FR 2989171 A1 20131011 FR 1253207 A 20120406 PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE D'UN CHAMP MAGNETIQUE ET DE LA TEMPERATURE D'UN TRANSDUCTEUR MAGNETO-RESISTIF [1] L'invention concerne un procédé et un dispositif de mesure d'un premier champ magnétique et de la température d'un transducteur magnéto-résistif, l'intensité du premier champ magnétique étant inconnue. L'invention a également pour objet un capteur de courant incorporant ce dispositif de mesure et un support d'enregistrement d'informations pour la mise en oeuvre du procédé ci-dessus. [2] Des procédés connus de mesure d'un premier champ magnétique et de la 10 température d'un transducteur magnéto-résistif comporte : - la production, par le transducteur magnéto-résistif, d'un signal de mesure fonction de l'intensité du premier champ magnétique, ce signal de mesure étant également fonction de la température du transducteur magnéto-résistif, - l'établissement d'une mesure de l'intensité du premier champ magnétique à 15 partir du signal de mesure produit, et - l'établissement d'une mesure de la température du transducteur magnéto-résistif. [003] La mesure de la température du transducteur magnéto-résistif est par exemple utile pour compenser en température la mesure du premier champ magnétique ou la mesure du courant qui génère ce premier champ magnétique. Il a 20 été proposé dans la demande US 2005/0077890 d'utiliser le même transducteur magnéto-résistif pour mesurer à la fois le premier champ magnétique et la température. Dans ce document, le premier champ magnétique est généré par un courant lm à mesurer circulant dans un conducteur électrique placé à proximité du transducteur magnéto-résistif. Lorsque la température du transducteur magnéto- 25 résistif doit être mesurée, le courant lm est interrompu puis remplacé par un courant I, dont les caractéristiques sont connues. Le signal de mesure généré par le transducteur magnéto-résistif varie, pour un courant I, donné, en fonction de la température. Ainsi, en fixant le courant 1,, il est possible de mesurer la température à l'aide de ce transducteur magnéto-résistif. 30 [004] Ce procédé est particulièrement avantageux puisque le même transducteur magnéto-résistif est utilisé pour mesurer la température et le premier champ magnétique. [5] Toutefois, la mesure de la température suppose d'interrompre le courant lm. Or, lorsque le capteur de courant décrit dans US 2005/0077890 est utilisé, par 35 exemple, pour mesurer le courant dans une phase d'un moteur électrique, il n'est pas possible d'interrompre le courant lm. [6] L'invention vise donc à proposer un procédé de mesure du premier champ magnétique et de la température du transducteur magnéto-résistif dans lequel il n'est pas nécessaire d'interrompre le premier champ magnétique pour réaliser la mesure 40 de la température. Elle a donc pour objet un procédé comportant également: - la génération, en même temps que le premier champ magnétique, d'un second champ magnétique dont les caractéristiques sont connues, ce second champ magnétique se combinant au premier champ magnétique pour former un champ magnétique résultant qui est mesuré par le transducteur magnéto-résistif, - l'extraction, dans le signal de mesure produit, de la composante de ce signal qui est fonction uniquement du seul second champ magnétique, en utilisant les caractéristiques connues du second champ magnétique, et - l'établissement de la température du transducteur magnéto-résistif à partir de la composante extraite. [007] Le procédé ci-dessus permet de mesurer la température du transducteur magnéto-résistif même en présence du premier champ magnétique inconnu. Il n'est donc pas nécessaire d'interrompre ce premier champ magnétique ou de connaître ses caractéristiques pour réaliser la mesure de la température. [008] Les modes de réalisation de ce procédé peuvent comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : ^ la mesure de l'intensité du premier champ magnétique est établie à partir du signal de mesure auquel a été soustraite la composante extraite, et le procédé comporte la compensation en température d'une grandeur physique fonction de l'intensité du premier champ magnétique, à l'aide de la température du transducteur magnéto-résistif établie à partir de la composante extraite ; ^ la compensation en température est réalisée en fonction de la température du transducteur magnéto-résistif établie à l'aide du second champ magnétique généré en même temps que le premier champ magnétique. [009] Les modes de réalisation du procédé ci-dessus présentent en outre les avantages suivants : - compenser la mesure de l'intensité d'une grandeur physique dépendante de la température en fonction de la température mesurée à l'aide du transducteur magnéto-résistif permet d'accroître la précision de la mesure de cette grandeur physique ; - utiliser la température mesurée au même instant que le premier champ magnétique permet d'accroître la précision et la robustesse de la mesure du premier champ magnétique. [cm cl L'invention a également pour objet un support d'enregistrement d'informations comportant des instructions pour l'exécution du procédé ci-dessus de 35 mesure, lorsque ces instructions sont exécutées par un calculateur électronique. [0011] L'invention a également pour objet un dispositif de mesure d'un premier champ magnétique et de la température d'un transducteur magnéto-résistif, ce dispositif comportant : - le transducteur magnéto-résistif apte à produire un signal de mesure fonction de l'intensité du premier champ magnétique, ce signal de mesure étant également fonction de la température du transducteur magnéto-résistif, - une unité de traitement apte - à établir une mesure de l'intensité du premier champ magnétique à partir du signal de mesure produit, et - à établir une mesure de la température du transducteur magnéto-résistif, - un générateur apte à générer, en même temps que le premier champ magnétique, un second champ magnétique dont les caractéristiques sont connues, ce second champ magnétique se combinant au premier champ magnétique pour former un champ magnétique résultant qui est mesuré par le transducteur magnéto-résistif, et -l'unité de traitement est programmée pour : - extraire, dans le signal de mesure produit, la composante de ce signal qui est fonction uniquement du seul second champ magnétique, en utilisant les caractéristiques connues du second champ magnétique, et - établir la température du transducteur magnéto-résistif à partir de la composante extraite. [0012] Les modes de réalisation de ce dispositif de mesure peuvent comporter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes : ^ l'unité de traitement est apte : - à générer la mesure de l'intensité du premier champ magnétique à partir du signal de mesure auquel a été soustrait la composante extraite, et - à compenser en température une grandeur physique fonction de l'intensité du premier champ magnétique, à l'aide de la température du transducteur magnéto-résistif établie à partir de la composante extraite ; ^ le générateur comprend : - une ligne conductrice générant le second champ magnétique lorsqu'elle est parcourue par un courant connu, et - une source de courant raccordée électriquement à la première ligne conductrice et apte à produire le courant connu dans cette ligne conductrice ; ^ le transducteur magnéto-résistif comprend une vanne de spin ou une magnétorésistance tunnel. [0013] L'invention a également pour objet un capteur de courant comportant : - un conducteur électrique dans lequel circule le courant à mesurer, - le dispositif ci-dessus de mesure d'un premier champ magnétique correspondant au champ magnétique généré par le courant à mesurer circulant dans le conducteur électrique, - une unité de traitement apte à établir la mesure de l'intensité du courant à mesurer à partir du premier champ magnétique mesuré par le dispositif de mesure. [0014] Les modes de réalisation de ce capteur de courant peuvent comporter une ou 5 plusieurs des caractéristiques suivantes : ^ la ligne conductrice du générateur du dispositif de mesure est électriquement isolée du conducteur électrique dans lequel circule le courant à mesurer ; ^ le conducteur électrique et la ligne conductrice du dispositif de mesure ne forment qu'une seule ligne de courant dans laquelle le courant connu de la 10 source de courant se superpose au courant à mesurer pour générer en même temps les premier et second champs magnétiques. [0015] Ces modes de réalisation du capteur de courant présentent en outre les avantages suivants : - utiliser une ligne conductrice indépendante du conducteur électrique permet 15 d'optimiser la section du conducteur électrique indépendamment de la section transversale de la ligne conductrice et donc, par exemple, de mesurer des courants de forte intensité, c'est-à-dire dont l'intensité est supérieure à 10 ampères ou 100 ampères ; - utiliser une même ligne de courant pour former à la fois le conducteur électrique et 20 la ligne conductrice permet de simplifier la réalisation du capteur de courant. [0016] L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif et faite en se référant aux dessins sur lesquels : - la figure lest une illustration schématique d'un capteur de courant, 25 - la figure 2 est une illustration schématique en coupe verticale de la section transversale d'un barreau magnéto-résistif utilisé dans le capteur de la figure 1 ; - la figure 3 est un graphe illustrant la variation de résistance du barreau magnétorésistif de la figure 2 en réponse à une variation de l'intensité d'un champ magnétique ; 30 - la figure 4 est un graphe illustrant la variation d'un signal de mesure du capteur de la figure 1 en fonction de la température pour différents champs magnétiques constants, - la figure 5 est un graphe illustrant la variation du signal de mesure du capteur de la figure 1 en réponse à une variation de l'intensité du courant circulant dans une ligne 35 de courant pour différentes températures; - la figure 6 est un organigramme d'un procédé de mesure d'un courant à l'aide du capteur de la figure 1 ; et - la figure 7 est une illustration schématique d'un autre mode de réalisation du capteur de courant de la figure 1. [0017] Dans ces figures, les mêmes références sont utilisées pour désigner les mêmes éléments. [0018] Dans la suite de cette description, les caractéristiques et fonctions bien connues de l'homme du métier ne sont pas décrites en détail. [0019] La figure 1 représente un capteur 2 de courant. Le courant mesuré peut être un courant continu ou alternatif. Dans le cas d'un courant alternatif, sa fréquence sera typiquement inférieure à 100 MHz, 0,1GHz ou 0,5GHz. Ce capteur 2 comporte un conducteur électrique 4. Le conducteur 4 est rectiligne et parallèle à une direction horizontale X d'un repère orthogonal X, Y, Z. Dans le repère X, Y, Z, la direction Y est également horizontale et la direction Z est verticale. Les extrémités opposées du conducteur 4 sont raccordées, respectivement, à des bornes E et S d'entrée et de sortie du courant lm à mesurer. [0020] Un support 6 électriquement isolant est fixé, sans aucun degré de liberté, sur le conducteur 4. Par la suite, on considère qu'un matériau est isolant si sa résistivité 15 est supérieure à 1 Cl.m et, de préférence, supérieure à 104 Cl.m à 25°C. [0021] Le capteur 2 comporte également un dispositif 10 de mesure de champ magnétique fixé sans aucun degré de liberté sur ce support 6. Ce dispositif 10 mesure notamment un champ magnétique Hm généré par le courant lm circulant dans le conducteur 4. Le champ Hm est perpendiculaire à la direction X. A cet effet, le 20 dispositif 10 comprend : - un transducteur magnéto-résistif 12 qui transforme le champ magnétique dans lequel il est plongé en un signal électrique V de mesure, et - une unité électronique 14 de traitement du signal de mesure. [0022] Ici, le signal V est une tension. Le signal V suit l'évolution temporelle du 25 champ mesuré. Ainsi, lorsque le champ mesuré est alternatif, le signal V est une tension alternative de même fréquence. A chaque instant, l'amplitude du signal V est représentative de l'amplitude du champ mesuré. Cette unité 14 est apte à établir la mesure de l'intensité du champ Hm le long de la direction de mesure Y à partir du signal V généré par le transducteur 12. Cette unité 14 est également apte à établir 30 l'intensité du courant lm à partir de l'intensité mesurée du champ Hm. L'unité 14 restitue l'intensité établie du courant lm sur une sortie 16. [0023] Par exemple, l'unité 14 est réalisée à partir d'un calculateur électronique 22 programmable apte à exécuter des instructions enregistrées sur un support d'enregistrement d'informations. A cet effet, l'unité 14 comprend une mémoire 24 35 raccordée au calculateur 22. Cette mémoire 24 stocke les instructions nécessaires pour exécuter le procédé de la figure 6. [0024] Le transducteur 12 comporte quatre barreaux magnéto-résistifs 30 à 33 électriquement raccordés entre eux pour former un pont de Wheatstone. Un barreau magnéto-résistif est un composant dont la résistivité varie en fonction du champ magnétique dans lequel il est placé. Les barreaux magnéto-résistifs dont il s'agit ici sont des vannes de spin. [0025] Ce pont de Wheatstone comprend une première et une seconde branches électriquement raccordées en parallèle entre des potentiels de référence V+ et V-. Le 5 potentiel V- est par exemple la masse ou la terre. La première branche comprend successivement, en allant du potentiel V+ vers le potentiel V-, les barreaux magnétorésistifs 30 et 31 raccordés en série par l'intermédiaire d'un point milieu A. La seconde branche comprend successivement, en allant du potentiel V+ vers le potentiel V-, les barreaux 32 et 33 raccordés en série par l'intermédiaire d'un point 10 milieu B. [0026] Les potentiels VA et VB au niveau des points milieux A et B sont donnés par les relations suivantes : VA = (V+ - V_ )R2/( Ri+R2) VB = (V+ - V_)R4/(R3+R4) 15 ou R1, R2, R3 et R4 désignent les résistances, respectivement, des barreaux 30 à 33. [0027] Ici, chaque barreau 30 à 33 a essentiellement une forme de parallélépipède rectangle dont au moins deux grandes faces s'étendent horizontalement. La direction dans laquelle s'étend principalement le barreau est appelée direction longitudinale. Ici, cette direction est horizontale et parallèle à la direction X. La direction 20 transversale est parallèle à la direction Y. [0028] De préférence, chaque barreau présente un rapport de forme important, c'est-à-dire un rapport de forme supérieur à vingt et, de préférence, supérieur à quarante ou cent. Ce rapport de forme est défini par le rapport entre la longueur L du barreau sur sa largeur transversale W. 25 [0029] Par exemple, la longueur L est supérieure à 50 ou 100 pm et, de préférence, inférieure à 1 mm. La largeur transversale W est typiquement supérieure à 0,3 pm ou 1 pm et, de préférence, inférieure à 15 pm ou 30 pm. [0030] Ici, les barreaux 30 à 33 sont tous disposés au-dessus du conducteur 4. [0031] Les barreaux 31 et 32 sont agencés de sorte que leurs résistances 30 respectives varient dans le même sens en réponse à la même variation du courant lm à mesurer. Ici, les barreaux 31 et 32 sont identiques. [0032] Dans ce mode de réalisation, les barreaux 30 et 33 sont identiques aux barreaux 31 et 32 sauf que la direction d'aimantation de leurs couches de référence respectives est opposée à celles des barreaux 31 et 32. Sur la figure 1, la direction 35 d'aimantation de chaque barreau est représentée par une flèche. La résistance des barreaux 31 et 32 varie donc en sens opposé à celle des barreaux 30 et 33. [0033] L'unité 14 de traitement reçoit la différence entre les potentiels VA et VB pour établir l'intensité du courant lm circulant dans le conducteur 4. Cette différence entre les potentiels VA et VB constitue le signal V de mesure. [0034] Les structures des différents barreaux magnéto-résistifs sont identiques et seule la structure du barreau 30 est décrite plus en détail en références à la figure 2. [0035] Le barreau 30 comporte un empilement 38, immédiatement consécutif, d'une couche de référence 40, d'un espaceur 42 et d'une couche libre 44 dans la direction 5 verticale. Un tel empilement pour obtenir une magnétorésistance géante ou GMR (Geant Magneto-Resistance) est conventionnel. Les GMR sont également connues sous le terme « vannes de spin ». Cet empilement ne sera donc pas décrit en détail. [0036] La couche 40 de référence a une aimantation de direction fixe et perpendiculaire à la direction X. Par « direction fixe », on désigne ici le fait que la 10 direction d'aimantation de cette couche est beaucoup plus difficile à modifier que la direction d'aimantation de la couche libre. [0037] Par exemple, la couche 40 est une couche ferromagnétique. Elle peut être réalisée en cobalt, en nickel ou en fer ou dans leurs alliages tels que CoFe, NiFe, CoFeB ou autres. 15 [0038] La direction d'aimantation de la couche 40 est fixée à l'aide d'une couche 46 anti-ferromagnétique. La couche 46 sert à piéger la direction d'aimantation de la couche 40. Par exemple, la couche 46 est réalisée dans un alliage de manganèse tel que l'un des alliages suivants IrMn, PtMn, FeMn, NiMn ou autres. [0039] L'espaceur 42 est une couche réalisée en matériau non magnétique. Cet 20 espaceur 42 est suffisamment épais pour découpler magnétiquement les couches 40 et 44. Ici, l'espaceur 42 est une couche en matériau conducteur tel que du cuivre. [0040] La couche libre 44 présente une direction d'aimantation qui peut plus facilement tourner que celle de la couche de référence. La direction de plus facile aimantation de cette couche 44 est ici parallèle à la direction longitudinale du 25 barreau, c'est-à-dire ici la direction X. Par exemple, la couche 44 est une couche réalisée en matériau ferromagnétique ou un empilement de couches ferromagnétiques. [0041] L'empilement 38 comprend à chaque extrémité une électrode conductrice, respectivement, 48 et 50 pour faire circuler le courant qui traverse le barreau 30 magnétorésistif perpendiculairement au plan des couches 40, 42 et 44. [0042] Pour simplifier la figure 2, les rapports d'épaisseurs entre les différentes couches de l'empilement 38 n'ont pas été respectés sur cette figure. [0043] La variation de la résistance du barreau magnéto-résistif 30 en fonction de l'intensité d'un champ magnétique à l'intérieur duquel il est placé est représentée sur 35 la figure 3 par une courbe 60. L'axe des abscisses est gradué en Gauss et l'axe des ordonnées représente la résistance du barreau 30 exprimée en Ohm. [0044] Sur cette figure, la courbe 60 varie linéairement à plus ou moins x,% près dans une plage [a ; b] située autour du champ nul. Ici, la valeur x, est choisie inférieure à 20 % ou 10 % et, de préférence, inférieure à 5 % ou 1 % ou 0,5 %. Par 40 exemple, dans ce mode de réalisation, la valeur x, est choisie égale à 1% ou 0,25 %. Dans ces conditions, les bornes a et b sont sensiblement égales, respectivement, à -20G et +30G. [0045] Sur la plage [a ; b], la résistance du barreau 30 varie linéairement entre un seuil bas Sb et un seuil haut Sn. Les valeurs des bornes a, b et des seuils Sn et Sb sont connues. Par exemple, elles sont mesurées expérimentalement. En dehors de la plage [a ; b], la réponse du barreau 30 varie de façon non linéaire. Par « non linéaire », on signifie que si la valeur de la borne « a » était diminuée ou si la valeur de la borne « b » était augmentée, alors la réponse du barreau 30 ne serait plus linéaire à ±x,% près sur cette nouvelle plage [a ; b]. [0046] Puisque la réponse du barreau 30 est linéaire dans la plage [a ; b], la réponse du transducteur magnéto-résistif 12 varie également linéairement à ±x,% près dans la plage [a ; b]. [0047] Par la suite, on se place dans le cas où le transducteur magnéto-résistif 12 travaille dans la plage [a ; b]. [0048] La résistance de chaque barreau magnéto-résistif 30 à 33 varie également en fonction de la température de ce barreau. Ainsi, le signal V généré par le transducteur 12 varie aussi en fonction de la température des barreaux magnéto-résistifs. [0049] Ici, le transducteur magnéto-résisitif 12 est tel que, quand il est plongé dans un champ magnétique constant quelconque compris dans la plage [a, b], le signal de mesure qu'il génère varie linéairement en fonction de la température sur une grande plage de températures, c'est-à-dire sur une plage de plus de 40°C ou 70°C de large. Par exemple, le rapport de forme du transducteur magnéto-résistif 12 est déterminé expérimentalement pour que sur la plage [a, b], le signal de mesure varie linéairement à la fois en fonction du champ magnétique à mesurer mais aussi en fonction de la température. La linéarité de la variation de température sur la plage de plus de 40°C est par exemple inférieure à 20 ou 10 ou 5 ou 1 % selon l'application envisagée. [0050] La figure 4 représente l'évolution du signal V du transducteur 12 en fonction de la température pour différentes intensités constantes du courant lm et en présence du seul champ magnétique terrestre. Sur ce graphe, les courbes 62 à 64 ont été obtenues pour des valeurs du courant lm égales, respectivement, à 0 A, 70 A et 120 A. On peut remarquer que la pente des courbes des droites 62 à 64 varie en fonction de l'intensité du champ magnétique constant dans laquelle est plongé le transducteur 12. [0051] La figure 5 représente l'évolution du signal V généré par le transducteur 12 en fonction de l'intensité du courant lm pour différentes températures. Sur ce graphe, les droites 70 à 74 ont été obtenues pour des températures égales à, respectivement, 0°C, 20°C, 40°C, 80°C et 120°C. [0052] Comme pour le graphe de la figure 4, on peut remarquer que la pente des 40 droites 70 à 74 varie en fonction de la température. [0053] Pour pouvoir mesurer la température du transducteur 12, le dispositif 10 est également équipé d'un générateur d'un second champ magnétique H,. Dans ce mode de réalisation, ce générateur comporte: - une source de courant 80 commandable, et - une ligne conductrice 82 dont les extrémités sont électriquement raccordées à la source de courant 80. [0054] La source de courant 80 génère un courant I, qui circule dans la ligne 82. Les caractéristiques du courant I, sont connues. Ces caractéristiques sont les caractéristiques qui permettent de déterminer sans ambiguïté la forme d'onde du courant I,. Par exemple, dans ce mode de réalisation, le courant I, est un courant alternatif sinusoïdal de fréquence f, et d'amplitude A, où, f, et A, sont connus à chaque instant et commandées par la source de courant 80. [0055] La source du courant 80 est raccordée à l'unité de traitement 14. La liaison qui raccorde ces deux éléments n'a pas été représentée pour simplifier la figure 1. 15 Cette liaison permet à l'unité 14 de connaître exactement les caractéristiques du courant I, circulant actuellement dans la ligne 82. [0056] La ligne 82 s'étend parallèlement au conducteur 4 pour générer le champ magnétique H, parallèlement au champ magnétique Hm à mesurer. [0057] La ligne 82 est positionnée vis-à-vis des barreaux magnéto-résistifs 30 à 33 20 de telle manière que le champ H, dans lequel est plongé chaque barreau magnétorésistif 30 à 33 est identique. Par exemple, la ligne 82 passe à mi-distance entre les barreaux 30 et 32 et entre les barreaux 31 et 33. [0058] Le champ magnétique, noté Hr, dans lequel les barreaux magnéto-résistifs sont plongés, résulte de la combinaison des champs magnétiques Hm et H,. Ainsi, en 25 fonctionnement, le signal de mesure V est essentiellement la somme de deux composantes V, et Vm. Les composantes V, et Vm correspondent aux tensions correspondant seulement, respectivement, aux courants I, et lm. [0059] L'unité 14 de traitement est programmée pour mesurer aussi bien la température Tm de transducteur 12 que l'intensité du champ Hm à partir du signal de 30 mesure V généré par le transducteur 12. [0060] Le fonctionnement du capteur 2 va maintenant être décrit plus en détail en référence au procédé de la figure 6. [0061] Le procédé débute par une phase 90 de calibration du capteur 2. Cette phase comprend une étape 92 lors de laquelle une première table TC1 de calibration est 35 enregistrée dans la mémoire 24. Cette table TC1 associe à différentes valeurs prédéterminées VT, de la température du transducteur 12 une valeur cct, de la pente de la droite qui relie la valeur de la composante V, à l'amplitude du courant I,. [0062] La phase 90 comprend également une étape 94 d'enregistrement d'une seconde table de calibration TC2. Cette table TC2 associe, à plusieurs valeurs VT, de 40 température du transducteur 12, les coefficients correspondant de l'équation de la droite qui relie la valeur de la composante Vm à l'intensité du courant lm. Pour chaque valeur VT' les valeurs de ces coefficients sont respectivement notées am, et 13m,. [0063] Les valeurs nécessaires pour construire ces tables de calibration sont par exemple obtenues expérimentalement. [0064] Une fois le capteur 2 calibré, celui-ci est utilisé pour mesurer le courant lm inconnu qui circule dans le conducteur 4. [0065] Pour cela, l'unité 14 exécute d'abord une phase 96 de mesure de la température Tm du transducteur 12 en même temps que le courant lm inconnu circule dans le conducteur 4. [0066] Cette phase 96 débute par une étape 98 de génération du champ H,. Pour cela, la source 80 fait circuler un courant I, connu dans la ligne 82. Ici, c'est l'unité 14 qui commande la source 80 pour imposer l'amplitude du courant I,. Lors de la première exécution de cette étape 98, l'amplitude du courant I, est notée VIci. Cette valeur V1,1 peut être nulle. De plus, cette valeur est différente des autres valeurs que peut prendre l'intensité du courant I, lors des réitérations suivantes de cette étape 98. [0067] Lors d'une étape 100, le transducteur 12 produit le signal de mesure V correspondant. Lors de cette étape 100, l'unité 14 de traitement acquiert le signal V. [0068] Lors d'une étape 102, l'unité 14 de traitement extraie du signal V la valeur VV,i de la composante V,. Différentes méthodes sont possibles pour extraire la valeur VV,i de la composante V, à partir des caractéristiques connues du courant I,. Par exemple, ici, une démodulation synchrone ou détection synchrone est mise en oeuvre. Pour cela, le signal V est multiplié par un signal temporellement synchronisé sur le courant I,. Ce signal synchronisé a par exemple exactement la même forme d'onde au même moment que le courant I,. Ensuite, un filtre passe-bas est utilisé pour récupérer la composante continue. Cette composante continue permet d'obtenir la valeur VV,i de la composante V,. [0069] Ensuite, les étapes 98 à 102 sont réitérées avec un courant I, de même fréquence mais dont l'amplitude est égale à VIG2. La valeur VIG2 est différente de la valeur [0070] Lors d'une étape 104, l'unité 14 établit la température Tm à partir des différentes valeurs VVc, extraites du signal V lors des itérations précédentes des étapes 98 à 102. On suppose ici que les étapes 98 à 102 ont été réitérées deux fois de manière à obtenir les valeurs VV,i et VV,2 de la composante V, respectivement pour des valeurs V1,1 et VIG2 du courant I,. A l'aide de ces valeurs W,;, lors d'une opération 106, l'unité 14 calcule une pente at. Par exemple, la pente at est calculée à l'aide de la relation suivante : at = (VVG2 - )/(VI,2 - V1,1). [0071] Ensuite, lors d'une opération 108, l'unité 14 trouve dans la table TC1 la température Tm du transducteur 12 associée à la pente at calculée lors de 40 l'opération 106. Éventuellement, lors de cette opération 108, la valeur de la 2 9 89 1 71 11 température Tm est trouvée par extrapolation, par exemple linéaire, si la pente at tombe entre deux pentes a, enregistrées dans la table TC1. [0072] La phase 96 est ici réitérée en boucles pour mesurer en permanence la température Tm. 5 [0073] En parallèle, lors d'une phase 110, l'intensité du courant lm est mesurée. [0074] Pour cela, lors d'une étape 112, l'unité 14 établit une mesure du champ magnétique Hm. Ici, cette mesure correspond à la valeur de la composante Vm du signal V. Cette valeur de la composante Vm est par exemple extraite du signal V à l'aide de l'opération suivante : Vm = V - Vc, où V, est la valeur de la composante V, 10 extraite au même moment dans le signal V. [0075] Ensuite, lors d'une étape 114, l'unité 14 compense en température la valeur de la composante Vm ainsi obtenue en fonction de la température Tm mesurée au même instant lors de la phase 96. On considère que la température Tm est mesurée au même instant si cette température Tm est obtenue à partir du champ magnétique 15 Hc généré par la ligne 82 en même temps que le champ magnétique Hm mesuré lors de cette phase 110. [0076] Pour cela, lors d'une opération 116, l'unité 14 trouve dans la table TC2 les coefficients am, et 13m, de la droite correspondant à la valeur de la température Tm mesurée. Lors de cette opération 116, éventuellement, on utilise une extrapolation, 20 par exemple linéaire, si la température Tm tombe entre deux températures de la table TC2. La table TC2 permet donc d'obtenir la pente am, et la constante 13m, qui définissent la droite qui relie la valeur de la composante Vm à la valeur de l'intensité du courant lm. [0077] Lors d'une opération 118, l'unité 14 établit la valeur du courant lm 25 correspondant à la composante Vm en utilisant la droite dont la pente et la constante ont été trouvées lors de l'opération 116. Ainsi, la valeur du courant lm obtenue est compensée en température. L'utilisation de la droite sélectionnée en fonction de la température Tm revient à utiliser une mesure du champ Hm compensée en température pour établir la mesure du courant lm. 30 [0078] La figure 7 représente un capteur 130. Ce capteur 130 est identique au capteur 2 sauf que le conducteur électrique 4 est remplacé par un conducteur électrique 132 et le dispositif 10 de mesure du champ magnétique est remplacé par un dispositif 134 de mesure d'un champ magnétique. [0079] Le conducteur 132 comprend deux brins 136 et 138 qui s'étendent 35 parallèlement l'un à l'autre dans la direction X. Ces brins 136 et 138 sont raccordés entre eux par un brin supplémentaire 140 de sorte que le courant lm mesuré circule dans un sens dans le brin 136 et dans le sens opposé dans le brin 138. Ici, ces brins 136, 138 et 140 forment un « U ». posol Les brins 136 et 138 sont également raccordés, respectivement, à des bornes E et F d'entrée et de sortie du courant lm. [0081] Le dispositif 134 est identique au dispositif 10 sauf que la ligne conductrice 82 est omise et que le transducteur magnéto-résistif 12 est remplacé par un transducteur magnéto-résistif 144. [0082] Dans ce mode de réalisation, la source de courant 80 est directement raccordée, respectivement, aux brins 136 et 138. Dans ces conditions, le courant I, généré par la source 80 se superpose au courant lm à mesurer dans les brins 136 et 138. [0083] Le transducteur 144 est identique au transducteur 12 sauf que les barreaux magnéto-résistifs 30 à 33 sont remplacés, respectivement, par des barreaux magnéto-résistifs 146 à 148. Ces barreaux magnéto-résistifs 146 à 148 sont tous identiques. Par exemple, ils sont identiques aux barreaux 30. Toutefois, dans le transducteur 144, les barreaux 146 et 148 sont agencés de manière à ce que leur résistance ne varie pas en réponse à une variation de l'intensité du courant dans le conducteur 132. Par exemple, le transducteur 144 comprend un écran magnétique interposé entre les barreaux 146 et 148 et le conducteur 132. [0084] Ici, les barreaux 146 et 147 sont disposés au-dessus du brin 136 de manière à être au moins deux ou trois plus proches de ce brin 136 que du brin 138. Ainsi, les barreaux 146 et 147 sont essentiellement sensibles au champ magnétique Hm créé par le courant qui circule dans le brin 136. [0085] De façon similaire, les barreaux 148 et 149 sont disposés au-dessus du brin 138 de manière à être deux ou trois fois plus proches de ce brin 138 que du brin 136. Ainsi, les barreaux 148 et 149 sont essentiellement sensibles au champ magnétique créé par le courant qui circule dans le brin 138. [0086] Dans le capteur 130, le même conducteur électrique 132 est utilisé pour faire circuler les courants I, et lm. Toutefois, comme précédemment, le signal de mesure généré par le transducteur 144 est formé par la somme des composantes V, et Vm. Le procédé de fonctionnement du capteur 130 est donc identique à celui décrit en référence à la figure 6. [0087] De nombreux autres modes de réalisation sont possibles. Par exemple, les transducteurs magnéto-résistifs peuvent être réalisés de différentes façons. Par exemple, le transducteur magnéto-résistif est réalisé à partir d'un seul barreau magnéto-résistif. Dans ce cas, aucun pont de Wheatstone n'est utilisé. [0088] Dans un autre mode de réalisation, une autre configuration du pont de Wheatstone que celle précédemment décrite est utilisée. Par exemple, on pourra se 35 référer à ce sujet aux différents ponts de Wheatstone décrits dans la demande US 2011/0227560. [0089] D'autres modes de réalisation des barreaux magnéto-résistifs sont possibles. Par exemple, le barreau magnéto-résistif est agencé pour former une jonction tunnel magnétique utilisant l'effet tunnel plus connu sous l'acronyme de TMR (Tunnel 40 Magneto-resistance). Dans une jonction tunnel, l'espaceur est en matériau non magnétique isolant. Par exemple, il peut s'agir d'un oxyde ou d'un nitrure d'aluminium. Par exemple, l'espaceur est réalisé en alumine A1203, en oxyde de manganèse MgO ou en titane de strontium (SrTiO3) ou autres. [0090] Il n'est pas nécessaire que la température Tm soit utilisée pour compenser une grandeur physique mesurée en même temps. En variante, la température Tm utilisée pour compenser la mesure du courant lm n'est pas nécessairement établie à partir du champ magnétique H, généré en même temps que le champ Hm. Ainsi, si la température du transducteur magnéto-résistif ne varie pas rapidement, à l'instant t1, la température du transducteur est établie. Ensuite, à un instant t2 ultérieur, cette 10 température est utilisée pour compenser la mesure du courant lm. [0091] La température établie à partir du transducteur magnéto-résistif n'est pas nécessairement utilisée pour compenser en température une grandeur physique fonction du champ Hm. Par exemple, la température mesurée est utilisée seulement pour estimer la température d'un moteur électrique ou autre. 15 [0092] Dans un autre mode de réalisation, le transducteur magnéto-résistif est uniquement utilisé pour mesurer la température en présence d'un champ magnétique inconnu sans que ce champ magnétique Hm inconnu soit mesuré. [0093] La température Tm peut être utilisée pour compenser en température d'autres grandeurs physiques que le courant lm. Par exemple, en variante, le champ Hm est 20 compensé en température avant l'établissement de la mesure du courant lm. Pour cela, on peut procéder de façon similaire à ce qui a été décrit pour la compensation en température du courant lm. Dans ce cas, de préférence, le champ Hm compensé en température est utilisé pour établir la mesure du courant lm. La compensation en température peut aussi avoir lieu uniquement après l'établissement du courant lm, par 25 exemple lors de l'établissement d'une valeur pour une grandeur physique fonction du courant lm. Ainsi, par exemple, la température Tm est utilisée pour compenser en température une puissance électrique fonction du courant lm non déjà compensé en température. [0094] Les étapes 98, 100 et 102 peuvent être réitérées plus de deux fois pour 30 obtenir plusieurs valeurs de la composante V,. Par exemple, pour cela, l'amplitude du courant I, suit une rampe connue. [0095] D'autres méthodes sont possibles pour extraire la valeur de la composante V, du signal V. Par exemple, un filtre passe-bande centré sur la fréquence f, du courant I, peut être utilisé. 35 [0096] D'autres méthodes pour établir la température à partir des valeurs de la composante V, sont possibles. Par exemple, une table de calibration codant un graphe similaire à celui de la figure 4 est enregistrée dans l'unité 14. La table enregistrée contient, pour plusieurs valeurs différentes du courant 1,, l'équation de la droite qui associe la valeur de la composante V, à la valeur de la température Tm. 40 Ensuite, connaissant la valeur VI, du courant 1,, il est possible de sélectionner la droite à utiliser à l'aide de cette table de calibration. La droite sélectionnée donne la valeur de la température Tm en fonction de la valeur W, de la composante V,. REVENDICATIONS1. Procédé de mesure d'un premier champ magnétique et de la température d'un transducteur magnéto-résistif, l'intensité du premier champ magnétique étant 5 inconnue, ce procédé comportant : - la production (100), par le transducteur magnéto-résistif, d'un signal de mesure fonction de l'intensité du premier champ magnétique, ce signal de mesure étant également fonction de la température du transducteur magnéto-résistif, - l'établissement (112) d'une mesure de l'intensité du premier champ magnétique 10 à partir du signal de mesure produit, et - l'établissement (104) d'une mesure de la température du transducteur magnétorésistif, caractérisé en ce que le procédé comporte également: - la génération (96), en même temps que le premier champ magnétique, d'un 15 second champ magnétique dont les caractéristiques sont connues, ce second champ magnétique se combinant au premier champ magnétique pour former un champ magnétique résultant qui est mesuré par le transducteur magnéto-résistif, - l'extraction (102), dans le signal de mesure produit, de la composante de ce signal qui est fonction uniquement du seul second champ magnétique, en 20 utilisant les caractéristiques connues du second champ magnétique, et - l'établissement (104) de la température du transducteur magnéto-résistif à partir de la composante extraite. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel : 25 - la mesure de l'intensité du premier champ magnétique est établie (112) à partir du signal de mesure auquel a été soustraite la composante extraite, et - le procédé comporte la compensation (118) en température d'une grandeur physique fonction de l'intensité du premier champ magnétique, à l'aide de la température du transducteur magnéto-résistif établie à partir de la composante 30 extraite. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel la compensation (118) en température est réalisée en fonction de la température du transducteur magnétorésistif établie à l'aide du second champ magnétique généré en même temps que le 35 premier champ magnétique. 4. Support (24) d'enregistrement d'informations, caractérisé en ce qu'il comporte des instructions pour l'exécution d'un procédé de mesure conforme à l'unequelconque des revendications précédentes, lorsque ces instructions sont exécutées par un calculateur électronique. 5. Dispositif de mesure d'un premier champ magnétique et de la température d'un 5 transducteur magnéto-résistif, l'intensité du premier champ magnétique étant inconnue, ce dispositif comportant - le transducteur magnéto-résistif (12 ; 144) apte à produire un signal de mesure fonction de l'intensité du premier champ magnétique, ce signal de mesure étant également fonction de la température du transducteur magnéto-résistif, 10 - une unité (14) de traitement apte - à établir une mesure de l'intensité du premier champ magnétique à partir du signal de mesure produit, et - à établir une mesure de la température du transducteur magnéto-résistif, caractérisé en ce que : 15 - le dispositif comporte également un générateur (80, 82 ; 80, 132) apte à générer, en même temps que le premier champ magnétique, un second champ magnétique dont les caractéristiques sont connues, ce second champ magnétique se combinant au premier champ magnétique pour former un champ magnétique résultant qui est mesuré par le transducteur magnéto-résistif, et 20 -l'unité (14) de traitement est programmée pour : - extraire, dans le signal de mesure produit, la composante de ce signal qui est fonction uniquement du seul second champ magnétique, en utilisant les caractéristiques connues du second champ magnétique, et - établir la température du transducteur magnéto-résistif à partir de la 25 composante extraite. 6. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel l'unité (14) de traitement est apte : - à générer la mesure de l'intensité du premier champ magnétique à partir du signal de mesure auquel a été soustrait la composante extraite, et 30 - à compenser en température une grandeur physique fonction de l'intensité du premier champ magnétique, à l'aide de la température du transducteur magnétorésistif établie à partir de la composante extraite. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 6, dans lequel le 35 générateur comprend : - une ligne conductrice (82 ; 132) générant le second champ magnétique lorsqu'elle est parcourue par un courant connu, et- une source (80) de courant raccordée électriquement à la première ligne conductrice et apte à produire le courant connu dans cette ligne conductrice. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel le 5 transducteur magnéto-résistif (12 ; 144) comprend une vanne de spin ou une magnétorésistance tunnel. 9. Capteur de courant comportant : - un conducteur électrique (4 ; 132) dans lequel circule le courant à mesurer, 10 - un dispositif (10 ; 134) de mesure d'un premier champ magnétique correspondant au champ magnétique généré par le courant à mesurer circulant dans le conducteur électrique, - une unité (14) de traitement apte à établir la mesure de l'intensité du courant à mesurer à partir du premier champ magnétique mesuré par le dispositif de 15 mesure, caractérisé en ce que le dispositif (10 ; 134) de mesure est conforme à l'une quelconque des revendications 5 à 8. 10. Capteur selon la revendication 9, dans lequel le dispositif de mesure est 20 conforme à la revendication 7 et la ligne conductrice (82) du générateur est électriquement isolée du conducteur électrique (4) dans lequel circule le courant à mesurer. 11. Capteur selon la revendication 9, dans lequel le dispositif de mesure est 25 conforme à la revendication 7 et le conducteur électrique et la ligne conductrice ne forment qu'une seule ligne (134) de courant dans laquelle le courant connu de la source de courant se superpose au courant à mesurer pour générer en même temps les premier et second champs magnétiques.