FR 2983349 A1 20130531 FR 1160816 A 20111125 B11326 - 11-T000-0771FR01 1 DISPOSITIF DE TRANSMISSION D'UNE INFORMATION À ISOLATION GALVANIQUE Domaine de l'invention La présente invention concerne un dispositif de transmission d'une information à isolation galvanique. Exposé de l'art antérieur L'isolation galvanique a pour but de supprimer tout lien électrique continu entre deux parties d'un circuit électrique ou électronique, les potentiels de référence des deux parties étant distincts, tout en permettant des échanges de signaux entre ces deux parties. Une telle isolation peut être utilisée par exemple pour isoler un circuit de commande référencé à la masse de bornes de commande d'un circuit de puissance référencé à une borne à haute tension, par exemple le secteur. Pour obtenir une isolation galvanique, il a été proposé de former des structures constituées de deux réseaux de 15 transducteurs acoustiques ultrasonores capacitifs en regard, de part et d'autre d'un support. La figure 1 illustre un transducteur acoustique ultrasonore capacitif simple (plus connu sous l'acronyme CMUT, de l'anglais Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer) formé 20 sur un support. B11326 - 11-T000-0771FR01 2 Sur un substrat 30, par exemple de silicium, s'étend une première couche conductrice 32 formant une première électrode du transducteur. Au-dessus de la couche conductrice 32 est formée une membrane 34 en un matériau diélectrique, par exemple 5 en nitrure de silicium. La membrane 34 est prévue de façon à définir une cavité 36 au-dessus de la couche conductrice 32. Pour obtenir une telle structure, une couche sacrificielle peut être utilisée. La membrane ne s'étend pas sur toute la surface de la première électrode, ce qui permet la formation d'un 10 contact sur cette électrode. En surface de la membrane 34, en regard de la cavité 36, est formée une région conductrice 38 formant la seconde électrode du transducteur. Un premier contact électrique 40 est formé en surface de la première électrode 32 et un second 15 contact électrique 42 est formé en surface de la seconde électrode 38. Entre les deux électrodes sont placés, en série, un générateur de tension continue de polarisation 44 et une source de signal alternatif 46. Le dispositif de la figure 1 fonctionne comme suit. 20 Lorsque l'on applique une tension continue entre les électrodes 32 et 42, la membrane 34 est attirée vers la première électrode 32 par des forces de Coulomb. Lorsqu'une tension alternative est ajoutée à la tension continue fournie par le générateur 44, la membrane oscille en réponse à ce signal alternatif, ce qui 25 génère une onde acoustique ultrasonore 48. A l'inverse, si une tension continue est appliquée entre les électrodes du transducteur et que celui-ci reçoit une onde ultrasonore, la membrane se met à vibrer. Cette vibration génère une tension alternative entre les électrodes qui peut 30 être détectée au niveau de la source 46. La figure 2 illustre un dispositif d'isolation galvanique par liaison acoustique. Ce dispositif comprend un substrat 50 de part et d'autre duquel sont formés deux réseaux de transducteurs 35 acoustiques ultrasonores capacitifs. B11326 - 11-T000-0771FR01 3 Sur une première face du substrat 50 s'étend une couche 52A de matériau fortement isolant, par exemple de l'oxyde de silicium thermique ou un autre oxyde thermique. Le substrat 50 est en un matériau adapté à la transmission d'ondes acous- tiques, par exemple en silicium ou en verre. En surface de la couche de matériau isolant 52A est formé un réseau 54A de transducteurs ultrasonores. Le réseau 52A forme le primaire du dispositif d'isolation galvanique, le second réseau formé sur la seconde face du substrat 50 en formant le secondaire. Le réseau 54A comprend plusieurs transducteurs en parallèle. Ce réseau comprend une couche conductrice 56A en surface de la couche isolante 52A qui constitue une première électrode commune à tous les transducteurs. La couche conductrice 56A est par exemple en silicium polycristallin fortement dopé ou en métal. Une membrane 58A est formée sur la première électrode 56A. La membrane 58A ne s'étend pas sur toute la surface de l'électrode 56A pour permettre la formation d'un contact sur l'électrode 56A. Des cavités 60A sont définies par la membrane 58A au- dessus de l'électrode 56A. La membrane 58A peut être par exemple en nitrure de silicium et être formée par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD). Les cavités 60A définissent les surfaces des transducteurs élémentaires du réseau 54A. En surface de la membrane 58A et en regard des cavités 60A sont formées des régions conductrices 62A formant les secondes électrodes des transducteurs du réseau 54A. Les régions conductrices 62A sont par exemple en aluminium. On notera que, contrairement à ce qui est représenté, les secondes électrodes 62A peuvent être formées d'une unique couche conductrice recouvrant la surface de la membrane 58A, tant que cette couche conductrice est située au moins en regard des cavités 60A. Un (ou plusieurs) contact 64A est formé sur la première électrode 56A. Un contact 66A est également formé sur 35 les secondes électrodes 62A. Les transducteurs élémentaires B11326 - 11-T000-0771FR01 4 formés dans le réseau 54A sont ainsi connectés en parallèle. Pour faire fonctionner ce dispositif, une tension de polarisation continue, en série avec la tension alternative que l'on souhaite envoyer, est appliquée entre les contacts 64A et 66A. Sur la deuxième face du substrat 50 est formée une structure identique à celle formée sur la première face. Les éléments constituant le réseau de transducteurs sur la deuxième face sont référencés de la même façon que les éléments constituant le réseau de transducteurs sur la première face, en remplaçant le suffixe "A" par "B". Une tension de polarisation continue est appliquée entre des contacts 64B et 66B. Le dispositif de la figure 2 permet la transmission d'un signal dont la fréquence correspond à, ou est très proche de, la fréquence de résonance des transducteurs côté émetteur. Pour la réception de ce signal, la fréquence de résonance des transducteurs côté récepteur doit correspondre à la fréquence de résonance des transducteurs côté émetteur. Le dispositif de transmission de la figure 2 ne permet cependant pas la transmission de signaux multifréquences, sauf à multiplier la structure de la figure 2 sur les deux faces d'un substrat, chaque structure présentant des fréquences de résonance différentes, ou à envisager d'autres solutions plus complexes. Les figures 3 et 4 illustrent, de façon schématique, 25 des circuits de codage et de transmission d'une donnée binaire mettant en oeuvre un dispositif d'isolation galvanique tel que celui de la figure 2. En figure 3, un signal d'entrée en créneau IN est codé par un dispositif de codage 70. Le dispositif de codage 70 30 assure la conversion du signal IN en un signal dont la transmission par un dispositif de transfert TR du type de celui de la figure 2 est possible. Dans le cas de la figure 3, le dispositif de codage 70 est prévu pour convertir un front montant du signal IN en un 35 signal comprenant une succession de deux périodes de transmis- B11326 - 11-T000-0771FR01 sion d'une onde acoustique, à une même fréquence, les deux périodes étant interrompues. Un front descendant du signal IN est converti par le dispositif de codage en un signal comprenant une seule période de transmission d'une onde acoustique à la 5 même fréquence, d'une même durée que les deux périodes codant un front montant. Ce codage permet de différencier un front montant d'un front descendant sur le signal en sortie du dispositif de codage 70. Le signal fourni par le dispositif de codage 70 est envoyé sur la borne d'alimentation alternative du primaire E d'un dispositif de transmission à isolation galvanique TR tel que celui de la figure 2. Le primaire E du dispositif TR est prévu pour osciller à la tension de codage et ainsi convertir le signal en sortie du dispositif de codage en un signal acoustique. Le signal acoustique est ensuite reçu par le secondaire R du dispositif, dont la fréquence de résonance est identique à celle du primaire. Le signal reçu est ensuite décodé par un décodeur 72 qui distingue les suites de deux successions de transmission d'onde (correspondant à un front montant du signal IN) et les transmissions d'onde isolées (correspondant à un front descendant du signal IN), et qui fournit un signal de sortie OUT correspondant au signal d'entrée IN. Un inconvénient du dispositif de la figure 3 est qu'il est limité en fréquence d'entrée (signal IN), le codage proposé impliquant une diminution de la fréquence maximale d'utilisation d'au moins un facteur deux par rapport à la fréquence maximale de transmission du dispositif TR. En figure 4, un signal d'entrée en créneau IN est codé par un dispositif de codage 74. Le dispositif de codage 74 assure la conversion du signal IN en un signal dont la transmission par un dispositif de transfert TR du type de celui de la figure 2 est possible. Dans le cas de la figure 4, le dispositif de codage 74 est prévu pour transformer un front montant du signal IN en un signal alternatif d'une première durée t1, et un B11326 - 11-T000-0771FR01 6 front descendant du signal IN en un signal alternatif de même fréquence pendant une deuxième durée t2, distincte de la durée t1 (dans l'exemple représenté inférieure à t1). Le signal issu du dispositif de codage 74 est ensuite 5 appliqué comme signal alternatif d'entrée du primaire E d'une structure de transmission telle que celle de la figure 2 (TR). Une tension continue est appliquée sur ce primaire pour que les cellules CMUT du primaire génèrent un signal acoustique. Le signal acoustique émis par le primaire est reçu sur le 10 secondaire R de ce dispositif. Le signal reçu est ensuite décodé par un décodeur 76 qui distingue les durées t1 et t2, correspondant à un front montant et à un front descendant du signal IN. Le décodeur fournit un signal OUT image du signal d'entrée IN. 15 Un inconvénient d'un dispositif de transmission d'une information tel que celui de la figure 4 est que la conception du circuit de décodage 76 est relativement complexe. En effet, pour distinguer les durées t1 et t2, il faut utiliser une association d'un filtre, d'un démodulateur et d'un décodeur, qui 20 sont en pratique relativement complexes et coûteux. Ainsi, un besoin existe d'un dispositif de transmis- sion d'informations à isolation galvanique palliant tout ou partie des inconvénients ci-dessus. Résumé 25 Un objet d'un mode de réalisation de la présente in- vention est de prévoir un dispositif permettant la transmission d'informations par un système isolé galvaniquement particulièrement simple à mettre en oeuvre. Plus particulièrement, un objet d'un mode de réalisa- 30 tion de la présente invention est de prévoir un dispositif isolé galvaniquement permettant la transmission d'informations codées sur diverses fréquences, sans nécessiter de décodage complexe de l'information. Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention 35 prévoit un dispositif de transmission d'une information à B11326 - 11-T000-0771FR01 7 isolation galvanique, comprenant : des moyens de codage de ladite information dans un signal multifréquence ; un premier réseau de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante, formé sur une première face d'une plaquette, adapté à convertir ledit 5 signal en un signal acoustique multifréquence se propageant dans ladite plaquette ; et un deuxième réseau de transducteurs ultrasonores formé sur une deuxième face de ladite plaquette, le deuxième réseau comprenant au moins deux ensembles de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante dont les fréquences de 10 résonance sont égales à deux fréquences distinctes du signal multifréquence. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le dispositif comprend en outre des moyens de commande d'une tension continue appliquée au premier réseau de transducteurs 15 ultrasonores à membrane vibrante, en fonction de la fréquence du signal multifréquence. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les moyens de commande agissent sur la tension continue appliquée au premier réseau de transducteurs ultrasonores à 20 membrane vibrante de façon que la fréquence de résonance du premier réseau corresponde aux fréquences successives du signal multifréquence. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le premier réseau de transducteurs ultrasonores à membrane 25 vibrante comprend au moins deux ensembles de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante dont les fréquences de résonance sont égales, respectivement, à deux fréquences distinctes du signal multifréquence. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 30 le premier ensemble de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante du deuxième réseau présente une géométrie différente du deuxième ensemble de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante du deuxième réseau. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 35 le premier ensemble de transducteurs ultrasonores à membrane B11326 - 11-T000-0771FR01 8 vibrante du deuxième réseau reçoit une première tension continue distincte d'une deuxième tension continue appliquée sur le deuxième ensemble de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante du deuxième réseau. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les transducteurs ultrasonores à membrane vibrante des premier et deuxième ensembles du deuxième réseau sont alternés en surface de la deuxième face de la plaquette. Un mode de réalisation de la présente invention 10 prévoit une utilisation d'un dispositif tel que ci-dessus pour la transmission d'une information binaire. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'information binaire est convertie par les moyens de codage en un signal présentant une première fréquence à chaque front 15 montant de l'information binaire et en un signal présentant une deuxième fréquence à chaque front descendant de l'information binaire. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que 20 d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, précédemment décrite, illustre un transducteur acoustique ultrasonore capacitif connu ; 25 la figure 2, précédemment décrite, illustre un dispo- sitif connu d'isolation galvanique par liaison acoustique ; la figure 3 et 4 illustrent, de façon schématique, des circuits de transmission d'une donnée binaire mettant en oeuvre un dispositif d'isolation galvanique tel que celui de la figure 30 2 ; la figure 5 illustre un dispositif de transmission d'une information selon un mode de réalisation de la présente invention ; B11326 - 11-T000-0771FR01 9 la figure 6 illustre un exemple d'un circuit de traitement de l'information en sortie du dispositif de la figure 5 ; et les figures 7 à 9 illustrent différentes variantes de 5 réalisation des transducteurs acoustiques sur le primaire et sur le secondaire d'un dispositif de transmission selon un mode de réalisation de la présente invention. Par souci de clarté, de mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures et, de 10 plus, comme cela est habituel dans la représentation de composants électroniques, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. Description détaillée Pour transmettre une information en utilisant un 15 dispositif à isolation galvanique, on prévoit de coder cette information en fréquence. Le dispositif de transmission à isolation galvanique est adapté en conséquence pour transmettre un signal multifréquence, et présente l'avantage non négligeable de ne pas nécessiter de système de décodage côté secondaire 20 complexe pour reconstruire l'information, comme nous le verrons ci-après. La figure 5 illustre un exemple d'un mode de réalisation d'un dispositif de transmission de données à isolation galvanique proposé ici. 25 Un signal d'entrée IN, dans l'exemple représenté un signal binaire en créneaux, est codé en fréquence à l'aide d'un système de codage 80. Dans l'exemple représenté, un front montant du signal IN est converti en un signal à une première fréquence fi, et un front descendant du signal IN est converti 30 en un signal à une deuxième fréquence f2. Les signaux aux fréquences f1 et f2 peuvent être émis pendant des durées identiques si désiré. Le signal en sortie du codeur 80 est envoyé en entrée d'un dispositif de transmission acoustique à isolation galva35 nique TR'. Le primaire du dispositif de transmission est prévu B11326 - 11-T000-0771FR01 10 pour transformer le signal alternatif de plusieurs fréquences qu'il reçoit en entrée en un signal acoustique de mêmes fréquences, comme nous le verrons ci-après. Le dispositif de transmission acoustique TR' possède 5 deux sorties S1 et S2 adaptées à être activées, respectivement, lors de la réception de signaux acoustiques aux fréquences f1 et f2. Pour cela, le secondaire R du dispositif de transmission acoustique TR' comprend deux ensembles de cellules élémentaires CMUT présentant des fréquences de résonances distinctes, frl et 10 fr2, correspondant respectivement aux fréquences fl et f2. Cette structure du secondaire du dispositif de transmission peut être obtenue de différentes façons. Notamment, les fréquences de résonance des deux ensembles de cellules élémentaires du secondaire peuvent être ajustées en modifiant la 15 structure même des CMUT correspondants. En effet, la fréquence propre d'un dispositif CMUT dépend de la géométrie du CMUT selon la relation suivante ; = 1 \IIKapp fo 2n m 20 avec : kapp - S ( \ R le rayon de la membrane S étant la surface, em 16E .e1113 e111 .a du dispositif CMUT est du dispositif CMUT (si ' , +4 2 3R' (1- v) R ) l'épaisseur et la membrane circulaire, R correspond à un rayon approché de celle-ci), E étant la constante de Young, y le coefficient de Poisson, et G la contrainte du matériau constituant la membrane du dispositif 25 CMUT. En outre, la fréquence de résonance d'un dispositif CMUT est liée à la fréquence propre de celui-ci par la relation suivante : fr2 = fol 1 - la.Vbc) 30 a étant une constante, et VDC la tension continue appliquée sur les deux électrodes du dispositif CMUT. B11326 - 11-T000-0771FR01 11 Ainsi, à une géométrie de dispositif CMUT donnée correspond une fréquence de résonance de ce dispositif. A une tension de polarisation continue du dispositif CMUT correspond également une fréquence de résonance. On peut donc distinguer les cellules des premier et deuxième ensembles soit par leurs dimensions, soit par le matériau qui constitue leurs membranes, soit par la tension continue de polarisation qui leur est appliquée. Côté primaire E du dispositif de transmission TR', la 10 conversion de plusieurs fréquences du signal de sortie du dispo- sitif de codage 80 en des signaux acoustiques de fréquences distinctes est réalisée en ajustant la fréquence de résonance des dispositifs CMUT côté émetteur sur la fréquence f1 ou f2 du signal en sortie du dispositif de codage 80. 15 Ceci est réalisé à l'aide de moyens de commande 82 (CONTROL VDci/VDc2), qui reçoivent en entrée une information du moyen de codage 80 image de la fréquence de codage. Les moyens de commande modifient la tension de polarisation continue des dispositifs CMUT côté primaire en fonction de cette information, 20 entre deux tensions VDC1 et VDc2. Ceci permet de faire varier la fréquence de résonance des dispositifs CMUT du primaire pour que leurs fréquences de résonance correspondent à la fréquence du signal en sortie des moyens de codage. On notera que les dispositifs élémentaires CMUT du 25 réseau de dispositifs CMUT formant le primaire du dispositif de transmission pourront également être divisés en deux parties, ou plus, de géométries différentes, pour présenter des fréquences propres distinctes, et ainsi des fréquences de résonances distinctes. 30 Des dispositifs élémentaires CMUT de fréquence propre distincte peuvent constituer le primaire E en association avec des moyens de commande 82 soit de la tension continue appliquée à l'ensemble des CMUT, soit de plusieurs tensions continues distinctes appliquées à chaque ensemble de CMUT, mais pourront 35 également être utilisés sans les moyens de commande 82, les B11326 - 11-T000-0771FR01 12 fréquences de résonance des différents dispositifs élémentaires du primaire correspondant aux fréquences f1 et f2 pour une même tension continue qui leur est appliquée, sans variation de cette tension dans le temps. On notera que, de façon similaire à ce qui a été présenté ici, on pourra prévoir de transférer des informations à l'aide du dispositif de transmission TR' codées sur plus de deux fréquences distinctes, les réseaux de CMUT du secondaire R étant adaptés en conséquence pour contenir plus de deux ensembles de CMUT de fréquences de résonance distinctes, les moyens de commande 82 et/ou les CMUT du primaire E étant également adaptés en conséquence. Un dispositif de transmission à isolation galvanique tel que proposé ci-dessus peut également être utilisé pour 15 transmettre des informations multifréquences directement, indépendamment de tout dispositif de codage. Dans ce cas, les fréquences de résonance des dispositifs CMUT du primaire seront adaptées aux fréquences à transmettre. Cela pourra être fait en fixant, soit par la géométrie, soit par la polarisation 20 continue, la fréquence de résonance de certains dispositifs CMUT du primaire à une première fréquence à transmettre, la fréquence d'autres dispositifs CMUT du primaire à une deuxième fréquence à transmettre... Cela pourra également être réalisé en modifiant les moyens de commande pour qu'ils appliquent une tension 25 continue adéquate sur l'ensemble ou sur une partie des CMUT du primaire en fonction de la fréquence du signal en entrée. Des moyens de détection de cette fréquence sont dans ce dernier cas nécessaire pour adapter la fréquence de résonance d'au moins une partie des CMUT du primaire à la fréquence à transmettre. 30 La figure 6 illustre un exemple d'un circuit de traitement de l'information en sortie du dispositif de la figure 5, dans le cas où l'information en entrée du circuit de la figure 5 est un signal binaire. En sortie du secondaire du dispositif de transmission 35 par isolation galvanique TR', on obtient deux signaux, le B11326 - 11-T000-0771FR01 13 premier (borne S1) présentant des périodes d'oscillations à la fréquence f1, le deuxième (borne S2) présentant des périodes d'oscillations à la fréquence f2. Le premier signal de sortie S1 passe dans un premier 5 démodulateur 84 et le deuxième signal de sortie S2 passe dans un deuxième démodulateur 86. Les démodulateurs 84 et 86 permettent d'obtenir, en sortie, des signaux en créneaux à l'état haut lors de phases de réception d'un signal alternatif en entrée. Une porte de type RS, 88, reçoit sur son entrée de 10 mise à l'état "1" (SET) le signal issu du premier modulateur 84 et sur son entrée de remise à zéro (RESET) le signal issu du deuxième modulateur 86. Le signal en sortie de la porte 88 reconstitue ainsi le signal IN en entrée du dispositif. Les figures 7 à 9 illustrent différentes variantes de 15 réalisation des dispositifs CMUT sur le primaire et sur le secondaire d'un dispositif de transmission tel que proposé ici. Plus particulièrement, ces figures illustrent, en vue de dessus schématique, la taille de membranes de dispositif CMUT élémentaires du primaire E et du secondaire R dans différentes 20 configurations du dispositif. En figure 7, le primaire E du circuit de transmission TR' comprend une matrice de cellules CMUT 90, toutes les cellules étant de même taille. Les bornes d'alimentation en continu des cellules 90 reçoivent une tension VDC1 ou VDC2 25 permettant de fixer la fréquence de résonance des cellules 90 à une fréquence f1 et à une fréquence f2 (fréquence de codage). Le secondaire R du circuit de transmission TR' comprend une matrice de cellules CMUT 92/94, toutes les cellules étant de même taille et de même structure, et également de même 30 taille et de même structure que les cellules 90. Un premier ensemble de cellules 92 reçoit sur ses bornes d'alimentation en tension continue la tension VDC1, et un deuxième ensemble de cellules 94 reçoit sur ses bornes d'alimentation en tension continue la tension VDC2- Ainsi, la fréquence de résonance du B11326 - 11-T000-0771FR01 14 premier ensemble est égale à f1 et la fréquence de résonance du deuxième ensemble est égale à f2. En figure 8, le primaire E du circuit de transmission TR' comprend une matrice de cellules CMUT 90 identique au primaire E de la figure 7, et les bornes d'alimentation en continu des cellules 90 reçoivent une tension VDC1 ou VDC2 en fonction de la fréquence du signal codé que le primaire reçoit. Le secondaire R du circuit de transmission TR' comprend une matrice de cellules CMUT 96/98. Toutes les cellules 10 96/98 reçoivent sur leurs bornes d'alimentation en tension continue une même tension VDC1- Un premier ensemble de cellules 96 comprend des cellules identiques en taille et en structure aux cellules 90 du primaire. Un deuxième ensemble de cellules 98 comprend des cellules de taille différente des cellules 96. La 15 taille des cellules 98 est prévue pour que, sous la tension continue VDC1, les cellules correspondantes présentent une fréquence de résonance égale à f2. Ainsi, la fréquence de résonance du premier ensemble de cellules 96 est égale à f1 et la fréquence de résonance du deuxième ensemble de cellules 98 20 est égale à f2. En figure 9, le primaire E du circuit de transmission TR' comprend une matrice de cellules CMUT 90 identique au primaire E de la figure 7, et les bornes d'alimentation en continu des cellules 90 reçoivent une tension VDC1 ou VDC2- 25 Le secondaire R du circuit de transmission TR' comprend une matrice de cellules CMUT 96/98 de mêmes dimensions que les cellules de la figure 8. Un premier ensemble de cellules 96 comprend des cellules qui reçoivent sur leurs bornes d'alimentation en tension continue une première tension VDC1, 30 qui implique une fréquence de résonance de ces cellules égale à fi. Les cellules 98 reçoivent sur leurs bornes d'alimentation en tension continue une troisième tension VDC3, prévue pour que ces cellules présentent une fréquence de résonance égale à f2, compte tenu de leurs tailles et structures. B11326 - 11-T000-0771FR01 15 Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, on notera que l'alternance de cellules de fréquences de résonance différentes sur le secondaire du dispositif de transmission TR' pourra être différente de celle proposée en relation avec les figures 8 et 9. En outre, on notera que l'on pourra également prévoir de former des structures permettant la transmission de plus de deux fréquences, un dispositif de codage d'une information sur plus de deux fréquences étant susceptible d'être utilisé en entrée du dispositif de transmission. Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On notera que l'homme de l'art pourra combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. En particulier, la "plaquette" 50 pourra être constituée d'un assemblage, par exemple par collage, de substrats. De même, des couches supplémentaires pourront être déposées sur au moins une des faces de la structure pour réaliser des ajustements de fréquence centrale ou de bande passante. REVENDICATIONS1. Dispositif de transmission d'une information à isolation galvanique, comprenant : des moyens de codage (80) de ladite information dans un signal multifréquence (fi, f2) ; un premier réseau de transducteurs ultrasonores (E) à membrane vibrante, formé sur une première face d'une plaquette, adapté à convertir ledit signal en un signal acoustique multifréquence se propageant dans ladite plaquette ; et un deuxième réseau de transducteurs ultrasonores (R) formé sur une deuxième face de ladite plaquette, le deuxième réseau comprenant au moins deux ensembles de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante dont les fréquences de résonance sont égales à deux fréquences distinctes (fi, f2) du signal multifréquence. 2. Dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre des moyens de commande (82) d'une tension continue (VDC1, VDC2) appliquée au premier réseau de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante, en fonction de la fréquence du signal multifréquence. 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel les moyens de commande (82) agissent sur la tension continue appliquée au premier réseau de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante (E) de façon que la fréquence de résonance dudit premier réseau (R) corresponde aux fréquences successives (f1, f2) du signal multifréquence. 4. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le premier réseau de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante (E) comprend au moins deux ensembles de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante dont les fréquences de résonance 30 sont égales, respectivement, à deux fréquences distinctes du signal multifréquence (f1, f2). 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le premier ensemble de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante du deuxième réseau (R) présenteB11326 - 11-T000-0771FR01 17 une géométrie différente du deuxième ensemble de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante du deuxième réseau (R). 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le premier ensemble de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante du deuxième réseau (R) reçoit une première tension continue distincte d'une deuxième tension continue appliquée sur le deuxième ensemble de transducteurs ultrasonores à membrane vibrante du deuxième réseau (R). 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 5, dans lequel les transducteurs ultrasonores à membrane vibrante des premier et deuxième ensembles du deuxième réseau (R) sont alternés en surface de la deuxième face de la plaquette. 8. Utilisation d'un dispositif selon l'une quelconque 15 des revendications 1 à 7 pour la transmission d'une information binaire. 9. Utilisation selon la revendication 8, dans laquelle l'information binaire est convertie par les moyens de codage (80) en un signal présentant une première fréquence à chaque 20 front montant de l'information binaire et en un signal présentant une deuxième fréquence à chaque front descendant de l'information binaire.