FR 2978598 A1 20130201 FR 1156975 A 20110729 -1- Installation et procédé de traitement d'un objet par des générateurs de plasma La présente invention concerne le domaine du traitement d'un objet, plus particulièrement du traitement de la surface de cet objet. On connaît déjà dans l'état de la technique, notamment d'après FR-A-2 899 242, une installation de traitement d'un objet comprenant des moyens de bombardement ionique destinés à traiter au moins une surface de l'objet. Les moyens de bombardement ionique permettent d'incorporer des ions dans une surface d'un objet, notamment pour influencer les propriétés mécaniques de cette surface (dureté, tribologie, etc.). Les moyens de bombardement ionique comprennent classiquement, comme ceux décrits dans FR-A-2 899 242, des moyens formant générateur d'ions et des moyens formant applicateur d'ions. L'applicateur d'ions comprend habituellement des moyens choisis par exemple parmi des lentilles électrostatiques de mise en forme de faisceau d'ions, un diaphragme, un obturateur, un collimateur, un analyseur de faisceau d'ions et un contrôleur de faisceau d'ions. Le générateur d'ions comprend habituellement des moyens choisis par exemple parmi une chambre d'ionisation, une source d'ions à résonance cyclotronique électronique, également appelée source de plasma, un accélérateur d'ions et un séparateur d'ions. Le bombardement ionique est habituellement réalisé sous vide. Ainsi, FR-A-2 899 242 propose de loger l'ensemble des moyens de bombardement ionique (générateur d'ions et applicateur d'ions) ainsi que les surfaces à traiter dans une chambre à vide. Des moyens de mise sous vide sont raccordés à cette chambre. Ces moyens de mise sous vide doivent permettre d'obtenir un vide relativement poussé dans la chambre, par exemple de l'ordre de 10-2 mbar à 10.6 mbar. Or, une installation de bombardement ionique peut être utilisé pour traiter des objets différents. Il faut donc dimensionner l'installation en fonction des objets à traiter les plus volumineux. L'invention a notamment pour but de proposer une installation de traitement de surface d'un objet qui s'adapte facilement à l'objet à traiter. A cet effet, l'invention a pour objet une installation de traitement d'une surface d'un objet, du type comprenant : - une chambre à vide, dans laquelle l'objet est destiné à être placé, 2978598 -2- - des moyens de traitement en communication avec la chambre à vide de la surface de l'objet comportant au moins deux générateurs de plasma, caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens de contrôle de chaque générateur indépendamment de tout autre générateur, les moyens de contrôle 5 comportant des moyens d'activation/désactivation du générateur. On comprend que par « au moins deux », on précise que l'installation comprend au minimum deux générateurs de plasma distincts. Elle peut en comprendre, par exemple, cinq, voire dix ou plus. Grâce à cette installation comprenant plusieurs générateurs de plasma qui comportent chacun des moyens d'activation/désactivation, on peut envisager de traiter, l'une après l'autre, dans une même installation, des pièces ayant des surfaces à traiter différentes, en utilisant uniquement les générateurs de plasma nécessaires à la réalisation du traitement de surface désiré. Ainsi, pour une surface à traiter donnée, on pourra activer quatre générateurs alors que pour une autre surface donnée, seules deux générateurs seront activés. On notera que le nombre de générateur activés peut également dépendre du type de traitement de surface réalisé. Par exemple, il pourrait être nécessaire d'activer plus ou moins de générateurs selon que l'on désire réaliser un traitement d'activation de surface par plasma, faire un dépôt d'un revêtement protecteur par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, appelé PECVD conformément au sigle anglais pour « Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition » ou faire un traitement par bombardement ionique. On notera également que les mêmes générateurs de plasma peuvent être utilisés indifféremment pour réaliser, en alternance, des traitements par plasma, c'est-à-dire des traitements d'activation de surface ou des traitements PECVD, et des traitements par bombardement ionique. Ainsi, lors d'un traitement d'activation ou de minéralisation de surface par plasma, les gaz les plus souvent utilisés sont choisis parmi l'air, l'argon (Ar), le dioxygène (02), le diazote (N2), le protoxyde d'azote (N2O), le dioxyde de carbone (CO2), la vapeur d'eau (H2O(g», l'ammoniac (NH3) ou l'iode (12), seuls ou en 10 mélange. Lors d'un dépôt PECVD, les gaz sont préférentiellement choisis parmi le groupe des disiloxanes tels que l'hexaméthyldisiloxane (HMDSO) ou le tétraméthyldisiloxane (TMDSO), parmi le groupe des hydrocarbonés aliphatiques, cycloaliphatiques, aromatiques tel que le méthane (CH4), l'éthane (C2H6), l'éthylène (C2H4), le cyclopentène (C5H3), parmi le groupe des dérivés azotés tel que le 15 nitroéthane (C2H5NO2), parmi le groupe des alcools primaires tel que le méthanol (CH4O) ou l'éthanol (C2H6O), seuls ou en mélange. Ce traitement permet de 2978598 -3- réaliser sur la surface des objets une couche de protection très mince d'épaisseur comprise notamment entre 10 et 100 nm en matériau majoritairement ou en totalité inorganique ; lors d'un traitement par bombardement ionique, les ions utilisés pour le bombardement seront des ions issus de gaz précurseurs préférentiellement 5 choisis parmi l'hélium (He), l'argon (Ar) ou le diazote (N), seuls ou en mélange. L'installation peut en outre comporter l'une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes, prises seules ou en combinaison : - Les moyens d'activation/désactivation comprennent un interrupteur. - Les moyens de contrôle comprennent, par exemple, des moyens de contrôle de la puissance du générateur, des moyens de réglage de position du générateur ou des moyens de contrôle du débit de gaz. 10 - L'installation comprend des moyens d'identification de l'objet à traiter, par exemple, un lecteur optique de code barre ou de numéro d'identification de l'objet tel un codage binaire. Cette identification de l'objet peut être portée par l'objet lui-même ou par le support d'objet. En effet, le support d'objet est généralement spécifique à chaque objet à traiter, en conséquence, l'identification de l'objet peut 15 être réalisée par identification du support d'objet. - Les générateurs de plasma sont de petites dimensions, c'est-à-dire que la plus grande dimension est inférieure à 10 cm, de préférence inférieure à 5 cm. - Les générateurs sont disposés côte à côte et forment une matrice. - L'installation comprend en outre des moyens de dépôt PVD par pulvérisation 20 cathodique sous vide ou par évaporation sous vide. Le sigle en anglais PVD (« Physical Vapor Deposition ») désigne un dépôt physique en phase vapeur qui permet de réaliser sur la surface des objets une couche métallique très mince d'épaisseur comprise notamment entre 1 et 150 nm, préférentiellement entre 10 et 100 nm. Cette couche métallique peut être par exemple de l'aluminium, de l'argent, 25 du chrome, un alliage de nickel et de chrome, du titane, du zinc et leurs oxydes ou également un acier inoxydable (ST 304, 306, 310, 312, 321, par exemple). L'invention a également pour objet un procédé de traitement d'une surface d'un objet, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - attribuer au moins un paramètre à l'objet, 30 - identifier l'objet à traiter, l'objet comprenant au moins une surface à traiter, - placer l'objet à traiter dans la chambre à vide d'une installation telle que décrite précédemment, - déterminer chaque générateur à activer en fonction de chaque paramètre de l'objet identifié, 2978598 -4- - traiter l'objet en activant chaque générateur de plasma déterminé à l'étape précédente. Le procédé peut en outre comporter l'une ou plusieurs des caractéristiques optionnelles suivantes, prises seules ou en combinaison : 5 - L'étape de traitement de l'objet comprend une étape d'activation de la surface par plasma, une étape de dépôt PECVD et/ou une étape de bombardement ionique. - L'étape d'identification de l'objet à traiter est réalisée par lecture d'un code barre d'identification de l'objet. 10 - Le procédé comprend une étape de stockage des paramètres attribués à chaque objet dans une base de données. - L'étape de détermination de chaque générateur à activer est réalisée par un programme d'ordinateur. - Le procédé comporte plusieurs étapes successives de traitement de la 15 surface de l'objet. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple et faite en se référant aux dessins dans lesquels : - la figure 1 est une vue schématique en élévation d'une installation de 20 traitement selon un premier mode de réalisation de l'invention ; - la figure 2 est une vue schématique en coupe d'un générateur de plasma ; - la figure 3 est une vue schématique de dessus d'une installation selon un second mode de réalisation de l'invention ; - la figure 4 est une vue d'un agencement des générateurs de plasma selon le 25 plan de coupe IV-IV de la figure 3. On a représenté sur la figure 1 une installation 10 de traitement d'une surface d'un objet selon un premier mode de réalisation de l'invention. L'installation 10 est destinée notamment à traiter la surface d'un élément de projecteur ou de feux pour véhicule automobile tel qu'un masque, un enjoliveur, 30 une platine, un boitier, un réflecteur, un écran de projecteur ou une lame d'essuie-glace. L'installation 10 est destinée à traiter la surface de l'objet, notamment pour y effectuer des dépôts de couches minces et/ou influencer les propriétés mécaniques et/ou optiques de la surface de l'objet. 35 L'installation 10 comprend une chambre à vide 12 dans laquelle au moins un objet 14 est destiné à être placé. Dans ce mode de réalisation, la chambre 12 2978598 -5- contient un support 16 amovible, monté libre en rotation dans la chambre 12 selon un axe de rotation 18. Ce support 16 peut également se déplacer en translation parallèlement à l'axe de rotation 18. Ce support 16 étant amovible, on peut facilement positionner chaque objet à traiter sur le support 16 avant de disposer le 5 support 16 dans la chambre 12. Cette chambre 12 est susceptible d'être mise sous vide à l'aide de moyens de pompage 20 comprenant un ensemble de pompage primaire 22, permettant d'atteindre un vide d'environ 10-2 mbar et, de préférence, un ensemble de pompage secondaire 24, permettant d'atteindre un vide compris entre 10-2 mbar et 10-6 mbar. 10 L'ensemble de pompage primaire 22 peut, par exemple, comprendre une pompe mécanique rotative 26 montée en série avec une pompe de Roots 28. La pompe mécanique rotative 26 permet d'atteindre un vide d'environ 10-1 mbar. Ce niveau de vide permet alors l'amorçage de la pompe de Roots 28. Cette dernière permet d'atteindre un vide d'environ 10-2 mbar. 15 Par ailleurs, dans cet exemple, l'ensemble de pompage secondaire 24 comprend une pompe permettant d'atteindre un vide compris entre 10-2 et 10-6 mbar environ, par exemple une pompe à diffusion 30. Ces moyens de mise sous vide 20 sont raccordés à l'installation 10 par des conduits C et des vannes V qui permettent de raccorder, de façon sélective, selon 20 les conditions de traitement souhaitées, les différentes parties de l'installation aux moyens de pompage 20. L'installation 10 comprend des moyens 32 de traitement dans la chambre 12 de la surface de l'objet 14. Ces moyens de traitement 32 comprennent, dans le cas présent, cinq générateurs de plasma 34 alignés, disposés côte à côte et 25 comportant des électrodes 36A, 36B et 36C. Ces générateurs 34 sont de petites dimensions, c'est-à-dire que leur plus grande dimension est inférieure à 10 cm. Grâce à la petite taille des générateurs de plasma 34, en comparaison à des générateurs classiques dont la dimension la plus petite est de l'ordre de 25 cm, on peut facilement disposer les générateurs 34 côte à côte sans pour autant avoir une 30 installation très volumineuse en permettant de rapprocher les faisceaux pour améliorer l'homogénéité du traitement. Avantageusement, ces générateurs 34 peuvent être disposés suffisamment proches l'un de l'autre, de sorte que l'on puisse traiter de façon homogène, en utilisant plusieurs de ces générateurs, une surface d'un objet 14 placé dans la 35 chambre 12. Dans le mode de réalisation de la figure 1, l'installation 10 permet de traiter la surface des objets par traitement par plasma et par bombardement ionique et les 2978598 -6- générateurs 34 sont communs aux moyens de traitement par plasma et aux moyens de bombardement ionique. L'installation 10 comprend en outre des moyens d'injection de gaz 38, 40 qui comprennent notamment des vannes 39, 41, un dispositif de contrôle de débit 5 gazeux 42, par exemple un débitmètre massique calibré, et des conduits 43, 45 afin d'injecter le gaz choisi à l'endroit désiré avec le débit requis au traitement de surface réalisé. Les gaz injectés peuvent être injectés seuls ou en mélange. Dans ce mode de réalisation, deux gaz différents sont injectés : le premier gaz est injecté, par les moyens d'injection 38, dans chaque générateur de plasma 34 et 10 le second gaz est injecté dans la chambre à vide 12, par les moyens d'injection 40 qui comprennent un tube diffuseur 44 disposé dans la chambre à vide 12, entre les générateurs de plasma 34 et l'objet à traiter 14. On a représenté, dans cet exemple, des moyens d'injection 40 d'un seul gaz dans le tube diffuseur 44. On peut aisément faire en sorte que ces moyens d'injection 40 permettent d'amener 15 plusieurs gaz de nature différente, seuls ou en mélange, dans le tube 44. En l'occurrence, les moyens de traitement par plasma comprennent les générateurs de plasma 34 que les moyens de bombardement ionique. En se référant à la figure 2, on va décrire un générateur de plasma 34 et son fonctionnement. Pour réaliser un traitement par bombardement ionique, il est 20 nécessaire, après création d'un plasma entre deux bornes 35A et 35B reliées à des potentiels différents et comprises dans le générateur 34, de sélectionner les espèces que l'on désire bombarder au moyen d'une électrode extractrice 36A et de les accélérer au moyen de deux électrodes accélératrices 36B et 36C disposées entre, d'une part, les bornes 35A et 35B et, d'autre part, l'objet 14 sur la surface 25 duquel on souhaite bombarder les ions. La borne 35A est par exemple reliée à un potentiel de référence et isolée électriquement du reste du générateur 34 et la borne 35B est reliée à un potentiel permettant de générer le plasma entre les deux bornes 35A et 35B. Selon que ces bornes sont alimentées en courant continu ou en courant alternatif, on parlera respectivement des électrodes 35A et 35B ou de 30 des antennes 35A et 35B. Pour réaliser un traitement par plasma dans ce mode de réalisation de l'installation, on utilisera la borne 35B qui, reliée aux parois du générateur 34, permettra de générer un plasma dans la chambre 12, les parois métalliques de la chambre 12 constituant la borne reliée au potentiel de référence. On peut 35 également placer dans la chambre 12 un élément métallique qui sera relié au potentiel de référence. Cet élément métallique peut remplacer ou venir en complément des parois métalliques de la chambre 12. 2978598 -7- L'installation 10 comprend également des moyens de contrôle 46 de chaque générateur indépendamment de toute autre générateur. Ainsi, il est possible de faire varier la puissance de chaque générateur de plasma 34 indépendamment des autres générateurs 34. Il est également possible de contrôler le débit de gaz qui 5 alimente chaque générateur 34. Lors du traitement par bombardement ionique, ces moyens de contrôle 46 peuvent également comprendre des moyens de réglage de la position du générateur et des moyens de réglage de l'angle du faisceau d'ions émis. Les moyens de contrôle 46 de chaque générateur comprennent, en outre, des 10 moyens d'activation/désactivation 48 du générateur 34. Ainsi, on peut choisir d'activer ou non un générateur 34 indépendamment de tout autre générateur 34. Ces moyens d'activation/désactivation 48 peuvent comprendre un interrupteur. L'installation 10 comprend également des moyens d'isolement 50 des générateurs de plasma 34 par rapport à la chambre à vide 12. Ces moyens 15 d'isolement comprenant par exemple une porte 50 que l'on peut fermer ou ouvrir selon que l'on désire isoler ou non les générateurs 34 de la chambre à vide 12. Ainsi, lors des opérations de chargement/déchargement de la chambre à vide 12, on peut fermer la porte 50, si bien que les générateurs 34 peuvent rester sous vide, alors que la chambre 12 est remise à l'atmosphère. 20 Lors d'une nouvelle opération de traitement de surface, il suffira de recréer des conditions de vide appropriées dans la chambre 12, avant de remettre en communication cette chambre 12 avec les générateurs 34. On arrive ainsi, lors des opérations de chargement/déchargement de la chambre à vide 12, à maintenir dans l'environnement immédiat des générateurs de plasma 25 34, un niveau de vide assez proche de celui souhaité dans la chambre 12 pour traiter un objet. Ceci permet d'optimiser la durée et l'énergie nécessaire pour remettre la chambre 12 et les générateurs 34 dans des conditions de vide appropriées après chaque opération de chargement/déchargement de cette chambre. 30 Dans ce mode de réalisation, l'installation 10 comprend aussi des moyens d'identification 52 de l'objet 14 à traiter, comme par exemple un lecteur optique apte à lire un code barre 54 d'identification de l'objet 14. Le code barre 54 est ici porté par le support 16 qui est spécifique à l'objet 14 à traiter. Les moyens de contrôle 46 et les moyens d'identification 52 sont pilotés au 35 moyen d'un programme d'ordinateur 56 appelé « PLC » conformément au sigle anglais pour « Program Logical Controller» ou bien au moyen d'un ordinateur industriel. 2978598 -8- La figure 3 présente un second mode de réalisation de l'installation dans lequel les éléments communs aux deux modes de réalisation sont identifiés par les mêmes références numériques. Dans ce mode de réalisation, le support 16 est un support planétaire monté 5 rotatif dans la chambre 12 autour d'un axe de rotation 18. Ce support planétaire 16 porte plusieurs supports satellites 58 montés rotatifs sur le support 16 chacun autour d'un axe de rotation 60. Ces axes de rotation 60 sont, dans le cas présent, parallèles à l'axe de rotation 18 du support planétairel6. Ces supports satellites 58, dans cet exemple au nombre de quatre, sont destinés à porter chacun au moins un 10 objet à traiter 14. Ce support planétaire 16 peut également se déplacer en translation parallèlement à l'axe de rotation 18. On notera cependant que, dans le second mode de réalisation, les moyens d'injection 38, 40 sont agencés différemment que dans le premier mode de réalisation. En effet, dans ce second mode de réalisation, les deux gaz sont 15 injectés dans les générateurs de plasma 34. De plus, dans ce second mode de réalisation, les deux gaz peuvent être mélangés avant leur arrivée dans le générateur. Dans ce mode de réalisation, les gaz arrivant directement dans les générateurs de plasma, lors d'un traitement par plasma, on utilisera les bornes 35A et 35B du 20 générateur 34 afin de créer le plasma, et non la borne 35B et les parois métalliques de la chambre 12 comme dans le mode de réalisation précédent. Avantageusement, l'installation 10, représentée sur la figure 3, comprend également des moyens 62 de dépôt PVD logés dans la chambre à vide 12. Lors d'un traitement par PVD, il est souhaitable de fermer la porte 50 afin d'isoler les 25 générateurs de plasma 34 de la chambre à vide 12 et ainsi de les protéger de tout dépôt métallique qui pourrait, à la longue, être dommageable pour les générateurs. De plus, lors de ce type de dépôt, le niveau de vide nécessaire est différent et la fermeture de la porte 50 permet de conserver les générateurs de plasma 34 dans les conditions de vide appropriées. 30 On a représenté sur la figure 4 un assemblage 64 de générateurs 34 de l'installation 10 représentée sur la figure 3. Cet assemblage 64 comprend trente générateurs 34 répartis en six lignes et cinq colonnes sur un support 66 pour un traitement donné de la surface d'un ou de plusieurs objets 14 identifiés et placés dans la chambre à vide 12. Le support 66 est de forme sensiblement rectangulaire 35 et plan. On comprend que la forme du support 66 n'est pas limitée à un rectangle. On pourrait imaginer, par exemple dans le cas d'une chambre 12 dont une parois est cylindrique, que ce support 66 épouse la forme de la paroi de la chambre 12. 2978598 -9- Ce support 66 pourrait également prendre une forme incurvée afin de pouvoir atteindre certaines surfaces des objets 14 à traiter et ce, indépendamment de la forme de la chambre 12. Les générateurs hachurés 34A représentent les générateurs qui sont activés au 5 cours du traitement de surface alors que les autres générateurs 34B représentent les générateurs qui seront désactivés pour ce traitement. On constate que, dans cet exemple, on active quatorze générateurs. Pour un autre traitement du même objet, il se peut que l'on active un nombre différent de générateurs 34 ou le même nombre de générateurs 34 mais les 10 générateurs activés 34A étant répartis différemment. Ainsi, les générateurs activés 34A sont déterminés pour un objet 14 donné et pour un traitement donné. On notera que l'on a représenté un assemblage 64 de générateurs 34 disposés en ligne et en colonne. Mais on aurait pu également représenter un assemblage de 15 générateurs disposés en quinconce. On notera que la surface à traiter de l'objet 14 peut être différente selon le type de traitement que l'on applique à l'objet 14. Ainsi, on peut souhaiter réaliser un dépôt PVD sur une surface de l'objet 14 et réaliser du bombardement ionique sur une autre surface de l'objet 14. Ces surfaces peuvent toutefois avoir des zones 20 communes, en tout ou en partie. On peut également envisager d'utiliser, pour créer le plasma, des moyens connus qui permettent de transférer l'énergie générée par un quartz excité à des fréquences micro-ondes. On notera enfin que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation 25 précédemment décrits. Ainsi, bien que nous ayons décrit des générateurs de plasma communs aux moyens de bombardement ionique et aux moyens de traitement par plasma, on peut tout aussi bien envisager de disposer de plusieurs générateurs de plasma dont au moins deux sont dédiés à un type de traitement spécifique. Les supports 16 des premier et deuxième modes de réalisation sont 30 interchangeables et non limités aux supports présentés. Le premier mode de réalisation peut également comprendre des moyens 62 de dépôt PVD logés dans la chambre à vide 12 et des générateurs disposés en matrice. Exemple 1 : procédé de traitement d'un ou de plusieurs objets 14 35 On décrira maintenant un exemple de procédé de traitement d'une surface d'un objet dans une installation telle que décrite précédemment. On considère un objet 14 dont on souhaite traiter une surface. On détermine 2978598 -10- différents paramètres de l'objet 14 tels que la surface ou les surfaces à traiter, le type de traitement de surface à réaliser, la séquence de traitements, la géométrie de l'objet, etc. Ces paramètres permettent, pour un traitement de surface donné, notamment de déterminer chaque générateur à activer, quelle puissance utiliser 5 pour alimenter chaque générateur, s'il faut ou non alimenter les électrodes d'extraction 36A et d'accélération d'ions 36B et 36C, quelle est la nature du gaz à utiliser, quel débit de gaz est nécessaire. On stocke ces paramètres dans une base données, ces paramètres étant reliés dans la base de données à un identifiant de l'objet 14. Cet identifiant peut, par 10 exemple, être un code barre 54 associé à l'objet 14. Cette base de données est hébergée sur l'ordinateur 56 sur lequel est exécuté le programme « PLC ». On peut également envisager que la base de données soit hébergée sur un autre ordinateur. Lorsque l'objet 14 est prêt à être traité dans l'installation 10, on place l'objet 14 15 sur son support 16 spécifique et on identifie l'objet grâce aux moyens d'identification 52 qui permettent de lire le code barre 54 porté par le support 16 de l'objet 14. Cette identification permet d'extraire de la base de données les paramètres liés à l'objet 14 ainsi que la séquence de traitements qu'il faut lui appliquer. Les paramètres de traitement sont envoyés au programme « PLC » qui 20 pilote les moyens de pompage 20, les moyens de contrôle 46 de chaque générateur 34 ainsi que les flux de gaz requis. On place ensuite l'ensemble du support 16 et de l'objet 14 dans la chambre à vide 12 et on réalise les conditions de vide appropriées aux différents traitements de surface que l'on souhaite réaliser un vide d'environ 10-3 mbar. 25 Une fois que les conditions de vide appropriées sont atteintes, on ouvre la porte 50 pour mettre les générateurs 34, préalablement maintenus à un niveau de vide d'environ 10-6 mbar, en communication avec la chambre 12. On réalise, par exemple, un traitement par bombardement ionique par un faisceau d'ions Hélium mono-chargés (He+). Grâce à l'identification de l'objet 14, le 30 programme « PLC » va notamment activer sélectivement les générateurs 34 nécessaires à chaque traitement. Par exemple, le bombardement est réalisé, d'une part, en excitant les générateurs 34A de petites dimensions à une fréquence de 2,45 GHz pour initier le plasma et, d'autre part, en les alimentant en Hélium. Le plasma ainsi créé, les ions 35 He+ sont extraits au moyen de l'électrode 36A portée à un potentiel de 30 kV puis accélérés par l'électrode 36B portée à un potentiel de 25 kV et un courant de 1 mA et l'électrode 36C portée à un potentiel nul (terre) et un courant de 1 mA. 2978598 -11- Le programme « PLC » ou l'ordinateur industriel peut en outre contrôler la vitesse de rotation du support 16 afin de contrôler le temps de traitement de chaque surface de l'objet 14. Dans le cas présent, la vitesse de rotation est définie pour correspondre à un temps de traitement de la surface de 3 secondes 5 correspondant à une dose d'ions He+ reçue de 6.1015 ions/cm2. A la fin du traitement par bombardement ionique, on ferme la porte 50 et on réalise un pompage pour atteindre 10-5 mbar, conditions dans lesquelles on réalise un dépôt PVD d'une couche d'aluminium comprise entre 50 et 70 nm d'épaisseur. Une fois la couche d'aluminium déposée, on injecte, à travers le débitmètre 42 10 une quantité de monomère HMDSO correspondant à un débit de 100 sccm (conformément au sigle anglais pour « standard cubic centimeter »). Lorsque la pression est stabilisée à 5.10-2 mbar, on ouvre la porte 50 pour mettre l'ensemble des générateurs en communication avec la chambre. On alimente sélectivement les générateurs 34 nécessaires à ce traitement à une 15 fréquence de 2,45 GHz pour initier le plasma HMDSO. Dans le plasma, les monomères polymérisent et se déposent sur l'objet 14, formant une couche de protection transparente de la couche d'aluminium préalablement déposée par PVD. Dans cet exemple, l'injection de gaz et l'alimentation des générateurs 34 sont arrêtées après 60 secondes permettant d'obtenir un dépôt ayant une épaisseur 20 comprise entre 25 et 40 nm. On ferme ensuite la porte 50 et on remet la chambre 12 à pression atmosphérique afin d'en extraire chaque objet 14 traité. L'installation 10 est alors disponible pour le traitement d'un ou de plusieurs nouveaux objets. 25 On peut également modifier les dépôts réalisés par PVD et PECVD en utilisant le bombardement ionique en même temps que le dépôt PVD ou PECVD. On peut également envisager de réaliser ces plusieurs traitements simultanément en répartissant les générateurs 34 de l'assemblage 64 entre les différents traitements de surface que l'on souhaite réaliser. 30 Exemple 2 : mélanqes de qaz Pour le bombardement ionique, on peut envisager d'utiliser des mélanges de gaz choisis parmi les mélanges He/Ar (par exemple en ratio de débit de gaz : 80/20 ou 50/50), He/N2 (par exemple en ratio de débit de gaz : 80/20 ou 20/80) ou 35 He/Ar/N2 (par exemple en ratio de débit de gaz : 60/20/20). Pour le traitement plasma, les mélanges suivants peuvent être utilisés : air/Ar (par exemple en ratio de débit de gaz : 60/40), Ar/N2 (par exemple en ratio de débit 2978598 -12- de gaz : 50/50), Ar/N2O (par exemple en ratio de débit de gaz : 50/50 ou 80/20), HMDSO/TMDSO (par exemple en ratio de débit de gaz : 80/20), HMDSO/N2O/Ar (par exemple en ratio de débit de gaz : 70/10/20), CH4/N2O (par exemple en ratio de débit de gaz : 80/20) ou HMDSO/N2O/O2 (par exemple en ratio de débit de gaz : 5 80/10/10). En outre, dans le cas de mélanges de gaz, les gaz peuvent être mélangés en amont des générateurs 34 soit par une alimentation sélective des générateurs 34. Par exemple, pour un mélange He/Ar (par exemple 80/20 en ratio de débit de gaz),, on peut soit pré-mélanger les deux gaz avant arrivée dans le générateur 34, 10 soit alimenter 80% des générateurs activés en ion d'hélium mono-chargé He+ et 20% des générateurs activés en ion d'hélium mono-chargé Ar+. On peut également envisager d'alimenter les générateurs 34 en hélium, puis, de les alimenter en argon Exemple 3 : séquences successives de traitement avec des qaz différents 15 Egalement, il est possible de réaliser un traitement en séquence, chaque séquence utilisant un gaz différent avec des conditions spécifiques. Par exemple, selon les séquences suivantes : gaz tension dose temps de précurseur d'extraction traitement Séquence 1 He 30 KV 6.1015 ions/cm2 2s Séquence 2 N2 20 kV 1016 ions/cm2 3s Séquence 3 12 5 kV 1014 ions/cm2 5s Il est également possible au lieu de traiter en séquence on peut réaliser ces 20 traitements (par exemple les trois ci-dessus) simultanément mais en réalisant une répartition spatiale différente dans une matrice de générateurs de plasma. REVENDICATIONS1. Installation (10) de traitement d'une surface d'un objet (14), du type comprenant : - une chambre à vide (12), dans laquelle l'objet (14) est destiné à être placé, - des moyens de traitement (32) en communication avec la chambre à vide (12) de la surface de l'objet (14) comportant au moins deux générateurs de plasma (34), caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens de contrôle (46) de chaque générateur (34) indépendamment de tout autre générateur (34), les moyens de contrôle (46) comportant des moyens d'activation/désactivation (48) du générateur (34). 2. Installation (10) selon la revendication précédente, dans laquelle les moyens d'activation/désactivation (48) comprennent un interrupteur. 3. Installation (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans laquelle les moyens de contrôle (46) comprennent, par exemple, des moyens de contrôle de la puissance du générateur, des moyens de réglage de position du générateur ou des moyens de contrôle du débit de gaz. 4. Installation (10) selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant des moyens d'identification (52) de l'objet (14) à traiter, par exemple, un lecteur optique de code barre ou de numéro d'identification de l'objet. 5. Procédé de traitement d'une surface d'un objet (14), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - attribuer au moins un paramètre à l'objet (14), - identifier l'objet à traiter (14), l'objet (14) comprenant au moins une surface à traiter, - placer l'objet à traiter (14) dans la chambre à vide (12) d'une installation (10) selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, - déterminer chaque générateur (34) à activer en fonction de chaque paramètre de l'objet (14) identifié, - traiter l'objet (14) en activant chaque générateur de plasma (34) déterminé à l'étape précédente. 6. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l'étape de traitement de l'objet (14) comprend une étape d'activation de la surface par plasma, une étape de dépôt PECVD et/ou une étape de bombardement ionique. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 6, dans lequel l'étape d'identification de l'objet à traiter (14) est réalisée par lecture d'un code 2978598 -14- barre (54) d'identification de l'objet. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, comprenant une étape de stockage des paramètres attribués à chaque objet (14) dans une base de données. 5 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel l'étape de détermination de chaque générateur (34) à activer est réalisée par un programme d'ordinateur. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, comportant plusieurs étapes successives de traitement de la surface de l'objet (14).