FR 2989210 A1 20131011 FR 1253214 A 20120406 DOMAINE TECHNIQUE DE L'INVENTION L'invention concerne en général les dispositifs programmables électriquement comprenant une matrice de composants logiques programmables par l'utilisateur. Elle concerne plus particulièrement les dispositifs dans lesquels la matrice programmable est non volatiles. ÉTAT DE LA TECHNIQUE Il existe de nombreux types de composants logiques programmables par l'utilisateur. Ces composants logiques programmables sont typiquement organisés d'une façon interne sous une forme matricielle d'éléments logiques et d'interconnexions précablées qui sont programmables, le plus souvent électriquement, pour réaliser toutes sortes de fonction logiques adaptées aux besoins de leurs utilisateurs. Cela permet d'éviter le développement de circuits intégrés spécifiques, développement toujours long et coûteux. Les utilisateurs peuvent ainsi disposer de la fonction logique souhaitée rapidement et à un coût moindre. Une catégorie très courante de composants logiques programmables utilise des éléments mémoires destinés à mémoriser l'état de chacun des points d'interconnexion personnalisés (PIPs) qui ont été prévus par le concepteur du composant logique programmable pour les fonctions logiques offertes et leurs interconnexions afin de réaliser la fonction logique globale souhaitée par l'utilisateur. Il s'agit typiquement de FPGAs acronyme de l'anglais « field programmable gate array » c'est-à-dire « matrice de portes, et plus généralement de fonctions logiques, programmables par l'utilisateur dans leur environnement ». Les PIPs sont alors classiquement chacun constitués d'un interrupteur sous la forme d'un transistor, le plus souvent un transistor de type à effet de champ, associé à un point mémoire qui va pouvoir être écrit individuellement pour programmer un état ouvert ou fermé de l'interrupteur. Généralement un point d'interconnexion programmable est désigné par le vocable anglais de « cross-point », de « cross-over point » ou de « cross switch ». Un dispositif programmable électriquement étant quant à lui généralement qualifié en anglais de « field programmable logic device ». En pratique, chaque point d'interconnexion personnalisable est donc constitué d'un transistor que l'on maintient non conducteur s'il doit être ouvert, ou au contraire que l'on rend fortement conducteur s'il doit être fermé, en appliquant sur sa grille de commande un niveau électrique adéquat qui est mémorisé par le point mémoire associé pendant toute la durée de fonctionnement du dispositif. Les PIPs servent aussi bien à programmer les fonctions logiques élémentaires que les interconnexions entre ces fonctions logiques. Les points mémoires utilisés jusqu'à présent dans les produits disponibles commercialement sont volatiles. Ils sont typiquement constitués par un verrou électronique ou « latch » comme ceux des mémoires dites « SRAM » acronyme de l'anglais « static random access memory » c'est-à-dire mémoire statique à accès aléatoire. Stockées dans des mémoires volatiles les informations de programmation sont immédiatement perdues dès la mise hors tension du dispositif programmable. Les FPGAs prévoient donc typiquement une phase de personnalisation préliminaire à leur utilisation fonctionnelle qui se déroule automatiquement lors de la mise sous tension et au cours de laquelle on vient écrire tous les PIPs généralement à partir d'une mémoire extérieure non volatile associée. Il s'agit par exemple d'une mémoire morte le plus souvent désignée par son acronyme « ROM » de l'anglais « read-only memory » qui peut être elle-même programmable par l'utilisateur et que l'on désigne alors sous le terme générique de « PROM », soit « programmable read-only memory » qui signifie mémoire morte programmable. Le fait que les informations de programmation soient volatiles et qu'il faut disposer d'une mémoire non volatile auxiliaire à partir de laquelle à chaque remise sous tension on vient reprogrammer le dispositif est un sérieux inconvénient qui complique l'utilisation des FPGAs. D'autre part chaque PIP doit être associé à un point mémoire statique. Ensemble, les PIPs occupent une surface importante du composant programmable et limitent la capacité d'intégration de ce type de dispositifs. L'avantage étant cependant que ces dispositifs peuvent être reprogrammés sans inconvénient autant de fois que nécessaire. Une autre catégorie de composants logiques programmables réalise les PIPs sous la forme de fusibles ou d'anti-fusibles programmables une seule fois. Un fusible étant, comme le nom le suggère, un élément conducteur « fermé » que l'on va pouvoir faire fondre pour programmer un état « ouvert » non conducteur. Un anti-fusible étant l'opposé, il est normalement ouvert et la programmation permet de le fermer, c'est-à-dire de l'amener dans un état conducteur à faible résistance. Typiquement, un anti-fusible est fait d'une mince couche d'un matériau isolant que l'on va pouvoir perforer afin de le rendre conducteur. Dans cette catégorie de composants logiques programmables on trouve par exemple les CPLDs, acronyme de l'anglais « complex programmable logic device ». On y fait ainsi l'économie des points mémoires nécessaires à chaque PIP avec bien sûr l'inconvénient qu'ils ne peuvent être programmés qu'une seule fois. On notera également que ce type de circuit est difficilement testable puisqu'il n'est pas possible d'essayer chacun des PIPs leur programmation étant irréversible contrairement aux FPGAs qui sont potentiellement complètement testables et reprogrammables sans limite. Une autre solution consiste à réaliser les PIPs des matrices programmables sous la forme d'interrupteurs faits de matériaux à changement de phase. Chaque PIP de la matrice programmable comprend un matériau à changement de phase qui a la capacité d'évoluer entre deux états : un état essentiellement amorphe et un état essentiellement cristallin. Plus précisément, le matériau peut évoluer entre deux phases principales présentant chacune une résistance différente: l'une ou il adopte une structure organisée cristalline caractérisée par une faible résistance électrique ; et l'autre, où la structure atomique est inorganisée ou amorphe et présente une forte résistance électrique. Toutefois avec les matériaux à changement de phase utilisés il est connu que les interrupteurs des PIPs sont imparfaits. Ils présentent en effet dans leur état ouvert une résistance qui est généralement considérée comme insuffisante pour la plupart des applications. Notamment, quand il faut réaliser des matrices programmables de grande taille, les courants de fuite de chacun des PIPs ouverts s'ajoutent le long d'une ligne et/ou d'une colonne de la matrice. Ceci non seulement augmente inutilement la consommation en courant du dispositif mais peut aller jusqu'à perturber d'une façon importante le bon fonctionnement du dispositif programmable qui les emploie. Pour pallier cet inconvénient il a été proposé de rendre initialement beaucoup plus faiblement conducteur tous les PIPs faits de matériaux à changement de phase. A cet effet, une solution consiste à introduire en série avec le matériau à changement de phase un anti-fusible sous la forme d'une mince couche d'un matériau isolant. Ainsi tous les PIPs d'un dispositif programmable sont initialement très faiblement conducteur. Ceci est cependant obtenu au prix d'une complication certaine du procédé technologique puisqu'il faut ajouter aux étapes de dépôt et de définition des zones de matériau à changement de phase toutes les étapes de formation de la couche d'isolant comme dans le cas de la fabrication d'une matrice programmable à base d'anti-fusibles. Par ailleurs, pour pouvoir programmer facilement la couche d'oxyde qui doit être préalablement perforée dans tous les PIPs qui doivent être fermés, celle-ci devra être nécessairement très mince. Ceci n'est pas, d'une part, un gage de fiabilité à long terme, et d'autre part complique le processus de programmation puisqu'il faut, dans chaque PIP devant être fermé, perforer préalablement la couche d'isolant avant de pouvoir rendre cristallin, c'est-à-dire faiblement résistif, le matériau à changement de phase d'un PIP en y appliquant une impulsion de courant appropriée. La présente invention a pour objectif de palier au moins certains des inconvénients que présentent les solutions connues mentionnées précédemment. En particulier, l'invention vise à proposer une solution dans laquelle la matrice programmable n'est pas volatile et permet de limiter les courants de fuite initiaux des points d'interconnexion programmable (PIPs) sans pour autant augmenter de manière trop significative la complexité du processus de fabrication ou de programmation. Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Selon un mode de réalisation, l'invention prévoit un dispositif programmable électriquement comprenant une matrice comportant une pluralité de lignes d'interconnexion électrique et des points d'interconnexion programmables (PIPs), certains au moins des points d'interconnexion programmables étant chacun électriquement connectés à au moins deux lignes d'interconnexion et étant chacun électriquement programmables pour passer d'un état dans lequel ils empêchent l'interconnexion électrique entre lesdites deux lignes d'interconnexion auxquelles ils sont respectivement connectés à un état dans lequel ils autorisent l'interconnexion électrique entre lesdites deux lignes d'interconnexion, certains au moins des points d'interconnexion programmables comprenant chacun un élément chauffant et un matériau à changement de phase configuré pour passer d'un état présentant une résistance électrique empêchant la connexion électrique entre lesdites deux lignes d'interconnexion à un état présentant une résistance autorisant la connexion électrique entre lesdites deux lignes d'interconnexion. Le matériau à changement de phase est un alliage comprenant au moins du germanium (Ge), du tellure (Te) ainsi que du bore (B) ou du carbone (C). L'état résistif de chaque point d'interconnexion est conservé en l'absence de toute alimentation électrique du dispositif. Par ailleurs, il s'est avéré que l'adjonction de bore ou de carbone au matériau à changement de phase comportant du germanium et du tellure permet d'augmenter considérablement la résistance des points d'interconnexion présentant un état amorphe, réduisant ainsi significativement voire supprimant les courants de fuite. En outre, contrairement aux solutions connues qui prévoient une couche intermédiaire de diélectrique entre les électrodes et le matériau à changement de phase afin de limiter les courants de fuite, l'invention ne requiert pas de couche intermédiaire. L'invention permet ainsi d'avoir un dispositif non volatil tout en simplifiant considérablement le processus de fabrication. Par ailleurs, l'invention supprime la nécessité de perforer la couche diélectrique préalablement à la modification de la phase du matériau à changement de phase pour le faire passer dans un état conducteur. Ainsi, l'invention offre un dispositif programmable électriquement non volatil, qui permet de réduire les courants de fuite tout en limitant la complexité 5 de son procédé de fabrication et de programmation. L'invention offre en outre la possibilité de donner à un seul point d'interconnexion plus de deux états différents, permettant ainsi d'effectuer de la programmation multi niveaux sur un même point d'interconnexion programmable. 10 De manière facultative, l'invention peut en outre comprendre au moins l'une quelconque des caractéristiques ci-dessous. Selon un mode de réalisation particulier, le matériau à changement de phase est un alliage comprenant au moins du germanium (Ge), du tellure (Te) 15 ainsi que du bore (B) et dans lequel la proportion de bore dans l'alliage est au moins de 1%. De préférence, la proportion de bore dans l'alliage est comprise entre 1% et 15% et encore plus préférentiellement entre 1% et 10%. Selon un mode de réalisation particulier, le matériau à changement de phase est un alliage comprenant au moins du germanium (Ge), du tellure (Te) 20 ainsi que du carbone (C) et dans lequel la proportion de carbone dans l'alliage est au moins de 1`)/0 et de préférence comprise entre 1`)/0 et 15%. De préférence, la proportion de carbone dans l'alliage est comprise entre 1 % et 10%. De préférence, la proportion de tellure est sensiblement égale à la 25 proportion de germanium. Selon un mode de réalisation privilégié, la proportion de tellure dans l'alliage est comprise entre 40 et 50 % et encore plus préférentiellement entre 45 et 55 %. Selon un mode de réalisation particulier, l'alliage ne comprend que du germanium, du tellure et du bore. 30 Selon un autre mode de réalisation particulier, l'alliage comprend également de l'antimoine (Sb). Préférentiellement, la proportion de germanium dans l'alliage est comprise entre 15 et 25%, la proportion de tellure dans l'alliage est comprise entre 45 et 55% et la proportion d'antimoine dans l'alliage est comprise entre 15 et 25 % Avantageusement, le matériau à changement de phase d'une partie au moins des points d'interconnexion programmables de la matrice est dans un état amorphe originel. L'état amorphe originel ou état amorphe tel que déposé est l'état amorphe dans lequel se trouve le matériau à changement de phase à l'issue de la fabrication de la matrice de points d'interconnexion programmables. Cet état n'est donc pas obtenu par programmation électrique. Il n'est pas obtenu en faisant passer un courant dans le matériau à changement de phase à l'état cristallin. Ainsi le matériau à changement de phase est initialement dans un état à très forte résistance à l'issue du procédé de fabrication dudit dispositif. Avantageusement, cet état demeure stable même pour des températures élevées. Avantageusement, pour une autre partie des points d'interconnexion programmables, le matériau à changement de phase est dans un état amorphe cristallin. Cet état cristallin présente une résistance électrique faible et tout au moins élevée que celle des points d'interconnexion programmables dont le matériau à changement de phase est dans un état amorphe. Ainsi, ces points d'interconnexion programmables présentent un état électrique fermé. Cet état est obtenu par cristallisation au moins partielle du matériau à changement de phase à partir de l'état amorphe originel. Cette cristallisation est obtenue à l'aide d'impulsions électriques adaptées en temps et en amplitude pour rendre au moins partiellement cristallin le matériau à changement de phase. Selon un mode de réalisation particulier, le point d'interconnexion programmable comprend exclusivement un matériau à changement de phase, un élément chauffant et au moins deux électrodes chacune connectée à ou formée par une ligne d'interconnexion. Selon un mode de réalisation particulier, au moins une électrode forme tout au partie de l'élément chauffant. Selon un mode de réalisation, l'élément chauffant forme l'intégralité de l'électrode. Selon un mode de réalisation alternatif, l'électrode forme une portion seulement de l'élément chauffant. Selon un mode de réalisation privilégié, un point d'interconnexion programmable comprend deux électrodes. Plus précisément, le point d'interconnexion programmable comprend un élément chauffant au contact d'une couche formée par le matériau à 5 changement de phase ainsi qu'une première électrode au contact de l'élément chauffant et une deuxième électrode, les première et deuxième électrodes étant disposées de part et d'autre de la couche de matériau à changement de phase. Selon un mode de réalisation avantageux, le matériau à changement de phase est disposé directement au contact de l'élément chauffant. 10 Selon un autre mode de réalisation, l'invention prévoit un point d'interconnexion programmable (PIP) pour dispositif à logique programmable électriquement, le PIP étant destiné à être disposé entre deux lignes d'interconnexion d'un dispositif programmable électriquement. Le PIP est constitué exclusivement d'un matériau à changement de phase au contact d'un 15 moyen de chauffage et éventuellement d'une ou plusieurs électrodes et d'un élément chauffant. Chacun des points d'interconnexion programmables du dispositif programmable électriquement est initialement dans un état amorphe originel, c'est-à-dire un état amorphe « tel que déposé » à l'issue du procédé de fabrication du dispositif programmable électriquement. 20 Selon un mode de réalisation alternatif, le matériau à changement de phase n'est pas déposé directement au contact de l'élément chauffant ou au contact de l'une des deux électrodes lorsqu'elle forme l'élément chauffant. Une couche intermédiaire peut par exemple être prévue. 25 De préférence, chaque point d'interconnexion programmable est connecté à deux lignes d'interconnexion uniquement. De préférence, le dispositif programmable électriquement comprend des composants logiques, et des lignes d'interconnexion connectés aux éléments logiques. En fonction de la phase de son matériau à changement de phase, un 30 point d'interconnexion permet ou empêche le passage du courant entre les lignes d'interconnexion auxquelles il est connecté. La phase des PIP permet ainsi de définir les interconnexions entre les composants logiques. Selon un autre aspect, l'invention prévoit un dispositif programmable électriquement comprenant une matrice comportant des points d'interconnexion programmables (PIPs) et des lignes d'interconnexion, certains au moins des points d'interconnexion programmables étant chacun électriquement connectés à au moins deux lignes d'interconnexion. Chaque point d'interconnexion programmable comprend un matériau à changement de phase ainsi qu'un élément chauffant. En outre le matériau à changement de phase est un alliage comprenant au moins du germanium (Ge), du tellure (Te) ainsi que du bore (B) ou du carbone (C). De préférence, le matériau à changement de phase est disposé directement au contact de l'élément chauffant ce qui permet de faciliter le procédé de fabrication et de programmation. Selon un autre aspect, l'invention porte sur un procédé de réalisation d'un dispositif programmable électriquement selon l'invention, le procédé comprenant des étapes de fabrication des points d'interconnexion programmables de la matrice, ces étapes de fabrication comprenant la formation d'une couche en un matériau à changement de phase présentant un état amorphe originel pour former des points d'interconnexion programmables présentant une première résistance électrique. Le procédé de réalisation du dispositif programmable comprend, après les étapes de fabrication des points d'interconnexion programmables, au moins une étape de programmation comprenant une cristallisation d'une sélection de points d'interconnexion programmables depuis leur état amorphe originel pour former des points d'interconnexion programmables dans un état cristallin présentant une deuxième résistance électrique inférieure à la première résistance électrique. De manière optionnelle, le procédé comprend au moins une autre étape de programmation comprenant une cristallisation au moins partielle d'une sélection de points d'interconnexion programmables depuis leur état amorphe originel pour former des points d'interconnexion programmables présentant une troisième résistance électrique qui est inférieure à la première résistance électrique et qui est supérieure à la deuxième résistance électrique. Cette étape de programmation comprend l'application d'impulsions électriques d'amplitudes et de durées adaptées. De manière optionnelle, le procédé comprend au moins une autre étape de programmation d'une sélection de points d'interconnexion programmables depuis leur état cristallin pour former des points d'interconnexion programmables présentant une troisième résistance électrique qui est inférieure à la première résistance électrique et qui est supérieure à la deuxième résistance électrique. Cet état peut être qualifié d'état ouvert à résistance intermédiaire. Dans cet état, le matériau à changement de phase est partiellement amorphe. De manière optionnelle, le procédé comprend au moins une autre étape de programmation comprenant une cristallisation d'une sélection de points d'interconnexion programmables présentant la troisième résistance électrique pour former des points d'interconnexion programmables présentant une résistance électrique inférieure à la troisième résistance électrique. Typiquement, cette résistance est la deuxième résistance. Ainsi, on obtient des points d'interconnexion programmables à faible résistance, c'est-à-dire des points d'interconnexion programmables fermés, par passage de l'état intermédiaire à un état plus cristallin. Avantageusement, le dispositif comprenant des moyens de lecture ou circuits de lecture configurés pour lire les points d'interconnexion programmables est différencier les points d'interconnexion programmables se trouvant dans un état amorphe originel par rapport aux points d'interconnexion programmables se trouvant dans un état cristallin obtenu par cristallisation au moins partielle du matériau à changement de phase à partir de l'état amorphe originel. Avantageusement, le dispositif comprend des circuits d'écriture aptes à amener des points d'interconnexion programmables depuis un état amorphe originel vers un état cristallin. BRÈVE DESCRIPTION DES FIGURES Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description détaillée d'un mode de réalisation de cette dernière qui est illustré par les dessins d'accompagnement suivants dans lesquels : 2 9892 10 11 La FIGURE 1 montre un exemple d'une structure matricielle de points d'interconnexion programmable (PIPs). La FIGURE 2 montre un exemple d'une structure de PIP selon l'invention. La FIGURE 3 illustre le comportement d'un exemple de matériau à changement 5 de phase préconisé par l'invention en fonction de la température. La FIGURE 4 illustre le comportement ohmique d'un exemple de matériau à changement de phase préconisé par l'invention en fonction des impulsions électriques appliquées pour le faire évoluer entre son état initial amorphe tel que déposé à très forte résistance vers son état cristallin à faible résistance 10 obtenu après programmation. La FIGURE 5 illustre le comportement ohmique d'un exemple de matériau à changement de phase préconisé par l'invention entre ses différents états et montre plus particulièrement l'état à résistance élevée qui peut être réobtenu électriquement. 15 Les dessins joints sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l'invention. DESCRIPTION DÉTAILLÉE DE L'INVENTION La figure 1 illustre un exemple de matrice programmable utilisée pour la personnalisation de composants logiques programmables et plus 20 particulièrement ceux faisant appel à des anti-fusibles. Le plus généralement les points d'interconnexion programmables ou PIPs 130 sont placés dans ce type de dispositif à chaque intersection de lignes métalliques d'interconnexions précâblées formant ainsi une matrice d'interconnexions programmable 100. En référence à leur organisation matricielle, les lignes d'interconnexions qui se 25 croisent le plus souvent sensiblement perpendiculairement, sont conventionnellement désignées par les termes de lignes 110 et de colonnes 120. On notera que ces appellations sont cependant purement formelles et liées essentiellement à la représentation qui en est faite, comme dans la figure 1, où les lignes sont traditionnellement dessinées horizontalement et les 30 colonnes verticalement. Lignes et colonnes d'interconnexions sont potentiellement complètement interchangeables dans leur utilisation et dans leur mise en oeuvre fonctionnelle. Les PIPs, qui jouent le rôle d'interrupteur, sont tous initialement ouverts 130 c'est-à-dire non conducteur. La programmation pour une application particulière du système embarqué dans laquelle elle est utilisée consiste à fermer certains d'entre eux 140 en les rendant conducteur, interconnectant ainsi la ligne et la colonne correspondante. Dans le cas d'anti-fusibles conventionnels, la programmation va consister à perforer une mince couche isolante en appliquant des tensions plus élevées que celles utilisées fonctionnellement. Dans ce type de dispositif il existe donc toujours des circuits périphériques 150 qui permettent, au cours d'une phase de programmation préalable à leur utilisation fonctionnelle, de sélectionner individuellement les PIPS 130 et de leur appliquer les signaux électriques permettant de les fermer140. La figure 2 montre à l'aide d'une vue en coupe un exemple d'une structure de PIP selon l'invention. Quels que soient sa structure particulière et ses dimensions, un tel PIP est caractérisé par la présence d'un moyen de chauffage ou élément chauffant 10 directement en contact, à une de ses extrémités, avec une couche 20 constituée d'un matériau à changement de phase 22. Le moyen de chauffage 10 est généralement noyé dans une couche 50 d'un isolant, typiquement de l'oxyde de silicium (SiO2). La largeur ou diamètre du PIP est, dans cet exemple, de 300 nanomètres (1 nanomètre ou nm = 10-9 mètre). La couche 20 de matériau à changement de phase présente une épaisseur d'environ 100 nanomètres dans cette mise en oeuvre particulière de l'invention. La structure décrite ci-dessus est de type dite « pilier » en référence à la forme du moyen de chauffage 10 utilisé. On notera ici que de nombreux types de structures autres que celle décrite, et utilisée pour les expérimentations dont les résultats sont rapportés dans les figures suivantes, sont connus. Les nombreuses variantes qui existent tendent généralement à contrôler l'aire de contact entre le moyen de chauffage et le matériau à changement de phase. Le pilier 10, généralement cylindrique, peut être par exemple remplacé par un anneau. Le moyen de chauffage peut aussi être réalisé par exemple sous forme de tranchées. Il peut également former totalement ou en partie une électrode de contact électrique entre une ligne d'interconnexion et le PIP. Certaines des structures connues tendent par ailleurs à confiner le matériau à changement de phase dans des espaces restreints. Comme mentionné dans le chapitre sur l'état de la technique, l'invention fait usage d'une gamme particulière d'alliages dont les caractéristiques sont décrites ci-après. Bien que très différentes, toutes les structures de PIP mentionnées ci-dessus sont néanmoins susceptibles de bénéficier de l'utilisation de la gamme d'alliage préconisée par l'invention. Au cours d'une phase de programmation d'un PIP, à l'aide des moyens 150 montrés sur la figure 1, on fait circuler un courant 60 entre les électrodes conductrices, inférieure 30 et supérieure 40, du PIP à travers le moyen de chauffage 10 et la couche 20 du matériau à changement de phase. C'est le passage du courant 60 qui provoque l'échauffement entraînant un changement de la structure atomique du matériau à changement de phase 22 dans une zone qui se développe à partir de la face de la couche changement de phase 22 qui se trouve en contact avec le moyen de chauffage 10. Selon différents modes de réalisation, le moyen de chauffage est constitué d'un matériau 12 qui peut être plus ou moins électriquement résistant. Dans un mode préféré de mise en oeuvre de l'invention, afin que la chaleur apportée par le passage du courant se développe principalement dans le matériau à changement de phase et pour que la résistance d'un PIP rendu conducteur soit la plus faible possible, le moyen de chauffage est lui-même très peu résistant. Il est par exemple réalisé dans un métal tel que le tungstène (W) qui peut supporter des températures élevées sans inconvénient. On notera que les électrodes conductrices 30 et 40 sont avantageusement constituées directement par les lignes métalliques 110 et colonnes 130 de la matrice programmable 100. Comme déjà mentionné dans la description de la figure 1 le rôle des lignes et colonnes est interchangeable. Notamment, elles peuvent constituer aussi bien les connexions inférieure 30 ou supérieure 40 d'un PIP. Le matériau à changement de phase 22 utilisé pour former la couche 20 d'un PIP selon l'invention est un alliage ternaire de germanium (Ge), de tellure (Te) et de bore (B) noté GeTeB. Il a en effet été remarqué par les inventeurs que l'apport de bore à un alliage composé par ailleurs de germanium et de tellure apportait les avantages suivants : - Une température de cristallisation de l'alliage qui est significativement augmentée et qui améliore très sensiblement la stabilité de la phase amorphe qui est obtenue à l'issue des étapes de fabrication et de montage d'un dispositif selon l'invention. Comme on va le voir ci-après la résistance initiale d'un PIP selon l'invention est ainsi très élevée et ne nécessite pas de devoir insérer en série une mince couche isolante pour obtenir ce résultat comme dans l'art antérieur mentionné précédemment dans le chapitre sur l'état de la technique. Ceci simplifie la structure du PIP et son implémentation ainsi que sa programmation dans l'état fermé depuis l'état ouvert initial à très forte résistance. Par ailleurs la stabilité de la phase amorphe telle que déposée fait que la résistance initiale élevée est néanmoins très stable et ne dérive pas dans le temps. Les courants de fuite demeurent donc très faibles voire nuls au cours du temps. - Une résistance de l'état cristallin obtenu par programmation électrique d'un PIP pour le fermer qui est faible. L'utilisation du matériau à changement de phase préconisé par l'invention permet une structure de PIP très simple qui ne requiert aucun transistor de sélection. Chacun des PIPs peut être fermé simplement en contrôlant durée, amplitude et forme des signaux de programmation depuis les circuits périphériques 150 mentionnés en figure 1. La couche 20 de matériau à changement de phase est de préférence déposée à partir d'un plasma gazeux formé dans une enceinte confinée. La déposition est de type par pulvérisation cathodique. Cette technique de dépôt consiste à bombarder la surface d'un matériau cible (ici une cible de bore et une cible de GeTe) par des ions argon d'énergie élevée qui vont provoquer l'éjection d'atomes de ces cibles sources. Ces derniers viennent ensuite se condenser sur le substrat pour former la couche de matériau à changement de phase. Le dépôt se fait dans une atmosphère d'argon (Ar), typiquement sous une pression de 0,005 millibar et à température ambiante. De préférence, le germanium et le tellure sont utilisés dans des proportions stoechiométriques c'est-à-dire dans des proportions à peu près égales qui diffèrent de moins de 3% dans la couche mince déposée. Les pourcentages mentionnés sont ceux réellement mesurés dans l'alliage correspondant. Les mesures sont effectuées par exemple à l'aide de la méthode suivante dite RBS, acronyme de l'anglais « Rutherford backscattering spectrometry » c'est-à-dire : « spectroscopie de rétrodiffusion de Rutherford ». Cette méthode est utilisée pour déterminer la composition de matériaux par l'analyse de la rétrodiffusion d'un faisceau d'ion à haute énergie frappant un échantillon. Les proportions de bore dans la couche 20 de matériau à changement de phase 22 visés par les expérimentateurs étant respectivement de 0% (pour comparaison avec un alliage ne comprenant pas de bore), de 2% et de 5% les pourcentages effectivement mesurés sur les échantillons utilisés pour les expérimentations rapportées dans les figures suivantes sont de fait très proches et conformes au tableau ci-dessous. Les pourcentages réels figurant dans ce tableau ont été mesurés à l'aide de la technique dite RBS mentionnée ci-dessus. Les mesures sont affectées d'une imprécision dont l'amplitude est indiquée pour chacune des trois colonnes correspondant aux matériaux utilisés : germanium, tellure et bore. % Ge (±1.0) Te (±1.0) B (±0.1) GeTe 53 47 0 GeTeB2% 51.4 45.7 2.0 GeTeB5% 48.8 43.7 5.1 Avec une matrice de points d'interconnexion selon l'invention, et contrairement aux matrice de points d'interconnexion conventionnelles à fusible il est très difficile, sinon impossible, de pratiquer sur ces circuits ce qui est généralement qualifié de « reverse engineering » ou « ingénierie inversée ». Au cours d'une opération de reverse engineering on vise à retrouver la programmation d'une matrice programmable en observant avec un microscope, par exemple de type microscopie électronique en transmission (TEM), les fusibles programmés, c'est-à-dire ceux qui ont été fondus lors de la programmation. Avec les mémoire de type PROM, cette opération de visualisation de l'état résistif des points mémoire est aisée et couramment pratiquée pour analyser les produits de concurrents ou récupérer des données. Avantageusement, en utilisant un dispositif programmable selon l'invention, la modification physique du matériau des points d'interconnexion fermés, ceux où une faible résistance a été programmée, n'est au contraire pas visualisable. L'invention offre ainsi un avantage considérable en terme de sécurisation des données. Dans le cadre du développement de la présente invention, il a en effet été constaté que le point d'interconnexion dans l'état amorphe originel se distingue du point d'interconnexion dans l'état cristallin obtenu depuis l'état amorphe originel uniquement en ce que, dans l'état amorphe originel, une portion de la couche de matériau à changement de phase est dans un état amorphe alors que, dans l'état cristallin obtenu depuis l'état amorphe originel, cette même portion de la couche de matériau à changement de phase est percée. Cette différence, portant donc uniquement sur la rupture partielle d'une portion de la couche de matériau à changement de phase n'est pas ou est très difficilement détectable par une observation avec un TEM. La portion de la couche du matériau à changement de phase utilisé dans le cadre de la présente invention dont la phase varie est située à proximité du moyen de chauffage. A l'inverse, il a été remarqué qu'une autre portion du matériau à changement de phase, portion éloignée du moyen de chauffage, ne voit pas sa phase varier lorsque la le point d'interconnexion passe d'un état fortement résistif à un état faiblement résistif. Cette portion de matériau à changement de phase éloignée du moyen de chauffage demeure en effet dans l'état amorphe originel. Ainsi, dans une matrice de points d'interconnexion utilisant la présente invention, toutes les points d'interconnexion présentent au moins une portion qui est éloignée du moyen de chauffage et qui est dans un état amorphe et ceci que le point d'interconnexion soit dans un état fortement résistif, i.e., toute la couche est dans un état amorphe, ou que le point d'interconnexion soit dans un état faiblement résistif, i.e., seule une ou des portions de la couche qui est/sont éloignées du moyen de chauffage se trouve/ent dans un état amorphe, la portion à proximité du moyen de chauffage étant dans un état cristallin. Une observation d'une portion du matériau à changement de phase loin du moyen de chauffage, par exemple avec un TEM, permet de savoir si cette portion est dans un état cristallin ou amorphe. C'est au voisinage du moyen de chauffage, comme indiqué précédemment, qu'il est très difficile voire impossible de déterminer si le matériau de l'invention est dans un état amorphe ou cristallin. Les avantages décrits plus haut d'une structure PIP selon l'invention sont illustrés sur la figure 3. Le diagramme 300 montre l'évolution de la résistance de la couche de matériau à changement de phase, le GeTeB, en fonction de la température. La température de cristallisation du matériau amorphe tel que déposé s'estime en mesurant sa résistance. Une chute brutale des valeurs de résistance révèle que le matériau a cristallisé. Par définition, la température de cristallisation correspond au point d'inflexion de la courbe. Ces mesures ont été effectuées en augmentant progressivement la température par incréments de 10°C par minute. On remarque que la température de cristallisation des alliages contenant du bore, 320 et 330, est nettement plus élevée que celui qui n'en contient pas, c'est-à-dire le GeTe 310. L'inclusion de bore dans l'alliage augmente significativement la température de cristallisation qui passe de 180°C, pour le GeTe 310, à 265°C pour l'alliage GeTeB contenant 2% de bore 320, et jusqu'à 288°C pour celui contenant 5% de bore 330. La résistance initiale de la couche de GeTeB telle que déposée 302 est très élevée. Elle est supérieure à 107 ohms par mètre carré pour les alliages contenant du bore. Après recristallisation la résistance diminue de plusieurs ordre de grandeurs jusqu'à devenir inférieure à 103 ohms par mètre carré 304. La figure 4 illustre le comportement ohmique de l'alliage à changement de phase préconisé par l'invention entre son état initial amorphe à très forte résistance 430, correspondant à un PIP ouvert, et son état cristallin après programmation à faible résistance 440 correspondant à un PIP fermé. Le diagramme 400 montre l'évolution de la résistance de la couche de GeTeB en fonction des impulsions de tension 410 qui sont appliquées aux PIPs. Les impulsions appliquées dans cet exemple ont typiquement une durée (tw) de 100 ns (nanoseconde = 10-9 seconde) avec un temps de montée (tr) rapide de 10 ns et un temps de descente (tf) beaucoup plus lent afin de contrôler le refroidissement de l'alliage pour obtenir sa cristallisation. Les quatre courbes tracées correspondent aux alliages GeTeB ci- dessus comprenant 2% et 5% de bore et pour des temps de descente de l'impulsion de 1 ps (microseconde = 10-6 seconde) et de 10 ps. On constate que l'amplitude des impulsions qu'il faut appliquer pour fermer un PIP dépend beaucoup du temps du descente. Elle est plus faible 420 quand on utilise un temps de descente long de 10 ps. L'amplitude de l'impulsion qu'il faut appliquer pour fermer un PIP dépend également de la proportion de bore de l'alliage. Ces amplitudes sont toutefois toutes compatibles avec les tensions usuelles utilisées par les dispositifs microélectroniques standard. La figure 5 illustre le comportement ohmique de l'alliage entre ses différents états. Comme dans la figure précédente le diagramme 500 montre qu'en appliquant aux PIPs des impulsions de tensions appropriées 510 on peut les faire évoluer entre différents états résistifs. En particulier il est possible, à partir d'un état cristallin présentant une résistance, dite deuxième résistance, inférieure à une résistance présentée par l'état amorphe originel, dite première résistance, de réobtenir électriquement un état intermédiaire présentant une résistance 520, dite troisième résistance, significativement supérieure à la deuxième résistance. Cet état intermédiaire présente une résistance électrique qui est toutefois inférieure à la résistance de l'état résistif initial 430 tel que déposé. Il peut cependant être utilisé pour rouvrir un PIP qui a été programmé précédemment dans un état fermé 440. De même tout PIP pourra être reprogrammé dans un état fermé à faible résistance 440 depuis l'état à résistance intermédiaire élevée 520. La structure de PIPs selon l'invention et le matériau à changement de phase préconisé font que l'on peut ainsi apporter des corrections à une matrice d'interconnexions programmable déjà programmée sans augmenter sensiblement les courants de fuite globaux. Bien que la description ci-dessus décrive un exemple dans lequel le matériau à changement de phase est du GeTeB, l'invention couvre également les alliages suivants qui procurent également les avantages mentionnés ci-dessus: alliage de germanium (Ge), de tellure (Te), d'antimoine (Sb) et de bore (B), alliage quaternaire noté GSTB ; alliage de germanium (Ge), de tellure (Te), et de carbone (C), alliage ternaire noté GeTeC ; alliage de germanium (Ge), de tellure (Te), d'antimoine (Sb) et de carbone (C), alliage quaternaire noté GSTC. Pour ces alliages, la proportion de bore ou de carbone dans l'alliage est au moins de 1%. Elle est avantageusement comprise entre 1% et 15% et encore plus avantageusement entre 1`)/0 et 10%. Avantageusement, pour les alliages ne comprenant que du germanium, du tellure et du bore ou du carbone, la proportion de tellure est sensiblement égale à la proportion de germanium, typiquement à 3% près maximum. Selon un mode de réalisation privilégié, la proportion de tellure dans l'alliage est comprise entre 40 et 50 % et de préférence entre 45 et 55 %. Avantageusement, pour les alliages comprenant du germanium, du tellure de l'antimoine et du bore ou du carbone, la proportion de germanium dans l'alliage est comprise entre 15 et 25%, la proportion de tellure dans l'alliage est comprise entre 45 et 55% et la proportion d'antimoine dans l'alliage est comprise entre 15 et 25 %. Au vu de la description qui précède, il apparaît clairement que l'invention offre une solution avantageuse pour obtenir un dispositif à logique programmable électriquement, non volatil et limitant les courants de fuite sans pour autant être complexe à réaliser ou à programmer. En outre, il est capable de conserver sa programmation même à des températures élevées.25 REVENDICATIONS1. Dispositif programmable électriquement (100) comprenant une matrice comportant une pluralité de lignes d'interconnexion (110, 120) électrique et des points d'interconnexion programmables (PIPs) (130), certains au moins des points d'interconnexion programmables (130) étant chacun électriquement connectés à au moins deux lignes d'interconnexion (110, 120) et comprenant chacun un élément chauffant (10) et un matériau à changement de phase (22) configuré pour passer d'un état présentant une résistance électrique empêchant la connexion électrique entre lesdites deux lignes d'interconnexion (110, 120) à un état présentant une résistance électrique autorisant la connexion électrique entre lesdites deux lignes d'interconnexion (110, 120), caractérisé en ce que le matériau à changement de phase (22) est un alliage comprenant du germanium (Ge), du tellure (Te) ainsi que du bore (B) ou du carbone (C). 2. Dispositif programmable électriquement (100) selon la revendication précédente dans lequel le matériau à changement de phase (22) est un alliage comprenant du germanium (Ge), du tellure (Te) ainsi que du bore (B) et dans lequel la proportion de bore dans l'alliage est au moins de 1°A. 3. Dispositif programmable électriquement (100) selon la revendication précédente dans lequel la proportion de bore dans l'alliage est comprise entre 1% et 15%. 4. Dispositif programmable électriquement (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel l'alliage ne comprend que du germanium, du tellure et du bore. 5. Dispositif programmable électriquement (100) selon la revendication 1 dans lequel le matériau à changement de phase (22) est un alliage comprenant du germanium (Ge), du tellure (Te) ainsi que du carbone (C) et dans lequel la proportion de carbone dans l'alliage est au moins de 1°A et de préférence comprise entre 1% et 15%. 6. Dispositif programmable électriquement (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la proportion de tellure est sensiblement égale à la proportion de germanium. 7. Dispositif programmable électriquement (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel la proportion de germanium dans l'alliage est comprise entre 45 et 55 %. 8. Dispositif programmable électriquement (100) selon l'une quelconque des revendications 1, 2, 3 et 5 dans lequel l'alliage comprend également de l'antimoine (Sb). 9. Dispositif programmable électriquement (100) selon la revendication précédente dans lequel la proportion de germanium dans l'alliage est comprise entre 15 et 25%, la proportion de tellure dans l'alliage est comprise entre 45 et 55% et la proportion d'antimoine dans l'alliage est comprise entre 15 et 25 %. 10. Dispositif programmable électriquement (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel le matériau à changement de phase d'une partie au moins des points d'interconnexion programmables (130) de la matrice est dans un état amorphe originel. 11. Dispositif programmable électriquement (100) selon la revendication précédente dans lequel, à l'issue du procédé de fabrication tous les points d'interconnexion programmables (130) de la matrice sont dans un état amorphe originel. 12. Dispositif programmable électriquement (100) selon la revendication précédente dans lequel, pour une autre partie des points d'interconnexion programmables (130), le matériau à changement de phase (22) est dans un état cristallin. 13. Dispositif programmable électriquement (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes dans lequel au moins certains des points d'interconnexion programmables (130) comprennent exclusivement un 2 9892 10 22 matériau à changement de phase (22), un élément chauffant et au moins deux électrodes chacune connectée à ou formée par une ligne d'interconnexion. 14. Dispositif programmable électriquement (100) selon l'une quelconque des 5 revendications précédentes dans lequel au moins une électrode forme tout au partie de l'élément chauffant. 15. Dispositif programmable électriquement (100) selon l'une quelconque des revendications précédentes 1 à 12 dans lequel, le matériau à changement de phase (22) est disposé directement au contact de l'élément chauffant 10 (10). 16. Procédé de réalisation d'un dispositif programmable électriquement selon l'une quelconque des caractéristiques précédentes, le procédé comprenant des étapes de fabrication des points d'interconnexion programmables (130) de la matrice, ces étapes de fabrication comprenant la formation d'une 15 couche en un matériau à changement de phase (22) présentant un état amorphe originel pour former des points d'interconnexion programmables (130) présentant chacun une première résistance électrique empêchant une connexion électrique entre au moins deux lignes d'interconnexion qui lui sont connectées, le procédé de réalisation du dispositif programmable 20 comprenant, après les étapes de fabrication des points d'interconnexion programmables (130), au moins une étape de programmation comprenant une cristallisation d'une sélection de points d'interconnexion programmables (130) depuis leur état amorphe originel pour former des points d'interconnexion programmables (130) dans un état cristallin présentant 25 chacun une deuxième résistance électrique inférieure à la première résistance électrique et autorisant la connexion électrique entre au moins deux lignes d'interconnexion qui lui sont connectées. 17. Procédé selon la revendication précédente comprenant au moins une autre étape de programmation pour modifier une sélection de points d'interconnexion programmables (130) depuis leur état amorphe originel ou depuis leur état cristallin de sorte à former des points d'interconnexion 2 9892 10 23 programmables (130) présentant une troisième résistance électrique qui est inférieure à la première résistance électrique et qui est supérieure à la deuxième résistance électrique. 18. Procédé selon la revendication précédente comprenant au moins une autre 5 étape de programmation comprenant une cristallisation d'une sélection de points d'interconnexion programmables (130) présentant la troisième résistance électrique pour former des points d'interconnexion programmables (130) présentant une résistance électrique inférieure à la troisième résistance électrique.