FR 2978244 A1 20130125 FR 1156607 A 20110721 Le présent document concerne un capteur de mesure de la lumière, et plus particulièrement un capteur de rayonnement ultraviolet (UV), ou plus généralement un capteur de n'importe quel rayonnement de photons énergétiques de faible longueur d'onde. II concerne aussi un procédé de mesure d'un tel rayonnement de photons énergétiques. Enfin, il concerne aussi un dispositif ou système comprenant un tel capteur de mesure. Un premier état de la technique pour mesurer une quantité de lumière reçue est un capteur à base de photodiode. Cette dernière étant apte à produire un courant proportionnel à l'intensité lumineuse reçue permet d'en déduire une information sur la lumière reçue. L'utilisation d'une photodiode permet d'obtenir des résultats précis mais présente l'inconvénient d'un coût élevé. Un second inconvénient est qu'elle ne peut pas fournir une mesure d'un cumul de lumière reçue sur une certaine période. Un second état de la technique exploite la propriété chimique de certains polymères qui réagissent à la lumière en changeant de couleur. Leur utilisation permet d'obtenir une information sur la lumière reçue mais présente toutefois l'inconvénient d'une grande imprécision. Finalement, les solutions existantes pour mesurer la lumière reçue restent insuffisantes et il existe donc un besoin d'une solution améliorée de mesure de la lumière, permettant notamment d'offrir une mesure précise pour un coût réduit. A cet effet, l'invention repose sur un procédé de mesure d'un rayonnement de photons énergétiques, comme des ultraviolets, sur une certaine surface, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a. Programmation d'au moins un transistor, consistant à lui transmettre une charge électrique ; b. Mesure d'une grandeur électrique du au moins un transistor recevant un rayonnement de photons énergétiques ; 25 30 c. Estimation à partir de cette grandeur électrique mesurée de la quantité de rayonnement reçue. L'étape de mesure d'une grandeur électrique peut comprendre la mesure de la tension de seuil ou du courant du au moins un transistor. Les étapes précédentes peuvent être mises en oeuvre à partir de plusieurs transistors agencés selon une structure de mémoire électronique non volatile. Ainsi, les étapes précédentes peuvent être mises en oeuvre à partir de plusieurs transistors Cg disposés en m lignes et n colonnes, chaque transistor Cg se trouvant à l'intersection d'une ligne de mots WL; et d'une ligne de bit BLi, et ayant sa grille G connectée à la ligne de mot WL; et son drain D connecté à la ligne de bit BLi, de sorte que leur programmation et/ou mesure de grandeur électrique comprend l'application d'une tension sur la grille G des transistors par l'intermédiaire des lignes de mots. L'étape de programmation peut comprendre la programmation de tous les transistors destinés à recevoir le rayonnement. Le procédé de mesure peut comprendre une étape d'estimation du nombre de transistors en état non programmé ou dans un état intermédiaire prédéfini de perte de charge pour en déduire une estimation de la quantité de rayonnement reçue. Le procédé de mesure peut comprendre une estimation du décalage de la distribution statistique des tensions de seuil des transistors pour en déduire une estimation de la quantité de rayonnement reçue. Le procédé de mesure peut comprendre une étape de calibration préalable.30 3 Le procédé de mesure peut comprendre une étape d'effacement de tous les transistors destinés à recevoir un rayonnement consistant à leur enlever une charge électrique avant de recommencer une nouvelle estimation de la quantité de rayonnement reçue. Le procédé de mesure peut comprendre une étape d'indication de l'estimation de la quantité de rayonnement reçue par une interface homme machine. Cette étape d'indication peut comprendre un affichage visuel ou une émission sonore. L'étape d'indication peut aussi comprendre une indication que la quantité de rayonnement reçue dépasse un seuil prédéfini ou peut comprendre l'indication de plusieurs niveaux de quantité de rayonnement reçue. L'invention porte aussi sur un capteur de mesure d'un rayonnement de photons énergétiques, comme des ultraviolets, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un transistor disposé sous au moins une fenêtre transparente au rayonnement de sorte à pouvoir recevoir un rayonnement, et en ce qu'il comprend un dispositif de mesure du rayonnement reçu sur une certaine surface qui met en oeuvre le procédé de mesure tel que décrit précédemment. Le capteur de mesure peut se présenter sous la forme d'un circuit intégré comprenant une fenêtre transparente. Le capteur de mesure peut comprendre plusieurs transistors agencés selon une structure de mémoire non volatile. Ainsi, il peut comprendre plusieurs transistors Cg disposés en m lignes et n colonnes, chaque transistor Cg se trouvant à l'intersection d'une ligne de mots WL; et d'une ligne de bit BLi, et ayant sa grille G connectée à la ligne de mot WL; et son drain D connecté à la ligne de bit BLi, de sorte que leur programmation et/ou mesure de grandeur électrique comprend l'application d'une tension sur la grille G des transistors par l'intermédiaire des lignes de mots. Le capteur de mesure peut comprendre un dispositif de programmation 5 et/ou de lecture et/ou d'effacement du au moins un transistor. Le capteur de mesure peut comprendre au moins un transistor à grille flottante et à programmation par injection de porteurs chauds disposé sous une fenêtre transparente au rayonnement. Le capteur de mesure peut comprendre une interface homme machine pour indiquer l'estimation de la quantité de rayonnement reçue. Le capteur de mesure peut comprendre un dispositif de communication avec 15 ou sans contact et/ou une alimentation électrique solaire et/ou une mémoire électronique. L'invention porte aussi sur un dispositif sensible à un rayonnement de photons énergétiques, comme des ultraviolets, caractérisé en ce qu'il 20 comprend un capteur de mesure tel que décrit précédemment. Ce dispositif sensible peut être un tube de crème solaire et le capteur de mesure peut être fixé sur sa surface extérieure. 25 L'invention porte aussi sur un système caractérisé en ce qu'il comprend un capteur de mesure tel que décrit précédemment et un lecteur apte à échanger des données avec le capteur de mesure. Ces objets, caractéristiques et avantages de la présente invention seront 30 exposés en détail dans la description suivante d'un mode d'exécution 10 particulier fait à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : La figure 1 représente schématiquement la structure d'un transistor en 5 coupe selon un état de la technique. La figure 2 représente l'évolution du courant en fonction de la tension de grille du transistor. La figure 3 représente schématiquement un ensemble de transistors formant une partie réceptrice d'un capteur de lumière selon un mode de réalisation de l'invention. La figure 4 représente un transistor en phase de programmation. La figure 5 représente la distribution statistique des tensions de seuil de transistors d'une partie réceptrice d'un capteur de lumière selon différents états selon le mode de réalisation de l'invention. 20 La figure 6 représente l'évolution du nombre de transistors en « état non programmé » ou effacé en fonction de l'exposition au rayonnement UV de transistors d'une partie réceptrice d'un capteur de lumière selon le mode de réalisation de l'invention. 25 Selon un mode de réalisation, il est choisi de fabriquer un capteur de mesure de la lumière, et plus précisément des ultraviolets de type A, B ou C présents dans la lumière naturelle, à partir d'un composant semi-conducteur, comprenant un ensemble de transistors organisés selon une structure proche de celle d'une mémoire non volatile. Cette utilisation d'un circuit 30 intégré permet de former un capteur de petite dimension et bon marché. En variante, un tel capteur peut être utilisé pour mesurer tout rayonnement de15 photons énergétiques, comme un rayonnement ultraviolet ou de toute autre longueur d'onde inférieure. Le terme plus simple et général de capteur de lumière sera utilisé par la suite. La figure 1 représente une vue en coupe d'une structure classique d'un transistor MOS 1. Ce transistor 1 comprend un substrat 6 de type P, des régions 2, 3 de source (S) et de drain (D) de type N, une grille flottante 4 et une grille de contrôle 5. La grille flottante et la grille de contrôle sont généralement en polysilicium (silicium polycristallin). La grille de contrôle et les régions de source et de drain sont pourvues de contacts électriques, non représentés. La grille flottante 4 est isolée électriquement du substrat 6 et de la grille de contrôle 5 par un matériau diélectrique 7. Une opération de programmation du transistor 1 est réalisée en appliquant une tension positive Vp à la région de drain 3, une tension positive VG à la grille de contrôle 5, et une tension VS nulle (masse ou GND) à la région de source 2, ces tensions, représentées schématiquement sur la figure 4, étant choisies de manière à placer le transistor dans un mode de fonctionnement saturé. La tension de grille VG, au-delà d'une tension de seuil Vth, fait apparaître un champ électrique vertical, qui fait apparaître dans le substrat 1 une zone dans laquelle des électrons peuvent circuler. La différence de potentiel drain-source fait apparaître un courant IDS entre la région de drain 3 et la région de source 2, dans une zone qu'on appelle canal 8, correspondant à un flux d'électrons circulant en sens inverse entre la région de source 2 et la région de drain 3. Ces électrons acquièrent une énergie cinétique importante qui permet à une faible partie d'entre eux de franchir la barrière de potentiel du matériau diélectrique 7 et de pénétrer dans la grille flottante 4, où ils restent piégés. Les charges électriques piégées dans la grille flottante 4 modifient la tension de seuil du transistor. Cette tension de seuil peut ensuite être mesurée par un amplificateur de lecture dont la sortie fournit une valeur logique, 1 ou 0, selon que le transistor est dans l'état programmé, c'est-à-dire chargé électriquement, ou non (l'état non programmé étant aussi appelé état effacé). La figure 2 représente deux courbes 10, 11 d'évolution du courant IDS en fonction de la tension de grille Vg appliquée au transistor, respectivement dans le cas d'un transistor non programmé et dans le cas d'un transistor programmé. II apparaît clairement une différence de tension de seuil Vtno et Vtm entre les deux états. Une opération de lecture du transistor permet facilement d'en déduire l'état binaire, programmé ou non, du transistor, voire un état intermédiaire dit « de perte de charge ». Pour cela, on lui applique une tension de lecture appropriée et il en résulte un courant électrique ou une tension qui dépend de son état de programmation. En mesurant ce courant ou cette tension, on détermine si le transistor a été ou n'a pas été programmé. Plus précisément, la lecture de l'état du transistor consiste en une comparaison entre le courant issu du transistor considéré et une valeur de courant de référence. La valeur du courant de référence est choisie sensiblement au milieu de l'intervalle entre la valeur de courant que fournirait un transistor programmé (valeur proche de zéro dans la pratique) et la valeur de courant que fournirait un transistor non programmé, ce transistor programmé et ce transistor non programmé recevant les mêmes tensions de lecture. Sous l'effet d'une émission de rayonnement de photons énergétiques, comme un rayonnement ultraviolet, au-delà d'une certaine durée, les électrons piégés dans la grille flottante du transistor reçoivent une énergie suffisante pour s'échapper vers le substrat 6 ou vers la grille de contrôle 5, ce qui a pour effet de modifier la tension de seuil du transistor. Cette modification peut être détectée par une opération de lecture décrite ci-dessus. La courbe 12 de la figure 2 représente à cet effet l'évolution du courant IDS en fonction de la tension de grille Vg appliquée à un transistor ayant subi un rayonnement UV à partir d'un état programmé, et ayant perdu une partie de ses électrons suite à ce rayonnement, et qui se trouve dans un 8 état intermédiaire entre les deux états extrêmes programmé et non programmé : dans cet état intermédiaire, le transistor présente une tension de seuil Vth2 comprise entre VthO et Vthl. Le phénomène décrit ci-dessus permet donc la mise en oeuvre d'un capteur de mesure du rayonnement UV ou plus simplement un capteur de mesure de la lumière à partir d'un transistor, puisque ce rayonnement à un effet détectable sur le comportement électrique d'un transistor. Toutefois, pour obtenir une plus grande fiabilité, ce principe est avantageusement exploité à l'aide d'un ensemble de plusieurs transistors. Avantageusement, cet ensemble est organisé selon une architecture semblable à celle d'une mémoire électronique non volatile selon un mode de réalisation. La figure 3 illustre à cet effet un tel ensemble de transistors selon un mode de réalisation. Les transistors sont disposés en m lignes et n colonnes, un transistor 1 Cg tel que décrit ci-dessus se trouvant à l'intersection d'une ligne de mots WL; et d'une ligne de bit BLi, en reprenant le vocabulaire utilisé pour les mémoires non volatiles puisque la structure envisagée est quasi-identique. Chaque transistor Cg a sa grille G connectée à la ligne de mot WL; et son drain D connecté à la ligne de bit BLi. De plus, tous les transistors ont leur source S connectée à la même ligne de source SL. L'architecture décrite ci-dessus permet la mise en oeuvre d'un procédé avantageux de programmation de l'ensemble des transistors, à la manière d'une mémoire non volatile. Pour cela, pour un transistor à programmer, il est par exemple proposé de fixer le potentiel Vp de son drain D relié à une ligne de bit à la valeur de 3,8 V, ou plus généralement entre 3,5 et 4,5 V, le potentiel de sa source VS à 0 V, et le potentiel Vs de son caisson (ou substrat) à une valeur négative, par exemple -0.5 V, ou plus largement entre 0 et -1,5 V, puis la tension de la grille de contrôle VG entre 8 et 9 V inclus. Ces conditions électriques permettent le passage d'un transistor 1 d'un état 9 non programmé à un état programmé. Naturellement, les valeurs numériques mentionnées ci-dessus le sont à titre d'exemple. Ce procédé de programmation permet de piéger des électrons dans le transistor sélectionné, comme explicité précédemment, selon un principe dit à « porteurs chauds ». En variante, toute autre méthode de programmation inspirée des méthodes de programmation de mémoires électroniques, comme une programmation de type Fowler-Nordheim, peut être mise en oeuvre. Ensuite, un procédé de lecture, à la manière de ceux utilisés pour une mémoire non volatile, permet facilement d'en déduire l'état binaire, programmé ou non, de chaque transistor de l'ensemble. Pour cela, on applique par exemple une tension de lecture appropriée à un certain transistor. II en résulte un courant électrique ou une tension qui dépend de son état de programmation. En mesurant ce courant ou cette tension, on détermine si le transistor a été ou n'a pas été programmé. On peut ainsi recueillir, transistor par transistor, ou même par groupe de transistors, les informations binaires indiquant l'état de tous les transistors. Les deux courbes 20, 21 de la figure 5 représentent la distribution statistique des valeurs de tension de seuil pour tous les transistors de l'ensemble décrit ci-dessus, respectivement dans un état non programmé et programmé. II apparaît que ces distributions forment une gaussienne répartie autour de respectivement la valeur de tension de seuil Vtno à l'état non programmé et Vth1 à l'état programmé. Ces deux gaussiennes sont suffisamment éloignées pour rendre possible la détection fiable de l'état des transistors, programmé ou non. En partant d'un état dans lequel tous les transistors sont initialement dans un état programmé, et en soumettant l'ensemble à un certain rayonnement lumineux pendant une certaine durée, les transistors voient leur tension de seuil baisser, comme cela a été explicité précédemment. Ainsi, la courbe de distribution 22 illustre une situation intermédiaire, après réception d'une certaine quantité de lumière, dans laquelle les transistors sont répartis autour d'une valeur de tension de seuil Vth2 comprise entre Vtho et Vtm. Ainsi, sous l'effet d'une certaine durée et/ou d'une certaine intensité lumineuse, une quantité de transistors croissante va finalement atteindre un état non programmé. La courbe 25 de la figure 6 illustre ainsi le nombre de transistors à l'état non programmé en fonction de la durée d'exposition à un rayonnement constant, ces transistors étant placés à l'état programmé à l'instant initial. II apparaît bien que tous les transistors passent progressivement de l'état programmé à non programmé en fonction du temps. Ce changement d'état se détecte facilement en utilisant les méthodes de lecture des mémoires, comme cela a été rappelé précédemment. Ainsi, un mode de réalisation avantageux consiste à répertorier, en fonction du temps, le nombre de transistors dans l'état non programmé, pour en déduire une quantité de rayonnement UV reçue. Le même principe peut être mis en oeuvre pour détecter un passage des transistors vers un état intermédiaire prédéfini de perte de charge. En remarque, ce changement d'état du capteur évolue dans le temps au fur et à mesure de la réception du rayonnement, dont l'effet est cumulé dans le temps sur le capteur, tant qu'il n'est pas remis à zéro par une opération volontaire d'effacement. De plus, une variante de réalisation comprend un dispositif de récupération de l'énergie provenant du rayonnement, pour générer un courant électrique suffisant à alimenter le système de lecture et/ou de programmation et/ou d'effacement des transistors du capteur. Selon une autre variante, le capteur comprend une zone témoin non éclairée, pour pouvoir en déduire les effets thermiques comme les hausses de température sur le capteur. Ainsi, les explications précédentes permettent la mise en oeuvre d'un capteur de lumière, comprenant un ensemble de transistors tel que décrit ci-dessus, positionné dans une structure comprenant une fenêtre transparente pour soumettre les transistors à la lumière incidente. Cet ensemble forme une partie réceptrice du capteur de lumière et peut comprendre tout nombre de transistors. D'autre part, la mesure de la quantité de lumière nécessite des opérations de programmation et de lecture des transistors, pour maîtriser et gérer leur état, ainsi qu'un éventuel traitement des données reçues. Pour cela, tout composant matériel (hardware) et/ou logiciel (software) peut être utilisé, en reprenant les composants implémentés dans le cadre des mémoires non volatiles. Cette partie remplissant les fonctions de programmation et lecture peut être implémentée dans une même structure que la partie réceptrice du rayonnement, ou en variante dans un dispositif distinct, qui peut entrer en communication avec ou sans contact avec cette partie réceptrice. De plus, ce capteur ou sa partie externe comprend une interface homme machine pour informer un utilisateur de la mesure effectuée. Cette interface homme machine peut prendre différentes formes : la plus simple indique par exemple uniquement un dépassement d'un seuil prédéfini de quantité de lumière, à partir d'une alarme sonore ou visuelle par exemple, et en variante, un écran plus sophistiqué permet d'indiquer plusieurs niveaux de quantité de lumière reçue. Comme la partie réceptrice de lumière est formée à partir d'un substrat semi-conducteur de faible épaisseur, le capteur de lumière est avantageusement combiné avec différents produits pour lesquels la sensibilité à la lumière est importante, afin de gérer leur évolution, conservation, maintenance, etc., dans le temps. Par exemple, un tel capteur de mesure de lumière peut être disposé, de manière fixe ou amovible, à la surface d'un tube de crème solaire, sur une serviette de plage, sur un vêtement, etc. Le capteur peut être doté d'un dispositif de communication, par exemple sans fil, pour communiquer des valeurs à un objet distant externe, comme un téléphone par exemple ou une borne de lecture et d'analyse, doté d'un calculateur et d'une interface homme machine pour transmettre un résultat de mesure à un utilisateur. II est ainsi prévu un système comprenant un capteur de mesure de la lumière reçue, disposé ou non sur un certain dispositif, et un lecteur apte à communiquer avec le capteur de sorte à échanger des données, et faire un traitement des mesures effectuées par le capteur. L'utilisation d'un ensemble de transistors rend la mesure fiable car basée sur des statistiques à partir d'un nombre suffisant de transistors. Ce nombre sera un compromis entre la fiabilité, la longévité, le coût souhaité du capteur. Par exemple, pour une version jetable, utilisée une seule fois sans possibilité de reprogrammation, d'un capteur de lumière, un nombre de transistors inférieur ou égal à 1000, voire inférieur ou égal à 500 ou à 100 peut suffire. Pour un capteur devant servir de nombreuses fois, un nombre quelconque plus important de transistors peut être utilisé, ou aussi un nombre inférieur ou égal à 1000. D'autre part, le capteur peut être doté de sa propre alimentation électrique 25 pour un fonctionnement autonome, sur la base d'une pile ou d'une alimentation solaire, par une ou plusieurs cellules photovoltaïques. Enfin, le capteur peut comprendre une mémoire électronique pour stocker les valeurs de mesure, les résultats des calculs. Pour cela, la structure de 30 cette mémoire et de la partie réceptrice de la lumière peut être de même nature, ces deux éléments pouvant être fabriqués simultanément par le même procédé, puisque la partie réceptrice est basée sur une architecture semblable à celle d'une mémoire non volatile. Le capteur de mesure ainsi décrit peut aussi être intégré au sein d'une carte à puce, les contacts standardisés non utilisés de la carte à puce étant alors utilisés pour la communication avec le capteur de mesure de lumière. La solution porte aussi sur un procédé de mesure de la lumière reçue, ou plus généralement de tout rayonnement de photons. Selon un mode de réalisation, ce procédé comprend les étapes suivantes : - Positionnement d'un ensemble d'au moins un transistor à un état totalement programmé ; - Suivi de l'état des transistors en fonction du temps pour en déduire une quantité de lumière reçue à partir de leur perte de charges. 15 La première étape peut comprendre une première sous-étape d'effacement de tous les transistors, c'est-à-dire leur passage à l'état non programmé, avant la seconde sous-étape de programmation de tous les transistors. 20 Pour la mise en oeuvre de ces étapes, toute méthode de programmation et/ou lecture d'un transistor peut être mise en oeuvre, sans se limiter aux exemples décrits précédemment. La seconde étape peut comprendre les différentes variantes suivantes. 25 Selon une première variante, il est possible de prédéfinir une ou plusieurs valeurs N1, N2, etc., comprises entre 0 et N, où N est le nombre de transistors destinés à recevoir la lumière du capteur utilisé, comme représenté sur la figure 6. Ensuite, le procédé calcule à un instant donné le 30 nombre de transistors passé à l'état non programmé ou vers un état intermédiaire de perte de charge prédéfini, associe ce nombre à l'une des valeurs N1, N2, etc., prédéfinies pour en déduire la quantité de lumière Q1, Q2, etc., correspondante, comme illustré sur la figure 6. Selon une seconde variante, il est possible de prédéfinir une ou plusieurs valeurs de tension Vth2 comprise(s) entre les tensions de seuil VthO et Vthi et de comptabiliser la quantité de transistors dont la tension de seuil passe sous une certaine valeur prédéfinie. Ensuite, cette quantité de transistors est associée à une quantité de lumière. Selon une autre variante, il est possible de mesurer une autre grandeur électrique comme un courant d'au moins un transistor pour déduire l'effet du rayonnement lumineux à partir de l'évolution dans le temps de cette grandeur. Dans ces variantes, l'estimation de la lumière reçue à partir de l'analyse électrique des différents transistors est par exemple obtenue selon une loi définie théoriquement ou empiriquement. Pour cela, le procédé peut comprendre une étape préalable de calibration du capteur, à partir d'une photodiode servant de référence par exemple. Naturellement, l'architecture représentée sur les différentes figures l'est à titre d'exemple et il est possible d'imaginer tout autre mode de réalisation d'un tel capteur de mesure de lumière, à partir de tout type de transistor et/ou à partir de tout agencement de ces transistors, selon le modèle de tout type de mémoire électronique non volatile par exemple.30 REVENDICATIONS: 1. Procédé de mesure d'un rayonnement de photons énergétiques, comme des ultraviolets, sur une certaine surface, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a. Programmation d'au moins un transistor, consistant à lui transmettre une charge électrique ; b. Mesure d'une grandeur électrique du au moins un transistor recevant un rayonnement de photons énergétiques ; c. Estimation à partir de cette grandeur électrique mesurée de la quantité de rayonnement reçue. 2. Procédé de mesure selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape de mesure d'une grandeur électrique comprend la mesure de la tension de seuil ou du courant du au moins un transistor. 3. Procédé de mesure selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les étapes précédentes sont mises en oeuvre à partir de plusieurs transistors agencés selon une structure de mémoire électronique non volatile. 4. Procédé de mesure selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les étapes précédentes sont mises en oeuvre à partir de plusieurs transistors Cg disposés en m lignes et n colonnes, chaque transistor Cg se trouvant à l'intersection d'une ligne de mots WL; et d'une ligne de bit BLi, et ayant sa grille G connectée à la ligne de mot WL; et son drain D connecté à la ligne de bit BLi, de sorte que leur programmation et/ou mesure de grandeur électrique comprend l'application d'une tension sur la grille G des transistors par l'intermédiaire des lignes de mots.30 5. Procédé de mesure selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce que l'étape de programmation comprend la programmation de tous les transistors destinés à recevoir le rayonnement. 6. Procédé de mesure selon l'une des revendications 3 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend une étape d'estimation du nombre de transistors en état non programmé ou dans un état intermédiaire prédéfini de perte de charge pour en déduire une estimation de la quantité de rayonnement reçue. 7. Procédé de mesure selon l'une des revendications 3 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend une estimation du décalage de la distribution statistique des tensions de seuil des transistors pour en déduire une estimation de la quantité de rayonnement reçue. 8. Procédé de mesure selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de calibration préalable. 9. Procédé de mesure selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une étape d'effacement de tous les transistors destinés à recevoir un rayonnement consistant à leur enlever une charge électrique avant de recommencer une nouvelle estimation de la quantité de rayonnement reçue. 10. Procédé de mesure selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une étape d'indication de l'estimation de la quantité de rayonnement reçue par une interface homme machine. 11. Procédé de mesure selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'étape d'indication comprend un affichage visuel ou une émission sonore. 12. Procédé de mesure selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que l'étape d'indication comprend une indication que la quantité de rayonnement reçue dépasse un seuil prédéfini ou comprend l'indication de plusieurs niveaux de quantité de rayonnement reçue. 13. Capteur de mesure d'un rayonnement de photons énergétiques, comme des ultraviolets, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un transistor disposé sous au moins une fenêtre transparente au rayonnement de sorte à pouvoir recevoir un rayonnement, et en ce qu'il comprend un dispositif de mesure du rayonnement reçu sur une certaine surface qui met en oeuvre le procédé de mesure selon l'une des revendications précédentes. 14. Capteur de mesure selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il se présente sous la forme d'un circuit intégré comprenant une fenêtre 15 transparente. 15. Capteur de mesure selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs transistors agencés selon une structure de mémoire non volatile. 20 16. Capteur de mesure selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs transistors Cg disposés en m lignes et n colonnes, chaque transistor Cg se trouvant à l'intersection d'une ligne de mots WL; et d'une ligne de bit BLi, et ayant sa grille G connectée à la ligne de mot WL; et 25 son drain D connecté à la ligne de bit BLi, de sorte que leur programmation et/ou mesure de grandeur électrique comprend l'application d'une tension sur la grille G des transistors par l'intermédiaire des lignes de mots. 17. Capteur de mesure selon l'une des revendications 13 à 16, caractérisé 30 en ce qu'il comprend un dispositif de programmation et/ou de lecture et/ou d'effacement du au moins un transistor. 18. Capteur de mesure selon l'une des revendications 13 à 17, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un transistor à grille flottante et à programmation par injection de porteurs chauds disposé sous une fenêtre transparente au rayonnement. 19. Capteur de mesure selon l'une des revendications 13 à 18, caractérisé en ce qu'il comprend une interface homme machine pour indiquer l'estimation de la quantité de rayonnement reçue. 20. Capteur de mesure selon l'une des revendications 13 à 19, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif de communication avec ou sans contact et/ou une alimentation électrique solaire et/ou une mémoire électronique. 15 21. Dispositif sensible à un rayonnement de photons énergétiques, comme des ultraviolets, caractérisé en ce qu'il comprend un capteur de mesure selon l'une des revendications 13 à 20. 22. Dispositif sensible selon la revendication précédente, caractérisé en ce 20 qu'il est un tube de crème solaire et en ce que le capteur de mesure est fixé sur sa surface extérieure. 23. Système caractérisé en ce qu'il comprend un capteur de mesure selon l'une des revendications 13 à 20 et un lecteur apte à échanger des données 25 avec le capteur de mesure. 30