FR 2977720 A1 20130111 FR 1156224 A 20110708 i DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE ORGANIQUE ET SON PROCEDE D'ENCAPSULATION. La présente invention concerne un dispositif optoélectronique organique, tel qu'un micro-afficheur à diodes électroluminescentes organiques (« OLED »), qui est protégé de l'air ambiant par une encapsulation étanche de type incluant au moins une couche mince, et un procédé d'encapsulation d'un tel dispositif. L'invention s'applique notamment mais pas exclusivement à des unités électroluminescentes de type hybride. De manière connue, les dispositifs optoélectroniques organiques, tels que les « OLED », nécessitent d'être encapsulés, pour assurer la protection de leurs composants sensibles contre les espèces gazeuses de l'atmosphère (principalement l'oxygène et la vapeur d'eau). En effet, si cette protection n'est pas convenablement réalisée, il risque de se produire une dégradation ultérieure du dispositif qui se manifeste principalement par l'apparition de points noirs non émissifs dans le cas des « OLED », qui sont en fait la résultante de la pénétration de la vapeur d'eau dans la diode, ce qui dégrade l'interface cathode (ou anode) / film(s) organique(s). Cette encapsulation peut être typiquement réalisée grâce à l'utilisation d'un capot de verre collé sur le dispositif organique à l'aide d'une colle spécifique présentant notamment une faible perméabilité à l'eau. En général, on ajoute un absorbeur d'humidité solide ou « getter » entre le substrat et le capot pour prolonger la durée de vie du dispositif. Pour certaines applications mais aussi pour une question de réduction de coût, on a développé des couches minces à effet de barrière dont le rôle, par similitude à cet ensemble capot-getter, est de protéger le dispositif sous-jacent de l'agression de l'humidité. D'une manière générale, ces couches barrières sont des oxydes, des nitrures ou des oxynitrures ou, dans certains cas, il peut s'agir de couches minces métalliques sauf si l'unité électroluminescente émet par le sommet de la structure (« top emission » en anglais) auquel cas les couches barrières doivent être transparentes. Ces couches minces d'encapsulation présentent typiquement une épaisseur totale inférieure à 1 pm, et elles sont déposées par des procédés standards de dépôt sous vide tels que le dépôt chimique en phase vapeur (« CVD ») éventuellement assisté par plasma (« PECVD »), le dépôt de couche atomique (« ALD », parfois appelée « AL-CVD ») ou par des procédés de dépôt physique en phase vapeur (« PVD ») incluant l'évaporation et la pulvérisation. Il est difficile d'envisager pour ces couches minces d'encapsulation d'autres types de dépôts moins coûteux en temps comme le dépôt en phase liquide, car ce type de dépôt nécessite l'utilisation de solutions polymériques contenant des solvants susceptibles de dissoudre les couches de l'unité électroluminescente sous-jacente. Spécifiquement pour des unités « OLED » hybrides, i.e. dont l'empilement de films organiques d'intercalation entre les électrodes comprend parmi ses films actifs les plus internes un ou plusieurs films déposé(s) par voie liquide (typiquement à la tournette ou « spin-coating » en anglais) pour une maîtrise plus simple de dépôt que celle inhérente aux techniques d'impression, se pose le problème de la localisation précise de ces films qui est très importante pour la réalisation d'un grand nombre de micro- écrans sur une tranche de silicium. En effet, ces films tels que des films de transfert d'électrons (« ETL » pour « electron transport layer »), d'injection de trous (« HIL » pour hole injection layer ») et de transfert de trous (« HTL » pour « hole transport layer »), sont déposés par voie liquide sur tout le substrat (i.e. à pleine surface de la tranche de silicium) et ne peuvent donc être précisément localisés (i.e. confinés à l'unité « OLED ») à moins d'effectuer par la suite une photolithographie, laquelle est malheureusement peu envisageable en raison de la fragilité des composants des unités « OLED » vis-à-vis d'une gravure. Or, on sait que ces films déposés par voie liquide, s'ils ne sont pas ultérieurement confinés à la zone active du micro- écran correspondant, vont pénaliser la qualité de l'encapsulation de l'unité « OLED » du fait qu'ils forment une voie d'entrée latérale pour la vapeur d'eau de l'atmosphère ambiante dans l'unité « OLED » par perméation et que l'encapsulation déposée sur ces films n'y adhérera pas de manière satisfaisante. Le document WO-A1-2009/101299 au nom de la Demanderesse divulgue l'utilisation dans une encapsulation à couches minces d'un dispositif optoélectronique organique, d'une couche continue réactive à l'humidité et à base d'un complexe organométallique tel que le tris-(8-hydroxyquinoléinate) d'aluminium III (AIg3), et d'une couche barrière la surmontant pouvant être constituée d'un oxyde choisi parmi ceux répondant aux formules AI2O3, SiO2, SiXNy ou SiOXNy. Un but de la présente invention est de proposer un dispositif optoélectronique organique tel qu'un micro-afficheur à diodes électroluminescentes organiques, qui permette de remédier aux inconvénients précités, ce dispositif comprenant : - un substrat, - au moins une unité électroluminescente déposée sur ce substrat et incorporant une électrode interne adjacente au substrat, une électrode externe transparente ou semi-transparente à la lumière émise par l'unité et définissant une zone active d'émission lumineuse et, entre ces électrodes, un empilement de films organiques, et - une structure d'encapsulation étanche à couche(s) mince(s) qui comprend au moins une couche inorganique qui surmonte ladite unité électroluminescente en l'enveloppant latéralement. A cet effet, un dispositif selon l'invention est tel qu'il comprend en outre une structure de pré-encapsulation qui est localisée entre l'électrode externe et la structure d'encapsulation et qui comprend une couche tampon recouvrant l'électrode externe et à base d'au moins un complexe organométallique hétérocyclique de température de transition vitreuse supérieure à 80° C, et une couche barrière recouvrant cette couche tampon et à base d'un oxyde de silicium de formule SiOX, avec x nombre réel spécifiquement tel que 0 4 On notera que la structure de pré-encapsulation obtenue par le dépôt de ces couches tampon et barrière permet notamment de passiver de manière satisfaisante la ou chaque unité électroluminescente et d'augmenter la durée de vie du dispositif. On notera également que cette structure de pré-encapsulation permet de planariser de manière satisfaisante la surface destinée à recevoir ladite couche inorganique d'encapsulation, en homogénéisant la densité surfacique en groupements -OH de la couche barrière pour assurer une croissance homogène sur cette dernière de cette couche inorganique. De préférence, ledit oxyde de silicium de formule SiOx de la couche barrière est tel que x est sensiblement égal à 1, cette couche barrière étant déposée par évaporation thermique non réactive. On notera que cette sélection d'un oxyde de silicium proche d'un monoxyde de silicium (de formule SiO) pour la couche barrière procure un effet de synergie en combinaison avec ce complexe organométallique choisi pour la couche tampon, permettant notamment d'optimiser la passivation précitée pour la ou chaque unité électroluminescente et d'obtenir pour cette couche barrière un compromis satisfaisant entre une transparence maximisée dans le domaine visible et une porosité au contraire minimisée. Avantageusement, la ou chaque unité électroluminescente du dispositif selon l'invention peut être de type hybride, au moins l'un des films actifs dudit empilement qu'elle comporte, de préférence le(s) plus interne(s) formant par exemple au moins un film de transfert d'électrons (« ETL »), un film d'injection de trous (« HIL ») et/ou un film de transfert de trous (« HTL »), étant déposé par voie liquide sur tout le substrat puis structuré par une gravure sèche de sorte que ce(s) film(s) structuré(s) se termine(nt) latéralement au droit ou en deçà d'un bord périphérique de la couche barrière. La structure de pré-encapsulation forme dans ce cas un masque dur apte à résister à cette gravure sèche, laquelle est par exemple mise en oeuvre par un plasma d'oxygène ou par gravure ionique réactive (« RIE »), en protégeant ainsi les composants sensibles de la ou de chaque unité électroluminescente lors de la structuration de ce(s) film(s) actif(s) déposé(s) par voie liquide. On notera que cette pré-encapsulation selon l'invention autorise ainsi une gravure sèche de la surface du substrat recouverte de ces films déposés par voie liquide sans dégradation des composants de l'unité électroluminescente, pour structurer ces films de sorte à les confiner au droit 5 de la ou de chaque zone active du dispositif (i.e. en enlevant par cette gravure leur portion débordant de la ou de chaque unité électroluminescente). De manière générale, ladite couche tampon peut avantageusement présenter une épaisseur comprise entre 10 nm et 200 nm, par exemple entre 50 nm et 150 nm. De préférence, ledit complexe organométallique de la couche tampon est dérivé de la quinoléine ou de la benzoquinoléine et peut avantageusement présenter une température de transition vitreuse supérieure à 80° C, voire à 100° C. A titre encore plus préférentiel, ce complexe organométallique est le tris-(8-hydroxyquinoléinate) d'aluminium III (Alg3). Selon une autre caractéristique préférentielle de l'invention, ladite couche tampon présente une surface d'aire au moins égale à celle de ladite électrode externe, laquelle est de préférence constituée d'une cathode en argent, et ladite couche barrière présente une surface d'aire au moins égale à celle de la couche tampon, la couche barrière se terminant latéralement sensiblement au droit d'un bord périphérique de la ou de chaque unité électroluminescente correspondante. Avantageusement, la couche barrière peut déborder latéralement autour de la couche tampon qui déborde latéralement autour de l'électrode externe, lesdites couches tampon et barrière pouvant s'étendre toutes deux continûment à partir de films internes dudit empilement de films. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite structure d'encapsulation peut comprendre une dite couche inorganique, ou couche inorganique interne, qui est déposée sur ladite couche barrière de préencapsulation par dépôt de couche atomique (« ALD ») ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (« PECVD »), qui est à base d'au moins un composé inorganique choisi dans le groupe constitué par les composés de formule AIxOy, SiOx, SixNy, SiOxNy, ZnSe, Sb203 et les oxydes transparents conducteurs (OTC) optionnellement combinés à un métal, et qui est de préférence à base d'AI2O3 déposé par « ALD », cette couche inorganique interne s'étendant à partir du substrat en enrobant latéralement ladite couche barrière et plusieurs desdits films organiques dudit empilement. Selon un mode préférentiel de réalisation de l'invention, ladite structure d'encapsulation comprend également : - au moins une couche polymérique photosensible gravée qui est de préférence à base d'une résine positive de photolithographie et qui recouvre ladite couche inorganique interne de manière latéralement enveloppante en s'étendant à partir du substrat, et - une autre dite couche inorganique, ou couche inorganique externe, qui est par exemple à base du même composé que ladite couche inorganique interne et qui recouvre de manière latéralement enveloppante cette couche polymérique photosensible, de sorte à former une pluralité de surfaces parallèles entre elles et sensiblement perpendiculaires au plan du substrat qui forment autant d'obstacles à la pénétration latérale de vapeur d'eau vers ladite ou chaque zone active du dispositif. Par « résine positive », on entend de manière connue une résine qui se polymérise lors de son dépôt, les parties insolées au rayonnement sélectivement à travers un masque étant dépolymérisées puis dissoutes lors du développement. En variante, cette résine peut être négative (i.e. sa zone insolée se polymérise et devient ainsi insoluble lors du développement). Un procédé d'encapsulation selon l'invention d'un dispositif tel que défini ci-dessus comprend les étapes successives suivantes : a) on dépose ladite couche tampon sur ladite électrode externe de la ou de chaque unité électroluminescente, la couche tampon étant de préférence à base d'un complexe organométallique dérivé de la quinoléine ou de la benzoquinoléine de température de transition vitreuse supérieure à 100° C tel que le tris-(8-hydroxyquinoléinate) d'aluminium III (AIg3), b) on dépose par évaporation thermique non réactive ladite couche barrière sur cette couche tampon, cette couche barrière étant à base d'un oxyde de formule SiOX avec de préférence x sensiblement égal à 1 et enrobant latéralement cette couche tampon, c) on transfère optionnellement la ou chaque unité électroluminescente recouverte de ces couches tampon et barrière en vue de son encapsulation, directement à l'atmosphère ambiante sans la confiner dans une enceinte de transfert telle qu'une boîte à gants, d) on soumet à une gravure sèche, par exemple mise en oeuvre par un plasma d'oxygène ou par gravure ionique réactive (« RIE »), la ou chaque unité électroluminescente recouverte de ces couches tampon et barrière, puis e) on dépose sur cette couche barrière une dite couche inorganique de ladite structure d'encapsulation, ou couche inorganique interne, par dépôt de couche atomique (« ALD ») ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (« PECVD »), cette couche inorganique interne étant à base d'au moins un composé inorganique choisi dans le groupe constitué par les composés de formule AIXOy, SiOX, SiXNy, SiOXNy, ZnSe, Sb2O3 et les oxydes transparents conducteurs (OTC) optionnellement combinés à un métal, et qui est de préférence à base d'AI2O3 déposé par « ALD », de telle sorte que cette couche inorganique interne s'étende à partir du substrat en enrobant latéralement la couche barrière et le(s)dit(s) films (s) le(s) plus interne(s) dudit empilement. L'étape d) de gravure sèche peut permettre de structurer l'un au moins des films actifs les plus internes dudit empilement de cette unité dans le cas où il a été déposé par voie liquide sur tout le substrat de sorte qu'il se termine latéralement au droit ou en deçà d'un bord périphérique de ladite couche barrière par enlèvement de la portion dudit au moins un film dépassant latéralement de la couche barrière, ledit au moins un film ainsi structuré formant par exemple un film de transfert d'électrons (« ETL »), un film d'injection de trous (« HIL ») et/ou un film de transfert de trous (« HTL »), ces couches tampon et barrière jouant alors le rôle d'un masque dur lors de cette gravure. 8 Même si elle ne sert pas à structurer le(s) film(s) actif(s), il est apparu que cette étape de gravure sèche favorise l'étape subséquente e) de dépôt, notamment dans le cas d'un dépôt par « ALD ». Comme indiqué à l'étape c) ci-dessus, on notera que ce procédé selon l'invention autorise une exposition à l'air ambiant (i.e. un passage directement à l'atmosphère respirable de la salle blanche sans utilisation d'une boîte de transfert usuelle, également appelé « air break » en anglais) de la ou de chaque unité électroluminescente revêtue de la structure de pré-encapsulation en vue de son encapsulation, grâce à cette structure de pré-encapsulation. Selon ledit mode préférentiel de réalisation de l'invention, ce procédé peut comprendre en outre une étape f) consécutive à l'étape e) où : f1) on dépose en phase liquide sur ladite couche inorganique interne une couche photosensible par exemple à base d'une résine positive de photolithographie (par toute technique d'enduction comme par exemple à la tournette ou via un revêtement par immersion ou « dip-coating »), f2) on grave cette couche photosensible ainsi déposée par insolation à des emplacements prédéterminés en la masquant sélectivement des rayonnements d'insolation pour qu'elle soit, d'une part, polymérisée suite à cette insolation au-dessus de ladite couche inorganique interne et en une portion enveloppante enrobant latéralement cette couche inorganique interne à partir du substrat et, d'autre part, dépolymérisée ailleurs, puis f3) on développe cette couche photosensible polymérisée par trempage dans un bain, optionnellement suivi d'une insolation 25 complémentaire de cette couche photosensible. On notera que l'étape e) précitée est de préférence mise en oeuvre par « ALD », dépôt réalisable à basse température et permettant d'obtenir une couche inorganique de densité élevée et de perméabilité très réduite qui épouse au plus près les micro- ou nanoreliefs de la surface sous- 30 jacente, et que cette couche inorganique interne déposée par « ALD » permet l'usage à l'étape f) de solvants polaires ou apolaires, e.g. l'éthanol, l'eau, acétone et de solutions de développement/stripping de résines photosensibles tels que celles de dénominations TMAH et ROR. Avantageusement en référence à ce mode préférentiel de réalisation de l'invention, ce procédé peut comprendre en outre une étape g) consécutive à l'étape f) où l'on dépose sur ladite couche polymérique photosensible une autre dite couche inorganique, ou couche inorganique externe, qui est par exemple à base du même composé que ladite couche inorganique interne et qui recouvre également de manière latéralement enveloppante cette couche polymérique photosensible, de sorte à former une pluralité de surfaces parallèles entre elles et sensiblement perpendiculaires au plan du substrat qui forment autant d'obstacles à la pénétration latérale de vapeur d'eau vers la ou chaque zone active du dispositif. D'autres avantages, caractéristiques et détails de l'invention ressortiront du complément de description qui va suivre en référence aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemples et dans lesquels : la figure 1 est une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif à unité électroluminescente hybride non conforme à l'invention, dont les films organiques déposés par voie liquide n'ont pas été confinés à cette unité entre le dépôt de la pré-encapsulation et celui de l'encapsulation, la figure 2 est une vue schématique en coupe transversale montrant le résultat d'une première étape de pré-encapsulation d'un dispositif à unité électroluminescente hybride selon l'invention, avant confinement de ces films organiques déposés par voir liquide, la figure 3 est une vue schématique en coupe transversale illustrant l'action d'une gravure sèche sur le dispositif de la figure 2 pour réaliser ce confinement, avant encapsulation de ce dispositif pré-encapsulé, la figure 4 est une vue schématique en coupe transversale montrant, d'une part, le résultat de cette gravure sèche avec le confinement de ces films et, d'autre part, le résultat d'une étape ultérieure de dépôt d'une couche inorganique interne d'encapsulation sur cette pré-encapsulation, 2977720 io la figure 5 est une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif selon l'invention finalement obtenu suite aux étapes des figures 2 à 4, montrant deux couches organique et inorganique d'encapsulation ultérieurement déposées sur cette couche inorganique interne, 5 les figures 6 et 7 sont deux graphiques illustrant la tenue en chambre climatique d'une couche d'Alq3 de 100 nm d'épaisseur déposée sur silicium et encapsulée par une couche de SiO de 25 nm d'épaisseur (figure 6) et de 10 nm d'épaisseur (figure 7), respectivement, montrant pour chacun d'eux l'évolution au cours du temps de stockage de l'intensité de 10 photoluminescence (FL) du film et de la position du pic à l'intensité maximale, les figures 8 et 9 sont deux graphiques illustrant à titre d'essais comparatifs la tenue en chambre climatique (figure 8) et à l'atmosphère du laboratoire (figure 9), respectivement, d'un film vierge d'Alq3 de 100 nm d'épaisseur déposé sur silicium mais non encapsulé, montrant 15 pour chacun d'eux l'évolution au cours du temps de stockage de l'intensité de photoluminescence (FL) du film et de la position du pic à l'intensité maximale, la figure 10 est un graphique auquel sont annexés deux clichés obtenus par microscope à force atomique et illustrant la rugosité de surface Rq après 12 h de stockage en chambre climatique, d'un film d'Alq3 20 vierge de 100 nm d'épaisseur déposé sur silicium (essai témoin correspondant au cliché en haut à gauche) et d'une couche d'Alq3 encapsulée par une couche de SiO (essai de l'invention correspondant au cliché en haut à droite), la figure 11 est un cliché obtenu par microscopie optique 25 montrant les défauts visibles sous forme de points noirs de la surface d'une « OLED » recouverte à titre d'essai témoin d'une couche d'encapsulation de SiO évaporée après plus de 840 h au laboratoire, la figure 12 est un cliché obtenu par microscopie optique (image négative montrant beaucoup moins de défauts, ici sous forme de 30 zones surbrillantes) de la surface d'une structure de pré-encapsulation selon l'invention Si/AIg3/SiO après plus de 536 h au laboratoire, ii la figure 13 est un graphique à barres illustrant le taux de Q1 parfaites, Q2 parfaites, Q1 à -1% et Q2 à -1%, après 200 h de stockage, pour trois dispositifs « TemaB55 », « TemaB61 » et « TemaB93 », la figure 14 est un graphique à trois courbes IV (Q2, to) respectivement pour les diodes « TemaA273 » (pré-encapsulée AIg3/SiO selon l'invention avec traitement plasma 02 et encapsulée AI203), « TemaB61 » (témoin avec uniquement pré-encapsulation Si0 et encapsulation AI203) et « TemaB74 » (pré-encapsulée Si0 et sans encapsulation), montrant comparativement la tenue en Q2 de cette diode de l'invention suite à une exposition à l'air ambiant et à un traitement plasma, la figure 15 est un graphique illustrant la durée de vie augmentée en termes de luminance L de diodes Q2 selon l'invention (« TemaA273 »), en comparaison de la diode témoin « TemaB61 », la figure 16 est une vue schématique en plan illustrant la succession des masques et le caractère enveloppant des couches déposées pour la pré-encapsulation selon l'invention d'une « OLED » sur sa cathode, et la figure 17 est un graphique illustrant des mesures d'ellipsométrie réalisées sur la couche barrière de SiOX selon l'invention déposée par évaporation thermique, sous forme de deux courbes de constantes optiques n et k en fonction de la longueur d'onde émise. La structure de pré-encapsulation selon l'invention illustrée aux figures 2 et 3 et celle d'encapsulation illustrée aux figures 4 et 5 recouvrent la face d'émission externe d'un dispositif optoélectronique électroluminescent 1 de type « OLED » (représenté à l'état entièrement encapsulé à la figure 5), dont les composants sensibles sont à protéger de l'humidité et de l'oxygène de l'air ambiant. Ce dispositif 1 est par exemple de type microécran « OLED », comprenant un substrat 2 typiquement en silicium revêtu sur sa surface plane 3 d'une unité électroluminescente définissant une zone active centrale 4 (visible à la figure 16) et une zone de connexion électrique (non visible). L'unité comporte une électrode interne 5 (telle qu'une anode) et une électrode externe 10 (telle qu'une cathode) entre lesquelles est intercalée une structure émettrice de lumière à plusieurs films organiques 6, 7, 8 conçus pour transférer les électrons et les trous qui proviennent des électrodes 5 et 10 et qui sont recombinés pour générer des excitons et donc l'émission de lumière, au moins l'électrode externe 10 étant transparente ou semi-transparente à la lumière émise afin de la faire rayonner via la zone active vers l'extérieur du dispositif 1. Cette électrode externe 10 peut être constituée d'un métal tel que l'argent, l'aluminium ou le samarium - de préférence l'argent - pour les propriétés de transparence de ces métaux dans le domaine visible ainsi que pour leur conductivité électrique à faible épaisseur (l'épaisseur de l'électrode externe 10 est par exemple comprise entre 10 nm et 30 nm). L'unité électroluminescente illustrée aux figures 1 à 5 est de type hybride, du fait qu'elle comprend parmi les films les plus internes de sa structure émettrice des films actifs 6 et 7 déposés par voie liquide sur toute la surface 3 du substrat 2, par exemple à la tournette. Parmi ces films déposés par voie liquide, on peut par exemple citer un film de transfert d'électrons (« ETL », par exemple de type PEDOT pour poly(3,4 -éthylène dioxythiophène)) et un film de transfert de trous (« HTL », par exemple dopé-p à partir d'une solution), étant précisé qu'un plus grand nombre de films est utilisable. Dans le dispositif non conforme à l'invention de la figure 1 où ces films déposés par voie liquide demeurent sur toute la surface 3 du substrat 2 après dépôt sur la cathode 10 d'une pré-encapsulation AIg3/SiOX (désignée par les couches 11 et 12), elle-même recouverte d'une couche inorganique d'encapsulation 13 en AI2O3, l'expérience montre que la vapeur d'eau de l'atmosphère ambiante pénètre latéralement au sein de l'unité « OLED » par perméation à travers ces films 6 et 7 déposés par voie liquide qui débordent de la zone active 4 de cette unité. Afin de remédier à cet inconvénient, on prévoit selon l'invention de soumettre l'unité « OLED » préalablement recouverte de la structure de pré-encapsulation passivante 11, 12 illustrée à la figure 2 (i.e. formée d'une couche tampon 11 de AIg3 enrobée d'une couche barrière 12 en 13 SiOx), à une gravure sèche par exemple mise en oeuvre par un plasma d'oxygène ou par gravure ionique réactive (« RIE »), afin de structurer ces films internes 6 et 7 en enlevant leurs portions débordant de la couche barrière 12. Comme illustré à la figure 3 par des tirets P, est exposée à cette gravure sèche la totalité de la surface de l'unité pré-encapsulée et, comme visible à la figure 4, il résulte de cette gravure que ces films 6 et 7 sont structurés de sorte à être entièrement confinés en deçà du bord périphérique de la couche barrière 12, avant dépôt de l'encapsulation. Avantageusement, la couche tampon 11 en Alg3 présente une épaisseur comprise entre 100 nm et 200 nm qui est par exemple proche de 100 nm (pour une émission verte). Quant à la couche barrière 12 en SiOx qui est déposée par évaporation thermique non réactive, elle présente une épaisseur par exemple comprise entre 5 nm et 50 nm. Comme visible à la figure 16, on a apporté un soin particulier à l'élaboration du dépôt de la couche barrière 12 de SiOx puisqu'un masque pochoir de surface supérieure a été utilisé pour le dépôt de cette couche d'oxyde 12. On s'assure ainsi d'enrober entièrement le plot recouvert de la couche tampon 11 en AIg3 par cette couche 12 de silice évaporée. Sont également visibles à cette figure 16 la zone de dépôt de la cathode 10 et l'anneau de cathode 10a, en plus des zones de dépôt des couches 11 et 12. On a illustré à la figure 17 les caractéristiques optiques de la couche 12 de SiOx déposée, mesurées par ellipsométrie. Ce SiOx' déposé par évaporation thermique non réactive présente un indice optique moyen sur la gamme visible de 1,884 nm, et un indice optique à 500 nm de 1,892. Comparativement aux données de la littérature qui donnent un indice optique _de Si0 (x = 1) égal à 2 ± 0,03 à 500 nm et un indice optique d'un SiOx évaporé avec x proche de 2 compris entre 1,45 et 1,47, cet indice mesuré pour le SiOx de l'invention dénote clairement une stoechiométrie proche de 1 :1, soit x sensiblement égal à 1. La structure d'encapsulation 13, 14, 15 comprend une couche inorganique interne 13 de AI203 déposée par « ALD » et enveloppant la couche barrière 12 de SiOx (visible à la figure 4), et une couche polymérique photosensible 14 déposée en phase liquide qui enveloppe à son tour la couche inorganique 13 et qui est surmontée de manière enveloppante d'une couche inorganique externe 15 par exemple également constituée d'AI203 déposé par « ALD » (ces deux couches 14 et 15 sont visibles à la figure 5, qui montre par une zone en pointillés ces dépôts mutuellement enveloppants). On dépose la couche polymérique 14, par exemple à base d'une résine positive de photolithographie de dénomination « TELR », en la déposant par exemple par enduction sur la couche inorganique interne 13, puis on la grave par insolation à des rayonnements UV à en la masquant sélectivement des rayonnements UV pour qu'elle soit polymérisée au-dessus de la couche inorganique interne 13 et en une portion enveloppante enrobant latéralement cette couche 13, et dépolymérisée ailleurs. On développe ensuite cette couche photosensible polymérisée par trempage dans un bain (e.g. dans un bain développeur de TMAH), et l'on réalise optionnellement une insolation complémentaire de la couche photosensible 14 finalement obtenue. La Demanderesse a réalisé des essais, dont les résultats sont visibles aux figures 6 et 7, illustrant la qualité de l'encapsulation d'une couche tampon d'AIg3 de 100 nm d'épaisseur déposée sur silicium et enrobée d'une couche barrière de SiOx de 25 nm d'épaisseur et de 10 nm d'épaisseur, respectivement. Ces essais ont permis de montrer que la couche d'AIg3 de 100 nm d'épaisseur est encapsulée de manière robuste en chambre climatique par la couche de SiOX. Plus précisément, on a reporté sur ces graphiques la tenue de ces couches AIg3/ SiOx (à 65° C et 85 % de taux d'humidité relative HR). On a quantifié la tenue à l'étuve de ces deux couches en surveillant l'évolution, à partir de to, de la photoluminescence (FL) de la couche d'Alg3 (excitation en lumière UV à 365 nm, au microscope avec un grossissement x10 en intensité maximum de FL, et en position du pic à l'intensité maximale - émission verte à 532 nm pour AIg3 à l'état solide - versus le temps de stockage en chambre climatique). Les figures 6 et 7 montrent ainsi l'évolution à 65° C et 85 % RH de la FL (intensité maximale FL max et position du pic à intensité FL max) de films d'Alq3 de 100 nm déposés sur Si et encapsulés par SiOX. Pour comparaison, on a testé en outre la tenue d'un film d'Alq3 vierge en stockage en chambre climatique à 65° C / 85 % RH (figure 8) 5 et à l'atmosphère du laboratoire (figure 9). Il apparaît clairement au vu de l'ensemble de ces résultats que le film de SiOX apporte une protection importante au film d'Alq3 dont l'intensité de FL après environ 850 h de stockage n'a perdu qu'environ 10 0/0 de sa valeur avec une encapsulation par 25 nm de SiOX, et n'a perdu 10 qu'environ 17 % de sa valeur après environ 550 h avec une encapsulation par 10 nm de SiOX. A l'opposé, le film non encapsulé et stocké à 65° C / 85 % RH (voir figure 8) voit son intensité de FL divisée par 300 après 12 h seulement en étuve. Cela s'accompagne clairement d'une cristallisation de la couche 15 organométallique dont la position du pic de FL subit un « blue-shift » (i.e. décalage vers le bleu) à 496 nm après 12 h de stockage. Le film d'Alq3 vierge conservé à l'atmosphère du laboratoire (voir figure 9) montre quant à lui une diminution de l'intensité de FL d'un facteur d'environ 10 après environ 1200 h de stockage mais sans aucune cristallisation apparente. 20 La figure 10 montre la surface (images au microscope à force atomique) d'un film témoin d'Alq3 vierge (de 100 nm d'épaisseur et dépourvu de film de SiOX) déposé sur silicium après 12h de stockage en chambre climatique (à 65° C et 85 % RH) ainsi que l'évolution de la rugosité de surface (Rq) en fonction du temps de stockage, en comparaison du même film d'Alq3 25 encapsulé selon l'invention par un film de SiOX. On constate que la rugosité du film d'AIg3/SiOX reste parfaitement stable - environ 0,3 nm - après plus de 350 h en étuve (image de droite surmontant le graphique) alors que la surface du film d'Alq3 non encapsulé montre une rugosité très importante d'environ 10 nm après 12 h de stockage (image de gauche). 30 La Demanderesse a également réalisé des mesures de densité de défauts dans la couche de SiOX en fonction des couches présentes sous cette couche de SiOX, mesures qui sont reportées au tableau 1 suivant : Tableau 1 : /cm2 SiOx AIQ3/SiOx SiOx/AI203 AIQ3/SiOx/AI203 sur OLED 300 ^ 5 5 sur Si 60 6 Concernant le dépôt sur « OLED », le SiOX a été déposé sur une cathode en argent (de 15 nm d'épaisseur). Le comptage a été mené par observation des points noirs sur « OLED » (voir figure 11) et de zones surbrillantes clairement visibles pour les films déposés sur Si (voir figure 12). Chaque zone surbrillante et chaque point noir ont été comptabilisés comme un défaut, avec comme hypothèse qu'il n'y a pas de défauts non visibles au microscope optique. La figure 11 montre la surface d'une « OLED » utilisant une couche d'encapsulation de SiOX évaporée après plus de 840 h à l'atmosphère du laboratoire (sous 6 V, microscopie optique x 2,5, avec une densité défauts d'environ 300/cm2), et la figure 12 montre la surface d'une structure Si/AIg3/SiOX après plus de 536 h à 65° C et 85 % RH (par microscopie optique avec une image négative pour une meilleure observation montrant peu de zones surbrillantes pour les défauts, présents selon une densité d'environ 60/cm2). II en résulte que la densité de défauts dans SiOX semble beaucoup plus faible sur Alg3 que directement sur la cathode en argent de l'unité « OLED ». Le composé Alg3 apparaît donc très avantageux pour former une couche 11 à bonnes propriétés tampon afin de faire croître une couche barrière 12 de SiOX évaporé avec moins de défauts. Les figures 13 à 15 illustrent notamment la possibilité de réaliser un traitement plasma (par exemple un plasma d'oxygène) sur la surface de l'unité « OLED » pré-encapsulée avant son encapsulation. Ce traitement va faciliter le dépôt « ALD » subséquent. Ceci peut être expliqué par le fait que ce traitement permet notamment de fonctionnaliser en -OH la surface totale du substrat 2 en vue d'y faire croître de manière satisfaisante par « ALD » une couche d'encapsulation 13 (typiquement d'AI203), mais sans 16 dégrader les caractéristiques du dispositif qui sont sensibles à une atmosphère oxydante, notamment. La Demanderesse a en effet démontré que l'utilisation de la pré-encapsulation AIg3/SiOX permet précisément de réaliser un tel traitement de surface par plasma 02 avant le dépôt de la couche inorganique d'encapsulation d'AI203 13 déposée par « ALD » (voir à nouveau la figure 2 commentée ci-dessous pour ce traitement plasma P), grâce à la protection conférée par cette pré-encapsulation à deux couches 11 et 12 jouant le rôle d'un masque dur. II a même été possible de réaliser un transfert directement à l'air ambiant entre la sortie de l'enceinte de dépôt et la chambre plasma se trouvant dans l'atmosphère respirable de la salle blanche, sans dégrader l'unité « OLED » testée. Le graphique de la figure 13 illustre le taux de diodes parfaites et -1 % (c'est-à-dire les diodes dont la surface défectueuse représente moins de 1 % de la surface totale de la diode), tant pour Q1 que Q2, après 200 h de stockage pour chacun des dispositifs « TemaB55 », « TemaB61 » et »TemaB93 » dont les caractéristiques sont recensées dans le tableau 2 ci-après. Tableau 2 : nom Tema Cathode Couche tampon Couche barrière Passage à l'air Plasma 02 (puissance, A/203 (épaisseur) (épaisseur) avant "ALD" temps) (épaisseur) B74 Ag (15 nm) Si0 (25 nm) B55 Ag (15 nm) AIQ3 (100 nm) Si0 (25 nm) 25 nm B61 fret) Ag (15 nm) Si0 (25 nm) 25 nm B93 Ag (15 nm) AIQ3 (100 nm) Si0 (25 nm) 160VV, 180s (nettoyage) 25 nm A273 Ag (15 nm) AIQ3 (100 nm) Si0 (25 nm) 5 min 90VV, 50s ("RIE") 25 nm II est important de noter ici que le plasma 02 réalisé sur le niveau Si0 de l'OLED ne donne pas naissance à des points noirs dans l'état initial. Au contraire, à to, les taux de Q2 (diodes matricées) parfaits sur « TemaB55 », « TemaB61 » et « TemaB93 » sont respectivement de 98 68 % et 90 %. Pour les taux de Q1 (diodes planes), ces valeurs sont respectivement de 92 %, 62 % et 90 %. Sur la figure 13, on a comparé ces 2977720 is mêmes taux après 200 h. Il apparaît clairement sur les diodes Q2 une amélioration dès lors que le traitement plasma est effectué sur le SiOx avant le dépôt d'AI2O3. Les trois courbes visibles sur le graphique de la figure 14 5 représentent les caractéristiques IV des diodes (Q2, to) «TemaA273 », « TemaB61 » et « TemaB74 », respectivement, et ces courbes montrent que les caractéristiques des diodes (Q2) ayant subi le passage à l'air puis le traitement plasma (i.e. « TemaA273 ») ne sont pas affectées en comparaison de la référence « TemaB61 ». De manière prévisible, la référence 10 « TemaB74 » sans encapsulation AI2O3 subit une oxydation immédiate de sa cathode fine dès sa sortie à l'atmosphère respirable, menant inévitablement à un décalage important vers les tensions élevées, à courant fixé. En général, les diodes Q2 étant très sensibles à l'atmosphère, elles se dégradent très vite sur les dispositifs de type « TemaB74 » et n'émettent plus de lumière aux 15 tensions usuelles de fonctionnement (V REVENDICATIONS1) Dispositif optoélectronique organique (1), tel qu'un micro-afficheur à diodes électroluminescentes organiques, ce dispositif comprenant : 5 - un substrat (2), - au moins une unité électroluminescente déposée sur ce substrat et incorporant une électrode interne (5) adjacente au substrat, une électrode externe (10) transparente ou semi-transparente à la lumière émise par l'unité et définissant une zone active (4) d'émission lumineuse et, entre 10 ces électrodes, un empilement de films organiques (6, 7, 8), et - une structure d'encapsulation (13, 14, 15) étanche à couche(s) mince(s) qui comprend au moins une couche inorganique (13, 15) qui surmonte ladite unité électroluminescente en l'enveloppant latéralement, caractérisé en ce que ce dispositif comprend en outre une 15 structure de pré-encapsulation (11, 12) qui est localisée entre l'électrode externe et la structure d'encapsulation et qui comprend une couche tampon (11) recouvrant l'électrode externe et à base d'au moins un complexe organométallique hétérocyclique de température de transition vitreuse supérieure à 80° C, et une couche barrière (12) recouvrant cette couche 20 tampon et à base d'un oxyde de silicium de formule SiOX, avec x nombre réel telque0 2) Dispositif (1) selon la revendication 1, caractérisé en ce que la ou chaque unité électroluminescente est de type hybride, au moins l'un des 25 films actifs (6, 7) dudit empilement qu'elle comporte, de préférence le(s) plus interne(s) formant par exemple au moins un film de transfert d'électrons (« ETL »), un film d'injection de trous (« HIL ») et/ou un film de transfert de trous (« HTL »), étant déposé par voie liquide sur tout le substrat (2) puis structuré par une gravure sèche (P) de sorte que ce(s) film(s) structuré(s) (6, 30 7) se termine(nt) latéralement au droit ou en deçà d'un bord périphérique de ladite couche barrière (12). 3) Dispositif (1) selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite structure de pré-encapsulation (11, 12) forme un masque dur apte à résister à ladite gravure sèche (P), par exemple mise en oeuvre par un plasma d'oxygène ou par gravure ionique réactive (« RIE »). 4) Dispositif (1) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit complexe organométallique de la couche tampon (11) est dérivé de la quinoléine ou de la benzoquinoléine et présente une température de transition vitreuse supérieure à 80° C. 5) Dispositif (1) selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit complexe organométallique est le tris-(8-hydroxyquinoléinate) d'aluminium III (AIg3). 6) Dispositif (1) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit oxyde de silicium de formule SiOX de ladite couche barrière (12) est tel que x est sensiblement égal à 1, et en ce que cette couche barrière est déposée par évaporation thermique non réactive. 20 7) Dispositif (1) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche tampon (11) présente une surface d'aire au moins égale à celle de ladite électrode externe (10), laquelle est de préférence constituée d'une cathode en argent, et en ce que ladite couche barrière (12) présente une surface d'aire au moins égale à celle de la couche 25 tampon, ladite couche barrière se terminant latéralement sensiblement au droit d'un bord périphérique de la ou de chaque unité électroluminescente correspondante. 8) Dispositif (1) selon la revendication 7, caractérisé en ce que 30 ladite couche barrière (12) déborde latéralement autour de ladite couche tampon (11) qui déborde latéralement autour de ladite électrode externe (10), 10 15lesdites couches tampon et barrière s'étendant toutes deux continûment à partir de films internes (6 et 7) dudit empilement de films (6, 7, 8). 9) Dispositif (1) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite structure d'encapsulation (13, 14, 15) comprend une dite couche inorganique, ou couche inorganique interne (13), qui est déposée sur ladite couche barrière de pré-encapsulation (12) par dépôt de couche atomique (« ALD ») ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (« PECVD »), qui est à base d'au moins un composé inorganique choisi dans le groupe constitué par les composés de formule AlxOy, SiOx, SixNy, SiOXNy, ZnSe, Sb2O3 et les oxydes transparents conducteurs (OTC) optionnellement combinés à un métal, et qui est de préférence à base d'AI2O3 déposé par « ALD », cette couche inorganique interne s'étendant à partir du substrat (2) en enrobant latéralement ladite couche barrière et plusieurs desdits films organiques (6 et 7) dudit empilement (6, 7, 8). 10) Dispositif (1) selon la revendication 9, caractérisé en ce que ladite structure d'encapsulation (13, 14, 15) comprend également : - au moins une couche polymérique photosensible gravée (14) qui est de préférence à base d'une résine positive de photolithographie et qui recouvre ladite couche inorganique interne (13) de manière latéralement enveloppante en s'étendant à partir du substrat (2), et - une autre dite couche inorganique, ou couche inorganique externe (15), qui est par exemple à base du même composé que ladite couche inorganique interne et qui recouvre de manière latéralement enveloppante cette couche polymérique photosensible, de sorte à former une pluralité de surfaces parallèles entre elles et sensiblement perpendiculaires au plan (3) du substrat qui forment autant d'obstacles à la pénétration latérale de vapeur d'eau vers ladite ou chaque zone active (4) du dispositif.30 22 11) Procédé d'encapsulation d'un dispositif (1) selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives suivantes : a) on dépose ladite couche tampon (11) sur ladite électrode externe (10) de la ou de chaque unité électroluminescente, cette couche tampon étant de préférence à base d'un complexe organométallique dérivé de la quinoléine ou de la benzoquinoléine de température de transition vitreuse supérieure à 100° C tel que le tris-(8-hydroxyquinoléinate) d'aluminium III (AIg3), b) on dépose par évaporation thermique non réactive ladite couche barrière (12) sur cette couche tampon, cette couche barrière étant à base d'un oxyde de formule SiOX avec de préférence x sensiblement égal à 1 et enrobant latéralement cette couche tampon, c) on transfère optionnellement la ou chaque unité électroluminescente recouverte de ces couches tampon et barrière en vue de son encapsulation, directement à l'atmosphère ambiante sans la confiner dans une enceinte de transfert telle qu'une boîte à gants, d) on soumet à une gravure sèche (P), par exemple mise en oeuvre par un plasma d'oxygène ou par gravure ionique réactive (« RIE »), la ou chaque unité électroluminescente recouverte de ces couches tampon et barrière (11 et 12), puis e) on dépose sur cette couche barrière (12) une dite couche inorganique de ladite structure d'encapsulation (13, 14, 15), ou couche inorganique interne (13), par dépôt de couche atomique (« ALD ») ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (« PECVD »), cette couche inorganique interne étant à base d'au moins un composé inorganique choisi dans le groupe constitué par les composés de formule AIXOy, SiOX, SiXNy, SiOXNy, ZnSe, Sb2O3 et les oxydes transparents conducteurs (OTC) optionnellement combinés à un métal, et qui est de préférence à base d'AI2O3 déposé par « ALD », de telle sorte que cette couche inorganique interne s'étende à partir du substrat en enrobant latéralement la couche barrière et le(s)dit(s) films (s) le(s) plus interne(s) (6, 7) dudit empilement.12) Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'étape d) est menée pour structurer l'un au moins des films actifs les plus internes (6, 7) dudit empilement (6, 7, 8) de cette unité dans le cas où il a été déposé par voie liquide sur tout le substrat (2) de sorte qu'il se termine latéralement au droit ou en deçà d'un bord périphérique de ladite couche barrière (12) par enlèvement de la portion dudit au moins un film (6, 7) dépassant latéralement de la couche barrière, ledit au moins un film ainsi structuré formant par exemple un film de transfert d'électrons (« ETL »), un film d'injection de trous (« HIL ») et/ou un film de transfert de trous (« HTL »), ces couches tampon et barrière jouant alors le rôle d'un masque dur lors de cette gravure. 13) Procédé selon la revendication 11 ou 12, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape f) consécutive à l'étape e) où : f1) on dépose en phase liquide sur ladite couche inorganique interne (13) une couche photosensible (14) qui est par exemple à base d'une résine positive de photolithographie, f2) on grave cette couche photosensible ainsi déposée par insolation à des emplacements prédéterminés en la masquant sélectivement des rayonnements d'insolation pour qu'elle soit, d'une part, polymérisée suite à cette insolation au-dessus de ladite couche inorganique interne et en une portion enveloppante enrobant latéralement cette couche inorganique interne à partir du substrat (2) et, d'autre part, dépolymérisée ailleurs, puis f3) on développe cette couche photosensible polymérisée par trempage dans un bain, optionnellement suivi d'une insolation complémentaire de cette couche photosensible (14). 14) Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape g) consécutive à l'étape f) où l'on dépose sur ladite couche polymérique photosensible (14) une autre dite couche inorganique, ou couche inorganique externe (15), qui est par exemple à basedu même composé que ladite couche inorganique interne (13) et qui recouvre également de manière latéralement enveloppante cette couche polymérique photosensible, de sorte à former une pluralité de surfaces parallèles entre elles et sensiblement perpendiculaires au plan (3) du substrat (2) qui forment autant d'obstacles à la pénétration latérale de vapeur d'eau vers la ou chaque zone active (4) du dispositif.