FR 2999801 A1 20140620 FR 1203428 A 20121214 La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une structure comportant successivement un substrat support, une couche diélectrique, une couche active réalisée dans un matériau semi-conducteur, une couche dite intercalaire en silicium polycristallin intercalée entre le substrat support et la couche diélectrique. La présente invention se rapporte également à une structure comportant successivement un substrat support présentant une résistivité supérieure à une valeur prédéterminée, une couche diélectrique, une couche active réalisée dans un matériau semiconducteur, une couche dite intercalaire en silicium polycristallin intercalée 10 entre le substrat support et la couche diélectrique. Une telle structure est particulièrement adaptée pour des applications hautes fréquences (HF), c'est-à-dire supérieures à 100 MHz, par exemple une application radiofréquence (RF) pour les circuits intégrés avec une fréquence de fonctionnement dont l'ordre de grandeur est de quelques GHz, 15 le substrat support étant hautement résistif, c'est-à-dire que la valeur prédéterminée de la résistivité est supérieure à 500 0.cm. Un procédé de fabrication connu de l'état de la technique, notamment du document FR 2 953 640 (ci-après D1), comporte les étapes : a) fournir un substrat donneur réalisé dans ledit matériau semi-conducteur, b) former une 20 zone de fragilisation dans le substrat donneur de manière à délimiter une première partie et une seconde partie du substrat donneur de part et d'autre de la zone de fragilisation, la première partie étant destinée à former la couche active, c) fournir le substrat support présentant une résistivité supérieure à une valeur prédéterminée, d) former la couche intercalaire sur 25 le substrat support, e) former la couche diélectrique sur la première partie du substrat donneur et/ou sur la couche intercalaire, f) assembler le substrat donneur et le substrat support par l'intermédiaire de la couche diélectrique et de la couche intercalaire, g) fracturer le substrat donneur suivant la zone de fragilisation de manière à obtenir la structure, h) soumettre la structure à un 30 recuit de renforcement d'au moins 10 minutes après l'étape g). Comme précisé dans D1, le recuit de renforcement est exécuté lors de l'étape h) à une température inférieure à 950°C de sorte que le budget thermique appliqué n'est pas suffisant pour transformer le silicium polycristallin de la couche intercalaire en silicium monocristallin. Il est primordial que la couche intercalaire ne se transforme pas en silicium monocristallin afin de conserver une résistivité satisfaisante de la structure pour une application RF. D1 souligne que le fait de limiter la durée et/ou la température du recuit de renforcement engendre une fragilisation de l'interface créée lors de l'étape f) d'assemblage. D1 remédie à cet inconvénient par des traitements intermédiaires, tels qu'un traitement plasma, aptes à renforcer la cohésion 10 de la structure. La présente invention vise à fournir une alternative afin de s'affranchir de ces traitements intermédiaires. A cet effet, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure comportant successivement un substrat support, une couche 15 diélectrique, une couche active réalisée dans un matériau semi-conducteur, une couche dite intercalaire en silicium polycristallin intercalée entre le substrat support et la couche diélectrique, le procédé de fabrication comportant les étapes : a) fournir un substrat donneur réalisé dans ledit matériau semi-conducteur, b) former une zone de fragilisation dans le 20 substrat donneur de manière à délimiter une première partie et une seconde partie du substrat donneur de part et d'autre de la zone de fragilisation, la première partie étant destinée à former la couche active, c) fournir le substrat support présentant une résistivité supérieure à une valeur prédéterminée, d) former la couche intercalaire sur le substrat support, e) 25 former la couche diélectrique sur la première partie du substrat donneur et/ou sur la couche intercalaire, f) assembler le substrat donneur et le substrat support par l'intermédiaire de la couche diélectrique et de la couche intercalaire, g) fracturer le substrat donneur suivant la zone de fragilisation de manière à obtenir la structure, h) soumettre la structure à un recuit de 30 renforcement d'au moins 10 minutes après l'étape g), le procédé de fabrication étant remarquable en ce que l'étape d) est exécutée de sorte que le silicium polycristallin de la couche intercalaire présente une orientation de grains entièrement aléatoire sur au moins une partie de l'épaisseur de la couche intercalaire en regard du substrat support, et en ce que le recuit de renforcement est exécuté lors de l'étape h) à une température strictement supérieure à 950°C et inférieure à 1200°C. Il existe trois types de morphologie pour le silicium polycristallin : - une morphologie de type aléatoire, c'est-à-dire avec une orientation cristallographique de grains aléatoire quelle que soit la direction, - une morphologie de type colonnaire, c'est-à-dire avec une orientation cristallographique de grains privilégiée suivant une direction 10 généralement sensiblement verticale, notée [111], - une morphologie mixte entre une morphologie aléatoire et une morphologie colonnaire. Ainsi, l'étape d) est exécutée dans des conditions adaptées pour que le silicium polycristallin de la couche intercalaire présente une orientation de 15 grains entièrement aléatoire, c'est-à-dire des grains équiaxes, sur au moins une partie de l'épaisseur de la couche intercalaire en regard du substrat support. Selon une forme d'exécution, l'étape d) est exécutée dans des conditions adaptées pour que le silicium polycristallin de la couche 20 intercalaire présente une orientation de grains entièrement aléatoire sur au moins 10 % de l'épaisseur de la couche intercalaire, de préférence sur au moins 25 % de l'épaisseur de la couche intercalaire. La demanderesse a constaté de manière surprenante qu'une telle morphologie pour le silicium polycristallin sur une partie de la couche 25 intercalaire en regard du substrat support permet de soumettre la structure à un recuit de renforcement lors de l'étape h) avec un budget thermique accru relativement à l'état de la technique sans transformer le silicium polycristallin de la couche intercalaire en silicium monocristallin. Il est donc possible avec une telle morphologie pour le silicium polycristallin de la couche intercalaire 30 d'exécuter le recuit de renforcement à une température strictement supérieure à 950°C, et par là-même de s'affranchir des traitements intermédiaires tels qu'un traitement plasma de l'état de la technique. Selon un mode d'exécution, le silicium polycristallin de la couche intercalaire présente une orientation de grains entièrement aléatoire sur sensiblement toute l'épaisseur de la couche intercalaire. Ainsi, il est possible de soumettre la structure à un recuit de renforcement lors de l'étape h) avec un budget thermique maximal relativement à l'état de la technique sans transformer le silicium polycristallin de la couche intercalaire en silicium monocristallin. Selon une forme d'exécution, l'étape d) comporte une étape dl) de dépôt chimique en phase vapeur de la couche intercalaire, à pression 10 atmosphérique, et avec une température de dépôt comprise entre 800°C et 1050°C, de préférence 850°C. Ainsi, de telles conditions pour l'étape d) permettent de former une couche intercalaire avec un silicium polycristallin présentant une orientation de grains entièrement aléatoire. 15 Avantageusement, l'étape dl) est exécutée avec un taux de croissance en régime saturé sous l'appauvrissement de gaz réactifs les gaz réactifs étant préférentiellement le trichlorosilane et l'hydrogène avec un rapport préférentiel de 1 :6. Ainsi, de telles conditions sont particulièrement favorables pour 20 former une couche intercalaire avec un silicium polycristallin présentant une orientation de grains entièrement aléatoire. Selon une forme d'exécution, le recuit de renforcement est exécuté lors de l'étape h) à une température supérieure à 1000°C pendant au moins 1 heure, préférentiellement à une température supérieure à 1100°C pendant 25 au moins 2 heures. Ainsi, de tels budgets thermiques peuvent être appliqués à la structure sans transformer le silicium polycristallin de la couche intercalaire en silicium monocristallin, et permettent de renforcer l'interface créée lors de l'étape f) d'assemblage. 30 Dans un mode d'exécution, la couche intercalaire présente une épaisseur, notée e, supérieure ou égale à une épaisseur dite critique, notée ec, en-deçà de laquelle la structure présente une puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique inférieure à une valeur prédéterminée, et au-delà de laquelle la structure présente une puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique supérieure ou égale à la valeur prédéterminée, la valeur prédéterminée étant de préférence comprise entre 85 et 105 dBm en valeur absolue, encore préférentiellement égale à 90 dBm en valeur absolue. Ainsi, la demanderesse a constaté que les performances radiofréquences en termes de génération de seconde harmonique sont principalement gouvernées par une épaisseur minimale de la couche 10 intercalaire. Selon une forme d'exécution, l'épaisseur de la couche intercalaire vérifie la relation suivante ee e 10 ec, préférentiellement ec e 5 ec, encore préférentiellement ec É e É 2 ec. Avantageusement, la valeur prédéterminée de la résistivité du 15 substrat support est supérieure ou égale à 3000 fl.cm. Ainsi, la demanderesse a constaté qu'à partir de cette valeur de résistivité du substrat support, les performances radiofréquences en termes d'atténuation et de diaphonie (cross-talk en langue anglaise) sont indépendantes de la couche intercalaire, tandis que les performances en 20 termes de génération de seconde harmonique demeurent principalement gouvernées par l'épaisseur de la couche intercalaire, à résistivité du substrat support fixée. Selon une caractéristique, le procédé comporte une étape d'oxydation thermique du silicium polycristallin de la couche intercalaire 25 avant l'étape f). Ainsi, une telle couche d'oxyde formée peut faciliter l'étape f) d'assemblage notamment lorsque cet assemblage est exécuté par adhésion moléculaire. Selon un mode d'exécution, le substrat support comporte une couche 30 de découplage adaptée pour découpler le réseau cristallin entre le substrat support et la couche intercalaire, la couche intercalaire étant formée lors de l'étape d) sur la couche de découplage. Ainsi, cette couche de découplage évite la transformation du silicium polycristallin de la couche intercalaire en silicium monocristallin. Préférentiellement, la couche de découplage est un oxyde natif issu du substrat support. Ainsi, la demanderesse a constaté qu'une telle couche de découplage favorise tout particulièrement la formation d'une couche intercalaire en silicium polycristallin qui présente une orientation de grains entièrement aléatoire. La présente invention se rapporte également à une structure comportant successivement un substrat support présentant une résistivité supérieure à une valeur prédéterminée, une couche diélectrique, une couche active réalisée dans un matériau semi-conducteur, une couche dite intercalaire en silicium polycristallin intercalée entre le substrat support et la couche diélectrique, la structure étant remarquable en ce que le silicium polycristallin de la couche intercalaire présente une orientation de grains entièrement aléatoire sur au moins une partie de l'épaisseur de la couche intercalaire en regard du substrat support, et en ce que le silicium polycristallin de la couche intercalaire présente une taille moyenne de grains comprise entre 180 nm et 250 nm, de préférence comprise entre 180 nm et 200 nul Par « taille moyenne », on entend une taille moyennée sur toute l'épaisseur de la couche intercalaire. Ainsi, une telle structure selon l'invention présente une excellente tenue mécanique par l'association d'une morphologie de type aléatoire pour le silicium polycristallin de la couche intercalaire avec une taille minimum de 25 grains. Une telle structure selon l'invention peut être issue d'un traitement thermique de renforcement de la structure, le traitement thermique de renforcement pouvant être exécuté à une température strictement supérieure à 950°C et inférieure à 1200°C pendant au moins 10 minutes, le 30 recuit de renforcement pouvant être exécuté à une température supérieure à 1000°C pendant au moins 1 heure, ou encore à une température supérieure à 1100°C pendant au moins 2 heures. Avantageusement, le silicium polycristallin de la couche intercalaire présente une orientation de grains entièrement aléatoire sur sensiblement toute l'épaisseur de la couche intercalaire. Dans un mode de réalisation, la couche intercalaire présente une épaisseur, notée e, supérieure ou égale à une épaisseur dite critique, notée ec, en-deçà de laquelle la structure présente une puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique inférieure à une valeur prédéterminée, et au-delà de laquelle la structure présente une puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique supérieure ou égale à la valeur prédéterminée, la valeur prédéterminée étant de préférence comprise entre 85 et 105 dBm en valeur absolue, encore préférentiellement égale à 90 dBm en valeur absolue. Ainsi, la demanderesse a constaté que les performances radiofréquences en termes de génération de seconde harmonique sont 15 principalement gouvernées par une épaisseur minimale de la couche intercalaire. Selon une forme d'exécution, l'épaisseur de la couche intercalaire vérifie la relation suivante ec e 10 ec, préférentiellement ec e 5 5 ec, encore préférentiellement ec e 5 2 e 20 Avantageusement, la valeur prédéterminée de la résistivité du substrat support est supérieure ou égale à 3000 Q.cm. Ainsi, la demanderesse a constaté qu'à partir de cette valeur de résistivité du substrat support, les performances radiofréquences en termes d'atténuation et de diaphonie (cross-talk en langue anglaise) sont 25 indépendantes de la couche intercalaire, tandis que les performances en termes de génération de seconde harmonique demeurent principalement gouvernées par l'épaisseur de la couche intercalaire, à résistivité du substrat support fixée. D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la 30 description qui va suivre d'un mode d'exécution d'un procédé selon l'invention, donné à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels : - les figures 1A à 1G illustrent les différentes étapes d'un procédé de fabrication d'une structure selon l'invention, - la figure 2 est une vue partielle de la structure avec la présence d'une couche de découplage, - la figure 3 est une variante d'exécution de la figure 2 avec une couche de découplage supplémentaire, - la figure 4 est une vue en coupe d'une structure selon l'invention illustrant la mise en oeuvre d'un test de résistivité. Le procédé de fabrication illustré aux figures 1A à 1G est un procédé 10 de fabrication d'une structure 3 comportant successivement un substrat support 2, une couche diélectrique 10, une couche active 11 réalisée dans un matériau semi-conducteur, une couche dite intercalaire 20 en silicium polycristallin intercalée entre le substrat support 2 et la couche diélectrique 10. 15 Le procédé de fabrication comporte l'étape a), illustrée à la figure 1A, consistant à fournir un substrat donneur 1 réalisé dans ledit matériau semiconducteur. Le matériau semi-conducteur du substrat donneur 1 peut être du silicium. Le procédé de fabrication comporte l'étape e), illustrée à la figure 1B, 20 consistant à former la couche diélectrique 10 sur le substrat donneur 1. La couche diélectrique 10 peut être du dioxyde de silicium. Cette couche diélectrique 10 peut résulter d'une oxydation thermique du substrat donneur 1 ou avoir été formé par dépôt, classiquement, par l'une des techniques de dépôt chimique en phase vapeur bien connues de l'homme du métier sous 25 les abréviations CVD et LPCVD (pour "Chemical Vapor Deposition" et "Low Pressure Chemical Vapor Deposition"). Le procédé de fabrication comporte l'étape b), illustrée à la figure 1C, consistant à former une zone de fragilisation 13 dans le substrat donneur 1 de manière à délimiter une première partie 11 et une seconde partie 12 du 30 substrat donneur 1 de part et d'autre de la zone de fragilisation 13, la première partie 11 étant destinée à former la couche active. La zone de fragilisation 13 est formée lors de l'étape b) de préférence par implantation d'espèces, tels que de l'hydrogène et/ou de l'hélium. L'implantation peut être réalisée avec une seule espèce telle que l'hydrogène, mais aussi avec plusieurs espèces implantées séquentiellement telles que l'hydrogène et l'hélium. Les paramètres de l'implantation, essentiellement la dose et l'énergie, sont déterminés selon la nature des espèces et du substrat donneur 1. Le procédé de fabrication comporte l'étape c), illustrée à la figure 1D, consistant à fournir le substrat support 2 présentant une résistivité supérieure à une valeur prédéterminée. La valeur prédéterminée minimale de la résistivité est classiquement 500 ).cm. Le substrat support 2 peut être réalisé en silicium. Ce substrat support 2 présente la caractéristique d'avoir subi un traitement thermique apte à lui conférer une résistivité supérieure à 500 D.cm, voire supérieure à 1000 D.cm, de préférence encore supérieure à 2000 0.cm, voire encore plus préférentiellement supérieure à 3000 D.cm. Ce traitement thermique peut avoir été mis en oeuvre dès la fabrication du substrat support 2 ou ultérieurement, dans le cadre du présent procédé de fabrication. Selon une alternative, le substrat support 2 peut être réalisé dans un matériau avec une faible teneur en oxygène afin de lui conférer une résistivité supérieure à 500 0.cm. Le procédé de fabrication comporte l'étape d), illustrée à la figure 1E, consistant à former la couche intercalaire 20 sur le substrat support 2. L'étape d) comporte une étape dl) de dépôt chimique en phase vapeur de la couche intercalaire, à pression atmosphérique (c'est-à-dire un dépôt de type PECVD), et avec une température de dépôt comprise entre 800°C et 1050°C, de préférence 850 °C. L'étape dl) est exécutée avec un taux de croissance en régime saturé sous l'appauvrissement de gaz réactifs. Ainsi, l'étape d) est exécutée de sorte que le silicium polycristallin de la couche intercalaire 20 présente une orientation de grains entièrement aléatoire sur tout ou partie de l'épaisseur de la couche intercalaire 20, ou autrement dit, le silicium polycristallin de la couche intercalaire 20 présente des grains équiaxes sur tout ou partie de l'épaisseur de la couche intercalaire 20. Le procédé de fabrication comporte l'étape f), illustrée à la figure 1F, consistant à assembler le substrat donneur 1 et le substrat support 2 par l'intermédiaire de la couche diélectrique 10 et de la couche intercalaire 20. L'étape f) peut être exécutée par collage de type adhésion moléculaire. Avant l'étape d'assemblage f) et après une éventuelle étape de polissage de la surface libre de la couche intercalaire 20 (non illustrée), la couche intercalaire 20 présente une épaisseur notée e, supérieure ou égale à une épaisseur dite critique, notée ec, en-deçà de laquelle la structure 3 présente une puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique inférieure à une valeur prédéterminée, et au-delà de laquelle la structure 3 présente une puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique supérieure ou égale à la valeur prédéterminée, la valeur prédéterminée étant de préférence comprise entre 85 et 105 dBm en valeur absolue, encore préférentiellement égale à 90 dBm en valeur absolue. L'épaisseur de la couche intercalaire 20 vérifie la relation suivante ec e 10 ec, préférentiellement ec 5 e 5 ec, encore préférentiellement ec e 5 2 ec. A titre d'exemple, l'épaisseur critique de la couche intercalaire 20 est de l'ordre de 1 pm. Lorsque le procédé de fabrication comporte une étape d'oxydation thermique du silicium polycristallin de la couche intercalaire 20 avant l'étape f), l'épaisseur critique de la couche intercalaire est de l'ordre de 3,5 pm. En l'absence d'oxydation thermique du silicium polycristallin de la couche intercalaire 20, la demanderesse a mis en évidence un palier pour la puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique. Autrement dit, au-delà de l'épaisseur critique, la puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique est sensiblement égale à la valeur prédéterminée. Il est à noter que ce palier n'a pas été observé en présence d'oxydation thermique du silicium polycristallin de la couche intercalaire 20. Le procédé de fabrication comporte l'étape g) consistant à fracturer le substrat donneur 1 suivant la zone de fragilisation 13 de manière à obtenir la structure 3 illustrée à la figure 1G. Le procédé de fabrication comporte l'étape h) consistant à soumettre la structure 3 à un recuit de renforcement d'au moins 10 minutes après l'étape g), le recuit de renforcement étant exécuté lors de l'étape h) à une température strictement supérieure à 950°C et inférieure à 1200°C. Le recuit de renforcement peut être exécuté lors de l'étape h) à une température supérieure à 1000°C pendant au moins 1 heure, ou encore à une température supérieure à 1100°C pendant au moins 2 heures. Dans la structure 3 illustrée à la figure 1G, le silicium polycristallin de la couche intercalaire 20 présente, après l'étape h), une taille moyenne de 10 grains comprise entre 180 nm et 250 nm, préférentiellement comprise entre 180 nm et 200 nm selon le budget thermique employé. Comme illustré à la figure 2, le substrat support 2 peut comporter une couche de découplage 21 adaptée pour découpler le réseau cristallin entre le substrat support 2 et la couche intercalaire 20, la couche intercalaire 20 15 étant formée lors de l'étape d) sur la couche de découplage 21. Lorsque le substrat support 2 est réalisé en silicium, la couche de découplage 21 peut être une couche à gradient de concentration qui présente un paramètre de maille différent de celui du silicium. Cette différence de paramètre de maille est par exemple supérieure à 5 %. Cette couche de découplage 21 ne doit 20 en aucun cas contenir du silicium monocristallin pur. La couche de découplage 21 peut également être réalisé dans un matériau IV-IV tel que le SIC ou le SiGe. Par ailleurs, la couche intercalaire 20 permet, par ses cavités et joints de grain, de : 25 - piéger les contaminants générant une chute de la résistivité (B, P, Ca, Na...), - faire barrière aux charges électriques contenues sous la couche diélectrique 10. Comme montré à la figure 3, on peut également former une couche 30 de découplage 21 supplémentaire, de sorte que la couche intercalaire 20 est prise en sandwich entre deux couches de découplage 21. La couche de découplage supplémentaire 21 permet d'éviter que le silicium polycristallin de la couche intercalaire 20 ne se transforme en silicium monocristallin à partir de la couche active 11, lorsque la couche active 11 est réalisée en silicium monocristallin. A la figure 4, on se propose de tester la résistivité d'une structure obtenue conformément à l'invention. Cette caractérisation est faite d'une part à l'aide de la méthode bien connue dite "4PP" (pour "four points probe"), à savoir par l'utilisation de 4 électrodes traversant l'ensemble de la structure. Une seconde méthode dite "SRP", également bien connue, permet de tracer l'évolution de la résistivité en fonction de la profondeur, par le biais d'un biseau, comme le montre la figure 4. Bien entendu, le mode d'exécution de l'invention décrit ci-dessus ne présente aucun caractère limitatif. Des détails et améliorations peuvent y être apportés dans d'autres variantes d'exécution sans pour autant sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'une structure (3) comportant successivement un substrat support (2), une couche diélectrique (10), une couche active (11) réalisée dans un matériau semi-conducteur, une couche dite intercalaire (20) en silicium polycristallin intercalée entre le substrat support (2) et la couche diélectrique (10), le procédé de fabrication comportant les étapes : a) fournir un substrat donneur (1) réalisé dans ledit matériau semiconducteur, b) former une zone de fragilisation (13) dans le substrat donneur (1) de manière à délimiter une première partie (11) et une seconde partie (12) du substrat donneur (1) de part et d'autre de la zone de fragilisation (13), la première partie (11) étant destinée à former la couche active, c) fournir le substrat support (2) présentant une résistivité supérieure à une valeur prédéterminée, d) former la couche intercalaire (20) sur le substrat support (2), e) former la couche diélectrique (10) sur la première partie (11) du substrat donneur (1) et/ou sur la couche intercalaire (20), f) assembler le substrat donneur (1) et le substrat support (2) par l'intermédiaire de la couche diélectrique (10) et de la couche intercalaire (20), g) fracturer le substrat donneur (1) suivant la zone de fragilisation (13) de manière à obtenir la structure (3), h) soumettre la structure (3) à un recuit de renforcement d'au moins 10 minutes après l'étape g), le procédé de fabrication étant caractérisé en ce que l'étape d) est exécutée de sorte que le silicium polycristallin de la couche intercalaire (20) présente une orientation de grains entièrement aléatoire sur au moins une partie de l'épaisseur de la couche intercalaire (20) en regard du substrat support (2), et en ce due le recuit de renforcement est exécuté lors de l'étape h) à une température strictement supérieure à 950°C et inférieure à 1200°C. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le silicium polycristallin de la couche intercalaire (20) présente une orientation de grains entièrement aléatoire sur sensiblement toute l'épaisseur de la couche intercalaire (20). 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'étape d) comporte une étape dl) de dépôt chimique en phase vapeur de la couche intercalaire (20), à pression atmosphérique, et avec une température de 5 dépôt comprise entre 800°C et 1050°C, de préférence 850°C. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étape dl) est exécutée avec un taux de croissance en régime saturé sous l'appauvrissement de gaz réactifs, les gaz réactifs étant préférentiellement le 10 trichlorosilane et l'hydrogène. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le recuit de renforcement est exécuté lors de l'étape h) à une température supérieure à 1000°C pendant au moins 1 heure, préférentiellement à une 15 température supérieure à 1100°C pendant au moins 2 heures. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la couche intercalaire (20) présente une épaisseur, notée e, supérieure ou égale à une épaisseur dite critique, notée ec, en-deçà de laquelle la structure 20 (3) présente une puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique inférieure à une valeur prédéterminée, et au-delà de laquelle la structure (3) présente une puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique supérieure ou égale à la valeur prédéterminée, la valeur prédéterminée étant de préférence comprise entre 25 85 et 105 dBm en valeur absolue, encore préférentiellement égale à 90 dBm en valeur absolue. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche intercalaire (20) vérifie la relation suivante ec 5 e 10 ec, 30 préférentiellement ec 5 e 5 5 ec, encore préférentiellement ec 5 e 5 2 ec. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la valeur prédéterminée de la résistivité du substrat support (2) est supérieure ou égale à 3000 0.cm. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comporte une étape d'oxydation thermique du silicium polycristallin de la couche intercalaire (20) avant l'étape f). 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le substrat support (2) comporte une couche de découplage (21) adaptée pour découpler le réseau cristallin entre le substrat support (2) et la couche intercalaire (20), la couche intercalaire (20) étant formée lors de l'étape d) sur la couche de découplage (21). 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche de découplage (21) est un oxyde natif issu du substrat support (2). 12. Structure (3) comportant successivement un substrat support (2) présentant une résistivité supérieure à une valeur prédéterminée, une couche diélectrique (10), une couche active (11) réalisée dans un matériau semi-conducteur, une couche dite intercalaire (20) en silicium polycristallin intercalée entre le substrat support (2) et la couche diélectrique (10), la structure (3) étant caractérisée en ce que le silicium polycristallin de la couche intercalaire (20) présente une orientation de grains entièrement aléatoire sur au moins une partie de l'épaisseur de la couche intercalaire (20) en regard du substrat support (2), et en ce que le silicium polycristallin de la couche intercalaire (20) présente une taille moyenne de grains comprise entre 180 nm et 250 nm, de préférence comprise entre 180 nm et 200 nm. 13. Structure (3) selon la revendication 12, caractérisée en ce que le silicium polycristallin de la couche intercalaire (20) présente une orientation degrains entièrement aléatoire sur sensiblement toute l'épaisseur de la couche intercalaire (20). 14. Structure (3) selon la revendication 12 ou 13, caractérisée en ce que la 5 couche intercalaire (20) présente une épaisseur, notée e, supérieure ou égale à une épaisseur dite critique, notée ec, en-deçà de laquelle la structure (3) présente une puissance radiofréquence en termes de génération de seconde harmonique inférieure à une valeur prédéterminée, et au-delà de laquelle la structure (3) présente une puissance radiofréquence en termes 10 de génération de seconde harmonique supérieure ou égale à la valeur prédéterminée, la valeur prédéterminée étant de préférence comprise entre 85 et 105 dBm en valeur absolue, encore préférentiellement égale à 90 dBm en valeur absolue. 15 15. Structure (3) selon la revendication 14, caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche intercalaire (20) vérifie la relation suivante ec e 5 10 ec, préférentiellement ec 5 e 5 5 ec, encore préférentiellement ec 5 e 5. 2 e. 20 16. Structure (3) selon l'une des revendications 12 à 15, caractérisée en ce que la valeur prédéterminée de la résistivité du substrat support (2) est supérieure ou égale à 3000 fl.cm.