FR 2983634 A1 20130607 FR 1161150 A 20111205 B11-3786FR 1 Procédé et système d'élaboration d'un masque de photolithographie L'invention concerne l'élaboration de masques utilisés en microélectronique lors d'étapes de photolithographie. Afin de former des motifs dans des couches de matériau utilisées en microélectronique, et également afin d'implanter des dopants dans certaines zones d'un support semi-conducteur, on met en oeuvre des étapes de photolithographie. On utilise à cet effet des masques comportant des motifs bloquant la lumière pour former des motifs dans des couches de résines photosensible. Les motifs des masques correspondent donc aux motifs destinés à être formés dans la résine. En outre, il est bien connu que lors de la formation dans une couche de résine de motifs de petites dimensions ou de motifs séparés par de petites distances (par exemple quelques dizaines de nanomètres), des erreurs peuvent apparaitre et détériorer les motifs formés dans la résine. Différents effets optiques entrainent ces détériorations également appelées effets de proximité. Des procédés dits de correction optique de proximité, mieux connus de l'homme du métier sous l'acronyme anglo-saxon « OPC : Optical Proximity Correction », sont alors mis en oeuvre. Un procédé de type OPC comprend généralement un certain nombre d'étapes destinées à permettre d'élaborer un masque dont l'utilisation formera des motifs sans erreurs. Dans un procédé de type OPC, préalablement à la formation du motif dans la résine, un motif cible est élaboré à partir du dessin, ou « layout » en langue anglaise. Ce motif cible est celui qui est destiné à être formé dans la résine. Il peut différer du « layout », par exemple pour prendre en compte des paramètres liés aux procédés de fabrication. Un masque de simulation est ensuite élaboré. Ce masque de simulation permet de mettre en oeuvre une simulation d'une étape de photolithographie, en prenant en compte les effets de proximité. On obtient ainsi un motif de résine simulé. On peut ensuite modifier le masque de simulation si le motif de résine simulé diffère grandement du motif cible, et répéter l'étape de simulation. Après un nombre fini d'itérations, ou lorsque le motif simulé est suffisamment proche du motif cible, on peut élaborer un masque de photolithographie à partir du dernier masque modifié. Quand bien même ce procédé permet de limiter les effets de proximité, d'autres défauts peuvent apparaître lors d'une étape de photolithographie. Généralement, préalablement à la formation d'une couche de résine, on dépose une couche de traitement antireflet. Ainsi, la résine photosensible n'est insolée que par la lumière ayant traversé le masque de photolithographie et pas par la lumière réfléchie par exemple sur le support semi-conducteur disposé sous la résine. Cela étant, lors d'une implantation de dopants, on ne peut pas utiliser de couche de traitement anti reflet, classique. L'implantation de dopants entrainerait une implantation des espèces contenues dans la couche de traitement antireflet classique. Il a été proposé d'utiliser des couches de traitement antireflet développable. Ces couches de traitement antireflet développable ont pour inconvénient d'avoir des caractéristiques anti-réflectives de mauvaise qualité. L'absence de couche antireflet lors d'une étape de photolithographie (par exemple destinée à une étape ultérieure d'implantation) est particulièrement néfaste quand le support de la couche de résine n'est pas homogène, par exemple s'il contient des matériaux ayant des réflectivités et transmissions différentes tels que le silicium et le dioxyde de silicium. La non-uniformité des propriétés optiques du substrat est par exemple susceptible d'augmenter la dose de lumière que reçoit une portion de résine et ainsi modifie localement sa polymérisation. Sur les figures la à ld, on a représenté schématiquement différentes configurations d'une étape de photolithographie dans lesquelles on n'a pas utilisé de couche anti reflet. Sur chacune de ces figures, on a utilisé un masque MOO destiné à bloquer la lumière sur une bande de largeur LOO. Sur la figure la, on a représenté schématiquement l'insolation d'une couche de résine RES00 (ici une résine de type positive) déposée sur un support comprenant du silicium SUP01. Le silicium absorbe les rayons lumineux et il n'y a donc pas de réflexions susceptibles de modifier de manière non-voulue l'état de la résine. On obtient, après révélation, un plot de résine PLO1 ayant une largeur désirée L01, ici identique à la largeur du motif sur le masque LOO (bien entendu, de manière classique, la largeur désirée du plot peut être différente de celle du masque). Sur la figure lb, on a représenté schématiquement l'insolation au moyen du même masque MOO d'une couche de résine ROO déposée sur un support SUP02 comprenant du dioxyde de silicium. Le dioxyde de silicium est traversé par la lumière et des réflexions entre les différentes interfaces peuvent modifier la largeur finale L02 d'un plot de résine PL02. La largeur L02 peut être différente de la largeur désirée. Sur la figure lc, on a représenté schématiquement l'insolation d'une couche de résine déposée sur un support SUP03 qui comprend du silicium ZA03, par exemple une zone active destinée à recevoir des transistors, et également du dioxyde de silicium STI03, par exemple des tranchées d'isolation peu profonde (« STI : Shallow Trench Isolation » en langue anglaise). Les rayons lumineux peuvent être réfléchis aux interfaces entre les matériaux différents et modifier la largeur du plot PLO3 (pouvant être différente des largeurs LO1 et L02) obtenue après révélation ainsi que sa forme, qui peut être par exemple un trapèze. Enfin, sur la figure ld, on a représenté schématiquement l'insolation d'une couche de résine sur un autre support SUP04 comportant du silicium et du dioxyde de silicium. Le support SUP04 comprend ici deux parties constituées de silicium ZA04 (par exemple des zones actives), et ces deux parties sont séparées par du dioxyde de silicium STIO4 (par exemple des tranchées d'isolation peu profondes). Les interfaces entre les différents matériaux peuvent modifier l'insolation de la résine RES00 et l'on peut obtenir par exemple un plot de résine PLO4 ayant une largeur inférieure à celle désirée. Les modifications des motifs de résine dues aux variations d'intensité lumineuse induites par les couches situées sous la résine sont couramment appelées par l'homme du métier « Stack-effect ». La simulation de photolithographie d'un procédé classique de type OPC ne permet pas de corriger les erreurs dues à cet effet. Les procédés classiques de type OPC ne permettent pas non plus de prendre en considération la topologie des substrats, notamment les reliefs dus aux couches sous-jacentes. Ces non-uniformités de topologie peuvent également induire des variations d'intensité lumineuse dans la résine. Selon un mode de mise en oeuvre et de réalisation, l'invention permet d'améliorer l'élaboration de masques de photolithographie et de pallier les inconvénients mentionnés ci-dessus. Selon un aspect, il est proposé un procédé d'élaboration d'un masque de photolithographie correspondant à un motif cible désiré dans une couche de résine supportée par un support, comprenant : a) une élaboration d'un premier masque à partir dudit motif cible et une élaboration d'au moins un masque fictif destiné à prendre en compte des variations d'intensité lumineuse induites par ledit support dans ladite couche de résine, b) une élaboration d'un masque de simulation à partir au moins dudit premier masque et éventuellement dudit au moins un masque fictif, étant entendu que si l'on n'utilise pas à ce stade le masque fictif, le masque de simulation est ledit premier masque, c) une simulation de photolithographie utilisant le masque de simulation de façon à obtenir un motif simulé dans ladite couche de résine, d) une comparaison du motif simulé avec ledit motif cible, par exemple une détermination de distances entre des segments correspondants de motif simulé et du motif cible, e) en cas de non satisfaction d'un critère, une modification du premier masque tenant compte du résultat de ladite comparaison, par exemple un déplacement de segments du premier masque tenant compte des distances obtenues précédemment, f) une répétition des étapes b) à e) avec le premier masque modifié à l'étape e), jusqu'à la satisfaction dudit critère, le masque de photolithographie étant alors le premier masque ayant conduit à la satisfaction dudit critère, g) une étape finale de vérification dans laquelle on effectue une 10 simulation de photolithographie en utilisant le masque de photolithographie obtenu à l'étape f) et ledit au moins un masque fictif de façon à obtenir un motif simulé final et h) un contrôle dudit motif simulé final par rapport au motif cible désiré en utilisant un ensemble de règles. 15 Par masque fictif, on entend un masque utilisé uniquement lors d'étapes de simulation, et qui modifie la transmission de la lumière. Ce masque peut comporter des motifs qui peuvent correspondre aux différents matériaux contenus dans le support, et l'on peut choisir la transmission des motifs du masque. 20 A titre d'exemple, pour une photolithographie d'une couche de résine disposée sur un support ne comportant que du dioxyde de silicium (la couche de dioxyde de silicium sous-jacente ayant tendance à surexposer la résine et à réduire les dimensions des motifs), on pourra utiliser un masque fictif ayant une transmission qui reproduit 25 cette surexposition. Cette transmission est ainsi choisie positive, par exemple égale à 0,035, pour reproduire l'effet de la couche de dioxyde de silicium. Lors de la mise en oeuvre du procédé, l'utilisation du masque fictif pourra par exemple réduire d'avantage les dimensions simulées sur motif de résine et les étapes de modification du masque 30 compenseront alors l'écart. Les masques fictifs permettent donc de mettre en oeuvre des simulations dans lesquelles l'effet dit « stack effect » est pris en considération. On notera que l'utilisation de masques fictifs permet de rendre la simulation plus performante qu'une simulation qui prendrait en considération de manière rigoureuse les couches sous jacentes à chaque simulation. Une telle simulation serait particulièrement longue et coûteuse. Ledit critère peut être un nombre d'itérations effectuées, en d'autres termes, les étapes b) à e) peuvent être mises en oeuvre un nombre fini de fois, par exemple 10. En variante, il est possible d'utiliser un critère de comparaison de distance entre le motif simulé et le motif cible, la satisfaction dudit critère étant alors obtenue lorsque cette distance est inférieure à une distance minimale entre le motif de résine simulé et le motif cible voulu. L'ensemble de règles utilisé pour l'étape de vérification est avantageusement plus complet que la seule comparaison de distances effectuée à l'étape d), et peut comprendre des dimensions minimales à respecter sur la résine simulée, des distances minimales à respecter entre le motif simulé de résine et le motif cible et également des surfaces minimales devant être recouvertes de résine à respecter. La non-vérification d'une de ces règles peut provoquer l'élaboration d'un signal d'erreur. L'étape de vérification permet de prendre en compte les incertitudes liées à la simulation. En effet, le motif simulé de résine peut être différent du motif obtenu dans la résine, il est donc nécessaire de détecter les défaillances dues à l'imprécision de la simulation. L'utilisation d'un ou de masques fictifs dans une étape de vérification permet de prendre en compte les variations d'intensité lumineuse dues au substrat. Comme indiqué ci-avant, il est possible de n'utiliser le ou les masques fictifs uniquement au cours de l'étape de vérification et non pour élaboration du masque de simulation (étape b). On détermine alors si le substrat aura un impact élevé ou non sur l'étape de photolithographie. Ledit au moins un masque fictif comprend des structures fictives ayant une transmission positive ou négative. Ainsi, un masque fictif n'est pas nécessairement un masque sans motif ayant une transmission choisie, il peut comprendre des motifs choisis en fonction du support. Si ce dernier comprend des lignes de types tranchées d'isolation peu profonde, alors on peut retrouver des lignes sur au moins un masque fictif. Le procédé peut comprendre en outre une détermination d'un ensemble de données d'étalonnage et une élaboration dudit au moins un masque fictif à partir de l'ensemble de données d'étalonnage. La détermination de l'ensemble de données d'étalonnage peut comprendre des étapes de mesure sur des structures de test réalisées dans une couche de résine sur un support de test. Une fois l'ensemble de données d'étalonnage obtenu, on peut former des masques fictifs pour tout type de support et tout nouveau motif cible à obtenir. Le support de test et ledit support peuvent comprendre des régions ayant des propriétés optiques différentes, par exemple des régions comprenant du silicium et des régions comprenant du dioxyde de silicium ou du polysilicium, et/ou ledit support peut avoir une topographie de surface non uniforme, comprenant par exemple des reliefs. Les différentes régions du support peuvent avoir tout type de forme. L'élaboration dudit au moins un masque fictif peut comprendre en outre au moins une simulation d'une étape de photolithographie au moyen d'un masque fictif de simulation et d'un masque de simulation correspondant auxdites structures de test. On peut ainsi comparer les données d'étalonnage et les données simulées et obtenir un ou plusieurs masques fictifs de meilleure qualité. La couche de résine disposée sur ledit support semi-conducteur peut être destinée à protéger le support semi-conducteur lors d'une étape d'implantation d'atomes dopants. Ainsi, on peut mettre en oeuvre le procédé lors d'une photolithographie dans laquelle on n'utilise pas de couche antireflet. Le procédé peut néanmoins être utilisé pour tout type de photolithographie. Selon un autre aspect, il est proposé un système informatique, par exemple un ordinateur portable ou non ou bien un processeur et ses mémoires associées, comprenant des moyens configurés pour mettre en oeuvre le procédé tel que défini ci-avant. Selon un autre aspect, il est proposé un produit programme d'ordinateur chargeable directement dans une mémoire d'un système informatique, comprenant des portions de code de logiciel pour l'exécution du procédé tel que défini ci-avant lorsque ledit programme est exécuté sur ledit système informatique. Selon un autre aspect, il est proposé un support lisible par un système informatique, ayant des instructions exécutables par ordinateur adaptées pour provoquer l'exécution par le système informatique du procédé tel que défini ci-avant. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de mises en oeuvre et de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : - les figures la, lb, le et ld, déjà décrites, illustrent schématiquement l'effet dit de « stack effect », - la figure 2 illustre très schématiquement les principales étapes d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention, - la figure 3 illustre schématiquement les différentes étapes d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention, - la figure 4 illustre une comparaison d'un mode de mise en oeuvre de procédés selon l'invention avec un procédé selon l'art antérieur, - la figure 5 illustre schématiquement différents paramètres pouvant être pris en compte pour l'obtention des données d' étalonnage, - les figures 6a, 6b et 6c illustrent différents modes de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention, et - la figure 7 illustre schématiquement différentes structures de test pouvant être réalisées pour obtenir les données d'étalonnage. Sur la figure 2, la référence SINF désigne globalement un système informatique, par exemple un ordinateur, comportant des moyens tels qu'une unité centrale et des moyens de mémoire, configurés pour mettre en oeuvre un mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Selon ce mode de mise en oeuvre illustré sur la figure 1, il est prévu tout d'abord une élaboration d'un ou plusieurs masques fictifs 10 à partir de données d'étalonnage permettant d'élaborer ces masques fictifs et du dessin ou « layout ». Il est ensuite prévu une étape d'élaboration du masque 11, par des étapes de simulation utilisant le ou les masques fictifs. Sur la figure 3, on a représenté de manière plus détaillée les étapes d'un exemple de mode de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention, par exemple un procédé pouvant être mis en oeuvre par le système informatique SINF de la figure 2. Au cours d'une première étape E00, un dessin ou « layout » est élaboré, on obtient ainsi un motif initial à former dans une couche de résine. Le dessin peut également comprendre une représentation du support, notamment les parties comprenant des matériaux différents du silicium, par exemple du dioxyde de silicium ou du poly-silicium. On élabore ensuite un motif cible (étape E01), c'est-à-dire le motif qui devra être formé dans la résine. Cette élaboration comprend une modification du motif initial, notamment en fonction de règles géométriques. A titre d'exemple, pour un motif de résine destiné à protéger un support lors d'une étape de gravure, si cette gravure grave systématiquement une quantité de matière trop grande par rapport à la quantité désirée, on peut prendre en compte ce dépassement de gravure pour l'élaboration du motif cible. Lors de l'étape E03, on élabore un ou plusieurs masques fictifs, en fonction du support sur lequel la couche de résine dans laquelle un motif doit être formé est déposée. Cette élaboration peut être mise en oeuvre au moyen de la connaissance du support et également de la connaissance d'un ensemble de données d'étalonnage. Dans la variante décrite ici, on utilise, à ce stade, le ou les masques fictifs élaborés à l'étape E03 ainsi que le motif cible élaboré à l'étape E01 pour élaborer un masque de simulation (étape E02). Il n'est cependant pas indispensable d'utiliser le ou les masques fictifs pour cette étape E02 d'élaboration d'un masque de simulation. Lors de cette étape E02, un premier masque est obtenu à partir du motif cible (ce premier masque pouvant être identique au motif cible), et l'on superpose ce premier masque avec le ou les masques fictifs pour obtenir un masque de simulation dont les coefficients de transmission seront obtenus à partir des coefficients de transmission respectifs du premier masque et du ou des masques fictifs. Bien entendu, si l'on n'utilise pas de masques fictifs dans cette étape E02, le masque de simulation est le premier masque. On met ensuite en oeuvre l'étape de simulation de photolithographie E04 qui permet d'obtenir un motif de résine simulé, en prenant notamment en compte les effets optiques tels que les effets de proximité. L'utilisation du ou des masques fictifs élaborés à l'étape E03 pour élaborer le masque de simulation utilisé lors de cette étape de simulation E04 permet de simuler les variations d'intensité lumineuse induites par le support, notamment les variations dues aux différents matériaux et à leurs propriétés optiques. Si au contraire le ou les masques fictifs n'ont pas été utilisés pour élaborer le masque de simulation, on obtient un motif de résine simulé qui ne prend pas en compte les variations d'intensité lumineuse induites par le support. Lors de l'étape E05, on compare le motif cible au motif de résine simulé. On peut notamment mesurer la distance entre le motif de résine simulé et le motif cible, pour ensuite modifier le masque lors de l'étape E06 de modification du masque de simulation. Plus précisément, on modifie la partie du masque de simulation correspondant au motif cible, c'est-à-dire le premier masque. A titre d'exemple, si sur une portion le motif de résine simulé est à une distance moyenne de 5 nanomètres du motif cible, on peut modifier le masque en rajoutant 5 nanomètres au masque de simulation lors de la modification. On notera que le ou les masques fictifs ne sont pas modifiés lors de l'étape E06, ces masques fictifs ne sont élaborés qu'une fois lors de la mise en oeuvre du procédé. Lors de la mise en oeuvre des étapes E05 et E06, on peut diviser en un nombre fini de segments le contour des motifs de résine simulé. On peut ensuite mesurer la distance entre le segment du motif de résine simulé et le segment correspondant du motif cible. Si cette distance n'est pas nulle, alors on modifie le masque de sorte qu'une fois modifié, la distance entre le segment du motif de résine (simulé ou réel) et le motif cible soit minimisée. On peut répéter les étapes E04 à E06 (boucle BCL). Cette répétition peut être mise en oeuvre un nombre défini de fois, par exemple dix fois, mais il est également possible de prévoir un critère de comparaison. Un critère de comparaison peut être par exemple une distance minimale entre le motif de résine simulé et le motif cible, par exemple de l'ordre de quelques nanomètres. Lors de l'étape E07, mise en oeuvre avec le dernier masque de simulation élaboré et éventuellement modifié, on vérifie le masque, par exemple lors d'une étape de simulation du dernier masque simulé, dans laquelle on utilise encore le ou les masques de lithographie. Dans la variante étudiée ici, on utilise le ou les masques fictifs pour l'étape de vérification, et également pour l'élaboration du masque de simulation. Si l'on n'utilise pas un ou plusieurs masques fictifs pour l'élaboration du masque de simulation, l'étape de vérification qui utilise le ou les masques fictifs permettra de déterminer si le substrat induit ou non des variations d'intensité lumineuse. Enfin, on peut élaborer le masque de photolithographie (étape E08. Sur la figure 4, on a représenté schématiquement une comparaison entre un mode de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention et un procédé qui n'utilise pas de masques fictifs. Dans une première étape, par exemple l'étape E00 décrite en se référant à la figure 3, on élabore un motif initial MINI comprenant deux parties de motifs à former dans la résine, une première partie en forme de « L » et une autre partie rectangulaire. Le motif initial MINI est destiné à être formé au dessus d'un support comportant du dioxyde de silicium et une zone active en silicium ZSI chevauchée par les deux parties de motif initial MINI. On élabore ensuite un motif cible MCI à partir du motif initial MINI. Ce motif cible est le même dans le cas où l'on utilise des masques fictifs et dans le cas où l'on n'utilise pas de masques fictifs. Le motif cible MCI est ici sensiblement plus large que le motif initial MINI. Dans le cas où l'on utilise les masques fictifs, on élabore ici un masque fictif MFI. Le masque fictif MFI a une transmission choisie, par exemple très inférieure à 1, et qui peut être positive ou négative. Ce masque fictif MFI a ici la forme d'une bande qui entoure la zone comportant du silicium ZSI. On peut ensuite mettre en oeuvre les étapes de simulation et de modification du masque, et éventuellement les répéter (étapes E03 à E06 décrites en se référant à la figure 3). Dans le cas où l'on a utilisé le masque fictif MFI, on obtient un masque après simulation et modification MSF, différent du motif cible MCI, et qui est apte à prendre en compte les variations d'intensité lumineuse induite par le support et notamment la portion de silicium ZSI. Dans le cas où l'on n'a pas utilisé de masque fictif, on obtient un masque simulé et modifié MSS différent du masque MSF obtenu en utilisant le masque fictif MFI. On notera par exemple que le masque MSF comprend deux protubérances PTB au voisinage du chevauchement du masque et de la zone ZSI. Le masque MSS ne comporte pas ces protubérances PTB. On notera que ces protubérances PTB permettent de prendre en considération un décrochement rentrant de la résine du à la présence de la zone ZSI qui est donc compensé par les protubérances PTB. Enfin, lors d'une vérification finale comprenant une simulation utilisant le masque fictif MFI, on obtient un motif de résine simulé MRESF, qui est sensiblement proche du motif cible MCI. Plus précisément en élaborant un masque en utilisant au moins un masque fictif, on obtient lors d'une simulation de ce masque en utilisant un masque fictif un motif de résine simulé MRESF proche du motif cible MCI. On pourra alors utiliser un ensemble de règles pour détecter d'éventuelles défaillances pouvant apparaitre dans une couche de résine après l'utilisation du masque dans une étape de photolithographie. La même simulation, c'est-à-dire une simulation qui utilise le masque fictif MFI, mais appliquée à un masque qui n'a pas été obtenu en utilisant de masque fictif, tel que le masque MSS, produit un motif de résine simulé MRESF' sensiblement différent du motif cible MCI. On notera que des décrochements DCR apparaissent là ou le masque élaboré en utilisant un masque fictif comportait des protubérances PTB. Ce résultat, c'est-à-dire la résine simulée MRESF', est celui obtenu dans une couche de résine disposée sur un support comportant la zone ZSI après une étape de photolithographie par le masque MSS. Il est également possible de vérifier en simulant le masque obtenu sans masque fictif MSS, dans une simulation qui n'utilise pas de masque fictif. On obtient alors un motif simulé dans la résine MRESS, proche du motif cible MCI, comme obtenu au moyen d'un procédé selon l'art antérieur. Néanmoins l'utilisation du masque MSS dans une étape de photolithographie ferait apparaître des erreurs, par exemple des décrochements DCR, comme illustré avec le motif de résine simulé MRESF'. Sur la figure 5, on a représenté schématiquement et à titre d'exemple nullement limitatif les différents paramètres à prendre en considération lors de l'élaboration d'un masque fictif. Dans cet exemple, le support comporte du dioxyde de silicium STI10, par exemple de manière à former des tranchées d'isolation peu profondes, Le support comporte en outre une zone comportant du silicium ZA10 en forme de bande, par exemple une zone active. Dans le cas où le support comporte ainsi une bande de silicium ZA10 entourée de dioxyde de silicium STI10 (représenté par des hachures de lignes en pointillé), on pourra élaborer un masque fictif MFI10 entourant cette bande de silicium ZA10. La distance b10 entre le masque et le masque fictif qui l'entoure, la largeur al° du masque fictif, et la transmission du masque fictif sont les paramètres à déterminer pour l'élaboration du masque fictif MFI10, par exemple lors d'étapes d'étalonnage. La transmission du masque fictif MFI10 peut être choisie très inférieure à 1, positive ou négative. On pourra notamment la choisir positive si les différents matériaux du support induisent une surexposition de résine, et négative si les différents matériaux du support induisent une sous-exposition de résine. Les distances al° et b10 ainsi que la transmission du masque MFI10 peuvent être choisies en fonction de données d'étalonnage obtenues préalablement. Ces données peuvent comprendre des mesures dans lesquelles on a formé des structures de résine sur différents supports (comprenant par exemple du silicium et/ou du dioxyde de silicium et/ou du poly-silicium). Sur la figure 6a, on a représenté schématiquement un exemple de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention. Dans cet exemple, On va former sur un support SUPA comportant uniquement du silicium, une bande de résine au moyen d'un masque MASA comportant des parties hachurées ayant une transmission de 1 (c'est-à-dire laissant passer la lumière) et des parties non-hachurées ayant une transmission nulle (bloquant la lumière). Dans cet exemple, il n'est pas nécessaire d'utiliser un ou plusieurs masques fictifs, le support SUPA ne comportant que du silicium. La transmission du masque MASA varie donc de manière binaire entre la valeur 1 et la valeur 0, comme illustré sur la figure 6a. Sur la figure 6a, on a également représenté l'intensité lumineuse au niveau de la résine, couramment appelée image aérienne par l'homme du métier. Cette représentation peut être obtenue par une simulation. Par exemple dans le cas d'une résine positive, quand cette intensité lumineuse est supérieure au seuil de la résine, la résine est destinée à disparaitre. Ainsi, la distance SCDA séparant les deux points de croisement entre le seuil et la courbe de l'intensité lumineuse indique la largeur simulée de la bande de résine obtenue par une simulation. En réalisant la photolithographie du masque MASA sur le support SUPA, on obtient une bande de résine d'une largeur CDA, et une mesure, par exemple au microscope électronique à balayage, permet de mesurer et comparer la largeur de la bande CDA à la largeur simulée SCDA. Dans le cas du support SUPA en silicium, la largeur CDA est égale à la largeur simulée SCDA. A titre d'exemple non limitatif, la largeur SCDA peut être de l'ordre de 133 nanomètres. Sur la figure 6b, on a représenté un autre exemple, dans lequel on met en oeuvre une photolithographie sur un support SUPB, comportant ici du dioxyde de silicium. Le support étant uniforme et différent du silicium, on peut utiliser un masque fictif MFIB lors de simulations d'une étape de photolithographie au moyen du masque MASA. Le masque fictif peut être uniforme, avec une transmission choisie, par exemple une transmission positive égale à 0,035. La superposition du masque MASA et du masque fictif MFIB présente une transmission égale à 1,035 dans les parties dans lesquelles le masque MASA laisse passer la lumière, et une transmission égale à 0,035 dans les parties dans lesquelles le masque MASA bloque la lumière. L'image aérienne correspondante est une courbe légèrement rehaussée par rapport à celle de la figure 6a, mais le seuil de la résine restant inchangée, la distance obtenue par simulation SCDB est ici inférieure à la distance SCDA de la figure 6a. En réalisant sur le support SUPB une bande de résine au moyen du masque MASA, on peut obtenir une bande de résine ayant une largeur CDB, par exemple inférieure à CDA. Si la mesure de la bande de résine donne une valeur CDB est différente de la valeur simulée SCDB, alors la transmission choisie pour le masque fictif doit être modifiée. Afin de déterminer la valeur de transmission pour le masque fictif, on peut mettre en oeuvre plusieurs simulations avec différentes valeurs de transmission variant avec un pas choisi, par exemple 0,01, de manière à déterminer la valeur de transmission pour laquelle il y a égalité entre SCDB et CDB. Ici, CDB peut avoir une valeur de l'ordre de 99 nanomètres. Enfin, sur la figure 6c, on a représenté un autre exemple dans lequel on va former une bande de résine sur un support SUPC comprenant du dioxyde de silicium STI20 et deux bandes de silicium ZA20. La bande de résine est destinée à être formée entre les deux bandes de silicium ZA20. On va utiliser le masque MASA ainsi que deux masques fictifs MFIC1 et MFIC2. Le masque MFIC1 comprend des bandes de transmission négative, par exemple -0.016, destinées à être disposées autour des bandes de silicium ZA20. Le masque MFIC2 comprend des zones de transmission positive, par exemple 0,035 destinée à être disposée là ou le support SUPC comporte du dioxyde de silicium (parties STI20). L'étude de la transmission et de l'image aérienne donne la largeur simulée SCDC, et la mise en oeuvre de l'étape de photolithographie donne après mesure la largeur CDC. En mettant en oeuvre plusieurs simulation dans lesquelles on fait varier les paramètres tels que la largeur des bandes du masque fictif MFIC1, leur transmission, et la transmission du masque fictif MFIC2, on peut obtenir des valeurs de paramètre pour lesquelles il y a égalité entre CDC et SCDC. On notera que l'obtention des valeurs de paramètres permettant d'élaborer les masques fictifs peut se faire au moyen de structures de test dans lesquelles on a mesuré des dimensions de résine développée sur différents supports, puis en simulant des photolithographie avec différents masques fictifs en faisant varier les différents paramètres, jusqu'à obtenir par simulation des dimensions de résine simulée égales aux dimensions mesurées de résine. A partir des valeurs de paramètre ainsi obtenues, on peut élaborer des masques fictifs correspondant à tout type de support utilisables dans des étapes de simulation de photolithographie. Sur la figure 7, on a représenté un exemple de structures de test pouvant être réalisées pour obtenir des données d'étalonnage avec lesquelles on peut obtenir des masques fictifs. Sur un support comprenant principalement du dioxyde de silicium STI30, et dans certaines parties du silicium ZA30, on peut former des motifs de résine représentés ici par des parties hachurées par exemple pour former des bandes, des rectangles, des couronnes, et différentes formes. On peut également superposer ces motifs avec des zones comportant du silicium ZA30. En faisant varier les dimensions de ces motifs, puis en mettant en oeuvre une étape de photolithographie de résine, on obtient après mesure (par exemple au moyen d'un microscope électronique à balayage), un ensemble de données d'étalonnage permettant d'élaborer des masques fictifs, par exemple en suivant les étapes décrites en se référant aux figures 6b et 6c. On notera que les motifs de cette figure sont choisis pour illustrer de la manière la plus exhaustive possible les différentes configurations qui peuvent apparaitre lors d'une photolithographie d'une couche de résine sur un support comportant différents matériaux. Il est également possible de réaliser des structures de test sur un substrat présentant une non-uniformité de topologie, c'est-à-dire des reliefs, et qui comprennent ou non des régions ayant des propriétés optiques différentes. Selon un aspect, on obtient un procédé d'élaboration de masque qui prend en considération le support, notamment ses variations de propriétés optiques ou de topologie, sur lequel la photolithographie va être mise en oeuvre. Ce procédé est particulièrement avantageux pour les photolithographies préalables à une implantation de dopants. REVENDICATIONS1. Procédé d'élaboration d'un masque de photolithographie correspondant à un motif cible (MCI) désiré dans une couche de résine supportée par un support, comprenant : a) une élaboration d'un premier masque à partir dudit motif cible (MCI) et une élaboration d'au moins un masque fictif destiné à prendre en compte des variations d'intensité lumineuse induites par ledit support dans ladite couche de résine, b) une élaboration d'un masque de simulation à partir au moins dudit premier masque, c) une simulation de photolithographie (E04) utilisant le masque de simulation de façon à obtenir un motif simulé dans ladite couche de résine, d) une comparaison (E05) du motif simulé avec ledit motif cible, e) en cas de non satisfaction d'un critère, une modification (E06) du premier masque tenant compte du résultat de ladite comparaison, f) une répétition (BCL) des étapes b) à e) avec le premier masque modifié à l'étape e), jusqu'à la satisfaction dudit critère, le masque de photolithographie étant alors le premier masque ayant conduit à la satisfaction dudit critère, g) une étape de vérification (E07) dans laquelle on effectue une 25 simulation de photolithographie en utilisant le masque de photolithographie obtenu à l'étape f) et ledit au moins un masque fictif de façon à obtenir un motif simulé final et h) un contrôle dudit motif simulé final par rapport au motif cible désiré en utilisant un ensemble de règles. 30 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on élabore ledit masque de simulation à partir dudit premier masque et dudit au moins un masque fictif. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ledit critère est un nombre d'itérations effectuées. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit au moins un masque fictif comprend des structures fictives ayant une transmission positive ou négative. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant une détermination d'un ensemble de données d'étalonnage et une élaboration (E03) dudit au moins un masque fictif à partir de l'ensemble de données d'étalonnage. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la détermination de l'ensemble de données d'étalonnage comprend des étapes de mesure sur des structures de test réalisées dans une couche de résine sur un support de test. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le support de test et ledit support comprennent des régions ayant des propriétés optiques différentes et/ou ledit support a une topographie de surface non uniforme. 8. Procédé selon la revendication 6 ou 7, dans lequel l'élaboration dudit au moins un masque fictif comprend en outre au moins une simulation d'une étape de photolithographie au moyen d'un masque fictif de simulation et d'un masque de simulation correspondant auxdites structures de test. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la couche de résine disposée sur ledit support semi-conducteur est destinée à protéger le support semi-conducteur lors d'une étape d'implantation d'atomes dopants. 10. Système informatique (SINF) comprenant des moyens configurés pour mettre en oeuvre le procédé selon l'une des revendications 1 à 9. 11. Produit programme d'ordinateur chargeable directement dans une mémoire d'un système informatique (SINF), comprenant des portions de code de logiciel pour l'exécution du procédé selon l'une des revendications 1 à 9 lorsque ledit programme est exécuté sur ledit système informatique. 12. Support lisible par un système informatique, ayant des instructions exécutables par ordinateur adaptées pour (SINF) provoquer l'exécution par le système informatique du procédé selon l'une des revendications 1 à 9.