FR 2983845 A1 20130614 FR 1201510 A 20120525 Procédé de réalisation d'une microstructure comportant deux substrats reliés mécaniquement Domaine technique de l'invention L'invention est relative à un procédé de réalisation d'une ou plusieurs microstructures permettant de connecter mécaniquement un premier substrat à un deuxième substrat. État de la technique Afin d'alimenter un circuit intégré et/ou de faire communiquer les différents éléments de ce circuit intégré, il est nécessaire de réaliser une connexion électrique entre les différents éléments actifs. Dans une volonté de performance et de miniaturisation, le circuit intégré est composé de plusieurs puces élémentaires formées chacune sur un substrat spécifique et les substrats sont associés les uns aux autres pour former le circuit intégré tridimensionnel composé des différentes puces élémentaires. De manière à gagner en compacité, il est avantageux de réaliser une connexion directe entre les différentes puces au lieu d'utiliser une platine qui comporte les plots nécessaires au transit de l'information et du courant, les différentes puces n'étant reliées électriquement qu'à la platine. Le document US 2002/094873 décrit le couplage électrique et mécanique de deux substrats. Une bille en plomb et étain est réalisée sur une électrode conductrice d'un premier substrat.30 Un plot en cuivre est formé sur un deuxième substrat et les deux substrats sont mis en contact de manière à ce que le plot s'enfonce dans la bille en plomb et étain pour réaliser une connexion électrique et mécanique entre les deux substrats Afin de faciliter l'encastrement du plot dans la bille, cette dernière est au moins partiellement fondue. Ce document indique une manière théorique de réaliser une interconnexion entre deux substrats. Les microstructures obtenues ne présentent pas une qualité satisfaisante car les rendements de ces architectures ne permettent pas une utilisation industrielle de cette technique. Le problème reste donc posé d'un point de vue industriel. Un enseignement sensiblement équivalent est divulgué dans le document FR2928033. Résumé de l'invention On constate qu'il existe un besoin de prévoir une microstructure plus robuste aux aléas de fabrication tout en conservant une réalisation simple et robuste. On tend à atteindre cet objectif au moyen d'un procédé de fabrication d'une microstructure qui soit facile à mettre en oeuvre et qui permet une amélioration 25 de la connexion entre les deux substrats qui comporte : a) fournir le premier substrat comportant une zone d'accueil en premier matériau métallique entourée par un motif périphérique de maintien, b) fournir le deuxième substrat comportant au moins un plot comprenant un deuxième matériau métallique faisant saillie, c) chauffer la zone d'accueil de manière à fondre le premier matériau, le motif périphérique de maintien étant configuré pour contenir le premier matériau métallique à l'état liquide, d) enfoncer le plot dans la zone d'accueil, le premier matériau métallique et le deuxième matériau métallique étant configurés pour réagir et former un alliage métallique ayant une température de fusion supérieure au premier matériau métallique, le premier matériau métallique étant complètement consommé. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention 15 donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels : la figure 1 représente en coupe, de manière schématique deux substrats se faisant face juste avant l'assemblage de la zone d'accueil par le plot, 20 la figure 2 représente en coupe, de manière schématique deux substrats connectés, le plot ayant embouti la zone d'accueil, les figures 3 à 5 représentent en coupe, de manière schématique un procédé particulier de réalisation d'une zone d'accueil, la figure 6 représente en coupe, de manière schématique une étape d'un 25 procédé particulier de réalisation d'un plot. Description de modes particuliers de réalisation Un premier substrat 1 comporte une face principale 1 a sur laquelle est formée 30 une zone d'accueil 2. La zone d'accueil 2 est réalisée dans un premier matériau métallique. Le premier matériau métallique peut être composé d'une ou plusieurs phases. De façon générale, on entend par phase un volume de matériau chimiquement et physiquement homogène. Une phase pouvant ainsi être un corps pur ou un alliage de plusieurs matériaux. La zone d'accueil 2 est entourée par un motif périphérique de maintien 3. Le motif périphérique 3 de maintien entoure la zone d'accueil 2 de manière à contenir le matériau de la zone d'accueil 2 lorsque ce dernier se trouve à l'état liquide. Le motif périphérique 3 de maintien est configuré pour entourer latéralement la zone d'accueil 2 et ainsi assurer un maintien de sa forme même à l'état liquide. Le motif périphérique 3 de maintien et la zone d'accueil 2 ont des formes complémentaires. Dans un mode de réalisation particulier, le premier substrat 1 comporte une pluralité de zone d'accueil 2, le motif périphérique 3 entoure toutes les zones d'accueil 2 et il recouvre toute la face principale 1 a. Les zones d'accueil 2 et le motif périphérique 3 ont des formes complémentaires. 20 Le motif périphérique 3 peut recouvrir la zone d'accueil 2 sur toute la hauteur de ses parois latérales ou seulement sur une partie de cette hauteur. Le motif périphérique 3 peut également dépasser la surface libre de la zone d'accueil 2, c'est-à-dire que la zone d'accueil 2 est moins épaisse que le motif périphérique 25 3. Dans un mode de réalisation particulier, le motif périphérique 3 est électriquement isolant ce qui permet d'isoler électriquement plusieurs zones d'accueil 2 ou d'éviter que la zone d'accueil 2 connecte plusieurs surfaces de 30 connexions électrique présentes à la surface la du premier substrat 1. Le motif périphérique 3 est avantageusement formé dans un matériau électriquement 10 15 isolant, par exemple un oxyde de silicium, un nitrure de silicium. Le motif périphérique 3 peut également comporter des zones en matériau électriquement conducteur. Il est également possible de former un motif périphérique 3 électriquement conducteur. Il peut alors comporter des zones conductrices électriquement reliées à plusieurs zones d'accueil 2 ou le motif périphérique 3 peut être constitué par un matériau électriquement conducteur. Dans encore un autre mode de réalisation pouvant être combiné avec les modes précédents, le motif périphérique 3 s'étend sous la zone d'accueil 2. Dans un mode de réalisation particulier, le fond de la zone d'accueil 2 et ses parois latérales sont recouvertes par une couche de renforcement 4. De cette manière, la couche de renforcement 4 empêche tout contact direct entre le substrat 1 et la zone d'accueil 2. Le matériau de la couche de renforcement 4 peut être électriquement isolant ou électriquement conducteur selon l'application recherchée. La couche de renforcement 4 peut être réalisée au moyen d'une seule couche 4 ou d'un empilement de couches 4a et 4b formées dans des matériaux différents. On entend par couche de renforcement une couche pouvant agir comme 20 couche barrière de diffusion et/ou comme couche d'accroche au matériau ou au différents matériaux présent dans la cavité, c'est-à-dire le matériau formant le motif périphérique et éventuellement le premier substrat 1. Dans un mode de réalisation particulier, la couche de renforcement 4 agit 25 comme une couche d'accroche en favorisant l'accroche mécanique entre la zone d'accueil 2 et ici le premier substrat 1. La couche d'accroche est avantageusement en Ti, mais il est également possible de former une couche d'accroche en Cr, Al, W, TiN, TaN, WN. 30 Dans un autre mode de réalisation particulier, la couche de renforcement 4 agit comme une couche barrière de diffusion en favorisant l'arrêt de la contamination provenant de la zone d'accueil 2 ou en direction de la zone d'accueil 2. De manière avantageuse, la couche barrière de diffusion 4 est choisie parmi Ni, TiN, TaN, WN. Le dépôt de la couche barrière de diffusion 4 est réalisé de manière à ce qu'elle soit disposée entre la zone d'accueil 2 et le premier substrat 1. Dans encore un autre mode de réalisation, la couche de renforcement 4 est électriquement conductrice et configurée pour réaliser un joint d'étanchéité au premier matériau métallique devant former la zone d'accueil 2. De manière avantageuse, le joint est en cuivre. Il est également possible de combiner ensemble deux ou trois de ces modes de réalisation. De manière particulière avantageuse, les inventeurs ont découverts que de très bons résultats sont obtenus avec l'empilement suivant depuis le premier substrat vers la zone d'accueil: - Substrat / couche en Ti / couche en Ni / couche en Cu / premier matériau métallique. Dans encore un autre mode de réalisation pouvant être combiné avec les modes de réalisation précédents, la zone d'accueil 2 est encastrée dans un motif de couverture 5 qui assure la stabilité mécanique de la zone d'accueil 2. Le motif de couverture 5 est associé à la couche de renforcement 4 pour former le motif périphérique 3. De manière avantageuse, lorsque plusieurs zones d'accueil 2 sont formées à la surface du premier substrat 1, les zones d'accueil 2 sont encastrées dans le motif de couverture 5 afin de maintenir la stabilité mécanique de la face externe la du premier substrat 1. De manière préférentielle, le motif de couverture 5 est électriquement isolant. Il peut être notamment en oxyde de silicium, en nitrure de silicium ou encore en matériau polymère. Dans un mode de réalisation particulier, la face libre de la zone d'accueil 2 est plane et elle se trouve dans le même plan que la face libre du motif périphérique 3. Dans ces configurations, la zone d'accueil 2, le motif de couverture 5 et la couche de renforcement 4 définissent un même plan. Cette configuration évite la présence de bords et/ou de parties en saillies qui sont mécaniquement plus fragiles. Cependant, il est également envisageable d'avoir le motif périphérique 3 plus épais que la zone d'accueil 2, c'est-à-dire qu'il existe par exemple une cavité borgne dont les parois latérales sont définies par le motif périphérique 3. Le fond de la cavité est formé par la zone d'accueil 2. Dans une configuration particulière, les parois latérales de la cavité sont formées par le motif de couverture 5 ce qui permet de protéger la zone d'accueil 2. Dans une autre configuration particulière, les parois latérales de la cavité sont au moins partiellement formées par la couche de renforcement 4. Dans ces cas de figure, la zone d'accueil 2 est en dépression par rapport au motif périphérique 3 et elle représente la partie la plus profonde de la cavité borgne. Cette configuration évite le débordement de la zone d'accueil 2 fondue lors de la phase d'assemblage des deux substrats. Un deuxième substrat 6 est muni d'une face principale 6a comportant au moins un plot 7 faisant saillie et destiné à s'enfoncer dans la zone d'accueil 2 du premier substrat 1. Le plot 7 comporte une ou plusieurs phases d'un deuxième matériau métallique. Le deuxième matériau métallique peut être composé d'une ou plusieurs phases. Le deuxième matériau métallique a une température de fusion supérieure à la température de fusion du premier matériau métallique. Le plot 7 peut comporter également une ou plusieurs couches périphériques 9 contenant le deuxième matériau métallique. Cette ou ces couches 30 périphériques agissent comme une barrière de diffusion et/ou comme couches d'accroche. Le plot 7 a une surface moins étendue que la zone d'accueil 2 de manière à pouvoir s'enfoncer dans la zone d'accueil 2 et à laisser de la place libre autour du plot 7 dans la zone d'accueil 2. La surface plus étendue de la zone d'accueil 2 par rapport au plot 7 permet de prendre en compte les problèmes de désalignement liés aux procédés de réalisation du plot 7 et de la zone d'accueil 2 et surtout les limites techniques des équipements réalisant la mise en contact des deux substrats. Le deuxième matériau métallique est choisi de manière à présenter une température de fusion supérieure à la température de fusion de la zone d'accueil 2. De manière avantageuse, le deuxième matériau métallique est réalisé dans un matériau plus dur que celui formant la zone d'accueil 2. De manière préférentielle, la microstructure est formée par thermocompression, le premier substrat 1 est chauffé de manière à obtenir la fusion du premier matériau métallique formant la zone d'accueil 2. De manière encore plus avantageuse, les deux substrats sont chauffés. Lors de la phase d'assemblage du premier substrat 1 avec le deuxième substrat 6, la zone d'accueil 2 est fondue ce qui permet de réduire la pression appliquée entre le plot 7 et la zone d'accueil 2. Cette précaution permet de limiter les contraintes mécaniques appliquées aux substrats et ainsi de favoriser la fiabilité de la microstructure. Dans un mode de réalisation préférentiel, le premier matériau métallique et le deuxième matériau métallique sont choisis de manière à former une ou plusieurs phases. Avantageusement, les conditions de réalisation et d'assemblage de la 30 microstructure sont choisies de manière à ce que le premier matériau métallique de la zone d'accueil 2 réagisse complètement avec le deuxième matériau métallique du plot 7, c'est-à-dire que le premier matériau métallique soit complètement consommé pour former avec le deuxième matériau métallique une ou plusieurs nouvelles phases. Les matériaux sont choisis de manière à ce que l'alliage métallique formé entre le premier et le deuxième matériaux métalliques présente une température de fusion supérieure à la température de fusion du premier matériau métallique. De cette manière, la microstructure formée présente une meilleure tenue en température que la zone d'accueil 2 initiale. Par exemple, lors de la fusion postérieure de nouvelles zones d'accueil 2 en premier matériau métallique, l'alliage formé précédemment n'est pas remis en phase liquide ce qui évite un désalignement du travail déjà réalisé. La consommation complète du premier matériau métallique permet de réaliser simplement une connexion entre plusieurs substrats au moyen de connexions successives. Cette configuration particulière, avec un plot 7 qui s'enfonce dans la zone d'accueil 2, permet de réaliser plus précisément l'alignement de la connexion entre les deux substrats. Une fois le plot 7 inséré dans la zone d'accueil 2, ce dernier ne peut plus se décaler latéralement car les parois latérales du motif périphérique 3 limitent les possibilités de décalage latéral par glissement du plot 7. Dans un mode de réalisation particulier, le plot 7 comporte une zone centrale 8 entourée par une couche périphérique 9. La zone centrale 8 du plot 7 est formée par le deuxième matériau métallique. La couche 9 recouvre au moins partiellement les parois latérales de la zone centrale 8. Dans un mode de réalisation particulier, la couche 9 peut également recouvrir le fond de la zone d'accueil 2. De manière avantageuse, la couche 9 entoure la zone centrale 8 et est réalisée dans un matériau éventuellement plus dur que la zone centrale 8 afin de limiter les déformations liées au plot 7. La couche 9 ne réagit pas ou peu avec le premier matériau métallique. Dans un mode de réalisation particulier, un deuxième motif périphérique 10 est formé à la surface du deuxième substrat 6. Le deuxième motif périphérique 10 permet de passiver le substrat 6 si nécessaire. Il est particulièrement avantageux de former plusieurs plots 7 associés à plusieurs zones d'accueil 2 et d'enrober ces plots 7 dans un même motif périphérique 10 pour assurer une certaine stabilité mécanique entre les différents plots 7. Dans un mode de réalisation particulier, plusieurs plots 7 sont configurés pour 10 s'enfoncer dans une même zone d'accueil 2. Le deuxième motif périphérique 10 a une épaisseur plus faible que le plot 7 afin de permettre au plot 7 de faire saillie et de s'enfoncer dans la zone d'accueil 2 ce qui permet d'avoir la stabilité mécanique recherchée. De manière 15 avantageuse, le deuxième motif périphérique 10 est électriquement isolant. Il peut être formé par un ou plusieurs matériaux électriquement isolants, par exemple un oxyde de silicium, un nitrure de silicium ou un matériau polymère. Dans un mode de réalisation particulier, le premier motif périphérique 5 est réalisé dans le même matériau que le deuxième motif périphérique 10. 20 Dans un mode de réalisation particulier, la différence d'épaisseur entre le plot 7 et le deuxième motif périphérique 10, c'est-à-dire la hauteur de la partie en saillie, est inférieure à l'épaisseur du premier matériau métallique de la zone d'accueil 2. Cette précaution permet, lors de la mise en contact, d'éviter que le 25 plot 7 s'enfonce complètement dans la zone en premier matériau métallique et qu'il s'enfonce également dans le matériau situé sous le premier matériau métallique. De cette manière, il devient possible d'éviter une zone ponctuelle avec de grandes contraintes ce qui a pour effet de fragiliser la structure. 30 De manière générale la topographie de surface présente sur le premier substrat 1 entre la surface libre de la zone d'accueil 2 et les surfaces libres du motif périphérique 3 (de la zone de renforcement 4 et du premier motif de couverture 5) est choisie pour permettre l'enfoncement du plot 7 dans la zone d'accueil 2 en tenant compte de la topographie de surface également présente sur le deuxième substrat 6 entre le plot 7 (la zone centrale 8 et la couche périphérique 9) et le deuxième motif périphérique 10. Dans une variante de réalisation pouvant être combinée avec les modes de réalisations précédents et illustrée aux figures 1 et 2, une cale 11 peut être déposée sur le premier motif périphérique 3 et/ou sur le deuxième motif périphérique 10 de manière à éviter que le plot 7 ne traverse complètement la couche en premier matériau métallique et/ou pour assurer un espace prédéterminé entre les deux substrats. L'utilisation d'une cale 11 permet également de compenser au moins partiellement les irrégularités de topographie présentes à la surface du premier et/ou du deuxième substrat et/ou les défauts de planéité des deux substrats. Dans un mode de réalisation particulier, la cale 11 est réalisée dans un matériau adhésif qui assure partiellement la cohésion mécanique entre les deux substrats. La couche périphérique 9 assure que le plot 7 est complètement en contact avec la zone d'accueil 2. Durant cette phase d'appui, le plot 7 n'est pas encore complètement enfoncé dans la zone d'accueil 2 ce qui peut se traduire par un désalignement du plot 7 par rapport à la zone d'accueil 2. La couche périphérique 9 permet de réduire les contraintes appliquées sur le deuxième matériau métallique en cas de désalignement du plot alors que ce dernier se trouve dans la zone d'accueil 2. Cela permet également de limiter la déformation de la zone d'accueil 2 et d'obtenir une surface de contact sensiblement constante entre le plot et la zone d'accueil. Cette architecture particulière de connexion mécanique a montré de bonnes propriétés d'herméticité. Dans ce cas, il est possible de former un joint de scellement périphérique qui délimite une cavité fermée. La cavité est délimitée par les premier et deuxième substrats et par la connexion mécanique. La zone d'accueil 2 et le plot 7 ont tous les deux la forme d'un anneau. L'enfoncement du plot 7 dans la zone d'accueil 2 est réalisé au moyen d'un équipement d'assemblage. Cet équipement d'assemblage a une valeur maximale de désalignement dans une première direction, c'est-à-dire que lors de l'assemblage des deux substrats, il existe un désalignement qui est inférieure ou égale à cette valeur. De manière à réduire les contraintes d'alignement, dans la première direction, la dimension de la zone d'accueil 2 est supérieure à la somme de la dimension du plot 7 et du double de la valeur maximale de désalignement. Ainsi, même avec un désalignement maximal, le plot 7 est toujours enfoncé dans la zone d'accueil 9. Dans un mode de réalisation préférentiel, le premier substrat 1 est formé de la manière suivante. Le premier substrat 1 est recouvert par un matériau de recouvrement 12, par exemple le matériau formant le futur motif de couverture 5. A titre d'exemple, le premier substrat 1 est un substrat semi-conducteur sur lequel un circuit intégré a été réalisé et le matériau de recouvrement 12 peut correspondre à un matériau électriquement isolant utilisé pour former les niveaux d'interconnexions. Le substrat peut également être un interposeur ou un autre type de substrat de support. Le matériau de recouvrement 12 peut être formé par un seul matériau ou par l'empilement de plusieurs couches de matériaux différents. Comme illustré à la figure 3, le matériau de recouvrement 12 est gravé de manière à former une cavité. La cavité peut être traversante ou non traversante dans le matériau de recouvrement 12, c'est-à-dire un trou borgne ou traversant ou une rainure éventuellement débouchante. Si le matériau de recouvrement 12 est électriquement isolant et si la connexion à former doit être électriquement conductrice, le trou débouche avantageusement sur le substrat 1 au niveau d'un contact électrique. Comme illustré à la figure 4, le matériau périphérique formant la couche de renforcement 4 est ensuite déposé. Le matériau peut être déposé de manière à remplir le trou et un nouveau trou est ensuite formé de manière à définir la future zone d'accueil 2. De manière préférentielle, le trou est partiellement rempli par le matériau formant la couche de renforcement 4. Le dépôt est choisi conforme de manière à déposer sensiblement la même épaisseur de matériau sur les faces horizontales et verticales. Le matériau de la couche de renforcement 4 peut être alors gravé de manière anisotrope afin de former des espaceurs latéraux. Le premier matériau métallique de la zone d'accueil 2 est ensuite déposé de manière à remplir la cavité restante. De manière avantageuse, le premier matériau métallique est déposé par voie électrochimique. Comme illustré à la figure 5, le premier matériau métallique peut être localisé dans la zone d'accueil 2 par gravure par exemple par polissage mécano- chimique et/ou par gravure chimique à travers un masque de gravure. Ainsi, il est possible d'avoir une couche de renforcement 4 localisée sur les parois latérales de la zone d'accueil 2. Le matériau de recouvrement 12 peut être conservé pour former la couche de renforcement 4. De manière préférentielle, l'épaisseur de premier matériau métallique déposé n'est pas suffisante pour déborder de la cavité et le polissage mécano-chimique est configuré pour former une cavité partiellement remplie. Dans un autre mode de réalisation, une fois la zone d'accueil 2 formée, cette dernière est gravée, par exemple par plasma afin de former une zone d'accueil 30 2 en dépression par rapport à la surface externe définie par le premier motif périphérique 5. Selon la chimie de gravure utilisée et les matériaux employés pour la couche de renforcement 4 et la zone d'accueil 2, les vitesses de gravure des différents matériaux peuvent être différentes ce qui permet d'avoir les différentes configurations évoquées plus haut. Comme cela est illustré à la figure 6, le plot 7 peut être réalisé au moyen du même procédé de réalisation à partir du deuxième substrat 6. Une fois le plot 7 formé, le deuxième motif périphérique 10 est partiellement gravé afin de faire saillir le plot 7, ici le matériau 13 est gravé. La formation de la zone d'accueil 2 peut être présentée de la manière suivante : déposer un premier matériau de recouvrement 12 sur le premier substrat 1, graver partiellement le premier matériau de recouvrement 12 de manière à former une cavité dans le premier matériau de recouvrement 12 définissant la zone d'accueil 2, - déposer une couche de renforcement 4 de manière conforme dans la cavité, déposer le premier matériau métallique pour remplir la cavité, graver le premier matériau métallique de manière à le localiser dans la cavité et former la zone d'accueil 2. La formation du plot 7 peut être présentée de la manière suivante : - déposer un deuxième matériau de recouvrement 13 sur le deuxième substrat 6, - graver partiellement le deuxième matériau de recouvrement 13 de manière 25 à former une deuxième cavité dans le deuxième matériau de recouvrement 13, - déposer la couche périphérique 9 de manière conforme dans la deuxième cavité, - déposer le deuxième matériau métallique dans la deuxième cavité, - graver le deuxième matériau métallique de manière à le localiser dans la 30 deuxième cavité par gravure chimique ou par polissage mécano-chimique, - graver au moins partiellement le deuxième matériau de recouvrement 13 de manière à former le plot 7 en saillie formé par le deuxième matériau métallique et la couche périphérique 9. Comme indiqué précédemment, il est possible de déposer une couche d'accroche en titane disposée entre la zone d'accueil 2 et le premier substrat 1. Il est également possible de déposer une couche barrière choisie parmi Ni, TiN, TaN et WN disposée entre la zone d'accueil 2 et le premier substrat 1. Cette configuration est particulièrement intéressante car elle permet de s'affranchir partiellement des problèmes de parallélisme qui peuvent exister entre les faces en regard du premier substrat 1 et du deuxième substrat 6 lors de l'assemblage.15 REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication d'au moins une connexion mécanique entre un premier substrat (1) et un deuxième substrat (6), caractérisé en ce qu'il comporte : a) fournir le premier substrat (1) comportant une zone d'accueil (2) en premier matériau métallique entourée par un motif périphérique (3) de maintien, b) fournir le deuxième substrat (6) comportant au moins un plot (7) comprenant un deuxième matériau métallique faisant saillie, c) chauffer la zone d'accueil (2) de manière à fondre le premier matériau métallique, le motif périphérique de maintien étant configuré pour contenir le premier matériau métallique à l'état liquide, d) enfoncer le plot (7) dans la zone d'accueil (2), le premier matériau métallique et le deuxième matériau métallique étant configurés pour réagir et former un alliage métallique ayant une température de fusion supérieure à celle du premier matériau métallique, le premier matériau métallique étant complètement consommé. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'il comporte le dépôt d'une couche d'accroche (4) en titane disposée entre la zone d'accueil (2) et le premier substrat (1). 3. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comporte le dépôt d'une couche barrière de diffusion (4) choisie parmi Ni, TiN, TaN et WN disposée entre la zone d'accueil (2) et le premier substrat (1). 4. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte le dépôt d'un empilement comportant successivement une couche en Ti, une couche en Ni et une couche en Cu depuis le premier substrat (1) vers la zone d'accueil (2). 5. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'étape a) comporte : déposer un premier matériau de recouvrement (12) sur le premier substrat (1), graver partiellement le premier matériau de recouvrement (12) de manière à former une cavité dans le premier matériau de recouvrement (12) définissant la zone d'accueil (2), déposer une couche de renforcement (4) de manière conforme dans la cavité, déposer le premier matériau métallique pour remplir la cavité, graver le premier matériau métallique de manière à le localiser dans la cavité et former la zone d'accueil (2). 6. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, 20 caractérisé en ce que l'étape b) comporte : déposer un deuxième matériau de recouvrement (13) sur le deuxième substrat (6), graver partiellement le deuxième matériau de recouvrement (13) de manière à former une deuxième cavité dans le deuxième matériau de 25 recouvrement (13), déposer une couche périphérique (9) de manière conforme dans la deuxième cavité, déposer le deuxième matériau métallique dans la deuxième cavité, graver le deuxième matériau métallique de manière à le localiser dans la 30 deuxième cavité,graver au moins partiellement le deuxième matériau de recouvrement (13) de manière à former le plot (7) en saillie formé par le deuxième matériau métallique et la couche périphérique (9). 7. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'enfoncement du plot (7) dans la zone d'accueil (2) est réalisé au moyen d'un équipement d'assemblage ayant une valeur maximale de désalignement dans une première direction et en ce que, dans ladite première direction, la dimension de la zone d'accueil (2) est supérieure à la somme de la io dimension du plot (7) et du double de ladite valeur maximale de désalignement.