FR 2978443 A1 20130201 FR 1102329 A 20110726 Matériau pour substrat diélectrique pour circuit imprimé et antennes, procédé de fabrication d'un tel substrat portant des moyens d'interconnexion entre pistes et substrat diélectrique ainsi obtenu. L'invention concerne les domaines des circuits imprimés et des antennes. Plus précisément, elle concerne les circuits imprimés et les antennes pour lesquels des trous métallisés permettent de créer des liaisons électriques entre des pistes situées à des niveaux différents. Les circuits imprimés sont réalisés sur des substrats rigides pour lesquels les procédures de perçage et de métallisation sont maîtrisés. Il est très difficile d'avoir des matériaux massifs ayant une constante diélectrique inférieure à 3, alors que les diélectriques à faible constante diélectrique et faible tangente de perte sont particulièrement intéressants pour la qualité des transmissions des lignes gravées sur ces substrats. Le plus souvent, on utilise des matériaux diélectriques tels que le RT5890 de TACONIC ou le Diclad 774 d'ARLON, matériau à base de PTFE (poly-tétrafluoro- éthylène) dont la constante diélectrique est de l'ordre de 2,1. Dans le domaine des antennes, et particulièrement pour les antennes du type comportant un réflecteur hyperfréquence actif fit « Reflect Array, les liaisons entre les réseaux déphaseurs et le plan de masse sont réalisées avec des fils métalliques. Ce type de liaison alourdit l'antenne et rend les interconnexions plus complexes. Une solution pour utiliser un matériau à faible constante diélectrique, à savoir moins de 1,5, est de mettre le matériau du substrat diélectrique sous forme de mousse, donc d'un milieu essentiellement constitué d'air. La possibilité de réaliser des interconnexions entre pistes dans de tels matériaux permet une montée en fréquence des signaux, réduit la masse des antennes, simplifie leur conception et, donc, réduit leur coût. La liaison électrique entre les pistes de niveaux différents est assurée par des trous pratiqués dans l'épaisseur des plaques, et dont la surface est métallisée, pour constituer ce qu'on appelle un « via ». Cependant, une difficulté liée à l'utilisation de mousse réside dans la réalisation de trous dans une matière très alvéolée, puis à leur métallisation correcte. Le but de l'invention est de proposer un mode de réalisation et de métallisation d'un substrat diélectrique sous forme de mousse de composition optimisée pour que les connexions entre pistes s'effectuent dans les meilleures conditions. A cet effet l'invention a pour objet un substrat diélectrique pour circuit imprimé et antennes, caractérisé en ce qu'il est constitué par une mousse de polyuréthane fabriquée à partir d'un ou plusieurs polyols comportant au moins 50% de triméthylol-propane et d'un isocyanate et des additifs tels que des catalyseurs à base d'amine, des tensio-actifs et un agent de bullage, le ratio polyols/isocyanate étant compris entre 0,5 et 1 en volume. L'isocyanate peut être du toluène diisocyanate. L'isocyanate peut être du diisocyanate de diphénylméthane. L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un substrat diélectrique portant un circuit imprimé et des moyens d'interconnexion entre pistes d'un niveau différent d'un dispositif tel qu'une antenne, caractérisé en ce que : - on prépare un substrat diélectrique dans un matériau en mousse de polyuréthane du type précédent ; - on perce dans ce substrat des trous au moyen d'un foret tournant à une vitesse telle qu'elle n'entraîne pas la fusion de la mousse, une plaque conductrice de la chaleur dite plaque d'attaque étant disposée sur la surface supérieure du substrat et une plaque lubrifiante dite plaque de débouchage étant disposée sous la surface inférieure du substrat ; - on réalise un nettoyage du substrat ; - on réalise une métallisation au cuivre des parties du substrat destinées à constituer le circuit imprimé et des parois des trous, ladite métallisation comportant au moins les étapes suivantes : * un dégraissage et une préparation de la surface des trous permettant une 20 solubilisation des matières organiques libres et un ramollissement local de la résine ; * on rince la plaque à chaud pour solubiliser le dégraissant ; * on plonge la plaque dans une solution permettant la protection du bain de catalyse qui sera utilisé ultérieurement ; * on plonge la plaque dans un bain contenant un catalyseur à base de palladium ; 25 * on plonge la plaque dans une solution aqueuse d'un accélérateur pour protéger le palladium ; * on dépose par voie chimique une couche de cuivre de 0,2 à 0,4 pm d'épaisseur par immersion de la plaque dans une solution d'une substance contenant du cuivre ; * on dépose par voie électrolytique une couche de cuivre, de manière à porter 30 l'épaisseur totale de cuivre déposée à entre 30 et 40pm. Lors de la préparation du substrat diélectrique, on effectue de préférence le mélange de ses constituants de façon mécanique. La plaque d'attaque peut être en aluminium cartonné. La plaque de débouchage peut comporter un coeur en bois et deux plaques de 35 papier revêtues de résine époxy. Le dégraissage et la préparation de la surface des trous peuvent être réalisés au moyen d'une solution d'un conditionneur contenant principalement de l'hydroxyde de potassium, à une normalité de 11,3 à 12,3N, à une température comprise entre 30 et 40`C et pendant 20 à 60 min. Ledit rinçage à chaud peut être effectué soit avec de l'eau désionisée, soit avec de l'eau de ville. Le rinçage à chaud peut être suivi par un rinçage à froid. Au moins un desdits rinçages peut être effectué en faisant vibrer la plaque et/ou en ce qu'au moins en fin de rinçage on oriente des jets de solution de rinçage vers les trous de la plaque. Après le ou les rinçages, on peut neutraliser la surface de la plaque en la plongeant dans un bain acide, tel que de l'acide sulfurique à 5% ± 0,5%, ladite neutralisation étant suivie d'un rinçage. La solution permettant la protection du bain de catalyse peut être une solution d'un mélange de sels acides, telle qu'une solution de CIRCUPOSIT PRO-DIP 3340 de DOW CHEMICAL concentrée à 225 g/I ± 0,225 g/I. Le catalyseur à base de palladium peut contenir du palladium et de l'étain sous forme de chlorures. Ledit catalyseur peut être du CIRCUPOSIT CATALYST 3340/3344 de DOW CHEMICAL, mélangé en solution aqueuse avec du CIRCUPOSIT PRO-DIP 3340 à raison de respectivement 4,8 à 7,2% et 250 à 285 g/I, la solution a une normalité de 0,65 à 0,90 N, elle est utilisée entre 25 et 29t, et le temps de traitement est de 4,5 à 5,5 min. La plaque peut être ensuite rincée pour éliminer les traces de catalyseur non déposé. Ledit accélérateur peut être du CUPOSIT ACCELERATOR 19H de DOW CHEMICAL, la normalité de la solution aqueuse d'accélérateur est de 0,23 à 0,30 N, sa température est de 18 à 26t et le temps de traitem ent est de 5 à 7 min. Après son traitement par l'accélérateur, on peut rincer la plaque pour éliminer les traces d'accélérateur. Le dépôt de cuivre par voie chimique peut être réalisé par immersion de la plaque dans une solution aqueuse à entre 10 et 12,5% du produit CUPOSIT 328Q de DOW contenant également 2,5 à 5,5 g/I de soude, 4,5 à 9 g/I de formol et éventuellement jusqu'à 3,0 g/I de carbonates, et utilisée entre 22 et 26'C. On réalise de préférence une agitation du bain et/ou on impose des vibrations à la plaque pendant le dépôt de cuivre par voie chimique. La plaque peut être rincée après le dépôt de cuivre par voie chimique. Le dépôt de cuivre par voie électrolytique peut être réalisé dans une solution aqueuse contenant de 70 à 90 g/I de sulfate de cuivre, 220 à 240 g/I d'acide sulfurique, 40 à 70 mg/I d'ions chlorure et un brillanteur, la température de la solution étant de 21 à 26`C, et la densité de courant étant de 0,9 à 1,2 A/dm2. Le brillanteur peut être l'additif organique PCM+ de LEARONAL, sa teneur dans la solution aqueuse est de 2 à 4 g/I, et la solution est utilisée entre 21 et 26'C. La solution est de préférence agitée et/ou la plaque est mise en vibration lors du dépôt électrolytique de cuivre. Après le dépôt de cuivre électrolytique on peut effectuer au moins un rinçage de la 10 plaque à l'eau. On peut faire séjourner la plaque revêtue de cuivre dans un bain antioxydant. Le bain antioxydant peut être une solution aqueuse contenant entre 4 et 6% d'acide sulfurique et 0,8 à 1,2% de CUPROTEC 3 I, la solution est à 15 à 25CC et la plaque séjourne dans le bain antioxydant pendant 3 à 5 min. 15 On peut terminer la métallisation de la plaque par un rinçage à chaud. L'invention a également pour objet un substrat diélectrique portant un circuit imprimé et des moyens d'interconnexion entre pistes d'un niveau différent d'un dispositif tel qu'une antenne, caractérisé en ce qu'il a été obtenu par le procédé précédent. Comme on l'aura compris, l'invention couple plusieurs aspects dans la réalisation 20 de circuits imprimés comportant des trous métallisés pour la création de liaisons électriques entre des pistes situées à des niveaux différents : - une classe de compositions de mousse ; - un soin particulier apporté à la réalisation de la mousse et des trous ; - un procédé de métallisation des trous optimisé. 25 L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, donnée en référence aux figures annexées suivantes : - la figure 1 qui montre une plaque de mousse en un matériau selon l'invention, percée de plusieurs trous selon la méthode optimale décrite ; - la figure 2 qui montre la surface nue d'une mousse réalisée selon l'invention, 30 - la figure 3 qui montre cette même surface après une métallisation au cuivre par le procédé selon l'invention ; - la figure 4 qui montre la surface d'une mousse selon l'invention après métallisation, lorsque le mélange des composants de la mousse a été réalisé manuellement ; 35 - la figure 5 qui montre la surface métallisée de cette même mousse lorsque le mélange de ses composants a été réalisé mécaniquement ; - la figure 6 qui montre le dépôt de cuivre sur la paroi d'un trou ménagé dans la plaque, obtenu par le procédé selon l'invention ; - la figure 7 qui montre la face supérieure d'une plaque métallisée par le procédé selon l'invention ; - la figure 8 qui montre en coupe un élément d'antenne réalisé selon l'invention. La mousse utilisée dans le procédé de l'invention est une mousse de polyuréthane. Les mousses de polyuréthane sont obtenues en faisant réagir des mélanges de polyols et d'isocyanates. Le mélange de polyols est, selon l'invention, constitué principalement de triméthylol-propane. L'isocyanate est, le plus habituellement, formé d'un polymère TDI (toluène diisocyanate). Mais il est hautement toxique pour la santé humaine, et on préférera utiliser par exemple un polymère de type MDI (diisocyanate de diphénylméthane). La mousse contient également des produits minoritaires (additifs) comme des catalyseurs à base d'amine, des tensio-actifs et un agent de bullage tel que le R365 (pentafluorobutane). Le mélange se caractérise par les propriétés physiques suivantes : - forte différence de viscosité entre les deux composants majeurs ; - très haute viscosité du mélange de polyols ; - temps de « crème » court (il s'agit du temps entre le mélange des constituants et le début visible de la réaction de moussage). De nombreux essais préliminaires ont permis de déterminer le ratio de mélange polyol sur isocyanate, la réactivité de la mousse et la densité d'expansion libre. Dans le but d'améliorer la résistance à la compression de la mousse et de diminuer également la présence de poussières en surface, l'étude de la formulation a abouti à l'établissement d'un ratio polyols / isocyanate, variant dans une fourchette de 0,5 à 1,0 en volume. C'est sur cette base que, selon l'invention, une mousse poly-isocyanurate (PIR) a été développée pour l'application envisagée. En effet, un point important pour la réussite de la fabrication d'une mousse convenant à la mise en oeuvre de l'invention réside dans une grande homogénéité de la distribution des diamètres des cellules de la mousse. Un bon traitement ultérieur de perçage et de métallisation des trous nécessite d'avoir une distribution homogène de cellules fermées. Les améliorations successives des mousses au cours des essais préliminaires ont permis d'obtenir une excellente qualité de recouvrement. Ainsi, les propriétés fondamentales d'une mousse utilisable dans l'invention ont été identifiées : - une bonne résistance chimique dans une large fourchette de pH (compris entre 0 et 12). - une mousse cohérente et absence de poussières - la fermeture des cellules, D'autres propriétés préférentielles sont : - des tenues mécanique et thermique suffisantes pour réaliser les étapes de dépôt 5 de film photosensible et de perçage ; - l'homogénéité de la répartition des cellules ; - une rugosité surfacique minimale des plaques pour améliorer la qualité de la définition des lignes conductrices hyperfréquence ; en effet, une rugosité Ra Puis on réalise la métallisation au cuivre des parties de la plaque constituant le circuit imprimé et des parois des trous. Les zones de la plaque que l'on ne désire pas métalliser sont, classiquement, revêtues par des caches. Optimalement, cette métallisation est effectuée en de nombreuses étapes 5 successives que l'on va détailler, en précisant lesquelles sont essentielles à la réussite de la métallisation et lesquelles sont considérées comme avantageuses sans être, à proprement parler, indispensables. De manière essentielle pour permettre une bonne adhérence des couches de cuivre, on commence par un dégraissage et une préparation de la surface des trous. Au 10 niveau du trou, le bain de dégraissage/préparation doit permettre non seulement une solubilisation des matières organiques libres mais également un ramollissement local de la résine. Pour augmenter ce pouvoir de dissolution, différents produits ont été testés : le conditionneur 813 de la société DOW CHEMICAL, le permanganate de potassium et le conditionneur PM 925 de la société DOW CHEMICAL. C'est ce dernier qui a été retenu 15 pour les réalisations des essais. II est à base d'hydroxyde de potassium. La solution de PM 925 a une normalité de 11,3 à 12,3 N, de préférence 12 N. Elle est utilisée à entre 30 et 40t, de préférence 35'C . La durée du traitement est de 20 à 60 min, de préférence 30 min. En dessous de 20 min, la surface ne serait pas assez préparée et au dessus de 60min la durée de l'opération serait excessive et le produit 20 risquerait de pénétrer dans la mousse. Puis, là encore de façon essentielle, on procède à un rinçage à chaud de la plaque pour solubiliser le dégraissant. Ce rinçage est effectué avec de l'eau désionisée, à 35CC pendant par exemple 4 min. II peut être suivi par un rinçage à froid à l'eau désionisée ou à l'eau de ville pour solubiliser le dégraissant. Ces rinçages soignés permettent d'enlever 25 toute trace du produit ayant servi à la préparation de la surface, pour permettre au produit actif suivant de pouvoir réagir au mieux avec la surface des trous. De préférence, ce rinçage est effectué en faisant vibrer la plaque et des jets orientés sur les trous de la plaque, au moins pour la fin du dernier rinçage. Puis, de façon préférée, on plonge la plaque dans un bain d'acide sulfurique pour 30 neutraliser sa surface. La dilution de l'acide peut être de l'ordre de 5% (entre 4 et 6%) et l'opération est effectuée pendant par exemple 5 min à température ambiante. Un rinçage à l'eau désionisée ou à l'eau de ville de 5 min environ à température ambiante est ensuite effectué pour protéger le bain suivant. L'opération suivante est essentielle. Elle consiste à plonger la plaque dans une 35 solution permettant la protection du bain de catalyse qui sera utilisé ultérieurement. Cette solution peut être une solution concentrée à 225 g/I (fourchette ?) d'un composé tel que le CIRCUPOSIT PRO-DIP 3340 de la société DOW CHEMICAL qui est un mélange de sels acides. Le séjour de la plaque dans la solution peut durer typiquement 2 min et est effectué à la température ambiante. Puis, là encore de manière essentielle, on plonge la plaque dans un bain contenant un catalyseur à base de palladium qui vient se déposer sous forme d'une couche atomique sur la surface libre de la plaque. Son rôle est de déplacer l'électronégativité de la résine pour permettre ultérieurement le dépôt chimique du cuivre. Le catalyseur pénètre dans les calottes hémisphériques résultant du perçage des trous. Une agitation du bain, combinée à des vibrations ponctuelles de la plaque, permet de renouveler la solution au niveau des cavités et de faire se développer la réaction chimique qui conduit au dépôt du catalyseur. Le produit CIRCUPOSIT CATALYST 3344/3344 de la société DOW CHEMICAL, qui contient à la fois du palladium et de l'étain sous forme de chlorures, est un exemple de tel catalyseur. Il est de préférence utilisé en solution aqueuse et sous forme d'un mélange avec du PRO-DIP 3340 à raison de 270 g/I de PRO- DIP 3340 et de 4,8 à 7,2% de CATALYST 3344. La température est de 25 à 29t, de préférence 27'C, et le temps de traitement de 4,5 à 5,5 min, de préférence 5 min. La normalité de la solution est comprise entre 0,65 et 0,90N, de préférence égale à 0,65N. On procède ensuite de manière préférée à un rinçage de la plaque pour éliminer les traces du catalyseur qui ne s'est pas déposé de manière ferme sur la plaque. Puis, de façon essentielle, on plonge la plaque dans une solution aqueuse d'un accélérateur tel que l'accélérateur CUPOSITTM ACCELERATOR 19H de la société DOW CHEMICAL pour protéger le palladium et éliminer les traces de chlorure d'étain codéposé. La normalité de la solution est comprise entre 0,23 et 0,30N, de préférence égale à 0,26N et sa température comprise entre 18 et 26`C, de préférence égale à 22`C. L'immersion dure de 5 à 7 min, de préférence 6 min. Puis, de manière préférée, on procède à un rinçage à l'eau en une ou, mieux, deux étapes, de 2 min chacune à température ambiante, pour éliminer les traces d'accélérateur et, ainsi, protéger les bains de cuivre chimique utilisés dans l'étape suivante. Puis, de façon essentielle, on procède au dépôt par voie chimique d'une couche de cuivre (dite « cuivre chimique ») très fine, de 0,2 à 0,4 pm d'épaisseur (justifier ces limites) par différence de potentiel (déplacement). Le cuivre chimique est en équilibre instable dans le bain et se dépose en générant des bulles de gaz de réaction. Celles-ci doivent être enlevées pour obtenir un dépôt homogène et éviter que des zones de la mousse ne soient pas recouvertes par le dépôt de cuivre chimique. A cet effet, une agitation du bain par bullage et/ou des vibrations imposées à la plaque peuvent être effectués. La substance contenant le cuivre peut être par exemple le produit CUPOSIT 328Q de la société DOW , dissous dans de l'eau à raison de 10 à 12,5% en poids, et employé à température ambiante (22 à 26CC, de préfé rence 24`C). Ce produit contient aussi de la soude (2,5 à 5,5 g/l), du formol (4,5 à 9,0 g/1), voire également des carbonates (jusqu'à 3,0 mg/I). De préférence, la plaque est ensuite rincée à l'eau pour éliminer les traces du produit renfermant le cuivre chimique. Un rinçage d'environ 4 min à la température ambiante est conseillé. Puis, là encore de façon essentielle, on réalise le dépôt électrolytique d'une couche de cuivre (dite « cuivre électrolytique »). Le but de l'opération est de porter l'épaisseur de la couche de cuivre à 30 à 40 pm, ce qui peut être fait à l'aide d'une solution aqueuse contenant entre 70 et 90 g/l de sulfate de cuivre, de préférence 75 g/I, 220 à 240 g/l d'acide sulfurique, de préférence 230 g/l, 40 à 70 mg/I, de préférence 60 g/l, d'ions chlorure (justifier), et un brillanteur, par exemple 2 à 4 g/l de l'additif organique PCM+, de préférence 3 g/l, de la société LEARONAL. La température est de 21 à 26CC, de préférence 24`C et la densité de courant est de 0,9 à 1,2 A/dm2, de préférence 1,0 A/dm2, sachant qu'une densité supérieure pourrait entraîner un « brûlage » du revêtement (dépôt désordonné et granuleux du cuivre de couleur ocre). Le dépôt dure typiquement environ 120 min (la vitesse de dépôt est de l'ordre de 3 pm en 10 mn). La solution d'électrodéposition devant présenter le plus faible gradient de concentration possible pour assurer une bonne homogénéité du dépôt de cuivre, il est très conseillé d'activer les moyens d'agitation du bain et de mise en vibration de la plaque déjà mis en oeuvre préférentiellement lors du dépôt chimique. Puis, de façon préférée, on exécute un rinçage de la plaque à l'eau, de préférence en deux étapes, d'abord pour éliminer le cuivre électrolytique fortement acide présent à la surface mais non intégré au revêtement, qui attaquerait la couche déposée, puis pour neutraliser l'acidité résiduelle par dilution. Chaque étape peut durer environ 2 min et être effectuée à la température ambiante. Puis, de façon préférentielle, on fait séjourner la plaque dans un bain antioxydant pour protéger la couche de cuivre contre une oxydation future. Ce bain peut être une solution aqueuse contenant 5 % d'acide sulfurique et 0,8 à 1,2% d'additif CUPROTEC 3 de la société ROHM &HAAS. L'opération est conduite à température ambiante (15 à 25~) pendant 3 à 5 min, de préférence 4 min. On termine de préférence la métallisation de la plaque par un rinçage à chaud. En 35 procédant ainsi, on parvient à une métallisation homogène de l'ensemble de la plaque, en particulier des surfaces des trous assurant la liaison électrique entre des plaques d'un niveau différent de l'antenne. La figure 2 montre l'aspect surfacique d'une mousse 1 selon l'invention avant sa métallisation, et la figure 3 montre cette même surface de la mousse 1 après métallisation 5 par le procédé décrit. La figure 3 montre que la taille et la répartition des cellules sont d'une très bonne homogénéité, ce qui est une conséquence à la fois du procédé de fabrication de la mousse et du procédé de métallisation. Préférentiellement, comme on l'a dit, le mélange des composants de la mousse est réalisé de façon mécanique pour obtenir une répartition des cellules et une distribution 10 de leur diamètre plus régulières. La figure 4 montre la surface métallisée d'une mousse 1 dont les composants ont été mélangés manuellement, et la figure 5 montre la surface métallisée de cette même mousse 1 lorsque ses composants ont été mélangés mécaniquement (dans quelles conditions ?). Clairement, la distribution des diamètres des cellules est plus resserrée 15 dans ce dernier cas. Les différents bains du procédé de métallisation peuvent ainsi mieux mouiller les parois hémisphériques des trous générées par la découpe partielle des cellules. La figure 6 montre le dépôt de cuivre 3 présent sur la paroi 4 d'un trou 2 après sa métallisation par le procédé de l'invention, ce dépôt de cuivre 3 permettant de transformer le trou 2 en via par lequel le courant peut passer d'un niveau à l'autre de l'antenne. On 20 voit que la régularité de la métallisation est satisfaisante, grâce à la qualité du perçage du trou 2 et au soin apporté à la métallisation de sa surface par l'emploi du procédé selon l'invention. La figure 7 montre la face supérieure d'une plaque 1 après sa métallisation. La couche de cuivre ainsi déposée sur la surface de la plaque peut être étamée avec de l'alliage étain-plomb reporté manuellement par soudure au fer. La figure 8 montre 25 en coupe un élément d'antenne 5 réalisé selon l'invention, comportant une plaque 1 percée de trous 2. Les parties métallisées 6, à savoir certaines zones de la surface supérieure 7 de la plaque 1, les parois des trous 2 et la quasi-totalité de la surface inférieure 8 de la plaque 1 formant le plan de masse sont représentées en traits épais. On a représenté également la grille supérieure 9 de l'antenne, constituée par un élément 30 métallisé en plastique ou en mousse venant au contact de la partie métallisée de la face supérieure 7 de la plaque 1 ; - des diodes 10 et leurs liaisons à des parties métallisées de la surface supérieure 7 de la plaque 1 ; - une carte électronique multicouche 11 disposée sur le plan de masse 8 ; 35 - et des composants CMS (pilotes) 12 disposés sur la carte 11. Des pions extérieurs non représentés assurent l'alignement des composants. Par rapport à un élément d'antenne classique, où la liaison entre la grille supérieure et la carte électronique serait assurée par des fils métalliques traversant une grille inférieure métallisée, on obtient une simplification sensible de la construction de l'antenne. Et grâce au choix de la matière constituant la mousse et à l'optimisation des procédés de perçage des trous et de métallisation de la mousse, on obtient une excellente fiabilité de son fonctionnement. Les figures 7 et 8 montrent le cas où on a ménagé sur la surface supérieure 7 de la plaque 1 un motif de circuit imprimé 13 unique. Il est, bien entendu, possible de réaliser une plaque 1 multi-motifs par le même procédé selon l'invention. REVENDICATIONS1. Matériau pour substrat diélectrique pour circuit imprimé et antennes, caractérisé en ce qu'il est constitué par une mousse de polyuréthane fabriquée à partir d'un ou plusieurs polyols comportant principalement au moins 50% de triméthylol-propane et d'un isocyanate et des additifs tels que des catalyseurs à base d'amine, des tensio-actifs et un agent de bullage, la ratio polyols/isocyanate étant compris entre 0,5 et 1 en volume. 2. Matériau pour substrat diélectrique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'isocyanate est du toluène diisocyanate. 3. Matériau pour substrat diélectrique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'isocyanate est du diisocyanate de diphénylméthane. 4. Procédé de fabrication d'un substrat diélectrique portant un circuit imprimé et des moyens d'interconnexion entre pistes d'un niveau différent d'un dispositif tel qu'une antenne, caractérisé en ce que : - on prépare un substrat diélectrique en mousse de polyuréthane dans un matériau selon l'une des revendications 1 à 3 ; - on perce dans ce substrat des trous au moyen d'un foret tournant à une vitesse telle qu'elle n'entraîne pas la fusion de la mousse, une plaque conductrice de la chaleur dite plaque d'attaque étant disposée sur la surface supérieure du substrat et une plaque lubrifiante dite plaque de débouchage étant disposée sous la surface inférieure du substrat ; - on réalise un nettoyage du substrat ; - on réalise une métallisation au cuivre des parties du substrat destinées à constituer le circuit imprimé et des parois des trous, ladite métallisation comportant au 25 moins les étapes suivantes : * un dégraissage et une préparation de la surface des trous permettant une solubilisation des matières organiques libres et un ramollissement local de la résine ; * on rince la plaque à chaud pour solubiliser le dégraissant ; * on plonge la plaque dans une solution permettant la protection du bain de 30 catalyse qui sera utilisé ultérieurement ; * on plonge la plaque dans un bain contenant un catalyseur à base de palladium ; * on plonge la plaque dans une solution aqueuse d'un accélérateur pour protéger le palladium ; * on dépose par voie chimique une couche de cuivre de 0,2 à 0,4 pm d'épaisseur 35 par immersion de la plaque dans une solution d'une substance contenant du cuivre ;* on dépose par voie électrolytique une couche de cuivre, de manière à porter l'épaisseur totale de cuivre déposée à entre 30 et 40 pm. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que lors de la préparation du substrat diélectrique, on effectue le mélange de ses constituants de façon mécanique. 6. Procédé selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que la plaque d'attaque est en aluminium cartonné. 7. Procédé selon l'une des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que la plaque de débouchage comporte un coeur en bois et deux plaques de papier revêtues de résine époxy. 8. Procédé selon l'une des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que le dégraissage et la préparation de la surface des trous sont réalisés au moyen d'une solution d'un conditionneur contenant principalement de l'hydroxyde de potassium, à une normalité de 11,3 à 12,3N, à une température comprise entre 30 et 40t et pendant 20 à 60 min. 9. Procédé selon l'une des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que ledit rinçage à chaud est effectué avec de l'eau désionisée ou de l'eau de ville. 10. Procédé selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce que le rinçage à chaud est suivi par un rinçage à froid. 11. Procédé selon l'une des revendications 8 à 10, caractérisé en ce qu'au moins un desdits rinçages est effectué en faisant vibrer la plaque et/ou en ce qu'au moins en fin de rinçage on oriente des jets de solution de rinçage vers les trous de la plaque. 12. Procédé selon l'une des revendications 4 à 11, caractérisé en ce qu'après le ou les rinçages, on neutralise la surface de la plaque en la plongeant dans un bain acide, tel que de l'acide sulfurique à 5% ±0,5%, ladite neutralisation étant suivie d'un rinçage. 13. Procédé selon l'une des revendications 4 à 12, caractérisé en ce que la solution permettant la protection du bain de catalyse est une solution d'un mélange de sels acides, telle qu'une solution de CIRCUPOSIT PRO-DIP 3340 de DOW CHEMICAL concentrée à 225 g/I ± 0,225 g/I. 14. Procédé selon l'une des revendications 4 à 13, caractérisé en ce que le catalyseur à base de palladium contient du palladium et de l'étain sous forme de chlorures. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit catalyseur est du CIRCUPOSIT CATALYST 3344/4444 de DOW CHEMICAL, en ce qu'il est mélangé en solution aqueuse avec du CIRCUPOSIT PRO-DIP 3340 à raison de respectivement 4,8 à 7,2% et 250 à 285 g/I , en ce que la solution a une normalité de 0,65 à 0,90 N, en cequ'elle est utilisée entre 25 et 29`C, et en ce que le temps de traitement est de 4,5 à 5,5 min. 16. Procédé selon l'une des revendications 13 à 15, caractérisé en ce que la plaque est ensuite rincée pour éliminer les traces de catalyseur non déposé. 17. Procédé selon l'une des revendications 4 à 16, caractérisé en ce que ledit accélérateur est du CUPOSIT ACCELERATOR 19H de DOW CHEMICAL, en ce que la normalité de la solution aqueuse d'accélérateur est de 0,23 à 0,30 N, en ce que sa température est de 18 à 26`C et en ce que le temps de traitement est de 5 à 7 min. 18. Procédé selon l'une des revendications 4 à 17, caractérisé en ce que, après son traitement par l'accélérateur, on rince la plaque pour éliminer les traces d'accélérateur. 19. Procédé selon l'une des revendications 4 à 18, caractérisé en ce que le dépôt de cuivre par voie chimique est réalisé par immersion de la plaque dans une solution aqueuse à entre 10 et 12,5% du produit CUPOSIT 328Q de DOW contenant également 2,5 à 5,5 g/I de soude, 4,5 à 9 g/I de formol et éventuellement jusqu'à 3,0 g/I de carbonates, et utilisée entre 22 et 26`C. 20. Procédé selon l'une des revendications 4 à 19, caractérisé en ce qu'on réalise une agitation du bain et/ou on impose des vibrations à la plaque pendant le dépôt de cuivre par voie chimique. 21. Procédé selon l'une des revendications 4 à 20, caractérisé en ce que la plaque est rincée après le dépôt de cuivre par voie chimique. 22. Procédé selon l'une des revendications 4 à 21, caractérisé en ce que le dépôt de cuivre par voie électrolytique est réalisé dans une solution aqueuse contenant de 70 à 90 g/I de sulfate de cuivre, 220 à 240 g/I d'acide sulfurique, 40 à 70 mg/I d'ions chlorure et un brillanteur, la température de la solution étant de 21 à 26'C, et la densité de courant étant de 0,9 à 1,2 A/dm2. 23. procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que le brillanteur est l'additif organique PCM+ de LEARONAL, en ce que sa teneur dans la solution aqueuse est de 2 à 4 g/I, et en ce que la solution est utilisée entre 21 et 26CC. 24. Procédé selon l'une des revendications 4 à 22, caractérisé en ce que la solution est agitée et/ou la plaque est mise en vibration lors du dépôt électrolytique de cuivre. 25. Procédé selon l'une des revendications 4 à 24, caractérisé en ce qu'après le dépôt de cuivre électrolytique on effectue au moins un rinçage de la plaque à l'eau. 26. Procédé selon l'une des revendications 4 à 25, caractérisé en ce qu'on fait séjourner la plaque revêtue de cuivre dans un bain antioxydant. 27. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que le bain antioxydant est une solution aqueuse contenant entre 4 et 6% d'acide sulfurique et 0,8 à 1,2 % de CUPROTEC 3, en ce que la solution est à 15 à 25`C e t en ce que la plaque séjourne dans le bain antioxydant pendant 3 à 5 min. 28. Procédé selon l'une des revendications 4 à 27, caractérisé en ce qu'on termine la métallisation de la plaque par un rinçage à chaud. 29. Substrat diélectrique portant un circuit imprimé et des moyens d'interconnexion entre pistes d'un niveau différent d'un dispositif tel qu'une antenne, caractérisé en ce qu'il a été obtenu par le procédé selon l'une des revendications 4 à 28.