FR 2977079 A1 20121228 FR 1155716 A 20110627 PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES À HÉTÉROJONCTION POUR AMELIORER ET STABILISER LEUR RENDEMENT. L'invention se rapporte à un procédé de traitement de cellules photovoltaïques pour améliorer et stabiliser leur rendement. Les cellules photovoltaïques à hétérojonction sont constituées par l'association de deux matériaux semi-conducteurs : silicium cristallin et silicium amorphe, par opposition aux cellules à homojonction constituées en associant deux zones du même matériau. Plus particulièrement, une cellule à hétérojonction comprend, en référence à la figure 1, une couche centrale 1 en silicium cristallin sur et sous laquelle sont disposées deux couches 2 et 3, dites « de passivation » en silicium amorphe, c'est-à-dire une couche supérieure 2 et une couche inférieure 3. Le substrat silicium utilisé en couche centrale 1 est un substrat de type mono-cristallin (CZ ou FZ), de type N, c'est-à-dire en particulier dépourvu d'atomes de Bore dans le volume, sauf à l'état de traces (l'état de trace est défini, dans la présente invention, comme une concentration de Bore, notée [B], comprise entre 0 et 1.1016at/cm3). Dans le cadre de l'invention, les couches de passivations 2 et 3 sont en silicium amorphes hydrogénées (a-Si :H). Le substrat en silicium cristallin 1 doit contenir le moins d'impuretés possibles pour maximiser les performances de la cellule photovoltaïque. De la même manière, l'interface entre le silicium cristallin 1 et les couches 2 et 3 en silicium amorphe a-Si :H doit être la plus parfaitement nettoyée et passivée possible avant dépôt afin de garantir une très bonne tension aux bornes de la cellule. Ces nettoyages ont pour objectif d'éliminer les particules organiques et métalliques, mais aussi de saturer en hydrogène tous les défauts de surface résiduels en surface. Un certain nombre de nettoyages différents existent, plus ou moins efficaces pour améliorer la passivation. De la même manière, la passivation peut être améliorée en jouant sur la nature de la couche de silicium amorphe 2-3, son épaisseur et son dopage. Chaque couche de silicium amorphe 2-3 est recouverte d'une couche, respectivement supérieure 4 et inférieure 5, d'un oxyde transparent 5 conducteur électrique. Des électrodes métalliques 6 sont disposées sur la face libre de la couche 4 d'oxyde transparent conducteur électrique, dite « face avant » car destinée à recevoir le flux lumineux en utilisation, et des électrodes métalliques 7 sont disposées sur la face libre de la couche 5 d'oxyde 10 transparent conducteur électrique, dite « face arrière », par opposition à la face avant. Les électrodes 6 sont constituées d'une grille métallique, afin de laisser passer les photons vers les couches de silicium 1, 2 et 3. Les électrodes 7 peuvent être soit une grille (comme les 15 électrodes 6), soit une couche continue. Dans ce cas, les photons ne peuvent pas passer à travers cette couche opaque pour rejoindre les couches de silicium 1, 2 et 3. Afin d'améliorer le rendement d'une cellule photovoltaïque, il a déjà été proposé de soumettre la cellule à un traitement thermique (chauffage 20 ce la cellule à une température comprise entre 50°C et 230°C) pendant une mise sous tension de la cellule. Ce type de traitement a toujours été réservé aux cellules constituées de silicium enrichi en atome de Bore. En effet, de telles cellules peuvent avoir un rendement de conversion énergétique qui diminue au cours de leur utilisation (c'est-à-dire lorsqu'elles sont éclairées). 25 Cet effet est lié à la formation, lors de l'éclairement, de complexes qui associent un atome de bore en position substitutionnelle (Bs) et un dimère d'oxygène (Oi2). Lors de l'éclairement, le dimère mobile d'oxygène diffuse vers l'atome de bore immobile. Le complexe formé introduit un niveau en énergie profond dans la bande interdite du silicium, qui permet la recombinaison des 30 charges libres, et par conséquent diminue la durée de vie des porteurs de charges et le rendement de conversion énergétique de la cellule. Pour une cellule à hétérojonction de type N (c'est-à-dire dont le substrat de silicium utilisé pour la couche centrale 1 est dépourvu de Bore, sauf à l'état de trace), la Demanderesse s'est aperçu qu'un tel traitement pouvait être adapté pour améliorer le rendement de cette cellule, alors même que cette cellule ne contient pas de Bore, sauf à l'état de trace. L'invention a donc pour objet de proposer un procédé de traitement de cellules photovoltaïques de type N dépourvu de Bore. A cette fin, l'invention propose d'éclairer la cellule à hétérojonction de type N pendant un traitement thermique conduit à une 10 température comprise entre 20 et 200°C. Plus particulièrement, l'invention concerne un procédé de traitement de cellules photovoltaïques de type N pour améliorer et stabiliser leur rendement, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : - fournir une cellule photovoltaïque à hétérojonction de type N, 15 comprenant une couche centrale en silicium cristallin sur et/ou sous laquelle est disposée une couche de passivation en silicium amorphe hydrogéné ; - chauffer cette cellule à une température comprise entre 20°C et 200°C pendant une durée de traitement déterminée, tout en 20 soumettant la cellule photovoltaïque à un flux lumineux déterminé. Selon d'autres modes de réalisation : - le flux lumineux peut être supérieur ou égal à 100W/m2, de préférence supérieur ou égal à 500W/m2 ; - la durée de traitement déterminée peut être inférieure à 48 heures, de 25 préférence comprise entre 30 minutes et 12 heures, avantageusement environ 10 heures ; - la température de chauffage peut être comprise entre 35 et 80°C ; - l'étape de chauffage sous éclairement peut être continue ou séquentielle ; 30 - la cellule photovoltaïque à hétérojonction de type N fournie peut comprendre des électrodes métalliques en surface et/ou une couche anti réflectrice favorisant, ainsi, la pénétration des photons dans la cellule. L'invention se rapporte également à une cellule photovoltaïque obtenue par le procédé précédent, présentant une valeur absolue IVocl de tension en circuit ouvert supérieure à la valeur absolue initiale (Voclinitiale. D'autres caractéristiques de l'invention seront énoncées dans la description détaillée ci-après, faite en référence aux figures annexées qui représentent, respectivement : - la figure 1, une vue schématique en perspective d'une cellule à hétérojonction utilisée dans le cadre de l'invention ; - la figure 2, une vue schématique en coupe d'une installation pour mettre en oeuvre le procédé selon l'invention ; - la figure 3, un graphique illustrant le gain en passivation d'une cellule à hétérojonction subissant un traitement selon l'invention ; et - la figure 4, un graphique illustrant l'impact de l'intensité du flux d'illumination incident sur le gain final en passivation d'une cellule à hétérojonction, pour des intensités du flux entre 3.5 et 5A. Le procédé de traitement de cellules photovoltaïques selon l'invention comprend une première étape de fourniture d'une cellule photovoltaïque à hétérojonction de type N, c'est-à-dire dépourvue d'atomes de Bore, sauf à l'état de traces (concentration de Bore, notée [B], comprise entre 0 et 1.1016at/cm3). La cellule comprenant une couche centrale 1 en silicium cristallin sur et sous laquelle sont disposées deux couches 2 et 3 de passivation en silicium amorphe hydrogéné. Ensuite, la cellule est chauffée à une température comprise entre 20°C et 200°C pendant une durée de traitement déterminée, tout en soumettant la cellule photovoltaïque à un flux lumineux déterminé. Le traitement peut se faire à l'air libre ou dans une enceinte chauffante, telle qu'un four. II est inutile d'effectuer le traitement dans une enceinte à pression, atmosphère ou hydrométrie contrôlée. Un schéma simplifié du dispositif utilisé est présenté en figure 2. La cellule considérée 10 est déposée sur une plaque chauffante 20 et sous une source lumineuse 30. Il est possible de travailler avec une ou plusieurs source(s) lumineuse(s). En outre, la plaque chauffante 20 peut être remplacée par un four 40 à la température désirée. Ainsi, l'invention décrite se propose d'améliorer encore plus la passivation de surface pour un couple couche active déposée/nettoyage donné, et ce sans jouer sur les procédés de nettoyage ou sur la nature des couches déjà largement connues. L'illumination sous température se fait après les étapes de nettoyage et de dépôt des couches passivantes 2 et 3. Elle peut d'ailleurs ensuite se faire indifféremment en cours de fabrication de la cellule (couches 4 - 5 et/ou électrodes 6 - 7 non déposées), ou sur une cellule terminée (couches 4 - 5 et électrodes 6 - 7 déposées). Dans le cas où le procédé selon l'invention est utilisé sur une cellule terminée, pour une cellule à hétérojonction classique avec grille de métallisation en face avant et en face arrière, le flux lumineux peut être appliqué indifféremment via la face avant ou la face arrière. Dans le cas où une métallisation opaque est utilisée sur la face arrière (couche continue métallique par exemple), l'éclairement doit obligatoirement être appliqué sur la face avant. Un exemple de gain en passivation (Voc) en fonction du temps d'éclairement est présenté en figure 3. On note un gain continu en passivation qui tend à se saturer au cours du temps. Autrement dit, à éclairement et chauffage constant, il devient inutile de poursuivre le traitement au-delà d'une durée seuil. La durée de traitement selon l'invention est inférieure à 48 heures, de préférence comprise entre 30 minutes et 12 heures. Avantageusement, la durée de traitement est d'environ 10 heures pour un flux lumineux d'au moins 100 W/m2, de préférence supérieur ou égal à 500W/m2. Pour l'illumination, il est nécessaire d'apporter une quantité suffisante d'énergie pour activer correctement le procédé. De préférence, on propose d'éclairer la cellule avec un halogène supérieur ou égal à 500W de puissance. Cependant, un gain en passivation est observé quelle que soit l'énergie de l'éclairement incident. Mais plus l'intensité de l'éclairement diminue, plus le gain en passivation sera faible et surtout, dans l'optique d'une industrialisation du procédé, plus la cinétique de la réaction sera diminuée. Ainsi, comme le montre la figure 4, la puissance de l'illumination a un effet déterminant sur l'intensité et la cinétique du gain en passivation. A températures de chauffage égales, les cellules éclairées avec une intensité de flux lumineux de 3,5 A (courbe en trait plein) et de 4 A (courbe en tirets) saturent beaucoup plus rapidement qu'une cellule éclairée avec une intensité de flux lumineux de 5 A (courbe en points), et à une valeur inférieure de passivation. Pour déterminer la limite haute de puissance d'éclairement à appliquer en fonction des caractéristiques de la cellule à traiter, il est nécessaire de prendre en compte l'échauffement de la cellule généré par l'éclairement. En effet, les cellules à hétérojonction de type N se dégradent pour des températures supérieures ou égales à 200°C. Il faut donc veiller à ce que l'intensité du flux lumineux incident soit limitée en termes d'échauffement, car celui-ci s'ajoute à l'échauffement réalisé par la plaque chauffante ou le four. Selon l'invention, la température de chauffe de la plaque ou du four est comprise entre 20 et 200°C, avantageusement entre 35 et 80°C. Cela dépend fortement du type de substrat et du type de couche de passivation utilisée. Selon d'autres caractéristiques de l'invention, la cellule photovoltaïque à hétérojonction de type N peut également être de type RCC, c'est-à-dire que toutes les métallisations et couches actives sont regroupées sur la face arrière de la cellule. La surface arrière peut alors être la seule passivée par un dépôt de couche amorphe hydrogénée. Le dépôt en face avant est donc indifférent, pourvu qu'il soit transparent au maximum à l'intensité du flux lumineux incident et qu'il assure une bonne passivation de surface. Par ailleurs, le procédé selon l'invention est avantageusement 5 continu, mais il peut être séquentiel, c'est-à-dire qu'il peut être interrompu puis repris. La cellule photovoltaïque à hétérojonction de type N fournie peut comprendre une couche antiréflectrice favorisant, ainsi, la pénétration des photons dans la cellule. 10 REVENDICATIONS1. Procédé de traitement de cellules photovoltaïques de type N, dépourvues d'atomes de Bore, sauf à l'état de traces pour améliorer et stabiliser leur rendement, ledit procédé comprenant les étapes suivantes : fournir une cellule photovoltaïque à hétérojonction de type N, comprenant une couche centrale (1) en silicium cristallin sur et/ou sous laquelle est disposées une couche (2-3) de passivation en silicium amorphe hydrogéné ; - chauffer cette cellule à une température comprise entre 20°C et 200°C pendant une durée de traitement déterminée, tout en soumettant la cellule photovoltaïque à un flux lumineux déterminé. 2. Procédé de traitement selon la revendication 1, dans lequel le flux lumineux est supérieur ou égal à 100 W/m2, de préférence supérieur ou égal à 500W/m2 ; 3. Procédé de traitement selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel la durée de traitement déterminée est inférieure à 48 heures, de préférence comprise entre 30 minutes et 12 heures, avantageusement d'environ 10 heures. 4. Procédé de traitement selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la température de chauffage est comprise entre 35 et 80°C. 5. Procédé de traitement selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel l'étape de chauffage sous éclairement est continue ou séquentielle. 6. Procédé de traitement selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la cellule photovoltaïque à hétérojonction de type N fournie comprend des électrodes métalliques (6-7) en surface. 7. Procédé de traitement selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la cellule photovoltaïque à hétérojonction de type N comprend au moins une couche antiréflectrice. 8. Cellule photovoltaïque obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisée en ce qu'elle présente une valeur absolue IVocl de tension en circuit ouvert supérieure à la valuer absolue initiale IVoclinitiale-