FR 2975824 A1 20121130 FR 1254652 A 20120522 STRUCTURES DE SCHOTTKY FORMEES PAR RECROISSANCE POUR DISPOSITIFS HEMT GAN Les modes de réalisation de la présente invention concernent de façon générale des appareils et systèmes, notamment un dispositif transistor à haute mobilité d'électrons, comprenant une couche de Schottky formée par recroissance. Les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT - High-Electron Mobility Transistor) sont utilisés dans un certain nombre d'applications en raison, au moins en partie, de leur fonctionnement simultané à forte puissance, haute fréquence et faible résistance en conduction. La caractéristique de large bande interdite du nitrure de gallium peut fournir une performance particulièrement exceptionnelle, avec une aptitude au fonctionnement à température élevée. Plus particulièrement, l'invention a pour objet un procédé consistant à : former une couche du groupe III-V sur une couche tampon ; former un masque comprenant une ouverture au-dessus de la couche du groupe III-V ; faire recroître une couche de Schottky à l'intérieur de l'ouverture pour obtenir 15 une couche de Schottky formée par recroissance ; et après recroissance de la couche de Schottky, éliminer le masque de la couche du groupe III-V. Dans des modes de réalisation particuliers de ce procédé, on peut éventuellement avoir recours à l'une et/ou à l'autre des dispositions ci-après: 20 - la couche du groupe III-V comprend un matériau du groupe III-V non dopé ou un matériau du groupe III-V n+ choisi parmi le nitrure de gallium n+, le nitrure d'indium et de gallium n+, le nitrure d'indium n+, le nitrure d'indium et d'aluminium n+ ou le nitrure d'aluminium et de gallium n+ ; - l'ouverture s'étend jusqu'à la couche du groupe III-V et la 25 recroissance consiste à faire recroître la couche de Schottky à l'intérieur de l'ouverture et sur la couche du groupe III-V pour obtenir la couche de Schottky formée par recroissance ; - la formation du masque consiste à former le masque au-dessus de la couche du groupe III-V de telle sorte que le groupe III-V soit exposé à travers 30 l'ouverture, le procédé consistant en outre à graver la couche du groupe III-V exposée à travers l'ouverture pour exposer la couche tampon, et la recroissance de la couche de Schottky consiste à faire recroître la couche de Schottky sur la couche tampon exposée ; - la formation de la couche du groupe III-V consiste à former le groupe III-V sur une couche d'arrêt de gravure disposée sur la couche tampon, et dans lequel la gravure consiste à graver la couche du groupe III-V et la couche d'arrêt de gravure à travers l'ouverture pour exposer la couche tampon ; - le procédé consiste en outre à graver la couche tampon à travers l'ouverture ; - le procédé consiste en outre à former un contact de source sur la couche du groupe III-V et en butée avec la couche de Schottky formée par recroissance ; et à former un contact de drain sur la couche du groupe III-V et en butée avec la couche de Schottky formée par recroissance de telle sorte que la couche de Schottky formée par recroissance se trouve entre le contact de source et le contact de drain ; - la couche de Schottky formée par recroissance est formée à travers la couche du groupe III-V de telle sorte qu'un premier côté et qu'un second côté de la couche de Schottky formée par recroissance viennent en butée avec la couche du groupe III-V ; Par ailleurs, l'invention a également pour objet un appareil comprenant : une couche tampon ; une couche du groupe III-V au-dessus de la couche tampon ; un contact de source et un contact de drain sur la couche du groupe III-V ; et une couche de Schottky formée par recroissance au-dessus de la couche du groupe III-V, et entre les contacts de source et de drain. Dans des modes de réalisation particuliers de cet appareil, on peut éventuellement avoir recours à l'une et/ou à l'autre des dispositions ci-après: - la couche de Schottky formée par recroissance se trouve sur la couche du groupe III-V ; - la couche de Schottky formée par recroissance est disposée dans une ouverture dans la couche du groupe III-V ; - le contact de source est en butée avec la couche de Schottky formée par recroissance, et le contact de drain est en butée avec la couche de Schottky formée par recroissance ; - la couche du groupe III-V comprend un matériau du groupe III-V non dopé ou un matériau du groupe III-V n+ choisi parmi le nitrure de gallium n+, le nitrure d'indium et de gallium n+, le nitrure d'indium n+, le nitrure d'indium et d'aluminium n+ ou le nitrure de d'aluminium et de gallium, et la couche de Schottky formée par recroissance comprend au moins un parmi le nitrure de gallium, le nitrure de gallium et d'aluminium, le nitrure d'indium et d'aluminium, le nitrure d'aluminium, le nitrure d'indium et de gallium, le nitrure de gallium et de bore, le nitrure d'indium et de bore ou le nitrure d'aluminium et de bore. L'invention a encore pour objet un système comprenant : un module commutateur d'antenne configuré pour recevoir des signaux de sortie radiofréquence ; un émetteur-récepteur couplé au module commutateur d'antenne et configuré pour générer des signaux d'entrée RF ; et un module amplificateur de puissance couplé au module commutateur d'antenne et à l'émetteur-récepteur, et configuré pour recevoir les signaux d'entrée RF de l'émetteur-récepteur et pour fournir des signaux de sortie RF au module commutateur d'antenne, dans lequel le module amplificateur de puissance comprend un transistor à haute mobilité d'électrons ayant : une couche tampon ; une couche du groupe III-V au-dessus de la couche tampon ; un contact de source et un contact de drain sur la couche du groupe III-V ; et une couche de Schottky formée par recroissance au-dessus de la couche du groupe III-V, et entre les contacts de source et de drain. Le système peut être un dispositif radar, un dispositif de communication par satellite, un combiné sans fil, une station de base, un appareil d'émission radio ou un système amplificateur pour télévision. Les modes de réalisation de la présente invention seront mieux compris grâce à la description détaillée suivante faite en conjugaison avec les dessins joints. Pour faciliter cette description, des numéros de référence identiques désignent des éléments structurels identiques. Les modes de réalisation de l'invention sont illustrés à titre d'exemple et non de limitation sur les figures des dessins joints. La figure 1 est une vue en coupe d'un HEMT comprenant une structure de Schottky formée par recroissance, selon divers modes de réalisation. Les figures 2 à 9 illustrent diverses étapes d'un procédé de fabrication d'un HEMT comprenant une structure de Schottky formée par recroissance, selon divers modes de réalisation. Les figures 10 à 13 illustrent diverses étapes d'un autre procédé de fabrication d'un HEMT comprenant une structure de Schottky formée par recroissance, selon divers modes de réalisation. Les figures 14 à 21 illustrent diverses étapes d'un autre procédé de fabrication d'un HEMT comprenant une structure de Schottky formée par recroissance, selon divers modes de réalisation. La figure 22 est un organigramme de certaines des opérations associées à un 15 procédé de fabrication d'un HEMT comprenant une structure de Schottky formée par recroissance, selon divers modes de réalisation. La figure 23 est un schéma de principe d'un système intégrant un ensemble comprenant un HEMT comprenant une structure de Schottky formée par recroissance, selon divers modes de réalisation. 20 Dans la description détaillée suivante, il est fait référence aux dessins joints qui en font partie, sur lesquels des numéros identiques désignent des éléments identiques, et sur lesquels sont représentés à titre d'illustration divers modes de réalisation dans lesquels l'invention peut être mise en oeuvre. Il doit être entendu que d'autres modes de réalisation peuvent être utilisés et que des changements structurels 25 ou logiques peuvent être apportés sans s'écarter de la portée de la présente invention. Par conséquent, la description détaillée suivante ne doit pas être considérée dans un sens limitatif, et la portée des modes de réalisation selon la présente invention est définie par les revendications annexées et leurs équivalents. Diverses opérations peuvent être étudiées et/ou illustrées sous la forme de 30 multiples opérations discrètes tour à tour, d'une manière qui peut être utile à la compréhension des modes de réalisation de la présente invention ; cependant, l'ordre de la description ne doit pas être interprété comme impliquant que ces opérations se font selon cet ordre. La description peut utiliser les phrases « dans un mode de réalisation », « dans des modes de réalisation », « dans certains modes de réalisation » ou « dans divers modes de réalisation » qui peuvent chacune se référer à un ou plusieurs des modes de réalisation identiques ou différents. Par ailleurs, les termes « comprenant », « contenant », « ayant » et similaire, tels qu'utilisés par rapport aux modes de réalisation de la présente invention, sont synonymes. Tel qu'utilisé dans les présentes, « couplé » ainsi que ses dérivés, peut avoir une ou plusieurs des significations suivantes. « Couplé » peut signifier un raccordement ou une connexion physique ou électrique direct(e), où aucun autre élément n'est couplé ou connecté entre les éléments qui sont définis comme étant couplés l'un à l'autre. «Couplé» peut également signifier un raccordement ou une connexion physique ou électrique indirect(e), où un ou plusieurs autres éléments sont couplés ou connectés entre les éléments qui sont définis comme étant couplés l'un à l'autre. La description peut utiliser des descriptions basées sur la perspective telles que vers le haut/vers le bas, arrière/avant et de dessus/de dessous. Ces descriptions sont simplement utilisées pour faciliter l'étude et ne sont pas censées limiter l'application des modes de réalisation de la présente invention. Aux fins de la présente divulgation, l'expression « A/B » signifie A ou B. L'expression «A et/ou B » signifie (A), (B) ou (A et B). L'expression «au moins un de A, B et C » signifie (A), (B), (C), (A et B), (A et C), (B et C) ou (A, B et C). L'expression «(A)B » signifie (B) ou (A et B), à savoir, A étant un élément optionnel. En outre, bien que les modes de réalisation de la présente divulgation puissent être représentés et décrits comme contenant un nombre particulier de composants ou d'éléments, les modes de réalisation ne sont pas limités à un nombre particulier quelconque de composants ou d'éléments. La présente divulgation a généralement trait, entre autres, à des appareils et systèmes comprenant un dispositif HEMT comprenant une couche de Schottky formée par recroissance. Dans divers modes de réalisation, le dispositif HEMT peut comprendre une couche tampon et une couche du groupe III-V au-dessus de la couche tampon. La couche de Schottky formée par recroissance peut être au-dessus de la couche tampon de telle sorte que la couche de Schottky se trouve entre un contact de source et un contact de drain. La figure 1 est une vue en coupe d'un HEMT 100 comprenant une couche de Schottky formée par recroissance 10 selon divers modes de réalisation. Le HEMT 100 peut comprendre un substrat 12, une couche de nucléation 14 sur le substrat 12, et une couche tampon 16 sur la couche de nucléation. Plutôt que de former la couche de Schottky formée par recroissance 10 directement sur la couche tampon 16, une couche du groupe III-V 18 peut être présente sur la couche tampon 16. Le HEMT 100 illustré comprend en outre un contact de source ohmique 20, un contact de drain ohmique 22 et une grille 24. Le HEMT 100 peut présenter une structure de contact de faible résistance au moins en ce qu'il existe un contact de faible résistance avec le gaz d'électrons bidimensionnel (à l'interface de la couche tampon 16 et la couche du groupe III-V 18) du fait qu'il a un contact direct avec la couche du groupe III-V 18. A cette fin, la couche du groupe III-V 18 peut comprendre un matériau du groupe III-V hautement dopé. Plutôt que d'avoir une couche de Schottky qui s'étend sur la structure de telle sorte que la couche de Schottky se trouve entre les contacts ohmiques 20, 22 et la couche tampon 16, on fait recroître la couche de Schottky 10 dans la zone entre la grille 24 et les couches sous-jacentes (couches 18, 16, 14, 12), et entre les contacts ohmiques 20, 22. En fournissant le trajet de faible résistance utilisant la couche du groupe III-V n+ 18 hautement dopée, il peut également être possible de recuire les contacts 20, 22 à une température plus faible que celle qui serait nécessaire pour fournir un bon contact entre les contacts 20, 22 et la couche du groupe III-V n+ 18. Un exemple de procédé pour former un dispositif HEMT, tel que, par exemple, le dispositif HEMT 100, est illustré sur les figures 2 à 9 par le biais de vues de côté en coupe du dispositif HEMT à divers stades du procédé. Comme le montre la figure 2, la couche de nucléation 14 peut être formée sur le substrat 12. Le substrat 12 peut comprendre n'importe quel matériau approprié pour l'application. Dans divers modes de réalisation, par exemple, le substrat 12 contient du carbure de silicium. Le carbure de silicium peut être particulièrement approprié pour des dispositifs ayant une puissance radiofréquence élevée et un fonctionnement haute fréquence en raison au moins en partie des propriétés thermiques et d'isolement du carbure de silicium. Dans d'autres modes de réalisation, cependant, le substrat 12 peut contenir du silicium, du saphir, du nitrure d'aluminium, du nitrure de gallium, ou certaines combinaisons de ceux-ci ou certaines combinaisons avec un autre matériau approprié. Pendant le traitement, le substrat 12 peut être une partie d'une tranche sur laquelle de multiples dispositifs, similaires au dispositif HEMT 100 et/ou d'autres dispositifs peuvent être formés. La couche de nucléation 14 peut comprendre du nitrure d'aluminium ou un autre matériau approprié pour améliorer la qualité de la couche tampon 16. La couche de nucléation peut comprendre, par exemple, du nitrure d'aluminium. Dans certains modes de réalisation, la couche de nucléation 14 peut comprendre du nitrure de gallium ou du nitrure d'aluminium et de gallium. Dans divers modes de réalisation, la couche de nucléation 14 peut être totalement omise de la structure du HEMT 100. La couche tampon 16 peut ensuite être formée au-dessus de la couche de nucléation lorsqu'elle est présente, comme le montre la figure 3. Pour les modes de réalisation dans lesquels la couche de nucléation 14 est omise, la couche tampon 16 peut être formée directement sur le substrat 12, comme le montre la figure 4. La couche tampon 16 peut comprendre un matériau à base de nitrure de gallium approprié. Le matériau à base de nitrure de gallium peut comprendre du nitrure de gallium ou du nitrure d'aluminium et de gallium, ou une combinaison de ceux-ci. Dans divers modes de réalisation, la couche tampon 16 peut être un matériau à base de nitrure de gallium dopé au fer ou au carbone ou un matériau à base de nitrure de gallium à super-réseau. La couche du groupe III-V 18 peut être formée au-dessus de la couche tampon 16, comme le montre la figure 5. La couche du groupe III-V 18 peut comprendre du nitrure de gallium n+. Dans divers autres modes de réalisation, la couche du groupe III-V 18 peut comprendre du nitrure d'indium et de gallium n+, du nitrure d'indium n+, du nitrure d'indium et d'aluminium n+ ou du nitrure d'aluminium et de gallium n+. Pour les modes de réalisation dans lesquels la couche du groupe III-V 18 comprend du nitrure d'aluminium et de gallium n+, l'épaisseur du nitrure d'aluminium et de gallium n+ peut être une épaisseur dans la plage de 10 à 50 Angstrôms. Dans divers modes de réalisation, plutôt que de former la couche du groupe III-V 18, on peut former une couche de nitrure de gallium non dopée au-dessus de la couche tampon 16. Dans divers modes de réalisation, le métal ohmique, étudié ci-après, peut être allié dans cette couche. L'épaisseur du nitrure de gallium non dopé peut être une épaisseur dans la plage de 10 à 500 Angstrôms. Une couche de masque 26 peut être formée au-dessus de la couche du groupe III-V 18, comme le montre la figure 6. Comme le montre la figure 7, la couche de masque 26 peut ensuite être modelée pour former des ouvertures 28, exposant la couche du groupe III-V 18 à l'endroit où la couche de Schottky 10 et toutes les régions d'accès du dispositif HEMT doivent être formées. La couche de masque 26 peut comprendre n'importe quel matériau approprié pour les opérations de modelage et de gravure photolithographiques. En conséquence, le matériau utilisé pour la couche de masque 26 sera généralement un matériau qui présente la gravure appropriée sélectivement par rapport à toutes les autres couches sur le substrat 12. Un masque dur peut être approprié dans divers modes de réalisation. Les matériaux de masque dur appropriés peuvent comprendre le nitrure de silicium ou l'oxyde de silicium. D'autres matériaux de masque dur connus peuvent être appropriés de manière similaire. La structure modelée peut ensuite être nettoyée, si souhaité, et ensuite, la couche de Schottky 10 peut être formée par recroissance, comme le montre la figure 8. La couche de Schottky formée par recroissance 10 peut être obtenue en utilisant n'importe quel procédé approprié, notamment, par exemple, l'épitaxie par jet moléculaire, l'épitaxie en phase vapeur, l'épitaxie en phase solide ou l'épitaxie en phase liquide pouvant également être appropriées. En fonction de l'application, la couche de Schottky 10 peut également être formée par recroissance sur d'autres zones d'une tranche, et la recroissance de la couche de Schottky 10 telle que décrite ici peut permettre de multiples recroissances, un remasquage si nécessaire, avec différentes structures de Schottky sur la même tranche pour les HEMT à enrichissement et à appauvrissement. Dans divers modes de réalisation, la couche de Schottky formée par recroissance 10 comprend une matière épitaxiale. La couche de Schottky formée par recroissance 10 peut comprendre du nitrure de gallium, du nitrure d'aluminium et de gallium, du nitrure d'indium et d'aluminium, du nitrure d'aluminium, du nitrure d'indium et de gallium, du nitrure de gallium et de bore ou du nitrure d'aluminium et de bore, ou une combinaison de deux ou plusieurs d'entre eux. En fonction de la matière épitaxiale que l'on fait recroître pour obtenir la couche de Schottky formée par recroissance 10, une couche polycristalline 30 peut se former au-dessus de la couche de masque 26 pendant l'opération de recroissance, comme le montre également la figure 8. La couche de masque 26 et la couche polycristalline 30, le cas échéant, peuvent ensuite être éliminées en procédant à une opération de gravure appropriée, laissant la couche de Schottky formée par recroissance 10, comme le montre la figure 9. Le traitement du dispositif peut se poursuivre par la définition et la métallisation de la grille 24 sur la couche de Schottky formée par recroissance 10, et la métallisation ohmique pour former le contact de source 20 et le contact de drain 22 sur les régions résiduelles de la couche du groupe III-V 18 pour former le dispositif HEMT 100, comme le montre la figure 1. La grille 24, le contact de source 20 et le contact de drain 22 peuvent comprendre n'importe quel matériau approprié comprenant, par exemple, un métal approprié. Bien que non illustrées ici, l'HEMT 100 peut comprendre d'autres couches en 15 fonction de l'application. Dans divers modes de réalisation, la couche du groupe III-V 18 peut être gravée avant formation de la couche de Schottky 10, comme illustré par le procédé des figures 10 à 13. Comme illustré, après formation de la couche de masque 26 sur la couche du groupe III-V 18 (par les opérations décrites en référence aux figures 2 à 20 7, par exemple), la couche du groupe III-V 18 est gravée à travers l'ouverture 28 pour éliminer ou réduire l'épaisseur de la couche du groupe III-V 18. La couche tampon 16 peut également être gravée pendant cette opération ou une autre opération. Après gravure de la couche du groupe III-V 18 ; la structure modelée peut être nettoyée, si souhaité, et puis la couche de Schottky 10 peut être formée par 25 recroissance directement sur la couche tampon 16, comme le montre la figure 11. La couche de Schottky formée par recroissance 10 peut être obtenue en utilisant n'importe quel procédé, notamment, par exemple, l'épitaxie par jet moléculaire, l'épitaxie en phase vapeur, l'épitaxie en phase solide ou l'épitaxie en phase liquide pouvant également être appropriées. Selon l'application, la couche de Schottky 10 30 peut également être formée par recroissance sur d'autres zones d'une tranche, et la recroissance de la couche Schottky 10 telle que décrite dans les présentes peut permettre de multiples recroissances, un remasquage si nécessaire, avec différentes structures de Schottky, sur la même tranche pour les HEMT à enrichissement et à appauvrissement. Dans divers modes de réalisation, la couche de Schottky formée par recroissance 10 comprend une matière épitaxiale. La couche de Schottky formée par recroissance 10 peut comprendre du nitrure de gallium, du nitrure d'aluminium et de gallium, du nitrure d'indium et d'aluminium, du nitrure d'aluminium, du nitrure d'indium et de gallium, du nitrure de gallium et de bore ou du nitrure d'aluminium et de bore, ou une combinaison de deux ou plusieurs d'entre eux. En fonction de la matière épitaxiale que l'on fait recroître pour obtenir la couche de Schottky formée par recroissance 10, une couche polycristalline 30 peut se former au-dessus de la couche de masque 26 pendant l'opération de recroissance, comme le montre également la figure 11. La couche de masque 26 et la couche polycristalline 30, le cas échéant, peuvent ensuite être éliminées en procédant à une opération de gravure appropriée, laissant la couche de Schottky formée par recroissance 10, comme le montre la figure 12. Le traitement du dispositif peut se poursuivre par la définition et la métallisation de la grille 24 sur la couche de Schottky formée par recroissance 10, et la métallisation ohmique pour former le contact de source 20 et le contact de drain 22 sur les régions résiduelles de la couche du groupe III-V 18 pour former le dispositif HEMT 200, comme le montre la figure 13. La grille 24, le contact de source 20 et le contact de drain 22 peuvent comprendre n'importe quel matériau approprié comprenant, par exemple, un métal approprié. Bien que non illustrées ici, l'HEMT 200 peut comprendre d'autres couches en fonction de l'application. Dans divers modes de réalisation, une ou plusieurs couches d'arrêt de gravure peuvent être utilisées pour faciliter l'opération ou les opérations de gravure, comme le montre l'exemple de procédé de formation d'un dispositif HEMT sur les figures 14 à 21. Pour les modes de réalisation décrits, la couche d'arrêt de gravure 32 peut aider à prévenir la gravure de la couche tampon 16 lors de la gravure de la couche du groupe III-V 18. En d'autres termes, lorsque la couche du groupe III-V 18 est gravée à travers l'ouverture 28, la gravure peut être stoppée ou ralentie par la couche d'arrêt de gravure 32. Comme le montre la figure 14, une couche d'arrêt de gravure 32 peut être formée sur la couche de tampon 16, avant formation de la couche du groupe III-V 18, de telle sorte que la couche d'arrêt de gravure 32 se trouve entre la couche tampon 16 et la couche du groupe III-V 18. La couche d'arrêt de gravure 32 peut comprendre n'importe quel matériau adapté aux fins prévues. Dans divers modes de réalisation, la couche d'arrêt de gravure 32 peut comprendre du nitrure d'indium et de gallium, du nitrure d'aluminium ou n'importe quel autre matériau approprié. Une couche de masque 26 peut ensuite être formée au-dessus de la couche du groupe III-V 18, comme le montre la figure 15. Comme le montre la figure 16, la couche de masque 26 peut ensuite être modelée pour former des ouvertures 28, exposant la couche du groupe III-V 18 à l'endroit où la couche de Schottky 10 et toutes les régions d'accès du dispositif HEMT doivent être formées. La couche de masque 26 peut comprendre n'importe quel matériau approprié pour les opérations de modelage et de gravure photolithographiques. En conséquence, le matériau utilisé pour la couche de masque 26 sera généralement un matériau qui présente la gravure appropriée sélectivement par rapport à toutes les autres couches sur le substrat 12. Dans certains modes de réalisation, un masque dur peut être approprié. Les matériaux de masque dur appropriés peuvent comprendre le nitrure de silicium ou l'oxyde de silicium. D'autres matériaux de masque dur connus peuvent être appropriés de manière similaire. Comme le montre la figure 17, après formation de la couche de masque 26 au-dessus de la couche du groupe III-V, la couche du groupe III-V 18 est gravée à travers l'ouverture 28 pour graver la couche du groupe III-IV 18. La couche d'arrêt de gravure 32 peut ensuite être éliminée pour exposer la couche du groupe III-V 18, comme le montre la figure 18. La gravure de la couche du groupe III-V 18 et la gravure de la couche d'arrêt de gravure 32 peuvent être effectuées en une seule opération de gravure ou en plusieurs opérations de gravure. La structure modelée peut ensuite être nettoyée, si souhaité, et la couche de Schottky 10 peut ensuite être formée par recroissance directement sur la couche tampon 16, comme le montre la figure 19, ou sur la couche d'arrêt de gravure 32 si la couche d'arrêt de gravure n'est pas éliminée. La couche de Schottky formée par recroissance 10 peut être obtenue en utilisant n'importe quel procédé approprié, par exemple, l'épitaxie par jet moléculaire, l'épitaxie en phase vapeur, l'épitaxie en phase solide ou l'épitaxie en phase liquide pouvant également être appropriées. Selon l'application, la couche de Schottky 10 peut également être formée par recroissance sur d'autres zones d'une tranche, et la recroissance de la couche Schottky 10 telle que décrite dans les présentes peut permettre de multiples recroissances, un remasquage si nécessaire, avec différentes structures de Schottky, sur la même tranche pour les HEMT à enrichissement et à appauvrissement. Dans divers modes de réalisation, la couche de Schottky formée par recroissance 10 comprend une matière épitaxiale. La couche de Schottky formée par recroissance 10 peut comprendre du nitrure de gallium, du nitrure d'aluminium et de gallium, du nitrure d'indium et d'aluminium, du nitrure d'aluminium, du nitrure d'indium et de gallium, du nitrure de gallium et de bore ou du nitrure d'aluminium et de bore, ou une combinaison de deux ou plusieurs d'entre eux. En fonction de la matière épitaxiale que l'on fait recroître pour obtenir la couche de Schottky formée par recroissance 10, une couche polycristalline 30 peut se former au-dessus de la couche de masque 26 pendant l'opération de recroissance, comme le montre également la figure 19. La couche de masque 26 et la couche polycristalline 30, le cas échéant, peuvent ensuite être éliminées en procédant à une opération de gravure appropriée, laissant la couche de Schottky formée par recroissance 10, comme le montre la figure 20. Le traitement du dispositif peut se poursuivre avec la définition et la métallisation de la grille 24 sur la couche de Schottky formée par recroissance 10, et la métallisation ohmique pour former le contact de source 20 et le contact de drain 22 sur les régions résiduelles de la couche du groupe III-V 18 pour former le dispositif HEMT 300, comme le montre la figure 21. La grille 24, le contact de source 20 et le contact de drain 22 peuvent comprendre n'importe quel matériau approprié comprenant, par exemple, un métal approprié ou un métal approprié au-dessus d'une couche de contact n+ formée par recroissance. Bien que non illustrées ici, l'HEMT 300 peut comprendre d'autres couches en fonction de l'application. La figure 22 est un organigramme de certaines des opérations associées à un procédé 2200 pour fabriquer un HEMT selon une structure de Schottky formée par recroissance (dispositif HEMT 100, 200 ou 300, par exemple) selon divers modes de réalisation. Si nous regardons maintenant la figure 22, le procédé 2200 peut comprendre une ou plusieurs fonctions, opérations ou actions, comme illustré par le bloc 2202, le bloc 2204, le bloc 2206 et/ou le bloc 2208. Le traitement pour le procédé 2200 peut démarrer par le bloc 2202 avec la formation d'une couche du groupe III-V au-dessus d'une couche tampon. La couche tampon peut être formée sur un substrat, et le substrat peut comprendre une couche de nucléation sur celui-ci. La couche tampon peut comprendre un matériau à base de nitrure de gallium approprié comprenant, par exemple, du nitrure de gallium ou du nitrure d'aluminium et de gallium, ou une combinaison de ceux-ci, ou un matériau à base de nitrure de gallium dopé au fer ou au carbone, ou un matériau à base de nitrure de gallium à super-réseau. La couche du groupe III-V peut comprendre du nitrure de gallium n+ tel que, par exemple, du nitrure d'indium et de gallium n+, du nitrure d'indium n+, du nitrure d'indium et d'aluminium n+ ou du nitrure d'aluminium et de gallium n+. A partir du bloc 2202, le procédé 2200 peut passer au bloc 2204 en formant un masque comprenant une ouverture au-dessus de la couche du groupe III-V. La couche de masque peut comprendre n'importe quel matériau approprié pour les opérations de modelage et de gravure photolithographiques y compris, par exemple, le nitrure de silicium. L'ouverture peut être formée par une opération de gravure appropriée. L'ouverture peut s'étendre jusqu'à la couche du groupe III-V. A partir du bloc 2204, le procédé 2200 peut passer au bloc 2206 en formant par recroissance une couche de Schottky à l'intérieur de l'ouverture. La couche de Schottky peut être formée par recroissance en utilisant n'importe quel procédé approprié, notamment, par exemple, l'épitaxie par jet moléculaire, l'épitaxie en phase vapeur, l'épitaxie en phase solide ou l'épitaxie en phase liquide. Dans divers modes de réalisation, la couche de Schottky formée par recroissance comprend une matière épitaxiale telle que du nitrure de gallium, du nitrure d'aluminium et de gallium, du nitrure d'indium et d'aluminium, du nitrure d'aluminium, du nitrure d'indium et de gallium, du nitrure de gallium et de bore ou du nitrure d'aluminium et de bore, ou une combinaison de deux ou plusieurs d'entre eux. A partir du bloc 2206, le procédé 2200 peut passer au bloc 2208 en éliminant de la couche du groupe III-V le masque présentant la couche de Schottky à l'intérieur de l'ouverture. Bien que cela ne soit pas illustré dans l'organigramme, le procédé 2200 peut en outre comprendre la formation d'un contact de source sur la couche du groupe III-V et en butée avec la couche de Schottky, et la formation d'un contact de drain sur la couche du groupe III-V et en butée de la couche de Schottky de telle sorte que la couche de Schottky se trouve entre le contact de source et le contact de drain. Les modes de réalisation d'HEMT décrits ici, et d'appareils comprenant de tels HEMT, peuvent être intégrés dans divers autres appareils et systèmes. Un schéma de principe d'un exemple de système 2300 est illustré sur la figure 23. Par exemple, le module amplificateur de puissance 2302 peut comprendre un ou plusieurs des HEMT 100, 200, 300 comprenant une couche de Schottky décrits ici. Comme illustré, le système 2300 comprend un module amplificateur de puissance RF 2302. Le système 2300 peut comprendre un émetteur-récepteur 2304 couplé au module amplificateur de puissance RF 2302, comme illustré. Le module amplificateur de puissance RF 2302 peut recevoir un signal d'entrée RF, RFin, de l'émetteur récepteur 2304. Le module amplificateur de puissance RF 2304 peut amplifier le signal d'entrée RF, RFin, pour fournir le signal de sortie RF, RFout. Le signal d'entrée RF, RFin, et le signal de sortie RF, RFout, peuvent tous deux faire partie d'une chaîne d'émission, respectivement indiquée par Tx - RFin et Tx - RFout sur la figure 23. Le signal de sortie RF amplifié, RFout, peut être fourni à un module commutateur d'antenne (ASM - Antenna Switch Module) 2306, qui effectue une transmission par radio du signal de sortie RF, RFout, via une structure d'antenne 2308. L'ASM 2306 peut également recevoir les signaux RF via la structure d'antenne 2308 et coupler les signaux RF reçus, Rx, à l'émetteur-récepteur 2304 le long d'une chaîne de réception. Dans divers modes de réalisation, la structure d'antenne 2308 peut comprendre une ou plusieurs antennes directionnelle(s) et/ou omnidirectionnelle(s), y compris, par exemple, une antenne dipôle, une antenne unipolaire, une antenne à plaque, une antenne à cadre, une antenne microruban, ou n'importe quel autre type d'antenne adapté à une émission/réception radio de signaux RF. Le système 2300 peut être n'importe quel système comprenant une amplification de puissance. Dans divers modes de réalisation, le système 2300 peut être particulièrement utile pour l'amplification de puissance à une puissance radiofréquence et une fréquence élevées. Par exemple, le système 2300 peut être approprié pour l'une quelconque ou plusieurs des communications de terre et par satellite, les systèmes radar, et probablement dans diverses applications industrielles et médicales. De façon plus spécifique, dans divers modes de réalisation, le système 2300 peut être un élément choisi parmi un dispositif radar, un dispositif de communication par satellite, un combiné sans fil, une station de base de téléphone cellulaire, un appareil d'émission radio ou un système amplificateur pour télévision. Bien que la présente divulgation ait été décrite selon les modes de réalisation illustrés plus haut, il sera entendu par l'homme du métier qu'une large variété de mises en oeuvre alternatives et/ou équivalentes calculées pour remplir les mêmes objectifs peuvent remplacer les modes de réalisation représentés et décrits sans s'écarter de la portée de la présente divulgation. L'homme du métier comprendra aisément que des modes de réalisation selon la présente divulgation peuvent être mis en oeuvre dans une très large variété de modes de réalisation. Cette description doit être considérée comme illustrative et non comme limitative. REVENDICATIONS1. Procédé consistant à : former une couche du groupe III-V (18) sur une couche tampon (16) ; former un masque (26) comprenant une ouverture au-dessus de la couche du groupe III-V (18) ; faire recroître une couche de Schottky à l'intérieur de l'ouverture pour obtenir une couche de Schottky formée par recroissance (10) ; et après recroissance de la couche de Schottky, éliminer le masque (26) de la couche du groupe III-V (18). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche du groupe III-V (18) comprend un matériau du groupe III-V non dopé ou un matériau du groupe III-V n+ choisi parmi le nitrure de gallium n+, le nitrure d'indium et de gallium n+, le nitrure d'indium n+, le nitrure d'indium et d'aluminium n+ ou le nitrure d'aluminium et de gallium n+. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'ouverture s'étend jusqu'à la couche du groupe III-V (18) et dans lequel la recroissance consiste à faire recroître la couche de Schottky à l'intérieur de l'ouverture et sur la couche du groupe III-V (18) pour obtenir la couche de Schottky formée par recroissance (10). 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation du masque consiste à former le masque (26) au-dessus de la couche du groupe III-V (18) de telle sorte que le groupe III-V soit exposé à travers l'ouverture, le procédé consistant en outre à graver la couche du groupe III-V (18) exposée à travers l'ouverture pour exposer la couche tampon (16), et dans lequel la recroissance de la couche de Schottky consiste à faire recroître la couche de Schottky sur la couche tampon (16) exposée. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la formation de la couche du groupe III-V (18) consiste à former le groupe III-V sur une couche d'arrêt de gravure (32) disposée sur la couche tampon (16), et dans lequel la gravure consiste à graver lacouche du groupe III-V (18) et la couche d'arrêt de gravure (32) à travers l'ouverture pour exposer la couche tampon (16). 6. Procédé selon la revendication 5, consistant en outre à graver la couche tampon (16) à travers l'ouverture. 7. Procédé selon la revendication 1, consistant en outre à former un contact de source (20) sur la couche du groupe III-V (18) et en butée avec la couche de Schottky formée par recroissance (10) ; et à former un contact de drain (22) sur la couche du groupe III-V (18) et en butée avec la couche de Schottky formée par recroissance (10) de telle sorte que la couche de Schottky formée par recroissance (10) se trouve entre le contact de source (20) et le contact de drain (22). 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche de Schottky formée par recroissance (10) est formée à travers la couche du groupe III-V (18) de telle sorte qu'un premier côté et qu'un second côté de la couche de Schottky formée par recroissance (10) viennent en butée avec la couche du groupe III-V (18). 9. Appareil comprenant : une couche tampon (16) ; une couche du groupe III-V (18) au-dessus de la couche tampon (16) ; un contact de source (20) et un contact de drain (22) sur la couche du groupe III-V (18) ; et une couche de Schottky formée par recroissance (10) au-dessus de la couche du groupe III-V (18), et entre les contacts de source et de drain (20, 22). 10. Appareil selon la revendication 9, dans lequel la couche de Schottky formée par recroissance (10) se trouve sur la couche du groupe III-V (18). 11. Appareil selon la revendication 9, dans lequel la couche de Schottky formée par recroissance (10) est disposée dans une ouverture dans la couche du groupe III-V (18). 12. Appareil selon la revendication 9, dans lequel le contact de source (20) est en butée avec la couche de Schottky formée par recroissance (10), et le contact de drain (22) est en butée avec la couche de Schottky formée par recroissance (10). 13. Appareil selon la revendication 9, dans lequel la couche du groupe III-V (18) comprend un matériau du groupe III-V non dopé ou un matériau du groupe III-V n+ choisi parmi le nitrure de gallium n+, le nitrure d'indium et de gallium n+, le nitrure d'indium n+, le nitrure d'indium et d'aluminium n+ ou le nitrure de d'aluminium et de gallium, et dans lequel la couche de Schottky formée par recroissance (10) comprend au moins un parmi le nitrure de gallium, le nitrure de gallium et d'aluminium, le nitrure d' indium et d'aluminium, le nitrure d'aluminium, le nitrure d'indium et de gallium, le nitrure de gallium et de bore, le nitrure d'indium et de bore ou le nitrure d'aluminium et de bore. 14. Système (2300) comprenant : un module commutateur d'antenne (2306) configuré pour recevoir des signaux de sortie radiofréquence (RF) ; un émetteur-récepteur couplé au module commutateur d'antenne (2306) et configuré pour générer des signaux d'entrée RF ; et un module amplificateur de puissance (2302) couplé au module commutateur d'antenne (2306) et à l'émetteur-récepteur (2304), et configuré pour recevoir les signaux d'entrée RF de l'émetteur-récepteur (2304) et pour fournir des signaux de sortie RF au module commutateur d'antenne (2306), dans lequel le module amplificateur de puissance (2302) comprend un transistor à haute mobilité d'électrons (100) ayant : une couche tampon (16) ; une couche du groupe III-V (18) au-dessus de la couche tampon (16) ; un contact de source (20) et un contact de drain (22) sur la couche du groupe III-V (18) ; et une couche de Schottky formée par recroissance (10) au-dessus de la couche du groupe III-V (18), et entre les contacts de source et de drain (20, 22). 15. Système (2300) selon la revendication 14, dans lequel le système est un dispositif radar, un dispositif de communication par satellite, un combiné sans fil, une station de base, un appareil d'émission radio ou un système amplificateur pour télévision.