FR 2989389 A1 20131018 FR 1253319 A 20120411 La présente invention porte sur un procédé utile pour transformer une couche de silicium de taille de grains réduite, en une couche de silicium cristallisé à gros grains via un procédé de maturation des grains de silicium en phase liquide. Le silicium cristallisé sous la forme de grains de taille supérieure à 20 1.1m est en effet particulièrement intéressant pour ses propriétés semi-conductrices dans le cadre de l'élaboration des cellules photovoltaïques. Actuellement, les cellules photovoltaïques sont majoritairement fabriquées à partir de silicium monocristallin ou polycristallin. La filière de production de silicium cristallin la plus courante met en jeu la solidification de lingots à partir d'un bain de silicium liquide. Ces lingots sont ensuite découpés en plaquettes qui peuvent être transformées en cellules photovoltaïques. Malheureusement, le sciage des lingots entraîne une perte de matière silicium de l'ordre de 50 %. Pour des raisons évidentes, cette perte de matière liée au sciage est préjudiciable aux rendements de production. Pour éviter la perte de matière générée lors du sciage de ces lingots en plaquettes, des techniques ont été développées en vue d'élaborer directement des plaquettes de silicium à partir des lingots. Toutefois, les méthodes proposées pour élaborer le silicium sous forme de plaquettes ou de rubans d'épaisseur typique variant entre 100 et 500 1.1m (Edge-defined Film-fed Growth, Ribbon Against Drop et Ribbon Growth on Substrate) ne donnent pas totalement satisfaction notamment au regard des problèmes de coût et/ou de contrôle de procédé qu'elles soulèvent. La technique d'épitaxie en phase liquide (LPE=Liquid Phase Epitaxy [1-2]) ou gazeuse (CVD = Chemical Vapour Deposition [3]) a également été considérée pour la réalisation de couches de bonne qualité cristalline par reprise du germe. Le principe de la LPE est de porter à une température élevée, mais inférieure à la température de fusion du silicium, un bain liquide comprenant le silicium et un solvant. Une fois le substrat à revêtir introduit au contact du bain, la croissance se fait en abaissant progressivement la température du bain (de 0,1 °C/min à 1 °C/min). Les avantages de la technique sont un coût modéré, une vitesse de solidification élevée (typiquement 0,15 - 1,5 µm/min) et la possibilité d'obtenir des couches de bonne qualité cristalline. La technologie CVD est quant à elle basée sur la décomposition d'un précurseur gazeux, du silane ou un chlorosilane, au voisinage du substrat à revêtir. Toutefois, dans ces deux alternatives, illustrées par les références citées ci- dessus, pour obtenir des couches de qualité suffisante, il est nécessaire d'avoir recours à des substrats monocristallins et donc coûteux. Or, dans un souci de réduction des coûts, il est primordial de s'affranchir de l'usage de substrats monocristallins. Pour la réalisation de substrats de silicium polycristallins, une technique originale, basée sur le frittage de poudres de silicium a récemment été proposée [4]. Cette technique propose de réaliser une plaquette de silicium en deux étapes. La première, consiste en un pressage à chaud d'un lit de poudres dans un moule, et la seconde, en un frittage thermique. Malheureusement, pour permettre un frittage efficace, la taille des cristallites de départ doit être submicronique. Or, la maturation au cours du procédé ne permet pas d'obtenir des grains de taille supérieure à 2 1.1m, même après plusieurs heures à 1350 °C [5]. Des tailles aussi faibles sont rédhibitoires pour les applications substrats photovoltaïques. Pour suppléer à ce défaut, divers procédés de maturation de grains en phase liquide on déjà été proposés. Par exemple, S Reber et al [3] propose un procédé requérant de chauffer la surface d'une plaquette frittée par lampes Infra Rouge ou Laser pour fondre en surface le silicium sur une épaisseur de l'ordre de 10-20 1.1m. Le silicium liquide recristallise ensuite sous forme de grains de taille millimétrique au refroidissement. Cependant, le silicium est un matériau à température de fusion élevé (1410 °C) et très réactif. Cette réactivité peut poser un certain nombre de problèmes, notamment si le support à la couche de silicium n'est pas de haute pureté. Or dans l'objectif fondamental de baisser les coûts de l'énergie photovoltaïque, il est important de limiter les contraintes de pureté sur les matériaux utilisés pour cette étape de recristallisation. Il subsiste donc le besoin d'un procédé de mise en oeuvre aisée, permettant la réalisation de couches de silicium à gros grains, c'est-à-dire, de taille moyenne supérieure à 20 1.1m, préférentiellement 50 1.1m, encore plus préférentiellement 100 1.1m, à partir d'un substrat de silicium peu onéreux à l'image du silicium fritté dont la taille moyenne de grains est généralement inférieure à 2 lm. En particulier, la présente invention vise à proposer un procédé utile pour accéder à une couche de silicium cristallisé présentant une taille moyenne de grains supérieure ou égale à 20 1.1m, à partir d'une couche de silicium dont la taille moyenne des grains peut être inférieure à 2 lm. Plus précisément, la présente invention concerne, selon un premier de ses aspects, un procédé utile pour former une couche de silicium cristallisé formée de grains ayant une taille moyenne supérieure ou égale à 20 ûm, comprenant au moins les étapes consistant à : (1) disposer d'une couche de silicium à (re)cristalliser et dont la taille moyenne des grains est inférieure à 10 ûrn ; (2) mettre en contact ladite couche de silicium à (re)cristalliser avec une composition liquide formée en tout ou partie d'au moins un solvant métallique ; et (3) exposer l'ensemble à un traitement thermique propice à la (re)cristallisation de ladite couche de silicium à la taille de grains attendue, caractérisé en ce que ledit traitement thermique comprend le chauffage de l'ensemble formé par la couche de silicium au contact de ladite composition liquide à une température inférieure à 1410 °C et au moins égale à la température eutectique dans le diagramme de phases solvant-silicium. Plus précisément, la température considérée pour le traitement thermique est propice à l'évaporation dudit solvant métallique liquide et donc à l'obtention d'une sursaturation en silicium de ladite composition liquide. Comme précisé ci-après, l'expression solvant est utilisée dans le présent texte pour désigner indifféremment un unique solvant métallique ou un mélange de solvants 20 métalliques. De même, au sens de l'invention, par « température eutectique » on entend le plus bas point de fusion dans le diagramme de phases solvant-silicium. Ainsi, lorsque le solvant considéré est un mélange de solvants, la « température eutectique » est le plus bas point de fusion dans le diagramme de phases dudit mélange de 25 solvant avec le silicium. Ainsi le fait que la composition est liquide implique que le point de fusion du solvant est inférieur à 1410 °C et/ou que le solvant forme un eutectique avec le silicium à une température inférieure à 1410 °C. De façon avantageuse, ledit traitement thermique est effectué jusqu'à 30 évaporation totale dudit solvant métallique. Dans l'invention, la couche de silicium à (re)cristalliser n'est pas monocristalline, ce qui est avantageux en termes de coût. Avantageusement, la couche de silicium à (re)cristalliser est polycristalline formée de grains possédant une taille moyenne de préférence inférieure ou égale à 5 voire 2 i.tm. Comme précisé ci-après cette couche de silicium peut être figurée par une couche de silicium frittée, supportée ou non. Contre toute attente, les inventeurs ont en effet constaté qu'il est possible d'accéder à partir d'une telle couche de silicium, à du silicium cristallisé à gros grains via un processus de maturation réalisé à une température significativement plus faible que celle de la fusion du silicium. Plus précisément, les inventeurs ont constaté que la mise en contact d'un solvant métallique liquide spécifique et en fusion avec la couche de silicium à (re)cristalliser permet de contrôler efficacement le processus de maturation des grains formant cette couche. Les inventeurs ont observé un transport du silicium dans le solvant métallique à bas point de fusion. L'évaporation de ce solvant métallique permet de contrôler la sursaturation en silicium de la phase liquide et donc le phénomène de (re)cristallisation correspondant. Un tel résultat est surprenant car il est inattendu que la seule mise en oeuvre d'une phase liquide conforme à l'invention soit suffisante pour assurer le transport du silicium entre les grains. En effet, il est connu que naturellement les métaux proposés pour constituer le solvant métallique liquide considéré selon l'invention, ne mouillent pas efficacement le silicium. En effet, il est connu que la couche d'oxyde natif à la surface des grains est stable au moins jusqu'à des températures de l'ordre de 1000 °C- 1050 °C [5]. Or, les inventeurs ont constaté contre toute attente que la maturation des grains était possible à de telles températures. Le procédé de l'invention s'avère donc particulièrement avantageux. Tout d'abord, il permet d'accéder à une couche de silicium cristallisé à gros grains, en particulier présentant une taille moyenne de grains supérieure ou égale à 20 i.tm, notamment supérieure ou égale à 50 i.tm, en particulier supérieure ou égale à 100 i.tm. Une telle structure cristallographique assure avantageusement des rendements de conversion énergétique élevés lors de son utilisation dans une cellule photovoltaïque. Par ailleurs, le procédé de l'invention met en oeuvre à titre de substrat de silicium de départ des couches de silicium non monocristallines et donc du silicium peu onéreux, par exemple de type plaquette de silicium fritté. 2 9 89 3 89 5 Enfin, le procédé peut être réalisé en simultané sur plusieurs substrats de silicium. D'autres caractéristiques, avantages et modes d'application du procédé selon l'invention ressortiront mieux à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre 5 illustratif et non limitatif. Dans la suite du texte, les expressions « compris entre ... et ... », « allant de ...à » et « variant de » sont équivalentes et entendent signifier que les bornes sont incluses, sauf mention contraire. Sauf indication contraire, l'expression « comportant/comprenant un(e) » doit 10 être comprise comme « comportant/comprenant au moins un(e) ». DESCRIPTION DU PROCEDE SELON L'INVENTION Comme il ressort de ce qui précède, le procédé selon l'invention repose sur un processus de maturation de grains de silicium mis au contact d'une composition formée en 15 tout ou partie d'au moins un solvant métallique en fusion et selon un processus thermique spécifique. a) Composition à base de solvant(s) métalliques(s) Au sens de l'invention, la composition peut être formée d'un unique solvant 20 métallique, de plusieurs solvants métalliques ou encore d'un mélange d'un ou plusieurs solvants métalliques avec un ou plusieurs autres matériaux annexes et détaillés ci-après. Dans l'ensemble de la description, l'expression solvant sera utilisée pour désigner indifféremment un unique solvant métallique ou un mélange de solvants métalliques. 25 Toutefois, cette composition est d'une manière générale formée pour l'essentiel, c'est-à-dire à raison d'au moins 80 % en poids voire d'au moins 90 ou 95 % en poids de solvant(s) métallique(s). Solvant métallique 30 Dans le cadre de la présente invention, le solvant métallique est avantageusement choisi parmi les matériaux à la fois susceptibles de ne pas polluer le silicium afin de ne pas porter préjudice aux propriétés photovoltaïques du matériau attendu, et présentant une volatilité suffisante pour permettre une sursaturation en silicium de la composition liquide en étape (3) du procédé de l'invention. D'autre part, il est avantageusement choisi de telle sorte que la cinétique d'évaporation du solvant lors de l'étape (3) et donc à la température du procédé, ne soit pas trop lente dans un souci de productivité du procédé, ni trop rapide pour ne pas privilégier la formation de grains de trop petite taille. Comme précisé ci-dessus, le solvant métallique choisi doit être liquide lors de l'étape de mise en contact (2) de la présente invention. Pour ce faire, la température considérée est généralement au moins égale au point de fusion dudit solvant métallique, ou alternativement, au moins égale à la température de formation d'un eutectique entre ledit solvant métallique et le silicium. Il est clair que le choix d'un solvant métallique au regard des propriétés précisées ci-dessus relève des compétences de l'homme du métier. A titre illustratif et non limitatif des solvants métalliques convenant à l'invention peuvent notamment être cités l'indium, l'étain, le cuivre, le gallium et leurs alliages. Selon un mode de réalisation particulièrement préféré, le solvant métallique est choisi parmi l'indium, l'étain et leurs alliages. Comme précisé ci-dessus, une composition peut comprendre outre un ou plusieurs solvants métalliques, au moins un composé ou matériau annexe. Selon une variante de réalisation avantageuse, une composition selon l'invention peut contenir à ce titre au moins du silicium solide. Les inventeurs ont en effet constaté que la présence de silicium solide permet d'optimiser l'uniformisation du phénomène de cristallisation, en terme de taille de grains, en surface de la couche de silicium à (re)cristalliser, une fois celle-ci (re)cristallisée. De façon avantageuse, ledit silicium est présent dans ladite composition liquide, dans une teneur allant de 0 à 4 % en poids, de préférence de 0 à 2 % en poids par rapport au poids total de la composition. Ladite composition liquide peut par exemple être formée d'au moins d'étain et de silicium solide. Selon un mode de réalisation particulier, ladite composition liquide peut incorporer en outre au moins un agent dopant choisi parmi les agents dopants de type P, comme par exemple l'aluminium (Al), le gallium (Ga), l'indium (In), le bore (B), et les agents dopants de type N, comme par exemple l'antimoine (Sb), l'arsenic (As), le phosphore (P), et leurs mélanges. Ces agents dopants peuvent être présents en une proportion allant de 0,05 à 5 ppm atomique, préférentiellement 0,1 à 1 ppm atomique. Bien entendu, il appartient à l'homme du métier d'adapter le volume de la composition liquide à mettre en oeuvre dans le procédé de l'invention, au regard notamment de la surface de la couche de silicium à (re)cristalliser, de sa taille et son épaisseur. Généralement, le volume de la composition est adapté de telle sorte à recouvrir totalement la couche de silicium à (re)cristalliser. La préparation d'une telle composition liquide, relève des connaissances générales de l'homme du métier. Il appartient également à l'homme du métier de mettre en oeuvre des températures adéquates de chauffage pour former une composition au contact de la couche de silicium à (re)cristalliser totalement liquide comprenant ledit solvant métallique liquide et le cas échéant, ledit silicium liquide. Selon une première variante de réalisation, ladite composition liquide est formée préalablement à sa mise en contact avec ladite couche de silicium à (re)cristalliser. Selon une première alternative, le ou les solvants métalliques sont portés à une température au moins égale à leur température de fusion et les matériaux annexes si présents, y sont ajoutés. Le mélange ainsi formé est ensuite mis en contact avec la couche à (re)cristalliser à une température au moins égale à la température eutectique dans le diagramme de phases solvant-silicium et inférieure à 1410 °C. Selon une seconde alternative, la composition est formée par mélange à température ambiante ou à défaut, à une température à laquelle le solvant métallique demeure solide de l'ensemble des composés constituant ladite composition liquide et chauffage consécutif du mélange solide à une température au moins égale à la température de fusion du ou des solvants métalliques considérés. Selon une autre variante de réalisation, ladite composition liquide est formée directement au contact de ladite couche de silicium à (re)cristalliser via la fourniture en surface de ladite couche de silicium, d'une composition en phase solide comprenant au moins un solvant métallique destiné à former ladite composition liquide, et le chauffage de l'ensemble à une température au moins égale à la température eutectique dans le diagramme de phases solvant-silicium et inférieure à 1410 °C. Selon cette variante, ladite composition liquide peut par exemple être formée en surface de ladite couche de silicium à (re)cristalliser via le dépôt en surface de ladite couche de silicium, d'indium solide suivi du chauffage de l'ensemble à une température de 1000°C. Toujours selon cette variante, ladite composition liquide peut par exemple être formée en surface de ladite couche de silicium à (re)cristalliser via le dépôt en surface de ladite couche de silicium d'étain et de silicium solides suivi du chauffage de l'ensemble à une température de 1100 °C. Comme précisé ci-dessus, l'ensemble formé par la couche de silicium à (re)cristalliser et la composition selon l'invention, subit un traitement thermique propice à la maturation des grains à (re)cristalliser. b) Traitement thermique D'une manière générale, le traitement thermique est réalisée à une température d'une part inférieure à la température de fusion du silicium c'est-à-dire à 1410°C et d'autre part ajustée pour accéder à un compromis entre la vitesse de transport du silicium dans la phase liquide, généralement favorisée par les températures élevées, et la limitation de la pollution induite par le matériau supportant la couche de silicium à (re)cristalliser, généralement favorisée par les températures basses. Plus précisément, le traitement thermique de l'ensemble formé à l'étape (2) requiert une température compatible avec l'évaporation dudit solvant métallique liquide et donc l'obtention d'une sursaturation en silicium de ladite composition liquide. De manière avantageuse, l'étape (3) peut être réalisée en maintenant une température constante permettant la vaporisation de la totalité dudit solvant métallique liquide. Ainsi, la température considérée selon l'invention pour le traitement thermique varie avantageusement de 800 °C à 1350 °C, préférentiellement de 1000 °C à 1200 °C. Bien entendu, la température à mettre en oeuvre pour obtenir une sursaturation en silicium dans la phase liquide et l'évaporation dudit solvant métallique liquide est susceptible de varier significativement dans cet intervalle au regard de la nature du solvant métallique liquide utilisé. Ainsi, selon un mode de réalisation particulier, la formation de ladite couche de silicium (re)cristallisée peut être réalisée à l'aide d'une composition liquide d'étain et de silicium solide, dont la température est maintenue en étape (3) entre 1050 °C et 1150 °C. Selon un autre mode de réalisation particulier, la formation de ladite couche de silicium (re)cristallisée peut être réalisée à l'aide d'une composition liquide d'indium, dont la température est maintenue en étape (3) entre 950 °C et 1050 °C. Selon un mode de réalisation particulier, cette étape de traitement thermique est opérée pendant une durée d'au moins 2 heures. Il ressort ci-après des exemples, que les étapes de mise en contact (2) et de traitement thermique peuvent être réalisées dans un creuset ou un porte échantillon en graphite qui résiste à des températures compatibles avec celles requises par le procédé de l'invention. Cette étape de traitement thermique peut être réalisée par toute technique de chauffage connue de l'homme de l'art et classiquement mise en oeuvre pour l'élaboration des cellules photovoltaïques, par exemple dans un four à passage ou encore, un four à chauffage résistif. Cette étape de traitement thermique est propice à la (re)cristallisation simultanée de plusieurs plaques. Dans ce cas, ladite composition liquide est généralement formée préalablement à sa mise en contact avec les couches de silicium à (re)cristalliser et lesdites couches sont ensuite immergées dans ladite composition. L'invention peut être utilisée avec différents systèmes de brassage additionnels (brassage magnétique, brassage par table vibrante...) pour améliorer et uniformiser la cinétique d'évaporation. L'utilisation de tels systèmes de brassage s'avère particulièrement avantageux dans le cadre d'une (re)cristallisation simultanée de plusieurs plaques. Selon un mode de réalisation particulièrement préféré, les étapes (2) et (3) du procédé de l'invention sont réalisées simultanément. c) Couche de silicium cristallisé obtenue selon le procédé de l'invention La couche de silicium cristallisé, formée à l'issue de l'étape (3), est généralement continue et homogène, et présente une bonne qualité, particulièrement adaptée à leur mise en oeuvre dans un dispositif photovoltaïque. Comme précisé précédemment, la couche de silicium obtenue à l'issue de l'étape (3) du procédé de l'invention présente une taille moyenne de grains supérieure ou égale à 20 um, notamment supérieure ou égale à 50 lm, et de préférence supérieure ou égale à 100 um. La taille moyenne des grains du silicium cristallisé peut être mesurée par microscopie optique ou au microscope électronique à balayage. Selon une autre spécificité de la couche de silicium cristallisé obtenue à l'issue de l'étape (3) du procédé de l'invention, celle-ci présente une épaisseur allant de 5 à 50 um, en particulier de 10 à 20 um. d) Couche de silicium à (re)cristalliser Comme précisé précédemment, cette couche de silicium n'est pas monocristalline. Elle peut être formée de silicium amorphe et/ou polycristallin, Elle possède généralement des grains ayant une taille moyenne allant de 0 à 10 um, en particulier, de 0 à 5 um, et de préférence, de 0 à 2 um. La couche de silicium de l'étape (1) peut présenter une épaisseur allant de 2 um à 50 um, de préférence allant de 5 um à 20 um. Selon un mode de réalisation particulier, la couche de silicium peut comprendre 25 un élément dopant de type P, en particulier du bore ou un élément dopant de type N, en particulier du phosphore. En variante, ladite couche de silicium de l'étape (1) est frittée. L'invention va maintenant être décrite au moyen des exemples suivants, bien 30 entendu donnés à titre illustratif et non limitatif de l'invention. Exemple 1 : Le substrat de départ est une plaquette de silicium fritté de taille 5x5 cm2 dont la taille moyenne des grains est de 1 p.m. Une masse d'indium pur de 6.6 g est déposée sur cette plaquette sous forme de granules de taille inférieure à 3 mm. L'ensemble est positionné dans un porte échantillon en graphite, introduit dans un four à chauffage résistif, porté à une température de 1 000 °C pendant 4h pour permettre la vaporisation de l'indium, puis ramené à température ambiante. Les rampes de montée et de descente sont toutes deux égales à 10 °C/min. A l'issue du traitement, la surface du substrat présente des grains d'une taille moyenne de 60 pm, mais sur environ 20 % de la surface la structure initiale en petits grains n'a pas été transformée. Exemple 2 : Le substrat de départ est une plaquette de silicium fritté de taille 5x5 cm2 dont la taille moyenne des grains est de 0.8 p.m. Une charge d'étain et de silicium (98,2 % en poids d'etain - 1,8 % en poids de silicium) de 13.8 g est déposée sur cette plaquette sous forme d'un feuillard d'épaisseur 0.8 mm. L'ensemble est positionné dans un porte échantillon en graphite, introduit dans un four à chauffage résistif, portée à une température de 1100 °C pendant 5h pour permettre la vaporisation de l'étain, puis ramené à température ambiante. Les rampes de montée et de descente sont respectivement de 5 °C/min et 10 °C/min. A l'issue du traitement, la surface du substrat présente des grains d'une taille moyenne de 25 p.m. Avantageusement, toute la surface présentant initialement des petits grains a été (re)cristallisée. [1] K. Peter et al., « Thin film silicon solar cells on upgraded metallurgical silicon substrates prepared by LPE » ; Solar Energy Materials and Solar Cells 74 (2002) 219. [2] J.M. Olchowik et al., « Influence of LPE process technological conditions on Si ELO layers morphology », J. Non Crystalline Solids 354 (2008) 4287. [3].S. Reber, A. Hurrle, A. Eyer, G. Wilke, "Crystalline silicon thin film solar cells - recent results at Fraunhoffer ISE", Solar Energ, 77 (2004) 865-875. [4] Brevet WO 2004/093202. [5] J.M. Lebrun, C. Pascal, J.P. Missiaen, J. Am. Ceramic. Soc., 1-9 (2012), DOI : 10.1111/j.1551-2916.2011.05052.x. REVENDICATIONS1. Procédé de formation d'une couche de silicium cristallisé formée de grains ayant une taille moyenne supérieure ou égale à 20 i.tm, comprenant au moins les étapes consistant à : (1) disposer d'une couche de silicium à (re)cristalliser et dont la taille moyenne des grains est inférieure 10 iam ; (2) mettre en contact ladite couche de silicium à (re)cristalliser avec une composition liquide formée en tout ou partie d'au moins un solvant métallique; et (3) exposer l'ensemble à un traitement thermique propice à la (re)cristallisation de ladite couche de silicium à la taille de grains attendue, caractérisé en ce que ledit traitement thermique comprend le chauffage de l'ensemble formé par la couche de silicium au contact de ladite composition liquide à une température inférieure à 1410 °C et au moins égale à la température eutectique dans le diagramme de phases solvant-silicium. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le traitement thermique est réalisé à une température allant de 800 °C à 1350 °C, de préférence de 1000 °C à 1200 °C. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le traitement thermique est réalisé jusqu'à évaporation totale dudit solvant métallique. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel les étapes (2) et (3) sont réalisées de façon simultanée. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche de silicium obtenue présente une taille moyenne de grains supérieure ou égale à 50 iam, et de préférence supérieure ou égale à 100 i_tm. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche de silicium de l'étape (1) est formée de silicium amorphe et/ou polycristallin possédant des grains ayant une taille moyenne allant de 0 à 5 i_tm, de préférence de 0 à 2 i_tm. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche de silicium de l'étape (1) est frittée. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ledit solvant liquide métallique est choisi parmi l'indium, l'étain, le cuivre, le gallium, et leurs alliages, de préférence, ledit solvant liquide métallique est choisi parmi l'indium, l'étain et leurs alliages. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite composition liquide incorpore en outre au moins un agent dopant choisi parmi l'aluminium, le gallium, l'indium, le bore, l'antimoine, l'arsenic, le phosphore et leurs mélanges. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite composition liquide incorpore en outre du silicium solide. 11. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel ledit silicium est présent dans ladite composition liquide, dans une teneur allant de 0 à 4 % en poids, de préférence de 0 à 2 % en poids par rapport au poids total de la composition. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite composition liquide est formée au moins d'étain et de silicium solide. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel ladite composition liquide est formée préalablement à sa mise en contact avec ladite couche de silicium à (re)cristalliser. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel ladite composition liquide est formée au contact de ladite couche de silicium à (re)cristalliser via la fourniture en surface de ladite couche de silicium d'une composition en phase solide comprenant au moins un solvant métallique destiné à former ladite composition liquide, et le chauffage de l'ensemble à une température au moins égale à la température eutectique dans le diagramme de phases solvant-silicium et inférieure à 1410 °C.