FR 2985088 A1 20130628 FR 1162372 A 20111223 VIA TSV DOTE D'UNE STRUCTURE DE LIBERATION DE CONTRAINTES ET SON PROCEDE DE FABRICATION DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne le domaine de la microélectronique et/ou nano-électronique et des microsystèmes et/ou nano-systèmes, et en particulier 10 celui des structures d'interconnexions verticales communément appelées vias TSV (TSV pour « Through Silicon Via ») traversant un substrat semi-conducteur. Elle prévoit la mise en oeuvre d'un dispositif microélectronique et/ou nanoélectronique 15 doté d'une structure d'interconnexion verticale TSV de forme et d'agencement améliorés permettant de limiter les contraintes induites par les matériaux formant cette structure sur le reste du dispositif. ART ANTERIEUR 20 Lors de la réalisation de dispositifs électroniques comprenant une pluralité de substrats ou de puces empilé(e)s, on peut mettre en oeuvre des vias de type TSV traversant l'épaisseur d'un ou plusieurs de ces substrats ou de ces puces. 25 Les vias TSV permettent de réaliser une connexion entre un élément conducteur situé sur une face appelée « face avant » ou du côté de la face avant d'un substrat et un autre élément conducteur situé sur une autre face appelée « face arrière » ou du côté de la face arrière dudit substrat. Plusieurs familles de procédés de réalisation de via TSV existent suivant que les via 5 sont réalisés avant ou après ou en même temps que des composants électroniques à interconnecter. Dans un procédé de type communément appelé « via first », les vias TSV sont réalisés avant les composants électroniques sur le substrat, notamment 10 avant les transistors. Dans un procédé de type communément appelé « via middle », les vias TSV sont réalisés après la réalisation des composants, mais avant les connexions électriques de ces derniers. 15 Dans un procédé de type communément appelé « via last », les vias TSV sont réalisés après la fabrication des composants électroniques et de leurs connexions vers un dispositif extérieur. Les vias TSV sont formés par remplissage à 20 l'aide d'un matériau conducteur d'au moins un trou traversant un support semi-conducteur. Le matériau métallique qui remplit le trou a généralement un coefficient de dilation thermique très différent de celui du support semi-conducteur. 25 Lorsque le matériau de remplissage est du Cu, le coefficient de dilatation thermique peut être par exemple de l'ordre de 18 ppm/°C tandis que le coefficient de dilatation thermique d'un support à base de Si peut être de l'ordre par exemple de 2,6 ppm/°C. 30 En outre, dans le cas où les vias sont remplis ultérieurement au moyen d'un polymère de passivation permettant d'isoler le matériau métallique de celui du support, cet effet de dilation est également amplifié dans la mesure où les polymères de remplissage présentent des coefficients de dilatation encore plus élevés et compris par exemple entre 60 et 180 ppm/°C. Une importante différence de coefficients de dilation thermique peut entrainer d'importantes contraintes mécaniques au sein d'un dispositif microélectronique, ces contraintes pouvant entrainer notamment un délaminage ou délamination du matériau métallique ou une rupture de zones de reprises de contact réalisées en face avant et en face arrière d'un substrat. L'ordre de grandeur typique de contraintes à ne pas dépasser est généralement de l'ordre de 100MPa pour, une contrainte supérieure à 500 Mpa pouvant aboutir à une rupture. Dans le document: "Development and characterisation of high electrical performances TSV for 3D applications", D. Henry et al. EPTC Conference 2009, un procédé de réalisation d'une structure de via TSV formée d'un élément de connexion métallique tapissant les parois d'un trou traversant le substrat est divulgué. Dans ce procédé, le trou du via est réalisé à travers la face arrière du substrat et de manière à déboucher directement sur une zone métallique à connecter sans qu'une reprise de contact sur la face avant du substrat ne soit réalisée. Le document EP 0363256 B1 divulgue une structure de via TSV formée par gravure laser depuis la face arrière d'un substrat. Cette structure est formée d'un élément de 5 connexion métallique tapissant les parois d'un trou traversant le substrat. Lors de l'étape de gravure du substrat, sa face avant est protégée par l'intermédiaire d'une couche de protection de projections engendrées par la gravure. Cette couche de 10 protection peut être éventuellement conductrice et permettre en outre de réaliser une reprise de contact sur la face avant. Le document : "Enabling 3d-IC foundry technologies for 28 nm node and beyond: TSV integration 15 with high throughput die-to-wafer stacking" D. Y. chen et al. TSMC, IEDM09-353, divulgue un procédé de réalisation d'un via TSV par gravure de la face avant d'un substrat. Le document US 2010/0264548 divulgue, quant 20 à lui, un procédé de réalisation d'un via TSV en deux parties et dans lequel on forme une partie supérieure d'un élément de connexion par réalisation de trous de faible taille par la face avant d'un substrat et qui sont remplis ensuite à l'aide d'un matériau métallique, 25 puis on réalise un autre trou de taille plus importante par la face arrière et un dépôt de matériau métallique tapissant les parois de cet autre trou. Dans le procédé décrit dans ce document, la reprise de contact sur la face avant nécessite de 30 réaliser de nombreuses étapes. Il se pose le problème de trouver une nouvelle structure de via TSV dans laquelle les phénomènes de contraintes seraient réduits, ainsi qu'un nouveau procédé de réalisation d'une telle structure. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention concerne tout d'abord un procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion comprenant des étapes de : - formation d'un premier trou à travers une première face d'un support sur laquelle un ou plusieurs composants électroniques sont réalisés ou destinés à être réalisés, le premier trou traversant partiellement le support et ayant une dimension critique D1 et une hauteur H1, - réalisation d'une partie supérieure d'un élément de connexion conducteur par formation de matériau conducteur dans ledit premier trou de manière à recouvrir les parois et le fond dudit premier trou, une zone centrale du premier trou n'étant pas remplie par ledit matériau métallique, - formation d'au moins un deuxième trou à travers une deuxième face du support opposée à ladite première face, ledit deuxième trou étant réalisé dans le prolongement du premier trou et débouchant sur ladite partie supérieure dudit élément de connexion, ledit deuxième trou étant également réalisé de manière à avoir une dimension critique D2 Un tel procédé permet la réalisation d'un via dans lequel les contraintes sont limitées. Après la réalisation de la partie supérieure et préalablement à la formation dudit ou desdits deuxième(s) trou(s), le procédé peut comprendre en outre la formation d'une couche d'un matériau donné sur ladite deuxième face du support, prévue de sorte que ledit matériau donné a un module d'Young et un coefficient de dilatation thermique supérieurs, respectivement, au module d'Young et au coefficient de dilatation thermique du support. Une telle couche permet de limiter les contraintes. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, la dimension critique pl, la dimension 20 critique D2, la hauteur H2, peuvent être prévues de sorte que (D1-D2)/H2 > 4. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, préalablement à la formation de ladite partie supérieure dudit élément de connexion, on peut former 25 un matériau isolant de manière à tapisser le fond et les parois dudit premier trou. La formation dudit deuxième trou peut comprendre alors une gravure du support jusqu'au dit matériau isolant, le procédé comprenant en outre, préalablement à la formation de 30 ladite partie inférieure dudit élément de connexion : - la formation d'un matériau isolant de manière à tapisser les parois et le fond dudit deuxième trou, - la gravure au fond du deuxième trou 5 desdits matériaux isolants, de manière à prolonger ledit deuxième trou et dévoiler ladite partie supérieure dudit élément de connexion. Après la formation de ladite partie supérieure dudit élément de connexion conducteur et 10 préalablement à la formation dudit ou desdits deuxième trou(s), une étape consistant à amincir le support du côté de ladite deuxième face du support peut être prévue. Selon une possibilité de mise en oeuvre du 15 procédé, le deuxième trou peut avoir une hauteur H2 telle que H2 Le matériau donné peut être par exemple du SiN, ou de l'AIN ou du TiW. Selon une possibilité de mise en oeuvre de la structure, la zone centrale dudit premier trou et/ou deuxième trou peut être remplie d'un matériau isolant. Selon une possibilité de mise en oeuvre de la structure, le matériau isolant remplissant la zone centrale dudit premier trou et/ou deuxième trou peut avoir un coefficient de dilatation thermique plus faible que celui dudit matériau conducteur. Selon une possibilité de mise en oeuvre de 5 la structure, la dimension critique D1, la dimension critique D2, la hauteur H2, peuvent être prévues de sorte que (D1-D2)/H2 > 4. Selon une possibilité de mise en oeuvre de la structure, ledit ou lesdits deuxième(s) trou(s) peut 10 ou peuvent avoir une hauteur H2 telle que H2 Cette structure est de type TSV (TSV pour « Through silicon via ») et traverse un substrat 100 qui peut être semi-conducteur et, par exemple, à base de Si et avoir une épaisseur comprise, par exemple, entre 100 pm et 300 pm ou par exemple entre 10 pm et 100 pm. Cette structure est formée d'un élément de connexion métallique 110 qui peut être, par exemple, à base de cuivre et comprend une partie supérieure 112 réalisée dans un premier trou 104 traversant partiellement le substrat 100 et débouchant du côté d'une face du substrat appelée « face avant ». La face avant du substrat 100 est une face sur laquelle un ou plusieurs composants électroniques Ci tels que des transistors sont disposés (l'ensemble des composants Ci étant représenté de manière schématique par un cadre en trait discontinu sur la figure 1). La partie supérieure 112 de l'élément de 20 connexion 110 est formée d'une zone métallique 112a tapissant le fond et les parois du premier trou 104 et d'au moins une autre zone métallique 112b s'étendant sur la face avant du substrat 100 ou parallèlement à la face avant du substrat 100 et qui peut jouer le rôle 25 d'une zone de reprise de contact. Le premier trou 104 est également rempli en son centre d'une zone d'un matériau 111 dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui du matériau métallique de ladite partie 30 supérieure 112 de l'élément de connexion 110. Ce matériau 111 peut être isolant et, par exemple, un polymère tel que du Benzocyclobutène (BCB). L'élément de connexion métallique 110 comprend également une partie inférieure 142 réalisée dans au moins un deuxième trou 134 communicant avec le premier trou 104 et débouchant du côté de la face du substrat appelée « face arrière », et qui est opposée à la face avant. La partie inférieure 142 de l'élément de connexion 110 est formée d'une zone métallique 142a tapissant le fond et les parois du deuxième trou 134 et d'au moins une autre zone métallique 142b s'étendant sur la face arrière du substrat 100 ou parallèlement à la face arrière du substrat 100. Cette autre zone métallique 142b peut jouer le rôle d'une zone de reprise de contact. Le deuxième trou 134 est également rempli en son centre d'un matériau 141 dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui du matériau métallique de ladite partie inférieure 142 de l'élément de connexion 110. Ce matériau 141 peut être isolant et par exemple à base d'un polymère tel que par exemple du Benzocyclobutène (BCB). Les parois du premier trou 104 et du deuxième trou 134 sont recouvertes respectivement d'épaisseur e1 et e2 de matériau diélectrique afin de permettre d'isoler électriquement l'élément de connexion 140 du substrat 100. Le premier trou 104 et le deuxième trou 134 30 peuvent être verticaux. Le premier trou 104 dans lequel la partie supérieure de l'élément de connexion est formée a une dimension critique D1 (mesurée dans une direction parallèle au plan [0; ;ii] du repère orthogonal [0;/; j ; if] sur la figure 1) et une hauteur H1 ou profondeur H1 (mesurée dans une direction parallèle au vecteur j du repère orthogonal [0; ;j;k ] sur la figure 1). Par « dimension critique », on entend tout au long de la présente description la plus petite dimension d'un élément, ou d'un motif, ou d'une zone, hormis son épaisseur ou sa hauteur. Le deuxième trou 134 a une dimension critique D2 (mesurée dans une direction parallèle au plan [0; i ;k]) et une hauteur H2 ou une profondeur H2 (mesurée dans une direction parallèle au vecteur j). Afin de permettre de limiter les contraintes au sein de la structure d'interconnexion, le premier trou 104 et le deuxième trou 134 sont prévus de sorte que H2 Le premier trou 104 peut être réalisé de sorte que sa hauteur H1 est au moins dix fois supérieure à celle H2 du deuxième trou 134. Le premier trou 104 peut être réalisé de sorte que sa section est supérieure à celle du deuxième trou 134, et en particulier de sorte que la dimension critique D1 du premier trou 104 est 4 supérieure à celle D2 du deuxième trou 134. Ainsi, de par la dimension des trous 104 et 134, des zones de substrat 100 autour de la partie 30 inférieure 142 et sous la partie supérieure 112 de l'élément de connexion métallique 110, peuvent former des barreaux ou poutres 101 de rapport de forme, i.e. de longueur sur épaisseur, importante permettant un effet de ressort ou d'amortissement des contraintes au sein de la structure d'interconnexion. L'épaisseur ep des poutres 101 dépend notamment de la hauteur H2 de la partie inférieure 142 de l'élément de connexion et peut être de l'ordre de la différence entre H2 et l'épaisseur e1 de la couche isolante séparant l'élément de connexion 110 du substrat 100 au fond du premier trou 104. La longueur lp des poutres 101 sous la partie inférieure 142 de l'élément de connexion 140 dépend de la différence entre la dimension critique D1 du premier trou 104 et de la dimension critique D2 du deuxième trou 134. La longueur lp peut être de l'ordre de la différence (D1 + el) - (D2 + e2) entre la distance cumulée (D1 + el) de la dimension critique D1 et de l'épaisseur e1 de la couche isolante séparant la partie supérieure 112 de l'élément 110 de connexion du substrat 100 au fond du premier trou 104, et la distance cumulée (D2 + e2) de la dimension critique D2 et l'épaisseur e2 de la couche isolante séparant la partie inférieure 142 de l'élément 110 de connexion du substrat 100 au niveau des parois du deuxième trou 134. Dans un cas par exemple où e1 ',-- e2, pour permettre une limitation importante des contraintes, le rapport (D1-D2)/H2 peut être prévu par exemple d'au moins 4. L'agencement de l'élément de connexion sous forme de zones tapissant les parois du premier trou 104 et du deuxième trou 134 permet de conférer à la structure une bonne résistance mécanique et contribue également à une limitation des contraintes dans la structure d'interconnexion. Le premier trou 104 peut être également réalisé de sorte qu'il comporte un fond doté de bords arrondis 104a. Cela peut contribuer également à une réduction des contraintes dans la structure d'interconnexion. Sur les figures 2A-2B, un exemple d'agencement sous la partie supérieure 142 d'un élément de connexion métallique 110 d'une structure d'interconnexion selon une vue de dessous (figure 2A) et selon une coupe longitudinale A'A (indiquée sur la figure 2B). La partie supérieure 112 de l'élément de connexion 110 est soutenue par des zones du substrat 100 formant des poutres 101 sous les bords arrondis du premier trou 104, ces poutres 101 ayant un rapport de forme prévu de manière à permettre de libérer les contraintes induites par le matériau métallique. Sur les figures 3A-3H, différents exemples de mise en oeuvre de la partie inférieure 142 de l'élément métallique de connexion d'une structure 25 d'interconnexion de type TSV sont donnés. Dans l'exemple des figures 3A et 3C, la partie inférieure de l'élément de connexion comprend plusieurs zones métalliques 242a, 242c formées respectivement dans des trous 234a, 234c de la forme 30 d'un cylindre de révolution dont les parois sont recouvertes de matériau isolant et dont le centre est également rempli de matériau isolant. Dans les exemples des figures 3B et 3H, les trous 234b, 234h dans lesquels des zones métalliques 242a, 242h formant la partie inférieure de l'élément de connexion ont une forme de parallélépipède rectangle. Selon d'autres exemples illustrés sur les figures 3D et 3G, la partie inférieure de l'élément de connexion métallique comprend plusieurs zones métalliques 242d, 242g disjointes disposées dans des trous 234d, 234g verticaux traversant partiellement un substrat et dotés de parois courbes, les trous étant disposés les uns par rapport aux autres de sorte que leurs sections transversales reproduisent une forme d'anneau ou de plusieurs anneaux concentriques. Selon un autre exemple de réalisation illustré sur la figure 3E, la partie inférieure de l'élément de connexion métallique comprend une zone métallique 242e disposée dans un trou 234e dont la section transversale forme un contour en dents de scie. Selon un autre exemple de réalisation illustré sur la figure 3F, la partie inférieure de l'élément de connexion métallique comprend une zone métallique 242f disposée dans un trou 234f ayant une section transversale en forme de peigne. Un exemple de procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion TSV suivant l'invention, va à présent être donné en liaison avec les figures 4A-4P. Dans cet exemple, le matériau de départ 30 peut être un substrat 100 semi-conducteur, par exemple à base de Si et d'épaisseur par exemple comprise entre 100 pm et 300 pm, recouvert sur une de ses faces appelée « face avant » d'une couche isolante 101 qui peut être par exemple à base de SiO2 et d'épaisseur par exemple de l'ordre de 500 nm. Sur la face avant du substrat 100, un ou plusieurs composants électroniques tels que des transistors peuvent être déjà réalisés. On forme tout d'abord un premier trou 104 dans une partie de l'épaisseur du substrat 100. Le 10 premier trou 104 peut être vertical (la direction verticale étant une direction parallèle au vecteur j du repère orthogonal [0; ;j;k ] sur la figure 4A) et avoir une profondeur H1 (mesurée dans une direction parallèle au vecteur j) comprise par exemple entre 100 15 pm et 300 pm et un diamètre ou une dimension critique D1 (la dimension critique ou le diamètre étant mesuré(e) dans une direction parallèle au plan [0; ;ii] du repère orthogonal [0; ;j;k]) comprise par exemple entre 30 pm et 100 pm. 20 Par « dimension critique » d'un élément ou d'un motif ou d'une zone, on entend tout au long de la présente description la plus petite dimension de cet élément, ou de ce motif, ou de cette zone, hormis son épaisseur ou sa hauteur ou sa profondeur (mesurée dans 25 une direction parallèle au vecteur j du repère orthogonal [0; i ;j;k ] sur la figure 4A). On peut ensuite former sur les parois et le fond du premier trou 104 une deuxième couche isolante 105 dans la continuité de la première couche isolante 30 101. Cela peut être réalisé par exemple par oxydation thermique du matériau semi-conducteur du substrat 100 ou par dépôt, par exemple par dépôt de type SACVD (« Sub-Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition ») ou par dépôt LPCVD (« Low Pressure Chemical Vapor Deposition). La deuxième couche isolante 105 peut être prévue, par exemple, avec une épaisseur e1 sensiblement égale à celle de la couche isolante 101 recouvrant la face avant du substrat 100 et par exemple comprise entre 10 nm et 10 }gym. Puis (figure 4B), une couche 107 dite « de croissance » est déposée sur la face avant du substrat 100 de manière à recouvrir la couche isolante 101 ainsi qu'à tapisser les parois et le fond du premier trou 104. Cette couche de croissance 107 peut être formée d'un bi-couches, comprenant par exemple une sous-couche à base de Ti et une sous-couche de Cu déposées par exemple par PVD (« Physical Vapor Deposition »). Selon une autre possibilité, le bi-couches peut être formé par exemple à base de TiN et de Cu et être déposé par exemple par CVD (« Chemical Vapor Deposition »). La couche de croissance 107 est prévue pour favoriser la croissance d'un matériau métallique tel que par exemple du Cu sur les parois et au fond du trou 104. Ainsi, on forme ensuite une couche de matériau métallique 109 de manière effectuer un remplissage partiel du premier trou 104. Ce remplissage est réalisé de manière à tapisser le fond et les parois du premier trou 104, et peut être réalisé de manière à recouvrir des zones de la face avant du substrat 100 situées à proximité de l'embouchure du premier trou 104. Le remplissage partiel du premier trou 104 est effectué de sorte qu'une zone située au centre du premier trou 104 n'est pas remplie de matériau métallique. Le matériau métallique peut être par exemple du Cu et peut être formé par un procédé ECD, (ECD pour « Electrochemical Deposition »). L'épaisseur de la couche de matériau métallique 109 réalisée peut être par exemple de l'ordre de 10 pm. On forme ainsi une partie supérieure 112 d'un élément de connexion 110 vertical ou via dans le premier trou 104. Ensuite, on effectue un retrait de la couche de croissance 107 dans des zones situées sur la face avant du substrat 100 et autour de la partie supérieure 112 de l'élément de connexion 110 vertical. Cela peut être réalisé en effectuant par exemple une gravure chimique humide à l'aide de H2SO4 ou de HF (figure 4C). Puis, on forme une couche 111 à base d'un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui des matériaux 107 et 109, de manière à remplir la zone centrale du trou 104 et recouvrir la face avant du substrat 100. Cette couche 111 peut être isolante. Cette couche isolante 111 peut être, par exemple, à base de polymère et réalisée de manière à recouvrir la couche métallique 109 et remplir le trou 104. Le matériau polymère de la couche isolante 111 peut être par exemple du Benzocylcobutène (BCB). L'épaisseur isolante 111 peut être par exemple comprise entre 10 pm et 30 pm (figure 4D). On réalise ensuite une ouverture 113 dans la couche isolante 111 dévoilant une zone de la couche métallique 109 reposant sur la face avant du substrat 100 (figure 4E). Puis, on forme dans cette ouverture 113 un plot de connexion métallique 116 par exemple à base de Cu ou formé d'un empilement de couches métalliques recouvert d'une couche de Cu. Le plot de connexion 116 peut avoir une hauteur (mesurée dans une direction parallèle au vecteur J du repère orthogonal [0; ;J;ii] donné sur la figure 4F) comprise par exemple entre 10 pm et 30 pm. Ensuite, on forme une couche poignée 121 sur la face avant du substrat 100. Cette couche poignée 121 peut être par exemple à base de verre ou de silicium et assemblée au substrat 100 par l'intermédiaire d'une couche 119 de collage par exemple à base d'un polymère, qui peut être un matériau thermoplastique ayant des propriétés adhésives. La couche 119 de collage peut avoir une épaisseur comprise par exemple entre 100 pm et 1000 pm (figure 4G). On peut ensuite réaliser un amincissement du substrat 100, par retrait d'une portion du substrat 100 située du côté de la face appelée « face arrière » et qui est opposée à la face avant. On diminue ainsi la distance d entre le fond du premier trou 104 et la face arrière du substrat 100. L'épaisseur du substrat 100 que l'on retire peut être par exemple comprise entre 100 pm et 1000 pm. L'amincissement peut être réalisé de sorte que la distance d (mesurée dans une direction parallèle au vecteur J du repère orthogonal [0;i; j ; donné sur la figure 4H) séparant le fond du premier trou 104 et la face arrière du substrat 100 est inférieure à 20 pm ou inférieure ou égale à 10 pm. La face arrière du substrat 100 peut être ensuite recouverte d'une couche isolante 131 qui peut être par exemple à base de SiO2 et réalisée par dépôt ou par oxydation. On forme ensuite un deuxième trou 134 dans une partie de l'épaisseur du substrat 100 en regard et du premier trou 104. Ce deuxième trou 134 peut être réalisé de manière à déboucher sur la couche isolante 105 tapissant le fond du premier trou 104. Le deuxième trou 134 peut être réalisé par exemple par gravure à l'aide de KOH (figure 41). Le deuxième trou 134 a une hauteur H2 et une section transversale plus faible que celle du premier trou 104. Le deuxième trou 134 peut être prévu avec une profondeur H2 (mesurée dans une direction parallèle au vecteur j du repère orthogonal [0;i;J;ii]) inférieure à 20 pm ou de préférence inférieure ou égale à 10 pm. Le deuxième trou 134 est ainsi réalisé avec une hauteur H2 plus faibles que celles du premier trou 104, et avec un diamètre ou une dimension critique D2 (la dimension critique ou le diamètre étant mesuré(e) dans une direction parallèle au plan [0;1;k] du repère orthogonal [0; ;J;k ] sur la figure 41) comprise par exemple entre 1 pm et 50 pm et plus faible que la dimension critique D1 du premier trou 104. On peut ensuite former sur les parois et le fond du deuxième trou 134 une autre couche isolante 135 dans la continuité de la couche isolante 131. Cela peut être réalisé par exemple par oxydation thermique du matériau semi-conducteur du substrat 100, en particulier lorsque la couche isolante 135 est à base de SiO2. Selon une autre possibilité (figure 4J), la couche isolante 135 peut être à base de polymère tel que par exemple du BCB. Cette autre couche isolante 135 peut avoir une épaisseur e2 comprise par exemple entre 10 nm et 10 pm. Puis, on effectue un retrait de la couche isolante 135 au fond du deuxième trou 134 ainsi que de la portion de la couche isolante 105 tapissant le fond du premier trou 104. Ce retrait peut être effectué par exemple à l'aide d'une gravure sèche de type RIE («Reactive Ion Etching ») par exemple à base de CHF3-02. On dévoile ainsi une zone métallique de la partie supérieure 112 de l'élément de connexion métallique (figure 4K). On peut ensuite former une autre couche 137 « de croissance » métallique sur la face arrière du substrat 100 de manière à recouvrir la couche isolante 131 ainsi qu'à tapisser les parois du deuxième trou 134. Cette autre couche de croissance 137 peut être également réalisée au fond du deuxième trou 134. La couche de croissance 137 peut être formée d'un bi- couches par exemple à base de Ti et de Cu ou à base de TiN et de Cu (figure 4L). Ensuite, on forme une couche de matériau métallique 139 de manière effectuer un remplissage partiel du deuxième trou 134 et à tapisser le fond et 30 les parois de ce dernier, et éventuellement recouvrir des zones de la face arrière du substrat 100 situées à proximité de l'embouchure du deuxième trou 134. Le remplissage partiel du deuxième trou 134 est ainsi effectué de sorte qu'une zone située au centre du deuxième trou 134 n'est pas remplie de matériau métallique (figure 4M). Le matériau métallique 139 de remplissage peut être par exemple du Cu. On réalise ainsi la partie inférieure 142 de l'élément de connexion vertical. Puis, la zone centrale du deuxième trou 134 est également remplie de manière à combler ce dernier avec un matériau 141 dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui du matériau ou des matériaux métalliques tapissant les parois du deuxième trou 134. Le matériau 141 peut être isolant afin de réaliser une couche de passivation sur la face arrière du substrat 100. Le matériau 141 isolant peut être, par exemple, un matériau polymère tel que du BCB. L'épaisseur de la couche de passivation peut être par exemple comprise entre 0.5 pm et 20 pm. On réalise ensuite une ouverture 143 dans la couche de passivation 141 dévoilant une zone 142b de la partie inférieure 142 de l'élément de connexion vertical reposant sur la face arrière du substrat 100 (figure 4N). Puis, on forme dans cette ouverture 143, un plot de connexion métallique 146 par exemple à base de Cu ou formé d'un empilement de couches métalliques recouvert d'une couche de Cu (figure 40). On retire ensuite la couche poignée 121, par exemple en effectuant un retrait par cisaillement (figure 4P). Une variante du procédé de réalisation 5 d'une structure d'interconnexion tel que décrit précédemment en liaison avec les figures 4A-4P est donnée sur les figures 5A-5C. Pour cette variante, après l'étape d'amincissement décrite en liaison avec la figure 4H, 10 on recouvre ensuite la face arrière du substrat 100 d'une couche 231 qui peut être à base d'un matériau présentant un coefficient de dilatation thermique (CTE) élevé, par exemple supérieur à 20 ppm/°C et un module d'Young élevé et par exemple supérieur à 150 GPa. La 15 couche 231 peut être en particulier choisie à base d'un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique et un module d'Young supérieurs à celle du matériau du substrat 100 sur lequel cette couche 231 est déposée. La couche 231 peut être, par exemple, à 20 base de SiN, ou d'AIN, ou de TiW, et avoir une épaisseur comprise, par exemple, entre 1 pm et 20 pm, de préférence de l'ordre de 2 pm ou 3 pm. On forme ensuite le deuxième trou 134 dans une partie de l'épaisseur du substrat 100 en regard et 25 du premier trou 104. Ce deuxième trou 134 peut être réalisé de manière à déboucher sur la couche isolante 105 tapissant le fond du premier trou 104 (figure 5A). On peut ensuite former sur les parois et le fond du deuxième trou 134 une couche isolante 135, par 30 exemple à base de polymère tel que par exemple du BCB (figure 5B). On réalise ensuite des étapes semblables à celles décrites précédemment en liaison avec les figures 4K à 4M, consistant à retirer la couche isolante 135 du fond du deuxième trou 134 et la couche isolante 105 au fond du premier trou 104 de manière à dévoiler la couche métallique 107 au fond du premier trou 104, puis former la couche de matériau métallique 139, le matériau isolant 141, et le plot de connexion 146.10 REVENDICATIONS1. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion comprenant des étapes de : - formation d'un premier trou (104) à travers une première face d'un support (100) sur laquelle un ou plusieurs composants électroniques sont réalisés ou destinés à être réalisés, le premier trou (104) traversant partiellement le support et ayant une dimension critique D1 et une hauteur H1, - réalisation d'une partie supérieure (112) d'un élément de connexion conducteur (110) par formation de matériau conducteur (107-109) dans ledit premier trou de manière à recouvrir les parois et le fond dudit premier trou, une zone centrale du premier trou n'étant pas remplie par ledit matériau métallique, - formation d'un ou plusieurs deuxième(s) trou(s) (134) à travers une deuxième face du support (100) opposée à ladite première face, le ou les deuxième trou(s) étant réalisés dans le prolongement du premier trou et débouchant sur ladite partie supérieure (112) dudit élément de connexion, le ou les deuxième(s) trou(s) étant également réalisés de manière à avoir une dimension critique D2 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'elle comporte en outre, après la réalisation d'une partie supérieure et préalablement à la formation dudit ou desdits deuxième(s) trou(s) (134), la formation d'une couche d'un matériau donné (231) sur ladite deuxième face du support, ledit matériau donné ayant un module d'Young et un coefficient de dilatation thermique supérieurs respectivement au module d'Young et au coefficient de dilatation thermique du support. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, la dimension critique D1, la dimension critique D2, la hauteur H2, étant prévues de sorte que (D1-D2)/H2 > 4. 15 4. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel préalablement à la formation de ladite partie supérieure (112) dudit élément de connexion 20 (110), on forme un matériau isolant (105) de manière à tapisser le fond et les parois dudit premier trou (104), et dans lequel la formation du deuxième trou (134) comprend une gravure du support (100) jusqu'au dit matériau isolant (105), 25 le procédé comprenant en outre, préalablement à la formation de ladite partie inférieure (142) dudit élément de connexion : - la formation d'un matériau isolant (135) de manière à tapisser les parois et le fond dudit 30 deuxième trou (134),- la gravure au fond du ou des deuxième(s) trou(s) (134) desdits matériaux isolants (135), de manière à prolonger ledit ou lesdits deuxième(s) trou(s) (134) et dévoiler ladite partie supérieure (112) dudit élément de connexion. 5. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant en outre, après ladite formation de ladite partie supérieure (112) dudit élément de connexion conducteur (110) et préalablement à la formation dudit ou desdits deuxième trou(s), une étape consistant à amincir le support (100) du côté de ladite deuxième face du support. 6. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon l'une des revendications 1 à 5, ledit ou lesdits deuxième(s) trou(s) ayant une hauteur H2 telle que H2 7. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon l'une des revendications 1 à 6, ledit ou lesdits deuxième(s) trou(s) ayant un diamètre D2 tel que D2 0.5 x D1. 8. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel après réalisation de ladite partie supérieure (112) dudit élément de connexion conducteur ladite zone centrale dudit premier trou (104) est remplie d'un matériau isolant. 9. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon la revendication 8, ledit matériau isolant de remplissage de ladite zone centrale du ou des premier(s) trou(s) (104) ayant un coefficient de dilatation thermique plus faible que celui dudit matériau conducteur recouvrant les parois et le fond du ou des premier(s) trou(s) (104). 10. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel après réalisation de ladite partie inférieure (142) dudit élément de connexion conducteur ladite zone centrale dudit ou desdits deuxième trou(s) est remplie d'un matériau isolant. 11. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon la revendication 10, ledit matériau isolant de remplissage de ladite zone centrale du ou des deuxième(s) trou(s) (134) ayant un coefficient de dilatation thermique plus faible que celui dudit matériau conducteur recouvrant les parois et le fond du ou des deuxième(s) trou(s) (134). 12. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel ladite réalisation de ladite partie supérieure (112) dudit élément de connexion conducteur (110) comprend la formation d'une zone conductrice s'étendant sur, ou parallèlement à, la première face du 30 support. 13. Procédé de réalisation d'une structure d'interconnexion selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel ladite réalisation de ladite partie inférieure (142) dudit élément de connexion conducteur (110) comprend la formation d'une zone dudit matériau conducteur s'étendant sur, ou parallèlement à, la deuxième face du support. 14. structure d'interconnexion comprenant : un élément de connexion conducteur (110) doté : - d'une partie supérieure (112) débouchant sur une première face d'un support (100) sur laquelle un ou plusieurs composants électroniques sont réalisés ou destinés à être réalisés, la partie supérieure (112) étant réalisé dans un premier trou (104) traversant partiellement ledit support et ayant une dimension critique D1 et une hauteur H1, ladite partie supérieure (112) étant formée de matériau conducteur (107-109) recouvrant les parois et le fond d'un premier trou, une zone centrale du premier trou n'étant pas remplie par ledit matériau conducteur, - d'une partie inférieure (142) connectée à ladite partie supérieure et débouchant sur une deuxième face du support (100) opposée à la première face, la partie inférieure (112) étant réalisée dans un ou plusieurs deuxième(s) trou (134) communicant avec le premier trou et traversant partiellement ledit support (100), le ou les deuxièmes trou(s) ayant une dimension critique D2 15. structure d'interconnexion selon la revendication 14, une couche d'un matériau donné (231) reposant sur ladite deuxième face du support, ledit matériau donné ayant un module d'Young et un coefficient de dilatation thermique supérieurs, respectivement, au module d'Young, et au coefficient de dilatation thermique du support. 16. Structure d'interconnexion selon la revendication 14 ou 15, la zone centrale dudit premier 15 trou et/ou deuxième trou étant remplie d'un matériau isolant. 17. Structure d'interconnexion selon la revendication 16, le matériau isolant remplissant la 20 zone centrale dudit premier trou et/ou deuxième trou ayant un coefficient de dilatation thermique plus faible que celui du matériau conducteur recouvrant les parois du premier et du deuxième trou. 25 18. Structure d'interconnexion selon l'une des revendications 15 à 17, la dimension critique D1, la dimension critique D2, la hauteur H2f étant prévues que (D1-D2)/H2 > 4. 30 19. Structure d'interconnexion selon l'une des revendications 15 à 18, ledit ou lesdits deuxième(s) trou(s) ayant une hauteur H2 telle que H2 20. Structure d'interconnexion selon l'une des revendications 15 à 19, ledit ou lesdits deuxième(s) trou(s) ayant un diamètre D2 tel que D2 0.5*Di 21. Structure selon l'une des revendications 15 à 20, dans laquelle ladite partie supérieure (112) dudit élément de connexion métallique (110) comprend une zone conductrice s'étendant sur ou 15 parallèlement à la première face du support, ladite partie inférieure (142) dudit élément de connexion conducteur (110) comprenant une zone conductrice s'étendant sur ou parallèlement à la deuxième face du substrat. 20