FR 2980904 A1 20130405 FR 1158854 A 20110930 B11260 - 10-GR3-140FR01 1 PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN CIRCUIT ÉLECTRONIQUE INTÉGRANT AU MOINS UNE MATRICE DRAM Domaine de l'invention La présente invention concerne un circuit électronique contenant une mémoire vive (DRAM). Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé de commande d'un tel circuit pendant une opération de rafraîchissement de la mémoire dynamique. Exposé de l'art antérieur Récemment, il a été proposé d'intégrer directement des matrices de points mémoire DRAM sur des circuits comprenant d'autres éléments, par exemple des processeurs. On parle alors de mémoire DRAM embarquée ou eDRAM. De tels circuits sont tout particulièrement adaptés à être utilisés dans des composants électroniques mobiles tels que des téléphones portables ou des consoles de jeu portatives. Du fait du faible encombrement des mémoires DRAM, il est possible d'intégrer, sur un même circuit, un grand nombre de points mémoire et donc de réaliser des mémorisations importantes de données. Des matrices de mémoire DRAM peuvent ainsi être utilisées pour du décodage de signaux vidéo haute définition, des animations 3D, ou encore des jeux vidéo. Les mémoires eDRAM sont donc particulièrement adaptées à B11260 - 10-GR3-140FRO1 2 des dispositifs mobiles nécessitant une grande capacité de traitement de données. Une mémoire DRAM comprend généralement des points mémoire répartis en rangées et en colonnes. Les points mémoire doivent être rafraîchis. Pour permettre un stockage de bonne qualité des données stockées dans chaque point mémoire, un rafraîchissement des points mémoire est réalisé à intervalles réguliers. De façon générale, tous les points mémoire d'une rangée sont rafraîchis simultanément. La durée minimum entre deux rafraîchissements d'une même rangée, généralement prévue en fonction du cas le plus défavorable, est appelée temps de rétention TRET- Selon la technologie utilisée pour réaliser la mémoire DRAM, le temps de rétention TRET peut varier de plusieurs microsecondes à plusieurs millisecondes. Le circuit comprend un module de commande central, par exemple un microcontrôleur, utilisant la mémoire DRAM pour le stockage de données. Le rafraîchissement de la mémoire DRAM peut être réalisé par le module de commande en plus de son fonctionnement normal. Le module de commande central doit alors tenir compte du temps de rétention TRET pour que les opérations de rafraîchissement des rangées de la mémoire DRAM ne soient pas réalisées trop tard, ce qui pourrait entraîner la perte de données stockées dans la mémoire DRAM. La tendance actuelle est à l'augmentation de la taille 25 de la mémoire DRAM, la durée de rétention TRET ne variant pas ou tendant même à diminuer en particulier pour les mémoires DRAM embarquées sur les circuits. Afin que toutes les rangées de la mémoire DRAM puissent être rafraîchies pendant le temps de rétention TRET, la 30 structure de la mémoire DRAM peut permettre que des opérations de rafraîchissement des rangées de la mémoire DRAM soient réalisées simultanément à des opérations de lecture ou d'écriture de données dans des rangées de la mémoire. Toutefois, la structure de la mémoire DRAM ne permet généralement pas 35 qu'une opération de rafraîchissement et qu'une opération de B11260 - 10-GR3-140FRO1 3 lecture et/ou d'écriture puissent être réalisées simultanément dans la même rangée de la mémoire ou dans des rangées adjacentes. La programmation du module de commande central peut 5 alors être difficile puisque le module de commande central doit tenir compte des rangées en cours de lecture ou d'écriture pour réaliser les opérations de rafraîchissement En outre, la structure de la mémoire DRAM peut ne pas permettre au module de commande centrale de connaître ou 10 contrôler l'adresse de la rangée de la mémoire qui est rafraîchie. Dans ce cas, le module de commande central doit interrompre les opérations de lecture ou d'écriture pour réaliser les opérations de rafraîchissement. Il serait souhaitable que l'opération de 15 rafraîchissement soit réalisée directement par un module de commande dédié à la mémoire DRAM. Le rafraîchissement de la mémoire DRAM serait alors réalisé en parallèle du fonctionnement du module de commande central. Ceci permettrait de simplifier la programmation du module de commande central. 20 Ainsi, un besoin existe d'un circuit électronique contenant une mémoire vive dynamique, un module de commande central réalisant des opérations de lecture ou d'écriture dans la mémoire vive et un module de commande dédié réalisant le rafraîchissement de la mémoire parallèlement aux opérations de 25 lecture et d'écriture. Il existe, en outre, un besoin d'un procédé de commande d'un tel circuit permettant la réalisation du rafraîchissement de la mémoire simultanément à des opérations d'écriture ou de lecture dans la mémoire. Résumé 30 Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit un procédé de commande d'un circuit électronique intégrant au moins une mémoire dynamique comprenant des portions de mémoire, chaque portion de mémoire comprenant des rangées de points mémoire pouvant être rafraîchies, les rangées étant 35 agencées selon des rangs successifs, au plus un nombre Q, B11260 - 10-GR3-140FRO1 4 supérieur ou égal à 1, d'opérations de lecture ou d'écriture pouvant être réalisées simultanément dans la mémoire dynamique, le procédé comprenant, pour chaque rang : (a) la sélection de première et seconde portions de 5 mémoire distinctes parmi les portions de mémoire ; (b) le rafraîchissement de la rangée audit rang dans la première portion de mémoire s'il n'y a pas d'opération de lecture ou d'écriture dans la première portion de mémoire ou le rafraîchissement de la rangée audit rang dans la seconde portion 10 de mémoire s'il y a une opération de lecture ou d'écriture dans la première portion de mémoire ; et (c) la répétition des étapes (a) et (b) jusqu'à ce que toutes les rangées, à l'exception éventuellement d'au plus Q rangées, audit rang des portions de mémoire soient rafraîchies. 15 Selon un mode de réalisation de l'invention, à l'étape (a), la première portion de mémoire sélectionnée à l'itération précédente est à nouveau sélectionnée si, à l'étape (b) de l'itération précédente, la rangée audit rang dans la seconde portion de mémoire a été rafraîchie. 20 Selon un mode de réalisation de la présente invention, le rafraîchissement de la rangée audit rang dans la seconde portion de mémoire est réalisé au moins en partie simultanément à l'opération de lecture ou d'écriture dans la première portion de mémoire. 25 Selon un mode de réalisation de la présente invention, les portions de mémoire sont agencées selon une succession de portions de mémoire et, à l'étape (a), la seconde portion de mémoire sélectionnée correspond à la portion de mémoire suivante dans la succession de portions de mémoire par rapport à la 30 seconde portion de mémoire sélectionnée à l'itération précédente. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le fonctionnement de la mémoire dynamique est divisé en cycles de fonctionnement successifs, ladite répétition étant réalisée 35 en un seul cycle de fonctionnement de la mémoire dynamique, un B11260 - 10-GR3-140FRO1 nombre, identique pour chaque rang, de cycles de fonctionnement successifs de la mémoire dynamique est utilisé pour le rafraîchissement des rangées audit rang et le rafraîchissement des rangées à un second rang parmi les rangs successifs suivant 5 un premier rang parmi les rangs successifs ne débute qu'à l'achèvement du nombre de cycles de fonctionnement utilisé pour le rafraîchissement des rangées au premier rang. Selon un mode de réalisation de la présente invention, chaque portion de mémoire a le même nombre R de rangées et le 10 nombre de cycles de fonctionnement FRAMEi est donné par la relation suivante : FRAMEi - (TRET * F)/(R + 2) TRET étant le temps de rétention de la mémoire dynamique et F étant l'inverse de la durée d'un cycle de fonctionnement de la 15 mémoire dynamique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, si à l'achèvement du nombre de cycles de fonctionnement attribués au premier rang, une rangée au premier rang de l'une des portions de mémoire n'a pas été rafraîchie, une requête est 20 émise pour que, au moins pendant l'un des cycles de fonctionnement utilisés pour le rafraîchissement des rangées au second rang, il n'y ait pas d'opération de lecture ou d'écriture dans la mémoire dynamique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 25 la mémoire dynamique comprend plusieurs zones mémoires, les portions de mémoire étant réparties entre les zones mémoire, au moins deux rangées de zones mémoire distinctes pouvant être rafraîchies simultanément et, à l'étape (a), les première et seconde portions de mémoire appartiennent à des zones mémoire 30 distinctes. Un mode de réalisation de la présente invention prévoit également un circuit électronique intégrant au moins une mémoire dynamique dont les éléments peuvent être rafraîchis, la mémoire comprenant plusieurs portions de mémoire, chaque portion 35 de mémoire comprenant un ensemble de rangées agencées selon des B11260 - 10-GR3-140FRO1 6 rangs successifs, le circuit comprenant en outre un premier module réalisant le rafraîchissement de la mémoire dynamique et un second module réalisant des opérations de lecture ou d'écriture dans la mémoire, au plus un nombre Q, supérieur ou égal à 1, d'opérations de lecture ou d'écriture pouvant être réalisées simultanément dans la mémoire dynamique, le premier module effectuant, pour chaque rang : (a) la sélection de première et seconde portions de mémoire distinctes parmi les portions de mémoire ; (b) le rafraîchissement de la rangée audit rang dans la première portion de mémoire s'il n'y a pas d'opération de lecture ou d'écriture dans la première portion de mémoire ou le rafraîchissement de la rangée audit rang dans la seconde portion de mémoire s'il y a une opération de lecture ou d'écriture dans la première portion de mémoire ; et (c) la répétition des étapes a) et b) jusqu'à ce que toutes les rangées, à l'exception éventuellement d'au plus Q rangées, audit rang des portions de mémoire soient rafraîchies. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la mémoire comprend plusieurs zones mémoires, les portions de mémoire étant répartis entres les zones mémoire, le premier module pouvant réaliser simultanément le rafraîchissement d'au moins deux rangées de deux zones mémoires distinctes et le premier module sélectionne, à l'étape (a), les première et seconde portions de mémoire appartenant à des zones mémoire distinctes. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante 30 de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 illustre une portion d'une mémoire DRAM ; la figure 2 représente de façon schématique un exemple de réalisation d'une mémoire DRAM ; B11260 - 10-GR3-140FRO1 7 la figure 3 illustre de façon schématique un exemple de réalisation d'un procédé de rafraîchissement de la mémoire DRAM de la figure 2 ; la figure 4 représente de façon schématique un autre 5 exemple de réalisation d'une mémoire DRAM ; et la figure 5 illustre de façon schématique un exemple de réalisation d'un procédé de rafraîchissement de la mémoire DRAM de la figure 4. Description détaillée 10 Seules les étapes et les éléments nécessaires à la compréhension des modes de réalisation ont été représentés et décrits. La figure 1 illustre un exemple de portion d'une matrice de points mémoire DRAM. 15 Des points mémoire sont répartis en rangées et en colonnes. De façon classique, pour chaque rangée, les points mémoire de la rangée sont connectés à une ligne de mot (WL0, WL1, WL2...) et, pour chaque colonne, les points mémoire de la colonne sont connectés à une ligne de bit (BL0, BL1, BL2...). 20 Chaque point mémoire (voir l'exemple en figure 1 du point mémoire connecté à la ligne de mot WL0 et à la ligne de bit BLO) comprend un transistor MOS T couplé à un condensateur Cp. La grille du transistor T est connectée à la ligne de mot WLO et le transistor T est placé entre la ligne de bit BLO et une première 25 électrode du condensateur Cp. La seconde électrode du condensateur Cp est connectée à une tension de référence, par exemple la masse (GND). L'information mémorisée est ainsi stockée sur le point de connexion entre le transistor T et le condensateur Cp. 30 Un inconvénient des points mémoire DRAM est que le condensateur Cp a tendance à fuir et à se décharger au cours du temps. Pour rafraîchir une rangée de points mémoire d'une matrice DRAM, la ligne de mot de la rangée considérée est tout d'abord forcée à un état haut, ce qui déplace les données 35 stockées dans chaque point mémoire de la rangée, par B11260 - 10-GR3-140FRO1 8 l'intermédiaire du transistor T associé, sur la ligne de bit correspondante. L'information sur chacune des lignes de bit est ensuite stockée dans un dispositif amplificateur qui détecte l'état du point mémoire, même si celui-ci a légèrement varié, et qui réinjecte ensuite, sur la ligne de bit, l'état du point mémoire rafraîchi, c'est-à-dire un état 0 ou 1 bien déterminé. La ligne de mots de la rangée rafraîchie est ensuite forcée à l'état bas. Les données sont ainsi stockées dans chacun des points mémoire de la rangée. La figure 2 représente un exemple de réalisation d'une mémoire DRAM 5 intégrée sur un circuit électronique. La mémoire 5 comprend une zone mémoire 6 comportant une matrice de points mémoire répartis en rangées et en colonnes, par exemple comme cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 1. Les rangées sont rassemblées en groupes de rangées, chaque groupe de rangées étant appelé module mémoire. La mémoire DRAM 5 comprend N modules mémoires 10 (MEMORY UNIT), MODi, j variant de 1 à N, N étant un entier naturel supérieur ou égal à 2. Par exemple N varie de 2 à une centaine. Chaque module mémoire MODi comprend un ensemble de rangées ROWi, non représentées, i variant de 1 à R, R étant un entier naturel supérieur ou égal à 2. Par exemple, R varie de 2 à 300. Chaque rangée comprend une succession de points mémoire regroupés en mots longs. Un mot long comprend plusieurs centaines de bits, par exemple 290 bits. Une rangée peut comprendre plusieurs mots longs successifs, par exemple quatre mots longs. Une rangée de la mémoire 5 est donc identifiée par l'indice j du module mémoire MODi et le rang i de la rangée ROWi dans le module mémoire MODi. La zone mémoire 6 comprend un décodeur de rangée 12 (ROW DECODER) et un décodeur de colonne 14 (COLUMN DECODER) associés aux modules mémoire MOD1 à MODN. La mémoire 5 comprend : -un module d'adressage 16 (ADDRESS) relié au décodeur de rangée 12 et au décodeur de colonne 14 ; B11260 - 10-GR3-140FRO1 9 -un module de données 18 (DATA) relié au décodeur de colonne 14 ; -un module de rafraîchissement 20 (REFRESH) relié au module d'adressage 16, au décodeur de rangée 12 et au décodeur 5 de colonne 14 ; et -un module de commande 22 (CONTROL) relié au module d'adressage 16 et au module de rafraîchissement 20. La mémoire 5 est cadencée par un signal d'horloge (non représenté). 10 Le circuit électronique comprend au moins un module de commande central, non représenté, par exemple un micro-contrôleur, pouvant échanger des données avec la mémoire DRAM 5 par l'intermédiaire d'un bus d'adresse 24 relié au module d'adressage 16, d'un bus de données 26 relié au module de 15 données 18 et d'un bus de commande 28 relié au module de commande 22. Les données transmises sur le bus d'adresse 16 peuvent être représentatives de la position d'un mot long dans l'une des rangées de l'un des modules mémoire. Les données transmises sur le bus de données 18 peuvent être représentatives 20 des valeurs à stocker ou lues dans un mot long de la mémoire 5. Le module de commande central peut transmettre sur le bus de commande 28 des instructions à la mémoire DRAM 5 à chaque cycle de fonctionnement de la mémoire 5. A titre d'exemple, une instruction peut signifier qu'une opération d'écriture d'un mot 25 long dans la mémoire 5 doit être réalisée. Une autre instruction peut signifier qu'une opération de lecture d'un mot long dans la mémoire 5 doit être réalisée. Une autre instruction peut signifier que le module de commande central n'a pas à réaliser d'opération de lecture ou d'écriture dans la mémoire 5. A 30 réception d'une donnée d'adresse et d'une instruction d'écriture ou de lecture, le module de commande 22 peut commander le module d'adressage 16 de façon à lire un mot long écrit dans une rangée d'un module mémoire ou à écrire un mot dans une rangée d'un module mémoire. B11260 - 10-GR3-140FRO1 10 Le module de rafraîchissement 20 effectue le rafraîchissement de la mémoire 5 simultanément aux opérations de lecture ou d'écriture commandées par le module de commande central. Un cycle de fonctionnement de la mémoire 5 correspond à la durée pendant laquelle une opération de lecture, d'écriture ou de rafraîchissement peut être réalisée. La fréquence de fonctionnement de la mémoire 5 est notée F. A titre d'exemple, la fréquence de fonctionnement F est de l'ordre de plusieurs centaines de mégahertz. Une opération d'écriture ou de lecture peut être réalisée dans une rangée de l'un des modules mémoire simultanément à une opération de rafraîchissement d'une rangée d'un autre module mémoire. Toutefois, la structure de la zone mémoire 6 répartie en modules mémoire MODi fait qu'il n'est pas possible de réaliser simultanément une opération de lecture ou d'écriture dans une rangée de l'un des modules mémoire MODi et simultanément une opération de rafraîchissement d'une autre rangée du même module mémoire MODi. Le module de rafraîchissement 20 cherche à réaliser le 20 rafraîchissement de la mémoire 5 selon les étapes suivantes : (a) la rangée ROW1 est rafraîchie successivement pour chaque module mémoire MODi, j variant de 1 à N, par exemple par incrémentation successive d'une unité ; et (b) l'opération (a) est répétée pour chaque rangée 25 ROWi, i variant de 2 à R, par exemple par incrémentation successive d'une unité. Pour réaliser le rafraîchissement de la mémoire 5, les cycles de fonctionnement successifs se produisant pendant le temps de rétention TRET sont répartis en une succession de 30 groupes de cycles de fonctionnement ou fenêtres de rafraîchissement de rangée FRAMEi ayant chacune le même nombre de cycles de fonctionnement. Chaque fenêtre FRAMEi correspond au nombre de cycles de fonctionnement successifs de la mémoire 5 pendant lesquels le module de rafraîchissement 20 cherche à 35 réaliser le rafraîchissement de toutes les rangées ROWi ayant le B11260 - 10-GR3-140FRO1 11 même rang i pour tous les modules mémoire MODi, j variant de 1 à N, de la mémoire 5. Le nombre de cycles de fonctionnement de la fenêtre FRAMEi est donné par la relation suivante : FRAMEi - (TRET * F)/(R + 2) A titre d'exemple, pour une fréquence de fonctionnement F de 333 MHz et un temps de rétention TRET de 40 ps (ce qui correspond à 13320 cycles de fonctionnement), un nombre N de modules mémoire égal à 48, un nombre R de rangées par module mémoire de 256, on obtient une fenêtre FRAMEi ayant environ 51 cycles de fonctionnement sachant qu'il faut au minimum 48 cycles de fonctionnement pour rafraîchir les 48 rangées ROWi de rang i de la fenêtre FRAMEi. Le module de rafraîchissement 20 ne débute les opérations de rafraîchissement des rangées ROWi+1 de rang i+1 à la fenêtre FRAMEi+1 que lorsque la fenêtre FRAMEi est terminée. De ce fait, lorsque le module de rafraîchissement 20 a fini les opérations de rafraîchissement des rangées ROWi de rang i de tous les modules mémoire MODi à la fenêtre FRAMEi, ainsi que d'éventuelles opérations de rafraîchissement en attente comme cela sera décrit plus en détail par la suite, il ne réalise plus aucune opération de rafraîchissement lors des derniers cycles de rafraîchissement de la fenêtre FRAMEi jusqu'au début de la fenêtre FRAMEi+1- La séquence de rafraîchissement peut être modifiée par rapport à ce qui a été décrit précédemment. En effet, lorsqu'à un cycle de fonctionnement d'une fenêtre FRAMEi, une opération de rafraîchissement de la rangée ROWi dans le module mémoire MODi et une opération de lecture et/ou d'écriture dans l'une des rangées du même module mémoire MODi doivent être réalisées, le module de rafraîchissement 20 cherche à réaliser l'opération de rafraîchissement de la rangée ROWi dans un autre module mémoire. L'opération de rafraîchissement qui n'a pas pu être réalisée est reportée et réalisée à un cycle de fonctionnement ultérieur. De cette façon, au moins aux N-1 premiers cycles de fonctionnement B11260 - 10-GR3-140FRO1 12 de la fenêtre FRAMEi, une opération de rafraîchissement peut toujours être réalisée. Si dans une fenêtre FRAMEi le module de rafraîchissement 20 ne parvient pas à rafraîchir la rangée ROWi d'un 5 module mémoire avant la fin de la fenêtre FRAMEi parce que des opérations de lecture ou d'écriture successives sollicitent ce même module mémoire, le module de rafraîchissement 20 transmet par l'intermédiaire du module de commande 22 et du bus de commande 28 un signal d'interruption au module de commande 10 central pour qu'il ne réalise aucune opération de lecture ou d'écriture pendant l'un des cycles de fonctionnement de la fenêtre suivante FRAMEi+1. De cette façon, il est garanti que la totalité de la mémoire 5 est rafraîchie pendant une durée plus courte que le temps de rétention Tret- 15 La figure 3 représente, sous la forme d'un schéma par bloc, un exemple plus détaillé de procédé de rafraîchissement de la mémoire DRAM 5 de la figure 2 mis en oeuvre par le module de rafraîchissement 20. Les étapes 30 à 38 du procédé correspondent à un cycle 20 de fonctionnement de la mémoire 5. Elles correspondent, en outre, à une opération de rafraîchissement d'une rangée de la mémoire 5. A chaque itération, le module de rafraîchissement 20 détermine deux emplacements R1 et R2. Chaque emplacement R1 et 25 R2 correspond au rang d'une rangée et à l'indice d'un module mémoire. Le procédé de détermination des valeurs des emplacements R1 et R2 fait que les emplacements R1 et R2 désignent des indices différents de modules mémoire. Le module de rafraîchissement 20 cherche d'abord à réaliser l'opération de 30 rafraîchissement à la rangée et au module mémoire désignés par l'emplacement R1. Lorsque le module mémoire désigné par l'emplacement R1 n'est pas disponible en raison d'une opération de lecture ou d'écriture, le module de rafraîchissement 20 réalise l'opération de rafraîchissement dans la rangée et le 35 module mémoire désignés par l'emplacement R2. Le module mémoire B11260 - 10-GR3-140FRO1 13 désigné par l'emplacement R2 est en effet disponible puisque les emplacements R1 et R2 désignent des modules mémoire différents. Le module de rafraîchissement 20 utilise, en outre, une mémoire S1 qui est utilisé, comme cela sera décrit plus en détail par la suite, pour mémoriser la valeur d'un emplacement désignant une rangée d'un module mémoire dans laquelle une opération de rafraîchissement n'a pas pu être réalisée. A l'étape 30, le module de rafraîchissement 20 détermine si une opération de lecture ou d'écriture requiert l'accès à l'un des modules mémoire MODi à partir des signaux fournis par le module d'adressage 16. Si une opération de lecture ou d'écriture doit être réalisée, le procédé se poursuit à l'étape 32. En l'absence d'opération de lecture ou d'écriture, le procédé se poursuit à l'étape 34. A l'étape 32, le module de rafraîchissement 20 détermine si le module mémoire dans lequel une opération de lecture ou d'écriture doit être réalisée est identique au module mémoire MODi désigné par l'emplacement R1. Si ce n'est pas le cas, le module de rafraîchissement 20 mémorise que l'opération de rafraîchissement à l'emplacement R1 peut être réalisée. Le procédé se poursuit à l'étape 34. Si le module mémoire dans lequel l'opération de rafraîchissement doit être réalisée correspond au module mémoire désigné par l'emplacement R1, le module de rafraîchissement 20 mémorise que l'opération de rafraîchissement ne peut pas être réalisée à l'emplacement R1 mais qu'une opération de rafraîchissement peut être réalisée à l'emplacement R2. Le procédé se poursuit à l'étape 34. A l'étape 34, le module de rafraîchissement 20 commande l'opération de rafraîchissement à l'emplacement R1 ou 30 R2 qui est disponible. Le procédé se poursuit à l'étape 36. A l'étape 36, lorsque l'opération de rafraîchissement n'a pas pu être réalisée à l'emplacement R1 à l'étape 34, le module de rafraîchissement ne modifie pas la valeur de l'emplacement R1 pour qu'une nouvelle tentative soit réalisée au 35 prochain cycle de fonctionnement. Le module de rafraîchissement B11260 - 10-GR3-140FRO1 14 20 détermine en outre une nouvelle valeur pour l'emplacement R2. L'indice j du module mémoire MODi désigné par la nouvelle valeur de l'emplacement R2 peut être identique à l'indice j du module mémoire désigné par l'emplacement R1. Cela signifie que l'emplacement R1 désigne une rangée de rang i-1 associée à la fenêtre FRAMEi_i qui n'a pas pu être rafraîchie alors que l'emplacement R2 désigne une rangée ROWi de rang i associée à la fenêtre FRAMEi. Le module de rafraîchissement 20 stocke la valeur de l'emplacement R2 dans la mémoire Si et détermine alors une nouvelle valeur pour l'emplacement R2 pour qu'une opération de rafraîchissement puisse être réalisée au cycle de fonctionnement suivant dans le cas où une opération de lecture ou d'écriture au module mémoire MODi est prévue. Lorsque l'opération de rafraîchissement a pu être réalisée à l'emplacement R1 à l'étape 34, le module de rafraîchissement 20 attribue la valeur de l'emplacement Si à l'emplacement R1 dans le cas où la mémoire Si n'est pas vide. Si la mémoire Si est vide, le module de rafraîchissement 20 attribue la valeur de l'emplacement R2 à l'emplacement R1 et détermine une nouvelle valeur pour l'emplacement R2. La détermination d'une nouvelle valeur pour l'emplacement R2 est réalisée de la façon suivante : si l'indice du module mémoire désigné par l'emplacement R2 est strictement inférieur à N, alors l'indice du module mémoire est incrémenté d'une unité. Si l'indice du module mémoire désigné par l'emplacement R2 est égal à N, alors le module de rafraîchissement 20 ne détermine plus de nouvelles valeurs pour l'emplacement R2 tant qu'il reste des cycles de fonctionnement pour la fenêtre FRAMEi. Au début de la nouvelle fenêtre FRAMEi+i, le procédé de détermination des nouvelles valeurs des emplacements est réinitialisé. Le procédé se poursuit à l'étape 38. A l'étape 38, si une opération de rafraîchissement d'une rangée ROWi de rang i désigné par l'emplacement R1 n'a pas pu être réalisée pendant la fenêtre FRAMEi alors qu'au cycle de 35 fonctionnement suivant, la fenêtre FRAMEi+i va débuter, le B11260 - 10-GR3-140FRO1 15 module de rafraîchissement 20 commande l'envoi d'un signal d'interruption. Le signal d'interruption impose qu'au cours de la fenêtre FRAMEi+1, le module de commande central va, pendant au moins un cycle de fonctionnement, ne pas réaliser d'opération de lecture ou d'écriture. Il sera alors toujours possible de réaliser l'opération de rafraîchissement en attente au moins pendant ce cycle de fonctionnement. Le procédé retourne à l'étape 30 pour l'itération suivante. La figure 4 représente un autre exemple de réalisation 10 d'une mémoire DRAM 50 intégrée sur un circuit électronique. La mémoire DRAM 50 comprend C zones mémoire 52 (MEM), MEMk, k variant de 1 à C, C étant un entier naturel supérieur ou égal à 2, par exemple de 2 à 50. Chaque zone mémoire MEMk correspond sensiblement à une mémoire DRAM distincte et a la 15 structure de la zone mémoire 6 décrite en relation avec la figure 2. En particulier, chaque zone mémoire MEMk comprend plusieurs modules mémoire, non représentés en figure 4. La mémoire 50 comprend en outre : -un module d'adressage 56 (ADDRESS) relié à chaque 20 zone mémoire MEMk ; -un module de données 58 relié à chaque zone mémoire MEMk ; -un module de rafraîchissement 60 (REFRESH) relié au module d'adressage 56 et à chaque zone mémoire MEMk ; et 25 -un module de commande 62 (CONTROL) relié au module d'adressage 56 et au module de rafraîchissement 60. Le fonctionnement de la mémoire 50 est cadencé par un signal d'horloge (non représenté). Le circuit électronique comprend au moins un module de 30 commande central, non représenté, pouvant échanger des données avec la mémoire DRAM 50 par l'intermédiaire de bus d'adresse 64 reliés au module d'adressage 56, de bus de données 66 reliés au module de données 58 et d'un bus de commande 68 relié au module de commande 62. B11260 - 10-GR3-140FRO1 16 Le module de commande central peut transmettre sur le bus de commande 68 des instructions à la mémoire DRAM 50 à chaque cycle de fonctionnement de la mémoire 50. Le module de commande central peut commander la réalisation d'une seule opération de lecture ou d'écriture dans l'une des zones mémoire ou de plusieurs opérations de lecture ou d'écriture simultanées dans plusieurs zones mémoire distinctes pendant un cycle de fonctionnement de la mémoire 50. Le module de rafraîchissement 60 effectue le rafraîchissement de la mémoire 50 simultanément aux opérations de lecture et d'écriture. En particulier, le module de rafraîchissement peut réaliser plusieurs opérations de rafraîchissement simultanées dans les zones mémoire. Le nombre total maximal P d'opérations de lecture, d'écriture ou de rafraîchissement simultanées pendant un cycle de fonctionnement de la mémoire 50 peut être imposé par la puissance électrique maximale pouvant être fournie par l'alimentation de la mémoire 50. En outre, le nombre Q maximal d'opérations de lecture ou d'écriture simultanées est de préférence strictement inférieur à P afin de toujours pouvoir réaliser le rafraîchissement de la mémoire DRAM 50. De façon analogue à ce qui a été décrit précédemment en relation avec la mémoire 5, une opération de lecture et/ou d'écriture peut être réalisée simultanément à une opération de rafraîchissement pour chaque zone mémoire MEMk. Toutefois, une opération de lecture ou d'écriture et une opération de rafraîchissement ne peuvent pas être réalisées simultanément dans le même module mémoire MODi d'une zone mémoire MEMk. En outre, la mémoire 50 peut permettre la réalisation simultanée de plusieurs opérations de rafraîchissement pour chaque zone mémoire MEMk à condition que ces opérations de rafraîchissement ne soient pas réalisées simultanément dans le même module mémoire MODi de la zone mémoire MEMk. Toutefois, pour faciliter la programmation du module de rafraîchissement, il peut être avantageux de prévoir que deux opérations de rafraîchissement ne B11260 - 10-GR3-140FRO1 17 puissent pas être réalisées simultanément dans la même zone mémoire MEMk. Le module de rafraîchissement 60 cherche à réaliser le rafraîchissement de la mémoire 50 selon les étapes successives suivantes : (a) la rangée ROW1 du module mémoire MOD1 est rafraîchie pour chaque zone mémoire MEMk, k variant de 1 à C, par exemple par incrémentation successive d'une unité ; (b) l'opération (a) est répétée pour la rangée ROW1 10 de chaque module mémoire MODi, j variant de 2 à N, par exemple par incrémentation successive d'une unité ; et (c) les opérations (a) et (b) précédentes sont répétées pour chaque rangée ROWi, i variant de 2 à R, par exemple par incrémentation successive d'une unité. 15 De façon analogue à ce qui a été décrit précédemment, la fenêtre FRAMEi correspond au nombre de cycles de fonctionnement successifs de la mémoire 50 pendant lesquels le module de rafraîchissement 60 cherche à réaliser le rafraîchissement de toutes les rangées ROWi de même rang i de 20 tous les modules mémoire MODi, j variant de 1 à N, et de toutes les zones mémoire MEMk, k variant de 1 à C. Le procédé de rafraîchissement de la mémoire 50 est analogue à ce qui a été décrit précédemment en relation avec la mémoire 5. Toutefois, il faut tenir compte du fait qu'une à P 25 opérations de lecture, d'écriture ou de rafraîchissement peuvent être réalisées simultanément et que de zéro à Q opérations de lecture ou d'écriture peuvent être réalisées simultanément. Pour que le rafraîchissement de la mémoire 50 puisse toujours être réalisé, il faut que l'inégalité suivante soit vérifiée : 30 FRAMEi (N * C) / (P - Q) La figure 5 représente sous la forme d'un schéma par blocs, un exemple plus détaillé de procédé de rafraîchissement de la mémoire DRAM 50 de la figure 4 mis en oeuvre par le module de rafraîchissement 60 dans le cas où le nombre P total 35 d'opérations simultanées possibles de lecture, d'écriture ou de B11260 - 10-GR3-140FRO1 18 rafraîchissement est égal à trois et où le nombre Q total d'opérations simultanées possibles de lecture ou d'écriture est égal à deux. Les étapes 100 à 110 correspondent à un cycle de 5 fonctionnement de la mémoire 50. Elles correspondent, en outre, à une opération de rafraîchissement d'une rangée de la mémoire 50. A chaque itération, le module de rafraîchissement 60 détermine trois emplacements R'1, R'2 et R'3. Chaque emplacement 10 correspond au rang d'une rangée, à l'indice d'un module mémoire et au numéro d'une zone mémoire. Le procédé de détermination des valeurs des emplacements R'1, R'2 et R'3 fait que les emplacements R'1, R'2 et R'3 désignent des numéros différents de zones mémoire et/ou de modules mémoire. Le module de 15 rafraîchissement 60 cherche d'abord à réaliser l'opération de rafraîchissement à la rangée, au module mémoire et à la zone mémoire désignés par l'emplacement R'1. Lorsque le module mémoire et la zone mémoire désignés par l'emplacement R'1 ne sont pas disponibles en raison d'une opération de lecture ou 20 d'écriture, le module de rafraîchissement 60 cherche à réaliser l'opération de rafraîchissement à la rangée, au module mémoire et à la zone mémoire désignés par l'emplacement R'2. Lorsque le module mémoire et la zone mémoire désignés par l'emplacement R'2 ne sont pas disponibles en raison d'une autre opération de 25 lecture ou d'écriture, le module de rafraîchissement 60 réalise l'opération de rafraîchissement dans la rangée, le module mémoire et la zone mémoire désignés par l'emplacement R'3. Le module mémoire et la zone mémoire désignés par l'emplacement R'3 sont en effet disponibles puisque les emplacements R'1, R'2 et 30 R'3 désignent des zones mémoire et des modules mémoire différents. En outre, plusieurs opérations de rafraîchissement peuvent être réalisées simultanément puisque les emplacements R'1, R'2 et R'3 désignent des zones mémoires et des modules mémoire différents. Le module de rafraîchissement 60 utilise, en 35 outre, des mémoires S'1 et S'2 qui sont utilisées, comme cela B11260 - 10-GR3-140FRO1 19 sera décrit plus en détail par la suite, pour mémoriser chacune la valeur d'un emplacement désignant une rangée dans laquelle une opération de rafraîchissement n'a pas pu être réalisée. A l'étape 100, le module de rafraîchissement 60 détermine si une ou plusieurs opérations de lecture ou d'écriture dans les zones mémoire doivent être réalisées. En fonction de cela, il détermine combien d'opérations de rafraîchissement peuvent être réalisées simultanément. Si le module de rafraîchissement 60 détermine que deux opérations simultanées de lecture ou d'écriture sont réalisées, cela signifie qu'une opération de rafraîchissement peut être réalisée. Le procédé se poursuit alors à l'étape 102. Si le module de rafraîchissement 60 détermine qu'une seule opération de lecture ou d'écriture est réalisée, cela signifie que deux opérations simultanées de rafraîchissement peuvent être réalisées. Le procédé se poursuit alors à l'étape 104. Si le module de rafraîchissement 60 détermine qu'aucune opération de lecture ou d'écriture n'est réalisée, cela signifie que jusqu'à trois opérations simultanées de rafraîchissement peuvent être réalisées. Le procédé se poursuit alors à l'étape 106. L'étape 102 à laquelle une seule opération de rafraîchissement est réalisée est analogue aux étapes 32 et 34 décrites précédemment à la différence que le module de rafraîchissement 60 compare l'indice j du module mémoire MODi et le numéro k de la zone mémoire MEMk désignés par l'emplacement R'1 aux indices des modules mémoire et aux numéros des zones mémoire dans lesquels les deux opérations de lecture ou d'écriture doivent être réalisées. Le module de rafraîchissement 60 commande l'opération de rafraîchissement à l'emplacement R'1, R'2 ou R'3 qui est disponible. Le procédé se poursuit à l'étape 108. A l'étape 104, à laquelle deux opérations simultanées de rafraîchissement sont réalisées, le module de rafraîchissement 60 détermine si l'indice du module mémoire et le numéro 35 de zone mémoire dans lequel une opération de lecture ou B11260 - 10-GR3-140FRO1 20 d'écriture doit être réalisée est identique à l'indice du module mémoire et au numéro de la zone mémoire désignés par l'emplacement R'1, R'2 et R'3. Le module de rafraîchissement 60 mémorise les deux emplacements parmi les emplacements R'1 et/ou 5 R'2 et/ou R'3 dans lesquels les deux opérations de rafraîchissement simultanées peuvent être réalisée et à quel emplacement R'1, R'2 ou R'3 une opération de rafraîchissement ne peut éventuellement pas être réalisée. Le module de rafraîchissement 60 commande les opérations de rafraîchissement 10 aux deux emplacements R'1, R'2 et/ou R'3 qui sont disponibles. Le procédé se poursuit à l'étape 108. A l'étape 106, à laquelle jusqu'à trois opérations simultanées de rafraîchissement peuvent être réalisées, le module de rafraîchissement 60 réalise les opérations de 15 rafraîchissement possibles aux trois emplacements R'1, R'2 et/ou R'3. En effet, il est possible que deux des emplacements R'1, R'2 ou R'3 désignent la même zone mémoire. S'il a été imposé que deux opérations de rafraîchissement ne puissent pas être réalisées simultanément dans la même zone mémoire MEMk, alors 20 seules deux opérations de rafraîchissement sont réalisées dans ce cas à l'étape 106. Le procédé se poursuit à l'étape 108. A l'étape 108, selon les opérations de rafraîchissement réalisées aux étapes 102, 104 et 106, le module de rafraîchissement 60 peut notamment : 25 -ne pas modifier la valeur de l'emplacement R'1 si la rangée désignée n'a pas pu être rafraîchie ; -ne pas modifier la valeur de l'emplacement R'2 si la rangée désignée n'a pas pu être rafraîchie ; -attribuer la valeur de l'emplacement S'l à l'empla30 cement R'1 dans le cas où la mémoire S'l n'est pas vide et où la rangée désignée par l'emplacement R'1 a été rafraîchie ; -attribuer la valeur de l'emplacement S'2 à l'emplacement R'2 dans le cas où la mémoire S'2 n'est pas vide et où la rangée désignée par l'emplacement R'2 a été rafraîchie ; B11260 - 10-GR3-140FRO1 21 -attribuer la valeur de l'emplacement R'2 à l'emplacement R'1 dans le cas où la mémoire S'1 est vide, où la rangée désignée par l'emplacement R'l a été rafraîchie et où la rangée désignée par l'emplacement R'2 n'a pas pu être rafraîchie ; -attribuer la valeur de l'emplacement R'3 à l'empla- cement R'1 dans le cas où la mémoire S'1 est vide et où les rangées désignées par les emplacements R'1 et R'2 ont été rafraîchies ; -attribuer la valeur de l'emplacement R'3 à l'empla10 cement R'2 dans le cas où la mémoire S'2 est vide et où la rangée désignée par l'emplacement R'2 a été rafraîchie ; -déterminer des nouvelles valeurs pour les emplacements R'1, R'2 et/ou R'3. La détermination d'une nouvelle valeur pour 15 l'emplacement R'1, R'2 et/ou R'3 peut être réalisée de la façon suivante : -si le numéro de la zone mémoire désigné par l'emplacement est strictement inférieur à C, alors le numéro de la zone mémoire est incrémenté d'une unité, l'indice du module 20 mémoire et le rang de la rangée n'étant pas modifiés ; -si le numéro de la zone mémoire désigné par l'emplacement est égal à C et si l'indice du module mémoire désigné par l'emplacement est strictement inférieur à N, alors le numéro de la zone mémoire est mis à 1 et l'indice du module 25 mémoire est incrémenté d'une unité, le rang de la rangée n'étant pas modifié ; -si le numéro de la zone mémoire désigné par l'emplacement est égal à C et si l'indice du module mémoire désigné par l'emplacement est égal à N, alors le module de 30 rafraîchissement 60 ne détermine plus de nouvelles valeurs pour l'emplacement tant qu'il reste des cycles de fonctionnement pour la fenêtre FRAMEi. Au début de la fenêtre suivante FRAMEi+1, le procédé de détermination des nouvelles valeurs d'emplacements est réinitialisé. L'indice j du module mémoire MODi et le numéro 35 k de la zone mémoire MEMk désignés par la nouvelle valeur de B11260 - 10-GR3-140FRO1 22 l'emplacement R'2 peuvent être identiques à ceux désignés par l'emplacement R'1. Cela signifie que l'emplacement R'1 désigne une rangée de rang i-1 associée à la fenêtre FRAMEi_l qui n'a pas pu être rafraîchie alors que l'emplacement R'2 désigne une rangée ROWi de rang i associée à la fenêtre FRAMEi. Le module de rafraîchissement 60 stocke la valeur de l'emplacement R'2 dans la mémoire S'1, attribue la valeur de l'emplacement R'3 à l'emplacement R'2 et détermine une nouvelle valeur pour l'emplacement R'3 pour qu'une opération de rafraîchissement puisse être réalisée au cycle de fonctionnement suivant dans le cas où une opération de lecture ou d'écriture au module mémoire MODi est prévue. De façon analogue, l'indice j du module mémoire MODi et le numéro k de la zone mémoire MEMk désignés par la nouvelle valeur de l'emplacement R'3 peuvent être identiques à ceux désignés par l'emplacement R'2. Le module de rafraîchissement 60 stocke alors la valeur de l'emplacement R'3 dans la mémoire S'2 et détermine une nouvelle valeur pour l'emplacement R'3. De façon générale, si seule une nouvelle valeur doit être déterminée pour l'emplacement R'3, l'indice j du module mémoire MODi et le numéro k de la zone mémoire MEMk désignés par cette nouvelle valeur doivent être différents de ceux désignés par les emplacements R'1 et R'2. Si des nouvelles valeurs doivent être déterminées pour les emplacements R'2 et R'3, les indices des modules mémoire et les numéros des zones mémoire désignés par ces deux nouvelles valeurs doivent être différents de ceux désignés par l'emplacement R'1 pour qu'au moins une opération de rafraîchissement puisse être réalisée au cycle de fonctionnement suivant. A l'étape 110, si une opération de rafraîchissement d'une rangée ROWi de rang i désigné par l'emplacement R'1 ou R'2 n'a pas pu être réalisée pendant la fenêtre FRAMEi alors qu'au cycle de fonctionnement suivant, la fenêtre FRAMEi+1 va débuter, le module de rafraîchissement 60 commande l'envoi d'un signal d'interruption. Le signal d'interruption impose qu'au cours de B11260 - 10-GR3-140FRO1 23 la fenêtre FRAMEi+1, le module de commande central va, pendant au moins un cycle de fonctionnement, ne pas réaliser d'opérations de lecture ou d'écriture. Il sera alors toujours possible de réaliser au moins pendant ce cycle de fonctionnement les deux opérations de rafraîchissement en attente qui désignent nécessairement des zones mémoire différentes. Le procédé de rafraîchissement permet de façon avantageuse la réalisation d'une opération de rafraîchissement de l'ensemble de la mémoire DRAM quasiment indépendamment des opérations de lecture ou d'écriture dans la mémoire. En effet, à la fin d'une fenêtre FRAMEi, le rafraîchissement de quasiment toutes les rangées de rang i, de tous les modules mémoire des zones mémoire, a été réalisé à l'exception éventuellement d'un nombre de rangées égal au plus au nombre d'opérations de lecture ou d'écriture pouvant être réalisées simultanément par cycle de fonctionnement. De ce fait, à la fin de la fenêtre FRAMEi, le rafraîchissement au moins du pourcentage S de toutes les rangées de rang i de la mémoire dynamique a été réalisé. Etant donné qu'à la fin de la fenêtre FRAMEi, il reste au plus Q opérations de rafraîchissement qui ne sont pas effectuées, le pourcentage S est donné par la relation suivante : S = 100 * (1 - (Q / (N * C)) Dans le cas le plus défavorable, un signal d'interruption est transmis au module de commande central au 25 début de chaque fenêtre FRAMEi. Le fonctionnement du module de commande central est donc peu perturbé. Bien qu'il a été décrit ici un mode de réalisation d'un circuit électronique intégrant une mémoire DRAM, la présente invention s'applique de façon générale au procédé de 30 rafraîchissement de tout type de mémoire DRAM. Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On notera que l'homme de l'art pourra combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive. REVENDICATIONS1. Procédé de commande d'un circuit électronique intégrant au moins une mémoire dynamique (5 ; 50) comprenant des portions de mémoire (10 ; 52), chaque portion de mémoire comprenant des rangées de points mémoire pouvant être rafraîchies, les rangées étant agencées selon des rangs successifs, au plus un nombre Q, supérieur ou égal à 1, d'opérations de lecture ou d'écriture pouvant être réalisées simultanément dans la mémoire dynamique, le procédé comprenant, pour chaque rang : (a) la sélection de première et seconde portions de mémoire distinctes parmi les portions de mémoire ; (b) le rafraîchissement de la rangée audit rang dans la première portion de mémoire s'il n'y a pas d'opération de lecture ou d'écriture dans la première portion de mémoire ou le rafraîchissement de la rangée audit rang dans la seconde portion de mémoire s'il y a une opération de lecture ou d'écriture dans la première portion de mémoire ; et (c) la répétition des étapes (a) et (b) jusqu'à ce que toutes les rangées, à l'exception éventuellement d'au plus Q 20 rangées, audit rang des portions de mémoire soient rafraîchies. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, à l'étape (a), la première portion de mémoire (10 ; 52) sélectionnée à l'itération précédente est à nouveau sélectionnée si, à l'étape (b) de l'itération précédente, la rangée audit 25 rang dans la seconde portion de mémoire a été rafraîchie. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le rafraîchissement de la rangée audit rang dans la seconde portion de mémoire (10 ; 52) est réalisé au moins en partie simultanément à l'opération de lecture ou d'écriture dans la 30 première portion de mémoire. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel les portions de mémoire (10 ; 52) sont agencées selon une succession de portions de mémoire et dans lequel, à l'étape (a), la seconde portion de mémoire sélectionnéeB11260 - 10-GR3-140FRO1 25 correspond à la portion de mémoire suivante dans la succession de portions de mémoire par rapport à la seconde portion de mémoire sélectionnée à l'itération précédente. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 5 à 4, dans lequel le fonctionnement de la mémoire dynamique est divisé en cycles de fonctionnement successifs, ladite répétition étant réalisée en un seul cycle de fonctionnement de la mémoire dynamique (5 ; 50), dans lequel un nombre, identique pour chaque rang, de cycles de fonctionnement successifs de la mémoire 10 dynamique (5 ; 50) est utilisé pour le rafraîchissement des rangées audit rang et dans lequel le rafraîchissement des rangées à un second rang parmi les rangs successifs suivant un premier rang parmi les rangs successifs ne débute qu'à l'achèvement du nombre de cycles de fonctionnement utilisé pour 15 le rafraîchissement des rangées au premier rang. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel chaque portion de mémoire (10 ; 52) a le même nombre R de rangées et dans lequel le nombre de cycles de fonctionnement FRAMEi est donné par la relation suivante : 20 FRAMEi - (TRET * F)/(R + 2) TRET étant le temps de rétention de la mémoire dynamique (5 ; 50) et F étant l'inverse de la durée d'un cycle de fonctionnement de la mémoire dynamique (5 ; 50). 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, dans lequel 25 si à l'achèvement du nombre de cycles de fonctionnement attribués au premier rang, une rangée au premier rang de l'une des portions de mémoire n'a pas été rafraîchie, une requête est émise pour que, au moins pendant l'un des cycles de fonctionnement utilisés pour le rafraîchissement des rangées au 30 second rang, il n'y ait pas d'opération de lecture ou d'écriture dans la mémoire dynamique (5 ; 50). 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la mémoire dynamique (50) comprend plusieurs zones mémoires (52), les portions de mémoire (10) étant 35 réparties entre les zones mémoire, au moins deux rangées deB11260 - 10-GR3-140FRO1 26 zones mémoire distinctes pouvant être rafraîchies simultanément et dans lequel, à l'étape (a), les première et seconde portions de mémoire appartiennent à des zones mémoire distinctes. 9. Circuit électronique intégrant au moins une mémoire 5 dynamique (5 ; 50) dont les éléments peuvent être rafraîchis, la mémoire comprenant plusieurs portions de mémoire (10 ; 52), chaque portion de mémoire comprenant un ensemble de rangées agencées selon des rangs successifs, le circuit comprenant en outre un premier module (20 ; 60) réalisant le rafraîchissement 10 de la mémoire dynamique et un second module (16 ; 56) réalisant des opérations de lecture ou d'écriture dans la mémoire, au plus un nombre Q, supérieur ou égal à 1, d'opérations de lecture ou d'écriture pouvant être réalisées simultanément dans la mémoire dynamique, le premier module effectuant, pour chaque rang : 15 (a) la sélection de première et seconde portions de mémoire distinctes parmi les portions de mémoire ; (b) le rafraîchissement de la rangée audit rang dans la première portion de mémoire s'il n'y a pas d'opération de lecture ou d'écriture dans la première portion de mémoire ou le 20 rafraîchissement de la rangée audit rang dans la seconde portion de mémoire s'il y a une opération de lecture ou d'écriture dans la première portion de mémoire ; et (c) la répétition des étapes a) et b) jusqu'à ce que toutes les rangées, à l'exception éventuellement d'au plus Q 25 rangées, audit rang des portions de mémoire soient rafraîchies. 10. Circuit selon la revendication 9, dans lequel la mémoire (50) comprend plusieurs zones mémoires (52), les portions de mémoire (10) étant répartis entres les zones mémoire, le premier module (60) pouvant réaliser simultanément 30 le rafraîchissement d'au moins deux rangées de deux zones mémoires distinctes et dans lequel le premier module sélectionne, à l'étape (a), les première et seconde portions de mémoire appartenant à des zones mémoire distinctes.