FR 2978311 A1 20130125 FR 1156670 A 20110722 CIRCUIT LOGIQUE A FAIBLE CONSOMMATION ET CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT AU MOINS UN TEL CIRCUIT LOGIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR La présente invention se rapporte à un circuit logique à faible consommation et à des circuits intégrés comportant au moins un tel circuit logique. Les circuits logiques de l'état de la technique sont réalisés en technologie CMOS ("Complementary Metal-Oxide Semiconductor" en terminologie anglo-saxonne) qui associe une paire de transistors complémentaires, l'un de type N, l'autre de type P, sur un même support. En particulier à cause du développement des systèmes électroniques autonomes, on cherche à contrôler la consommation des circuits intégrés afin de la réduire. Plusieurs solutions peuvent être mises en oeuvre, l'une consiste à réduire la tension d'alimentation des circuits, en effet la consommation dite dynamique est proportionnelle au carré de cette tension, l'autre solution consiste à favoriser la mise en oeuvre de plusieurs circuits fonctionnant à des fréquences relativement lentes par rapport à un système fonctionnant à fréquence élevée. Cependant ces solutions présentent des limites liées à la réduction de taille de transistors. Il existe une autre solution appelée logique adiabatique qui consiste à contrôler de manière 30 optimale les charges et décharges des capacités d'un circuit intégré, ces capacités étant principalement celles des lignes d'interconnexion qui sont nettement supérieures à celles des transistors. La logique adiabatique est décrite dans le document W C Athas, "Low power Digital systems based on adiabatic switching principles", IEEE transactions on VLSI systems VOL 2, N04 December 1994. Sur la figure 1A, on peut voir un inverseur logique en technologie CMOS classique. L'inverseur logique comporte un transistor p et un transistor n 102, 104. G, S et D désigne respectivement la grille, la source et le drain des transistors. A et son complément désignent les signaux de commande. De manière plus générale la figure 1C montre comment réaliser une fonction logique quelconque en fonction des entrées, le circuit associé étant une combinaison de transistors en série ou en parallèle. La fonction inverseur est simplement réalisée par un transistor, un PMOS pour F et un NMOS pour la fonction complémentaire. Dans la logique classique, à chaque changement d'état, la capacité CL des lignes d'interconnexion est chargée à la tension d'alimentation VDD puis déchargée à la masse. Une énergie est donc dissipée thermiquement qui peut s'écrire pour un cycle : E=2.1 --C~-V 2 DD2 On peut montrer de manière théorique que pour minimiser l'énergie dissipée par effet Joule dans la résistance en série avec une capacité, il faut garantir que les opérations de charge et de décharge s'effectuent à courant constant. Dans ce cas il est facile de montrer que l'énergie dissipée pendant le temps T pendant lequel on charge ou on décharge la capacité s'écrit : E = RC~ C,z VDD2 T La résistance R est la somme des résistances entre l'alimentation et l'entrée de la ligne d'interconnexion (résistance de l'interrupteur 10 utilisé + résistances des lignes de connexion). Pour établir ce résultat, Il suffit de résoudre le système d'équations . Q=iT Q=CyDD E=Ri2T Q est la charge stockée dans la capacité de la ligne d'interconnexion (en fait cette capacité plus la capacité d'entrée de l'étage suivant mais en général beaucoup plus faible). Le courant constant de charge et de décharge est i. La tension à établir sur la ligne d'interconnexion est la tension d'alimentation (la charge étant supposée quasi-totale). T est le temps pendant lequel on charge ou on décharge la ligne d'interconnexion. En pratique, pour se rapprocher de cette condition idéale, les circuits proposés à ce jour sont basés sur une variation linéaire de la tension 15 20 25 d'alimentation pendant les opérations de charge et de décharge des capacités ce qui revient au premier ordre à travailler à courant constant. Le cas de l'inverseur permet de préciser ce mode de fonctionnement. En logique adiabatique, dans le cas de l'inverseur représenté sur la figure 1B, la tension d'alimentation n'est plus constante comme dans la logique classique, mais est établie relativement lentement à chaque changement d'état. Les entrées (input) sont positionnées puis la tension d'alimentation Va1im est progressivement amenée à la tension nominale VDD pendant un temps T, ce qui permet d'établir le niveau de sortie puis de transmettre ce niveau aux portes suivantes. L'opération contraire est ensuite effectuée pour remettre le système à zéro et traiter un autre événement logique. De la même manière, la tension d'alimentation Va1im est alors relativement lentement baissée de VDD à zéro. Les entrées sont ensuite également portées au potentiel zéro en attente d'un nouveau changement d'état. La figure 1D représente une fonction logique équivalente à celle de la figure 1C réalisée en logique adiabatique. Le plus souvent les portes adiabatiques réalisent aussi la fonction complémentaire comme il est indiqué sur les figures 1A à 1D et de ce fait utilisent aussi en entrée non seulement les grandeurs logiques mais aussi leurs compléments. Cette logique adiabatique particulière est appelée « dual rail ». Dans la mesure où la capacité CL est chargée et déchargée lentement par rapport à la constante de temps typique du circuit RCL, R étant la résistance globale associée au processus de charge et de décharge, qui inclut la résistance de sortie du ou des transistors réalisant les fonctions F ainsi que la résistance des connexions, la tension aux bornes de la capacité CL peut suivre la tension appliquée en entrée. La tension aux bornes de la résistance est donc quasi nulle et la consommation thermique peut donc être réduite de manière importante par rapport à la logique classique. L'énergie dissipée lors de la charge peut alors s'écrire comme dans le cas idéal de la charge à courant constant : E - RCL c VDD 2 T Lors de la décharge une énergie équivalente est dissipée. Par conséquent l'énergie dissipée en logique adiabatique peut être réduite de manière importante à condition que la période T soit très supérieure aux constantes de temps RCL. En pratique, la forme en trapèze du signal d'alimentation est souvent remplacée par un signal sinusoïdal ou en partie sinusoïdal plus facile à générer et constituant une approximation convenable. Cette logique n'a cependant donné lieu à aucune réalisation industrielle. En effet, le calcul exposé ci-dessus ignore une caractéristique des transistors réalisés dans une technologie à base de semi-conducteurs à savoir l'effet de seuil. Pour rendre le transistor (ou les transistors) conducteurs dans la phase de charge ou de décharge des capacités, il faut que la tension de commande appliquée à la grille dépasse une valeur appelée tension de seuil et notée VT dans la technologie CMOS. En général la tension de commande et la tension d'alimentation sont de même valeur pour simplifier l'architecture. Dans le cas de l'inverseur de la figure 1B, lorsque l'entrée est à l'état «0», le transistor PMOS devient conducteur quand la tension d'alimentation est supérieure à la tension de seuil du transistor. Dans ce cas, une différence de tension va apparaître aux bornes de la résistance R dans le processus de charge (ou de décharge) tant que le transistor n'est pas conducteur. Cette valeur varie de 0 à VT pendant le cycle. Un courant non négligeable apparaît alors aux bornes de la résistance et génère une dissipation thermique. L'énergie dissipée dans le processus de charge peut s'écrire en première approximation : E = RTL 'CL'VDD2 + -CL'V 2 Pour réduire cet effet négatif il faudrait réduire la tension de seuil VT à une valeur proche de 0, mais dans la technologie CMOS cette solution est inapplicable car elle conduirait à une consommation statique non tolérable due au courant sous le seuil. La consommation statique est liée au courant de fuite des transistors (conduction résiduelle en dessous du seuil), elle varie exponentiellement avec la diminution de la tension de seuil et des rapports VT/VDD supérieurs a 0,2 voire 0,3 dans des technologies basse consommation sont nécessaires. Par conséquent, la logique adiabatique théoriquement d'un grand intérêt est incapable de réduire largement la consommation des circuits réalisés dans une technologie d'interrupteurs à base de semi-conducteurs, présentant des effets de seuil. EXPOSÉ DE L'INVENTION C'est par conséquent le but de la présente invention d'offrir un circuit logique à consommation d'énergie très faible. Le but précédemment énoncé est atteint par un circuit logique en logique adiabatique i.e. alimenté par une source de tension d'alimentation apte à charger et de décharger à courant quasi constant une ligne d'interconnexion à travers des interrupteurs mécaniques, et mettant en oeuvre des interrupteurs microélectromécaniques ou MEMS ou nanoélectromécaniques ou NEMS à la place des transistors N et P. D'une part de tels interrupteurs mécaniques ne présentent pas de tension de seuil au sens des semi-conducteurs. Quand le contact est établi, une valeur très petite de la tension appliquée suffit à faire passer un courant sans avoir à franchir une tension de seuil. En outre, ils présentent une dissipation statique négligeable à l'inverse des transistors. Par conséquent l'énergie dissipée est réduite par rapport à celle dissipée par les CMOS. D'autre part, de manière particulièrement intéressante, la combinaison d'interrupteurs mécaniques avec une actuation électrostatique et de la logique adiabatique permet d'obtenir un circuit intégré dont l'énergie dissipée est au premier ordre indépendante de la tension d'alimentation, ce qui permet de réaliser des circuits basse consommation sans nécessité de mettre en oeuvre des tensions d'alimentation très faibles. Dans le cas d'un circuit intégré qui mettrait en oeuvre un ou plusieurs interrupteurs mécaniques en logique classique, les tensions d'alimentation devraient être abaissées en dessous de 200 mV pour pouvoir présenter un avantage important par rapport aux circuits intégrés CMOS. Cependant de telles tensions d'alimentation imposeraient des jeux entre la structure mobile et la base de l'interrupteur de l'ordre de quelques nanomètres, ce qui impliquerait de difficultés technologiques de réalisation très considérables. Grâce à l'invention, de telles contraintes technologiques sont supprimées. Un jeu compris entre 5 nm et 100 nm entre la structure mobile et le base dans les interrupteurs peut être mis en oeuvre. La présente invention a alors pour objet un circuit logique pour circuit intégré comportant : - une source de tension d'alimentation apte à charger et de décharger à courant quasi constant une ligne d'interconnexion à travers des interrupteurs mécaniques . - une ligne d'interconnexion, - des interrupteurs mécaniques, lesdits interrupteurs étant des interrupteurs microélectromécaniques ou des interrupteurs nanoélectromécaniquees, - des moyens de commutation desdits interrupteurs. Dans un mode avantageux, la source de tension d'alimentation est variable selon au moins trois phases successives, une première phase d'augmentation de la tension d'une valeur nulle à une tension nominale, une deuxième phase de maintien de la tension d'alimentation à la tension nominale et une troisième phase de diminution de la tension d'alimentation de la tension nominale à une valeur nulle, et au moins deux interrupteurs mécaniques lesdits interrupteurs étant des interrupteurs microélectromécaniques ou des interrupteurs nanoélectromécaniquees, et des moyens de commutation desdits interrupteurs. Par exemple, chaque interrupteur comporte deux pistes conductrices électriques, dont l'une est connectée à la source de tension d'alimentation et une partie mobile destinée à venir en contact avec les deux pistes dans un état de fermeture de l'interrupteur, et les moyens de commutation mettant en oeuvre une tension de commande pour déplacer la partie mobile. De manière préférée, les moyens de commutation sont de type électrostatique et comportent une électrode fixe en regard d'une partie au moins de la partie mobile et des moyens d'application de la tension de commande positive pour attirer la partie mobile vers l'électrode fixe et mettre en contact la partie mobile avec les pistes conductrices. Avantageusement la tension d'alimentation est égale à la tension de commande. Par exemple, la durée de la première phase est comprise entre 1 et 100 ns, et la tension d'alimentation nominale peut être comprise entre 100 mV et 10 V. En variante, les moyens de commutation sont de type magnétique, piézoélectrique. Le circuit logique selon l'invention peut être un inverseur logique ou un circuit NON OU ou NON ET ou ET ou OU ou une porte de Toffoli ou une porte de Fredkin ou une porte de Feynman. La présente invention a également pour objet un circuit intégré comportant au moins un premier et un deuxième circuit logique selon la présente invention. Dans un mode de réalisation, la tension de sortie de la première porte commandant la deuxième porte. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à 20 l'aide de la description qui va suivre et des dessins joints en annexe sur lesquels : - les figures lA à 1D sont des portes logiques de l'état de la technique, - la figure 2 est un exemple d'inverseur 25 logique selon la présente invention, - les figures 3A, 3B et 3C sont des exemples de portes NON OU (ou NOR en terminologie anglo-saxonne) et NON ET (NAND) logiques selon la présente invention, - la figure 4 est une vue complète d'une représentation schématique d'un interrupteur mécanique pouvant être mis en oeuvre dans la présente invention, - les figures 5A et 5B sont des vues de côté de l'interrupteur de la figure 4 dans un état fermé et dans un état ouvert respectivement, - les figures 6A et 6B sont des vues de dessus et en coupe d'un exemple de réalisation d'un interrupteur mécanique à commande magnétique utilisable dans la présente invention, - les figures 7A et 7B sont des vues en coupe longitudinale d'un exemple de réalisation d'un interrupteur mécanique à commande piézoélectrique utilisable dans la présente invention, dans un état fermé et dans un état ouvert respectivement. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Sur les figures 2 et 3, nous pouvons voir deux exemples de portes logiques selon la présente invention. Sur la figure 2, il s'agit d'un inverseur logique et sur la figure 3A, il s'agit d'un exemple de porte NON-OU ou (NOR en terminologie anglo-saxonne). Sur la figure 3B, on peut voir un autre exemple de porte NOR et sur la figure 3C, on peut voir un exemple de réalisation d'une porte NON-ET (NAND en terminologie anglo-saxonne). Ces portes logiques comportent, en lieu et places des transistors des interrupteurs mécaniques, plus particulièrement des nanointerrupteurs ou microinterrupteurs réalisés par technologie NEMS (Nanoelectromechanical Systems) ou MEMS (Microelectromechanical Systems). La fermeture et parfois l'ouverture de ces interrupteurs peuvent être commandées par des moyens électrostatiques, par application d'un champ magnétique, par effet piézoélectrique, par effet thermique_ A des fins de simplicité, les " nana et microinterrupteurs " seront désignés uniquement par " interrupteurs mécaniques ". Sur le circuit de la figure 2 sont 10 schématisés les deux interrupteurs mécaniques 2, 4, l'un 2 réalisant la fonction F et l'autre 4 réalisant la fonction complémentaire F. Les condensateurs 6, 8 de capacité CL symbolisent les capacités des lignes d'interconnexion. 15 La tension d'alimentation désignée Va1im est appliquée en entrée des deux interrupteurs mécaniques 2, 4. Dans le cas d'interrupteurs à commande électrostatique, une tension de commande V assure la 20 fermeture des interrupteurs 2, 4. Selon l'invention, la porte de la figure 2 fonctionne en logique adiabatique, i.e. la source de tension d'alimentation est telle qu'elle permet de charger et de décharger à courant quasi constant une 25 ligne d'interconnexion à travers les interrupteurs mécaniques. Par exemple, la source d'alimentation en tension est telle que la tension d " alimentation Va1im n'est pas constante et varie selon un profil 30 trapézoïdal. La variation de la tension Va1im est représentée schématiquement sur les figures 2 et 3. Dans une première phase I, la tension d'alimentation croît progressivement de 0 jusqu'à atteindre la tension nominale VDD, pendant un temps T, ce qui permet d'établir le niveau de sortie puis de transmettre ce niveau aux portes suivantes. Dans une deuxième phase II, la tension d'alimentation Va1im est maintenue pendant un certain temps à la tension nominale VDD et ensuite, lors d'une troisième phase III, la tension d'alimentation Va1im décroît pendant le temps T pour remettre le système à zéro et traiter un autre événement logique. Les entrées sont ensuite également portées au potentiel zéro en attente d'un nouveau changement d'état. Le temps d'augmentation de la tension et le temps de diminution de la tension sont de préférence sensiblement égaux. En outre, le temps pendant lequel la tension est constante est sensiblement constant. En pratique, le profil trapézoïdal est approximé par une demi-sinusoïde. Dans la logique adiabatique appelée également " logique à récupération d'énergie " (energy recovery logic en anglais), l'énergie stockée dans la capacité de l'interconnexion n'est pas déchargée à la masse comme dans la logique CMOS ce qui introduit nécessairement une dissipation, mais vers l'alimentation qui a servi à la charger. Une grande partie de l'énergie est donc récupérée par l'alimentation. La logique adiabatique est également appelée logique à récupération d'énergie ( energy recovery logic en anglais ). Sur la figure 4, on peut voir, en vue de dessus, un exemple de réalisation d'un interrupteur mécanique 2 adapté à la présente invention. L'interrupteur est destiné à connecter électriquement deux pistes 10, 12 réalisées sur la surface du circuit intégré, l'interrupteur comporte un moyen de connexion formé par une partie mobile 14 munie d'une électrode de commande 15 disposée au-dessus des deux pistes 10, 12 et une électrode fixe 16 sur la partie fixe 11 du circuit intégré et dont une partie au moins est en regard de la partie mobile 14. Dans l'exemple représenté, la partie mobile 14 est de type cantilever. Elle pourrait être formée par une membrane. Dans l'exemple représenté, les deux pistes 10, 12 sont alignées et comportent deux extrémités libres 10.1, 12.1 respectivement en regard, l'électrode fixe 16 est située entre les extrémités libres 10.1, 12.1 des deux pistes 10, 12, et la partie mobile 14 chevauche les deux extrémités 10.1, 12.1 des pistes 10, 12 et est perpendiculaire à l'électrode fixe. La partie mobile 14 est, en l'absence de tension positive appliquée, entre la partie mobile 14 et l'électrode fixe 16 maintenue suspendue au-dessus des pistes par des éléments élastiques type poutres. Lorsqu'une tension de commande suffisante est appliquée, la partie mobile se rapproche des pistes sous l'effet de la force électrique et entre en contact avec celles-ci de sorte à assurer la connexion électrique avec celle-ci. Par exemple la partie mobile est du type levier (ou "cantilever" en terminologie anglo-saxonne"). Sur la figure 5A, on peut voir de côté l'interrupteur de la figure 4, dans un état ouvert (état logique 2), en l'absence d'une tension de commande positive appliquée entre l'électrode fixe et la partie mobile et sur la figure 5B, l'interrupteur est dans un état fermé (état logique 1) par application d'une tension de commande positive entre l'électrode fixe 16 et la partie mobile 14, les deux pistes 10, 11 sont connectées et le courant peut circuler entre les deux pistes 10, 12. La structure d'interrupteur représentée sur la figures 4, 5A et 5B n'est qu'un exemple de réalisation et n'est en aucun cas limitative. Un interrupteur à actuation magnétique est représenté sur les figures 6A et 6B, celui-comporte une partie mobile 514 de type cantilever et les moyens de commande sont formés par un aimant permanent 524 et une bobine 526 séparés par un substrat 528. Sur les figures 7A et 7B, on peut voir un exemple de réalisation d'un interrupteur à commande piézoélectrique. La partie mobile 614 est également de type cantilever, celui-ci comporte deux portions 630, 632 de matériau piézoélectrique, par exemple du AIN, dont l'application d'une tension V positive provoque pour l'une une expansion 630 dans le plan et pour l'autre 632 une contraction, fermant l'interrupteur, et inversement l'application d'une tension V négative provoque pour l'une 630 une contraction et pour l'autre une expansion 632, ouvrant l'interrupteur. Les structures d'interrupteur représentées sur les figures 6A à 7B sont des exemples de réalisation et ne sont en aucun cas limitatives. Sur les figures 3A et 3B, on peut voir des exemples de réalisation de portes NON OU réalisées selon la présente invention. Sur la figure 3A, la porte comporte deux branches alimentées en parallèles par Valim, l'une comportant deux interrupteurs en série 210, 212 et l'autre comportant deux interrupteurs en parallèles 220, 222. Chaque branche est chargée par sa propre capacité CL. Une capacité CL.est prévue entre les deux interrupteurs en série et les interrupteurs en parallèle. Sont représentées également les tensions V aux bornes de A et B. Les interrupteurs peuvent être similaires à ceux représentés sur les figures 4, 5A et 5B. Sur la figure 3B, la porte comporte deux interrupteurs 310, 312 en parallèle réalisant les commandes A et B, en série avec deux interrupteurs en parallèle 320, 322 réalisant les commandes et B complémentées. La source de tension est connectée aux interrupteurs 310, 312. Une capacité CL.est prévu entre les deux interrupteurs en série et les interrupteurs en parallèle. Lorsque les interrupteurs 310 et 312 sont ouverts les interrupteurs 320 et 322 sont fermés. La commande A complémentée et la commande B complémentée peuvent être remplacées par les commandes A et B avec des interrupteurs différents, i.e. fermés sans application de tension de commande et ouverts par application d'une tension de commande. Sur la figure 3C, on peut voir un exemple de porte NAN selon la présente invention mettant en oeuvre quatre interrupteurs mécaniques 410, 412, 420, 422. Sont représentées également les tensions V aux bornes de A et B. De préférence tous les interrupteurs d'un même circuit logique sont similaires ou identiques afin de simplifier la réalisation et la commande du circuit. Nous allons maintenant déterminer l'énergie dissipée pour un interrupteur à commande électrostatique et dans le cas d'un inverseur logique selon la présente invention. L'inverseur selon la présente invention consomme de l'énergie uniquement lors des commutations, cette consommation est désignée consommation dynamique, sa consommation statique étant négligeable. En effet, le contact mécanique étant établi par positionnement des entrées, l'interrupteur est conducteur quelle que soit la valeur de tension appliquée entre les deux pistes conductrices 10, 12 et une tension aussi faible soit-elle est transmise entre l'entrée et la sortie. Le courant circulant entre les deux pistes est indépendant de la valeur de tension de commande, à l'inverse d'un interrupteur CMOS dans lequel le courant entre la source et le drain dépend de la valeur de la tension de seuil. La fermeture de l'interrupteur mécanique est effective à partir d'une certaine valeur de tension de commande, cependant celle-ci n'est pas comparable à la tension de seuil d'un transistor MOS car sa valeur n'intervient pas sur la valeur du courant qui traverse l'interrupteur et n'introduit donc pas de consommation dynamique non adiabatique. De plus l'électrode de commande étant électriquement isolée, il n'y a pas de consommation statique. L'énergie dissipée peut alors s'écrire : _ RmecaC E L . L.v T 1 Avec CL la capacité des interconnexions, Rmeca la résistance électrique des interconnexions et des contacts A titre de comparaison, l'énergie de commutation d'un inverseur adiabatique à base de MOS est : ENros = Rm~CL 'CL'V 2 +CL-VT2 (II) En supposant que la période T est choisie de telle manière que le premier terme de l'expression (II) dans le cas d'un d'inverseur CMOS soit négligeable, on peut comparer : E = Rmeca CL C V z meca T L DD et z Emos =CL'VT Par exemple, Rmeca peut être aussi faible que 1000 Ohms pour une tension VDD de 1 V. Le temps T de montée du signal de 30 polarisation peut être choisi à 10 ns. meca (1)25 La capacité typique de la ligne de connexion est de 10 fF. La tension de seuil d'une technologie CMOS avancée en faible consommation est de l'ordre de 300 mV. z Les deux énergies sont alors CL VT pour la CMOS et 10 3CLVDD2 pour la solution NEMS. Comme cela a été expliqué précédemment, la tension de seuil de la technologie CMOS ne peut être réduite à cause de la consommation statique et comme il est possible d'envisager des tensions de quelques volts pour la tension d'alimentation VDD, on constate que le circuit logique selon l'invention permet de réduire l'énergie dissipée d'un facteur de l'ordre de 100 par rapport à un circuit logique en technologique CMOS avancée. Par exemple, en prenant des valeurs typiques de 300 mV pour la tension de seuil et de 1 V pour le tension d'alimentation du circuit logique selon l'invention, on obtient un facteur 100. Ce facteur serait entre 100 et 1000 pour un temps T de 100 ns. Par conséquent, grâce à l'invention on obtient un circuit logique à basse consommation. En outre, grâce à la combinaison d'un fonctionnement en logique adiabatique et d'interrupteurs mécaniques selon l'invention, on peut réaliser des systèmes intégrés à basse consommation sans devoir utiliser des tensions d'alimentation basses. Pouvoir utiliser des tensions relativement hautes (de l'ordre du volt) est un grand avantage car les circuits fonctionnant à tension basse (100 mV ou moins) sont particulièrement sensibles aux perturbations électriques. Le fait d'avoir l'énergie de commutation quasi indépendante de la tension utilisée donne une grande souplesse à la conception des systèmes électroniques. De plus, la possibilité de faire varier la tension d'alimentation dans une vaste plage permet une optimisation plus facile des interrupteurs mécaniques par exemple en éliminant plus facilement les problèmes de collage ou les problèmes de claquage électrique. Dans le cas de l'actuation électrostatique, la force F appliquée entre la partie mobile et l'électrode fixe lorsque le contact est établi, s'écrit : Eo s. v' F= 2(g - ga z La résistance de contact se calcule classiquement par la formule de Sharvin : R=24PX 3A - V la tension de commande des interrupteurs de l'inverseur, - R la résistance du contact entre la partie mobile et les pistes, - p la résistivité du métal utilisé dans la partie mobile, - S la surface en regard de l'électrode fixe (notée 16 sur la figure 5A) et de l'électrode correspondante pour la partie mobile, 25 - A le libre parcours moyen des électrons dans le métal, - A la surface de contact entre la partie mobile et les pistes, - g est le jeu à l'état ouvert entre la partie mobile et l'électrode fixe (représenté sur la figure 5A), - gd est le jeu, à l'état ouvert, entre la partie mobile et la base au niveau des zones destinées à entrer en contact (représenté sur la figure 5A). Par ailleurs, la surface de contact A peut se calculer comme suit : A- F I& H étant la dureté du métal étant le coefficient d'élasticité de l'ordre de 0,3. De manière préférentielle la tension de commande V est aussi la tension de sortie ou d'alimentation nominale, sa valeur est donc VDD, ce qui permet de simplifier l'architecture de l'ensemble du circuit intégré, puisqu'une porte logique en commande une autre. Sinon la tension de sortie d'une porte logique serait transformée afin qu'elle forme une tension de commande d'une autre porte logique. L'énergie de commutation en logique adiabatique pour une porte étage est alors, en supposant que les résistances de contact sont les contributions principales à la résistance totale ce qui est confirmé par la littérature : 32 pû,H 2 CLz E= 3 E S (g-gd~ 7 0 On constate donc que l'énergie dissipée est indépendante de la tension de commande et donc de la tension nominale d'alimentation. La démonstration précédente s'applique dans le cas des interrupteurs à commande électrostatique. Pour les autres types de commande, il y a également un effet compensateur du même type. En effet, la résistance de contact dépend de l'actuation et donc de la tension de commande, mais pas nécessairement selon une loi inversement proportionnellement au carré de la tension comme dans l'interrupteur à commande électrostatique. Le temps mis par la structure pour entrer en contact avec le substrat quand une tension est appliquée peut également se calculer en fonction de la tension appliquée et des caractéristiques de l'interrupteur. Ce temps devrait être inférieur au temps T choisi dans des architectures logiques classiques et donc devrait être de quelques nanosecondes si T est de 10 ns. La miniaturisation des interrupteurs mécaniques pourrait conduire à de telles valeurs. Dans tous les cas, des architectures logiques plus adaptées aux interrupteurs mécaniques permettent cependant de relâcher cette contrainte par exemple en réalisant des fonctions logiques plus complexes au niveau des portes élémentaires. Il est alors possible de calculer le rapport entre l'énergie dissipée dans un circuit à base de transistors en logique adiabatique et celle dissipée dans un circuit selon l'invention, ce qui représente le facteur de mérite de l'invention par rapport aux circuits existants. Ce facteur s'écrit : 3 V ES T _- 2- 32 P)LH (g-gd) Ci On constate donc que la présente invention a d'autant plus d'intérêt quand T augmente et CL diminue. T est avantageusement compris entre 1 et 100 ns. Le facteur de mérite de l'invention peut s'écrire pour des valeurs typiques des constantes physiques mises en jeux : z T1_2.10-6 TF z Le facteur de forme de l'interrupteur mécanique est défini par : F= S Cette relation donne le domaine d'applicabilité de l'invention. On cherche un facteur de mérite supérieur à 100 pour un facteur de forme donné, 1 000 par exemple. Des valeurs typiques de 10 fF pour la capacité, de 10 ns pour T et de 200 mV pour la tension de seuil du circuit MOS conduisent à des valeurs de l'ordre de : \g gd /Z Il =8.10-2F Pour obtenir un gain significatif de 80, le facteur de forme de 1000. Un interrupteur de gap 10 nm avec une surface de commande électrostatique de 300 nm x 300 nm serait compatible ce qui conduit à un encombrement raisonnable. Reprenons la valeur théorique de l'énergie dissipée pour une actuation électrostatique. 32 pû,H 2 CLz E= 3 E S (g-gd~ 7 0 Pour une capacité d'interconnexion de 10, 10-15 F et pour une valeur de T égale à 10 ns, on obtient pour des dispositifs à couche métallique en exprimant l'énergie en kTa comme il est fréquent dans le domaine de la faible consommation. 6 E=0,75-l~ kTQ k étant la constante de Boltzmann. Ta étant la température absolue en Kelvin Une valeur de 750 kTa est donc possible pour F égal à 1000 ce qui est exceptionnel comparé à la 20 CMOS. Cette valeur serait de 75 kTa pour une valeur de T de 100 ns. Les exemples de portes logiques représentés sur les figures 2 et 3 ne sont en aucun cas limitatifs 25 et s'appliquent à tout type d'architecture de porte logique. La porte NOR a été donnée comme exemple mais les portes classiques NAND, ET et OU sont également réalisables selon ce principe. Il en est de même pour les fonctions obtenues par combinaison de portes 30 élémentaires (additionneurs, registres, cellule mémoire15 SRAM Ou DRAM). Il est à noter également que les portes utilisées dans le calcul réversible (portes de Fredkin, de Toffoli et de Feynman) sont également réalisables selon ce principe. Les circuits logiques ainsi réalisés sont particulièrement adaptés à des applications requérant une consommation très faible, par, exemple les systèmes autonomes portables. La présente invention est également particulièrement adaptée à des systèmes à haut degré de " parallélisation ", i.e. des systèmes comportant un grand nombre de circuits fonctionnant à des fréquences relativement lentes, donc demandant des fréquences de fonctionnement par bloc assez faibles. Les circuits selon la présente invention peuvent être réalisés par les technologies classiques de la microélectronique utilisées pour réaliser les systèmes MEMS OU NEMS, par exemple par une technologie silicium, par dépôt et gravure de couche mais toute autre technologie permettant de réaliser des interrupteurs mécaniques miniaturisés est applicable. REVENDICATIONS1. Circuit logique pour circuit intégré comportant : - une source de tension d'alimentation apte à charger et à décharger à courant quasi constant une ligne d'interconnexion à travers des interrupteurs mécaniques, - une ligne d'interconnexion, - des interrupteurs mécaniques, lesdits interrupteurs étant des interrupteurs microélectromécaniques ou des interrupteurs nanoélectromécaniques, - des moyens de commutation desdits interrupteurs. 2. Circuit logique selon la revendication 1, dans lequel la source de tension d'alimentation est variable selon au moins trois phases successives, une première phase d'augmentation de la tension d'une valeur nulle à une tension nominale (VDD), une deuxième phase de maintien de la tension d'alimentation à la tension nominale (VDD) et une troisième phase de diminution de la tension d'alimentation de la tension nominale (VDD) à une valeur nulle, et au moins deux interrupteurs mécaniques (2, 4, 210, 212, 222), lesdits interrupteurs (2, 4' 210, 212, 222) étant des interrupteurs microélectromécaniques ou des interrupteurs nanoélectromécaniques 3. Circuit logique selon la revendication 2, dans lequel la durée de la première phase est comprise entre 1 et 100 ns. 4. Circuit logique selon la revendication 2 ou 3, dans lequel la tension d'alimentation nominale (VDD) est comprise entre 100 mV et 10 V. 5. Circuit logique selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel chaque interrupteur (2, 4, 210, 212, 222) comporte deux pistes conductrices électriques (10, 12), l'une des pistes conductrices étant connectée à la source de tension d'alimentation et une partie mobile (14) destinée à venir en contact avec les deux pistes dans un état de fermeture de l'interrupteur, et dans lequel les moyens de commutation mettent en oeuvre une tension de commande pour déplacer la partie mobile. 6. Circuit logique selon la revendication 5, dans lequel la tension d'alimentation est égale à la tension de commande. 7. Circuit logique selon la revendication 5 ou 6, dans lequel les moyens de commutation sont de type électrostatique et comportent une électrode fixe (16) en regard d'une partie au moins de la partie mobile (14) et des moyens d'application de la tension de commande positive pour attirer la partie mobile (14) vers l'électrode fixe (16) et mettre en contact la partie mobile (14) avec les pistes conductrices (10, 12). 8. Circuit logique selon la revendication 5 ou 6, dans lequel les moyens de commutation sont de type magnétique ou de typepiézoélectrique. 9. Circuit logique selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le circuit logique est t un inverseur logique. 10. Circuit logique selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel le circuit logique est un circuit NON OU ou NON ET ou ET ou OU ou une porte de Toffoli ou une porte de Fredkin ou une porte de Feynman. 11. Circuit intégré comportant au moins un premier et un deuxième circuit logique selon l'une des revendications 1 à 10. 12. Circuit intégré selon la revendication 11 en combinaison avec la revendication 6, la tension de sortie de la première porte commandant la deuxième porte.