FR 2990565 A1 20131115 FR 1201324 A 20120509 DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION La présente invention concerne les détecteurs infrarouges en général. Elle s'avère particulièrement avantageuse pour les détecteurs infrarouges photosensibles utilisant des matériaux à détection quantique qui doivent fonctionner à des températures cryogéniques afin de diminuer leur bruit thermique. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Les détecteurs infrarouges sont présents dans de nombreuses applications industrielles et scientifiques comme par exemple la spectroscopie infrarouge où l'on cherche à analyser le spectre électromagnétique de phénomènes physiques dans une gamme de longueurs d'ondes bien au-delà du visible, c'est-à-dire pour des longueurs d'ondes qui se mesurent en micromètres (micromètre ou pm = 10-6 mètre) ou en dizaines de micromètres. On sait fabriquer des détecteurs infrarouges performants sous la forme de photodiodes qui fonctionnent par absorption de photons infrarouges et qui utilisent des matériaux à détection quantique de type semi-conducteurs composites, par exemple des matériaux dits III-V ou II-VI, c'est-à-dire des matériaux semi-conducteurs dont les éléments constituant proviennent respectivement, des colonnes III et V, et des colonnes II et VI du tableau périodique des éléments. Ce type de détecteur étant cependant aussi intrinsèquement sensible au bruit de fond (phonons) du réseau cristallin du matériau qui le compose, il faut alors le refroidir à des températures cryogéniques, typiquement à la température de l'azote liquide (77°K), afin d'augmenter sa sensibilité de détection des rayonnements infrarouges. Par ailleurs il faut pouvoir associer aux photodiodes, réalisées sur un substrat détecteur, des circuits de lecture du courant produit par la détection d'un rayonnement infrarouge. Les circuits de lecture sont typiquement des circuits électroniques de type circuits intégrés essentiellement basés sur l'emploi du silicium comme matériau semi-conducteur. La réalisation de détecteurs infrarouges performants demande donc de pouvoir combiner au sein d'un même dispositif des composants provenant de technologies différentes : semi-conducteurs composites pour la détection du rayonnement infrarouge d'une part, et silicium pour les circuits de lecture d'autre part. Une hybridation de puces qui utilise des matériaux de nature très différente ne manque pas de poser des problèmes. En particulier, l'obligation de devoir faire fonctionner les détecteurs infrarouges à très basse température pose le problème de la dilation différente des puces entre la température ambiante et celle où le dispositif doit fonctionner. Ce problème est aggravé par le fait que le coefficient d'expansion thermique ou CTE, de l'anglais « coefficient of thermal expansion », du silicium et ceux des matériaux semi-conducteur composites utilisés pour la détection infrarouge sont significativement différents : environ 2,5 à 3,5 ppm/°C (variation dimensionnelle en partie par million et par degré) pour le silicium et dans une gamme de 5 à 7 ppm/°C pour les semi-conducteurs composites. Une technique actuelle d'hybridation de la puce de détection du rayonnement infrarouge et celle des circuits de lecture repose sur l'utilisation de billes d'indium. La méthode est décrite par exemple dans les demandes de brevets français FR2938973 et FR2949903. Elle consiste à déposer des billes d'indium pur de telle sorte que chaque photodiode du circuit détecteur de rayonnement infrarouge soit connectée à une seule bille d'indium. Des billes d'indium pur sont également déposées sur les zones de contact du circuit de lecture selon une matrice qui est le miroir de celle des photodiodes. Les deux matrices sont ensuite assemblées par brasage selon la technique de puce retournée ou « flip chip » en anglais. L'ensemble est alors chauffé à une température supérieure ou égale à la température de fusion de l'indium pour provoquer la fusion des billes. Les billes créent un lien mécanique et électrique entre les plots de connexion des deux puces. L'élévation de température nécessaire à la fusion peut ne pas être sans dommage pour les composants hybridés. Un schéma de principe de la technique est illustré sur la figure 8. La qualité du brasage est favorisée par le dépôt d'un flux de désoxydation sur la matrice de billes. Le flux de brasage permet d'éliminer la couche d'oxyde natif en surface de l'indium. Parmi les difficultés de mise en oeuvre de cette technique il faut mentionner l'étape de nettoyage qui suit le brasage où il faut forcer le passage d'un liquide de nettoyage de manière à évacuer tous les résidus de flux dans une zone très dense en connexions. Cette étape de nettoyage est d'autant plus délicate à réaliser que le pas de répétition des billes est faible. L'un des défauts majeurs de cette étape de nettoyage est qu'il faut utiliser une grande quantité de liquide afin d'être sûr qu'il pénètre bien dans toute la zone de connexions. C'est une étape longue et coûteuse. De plus, les produits contenus dans le liquide de nettoyage sont agressifs et corrosifs. En utilisant une grande quantité de liquide, il existe ainsi un risque non négligeable de dégradation des billes d'interconnexion. L'encapsulation de la zone de connexions crée aussi des difficultés. Il est généralement réalisé avec un matériau d'encapsulation tel que la colle époxy. Le débordement du liquide d'encapsulation par les bords latéraux crée un bourrelet résiduel qui provoque des contraintes sur le composant hybridé, ce qui dégrade ses fonctions électriques et provoque des clivages, c'est-à-dire des cassures, susceptibles d'entraîner la fissuration des composants hybridés. La présente invention a donc pour objectif de proposer un procédé de réalisation de détecteur infrarouge qui réponde à certaines au moins des difficultés exposées ci-dessus. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins 20 d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Selon un mode de réalisation, la présente invention porte sur procédé 25 de réalisation d'au moins un détecteur infrarouge photosensible par assemblage d'un premier composant électronique comportant une pluralité de photodiodes sensibles au rayonnement infrarouge et d'un deuxième composant électronique comprenant au moins un circuit électronique de lecture de la pluralité de photodiodes. Le procédé comprend : 30 - l'obtention sur chacun des premier et deuxième composants d'une face de liaison formée au moins partiellement par une couche à base d'oxyde de silicium SiOx, avec x compris entre 1 et 2, - une étape de collage du premier composant et du deuxième composant par leurs faces de liaison, réalisant ainsi le collage direct des deux composants. Dans le cadre du développement de la présente invention il a été découvert que le collage direct entre un composant comportant les photodiodes et un composant de lecture par mise en contact de faces recouvertes au moins en partie d'un matériau à base d'oxyde de silicium offre de très bons résultats. Au vu de la différence de nature des deux composants, la bonne cohésion de l'assemblage après collage présente un effet surprenant, d'autant plus que cette bonne cohésion est conservée même lorsque l'on impose au détecteur des températures de fonctionnement très basses. L'invention permet ainsi de considérablement simplifier l'obtention d'un détecteur infrarouge par rapport aux techniques connues. En outre, l'invention permet d'utiliser des matériaux hautement conducteurs comme le cuivre sans oxyde en surface. L'invention permet par ailleurs d'éliminer les contraintes liées au brasage. Elle permet également d'effectuer des connexions courtes. Dans le cadre de la présente invention, le terme 'composant' servant à désigner les premier et deuxième composants peut être remplacé par le terme 'puce' ou bien par le terme 'circuit électronique'. Le premier composant peut ainsi être également désigné 'circuit détecteur' ou 'puce de détection'. Le deuxième composant peut ainsi être également désigné 'circuit de lecture' ou 'puce de lecture'. La couche à base d'oxyde de silicium formant chaque face de liaison peut ainsi être une couche de SiO, de Si02, voire tout oxyde de silicium SiOx dont le rapport x est compris entre 1 et 2, par exemple 1.2, 1.5, 1.8. Une couche formée de SiON, SiOH, SiOC, SiOCH, SiONH peut également convenir. Cette couche est ainsi avantageusement électriquement isolante et transparente aux longueurs d'onde de l'infrarouge. Elle est compatible avec les technologies semi-conducteurs et présente une bonne tenue mécanique et chimique aux conditions de températures imposées par le matériau photoconducteur. Facultativement, le procédé selon l'invention comprend en outre au moins l'une quelconque des caractéristiques et étapes suivantes : Avantageusement, l'obtention des faces de liaison comprend un polissage mécano chimique (CMP) effectué de sorte à ramener leur rugosité moyenne quadratique (RMS) à une valeur inférieure ou égale à 10 A, et de préférence inférieure ou égale à 5A. De préférence, l'obtention d'une face de liaison sur le premier composant et d'une face de liaison sur le deuxième composant comprend, la formation, sur ces faces de liaison, de zones d'incrustation de cuivre (Cu) incrustées dans ces faces et, disposées de manière à coïncider lorsque ces faces de liaison sont positionnées en regard. Pour au moins l'une de ces faces de liaison les zones d'incrustation de cuivre occupent une surface comprise entre 18% et 40% de la surface de cette face de liaison. De préférence, les zones d'incrustation de cuivre occupent une surface comprise entre 18% et 40% de la surface de chacune des faces de liaison. De manière encore plus préférée, cette surface est comprise entre 15% et 30%. De préférence, l'obtention de la face de liaison sur le premier composant est effectuée de sorte à ce que la couche à base d'oxyde de silicium (Si0x) recouvre l'intégralité de cette face de liaison à l'exception des zones de cuivre et de pistes et/ou de vias d'interconnexion électrique. Les zones de cuivre, nommées « dummies » en anglais, sont tournées vers l'extérieur de chacune des faces de liaison. Elles sont disposées à la surface de chacune des faces de liaison de sorte à se superposer lorsque les faces de liaison sont en regard l'une de l'autre. Elles sont en contact lorsque les faces de liaison sont en contact. Ces zones de cuivre n'ont pas de fonction électrique. Elles ne sont pas reliées à des interconnexions ou à des composants comme par exemple des photodiodes. En ce sens elles diffèrent clairement des interconnexions électriques réalisées dans les couches de liaison. Elles occupent chacune une surface significativement plus grande qu'une ligne ou qu'un via d'interconnexion électrique. Ces zones de cuivre permettent de renforcer significativement la fixation des premier et deuxième composants car les liaisons covalentes Cu-Cu sont plus fortes que les liaisons covalentes oxyde-oxyde. Chacun des deux composants comporte, au niveau de sa face destinée à être en contact avec la face de l'autre composant, la couche à base d'oxyde de silicium et des pistes d'interconnexions. Avantageusement, on procède à un recuit de collage direct à une température inférieure à 300°C. Avantageusement, cette température permet d'éviter la diffusion d'espèces dopantes présentent dans les photodiodes. Avantageusement, on effectue une étape d'amincissement du premier composant de sorte à ce que son épaisseur soit inférieure à environ 35 fois ou plus de l'épaisseur du deuxième composant et de préférence de sorte que son épaisseur soit comprise entre 81Jm et 20pm et l'épaisseur du deuxième composant comprise entre 725pm et 1000pm. Avantageusement, cet amincissement permet au premier composant de subir sans dommage les variations dimensionnelles du deuxième composant. 20 Les risques de clivage ou de cassure sont ainsi significativement réduits même lorsque l'on fait travailler le détecteur à des températures très basses. Avantageusement, l'étape d'amincissement est effectuée après l'étape de collage direct. De préférence, au moins l'un des composants forme un assemblage de 25 couches, cet assemblage comprenant une face de liaison formée au moins en partie de la couche à base d'oxyde de silicium. Selon un mode de réalisation avantageux, le procédé comprend, préalablement à l'obtention d'une face de liaison sur le premier composant, une 30 étape de préparation du premier composant. L'étape de préparation du premier composant comprend : l'obtention d'au moins un substrat de base intégrant ou destiné à intégrer la pluralité de photodiodes ; l'encapsulation du substrat de base dans une couche d'encapsulation, de sorte à ce que la dimension principale du premier composant comprenant le substrat de base et la couche d'encapsulation soit supérieure à la dimension principale du substrat de base. L'invention permet ainsi de procéder à la fabrication de détecteurs photosensibles en utilisant des composants de tailles que l'on peut aisément adapter aux équipements standard de l'industrie de la microélectronique. Le premier composant comprenant le substrat de base et la couche d'encapsulation forme ainsi une plaque présentant deux faces planes opposées. Il peut être qualifié de « galette » ou de « tranche » ou de « wafer » en anglais. L'invention ne se limite pas à une forme spécifique de pourtour défini par la plaque. En particulier, cette plaque peut être de forme circulaire, hexagonale, rectangulaire, carrée ou autre. Dans le cadre de la présente invention, la dimension principale d'un composant est la dimension maximale du composant prise selon une direction contenue dans le plan de l'une des faces du composant. Typiquement, lorsque le composant forme une plaque en forme de disque, la dimension principale est le diamètre du disque. Lorsque le composant forme une plaque en forme de rectangle, la dimension principale est la diagonale du rectangle. De préférence, le premier composant comprenant le substrat de base encapsulé dans la couche d'encapsulation présente une dimension standard dans l'industrie de la microélectronique. Typiquement il forme un disque d'un diamètre de 100, 200, 300 ou 450 mm de diamètre. De préférence les premier et deuxième composants forment des plaques et un diamètre ou une diagonale du premier composant est : supérieur au 25 diamètre ou à une diagonale du substrat de base et environ égale au diamètre ou à une diagonale du deuxième composant. De préférence, le deuxième composant présente également une forme de plaque. Avantageusement, les pourtours des premier et deuxième composants sont identiques. Ils présentent même forme et même dimension, 30 ou non. En effet, il est possible d'intégrer un substrat carré dans un wafer rond. Avantageusement, la couche d'encapsulation est une couche à base d'oxyde de silicium SiOx avec x compris entre 1 et 2. Cette couche peut ainsi être une couche de SiO, de Si02, voire tout oxyde de silicium SiOx dont le rapport x est compris entre 1 et 2, par exemple 1.2, 1.5, 1.8. Une couche formée de SiON, SiOH, SiOC, SiOCH, SiONH peut également convenir. Cette couche est ainsi avantageusement électriquement isolante et 5 transparente aux longueurs d'onde de l'infra-rouge. Elle est compatible avec les technologies semi-conducteurs et présente une bonne tenue mécanique et chimique aux températures imposées par le matériau photoconducteur. De préférence, le substrat de base présente un coefficient d'expansion 10 thermique (CTE) compris entre 4 et 8 ppm/°C et de préférence entre 5 et 7 ppm/°C. Ce substrat est par exemple en InSb. De préférence le deuxième composant comprend un substrat portant le circuit électronique de lecture et présentant un coefficient d'expansion thermique (CTE) compris entre 1,5 et 4 ppm/°C et de préférence entre 2.5 et 3,5 ppm/°C. La différence des coefficients 15 d'expansion thermique des deux composants rend encore plus surprenante, la bonne cohésion de l'assemblage obtenu par l'invention. La différence de CTE de chaque composant est compensé par le fait que l'assemblage initial est réalisé à température ambiante et que le détecteur est aminci. Le matériau détecteur, c'est-à-dire celui du premier composant suit en déplacement le 20 matériau du substrat portant le circuit de lecture qui est plus massif. De préférence, préalablement à l'encapsulation de l'au moins un substrat de base dans la couche d'encapsulation, on effectue une étape de fixation du substrat de base sur un substrat de manipulation par un collage direct ou 25 organique. Avantageusement, préalablement à l'étape de fixation du substrat de base sur un substrat de manipulation on effectue une étape d'obtention d'une couche de fixation sur au moins une partie d'une face du substrat de base et 30 d'une couche de fixation sur au moins une partie d'une face du substrat de manipulation. Cette couche de fixation peut être un oxyde natif ou un oxyde déposé par une méthode PECVD ou PVD. L'étape de fixation du substrat de base sur le substrat de manipulation s'effectue par collage direct de leurs couches de fixation. Avantageusement, les couches de fixation sont des couches à base d'oxyde de silicium SiOx avec x compris entre 1 et 2. Cette couche peut ainsi être une couche de SiO, de Si02, voire tout oxyde de silicium SiO, dont le rapport x est compris entre 1 et 2, par exemple 1.2, 1.5, 1.8. Une 5 couche formée de SiON, SiOH, SiOC, SiOCH, SiONH peut également convenir. Selon un premier mode de réalisation, la couche de fixation du substrat de base correspond à la face de liaison du premier composant. Selon un mode de réalisation alternatif, la couche de fixation du substrat de base est disposée sur une face opposée à la face de liaison du premier composant. 10 Selon un autre mode de réalisation, le substrat de manipulation présente un logement d'accueil et on fixe l'au moins un substrat de base dans le logement d'accueil lors de l'étape de fixation. 15 Selon un premier mode de réalisation, la pluralité de photodiodes est intégrée dans le substrat de base avant l'encapsulation du substrat de base dans la couche d'encapsulation. De préférence, après fixation du substrat de base sur le substrat de manipulation et après encapsulation, une face libre de la couche 20 d'encapsulation est fixée sur un substrat poignée, puis le substrat de manipulation est au moins en partie retiré. La face libre de la couche d'encapsulation est une face ne présentant pas le substrat de base. Typiquement, le premier composant, après encapsulation, présente une première face formée par la couche d'encapsulation et par le substrat de base. 25 Cette première face est ensuite fixée au substrat de manipulation. Le premier composant comprend également une deuxième face formée uniquement par la couche d'encapsulation. C'est cette deuxième face qui est fixée sur le substrat poignée. Avantageusement, la fixation du premier composant sur le substrat de 30 manipulation s'effectue par la face de liaison du premier substrat et le retrait du substrat de manipulation est effectué de sorte à ce que le premier composant conserve une couche à base d'oxyde de silicium déposée sur le substrat de base avant sa fixation au substrat de manipulation, et de préférence conserve une couche à base d'oxyde de silicium apportée par le substrat de manipulation pour l'étape de fixation. De préférence, préalablement à l'étape de fixation de la couche d'encapsulation sur le substrat poignée, on effectue une étape d'obtention d'une couche de liaison sur au moins une partie d'une face du substrat poignée, et l'étape de fixation de la couche d'encapsulation sur le substrat poignée s'effectue par collage direct de la face de liaison du substrat poignée sur une face restée libre de la couche d'encapsulation. Selon une variante avantageuse, le premier composant comprend une pluralité de substrats de base et l'étape de préparation du premier composant comprend l'encapsulation de la pluralité de substrats de base dans une même couche d'encapsulation. De préférence, chaque substrat de base individuel est constitué d'une pluralité de puces avec un réseau de photodiodes intégrées et préalablement testées pour n'intégrer que les tranches détectrices à meilleurs rendements. Selon un deuxième mode de réalisation, la pluralité de photodiodes est intégrée dans le substrat de base après l'encapsulation du substrat de base dans la couche d'encapsulation. Avantageusement, l'encapsulation du substrat de base est effectuée de sorte que la couche d'encapsulation recouvre au moins une face du substrat de base. On réalise ensuite à travers la couche d'encapsulation au moins un accès à la face du substrat de base qui est recouverte par la couche d'encapsulation et on réalise les photodiodes par implantation ionique de dopants par ledit au moins un accès. De préférence, le deuxième composant comprend un nombre de circuits de lecture égal au nombre de photodiodes. C'est une matrice de pixels de lecture qui lit une matrice de pixels de photodiodes. Avantageusement, on crée au moins un espace entre la périphérie du substrat de base et la couche d'encapsulation. Avantageusement, cet espace permet au substrat de base de se déformer sous l'effet des variations de température indépendamment des déformations du deuxième composant, réduisant ainsi les contraintes mécaniques et les risques de rupture ou de clivage. De préférence, cet espace s'étend sur toute la périphérie du substrat de base. Cet espace forme ainsi une tranchée entre la couche d'encapsulation et le substrat de base. Elle est obtenue soit par prélèvement du matériau formant le substrat de base soit de préférence par prélèvement du matériau formant la couche d'encapsulation. Selon un mode de réalisation, l'étape de collage du premier composant et du deuxième composant forme une pluralité de détecteurs infrarouges photosensibles qui comportent chacun au moins une photodiode et un circuit de lecture, et on effectue, après l'étape de collage, une étape de découpe pour séparer les détecteurs infrarouges photosensibles les uns des autres. Selon un autre mode de réalisation, l'invention décrit un procédé de réalisation d'au moins un détecteur photosensible par assemblage d'un premier composant électronique comportant une pluralité de photodiodes et d'un deuxième composant électronique comprenant au moins un circuit électronique de lecture de la pluralité de photodiodes, le procédé comprenant préalablement à l'assemblage une étape de préparation du premier composant comprenant : - l'obtention d'au moins un substrat de base intégrant ou destiné à intégrer la pluralité de photodiodes, l'encapsulation du substrat de base dans une couche d'encapsulation, de sorte à ce que la dimension principale du premier composant comprenant le substrat de base et la couche d'encapsulation soit supérieure à la dimension principale du substrat de base. Le premier composant et le deuxième composant sont assemblés lors d'une étape ultérieure. Ce procédé de préparation du premier composant peut être combiné avec toutes les étapes décrites précédemment. L'invention permet ainsi de procéder à la fabrication de détecteurs photosensibles en utilisant les équipements standard de l'industrie de la microélectronique. De préférence, le diamètre du substrat de base est inférieur au diamètre du deuxième composant et le diamètre du premier composant est environ égal au diamètre du deuxième composant. De préférence, chaque composant présente une forme de plaque. De préférence les photodiodes sont sensibles au rayonnement infrarouge et le détecteur est un détecteur photosensible infrarouge. Selon un autre mode de réalisation, l'invention porte sur un détecteur photosensible, de préférence un détecteur infrarouge, comprenant un premier composant électronique comportant une pluralité de photodiodes de préférence sensibles au rayonnement infrarouge et un deuxième composant électronique comprenant au moins un circuit électronique de lecture du premier composant. Le premier et le deuxième composants présentent chacun une face de liaison et sont collés directement l'un sur l'autre par leurs faces de liaison, chacune des faces de liaison étant formée au moins en partie par une couche à base d'oxyde de silicium SiOx avec x compris entre 1 et 2. De manière préférée mais non limitative, chacune des faces de liaison porte également des zones d'incrustation de cuivre (Cu) disposées de manière à coïncider avec les zones d'incrustation de cuivre portées par l'autre face de liaison, les zones d'incrustation de cuivre de chaque face de liaison occupant une surface comprise entre 18% et 40% de chaque face de liaison. Selon un autre mode de réalisation, l'invention porte sur un ensemble pour la réalisation d'un détecteur photosensible, de préférence un détecteur infrarouge, comprenant au moins un premier composant électronique comportant une pluralité de photodiodes de préférence sensibles au rayonnement infrarouge et au moins un deuxième composant électronique comprenant au moins un circuit électronique de lecture. Le premier et le deuxième composants présentent chacun une face de liaison formée au moins en partie par une couche à base d'oxyde de silicium SiOx, avec x compris entre 1 et 2. De manière préférée mais non limitative, chacune des faces de liaison comprend des zones d'incrustation de cuivre (Cu) disposées de manière à coïncider avec les zones d'incrustation de cuivre portées par l'autre face de liaison, les zones d'incrustation de cuivre de chaque face de liaison occupant une surface comprise entre 18% et 40% de la surface de cette face. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : Les FIGURES la à 1i décrivent les étapes d'un exemple de procédé selon l'invention dans lesquelles on forme un premier composant électronique comportant les photodiodes sensibles au rayonnement infrarouge et on assemble ce premier composant sur un substrat « poignée » afin de former un ensemble manipulable dans une ligne de fabrication microélectronique standard. Les FIGURES 2a à 2c décrivent la préparation d'un deuxième composant électronique contenant les circuits de lecture des photodiodes. Les FIGURES 3a à 3c décrivent des étapes d'assemblage par collage direct des deux composants électroniques, celui contenant les photodiodes et celui contenant les circuits de lecture. Les FIGURES 4a et 4b illustrent des exemples d'étapes complémentaires du procédé de l'invention qui peuvent être exécutées après que les deux composants ont été assemblés. Les FIGURES 5a à 5c un autre exemple de fabrication du premier composant, 25 exemple dans lequel les photodiodes sont réalisées après assemblage d'un substrat de base sur un substrat de manipulation. Les FIGURES 6a à 6f un autre exemple de fabrication du composant de détection, exemple dans lequel on réalise dans le substrat de manipulation un logement d'accueil pour le substrat de base. 30 Les FIGURES 7a à 7c illustre un autre exemple de réalisation de l'invention, dans lequel on dispose de plusieurs substrats de base comportant chacun des détecteurs de rayonnement infrarouge que l'on assemble sur un même substrat de manipulation pour former un composant électronique de détection. La figure 8 illustre un exemple selon l'état de la technique. Les dessins joints sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. En outre, les dessins de ces figures sont des représentations 5 schématiques et ne sont pas nécessairement à l'échelle de l'application pratique. En particulier, les épaisseurs relatives des couches et des substrats ne sont pas représentatives de la réalité. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION 10 Il est précisé que dans le cadre de la présente invention, le terme « sur », « surmonte » ou « sous jacent » ou leurs équivalents ne signifient pas obligatoirement « au contact de ». Ainsi par exemple, le dépôt d'une première couche sur une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les deux couches sont directement au contact l'une de l'autre mais cela signifie que la 15 première couche recouvre au moins partiellement la deuxième couche en étant soit directement à son contact soit en étant séparée d'elle par une autre couche ou un autre élément. Dans le cadre de la présente invention, l'expression « à base d'oxyde de silicium » signifie « comprend un oxyde de silicium éventuellement associé à 20 au moins un autre élément». Avantageusement, cet au moins un autre élément permet par exemple de former une couche faite de l'un parmi : SiON, SiOH, SiOC, SiOCH et SiONH. Les figures la à li décrivent les étapes du procédé dans lesquelles on réalise un composant de détection comportant les circuits détecteurs du 25 rayonnement infrarouge (IR) et on assemble ce premier composant (100, 230) sur un substrat « poignée » 300 afin de former un ensemble manipulable dans une ligne de fabrication standard comme celles mises en place par l'industrie de la microélectronique. Il s'agit notamment des lignes servant à la fabrication de circuits intégrés, typiquement des circuits électroniques de type CMOS, 30 acronyme de l'anglais « complementary metal-oxide-semiconductor » c'est-à-dire de circuits électroniques à base de transistors complémentaires de type métal-oxyde-semiconducteur. Le composant comportant le circuit de détection peut également être désigné premier composant 100, 230, puce de détection ou circuit de puce de détection. Il comporte notamment un substrat de base 100 intégrant les photodiodes 110. Comme cela sera détaillé par la suite en référence à un mode de réalisation non limitatif mais avantageux, le composant comportant le circuit de détection peut également comprendre une couche 230 encapsulant le substrat de base 100. Il comprend également des pistes électriques et de manière avantageuse mais non limitative des zones factices de cuivre souvent désignées par le vocable anglais de « dummies ». Il comprend en outre au moins une couche à base d'oxyde de silicium 140, 210, de préférence du dioxyde de silicium, sur l'une de ces faces, qualifiée de face de liaison et dont la fonction relative au collage sera également détaillée par la suite. Pour réaliser dans un substrat de base 100 les photodiodes 110, ou circuits détecteurs de rayonnement infrarouge, on utilise un matériau à détection quantique qui peut être fait d'un des différents semi-conducteurs composites utilisés par l'industrie de la microélectronique. Il s'agit par exemple de matériaux semi-conducteurs composites dit IV-VI dont les éléments constituant proviennent des colonnes IV et VI du tableau périodique des éléments. Il s'agit par exemple d'un alliage ternaire comme le PbSnTe et d'un alliage binaire comme le PbSe ; c'est-à-dire respectivement : le tellurure de plomb-étain et le séléniure de plomb. Le semi-conducteur composite utilisé pour le substrat de base 100 peut être aussi un matériau dit III-V comme par exemple les matériaux suivants : InSb, InP, GaAs, InAs, InGaAs, InGaSb et InAsSb. C'est à dire respectivement : l'antimoniure d'indium, le phosphure d'indium, l'arséniure de gallium, l'arséniure d'indium, l'arséniure de gallium- indium, l'antimoniure de gallium-indium et l'arséniure-antimoniure d'indium. Il peut aussi être fait de matériaux composites dits II-VI comme le HgCdTe, c'est-à-dire le tellurure de mercure-cadmium. Dans un mode préféré de mise en oeuvre de l'invention le matériau du substrat de base 100 utilise l'antimoniure d'indium (InSb) qui est connu pour sa détection IR performante dans la gamme de longueurs d'ondes allant de 3 à 5 pm. Quel que soit le matériau semi-conducteur composite utilisé les substrats de ce type sont produits dans des dimensions qui sont plus petites que celles des substrats utilisés dans les lignes de production standard de circuits intégrés. Pour pouvoir assembler les deux types de substrats il faut donc adapter la taille des plus petits à celle des plus grands comme expliqué ci-après. La figure la montre les photodiodes 110 constituant les détecteurs de rayonnement infrarouge qui sont réalisées dans le substrat de base 100. Les photodiodes peuvent être des jonctions dopées PN ou comprendre une zone intermédiaire intrinsèque, c'est-à-dire non dopée, de façon à former une diode dite PIN. Les photodiodes sont classiquement fabriquées par implantation ionique de dopants. Le substrat de base 100 servant à la détection est typiquement d'une épaisseur 120 allant de 700 à 1000 pm. Le substrat de base 100 peut avoir différents facteurs de forme dans des dimensions 130 allant de deux pouces (1 pouce = 25,4 millimètres) jusqu'à 125 millimètres. Comme montré sur la figure lb, en vue de son assemblage sur un substrat de manipulation 200, le substrat de base 100 est d'abord nettoyé afin d'enlever l'oxyde natif en surface et améliorer l'adhérence de la couche d'oxyde de silicium (Si02) qui va y être déposée en vue du collage sur le substrat de manipulation. Une fine couche d'oxyde de silicium 140 est alors déposée à basse température sur l'InSb qui constitue préférentiellement le matériau du substrat de base 100. Le dépôt se fait typiquement à l'aide d'une méthode connue sous le nom de PECVD (« plasma-enhanced chemical vapor deposition » et qui signifie dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) à une température inférieure à 300°C. Dans le cas de l'invention le plasma gazeux est constitué préférentiellement de silane (SiH4) et de protoxyde d'azote (N20). Pour éviter le risque de diffusion des espèces dopantes des photodiodes dans le matériau détecteur, l'invention prévoit de limiter la température de l'opération de dépôt à une valeur inférieure à 300°C car les étapes préliminaires de fabrication des photodiodes ont été effectuées à des températures qui étaient elles mêmes inférieures à cette valeur. Les autres techniques connues de dépôt dites PVD et CVD, acronymes de l'anglais « physical vapor deposition » et « chemical vapor deposition » c'est-à-dire, respectivement, déposition physique ou chimique en phase vapeur sont susceptibles de convenir également pour peu que la contrainte en température mentionnée ci-dessus puisse être respectée. La surface de l'oxyde est ensuite traitée par polissage mécano chimique, opération généralement désignée par son acronyme CMP de l'anglais « chemical mechanical polishing ». Le but de cette opération est de rendre plan la surface de l'oxyde. La technique utilisée de polissage mécano-chimique peut être celle décrite au chapitre 14.2 de l'ouvrage « Handbook of Cleaning for Semiconductor Manufacturing », 2011, Ed. Wiley. À cette fin, une épaisseur d'oxyde d'environ 250 nm (nanomètre = 10-9 mètre) est enlevée. La surface est ensuite nettoyée afin de faire disparaître les résidus de polissage (particules abrasives et liquide de polissage généralement désignés par leur appellation anglaise de « slurry »). On obtient ainsi une surface d'oxyde hydrophile plane, présentant une faible rugosité de surface. La rugosité est quantifiée par un paramètre dit RMS, acronyme de l'anglais « roughness mean square » qui mesure la moyenne quadratique de la rugosité. La rugosité est avantageusement équivalente à ou meilleure que 10 Â (Angstrom = 1040 mètre), voire 5 A. La surface est exempte de contamination particulaire pour pouvoir créer les liaisons intermoléculaires qui produisent l'adhérence du substrat de base 100 sur le substrat de manipulation 200 comme on va le voir ci-après. Le substrat de manipulation 200 est préparé séparément. Comme le nom le suggère il sert essentiellement de support mécanique. Il a une taille 220 supérieure qui doit être compatible avec la ligne de fabrication des circuits de lecture électroniques qui vont finalement être assemblés avec les détecteurs de rayonnement infrarouge du substrat de base 100. Le substrat de manipulation 200 va lui-même être recouvert d'une fine couche 210 à base d'oxyde de silicium. Il peut s'agir dans ce cas d'un oxyde obtenu par croissance thermique à haute température, puisque le substrat de manipulation ne contient aucun dispositif sensible. Il peut également être déposé, comme ci-dessus par PECVD, à basse température. L'épaisseur déposée est typiquement de 500 nm. Comme pour le substrat de base 100 contenant les photodiodes, la surface d'oxyde 210 du substrat de manipulation est polie. Au cours de cette opération on enlève environ 250 nm de Si02. Après nettoyage on obtient une surface plane et de faible rugosité. Comme ci-dessus, une rugosité qui n'excède pas 10 A, voire 5 A et une surface exempte de contaminations particulaires vont améliorer l'adhérence moléculaire. On notera que d'une façon générale le substrat de manipulation 200 peut être de taille différente, de géométrie différente, d'épaisseur différente et fait d'un matériau différent de celui du substrat de base 100. Comme déjà mentionné ci-dessus le substrat de manipulation 200 sert essentiellement de support mécanique au substrat de base 100 contenant les photodiodes 110. Le matériau dont il est fait doit être compatible avec une étape ultérieure de meulage mécanique décrite en figure le. Cette étape, qui est généralement désignée par le terme anglais de « grinding », va permettre de faire disparaître le substrat de manipulation et autoriser l'assemblage du substrat 100 contenant les détecteurs de rayonnement infrarouge avec celui contenant le circuit de lecture. Le matériau du substrat de manipulation 200 peut être choisi parmi les matériaux suivants : verre, silicium (Si), germanium (Ge) ou saphir. On choisira toutefois avant tout un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique proche de celui du substrat de base 100 dans le but d'éviter, lors de l'opération de recuit décrite ci-après, qui va créer des contraintes thermomécaniques, d'une part, un délaminage de l'interface de collage qui peut créer des fissures dans le matériau à détection quantique, d'autre part, un désalignement des plots et/ou des pistes de connexion qui sera préjudiciable lors du collage final du composant contenant les détecteurs de rayonnement infrarouge avec le composant contenant les circuits de lecture. Comme montré sur la figure lc les surfaces du substrat de base 100 et du substrat de manipulation 200 sont mises en contact par l'intermédiaire des atomes d'oxyde de silicium de leurs couches respectives d'oxyde, 140 et 210, mettant en oeuvre les forces dites de Van der Waals. On réalise un ou plusieurs points de pression sur la tranche 200 pour initier une onde de collage (onde d'adhésion moléculaire). Avantageusement, un recuit dans la gamme 200- 300°C est ensuite réalisé pendant deux heures pour créer des liaisons covalentes permettant de renforcer la solidité du collage entre le substrat de base 100 et le substrat de manipulation 200. Le recuit peut se faire ou pas sous atmosphère gazeuse de type azote (N2) ou argon (Ar). Les étapes décrites dans les figures la à 1c ci-dessus permettent la reconstitution de substrats 100, 200 hétérogènes par collage direct. Les deux substrats 100, 200 sont alors solidaires. Comme montré sur la figure Id le substrat de base 100 est ensuite aminci par la technique de meulage, ou « grinding », mentionnée ci-dessus jusqu'à une épaisseur 150 inférieure ou égale à 15 pm. Il s'agit donc d'un amincissement mécanique réalisé à l'aide d'une meule fine (roue de finition à liant polymère de grande porosité, taille des grains de diamant dans une gamme de 2 à 4 pm). Un nettoyage chimique, est réalisé pour enlever les particules restant en surface à l'issue du meulage. Le substrat de base 100, aminci et nettoyé, est ensuite encapsulé dans une couche d'encapsulation 230. Le substrat de base 100 associé à la couche d'encapsulation 230 forme un ensemble du circuit de détection du rayonnement infrarouge également désigné, substrat de détection ou premier composant. Ce premier composant comporte d'autres éléments qui seront mentionnés dans la suite de la description. Le substrat de base 100 muni de la couche d'encapsulation 230 peut présenter un diamètre, par exemple, de 2 pouces, de 3 pouces, être rond ou carré. La taille d'un tel substrat 100, 230 carré peut être de 37x38 mm ou 47x48 20 mm. Cette couche d'encapsulation 230 est de préférence une couche d'oxyde de silicium (Si02). Elle est avantageusement obtenue comme précédemment par PECVD à partir d'un plasma gazeux de N20/SiH4. L'épaisseur déposée est inférieure à 30 pm. Dans un mode préféré de 25 réalisation une épaisseur 240 de 25 pm de Si02 est déposée. De préférence, le dépôt est effectué à basse température, c'est-à-dire à une température inférieure à 300°C. Avantageusement, ceci afin de minimiser le stress subi par le substrat de base 100. Comme précédemment, la méthode de dépôt à basse température de l'oxyde est choisie pour sa conformité aux limites en 30 température des photodiodes présentes dans le matériau détecteur et évite le risque de diffusion des espèces dopantes présentes dans celles-ci. L'oxyde présente également les particularités suivantes : compatibilité avec les étapes d'amincissement par meulage (« grinding ») et polissage mécano chimique (CMP), faible contrainte mécanique, faible rugosité de surface après meulage et surtout après CMP, forte vitesse de dépôt, bon recouvrement de marche c'est-à-dire qu'il y a bien continuité du Si02 à l'aplomb de la périphérie du substrat 100. On remarquera ici que d'une façon générale le stress mécanique engendré par les différentes opérations de meulage utilisées par le procédé de l'invention disparaît en enlevant de la surface meulée, par polissage mécano chimique (CMP), une épaisseur de 2 à 3 pm de matériau écroui par le meulage. Par ailleurs on notera que la couche d'oxyde 230 peut être déposée par 10 d'autres techniques, notamment celles dites PVD et CVD déjà mentionnées, dans la mesure où le mode de dépôt et l'oxyde obtenu restent compatibles avec les contraintes ci-dessus. L'ensemble comprenant le substrat de base 100, la couche d'encapsulation 230 et le substrat de manipulation 200 forme avantageusement 15 une plaque présentant deux faces planes opposées. Il est donc aisément manipulable par les appareils de l'industrie de la microélectronique. L'étape suivante consiste à aplanir la couche d'oxyde 230 déposée. L'aplanissement peut se réaliser selon deux méthodes différentes : - Selon une première méthode, qui est décrite en détail plus loin dans les 20 figures 6a à 6f, une étape de photolithographie est réalisée pour ouvrir, dans une couche de résine préalablement déposée, une zone centrale correspondant à la zone du substrat de base 100 (à discuter). On grave ensuite environ 15 pm de Si02 si l'épaisseur de SiO2 déposé est de 25 pm par gravure sèche ou humide. Puis on retire la résine par plasma dans une 25 enceinte confinée et/ou par voie humide en procédant à une opération dite de « stripping » ou de décapage de cette résine. L'aplanissement de la surface d'oxyde par CMP est réalisé pour laisser une épaisseur 241 de 1 à 3 pm sur la zone centrale 100 après CMP. La surface de SiO2 polie est ensuite nettoyée. - Selon une seconde méthode on amincit mécaniquement l'oxyde de 25 pm à 30 une épaisseur d'environ 19 à 22 pm à l'aide de deux séquences de meulage. D'abord avec un meulage grossier à l'aide d'une roue d'ébauche utilisant des grains abrasifs en diamant d'une taille d'environ 40 pm. Ensuite, avec un meulage fin à l'aide d'une roue de finition utilisant des grains abrasifs en diamant d'une taille allant de 2 à 4 pm. L'aplanissement de la surface d'oxyde par CMP permet d'enlever une épaisseur de 2 à 3 pm pour laisser comme ci-dessus une épaisseur 241 de 1 à 3 pm sur la zone centrale 100. La surface de Si02 polie est ensuite nettoyée dans les mêmes conditions que ci-dessus. Quelle que soit la méthode utilisée on laisse donc une couche d'oxyde d'environ 1 à 3 pm au dessus du matériau constituant le substrat de base 100 afin, comme on va le voir, de pouvoir réaliser les pistes d'interconnexion métalliques ou de reporter un substrat poignée. Le premier composant, formé par le substrat de base 100 encapsulé, a en vue de dessus (c'est-à-dire perpendiculairement à la vue de la figure 1d) la forme que l'on souhaite donner au détecteur à préparer. L'invention n'est limitative d'aucune forme spécifique. Il peut typiquement s'agir d'une forme de disque d'un diamètre désiré. Il peut également s'agir d'une forme d'hexagone, de rectangle, de carré ou autre. Comme le montre la figure le, afin de pouvoir réaliser les pistes de d'interconnexion métalliques, un substrat dit « poignée » 300 est collé sur le substrat de base 100 contenant les circuits détecteurs de rayonnement IR. Dans le mode de réalisation représenté ci-dessus, le substrat poignée 300 est collé sur une face libre de la couche d'encapsulation 230, i.e., la face opposée à la face qui est fixée au substrat de manipulation 200. Le substrat poignée 300 peut être choisi par exemple parmi les matériaux suivants : germanium (Ge), verre, silicium (Si) et saphir. Ce collage peut se faire par collage direct ou au moyen d'une colle organique. Dans le cas d'un collage direct on prépare séparément le substrat poignée 300 en déposant par PECVD sur celui-ci une couche 310 de Si02 de l'ordre de 500 nm. La surface de l'oxyde est ensuite traitée par CMP pour enlever une épaisseur d'environ 250 nm. D'une façon générale la préparation du substrat poignée 300 est identique à ce qui a été décrit précédemment pour le substrat de manipulation 200 en figure lb. Comme dans le cas précédent on cherche à obtenir après polissage et nettoyage une surface d'oxyde hydrophile plane présentant une rugosité de préférence est inférieure à 10 A voire 5 A, et exempte de contamination particulaire afin de pouvoir améliorer l'adhérence moléculaire via des liaisons intermoléculaires. D'une manière similaire les surfaces sont mises en contact par l'intermédiaire des atomes d'oxydes de silicium et un recuit est effectué dans les mêmes conditions afin de renforcer la solidité du collage entre le substrat poignée 300 et le substrat comportant la couche d'encapsulation 230 encapsulant le substrat de base 100. Dans le cas d'un collage organique, on choisit une colle organique compatible thermiquement et mécaniquement avec les étapes technologiques suivantes de réalisation des pistes d'interconnexion. Étapes qui comprennent la gravure plasma, le nettoyage chimique, le dépôt par plasma. On choisira de préférence une colle polyimide dont la température de transition vitreuse (TG) est supérieure ou égale à 250°C. L'ensemble comprenant le substrat de base 100 encapsulé associé au substrat de manipulation 200 et au substrat poignée 300 forme avantageusement une plaque. À l'étape suivante, dont le résultat est montré sur la figure 1f, on procède à l'amincissement de l'ensemble multicouches à partir de la face accessible 202 du substrat de manipulation 200, solidaire du substrat de base 100 contenant les circuits détecteurs de rayonnement IR, jusqu'à atteindre la couche d'oxyde de silicium précédemment portée par le substrat de manipulation 200. L'arrêt du prélèvement du matériau formant le substrat de manipulation 200 est référencé 232. Ainsi, de manière avantageuse, le retrait du substrat de manipulation 200 est effectué de sorte à ce que le premier composant comportant le substrat de base 100 encapsulé conserve la couche d'oxyde 140 qui lui avait été déposée et conserve en outre la couche d'oxyde 210 qui avait été préalablement déposée sur le substrat de manipulation 200. L'amincissement est avantageusement obtenu mécaniquement par meulage, gravure humide et CMP. On réalise ensuite les pistes d'interconnexion métalliques du premier composant i.e., les pistes d'interconnexion métalliques du circuit de détection des rayonnements infrarouges. Elles seront mises en contact lors du collage final avec les pistes d'interconnexion métalliques du deuxième composant 400 i.e., les pistes d'interconnexion du circuit de lecture des photodiodes. La réalisation des pistes d'interconnexion métalliques du côté du circuit détecteur de rayonnement infrarouge comprend les étapes suivantes dont le résultat est montré sur la figure lg : - Au cours d'une première étape de photolithographie on définit de façon standard dans une couche de résine (non représentée) des marques d'alignement (non représentées), des plages dites « dummies » et les lignes métalliques d'interconnexion 160 qui vont être gravés dans les couches d'oxydes, 140 et 210. Les « dummies » sont des zones métalliques factices, en cuivre (Cu) dans cet exemple, qui ne servent pas aux interconnexions mais qui vont permettre d'assurer un meilleur collage Cu/Cu entre le substrat de base 100 contenant les circuits détecteurs de rayonnement infrarouge et le composant 400 de lecture que l'on va venir mettre en contact avec celui-ci lors d'une phase ultérieure de collage direct. Dans la technique classique de réalisation des interconnexions à base de cuivre, technique généralement désignée par le terme de damasquinage (également appelé procédé damascène), les lignes de cuivre vont être incrustées dans l'oxyde comme expliqué ci-après. Les lignes et plages de cuivre servent donc non seulement à assurer le passage du courant électrique mais participent aussi au collage Cu/Cu et Cu/Si02 entre le premier composant 100, 230 contenant les photodiodes et le deuxième composant 400 de lecture lors de la phase de collage direct. Pour obtenir un collage optimal il a été déterminé expérimentalement que la surface de cuivre devait occuper une fraction qui ne soit pas inférieure à 18 pourcent et qui n'excède pas 40 pourcents de la surface totale de collage. C'est notamment le rôle des dummies de permettre d'ajuster la surface de cuivre participant au collage de façon à optimiser cette opération. - L'étape de lithographie précédente est suivie d'une étape de gravure sèche des lignes et des dummies. On grave par plasma environ 500 nm de Si02 puis on enlève la majeure partie de la résine de protection également par plasma. Ensuite, on effectue un nettoyage fin de la surface de Si02 par voie humide afin d'enlever les résidus de résine. - On procède ensuite à la photolithographie des ouvertures de vias 170 c'est-à-dire à l'ouverture des interconnexions verticales entre couches qui débouchent sur le substrat de base 100 pour atteindre les photodiodes 110. Comme les lignes d'interconnexion, les vias, une fois remplis de cuivre, vont aussi participer au collage. - Dans les mêmes conditions que ci-dessus on peut alors procéder à la gravure sèche des vias afin qu'ils débouchent sur le matériau constituant le premier substrat et à l'enlèvement de la résine. On notera ici que l'ordre de réalisation des photolithographies précédentes (lignes/dummies 160 et vias 170) peut être inversé sans inconvénient. - À l'étape suivante illustrée par la figure lh on procède au dépôt d'une couche d'accrochage et d'une couche barrière par les techniques de dépôt classiques, c'est-à-dire PVD ou/et CVD déjà mentionnées. La couche d'accrochage joue le rôle de couche d'adhérence. La couche barrière a pour fonction principale d'empêcher la diffusion du cuivre vers le substrat détecteur 100. Les métaux déposés et les procédés utilisés doivent tous respecter la limite en température imposée par le mode de réalisation des photodiodes, limite qui est comme on l'a déjà vu inférieure à 300°C. On effectue ensuite le dépôt d'une fine couche de cuivre de l'ordre de 300 nm. Elle est typiquement déposée par PVD. Avant de déposer cette fine couche de cuivre généralement désignée par son appellation anglaise de « seed layer », c'est-à-dire couche d'amorçage, on a effectué un nettoyage du niveau métallique sous jacent qui sert de barrière. Après quoi on dépose par électrolyse une couche de cuivre plus importante de l'ordre de 2 à 5 pm. Le cuivre est ensuite recuit à 250°C sous vide ou non pour améliorer son adhérence. L'ensemble de ces couches est représenté par la couche 180 sur la figure 1h. - Les opérations précédentes de dépôts sont suivies d'une étape de polissage métallique avant collage direct dont le résultat est montré sur la figure li. La face du substrat de base 100 sur laquelle on a déposé le cuivre est polie par CMP. On arrête le polissage lorsque la surface mixte Si02/Cu est atteinte et qu'on a effectivement obtenu le résultat recherché qui est d'incruster du cuivre dans toutes les zones 190 gravées initialement par photogravure (interconnexions, dummies et vias) dans les couches d'oxyde 140 et 210 selon la technique dite de damasquinage (également appelé procédé damascène). Un nettoyage humide sous l'action de brosses ou « scrubber » de la surface polie est ensuite effectué. On obtient ainsi une surface plane 192 avec une faible rugosité de l'ordre de 5 A, exempte de contamination particulaire. Conditions qui vont permettre, comme on l'a déjà vu, un collage direct sur le substrat contenant le circuit de lecture et qui aura été préparé d'une façon similaire comme on va le voir ci-après. L'ensemble illustré en figure li et formé par le substrat poignée 300 et le premier composant qui comporte le substrat de base 100 encapsulé et recouvert d'une couche d'oxyde de silicium dans laquelle est incrustée des pistes d'interconnexion et de préférence des zones factices de cuivre, présente avantageusement une forme de plaque ayant deux faces planes opposées. Il est donc aisément manipulable par les appareils de l'industrie de la microélectronique. De préférence, la couche d'encapsulation 230 est directement au contact du substrat de base 100. La couche d'oxyde de silicium 140 formant en partie la couche de liaison est directement au contact du substrat de base 100. Les photodiodes 110 sont en contact avec la couche d'oxyde de silicium 140 formant en partie la couche de liaison 192. Les figures 2a, 2b et 2c décrivent la préparation du deuxième composant 400, c'est-à-dire le composant contenant les circuits de lecture des photodiodes 110. Ce composant 400 peut également être désigné substrat de lecture, circuit de lecture ou puce de lecture (ROIC acronyme anglais signifiant ReadOut Integrated Circuit). Il est typiquement formé par un substrat du type de ceux produits par l'industrie de la microélectronique qui fait essentiellement usage de silicium pour délivrer toutes sortes de circuits électroniques intégrés. L'invention ne fait pas d'autre hypothèse sur la nature des circuits électroniques de lecture qui ont été fabriqués dans les couches supérieures 402 du deuxième composant 400. Il s'agira toutefois typiquement, comme déjà mentionné, de circuits de type CMOS fabriqués généralement à partir d'un substrat élaboré de type SOI, acronyme de l'anglais « silicon on insulator » c'est-à-dire silicium sur isolant. La technologie CMOS permet de réaliser toutes sortes de circuits très performants, logiques et analogiques, et donc des circuits de lecture appropriés pour les photodiodes qui ont été fabriquées séparément comme décrit ci-dessus dans les figures la à 1i. Les figures 2a, 2b et 2c montrent plus particulièrement les opérations finales de fabrication du composant 400 contenant les circuits de lecture et la préparation de l'état de surface en vue du collage. Lors de ces opérations l'on réalise en général au moins deux couches de connexions métalliques qui vont permettre l'interconnexion électrique entre les photodiodes et les circuits de lecture présents sur ce composant 400 de lecture. Ceux-ci sont représentés par l'ensemble de couches 402 comprenant des pistes métalliques enterrées 494 pour reprise de contact. Les figures 2a à 2c illustrent les opérations qui vont permettre le collage et l'interconnexion de ce composant avec le composant de détection 100 contenant les photodiodes 110. Pour réaliser les couches d'interconnexions représentées dans les exemples de la figure 2b, où l'on montre un premier niveau de métal 410, et la figure 2c, où l'on montre un deuxième niveau de métal 420, les matériaux et techniques utilisés sont de préférence similaires voire identiques à ceux utilisés pour la réalisation du premier composant contenant les photodiodes 110 de détection du rayonnement infrarouge. En particulier, on utilise comme métal le cuivre et sa technologie : le damasquinage (également appelé procédé damascène). Technique qui consiste, comme on l'a vu dans les figures 1g à 1i, à incruster du cuivre dans toutes les zones préalablement gravées dans des couches d'oxyde de silicium. Une première couche d'oxyde 405 est par exemple représentée sur la figure 2a à partir de laquelle on va réaliser un premier niveau d'interconnexions 410 suivi d'un deuxième niveau d'interconnexions 420. Les figures 2a à 2c ne sont que des exemples représentatifs de la mise en oeuvre de l'invention. En particulier, plus de deux niveaux d'interconnexions peuvent évidemment être réalisés. Les méthodes, matériaux et moyens mis en oeuvre pour la réalisation des interconnexions sont potentiellement tous ceux qui ont été développés par l'industrie de la microélectronique. Un exemple de mise en oeuvre est déjà décrit dans les figures 1g à 1i. L'homme du métier saura apprécier que de nombreuses variantes de mise en oeuvre pourront être appliquées sans déroger à l'esprit de l'invention. En particulier, pour ces opérations de damasquinage (également appelé procédé damascène), le composant 400 contenant les circuits de lecture étant de nature très différente de celui contenant les photodiodes, des différences peuvent exister dans la façon d'obtenir les différentes couches d'oxyde et de métaux et dans la façon de les graver et d'obtenir la meilleure adhérence possible du cuivre. Sur ce dernier point, on notera en particulier que l'étape de recuit se fera de préférence sous vide avec trois paliers dans une gamme de température allant de 150°C à 400°C, le composant 400 de lecture pouvant supporter à ce stade sans inconvénient des températures supérieures à celles des photodiodes qui est limitée à 300°C comme déjà mentionné. De même, la gravure des interconnexions verticales, les vias, pourra se 10 faire en prévoyant une couche d'arrêt de la gravure (non représentée) faite typiquement de nitrure de silicium (SiN) qui est déposée préférentiellement par PECVD sur une épaisseur typique de 40 nm. On remarquera ici que la méthode d'obtention des interconnexions en cuivre qui se termine par un polissage mécano chimique à chaque couche 15 permet d'obtenir une surface parfaitement plane 492 qui peut facilement satisfaire les critères de collage direct déjà mentionnés, c'est-à-dire une faible rugosité de l'ordre de 5 A et une surface, après nettoyage, exempte de contamination particulaire. Comme montré sur la figure 2c, les zones métalliques 490 en surface 20 du composant 400 de lecture comprennent en général des marques d'alignement (non représentées), des plages dites « dummies », des lignes métalliques d'interconnexion et des vias qui auront tous été délimités par photolithographie des couches d'oxyde pour correspondre et s'adapter aux zones correspondantes 190 du substrat de base 100. Toutes ces zones vont 25 aussi participer à l'obtention d'une meilleure adhérence lors du collage direct des deux substrats formés par les composants de détection 100, 230 et de lecture 400 comme décrit ci-après. Les figures 3a à 3c décrivent les étapes d'assemblage des deux composants, celui contenant les photodiodes et celui contenant les circuits de 30 lecture, par collage direct. Comme indiqué précédemment, chacun de ces deux composants forme avantageusement une plaque ayant deux faces planes opposées, ce qui rend leurs manipulations aisées. Le composant de détection présente ainsi une face 192, qualifiée de face de liaison. Cette face de liaison 192 est formée par au moins une couche à base d'oxyde de silicium 140, 210 dans laquelle des pistes d'interconnexion et de préférence des zones factices de cuivre sont formées. Le composant de lecture 400 présente également une face de liaison 492. Cette face de liaison 492 est également formée par une couche d'oxyde de silicium et porte des pistes d'interconnexion et de préférence des zones factices de cuivre. Comme décrit précédemment, les faces de liaison 192 et 492, ont été polies et nettoyées afin de conserver la qualité de surface en termes de contaminations chimiques et particulaires. Elles sont alors mises en contact. La qualité de surface des composants est telle que l'adhérence moléculaire s'établit entre eux grâce aux forces d'attraction dites de Van der Walls qui se manifestent à des distances inférieures à quelques nanomètres. Ce collage est réalisé à l'aide d'un équipement pouvant assurer l'alignement entre les deux composants avant leur mise en contact à l'aide de motifs d'alignement spécifiques au collage direct. Les faces de liaison 192 et 492 étant mises directement en contact l'une avec l'autre, on peut qualifier l'opération de collage des composants de détection et de lecture de « collage direct ». Pour obtenir ce résultat on exerce un ou plusieurs points de pression sur l'un ou l'autre des composants afin d'initier une onde de collage. Comme déjà mentionné dans la description des précédents collages, un recuit à une température inférieure à 300°C est réalisé pendant deux heures, avec ou sans atmosphère contrôlée, pour créer des liaisons covalentes permettant de renforcer la solidité du collage. On notera à nouveau qu'il est important que le recuit se fasse à une température inférieure à cette valeur pour éviter le risque de diffusion des espèces dopantes des photodiodes 110 dans le matériau détecteur. Comme montré sur la figure 3b le substrat poignée 300 est alors aminci par meulage pour laisser environ 50pm de ce substrat, puis par gravure humide jusqu'à l'oxyde de silicium (Si02) de la couche d'encapsulation 230. Ensuite, comme le montre la figure 3c, on attaque la couche d'encapsulation 230 (Si02) chimiquement et/ou mécaniquement par meulage. Comme mentionné précédemment une étape de CMP permet d'enlever la surface écrouie par le meulage jusqu'à apparition de la surface mixte 194 constituée, en périphérie, par le Si02 de la couche d'encapsulation 230 et, au centre, par le matériau utilisé pour réaliser le substrat de base 100, typiquement de l'antimoniure d'indium (InSb) ou un autre matériau pour l'infrarouge déjà cité. La surface mixte 194 polie est ensuite nettoyée pour laisser apparent le matériau de détection, l'antimoniure d'indium, dans cet exemple. L'ensemble formé par le premier composant de détection, le deuxième composant de lecture et leurs pistes d'interconnexion forme ainsi une plaque ayant deux faces planes opposées. Les figures 4a et 4b illustrent des étapes complémentaires du procédé de l'invention qui sont exécutées après que les deux composants de détection 15 et de lecture, ont été assemblés comme décrit dans les figures précédentes. L'ouverture 440 permet de fiabiliser l'assemblage initial à l'échelle du wafer lors des étapes de recuit ou de descente en froid. Le déplacement latéral du substrat détecteur est facilité par l'ouverture 440. Dans une première étape, comme le montre la figure 4a, des 20 ouvertures 430, qui laissent apparaître des plots de test, sont réalisées en périphérie pour tester la continuité électrique des photodiodes en fonction de la température. Au cours de cette étape on procède de façon conventionnelle à la photolithographie qui délimite les ouvertures 430 et ensuite à une gravure sèche de l'oxyde de silicium (Si02) dans ces ouvertures et puis à l'enlèvement 25 de la résine préalablement déposée et ayant servi pour délimiter les ouvertures 430. Dans une deuxième étape, comme le montre la figure 4b, la périphérie 440 du substrat de base 100 contenant les photodiodes infrarouge est dégagée de sorte que le substrat de base 100 puisse se dilater ou se comprimer en 30 fonctionnement et lors des tests électriques en température, depuis la température ambiante jusqu'à 77°K et réciproquement. Comme discuté dans le chapitre introductif sur l'état de la technique, le type de dispositif considéré par l'invention est conçu pour fonctionner normalement à basse température, par exemple 77°K, qui est la température de l'azote liquide, afin de réduire le bruit de fond du détecteur et ainsi augmenter considérablement la plage de détection du rayonnement infrarouge qu'il est possible de mesurer. Ce dégagement du substrat de base 100 est effectué à l'aide d'opérations de photolithographie, de gravure et d'enlèvement de la résine similaires à celles décrites ci-dessus pour la figure 4a. Ceci adresse le problème induit par la dilatation très différente des matériaux dont sont faits les deux composants 100 et 400. L'invention résout le problème exposé dans le chapitre sur l'état de la technique en affinant 450 suffisamment le composant de détection (100, 230) et en dégageant sa périphérie 440 afin qu'il puisse suivre sans inconvénient la dilation du composant 400 de lecture. Généralement, ce dernier est en silicium, matériau dont on a vu que le CTE était beaucoup plus faible que celui des matériaux semi-conducteur composites utilisés pour le substrat de base 100 contenant les photodiodes. Pour rappel, ce dernier est par exemple fait de l'un des matériaux III-V, II-VI ou IV-VI déjà cités. Ces étapes permettent de tester la tenue au cyclage thermique de l'assemblage. Il convient de noter que ces deux étapes sont optionnelles. Par ailleurs, elles peuvent être mises en oeuvre indépendamment l'une de l'autre. Ainsi, on 20 pourra parfaitement effectuer la deuxième étape relative au dégagement du substrat de base 100 sans pour autant réaliser les plots de tests. Les figures 5a à 5c décrivent une variante du procédé de fabrication du composant de détection contenant les détecteurs de rayonnement infrarouge c'est-à-dire les photodiodes 110. Dans cette alternative de mise en oeuvre du 25 procédé qui a été décrit précédemment dans figures la à li les photodiodes 110 ne sont pas réalisées initialement dans le substrat de base 100 mais seulement après l'étape correspondant à la figure Id comme expliqué ci-après, c'est-à-dire après collage du substrat de base 100 sur le substrat de manipulation 200 et après encapsulation 230. Les étapes initiales sont les 30 mêmes et s'effectuent dans les mêmes conditions que décrites dans les figures la à ld. On notera toutefois que l'absence des photodiodes jusqu'à ce stade offre une flexibilité plus grande dans le choix des options de fabrication. L'homme du métier saura adapter le procédé décrit précédemment afin de tirer partie au mieux de l'absence des photodiodes à ce stade de la réalisation de détecteurs infrarouges selon l'invention. En particulier les recuits pourront être effectués à une température plus élevée et ne dépassant pas la température de fusion du matériau détecteur puisque les espèces dopantes constituant les photodiodes n'ont pas encore été implantées. Comme précédemment les photodiodes peuvent être des jonctions PN ou PIN et sont réalisées par implantation ionique. Leur réalisation après encapsulation comprend les étapes suivantes : - Une étape de photolithographie d'ouvertures 170, qualifiées de vias est d'abord effectuée. Les vias peuvent être de diamètres différents, par exemple 5 pm et 8 pm. Pour cela, une résine photosensible positive d'épaisseur inférieure à 10 pm est étalée. Dans un mode préféré de mise en oeuvre on étale une résine positive de 1,5 pm d'épaisseur. La technique de photolithographie classique est appliquée. Les motifs des vias insolés à travers un masque puis développés. La résine est ensuite cuite à environ 110°C. - La figure 5a illustre le résultat de la gravure de la couche d'encapsulation 230, typiquement en Si02. Pour obtenir ce résultat on réalise la photolithographie de vias de diamètre variable (par exemple 5pm et 8pm). Pour cela, une résine photosensible est étalée. Puis une technique de photolithographie classique est appliquée. Les motifs des ouvertures 170 (vias) sont développés puis insolés à travers un masque. La résine est ensuite cuite. On grave par plasma environ 1 à 3 pm de la couche d'encapsulation 230 pour déboucher sur le matériau constituant le substrat de base 100. La majeure partie de la résine est enlevée par plasma puis on effectue un nettoyage fin de la surface de la couche d'encapsulation 230 par voie humide afin de faire disparaître les résidus de résine. - La figure 5b illustre l'étape d'implantation ionique des diodes photosensibles 110 là où les ouvertures 170 ont été pratiquées. Au cours de cette opération on effectue une implantation ionique d'ions positifs si le matériau constituant le substrat de base 100 est dopé N comme représenté. Si le matériau est dopé de type P on implantera au contraire des ions négatifs. Dans les deux cas on forme une jonction PN. Parmi les éléments dopants de l'InSb, on peut utiliser par exemple le cadmium (Cd), l'étain (Sn) et le tellure (Te). - La figure 5c illustre le résultat des étapes de photolithographie et de gravure dans l'oxyde de la couche 230 des zones 160 dites « dummies » décrites précédemment et après enlèvement de la résine. Photolithographie de la résine, gravure et nettoyage sont identiques à ce qui a été décrit précédemment. À ce stade de la variante du procédé d'obtention du composant de détection on a obtenu toutes les zones gravées, 160 et 170, qui définissent les interconnexions métalliques, les vias et les « dummies ». On peut donc procéder à toutes les opérations d'incrustation de cuivre, ou damasquinage, qui ont déjà été décrites dans les figures 1g à 1i. L'état de surface final est donc le même que celui 192 de la figure 1i et convient pour un collage direct sur le composant 400 contenant les circuits de lecture. On remarque que dans cette variante du procédé, dont les étapes spécifiques sont illustrées par les figures 5a à 5c décrites ci-dessus, on n'a pas recours au transfert du composant 100, 230 contenant les photodiodes sur le substrat poignée 300. Les étapes correspondant aux figures 5a à 5c prennent donc la place des opérations correspondant aux figures 1f et 1g. Les figures 6a à 6f décrivent une autre variante du procédé dans laquelle on réalise dans le substrat de manipulation 200 un logement d'accueil 250 pour le substrat de base 100. L'ensemble ainsi formé permet alors de reconstituer une tranche, typiquement d'un diamètre de 200 mm, qui devient alors compatible avec le standard des lignes de production actuelles de circuits intégrés en particulier celles de la technologie CMOS. Comme le montre la figure 6a on part comme précédemment d'un substrat de base 100 fait d'un matériau semi-conducteur composite comme décrit dans la figure la. Cette variante du procédé est par ailleurs identique à celle décrite dans les figures 5a à Sc, c'est-à-dire que les photodiodes ne sont fabriquées qu'après que le substrat de base 100 aura été assemblé sur un substrat de manipulation 200. Le substrat de base 100 est préparé dans les mêmes conditions que celles déjà décrites. En particulier on crée une couche d'oxyde 140 en surface pour le collage. Comme montré sur la figure 6b, dans cette variante du procédé, un logement d'accueil 250 est préparé dans le substrat de manipulation 200 afin de recevoir le substrat de base 100 dans lequel on va former les photodiodes de détection du rayonnement infrarouge. Le logement d'accueil 250 a un diamètre compris typiquement entre 2 pouces et 200 mm sur une profondeur d'environ 15 pm. Ce logement d'accueil est créé soit par usinage mécanique, soit par gravure sèche dans un plasma, soit par gravure humide. La taille du logement d'accueil est définie en fonction de la taille du substrat de base 100. Le substrat de manipulation 200 a par ailleurs toutes les caractéristiques décrites dans la figure lb. En particulier, l'état de surface obtenu et les moyens pour obtenir cet état de surface sont ceux déjà décrits afin de permettre un collage direct des deux substrats comme montré sur la figure 6c. L'étape suivante consiste comme déjà décrit dans la figure 1d à amincir le substrat de base 100 pour le ramener à une épaisseur 150 de travail inférieure ou égale à 15 pm. Comme montré sur la figure 6d le substrat de base 100 se retrouve alors au même niveau que le substrat de manipulation 200. Plus précisément, le substrat de base 100 comporte une face libre opposée à une face par laquelle il est fixé au substrat de manipulation 200. Le substrat de manipulation 200 comprend une face d'accueil destinée à accueillir le substrat de base 100. Cette face d'accueil définit un plan en dehors du logement d'accueil 250. Après son amincissement, la face libre du substrat de base 100 est contenue dans ce plan. Le substrat de base 100 ne forme donc pas saillie au-delà de la face d'accueil du substrat de manipulation 200. Le substrat de base 100 aminci est alors encapsulé, typiquement dans une couche d'oxyde de silicium 230, dans les mêmes conditions que ce qui a été décrit précédemment dans la figure 1d. Le résultat de cette opération est illustré par la figure 6e. La couche d'encapsulation 230 est alors à son tour amincie et aplanie en utilisant toutes les techniques de meulage, de polissage mécano chimique et de nettoyage déjà décrites. Comme montré sur la figure 6f une épaisseur 241 de la couche d'encapsulation 230, par exemple d'environ 1 pm, est laissée au dessus du substrat de base 100 aminci. L'ensemble formé par le substrat de manipulation 200 et le composant de détection 100, 230 forme une plaque ayant deux faces planes opposées. Il 5 est donc aisément manipulable. À ce stade le résultat correspond à ce qui a été obtenu à la figure ld. Dans cette variante du procédé les photodiodes n'ayant pas été non plus préalablement formées on applique alors la variante du procédé précédemment décrite dans les figures 5a à 5c pour obtenir finalement un assemblage entre le 10 substrat de base 100 contenant les détecteurs de rayonnement infrarouge et celui contenant les circuits de lecture 400. Les figures 7a à 7c montrent que le procédé s'applique aussi dans le cas où on dispose de plusieurs substrats de base 100 détecteurs de rayonnement infrarouge de plus petites tailles que l'on va assembler sur un 15 même substrat de manipulation 200 pour l'adapter au format de la ligne de fabrication dans laquelle ils doivent être traités. Les substrats individuels 100 peuvent provenir de technologies différentes et être de tailles différentes. En particulier, les matériaux qui les composent peuvent être des matériaux semiconducteurs composites différents. Les opérations d'assemblage sont les 20 mêmes que celles décrites précédemment. Toutes les variantes du procédé décrites s'appliquent possiblement. En particulier les photodiodes peuvent avoir été fabriquées avant assemblage ou après comme décrit dans la variante du procédé illustrée par les figures 5a à 5c. La figure 7a montre l'exemple de trois substrats de base 100 individuels 25 dont les matériaux semi-conducteurs sont différents et qui sont assemblés ensemble sur un même substrat de manipulation 200. Dans cet exemple les photodiodes ont déjà été fabriquées dans les substrats de base 100. Le procédé qui s'applique est celui décrit dans les figures la à 1i. Comme montré sur les figures 7b et 7c, et d'une façon identique à ce qui a été décrit dans les 30 figures correspondantes la à 1 i, on va venir assembler les substrats de base 100 par collage direct sur le substrat de manipulation 200. Ensuite, après amincissement des substrats de base 100, on procède à leur encapsulation 230 comme montré sur la figure 7d. Les autres opérations permettant d'obtenir finalement l'assemblage sur le composant 400 de lecture sont identiques à ce qui a déjà été décrit. On notera ici que les substrats de base 100 peuvent être chacun une puce de détection qui aura été découpée d'une plaque sur laquelle elle a été 5 fabriquée avant assemblage sur le substrat de manipulation. En résumé, le procédé de l'invention permet d'assembler non seulement deux composants ensemble mais aussi plusieurs substrats de base comprenant des photodiodes infrarouges sur un même substrat de manipulation, voire des puces individuelles découpées d'un ou de plusieurs 10 substrats de détection. L'avantage étant dans ce cas qu'on n'assemble que des puces de détection qui ont été testées et qui sont réputées être complètement fonctionnelles ce qui permet d'augmenter le rendement de fabrication des détecteurs de rayonnement infrarouges fabriqués selon le procédé de l'invention. 15 Le procédé de l'invention apporte aussi les avantages suivants : - La technologie d'assemblage de puces hybrides par collage direct de l'invention permet de supprimer les étapes liées à la métallurgie indium actuellement utilisée. Ceci permet de supprimer : les dépôts d'indium ; les étapes de refonte ; les flux de brasage ; les défauts de planéité qui 20 apparaissent fréquemment sur les composants (manque d'uniformité) ; les étapes de nettoyage des résidus de flux ; les étapes d'enrobage génératrices de défauts de fiabilité en raison de l'inclusion de bulles confinées dans la zone d'interconnexions et des excès de colle à éliminer (exemple des bourrelets d'enrobage) ; les problèmes d'hybridation dus aux différences de dilatation des 25 substrats ; les défauts de fiabilité dus aux intermétalliques or-indium (Au-In). - Dans la technique actuelle le matériau d'enrobage utilisé ne peut pas jouer pleinement son rôle car il ne peut être réticulé à la température qui lui donne sa consistance thermomécanique. En effet, en vue de sauvegarder les photodiodes et d'accommoder les différences importantes entre les coefficients 30 d'expansion thermique (CTE) de substrats hétérogènes, cette réticulation se fait à une température qui est de 40 °C inférieure à la recommandation fabricant. L'invention permet de s'affranchir de ce problème. - Les progrès réalisés aujourd'hui dans le domaine des intra-connexions (baisse du pas de répétition, baisse du diamètre minimum) permettent d'accommoder des pas de pixels toujours plus petits qui deviennent inférieurs ou égaux à 15 pm. Le procédé de l'invention, qui peut bénéficier potentiellement de toutes les avancés technologiques de la filière microélectronique silicium contrairement aux techniques d'hybridation actuelles, peut facilement s'adapter à cette baisse du pas de répétition des pixels. L'hybridation basée sur l'emploi de billes d'indium atteint au contraire ses limites notamment en raison des défauts de planéité qu'elle entraîne. Le nettoyage et l'enrobage de composants présentant des pas inférieurs à 15 pm devient extrêmement difficile voire impossible dès que la taille de composant dépasse quelques centimètres carrés. Les matrices de grands formats sont donc extrêmement difficiles à réaliser avec la filière basée sur l'utilisation de matrices de billes d'indium. Le volume d'indium baisse avec la diminution du pas, rendant l'hybridation très difficile car le rattrapage du défaut de planéité des composants n'est plus possible. - Un apport majeur de l'invention est l'utilisation de procédés bénéficiant pleinement du développement constant de la microélectronique avec un gain en termes de temps de cycle raccourcis, rendement et fiabilité de l'assemblage améliorés ce qui offre à la fois des avantages techniques et économiques. - La possibilité de reporter des matériaux hétérogènes sur un substrat de manipulation de taille compatible avec un environnement microélectronique 200mm voire 300mm et la technique d'encapsulation du matériau détecteur de rayonnement sont des caractéristiques très avantageuses de l'invention. - Pour ce qui est de l'hybridation, la technique de l'invention est indépendante de la nature du substrat détecteur de rayonnement pour peu que la température maximale admissible par les photodiodes soit respectée.30 REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'au moins un détecteur infrarouge photosensible par assemblage d'un premier composant (100, 230) électronique comportant une pluralité de photodiodes (110) sensibles au rayonnement infrarouge et d'un deuxième composant (400) électronique comprenant au moins un circuit électronique de lecture de la pluralité de photodiodes, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend : l'obtention sur chacun des premier (100, 230) et deuxième (400) composants d'une face de liaison (192, 492) formée au moins partiellement par une couche (210) à base d'oxyde de silicium SiOx, avec x compris entre 1 et 2; une étape de collage du premier composant (100, 230) et du deuxième composant (400) par leurs faces de liaison (192, 492), réalisant ainsi le collage direct des deux composants (100, 230, 400). 2. Procédé selon la revendication précédente dans lequel on procède à un 15 recuit de collage direct à une température inférieure à 300°C. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'obtention des faces de liaison (192, 492) comprend un polissage mécano chimique (CMP) effectué de sorte à ramener leur rugosité moyenne quadratique (RMS) à une valeur inférieure ou égale à 10 A. 20 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'obtention d'une face de liaison (192) sur le premier composant (100, 230) et d'une face de liaison (492) sur le deuxième composant (400) comprend la formation, sur ces faces de liaison (192, 492), de zones d'incrustation (190, 490) de cuivre (Cu) disposées de manière à coïncider lorsque ces faces de liaison 25 (192, 492) sont positionnées en regard, et dans lequel pour au moins l'une de ces faces de liaison (192, 492) les zones d'incrustation (190, 490) de cuivre occupent une surface comprise entre 18% et 40% de la surface de cette face de liaison. 5. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'obtention de la face de liaison sur le premier composant (100, 230) est effectuée de sorte à ce que la couche à base d'oxyde de silicium (210) recouvre l'intégralité de cette face de liaison à l'exception des zones d'incrustation (190) de cuivre et de pistes et/ou de vias d'interconnexion électrique. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel on effectue une étape d'amincissement (150) du premier composant (100, 230) de sorte à ce que son épaisseur soit inférieure à environ 35 fois ou plus l'épaisseur du deuxième composant (400). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le procédé comprend une étape de préparation du premier composant (100, 230), l'étape de préparation du premier composant (100, 230) comprenant : - l'obtention d'au moins un substrat de base (100) intégrant ou destiné à intégrer la pluralité de photodiodes (110), l'encapsulation du substrat de base (100) dans une couche d'encapsulation (230), de sorte à ce que la dimension principale du premier composant (100, 230) comprenant le substrat de base (100) et la couche d'encapsulation (230) soit supérieure à la dimension principale du substrat de base (100). 8. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le substrat de base (100) présente un coefficient d'expansion thermique (CTE) compris entre 4 et 8 ppm/°C et de préférence entre 5 et 7 ppm/°C et dans lequel le deuxième composant (400) comprend un substrat portant le circuit électronique de lecture et présentant un coefficient d'expansion thermique (CTE) compris entre 1,5 et 4 ppm/°C et de préférence entre 2.5 et 3,5 ppm/°C. 9. Procédé selon la revendication précédente dans lequel les premier et deuxième composants (100, 230, 400) forment des plaques, dans lequel la dimension principale du premier composant (100, 230) est environ égale à ladimension principale du deuxième composant (400), et dans lequel les dimensions principales sont des diamètres ou des diagonales des plaques. 10. Procédé selon l'une quelconque des trois revendications précédentes dans lequel la couche d'encapsulation est une couche à base d'oxyde de silicium 5 SiOx, avec x compris entre 1 et 2. 11. Procédé selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes dans lequel préalablement à l'encapsulation de l'au moins un substrat de base (100) dans la couche d'encapsulation (230), on effectue une étape de fixation du substrat de base (100) sur un substrat de manipulation (200). 10 12. Procédé selon la revendication précédente dans lequel, préalablement à l'étape de fixation du substrat de base (100) sur un substrat de manipulation (200) on effectue une étape d'obtention d'une couche à base d'oxyde de silicium (210) sur au moins une partie d'une face du substrat de manipulation (200), et dans lequel l'étape de fixation du substrat de base (100) sur le substrat de 15 manipulation (200) s'effectue par collage direct de leurs couches à base d'oxyde de silicium SiOx. 13. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes dans lequel le substrat de manipulation (200) présente un logement d'accueil (250) et dans lequel on fixe l'au moins un substrat de base (100) dans le 20 logement d'accueil (250) lors de l'étape de fixation. 14. Procédé selon l'une quelconque des sept revendications précédentes dans lequel la pluralité de photodiodes est intégrée dans le substrat de base (100) avant l'encapsulation du substrat de base (100) dans la couche d'encapsulation (230). 25 15. Procédé selon la revendication précédente prise dans sa combinaison avec la revendication 11 dans lequel après fixation du substrat de base (100) sur le substrat de manipulation (200) et après encapsulation, une face libre de la couche d'encapsulation (230) est fixée sur un substrat poignée (300), puis le substrat de manipulation (200) est au moins en partie retiré. 16. Procédé selon la revendication précédente dans lequel le retrait du substrat de manipulation (200) est effectué de sorte à ce que le premier composant (100, 230) conserve une couche à base d'oxyde de silicium (140) déposée sur le substrat de base (100) avant sa fixation sur le substrat de manipulation (200), et conserve une couche à base d'oxyde de silicium SiOx (210) portée par le substrat de manipulation (200) préalablement à l'étape de fixation. 17. Procédé selon l'une quelconque des deux revendications précédentes, dans lequel, préalablement à l'étape de fixation de la couche d'encapsulation (230) sur le substrat poignée (300), on effectue une étape d'obtention d'une couche de fixation (310) sur au moins une partie d'une face du substrat poignée (300), et dans lequel l'étape de fixation de la couche d'encapsulation (230) sur le substrat poignée (300) s'effectue par collage direct de la couche de fixation (310) du substrat poignée (300) sur une face restée libre de la couche d'encapsulation (230). 18. Procédé selon l'une quelconque des quatre revendications précédentes, dans lequel le premier composant comprend une pluralité de substrats de base (100) et dans lequel l'étape de préparation du premier composant (100, 230) comprend l'encapsulation de la pluralité de substrats de base (100) dans une même couche d'encapsulation (230). 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 13 dans lequel la pluralité de photodiodes est intégrée dans le substrat de base (100) après l'encapsulation du substrat de base (100) dans la couche d'encapsulation (230). 20. Procédé selon la revendication précédente dans lequel l'encapsulation du substrat de base (100) est effectuée de sorte que la couche d'encapsulation (230) recouvre au moins une face du substrat de base (100), dans lequel on réalise ensuite à travers la couche d'encapsulation (230) au moins un accès (170) à la face du substrat de base (100) qui est recouverte par la couche d'encapsulation (230) et dans lequel on réalise les photodiodes par implantation ionique de dopants par ledit au moins un accès (170). 21. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 20 dans lequel on crée au moins un espace (440) entre la périphérie (440) du substrat de base (100) et la couche d'encapsulation (230). 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans 5 lequel l'étape de collage du premier composant (100, 230) et du deuxième composant (400) forme une pluralité de détecteurs infrarouges photosensibles qui comportent chacun au moins une photodiode (110) et un circuit de lecture, et dans lequel on effectue, après l'étape de collage des premier (100, 230) et deuxième (400) composants, une étape de découpe pour séparer les détecteurs 10 infrarouges photosensibles les uns des autres. 23. Détecteur infrarouge photosensible comprenant un premier composant (100, 230) électronique comportant une pluralité de photodiodes (110) sensibles au rayonnement infrarouge et un deuxième composant (400) électronique comprenant au moins un circuit électronique de lecture du premier composant, 15 caractérisé en ce que le premier et le deuxième composants (100, 230, 400) présentent chacun une face de liaison (192, 492) et sont collés directement l'un à l'autre par leurs faces de liaison (192, 492), chacune des faces de liaison (192, 492) étant formée au moins en partie par une couche (210, 405) à base d'oxyde de silicium SiOx, avec x est compris entre 1 et 2. 20 24. Détecteur selon la revendication précédente dans lequel chacune des faces de liaison porte également des zones d'incrustation (190, 490) de cuivre (Cu) disposées de manière à coïncider avec les zones d'incrustation (190, 490) de cuivre portées par l'autre face de liaison, les zones d'incrustation (190, 490) de cuivre de chaque face de liaison (192, 492) occupant une surface comprise 25 entre 18% et 40% de chaque face de liaison (192, 492). 25. Ensemble pour la réalisation d'un détecteur infrarouge photosensible comprenant au moins un premier composant (100, 230) électronique comportant une pluralité de photodiodes (110) sensibles au rayonnement infrarouge et au moins un deuxième composant (400) électronique comprenant au moins un 30 circuit électronique de lecture, caractérisé en ce que le premier et le deuxième composants (100, 230, 400) présentent chacun une face de liaison (192, 492)formée au moins en partie par une couche (210, 405) à base d'oxyde de silicium SiOx, avec x compris entre 1 et 2. 26. Ensemble selon la revendication précédente dans lequel chacune des faces de liaison (192, 492) comprend des zones d'incrustation (190, 490) de cuivre (Cu) disposées de manière à coïncider avec les zones d'incrustation (190, 490) de cuivre portées par l'autre face de liaison, les zones d'incrustation (190, 490) de cuivre de chaque face de liaison occupant une surface comprise entre 18% et 40% de la surface de cette face. 27. Détecteur selon la revendication 23 ou 24, ou ensemble selon la revendication 25 ou 26, caractérisé en ce que le premier composant comprend un substrat de base (100) à l'intérieur duquel sont situées les photodiodes (110), le matériau du substrat de base (100) étant choisi parmi le PbSnTe, PbSe, InSb, InP, GaAs, InAs, InGaAs, InGaSb et InAsSb ou le CdHgTe.