FR 2978297 A1 20130125 FR 1156725 A 20110723 Réduction d'interférences mécaniques dans un système de collage de substrats à basse pression La présente invention se rapporte de manière générale à des techniques et des systèmes pour lier mécaniquement des substrats utilisables pour la fabrication d'éléments microstructuraux, tels que des composants micromécaniques, des dispositifs microélectroniques et autres dispositifs similaires, dans lesquels le procédé consistant à lier mécaniquement des substrats, également qualifié de collage de substrats, résulte en une liaison solide de façon à former un substrat composite pouvant comprendre une pluralité de dispositifs individuels. Le couplage mécanique de substrats, tels que des plaques comme celles qui sont utilisées pour la fabrication de dispositifs microélectroniques, de dispositifs micromécaniques, de dispositifs optoélectroniques et autres dispositifs similaires, s'est développé en une technique de procédé largement utilisée dans le but de fournir des matériaux porteurs composites appropriés, tels que les substrats SOI (Silicium sur Isolant) et/ou permettre la fabrication de dispositifs complexes à base de semiconducteurs sur deux substrats individuels, pouvant ensuite être liés de façon à obtenir un dispositif micromécanique ou microélectronique complet. Lors de la liaison de substrats par contact mécanique direct sans fournir aucun système de matériaux intermédiaires, typiquement des portions de surfaces substantiellement planes des substrats se faisant face sont couplées mécaniquement dans le but d'établir finalement une connexion chimique robuste souhaitée entre les régions de surfaces planes des substrats. Normalement, les régions de surfaces planes devant être liées sont conditionnées de façon adéquate, par exemple elles sont sujettes à des procédés de nettoyage à base de procédures de gravure chimique humide, de procédés assistés par plasma et autres procédés similaires, dans le but de préparer les régions des surfaces exposées au contact direct ultérieur avec une région de surface correspondante du substrat complémentaire. De plus, fréquemment lors de la liaison mécanique des régions de surface positionnées de manière opposée, une pression mécanique et des températures élevées sont appliquées dans le but d'initier la formation de liens chimiques entre les régions de surface en contact. Par exemple, fréquemment des valeurs de pression mécanique modérément élevées et des températures élevées allant jusqu'à 1000 °C sont appliquées dans le but d'obtenir une connexion robuste et fiable entre les surfaces individuelles des substrats. Bien que de telles techniques de collage puissent être bien applicables a des substrat avant de traiter l'un ou les deux de ces substrats conformément aux techniques de procédés qui peuvent résulter dans la fabrication de dispositifs sensibles a la température, dans d'autres cas, les températures modérément élevées pendant le procédé de collage ne sont pas compatibles avec une quelconque caractéristique microstructurale qui aurait pu être formée dans l'un ou les deux substrats avant le de collage. Pour ces raisons, des techniques efficaces de collage à basse température ont été développés, dans lesquelles les substrats sont typiquement traités dans une chambre de procédé dans laquelle une pression de procédé modérément basse est établie. Après la mise en contact mécanique préalable des substrats, la pression dans la chambre de procédé peut être réduite davantage jusqu'à ce qu'un collage spontané soit initié, c'est-à-dire qu'une onde dite de liaison est générée, formant ainsi une connexion chimique entre les régions de surface en contact. Ce procédé de collage spontané peut avoir lieu à des températures relativement basses, comme à température ambiante, permettant ainsi le traitement de substrats sur lesquels des caractéristiques microstructurales hautement sensibles à la température ont été formées, telles que des dispositifs semiconducteurs sous la forme de capteurs, de dispositifs micromécaniques et autres dispositifs similaires. De plus, ce type de procédé de collage est aussi compatible avec les exigences de systèmes de métallisation complexes, qui peuvent typiquement comprendre des métaux sophistiqués et un matériau diélectrique qui pourraient ne pas permettre des températures, par exemple, au- dessus de 400 °C. En outre, un régime de procédé de collage à basse pression tel que décrit plus haut est aussi hautement avantageux afin de réduire les erreurs de recouvrement d'ensemble lors de la connexion mutuelle des deux substrats, étant donne qu'après avoir aligné précisément les substrats l'un par rapport a l'autre, toute force mécanique prononcée ainsi que tout courant de gaz prononcé dans la chambre de procédé ne sont pas requis, car en général le procédé de collage peut avoir lieu à des pressions modérément basses d'environ 100 mbar et significativement moins, pendant que l'initiation de l'onde de liaison spontanée peut être introduite sans aucune force mécanique extérieure, par exemple simplement par la gravitation forcée par le poids du substrat sus-jacent. En référence aux figures 1 a et 1 b, un système de collage de substrats a base pression et son exploitation vont être décrits maintenant en plus de détails. La figure la illustre schématiquement une vue du dessus d'un système de collage de substrats 100, dans lequel des substrats ou des plaques peuvent être reçus sur la base de stations de manutention de conteneurs de plaques correspondantes 110g, 110f, qui peuvent par exemple recevoir des boîtes de substrats incluant le « substrat inférieur » et le « substrat supérieur » dans le but de former un substrat composite. Le système 100 peut typiquement comprendre en outre des éléments 110a, 110b qui représentent des stations de nettoyage adéquates pour la préparation des zones de surface devant être collées au sein d'une chambre de procédé 150. En outre, si requis, une station d'inspection 110d, telle qu'une station d'inspection infrarouge, peut être fournie afin d'inspecter l'un ou plus des substrats à traiter dans le système 100 avant ou après la réalisation du procédé de collage. En outre, le system 100 comprend une pluralité de composants 110e, 110c qui sont configurés de façon appropriée pour fournir et retirer les substrats dans les nombreuses stations au sein du système 100. Par exemple, une station de pré-alignement 110c peut être fournie, et qui est configurée pour aligner grossièrement des substrats devant être positionnés ultérieurement au sein de la chambre de procédé 150 de façon à y réaliser le procédé de collage à proprement parler. Dans ce but, un système automatisé adéquat 110e est typiquement fourni et a toute configuration appropriée, tel qu'il est bien connu de l'art antérieur. La figure lb illustre schématiquement une vue en coupe du système 100 d'une manière hautement simplifiée. Comme il est montré, la chambre de procédé 150 comprend un support de substrat adéquat 151 configuré pour recevoir et maintenir en place un substrat, sur lequel un autre substrat est positionné ultérieurement dans un état aligné avec précision avant d'effectivement joindre mécaniquement les substrats au sein de la chambre de procédé 150. La chambre de procédé 150 incluant le support de substrat 151 est reliée à une armature 101 du système 100 sur la base de tout système mécanique approprié 152, qui peut aussi inclure des unités d'entrainement ou similaires, tel que requis par exemple pour charger et retirer des substrats de la chambre 150 et autres actions similaires. II doit en outre être considéré que tout autre composant, par exemple tel que requis pour établir une température appropriée pour les substrats, et en particulier pour établir une pression de procédé désirée au sein de la chambre 150, n'est pas montré sur la figure lb. En outre, les nombreux composants du système 100 sont représentés par les éléments 110c, 110e, qui sont des composants comprenant des parties mobiles tels que des bras automatisés, des supports de substrats rotatifs, et autres composants similaires. Après avoir chargé les substrats dans le système 100 et après la réalisation de tout prétraitement tel que des procédés de nettoyage, des procédés d'inspections, si requis, et autres procédés similaires aux stations 110a, 110b, 110d, le pré-alignement et le transport dans la chambre de procédé 150 sont accomplis sur la base de stratégies de procédés biens connus. Dans la chambre de procédé 150, le procédé de collage à basse pression est réalisé, par exemple, en appliquant une première phase dans laquelle les deux substrats se font face et sont alignés avec précision, par exemple relativement à la périphérie ou au centre des substrats correspondants. Dans cette phase, les substrats sont encore séparés d'une courte distance dans l'intervalle de 10 - 1 000 pm. De plus, dans cette phase du procédé de collage, la pression dans la chambre de procédé est ajustée à environ 100 mbar et significativement moins, tel que 20 - 40 mbar. Dans une deuxième phase du procédé, les deux substrats sont mis en contact mécaniquement de façon préliminaire, ce qui est réalisé dans certains cas simplement en relâchant le substrat supérieur de tout système de transport approprié et en laissant tomber ce substrat sous l'action de la force gravitationnelle, pendant que la pression du milieu environnant au sein de la chambre 150 est toujours comprise dans l'intervalle identifié ci-dessus. Après que les deux substrats ont été mis en contact, ce qui peut donc être accompli sans erreurs d' alignement significatives dues à l'absence de fores mécaniques additionnelles en dehors de la gravitation, la pression du procédé dans la chambre 150 est réduite régulièrement de l'intervalle précisé ci-dessus à approximativement 1 mbar - 0.1 mbar, et à une pression de déclenchement spécifique une onde de liaison se forme de façon spontanée et se propage à travers toute la surface du substrat, formant ainsi une connexion robuste entre les deux substrats. En fait, la phase de collage à proprement parler, c'est-à-dire la génération et la propagation de l'onde de liaison, est essentiellement initiée sans application d'aucune force extérieure et est donc déclenchée par la gravitation, c'est-à-dire par le poids du substrat supérieur. La pression spécifique à laquelle un procédé de collage spontané est initié dépend des caractéristiques du substrat, c'est-à-dire la forme, l'inclinaison et le poids de celui-ci, et typiquement la pression de déclenchement correspondante est dans l'intervalle de 5 mbar - 0.1 mbar. Bien que le système de collage à basse pression décrit ci-dessus permette la formation de substrats composites avec des erreurs d'alignement réduites de manière significative, il apparaît néanmoins que l'uniformité et la précision d'ensemble sont encore détériorées lorsque le système 100 est exploité dans un environnement à débit continuellement élevé, étant donné que, par exemple, toute force mécanique extérieure supplémentaire peut résulter en une interaction avec les substrats devant être collés. Il résulte de toute telle interaction mécanique contrôlée que la génération de l'onde de liaison peut être initiée de manière arbitraire, affectant ainsi négativement la fiabilité et l'uniformité d'ensemble du procédé de collage. Au regard de la situation décrite ci-dessus, un objectif de la présente invention est de fournir des techniques et des systèmes pour réaliser un procédé de collage tout en évitant ou tout au moins en réduisant les effets de l'un ou plus parmi les problèmes identifiés plus haut. Conformément à un aspect de la présente invention, l'objectif est réalisé par un système de collage de substrats qui comprend une chambre de procédé qui est configurée pour établir un environnement de procédé de collage pour coller un premier substrat à un second substrat. Le premier substrat et/ou le second substrat sont utilisables pour former des éléments microstructuraux sur ceux-ci, et la chambre de procédé est configurée pour maintenir en place les premier et second substrats, au moins pendant une phase de collage. Le système de collage de substrats comprend en outre un système de réduction d'interférences mécaniques configuré pour réduire des forces mécaniques agissant sur les premier et second substrats pendant la phase de collage. Le système inventif de collage de substrats est donc configuré de façon adéquate pour tenir compte de l'occurrence de toute force mécanique extérieure, qui pourrait autrement interagir de façon non-contrôlable avec les substrats et donc perturber la phase de collage à proprement parler, c'est-à-dire une phase dans laquelle le collage à proprement parler peut être initié dès qu'un seuil de pression de déclenchement est atteint. Par exemple, il a été reconnu que même de minuscules déplacements de l'empilement composite de substrats, avant d'appliquer de façon intentionnelle le seuil de pression de déclenchement, peuvent résulter en une initiation non-contrôlable d'une onde de liaison, ce qui peut donc résulter en un niveau élevée de non-uniformité du résultat du procédé. En réduisant les forces mécaniques agissant sur les premier et second substrats pendant la phase de collage à proprement parler, le système inventif est donc adéquatement configuré de façon à maintenir les forces mécaniques extérieures en-dessous d'un seuil correspondant de déclenchement de manière à éviter toute liaison mécanique incontrôlée des premier et second substrats. Dans un mode de réalisation illustratif, le système de réduction d'interférences mécaniques comprend au moins un mécanisme d'amortissement mécanique qui est directement relié à un support de substrat positionné dans la chambre de procédé et/ou à au moins un autre composant du système de collage de substrats. De cette façon, toutes les forces mécaniques qui peuvent finalement agir sur les premier et second substrats peuvent être réduites de manière significative en plaçant de manière appropriée l'au moins un mécanisme d'amortissement. C'est-à-dire, dans certaines alternatives, que l'au moins un mécanisme d'amortissement est relié mécaniquement directement au support de substrat, formant ainsi une interface mécanique entre le support de substrat et toute armature rigide du système de collage de substrats. De cette manière, même toutes les forces mécaniques originaires de l'extérieur du système de collage de substrats peuvent être réduites de manière efficace. Dans d'autres cas, en outre ou alternativement à la fourniture d'un mécanisme d'amortissement directement lié au support de substrat, un ou plusieurs composants du système de collage de substrats sont pourvus d'un mécanisme d'amortissement, de préférence des composants incluant des parties mobiles, amortissant ainsi tout « bruit » mécanique de manière appropriée au point de génération des forces mécaniques. Dans un mode de réalisation illustratif, l'au moins un mécanisme d'amortissement comprend un élément amortisseur passif. En utilisant tout mécanisme d'amortissement passif dans le but d'amortir au moins une partie des forces mécaniques résultantes, une pluralité de mécanismes d'amortissement sont disponibles sans requérir d'électronique sophistiquée et/ou des systèmes mécaniques, les caractéristiques des amortisseurs mécaniques passifs peuvent être adaptées de manière efficace au type spécifique d'interférences mécaniques auxquelles on peut s'attendre pendant le procédé de collage, comme tout type de vibrations qui peuvent, dans une manière non-amortie, résulter en une perturbation significative de la phase de collage à proprement parler. Par exemple, des constantes de temps et une intensité appropriées par rapport à l'effet d'amortissement peuvent être choisies de manière adéquate pour des forces mécaniques ayant une caractéristique temporelle et d'intensité spécifiée. Dans un autre mode de réalisation illustratif, l'élément d'amortissement passif comprend un matériau résiliant pourvu en tant qu'interface entre le support de substrat et/ou l'au moins un autre composant et une partie rigide du système de collage de substrats. Dans ce cas, tout matériau résiliant approprié peut être fourni au sein du système de collage, permettant ainsi une réduction efficace de l'interférence mécanique d'ensemble sans requérir de mécanismes d'amortissement sophistiqués. De cette façon, même des systèmes de collage de substrats existants peuvent facilement être reconfigurés dans le but de permettre des résultats supérieurs dans un procédé de collage à basse pression. De préférence, l'élément amortisseur passif comprend un élément viscoélastique de couche contrainte et/ou un dispositif à fluide visqueux et/ou un dispositif à fluide magnétorhéologique et/ou une unité d'amortisseur piézoélectrique passif et/ou une unité d'amortisseur de masse accordé, agissant en tant qu'amortisseur de vibrations. Par conséquent, une pluralité de mécanismes d'amortissement bien établis sont disponibles, comme par exemple ceux qui sont utilisés dans des télescopes sensibles pour le control du mouvement des miroirs, ou de manière générale dans d'autres systèmes sophistiqués dans lesquels un contrôle mécanique précis du mouvement est requis. Dans un autre mode de réalisation illustratif, l'au moins un mécanisme 15 d'amortissement comprend un mécanisme de compensation active du mouvement. Ce mode de réalisation garanti une flexibilité supérieure dans la réponse à une pluralité d'interférences mécaniques différentes, étant donné que le mécanisme d'amortissement peut être lui-même adapté de façon adéquate à une large variété de forces mécaniques. Dans certains cas, un algorithme auto-adaptant peut même être implémenté, 20 dans lequel le mécanisme d'amortissement augmente automatiquement son efficacité en réponse à des occurrences répétées d'interférences mécaniques. Dans un mode de réalisation, le mécanisme de compensation active du mouvement est configuré pour réduire un déplacement induit d'origine extérieure de 10 pm ou moins d'au moins 50 pourcent. 25 De cette façon, l'efficacité de la compensation est choisie de sorte que des déplacements mécaniques typiques, comme ceux pouvant avoir lieu pendant la phase de collage des premier et second substrats à proprement parler, peuvent être suffisamment réduits dans le but d'éviter un procédé de collage non-contrôlé. Dans d'autres variantes, l'efficacité du mécanisme de compensation active du mouvement peut être encore accrue 30 davantage, par exemple en restreignant l'intervalle de déplacements mécaniques auxquels il faut répondre à approximativement 5 pm ou même moins, dans lequel le niveau de réduction peut être significativement plus élevé que 50 pourcent de la magnitude non-perturbée du déplacement. Dans un mode de réalisation illustratif, le mécanisme de compensation active du mouvement comprend une unité d'amortisseur piézoélectrique actif et/ou une unité d'amortisseur résonant actif. Par conséquent, des mécanismes d'amortissement actifs bien établis et hautement efficaces sont utilisés dans ce mode de réalisation, sans requérir une modification significative de la configuration d'ensemble du système de collage. Dans un autre mode de réalisation illustratif, le système de réduction d'interférences mécaniques comprend une unité de contrôle reliée de manière opérationnelle à au moins certains composants de système du système de collage de substrats, lesquels composants incluent des parties mobiles, dans lequel l'unité de contrôle est configurée pour contrôler les au moins certains composants de système de façon à interrompre le mouvement des parties mobiles, au moins pendant la phase de collage. Conformément à cette configuration du système de collage, en outre ou alternativement à d'autres modes de réalisation tels que décrits ci-dessus, l'origine de beaucoup d'interférences mécaniques peut être « neutralisée » pendant la phase de collage en coordonnant de façon appropriée le fonctionnement de composants dans le système de collage qui ont des parties mobiles et qui peuvent donc contribuer de manière significative au « bruit » mécanique d'ensemble au sein du système de collage. De préférence, en combinaison avec d'autres mécanismes d'amortissement du système de réduction d'interférences mécaniques, une réduction supérieure du bruit mécanique peut donc être réalisée, étant donne que le nombre de toutes les sources internes de bruit mécanique du système est diminué, alors que les mécanismes d'amortissement supplémentaires peuvent diminuer efficacement les interférences mécaniques qui sont originaires de l'extérieur du système de collage. Conformément à un autre aspect de la présente invention, l'objectif décrit plus haut est réalisé par un procédé de collage d'un premier substrat à un second substrat. Le procédé comprend l'étape consistant à mettre en contact mécaniquement une première surface du premier substrat avec une seconde surface du second substrat dans un système de collage de substrats à une pression de procédé qui est au-dessus d'une pression de déclenchement. Le procédé comprend en outre l'étape consistant à diminuer la pression de procédé à ou en-dessous de la pression de déclenchement de façon à initier une phase de collage pour coller mécaniquement la première surface à la seconde surface. De plus, le procédé comprend l'étape consistant à contrôler un état mécanique des premier et second substrats pendant la phase de collage, de façon à maintenir le déplacement des premier et second substrats en-dessous d'un seuil de déclenchement du déplacement initiant une onde de liaison non-induite par la pression. Le procédé inventif est aussi fondé sur le concept que, pendant la phase de collage sensible, les premier et second substrats doivent être mécaniquement isolés de l'environnement dans le but de maintenir tout déplacement induit par l'extérieur en-dessous d'un seuil de déclenchement du déplacement spécifié, supprimant ainsi efficacement l'occurrence d'une initiation non-contrôlée d'une onde de liaison. De préférence, la pression de déclenchement est choisi à 5 mbar ou moins, et le seuil de déclenchement du déplacement est de 5 µm ou plus. Dans ce cas, les conditions du procédé et la situation du bruit mécanique d'une large variété de régimes de collage à basse pression sont couvertes, permettant ainsi une uniformité et une fiabilité supérieures du procédé de collage dans son ensemble. Dans un mode de réalisation illustratif, l'étape consistant à contrôler un état mécanique des premier et second substrats comprend l'étape consistant à : interrompre le mouvement d'au moins certaines parties mobiles du système de collage de substrats au moins pendant la phase de collage. Donc, comme déjà discuté plus haut, l'interruption du mouvement d'au moins certaines parties mobiles du système de collage élimine la génération de bruit mécanique pendant la phase critique du procédé de collage. À cet effet, les composants correspondants du système sont contrôlés de manière adéquate, par exemple un composant de pression pour établir une pression de procédé désirée et les composants du système incluant les parties mobiles sont alimentés avec des signaux de commande appropriés dans le but de coordonner les opérations de ces composants de façon à établir la pression de procédé requise et à éviter la génération d'interférences mécaniques. Par exemple, dans cette stratégie, un algorithme prédictif peut être implémenté dans le but de coordonner les procédés de manipulation des substrats et de toute autre activité au sein du système dans le but de permettre une interruption des activités des parties mobiles sans interférer outre mesure avec le fonctionnement d'ensemble du système de collage. Dans un autre mode de réalisation illustratif, l'étape consistant à contrôler un état mécanique des premier et second substrats comprend l'étape consistant à : amortir des vibrations mécaniques agissant sur les premier et second substrats pendant la phase de collage. L'effet avantageux consistant à introduire un mécanisme d'amortissement est déjà décrit plus haut et garanti des résultats supérieurs du procédé sans requérir de modifications excessives du système de collage. Dans un autre mode de réalisation, l'étape consistant à amortir des vibrations mécaniques agissant sur les premier et second substrats comprend retape consistant à : amortir les premier et second substrats et/ou des composants du système de collage de substrats comprenant des parties mobiles. À nouveau, comme il a déjà été discuté plus haut, le mécanisme d'amortissement peut être implémenté de façon à agir directement sur un support de substrat en présence des premier et second substrats, alors que dans d'autres cas, en outre ou alternativement, l'amortissement de parties mobiles peut être implémenté, réduisant ainsi aussi le bruit au point de génération du bruit au sein du système de collage. Dans un autre mode de réalisation illustratif, l'étape consistant à contrôler un état mécanique des premier et second substrats comprend l'étape consistant à : augmenter un poids d'au moins l'un parmi les premier et second substrats avant l'étape consistant à réduire la pression du procédé. De cette façon, les caractéristiques mécaniques de l'empilement composite de substrats sont influencées de manière significative de sorte à répondre à toute force mécanique avec des déplacements réduits, fournissant ainsi un procédé de collage plus robuste et fiable. Les modes de réalisation décrits ci-dessus et d'autres modes de réalisation plus spécifiques de la présente invention deviendront plus évidents à partir de la description ci-dessous et en se référant aux dessins qui les accompagnent, dans lesquels : les figures 1 a et 1 b illustrent schématiquement une vue de dessus et une vue en coupe transversale, respectivement, d'un système conventionnel de collage de substrats, les figures 2a - 2c illustrent schématiquement des vues en coupes transversales d'un système de collage incluant un système de réduction d'interférences mécaniques conformément à des modes de réalisation, les figures 2d et 2e illustrent schématiquement le système de collage conformément à des modes de réalisation illustratifs, dans lesquels des mécanismes d'amortissement actifs et/ou passifs sont implémentés dans au moins un composant du système de collage, la figure 2f illustre schématiquement une vue en coupe transversale du système de collage conformément à des modes de réalisation illustratifs, dans lesquels une unité de contrôle adéquate est implémentée dans le but d'interrompre le fonctionnement d'au moins certaines parties mobiles dans le système, si possible en combinaison avec la fourniture de mécanismes d'amortissement actifs et/ou passifs, et la figure 2g illustre schématiquement une partie du système de collage, dans lequel la réponse mécanique du substrat composite est modifiée en augmentant un poids conformément à encore d'autres modes de réalisation illustratifs. En référence aux figures 2a - 2g, des modes de réalisation illustratifs de la présente invention vont maintenant être décrits plus en détails, dans lesquels il sera aussi fait référence aux figures la et lb si nécessaire. La figure 2a illustre schématiquement une vue en coupe transversale d'un système de collage de substrats 200 qui peut comprendre toute armature ou boitier approprié 201, qui à son tour abrite les nombreux composants du système 200. Par exemple, une pluralité de stations de procédés est typiquement implémentée dans le système 200, par exemple sous la forme de stations de procédés comme celles décrites plus haut en référence au système 100. Par commodité, dans le mode de réalisation montré à la figure 2a, un nombre réduit de composants de système est illustré, dans lequel il doit être compris que tout nombre de composants peut être implémenté tant que nécessaire pour exploiter le système 200 de façon adéquate. Comme cela est montré, le système 200 comprend une chambre de procédé 250, qui est équipée de façon appropriée dans le but de permettre l'établissement d'un environnement de procédé adéquat par rapport à une atmosphère gazeuse, la pression de celle-ci, la température des substrats et de l'atmosphère gazeuse et autres. Par commodité, tous les composants de ce genre ne sont pas illustrés à la figure 2a, ces composants sont néanmoins bien connus dans l'état de l'art. La chambre de procédé 250 comprend en outre un support de substrat 251, tel qu'un mandrin à plaque et autres supports similaires, qui est configuré de manière adéquate pour recevoir et maintenir en place un substrat, tel qu'une plaque. De plus, la chambre de procédé 250 comprend tout système d'attachement mécanique 252 approprié dans le but de relier mécaniquement la chambre 250 à l'armature 201. Comme il sera décrit plus loin de façon plus détaillée, le système d'attachement mécanique 252 peut comprendre, dans certains modes de réalisation illustratifs, un système d'amortissement mécanique. De plus, des composants 210c, 210e sont aussi pourvus dans le système 200 et peuvent représenter des composants dont au moins l'un inclus une partie mobile 210m, c'est-à-dire une partie qui est déplacée par rapport à l'armature 201. II doit être considéré que toute unité d'entrainement pour entrainer la partie mobile 210m n'est pas montrée à la figure 2a. De plus, le système 200 comprend un système de réduction d'interférences mécaniques 260 qui doit être compris comme tout système mécanique et/ou électronique adéquat pour réduire des forces mécaniques qui peuvent résulter en un déplacement excessif des substrats placés sur le support de substrat 251, au moins pendant une certaine phase du procédé de collage dans son ensemble, aussi indiqué comme phase de collage. Donc, le système 260 est configuré sur la base du concept qu'un déplacement mécanique pendant une phase sensible du procédé de collage doit être maintenu à ou en-dessous d'un niveau seuil de déclenchement spécifique dans le but d'éviter ou au moins de réduire de manière significative l'occurrence d'ondes de liaison qui peuvent être initiées d'une façon non-contrôlée. La figure 2b illustre schématiquement le système 200 dans une représentation plus détaillée. Comme il est illustré, un premier substrat 211 ayant une première surface 211s devant être collée à une seconde surface 212s d'un second substrat 212 est placé et maintenu sur le support de substrat 251. D'autre part, le second substrat 212 est placé au- dessus du substrat 211 à une distance adéquate au moyen de tout composant du système approprié, par exemple par un bras automatisé, comme illustré par le composant 210c. Dans cette phase du procédé, un environnement de procédé approprié est établie au sein de la chambre de procédé 250, par exemple en introduisant un composant gazeux adéquat et en établissant une basse pression désirée, par exemple autour de 100 mbar et considérablement moins, comme 20 - 40 mbar, comme il est aussi expliqué plus haut. L'environnement de procédé résultant est indiqué comme 213a et doit être compris comme représentant l'intégralité des paramètres du procédé et des matériaux requis pour établir des conditions de procédé adéquates dans le but d'aligner de manière appropriée le second substrat 212 par rapport au premier substrat 211 et pour empêcher une interaction excessive avec l'environnement du procédé 213a. Dans cette situation, le système de réduction d'interférences mécaniques 260 peut déjà être opérationnel dans certains modes de réalisation illustratifs, lorsque des mécanismes d'amortissement correspondants et autres mécanismes similaires sont implémentés (non représenté), alors que dans d'autres cas le système 260 peut être substantiellement inactif dans cette phase. La figure 2c illustre schématiquement la chambre de procédé 250 dans une situation dans laquelle le second substrat 212 est en contact mécanique avec le premier substrat 211, ce qui peut être accompli en lâchant le substrat 212 ou en amenant le substrat 212 en contact avec le substrat 211 par tout autre moyen adéquat, dans lequel toutefois, comme discuté plus haut, une précision d'alignement supérieure peut être accomplie en réalisant l'étape de mise en contact sans composants mécaniques supplémentaires. Donc, les surfaces 211s, 212s (voir figure 2b) ou au moins des parties significatives de celles-ci, sont amenées en contact mécanique direct, ce qui peut être encore accompli sur la base de l'environnement du procédé 213a. Il doit être considéré que, comme discuté plus haut en référence au système de collage 100, avant de traiter les premier et second substrats 211, 212 au sein de la chambre de procédé 250, tout procédé de conditionnement, procédé d'inspection et autres procédés similaires, peut avoir été réalisé comme requis conformément aux régime de procédé devant être appliqué dans son ensemble. Ensuite, un second environnement de procédé 213b peut être établi en réduisant régulièrement la pression au sein de la chambre de procédé 250 alors que, pendant cette phase, qui est aussi indiquée comme une phase de collage, le system 260 est actif dans le but de réduire l'influence de forces mécaniques 202 agissant depuis l'extérieur de la structure composite formée par les substrats couples de façon préliminaire 211, 212. Comme discuté plus haut, dans des systèmes conventionnels, les forces extérieures 202 peuvent résulter en un certain déplacement 203 de l'un ou des deux substrats 212, 211, ce qui peut résulter en une initiation non-contrôlée d'une onde de liaison, détériorant ainsi la fiabilité et l'uniformité du substrat composite résultant. Donc, en raison de l'approvisionnement du système 260, au moins dans l'environnement du procédé 213b, c'est-à-dire pendant la phase de collage à proprement parler, le système 260 peut éliminer ou au moins réduire les forces externes 202 de sorte à assurer que tout déplacement mécanique 203 soit à ou en-dessous d'un seul de déclenchement choisi à l'avance, qui peut être par exemple choisi à environ 5 lm ou plus. C'est-à-dire, le système 260 contrebalance les forces mécaniques externes 202 de manière à éviter un déplacement de l'un ou des deux substrats 211, 212 qui serait plus grand que 5 gm et dans certains modes de réalisation illustratifs, qui serait plus grand qu'environ 2 µm. De cette manière, l'influence des forces externes 202 est réduite de façon efficace. Dans ce but, le système 260 est configuré pour éviter ou au moins réduire la génération des forces mécaniques 202 et/ou réduire l'effet des forces externes sur les substrats 211, 212 ou sur le support de substrat 251 en amortissant de façon adéquate les forces mécaniques 202, comme il sera décrit plus en détail dans la suite. La figure 2d illustre schématiquement le système 200 conformément à des modes de réalisation illustratifs dans lesquels le système 260 comprend un mécanisme d'amortissement 262 qui, dans le mode de réalisation illustré, est fourni de façon à agir en tant qu'une interface mécanique entre la chambre de procédé 250, ou au moins entre la station du substrat 251, et l'armature rigide 201 du système 200. Le mécanisme d'amortissement 262 comprend un ou plusieurs éléments d'amortissement, indiqués en tant que 262a, 26213, qui, dans certains modes de réalisation illustratifs représentent des éléments d'amortissement passifs, par exemple fournis sous la forme d'un matériau résiliant et autres. Dans d'autres cas, l'élément d'amortissement passif, par exemple fourni sous la forme du composant 262a et/ou 262b est fourni comme un élément viscoélastique de couche contrainte, un dispositif à fluide visqueux, un dispositif à fluide magnétorhéologique, une unité d'amortisseur piézoélectrique passif, une unité d'amortisseur de masse accordé, agissant en tant qu'amortisseur de vibrations, et autres dispositifs similaires. Comme déjà expliqué plus haut, tous ces genres de tels mécanismes d'amortissement sont facilement disponibles et sont fréquemment utilisés dans des systèmes mécaniques sensibles. Par conséquent, tous ces genres de composants d'amortissement passif connus peuvent être implémentés facilement dans le système de collage 200, sans requérir de nouvelle conception et modification excessives en comparaison avec les systèmes de collage conventionnels. Dans d'autres modes de réalisation illustratifs, un ou plusieurs éléments d'amortissement 262a, 26213 sont fournis sous la forme d'un mécanisme de compensation active du mouvement, par exemple sous la forme d'une unité d'amortisseur piézoélectrique actif ou une unité d'amortisseur résonant actif. Par conséquent, sur la base du mécanisme d'amortissement 262, la chambre de procédé 250 ou au moins le support de substrat 251 et donc la position du substrat sur celui-ci, sont découplés mécaniquement de la monture rigide 201 de façon efficace, garantissant ainsi une immunité supérieure au bruit mécanique par rapport à un déplacement excessif des substrats placés dans la chambre 250 pendant la phase de collage sensible. La figure 2e illustre schématiquement le système 200 conformément à d'autres modes de réalisation illustratifs, dans lesquels en outre ou alternativement au mécanisme d'amortissement 262 qui est directement relié à la chambre de procédé 250 et/ou au support de substrat 251, au moins un mécanisme d'amortissement supplémentaire 263 est fourni de sorte à découpler efficacement un ou plusieurs composants du système 200 par rapport à la monture rigide 201. Par exemple, le composant 210e représentant un composant ayant une partie mobile, qui peut donc générer un bruit mécanique significatif pendant son fonctionnement, peut être amorti efficacement en fournissant le mécanisme 263 agissant en tant qu'interface entre toute partie mobile du composant 210e et l'armature rigide 201. Le mécanisme d'amortissement 263 peut comprendre des amortisseurs actifs ou passifs, ou être simplement implémenté sous la forme de tout matériau résiliant approprié, dans lequel en général un matériau résiliant doit être compris comme un matériau qui répond à une pression mécanique appliquée de l'extérieur avec un niveau prononcé de déformation, une partie significative de laquelle est réversible, convertissant cependant ainsi une quantité significative d'énergie en énergie de chauffage de sorte qu'au moins 50 pourcent de l'amplitude des forces mécaniques entrantes est « enlevée » et donc une force mécanique dont la force est réduite d'au moins 50 pourcent est tout au plus une « sortie » du cote opposé du matériau résiliant. La figure 2f illustre schématiquement le système 200 conformément à d'autres modes de réalisation, dans lesquels en outre ou alternativement à fournir l'un ou plus de mécanismes d'amortissement 262, 263, une unité de contrôle 265 est implémentée dans le système 260, qui est relié de façon opérationnelle à au moins certains composants du système 200. Dans le mode de réalisation illustré, l'unité de contrôle 265 est reliée opérationnellement au composant 210e incluant une partie mobile, et qui doit donc être considérée comme une source de création de bruit mécanique pendant son fonctionnement. Par conséquence, l'unité de contrôle 265 peut fournir des signaux de contrôle appropriés 266 dans le but d'activer et désactiver le composant 210e, ou au moins la partie mobile de celui-ci. De plus, l'unité de contrôle 265 est reliée de manière opérationnelle à la chambre de procédé 250, par exemple à des soupapes de pression, des pompes à vide et autres dispositifs similaires, comme indiqué par 254, dans le but d'établir une pression de procédé désirée au sein de la chambre de procédé 250, comme il est aussi décrit plus haut. Pendant l'exploitation du système 260, l'unité de contrôle 265 fourni donc des signaux de contrôle 267 appropriés au composant 254 dans le but d'établir une pression de procédé désirée, pendant qu'en même temps l'exploitation d'au moins la partie mobile du composant 210e est contrôlée. Donc, au moins pendant la phase de collage critique, le mouvement de la partie mobile du composant 210e est interrompu dès lors que des signaux de contrôle 266 appropriés sont fournis, réduisant ainsi de manière significative la génération de tout bruit au sein du système 200. Il doit être considéré que l'unité de contrôle 265 peut être reliée à une pluralité de composants de système incluant des parties mobiles dans le but d'interrompre aussi l'exploitation de ceux-ci pendant une phase de collage sensible. Dans d'autres cas, des composants correspondants du système peuvent être identifiés à l'avance, qui contribuent au bruit mécanique d'ensemble dans le système 200 d'une façon fondamentale, et l'exploitation de ces composants peut être contrôlée par l'unité 265. Dans ce but, l'unité de contrôle 265 a implémenté dans celle-ci tout algorithme de contrôle adéquat qui est configuré pour ne pas interférer excessivement avec le fonctionnement d'ensemble du système 200, par exemple par rapport à la capacité de traitement et autres, tout en évitant néanmoins ou en réduisant la génération de bruit mécanique, comme des vibrations et autres, pendant une phase critique du procédé de collage. Par exemple, un algorithme prédictif peut être implémenté dans l'unité 265 de façon à estimer à l'avance les besoins de tout mouvement dans le composant 210e en relation à l'établissement de la pression de procédé requise dans la chambre 250. Par exemple, il peut être évalué si le composant 210e peut avoir à réaliser une activité inévitable et dans ce cas, le minutage du composant 254 peut être prévu lors de l'établissement de la procédure requise de façon à ne pas interférer avec le mouvement inévitable du composant 210e. À cette fin, tout algorithme approprié peut être implémenté, ou par exemple optimisé, pour réduire le bruit mécanique provoqué par le composant 210e, tout en n'affectant pas la capacité de traitement d'ensemble du système 200 de manière excessive. La figure 2g illustre schématiquement le système de réduction d'interférences mécaniques 260 conformément à d'autres modes de réalisation illustratifs, dans lesquels en outre ou alternativement à tout mode de réalisation décrit plus haut, le poids du premier substrat 211 et/ou du second substrat 212 peut être augmenté de façon temporaire, par exemple en y attachant un matériaux supplémentaire appropriée 264, par exemple sous la forme d'un matériau de couche jetable et autre, affectant par là généralement les caractéristiques mécaniques d'ensemble du système composite 211, 212. Par exemple, dans toute station de procédé au sein du système de collage ou en dehors du système de collage, le système 260 peut initier l'application du matériau supplémentaire 264, dans lequel une augmentation adéquate du poids peut être déterminée à l'avance dans le cas de conditions de procédé autrement données pendant la phase de collage. C'est-à-dire, un poids total adéquat peut être déterminé qui peut permettre l'application d'une pression de procédé adéquate de sorte à réaliser l'initiation d'une onde de liaison induite par la pression, comme expliqué plus haut, alors que d'autre part, le poids supplémentaire peut résulter en une réponse réduite des substrats 211, 212 à des forces mécaniques externes, par exemple en maintenant le déplacement mécanique résultant, comme expliqué plus haut par exemple en référence au déplacement 203 dans la figure 2c, en dessous d'un niveau de déclenchement déterminé au préalable. Donc, les substrats 211, 212 peuvent agir en tant qu'un mécanisme d'amortissement efficace par rapport à une pluralité d'influences mécaniques, qui peuvent être déterminées en avance et au vue de conditions de procédé appropriées. Ensuite, le poids supplémentaire 264 peut être retiré, par exemple sur la base de toute technique de procédé appropriée, comme des procédés de nettoyage et autres procédés similaires, alors que dans d'autres cas, tout poids supplémentaire peut adhérer aux substrats 211, 212 seulement de sorte qu'un enlèvement efficace soit initié par l'application d'un certain montant de forces mécaniques et autres actions similaires.20 REVENDICATIONS1. Système de collage de substrats (200) comprenant : une chambre de procédé (250) configurée pour établir un environnement de procédé de collage (213a, 213b) pour coller un premier substrat (211) à un second substrat (212), au moins l'un desdits premier et second substrats (211, 212) étant utilisable pour former des éléments microstructuraux sur celui-ci, ladite chambre de procédé (250) étant configurée pour recevoir et maintenir en place lesdits premier et second substrats (211, 212) au moins pendant une phase de collage, et un système de réduction d'interférences mécaniques (260) configuré pour réduire des forces mécaniques agissant sur lesdits premier et second substrats (211, 212) pendant ladite phase de collage. 2. Système de collage de substrats selon la revendication 1, dans lequel ledit système de réduction d'interférences mécaniques (260) comprend au moins un mécanisme d'amortissement mécanique (262, 263) qui est directement connecté à un support de substrat (251) positionné dans ladite chambre de procédé (250) et/ou à au moins un autre composant (210c, 210e) dudit système de collage de substrats (260). 3. Système de collage de substrats selon les revendications 1 ou 2, dans lequel ledit au moins un mécanisme d'amortissement mécanique (262, 263) comprend un élément amortisseur passif. 4. Système de collage de substrats selon la revendication 3, dans lequel ledit élément amortisseur passif comprend un matériau résiliant fourni en tant qu'interface entre ledit support de substrat (251) et/ou ledit au moins un autre composant (210e, 210c) et une partie rigide (201) dudit système de collage de substrats (200). 5. Système de collage de substrats selon l'une quelconque des revendications 3 ou 4, dans lequel ledit élément amortisseur passif comprend au moins l'un parmi un élément viscoélastique de couche contrainte, un dispositif à fluide visqueux, un dispositif à fluide magnétorhéologique, une unité d'amortisseur piézoélectrique passif, et une unité d'amortisseur de masse accordé, agissant en tant qu'amortisseur de vibrations. 6. Système de collage de substrats selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel ledit au moins un mécanisme d'amortissement (262, 263) comprend un mécanisme de compensation active du mouvement. 7. Système de collage de substrats selon la revendication 6, dans lequel ledit mécanisme de compensation active du mouvement est configuré pour réduire un déplacement induit d'origine extérieure de 10 pm ou moins d'au moins 50%. 8. Système de collage de substrats selon les revendications 6 ou 7, dans lequel ledit mécanisme de compensation active du mouvement comprend au moins l'un parmi une unité d'amortisseur piézoélectrique actif et une unité d'amortisseur résonant actif. 9. Système de collage de substrats selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel ledit système de réduction d'interférences mécaniques (260) comprend une unité de contrôle (265) reliée de manière opérationnelle à au moins certains composants de système (210e) dudit système de collage de substrats (200), qui incluent des parties mobiles, dans lequel ladite unité de contrôle (265) est configurée pour contrôler lesdits au moins certains composants du système (210e) de façon à interrompre le mouvement desdites parties mobiles au moins pendant ladite phase de collage. 10. Procédé de collage d'un premier substrat (211) à un second substrat(212), le procédé comprenant les étapes consistant à : mettre en contact mécaniquement une première surface (211s) dudit premier substrat (211) avec une seconde surface (212s) dudit second substrat (212) dans un système de collage de substrats (200) à une pression de procédé qui est au-dessus d'une pression de déclenchement, diminuer ladite pression de procédé à ou en-dessous de ladite pression de déclenchement de façon à initier une phase de collage pour coller mécaniquement ladite première surface (211s) à ladite seconde surface (212s), et contrôler un état mécanique desdits premier et second substrats (211, 212) pendant ladite phase de collage de façon à maintenir le déplacement (203) desdits premier et second substrats (211, 212) en-dessous d'un seuil de déclenchement du déplacement initiant une onde de liaison non-induite par la pression. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel ladite pression de déclenchement est choisie à 5 mbar ou moins, et ledit seuil de déclenchement du déplacement est de 5 pm ou plus. 12. Procédé selon les revendications 10 ou 11, dans lequel l'étape consistant à contrôler un état mécanique desdits premier et second substrats (211, 212) comprend l'étape consistant à interrompre le mouvement d'au moins certaines parties mobiles (210e) dudit système de collage de substrats (200) au moins pendant la phase de collage. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, dans lequel l'étape consistant à contrôler un état mécanique desdits premier et second substrats (211, 212) comprend l'étape consistant à amortir des vibrations mécaniques agissant sur lesdits premier et second substrats (211, 212) pendant la phase de collage. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel l'étape consistant à amortir des vibrations mécaniques agissant sur lesdits premier et second substrats (211, 212) comprend retape consistant à amortir lesdits premier et second substrats (211, 212) et/ou des composants (210e, 210c) dudit système de collage de substrats (200) comprenant des parties mobiles (210m). 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 14, dans lequel l'étape consistant à contrôler un état mécanique desdits premier et second substrats (211, 212) comprend l'étape consistant à augmenter un poids (264) d'au moins l'un parmi lesdits premier et second substrats (211, 212) avant l'étape consistant à réduire ladite pression du procédé.