FR 2979708 A1 20130308 FR 1157892 A 20110906 La présente invention appartient au domaine des dispositifs et procédés de contrôle qualité en électronique. Elle vise en particulier un procédé de caractérisation de la sensibilité d'un composant ou d'un équipement électronique, soumis à des rayonnements ionisants tels que présents dans l'environnement radiatif naturel. L'invention met en oeuvre une source de rayonnements ionisants et un outil de prédiction. Préambule et art antérieur Les composants électroniques, notamment les composants complexes et les composants de puissance sont de plus en plus couramment utilisés dans des environnements agressifs, et en particulier dans des environnements qui les soumettent à diverses perturbations (rayonnements cosmique, électromagnétique etc.), notamment lors d'utilisations dans des aéronefs ou satellites. Pour des aspects de sureté de fonctionnement, il est donc souhaitable de connaître leur sensibilité vis-à- vis de ces perturbations, cette sensibilité étant alors définie comme la probabilité d'occurrence d'une erreur simple, d'erreurs simultanées voir même de défaillances destructives. Ces erreurs peuvent provoquer le fonctionnement incorrect d'une application exécutée par le composant. Un des buts de l'invention est de déterminer la sensibilité de composants et systèmes électroniques vis-à-vis d'un rayonnement ionisant, autrement dit, les particules de type ions lourds, neutrons et protons ou tout autres particules menant à la génération de charges par interaction directe ou indirecte dans les composants électroniques. Le fonctionnement des composants électroniques peut être perturbé par l'environnement dans lequel ils évoluent, par exemple l'environnement radiatif naturel ou artificiel ou l'environnement électromagnétique. Dans le cas des environnements radiatifs (neutrons, protons, ions, flash X, rayons gamma, muons, ...), les perturbations sont dues à des interactions entre la matière du composant et les particules ionisantes. Une des conséquences de ces perturbations est la création de courants parasites dans le composant. Selon l'endroit où ont lieu les interactions entre la matière du composant et les particules incidentes et selon les conditions de fonctionnement du composant, les effets peuvent être variés et peuvent conduire à un dysfonctionnement transitoire ou permanent du composant et de l'application qui l'utilise. Ces types de défaillances sont regroupés sous le terme d'effets singuliers. De telles agressions par des ions lourds et des protons sont typiquement rencontrées, dans l'espace, par les satellites et les lanceurs. A des altitudes moins élevées où évoluent les avions, on note surtout la présence d'agressions par des neutrons ou des protons de faibles énergies. Les neutrons sont également responsables au niveau du sol de dysfonctionnements, comme par exemple dans l'électronique des appareils portables, des serveurs informatiques. Le test en accélérateur de particules constitue l'outil de référence pour caractériser la sensibilité des composants électroniques vis-à-vis des particules de l'environnement radiatif naturel. Cependant, ce type de test est très coûteux car une caractérisation exhaustive nécessite un temps de faisceau important. Par ailleurs, la plupart de ces installations sont relativement peu disponibles car peu nombreuses et très sollicitées. Exposé de l'invention L'invention vise donc un procédé de sélection d'un équipement électronique comprenant au moins un composant électronique, ledit équipement électronique étant potentiellement soumis à des conditions d'irradiation listées dans un cahier des charges prédéterminé. Le procédé comporte une phase de caractérisation d'un paramètre de sensibilité du composant à ces conditions d'irradiation. Cette phase comporte : - une étape d'irradiation du composant par une source de rayonnements ionisants aux caractéristiques et à la géométrie d'irradiation connues, - une étape de mesure d'un ensemble de valeurs de fonctionnement (points de caractérisation expérimentaux) du composant électronique lors de cette étape d'irradiation, Dans le présent exemple de mise en oeuvre, - l'étape d'irradiation comporte des mesures de sensibilité du composant pour un nombre de conditions d'irradiation inférieur à l'ensemble des conditions listées dans le cahier des charges, - le procédé comporte en outre une étape d'extrapolation à l'aide d'un code de simulation des résultats mesurés aux autres conditions d'irradiation du cahier des charges. On comprend que la source de rayonnements ionisants permet de caractériser la sensibilité du composant pour un nombre réduit de conditions d'irradiation (notamment d'énergie de la particule incidente). Le code de simulation s'appuie ensuite sur cette caractérisation effectuée pour un nombre réduit de conditions d'irradiations pour calculer la sensibilité du composant dans de bien plus nombreuses conditions d'irradiations. On obtient donc ici une caractérisation de sensibilité d'un composant à moindre 5 coût et avec un équipement d'une grande simplicité comparativement aux accélérateurs de particules. Les sources de rayonnements ionisants envisageables pour l'invention sont préférentiellement peu onéreuses et compactes. 10 Dans un premier mode de réalisation, le procédé utilise une source à base d'isotope radioactif qui émet en permanence des rayonnements ionisants, comme les sources américium qui génèrent des alphas ou les sources californium qui produisent des ions sur une gamme d'énergie entre 0 et 15 MeV avec une énergie moyenne de 2.4 MeV. 15 Alternativement et de façon préférentielle, le procédé utilise un générateur électrique peu encombrant qui émet des rayonnements ionisants de manière temporaire (par exemple uniquement lorsqu'une tension est appliquée afin d'accélérer les particules projectiles). Plus particulièrement, le procédé utilise une source de neutrons mono- 20 énergétiques générés par la fusion de deux atomes. Selon un mode de réalisation avantageux, il s'agit d'une réaction D+D (utilisant une fusion de deux atomes de Deutérium, produisant des neutrons de 2.5 MeV) ou, préférentiellement, une source de neutrons D+T (fusion d'un atome de Deutérium avec un atome de Tritium, produisant des neutrons de 14.1 MeV). Ce type de source 25 de rayonnements ionisants est relativement commun, assez peu onéreux, et de dimensions réduites (typiquement quelques dizaines de centimètres de longueur) et permet donc d'effectuer des caractérisations de sensibilité de manière aisée dans une gamme de rayonnements particulières. Le choix de sources D+T ou D+D est intéressant en ce que l'énergie des 30 neutrons émis est parfaitement connue. Le principe de fonctionnement de ces diverses sources de rayonnement est connu en soi et n'est donc pas décrit plus avant ici. Néanmoins, la caractérisation de la sensibilité d'un composant aux 35 rayonnements ionisants par une telle source n'est pas exhaustive, car ces types de sources émettent des particules dont les propriétés, notamment d'énergie, se situent dans un domaine très restreint. Dans l'exemple des tubes de neutrons D+T, seuls des neutrons d'une énergie de 14.1 MeV sont émis. Or une caractérisation n'est exhaustive que si elle est réalisée pour un nombre suffisant de conditions d'énergie (typiquement entre 5 et 10) et sur un domaine d'énergie représentatif de l'environnement radiatif que verra le composant ou le système électronique. La liste des conditions d'énergie correspondant à un cahier de charges d'un composant dépend naturellement de l'application à laquelle est destiné ce composant. De manière usuelle, un test en accélérateur de particules neutrons inclut des mesures réalisées pour différentes énergies entre 1MeV et 150MeV comme par exemple à 10 MeV, 30 MeV, 60 MeV, 100 MeV, 150 MeV. Dans le cas d'énergies supérieures à 15 MeV, les neutrons sont produits soit dans des réacteurs de fission nucléaire soit dans des accélérateurs de particules où des protons accélérés entrent en collision avec un matériau cible pour créer des neutrons secondaires. Ces neutrons ont un spectre où 50% des neutrons créés sont mono-énergétiques et les 50% restant ont des énergies plus faibles. Ces deux procédés de génération de neutrons requièrent des installations extrêmement complexes qui sont par conséquent rares et d'exploitation très coûteuse. Dès lors, la réalisation de caractérisations exhaustives de sensibilité aux radiations de composants électroniques peut s'avérer très coûteuse et nécessite de planifier très en avance la campagne d'irradiation. Pour gagner en flexibilité et réduire très fortement les coûts de cette caractérisation, le présent procédé de caractérisation de sensibilité du composant aux rayonnements couple une caractérisation expérimentale utilisant une source de rayonnements ionisants aux propriétés limitées (notamment sur le domaine d'énergie) avec un code de simulation. L'intérêt supplémentaire de ce type de sources de rayonnements ionisants est que les caractéristiques ainsi que la configuration géométrique d'irradiation sont parfaitement connues (spectre énergétique, flux....) et donc facilement modélisable dans un outil de simulation. En ce qui concerne le code de simulation utilisé pour effectuer le calcul de la sensibilité d'un composant dans de nombreuses conditions d'irradiations, il s'appuie sur un nombre limité de paramètres d'entrée permettant de calculer, pour un environnement radiatif, la probabilité d'occurrence des effets liés aux radiations (typiquement une défaillance de type prédéterminé). Il peut s'agir soit de méthodes analytiques (telles que par exemple les méthodes BGR, SIMPA, PROFIT) soit d'approches de type Monte-Carlo. Pour la prédiction de la sensibilité d'un composant vis-à-vis des radiations, les approches Monte-Carlo simulent un grand nombre de particules incidentes et étudient la réponse du composant à chaque évènement de façon individuelle. Ce type d'approche permet de construire une statistique et d'obtenir une réponse moyenne sur le composant. Ces paramètres d'entrée sont liés au composant étudié et au type d'effets singuliers. Ils comprennent notamment dans le cas d'un basculement d'une cellule logique : 1/ la notion de charge critique, qui est le dépôt de charges nécessaire pour provoquer l'évènement radiatif d'intérêt (par exemple changement d"état logique d'une cellule élémentaire d'un composant de type processeur ou mémoire) ou, de manière équivalente, un critère de courant maximum pendant un temps maximum , ainsi que sur la définition 2/ de la dimension de la zone de sensibilité (également dit volume sensible) associée à une cellule élémentaire du composant, 3/ de la distance aux plus proches cellules élémentaires voisines, et 4/ l'organisation logique de la mémoire, pour savoir si 2 bits d'un même mot sont physiquement adjacents ou non. Les évènements radiatifs d'intérêt (appelés évènements singuliers) sont variés : il peut s'agir du changement d'état logique d'une cellule ou de plusieurs cellules d'un composant de type processeur ou mémoire (appelé SEU pour single Event Upset ou MCU pour Multiple Cell Upset), d'erreur pouvant modifier le fonctionnement global d'un composant (appelé SEFI pour Single Event Functional Interrupt), de court circuit (Single Event Latchup), de phénomène transitoire (Single Event Transient) , de mécanismes destructifs dans un composant de puissance (appelés SEB pour Single Event Burnout ou SEL pour Single Event Latchup) ou tout autre effet singulier lié à l'interaction d'une particule de l'environnement radiatif avec un composant électronique. Les paramètres d'entrée du code de simulation, associés à un composant ou équipement électronique, peuvent être obtenus de diverses façons. Des valeurs typiques associées à un composant d'une étape technologique connue ("noeud technologique") peuvent être estimées en utilisant des valeurs listées dans les feuilles de route technologiques (usuellement désignées sous le nom de "roadmaps technologiques", notamment ITRS : "International Technology Roadmaps for Semiconductors"). De telles feuilles de route technologiques sont par exemple fournies par les fabricants, avec des valeurs techniques associées aux dates de sorties des futurs produits de leurs gammes. Alternativement, des paramètres liés à la topologie des composants peuvent également être déterminés par une analyse technologique du composant, ou lors d'une cartographie laser associée au type de défaillance étudié. Le laser peut en effet être utilisé pour simuler les mêmes types d'erreurs que celles déclenchées par les particules de l'environnement radiatif naturel. Lors de cartographies laser la position du laser sur le composant est parfaitement maitrisée, il est donc possible de cartographier la position des zones de sensibilités associées aux différents types d'erreurs. Le pré-requis est qu'un système de test soit mis en oeuvre pour détecter, de manière consécutive aux tirs laser, le déclenchement de ces erreurs. En ce sens la cartographie laser est associée au type de défaillance qui peut être détecté par le système de test. La méthode de réalisation d'une telle cartographie laser est connue en soi et sort en tant que telle du cadre de l'invention. Elle n'est donc pas détaillée plus avant ici. Dans le présent exemple de mise en oeuvre du procédé, au moins certains de ces paramètres d'entrée du code de simulation, sont déterminés sur la base de points de caractérisation expérimentaux obtenus dans l'étape avec la source de rayonnements ionisants aux propriétés limitées. En comparant la caractérisation expérimentale de sensibilité du composant, obtenue grâce à cette source de rayonnements ionisants dont les propriétés sont limitées à certains types de rayonnements et certaines valeurs d'énergie, avec une prédiction obtenue grâce au code de simulation pour ces mêmes conditions, il est possible d'affiner les paramètres d'entrée du code de simulation pour parvenir à une prédiction plus précise de sensibilité du composant dans d'autres conditions d'irradiation. Un avantage significatif, par rapport à la seule utilisation d'un code de simulation pour prédire la sensibilité du composant, est qu'ici ce code est affiné sur la base de tests expérimentaux réalisés sur le composant lui-même, donc en tenant compte et en extrapolant à partir de ses défauts spécifiques. Selon un mode favorable de mise en oeuvre, l'étape de détermination de certains paramètres d'entrée du code de simulation comporte une phase d'évaluation si un évènement radiatif a lieu suite au passage d'un particule telle que simulée par le code de prédiction, cette phase procédant par une approche fondée de l'atteinte des valeurs seuils relatives au(x) critère(s) utilisé(s) par le code de simulation pour modéliser l'évènement radiatif d'intérêt pour la configuration géométrique relative aux zones de sensibilité associées à ce critère. Dans un cas particulier, cette approche peut être fondée soit sur la détermination de la charge déposée par l'ion dans le volume sensible de la cellule élémentaire et de la comparaison de celle-ci à la charge critique, qui représente une valeur seuil de basculement, soit sur la détermination de l'allure du courant en fonction du temps engendré par le passage de l'ion dans le volume sensible de la cellule élémentaire et de la comparaison de celle-ci au critère de courant maximum pendant un temps maximum (imax, timax), qui représente le seuil de basculement. Avantageusement, l'étape de détermination de certains paramètres d'entrée du code de simulation comporte une phase d'optimisation pour déterminer un jeu de paramètres le plus probable permettant de retrouver à l'aide du code de simulation les résultats de mesure obtenus expérimentalement lors de l'étape de mesure de réaction du composant à des rayonnements, utilisant la source de rayonnements ionisants aux propriétés limitées. Plus particulièrement dans ce cas, le jeu de paramètres sur lequel on procède à la phase d'optimisation comprend une valeur ou plusieurs valeurs seuils relatives au(x) critère(s) utilisé(s) par le code de simulation pour modéliser l'évènement radiatif d'intérêt et les informations géométriques relatives aux zones de sensibilité associées à ce critère. Dans un exemple de réalisation, le jeu de paramètres comprend la taille du volume sensible, les positions des volumes sensibles et la charge critique ou le couple de paramètres (courant maximum, temps maximum). Avantageusement, pour les composants comportant des cellules mémoires pour lesquels l'évènement radiatif d'intérêt est un changement d'état logique d'une cellule ou plusieurs cellules, le jeu de paramètres comprend la charge critique, définie comme le dépôt de charges nécessaire pour provoquer un évènement radiatif d'intérêt ou de manière équivalent un critère de courant maximum pendant un temps maximum (imax, timax), ainsi que sur la taille de la zone de sensibilité associée à ce critère et de manière optionnelle, la distance aux plus proches cellules voisines, et l'organisation logique de la mémoire, pour savoir si 2 bits d'un même mot sont physiquement adjacents ou non. Dans un mode de réalisation particulier, sur la base du jeu de paramètres déterminés, le code de simulation est utilisé pour calculer la sensibilité attendue pour de nouvelles configurations d'irradiations répondant au cahier des charges. Présentation des figures Les caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux appréciés grâce à la description qui suit, description qui expose les caractéristiques de l'invention au travers d'un exemple non limitatif d'application. La description s'appuie sur les figures annexées dans lesquelles : La figure 1 est un schéma illustrant les différents éléments mis en oeuvre dans le procédé, La figure 2 est un organigramme des étapes d'un exemple de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, La figure 3 illustre le principe général d'un code Monte-Carlo de prédiction de sensibilité des composants électronique, utilisé dans le présent exemple de mise en oeuvre du procédé, La figure 4 détaille symboliquement la base de données des réactions nucléaires utilisée dans un code de simulation Monte-Carlo, La figure 5 illustre le principe des deux critères de basculement. Description détaillée d'un mode de réalisation de l'invention On considère dans la suite de la description le cas particulier d'un composant de type mémoire électronique, comportant un ensemble de cellules élémentaires pouvant prendre plusieurs états logiques selon leur charge électronique. Cependant le procédé ici décrit s'applique plus généralement à tout type de composant ou équipement électronique. Le procédé de sélection de composants électroniques selon leur sensibilité à des rayonnements ionisants met en oeuvre divers éléments illustrés par la figure 1. Il utilise en premier lieu une source radioactive 100, de type connu en soi, installée sur un bâti (non représenté sur la figure) destiné à recevoir un équipement électronique ou un composant 101, disposé à une distance h de la source et selon une géométrie prédéterminée. Le procédé met également en oeuvre des moyens de mesure 102 de divers signaux d'intérêt issus du composant 101 lorsque celui-ci est soumis à l'irradiation par la source 100. Ces moyens de mesure et de calcul 102 se présentent, dans le présent exemple nullement limitatif de mise en oeuvre du procédé, sous la forme d'un micro-ordinateur de type PC, connu en soi, doté d'interfaces utilisateur et de moyens de mémorisation classiques. Un logiciel de prédiction de sensibilité de composant à des rayonnements ionisants est installé sur ce micro-ordinateur. Le procédé, tel que décrit ici, comporte une série d'étapes dont l'organigramme est illustré figure 2. Dans une première étape 200, on place un composant électronique 101 à analyser sous la source de rayonnements ionisants 100, selon des conditions de géométrie prédéterminées. Cette source de rayonnements ionisants 100 est, dans le présent exemple, de type D+T, c'est à dire fonctionnant selon un principe de fusion d'un atome de Deutérium avec un atome de Tritium, produisant ainsi sur commande des neutrons d'une énergie de 14.1 MeV. Cette source de rayonnements ionisants 100 présente des propriétés de rayonnement limitées à un type de particules (neutrons) et une seule énergie : 14.1 Mev, mais elle est par contre parfaitement connue. En variante, cette source 100 est de type D+D, ou alternativement une source radioactive permanente de type américium qui génère des particules alphas ou de type californium qui produit des neutrons sur une gamme d'énergie entre 0 et 15 MeV avec une énergie moyenne de 2.4 MeV. Dans la mise en oeuvre décrite ici, la distance h entre la source de rayonnements ionisants 100 et le composant électronique 101 est connue de façon précise, de manière à estimer avec précision le flux de rayonnement reçu par le composant. La configuration géométrique de l'irradiation est parfaitement connue (distance équipement ou composant à tester / source, angle solide si la source est isotrope, ...). Il est donc possible de connaitre précisément les caractéristiques et le flux des particules générées par la source de rayonnements qui arrivent sur le composant électronique 101 à tester. Puis dans une étape 210, on soumet ce composant 101 à une irradiation par la source de rayonnements ionisants 100. Il en résulte une modification d'état ou de fonctionnement du composant ou de certaines parties. Dans une étape 220, on effectue une série de mesures de réaction du composant à ces rayonnements. Des signaux d'intérêt du composant à tester ou de l'équipement sont sollicités ou observés avant et/ou pendant et/ou après l'irradiation pour permettre d'évaluer, dans la configuration d'irradiation donnée, sa sensibilité vis-à-vis des radiations. Ces signaux d'intérêt sont par exemple, dans le cas de composants mémoires, le contenu de l'information logique de chacune des cellules mémoires. Si une ou plusieurs cellules ont vu leur contenu changer de 1 vers 0 ou 0 vers 1, cela traduit un niveau de sensibilité du composant vis-à-vis des particules (ce qui équivaut à une probabilité d'occurrence de ce type d'erreur). Dans un composant de puissance de type powerMOS, il est possible d'observer l'évolution de la tension de drain si lors d'un impact, celle-ci passe à OV, cela traduit une défaillance de type court circuit (appelé SEB) lié au passage et à l'interaction d une particule. Il s'agit de signaux logiques et / ou électriques. Ces signaux d'intérêt peuvent par exemple être observés par une carte de test dédiée. Dans le cas des mémoires, il peut s'agir du contenu logique de chacune des cellules mémoires du composant, la carte de test générant les signaux (notamment d'adressage) qui permettent de lire le contenu de chacune des cellules mémoires du composant. De tels systèmes sont bien connus de l'homme de l'état de l'art. Dans une étape suivant 230, on détermine un jeu de paramètres d'entrée d'un code de simulation préalablement choisi, ce jeu de paramètres d'entrée permettant le mieux de reproduire par le calcul les résultats des mesures de réaction du composant à ces rayonnements, tout en sachant qu'une partie de ces paramètres peut éventuellement être apporté par la connaissance bibliographique et/ou par d'autres moyens expérimentaux. Dans le but d'évaluer la sensibilité du composant électronique 101 donné dans un environnement radiatif donné (environnement spatial, avionique, atmosphérique), l'étape 230 de détermination de paramètres d'entrée (ainsi que l'étape 240 d'extrapolation aux autres conditions de rayonnements ionisants) utilise une méthode analytique ou par analyse de Monte-Carlo de prédiction de sensibilité du composant électronique. La suite de la description présente la méthode par analyse de Monte Carlo (voir figure 3) mais les méthodes analytiques, plus simples peuvent également parfaitement être utilisées. On rappelle ici qu'un tel outil de calcul Monte-Carlo repose sur le tirage 303 (au sens statistique) d'un grand nombre de simulations reproduisant les conditions de traces ionisantes possibles consécutives aux réactions nucléaires. L'outil de calcul Monte-Carlo dispose d'une base de données d'interactions nucléaires 301 caractérisant des produits de réaction obtenus par collision d'une particule incidente et d'un atome cible. La méthode de calcul, utilisée dans le présent exemple de mise en oeuvre du procédé, consiste à réaliser un ensemble de tirages aléatoires 303 de réactions nucléaires 302 associés à un tirage de leur localisation. Pour chacune de ces configurations (réaction nucléaire, localisation), une analyse, fondée sur un modèle simplifié des mécanismes physiques, permet de statuer sur l'occurrence d'une erreur de fonctionnement du composant (par exemple un changement d'état logique d'une cellule élémentaire ou le déclenchement d'un phénomène destructif dans un composant de puissance ou autres) induite par des ions secondaires ayant certaines caractéristiques. Un tel simulateur permet de calculer, soit la fréquence des erreurs (SER) dans un environnement radiatif donné, soit la section efficace qui est la mesure de la sensibilité d'un composant en fonction de l'énergie ou perte d'énergie par unité de longueur de la particule ionisante (étape 309 figure 3). Les codes de prédiction Monte-Carlo permettent de tenir compte d'un grand nombre de cellules élémentaires, ainsi que de la géométrie du composant. Ils permettent ainsi donc de traiter le problème des effets multiples (dont les basculements multiples appelés MCU) qui apparaissent simultanément dans différentes cellules du composant. Ces évènements multiples sont considérés comme une problématique majeure à l'heure actuelle en raison de leur multiplication due à la réduction de la taille des transistors. De surcroît, il est beaucoup plus difficile de détecter et de corriger ces erreurs multiples au moyen d'un système de détection et de correction d'erreurs. En effet, une parité permet de détecter des évènements simples, mais si deux évènements simultanés apparaissent au sein d'un même mot, la parité ne les détecte pas. Pour détecter les évènements multiples, il faut utiliser des codes de détection/correction d'erreurs plus lourds comme le code de Hamming (corrige une erreur / détecte deux erreurs) ou le code Reed Salomon. L'outil de simulation utilisé dans le présent procédé permet de gérer trois problèmes : 1 - Gestion du tirage Monte-Carlo en fonction de l'environnement radiatif considéré (il s'agit d'un tirage Monte Carlo des produits de la réaction nucléaire neutron/silicium ou proton/silicium); 2 - Physique de l'interaction nucléaire avec la connaissance des caractéristiques des produits ionisants (grâce à une base de données d'interactions nucléaires) et de l'ionisation de la matière; 3 - Critère d'erreur : détermination de la dangerosité des ions secondaires pour le composant. Pour étudier les effets singuliers (définis comme des dysfonctionnements transitoires ou permanents du composant dus aux interactions entre la matière du composant et les particules incidentes selon les conditions de fonctionnement du composant) induits dans les composants électroniques par les neutrons atmosphériques ou les protons des ceinture de radiations, il est nécessaire de connaître les produits ionisants (également appelés ions secondaires) que ces nucléons provoquent avec les atomes de la cible. Compte tenu de l'étendue énergétique (de 1 MeV à 1 GeV) des différents types d'interaction, différents modèles sont utilisés pour la génération des bases de données nucléaires afin de décrire les différents mécanismes d'interaction selon leurs spécificités, c'est-à-dire les types de réactions et les énergies. Des codes de calcul dédiés tels que ceux connus sous les noms de HETC, MC- RED, GEANT4, ou MCNP -marques déposées- (selon l'énergie de la particule incidente) ou des données nucléaires d'évaluation comme ENDF ou JENDL -marques déposées- peuvent être utilisés. L'utilisation de ces codes a permis d'obtenir des bases de données nucléaires figées qui ne sont pas recalculées à chaque fois que l'invention est utilisée. De fait, de nouvelles bases de données sont générées lorsqu'il est nécessaire de prendre en compte de nouveaux matériaux utilisés dans les semi conducteurs. Dans le cadre de l'invention on considère que les bases de données des matériaux d'intérêt (silicium, SiO2, Tungstène, SiC, GaN, ...) ont déjà été générées. Les bases de données d'interactions nucléaires utilisées couvrent les neutrons et les protons et se composent, pour chaque énergie incidente, de centaines de milliers d'événements nucléaires non élastiques et élastiques avec le détail des réactions nucléaires, c'est-à-dire, le numéro atomique et la masse atomique des ions secondaires, leurs énergies et leurs caractéristiques d'émission (angles d'émission). Dans les réactions nucléaires, les réactions de type élastique conservent la nature des particules en interaction et l'énergie cinétique totale. Les réactions non-élastiques sont variées, chaque réaction se caractérise par un seuil énergétique d'apparition. Ces réactions induisent la génération d'un ou de plusieurs ions secondaires. Le modèle simplifié des mécanismes physiques est obtenu à partir de l'étude d'un grand nombre de simulations par éléments finis réalisées à l'aide d'outils de simulations dédiés tels que les outils commerciaux des sociétés Synopsys ou SILVACO -marques déposées-. On considère ici que le modèle simplifié des mécanismes physiques a déjà été obtenu pour les défaillances/erreurs d'intérêt. Ces modèles existent notamment actuellement pour les éléments mémoires SRAM et les composants de puissance de types Power MOSFET et IGBTs. Ces simulations permettent de résoudre, pour une structure de composant donnée et préalablement maillée (c'est-à-dire modélisée en éléments finis), les équations de fonctionnement du semi-conducteur pour chaque point de maillage de la structure mais également, à chaque instant du domaine temporel étudié. Ces simulations composants permettent d'étudier de façon très précise le comportement qu'un composant électronique aura vis-à-vis d'une interaction ionisante. Ainsi, par exemple, il est notamment connu que dans le cas d'un basculement d'une cellule mémoire de type SRAM, sa sensibilité est caractérisée par le paramètre dit "paramètre de LET" (perte d'énergie par unité de longueur) critique ou de charge critique. Pour qu'une erreur soit provoquée, il faut que l'ion ou les ions générés par la réaction nucléaire déposent suffisamment d'énergie dans les drains des transistors à l'état bloqué. Des simulations composants ont montré que les conditions favorables à la création d'une erreur sont que sa trace passe au voisinage d'une des zones sensibles, ou bien la traverse, afin d'y induire un courant parasite ou une collection de charges suffisants pour créer un basculement. Des modèles simples (notamment analytiques) de diffusion / collection basés sur la diffusion ambipolaire des porteurs et la collection des charges sur les drains bloqués permettent de décrire le déplacement des porteurs. Différentes méthodes peuvent être utilisées pour évaluer si le un effet singulier (basculement de l'état logique de la cellule, déclenchement d'un mécanisme destructif, déclenchement d'un court circuit, ...) suite au passage d'un ion a eu lieu ou non (critère de défaillance 308 figure 3). Une première méthode procède par une approche simplifiée (du premier ordre). Elle est fondée sur la détermination de la charge déposée par l'ion dans le volume sensible de la cellule élémentaire et de la comparaison de celle-ci à la charge critique, qui représente la valeur seuil de basculement. C'est la méthode à la base du code de simulation utilisé dans le présent procédé. Une seconde méthode est une étude plus fine du phénomène (de second ordre). La collection des porteurs déposés par le passage de l'ion est étudiée temporellement (étape 306 figure 3) afin de reconstruire le courant. L'évolution temporelle du courant permet de déterminer si un effet singulier se produit ou non. Par exemple, un critère dynamique repose sur le couple amplitude maximale Imax du courant et le temps auquel ce courant maximal s'établit tlmax. Partant de l'observation que tous les passages de particules induisent des courants qui ont la même forme, c'est-à-dire une croissance prompte (traduisant le mécanisme de dérive) suivie d'une lente décroissance (traduisant les mécanismes de diffusion), chaque passage d'ion peut être caractérisé par ce couple. Dans l'exemple des basculements de bits dans une mémoire, ce critère introduit une courbe frontière séparant les couples (Imax, tlmax) induisant des basculements de ceux qui n'en induisent pas, caractéristique de la sensibilité d'une technologie SRAM. Pour mesurer le défaut de fonctionnement du composant, on mesure ainsi une évolution temporelle d'un courant résultant de l'excitation dont une caractéristique dynamique dépasse un seuil induisant un basculement d'un état électrique du composant (SEU, de Single Event Upset). Cette méthode est utilisée dans le code de simulation décrit ici à titre d'exemple nullement limitatif. La figure 5 illustre le principe des deux critères de basculement. En plus de la base de données nucléaire 301 décrite ci-dessus, des courbes sont fournies par un code de calcul décrivant le comportement du dépôt énergétique des ions lors de leurs passages dans le matériau (comme l'outil connu sous le nom commercial de SRIM - marque déposée- de " Stopping and Range of Ions in Matter"). La base de données nucléaires 301 et les courbes SRIM 304 sont fixes quel que soit le composant et le type d'erreur étudié. Les paramètres d'entrée (c'est-à-dire des données numériques caractéristiques du composant) nécessaires à la prédiction de sensibilité d'un composant comportent, dans le présent exemple, la charge critique et des informations relatives à la topologie 305 du composant c'est-à-dire le volume des zones sensibles et la distance entre zones sensibles. Ces paramètres varient suivant le composant et le type d'erreur étudié. A l'aide des points de caractérisation expérimentaux réalisés avec la source de rayonnements ionisants aux propriétés limitées, une méthode d'optimisation, de type connu en soi et donc non détaillé ici, est appliquée pour déterminer le jeu de paramètres le plus probable (par exemple taille de volume sensible, positions des volumes sensibles et charge critique) permettant de retrouver à l'aide du code de prédiction les résultats obtenus expérimentalement. Ce travail est facilité car les propriétés de la source de rayonnements ionisants ainsi que la configuration géométrique de l'irradiation sont parfaitement connus. La détermination du jeu de paramètres le plus probable peut être également facilitée, si au moins un des paramètres d'entrée est déterminé par une autre méthode, comme par exemple une analyse technologique 307 pour déterminer la taille de zones de sensibilité. Ce procédé, utilisant une source de rayonnements aux propriétés limitées avec un code de prédiction, permet donc de s'affranchir des tests coûteux effectués en accélérateur de particules et de caractériser la sensibilité d'un composant électronique sur une large gamme d'énergies en utilisant de manière couplée un moyen d'irradiation plus accessible et un code de prédiction. Le code de prédiction est ensuite utilisé pour déterminer le jeu de paramètres (notamment de charge critique et / ou de critère reposant sur le couple amplitude maximale du courant et le temps auquel ce courant maximal (lmax, timax), de taille du volume sensible, et de distance aux volumes sensibles voisins) le plus probable pour obtenir, pour la configuration d'irradiation donnée, le résultat le plus proche de la caractérisation expérimentale telle que mesurée lors de l'étape 220. Dans une étape 240, on utilise le code de simulation ainsi paramétré pour extrapoler la sensibilité du composant électronique 101 dans une série de conditions d'irradiation, tant en termes de particules que d'énergies ou dépôts d'énergie par unité de longueur. Dans une étape 250, on vérifie la compatibilité du composant électronique 101 à un cahier des charges préétabli. Avantages de l'invention Ce procédé, utilisant une source de rayonnements ionisants 100 aux propriétés limitées, associée à un code d'extrapolation, permet donc de s'affranchir des tests coûteux effectués en accélérateur de particules et de caractériser la sensibilité d'un composant sur une large gamme d'énergies en utilisant de manière couplée un moyen d'irradiation plus accessible et un code de prédiction. L'invention permet alors, par exemple mais de façon non limitative, après caractérisation de la sensibilité d'un composant à des conditions d'irradiation, lorsqu'une application dynamique est exécutée sur ce composant, de vérifier si ce composant est compatible avec le cahier des charges d'un équipement électronique en cours de conception, cet équipement devant être soumis à un environnement et à une probabilité de défaillance préalablement connu. Si, selon le procédé de caractérisation, le composant ne permet pas de remplir le cahier des charges, les concepteurs doivent modifier l'implémentation de l'équipement électronique. REVENDICATIONS1. Procédé de sélection d'un équipement électronique comprenant au moins un composant électronique (101), ledit équipement électronique étant potentiellement soumis à des conditions d'irradiation listées dans un cahier des charges prédéterminé, le procédé comportant une phase de caractérisation d'un paramètre de sensibilité du composant électronique (101) à ces conditions d'irradiation, cette phase comprenant : - une étape 210 d'irradiation du composant électronique (101) par une source de rayonnements ionisants (100) aux caractéristiques et à la géométrie d'irradiation connues, - une étape 220 de mesure d'un ensemble de valeurs de fonctionnement (points de caractérisation expérimentaux) du composant électronique (101) lors de cette étape d'irradiation, ledit procédé étant caractérisé en ce que : - l'étape d'irradiation comporte des mesures de sensibilité du composant électronique (101) pour un nombre de conditions d'irradiation inférieur à l'ensemble des conditions listées dans le cahier des charges, - le procédé comporte en outre une étape 240 d'extrapolation des résultats mesurés aux autres conditions d'irradiation du cahier des charges. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il utilise une source (100) à base d'isotope radioactif qui émet en permanence des rayonnements ionisants. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il utilise comme source un générateur électrique qui émet des rayonnements ionisants de manière temporaire, ce générateur étant une source (100) de neutrons mono-énergétiques générés par la fusion de deux atomes. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le générateur est une source de neutrons de type D+T (fusion d'un atome de deutérium avec un atome de tritium), produisant des neutrons mono énergétiques. 5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le générateur est une source de neutrons de type D+D (fusion de deux atomes de Deutérium), produisant des neutrons mono énergétiques. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'étape 240 d'extrapolation utilise un code de simulation s'appuyant sur un nombre limité de paramètres d'entrée liés à l'équipement électronique 101, pour calculer, pour un environnement radiatif, la probabilité d'occurrence d'une défaillance de type prédéterminé liée aux radiations. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que les paramètres d'entrée liés à l'équipement électronique comprennent notamment : 1/ une valeur ou plusieurs valeurs seuils relatives au(x) critère(s) utilisé(s) par le code de simulation pour modéliser l'évènement radiatif d'intérêt 2/ les informations géométriques relatives aux zones de sensibilité associées à ce(s) critère(s). 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que, pour les composants comportant des cellules mémoires pour lesquels l'évènement radiatif d'intérêt est un changement d'état logique d'une cellule ou plusieurs cellules, les paramètres d'entrée liés à l'équipement électronique comprennent: 1) la charge critique, définie comme le dépôt de charges nécessaire pour provoquer un évènement radiatif d'intérêt ou de manière équivalente un critère de courant maximum pendant un temps maximum (imax, timax), ainsi que sur la définition 2) de la dimension de la zone de sensibilité associée à ce critère, 3) de la distance aux plus proches cellules voisines et 4) l'organisation logique de la mémoire, pour savoir si 2 bits d'un même mot sont physiquement adjacents ou non. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 7, caractérisé en ce qu'un des paramètres d'entrée est la géométrie relative aux zones de sensibilité associées au(x) critère(s) utilisé(s) par le code de simulation pour modéliser l'évènement radiatif d'intérêt et peut être déterminé par une méthode d'analyse technologique ou une cartographie laser. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 7, caractérisé en ce qu'il comporte une étape 230 de détermination de certains paramètres d'entrée du code de simulation, sur la base de points de caractérisation expérimentaux obtenus dans l'étape 220 avec la source de rayonnements ionisants (100) aux propriétés limitées. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape 230 comporte une phase d'évaluation si un évènement radiatif a lieu suite au passage d'un particule telle que simulée par le code de prédiction, cette phase procédant par une approche fondée sur la détermination de l'atteinte des valeurs seuils relatives au(x) critère(s) utilisé(s) par le code de simulation pour modéliser l'évènement radiatif d'intérêt pour la configuration géométrique relative aux zones de sensibilité associées à ce critère. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'étape 230 comporte une phase d'optimisation pour déterminer un jeu de paramètres le plus probable permettant de retrouver à l'aide du code de simulation les résultats de mesure obtenus expérimentalement lors de l'étape 220 avec la source de rayonnements ionisants aux propriétés limitées. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le jeu de paramètres sur lequel on procède à la phase d'optimisation comprend une valeur ou plusieurs valeurs seuils relatives au(x) critère(s) utilisé(s) par le code de simulation pour modéliser l'évènement radiatif d'intérêt et les informations géométriques relatives aux zones de sensibilité associées à ce critère. 14 Procédé selon la revendication 13 caractérisé en ce que, pour les composants comportant des cellules mémoires pour lesquels l'évènement radiatif d'intérêt est un changement d'état logique d'une cellule ou plusieurs cellules, le jeu de paramètres comprend la charge critique, définie comme le dépôt de charges nécessaire pour provoquer un évènement radiatif d'intérêt ou de manière équivalent un critère de courant maximum pendant un temps maximum (imax, timax), ainsi que sur la taille de la zone de sensibilité associée à ce critère et de manière optionnelle, la distance aux plus proches cellules voisines, et l'organisation logique de la mémoire, pour savoir si 2 bits d'un même mot sont physiquement adjacents ou non. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 13, caractérisé en ce que sur la base du jeu de paramètres déterminés, le code de simulation est utilisé pour calculer la sensibilité attendue pour de nouvelles configurations d'irradiations répondant au cahier des charges.