FR 3009429 A1 20150206 FR 1357653 A 20130801 Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un procédé pour réa- liser un patin de liaison pour la liaison par thermo-compression ainsi qu'un patin de liaison pour une telle liaison sur une matière de support à une autre matière de support ainsi qu'un composant ayant un tel pa- tin de liaison et aussi un programme d'ordinateur pour la mise en oeuvre du procédé. Etat de la technique Pour les branchements électriques de structures semi- conductrices, on utilise généralement des patins de liaison appliqués sur les branchements de contact correspondants de la structure semiconductrice. Les patins de liaison ont généralement une structure à plusieurs couches. Pour former le patin de liaison ou structure l'infrastructure sur laquelle on applique les matières à relier. Sur cette infrastructure on applique alors le métal de liaison. A titre d'exemple la publication Tang "Wafer-level Cu-Cu bonding technology" (Microelectronics Reliability 52 (2012) 312-320) décrit une structure de couches de tantale et de cuivre. La publication Huffmann "Fabrication and characteriza- tion of metal-to-metal interconnect structures for 3-D integration" (Journal of Instrumentation Volume 4 (2009)) décrit une structure de couches formées de titane et de cuivre. La publication Froemel "Investigations of thermocom- pression bonding with thin metal layers" (Proceedings of Tranducers'11) décrit une structure de couches formées de tantale, de cuivre, de titane et d'or ainsi que d'aluminium. Exposé et avantages de l'invention La présente invention a pour but de simplifier ces procé- dés de fabrication et les rende plus efficace et à cet effet l'invention a pour objet un procédé pour réaliser un patin de liaison pour une liaison par thermo-compression. Le procédé consiste à utiliser une matière de support ayant des structures semi-conductrices, la couche de bord extérieur de la matière de support étant réalisée comme couche de métal de câblage pour la mise en contact électrique des structures semi- conductrices et déposer une monocouche de métal de liaison directe- ment à la surface de la couche de métal de câblage pour réaliser le patin de liaison. Utilisé comme matière standard de chemin conducteur l'aluminium, conviendrait bien pour réaliser des liaisons de plaquettes dans un contexte industriel mais nécessite des températures de procédé plus élevées que celles de l'or et du cuivre et du fait de la facilité de l'oxydation de l'aluminium, le système de liaison serait difficile à dominer. L'or et le cuivre sont actuellement utilisés avec une structure de couches compliquée se composant généralement d'une couche d'accrochage, d'une barrière de diffusion et par exemple d'une couche de départ pour le procédé galvanique. Chacune des couches nécessite une mise en structure, ce qui se traduit par un procédé complexe dans lequel il faut accorder entre de nombreux paramètres. L'invention telle que définie ci-dessus repose sur l'idée de déposer un métal de liaison directement sur la couche de chemin con- ducteur d'une puce et cette couche de chemin conducteur aura la double fonction de réaliser une liaison électrique dans la puce et de servir de support au métal de liaison. La couche supérieure de la couche de chemin conducteur peut intégrer une barrière de diffusion. Par le dépôt d'une monocouche d'un métal de liaison di- rectement sur la couche du chemin conducteur d'une couche on économise des étapes de travail très importantes. La hauteur du patin de liaison peut être réduite, ce qui diminue la distance entre les puces ainsi reliées. Outre le procédé tel que défini ci-dessus, l'invention a également pour objet un patin de liaison pour une liaison par thermocompression d'une matière de support avec une autre matière de support, le patin de liaison ayant une matière de support à des structures semi-conductrices, la couche de bord extérieur de la matière de support étant réalisée comme couche de métal de câblage pour le contact élec- trique des structures semi-conductrices et une monocouche de métal de liaison appliquée directement à la surface d'une couche de métal de câblage de la matière de support. L'invention a également pour objet un composant ayant une première matière de support avec au moins un premier patin de liaison et une seconde matière de support avec au moins un second patin de liaison, chevauchant au moins partiellement le premier patin de liaison dans la plage de tolérance, le second patin de liaison étant tourné vers le premier patin de liaison et relié par le procédé de liaison par la matière au premier patin de liaison. L'expression « patin de liaison » désigne un élément de liaison qui sera relié par une liaison par la matière à un autre patin par un procédé réalisant une liaison par thermo-compression. Le procédé de liaison est un procédé thermique selon lequel la matière du patin de liaison est chauffée à la température de liaison pour développer la crois- sance de cristaux et/ou de cristallites dans la surface de contact entre les deux patins de liaison. La température de liaison est inférieure à la température de liquides de la matière. Les patins de liaison sont pressés l'un contre l'autre au cours du procédé de liaison. La matière de sup- in port peut être une puce ou une plaquette. La matière de support peut comporter une matière semi-conductrice. Les structures semiconductrices peuvent être par exemple des circuits intégrés ou des capteurs micromécanique. La couche métalliques de câblage est une couche métallique électro-conductrice et/ou une couche céramique 20 dans laquelle on réalise des chemins conducteurs pour relier par exemple entre-elles des structures semi-conductrices. Un dépôt signifie l'accumulation de composants d'une matière à la surface. Le dépôt permet de réaliser une couche ayant une épaisseur prédéfinie. L'épaisseur de la couche est obtenue par le dépôt régulier sur une sur- 25 face du métal de liaison. Le premier patin de liaison et le second patin de liaison sont réalisés chacun au moins pour relier électriquement la première matière de support et la seconde matière de support. Le premier patin de liaison et le second patin de liaison peuvent être réalisés en variante 30 ou en plus comme un cadre de liaison pour rendre étanche une cavité entre la première matière de support et la seconde matière de support. Si les deux matières de support sont reliées sous une atmosphère pré-définie, on pourra conserver l'atmosphère à l'intérieur du cadre de liaison entre les matières des supports. Par exemple, les matières de 35 support sont reliées en faisant le vide. On peut alors avoir un espace sous vide à l'intérieur du cadre de liaison après évacuation. Par exemple on peut ainsi réaliser une chambre de pression de référence pour un capteur de pression. La matière de support est fournie avec une couche de métal de câblage en une matière électro-conductrice à base d'aluminium. En variante ou en complément, comme couche de métal de liaison, on dépose une couche métallique à base de cuivre, à base de cuivre Cu ou à base d'or Au. Une matière à base d'aluminium Al est une matière qui comporte au moins en partie de l'aluminium Al. Une ma- tière à base de cuivre Cu est une matière qui contient au moins en par- tie du cuivre Cu. Une matière à base d'or Au est une matière qui contient au moins en partie de l'or Au. La couche métallique de câblage peut par exemple être réalisée en Al, A1Si, A1SiCu, A1Cu purs et cette couche est entourée en haut et en bas par des couches de barrière de diffusion telle que par exemple Ti/TiN, Ta/TaN. Par exemple sous la forme Ti/TiN/A1Cu/Ti/TiN la couche de métal de liaison peut être déposée comme cuivre pur Cu ou comme or pur Au. Des chemins conducteurs à base d'aluminium Al sont particulièrement simples à travailler. Le cuivre Cu et l'or Au ont des caractéristiques de résistance à la corro- sion. Par exemple la couche de métal de liaison peut être déposée par un procédé galvanique ou par un procédé de pulvérisation. Cela permet de réaliser une épaisseur de couche mince, très régulière. Le procédé peut comporter une étape de réalisation d'un masque, étape selon laquelle on utilise une zone de masque à laisser libre à la surface de la couche métallique de câblage que l'on couvre avec une couche formant un masque et dans l'étape de dépose, on dépose la couche de métal de liaison dans la zone non masquée de la surface de la couche métallique de câblage. La zone non masquée peut être laissée libre sur une largeur prédéfinie par exemple une largeur com- prise entre 0,1 pm et 1000 pm notamment une largeur comprise entre 1 pm et 500 p m. Le pro cédé comporte notamment une étape d'enlèvement consistant à enlever la couche formant le masque dans cette étape. Un masque est un revêtement de la surface avec par exemple un vernis photosensible dont les zones éclairées durcissent. Dans les zones non éclairées, on a les zones de travail dans lesquelles le vernis n'est pas durci et que l'on peut enlever. Dans les zones de travail, la surface supérieure est alors dégagée et peut être travaillée. Dans l'étape de dépôt, on dépose sélectivement le métal de liaison dans les zones laissées libres. En limitant les surfaces pour le dépôt, on peut installer et former de manière ciblée le patin de liaison. Cela permet d'économiser du métal noble couteux. Au moins une zone d'étanchéité peut être laissée libre à la surface de la couche métallique de câblage pour déposer la couche de métal de liaison, la zone d'étanchéité ayant un contour annulaire fermé. La zone d'étanchéité réalise une structure limite, continue, d'une zone à rendre étanche. La zone d'étanchéité peut entourer des contours d'éléments fonctionnels dans la zone. La zone d'étanchéité réalise une cavité fermée entre deux matières de support voisines. Selon une variante du procédé, la matière de support est munie d'une couche de métal de câblage non structurée. Ensuite, après une étape d'enlèvement de la couche formant le masque, dans une autre étape du masquage on applique une autre couche de masque sur la couche de métal de liaison et on applique la couche de métal de câblage. Dans l'étape de mise en structure on enlève la couche de métal de câblage aux endroits non masqués. Ensuite, on enlève l'autre couche de masquage dans une autre étape d'enlèvement. Grâce à la couche de métal de câblage, continue, on peut déposer la couche de métal de liaison notamment par voie électrochimique. Le procédé de dépôt électrochimique permet d'obtenir des épaisseurs de couche particulièrement lisse et/ou régulières pour le métal de liaison. L'épaisseur de couche peut être fixée de manière précise. Pour structurer on attaque par exemple par voie chimique la couche métallique de câblage. La matière de support peut être fournie avec une couche de métal de câblage structurée. Si la couche de métal de câblage est dé- jà structurée lorsqu'elle est fournie, on peut notamment utiliser un pro- cédé de dépôt par voie chimique humide pour déposer la couche de métal de liaison. Le procédé chimique par voie humide permet de déposer la couche de métal de liaison avec une composition prédéfinie. Le procédé chimique par voie humide ne nécessite pas de branchement électrique de zone pour réaliser les dépôts. La surface de la couche métallique de câblage peut avoir une barrière de diffusion. Par exemple dans la surface de la couche métallique de câblage, on peut intégrer complètement Ti/TiN, Ta/TaN pour éviter les procédés de diffusion lors de la liaison faite ensuite. La matière de support peut être fournie avec au moins une structure micro-électromécanique qui réalise un contact électrique avec au moins une zone de la couche métallique de câblage. Une structure micro-électromécanique peut comporter des zones mobiles réalisées par des étapes de la fabrication technique des semi-conducteurs. La structure micro-électromécanique peut être située dans la zone d'étanchéité. La structure micro-électromécanique peut faire partie d'un capteur par exemple d'un capteur de pression ou d'un capteur d'accélération. Le procédé comporte une étape de conditionnement de la couche métallique de liaison. Le conditionnement permet de préparer la surface dégagée de la couche de métal de liaison pour un procédé de liaison suivant. Par exemple, le conditionnement signifie le lissage, le nettoyage ou l'égalisation de l'épaisseur de la couche. En conditionnant on améliore le procédé de liaison. Cela permet d'augmenter la qualité de la liaison. Par exemple une fermeture hermétique de la zone d'étanchéité par le conditionnement réduit la largeur de la zone d'étanchéité ce qui permet une économie de métal de liaison et de surface de la puce. La matière de support est fournie avec une couche de métal de câblage d'une épaisseur prédéfinie, par exemple une épaisseur comprise entre 0,01 pm et 200 pm notamment une épaisseur comprise entre 0,1 pm et 20 pm. La couche de métal de liaison est déposée avec une épaisseur prédéfinie par exemple une épaisseur comprise entre 0,001 pm et 10 pm notamment une épaisseur comprise entre 0,01 pm et 1,0 pm. De telles épaisseurs de couche, prédéfinies limitent la taille des cristallites dans la couche. Pour des cristallites plus petites, la matière aura, vis-à-vis de l'état moyen, de meilleures caractéristiques et en particulier une plus grande résistance à l'abrasion et/ou une dureté plus importante. Les petites cristallites serviront lors du procédé de liai- son, comme germes de départ pour la croissance des cristaux au-delà de la surface limite. L'invention a également pour objet un produit pro- gramme d'ordinateur avec un code programme enregistré sur un sup- port lisible par une machine telle qu'une mémoire semi-conductrice, un disque dur ou une mémoire optique et pour appliquer ou commander les étapes du procédé selon l'un quelconque des développements ci-dessus lorsque le produit programme est exécuté par un ordinateur ou un dispositif de ce type. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'exemples de réalisation du procédé de fabrication d'un patin de liaison ainsi que d'un patin de liaison et d'un composant équipé de tels patins, représentés dans les dessins annexés dans lesquels les mêmes éléments portent les mêmes références dans les dif- férentes figures. Ainsi : - la figure 1 est une vue en coupe d'un exemple de réalisation d'un patin de liaison selon l'invention, - la figure 2 est un diagramme très simplifié du procédé de réalisation d'un patin de liaison selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 3 est une vue en coupe de la matière de support utilisée pour un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 4 est une vue en coupe de la matière de sup- port après application d'une couche formant un masque selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 5 est une vue en coupe de la matière de support masquée après l'étape de dépose du métal de liaison selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 6 est une vue en coupe de la matière de support après l'étape de dépôt du métal de liaison et d'enlèvement de la couche de masquage selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 7 est une vue en coupe de la matière de support après l'étape d'application d'une autre couche formant masque selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 8 est une vue en coupe de la matière de sup- port masquée et du métal de liaison après l'étape de mise en structure de la couche de métal de câblage selon un exemple de réalisation de l'invention. La figure 8 est une vue en coupe de deux matières de support munies d'un métal de liaison et d'une couche de métal de câblage, structurée selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 9 est une vue en coupe de deux matières de support munies d'un métal de liaison et d'une couche métallique de câblage, structurés selon un exemple de réalisation de la présente invention, - la figure 10 est une vue en coupe d'un composant formé de deux matières de support liées entre-elles selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 11 est une vue en coupe d'une autre matière de support munie d'une couche de câblage structurée selon un autre exemple de réalisation de l'invention, - la figure 12 est une vue en coupe de l'autre matière de support munie d'une couche formant un masque selon un autre exemple de réalisation de l'invention, - la figure 13 est une vue en coupe de l'autre matière de support masquée avec le métal de liaison déposé selon un autre exemple de réalisation de l'invention, - la figure 14 est une vue en coupe de deux matières de support munies du métal de liaison correspondant à un autre exemple de réalisation de l'invention, - la figure 15 est une vue en coupe d'un composant formé de deux matières de support liées l'une à l'autre selon un exemple de réalisation de l'invention, - la figure 16 est une vue d'une matière de support avec une zone fonctionnelle et une zone d'étanchéité périphérique correspondant à un exemple de réalisation de l'invention.35 Description de modes de réalisation de l'invention La figure 1 est une vue en coupe d'un patin de liaison 1 selon un exemple de réalisation de l'invention. Le patin de liaison 1 relie une matière de support 102 à une autre matière de support non repré- sentée, par un procédé de liaison par thermo-compression. Le patin de liaison 100 a une monocouche de métal de liaison 104 avec directement au-dessus de sa surface, une couche de métal de câblage 106 formant la matière de support 102. La couche de métal de câblage 106 est par exemple une monocouche et constitue la couche limite extérieure de la matière de support 102. La matière de support 102 est par exemple constituée par une plaquette ou une puce ayant des structures semiconductrices pour présenter qui sont reliées électriquement par la couche de métal de câblage 106. La figure 1 montre un détail de la matière de support 102. Dans l'exemple de réalisation représenté, la couche de métal de câblage 106 occupe une grande surface sur la ma- tière de support 102. La couche de métal de câblage 106 est réalisée par une matière de chemin conducteur à base d'aluminium. La couche de métal de liaison 104 est en or ou en cuivre ; elle a été déposée par voie électrochimique ou par un procédé de chimie par voie humide sur le métal de câblage 106. La couche de métal de liaison 104 a une épais- seur comprise entre 0,01 pm et 1 pm, une largeur latérale comprise entre 1 pm et 500 pm. La couche de métal de câblage 106 a une épaisseur comprise entre 0,1 pm et 20 pm. En d'autres termes, la figure 1 montre la structure de couches pour appliquer un procédé de liaison par thermo-compression. Le procédé de liaison par thermo-compression comme moyen technique pour relier deux plaquettes 102 est réalisable avec un grand nombre de structures de couches différentes. Le système de couches présenté à la figure 1 réduit con- sidérablement les moyens à mettre en oeuvre pour réaliser la structure de la liaison, ce qui constitue un procédé de fabrication économique et efficace avec moins de source de défaut que jusqu'alors. La liaison constitue en même temps une liaison électrique et hermétique mécaniquement stable et elle peut n'être réalisée que par une étape de liaison avec jusqu'à trois fonctions. La figure 2 montre un ordinogramme du procédé 200 de fabrication d'un patin de liaison selon un exemple de réalisation de l'invention. Le procédé 200 a en général une étape de fourniture 202 et une étape de dépôt 204. Dans l'étape de fourniture 202, on utilise une matière de support avec des structures semi-conductrices. La couche limite la plus extérieure de la matière de support est une couche de métal de câblage pour le branchement électrique de structures semiconductrices. Dans l'étape de dépôt 204 on dépose une monocouche de métal de liaison directement sur la surface de la couche de métal de câ- blage pour obtenir le patin de liaison. Dans l'étape 204, on galvanise la couche de métal de liaison par un procédé électrochimique ou de chimie par voie humide. Le procédé 200 peut être réalisé selon au moins deux va- riantes. Dans une première variante, en utilisant une galvanisation électrochimique, on applique le procédé 200 pour relier deux substrats avec les étapes de procédé suivantes appliquées à au moins deux substrats reliés. L'état de départ est un substrat dont la surface est revêtue d'un métal de câblage. Le substrat ayant une infrastructure de couches. Dans l'étape d'application et de mise en structure, on applique une couche formant un masque pour des conducteurs, par exemple en pho- to laque, polyamide, nitrure de silicium et on met en structure. Dans l'étape de dépôt 204 on dépose une couche de métal de liaison par exemple par un procédé de dépôt électrochimique. Par l'étape d'enlèvement on enlève de nouveau la couche formant le masque. En option dans l'étape d'application on applique une seconde couche for- mant le masque. Dans l'étape de mise en structure, on réalise la structure du métal de câblage, par exemple par une gravure au plasma. En option dans l'étape d'enlèvement, on enlève la seconde couche formant un masque. Dans l'étape de liaison, par thermo-compression on relie au moins les deux substrats. Les étapes de la variante 1 sont présentées aux figures 3 à 10. Dans une seconde variante, en utilisant une galvanisa- tion chimique on applique le procédé 200 pour relier deux substrats selon les étapes suivantes appliqués à au moins deux substrats à relier. L'état de départ est une couche de métal de câblage mise en structure sur un substrat avec une éventuelle infrastructure de couches. Une étape en option consiste à appliquer et à structurer une couche non conductrice formant un masque, par exemple en photo-laque, une couche de poly imide ou de nitrure de silicium. Dans l'étape de dépôt 204 de la couche de métal de liaison, on utilise par exemple un procédé chimique de dépôt. En option, on a une étape d'enlèvement de la couche formant un masque et une étape de liaison par thermo-compression des deux substrats. Les étapes de la variante 2 sont présentées à l'aide des figures 11 à 15. En option, on peut utiliser d'autres étapes de procédé. On peut exécuter une étape de nettoyage/conditionnement de la surface de métal de liaison par exemple par un traitement avec du plasma (par exemple pulvérisation sous argon et/ou un traitement par du gaz, par exemple du gaz de formage et/ou un traitement à la vapeur (par exemple de l'acide formique et/ou un nettoyage en chimie humide avant et/ou pendant l'opération de liaison. On peut également avoir une étape de traitement thermique par un recuit post-liaison pour renforcer l'accrochage de la liaison. Le procédé 200 peut également avoir une étape d'application et de mise en structure d'autres couches avant de réaliser la liaison (par exemple du gaz forming). Le procédé de liaison de plaquettes peut s'utiliser pour réaliser des capteurs avec encapsulage tels que par exemple des réseaux de capteurs infrarouges, des capteurs d'accélération, des capteurs de vitesse de rotation, des capteurs de pression ou autres. De façon avantageuse, selon l'invention, on évite une couche de départ distincte pour le dépôt de la couche de métal de liaison. Par une mince couche de liaison, on obtient de petites dimensions cristallites qui permettent une conversion rapide au niveau de la surface limite du patin de liaison et ainsi une liaison robuste. Par le dépôt galvanique, on obtient des surfaces lisses. L'invention réalise une liai- son économique, résistant à la corrosion qui permet d'avoir une distance définie entre deux substrats. Il est avantageux pour la liaison par thermo-compression que les surfaces de liaison soient aussi lisses que possible et se situent toutes dans un plan car alors au moment du procédé de liaison on aura des ondes des importantes des surfaces de liaison initialement en contact. Pour avoir des surfaces lisses il convient tout particulièrement d'utiliser des procédés de dépôt électrochimiques. Ces procédés permettent en outre de déposer des zones sélectivement déterminées et d'avoir des couches minces de quelques nanomètres (nm) d'épaisseur et aussi des couches très épaisses de plusieurs microns (pm). Pendant la liaison par thermo-compression, au niveau des surfaces de contact on a une cristallisation (recristallisation) et une croissance de grains par un procédé de diffusion de part et d'autre de la surface de liaison ce qui assure l'accrochage et les surfaces limites de liaison. Dans le cas de couche minces les grains sont significativement plus petits que dans le cas de couches épaisses et la conversion à un moment de la liaison peut se faire plus rapidement et plus complètement que dans le cas de couches épaisses. Pour des raisons de compa- tibilité de procédé les liaisons sont extrêmement avantageuses si elles se déroulent à basse température et elles résistent néanmoins ensuite à des températures élevées. Les métaux de liaison à faibles énergie de diffusion ce qui correspond généralement à de faibles énergies de liaison et une faible température de fusion, sont particulièrement intéressantes. Les figures 3 et 10 sont des vues de produits semi-finis (ou de patins de liaison terminés à la figure 10) obtenus par l'exécution des étapes de procédé correspondant à la première variante ci-dessus du procédé 200 pour la réalisation d'un patin de liaison 100 selon un exemple de l'invention. Les représentations correspondent aux états ob- tenus après l'exécution des étapes du procédé en utilisant la galvanisa- tion électrochimique représentée par des coupes de détails de l'un des contact de liaison comme cela est représenté à la figure 16. La figure 3 est une vue en coupe d'une matière de sup- port 102 comme exemple de réalisation de l'invention. La matière de support 102 est présentée dans un état dans lequel elle convient pour réaliser un patin de liaison selon un exemple de l'invention. La figure 3 montre une région partielle d'une plaquette ou d'une puce constituée par la matière de support 102. La matière de support 102 occupe la région partielle représentée dans un plan perpendiculaire au plan de la figure de la vue en coupe. La matière de support 2 comporte un subs- trat 300 par exemple en silicium cristallin. Une infrastructure de couches 302 est prévue sur le substrat 300 qui peut comporter des composants de structures semi-conductrices comme par exemple ceux d'un capteur micromécanique. L'infrastructure de couches 302 peut également comporter une couche favorisant l'accrochage pour réaliser une liaison solide avec la couche limite extérieure 106 de la matière de support 102 en un métal de câblage. La couche de métal de câblage 106 ou le plan de métal de câblage 106 est à base d'aluminium et se compose par exemple d'aluminium pur ou de Al, A1Si, A1SiCu, A1Cu ou Ti/TiN/A1Cu/Ti/TiN. D'autres métaux à base d'aluminium Al ou d'alliages ou de succession de couches sont envisageables. La figure 4 est une vue en coupe d'une matière de sup- port 102 sur laquelle a été appliquée une couche formant un masque 400 selon un exemple de réalisation de l'invention. La matière de sup- port 102 correspond à la matière de support de la figure 3 et elle a un substrat 300, une infrastructure de couches 302 et un plan de métal de câblage 106. La couche de masse 400 est appliquée sur la couche de métal de câblage 106 par un procédé de masquage et ensuite cette couche est mise en structure. La couche de masquage 400 dans cet exemple de réalisation est une couche électro-isolante. A titre d'exemple, la couche de masquage 400 est appliquée comme vernis photosensible pour un procédé de photo-lithogravure. Les régions partielles du vernis sont ensuite insolées. Selon le vernis utilisé, les régions partielles insolées ou non insolées du vernis seront enlevées et les zones non masquées 402 dans lesquelles la surface du métal de câblage 106 est dégagé seront ainsi réalisées. La figure 5 est une vue en coupe d'une matière de sup- port masquée 102 avec un métal de liaison 104 déposé correspondant à un exemple de réalisation de l'invention. La matière de support 102 cor- respond à la matière de support représentée à la figure 4. Dans les zones non masquées 402, dans l'étape de dépôt on a déposé la couche de métal de liaison 104 directement sur la surface du métal de câblage 106. Aux endroits couverts par la couche de masque 400, on ne dépose pas de métal de liaison. Dans cet exemple de réalisation, le dépôt se fait par voie électrochimique. Pour cela, on applique un potentiel électrique à la couche continue de métal de câblage 106 ; le champ électrique résultant attire les ions d'or et les ions de cuivre du bain de galvanisation à la surface dégagée du métal de câblage 106 où ces ions se déposent et forment une couche métallique 104. Le temps de galvanisation et ainsi que d'autres paramètres de procédé tels que par exemple la vitesse du flux d'électrolyte et l'intensité du courant définissent l'épaisseur de la couche de métal de liaison 104. La figure 6 est une vue en coupe d'une matière de sup- port 102 avec un métal de liaison 104 déposé et la couche de masquage enlevée selon un exemple de réalisation de l'invention. La matière de support 102 correspond à la matière de support de la figure 5. La couche de masquage a été enlevée dans l'étape d'enlèvement. Les régions partielles masquées 600 à la surface de la couche de métal de câblage sont alors de nouveau dégagés. La figure 7 est une vue en coupe d'une matière de sup- port 102 sur laquelle a été appliquée une autre couche de masque 700 selon un exemple de réalisation de l'invention. La matière de support 102 correspond à la matière de support présentée à la figure 6. La seconde couche de masque 700 a été appliquée dans une autre étape de masquage et a été mise en structure comme cela a par exemple été dé- crit à la figure 4. La couche de métal de liaison 104 ainsi qu'une région partielle de la surface de la couche de métal de câblage 106 sont couvertes par cette autre couche de masque 700. La surface résiduelle 702 du métal de câblage 106 est dégagée. La figure 8 montre une vue en coupe de la matière de support 102 masquée et du métal de liaison 104 avec la couche de métal de câblage 106 mise en structure selon un exemple de réalisation de l'invention. La matière de support 102 correspond à la matière de support représentée à la figure 7. Dans l'étape de mise en structure, le plan de câblage 106 a été enlevé dans les zones sans masque 702. L'infrastructure de couche 302 dans les zones sans masques 702 est libre. Ainsi, dans l'extrait représenté du plan de câblage 106 on a dégagé un chemin conducteur 800 qui relie de manière électro-conductrice un contact de liaison 802 avec une structure semi-conductrice de la matière de support 102. En outre, dans le plan de câblage 106 on a dé- gagé un socle pour une zone d'étanchéité 804. Les couches de métal de liaison 104 du contact de liaison 802 et de la zone d'étanchéité 804 sont dans un même plan. En d'autres termes, la figure 8 montre un système de mé- tal. Il se compsoe d'un plan de câblage 106 (par exemple Al, A1Si, A1Si- Cu, A1Cu, Ti/TiN/A1Cu/Ti/TiN) et d'au moins une couche de métal de liaison 104 (par exemple Au, Cu) qui la couvre. Le système de métal se prouve par une préparation en sections ainsi que par d'autres procédés physiques. Le système de métal présenté ici peut s'utiliser dans toutes les applications dans lesquelles il faut une liaison mécaniquement stable et/ou une étanchéité hermétique et/ou un contact électrique entre au moins deux plaquettes ou puces 102 et une autre puce 102 ou autre une plaquette 102 ce qui est par exemple le cas pour la réalisation de réseaux de capteurs infrarouges, de capteurs d'accélération, de capteurs de vitesse de rotation, ou de capteurs de pression. La figure 9 est une vue en coupe de deux matières de support 102, 900 sur lesquelles a été appliqué un métal de liaison 104 et une couche de métal de câblage 106 structurée selon un exemple de réalisation de l'invention. La première matière de support 102 corres- pond à la matière de support de la figure 7. Dans l'étape d'enlèvement, on a enlevé l'autre couche de masque et la couche de métal de liaison 104 est de nouveau dégagée. Le contact de liaison et la région d'étanchéité dépassent de la couche de métal de câblage de l'épaisseur de la matière du métal de liaison. La seconde matière de support 900 est symétrique plane de la première matière de support 102. La seconde matière de support 900 a un contour symétrique plan par rapport à celui de la première matière de support 102 dans la plage des tolérances. La couche de métal de liaison 104 de la seconde matière de support 900 est tournée vers la couche de métal de liaison 104 de la première ma- tière de support 102 en étant aligné de manière correspondante. Entre la première matière de support 102 et la seconde matière de support 900 on a une distance. La figure 10 est une vue en coupe d'un composant 1000 formé de deux matières de support 102, 900 liées l'une à l'autre selon un exemple de réalisation de l'invention. Les matières de support 102, 900 correspondent aux matières de support de la figure 9. Les couches de métal de liaison 104 des matières de support 102, 900 sont appliquées directement l'une contre l'autre. Dans l'étape de liaison par thermo-compression, les couches de métal de liaison sont reliées l'une à l'autre et il y a des cristaux dans la surface limite entre les couches de métal de liaison 104. Les deux matières de support 102, 900 sont écartées l'une de l'autre. En d'autres termes, la figure 10 montre un composant 1000 formé d'au moins deux substrats 102, 900 (par exemple des pla- guettes ou des puces, reliées l'une à l'autre par une liaison métallique de plaquettes. La liaison métallique de plaquettes se compose d'au moins une couche de métal de liaison 104 par exemple Au, Cu, qui se trouve sur un plan de câblage 106 (par exemple Al, A1Si, A1SiCu, A1Cu en option avec en intervalle, une barrière de diffusion par exemple TiN, TaN ou TiW. La couche de liaison métallique de plaquette 104 sur au moins un substrat 102, 900 peut servir au câblage. La couche métallique de liaison de plaquettes 104 d'au moins l'un des substrats 102, 900 peut être en relief par rapport à d'autres couches. La liaison métallique de plaquette réalise au moins une liaison métalliquement stable et/ou une liaison électrique 802 et/ou en option une liaison étanche, fermée de manière hermétique 804 (« cadre de liaison ») entre au moins deux substrats 102, 900. Dans au moins l'un des substrats 102, 900, on intègre un composant MEMS. Les surfaces des métallisations de liaison de plaquettes 104 peuvent être en relief pour les zones 802, 804 pour réaliser une liaison mécaniquement stable et/ou électrique et/ou hermétique sur les substrats 102, 900, chaque fois en relief et situées sur le même niveau par exemple dans la même infrastructure de couche et/ou la surface a été rendue plane avant ou après l'application des métallisations de liaison de plaquettes 104. La liaison métallique de pla- guettes peut avoir une largeur latérale de structure dans au moins une direction, comprise entre 1 pm et 500 pm. La liaison métallique de plaquettes permet d'avoir une distance définie de 0,1 pm-20 pm entre au moins deux substrats 102, 900. Le plan de câblage 106 peut avoir une épaisseur comprise entre 0,1 pm et 20 pm et la couche de métal de liai- son 104 avoir une épaisseur de préférence comprise entre 0,01 pm et 1,0 pm. Les figures 11 à 14 montrent des produits semi-finis, c'est-à-dire des patins de liaison terminés qui après exécution des étapes successives d'un procédé correspondent à la deuxième variante du procédé 200 de réalisation d'un patin de liaison 100 selon un exemple de réalisation de l'invention. Les représentations montrent les étapes de procédé avant et après les étapes de galvanisation chimique selon des sections de détails à travers un contact de liaison comme ce- lui présenté à la figure 16. La figure 11 est une vue en coupe d'une matière de support 102 telle que fournie avec une couche de métal de câblage 106 structurée selon un autre exemple de réalisation de l'invention. La matière de support 102 correspond à la matière de support de la figure 3 et d'un substrat 300, une infrastructure de couches 302 et un plan de mé- tal de câblage 106. Contrairement à la figure 3, le plan du métal de câblage 106 est déjà mis en structure et est formé comme zone pour un contact de liaison 800 et pour une zone d'étanchéité 804. La figure 12 est une vue en coupe d'une matière de sup- port 102 sur laquelle a été appliquée une couche formant un masque 400 selon un autre exemple de réalisation de l'invention. La matière du support 102 correspond à la matière de support de la figure 11. Dans l'étape de masquage on applique la couche formant le masque 400 et on structure la couche. Le chemin conducteur de la couche de métal de câblage 106 reliant la zone de contact de liaison 802 à une structure semi-conductrice de la matière de support 102 a été masquée. Dans la région de contact de liaison 802 et dans la région d'étanchéité 804 le métal de câblage 106 est dégagé. La figure 13 montre une vue en coupe d'une matière de support 102 avec un masque et un métal de liaison 104 déposé selon un autre exemple de réalisation de l'invention. La matière de support 102 correspond à la matière de support de la figure 12. Le métal de liaison 104 a été déposé sur le plan de câblage 106 par une étape de dépôt dans les zones dégagée 802, 804. Contrairement à l'exemple de réalisa- tion de la figure 5, le métal de liaison 104 a été également déposé sur les surfaces latérales du métal de câblage 106. Le dépôt a été fait en utilisant un procédé de chimie par voie humide ; aucun métal de liaison n'a été déposé sur l'infrastructure de couche 302. La figure 14 est une vue en coupe de deux matières de support 102, 900 sur lesquelles a été appliqué un métal de liaison 104 selon un autre exemple de réalisation de l'invention. La matière de support 102 correspond à la matière de support de la figure 13. Dans l'étape d'enlèvement, on a enlevé la couche de masque du chemin conducteur. La couche de métal de liaison 104 dépasse du plan de câblage 106. Une seconde matière de support 900 a un contour qui chevauche au moins partiellement la première matière de support 102 dans le cadre de la plage de tolérance. La couche de métal de liaison 104 de la seconde matière de support 900 est tournée vers la couche de métal de liaison 104 de la première matière de support 102. Une distance sub- siste entre la première matière de support 102 et le second support 900. La figure 15 est une vue en coupe d'un composant 1000 formé de deux matières de support 102, 900 liées l'une à l'autre selon un exemple de réalisation de l'invention. Les matières de support 102, 900 correspondent aux matières de support de la figure 14. Les couches de métal de liaison 104 des matières de support 102, 900 sont directement appliquées l'une contre l'autre. Dans l'étape de liaison de thermocompression, les couches de métal de liaison ont été reliées l'une à l'autre et des cristaux passent la surface limite entre les couches de mé- tal de liaison 104. Les deux matières de support 102, 900 sont écartées l'une de l'autre. La figure 16 est une vue d'une matière de support 102 avec une région fonctionnelle 1600 et une région d'étanchéité 804 périphérique correspondant à un exemple de réalisation de la présente in- vention. La région fonctionnelle 1600 de cet exemple de réalisation fait au moins partie d'un système micro-électromécanique MEMS 1600. Par exemple un autre composant du système MEMS 1600 peut être installé dans la matière de support, symétrique. La région fonctionnelle 1600 a une forme rectangulaire avec sur les petits côtés opposés, chaque fois six bornes reliées par les chemins conducteurs 800 tels que ceux pré- sentés par exemple à la figure 8 chaque fois avec un contact de liaison 802. Une région d'étanchéité 804 entoure de manière périphérique le composant MEMS 1600. La région d'étanchéité 804 est distante de la région fonctionnelle 1600 et des contacts de liaison 802. La région d'étanchéité 804 a des coins arrondis. La région d'étanchéité 804 et les contacts d'une liaison 802 sont revêtus d'une monocouche de métal de liaison 104 déposée directement sur la couche de métal de câblage en dessous. La région d'étanchéité 804 et les contacts de liaison 802 dépassent dans le plan du composant MEMS 1600. En d'autres termes, la figure 16 est une vue de dessus d'un dispositif caractéristique de composants sur un côté du composant comme cela est présenté aux figures 9 et 14. Les régions de liaison 802, 804 ont une métallisation de liaison 104. Les représentation des figures 3 à 15 sont des vues en coupe suivant une ligne de coupe passant par l'un des chemins conducteurs 800, l'un des contacts de liaison 802 et la région d'étanchéité 804.20 NOMENCLATURE DES ELEMENTS PRINCIPAUX 100 Patin de liaison 102 Matière de support 104 Couche de métal de liaison 106 Couche de métal de câblage 200 Procédé de réalisation d'un patin de liaison 202-204 Etapes du procédé 200 300 Substrat 302 Infrastructure 400 Couche de masque 402 Région sans masque 600 Région partielle masquée 700 Couche formant un masque 702 Régions sans masque 800 Chemin conducteur 802 Contact de liaison 804 Région d'étanchéité 900 Matière de support20 REVENDICATIONS1°) Procédé (200) pour réaliser un patin de liaison (100) pour une liaison par thermo-compression, le procédé (200) comprenant les étapes suivantes consistant à : - utiliser (202) une matière de support (102) ayant des structures semi-conductrices, la couche de bord extérieur de la matière de support (102) étant réalisée comme couche de métal de câblage (106) pour la mise en contact électrique des structures semiconductrices, et - déposer (204) une monocouche de métal de liaison (104) directe- ment à la surface de la couche de métal de câblage (106) pour réaliser le patin de liaison (100). 2°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape d'utilisation (202), on utilise la matière de support (102) avec une couche de métal de câblage (106) en une matière électroconductrice à base d'aluminium Al et/ ou selon lequel dans l'étape d'utilisation (202) on utilise une matière de support (102) avec une couche de métal de câblage (106) et sur celle-ci une barrière de diffu- sion et/ou dans l'étape de dépôt (204) on dépose une couche de métal de liaison (104) au moins à base de cuivre Cu ou à base d'or Au. 3°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu' il comporte une étape de réalisation d'un masque selon laquelle une zone de masque à laisser libre à la surface de la couche métallique de câblage est couverte avec une couche formant un masque (400) et dans l'étape de dépôt de la couche de métal de liaison (104), on dépose la couche de métal de liaison (104) dans la zone non masquée (402) de la surface de la couche métallique de câblage. 4°) Procédé (200) selon la revendication 3, caractérisé en ce quedans l'étape de réalisation du masque on laisse dégagée au moins une région d'étanchéité (800) à la surface, cette région d'étanchéité (800) ayant un contour annulaire fermé. 5°) Procédé (200) selon l'une des revendications 3 et 4, caractérisé en ce que dans l'étape (202) d'utilisation on utilise la matière de support (102) avec une couche de métal de câblage (106) non structurée et ensuite dans une étape préalable on enlève la couche formant le masque (400) pour, dans une autre étape, appliquer une autre couche de masque (700) sur la couche de métal de liaison (104) et des parties de la couche de métal de câblage (106) et dans l'étape de mise en structure on enlève la couche de métal de câblage (106) aux endroits non masqués (702). 6°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape (200) d'utilisation on utilise la matière de support (102) avec une couche de métal de câblage (106) structurée. 7°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape d'utilisation (200) on utilise la matière de support (102) avec au moins une structure micro-électromécanique (1600) mise en contact par au moins une région partielle (800) de la couche de métal de câblage (106). 8°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé par une étape de mise en condition de la couche de métal de liaison (104) selon laquelle on prépare la surface dégagée de la couche de métal de liaison (104) pour une opération de liaison suivante. 9°) Procédé (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape d'utilisation (202) on utilise la matière de support (102) avec une couche de métal de câblage (106) d'épaisseur prédéfinie no-tamment une épaisseur comprise entre 0,01 pm et 200 pm et/ou dans l'étape (204) de dépôt, on dépose la couche de métal de liaison (104) avec une épaisseur prédéfinie notamment une épaisseur comprise entre 0,001 pm et 10 pm. 10°) Patin de liaison (100) pour une liaison par thermo-compression d'une matière de support (102) avec une autre matière de support (900) le patin (100) ayant la caractéristique suivante : - la matière de support (102) a des structures semi-conductrices, la couche de bord extérieur de la matière de support (102) étant réa- lisée comme couche de métal de câblage (106) pour le contact électrique des structures semi-conductrices, et - une monocouche de métal de liaison (104) appliquée directement à la surface d'une couche de métal de câblage (106) de la matière de support (102). 11°) Composant (1000) ayant les caractéristiques suivantes : - une première matière de support (102) avec au moins un premier patin de liaison (100) selon la revendication 10, et - une seconde matière de support (900) avec au moins un second patin de liaison (100) selon la revendication 10, chevauchant au moins partiellement le premier patin de liaison (100) dans la plage de tolérance et le second patin de liaison (100) étant tourné vers le premier patin de liaison (100) auquel il est relié par une liaison par le procédé de liaison par la matière. 12°) Composant (1000) selon la revendication 11, caractérisé en ce que le premier patin de liaison (100) et le second patin de liaison (100) ont chacun un contact de liaison (802) pour relier électriquement la pre- mière matière de support (102) et la seconde matière de support (900) et/ou selon lequel le premier patin de liaison (100) et le second patin de liaison (100) ont chacun un cadre de liaison (804) pour rendre étanche une cavité entre la première matière de support (102) et la seconde ma- tière de support (900) et/ ou selon lequel le premier patin de liaison(100) et le second patin de liaison (100) ont chacun au moins un patin de liaison (802) pour relier mécaniquement la première matière de support (102) à la seconde matière de support (900). 13°) Produit programme d'ordinateur comportant un code programme pour commander ou appliquer les états du procédé (200) selon l'une des revendications 1 à 9 lorsque le produit programme est exécuté par un dispositif.10