FR 2987166 A1 20130823 FR 1200449 A 20120216 La présente invention se rapporte à un procédé de transfert d'une couche, ainsi qu'à une structure. Un procédé de transfert d'une couche connu de l'état de la technique, et dénommé Smart Cut TM, comporte des étapes consistant à : a) fournir un substrat support, b) fournir un substrat donneur, c) former une zone de fragilisation dans le substrat donneur de manière à délimiter une première partie et une seconde partie du substrat donneur de part et d'autre de la zone de fragilisation, la première partie du substrat donneur étant destinée à être rapportée sur le substrat support, la seconde partie du substrat donneur pouvant être recyclée, d) assembler le substrat donneur sur le substrat support, e) fracturer le substrat donneur suivant la zone de fragilisation, de préférence par un traitement thermique. Après l'étape e), la première partie du substrat donneur forme la couche transférée sur le substrat support, et est communément appelée couche active. Il est constaté expérimentalement que la surface libre de la couche active présente une rugosité élevée, typiquement entre 50 et 70 A RMS, 20 typiquement 60 A RMS, ce qui est essentiellement due à la propagation du front de fracture le long de la zone de fragilisation. Cette rugosité de surface peut nécessiter un nombre important d'étapes de traitement de la surface libre de la couche active afin de réduire sa rugosité de manière à obtenir une valeur comprise typiquement entre 25 quelques A RMS et 30 A RMS. Ces étapes de traitement peuvent comporter notamment des étapes de recuit, d'oxydation, et de polissage. Ces étapes de traitement sont notamment détaillées dans les documents EP 0 986 826, EP 1 208 589, et EP 1 208 593. Un procédé connu de l'état de la technique, notamment du document 30 US 6, 284, 631, propose de former une couche contrainte dans le substrat donneur, et de former la zone de fragilisation à l'intérieur de la couche contrainte afin de faciliter la fracture le long de la zone de fragilisation. Selon ce document, ce procédé de l'état de la technique faciliterait la propagation du front de fracture en diminuant le niveau d'énergie nécessaire à la fracture au niveau de la couche contrainte, en compression ou en tension. Quand bien même un tel procédé de l'état de la technique permettrait de réduire le niveau d'énergie de fracture et contrôler l'initiation de la propagation du front de fracture, ce procédé ne permet pas de contrôler la dispersion spatiale de la propagation du front de fracture, et donc de réduire significativement la rugosité de surface de la couche active. A cet effet, US 6, 284, 631 propose de limiter l'énergie ou les contraintes dans le substrat donneur afin de réduire la possibilité d'initiations incontrôlées de fronts de fracture et de réduire la rugosité de surface. Par conséquent, un tel procédé de l'état de la technique est complexe à mettre en oeuvre puisqu'il est nécessaire de déterminer une énergie pour la couche contrainte suffisamment élevée pour réduire l'énergie de la fracture et suffisamment faible pour réduire la possibilité d'initiations incontrôlées de fronts de fracture et de réduire la rugosité de surface. Par ailleurs, un tel procédé de l'état de la technique nécessite un excellent contrôle de la profondeur et des épaisseurs de la couche contrainte et de la zone de fragilisation dans la mesure où la zone de fragilisation doit être impérativement formée à l'intérieur de la couche contrainte. La présente invention vise à remédier aux inconvénients précités, et concerne un procédé de transfert d'une couche comportant des étapes consistant à : a) fournir un substrat support, b) fournir un substrat donneur, c) former une zone de fragilisation dans le substrat donneur de manière à délimiter une première partie et une seconde partie du substrat donneur de part et d'autre de la zone de fragilisation, la première partie du 30 substrat donneur étant destinée à être rapportée sur le substrat support, d) assembler le substrat donneur sur le substrat support, e) fracturer le substrat donneur suivant la zone de fragilisation, le procédé de transfert étant remarquable en ce qu'il comporte une étape cl) consistant à former une couche contrainte en compression dans le substrat donneur de manière à délimiter une zone dite de confinement intercalée entre la couche contrainte en compression et la zone de fragilisation. Ainsi, la formation d'une telle couche contrainte en compression permet de bloquer la propagation du front de fracture, et par là-même de confiner cette propagation du front de fracture le long de la zone de fragilisation dans la zone de confinement. La demanderesse a constaté expérimentalement qu'il est essentiel que la couche soit contrainte en compression et non en tension pour obtenir ce confinement. En effet, au contraire, une couche contrainte en tension favoriserait la propagation du front de fracture. La surface libre de la zone de confinement après l'étape e) présente 15 alors une rugosité de surface typiquement comprise entre quelques A RMS et 30 A RMS. De plus, un tel procédé de transfert selon l'invention ne nécessite pas de déterminer une énergie précise pour la couche contrainte en compression dans la mesure où des initiations incontrôlées de fronts de 20 fracture éventuelles n'auront pas de conséquences sur la rugosité de surface puisque ces fronts de fracture demeureront confinés dans la zone de confinement. En outre, un tel procédé de transfert selon l'invention autorise une tolérance vis-à-vis d'une maîtrise parfaite de la profondeur et de l'épaisseur 25 de la couche contrainte en compression et de la zone de fragilisation dans la mesure où la couche contrainte en compression est située à distance de la zone de fragilisation, cette tolérance se répercutant simplement sur l'épaisseur de la zone de confinement. Selon un mode de mise en oeuvre, la couche contrainte en 30 compression est formée lors de l'étape cl) dans la première partie du substrat donneur de manière à délimiter la zone de confinement et une zone dite active de part et d'autre de la couche contrainte en compression, la zone active formant la couche transférée après l'étape e). Ainsi, une telle couche contrainte en compression, intercalée entre zone active et la zone de fragilisation, permet de protéger efficacement la 5 couche active des effets du front de fracture, par exemple la formation de défauts cristallins, de cassures, craquelures... Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé de transfert comporte une étape c2) consistant à former une couche contrainte en compression additionnelle dans le substrat donneur de manière à délimiter une zone de 10 confinement additionnelle intercalée entre la couche contrainte en compression additionnelle et la zone de fragilisation, la zone de confinement et la zone de confinement additionnelle étant disposées de part et d'autre de la zone de fragilisation. Ainsi, de telles couches contraintes en compression forment un guide 15 pour la propagation du front de fracture. Cette propagation du front de fracture est confinée dans les zones de confinement de part et d'autre de la zone de fragilisation. Avantageusement, la couche contrainte en compression est formée lors de l'étape cl) dans la première partie du substrat donneur, et le procédé 20 de transfert comporte une étape el) consistant à, après l'étape e), supprimer la zone de confinement additionnelle et la couche contrainte en compression additionnelle. Ainsi, une telle étape el) permet d'envisager de recycler la seconde partie du substrat donneur. 25 Selon une forme d'exécution, l'étape el) est réalisée par une gravure sélective de la zone de confinement additionnelle et de la couche contrainte en compression additionnelle, ou est réalisée par une oxydation suivie d'une gravure de la zone de confinement additionnelle et de la couche contrainte en compression additionnelle. 30 Selon un mode de mise en oeuvre, la couche contrainte en compression est formée lors de l'étape cl) dans la première partie du substrat donneur, et le procédé de transfert comporte une étape f) consistant à, après l'étape e), supprimer la zone de confinement et la couche contrainte en compression. Ainsi, une telle étape f) permet de finaliser le transfert de la zone active qui présente alors une surface libre. Avantageusement, l'étape f) comporte une étape de recuit rapide adapté pour traiter la surface libre de la première partie du substrat donneur. Cette étape de recuit rapide est classiquement menée à une température comprise entre 900°C et 1300°C, pendant une durée n'excédant pas 15 mn, et ce dans une atmosphère non oxydante. Ainsi, l'obtention et le traitement de la couche transférée lors de l'étape f) obtenus par des techniques de traitement (gravure, oxydation, recuit rapide) sont réalisées avec un gain de temps significatif dans la mesure où la surface libre de la zone de confinement après l'étape e) présente une rugosité de surface typiquement comprise entre quelques A RMS et 30 A RMS. Selon un mode de mise en oeuvre, le substrat donneur est réalisé dans un matériau, et l'étape cl) et/ou l'étape c2) sont réalisées par implantation d'espèces présentant un rayon atomique supérieur au rayon atomique des atomes dudit matériau. Ainsi, le choix d'un tel rayon atomique pour les atomes ionisés permet la formation d'une couche contrainte en compression. Avantageusement, les paramètres de l'implantation d'espèces, tels que l'énergie et la dose, sont adaptés pour rendre amorphe la zone du substrat donneur soumise à l'implantation. Ainsi, une telle implantation permet de former la ou les couches contraintes en compression juxtaposées à la zone du substrat donneur rendue amorphe. Ainsi, l'interface entre la zone rendue amorphe du substrat donneur et la couche de compression correspondante est parfaitement délimitée, ce qui permet d'améliorer la qualité de ladite couche. Il est à noter que le dépôt d'une couche amorphe suivie d'une implantation d'espèces au-delà de cette couche amorphe ne permet pas d'obtenir l'effet technique précité. Avantageusement, les paramètres de l'implantation sont adaptés pour rendre amorphe sensiblement la totalité de la zone du substrat soumise à l'implantation. Ainsi, le risque de formations de défauts est considérablement réduit. Les méthodes de reconstruction de la zone du substrat donneur soumise à l'implantation, et rendue amorphe, sont connues de l'homme du métier, par exemple un recuit thermique à 475°C. Selon une variante de mise en oeuvre, le substrat donneur est réalisé dans un matériau, et la ou les couches contraintes en compression sont formés par des étapes de croissance épitaxiale, la ou les couches contraintes en compression comportant des atomes présentant un rayon atomique supérieur au rayon atomique des atomes dudit matériau. Selon une forme d'exécution, l'étape f) est réalisée par une gravure sélective de la zone de confinement et de la couche contrainte en 15 compression. Ainsi, une telle forme d'exécution est particulièrement efficace lorsque la couche contrainte a été formée par épitaxie dans la mesure où l'interface entre la zone de confinement et la couche contrainte est généralement bien démarquée. 20 Préférentiellement, la zone de fragilisation est formée lors de l'étape c) par implantation d'espèces, tels que de l'hydrogène et/ou de l'hélium. Selon une forme d'exécution, le substrat donneur est réalisé dans un matériau semi-conducteur, préférentiellement du silicium, le matériau semiconducteur étant préférentiellement monocristallin. 25 Selon un mode de mise en oeuvre, le procédé de transfert comporte une étape, antérieure à l'étape d), consistant à former une couche de diélectrique sur la première partie du substrat donneur et/ou sur le substrat support. Ainsi, un tel procédé de transfert permet d'obtenir une structure du 30 type semi-conductrice sur isolant. Selon une caractéristique, le matériau dans lequel est réalisé le substrat donneur est sélectionné dans le groupe comportant le silicium (Si), le germanium (Ge), le silicium-germanium (SiGe), les matériaux III-V tels que le nitrure de gallium (GaN), l'arséniure de gallium (GaAs), le phosphure d'indium (InP). La présente invention se rapporte également à une structure comportant : - un substrat support, - un substrat donneur agencé sur le substrat support, - une zone de fragilisation formée dans le substrat donneur de manière à délimiter une première partie et une seconde partie du substrat donneur de 10 part et d'autre de la zone de fragilisation, la première partie du substrat donneur étant orientée vers le substrat support, la structure étant remarquable en ce qu'elle comporte une couche contrainte en compression formée dans la première partie du substrat donneur de manière à délimiter une zone dite de confinement et une zone dite active de 15 part et d'autre de la couche contrainte en compression, la zone de confinement étant intercalée entre la couche contrainte en compression et la zone de fragilisation, la zone active étant destinée à être transférée sur le substrat support. Ainsi, une telle couche contrainte en compression permet de bloquer 20 la propagation du front de fracture, et par là-même de confiner cette propagation du front de fracture le long de la zone de fragilisation dans la zone de confinement. La surface libre de la zone de confinement après fracture présente alors une rugosité de surface typiquement comprise entre quelques A RMS et 30 A RMS. Cette faible rugosité de surface obtenue 25 permet de faciliter le transfert de la zone active sur le substrat support. De plus, une telle structure selon l'invention ne nécessite pas de déterminer une énergie précise pour la couche contrainte en compression dans la mesure où des initiations incontrôlées de fronts de fracture éventuelles n'auront pas de conséquence sur la rugosité de surface puisque 30 ces fronts de fracture demeureront confinés dans la zone de confinement. En outre, une telle structure selon l'invention autorise une tolérance vis-à-vis d'une maîtrise parfaite de la profondeur et de l'épaisseur de la couche contrainte en compression et de la zone de fragilisation dans la mesure où la couche contrainte en compression est située à distance de la zone de fragilisation, cette tolérance se répercutant simplement sur l'épaisseur de la zone de confinement. Par ailleurs, une telle couche contrainte en compression, intercalée entre zone active et la zone de fragilisation, permet de protéger efficacement la couche active des effets du front de fracture, par exemple la formation de défauts cristallins, de cassures, craquelures... Dans un mode de réalisation, la structure comporte une couche contrainte en compression additionnelle formée dans la seconde partie du substrat donneur de manière à délimiter une zone de confinement additionnelle intercalée entre la couche contrainte en compression additionnelle et la zone de fragilisation. Ainsi, de telles couches contraintes en compression forment un guide pour la propagation du front de fracture. Cette propagation du front de fracture est confinée dans les zones de confinement de part et d'autre de la zone de fragilisation. Selon une forme d'exécution, le substrat donneur est réalisé dans un matériau comportant un ensemble d'atomes présentant un rayon atomique prédéterminé, et la ou chaque couche contrainte en compression comporte un ensemble d'atomes présentant un rayon atomique supérieur au rayon atomique prédéterminé. Ainsi, le choix d'un tel rayon atomique permet la formation d'une couche contrainte en compression. Selon une forme d'exécution, la ou les couches contraintes en compression présentent une épaisseur et une profondeur adaptées pour confiner la propagation d'un front de fracture le long de la zone de fragilisation dans la ou les zones de confinement. L'épaisseur de la ou les couches contraintes en compression est 30 adaptée de sorte que chaque couche contrainte en compression présente au moins quelques couches atomiques afin de bloquer la propagation du front de fracture. En outre, chaque couche contrainte en compression doit présenter une épaisseur inférieure à une épaisseur critique à partir de laquelle celle-ci peut se relaxer. La profondeur des couches contraintes en compression est adaptée de sorte que l'épaisseur totale des zones de confinement présente une 5 valeur comprise entre 10 A et 300 A, de préférence comprise entre 10 A et 100 A. Dans les modes de réalisation avec une seule couche contrainte en compression, la profondeur de ladite couche contrainte en compression est adaptée de sorte que l'épaisseur de la zone de confinement présente une 10 valeur comprise entre 10 A et 150 A, de préférence comprise entre 10 A et 50 A. Ainsi, l'épaisseur de la ou des couches contraintes en compression est adaptée pour assurer la fonction de blocage de la propagation du front de fracture. La profondeur de la ou des couches contraintes en compression 15 définit l'épaisseur de la ou des zones de confinement, la profondeur étant adaptée pour obtenir une rugosité de surface comprise entre quelques A RMS et 30 A RMS. Selon une caractéristique préférentielle de l'invention, le matériau dans lequel est réalisé le substrat donneur est sélectionné dans le groupe 20 comportant le silicium (Si), le germanium (Ge), le silicium-germanium (SiGe), les matériaux III-V tels que le nitrure de gallium (GaN), l'arséniure de gallium (GaAs), le phosphure d'indium (InP). Dans un mode de réalisation, la structure comporte une couche de diélectrique intercalée entre le substrat support et le substrat donneur. 25 D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre de deux modes de mise en oeuvre d'un procédé de transfert selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est une vue schématique illustrant les étapes pour le 30 premier mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, ainsi qu'un premier mode de réalisation d'une structure selon l'invention, - la figure 2 est une vue schématique illustrant les étapes pour le second mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, ainsi qu'un second mode de réalisation d'une structure selon l'invention. Pour les différents modes de mise en oeuvre, les mêmes références 5 seront utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction, par souci de simplification de la description. Le procédé de transfert illustré à la figure 1 est un procédé de transfert d'une couche 1 comportant des étapes consistant à : a) fournir un substrat support 2, 10 b) fournir un substrat donneur 3, c) former une zone de fragilisation 4 dans le substrat donneur 3 de manière à délimiter une première partie 30 et une seconde partie 31 du substrat donneur 3 de part et d'autre de la zone de fragilisation 4, la première partie 30 du substrat donneur 3 étant destinée à être rapportée sur le substrat 15 support 2, cl) former une couche contrainte en compression 5 dans la première partie 30 du substrat donneur 3 de manière à délimiter une zone dite de confinement 50 et une zone dite active 1 de part et d'autre de la couche contrainte en compression 5, la zone de confinement 50 étant intercalée 20 entre la couche contrainte en compression 5 et la zone de fragilisation 4, d) assembler le substrat donneur 3 sur le substrat support 2, e) fracturer le substrat donneur 3 suivant la zone de fragilisation 4, de préférence par un traitement thermique. La zone active 1 forme la couche transférée sur le substrat support 2 25 après l'étape e). Le substrat support 2 fourni lors de l'étape a) peut être réalisé dans tout type de matériau, de préférence de type semi-conducteur, par exemple du silicium. Le substrat support 2 peut avoir simplement une fonction de raidisseur relativement à la zone active 1 à transférer. Le substrat support 2 30 peut également présenter des propriétés électriques et/ou thermiques adaptées selon l'application désirée. Le substrat support 2 peut également comprendre des dispositifs électroniques, des interconnexions et/ou des zones métallisées formés avant le transfert de la zone active 1. Le substrat donneur 3 fourni lors de l'étape b) peut être réalisé dans tout type de matériau, préférentiellement de type semi-conducteur, encore préférentiellement de type monocristallin. Le substrat donneur 3 peut être également de type composite, c'est-à-dire formé d'une pluralité de couches de matériaux différents, dont l'une forme la zone active 1. Comme visible à la figure 1, le procédé peut comporter une étape, antérieure à l'étape d), consistant à former une couche de diélectrique 7 sur 10 la première partie 30 du substrat donneur 3. Dans le cas où le substrat donneur 3 est réalisé en silicium, la couche de diélectrique 7 est préférentiellement du dioxyde de silicium. La formation de la couche de diélectrique 7 peut être également réalisée sur le substrat support 2 en remplacement ou en complément de la couche de diélectrique 7 formée sur 15 le substrat donneur 3. La zone de fragilisation 4 est formée lors de l'étape c) par implantation d'espèces, tels que de l'hydrogène et/ou de l'hélium. L'implantation peut être réalisée avec une seule espèce telle que l'hydrogène, mais aussi avec plusieurs espèces implantées 20 séquentiellement telles que l'hydrogène et l'hélium. Les paramètres de l'implantation, essentiellement la dose et l'énergie, sont déterminés selon la nature des espèces et du substrat donneur 3. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape cl) est réalisée par implantation d'espèces présentant un rayon atomique supérieur au rayon 25 atomique des atomes du matériau dans lequel est réalisé le substrat donneur 3. Les paramètres de l'implantation d'espèces, essentiellement l'énergie et la dose, peuvent être adaptés pour rendre amorphe la zone du substrat donneur 3 soumise à l'implantation. 30 Selon une variante de mise en oeuvre, la couche contrainte en compression 5 est formée par une étape de croissance épitaxiale, la couche contrainte en compression 5 comportant des atomes présentant un rayon atomique supérieur au rayon atomique des atomes du matériau dans lequel est réalisé le substrat donneur. Plus précisément, la couche contrainte en compression 5 est formée par une étape de croissance épitaxiale sur la surface libre de la portion de substrat donneur 3 constituée par la seconde partie 31 du substrat donneur 3 et la zone de confinement 50. Ensuite, la zone active 1 peut être également formée par une étape de croissance épitaxiale. Il convient de noter que les étapes c) et cl) peuvent être interverties. L'étape d) peut être réalisée par un collage de type adhésion moléculaire. L'étape d) peut être précédée de tout traitement du substrat support 2 et du substrat support 3 visant à renforcer l'énergie de collage tel que nettoyage ou activation plasma. Dès lors que l'étape e) est exécutée, la seconde partie 31 du substrat donneur 3 peut être recyclée (symbolisé par les flèches en traits pointillés). A titre d'exemple non limitatif, l'étape e) peut être réalisée par un traitement thermique avec une rampe de température comprise entre 200°C et 600°C, et une augmentation de la température comprise entre 1 et 10°C par minute. Le procédé de transfert comporte une étape f) consistant à, après l'étape e), supprimer la zone de confinement 50 et la couche contrainte en compression 5. L'étape f) peut comporter une étape de gravure sélective de la zone de confinement 50 et de la couche contrainte en compression 5. Il en résulte que la zone active 1 présente une surface libre 10. L'étape f) peut comporter une étape de recuit rapide adapté pour traiter la surface libre 10 de la zone active 1. Le procédé de transfert illustré à la figure 2 diffère du procédé de transfert illustré à la figure 1 en ce qu'il comporte une étape c2) consistant à former une couche contrainte en compression additionnelle 6 dans la seconde partie 31 du substrat donneur 3 de manière à délimiter une zone de confinement additionnelle 60 intercalée entre la couche contrainte en compression additionnelle 6 et la zone de fragilisation 4. Le procédé de transfert comporte une étape el) consistant à, après l'étape e), supprimer la zone de confinement additionnelle 60 et la couche contrainte en compression additionnelle 6. L'étape el) peut être réalisée par une gravure sélective de la zone de confinement additionnelle 60 et de la couche contrainte en compression additionnelle 6, ou peut être réalisée par une oxydation suivie d'une gravure de la zone de confinement additionnelle 60 et de la couche contrainte en compression additionnelle 6. Selon un mode de mise en oeuvre, l'étape c2) est réalisée par implantation d'espèces présentant un rayon atomique supérieur au rayon 10 atomique des atomes du matériau dans lequel est réalisé le substrat donneur 3. Selon une variante de mise en oeuvre, la couche contrainte en compression additionnelle 6 est formée par une étape de croissance épitaxiale, la couche contrainte en compression additionnelle 6 comportant 15 des atomes présentant un rayon atomique supérieur au rayon atomique des atomes du matériau dans lequel est réalisé le substrat donneur 3. Selon cette variante de mise en oeuvre, la couche contrainte en compression additionnelle 6, la zone de confinement additionnelle 60, la zone de confinement 50, la couche contrainte en compression 5, et la zone active 1 20 sont formées successivement, par croissance épitaxiale, sur le substrat donneur 3. Selon un mode de mise en oeuvre non illustré, le procédé de transfert diffère du procédé illustré à la figure 2 en ce que l'étape cl) consiste à former la couche contrainte en compression 5 dans la seconde partie 31 du 25 substrat donneur 3 de manière à délimiter la zone de confinement 50 intercalée entre la couche contrainte en compression 5 et la zone de fragilisation 4. Bien entendu, les modes de mise en oeuvre de l'invention décrits ci-dessus ne présentent aucun caractère limitatif. Des détails et améliorations 30 peuvent y être apportés dans d'autres variantes d'exécution sans pour autant sortir du cadre de l'invention. La présente invention se rapporte également à une structure. Pour les différents modes de réalisation, les mêmes références seront utilisées pour des éléments identiques ou assurant la même fonction, par souci de simplification de la description. La structure 100 illustrée à la figure 1 correspond à la structure obtenue après l'étape d) du procédé de transfert. La structure 100 comporte : - un substrat support 2, - un substrat donneur 3 agencé sur le substrat support 2, - une zone de fragilisation 4 formée dans le substrat donneur 3 de manière à 10 délimiter une première partie 30 et une seconde partie 31 du substrat donneur 3 de part et d'autre de la zone de fragilisation 4, la première partie 30 du substrat donneur 3 étant orientée vers le substrat support 2, La structure 100 comporte une couche contrainte en compression 5 formée dans la première partie 30 du substrat donneur 3 de manière à 15 délimiter une zone dite de confinement 50 et une zone dite active 1 de part et d'autre de la couche contrainte en compression 5, la zone de confinement 50 étant intercalée entre la couche contrainte en compression 5 et la zone de fragilisation 4, la zone active 1 étant destinée à être transférée sur le substrat support 2. 20 Le substrat donneur 3 est réalisé dans un matériau comportant un ensemble d'atomes présentant un rayon atomique prédéterminé, et la couche contrainte en compression 5 comporte un ensemble d'atomes présentant un rayon atomique supérieur au rayon atomique prédéterminé. La couche contrainte en compression 5 présente une épaisseur et 25 une profondeur adaptées pour confiner la propagation d'un front de fracture le long de la zone de fragilisation 4 dans la zone de confinement 50. La structure 200 illustrée à la figure 2 diffère de la structure 100 illustrée à la figure 1 en ce qu'elle comporte une couche contrainte en compression additionnelle 6 formée dans la seconde partie 31 du substrat 30 donneur 3 de manière à délimiter une zone de confinement additionnelle 60 intercalée entre la couche contrainte en compression additionnelle 6 et la zone de fragilisation 4. Bien entendu, les modes de réalisation de l'invention décrits ci-dessus ne présentent aucun caractère limitatif. Des détails et améliorations peuvent y être apportés dans d'autres variantes d'exécution sans pour autant sortir du cadre de l'invention.5 REVENDICATIONS1. Procédé de transfert d'une couche comportant des étapes consistant à : a) fournir un substrat support (2), b) fournir un substrat donneur (3), c) former une zone de fragilisation (4) dans le substrat donneur (3) de manière à délimiter une première partie (30) et une seconde partie (31) du substrat donneur (3) de part et d'autre de la zone de fragilisation (4), la première partie (30) du substrat donneur (3) étant destinée à être rapportée sur le substrat support (2), d) assembler le substrat donneur (3) sur le substrat support (2), e) fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone de fragilisation (4), de préférence par un traitement thermique, le procédé de transfert étant caractérisé en ce qu'il comporte une étape cl) consistant à former une couche contrainte en compression (5) dans le substrat donneur (3) de manière à délimiter une zone dite de confinement (50) intercalée entre la couche contrainte en compression (5) et la zone de fragilisation (4). 2. Procédé de transfert selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche contrainte en compression (5) est formée lors de l'étape cl) dans la première partie (30) du substrat donneur (3) de manière à délimiter la zone de confinement (50) et une zone dite active (1) de part et d'autre de la couche contrainte en compression (5), la zone active (1) formant la couche transférée après l'étape e). 3. Procédé de transfert selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comporte une étape c2) consistant à former une couche contrainte en compression additionnelle (6) dans le substrat donneur (3) de manière à délimiter une zone de confinement additionnelle (60) intercalée entre la couche contrainte en compression additionnelle (6) et la zone de fragilisation (4), la zone de confinement (50) et la zone de confinement additionnelle (60) étant disposées de part et d'autre de la zone de fragilisation (4). 4. Procédé de transfert selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche contrainte en compression (5) est formée lors de l'étape cl) dans la première partie (30) du substrat donneur (3), et en ce que le procédé de transfert comporte une étape el) consistant à, après l'étape e), supprimer la zone de confinement additionnelle (60) et la couche contrainte en compression additionnelle (6). 5. Procédé de transfert selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'étape el) est réalisée par une gravure sélective de la zone de confinement additionnelle (60) et de la couche contrainte en compression additionnelle (6), ou est réalisée par une oxydation suivie d'une gravure de la zone de confinement additionnelle (60) et de la couche contrainte en compression additionnelle (6). 6. Procédé de transfert selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la couche contrainte en compression (5) est formée lors de l'étape cl) dans la première partie (30) du substrat donneur (3), et en ce que le procédé de transfert comporte une étape f) consistant à, après l'étape e), supprimer la zone de confinement (50) et la couche contrainte en compression (5). 7. Procédé de transfert selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape f) comporte une étape de recuit rapide adapté pour traiter la surface libre (10) de la première partie (30) du substrat donneur (3). 8. Procédé de transfert selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat donneur (3) est réalisé dans un matériau, et en ce que l'étape cl) et/ou l'étape c2) sont réalisées par implantation d'espèces présentant un rayon atomique supérieur au rayon atomique des atomes dudit matériau. 9. Procédé de transfert selon la revendication 8, caractérisé en ce que les paramètres de l'implantation d'espèces, tels que l'énergie et la dose, sont adaptés pour rendre amorphe la zone du substrat donneur (3) soumise à l'implantation. 10. Procédé de transfert selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat donneur (3) est réalisé dans un matériau, et en ce que la ou les couches contraintes en compression (5, 6) sont formées par des étapes de croissance épitaxiale, la ou les couches contraintes en compression (5, 6) comportant des atomes présentant un rayon atomique supérieur au rayon atomique des atomes dudit matériau. 11. Procédé de transfert selon la revendication 10 en combinaison avec la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce que l'étape f) comporte une étape de 15 gravure sélective de la zone de confinement (50) et de la couche contrainte en compression (5). 12. Procédé de transfert selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la zone de fragilisation (4) est formée lors de l'étape c) par 20 implantation d'espèces, tels que de l'hydrogène et/ou de l'hélium. 13. Procédé de transfert selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que le substrat donneur (3) est réalisé dans un matériau semiconducteur, préférentiellement du silicium, le matériau semi-conducteur 25 étant préférentiellement monocristallin. 14. Procédé de transfert selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'il comporte une étape, antérieure à l'étape d), consistant à former une couche de diélectrique (7) sur la première partie (30) du substrat 30 donneur (3) et/ou sur le substrat support (2). 15. Structure (100, 200) comportant :- un substrat support (2), - un substrat donneur (3) agencé sur le substrat support (2), - une zone de fragilisation (4) formée dans le substrat donneur (3) de manière à délimiter une première partie (30) et une seconde partie (31) du substrat donneur (3) de part et d'autre de la zone de fragilisation (4), la première partie (30) du substrat donneur (3) étant orientée vers le substrat support (2), la structure (100, 200) étant caractérisée en ce qu'elle comporte une couche contrainte en compression (5) formée dans le substrat donneur (3) de manière à délimiter une zone dite de confinement (50) intercalée entre la couche contrainte en compression (5) et la zone de fragilisation (4). 16. Structure (100, 200) selon la revendication 15, caractérisée en ce que la couche contrainte en compression (5) est formée dans la première partie (30) du substrat donneur (3) de manière à délimiter la zone de confinement (50) et une zone dite active (1) de part et d'autre de la couche contrainte en compression (5), la zone active (1) étant destinée à être transférée sur le substrat support (2). 17. Structure (100, 200) selon la revendication 15 ou 16, caractérisée en ce qu'elle comporte une couche contrainte en compression additionnelle (6) formée dans le substrat donneur (3) de manière à délimiter une zone de confinement additionnelle (60) intercalée entre la couche contrainte en compression additionnelle (6) et la zone de fragilisation (4), la zone de confinement (50) et la zone de confinement additionnelle (60) étant disposées de part et d'autre de la zone de fragilisation (4). 18. Structure (100, 200) selon l'une des revendications 15 à 17, caractérisée en ce que le substrat donneur (3) est réalisé dans un matériau comportant 30 un ensemble d'atomes présentant un rayon atomique prédéterminé, et en ce que la ou chaque couche contrainte en compression (5, 6) comporte unensemble d'atomes présentant un rayon atomique supérieur au rayon atomique prédéterminé. 19. Structure (100, 200) selon l'une des revendications 15 à 18, caractérisée en ce que la ou les couches contraintes en compression (5, 6) présentent une épaisseur et une profondeur adaptées pour confiner la propagation d'un front de fracture le long de la zone de fragilisation (4) dans la ou les zones de confinement (50, 60).10