FR 3002690 A1 20140829 FR 1351739 A 20130227 Procédé de traitement d'une structure magnétique La présente invention concerne un procédé de traitement d'une structure magnétique, notamment destinée à 5 l'enregistrement numérique pour être utilisée par exemple dans une mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory). Face à l'augmentation considérable du volume global de données numériques générées dans le monde (2,7 zettabits en 2012), il est indispensable que la densité de stockage 10 (capacité de stockage par unité de surface) des mémoires de masse non volatiles continue de s'accroître. Cette croissance doit permettre d'endiguer une multiplication des supports de stockage, de répondre aux exigences de compacité des applications mobiles et de réduire 15 l'empreinte énergétique. Le marché des mémoires de masse non volatiles est aujourd'hui partagé entre les disques durs (ordinateurs et « data centers ») et les mémoires flash pour les applications mobiles (smartphones, ultra portables, etc.). 20 Bien que les performances de ces deux technologies aient considérablement progressé ces dernières années, elles vont rencontrer des verrous technologiques majeurs à l'horizon 2015 en termes de compacité autant que de rapidité d'accès et de stabilité au cours du temps. 25 De nouveaux concepts de mémoires solides non volatiles MRAM (STT-MRAM, « Race Track Memory », TAS-MRAM, etc...), concurrentes des mémoires flash mais aussi des mémoires DRAM et SRAM, sont donc en cours de développement. Cependant ces nouvelles technologies sont freinées 30 par des verrous technologiques liés en particulier aux matériaux magnétiques utilisés. En effet, ces mémoires sont basées sur des matériaux magnétiques qui sont synthétisés à température ambiante sous forme amorphe puis recuits à haute 35 température (300°C pendant 1 à 2 heures) pour obtenir une phase cristalline qui possède les propriétés requises, en particulier une anisotropie magnétique élevée et un fort signal de magnéto résistance. Cependant, ces températures élevées peuvent 5 dégrader les propriétés des matériaux, qui obtenus après recuit thermique présenteront généralement plus de défauts structuraux responsables d'une plus forte hétérogénéité des propriétés magnétiques. De plus ces températures élevées engendrent des 10 dépenses énergétiques importantes difficilement compatibles avec l'industrialisation des procédés. La présente invention a pour but de pallier ces inconvénients en proposant un procédé qui permette d'obtenir des matériaux magnétiques de meilleure qualité 15 tout en rendant leur fabrication industrialisable. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de traitement d'une structure magnétique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - fourniture d'une structure magnétique comprenant 20 au moins une première couche de matériau magnétique comprenant un alliage de CoFeB ; - irradiation de la structure magnétique par des ions légers de faible énergie; et - maintien simultané de la structure magnétique 25 selon un profil de température prédéterminé et pendant un temps prédéterminé. Grâce au couplage chauffage/irradiation ionique, les températures et durées de synthèse des matériaux magnétiques peuvent être fortement diminuées, réduisant le 30 budget thermique et améliorant la qualité des matériaux ainsi obtenus. Dans divers modes de réalisation du procédé selon l'invention, on peut éventuellement avoir recours en outre à l'une et/ou à l'autre des dispositions suivantes : 35 - la température prédéterminée est inférieure ou égale à 200°C ; - la température prédéterminée est comprise entre 20°C et 200°C ; - la température prédéterminée est comprise entre 15°C et 40°C ; - le temps prédéterminé est inférieur ou égal à 1 heure ; - le matériau magnétique est initialement amorphe ; - le matériau magnétique est initialement cristallin ; - les ions sont des ions He+, H+, Ar+, Xe+ ou Ga+ ; - les ions présentent une énergie comprise entre 0,1 keV et 150 keV ; - lors de l'étape d'irradiation, les ions sont émis 15 avec une dose comprise entre 1*1013 ions/cm2 et 5*1016 ions/cm2 ; - lors de l'étape d'irradiation, les ions traversent au moins la première couche de matériau magnétique. ; 20 - lors de l'étape d'irradiation, les ions bombardent la structure magnétique à travers des ouvertures traversantes d'un masque ; - la structure magnétique comprend au moins une deuxième couche d'isolant en contact avec la première 25 couche de matériau magnétique ; et - la structure magnétique comprend un empilement alterné de premières couches de matériau magnétique et de deuxièmes couches d'isolant. L'invention a également pour objet une structure 30 magnétique, caractérisée en ce qu'elle comprend au moins : - une première couche de matériau magnétique comprenant un alliage de CoFeB ; et - un substrat sur lequel est agencée la première couche de matériau magnétique et comprenant des atomes 35 légers de faible énergie. En particulier, la structure magnétique peut posséder un champ d'anisotropie effectif supérieur ou égal à 500 mT. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de différents modes de réalisation de l'invention, donnés uniquement à titre d'exemple en se référant aux dessins annexés, sur lesquels : - la Figure 1 est un schéma représentant les 10 différentes étapes d'un procédé de traitement d'une structure magnétique selon l'invention ; - la Figure 2 est une vue en coupe d'une structure magnétique selon l'invention ; - les Figures 3, 4 et 5 sont des vues en coupe 15 illustrant des variantes de la structure magnétique de la Figure 2 ; - les Figures 6, 7, 8, 9 et 10 sont des vues similaires à celle de la Figure 2 illustrant différents modes de réalisation du procédé de traitement de la Figure 20 1. Sur les différentes Figures, les mêmes références désignent des éléments identiques ou similaires. La Figure 1 illustre les différentes étapes d'un procédé de traitement d'une structure magnétique selon 25 l'invention. Une première étape S10 de ce procédé comprend la fourniture d'une structure magnétique 100. En référence à la Figure 2, la structure magnétique 100 comporte une première couche 102 fabriquée à partir 30 d'un matériau magnétique comprenant un alliage de CoFeB. La structure magnétique 100 comporte en outre un substrat 104 sur lequel est agencée la couche magnétique 102. La structure magnétique 100 peut également 35 comprendre une couche dite « buffer » 101 telle qu'une couche de Ta déposée entre le substrat 104 et l'empilement magnétique 102 et permettant de promouvoir une structure cristalline spécifique pour la couche magnétique et une anisotropie d'interface. Dans une première variante illustrée sur la Figure 3, la structure magnétique 100 est une structure multicouches comprenant, en plus de la couche magnétique 102 déposée sur la couche buffer 101, une deuxième couche 106 fabriquée à partir d'un matériau isolant et déposée sur la couche magnétique 102. Dans une deuxième variante illustrée sur la Figure 4, la structure magnétique 100 est une structure multicouches comprenant, en plus de la couche magnétique 102 déposée sur la couche buffer 101 et de la couche d'isolant 106, une troisième couche 108 fabriquée à partir d'un matériau magnétique comprenant un alliage de CoFeB et déposée sur la couche d'isolant. Les couches magnétiques 102 et 108 sont identiques l'une à l'autre. En variante, les couches magnétiques 102 et 108 peuvent être différentes l'une de l'autre. On notera de façon générale par la suite les différentes couches magnétiques contenant l'alliage CoFeB, les couches « de type 102 ». La couche d'isolant 106 comprend du MgO. En variante, la couche d'isolant 106 peut avoir une composition différente. De façon générale, on notera couche « de type 106 » une couche d'isolant incluse dans un empilement magnétique quelle que soit sa composition. La couche buffer 101 étant optionnelle, nous ne la 30 représenterons plus dans la suite par souci de simplification des Figures. Dans une troisième variante illustrée sur la Figure 5, la structure magnétique 100 est une structure multicouches comprenant une succession alternée de couches 35 de type 102 et de couches de type 106, cet empilement de couches étant déposé directement sur le substrat 104. On notera l'empilement de couches magnétiques et isolantes 110. Notons que les couches de type 102 peuvent elles-5 mêmes comprendre un empilement de couches magnétiques comportant des couches d'alliage de CoFeB combinées avec des couches d'autres matériaux magnétiques. De plus, la structure magnétique 100 peut également être recouverte par une couche appelée « capping layer » 10 pour limiter l'oxydation de la structure magnétique. Les couches magnétiques de type 102 et isolantes de type 106 décrites dans tout ce qui précède s'étendent sensiblement parallèlement les unes aux autres. Les couches magnétiques de type 102 présentent une 15 épaisseur comprise entre 0,1 nm et 3 nm. L'alliage de CoFeB contenu dans les couches magnétiques de type 102 comprend par exemple environ 20% de cobalt, 60% de fer et 20% de bore. Les couches isolantes de type 106 présentent une 20 épaisseur comprise entre 0,1 nm et 3 nm. Le substrat 104 présente une épaisseur de plusieurs centaines de micromètres. Le substrat 104 peut être un substrat quelconque comprenant par exemple du Si02, du SIN ou un wafer CMOS. 25 L'étape de fourniture S10 est suivie d'une étape d'irradiation S20 de la structure magnétique 100 et d'une étape S30 de chauffage de la structure magnétique 100 (Figure 1). Les étapes d'irradiation S20 et de chauffage S30 30 sont réalisées simultanément. L'étape d'irradiation S20 comprend l'irradiation de la structure magnétique 100 par des ions légers de faible énergie et de faible courant. Lors de cette étape d'irradiation ionique S20, les 35 ions sont émis sous forme d'un faisceau d'ions qui baigne uniformément la structure magnétique 100 (Figure 2). Les ions sont également émis avec une faible dose comprise entre 1 *10n ions/cm2 et 5* 1016 ions/cm2 et avec un faible courant inférieur à 10 pA pour ne pas chauffer la 5 structure magnétique 100. Les ions émis traversent alors l'empilement magnétique 110 et s'implantent en profondeur dans le substrat 104, par exemple à une profondeur du substrat comprise entre 100 nm et 300 nm. 10 Les ions utilisés pour l'irradiation ont une énergie comprise entre 0,1 keV et 150 keV. Dans l'exemple décrit ici, les ions sont des ions He+. En variante, les ions sont des ions H+ ou des ions 15 Ar+, Xe+, Ga+. L'étape d'irradiation ionique S20 ne conduit donc pas à un ajout de matière dans les couches magnétiques, contrairement à ce qui se passe dans des procédés d'implantation ionique couramment utilisés dans l'industrie 20 des semi-conducteurs. A la place, l'étape d'irradiation ionique S20 engendre des modifications structurales des couches irradiées. Les propriétés magnétiques des matériaux étant liées à leur structure atomique, l'irradiation ionique 25 permet donc de contrôler les propriétés magnétiques des matériaux de manière très fine. L'étape d'irradiation S20 peut être réalisée au travers d'un masque 112 dans lequel sont ménagées des ouvertures traversantes 114 comme illustré à la Figure 6. 30 Simultanément à l'étape d'irradiation ionique S20, la structure magnétique 100 est maintenue selon un profil de température prédéterminé et pendant un temps prédéterminé. La température prédéterminée est inférieure ou 35 égale à 200°C, de préférence inférieure ou égale à 100°C. Le temps prédéterminé est inférieur ou égal à 1 heure, de préférence inférieur ou égal à 30 min, et de préférence encore inférieur ou égal à 10 min. L'étape de chauffage S30 combinée à l'étape 5 d'irradiation permet de favoriser la relaxation du matériau vers un état d'équilibre homogène en favorisant la mobilité des atomes. Différents modes de réalisation du procédé de traitement selon l'invention sont décrits ci-dessous dans 10 le cas d'une structure magnétique 100 comprenant une couche magnétique 102 comme décrit à la Figure 2. La direction d'aimantation de la couche magnétique est symbolisée par une flèche. Dans un premier mode de réalisation du procédé de 15 traitement selon l'invention, le procédé permet de faire varier, en particulier de diminuer, l'amplitude de l'anisotropie de la couche magnétique 102. L'anisotropie d'une couche magnétique est une grandeur qui définit et quantifie les directions 20 privilégiées de l'aimantation dans la couche magnétique. Dans les matériaux basés sur des multicouches magnétiques ultra-fines, les propriétés sont dominées par la compétition entre des effets d'interfaces et des propriétés de volume. Par exemple, la direction 25 d'aimantation est donnée par le signe d'un coefficient d'anisotropie Keff, qui est donné en première approximation dans le CoFeB par -S2 +( 1 Keff=-K-dK +K /t -S1 - , -CoFeB. Le premier terme Kd représente l'anisotropie dipolaire de forme (Kd positif), le second terme Ksl+Ks2 représente l'influence des 30 interfaces (Ksi et Ks2 représentent les coefficients d'anisotropie aux deux interfaces du film de CoFeB). Ce dernier terme Ksi l'épaisseur tCOFEB du CoFeB. En fonction du signe du coefficient d'anisotropie Keff, l'axe de facile aimantation 35 du film peut être perpendiculaire au plan du film (Keff +Ks2 est inversement proportionnel à positif) ou dans le plan du film (Keff négatif). On définit le champ d'anisotropie effectif Heff=2Keff/M, où M, est l'aimantation du film. Ce champ peut être mesuré en appliquant un champ magnétique suivant l'axe difficile de l'aimantation ou suivant un axe intermédiaire. Dans ce premier mode de réalisation, la couche magnétique 102 est initialement cristalline et présente une anisotropie magnétique perpendiculaire (aimantation perpendiculaire au plan des couches) forte. Par exemple, le champ d'anisotropie effectif est compris entre 300 mT et 400 mT. La structure magnétique 100 est alors irradiée par des ions légers de faible énergie et avec une température ambiante comprise entre 15°C et 40°C. La couche magnétique 102 reste cristalline mais son anisotropie magnétique perpendiculaire diminue. Par exemple, le champ d'anisotropie effectif est compris entre 0 et 300 mT. Comme représenté sur la Figure 6, l'étape 20 d'irradiation S20 peut également être réalisée au travers du masque 112. On obtient alors une structure magnétique 100 à anisotropie mixte, c'est-à-dire avec des portions 116 à aimantation plus faiblement perpendiculaire correspondant aux portions de la structure situées en regard des 25 ouvertures 114 du masque 112, et avec des portions 118 à aimantation fortement perpendiculaire correspondant aux autres portions de la structure. Dans un deuxième mode de réalisation, la couche magnétique 102 est initialement cristalline et présente une 30 forte anisotropie magnétique perpendiculaire. Par exemple, le champ d'anisotropie effectif est compris entre 300 mT et 400 mT. La structure magnétique 100 est alors irradiée par des ions légers de faible énergie et avec une température 35 ambiante comprise entre 15°C et 40°C, de sorte que la couche magnétique 102 reste cristalline mais devient alors aimantée dans le plan (aimantation dans le plan des couches) avec une amplitude pour le champ d'anisotropie effectif par exemple comprise entre 0 et -200 mT. En réalisant l'étape d'irradiation S20 au travers du masque 112 comme représenté sur la Figure 7, il est également possible d'obtenir une structure magnétique 100 à anisotropie mixte, c'est-à-dire avec des portions 120 à aimantation planaire correspondant aux portions de la structure situées en regard des ouvertures 114 du masque 112, et avec des portions 122 à aimantation fortement perpendiculaire correspondant aux autres portions de la structure. Dans un troisième mode de réalisation, la couche magnétique 102 initialement cristalline ou amorphe présente une faible anisotropie magnétique perpendiculaire. Par exemple, le champ d'anisotropie effectif est compris entre 0 et 100 mT. La structure magnétique 100 est alors irradiée par 20 des ions légers de faible énergie et chauffée simultanément à une température supérieure à la température ambiante, au moins supérieure à 20°C, par exemple supérieure à 50°C. La couche magnétique 102 reste cristalline si initialement cristalline ou devient cristalline si 25 initialement amorphe, et l'anisotropie perpendiculaire de cette couche magnétique augmente. Par exemple, le champ d'anisotropie effectif est compris entre 100 mT et 600 mT. En réalisant l'étape d'irradiation S20 au travers du masque 112 comme représenté sur la Figure 8, il est 30 possible d'obtenir une structure magnétique 100 à anisotropie mixte, c'est-à-dire avec des portions 124 à forte aimantation perpendiculaire correspondant aux portions de la structure situées en regard des ouvertures 114 du masque 112, et avec des portions 126 à faible 35 aimantation perpendiculaire correspondant aux autres portions de la structure. Une anisotropie perpendiculaire d'amplitude élevée est favorable à une forte stabilité thermique par exemple pour les applications d'ultra haute densité. En appliquant les étapes combinées S20 et S30 comme décrites précédemment, on obtient une aimantation perpendiculaire d'amplitude plus élevée qu'en traitant le matériau par un recuit thermique à hautes températures comme il est réalisé aujourd'hui. Dans un quatrième mode de réalisation, la couche magnétique 102 initialement amorphe présente un champ d'anisotropie effectif planaire avec une amplitude par exemple comprise entre 0 et -200 mT. La structure magnétique 100 est alors irradiée par 15 des ions légers de faible énergie et chauffée simultanément à une température supérieure à la température ambiante, au moins supérieure à 20°C, par exemple supérieure à 50°C. La couche magnétique 102 initialement amorphe devient cristalline et l'anisotropie de la couche 20 magnétique devient fortement perpendiculaire avec une amplitude par exemple comprise entre 0 et 600 mT. En réalisant cette étape d'irradiation S20 au travers du masque 112 comme représenté sur la Figure 9, il est possible d'obtenir une structure magnétique 100 à 25 anisotropie mixte, c'est-à-dire avec des portions 128 à aimantation fortement perpendiculaire correspondant aux portions de la structure situées en regard des ouvertures 114 du masque 112, et avec des portions 130 à aimantation planaire correspondant aux autres portions de la structure. 30 Dans un cinquième mode de réalisation, la couche magnétique 102 est initialement cristalline et présente une forte anisotropie magnétique perpendiculaire. Par exemple, le champ d'anisotropie effectif est compris entre 300 mT et 400 mT. 35 La structure magnétique 100 est alors irradiée par des ions légers de faible énergie et avec une température ambiante comprise entre 15°C et 40°C, de sorte que la couche magnétique est complétement mélangée avec les couches adjacentes et devient alors non magnétique. En réalisant cette étape d'irradiation S20 au travers du masque 112 comme représenté sur la Figure 10, il est possible d'obtenir une structure magnétique 100 à anisotropie mixte, c'est-à-dire avec des portions 132 non magnétiques correspondants aux portions de la structure situées en regard des ouvertures 114 du masque 112, et avec des portions 134 à aimantation fortement perpendiculaire correspondant aux autres portions de la structure. La couche magnétique 102 initialement cristalline décrite dans les premier et deuxième modes de réalisation du procédé selon l'invention peut être celle obtenue après traitement par le procédé selon les troisième et quatrième modes de réalisation de l'invention décrits ci-dessus, ou par recuit thermique avec une température supérieure ou égale à 300°C pendant 1 à 2 heures. Il est ainsi possible en utilisant un masque lors de l'irradiation d'obtenir différents motifs de structures magnétiques au sein de la couche magnétique 102, à l'aide de différents masques qui diffèrent les uns des autres par le nombre, la forme, les dimensions et positions des ouvertures 114. On peut ainsi atteindre des dimensions latérales de motifs nanométriques sans gravure physique difficilement accessibles via les techniques de nanostructuration classiques (litographie et gravure physique et/ou chimique). L'utilisation de masques permet la réalisation de nanostructures enfouies dans des couches continues, correspondant à des variations locales des propriétés magnétiques. Une application possible de ce type de structure serait la génération et le piégeage de parois magnétiques dans de telles structures. Bien que les modes de réalisations illustrés dans le cas de l'utilisation d'un masque d'irradiation aux Figures 6 à 10 soient décrits en utilisant une structure magnétique 100 comprenant une seule couche magnétique de type 102, ces modes de réalisation sont applicables aux variantes de la structure magnétique 100 décrites aux Figures 3 à 5. Le procédé selon l'invention repose donc sur l'utilisation post-dépôt de l'irradiation ionique pour traiter des films de CoFeB-isolant et en particulier pour améliorer leurs propriétés structurales et contrôler leurs propriétés magnétiques. Il est aussi possible d'obtenir des propriétés magnétiques alternées à travers le film via l'utilisation d'un masque. L'irradiation de matériaux magnétiques par des ions légers présente les caractéristiques suivantes : - faible transfert d'énergie entre les ions incidents et les atomes du matériau permettant un contrôle optimal des propriétés magnétiques ; - absence de cascade de collisions minimisant la création de défaut dans le matériau ; -conservation de la microstructure et de la cristallinité des matériaux irradiés si l'on part d'un matériau cristallin; et - conservation de l'état de surface. En outre, il est possible d'obtenir une phase cristalline à partir d'une phase amorphe à de faibles températures (inférieures à 200°C) et pour des temps de recuit très inférieurs à 1 heure en couplant le chauffage à l'irradiation par des ions légers de faible énergie, ce qui diminue fortement la consommation énergétique nécessaire à la production de ces matériaux. De plus il est possible d'obtenir ainsi un matériau magnétique avec une anisotropie magnétique perpendiculaire 35 entre 50% et 100% plus élevée, notamment supérieure ou égale à 500 mT, que par un recuit thermique à 300°C où le champ d'anisotropie effectif est compris entre 300 mT et 400 mT. Dans les troisième et quatrième modes de réalisation illustrés aux Figures 8 et 9, les structures magnétiques issues des étapes simultanées d'irradiation et de chauffage ont une forte anisotropie perpendiculaire. De telles structures sont industriellement très recherchées. En effet l'utilisation de matériaux magnétiques à anisotropie perpendiculaire permettrait d'obtenir des largeurs de parois magnétiques au sein des matériaux plus faibles dans la perspective de réduire les dimensions des nanostructures, et permettrait potentiellement d'améliorer les performances, réduire les paramètres critiques tels que le courant de transfert de spin nécessaire à appliquer pour déplacer une paroi magnétique dans une nanostructure magnétique intégrée dans une mémoire magnétique. On peut alors envisager d'utiliser dans l'industrie des films de CoFeB plus épais (jusqu'à 2 nm au lieu d'épaisseurs entre 1,2 nm et 1,5 nm auxquels on est habituellement limité) conservant leur anisotropie magnétique perpendiculaire, et donnant des valeurs de signal de magnétorésistance plus élevées, une avancée cruciale de nos jours. Les principaux domaines d'application envisagés concernent les mémoires magnétiques MRAM ainsi que la fabrication des têtes de lecture des disques durs. L'invention peut s'appliquer à des structures multicouches dans lesquelles les couches sont continues ou 30 nanostructurées. REVENDICATIONS1. Procédé de traitement d'une structure magnétique (100), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes 5 suivantes : - fourniture (S10) d'une structure magnétique (100) comprenant au moins une première couche (102) de matériau magnétique comprenant un alliage de CoFeB ; - irradiation (S20) de la structure magnétique 10 (100) par des ions légers de faible énergie; et - maintien (S30) simultané de la structure magnétique (100) selon un profil de température prédéterminé et pendant un temps prédéterminé. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la 15 température prédéterminée est inférieure ou égale à 200°C. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la température prédéterminée est comprise entre 20°C et 200°C. 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans 20 lequel la température prédéterminée est comprise entre 15°C et 40°C. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le temps prédéterminé est inférieur ou égal à 1 heure. 25 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le matériau magnétique est initialement amorphe. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le matériau magnétique 30 est initialement cristallin. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel les ions sont des ions He+, H+, Ar+, Xe+ ou Ga+. 9. Procédé selon l'une quelconque des 35 revendications 1 à 8, dans lequel les ions présentent uneénergie comprise entre 0,1 keV et 150 keV. 10.Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel, lors de l'étape d'irradiation (S20), les ions sont émis avec une dose comprise entre 1*1013 ions/cm2 et 5* 1016 ions/cm2. 11.Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel, lors de l'étape d'irradiation (S20), les ions traversent au moins la première couche (102) de matériau magnétique. 12.Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel, lors de l'étape d'irradiation (S20), les ions bombardent la structure magnétique (100) à travers des ouvertures traversantes (114) d'un masque (112). 13.Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel la structure magnétique (100) comprend au moins une deuxième couche (106) d'isolant en contact avec la première couche (102) de matériau magnétique. 14.Procédé selon la revendication 13, dans lequel la structure magnétique (100) comprend un empilement alterné de premières couches (102) de matériau magnétique et de deuxièmes couches (106) d'isolant. 15.Structure magnétique (100), caractérisée en ce 25 qu'elle comprend au moins : - une première couche (102) de matériau magnétique comprenant un alliage de CoFeB ; et - un substrat (104) sur lequel est agencée la première couche (102) de matériau magnétique et comprenant 30 des atomes légers de faible énergie. 16.Structure magnétique (100) selon la revendication 15, possédant un champ d'anisotropie effectif supérieur ou égal à 500 mT. 35