FR 3005755 A1 20141121 FR 1354462 A 20130517 DEPHASEUR ELECTRO-OPTIQUE STATIQUE DOUBLE A DEUX BORNES DE COMMANDE Domaine technique de l'invention L'invention est relative aux modulateurs optiques réalisés à partir de matériaux semi5 conducteurs, notamment aux déphaseurs électro-optiques utilisables dans de tels modulateurs. État de la technique La figure 1 représente schématiquement un modulateur optique selon le principe de l'interféromètre de Mach-Zehnder, couramment appelé modulateur MZI. Le modulateur 10 comprend un guide d'onde optique recevant une puissance Pin, qui se subdivise en deux branches 12a et 12b en un point S. Les deux branches se rejoignent de nouveau en un point J. Chaque branche véhicule la moitié de la puissance optique d'origine. Chacune des branches comprend un déphaseur électro-optique statique SPS (SPSa et SPSb) et un déphaseur électro-optique dynamique DPS (DPSa et DPSb). Les 15 déphaseurs statiques SPS servent à définir un écart de phase initial (po entre les ondes optiques des deux branches. Ils sont commandés par des signaux de polarisation respectifs IBa et IBb. Les déphaseurs dynamiques DPS servent à réaliser une modulation différentielle autour des conditions initiales définies par les déphaseurs SPS. Ils sont commandés par des signaux de modulation respectifs M et M/ qui varient en 20 opposition de phase. Au point J du modulateur on somme les ondes arrivant par les deux branches. L'onde résultante a une puissance de Piccos2(39/2), en négligeant les pertes optiques, où 3.(p est l'écart de phase instantané des ondes des deux branches. La figure 2 représente une vue en perspective des branches de guide d'onde 12a et 12b 25 intégrant les déphaseurs SPS et DPS, illustrés en grisé. Comme cela est représenté, les guides d'ondes sont formés dans des îlots transparents, en matériau semi-conducteur intrinsèque, ayant une section en « T » inversé, dont la partie centrale véhicule le faisceau optique. Les déphaseurs sont configurés pour se substituer à des segments de guide d'onde ; ils ont la même section en « T » inversé. Les bords des déphaseurs 30 portent des contacts électriques servant à la commande des déphaseurs - ils remontent généralement au-dessus du plan des guides d'ondes, comme cela est représenté, pour atteindre les niveaux de métal. La figure 3A représente schématiquement une vue en coupe d'un déphaseur DPS dit HSPM (de l'anglais « High-Speed Phase Modulator », ou modulateur de phase rapide). Le plan de coupe est perpendiculaire à l'axe du guide d'onde optique. Un cercle en pointillés, au niveau de la zone centrale plus épaisse, représente la zone traversée par le faisceau optique. Le déphaseur comprend une structure en matériau semi-conducteur, généralement du silicium, formant une jonction P-N 14 dans un plan parallèle à l'axe du guide d'onde, et excentré par rapport à celui-ci. La jonction 14 a été représentée, à titre d'exemple, au niveau de la face latérale droite du guide d'onde. A gauche de la jonction 14 s'étend une zone dopée P dont la section est conforme à la section du guide d'onde, à savoir surélevée au centre et plus basse au bord. La zone P se termine à gauche par une zone surélevée dopée P+, portant un contact d'anode A. A droite de la jonction 14 s'étend une zone dopée N, conforme à la section du guide d'onde. La zone N se termine à droite par une zone surélevée dopée N+, portant un 15 contact de cathode C. La structure du déphaseur peut être réalisée sur un substrat isolant, par exemple de l'oxyde enterré BOX. Pour commander le déphaseur de la figure 3A, on applique une tension entre les contacts d'anode A et de cathode C qui polarise la jonction 14 en inverse (le `+' sur la 20 cathode et le `-' sur l'anode). Cette configuration provoque un déplacement des électrons e de la zone N vers la cathode et des trous h de la zone P vers l'anode, et la création d'une zone de déplétion D au voisinage de la jonction 14. On modifie ainsi, en fonction de l'amplitude de la tension de polarisation, la concentration de porteurs dans la zone traversée par le faisceau optique, ce qui a pour conséquence une modification 25 corrélative de l'indice de réfraction de cette zone. La figure 3B représente schématiquement une vue en coupe d'un déphaseur SPS dit à jonction P-I-N. Les zones centrales dopées P et N de la structure de la figure 3A ont été remplacées par une zone unique en semi-conducteur intrinsèque I, en pratique une zone ayant un niveau de dopage P minimal. Pour commander ce déphaseur, on applique un 30 courant entre les contacts d'anode A et de cathode C qui polarise la jonction en direct (le `-' sur la cathode et le `+' sur l'anode). Un courant s'établit entre l'anode et la cathode qui provoque l'injection de porteurs dans la zone intrinsèque I (des trous h de la zone P+ vers la zone I et des électrons e de la zone N+ vers la zone I). On modifie ainsi, en fonction du courant, la concentration de porteurs, donc l'indice de réfraction, dans la zone traversée par le faisceau optique. Les déphaseurs PIN ont une réponse lente par rapport aux déphaseurs HSPM, mais ils offrent une plage de réglage plus étendue ; c'est pourquoi ils sont utilisés pour fixer les 5 conditions de repos du modulateur. Un modulateur MZI permet d'atteindre en théorie une fréquence de modulation de plusieurs dizaines de gigahertz. Cette fréquence est toutefois affectée par l'appariement entre les déphaseurs DPSa et DPSb et l'appariement entre les signaux M et M/ servant à les commander. Comme le montre la figure 2, les déphaseurs DPSa et DPSb sont 10 insérés dans deux branches de guide d'onde séparées. Les contraintes de réalisation de ces branches peuvent imposer un écart de l'ordre du millimètre, ce qui représente une très grande distance à l'échelle des technologies d'intégration des circuits produisant les signaux de commande. Il en résulte qu'il est difficile d'atteindre les appariements optiques et électriques souhaités. 15 Résumé de l'invention On souhaite ainsi disposer d'un modulateur MZI qui permette d'atteindre un meilleur appariement entre les branches. On tend à satisfaire ce besoin en prévoyant un déphaseur électro-optique dynamique en matériau semi-conducteur comprenant une première zone d'action optique au voisinage 20 d'une première jonction P-N formée entre une zone intermédiaire dopée selon un premier type de conductivité et une première zone latérale dopée selon un deuxième type de conductivité ; une deuxième zone d'action optique au voisinage d'une deuxième jonction P-N formée entre la zone intermédiaire et une deuxième zone latérale, du côté opposé à la première zone latérale, dopée selon le deuxième type de conductivité ; et 25 deux bornes de commande électrique en contact avec les première et deuxième zones latérales, respectivement. Selon un mode de réalisation, le déphaseur est configuré pour être disposé dans deux guides d'ondes optiques parallèles, en correspondance respectivement avec les deux zones d'action optique, la distance entre les deux zones d'action optique étant suffisante 30 pour empêcher un couplage optique entre les deux guides d'ondes. On peut réaliser une modulation différentielle de deux ondes optiques provenant d'une même source en appliquant une tension de modulation unique entre les deux bornes de commande du déphaseur dynamique. Selon un mode de réalisation, les première et deuxième zones d'action optique ont un 5 niveau de dopage minimal, et le centre de la zone intermédiaire et les zones latérales au niveau des bornes de commande ont un niveau de dopage élevé. Selon un mode de réalisation, le niveau de dopage suit un gradient croissant depuis le centre des première et deuxième zones d'action optique. On peut prévoir un modulateur électro-optique de type interféromètre de Mach- 10 Zehnder, comprenant une paire de guides d'ondes optiques parallèles formés dans un même îlot de matériau semi-conducteur de même nature, à une distance suffisante l'un de l'autre pour empêcher un couplage optique ; un élément de séparation de faisceau optique alimentant chacun des guides d'ondes à partir d'un faisceau entrant unique ; un déphaseur dynamique du type susmentionné disposé dans la paire de guides d'ondes, de 15 sorte que chacune des première et deuxième zones d'action optique soit interposée dans l'un respectif des guides d'ondes ; et un élément de jonction configuré pour combiner les deux faisceaux optiques sortant du déphaseur. On peut également prévoir pour le modulateur un déphaseur électro-optique statique en matériau semi-conducteur comprenant une zone centrale ayant un niveau de dopage 20 minimal ; des première et deuxième zones latérales encadrant la zone centrale selon un premier axe, dopées respectivement N et P, de manière à former une jonction P-I-N entre les première et deuxième zones latérales. La zone centrale comprend des première et deuxième zones d'action optique écartées selon le premier axe. La deuxième zone latérale est dopée de manière discontinue selon un deuxième axe perpendiculaire au 25 premier axe. Deux bornes de commande électrique sont prévues, l'une en contact avec la première zone latérale, et l'autre en contact avec les parties dopées de la deuxième zone latérale. Selon un mode de réalisation, le déphaseur statique comprend un isolant disposé entre les première et deuxième zones d'action optique, ouvert en face des parties dopées de la 30 deuxième zone latérale. Selon une alternative, le déphaseur électro-optique statique comprend une première zone d'action optique ayant un niveau de dopage minimal ; une première zone latérale et une zone centrale encadrant la première zone d'action optique selon un premier axe, dopées respectivement selon des premier et deuxième types de conductivité, de manière à former une jonction P-I-N entre la première zone latérale et la zone centrale ; une deuxième zone d'action optique ayant un niveau de dopage minimal ; et une deuxième zone latérale encadrant la deuxième zone d'action optique avec la zone centrale selon le premier axe, dopée selon le premier type de conductivité, de manière à former une jonction P-I-N entre la deuxième zone latérale et la zone centrale. Selon un mode de réalisation, le déphaseur statique comprend deux bornes de commande électrique, l'une en contact avec la zone centrale, et l'autre en contact avec les première et deuxième zones latérales ; et des moyens pour établir un déséquilibre 10 entre les courants circulant dans les deux zones d'action optique. Selon un mode de réalisation, la deuxième zone latérale est dopée de manière discontinue selon un deuxième axe perpendiculaire au premier axe. Selon un mode de réalisation, la deuxième zone d'action optique est plus large, selon le premier axe, que la première zone d'action optique. 15 Selon un mode de réalisation, le déphaseur statique comprend un isolant disposé entre la zone centrale et la deuxième zone d'action optique, ouvert en face des parties dopées de la deuxième zone latérale. Description sommaire des dessins Des modes de réalisation seront exposés dans la description suivante, faite à titre non 20 limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : - la figure 1, précédemment décrite, représente schématiquement un modulateur optique selon le principe de l'interféromètre de Mach-Zehnder (MZI) ; - la figure 2, précédemment décrite, représente une vue en perspective de deux branches du modulateur de la figure 1 ; 25 - les figures 3A et 3B représentent des vues en coupe schématique de deux types de déphaseur utilisés dans le modulateur de la figure 1 ; - la figure 4A représente une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation de déphaseur HSPM double ; - la figure 4B est un schéma électrique équivalent du déphaseur double ; - la figure 5 représente une vue en perspective schématique d'un modulateur MZI intégrant un déphaseur double ; - les figures 6A et 6B représentent des vues schématiques en coupe et de dessus d'un mode de réalisation de déphaseur statique double adapté à un déphaseur dynamique double du type de la figure 4A ; et - les figures 7A et 7B représentent des vues schématiques en coupe et de dessus d'un autre mode de réalisation de déphaseur statique double adapté à un déphaseur dynamique double du type de la figure 4A. Description d'un mode de réalisation préféré de l'invention La figure 4A représente une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation de déphaseur dynamique double permettant de réaliser un meilleur appariement entre les deux branches d'un modulateur MZI. Le déphaseur comprend, dans un seul îlot, deux zones d'action optique, représentées par des cercles en pointillés, destinées à modifier la phase de deux faisceaux optiques parallèles respectifs. La tension de commande du déphaseur est unique, et sa polarité sélectionne la zone d'action optique servant à modifier la phase. Plus spécifiquement, le déphaseur comprend deux structures de type HSPM en opposition, associées respectivement aux deux zones d'action optique. A droite de la figure 4A on reconnaît une première structure HSPM 16 telle que représentée à la figure 3A, formant une première jonction P-N 14 entre des zones dopées P et N, désignées P 1 et Ni. La zone N+ de la structure, ici désignée N+1, porte un premier contact de cathode K 1 . La zone P+, au lieu de servir de contact comme à la figure 3A, est une zone commune entre la structure HSPM 16 et une structure HSPM symétrique 17. La structure HSPM 17 comprend des zones P2, N2 et N+2 symétriques, respectivement, des zones Pl, N1, et N+1. Les zones P2 et N2 définissent une deuxième jonction P-N 18. La zone N+2 porte un deuxième contact de cathode K2. La figure 4B illustre un schéma électrique équivalent du déphaseur de la figure 4A. Les jonctions 14 et 18 forment deux diodes Dl et D2 connectées anode contre anode. Une résistance Rp entre les anodes des diodes représente la résistivité de la zone centrale P 1, P+, P2. Des résistances R1N et R2N entre, respectivement, les cathodes des diodes Dl, D2 et les contacts Kl, K2, représentent les résistivités de zones latérales N1, N+1, et N2, N+2. Les zones N+1, P+ et N+2 sont de préférence fortement dopées pour réduire les résistivités, tandis que les zones d'action optique sont faiblement dopées pour diminuer les pertes optiques. Pour atteindre un bon compromis entre les résistivités et les pertes optiques, le niveau de dopage de la structure peut suivre un gradient partant d'une valeur minimale dans chaque zone d'action optique vers une valeur maximale au centre et aux bords de la structure. La figure 4B illustre en outre une polarité possible de la tension de modulation appliquée au déphaseur. On a représenté le contact K1 au « plus» de la tension de modulation, et le contact K2 au « moins». La jonction 18 pourrait être polarisée en direct pour permettre la circulation d'un courant du contact K1 vers le contact K2, mais la jonction 14 serait polarisée en inverse et empêcherait le passage du courant. En réalité, ce type de déphaseur est conçu pour fonctionner en dynamique, avec une tension de modulation variant à une fréquence élevée - le comportement de la structure de la figure 4A doit plutôt être examiné en régime transitoire. En régime transitoire, les jonctions 14 et 18 sont vues comme des capacités Cj présentant une faible impédance. Ainsi, la capacité de la jonction 18 permet l'évacuation de trous des zones dopées P, notamment de la zone Pl, vers le contact K2, de sorte qu'une zone de déplétion D se forme au voisinage de la jonction 14. La structure 16 se comporte alors de la même manière que celle de la figure 3A, et agit en conséquence sur un faisceau optique traversant le voisinage de la jonction 14. La structure 17 se trouve dans les conditions de repos, et présente l'effet d'une tension de commande nulle sur un faisceau optique la traversant. Lorsqu'on inverse la polarité entre les contacts K1 et K2, c'est la jonction 18 qui se trouve polarisée en inverse et la zone de déplétion est créée au voisinage de cette jonction 18. La structure 17 se comporte alors de la même manière que celle de la figure 3A, et agit sur le faisceau optique traversant le voisinage de la jonction 18. La structure 16 se trouve à son tour dans les conditions de repos, et présente l'effet d'une tension de commande nulle sur le faisceau optique la traversant. Ainsi, le déphaseur de la figure 4A permet d'agir symétriquement sur deux faisceaux optiques parallèles en fonction de la polarité d'une tension de commande unique. La tension de commande étant unique, il n'existe plus de problème d'appariement entre deux tensions de commande indépendantes. En outre, les deux déphaseurs HSPM étant proches, on obtient un bon appariement entre leurs caractéristiques électriques et optiques. La distance minimale entre les zones d'action optique est déterminée par la limite de couplage optique entre les deux guides d'onde correspondants. Pour le silicium et une longueur d'onde de l'ordre de 1300 nm, cette limite est de l'ordre de 1,2 um. La figure 5 représente une vue en perspective schématique d'un modulateur MZI 5 intégrant un déphaseur double. Le déphaseur double est représenté en grisé. Il est prolongé de part et d'autre par des îlots en silicium intrinsèque dans lesquels sont formés les deux branches de guide d'onde 12a et 12b. Des métallisations servant à établir les contacts avec les bornes K1 et K2 ont de préférence, comme cela est représenté, une structure en peigne permettant de réduire les capacités et inductances 10 parasites. Alors les doigts des peignes reposent sur des zones N+ (N+1, N+2) individuelles, isolées les unes des autres dans le sens de l'axe des guides d'onde. Le modulateur comprend en outre un élément de séparation S en entrée et un élément de jonction J en sortie, tous deux des coupleurs optiques, par exemple. Ces coupleurs peuvent être formés dans le même îlot que la paire de branches de guide d'onde 12a, 15 12b. La distance entre les branches pouvant être de l'ordre du micromètre, on obtient un modulateur particulièrement compact. Le modulateur de la figure 5 est de préférence complété par des déphaseurs statiques SPS servant à régler le déphasage au repos entre les deux branches 12a et 12b. De tels 20 déphaseurs pourraient être prévus de manière classique dans deux guides d'ondes séparés qui convergeraient vers les deux branches 12a et 12b de la figure 5. On préfère toutefois disposer d'un déphaseur statique double pouvant être assemblé dans la continuité du déphaseur dynamique double de la figure 5. Il est en outre souhaitable qu'un tel déphaseur statique double puisse être commandé par un signal unique pour 25 simplifier les circuits de commande et le routage des signaux. Les figures suivantes représentent deux modes de réalisation de déphaseurs statiques doubles pouvant répondre à ces besoins. Les figures 6A et 6B représentent des vues schématiques en coupe et de dessus d'un premier mode de réalisation de déphaseur statique double. Le déphaseur est à jonction 30 P-I-N, de type similaire à celui de la figure 3B. La zone intrinsèque, au lieu de comporter une partie centrale adaptée à un guide d'onde unique, comporte deux parties latérales écartées Il et 12 adaptées aux deux branches de guide d'onde 12a et 12b. Ce déphaseur double est commandé par une paire unique de contacts A et C, correspondant à ceux présents sur le déphaseur simple classique. Si aucune mesure supplémentaire n'est prise, un courant de commande injecté entre les contacts A et C provoque le même effet optique dans chacune des zones Il et 12, ce qui n'introduit aucun déphasage entre les ondes optiques traversant les deux zones. La figure 6B illustre plus spécifiquement une structure permettant de créer un déphasage entre les deux ondes optiques qui croît avec le courant de commande, unique. L'une des zones latérales, ici la zone de gauche, présente un dopage continu (P+) dans l'axe des guides d'onde, tandis que l'autre zone latérale, la zone de droite, présente un dopage discontinu (N+) dans le même axe. Ainsi, la zone de droite comporte des plages dopées N+ espacées. Ces plages sont connectées électriquement à la même borne de commande C, par exemple à l'aide de pistes métalliques en peigne similaires à celles de la figure 5. Un courant injecté par l'anode A vers la cathode C, comme cela est représenté par des faisceaux de flèches, part selon une répartition uniforme le long de la zone P+ pour se concentrer vers chacune des plages N+. Ainsi, la zone 12 voit un courant de faible densité mais sur une longueur effective (selon l'axe des guides d'onde) proche de la longueur du déphaseur, et la zone Il voit un courant de forte densité mais localisé sur une faible longueur effective. Le rapport de la longueur effective sur la densité de courant est le même dans les deux zones D et 12, mais on obtient néanmoins des indices de réfraction différents dans les deux zones. Il s'avère en effet que l'indice de réfraction du silicium constitutif des zones Il et 12 croît plus vite avec la longueur effective qu'avec la densité de courant. Ainsi, lorsque le courant de commande croît, l'indice de réfraction de la zone 12 croît plus vite que l'indice de la zone Il, de sorte que le retard de phase introduit par la zone 12 croît plus vite que le retard de phase introduit par la zone Il. Il en résulte que la différence de phase entre les deux branches de guide d'onde croît avec le courant de commande. D'après des expérimentations faites par l'inventeur, avec le silicium et une longueur d'onde de 1310 nm, l'indice de réfraction est proportionnel à Li", où L est la longueur effective et i le courant de commande. Si on prend en compte les densités de courant et les longueurs effectives L1 et L2 des zones D et 12, en posant q = L2/14 (> 1), l'indice de réfraction de la zone 12 est proportionnel à : L2/0,6 et l'indice de réfraction de la zone D est proportionnel à : Li(p)"L 2 g1 (q)0,6 L2q-0,4 /0,6 La différence de phase introduite entre les deux branches est ainsi proportionnelle à : L2(1-q°'4)i°'6 Les longueurs effectives dépendent de la largeur des faisceaux de courant traversant les 5 zones I1 et 12. En prévoyant simplement des plages N+ espacées, les faisceaux sont plutôt de forme trapézoïdale, comme cela est représenté par des flèches en pointillés à la figure 6B. Pour augmenter l'écart entre les longueurs effectives dans les zones I1 et 12, on peut prévoir un isolant en tranchée 60 entre les zones I1 et 12 parallèlement l'axe des guides d'onde. L'isolant 60 est ouvert en face des plages N+, sur sensiblement la même 10 longueur que les plages. Cela permet de diminuer la largeur moyenne des faisceaux dans la zone I1 en les rendant droits. En théorie, un seul déphaseur statique SPS disposé dans l'une des branches 12a et 12b suffirait à obtenir le déphasage initial souhaité entre les deux branches. En pratique, comme cela est représenté dans les figures, on prévoit un déphaseur statique dans 15 chaque branche. Cela permet d'égaliser les chemins optiques des deux branches. En outre, dans les configurations des figures 1 et 2, chacun des deux déphaseurs statiques est de préférence commandé par un courant (IAb, IBb) non-nul. En effet, cela permet d'obtenir une réponse plus linéaire du déphasage introduit par la paire de déphaseurs statiques à une variation de la différence des signaux de commande. Cet effet est 20 également obtenu dans le déphaseur statique double des figures 6A et 6B, puisque le courant de commande, même s'il est unique, décale les deux zones optiques I1 et 12 de leurs conditions de fonctionnement à courant nul. Les figures 7A et 7B représentent des vues schématiques en coupe et de dessus d'un deuxième mode de réalisation de déphaseur statique double. Le déphaseur comprend 25 deux déphaseurs à jonction P-I-N en opposition, partageant une zone de prise de contact, ici la zone P+ portant un contact d'anode A. Chacune des zones intrinsèques Il, 12 des deux déphaseurs PIN est associée à l'une des branches de guide d'onde 12a, 12b. Les zones latérales N+ portent des contacts de cathode respectifs Ca, Cb. Selon la vue en coupe de la figure 7A, une telle structure suffirait à régler de manière 30 indépendante le déphasage statique dans chacune des branches 12a et 12b, en appliquant des courants de commande distincts entre la borne A et chacune des bornes Ca et Cb. Cependant, pour simplifier la commande du déphaseur double, on préfère utiliser un seul courant de commande. Les contacts de cathode Ca et Cb sont alors connectés électriquement l'un à l'autre (par une piste métallique non-représentée), de sorte que le courant de commande se répartit de manière fixe de l'anode A vers les contacts de cathode Ca et Cb. Dans ce cas, sans prendre de mesure supplémentaire, le déphasage optique introduit par chacune des zones Il et 12 serait le même. La figure 7B illustre plus spécifiquement une structure permettant de créer un déséquilibre de la répartition du courant de commande unique, et donc de créer un déphasage entre les deux ondes optiques qui croît avec le courant de commande. L'une des zones latérales, ici la zone de gauche, présente un dopage continu dans l'axe des guides d'onde, tandis que l'autre zone latérale, la zone de droite, présente un dopage discontinu dans le même axe. Ainsi, la zone de droite comporte des plages dopées N+ espacées. Il en résulte que la zone 12 présente une action optique similaire à celle d'un déphaseur à jonction P-I-N classique, tandis que la zone Il, comme dans la figure 6B, présente une action optique modifiée dépendant de la largeur des faisceaux de courant dirigés de la zone centrale P+ vers les plages N+. Les plages N+ sont connectées électriquement à la même borne de commande Ca, par exemple à l'aide de pistes métalliques en peigne similaires à celles de la figure 5. Pour diminuer la largeur des faisceaux de courant dans la zone Il, on peut prévoir un isolant en tranchée 70 au niveau de la paroi droite de la zone P+, jouant un rôle similaire à l'isolant 60 de la figure 6B. L'isolant 70 est ouvert en face des plages N+, sur 20 sensiblement la même longueur que les plages. Pour éviter une dispersion des lignes de courant dans la zone Il, on peut prévoir des parois isolantes 72, représentées en pointillés, disposées entre les plages N+ perpendiculairement à l'axe des guides d'onde. Ces parois, pour éviter toute interférence optique, sont de préférence in silicium intrinsèque non-dopé (alors que la 25 zone dite intrinsèque des déphaseurs à jonction P-I-N est en général faiblement dopée P). Cette structure permet d'obtenir un déphasage entre les deux branches, selon une première approximation, suivant les mêmes équations que la structure des figures 6A et 6B. Toutefois, comme la zone Il présente, du fait du morcellement des plages N+, une 30 résistivité plus grande que la zone 12, le courant de commande pénétrant par l'anode centrale A aura tendance à passer préférentiellement dans la zone 12 moins résistive. Cela augmente l'indice de réfraction de la zone 12 au détriment de la zone Il, et donc la sensibilité du déphaseur. Selon une variante pour déséquilibrer la répartition du courant dans les zones Il et 12, on peut jouer sur la largeur des zones Il et 12. Par exemple, comme cela est représenté en pointillés, la zone 12 peut être rendue moins large que la zone D en étendant chacune des zones N+ et P+ vers l'intérieur de la zone 12. L'indice de réfraction de la zone 12, pour un courant donné, est inversement proportionnel à la largeur. Si w1 et w2 sont les largeurs des zones Il et 12, respectivement, le déphasage entre les branches est proportionnel à 1/w2 - //142/. En outre, la résistivité de la jonction est proportionnelle à la largeur. De ce fait, le courant de commande aura tendance à passer préférentiellement dans la zone 12 moins 10 large, ce qui augmente l'indice de réfraction de la zone 12 au détriment de la zone Il, et donc la sensibilité du déphaseur. Bien entendu, on peut combiner la technique du morcellement des plages N+ de la zone Il et la technique du rétrécissement de la zone 12 pour augmenter davantage la sensibilité du déphaseur double. 15 REVENDICATIONS1. Déphaseur électro-optique en matériau semi-conducteur comprenant : - une zone centrale (Il, 12) ayant un niveau de dopage minimal ; - des première et deuxième zones latérales (N+, P+) encadrant la zone centrale selon un premier axe, dopées respectivement N et P, de manière à former une jonction P-I-N entre les première et deuxième zones latérales ; caractérisé en ce que : - la zone centrale comprend des première et deuxième zones d'action optique (Il, 12) écartées selon le premier axe ; - la deuxième zone latérale est dopée de manière discontinue selon un deuxième axe perpendiculaire au premier axe ; et - le déphaseur comprend deux bornes de commande électrique (A, C), l'une en contact avec la première zone latérale, et l'autre en contact avec les parties dopées de la deuxième zone latérale. 2. Déphaseur selon la revendication 1, comprenant un isolant (60) disposé entre les première et deuxième zones d'action optique (Il, 12), ouvert en face des parties dopées de la deuxième zone latérale. 3. Déphaseur selon la revendication 1, configuré pour être disposé dans deux guides d'ondes optiques parallèles (12a, 12b), en correspondance respectivement avec les deux zones d'action optique, la distance entre les deux zones d'action optique étant suffisante pour empêcher un couplage optique entre les deux guides d'ondes. 4. Modulateur électro-optique de type interféromètre de Mach-Zehnder, comprenant : - une paire de guides d'ondes parallèles (12a, 12b) formés dans un même îlot de matériau semi-conducteur de même nature, à une distance suffisante l'un de l'autre pour empêcher un couplage optique ; - un élément de séparation de faisceau optique (S) alimentant chacun des guides d'ondes à partir d'un faisceau entrant unique (Pin) ;- un déphaseur statique selon la revendication 1 disposé dans la paire de guides d'ondes, de sorte que chacune des première et deuxième zones d'action optique soit interposée dans l'un respectif des guides d'ondes ; et - un élément de jonction (J) configuré pour combiner les deux faisceaux optiques sortant du déphaseur. 5. Modulateur selon la revendication 4 comprenant un déphaseur dynamique double disposé dans la paire de guides d'ondes, le déphaseur dynamique double comprenant : - une première zone d'action optique (P1, N1) au voisinage d'une première jonction P-N (14) formée entre une zone intermédiaire dopée selon un premier type de conductivité (P) et une première zone latérale (N1, N+1) dopée selon un deuxième type de conductivité (N) ; - une deuxième zone d'action optique (P2, N2) au voisinage d'une deuxième jonction P-N (18) formée entre la zone intermédiaire et une deuxième zone latérale (N2, N+2), du côté opposé à la première zone latérale, dopée selon le deuxième type de conductivité (N) ; et - deux bornes de commande électrique (K1, K2) en contact avec les première et deuxième zones latérales, respectivement.