FR 2984594 A1 20130621 FR 1162070 A 20111220 PROCEDE DE REALISATION D'UNE TRANCHEE PROFONDE DANS UN SUBSTRAT DE COMPOSANT MICROELECTRONIQUE DOMAINE DE L'INVENTION L'invention a trait au domaine de la réalisation de tranchées dans des substrats de composants microélectroniques. ETAT DE LA TECHNIQUE Dans le domaine de la microélectronique, les tranchées sont couramment utilisées pour définir un élément fonctionnel en le délimitant spatialement des éléments adjacents. Par exemple, des techniques de fabrication additives sont utilisées pour réaliser les différentes couches de matériau entrant dans la constitution d'éléments unitaires de détection d'un capteur matriciel, ou de transistors d'une mémoire par exemple, puis chacun des éléments unitaires est isolé de ses voisins en réalisant des tranchées autour de celui-ci. Une tranchée est cependant une grande source de défaut, et en l'absence de tout 20 traitement de ses parois, on observe généralement un fonctionnement dégradé des composants, cette dégradation étant d'autant plus accentuée que le facteur de forme de la tranchée, c'est-à-dire le rapport entre sa largeur et sa profondeur, est faible. En effet, les parois d'une tranchée présentent de nombreux défauts de surface. Par 25 exemple, lorsque les tranchées délimitent des éléments unitaires de détection, cela se traduit par un bruit important dans le signal délivré par ceux-ci et par une perte du rendement quantique. C'est pourquoi les parois d'une tranchée subissent usuellement un traitement, notamment un surdopage lorsque la tranchée est réalisée dans un substrat semi-conducteur, par exemple en silicium. En se référant à la figure 1, une tranchée 10 30 est réalisée dans un substrat 12 afin de délimiter un élément actif 14, comme par exemple un phototransistor. Les propriétés de l'élément 14 sont notamment déterminées par la géométrie d'une zone active 16 localisée dans la partie supérieure du substrat 12, par exemple la largeur W de cette zone 16. L'application d'un processus de surdopage 18 des parois 20 de la tranchée 10, tel qu'illustré à la figure 2, dope les parois 20 dans 35 l'épaisseur de celles-ci. Or, l'épaisseur surdopée 22 des parois 20 définit une zone inactive qui réduit d'autant le volume initial de zone active 16. La zone active 16 présente ainsi en fait de dopage une largeur effective Weff inférieur à la largeur W initiale. Pour obtenir une zone active 16 de dimension souhaitée pour un élément actif 14, il convient donc de tenir compte de l'épaisseur du surdopage, ce qui diminue donc le nombre d'éléments actifs réalisables par unité de surface. En outre, l'épaisseur de tranchées surdopées est sujette à un fort aléa de sorte qu'il est difficile de concevoir des zones actives identiques pour tous les éléments actifs. Ainsi on observe généralement une forte dispersion des propriétés parmi un ensemble d'éléments actifs délimités par des tranchées surdopées. Il existe donc un besoin d'un procédé de fabrication de tranchées aux parois surdopées permettant la réalisation de zones actives de plus grandes dimensions effective dans la partie supérieure du substrat. EXPOSE DE L'INVENTION A cet effet, un mode de réalisation de l'invention concerne un procédé de réalisation d'une tranchée dans un substrat semi-conducteur, comprenant le dépôt sur le substrat d'un masque de gravure ayant une ouverture d'accès à celui-ci, la gravure ionique de ladite tranchée au travers de ladite ouverture, et le dopage des parois de la tranchée, dans lequel: - la gravure ionique comporte : o une première phase dont la puissance de gravure est réglée pour graver le substrat sous le masque de gravure ; o une seconde phase de puissance de gravure inférieure à la puissance de la première phase ; - et le dopage des parois de la tranchée est appliqué au travers de l'ouverture du masque de gravure. En d'autres termes, pour obtenir des zones actives de plus grande dimension une fois le dopage réalisé, le procédé débute réduire leurs dimensions en pratiquant une surgravure sous le masque. Ce dernier joue alors le rôle de « surplomb » qui protège la zone active lors de l'étape de surdopage. L'épaisseur surdopée de la zone active est alors inférieure à l'épaisseur surdopée obtenue sans la surgravure. Au final, les dimensions effectives de la zone active sont supérieures à celles obtenues sans surgravure. Selon un mode de réalisation de l'invention : ^ la gravure ionique comporte des cycles élémentaires successifs gravant chacun une portion de la tranchée, chaque cycle comprenant : o un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; et o une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents ; - et l'épaisseur des couches de passivation déposées lors de la première phase est inférieure à l'épaisseur des couches de passivation déposées lors de la seconde phase. Selon un mode de réalisation de l'invention : ^ la gravure ionique comporte des cycles élémentaires successifs gravant chacun une portion de la tranchée, chaque cycle comprenant : o un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; et o une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents ; - et la puissance du plasma lors de la première phase est inférieure à la puissance du plasma lors de la seconde phase. Selon un mode de réalisation de l'invention : ^ la gravure ionique comporte des cycles élémentaires successifs gravant chacun une portion de la tranchée, chaque cycle comprenant : o un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; et o une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents ; ^ et le temps d'application de la gravure ionique au plasma des cycles élémentaires de la première phase est inférieur au temps d'application de la gravure ionique au plasma des cycles élémentaires de la seconde phase. Selon un mode de réalisation de l'invention : - la gravure ionique comporte des cycles élémentaires successifs gravant chacun une portion de la tranchée, chaque cycle comprenant : o un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; et o une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents ; ^ et la quantité de gaz de gravure employée lors de la première phase est supérieure à la quantité de gaz de gravure employée lors de la seconde phase. Selon un mode de réalisation de l'invention, la gravure ionique au plasma des cycles élémentaires étant réalisée dans une atmosphère comprenant une espèce passivante, et comprend au moins une première séquence de gravure suivie d'une deuxième séquence de gravure de puissance inférieure à puissance de la première séquence de gravure. Selon un mode de réalisation de l'invention, la gravure ionique est une gravure ionique au plasma fluoré, et en ce que la proportion de fluor lors de la première phase est supérieure à la proportion de fluor lors de la seconde phase. Selon un mode de réalisation de l'invention, la gravure ionique est une gravure ionique au plasma à base de composés fluorés choisis parmi le groupe consistant en le CF4, CH2F4, C4F8, C5F8, C3F6, SF6, NF3. Selon un mode de réalisation de l'invention, le masque de gravure est réalisé en nitrure. Selon un mode de réalisation de l'invention, la tranchée entoure une zone active d'un photodétecteur, notamment CMOS. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et réalisée en relation avec les dessins annexés, dans lesquels des références identiques désignent des éléments identiques ou fonctionnellement analogues, et dans lesquels : ^ les figures 1 à 2 sont des vues schématiques en coupe illustrant un procédé de gravure selon l'état de la technique ; ^ les figures 3 à 6 sont des vues schématiques en coupe illustrant un procédé de gravure selon l'invention ; ^ les figures 7 à 11 sont des vues schématiques en coupe illustrant un cycle élémentaire de gravure d'un mode de réalisation du procédé selon l'invention ; et ^ la figure 12 est un chronogramme illustrant un cycle élémentaire de commande d'une enceinte de gravure ionique à plasma pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Il va à présent être décrit en relation avec les figures 3 à 5 un mode de réalisation de l'invention, les différentes couches illustrées ayant été volontairement exagérées pour plus de clarté. Le procédé débute par la réalisation d'un masque de gravure 30 sur un substrat semiconducteur 32, par exemple en silicium, comportant une ouverture 34 d'accès au substrat 32 (figure 3). Le masque de gravure 30 est réalisé dans un matériau « dur », c'est-à-dire peu sensible à une gravure ultérieurement mise en oeuvre pour réaliser une tranchée au travers de l'ouverture 34. Avantageusement, le masque 30 est réalisé en nitrure lorsqu'une gravure ionique au plasma est mise en oeuvre. Le procédé se poursuit par l'application d'une première gravure G(P1) au travers de l'ouverture 34 du masque 30 (figure 4) de manière à graver une première portion de tranchée 36. La puissance de la gravure, c'est-à-dire le volume substrat gravé par unité de temps, est ici choisie pour qu'il y ait un phénomène de surgravure. Le substrat est alors gravé sous le masque 30 selon une première pente, la surgravure maximale es sous le substrat étant avantageusement supérieure ou égale à 5 nanomètres. Le masque 30 forme ainsi un surplomb au dessus de la portion de tranchée gravée 36. La première gravure ionique est avantageusement appliquée sur la hauteur désirée h d'une zone active 38, par exemple de photodétecteur ou de transistor. Le procédé se poursuit par l'application d'une seconde gravure G(P2) au travers de l'ouverture 34, de manière à graver une seconde portion de tranchée 40. La seconde gravure présente une puissance de gravure inférieure à la première gravure ionique au plasma G(P1) (figure 5) de sorte qu'il n'y a pas, ou sensiblement pas, de phénomène de surgravure sous le masque 30. La gravure de la tranchée se poursuit notamment selon une deuxième pente de gravure inférieure à la première pente de gravure. Le procédé se termine alors par l'application d'un surdopage 42 des parois 44 de la tranchée 36, 40 au travers de l'ouverture 34 du masque de gravure 30. Ce dernier forme alors un surplomb qui « protège » la portion de tranchée 36 du surdopage. On observe alors une épaisseur de surdopage très faible, voire nulle, pour les parois de la tranchée correspondant à la zone active 38. Des procédés de gravure qui limitent la formation des défauts de surface, comme par exemple des gravures sèches, peuvent être utilisés. Ce type de procédé est cependant très lent et permettent difficilement d'obtenir des tranchées avec un facteur de forme très faible. De manière avantageuse, une gravure ionique à base de plasma est utilisée, ce type de gravure permettant de graver rapidement des tranchées, et est donc compatibles avec la production de masse de composants. Plus particulièrement, la gravure ionique au plasma consiste à graver la tranchée portion après portion par l'application successive de cycles élémentaires de dépôt et de gravure. Pour éviter l'apparition de parois très irrégulières présentant beaucoup de surplombs et d'encoches qui masquent des portions de paroi difficilement accessibles à un surdopage, et au contraire obtenir une tranchée sensiblement exempte de défaut de surface, et ceci même pour une tranchée ayant un facteur de forme inférieure à 1/25, les cycles élémentaires de gravure sont eux même réalisés en plusieurs phases. En se référant aux figures schématiques en coupe 7 à 12, il va être décrit plus en détail un cycle élémentaire de gravure. La gravure comporte une succession de cycles élémentaires de gravure, gravant chacun une portion de la tranchée 36, 40 réalisée dans le substrat 32. La figure 7 illustre le résultat obtenu à l'issue de cycles élémentaires précédents, le résultat du dernier cycle élémentaire 50 étant illustré entre les lignes en traits pointillés. Notamment, la tranchée 36, 40 est recouverte d'une couche de passivation 52 d'épaisseur décroissante. Un cycle élémentaire débute par le dépôt D d'une nouvelle couche de passivation 54 dans la tranchée. Avantageusement, il est utilisé un plasma avec seulement un gaz fluorocarboné qui dépose un polymère à base de carbone et de fluor sur les parois latérales et le fond de la tranchée (figure 8). La couche de passivation déposée 54 est avantageusement constituée de fluoro-carbone, et provient par exemple des gaz Ces, ou C5F8 ou C4F6. Avantageusement, la durée du dépôt est choisie de manière à déposer une couche d'épaisseur importante, supérieure à 10 nanomètres, sans risquer de boucher la tranchée. La durée est par exemple comprise entre comprise entre 0,7 seconde et 1 seconde. Le cycle élémentaire se poursuit alors par l'application d'une première séquence G1 de gravure ionique anisotrope à base de plasma pulsé dans une atmosphère comprenant une espèce passivante, avantageusement un fluoro-carbone, notamment du C4Fs, du C5F8 ou du C4F6, et une espèce servant à la gravure, avantageusement un gaz fluoré notamment du CF4 ou du SF6. La puissance et le temps d'application de la gravure sont choisis pour graver le fond de la tranchée qui comprend la couche de passivation 54 et ainsi accéder au substrat 32 (figure 9). Avantageusement, la première séquence G1 se poursuit jusqu'à ce qu'il reste quelques nanomètres de couche de passivation 54 en partie basse de la tranchée, ce qui permet de débuter une gravure supplémentaire du substrat 32 (figure 10). La présence de l'espèce passivante dans le plasma permet par ailleurs, au cours même de la gravure, de déposer une pellicule 56 de passivation qui protège le fond de la tranchée d'une sur-gravure à l'origine de saillie et de surplomb. De préférence, les conditions de dépôt de cette pellicule 56 sont optimisées en soumettant la tranchée à une température inférieure à la température de condensation de l'espèce passivante, par exemple une température inférieure ou égale à -10°C pour les fluoro- carbone, et/ou en coupant régulièrement la génération du plasma de gravure. En effet, le plasma est usuellement généré en soumettant un gaz inerte à des décharges électriques, comme de l'argon par exemple, ce qui crée des ions bombardant la surface à graver. Notamment, le plasma est généré entre deux électrodes distantes de quelques centimètres et soumises à une alimentation électrique alternative, de fréquence comprise entre 100 Hz et 1000 Hz, par exemple 400 Hz, et de puissance comprise entre 100 watts et 1000 watts, ce qui permet de générer un plasma pulsé et une gravure ionique anisotrope. La fréquence de pulsation du plasma est comprise entre 500 Hz et 2000 Hz, et est notamment égale à 1000 Hz Cependant, lors de la génération du plasma, l'espèce passivante est également ionisée. Or les ions se déposent plus difficilement sur les parois d'une tranchée que les molécules non ionisées. En coupant régulièrement la génération du plasma, ce sont des molécules passivantes non ionisées qui se déposent pendant ces coupures régulières, ce qui facilite la formation de la pellicule 56. Avantageusement, le cycle de service de la génération du plasma, c'est-à-dire le pourcentage du temps pendant lequel le plasma est généré, est supérieur à 50%, et de préférence égal à 55%. La durée de la première séquence est choisie pour graver au maximum le substrat 32 sans risquer de phénomène de surgravure. Par exemple, la durée de la première séquence est comprise entre 0,7 seconde et 1 seconde. Le cycle élémentaire se poursuit alors par une deuxième séquence G2 de gravure ionique qui diffère de la première séquence G1 par une puissance inférieure du plasma. Notamment, la puissance du plasma de la seconde séquence G2 est inférieure ou égale à 80% de la puissance du plasma de la première séquence Gl. En diminuant ainsi la puissance du plasma, il est plus difficile de graver le matériau de passivation déposé sur les parois de la tranchée, tout en continuant à graver le substrat 32. En effet, le matériau sur les flancs se grave moins vite puisqu'il subit moins de bombardement que le fond du de la tranchée. On évite ainsi tout phénomène de sur-gravure par rapport à un profil rectiligne de la tranchée, tout en contrôlant précisément le profil de la tranchée 36, 40. A l'issue de la deuxième séquence de gravure G2, il est ainsi obtenu une nouvelle portion de tranchée gravée qui est lisse et passivée. La puissance de la deuxième séquence est réduite par rapport à celle de la première séquence, le substrat est donc gravé plus lentement. Sachant que la première séquence G1 grave également le substrat 32, mais à rythme plus soutenu, de manière avantageuse, la durée de la deuxième séquence est également choisi pour optimiser le temps de gravure global. Notamment, la durée d'application de deuxième séquence est comprise entre 0,7 seconde et 1 seconde. Le procédé précédemment décrit est mis en oeuvre dans une enceinte de gravure ionique à plasma classique, en modifiant les paramètres de fonctionnement de l'état de la technique. On pourra par exemple se référer au document « Manufacturing integration considerations of through-silicon via etching » de Steve Lassig, journal Solid State Technology, décembre 2007 (http://www.electroiq.com/articles/sst/print/volume- 50/i ssue-12/features/cu-low-k/manufacturing-integration- considerations-of-through- silicon-via-etching.html), au document « Etch Challenges for 3-D Integration » de H. Singh et al., Proceedings of the 3rd Plasma Etch and Strip in Microelectronics Workshop, Grenoble 2010, et au document « the yole developpement magazine micronews n°61 », septembre 2007. Les réglages correspondant au cycle élémentaire décrit précédemment est un cycle élémentaire de commande, ce cycle comprenant : ^ une étape de commande de l'enceinte pour le dépôt d'une couche de passivation 54. Pour ce faire, on utilise un plasma de gaz fluorocarboné seul qui va déposer une couche de polymère carboné sur les motifs. Le circuit de génération du plasma de l'enceinte est coupé, et une espèce passivante est introduite dans l'enceinte. Un dépôt chimique en phase vapeur est par exemple mis en oeuvre ; ^ une étape 62 de commande de l'enceinte pour la purge de l'enceinte. La purge permet d'éliminer l'excès de gaz passivant dans l'enceinte afin de favoriser la gravure ; ^ une première étape de commande 64 de gravure ionique avec un gaz fluoré au cours de laquelle les électrodes de décharge sont commandées pour la séquence de gravure G1 à base de plasma pulsé anisotrope de puissance. Parallèlement, une espèce passivante est également introduite dans l'enceinte. ^ une deuxième étape de commande 66 de gravure ionique consistant à réduire la puissance du plasma afin de mettre en oeuvre la deuxième séquence de gravure G2. 10 De manière avantageuse, les cycles élémentaires comprennent donc au moins une des caractéristiques suivantes : ^ la gravure ionique est une gravure au plasma fluoré ; ^ la couche de passivation est une couche de fluoro-carbone ; 15 ^ le fluoro-carbone provient par exemple des gaz C4F8, du C5F8 ou du C4F6 ; ^ la puissance de la seconde séquence de gravure est inférieure ou égale à 80% de la puissance de la première séquence de gravure ; ^ le plasma de la gravure ionique est généré entre deux électrodes alimentées selon une tension alternative de puissance comprise entre 100 watts et 1000 watts, et de 20 fréquence comprise entre 100 Hz et 1000 Hz, notamment une fréquence de 400 Hz ; ^ le plasma est pulsé avec un cycle de service supérieur ou égal à 50%, notamment un cycle de service égale à 55% ; ^ la fréquence de pulsation du plasma est comprise entre 500 Hz et 2000 Hz, et est notamment égale à 1000 Hz ; 25 ^ pendant la gravure ionique la température du substrat est inférieure à la température de condensation de l'espèce passivante, notamment une température inférieure ou égale à -10°C pour une espèce passivante fluorée ; ^ la durée du dépôt de la couche de passivation est comprise entre 0,7 seconde et 1 seconde ; 30 ^ la durée de la première séquence de gravure est comprise entre 0,5 seconde et 1 seconde ; et ^ la durée de la deuxième séquence de gravure est comprise entre 0,7 seconde et 1 seconde. 35 Pour obtenir un phénomène de surgravure sous le masque de gravure 30 lors de la première phase de la gravure, les réglages des cycles élémentaires sont modifiés. Notamment, les réglages suivant peuvent être appliqués, seuls ou en combinaison : ^ l'épaisseur des couches de passivation déposées par cycle élémentaire lors de la première phase est inférieure à l'épaisseur des couches de passivation déposées par cycle élémentaire lors de la seconde phase. Par exemple, la durée d'application ou la concentration d'espèce passivante est plus faible lors de la première phase ; ^ la puissance du plasma lors de la première phase est inférieure à la puissance du plasma lors de la seconde phase. Par exemple, la puissance du plasma des cycles élémentaires lors de la première phase est augmentée par rapport à la puissance du plasma des cycles élémentaires lors de la seconde phase de gravure ; ^ le temps d'application de la gravure ionique au plasma des cycles élémentaires de la première phase est inférieur au temps d'application de la gravure ionique au plasma des cycles élémentaires de la seconde phase ; ^ la quantité de gaz de gravure employée lors de la première phase est supérieure à la quantité de gaz de gravure employée lors de la seconde phase. Par exemple, la purge P est appliqué moins longtemps de manière à laisser plus de composés fluorocarbonés, ou une concentration supérieure de tels composés est utilisée lors de la première phase de la gravure. Des composés fluorocarbonés différents peuvent également être utilisés pour la première et la seconde phase de gravure, notamment un composé ayant une composition en fluor lors de la première phase supérieure à la proportion de fluor du composé utilisé lors de la seconde phase. Les composés fluorés peuvent ainsi être choisis parmi le groupe consistant en le CF4, CH2F4, Ces, C5F8, C3F6, SF6, NF3. REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une tranchée (36, 40) dans un substrat semi-conducteur (32), comprenant le dépôt sur le substrat (32) d'un masque de gravure (30) ayant une ouverture d'accès (34) à celui-ci, la gravure ionique de ladite tranchée (36, 40) au travers de ladite ouverture (34), et le dopage des parois (44) de la tranchée (36, 40), caractérisé : ^ en ce que la gravure ionique comporte : o une première phase dont la puissance de gravure est réglée pour graver le substrat (32) sous le masque de gravure (30) ; o une seconde phase de puissance de gravure inférieure à la puissance de la première phase ; ^ et en ce que le dopage des parois (44) de la tranchée (36, 40) est appliqué au travers de l'ouverture du masque de gravure. 15 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé : ^ en ce que la gravure ionique comporte des cycles élémentaires successifs gravant chacun une portion de la tranchée, chaque cycle comprenant : o un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion 20 de tranchée gravée lors de cycles précédents ; et o une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents ; ^ et en ce que l'épaisseur des couches de passivation déposées lors de la première phase est inférieure à l'épaisseur des couches de passivation 25 déposées ldrs de la seconde phase. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé : ^ en ce que la gravure ionique comporte des cycles élémentaires successifs gravant chacun une portion de la tranchée, chaque cycle comprenant : 30 o un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; et o une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents ; ^ et en ce que la puissance du plasma lors de la première phase est inférieure à 35 la puissance du plasma lors de la seconde phase. 4. Procédé selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé : 10 5. 15 20 6. 25 7. 30 8. 35 ^ en ce que la gravure ionique comporte des cycles élémentaires successifs gravant chacun une portion de la tranchée, chaque cycle comprenant : o un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; et o une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents ; ^ et en ce que le temps d'application de la gravure ionique au plasma des cycles élémentaires de la première phase est inférieur au temps d'application de la gravure ionique au plasma des cycles élémentaires de la seconde phase. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé : ^ en ce que la gravure ionique comporte des cycles élémentaires successifs gravant chacun une portion de la tranchée, chaque cycle comprenant : o un dépôt d'une couche de passivation sur les parois internes de la portion de tranchée gravée lors de cycles précédents ; et o une gravure ionique anisotrope au plasma pulsé de la portion de tranchée gravée lors des cycles précédents ; ^ et en ce que la quantité de gaz de gravure employée lors de la première phase est supérieure à la quantité de gaz de gravure employée lors de la seconde phase. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes 2 à 5, caractérisé la gravure ionique au plasma des cycles élémentaires étant réalisée dans une atmosphère comprenant une espèce passivante, et comprend au moins une première séquence de gravure suivie d'une deuxième séquence de gravure de puissance inférieure à puissance de la première séquence de gravure. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la gravure ionique est une gravure ionique au plasma fluoré, et en ce que la proportion de fluor lors de la première phase est supérieure à la proportion de fluor lors de la seconde phase. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la gravure ionique est une gravure ionique au plasma à base de composés fluorés choisis parmi le groupe consistant en le CF4, CH2F4, Ces, C5F8, C3F6, SF6, NF3. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le masque de gravure est réalisé en nitrure. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la tranchée entoure une zone active d'un photodétecteur, notamment CMOS.