FR 2979636 A1 20130308 FR 1157955 A 20110907 INJECTION DIRECTE DE LIQUIDE POUR DES SYSTEMES ET DES PROCEDES D'EPITAXIE EN PHASE VAPEUR A BASE D'HALOGENURES Domaine de l'invention [0001] Les modes de réalisation de l'invention concernent généralement les systèmes pour déposer des matériaux sur des substrats, et des procédés pour fabriquer et utiliser de tels systèmes. Plus particulièrement, les modes de réalisation de l'invention concernent les procédés et les systèmes qui peuvent être utilisés pour déposer des semi-conducteurs composés, tels que les semi-conducteurs III-V, en utilisant le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Contexte de l'invention [0002] Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé chimique qui est utilisé pour déposer des matériaux solides sur des substrats, et est communément 20 utilisé pour la fabrication des dispositifs à semiconducteur. Dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur, un substrat est exposé à un ou plusieurs gaz réactifs, qui réagissent, se décomposent, ou réagissent et se décomposent de sorte que ceci se traduit par le dépôt d'un matériau solide sur la surface du substrat. [0003] Un type particulier de procédé CVD est désigné dans l'art, sous le terme d'épitaxie en phase 5 vapeur (VPE). Dans les procédés VPE, un substrat est exposé à une ou plusieurs vapeurs réactives dans une chambre de réaction, qui réagissent, se décomposent ou réagissent et se décomposent de sorte que ceci se traduit par le dépôt épitaxial d'un matériau solide sur 10 la surface du substrat. Les procédés VPE sont souvent utilisés pour déposer des semi-conducteurs III-V. Lorsque l'une des vapeurs réactives dans un procédé VPE comprend une vapeur d'halogénure, le procédé peut être désigné sous le terme de procédé d'épitaxie en phase 15 vapeur à base d'halogénures (HVPE). [0004] Les procédés HVPE sont utilisés pour former des semi-conducteurs III-V tels que par exemple le nitrure de gallium (GaN). Dans de tels procédés, la croissance épitaxiale du GaN sur un substrat provient 20 de la réaction en phase vapeur entre le chlorure de gallium (GaC1) et l'ammoniac (NH3) qui est réalisée dans une chambre de réaction à hautes températures comprises entre environ 500 °C et environ 1 000 °C. Le NH3 peut être fourni à partir d'une source standard de 25 gaz NH3. [0005] Dans certains procédés, la vapeur de GaC1 est fournie en faisant passer du gaz de chlorure d'hydrogène (HC1) (qui peut provenir d'une source standard de gaz HC1) sur du gallium liquide 30 chauffé (Ga) afin de former GaC1 in situ à l'intérieur de la chambre de réaction. Le gallium liquide peut être chauffé à une température comprise entre environ 750 °C et environ 850 °C. Le GaC1 et le NH3 peuvent être dirigés vers (par exemple sur) une surface d'un 35 substrat chauffé, telle qu'une plaquette de semi- conducteur. Le brevet US-6 179 913 qui a été délivré le 30 janvier 2001 à Solomon et associés, décrit un système d'injection de gaz destiné à être utilisé dans de tels systèmes et procédés. [0006] On a développé d'autres procédés et systèmes qui utilisent une source externe d'un précurseur de GaC13, qui est directement injecté dans la chambre de réaction. Les exemples de tels procédés et systèmes sont décrits par exemple dans la publication de la demande de brevet US 2009/0223442 Al, qui a été publiée le 10 septembre 2009 au nom de Arena et associés. [0007] Les systèmes de dépôt précédemment connus utilisent des contrôleurs de débit massique qui mesurent et contrôlent le débit des gaz de procédé à 15 l'état gazeux ou de vapeur dans la chambre de réaction. Résumé [0008] Dans certains modes de réalisation, la présente description comprend des procédés pour déposer 20 des semi-conducteurs composés sur un ou plusieurs substrats. Par exemple, de tels procédés peuvent comprendre les étapes consistant à mesurer et à contrôler un débit d'un liquide précurseur provenant d'une source de liquide précurseur dans un 25 vaporisateur. Le liquide précurseur peut comprendre au moins l'un parmi GaC13, InC13 et A1C13 à l'état liquide. Le liquide précurseur peut être vaporisé à l'intérieur du vaporisateur afin de former une première vapeur de précurseur. La première vapeur de précurseur peut être 30 amenée à s'écouler du vaporisateur jusqu'à une région à proximité d'une surface d'un substrat de pièce à l'intérieur d'une chambre de réaction. Une deuxième vapeur de précurseur peut être amenée à s'écouler dans la chambre de réaction séparément de la première vapeur 35 de précurseur. Un semi-conducteur composé peut être déposé sur la surface du substrat de pièce à l'intérieur de la chambre de réaction. Le semiconducteur composé peut comprendre au moins un élément de la première vapeur de précurseur et au moins un élément de la deuxième vapeur de précurseur. [0009] Dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente description comprend des systèmes d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures qui peuvent être utilisés pour réaliser les procédés tels que décrits ici. Par exemple, un système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures peut comprendre une chambre de réaction, une source d'au moins un liquide précurseur, et un vaporisateur configuré pour vaporiser le liquide précurseur afin de former une vapeur de précurseur destinée à être transportée jusqu'à un emplacement à proximité de la structure de support de substrat à l'intérieur de la chambre de réaction. Le liquide précurseur peut comprendre au moins l'un parmi GaC13, InC13 et A1C13 à l'état liquide. Au moins un conduit peut fournir une trajectoire de fluide entre la source de liquide précurseur et le vaporisateur. Le système peut en outre comprendre un dispositif configuré pour mesurer un débit du liquide précurseur à travers le au moins un conduit, et un dispositif configuré pour contrôler le débit du liquide précurseur à travers le au moins un conduit. Brève description des dessins [0010] La figure lA est un schéma illustrant un mode de réalisation exemplaire d'un système de dépôt selon la présente description et comprenant des moyens pour mesurer et contrôler le débit des substances de précurseur dans une chambre de réaction alors que les substances de précurseur sont à l'état liquide ; [0011] la figure 1B est un schéma illustrant un autre mode de réalisation exemplaire d'un système de dépôt selon la présente description ; [0012] la figure 2 est une vue en perspective 5 détachée illustrant des éléments d'un exemple d'un système de dépôt selon le schéma de la figure 1A ; [0013] la figure 3 est une vue en perspective d'une surface extérieure avant d'un dispositif d'injection de gaz du système de dépôt de la figure 2 ; 10 [0014] la figure 4 est une vue latérale en coupe d'un four de gaz précurseur interne du système de dépôt de la figure 2 ; [0015] la figure 5 est une vue en plan de dessus de l'une des structures généralement en forme de plaque du 15 four de gaz précurseur interne des figures 3 et 4 ; [0016] la figure 6 est une vue en perspective d'un four de gaz précurseur interne du système de dépôt de la figure 2 ; et [0017] la figure 7 est une vue en perspective 20 détachée illustrant schématiquement un autre mode de réalisation exemplaire d'un système de dépôt qui comprend une porte d'accès située à distance d'un emplacement auquel les gaz de traitement sont injectés dans la chambre de réaction, mais comprenant un 25 injecteur de gaz précurseur externe au lieu d'un four de gaz précurseur interne. Description détaillée des modes de réalisation de l'invention 30 [0018] Les illustrations présentées ici ne sont pas censées être les vues réelles de l'un quelconque parmi un système particulier, un composant ou un dispositif particulier, mais sont des représentations simplement idéalisées qui sont utilisées pour décrire les modes de 35 réalisation de la présente invention. [0019] Tel qu'utilisé ici, le terme « semi- conducteur III-V » signifie et comprend tout semiconducteur qui est composé au moins de manière prédominante d'un ou de plusieurs éléments du groupe 5 IIIA du tableau périodique (B, Al, Ga, In et Ti) et d'un ou de plusieurs éléments du groupe VA du tableau périodique (N, P, As, Sb et Bi). Par exemple, les semiconducteurs III-V comprennent, sans y être limités, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, AIN, A1P, AlAs, InGaN, 10 InGaP, InGaNP, etc. [0020] On a récemment développé des injecteurs de gaz améliorés destinés à être utilisés dans les procédés et les systèmes qui utilisent une source externe d'un précurseur de GaC13 qui est injecté dans 15 la chambre de réaction, tels que ceux décrits dans la publication de demande de brevet US 2009/0223442 Al. Des exemples de ces injecteurs de gaz sont décrits par exemple dans la demande de brevet US-61/157 112 qui a été déposée le 3 mars 2009 au nom de Arena et associés. 20 Tel qu'utilisé ici, le terme « gaz » comprend les gaz (les fluides qui ont ni une forme ni un volume indépendant) et les vapeurs (les gaz qui comprennent du liquide diffusé ou une matière solide en suspension), et les termes « gaz » et « vapeur » sont utilisés ici 25 comme des synonymes. [0021] Les modes de réalisation de la présente invention comprennent et utilisent des systèmes de dépôt configurés pour réaliser un procédé de dépôt d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures dans 30 lequel le débit d'une ou de plusieurs substances de précurseur dans la chambre de réaction est mesuré et/ou contrôlé à l'état liquide, avant d'être vaporisé afin de former une ou plusieurs vapeurs de précurseur utilisées dans le procédé de dépôt. [0022] La figure lA illustre schématiquement un exemple d'un tel système de dépôt 10. Le système de dépôt 10 peut comprendre un système CVD et peut comprendre un système de dépôt VPE (par exemple un système de dépôt HVPE). Le système de dépôt 10 comprend une chambre de réaction 12, dans laquelle un matériau (par exemple un semi-conducteur) peut être déposé sur un substrat de pièce 16. Une structure de support de substrat (non représentée sur la figure 1A) peut être déposée à l'intérieur de la chambre de réaction 12 pour supporter le substrat de pièce 16 sur lequel le matériau doit être déposé. Le système de dépôt 10 comprend en outre une source 22 d'un liquide précurseur 23. Le liquide précurseur 23 comprend une substance qui comprend des éléments qui doivent être incorporés dans le matériau à déposer sur le substrat de pièce 16. La source 22 du liquide précurseur 23 peut comprendre, par exemple, un récipient 24 dans lequel le liquide précurseur 23 est disposé. [0023] A titre d'exemple non limitatif, le matériau à déposer sur le substrat de pièce 16 peut comprendre un semi-conducteur III-V, tel qu'un ou plusieurs parmi GaN, InN, AlN et leurs alliages et mélanges. Le liquide précurseur 23 peut comprendre alors une ou plusieurs substances comprenant au moins un élément du groupe III tel qu'un ou plusieurs parmi GaC13, InC13 et A1C13 à l'état liquide. Le système de dépôt 10 peut comprendre des sources d'autres substances de précurseur (non représentées sur la figure 1A). Par exemple, le système de dépôt 10 peut comprendre une source d'une vapeur de précurseur comprenant l'azote (par exemple l'ammoniac) qui est un élément du groupe V qui, conjointement avec l'élément du groupe III peut former un nitrure III-V sur le substrat de pièce 16 à l'intérieur de la chambre de réaction 12. [0024] A titre de mode de réalisation particulier non limitatif, le liquide précurseur 23 peut comprendre du GaC13 liquide. GaC13 est un liquide à des températures comprises entre environ 83 °C et environ 5 120 °C à la pression atmosphérique, et peut être un liquide à des températures allant jusqu'à environ 150 °C à des pressions plus élevées. Ainsi, dans les modes de réalisation dans lesquels le liquide précurseur 23 comprend le GaC13 liquide, on peut 10 utiliser un ou plusieurs éléments chauffants 40 pour maintenir la source 22 de liquide précurseur 23 à une température de l'ordre d'environ 83 °C à environ 150 °C. [0025] Comme représenté sur la figure 1A, le liquide 15 précurseur 23 peut être mis sous pression à l'intérieur du récipient 24 en utilisant un gaz de chasse pour mettre sous pression un volume d'espace 25 sur le liquide précurseur 23 à l'intérieur du récipient 24. On peut utiliser une ou plusieurs soupapes de régulation 20 de débit 26 pour contrôler le débit du gaz de chasse dans le récipient 24, et par conséquent, pour contrôler la pression du liquide précurseur 23. [0026] Le système de dépôt 10 comprend en outre un vaporisateur 27 qui est configuré pour vaporiser le 25 liquide précurseur 23 afin de former une vapeur de précurseur destinée à être transportée jusqu'à un emplacement à proximité du substrat de pièce 16 (et la structure de support de substrat sur laquelle le substrat de pièce 16 est disposé) à l'intérieur de la 30 chambre de réaction 12. [0027] Le vaporisateur 27 peut comprendre un ou plusieurs éléments chauffants utilisés pour chauffer le liquide précurseur 23 à l'intérieur du vaporisateur 27 afin de former une vapeur de précurseur à partir du 35 liquide précurseur 23. Facultativement, le vaporisateur 27 peut également utiliser des moyens physiques pour aider la vaporisation du liquide précurseur 23 à l'intérieur de ce dernier. Par exemple, le vaporisateur 27 peut transmettre des vibrations ultrasonores au liquide précurseur 23 afin d'améliorer la vaporisation du liquide précurseur 23 à l'intérieur de ce dernier. Dans les modes de réalisation supplémentaires, le vaporisateur 27 peut comprendre un atomiseur ou nébulisateur configuré pour disperser le liquide précurseur 23 en fines gouttelettes à l'intérieur du vaporisateur 27. Par exemple, une source 36 d'un gaz d'atomisation peut être utilisée pour fournir du gaz d'atomisation sous pression au vaporisateur 27, où il peut être utilisé pour disperser le liquide précurseur 23 en fines gouttelettes. Le gaz d'atomisation peut comprendre un gaz porteur, tel que l'hélium (He), l'azote (N2), l'hydrogène (H2), l'argon (Ar), etc., qui peut être inerte dans certains modes de réalisation. A titre d'exemple, les vaporisateurs qui peuvent être utilisés pour le vaporisateur 27 du système de dépôt 10 sont distribués dans le commerce par Brooks Instrument de Hatfield, PA. [0028] Un conduit 28 fournit une voie de passage de fluide entre la source 22 du liquide précurseur 23 et le vaporisateur 27. On peut utiliser une ou plusieurs soupapes 29 pour permettre et limiter sélectivement l'écoulement du liquide précurseur 23 à travers le conduit 28. [0029] A nouveau en référence à la figure 1A, le système de dépôt 10 comprend en outre un dispositif de mesure 30 configuré pour mesurer un débit du liquide précurseur 23 à travers le conduit 28 lorsque le liquide précurseur 23 s'écoule entre la source 22 et le vaporisateur 27, et un dispositif de contrôle de débit 32 configuré pour contrôler le débit du liquide précurseur 23 à travers le conduit 28. Le dispositif de mesure 30 et le dispositif de contrôle de débit 32 peuvent comprendre des dispositifs électromécaniques qui sont actionnés sous contrôle d'un système de contrôle informatique 34. Par exemple, le système de contrôle informatique 34 peut être configuré pour laisser s'écouler le liquide précurseur 23 à travers le conduit 28 dans une plage souhaitable afin de fournir un débit massique souhaité de la substance de précurseur dans la chambre de réaction 12. Le système de contrôle informatique 34 peut mesurer le débit du liquide précurseur 23 à travers le conduit 28 en utilisant le dispositif de mesure 30, et en réponse aux mesures reçues du dispositif de mesure 30, ajuster sélectivement le débit du liquide précurseur 23 à travers le conduit 28 en réponse aux mesures reçues, si nécessaire pour maintenir le débit dans la plage souhaitée. [0030] Dans certains modes de réalisation, le dispositif de mesure 30 et le dispositif de contrôle de débit 32 peuvent être intégrés dans un seul dispositif unitaire. Dans les autres modes de réalisation, le dispositif de mesure 30 et le dispositif de contrôle de débit 32 peuvent être des dispositifs distincts qui sont séparés l'un de l'autre. A titre d'exemple, les dispositifs de mesure et les dispositifs de contrôle de débit qui peuvent être utilisés pour le dispositif de mesure 30 et le dispositif de contrôle de débit 32 sont distribués dans le commerce par Brooks Instrument de Hatfield, PA. [0031] Le liquide précurseur 23 peut être à une température comprise entre environ 83 °C et environ 150 °C lorsqu'il pénètre dans le vaporisateur 27. Le vaporisateur 27 vaporise le liquide 35 précurseur 23 afin de former une vapeur de précurseur, comme précédemment discuté. La vapeur de précurseur peut être à une température comprise entre environ 120 °C et environ 900 °C lorsque la vapeur de précurseur sort du vaporisateur 27. Dans certains modes de réalisation, la vapeur de précurseur peut être au moins d'environ 150 °C lorsqu'elle sort du vaporisateur 27, au moins d'environ 400 °C lorsqu'elle sort du vaporisateur 27, ou même aussi élevée qu'environ 900 °C lorsqu'elle sort du vaporisateur 27. Dans certains modes de réalisation, un four de gaz précurseur peut être utilisé pour chauffer davantage la vapeur de précurseur après qu'elle soit sortie du vaporisateur 27 et avant d'atteindre le substrat de pièce 16, comme discuté de manière plus détaillée ci- dessous. [0032] On peut utiliser des éléments chauffants supplémentaires (non représentés) pour chauffer une ou plusieurs sections du conduit 28 entre la source 22 du liquide précurseur 23 et le vaporisateur 27, afin de maintenir la température du liquide précurseur 23 entre environ 83 °C et environ 150 °C jusqu'à ce qu'elle atteigne le vaporisateur 27. En outre, il peut être souhaitable d'éviter les baisses de température dans le liquide précurseur 23, lorsque le liquide précurseur 23 s'écoule de la source 22 jusqu'au vaporisateur 27. Ainsi, les éléments chauffants peuvent être prévus le long du conduit 28 afin d'augmenter la température du liquide précurseur 23 (d'une manière progressive, continue ou par palier) lorsque le liquide précurseur 23 s'écoule de la source 22 au vaporisateur 27. [0033] Comme représenté sur la figure 1A, dans certains modes de réalisation, le vaporisateur 27 peut être disposé à l'extérieur de la chambre de réaction 12. Dans les autres modes de réalisation, cependant, le vaporisateur 27 peut être disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction 12. Par exemple, la figure 1B illustre un autre système de dépôt 50 qui est sensiblement similaire au système de dépôt 10 de la figure 1A, mais dans lequel le vaporisateur 27 est disposé partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction 12. Encore dans d'autres modes de réalisation, le vaporisateur 27 peut être disposé entièrement à l'intérieur de la chambre de réaction 12. Dans les modes de réalisation dans lesquels le vaporisateur 27 peut être disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction 12, le vaporisateur 27 peut être fabriqué à partir de matériaux qui peuvent résister aux températures et aux environnements chimiques à l'intérieur de la chambre de réaction 12. [0034] La figure 2 est une vue en perspective détachée illustrant des éléments d'un exemple d'un système de dépôt 100 selon le schéma de la figure 1A. Le système de dépôt 100 comprend une chambre de réaction 102. La chambre de réaction 102 peut être définie par une paroi supérieure 104, une paroi inférieure 106 et une ou plusieurs parois latérales. Une ou plusieurs des parois latérales peuvent être définies par un composant ou des composants de sous- ensembles du système de dépôt 100. Par exemple, une première paroi latérale 108A peut comprendre un composant d'un collecteur d'injection de gaz 110 utilisé pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement dans la chambre de réaction 102, et une deuxième paroi latérale 108B peut comprendre un composant d'un sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 utilisé pour évacuer les gaz de traitement de la chambre de réaction 102, ainsi que pour charger les substrats dans la chambre de réaction 102 et décharger les substrats de la chambre de réaction 102. [0035] Dans certains modes de réalisation, la chambre de réaction 102 peut avoir la forme géométrique d'un prisme rectangulaire allongé, comme représenté sur la figure 2. Dans certains de ces modes de réalisation, 5 le collecteur d'injection de gaz 110 peut être positionné au niveau d'une première extrémité de la chambre de réaction 102, et le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut être positionné au niveau d'une deuxième extrémité opposée de la 10 chambre de réaction 102. Dans d'autres modes de réalisation, la chambre de réaction 102 peut avoir une autre forme géométrique. [0036] Le système de dépôt 100 comprend une structure de support de substrat 114 (par exemple un 15 suscepteur) configurée pour supporter un ou plusieurs substrats de pièce 116 sur lequel on souhaite déposer ou bien amener un semi-conducteur à l'intérieur du système de dépôt 100. Par exemple, les substrats de pièce 116 peuvent comprendre les matrices ou les 20 plaquettes. Le système de dépôt 100 comprend en outre des éléments chauffants 118 qui peuvent être utilisés pour chauffer sélectivement la chambre de réaction 102 de sorte qu'une température moyenne à l'intérieur de la chambre de réaction 102 peut être contrôlée dans les 25 limites de températures élevées souhaitables pendant les procédés de dépôt. Les éléments chauffants 118 peuvent comprendre par exemple des éléments chauffants résistifs ou des éléments chauffants rayonnants (par exemple des lampes chauffantes). 30 [0037] Comme représenté sur la figure 2, la structure de support de substrat 114 peut être couplée à une tige 119, qui peut être couplée (par exemple couplée de manière directement structurelle, couplée de manière magnétique, etc.) à un dispositif 35 d'entraînement (non représenté), tel qu'un moteur électrique qui est configuré pour entraîner la rotation de la tige 119 et par conséquent de la structure de support de substrat 114 à l'intérieur de la chambre de réaction 102. [0038] Dans certains modes de réalisation, un ou plusieurs parmi la paroi supérieure 104, la paroi inférieure 106, la structure de support de substrat 114, la tige 119 ou n'importe quel autre composant à l'intérieur de la chambre de réaction 102 peut être au moins sensiblement composé d'un matériau en céramique réfractaire tel que l'oxyde de céramique (par exemple la silice (quartz), l'alumine, la zircone, etc.), un carbure (par exemple le carbure de silicium, le carbure de bore, etc.) ou un nitrure (par exemple le nitrure de silicium, le nitrure de bore, etc.). A titre d'exemple non limitatif, la paroi supérieure 104, la paroi inférieure 106, la structure de support de substrat 114 et la tige 119 peuvent comprendre du quartz transparent afin de permettre à l'énergie thermique rayonnée par les éléments chauffants 118 de traverser et de chauffer les gaz de traitement à l'intérieur de la chambre de réaction 102. [0039] Le système de dépôt 100 comprend en outre un système d'écoulement de gaz utilisé pour laisser s'écouler les gaz de traitement à travers la chambre de réaction 102, tels que la vapeur de précurseur générée par le vaporisateur 27 (figure 1A). Par exemple, le système de dépôt 100 peut comprendre au moins un collecteur d'injection de gaz 110 pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement dans la chambre de réaction 102 à un premier emplacement 103A, et un dispositif de vide 113 pour aspirer les un ou plusieurs gaz de traitement à travers la chambre de réaction 102 du premier emplacement 103A à un deuxième emplacement 103B et pour évacuer les un ou plusieurs gaz de traitement de la chambre de réaction 102 au deuxième emplacement 103B. Le collecteur d'injection de gaz 110 peut comprendre des connecteurs configurés pour se coupler avec des conduits transportant un ou plusieurs gaz de traitement. [0040] A nouveau en référence à la figure 2, le système de dépôt 100 peut comprendre cinq conduits d'entrée de gaz 120A-120E qui transportent les gaz des sources de gaz de traitement 122A-122E respectives jusqu'au collecteur d'injection de gaz 110. L'un des conduits d'entrée de gaz 120A-120E peut comprendre le conduit 28 de la figure lA et l'une des sources de gaz 122A-122E peut comprendre la source 22 du liquide précurseur 23 et le vaporisateur 27 de la figure 1A. Facultativement, des soupapes de gaz (121A-121E) peuvent être utilisées pour contrôler sélectivement l'écoulement du gaz à travers les conduits d'entrée de gaz 120A-120E respectivement. [0041] Comme décrit ici, le flux de la vapeur de gaz précurseur (par exemple GaC13) dans la chambre de réaction 102 peut être contrôlé en mesurant et en contrôlant le débit du liquide précurseur 23 alors qu'il est à l'état liquide, avant de vaporiser le liquide précurseur 23 afin de former la vapeur de précurseur qui s'écoule dans la chambre de réaction 102, ce qui peut fournir certains avantages par rapport aux systèmes précédemment connus dans lesquels le flux de la vapeur de gaz précurseur (par exemple GaC13) dans la chambre de réaction 102 était contrôlé en mesurant et en contrôlant la vapeur de précurseur elle-même. [0042] Dans des modes de réalisation supplémentaires, le système de dépôt 100 peut 35 comprendre moins de cinq conduits d'entrée de gaz (par exemple de un à quatre) et de sources de gaz respectives, ou le système de dépôt 100 peut comprendre plus de cinq (par exemple six, sept, huit, etc.) conduits d'entrée de gaz et sources de gaz respectives. [0043] La figure 3 est une vue en perspective illustrant une surface extérieure du collecteur d'injection de gaz 110. Comme représenté sur la figure 3, le collecteur d'injection de gaz 110 peut comprendre une pluralité de connecteurs 117 qui sont configurés pour se raccorder aux conduits d'entrée de gaz 120A-120E (figure 2). Dans certains modes de réalisation, le collecteur d'injection de gaz 110 peut comprendre une pluralité de rangées 115A-115E de connecteurs 117. Chacune des rangées 115A-115E peut être configurée pour injecter des gaz de traitement respectifs dans la chambre de réaction 102 (figure 2). Par exemple, les connecteurs 117 dans une première rangée inférieure 115A peuvent être utilisés pour injecter un gaz de purge dans la chambre de réaction 102, les connecteurs 117 dans une deuxième rangée 115B peuvent être utilisés pour injecter un gaz précurseur (par exemple GaC13) dans la chambre de réaction 102, les connecteurs 117 dans une troisième rangée 115C peuvent être utilisés pour injecter un autre gaz précurseur (par exemple NH3) dans la chambre de réaction 102, les connecteurs 117 dans une quatrième rangée 115D peuvent être utilisés pour injecter un autre gaz de traitement (par exemple SiH4) dans la chambre de réaction 102 et les connecteurs 117 dans une cinquième rangée supérieure 115E peuvent être utilisés pour injecter un gaz de purge ou un gaz porteur (par exemple N2) dans la chambre de réaction 102. Les connecteurs 117 peuvent être groupés dans des zones séparées 119A-119C de connecteurs 117, chaque zone 119A-119C comprenant des connecteurs 117 de chacune des rangées 115A-115E. Les connecteurs 117 dans chaque zone 119A-119C peuvent être utilisés pour transporter les gaz de traitement jusqu'aux différentes zones à l'intérieur de la chambre de réaction 102, permettant ainsi aux différentes compositions et/ou concentrations de gaz de traitement d'être introduites dans différentes régions à l'intérieur de la chambre de réaction 102 sur le substrat de pièce 116. [0044] A nouveau en référence à la figure 2, le 10 sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut comprendre une chambre de vide 184 dans laquelle les gaz s'écoulant à travers la chambre de réaction 102 sont aspirés par le vide et évacués de la chambre de réaction 102. Le vide à l'intérieur de la chambre de 15 vide 184 est généré par le dispositif de vide 113. Comme représenté sur la figure 2, la chambre de vide 184 peut être positionnée au-dessous de la chambre de réaction 102. [0045] Le sous-ensemble d'évacuation et de 20 chargement 112 peut en outre comprendre un dispositif de rideau de gaz de purge 186 qui est configuré et orienté pour fournir un rideau généralement plan de gaz de purge en écoulement, qui s'écoule du dispositif de rideau de gaz de purge 186 et dans la chambre de vide 25 184. Le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut également comprendre une porte d'accès 188 qui peut être sélectivement ouverte pour charger et/ou décharger les substrats de pièce 116 de la structure de support de substrat 114 et sélectivement fermée pour 30 traiter les substrats de pièce 116 utilisant le système de dépôt 100. Dans certains modes de réalisation, la porte d'accès 188 peut comprendre au moins une plaque configurée pour se déplacer entre une première position fermée et une deuxième position ouverte. La chambre de 35 réaction 102 peut être au moins sensiblement close et l'accès à la structure de support de substrat 114 par la porte d'accès 188 peut être empêché, lorsque la plaque de la porte d'accès 188 est dans la première position fermée. L'accès à la structure de support de substrat 114 peut être autorisé par la porte d'accès 188 lorsque la plaque de la porte d'accès 188 est dans la deuxième position ouverte. [0046] Le rideau de gaz de purge émis par le dispositif de rideau de gaz de purge 186 peut réduire 10 ou empêcher le dépôt non voulu (par exemple dépôt parasite) sur la plaque de la porte d'accès 188. [0047] Les sous-produits gazeux, les gaz porteurs et tous les gaz précurseurs en excès peuvent être évacués de la chambre de réaction 102 par le sous-ensemble 15 d'évacuation et de chargement 112. [0048] La porte d'accès 188 peut être positionnée à distance du premier emplacement 103A auquel un ou plusieurs gaz de traitement sont injectés dans la chambre de réaction 102. Dans certains modes de 20 réalisation, le premier emplacement 103A peut être disposé sur un premier côté de la structure de support de substrat 114 et le deuxième emplacement 103B auquel les gaz de traitement sont évacués de la chambre de réaction 102 par le dispositif de vide 113 peuvent être 25 disposés sur un deuxième côté opposé de la structure de support 114, comme représenté sur la figure 2. De plus, le deuxième emplacement 103B auquel les gaz de traitement sont évacués de la chambre de réaction 102 peut être disposé entre la structure de support de 30 substrat 114 et la porte d'accès 188. Le dispositif de rideau de gaz de purge 186 peut être configuré afin de former un rideau de gaz de purge en écoulement qui s'écoule entre le dispositif d'injection de gaz de purge et le dispositif de vide 113, comme précédemment 35 discuté. Le rideau de gaz de purge en écoulement peut être disposé entre la structure de support de pièce 114 et la porte d'accès 188, afin de former une barrière de gaz de purge en écoulement qui sépare les substrats de pièce 116 de la porte d'accès 188. Une telle barrière de gaz de purge en écoulement peut réduire ou empêcher le dépôt parasite sur la porte d'accès 188 lorsque la porte d'accès 188 est fermée. [0049] Comme précédemment mentionné, dans certains modes de réalisation, le système de dépôt 100 peut comprendre un four de gaz précurseur 130 configuré pour augmenter la température d'un gaz précurseur, tel qu'un gaz précurseur généré par le vaporisateur 27 (figure 1A). Dans certains modes de réalisation, le four de gaz 130 peut être disposé à l'intérieur de la chambre de réaction 102. Le four de gaz précurseur 130 peut être configuré pour chauffer le gaz précurseur transporter le gaz précurseur à l'intérieur de chambre de réaction 102, du collecteur d'injection gaz 110 jusqu'à un emplacement à proximité de structure de support de substrat 114. [0050] La figure 4 est une vue latérale en coupe du four de gaz précurseur 130 de la figure 2. Le four 130 du mode de réalisation de la figure 4 comprend cinq (5) structures généralement en forme de plaque 132A-132E 25 qui sont fixées ensemble et sont dimensionnées et configurées pour définir une ou plusieurs trajectoires d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le four 130 dans des chambres définies entre les structures généralement en forme de plaque 132A-132E. 30 Les structures généralement en forme de plaque 132A- 132E peuvent comprendre par exemple, du quartz transparent afin de permettre à l'énergie thermique rayonnée par les éléments chauffants 118 (figure 2) de passer à travers les structures en forme de et la de la plaque 132A-132E et de chauffer le gaz ou les gaz précurseurs dans le four 130. [0051] Comme représenté sur la figure 4, la première structure en forme de plaque 132A et la deuxième 5 structure en forme de plaque 132B peuvent être couplées ensemble afin de définir une chambre 134 entre elles. Une pluralité de saillies en forme de crête solidaires 136 sur la première structure en forme de plaque 132A peuvent diviser la chambre 134 en une ou 10 plusieurs trajectoires d'écoulement s'étendant à partir d'une entrée 138 dans la chambre 134 jusqu'à une sortie 140 de la chambre 134. [0052] La figure 5 est une vue en plan de dessus de la première structure en forme de plaque 132A et 15 illustre les saillies en forme de crête 136 sur cette dernière et les trajectoires d'écoulement qui sont définies ainsi dans la chambre 134 (figure 4). Comme représenté sur la figure 5, les saillies 136 définissent des sections de la trajectoire d'écoulement 20 s'étendant à travers le four 130 (figure 4) qui ont une configuration de serpentin. Les saillies 136 peuvent comprendre des parois alternées ayant des ouvertures 139 à travers ces dernières au niveau des extrémités latérales des saillies 136 et au centre des saillies 25 136, comme représenté sur la figure 5. Ainsi, dans cette configuration, les gaz peuvent entrer dans la chambre 134 à proximité d'une région centrale de la chambre 134, comme représenté sur la figure 5, s'écouler latéralement vers l'extérieur vers les côtés 30 latéraux du four 130, à travers les ouvertures 138 au niveau des extrémités latérales de l'une des saillies 136, revenir vers la région centrale de la chambre 134 et passer par une autre ouverture 138 au centre d'une autre saillie 136. Ce modèle d'écoulement 35 est répété jusqu'à ce que les gaz atteignent un côté opposé de la première structure en forme de plaque 132A à partir de l'entrée 138 après s'être écoulés à travers la chambre 134 en faisant un mouvement de va-et-vient à la manière d'un serpentin. [0053] En amenant un ou plusieurs gaz précurseurs à s'écouler à travers cette section de la trajectoire d'écoulement s'étendant à travers le four 130, le temps de séjour des un ou plusieurs gaz précurseurs à l'intérieur du four 130 peut être sélectivement augmenté. [0054] En référence à nouveau à la figure 4, l'entrée 138 conduisant dans la chambre 134 peut être définie par exemple par un élément tubulaire 142. L'un des conduits d'entrée de gaz 120A-120E, tel que le conduit d'entrée de gaz 120A, peut s'étendre vers et se coupler avec l'élément tubulaire 142, comme représenté sur la figure 4. Un élément formant joint d'étanchéité 144, tel qu'un joint torique polymère, peut être utilisé pour former un joint étanche au gaz entre le conduit d'entrée de gaz 120B et l'élément tubulaire 142. L'élément tubulaire 142 peut comprendre, par exemple, du quartz opaque afin d'empêcher l'énergie thermique émise par les éléments chauffants 118 de chauffer l'élément formant joint d'étanchéité 144 à des températures élevées qui pourraient provoquer la dégradation de l'élément formant joint d'étanchéité 144. De plus, le refroidissement du collecteur d'injection de gaz 110 (figure 2) utilisant l'écoulement du fluide de refroidissement à travers les conduits de refroidissement 111 peut empêcher le chauffage excessif et se traduire par la dégradation de l'élément formant joint d'étanchéité 144. En maintenant la température de l'élément formant joint d'étanchéité 144 au-dessous d'environ 200 °C, on peut 35 maintenir un joint d'étanchéité adéquat entre l'un des conduits d'entrée de gaz 120A-120E et l'élément tubulaire 142 en utilisant l'élément formant joint d'étanchéité 144 lorsque le conduit d'entrée de gaz (par exemple le conduit d'entrée de gaz 120A) comprend un métal ou un alliage de métal (par exemple l'acier) et que l'élément tubulaire 142 comprend un matériau réfractaire tel que le quartz. L'élément tubulaire 142 et la première structure en forme de plaque 132A peuvent être reliés ensemble afin de former un corps unitaire de quartz solidaire. [0055] Comme représenté sur la figure 4, les structures en forme de plaque 132A, 132B peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité complémentaires 147A, 147B (par exemple une crête et un 15 évidement correspondant) qui s'étendent autour de la périphérie des structures en forme de plaque 132A, 132B et au moins fermer sensiblement hermétiquement la chambre 134 entre les structures en forme de plaque 132A, 132B. Ainsi, on empêche les gaz à l'intérieur de 20 la chambre 134 de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 134, et on les oblige à s'écouler de la chambre 134 en passant par une sortie 140 de la chambre 134. [0056] Facultativement, les saillies 136 peuvent 25 être configurées pour avoir une hauteur qui est légèrement inférieure à une distance séparant une surface 152 de la première structure en forme de plaque 132A à partir de laquelle les saillies 136 s'étendent et une surface opposée 154 de la deuxième structure en 30 forme de plaque 132B. Ainsi, on peut prévoir un petit espace entre les saillies 136 et la surface 154 de la deuxième structure en forme de plaque 132B. Bien qu'une quantité mineure de gaz puisse s'échapper par ces espaces, cette petite quantité de fuite n'affectera pas 35 de manière défavorable le temps de séjour moyen des molécules de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre 140. En configurant les saillies 136 de cette manière, les variations de hauteur des saillies 136 qui se produisent en raison des tolérances des procédés de fabrication utilisés pour former les structures en forme de plaque 132A, 132B peuvent être prises en compte, de sorte que les saillies 136 qui sont fabriquées par inadvertance et qui ont une hauteur excessive, n'empêchent pas la formation d'un joint d'étanchéité adéquat entre les structures en forme de plaque 132A, 132B grâce aux caractéristiques d'étanchéité complémentaires 147A, 147B. [0057] Comme représenté sur la figure 4, la sortie 140 de la chambre 134 entre les structures en forme de plaque 132A, 132B conduit à une entrée 148 dans une chambre 150 entre la troisième structure en forme de plaque 132C et la quatrième structure en forme de plaque 132D. La chambre 150 peut être configurée de sorte que le gaz ou les gaz à l'intérieur de cette dernière s'écoulent à partir de l'entrée 148 vers une sortie 156 de la chambre 150 d'une manière généralement linéaire. Par exemple, la chambre 150 peut avoir une forme transversale qui est généralement rectangulaire et uniforme du point de vue de la taille entre l'entrée 148 et la sortie 156. Ainsi, la chambre 150 peut être configurée pour rendre l'écoulement du gaz ou des gaz plus laminaire, par opposition à l'écoulement turbulent. [0058] Les structures en forme de plaque 132C, 132D peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité complémentaires 158A, 158B (par exemple une crête et un évidement correspondant) qui s'étendent autour de la périphérie des structures en forme de plaque 132C, 132D et ferment au moins sensiblement hermétiquement la chambre 150 entre les structures en forme de plaque 132C, 132D. Ainsi, on empêche les gaz à l'intérieur de la chambre 150 de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 150 et on les oblige à s'écouler de la chambre 150 par la sortie 156. [0059] La sortie 156 peut comprendre, par exemple, une ouverture allongée (par exemple une fente) s'étendant à travers la structure en forme de plaque 132D à proximité de son extrémité opposée par rapport à l'extrémité qui est à proximité de l'entrée 148. [0060] A nouveau en référence à la figure 4, la sortie 156 de la chambre 150 entre les structures en forme de plaque 132C, 132D conduit à une entrée 160 dans une chambre 162 entre la quatrième structure en forme de plaque 132D et la cinquième structure en forme de plaque 132E. La chambre 162 peut être configurée de sorte que le gaz ou les gaz à l'intérieur de cette dernière s'écoulent par l'entrée 160 vers une sortie 164 de la chambre 162 d'une manière généralement linéaire. Par exemple, la chambre 162 peut avoir une forme transversale qui est généralement rectangulaire ou uniforme du point de vue de la taille entre l'entrée 160 et la sortie 164. Ainsi, la chambre 162 peut être configurée pour rendre l'écoulement du gaz ou des gaz plus laminaire, par opposition à l'écoulement turbulent, d'une manière similaire à celle précédemment décrite en référence à la chambre 150. [0061] Les structures en forme de plaque 132D, 132E peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité complémentaires 166A, 166B (par exemple une crête et un évidement correspondant) qui s'étendent autour d'une partie de la périphérie des structures en forme de plaque 132D, 132E et fermer hermétiquement la chambre 162 entre les structures en forme de plaque 132D, 132E sur la totalité, sauf un côté des structures en forme de plaque 132D, 132E. Un espace est prévu entre les structures en forme de plaque 132D, 132E sur son côté opposé à l'entrée 160, lequel espace définit la sortie 164 de la chambre 162. Ainsi, les gaz pénètrent dans la chambre 162 par l'entrée 160, s'écoulent à travers la chambre 162 vers la sortie 164 (tout en les empêchant de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 162 par les caractéristiques d'étanchéité complémentaires 166A, 166B), et sortent en s'écoulant de la chambre 162 par la sortie 164. Les sections de la ou des trajectoires d'écoulement de gaz à l'intérieur du four 130 qui sont définies par la chambre 150 et la chambre 162 sont configurées pour communiquer l'écoulement laminaire aux un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la ou les trajectoires d'écoulement à l'intérieur du four 130 et réduire toute turbulence à l'intérieur de ce dernier. [0062] La sortie 164 est configurée pour faire sortir un ou plusieurs gaz précurseurs du four 130 dans la région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102. La figure 6 est une vue en perspective du four 130 et illustre la sortie 164. Comme représenté sur la figure 6, la sortie 164 peut avoir une forme transversale rectangulaire qui peut aider à empêcher l'écoulement laminaire du gaz ou des gaz précurseurs qui sont injectés hors du four 130 et dans la région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102. La sortie 164 peut être dimensionnée et configurée pour faire sortir un volume de gaz précurseur en écoulement dans une direction transversale sur une surface supérieure 168 de la structure de support de substrat 114. Comme représenté sur la figure 6, la surface d'extrémité 180 de la quatrième structure généralement en forme de plaque 132D et la surface d'extrémité 182 de la cinquième structure généralement en forme de plaque 132E, un espace entre lequel on définit la sortie 164 de la chambre 162 comme précédemment discuté, peut avoir une forme qui correspond généralement à une forme d'un substrat de pièce 116 supporté sur la structure de support de substrat 114 et sur lequel un matériau doit être disposé en utilisant le ou les gaz précurseurs s'écoulant du four 130. Par exemple, dans les modes de réalisation dans lesquels le substrat de pièce 116 comprend une matrice ou plaquette ayant une périphérie qui a une forme généralement circulaire, les surfaces 180, 182 peuvent avoir une forme arquée qui correspond généralement au profil de la périphérie externe du substrat de pièce 116 à traiter. Dans une telle configuration, la distance entre la sortie 164 et 15 le bord externe du substrat de pièce 116 peut être généralement constante sur la sortie 164. Dans cette configuration, on empêche le ou les gaz précurseurs sortant en s'écoulant par la sortie 164 de se mélanger avec les autres gaz précurseurs à l'intérieur de la 20 chambre de réaction 102 (figure 2) jusqu'à ce qu'ils soient positionnés à proximité de la surface du substrat de pièce 116 sur laquelle le matériau doit être déposé par les gaz précurseurs, et éviter le dépôt involontaire du matériau sur les composants du système 25 de dépôt 100. [0063] A nouveau en référence à la figure 2, le système de dépôt 100 peut comprendre des éléments chauffants 118. Par exemple, les éléments chauffants 118 peuvent comprendre un premier groupe 170 30 d'éléments chauffants 118 et un deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné et configuré pour transmettre l'énergie thermique au four 130 et chauffer le gaz précurseur à l'intérieur de 35 ce dernier. Par exemple, le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessous de la chambre de réaction 102 sous le four 130, comme représenté sur la figure 2. Dans des modes de réalisation supplémentaires, le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessus de la chambre de réaction 102 sur le four 130, ou peuvent comprendre à la fois des éléments chauffants 118 positionnés au-dessous de la chambre de réaction 102 sous le four 130 et des éléments chauffants 118 positionnés au-dessus de la chambre de réaction 102 sur le four 130. Le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné et configuré pour transmettre l'énergie thermique à la structure de support de substrat 114 et à n'importe quel substrat de pièce 116 supporté sur cette dernière. Par exemple, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessous de la chambre de réaction 102 sous la structure de support de substrat 114, comme représenté sur la figure 2. Dans des modes de réalisation supplémentaires, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessus de la chambre de réaction 102 sur la structure de support de substrat 114, ou peut comprendre à la fois des éléments chauffants 118 positionnés au-dessous de la chambre de réaction 102 sous la structure de support de substrat 114 et des éléments chauffants 118 positionnés au-dessus de la chambre de réaction 102 sur la structure de support de substrat 114. [0064] Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être séparé du deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 par une barrière thermiquement réfléchissante ou thermiquement isolante 174. A titre d'exemple non limitatif, une telle barrière 174 peut 35 comprendre une plaque métallique plaquée or positionnée entre le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 et le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. La plaque métallique peut être orientée pour permettre le chauffage indépendamment contrôlé du four 130 (par le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118) et de la structure de support de substrat 114 (par le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118). En d'autres termes, la barrière 174 peut être positionnée et orientée pour réduire ou empêcher le chauffage de la structure de support de substrat 114 par le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 et pour réduire ou empêcher le chauffage du four 130 par le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. [0065] Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut comprendre une pluralité de rangées d'éléments chauffants 118, qui peuventêtre contrôlées indépendamment les unes des autres. En d'autres termes, l'énergie thermique transmise par chaque rangée d'éléments chauffants 118 peut être indépendamment contrôlable. Les rangées peuvent être orientées de manière transversale par rapport à la direction de l'écoulement net de gaz à travers la chambre de réaction 102, qui est la direction s'étendant de gauche à droite d'après la perspective de la figure 2. Ainsi, les rangées indépendamment contrôlées d'éléments chauffants 118 peuvent être utilisées pour fournir un gradient thermique sélectionné sur le four 130, si nécessaire. De manière similaire, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut également comprendre une pluralité de rangées d'éléments chauffants 118, qui peuvent être indépendamment contrôlées les unes des autres. Ainsi, un gradient thermique sélectionné peut également être prévu sur la structure de support de substrat 114, si nécessaire. [0066] Facultativement, des structures de transfert de chaleur passives (par exemple des structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être positionnées de manière adjacente ou à proximité d'au moins une partie du four de gaz précurseur 130 à l'intérieur de la chambre de réaction 102 afin d'améliorer le transfert de chaleur jusqu'aux gaz précurseurs à l'intérieur du four 130. [0067] Des structures de transfert de chaleur passives (par exemple les structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être prévues à l'intérieur de la chambre de réaction 102, comme décrit par exemple dans la publication de demande de brevet US 2009/0214785 Al, qui a été publiée le 27 août 2009 au nom de Arena et associés. A titre d'exemple non limitatif, le four de gaz précurseur 130 peut comprendre une plaque de transfert de chaleur passive 178, qui peut être positionnée entre la deuxième structure en forme de plaque 132B et la troisième structure en forme de plaque 132C, comme représenté sur la figure 4. Une telle plaque de transfert de chaleur passive 178 peut améliorer le transfert de chaleur fourni par les éléments chauffants 118 au gaz précurseur à l'intérieur du four 130, et peut améliorer l'homogénéité et la consistance de la température à l'intérieur du four 130. La plaque de transfert de chaleur passive 178 peut comprendre un matériau avec des valeurs d'émissivité élevées (proche de l'unité) (matériaux de corps noir) qui est également capable de résister à l'environnement corrosif à température élevée que l'on peut rencontrer à l'intérieur de la chambre de réaction 102. De tels matériaux peuvent comprendre par exemple le nitrure d'aluminium (A1N), le carbure de silicium (SiC) et le carbure de bore (B4C) qui ont respectivement des valeurs d'émissivité de 0,98, 0,92 et 0,92. Ainsi, la plaque de transfert de chaleur passive 178 peut absorber l'énergie thermique émise par les éléments chauffants 118 et émettre à nouveau l'énergie thermique dans le four 130 et le ou les gaz précurseurs à l'intérieur de ce dernier. [0068] La figure 7 est une vue en perspective détachée illustrant schématiquement les composants d'un autre mode de réalisation exemplaire d'un système de dépôt 200 selon le schéma de la figure 1A. Le système de dépôt 200 est similaire au système de dépôt 100 de la figure 2. Cependant, le système de dépôt 200 ne comprend pas de four de gaz précurseur interne 130, mais comprend plutôt un injecteur de gaz précurseur externe 230 situé à l'extérieur de la chambre de réaction 102. L'injecteur de gaz précurseur externe 230 peut être configuré pour chauffer au moins un gaz précurseur qui peut être fourni par un vaporisateur 27, comme précédemment décrit en référence à la figure lA et transporter le au moins un gaz précurseur jusqu'à un collecteur d'injection de gaz 210, qui peut être sensiblement similaire au collecteur d'injection de gaz 110 de la figure 2. [0069] A titre d'exemple non limitatif, l'injecteur de gaz précurseur externe 230 peut comprendre un injecteur de gaz précurseur tel que celui décrit dans l'une quelconque parmi la demande de brevet US 61/416 525 déposée le 23 novembre 2010 et intitulée « Procédés pour former des matériaux de nitrure-III en vrac sur des couches de gabarit de croissance de nitrure métallique, et structures formées par de tels procédés », la publication de demande de brevet US 2009/0223442 Al qui a été publiée le 10 septembre 2009 au nom de Arena et associés, la demande internationale WO 2010/101715 Al, publiée le 10 septembre 2010 et intitulée « Injecteurs de gaz pour systèmes CVD avec ces derniers », la demande de brevet US 12/894 724 qui a été déposée le 30 septembre 2010 au nom de Bertram, et la demande de brevet US 12/895 311 qui a été déposée le 30 septembre 2010 au nom de Werkhoven. [0070] L'injecteur de gaz 230 peut comprendre un injecteur de gaz thermique comprenant un conduit allongé qui peut avoir une configuration hélicoïdale, une configuration de serpentin, etc., dans lequel les un ou plusieurs gaz de traitement s'écoulant à travers ce dernier (par exemple un gaz précurseur) sont chauffés lorsqu'ils s'écoulent à travers le conduit allongé. On peut utiliser des éléments chauffants externes pour chauffer le ou les gaz de traitement lorsqu'ils s'écoulent à travers le conduit allongé. Facultativement, une ou plusieurs structures de chauffage passives (comme celles précédemment décrites ici) peuvent être incorporées dans l'injecteur de gaz 230 pour améliorer le chauffage du ou des gaz de traitement s'écoulant à travers l'injecteur de gaz 230. [0071] Facultativement, l'injecteur de gaz 230 peut en outre comprendre un réservoir configuré pour contenir un réactif liquide afin de réagir avec un gaz de traitement (ou un produit de décomposition ou de réaction d'un gaz de traitement). Par exemple, le réservoir peut être configuré pour contenir un métal liquide ou un autre élément, tel que par exemple du gallium liquide (Ga), de l'aluminium liquide (Al) ou de l'indium liquide (In). Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, le réservoir peut être configuré pour contenir un réactif solide afin de réagir avec un gaz de traitement (ou un produit de décomposition ou de réaction d'un gaz de traitement). Par exemple, le réservoir peut être configuré pour contenir un volume solide d'un ou plusieurs éléments, tels que par exemple le silicium solide (Si) ou le magnésium solide (Mg). [0072] Encore en référence à la figure 7, le ou les gaz de traitement qui sont injectés dans la chambre de réaction 102 à partir de l'injecteur de gaz précurseur externe 230 peuvent être transportés à travers une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102 à l'intérieur d'une enceinte 240 jusqu'à un emplacement à proximité de la structure de support de pièce 114, afin d'éviter qu'un tel gaz ou de tels gaz de traitement ne se mélangent avec un autre ou d'autres gaz de traitement jusqu'à ce qu'ils soient à proximité d'un substrat de pièce 116 supporté sur la structure de support de substrat 114. [0073] Dans des modes de réalisation supplémentaires, les systèmes de dépôt peuvent comprendre à la fois un four de gaz précurseur interne 130 comme décrit en référence à la figure 2, ainsi qu'un injecteur de gaz précurseur externe 230, comme décrit en référence à la figure 7. Par exemple, l'enceinte 240 représentée sur la figure 7 peut être remplacée par le four de gaz précurseur interne 130 de la figure 2. [0074] Comme représenté sur la figure 7, la chambre de réaction 102 peut en outre comprendre des nervures de support structurelles 242, qui peuvent être utilisées pour fournir la rigidité structurelle à la chambre de réaction 102. De telles nervures de support 242 peuvent comprendre un matériau réfractaire comme celui de la paroi supérieure 104 et de la paroi inférieure 106 de la chambre de réaction 102. La chambre de réaction 102 de la figure 2 peut également comprendre de telles nervures de support structurelles 242 dans des modes de réalisation supplémentaires. [0075] Bien que non illustrés sur les figures, les systèmes de dépôt décrits ici peuvent également 5 comprendre au moins un dispositif de bras robotisé configuré pour charger de manière robotisée des substrats de pièce 116 dans la chambre de réaction 102 par la porte d'accès 188 et décharger les substrats de pièce 116 de la chambre de réaction 102 par la porte 10 d'accès 188. De tels dispositifs de bras robotisé sont connus dans l'art. [0076] Les modes de réalisation des systèmes de dépôt, tels que décrits ici, peuvent être utilisés pour déposer un semi-conducteur sur un substrat de pièce 116 15 selon d'autres modes de réalisation de la description. [0077] A nouveau en référence à la figure 1A, le dispositif de mesure 30 et le dispositif de contrôle de débit 32 peuvent être utilisés pour mesurer et contrôler un débit d'un liquide précurseur 23 provenant 20 d'une source 22 du liquide précurseur 23 dans le vaporisateur 27. Le liquide précurseur 23 peut être vaporisé à l'intérieur du vaporisateur 27 afin de former une première vapeur de précurseur. La première vapeur de précurseur peut être amenée à s'écouler du 25 vaporisateur 27 jusqu'à une région à proximité d'une surface d'un substrat de pièce 16 à l'intérieur de la chambre de réaction 12. Une deuxième vapeur de précurseur peut être amenée à s'écouler dans la chambre de réaction 12 séparément de la première vapeur de 30 précurseur, et un semi-conducteur composé peut être déposé sur la surface du substrat de pièce 16 à l'intérieur de la chambre de réaction 12. Le semiconducteur composé peut comprendre au moins un élément de la première vapeur de précurseur et au moins un 35 élément de la deuxième vapeur de précurseur. [0078] Comme précédemment mentionné, dans certains modes de réalisation, le dispositif de mesure 30 peut être séparé du dispositif de contrôle de débit 32. Ainsi, dans certains modes de réalisation, le débit du 5 liquide précurseur 23 peut être mesuré avec le dispositif de mesure 30, et le débit du liquide précurseur 23 peut être contrôlé séparément avec un dispositif de contrôle de débit 32 séparé du dispositif de mesure 30. Dans d'autres modes de réalisation, le 10 débit du liquide précurseur 23 peut être mesuré et contrôlé avec un seul dispositif unitaire. [0079] Une température du liquide précurseur 23 peut être maintenue dans une plage de l'ordre d'environ 83 °C à environ 150 °C entre une source 22 de liquide 15 précurseur 23 et le vaporisateur 27. Plus particulièrement, la température du liquide précurseur 23 peut être maintenue dans une plage de l'ordre d'environ 85 °C à environ 120 °C, ou même entre environ 90 °C et environ 100 °C entre la source 22 et 20 le vaporisateur 27. En outre, comme précédemment mentionné, le liquide précurseur 23 peut être amené à s'écouler de la source 22 au vaporisateur 27 sans diminuer une température du liquide précurseur 23. Dans certains modes de réalisation, une température du 25 liquide précurseur 23 peut être augmentée lorsque le liquide précurseur 23 s'écoule de la source 22 au vaporisateur 27. Le liquide précurseur 23 peut être chauffé à l'intérieur du vaporisateur 27 à partir d'une température d'environ 150 °C ou moins jusqu'à 30 environ 400 °C afin de former une vapeur de précurseur. Plus particulièrement, le liquide précurseur 23 peut être chauffé à l'intérieur du vaporisateur 27 jusqu'à une température d'au moins environ 850 °C (par exemple environ 900 °C) dans certains modes de réalisation. [0080] Des modes de réalisation exemplaires non limitatifs supplémentaires sont présentés ci-dessous. [0081] Mode de réalisation 1 : un procédé pour déposer un semi-conducteur composé sur un substrat, 5 comprenant les étapes consistant à : mesurer et contrôler un débit d'un liquide précurseur provenant d'une source de liquide précurseur dans un vaporisateur, le liquide précurseur l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 10 vaporiser le liquide précurseur vaporisateur afin de former une précurseur ; laisser s'écouler la comprenant au moins à l'état liquide ; à l'intérieur première vapeur première vapeur du de de précurseur du vaporisateur dans une région à proximité d'une surface d'un substrat de pièce à l'intérieur 15 d'une chambre de réaction ; laisser s'écouler séparément une deuxième vapeur de précurseur dans la chambre de réaction ; et déposer un semi-conducteur composé sur la surface du substrat de pièce à l'intérieur de la chambre de réaction, le semi20 conducteur composé comprenant au moins un élément de la première vapeur de précurseur et au moins un élément de la deuxième vapeur de précurseur. [0082] Mode de réalisation 2 : le procédé du mode de réalisation 1, dans lequel l'étape consistant à mesurer 25 et à contrôler le débit du liquide précurseur dans le vaporisateur comprend les étapes consistant à mesurer le débit avec un premier dispositif et contrôler le débit avec un deuxième dispositif séparé du premier dispositif. 30 [0083] Mode de réalisation 3 : le procédé du mode de réalisation 1, dans lequel l'étape consistant à mesurer et à contrôler le débit du liquide précurseur dans le vaporisateur comprend l'étape consistant à mesurer et à contrôler le débit dans un seul dispositif unitaire. [0084] Mode de réalisation 4 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 3, comprenant en outre l'étape consistant à maintenir une température du liquide précurseur dans une plage de l'ordre 5 d'environ 83 °C à environ 150 °C entre la source de liquide et le vaporisateur. [0085] Mode de réalisation 5 : le procédé du mode de réalisation 4, dans lequel l'étape consistant à maintenir la température du liquide précurseur dans une 10 plage s'étendant d'environ 83 °C à environ 150 °C entre la source de liquide et le vaporisateur comprend l'étape consistant à maintenir une température du liquide précurseur dans une plage s'étendant d'environ 85 °C à environ 120 °C entre la source de liquide et le 15 vaporisateur. [0086] Mode de réalisation 6 : le procédé du mode de réalisation 5, dans lequel l'étape consistant à maintenir la température du liquide précurseur dans une plage s'étendant entre environ 85 °C à environ 120 °C 20 entre la source de liquide et le vaporisateur comprend l'étape consistant à maintenir une température du liquide précurseur dans une plage s'étendant d'environ 90 °C à environ 100 °C entre la source de liquide et le vaporisateur. 25 [0087] Mode de réalisation 7 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 4 à 6, comprenant en outre l'étape consistant à laisser s'écouler le liquide précurseur de la source de liquide jusqu'au vaporisateur sans faire baisser une température du 30 liquide précurseur. [0088] Mode de réalisation 8 : le procédé du mode de réalisation 7, dans lequel l'étape consistant à laisser s'écouler le liquide précurseur de la source de liquide jusqu'au vaporisateur sans faire baisser la température 35 du liquide précurseur comprend l'étape consistant à augmenter une température du liquide précurseur lorsque le liquide précurseur s'écoule de la source de liquide jusqu'au vaporisateur. [0089] Mode de réalisation 9 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 8, comprenant en outre l'étape consistant à formuler le liquide précurseur pour qu'il comprenne GaC13. [0090] Mode de réalisation 10 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 9, 10 comprenant en outre l'étape consistant à formuler la deuxième vapeur de précurseur pour qu'elle comprenne de l'azote. [0091] Mode de réalisation 11 : le procédé du mode de réalisation 10, dans lequel l'étape consistant à 15 formuler la deuxième vapeur de précurseur pour qu'elle comprenne de l'azote, comprend l'étape consistant à formuler la deuxième vapeur de précurseur pour qu'elle comprenne de l'ammoniac. [0092] Mode de réalisation 12 : le procédé selon 20 l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 11, dans lequel l'étape consistant à déposer le semi-conducteur composé comprend l'étape consistant à déposer au moins l'un parmi le nitrure de gallium, le nitrure d'indium et le nitrure d'aluminium. 25 [0093] Mode de réalisation 13 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 12, dans lequel l'étape consistant à vaporiser le liquide précurseur à l'intérieur du vaporisateur comprend l'étape consistant à vaporiser le liquide précurseur à 30 l'intérieur d'une région intérieure de la chambre de réaction. [0094] Mode de réalisation 14 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 13, comprenant en outre l'étape consistant à chauffer le 35 liquide précurseur à l'intérieur du vaporisateur à - 38 partir d'une température de l'ordre de 150 °C ou moins jusqu'à environ 400 °C afin de former la première vapeur de précurseur. [0095] Mode de réalisation 15 : le procédé selon le mode de réalisation 14, comprenant en outre l'étape consistant à faire chauffer la première vapeur de précurseur à l'intérieur du vaporisateur jusqu'à une température d'au moins environ 850 °C. [0096] Mode de réalisation 16 : un système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures comprenant : une chambre de réaction comprenant au moins une structure de support de substrat à l'intérieur de la chambre de réaction ; une source d'un liquide précurseur comprenant au moins l'un parmi GaC13, InC13 et AlC13 à l'état liquide ; un vaporisateur configuré pour vaporiser le liquide précurseur afin de former une vapeur de précurseur destinée à être transportée jusqu'à un emplacement à proximité de la structure de support de substrat à l'intérieur de la chambre de réaction ; au moins un conduit fournissant une voie de passage de fluide entre la source de liquide précurseur et le vaporisateur ; un dispositif configuré pour mesurer un débit du liquide précurseur à travers le au moins un conduit ; et un dispositif configuré pour contrôler le débit du au moins un liquide précurseur à travers le au moins un conduit. [0097] Mode de réalisation 17 : le système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon le mode de réalisation 16, dans lequel le dispositif configuré pour mesurer le débit du liquide précurseur à travers le au moins un conduit et le dispositif configuré pour contrôler le débit du au moins un liquide précurseur à travers le au moins un conduit sont séparés l'un de l'autre. [0098] Mode de réalisation 18 : le système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon le mode de réalisation 16 ou le mode de réalisation 17, comprenant en outre au moins un élément chauffant configuré pour maintenir la source de liquide précurseur à une température dans une plage s'étendant d'environ 83 °C à environ 150 °C. [0099] Mode de réalisation 19 : le système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon 10 l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 18, dans lequel le vaporisateur est disposé à l'extérieur de la chambre de réaction. [00100] Mode de réalisation 20 : le système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon 15 l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 18, dans lequel le vaporisateur est disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction. [00101] Mode de réalisation 21 : le système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon 20 l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 20, dans lequel le vaporisateur comprend au moins un élément chauffant configuré pour chauffer le liquide précurseur à partir d'une première température de l'ordre d'environ 83 °C à environ 150 °C jusqu'à une deuxième 25 température d'au moins environ 400 °C. [00102] Mode de réalisation 22 : le système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 21, dans lequel le vaporisateur comprend un atomiseur configuré 30 pour disperser le liquide précurseur en gouttelettes. [00103] Mode de réalisation 23 : le système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 22, dans lequel la source de liquide précurseur comprenant au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 à l'état liquide comprend du GaC13 liquide. [00104] Mode de réalisation 24 : le système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon l'un quelconque des modes de réalisation 16 à 23, comprenant en outre une source d'une autre vapeur de précurseur comprenant de l'azote. [00105] Mode de réalisation 25 : le système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon le mode de réalisation 24, dans lequel la source d'une autre vapeur de précurseur comprenant de l'azote comprend une source d'ammoniac. REVENDICATIONS1. Procédé pour déposer un semi-conducteur composé sur un substrat, comprenant les étapes 5 consistant à : mesurer et contrôler un débit d'un liquide précurseur d'une source de liquide précurseur dans un vaporisateur, le liquide précurseur comprenant au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et AlCl3 à l'état liquide ; 10 vaporiser le liquide précurseur à l'intérieur du vaporisateur afin de former une première vapeur de précurseur ; laisser s'écouler la première vapeur de précurseur du vaporisateur dans une région à proximité 15 d'une surface du substrat de pièce à l'intérieur d'une chambre de réaction ; laisser s'écouler séparément une deuxième vapeur de précurseur dans la chambre de réaction ; et déposer un semi-conducteur composé sur la surface 20 du substrat de pièce à l'intérieur de la chambre de réaction, le semi-conducteur composé comprenant au moins un élément de la première vapeur de précurseur et au moins un élément de la deuxième vapeur de précurseur. 25 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape consistant à mesurer et à contrôler le débit du liquide précurseur dans le vaporisateur comprend l'étape consistant à mesurer le débit avec un premier 30 dispositif et contrôler le débit avec un deuxième dispositif séparé du premier dispositif. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape consistant à mesurer et contrôler le débit du 35 liquide précurseur dans le vaporisateur comprendl'étape consistant à mesurer et contrôler le débit avec un seul dispositif unitaire. 4. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape consistant à maintenir une température du liquide précurseur dans une plage s'étendant d'environ 83 °C à environ 150 °C entre la source de liquide et le vaporisateur. 5. Procédé selon la revendication 4, comprenant en outre l'étape consistant à laisser s'écouler le liquide précurseur de la source de liquide jusqu'au vaporisateur sans faire baisser une température du liquide précurseur. 6. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape consistant à formuler le liquide précurseur pour qu'il comprenne GaC13. 7. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape consistant à formuler la deuxième vapeur de précurseur pour qu'elle comprenne de l'azote. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel l'étape consistant à formuler la deuxième vapeur de précurseur pour qu'elle comprenne de l'azote comprend l'étape consistant à formuler la deuxième vapeur de précurseur pour qu'elle comprenne de l'ammoniac. 9. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape consistant à déposer le semi-conducteur composé comprend l'étape consistant à déposer au moins l'un parmi du nitrure de gallium, du nitrure d'indium et du nitrure d'aluminium.35 10. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape consistant à chauffer le liquide précurseur dans le vaporisateur d'une température d'environ 150 °C ou moins jusqu'au moins environ 400 °C afin de former la première vapeur de précurseur. 11. Procédé selon la revendication 10, comprenant en outre l'étape consistant à chauffer la première vapeur de précurseur à l'intérieur du vaporisateur 10 jusqu'à une température d'au moins environ 850 °C. 12. Système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures comprenant : une chambre de réaction comprenant au moins une 15 structure de support de substrat à l'intérieur de la chambre de réaction ; une source d'un liquide précurseur comprenant au moins l'un parmi GaC13, InC13 et AlC13 à l'état liquide ; un vaporisateur configuré pour vaporiser le 20 liquide précurseur afin de former une vapeur de précurseur destinée à être transportée jusqu'à un emplacement à proximité de la structure de support de substrat à l'intérieur de la chambre de réaction ; au moins un conduit fournissant une voie de 25 passage de fluide entre la source de liquide précurseur et le vaporisateur ; un dispositif configuré pour mesurer un débit du liquide précurseur à travers le au moins un conduit ; et 30 un dispositif configuré pour contrôler le débit du au moins un liquide précurseur à travers le au moins un conduit. 13. Système d'épitaxie en phase vapeur à base 35 d'halogénures selon la revendication 12, dans lequel ledispositif configuré pour mesurer le débit du liquide précurseur à travers le au moins un conduit et le dispositif configuré pour contrôler le débit du au moins un liquide précurseur à travers le au moins un conduit sont séparés l'un de l'autre. 14. Système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon la revendication 12, comprenant en outre au moins un élément chauffant configuré pour maintenir la source de liquide précurseur à une température dans une plage s'étendant d'environ 83 °C à environ 150 °C. 15. Système d'épitaxie en phase vapeur à base 15 d'halogénures selon la revendication 12, dans lequel le vaporisateur est disposé à l'extérieur de la chambre de réaction. 16. Système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon la revendication 12, dans lequel le 20 vaporisateur est disposé au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction. 17. Système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon la revendication 12, dans lequel le 25 vaporisateur comprend au moins un élément chauffant configuré pour chauffer le liquide précurseur à partir d'une première température de l'ordre d'environ 83 °C à environ 150 °C jusqu'à une deuxième température d'au moins environ 400 °C. 30 18. Système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon la revendication 12, dans lequel le vaporisateur comprend un atomiseur configuré pour disperser le liquide précurseur en gouttelettes. 35 19. Système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon la revendication 12, dans lequel la source de liquide précurseur comprenant au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 à l'état liquide comprend GaC13 liquide. 20. Système d'épitaxie en phase vapeur à base d'halogénures selon la revendication 12, comprenant en outre une source d'une autre vapeur de précurseur 10 comprenant de l'azote.