FR 3009653 A1 20150213 FR 1357913 A 20130809 B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 1 DISPOSITIF DE CONVERSION D'ÉNERGIE THERMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE Domaine La présente demande concerne un dispositif de conversion d'énergie thermique en énergie électrique, ou générateur thermoélectrique. Exposé de l'art antérieur Il a déjà été proposé, dans l'article intitulé "Semiflexible bimetal-based thermal energy harvesters" de Sébastien Boisseau et al., un dispositif adapté à convertir de l'énergie thermique en énergie électrique à l'aide d'une lame bimétallique incurvée qui change de forme dans des conditions de température variables, en combinaison avec un transducteur capacitif à électret. Il serait toutefois souhaitable de pouvoir disposer d'un dispositif simple, compact, et d'un faible coût, intégrant plusieurs cellules de conversion qui fonctionnent sur la base de ce principe, et qui puisse assurer une conversion efficace d'énergie thermique en énergie électrique dans une gamme d'environnements différents. Résumé Pour cela, un mode de réalisation prévoit un dispositif de conversion d'énergie thermique en énergie B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 2 électrique, comportant une pluralité de cellules de conversion disposées dans et sur un premier substrat, chaque cellule comprenant : une lamelle bimétallique incurvée ; et des première et deuxième diodes couplées à ladite lamelle, disposées dans une première région semiconductrice du premier substrat. Selon un mode de réalisation, dans chaque cellule, l'anode de la première diode et la cathode de la deuxième diode sont couplées électriquement à la lamelle par au moins une première piste conductrice. Selon un mode de réalisation, la première piste conductrice est réalisée dans au moins un niveau de métal de la lamelle bimétallique. Selon un mode de réalisation, les cathodes des premières diodes sont couplées à un même premier noeud du dispositif par au moins une deuxième piste conductrice, et les anodes des deuxièmes diodes sont couplées à un même deuxième noeud du dispositif par au moins une troisième piste conductrice. Selon un mode de réalisation, les deuxième et 20 troisième pistes conductrices sont réalisées dans au moins un niveau de métal de la lamelle bimétallique. Selon un mode de réalisation, chaque cellule comporte un premier transducteur capacitif à électret dont une première électrode est formée par la lamelle. 25 Selon un mode de réalisation, dans chaque cellule, une deuxième région semiconductrice du premier substrat située en regard de la lamelle, forme une deuxième électrode du transducteur capacitif à électret de la cellule. Selon un mode de réalisation, chaque cellule comporte 30 une couche d'électret entre la lamelle et la deuxième région semiconductrice. Selon un mode de réalisation, le dispositif comporte en outre un deuxième substrat situé du côté des lamelles bimétalliques opposé au premier substrat. B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 3 Selon un mode de réalisation, le deuxième substrat comporte des ailettes sur une face opposée aux lamelles bimétalliques. Selon un mode de réalisation, le deuxième substrat est 5 revêtu d'une couche d'électret du côté d'une face tournée vers les lamelles bimétalliques. Selon un mode de réalisation, chaque cellule comporte un deuxième transducteur capacitif à électret dont une première électrode est formée par la lamelle et dont une deuxième 10 électrode est formée par une région semiconductrice du deuxième substrat située en regard de la lamelle. Selon un mode de réalisation, le premier substrat est un substrat SOI comprenant une couche semiconductrice revêtant une couche isolante revêtant un support semiconducteur. 15 Selon un mode de réalisation, dans chaque cellule, la lamelle bimétallique incurvée est formée au dessus de la couche isolante dans une région du substrat dans laquelle la couche semiconductrice a été retirée. Selon un mode de réalisation, les premières et 20 deuxièmes diodes sont formées dans la couche semiconductrice. Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un dispositif de conversion d'énergie thermique en énergie électrique comportant une pluralité de cellules de conversion disposées dans et sur un premier substrat, ce procédé 25 comportant les étapes suivantes : former, dans chaque cellule, des première et deuxième diodes dans une première région semiconductrice du premier substrat ; et former, dans chaque cellule, une lamelle bimétallique incurvée couplée aux première et deuxième diodes de la cellule. 30 Selon un mode de réalisation, le procédé comporte en outre une étape de formation, dans chaque cellule, d'une couche d'électret entre la lamelle et une deuxième région semiconductrice, la lamelle et la deuxième région semiconductrice formant des électrodes d'un transducteur capacitif à électret de 35 la cellule. B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 4 Brève description des dessins Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en 5 relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 est un schéma illustrant le principe de fonctionnement d'un transducteur capacitif à électret ; la figure 2 est une vue en coupe schématique illustrant un exemple d'un générateur thermoélectrique utilisant 10 une lame bimétallique incurvée couplée à un système de transduction capacitive à électret ; la figure 3 est un schéma électrique d'un exemple de générateur thermoélectrique ; les figures 4A à 4C illustrent schématiquement un 15 exemple d'un mode de réalisation d'un générateur thermoélectrique ; les figures 5A à 5F sont des vues en coupe illustrant schématiquement des étapes d'un exemple de procédé de fabrication d'un générateur thermoélectrique du type décrit en 20 relation avec les figures 4A à 4C ; et les figures 6, 7 et 8 sont des vues en coupe illustrant des variantes de réalisation du générateur thermoélectrique décrit en relation avec les figures 4A à 4C. Description détaillée 25 Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de plus, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Par ailleurs, dans la suite de la description, sauf indication contraire, les termes "approximativement", "sensiblement", 30 "environ" et "de l'ordre de" signifient "à 10 % près", et des références directionnelles telles que surmontant, au-dessus, en dessous, supérieur, inférieur, vertical, horizontal, latéral, etc. s'appliquent à des dispositifs orientés de la façon illustrée dans les vues en coupe des figures correspondantes, B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP étant entendu que, en fonctionnement, les dispositifs peuvent être orientés différemment. La figure 1 est une vue en coupe illustrant schématiquement un exemple d'un transducteur capacitif à 5 électret 100. Le transducteur 100 comprend une électrode 101, ou électrode fixe, et, en regard de l'électrode 101, une électrode 103 mobile par rapport à l'électrode fixe 101. Dans cet exemple, les électrodes 101 et 103 sont sensiblement planes et parallèles entre elles, et l'électrode 103 est susceptible de se déplacer en translation selon un axe approximativement orthogonal aux électrodes 101 et 103. L'électrode 101 est revêtue d'une feuille ou couche d'électret 105. Par électret, on entend ici un diélectrique électriquement chargé, capable de conserver ses charges ou une partie significative de ses charges pendant une longue période, typiquement de l'ordre de quelques années à quelques dizaines d'années. Dans l'exemple représenté, une charge, représentée schématiquement par une résistance R, est connectée entre les électrodes 101 et 103 du transducteur 100. Le fonctionnement du transducteur 100 est le suivant. La couche d'électret 105, qui contient une quantité Qi de charges d'une première polarité, par exemple des charges négatives, induit dans les électrodes 101 et 103 une accumulation de charges de polarité inverse, des charges positives dans l'exemple. Si l'on désigne par Qi la quantité de charges induites dans l'électrode 101 par la couche 105, et par Q2 la quantité de charges induites dans l'électrode 103 par la couche 105, l'équilibre Qi = Qi + Q2 est respecté à tout instant. Un déplacement de l'électrode 103 par rapport à l'électrode 101 entraine une réorganisation des charges induites dans les électrodes 101 et 103 par la couche d'électret 105. En particulier, si l'électrode 103 s'éloigne de l'électrode 101, la quantité Q2 de charges induites dans l'électrode 103 diminue et la quantité Qi de charges induites dans l'électrode 101 augmente. A l'inverse, si l'électrode 103 se rapproche de l'électrode 101, la quantité Q2 de charges induites dans B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 6 l'électrode 103 augmente et la quantité Qi de charges induites dans l'électrode 101 diminue. Il en résulte qu'un courant I circule à travers la charge R. Le mouvement relatif de l'électrode 103 par rapport à l'électrode 101 est ainsi converti en électricité. La figure 2 est une vue en coupe schématique illustrant un exemple d'un dispositif 200 de conversion d'énergie thermique en énergie électrique comprenant une lame bimétallique incurvée couplée à un système de transduction capacitive à électret. Le dispositif 200 comprend une lame bimétallique incurvée 201, constituée de deux couches superposées 201a, 201b de métaux distincts ayant des coefficients de dilatation thermique différents. La lame 201 est adaptée à changer de forme lorsque sa température varie. A titre d'exemple, la lame 201 est adaptée à alterner entre une première forme en arche (dans l'orientation de la figure 2), telle que représentée en figure 2, lorsque sa température est supérieure à un seuil Tl, et une deuxième forme (non représentée) en arche inversée (dans l'orientation de la figure 2) lorsque sa température est inférieure à un seuil 12 inférieur au seuil Tl. Le dispositif 200 comprend en outre deux plaques ou feuilles métalliques 203 et 205 approximativement parallèles et en regard l'une de l'autre. Dans l'orientation de la figure 2, les plaques 203 et 205 sont approximativement horizontales, et la plaque 205 est au dessus de la plaque 203. Des parois latérales 207 approximativement verticales, en un matériau électriquement isolant et de préférence thermiquement isolant, sont disposées entre les plaques 203 et 205. Les plaques 203 et 205 et les parois 207 délimitent une cavité 209. Du côté de leurs faces orientées vers l'intérieur de la cavité 209, les plaques métalliques 203 et 205 sont revêtues respectivement d'une couche d'électret 211 et d'une couche d'électret 213. Les couches d'électret 211 et 213 sont par exemple en TEFLON chargé. B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 7 La lame bimétallique 201 est disposée à l'intérieur de la cavité 209. Dans cet exemple, la lame 201 est suspendue par ses extrémités entre les plaques métalliques 203 et 205, par exemple environ à mi-hauteur des parois 207. La plaque métallique 203, la couche d'électret 211 et la lame bimétallique 201 forment un premier transducteur capacitif à électret 215. La plaque 203 et la lame 201 correspondent par exemple respectivement à l'électrode fixe et à l'électrode mobile d'un transducteur du type décrit en relation avec la figure 1. Dans l'exemple représenté, une charge, représentée schématiquement par une résistance R1, est connectée entre les électrodes 203 et 201 du transducteur 215. En outre, la plaque métallique 205, la couche d'électret 213 et la lame bimétallique 201 forment un deuxième transducteur capacitif à électret 217. La plaque 205 et la lame 201 correspondent par exemple respectivement à l'électrode fixe et à l'électrode mobile d'un transducteur du type décrit en relation avec la figure 1. Dans l'exemple représenté, une charge, représentée schématiquement par une résistance R2, est connectée entre les électrodes 205 et 201 du transducteur 217. En fonctionnement, la plaque métallique 203 est destinée à être en contact avec une source chaude à une température Th supérieure au seuil Tl, et la plaque métallique 205 est destinée à être en contact avec une source froide à une température Tc inférieure au seuil 12. La source chaude peut être une surface d'un composant électronique, ou toute autre source de chaleur disponible dans l'environnement, par exemple un pot d'échappement de voiture, une canalisation, une paroi d'une machine, etc. La source froide peut être un radiateur à ailettes, ou directement l'air ambiant, ou toute autre source dont la température est inférieure à celle de la source chaude. Lorsque la lame 201 est dans sa forme en arche inversée, la lame 201 est en contact ou au voisinage immédiat de la couche d'électret 211. De la chaleur produite par la source chaude est alors transmise à la lame 201 par l'intermédiaire de B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 8 la plaque 203 et de la couche 211. Lorsque la température de la lame 201 atteint le seuil Tl, la lame 201 prend sa forme en arche. La lame 201 s'éloigne donc de la source chaude et vient en contact ou au voisinage immédiat de la couche d'électret 213. La lame 201 refroidit alors du fait de sa proximité de la source froide. Lorsque la température de la lame 201 atteint le seuil 12, la lame reprend sa forme en arche inversée, et le cycle recommence. De l'énergie thermique produite par la source chaude est ainsi convertie en oscillations mécaniques de la lame 201. Lors des oscillations, l'électrode mobile 201, commune aux transducteurs 215 et 217, s'éloigne et se rapproche alternativement des électrodes fixes 203 et 205, ce qui provoque l'apparition de courants électriques dans les charges R1 et R2. De l'énergie mécanique produite par les oscillations de la lame 201 est ainsi convertie en électricité. Dans certaines applications, il serait souhaitable de pouvoir disposer d'un générateur thermoélectrique simple et compact, et d'un faible coût, intégrant plusieurs cellules de conversion de petites dimensions qui fonctionnent sur la base d'un principe de conversion identique ou similaire à celui décrit en relation avec la figure 2. Une difficulté est liée au fait qu'en pratique, pour pouvoir exploiter dans des applications conventionnelles l'énergie électrique produite par un générateur du type décrit en relation avec la figure 2, il convient que le générateur comporte un circuit (non visible sur la figure 2) de conversion des signaux électriques fournis par chaque transducteur capacitif à électret en énergie exploitable pour alimenter des charges conventionnelles. Des exemples de tels circuits de conversion sont décrits dans l'article "Semi-flexible bimetalbased thermal energy harvesters" susmentionné, qui est incorporé par référence dans la présente description dans la mesure autorisée par la loi. Lorsque le générateur comprend plusieurs cellules de conversion fonctionnant en parallèle, le circuit de conversion des signaux électriques fournis par les transducteurs B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 9 capacitifs à électret peut s'avérer relativement complexe et encombrant. La figure 3 est un schéma électrique d'un exemple d'un générateur thermoélectrique 300 utilisant plusieurs lames bimétalliques incurvées couplées à des transducteurs capacitifs à électret. La figure 3 illustre plus particulièrement un exemple de réalisation d'un circuit de conversion de l'énergie électrique fournie par les transducteurs capacitifs à électret, en vue de son utilisation pour alimenter une charge. Le générateur 300 comprend plusieurs cellules de conversion thermoélectrique, deux cellules Cl et C2 dans l'exemple représenté, comportant chacune un élément de transduction thermoélectrique, respectivement EH1 dans la cellule Cl et EH2 dans la cellule C2. Dans chaque cellule Cl, C2, l'élément de transduction thermoélectrique EH1, EH2 est par exemple une variante de réalisation du dispositif de la figure 2 dans laquelle la lame bimétallique 201 n'est couplée qu'à un seul transducteur capacitif à électret, c'est-à-dire dans laquelle une seule des deux plaques métalliques fixes 203, 205 est revêtue d'une couche d'électret. Chaque cellule Cl, C2 comprend en outre un circuit de redressement des signaux électriques fournis par l'élément de transduction thermoélectrique EH1, EH2 de la cellule. Dans l'exemple représenté, dans chaque cellule Cl, C2, le circuit de redressement est constitué par un pont de diodes. Dans la cellule Cl, le circuit de redressement comprend : une première diode 3011 connectée en direct entre une première électrode - l'électrode mobile dans cet exemple - de l'élément EH1 et un noeud Al ; une deuxième diode 3021 connectée en direct entre un noeud B1 et l'anode de la diode 3011 ; une troisième diode 3031 connectée en direct entre une deuxième électrode - l'électrode fixe dans cet exemple - de l'élément EH1 et le noeud Al ; et une quatrième diode 3041 connectée en direct entre le noeud B1 et l'anode de la diode 3031. Dans la cellule C2, le circuit de redressement comprend : une première diode 3012 connectée en direct entre une première électrode - B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 10 l'électrode mobile dans cet exemple - de l'élément EH1 et un noeud A2 ; une deuxième diode 3022 connectée en direct entre un noeud B2 et l'anode de la diode 3012 ; une troisième diode 3032 connectée en direct entre une deuxième électrode - l'électrode 5 fixe dans cet exemple - de l'élément EH1 et le noeud A2 ; et une quatrième diode 3042 connectée en direct entre le noeud B1 et l'anode de la diode 3032. Dans la cellule Cl, respectivement C2, les noeuds Ai et Bi, respectivement A2 et B2, définissent des noeuds de sortie de la cellule et fournissent, en 10 fonctionnement, des signaux électriques redressés. Dans l'exemple de la figure 3, les sorties des différentes cellules sont couplées, en parallèle, en entrée d'un unique convertisseur de puissance 310. Dans cet exemple, le convertisseur 310 comprend un transformateur DC-DC comportant un 15 premier enroulement 311, ou enroulement primaire, couplé en série avec un interrupteur Kp entre des noeuds d'entrée El et E2 du convertisseur 310, et un second enroulement 313, ou enroulement secondaire, couplé en série avec un interrupteur KS entre des noeuds de sortie Si et S2 du convertisseur 310. Les 20 enroulements 311 et 313 peuvent être couplés magnétiquement et ont, dans cet exemple, des sens d'enroulement opposés. Dans cet exemple, les noeuds de sortie Ai, A2 des cellules Cl, C2 sont connectés au noeud d'entrée El du convertisseur 310, et les noeuds de sortie Bi, B2 des cellules Cl, C2 sont connectés au 25 noeud d'entrée E2 du convertisseur 310. Un circuit de commande non représenté permet de contrôler les interrupteurs Kp et Ks pour transférer de l'énergie électrique de l'entrée vers la sortie du convertisseur 310. Un élément Cb de stockage de l'énergie électrique fournie par le convertisseur 310, par 30 exemple une batterie ou un condensateur, peut être couplé aux bornes de sortie Si, S2 du convertisseur 310. Les circuits de redressement des cellules de conversion thermoélectrique Cl, C2, et le convertisseur de puissance 310 forment un circuit de conversion de l'énergie 35 électrique produite par les éléments de transduction thermo- B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 11 électrique EH1, EH2. Ce circuit pourra aisément être adapté à un générateur comprenant un nombre de cellules de conversion thermoélectrique différent de deux. Pour réaliser un générateur thermoélectrique compor- tant un nombre élevé de cellules de conversion thermoélectrique couplées en parallèle, un problème qui se pose est celui de l'encombrement des diodes prévues dans chaque cellule pour redresser les signaux fournis par l'élément de transduction thermoélectrique de la cellule, et du nombre élevé de fils à prévoir pour connecter, dans chaque cellule, l'élément de transduction thermoélectrique aux diodes, et pour connecter entre elles les diodes des différentes cellules. Il en résulte une structure encombrante et complexe. En outre, les étapes de fabrication des différentes cellules de conversion et d'assemblage de ces cellules en un générateur sont relativement longues et complexes. Selon un aspect d'un mode de réalisation, on prévoit un générateur thermoélectrique comportant une pluralité de cellules de conversion thermoélectrique intégrées dans et sur un même substrat, chaque cellule comportant une lamelle bimétallique et au moins deux diodes formées dans une région semiconductrice du substrat. Comme cela ressortira plus clairement de la description qui suit, ceci permet d'obtenir un dispositif simple et compact, dont la réalisation est relativement aisée et peu onéreuse dans la mesure où elle utilise essentiellement des méthodes et/ou des équipements éprouvés de fabrication de composants électroniques dans et sur des substrats comportant des régions semiconductrices. Les figures 4A à 4C illustrent un exemple d'un mode de réalisation d'un générateur thermoélectrique 400. La figure 4A est une vue de dessus du générateur 400, la figure 4B est une vue en coupe du générateur 400 selon le trait B-B de la figure 4A, et la figure 4C est une vue en perspective schématique du générateur 400. B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 12 Le générateur 400 comprend une pluralité de cellules de conversion thermoélectrique C identiques ou similaires, formées dans et sur un substrat 401. Sur les figures 4A à 4C, quatre cellules ont été représentées. Toutefois, en pratique, le 5 générateur 400 peut comprendre un nombre différent de cellules, par exemple un nombre nettement plus élevé, par exemple environ 10 à 1000000 cellules sur un substrat approximativement circulaire d'environ 100 à 450 mm de diamètre. Dans cet exemple, les cellules sont disposées en matrice. Les modes de réalisation 10 décrits ne se limitent toutefois pas à cette disposition particulière. Dans l'exemple des figures 4A à 4C, le substrat 401 est un substrat de type semiconducteur sur isolant ou substrat SOI, comportant une couche semiconductrice 401a, par exemple en 15 silicium, revêtant une couche isolante 401b, par exemple en oxyde de silicium, la couche 401b revêtant elle-même un support semiconducteur 401c, par exemple en silicium. A titre d'exemple, le support 401c a une épaisseur de l'ordre de 50 à 1000 lm, la couche isolante 401b a une épaisseur de l'ordre de 0,01 à 5 pin, 20 et la couche semiconductrice 401a a une épaisseur de l'ordre de 0,01 à 5 lm. Chaque cellule de conversion thermoélectrique C comporte, dans cet exemple, deux diodes Dl et D2 formées dans une région de la couche semiconductrice 401a. Au voisinage des 25 diodes Dl et D2, chaque cellule C comprend une portion du substrat 401 dans laquelle la couche 401a a été retirée. Dans cet exemple, une couche isolante 403, par exemple en nitrure de silicium (Si3N4), revêt la surface supérieure des portions de la couche 401b laissées libres par le retrait de la couche 401a, 30 ainsi que la surface supérieure et les surfaces latérales laissées libres par le retrait de la couche 401a, des régions de la couche 401a dans lesquelles sont formées les diodes Dl et D2. La couche 403 est elle-même revêtue par une couche d'électret 405, par exemple en TEFLON chargé ou en parylène chargé. A titre 35 de variante, la couche 405 peut être en hexaméthyldisiloxane, B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 13 généralement désigné dans la technique par le sigle HMDS. On notera que le HDMS n'a pas, intrinsèquement, des propriétés d'électret, mais les essais réalisés ont montré que, après dépôt d'une couche 405 en HMDS, l'empilement oxyde-nitrure-HMDS des couches 401b-403-405 présente des propriétés d'électret c'est-à-dire qu'il peut conserver des charges électriques pendant une longue période. Plus généralement, la couche d'électret 405 peut être constituée de tout matériau présentant des propriétés d'électret seul ou en combinaison avec les couches 401b et 403. A titre d'exemple, la couche 403 a une épaisseur d'environ 10 à 500 nm, et la couche 405 a une épaisseur d'environ 1 nm à 2 pm. Les couches 403 et 405 comportent des ouvertures permettant de prendre des contacts électriques sur les régions d'anode et de cathode des diodes Dl et D2. Par souci de simplification des figures, les couches 403 et 405 ne sont pas représentées sur les figures 4A et 4C. En outre, sur la figure 4C, la couche semiconductrice 401a n'est pas représentée et les diodes Dl et D2 sont représentées de façon schématique par des symboles électroniques. Chaque cellule de conversion C comporte une lamelle bimétallique incurvée 407 située au dessus de la portion de substrat 401 voisine des diodes Dl et D2 dans laquelle la couche semiconductrice 401a a été retirée. Dans l'exemple représenté (voir figure 4B), la lamelle bimétallique 407 repose sur la couche d'électret 405. La lamelle 407 comprend deux couches superposées de métaux distincts ayant des coefficients de dilatation thermique différents. Toutefois, par souci de simplification des figures, les deux couches métalliques ne sont pas différenciées sur les figures. La lamelle 407 est adaptée à changer de forme lorsque sa température varie. A titre d'exemple, la lamelle 407 est adaptée à alterner entre une première forme en arche (dans l'orientation de la figure 4B), telle que représentée sur les figures 4B et 4C, lorsque sa température est supérieure à un seuil Tl, et une deuxième forme (non représentée) en arche inversée (dans l'orientation de la B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 14 figure 4B) lorsque sa température est inférieure à un seuil 12 inférieur au seuil Tl. Le métal de chaque couche de la lamelle 407 est par exemple choisi parmi le nitrure de titane, l'aluminium, le cuivre, le fer, l'or, le tungstène, le platine, un alliage fer-nickel, ou un alliage de l'un quelconque de ces métaux. Chacune des deux couches métalliques de la lamelle 407 a par exemple une épaisseur d'environ 0,1 à 10 pin. A titre d'exemple, en vue de dessus, la lamelle 407 est approximativement rectangulaire. La lamelle 407 a par exemple une largeur de l'ordre de 1 à 500 lm et une longueur de l'ordre de 10 à 5000 pin. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à cette forme particulière et à ces dimensions. On notera que les faces de la lamelle 407 peuvent être revêtues d'une couche isolante, non représentée, par exemple en parylène, en TEFLON ou en HMDS, de façon à éviter un contact direct entre le métal de la lamelle et l'électret, ce qui pourrait endommager l'électret et notamment le décharger. A titre d'exemple, ce revêtement isolant peut avoir une épaisseur de l'ordre de 1 nm à 5 pin. Dans chaque cellule C, la lamelle bimétallique 407 est couplée électriquement, par exemple connectée, à la région d'anode de la diode Dl et à la région de cathode de la diode D2 par au moins une piste métallique 409. La piste 409 est de préférence formée dans l'un des niveaux de métal de la lamelle 407 ou dans les deux niveaux de métal de la lamelle 407. Ceci permet de simplifier la structure du générateur 400 et de rendre sa réalisation plus facile en économisant des niveaux de métal. Dans cet exemple, les régions de cathode des diodes Dl des différentes cellules C du générateur 400 sont couplées électriquement, par exemple connectées, à un même noeud V+ par au moins une piste métallique 411, et les régions d'anode des diodes D2 des différentes cellules C du générateur 400 sont couplées électriquement, par exemple connectées, à un même noeud V_ par au moins une piste métallique 413. Les pistes 411, 413 B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 15 sont de préférence formées dans l'un des niveaux de métal des lamelles 407 ou dans les deux niveaux de métal des lamelles 407. Comme cela apparaît sur les figures 4B et 4C, dans cet exemple, le générateur 400 comprend en outre deux diodes D3 et 5 D4 connectées en série entre les noeuds V_ et V+, l'anode de la diode D4 étant couplée électriquement, par exemple connectée, au noeud V_ et la cathode de la diode D3 étant couplée électriquement, par exemple connectée, au noeud V. Les régions d'anode de la diode D3 et de cathode de la diode D4 (point 10 milieu de l'association en série des diodes D3 et D4) sont couplées électriquement, par exemple connectées, au support semiconducteur 401c du substrat 401. A titre d'exemple, les diodes D3 et D4 peuvent être formées dans une région de la couche semiconductrice 401a du 15 substrat 401. Dans ce cas, pour connecter les régions d'anode de la diode D3 et de cathode de la diode D4 au support 401c, on peut prévoir de réaliser une ouverture (non représentée) dans la couche isolante 401b pour accéder à la face supérieure du support 401c, et de former au moins une piste conductrice 20 reliant la face supérieure du support 401c à l'anode de la diode D3 et à la cathode de la diode D4. Cette piste peut être formée dans l'un des niveaux de métal des lamelles 407 ou dans les deux niveaux de métal des lamelles 407. A titre de variante, les diodes D3 et D4 peuvent être 25 des diodes discrètes. Dans ce cas, pour connecter l'anode de la diode D3 et la cathode de la diode D4 au support 401c, on peut prévoir de réaliser une métallisation de contact (non représentée) soit sur la face supérieure du support 401c, dans une ouverture (non représentée) traversant la couche isolante 30 401b, soit sur la face inférieure du support 401c. L'anode de la diode D3 et la cathode de la diode D4 peuvent être connectées à cette métallisation par des fils conducteurs. Dans chaque cellule de conversion thermoélectrique C du générateur 400, la portion du support 401c située sous la 35 lamelle bimétallique 407, la couche d'électret 405 et la lamelle B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 16 bimétallique 407 forment un transducteur capacitif à électret 415. Le support 401c et la lamelle 407 correspondent par exemple respectivement à l'électrode fixe et à l'électrode mobile d'un transducteur du type décrit en relation avec la figure 1. En fonctionnement, la face inférieure ou face arrière du support 401c est destinée à être en contact avec une source chaude à une température Th supérieure au seuil Tl, et la face supérieure du générateur 400 est destinée à être en contact avec une source froide à une température Tc inférieure au seuil 12, par exemple l'air ambiant. Dans chaque cellule C, de l'énergie thermique produite par la source chaude est convertie en oscillations mécaniques de la lamelle 407 de la cellule, et de l'énergie mécanique produite par les oscillations de la lamelle est convertie en énergie électrique par le transducteur 415 de la cellule, selon un principe similaire à celui décrit en relation avec la figure 2. Dans chaque cellule, les diodes Dl et D2 de la cellule forment, avec les diodes D3 et D4 communes à toutes les cellules du générateur, un pont de diodes adapté à redresser les signaux électriques produits par le transducteur 415 de la cellule. Le générateur 400 peut en outre comprendre un circuit non représenté de conversion des signaux électriques redressés fournis entre les noeuds V_ et V. A titre d'exemple, un circuit de conversion tel que le circuit 310 de la figure 3 peut être connecté, par ses noeuds d'entrée El, E2, aux noeuds de sortie V+, V_ du circuit de redressement du générateur 400. Plus généralement, tout autre circuit adapté à convertir les signaux électrique redressés fournis entre les noeuds V_ et V+ en une énergie électrique exploitable pour alimenter une charge peut être utilisé. Les figures SA à 5F sont des vues en coupe illustrant schématiquement des étapes d'un exemple de procédé de fabrication d'un générateur thermoélectrique du type décrit en relation avec les figures 4A à 4C. B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 17 La figure aA illustre une étape de formation des diodes Dl et D2 des cellules C dans la couche semiconductrice 401a du substrat 401. Pour cela, des éléments dopants de type N et de type P peuvent être implantés ou diffusés dans la couche 401a depuis sa face supérieure. Des masques non représentés peuvent être utilisés pour délimiter les régions d'implantation. La figure 5B illustre une étape de retrait, dans chaque cellule C, d'au moins une portion de la couche 401a dans une région du substrat 401 voisine des diodes Dl et D2 de la cellule. A titre d'exemple, la couche 401a peut être retirée partout sauf là où des diodes Dl, D2 ont été formées. On notera qu'une portion de couche 401a peut être retirée entre la diode Dl et la diode D2 de chaque cellule, ce qui permet d'isoler les diodes les unes des autres. Le retrait de la couche 401a peut être effectué par gravure. Un masque non représenté peut être utilisé pour délimiter les zones de la couche 401a à graver. La figure 5C illustre une étape postérieure à l'étape de gravure de la figure 5B, de dépôt de la couche isolante 403 sur la surface supérieure du substrat 401, c'est-à-dire sur les surfaces supérieures de la couche 401b rendues libres par la gravure de la couche 401a, et sur les faces latérales et supérieures des régions non gravées de la couche 401a. La figure 5C illustre en outre le dépôt, sur la surface supérieure de la couche 403, d'une couche 405 en un matériau susceptible de servir d'électret, seul ou en combinaison avec les couches 401b et 403, par exemple du TEFLON, du parylène ou du HMDS. La figure 5D illustre une étape de formation d'ouvertures 501 dans l'empilement formé par les couches 403 et 405, en regard de régions de prise de contact sur les régions d'anode et de cathode des diodes Dl et D2 des cellules C. Afin d'améliorer le contact électrique, une étape optionnelle de siliciuration du silicium exposé peut être prévue, afin de former, par exemple, une couche de siliciure de Nickel sur les régions d'anode et de cathode des diodes Dl et D2. B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 18 La figure 5E illustre une étape de formation, dans chaque cellule C, d'une lamelle bimétallique incurvée 407, au dessus de la couche 405, dans une région du substrat dans laquelle la couche 401a a été retirée au voisinage des diodes Dl 5 et D2. Les lamelles 407 peuvent par exemple être formées par un procédé du type décrit dans la demande de brevet français intitulée "Plaque incurvée et son procédé de fabrication" déposée le 2 avril 2012 sous le numéro 12/52997, et dans la demande de brevet US correspondante déposée le 28 mars 2013 sous 10 le numéro 13/852676. Ces deux demandes sont incorporées par référence dans la présente description dans la mesure autorisée par la loi. A titre d'exemple, des pavés carrés ou rectangulaires (non représentés) d'un matériau fusible tel que de la résine 15 sont formés sur la couche 405 là où l'on souhaite former des lamelles 407. Une étape de photolithographie peut être prévue pour former ces pavés. Après la formation des pavés, un recuit peut être prévu pour transformer les pavés en monticules arrondis (non représentés), de forme plus ou moins sphérique 20 selon les conditions du recuit. Après le recuit, deux couches de métaux distincts ayant des coefficients de dilatation thermiques différents peuvent être successivement déposées sur les monticules arrondis pour former les lamelles incurvées 407. Les dépôts métalliques peuvent par exemple être réalisés par un 25 procédé de dépôt physique en phase vapeur. Après le dépôt des couches métalliques, une étape de gravure peut être prévue pour délimiter les lamelles 407, et, le cas échéant, les pistes conductrices 409, 411, 413. Les monticules du matériau fusible utilisé pour conformer les lamelles peuvent ensuite être 30 retirés, par exemple par gravure humide. Après le retrait des monticules du matériau fusible, les faces supérieures et inférieures des lamelles 407 peuvent être revêtues d'une couche isolante visant à éviter un contact direct entre le métal de la lamelle et l'électret du 35 transducteur. Cette couche est par exemple formée par dépôt B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 19 conforme d'un matériau isolant sur toute la surface du dispositif, par exemple un polymère tel que le parylène, le TEFLON ou le HMDS. La figure 5F illustre une étape au cours de laquelle la couche 405 est chargée électriquement de façon à acquérir des propriétés d'électret. Dans cet exemple, la couche 405 est pour cela soumise à une décharge Corona, par exemple sous une tension de pointe de l'ordre de 10000 volts pendant environ 1 heure. Dans l'exemple représenté, la décharge Corona est effectuée à travers les lamelles bimétalliques 407. Les modes de réalisation décrits ne se limitent toutefois pas à ce cas particulier. On pourra par exemple prévoir de mettre en oeuvre la décharge Corona avant la réalisation des lamelles 407. En outre, on pourra prévoir de charger électriquement la couche 405 par d'autres moyens que par une décharge Corona. On notera que dans l'exemple représenté, un avantage lié à l'utilisation d'un substrat SOI est que, lors de la décharge Corona, des charges sont stockées non seulement dans la couche 405, mais aussi dans les couches diélectriques sous-jacentes, et notamment dans la couche 401b du substrat qui peut contenir une quantité relativement importantes de charges. En l'absence de la couche supérieure 405, la couche 401b ne pourrait pas retenir les charges électriques pendant une période suffisamment longue pour servir d'électret. Toutefois, la présence de la couche supérieure 405, par exemple en TEFLON ou en parylène, a pour effet d'empêcher la décharge de la couche 401b, d'où il résulte que la couche 401b joue aussi le rôle d'électret dans le générateur thermoélectrique des figures 4A à 4C. Pour la même raison, la couche 403 est aussi susceptible de jouer le rôle d'électret dans le générateur des figures 4A à 4C. La figure 6 est une vue en coupe illustrant une variante de réalisation d'un générateur thermoélectrique. Le générateur thermoélectrique 600 de la figure 6 comprend tous les éléments du générateur 400 des figures 4A à 4C. Ces éléments ne seront pas décrits à nouveau ci-après. Le générateur 600 B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 20 comprend de plus un deuxième substrat 601 qui encapsule le générateur du côté de sa surface supérieure. Le substrat 601 peut être un substrat semiconducteur, par exemple un substrat de silicium massif, ou un substrat d'un autre type. Le substrat 601 5 est disposé au dessus de la face supérieure du substrat 401, approximativement parallèlement au substrat 401, et est séparé de la face supérieure du substrat 401 par un ou plusieurs espaceurs 603, par exemple en résine, de façon à laisser les lamelles 407 libres de se déformer lorsque leur température 10 varie. En fonctionnement, la face inférieure ou face arrière du support 401c est destinée à être en contact avec une source chaude à une température Th supérieure au seuil Tl, et la face supérieure du substrat 601 est destinée à être en contact avec 15 une source froide à une température Tc inférieure au seuil 12. Un avantage du générateur 600 de la figure 6 est que le substrat 601 permet de protéger les lamelles bimétalliques du générateur. De plus, le substrat 601 permet une transmission plus homogène de la température de la source froide vers les 20 lamelles bimétalliques 407. La figure 7 est une vue en coupe illustrant une autre variante de réalisation d'un générateur thermoélectrique. Le générateur thermoélectrique 700 de la figure 7 comprend, comme dans l'exemple de la figure 6, un substrat 701 formant un capot 25 de protection des lamelles bimétalliques 407 du côté de la surface supérieure du générateur. Le générateur 700 de la figure 7 diffère du générateur 600 de la figure 6 en ce que, dans le générateur 700, la face supérieure du substrat 701, c'est-à-dire la face du substrat 701 opposée aux lamelles 407, comporte des 30 ailettes 703. Les ailettes 703 peuvent être formées dans le même matériau que le substrat. Les ailettes 703 permettent d'améliorer le refroidissement des lamelles bimétalliques 407 par la source froide. La figure 8 est une vue en coupe illustrant une autre 35 variante de réalisation d'un générateur thermoélectrique. Le B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 21 générateur thermoélectrique 800 de la figure 8 comprend, comme dans l'exemple de la figure 6, un substrat 801 formant un capot de protection des lamelles 407 du côté de la face supérieure du générateur. Dans le générateur 800, le substrat 801 est un substrat semiconducteur, par exemple un substrat de silicium massif. Le générateur 800 de la figure 8 diffère du générateur 600 de la figure 6 en ce que, dans le générateur 800, la face inférieure du substrat 801, c'est-à-dire la face du substrat 801 tournée vers les lamelles 407, est revêtue d'une couche d'électret 803, par exemple une couche de TEFLON ou de parylène électriquement chargée, ou un empilement, électriquement chargé, d'une ou plusieurs couches diélectriques, par exemple Si02/Si3N4, et d'une couche susceptible de transformer l'empilement diélectrique en électret, par exemple une couche de TEFLON, de parylène ou de HMDS. Le générateur 800 comprend en outre deux diodes D5 et D6 en série entre les noeuds V_ et V+, l'anode de la diode D6 étant couplée, par exemple connectée, au noeud V_ et la cathode de la diode D5 étant couplée, par exemple connectée, au noeud V. L'anode de la diode D5 et la cathode de la diode D6 (point milieu de l'association en série des diodes D5 et D6) sont couplées, par exemple connectées, au substrat 801. A titre d'exemple, les diodes D5 et D6 peuvent être des diodes discrètes. Dans ce cas, l'anode de la diode D5 et la cathode de la diode D6 peuvent être connectées au substrat 801 par l'intermédiaire de fils conducteurs et d'une métallisation (non représentée) formée sur la face supérieure ou sur la face inférieure du substrat 801. Un avantage du générateur 800 de la figure 8 est que chaque cellule de conversion thermoélectrique comporte deux transducteurs capacitifs à électret partageant une même électrode mobile formée par la lamelle bimétallique 407. Ainsi, chaque cellule fonctionne selon un principe identique ou similaire à celui décrit en relation avec la figure 2. Dans cet exemple, le support semiconducteur 401c forme l'électrode fixe du transducteur inférieur, et le substrat 801 forme l'électrode B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 22 fixe du transducteur supérieur. Ceci permet, pour une quantité donnée d'énergie thermique reçue par la cellule, de récupérer une plus grande quantité d'énergie électrique. Dans une variante de réalisation, chaque cellule de 5 conversion peut comporter uniquement le transducteur capacitif à électret supérieur formé par la lamelle bimétallique 407, la couche d'électret 803 et le substrat 801. Les diodes D3 et D4, ainsi que les couches 403 et 405, peuvent alors être supprimées. On notera que les variantes de réalisation des figures 10 7 et 8 peuvent être combinées, c'est-à-dire que, dans le générateur 800 de la figure 8, la face supérieure du substrat 801, c'est-à-dire la face du substrat 801 opposée aux lamelles 407, peut comporter des ailettes. Un avantage des modes de réalisation décrits en 15 relation avec les figures 4A à 4C, 6, 7 et 8, est que les générateurs thermoélectriques décrits sont simples, compacts, et qu'ils peuvent être réalisés à grande échelle à des coûts relativement faibles. En outre, ils peuvent avoir des surfaces variées allant par exemple de la taille d'une puce semi- 20 conductrice de quelques mm2 à quelques cm2 à des surfaces de plusieurs centaines de cm2, et des épaisseurs relativement faibles, par exemple de quelques millimètres. Ainsi, les générateurs décrits peuvent convertir efficacement de l'énergie thermique en énergie électrique dans des environnements variés. 25 Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, les modes de réalisation décrit ne se limitent pas aux exemples susmentionnés dans lesquels les 30 cellules de conversion du générateur thermoélectrique sont formées dans et sur un substrat SOI. A titre de variante, on pourra réaliser un générateur thermoélectrique du type décrit ci-dessus à partir d'un substrat semiconducteur massif, par exemple en silicium, les diodes Dl et D2 de chaque cellule étant 35 alors formées dans le substrat semiconducteur massif. B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 23 Par ailleurs, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas aux exemples susmentionnés de circuits de redressement des signaux électriques produits par les éléments de transduction thermoélectrique du générateur. Outre les diodes 5 Dl et D2, chaque cellule de conversion pourra comprendre d'autres composants formés dans et sur une région semiconductrice du substrat. En outre, les diodes D3, D4, D5, D6 susmentionnées sont optionnelles et peuvent éventuellement être remplacées par d'autres composants, complétées par d'autres 10 composants, ou supprimées. De plus, les modes de réalisation décrits ne se limitent pas à l'exemple de procédé de fabrication d'un générateur thermoélectrique décrit en relation avec les figures SA à 5F. REVENDICATIONS1. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) de conversion d'énergie thermique en énergie électrique, comportant une pluralité de cellules de conversion (C) disposées dans et sur un premier substrat (401), chaque cellule (C) comprenant : une lamelle bimétallique incurvée (407) ; et des première (Dl) et deuxième (D2) diodes couplées à ladite lamelle (407), disposées dans une première région semiconductrice (401a) du premier substrat (401). 2. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) selon la 10 revendication 1, dans lequel, dans chaque cellule (C), l'anode de la première diode (Dl) et la cathode de la deuxième diode (D2) sont couplées électriquement à la lamelle (407) par au moins une première piste conductrice (409). 3. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) selon la 15 revendication 2, dans lequel ladite au moins une première piste conductrice (409) est réalisée dans au moins un niveau de métal de la lamelle bimétallique (407). 4. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les cathodes 20 des premières diodes (Dl) sont couplées à un même premier noeud (V+) du dispositif par au moins une deuxième piste conductrice (411), et les anodes des deuxièmes diodes (D2) sont couplées à un même deuxième noeud (V-_) du dispositif par au moins une troisième piste conductrice (413). 25 5. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) selon la revendication 4, dans lequel lesdites au moins une deuxième (411) et au moins une troisième (413) pistes conductrices sont réalisées dans au moins un niveau de métal de la lamelle bimétallique (407). 30 6. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chaque cellule (C) comporte un premier transducteur capacitif à électret (415) dont une première électrode est formée par ladite lamelle (407).B12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 25 7. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) selon la revendication 6, dans lequel, dans chaque cellule (C), une deuxième région semiconductrice (401c) du premier substrat (401) située en regard de ladite lamelle (407), forme une deuxième électrode du transducteur capacitif à electret (415) de la cellule. 8. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) selon la revendication 7, dans lequel chaque cellule (C) comporte une couche d'électret (405) entre ladite lamelle (407) et la 10 deuxième région semiconductrice (401c). 9. Dispositif (600 ; 700 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comportant en outre un deuxième substrat (601 ; 701 ; 801) situé du côté des lamelles bimétalliques (407) opposé au premier substrat (401). 15 10. Dispositif (700) selon la revendication 9, dans lequel le deuxième substrat (701) comporte des ailettes (703) sur une face opposée aux lamelles bimétalliques (407). 11. Dispositif (800) selon la revendication 9 ou 10, dans lequel le deuxième substrat (801) est revêtu d'une couche 20 d'électret (803) du côté d'une face tournée vers les lamelles bimétalliques (407). 12. Dispositif (800) selon la revendication 11, dans lequel chaque cellule comporte un deuxième transducteur capacitif à electret dont une première électrode est formée par 25 ladite lamelle (407) et dont une deuxième électrode est formée par une région semiconductrice du deuxième substrat (801) située en regard de ladite lamelle (407). 13. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le premier 30 substrat (401) est un substrat SOI comprenant une couche semiconductrice (401a) revêtant une couche isolante (401b) revêtant un support semiconducteur (401c). 14. Dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) selon la revendication 13, dans lequel, dans chaque cellule, la lamelle 35 bimétallique incurvée (407) est formée au dessus de la coucheB12764 - 13-GR4-0297 - DD14580SP 26 isolante (401b) dans une région du substrat (401) dans laquelle la couche semiconductrice (401a) a été retirée. 15. Dispositif selon la revendication 13 ou 14, dans lequel lesdites premières (Dl) et deuxièmes (D2) diodes sont 5 formées dans la couche semiconductrice (401a). 16. Procédé de fabrication d'un dispositif (400 ; 600 ; 700 ; 800) de conversion d'énergie thermique en énergie électrique comportant une pluralité de cellules (C) de conversion disposées dans et sur un premier substrat (401), ce 10 procédé comportant les étapes suivantes : former, dans chaque cellule (C), des première (Dl) et deuxième (D2) diodes dans une première région semiconductrice (401a) du premier substrat (401) ; et former, dans chaque cellule (C), une lamelle 15 bimétallique incurvée (407) couplée aux première (Dl) et deuxième (D2) diodes de la cellule. 17. Procédé selon la revendication 16, comportant en outre une étape de formation, dans chaque cellule (C), d'une couche (405 ; 803) d'électret entre ladite lamelle (407) et une 20 deuxième région semiconductrice (401c ; 801), ladite lamelle et ladite deuxième région semiconductrice formant des électrodes d'un transducteur capacitif à électret de la cellule (C).