FR 2985086 A1 20130628 FR 1162470 A 20111227 B11-3787FR 1 Procédé et système d'élaboration d'un masque de photolithographie et d'une source lumineuse L'invention concerne les circuits intégrés, et notamment la photolithographie et en particulier l'élaboration de motifs cibles destinés à être utilisés pour l'élaboration de masques de photolithographie et de sources lumineuses utilisés en microélectronique. Lors de la mise en oeuvre d'une étape de photolithographie permettant de réaliser un circuit intégré, on utilise une source lumineuse pour illuminer un masque de photolithographie et ainsi projeter une image dans une couche de résine disposée sur un support souvent semi-conducteur. Un motif est alors formé dans la couche de résine et l'on peut mettre en oeuvre des étapes d'implantation d'atomes dopants ou de gravure en utilisant la résine comme un masque. Généralement, le motif formé dans la résine a une géométrie différente de celle du motif présent sur le masque. En effet, différents effets optiques peuvent modifier les géométries des motifs formés dans une couche de résine. Ces effets, couramment appelées effets de proximités, apparaissent lors de la mise en oeuvre d'étapes de photolithographie destinées à former des motifs petits ou rapprochés. Il a été proposé de modifier préalablement les masques de photolithographie pour prendre en compte les effets de proximités, en mettant en oeuvre des procédés dits de correction optique de proximité (« OPC ; Optical Proximity Correction » en langue anglaise). Dans un procédé dit OPC, on élabore un masque de photolithographie permettant d'obtenir un motif cible désiré dans une couche de résine, et ce malgré les effets de proximité. Ce motif cible est un motif qui est de manière classique, élaboré à partir du dessin du circuit, ou « layout » en langue anglaise. Même si le motif cible est généralement proche de ce dessin, il peut être différent afin de faciliter la réalisation du motif en résine ou également des étapes ultérieures de gravure ou d'implantation d'atomes dopants. Différentes règles sont utilisées pour élaborer le motif cible, à titre d'exemple, ces règles peuvent comprendre des règles de modification géométrique, il est par exemple plus facile de réaliser une ligne plus large. Un autre exemple de règle est celui d'une gravure trop importante : si l'étape de photolithographie est suivie d'une étape de gravure qui grave systématiquement une quantité trop importante de matériau, on peut prendre en compte cette gravure trop importante en augmentant la taille des motifs de résine. On notera que la cible élaborée peut être vérifiée afin de s'assurer que la fonction du motif de résine sera assurée. Il convient par exemple de vérifier qu'aucun contact par exemple électrique non désiré ne risque d'être formé, et que les contacts par exemple électriques désirés sont effectivement prévus par le motif cible. Une fois le motif cible élaboré grâce à un ensemble de règles, on peut élaborer un masque de simulation en mettant en oeuvre des étapes de simulation de photolithographie afin d'obtenir un motif de résine simulé à comparer au motif cible, puis modifier le masque de simulation et répéter les étapes de simulation, comparaison et de modification. Après un nombre défini d'itérations, par exemple 10, on obtient un masque de photolithographie permettant d'obtenir un motif de résine proche du motif cible. A titre d'exemple, on peut utiliser pour mettre en oeuvre un procédé dit OPC le logiciel « nmOPC » de la société américaine « Mentor Graphics ». Afin d'améliorer les étapes de photolithographie, il a également été proposé d'utiliser des sources lumineuses ayant une géométrie complexe, comprenant par exemple plusieurs points lumineux. Il convient alors de déterminer la source lumineuse à utiliser qui permet d'obtenir un motif de résine proche du motif cible. A cet effet, on peut utiliser des procédé bien connus de l'homme du métier sous l'acronyme anglo-saxon « SMO : Source Mask Optimization ». Différents logiciels informatiques permettent d'obtenir une source lumineuse correspondant à un motif cible, on peut par exemple citer le logiciel vendu sous le nom commercial « Tachyon » par la société américaine « Brion Technology ». Les procédés dits OPC ou SMO, qui permettent d'améliorer la qualité de la mise en oeuvre d'une étape de photolithographie, ne permettent pas de pallier les inconvénients dus aux variations non prévues de paramètres d'une étape de photolithographie. Parmi ces paramètres, on peut citer la puissance lumineuse reçue par la résine, ou dose, qui peut varier légèrement, et également la mise au point optique. Lors de la mise en oeuvre d'une étape de photolithographie, en outre de la source lumineuse, du masque, et de la couche de résine, un système optique destiné à former une image dans un plan focal situé au niveau de la résine est utilisé. Si la plaque est décalée selon l'axe optique de ce système, par exemple de quelques dizaines de nanomètres, la résine se trouve dans un plan situé hors du plan focal du système optique. Ces variations de mise au point optique peuvent modifier le contraste lumineux reçu par la résine et donc sa polymérisation, et par conséquent la géométrie des motifs de résine obtenus. De même, l'intensité lumineuse délivrée par la source peut être amenée à varier du fait de paramètres extérieurs mal contrôlés. On parle donc généralement de fenêtre de procédé dose/mise au point, ou, en langue anglaise et selon une expression bien connue de l'homme du métier de « dose/focus process window ». Selon un mode de mise en oeuvre et de réalisation, il est proposé d'améliorer la robustesse des procédés de photolithographie vis-à-vis des variations de paramètres d'une étape de photolithographie. Selon un aspect, il est proposé un procédé d'élaboration d'un masque de photolithographie et d'une source lumineuse, comprenant une élaboration d'un masque initial de photolithographie et d'une source lumineuse initiale à partir d'un motif cible initial formé à partir d'un groupe initial de points correspondant à un motif cible désiré dans une couche de résine, ledit procédé comprenant : a) une élaboration d'un nouveau motif cible comprenant : - deux simulations de photolithographies utilisant le masque initial et la source lumineuse initiale et respectivement deux mises au point optiques différentes, chaque simulation fournissant un ensemble de valeurs d'intensité lumineuse simulées associées à un ensemble de points sur la couche de résine, et - une détermination parmi les différents ensembles de points d'un groupe de points comprenant des points de la couche de résine pour lesquels la valeur de l'intensité lumineuse simulée est la même pour les deux simulations et/ou des points formant des maxima locaux de variation de valeurs simulées d'intensité lumineuse obtenues par l'une des deux simulations, le groupe de points formant alors les contours dudit nouveau motif cible, chaque point du groupe de points correspondant à un point du groupe initial de points, b) une élaboration d'un nouveau masque de photolithographie et/ou d'une nouvelle source lumineuse à partir du nouveau motif cible. Le motif cible initial est ici formé par un groupe de point initial, et selon un mode de mise en oeuvre on fait passer des segments par ces points pour former le motif cible initial. Les points déterminés à l'étape a) vont alors permettre de modifier le motif cible initial en déplaçant les segments du motif cible initial qui passeront par les points déterminés, de manière à élaborer le nouveau motif cible. Les points pour lesquels on obtient une même valeur d'intensité lumineuse pour les deux mises au point optiques différentes sont les points qui sont insensibles aux variations non-voulues de mise au point optique. En utilisant une cible qui va passer par ces points, on obtient une cible qui permettra d'élaborer un nouveau masque et une nouvelle source qui seront moins sensible aux variations de mise au point. Dans le cas où l'on ne trouve pas de points pour lesquels il y égalité d'intensité lumineuse, on détermine les points obtenus par une des deux simulations pour lesquels la variation d'intensité est maximale. En ces points, une variation non voulue d'intensité lumineuse due à la source ne décalera que peu le contour de résine obtenue après une étape de photolithographie au moyen d'un masque et d'une source élaborés en utilisant le motif cible dont le contour passe par ces points. Ce faible décalage est du à la pente de la courbe de l'intensité lumineuse qui se décalera verticalement si l'intensité varie. On obtient donc, en utilisant ces points, un contour de motif cible qui permettra d'élaborer un masque et une source lumineuse qui seront moins sensible aux variations de paramètres, par exemple la mise au point ou l'intensité lumineuse. En d'autres termes, la fenêtre de procédé est plus grande. On notera que le masque initial, le nouveau masque, la source lumineuse initiale et la nouvelle source lumineuse peuvent chacun être obtenus au moyen de procédés dits OPC ou SMO qui utilisent le motif cible initial ou le motif cible obtenu à l'étape a). Tout procédé d'élaboration de masques de photolithographie et tout procédé d'élaboration de sources lumineuses peuvent être utilisés. Bien entendu, il est possible de n'utiliser la cible obtenue que pour l'élaboration d'un nouveau masque, ou d'une nouvelle source lumineuse. Même en utilisant un nouveau masque et une source initiale, on obtient une amélioration de la résistance aux variations de paramètres de l'étape de photolithographie. Tel est également le cas pour une utilisation d'une nouvelle source lumineuse et d'un masque initial. Bien entendu, on obtient davantage de robustesse en élaborant le nouveau masque et la nouvelle source lumineuse à partir de la cible. Le motif cible initial étant formé à partir d'un groupe initial de points, on peut faire correspondre à chaque point du groupe initial un point du groupe de points permettant de former les contours du nouveau motif cible. Ainsi, on ne recherche que dans une fenêtre d'étude correspondant à une portion de surface de résine située au voisinage d'un point du groupe initial, soit un point pour lequel il y a égalité d'intensité lumineuse, soit un point pour lequel il y a une variation d'intensité lumineuse maximale. La taille de cette fenêtre d'étude peut être choisie de manière à n'inclure qu'un point du groupe initial et aucun point voisin. Selon un mode de mise en oeuvre, on peut chercher les points pour lesquels la variation d'intensité lumineuse est maximale sur un axe perpendiculaire au motif cible initial, passant par un point du groupe initial. On calcule ainsi la dérivée de l'intensité lumineuse sur cet axe. Bien entendu, si dans une telle fenêtre d'étude on trouve plusieurs points par exemple correspondant à une égalité d'intensité lumineuse, on peut choisir le point le plus proche du point du groupe initial. Il en va de même en l'absence de points pour lesquels il y a égalité d'intensité lumineuse, on choisi alors le point le plus proche pour lequel il y a une variation maximale d'intensité lumineuse sur l'axe tel que défini ci-avant. Le procédé peut comprendre en outre au moins une répétition des étapes a) et b) en utilisant comme masque initial le nouveau masque de photolithographie et/ou la nouvelle source lumineuse. Plus précisément, on mettra en oeuvre les deux simulations de photolithographie en utilisant le nouveau masque de photolithographie et/ou la nouvelle source lumineuse pour élaborer une autre cible et enfin élaborer un autre masque de photolithographie et une autre source lumineuse. A chaque répétition, on obtient un masque et/ou une source lumineuse davantage robuste vis-à-vis des variations des paramètres d'une étape de photolithographie. On pourra mettre en oeuvre cette répétition par exemple 10 fois. Les points formant des maxima locaux de variation de valeurs simulées d'intensité lumineuse peuvent être obtenus par une des deux simulations dont la mise au point est correcte. Par correcte, on entend une simulation dans laquelle on simule la projection d'une image dans le plan de la résine, la plaque et la résine n'étant pas décalés. Les deux mises au point étant différentes, la mise au point de l'autre simulation n'est donc pas correcte, et peu correspondre à un décalage de l'ordre de plusieurs dizaines de nanomètres, par exemple 50. La détermination du groupe de points peut comprendre une détermination de minima locaux de la valeur absolue de la différence de valeur d'intensité entre les deux simulations, ladite différence étant divisée par la norme de la valeur de la dérivée de l'intensité lumineuse selon un axe perpendiculaire au motif cible initial passant par un point du motif cible initial obtenue par une des deux simulations pour laquelle la mise au point est correcte. Ce calcul permet de déterminer à la fois les points pour lesquels l'intensité est égale pour les deux simulations et également les points correspondant à la variation d'intensité lumineuse la plus élevée. On notera que par minima locaux, on entend les points situés sur un axe perpendiculaire au motif cible initial, passant par un point du motif cible initial, et situé au voisinage de ce point. Le procédé peut comprendre, en outre, une vérification du motif cible élaboré à l'étape a). Cette vérification permet de s'assurer que le groupe de points formant un contour de motif cible respecte bien la fonction du motif à former dans la résine, par exemple, le nouveau motif cible ne doit pas créer de contacts non désirés ou en retirer. On notera que la modification du motif cible n'est pas réalisée en fonction d'un ensemble de règles mais en fonction de simulations optiques (on simule le masque et la source lumineuse). Il est donc également nécessaire de vérifier le nouveau motif cible obtenu. Selon un autre aspect, il est proposé un système informatique, par exemple un ordinateur portable ou non ou bien un processeur et ses mémoires associées, comprenant des moyens configurés pour mettre en oeuvre le procédé tel que défini ci-avant. Selon un autre aspect, il est proposé un produit programme d'ordinateur chargeable directement dans une mémoire d'un système informatique, comprenant des portions de code logiciel pour l'exécution du procédé tel que défini ci-avant lorsque ledit programme est exécuté sur ledit système informatique. Selon encore un autre aspect, il est proposé un support lisible par un système informatique, ayant des instructions exécutables par ordinateur adaptées pour provoquée l'exécution par le système informatique du procédé tel que défini ci-avant. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de mises en oeuvre et de réalisation, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 illustre schématiquement les différentes étapes d'un mode de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention, - la figure 2 illustre schématiquement une étape d'élaboration d'un motif cible d'un mode de mise en oeuvre selon l'invention, - la figure 3 illustre schématiquement un exemple de détermination de points pour l'élaboration d'un motif cible, - la figure 4 illustre schématiquement un autre exemple de détermination de points pour l'élaboration d'un motif cible, et - la figure 5 illustre schématiquement encore un autre exemple de détermination de points pour l'élaboration d'un motif cible. Sur la figure 1, la référence SINF désigne globalement un système informatique, par exemple un ordinateur, comportant des moyens tels qu'une unité centrale et des moyens de mémoire, configurés pour mettre en oeuvre un mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Selon ce mode de mise en oeuvre illustré sur la figure 1, il est prévu tout d'abord une élaboration d'un motif cible initial (étape E00) à partir d'un dessin ou « layout », par exemple en utilisant un ensemble de règles géométriques. Le motif cible initial est un motif sensiblement proche du dessin ou « layout », qui est destiné à être formé dans une couche de résine. Ce motif cible initial permet de faciliter la mise en oeuvre d'une étape ultérieure de photolithographie, ou également de faciliter la mise en oeuvre d'une étape de gravure ou d'implantation d'atomes dopants utilisant un masque de résine. On peut ensuite utiliser le motif cible initial élaboré à l'étape E00 pour élaborer (étape E01) un masque de photolithographie et une source lumineuse. L'étape E01 peut comprendre une mise en oeuvre de procédés de type SMO ou OPC utilisant le motif cible initial, pouvant comprendre des simulations de photolithographie, des comparaisons d'un motif de résine simulé avec le motif cible initial, et des modifications d'un masque de photolithographie et/ou d'une source lumineuse en vue de rapprocher le motif de résine simulé du motif cible initial. Les procédés de type SMO ou OPC peuvent comprendre plusieurs répétitions pour permettre d'élaborer un masque de photolithographie et une source lumineuse correcte. A titre d'exemple, un procédé de type OPC peut comprendre dix simulations de photolithographies. Le masque de photolithographie et la source lumineuse obtenus après l'étape E01 ne sont pas nécessairement élaborés en prenant en considération les variations des paramètres d'une étape de photolithographie tels que les variations de mise au point et les variations de dose d'énergie lumineuse. Ces masques obtenus à l'étape E01 sont utilisés pour mettre en oeuvre une élaboration d'un nouveau motif cible (étape E02). Cette étape comprend deux simulations de photolithographie et une détermination des points de la résine qui sont les moins sensibles aux variations des paramètres d'une étape de photolithographie. En utilisant ce nouveau motif cible, on peut mettre en oeuvre l'étape E03 qui permet d'élaborer un nouveau masque de photolithographie et/ou une nouvelle source lumineuse, par exemple en mettant en oeuvre des procédés de type OPC ou SMO. Il est également possible d'utiliser le nouveau masque de photolithographie et la nouvelle source lumineuse pour mettre en oeuvre de nouvelles simulations de photolithographie et donc pour remettre en oeuvre l'étape E02 (boucle BCL). On pourra par exemple procéder à une dizaine de répétitions BCL. En utilisant pour la mise en oeuvre de l'étape E02 un masque et/ou une source qui prennent en considération les variations de paramètres d'une étape de photolithographie, on obtient, après répétition de l'étape E02 de nouveaux masques et de nouvelles sources permettant de mettre en oeuvre une étape de photolithographie davantage robuste. Sur la figure 2, on a représenté schématiquement et de manière plus détaillée l'élaboration d'un nouveau motif cible, en utilisant un masque de photolithographie et une source lumineuse ayant été élaborés par exemple lors de la mise en oeuvre de l'étape E01 ou également lors de la mise en oeuvre de l'étape E02. Dans l'étape E02, on met en oeuvre une étape Ell de simulation de photolithographie avec une mise au point optique correcte. En d'autres termes, lors de la mise en oeuvre de l'étape Ell, on simule la projection d'une image dans le plan de la résine. Ainsi, le plan focal du système optique simulé est situé dans la couche de résine. L'étape E12 est également une étape de simulation de photolithographie, mais dans laquelle la mise au point optique n'est pas correcte. Ainsi, l'image n'est pas projetée dans le plan de la résine, mais en dehors, par exemple à plusieurs dizaines de nanomètres. Le plan focal du système optique simulé est situé en dehors de la couche de résine. Un tel décalage est couramment désigné par l'homme du métier sous le vocable anglo-saxon de « defocus ». Les deux simulations de photolithographie (étapes Ell et E12) fournissent des ensemble de valeurs d'intensité lumineuse au niveau de la résine obtenues par simulation. Dans l'étape E13, on détermine les points pour lesquels l'intensité est égale pour les deux simulations. On peut également utiliser les contours du motif cible initial ou tout autre motif cible élaboré préalablement pour déterminer ces points. Plus précisément, pour chaque point du contour du motif cible initial ou déjà élaboré, on choisit le point le plus proche pour lequel il y a égalité d'intensité. Ce point est peu sensible aux variations de mise au point. On met ensuite en oeuvre l'étape E14 dans laquelle on détermine les points pour lesquels la variation spatiale d'intensité lumineuse est la plus importante au voisinage de points du motif cible initial ou également selon un axe perpendiculaire au motif cible initial passant par ces points du motif cible initial, parmi les valeurs obtenues à l'étape Ell, c'est-à-dire pour une mise au point correcte. On notera que, lors de la mise en oeuvre de l'étape E13, s'il n'existe pas de points présentant une égalité d'intensité lumineuse au voisinage de points du motif cible, on choisira un point pour lequel la variation d'intensité lumineuse est maximale. Il est possible de mettre en oeuvre simultanément les étapes E13 et E14, et ainsi déterminer tous les points recherchés. On peut par exemple calculer, au voisinage de chaque point du motif cible initial, le minimum de la valeur absolue de la différence de valeur d'intensité entre les deux simulations, ladite différence étant divisée par la norme de la dérivée de l'intensité lumineuse selon un axe perpendiculaire au motif cible initial passant par un point du motif initial obtenue par la simulation pour laquelle la mise au point est correcte. Ce minimum local correspondant alors à un point pour lequel l'intensité est égale (la différence étant nulle) ou alors pour lequel la variation est maximale (le dénominateur du quotient étant un maximum local). En utilisant les points déterminés comme décrits ci-avant, on obtient un nouveau motif cible. Sur la figure 3, on a représenté schématiquement l'élaboration d'un nouveau masque et d'une nouvelle source lumineuse, pour un dessin correspondant à une bande de résine. On a préalablement obtenu un motif cible initial MCI, et un masque de photolithographie initial MPI a été élaboré à partir de ce motif cible. Le motif cible initial MCI et le masque de photolithographie initial ont été représentés superposés. On a également élaboré à partir du motif cible initial une source lumineuse initiale SLI, par exemple une source lumineuse complexe comportant deux portions lumineuses PLU. Avec la source lumineuse initiale SLI, le masque de photolithographie MPI et le motif cible initial, on peut mettre en oeuvre des simulations de photolithographie. Bien entendu, le motif étudié ici étant une bande de résine, il n'est pas nécessaire d'étudier l'intégralité de la bande lors des simulations. On pourra par exemple étudier la valeur de l'intensité lumineuse suivant l'axe X-X' qui est perpendiculaire au motif cible initial MCI. On a représenté la variation d'intensité lumineuse pour deux simulations, une première simulation SIM1, représentée en trait continu, pour laquelle la mise au point est correcte, et une deuxième simulation SIM2, représentée en trait discontinu, pour laquelle la mise au point n'est pas correcte, par exemple décalée de plusieurs dizaines de nanomètres. Le motif cible initial est formé de deux points sur l'axe X-X', les points MCI1 et MCI2 illustrant les deux contours de la bande de résine voulue. On va donc chercher, au voisinage de ces deux points MCI1 et MCI2, les points pour lesquels il y a égalité de la valeur de l'intensité lumineuse entre les deux simulations, ou les points pour lesquels la variation d'intensité lumineuse de la simulation SIM1 est maximale. Au voisinage du point MCI1, les deux courbes illustrant l'intensité lumineuse se croisent au point A. Le point A est donc un point pour lequel une variation de mise au point ne provoque pas de décalage le long de l'axe X-X'. Au voisinage du point MCI2, il n'y a pas d'égalité entre les deux simulations, on détermine alors le point pour lequel la variation d'intensité lumineuse de la simulation SIM1 est maximale, le point B. Le point B correspond à un point peu sensible aux variations d'intensité. En d'autres termes, une variation d'intensité lumineuse ne provoquera pas de décalage important le long de l'axe X-X', puisqu'au point B, la pente est presque verticale. Les points A et B définissent les contours d'un nouveau motif cible NMC qui sera moins sensible à la fois aux variations de mise au point et aux variations d'intensité lumineuse. A partir de ce nouveau motif cible NMC, on peut élaborer un nouveau masque de photolithographie NMP et une nouvelle source lumineuse NSL, par exemple en mettant en oeuvre des procédés de type « OPC » ou « SMO ». Le nouveau masque et la nouvelle source, une fois utilisés dans une étape de photolithographie, vont produire des motifs de résine qui auront une géométrie davantage constante même si des variations de mise au point apparaissent ou des variations d'intensité lumineuse. Sur la figure 4, on a représenté schématiquement un autre exemple dans lequel le motif n'est pas une bande mais un coin de résine. On a représenté les points formant le contour du motif cible initial MCI' utilisé ici par des cercles remplis. Le contour du motif cible comprend un certain nombre de segment passant chacun par ces cercles remplis. Au voisinage de ces cercles remplis, on détermine les points les moins sensibles aux variations de paramètre d'une étape de photolithographie. On peut mettre en oeuvre deux simulations et déterminer les points pour lesquels il y a égalité d'intensité lumineuse, par exemple dans une fenêtre d'étude disposée autour de chaque point formant le contour du motif cible initial MCI', ou une variation maximale, par exemple sur un axe passant par un point du motif cible initial et perpendiculaire au motif cible initial. Au voisinage du point P1' appartenant à un segment SEG1 du motif cible initial MCI', délimité par les points BSG1 et BSG2, dans la fenêtre d'étude FNE, on peut déterminer après la mise en oeuvre des deux simulations que le point NP1 est le point le plus proche du point P1' pour lequel il y a égalité d'intensité lumineuse entre les deux simulations. Les points pour lesquels il y a égalité d'intensité lumineuse sont ici représentés par des cercles non remplis. En cas d'absence d'un tel point, on peut, par exemple sur un axe Y-Y' passant par un point P2' appartenant au segment SEG2 du motif cible initial MCI', délimité par les points BSG1' et BSG2', calculer la norme de la dérivée de l'intensité lumineuse sur cet axe Y-Y', et ainsi déterminer le maximum local, ici le point NP2. Les points pour lesquels la variation d'intensité lumineuse est maximale sont ici représentés par des carrés non remplis. En utilisant tous les points déterminés ainsi, on obtient un nouveau motif cible NMC' qui peut être utilisé pour l'élaboration d'un nouveau masque de photolithographie et d'une nouvelle source lumineuse. Ce motif cible NMC' comprend un certain nombre de segments, par exemple les segments NSG1 et NSG2. Sur la figure 5, on a représenté un autre exemple dans lequel on souhaite former plusieurs bandes de résine parallèles. On a préalablement obtenu un motif cible initial MCI" et un masque de photolithographie et une source lumineuse qui correspondent à ce motif cible initial MCI". Deux simulations de photolithographies sont mises en oeuvre et l'on a représenté, le long d'un axe transverse par rapport aux motifs désirés, les valeurs simulées d'intensité lumineuse obtenues pour deux simulations, une simulation pour laquelle la mise au point est correcte SIM1" et une simulation pour laquelle la mise au point est décalée SIM2". On a également représenté la valeur absolue de la différence entre les deux courbes ABD. On obtient des valeurs nulles lorsqu'il y a égalité entre les valeurs obtenues par les deux simulations. Par ailleurs, la valeur absolue de la variation de l'intensité lumineuse ABV est également représentée pour les valeurs obtenues par la simulation avec une mise au point correcte. Enfin, pour déterminer les points qui vont former un nouveau motif cible, on a représenté le logarithme de la différence d'intensité lumineuse ABD divisée par la variation d'intensité lumineuse ABV (courbe LOG). Les minimums locaux de cette courbe (situés au voisinage des points formant le contour du motif cible initial MCI") vont former les points formant le contour d'un nouveau motif cible. En effet, lorsque la différence entre les deux intensités est nulle, la courbe LOG tend vers moins l'infini, et lorsqu'il n'y a pas d'égalité, la variation est maximale et la courbe LOG présente un minimum local. Avec le nouveau motif cible obtenu, on peut élaborer de nouveaux masques de photolithographie et de nouvelles sources lumineuses, qui permettront de mettre en oeuvre de nouvelles simulations visant à améliorer le motif cible pour obtenir un masque final et une source finale peu sensible aux variations de mise au point et aux variations d'intensité lumineuse. Selon un aspect, on obtient des masques de photolithographie et des sources lumineuses qui vont former des motifs de résine ayant une géométrie davantage constante malgré les variations de paramètres d'une étape de photolithographie. On notera qu'en ce qui concerne la taille des fenêtres de procédé dose/mise au point, pour un motif formant une bande de résine de largeur variant entre 80 et 120 nanomètre, l'aire de la fenêtre de procédé est multipliée par six. Pour un motif bidimensionnel de dimension critique 28 nanomètres, on peut obtenir un gain de l'ordre de deux pour la fenêtre de procédé. REVENDICATIONS1. Procédé d'élaboration d'un masque de photolithographie (NMP) et d'une source lumineuse (NSL), comprenant une élaboration d'un masque initial de photolithographie (MPI) et d'une source lumineuse initiale (SLI) à partir d'un motif cible initial (MCI, MCI', MCI") formé à partir d'un groupe initial de points correspondant à un motif cible désiré dans une couche de résine, caractérisé en ce qu'il comprend en outre : a) une élaboration (E02) d'un nouveau motif cible (NMC, NMC') comprenant : - deux simulations de photolithographies utilisant le masque initial et la source lumineuse initiale et respectivement deux mises au point optiques différentes, chaque simulation fournissant un ensemble de valeurs d'intensité lumineuse simulées associées à un ensemble de points sur la couche de résine, et - une détermination parmi les différents ensembles de points d'un groupe de points comprenant des points (A, P1') de la couche de résine pour lesquels la valeur de l'intensité lumineuse simulée est la même pour les deux simulations et/ou des points (B, P2') formant des maxima locaux de variation de valeurs simulées d'intensité lumineuse obtenues par l'une des deux simulations, le groupe de points formant alors les contours dudit nouveau motif cible, chaque point du groupe de points correspondant à un point du groupe initial de points, b) une élaboration d'un nouveau masque de photolithographie (NMP) et/ou d'une nouvelle source lumineuse (NSL) à partir du nouveau motif cible (NMC, NMC'). 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre au moins une répétition (BCL) des étapes a) et b) en utilisant comme masque initial le nouveau masque de photolithographie et/ou en utilisant la nouvelle source lumineuse. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel les points formant des maxima locaux de variation de valeurs simuléesd'intensité lumineuse sont obtenus par une des deux simulations dont la mise au point est correcte. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite détermination du groupe de points comprend une détermination de minima locaux de la valeur absolue de la différence de valeur d'intensité entre les deux simulations, ladite différence étant divisée par la norme de la dérivée de l'intensité lumineuse selon un axe perpendiculaire au motif cible initial passant par un point du motif cible initial obtenue par une des deux simulations pour laquelle la mise au point est correcte. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre une vérification du nouveau motif cible élaboré à l'étape a). 6. Système informatique comprenant des moyens configurés pour mettre en oeuvre le procédé selon l'une des revendications 1 à 5. 7. Produit programme d'ordinateur chargeable directement dans une mémoire d'un système informatique, comprenant des portions de code de logiciel pour l'exécution du procédé selon l'une des revendications 1 à 5 lorsque ledit programme est exécuté sur ledit système informatique. 8. Support lisible par un système informatique, ayant des instructions exécutables par ordinateur adaptées pour provoquer l'exécution par le système informatique du procédé selon l'une des revendications 1 à 5.