FR 2979169 A1 20130222 FR 1157423 A 20110819 DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne des structures semi5 conductrices liées utilisant des techniques d'intégration en trois dimensions (3D), et des structures semi-conductrices liées formées par de tels procédés. Plus particulièrement, la présente invention concerne des systèmes semi-conducteurs intégrés en 10 trois dimensions qui comportent au moins un dispositif photoactif et au moins une partie d'un substrat semiconducteur sur isolant (SeOI), et des procédés de formation de tels systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions. 15 CONTEXTE L'intégration en trois dimensions (3D) de deux structures semi-conductrices ou plus peut produire un certain nombre d'avantages pour des applications 20 microélectroniques. Par exemple, l'intégration 3D de composants microélectroniques peut améliorer les performances électriques et la consommation d'énergie tout en réduisant l'encombrement du dispositif. Voir, par exemple le document de P. Garrou, et al., « Le 25 Manuel de l'intégration 3D », Wiley-VCH (2008). L'intégration 3D de structures semi-conductrices peut s'effectuer par la fixation d'une puce semi-conductrice sur une ou plusieurs autres puces semi-conductrices (c.-à-d., puce-puce (D2D)), la fixation d'une puce 30 semi-conductrice sur une ou plusieurs tranches semiconductrices (c.-à-d., puce-tranche (D2W)), ainsi que la fixation d'une tranche semi-conductrice sur une ou plusieurs autres tranches semi-conductrices (c.-à-d., tranche-tranche (W2W)), ou une combinaison de celles-35 ci. Bien que les techniques d'intégration en trois dimensions aient été appliquées avec succès aux circuits électroniques intégrés, il reste un besoin dans l'art pour des systèmes de circuits intégrés photoniques intégrés en trois dimensions, et des procédés de formation de tels systèmes. BREF RÉSUMÉ Ce résumé est fourni pour présenter une sélection de concepts dans une forme simplifiée. Ces concepts sont décrits plus en détail dans la description détaillée d'exemples de modes de réalisation de l'invention ci-dessous. Ce résumé n'est pas destiné à identifier les principales caractéristiques ou les caractéristiques essentielles de l'objet revendiqué, ni destiné à être utilisé pour limiter la portée de l'objet revendiqué. Dans certains modes de réalisation, la présente invention comprend des systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions. Les systèmes comportent un substrat semi-conducteur sur isolant (Se0I) comprenant une couche de matériau semi-conducteur, et une couche de matériau isolant électrique disposée adjacente à une surface principale de la couche de matériau semi-conducteur. Les systèmes comprennent en outre au moins un dispositif photoactif formé sur la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I, et au moins une interconnexion optique comprenant une partie de la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I. Ladite au moins une interconnexion optique est couplée fonctionnellement audit au moins un dispositif photoactif. Les systèmes comprennent en outre au moins un convertisseur courant/tension formé par-dessus la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I. Au moins un chemin électrique s'étend entre le au moins un dispositif photoactif et le au moins un convertisseur courant/tension. Au moins un dispositif semi-conducteur est lié par-dessus le substrat Se0I, et au moins un chemin électrique s'étend entre le au moins un convertisseur courant/tension et le au moins un dispositif semi-conducteur lié pardessus le substrat Se0I. Dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente invention comprend des procédés de fabrication de tels systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions. Par exemple, des procédés de fabrication de systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions peuvent inclure la formation d'au moins un dispositif photoactif sur une couche de matériau semi-conducteur d'un substrat semi-conducteur sur isolant (Se0I). Au moins un guide d'ondes peut être formé, qui comprend une partie de la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I. Le au moins un guide d'ondes peut être couplé fonctionnellement avec le au moins un dispositif photoactif. Au moins un convertisseur courant/tension peut être formé par-dessus la couche de matériau semiconducteur du substrat Se0I, et le au moins un dispositif photoactif et le au moins un convertisseur courant/tension peuvent être couplés fonctionnellement l'un avec l'autre. Au moins un dispositif semiconducteur peut être lié par-dessus le substrat Se0I, et le au moins un convertisseur courant/tension et le au moins un dispositif semi-conducteur lié par-dessus le substrat Se0I peuvent être couplés fonctionnellement l'un avec l'autre. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS Bien que le mémoire descriptif se termine par des revendications mettant particulièrement en évidence et revendiquant clairement ce que l'on considère comme étant les modes de réalisation de l'invention, les avantages des modes de réalisation de l'invention peuvent être plus aisément évalués au vu de la description de certains exemples de modes de réalisation de l'invention lorsqu'elle est lue en parallèle avec les dessins annexés, dans lesquels : La figure 1 est une vue latérale en coupe simplifiée et illustrée schématiquement d'un substrat semi-conducteur sur isolant (Se0I) ; La figure 2 est une vue latérale en coupe simplifiée et 5 illustrée schématiquement illustrant un dispositif photoactif et un convertisseur courant/tension fabriqués sur le substrat Se0I de la figure 1 ; La figure 3 est une vue en perspective simplifiée et illustrée schématiquement d'un guide d'ondes comprenant 10 une partie d'un matériau semi-conducteur du substrat Se0I de la figure 2 ; La figure 4 est une vue latérale en coupe simplifiée et illustrée schématiquement illustrant un système semiconducteur intégré en trois dimensions comprenant une 15 pluralité de dispositifs semi-conducteurs liée pardessus et couplée fonctionnellement à la structure de la figure 2 ; La figure 5 est une vue latérale en coupe simplifiée et illustrée schématiquement illustrant un autre système 20 semi-conducteur intégré en trois dimensions similaire à celui de la figure 4, mais dans lequel une partie d'un substrat Se0I, un dispositif photoactif et un convertisseur courant/tension sont inversés par rapport à la structure de la figure 4 ; 25 La figure 6 est une vue latérale en coupe simplifiée et illustrée schématiquement illustrant un autre système semi-conducteur intégré en trois dimensions similaire à celui de la figure 4, mais comprenant en outre un dispositif photoactif supplémentaire fabriqué sur le 30 substrat Se0I et couplé fonctionnellement avec le premier dispositif photoactif ; La figure 7 est une vue latérale en coupe simplifiée et illustrée schématiquement d'un dispositif émetteur en germanium sur silicium, qui peut être utilisé comme 35 dispositif photoactif supplémentaire représenté sur la figure 6 ; La figure 8 est une vue latérale en coupe simplifiée et illustrée schématiquement illustrant un autre système semi-conducteur intégré en trois dimensions similaire à celui de la figure 5, mais comprenant en outre un dispositif photoactif supplémentaire lié verticalement par-dessus la structure de la figure 5 et couplé fonctionnellement avec le premier dispositif photoactif ; La figure 9 est une vue latérale en coupe simplifiée et 10 illustrée schématiquement illustrant un autre système semi-conducteur intégré en trois dimensions similaire à celui de la figure 8, mais comprenant en outre un dispositif photoactif supplémentaire fabriqué sur le substrat SeOI et couplé fonctionnellement avec le 15 premier dispositif photoactif tel qu'illustré sur la figure 6 ; et La figure 10 est un schéma simplifié d'un système semiconducteur intégré en trois dimensions comprenant un émetteur-récepteur électromagnétique. 20 DESCRIPTION DÉTAILLÉE Les illustrations présentées ici ne sont pas destinées à être des vues réelles d'une structure semiconductrice, d'un dispositif, d'un système ou d'un procédé en particulier, mais sont simplement des 25 représentations idéalisées qui sont utilisées pour décrire des modes de réalisation de l'invention. Les titres utilisés ici ne doivent pas être considérés comme limitant le champ d'application des modes de réalisation de l'invention tels que définis par les 30 revendications ci-dessous et leurs équivalents légaux. Les concepts décrits dans les titres spécifiques sont généralement applicables dans d'autres sections de l'ensemble du mémoire descriptif. Le terme « structure semi-conductrice », tel qu'utilisé 35 ici, désigne et inclut toute structure qui est utilisée dans la formation d'un dispositif semi-conducteur. Les structures semi-conductrices incluent, par exemple, des puces et des tranches (par exemple, des substrats de support et des substrats de dispositif), ainsi que des assemblages ou des structures composites qui comportent deux puces et/ou tranches, ou plus, qui ont été 5 intégrées en trois dimensions les unes avec les autres. Les structures semi-conductrices incluent également des structures semi-conductrices entièrement fabriquées (c.-à-d. des dispositifs semi-conducteurs), ainsi que des structures intermédiaires formées lors de la 10 fabrication des dispositifs semi-conducteurs. Le terme « structure semi-conductrice traitée », tel qu'utilisé ici, désigne et inclut toute structure semiconductrice qui comporte une ou plusieurs structures de dispositif au moins partiellement formées. Les 15 structures semi-conductrices traitées sont un sous-ensemble des structures semi-conductrices, et toutes les structures semi-conductrices traitées sont des structures semi-conductrices. Le terme « structure semi-conductrice liée », tel 20 qu'utilisé ici, signifie et inclut toute structure qui comporte deux structures semi-conductrices ou plus qui sont jointes ensemble. Les structures semi-conductrices liées sont un sous-ensemble des structures semiconductrices, et toutes les structures semi- 25 conductrices liées sont des structures semiconductrices. Par ailleurs, les structures semiconductrices liées qui comportent une ou plusieurs structures semi-conductrices traitées sont également des structures semi-conductrices traitées. 30 Le terme « structure de dispositif », tel qu'utilisé ici, désigne et inclut toute partie d'une structure semi-conductrice traitée qui est, comporte, ou définit au moins une partie d'un composant actif ou passif d'un dispositif semi-conducteur devant être formé sur ou 35 dans la structure semi-conductrice. Par exemple, les structures de dispositif comprennent des composants actifs et passifs de circuits intégrés tels que des transistors, des capteurs, des condensateurs, des résistances, des lignes conductrices, des vias conducteurs, et des plots de connexion conducteurs. Le terme « dispositif semi-conducteur », tel qu'utilisé ici, désigne et inclut toute structure semi-conductrice entièrement traitée et opérationnelle, telle qu'une puce semi-conductrice ou un boîtier semi-conducteur comprenant un circuit intégré opérationnel. Les dispositifs semi-conducteurs incluent, par exemple, des processeurs de signaux électroniques (par exemple, des circuits d'attaque de laser ou d'autres dispositifs émetteurs ou des circuits d'attaque de dispositifs optoélectroniques), des dispositifs de mémoire électronique, ainsi que des dispositifs semiconducteurs comprenant des dispositifs photoactifs. Le terme « système semi-conducteur intégré en trois dimensions », tel qu'utilisé ici, signifie et inclut toute structure semi-conductrice liée qui comprend deux dispositifs semi-conducteurs ou plus, couplés fonctionnellement les uns avec les autres. Le terme « interconnexion électrique », tel qu'utilisé ici, signifie et inclut tout élément conducteur ou toute combinaison d'éléments conducteurs dans une structure semi-conductrice, qui est utilisé(e) pour interconnecter électriquement au moins deux structures de dispositif dans la structure semi-conductrice en fournissant au moins une partie d'un chemin de courant électrique entre les au moins deux structures de dispositif. Le terme « interconnexion traversante de tranche » ou « TWI », tel qu'utilisé ici, signifie et inclut tout via conducteur s'étendant à travers au moins une partie d'une première structure semi-conductrice, qui est utilisé pour fournir une interconnexion structurelle et/ou électrique entre la première structure semi- conductrice et une seconde structure semi-conductrice à travers une interface entre la première structure semiconductrice et la seconde structure semi-conductrice. Les interconnexions traversantes de tranche sont également appelées dans l'art par d'autres termes, tels que « vias à travers le silicium », « vias à travers le substrat », « vias à travers la tranche », ou les abréviations de ces termes, telles que « TSV » ou 5 « TWV ». Les TWI s'étendent typiquement à travers une structure semi-conductrice dans une direction globalement perpendiculaire aux surfaces principales généralement plates de la structure semi-conductrice (à savoir, dans une direction parallèle à l'axe « Z »). 10 Les interconnexions traversantes de tranche sont un type d'interconnexion électrique. Le terme « interconnexion optique », tel qu'utilisé ici, signifie et inclut tout élément dans une structure semi-conductrice qui est utilisé pour fournir un chemin 15 qui est conducteur d'un rayonnement électromagnétique à une ou plusieurs longueurs d'onde entre au moins deux structures de dispositif optique dans la structure semi-conductrice. Bien que le terme « optique » soit utilisé, des interconnexions optiques peuvent être 20 utilisées pour fournir un chemin pour une ou plusieurs longueurs d'onde d'un rayonnement électromagnétique, lesquelles longueurs d'onde peuvent être dans ou hors du domaine visible du spectre du rayonnement électromagnétique (par exemple, dans l'un ou les deux 25 du domaine visible et du domaine infrarouge du spectre du rayonnement électromagnétique). Les interconnexions optiques incluent des guides d'ondes, des vias optiques (OV), et des vias optiques à travers la tranche (TWOV). Le terme « dispositif photoactif », tel qu'utilisé ici, 30 désigne et inclut toute structure de dispositif qui est configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique en réponse à un courant ou à une tension appliqué(e) à la structure de dispositif et/ou pour générer un courant ou une tension en réponse à 35 l'incidence d'un rayonnement électromagnétique sur la structure de dispositif. Ainsi, les dispositifs photoactifs incluent des photoémetteurs tels que des diodes électroluminescentes, des lasers, etc., ainsi que des photodétecteurs, des cellules solaires, et d'autres structures de dispositif configurées pour détecter ou recevoir un rayonnement électromagnétique. Le terme « convertisseur courant/tension », tel qu'utilisé ici, désigne et inclut tout dispositif 5 configuré pour convertir un courant d'entrée en un signal de tension de sortie ou convertir une tension d'entrée en un signal de courant de sortie. Par exemple, un convertisseur courant/tension peut comprendre une pluralité de structures de dispositif, 10 telles que des transistors, des condensateurs et des résistances, couplées fonctionnellement les unes avec les autres dans un circuit électrique intégré configuré pour convertir un courant d'entrée en un signal de tension de sortie ou pour convertir une tension 15 d'entrée en un signal de courant de sortie. Les convertisseurs courant/tension qui sont configurés pour convertir un courant d'entrée en un signal de tension de sortie sont souvent appelés dans l'art « amplificateurs à transimpédance ». 20 Le terme « couche de métallisation », tel qu'utilisé ici, désigne et inclut une couche d'une structure semiconductrice traitée qui comporte un ou plusieurs éléments parmi des lignes conductrices, des vias conducteurs et des plots de connexion conducteurs, qui 25 sont utilisés pour acheminer le courant le long d'au moins une partie d'un chemin électrique. Dans certains modes de réalisation, la présente invention inclut des systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions qui comportent au moins un 30 dispositif photoactif couplé fonctionnellement avec au moins un convertisseur courant/tension sur un substrat Se0I. La figure 1 est une vue latérale en coupe simplifiée d'un substrat Se0I 100 qui peut être employé dans des 35 modes de réalisation de la présente invention. Comme le montre la figure 1, le substrat Se0I 100 comporte une couche de matériau semi-conducteur 102, et une couche de matériau isolant électrique 104 (c'est-à-dire, un matériau diélectrique) disposée adjacente à une surface principale 103 de la couche de matériau semi-conducteur 102. Dans certains modes de réalisation, la couche de 5 matériau semi-conducteur 102 peut être un matériau semi-conducteur au moins sensiblement monocristallin. À titre d'exemple non limitatif, la couche de matériau semi-conducteur 102 peut comprendre du silicium, du germanium, ou un matériau semiconducteur III-V 10 monocristallins, et peut être dopée ou non. Dans des modes de réalisation supplémentaires, le matériau semiconducteur 102 peut comprendre un matériau polycristallin ou amorphe. Dans certains modes de réalisation, la couche de matériau semi-conducteur 102 15 peut comprendre une couche épitaxiale de matériau semi- conducteur. En outre, le matériau semi-conducteur 102 peut comprendre un empilement de couches multiples de matériau semi-conducteur dans certains modes de réalisation. Dans les modes de réalisation dans 20 lesquels la couche de matériau semi-conducteur 102 comprend du silicium, le substrat Se0I 100 peut comprendre ce que l'on appelle dans l'art un substrat « silicium sur isolant » (SOI). La couche de matériau semi-conducteur 102 peut être 25 relativement mince. Par exemple, dans certains modes de réalisation, la couche de matériau semi-conducteur 102 peut avoir une épaisseur moyenne totale d'environ un micron (1 p) ou moins, d'environ cinq cents nanomètres (500 nm) ou moins, ou même d'environ dix nanomètres 30 (10 nm) ou moins. Le matériau isolant électrique 104 peut comprendre, par exemple, un matériau céramique tel qu'un nitrure (du nitrure de silicium (par exemple, du Si3N4)), ou un oxyde (par exemple, de l'oxyde de silicium (SiO2) ou un 35 métal-oxyde tel que de l'oxyde d'aluminium (A1203). Dans certains modes de réalisation, le matériau isolant électrique 104 peut comprendre un empilement de couches de tels matériaux. Dans les modes de réalisation dans lesquels le matériau isolant électrique 104 comprend un oxyde, la couche de matériau isolant électrique 104 peut comprendre ce que l'on appelle dans l'art une « couche d'oxyde enterrée » (BOL). Dans certains modes de réalisation, la couche de matériau isolant électrique 104 peut avoir une épaisseur moyenne totale d'environ cinq cents nanomètres (500 nm) ou moins, d'environ deux cents nanomètres (200 nm) ou moins, ou même d'environ vingt nanomètres (20 nm) ou moins. Éventuellement, la couche de matériau semi-conducteur 102 et la couche de matériau isolant électrique 104 peuvent être disposées par-dessus et supportées par une base 106 de matériau de substrat massif. La couche de matériau isolant électrique 104 peut être disposée entre la couche de matériau semi-conducteur 102 et la base 106. À titre d'exemple non limitatif, la base 106 peut comprendre un matériau semi-conducteur, tel que tous ceux mentionnés ci-dessus relativement au matériau semi-conducteur 102, ou un matériau isolant, tel que tous ceux mentionnés ci-dessus relativement au matériau isolant électrique 104. La base 106 peut également comprendre une structure multicouche comportant deux matériaux différents ou plus dans certains modes de réalisation. À titre d'exemple non limitatif, le substrat Se0I 100 représenté sur la figure 1 peut être formé en utilisant ce qu'on appelle dans l'art le procédé SMART CUTTe. Ces procédés sont décrits en détail, par exemple, dans le brevet américain n ° RE39 484 attribué à Bruel (publié 30 le 6 février 2007), le brevet américain n ° 6 303 468 attribué à Aspar et al. (publié le 16 octobre 2001), le brevet américain n ° 6 335 258 attribué à Aspar et al. (publié le ler janvier 2002), le brevet américain n ° 6 756 286 attribué à Moriceau et al. (publié le 9 35 juin 2004), le brevet américain n ° 6 809 044 attribué à Aspar et al. (publié le 26 octobre 2004), et le brevet américain n ° 6 946 365 attribué à Aspar et al. (20 septembre 2005), ions sont - 12 En bref, une couche relativement épaisse de matériau semi-conducteur peut être liée à la surface principale 105 de la couche de matériau isolant électrique 104. La couche relativement épaisse de matériau semi-conducteur peut avoir une composition identique à celle de la couche de matériau semi-conducteur 102 devant être fournie par-dessus la couche de matériau isolant électrique 104, et la couche de matériau semiconducteur 102 peut finalement être formée à partir, et comprendre une partie relativement plus mince de la couche relativement plus épaisse de matériau semiconducteur liée à la surface principale 105 de la couche de matériau isolant électrique 104. Après la liaison de la couche relativement plus épaisse de matériau semi-conducteur à la couche de matériau isolant électrique 104, la couche relativement plus épaisse de matériau semi-conducteur peut être amincie pour former la couche relativement plus mince de matériau semi-conducteur 102 de la figure 1. Une partie de la couche relativement plus épaisse de matériau semi-conducteur peut être retirée de la couche relativement plus mince de matériau semi-conducteur 102, en ne conservant que la couche relativement plus mince de matériau semi-conducteur 102 sur la surface 105 du matériau isolant électrique 104. Pour séparer la couche relativement plus mince de matériau semi-conducteur 102 du reste de la couche relativement plus épaisse de matériau semi-conducteur, une pluralité d'ions (par exemple, un ou plusieurs éléments parmi les ions d'hydrogène, d'hélium, ou de gaz inerte) peut être implantée dans la couche relativement plus épaisse de matériau semi-conducteur le long d'un plan d'implantation ionique orienté parallèlement aux surfaces principales de la couche de matériau semi-conducteur. Dans certains modes de réalisation, la pluralité d'ions peut être implantée dans la couche de matériau semi-conducteur avant ou après la liaison de la couche de matériau semiconducteur à la couche de matériau isolant électrique 104 et à la base 106. Les ions peuvent être implantés le long d'une direction sensiblement perpendiculaire à la couche de matériau semi-conducteur. Comme on le sait dans l'art, la profondeur à laquelle les ions sont implantés dans la couche de matériau semi-conducteur est au moins partiellement fonction de l'énergie avec laquelle les ions sont implantés dans la couche de matériau semiconducteur. D'une manière générale, les ions implantés avec une énergie moindre seront implantés à des profondeurs relativement plus faibles, tandis que les ions implantés avec une énergie supérieure seront implantés à des profondeurs relativement plus importantes. Les ions peuvent être implantés dans la couche de matériau semi-conducteur avec une énergie prédéterminée sélectionnée pour implanter les ions à une profondeur souhaitée dans la couche de matériau semi-conducteur, laquelle profondeur déterminera l'épaisseur de la couche de matériau semi-conducteur 102. Comme on le sait dans l'art, au moins certains ions peuvent être implantés à des profondeurs autres que la profondeur d'implantation souhaitée, et un graphique de la concentration des ions en fonction de la profondeur dans la couche de matériau semi-conducteur par rapport à la surface de la couche de matériau semi-conducteur peut présenter une courbe globalement en forme de cloche (symétrique ou asymétrique) ayant un maximum à la profondeur d'implantation souhaitée. Après l'implantation des ions dans la couche de matériau semi-conducteur, les ions peuvent définir un plan d'implantation ionique dans la couche de matériau semi-conducteur. Le plan d'implantation ionique peut comprendre une couche ou une région dans la couche de matériau semi-conducteur qui est alignée avec le (par exemple, centrée autour du) plan de la concentration maximale en ions dans la couche de matériau semi- conducteur. Le plan d'implantation ionique peut définir une zone de faiblesse au sein de la couche de matériau semi-conducteur le long de laquelle la couche de matériau semi-conducteur peut être clivée ou fracturée dans un procédé ultérieur. Par exemple, la couche de matériau semi-conducteur peut être chauffée pour amener la couche de matériau semi-conducteur à se cliver ou à se fracturer le long du plan d'implantation ionique. Éventuellement, des forces mécaniques peuvent être appliquées à la couche de matériau semi-conducteur pour provoquer ou contribuer au clivage de la couche de matériau semi-conducteur le long du plan d'implantation ionique. Dans des modes de réalisation supplémentaires, la couche relativement mince de matériau semi-conducteur 102 peut être fournie par-dessus la couche de matériau isolant électrique 104 et la base 106 en liant la couche relativement épaisse de matériau semi-conducteur (par exemple, une couche ayant une épaisseur moyenne supérieure à environ 100 microns) à la couche de matériau isolant électrique 104 et à la base 106, et en amincissant ensuite la couche relativement épaisse de matériau semi-conducteur depuis le côté de celle-ci opposé à la base 106 en utilisant un procédé chimique (par exemple, un procédé de gravure chimique humide ou sèche), un procédé mécanique (par exemple, un procédé de rectification ou de rodage), ou un procédé de polissage mécano-chimique (CMP). Dans d'autres modes de réalisation encore, la couche 30 relativement mince de matériau semi-conducteur 102 peut être formée in situ par-dessus (par exemple, sur) la surface 105 de la couche de matériau isolant électrique 104. Par exemple, le substrat Se0I 100 de la figure 1 peut être formé par le dépôt de matériau semi35 conducteur, tel que du silicium, du polysilicium, ou du silicium amorphe, sur la surface 105 de la couche de matériau isolant électrique 104 à une épaisseur souhaitable. Par exemple, un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma peut être utilisé pour former la couche relativement mince de matériau semi-conducteur 102. Dans certains modes de réalisation, la couche relativement mince de matériau semi-conducteur 102 peut être épaissie après le transfert de la couche relativement mince de matériau semi-conducteur 102 sur la couche de matériau isolant électrique 104. Par exemple, un matériau semi-conducteur supplémentaire (par exemple, du Si, du SiGe, du Ge, un matériau semi- conducteur III-V, etc.) peut être produit par croissance ou autrement déposé sur la surface principale exposée de la couche relativement mince de matériau semi-conducteur 102. L'épaisseur finale de la couche de matériau semi-conducteur 102 peut dépendre du désaccord de réseau entre la couche de matériau semiconducteur 102 et la couche de matériau isolant électrique 104, et des exigences d'épaisseur des dispositifs à fabriquer sur ou dans la couche de matériau semi-conducteur 102. Un système intégré en trois dimensions peut être fabriqué en utilisant le substrat Se0I 100, tel que discuté plus en détail ci-dessous. La figure 2 est une vue latérale en coupe simplifiée et illustrée schématiquement illustrant une structure 25 semi-conductrice traitée 110 qui comprend au moins un été dispositif photoactif 112 et courant/tension 114 qui ont substrat Se0I photoactif 112 convertisseur fabriqués sur le Le dispositif la couche de au moins un 100 de la figure 1. peut être formé sur 30 matériau semi-conducteur 102 du substrat Se0I 100. Le convertisseur courant/tension 114 peut également être formé sur une zone ou une région différente de la couche de matériau semi-conducteur 102 du substrat Se0I 100. 35 Dans certains modes de réalisation, le dispositif photoactif 112 peut comprendre un photodétecteur configuré pour générer un courant électrique en réponse à l'incidence d'un rayonnement électromagnétique sur le photodétecteur. Le courant électrique généré par un tel photodétecteur peut être transmis au convertisseur courant/tension 114. Dans des modes de réalisation supplémentaires, le dispositif photoactif 112 peut comprendre un photoémetteur configuré pour générer un signal de rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée, qui peut être fourni par le convertisseur courant/tension 114. Par exemple, un tel photoémetteur peut comprendre une diode électroluminescente (LED), ou un dispositif laser configuré pour émettre au moins un rayonnement électromagnétique sensiblement cohérent. À titre d'exemple non limitatif, le dispositif photoactif peut comprendre une photodiode qui comprend au moins une jonction PN configurée pour fonctionner comme un photodétecteur. Comme le montre la figure 2, le photodétecteur peut inclure une première région 120 comprenant du silicium qui est relativement légèrement dopé P (P+) (par exemple, dopé avec un ou deux éléments parmi le bore et le gallium). Le silicium peut comprendre une partie de la couche de matériau semiconducteur 102 du substrat Se0I 100. Une ou plusieurs régions de contact électrique 122 peuvent être formées sur la première région 120, qui comprennent du silicium qui est relativement fortement dopé P (P++). Le photodétecteur peut comporter une deuxième région 124 comprenant un volume de germanium intrinsèque disposé par-dessus et en contact physique direct avec la première région 120, tel que représenté sur la figure 2. Une troisième région 126 relativement fortement dopée N (N++) (par exemple, dopée avec un ou plusieurs éléments parmi l'azote, le phosphore, l'arsenic, l'antimoine et le bismuth) est disposée pardessus et en contact physique direct avec la deuxième région 124. Le photodétecteur représenté sur la figure 2 peut être fabriqué en utilisant des techniques lithographiques conventionnelles connues dans l'art de la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Par exemple, une surface principale exposée de la couche de matériau semi-conducteur 102 peut être masquée et le masque peut être configuré pour former des ouvertures dans celui-ci correspondant aux emplacements auxquels on souhaite former la première région 120. La partie exposée de la couche de matériau semi-conducteur 102 peut alors être légèrement dopée avec un dopant de type P à travers le masque. Le masque peut être retiré, et un second masque peut être déposé et configuré de telle sorte que le second masque comporte des ouvertures à travers celui- ci au niveau desquelles on souhaite former les régions de contact électrique 122. Les parties exposées de la première région 120 peuvent ensuite être encore dopées avec un dopant de type P supplémentaire à travers le second masque pour former les contacts électriques. Le second masque peut ensuite être retiré, et une couche diélectrique 128 peut être déposée par-dessus la couche de matériau semi-conducteur 102, la première région 120 du photodétecteur, et les régions de contact électrique 122. La couche diélectrique 128 peut comprendre, par exemple, une couche d'oxyde et/ou une couche de nitrure. Après le dépôt de la couche diélectrique 128, une surface principale exposée de la couche diélectrique 128 peut être masquée et le masque peut être configuré pour former des ouvertures dans celui-ci correspondant aux emplacements au niveau desquels on souhaite former la deuxième région 124 et la troisième région 126 du photodétecteur. La couche diélectrique 128 peut être gravée à travers la couche de masque configuré pour former des évidements dans la couche diélectrique 128. Éventuellement, du silicium légèrement dopé P peut être produit par croissance in situ par-dessus la première région 120 pour étendre la première région 120 dans les évidements formés dans la couche diélectrique 128 par le procédé de gravure. Du germanium intrinsèque peut ensuite être déposé dans la partie restante des évidements dans la couche diélectrique 128, qui définit la deuxième région 124. Pour former la troisième région 126, une partie du germanium intrinsèque peut ensuite être dopée avec un dopant de type N. Dans la configuration décrite ci-dessus, le dispositif photoactif 112 peut comprendre un photodétecteur qui générera un flux de courant entre les régions de contact électrique 122 et la troisième région 126 du 5 dispositif photoactif 112 lorsqu'une longueur d'onde particulière ou des longueurs d'onde d'un rayonnement électromagnétique seront incidentes sur les différentes régions du dispositif photoactif 112, laq uelle ou lesquelles longueurs d'onde seront fonc tion de 10 compositions particulières des différentes régions, comme on le sait dans l'art. Le procédé de configuration et de fabrication décrit ci-dessus pour le dispositif photoactif 112 est fourni à titre d'exemple non limitatif. Divers autres types de 15 dispositifs photoactifs et procédés de fabrication pour former de tels dispositifs photoactifs sont connus dans l'art et peuvent être employés dans les modes de réalisation de l'invention. Comme autre exemple, dans des modes de réalisation supplémentaires, le dispositif 20 photoactif 112 peut comprendre un dispositif émetteur en germanium sur silicium, tel que décrit ci-dessous en référence à la figure 7. Le convertisseur courant/tension 114 peut être fabriqué sur une région différente de la couche de matériau 25 semi-conducteur 102 avant la fabrication du dispositif photoactif 112, après la formation du dispositif photoactif 112, ou au moins partiellement parallèlement à la fabrication du dispositif photoactif 112. De nombreux types et configurations différents de 30 convertisseurs courant/tension 114 sont connus dans l'art et peuvent être employés dans les modes de réalisation de la présente invention. De tels convertisseurs courant/tension 114 comportent typiquement une pluralité de transistors, de 35 condensateurs, et de résistances couplés fonctionnellement les uns avec les autres pour fournir un circuit (par exemple, un circuit intégré) qui est configuré pour convertir un courant d'entrée en un signal de tension de sortie, ou pour convertir une 40 tension d'entrée en un signal de courant de sortie. Dans certains modes de réalisation, tels que ceux dans lesquels le dispositif photoactif 112 comprend un photodétecteur configuré pour générer un courant en réponse à l'incidence d'un rayonnement électromagnétique sur le dispositif photoactif 112, le convertisseur de courant/tension 114 peut comprendre un amplificateur à transimpédance qui est configuré pour convertir un courant d'entrée fourni par le dispositif photoactif 112 en un signal de tension de sortie. Les procédés pour la fabrication des différents composants du convertisseur courant/tension 114, en particulier les transistors, les condensateurs et les résistances, sont connus dans l'art de la fabrication des semi-conducteurs. En outre, un ou plusieurs des différents composants du convertisseur courant/tension 114, tels que les régions de canal des transistors à effet de champ, peuvent comprendre des parties de la couche de matériau semi-conducteur 102. Dans des modes de réalisation supplémentaires, le convertisseur courant/tension 114 peut être formé dans une autre couche de substrat, qui peut être empilée et liée par-dessus la couche de matériau semi-conducteur 102. Les interconnexions électriques entre les éléments conducteurs formés sur ou dans la couche de matériau semi-conducteur 102 et un tel convertisseur courant/tension 114 peuvent être définies par des vias conducteurs s'étendant verticalement et des traces conductrices s'étendant latéralement (par exemple, des lignes conductrices d'une couche de redistribution (RDL)). La structure semi-conductrice traitée 100 peut également comporter au moins une interconnexion optique, telle qu'un guide d'ondes 116, qui comprend une partie de la couche de matériau semi-conducteur 102 du substrat Se0I 100. Le guide d'ondes 116 peut être couplé fonctionnellement au dispositif photoactif 112, et configuré pour transmettre un rayonnement électromagnétique au dispositif photoactif 112 dans les modes de réalisation dans lesquels le dispositif photoactif 112 comprend un photodétecteur, ou pour transmettre un rayonnement électromagnétique émis par le dispositif photoactif 112 à partir de celui-ci dans les modes de réalisation dans lesquels le dispositif photoactif 112 comprend un photoémetteur. Le guide d'ondes 116 peut comprendre une partie isolée de la couche de matériau semi-conducteur 102. La figure 3 est une vue en perspective simplifiée d'une partie de la structure 110 de la figure 2, qui inclut 10 une section du guide d'ondes 102. Le guide d'ondes 116 peut être formé en retirant des parties de la couche de matériau semi-conducteur 102 latéralement adjacentes à la partie de la couche de matériau semi-conducteur 102 qui doit définir et comprendre le guide d'ondes 116, et 15 en remplaçant les parties retirées de la couche de matériau semi-conducteur 102 par un autre matériau qui a un indice de réfraction différent de celui de la couche de matériau semi-conducteur 102. Par exemple, un procédé de masquage et de gravure pourrait être utilisé 20 pour retirer les parties de la couche de matériau semiconducteur 102 et former des évidements latéralement adjacents au guide d'ondes 116. Un oxyde 130 ou autre matériau diélectrique peut ensuite être déposé dans les évidements pour isoler latéralement la partie de la 25 couche de matériau semi-conducteur 102 qui définit et comprend le guide d'ondes 116. Comme on le sait dans l'art, les dimensions transversales du guide d'ondes 116 (par exemple, la largeur et la hauteur du guide d'ondes 116), ainsi que 30 la composition du guide d'ondes 116 et les matériaux environnants, détermineront au moins partiellement la longueur d'onde ou les longueurs d'ondes du rayonnement qui peut être guidé et acheminé par le guide d'ondes 116 sans perte significative. Ainsi, les 35 dimensions particulières du guide d'ondes 116 seront sélectionnées en tenant compte de la longueur d'onde ou des longueurs d'onde du rayonnement devant être acheminé par le guide d'ondes 116 et des matériaux entourant le guide d'ondes 116, tels que l'oxyde 130, la couche de matériau isolant électrique 104, et la couche diélectrique 128. Bien que le guide d'ondes 116 soit illustré sur la figure 2 comme s'étendant sur le côté latéral du 5 dispositif photoactif 112 du point de vue de la figure 2, dans des modes de réalisation supplémentaires, le guide d'ondes 116 peut s'étendre dans ou hors du plan de la figure 2, et peut s'étendre vers et être en contact avec une région centrale du 10 dispositif photoactif 112 entre les régions de contact électrique 122. Une telle configuration peut améliorer l'efficacité avec laquelle le rayonnement électromagnétique transmis par le guide d'ondes 116 est incident sur le matériel ou les matériaux photoactifs 15 du dispositif photoactif 112. En se référant à nouveau à la figure 2, dans les modes de réalisation dans lesquels le dispositif photoactif 112 comprend un photodétecteur, un rayonnement électromagnétique peut simplement entrer dans le guide 20 d'onde 116 depuis l'extérieur de la structure 110. Par exemple, un rayonnement électromagnétique peut être incident sur le dispositif photoactif 112, et/ou le guide d'ondes 116 qui est configuré pour transmettre le rayonnement électromagnétique au dispositif photoactif 25 112. Le dispositif photoactif peut générer un courant électrique en réponse à l'incidence du rayonnement électromagnétique sur celui-ci. Dans d'autres modes de réalisation, le rayonnement électromagnétique peut entrer dans le guide d'ondes 116 depuis un autre 30 dispositif couplé optiquement avec le guide d'ondes 116, et être transmis au dispositif photoactif 112 par le guide d'ondes 116. En se référant à la figure 4, un système semiconducteur intégré en trois dimensions 140 peut être 35 formé à partir de la structure semi-conductrice 110 de la figure 2 par le couplage électrique et fonctionnel du au moins un dispositif photoactif 112 et du au moins un convertisseur courant/tension 114, la liaison d'un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B par-dessus le substrat Se0I 100, et le couplage électrique et fonctionnel du au moins un convertisseur courant/tension 114 et des un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B liés par-dessus le substrat Se0I 100. Par exemple, une ou plusieurs couches de métallisation 144 peuvent être formées par-dessus la couche diélectrique 128, le dispositif photoactif 112, et le convertisseur courant/tension 114. Les couches de métallisation 144 comprennent une pluralité d'éléments électriquement conducteurs 146. La pluralité d'éléments électriquement conducteurs 146 peut comprendre un ou plusieurs vias conducteurs s'étendant verticalement, traces conductrices s'étendant latéralement et plots de connexion conducteurs. Au moins certains des éléments conducteurs 146 peuvent être en contact électrique avec des éléments correspondants du dispositif photoactif 112, tels que les régions de contact électrique 122 et la troisième région 126. Au moins certains des éléments conducteurs 146 peuvent être en contact électrique avec les éléments correspondants du convertisseur courant/tension 114, tels que des résistances, des condensateurs et des régions de source, des régions de drain et des structures de grille de transistors. Les éléments conducteurs 146 peuvent être formés à partir de et comprendre un métal. Les une ou plusieurs couches de métallisation 144 peuvent être formées dans un procédé « couche par couche », dans lequel des couches alternées de métal et de matériau diélectrique sont déposées et configurées de façon à former les éléments conducteurs 146, qui peuvent être incorporés dans et entourés par un matériau diélectrique 148. Les éléments conducteurs 146 peuvent être utilisés pour former et fournir au moins un chemin électrique qui s'étend entre le au moins un dispositif photoactif 112 et le au moins un convertisseur courant/tension 114, et pour former et fournir au moins un chemin électrique qui s'étend entre le au moins un convertisseur courant/tension 114 et les dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B qui sont à liés par-dessus le substrat Se0I 100, et le dispositif photoactif 112 et le convertisseur courant/tension 114 formés celui-ci. Dans certains modes de réalisation, les éléments conducteurs 146 peuvent être utilisés pour fournir un ou plusieurs chemins électriques s'étendant entre deux, ou plus, des dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B, de sorte que les dispositifs semiconducteurs 142A, 142B puissent être électriquement et fonctionnellement couplés l'un avec l'autre. Dans de tels modes de réalisation, un ou plusieurs des dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B peuvent ne pas être directement électriquement et fonctionnellement couplés avec le convertisseur courant/tension 114. Dans certains modes de réalisation, les une ou plusieurs couches de métallisation 144 peuvent comprendre ce que l'on appelle dans l'art une couche de redistribution (RDL). Chacun des un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B peut comprendre un ou plusieurs éléments parmi un dispositif de traitement de signaux électroniques, un dispositif de mémoire électronique, un dispositif photoactif supplémentaire, etc. Dans certains modes de réalisation, un ou plusieurs des dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B liés par-dessus le substrat Se0I 100 peuvent comprendre un processeur de signaux électroniques. Par exemple, un premier dispositif semi-conducteur 142A peut comprendre un processeur de signaux électroniques. Dans de tels modes de réalisation, un second dispositif semi-conducteur 142B peut également comprendre un processeur de signaux électroniques, ou le second dispositif semi-conducteur 142B peut comprendre un autre type de dispositif semiconducteur, tel qu'un dispositif de mémoire électronique ou un dispositif photoactif supplémentaire. Chacun de la pluralité de dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B peut être lié par-dessus le substrat Se0I 100, par exemple, par le couplage structurel et électrique des éléments conducteurs, tels que des plots de connexion, sur les dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B, aux éléments conducteurs respectifs 146, tels que des plots de connexion, des une ou plusieurs couches de métallisation 144. Les éléments conducteurs des dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B peuvent être liés aux éléments conducteurs 146 des une ou plusieurs couches de métallisation 144 en utilisant, par exemple, des bosses ou billes conductrices, comme on le sait dans l'art. Dans des modes de réalisation supplémentaires, les éléments conducteurs des dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B peuvent être liés aux éléments conducteurs 146 des une ou plusieurs couches de métallisation 144 en utilisant un procédé de liaison directe. Les techniques de liaison utilisées dans la liaison d'une structure semi-conductrice à une autre structure semi-conductrice peuvent être classées de différentes manières ; l'une étant de savoir si une couche de matériau intermédiaire est disposée entre les deux structures semi-conductrices pour les lier ensemble, et la seconde étant de savoir si l'interface de liaison permet aux électrons (c.-à-d. au courant électrique) de passer à travers l'interface. Les procédés dits de « liaison directe » sont des procédés dans lesquels une liaison chimique directe solide-solide est établie entre deux structures semi-conductrices pour les lier ensemble, sans utiliser de matériau de liaison intermédiaire entre les deux structures semiconductrices pour les lier ensemble. Des procédés de liaison directe métal-métal ont été développés pour lier un matériau métallique au niveau d'une surface d'une première structure semi-conductrice à un matériau métallique au niveau d'une surface d'une seconde structure semi-conductrice. Les procédés de « liaison par thermocompression » sont des procédés de liaison directe dans lesquels une pression est appliquée entre les surfaces de liaison à des températures élevées comprises entre deux cents degrés Celsius (200 °C) et environ cinq cents degrés Celsius (500 °C), et souvent entre environ trois cents degrés Celsius (300 °C) et environ quatre cents degrés Celsius (400 °C). D'autres procédés de liaison directe peuvent être effectués à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins. De tels procédés de liaison directe réalisés à des températures de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins sont appelés ici procédés de liaison directe « à ultra-basse température ». Les procédés de liaison directe à ultra-basse température peuvent être réalisés par l'élimination soigneuse des impuretés de surface et des composés de surface (par exemple, les oxydes natifs), et en augmentant la surface de contact intime entre les deux surfaces à l'échelle atomique. La surface de contact intime entre les deux surfaces est généralement accomplie en polissant les surfaces de liaison pour réduire la rugosité de surface jusqu'à des valeurs proches de l'échelle atomique, en appliquant une pression entre les surfaces de liaison pour entraîner une déformation plastique, ou à la fois en polissant les surfaces de liaison et en appliquant une pression pour atteindre une telle déformation plastique. Après avoir mis les deux surfaces en contact physique direct, une onde de liaison peut être initiée au niveau de l'interface entre les deux surfaces d'aboutement et propagée le long de celle-ci. Une liaison chimique directe est établie entre les deux surfaces d'aboutement au niveau du front d'onde lorsque celui-ci se propage à travers l'interface de liaison entre les deux surfaces d'aboutement. Certains procédés de liaison directe à ultra-basse température peuvent être effectués sans appliquer de pression entre les surfaces de liaison au niveau de l'interface de liaison, bien qu'une pression puisse être appliquée entre les surfaces de liaison au niveau de l'interface de liaison dans d'autres procédés de liaison directe à ultra-basse température afin de parvenir à une adhérence adaptée au niveau de l'interface de liaison. Les procédés de liaison directe à ultra-basse température dans lesquels une pression est appliquée entre les surfaces de liaison sont souvent appelés dans l'art procédés de « liaison assistée par les surfaces » ou procédés « SAB ». Ainsi, les termes « liaison assistée par les surfaces » et « SAB », tels qu'utilisés ici, signifient et comprennent tout procédé de liaison directe dans lequel un premier matériau est directement lié à un second matériau en aboutant le premier matériau contre le second matériau et en appliquant une pression entre les surfaces de liaison au niveau de l'interface de liaison à une température de deux cents degrés Celsius (200 °C) ou moins. En se référant toujours à la figure 4, les éléments 10 conducteurs des dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B peuvent être liés aux éléments conducteurs 146 des une ou plusieurs couches de métallisation 144 en utilisant un procédé de liaison directe métal-métal, tel qu'un procédé de liaison par thermocompression ou un procédé 15 de liaison directe à ultra-basse température, qui peuvent comprendre ou non un procédé de liaison assisté par les surfaces (SAB). Dans le système semi-conducteur dimensions 140 de la figure 4, 20 dispositif photoactif 112 et les dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B le substrat Se0I 100 sont disposés en trois moins un plusieurs liés par-dessus côté commun intégré le au un OU sur un de la couche de matériau isolant électrique 104 du substrat Se0I 100. De plus, le au moins un 25 convertisseur courant/tension 114 est disposé sur le même côté commun de la couche de matériau isolant électrique 104 du substrat Se0I 100, qui est le côté sur lequel la couche de matériau semi-conducteur 102 est disposée et le côté opposé à la base 106. Dans des 30 modes de réalisation supplémentaires, cependant, le au moins un dispositif photoactif 112 et les un ou plusieurs dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B liés par-dessus le substrat Se0I 100 peuvent être disposés sur des côtés opposés de la couche de matériau isolant 35 électrique 104 du substrat Se0I 100. Par exemple, la figure 5 illustre un mode de réalisation supplémentaire d'un système semi-conducteur intégré en trois dimensions 150 qui est globalement similaire au système semi-conducteur intégré en trois dimensions 140 de la figure 4 et comprend un dispositif photoactif 112, un convertisseur courant/tension 114, et un guide d'ondes 116. Le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 150 est également formé en utilisant le substrat Se0I 100 de la figure 1 et comporte la couche de matériau semi-conducteur 102 et la couche de matériau isolant électrique 104. Dans le mode de réalisation de la figure 5, toutefois, la base 106 du substrat Se0I 100 a été enlevée pendant la fabrication. La couche de matériau semi-conducteur 102, la couche de matériau isolant électrique 104, le dispositif photoactif 112, et le convertisseur courant/tension 114 sont inversés par rapport au système semi-conducteur intégré en trois dimensions de la figure 4, sur les points de vue des figures 4 et 5. Comme le montre la figure 5, le au moins un dispositif photoactif 112 et les un ou plusieurs dispositifs semiconducteurs 142A, 142B liés par-dessus le substrat Se0I 100 peuvent être disposés sur des côtés opposés de la couche de matériau isolant électrique 104 du substrat Se0I 100, et le au moins un dispositif photoactif 112 et le au moins un convertisseur courant/tension 114 sont disposés sur un côté commun de la couche de matériau isolant électrique du substrat Se0I 100 (figure 1). Comme le montre la figure 5, le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 150 comporte une ou plusieurs couches de métallisation 144' qui sont analogues aux couches de métallisation 144 précédemment décrites, et comporte des éléments conducteurs 146' intégrés dans et entourés par un matériau diélectrique 148'. Les une ou plusieurs couches de métallisation 144' sont disposées par-dessus la couche de matériau semi-conducteur 102, le dispositif photoactif 112, et le convertisseur courant/tension 114 sur un côté commun de la couche de matériau isolant électrique 104. Dans le mode de réalisation de la figure 5, toutefois, des interconnexions traversantes de tranche 152 sont utilisées pour transférer les chemins électriques à 40 travers le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 150, du côté de celui-ci situé par-dessus la couche de matériau semi-conducteur 102 (c.-à-d., depuis un côté actif ou une surface active du système semiconducteur intégré en trois dimensions 150) au côté de celui-ci situé par-dessus la couche de matériau isolant électrique 104 (c.-à-d., jusqu'à un côté arrière du système semi-conducteur intégré en trois dimensions 150). Une ou plusieurs couches de métallisation supplémentaires 154 peuvent être formées par-dessus la couche de matériau isolant électrique 104 sur un côté du système semi-conducteur intégré en trois dimensions 150 opposé aux une ou plusieurs couches de métallisation 144'. Les une ou plusieurs couches de métallisation supplémentaires 154 peuvent être globalement similaires aux couches de métallisation décrites précédemment 144, 144', et peuvent comporter une pluralité d'éléments conducteurs 156, tels que des traces conductrices s'étendant latéralement, des vias conducteurs s'étendant verticalement, et des plots conducteurs, qui peuvent être intégrés dans et entourés par un matériau diélectrique 158. Dans certains modes de réalisation, les une ou plusieurs couches de métallisation 154 peuvent comprendre une couche de redistribution (RDL). Une pluralité de dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B, 142C peut être liée aux éléments conducteurs 156 et/ou au matériau diélectrique 158 des une ou plusieurs couches de métallisation 154 par-dessus la partie restante du substrat Se0I 100 (figure 1) (c.-à-d., pardessus la couche de matériau isolant électrique 104 et la couche de matériau semi-conducteur 102). Chacun de la pluralité de dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B, 142C peut comprendre un ou plusieurs des différents types de dispositifs semi-conducteurs précédemment mentionnés en référence à la figure 4. Les éléments conducteurs 146' des une ou plusieurs couches de métallisation 144' peuvent être utilisés pour former ou autrement fournir au moins un chemin électrique qui s'étend entre le au moins un dispositif photoactif 112 et le au moins un convertisseur courant/tension 114. De plus, les éléments conducteurs 146' des une ou plusieurs couches de métallisation 144', les interconnexions traversantes de tranche 152, et/ou les éléments conducteurs 156 des une ou plusieurs couches de métallisation 154 peuvent être utilisés pour former ou autrement fournir au moins un chemin électrique qui s'étend entre le au moins un convertisseur courant/tension 114 et un ou plusieurs de la pluralité de dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B, 142C liés par-dessus la couche de matériau isolant électrique 104 et la couche de matériau semiconducteur 102 du substrat Se0I 100 (figure 1). Pour former le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 150 de la figure 5, les une ou plusieurs couches de métallisation 144' peuvent être formées pardessus le dispositif photoactif 112, le convertisseur courant/tension 114, et la couche diélectrique 128 de la structure semi-conductrice traitée 110 de la figure 2. Un substrat de support (par exemple, une tranche de support), peut ensuite être temporairement liée par-dessus les une ou plusieurs couches de métallisation 144', et la base 106 peut ensuite être au moins partiellement retirée de la structure 110. Les une ou plusieurs couches de métallisation 154 peuvent ensuite être formées par-dessus la couche de matériau isolant électrique 104, et les interconnexions traversantes de tranche 152 peuvent être formées à travers les une ou plusieurs couches de métallisation 154, la couche de matériau isolant électrique 104, la couche de matériau semi-conducteur 102, et les une ou plusieurs couches de métallisation 144'. La pluralité de dispositifs semi- conducteurs 142A, 142B, 142C peut ensuite être liée aux éléments conducteurs 156 et/ou au matériau diélectrique 158 des une ou de plusieurs couches de métallisation 154. Dans des modes de réalisation supplémentaires, la 40 présente invention comprend des systèmes semi- conducteurs intégrés en trois dimensions qui comprennent deux dispositifs photoactifs ou plus, qui sont fonctionnellement couplés les uns avec les autres. Par exemple, de tels systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions peuvent comporter au moins un photoémetteur configuré pour émettre un rayonnement électromagnétique, au moins un photodétecteur configuré pour recevoir le rayonnement électromagnétique émis par le photoémetteur, et au moins une interconnexion optique couplant optiquement le photoémetteur et le photodétecteur et configurée pour transmettre le rayonnement électromagnétique émis par le photoémetteur au photodétecteur. La figure 6 illustre un exemple d'un tel mode de réalisation d'un système semi-conducteur intégré en trois dimensions 160. Le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 160 de la figure 6 est globalement similaire au système semi-conducteur intégré en trois dimensions 140 de la figure 4, et comporte un dispositif photoactif 112, un convertisseur courant/tension 114, et un guide d'ondes 116 formés par-dessus et suppportés par le substrat Se0I 100. Le système semi-conducteur intégré trois dimensions 160 comporte également une ou plusieurs couches de métallisation 144 et une pluralité de dispositifs semiconducteurs 142A, 142B liée par-dessus les une ou plusieurs couches de métallisation 144 et le substrat Se0I 100. Le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 160 comporte en outre un dispositif photoactif supplémentaire 162 qui est fonctionnellement couplé avec le premier dispositif photoactif 112. Par exemple, le dispositif photoactif supplémentaire 162 peut comprendre un photoémetteur qui est configuré pour émettre un rayonnement électromagnétique. Éventuellement, le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 160 peut comprendre un modulateur 164, qui est illustré schématiquement sur la figure 6, et peut être utilisé pour moduler sélectivement le rayonnement électromagnétique émis par le dispositif 40 photoactif supplémentaire 162. Un guide d'ondes 166 peut s'étendre du dispositif photoactif supplémentaire 162 au modulateur 164, et le guide d'ondes 116 peut s'étendre du modulateur 164 au premier dispositif photoactif 112, qui peut comprendre un photodétecteur configuré pour recevoir le rayonnement électromagnétique modulé. Le guide d'ondes 166 peut comprendre un guide d'ondes tel que décrit précédemment en référence au guide d'ondes 116 de la figure 3. De nombreuses configurations différentes de modulateurs 10 photoniques qui peuvent être fabriqués sur un substrat de type Se0I sont connues dans l'art et peuvent être employées dans les modes de réalisation de l'invention. Le dispositif photoactif supplémentaire 162 peut comprendre, par exemple, une diode électroluminescente 15 (DEL) ou un dispositif laser. A titre d'exemple non limitatif, le dispositif photoactif supplémentaire 162 peut comprendre un dispositif émetteur en germanium sur silicium 168, tel qu'illustré sur la figure 7. De tels dispositifs émetteurs en germanium sur silicium 168 20 sont décrits plus en détail, par exemple, dans les documents X. Sun et al., Optics Lett. 34(8) p. 1198 (15 avril 2009) et X. Sun et al., Optics Lett. 34(9) p. 1345 (ler mai 2009), - 25 En se référant à la figure 7, le dispositif émetteur en germanium sur silicium 168 peut comprendre un volume de silicium dopé P 170, et un volume de germanium dopé N 172 disposé sur le silicium dopé P 170. Le silicium dopé P 170 peut comprendre une partie de la couche de 30 matériau semi-conducteur 102 qui a été dopée avec un ou plusieurs dopants de type P (par exemple, dopée avec un ou plusieurs éléments parmi le bore et le gallium). Le volume de germanium 172 peut être dopé avec un ou plusieurs dopants de type N (par exemple, dopé avec un 35 ou plus éléments parmi l'azote, le phosphore, l'arsenic, l'antimoine et le bismuth), et peut être dopé in situ pendant la croissance du volume de germanium 172. Le volume de germanium dopé N 172 peut être dans un état de déformation de traction. Par exemple, le volume de germanium 172 peut être dans un état d'environ 0,20 % à environ 0,25-% de déformation de traction. La déformation de traction peut être fournie au sein du volume de germanium 172 en faisant croître épitaxialement le volume de germanium 172 dans un état relaxé par-dessus le silicium dopé P 170 dans un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à une température élevée, et en refroidissant ensuite le volume de germanium 172. Le volume de germanium 172 peut être produit par croissance à une température élevée comprise entre 600 °C et environ 700 °C (par exemple, environ 650 °C), et peut être totalement relaxé pendant le procédé de croissance. La déformation de traction peut être induite dans le volume de germanium 172 lors du refroidissement du volume de germanium 172 à température ambiante après le dépôt. Éventuellement, des procédés de recuit thermique post- croissance peuvent être utilisés pour adapter l'ampleur de la déformation de traction au sein du volume de germanium 172, ce qui aura une incidence sur la bande interdite du volume de germanium 172. Un matériau diélectrique 174 peut être disposé par- dessus le volume de germanium 172 et le volume de silicium dopé P 170. Le matériau diélectrique 174 peut comprendre un matériau diélectrique 128 tel que précédemment décrit. Un contact en polysilicium dopé N 176 peut être disposé sur et en contact physique direct avec le volume de germanium dopé N 172. Des contacts électriques 178, qui peuvent comprendre des éléments conducteurs 146 des une ou plusieurs couches de métallisation 144 (figure 6), peuvent s'étendre à travers le matériau diélectrique 174 jusqu'au contact en polysilicium dopé N 176 et au volume de silicium dopé P 170, respectivement, tel que représenté sur la figure 7. Dans cette configuration, en appliquant une tension entre les contacts électriques 178, et, par conséquent, 40 à travers la jonction PN entre le volume de silicium dopé P 170 et le volume de germanium dopé N 172, l'émetteur en germanium sur silicium peut être amené à émettre un rayonnement électromagnétique. Le rayonnement électromagnétique émis peut avoir une longueur d'onde comprise entre, par exemple, environ 1 560 et environ 1 620 nanomètres. Dans des modes de réalisation supplémentaires, des systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions peuvent comporter des dispositifs photoactifs supplémentaires qui sont liés par-dessus le substrat Se0I 100 et couplés fonctionnellement avec un premier dispositif photoactif 112 formé sur la couche de matériau semi-conducteur 102 du substrat Se0I 100. Par exemple, la figure 8 illustre un système semi- conducteur intégré en trois dimensions 180 qui est globalement similaire au système semi-conducteur intégré en trois dimensions 150 de la figure 5 et qui comprend un dispositif photoactif 112, un convertisseur courant/tension 114, et un guide d'ondes 116 disposés par-dessus la couche de matériau semi-conducteur 102 et la couche de matériau isolant électrique 104. Le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 180 comprend également une ou plusieurs couches de métallisation 144' comprenant des éléments conducteurs 146' intégrés dans et entourés par un matériau diélectrique 148'. Des interconnexions traversantes de tranche 152 sont utilisées pour transférer les chemins électriques à travers le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 180, du côté de celui-ci situé par-dessus la couche de matériau semi-conducteur 102 (c.-à-d., d'un côté actif ou d'une surface active du système semi-conducteur intégré en trois dimensions 180) au côté de celui-ci situé par-dessus la couche de matériau isolant électrique 104 (c.-à-d., à un côté arrière du système semi-conducteur intégré en trois dimensions 180). Une ou plusieurs couches de métallisation supplémentaires 154 peuvent être formées par-dessus la couche de matériau isolant électrique 104, et peuvent comporter une pluralité d'éléments conducteurs 156 intégrée dans et entourée par un matériau diélectrique 158, tel que précédemment décrit en référence à la figure 5. Une pluralité de dispositifs semi-conducteurs 142A, 142B, 142C peut être liée aux éléments conducteurs 156 et/ou au matériau diélectrique 158 des une ou plusieurs couches de métallisation 154 par-dessus la partie restante du substrat Se0I 100 (figure 1). Dans le mode de réalisation de la figure 8, un dispositif semi-conducteur supplémentaire 142D est lié 10 par-dessus la partie restante du substrat Se0I 100 (figure 1) (c.-à-d., lié par-dessus la couche de matériau isolant électrique 104 et la couche de matériau semi-conducteur 102). Le dispositif semiconducteur supplémentaire 142D comprend un dispositif 15 photoactif. Par exemple, le dispositif semi-conducteur supplémentaire 142D peut comprendre une diode électroluminescente (DEL) ou un dispositif laser. À titre d'exemple non limitatif, le dispositif photoactif supplémentaire 162 peut comprendre un dispositif 20 émetteur en germanium sur silicium 168, tel que précédemment décrit en référence à la figure 7. Le dispositif photoactif 142D peut être couplé fonctionnellement (c.-à-d., optiquement) avec le premier dispositif photoactif 112 qui est formé sur la 25 couche de matériau semi-conducteur 102 du substrat Se0I 100. Par exemple, le dispositif semi-conducteur supplémentaire 142D peut comprendre un photoémetteur qui est configuré pour émettre un rayonnement électromagnétique. Éventuellement, le système semi- 30 conducteur intégré en trois dimensions 180 peut comprendre un modulateur (non représenté) comme le modulateur 164 précédemment décrit en référence à la figure 6, qui peut être utilisé pour moduler sélectivement le rayonnement électromagnétique émis par 35 le dispositif semi-conducteur supplémentaire 142D. Le premier dispositif photoactif 112 peut comprendre un photodétecteur configuré pour recevoir le rayonnement électromagnétique émis par le dispositif semiconducteur supplémentaire 142D comprenant le 40 photoémetteur. Le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 180 comprend en outre une pluralité d'interconnexions optiques configurée pour transmettre un rayonnement électromagnétique entre le dispositif photoactif du dispositif semi-conducteur supplémentaire 142D et le au moins un dispositif photoactif 112 formé sur la couche de matériau semi-conducteur 102 du substrat Se0I 100. La pluralité d'interconnexions optiques peut inclure, par exemple, le guide d'ondes 116 qui comprend une partie de la couche de matériau semi-conducteur 102 du substrat Se0I 100, tel que précédemment décrit en référence aux figures 2 et 3. La pluralité d'interconnexions optiques peut inclure au moins une interconnexion optique traversante de tranche 182 qui s'étend verticalement à travers le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 180 (du point de vue de la figure 8) dans une direction perpendiculaire à la couche de matériau semi-conducteur 102 et à la couche de matériau isolant électrique 104. Une extrémité de l'interconnexion optique traversante de tranche 182 peut s'étendre jusque et être couplée fonctionnellement avec le guide d'ondes 116, et une extrémité opposée de l'interconnexion optique à travers la tranche 182 peut s'étendre jusque et être couplée fonctionnellement avec un autre guide d'ondes 184 qui s'étend de l'interconnexion optique traversante de tranche 182 au dispositif photoactif du dispositif semi-conducteur supplémentaire 142D, comme le montre la figure 8. Le guide d'ondes supplémentaires 184 peut comprendre une partie d'une couche supplémentaire de matériau semi-conducteur 186. La couche supplémentaire de matériau semi-conducteur 186 peut comprendre l'un quelconque des matériaux décrits précédemment en relation avec la couche de matériau semi-conducteur 102. La couche supplémentaire de matériau semiconducteur 186 peut être formée séparément et transférée sur un matériau diélectrique 188 déposé pardessus les dispositifs semi-conducteurs traités 142A, 142B, 142C, tel que représenté sur la figure 8. Dans des modes de réalisation supplémentaires, la couche supplémentaire de matériau semi-conducteur 186 peut être formée (par exemple, déposée) in situ sur le matériau diélectrique 188. Éventuellement, le dispositif semi-conducteur supplémentaire 142 peut être au moins partiellement entouré par un matériau diélectrique supplémentaire 190. En outre, un guide d'ondes supplémentaires 192 comprenant une partie de la couche supplémentaire de matériau semi-conducteur 186 peut s'étendre du dispositif semi-conducteur supplémentaire 142D à encore une autre interconnexion optique traversante de tranche 194. L'interconnexion traversante de 194 pourrait être utilisée pour intégrer en trois 15 dimensions d'autres dispositifs semi-conducteurs supplémentaires encore, verticalement par-dessus le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 180, et pour coupler fonctionnellement (par exemple, optiquement) des dispositifs photoactifs de 20 tels dispositifs semi-conducteurs supplémentaires avec les dispositifs photoactifs du système semi-conducteur intégré en trois dimensions de la figure 8. La figure 9 illustre un système semi-conducteur intégré en trois dimensions 195 qui est globalement similaire 25 au système semi-conducteur intégré en trois dimensions 180 de la figure 8 et qui comprend un dispositif photoactif 112, un convertisseur courant/tension 114, et un guide d'ondes 116 disposés par-dessus la couche de matériau semi-conducteur 102 et 30 la couche de matériau isolant électrique 104. Le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 195 comprend également un dispositif photoactif supplémentaire 162 qui est couplé fonctionnellement avec le premier dispositif photoactif 112, et un 35 modulateur optionnel 164, tel que décrit précédemment en référence à la figure 6. Par exemple, le dispositif photoactif supplémentaire 162 peut comprendre un photoémetteur qui est configuré pour émettre un rayonnement électromagnétique. Un guide d'ondes 166 40 peut s'étendre du dispositif photoactif supplémentaire 162 au modulateur 166, et le guide d'ondes 116 peut s'étendre du modulateur 164 au premier dispositif photoactif 112, qui peut comprendre un photodétecteur configuré pour recevoir le rayonnement électromagnétique modulé. Le système semi-conducteur intégré en trois dimensions 195 peut en outre comprendré une pluralité d'interconnexions optiques configurées pour transmettre un rayonnement électromagnétique entre le dispositif photoactif supplémentaire 162 et le au moins un dispositif photoactif 112 formé sur la couche de matériau semi-conducteur 102 du substrat Se0I 100, ainsi qu'entre le dispositif photoactif supplémentaire 162 et tout autre composant optique du système semi- conducteur intégré en trois dimensions 195. La pluralité d'interconnexions optiques peut inclure, par exemple, le guide d'ondes 116 qui comprend une partie de la couche de matériau semi-conducteur 102 du substrat Se0I 100, tel que précédemment décrit en référence aux figures 2 et 3. La pluralité d'interconnexions optiques peut inclure au moins une interconnexion optique traversante de tranche 182 qui s'étend verticalement à travers le système semiconducteur intégré en trois dimensions 195 (du point de vue de la figure 9) dans une direction perpendiculaire à la couche de matériau semi-conducteur 102 et à la couche de matériau isolant électrique 104. Une extrémité de l'interconnexion optique traversante de tranche 182 peut s'étendre jusque et être couplée fonctionnellement avec le guide d'ondes 116, et une extrémité opposée de l'interconnexion optique traversante de tranche 182 peut être couplée fonctionnellement avec un autre dispositif optique de guide d'ondes (non représenté). Bien que non spécifiquement illustré sur les figures schématiquement illustrées, divers composants de circuits intégrés photoniques sont connus dans l'art, notamment, par exemple, des résonateurs en anneau, des interféromètres de Mach-Zender (MZ), des multiplexeurs et démultiplexeurs à réseau sélectif planaire (AWG), et des lignes de retard. De tels composants peuvent également être inclus dans les systèmes semiconducteurs intégrés en trois dimensions précédemment décrits aux présentes, et peuvent être formés sur le substrat Se0I 100. De plus, de tels composants peuvent être couplés optiquement les uns avec les autres en utilisant des interconnexions optiques, tel que précédemment décrit. Les systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions précédemment décrits ici peuvent être configurés comme n'importe lequel d'un certain nombre de différents types de systèmes optiques ou optoélectroniques. À titre d'exemple non limitatif, les systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions peuvent être configurés comme et comprendre un émetteur de rayonnement électromagnétique configuré pour produire un signal de rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée, et/ou un récepteur de rayonnement électromagnétique configuré pour produire un signal électrique en réponse à un signal de rayonnement électromagnétique d'entrée. Ainsi, dans certains modes de réalisation, les systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions peuvent comprendre un émetteur-récepteur de rayonnement électromagnétique configuré pour produire un signal de rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée, et pour produire un signal électrique en réponse à un signal de rayonnement électromagnétique d'entrée. La figure 10 est un schéma d'un système semi-conducteur intégré en trois dimensions comprenant un émetteur- récepteur électromagnétique. L'émetteur-récepteur comprend un émetteur de rayonnement électromagnétique 202 configuré pour produire un signal de rayonnement 35 électromagnétique 204 en réponse à un signal électrique d'entrée 206, et un récepteur de rayonnement électromagnétique 208 configuré pour produire un signal électrique 210 en réponse à un signal de rayonnement électromagnétique d'entrée 212. Ainsi, le système semi40 conducteur intégré en trois dimensions 200 comprend à la fois des composants électriques et des composants optiques et/ou optoélectroniques, à l'instar des systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions précédemment décrits. Les composants optiques et/ou optoélectroniques du système semi-conducteur intégré en trois dimensions 200 sont ceux inclus dans la zone 214 sur la figure 10. Les composants du système semi- conducteur intégré en trois dimensions 200 à l'extérieur de la zone 214 sont des composants 10 électriques. Comme le montre la figure 10, l'émetteur de rayonnement électromagnétique 202 comporte un émetteur de rayonnement électromagnétique 216 (par exemple, un laser), un photodétecteur de surveillance 218 pour 15 surveiller le rayonnement électromagnétique émis par l'émetteur 216, et un dispositif de circuit d'attaque 220 (par exemple, un circuit d'attaque de laser) pour commander le fonctionnement de l'émetteur 216. L'émetteur 216, le photodétecteur de 20 surveillance 218 et le dispositif de circuit d'attaque 220 peuvent avoir une configuration en boucle fermée, dans laquelle un guide d'ondes 222 est utilisé pour transmettre le rayonnement électromagnétique émis par l'émetteur 216 au photodétecteur de 25 surveillance 218, au moins un chemin électrique 224 s'étend entre et couple électriquement le photodétecteur de surveillance 218 et le dispositif de circuit d'attaque 220 pour permettre au dispositif de circuit d'attaque 220 de recevoir un signal électrique 30 d'entrée (généré par le photodétecteur de surveillance 218) caractéristique du rayonnement électromagnétique émis par l'émetteur 216, et au moins un chemin électrique 226 s'étend entre et couple électriquement le dispositif de circuit d'attaque 220 35 et l'émetteur 216 pour permettre au dispositif de circuit d'attaque 220 de commander le fonctionnement de l'émetteur 216. Un autre guide d'ondes 228 s'étend de l'émetteur de 216 à un modulateur électro-optique 230. Le modulateur 40 électro-optique peut être utilisé pour moduler sélectivement le rayonnement électromagnétique émis par l'émetteur 216 en réponse au signal électrique d'entrée 206. Un autre dispositif de circuit d'attaque 232 peut être utilisé pour commander le 5 fonctionnement du modulateur électro-optique 230 en réponse au signal électrique d'entrée 206. Le dispositif de circuit d'attaque 232 peut comprendre un circuit de radiofréquence (RF) capable de générer un signal de radiofréquence à partir du signal électrique 10 d'entrée 206, qui doit être transmis au modulateur électro-optique 230 à travers au moins un chemin électrique 234. Le rayonnement électromagnétique modulé 240 peut être transmis à partir du modulateur électro-optique 230 par 15 un guide d'ondes 236, qui peut, éventuellement, être couplé avec un conduit en fibre optique par le biais d'un coupleur guide d'ondes-fibre 238. Le récepteur de rayonnement électromagnétique 208 comprend un photodétecteur 242 pour recevoir et 20 détecter le signal de rayonnement électromagnétique d'entrée 212. Le signal de rayonnement électromagnétique d'entrée 212 peut être transmis au photodétecteur 242 à travers un autre conduit en fibre optique 244 et un guide d'ondes 246, qui peuvent être 25 couplés entre eux par un coupleur guide d'onde-fibre 248. Le photodétecteur 242 peut être configuré pour générer un courant électrique en réponse à l'incidence du signal de rayonnement électromagnétique d'entrée 212 sur celui-ci. Le courant électrique généré 30 par le photodétecteur 242 peut être transmis à un convertisseur courant/tension 250 à travers un chemin électrique 252. Le convertisseur courant/tension 250 peut comprendre un amplificateur à transimpédance configuré pour générer un signal de tension de sortie 35 en réponse au courant électrique d'entrée généré par et, reçu du photodétecteur 242 à travers le chemin électrique 252. Le signal électrique de sortie 210 peut comprendre le signal de tension généré par le convertisseur courant/tension 250. Chacun des systèmes semi-conducteurs intégrés en trois dimensions précédemment décrits 140, 150, 160, 180 peut être configuré de manière à comprendre un système semiconducteur intégré en trois dimensions 200 tel qu'illustré schématiquement sur la figure 10. D'autres exemples de modes de réalisation non limitatifs de l'invention sont décrits ci-dessous. Mode de réalisation 1 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions, comprenant : un substrat semi- conducteur sur isolant (Se0I) comprenant : une couche de matériau semi-conducteur ; et une couche de matériau isolant électrique disposée adjacente à une surface principale de la couche de matériau semi-conducteur ; au moins un dispositif photoactif formé sur la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I ; et au moins une interconnexion optique comprenant une partie de la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I, la au moins une interconnexion optique étant couplée fonctionnellement au au moins un dispositif photoactif ; au moins un convertisseur courant/tension formé sur la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I ; au moins un chemin électrique qui s'étend entre le au moins un dispositif photoactif et le au moins un convertisseur courant/tension ; au moins un dispositif semi-conducteur lié par-dessus le substrat Se0I ; et au moins un chemin électrique qui s'étend entre le au moins un convertisseur courant/tension et le au moins un dispositif semiconducteur lié par-dessus le substrat Se0I. Mode de réalisation 2 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 1, dans lequel le au moins un dispositif photoactif et le au moins un dispositif semi-conducteur lié par-dessus le substrat Se0I sont disposés sur un côté commun de la couche de matériau isolant électrique du substrat Se0I. Mode de réalisation 3 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 2, dans lequel le au moins un convertisseur courant/tension est disposé sur le côté commun de la couche de matériau isolant électrique du substrat Se0I. Mode de réalisation 4 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 1, dans lequel le au moins un dispositif photoactif et le au moins un dispositif semi-conducteur lié sur le substrat SeOl sont disposés sur des côtés opposés de la couche de matériau isolant électrique du substrat Se0I. Mode de réalisation 5 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 4, dans lequel le au moins un dispositif photoactif et le au moins un convertisseur courant/tension sont disposés sur un côté commun de la couche de matériau isolant électrique du substrat Se0I. Mode de réalisation 6 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 5, dans lequel le au moins un dispositif photoactif comprend un photodétecteur configuré pour générer du courant électrique en réponse à l'incidence d'un rayonnement électromagnétique sur le photodétecteur. Mode de réalisation 7 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 6, dans lequel la au moins une interconnexion optique est configurée pour transmettre un rayonnement électromagnétique au photodétecteur. Mode de réalisation 8 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 6, dans lequel le au moins un convertisseur courant/tension comprend un amplificateur à transimpédance. Mode de réalisation 9 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 8, dans lequel le au moins un dispositif photoactif comprend un photoémetteur configuré pour générer un signal de rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée. Mode de réalisation 10 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 9, dans lequel la au moins une interconnexion optique est configurée pour transmettre un rayonnement électromagnétique émis par le photoémetteur. Mode de réalisation 11 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 9 ou le mode de réalisation 10, dans lequel le photoémetteur comprend un émetteur en germanium sur silicium. Mode de réalisation 12 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 11, dans lequel le au moins un dispositif semi-conducteur lié par-dessus le substrat Se0I comprend un processeur de signaux électroniques. Mode de réalisation 13 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 12, dans lequel le au moins un dispositif semi-conducteur lié par-dessus le substrat Se0I comprend une pluralité de dispositifs semi-conducteurs liés par-dessus le substrat Se0I. Mode de réalisation 14 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 13, dans lequel le au moins un dispositif semi-conducteur de la pluralité de dispositifs semiconducteurs liés par-dessus le substrat Se0I comprend un dispositif de mémoire électronique. Mode de réalisation 15 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 11, dans lequel le au moins un dispositif semi-conducteur lié par-dessus le substrat SeOl comprend une pluralité de dispositifs semiconducteurs liés par-dessus le substrat Se0I. Mode de réalisation 16 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 15, dans lequel au moins un dispositif semi-conducteur de la pluralité de dispositifs semi- conducteurs liés par-dessus le substrat Se0I comprend un dispositif photoactif supplémentaire. Mode de réalisation 17 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 16, dans lequel le dispositif photoactif 10 supplémentaire est couplé fonctionnellement avec le au moins un dispositif photoactif formé sur la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I. Mode de réalisation 18 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de 15 réalisation 17, comprenant en outre une pluralité d'interconnexions optiques configurée pour transmettre un rayonnement électromagnétique entre le dispositif photoactif supplémentaire et le au moins un dispositif photoactif formé sur la couche de matériau semi20 conducteur du substrat Se0I, la pluralité d'interconnexions optiques comprenant le au moins un guide d'ondes comprenant la partie de la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I. Mode de réalisation 19 : Système semi-conducteur 25 intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 18, dans lequel la pluralité d'interconnexions optiques comprend au moins une interconnexion optique traversante de tranche. Mode de réalisation 20 : Système semi-conducteur 30 intégré en trois dimensions selon l'un quelconque des modes de réalisation 17 à 19, dans lequel le dispositif photoactif supplémentaire comprend un photoémetteur configuré pour émettre un rayonnement électromagnétique, et le au moins un dispositif 35 photoactif formé sur la couche de matériau semiconducteur du substrat Se0I comprend un photodétecteur configuré pour détecter l'émission d'un rayonnement électromagnétique émis par le photoémetteur. Mode de réalisation 21 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 20, dans lequel le photoémetteur comprend un dispositif laser. Mode de réalisation 22 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 20, dans lequel le photoémetteur comprend un dispositif émetteur en germanium sur silicium. Mode de réalisation 23 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 22, dans lequel le système semi-conducteur intégré en trois dimensions comprend un émetteur de rayonnement électromagnétique configuré pour produire un signal de rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée. Mode de réalisation 24 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 22, dans lequel le système semi-conducteur intégré en trois dimensions comprend un récepteur de rayonnement électromagnétique configuré pour produire un signal électrique en réponse à un signal de rayonnement électromagnétique d'entrée. Mode de réalisation 25 : Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon le mode de réalisation 23 ou le mode de réalisation 24, dans lequel le système semi-conducteur intégré en trois dimensions comprend un émetteur-récepteur de rayonnement électromagnétique configuré pour produire 30 un signal de rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée, et pour produire un signal électrique en réponse à un signal de rayonnement électromagnétique d'entrée. Mode de réalisation 26 : Procédé de fabrication d'un 35 système semi-conducteur intégré en trois dimensions, comprenant : la formation d'au moins un dispositif photoactif sur une couche de matériau semi-conducteur d'un substrat semi-conducteur sur isolant (Se0I) ; la formation d'au moins un guide d'ondes comprenant une partie de la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I, et le couplage fonctionnel du au moins un guide d'ondes avec le au moins un dispositif photoactif ; la formation d'au moins un convertisseur courant/tension sur la couche de matériau semiconducteur du substrat Se0I ; le couplage électrique du au moins un dispositif photoactif et du au moins un convertisseur courant/tension ; la liaison d'au moins un dispositif semi-conducteur par-dessus le substrat Se0I ; et le couplage électrique du au moins un convertisseur courant/tension et du au moins un dispositif semi-conducteur lié par-dessus le substrat Se0I. Mode de réalisation 27 : Procédé selon le mode de réalisation 26, comprenant en outre la formation du au moins un dispositif photoactif sur un premier côté d'une couche de matériau isolant électrique du substrat Se0I, et la liaison du au moins un dispositif semi- conducteur lié par-dessus le premier côté de la couche de matériau isolant électrique du substrat Se0I. Mode de réalisation 28 : Procédé selon le mode de réalisation 27, comprenant en outre au moins une étape entre la formation du au moins un convertisseur 25 courant/tension sur le premier côté de la couche de matériau isolant électrique du substrat Se0I et la liaison du au moins un convertisseur courant/tension par-dessus le premier côté de la couche de matériau isolant électrique du substrat Se0I. 30 Mode de réalisation 29 : Procédé selon le mode de réalisation 26, dans lequel la formation du au moins un dispositif photoactif comprend la formation d'un photodétecteur configuré pour générer un courant électrique en réponse à l'incidence d'un rayonnement 35 électromagnétique sur le photodétecteur. Mode de réalisation 30 : Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 29, dans lequel la formation du au moins un convertisseur courant/tension comprend la formation d'un amplificateur à transimpédance. Mode de réalisation 31 : Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 30, dans lequel la formation du au moins un dispositif photoactif comprend la formation d'un photoémetteur configuré pour générer un signal de rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée. Mode de réalisation 32 : Procédé selon le mode de réalisation 31, dans lequel la formation du photoémetteur comprend la formation d'un dispositif laser configuré pour émettre un rayonnement électromagnétique au moins sensiblement cohérent en réponse au signal électrique d'entrée. Mode de réalisation 33 : Procédé selon le mode de réalisation 31 ou le mode de réalisation 32, dans lequel la formation du photoémetteur comprend la formation d'un émetteur en germanium sur silicium. Mode de réalisation 34 : Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 33, dans lequel la liaison d'au moins un dispositif semi-conducteur pardessus le substrat Se0I comprend la liaison d'un processeur de signaux électroniques par-dessus le substrat Se0I. Mode de réalisation 35 : Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 34, dans lequel la liaison d'au moins un dispositif semi-conducteur pardessus le substrat Se0I comprend en outre la liaison d'un dispositif de mémoire électronique par-dessus le substrat Se0I. Mode de réalisation 36 : Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 35, dans lequel la liaison d'au moins un dispositif semi-conducteur pardessus le substrat Se0I comprend la liaison d'une 35 pluralité de dispositifs semi-conducteurs par-dessus le substrat Se0I. Mode de réalisation 37 : Procédé selon le mode de réalisation 36, dans lequel la liaison de la pluralité de dispositifs semi-conducteurs par-dessus le substrat Se0I comprend la fourniture d'un dispositif photoactif supplémentaire par-dessus le substrat Se0I. Mode de réalisation 38 : Procédé selon le mode de réalisation 37, comprenant en outre le couplage fonctionnel du dispositif photoactif supplémentaire avec le au moins un dispositif photoactif formé sur la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I. Mode de réalisation 39 : Procédé selon le mode de réalisation 37 ou le mode de réalisation 38, comprenant en outre la sélection du dispositif photoactif supplémentaire pour comprendre un photoémetteur configuré pour émettre un rayonnement électromagnétique, et la sélection du au moins un dispositif photoactif formé sur la couche de matériau semi-conducteur du substrat Se0I pour comprendre un photodétecteur configuré pour détecter l'émission d'un rayonnement électromagnétique émis par le photoémetteur. Mode de réalisation 40 : Procédé selon le mode de réalisation 39, comprenant en outre la sélection du photoémetteur pour comprendre un dispositif émetteur en 25 germanium sur silicium. Mode de réalisation 41 : Procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 40, comprenant en outre la configuration du système semi-conducteur intégré en trois dimensions pour comprendre au moins un élément 30 entre un émetteur de rayonnement électromagnétique configuré pour produire un signal de rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée, et un récepteur de rayonnement électromagnétique configuré pour produire un signal 35 électrique en réponse à un signal de rayonnement électromagnétique d'entrée. Les exemples de modes de réalisation de l'invention décrits ci-dessus ne limitent pas le champ d'application de l'invention, étant donné que ces modes de réalisation sont simplement des exemples de modes de réalisation de l'invention, qui est définie par le champ d'application des revendications annexées et leurs équivalents légaux. Tous les modes de réalisation équivalents sont destinés à être compris dans le champ d'application de la présente invention. En effet, diverses modifications de l'invention, en plus de celles présentées et décrites ici, telles que des combinaisons utiles alternatives des éléments décrits, apparaîtront à l'homme de l'art à partir de la description. En d'autres termes, une ou plusieurs caractéristiques d'un exemple de mode de réalisation décrit ici pourront être combinées avec une ou plusieurs caractéristiques d'un autre exemple de réalisation décrit ici pour fournir des modes de réalisation supplémentaires de l'invention. Ces modifications et modes de réalisation sont également destinés à entrer dans le champ d'application des revendications annexées. REVENDICATIONS1. Système semi-conducteur intégré en trois 5 dimensions comprenant : un substrat semi-conducteur sur isolant (SeOI) (100) comprenant : une couche de matériau semi-conducteur (102) ; et une couche de matériau isolant électrique (104) 10 disposée adjacente à une surface principale (103) de la couche de matériau semi-conducteur (102) ; au moins un dispositif photoactif (112, 162) formé sur la couche de matériau semi-conducteur (102) du substrat SeOI (100) ; et 15 au moins une interconnexion optique (116, 166) comprenant une partie de la couche de matériau semiconducteur (102) du substrat SeOI (100), la au moins une interconnexion optique (116, 166) étant couplée fonctionnellement au au moins un dispositif photoactif 20 (112, 162) ; au moins un convertisseur courant/tension (114) formé sur la couche de matériau semi-conducteur (102) du substrat SeOI (100) ; au moins un chemin électrique (146, 146') s'étendant 25 entre le au moins un dispositif photoactif (112) et le au moins un convertisseur courant/tension (114) ; au moins un dispositif semi-conducteur (142) lié pardessus le substrat SeOI (100) ; et au moins un chemin électrique (146, 146') s'étendant 30 entre le au moins un convertisseur courant tension (114) et le au moins un dispositif semi-conducteur (142) lié par-dessus le substrat SeOI (100). 2. Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon la revendication 1, dans lequel le au moins un dispositif photoactif (112, 162) et le au moins un dispositif semi-conducteur (142) lié par-5 dessus le substrat Se0I (100) sont disposés sur un côté commun de la couche de matériau isolant électrique (104) du substrat Se0I (100). 3. Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon la revendication 1, dans lequel le au 10 moins un dispositif photoactif (112, 162) et le au moins un dispositif semi-conducteur (142) lié pardessus le substrat Se0I (100) sont disposés sur des côtés opposés de la couche de matériau isolant électrique (104) du substrat Se0I (100). 15 4. Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon la revendication 1, dans lequel le au moins un dispositif photoactif (112, 162) comprend un photodétecteur configuré pour générer un courant électrique en réponse à l'incidence d'un rayonnement 20 électromagnétique sur le photodétecteur. 5. Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon la revendication 1, dans lequel le au moins un dispositif photoactif (112, 162) comprend un photoémetteur configuré pour générer un signal de 25 rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée. 6. Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon la revendication 1, dans lequel le au moins un dispositif semi-conducteur (142) lié par- 30 dessus le substrat Se0I (100) comprend un processeur de signaux électroniques. 7. Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon la revendication 1, dans lequel le au moins un dispositif semi-conducteur (142) lié par- 35 dessus le substrat Se0I (100) comprend une pluralité de dispositifs semi-conducteurs (142A, 142B, 142C) liés par-dessus le substrat Se0I (100). 8. Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon la revendication 1, dans lequel le système semi-conducteur intégré en trois dimensions comprend un émetteur de rayonnement électromagnétique (202) configuré pour produire un signal de rayonnement électromagnétique (204) en réponse à un signal électrique d'entrée (206). 9. Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon la revendication 1, dans lequel le système semi-conducteur intégré en trois dimensions comprend un récepteur de rayonnement électromagnétique (208) configuré pour produire un signal électrique (210) en réponse à un signal de rayonnement électromagnétique d'entrée (212). 10. Système semi-conducteur intégré en trois dimensions selon la revendication 1, dans lequel le système semi-conducteur intégré en trois dimensions comprend un émetteur-récepteur de rayonnement électromagnétique configuré pour produire un signal de rayonnement électromagnétique (204) en réponse à un signal électrique d'entrée (206), et pour produire un signal électrique (210) en réponse à un signal de rayonnement électromagnétique d'entrée (212). 11. Procédé de fabrication d'un système semi25 conducteur intégré en trois dimensions, comprenant : la formation d'au moins un dispositif photoactif (112, 162) sur une couche de matériau semi-conducteur (102) d'un substrat semi-conducteur sur isolant (Se0I) (100) ; 30 la formation d'au moins un guide d'ondes (116, 166) comprenant une partie de la couche de matériau semiconducteur (102) du substrat Se0I (100), et le couplage fonctionnel du au moins un guide d'ondes (116, 166) avec le au moins un dispositif photoactif (112, 162) ; 35 la formation d'au moins un convertisseur courant/tension (114) par-dessus la couche de matériau semi-conducteur (102) du substrat Se0I (100) ;le couplage électrique du au moins un dispositif photoactif (112, 162) et du au moins un convertisseur courant/tension (114) ; la liaison d'au moins un dispositif semi-conducteur (142) par-dessus le substrat Se0I (100) ; et le couplage électrique du au moins un convertisseur courant/tension (114) et du au moins un dispositif semi-conducteur (142) lié par-dessus le substrat Se0I (100) 12. Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre la formation du au moins un dispositif photoactif (112, 162) sur un premier côté d'une couche de matériau isolant électrique (104) du substrat Se0I (100), et la liaison du au moins un dispositif semi-conducteur (142) 15 lié par-dessus le premier côté de la couche de matériau isolant électrique (104) du substrat Se0I (100). 13. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la formation du au moins un dispositif photoactif (112, 162) comprend la formation d'un photodétecteur 20 configuré pour générer un courant électrique en réponse à l'incidence d'un rayonnement électromagnétique sur le photodétecteur. 14. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la formation du au moins un dispositif photoactif (112, 25 162) comprend la formation d'un photoémetteur configuré pour générer un signal de rayonnement électromagnétique en réponse à un signal électrique d'entrée. 15. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la liaison d'au moins un dispositif semi-conducteur (142) 30 par-dessus le substrat Se0I (100) comprend la liaison d'un processeur de signaux électroniques par-dessus le substrat Se0I (100). 16. Procédé selon la revendication 11, dans lequel la liaison d'au moins un dispositif semi-conducteur (142) 35 par-dessus le substrat Se0I (100) comprend la liaisond'une pluralité de dispositifs semi-conducteurs (142A, 142B, 142C) par-dessus le substrat Se0I (100). 17. Procédé selon la revendication 11, comprenant en outre la configuration du système semi-conducteur 5 intégré en trois dimensions pour comprendre au moins un élément entre un émetteur de rayonnement électromagnétique (202) configuré pour produire un signal de rayonnement électromagnétique (204) en réponse à un signal électrique d'entrée (206), et un 10 récepteur de rayonnement électromagnétique (208) configuré pour produire un signal électrique (210) en réponse à un signal de rayonnement électromagnétique d'entrée (212). 15