FR 2979637 A1 20130308 FR 1157956 A 20110907 t 1 SYSTEMES DE DEPOT COMPRENANT UN FOUR DE GAZ PRECURSEUR A L'INTERIEUR D'UNE CHAMBRE DE REACTION ET PROCEDES RELATIFS Domaine de l'invention [0001] Les modes de réalisation de l'invention concernent les systèmes pour déposer des matériaux sur des substrats et des procédés pour fabriquer et utiliser de tels systèmes. Plus particulièrement, les modes de réalisation de l'invention concernent les procédés d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures (HVPE) pour déposer des semi-conducteurs III-V sur des substrats et des procédés pour fabriquer et utiliser de tels systèmes. Contexte de l'invention [0002] Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé chimique qui est utilisé pour déposer des matériaux sur des substrats, et est communément utilisé 20 pour la fabrication des dispositifs à semi-conducteur. Dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur, un substrat est exposé à un ou plusieurs gaz réactifs, qui réagissent, se décomposent ou réagissent et se décomposent de sorte que ceci se traduit par le dépôt 25 d'un matériau solide sur la surface du substrat. [0003] Un type particulier de procédé CVD est désigné dans l'art, sous le terme d'épitaxie en phase vapeur (VPE). Dans les procédés VPE, un substrat est exposé à une ou plusieurs vapeurs réactives dans une 5 chambre de réaction, qui réagissent, se décomposent ou réagissent et se décomposent de sorte que ceci se traduit par le dépôt épitaxial d'un matériau solide sur la surface du substrat. Les procédés VPE sont souvent utilisés pour déposer les semi-conducteurs III-V. 10 Lorsque l'une des vapeurs réactives dans un procédé VPE comprend une vapeur d'hydrure (ou halogénure), le procédé peut être désigné sous le terme de procédé d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures (HVPE). [0004] Les procédés HVPE sont utilisés pour former 15 des semi-conducteurs III-V tels que par exemple le nitrure de gallium (GaN). Dans de tels procédés, la croissance épitaxiale du GaN sur un substrat provient de la réaction en phase vapeur entre le chlorure de gallium (GaC1) et l'ammoniac (NH3) qui est réalisée 20 dans une chambre de réaction à hautes températures comprises entre environ 500 °C et environ 1 100 °C. Le NH3 peut être fourni à partir d'une source standard de gaz NH3. [0005] Dans certains procédés, la vapeur de GaC1 25 est fournie en faisant passer du gaz de chlorure d'hydrogène (HC1) (qui peut provenir d'une source standard de gaz HC1) sur du gallium liquide chauffé (Ga) afin de former GaC1 in situ à l'intérieur de la chambre de réaction. Le gallium liquide peut être 30 chauffé à une température comprise entre environ 750 °C et environ 850 °C. Le GaC1 et le NH3 peuvent être dirigés vers (par exemple sur) une surface d'un substrat chauffé, telle qu'une plaquette de semiconducteur. Le brevet US-6 179 913 qui a été délivré 35 le 30 janvier 2001 à Solomon et associés, décrit un I 3 système d'injection de gaz destiné à être utilisé dans de tels systèmes et procédés. [0006] Dans de tels systèmes, il est nécessaire d'ouvrir la chambre de réaction à l'atmosphère afin de 5 réapprovisionner la source de gallium liquide. En outre, il peut arriver qu'il soit impossible de nettoyer la chambre de systèmes. [0007] Afin réaction in situ dans de tels de traiter de tels problèmes, on a 10 développé des procédés et des systèmes qui utilisent une source externe d'un précurseur de GaC13 qui est directement injecté dans la chambre de réaction. Les exemples de tels procédés et systèmes sont décrits par exemple dans la publication de la demande de 15 brevet US 2009/0223442 Al, qui a été publiée le 10 septembre 2009 au nom de Arena et associés. Résumé [0008] Dans certains modes de réalisation, la 20 présente invention comprend des systèmes de dépôt qui comprennent au moins une chambre de réaction sensiblement close, un suscepteur disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction et configuré pour supporter un substrat à l'intérieur 25 de la chambre de réaction, et un système d'entrée de gaz pour injecter un ou plusieurs gaz précurseurs dans la chambre de réaction. La chambre de réaction peut être définie par une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale. Le système 30 d'entrée de gaz comprend au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction. Au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étend à travers le au moins un four de gaz précurseur. 4 [0009] Dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente invention comprend des procédés pour déposer un semi-conducteur. Les procédés peuvent être réalisés en utilisant les modes de réalisation des systèmes de dépôt, tels que décrits ici. Par exemple, certains procédés des modes de réalisation de la description peuvent comprendre les étapes consistant à laisser s'écouler séparément un gaz précurseur d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V dans une chambre de réaction, laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction afin de chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III et après avoir chauffé le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction, mélanger le gaz précurseur d'un élément du groupe V et le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur de la chambre de réaction sur un substrat. Une surface du substrat peut être exposée au mélange du gaz précurseur d'un élément du groupe V et du gaz précurseur d'un élément du groupe III afin de former un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat. Brève description des dessins [0010] La présente description ressortira plus 30 clairement en référence à la description détaillée suivante des modes de réalisation exemplaires, qui sont illustrés sur les figures jointes, dans lesquelles : [0011] la figure 1 est une vue en perspective détachée illustrant schématiquement un mode de 35 réalisation exemplaire d'un système de dépôt de l'invention qui comprend un four de gaz précurseur positionné à l'intérieur d'une région intérieure d'une chambre de réaction ; [0012] la figure 2 est une vue latérale en coupe 5 illustrant le four de gaz précurseur de la figure 1, qui comprend une pluralité de structures généralement en forme de plaque reliées entre elles ; [0013] la figure 3 est une vue en plan de dessus de l'une des surfaces généralement en forme de plaque 10 du four de gaz précurseur des figures 1 et 2 ; [0014] la figure 4 est une vue en perspective du four de gaz précurseur des figures 1 et 2 ; et [0015] la figure 5 est un schéma illustrant une vue en plan d'un autre mode de réalisation d'un système 15 de dépôt similaire à celui de la revendication 1, mais comprenant trois fours de gaz précurseur positionnés à l'intérieur d'une région intérieure d'une chambre de réaction. 20 Description détaillée des modes de réalisation de l'invention [0016] Les illustrations présentées ici ne sont pas censées être les vues réelles de l'un quelconque parmi un système particulier, un composant ou un 25 dispositif, mais sont simplement des représentations idéalisées qui sont utilisées afin de décrire les modes de réalisation de la présente invention. [0017] Tel qu'utilisé ici, le terme « semi- conducteur III-V » signifie et comprend tout semi- 30 conducteur qui est composé de manière prédominante d'un ou de plusieurs éléments du groupe IIIA du tableau périodique (B, Al, Ga, In et Ti) et d'un ou de plusieurs éléments du groupe VA du tableau périodique (N, P, As, Sb et Bi). Par exemple, les semi- 35 conducteurs III-V comprennent, sans y être limités, 6 GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, InGaN, InGaP, InGaNP, etc. [0018] On a récemment développé des injecteurs de gaz améliorés destinés à être utilisés dans les procédés et les systèmes qui utilisent une source externe d'un précurseur de GaCl3 qui est injecté dans la chambre de réaction, tels que ceux décrits dans la publication de demande de brevet US 2009/0223442 Al. Des exemples de ces injecteurs de gaz sont décrits par exemple dans la demande de brevet US 61/157 112 qui a été déposée le 3 mars 2009 au nom de Arena et associés. Tel qu'utilisé ici, le terme « gaz » comprend les gaz (les fluides qui ont ni une forme ni un volume indépendant) et les vapeurs (les gaz qui comprennent du liquide diffusé ou une matière solide en suspension), et les termes « gaz » et « vapeur » sont utilisés ici comme des synonymes. [0019] Les modes de réalisation de la présente invention comprennent et utilisent des systèmes de dépôt qui utilisent un ou plusieurs fours de gaz précurseur positionnés à l'intérieur d'une chambre de réaction. La figure 1 illustre un système de dépôt 100, qui comprend au moins une chambre de réaction sensiblement close 102. Dans certains modes de réalisation, le système de dépôt 100 peut comprendre un système CVD et peut comprendre un système de dépôt VPE (par exemple un système de dépôt HVPE). [0020] La chambre de réaction 102 peut être définie par une paroi supérieure 104, une paroi inférieure 106 et une ou plusieurs parois latérales. Les parois latérales peuvent être définies par un ou plusieurs composants de sous-ensembles du système de dépôt. Par exemple, une première paroi latérale 108A peut comprendre un composant d'un sous-ensemble d'injection 110 utilisé pour injecter un ou plusieurs gaz dans la chambre de réaction 102, et une deuxième paroi latérale 108B peut comprendre un composant d'un sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 utilisé pour évacuer les gaz de la chambre de réaction 102 et pour charger les substrats dans la chambre de réaction 102 et décharger les substrats de la chambre de réaction 102. [0021] Le système de dépôt 100 comprend une structure de support de substrat 114 (par exemple un suscepteur) configurée pour supporter un ou plusieurs substrats de pièce 116 sur laquelle on souhaite déposer ou bien fournir un matériau à l'intérieur du système de dépôt 100. Par exemple, les substrats de pièce 116 peuvent comprendre des matrices ou des plaquettes. Le système de dépôt 100 comprend en outre des éléments chauffants 118 (figure 1) qui peuvent être utilisés pour chauffer sélectivement le système de dépôt 100 de sorte qu'une température moyenne à l'intérieur de la chambre de réaction 102 peut être contrôlée dans des limites de températures élevées souhaitables pendant les procédés de dépôt. Les éléments chauffants 118 peuvent comprendre par exemple des éléments chauffants résistifs ou des éléments chauffants rayonnants (par exemple des lampes chauffantes). [0022] Comme représenté sur la figure 1, la structure de support de substrat 114 peut être montée sur une tige 119 qui peut être couplée (par exemple couplée de manière directement structurelle, couplée de manière magnétique, etc.) à un dispositif d'entraînement (non représenté), tel qu'un moteur électrique qui est configuré pour entraîner la rotation de la tige 119 et par conséquent de la structure de support de substrat 114 à l'intérieur de la chambre de réaction 102. à - 8 [0023] Dans certains modes de réalisation, un ou plusieurs parmi la paroi supérieure 104, la paroi inférieure 106, la structure de support de substrat 114, la tige 119 ou n'importe quel autre composant à l'intérieur de la chambre de réaction 102 peut être au moins sensiblement composé d'un matériau en céramique réfractaire tel que l'oxyde de céramique (par exemple la silice (quartz), l'alumine, la zircone, etc.), un carbure (par exemple le carbure de silicium, le carbure de bore, etc.) ou un nitrure (par exemple le nitrure de silicium, le nitrure de bore, etc.). A titre d'exemple non limitatif, la paroi supérieure 104, la paroi inférieure 106, la structure de support de substrat 114 et la tige 119 peuvent comprendre du quartz transparent afin de permettre à l'énergie thermique rayonnée par les éléments chauffants 118 de passer à travers et de chauffer les gaz à l'intérieur de la chambre de réaction 102. [0024] Le système de dépôt 100 comprend en outre un système d'écoulement de gaz utilisé pour injecter un ou plusieurs gaz dans la chambre de réaction 102 et pour évacuer les gaz de la chambre de réaction 102. A nouveau en référence à la figure 1, le système de dépôt 100 peut comprendre cinq conduits d'entrée de gaz 120A-120E qui transportent les gaz à partir des sources de gaz 122A-122E respectives et dans le sous- ensemble d'injection 110. Facultativement, les dispositifs de contrôle d'écoulement de gaz tels que 30 des soupapes et/ou des contrôleurs de débit massique (non représentés) peuvent être utilisés pour contrôler sélectivement l'écoulement du gaz à travers les conduits d'entrée de gaz 120A-120E respectivement. [0025] Dans certains modes de réalisation, au 35 moins l'une des sources de gaz 122A-122F peut comprendre une source externe d'au moins l'un parmi GaC13, InC13 ou AlC13, comme décrit dans la publication de demande de brevet US 2009/0223442 Al. GaC13, InC13 et AlC13 peuvent exister sous la forme d'un dimère tel 5 que par exemple, respectivement Ga2C16, In2C16 et Al2C16. Ainsi, au moins l'une des sources de gaz 122A-122F peut comprendre un dimère tel que Ga2C16, In2Cl6 ou Al2C16. [0026] Dans les modes de réalisation dans lesquels une ou plusieurs des sources de gaz 122A-122E est ou 10 comprend une source de GaC13, la source de GaC13 comprend un réservoir de GaC13 liquide maintenu à une température d'au moins 78 °C (par exemple approximativement 130 °C) et peut comprendre des moyens physiques pour améliorer le taux d'évaporation du GaC13 15 liquide. De tels moyens physiques peuvent comprendre par exemple, un dispositif configuré pour agiter le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour pulvériser le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour transporter le gaz porteur rapidement sur le GaC13 20 liquide, un dispositif configuré pour barboter le gaz porteur à travers le GaC13 liquide, un dispositif tel qu'un dispositif piézoélectrique, configuré pour disperser par ultrasons le GaC13 liquide, et similaire. A titre d'exemple non limitatif, un gaz porteur tel que 25 He, N2, H2 ou Ar, peut être barboté par le biais du GaC13 liquide, alors que le GaC13 liquide est maintenu à une température d'au moins 78 °C, de sorte que le gaz source peut comprendre un ou plusieurs gaz porteurs. [0027] Le flux de la vapeur de GaC13 à travers un 30 ou plusieurs conduits d'entrée de gaz 120A-120E peut être contrôlé dans certains modes de réalisation de l'invention. Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels un gaz porteur est barboté par le biais du GaC13 liquide, le flux de GaC13 provenant de la 35 source de gaz 122A-122E dépend d'un ou de plusieurs facteurs, comprenant par exemple la température du GaC13, la température sur le GaC13, et le débit du gaz porteur qui est barboté par le biais du GaC13. Alors que le flux massique du GaC13 peut en principe être contrôlé par l'un quelconque de ces paramètres, dans certains modes de réalisation, le flux massique du GaC13 peut être contrôlé en modifiant le débit du gaz porteur en utilisant un contrôleur de débit massique. [0028] Dans certains modes de réalisation, les une 10 ou plusieurs sources de gaz 122A-122E peuvent être capables de contenir environ 25 kg ou plus de GaC13, environ 35 kg ou plus de GaC13, ou même environ 50 kg ou plus de GaC13. Par exemple, la source de GaC13 peut être capable de contenir entre environ 50 et 100 kg de 15 GaC13 (par exemple entre environ 60 et 70 kg). En outre, plusieurs sources de GaC13 peuvent être raccordées ensemble afin de former une seule source de gaz des sources de gaz 122A-122E en utilisant un collecteur pour permettre la commutation d'une source 20 de gaz à l'autre sans interrompre le fonctionnement et/ni l'utilisation du système de dépôt 100. La source de gaz vide peut être retirée et remplacée par une nouvelle source pleine alors que le système de dépôt 100 reste opérationnel. 25 [0029] Dans certains modes de réalisation, les températures des conduits d'entrée de gaz 120A-120E peuvent être contrôlées entre les sources de gaz 122A-122E et la chambre de réaction 102. Les températures des conduits d'entrée de gaz 120A-120E et des capteurs 30 de débit massique associés, des contrôleurs et similaires peuvent être augmentées progressivement à partir d'une première température (par exemple environ 78 °C ou plus) à la sortie des sources de gaz 122A-122E respectives jusqu'à une deuxième température (par 35 exemple environ 150 °C ou moins) au point d'entrée dans la chambre de réaction 102 afin d'empêcher la condensation des gaz (par exemple la vapeur de GaCl3) dans les conduits d'entrée de gaz 120A-120E. Facultativement, la longueur des conduits d'entrée de gaz 120A-120E entre les sources de gaz 122A-122E respectives et la chambre de réaction 102 peut être d'environ dix-huit pieds (5,49 m) ou moins, environ douze pieds (3,66 m) ou moins, ou même environ six pieds (1,83 m) ou moins. La pression des gaz sources peut être contrôlée en utilisant un ou plusieurs systèmes de contrôle de pression. [0030] Dans des modes de réalisation supplémentaires, le système de dépôt 100 peut comprendre moins de cinq (par exemple de un à quatre) conduits d'entrée de gaz et sources de gaz respectives, ou le système de dépôt 100 peut comprendre plus de cinq (par exemple six, sept, etc.) conduits d'entrée de gaz et sources de gaz respectives. [0031] Les un ou plusieurs conduits d'entrée de gaz 120A-120E s'étendent dans la chambre de réaction 102 par le sous-ensemble d'injection 110. Le sous-ensemble d'injection 110 peut comprendre un ou plusieurs blocs de matériau à travers lesquels les conduits d'entrée de gaz 120A-120E s'étendent. Un ou plusieurs conduits de fluide 111 peuvent s'étendre à travers les blocs de matériau. Un fluide d'échange de chaleur peut être amené à s'écouler à travers les un ou plusieurs conduits de fluide 111 afin de maintenir le gaz ou les gaz qui s'écoulent dans le sous-ensemble d'injection 110 au moyen des conduits d'entrée de gaz 120A-120E dans une plage de températures souhaitable pendant le fonctionnement du système de dépôt 100. Par exemple, il peut être souhaitable de maintenir le gaz ou les gaz qui s'écoulent à travers le sous-ensemble d'injection 110 au moyen des conduits d'entrée de gaz 120A-120E à une température inférieure à environ 200 °C (150 °C) pendant le fonctionnement du système de dépôt. [0032] Un ou plusieurs des conduits d'entrée de 5 gaz 120A-120E s'étendent jusqu'à un four de gaz précurseur 130 disposé à l'intérieur de la chambre de réaction 102. Dans certains modes de réalisation, le four de gaz précurseur 130 peut être disposé au moins sensiblement complètement à l'intérieur de la chambre 10 de réaction 102. [0033] La figure 2 est une vue latérale en coupe du four de gaz précurseur 130 de la figure 1. Le four 130 du mode de réalisation des figures 1 et 2 comprend cinq (5) structures généralement en forme de 15 plaque 132A-132E qui sont fixées ensemble et sont dimensionnées et configurées pour définir une ou plusieurs trajectoires d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le four 130 dans des chambres définies entre les structures généralement en forme de 20 plaque 132A-132E. Les structures généralement en forme de plaque 132A-132E peuvent comprendre, par exemple, du quartz transparent pour permettre à l'énergie thermique rayonnée par les éléments chauffants 118 de passer à travers les structures 132A-132E et chauffer le gaz ou 25 les gaz précurseurs dans le four 130. [0034] Comme représenté sur la figure 2, la première structure en forme de plaque 132A et la deuxième structure en forme de plaque 132B peuvent être couplées ensemble afin de définir une chambre 134 entre 30 elles. Une pluralité de saillies solidaires en forme de crête 136 sur la première structure en forme de plaque 132A peuvent diviser la chambre 134 en une ou plusieurs trajectoires d'écoulement s'étendant à partir d'une entrée 138 dans la chambre 134 jusqu'à une 35 sortie 140 de la chambre 134. [0035] La figure 3 est une vue en plan de dessus de la première structure en forme de plaque 132 et illustre les saillies en forme de crête 136 sur cette dernière et les trajectoires d'écoulement qui sont ainsi définies dans la chambre 134. Comme représenté sur la figure 3, les saillies 136 définissent des sections de la trajectoire d'écoulement s'étendant à travers le four 130 (figure 2) qui ont une configuration en serpentin. Les saillies 136 peuvent comprendre des parois alternées ayant des ouvertures 138 à travers ces dernières au niveau des extrémités latérales des saillies 136 et au centre des saillies 136, comme représenté sur la figure 3. Ainsi, dans cette configuration, les gaz peuvent entrer dans la chambre 134 à proximité d'une région centrale de la chambre 134, comme représenté sur la figure 3, s'écouler latéralement vers l'extérieur, vers les côtés latéraux du four 130, en passant par les ouvertures 138 au niveau des extrémités latérales de l'une des saillies 136, revenir vers la région centrale de la chambre 134 et par une autre ouverture 138 au niveau du centre d'une autre saillie 136. Ce modèle d'écoulement est répété jusqu'à ce que les gaz atteignent un côté opposé de la plaque 132A par rapport à l'entrée 138 après s'être écoulés à travers la chambre 134 en faisant un mouvement de va-et-vient à la manière d'un serpentin. [0036] En amenant un ou plusieurs gaz précurseurs à s'écouler à travers cette section de la trajectoire d'écoulement s'étendant à travers le four 130, le temps de séjour des un ou plusieurs gaz précurseurs à l'intérieur du four 130 peut être sélectivement augmenté. [0037] A nouveau en référence à la figure 2, 35 l'entrée 138 conduisant dans la chambre 134 peut être 14 définie, par exemple, par un élément tubulaire 142. L'un des conduits d'entrée de gaz 120A-120E, tel que le conduit d'entrée de gaz 120B, peut s'étendre vers et se coupler avec l'élément tubulaire 142, comme représenté 5 sur la figure 1. Un élément de joint d'étanchéité 144, tel qu'un joint torique polymère, peut être utilisé afin de former un joint d'étanchéité étanche au gaz entre le conduit d'entrée de gaz 120B et l'élément tubulaire 142. L'élément tubulaire 142 peut comprendre, 10 par exemple, du quartz opaque, afin d'empêcher l'énergie thermique émise par les éléments chauffants 118 de chauffer l'élément de joint d'étanchéité 144 à des températures élevées qui peuvent provoquer la dégradation de l'élément de joint 15 d'étanchéité 144. De plus, le refroidissement du sous-ensemble d'injection 110 utilisant l'écoulement du fluide de refroidissement à travers les conduits de fluide 111 peut empêcher le chauffage excessif et se traduire par la dégradation de l'élément de joint 20 d'étanchéité 144. En maintenant la température de l'élément de joint d'étanchéité 144 au-dessous d'environ 200 °C, on peut maintenir un joint d'étanchéité adéquat entre l'un des conduits d'entrée de gaz 120A-120E et l'élément tubulaire 142, en 25 utilisant l'élément de joint d'étanchéité 144 lorsque les conduits d'entrée de gaz comprennent un métal ou un alliage de métal (par exemple de l'acier) et l'élément tubulaire 142 comprend un matériau réfractaire tel que le quartz. L'élément tubulaire 142 et la première 30 structure en forme de plaque 132A peuvent être reliés ensemble afin de former un corps unitaire en quartz. [0038] Comme représenté sur les figures 2 et 3, les structures en forme de plaque 132A, 132B peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité 35 complémentaires 147A, 147B (par exemple une crête et un évidement correspondant), qui s'étendent autour de la périphérie des structures en forme de plaque 132A, 132B et fermer au moins sensiblement hermétiquement la chambre 134 entre les structures en forme de plaque 132A, 132B. Ainsi, on empêche les gaz à l'intérieur de la chambre 134 de sortir latéralement en s'écoulant de la chambre 134, et ils sont obligés de s'écouler à partir de la chambre 134 par la sortie 140 (figure 2). [0039] Facultativement, les saillies 136 peuvent être configurées pour avoir une hauteur qui est légèrement inférieure à une distance séparant la surface 152 de la première structure en forme de plaque 132A à partir de laquelle les saillies 136 s'étendent et la surface opposée 154 de la deuxième structure en forme de plaque 132B. Ainsi, un petit espace peut être prévu entre les saillies 136 et la surface 154 de la deuxième structure en forme de plaque 132B. Bien qu'une quantité mineure de gaz peut fuir par ces espaces, cette petite quantité de fuite n'affecte pas de manière indésirable le temps de séjour moyen pour les molécules de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre 134. En configurant les saillies 136 de cette manière, les variations de hauteur des saillies 136 qui peuvent se produire en raison des tolérances dans les procédés de fabrication utilisés pour former les structures en forme de plaque 132A, 132B peuvent être prises en compte, de sorte que les saillies 136 qui sont fabriquées par inadvertance à une hauteur excessive, n'empêchent pas la formation d'un joint d'étanchéité adéquat entre les structures en forme de plaque 132A, 132B grâce aux caractéristiques d'étanchéité complémentaires 147A, 147B. [0040] Comme représenté sur la figure 2, la sortie 140 de la chambre 134 entre les structures en forme de plaque 132A, 132B conduit à une entrée 148 jusqu'à une chambre 150 entre la troisième structure en forme de plaque 132C et la quatrième structure en forme de plaque 132D. La chambre 150 peut être configurée de sorte que le gaz ou les gaz s'écoulent à l'intérieur à partir de l'entrée 148 vers une sortie 156 à partir de la chambre 150 d'une manière généralement linéaire. Par exemple, la chambre 150 peut avoir une forme transversale qui est généralement rectangulaire et uniforme du point de vue de la taille entre l'entrée 148 et la sortie 156. Ainsi, la chambre 150 peut être configurée pour rendre l'écoulement de gaz ou des gaz plus laminaire, en contraste par rapport à l'écoulement turbulent. [0041] Les structures en forme de plaque 132C, 132D peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité complémentaires 158A, 158B (par exemple une crête et un évidement correspondant) qui s'étendent autour de la périphérie des structures en forme de plaque 132C, 132D et enferment au moins sensiblement hermétiquement la chambre 150 entre les structures en forme de plaque 132C, 132D. Ainsi, on empêche les gaz à l'intérieur de la chambre 150 de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 150, et ils sont obligés de s'écouler à partir de la chambre 150 par la sortie 156. [0042] La sortie 156 peut comprendre par exemple, une ouverture allongée (par exemple une fente) s'étendant à travers la structure en forme de plaque 132D à proximité de son extrémité opposée à partir de l'extrémité qui est à proximité de l'entrée 148. [0043] A nouveau en référence à la figure 2, la 35 sortie 156 de la chambre 150 entre les structures en forme de plaque 132C, 132D conduit à une entrée 160 jusqu'à une chambre 162 entre la quatrième structure en forme de plaque 132D et la cinquième structure en forme de plaque 132E. La chambre 162 peut être configurée de sorte que le gaz ou les gaz à l'intérieur de cette dernière s'écoulent par l'entrée 160 vers une sortie 164 à partir de la chambre 162 d'une manière généralement linéaire. Par exemple, la chambre 162 peut avoir une forme transversale qui est généralement rectangulaire et uniforme du point de vue de la taille entre l'entrée 160 et la sortie 164. Ainsi, la chambre 162 peut être configurée pour rendre l'écoulement du gaz ou des gaz plus laminaire, en contraste par rapport à l'écoulement turbulent, d'une manière similaire à celle précédemment décrite en référence à la chambre 150. [0044] Les structures en forme de plaque 132D, 132E peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité complémentaires (par exemple une crête et 20 un évidement correspondant) qui s'étendent autour d'une partie de la périphérie des structures en forme de plaque 132D, 132E et rendent la chambre 162 étanche entre les structures en forme de plaque 132D, 132E de tous les côtés, sauf le côté des structures en forme de 25 plaque 132D, 132E. Un espace est prévu entre les structures en forme de plaque 132D, 132E sur leur côté opposé à l'entrée 160, lequel espace définit la sortie 164 de la chambre 162. Ainsi, les gaz pénètrent dans la chambre 162 par l'entrée 160, s'écoulent par la 30 chambre 162 vers la sortie 164 (en étant empêchés de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 162 grâce aux caractéristiques d'étanchéité complémentaires 166A, 166B), et sortent en s'écoulant de la chambre 162 par la sortie 164. Les sections de la 35 trajectoire ou des trajectoires d'écoulement de gaz à l'intérieur du four 130 qui sont définies par la chambre 150 et la chambre 162 sont configurées pour communiquer un écoulement laminaire à un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler par la trajectoire ou les trajectoires d'écoulement à l'intérieur du four 130, et en réduire toute turbulence. [0045] La sortie 164 est configurée pour émettre un ou plusieurs gaz précurseurs du four 130 dans la région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102. La figure 4 est une vue en perspective du four 130, et illustre la sortie 164. Comme représenté sur la figure 4, la sortie 164 peut avoir une forme transversale rectangulaire, qui peut aider à préserver l'écoulement laminaire du gaz ou des gaz précurseurs qui sont injectés depuis le four 130 et dans la région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102. La sortie 164 peut être dimensionnée et configurée pour faire sortir un volume de gaz précurseur en écoulement dans une direction transversale sur une surface supérieure 168 de la structure de support de substrat 114. Comme représenté sur la figure 4, la surface d'extrémité 180 de la quatrième structure généralement en forme de plaque 132D et la surface d'extrémité 182 de la cinquième structure généralement en forme de plaque 132E, un espace qui définit la sortie 164 de la chambre 162, comme précédemment discuté, peut avoir une forme qui correspond généralement à une forme d'un substrat de pièce 116 supporté sur la structure de support de substrat 114 et sur lequel un matériau doit être déposé en utilisant le gaz ou les gaz précurseurs s'écoulant hors du four 130. Par exemple, dans des modes de réalisation dans lesquels le substrat de pièce 116 comprend une matrice ou plaquette ayant une périphérie qui a une forme généralement circulaire, les surfaces 180, 182 peuvent avoir une forme arquée qui correspond généralement au profil de la périphérie externe du substrat de pièce 116 à traiter. Dans une telle configuration, la distance entre la sortie 164 et le bord externe du substrat de pièce 116 peut être généralement constante sur la sortie 164. Dans cette configuration, on empêche le gaz ou les gaz précurseurs sortant en s'écoulant par la sortie 164 de se mélanger avec les autres gaz précurseurs à l'intérieur de la chambre de réaction 102 jusqu'à ce qu'ils soient positionnés à proximité de la surface du substrat de pièce 116 sur lequel le matériau doit être déposé par les gaz précurseurs, et éviter un dépôt involontaire de matériau sur les composants du système de dépôt 100. [0046] A nouveau en référence à la figure 1, la trajectoire d'écoulement de gaz précurseur à travers le four 130, comme défini à travers la chambre 134, la chambre 150 et la chambre 162, peut avoir une distance de trajectoire d'écoulement minimum d'au moins douze (12) pouces. Dans le mode de réalisation exemplaire des figures 1 à 3, la distance de trajectoire d'écoulement est d'environ douze (12) pouces (30,48 cm) pour chacune des huit (8) sections de patte de serpentin. [0047] Egalement, le système de dépôt 100 peut être configuré de sorte que les un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers les une ou plusieurs trajectoires d'écoulement à travers le four 130 ont un temps de séjour à l'intérieur du four d'au moins environ 0,2 secondes (par exemple environ 0,48 secondes) ou même plusieurs secondes ou plus. [0048] En référence à nouveau à la figure 1, les éléments chauffants 118 peuvent comprendre un premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 et un deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné et configuré pour communiquer l'énergie thermique au four 130 et chauffer le gaz précurseur à l'intérieur de ce dernier. Par exemple, le premier groupe 170 des éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessous de la chambre de réaction 102 sous le four 130, comme représenté sur la figure 1. Dans les modes de réalisation supplémentaires, le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessus de la chambre de réaction 102 sur le four 130, ou peut comprendre à la fois des éléments chauffants 118 positionnés au-dessous de la chambre de réaction 102 sous le four 130 et des éléments chauffants positionnés au-dessus de la chambre de réaction 102 sur le four 130. Le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné et configuré pour communiquer l'énergie thermique à la structure de support de substrat 114 et tout substrat de pièce supporté sur cette dernière. Par exemple, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessous de la chambre de réaction 102 sous la structure de support de substrat 114, comme représenté sur la figure 1. Dans les modes de réalisation supplémentaires, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessus de la chambre de réaction 102 sur la structure de support de substrat 114, ou peut comprendre à la fois des éléments chauffants 118 positionnés au-dessous de la chambre de réaction 102 sous la structure de support de substrat 114 et des éléments chauffants positionnés au-dessus de la chambre de réaction 102 sur la structure de support de substrat 114. [0049] Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être séparé du deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 par une barrière thermiquement réfléchissante ou thermiquement isolante 174. A titre d'exemple non limitatif, une telle barrière 174 peut comprendre une plaque métallique plaquée or positionnée entre le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 et le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. La plaque métallique peut être orientée pour permettre le chauffage indépendamment contrôlé du four 130 (par le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118) et la structure de support de substrat 114 (par le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118). En d'autres termes, la barrière 174 peut être positionnée et orientée pour réduire ou empêcher le chauffage de la structure de support de substrat 114 par le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118, et pour réduire ou empêcher le chauffage du four 130 par le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. [0050] Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut comprendre une pluralité de rangées d'éléments chauffants 118, qui peuvent être contrôlées indépendamment les unes des autres. En d'autres termes, l'énergie thermique émise par chaque rangée d'éléments chauffants 118 peut être contrôlée indépendamment. Les rangées peuvent être orientées de manière transversale par rapport à la direction de l'écoulement net de gaz à travers la chambre de réaction 102, qui est la direction s'étendant de gauche à droite d'après la vue en perspective de la figure 1. Ainsi, les rangées indépendamment contrôlées d'éléments chauffants 118 peuvent être utilisées pour fournir un gradient thermique sélectionné sur le four 130, si nécessaire. De manière similaire, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut également comprendre une pluralité de rangées d'éléments chauffants 118, qui peuvent être contrôlées indépendamment les unes des autres. Ainsi, un gradient thermique sélectionné peut également être fourni sur la structure de support de substrat 114, si nécessaire. [0051] Facultativement, les structures de transfert de chaleur passives (par exemple des structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être positionnées de manière adjacente ou à proximité d'au moins une partie du four de gaz précurseur 130 à 10 l'intérieur de la chambre de réaction 102 afin d'améliorer le transfert de chaleur aux gaz précurseurs à l'intérieur du four 130. [0052] Les structures de transfert de chaleur passives (par exemple des structures comprenant des 15 matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être prévues à l'intérieur de la chambre de réaction 102 comme décrit, par exemple dans la publication de demande de brevet US 2009/0214785 Al, qui a été publiée le 27 août 2009 au nom de Arena et 20 associés. A titre d'exemple non limitatif, le four de gaz précurseur 130 peut comprendre une plaque de transfert de chaleur passive 178, qui peut être positionnée entre la deuxième structure en forme de plaque 132B et la troisième structure en forme de 25 plaque 132C, comme représenté sur la figure 2. Une telle plaque de transfert de chaleur passive 178 peut améliorer le transfert de chaleur fournie par les éléments chauffants 118 au gaz précurseur à l'intérieur du four 130, et peut améliorer l'homogénéité et la 30 consistance de la température à l'intérieur du four 130. La plaque de transfert de chaleur passive 178 peut comprendre un matériau avec des valeurs d'émissivité élevées (proche de l'unité) (matériaux de corps noir) qui est également capable de résister à 35 l'environnement corrosif à haute température qui l'on peut rencontrer à l'intérieur de la chambre de réaction 102. De tels matériaux peuvent comprendre, par exemple le nitrure d'aluminium (A1N), le carbure de silicium (SiC) et le carbure de bore (B4C) qui ont respectivement des valeurs d'émissivité de 0,98, 0,92 et 0,92. Ainsi, la plaque de transfert de chaleur passive 178 peut absorber l'énergie thermique émise par les éléments chauffants 118 et émettre à nouveau l'énergie thermique dans le four 130 et le ou les gaz précurseurs à l'intérieur de ce dernier. [0053] A nouveau en référence à la figure 1, le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut comprendre une chambre de vide 184 dans laquelle les gaz s'écoulant à travers la chambre de réaction 102 sont aspirés par le vide et évacués de la chambre de réaction 102. Comme représenté sur la figure 1, la chambre de vide 184 peut être positionnée au-dessous de la chambre de réaction 102. [0054] Le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut en outre comprendre un dispositif de rideau de gaz de purge 186 qui est configuré et orienté pour fournir un rideau généralement plan de gaz de purge en écoulement qui sort en s'écoulant du dispositif de rideau de gaz de purge 186 et dans la chambre de vide 184. Le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut également comprendre une porte 188 qui peut être sélectivement ouverte pour le chargement et/ou le déchargement des substrats de pièce 116 de la structure de support de substrat 114, et sélectivement fermée pour traiter les substrats de pièce 116 en utilisant le système de dépôt 100. Le rideau de gaz de purge émis par le dispositif de rideau de gaz de purge 186 peut réduire ou empêcher le dépôt parasite de matériaux sur la porte 188 pendant les procédés de dépôt. [0055] Les sous-produits gazeux, les gaz porteurs et tous les gaz précurseurs en excès peuvent être évacués de la chambre de réaction 102 par le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112. [0056] La figure 5 est un schéma illustrant une vue d'un autre mode de réalisation d'un système de dépôt 200 qui est similaire au système de dépôt 100 de la figure 1, mais qui comprend trois fours de gaz précurseur 130A, 130B, 130C positionnés à l'intérieur d'une chambre intérieure de la chambre de réaction 102. Ainsi, chacun des fours de gaz précurseur 130A, 130B, 130C peut être utilisé pour injecter le même gaz précurseur ou des gaz précurseurs différents dans la chambre de réaction 102. A titre d'exemple non limitatif, le four de gaz précurseur 130B peut être utilisé pour injecter du GaC13 dans la chambre de réaction 102, le four de gaz précurseur 130A peut également être utilisé pour injecter du GaC13 dans la chambre de réaction 102 et le four de gaz précurseur 130C peut également être utilisé pour injecter du GaC13 dans la chambre de réaction 102. A titre d'autre exemple, le four de gaz précurseur 130B peut être utilisé pour injecter du GaC13 dans la chambre de réaction 102, le four de gaz précurseur 130A peut être utilisé pour injecter du InC13 dans la chambre de réaction 102 et le four de gaz précurseur 130C peut être utilisé pour injecter du A1C13 dans la chambre de réaction 102. Facultativement, un gaz précurseur d'un élément du groupe III peut être injecté dans la chambre de réaction 102 en utilisant le four de gaz précurseur 130B pour le dépôt d'un semiconducteur III-V et les fours de gaz précurseur 130A, 130C peuvent être utilisés pour injecter un ou plusieurs gaz précurseurs utilisés pour déposer un ou plusieurs éléments dopants dans le semi-conducteur III-V. [0057] Les modes de réalisation des systèmes de dépôt, tels que décrits ici, tels que le système de dépôt 100 de la figure 1 et le système de dépôt 200 de la figure 5, peuvent permettre l'introduction de quantité relativement importante de gaz précurseur à haute température dans la chambre de réaction 102 tout en maintenant les gaz précurseurs spatialement espacés les uns des autres jusqu'à ce que les gaz soient positionnés à proximité immédiate du substrat de pièce 116 sur lequel le matériau doit être déposé, ce qui peut améliorer l'efficacité de l'utilisation des gaz précurseurs. [0058] Les modes de réalisation des systèmes de dépôt tels que décrits ici, tels que le système de dépôt 100 de la figure 1 et le système de dépôt 200 de la figure 5, peuvent être utilisés pour déposer un semi-conducteur sur un substrat de pièce 116 selon d'autres modes de réalisation de la description. [0059] En référence à la figure 1, un gaz précurseur d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V peuvent être amenés à s'écouler séparément dans la chambre de réaction 102 par des conduits différents des conduits d'entrée de gaz 120A-120E. Le gaz précurseur d'un élément du groupe III peut être amené à s'écouler par au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le four de gaz précurseur 130 disposé à l'intérieur de la chambre de réaction 102 pour chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III. [0060] Après avoir chauffé le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur du four 130, le gaz précurseur d'un élément du groupe V et le gaz 35 précurseur d'un élément du groupe III peuvent être mélangés à l'intérieur de la chambre de réaction 102 sur le substrat de pièce 116. La surface du substrat de pièce 116 peut être exposée au mélange du gaz précurseur d'un élément du groupe V et du gaz précurseur d'un élément du groupe III afin de former un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat de pièce 116. [0061] Comme précédemment mentionné, la trajectoire d'écoulement à travers laquelle le gaz précurseur d'un élément du groupe III est amené à s'écouler, peut comprendre au moins une configuration de serpentin (par exemple la configuration des trajectoires d'écoulement à l'intérieur de la chambre 134) et au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III (par exemple les configurations des trajectoires d'écoulement à l'intérieur de la chambre 150 et de la chambre 162). Le gaz précurseur d'un élément du groupe III peut être amené à s'écouler par la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire et dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102 à l'extérieur du four 130. Le gaz précurseur d'un élément du groupe III peut s'écouler du four 130 sous la forme d'un volume de gaz précurseur d'un élément du groupe III dans une direction transversale sur la surface supérieure du substrat de pièce 116, comme précédemment décrit ici. [0062] Le gaz précurseur d'un élément du groupe III peut comprendre un ou plusieurs parmi GaC13, InCl3 et A1C13. Dans de tels modes de réalisation, le chauffage du gaz précurseur d'un élément du groupe III peut se traduire par la décomposition d'au moins l'un parmi GaC13, InC13 et A1C13 afin de former au moins l'un parmi GaCl, InCl, AlC1 et une espèce chlorée (par exemple HC1). [0063] On décrit ci-dessous des modes de réalisation exemplaires non limitatifs supplémentaires 5 de l'invention. [0064] Mode de réalisation 1 : un système de dépôt comprenant : une chambre de réaction au moins sensiblement close définie par une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale ; 10 un suscepteur disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction et configuré pour supporter un substrat à l'intérieur de la chambre de réaction ; et un système d'entrée de gaz pour injecter un ou plusieurs gaz précurseurs dans la chambre de 15 réaction, le système d'entrée de gaz comprenant au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction, au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur. 20 [0065] Mode de réalisation 2 : le système de dépôt du mode de réalisation 1, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur comprend au moins une section ayant une configuration de 25 serpentin. [0066] Mode de réalisation 3 : le système de dépôt du mode de réalisation 1 ou du mode de réalisation 2, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a au moins une section configurée pour 30 fournir un écoulement laminaire des un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la au moins une trajectoire d'écoulement. [0067] Mode de réalisation 4 : le système de dépôt du mode de réalisation 3, dans lequel la au moins une 35 section configurée pour fournir l'écoulement laminaire comprend une sortie configurée pour produire un ou plusieurs gaz précurseurs dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction. [0068] Mode de réalisation 5 : le système de dépôt 5 du mode de réalisation 4, dans lequel la sortie a une forme transversale rectangulaire. [0069] Mode de réalisation 6 : le système de dépôt du mode de réalisation 4, dans lequel la sortie est dimensionnée et configurée pour faire sortir un volume 10 de gaz précurseur en écoulement dans une direction transversale sur une surface supérieure du suscepteur. [0070] Mode de réalisation 7 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 6, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de 15 gaz précurseur a une distance de trajectoire d'écoulement minimum d'au moins environ douze pouces (30,48 cm). [0071] Mode de réalisation 8 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 7, 20 dans lequel le système de dépôt est configuré de sorte qu'un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur ont un temps de séjour à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur d'au moins 25 environ 0,2 secondes. [0072] Mode de réalisation 9 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 8, comprenant en outre au moins un élément chauffant configuré pour communiquer l'énergie thermique au au 30 moins un four de gaz précurseur. [0073] Mode de réalisation 10 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 9, dans lequel le au moins un four de gaz précurseur comprend au moins deux plaques généralement planes 35 fixées ensemble et configurées pour définir au moins une partie de la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur entre ces dernières. [0074] Mode de réalisation 11 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 5 à 10, dans lequel le au moins un four de gaz précurseur comprend deux fours de gaz précurseur ou plus. [0075] Mode de réalisation 12 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 11, comprenant en outre : au moins une source de gaz 10 précurseur ; et au moins un conduit configuré pour transporter un gaz précurseur de la source de gaz précurseur jusqu'au au moins un four de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction. [0076] Mode de réalisation 13 : le système de 15 dépôt du mode de réalisation 12, dans lequel la au moins une source de gaz précurseur comprend une source d'au moins l'un parmi GaC13, InC13 et A1C13. [0077] Mode de réalisation 14 : un procédé pour déposer un semi-conducteur comprenant les étapes 20 consistant à : laisser s'écouler séparément un gaz précurseur d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V dans une chambre de réaction ; laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une 25 trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction afin de chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III ; après avoir chauffé le gaz précurseur d'un élément du groupe 30 III à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction, mélanger le gaz précurseur d'un élément du groupe V et le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur de la chambre de réaction sur un substrat ; et exposer une 35 surface du substrat au mélange du gaz précurseur d'un élément du groupe V et du gaz précurseur d'un élément du groupe III afin de former un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat. [0078] Mode de réalisation 15 : le procédé du mode de réalisation 14, dans lequel l'étape consistant à chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III comprend l'étape consistant à décomposer au moins l'un parmi GaC13, InC13 et AlCl3 afin de former au moins l'un parmi GaC1, InCl et AlC1 et une espèce chlorée. [0079] Mode de réalisation 16 : le procédé du mode de réalisation 15, dans lequel l'étape consistant à décomposer au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 afin de former au moins l'un parmi GaCl, InCl et A1C1 et une espèce chlorée comprend l'étape consistant à décomposer GaC13 afin de former GaCl et une espèce chlorée. [0080] Mode de réalisation 17 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 16, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend au moins une section ayant une configuration de serpentin, et l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une section de la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur ayant la configuration de serpentin. [0081] Mode de réalisation 18 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 17, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III et dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III. [0082] Mode de réalisation 19 : le procédé du mode de réalisation 18, comprenant en outre l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un 10 élément du groupe III par la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III et dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction. 15 [0083] Mode de réalisation 20 : le procédé du mode de réalisation 19, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III par la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un 20 élément du groupe III comprend en outre l'étape consistant à former un volume de gaz précurseur d'un élément du groupe III s'écoulant généralement dans une direction transversale sur la surface supérieure du substrat. 25 [0084] Mode de réalisation 21 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 20, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur 30 s'étendant à travers au moins un four de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III sur une distance minimum d'au moins environ douze pouces (30,48 cm) à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur. [0085] Mode de réalisation 22 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 21, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au 5 moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers au moins un four de gaz précurseur comprend l'étape consistant à amener le gaz précurseur d'un élément du groupe III à séjourner à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur pendant au moins 10 environ 0,2 secondes. [0086] Mode de réalisation 23 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 14 à 22, comprenant en outre l'étape consistant à communiquer l'énergie thermique au au moins un four de gaz 15 précurseur en utilisant au moins un élément chauffant. REVENDICATIONS1. Système de dépôt comprenant : au moins une chambre de réaction close définie par 5 une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale ; un suscepteur disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction et configuré pour supporter un substrat à l'intérieur de la chambre de 10 réaction ; et un système d'entrée de gaz pour injecter un ou plusieurs gaz précurseurs dans la chambre de réaction, le système d'entrée de gaz comprenant au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre 15 de réaction, au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur. 2. Système de dépôt selon la revendication 1, 20 dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur comprend au moins une section ayant une configuration de serpentin. 25 3. Système de dépôt selon la revendication 2, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire d'un ou de plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la au moins 30 une trajectoire d'écoulement. 4. Système de dépôt selon la revendication 3, dans lequel la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire comprend une sortie 35 configurée pour faire sortir un ou plusieurs gazprécurseurs dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction. 5. Système de dépôt selon la revendication 4, dans lequel la sortie a une forme transversale rectangulaire. 6. Système de dépôt selon la revendication 4, dans lequel la sortie est dimensionnée et configurée pour faire sortir un volume de gaz précurseur en écoulement dans une direction transversale sur une surface supérieure du suscepteur. 7. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a une distance de trajectoire d'écoulement minimum d'au moins environ douze pouces, c'est-à-dire 30,48 cm. 8. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le système de dépôt est configuré de sorte qu'un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur ont un temps de séjour à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur d'au moins environ 0,2 secondes. 9. Système de dépôt selon la revendication 1, comprenant en outre au moins un élément chauffant 30 configuré pour communiquer l'énergie thermique au au moins un four de gaz précurseur. 10. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le au moins un four de gaz précurseur 35 comprend au moins deux plaques généralement planesfixées ensemble et configurées pour définir au moins une partie de la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur entre elles. 11. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le au moins un four de gaz précurseur comprend deux fours de gaz précurseur ou plus. 12. Système de dépôt selon la revendication 1, 10 comprenant en outre : au moins une source de gaz précurseur ; et au moins un conduit configuré pour transporter un gaz précurseur d'une source de gaz précurseur au au moins un four de gaz précurseur à l'intérieur de la 15 chambre de réaction. 13. Système de dépôt selon la revendication 12, dans lequel la au moins une source de gaz précurseur comprend une source d'au moins l'un parmi GaC13, InC13 20 et A1C13. 14. Procédé pour déposer un semi-conducteur comprenant les étapes consistant à : laisser s'écouler séparément un gaz précurseur 25 d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V dans une chambre de réaction ; laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le 30 au moins un four de gaz précurseur disposé à l'intérieur de la chambre de réaction afin de chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III ; après avoir chauffé le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur du au moins un four de gaz 35 précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction,mélanger le gaz précurseur d'un élément du groupe V et le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur de la chambre de réaction sur un substrat ; et exposer une surface du substrat au mélange de gaz précurseur d'un élément du groupe V et au gaz précurseur d'un élément du groupe III afin de former un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l'étape consistant à chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III comprend l'étape consistant à décomposer au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 afin de former au moins l'un parmi GaC1, InCl et A1C1 et une espèce chlorée. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel l'étape consistant à décomposer au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 afin de former au moins l'un parmi GaC1, InCl et A1C1 et une espèce chlorée comprend l'étape consistant à décomposer GaC13 afin de former GaC1 et une espèce chlorée. 17. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend au moins une section ayant une configuration de serpentin, et dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une section de la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur ayant la configuration de serpentin. 18. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur a au moins une section configurée pour 5 fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III et dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur comprend l'étape 10 consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III. 15 19. Procédé selon la revendication 18, comprenant en outre l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III hors de la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III 20 et dans une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction. 20. Procédé selon la revendication 19, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz 25 précurseur d'un élément du groupe III hors de la au moins une section configurée pour fournir l'écoulement laminaire du gaz précurseur d'un élément du groupe III comprend en outre l'étape consistant à former un volume de gaz précurseur d'un élément du groupe III s'écoulant 30 généralement dans une direction transversale sur la surface supérieure du substrat. 21. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz 35 précurseur d'un élément du groupe III à travers la aumoins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le au moins un four de gaz précurseur comprend l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III sur une distance minimum d'au moins environ douze pouces, c'est-à-dire 30,48 cm à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur. 22. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le gaz précurseur d'un élément du groupe III à travers la au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers au moins un four de gaz précurseur comprend l'étape consistant à amener le gaz précurseur d'un élément du groupe III à séjourner à l'intérieur du au moins un four de gaz précurseur pendant au moins environ 0,2 secondes. 23. Procédé selon la revendication 14, comprenant 20 en outre l'étape consistant à communiquer l'énergie thermique au au moins un four de gaz précurseur en utilisant au moins un élément chauffant.