FR 2895168 A1 20070622 FR 0513000 A 20051221 Structure de balun a large bande passante. DOMAINE DE L'INVENTION L'invention concerne le domaine des dispositifs electroniques connus sous le nom de "baluns", et plus particulierement le domaine des melangeurs a large bande passante, employes notamment dans les chaines d'emission et de reception radioelectriques, et realises a partir de baluns. CONTEXTE DE L'INVENTION - ART ANTERIEUR Lorsque lion veut realiser un dispositif melangeur tel que celui dont le schema de principe est represents sur la figure 1, it est connu d'utiliser des composants non lineaires tels que des diodes ou des transistors pour realiser des structures de preference equilibrees ou doublement equilibrees. Par structure equilibree on entend une structure ayant pour caracteristiques de fonctionner a partir d'ondes differentielles c'est a dire en utilisant 2 signaux de meme amplitude mais en opposition de phase (cas des structures simplement equilibrees) ou a partir de 2 paires d'ondes differentielles (cas des structures doublement equilibrees). Cela permet alors d'eliminer en sortie certains battements indesirables du signal d'entree et / ou du signal provenant de I'oscillateur local. La mise sous forme differentielle de ces signaux est generalement realisee, lorsqu'il s'agit de montages electroniques a base de composants discrets, par I'intermediaire de structures passives de type transformateur a double enroulement et a point milieu, ou transformateur differentiel. Ces structures presentent I'avantage d'etre a large bande et de ne necessiter aucune alimentation. Ce sont des circuits passifs ideals et reciproques, qui peuvent donc titre utilises aussi bien en entree qu'en sortie de melangeur. En revanche, ce sont des structures par nature encombrante, un transformateur comportant necessairement des conducteurs bobines formant un certain nombre de spires autour d'un element magnetisable, un noyau de ferrite par exemple. Ce sont en outre des structures dont la bande passante est limitee au domaine des basses frequences, typiquement a quelques centaines de MHz. C'est pourquoi lorsque I'on souhaite realiser un dispositif melangeur integre a structure monolithique, a large bande passante, en technologie MMIC ("Monolithic Microwave Integrated Circuit" selon la terminologie anglo- saxonne) par exemple, it faut avoir recours a des structures differentes pour attaquer les entrees/sorties du melangeur. Dans ce cadre it est connu d'utiliser des structures appelees baluns large bande. Le terme "balun" qui est une contraction de ('expression anglo-saxonne "balanced û unbalanced" designe de maniere generale un dispositif a trois acces capable soit de diviser un signal d'entree en deux signaux de sortie de meme amplitude et dephases entre eux de 180 , et de realiser ainsi un circuit diviseur de puissance avec sorties en opposition de phase, soit de recombiner deux signaux d'entree de sorte que le signal de sortie represente la difference des signaux d'entree et de realiser alors un circuit combineur avec entrees en opposition de phase. Dans le domaine des hyper frequences, ces elements (diviseur et combineur) peuvent titre passifs et realises au moyen de structures constituees de lignes de transmission couplees. On parle alors de baluns passifs. Les baluns passifs presentent I'avantage d'etre reciproques. En revanche, ils presentent ('inconvenient d'avoir une bande passante par construction limitee et un encombrement fonction de la longueur d'onde moyenne du signal traite. Ces elements peuvent egalement titre des elements actifs bases sur une structure distribuee constituee de transistors couplant activement 2 lignes de transmission artificielles. On parle alors de baluns actifs. Les baluns actifs presentent I'avantage d'offrir potentiellement une bande passante plus large, et de presenter un certain gain. En revanche les baluns actifs presentent ('inconvenient de ne pas titre reciproques. La realisation de diviseurs et combineurs au moyen de baluns actifs conduit donc a associer a un melangeur un etage differentiel d'entree different de I'etage differentiel de sortie. Les modeles connus de baluns actifs a structure distribuee permettent de realiser des circuits combineurs et des circuits diviseurs de puissance pouvant titre associes a un circuit melangeur. Ces modeles comportent des cellules constituees de montages a transistors en configuration "grille commune" ou "source commune" suivant quills constituent la voie de reference ou la voie en opposition de phase. Quoi que remplissant globalement la fonction de diviseur ou de combineur souhaitee, ces modeles presentent generalement un double inconvenient : - d'une part ils sont difficiles a equilibrer. Les gains des deux voies sont sensiblement differents, de sorte que I'equilibrage est generalement realise en limitant le gain de la voie de plus grand gain, ce qui a pour effet de limiter sensiblement le gain qu'il est possible d'obtenir avec de tels modeles. - d'autre part, ('adaptation radioelectrique des entrees de tels modeles est difficile a realiser. Ces deux inconvenients ont en particulier pour consequence de rendre delicate la realisation de maniere aisement reproductible de circuits melangeurs a baluns actifs, sous forme MMIC. PRESENTATION DE L'INVENTION Un but de ('invention est notamment de pallier les inconvenients presentes par I'utilisation des modeles de baluns connus en particulier dans les melangeurs en technologie MMIC. A cet effet ('invention a pour objet un dispositif balun a large bande passante, comportant deux structures amplificatrices distribuees. Chaque structure est constituee de cellules elementaires mises cascade, chaque cellule comportant quatre acces, chacune de ces cellules formant un montage serie-parallele comportant quatre inductances mises en serie deux a deux et un element actif mis en parallele sur les inductances, I'element actif etant constitue d'un transistor a effet de champ en configuration source commune dans une des deux structures et en configuration grille commune dans I'autre structure. Selon I'invention, chaque cellule comporte egalement un deuxieme element actif constitue d'un transistor a effet de champ associe au premier transistor pour former un etage d'adaptation de ('impedance d'entree de chaque cellule. Selon ('invention, les transistors constituant les etages d'adaptation sont montes de fawn a ce que chacune des structures soit constituee d'une ligne de grille et d'une ligne de drain, les deux lignes etant couplees de maniere active par les generateurs de courant formes par les circuits de sortie des montages a transistors qui constituent les cellules. Selon une caracteristique de ('invention, les cellules d'une des structures comportent des transistors assembles suivant un montage de type "Cascode" et les cellules de I'autre structure comportent des transistors assembles suivant un montage de type "Darlington" les deux structures fournissant ainsi des signaux en opposition de phase run par rapport a I'autre. L'invention presente en particulier pour avantage de masquer les differences d'impedance d'entree entre les deux structures amplificatrices distribuees constituant le balun, difference que lion peut constater au niveau du balun actif classique. Ces differences d'impedance sont notamment responsables de ('existence d'un biais sur le dephasage entre signaux, et d'une difference de gain entre les chaines d'amplification que constituent les deux structures. Avantageusement le dispositif selon ('invention peut aussi bien titre realise au moyen de transistors a effet de champ, qu'au moyen de transistors bipolaire. Dans ce dernier cas, les montages "grille commune" sont remplaces par des montages "base commune" et les montages "source commune" sont remplaces par des montages "emetteur commun". DESCRIPTION DES FIGURES Les caracteristiques de ('invention ainsi que ses avantages sont clairement presentes dans la description qui suit, description illustree par les figures annexees qui representent : la figure 1, un schema de principe de melangeur equilibre comportant 30 des structures differentielles en entree/sortie, Ia figure 2, le schema de principe d'un balun passif et reciproque, utilise en hyperfrequence, et connu sous le nom de balun de Marchand, Ia figure 3, un exemple de realisation, en technologie MMIC, d'un balun de Marchand, au moyen d'elements de circuits imprimes, les figures 4 et 6, les schemas de principe de deux types de baluns actifs pris comme exemples, realises a partir de structures distribuees connues de ['art anterieur, les figures 5 et 7, les schemas de principe des deux types de baluns 5 actifs correspondants, realises selon !'invention, les figures 8 et 9, les courbes relatives a des simulations realisees respectivement sur un balun diviseur et sur un balun combineur selon !'invention. 10 DESCRIPTION DETAILLEE La description du dispositif selon !'invention est ici realisee au travers de !'application particuliere a un melangeur. Cette application qui sert de support a la description n'est bien entendu nullement limitative. 15 On s'interesse dans un premier temps a la figure 1. Cette figure represente le schema electrique de principe d'un montage mettant en oeuvre un melangeur equilibre 11, ici un pont de transistors a effet de champ, ou FET (pour "Field Effect Transistor") selon la denomination anglo-saxonne. Ce 20 melangeur permet en particulier d'effectuer une transposition de frequence d'un signal radioelectrique ( ou signal "RF") en un signal de plus basse frequence (ou signal "Fl") en combinant ce signal avec un signal fourni par exemple par un oscillateur local (signal "LO"). II permet egalement la transposition inverse d'un signal "Fl" en signal "RF". Ce melangeur equilibre 25 etant concu pour effectuer le melange de signaux flottants, it est necessaire si I'on veut effectuer le melange de signaux references, par rapport a la masse du montage par exemple, d'utiliser des elements differentiels 12, 13 et 14 en entree et en sortie du melangeur. Si lion considere un montage electronique classique realise a partir de composants discrets, les elements 30 differentiels les plus utilises sont des transformateurs comportant un enroulement primaire T1 et deux enroulements secondaires identiques T2 et T3 dont les bornes sont connectees de fagon a generer deux tensions en opposition de phase. Realiser ces elements differentiels au moyen de transformateurs presente 35 beaucoup d'avantages. Cela permet en particulier de disposer d'elements facilement reproductibles et de faible cont. Ce sont en outre des elements qui presentent I'avantage de disposer d'une bande passante satisfaisante et d'etre des elements passifs reciproques qui peuvent donc effectuer aussi bien la transformation d'un signal reference a la masse en signal differentiel comme les elements 12 et 13 de la figure que la transformation inverse comme ('element 14. En revanche de tels elements sont relativement lourds et encombrants de sorte qu'il n'est pas facile de les miniaturiser. De plus, s'agissant d'elements comportant des lignes couplees par I'intermediaire d'un noyau de ferrite la frequence de fonctionnement maximale du noyau de ferrite, typiquement quelques centaines de MHz, limite leur plage de fonctionnement aux basses frequences et interdit leur utilisation dans le domaine des hyperfrequences. Ce sont en outre des elements qu'il nest par nature pas possible de realiser au sein d'un circuit integre monolithique. Leur emploi est donc peu compatible de ('utilisation d'une technologie de type MMIC. D'autre part, s'agissant d'elements passifs ces transformateurs ne procurent aucun gain sur le signal. Pour realiser des melanges de signaux a tres haute frequence une methode connue consiste a utiliser non plus des transformateurs, difficiles a realiser aux tres hautes frequences, mais des lignes couplees, generalement realisees sous la forme de pistes imprimees sur un substrat semi-conducteur de type arseniure de Gallium par exemple. La figure 2 propose le schema de principe de tels elements, connus de I'homme du metier sous la denomination de "baluns de Marchand". On rappelle que comme it a ete dit precedemment, le terme "balun" est une contraction de I'expression anglosaxonne "balanced-unbalanced". Comme I'illustre la figure 2, un tel balun se compose principalement d'une ligne principale 21 a laquelle sont couplees deux lignes identiques 22 et 23 La ligne principale 21 a une longueur sensiblement egale a la moitie (X,I2) de la longueur d'onde a, correspondant a la frequence centrale du signal applique sur ('entree 24. L'extremite opposee 25 de la ligne principale 21 est par ailleurs laissee ouverte. Les deux lignes couplees 22 et 23 ont une longueur egale a X/4. Chacune 35 des lignes a une extremite, 26 ou 27, connectee a la masse du circuit dont elles font partie, les autres extremites 28 et 29 constituant les sorties du balun. La disposition des lignes 22 et 23 est en outre optimisee de fawn a ce que les sorties 28 et 29 presentent des signaux en opposition de phase. De maniere connue, on obtient ainsi entre les deux sorties 28 et 29 un signal differentiel (ou flottant) d'amplitude 2V. L'evolution de la tension couplee mesuree sur chacune des deux lignes 22 et 23, en fonction de la position du point de mesure sur la ligne est illustree sur le diagramme de la figure 210. Sur ce diagramme les courbes 212 et 213 representent la valeur de la tension presente respectivement sur Ies lignes 22 et 23, la courbe 211 representant quanta elle la tension le long de la ligne principale 21. On peut constater a ('etude de ce diagramme que pour deux points quelconques situes chacun sur une des lignes 22 ou 23, a une meme distance z de I'extremite mise en court circuit de la ligne correspondante, les tensions mesurees a un instant donne sont de signes opposes. Elles presentent donc bien, de maniere connue, un dephasage de 180 . Le balun passif de type "Marchand", constitue par des lignes de transmission de longueurs determinees presente I'avantage d'etre simple a realiser. II presente egalement I'avantage, comme tout montage passif d'etre par nature reciproque. En revanche, it presente ('inconvenient de tout coupleur passif d'avoir des dimensions adaptees a une longueur d'onde precise et qu'il cesse de fonctionner de maniere correcte sit& que lion s'eloigne du voisinage de cette longueur d'onde. Un tel dispositif ne peut donc pas titre utilise pour des applications en large bande c'est a dire pour des signaux dont la frequence s'etale sur plusieurs octaves. En outre, aux frequences basses, ces structures a base de lignes de dimension egales a la demi-longueur d'onde X/2 du signal, presentent un encombrement important et ne sont donc pas compatibles avec des technologies MMIC. Ainsi, par exemple, pour une frequence egale a 2 GHz, la demi-longueur d'onde, X/2, mesure 26,4 mm ce qui represente une taille trop importante pour titre integree dans un circuit MMIC. Une solution connue pour contourner cet inconvenient lie a la taille du dispositif, consiste a realiser une structure de lignes couplees en forme de spirales telle que celle illustree par la figure 3 De tels baluns, realises a partir de spirales imbriquees, ont pour des frequences relativement elevees, de I'ordre de quelques GHz par exemple, une taille qui permet leur integration dans un circuit MMIC. Its presentent en outre une bande passante relativement large et permettent de realiser des baluns passifs dont la bande passante s'etend par exemple de 2GHz a 12GHz. Cependant les pertes restent importantes, la surface tits grande, Ies adaptations mediocres en particulier en ce qui concerne les sorties couplees 32 et 33. La precision du dephasage entre les signaux presents sur les sorties est en outre limitee, I'erreur commise autour de la valeur souhaitee etend d'environ une quinzaine de degres. Face aux solutions utilisant des dispositifs passifs a base de lignes de transmission, it est possible de realiser des baluns a ('aide de composants actifs. Une solution connue consiste a utiliser des structures distribuees actives. L'avantage d'une structure distribuee active est de generer du gain et de realiser des circuits tits large bande avec un encombrement minimal. Le principe de fonctionnement des structures distribuees actives, principe connu de I'homme du metier, n'est pas detaille ici. De telles structures sont notamment decrites dans les documents suivants : - [1] L. B. Beyer, S. N. Prasad, R. C. Becker, J. E. Nordman, G. K. Hohenwarter, Y. Chen "Wideband Monolithic Microwave Amplifier Study" - Rapport de I'universite de Wisconsin-Madison pour le gouvernement US, 1983 - [2] A. M. Pavio, R. H. Halladay, S. D. Bingham, C. A. Sapashe - "Double Balanced Mixers Using Active and Passive Techniques" - IEEE transactions on microwave theory and techniques, vol 36, n 12, 1988. 30 Pour realiser un balun au moyen de structures actives distribuees, qui par nature ne sont pas des structures reciproques, it convient d'envisager les deux fonctionnalites pouvant titre realisees par un balun passif. La premiere fonctionnalite consiste a fabriquer un signal differentiel a partir d'un signal reference. Cette fonctionnalite se traduit par une division en 35 deux de la puissance du signal d'entree et la mise en opposition de phase25 des signaux issus de la division. La seconde fonctionnalite, reciproque de la premiere, consiste a transformer un signal differentiel en un signal reference. Cette autre fonctionnalite se traduit par une combinaison du signal d'entree avec un signal d'amplitude identique et de phase opposee. Ainsi, ces deux fonctionnalites peuvent titre realisees au moyen de deux structures actives, mais en utilisant deux structures remplissant des fonctionnalites differentes, d'une part un combineur, d'autre part un diviseur. Les figures 4 et 6 presentent le schema de principe connu de ces deux structures realisees a I'aide de structures actives reparties. Ce principe est notamment decrit dans le document [2] cite precedemment. La figure 4 nous presente le schema de principe d'un dispositif diviseur permettant d'obtenir a partir d'un signal d'entree deux signaux d'amplitudes proches, voire sensiblement identiques, et de phases opposees. La structure connue de ce dispositif est une structure derivee de celle d'un amplificateur a structure distribuee classique. Comme on peut le constater sur la figure le diviseur presente comporte deux structures distribuees partageant une meme ligne d'entree 41 sur laquelle est applique le signal d'entree. La premiere structure est formee de la ligne d'entree 41 et de la ligne 42 fournissant la sortie 1. La deuxieme structure est formee de la ligne d'entree 41 et de la ligne 43 fournissant la sortie 2. Comme le montre la vue detaillee 44 la premiere structure est constituee de cellules elementaires composees de deux inductances 45 de valeur % LD1 en serie et de deux inductances 46 de valeur 1/2 LE mises en serie egalement. Cette structure comporte de plus un element actif 47 amplificateur, qui peut titre par exemple un transistor a effet de champ en configuration "source commune" dont le drain D est relie au point commun des deux inductances 45 et dont la grille G est reliee au point commun des deux inductances 46. De la meme fawn, comme le montre la vue detainee 48 la deuxieme structure distribuee est constituee de cellules elementaires composees des deux inductances 46 de valeur LE mises en serie et de deux inductances 49 de valeur 1/2 LD2 en serie egalement. Cette structure comporte de plus, comme la premiere structure, un element actif 410, amplificateur, qui peut par exemple titre un transistor a effet de champ en configuration "grille commune" dont le drain D est relie au point commun des deux inductances 49 et dont la source S est reliee au point commun des deux inductances 46. Ces structures elementaires se repetent a I'identique un nombre N de fois pour former la structure complete. La structure globale du balun dans sa forme diviseur peut donc etre consideree comme deux structures superposees. Dans le cas ou ('element actif est un transistor a effet de champ, la premiere structure peut etre vue comme un ensemble de deux lignes couplees : une premiere ligne, appelee ligne de drain, formee de cellules LC constituees d'une inductance 45 et de la capacite CDS du transistor a effet de champ 47 qui lui est associe, et une deuxieme ligne, appelee ligne de grille, formee de cellules LC constituees d'une inductance 46 et de la capacite CGS du meme transistor a effet de champ 47. De meme la deuxieme structure peut etre vue comme un ensemble de deux lignes couplees : une premiere ligne, appelee ligne de drain, formee de cellules LC constituees d'une inductance 49 et de la capacite COD du transistor a effet de champ 410 qui lui est associe, et une deuxieme ligne, appelee ligne de source, formee de cellules LC constituees d'une inductance 46 et de la capacite CGS du meme transistor a effet de champ 410. Le couplage entre lignes d'une meme structure est ici un couplage "actif' qui fait intervenir les generateurs de courant que constituent les transistors a effet de champ qui entrent dans la constitution des cellules 44 et 48. Comme on peut le constater sur la figure, le mode de fonctionnement des transistors 47 et 410 est different. Les transistors 47 fonctionnent selon une configuration "source commune" qui procure, entre ('entree et la sortie du transistor, un dephasage de 180 aux basses frequences et un dephasage c + 180 aux hautes frequences, alors que les transistors 410 fonctionne selon une configuration "grille commune" qui procure un dephasage nul aux basses frequences et un dephasage 1 aux hautes frequences. II est a noter que c'est cette difference dans les modes de fonctionnement 30 qui permet a cette double structure distribuee de delivrer a partir d'un meme signal d'entree deux signaux d'amplitudes proches, en opposition de phase. La figure 6 nous presente le schema de principe d'un dispositif combineur permettant d'obtenir a partir de deux signaux d'entree un signal 35 de sortie qui represente le resultat de la combinaison en opposition de phase des signaux d'entree. La structure connue de ce dispositif est, comme dans le cas de la figure 4, une structure derivee de celle d'un amplificateur a structure distribuee classique. La structure du dispositif combineur est constituee de deux structures distribuees partageant une meme ligne de sortie 61 qui delivre le signal combine. La premiere structure est formee de la ligne d'entree 62 et de la ligne 61. La deuxieme structure est formee de la ligne d'entree 63 et de la ligne 61. Comme le montre la vue detaillee 64 Ia premiere structure est constituee de cellules elementaires composees de deux inductances 65 de valeur 1/2 LG en serie et de deux inductances 66 de valeur LD mises en serie egalement. Cette structure comporte de plus un element actif 67, amplificateur, qui peut titre un transistor a effet de champ en configuration "source commune" dont le drain D est relie au point commun des deux inductances 66 et dont la grille G est reliee au point commun des deux inductances 65. De la meme fawn, comme le montre la vue detaillee 68 Ia deuxieme structure distribuee est constituee de cellules elementaires composees des deux inductances 66 de valeur 1/2 LD mises en serie et de deux inductances 69 de valeur 1/2 Ls en serie egalement. Cette structure comporte de plus, comme la premiere structure, un element actif 610 amplificateur, qui peur titre un transistor a effet de champ en configuration "grille commune" dont le drain D est relie au point commun des deux inductances 66 et dont la source S est reliee au point commun des deux inductances 69. La structure globale du balun dans sa forme combineur peut donc titre consideree comme un ensemble de deux structures superposees. Dans le cas ou ('element actif est un transistor a effet de champ, la premiere structure peut titre vue comme un ensemble de deux lignes couplees, une premiere ligne, appelee ligne de grille, formee de cellules LC constituees d'une inductance 65 et de la capacite CG du transistor a effet de champ 67 qui lui est associe, et une deuxieme ligne, appelee ligne de drain, formee de cellules LC constituees d'une inductance 66 et de la capacite CDS du meme transistor a effet de champ 67. De meme la deuxieme structure peut titre vue comme un ensemble de deux lignes couplees une premiere ligne, appelee ligne de Source, formee de cellules LC constituees d'une inductance 69 et de la capacite CS du transistor a effet de champ 610 qui lui est associe, et une deuxieme ligne, appelee ligne de drain, formee de cellules LC constituees d'une inductance 66 et de la capacite CD du meme transistor a effet de champ 610. Les illustrations des figures 4 et 6, permettent de constater que le schema de structure d'un balun combineur peut titre aisement deduit de celle du balun diviseur par permutation des lignes de grille et de drain d'un montage a I'autre. La structure distribuee classique permet donc de realiser de maniere simple deux montages remplissant les fonctionnalites remplies par un meme balun passif. Ainsi par exemple, pour realiser un circuit melangeur de frequence en circuit MMIC, on peut implanter sur les entrees RF et OL du melangeur, des baluns de type diviseur, et un balun de type combineur sur la sortie Fl du melangeur, le melangeur et les trois baluns etant ainsi realises sur le meme composant integre. Dans les exemples illustres par les figures 4 et 6, ('element actif est constiue par un transistor a effet de champ. Bien evidemment, ceci ne represente nullement une limitation et tout autre element actif approprie permettant de realiser des montages ayant les caracteristiques des montages "grille commune" et "source commune", comme un transistor bipolaire par exemple peut titre utilise. Dans le cas d'e transistors bipolaires les configurations correspondantes sont respectivement les configurations "base commune" et "emetteur commun". Les baluns realises a partir de structures distribuees classiques telles que celles illustrees sur les figures 4 et 6 permettent avantageusement d'obtenir un dephasage de 180 entre voies de bonne precision, typiquement de I'ordre de 3 pour des signaux a large bande passante, 4 a 18 GHz par exemple. En revanche leur utilisation presente certains inconvenients, parmi lesquels on peut citer d'une part la difficulte qu'il y a a equilibrer les gains des deux voies couplees a la voie commune, et d'autre part la difficulte a obtenir de bons coefficients de reflexion, en particulier en ce qui concerne les lignes de grille. La difference de gain entre voies conduit en particulier a considerer la voie ayant le gain le plus faible et a limiter le gain de I'autre voie a cette valeur. On limite ainsi le rendement du montage, le gain obtenu en pratique etant relativement faible, typiquement de I'ordre de 1 dB. Pour pallier ces inconvenients, les baluns a large bande selon !'invention presentent une structure distribuee modifiee par rapport a la structure classique connue decrite precedemment. Cette structure modifiee est illustree par les schemas de principe des figures 5 et 7. Comme le montrent les figures 5 et 7, le balun modifie differe du balun connu de fart anterieur en ce que les cellules elementaires comportent un deuxieme transistor a effet de champ. Ce deuxieme transistor est monte de fawn a ce que chaque element actif, lorsque celui-ci est realise au moyen de transistor a effet de champ, comporte deux transistors a effet de champ et presente en entree une grille et en sortie un drain. De cette maniere, chaque structure modifiee comporte une ligne de grille et une ligne de drain. De la sorte les deux structures d'un meme balun presentent avantageusement des impedances d'entree et de sortie sensiblement egales sans que le dephasage entre voies soit affecte. La figure 5 presente le schema de principe d'un balun diviseur realise autour de deux structures distribuees modifiees selon !'invention. Comme on peut le constater le balun modifie selon !'invention differe du balun connu illustre par la figure 4 en ce que les transistors 47 et 410 composant les cellules 44 et 48, ont ete remplaces respectivement par les montages 51 (I) et 53 (II) dont des vues agrandies sont representees. Le montage 51 associe au transistor a effet de champ 47 monte enconfiguration "source commune" un deuxieme transistor a effet de champ 52. La grille de ce transistor 52 est connectee au point commun entre les deux inductances 46, tandis que son drain est retie a la grille du transistor 47, les sources des deux transistors etant mises a la masse. Le montage ainsi realise se comporte comme un montage de type Darlington et la ligne de grille presente sensiblement !'impedance d'entree d'une ligne composee de cellules LC cascadees, ces cellules etant constituees par !'inductance 46 egale % LG et la capacite grille-source CGS du transistor 52. Le montage 53, quant a lui, associe au transistor a effet de champ 410 35 monte en configuration "grille commune" un deuxieme transistor a effet de champ 54. La grille de ce transistor 54 est connectee au point commun entre les deux inductances 46, tandis que son drain est relie a la source du transistor 410, la grille du transistor 54 et la source du transistor410 etant mises a la masse. Le drain du transistor 410 est quant a lui relie au point commun entre les deux inductances 49. Le montage ainsi realise se comporte comme un montage de type "Cascode" et la ligne de grille presente sensiblement !'impedance d'entree d'une ligne composee de cellules LC cascadees, ces cellules etant constituees par I'inductance 46 egale aLG et la capacite grille-source CGS du transistor 54. Grace a I'ajout dans chaque cellule d'un transistor monte en configuration "source commune", le balun selon I'invention comporte deux structures distribuees presentant des impedances d'entree sensiblement identiques. Cette similitude des impedances d'entree favorise avantageusement I'equilibrage des gains de chacune des voies de sortie 55 et 56 du diviseur. Elie permet egalement de realiser un montage dont les caracteristiques de gain, de dephasage et d'impedance varient avantageusement de maniere moindre sur la bande de frequence sur laquelle est utilise le balun. La figure 7 presente le schema de principe d'un balun combineur realise autour de deux structures distribuees modifiees selon I'invention. Comme dans le cas du balun diviseur selon ('invention, le balun combineur comporte des cellules elementaires modifiees essentiellement par I'ajout d'un deuxieme transistor a effet de champ monte en configuration "source commune", le transistor 72 pour la cellule 71 et le transistor 74 pour la cellule 73. De la meme fagon que dans le cas du balun diviseur, le balun combineur selon I'invention est ainsi constitue de cellule comportant soit un montage 71 de type "Darligton", soit un montage 72 de type "Cascode". II presente ainsi les memes caracteristiques avantageuses que le balun diviseur selon I'invention. II est a noter que, comme dans le cas des exemples d'application illustres par les figures 4 et 6, les elements actifs des baluns selon I'invention ne sont pas limites aux seuls transistors a effet de champ et peuvent etre notamment constitues par des transistors bipolaires. Les figures 8 et 9 representent, respectivement pour le balun diviseur et pour le balun combineur selon ('invention, tels que ceux dont le schema est presente sur les figures 5 et 7, les courbes de variation en fonction de la frequence des adaptations d'entree et de sortie, ainsi que les courbes de variation de la difference de gain et du dephasage entre voies. Ces courbes qui resultent de ('etude du comportement en frequence de modeles de simulation sont presentees ici, a titre d'exemple non limitatif des performances des baluns selon ('invention, pour illustrer le caractere avantageux de ('invention. Les courbes de la figure 8 traduisent les resultats de simulations du comportement en frequence d'un modele de balun diviseur applique aux entrees RF et LO d'un dispositif melangeur, les sorties du balun ayant ete adaptees. La bande de frequences exploree est ici une bande large s'etendant typiquement de 2GHz a 20GHz. Les courbes 81, 82 et 83 montrent ('evolution en fonction de la frequence du coefficient de reflexion de ('entree du balun diviseur modelise (courbe 81), ainsi que celle des coefficients de reflexion des sorties 1 et 2 (courbes 82 et 83). Comme on peut le constater, ces coefficients presentent sur la totalite de la bande passante exploree, une valeur maximum inferieure a -10 dB. La courbe 84 montre ('evolution en fonction de la frequence de la difference des gains entre les voles de sortie 1 et 2. Ainsi qu'on peut le constater sur la figure, cette difference reste avantageusement faible, typiquement inferieure a 0,5 dB, et sensiblement constante sur la totalite de la bande de frequence exploree. Les gains etant ainsi uniformises, it n'est avantageusement pas necessaire de proceder a une limitation volontaire du gain de ('une ou ratite des voies et lion peut ainsi beneficier dans une large mesure, grace a !'invention, du gain procure par les structures amplificatrices distribuees. La courbe 85, quanta elle, montre ('evolution, en fonction de la frequence, du dephasage entre voles, dephasage qui, comme on peut le constater reste sensiblement egale a 180 sur la totalite de la bande exploree. Les courbes de la figure 9 traduisent les resultats de simulations du 35 comportement en frequence d'un modele de balun combineur applique a la sortie Fl d'un dispositif melangeur, les entrees du balun ayant ete adaptees sur une impedance caracteristique de 50 ohms. La bande de frequences exploree est ici egalement une bande large s'etendant typiquement de 6GHz a 18GHz. Les courbes 91, 92 et 93 montrent ('evolution en fonction de la frequence du coefficient de reflexion de la sortie du balun combineur modelise (courbe 91), ainsi que celle des coefficients de reflexion des entrees 1 et 2 (courbes 92 et 93). Comme on peut le constater, ces coefficients presentent, dans le cas du balun combineur, une variation maximum de I'ordre de 5 dB sur la totalite de Ia bande passante exploree et restent sensiblement inferieurs a -10dB sur toute la bande passante etudiee. La courbe 94 montre ('evolution en fonction de la frequence de la difference des gains entre les voies d'entree 1 et 2. Ainsi qu'on peut le constater sur la figure, cette difference reste avantageusement faible, typiquement inferieure a 1 dB, et sensiblement constante sur la totalite de la bande de frequence exploree. Les gains etant ainsi uniformises, it n'est avantageusement pas necessaire de proceder a une limitation volontaire du gain de ('une ou I'autre des voies et I'on peut ainsi beneficier dans une large mesure, grace a ('invention, du gain procure par les structures amplificatrices distribuees. La courbe 95, quanta elle, montre ('evolution, en fonction de la frequence, du dephasage entre voies, dephasage qui, comme on peut le constater reste 25 sensiblement egale a 180 sur la totalite de la bande exploree. Ainsi, comme on peut le constater au travers des resultats illustres par les figures 8 et 9 Ia structure de balun large bande selon ('invention, aussi bien en terme d'adaptation, qu'en termes de gain ou de dephasage, aussi bien 30 dans sa forme diviseur que dans sa forme combineur, permet de realiser des dispositifs pour Iesquels les dephasages entre voies sont avantageusement constants et egaux a 180 , et pour lesquels Ies differences de gain entre voies sont minimisees. 35 REVENDICATIONS 1. .Dispositif balun a large bande passante, comportant deux structures amplificatrices distribuees, chaque structure etant constituee de cellules elementaires formant un montage serieparallele comportant quatre inductances (45, 46, 49) mises en serie deux a deux et un premier element actif (47, 410) amplificateur, mis en parallele sur les inductances, caracterise en ce que chaque cellule comporte egalement un deuxieme element actif constitue d'un transistor a effet de champ (52, 54, 72, 74) associe au premier transistor pour former un etage d'adaptation d'impedance. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le premier element actif (47, 410, 67, 610) et le deuxieme element actif (52, 54, 72, 74) sont constitues par des transistors a effet de champ le premier element actif etant constitue d'un transistor a effet de champ en configuration "source commune" (47, 610) dans une des deux structures et en configuration "grille commune" ( 410, 67) dans I'autre structure. 20 3. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le premier element actif (47, 410, 67, 610) et le deuxieme element actif (52, 54, 72, 74) sont constitues par des transistors bipolaires, le premier element actif etant constitue d'un transistor bipolaire en configuration "emetteur commun" (47, 610) dans une des deux 25 structures et en configuration "base commune" (410, 67) dans I'autre structure. 4. .Dispositif selon rune quelconque des revendications precedentes, dans lequel le deuxieme element actif est monte 30 de facon a realiser avec le premier element actif un montage de type "Cascode" (53, 73) dans rune des structures et un montage de type "Darlington" (51, 71) dans I'autre structure. 10 15