FR 2990058 A1 20131101 FR 1253944 A 20120427 DISPOSITIF D'AFFICHAGE POLYCHROME A DIODES ELECTROLUMINESCENTES ORGANIQUES ET SON PROCEDE D'ENCAPSULATION. La présente invention concerne un dispositif d'affichage polychrome à diodes électroluminescentes organiques (« OLED ») et à filtres colorés, qui est protégé de l'air ambiant par une encapsulation étanche de type incluant des couches minces, et un procédé d'encapsulation d'un tel dispositif. L'invention s'applique notamment à des microafficheurs à émission par le sommet (« top emission ») surmontant un circuit à métal-oxyde complémentaire (« CMOS »). De manière connue, les dispositifs optoélectroniques organiques tels que les afficheurs « OLED » nécessitent d'être encapsulés, pour assurer la protection de leurs composants sensibles contre les espèces gazeuses de l'atmosphère (principalement l'oxygène et la vapeur d'eau). En effet, si cette protection n'est pas convenablement réalisée, il risque de se produire une dégradation ultérieure du dispositif qui se manifeste principalement par l'apparition de points noirs non émissifs dans le cas des « OLED », qui sont en fait la résultante de la pénétration de la vapeur d'eau dans la diode, ce qui dégrade l'interface cathode (ou anode) / film(s) organique(s). Cette encapsulation peut être typiquement réalisée grâce à l'utilisation d'un capot de verre collé sur le dispositif organique à l'aide d'une colle spécifique présentant notamment une faible perméabilité à l'eau. En général, on ajoute un absorbeur d'humidité solide ou « getter » entre le substrat et le capot pour prolonger la durée de vie du dispositif. Pour certaines applications mais aussi pour une question de réduction de coût, on a développé des couches minces à effet de barrière dont le rôle, par similitude à cet ensemble capot-getter, est de protéger le dispositif sous-jacent de l'agression de l'humidité. D'une manière générale, ces couches barrières sont constituées de films inorganiques à base d'oxydes (e.g. A1203), de nitrures ou d'oxynitrures déposés par des procédés de dépôt 2 99005 8 2 sous vide tels que le dépôt chimique en phase vapeur (« CVD ») éventuellement assisté par plasma (« PECVD »), le dépôt de couche atomique (« ALD », parfois appelé « AL-CVD ») ou par des procédés de dépôt physique en phase vapeur (« PVD ») incluant l'évaporation et la pulvérisation. 5 Un inconvénient de cette encapsulation par des films inorganiques de type A1203 réside dans la présence de particules à la surface du dispositif lors de son encapsulation qui génère des défauts sous forme de points noirs sur l'afficheur « OLED ». En variante, on a cherché à passiver ces films barrière 10 inorganiques par exemple déposés par « ALD » par des couches organiques relativement épaisses à base de polymères « planarisants » censés remédier à l'inconvénient des particules indésirables précitées, en les enrobant à la manière d'un empilement BarixTM de la société Vitex, avec un empilement de couches organiques et inorganiques alternées. Un inconvénient de cette 15 solution réside dans le procédé en phase gazeuse de type évaporation « flash » (i.e. évaporation du monomère, condensation sur substrat puis insolation UV pour la réticulation) qui est relativement coûteux en temps. Le document de Brevet WO-A1-2011/128802 au nom de la Demanderesse présente un afficheur « OLED » dont l'encapsulation 20 comprend au moins un empilement comprenant un film inorganique interne et une couche polymérique photosensible qui est de préférence à base d'une résine positive de photolithographie et qui recouvre de manière enveloppante ce film et la zone active de l'afficheur. Cette couche de résine est avantageusement recouverte d'un film barrière inorganique externe, sur lequel 25 est collé un capot de protection qui est transparent à la lumière émise par le dispositif et qui est pourvu sur sa face interne de filtres optiques colorés R, V, B disposés en regard des points de couleur correspondants de chaque pixel du microafficheur. Dans la technologie des imageurs « CMOS », il est courant 30 d'utiliser des filtres colorés que l'on réalise par photolithographie directement sur les pixels. La plupart du temps, les résines pigmentées utilisées pour ces filtres sont définies de telle sorte qu'il soit possible d'enchaîner les différents 2 99005 8 3 niveaux de photolithographie (un niveau par couleur) sans dégrader la couche immédiatement inférieure. Ainsi, lorsque la résine de filtre de niveau i est déposée, celle de niveau i-1 précédemment déposée n'est pas affectée par l'attaque chimique de l'ensemble des produits utilisés pour cette résine de 5 niveau i (e.g. le solvant de la résine, le développeur et l'eau de rinçage) car les résines utilisées pour ces filtres sont des résines négatives qui subissent finalement un recuit (« hard bake » en anglais) à haute température (typiquement entre 200 et 250° C pendant 30 minutes) de manière à supprimer les solvants résiduels de la résine du filtre de niveau i-1, à les durcir 10 et à les rendre ainsi insensibles à la chimie humide des produits impliqués dans toutes les étapes de réalisation du filtre de niveau i. Cependant pour les dispositifs « OLED », ces contraintes en température sont inacceptables, car un tel recuit à 200° C détruirait ces dispositifs qui ne peuvent supporter que des températures au plus égales à 15 100° C environ. Comme il n'existe pas à ce jour sur le marché de résines pigmentées pour filtres colorés dont le recuit soit réalisable à basse température, on ne peut qu'utiliser les résines disponibles en abaissant leurs températures de recuit à 100° C au maximum afin de les rendre compatibles avec le dispositif « OLED » sous-jacent. 20 Toutefois, un inconvénient majeur bien connu d'un tel abaissement des températures de recuit des résines de photolithographie en général et pigmentées en particulier pour filtres colorés, réside dans le fait qu'un durcissement incomplet d'une résine de niveau i-1 par suite de son recuit insatisfaisant conduit inévitablement à son attaque chimique par les 25 solvants du niveau i, notamment en surface, où les pigments ont alors tendance à s'éparpiller sur les sous-pixels voisins et sur les niveaux actifs des circuits (e.g. sur les plots de contact et/ou sur les zones dédiées à l'encapsulation) et à se mélanger. La qualité finale du dispositif « OLED » est alors sérieusement affectée. 30 Un but de la présente invention est de proposer un dispositif d'affichage polychrome à diodes électroluminescentes organiques (« OLED ») qui permette notamment de remédier à ces inconvénients, ce dispositif présentant au moins une zone active électroluminescente qui comprend une multitude de pixels comprenant chacun des points de couleur respectivement surmontés par n filtres colorés adjacents constitués de résines photosensibles pigmentées déposées par voie humide suivant n niveaux de photolithographie, et une encapsulation par couches minces étanche comprenant un film barrière inorganique interne surmontant une électrode externe du dispositif, une couche de résine planarisante (« planarizing » en anglais) recouvrant ce film barrière interne et un film barrière inorganique externe recouvrant cette couche de résine planarisante. A cet effet, un dispositif selon l'invention est tel que ces filtres sont séparés deux à deux entre eux par des moyens de séparation constitués de films inorganiques d'encapsulation qui surmontent ladite couche de résine planarisante et qui épousent étroitement les profils des filtres, ces moyens de séparation étant aptes à protéger chaque filtre déposé contre une agression ou migration des produits chimiques utilisés pour le dépôt du filtre du niveau de photolithographie immédiatement supérieur. Par « surmonter », on entend dans la présente description une localisation à l'extérieur de l'élément de référence sous-jacent, qu'elle se traduise par un recouvrement (i.e. par un dépôt sur cet élément sous-jacent directement au contact de ce dernier) ou bien par un dépôt sans recouvrement au-dessus de cet élément. On notera que ces moyens de séparation permettent ainsi de faire barrière à l'attaque d'un niveau i de résine de filtre photolithographiée (i entier allant de 1 à n-1) par la chimie humide utilisée pour la réalisation du 25 niveau de résine i+1. On notera également que ces films inorganiques formant de telles barrières chimiques entre filtres colorés doivent être très « conformes », en ce sens que la technique utilisée pour leur dépôt sur les filtres doit permettre à ces films de suivre au plus près le profil géométrique pouvant être 30 abrupt de chaque filtre, en particulier lorsque ce profil de filtre vu en section transversale du dispositif est « inversé » (i.e. évasé vers l'extérieur en formant des angles obtus avec la base interne du filtre, à l'instar d'une queue d'aronde 2 99005 8 5 ou d'un autre profil de type en contre-dépouille). Comme expliqué ci-après, les techniques de dépôt de couche atomique (« ALD ») ou de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (« PECVD »), à titre non limitatif, sont particulièrement bien adaptées pour obtenir de tels films barrière épousant 5 étroitement les profils de filtres. On notera en outre que l'encapsulation ainsi obtenue pour les dispositifs de l'invention est avantageusement de type « SHB » (i.e. « Super High Barrier » en anglais, soit à effet de barrière à très haute performance). Selon une autre caractéristique de l'invention, lesdits moyens 10 de séparation entre lesdits filtres peuvent comprendre : - plusieurs films barrières inorganiques additionnels surmontant ledit film barrière externe et au moins n-1 des filtres, ou bien - ledit film barrière externe qui surmonte un premier de ces filtres, et au moins un film barrière inorganique additionnel qui surmonte ce 15 film barrière externe et en outre un autre de ces filtres. Avantageusement, ladite couche de résine planarisante est à base d'au moins une résine photosensible négative par exemple de type époxy, avec une épaisseur de couche de préférence inclusivement comprise entre 100 nm et 1000 nm. 20 Par « résine négative », on entend de manière connue une résine dont les parties insolées sélectivement à travers un masque (typiquement par un rayonnement UV) se polymérisent et deviennent ainsi insolubles lors du développement de la résine, par opposition aux résines positives testées dans le document précité WO-A1-2011/128802 dont les zones insolées sont dissoutes lors du développement. On notera que cette résine négative est nécessaire pour la réalisation d'un dispositif selon l'invention, car les expositions aux rayonnements UV utilisées pour l'application des résines pigmentées des filtres colorés seraient susceptibles d'endommager une couche planarisante à base d'une résine positive. Selon un premier exemple préférentiel de réalisation de l'invention, ledit film barrière interne recouvre une face interne de la couche de résine planarisante, et le film barrière externe recouvre une face externe de cette couche et en outre un premier filtre qui correspond à un premier niveau de photolithographie et qui est déposé sur cette face externe, les n-1 autres filtres surmontant le film barrière externe et étant séparés de ce premier filtre par ce film barrière externe qui est inclus dans les moyens de séparation. Conformément à ce premier exemple, le film barrière externe peut recouvrir des faces latérales et une face externe du premier filtre, et les moyens de séparation peuvent comprendre, outre ce film barrière externe, ledit au moins un film barrière inorganique additionnel qui surmonte à la fois ce premier filtre et un second filtre et qui recouvre ce film barrière externe de part et d'autre des premier et second filtres, un troisième filtre étant déposé sur ce film barrière additionnel, ces second et troisième filtres correspondant respectivement à un second et un troisième niveaux de photolithographie. Selon un second exemple de réalisation de l'invention, lesdits 15 films barrière interne et externe recouvrent des faces respectivement interne et externe de ladite couche de résine planarisante, lesdits n filtres surmontant ce film barrière externe avec : - un premier filtre correspondant à un premier niveau de photolithographie qui est déposé sur le film barrière externe et qui est 20 recouvert d'un premier film barrière inorganique additionnel inclus dans lesdits moyens de séparation, ce premier film barrière additionnel s'étendant à partir du film barrière externe et séparant ce premier filtre d'un second filtre correspondant à un second niveau de photolithographie, - ce second filtre déposé sur ce premier film barrière 25 additionnel et recouvert d'un second film barrière inorganique additionnel également inclus dans ces moyens, ce second film barrière additionnel surmontant les premier et second filtres et séparant le second filtre d'un troisième filtre correspondant à un troisième niveau de photolithographie, et - ce troisième filtre qui est déposé sur ce second film barrière 30 additionnel, lequel recouvre le film barrière externe au droit du troisième filtre. En référence à ces deux exemples de réalisation de l'invention, on notera qu'un avantage supplémentaire de l'invention est de rendre possible le recyclage des filtres défectueux grâce à la barrière chimique des films barrière inorganiques (e.g. à base d'A1203) les recouvrant, étant précisé que par « recyclage » on entend ici la possibilité d'enlever un niveau i de résine pigmentée présentant des défauts après son étalement par 5 une solution de développement, ou bien après sa photolithographie par une solution de « stripping ». En effet, même si la couche de résine pigmentée i-1 sous-jacente à cette couche enlevée i est mal recuite et donc mal stabilisée chimiquement, alors elle ne sera pas exposée aux solvants et ne sera donc pas dégradée du fait de son recouvrement par le film inorganique 10 correspondant de séparation formant barrière chimique. Selon une autre caractéristique de l'invention, les filtres colorés peuvent correspondre respectivement à trois dits niveaux de photolithographie pour lesdits points de couleur rouge, vert et bleu de chacun desdits pixels. 15 Avantageusement, le film barrière interne, le film barrière externe et les moyens de séparation peuvent être indépendamment à base d'un oxyde métallique, de préférence un oxyde d'aluminium de formule Alx0y, d'un oxyde d'hafnium de formule Hf02 ou d'un oxyde de zirconium de formule Zr02, bien que d'autres composés inorganiques tels que des nitrures ou 20 oxynitrures soient également utilisables (ces autres composés étant de préférence déposés par « PECVD »). Egalement avantageusement, les films barrière interne et externe peuvent présenter chacun une épaisseur inclusivement comprise entre 10 nm et 100 nm et de préférence entre 20 nm et 30 nm, les moyens de 25 séparation autres que le film barrière externe pouvant présenter une épaisseur inclusivement comprise entre 0,5 nm et 100 nm et de préférence entre 1 nm et 5 nm. Selon une autre caractéristique de l'invention, ledit dispositif peut avantageusement être de type microafficheur à diodes 30 électroluminescentes organiques à matrice active (« AMOLED ») émettant de la lumière par son sommet, ledit film barrière interne surmontant ladite électrode externe transparente ou semi-transparente du dispositif, laquelle recouvre une structure émettrice de lumière et une électrode interne surmontant un circuit à métal-oxyde complémentaire (« CMOS »). Un procédé d'encapsulation étanche selon l'invention d'un dispositif tel que défini ci-dessus peut comprendre les étapes suivantes : a) dépôt dudit film barrière inorganique interne au-dessus de l'électrode externe du dispositif de préférence par « ALD » ou « PECVD », b) dépôt sur ce film barrière interne de ladite couche de résine planarisante, qui est de préférence à base d'au moins une résine photosensible négative, c) dépôt, de préférence par « ALD » ou « PECVD », d'un film barrière inorganique externe sur cette couche de résine planarisante, puis d) dépôts successifs par voie humide desdits n filtres, comprenant des premier, second et troisième filtres correspondant respectivement à des premier, second et troisième niveaux de photolithographie, avec une séparation des filtres deux à deux entre eux qui est mise en oeuvre par un dépôt conforme, de préférence par « ALD » ou « PECVD », de plusieurs films inorganiques d'encapsulation surmontant la couche de résine planarisante et formant lesdits moyens de séparation. On notera que ces dépôts « ALD » ou « PECVD » sont 20 réalisables à basse température et permettent d'obtenir des films de densité élevée et de perméabilité réduite qui épousent au plus près les reliefs de la surface sous-jacente. Dans le premier exemple précité de l'invention, ce procédé comprend: 25 - entre les étapes b) et c), un dépôt dudit premier filtre sur une face externe de la couche de résine planarisante, - à l'étape c), un dépôt dudit film barrière externe sur la couche de résine planarisante et sur ce premier filtre la recouvrant, et - à l'étape d), une séparation du premier filtre d'avec le 30 second filtre par ce film barrière externe, ce second filtre ayant été déposé sur le film barrière externe, puis une séparation du second filtre d'avec le troisième filtre par un film barrière inorganique additionnel qui surmonte le premier filtre en y recouvrant le film barrière externe et qui recouvre le second filtre, le troisième filtre étant déposé sur ce film barrière additionnel. Dans le second exemple précité de l'invention, ce procédé comprend à l'étape d) un dépôt du premier filtre sur le film barrière externe 5 déposé à l'étape c), puis une séparation du premier filtre d'avec le second filtre par un premier film barrière inorganique additionnel qui recouvre ce premier filtre et ce film barrière externe et sur lequel on dépose ce second filtre, puis une séparation du second filtre d'avec le troisième filtre par un second film barrière inorganique additionnel qui surmonte le premier filtre en y 10 recouvrant le premier film barrière additionnel et qui recouvre le second filtre, le troisième filtre étant déposé sur ce second film barrière additionnel. On notera que l'on peut mettre avantageusement en oeuvre l'étape d) en utilisant une température de recuit des filtres inférieure ou égale à 100° C, sans pour autant risquer d'exposer chaque filtre déposé de niveau i 15 à une attaque chimique par le filtre déposé de niveau i+1, grâce à l'effet de barrière procuré par lesdits moyens de séparation. D'autres avantages, caractéristiques et détails de l'invention ressortiront du complément de description qui va suivre en référence aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples et dans lesquels : 20 la figure 1 est une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif d'affichage « OLED » selon un exemple de réalisation de l'invention, et la figure 2 est une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif d'affichage « OLED » selon une variante de la figure 1 25 correspondant à un exemple préférentiel de réalisation de l'invention. L'encapsulation multicouches 1, 101 illustrée sur ces figures recouvre la face d'émission externe d'un microafficheur 2 de type « AMOLED » sur « CMOS », dont les composants sensibles sont à protéger de l'humidité et de l'oxygène de l'air ambiant. Ce microafficheur 2 comprend 30 de manière connue un substrat 3 par exemple en silicium, en matière plastique ou en verre revêtu d'une unité électroluminescente 4 définissant une zone active et une zone de connexion électrique (non illustrée). L'unité électroluminescente 4 comporte des électrodes internes 5 et une électrode externe 6 entre lesquelles est intercalée une structure émettrice de lumière 7, l'une au moins des électrodes 5 et 6 (dans cet exemple l'électrode externe 6 formant la cathode) étant transparente ou semi-transparente à la lumière émise afin de la faire rayonner via la zone active vers l'extérieur du microafficheur 2. L'électrode externe 6 est de préférence constituée d'un métal tel que l'argent, l'aluminium ou le samarium pour les propriétés de transparence de ces métaux dans le domaine visible ainsi que pour leur conductivité électrique à faible épaisseur (l'épaisseur de l'électrode externe 6 est par exemple comprise entre 10 nm et 30 nm). Quant à la structure émettrice 7, elle est par exemple constituée d'un empilement de films organiques conçu pour transférer les électrons et les trous qui proviennent des électrodes et qui sont recombinés pour générer des excitons et donc l'émission de lumière. De plus, une couche sommitale de protection 8 relativement dure et transparente à la lumière émise surmonte l'encapsulation multicouches 1, 101 selon l'invention, en remplacement de la plaque de verre communément collée sous pression. Cette couche de protection 8 est avantageusement à base d'une résine époxy chargée avec des nanoparticules de silice. L'encapsulation 1 selon l'invention illustrée à la figure 1 est obtenue successivement par : - dépôt sur l'ensemble de la zone active du microafficheur 2 d'un film barrière inorganique interne 10, de préférence par dépôt « ALD » d'un film d'A1203 par exemple de 20 nm d'épaisseur, sur l'électrode externe 6 ou sur une sous-couche ou « capping layer » préalablement déposée sur cette électrode 6 (cette sous-couche par exemple à base de SiOx sert à améliorer le coefficient d'extraction lumineuse de la structure émettrice 7), - dépôt d'une couche de résine planarisante 11 sur ce film barrière interne 10, à base d'une résine négative de photolithographie par exemple de type époxy et avantageusement selon la technique employée dans le document précité WO-A1-2011/128802, - dépôt sur cette couche 11 d'un film barrière inorganique externe 12, de préférence par dépôt « ALD » d'un film d'Al203 par exemple de 5 20 nm d'épaisseur, - dépôt sur ce film barrière externe 12 d'un premier filtre coloré V pour chaque pixel de la zone active par photolithographie d'une résine pigmentée (correspondant par exemple à un sous-pixel vert), - dépôt sur ce premier filtre V d'un premier film barrière 10 inorganique additionnel 13 s'étendant à partir du film barrière externe 12 et séparant ce premier filtre V d'un second filtre coloré R à déposer de manière consécutive, ce dépôt du film 13 étant de préférence réalisé par dépôt « ALD » d'un film d'Al203 d'épaisseur comprise entre 0,5 nm et 100 nm, - dépôt par photolithographie sur ce premier film barrière 15 additionnel 13 d'une résine pigmentée formant le second filtre R qui correspond par exemple à un sous-pixel rouge adjacent au premier filtre V, - dépôt sur ce second filtre R d'un second film barrière inorganique additionnel 14 qui surmonte les premier et second filtres V et R (en recouvrant le premier film additionnel 13 au droit du premier filtre V) en 20 séparant le second filtre R d'un troisième filtre coloré B à déposer de manière consécutive et qui recouvre le film barrière externe 12 au droit de ce troisième filtre B, ce dépôt du film 14 étant de préférence réalisé par dépôt « ALD » d'un film d'Al203 d'épaisseur comprise entre 0,5 nm et 100 nm, puis - dépôt par photolithographie sur ce second film barrière 25 additionnel 14 d'une résine pigmentée formant ce troisième filtre B qui correspond par exemple à un sous-pixel bleu adjacent au second filtre R. L'encapsulation 101 préférentielle selon l'invention illustrée à la figure 2 se différencie uniquement de celle de la figure 1, en ce qu'elle est obtenue successivement, suite au dépôt de la couche de résine planarisante 30 11 sur le film barrière interne 10, par : 2 9 9005 8 12 - dépôt sur la face externe de la couche 11 (i.e. au contact de celle-ci) du premier filtre coloré V' pour chaque pixel par photolithographie d'une résine pigmentée (correspondant par exemple à un sous-pixel vert), - dépôt sur le premier filtre V' et sur le reste de la face externe 5 de la couche de résine 11 d'un film barrière externe 112 qui recouvre ce premier filtre V', de préférence par dépôt « ALD » d'un film d'A1203, de Hf02 ou de Zr02 d'épaisseur de préférence comprise entre 10 nm et 100 nm, - dépôt par photolithographie sur ce film barrière externe 112 d'une résine pigmentée formant le second filtre coloré R' qui correspond par 10 exemple à un sous-pixel rouge adjacent au premier filtre V' et qui en est séparé par ce film 112, - dépôt sur ce second filtre R' d'un film barrière inorganique additionnel 113, qui s'étend à partir du film barrière externe 112 en recouvrant le film 112 au droit du premier filtre V' et qui sépare ce second filtre R' d'un 15 troisième filtre B' à déposer de manière consécutive, ce dépôt du film 113 étant de préférence réalisé par dépôt « ALD » d'un film d'Al203 d'épaisseur par exemple comprise entre 1 nm et 5 nm, puis - dépôt par photolithographie sur ce film barrière additionnel 113 d'une résine pigmentée formant le troisième filtre B' qui correspond par 20 exemple à un sous-pixel bleu adjacent au second filtre R'. On notera que l'encapsulation 101 selon cette variante de l'invention intègre ainsi avantageusement un point de couleur (le sous-pixel vert dans cet exemple) au niveau de la couche de résine planarisante 11. En référence aux deux exemples des figures 1 et 2, on choisit 25 à titre de résine planarisante une résine négative de préférence de type « SU8 » disponible chez les sociétés MicroChem et Gersteltec. On notera que la résine « SU8 » permet de réaliser des couches compatibles avec les épaisseurs utilisées dans les microafficheurs « OLED », et que cette résine planarisante améliore grandement l'adhésion des résines colorées déposées 30 dessus par rapport à une résine neutre standard à la basse température de recuit des filtres compatible avec les « OLED ». Concernant l'exemple de la figure 2, on notera qu'une fois insolée et réticulée, cette résine « SU8 » est très difficilement « strippable » (i.e. ne peut être que très difficilement enlevée ou altérée) quel que soit le moyen utilisé, par voie sèche ou humide. Il est donc possible d'étaler la résine pigmentée du premier filtre coloré V' directement sur cette résine « SU8 » de la couche planarisante 11 sans risque de la dissoudre ou de l'attaquer chimiquement en surface avec le solvant de cette résine pigmentée. Dans cet exemple de la figure 2, on notera également qu'afin de jouer son rôle de barrière à la fois atmosphérique et chimique, le film barrière externe 112 qui sépare les deux premiers niveaux de sous-pixels V' et R' entre eux doit nécessairement présenter une épaisseur d'au moins 10 nm, préférentiellement comprise entre 20 nm et 30 nm. L'épaisseur du ou des films barrières additionnels 113 recouvrant les niveaux de photolithographie supérieurs (e.g. dépôt au moins sur le filtre de sous-pixel rouge R' à l'exemple de la figure 2), est moins critique et l'on se satisfait d'un film plus fin par exemple d'épaisseur comprise entre 1 nm et 5 nm, car ce film 113 est essentiellement destiné à prévenir l'attaque chimique par le niveau de filtre B' subséquent plus qu'à jouer une rôle de barrière atmosphérique, du fait que l'empilement sous-jacent de couches minces 10, 11, 112 présente à lui seul une excellente tenue à des atmosphères humides contrôlées. Il en résulte d'une manière générale que le filtre B, B' du dernier niveau de sous-pixel n'a pas besoin d'être recouvert d'un film barrière, sauf si l'on souhaite améliorer encore la qualité barrière atmosphérique de l'ensemble de l'encapsulation 1, 101, ou si les filtres recuits à la basse température précitée devaient être protégés de l'atmosphère respirable dans le cas où ils seraient moins bien stabilisés que les filtres équivalents par exemple recuits à 230° C dans le cas des imageurs. A titre d'exemple, on a indiqué ci-après les caractéristiques de l'unité électroluminescente 4 et de l'ensemble des couches minces déposées 30 10,11, 112, 113 pour obtenir l'encapsulation 101 préférentielle de la figure 2 : a) Pour l'unité "OLED" 4: AlCufTiN/films organiques/Ag/sous-couche («capping layer») avec émission « pleine surface blanche » et structure « PIN ». b) Pour l'encapsulation 101 : - film 10 d'A1203 de 20 nm à 30 nm d'épaisseur, déposé par « ALD » à une température comprise entre 85° C et 100° C; - couche de résine planarisante 11 photolithographiée de 100 nm à 1000 nm d'épaisseur, de dénomination « FujiFilm CT3052L » ou préférentiellement « SU8 » ; - filtre coloré V' (niveau de sous-pixel vert) : résine pigmentée photolithographiée d'épaisseur 1,2 pm « FujiFilm Electronic Materials Color Mosaïc SG-5000L » ; - film 112 d'A1203 de 20 nm à 30 nm d'épaisseur, déposé par « ALD » à une température comprise entre 85° C et 100° C; - filtre coloré R' (niveau de sous-pixel rouge): résine pigmentée photolithographiée d'épaisseur 1,2 pm « FujiFilm Electronic Materials Color Mosaïc SR-5000L » ; - film 113 d'A1203 de 1 nm à 5 nm d'épaisseur, déposé par « ALD » à une température comprise entre 85° C et 100° C ; et - filtre coloré B' (niveau de sous-pixel bleu): résine pigmentée photolithographiée d'épaisseur 1,2 pm « FujiFilm Electronic Materials Color Mosaïc SB-5000L ». c) Pour la couche sommitale de protection 8 (« hard coat »): résine de série « Gersteltec GLM2050 », à base d'une résine 25 « SU& » chargée avec des nanoparticules de silice afin d'améliorer sa dureté et de protéger ainsi mécaniquement le microafficheur 2. REVENDICATIONS1) Dispositif d'affichage polychrome (2) à diodes électroluminescentes organiques (« OLED ») présentant au moins une zone active électroluminescente (4) qui comprend une multitude de pixels comprenant chacun des points de couleur respectivement surmontés par n filtres colorés (R, V, B ou R', V', B') adjacents constitués de résines photosensibles pigmentées déposées suivant n niveaux de photolithographie, et une encapsulation étanche (1, 101) à couches minces (10, 11, 12, 13, 14 ou 10, 11, 112, 113) comprenant un film barrière inorganique interne (10) surmontant une électrode externe (6) du dispositif, une couche de résine planarisante (11) recouvrant ce film barrière interne et un film barrière inorganique externe (12 ou 112) recouvrant cette couche de résine planarisante, caractérisé en ce que ces filtres sont séparés deux à deux entre eux par des moyens de séparation (13 et 14 ou 112 et 113) constitués de films inorganiques d'encapsulation qui surmontent ladite couche de résine planarisante et qui épousent étroitement les profils des filtres, ces moyens de séparation étant aptes à protéger chaque filtre (V ou V', R ou R') déposé contre une agression ou migration des produits chimiques utilisés pour le dépôt par voie humide du filtre du niveau de photolithographie immédiatement supérieur (R ou R', B ou B'). 2) Dispositif (2) selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits moyens de séparation (13 et 14 ou 112 et 113) entre lesdits filtres (R, 25 V, B ou R', V', B') comprennent : - plusieurs films barrières inorganiques additionnels (13 et 14) surmontant ledit film barrière externe (12) et au moins n-1 des filtres (V ou V' et R ou R'), ou bien - ledit film barrière externe (112) qui surmonte un premier 30 desdits filtres (V'), et au moins un film barrière inorganique additionnel (113) qui surmonte ce film barrière externe et en outre un autre desdits filtres (R'). 3) Dispositif (2) selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite couche de résine planarisante (11) est à base d'au moins une résine photosensible négative par exemple de type époxy, avec une épaisseur de couche de préférence inclusivement comprise entre 100 nm et 1000 nm. 4) Dispositif (2) selon une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit film barrière interne (10) recouvre une face interne de ladite couche de résine planarisante (11), et en ce que ledit film barrière externe (112) recouvre une face externe de cette couche et en outre un premier filtre (V') qui correspond à un premier niveau de photolithographie et qui est déposé sur cette face externe, les n-1 autres filtres (R' et B') surmontant ledit film barrière externe et étant séparés de ce premier filtre par ce film barrière externe qui est inclus dans lesdits moyens de séparation (112, 113). 5) Dispositif (2) selon les revendications 2 et 4, caractérisé en ce que ledit film barrière externe (112) recouvre des faces latérales et une face externe dudit premier filtre (V'), et en ce que lesdits moyens de séparation (112, 113) comprennent, outre ce film barrière externe, ledit au moins un film barrière inorganique additionnel (113) qui surmonte à la fois ce premier filtre et un second filtre (R') et qui recouvre ce film barrière externe de part et d'autre des premier et second filtres, un troisième filtre (B') étant déposé sur ce film barrière additionnel, ces second et troisième filtres correspondant respectivement à un second et un troisième niveaux de photolithographie. 6) Dispositif (2) selon une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que lesdits films barrière interne (10) et externe (12) recouvrent des faces respectivement interne et externe de ladite couche de résine planarisante (11), lesdits n filtres (R, V, B) surmontant ce film barrière externe avec :- un premier filtre (V) correspondant à un premier niveau de photolithographie qui est déposé sur le film barrière externe et qui est recouvert d'un premier film barrière inorganique additionnel (13) inclus dans lesdits moyens de séparation (13 et 14), ce premier film barrière additionnel s'étendant à partir du film barrière externe et séparant ce premier filtre d'un second filtre (R) correspondant à un second niveau de photolithographie, - ce second filtre (R) qui est déposé sur ce premier film barrière additionnel et qui est recouvert d'un second film barrière inorganique additionnel (14) également inclus dans lesdits moyens de séparation, ce second film barrière additionnel surmontant les premier et second filtres et séparant le second filtre d'un troisième filtre (B) correspondant à un troisième niveau de photolithographie, et - ce troisième filtre qui est déposé sur ce second film barrière additionnel, lequel recouvre le film barrière externe au droit de ce troisième 15 filtre. 7) Dispositif (2) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdits filtres colorés (R, V, B ou R', V', B') correspondent respectivement à trois dits niveaux de photolithographie pour 20 lesdits points de couleur rouge, vert et bleu de chacun desdits pixels. 8) Dispositif (2) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit film barrière interne (10), ledit film barrière externe (12 ou 112) et lesdits moyens de séparation (13 et 14 ou 112, 113) sont 25 indépendamment à base d'un oxyde métallique, de préférence un oxyde d'aluminium de formule Alx0y, d'un oxyde d'hafnium de formule Hf02 ou d'un oxyde de zirconium de formule Zr02. 9) Dispositif (2) selon une des revendications précédentes, 30 caractérisé en ce que lesdits films barrière interne (10) et externe (12 ou 112) présentent chacun une épaisseur inclusivement comprise entre 10 nm et 100 nm et de préférence entre 20 nm et 30 nm, lesdits moyens de séparation(13 et 14 ou 113) autres que ledit film barrière externe présentant une épaisseur inclusivement comprise entre 0,5 nm et 100 nm et de préférence entre 1 nm et 5 nm. 10) Dispositif (2) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est de type microafficheur à diodes électroluminescentes organiques à matrice active (« AMOLED ») émettant de la lumière par son sommet, ledit film barrière interne (10) surmontant ladite électrode externe (6) transparente ou semi-transparente du dispositif, laquelle recouvre une structure émettrice de lumière (7) et une électrode interne (5) surmontant un circuit (3) à métal-oxyde complémentaire (« CMOS »). 11) Procédé d'encapsulation étanche d'un dispositif (2) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les 15 étapes suivantes : a) dépôt dudit film barrière inorganique interne (10) au-dessus de ladite électrode externe (6) du dispositif de préférence par un dépôt de couche atomique (« ALD ») ou par un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (« PECVD »), 20 b) dépôt sur ce film barrière interne de ladite couche de résine planarisante (11), qui est de préférence à base d'au moins une résine photosensible négative, c) dépôt, de préférence par « ALD » ou « PECVD », d'un film barrière inorganique externe (12 ou 112) sur cette couche de résine 25 planarisante, puis d) dépôts successifs par voie humide desdits n filtres (V, R, B ou V', R', B') comprenant des premier, second et troisième filtres correspondant respectivement à des premier, second et troisième niveaux de photolithographie, avec une séparation des filtres deux à deux entre eux qui 30 est mise en oeuvre par un dépôt conforme, de préférence par « ALD » ou « PECVD », de plusieurs films inorganiques d'encapsulation (13 et 14 ou 113)surmontant la couche de résine planarisante et formant lesdits moyens de séparation (13 et 14 ou 112 et 113). 12) Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend: - entre les étapes b) et c), un dépôt dudit premier filtre (V') sur une face externe de la couche de résine planarisante (11), - à l'étape c), un dépôt dudit film barrière externe (112) sur la couche de résine planarisante et sur ce premier filtre la recouvrant, et - à l'étape d), une séparation du premier filtre d'avec le second filtre (R') par ce film barrière externe, ce second filtre ayant été déposé sur le film barrière externe, puis une séparation du second filtre d'avec le troisième filtre (B') par un film barrière inorganique additionnel (113) qui surmonte le premier filtre en y recouvrant le film barrière externe et qui recouvre le second filtre, le troisième filtre étant déposé sur ce film barrière additionnel. 13) Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend à l'étape d) un dépôt du premier filtre (V) sur le film barrière externe (12) déposé à l'étape c), puis une séparation du premier filtre d'avec le second filtre (R) par un premier film barrière inorganique additionnel (13) qui recouvre ce premier filtre et ce film barrière externe et sur lequel on dépose ce second filtre, puis une séparation du second filtre d'avec le troisième filtre (B) par un second film barrière inorganique additionnel (14) qui surmonte le premier filtre en y recouvrant le premier film barrière additionnel et qui recouvre le second filtre, le troisième filtre étant déposé sur ce second film barrière additionnel. 14) Procédé selon une des revendications 11 à 13, 30 caractérisé en ce que l'on met en oeuvre l'étape d) en utilisant une température de recuit desdits filtres (R, V, B ou R', V', B') inférieure ou égale à 100° C.