FR 2985601 A1 20130712 FR 1250162 A 20120106 PA78534FR Procédé de fabrication d'un substrat et structure semiconducteur L'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un substrat et à une structure semi-conductrice. L'invention se rapporte aussi à un procédé de transfert d'une couche d'un substrat donneur vers un substrat récepteur. Les transferts de couches fines entre substrats semi-conducteurs utilisant des approches de collage de l'état de l'art, comme la technologie Smart Cut (marque déposée) ou d'autres techniques de collage moléculaire, nécessitent que les plaquettes ou les substrats semi-conducteurs devant être collés aient une faible rugosité de surface. Par exemple, EP 1 338 030 B1 divulgue des méthodes de formation d'une couche fine sur un support épais, qui peuvent impliquer une première étape de transfert utilisant la technologie Smart Cut (marque déposée) d'une couche mince. La qualité de surface requise pour les techniques de collage moléculaire est obtenue par d'importants procédés de polissage dans le but de préparer les substrats avant que les étapes de collage ne puissent être réalisées. Par conséquent, il existe un besoin de techniques de transfert de couches améliorées. En particulier, il existe un besoin de techniques de collage alternatives dans l'industrie des semi-conducteurs. Cet objectif est atteint avec le procédé inventif de fabrication d'un substrat comprenant les étapes consistant à fournir un substrat donneur avec au moins une surface libre, réaliser une implantation ionique à une profondeur prédéterminée du substrat donneur afin de former une zone de clivage prédéterminée en profondeur à l'intérieur du substrat donneur, et fournir une couche d'un adhésif, en particulier une pâte adhésive, par-dessus l'au moins une surface libre du substrat donneur. Étonnamment, il a été établi que ce procédé fournit des résultats convaincants avec des matériaux semi-conducteurs, étant donné qu'aucun polissage n'est requis avant d'appliquer la couche d'adhésif. Ainsi, une couche d'ions peut être implantée au sein d'un substrat donneur, et le substrat peut être fixé à ou avec la couche d'adhésif. Le procédé inventif peut donc être utilisé avantageusement pour la production de masse de substrats semi-conducteurs et/ou de structures semi-conductrices bon marchés. Sans PA78534FR être restreint à ce qui suit, le substrat peut être un semi-conducteur, par exemple une plaquette de semi-conducteur, un substrat semi-conducteur, un substrat semiconducteur recyclé, ou même une structure semi-conductrice. Suivant les conditions, si une couche d'un oxyde naturel est formée sur la surface du substrat donneur ou si une autre sorte de couche d'oxyde est fournie sur la surface du substrat donneur, une structure substrat-sur-isolant peut être formée en utilisant le procédé inventif. Lorsque le substrat est un semi-conducteur, un semi-conducteur-surisolant peut donc être fabriqué en utilisant le procédé inventif. Selon une variante d'un mode de réalisation préféré, le procédé inventif peut comprendre en outre les étapes consistant à fournir un substrat de manipulation avec au moins une surface libre, et à fixer le substrat donneur au substrat de manipulation de sorte que la couche d'adhésif soit fournie entre l'au moins une surface libre du substrat donneur et l'au moins une surface libre du substrat de manipulation. Un avantage du procédé inventif est que les surfaces principales ou les faces principales par lesquelles les substrats donneur et de manipulation sont fixés l'un à l'autre au moyen de la couche d'adhésif ne nécessitent pas d'étape de polissage avant l'étape de fixation, ni aucune autre étape de préparation de surface dans le but de fournir une surface prête pour une adhésion moléculaire. Le procédé inventif est donc particulièrement avantageux s'il est utilisé dans le contexte du transfert de couches de matériaux semi-conducteurs. De plus, le matériau adhésif peut être choisi de manière à supporter de très hautes températures (jusqu'à environ 1200 °C), ce qui n'est pas le cas pour les couches de liaison typiques comportant un oxyde connues de l'état de l'art. De préférence, l'adhésif peut être un matériau à base de céramique et/ou à base de graphite et/ou à base de métal. De tels adhésifs sont typiquement meilleur marché que des techniques de polissage suivies de techniques de collage moléculaire connues dans l'état de l'art, mais sont toutefois compatibles avec un milieu de fabrication de semi-conducteurs. Certains matériaux à base de céramique et/ou à base de graphite et/ou à base de métal peuvent être fournis en tant que systèmes à un ou à deux composants, et peuvent être mélangés avec de l'eau et/ou des systèmes liants spéciaux dans le but d'améliorer les propriétés PA78534FR de l'adhésif. D'autres résultats améliorés peuvent être obtenus en utilisant des matériaux à base de céramique et/ou à base de graphite et/ou à base de métal dans le contexte des technologies semi-conductrices. D'avantage de préférence, l'adhésif peut être à base d'au moins l'un parmi de l'oxyde d'aluminium, du nitrure d'aluminium, de l'oxyde de magnésium, du dioxyde de silicium, du carbure de silicium, de l'oxyde de zirconium, du silicate de zirconium, du graphite, du cuivre, et de l'argent. Les matériaux à base de céramique et/ou à base de graphite et/ou à base de métal offrent une large plage de propriétés physiques et chimiques. La sélection de tels matériaux peut être optimisée en fonction des propriétés requises vis-à-vis des températures, de la conductivité thermique, et de la rigidité diélectrique et mécanique. De préférence, l'adhésif peut être fourni par-dessus toute l'au moins une surface libre du substrat donneur et/ou par-dessus toute l'au moins une surface libre du substrat de manipulation. De cette façon, avec ou sans le substrat de manipulation, l'adhésif fournira une rigidité suffisante au niveau de toute la surface du substrat. Dans une autre variante d'un mode de réalisation préféré, le procédé inventif peut comprendre en outre l'étape consistant à fournir un moule de sorte que la couche d'adhésif soit fournie avec une géométrie prédéterminée, en particulier avec une géométrie correspondant à celle de l'au moins une surface libre du substrat donneur et/ou à celle de l'au moins une surface libre du substrat de manipulation. L'utilisation d'un moule est avantageuse étant donné que le moule va contraindre la géométrie de l'adhésif à une forme prédéterminée désirée. Une variété de moules peut être fabriquée, utilisée et/ou adaptée à des besoins spécifiques. Par exemple, des composés à base de silicone ou des moules en caoutchouc de silicone peuvent être utilisés efficacement avec un adhésif à base de céramique étant donné que, typiquement, ils ne collent pas à l'adhésif et peuvent donc être enlevés facilement après le procédé de fabrication. PA78534FR De préférence, le procédé inventif peut comprendre en outre l'étape consistant à réaliser au moins un recuit à une température inférieure à la température nécessaire pour un détachement au niveau de la zone de clivage prédéterminée en profondeur. Selon le matériau choisi pour l'adhésif, au moins une étape de recuit peut être nécessaire dans le but de densifier la couche d'adhésif de sorte à ce qu'elle atteigne ses propriétés optimisées désirées par rapport aux substrats donneur et/ou de manipulation. Cependant, dans le but d'empêcher une initialisation involontaire de l'étape de détachement avant la densification de la couche d'adhésif, l'au moins une étape de recuit est réalisée à des températures inférieures à celles qui sont requises pour un détachement au niveau de la zone de clivage en profondeur à l'intérieur du substrat. Un tel recuit aura donc l'avantage de dégazer de l'eau et/ou des solvants organiques de la pâte d'adhésif tout en maintenant le substrat donneur et sa couche affaiblie en profondeur substantiellement intacts. Par exemple, au moins un recuit est nécessaire lors de l'utilisation de systèmes à un ou deux composants de composés à base de céramique. De préférence, le procédé inventif peut comprendre en outre l'étape consistant à enlever le moule après l'étape de recuit. Lorsqu'un moule est utilisé, le moule peut avantageusement être gardé pendant l'étape de recuit jusqu'à ce que l'adhésif atteigne une densité appropriée. Le moule peut toutefois être enlevé avant ou après le détachement d'une couche du substrat donneur, avec l'avantage d'être réutilisable dans un procédé ultérieur. Par exemple, les moules en caoutchouc de silicone peuvent être recyclés et/ou réutilisés avantageusement lorsqu'ils sont utilisés avec un adhésif à base de céramique, étant donné qu'ils ne collent typiquement pas à de tels adhésifs. De préférence, le procédé inventif peut comprendre en outre l'étape consistant à détacher un reste du substrat donneur au niveau de la zone de clivage prédéterminée en profondeur. Une couche du substrat donneur initial peut donc être transférée sur la couche d'adhésif. Suivant le mode de réalisation préféré, une couche du substrat donneur peut être transférée pour former une structure semi-conductrice selon l'invention. PA78534FR De préférence, le procédé inventif peut comprendre en outre l'étape consistant à réutiliser le reste du substrat donneur en tant que nouveau substrat donneur. Étant donné que le procédé inventif ne nécessite pas de polissage de la surface par-dessus laquelle la couche d'adhésif va être attachée, le reste du substrat donneur pourrait immédiatement être réutilisé ou recyclé en tant que nouveau substrat donneur dans un procédé ultérieur de transfert de couche, réduisant ainsi le nombre d'étapes de procédé. Avantageusement, la couche d'adhésif peut avoir une épaisseur d'au moins 0,1 pm. Dans le cas du transfert d'une couche mince d'un matériau semi-conducteur pas assez épaisse pour assurer seule sa stabilité mécanique, la couche d'adhésif peut fournir l'épaisseur nécessaire pour assurer la stabilité mécanique de la couche mince transférée. Lorsqu'aucun substrat de manipulation n'est utilisé, la stabilité mécanique d'une couche mince transférée peut être fournie avec une couche d'adhésif ayant une épaisseur d'environ 20 lm à 1 mm. Cependant, lorsque l'adhésif est utilisé en tant que couche de liaison entre le substrat donneur et le substrat de manipulation, une épaisseur d'environ 0,1 i.tm à 10 pm peut être suffisante. L'objectif est aussi atteint avec la structure semi-conductrice inventive comprenant une couche semi-conductrice et une couche d'un adhésif à base de 25 céramique et/ou à base de graphite et/ou à base de métal fournie par-dessus une face principale de la couche semi-conductrice. L'invention peut être optimisée pour des applications dans le domaine des semiconducteurs. Une structure semi-conductrice selon l'invention peut donc être produite 30 pour un faible coût et peut être utilisée pour une variété d'applications dans le domaine des semi-conducteurs sans limiter la qualité de la couche semi-conductrice d'intérêt. Les adhésifs à base de céramique et/ou à base de graphite et/ou à base de métal ont l'avantage d'être compatibles avec un milieu de fabrication de semi-conducteurs. PA78534FR Selon une variante d'un mode de réalisation préféré, la structure semiconductrice inventive peut comprendre en outre une couche isolante entre la couche semi-conductrice et la couche d'adhésif. L'invention fournit donc aussi des structures semi-conducteur-sur-isolant bon marché pouvant être utilisées dans différentes applications du domaine des semi-conducteurs. Selon une autre variante d'un mode de réalisation préférée, la structure semiconductrice inventive peut comprendre en outre un substrat attaché à l'adhésif par une surface de fixation de sorte à ce que l'adhésif soit fourni entre la face principale de la couche semi-conductrice et la surface de fixation du substrat. Un autre avantage de l'invention est donc la production bon marché de structures semi-conductrices comprenant aussi au moins un autre substrat et qui peuvent être appliquées à de nombreux domaines impliquant des technologies semi-conductrices. Avantageusement, l'adhésif de la structure inventive peut comprendre au moins l'un parmi un oxyde d'aluminium, un nitrure d'aluminium, un oxyde de magnésium, un dioxyde de silicium, un carbure de silicium, un oxyde de zirconium, un silicate de zirconium, du graphite, du cuivre, et de l'argent. La structure semi-conductrice inventive peut donc être adaptée spécifiquement à une utilisation particulière en fonction de ses propriétés relatives à la température, la conductivité thermique, et la rigidité diélectrique et mécanique. De préférence, l'adhésif de la structure semi-conductrice inventive peut être fourni sur toute la surface de la face principale de la couche semi-conductrice et/ou toute la surface de fixation du substrat. Une structure inventive, avec ou sans substrat, est donc pourvue d'assez de rigidité sur toute la zone de la couche semi-conductrice. D'avantage de préférence, la couche d'adhésif de la structure semi-conductrice inventive peut avoir une épaisseur d'au moins 20 pm et jusqu'à 1 mm lorsqu'aucun substrat n'est utilisé. En alternative, la couche d'adhésif de la structure semi-conductrice inventive peut avoir une épaisseur d'au moins 0,1 jim et jusqu'à 10 pm lorsque la couche d'adhésif est fournie entre la face principale de la couche semi-conductrice et la surface de fixation du 35 substrat. PA78534FR La structure semi-conductrice inventive a donc l'avantage que la couche semi- conductrice est pourvue d'assez de stabilité mécanique, peu importe son épaisseur. Des modes de réalisation préférés de la présente invention peuvent être combinés dans le but d'obtenir d'autres modes de réalisation. L'invention sera décrite plus en détail dans ce qui suit, en se fondant sur des modes de réalisation avantageux décrits en combinaison avec les figures suivantes : figure 1A illustrant schématiquement un premier mode de réalisation du procédé inventif ; figure 1B illustrant schématiquement une variante du produit du premier mode de réalisation ; figure 2 illustrant schématiquement un deuxième mode de réalisation du procédé inventif ; figure 3A illustrant schématiquement un troisième mode de réalisation du procédé inventif ; figure 3B illustrant schématiquement une variante du produit du troisième mode de réalisation. Dans les divers modes de réalisation décrits dans ce qui suit et aux figures 1 à 3, les mêmes numéros de référence ont été utilisés pour des éléments identiques ou des éléments partageant des rôles similaires. La figure 1A illustre schématiquement un premier mode de réalisation du procédé inventif. Selon le procédé inventif, à l'étape S101 de la figure 1A, un premier substrat 1 est fourni. Dans le premier mode de réalisation, le substrat 1 est une plaquette de silicium. Le procédé inventif n'est cependant pas restreint au silicium ni aux substrats à base de silicium et peut être appliqué à d'autres matériaux, en particulier à tout autre semi-conducteur, par exemple du SiC ou du GaN, ou à tout autre matériau à base de semi-conducteurs. PA78534FR Suivant le procédé inventif, l'étape S102 de la figure 1A illustre une étape d'implantation ionique pour former une zone de clivage prédéterminée 2 à l'intérieur du substrat 1, à une profondeur prédéterminée d par rapport à l'une des surfaces principales 7 du substrat 1. La profondeur prédéterminée d est typiquement dans une plage d'environ 1 nm à quelques centaines de lm, en fonction de l'application. Selon un exemple pratique du premier mode de réalisation du procédé inventif, des ions H et/ou He sont implantés dans la plaquette de silicium 1. D'autres ions peuvent cependant être utilisés dans d'autres modes de réalisation. Selon le procédé inventif, l'étape S102 de la figure 1A est suivie par l'étape S103 consistant à fournir une couche d'un adhésif 4 par-dessus la surface principale 7 du substrat 1, formant ainsi une structure semi-conductrice intermédiaire 9. Selon une variante préférée du procédé inventif, l'adhésif est un matériau à base de céramique. Dans d'autres modes de réalisation du procédé inventif, l'adhésif pourrait toutefois être aussi un matériau à base de graphite et/ou à base de métal comprenant l'un parmi du graphite, cuivre et de l'argent. La pâte d'adhésif à base de céramique peut être à base d'un oxyde d'aluminium et/ou d'un nitrure d'aluminium et/ou d'un oxyde de magnésium et/ou d'un dioxyde de silicium et/ou d'un carbure de silicium et/ou d'un oxyde de zirconium et/ou d'un silicate de zirconium, en fonction de l'application finale désirée, en particulier en fonction des propriétés physiques et/ou chimiques du matériau choisi pour le substrat 1. Par exemple, les matériaux Ceramcast (marque déposée) d'Aremco Products, Inc. peuvent être adaptés à divers modes de réalisation du procédé inventif. De tels matériaux à base de céramique peuvent être fournis en tant que systèmes à un ou à deux composants. Les systèmes à un composant peuvent être mélangés avec de l'eau ou avec d'autres systèmes pour améliorer la résistance à l'humidité et peuvent être préparés à température ambiante en quelques heures, puis cuits et/ou recuits à des températures d'environ 90 °C à environ 150 °C en quelques heures afin de fournir des propriétés électriques et mécaniques optimales. Les systèmes à deux composants peuvent être mélangés avec de l'eau et/ou d'autres composants et ont des délais de préparation variables, et peuvent être recuits à des températures similaires, mais souvent dans des délais plus courts. En fonction du composant, certaines phases de recuit finales peuvent atteindre des températures d'environ 250 °C, mais ont l'avantage d'être plus rapides qu'à des températures plus basses. PA78534FR Selon une variante préférée, la couche d'adhésif 4 est déposée avec une épaisseur d'au moins 0,1 pm, de préférence entre 20 jam et 1 mm. Une fois que l'adhésif a durci, l'épaisseur de la couche d'adhésif 4 fournit la rigidité nécessaire requise pour la stabilité mécanique de la structure finale, comme il sera décrit dans les étapes suivantes du premier mode de réalisation. L'étape S103 est suivie par une ou plusieurs étapes de recuit. Dans un exemple pratique, le recuit est réalisé pendant environ 2 heures à une température d'environ 100 °C, qui est choisie, selon l'invention, de manière à être inférieure à la température nécessaire pour effectuer le détachement d'une couche du substrat 1 au niveau de la zone de clivage prédéterminée en profondeur 2 d'ions implantés. Selon une variante du procédé inventif, l'étape de recuit peut être suivie d'une deuxième étape de recuit d'environ 2 heures à une température d'environ 150 °C, également inférieure à la température de clivage de couche au niveau de la zone de clivage prédéterminée en profondeur 2. Dans d'autres variantes, en fonction du choix du matériau adhésif, au moins une étape de recuit pourrait être effectuée à température ambiante. L'au moins un recuit a l'effet avantageux de dégazer de l'eau et/ou des solvants organiques de la couche d'adhésif à base de céramique 4 sans toutefois affaiblir substantiellement pour autant la zone de clivage prédéterminée en profondeur 2 à l'intérieur du substrat 1. À l'étape S104 telle qu'illustrée à la figure 1B, un recuit final est effectué à une température plus élevée dans le but de détacher une couche du substrat 1 au niveau de la zone de clivage prédéterminée 2. Le recuit final est typiquement réalisé pendant 2 heures à une température d'environ 400 °C. La température du recuit final et sa durée peuvent cependant être adaptées en fonction des ions implantés et des propriétés du substrat. En résultat du procédé selon le premier mode de réalisation, une couche 1' du substrat 1 reste attachée à la couche d'adhésif 4, formant une structure semi-conductrice inventive 91. La couche 1' a une épaisseur d'environ 1 nm jusqu'à plusieurs centaines de gm, correspondant à la profondeur d de la zone de clivage prédéterminée en profondeur 2 formée par les ions implantés sous la surface principale 7 du substrat donneur initial 1. La couche d'adhésif 4 pourvoit à la rigidité de la structure semi- PA78534FR conductrice 91, en particulier elle pourvoit à la stabilité mécanique de la couche transférée 1'. Dans une autre variante, le reste 1" du substrat initial 1 peut être réutilisé ou recyclé en tant que nouveau substrat donneur dans une nouvelle étape S101 d'un procédé de transfert de couche ultérieur selon le procédé inventif. Étant donné qu'aucune qualité de surface particulière n'est requise pour la surface de fixation 7, il n'y a aucune obligation de polir la surface 7" du reste 1" avant sa réutilisation. Contrairement aux techniques de collage de couches ou de transfert de couches par adhésion moléculaire, qui nécessitent des surfaces de collage avec une rugosité très faible, et donc des étapes de polissage avant les étapes de collage de couches ou de transfert de couches, selon le procédé inventif, la qualité de surface d'une surface principale 7 du substrat 1 n'a pas besoin d'être assez bonne pour permettre un collage par forces moléculaires. Un avantage du procédé inventif est donc qu'une surface principale 7 du substrat 1 ne requiert pas d'étape de polissage préalable ni aucune autre étape de préparation de surface pour fournir une surface prête à une adhésion moléculaire. Un autre avantage est qu'un matériau adhésif est simple à fournir dans l'épaisseur requise, en particulier dans le but d'obtenir une stabilité mécanique désirée de la structure intermédiaire et/ou de la structure inventive finale. Selon la structure finale désirée, une couche 11 d'un oxyde naturel ou d'un diélectrique déposé, comme du SiO2 ou similaire, peut être présente sur ou par-dessus au moins la surface principale 7 du substrat 1 avant l'étape consistant à fournir la couche d'adhésif 4. Donc, en fonction des matériaux choisis pour la couche d'adhésif 4 et le substrat 1 et des conditions expérimentales, le produit du procédé inventif peut être une structure du type semi-conducteur-sur-isolant (soit SOI). Par exemple, dans la variante du produit final du premier mode de réalisation tel qu'illustré à la figure 1B, une structure silicium-sur-isolant 91' est obtenue, dans laquelle une couche d'un oxyde naturel 11 forme une couche isolante entre la couche semi-conductrice 1' et la couche d'adhésif 4. Un deuxième mode de réalisation de l'invention est illustré à la figure 2. Les étapes S201 et S202 du deuxième mode de réalisation représenté à la figure 2 correspondent aux étapes S101 et S102 des premier et deuxième modes de réalisation. Il est donc renvoyé à la description ci-dessus. Comme dans les premier et deuxième PA78534FR modes de réalisation, les matériaux utilisés pour le substrat donneur 1 et les ions implantés utilisés pour la zone de clivage prédéterminée en profondeur 2 sont uniquement utilisées à des propos illustratifs, et d'autres matériaux et/ou ions peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. Selon une variante avantageuse du procédé inventif, le deuxième mode de réalisation comprend en outre l'étape S203 illustrée à la figure 2 consistant à fournir un moule 3. Lors de l'utilisation de matériaux adhésifs à base de céramique, comme par exemple dans le premier mode de réalisation, des composés de moulage en à base de silicone, comme par exemple les moules en caoutchouc de silicone EZ-Cast (marque déposée), peuvent être adaptés à divers modes de réalisation de la présente invention. Un tel moule 3 fait à partir d'un composé de caoutchouc de silicone a l'avantage que la couche d'adhésif 4 déposée qui sera utilisée par la suite dans le procédé n'y adhère pas. Le moule 3 est coulé à partir d'un moule maître de sorte à comprendre un motif 6 avec une géométrie correspondant à la géométrie du substrat 1. Dans le deuxième mode de réalisation, étant donné que le substrat 1 est une plaquette de silicium, le motif 6 du moule 3 correspond donc à la géométrie d'une telle plaquette, en particulier la géométrie de la surface inférieure principale du motif 6 dans le moule 3 correspond à la géométrie de l'au moins une surface libre 7 du substrat 1, et la profondeur des parois latérales 10 du motif 6 peut être ajustée à la valeur désirée en fonction de l'épaisseur désirée de la couche d'adhésif 4. Comme illustré par l'étape S204 à la figure 2, dans le deuxième mode de réalisation, un adhésif tel que l'adhésif utilisé pour le premier mode de réalisation est appliqué sur toute la surface principale du motif 6 du moule 3 et remplit au moins partiellement une épaisseur prédéterminée du motif 6. Une couche d'adhésif 4 est donc formée avec une géométrie basée sur la géométrie du motif 6, en particulier avec une géométrie correspondant à celle de la surface principale 7 de la plaquette de silicium ou du substrat 1. Dans le deuxième mode de réalisation, la couche d'adhésif 4 a une épaisseur d'au moins 0,1 pm, de préférence de 20 pm à 1 mm, qui est inférieure ou égale à la profondeur des parois latérales 10 du motif 6 à l'intérieur du moule 3. Comme il peut être observé à la figure 2, l'étape S204 du deuxième mode de réalisation est suivie par l'étape S205 consistant à placer le substrat 1 avec la zone de PA78534FR clivage prédéterminée en profondeur 2 d'ions implantés sur ou dans le motif 6 du moule 3 de manière à ce que toute la surface 7 du substrat 1 soit en contact avec toute la surface de la couche d'adhésif 4 présente dans le motif 6. Dans le deuxième mode de réalisation, et tel qu'illustré à l'étape S205, la couche d'adhésif 4 couvre la surface principale du motif 6, mais ne remplit pas nécessairement l'épaisseur des parois latérales 10 du motif 6. Une partie des parois latérales du motif 6 peut donc chevaucher partiellement les parois latérales du substrat 1 de sorte qu'un alignement entre la forme du substrat 1 et de l'adhésif 4 soit réalisé. Selon une variante avantageuse du procédé inventif, le deuxième mode de réalisation comprend en outre une étape S206 après l'étape S205, tel qu'illustré à la figure 2. L'étape S206 comprend une première phase de recuit suivie d'une étape de recuit final ou de clivage, qui sont similaires à l'étape S104 du deuxième mode de réalisation, et présente des fonctions et avantages similaires. Il est donc renvoyé à la description ci-dessus. L'étape S207 du deuxième mode de réalisation consiste à enlever le moule 3 de sorte à ce que la structure inventive 92 soit obtenue. Le moule 3 peut être jeté ou bien recyclé ou réutilisé à l'étape S203. Dans le deuxième mode de réalisation, une couche 1' du substrat semi-conducteur initial 1 est donc transférée sur la couche d'adhésif à base de céramique 4, et un reste 1" du substrat initial 1 est détaché pendant l'étape de clivage dans le but d'obtenir la structure semi-conductrice finale 92. Dans d'autres modes de réalisation, le reste 1" du substrat donneur initial 1 peut être recyclé en tant que nouveau substrat donneur à l'étape S201, sans toutefois devoir nécessairement passer par une étape de polissage. Dans d'autres modes de réalisation, une couche isolante peut avoir été formée naturellement ou bien avoir été déposée au moins sur la surface 7 du substrat 1, de sorte qu'une couche de semi-conducteur-sur- isolant soit transférée sur la couche d'adhésif 4, de manière similaire à ce qui est illustré à la figure 1B pour le premier mode de réalisation. Dans le deuxième mode de réalisation, l'utilisation d'un moule 3 a l'avantage que la géométrie de la couche d'adhésif 4 déposée est contrainte et pourvoit la structure finale 92 d'assez de rigidité et de stabilité mécanique sur toute la surface 7 de la couche PA78534FR transférée 1'. De plus, le moule 3 du deuxième mode de réalisation a l'avantage que la couche d'adhésif 4 n'y colle pas de sorte que l'étape consistant à enlever le moule 3 ne coure pas le risque d'endommager la structure finale 92. Un autre avantage est qu'un tel moule 3 peut être réutilisé ou bien recyclé, ce qui peut éviter d'autres coûts de productions. La figure 3A illustre le procédé inventif dans un troisième mode de réalisation, comprenant les étapes S301 et S302 consistant à fournir un substrat donneur 1 et à implanter des ions dans le substrat 1 de manière à former une zone de clivage prédéterminée en profondeur 2. Les étapes S301 et S302 du troisième mode de réalisation sont similaires aux étapes S101 et S102 du premier mode de réalisation et aux étapes S201 et S202 du deuxième mode de réalisation. Il est donc renvoyé à la description ci-dessus. Comme dans les modes de réalisation précédents, les matériaux utilisés pour le substrat donneur 1 et les ions implantés utilisés pour la zone de clivage prédéterminée en profondeur 2 sont uniquement employés à des propos illustratifs, et d'autres matériaux et/ou ions peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. Tel qu'illustré à la figure 3A, le troisième mode de réalisation comprend en outre l'étape S303 consistant à fournir un deuxième type de moule 3'. Cette étape est similaire à l'étape S203 du deuxième mode de réalisation. Il est donc renvoyé à la description ci- dessus. Cependant, le motif 6' du moule 3' dans le troisième mode de réalisation est différent du motif 6 du moule 3 dans le deuxième mode de réalisation, étant donné que dans le troisième mode de réalisation le motif 6' s'étend à travers toute l'épaisseur du moule 3', formant un trou avec des parois latérales 10' dans le moule 3', le motif de la section principale 6' correspondant à la surface 7 du substrat donneur 1, par exemple la plaquette de silicium du premier mode de réalisation. Le troisième mode de réalisation comprend en outre l'étape S304. À cette étape, le substrat donneur 1 est placé au moins partiellement dans le motif 6' du moule 3', chevauchant les parois latérales 10' et laissant au moins une épaisseur prédéterminée du motif 6' pour l'application d'une couche d'adhésif 4. Les propriétés de cette couche d'adhésif 4 sont similaires à celles décrites dans les modes de réalisation précédents. Il est donc renvoyé à la description ci-dessus pour les détails. Dans le troisième mode de réalisation, la couche d'adhésif 4 couvre toute la surface 7 du substrat 1 et a une épaisseur d'au moins 0,1 de préférence de 0,1 µm à 10 ce qui ne remplit pas la PA78534FR partie restante du motif 6'. Dans d'autres modes de réalisation du procédé inventif, l'épaisseur de la couche d'adhésif 4 peut être plus importante, elle peut même être au moins égale à la profondeur des parois latérales 10'. Dans d'autres modes de réalisation, le moule 3' peut être placé par-dessus le substrat 1 de manière à ce qu'aucune paroi latérale 10' du motif 6' ne chevauche le substrat 1. Tous ces modes de réalisation peuvent être combinés afin de produire encore d'avantage de modes de réalisation. Ensuite, l'étape S305 consiste à fournir un deuxième substrat 5. Comme illustré à l'étape S305 de la figure 3A, le deuxième substrat 5 est attaché par l'une de ses surfaces libres, en particulier une surface de fixation 8, à la couche d'adhésif 4. Dans le troisième mode de réalisation, la géométrie du deuxième substrat 5 est telle que sa surface de fixation 8 correspond à la géométrie de la surface principale 7 du premier substrat 1, et l'épaisseur de la couche d'adhésif à base de céramique 4 est telle que le deuxième substrat 5 chevauche aussi partiellement les parois latérales 10' à l'intérieur du motif 6'. Selon le mode de réalisation, d'autres situations peuvent nécessiter que la géométrie de la surface de fixation 8 du deuxième substrat 5 soit différente que celle de la surface principale 7 du premier substrat 1, et/ou que le substrat soit placé sur le moule 3', en particulier par-dessus le motif 6', mais ne chevauche pas les parois latérales 10' du motif 6'. Dans le troisième mode de réalisation, le deuxième substrat 5 peut être une autre plaquette de semi-conducteur, par exemple comprenant du silicium et/ou du quartz et/ou tout autre semi-conducteur, ou un matériau à base de plastic, ou similaire, ou un matériau à base de céramique comme du nitrure d'aluminium ou similaire, ou un métal comme le molybdène ou similaire. En tant que variante, le deuxième substrat 5 pourrait être d'abord placé dans le moule 3' à l'étape S304 de sorte que l'adhésif 4 serait appliqué à la surface de fixation 8 du deuxième substrat 5 avant d'attacher le substrat 1 par sa surface principale 7 à la couche d'adhésif 4 à l'étape S305. À l'étape S306, selon d'autres variantes préférées du procédé inventif, le troisième mode de réalisation comprend en outre la réalisation d'étapes de recuit et de clivage qui sont similaires à l'étape S104 du deuxième mode de réalisation et à l'étape S206 du deuxième mode de réalisation, et présentent des fonctions et des avantages similaires. Il est donc renvoyé à la description ci-dessus. PA78534FR Après l'étape de clivage à S306, le reste 1" du substrat donneur initial 1, par exemple la plaquette de silicium du premier mode de réalisation, est enlevé et peut être réutilisé à l'étape S301 ou bien recyclé. Comme mentionné plus haut, aucune étape supplémentaire de polissage n'est nécessaire pour la réutilisation. Après l'étape S306, comme à l'étape S207 du deuxième mode de réalisation, l'étape S307 du troisième mode de réalisation tel qu'illustré à la figure 3A comprend aussi une étape consistant à enlever le moule 3', qui peut ensuite être recyclé, par exemple à l'étape S303 ou bien jeté. À l'étape S307 du troisième mode de réalisation tel qu'illustré à la figure 3A, une structure semi-conductrice finale 93 selon l'invention est obtenue. La structure semi-conductrice 93 comprend une couche mince de silicium 1' attachée à un substrat de manipulation 5 au moyen de la couche d'adhésif à base de céramique 4. Dans le troisième mode de réalisation, selon un aspect de l'invention, la géométrie de la couche d'adhésif 4 correspond à la géométrie de la couche mince 1' et/ou à celle du substrat de manipulation 5. En particulier, la couche d'adhésif 4 est déposée par-dessus toute la surface de fixation respective 7, 8 de la couche mince 1' ainsi que du deuxième substrat 5. De manière similaire au premier mode de réalisation, selon les conditions expérimentales et les besoins de l'utilisateur, un oxyde naturel peut avoir été formé ou bien une autre couche isolante 11 peut avoir été fournie par-dessus la surface 7 du substrat donneur initial 1 de sorte qu'une structure finale 93' soit obtenue comme illustré à la figure 3B. Le produit du procédé inventif selon le troisième mode de réalisation et ses variantes peut donc être une structure semi-conducteur-sur-isolant (SOI) comprenant une couche isolante 11 fournie entre une couche mince 1' d'un substrat semi-conducteur 1 et une couche d'adhésif à base de céramique 4 à laquelle un deuxième substrat 5 est attaché par une surface de fixation 8. Dans une variante préférée d'un mode de réalisation de l'invention, l'adhésif, en particulier le composé à base de céramique utilisé pour la couche d'adhésif 4, peut être choisi en fonction de sa constante de dilatation thermique (soit CTE). Par exemple, si une autre application du substrat final ou de la structure semi-conductrice (91, 91', 92, 93, 93') selon l'invention requiert un dépôt par épitaxie sur la couche mince 1', une condition pour la sélection de l'adhésif adéquat, en particulier l'adhésif approprié à base PA78534FR de céramique, peut être que sa CTE soit compatible avec la CTE du matériau à croître par épitaxie. Le procédé inventif fournit donc une technique alternative de fixation d'une couche d'un substrat donneur 1, par exemple à un substrat de manipulation 5. Un avantage du procédé inventif est que les surfaces de fixation 7, 8 des substrats 1, 5 devant être attachés ne nécessitent pas d'étapes de polissage avant l'étape de fixation. Des variantes préférées du procédé inventif utilisent des adhésifs à base de céramique qui peuvent avantageusement être choisis dans le but d'être compatibles avec les propriétés thermiques et/ou mécaniques et/ou conductrices du substrat 1, et qui offrent la rigidité nécessaire à la stabilité mécanique de la couche transférée 1' du substrat donneur 1. D'autres variantes préférées du procédé inventif ont l'avantage d'utiliser un moule 3, 3' qui, en fonction du matériau choisi, peut être réutilisé, en particulier recyclé pour d'autres modes de réalisation du procédé inventif. D'autres modes de réalisation avantageux de l'invention permettent le recyclage d'un reste 1" du substrat donneur 1. L'invention fournit en outre une diversité de structures inventives, par exemple des structures semi-conducteur-sur-isolant, qui ont des applications avantageuses dans de nombreux environnements technologiques. Les modes de réalisation décrits plus haut ainsi que d'autres variantes des mêmes modes de réalisation peuvent être combinés dans le but de réaliser encore d'autres modes de réalisation de l'invention. REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'un substrat, comprenant les étapes consistant à : fournir un substrat donneur (1) avec au moins une surface libre (7), réaliser une implantation ionique à une profondeur prédéterminée (d) du substrat donneur (1) afin de former une zone de clivage prédéterminée en profondeur (2) à l'intérieur du substrat donneur (1), et caractérisé par fournir une couche d'un adhésif (4), en particulier une pâte adhésive, par-dessus l'au moins une surface libre (7) du substrat donneur (1). 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre les étapes consistant à : fournir un substrat de manipulation (5) avec au moins une surface libre (8), et caractérisé par fixer le substrat donneur (1) au substrat de manipulation (5) de sorte que la couche d'adhésif (4) soit fournie entre l'au moins une surface libre (7) du substrat donneur (1) et l'au moins une surface libre (8) du substrat de manipulation (5). 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que l'adhésif est un matériau à base de céramique et/ou à base de graphite et/ou à base de métal. 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel l'adhésif est à base d'au moins l'un parmi de l'oxyde d'aluminium, du nitrure d'aluminium, de l'oxyde de magnésium, du dioxyde de silicium, du carbure de silicium, de l'oxyde de zirconium, du silicate de zirconium, du graphite, du cuivre, et de l'argent. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'adhésif est fourni par-dessus toute l'au moins une surface libre (7) du substrat donneur (1) et/ou par-dessus toute l'au moins une surface libre (8) du substrat de manipulation (5). 6. Procédé selon la revendication 5, comprenant en outre l'étape consistant à fournir un moule (3) de sorte que la couche d'adhésif (4) soit fournie avec unePA78534FR géométrie prédéterminée, en particulier avec une géométrie correspondant à celle de l'au moins une surface libre (7) du substrat donneur (1) et/ou à celle de l'au moins une surface libre (8) du substrat de manipulation (5). 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant en outre l'étape consistant à réaliser au moins un recuit, caractérisé en ce que la température de recuit est inférieure à la température nécessaire pour un détachement au niveau de la zone de clivage prédéterminée en profondeur (2). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant en outre l'étape consistant à détacher un reste (1") du substrat donneur (1) au niveau de la zone de clivage prédéterminée en profondeur (2). 9. Procédé selon la revendication 8, comprenant en outre l'étape consistant à réutiliser le reste (1") du substrat donneur (1) en tant que nouveau substrat donneur, en particulier sans aucune autre étape de polissage de la surface où un détachement a eu lieu. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la couche d'adhésif (4) a une épaisseur d'au moins 0,111m. 11. Structure semi-conductrice (91, 91', 92, 93, 93') comprenant : une couche semi-conductrice (1, 1'), et une couche d'un adhésif (4) à base de céramique et/ou de graphite et/ou de métal fournie par-dessus une face principal (7) de la couche semi-conductrice (1, 1'). 12. Structure semi-conductrice (91, 91', 92, 93, 93') selon la revendication 11, comprenant en outre une couche isolante (11) entre la couche semi-conductrice (1, 1') et la couche d'adhésif (4). 13. Structure semi-conductrice (91, 91', 92, 93, 93') selon l'une quelconque des revendications 11 ou 12, comprenant en outre un substrat (5) attaché à l'adhésif par une surface de fixation (8) de sorte que l'adhésif soit fourni entre la facePA78534FR principale (7) de la couche semi-conductrice (1, 1') et la surface de fixation (8) su substrat (5). 14. Structure semi-conductrice (91, 91', 92, 93, 93') selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, dans laquelle l'adhésif comprend au moins l'un parmi un oxyde d'aluminium, un nitrure d'aluminium, un oxyde de magnésium, un dioxyde de silicium, un carbure de silicium, un oxyde de zirconium, un silicate de zirconium, du graphite, du cuivre, et de l'argent. 15. Structure semi-conductrice (91, 91', 92, 93, 93') selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, dans laquelle l'adhésif est fourni sur toute la surface (7) de la face principale de la couche semi-conductrice (1, 1') et/ou sur toute la surface de fixation (8) su substrat (5). 16. Structure semi-conductrice (91, 91', 92) selon l'une quelconque des revendications 11 à 12, ou selon une combinaison de la revendication 14 ou de la revendication 15 et l'une quelconque des revendications 11 à 12, caractérisée en ce que la couche d'adhésif (4) a une épaisseur d'au moins 20 prri et jusqu'à 1 MM. 17. Structure semi-conductrice (93, 93') selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, caractérisée en ce que la couche d'adhésif (4) a une épaisseur d'au moins 0,1 pm et jusqu'à 10 pm.