MPa (mieux encore de 1 000 à 10 000 MPa ; plus particulièrement de 2 500 à 7 500 MPa ; tout spécialement de 3 000 à 7 000 MPa). De préférence, la couche rigide (25) présente une fraction de vide 5 à 60 mils (de préférence de 6 à 30 mils ; mieux encore de 6 à 15 mils ; tout spécialement de 6 à 10 mils) ; et un module de Young, mesuré conformément à la norme ASTM D882-12, > 100 MPa (mieux encore de 1 000 à 10 000 MPa ; plus particulièrement de 2 500 à 7 500 MPa ; tout spécialement de 3 000 à 7 000 MPa). Les personnes ayant une connaissance ordinaire de la technique sauront comment sélectionner un adhésif thermofusible (23) approprié pour une utilisation dans le tampon de polissage chimique mécanique (10). De préférence, l'adhésif thermofusible (23) est un adhésif thermofusible réactif durci. Mieux encore, l'adhésif thermofusible (23) est un adhésif thermofusible réactif durci qui présente un point de fusion à l'état non durci de 50 à 150°C, de préférence de 115 à 135°C, et une durée de conservation Le tampon de polissage chimique mécanique (10) est de préférence adapté pour être interfacé avec un disque d'une machine de polissage. De préférence, le tampon de polissage chimique mécanique (10) est adapté pour être fixé au disque d'une machine de polissage. Le tampon de polissage chimique mécanique (10) peut être fixé au disque par au moins l'un parmi un adhésif sensible à la pression et un vide. De préférence, le tampon de polissage chimique mécanique (10) comprend un adhésif sensible à la pression pour disque (70) appliqué à la surface inférieure (27) de la couche rigide (25). Les personnes ayant une connaissance ordinaire de la technique sauront comment sélectionner un adhésif sensible à la pression approprié pour une utilisation en tant qu'adhésif sensible à la pression pour disque (70). De préférence, le tampon de polissage chimique mécanique (10) va aussi comprendre une doublure antiadhésive (75) appliquée au-dessus de l'adhésif sensible à la pression pour disque (70), l'adhésif sensible à la pression pour disque (70) étant interposé entre la surface inférieure (27) de la couche rigide (25) et la doublure antiadhésive (75) (voir les Figures 2 et 7). De préférence, le procédé pour fabriquer un tampon de polissage chimique mécanique (10) de la présente invention comprend les opérations consistant à : disposer d'une couche de polissage (20) ayant une surface de polissage (14), une surface de base (17) et une épaisseur moyenne, Tp-avg, mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage (14) depuis la surface de polissage (14) vers la surface de base (17) ; disposer d'un bloc-fenêtre de détection de point limite encastré (30) ayant une épaisseur moyenne, Tw_avg, le long d'un axe perpendiculaire à un plan (28) de la surface de polissage (14) ; disposer d'une couche rigide (25) ayant une surface supérieure (26) et une surface inférieure (27) ; disposer d'un adhésif thermofusible (23) à l'état non durci ; disposer d'une ouverture traversante (35) qui s'étend à travers la couche de polissage (20) depuis la surface de polissage (14) vers la surface de base (17) (de préférence, l'ouverture traversante (35) s'étend à travers le tampon de polissage chimique mécanique (10) depuis la surface de polissage (14) vers la surface inférieure (27) de la couche rigide (25) ; mieux encore, l'ouverture traversante (35) s'étend sur l'épaisseur totale, TT, du tampon de polissage chimique mécanique (10)) ; disposer d'une ouverture de contre-alésage (40) qui s'ouvre sur la surface de polissage (14), élargit l'ouverture traversante (35) et forme un épaulement (45) ; où l'ouverture de contre-alésage (40) a une profondeur moyenne, Do-avg, depuis un plan (28) de la surface de polissage (14) vers l'épaulement (45), mesurée dans une direction perpendiculaire au plan de la surface de polissage (14) ; où la profondeur moyenne, Do_avg, est inférieure à l'épaisseur moyenne, Tp-avg ; interposer l'adhésif thermofusible (23) dans son état non durci entre la surface de base (17) de la couche de polissage (20) et la surface supérieure (26) de la couche rigide (25) ; durcir l'adhésif thermofusible (23), en collant ensemble la couche de polissage (20) et la couche rigide (25) ; et disposer le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré (30) à l'intérieur de l'ouverture de contre-alésage (40) et coller le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré (30) à la couche de polissage (20) ; dans lequel la couche de polissage (20) comprend le produit de la réaction d'ingrédients comprenant : un isocyanate polyfonctionnel ; et un système durcisseur comprenant : au moins 5 % en poids d'un durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant au moins un atome d'azote par molécule ; le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant en moyenne au moins trois groupes hydroxyle par molécule ; 25 à 95 % en poids d'un durcisseur polyol de masse moléculaire élevée, le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 2 500 à 100 000 ; et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant en moyenne 3 à 10 groupes hydroxyle par molécule ; et 0 à 70 % en poids d'un durcisseur difonctionnel ; dans lequel la couche de polissage (20) présente une masse volumique supérieure à 0,6 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 40 ; un allongement à la rupture de 100 à 450 % ; et une vitesse de coupe de 25 à 150 pm/h. De préférence, le procédé pour fabriquer un tampon de polissage chimique mécanique (10) de la présente invention comprend en outre les opérations consistant à : disposer d'un adhésif sensible à la pression pour disque (70) ; disposer d'une doublure antiadhésive (75) ; appliquer l'adhésif sensible à la pression pour disque (70) sur la surface inférieure (27) de la couche rigide (25) ; et appliquer la doublure antiadhésive (75) au-dessus de l'adhésif de platine sensible à la pression (70), l'adhésif sensible à la pression pour disque (70) étant interposé entre la surface inférieure (27) de la couche rigide (25) et la doublure antiadhésive (75). De préférence, le procédé pour fabriquer un tampon de polissage chimique mécanique (10) de la présente invention comprend les opérations consistant à : disposer d'une couche de polissage (20) ayant une ouverture de contre-alésage (40) qui s'ouvre sur la surface de polissage (14), élargit l'ouverture traversante (35) et forme un épaulement (45) (de préférence, l'épaulement (45) est parallèle à la surface de polissage (14)) ; dans lequel l'ouverture de contre-alésage a une profondeur moyenne, Do_avg, depuis un plan (28) de la surface de polissage (20) vers l'épaulement (45), mesurée dans une direction perpendiculaire à l'axe central (12) ; dans lequel la profondeur moyenne, Do_avg, est inférieure à l'épaisseur moyenne de la couche de polissage, Tp-avg ; disposer le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré (30) à l'intérieur de l'ouverture de contre-alésage (40) ; et coller le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré (30) à la couche de polissage (20). De préférence, l'ouverture traversante (35) dans le tampon de polissage chimique mécanique (10) est formée au moyen d'au moins l'un parmi un laser, un outil de coupe mécanique (par exemple un foret, une mèche de fraisage, un emporte-pièce), et un plasma. Mieux encore, l'ouverture traversante (35) est formée au moyen d'un emporte-pièce. Tout spécialement, l'ouverture traversante (35) est formée par placement d'un masque, définissant la section transversale de l'ouverture traversante (35) parallèle à la surface de polissage (14), au-dessus de la couche de polissage (20), et utilisation d'un plasma pour former l'ouverture traversante (35). De préférence, l'ouverture de contre-alésage (40) est formée au moyen d'au moins l'un parmi un laser et un outil de coupe mécanique (par exemple un foret, une mèche de fraisage). Mieux encore, l'ouverture de contre-alésage (40) est formée au moyen d'un laser. Tout spécialement, l'ouverture de contre-alésage (40) est formée par placement d'un masque, définissant la section transversale de l'ouverture de contre-alésage parallèle à la surface de polissage, au-dessus du tampon de polissage, et utilisation d'un plasma pour former l'ouverture de contre-alésage. L'ouverture de contre-alésage (40) est de préférence formée avant, après ou en même temps que la formation de l'ouverture traversante (35). De préférence, l'ouverture de contre-alésage (40) et l'ouverture traversante (35) sont formées simultanément. Mieux encore, l'ouverture de contre-alésage (40) est formée en premier, et est suivie de la formation de l'ouverture traversante (35). L'adhésif sensible à la pression pour disque (70) peut être appliqué à la surface inférieure (27) de la couche rigide (25) avant ou après la formation de l'ouverture traversante (35). De préférence, dans le procédé de fabrication d'un tampon de polissage chimique mécanique de la présente invention, la disposition de la couche de polissage (20) comprend les opérations consistant à : disposer d'un isocyanate polyfonctionnel ; disposer d'un système durcisseur, comprenant les opérations consistant à : (i) disposer d'au moins 5 % en poids (de préférence 5 à 30 % en poids ; mieux encore 5 à 25 % en poids ; tout spécialement 5 à 20 % en poids) d'un durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant au moins un atome d'azote par molécule (de préférence, le durcisseur polyol amorcé par une amine contient un à quatre atomes d'azote par molécule ; mieux encore, le durcisseur polyol amorcé par une amine contient deux à quatre atomes d'azote par molécule ; tout spécialement, le durcisseur polyol amorcé par une amine contient deux atomes d'azote par molécule) ; le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant en moyenne au moins trois groupes hydroxyle (de préférence 3 à 6 groupes hydroxyle ; mieux encore 3 à 5 groupes hydroxyle ; tout spécialement 4 groupes hydroxyle) par molécule (de préférence, le durcisseur polyol amorcé par une amine a une masse moléculaire moyenne en nombre Eventuellement, le procédé comprend en outre le chauffage du gâteau durci pour faciliter l'opération de pelage. De préférence, le gâteau durci est chauffé au moyen de lampes chauffantes à infrarouges durant l'opération de pelage au cours de laquelle le gâteau durci est pelé en une pluralité de couches de polissage (20). De préférence, le procédé de la présente invention pour polir un substrat comprend les opérations consistant à : disposer d'un substrat choisi parmi au moins l'un parmi un substrat magnétique, un substrat optique et un substrat semi-conducteur (de préférence un substrat semi- conducteur ; mieux encore un substrat semi-conducteur, lequel substrat semi-conducteur est une galette à semi-conducteur) ; disposer d'un tampon de polissage chimique mécanique (10) de la présente invention ; disposer d'un milieu de polissage à une interface entre la surface de polissage (14) et le substrat ; disposer d'une source de lumière ; disposer d'un détecteur de lumière ; disposer d'un système de commande ; et créer un contact dynamique à l'interface entre la surface de polissage (14) et le substrat ; dans lequel la source de lumière dirige une lumière, à travers le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré (30), incidente sur le substrat ; dans lequel le détecteur de lumière détecte la lumière reflétée par le substrat ; dans lequel le système de commande reçoit une entrée depuis le détecteur de lumière et détermine quand un point limite de polissage est atteint. Le procédé de polissage d'un substrat de la présente invention comprend éventuellement en outre le conditionnement périodique de la surface de polissage (14) avec un conditionneur abrasif. Certains modes de réalisation de la présente invention vont maintenant être décrits en détail dans les exemples qui suivent. Exemples Comparatifs A-B et Exemples 1-19 On a préparé des couches de polissage conformément aux détails de formulation indiqués dans le Tableau 3. De façon spécifique, on a préparé des gâteaux de polyuréthane par mélange contrôlé du prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate à 51°C (c'est-à-dire l'AdipreneC) LF667 pour l'Exemple Comparatif A et les Exemples 1-9 ; et l'AdipreneC) LFG963A pour l'Exemple Comparatif B et les Exemples 10-19; les deux disponibles chez Chemtura Corporation) avec les composants du système durcisseur. Avant mélange dans les autres matières premières, on a pré-mélangé le durcisseur polyol amorcé par une amine (c'est-à-dire le Voranol® 800 disponible chez The Dow Chemical Company) et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée (c'est-à-dire le Voralux° HF505 disponible chez The Dow Chemical Company). On a maintenu toutes les matières premières, à l'exception de la MBOCA, à une température de pré-mélange de 51°C. On a maintenu la MBOCA à une température de pré-mélange de 116°C. On a établi le rapport du prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate et du système durcisseur de façon que la stoechiométrie, définie par le rapport des groupes hydrogène actifs (c'est-à-dire la somme des groupes -OH et des groupes -NH2) dans les durcisseurs aux groupes isocyanate (NCO) n'ayant pas réagi dans le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate, fût telle qu'indiquée dans le Tableau 3. On a introduit une porosité dans les couches de polissage en 15 ajoutant des microsphères Expancel® au prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate avant combinaison avec le système durcisseur pour obtenir la porosité et la densité de tampon souhaitées. On a mélangé ensemble le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate, avec toutes les microsphères Expancel® incorporées, et le 20 système durcisseur, en utilisant une tête de mélange sous fort cisaillement. Après que la combinaison est sortie de la tête de mélange, on l'a distribuée, sur une période de 5 minutes, dans un moule circulaire de 86,4 cm (34 pouces) de diamètre pour obtenir une épaisseur versée totale d'environ 10 cm (4 pouces). On a laissé la combinaison distribuée gélifier 25 pendant 15 minutes avant de placer le moule dans un four de cuisson. Puis on a durci le moule dans le four de cuisson en utilisant le cycle suivant : 30 minutes de montée en température de la température ambiante à un point de consigne de 104°C, puis maintien pendant 15,5 heures à 104°C, et ensuite 2 heures de réduction de 104°C à 21°C. 30 On a ensuite retiré du moule les gâteaux de polyuréthane durcis et on les a pelés (découpés au moyen d'une lame mobile) à une température de 30 à 80°C en environ quarante feuilles épaisses de 2,0 mm (80 mils). On a commencé le pelage en partant du haut de chaque gâteau. On a jeté toutes les feuilles incomplètes. 35 On note que l'Adiprene® LF667 utilisé dans les exemples est un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate à base de PTMEG comprenant un mélange à 50/50 % en poids d'Adiprene LF950A et d'Adiprene® LF600D, disponible chez Chemtura. On note aussi que l'Adiprene® LFG963A est un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate à base de PPG disponible chez Chemtura. Tableau 3 Ex. N° Prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate Prépolymère (°/0 NCO) Système durcisseur (°/0 pds) Stoechiométrie (H actifs/NCO) Porogène ExpanceIC) Porogène (°/0 pds) Porosité (°/0 vol) MBOCA VoranolC) 800 VoraluxC) HF 505 A Adiprene® LF667 6,7 100 0 0 0,85 551DE40d42 1,8 35 B Adiprene® LFG963A 5,8 100 0 0 0,9 551DE40d42 1,3 23 1 Adiprene® LF667 6,7 0 25 75 0,97 920DE40d30 1,3 34 2 Adiprene® LF667 6,7 67 8 25 0,97 920DE40d30 1,3 34 3 Adiprene® LF667 6,7 0 14 86 1,0 551DE40d42 1,4 29 4 Adiprene® LF667 6,7 14 12 74 1,0 551DE40d42 1,4 29 Adiprene® LF667 6,7 25 11 64 1,0 551DE40d42 1,4 28 6 Adiprene® LF667 6,7 25 11 64 1,0 551DE40d42 0,6 15 7 Adiprene® LF667 6,7 40 9 51 1,0 551DE40d42 1,4 28 8 Adiprene® LF667 6,7 50 7 43 1,0 551DE40d42 1,6 32 9 Adiprene® LF667 6,7 50 7 43 1,0 551DE40d42 0,7 18 Adiprene® LFG963A 5,8 14 12 74 1,0 551DE20d60 2,0 28 11 Adiprene® LFG963A 5,8 33 10 57 1,0 551DE20d60 2,0 28 12 Adiprene® LFG963A 5,8 14 12 74 1,0 551DE20d60 1,4 22 13 Adiprene® LFG963A 5,8 33 10 57 1,0 551DE20d60 1,5 23 14 Adiprene® LFG963A 5,8 41 8 51 1,0 551DE20d60 1,4 22 Adiprene® LFG963A 5,8 33 10 57 1,0 -- -- -- 16 Adiprene® LFG963A 5,8 0 25 75 1,0 551DE20d60 2,0 28 17 Adiprene® LFG963A 5,8 0 14 86 1,0 551DE20d60 1,8 26 18 Adiprene® LFG963A 5,8 25 19 56 1,0 551DE40d42 1,6 32 19 Adiprene® LFG963A 5,8 25 19 56 1,0 551DE40d42 0,7 17 On a analysé les matériaux de couche de polissage non rainurée de chacun des Exemples Comparatifs A-B et des Exemples 1-19 pour déterminer leurs propriétés physiques telles que rapportées dans le Tableau 4. On note que les données de masse volumique rapportées ont été déterminées conformément à la norme ASTM D1622; les données de dureté Shore D rapportées ont été déterminées conformément à la norme ASTM D2240 ; les données de dureté Shore A rapportées ont été déterminées conformément à la norme ASTM D2240 ; et les données d'allongement à la rupture rapportées ont été déterminées conformément à la norme ASTM D412. Les données de vitesse de coupe rapportées dans le Tableau 4 ont été mesurées au moyen d'un outil de polissage Mira() de 200 mm d'Applied Materials. Cet outil de polissage est conçu pour accepter un tampon de polissage chimique mécanique circulaire ayant un diamètre nominal de 51 cm (20 pouces). On a préparé des couches de polissage ayant une section transversale circulaire comme décrit ici dans les exemples. On a ensuite rainuré ces couches de polissage à la machine pour former un motif de rainures dans la surface de polissage comprenant une pluralité de rainures circulaires concentriques ayant pour dimensions un pas de 3,05 mm (120 mils), une largeur de 0,51 mm (20 mils) et une profondeur de 0,76 mm (30 mils). On a ensuite stratifié les couches de polissage à une sous-couche de tampon en mousse (SP2310, disponible chez Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.) On a utilisé un disque de conditionnement au diamant (conditionneur de tampon DiaGrid® AD3CL-150840-3 fabriqué par Kinik Company) pour abraser la surface de polissage des couches de polissage rainurées en utilisant les conditions de traitement suivantes : on a soumis la surface de polissage des couches de polissage à une abrasion continue par le disque de conditionnement au diamant sur une période de 2 heures, avec une vitesse de disque de 100 t/min, un débit d'eau désionisée de 150 cm3/min et une force vers le bas du disque de conditionnement de 48,3 kPa (7 psi). On a déterminé la vitesse de coupe en mesurant le changement de la profondeur moyenne des rainures au cours du temps. On a mesuré la profondeur de rainures (en pm/heure) en utilisant un capteur à triangulation laser MTI Instruments Microtrack II monté sur une lamelle motorisée Zaber Technologies pour profiler la surface de polissage de chaque couche de polissage depuis le centre vers le bord extérieur. La vitesse de balayage du capteur sur la lamelle était de 0,732 mm/s et le taux d'échantillonnage (mesures/mm de balayage) pour le capteur était de 6,34 points/mm. La vitesse de coupe rapportée dans le Tableau 4 est la réduction moyenne arithmétique de la profondeur des rainures au cours du temps, basée sur les mesures d'épaisseur collectées, prises sous la forme de > 2000 points sur la surface de polissage de la couche de polissage. Tableau 4 Ex. N° Masse volumique (g/cm3) Dureté Shore G' à G' à G" à G' à 30°C/ G' à 90°C (MPa) Résistance Allongement à la rupture (%) Module Ténacité (MPa) Vitesse de coupe (pm/h) 30°C (MPa) 40°C (MPa) 40°C (MPa) à la traction en traction (MPa) (MPa) A D A 0,78 93 43 -- 44,0 2,6 1,4 17 191 65 24 34 B 0,88 91 41 -- 49,0 3,2 1,9 15 293 95 62 26 1 0,76 56 10 3,2 3,1 0,1 1,0 3 161 4 3 -- 2 0,76 83 35 27,8 24,2 2,7 1,4 16 250 46 23 -- 3 0,81 48 7 2,2 2,2 0,1 1,1 2 160 3 2 72 4 0,81 57 11 4,6 3,8 0,5 1,5 5 294 5 9 41 5 0,82 62 18 9,0 8,2 0,9 1,3 7 360 13 15 -- 6 0,98 61 17 5,0 4,6 0,5 1,1 8 414 7 16 -- 7 0,82 75 23 16,8 15,6 1,4 1,3 11 346 26 22 30 8 0,79 79 27 21,4 19,7 1,6 1,4 12 332 36 26 29 9 0,95 83 31 23,2 21,5 1,9 1,2 16 351 40 34 -- 10 0,83 56 10 6,0 4,5 0,9 2,8 4 189 6 5 46 11 0,82 75 23 18,6 13,4 3,0 6,0 7 256 31 13 -- 12 0,90 61 14 8,2 6,4 1,2 3,1 4 164 8 4 -- 13 0,88 72 21 18,1 13,8 3,1 5,1 7 288 24 15 -- 14 0,89 77 25 23,6 18,7 3,8 5,2 9 291 33 18 43 15 1,14 78 27 21,2 15,6 3,7 4,7 10 293 23 18 -- 16 0,83 55 10 5,6 4,5 0,7 2,0 3 162 4 3 -- 17 0,85 57 11 4,6 4,0 0,4 1,7 3 143 4 2 -- 18 0,78 70 19 18,0 13,3 2,6 4,7 5 173 23 7 -- 19 0,96 73 20 17,9 12,5 2,9 5,4 7 232 23 11 -- REVENDICATIONS1. Tampon de polissage chimique mécanique, comprenant : une couche de polissage ayant une surface de polissage et une surface de base, une ouverture de contre-alésage, une ouverture traversante, une épaisseur moyenne, Tp-avg, mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; un bloc-fenêtre de détection de point limite encastré ayant une épaisseur moyenne, Tw_avg, le long d'un axe perpendiculaire à un plan de la surface de polissage ; une couche rigide ayant une surface supérieure et une surface inférieure ; un adhésif thermofusible interposé entre la surface de base de la couche de polissage et la surface supérieure de la couche rigide ; l'adhésif thermofusible collant la couche de polissage à la couche rigide ; éventuellement un adhésif sensible à la pression pour disque ; l'adhésif sensible à la pression pour disque étant disposé sur la surface inférieure de la couche rigide ; éventuellement une doublure antiadhésive ; l'adhésif sensible à la pression pour disque étant interposé entre la surface inférieure de la couche rigide et la doublure antiadhésive optionnelle ; dans lequel la couche de polissage comprend le produit de la réaction d'ingrédients comprenant : un isocyanate polyfonctionnel ; et un système durcisseur comprenant : au moins 5 °h en poids d'un durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant au moins un atome d'azote par molécule ; le durcisseur polyol amorcé par une 30 amine ayant en moyenne au moins trois groupes hydroxyle par molécule ; 25 à 95 % en poids d'un durcisseur polyol de masse moléculaire élevée, le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 2 500 à 100 000 ; et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant en moyenne 3 à 10 35 groupes hydroxyle par molécule ; et 0 à 70 % en poids d'un durcisseur difonctionnel ;dans lequel la couche de polissage présente une masse volumique supérieure à 0,6 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 40 ; un allongement à la rupture de 100 à 450 % ; et une vitesse de coupe de 25 à 150 pm/h ; dans lequel l'ouverture traversante s'étend à travers la couche de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; dans lequel l'ouverture de contre-alésage s'ouvre sur la surface de polissage, élargit l'ouverture traversante et forme un épaulement ; dans lequel l'ouverture de contre-alésage a une profondeur moyenne, Do_avg, depuis un plan de la surface de polissage vers l'épaulement, mesurée dans une direction perpendiculaire au plan de la surface de polissage ; dans lequel la profondeur moyenne, Do_avg, est inférieure à l'épaisseur moyenne, TP-avg ; dans lequel le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré est disposé à l'intérieur de l'ouverture de contre-alésage ; et dans lequel le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré est collé à la couche de polissage. 2. Tampon de polissage chimique mécanique selon la revendication 1, dans lequel la surface supérieure de la couche rigide est non rainurée ; et dans lequel la surface inférieure de la couche rigide est non rainurée. 3. Tampon de polissage chimique mécanique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la surface supérieure et la surface inférieure de la couche rigide ont une rugosité, Ra, de 1 à 500 nm. 4. Tampon de polissage chimique mécanique selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche rigide est faite en un poly(téréphtalate d'éthylène) à orientation biaxiale ; dans lequel la couche rigide a une épaisseur moyenne de 6 à 10 mils ; et dans lequel la couche rigide présente un module de Young de 3 000 à 7 000 MPa. 5. Tampon de polissage chimique mécanique selon l'une 35 quelconque des revendications 1 à 4,dans lequel l'isocyanate polyfonctionnel est un prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate ayant 2 à 12 °h en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi ; et dans lequel le système durcisseur est constitué de : 5 à 20 % en poids du durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant deux atomes d'azote par molécule ; le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant en moyenne 4 groupes hydroxyle par molécule ; et le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 200 à 400; 50 à 75 °A) en poids du durcisseur polyol de masse moléculaire élevée, le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 10 000 à 12 000 ; et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant en moyenne 6 groupes hydroxyle par molécule ; 10 à 30 % en poids du durcisseur difonctionnel ; le durcisseur difonctionnel étant un durcisseur diamine choisi dans le groupe constitué par : la 4,4'-méthylènebis(2-chloroaniline) (MBOCA) ; la 4,4'-méthylènebis(3-chloro-2,6-diéthylaniline) (MCDEA) ; et leurs isomères ; le rapport stoechiométrique des groupes hydrogène réactifs dans le système durcisseur aux groupes isocyanate n'ayant pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel étant de 0,95 à 1,05; dans lequel la couche de polissage présente une masse volumique de 0,75 à 1,0 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 20 ; un allongement à la rupture de 150 à 300 % ; et une vitesse de coupe de 30 à 60 pm/h. 6. Tampon de polissage chimique mécanique selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, lequel tampon de polissage chimique mécanique est constitué de : la couche de polissage, le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré, la couche rigide, l'adhésif thermofusible interposé entre la couche de polissage et la couche rigide, l'adhésif sensible à la pression pour disque disposé sur la surface inférieure de la couche rigide et la doublure antiadhésive. 7. Tampon de polissage chimique mécanique selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate a 5 à 7 % en poids de groupes NCO n'ayant pas réagi ; et dans lequel le prépolymère d'uréthane à terminaison isocyanate présente une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 400 à 2500. 8. Procédé pour fabriquer un tampon de polissage chimique mécanique, comprenant les opérations consistant à : disposer d'une couche de polissage ayant une surface de polissage, une surface de base et une épaisseur moyenne, Tp-avg, mesurée dans une direction perpendiculaire à la surface de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; disposer d'un bloc-fenêtre de détection de point limite encastré ayant une épaisseur moyenne, Tw_avg, le long d'un axe perpendiculaire à un plan de la surface de polissage ; disposer d'une couche rigide ayant une surface supérieure et une surface inférieure ; disposer d'un adhésif thermofusible à l'état non durci ; disposer d'une ouverture traversante qui s'étend à travers la couche de polissage depuis la surface de polissage vers la surface de base ; disposer d'une ouverture de contre-alésage qui s'ouvre sur la surface de polissage, élargit l'ouverture traversante et forme un épaulement ; où l'ouverture de contre-alésage a une profondeur moyenne, Do_avg, depuis un plan de la surface de polissage vers l'épaulement, mesurée dans une direction perpendiculaire au plan de la surface de polissage ; où la profondeur moyenne, Do_avg, est inférieure à l'épaisseur moyenne, TP-avg ; interposer l'adhésif thermofusible dans son état non durci entre la 30 surface de base de la couche de polissage et la surface supérieure de la couche rigide ; durcir l'adhésif thermofusible, en collant ensemble la couche de polissage et la couche rigide ; et disposer le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré à 35 l'intérieur de l'ouverture de contre-alésage et coller le bloc-fenêtre de détection de point limite encastré à la couche de polissage ;dans lequel la couche de polissage comprend le produit de la réaction d'ingrédients comprenant : un isocyanate polyfonctionnel ; et un système durcisseur comprenant : au moins 5 % en poids d'un durcisseur polyol amorcé par une amine, le durcisseur polyol amorcé par une amine contenant au moins un atome d'azote par molécule ; le durcisseur polyol amorcé par une amine ayant en moyenne au moins trois groupes hydroxyle par molécule ; 25 à 95 % en poids d'un durcisseur polyol de masse moléculaire élevée, le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 2 500 à 100 000 ; et le durcisseur polyol de masse moléculaire élevée ayant en moyenne 3 à 10 groupes hydroxyle par molécule ; et 0 à 70 % en poids d'un durcisseur difonctionnel ; dans lequel la couche de polissage présente une masse volumique supérieure à 0,6 g/cm3 ; une dureté Shore D de 5 à 40 ; un allongement à la rupture de 100 à 450 % ; et une vitesse de coupe de 25 à 150 pm/h. 9. Procédé selon la revendication 8, comprenant en outre les opérations consistant à : disposer d'un adhésif sensible à la pression pour disque ; disposer d'une doublure antiadhésive ; appliquer l'adhésif sensible à la pression pour disque sur la surface inférieure de la couche rigide ; et appliquer la doublure antiadhésive au-dessus de l'adhésif de platine sensible à la pression, l'adhésif de platine sensible à la pression étant interposé entre la surface inférieure de la couche rigide et la doublure antiadhésive.