FR 2987494 A1 20130830 FR 1251871 A 20120229 TITRE PROCEDES DE FABRICATION DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES COMPRENANT DES DISPOSITIFS D'INTERPOSITION AVEC DES TROUS D'INTERCONNEXION CONDUCTEURS, ET STRUCTURES ET DISPOSITIFS ASSOCIES DOMAINE TECHNIQUE [0001] La présente description concerne des procédés de formation et d'utilisation de dispositifs d'interposition dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs, et des structures et des dispositifs fabriqués en utilisant ces procédés. CONTEXTE [0002] Dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs qui comprennent un circuit intégré, tels que des processeurs de signaux électroniques, des dispositifs de mémoire, et des dispositifs photoactifs (par exemple, des dispositifs d'émission de lumière (DEL), des diodes laser, des cellules photoélectriques, des photodétecteurs, etc.), il est souvent souhaitable d'utiliser ce qui est appelé dans l'art un « dispositif d'interposition » entre deux dispositifs (par exemple, entre deux dispositifs à circuit intégré), entre un dispositif et une structure (par exemple, entre un dispositif à circuit intégré et un substrat de boîtier, tel qu'une carte de circuit ou une couche), ou entre deux structures. Le dispositif d'interposition est disposé entre les deux dispositifs et/ou structures, et peut être utilisé pour réaliser une interconnexion structurelle et électrique entre les deux dispositifs et/ou structures. [0003] Dans certains cas, le dispositif d'interposition peut être utilisé pour redistribuer un motif de connexions électriques. Par exemple, un dispositif à circuit intégré peut comporter un réseau de caractéristiques de contacts électriques agencées en un premier motif, et un autre dispositif ou une autre structure auquel le dispositif à circuit intégré doit être couplé peut comporter un réseau de caractéristiques de contacts électriques agencées en un deuxième motif différent. Ainsi, le dispositif à circuit intégré ne peut pas être simplement en butée contre un autre dispositif ou une autre structure et collé à celui-ci pour établir une connexion électrique entre les caractéristiques de contacts électriques du dispositif à circuit intégré et les caractéristiques de contacts électriques d'un autre dispositif ou d'une autre structure. [0004] Pour faciliter l'interconnexion électrique, un dispositif d'interposition peut être fabriqué, lequel comprend un premier ensemble de caractéristiques de contacts électriques sur un premier côté de celui-ci agencées en un motif qui est une image miroir du motif des caractéristiques de contacts électriques du dispositif à circuit intégré, et un deuxième ensemble de caractéristiques de contacts électriques sur un deuxième côté opposé de celui-ci agencées en un motif différent qui est une image miroir du motif des caractéristiques de contacts électriques de l'autre dispositif ou de l'autre structure. Le dispositif d'interposition peut comprendre un ou plusieurs trous d'interconnexion électriquement conducteurs qui s'étendent verticalement à travers au moins une partie du dispositif d'interposition perpendiculairement au plan principal du dispositif d'interposition, des pistes électriquement conductrices qui s'étendent horizontalement à travers le dispositif d'interposition parallèlement au plan principal du dispositif d'interposition, et des pastilles de contact électriquement conductrices, qui définissent les emplacements auxquels un contact électrique doit être établi avec le dispositif à circuit intégré et l'autre dispositif ou l'autre structure. Les trous d'interconnexion et pistes conducteurs peuvent être utilisés pour « redistribuer » le motif des pastilles de contact sur le premier côté du dispositif d'interposition en un motif différent des pastilles de contact sur le deuxième côté opposé du dispositif d'interposition. Dans cette configuration, les pastilles de contact sur le premier côté du dispositif d'interposition peuvent être couplées structurellement et électriquement aux caractéristiques de contacts électriques du dispositif à circuit intégré, et les pastilles de contact sur le deuxième côté opposé du dispositif d'interposition peuvent être couplées structurellement et électriquement aux caractéristiques de contacts électriques de l'autre structure ou de l'autre dispositif, réalisant de ce fait une interconnexion électrique entre le dispositif à circuit intégré et l'autre structure ou l'autre dispositif à travers le dispositif d'interposition. [0005] Les dispositifs d'interposition sont généralement relativement épais de manière à permettre la gestion et la manipulation des dispositifs d'interposition par un équipement de traitement de fabrication de semi-conducteur commun. Par exemple, les dispositifs d'interposition peuvent avoir une épaisseur de couche moyenne de deux cent microns (200 gm) ou plus. [0006] Les caractéristiques des dispositifs à semi-conducteurs ont des dimensions de plus en plus petites. Etant donné que la dimension en coupe moyenne (par exemple, le diamètre moyen) des trous d'interconnexion conducteurs formés à travers les dispositifs d'interposition est réduite, les rapports d'aspect des trous d'interconnexion conducteurs augmentent. Le rapport d'aspect d'un trou 2 d'interconnexion conducteur est défini par la longueur du trou d'interconnexion conducteur (dans la dimension verticale perpendiculaire au plan principal du dispositif d'interposition) divisée par la dimension en coupe moyenne du trou d'interconnexion conducteur. Par exemple, un trou d'interconnexion conducteur ayant une longueur de deux cent microns (200 pm) et une dimension en coupe moyenne de quarante microns (40 Ftm) a un rapport d'aspect de cinq (5) (c'est-à-dire, 200/40 = 5). [0007] Des trous d'interconnexion conducteurs ayant des rapports d'aspect élevés sont difficiles à former. Pour former des trous d'interconnexion conducteurs dans des dispositifs d'interposition, des orifices peuvent être d'abord formés à travers le dispositif d'interposition et remplis par la suite d'un métal conducteur en utilisant un ou plusieurs processus de dépôt (par exemple, un premier processus de dépôt sans courant suivi d'un processus de dépôt électrolytique). Des orifices ayant des rapports d'aspect élevés sont difficiles à remplir avec le métal dans le processus de dépôt du fait du besoin de déposer le métal avec un bon revêtement des irrégularités et sans vides. Par exemple, les régions dans les orifices à proximité des surfaces principales opposées du dispositif d'interposition peuvent être bouchées par le métal avant le remplissage complet de la région de l'orifice à proximité du centre du dispositif d'interposition, empêchant de ce fait un dépôt supplémentaire de métal dans l'orifice et résultant en des vides dans le trou d'interconnexion conducteur résultant. Ces vides peuvent rendre les trous d'interconnexion conducteurs non fonctionnels. Par ailleurs, des trous d'interconnexion conducteurs plus grands nécessitent d'utiliser davantage de métal, ce qui augmente le coût et la durée du processus de dépôt de métal. Des trous d'interconnexion conducteurs plus grands occupent également une plus grande aire sur le dispositif d'interposition, ce qui limite le nombre de trous d'interconnexion conducteurs qui peuvent être formés dans une zone donnée du dispositif d'interposition, ce qui peut limiter la bande passante de fonctionnement globale de tout dispositif à semi-conducteurs tel qu'un dispositif d'interposition. BREF RÉSUMÉ [0008] Ce résumé est fourni pour introduire une sélection de concepts sous une forme simplifiée. Ces concepts sont décrits plus en détail dans la description détaillée d'exemples de modes de réalisation de la description ci-dessous. Ce résumé n'est pas destiné à identifier des caractéristiques principales ou des caractéristiques essentielles de l'objet revendiqué, il n'est pas destiné non plus à être utilisé pour limiter l'étendue de l'objet revendiqué. 3 [0009] Dans certains modes de réalisation, la présente description comprend des procédés de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs qui comprennent des dispositifs d'interposition. Selon ces procédés, des trous d'interconnexion conducteurs sont formés à travers une couche de matériau sur un substrat récupérable. Un substrat de support est collé à la couche de matériau d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable, et le substrat récupérable est séparé de la couche de matériau pour récupérer le substrat récupérable. Des contacts électriques sont formés sur la couche de matériau d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support, et les contacts électriques communiquent électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs. [0010] Dans des procédés supplémentaires de fabrication de dispositifs à semi- conducteurs qui comprennent des dispositifs d'interposition, une interface détachable est formée entre une couche semi-conductrice et un substrat récupérable. L'interface détachable comprend un niveau contrôlé de résistance mécanique entre la couche semi-conductrice et le substrat récupérable. Des trous d'interconnexion conducteurs sont ensuite formés à travers la couche semi-conductrice sur le substrat récupérable. Un substrat de support est collé à la couche semi-conductrice d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable, et le substrat récupérable est séparé de la couche semiconductrice pour récupérer le substrat récupérable. Des contacts électriques qui communiquent électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs peuvent ensuite être formés sur la couche semi-conductrice d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support. [0011] Encore d'autres modes de réalisation de la présente invention comprennent des structures et des dispositifs semi-conducteurs intermédiaires et totalement fabriqués formés en utilisant des procédés tels que décrits ici. [0012] Par exemple, dans certains modes de réalisation, des structures intermédiaires formées pendant la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs comprennent une couche semiconductrice collée à un substrat récupérable avec une interface détachable de résistance mécanique contrôlée entre la couche semi-conductrice et le substrat récupérable, et des trous d'interconnexion conducteurs s'étendant à travers la couche semi-conductrice. Un substrat de support peut être collé à la couche semi-conductrice d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS [0013] Bien que la description se termine par des revendications mettant l'accent en particulier et revendiquant distinctement ce qui est considéré comme des modes de réalisation de 4 l'invention, les avantages des modes de réalisation de la description peuvent être plus facilement établis à partir de la description de certains exemples de modes de réalisation de la description lors d'une lecture conjointement avec les dessins joints, sur lesquels : [0014] la figure 1 est une vue en coupe transversale simplifiée d'une couche de matériau qui est utilisée pour former un dispositif d'interposition sur un substrat récupérable avec une interface détachable entre la couche de matériau et le substrat récupérable ; [0015] la figure 2 est une vue en coupe transversale simplifiée illustrant des trous d'interconnexion conducteurs formés à travers la couche de matériau de la structure montrée sur la figure 1 pour former au moins une partie du dispositif d'interposition ; [0016] la figure 3 est une vue en coupe transversale simplifiée illustrant une couche de redistribution formée sur la couche de matériau du dispositif d'interposition montré sur la figure 2 d'un côté de la couche de matériau opposé au substrat récupérable ; [0017] la figure 4 est une vue en coupe transversale simplifiée illustrant un substrat de support temporairement collé à la couche de matériau du dispositif d'interposition montré sur la figure 3 d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable ; [0018] la figure 5 est une vue en coupe transversale simplifiée illustrant la séparation de la couche de matériau du dispositif d'interposition du substrat récupérable montré sur la figure 4 le long de l'interface détachable entre le dispositif d'interposition et le substrat récupérable ; [0019] la figure 6 est une vue en coupe transversale simplifiée illustrant une autre couche de redistribution formée sur la couche de matériau du dispositif d'interposition montré sur la figure 5 d'un côté de la couche de matériau opposé au substrat de support ; [0020] la figure 7 est une vue en coupe transversale simplifiée illustrant des contacts électriques formés sur la couche de matériau du dispositif d'interposition montré sur la figure 6 d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support ; [0021] la figure 8 est une vue en coupe transversale simplifiée illustrant un dispositif à circuit intégré couplé structurellement et électriquement à la structure montrée sur la figure 7 d'un côté du dispositif d'interposition opposé au substrat de support ; [0022] la figure 9 illustre le retrait du substrat de support de la structure de la figure 8 ; et [0023] la figure 10 illustre un autre dispositif ou une autre structure couplé structurellement et électriquement au dispositif d'interposition d'un côté de celui-ci opposé au dispositif à circuit intégré.5 DESCRIPTION DÉTAILLÉE [0024] Les illustrations présentées ici ne représentent pas des vues réelles d'un matériau semi-conducteur, d'une structure, d'un dispositif, ou d'un procédé particulier, mais sont des représentations simplement idéalisées qui sont utilisées pour décrire des modes de réalisation de la description. Les rubriques utilisées ici ne devraient pas être considérées comme limitant l'étendue des modes de réalisation de l'invention telle que définie par les revendications ci-dessous et leurs équivalents légaux. Les concepts décrits dans une rubrique spécifique sont généralement applicables à d'autres sections dans toute la description. Un certain nombre de références sont citées ici, aucune des références citées, indépendamment de la manière selon laquelle elle est caractérisée ici, n'est admise en tant qu'art antérieur par rapport à l'invention de l'objet revendiqué ici. [0025] Les procédés de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs qui comprennent un dispositif d'interposition tels que décrits ici peuvent réaliser un dispositif d'interposition relativement mince qui comprend des trous d'interconnexion conducteurs ayant des rapports d'aspect relativement faibles. Comme examiné plus en détail ci-dessous, les procédés comprennent généralement la formation de trous d'interconnexion conducteurs à travers une couche de matériau sur un substrat, qui peut être un substrat récupérable. Un substrat de support est collé à la couche de matériau d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable, après quoi le substrat récupérable peut être séparé de la couche de matériau pour récupérer le substrat récupérable. Des contacts électriques communiquant électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs peuvent ensuite être formés sur la couche de matériau d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support. [0026] Une structure 100 est montrée sur la figure 1 qui comprend un substrat récupérable 102. Une couche de matériau 104 est disposée sur le substrat récupérable 102. Dans certains modes de réalisation, une interface détachable 106 peut être formée ou autrement prévue entre la couche de matériau 104 et le substrat récupérable 102. L'interface détachable 106 peut réaliser une liaison d'une résistance mécanique contrôlée entre la couche de matériau 104 et le substrat récupérable 102, et peut être utilisée pour détacher le substrat récupérable 102 de la couche de matériau 104 après un traitement supplémentaire, comme examiné ci-dessous. [0027] La couche de matériau 104 peut comprendre une couche de matériau semiconducteur dans certains modes de réalisation. Autrement dit, la couche de matériau 104 peut comprendre une couche semi-conductrice. En tant qu'exemples non limitatifs, la couche de matériau 6 4 peut comprendre au moins l'un du silicium, du germanium, du carbure de silicium, du diamant et d'un matériau semi-conducteur des groupes III-V. Dans certains modes de réalisation, la couche de matériau 104 peut comprendre essentiellement du silicium, et le silicium peut être polycristallin ou monocristallin. 100281 Le substrat récupérable 102 peut comprendre un matériau semi-conducteur (par exemple, du silicium (de première qualité ou de qualité mécanique pour un faible coût incombant au propriétaire), du germanium, un matériau semi-conducteur des groupes III-V, etc.) ou une céramique, telle qu'un oxyde (par exemple, un oxyde d'aluminium, un oxyde de silicium, un oxyde de zirconium, etc.), un nitrure (par exemple, un nitrure de silicium), ou un carbure (par exemple, un carbure de silicium). 100291 L'interface détachable 106 entre le substrat récupérable 102 et la couche de matériau 104 peut être formée comme présenté, par exemple, dans l'une quelconque de la publication de demande de brevet US n° 2004/0222500, publiée le 11 novembre 2004 au nom d'Aspar et autres, de la publication de demande de brevet US n° 2007/0122926, publiée le 31 mai 2007 au nom de Martinez et autres, et de la publication internationale n° WO 2010/015878 A2, publiée le 11 février 2010 au nom de Faure et autres. 100301 Dans certains modes de réalisation, l'interface détachable 106 peut comprendre une liaison moléculaire directe entre la couche de matériau 104 et le substrat récupérable 102. Dans d'autres modes de réalisation, comme montré sur la figure 1, l'interface détachable 106 peut comprendre un matériau intermédiaire 107 disposé entre la couche de matériau 104 et le substrat récupérable 102. Un tel matériau intermédiaire 107 peut comprendre l'un ou plusieurs d'un matériau semi-conducteur, d'un matériau diélectrique, ou d'une céramique, tel que l'un quelconque de ceux mentionnés ci-dessus. Dans d'autres modes de réalisation, le matériau intermédiaire 107 peut comprendre un métal. Dans encore d'autres modes de réalisation, le matériau intermédiaire 107 peut comprendre une structure multicouche comprenant deux de ces matériaux ou plus. [0031] En tant qu'exemple non limitatif, comme décrit dans la publication de demande de brevet US n° 2004/0222500, la résistance mécanique de l'interface détachable 106 peut être contrôlée en contrôlant au moins l'une de la rugosité et de l'hydrophilicité des faces opposées de la couche de matériau 104 et du substrat récupérable 102 avant de coller la couche de matériau 104 au substrat récupérable 102. Par exemple, si l'une des faces opposées ou les deux comprennent du SiO2, par exemple, la surface de SiO2 peut être gravée en utilisant un acide fluorhydrique pour 7 contrôler la rugosité de surface de celle-ci. D'autres traitements chimiques peuvent être utilisés en fonction de la nature du matériau à graver. Par exemple, l'acide phosphorique (H3PO4) peut être utilisé pour graver et rugosifier le nitrure de silicium (Si3N4), et une solution d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de dioxyde d'hydrogène (H202), et d'eau (H2O) peut être utilisée pour graver et rugosifier le silicium. Dans des techniques supplémentaires, des traitements thermiques commandés de manière sélective peuvent être utilisés pour contrôler la résistance mécanique d'une liaison moléculaire entre la couche de matériau 104 et le substrat récupérable 102. [0032] Ainsi, dans certains modes de réalisation, des vides 108 peuvent être présents au niveau de l'interface détachable 106. Les vides 108 peuvent être dus à une rugosité de surface initiale entre des surfaces collées contiguës, et peuvent être situés de manière aléatoire sur l'interface détachable 106. Dans d'autres modes de réalisation, les vides 108 peuvent être formés dans l'une des surfaces collées contiguës ou les deux avant une liaison, et peuvent être situés à des emplacements prédéfinis et sélectionnés sur l'interface détachable 106. Le nombre et la taille des vides 108 peuvent être utilisés pour contrôler de manière sélective la résistance mécanique de la liaison entre la couche de matériau 104 et le substrat récupérable 102. [0033] Dans les modes de réalisation dans lesquels la couche de matériau 104 comprend un matériau semi-conducteur, et l'interface détachable 106 comprend un matériau intermédiaire 107 comprenant un matériau électriquement isolant, la structure 100 de la figure 1 peut comprendre ce qui est appelé dans l'art un substrat de type « semi-conducteur sur isolant » (Se0I) tel qu'un substrat silicium sur isolant (SOI) ou un substrat de type germanium-sur-isolant (Ge0I). Dans ces modes de réalisation, le substrat récupérable 102 forme une base du substrat de type Se0I, et le matériau intermédiaire 107 forme une couche isolante entre la couche de matériau 104 et la base. [0034] Dans certains modes de réalisation, le substrat récupérable 102 peut être sélectionné pour qu'il comprenne un matériau qui présente un coefficient de dilatation thermique correspondant étroitement à un coefficient de dilatation thermique présenté par la couche de matériau 104. Par exemple, le substrat récupérable 102 peut présenter un coefficient de dilatation thermique dans les limites d'environ 10 % d'un coefficient de dilatation thermique présenté par la couche de matériau 104, dans les limites d'environ 5 % d'un coefficient de dilatation thermique présenté par la couche de matériau 104, ou même dans les limites d'environ 2,5 % d'un coefficient de dilatation thermique présenté par la couche de matériau 104. Une correspondance étroite des coefficients de dilatation thermique du substrat récupérable 102 et de la couche de matériau 104 8 peut réduire ou réduire à un minimum les contraintes thermiques à proximité de l'interface détachable 106 alors que la température de la structure 100 varie pendant un traitement suivant, et peut éviter une séparation prématurée involontaire de la couche de matériau 104 du substrat récupérable 106. [0035] Le substrat récupérable 102 peut être plus épais que la couche de matériau 104. En tant qu'exemples non limitatifs, la couche de matériau 104 peut avoir une épaisseur de couche moyenne T d'environ deux cent microns (200 !am) ou moins, d'environ cinquante microns (50 Ftm) ou moins, d'environ un micron (1 i.tm) ou moins, ou même d'environ cent nanomètres (100 nm) ou moins. Dans certains modes de réalisation, l'épaisseur de couche moyenne T peut être entre environ quinze nanomètres (15 nm) et environ cent microns (100 pim). Le substrat récupérable 102 peut avoir une épaisseur de couche moyenne d'environ deux cent microns (200 itm) ou plus, d'environ cinq cent microns (500 itm) ou plus, ou même d'environ sept cent microns (700 itm) ou plus, dans certains modes de réalisation. Dans les modes de réalisation dans lesquels l'interface détachable 106 comprend un matériau intermédiaire 107, le matériau intermédiaire 107 peut être plus mince que la couche de matériau 104, et peut avoir une épaisseur de couche moyenne, par exemple, d'environ cent nanomètres (100 nm) ou moins, d'environ cinquante nanomètres (50 nm) ou moins, ou même d'environ vingt-cinq nanomètres (25 nm) ou moins. [0036] Une couche de matériau 104 ayant une telle faible épaisseur de couche moyenne T peut être prévue sur le substrat récupérable 102 en utilisant, par exemple, ce qui est appelé dans l'art le processus SMART-CUT®. Le processus SMART-CUT® est décrit, par exemple, dans le brevet US n° RE39 484 de Bruel (publié le 6 février 2007), le brevet US n° 6 303 468 d'Aspar et autres (publié le 16 octobre 2001), le brevet US n° 6 335 258 d'Aspar et autres (publié le ter janvier 2002), le brevet US n° 6 756 286 de Moriceau et autres (publié le 29 juin 2004), le brevet US n° 6 809 044 d'Aspar et autres (publié le 26 octobre 2004), et le brevet US n° 6 946 365 d'Aspar et autres (20 septembre 2005). [0037] En résumé, le processus SMART-CUT® implique l'implantation d'ions dans une couche de matériau relativement épaisse pour former un plan d'implantation d'ions affaibli généralement plan dans la couche de matériau. La couche de matériau relativement épaisse peut être collée au substrat récupérable 102. La couche de matériau relativement épaisse peut ensuite être fracturée le long du plan d'implantation d'ions affaibli dans celle-ci, laissant la couche de matériau 104 ayant l'épaisseur de couche moyenne T souhaitable collée au substrat récupérable 102. En 9 option, un matériau semi-conducteur supplémentaire (qui peut avoir une microstructure polycristalline ou amorphe) peut être optionnellement déposé sur la couche de matériau 104 transférée après le processus SMART-CUT® de manière à réaliser la couche de matériau 104 avec une épaisseur de couche moyenne T souhaitable. [0038] Dans des modes de réalisation supplémentaires, une couche de matériau 104 ayant un telle faible épaisseur de couche moyenne T peut être prévue sur le substrat récupérable 102 par une première liaison d'une couche de matériau relativement épaisse au substrat récupérable 102 et par la suite un amincissement de la couche de matériau à une épaisseur de couche moyenne T en utilisant l'un ou plusieurs d'un processus de rectification, d'un processus de polissage et d'un processus de gravure (par exemple, en utilisant un processus de polissage chimico-mécanique (CMP)). Un tel processus de liaison et d'amincissement peut être souhaitable pour réaliser une couche de matériau 104 ayant une épaisseur de couche moyenne T d'environ cent cinquante microns (150 um) ou plus, tandis que le processus SMART-CUT® peut être souhaitable pour réaliser une couche de matériau 104 ayant une épaisseur de couche moyenne T inférieur à environ un et demi micron (1,5 Fun). [0039] En faisant référence à la figure 2, les trous d'interconnexion conducteurs 110 peuvent être formés à travers la couche de matériau 104, tandis que la couche de matériau 104 est sur le substrat récupérable 102 pour former la structure 112 de la figure 2. Les trous d'interconnexion conducteurs 110 peuvent être formés en utilisant des techniques connues dans l'art. [0040] Par exemple, un masque dessiné peut être prévu sur une surface principale exposée 114 de la couche de matériau 104. Des ouvertures peuvent s'étendre à travers la couche de masque dessinée à des emplacements auxquels les trous d'interconnexion conducteurs 110 doivent être formés dans la couche de matériau 104. Un processus de gravure anisotrope, tel qu'un processus de gravure ionique réactive à sec (RIE) peut être utilisé pour graver des orifices dans et à travers la couche de matériau 104 à travers les ouvertures s'étendant à travers la couche de masque, tandis que la couche de masque protège d'autres parties de la couche de matériau 104 de l'agent de gravure et empêche le retrait de ces parties. [0041] Après avoir formé les orifices à travers la couche de matériau 104, un matériau diélectrique (par exemple, un oxyde) peut être déposé dans les orifices 104 pour réaliser un isolement, après quoi les orifices 104 peuvent être remplis d'un matériau conducteur, tel qu'un métal, pour former les trous d'interconnexion conducteurs 110 dans les orifices. Par exemple, le 10 métal peut comprendre l'un ou plusieurs du cuivre, de l'aluminium, de l'argent, du tungstène, du titane, du nickel, etc. Dans certains modes de réalisation, les trous d'interconnexion conducteurs 110 peuvent comprendre une pluralité de couches de métal, deux ou plus de celles-ci pouvant avoir des compositions différentes. Le métal peut être déposé dans les orifices en utilisant un ou plusieurs processus de dépôt. Par exemple, un premier processus de dépôt sans courant peut être utilisé pour déposer une couche de germe relativement mince de métal sur des surfaces de la couche de matériau 104 dans les orifices. Ces processus peuvent réaliser une couche mince relativement dense de métal ayant un bon revêtement des irrégularités, permettant de ce fait le dépôt d'une couche au moins sensiblement continue du métal sur toutes les surfaces dans les orifices. Après le dépôt d'une telle couche de germe, un autre processus de dépôt, tel qu'un processus de dépôt électrolytique, peut être utilisé pour déposer un métal supplémentaire sur la couche de germe à une vitesse relativement plus élevée jusqu'à ce que les orifices soient au moins sensiblement remplis de métal pour former les trous d'interconnexion conducteurs 110. D'autres processus de dépôt, tels que des processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD) et/ou des processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), peuvent être utilisés pour déposer un matériau conducteur dans les orifices dans des modes de réalisation supplémentaires. [0042] Comme montré sur la figure 2, les trous d'interconnexion conducteurs 110 peuvent s'étendre entièrement à travers la couche de matériau 104 de la surface principale exposée 114 jusqu'à l'interface détachable 106. Ainsi, les trous d'interconnexion conducteurs 110 peuvent comprendre ce qui est appelé dans l'art des « trous d'interconnexion à travers une tranche semiconductrice » (TWV), ou des « trous d'interconnexion à travers le silicium » (TSV) dans les modes de réalisation dans lesquels la couche de matériau 104 comprend du silicium. [0043] Les trous d'interconnexion conducteurs 110 peuvent être formés pour qu'ils aient des rapports d'aspect d'environ 2,5 ou moins, ou même d'environ 1,6 ou moins dans certains modes de réalisation. En formant les trous d'interconnexion conducteurs 110 pour qu'ils aient des rapports d'aspect relativement faibles, les problèmes associés à la formation de trous d'interconnexion conducteurs ayant des rapports d'aspect élevés examinés précédemment ici peuvent être atténués. [0044] En outre, des modes de réalisation de procédés tels que décrits ici peuvent ne pas impliquer un amincissement significatif de la couche de matériau 104 dans laquelle les trous d'interconnexion conducteurs 110 sont formés à la suite de la formation des trous d'interconnexion conducteurs 110 dans la couche de matériau 104. 11 [0045] En faisant référence à la figure 3, après avoir formé les trous d'interconnexion conducteurs 110, une couche de redistribution 118 optionnelle peut être formée sur la couche de matériau 104 d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable 102 pour former la structure 120 de la figure 3. Les emplacements et le motif des trous d'interconnexion conducteurs 110 peuvent ne pas être complémentaires des caractéristiques de contacts électriques d'une autre structure ou d'un autre dispositif à coupler à ceux-ci. Ainsi, la couche de redistribution 118 peut être utilisée pour redistribuer le motif de contacts électriques. La couche de redistribution 118 peut comprendre l'un ou plusieurs de trous d'interconnexion conducteurs 122 s'étendant verticalement, de pistes conductrices 124 s'étendant latéralement, et de pastilles de contact conductrices 126. Les trous d'interconnexion 122 et les pistes 124 conducteurs peuvent être utilisés pour redistribuer le motif des trous d'interconnexion conducteurs 110 de la couche de matériau 104 selon un motif différent d'un côté opposé de la couche de redistribution 118 par rapport à la couche de matériau 104. La couche de redistribution 118 peut être formée par un processus lithographique couche par couche en utilisant des techniques connues dans l'art. [0046] Comme montré sur la figure 4, un substrat de support 130 peut être temporairement collé à la couche de matériau 104 d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable 102 pour former la structure 132 de la figure 4. Le substrat de support 130 peut être généralement plan, et peut comprendre l'un quelconque d'un certain nombre de matériaux. Par exemple, le substrat de support 130 peut comprendre l'un quelconque des matériaux mentionnés ci-dessus en relation avec le substrat récupérable 102. Le substrat de support 130 peut avoir une épaisseur de couche moyenne qui est suffisante pour permettre la gestion et la manipulation de la structure 132 par un équipement de fabrication de semi-conducteur pendant un traitement suivant. Par exemple, le substrat de support 130 peut avoir une épaisseur de couche moyenne d'environ deux cent microns (200 gm) ou plus, d'environ cinq cent microns (500 gm) ou plus, ou même d'environ sept cent microns (700 gm) ou plus. Le substrat de support 130 peut être collé à la couche de matériau 104 en utilisant un processus de liaison moléculaire directe, ou le substrat de support 130 peut être collé à la couche de matériau 104 en utilisant un adhésif ou autre matériau de liaison entre les surfaces à coller. [0047] Dans les modes de réalisation dans lesquels une couche de redistribution 118 est formée sur la couche de matériau 104 du côté de celle-ci opposé au substrat récupérable 102, le substrat de support 130 peut être collé à la couche de redistribution 118 sur la couche de matériau 12 4. Dans les modes de réalisation dans lesquels une telle couche de redistribution 118 n'est pas formée, le substrat de support 130 peut être collé à la couche de matériau 118. [0048] En faisant référence à la figure 5, le substrat récupérable 102 peut être séparé de la couche de matériau 104 après avoir collé le substrat de support 130 à la couche de matériau 104 (comme décrit en faisant référence à la figure 4) pour récupérer le substrat récupérable 102, et former la structure 138 montrée sur la figure 5. En particulier, le substrat récupérable 102 peut être séparé de la couche de matériau 104 le long de l'interface détachable 106. Le substrat récupérable 102 peut ensuite être réutilisé, si cela est souhaitable. Autrement dit, le substrat récupérable 102 peut être recyclable. Le recyclage du substrat récupérable 102 peut réduire le gaspillage et les coûts de fabrication. [0049] Le substrat récupérable 102 peut être séparé de la couche de matériau 104 en utilisant, par exemple, un équipement et des procédés décrits dans la publication de demande de brevet US susmentionnée n° 2007/0122926, publiée le 31 mai 2007 au nom de Martinez et autres. Comme décrit dans celle-ci, un élément de positionnement fixe peut être utilisé pour fixer la structure 132 de la figure 4, et un mécanisme de coupe comprenant une lame peut être utilisé pour venir en contact avec la structure 132 de manière à induire une onde de clivage qui se propage à travers l'interface détachable 106. Dans certains modes de réalisation, une encoche peut être formée dans la surface latérale de la structure 132 de la figure 4, et la lame du mécanisme de coupe peut être insérée dans l'encoche avec force pour induire une onde de clivage le long de l'interface détachable 106 entre le substrat récupérable 102 et la couche de matériau 104. [0050] Comme montré sur la figure 5, après avoir séparé le substrat récupérable 102 de la couche de matériau 104, une surface de fracture 140 de la structure 138 peut être relativement grossière, et, dans certains modes de réalisation, peut comprendre un matériau intermédiaire résiduel 107. Ainsi, la surface de fracture 140 peut être nettoyée et/ou lissée, comme cela est souhaitable. Par exemple, l'un ou plusieurs d'un processus de gravure, d'un processus de rectification et d'un processus de polissage (par exemple, un processus de polissage chimico-mécanique (CMP)) peuvent être utilisés pour lisser la surface de fracture 140. Après avoir lissé la surface de fracture 140, un traitement de nettoyage standard peut être utilisé pour retirer tout le matériau non souhaité restant sur celle-ci. [0051] Comme montré sur la figure 6, une couche de redistribution 144 optionnelle peut être formée sur la couche de matériau 104 d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support 130 13 pour former la structure 146 de la figure 6. Comme décrit précédemment, les emplacements et le motif des trous d'interconnexion conducteurs 110 peuvent ne pas être complémentaires des caractéristiques de contacts électriques d'une autre structure ou d'un autre dispositif à coupler à ceux-ci. Ainsi, la couche de redistribution 144, comme la couche de redistribution 118, peut être utilisée pour redistribuer le motif de contacts électriques. La couche de redistribution 144 peut comprendre l'un ou plusieurs de trous d'interconnexion conducteurs 150, s'étendant verticalement, de pistes conductrices 152 s'étendant latéralement, et de pastilles de contact conductrices 154. Les trous d'interconnexion 150 et les pistes 152 conducteurs peuvent être utilisés pour redistribuer le motif des trous d'interconnexion conducteurs 110 de la couche de matériau 104 en un motif différent d'un côté opposé de la couche de redistribution 144 par rapport à la couche de matériau 104. La couche de redistribution 144 peut être formée dans un processus lithographique couche par couche en utilisant des techniques connues dans l'art. [0052] En faisant référence à la figure 7, les contacts électriques 160 peuvent être formés sur la couche de matériau 104 d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support 130 pour former la structure 162 de la figure 7. Les contacts électriques 160 communiquent électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs 110. Dans les modes de réalisation dans lesquels la structure 162 comprend la couche de redistribution 144 optionnelle, les contacts électriques 160 communiquent électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs 110 par l'intermédiaire des trous d'interconnexion conducteurs 150, des pistes 152 et des pastilles 154 de la couche de redistribution 144. Dans les modes de réalisation qui ne comprennent pas la couche de redistribution 144 optionnelle, les contacts électriques 160 peuvent être formés directement sur les trous d'interconnexion conducteurs 110 de manière à établir une communication électrique directe avec les trous d'interconnexion conducteurs 110. [0053] Divers types de contacts électriques 160 sont connus dans l'art et peuvent être utilisés dans des modes de réalisation de la présente invention. En tant qu'exemple non limitatif, les contacts électriques 160 peuvent comprendre des bossages conducteurs formés sur la couche de matériau 104. Comme cela est connu dans l'art, un matériau diélectrique 164 peut être prévu sur la couche de matériau 104, et une ouverture peut être formée à travers le matériau diélectrique 164 à des emplacements auxquels on souhaite former les bossages conducteurs. Des processus dits de « métallurgie sous bossage » peuvent ensuite être utilisés pour déposer une ou plusieurs couches de 14 métal conducteur 166 dans les ouvertures. Les bossages conducteurs peuvent ensuite être formés sur le métal conducteur 166 déposé dans les ouvertures s'étendant à travers le matériau diélectrique 164. [0054] Ainsi, comme décrit ci-dessus, un dispositif d'interposition 170 est formé, lequel comprend la couche de matériau 104 comportant les trous d'interconnexion conducteurs 110 (par exemple, des trous d'interconnexion à travers une tranche semi-conductrice (TWV)) s'étendant à travers la couche de matériau 104. Le dispositif d'interposition 170 peut également comprendre une couche de redistribution 118 optionnelle d'un premier côté de la couche de matériau 104, et/ou une couche de redistribution 144 optionnelle d'un deuxième côté opposé de la couche de matériau 104. Dans l'état de la figure 7, sur laquelle le dispositif d'interposition 170 reste temporairement collé au substrat de support 130, le dispositif d'interposition 170 peut comprendre des contacts électriques 160 sur la couche de matériau 104 d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support 130. Des contacts électriques supplémentaires peuvent être formés par la suite sur le dispositif d'interposition 170 du côté opposé de la couche de matériau 104 après avoir détaché le substrat de support 130 du dispositif d'interposition 170, comme examiné davantage ci-dessous. [0055] En faisant référence à la figure 8, avant de retirer le substrat de support 130 de la couche de matériau 104, les caractéristiques conductrices 171 d'une première structure ou d'un premier dispositif, tel qu'un dispositif à circuit intégré 172, peuvent être couplées structurellement et électriquement aux contacts électriques 160 du dispositif d'interposition 170 pour former la structure 174 de la figure 8. Le dispositif à circuit intégré 172 peut être sélectionné pour qu'il comprenne l'un ou plusieurs d'un processeur de signal électronique, d'un dispositif de mémorisation et d'un dispositif photoactif (par exemple, des dispositifs d'émission de lumière (DEL), une diode laser, une cellule photoélectrique, un photodétecteur, etc.). [0056] Comme montré sur la figure 9, le substrat de support 130 peut ensuite être séparé de la couche de matériau 104 pour former la structure 176, qui comprend le dispositif d'interposition 170 et le dispositif à circuit intégré 172. Après avoir retiré le substrat de support 130, la structure 176 de la figure 9 peut être couplée structurellement et électriquement aux caractéristiques conductrices 180 d'une autre structure ou d'un autre dispositif 182 pour former la structure 184 de la figure 10. L'autre structure ou l'autre dispositif 182 peut comprendre, par exemple, un autre dispositif à circuit intégré tel que l'un quelconque de ceux mentionnés précédemment ici, une carte de circuit imprimé, etc. Ainsi, un contact électrique est établi entre les trous d'interconnexion conducteurs 110 de la couche de matériau 104 du dispositif d'interposition 170 et les 15 caractéristiques conductrices 180 de la structure ou du dispositif 182. En outre, un contact électrique est établi entre le dispositif à circuit intégré 172 et la structure ou le dispositif 182 à travers les trous d'interconnexion conducteurs 110 de la couche de matériau 104 du dispositif d'interposition 170, qui est interposé entre le dispositif à circuit intégré 172 et la structure ou le dispositif 182. [0057] Diverses techniques connues dans l'art peuvent être utilisées pour coupler structurellement et électriquement la structure 176 de la figure 9 aux caractéristiques conductrices 180 de la structure ou du dispositif 182. En tant qu'exemple non limitatif, les bossages conducteurs 186 peuvent être formés sur les caractéristiques conductrices 180, ou sur les caractéristiques conductrices complémentaires du dispositif d'interposition 170, telles que les extrémités exposées des trous d'interconnexion conducteurs 110 (si le dispositif d'interposition ne comprend pas la couche de redistribution 144 optionnelle), ou les pastilles conductrices 154 de la couche de redistribution 144 optionnelle. En tant qu'exemple non limitatif, les bossages conducteurs 186 peuvent être formés sur la couche de matériau 104 en utilisant des techniques similaires à celles décrites ci-dessus en relation avec les contacts électriques 160. Dans des modes de réalisation supplémentaires, des bossages conducteurs peuvent être formés sur les caractéristiques conductrices 180 de la structure ou du dispositif 182. [0058] En utilisant des techniques décrites ici, de nombreux dispositifs d'interposition 170 peuvent être fabriqués avec les trous d'interconnexion conducteurs 110 fabriqués en un motif générique commun, bien que les dispositifs d'interposition 170 puissent être destinés à une utilisation avec un certain nombre de structures et de dispositifs différents ayant des motifs de caractéristiques de contact variables. Les couches de redistribution 118, 144 peuvent être configurées et fabriquées différemment pour les différents sous-ensembles des dispositifs d'interposition 170 de manière à personnaliser les différents sous-ensembles pour une utilisation avec les structures et dispositifs différents. [0059] Des modes de réalisation de la présente invention non limitatifs supplémentaires sont exposés ci-dessous. [0060] Mode de réalisation 1 : un procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs comprenant un dispositif d'interposition, consistant à : former des trous d'interconnexion conducteurs à travers une couche de matériau sur un substrat récupérable ; coller un substrat de support à la couche de matériau d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable ; séparer le substrat récupérable de la couche de matériau pour récupérer le substrat récupérable ; et 16 former des contacts électriques sur la couche de matériau d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support, les contacts électriques communiquant électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs. [0061] Mode de réalisation 2 : le procédé selon le mode de réalisation 1, consistant en outre à sélectionner la couche de matériau pour qu'elle ait une épaisseur de couche moyenne d'environ cent microns (100 iim) ou moins. [0062] Mode de réalisation 3 : le procédé selon le mode de réalisation 2, consistant en outre à sélectionner la couche de matériau pour qu'elle ait une épaisseur de couche moyenne entre environ quinze nanomètres (15 nm) et environ cent microns (100 gin). [0063] Mode de réalisation 4 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 3, consistant en outre à sélectionner la couche de matériau pour qu'elle comprenne un matériau semi-conducteur. [0064] Mode de réalisation 5 : le procédé selon le mode de réalisation 4, consistant en outre à sélectionner la couche de matériau pour qu'elle comprenne au moins l'un du silicium, du germanium et d'un matériau semi-conducteur des groupes III-V. [0065] Mode de réalisation 6 : le procédé selon le mode de réalisation 5, consistant en outre à sélectionner la couche de matériau pour qu'elle comprenne du silicium. [0066] Mode de réalisation 7 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 6, dans lequel la formation des trous d'interconnexion conducteurs à travers la couche de matériau sur le substrat récupérable consiste à former les trous d'interconnexion conducteurs à travers une couche de matériau semi-conducteur d'une structure semi-conducteur-sur-isolant (Se0I), la structure Se0I comprenant une base comprenant le substrat récupérable et une couche isolante entre la base et la couche de matériau semi-conducteur. [0067] Mode de réalisation 8 : le procédé selon le mode de réalisation 7, dans lequel la base comprend un matériau présentant un coefficient de dilatation thermique correspondant étroitement à un coefficient de dilatation thermique présenté par la couche de matériau semiconducteur. [0068] Mode de réalisation 9 : le procédé selon le mode de réalisation 7 ou le mode de réalisation 8, dans lequel la séparation du substrat récupérable du matériau pour récupérer le substrat récupérable consiste à séparer la couche de matériau semi-conducteur de la base le long de la couche isolante. 17 [0069] Mode de réalisation 10 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 9, consistant en outre à former les trous d'interconnexion conducteurs pour qu'ils aient des rapports d'aspect d'environ 2,5 ou moins. [0070] Mode de réalisation 11 : le procédé selon le mode de réalisation 10, consistant en outre à former les trous d'interconnexion conducteurs pour qu'ils aient des rapports d'aspect d'environ 1,6 ou moins. [0071] Mode de réalisation 12 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 11, consistant en outre à former une interface détachable entre le substrat récupérable et la couche de matériau avant de séparer le substrat récupérable de la couche de matériau pour récupérer le substrat récupérable, l'interface détachable comprenant une liaison d'une résistance mécanique contrôlée entre la couche de matériau et le substrat récupérable. [0072] Mode de réalisation 13 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 12, consistant en outre à former une couche de redistribution sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat récupérable avant la liaison du substrat de support à la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat récupérable. [0073] Mode de réalisation 14 : le procédé selon le mode de réalisation 13, consistant en outre à former une autre couche de redistribution sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat de support avant de former des contacts électriques sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat de support, les contacts électriques communiquant électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs à travers l'autre couche de redistribution. [0074] Mode de réalisation 15 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 12, consistant en outre à former une autre couche de redistribution sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat de support avant de former des contacts électriques sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat de support, les contacts électriques communiquant électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs à travers l'autre couche de redistribution. [0075] Mode de réalisation 16 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 15, dans lequel la formation des contacts électriques sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat de support consiste à former des bossages conducteurs sur la couche de matériau. 18 [0076] Mode de réalisation 17 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 16, consistant en outre à coupler structurellement et électriquement les caractéristiques conductrices d'un dispositif à circuit intégré aux contacts électriques. [0077] Mode de réalisation 18 : le procédé selon le mode de réalisation 17, consistant en outre à sélectionner le dispositif à circuit intégré pour qu'il comprenne au moins l'un d'un processeur de signal électronique, d'un dispositif de mémorisation et d'un dispositif photoactif. [0078] Mode de réalisation 19 : le procédé selon le mode de réalisation 17 ou le mode de réalisation 18, consistant en outre à établir un contact électrique entre les trous d'interconnexion conducteurs et les caractéristiques conductrices d'une structure ou d'un dispositif d'un côté de la couche de matériau opposé au dispositif à circuit intégré, la couche de matériau et les trous d'interconnexion conducteurs étant interposés entre le dispositif à circuit intégré et l'autre structure ou l'autre dispositif. [0079] Mode de réalisation 20 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 19, consistant en outre à séparer le substrat de support de la couche de matériau. [0080] Mode de réalisation 21 : une structure intermédiaire formée pendant la fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, la structure intermédiaire comprenant : une couche semiconductrice collée à un substrat récupérable avec une interface détachable de résistance mécanique contrôlée entre la couche semi-conductrice et le substrat récupérable ; des trous d'interconnexion conducteurs s'étendant à travers la couche semi-conductrice ; et un substrat de support collé à la couche semi-conductrice d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable. [0081] Mode de réalisation 22 : la structure intermédiaire du mode de réalisation 21, dans laquelle la couche semi-conductrice a une épaisseur de couche moyenne entre environ quinze nanomètres (15 nm) et environ cent microns (100 iam). [0082] Mode de réalisation 23 : la structure intermédiaire du mode de réalisation 21 ou du mode de réalisation 22, dans laquelle la couche semi-conductrice comprend du silicium. [0083] Mode de réalisation 24 : la structure intermédiaire de l'un quelconque des modes de réalisation 21 à 23, dans laquelle les trous d'interconnexion conducteurs ont des rapports d'aspect d'environ 2,5 ou moins. [0084] Mode de réalisation 25 : la structure intermédiaire de l'un quelconque des modes de réalisation 21 à 24, comprenant en outre une couche de redistribution sur la couche semiconductrice entre le substrat de support et la couche semi-conductrice. 19 [0085] Mode de réalisation 26 : un procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs comprenant un dispositif d'interposition, consistant à : former une interface détachable entre une couche semi-conductrice et un substrat récupérable, l'interface détachable ayant un niveau contrôlé de résistance mécanique entre la couche semi-conductrice et le substrat récupérable ; former des trous d'interconnexion conducteurs à travers la couche semi-conductrice sur le substrat récupérable ; coller un substrat de support à la couche semi-conductrice d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable ; séparer le substrat récupérable de la couche semi-conductrice pour récupérer le substrat récupérable ; et former des contacts électriques sur la couche semi-conductrice d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support, les contacts électriques communiquant électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs. [0086] Mode de réalisation 27 : le procédé selon le mode de réalisation 26, consistant en outre à sélectionner la couche semi-conductrice pour qu'elle ait une épaisseur de couche moyenne entre environ quinze nanomètres (15 nm) et environ cent microns (100 jam). [0087] Mode de réalisation 28 : le procédé selon le mode de réalisation 26 ou le mode de réalisation 27, consistant en outre à sélectionner la couche semi-conductrice pour qu'elle comprenne du silicium. [0088] Mode de réalisation 29 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 28, consistant en outre à former les trous d'interconnexion conducteurs pour qu'ils aient des rapports d'aspect d'environ 2,5 ou moins. [0089] Mode de réalisation 30 : le procédé selon le mode de réalisation 29, consistant en outre à former les trous d'interconnexion conducteurs pour qu'ils aient des rapports d'aspect d'environ 1,6 ou moins. [0090] Mode de réalisation 31 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 30, consistant en outre à former une couche de redistribution sur la couche semi-conductrice du côté de celle-ci opposé au substrat récupérable avant de coller le substrat de support à la couche semi-conductrice du côté de celle-ci opposé au substrat récupérable. [0091] Mode de réalisation 32 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 31, consistant en outre à former une couche de redistribution sur la couche semi-conductrice du côté de celle-ci opposé au substrat de support avant de former des contacts électriques sur la couche semi-conductrice du côté de celle-ci opposé au substrat de support, les contacts électriques 20 communiquant électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs à travers la couche de redistribution. [0092] Mode de réalisation 33 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 26 à 32, consistant en outre à : coupler structurellement et électriquement les caractéristiques conductrices d'un dispositif à circuit intégré aux contacts électriques ; et séparer le substrat de support de la couche semi-conductrice. [0093] Mode de réalisation 34 : le procédé selon le mode de réalisation 33, consistant en outre à sélectionner le dispositif à circuit intégré pour qu'il comprenne au moins l'un d'un processeur de signal électronique, d'un dispositif de mémorisation et d'un dispositif photoactif. 100941 Mode de réalisation 35 : le procédé selon le mode de réalisation 33 ou le mode de réalisation 34, consistant en outre à établir un contact électrique entre les trous d'interconnexion conducteurs et les caractéristiques conductrices d'une autre structure ou d'un autre dispositif d'un côté de la couche semi-conductrice opposé au dispositif à circuit intégré, la couche semi-conductrice et les trous d'interconnexion conducteurs étant interposés entre le dispositif à circuit intégré et l'autre structure ou l'autre dispositif. 21 REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs comprenant un dispositif d'interposition, consistant à : former des trous d'interconnexion conducteurs à travers une couche de matériau sur un substrat récupérable ; coller un substrat de support à la couche de matériau d'un côté de celle-ci opposé au substrat récupérable ; séparer le substrat récupérable de la couche de matériau pour récupérer le substrat récupérable ; et former des contacts électriques sur la couche de matériau d'un côté de celle-ci opposé au substrat de support, les contacts électriques communiquant électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs. 2. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à sélectionner la couche de matériau pour qu'elle ait une épaisseur de couche moyenne d'environ cent microns (100 gm) ou moins. 3. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à sélectionner la couche de matériau pour qu'elle comprenne un matériau semi-conducteur et sélectionner le matériau semiconducteur pour qu'il comprenne au moins un matériau parmi du silicium, du germanium et d'un matériau semi-conducteur des groupes III-V. 4. Procédé selon la revendication 3, consistant en outre à sélectionner la couche de matériau pour qu'elle comprenne du silicium. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de trous d'interconnexion conducteurs à travers la couche de matériau sur le substrat récupérable consiste à former les trous d'interconnexion conducteurs à travers une couche de matériau semi-conducteur d'une structure semi-conducteur-sur-isolant (Se0I), la structure Se0I comprenant une base 22comprenant le substrat récupérable et une couche isolante entre la base et la couche de matériau semi-conducteur. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la base comprend un matériau présentant un coefficient de dilatation thermique correspondant étroitement à un coefficient de dilatation thermique présenté par la couche de matériau semi-conducteur. 7. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la séparation du substrat récupérable du matériau pour récupérer le substrat récupérable consiste à séparer la couche de matériau semiconducteur de la base le long de la couche isolante. 8. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à former les trous d'interconnexion conducteurs pour qu'ils aient des rapports d'aspect d'environ 2,5 ou moins. 9. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à former une interface détachable entre le substrat récupérable et la couche de matériau avant de séparer le substrat récupérable de la couche de matériau pour récupérer le substrat récupérable, l'interface détachable comprenant une liaison de résistance mécanique contrôlée entre la couche de matériau et le substrat récupérable. 10. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à former une couche de redistribution sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat récupérable avant de coller le substrat de support à la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat récupérable. 11. Procédé selon la revendication 10, consistant en outre à former une autre couche de redistribution sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat de support avant de former des contacts électriques sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat 23de support, les contacts électriques communiquant électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs à travers l'autre couche de redistribution. 12. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à former une couche de redistribution sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat de support avant de former des contacts électriques sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat de support, les contacts électriques communiquant électriquement avec les trous d'interconnexion conducteurs à travers la couche de redistribution. 13. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de contacts électriques sur la couche de matériau du côté de celle-ci opposé au substrat de support consiste à former des bossages conducteurs sur la couche de matériau. 14. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à coupler structurellement et électriquement les caractéristiques conductrices d'un dispositif à circuit intégré aux contacts électriques et sélectionner le dispositif à circuit intégré pour qu'il comprenne au moins l'un d'un processeur de signal électronique, d'un dispositif de mémorisation et d'un dispositif photoactif. 15. Procédé selon la revendication 14, consistant en outre à séparer le substrat de support de la couche de matériau. 16. Procédé selon la revendication 15, consistant en outre à établir un contact électrique entre les trous d'interconnexion conducteurs et les caractéristiques conductrices d'une autre structure ou d'un autre dispositif d'un côté de la couche de matériau opposé au dispositif à circuit intégré, la couche de matériau et les trous d'interconnexion conducteurs étant interposés entre le dispositif à circuit intégré et l'autre structure ou l'autre dispositif. 24