FR 2981871 A1 20130503 FR 1260263 A 20121026 PROCEDE DE POLISSAGE D'UN SUBSTRAT La présente invention concerne le domaine du polissage mécano-chimique. La présente invention concerne en particulier un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat présentant une surcharge de polysilicium déposée sur du dioxyde de silicium en utilisant de multiples dilutions d'un concentré de composition de polissage mécano-chimique pour polir le substrat, dans lequel une première dilution du concentré utilisé pour polir le substrat est ajustée pour présenter une première vitesse de retrait du polysilicium et une première sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium ; et dans lequel une seconde dilution du concentré utilisé pour polir le substrat est ajustée pour présenter une seconde vitesse de retrait du polysilicium et une seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium. Dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposés sur ou retirés d'une surface d'une galette semi-conductrice. De minces couches de matériaux 20 conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques peuvent être déposées par de nombreuses techniques de dépôt. Les techniques de dépôt classiques dans un traitement moderne comprennent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), également connu comme pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur 25 assisté par plasma (PECVD), et le placage électrochimique (ECP). Lorsque des couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface supérieure de la galette devient non-plane. Comme le traitement subséquent du semi-conducteur (par exemple la métallisation) exige que la galette présente une surface plane, la galette 30 doit être planarisée. La planarisation est utile pour éliminer une topographie de surface et des défauts de surface non souhaités, tels que des surfaces rugueuses, des matériaux agglomérés, une détérioration de réseau cristallin, des égratignures, et des couches ou des matériaux pollués. 35 La planarisation mécano-chimique, ou polissage mécano- chimique (CMP) est une technique classique utilisée pour planariser des substrats, tels que des galettes semi-conductrices. Dans un CMP classique, une galette est fixée sur un assemblage de support et est positionnée en contact avec un feutre de polissage dans un appareil CMP. L'assemblage de support fournit à la galette une pression pouvant être contrôlée, la 5 comprimant contre le feutre de polissage. Le feutre est déplacé (par exemple mis en rotation) par rapport à la galette par une force de commande externe. Une composition de polissage ("suspension") ou une autre solution de polissage est simultanément fournie entre la galette et le feutre de polissage. La surface de galette est ainsi polie et rendue plane 10 par l'action chimique et mécanique de la surface du feutre et de la suspension. Certaines conceptions récentes de dispositifs exigent des compositions de polissage qui fournissent une sélectivité pour le polysilicium de préférence au dioxyde de silicium (c'est-à-dire une vitesse 15 de retrait pour le polysilicium supérieure à la vitesse de retrait pour le dioxyde de silicium) pour une utilisation dans des procédés de planarisation mécano-chimiques. De telles conceptions de dispositifs comprennent par exemple des dispositifs perfectionnés de mémoire flash NAND cellulaire multi-niveaux intégrée sous-65 nm, dans lesquels des 20 couches de polysilicium sont déposées sur des régions actives de la surface de galettes fonctionnant comme une barrière flottante. Certaines conceptions récentes exigent plus particulièrement un procédé de polissage en deux étapes, dans lequel la première étape implique le retrait d'une surcharge de polysilicium jusqu'à un arrêt sur les caractéristiques du 25 dioxyde de silicium et dans lequel la seconde étape est une étape de polissage au disque toile dans laquelle les régions de barrière flottante de polysilicium et les régions de caractéristiques de dioxyde de silicium sur la surface de la galette sont planarisées. Les formulations classiques ne fournissent pas un arrêt efficace 30 sur le film d'oxyde puisqu'elles offrent une faible sélectivité de retrait du polysilicium par rapport à l'oxyde. Une telle formulation de polissage est décrite dans la publication de la demande de brevet U.S. n° 2007/0077865 au nom de Dysard, et al. Dysard, et al. décrivent un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat, lequel procédé comprend les étapes 35 consistant : (i) à mettre un substrat comprenant du polysilicium et un matériau choisi parmi de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium en contact avec un système de polissage mécano-chimique comprenant : (a) un abrasif, (b) un support liquide, (c) d'environ 1 ppm à environ 100 ppm, rapporté à la masse du support liquide et des constituants dissous ou mis en suspension dans celui-ci, d'un copolymère de poly(oxyde d'éthylène)/ poly(oxyde de propylène) présentant une valeur HLB d'environ 15 ou inférieure, et (d) un feutre de polissage, (ii) à déplacer le feutre de polissage par rapport au substrat, et (iii) à abraser au moins une partie du substrat pour polir le substrat. Une autre telle formulation de polissage est décrite dans le brevet U.S. n° 6 626 968 au nom de Park et al. Park, et al. décrivent une composition de polissage mécano-chimique dans une forme de suspension présentant un pH de 7 à 11 pour polir simultanément une surface présentant une couche d'oxyde de silicium et une couche de polysilicium, ladite composition de suspension étant essentiellement constituée d'eau, de grains abrasifs choisis dans le groupe constitué de silice (SiO2), d'alumine (A1203), d'oxyde de cérium (Ce02), d'oxyde de manganèse (Mn203), et de mélanges de ceux-ci, et d'environ 0,001 % à environ 5 % en masse d'un additif de polymère choisi dans le groupe constitué de polyvinylméthyléther (PVME), de polyéthylèneglycol (PEG), de lauryléther de 20 polyoxyéthylène 23 (POLE), de poly(acide propanoïque) (PPA), de poly(acide acrylique) (PAA), de biséther de polyétherglycol (PEGBE), et de mélanges de ceux-ci, dans laquelle l'additif de polymère améliore le rapport de sélectivité pour le retrait de la couche d'oxyde de silicium par rapport au retrait de la couche de polysilicium. 25 Il existe par conséquent, pour supporter le domaine dynamique des conceptions de dispositifs destinés à une utilisation dans la fabrication de systèmes semi-conducteurs, un besoin continu d'une composition de polissage mécano-chimique formulée pour fournir un équilibre avantageux des propriétés de polissage s'adaptant aux besoins des conceptions 30 changeantes. Il existe par exemple un besoin de compositions de polissage mécano-chimique qui présentent une sélectivité élevée de la vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium pour faciliter un arrêt efficace sur les caractéristiques du dioxyde de silicium. La présente invention fournit un procédé pour un polissage 35 mécano-chimique d'un substrat comprenant les étapes suivantes : la fourniture d'un substrat, dans lequel le substrat comprend une surcharge de polysilicium déposée sur du dioxyde de silicium ; la fourniture d'un concentré de composition de polissage mécano-chimique, dans lequel le concentré de composition de polissage mécano-chimique est essentiellement constitué : d'eau, de 0,1 à 25 % en masse d'un abrasif de silice colloïdale présentant une taille moyenne de particule 4,2 à 11, dans lequel la première formulation de polissage est ajustée pour présenter une première vitesse de retrait de polysilicium > 2 000 Â/min et une première sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 20 : 1 à 600 : 1 ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; la création d'un contact dynamique à une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; la distribution de la première formulation de polissage sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; le retrait de la surcharge de polysilicium du substrat ; l'ajout du second diluant à une seconde partie de la composition de polissage mécano-chimique pour former une seconde formulation de polissage, dans lequel la seconde formulation de polissage présente un pH de 2 à 4,2, dans lequel la seconde formulation de polissage est ajustée pour présenter une seconde vitesse de retrait de polysilicium > 1 500 Â/min et une seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 1:2 à 10:1 ; la distribution de la seconde formulation de polissage sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de R4 N R' N± R. l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; et, le retrait d'au moins une certaine partie du polysilicium et d'au moins une certaine partie du dioxyde de silicium du substrat. La présente invention fournit un procédé de polissage mécano- chimique d'un substrat, comprenant les étapes suivantes : la fourniture d'un substrat, dans lequel le substrat comprend une surcharge de polysilicium déposée sur du dioxyde de silicium ; la fourniture d'un concentré de composition de polissage mécano-chimique, dans lequel le concentré de composition de polissage mécano-chimique est essentiellement constitué : d'eau, de 0,1 à 25 % en masse d'un abrasif de silice colloïdale présentant une taille moyenne de particule 5 100 nm ; de 0,01 à 1 % en masse d'un cation diquaternaire selon la formule (I) : dans laquelle Ri- est un groupe alkyle en C2-C6 ; et dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun indépendamment choisis parmi un groupe alkyle en C2-C6 ; la fourniture d'un premier diluant ; la fourniture d'un second diluant ; à ajouter le premier diluant à une première partie du concentré de composition de polissage mécano-chimique pour former une première formulation de polissage, dans lequel la première formulation de polissage présente un pH > 4,2 à 11, dans lequel la première formulation de polissage est ajustée pour présenter une première vitesse de retrait de polysilicium > 2 000 Â/min et une première sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 20 : 1 à 600 : 1 ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; la création d'un contact dynamique à une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; la distribution de la première formulation de polissage sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; le retrait de la surcharge de polysilicium du substrat ; l'ajout du second diluant à une seconde partie du concentré de composition de polissage (I) mécano-chimique pour former une seconde formulation de polissage, dans lequel la seconde formulation de polissage présente un pH de 2 à 4,2, dans lequel la seconde formulation de polissage est ajustée pour présenter une seconde vitesse de retrait du polysilicium > 1 500 Â/min et une seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 1 : 2 à 10 : 1 ; la distribution de la seconde formulation de polissage sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; et, le retrait d'au moins une certaine partie du polysilicium et d'au moins une certaine partie du dioxyde de silicium du substrat ; dans lequel la première vitesse de retrait du polysilicium, la première sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium, la seconde vitesse de retrait du polysilicium et la seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium sont toutes présentées avec une vitesse de plateau de 93 tours par minute, une vitesse de support de 87 tours par minute, un débit de la composition de polissage mécano-chimique de 200 ml/min, et une force descendante nominale de 20,7 kPa sur une machine de polissage de 200 mm dans laquelle le feutre de polissage mécano-chimique comprend une couche de polissage de polyuréthane contenant des microparticules polymères à noyau creux et un sous-feutre non tissé imprégné de polyuréthane. DESCRIPTION DETAILLEE Le concentré de polissage mécano-chimique utilisé dans le procédé de la présente invention peut être dilué pour fournir une première dilution du concentré qui est ajustée pour fournir une vitesse de retrait élevée du polysilicium et une sélectivité élevée de la vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium pour une utilisation dans la première étape de polissage dans la formation d'une caractéristique de barrière de polysilicium flottant ; et peut ensuite être dilué pour fournir une seconde dilution du concentré qui est ajustée pour fournir une seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium pour une utilisation dans la seconde étape de polissage destinée à la formation d'une caractéristique de barrière de polysilicium flottant où une suspension non sélective est avantageuse. Le substrat utilisable dans le procédé de polissage mécano-chimique de la présente invention comprend un substrat semi-conducteur présentant du polysilicium déposé sur de l'oxyde de silicium. L'eau contenue dans le concentré de composition de polissage mécano-chimique utilisé dans le procédé de la présente invention est de préférence au moins une parmi une eau désionisée et une eau distillée pour limiter les impuretés incidentes. L'abrasif de silice colloïdale dans le concentré de composition de polissage mécano-chimique utilisé dans le procédé de la présente invention présente une taille moyenne de particule Le concentré de composition de polissage mécano-chimique utilisé dans le procédé de polissage mécano-chimique de la présente invention est de préférence éventuellement exempt d'agent inhibiteur de corrosion. Le terme "exempt d'agent inhibiteur de corrosion" comme utilisé ici et dans les revendications annexées indique que le concentré de 15 composition de polissage mécano-chimique ne contient pas de benzotriazole ; de 1,2,3-benzotriazole ; de 5,6-diméthyl-1,2,3-benzotriazole ; de 1-(1,2-dicarboxyéthyDbenzotriazole ; de 1-[N,N-bis(hydroxyéthyDaminométhyl]benzotriazole ; ou de 1-(hydroxyméthyl)benzotriazole. Le concentré de composition de polissage mécano-chimique 20 utilisé dans le procédé de polissage mécano-chimique de la présente invention est de préférence exempt d'oxydant. Le terme "exempt d'oxydant" comme utilisé ici et dans les revendications annexées indique que le concentré de composition de polissage mécano-chimique ne contient pas d'oxydants, tel que le peroxyde d'hydrogène, des sels de 25 persulfate (par exemple le monopersulfate d'ammonium et le dipersulfate de potassium) et des sels de périodate (par exemple le périodate de potassium). Le premier diluant utilisé dans le procédé de la présente invention comprend de préférence au moins une parmi l'eau désionisée et 30 l'eau distillée. Le premier diluant comprend de préférence un agent d'ajustement du pH (où l'agent d'ajustement du pH est de préférence choisi parmi l'hydroxyde d'ammonium et l'hydroxyde de potassium ; encore mieux l'hydroxyde de potassium) et au moins une parmi l'eau désionisée et l'eau distillée. Le premier diluant est encore mieux choisi 35 parmi l'eau désionisée et l'eau distillée. Le premier diluant est bien mieux encore l'eau désionisée. Le second diluant utilisé dans le procédé de la présente invention comprend de préférence au moins une parmi l'eau désionisée et l'eau distillée. Le second diluant comprend de plus éventuellement un agent d'ajustement du pH. Le second diluant est de préférence choisi parmi l'eau désionisée ou l'eau distillée. Le second diluant est bien mieux encore l'eau désionisée. Les agents d'ajustement du pH préférés comprennent des acides et des bases. Les agents d'ajustement du pH d'acides préférés sont choisis parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique, l'acide sulfurique et 10 l'acide chlorhydrique (encore mieux l'acide nitrique). Les agents d'ajustement du pH de bases préférés sont choisis parmi l'hydroxyde d'ammonium et l'hydroxyde de potassium (encore mieux l'hydroxyde de potassium). Préférentiellement, le pH de la composition de polissage mécano-chimique est ajusté par addition d'eau désionisée. 15 Les paramètres de performance du polissage (c'est-à-dire la vitesse de retrait du polysilicium, la vitesse de retrait du dioxyde de silicium et la sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium) de différentes dilutions du concentré de composition de polissage mécano-chimique utilisé dans le procédé de la présente 20 invention peuvent être largement ajustés sur un intervalle de pH de polissage de 2 à 11. Dans les conditions de polissage données dans les exemples avec une force descendante de 20,7 kPa (3 psi), les dilutions du concentré de composition de polissage mécano-chimique utilisées présentent une vitesse de retrait du polysilicium ajustable de 1 500 à 25 7 000 Â/min ; une vitesse de retrait du dioxyde de silicium ajustable de 1 à 2 500 Â/min et une sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium ajustable de 1 : 2 à 600 : 1. Les dilutions du concentré de composition de polissage mécano-chimique utilisées dans le procédé de la présente invention présentent de 30 préférence une vitesse de retrait du polysilicium spécialement adaptable, comme mesurée dans les conditions de polissage données dans les exemples avec une force descendante de 20,7 kPa (3 psi) de 1 500 à 7 000 Â/min correspondant à un pH du concentré de composition de polissage mécano-chimique respectivement de 2 à 11. 35 Le concentré de composition de polissage mécano-chimique utilisé dans le procédé de la présente invention présente de préférence une vitesse de retrait du dioxyde de silicium spécialement adaptable, comme mesurée dans les conditions de polissage données dans les exemples avec une force descendante de 20,7 kPa (3 psi) de 10 à 2 500 Â/min correspondant à un pH du concentré de composition de polissage mécano-chimique respectivement de 2 à 11. Le concentré de composition de polissage mécano-chimique utilisé dans le procédé de la présente invention présente de préférence une sélectivité de vitesse de retrait spécialement adaptable, comme mesurée dans les conditions de polissage données dans les exemples avec une force descendante de 20,7 kPa (3 psi) pour le polysilicium par rapport à l'oxyde de silicium de 1 : 2 à 600 : 1 correspondant à un pH du concentré de composition de polissage mécano-chimique respectivement de 2 à 11. La première formulation de polissage utilisée dans le procédé de la présente invention est préparée par addition d'un premier diluant au concentré de composition de polissage mécano-chimique. La première formulation de polissage présente de préférence un pH > 4,2 à 11 (encore mieux > 6 à 11). La première formulation de polissage contient de préférence de 0,01 à 6 % en masse (encore mieux de 0,04 à 2 % en masse, bien mieux encore de 0,04 à 0,6 % en masse) d'un abrasif de silice colloïdal ; et, de 0,0001 à 0,1 % en masse (de préférence de 0,0004 à 0,05 % en masse, encore mieux de 0,0005 à 0,01 % en masse) d'une substance diquaternaire selon la formule (I) (encore mieux, dans laquelle RI- est un groupe -(CH2)4- ; et dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun un groupe -(CH2)3CH3). La première formulation de polissage est de préférence ajustée pour présenter une première vitesse de retrait de polysilicium > 2 000 (encore mieux de 2 000 à 7 000 Â/min) et une première sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 20 : 1 à 600 : 1 (encore mieux de 50 : 1 à 600 : 1 ; bien mieux encore de 150 : 1 à 600 : 1). La seconde formulation de polissage utilisée dans le procédé de la présente invention est préparée par addition d'un second diluant au concentré de composition de polissage mécano-chimique. La seconde formulation de polissage présente de préférence un pH de 2 à 4,2 (encore mieux de 3 à 4). La seconde formulation de polissage contient de préférence de 0,1 à 6 % en masse (encore mieux de 0,4 à 6 % en masse, bien mieux encore de 1 à 6 % en masse) d'un abrasif de silice colloïdal ; et, de 0,001 à 0,1 % en masse, de préférence de 0,005 à 0,1 % en masse, bien mieux encore de 0,01 à 0,1 % en masse) d'une substance diquaternaire selon la formule (I) (encore mieux dans laquelle Rl est un groupe -(CH2)4- ; et, dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun un groupe -(CH2)3CH3). La seconde formulation de polissage est de préférence ajustée pour présenter une seconde vitesse de retrait de polysilicium > 1 500 Â/min (encore mieux de 1 500 à 4 000 Â/min) et une seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 1: 2 à 10 : 1 (encore mieux de 9 : 10 à 5 : 1). Le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention comprend de préférence les étapes consistant : à fournir un substrat, dans lequel le substrat comprend une surcharge de polysilicium déposée sur du dioxyde de silicium ; à fournir un concentré de 15 composition de polissage mécano-chimique, dans lequel le concentré de composition de polissage mécano-chimique est essentiellement constitué : d'eau, de 0,1 à 25 % en masse (de préférence de 1 à 20 % en masse ; encore mieux de 5 à 20 % en masse ; bien mieux encore de 5 à 10 % en masse) d'un abrasif de silice colloïdale présentant une taille moyenne de 20 particule 5. 100 nm (de préférence de 5 à 100 nm ; encore mieux de 10 à 60 nm ; bien mieux encore de 20 à 60 nm) comme mesurée par des techniques dynamiques de dispersion de lumière ; de 0,01 à 1 % en masse (encore mieux de 0,05 à 0,5 % en masse ; bien mieux encore de 0,05 à 0,1 % en masse) d'un cation diquaternaire selon la formule (I), 25 dans laquelle R' est un groupe alkyle en C2-C6 (de préférence dans laquelle RI- est choisi parmi un groupe -(CH2)6- et un groupe -(CH2)4- ; bien mieux encore dans laquelle RI est un groupe -(CH2)4-) ; et dans laquelle R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun indépendamment choisis parmi un groupe alkyle en C2-6 (de préférence, dans laquelle R2, R3, R4, R5, 30 R6 et R7 sont chacun un groupe butyle) ; à fournir un premier diluant (de préférence, dans lequel le premier diluant comprend un agent d'ajustement du pH choisi parmi l'hydroxyde d'ammonium et l'hydroxyde de potassium (de préférence l'hydroxyde de potassium) et au moins une parmi l'eau désionisée et l'eau distillée ; encore mieux, dans lequel le 35 premier diluant est choisi parmi l'eau désionisée et l'eau distillée ; bien mieux encore dans lequel le premier diluant est l'eau désionisée) ; à fournir un second diluant (de préférence, dans lequel le second diluant comprend au moins une parmi l'eau désionisée et l'eau distillée ; encore mieux dans lequel le second diluant est choisi parmi l'eau désionisée et l'eau distillée ; bien mieux encore dans lequel le second diluant est l'eau désionisée) ; à ajouter le premier diluant à une première partie du concentré de composition de polissage mécano-chimique pour former une première formulation de polissage, dans lequel la première formulation de polissage présente un pH > 4,2 à 11 (encore mieux > 6 à 11), dans lequel la première formulation de polissage est ajustée pour présenter une première vitesse de retrait de polysilicium > 2 000 Â/min (de préférence 2 000 à 7 000 Â/min) et une première sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 20 : 1 à 600 : 1 (de préférence de 50 : 1 à 600 : 1 ; encore mieux de 150 : 1 à 600 : 1) ; à fournir un feutre de polissage mécano-chimique ; à créer un contact dynamique à une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; à distribuer la première formulation de polissage sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; à retirer la surcharge de polysilicium du substrat ; à ajouter le second diluant à une seconde partie du concentré de composition de polissage mécano-chimique pour former une seconde formulation de polissage, dans lequel la seconde formulation de polissage présente un pH de 2 à 4,2 (de préférence de 3 à 4), dans lequel la seconde formulation de polissage est ajustée pour présenter une seconde vitesse de retrait de polysilicium > 1 500 Â/min (de préférence 1 500 à 4 000 Â/min) et une seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 1 : 2 à 10 : 1 (encore mieux de 9 : 10 à 5 : 1) ; à distribuer la seconde formulation de polissage sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; et, à retirer au moins une certaine partie du polysilicium et au moins une certaine partie du dioxyde de silicium du substrat (de préférence, dans lequel la première vitesse de retrait de polysilicium, la première sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium, la seconde vitesse de retrait de polysilicium et la seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium sont toutes présentées avec une vitesse de plateau de 93 tours par minute, une vitesse de support de 87 tours par minute, un débit de la composition de polissage mécano-chimique de 200 ml/min, et une force descendante nominale de 20,7 kPa sur une machine de polissage 200 mm dans laquelle le feutre de polissage mécano-chimique comprend une couche de polissage de polyuréthane contenant des micro-particules polymères à noyau creux et un sous-feutre non tissé imprégné de polyuréthane). On décrira maintenant en détail dans les exemples suivants certains modes de réalisation de la présente invention. Exemples 1-14 Préparation d'une composition de polissage mécano-chimique On a préparé les compositions de polissage mécano-chimique des exemples 1 et 14 en combinant les constituants dans les quantités 15 données dans le tableau 1 avec le reste étant de l'eau désionisée et en ajustant le pH des compositions au pH final donné dans le tableau 1 avec de l'acide nitrique ou de l'hydroxyde de potassium. On a préparé les compositions de polissage mécano-chimique des exemples 2-13 en diluant la composition de polissage mécano-chimique de l'exemple 1 20 avec de l'eau désionisée. Tableau 1 Ex n° Abrasif I* Abrasif If Formule du composé (I) pli (% en masse) (% en masse) (% en masser 1 5 1 0,075 3,0 2 0,5 0,1 0,0075 3,9 3 0,83 0,17 0,0125 3,5 4 1,67 0,33 0,025 3,4 5 1,67 0,33 0,025 7 6 0,5 0,1 0,0075 10,8 7 0,83 0,17 0,0125 10,8 8 1,67 0,33 0,025 10,8 9 0,33 0,07 0,005 4,07 10 0,167 0,033 0,0025 4,19 11 0,083 0,017 0,00125 4,31 12 0,0583 0,0117 0,000875 4,35 13 0,033 0,007 0,0005 4,75 14 20 4 0,3 2,4 Abrasif I- - suspension de KlebosolTM II 1598-B25 fabriquée par AZ Electronic Materials, disponible chez The Dow Chemical Company. Abrasif II - - suspension de KlebosolTM II 30H50i fabriquée par AZ Electronic Materials, disponible chez The Dow Chemical Company. HABBAH : 1,4-butanediaminium, hydroxyde de N hexabutyle (1 : 2) de chez Sachem, Inc., présentant la structure suivante : CH3 CH3 -CH2(CH2)2CH2 CH3 HO Exemples PA1-PA13 Expériences de vitesse de retrait par polissage mécano-chimique On a réalisé des tests de vitesse de retrait par polissage du polysilicium et du dioxyde de silicium en utilisant les compositions de polissage mécano-chimique préparées selon les exemples 1-13. On a spécifiquement mesuré la vitesse de retrait de polysilicium et de dioxyde de silicium pour chacune des compositions de polissage mécano-chimique 1-13 identifiées dans le tableau 1. On a réalisé les expériences de vitesse de retrait par polissage sur des galettes de couverture de 200 mm (c'est- à-dire des galettes de feuille de polysilicium 8k ; et des galettes de feuille de TEOS 1K de chez SEMATECH SVTC). On a utilisé un polisseur Applied Materials 200 mm Mire On a réalisé toutes les expériences de polissage en utilisant un feutre de polissage de polyuréthane IC1010TM (disponible dans le commerce chez Rohm et Haas Electronic Materials CMP Inc.) avec une force descendante de 20,7 kPa (3 psi), un débit de la composition de suspension de polissage mécano-chimique de 200 ml/min, une vitesse de rotation de table de 93 tours par minute et une vitesse de rotation de support de 87 tours par minute. On a utilisé pour conditionner le feutre de H3c H3C polissage un conditionneur de feutre de diamant Diagr d AD3BG-150855 (disponible dans le commerce chez Kinik Company). On a enfoncé le feutre de polissage avec le conditionneur en utilisant une force descendante de 14,0 livres (6,35 kg) pendant 20 minutes. On a de plus conditionné le feutre de polissage ex situ avant le polissage en utilisant une force descendante de 9 livres (4,1 kg) pendant 10 minutes. On a de plus conditionné le feutre de polissage in situ pendant le polissage à 10 balayages/minute à de 1,7 à 9,2 à partir du centre du feutre de polissage avec une force descendante de 9 livres (4,1 kg). On a déterminé les vitesses de retrait en mesurant l'épaisseur de film avant et après le polissage en utilisant un outil de métrologie KLA-Tencor FX200 utilisant un balayage spiral à 49 points avec une exclusion de bord de 3 mm. Les résultats des expériences de vitesse de retrait sont fournis dans le tableau 2. Tableau 2 Ex n° Composition de Vitesse de retrait Vitesse de Sélectivité de Suspension de polysilicium retrait vitesse de retrait (Â/min) de SiO2 du polysilicium (Â/min) par rapport au SiO2 PA1 Ex. 1 2200 2150 1 : 1 PA2 Ex. 2 2616 548 4,8 : 1 PA3 Ex. 3 2050 850 2,4 : 1 PA4 Ex. 4 1850 1450 1,3 : 1 PA5 Ex. 5 3600 70 51 : 1 PA6 Ex. 6 3900 15 260:1 PA7 Ex. 7 4100 15 273:1 PA8 Ex. 8 4300 20 215 : 1 PA9 Ex. 9 2781 322 8,6:1 PA10 Ex. 10 2817 98 28,7:1 PAU Ex. 11 2535 15 169 : 1 PA12 Ex. 12 2516 12 210:1 PA13 Ex. 13 2392 4 598 : 1 Exemples PB1-PB13 Expériences de vitesse de retrait par polissage mécano-chimique On a réalisé des tests de vitesse de retrait par polissage du polysilicium et du dioxyde de silicium en utilisant les compositions de 5 polissage mécano-chimique préparées selon les exemples 1-13. On a spécifiquement mesuré la vitesse de retrait du polysilicium et du dioxyde de silicium pour chacune des compositions de polissage mécano-chimique 1-13 identifiées dans le tableau 1. On a réalisé les expériences de vitesse de retrait de polissage sur des galettes de couverture de 200 mm (c'est-à- 10 dire des galettes de feuille de polysilicium 8k ; et des galettes de feuille 1K TEOS de chez SEMATECH SVTC). On a utilisé un polisseur Applied Materials 200 mm Mirra®. On a réalisé toutes les expériences de polissage en utilisant un feutre de polissage de polyuréthane IC1010TM (disponible dans le commerce chez Rohm et Haas 15 Electronic Materials CMP Inc.) avec une force descendante de 34,5 kPa (5 psi), un débit de la composition de suspension de polissage mécano-chimique de 200 ml/min, une vitesse de rotation de table de 93 tours par minute et une vitesse de rotation de support de 87 tours par minute. On a utilisé un conditionneur de feutre de diamant Diagrid® AD3BG-150855 20 (disponible dans le commerce chez Kinik Company) pour conditionner le feutre de polissage. On a enfoncé le feutre de polissage avec le conditionneur en utilisant une force descendante de 14,0 livres (6,35 kg) pendant 20 minutes. On a de plus conditionné le feutre de polissage ex situ avant le polissage en utilisant une force descendante de 9 livres (4,1 25 kg) pendant 10 minutes. On a de plus conditionné le feutre de polissage in situ pendant le polissage à 10 balayages/min à de 1,7 à 9,2 à partir du centre du feutre de polissage avec une force descendante de 9 livres (4,1 kg). On a déterminé les vitesses de retrait en mesurant l'épaisseur de film avant et après le polissage en utilisant un outil de métrologie 30 KLA-Tencor FX200 utilisant un balayage spiral à 49 points avec une exclusion de bord de 3 mm. Les résultats des expériences de vitesse de retrait sont fournis dans le tableau 3. Tableau 3 Ex n° Composition de Vitesse de retrait Vitesse de Sélectivité de suspension de polysilicium retrait vitesse de retrait (A/min) de SiO2 du polysilicium (A/min) par rapport au SiO2 PB1 Ex. 1 2430 3370 0,7 : 1 PB2 Ex. 2 3856 700 5,5 : 1 PB3 Ex. 3 3250 1100 3 : 1 PB4 Ex. 4 2650 1900 1,4 : 1 PB5 Ex. 5 5500 80 68,8 : 1 PB6 Ex. 6 6100 25 244 : 1 PB7 Ex. 7 6400 25 256 : 1 PB8 Ex. 8 6500 30 217 : 1 PB9 Ex. 9 4057 409 9,9 : 1 PB10 Ex. 10 4050 119 34 : 1 PB11 Ex. 11 3494 22 159 : 1 PB12 Ex. 12 3516 20 176 : 1 PB13 Ex. 13 3075 10 308 : 1 REVENDICATIONS1. Procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat comprenant les étapes suivantes : la fourniture d'un substrat, dans lequel le substrat comprend une surcharge de polysilicium déposée sur du dioxyde de silicium ; la fourniture d'un concentré de composition de polissage mécano-chimique, dans lequel le concentré de composition de polissage mécano-chimique est essentiellement constitué : d'eau, de 0,1 à 25 % en masse d'un abrasif de silice colloïdale présentant une taille moyenne de particule 4,2 à 11, dans lequel la première formulation de polissage est ajustée pour présenter une première vitesse de retrait de polysilicium > 2 000 Â/min et une première sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 20 : 1 à 600 : 1 ; la fourniture d'un feutre de polissage mécano-chimique ; la création d'un contact dynamique à une interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ;la distribution de la première formulation de polissage sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; le retrait de la surcharge de polysilicium du substrat ; l'ajout du second diluant à une seconde partie du concentré de composition de polissage mécano-chimique pour former une seconde formulation de polissage, dans lequel la seconde formulation de polissage présente un pH de 2 à 4,2, dans lequel la seconde formulation de polissage est ajustée pour présenter une seconde vitesse de retrait de polysilicium > 1 500 Â/min et une seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium de 1 : 2 à 10 : 1 ; la distribution de la seconde formulation de polissage sur le feutre de polissage mécano-chimique à ou à proximité de l'interface entre le feutre de polissage mécano-chimique et le substrat ; et, le retrait d'au moins une certaine partie du polysilicium et d'au moins une certaine partie du dioxyde de silicium du substrat. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier diluant et le second diluant sont de l'eau désionisée. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier diluant est une combinaison d'eau désionisée et d'un agent d'ajustement du pH. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique est exempte d'inhibiteur de corrosion et exempte d'oxydant. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que RI- est un groupe alkyle en C4 ; et, caractérisé en ce que R2, R3, R4, R5, R6 et R7 sont chacun un groupe alkyle en C4. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique est exempte d'inhibiteur de 30 corrosion. 7. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique est exempte d'oxydant. 8. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la composition de polissage mécano-chimique est exempte d'inhibiteur de 35 corrosion et exempte d'oxydant. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le pH de la composition de polissage mécano-chimique est ajusté par addition d'eau désionisée. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la première vitesse de retrait de polysilicium, la première sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium, la seconde vitesse de retrait de polysilicium et la seconde sélectivité de vitesse de retrait du polysilicium par rapport au dioxyde de silicium sont toutes présentées avec une vitesse de plateau de 93 tours par minute, une vitesse de support de 87 tours par minute, un débit de la composition de polissage mécano-chimique de 200 ml/min, et une force descendante nominale de 20,7 kPa sur une machine de polissage 200 mm dans laquelle le feutre de polissage mécano-chimique comprend une couche de polissage de polyuréthane contenant des microparticules polymères à noyau creux et un sous-feutre non tissé imprégné de polyuréthane.