FR 2981790 A1 20130426 FR 1103184 A 20111019 Domaine technique de l'invention : La présente invention concerne un procédé de croissance en épaisseur 5 d'au moins un face d'un feuillet colloïdal inorganique. L'invention concerne en outre les matériaux homo structurés ou hétéro structurés résultant d'un tel procédé ainsi que les applications desdits matériaux. On désigne par feuillet une structure présentant au moins une dimension, l'épaisseur, de taille nanométrique et des dimensions 10 latérales grandes devant l'épaisseur, typiquement plus de 5 fois l'épaisseur. On désigne par homo structuré un matériau de composition homogène en épaisseur et par hétéro structuré un matériau de composition hétérogène en épaisseur. 15 La présente invention concerne plus particulièrement un procédé permettant le dépôt d'au moins une monocouche d'atomes sur au moins un feuillet colloïdal inorganique, cette monocouche étant constituée d'atomes du type de ceux contenus ou non dans le dit feuillet. 20 Etat de la technique antérieure : La fabrication de structures présentant au moins une dimension de taille nanométrique induit l'apparition de propriétés physiques nouvelles. Ces structures ont des caractéristiques qui peuvent 25 notablement différer de celles du matériau massif de composition chimique identique. Ces faibles dimensions (à l'échelle nanométrique) conduisent en effet à une modification des propriétés électroniquesl, optiques2, 30 magnétiques3 ou plasmoniques4. Ces nouveaux matériaux suscitent ainsi un intérêt qui va croissant dans des domaines aussi variés que l'optique, l'imagerie, l'électronique ou la catalyse. 35 Les différentes nanostructures existantes peuvent être classées en fonction du nombre de dimensions de taille nanométrique qu'elles présentent. Ainsi, un nanocristal isotrope est une structure nanométrique dans les trois dimensions, tandis qu'un nano-fil est une structure nanométrique dans deux dimensions. La présente invention concerne des structures nanométriques dans une seule dimension, à savoir des nano-feuillets, que nous désignerons par la suite feuillets. Elle concerne plus particulièrement les feuillets colloïdaux, c'est à dire les feuillets qui peuvent être dispersés en solution. La synthèse de feuillets inorganiques colloïdaux a connu un fort développement depuis le début des années 2000. Il est possible de distinguer plusieurs types de synthèses, chacune associée à un ensemble de matériaux différents. Les principales approches existantes, qui seront détaillées dans la suite, sont l'exfoliation 15 directe d'un matériau lamellaire, la synthèse chimique de mono feuillets de matériaux lamellaires, la croissance de feuillets par empoisonnement (ce qui bloque la croissance) de certaines faces cristallines par des ligands, et enfin le passage par un composé intermédiaire de structure lamellaire subissant une transformation 20 topotactique. L'exfoliation directe est utilisée couramment afin de produire des feuillets de graphène, d'hydroxydes ou d'oxydes5 (TiO2 par exemple). Le mode de préparation consiste généralement à diminuer l'énergie 25 d'interaction entre les feuillets afin de les séparer mécaniquement par la suite. Dans le cas de composés ioniques on provoque un gonflement de l'espace inter-feuillets (contenant généralement des ions positifs) 30 en réalisant un échange des cations par un ion fortement encombré tel que l'hydroxyde de tétrabutylammonium6. Ce gonflement affaiblit les interactions entre les feuillets qui peuvent alors être séparés mécaniquement par sonication par exemple. 35 Dans le cas du graphite, la diminution de l'énergie d'interaction inter-feuillets peut être réalisée par l'utilisation d'un solvant adéquat tel que le N-methylpyrrolidone7. Ce type de procédé conduit toujours à l'obtention de mono-feuillets de quelques Angstrôm d'épaisseur. Il n'y a pas de croissance ultérieure possible. La dimension des feuillets dépend de la dimension de l'objet massif exfolié. Un contrôle de l'épaisseur du feuillet n'est pas envisageable, celle-ci étant fixée par la structure lamellaire du composé de départ et donc par sa nature chimique. Il existe également de nombreuses synthèses directes de mono- feuillets. Il est par exemple possible de faire croitre du graphène directement sur un substrat de cuivre. Il est également possible par des méthodes de synthèse en solution de préparer directement des mono-feuillets de GeS ou GeSe8 ou encore des feuillets multiples de Bi2Te39. Ces synthèses ne permettent toutefois pas de contrôle de l'épaisseur des feuillets ni de croissance en épaisseur de ceux-ci. Une approche beaucoup plus versatile, permettant de fabriquer des feuillets dans une grande variété de matériaux différents consiste en l'empoisonnement de certaines facettes cristallines par les ligands de surface adéquats. L'adsorption préférentielle de molécules sur certaines faces cristallines du matériau considéré bloque la croissance dans les directions perpendiculaires à ces facettes et induit alors une croissance cristalline fortement anisotrope10,11. Il est à noter que la molécule empoisonnante peut être de nature très variée : tensio-actifsn, polymères13, thiols14, amines15,16,17, ions inorganiquesM. Les matériaux ainsi synthétisés peuvent être par exemple : - des feuillets de métaux (PVP13' CTAB21, ions18'22) - des feuillets d'oxydes de terres rares17'23 (acide oléique et/ou oleylamine) - des feuillets de sulfures (Cu2S en présence de thiols14) Ce mode de fabrication, bien qu'étant extrêmement général, possède tout de même certaines limitations. Il est en effet impossible là encore de contrôler l'épaisseur des feuillets obtenus et d'obtenir un ensemble de feuillets présentant tous la même épaisseur (monodispersité en épaisseur). Une autre approche consiste à synthétiser des feuillets en tirant parti de la formation d'un intermédiaire lui-même lamellaire. Cette approche peut être mise à profit afin de réaliser des feuillets de métaux (Cobalt, Nickel ou Cuivre24) ou d'oxydes (oxyde de magnésium mg025) en passant par un hydroxyde lamellaire. De même, de nombreux chalcogènes lamellaires sont obtenus par formation préalable d'un 5 complexe Métal-(amine primaire) de structure lamellaire qui réagit ultérieurement avec un précurseur de soufre ou de sélénium. Il est ainsi possible de former des feuillets de CdSe26, de CdMnSe27, de ZI1S28-31, ou encore d'In2S332. Il est à noter qu'un complexe plombthio-urée lamellaire permet également la formation de nanofeuillets 10 de PbS33. Cette autre approche a permis pour la première fois d'obtenir des feuillets de chalcogènes dont l'épaisseur est définie à la monocouche atomique près. Ainsi, depuis 2001 sont apparus des 15 protocoles de synthèse permettant de fabriquer des matériaux semiconducteurs lamellaires hybrides organique/inorganique34. Le feuillet élémentaire de ces matériaux est constitué d'une monocouche ou d'une bicouche semiconductrice (ZnS35 par exemple), en structure wurtzite, d'axe de zone [1, 1, 0] dont la surface est stabilisée par 20 une amine primaire. Le protocole de synthèse, très général, permet de l'appliquer a des matériaux variés : CdSe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe Cette approche a été partiellement modifiée en 2006 afin d'obtenir des feuillets individuels de CdSe simplement en modifiant la longueur de la chaine alkyle de l'amine primaire utilisée26'36. 25 Le contrôle de l'épaisseur de ce type de feuillets reste limité et leur épaisseur ne dépasse pas les 5 monocouches. En conséquence, les propriétés optiques de ces feuillets sont très limitées : fluorescence circonscrite dans la région bleue et ultraviolette du spectre visible, largeur à mi-hauteur du pic de fluorescence 30 supérieure à 12nm. De plus, une croissance en épaisseur ultérieure reste impossible sur ces feuillets. Plus récemment, en 2008, une nouvelle approche qui permet d'améliorer considérablement le contrôle de l'épaisseur des 35 feuillets semiconducteurs synthétisés a été développée37-39. Dans ce cas, les feuillets sont composés par un feuillet semiconducteur (CdSe, CdS ou CdTe) de structure zinc-blende, d'axe de zone [0, 0, 1] présentant une couche cationique stabilisé par des carboxylates de chaque coté du feuillet. Ce type de synthèse permet de contrôler très précisément l'épaisseur du feuillet semiconducteur, qui peut être comprise entre 4 et 11 monocouches suivant le protocole de synthèse utilisé. De tels feuillets semiconducteurs colloïdaux présentent des propriétés électroniques et optiques novatrices, du fait en particulier de leur épaisseur parfaitement contrôlée. Ainsi, la fluorescence de ces objets est caractérisée par un spectre d'émission très étroit (moins de 10 nm de largeur à mi-hauteur) et les longueurs d'ondes accessibles en fluorescence couvrent l'ensemble du spectre visible. L'épaisseur des feuillets est définie par les conditions de synthèse mais reste actuellement limitée. Cela constitue une importante limitation pour l'utilisation de ces matériaux. il est possible de distinguer deux types de procédés de croissance en solution de films de semiconducteurs sur un matériau initial : les procédés de croissance sur des nanocristaux colloïdaux et les procédés de croissance sur substrat. Dans le cas des procédés de croissance sur des nanocristaux colloïdaux tels que les « quantum dots » (nanocristaux de semiconducteurs), les procédés de croissance connus font intervenir un excès de ligands et des températures élevées (plus de 200°C) 40-92 Dans de telles conditions, il est très difficile d'assurer la stabilité des feuillets. Dans le cas des procédés de croissance sur substrat, les procédés connus sont mis en oeuvre en solution aqueuse et à température ambiante. On distingue la CBD : « Chemical Bath Deposition » croissance en bain chimique43 et la SILAR : « Successive Ion Layer Adsorption and Reaction » croissance par adsorption et réaction successive de couches ioniques". Ces procédés, pour pouvoir être appliqués à des feuillets, nécessiteraient un ensemble de conditions difficiles à réunir, par exemple une modification préalable des ligands de surface des feuillets, un contrôle précis du pH ou encore une absence de complexants (complexants qui pourraient entrainer une dissolution des feuillets). La stabilité en solution des feuillets inorganiques semiconducteurs résulte de la présence de ligands organiques et de leur interaction avec le matériau cristallin. La modification de ces interactions par chauffage ou suppression des ligands provoque l'agrégation ou la destruction des feuillets par dissolution ou changement de forme vers une structure thermodynamique plus stable. Aussi la croissance dans l'épaisseur de ces objets semblait difficile à réaliser avec les techniques connues décrites ci-dessus. A l'heure actuelle, il n'existe pas de méthodes pour réaliser une croissance en épaisseur ultérieure d'un feuillet existant. La présente invention permet de résoudre au moins un des problèmes exposés et pour la première fois de faire croitre en épaisseur un feuillet préexistant et ainsi, en fonction de la nature du feuillet initial et du matériau déposé, d'obtenir soit un feuillet plus épais, soit un feuillet hétéro structuré dans l'épaisseur. Exposé de l'invention L'accroissement de l'épaisseur permet d'étendre de manière significative les caractéristiques spectrales de ces feuillets telles que les spectres d'émission ou d'absorption. Il apparaît donc souhaitable de développer une méthode de croissance en épaisseur pour atteindre des épaisseurs plus grandes. De plus, il serait souhaitable pour de nombreuses applications de pouvoir déposer sur le feuillet initial un matériau différent de celui le constituant. Une telle hétéro structure présenterait alors de nouvelles 30 propriétés particulièrement avantageuses. La présente invention a pour objet un procédé de croissance en épaisseur d'au moins une face d'au moins un feuillet colloïdal inorganique semiconducteur par dépôt d'un film cristallin de 35 matériau à la surface du au moins un feuillet colloïdal inorganique, le procédé comportant l'introduction, dans un milieu contenant au moins un feuillet colloïdal inorganique, d'une ou plusieurs solutions de précurseur contenant au moins un précurseur du matériau à déposer. Dans des modes de réalisation de l'invention : - le film de matériau déposé comprend une composition MxEy comportant des éléments M sous forme cationique et E sous forme anionique en rapport stoechiométrique, le rapport stoechiométrique étant caractérisé par les valeurs x et y correspondantes aux valeurs absolues des degrés d'oxydation moyens des éléments E et M respectivement. - le film de composition MxEy déposé est un chalcogénure, un phosphure ou un oxyde. - le film déposé a une composition choisie parmi CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, GeS2, GeSe2, SnS2, SnSe2, CuInS2, CuInSe2, AgInS2, AgInSe2, CuS, Cu2S, Ag2S, Ag2Se, Ag2Te FeS, FeS2 InP, Cd3P2, Zn3P2, CdO, ZnO, FeO, Fe203, Fe304, A1203, Ti02, S102- - le film déposé est un alliage des matériaux précédemment cités. - le film déposé contient un métal de transition ou un lanthanide. - Le film de matériau déposé contient en quantités minoritaires un élément produisant un excès ou un déficit d'électrons par rapport au film seul. - Le film de matériau déposé comprend un métal O Le métal déposé est choisi parmi l'or, l'argent, le nickel, le molybdène, l'aluminium. - on fixe le feuillet colloïdal inorganique initial sur au moins un substrat. - la fixation du ou des feuillets sur le au moins un substrat est réalisée par adsorption ou par couplage chimique. - le dit substrat est choisi parmi la silice Si02, l'alumine A1203, l'oxyde d'indium-étain ITO, l'oxyde de titane Ti02, l'or, l'argent, le nickel, le molybdène, l'aluminium, le silicium, le germanium, le carbure de silicium SiC, le graphène et la cellulose. - le dit substrat comprend un polymère. - on disperse le ou les feuillets dans un solvant de dispersion. o le solvant de dispersion des feuillets est choisi parmi l'eau distillée, le méthanol, l'éthanol, l'isopropanol, le butanol, le chloroforme, l'acétone, l'hexane, le tétrahydrofurane, le diméthylsulfoxyde. - le solvant de dispersion des feuillets est un fluide supercritique ou un liquide ionique. - on introduit dans le solvant de dispersion un composé de stabilisation apte à stabiliser le ou les feuillets en solution. - on introduit dans l'une quelconque des solutions de précurseurs un composé de stabilisation apte à stabiliser le ou les feuillets en solution. - le composé de stabilisation des feuillets comprend un ligand organique. - le ligand organique est un acide carboxylique ou un thiol ou une amine ou une phosphine. - le composé de stabilisation des feuillets est un ion. - l'ion de stabilisation est un ammonium quaternaire. - le temps t de réaction du précurseur de R est inférieur à quelques heures. - le débit d'introduction de la ou des solutions de précurseurs est choisi de manière à ce que la vitesse de croissance en épaisseur des feuillets soit comprise entre 1 nm par seconde et 0.1 nm par heure. - la température du milieu réactionnel est fixée entre -100°C et 350°C. - on purifie les feuillets après réaction du ou des précurseurs sur les feuillets. - la purification est réalisée par floculation et précipitation, ou par filtration. - si E est un chalcogène, le précurseur de E est un composé contenant le chalcogène au degré d'oxydation -2. - si E est du soufre, le précurseur de E est un sel contenant des ions sulfure S2- . - le précurseur de E comprend le sulfure de bis(triméthylsilyle) (TMS2S) ou le sulfure d'hydrogène (H2S) ou l'hydrogénosulfure de sodium (NaSH) ou le sulfure de sodium (Na2S), ou le sulfure d'ammonium (S(NH4)2), ou la thiourée, ou la thioacétamide. - si E est du sélénium, le précurseur de E comprend un sel contenant les ions séléniure Set- . - le précurseur de E comprend le séléniure de bis(triméthylsilyle) (TMS2Se) ou le séléniure d'hydrogène (H2Se) ou le séléniure de sodium (Na2Se) ou l'hydrogénoséléniure de sodium (NaSeH) ou le séléniosulfate de sodium (Na2SeSO3), ou la sélénourée. - si E est du tellure, le précurseur de E comprend un sel contenant des ions tellurure Te2-. - le précurseur de E comprend le tellurure de bis(triméthylsilyle) (TMS2Te) ou le tellurure d'hydrogène (H2Te) ou le tellurure de sodium (Na2Te) ou l'hydrogénotellurure de sodium (NaTeH) ou le tellurosulfate de sodium (Na2TeS03). - si E est un chalcogène, le précurseur de E est formé in-situ par réaction d'un réducteur avec un composé contenant E au degré d'oxydation 0 ou à un degré d'oxydation strictement positif. - Un réducteur est introduit en même temps que le ou les précurseurs du film à déposer. - le réducteur comprend le tétrahydruroborate de sodium (NaBB4). - si E est de l'oxygène le précurseur de E est l'ion hydroxyde (H0-). - si E est de l'oxygène le précurseur de E est une solution de soude (NaOH) ou de potasse (KOH) ou d'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAOH). - si M est un métal, le précurseur de M est un composé contenant le métal dans un degré d'oxydation positif ou nul. - si M est un métal, le précurseur de M comprend un sel métallique. - le sel métallique est un carboxylate de M, ou un chlorure de M, ou un nitrate de M, ou un sulfate de M,ou un thiolate de M. - le matériau constituant le feuillet inorganique initial comprend un semiconducteur choisi parmi : CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, GeS2, GeSe2, SnS2, SnSe2, CuInS2, CuInSe2, AgInS2, AgInSe2, CuS, Cu2S, Ag2S, Ag2Se, Ag2Te FeS, FeS2 InP, Cd3P2, Zn3P21 CdO, ZnO, FeO, Fe2O3, Fe304, A12031 T i02 - - le matériau final est un feuillet dont au moins une partie a une épaisseur supérieure à l'épaisseur du feuillet initial. .10 - l'épaisseur de la partie en question est supérieure à 0.5 nm. - l'épaisseur de la partie en question est comprise entre 0.5 et 25 nm. - le matériau obtenu est de même composition chimique que le feuillet initial. - le matériau obtenu est composé d'un empilement de films dont au moins un est de composition chimique différente du feuillet initial, la surface de chaque film couvrant totalement la surface du film sur lequel il est déposé. - le matériau obtenu est composé d'un empilement de films dont au moins un est de composition chimique différente du feuillet initial, la surface de chaque film couvrant partiellement la surface du film sur lequel il est déposé. - le matériau obtenu est constitutif d'un système électroluminescent. - le matériau obtenu constitue l'étage d'amplification d'un laser. - le matériau obtenu est un catalyseur à grande surface spécifique et cristallinité de surface contrôlée. - le matériau obtenu est un élément absorbeur et/ou collecteur constitutif d'une cellule photovoltaïque. - le matériau obtenu est constitutif d'un transistor à effet de champ. Un autre aspect de l'invention concerne un système électroluminescent, un étage d'amplification d'un laser, un catalyseur à grande surface spécifique et cristallinité de surface contrôlée, un élément absorbeur et/ou collecteur d'une cellule photovoltaïque ou un transistor à effet de champ comportant un matériau obtenu du procédé selon un mode de réalisation de l'invention. D'autres caractéristiques et avantages du procédé selon l'invention apparaitront à la lecture de la description détaillée et des exemples de réalisation donnés ci-après à titre purement 35 illustratif. La figure 1 montre la structure cristalline d'un feuillet de CdSe vu en coupe selon un mode de réalisation le l'invention. La figure 2 montre la structure schématique d'un feuillet hétérostructuré vu en coupe selon un mode de réalisation le l'invention. La figure 3 montre la structure schématique d'un feuillet hétérostructuré obtenu par croissance après immobilisation sur un substrat vu en coupe selon un mode de réalisation le l'invention. Description détaillée I. Feuillets initiaux: Les feuillets initiaux sur lesquels un procédé de croissance en épaisseur selon au moins un mode de réalisation de l'invention est particulièrement efficace sont les feuillets présentant une charge nette de surface. Cette charge nette de surface peut être positive ou négative suivant la nature du feuillet considéré. Les feuillets de semi conducteur tels que décrits ci-dessus (par exemple CdSe, CdS ou CdTe) font partie de cette classe de matériaux et seront pris comme exemples non limitatifs de feuillets initiaux. Un tel feuillet dont la structure est schématisée sur la figure 1 a une structure 20 zinc-blende, d'axe de zone [0, 0, 1] et présente une surface cationique stabilisée par des carboxylates sur chaque face du feuillet. Ces faces sont parfaitement polaires (dans ce cas, cationiques). 25 Les feuillets de CdSe par exemple peuvent êtres obtenus par toute méthode connue à l'homme du métier, tel que décrit par exemple dans les documents suivants : Ithurria, S.; Dubertret, B. Journal of the American Chemical Society 2008, 130, 16504-5 et Ithurria, S.; Bousquet, G.; Dubertret, B. Journal of the American Chemical Society 30 2011, 133, 3070-7. 174mg de Cd(myristate)2 et 12mg de Sélénium en poudre sont introduits dans un ballon tricol contenant 16mL d'loctadecene (ODE, 90%). Le ballon est dégazé sous pression réduite et sous agitation à température ambiante durant 30 minutes. De l'Argon est introduit dans le ballon qui est alors chauffé. Quand la 35 température atteint 200°C, 40mg de Cd(Acétate)2(H20)2 sont rapidement introduits dans le milieu réactionnel induisant la croissance des feuillets. Le milieu réactionnel est porté à 240°C, température à laquelle il est maintenu pendant environ 10 minutes afin d'assurer la croissance des feuillets. La solution est alors refroidie et lavée par précipitations et suspensions successives. La première précipitation est effectuée par ajout d'un non solvant : l'éthanol (80mL environ) et centrifugation (5000 tours par minute pendant 10minutes). Le surnageant est éliminé et le précipité suspendu dans de l'hexane (10mL environ). La solution de feuillets contient encore une grande quantité de Cd(myristate)2 utilisé en excès. L'ajout de quelques millilitres d'octylamine (4mL) permet sa dissolution. La suspension de plaquettes est alors précipitée une deuxième fois par ajout d'éthanol (80mL) et centrifugation. Le procédé de suspension/ précipitation est répété encore 2 fois avec de l'octylamine puis une dernière fois simplement par suspension dans l'hexane et précipitation à l'éthanol. Le précipité final est suspendu dans 10mL de chloroforme (CHC13). Les feuillets obtenus présentent la structure schématisée figure 1, qui montre la structure cristalline d'un feuillet de CdSe vu en coupe. II. Dépôt d'un film de chalcogénure sur les feuillets On décrit par exemple le dépôt d'un film de CdS sur les feuillets 20 initiaux de CdSe selon un mode de réalisation de l'invention. Dans un pilulier sont introduits successivement 2mL de chloroforme, 400 pL de la solution de feuillets de CdSe, 20mg de thioacétamide (TAA) ainsi que 200 pL d'octylamine. La solution est placée sous 25 agitation magnétique pendant une heure, ce qui entraine la dissolution complète du TAA puis un changement de couleur de la solution. 200 pL d'une solution de Cd(Oléate)2 à 0.1M dans une solution 4 :1 d'octylamine et d'acide oléique sont alors rapidement injectés dans la solution de feuillets. Celle-ci change à nouveau 30 graduellement de couleur tandis que le rendement quantique de fluorescence augmente fortement. Les précurseurs sont laissés réagir sur les feuillets pendant encore deux heures. Les feuillets sont alors agrégés par ajout de quelques gouttes d'éthanol et la solution est centrifugée 5 minutes à 5000 tours/min. Le surnageant 35 contenant les précurseurs n'ayant pas réagit ainsi que des nanocristaux de CdS parasites est supprimé et le culot formé par les feuillets est dispersé dans 2mL de chloroforme auxquels sont ajoutés 20 pL de solution de Cd(Oléate)2 à 0.5M dans l'acide oléique. Le rendement quantique de fluorescence chute alors fortement. Il raugmente par la suite sous rayonnement ultraviolet. Le procédé selon ce mode de réalisation de l'invention permet de déposer un film de CdS de chaque côté des feuillets de CdSe. L'épaisseur de ce film est contrôlée par le temps de réaction et par la quantité de précurseurs introduite dans le milieu réactionnel. La structure finale des feuillets obtenus est schématisée figure 2, ou AO est le CdSe, et Al est le CdS. III. Dépôt d'un film d'oxyde sur les feuillets. On décrit par exemple le dépôt d'un film d'oxyde de zinc (ZnO) sur des feuillets initiaux de CdSe selon un mode de réalisation de 15 l'invention. 2mL de la solution de feuillets de CdSe dans CHC13 sont introduits dans un pilulier et placés sous agitation magnétique. 5mg d'hydroxyde de tétraméthylammonium ainsi que 30mg de Zn(stéarate)2 sont dissout dans 2mL d'octylamine. Cette solution est alors 20 injectée goutte à goutte pendant deux heures dans la solution de feuillets. La couleur de la solution de feuillets change au cours de l'injection. Après deux heures de réaction, les feuillets sont précipités par ajout d'éthanol et centrifugés. Ils sont alors dispersés dans 2mL de chloroforme. 25 Le procédé selon ce mode de réalisation de l'invention permet de déposer un film de ZnO de chaque coté des feuillets de CdSe. L'épaisseur de ce film est contrôlée par le temps de réaction et par la quantité de précurseurs introduite dans le milieu réactionnel. La structure finale des feuillets obtenus est schématisée figure 2, ou 30 AO est le CdSe, et Al est le ZnO. IV. Dépôt d'un film métallique On décrit par exemple le dépôt d'or sur des feuillets initiaux de 35 CdSe selon un mode de réalisation de l'invention. Ces derniers présentant une charge de surface positive, il est tout d'abord nécessaire d'inverser celle-ci. On effectue cette inversion par dépôt d'une monocouche de soufre en surface des feuillets. 2mL de la solution de feuillets de CdSe dans CHC13 ainsi que 100pL de solution de sulfure de tétraméthylammonium (1 M) dans l'éthanol sont introduits dans un pilulier. Sous agitation la couleur de la solution contenant les feuillets change immédiatement et ceux-ci s'agrègent. Après 10 minutes de réaction, les feuillets sont précipités par centrifugation. Le surnageant est supprimé et les feuillets lavés deux fois à l'éthanol. Les feuillets sont suspendus dans de l'eau distillée. On ajoute alors goutte à goutte dans la solution de feuillets une solution de HAuC14 à 0,1M. La couleur de la solution change progressivement du fait du dépôt de l'or en surface des feuillets. Les feuillets finaux sont lavés deux fois par précipitation à l'éthanol. La structure finale des feuillets obtenus selon au moins ce mode de réalisation de l'invention est schématisée figure 2, ou AO est le CdSe, et Al est de l'or (Au). V. Dépôt d'un film d'un alliage On décrit par exemple le dépôt d'un alliage de sulfure de cadmium et de sulfure de zinc CdZnS sur des feuillets initiaux de CdSe, selon un mode de réalisation de l'invention. Dans un pilulier sont introduits successivement 2mL de chloroforme, 400 pL de la solution de feuillets de CdSe, 20mg de thioacétamide (TAA) ainsi que 200 pL d'octylamine. La solution est placée sous agitation magnétique pendant une heure, ce qui entraine la dissolution complète du TAA puis un changement de couleur de la solution. 200 pL d'une solution de Cd(Oléate)2 à 0.05M et de Zn(Oléate)2 à 0.05M dans une solution 4 :1 d'octylamine et d'acide oléique sont alors rapidement injectés dans la solution de feuillets. Celle-ci change à nouveau graduellement de couleur tandis que le rendement quantique de fluorescence augmente fortement. Les précurseurs sont laissés à réagir sur les feuillets pendant encore deux heures. Les feuillets sont alors agrégés par ajout de quelques gouttes d'éthanol el la solution est centrifugée 5 minutes à 5000 tours/min. Le surnageant contenant les précurseurs n'ayant pas réagit ainsi que des nanocristaux ce CdZnS parasites est supprimé et le culot formé par les feuillets est dispersé dans 2mL de chloroforme. 20 pL de solution de Zn(Oléate)2 à 0.5M dans l'acide oléique. Le rendement quantique chute alors fortement. Il raugmente par la suite sous rayonnement ultraviolet. Le procédé selon ce mode de réalisation de l'invention permet de déposer un film de CdZnS de chaque coté des feuillets de CdSe. L'épaisseur de ce film est contrôlée par le temps de réaction et par la quantité de précurseurs introduite dans le milieu réactionnel. La structure finale des feuillets obtenus est schématisée figure 2, ou AO est le CdSe, et Al est le CdZnS. VI. Dépôt d'un film dopé On décrit par exemple le dépôt d'un film de sulfure de zinc dopé au manganèse sur des feuillets initiaux de CdS selon un mode de réalisation de l'invention. Dans un pilulier sont introduits successivement 2mL de chloroforme, 400 gL de la solution de feuillets de CdS, 20mg de thioacétamide (TAA) ainsi que 200 pL d'octylamine. La solution est placée sous agitation magnétique pendant une heure, ce qui entraine la dissolution complète du TAA puis un changement de couleur de la 20 solution. 200 pL d'une solution de Zn(undécanoate)2 à 0.1M et de Mn(undécanoate)2 à 0.01M dans l'octylamine sont alors rapidement injectés dans la solution de feuillets. Celle-ci change à nouveau graduellement de couleur tandis que le rendement quantique de fluorescence augmente fortement. Les précurseurs sont laissés à 25 réagir sur les feuillets pendant encore deux heures. Les feuillets sont alors agrégés par ajout de quelques gouttes d'éthanol el la solution est centrifugée 5 minutes à 5000 tours/min. Le surnageant contenant les précurseurs n'ayant pas réagit ainsi que des nanocristaux de ZnS parasites est supprimé et le culot formé par les 30 feuillets est dispersé dans 2mL de chloroforme auquels sont ajoutés 20 pL de solution de Zn(Oléate)2 à 0.5M dans l'acide oléique. Le rendement quantique chute alors fortement. Il raugmente par la suite sous rayonnement ultraviolet. Le procédé selon ce mode de réalisation de l'invention permet de 35 déposer un film de ZnS dopé Manganèse de chaque coté des feuillets de CdS. L'épaisseur de ce film est contrôlée par le temps de réaction et par la quantité de précurseurs introduite dans le milieu réactionnel. La structure finale des feuillets obtenus est schématisée figure 2, ou AO est le CdS, et Al est le ZnS dopé manganèse. VII. Dépôt successif de plusieurs films de composition chimique différente On décrit par exemple le dépôt d'un film de sulfure de cadmium puis de sulfure de zinc sur des feuillets initiaux de CdS selon un mode 10 de réalisation de l'invention. Dans un pilulier sont introduits successivement 2mL de chloroforme, 400 pL de la solution de feuillets de CdSe, 20mg de thioacétamide (TAA) ainsi que 200 gL d'octylamine. La solution est placée sous 15 agitation magnétique pendant une heure, ce qui entraine la dissolution complète du TAA puis un changement de couleur de la solution. 200 pL d'une solution de Cd(Oléate)2 à 0.1M dans une solution 4 :1 d'octylamine et d'acide oléique sont alors rapidement injectés dans la solution de feuillets. Celle-ci change à nouveau 20 graduellement de couleur tandis que le rendement quantique de fluorescence augmente fortement. Les précurseurs sont laissés réagir sur les feuillets pendant encore deux heures. Les feuillets sont alors agrégés par ajout de quelques gouttes d'éthanol el la solution est centrifugée 5 minutes à 5000 tours/min. Le surnageant 25 contenant les précurseurs n'ayant pas réagit ainsi que des nanocristaux de CdS parasites est supprimé et le culot formé par les feuillets est dispersé dans 2mL de chloroforme auquels sont ajoutés 20 pL de solution de Cd(Oléate)2 à 0.5M dans l'acide oléique. Le rendement quantique chute alors fortement. Il raugmente par la suite 30 sous rayonnement ultraviolet. Les feuillets sont alors précipités à l'éthanol et suspendus dans 2mL de chloroforme. Le procédé selon ce mode de réalisation de l'invention permet de déposer un film de CdS de chaque coté des feuillets de CdSe. L'épaisseur de ce film est contrôlée par le temps de réaction et par 35 la quantité de précurseurs introduite dans le milieu réactionnel. Pour le dépôt du film de ZnS, 20mg de thioacétamide (TAA) ainsi que 200 pL d'octylamine sont introduits dans le pilulier contenant la solution de feuillets CdSe/CdS dans le chloroforme. La solution est placée sous agitation magnétique pendant une heure, ce qui entraine la dissolution complète du TAA puis un changement de couleur de la solution. 200 pL d'une solution de Zn(undécanoate)2 à 0.1M dans l'octylamine sont alors rapidement injectés dans la solution de feuillets. Celle-ci change à nouveau graduellement de couleur tandis que le rendement quantique de fluorescence augmente fortement. Les précurseurs sont laissés à réagir sur les feuillets pendant encore deux heures. Les feuillets sont alors agrégés par ajout de quelques gouttes d'éthanol el la solution est centrifugée 5 minutes à 5000 tours/min. Le surnageant contenant les précurseurs n'ayant pas réagit ainsi que des nanocristaux de ZnS parasites est supprimé et le culot formé par les feuillets est dispersé dans 2mL de chloroforme auquels sont ajoutés 20 pL de solution de Zn(Oléate)2 à 0.5M dans l'acide oléique. Le procédé selon ce mode de réalisation de l'invention a permis de 15 déposer un film de ZnS de chaque coté des feuillets de CdSe/CdS. L'épaisseur de ce film est contrôlée par le temps de réaction et par la quantité de précurseurs introduite dans le milieu réactionnel. Le procédé selon ce mode de réalisation de l'invention a ainsi permis de synthétiser des feuillets de structure CdSe/CdS/ZnS en 20 déposant un film de sulfure de cadmium puis d'un film de sulfure de zinc sur des feuillets initiaux de CdSe. La structure finale des feuillets obtenus est schématisée figure 2, ou AO est le CdSe, Al est le CdS et A2 est le ZnS. 25 VIII. Immobilisation de feuillets sur substrat puis croissance : 30 Une lame de verre de microscope (26mm par 26mm) est nettoyée à l'aide d'un plasma d'oxygène. Elle est ensuite fonctionnalisée au 3- mercaptopropyl-triethoxysilane par immersion pendant 10 minutes dans une solution à 1% en volume de 3-mercaptopropyl-triethoxysilane dans l'éthanol. La lame de verre est rincée 3 fois à l'éthanol puis 35 séchée. Elle est alors immergée durant 1 heure dans une solution de feuillets de CdSe dispersés dans du chloroforme. Les feuillets s'adsorbent à la surface de la lame de verre pour former une monocouche de feuillets. La lame est rincée 2 fois au chloroforme afin de supprimer les feuillets non liés au substrat. La lame est immergée dans quelques millilitres d'éthanol dans lesquels ont été dissous 20mg de thioacétamide (TAA). Après une heure de réaction, lmL d'une solution de Cd(Acétate)2(H20)2 à 0.1M dans l'éthanol est lentement injectée en goutte à goutte durant une heure puis laissée à réagir durant une heure supplementaire.Après deux rinçages à l'éthanol, la lame de verre est ainsi recouverte d'une couche de feuillets CdSe/CdS. La structure finale des feuillets obtenus est schématisée figure 3, ou AO est le CdSe, et Al est le CdS. Comme il va de soi et comme il résulte d'ailleurs déjà de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à ceux des modes d'applications et de réalisations qui ont été plus spécialement envisagés ; elle en embrasse au contraire toutes les variantes sans pour autant sortir du cadre de l'invention tel que défini par les revendications. 25 30 35 Bibliographie : (1) Ekimov, A. JETP Lett 1981, 34, 345-348. (2) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933-937. (3) Vassiliou, J.; Mehrotra, V.; Russell, M. J. Appl. Phys 1993, 5109-5116. (4) El-Sayed, M. a Accounts of chemical research 2004, 37, 326-33. (5) Ma, R.; Sasaki, T. Advanced materials 2010, 22, 5082-104. (6) Sasaki, T.; Watanabe, M. The Journal of Physical Chemistry B 1997, 101, 10159-10161. (7) Hernandez, Y.; Nicolosi, V.; Lotya, M.; Blighe, F. M.; Sun, Z.; De, S.; McGovern, I. T.; Holland, B.; Byrne, M.; Gun'Ko, Y. K.; Boland, J. J.; Niraj, P.; Duesberg, G.; Krishnamurthy, S.; Goodhue, R.; Hutchison, J.; Scardaci, V.; Ferrari, A. C.; Coleman, J. N. Nature nanotechnology 2008, 3, 563-8. (8) Vaughn, D. D.; Patel, R. J.; Hickner, M. a; Schaak, R. E. Journal of the American Chemical Society 2010, 132, 15170-2. (9) Mehta, R. J.; Karthik, C.; Singh, B.; Teki, R.; Borca-Tasciuc, T.; Ramanath, G. ACS nano 2010, 4, 5055-60. (10) Kumar, S.; Nann, T. Small 2006, 2, 316-29. (11) Jun, Y.-wook; Choi, J.-sil; Cheon, J. Angewandte Chemie (International ed. in English) 2006, 45, 3414-39. (12) Xu, S.; Sun, X.; Ye, H.; You, T.; Song, X.; Sun, S. Materials Chemistry and Physics 2010, 120, 1-5. (13) Li, C. C.; Cai, W. P.; Cao, B. Q.; Sun, F. Q.; Li, Y.; Kan, C. X.; Zhang, L. D. Advanced Functional Materials 2006, 16, 83-90. (14) Sigman, M. B.; Ghezelbash, A.; Hanrath, T.; Saunders, A. E.; Lee, F.; Korgel, B. a Journal of the American Chemical Society 2003, 125, 16050-7. (15) Deng, Z.; Mansuripur, M.; Muscat, A. J. Journal of Materials Chemistry 2009, 19, 6201. (16) Puntes, V. F.; Zanchet, D.; Erdonmez, C. K.; Alivisatos, a P. Journal of the American Chemical Society 2002, 124, 12874-80. (17) Si, R.; Zhang, Y.-W.; You, L.-P.; Yan, C.-H. Angewandte Chemie (International ed. in English) 2005, 44, 3256-60. (18) Zhang, G.; Sun, S.; Li, R.; Zhang, Y.; Cai, M.; Sun, X. Chemistry of Materials 2010, 22, 4721-4727. (19) Sun, Y.; Xia, Y. Science 2002, 298, 2176-9. (20) Ah, C. S.; Yun, Y. J.; Park, H. J.; Kim, W.-J.; Ha, D. H.; Yun, W. S. Chemistry of Materials 2005, 17, 5558-5561. (21) Huang, W. L.; Chen, C.-hua; Huang, M. H. The Journal of Physical Chemistry C 2007, 111, 2533-2538. (22) Deng, Z.; Mansuipur, M.; Muscat, A. J. The Journal of Physical Chemistry C 2009, 113, 867-873. (23) Yu, T.; Joo, J.; Park, Y. I.; Hyeon, T. Journal of the American Chemical Society 2006, 128, 1786-7. (24) Xu, R.; Xie, T.; Zhao, Y.; Li, Y. Crystal Growth & Design 2007, 7, 1904-1911. (25) Yu, J. C.; Xu, A.; Zhang, L.; Song, R.; Wu, L. The Journal of Physical Chemistry B 2004, 108, 64-70. (26) Joo, J.; Son, J. S.; Kwon, S. G.; Yu, J. H.; Hyeon, T. Journal of the American Chemical Society 2006, 128, 5632-3. (27) Yu, J. H.; Liu, X.; Kweon, K. E.; Joo, J.; Park, J.; Ko, K.-T.; Lee, D. W.; Shen, S.; Tivakornsasithorn, K.; Son, J. S.; Park, J.-H.; Kim, Y.-W.; Hwang, G. S.; Dobrowolska, M.; Furdyna, J. K.; Hyeon, T. Nature materials 2010, 9, 47-53. (28) Yu, S. H.; Yoshimura, M. Advanced Materials 2002, 14, 296-300. (29) Li, J.; Xu, Y.; Wu, D.; Sun, Y. Solid State Communications 2004, 130, 619-622. (30) Yao, W.-T.; Yu, S.-H.; Pan, L.; Li, J.; Wu, Q.-S.; Zhang, L.; Jiang, J. Small 2005, 1, 320-5. (31) Fan, L.; Song, H.; Zhao, H.; Pan, G.; Yu, H.; Bai, X.; Li, S.; Lei, Y.; Dai, Q.; Qin, R.; Wang, T.; Dong, B.; Zheng, Z.; Ren, X. The journal of physical chemistry. B 2006, 110, 12948-53. (32) Park, K. H.; Jang, K.; Son, S. U. Angewandte Chemie (International ed. in English) 2006, 45, 4608-12. (33) Han-Mei, H.; Chong-Hai, D.; Xian-Huai, H.; Yan, L.; Mei, S.; Ke-Hua, Z. CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY 2007, 23, 1403-1408. (34) Huang, X.; Li, J. Journal of the American Chemical Society 2007, 129, 3157-62. (35) Huang, X.; Li, J.; Zhang, Y.; Mascarenhas, A. Journal of the American Chemical Society 2003, 125, 7049-55. (36) Son, J. S.; Wen, X.-D.; Joo, J.; Chae, J.; Baek, S.-I.; Park, K.; Kim, J. H.; An, K.; Yu, J. H.; Kwon, S. G.; Choi, S.-H.; Wang, Z.; Kim, Y.-W.; Kuk, Y.; Hoffmann, R.; Hyeon, T. Angewandte Chemie (International ed. in English) 2009, 48, 6861-4. (37) Ithurria, S.; Dubertret, B. Journal of the American Chemical Society 2008, 130, 16504-5. (38) Ithurria, S.; Bousquet, G.; Dubertret, B. Journal of the American Chemical Society 2011, 133, 3070-7. (39) Li, Z.; Peng, X. Journal of the American Chemical Society 2011, 133, 6578-86. (40) Hines, M. a; Guyot-Sionnest, P. The Journal of Physical Chemistry 1996, 100, 468-471. (41) Peng, X. Chemistry 2002, 8, 334-9. (42) Trindade, T.; O'Brien, P.; Zhang, X.-mei Chemistry of Materials 1997, 9, 523-530. (43) Mane, R. Materials Chemistry and Physics 2000, 65, 1-31. (44) Nicolau, Y. Applications of Surface Science 1985, 22, 1061- 1074. 35 REVENDICATIONS: 1. Un procédé de croissance en épaisseur d'au moins une face d'un feuillet colloïdal inorganique semiconducteur par dépôt d'un film cristallin de matériau à la surface du feuillet colloïdal inorganique, le procédé comportant l'introduction, dans un milieu contenant le feuillet colloïdal inorganique, d'une ou plusieurs solutions de précurseur contenant au moins un précurseur du matériau à déposer. 10 2. Un procédé selon la revendication 1 dans lequel le film de matériau déposé comprend une composition MxEy comportant des éléments M sous forme cationique et E sous forme anionique en rapport stoechiométrique, le rapport stoechiométrique étant 15 caractérisé par les valeurs x et y correspondantes aux valeurs absolues des degrés d'oxydation moyens des éléments E et M respectivement. 3. Un procédé selon la revendication 2 dans lequel le film de 20 composition MxEy déposé comprend un chalcogènure, un phosphure ou un oxyde. 4. Un procédé selon la revendication 2 ou 3 dans lequel le film déposé a une composition choisie parmi CdS, CdSe, CdTe, ZnS, 25 ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, GeS2, GeSe2, SnS2, SnSe2, CuInS2, CuInSe2, AgInS2, AgInSe2, CuS, Cu2S, Ag2S, Ag2Se, Ag2Te FeS, FeS2 InP, Cd3P2, Zn3P2, CdO, ZnO, FeO, Fe203, Fe304, A1203, Ti02, Si02. 30 5. Un procédé selon la revendication 4 dans lequel le film déposé comprend un alliage des matériaux précédemment cités. 6. Un procédé selon la revendication 2 dans lequel le film déposé contient un métal de transition ou un lanthanide. 35 7. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4 dans lequel le film déposé contient en quantités minoritaires unélément produisant un excès ou un déficit d'électrons par rapport au film seul. 8. Un procédé selon la revendication 1 dans lequel le film de matériau déposé comprend un métal 9. Un procédé selon la revendication 8 dans lequel le métal déposé est choisi parmi l'or, l'argent, le nickel, le molybdène, l'aluminium. 10. Un procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel on fixe le feuillet colloïdal inorganique initial sur au moins un substrat. 11. Un procédé selon la revendication 10 dans lequel la fixation du ou des feuillets sur ledit au moins un substrat est réalisée par adsorption ou par couplage chimique. 12. Un procédé selon la revendication 10 dans lequel le dit substrat est choisi parmi la silice Si02, l'alumine A1203, l'oxyde d'indium-étain ITO, l'oxyde de titane Ti02, l'or, l'argent, le nickel, le molybdène, l'aluminium, le silicium, le germanium, le carbure de silicium SiC, le graphène et la cellulose. 13. Un procédé selon la revendication 10 dans lequel le dit substrat comprend un polymère. 14. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 dans lequel on disperse le feuillet dans un solvant de dispersion. 30 15. Un procédé selon la revendication 14 dans lequel le solvant de dispersion des feuillets est choisi parmi l'eau distillée, le méthanol, l'éthanol, l'isopropanol, le butanol, le chloroforme, l'acétone, l'hexane, le tétrahydrofurane, et le 35 diméthylsulfoxyde. 16. Un procédé selon la revendication 14 dans lequel le solvant de dispersion des feuillets est un fluide supercritique ou un liquide ionique. 17. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 16dans lequel on introduit dans le solvant de dispersion un composé de stabilisation apte à stabiliser le ou les feuillets en solution. 18. Un procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel on introduit dans l'une quelconque des solutions de précurseurs un composé de stabilisation apte à stabiliser le ou les feuillets en solution. 19. Un procédé selon les revendications 17 ou 18 dans lequel le composé de stabilisation des feuillets comprend un ligand organique. 20. Un procédé selon la revendication 19 dans lequel le ligand organique comprend un acide carboxylique ou un thiol ou une amine ou une phosphine. 21. Un procédé selon les revendications 17 ou 18 dans lequel le composé de stabilisation des feuillets est un ion. 22. Un procédé selon la revendication 21 dans lequel l'ion de stabilisation comprend un ammonium quaternaire. 23. Un procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le temps t de réaction du précurseur de R est inférieur à quelques heures. 24. Un procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le débit d'introduction de la ou des solutions de précurseurs est choisi de manière à ce que la vitesse de croissance en épaisseur des feuillets soit comprise entre lnm par seconde et 0.lnm par heure. 25. Un procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la température du milieu fixée entre -100°C et 350°C. réactionnel est 26. Un procédé selon l'une quelconque des revendications après réaction précédentes dans lequel on purifie les feuillets du ou des précurseurs sur ces feuillets. 27. Un procédé selon la revendication 26 dans lequel la purification est réalisée par floculation et précipitation, ou par filtration. 28. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 27 dans lequel si E est un chalcogène, le précurseur de E est un composé contenant le chalcogène au degré d'oxydation -2. 29. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 28 dans lequel si E est du soufre, le précurseur de E est un sel contenant des ions sulfure S2- . 30. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 29 dans lequel le précurseur de E comprend le sulfure de bis(triméthylsilyle) (TMS2S) ou le sulfure d'hydrogène (H2S) ou l'hydrogénosulfure de sodium (NaSH) ou le sulfure de sodium (Na2S), ou le sulfure d'ammonium (S(NH4)2) , ou la thiourée, ou la thioacétamide. 31. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 30 dans lequel si E est du sélénium, le précurseur de E comprend un sel contenant les ions séléniure Set- . 32. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 31 dans lequel le précurseur de E comprend le séléniure de bis(triméthylsilyle) (TMS2Se) ou le séléniure d'hydrogène (H2Se) ou le séléniure de sodium (Na2Se) ou l'hydrogénoséléniure de sodium (NaSeH) ou le séléniosulfate de sodium (Na2SeS03), ou la sélénourée. 33. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 32 dans lequel si E comprend du tellure, le précurseur de E est un sel contenant des ions tellurure Tee-. 34. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 33 dans lequel le précurseur de E comprend le tellurure de bis(triméthylsilyle) (TMS2Te) ou le tellurure d'hydrogène (H2Te) ou le tellurure de sodium (Na2Te) ou l'hydrogénotellurure de sodium (NaTeH) ou le tellurosulfate de sodium (Na2TeS03). 35 Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 34 dans lequel si E est un chalcogène, le précurseur de E est formé in-situ par réaction d'un réducteur avec un composé contenant E au degré d'oxydation 0 ou à un degré d'oxydation strictement positif. 36. Un procédé selon la revendication 35 dans lequel un réducteur est introduit en même temps que le ou les précurseurs du film à déposer 37. Un procédé selon les revendications 35 ou 36 dans lequel le réducteur comprend le tétrahydruroborate de sodium (NaBH4). 38. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 37 dans lequel si E est de l'oxygène le précurseur de E est l'ion hydroxyde (H0-). 39. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 38 dans lequel si E est de l'oxygène le précurseur de E est une solution de soude (NaOH) ou de potasse (KOH) ou d'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAOH). 40. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 39 dans lequel si M est un métal, le précurseur de M est un composé contenant le métal dans un degré d'oxydation positif ou nul.41. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 40 dans lequel si M est un métal, le précurseur de M comprend un sel métallique. 42. Un procédé selon la revendication 41 dans lequel le sel métallique est un carboxylate de M, ou un chlorure de M, ou un nitrate de M, ou un sulfate de M, ou un thiolate de M. 43. Un procédé selon l'une quelconque des revendications 10 précédentes dans lequel le matériau constituant le feuillet inorganique initial comprend un semiconducteur choisi parmi CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, GeS2, GeSe2, SnS2, SnSe2, CuInS2, CuInSe2, AgInS2, AgInSe2, CuS, Cu2S, Ag2S, Ag2Se, Ag2Te FeS, FeS2 15 InP, Cd3P2, Zn3P2, CdO, ZnO, FeO, Fe203, Fe304, A1203, Ti02. 44. Un matériau obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau est un feuillet dont au moins une partie a une épaisseur supérieure à 20 l'épaisseur du feuillet initial. 45. Un matériau selon la revendication 44 dans lequel l'épaisseur de la partie en question est supérieure à 0.5 nm. 25 46. Un matériau selon la revendication 44 dans lequel l'épaisseur de la partie en question est comprise entre 0.5 et 25 nm. 47. Un matériau obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 41 dans lequel le matériau est de même 30 composition chimique que le feuillet initial. 48. Un matériau final obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 43 dans lequel le matériau est composé d'un empilement de films dont au moins un est de composition 35 chimique différente du feuillet initial, la surface de chaque film couvrant totalement la surface du film sur lequel il est déposé.49. Un matériau final obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 43 dans lequel le matériau est composé d'un empilement de films dont au moins un est de composition chimique différente du feuillet initial, la surface de chaque film couvrant partiellement la surface du film sur lequel il est déposé. 50. Un système électroluminescent comprenant un matériau obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 43 51. Un étage d'amplification d'un laser comprenant un matériau obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 43. 52. Un catalyseur à grande surface spécifique et cristallinité de surface contrôlée comprenant un matériau obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 43. 53. Un élément absorbeur et/ou collecteur constitutif d'une cellule photovoltaïque comprenant un matériau obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 43. 54. Un transistor à effet de champ comprenant un matériau obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 43. 25 30 35