FR 2983640 A1 20130607 FR 1103692 A 20111202 Matrice de détection compacte à conditions de polarisation améliorées Domaine technique de l'invention L'invention est relative à une matrice de détection comportant une pluralité de photodétecteurs associés à un dispositif de lecture. L'invention est également relative à un procédé de polarisation du substrat à l'intérieur de la matrice de détection. État de la technique Dans le domaine des dispositifs de détection, il y a communément un photodétecteur associé à un circuit de lecture. Le photodétecteur délivre un signal représentatif de la scène observée et ce signal est traité par le circuit de lecture. La polarisation du photodétecteur est obtenue au moyen du potentiel de substrat imposé sur une première borne du photodétecteur et au moyen d'un potentiel de référence imposé sur la seconde borne du photodétecteur, par un dispositif de lecture de type amplificateur transimpédance capacitif. 25 Afin d'obtenir toujours plus d'information sur la scène observée, le photodétecteur a fait place à une pluralité de photodétecteurs. Il y a, de plus, un accroissement constant du nombre de photodétecteurs intégrés par unité de surface dans un dispositif de détection afin d'augmenter la définition du 30 détecteur. Cependant, l'intégration d'un grand nombre de photodétecteurs entraîne des difficultés de réalisation et de fonctionnement. 20 De manière à conserver une surface de collection raisonnable et un faible encombrement du dispositif, la pluralité de photodétecteurs est intégrée sous la forme d'une matrice. Un anneau de polarisation électriquement conducteur entoure la matrice pour imposer le potentiel de substrat aux photodétecteurs de la matrice. Il y a alors un grand nombre de photodétecteurs organisés en matrice et tous les photodétecteurs sont reliés, de manière plus ou moins directe, au potentiel de substrat provenant de l'anneau de polarisation. Cette organisation apporte un gain indéniable en ce qui concerne la densité d'intégration, mais elle engendre une difficulté dans la polarisation des différents photodétecteurs. Les photodétecteurs sont généralement des photodiodes polarisées en inverse afin de délivrer un courant représentatif de la scène observée. La photodiode joue alors le rôle d'un générateur de courant. La polarisation de la photodiode est appliquée d'un côté par le substrat et de l'autre par le circuit de lecture. Dans ce régime de fonctionnement, la modélisation électrique d'une photodiode de la matrice peut être représentée par une résistance dynamique montée en parallèle du générateur de courant et une résistance série montée en série de l'ensemble. Cependant, le procédé de réalisation des photodiodes n'est pas parfait et/ou le vieillissement des photodiodes n'est pas identique pour toutes les photodiodes ce qui entraine un décalage des conditions de polarisation du substrat par rapport à l'intégration attendue et/ou une dérive dans le temps. Il existe alors un risque d'avoir au moins un photodétecteur qui ne travaille plus dans sa plage de fonctionnement optimum. Il en résulte des problèmes de linéarité entre le courant fourni par le photodétecteur et le flux incident. Ce genre de problème est difficile ou impossible à corriger par des dispositifs de correction d'image appliqués à l'ensemble de la matrice. Objet de l'invention L'invention a pour objet une matrice de détection qui est plus robuste vis-à-vis des différences de comportements des photodétecteurs. On tend à obtenir ce résultat au moyen des revendications annexées et plus particulièrement par le fait que la matrice comporte un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une matrice de photodétecteurs organisés selon un premier axe d'organisation, chaque photodétecteur étant au moins partiellement réalisé dans le substrat formant une première borne du photodétecteur, un anneau périphérique de polarisation formé autour de la matrice de photodétecteurs, l'anneau de polarisation étant connecté à un générateur de tension de polarisation et au substrat, une pluralité de circuits de lecture, chaque circuit de lecture étant connecté à un photodétecteur par l'intermédiaire d'une seconde borne du photodétecteur, un premier interrupteur connecté entre la seconde borne du photodétecteur et un générateur de tension additionnelle, un second interrupteur connecté entre la seconde borne du photodétecteur et le circuit de lecture associé, les premier et second interrupteurs étant dans des états opposés.30 Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : la figure 1 représente, de manière schématique, un dispositif de détection avec une matrice de photodiodes, la figure 2 représente, de manière schématique, une organisation particulière de la matrice de photodiodes avec des contacts internes de polarisation, les figures 3 et 4 représentent, de manière schématique, en coupe, deux photodétecteurs séparés par un contact interne de polarisation et reliés chacun à un circuit de lecture. Description d'un mode de réalisation préférentiel de l'invention Comme cela est illustré aux figures 1 et 2, le dispositif de détection comporte une pluralité de photodétecteurs 1 qui sont organisés en matrice. Les photodétecteurs 1 sont organisés selon un premier axe d'organisation X, c'est-à-dire que les photodétecteurs 1 forment une rangée ou une colonne selon ce premier axe X. Les photodétecteurs sont organisés selon l'axe X avec un pas de répétition P. Dans un mode de réalisation préférentiel illustré aux figures 1 et 2, la pluralité de photodétecteurs 1 est également organisée selon un deuxième axe d'organisation Y qui est sécant au premier axe d'organisation X. A titre d'exemple, le premier axe d'organisation X est perpendiculaire au deuxième axe d'organisation Y. De cette manière, les photodétecteurs 1 sont organisés les uns par rapport aux autres selon deux directions différentes représentées par le premier et le deuxième axe d'organisation. De cette manière, les photodétecteurs 1 sont alignés entre eux selon une ou plusieurs lignes parallèles à l'axe X et ils sont éventuellement alignés selon une ou plusieurs lignes parallèles à l'axe Y. Les photodétecteurs 1 sont alors organisés en lignes et en colonnes. D'autres organisations de la matrice sont également envisageables, par exemple avec l'intégration de deux matrices de photodétecteurs qui utilisent des caractéristiques techniques différentes. La matrice de photodétecteurs 1 est formée sur un substrat en matériau semi-conducteur et elle est entourée par une ligne 2 périphérique de polarisation. La ligne 2 est une ligne en matériau électriquement conducteur, par exemple une ligne métallique qui court à la surface du substrat. Dans d'autres modes de réalisation, la ligne 2 est une zone dopée du substrat, cette zone est plus fortement dopée que le reste du substrat afin de diminuer la chute de potentiel le long de la ligne. De manière préférentielle, la ligne 2 est une zone dopée qui est du même type de conductivité que le substrat. Le substrat est d'un premier type de conductivité, par exemple de type P. Dans un mode de réalisation préférentiel, la ligne 2 périphérique est continue autour de la matrice de photodétecteurs, mais il est également envisageable d'avoir une ligne discontinue. La polarisation peut également être imposée au moyen de deux lignes élémentaires disposées sur deux bords opposés de la matrice. La ligne 2 périphérique de polarisation est reliée à un générateur 3 de tension de polarisation. La tension de polarisation Vsug ou une tension proche de cette dernière est appliquée aux photodétecteurs 1 via la ligne 2 de polarisation et le substrat. La tension de polarisation Vsug fixe en partie les conditions de polarisation des photodétecteurs 1 en appliquant un premier potentiel sur une première borne (une première électrode) du photodétecteur 1. La tension de polarisation Vsug ou une tension qui en découle est appliquée sur la première borne des différents photodétecteurs 1. Une seconde tension, une tension de référence, est appliquée sur une seconde borne (une seconde électrode) des photodétecteurs afin de fixer les conditions de polarisation des différents photodétecteurs 1. De manière avantageuse, les photodétecteurs sont des photodiodes polarisés en inverse entre la tension de polarisation Vsug et la tension de référence. Les photodétecteurs peuvent être également des photodétecteurs à puits quantiques ou à multipuits quantiques (QWIP). A titre d'exemple, pour définir les conditions de polarisation du photodétecteur, un second potentiel est appliqué par l'intermédiaire du circuit de lecture 4 qui traite le signal émis par le photodétecteur 1. Le circuit de lecture 4 est relié à un circuit d'analyse 5 de l'information provenant de la matrice de photodétecteurs ou d'une partie de la matrice, par exemple une ligne de photodétecteurs ou une colonne de photodétecteurs. Dans un mode de réalisation préférentiel illustré à la figure 3, chaque photodétecteur 1 est formé au moins partiellement par une partie du substrat 6 semi-conducteur. Par exemple, la première électrode est formée par le substrat 6 ce qui permet de faciliter l'intégration de la matrice dans le substrat 6 et limiter les écarts de polarisation. Dans un mode de réalisation encore plus privilégié, les photodétecteurs sont formés dans le substrat 6. Le photodétecteur 1 est, par exemple, une photodiode de type PN ou NP dont la première électrode est formée par le substrat 6 qui forme une première zone d'un premier type de conductivité. La seconde électrode est une seconde zone d'un second type de conductivité qui peut également être formée par dopage du substrat 6.30 A titre d'exemple, chaque photodétecteur 1 est associé à un circuit de lecture 4 qui impose la tension de référence sur la seconde électrode des photodétecteurs 1. Sur la figure 1, les différents circuits de lecture 4 sont regroupés afin de former des moyens de lecture ou un dispositif de lecture qui comporte une matrice de circuits de lecture. Chaque circuit de lecture 4 est associé à un ou plusieurs photodétecteurs 1. Chaque circuit de lecture 4 récupère le signal électrique émis par un ou plusieurs photodétecteurs. De manière préférentielle, un circuit de lecture 4 est associé à un seul photodétecteur 1 et inversement. Un circuit de lecture 4 est associé à un photodétecteur par l'intermédiaire d'un premier interrupteur 7. De cette manière, le premier interrupteur 7 est connecté à la seconde électrode du photodétecteur 1 et à la borne d'entrée du circuit de lecture 4. La seconde électrode du photodétecteur 1 est associée à un générateur 9 de tension additionnelle VPOL par l'intermédiaire d'un deuxième interrupteur 8. Le second interrupteur 8 est dans un état opposé au premier interrupteur 7 de sorte que le photodétecteur 1 est polarisé au moyen du potentiel imposé par le circuit de lecture 4 ou au moyen de la tension additionnelle VPOL provenant du générateur 9. Lorsque le second interrupteur 8 est à l'état passant, le photodétecteur 1 est polarisé entre la tension de polarisation Vsug provenant du substrat 1 et la tension additionnelle VPOL. Les conditions de polarisation aux bornes du photodétecteur 1 sont choisies de préférence pour que le photodétecteur 1 présente un impact réduit sur les autres photodétecteurs de la matrice. Le photodétecteur n'est pas relié au circuit de lecture 4. Dans un mode de réalisation particulier, le générateur 9 de la tension additionnelle VPOL est le générateur 3 de la tension de polarisation VsuB- A titre d'exemple, lorsque le potentiel de polarisation Vsug est appliqué sur la seconde électrode, le photodétecteur 1 a le même potentiel sur chacune de ses bornes ce qui réduit ou élimine les risques de fuites à l'intérieur du substrat via ce photodétecteur. Lorsque le photodétecteur 1 est défectueux de type court-circuit, le potentiel de polarisation Vsug est appliqué dans le substrat à l'intérieur de la matrice ce qui permet d'améliorer les conditions de polarisation générale de la matrice en favorisant l'application de la tension Vsug à l'intérieur de la matrice. Cette architecture particulière de la matrice permet de manière simple et efficace de retirer un photodétecteur 1 défectueux de la matrice durant toute la durée de vie. Le pixel défectueux est soumis à un jeu de potentiels qui réduit son effet électrique vis-à-vis des autres photodétecteurs. Ainsi, de manière simple, avec l'addition de deux interrupteurs et d'une ligne de polarisation additionnelle, il est possible d'avoir le traitement de l'information émise par le photodétecteur et l'élimination de ce photodétecteur lorsque ses performances ne sont pas conformes. L'élimination est réalisée en minimisant l'impact sur le reste de la matrice. Par exemple, durant l'utilisation de la matrice de photodétecteurs, les différents photodétecteurs sont vérifiés afin de connaître leurs caractéristiques de fonctionnement et/ou de connaître l'évolution de ces caractéristiques dans le temps. Lorsque les caractéristiques d'un photodétecteur dépassent un certain seuil, ce dernier est considéré comme défaillant et il peut être polarisé au moyen du générateur additionnel ce qui est assimilable à un trou dans la matrice de détection. On constate que la résistance série du photodétecteur induite par le substrat peut entraîner une modification de la polarisation aux bornes des photodétecteurs. En effet, selon l'intensité du courant généré par la source de courant, le potentiel aux bornes du photodétecteur peut évoluer. De plus, l'organisation en matrice des différents photodétecteurs fait que ces évolutions de potentiels peuvent se cumuler et se traduire par la dépolarisation d'un ou plusieurs photodétecteurs situés dans la partie centrale de la matrice et/ou soumis à un flux lumineux important. En d'autres termes, en fonctionnement, le substrat n'est pas toujours en mesure d'assurer le transport des porteurs de charges émis par les différents photodétecteurs 1 jusqu'à la ligne de polarisation 2 ce qui se traduit par une évolution des conditions de polarisation de certains photodétecteurs 1 à partir de l'électrode couplée au substrat. Comme la composante essentielle de la dépolarisation est résistive, ce risque de dépolarisation est d'autant plus marqué que le courant généré par le photodétecteur est important. On remarque également que ce phénomène est d'autant plus important que la matrice de photodétecteurs est importante et que la valeur de résistance est élevée. Dans une variante de réalisation illustrée à la figure 2 pouvant être combinée avec les modes de réalisation précédents, le dispositif comporte également un ou plusieurs contacts 10 ponctuels électriquement conducteurs qui sont connectés, d'une part, au substrat et d'autre part, au générateur 9 de tension additionnelle VPOL, ici le générateur 3 de tension de polarisation Vsug. Les contacts 10 électriquement conducteurs sont formés dans la matrice de photodétecteurs 1 à la place d'un photodétecteur 1. Le contact 10 est relié, par l'intermédiaire du second interrupteur 8, à un circuit d'application de la tension de polarisation VPOL sur le substrat. La tension additionnelle VPOL (ici VSUB) est appliquée au substrat 6 en mettant le second interrupteur 8 à l'état passant et le premier interrupteur 7 à l'état bloqué. Dans le cas particulier illustré aux figures 3 et 4, le contact 10 relie le générateur 9 de tension additionnelle VPOL avec une zone en premier type de conductivité du substrat 6. Le contact 10 comporte un plot 11 électriquement conducteur qui a une interface avec une zone en premier type de conductivité du substrat 6 de manière à appliquer directement la tension additionnelle Vpol dans la matrice de photodétecteurs 1. Lorsque le générateur 9 est formé par le générateur 3, les contacts 10 agissent comme des contacts directs entre le substrat 6 qui est une zone du premier type de conductivité, et le générateur 3 de tension de polarisation VSUB. De cette manière, les contacts 10 sont le relais de la ligne 2 de polarisation à l'intérieur de la matrice de photodétecteurs 1. Les contacts 10 permettent de réduire la distance que doit parcourir une charge émise par les photodétecteurs 1 pour atteindre la tension de polarisation VSuB et être éliminée du substrat 6. Comme cela est illustré à la figure 3 en coupe, le contact 10 peut être sensiblement identique à un photodétecteur 1. Le contact 10 et le photodétecteur 1 comportent chacun un plot 11 électriquement conducteur. Dans le cas où le photodétecteur 1 est une diode PN ou NP, ce plot 11 est déposé sur le substrat 6 comme pour le contact 10. La différence peut exister dans le dopage du substrat immédiatement adjacent. Pour le photodétecteur 1, une extrémité du plot 11 est reliée au circuit de lecture 4. L'autre extrémité du plot 11 est déposée sur une zone du second type de conductivité du substrat 6 ce qui permet de polariser le photodétecteur 1, ici la diode. Pour le contact 10, une extrémité du plot 11 est reliée au générateur 9 de tension additionnelle. L'autre extrémité du plot 11 est déposée sur la zone 12 du premier type de conductivité du substrat 6 ce qui permet d'appliquer directement la tension additionnelle Vpol sur le substrat 6 et non sur une diode. Comme les architectures du contact 10 et du photodétecteur 1 sont similaires, des étapes communes de réalisation peuvent être utilisées afin de faciliter la mise en oeuvre et conserver une densité d'intégration importante. Les plots 11 sont formés sans tenir compte de la nature locale du substrat 6, c'est-à-dire sans savoir si le substrat forme un contact 10 ou un photodétecteur 1. Le pas de répétition des plots est constant. Dans un mode de mise en oeuvre particulier où les photodétecteurs sont des diodes, il est possible de réaliser le contact 10 en protégeant cette partie du substrat lors de la formation de la zone en second type de conductivité. De cette manière, le substrat comporte plusieurs zones 12 du second type de conductivité qui vont servir à la formation des photodétecteurs 1 et une zone dépourvue de ce dopage qui va servir à la formation du contact 10. Cette étape technologique permet de former une matrice de zones 12 du second type de conductivité organisées selon un premier axe d'alignement X et une zone du premier type de conductivité. La zone du premier type de conductivité est alignée avec les zones 7 du second type de conductivité, tout comme les plots 11. La distance qui sépare la zone du premier type de conductivité des deux zones du second type de conductivité plus proches voisines est égale au pas de répétition qui existe entre deux zones du second type de conductivité consécutives et entre les plots 11. Le pas de répétition est celui des photodétecteurs 1 dans la matrice.30 Ensuite, une étape commune de formation des plots 11 est réalisée. Il n'est pas nécessaire de tenir compte du fait que le plot 11 peut être formé pour un contact 10 ou pour un photodétecteur 1. A titre d'exemple, les plots 11 ont des dimensions latérales (longueur et largeur) identiques et ils peuvent être formés par le même matériau. Le plot 11 en matériau électriquement conducteur est formé sur les zones du second type de conductivité et la zone du premier type de conductivité. Comme le contact 10 électriquement conducteur est formé à la place d'un photodétecteur 1, le contact 10 est aligné suivant le premier axe d'organisation X avec les autres photodétecteurs 1 de la même colonne ou de la même rangée. Un contact 10 a deux photodétecteurs 1 comme plus proches voisins, sur le premier axe d'organisation X. La distance qui sépare le contact 10 de ces deux photodétecteurs 1 plus proches voisins est égale à la distance qui sépare deux photodétecteurs 1 adjacents selon le premier axe d'organisation X. Il y a un pas de répétition P qui est constant le long du premier axe d'organisation, ce pas de répétition P sépare deux éléments consécutifs, soit deux photodétecteurs 1, soit un photodétecteur 1 et un contact 10 électriquement conducteur. Dans un mode de réalisation particulier, deux contacts 10 sont adjacents et consécutifs dans une des directions d'organisation. Ce mode de réalisation est moins intéressant que deux contacts 10 séparés par quelques photodétecteurs. Le contact 10 est parfaitement intégré dans la matrice de photodétecteurs, son encombrement est identique à celui d'un photodétecteur. De manière préférentielle, si plusieurs contacts 10 sont formés dans la matrice de photodétecteurs 1, les contacts 10 sont répartis à intervalle régulier selon le premier axe d'organisation X. La distance séparant deux contacts 10 est un multiple entier du pas de répétition P de la matrice selon le premier axe X ce qui peut définir un premier pas de répétition spécifique aux contacts 10. La distance de répétition est choisie de manière à éviter que les conditions de polarisation des photodétecteurs 1 soient modifiées au-delà d'une valeur seuil. La distance de répétition des contacts 10 peut donc être définie dès la phase de dimensionnement du dispositif en fonction des conditions de polarisation appliquées, des conditions d'illumination maximales applicables et des propriétés électriques du substrat 6. Comme le contact 10 électriquement conducteur est formé à la place d'un photodétecteur 1, il n'y a pas intégration d'un élément supplémentaire dans la matrice. Cette solution peut donc être intégrée dans les matrices où le pas de répétition est petit, par exemple pour un pas de répétition P inférieur à 3011m de manière encore plus avantageuse pour un pas de répétition P inférieur ou égale à 15!,trn. L'utilisation d'un contact 10 ou de plusieurs contacts 10 électriquement conducteurs dans la matrice de photodétecteurs 1 permet de rendre le dispositif plus robuste vis-à-vis des risques de dépolarisation, par exemple quand le dispositif est soumis à un flux lumineux important. Comme un photodétecteur 1 est remplacé par un contact 10 électriquement conducteur, il existe une zone de détection ne délivrant pas d'information sur la scène observée. Cette zone dépourvue d'information correspond à un pixel isolé. Grâce à des moyens de traitement, il est possible de compenser cette absence d'information en utilisant les informations données par ses voisins immédiats. Ce type de correction n'est pas possible ou facilement réalisable quand une sous-ligne de polarisation est utilisée et sacrifie une colonne ou une rangée entière de photodétecteurs 1. Ainsi, dans un mode de réalisation avantageux, le dispositif comporte des moyens de génération d'un signal d'illumination à partir des photodétecteurs 1 adjacents au contact 10. Selon les modes de réalisation, entre quatre et huit photodétecteurs adjacents peuvent être utilisés pour générer un signal provenant artificiellement du contact 10. De cette manière, le dispositif transmet un signal (par exemple une image) représentatif de la scène observée en éliminant les zones d'ombre créées par le ou les contacts 10. Dans la matrice de détection, le trou peut être assimilé à un photodétecteur 1 défectueux dont on connaît à l'avance la position ce qui facilite la gestion des corrections à apporter pour avoir une information associée à chaque coordonnée de la matrice que cette zone soit occupée par un photodétecteur 1 ou par un contact 10. Les photodétecteurs 1 et/ou les contacts 10 sont connectés à une première ligne conductrice qui récupère l'information fournie par la matrice. La première ligne en matériau métallique relie le photodétecteur 1 au circuit de lecture 4. Le circuit de lecture 4 stocke l'information délivrée par le photodétecteur et il peut également intervenir dans la polarisation du photodétecteur 1. Chaque photodétecteur 1 fournit un signal électrique (une tension ou un courant) qui est représentatif de la scène observée. Ce signal est acheminé par une ligne électrique jusqu'à des moyens de traitement de l'information via le circuit de lecture 4. Différents types de circuit de lecture sont possibles, par exemple des circuits à injection directe (Dl), à injection directe contre-réactionnée (BDI) ou à amplificateur transimpédance capacitif (CTIA). Les photodétecteurs et/ou les contacts 10 sont également reliés à une seconde ligne conductrice qui impose un potentiel particulier sans avoir le traitement de l'information transmise par le photodétecteur. Dans cette architecture, les photodétecteurs et les contacts 10 sont associés à une ligne de polarisation supplémentaire ce qui permet de polariser les éléments de la matrice avec un premier potentiel ou avec un second potentiel. Un photodétecteur 1 fonctionnel est normalement polarisé avec un premier potentiel (par exemple le potentiel de référence imposé par le circuit de lecture) et il est relié au circuit de lecture 4 afin de pouvoir traiter l'information fournie. Un photodétecteur défectueux 1 est normalement polarisé avec un second potentiel afin de réduire son influence sur les pixels adjacents. Comme le pixel est défaillant, il n'est plus nécessaire de réaliser le traitement des données émises. Un contact 10 est normalement polarisé avec le second potentiel afin de favoriser l'élimination des charges émises par les photodétecteurs directement à l'intérieur de la matrice. Comme le contact 10 n'émet pas de signal en fonction de l'éclairement reçu, il ne devrait pas être relié au circuit de lecture 4. Dans un mode de réalisation particulier, un ou plusieurs photodétecteurs de la matrice sont associés à un circuit de lecture 4 et au générateur 9 de tension additionnelle. De manière préférentielle, les photodétecteurs 1 choisis sont ceux qui ont la plus grande probabilité de défaillance. Dans un mode de réalisation préférentiel, chaque photodétecteur est associé à un circuit de lecture 4 et au générateur 9 de tension additionnelle. Cette particularité permet de réaliser des corrections dans toute la matrice. Chaque photodétecteur possède une seconde électrode qui est reliée à une entrée d'un circuit de lecture 4. Dans un mode de réalisation préférentiel qui peut être combiné avec les modes précédents, la seconde électrode de chaque photodétecteur 1 est reliée au générateur 3 de tension de polarisation VSUB par un second interrupteur 8. Le photodétecteur 1 est relié au circuit de lecture 4 par un premier interrupteur 7 qui est dans un état opposé à celui de l'interrupteur 8. L'intégration est semblable sur l'ensemble de la matrice des circuits de lecture 4 ce qui facilite le procédé d'intégration. Le circuit est le même pour tous les photodétecteurs. Il en va de même lorsque des contacts 10 sont intégrés dans la matrice ce qui permet d'avoir un seul et même circuit de lecture 4 et de traitement qui peut être associé à différentes matrices de photodétecteurs/contacts. Tout comme le photodétecteur, le contact 10 est relié à un circuit de lecture 4 par un premier interrupteur 7 et au générateur 9 de tension additionnelle par un second interrupteur 8. Les premier et second interrupteurs sont dans des états opposés. L'utilisation d'un contact 10 électriquement conducteur relié au générateur 3 de tension de polarisation est particulièrement intéressante lorsque le substrat 6 présente une résistivité importante comparée aux conditions d'illumination acceptées par les photodétecteurs 1. A titre d'exemple, il est avantageux d'utiliser un ou plusieurs contacts 10 électriquement conducteurs quand le substrat est dopé de type P car la conduction des porteurs de charge est moins bonne que pour les substrats dopés de type N. Cette architecture permet de former dans la matrice ou à côté de la matrice des photodiodes à avalanches ce qui n'est pas possible en inversant les types de dopage. Ces modes de réalisation sont particulièrement intéressants dans le cas où le substrat 6 est un matériau à base de CdHgTe dont les caractéristiques électriques peuvent être insuffisantes pour intégrer des matrices de taille importante. L'utilisation d'un contact 10 électriquement conducteur relié au générateur 3 de tension de polarisation est particulièrement intéressant lorsque la taille de la matrice de photodétecteurs est importante. L'utilisation d'un contact 10 électriquement conducteur relié au générateur de tension de polarisation est particulièrement intéressante lorsque les photodétecteurs 1 sont associés aux domaines des grandes longueurs d'onde du spectre infra-rouge (8-15 !lm) ce qui se traduit par la gestion d'une quantité importante de porteurs de charge dans le substrat. En comparaison d'un anneau de polarisation classique qui découperait la matrice en une pluralité de sous-matrices, le contact électriquement conducteur évite de perdre une colonne et ou une ligne entière de photodétecteurs. Dans ce cas, la matrice obtenue est plus compacte c'est-à- dire qu'elle comporte un plus grand nombre de photodétecteurs par unité de surface. La matrice de photodétecteurs 1 peut comporter plusieurs lignes de photodétecteurs et/ou plusieurs colonnes de photodétecteurs. Les contacts 10 électriquement conducteurs peuvent être formés sur une pluralité de rangées ou de colonnes différentes. Ainsi, une même rangée ou une même colonne de photodétecteurs peut comporter plusieurs contacts 10 électriquement conducteurs. Dans un autre mode de réalisation, une même rangée ou une même colonne ne comporte pas plus d'un contact 10 afin de réduire l'impact du contact sur les informations fournies par la ligne et/ou la colonne et donc pour réduire l'impact sur le traitement de l'information. Dans un mode de réalisation particulier, la matrice de photodétecteurs 1 peut comporter des organisations différentes de photodétecteurs 1, par exemple il existe un décalage des photodétecteurs présents sur deux lignes ou deux colonnes successives afin de gagner en compacité. Les première et seconde directions d'organisation ne sont pas obligatoirement perpendiculaires. Cette architecture est particulièrement intéressante dans le cas d'une matrice bispectrale où deux types de photodétecteurs sont intégrés. Chaque type de photodétecteur réagit avec une longueur d'onde particulière. Pour ce type de dispositif, le substrat comporte plusieurs couches qui réagissent à des longueurs d'ondes différentes, ce qui rend difficilement utilisable la couche très dopée divulguée dans le document W010815016A1. Les deux types de photodiodes peuvent avoir des tailles différentes et/ou des influences différentes sur les propriétés électriques du substrat. Dans le cas où les photodétecteurs sont des diodes de type PN ou NP, il y a deux zones avec des types opposés de conductivité qui ont une interface commune. De manière avantageuse, le substrat 6 est du premier type de conductivité et des zones 12 d'un second type de conductivité sont formées à l'intérieur du substrat. Afin d'avoir une pluralité de diodes indépendantes, les zones 12 en second type de conductivité sont espacées les unes des autres. Cependant, chaque diode présente une surface de collection des porteurs générés qui est supérieure à la surface occupée par la zone 12 du second type de conductivité. En d'autres termes, les porteurs générés hors de la diode peuvent être attirés et collectés par la diode. En d'autres termes, en vue de dessus, la surface de collection en porteurs déborde de la surface en second type de conductivité. Dans un mode de réalisation particulier, afin d'avoir une collection maximale de l'énergie lumineuse émise par la scène observée, il y a un chevauchement des zones de collection entre deux photodétecteurs 1 adjacents. Dans cette zone de chevauchement commune à deux photodétecteurs les porteurs de charge générés ont la possibilité d'être captés par l'un ou l'autre des photodétecteurs 1. De manière avantageuse, les photodétecteurs 1 ont des architectures identiques et des conditions de polarisations identiques afin de faciliter le traitement de l'information émis par chaque photodétecteur 1 en comparaison des autres photodétecteurs 1 de la matrice. Dans ce cas de figure, les photodétecteurs 1 sont considérés comme identiques tant dans leur architecture que dans leur fonctionnement. Les photodétecteurs 1 ont la même surface de collection effective. Dans le cas où le contact 10 comporte un plot 11 déposé sur une zone du premier type de conductivité et dépourvue d'une zone du second type de conductivité, il n'y a pas formation d'une diode, ni d'une zone de collection. Les photodétecteurs 1 adjacents à un contact 10 n'ont pas de zone de chevauchement avec le contact 10 et ils possèdent alors une surface de collection effective qui est supérieure aux autres photodétecteurs 1. Il existe un décalage dans le fonctionnement de ces photodétecteurs 1 lié à la zone de collection des porteurs de charge qui est supérieure à celles des autres photodétecteurs de la matrice. Cette singularité de fonctionnement rend plus difficile le traitement de l'information en créant artificiellement des zones plus lumineuses que dans la réalité. Cet effet est d'autant plus marqué que la zone de chevauchement est importante dans la surface de collection des porteurs de charge. Afin de rendre les photodétecteurs plus homogènes avec le reste de la population de la matrice, le contact 10 électriquement conducteur comporte avantageusement une zone 13 dopée du second type de conductivité de forme annulaire avec, en son centre, le substrat et/ou une zone 14 dopée du premier type de conductivité qui est en continuité électrique avec le substrat. De cette manière, le contact 10 électriquement conducteur comporte une zone centrale du premier type de conductivité et une zone périphérique du second type de conductivité. La zone 13 du second type de conductivité n'entoure pas complètement la zone du premier type de conductivité afin que la tension de polarisation VSug puisse être appliquée directement au substrat et non par l'intermédiaire d'une diode. Cette zone 13 dopée du second type de conductivité vient simuler le fonctionnement d'une photodiode avec une surface de collection et créer une zone de chevauchement entre le contact 10 et chacun des photodétecteurs 1 adjacents. Cette zone de chevauchement réduit la surface de collection effective des photodétecteurs 1. Le plot 11 est en contact électrique avec la zone 14 du premier type de conductivité et avec la zone 13 du second type de conductivité. La zone 14 peut être une partie du substrat ou une partie de la zone 13 qui a été dopée d'un type opposé par la suite afin de changer de conductivité. Dans un mode de réalisation préférentiel, la distance séparant le bord extérieur de la zone 13 dopée du second type de conductivité de forme annulaire et la zone 12 dopée du second type de conductivité du photodétecteur 1 est identique à la distance qui sépare deux zones 12 dopées du second type de conductivité de deux photodétecteurs adjacents selon le premier axe d'organisation. La zone centrale et la zone périphérique du contact 10 ont des types de conductivité opposés et ces deux zones sont court-circuitées au moyen d'un matériau électriquement conducteur, par exemple un métal, de manière préférentielle par le plot 11 relié au générateur de tension additionnelle.30 Cette architecture permet d'éviter la formation d'une diode entre la zone centrale et la zone périphérique du contact 10 ce qui est préjudiciable au bon fonctionnement du contact 10. Cela permet également d'utiliser la zone 13 périphérique pour réduire la surface de collection des photodétecteurs 1 adjacents tout en réalisant la polarisation du substrat 10 à la tension additionnelle préférentiellement la tension de polarisation Vsug au moyen de la partie centrale du plot 10. Dans un mode de réalisation particulier, la partie centrale du contact 10, c'est-à-dire la zone 14, dans le substrat présente une concentration en dopant supérieure à celle du reste du substrat 6. Cette architecture particulière peut être réalisée simplement en formant la matrice de diodes PN ou NP dans le substrat. Les zones 12 des photodiodes et la zone 13 sont formées durant la même étape technologique, bien qu'il soit également envisageable de les former séparément. Ensuite, une zone 14 dopée du premier type de conductivité est formée dans la zone 13 du second type de conductivité de manière à réaliser une connexion directe entre le substrat 6 en premier type de conductivité et le plot 11 du contact 10. Il est également possible de changer l'ordre de formation des zones, par exemple en formant la zone 14 en premier puis en formant les zones 12 et 13. Ensuite, les plots 11 sont formés de manière conventionnelle comme le reste du procédé de mise en oeuvre du dispositif. Les plots sont par exemple des billes métalliques qui servent à l'interconnexion avec un second substrat qui comporte le module de lecture. Cette étape supplémentaire permet de manière simple et économique de transformer un photodétecteur de type diode PN ou NP en un contact de polarisation intégré directement à l'intérieur de la matrice. De manière générale, le contact 10 comporte une zone 14 du premier type de conductivité et une zone 13 du second type de conductivité. Ces deux zones sont adjacentes et court-circuitées afin d'être polarisées au même potentiel, ici le potentiel de polarisation Vsug. La première zone 14 du premier type de conductivité est en continuité de dopage avec le reste du substrat 6. De cette manière, la première zone 14 ne peut pas être formée et complètement délimitée dans un caisson du second de conductivité. Le type de conductivité est constant depuis la première zone 14 jusqu'au substrat. La seconde zone 12 peut entourer partiellement ou complètement la première zone 14 d'un point de vue latérale afin d'avoir un effet, sur une ou plusieurs surfaces de collection des zones adjacentes. Plusieurs zones 13, ici des zones 13a et 13b, distinctes les unes des autres peuvent être formées en face d'un ou plusieurs photodétecteurs pour modifier la zone de chevauchement. Le détecteur comporte des moyens d'application de la tension de polarisation directement sur une zone du premier type de conductivité qui est en continuité de dopage avec le substrat et sur une zone du second type de conductivité. Ceci permet de former une diode dont l'influence latérale va réduire la surface de collection d'au moins un photodétecteur adjacent. REVENDICATIONS1. Dispositif de détection comportant : un substrat (6) semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une matrice de photodétecteurs (1) organisés selon un premier axe d'organisation (X), chaque photodétecteur (1) étant au moins partiellement réalisé dans le substrat (6) formant une première borne des photodétecteurs (1), un anneau (2) périphérique de polarisation formé autour de la matrice de photodétecteurs (1), l'anneau (2) de polarisation étant connecté à un générateur (3) de tension de polarisation (VsuB) et au substrat (6), une pluralité de circuits de lecture (4), les circuits de lecture (4) étant reliés à une seconde borne des photodétecteurs (1), dispositif caractérisé en ce qu'il comporte : un premier interrupteur (7) connecté entre un des circuits de lecture (4) et la seconde borne du photodétecteur (1) associé et, un second interrupteur (8) connecté entre un générateur (9) de tension additionnelle (VpoL) et la seconde borne dudit photodétecteur (1) associé, les premier et second interrupteurs (7, 8) étant dans des états opposés. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le générateur (9) de tension additionnelle (VpoL) est le générateur (3) de tension de polarisation (Vsue 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel chaque photodétecteur (1) possède une seconde borne reliée à une entrée d'un circuit de lecture (4). 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel la seconde borne de chaque photodétecteur (1) est reliée au générateur (9) de tension additionnelle (VpOL) par un second interrupteur (8), le photodétecteur (1) étant relié au circuit de lecture (4) par un premier interrupteur étant dans un état opposé. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel un contact (10) électriquement conducteur est connecté au substrat (6) par une première électrode et est disposé entre deux photodétecteurs (1) dans le premier axe d'organisation (X), la distance séparant le contact (10) de chacun des deux photodétecteurs (1) étant égale à la distance séparant deux photodétecteurs (1) adjacents selon le premier axe d'organisation (X), le contact (10) étant relié à un circuit de lecture (4) par un premier interrupteur (7) et au générateur (9) de tension additionnelle (VsuB) par un second interrupteur (8), les premier et second interrupteurs étant dans des états opposés. 6. Dispositif selon la revendication 5 caractérisé en ce le second interrupteur (8) est dans un état passant. 7. Dispositif selon l'une des revendications 5 et 6 caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de contacts (10) électriquement conducteurs connectés au substrat (6) sur le premier axe d'organisation (X), les contacts (10) étant agencés entre les photodétecteurs (1) à intervalle régulier, selon un premier pas de répétition qui est un multiple du pas de répétition (P) des photodétecteurs (1). 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 7 caractérisé en ce que les photodétecteurs (1) sont formés par une première zone dopée (12) d'un second type de conductivité dans le substrat (6) de manière àformer une jonction de type P/N ou N/P et en ce que le contact (10) électriquement conducteur est dépourvu de première zone dopée. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 7 caractérisé en ce que les photodétecteurs (1) sont formés par une première zone dopée (12) d'un second type de conductivité dans le substrat (6) de manière à former une jonction de type P/N ou N/P et en ce que le contact (10) électriquement conducteur comporte une zone (14) dopée du premier type de conductivité mise court-circuit avec une zone (13) dopée du second type de conductivité.