FR 2983347 A1 20130531 FR 1103618 A 20111128 DISPOSITIF A MATRICE DE DIODES A RESISTANCE D'ACCES ET STABILITE AMELIOREE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention est relative au domaine des diodes fabriquées sur des substrats semiconducteurs et agencées en une matrice de diodes. L'invention a trait plus précisément aux diodes de type p/n ou n/p qui peuvent être utilisées pour des imageurs dans le visible ou dans l'infrarouge. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Dans de nombreuses applications, les diodes sont agencées en matrices de diodes présentes sur un substrat. Dans une matrice, les diodes sont agencées en lignes et en colonnes. Une matrice de diode peut être utilisée pour permettre une détection d'un rayonnement électromagnétique. Il peut en effet se former des paires électrons-trous par interaction entre le rayonnement électromagnétique et le substrat. Cela permet l'apparition d'un courant proportionnel à une intensité du rayonnement incident. Chaque diode forme alors un pixel d'un imageur. Il est ainsi possible de fabriquer des imageurs dans le visible ou des imageurs infrarouge. Inversement, une telle matrice peut être utilisée pour émettre un rayonnement électromagnétique lors du passage d'un courant dans chaque diode de façon 30 à ce que la matrice forme une image. Chaque diode est alors un pixel d'un écran ou d'un afficheur, ou une partie d'un pixel si chaque pixel est composé de plusieurs émetteurs de rayonnement électromagnétique. Il existe plusieurs types d'arrangements 5 selon que les diodes sont agencées localement selon une symétrie axiale d'ordre quatre ou une symétrie axiale d'ordre six. En figure 1A, il est représenté un agencement d'ordre 4 d'une matrice comportant des 10 diodes Di. Chaque diode Di est à la croisée d'une ligne L et d'une colonne C qui forme avec la ligne un angle de 90° dans le plan de la matrice. Les diodes Di d'une ligne L sont alignées avec les diodes d'une autre ligne L voisine, formant ainsi les colonnes C. Dans la figure 15 1A, nous avons encadré une ligne LO et une colonne CO, la diode nommée DO est à la croisée de la ligne encadrée LO et de la colonne encadrée CO. Cette configuration est classique et connue, c'est elle qui sera utilisée pour la description de l'invention dans 20 un but de simplification. Les diodes d'une même ligne L sont séparées les unes des autres par un pas de ligne Pl. Les diodes d'une même colonne C sont séparées les unes des autres par un pas de colonne P2. Ces pas sont qualifiés de pas « majoritaire » de ligne et pas 25 majoritaire de colonne par opposition à un ou des pas « étendus » introduits plus loin. Si le pas majoritaire de ligne et le pas majoritaire de colonne sont sensiblement identiques, on peut alors parler de pas pixel en lieu et place des deux pas précités. 30 La figure 1B illustre un agencement de diodes en une matrice selon une symétrie axiale d'ordre 6. Dans cet exemple, les diodes D sont agencées en lignes L' . D'une ligne L' à une autre ligne voisine, les diodes Di ne sont pas alignées, mais décalées les unes par rapport aux autres. Ainsi, une diode Di d'une ligne L' est en regard avec deux diodes Di d'une ligne L' voisine. Un tel arrangement fait qu'il ne se forme pas de colonnes de diodes Di, mais une première diagonale Hl de diodes et une deuxième diagonale H2 de diodes ayant, dans le plan de la matrice, un angle donné alpha entre elles. Ici, les premières diagonales Hl sont représentées allant d'en haut à gauche vers en bas à droite de la figure 1B tandis que les deuxièmes diagonales H2 sont représentées allant d'en bas à gauche vers en haut à droite. Ainsi la diode référencée D1, est à la croisée d'une ligne Ll d'une première diagonale H11 et d'une deuxième diagonale H21 formant un angle donné alpha entre elles. L'angle donné alpha peut être sensiblement égal à 60°. Alors l'angle alpha sépare également les lignes L' des première et deuxième diagonales Hl, H2. Cet agencement de diodes ne sera pas particulièrement décrit dans la suite du document. Cependant, l'invention pourra s'y appliquer, les notions de lignes et de colonnes dans la suite de la description devant alors être remplacées par des notions de lignes, première diagonale et deuxième diagonale. Une diode p/n, ou n/p, 10.0 telle qu'illustrée en figure 2, est présente sur un substrat 1.0 en un matériau semiconducteur. On distingue dans le substrat 1.0 une première zone dopée, avec un premier type de dopage formée par la majorité du substrat et une deuxième zone dopée 2.0 comportant un dopant formant un deuxième type de dopage, le deuxième type de dopage étant opposé au premier type de dopage, respectivement p ou n pour une diode p/n ou une diode n/p. En général la deuxième zone dopée 2.0 est dopée avec une densité de dopage plus importante, de plusieurs ordres de grandeur, que le dopant formant le premier type de dopage dans le substrat 1.0. La deuxième zone dopée 2.0 forme une jonction p/n ou une jonction n/p avec le substrat 1.0. On considèrera qu'une diode 10.0 correspond à la jonction p/n, la deuxième zone dopée 2.0 et une zone de substrat présente autour de la deuxième zone dopée 2.0 et s'étendant sur au moins quelques nanomètres. Au coeur de la zone dopée 2.0, un contact diode 34.0 permet de fournir ou de récupérer, tout courant circulant dans la diode 10.0. Le contact diode 34.0 comprend un pied 3.0 qui s'enfonce dans la 20 deuxième zone dopée 2.0 et une tête 4.0 qui permet d'effectuer un contact électrique entre le pied 3.0 et une connexion électrique extérieure non représentée. Une couche de passivation 9.0 est généralement présente entre le substrat 1.0, première 25 et deuxième zones dopées confondues, et la tête 4.0 du contact diode 34.0. Sinon, il peut y avoir un contact électrique entre le contact diode 34, la deuxième zone dopée 2.0 et la première zone dopée du substrat 1.0. Cela conduirait à court-circuiter la diode. 30 Que la diode 10.0 soit utilisée en détection ou en émission, il est nécessaire qu'un courant puisse y circuler. Pour permettre une polarisation de la diode 10.0, il est nécessaire, en plus du contact diode 34.0 présent dans la zone dopée 2.0, de prévoir dans une partie du substrat extérieure à la diode 10.0, un contact substrat 5.0. Le contact substrat 5.0 est destiné à être relié à un circuit électrique extérieur et permet d'imposer une polarisation de la diode 10.0. Le contact diode 34.0 et le contact substrat 5.0 forment ainsi deux bornes de la diode 10.0. Lorsqu'il y a plusieurs diodes Di arrangées en une matrice, par exemple tel qu'illustré en figure 3A, le contact substrat est généralement en périphérie de la matrice 20 et mutualisé pour toutes les diodes Di de la matrice 20, on l'appellera alors contact substrat périphérique 5.1. Ce peut être par exemple une ligne conductrice bordant un, deux, trois ou quatre côtés de la matrice 20, si celle-ci définit un rectangle ou un carré dans le plan de la matrice. Ici, le contact 20 substrat périphérique 5.1 est formé d'une ligne conductrice s'étendant sur deux côtés de la matrice 20. Le pas majoritaire de lignes et le pas majoritaire de colonnes sont respectivement référencés Pl et P2. 25 La figure 3B est une coupe selon un axe AA' de la figure 3A dirigé selon une colonne, dans lequel il n'est représenté qu'une seule diode D2 de la colonne et une partie du contact substrat périphérique 5.1. La diode D2, comporte une zone dopée 2.0 présente dans le 30 substrat 1.0 et un contact diode 34.0 pénétrant dans la zone dopée 2.0. Le contact diode 34.0 de la diode D2 est situé à une distance donnée du contact substrat périphérique 5.1, dite distance inter-contacts de bordure L4. Pour utiliser les diodes, il faut les 5 polariser comme on l'a déjà mentionné. La polarisation du contact diode 34.0 est effectuée par un circuit de lecture (non représenté) en contact avec une métallisation présente au dessus de toutes les diodes. Une polarisation substrat est effectuée par le circuit 10 de lecture sur le contact substrat périphérique 5.1 présent autour de la matrice. Une différence de potentiel formée entre le contact substrat périphérique 5.1 et le contact diode 34.0, s'applique au matériau du substrat 1.0 sur la 15 distance inter-contacts de bordure L4. Le matériau du substrat 1.0 forme une résistance parasite de bordure R1 sur la distance L4 lorsqu'un courant parcourt le substrat entre la diode et le contact substrat périphérique 5.1. Cette résistance parasite R1 peut 20 être considérée comme étant en série avec la diode D2. La figure 3C représente un détail de la figure 3A, la diode D2 est représentée ainsi que deux diodes voisines, l'une sur la même ligne et l'autre sur la même colonne, permettant d'illustrer le pas de ligne 25 P1 et le pas de colonne P2. Le contact substrat périphérique 5.1 est formé de deux branches de contact, une première branche de contact 5.2 selon les lignes et une deuxième branche de contact 5.3 selon les colonnes. La diode D2 est en série avec une première résistance 30 parasite de bordure R2 la reliant à la première branche de contact 5.2 et avec une deuxième résistance parasite de bordure R3 la reliant à la deuxième branche de contact 5.3. Les deux résistances parasites de bordure R2 et R3 sont montées en parallèles. La résistance parasite de bordure R2 représente la traversée du 5 substrat par le courant entre la diode D2 et la première branche de contact 5.2 sur une première distance inter-contacts de bordure L2. La résistance parasite de bordure R3 représente la traversée du substrat par le courant entre la diode D2 et la 10 deuxième branche de contact 5.3 sur une deuxième distance inter-contacts de bordure L3. Du fait des résistances parasites R1, R2, R3 non nulle et de valeurs différentes selon les diodes, on observe une dépolarisation de diodes situées 15 plus au centre de la matrice comparativement aux diodes plus proches du contact substrat périphérique. Cette dépolarisation va être d'autant plus marquée que la matrice est de grand format ou que le substrat est en un matériau plus résistif. Toutes les diodes de la 20 matrice ne subiront donc pas la même différence de potentiel. En conséquence, les diodes, en fonction de leur position sur la matrice, auront des réponses différentes. En particulier, les diodes les plus au centre de la matrice pourront être complètement 25 dépolarisées. Les diodes Di les plus dépolarisées auront généralement des performances réduites, par exemple un rendement réduit. Si les diodes sont photoémettrices elles pourront émettre avec une intensité lumineuse 30 plus faible. Si les diodes sont photo-réceptrices, elles pourront avoir un courant de mesure affaibli lors d'une interaction avec un rayonnement électromagnétique, ou même un courant nul. Dit autrement, du fait de cette dépolarisation, les diodes du bord et celles du centre 5 de la matrice n'auront pas la même réponse pour un même rayonnement électromagnétique incident. En particulier, lorsque les distances inter-contacts L2, L3 entre la diode D2 et le contact substrat périphérique 5.1 ont chacune une valeur proche 10 de 20 ou 30 ou 50 fois la valeur du pas de ligne P1 ou du pas de colonne P2, les résistances parasites deviennent non négligeables si elles sont supérieures à une résistance critique. La distance inter-contacts conduisant à une résistance parasite de valeur égale à 15 la résistance critique est appelée distance inter-contacts critique. Pour des distances inter-contacts L2, L3 proches de 100 ou 500 fois le pas de ligne P1 ou de colonne P2, il peut être considéré que les distances 20 inter-contacts L2, L3 sont trop importantes et induisent une dépolarisation totale de certaines diodes. Une conséquence particulière peut être de devoir augmenter une tension d'alimentation appliquée entre le contact diode 34.0 et le contact substrat 5.1, 25 ce qui n'est pas toujours possible. L'homme du métier sait, pour pallier toute difficulté générée par les résistances parasites, former des contacts substrat rapprochés au coeur de la matrice. 30 L'idée sous-tendant l'usage de contacts substrat rapprochés 46 est illustrée en figures 4A et 4B. Sur un substrat 41.0 sont présentes de multiples diodes Di, Dj, DA, DB, arrangées en une matrice. La figure 4A illustre une vue en coupe de la matrice, et la figure 4B une vue de dessus. On suppose que les 5 diodes Di de la figure 4A appartiennent à une même ligne, elles pourraient cependant être sur une même colonne. De plus, toutes les diodes Di ne sont pas représentées, seules celles permettant de comprendre le principe des contacts substrat rapprochés 46 sont 10 présentes sur la figure. Chaque diode Di comporte une zone dopée 42.0 présente dans le substrat 41.0 et un contact diode 44.0 comportant une tête s'étendant sur la couche de passivation précitée 49, au-dessus de la zone dopée 15 42.0 et éventuellement au dessus du substrat 41.0 et un pied pénétrant dans la zone dopée 42.0. De plus, une couche diélectrique 48, en matériau diélectrique recouvre le substrat 41.0 et les têtes des contacts diode 44.0. Dans la suite de l'invention, par souci de 20 simplification, la couche de passivation 49 est considérée comme étant présente, même si elle n'est pas représentée, sauf s'il est expressément dit le contraire. Pour la majorité des diodes Di on prévoit 25 un pas majoritaire de ligne P, permettant de mesurer une périodicité dans l'agencement des diodes Di à la surface du substrat 41.0 dans une même ligne. On a représenté, à droite à l'extrémité de la ligne de diodes, en coupe, un contact substrat 30 périphérique 45.0. Entre deux diodes spécifiques, désignées ci-après comme étant une première diode DA et une deuxième diode DB, il est inséré un contact substrat rapproché 46. Le contact substrat rapproché 46 est par exemple un plot conducteur, généralement métallique, ayant une partie qui pénètre dans le substrat 41.0. Le contact substrat rapproché 46 est situé à une distance minimale W de chacune des diodes DA, DB qui l'encadrent. La distance minimale W est de préférence du même ordre de grandeur qu'une distance inter-diode W' entre deux diodes Di voisines. En première approximation, un contact substrat rapproché 46 peut avoir des dimensions du même ordre de grandeur que les contacts diode 44.0, ou il peut avoir des dimensions légèrement plus faibles ou plus grandes. Cependant, la présence du contact substrat rapproché 46 induit que les première et deuxième diodes DA, DB encadrant le contact substrat rapproché 46 sont préférentiellement espacées d'un pas étendu PAB supérieur au pas majoritaire de ligne P entre deux diodes Di voisines dans le reste de la ligne. Le contact substrat rapproché 46 est relié au contact substrat périphérique 45.0 au moyen d'une liaison électrique 47, par exemple une interconnexion, qui est positionnée de façon à ne relier électriquement aucun contact diode 44.0. Cette liaison électrique est réalisée dans ou sur la couche diélectrique 48. Chaque diode Dj donnée est à une distance inter-contacts de bordure L5j de la branche du contact substrat périphérique 45.0 et à une distance inter- contacts interne L6j du contact substrat rapproché 46. Le contact substrat rapproché 46 est positionné de telle façon que pour chaque diode, au moins l'une de la distance inter-contacts de bordure L5j ou de la distance inter-contacts interne L6j est inférieure à la distance inter-contacts critique définie plus haut. La distance inter-contacts critique peut varier en fonction de la technologie de la microélectronique utilisée, ou en fonction d'une application visée, du matériau du substrat, d'une tension applicable entre les contacts diode 44.0 et soit les branches du contact substrat périphérique 45.0, soit les contacts substrat rapprochés 46, etc. La figure 4B illustre la matrice 20.4 de diodes Di comportant en périphérie un contact substrat périphérique 45.0 formé de quatre branches de contact, respectivement désignées sous les références 45.1, 45.2, 45.3 et 45.4. La matrice 20.4 étant rectangulaire ou carrée, elle a quatre côtés, et chaque côté de la matrice 20.4 est bordé par une des branches de contact. Dans la matrice 20.4 toutes les diodes Di ne sont pas représentées. Il est uniquement représenté les diodes nécessaires à la compréhension. En particulier, la matrice 20.4 est composée de lignes et de colonnes de diodes Di, chaque diode Di située à la croisée d'une ligne et d'une colonne donnée ayant au moins une diode voisine dans la même colonne et une diode voisine dans la même ligne. La plupart des diodes Di sont agencées périodiquement selon les lignes avec un pas majoritaire de ligne Pl et selon les colonnes avec un pas majoritaire de colonne P2 avec leurs diodes voisines. La matrice 20.4 est composée d'un nombre de lignes et de colonnes de diodes tel qu'au moins une diode Dj a une distance inter-contacts de bordure L5j entre son contact diode et toutes les branches 45.1, 45.2, 45.3, 45.4 supérieure à la distance inter-contacts critique. En un endroit de la matrice 20.4, par exemple à la croisée de deux lignes LA et LB et de deux colonnes CA et CB voisines il est inséré un contact substrat rapproché 46. Le contact substrat rapproché 46 peut être intercalé entre deux diodes voisines d'une même ligne, ou entre deux diodes voisines d'une même colonne. Il est alors respectivement présent entre les deux colonnes ou entre les deux lignes. Alternativement, comme illustré en figure 4B, le contact substrat rapproché 46 peut être situé à la croisée d'une paire de lignes avec une paire de colonnes. Lorsque le contact substrat rapproché 46 20 est entre deux diodes DAA et DBA ou DAB et DBB d'une même ligne, le pas étendu P1AB entre ces deux dites diodes est plus important que le pas majoritaire de ligne P1 de la matrice. Lorsque le contact substrat rapproché 46 25 est entre deux diodes DAA et DAB ou DBA et DBB d'une même colonne, le pas étendu P2AB entre ces deux dites diodes est plus important que le pas majoritaire de colonne P2 de la matrice. Dans la figure 4B, le contact substrat 30 rapproché 46 est représenté à la croisée d'une paire de lignes LA, LB et d'une paire de colonnes CA, CB. En conséquence, la matrice 20.4 comporte au moins deux perturbations importantes de périodicité d'agencement des diodes Di par contact rapproché 46 présent dans la matrice, l'une entre les lignes LA et LB et l'autre entre les colonnes CA et CB. Les lignes LA, LB et les colonnes CA, CB ont entre elles un pas étendu PlAB, P2AB, ces pas sont supérieurs aux pas de ligne majoritaire Pl et aux pas de colonne majoritaire P2, respectivement. Le contact substrat rapproché 46, comme dans l'exemple de la figure 4A, est à une distance minimale W de toute diode voisine. De plus, le contact substrat rapproché 46 est inséré dans la matrice 20.4 de façon à ce que, pour toute diode Dj donnée de la matrice, il y ait au moins une distance, parmi une distance inter-contacts de bordure L5j et une distance inter-contacts interne L6j, qui soit inférieure à la distance inter-contacts critique. S'il n'est pas possible, eut égard aux dimensions de la matrice 20.4, qu'un seul contact substrat rapproché 46 conduise à un tel résultat, on introduit généralement plusieurs contacts substrat rapprochés 46. Ainsi, de façon habituelle, les contacts substrat rapprochés 46 sont insérés en un réseau dans les matrices de diodes 20.4. Ce réseau est généralement dense. Si la distance inter-contacts critique est par exemple estimée à 15 pas pixels il est alors nécessaire, pour tenir compte d'effets de diagonales, d'avoir des contacts substrat rapprochés 46 approximativement toutes les 20 diodes. Si cela est le cas, il y a alors dans la matrice 20.4 plusieurs perturbations de la périodicité de l'agencement des diodes Di. Cependant, si plusieurs contacts substrat rapprochés 46 sont alignés, par exemple entre deux même lignes ou entre deux même colonnes, une des perturbations de périodicité est induite de façon commune par les dits contacts substrat rapprochés. Une matrice 20.4 comportant des contacts substrat rapprochés 46, est plus performante, avec une réponse plus homogène, qu'une matrice plus petite n'ayant pas besoin de contacts substrat rapprochés 46, mais comportant moins de diodes. Une telle matrice 20.4 est aussi plus performante qu'une matrice de mêmes dimensions n'ayant pas de contacts substrat rapprochés. Celle-ci a en effet certaines diodes moins efficaces, c'est-à-dire donnant, pour un même signal, une réponse plus faible que d'autres diodes. Cependant une matrice 20.4 comportant des contacts substrat rapprochés 46 comporte des défauts de périodicité comme on vient de le voir. Dans le cas de technologies microélectroniques produisant des matrices ayant un pas important, par exemple supérieur à 15 pm, les pas étendus causés par l'insertion des contacts substrat 46 rapprochés peuvent, dans certaines conditions, être assimilés au pas pixel. Cependant, dans le cadre de matrices ayant un pas pixel inférieur ou égal à 15 pm, il n'est plus possible d'insérer des contacts substrat rapprochés 46 sans que la différence entre les pas étendus PlAB et P2AB et les pas majoritaires devienne trop importante et non négligeable. Si la matrice est un imageur, ces défauts, issus d'une perturbation de la périodicité d'agencement 5 des diodes, ont besoin d'être compensés par calcul de façon à observer une image électromagnétique et à en transmettre une représentation cohérente. Si la matrice est un émetteur, par exemple un écran, la perturbation de périodicité peut produire des images de qualité 10 réduite ou qui nécessitent là aussi des traitements du signal importants pour masquer la perturbation. De plus, la perturbation de périodicité conduit à former une matrice ayant une densité d'intégration de diodes réduite. En effet, plus il est 15 introduit des contacts substrat rapprochés dans une surface donnée, plus il y a de diodes voisines ayant entre elles un pas étendu supérieur au pas de la matrice et moins il y a de diodes intégrées par unité de surface. 20 Enfin, les contacts substrat rapprochés 46 nécessitent d'être reliés au contact substrat périphérique 45.0 au moyen des liaisons électriques 47 précitées. Ces interconnexions encombrent la couche diélectrique 48 et rendent plus difficile la 25 fabrication d'un circuit de lecture nécessaire pour polariser chaque contact diode 44.0. Un moyen d'éviter, ou de réduire la perturbation de la périodicité est d'introduire chaque contact substrat rapproché en substitution d'une diode 30 Di. Un tel montage permettrait d'éviter que certaines lignes et ou colonnes soient éloignées d'une ligne ou d'une colonne voisine de plus du pas de ligne ou du pas de colonne. Cependant, un tel montage introduit là aussi un défaut dans l'image électromagnétique observée ou émise, au moins une diode manquant à l'intérieur de la matrice. Pour ce faire, on peut soit créer un contact substrat rapproché 46 de toute pièce, soit utiliser une diode Di déjà formée, et en relier directement le contact diode 44.0 à une branche 45.1, 45.2, 45.3, 45.4 du contact substrat périphérique 45.0, Dans les deux cas, une surface correspondant à une diode Di n'est pas utilisable pour émettre ou recevoir une onde électromagnétique. De plus, lorsqu'un contact substrat est fabriqué, certains procédés utilisés à cette fin, peuvent endommager les diodes situées à proximité du contact substrat. Ces diodes endommagées comportent alors des défauts qui entrainent des réductions de performances. Enfin, l'interface entre le substrat et la couche diélectrique, isolante, est un paramètre clef de la performance des diodes. La performance des diodes est influencée par une interaction de porteurs minoritaires avec des défauts formant des états électroniques peu profonds, qui introduisent des effets de génération/recombinaison de porteurs, ou avec des états électroniques profonds, qui introduisent des effets de charge dans la couche diélectrique. Les états électroniques peu profonds induisant une génération/ recombinaison de porteurs 30 présents dans une zone de charge d'espace qui s'étend autour de la jonction p/n précitée, donnent lieu à des courants de fuite. Les états électroniques peu profonds induisant une génération/recombinaison de porteurs présents en-dehors de ladite zone de charge d'espace forment un courant d'obscurité de diffusion plus important et une réponse plus lente de la diode. Les effets de charge introduisent une modulation de l'interaction des porteurs avec les états électroniques induisant une génération/recombinaison de porteurs. Cela conduit à une modulation de la réponse de la diode et du courant d'obscurité. Cette modulation introduit dans la matrice un bruit temporel, souvent de type 1/f. Ladite modulation introduit aussi une variation de réponse moyenne des diodes, lors de variation de température de la diode au cours de plusieurs cycles d'utilisation. Cette variation de réponse moyenne est aussi appelée bruit de cyclage. Les effets de charge peuvent encore induire 20 une variation de dimensions de la zone de charge d'espace, par exemple en éloignant la zone de charge d'espace de part et d'autre de la jonction p/n. Ces variations de la zone de charge d'espace peuvent donner lieu elles aussi à des bruits temporels, des bruits 25 spatiaux et des bruits de cyclage comme décrit dans le document « 1/f noise in HgCdTe Photodiodes » par M.A. Kinch et al publié en 2008 dans le Journal of electronic Material, volume 34, numéro 6, pages 928 et suivantes. 30 Dans le cas de photodiodes avec un substrat à gap constant, on cherche à réduire les effets de charge à l'interface entre le substrat et la couche diélectrique en optimisant un dopage présent dans le substrat et en cherchant à obtenir une couche diélectrique de meilleure qualité. Ces options sont cependant peu efficaces et les effets de charge à l'interface restent un problème important pour la production de photodiodes avec un bon rendement. L'effet de charge à l'interface peut cependant être réduit par l'utilisation d'hétérostructures, dans lesquelles, à proximité de l'interface, il est utilisé un matériau ayant un gap plus important que le restant du substrat comme décrit dans le document « MBE HgCdTe Heterostructure p-on-n Planar Infrared Photodiodes », par J.M. Arias et al en 1993 dans le Journal of electronic Material, volume 22, numéro 8, pages 1049 et suivantes. Un gap plus important permet de diminuer l'interaction des porteurs minoritaires avec l'interface, ce qui permet de réduire la génération/recombinaison de porteurs. Cette méthode n'est applicable que pour des diodes p/n. Pour les diodes n/p la seule solution est d'augmenter en surface la densité de dopant dans la première zone dopée du substrat pour en déplacer le niveau de Fermi. Cette construction n'est pas idéale mais elle est aussi applicable aux diodes p/n. Un défaut de ce type d'hétéro-structure par dopage d'une région surfacique du substrat est que la diode se retrouve en partie environnée de cette zone à fort dopage, avec pour conséquence d'augmenter les risques de courant de fuite. Il peut donc y avoir une perte de rendement importante. Ces hétéro-structures restent cependant sensibles aux variations de dimensions de la zone de 5 charge d'espace, même si elles peuvent y être moins sensibles. De plus, en fabriquant les hétéro-structures il est généralement introduit des défauts supplémentaires à l'interface entre le matériau du substrat et le matériau à gap plus important. 10 EXPOSÉ DE L'INVENTION L'invention vise à réduire le défaut général des résistances parasites et permettre ainsi la production de matrices de diodes de grandes dimensions. L'invention vise aussi à éliminer ou 15 réduire les perturbations de périodicité induites par l'introduction de contacts substrat rapprochés. L'invention vise également à diminuer l'interaction des porteurs minoritaires avec l'interface par la création d'une hétérostructure suite 20 à une implantation ionique. L'invention concerne en particulier un dispositif comportant un substrat sur lequel est présent une matrice de diodes, organisées en lignes et en colonnes, et un contact substrat périphérique 25 présent sur au moins un côté de la matrice. L'invention prévoit que ce dispositif comporte une ou plusieurs lignes conductrices enterrées, électriquement reliées au contact substrat périphérique. De plus, les lignes conductrices enterrées sont positionnées entre au moins 30 deux colonnes voisines de diodes et/ou entre au moins deux lignes voisines de diodes. De cette manière, on comprend bien que pour chaque diode, la résistance parasite perçue est répartie en deux composantes, une résistance parasite formée entre ladite diode et une ligne conductrice enterrée, et une résistance parasite formée par la ligne conductrice enterrée, mesurée entre le contact substrat périphérique et un point de la ligne conductrice enterrée situé le plus proche possible de la diode. Les lignes conductrices enterrées étant conductrices, elles ont une meilleure conductivité que le substrat et apportent donc une contribution à la résistance parasite plus faible que le substrat sur une même distance. De plus, en étant conductrices, les lignes conductrices enterrées permettent un premier mode d'action pour stabiliser l'interface en diminuant les effets de charge. Les effets de charge sont situés au niveau d'une surface principale du substrat où sont les diodes, ou au niveau d'une interface entre le substrat et une couche diélectrique recouvrant le substrat et les diodes. De façon préférentielle, le substrat est en un matériau semiconducteur, tel que du Si ou du SiC, du SiGe ou un matériau à base de Hgi,Cd'Te, ou un substrat de type semiconducteur sur isolant (par exemple du silicium sur isolant, SOI : silicon on insulator en anglais). Pour des diodes formées dans du Hgi_,Cd,Te, on utilisera de préférence un substrat de CdZnTe sur lequel est présente une couche superficielle de Hgi_'Cd.Te. Dans ce cas, une alternative avantageuse est que la ligne conductrice enterrée est composée du même matériau semiconducteur que le substrat et comporte de plus un élément dopant, dit dopant de ligne. Le dopant de ligne peut être présent avec une densité typiquement comprise entre 1015 et 1020 at/cm3. Ceci a plusieurs avantages. Un premier avantage est de ne pas nécessiter d'étape de gravure et d'être simple à implémenter. Un deuxième avantage est de pouvoir varier la conductivité des lignes conductrices enterrées en fonction de la densité de dopage utilisé. Un troisième avantage est qu'il est formé une barrière de potentiel au niveau de la ligne conductrice enterrée, c'est à dire au niveau de la surface précitée, fonctionnant comme un deuxième mode d'action afin de réduire les effets de charge et stabiliser ladite interface. Enfin, un quatrième avantage est obtenu en autorisant un choix sur le type de porteurs majoritaires que l'on désire dans les lignes conductrices enterrées, en dopant avec un dopant de ligne soit de type p soit de type n. Dans une situation particulière, la ligne conductrice enterrée est en matériau semiconducteur dégénéré. C'est-à-dire que la ligne conductrice enterrée a une densité de dopants telle que le matériau semiconducteur a une conductivité et une mobilité de porteurs d'un même ordre de grandeur qu'un métal. En conséquence le matériau n'est plus semiconducteur et ne présente plus de gap. Ceci est avantageux car les lignes conductrices enterrées, reliées au contact substrat périphérique, ne contribuent alors pas ou peu à la résistance parasite. La résistance parasite ne dépend alors plus que d'une distance inter-contacts enterrée entre chaque diode et la ligne conductrice enterrée située la plus proche possible de ladite diode. Le substrat a un premier type de dopage et les diodes comportent, dans le substrat, une deuxième 5 zone dopée ayant un deuxième type de dopage, le deuxième type de dopage étant opposé au premier type de dopage. Il est alors avantageux que le dopant de ligne confère à la ligne conductrice enterrée un dopage selon le premier type de dopage avec une plus grande densité 10 de dopage que dans le substrat. Les lignes conductrices enterrées ont alors un dopage de type opposé à celui des deuxièmes zones dopées des diodes. Cela permet un troisième mode d'action pour stabiliser ladite interface. 15 Si le substrat a au moins une couche superficielle en un matériau à base de Hgi_xCdxTe ayant principalement une première composition en cadmium, la ligne conductrice enterrée a avantageusement une deuxième composition en cadmium plus élevée que la 20 première composition et est de préférence formée de manière autopositionnée. En augmentant la composition en cadmium dans un matériau en Hgi_xCdxTe, on en augmente le gap. Si les lignes conductrices enterrées ont un gap plus 25 important que le matériau environnant, cela crée une barrière de potentiel au niveau des lignes conductrices enterrées. On peut obtenir des zones ayant une deuxième composition en cadmium par autodiffusion du 30 cadmium dans la ligne conductrice enterrée, initialement à la première composition en cadmium ayant un dopage de type p+. Il est alors formé, une hétérostructure auto-positionnée en tout point comportant un dopage de type p+, en particulier dans les lignes conductrices enterrées. Si le substrat est en un matériau à base de Hgl_'Cd,Te, et si les lignes conductrices enterrées ont un dopage de type « p » ou de type « p+ », le dopant de ligne est avantageusement de l'arsenic. L'arsenic, dans les matériaux en Hgi_,Cd'Te, est un très bon dopant de type p. A l'inverse, si les lignes conductrices enterrées ont un dopage de type « n » ou de type « n+ », le dopant de ligne est avantageusement du bore. Le bore dans les matériaux en Hgi_'Cd'Te est un très bon dopant de type n utilisable par implantation ionique. On comprend que dans la proposition précédemment décrite, il est possible de former des matrices où à la fois les zones dopées des diodes et les lignes conductrices enterrées forment une hétérostructure autopositionnée à la deuxième composition en cadmium. De façon avantageuse, les zones dopées des diodes et les lignes conductrices enterrées ont des dopages de type opposé. Seule l'une parmi les lignes conductrices enterrées et les zones dopées peut alors être de type p+ permettant la formation d'hétérostructures autopositionnées. Alors, de préférence, seules les lignes conductrices enterrées sont à la deuxième composition en cadmium. Selon une autre alternative, les lignes conductrices enterrées peuvent être composées d'un ou 30 plusieurs métaux usuels en microélectronique. Ces métaux peuvent par exemple être choisis parmi le tungstène, le cuivre, l'aluminium, l'or, le tantale, le platine, le titane ou leurs alliages entre eux ou avec d'autres métaux. Les lignes conductrices enterrées peuvent être formées d'une seule couche de métal ou de plusieurs couches. Les lignes conductrices enterrées peuvent être séparées du matériau semiconducteur par une ou plusieurs couches de matériau barrière à la diffusion, ces couches de matériau barrière devant être électriquement conductrices. En particulier, des lignes conductrices enterrées en cuivre peuvent être entourées d'une couche de nitrure d'un des métaux précités si ces nitrures sont conducteurs, par exemple du nitrure de titane ou du nitrure de tantale. L'avantage principal d'utiliser des lignes conductrices enterrées à base de métaux est une facilité d'exécution. On a de plus la certitude que les lignes conductrices enterrées ont une résistance faible, et donc une influence négligeable sur la résistance parasite perçue par les diodes. De façon avantageuse, les lignes conductrices enterrées affleurent la surface principale du substrat d'un côté où sont présentes les diodes. Ladite surface peut être une interface entre le substrat et une couche diélectrique recouvrant les diodes et le substrat tel que pré-exposé plus haut. De cette façon, en étant proches de ladite surface ou interface, les lignes conductrices enterrées influent plus aisément pour réduire et/ou diffuser les effets de charge et stabiliser ladite surface ou interface. De façon alternative, la ligne conductrice enterrée est enterrée dans le substrat, séparée de la surface principale par une épaisseur donnée de matériau du substrat. Les lignes conductrices enterrées sont alors bien entendu du côté de la surface ou interface du substrat où sont présentes les diodes. Cette 5 alternative est avantageuse en ce qu'elle permet d'éloigner les lignes conductrices enterrées des contacts diodes présents au niveau de ladite surface ou interface. Les lignes conductrices enterrées sont de plus protégées d'attaques ou de perturbations pouvant 10 avoir lieu au niveau de ladite surface ou interface. Un dispositif selon l'invention comporte avantageusement une ligne conductrice enterrée entre deux colonnes voisines de diodes et/ou lignes voisines de diodes au moins toutes les k colonnes et/ou les m 15 lignes de la matrice, k et m peuvent valoir par exemple trente, deux ou un. Il est ainsi possible de former une matrice dans laquelle toutes les diodes sont à une distance inter-contacts enterrée d'une ligne conductrice enterrée inférieure à la distance inter-20 contacts critique. De préférence, s'il y a au moins une ligne conductrice enterrée entre deux colonnes voisines et au moins une ligne conductrice enterrée entre deux lignes voisines, les deux lignes conductrices enterrées se 25 croisent en une intersection et forment un maillage de lignes conductrices enterrées. Par ce maillage, on peut avoir des chemins de conduction d'une diode vers le contact substrat périphérique qui ne sont pas limités à une unique ligne conductrice enterrée. 30 De façon avantageuse, chaque ligne conductrice enterrée, présente entre deux lignes voisines de longueur donnée ou entre deux colonnes voisines de longueur donnée, a une longueur supérieure ou égale à la longueur desdites colonnes ou desdites lignes. Cela permet que les lignes conductrices enterrées relient deux branches de contact du contact substrat périphérique situées sur des côtés opposés de la matrice. Une ligne conductrice enterrée ayant deux extrémités, certaines lignes conductrices enterrées peuvent être reliées électriquement au contact substrat périphérique par leurs deux extrémités. Inversement, il peut être avantageux que certaines lignes conductrices enterrées aient une longueur inférieure à celle des lignes et/ou des colonnes. De telles lignes conductrices enterrées peuvent alors n'être en contact électrique direct qu'avec une unique branche de contact. Certaines d'entres elles peuvent n'être reliées au contact substrat périphérique que par l'intermédiaire d'autres lignes conductrices enterrées ou par des contacts substrat rapprochés. Cela a un intérêt si l'on désire avoir un maillage dense de lignes conductrices enterrées en un premier endroit de la matrice et un maillage plus relâché en un autre endroit de la matrice. Les lignes conductrices enterrées ont, définies dans un plan contenant les diodes, une longueur et une largeur, la largeur est perpendiculaire à la longueur. En technologie « pas pixel 15 pm », la largeur est de préférence comprise entre environ 0,5 pm et 5 pm. Les lignes conductrices enterrées ont une épaisseur, définie sensiblement suivant une normale à un plan contenant les diodes. En technologie « pas pixel 15 pm » l'épaisseur est comprise de préférence entre environ 0,5 pm et 2 pm. Les lignes conductrices enterrées peuvent dans certains cas être reliées électriquement à un ou plusieurs contacts substrat rapprochés présents dans la matrice. Les contacts substrat rapprochés sont alors en contact électrique avec au moins une ligne conductrice enterrée. Ils sont reliés de préférence électriquement au contact substrat périphérique par des liaisons électriques autres que les lignes conductrices enterrées. On peut ainsi former des matrices de très grande surface comportant un nombre important de diodes, même avec des lignes conductrices enterrées qui ne sont ni en métal, ni en matériau semiconducteur dégénéré ou dont la hauteur et la largeur sont trop faibles. De telles lignes conductrices enterrées pourraient en effet, si elles ont une grande longueur, avoir un impact non négligeable sur la résistance parasite. En créant des contacts substrat rapprochés, il est possible de réduire dans les lignes conductrices enterrées la longueur contribuant à la résistance parasite pour une diode donnée. L'avantage de l'invention vis-à-vis de l'état de la technique sur ce point est que grâce à l'utilisation de lignes conductrices enterrées, beaucoup moins de contacts substrat rapprochés sont nécessaires. Il y a donc selon l'invention une réduction du nombre et de la fréquence des perturbations de périodicité induites par l'usage de contacts substrat rapprochés par rapport à l'état de la technique. Si les lignes conductrices enterrées forment un maillage et si un ou plusieurs contacts substrats rapprochés sont présents dans la matrice, les contacts substrats rapprochés peuvent être insérés entre deux lignes voisines et/ou deux colonnes voisines ou peuvent être en substitution d'une diode. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise, et d'autres détails, avantages et caractéristiques de celle-ci apparaîtront à la lecture de la description suivante faite à titre d'exemple non limitatif et en référence aux dessins annexés dans lesquels : Les figures lA et 1B illustrent deux façons d'agencer des diodes en une matrice, soit en lignes et en colonnes, soit avec une symétrie axiale d'ordre trois, la figure 2 est un schéma de structure d'une diode, les figures 3A à 3C sont illustratives d'un problème générique selon l'état de la technique lié à la formation d'une résistance parasite liée à chaque diode, les figures 3A et 3C étant des vues de dessus d'une matrice de diodes et la figure 3B représentant une coupe d'une matrice de diodes, les figures 4A et 4B illustrent respectivement en coupe et en vue de dessus une matrice de diodes selon l'état de la technique comportant un contact substrat rapproché, les figures 5A et 5B illustrent respectivement en vue de dessus et en coupe une matrice de diodes selon l'invention comportant entre deux colonnes de diodes voisines une ligne conductrice enterrée, les figures 6, 7 et 8 illustrent trois exemples de modes de réalisation du dispositif selon l'invention comportant plusieurs lignes conductrices enterrées agencés toutes les k lignes et m colonnes de diodes, k et m ayant une même valeur dans ces exemples, et valant respectivement 30, 2 et 1. Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. Les figures illustratives des différents modes de réalisation du dispositif selon l'invention sont données à titre d'exemple et ne sont pas limitatives. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS En premier lieu, l'invention concerne une matrice de diodes telle que décrite en figures 5A et 5B. La figure 5A illustre en vue de dessus une matrice 50 de diodes Di. Celles-ci sont disposées sur 30 un substrat représenté de façon non délimitée et sont agencées en lignes (Li) et en colonnes (Ci, Ck, Cl). Dans la figure 5A il est représenté, par esprit de simplification, dix-sept diodes Di, distribuées en quatre lignes et quatre colonnes plus une diode. Cependant, l'invention est valable pour tout arrangement et tout nombre de diodes sur plusieurs lignes et plusieurs colonnes. Chaque diode comporte en surface un contact diode permettant une prise de contact électrique entre la diode Di et un circuit électrique ou électronique non représenté. La figure 5A étant une vue de dessus de la matrice 50 de diodes, seuls les contacts diode sont représentés, car ce sont les seules parties dépassant d'une surface principale du substrat. Pour faciliter la compréhension de la figure, dans la suite de la description, pour les vues de dessus, les contacts diode représentés seront assimilés à leur diode Di respective. Les diodes Di sont agencées périodiquement dans la matrice 50 avec un pas majoritaire de ligne PL dans une même ligne et avec un pas majoritaire de colonne PC dans une même colonne. Dans la suite, il sera considéré par esprit de simplification que le pas majoritaire de colonne PC et le pas majoritaire de ligne PL sont sensiblement égaux ; leur valeur sera dénommée par l'appellation « pas pixel P ». Cependant, dans le cas où le pas majoritaire de ligne et le pas majoritaire de colonne sont différents, l'invention reste applicable, l'homme du métier sachant appliquer les enseignements de l'invention à une matrice 50 où le pas majoritaire de colonne Pc et le pas majoritaire de ligne PL sont différents. De plus, comme annoncé précédemment, les diodes peuvent être arrangées en premières diagonales, en deuxièmes diagonales et en lignes et non uniquement en lignes et en colonnes. L'homme du métier saura aisément appliquer les enseignements de l'invention à une telle matrice. La matrice 50 comporte en périphérie un contact substrat périphérique 55. Celui-ci est composé, dans l'exemple de cette figure, de deux branches de contact 55.1, 55.2 qui bordent la matrice 50 sur deux côtés successifs. Alternativement, le contact substrat périphérique 55 pourrait comporter une seule branche de contact, trois ou quatre branches de contact ou plus et ainsi border la matrice 50 sur autant de côtés, successifs, opposés ou autres. Il est considéré que dans la matrice 50, au 15 moins une diode Di est située à une distance inter- contacts de bordure de toute branche du contact substrat périphérique 55.1, 55.2 supérieure à une distance inter-contacts critique. La distance inter-contacts critique est telle qu'elle a été définie plus 20 haut. Cela signifie qu'au moins une des diodes Di est trop éloignée de toute branche de contact 55.1, 55.2 pour que la diode ait des performances acceptables lors de son utilisation. Il s'agit par exemple d'une diode Di située dans une partie centrale de la matrice. 25 Pour ne pas subir les défauts provoqués par l'utilisation de contacts substrat rapprochés, l'invention cherche à minimiser le nombre de contacts substrat rapprochés selon l'état de la technique et éventuellement à ne pas utiliser de contacts substrat 30 rapprochés. En lieu et place des contacts substrat rapprochés, l'invention propose l'insertion, dans le substrat 51, entre au moins une première colonne Ck et une deuxième colonne Cl voisines, et/ou entre deux 5 lignes voisines de diodes de la matrice, d'une ligne conductrice enterrée 53. Celle-ci a au moins une extrémité qui est reliée électriquement au contact substrat périphérique 55. Dans l'exemple de la figure 5A, elle est reliée par une de ses extrémités à la 10 branche de contact 55.2. Elle est de plus sans contact électrique direct avec une quelconque diode Di de la matrice 50, ni au niveau des contacts diodes 51, ni au niveau des zones dopées mentionnées plus haut. La ligne conductrice enterrée 53 est 15 disposée dans le substrat 51. Elle peut affleurer la surface principale du substrat 51. Ladite surface principale peut être une interface entre le substrat 51 et une couche supérieure, par exemple en matériau diélectrique. Les contacts diodes mentionnés plus haut 20 sont positionnés au niveau de ladite surface ou interface principale. Alternativement la ligne conductrice enterrée 53 peut être enterrée dans le substrat 51, c'est-à-dire peut ne pas être située au niveau de la 25 surface principale ou de l'interface principale décrites précédemment. La ligne conductrice enterrée 53 est alors séparée de la surface ou interface principale par une épaisseur donnée de matériau du substrat. Dans les deux cas précités, la surface peut être une 30 interface entre le substrat 51 et une couche diélectrique qui sera illustrée plus loin en relation avec la figure 5B. Etant reliée au contact substrat périphérique 55, la ligne conductrice enterrée 53 peut agir comme une prolongation du contact substrat périphérique 55. Si la ligne enterrée conductrice 53 est positionnée entre deux colonnes voisines, respectivement deux lignes voisines, elle a une longueur X, mesurée selon une direction principale d'une colonne, respectivement d'une ligne. Chaque diode Di de la matrice est dite à une distance inter-contacts enterrée L7i de la ligne conductrice enterrée 53. En particulier, sur la figure 5A, deux diodes quelconques Die, Dia sont référencées. Elles sont respectivement à une distance inter-contacts de bordure L5i2, L5i3 du contact substrat 55 et à une distance inter-contacts enterrée L7i2, L7i3 de la ligne conductrice enterrée 53. La figure 5B est une coupe de la figure 5A selon un axe AA', coupant plusieurs diodes Di de la matrice 50 appartenant à une même ligne. Chaque diode Di comporte au moins une deuxième zone dopée 52i dans le substrat 51 tel que décrit plus haut en relation avec la figure 2. Par esprit de simplification, on appellera la deuxième zone dopée « zone dopée » dans la suite de la description. Le substrat est en un matériau semiconducteur. Le substrat 51 peut être en Si, en SiGe, en Hgi_,CdxTe, en GaAs, en InP, en SiC ou en semiconducteur sur isolant (SOI) ou en tout autre matériau semiconducteur connu de l'homme du métier pour permettre une fabrication de diodes et en particulier de diodes à propriétés optiques. Chaque diode Di comporte, de plus, un contact diode 54i constitué d'un pied 57i situé à l'intérieur de la zone dopée 52i et d'une tête 58i située en surface du substrat 51. La tête 58i est généralement recouverte d'une couche diélectrique 59, de façon à supporter des liaisons électriques et des interconnexions non représentées reliant les diodes Di à un circuit électronique extérieur non représenté. Sur la figure 5B est illustrée une coupe de la branche de contact 55.1 du contact substrat périphérique 55, dont au moins une partie pénètre dans le substrat 51. Il est de plus représenté des coupes de quatre diodes, dont la diode référencée Die, et une coupe de la ligne conductrice enterrée 53. La ligne conductrice enterrée 53 a une épaisseur H mesurée selon un axe sensiblement perpendiculaire à un plan défini par les diodes Di. La ligne conductrice enterrée 53 a de plus une largeur T mesurée de façon sensiblement perpendiculaire à l'épaisseur H et à la longueur X. Chaque contact diode 54i est tel qu'il existe une distance inter-contacts de bordure L5i entre le pied 57i du contact diode 54i et le contact substrat périphérique 55, ici la branche de contact 55.1. De plus, le pied 57i de chaque contact diode 54i est à une distance inter-contacts enterrée L7i de la ligne conductrice enterrée 53. Selon l'invention, la ligne conductrice 30 enterrée 53 est séparée au minimum par une distance minimale W" de toute zone dopée 52i des diodes Di. Une distance minimale W" trop faible pourrait conduire à former des courants de fuite entre la zone dopée 52i et la ligne conductrice enterrée 53. Des valeurs de W" sont données plus loin à titre d'exemple. La largeur T et l'épaisseur H sont de préférence telles que de la ligne conductrice enterrée 53 ne perturbe pas la périodicité de l'agencement des diodes Di. Il est alors possible d'intercaler la ligne conductrice enterrée 53 entre deux lignes ou deux colonnes de la matrice, dans un espace présent de façon usuelle entre deux diodes voisines, sans modifier le pas pixel P de la matrice. L'épaisseur T et la hauteur H de la ligne conductrice enterrée 53 sont de plus adaptées pour que la ligne conductrice enterrée occupe un volume le plus important possible dans l'espace présent de façon usuelle entre deux diodes voisines sans pour autant former des courants de fuite avec les diodes. Plus les lignes conductrices enterrées auront une section importante, plus leur résistance sera faible. De plus, tel qu'il le sera énoncé plus bas, plus la ligne conductrice enterrée 53 aura une section importante, plus elle stabilisera l'interface entre le substrat 51 et la couche diélectrique 59. La largeur T et l'épaisseur H de la ligne conductrice enterrée 53 dépendent de la technologie utilisée pour fabriquer la matrice de diodes Di. Il va être donné en exemple de valeurs de dimensions dans le cadre d'une technologie dite « pas pixel 15 pm », dans laquelle le pas pixel ou pas majoritaire de la matrice est proche de 15 pm aussi bien pour les lignes que pour les colonnes La largeur T de la ligne conductrice enterrée 53 peut être comprise entre 0,5 pm et 5 pm, par exemple 1 pm ou 2 pm. L'épaisseur H de la ligne conductrice 5 enterrée 53 est approximativement du même ordre de grandeur que sa largeur T, par exemple comprise entre 0,5 pm et 2 pm. De plus, dans une technologie « pas pixel 15 pm » les diodes Di peuvent avoir une tête 58i de 10 contact diode dont la surface est de 10x10 pm2, la zone dopée 52i peut avoir une surface, dans un plan parallèle à une surface principale du substrat, proche de 12x12 pm2. Si les diodes ont des dimensions 15 différentes, soit en raison de l'utilisation d'une autre technologie de la microélectronique, soit en raison d'une application différentes pour les diodes, les dimensions de la ligne conductrice enterrée 53 sont alors adaptées. 20 Il est possible de fabriquer la ligne conductrice enterrée 53 à partir d'un ou plusieurs métaux, par exemple du cuivre (Cu), de l'aluminium (Al) ou de l'or (Au). Dans ces cas là, il est important de limiter toute diffusion d'atomes métalliques dans le 25 substrat 51. En effet, une telle diffusion serait dommageable pour les diodes voisines, créant une pollution des zones dopées des diodes et modifiant les performances des diodes. Pour ce faire, il peut être possible, en fabriquant la ligne conductrice enterrée 30 53, d'introduire un matériau barrière à la diffusion autour de la ligne conductrice enterrée selon des techniques connues en microélectronique. Dans une variante préférentielle, la ligne conductrice enterrée 53 est composée du même matériau 5 semiconducteur que celui composant le substrat 51, mais ce matériau est dopé différemment. La ligne conductrice enterrée 53 est alors principalement différenciée du substrat 51 en ce qu'elle comporte un dopant de ligne ayant une densité de dopage importante, supérieure de 10 plusieurs ordres de grandeur au dopage présent dans le matériau du substrat 51. La ligne conductrice enterrée 53 est alors définie comme étant dans un volume contenant le dopant de ligne, ce volume étant relié au contact substrat périphérique 51. 15 La densité du dopant de ligne dans le matériau semiconducteur formant la ligne conductrice enterrée est typiquement comprise entre 1015 et 1020 at/cm3. A titre de comparaison, le substrat 51, hormis les zones dopées 52i des diodes Di, a une 20 densité typiquement comprise entre 1014 et 1017 at/cm3. Si le dopant de ligne est de type accepteur, il est obtenu un dopage de type p+. Si le dopant de ligne est de type donneur, il est obtenu un dopage de type n+. 25 Dans certaines situations, le dopant de ligne peut être présent avec une telle densité, par exemple supérieure à 1018 at/cm3, que le matériau de la ligne conductrice enterrée 53 devient dégénéré. Cela signifie que le matériau du substrat 51, initialement 30 semiconducteur, acquiert, dans le volume définissant la ligne conductrice enterrée 53, un comportement métallique à cause de la présence du dopant. En pratique, le matériau de la ligne conductrice enterrée 53 a alors une conductivité et une mobilité ayant un même ordre de grandeur que celles des métaux utilisés usuellement en microélectronique. Dans d'autres situations, la densité de dopant dans la ligne conductrice enterrée 53 est insuffisante pour avoir un matériau semiconducteur dégénéré dans la ligne conductrice enterrée 53. On définira dans la suite de la description une demi-longueur de la ligne conductrice enterrée comme étant une distance entre la diode la plus éloignée possible de toute partie d'un contact substrat périphérique (ou contact substrat rapproché) et ledit contact substrat, mesurée en suivant un axe sur lequel peut se trouver une ligne conductrice enterrée 53. S'il y a deux branches de contact positionnées sur des côtés opposés de la matrice, la demi-longueur sera sensiblement égale à la moitié de la distance séparant ces deux branches de contact. Si de plus certaines lignes conductrices enterrées 53 relient ces deux branches de contact opposées, la demi-longueur est sensiblement égale à la moitié de la longueur X de ladite ligne conductrice enterrée 53. De façon alternative, si toutes les branches de contact n'ont pas une branche de contact située d'un côté opposé de la matrice, certaines lignes conductrices enterrées 53 ne sont reliées aux branches de contact que par une seule extrémité. La demi-longueur est alors sensiblement égale à la longueur X de ces lignes conductrices enterrées 53. Pour la suite de la description, nous définirons, pour les lignes conductrices enterrées, trois catégories de conductivité. Il sera dit que la ligne conductrice 5 enterrée 53 a une conductivité suffisante de première catégorie, dite première conductivité, si elle a une résistance, mesurée pour une demi-longueur de ligne conductrice enterrée 53, négligeable devant la résistance critique, par exemple plus faible d'un 10 facteur supérieur à 2 ou à 5 ou à 10. Les lignes conductrices enterrées composées d'un ou plusieurs métaux ou d'un matériau semiconducteur dégénéré seront souvent considérées comme ayant une première conductivité au sens de 15 l'invention. Cela peut ne pas être vrai si la section desdites lignes conductrices enterrées est trop faible. On dira que la ligne conductrice enterrée 53 a une conductivité acceptable de deuxième catégorie, dite seconde conductivité, si sa résistance, mesurée 20 dans les conditions définies ci-dessus, est inférieure à la résistance critique. Une ligne conductrice enterrée 53 ayant une première conductivité a a-fortiori, une conductivité supérieure à la seconde conductivité. 25 Autrement, il sera dit que la ligne conductrice enterrée a une conductivité insuffisante au sens de l'invention. Dans certaines situations, une ligne conductrice enterrée 53 composée d'un matériau semiconducteur dopé non dégénéré peut avoir une seconde 30 conductivité ou une conductivité insuffisante au sens de l'invention. Ce dernier cas sera traité plus loin dans la description. Avantageusement, le matériau de la ligne conductrice enterrée 53 se différencie de la zone dopée 5 52i en ce que le dopant de ligne et celui de la zone dopée 52i sont de types différents. Ainsi, selon que la zone dopée 52i comporte un dopant de type p ou un dopant de type n, de façon avantageuse, la ligne conductrice enterrée 53 comportera un dopant de ligne 10 induisant respectivement un dopage de type n ou un dopage de type p. En particulier, si le matériau du substrat est de type HgCdTe, ou Hgi_xCd'Te, dans le cas de diodes p/n, comportant une zone dopée 52i comportant un dopant 15 de type p, le dopant de ligne présent dans la ligne conductrice enterrée 53 peut être de type n tel que de l'indium ou le bore. Inversement, en conservant le même matériau pour le substrat, dans le cas de diodes n/p, comportant une zone dopée 52i comportant un dopant de 20 type n, le dopant de ligne peut être de type p tel que de l'arsenic. Si la ligne conductrice enterrée 53 a une première conductivité au sens de l'invention, en particulier si elle est formée d'un ou plusieurs 25 métaux, tels que décrits plus haut, ou d'un matériau semiconducteur dégénéré, il est considéré qu'elle est assimilable à une branche du contact substrat périphérique 55 mais située entre deux lignes voisines et/ou deux colonnes voisines de la matrice 50. Il est 30 en effet considéré que la ligne conductrice enterrée 53 n'a aucune influence sur la résistance parasite perçue par les diodes Di. Autrement dit, la résistance de la ligne conductrice enterrée 53 est considérée comme négligeable. Alors, si, pour une diode Di, la distance inter-contacts interne L7i est inférieure à la distance inter-contacts critique, la résistance parasite perçue par ladite diode Di est inférieure à la résistance critique. Il ne peut être estimé un gain sur les dimensions de la matrice de diodes rendu possible par l'utilisation de telles lignes conductrices enterrées 53 par rapport à l'état de la technique. En effet, pour des lignes conductrices enterrées ayant une première conductivité au sens de l'invention, une matrice de diode peut avoir toute taille désirée. Il y a cependant une résistance parasite associée à chaque diode Di, liée au premier ordre à une plus petite distance parmi la distance inter-contacts de bordure L5i et la distance inter-contacts enterrée L7i. Si la ligne conductrice enterrée 53 n'a pas une conductivité suffisamment élevée, il ne peut être considéré que la ligne conductrice enterrée 53 est assimilable à une branche du contact substrat 55. Alors, pour savoir si une diode Di perçoit une résistance parasite inférieure à la résistance critique, il faut prendre en compte la résistance parasite due au substrat et celle due à la ligne conductrice enterrée. La résistance parasite due au substrat est mesurée en fonction de la plus petite distance entre la distance inter-contacts de bordure L5i et la distance inter-contacts enterrée L7i. La résistance de la ligne conductrice enterrée 53 est mesurée sur une longueur utile de la ligne conductrice enterrée 53, c'est-à-dire entre le contact substrat périphérique 55 et un point de la ligne conductrice enterrée 53 situé le plus proche possible de la diode Di. Cependant, que la ligne conductrice enterrée 53 ait une première conductivité, une seconde conductivité ou une conductivité insuffisante au sens de l'invention, sa conductivité reste largement supérieure à une conductivité caractéristique du matériau du substrat. La résistance parasite de bordure R1 entre un contact diode d'une diode donnée et le contact substrat périphérique 55 est définie par la relation {1} suivante : R1 L5 p x Ax Ex 1 Avec p une mobilité des porteurs initiale dans le substrat, L5 la distance inter-contacts de bordure liée à la diode donnée, A une densité de dopage dans le substrat, E une épaisseur du substrat et 1 une largeur caractéristique du contact diode et assimilable au premier ordre à un pas pixel. De façon à ce qu'une diode puisse fonctionner de manière acceptable, il est nécessaire selon l'état de la technique que la résistance parasite soit inférieure à la résistance critique. La résistance critique est mesurée lorsqu'un courant parcourt le substrat sur la distance inter-contacts critique définie plus haut. Alors, de la même façon il est possible de calculer une valeur de la résistance parasite Rligne induite par la ligne conductrice enterrée 53. Selon la relation { 2} ci-dessous, la résistance parasite Rligne due à la ligne dépend de la longueur utile Lutne définie plus haut. utile Rligne - X Aligne X Hx T La résistance parasite Rligne dépend, de plus, de la largeur T et de l'épaisseur H de la ligne 10 conductrice enterrée 53 ainsi que de la densité de dopage Aligne dans la ligne conductrice enterrée 53. A la résistance parasite liée à la ligne conductrice enterrée 53, il est nécessaire d'ajouter, à la résistance parasite, une composante de résistance 15 parasite secondaire. Celle-ci est liée à une portion de substrat 51 séparant la diode étudiée de la ligne conductrice enterrée 53. Cette résistance parasite secondaire est calculée de manière similaire à la relation {1}, la distance inter-contacts de bordure L5i 20 étant remplacée par la distance inter-contacts interne L7i. Si la ligne conductrice enterrée est à proximité immédiate de la diode étudiée, c'est-à-dire positionnée entre la diode étudiée et une diode 25 voisine, la résistance parasite secondaire est négligeable. Ayant une conductivité plus importante que le matériau du substrat 51, la ligne conductrice enterrée 53 a une résistance parasite Rligne plus faible que la résistance parasite de bordure R1 exprimée par 30 la relation { 1} . Ces deux résistances, R1, Rligne étant en parallèle l'une de l'autre, il s'ensuit que la diode Di étudiée est reliée au contact substrat périphérique 55 par un canal de conduction privilégié via la ligne conductrice enterrée 53. Ainsi, la ligne conductrice enterrée 53 permet de réduire la résistance parasite entre la diode étudiée et le contact substrat et ainsi réduit virtuellement la distance inter-contacts de bordure. Il est donc possible de calculer un gain en 10 résistance obtenu par l'utilisation d'une ligne conductrice enterrée 53 située à proximité immédiate d'une diode Di. La relation {3} ci-dessous permet d'exprimer le gain G en fonction des paramètres décrits 15 précédemment. Il sera considéré que la ligne conductrice enterrée 53 étant située à proximité immédiate d'une diode, la distance inter-contact de bordure L5 et la longueur utile Lutiie de la ligne conductrice enterrée sont sensiblement identiques. Rligne A ** 1 * p 20 G= E * Lutile R Aligne T ,aligne L Aux fins de ce calcul, il sera pris des exemples particuliers de dimensions pour le contact diode 54i et la ligne conductrice enterrée 53. Ces exemples particuliers sont dépendants de la technologie 25 utilisée pour fabriquer les diodes, ici la technologie « pas pixel 15 pm », et de l'application visée pour les diodes. Il est considéré, aux fins du calcul, que la ligne conductrice enterrée a une largeur T de 30 l'ordre de. 3 pm et une épaisseur H d'environs 2 pm. Le pas pixel considéré est de 15 pm et l'épaisseur E du substrat est approximativement de 10 pm. De plus, la mobilité dans le substrat a pu être mesurée comme étant sensiblement égale à 400 cm2/V.s tandis que la mobilité dans la ligne conductrice enterrée a une valeur avoisinant 200 cm2/V.s. La densité de dopant dans le substrat est proche de 1.1016 at/cm3. En comparaison, dans l'exemple étudié, la densité de dopant dans la ligne conductrice enterrée peut être de l'ordre de 1.1018 at/cm3. Le gain G, calculé au moyen de la relation {3}, a alors une valeur comprise entre 2 et 100. La présence d'une ligne conductrice enterrée 53 à proximité immédiate d'une diode Di induit une réduction virtuelle de la distance inter-contacts de bordure d'un facteur compris entre 2 et 100. Chaque diode, située à une distance donnée du contact substrat périphérique 55, perçoit en effet une résistance parasite 2 à 100 fois plus faible lorsqu'elle est située à proximité immédiate d'une ligne conductrice enterrée que celle qu'elle perçoit, selon la relation { 1} , lorsqu'un courant parcourt le substrat sur la même distance et qu'il n'y a pas de ligne conductrice enterrée. Si la ligne conductrice enterrée a une seconde conductivité au sens de l'invention, la résistance de la ligne conductrice enterrée mesurée sur la demi-longueur est inférieure à la résistance critique. Alors, en positionnant au moins une ligne conductrice enterrée 53 à proximité immédiate de toute diode Di, il est possible de concevoir une matrice ne comportant pas de contacts substrat rapprochés et de dimensions 2 à 100 fois supérieures à celles de l'état de la technique. De façon avantageuse, pour cette méthode, la ligne conductrice enterrée est reliée électriquement au contact substrat périphérique en ses deux extrémités. Si l'on désire obtenir une matrice encore plus grande, il peut être envisagé d'augmenter la densité de dopage dans les lignes conductrices enterrées 53 de façon à augmenter le gain G et ainsi avoir une réduction virtuelle de la distance inter-contacts plus importante. De façon alternative, il peut être envisagé d'utiliser des lignes conductrices enterrées 53 en matériau semiconducteur dégénéré ou en métal. Elles ont alors une première conductivité au sens de l'invention et sont assimilables à des branches du contact substrat périphérique, situées au coeur de la matrice. Enfin, il est possible d'introduire des contacts substrat rapprochés dans la matrice 50 comme il le sera décrit plus loin. Ceci est particulièrement utile si les lignes conductrices enterrées ont une conductivité insuffisante au sens de l'invention ou si elles ont une seconde conductivité au sens de l'invention mais qu'il existe des diodes qui ne sont pas situées à proximité immédiate des lignes conductrices enterrées. Cependant, en utilisant des lignes conductrices enterrées 53 selon l'invention, chaque diode peut être située à une distance inter-contacts interne dudit contact substrat rapproché supérieure à celle de l'état de la technique. L'état de la technique permet de fabriquer une matrice de diodes telle que chaque diode soit éloignée d'un contact substrat périphérique ou d'un contact substrat rapproché d'une distance inférieure à la distance inter-contacts critique. Selon l'invention, en induisant une réduction virtuelle des distances inter-contacts par un facteur 2 à 100, les lignes conductrices enterrées permettent d'obtenir une matrice de mêmes dimensions que dans l'état de la technique tout en introduisant de 2 à 2500 fois moins de contacts substrat rapprochés que selon l'état de la technique. Dans certains cas, si en introduisant 2 à 2500 fois moins de contacts rapprochés que selon l'état de la technique, on obtient un nombre théorique de contacts rapprochés inférieur à 1, on peut supprimer complètement les contacts substrat rapprochés dans la matrice. Une telle situation est déjà décrite plus haut en lien lorsque les lignes conductrices enterrées ont une seconde conductivité selon l'invention. En suivant l'enseignement de l'invention, il est possible de placer une ligne conductrice enterrée 53 entre deux lignes voisines et/ou entre deux colonnes voisines. Il est de plus possible de prévoir plusieurs lignes conductrices enterrées 53, chacune comprise entre deux lignes voisines et/ou deux colonnes voisines. S'il y a à la fois une ligne conductrice enterrée entre deux lignes voisines et une ligne conductrice enterrée entre deux colonnes voisines, les deux lignes conductrices enterrées se croisent en une intersection et forment un maillage de lignes conductrices enterrées. En pratique, selon l'invention il peut y avoir autant de lignes conductrices enterrées, présentes chacune entre deux lignes voisines et ou deux colonnes de la matrice voisines, qu'il l'est nécessaire pour que chaque diode de la matrice soit reliée à un contact substrat, périphérique ou rapproché, via une résistance parasite inférieure à la résistance critique, c'est-à-dire négligeable pour un fonctionnement acceptable de la diode. Si les lignes conductrices enterrées 53 ont une première conductivité au sens de l'invention, en métal ou en matériau semiconducteur dégénéré, elles sont disposées dans la matrice de telle sorte que chaque diode Di est à une distance d'au moins une branche du contact substrat périphérique 55 ou d'au moins une ligne conductrice enterrée 53 inférieure à la distance inter-contacts critique. Si les lignes conductrices enterrées 53 n'ont pas une première conductivité au sens de l'invention, elles sont disposées dans la matrice 50 de telle sorte que chaque diode Di soit à une distance virtuelle d'au moins une branche du contact substrat périphérique 55, ou d'au moins un contact substrat rapproché, inférieure à la distance inter-contacts critique. Cette distance virtuelle prend en compte l'effet de réduction virtuelle des distances inter-contacts permis par les lignes conductrices enterrées 53 et énoncé plus haut. De préférence, si la matrice est formée de lignes ayant une première longueur et de colonne ayant une deuxième longueur, la ou les lignes conductrices enterrées 53 situées entre deux lignes voisines ont une 5 longueur supérieure ou égale à la première longueur et la ou les lignes conductrices enterrées 53 présentes entre deux colonnes voisines ont une longueur supérieure ou égale à la seconde longueur. En effet, si le contact substrat 55 comporte quatre branches de 10 contact, agencées deux par deux le long de côtés opposés de la matrice 50, il est préférable que la ou les lignes conductrices enterrées 53 soient reliées électriquement aux deux branches de contact situées sur des côtés opposés de la matrice 50. 15 Un dispositif selon l'invention peut comporter une ligne conductrice enterrée entre deux colonnes voisines de diodes et/ou lignes voisines de diodes toutes les k colonnes et/ou toutes les m lignes de la matrice, de façon périodique. Dans la suite de la 20 description, un deuxième, un troisième et un quatrième mode de réalisation vont être présentés illustrant ceci. Dans ces différents modes de réalisation les valeurs de k et m sont égales entre elles et valent respectivement 30, 2 et 1. Il est bien entendu possible 25 que k et m aient des valeurs différentes. C'est en particulier le cas si le pas de ligne et le pas de colonne ont des valeurs différentes. Selon un deuxième mode de réalisation de l'invention, décrit en figure 6, il y a dans une 30 matrice 60, une ligne enterrée 63 entre deux lignes voisines et/ou entre deux colonnes voisines toutes les 30 lignes ou 30 colonnes de la matrice. La distance inter-contacts critique peut, en tenant compte d'une marge de sécurité, être estimée 5 à une valeur proche de quinze fois une valeur du pas pixel P dans le cadre de la technologie pas pixel 15 pm. Alors, selon l'état de la technique, on positionnait un contact substrat rapproché toutes les 20 lignes et 20 colonnes pour que toutes les diodes 10 soit à une distance inter-contacts interne inférieure à la distance inter-contacts critique. Dans ce mode de réalisation de l'invention, chaque diode distance de Di de la matrice 60 est au plus à une 15 pas pixel d'une ligne conductrice 15 enterrée 63. Ainsi, chaque diode est à une distance inter-contacts enterrée d'une ligne conductrice enterrée 63 inférieure à la distance inter-contacts critique. Ce mode de réalisation, illustré en figure 20 6, est avantageux si les lignes conductrices enterrées 63 ont une première conductivité au sens de l'invention, en particulier si elles sont en métal ou en matériau semiconducteur dégénéré. En effet, toute résistance induite par la ligne conductrice enterrée 63 25 étant alors négligée, chaque diode Di perçoit une résistance parasite inférieure à la résistance critique. Il est alors possible de se passer de contacts substrats rapprochés. Si les lignes conductrices enterrées 63 ne 30 sont pas en matériau semiconducteur dégénéré, il faut veiller à ce que la conductivité des lignes conductrices enterrées 63 soit suffisante pour contribuer de façon négligeable à la résistance parasite perçue par une diode la plus éloignée possible de toute ligne conductrice enterrée 63. Il va donc falloir adapter la densité de dopage pour faire varier la conductivité en fonction de la longueur Xde la ligne conductrice enterrée 63 et en fonction des dimensions de la matrice 60. En variante, on peut rapprocher les lignes conductrices enterrées de façon à ce que la distance inter-contacts enterrée soit réduite en tenant compte de la résistance parasite induite par les lignes conductrices enterrées. Cela permet alors d'utiliser des lignes conductrices enterrées n'ayant pas une première conductivité suivant l'invention mais qui contribuent à la résistance parasite. En variante, dans le cas où les lignes conductrices enterrées 63 ont une conductivité insuffisante au sens de l'invention ou une seconde conductivité, il peut être ajouté un ou plusieurs contacts substrat rapprochés 66 dans la matrice. Les contacts substrats rapprochés 66 sont situés dans la matrice de façon à être en contact électrique direct avec au moins une ligne conductrice enterrée 63 et de préférence avec deux lignes conductrices enterrées 63 à la fois. Par exemple les contacts substrats 66 rapprochés peuvent être au niveau d'une intersection de deux lignes conductrices enterrées 63. Dans cette figure 6 il a été représenté un contact substrat rapproché 66, intégré dans la matrice 30 en substitution d'une diode Di au niveau d'une intersection de deux lignes conductrices enterrées 63 et en contact électrique avec ces deux lignes conductrices enterrées 63. De façon alternative et non représentée, le contact substrat rapproché peut être inséré entre deux lignes voisines et/ou deux colonnes voisines, donnant entre ces deux lignes voisines et/ou colonnes voisines un pas étendu supérieur au pas majoritaire de ligne ou de colonne. Selon un troisième mode de réalisation, illustré en figure 7, il y a dans la matrice 70 une ligne enterrée 73 s'étendant entre deux lignes voisines et/ou entre deux colonnes voisines toutes les deux lignes et/ou deux colonnes de la matrice. De plus, dans cette figure il a été représenté trois branches pour le contact substrat périphérique 75. Deux des branches de contact sont situées sur des côtés opposés de la matrice 70. Certaines lignes conductrices enterrées 73 sont simultanément reliées électriquement à ces deux branches de contact opposées. Une différence de potentiel appliquée entre les contacts diode des différentes diodes Di et un contact substrat périphérique 75 présent en bord de matrice devient assimilable à une différence de potentiel appliquée entre les contacts diode et les lignes conductrices enterrées 73 voisines. Puisqu'on prévoit une ligne conductrice enterrée 73 entre deux lignes ou entre deux colonnes toutes les deux lignes et toutes les deux colonnes de la matrice, alors, les diodes Di sont encadrées quatre par quatre par des lignes conductrices enterrées 73. Chaque diode Di de la matrice perçoit donc un champ électrique sensiblement identique issu des lignes conductrices enterrées 73, variant uniquement par une rotation de 90° Cette situation permet de plus d'avoir une résistance parasite minimale si l'on considère que les lignes conductrices enterrées 73 n'apportent pas de contribution à la résistance parasite, c'est-à-dire si elles ont une première conductivité au sens de l'invention, par exemple si elles sont en métal ou en matériau semiconducteur dégénéré. Dans un quatrième mode de réalisation, illustré en figure 8, il y a dans une matrice de diodes 80 une ligne conductrice enterrée 83 entre chaque ligne et entre chaque colonne de la matrice. Les valeurs de k et m sont alors respectivement égales à un. De plus, dans cette figure il a été représenté quatre branches de contact pour le contact substrat périphérique 85. Les branches de contact sont situées en bordure de la matrice 80 et sont arrangées deux à deux de façon à border quatre côtés de la matrice, opposés deux à deux. Toutes les lignes conductrices enterrées 73 ont leurs deux extrémités reliées chacune à une branches de contact. Ces dites branches de contact sont situées sur des côtés opposées de la matrice. Si l'on considère que les lignes conductrices enterrées n'apportent pas de contribution à la résistance parasite, cette situation ne permet pas d'avoir une résistance parasite plus faible que dans le mode de réalisation précédent. Cependant, si les lignes conductrices enterrées 83 apportent une contribution aux résistances parasites, ce mode de réalisation de l'invention permet de réduire la résistance parasite associée à chaque diode Di par rapport aux deux modes de réalisation précités. En effet, dans ce mode de réalisation, chaque 5 diode Di est reliée par quatre lignes conductrices enterrées 83, chacune en contact électrique avec au moins une branche de contact située en périphérie de la matrice. A titre de comparaison, dans le mode de réalisation précédent, chaque diode Di n'est reliée aux 10 branches de contact que par deux lignes conductrices enterrées. Dans l'invention, si les lignes conductrices enterrées n'ont pas une première conductivité au sens de l'invention, il sera préféré un 15 agencement des lignes conductrices enterrées 73, 83 selon le troisième ou le quatrième mode de réalisation de l'invention, illustrés respectivement en figures 7 et 8. Dans ces deux modes de réalisation, chaque diode Di considérée est à proximité immédiate d'au moins une 20 ligne conductrice enterrée 73, 83. C'est-à-dire qu'au moins une ligne conductrice enterrée s'étend entre ladite diode Di et au moins une diode voisine. En particulier, dans ces deux modes de réalisation, il est possible d'avoir deux lignes conductrices enterrées ou 25 plus, situées à proximité immédiate de chaque diode. Dans le cas du quatrième mode de réalisation, illustré en figure 8, chaque diode Di est à proximité immédiate de quatre lignes conductrices enterrées 83. 30 Ces deux modes de réalisation permettent donc d'obtenir un gain plus important par rapport à celui calculé à partir de l'expression {3}. En particulier, dans le quatrième mode de réalisation toutes les branches du contact substrat périphérique 85 sont reliées à deux lignes conductrices enterrées situées à proximité immédiate de chaque diode de la matrice, une ligne conductrice enterrée étant placée de part et d'autre de ladite diode. Ainsi, pour chaque diode, le quatrième mode de réalisation est équivalent à former un maillage de lignes conductrices enterrées 83 selon le troisième mode de réalisation de l'invention mais avec une largeur T deux fois plus importante. Il y a donc un gain effectif G' plus important d'un facteur 2 à 4 que le gain G calculé strictement selon la relation {3} dans le cas où il y a une seule ligne conductrice enterrée qui s'étend à proximité immédiate d'une diode. De plus, de façon indépendante de la densité en dopant utilisée dans les lignes conductrices enterrées, les troisième et quatrième modes de réalisation de l'invention permettent une stabilisation accrue de l'interface entre le substrat et la couche diélectrique superposée au substrat. Dans la suite de la description il sera utilisé les références de la figure 5B, appliquée à un cas où il y a plusieurs lignes conductrices enterrées 53. Tel que présenté plus haut, la présence des zones dopées 52i des différentes diodes Di, proche de l'interface entre le substrat 51 et la couche diélectrique 59 superposée au substrat, forme des effets de charge importants au niveau de cette interface. Lorsque les lignes conductrices enterrées 53 sont proches de cette interface et ont une densité de dopage importante, du même ordre de grandeur que la densité de dopage dans les zones dopées des diodes, ou 5 d'un ordre de grandeur supérieur, on forme une barrière de potentiel au niveau de l'interface entre le substrat et la couche diélectrique 59. Ceci est le cas pour toute ligne conductrice enterrée 53 selon l'invention composée de matériau semiconducteur dopé, dégénéré ou 10 non. Il y a donc une diminution d'interactions entre des porteurs minoritaires et des états recombinant, ce qui est une cause de déstabilisation de l'interface. De plus, comme annoncé précédemment, les lignes conductrices enterrées 53 et la zone dopée des 15 diodes Di ont de préférence des dopages de type opposé. Alors, les lignes conductrices enterrées 53 induisent un équilibrage des charges au niveau de l'interface entre le substrat 51 et la couche diélectrique 59. Ces deux points conduisent à une 20 stabilisation de l'interface et un écrantage des effets de charge. Cela permet d'obtenir des bruits spatiaux, des bruits temporels et des bruits de cyclage réduits par rapport à une matrice selon l'état de la technique. Dans le cas de lignes conductrices 25 enterrées 53 à base de matériau semiconducteur dopé avec un dopant de ligne, plus la largeur T et l'épaisseur H de la ligne conductrice enterrée 53 seront importantes, plus les effets d'écrantage et d'équilibrage des charges seront importants. En effet, 30 le dopant de ligne a une présence au niveau de l'interface qui dépend des dimensions de la ligne conductrice enterrée 53 ainsi que du nombre de lignes conductrices enterrées 53 entourant chaque diode Di. Dans un cas particulier de réalisation de l'invention, si le substrat est un matériau semiconducteur à base de Hgi,Cd'Te ayant un gap donné et une première composition x en cadmium, il est avantageux que les lignes conductrices enterrées 53 soient dopées p+ avec un dopant de ligne de type accepteur, par exemple de l'arsenic. En effet, si le dopant présent dans la ligne conductrice enterrée 53 est de type accepteur, il est possible de former facilement une hétérostructure autopositionnée de composition dans laquelle les lignes conductrices enterrées 53 ont une seconde composition en cadmium supérieure à la première composition en cadmium. La surface du substrat ou l'interface entre le substrat et la couche diélectrique 58 reste alors à la première composition en cadmium. Le gap dans un matériau en Hgi_'Cd.Te dépend de la composition en cadmium. Ainsi, dans un dispositif tel que décrit ci-dessus, les lignes conductrices enterrées 53 sont dans un matériau ayant un plus grand gap que celui du substrat 51. La formation dans les lignes conductrices enterrées 53 d'un gap plus important que celui du reste du substrat 51 permet de réduire les effets de charge en ajoutant une barrière de potentiel qui repousse les porteurs de l'interface. Une matrice de diodes dont le substrat est 30 en HgCdTe comporte généralement une couche de passivation, dont un des éléments est du cadmium Cd, située entre le substrat et la couche diélectrique. Pour obtenir une hétérostructure auto-positionnée de composition, il doit y avoir une couche 5 de passivation dont un des éléments est du cadmium Cd, (non représentée), déposée sur le substrat, en contact avec toute zone dopée p+ où l'on désire augmenter la composition en cadmium. Il est ensuite procédé à une étape de diffusion comprenant en particulier un recuit, 10 par exemple avec une température supérieure à 100°C pendant une durée supérieure à une minute. Il y a alors diffusion sélective de cadmium, depuis la couche de passivation, dans toute zone du substrat 51 en contact avec la couche de passivation et comportant un dopage 15 p+. La concentration en cadmium et le gap sont ainsi localement augmentés dans ces zones. Si seules les lignes conductrices enterrées sont dopées avec un dopage de type p+, la diffusion sélective est limitée à un volume défini par les lignes conductrices enterrées 20 53. De préférence, lorsqu'il est formé une hétérostructure de composition dans les lignes conductrices enterrées 53, celles-ci sont dopées p+ et les zones dopées 52i des diodes Di sont dopées n ou n+ 25 de façon à ce que seules les lignes conductrices enterrées aient un gap plus élevé que celui du substrat 51. Si, alternativement, on désire des diodes Di dopées p sans hétérostructure de composition et des 30 lignes conductrices enterrées ayant une hétérostructure autopositionnée de composition, il est possible de former la couche de passivation en CdTe uniquement au niveau des lignes conductrices enterrées 53, en contact avec celles-ci avant de procéder au recuit précité. Dit autrement, une couche de passivation est déposée sur tout le substrat sauf à l'aplomb des diodes Di de façon à ne pas former d' hétérostructure autopositionnée de composition au niveau des diodes Di. Il sera ensuite nécessaire de passiver les diodes et le restant du substrat avec une couche de passivation dont un des éléments est du cadmium Cd. Dans ce cas, le contact diode peut typiquement être fabriqué après la formation des hétérostructures dans les lignes conductrices enterrées 53. Cependant, si l'on désire former une hétérostructure de composition dans les zones dopées 52i des diodes, il est possible d'utiliser des zones dopées 52i ayant un dopage p ou p+. Il est aussi possible, dans ce but, d'utiliser une matrice dans laquelle, les lignes conductrices enterrées 53i et les zones dopées 52i ont un même type de dopage. Alors, il y a un plus faible équilibrage des charges à l'interface entre le substrat et la couche diélectrique, les lignes conductrices enterrées 53 et les zones dopées 52i ayant un même type de dopage et de polarité. Lorsqu'on utilise des lignes conductrices enterrées ayant une première conductivité au sens de l'invention, il est généralement plus avantageux d'avoir des lignes conductrices enterrées 53 en matériau semiconducteur dégénéré plutôt qu'en métal. En effet, des lignes conductrices enterrées 53 métalliques ne peuvent conduire à une augmentation locale du gap, ni à la formation d'une barrière de potentiel par équilibrage des charges à l'interface entre le substrat 51 et la couche diélectrique 59. Il peut même être considéré comme étant plus avantageux d'avoir des lignes conductrices enterrées à base d'un matériau semiconducteur dopé non dégénéré en lieu et place d'un ou plusieurs métaux. En effet, avoir un gain G plus faible mais obtenir une réduction de bruit important grâce à une meilleure stabilisation de l'interface peut être plus avantageux qu'obtenir un gain G plus important sur la résistance parasite mais une stabilisation de l'interface plus faible si l'on emploie des lignes conductrices enterrées 53 en métal. Le dopant de ligne peut avoir été introduit par une implantation ionique, à une profondeur proche d'un centre désiré de la section de la ligne conductrice enterrée 53, suivie d'un recuit permettant une diffusion du dopant. Un exemple particulier est l'implantation d'arsenic à 500 KeV à une dose d'implantation de 2.1015 at/cm2 suivie par un recuit à 400°C pendant 5 heures. De manière alternative, le dopant de ligne 25 peut avoir été introduit par diffusion du dopant dans le matériau du substrat 51. Cela peut par exemple être obtenu en déposant un masque en résine sur le substrat 51. Puis le masque en résine subit une photolithographie de façon à présenter des ouvertures 30 là où l'on désire former des lignes conductrices enterrées. Le dopant est apporté en contact avec le substrat à travers les ouvertures présentes dans le masque en résine. Ensuite un recuit de diffusion est effectué de façon à faire diffuser le dopant dans le substrat 51 et former les lignes conductrices enterrées 53. Le dopant peut être apporté sous forme gazeuse ou sous forme solide. Si le dopant est présenté sous forme solide il peut s'agir d'une couche de matériau déposée par-dessus le masque en résine et dans les ouvertures. Un tel matériau est retiré suite au recuit de diffusion. REVENDICATIONS1. Dispositif comportant un substrat (41.0, 51) portant une matrice (20.4, 50, 60, 70, 80) de diodes, organisées en lignes (L) et en colonnes (C), et un contact substrat périphérique (45.0, 55) agencé Sur au moins un côté de la matrice (20.4, 50 60), caractérisé en ce que le substrat comporte une ou plusieurs lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) électriquement reliées au contact substrat périphérique et positionnées entre deux colonnes voisines de diodes (Di) et/ou entre deux lignes voisines de diodes (Di). 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le substrat (51) est en un matériau semiconducteur, tel que du Si ou du SiC, du SiGe ou un matériau à base de Hgi_xCd.Te ou est un substrat de type semiconducteur sur isolant (SOI). 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) sont composées du même matériau semiconducteur que le substrat (51) et comportent de plus un élément dopant, dit dopant de ligne, présent avec une densité comprise entre 1015 et 1020 at/cm3. 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) sont en matériau semiconducteur dégénéré. 5. Dispositif selon l'une des revendications 3 ou 4, dans lequel, le substrat (51) ayant un premier type de dopage et les diodes (Di) comportant dans le substrat (51), une deuxième zone dopée (52i) ayant un deuxième type de dopage, le dopant de ligne confère aux lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) un dopage selon le premier type de dopage avec une plus grande densité de dopage que dans le substrat (51). 6. Dispositif selon l' une des revendications 3 à 5, dans lequel le substrat (51) est en un matériau à base de Hgi,Cd'Te et le dopant de ligne est de l'arsenic ou du bore en fonction du type de dopage voulu dans la ligne conductrice enterrée (53, 63, 73, 83). 7. Dispositif selon l'une des revendications 3 à 6, dans lequel, le substrat (51) est en un matériau à base de Hgi,Cd.Te ayant, entre deux diodes voisines, une première composition en cadmium, et dans lequel les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) ont un dopage de type « p » et ont une deuxième composition en cadmium plus élevée que la première composition. 8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel la deuxième composition en cadmium dans les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) est 30 obtenue par autodiffusion du cadmium. 9. Dispositif selon l' une des revendications 1 ou 2 dans lequel les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) sont composée d'un ou plusieurs métaux utilisés en microélectronique. 10. Dispositif selon une des revendications 1 à 9, dans lequel les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) sont dans le substrat (51) et affleurent une surface principale du substrat (51) d'un côté où sont présentes les diodes (Di), ladite surface pouvant être une interface entre le substrat (51) et une couche diélectrique (59) recouvrant les diodes (Di) et le substrat (51). 11. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) sont enterrées dans le substrat (51) et du côté d'une surface principale du substrat (51) où sont présentes les diodes (Di), les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) étant séparées de cette surface principale par une épaisseur donnée de matériau du substrat, ladite surface pouvant être une interface entre le substrat (51) et une couche diélectrique (59) recouvrant les diodes (Di) et le substrat (51). 12. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 11, comportant une ligne conductrice enterrée (53, 63, 73, 83) entre deux colonnes voisines 30 de diodes et/ou deux lignes voisines de diodes au moins toutes les k colonnes (C) et/ou les m lignes (L) de lamatrice (50, 60, 70, 80), k et m valant trente, deux ou un. 13. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel il y a au moins une ligne conductrice enterrée (53, 63, 73, 83) entre deux colonnes (C) voisine et au moins une ligne conductrice enterrée (53, 63, 73, 83) entre deux lignes (L) voisines, les deux lignes conductrices enterrées se croisant en une intersection et formant un maillage de lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83). 14. Dispositif selon l' une des revendications 1 à 13, dans lequel chaque ligne conductrice enterrée (53, 63, 73, 83), présente entre deux lignes (L) voisines ou entre deux colonnes (C) voisines de longueurs données, a une longueur (X) supérieure ou égale aux longueurs desdites colonnes (C) ou desdites lignes (L). 15. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) ont, définies dans un plan contenant les diodes, une longueur (I) et une largeur (T), la largeur (T) étant perpendiculaire à la longueur (X) et comprise entre environ 0,5 pm et 5 pm. 16. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) ont une épaisseur (H), définie sensiblement suivant une normaleà un plan contenant les diodes (Di), comprise entre environ 0,5 pm et 2 pm. 17. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 16, dans lequel les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83) forment un maillage et dans lequel un ou plusieurs contacts substrats rapprochés (66) sont présents, en contact électrique avec au moins une ligne conductrice enterrée (53, 63, 73, 83) et reliés électriquement au contact substrat périphérique (45.0, 55) par des liaisons électriques autres que les lignes conductrices enterrées (53, 63, 73, 83), les contacts substrats rapprochés (66) pouvant être insérés entre deux lignes voisines et/ou colonnes voisines ou pouvant être en substitution d'une diode (Di).