FR 3004873 A1 20141024 FR 1453627 A 20140423 -3004873 1 PROCEDE DE RESTRICTION D'UN LIEU DE ZONE DE FONCTIONNEMENT SÛR POUR UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE Domaine technique La présente invention concerne un procédé et un circuit pour restreindre un lieu de zone de fonctionnement sûr (SOA) pour un dispositif à semiconducteur de puissance pendant le fonctionnement du dispositif à semi-conducteur de puissance placé entre une source de puissance et une charge. La présente invention a une application particulière, mais pas exclusive, pour restreindre un lieu de SOA pour un MOSFET de puissance à enrichissement à canal N dans une configuration côté haut entre la source de puissance et la charge en construisant une tension de commande pour commander le MOSFET de puissance de manière à imposer une tension de sortie du MOSFET de puissance. Contexte de l'invention Un dispositif à semi-conducteur de puissance, tel qu'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) de puissance, est généralement utilisé pour activer et désactiver l'énergie électrique vers une charge inductive, par exemple, dans des applications de commande d'automobile et de commande de de moteur par modulation de durée d'impulsion. Le MOSFET de puissance comporte une électrode de grille pour commander le MOSFET de puissance, une électrode de drain connectée à la source de puissance électrique et une électrode de source connectée à la charge. En fonctionnement, lorsque le MOSFET de puissance est mis à l'état bloqué pour désactiver la charge, l'énergie inductive stockée dans la charge inductive peut provoquer la chute de la tension de source du MOSFET de puissance au-dessous du potentiel de masse. Dans certains cas, la tension drain-source du MOSFET de puissance augmente jusqu'à ce qu'elle dépasse une tension d'avalanche drain-source conduisant à une conduction dans une diode parasite interne en antiparallèle du MOSFET de puissance qui peut provoquer une défaillance induite par avalanche du MOSFET de puissance. Par conséquent, des efforts ont été faits pour protéger un dispositif à semi-conducteur de puissance d'une défaillance induite par avalanche et pour mettre en oeuvre le MOSFET de puissance dans une zone de fonctionnement sûr (SOA) limitée. La SOA représente les conditions de tension et de courant maximums au-dessus desquelles tout dispositif à semi- conducteur de ce type peut fonctionner sans entraîner un auto-endommagement du dispositif. Dans un exemple existant d'un effort pour prolonger la durée de vie d'un MOSFET de puissance, le taux de changement de la tension drain-source est commandé par un circuit de commande de grille secondaire par l'intermédiaire d'une « capacitance de Miller » de MOSFET. La commande de grille secondaire de de de est obtenue en sélectionnant un circuit de commande grille principale à haute impédance pour le MOSFET 25 puissance qui interagit avec la « capacitance Miller » intégrée du MOSFET. Néanmoins, dans cet exemple de « mise en forme de grille », cependant, le lieu de zone de fonctionnement sûr (SOA) de MOSFET n'est limité que dans certaines situations et cette 30 technique n'est pas robuste face une variation des paramètres. Dans un autre exemple, le circuit de commande de grille secondaire est dérivé de la tension drain-source et la charge inductive est écrêtée par un circuit de 35 commande d'écrêtage. Cependant, dans cet exemple, le lieu de SOA de MOSFET « d'écrêtage » ne produit pas une puissance crête minimum lorsqu'il est utilisé avec des charges types. En effet, la puissance crête n'est réduite à un minimum que dans des cas de fonctionnement extrêmes. La figure 1 montre graphiquement ces exemples existants mentionnés ci-dessus de restriction d'une SOA pour un dispositif à semi-conducteur de puissance. La figure 1 montre également un graphique 10 d'un lieu de zone de fonctionnement sûr (SOA) maximum de polarisation directe assignée 12 pour un dispositif à semi-conducteur de puissance, tel qu'un MOSFET de puissance, avec la tension drain-source (Vds) sur l'axe x et le courant de drain (ID) sur l'axe y du graphique 10. Le lieu de SOA 12 représente la tension drain-source et le courant de drain simultanés maximums que le MOSFET de puissance peut gérer de manière sûre avec, par exemple, une température de jonction crête maximum et une température de boîtier de 25 °C. Un dispositif à semi-conducteur de puissance peut être utilisé pour commuter à la fois des charges inductives écrêtées et non écrêtées suivant les exemples existants mentionnés ci-dessus. Pour les charges inductives non écrêtées, l'énergie inductive stockée qui est dissipée dans le MOSFET de puissance pendant une avalanche doit être inférieure à la limite d'absorption d'énergie assignée du MOSFET de puissance. Par ailleurs, la tension drain-source et le courant de drain simultanés maximums que le MOSFET de puissance peut gérer doivent être ajustés pour différentes conditions de fonctionnement telles que la température du boîtier. Ainsi, on peut voir qu'un lieu de SOA de « mise en forme de grille » 16 utilisant le procédé existant décrit ci-dessus limite le lieu de SOA 12 du MOSFET de puissance. Pour les charges écrêtées, comme l'exemple existant décrit ci-dessus, on peut voir, à partir de la figure 1, qu'un lieu de SOA « d'écrêtage » 14 limite également le lieu de SOA 12 du MOSFET de puissance, mais la puissance crête n'est réduite à un minimum que dans les cas de fonctionnement extrêmes où, par exemple, la tension de batterie augmente vers la tension drain-source maximum du MOSFET. On peut également voir que la puissance est limitée en utilisant le procédé de « mise en forme de grille » dans une plus grande plage de conditions de fonctionnement qu'avec le procédé « d'écrêtage ». Néanmoins, la puissance crête, lorsque le courant de drain et la tension drain-source sont à des niveaux crêtes, n'est pas limitée de manière significative. Par ailleurs, on peut voir à partir du lieu « d'écrêtage » 14 et du lieu de « mise en forme de grille » 16 de la figure 1, que le courant de drain (Id) est limité au courant de drain initial (Icuinitiau 18 et, lorsqu'il n'y a pas de courant de drain aux 20 bornes du MOSFET de puissance, la tension drain-source est la tension de source (par batterie) (Vbat) 20. Néanmoins, exemple, la tension de il existe un besoin de pour un restreindre davantage une SOA dispositif à semi-conducteur de puissance, par exemple, dans une 25 plus grande plage de conditions de fonctionnement pour mieux le protéger de charges crêtes et d'une défaillance induite par avalanche. L'examen du contexte de l'invention est inclus ici pour expliquer l'invention. Ceci ne doit pas être pris 30 comme une admission du fait que les exemples existants référencés étaient publiés, connus ou faisaient partie de la connaissance générale commune à la date de priorité de cette demande. 35 Résumé de l'invention Selon un aspect de la présente invention, il est proposé un procédé de restriction d'un lieu de zone de fonctionnement sûr (SOA) pour un dispositif à semiconducteur de puissance pendant le fonctionnement du 5 dispositif à semi-conducteur de puissance placé entre une source de puissance et une charge, le procédé comprenant : la prise d'une mesure de tension aux bornes de la charge (VLoAD) ; 10 la sélection d'un scalaire pour mettre à l'échelle la mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD) ; et la construction d'une tension de commande pour commander le dispositif à semi-conducteur de puissance 15 avec un circuit de commande conformément à la mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD) multipliée par le scalaire de manière à imposer une tension de sortie du semi-conducteur de puissance. De préférence, le dispositif à semi-conducteur de 20 puissance est un transistor à effet de champ métaloxyde-semi-conducteur (MOSFET) de puissance qui est utilisé pour commuter des charges, par exemple, dans des applications de commande de démarreur d'automobile. En effet, le dispositif à semi-conducteur de puissance 25 est, de préférence, un MOSFET de puissance à enrichissement à canal N dans une configuration côté haut entre la source de puissance et une charge inductive telle qu'un démarreur. La tension de commande du MOSFET de puissance limite ainsi la tension de 30 sortie du MOSFET de puissance de manière à restreindre la SOA du MOSFET de puissance pour augmenter à un maximum sa durée de vie. C'est-à-dire que le nombre de cycles de commutation avant qu'une dégradation importante du MOSFET de puissance se produise est 35 augmenté à un maximum en réduisant à un minimum les cas de contrainte par avalanche sur le MOSFET de puissance et en réduisant à un minimum la puissance crête . produite et/ou l'absorption d'énergie totale du MOSFET de puissance. A ce titre, la SOA est limitée de manière à utiliser au minimum la SOA du MOSFET de puissance. Les hommes du métier apprécieront que le dispositif à semi-conducteur de puissance comprend des dispositifs tels que le MOSFET de puissance, ainsi qu'un transistor à jonction bipolaire (BJT), un 10 thyristor et un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT). Dans un mode de réalisation, le procédé comprend en outre la sélection d'une première impédance (R1) dans le circuit de commande entre une électrode de 15 sortie du dispositif à semi-conducteur de puissance et une électrode de commande du dispositif à semiconducteur de puissance et la sélection d'une deuxième impédance (R2) dans le circuit de commande entre une sortie de la charge et l'électrode de commande du 20 dispositif à semi-conducteur de puissance pour former le scalaire. De préférence, le scalaire est : /(R21 +1) 25 Dans un autre mode de réalisation, le procédé comprend en outre le décalage de la tension de commande pour le circuit de commande en ajoutant un décalage à la tension de commande. Dans le mode de réalisation, le 30 circuit de commande comprend en outre un élément non linéaire (Dl) placé entre la charge et l'électrode de commande du dispositif à semi-conducteur de puissance et le décalage comprend une mesure de tension prise aux bornes de l'élément non linéaire (Vin) multipliée par le scalaire. Par conséquent, dans le mode de réalisation, la tension de commande est : 17D1. y ( /Ri +1) (R2/R, +1) VLOAD -- Avec référence au mode de réalisation de MOSFET de puissance, la tension de commande est la tension grille-source (Vgs) du MOSFET de puissance. L'électrode de commande est l'électrode de grille du MOSFET de puissance et l'électrode de sortie est l'électrode de source du MOSFET de puissance. Par ailleurs, comme cela sera apprécié, une électrode d'entrée du dispositif à semi-conducteur de puissance, connectée à la source de puissance (par exemple, une batterie), est une électrode de drain du MOSFET de puissance. Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un circuit de commande pour imposer un lieu de zone de fonctionnement sûr (SOA) pour un dispositif à semi-conducteur de puissance pendant le fonctionnement du dispositif à semi-conducteur de puissance placé entre une source de puissance et une charge, le circuit de commande comprenant : une première résistance ayant une première impédance (R1) entre une sortie du dispositif à semiconducteur de puissance et une électrode de commande du dispositif à semi-conducteur de puissance ; et une deuxième résistance ayant une deuxième 30 impédance (R2) entre une sortie de la charge et l'électrode de commande du dispositif à semi-conducteur de puissance, dans lequel les première et deuxième impédances forment un scalaire pour mettra à l'échelle une mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD), et dans lequel le circuit de commande construit une tension de 5 commande pour commander le dispositif à semi-conducteur de puissance conformément à la mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD) multipliée par le scalaire de manière à imposer une tension de sortie du semi-conducteur de puissance. 10 De nouveau, avec référence au mode de réalisation de MOSFET de puissance, le circuit de commande ci-dessus fournit un degré élevé de robustesse contre une activation erronée, par exemple, par des transitoires d'alimentation au MOSFET de puissance. Cela est obtenu 15 par le circuit de commande ne comportant pas de couplage drain-grille. Par ailleurs, le lieu de SOA limité des modes de réalisation de l'invention est sélectionné, par la sélection des première et deuxième impédances (R1 et R2), de sorte que la puissance crête 20 la plus faible puisse être obtenue pour n'importe quelle tension d'entrée d'alimentation donnée. Par ailleurs, comme cela sera apprécié, le lieu de SOA est sélectionné par une sélection de R1 et R2 en tant que compromis entre la dissipation de puissance crête et 25 l'absorption d'énergie totale du MOSFET de puissance. La réduction de la puissance crête mène à la réduction à un minimum de la contrainte physique de la puce semiconductrice et des matériaux de conditionnement du MOSFET de puissance. Par ailleurs, la réduction de 30 l'absorption d'énergie totale conduit à une réduction à un minimum des températures crêtes subies par la puce semi-conductrices et les matériaux de conditionnement et ainsi à une plus longue durée de vie du MOSFET de puissance. 35 Brève description des dessins Des modes de réalisation de l'invention vont maintenant être décrits avec référence aux dessins joints, sur lesquels : la figure 1 est un graphique d'un lieu de zone de fonctionnement sûr (SOA) maximum de polarisation directe assignée pour un dispositif à semi-conducteur de puissance, montrant des exemples d'efforts de l'art antérieur pour restreindre le lieu de SOA pour protéger le dispositif à semi-conducteur de puissance ; la figure 2 est un autre graphique du lieu de zone de fonctionnement sûr (SOA) maximum de polarisation directe assignée pour un dispositif à semi-conducteur de puissance de la figure 1 montrant un lieu de SOA limité selon un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 3 est un schéma de principe représentant au moins un circuit de commande pour un MOSFET de puissance selon un mode de réalisation de la présente 20 invention ; la figure 4 est un autre schéma de principe représentant un circuit de commande pour un MOSFET de puissance selon un mode de réalisation de la présente invention ; et 25 la figure 5 est un graphique représentant le courant de drain et la tension grille-source d'un MOSFET de puissance pendant la commutation du MOSFET de puissance selon un mode de réalisation de la présente invention. 30 Description détaillée Avec référence maintenant à la figure 2, le lieu de zone de fonctionnement sûr (SOA) maximum de polarisation directe assignée 12 pour un dispositif à 35 semi-conducteur de puissance est montré sur le graphique 22. Comme décrit ci-dessus, le lieu de SOA 12 représente la tension drain-source et le courant de drain simultanés maximums qu'un MOSFET de puissance peut gérer de manière sûre. Dans un mode de réalisation de la présente invention, le lieu de SOA 12 pour un MOSFET de puissance à enrichissement à canal N dans une configuration côté haut entre une source de puissance et une charge est limité à un lieu de SOA limité 24. Les hommes du métier apprécieront que le graphique 22 pourrait représenter des lieux de SOA pour d'autres dispositifs, tels que des BJT. Néanmoins, on peut voir que la tension drain-source du MOSFET de puissance est limitée et que la puissance crête produite et l'absorption d'énergie totale du MOSFET de puissance sont limitées pour utiliser au minimum la SOA du MOSFET de puissance. Le lieu de SOA limité 24 est produit selon le procédé décrit ci-dessus. C'est-à-dire que, pendant le fonctionnement du MOSFET de puissance, le procédé comprend la prise d'une mesure de tension aux bornes de la charge (VLoAD), la sélection d'un scalaire pour mettre à l'échelle la mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD), et la construction d'une tension de commande pour commander le MOSFET de puissance avec un circuit de commande, comme montré sur les figures 3 et 4, conformément à la mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD) multipliée par le scalaire de manière à imposer une tension de sortie du MOSFET de puissance. Sur la figure 3, un circuit de commutation 26 pour activer et désactiver une charge 28 est prévu. Comme décrit, la charge est un démarreur pour un véhicule qui est commuté par un MOSFET de puissance 30. Le fonctionnement du MOSFET de puissance 30 est 35 commandé par un circuit de commande 34, qui est configuré pour commander la fourniture d'énergie électrique d'une batterie 32 à la charge 28 ainsi que pour restreindre le lieu de SOA du MOSFET de puissance 30 au lieu de SOA limité montré sur la figure 2 comme décrit ci-dessus. Par ailleurs, dans le mode de réalisation montré sur la figure 3, le circuit de commande 34 comprend un commutateur pour désactiver la fonction de restriction du lieu de SOA du MOSFET de puissance 30 dans certaines circonstances. Néanmoins, lorsqu'elle est activée, la mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoaD) pendant le fonctionnement du MOSFET de puissance 30 est mise à l'échelle pour construire la tension de commande pour le MOSFET de puissance 30. La tension de sortie provenant du MOSFET de puissance est soustraite de la tension aux bornes de la charge (VLoAD) et ensuite mise à l'échelle par un scalaire, comme décrit, pour construire la tension de commande. Ainsi, la tension de sortie du MOSFET de puissance 30 est limitée par un circuit de commande en boucle fermée. La figure 4 montre un circuit de commutation 36 avec un circuit de commande pour restreindre un lieu de SOA plus en détail que sur la figure 3. Le MOSFET de puissance 1 du mode de réalisation montré sur la figure 25 4 est un MOSFET de puissance à enrichissement à canal N 1 dans une configuration côté haut entre une source de tension d'alimentation 4 et une charge inductive 5. Le MOSFET de puissance à enrichissement à canal N 1 comporte un circuit de commande de grille principale 2 30 comprenant une alimentation continue pour fournir la tension pour mettre le MOSFET 1 à l'état passant et à l'état bloqué. Les hommes du métier apprécieront que le MOSFET de puissance est mis à l'état passant lorsque la tension grille-source dépasse une tension de seuil 35 (VTH) et est mis à l'état bloqué lorsque la tension grille-source est inférieure à la tension de seuil. Par ailleurs, lorsque le MOSFET de puissance est mis_ à l'état bloqué, l'énergie inductive stockée dans la charge 5 peut amener la tension de source du MOSFET de puissance 1 à tomber suffisamment au-dessous du potentiel de masse pour induire le mode d'avalanche du MOSFET, entraînant une défaillance induite par avalanche du MOSFET de puissance 1 si la SOA du MOSFET de puissance 1 n'est pas limitée de manière optimale. Le circuit de commutation 26 comprend ainsi un circuit de commande anti-avalanche 3 pour restreindre la SOA du MOSFET de puissance 1. Le fonctionnement du MOSFET de puissance 1 de la figure 4 est maintenant expliqué par rapport à la figure 5. Le circuit de commande de grille principale 2 est activé et désactivé entre les états FERME et OUVERT 38. Par exemple, le MOSFET peut être commuté à 20 Hz et prend 1 microseconde pour commuter entre les états. Pendant ce temps, il y a une perte de puissance de commutation alors que le courant de drain du MOSFET augmente et diminue. Par conséquent, le courant de drain du MOSFET (Id) 40 passant du drain à la source du MOSFET de puissance 1 est activé et augmente dans le temps à sa valeur maximum après la fermeture du circuit de commande de grille principale 2 et diminue dans le temps à zéro après l'ouverture du circuit de commande de grille principale 2. La tension grille-source du MOSFET (Vgs) 42 montre la tension de commande commandant le MOSFET de puissance 1 lorsque le circuit de commande de grille principale 2 est à la fois activé et désactivé. C'est-à-dire que, tandis que le circuit de commande de grille principale 2 est activé, le MOSFET de puissance 1 est dans le mode de saturation et est commandé par le circuit de commande de grille principale 2. Lorsque le circuit de commande de grille principale 2 est désactivé, le MOSFET de puissance 1 entre dans le mode linéaire et est commandé par le circuit de commande anti-avalanche 3. Le circuit de commande anti-avalanche 3 comprend 5 une première résistance (R1) qui a une première impédance et qui est placée entre l'électrode de source du MOSFET de puissance 1 et l'électrode de grille du MOSFET de puissance 1. Le circuit 3 comprend également une deuxième résistance (R2) qui a une deuxième 10 impédance et qui est placée entre la sortie de la charge 5 et l'électrode de grille du MOSFET de puissance 1. Comme décrit, les première et deuxième impédances forment un scalaire pour mettre à l'échelle la mesure de tension prise aux bornes de la charge 15 (VLoAD) . De cette manière, le circuit de commande 3 peut construire une tension de commande pour commander le MOSFET de puissance 1 conformément à la mesure de tension mise à l'échelle prise aux bornes de la charge 5. Par ailleurs, les impédances sont sélectionnées de 20 manière à imposer la tension de sortie du MOSFET de puissance 1. En outre, le circuit de commande 3 comprend un élément non linéaire sous la forme d'une diode (Dl) et la tension de commande est décalée en ajoutant un 25 décalage à la tension de commande mise à l'échelle. Dans le mode de réalisation, le décalage comprend une mesure de tension prise aux bornes de la diode (Dl) multipliée par le scalaire de sorte que la tension de commande, qui est la tension entre les électrodes de 30 grille et de source du MOSFET de puissance soit : Vgs - VLOAD - -1 (R2 / R1 + 1)± YM. 1 i/'( D // '12/R1 + 1) Les paramètres types pour le circuit de commutation 36 comprennent une tension d'alimentation de batterie de 12 V (Vbat. = 12 V) et un courant de drain initial du MOSFET de puissance 1 de 20 A (Id(initiau 20 A). Pour le MOSFET de puissance 1, la résistance entre les électrodes de source et de drain du MOSFET de puissance 1 lorsqu'il est mis à l'état passant est de 5 mû (Rds = 5 mû), la tension de seuil de grille minimum requise entre les électrodes de grille et de 10 source du MOSFET de puissance 1 pour le mettre à l'état passant est de 4 V (VTH = 4 V), et la transconductance du MOSFET de puissance 1 est de 100 A/V (gm = 100 A/V). Pour le MOSFET de puissance 1, comme montré sur la figure 4, commandé par le circuit de commande anti15 avalanche 3 lorsqu'il fonctionne dans la région linéaire : Vps = VTH ± Id. ligni - Equation 1 20 Dans le mode de réalisation : V = 9s/R1 Par conséquent, dans l'état permanent avec le 25 commutateur de commande de grille du circuit de commande de grille principale 2 OUVERT : Il = 12 Vg = OV - VD1 - '2'2 = OV VD1 V9s-R2 R1 VS Vg VgS = -111)1 VgS-R2/ - g VS= -VD1 - gs- (R2I Ri +1) 30 - Equation 2 4 Ainsi, par une substitution des équations 1 et 2 : Vs = VLOAD = -VD1 V,gs(R2 'Ri +1) Vgs = VLOAD - -1 2 VD1. 1R21 Ri ± 1) /R1 + On peut voir par conséquent, à partir des équations, que la tension de commande pour le MOSFET de puissance 1 (Vgs) construite par le courant de commande est formée à partir d'un scalaire multiplié par la tension de charge plus un décalage. Avec référence de nouveau à la figure 2, la SOA limitée 24 est un lieu de fonctionnement pour le MOSFET 10 de puissance 1 où la puissance crête est limitée par le courant de drain initial (Id(initian) et la tension drain-source (Vds) maximum du MOSFET de puissance 1. Le point de fonctionnement crête à la tension crête Vds du MOSFET de puissance 1 est : 15 Vds = Vd - Vs Vc1 = Vbat Vs = -VD1 - (VTH 4.11 gm). (R2/Ri + 1) , . Vcis = Vbat + Vin + (VTH + 4.11.gm).(R 1R ± i 1) Ainsi, en utilisant les paramètres types décrits ci-dessus : 20 Vds = 12V + Vin ± (4.2V). (R2/Ri ± 1) Bien que l'invention ait été décrite conjointement avec un nombre limité de modes de réalisation, les 25 hommes du métier apprécieront que de nombreuses variantes, modifications et variations sont possibles à la lumière de la description qui précède. La présente invention est destinée à englober toutes les variantes, modifications et variations qui peuvent tomber dans l'esprit et l'étendue de l'invention telle que présentée. . REVENDICATIONS1. Procédé de restriction d'un lieu de zone de fonctionnement sûr (SOA) pour un dispositif à semi- conducteur de puissance pendant le fonctionnement du dispositif à semi-conducteur de puissance placé entre une source de puissance et une charge, le procédé comprenant : la prise d'une mesure de tension aux bornes de la 10 charge (VIDAD) ; la sélection d'un scalaire pour mettre à l'échelle la mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD) ; et la construction d'une tension de commande pour 15 commander le dispositif à semi-conducteur de puissance avec un circuit de commande conformément à la mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD) multipliée par le scalaire de manière à imposer une tension de sortie du semi-conducteur de puissance. 20 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant la sélection d'une première impédance (R1) dans le circuit de commande entre une électrode de sortie du dispositif à semi-conducteur de puissance et une 25 électrode de commande du dispositif à semi-conducteur de puissance et la sélection d'une deuxième impédance (R2) dans le circuit de commande entre une sortie de la charge et l'électrode de commande du dispositif à semiconducteur de puissance pour former le scalaire. 30 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le scalaire est : 4. Procédé selon la revendication 3, comprenant en outre le décalage de la tension de commande pour le 5 circuit de commande en ajoutant un décalage à la tension de commande. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le circuit de commande comprend en outre un élément non 10 linéaire (D1) placé entre la charge et l'électrode de commande du dispositif à semi-conducteur de puissance et le décalage comprend une mesure de tension prise aux bornes de l'élément non linéaire (Vin.) multipliée par le scalaire. 15 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la tension de commande est : 20 VLOAD- ( /Ri + 1) V- Dl--1 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le dispositif à semiconducteur de puissance est un MOSFET de puissance à enrichissement à canal N. 25 8. Circuit de commande pour restreindre un lieu de zone de fonctionnement sûr (SCA) pour un dispositif à semi-conducteur de puissance pendant le fonctionnement du dispositif à semi-conducteur de 30 puissance placé entre une source de puissance et une charge, le circuit de commande comprenant : une première résistance ayant une première impédance (R1) entre une sortie du dispositif à semi- 18 -conducteur de puissance et une électrode de commande du dispositif à semi-conducteur de_puissance ; et une deuxième résistance ayant une deuxième impédance (R2) entre une sortie de la charge et 5 l'électrode de commande du dispositif à semi-conducteur de puissance, dans lequel les première et deuxième impédances forment un scalaire pour mettre à l'échelle une mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD), et dans lequel 10 le circuit de commande construit une tension de commande pour commander le dispositif à semi-conducteur de puissance conformément à la mesure de tension prise aux bornes de la charge (VLoAD) multipliée par le scalaire de manière à imposer une tension de sortie du 15 semi-conducteur de puissance. 9. Circuit de commande selon la revendication 8, dans lequel la tension de commande est décalée en ajoutant un décalage à la tension de commande. 20 10. Circuit de commande selon la revendication 9, comprenant en outre un élément non linéaire placé entre la charge et l'électrode de commande du dispositif à semi-conducteur de puissance, dans lequel le décalage 25 comprend une mesure de tension prise aux bornes de l'élément non linéaire multipliée par le scalaire.