FR 2981797 A1 20130426 FR 1259969 A 20121019 TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À HÉTÉROSTRUCTURE DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne, d'une manière générale, le domaine des circuits intégrés et, plus particulièrement, un transistor à effet de champ à hétérostructure et un procédé de fabrication. ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Les transistors à effet de champ à hétérostructure comprennent généralement une hétérojonction formée entre deux matériaux semi-conducteurs présentant des bandes interdites différentes. Les porteurs de charge à haute mobilité peuvent être 10 générés, par exemple, au moyen d'une hétérojonction entre une couche à bande interdite large (par exemple, une couche d' apport de donneur de type n) et une couche à bande interdite étroite. Le courant est généralement confiné dans un canal très étroit à une interface des couches et passe entre les bornes de la source et du drain, le courant étant régulé par une tension appliquée à la borne de grille. 15 Bien que les transistors à effet de champ à hétérostructure puissent présenter un rendement de puissance approprié dans la plage de fréquences allant des fréquences ultra-hautes (UHF) aux fréquences millimétriques, les dispositifs actuels peuvent être confrontés à des problèmes, tels qu'une chute importe de courant, un courant de fuite au niveau de la grille et un manque de fiabilité à haute température. 20 Dans diverses applications, par exemple des applications de commutation de fréquence radio (RF) à haute puissance, un dispositif présentant une tension de claquage plus élevé, un courant de fuite plus faible et une meilleure fiabilité par rapport au HEMT actuels serait souhaitable. 25 OBJET DE L'INVENTION Un objet de l'invention est un appareil comprenant : une couche tampon formée sur un substrat ; une couche barrière formée sur la couche tampon, la couche barrière comprenant de l'aluminium (Al), de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi 30 l'indium (In) et le gallium (Ga) ; une couche de coiffe formée sur la couche barrière, la couche de coiffe comprenant de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga) ; et une grille formée sur la couche de coiffe, la grille étant directement couplée à la couche de coiffe. Dans les modes de réalisation de l'appareil de l'invention, on peut utiliser l'une ou l'autre des caractéristiques suivantes ou toutes les caractéristiques suivantes : - la couche barrière est couplée de façon épitaxiale à la couche tampon ; la couche de coiffe est couplée de façon épitaxiale à la couche barrière ; la couche de coiffe est un diélectrique de grille, de sorte que la grille est couplée de façon capacitive à la couche barrière par l'intermédiaire de la couche de coiffe ; la couche de coiffe est composée de nitrure de gallium (GaN) polycristallin ou de nitrure d'aluminium (A1N) polycristallin ; et l'épaisseur de la couche de coiffe est inférieure ou égale à 50 angstrôms ; - la couche de coiffe présente une première énergie de bande interdite qui est supérieure à 5 électronvolts (eV) ; la couche barrière présente une deuxième énergie de bande interdite qui est inférieure à la première énergie de bande interdite ; et la couche tampon présente une troisième énergie de bande interdite qui est inférieure à la deuxième énergie de bande interdite ; - la couche tampon comprend du nitrure de gallium (GaN) ; et la couche tampon possède une épaisseur de 1 micron à 2 microns ; - la couche barrière comprend du nitrure d'aluminium et de gallium (Al'Gai_ ,,N), où x est une valeur allant de 0,15 à 0,3 qui représente les quantités relatives d'aluminium et de gallium, ou dans lequel la couche barrière comprend du nitrure d'indium et d'aluminium (InyAliryN), où y est une valeur allant de 0,13 à 0,21 qui représente les quantités relatives d'indium et d'aluminium ; - la grille est une grille en forme de T à plaque de champ ; la grille comprend du nickel (Ni), du platine (Pt), de l'iridium (Ir), du molybdène (Mo) ou de l'or (Au) ; la grille s'étend sur au moins 5 angstrôms dans la couche de coiffe ; et la grille fait 30 partie d'un dispositif de commutation à transistor à haute mobilité électronique (HEMT) destiné à une application d'amplificateur de puissance ; - la couche de coiffe comprend une première partie contenant essentiellement un seul matériau cristallin, la première partie étant formée sur la couche barrière et y est directement couplée ; et la couche de coiffe comprend une seconde partie contenant essentiellement un matériau polycristallin, la seconde partie étant formée sur la première partie et y est directement couplée ; - une source couplée à la couche de coiffe ; et un drain couplé à la couche de coiffe, dans lequel la source et le drain s'étendent tous les deux à travers la couche de coiffe et la couche barrière dans la couche tampon, la source est un contact ohmique, le drain est un contact ohmique et une plus courte distance entre le drain et la grille est supérieure à une plus courte distance entre la source et la grille ; -le substrat, le substrat comprenant du silicium (Si), du carbure de silicium (SiC), du saphir (A1203), du nitrure de gallium (GaN) ou du nitrure d'aluminium (AIN) ; une couche de diélectrique formée sur la couche de coiffe, la couche de diélectrique encapsulant essentiellement la grille ; et une plaque de champ formée sur la couche de diélectrique au-dessus de la grille, la plaque de champ étant électriquement couplée à la source. De plus, l'invention concerne également un procédé comprenant : la formation d'une couche tampon sur un substrat ; la formation d'une couche barrière sur la couche tampon, la couche barrière comprenant de l'aluminium (Al), de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga) ; la formation d'une couche de coiffe sur la couche barrière, la couche de coiffe comprenant de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga) ; et la formation d'une grille sur la couche de coiffe, la grille étant directement couplée à la couche de coiffe. Dans les modes de réalisation du procédé de l'invention, on peut utiliser l'une ou l'autre des caractéristiques suivantes ou toutes les caractéristiques suivantes : - la couche tampon, la couche barrière et la couche de coiffe sont toutes formées par dépôt épitaxial par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), épitaxie par couche atomique (ALE), épitaxie par faisceau chimique (CBE) ou épitaxie en phase 30 gazeuse organométallique (MOCVD) ; - la couche de coiffe est formée par le dépôt épitaxial de nitrure de gallium (GaN) ou de nitrure d'aluminium (AIN) à une température de 500 °C à 600 °C ; et la couche de coiffe est formée de façon à avoir une épaisseur inférieure ou égale à 50 angstrôms ; - la couche de coiffe présente une première énergie de bande interdite qui est supérieure à 5 électronvolts (eV) ; la couche barrière présente une deuxième énergie de bande interdite qui est inférieure à la première énergie de bande interdite ; et la couche tampon présente une troisième énergie de bande interdite qui est inférieure à la deuxième énergie de bande interdite ; - la couche barrière est formée par le dépôt épitaxial de la couche barrière sur la couche tampon ; et la couche de coiffe est formée par le dépôt épitaxial de la 10 couche de coiffe sur la couche barrière. - Le procédé comprend en outre : la formation d'une source et d'un drain sur la couche de coiffe ; la formation d'une couche de diélectrique encapsulant essentiellement la grille ; et la formation d'une plaque de champ sur la couche de diélectrique, la plaque de champ étant disposée au-dessus de la grille. 15 BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Les modes de réalisation seront mieux compris à la lecture de la description détaillée suivante, conjointement avec les dessins joints. Pour faciliter cette description, des numéros de référence identiques désignent des éléments de structure 20 identiques. Les modes de réalisation sont illustrés à titre d'exemple et non dans un but limitatif sur les figures des dessins joints. La figure 1 illustre schématiquement une vue en coupe d'un circuit intégré (CI) selon divers modes de réalisation. La figure 2 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit 25 intégré (CI) selon divers modes de réalisation. La figure 3 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) selon divers modes de réalisation. La figure 4 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) selon divers modes de réalisation. 30 La figure 5 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) selon divers modes de réalisation. La figure 6 est un schéma de procédé permettant de fabriquer un circuit intégré selon divers modes de réalisation. La figure 7 illustre schématiquement un exemple de système comprenant un circuit intégré selon divers modes de réalisation. DESCRIPTION PLUS DETAILLEE Les modes de réalisation de la présente description proposent des configurations structurelles d'un circuit intégré (CI), tel qu'un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) ou un transistor à effet de champ métal - isolant semi-conducteur (MISFET) ou leurs combinaisons, des procédés de fabrication et des systèmes. Dans la description détaillée suivante, il est fait référence aux dessins 10 joints qui forment une partie de celle-ci, sur lesquels des numéros identiques désignent des parties identiques, les dessins illustrant des modes de réalisation dans lesquels le sujet de la présente description peut être mis en pratique. Il est entendu que d'autres modes de réalisation peuvent être utilisés et que les modifications structurelles ou logiques peuvent être réalisées sans s'écarter de l'étendue de la 15 présente description. Par conséquent, il ne doit pas être considéré que la description détaillée suivante est une limite, et l'étendue des modes de réalisation est définie par les revendications jointes et leurs équivalents. Dans le cadre de la présente description, la phrase « A et/ou B » signifient (A), (B) ou (A et B). Dans le cadre de la présente description, la phrase « A, B et/ou C » 20 signifie (A), (B), (C), (A et B), (A et C), (B et C) ou (A, B et C). La description peut utiliser les phrases « dans un mode de réalisation » ou « dans des modes de réalisation », qui peut chacune faire référence à un ou plusieurs des modes de réalisation identiques ou différents. En outre, les termes « comprenant », « ayant », « incluant » et équivalents, tels qu'utilisés dans les modes 25 de réalisation de la présente invention, sont synonymes. Le terme « couplé » peut faire référence à une connexion directe, à une connexion indirecte ou à une communication indirecte. L'expression « couplé à », avec ses dérivés, peut être utilisée dans le présent document. « Couplé » peut avoir une ou plusieurs des significations suivantes. 30 « Couplé » peut signifier que deux ou plus de deux éléments sont en contact physique ou électrique direct. Cependant, « couplé » peut également signifier que deux ou plus de deux éléments sont indirectement en contact les uns avec les autres, toutefois en coopérant ou interagissant encore les uns avec les autres, et peut signifier qu'un ou plusieurs autres éléments sont couplés ou connectés entre les éléments que l'on dit être couplés les uns aux autres. Dans divers modes de réalisation, la phrase « une première couche formée sur une seconde couche » peut signifier que la première couche est formée au-dessus de 5 la seconde couche, et qu'au moins une partie de la première couche peut être en contact direct (par exemple, en contact physique et/ou électrique direct) ou en contact indirect (par exemple, avec une ou plusieurs autres couches entre la première couche et la seconde couche) avec au moins une partie de la seconde couche. La figure 1 illustre schématiquement une vue en coupe d'un circuit intégré 10 100 selon divers modes de réalisation. Par exemple, le circuit intégré 100 peut être un dispositif HEMT. Le circuit intégré 100 peut être fabriqué sur un substrat 102. Le substrat 102 comprend généralement un matériau de support sur lequel un empilement de couches (ou simplement « empilement 101 ») est déposé. Dans un mode de réalisation, le 15 substrat 102 comprend du silicium (Si), du carbure de silicium (SiC), de l'oxyde aluminium (A1203) ou « saphir », du nitrure de gallium (GaN) et/ou du nitrure d'aluminium (AIN). D'autres matériaux comprenant des systèmes de matériaux semiconducteurs appropriés des groupes II à VI et des groupes III à V peuvent être utilisés pour le substrat 102 dans d'autres modes de réalisation. Dans un mode de 20 réalisation, le substrat 102 peut être composé de tout matériau ou de toute combinaison de matériaux sur lequel/laquelle le matériau de la couche tampon 104 peut croître de façon épitaxiale. L'empilement 101 formé sur le substrat 102 peut comprendre des couches de système de matériaux différents déposées de façon épitaxiale, qui forment une ou 25 plusieurs hétérojonctions/hétérostructures. Les couches de l'empilement 101 peuvent être formées in situ. C'est-à-dire que l'empilement 101 peut être formé sur le substrat 102 dans un équipement de fabrication (par exemple, une chambre) où les couches constitutives de l'empilement 101 sont formées (par exemple, par croissance épitaxiale) sans que le substrat 102 soit retiré de l'équipement de fabrication. 30 Dans un mode de réalisation, l'empilement 101 du circuit intégré 100 comprend une couche tampon 104 formée sur le substrat 102. La couche tampon 104 peut fournir une transition de structure cristalline entre le substrat 102 et les autres composants (par exemple, la couche barrière 106) du circuit intégré 100, en jouant ainsi le rôle de couche tampon ou isolante entre le substrat 102 et les autres composants du circuit intégré 100. Par exemple, la couche tampon 104 peut fournir une relaxation de contrainte entre le substrat 102 et les autres matériaux à réseaux cristallins mal appariés (par exemple, la couche barrière 106). La couche tampon 104 peut être couplée de façon épitaxiale au substrat 102. Dans d'autres modes de réalisation, une couche de nucléation (non représentée) peut être intercalée entre le substrat 102 et la couche tampon 104. Dans certains modes de réalisation, la couche tampon 104 peut comprendre un matériau à base nitrure, par exemple du nitrure de gallium (GaN). La couche tampon 104 peut avoir une épaisseur de 1 à 2 microns dans une direction qui est sensiblement perpendiculaire à une surface du substrat 102 sur lequel la couche tampon 104 est formée. La couche tampon 104 peut comprendre d'autres matériaux appropriés et/ou avoir d'autres épaisseurs appropriées dans d'autres modes de réalisation. La couche tampon 104 peut être non dopée dans certains modes de réalisation. L'empilement 101 peut comprendre en outre une couche barrière 106 formée sur la couche tampon 104. Une hétérojonction peut être formée entre la couche barrière 106 et la couche tampon 104. La couche barrière 106 peut avoir une énergie de bande interdite supérieure à une énergie de bande interdite de la couche tampon 104. La couche barrière 106 peut être une couche à bande interdite plus large qui fournit des porteurs de charges mobiles et la couche tampon 104 peut être une couche à bande interdite plus étroite qui fournit un passage pour les porteurs de charges mobiles. En fonctionnement (par exemple, quand une tension est appliquée à une borne de grille, appelée grille 118 ci-dessous dans le présent document), un gaz électronique bidimensionnel (2DEG) peut se former à une interface entre la couche tampon 104 et la couche barrière 106, ce qui permet à un courant (par exemple, les porteurs de charges mobiles) de passer entre une borne de source, appelée source 112 ci-dessous dans le présent document, et une borne de drain, appelé drain 114 ci-dessous dans le présent document. Dans certain mode de réalisation, la couche barrière 106 est couplée de façon épitaxiale à la couche tampon 104. La couche barrière 106 peut être formée à partir de divers systèmes de matériaux appropriés. La couche barrière 106 peut comprendre, par exemple, de l'aluminium (Al) et de l'azote (N) avec de l'indium (In) et/ou du gallium (Ga). Dans un mode de réalisation, la couche barrière 106 peut être composée de nitrure d'aluminium et de gallium (Al'Gai,N), où x est une valeur comprise entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'aluminium et de gallium. Dans des modes de réalisation, la valeur de x est de 0,15 à 0,3. D'autres valeurs de x peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. Dans les modes de réalisation où la couche barrière 106 est A1GaN, la couche barrière 106 peut avoir une épaisseur de 160 à 300 angstri5ms dans une direction qui est sensiblement perpendiculaire à une surface de la couche tampon 104 sur laquelle la couche barrière 106 est formée. La couche barrière 106 peut comprendre d'autres matériaux appropriés et/ou avoir d'autres épaisseurs dans d'autres modes de réalisation. Dans un autre mode de réalisation, la couche barrière 106 peut être composée de nitrure d'indium et d'aluminium (InyAli_yN), où y est une valeur comprise entre 0 et 1 qui représente les quantités relatives d'indium et d'aluminium. La composition de la couche barrière 106 peut compléter la composition de la couche tampon 104. Par exemple, dans certains modes de réalisation, la composition d'indium dans la couche barrière 106 peut correspondre à une valeur de y égale à 0,17. Cette concentration en indium permet à la couche barrière 106 d'avoir une structure de réseau qui s'apparie à une structure de réseau de la couche tampon 104 quand la couche tampon est composée de GaN. Une telle correspondance permet d'obtenir une contrainte relativement faible, ce qui peut rendre le circuit intégré 100 plus fiable lors de son fonctionnement. Bien qu'une variance à partir d'une concentration de 17 % d'indium puisse accroître le mésappariement des structures de réseau, une telle variance peut également fournir des caractéristiques de fonctionnement souhaitables pour des modes de réalisation particuliers. Par exemple, la diminution de la concentration en indium jusqu'à 13 %, par exemple, peut induire davantage de charges (courant), mais également augmenter la contrainte dans le circuit intégré 100. A l'inverse, l'augmentation de la concentration en indium jusqu'à 21 %, par exemple, peut induire moins de charges, mais réduit également la contrainte globale dans le circuit intégré 100. Dans certains modes de réalisation, la valeur de y est comprise entre 0,13 à 0,21. D'autres valeurs de y peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. Une autre couche d'AIN (non représentée) possédant une épaisseur d'environ 5 à 20 angstrôms peut être disposée entre la couche barrière et la couche tampon pour les modes de réalisation dans lesquels la couche barrière 106 est composée d'InAlN. Dans les modes de réalisation où la couche barrière 106 est composée d'InAlN, la couche barrière 106 peut avoir une épaisseur de 30 à 150 angstrôms dans 5 une direction qui est sensiblement perpendiculaire à une surface de la couche tampon 104 sur laquelle la couche barrière 106 est formée. La couche barrière 106 peut comprendre d'autres matériaux appropriés et/ou avoir d'autres épaisseurs dans d'autres modes de réalisation. Par exemple, d'autres matériaux du groupe III peuvent être utilisés à la place de l'Al ou de l'In. La couche barrière 106 peut être non dopée 10 dans certains modes de réalisation. L'empilement 101 peut comprendre en outre une couche de coiffe 108 formée sur la couche barrière 106. La couche de coiffe 108 peut être couplée de façon épitaxiale à la couche barrière 106. La couche de coiffe 108 peut fournir une couche de passivation à haute résistance et/ou un isolant/diélectrique de grille pour le circuit 15 intégré 100. Par exemple, le circuit intégré 100 peut être un transistor à effet de champ métal - isolant - semi-conducteur (MIS), dans lequel la couche de coiffe 108 joue le rôle d'isolant de la grille 118. La structure MIS qui contient la couche de coiffe 108 peut fournir un dispositif de communication efficace pour des applications de commutation de puissance, notamment des applications de conditionnement de 20 puissance telles que les convertisseurs courant alternatif (CA)/courant continu (CC), les convertisseurs CC/CC, les convertisseurs CC/CA et équivalents. La grille 118 peut être couplée de façon capacitive à la couche barrière 106 par l'intermédiaire de la couche de coiffe 108. La couche de coiffe 108 peut être composée de divers systèmes de matériaux 25 appropriés. Selon divers modes de réalisation, la couche de coiffe 108 peut comprendre de l'azote (N) combiné avec de l'indium (In), de l'aluminium (Al) et/ou du gallium (Ga). Dans un mode de réalisation, la couche de coiffe 108 peut être composée de nitrure d'aluminium (A1N) ou de nitrure de gallium (GaN). D'autres matériaux appropriés peuvent être utilisés pour la couche de coiffe 108 dans d'autres 30 modes de réalisation. La couche de coiffe 108 peut être formée à une température relativement basse (par exemple, de 500 °C à 600 °C) dans certains modes de réalisation. Par exemple, la formation d'AIN ou de GaN à une température relativement plus élevée (par exemple, de 1000 °C à 1100 °C) peut permettre d'obtenir un matériau possédant une structure de réseau qui est davantage monocristalline, ce qui permet d'avoir un matériau de nature piézoélectrique le rendant plus sensible à une passivation superficielle en raison de la formation secondaire de pièges. De telles caractéristiques des matériaux peuvent entraîner une augmentation de la chute importe de courant et du courant de fuite au niveau de la grille si une couche de coiffe 108 formée à une température relativement plus élevée est utilisée dans le circuit intégré 100. La formation de la couche de coiffe 108 à une température plus basse peut permettre d'obtenir un matériau possédant une structure de réseau davantage polycristalline, ce qui réduit la formation des pièges et abaisse la chute importe de courant et le courant de fuite au niveau de la grille dans le circuit intégré 100. Dans certains modes de réalisation, la couche de coiffe 108 comprend un matériau polycristallin. Selon divers modes de réalisation, la couche de coiffe 108 formée à une température relativement plus basse présente une énergie de bande interdite de 5 à 6 électronvolts (eV). L'énergie de bande interdite de la couche de coiffe 108 peut être supérieure à l'énergie de bande interdite de la couche barrière 106. La couche de coiffe 108 peut avoir une épaisseur conçue pour des applications d'amplificateurs à puissance élevée, à efficacité élevée et à faible courant de fuite au niveau de la grille, tels que les dispositifs de commutation à amplificateur de puissance dans la gamme des ondes micro-ondes à millimétriques destinés à la transmission sans fil de signaux (par exemple, des applications RF). Selon divers modes de réalisation, la couche de coiffe 108 possède une épaisseur qui est inférieure à 50 angstrôms. Une couche de coiffe 108 de plus d'environ 50 à 100 angstrôms peut trop épaisse pour des opérations efficaces d'amplificateur de puissance. La couche de coiffe 108, telle que décrite dans le présent document, peut diminuer le courant de fuite et/ou les chutes importantes de courant et augmenter la tension de claquage, la tension directe, la dérive du courant de repos et la fiabilité du circuit intégré 100 par rapport à un circuit intégré ne contenant pas la couche de coiffe 108 décrite dans le présent document. La couche de coiffe 108 décrite dans le présent document peut en outre accroître la linéarité (par exemple, augmentation de la transconductance, diminution l'oscillation de capacité grille sur source) et diminuer la distorsion du circuit intégré 100, ce qui permet d'obtenir une meilleure reproduction de l'amplitude/de la phase des signaux (par exemple, une conversion de la modulation d'amplitude (AM) en AM et une conversion de l'AM en modulation de phase (PM)). Le circuit intégré 100 comprend en outre une grille 118 formée sur la couche de coiffe 108. La grille 118 joue le rôle de borne de connexion pour le circuit intégré 100. La grille 118 peut être couplée directement à la couche de coiffe 108. La grille 118 peut avoir une partie tronc ou inférieure qui est couplée directement à la couche de coiffe 108 et une partie supérieure qui s'étend à partir de la partie tronc dans des directions opposées qui sont sensiblement parallèles à une 10 surface de la couche de coiffe 108 sur laquelle la grille 118 est fabriquée, comme on peut le voir. Une telle configuration de la partie tronc et de la partie supérieure de la grille 118 peut être appelée grille en forme de T. Dans certains modes de réalisation, la grille 118 peut être une grille à plaque de champ, ce qui peut augmenter la tension de claquage et/ou réduire le champ électrique entre la grille 118 et le drain 114. La 15 partie tronc de la grille 118 peut avoir une épaisseur d'environ 300 à environ 1400 angstrôms dans une direction qui est sensiblement perpendiculaire à une surface de la couche de coiffe 108 sur laquelle la partie tronc est formée. La grille 118 est généralement composée d'un matériau électroconducteur, tel qu'un métal. Dans certains modes de réalisation, la grille 118 peut être composée de 20 nickel (Ni), de platine (Pt), d'iridium (Ir), de molybdène (Mo), d'or (Au) et/ou d'aluminium (M). Dans un mode de réalisation, un matériau comprenant du Ni, du Pt, de l'Ir ou du Mo est disposé dans la partie tronc de la grille 118 pour obtenir un contact de grille avec la couche de coiffe 108 et un matériau comprenant de l'Au est disposé dans la partie supérieure de la grille 118 pour que la grille 118 puisse 25 présenter une conductivité et une faible résistance. Selon divers modes de réalisation, la grille 118 fait partie d'un dispositif à transistor à haute mobilité électronique (HEMT). Le circuit intégré 100 peut comprendre une source 112 et un drain 114 formés sur la couche de coiffe 108. La source 112 et le drain 114 peuvent se prolonger tous 30 les deux à travers la couche de coiffe 108 et la couche barrière 106 dans la couche barrière 104, comme on peut le voir. Selon divers modes de réalisation, la source 112 et le drain 114 sont des contacts ohmiques. La source 112 et le drain 114 peuvent être des contacts reformés pouvant fournir une résistance de contact relative plus basse que les contacts formés de manière classique. Dans certains modes de réalisation, la résistance des contacts de la source 112 et du drain 114 est d'environ 0,01 ohm.mm. La source 112 et le drain 114 peuvent être tous les deux composés d'un matériau électroconducteur, tel qu'un métal. Dans un mode de réalisation, la source 112 et le drain 114 comprennent tous les deux du titane (Ti), de l'aluminium (Al), du molybdène (Mo), de l'or (Au) et/ou du silicium (Si). D'autres matériaux peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. Dans un mode de réalisation, une distance Dl entre le drain 114 et la grille 118 est supérieure à une distance Si entre la source 112 et la grille 118. La distance Dl peut être la distance la plus courte entre le drain 114 et la grille 118 et la distance Si peut être la distance la plus courte entre la source 112 et la grille 118 dans certains modes de réalisation. Une distance S1 plus courte que la distance Dl peut augmenter la tension de claquage grille 118 sur drain 114 et/ou réduire la résistance de la source 112. Une couche de diélectrique 122 peut être formée sur la couche de coiffe 108 dans certains modes de réalisation. La couche de diélectrique 122 peut comprendre, par exemple, du nitrure de silicium (SiN). D'autres matériaux peuvent être utilisés pour la couche de diélectrique 122 dans d'autres modes de réalisation. Dans certains modes de réalisation, au moins une partie de la couche de diélectrique 122 couplée à la couche de coiffe 108 est formée par dépôt épitaxial lors d'un procédé in situ qui est 20 utilisé pour former l'empilement 101. La couche de diélectrique 122 peut encapsuler essentiellement la grille 118. La couche de diélectrique 122 peut jouer le rôle de couche de passivation du circuit intégré 100. Le circuit intégré 100 peut comprendre une plaque de champ 124 formée sur la couche de diélectrique 122 pour augmenter la tension de claquage et/ou réduire le 25 champ électrique entre la grille 118 et le drain 114. La plaque de champ 124 peut être électriquement couplée à la source 112 au moyen d'un matériau électroconducteur 126. Le matériau électroconducteur 126 peut comprendre un métal, tel que l'or (Au), qui est déposé sous la forme d'une électrode ou d'une structure de type piste sur la couche de diélectrique 122. D'autres matériaux appropriés peuvent être utilisés pour 30 le matériau électroconducteur 126 dans d'autres modes de réalisation. La plaque de champ 124 est généralement composée d'un matériau électroconducteur, tel qu'un métal, et peut comprendre les matériaux proposés pour la grille 118. La plaque de champ 124 peut être couplée de façon capacitive à la grille 118 par l'intermédiaire de la couche de diélectrique 122. Dans certains modes de réalisation, la plus courte distance entre la plaque de champ 124 et la grille 118 est de 1000 à 2000 angstrôms. La plaque de champ 124 peut être formée au-dessus de la grille 118, de façon qu'une partie de la plaque de champ 124 soit déposée directement au-dessus de la grille 118 et une autre partie de la plaque de champ 124 ne soit pas formée directement au-dessus de la grille 118 afin d'obtenir une région en surplomb de la plaque de champ 124, comme on peut le voir. Dans certains modes de réalisation, la région en surplomb de la plaque de champ 124 se prolonge au-delà d'un bord de la partie supérieure de la grille 118 sur une distance Hl. La distance Hl peut être de 0,2 à 1 micron dans certains modes de réalisation. D'autres valeurs pour Hl peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. La figure 2 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) 200 selon divers modes de réalisation. Le circuit intégré 200 peut s'accorder sensiblement aux modes de réalisation décrits en connexion avec le circuit intégré 100 de la figure 1, sauf que sur la figure 2, une partie tronc de la grille 218 se prolonge dans la couche de coiffe 108 sur une distance R. Par exemple, un renfoncement peut être formé dans la couche de coiffe 108 selon un procédé de gravure, telle qu'une gravure anisotrope, afin d'éliminer une partie du matériau formant la couche de coiffe 108 de façon que la grille 218 puisse être formée dans la région comportant un renfoncement de la couche de coiffe 108. D'autres techniques permettant de former une grille 218 se prolongeant dans la couche de coiffe 108 peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. La pénétration de la grille 218 dans la couche de coiffe 108 peut d'augmenter la tension de claquage et/ou réduire une chute importante de courant dans le circuit intégré 200. Selon certains modes de réalisation, R représente une distance de 10 à 30 angstrôms. R peut avoir d'autres valeurs dans d'autres modes de réalisation. La figure 3 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) 300 selon divers modes de réalisation. Le circuit intégré 300 peut s'accorder sensiblement aux modes de réalisation décrits en connexion avec le circuit 30 intégré 100 de la figure 1, sauf que sur la figure 3, la couche de coiffe 108 comporte une première partie 308 formée sur la couche barrière 106 et une seconde partie 309 formée sur la première partie, comme on peut le voir. La première partie 308 peut être une couche qui est composée, par exemple, de GaN ou d'AIN et qui est formée dans un procédé à une température plus élevée, comme décrit dans le présent document (par exemple, à une température relativement plus élevée de 1000 °C à 1100 °C). Dans certains modes de réalisation, la première partie 308 comprend un matériau sensiblement ou totalement monocristallin. L'épaisseur de la première partie 308 peut être de 20 à 30 angstrôms. D'autres matériaux ou d'autres épaisseurs peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. La seconde partie 309 peut être une couche qui est composée, par exemple, de GaN ou d'AIN et qui est formée dans un procédé à une température plus basse, comme décrit dans le présent document (par exemple, à une température relativement plus basse de 500 °C à 600 °C). La seconde partie 309 peut jouer le rôle d'interface ou de couche tampon pour la grille 118 pour prévenir un courant de fuite et réduire la dislocation ou d'autres défauts. Dans certains modes de réalisation, la seconde partie 309 comprend un matériau sensiblement ou totalement polycristallin. L'épaisseur de la seconde partie 309 peut être de 20 à 30 angstrôms. D'autres matériaux ou d'autres épaisseurs peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. La première partie 308 et la seconde partie 309 peuvent être déposées de façon épitaxiale et faire partie de l'empilement 101 dans certains modes de réalisation. La figure 4 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) 400 selon divers modes de réalisation. Le circuit intégré 400 peut s'accorder sensiblement aux modes de réalisation décrits en connexion avec le circuit intégré 100 de la figure 1, sauf que sur la figure 4, le circuit intégré 400 comprend un diélectrique in situ 409 formé sur la couche de coiffe 108, comme on peut le voir. Le diélectrique in situ 409 peut être une couche composée d'un matériau diélectrique, par exemple le nitrure de silicium (SiN), ou d'un autre matériau diélectrique approprié formé sur la couche de coiffe 108 en tant que partie de l'empilement 101. L'épaisseur du diélectrique in situ 409 peut être de 50 à 200 angstrôms dans certains modes de réalisation. D'autres épaisseurs et/ou matériaux peuvent être utilisés pour le diélectrique in situ 409 dans d'autres modes de réalisation. Dans certains modes de réalisation, le diélectrique in situ 409 est déposé de façon épitaxiale sur la couche de coiffe 108 et formé dans un équipement de fabrication (par exemple, une chambre) où les couches constitutives de l'empilement 101 sont formées (par exemple, par croissance épitaxiale) sans que le substrat 102 soit retiré de l'équipement de fabrication. Un renfoncement peut être formé dans le diélectrique in situ 409 par n'importe quel procédé approprié, tel qu'un procédé de gravure, afin de former une ouverture de façon que la grille 118 puisse être formée sur la couche de coiffe 108, comme on peut le voir. La couche de diélectrique 122 peut être déposée après la formation de la grille 118 dans un procédé qui est extrinsèque au procès in situ utilisé pour former le diélectrique in situ 409. Le diélectrique in situ 409 peut réduire la contamination et/ou fournir une interface qui réduit la densité des pièges dans le circuit intégré 400. La figure 5 illustre schématiquement une vue en coupe d'un autre circuit intégré (CI) 500 selon divers modes de réalisation. Le circuit intégré 500 comprend une couche dopée 504 formée sur le substrat 102. La couche dopée 504 peut comprendre divers matériaux, par exemple les matériaux décrits pour le substrat 102 en connexion avec le circuit intégré 100 de la figure 1. Dans divers modes de réalisation, la couche dopée 504 est dopée avec une impureté, telle que du silicium (Si) de type n. L'épaisseur de la couche dopée 504 peut être de 500 à 1500 angstrôms. D'autres dopants, matériaux et/ou épaisseurs appropriés peuvent être utilisés pour la couche dopée 504 dans d'autres modes de réalisation. Les caractéristiques restantes du circuit intégré 500 représenté sur la figure 5 peuvent s'accorder aux modes de réalisation déjà décrits en connexion avec le circuit intégré 100 de la figure 1. Les modes de réalisation décrits en connexion avec les circuits intégrés 100, 200, 300, 400 et/ou 500 peuvent être combinés de manière appropriée dans divers modes de réalisation. Par exemple, le diélectrique in situ 409 de la figure 4 peut être formé sur la couche de coiffe 108 ayant la première partie 308 et la seconde partie 309 de la figure 3 et/ou la grille 218 de la figure 2 peut être formée de manière à se prolonger dans la couche de coiffe 108 de la figure 3 ou de la figure 4. La figure 6 est un schéma du procédé 600 permettant de fabriquer un circuit intégré (par exemple, les circuits intégrés 100, 200, 300 ou 400, respectivement des figures 1, 2, 3 ou 4) selon divers modes de réalisation. Le procédé 600 comprend la formation d'une couche tampon (par exemple, la couche tampon 104 de la figure 1) sur un substrat (par exemple, le substrat 102 de la figure 1) dans l'étape 602, la formation d'une couche barrière (par exemple, la couche barrière 106 de la figure 1) sur la couche tampon dans l'étape 604 et la formation d'une couche de coiffe (par exemple, la couche de coiffe 108 de la figure 1, 2, 3 ou 4) sur la couche barrière dans l'étape 606. D'autres couches peuvent être formées entre ces couches dans divers modes de réalisation. Selon divers modes de réalisation, la couche tampon, la couche barrière et la couche de coiffe sont toutes déposées de façon épitaxiale par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), épitaxie par couche atomique (ALE), épitaxie par faisceau chimique (CBE) et/ou épitaxie en phase gazeuse organométallique (MOCVD). La couche tampon, la couche barrière et/ou la couche de coiffe peuvent être formées selon les modes de réalisation déjà décrits en connexion avec les figures 1 à 4. La couche tampon, la couche barrière et la couche de coiffe peuvent faire partie d'un empilement de couches (par exemple, l'empilement 101 de la figure 1) formées au moyen d'un procès in situ, comme décrit dans le présent document. D'autres techniques de dépôt appropriées peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. Les matériaux et/ou les épaisseurs pour les couches de l'empilement peuvent s'accorder avec les modes de réalisation déjà décrits en connexion avec les circuits intégrés 100, 200, 300 et 400, respectivement des figures 1, 2, 3 et 4. Dans l'étape 608, le procédé 600 peut comprendre en outre la formation d'une source (par exemple, la source 112 de la figure 1) et un drain (par exemple, le drain 114 la figure 1). La source et le drain peuvent être formés sur la couche de coiffe dans divers modes de réalisation. Dans un mode de réalisation, des matériaux, tels qu'un ou plusieurs métaux, sont déposés sur la couche de coiffe dans une zone où la source et le drain doivent être formés, par exemple selon un procédé d'évaporation. Les matériaux utilisés pour former la source et le drain peuvent comprendre les métaux déposés dans l'ordre suivant : du titane (Ti) puis de l'aluminium (Al), puis du molybdène (Mo), puis du titane (Ti), puis de l'or (Au). Les matériaux déposés peuvent être chauffés (par exemple, à environ 850 °C pendant environ 30 secondes au moyen d'un procédé de recuit thermique rapide) afin qu'ils pénètrent et fusionnent avec le matériau sous-jacent de la couche de coiffe, de la couche barrière et/ou de la couche tampon. Dans des modes de réalisation, la source et le drain se prolongent tous les deux à travers la couche de coiffe et dans la couche tampon. Une épaisseur de la source et du drain peut être de 1000 à 2000 angstrôms. D'autres épaisseurs pour la source et le drain peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. La source et le drain peuvent être formés dans un procédé de reformation pour obtenir des contacts ohmiques présentant une résistance réduite de contact ou une résistance réduite. Dans le procédé de reformation, le matériau de la couche de coiffe, de la couche barrière et/ou de la couche tampon est éliminé sélectivement (par exemple, gravé) dans des zones où la source et le drain doivent être formés. Un matériau hautement dopé (par exemple, un matériau n++) est déposé dans les zones où les couches ont été éliminées sélectivement. Le matériau hautement dopé de la source et du drain peut être un matériau similaire au matériau utilisé pour la couche tampon 104 ou la couche barrière 106. Par exemple, dans un système où la couche tampon comprend du GaN, un matériau à base de GaN qui est hautement dopé avec du silicium (Si) peut être déposé de façon épitaxiale dans les zones éliminées de manière sélective jusqu'à une épaisseur de 400 à 700 angstrôms. Le matériau hautement dopé peut être déposé de façon épitaxiale par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), épitaxie par couche atomique (ALE), épitaxie par faisceau chimique (CBE) ou épitaxie en phase gazeuse organométallique (MOCVD), ou selon des combinaisons appropriées de celles-ci. D'autres matériaux, épaisseurs et techniques de dépôt pour le matériau hautement dopé peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. Un ou plusieurs métaux comprenant, par exemple, du titane (Ti) et/ou de l'or (Au), peuvent être formés/déposés sur le matériau hautement dopé à une épaisseur de 1000 angstrôms à 1500 angstrôms, par exemple selon un procédé de retrait. D'autres matériaux, épaisseurs et techniques pour le ou les métaux peuvent être utilisés dans d'autres modes de réalisation. Dans certains modes de réalisation, la source et le drain peuvent être formés selon un procédé d'implantation qui utilise des techniques d'implantation pour introduire une impureté (par exemple, du silicium) pour fournir un matériau hautement dopé dans la source et le drain. Après l'implantation, la source et le drain sont soumis à un recuit à température élevée (par exemple, de 1100 °C à 1200 °C). Le procédé de reformation peut éviter de préférence la température élevée associée au recuit post-implantation. Dans l'étape 610, le procédé 600 peut comprend en outre la formation d'une grille (par exemple, la structure de grille 118 de la figure 1). La grille peut être formée sur la couche de coiffe par le dépôt d'un matériau électroconducteur sur la couche de coiffe. Le matériau de la grille peut être déposé selon n'importe quel procédé de dépôt approprié, par exemple par évaporation, dépôt de couches atomiques (ALD) et/ou dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Dans un mode de réalisation où la grille est une grille en forme de T, une partie tronc ou une partie supérieure de la grille en T peut être formée selon des procédés de dépôt métallique/gravure ou un procédé de retrait. Dans l'étape 612, le procédé 600 comprend en outre la formation d'une couche de diélectrique (par exemple, la couche de diélectrique 122 de la figure 1) sur la grille. La couche de diélectrique peut être formée par le dépôt d'un matériau diélectrique sur la grille et/ou la couche de coiffe au moyen de n'importe quelle technique de dépôt appropriée. Dans l'étape 614, le procédé 600 comprend en outre la formation d'une plaque de champ (par exemple, la plaque de champ 124 de la figure 1) sur la couche de diélectrique. La plaque de champ peut être formée par le dépôt d'un matériau électroconducteur sur la couche de diélectrique au moyen de n'importe quelle technique de dépôt appropriée. Des procédés de formation de motifs, tels que des procédés de lithographie et/ou de gravure, peuvent être utilisés pour éliminer sélectivement des parties du matériau électroconducteur déposé afin de former la plaque de champ. D'autres techniques appropriées peuvent être utilisées dans d'autres modes de réalisation. Des techniques similaires à celles décrites en connexion avec le procédé 600 peuvent être mises en oeuvre pour fabriquer le circuit intégré 500 de la figure 5. Les diverses opérations sont décrites sous la forme de multiples opérations discrètes, de façon à mieux comprendre le sujet revendiqué. Cependant, il ne doit pas être considéré que l'ordre de la description implique que ces opérations dépendent nécessairement d'un ordre. En particulier, ces opérations peuvent ne pas être exécutées dans l'ordre de présentation. Les opérations décrites peuvent être effectuées dans un ordre différent de celui du mode de réalisation décrit. Diverses opérations supplémentaires peuvent être mises en oeuvre et/ou des opérations décrites peuvent être omises dans d'autres modes de réalisation. Les modes de réalisation d'un circuit intégré (par exemple, le circuit intégré 100, 200, 300, 400 ou 500) décrit dans le présent document, et les appareils comprenant un tel circuit intégré 100, peuvent être incorporés dans divers autres appareils et systèmes. Un schéma de principe d'un exemple de système 700 est illustré sur la figure 7. Comme on peut le voir, le système 700 comprend un module d'amplificateur de puissance (PA) 702, qui peut être un module PA de fréquence radio (RF) dans certains modes de réalisation. Le système 700 peut comprendre un émetteur/récepteur 704 couplé au module d'amplificateur de puissance 702, comme illustré. Le module d'amplificateur de puissance 702 peut comprendre un circuit intégré (par exemple, le circuit intégré 100, 200, 300, 400 ou 500) décrit dans le présent document. Le module d'amplificateur de puissance 702 peut recevoir un signal RF d'entrée, RFin, provenant de l'émetteur/récepteur 704. Le module d'amplificateur de 10 puissance 702 peut amplifier le signal RF d'entrée, RFin, pour fournir le signal RF de sortie, RFout. Le signal RF d'entrée, RFin, et le signal RF de sortie, RFout, peuvent tous les deux faire partie d'une chaîne de transmission, notée respectivement Tx RFin et Tx - RFOut sur la figure 7. Le signal RF de sortie amplifié, RFout, être fourni à un module de 15 commutation d'antenne (ASM) 706 qui effectue une liaison radio (OTA) du signal RF de sortie, RFout, par l'intermédiaire d'une structure d'antenne 708. L'ASM 706 peut également recevoir des signaux RF par l'intermédiaire de la structure d'antenne 708 et coupler les signaux RF reçus, Rx, à l'émetteur/récepteur 704 le long d'une chaîne de réception. 20 Dans divers modes de réalisation, la structure d'antenne 708 peut comprendre une ou plusieurs antennes directionnelles et/ou omnidirectionnelles, par exemple une antenne dipolaire, une antenne monopolaire, une antenne à plaque, une antenne-cadre, une antenne microruban ou n'importe quel autre type d'antenne appropriée pour l'émission/réception OTA de signaux RF. 25 Le système 700 peut être n'importe quel système comprenant une amplification de puissance. Le circuit intégré (par exemple, le circuit intégré 100, 200, 300, 400 ou 500) peut fournir un dispositif de commutation efficace pour des applications de commutation de puissance, notamment dans des applications de conditionnement de puissance telles que les convertisseurs courant alternatif 30 (CA)/courant continu (CC), les convertisseurs CC/CC, les convertisseurs CC/CA et équivalents. Dans divers modes de réalisation, le système 700 peut être particulièrement utile pour effectuer une amplification de puissance à une puissance élevée de fréquence radio et à une fréquence élevée. Par exemple, le système 700 peut être approprié pour les communications terrestres et par satellite, les systèmes radar et éventuellement dans diverses applications industrielles et médicales. Plus précisément, dans divers modes de réalisation, le système 700 peut être un appareil choisi parmi un dispositif radar, un dispositif de communication par satellite, un téléphone mobile, une station de base de téléphone cellulaire, un appareil de radiodiffusion ou un système amplificateur pour télévision. Bien que certains modes de réalisation aient été illustrés et décrits dans le présent document dans un but descriptif, de très nombreux modes de réalisation alternatifs et/ou équivalents calculés pour atteindre les mêmes objectifs peuvent se substituer aux modes de réalisation présentés et décrits, sans s'écarter de l'étendue de la présente description. La présente demande est destinée à couvrir n'importe quelle adaptation ou variation des modes de réalisation décrits dans le présent document. Par conséquent, il est manifestement prévu que les modes de réalisation décrits dans le présent document soient seulement limités par les revendications et leurs équivalents. REVENDICATIONS1. Appareil (100) comprenant : une couche tampon (104) formée sur un substrat (102) ; une couche barrière (106) formée sur la couche tampon (104), la couche barrière (106) comprenant de l'aluminium (Al), de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga) ; une couche de coiffe (108) formée sur la couche barrière (106), la couche de coiffe (108) comprenant de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga) ; et une grille (118) formée sur la couche de coiffe (108), la grille (118) étant directement couplée à la couche de coiffe (108). 2. Appareil (100) selon la revendication 1, dans lequel : la couche barrière (106) est couplée de façon épitaxiale à la couche tampon (104) ; la couche de coiffe (108) est couplée de façon épitaxiale à la couche barrière (106) ; la couche de coiffe (108) est un diélectrique de grille, de sorte que la grille (118) est couplée de façon capacitive à la couche barrière (106) par l'intermédiaire de la couche de coiffe (108) ; la couche de coiffe (108) est composée de nitrure de gallium (GaN) polycristallin ou de nitrure d'aluminium (AIN) polycristallin ; et l'épaisseur de la couche de coiffe (108) est inférieure ou égale à 50 angstreims. 3. Appareil (100) selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel : la couche de coiffe (108) présente une première énergie de bande interdite qui est supérieure à 5 électronvolts (eV) ; la couche barrière (106) présente une deuxième énergie de bande interdite qui est inférieure à la première énergie de bande interdite ; et la couche tampon (104) présente une troisième énergie de bande interdite qui est inférieure à la deuxième énergie de bande interdite. 4. Appareil (100) selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel : la couche tampon (104) comprend du nitrure de gallium (GaN) ; etla couche tampon (104) possède une épaisseur de 1 micron à 2 microns. 5. Appareil (100) selon la revendication 4, dans lequel la couche barrière (106) comprend du nitrure d'aluminium et de gallium (AlxGai_,,N), où x est une valeur allant de 0,15 à 0,3 qui représente les quantités relatives d'aluminium et de gallium, ou dans lequel la couche barrière (106) comprend du nitrure d'indium et d'aluminium (InyAli_yN), où y est une valeur allant de 0,13 à 0,21 qui représente les quantités relatives d'indium et d'aluminium. 6. Appareil (100) selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel : la grille (118) est une grille en forme de T à plaque de champ ; la grille (118) comprend du nickel (Ni), du platine (Pt), de l'iridium (Ir), du molybdène (Mo) ou de l'or (Au) ; la grille s'étend sur au moins 5 angstrôms dans la couche de coiffe (108) ; et la grille fait partie d'un dispositif de commutation à transistor à haute mobilité électronique (HEMT) destiné à une application d'amplificateur de puissance. 7. Appareil (100) selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel : la couche de coiffe (108) comprend une première partie contenant essentiellement un seul matériau cristallin, la première partie étant formée sur la couche barrière (106) et y est directement couplée ; et la couche de coiffe (108) comprend une seconde partie contenant essentiellement un matériau polycristallin, la seconde partie étant formée sur la première partie et y est directement couplée. 8. Appareil (100) selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, comprenant en outre : une source (112) couplée à la couche de coiffe (108) ; et un drain (114) couplé à la couche de coiffe (108), dans lequel la source (112) et le drain (114) s'étendent tous les deux à travers la couche de coiffe (108) et la couche barrière (106) dans la couche tampon (104), la source (112) est un contact ohmique, le drain (114) est un contact ohmique et une plus courte distance entre le drain (114)et la grille (118) est supérieure à une plus courte distance entre la source (112) et la grille (118). 9. Appareil (100) selon la revendication 8, comprenant en outre : le substrat (102), le substrat (102) comprenant du silicium (Si), du carbure de silicium (SiC), du saphir (A1203), du nitrure de gallium (GaN) ou du nitrure d'aluminium (A1N) ; une couche de diélectrique formée sur la couche de coiffe (108), la couche de diélectrique encapsulant essentiellement la grille (118) ; et une plaque de champ (124) formée sur la couche de diélectrique au-dessus de la grille (118), la plaque de champ (124) étant électriquement couplée à la source (112). 10. Procédé comprenant : la formation d'une couche tampon (104) sur un substrat (102) ; la formation d'une couche barrière (106) sur la couche tampon (104), la couche barrière (106) comprenant de l'aluminium (Al), de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga) ; la formation d'une couche de coiffe (108) sur la couche barrière (106), la couche de coiffe (108) comprenant de l'azote (N) et au moins un métal choisi parmi l'indium (In) et le gallium (Ga) ; et la formation d'une grille (118) sur la couche de coiffe (108), la grille (118) étant directement couplée à la couche de coiffe (108). 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la couche tampon (104), la couche barrière (106) et la couche de coiffe (108) sont toutes formées par dépôt épitaxial par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), épitaxie par couche atomique (ALE), épitaxie par faisceau chimique (CBE) ou épitaxie en phase gazeuse organométallique (MOCVD). 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 et 11, dans lequel : la couche de coiffe (108) est formée par le dépôt épitaxial de nitrure de gallium (GaN) ou de nitrure d'aluminium (AIN) à une température de 500 °C à 600 °C ; etla couche de coiffe (108) est formée de façon à avoir une épaisseur inférieure ou égale à 50 angstrôms. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 et 11, dans lequel : la couche de coiffe (108) présente une première énergie de bande interdite qui est supérieure à 5 électronvolts (eV) ; la couche barrière (106) présente une deuxième énergie de bande interdite qui est inférieure à la première énergie de bande interdite ; et la couche tampon (104) présente une troisième énergie de bande interdite qui est 10 inférieure à la deuxième énergie de bande interdite. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 et 11, dans lequel : la couche barrière (106) est formée par le dépôt épitaxial de la couche barrière (106) sur la couche tampon (104) ; et 15 la couche de coiffe (108) est formée par le dépôt épitaxial de la couche de coiffe (108) sur la couche barrière (106). 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 et 11, comprenant en outre : la formation d'une source (112) et d'un drain (114) sur la couche de coiffe (108) ; 20 la formation d'une couche de diélectrique encapsulant essentiellement la grille (118) ; et la formation d'une plaque de champ (124) sur la couche de diélectrique, la plaque de champ (124) étant disposée au-dessus de la grille (118).