FR 2895802 A1 20070706 FR 0554152 A 20051230 La présente invention a pour objet un procédé et un dispositif de création d'un champ magnétique homogène dans une région prédéterminée de l'espace constituant une zone d'intérêt. L'invention trouve son domaine d'application privilégié pour la résonance magnétique nucléaire (RMN) et l'imagerie par résonance magnétique (IRM). 10 On rappelle qu'une installation d'imagerie par RMN comprend entre autres : - un aimant susceptible de créer un champ magnétique (champ de base) intense et uniforme dans un volume d'examen suffisamment grand pour accueillir un patient, 15 - un ensemble de bobines de gradients agencé généralement sur un même mandrin cylindrique pour pouvoir engendrer des gradients de champ magnétique suivant des directions prédéterminées dans le volume d'examen, au cours de séquences successives, - un dispositif d'émission réception radiofréquence pour exciter 20 les spins des noyaux d'atomes pour lesquels les conditions de RMN se trouvent réunies. Pour créer le champ de base, il est ainsi nécessaire de pouvoir disposer d'aimants dont le champ magnétique interne possède une grande homogénéité spatiale. 25 Les fréquences (et les intensités de champ qui leurs sont proportionnelles) utilisées en RMN et en IRM sont de plus en plus grandes. On approche en effet le gigahertz pour la RMN du proton, soit près de 23,5 T, dans de petits volumes et l'on envisage d'atteindre 500 MHz en IRM du proton, soit près de 11,75 T, dans des diamètres utiles de l'ordre 30 du mètre. Les aimants correspondants sont donc exclusivement supraconducteurs. En effet ces valeurs de champ conduiraient à des puissances dissipées prohibitives pour des aimants résistifs et elles sont inaccessibles aux aimants permanents car l'aimantation des matériaux existants n'est pas suffisante. 35 L'augmentation de l'intensité du champ magnétique dans le volume intérieur d'intérêt entraîne une augmentation du champ dans l'espace extérieur à l'aimant. Les règles de sécurité en vigueur considèrent notamment que des précautions particulières doivent être prises dans les zones où le champ dépasse la limite des 5 gauss , soit 0,5 mT seulement. Sans contre-mesures spécifiques, cette limite peut se situer à plusieurs dizaines de mètres du centre d'un aimant d'IRM à haut champ, ce qui est en général inacceptable. Une première possibilité pour rapprocher cette limite de l'aimant consiste à l'enfermer dans une boîte en fer doux aux parois suffisamment épaisses pour que le champ à l'extérieur de celle-ci soit inférieur à une valeur donnée, par exemple 0,5 mT. On réalise ainsi un blindage passif dont le principal inconvénient est qu'il peut nécessiter des centaines de tonnes de fer pour un aimant d'IRM à haut champ, ce qui peut également devenir inacceptable. Une solution beaucoup plus élégante consiste à disposer, autour de l'aimant principal, un second aimant, de plus grand diamètre, produisant un champ de sens contraire. Si l'on diminue ainsi le champ utile dans le volume d'intérêt, on diminue dans des proportions beaucoup plus importantes le champ dans l'espace extérieur et l'on peut ramener la limite des 5 gauss à la distance souhaitée du centre de l'aimant. En référence à la solution précédente et par abus de langage, on dit que l'on réalise ainsi un blindage actif de l'aimant. On indiquera ci-dessous les principes de l'optimisation d'aimants supraconducteurs. On cherche en général à réaliser, au moindre coût, un aimant produisant un champ magnétique intérieur de caractéristiques données (intensité, homogénéité spatiale dans un volume d'intérêt...), avec une accessibilité également fixée (espace libre autour du volume d'intérêt) et des conditions supplémentaires éventuelles sur le champ extérieur si l'on veut réaliser un blindage actif. Si l'on s'intéresse plus particulièrement aux aimants d'IRM pour l'homme, la géométrie la plus appropriée consiste à prévoir un accès libre en forme de tunnel cylindrique dans lequel on introduira longitudinalement le sujet. On considèrera donc pour la suite que l'aimant a une symétrie 35 axiale autour de l'axe Oz avec une ouverture circulaire libre de diamètre D (il s'agit ici du diamètre au-delà duquel doivent se situer les conducteurs des aimants supraconducteurs. L'ouverture libre réelle est légèrement inférieure à cause des enveloppes cryogéniques qui sont nécessaires). Outre les coordonnées cartésiennes (x, y, z) , on utilisera le cas échéant les coordonnées cylindriques (p,,z) et sphériques (r,I),ql) associées. Le problème consiste donc à déterminer la densité de courant hors tout ou technique j = Mp,Z)Ilo du bobinage ainsi que la forme de sa demi-section axiale, extérieure à celle du cylindre libre de 10 diamètre D, pour remplir les conditions fixées pour le champ magnétique avec une capacité de transport de courant ff dr minimale. On notera qu'un conducteur réel est schématiquement constitué d'un ensemble de filaments supraconducteurs qui transporteront effectivement seuls le courant, entourés d'une certaine quantité de cuivre. 15 Cet ensemble constitue un fil ou câble de section généralement circulaire ou rectangulaire recouvert d'un isolant (émail ou autre). Le bobinage d'un tel conducteur pourra comporter des vides (nécessairement si la section est circulaire) ainsi que des éléments de renfort mécanique en acier amagnétique par exemple. La densité de courant hors tout efface ces 20 détails de structure par une moyenne à plus grande échelle du type approximation du milieu continu . Si les câbles ont des sections de dimensions importantes, on pourra, pour des calculs plus raffinés, notamment d'homogénéité spatiale du champ, revenir à la position même des brins supraconducteurs et à la densité de courant qu'ils transportent 25 effectivement. La capacité de transport de courant d'un volume V de bobinage où la densité de courant j0 est uniforme est simplement j0V et si le conducteur utilisé a une section constante et transporte un courant d'intensité 1, elle est égale à Il où / est la longueur de conducteur 30 correspondante. Les performances économiques des conducteurs sont comparées au moyen de leur coût pour une capacité donnée, par exemple ( pour le cuivre à la température ambiante, û$I/(kA.m) pour le NbTi à 5 T et 4,2 K,_. L'analyse dimensionnelle conduit à définir le facteur de qualité 35 1 d'un aimant supraconducteur, analogue au facteur de Fabry pour les aimants résistifs, par la relation : où Bo est le champ au centre du volume d'intérêt. La valeur maximum 1 de Q est obtenue pour une spire circulaire dont les dimensions de la section sont très petites par rapport au diamètre. Toute autre condition ou contrainte imposée en plus du respect du diamètre libre D entraînera une 10 diminution de Q, donc un coût supplémentaire pour la même valeur de champ. Un aimant réel est en pratique constitué d'un ensemble de N bobinages coaxiaux de section rectangulaire à densité de courant hors tout uniforme, caractérisés chacun par cinq paramètres 15 (al ,a2 > al jo),ELev,] , où al et a2 sont respectivement des rayons intérieur et extérieur, bl et b2 sont les cotes z des extrémités, et jo est la densité de courant mesurée algébriquement autour de Oz. Les conditions imposées au champ magnétique ainsi que la fonction objectif à minimiser (capacité totale de transport de courant) sont 20 des fonctions non linéaires de ces 5N paramètres à déterminer qui peuvent être par ailleurs soumis à des bornes comme a'i. D 2 ù Vi pour garantir le diamètre D du tunnel d'accès, a2, a1, b1, b2 > b1, jo) , des bobinages de telle façon que 0 Vp po, les écarts à l'homogénéité étant alors gouvernés par le premier coefficient non nul L. Si l'on considère deux spires circulaires coaxiales de section très petite devant leur rayon, parcourues par des courants de même intensité et séparées par une distance égale à leur rayon, spires dites en position de Helmoltz, Z2 a 0, l'inhomogénéité du champ au voisinage du centre O du système étant gouvernée par Z4. Cette situation correspond à po =1 dans la discussion générale précédente. Dans la pratique, pour les aimants de RMN ou d'IRM considérés où l'on cherche à minimiser la quantité de supraconducteur utilisée, c'est-à-dire à avoir le diamètre du volume d'intérêt aussi proche que possible du diamètre D du tunnel libre de l'aimant, on pourra aller jusqu'à po = 6 ou 7. Une fois déterminée la géométrie théorique suivant les modalités définies précédemment, il faut réaliser pratiquement, avec les conducteurs réels, des bobinages à demi-section axiale rectangulaire qui reproduisent aussi fidèlement que possible la géométrie souhaitée. Les différences avec celle-ci, introduites lors de cette réalisation pratique, ne modifieront pas sensiblement les coefficients non nuls du développement théorique mais feront par contre apparaître des coefficients d'ordre inférieur qui auraient dû être nuls. Par exemple, une légère dissymétrie des bobinages par rapport au plan xOv, fera apparaître des coefficients impairs Z1,Z3,... d'autant plus importants que la dissymétrie est importante. Une ovalisation des mandrins de bobinage conduira à l'apparition de coefficients du type Ces inhomogénéités devront être corrigées ultérieurement par des dispositifs appropriés appelés shims . Si les contraintes imposées lors de l'optimisation décrite précédemment le permettent, les jo, des bobinages seront différents. En particulier, les densités de courant hors tout seront plus grandes dans les régions où le champ magnétique est moins élevé. Comme la stabilité temporelle de l'aimant impose pratiquement que tous ces bobinages soient connectés en série, donc avec la même intensité parcourant chacun des conducteurs, on aura des conducteurs réels différents pour chaque valeur de la densité de courant. On dit alors que l'on fait de l'échelonnement ( grading ). La technique employée pour les aimants de RMN ou d'IRM est celle du bobinage en couches, W. L. Lenders a notamment proposé (Philips Tech. Rev., 23, pp 365-404, 1962), pour des conducteurs de section circulaire, le bobinage dit orthocyclique qui assure le meilleur remplissage possible de la demi-section axiale rectangulaire. Cette technique est illustrée sur la Figure 3 où l'on voit un mandrin 140 avec deux flasques 141, 142 entre lesquels sont formés des première et deuxième couches 110, 120 à partir d'un fil à section circulaire de diamètre d. Un nombre n de spires est formé entre les flasques 141, 142 avec un décalage d'une valeur d/2 entre les spires de deux couches successives 110, 120, la distance entre les flasques 141, 142 étant égale à (n+1/2)d. On peut également bobiner les couches en hélices avec la difficulté incontournable du passage d'une couche à la suivante à chacune des extrémités au moyen de cales isolantes judicieusement disposées. On notera que les longueurs disponibles de conducteur sont limitées par les techniques de fabrication utilisées et il faut donc assumer l'existence de jonctions entre longueurs successives. La réalisation de ces jonctions, dont on souhaite qu'elles soient aussi peu résistantes que possible, sinon supraconductrices, pose des problèmes particuliers. Afin de ne pas perturber l'homogénéité spatiale ainsi que pour les placer dans des zones de champ faible, ces jonctions doivent être éloignées du volume d'intérêt. Les aimants d'IRM à haut champ (-10 T) nécessitent des masses de conducteur considérables (plusieurs dizaines de tonnes) et la technique du bobinage en couche conduit à des bobinages individuels i [1,N] de masse très importante, donc difficilement manipulables, avec de nombreuses jonctions pas toujours faciles à disposer. L'énergie magnétique stockée dans l'aimant devient également très importante (quelque 100 1J) ce qui impose d'utiliser des intensités de courant aussi élevées que possible (>1000 A ) afin de réduire la tension qui apparaîtrait en cas de transition accidentelle de l'état supraconducteur vers l'état normal de l'aimant (phénomène de quench ). La section du conducteur à utiliser peut alors être égale ou 35 supérieure à environ 10mm2, ce qui rend difficile la réalisation de bobinages selon les techniques connues jusqu'à présent pour réaliser des aimants pour l'IRM. L'invention vise précisément à remédier aux inconvénients précités et à permettre la réalisation d'aimants à haut champ capables de créer un champ magnétique intérieur homogène tout en facilitant la manipulation et l'assemblage des éléments constitutifs lors de la fabrication. L'invention vise ainsi à réaliser des dispositifs de création de champ magnétique homogène dont le coût de fabrication soit réduit et les 10 performances soient améliorées, tout en autorisant une grande souplesse de mise en oeuvre. L'invention vise encore à permettre la réalisation d'aimants supraconducteurs à champ magnétique extérieur réduit. Ces buts sont atteints, conformément à l'invention, grâce à un 15 dispositif de création d'un champ magnétique homogène dans une zone d'intérêt, notamment pour la résonance magnétique nucléaire et l'imagerie par résonance magnétique, comprenant un agencement de bobines supraconductrices disposées autour d'un axe longitudinal de ladite zone d'intérêt, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un empilement d'un 20 ensemble d'éléments modulaires répartis le long dudit axe longitudinal, chaque élément modulaire comprenant un conducteur de section rectangulaire en matériau supraconducteur enroulé de façon continue sous la forme d'une double galette avec une première galette simple plane en forme de spirale, une deuxième galette simple plane en forme de 25 spirale juxtaposée à la première galette simple parallèlement à celle-ci et un tronçon de transition sans jonction interne entre les première et deuxième galettes simples, chaque galette simple comprenant une extrémité de raccordement située à la partie périphérique externe de la galette et le tronçon de transition permettant, suivant l'axe longitudinal, 30 un décalage au moins égal à la dimension transversale du conducteur selon cet axe, Selon tel l'iode particulier de réalisation, des premières cales isolantes sont disposées entre la première galette simple et la deuxième galette simple au sein de chaque élément modulaire et des deuxièmes 35 cales isolantes sont disposées entre les éléments modulaires successifs. Le tronçon de transition s'étend avantageusement autour de l'axe longitudinal sur un intervalle inférieur à 2n et de préférence sur un intervalle égal à ru. Selon un mode particulier de réalisation le tronçon de transition est réalisé sous la forme d'une couronne sinusoïdale constituée par l'enroulement d'une sinusoïde autour d'un cylindre de révolution. Chaque empilement comprend plusieurs dizaines d'éléments modulaires. Selon un mode de réalisation préférentiel, le dispositif comprend au moins sept empilements d'éléments modulaires, disposés symétriquement par rapport à un plan médian de la zone d'intérêt perpendiculaire audit axe longitudinal, l'épaisseur des empilements et la longueur de l'espace libre de séparation entre deux empilements adjacents augmentant du plan médian vers les extrémités du dispositif. Avantageusement, le dispositif comprend en outre au moins une bobine supraconductrice de compensation qui entoure les empilements d'éléments modulaires et présente un axe coïncidant avec l'axe longitudinal, ladite bobine supraconductrice de compensation étant parcourue par un courant de sens inverse à ceux desdits empilements. Dans ce cas, la bobine supraconductrice de compensation est réalisée sous la forme d'un bobinage en couches. Selon un exemple de réalisation simplifié, l'ensemble des empilements et bobines de compensation parcourus par des courants sont tels qu'au moins le moment dipolaire Z2, Z'2 de la distribution de courant est nul. Selon un exemple de réalisation préférentiel, l'ensemble des empilements et bobines de compensation parcourus par des courants sont tels qu'au moins le moment dipolaire Z2, Z'2 et le moment quadrupolaire Z4, Z'4 de la distribution de courant sont nuls. D'une manière générale, l'ensemble des empilements et des bobines de compensation parcourus par des courants sont tels que les moments tHagnétiques multipolaires de la distribution de courant sont nuls depuis l'ordre inférieur 2 (moments Z2, Z'2) jusqu'à un ordre supérieur à 2 fixé (moments (Z2 *Z', . 2895802 Il A titre d'exemple, les empilements d'éléments modulaires sont disposés autour d'une zone d'intérêt dont le diamètre est égal ou supérieur à 1 mètre. Selon une application possible, le champ magnétique créé par les empilements d'éléments modulaires est supérieur ou égal à 10 T. La section du conducteur d'un élément modulaire est comprise entre quelques millimètres carrés et quelques dizaines de millimètres carrés. Selon un exemple de réalisation, un élément modulaire présente 10 une masse comprise entre quelques dizaines de kilogrammes et une centaine de kilogrammes. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif de création d'un champ magnétique homogène, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : 15 a) préparer une longueur de fil de matériau supraconducteur à section rectangulaire sans raccord, b) mettre en forme un tronçon central de la longueur de fil pour créer un tronçon de transition entre deux galettes simples juxtaposées, c) disposer sur un mandrin et rendre provisoirement solidaire de 20 celui-ci le tronçon de transition formé et la moitié de la longueur de fil s'étendant d'un côté du tronçon de transition, d) former par rotation du mandrin dans un premier sens une première galette simple plane en forme de spirale à partir de l'autre moitié de la longueur de fil restée libre par rapport au mandrin, 25 e) rendre provisoirement solidaire du mandrin la première galette simple formée et libérer le tronçon de transition de la moitié de la longueur de fil précédemment rendue provisoirement solidaire du mandrin, f) former par rotation du mandrin dans un deuxième sens une 30 deuxième galette simple plane en forme de spirale à partir de la moitié de la longueur du fil libérée, g) retirer du mandrin l'élément modulaire obtenu et former des extrémités de raccordement à la partie périphérique externe de chaque galette simple, et h) assembler et raccorder le long d'un axe longitudinal une pluralité d'éléments modulaires préparés selon les étapes a) à g). Le procédé peut en outre comprendre l'étape d'insérer de premières cales isolantes entre la première galette simple et la deuxième galette simple au sein de chaque élément modulaire et d'insérer de deuxièmes cales isolantes entre les différents éléments modulaires successifs d'un même empilement. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée de modes particuliers de réalisation, donnés à titre d'exemples, en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la Figure 1 est une vue en perspective d'un exemple d'élément modulaire en double galette utilisable dans un dispositif de création de champ magnétique selon l'invention, - la Figure 2 montre un exemple de tronçon de transition du type couronne sinusoïdale pouvant être mis en oeuvre dans l'élément modulaire de la Figure 1, - la Figure 3 est une vue en élévation d'un exemple de bobinage en couche, - la Figure 4 est une vue en perspective d'une première galette simple pouvant être incorporée dans l'élément modulaire de la Figure 1, - la Figure 5 est une vue en perspective de la galette simple de la Figure 4 à laquelle est rajouté un tronçon de transition, - la Figure 6 est une vue en perspective d'une galette double selon l'invention, - la Figure 7 est une vue en plan d'une galette simple telle que celle de la Figure 4, - la Figure 8 est une vue en perspective montrant le processus d'association de demi-spires circulaires et d'un tronçon de transition pour la constitution d'un élément modulaire à double galette, - la Figure 9 est une vue en perspective d'un exemple de cale de guidage centrale utilisable dans le processus de fabrication d'un élément 30 modulaire à double galette selon l'invention, - la Figure 10 est une vue schématique en coupe axiale d'un premier exemple de dispositif de création de champ magnétique selon l'invention avec le tracé des lignes du champ produit, - la Figure 11 est une vue schématique montrant les contours 35 isomodule du champ magnétique extérieur résiduel créé par le dispositif de la Figure 10, - la Figure 12 est une vue schématique en coupe axiale d'un deuxième exemple de dispositif de création de champ magnétique selon l'invention, avec le tracé des lignes de champ produit, et - la Figure 13 est une vue schématique montrant les contours 5 isomodule du champ magnétique extérieur résiduel créé par le dispositif de la Figure 12. Pour créer un champ magnétique homogène relativement intense, tel que le champ de base devant être créé dans une zone d'intérêt d'une installation d'IRM, conformément à l'invention, il est 10 proposé de renoncer aux systèmes de bobinages de l'art antérieur, qui sont généralement des constructions en couches avec moins d'une dizaine de bobines de masse unitaire très importante, de l'ordre de plusieurs centaines de kilogrammes, et de leur substituer des empilements comportant chacun un ensemble d'éléments modulaires 8 de masse 15 relativement modeste, par exemple de l'ordre de 100 kg, et donc faciles à manipuler. Comme on l'a représenté sur la Figure 1, chaque élément modulaire 8 comprend une double galette réalisée à partir d'un fil en matériau supraconducteur présentant une section rectangulaire assez 20 grande, dont la largeur et la longueur sont typiquement de quelques millimètres. L'élément modulaire 8 en forme de double galette est sans jonction interne et présente deux extrémités 11, 21 situées à l'extérieur, dans une zone propice à la réalisation de jonctions avec les éléments 25 modulaires adjacents, car le champ magnétique y est beaucoup plus faible qu'au centre de l'aimant. Les éléments modulaires 8 sont empilés sur le tube central 40 de l'aimant qui présente un axe longitudinal z. Des cales isolantes 61 sont disposées entre deux éléments 30 modulaires 8 adjacents. La Figure 1 montre à la fois en arrière-plan les cales isolantes 61 contre lesquelles viendra s'appuyer l'élément modulaire suivant, et des cales isolantes 51 interposées entre les deux galettes simples 10, 20 qui constituent la double galette de l'élément modulaire 8 représenté. 35 Les cales isolantes 51, 61 permettent une circulation éventuelle de fluide cryogénique, notamment de l'hélium superfluide si l'on veut travailler à une température plus basse que 4,2 K (température d'ébullition de l'hélium dans les conditions normales), afin d'améliorer les propriétés physiques (champ et courant critiques) du supraconducteur utilisé et profiter par ailleurs des propriétés remarquables du superfluide pour mieux stabiliser le fonctionnement de l'aimant. Les Figures 4 à 6 montrent le principe de la constitution d'un bobinage en double galette. Un exemple de premier bobinage en galette simple 10 est représenté sur la Figure 4. Le conducteur présente une extrémité externe 11 et une extrémité interne 12. La galette simple 10 peut être du type spirale d'Archimède ou être réalisée à partir d'arcs de cercle comme cela sera décrit de façon plus détaillée plus loin. Pour pouvoir former une double galette, il faut d'abord rajouter à la galette simple 10, à partir de l'extrémité interne 12, un tronçon de transition 30 présentant une première extrémité 31 se raccordant à l'extrémité interne 12 et une seconde extrémité 32 qui se projette hors du plan de la galette simple 10. Le tronçon de transition 30 permet ainsi de décaler, suivant l'axe de la galette 10, l'extrémité inférieure 12 de la galette simple 10 jusqu'à l'extrémité 32 du tronçon detransition 30, d'une valeur au moins égale à la largeur du conducteur constituant la galette 10. Sur la Figure 5, la zone de transition 30 occupe un demi-tour, mais elle peut être choisie plus grande ou plus petite. Pour constituer une double galette complète, on raccorde ensuite à l'extrémité intérieure 32 du tronçon de transition 30, l'extrémité intérieure 22 d'une deuxième galette simple 20, qui est identique à la première galette simple 10, mais est retournée face pour face, comme cela est représenté sur la Figure 6. La deuxième galette simple 20 comporte une extrémité extérieure 21 qui constitue la deuxième extrémité de l'élément modulaire formé par cette double galette. Dans la pratique, on ne procède cependant pas de la manière décrite ci-dessus en référence aux Figures 4 à 6, car on souhaite précisément éviter des jonctions au niveau de raccordement des extrémités 31, 32 du tronçon de transition 30 et la double galette est réalisée à partir d'une longueur de fil d'un seul tenant. Pour fabriquer une double galette présentant la structure finale de la Figure 6 ou de la Figure 1, on utilise ainsi une longueur unique de fil supraconducteur de section rectangulaire, en commençant le bobinage par le milieu de cette longueur et la mise en forme du tronçon de transition entre les deux galettes simples. On bobine ensuite l'une des deux galettes simples en tournant dans un sens un mandrin, la demi-longueur de fil correspondant à l'autre galette simple étant réservée sur le mandrin et tournant avec celui-ci. On bobine ensuite la seconde galette simple avec la demi-longueur ayant tourné avec le mandrin, en tournant en sens inverse. L'homogénéité souhaitée pour un aimant utilisée en IRM peut être typiquement de l'ordre de 0,1 ppm dans le volume d'intérêt. Le champ produit en tout point de l'espace par les éléments d'une double galette (zone intérieure de transition et parties spiralées) doit donc être calculé à une précision au moins égale à 10-9E3o. Il est possible de choisir pour la zone centrale de transition 30 de même que pour les parties planes spiralées 10, 20 des géométries qui facilitent le calcul du champ produit tout en autorisant une réalisation pratique avec une très grande précision mécanique. La zone centrale de transition 30 peut être très proche du 20 volume d'intérêt pour les doubles galettes les plus centrales et doit donc être déterminée avec soin. L'origine de la coordonnée cylindrique angulaire ça, étant prise au centre de la zone de transition, cette zone de transition s'étend sur un intervalle [ùn, çoo] où çoo Tc est un angle à choisir. Si çoo est petit, la 25 transition sera assez brutale et le conducteur assez fortement tordu , mais les cales mécaniques devant guider le conducteur seront assez faciles à fabriquer. Si l'on augmente vo, la transition sera plus douce pour le conducteur mais les cales de guidage seront plus difficiles à réaliser. Un bon compromis consiste à réaliser la transition sur un demi- 30 tour, soit vo La forme la plus simple qui conduit à des expressions intégrables avec la précision souhaitée pour le calcul du champ produit par des fils, des bandes minces ou des sections rectangulaires à densité de courant uniforme consiste à donner au conducteur à plat la forme d'une portion de sinusoïde comprise entre un minimum et un maximum consécutifs et de l'enrouler autour d'un cylindre de section circulaire. Les arêtes de la section du conducteur et les lignes de courant ont ainsi des équations de la forme x = a cos t, y -= a sin t, z = h sin ço . Une telle 2 çcio courbe est appelée couronne sinusoïdale et constitue un cas particulier de courbe de Lissajous 3D. La Figure 2 montre un tronçon de transition 300 pour = 3 ù réalisé de cette manière et se terminant par des extrémités 301 et 302 de raccordement aux parties spiralées planes. L'épaisseur du conducteur constituant les galettes simples étant constante, le conducteur pour chacune des galettes simples se raccordant géométriquement à la zone de transition peut être une spirale d'Archimède, qui est d'une réalisation très facile. Toutefois, pour faciliter le calcul précis du champ magnétique produit par les galettes simples, on peut réaliser celles-ci à partir de demi- circonférences de rayon croissant de la moitié de l'épaisseur du conducteur entre deux demi-circonférences consécutives. On sait en effet calculer avec une très grande précision le champ produit par des fils, des bandes minces ou des conducteurs de section rectangulaire à densité de courant uniforme en forme d'arcs de cercle. On peut donc privilégier cette forme qui est au demeurant tout aussi facile à réaliser qu'une spirale d'Archimède. Les Figures 7 et 8 représentent le cas où les galettes en spirales sont telles que l'on raccorde des demicirconférences de rayons croissant de la moitié de l'épaisseur du conducteur entre deux demi-circonférences consécutives. Le cas représenté correspond à une zone de transition d'un demi-tour ((po = n/2) et il y a alors alternance entre deux centres pour les demi-circonférences, séparés de la moitié de l'épaisseur du conducteur. Pour d'autres valeurs de 90, on a des combinaisons analogues de portions de circonférences. La Figure 7 est une vue de face d'une simple galette 70 comportant une extrémité interne 71 devant se raccorder sans jonction à un tronçon de transition et une extrémité extérieure 72 devant être raccordée par une jonction à une autre extrémité externe d'un élément modulaire adjacent. La Figure 8 est une vue en perspective d'une partie de double galette avec en traits gras le tronçon de transition 300 présentant des extrémités 301, 302, en traits fins continus les premières demi-circonférences 101, 201 raccordées respectivement aux extrémités 301, 302 du tronçon de raccordement 300, et en traits mixtes les demi-circonférences suivantes 102, 202 raccordées respectivement aux demi-circonférences 101, 201. La Figure 9 montre, pour le même exemple avec une valeur de 90 égale à 7t/2, la forme d'une cale 90 de guidage centrale qui garantit la forme du tronçon de transition 300 et du premier demi-tour 101, 201 de chaque galette simple, l'enroulement prenant ensuite naturellement la forme souhaitée. On a mentionné ci-dessus le calcul du champ produit par des fils, des bandes minces ou des sections rectangulaires à densité de courant uniforme pour une zone de transition en forme de couronne sinusoïdale et pour des arcs circulaires. On peut ainsi prendre en considération la structure interne du conducteur utilisé et la distribution effective du courant transporté par les brins supraconducteurs. On peut aller jusqu'à chaque brin assimilé à un fil (il y en a beaucoup mais le calcul est aussi beaucoup plus rapide), ou à un ensemble de brins assimilé à une bande mince comme il en existe dans les câbles du type Rutherford ou à une section à densité uniforme correspondant à l'ensemble des brins d'un conducteur monolithique, ensemble entouré de cuivre qui ne transporte par de courant. Les éléments modulaires 8 à double galette réalisés de la manière décrite précédemment sont associés dans des empilements ou blocs où les doubles galettes sont réunies entre elles par des jonctions supraconductrices ou aussi peu résistantes électriquement que possible. Pour constituer un aimant produisant un champ magnétique homogène, on associe des blocs 1 à 4 coaxiaux selon l'axe z et séparés les uns des autres par des séparations (Figures 10 à 13). Four la détermination des différents empilements ou blocs regroupant un ensemble de doubles galettes et donc un nombre double de simples galettes, on peut raisonner d'une façon analogue à ce qui est décrit par exemple dans le brevet US 4 748 429 où les constituants élémentaires sont des disques de Bitter au lieu d'être des galettes simples spiralées. Pour obtenir un champ magnétique homogène, on doit ainsi disposer un ensemble de galettes simples équivalentes à des disques conducteurs de rayon intérieur al et de rayon extérieur a2, d'épaisseur donnée, séparées par des isolants d'épaisseur également donnée et portant une densité de courant uniforme j = j8 . Pour obtenir un aimant homogène à l'ordre 2po (premier coefficient non nul Z2(po+I , il faut empiler les galettes de la façon la plus serrée possible (c'est-à-dire avec des cales 51 d'épaisseur minimum) dans des blocs eux-mêmes séparés par des espaces libres pour constituer po+l blocs 1 à 4 alignés coaxialement. Les rayons intérieurs al des blocs correspondent toujours à la limite al = D/2 où D est le diamètre du tunnel d'accès central de la zone d'intérêt si le champ magnétique doit être le plus homogène possible. Les rayons extérieurs a2 des blocs, les épaisseurs totales des blocs (qui correspondent au nombre de doubles galettes constituant ces blocs) et la longueur des séparations entre les blocs sont déterminés par un calcul d'optimisation selon les règles et principes qui ont été rappelés plus haut pour l'optimisation des aimants supraconducteurs. D'une façon générale, l'épaisseur des blocs et des séparations augmente du centre vers les extrémités de la zone d'intérêt située à l'intérieur du tunnel central 40. Il est suffisant de disposer po+l blocs pour obtenir l'homogénéité souhaitée à l'ordre 2po. Rien n'interdit naturellement de prévoir un nombre de blocs supérieur, mais ceci impliquera l'utilisation d'une masse plus grande de conducteur, ce qui accroît le coût. Les rayons extérieurs a2 peuvent être prévus de manière à être légèrement croissant du centre de l'aimant vers les extrémités. Toutefois, il est aussi possible d'imposer que les rayons extérieurs a2 des doubles galettes soient tous identiques de manière à accroître le caractère modulaire et rationaliser la fabrication, Dans les exemples des Figures 10, 11 et 12, 13, on a un aimant principal composé de sept blocs, à savoir un bloc central 1 de faible 35 épaisseur, deux blocs 2 symétriques de part et d'autre du bloc central et présentant une épaisseur très légèrement supérieure à celle du bloc central 1, une autre paire de blocs 3 symétriques de part et d'autre de la paire de blocs 2, l'épaisseur des blocs 3 étant elle-même supérieure à l'épaisseur des blocs 2, et enfin une paire de blocs 4 symétriques de part et d'autre de la paire de blocs 3, l'épaisseur des blocs 4 étant elle-même largement supérieure à celle des blocs 3. Les séparations entre les blocs 2 et 3 s'étendent sur une longueur légèrement supérieure à celle des séparations entre les blocs 1 et 2. Les séparations entre les blocs 3 et 4 s'étendent elles-mêmes sur une longueur supérieure à celle des séparations entre les blocs 2 et 3. Les modes de réalisation des Figures 10 à 13 comportent ainsi au total sept blocs ou empilements d'éléments modulaires 8 composés de doubles galettes. Ces modes de réalisation montrent également la mise en oeuvre de bobinages extérieurs de compensation 5, 6, 7 assurant un blindage actif, c'est-à-dire réduisant par leur présence le champ magnétique rayonné vers l'extérieur par l'ensemble des bobinages de l'aimant. Dans le mode de réalisation des Figures 10 et 11, les bobinages de compensation sont répartis en deux ensembles 5, 6 constitués par des bobinages en couches. Dans le mode de réalisation des Figures 12 et 13, il existe un seul bobinage de compensation en couches. D'une manière générale, il est inutile de multiplier les bobinages de compensation 5, 6 ou 7, qui sont parcourus par des courants de sens inverse à ceux parcourant les bobinages des blocs 1 à 4. Il est de même inutile et coûteux d'imposer que chacun des bobinages produise un champ intérieur homogène, puisqu'il suffit que le champ total le soit. On a déjà rappelé plus haut les conditions pour l'obtention d'un champ le plus homogène possible dans le volume d'intérêt autour d'une origine O. On peut raisonner de manière similaire pour caractériser le champ extérieur, mais en se plaçant cette fois à l'extérieur d'une sphère de centre 0, centre de l'aimant, et de rayon r qui englobe complètement les sources de champ magnétique. Les bobinages de l'aimant sont donc situés entre cette sphère et la sphère de rayon rmax définie plus haut. A l'extérieur de cette sphère, chaque composante B, , et 13, du champ magnétique a son laplacien nul et un développement unique en harmoniques sphériques. Par exemple : ,rPn (cos 8) + cos mço 2 sin m '"P: (cos 8) tn=l où la sommation commence à n = 2 car il n'existe pas de monopôle magnétique ( correspondant magnétique de la charge électrique). Comme pour le développement intérieur, l'ensemble de coefficients Zl Yi"' est unique et permet d'exprimer non seulement n n 10 B, mais aussi les autres composantes du champ ainsi que les potentiels scalaire et vecteur dont dérive. De même, les fonctions r1 n+l Pm (cos 0) ?_ 2, 0 m n constituent un ensemble complet de fonctions orthogonales ce qui implique que l'on obtiendra une décroissance du champ extérieur avec la distance au centre de l'aimant 15 d'autant meilleure que l'on réalisera une géométrie des sources de champ (bobinages) telle que tous ces coefficients soient nuls pour tous les degrés inférieurs ou égaux à un degré donné n'o . Pour un système de sources possédant, comme dans la situation considérée, une symétrie axiale ou de révolution autour de l'axe Oz et un 20 plan de symétrie x0y , le développement se réduit à : avec par ailleurs une composante perpendiculaire à l'axe : cos 0) 25 Les coefficients Z, t sont aussi appelés les moments de la distribution de courant, Z22 est le moment dipolaire, est le moment quadrupolaire... Pour concevoir un aimant à blindage actif optimal, il suffira donc de prévoir des bobinages supplémentaires de compensation toujours caractérisés par cinq paramètres (al', a' a', b, b.2 b,' jo'),E[L,,I, de rayons plus grands que ceux du bobinage principal avec des jo'i, de signe contraire à celui des j de ce dernier et de déterminer les 5 (N + N paramètres des bobinages de telle façon que les coefficients des développements du champ total produit soient tels que Z2 0 Vp po pour réaliser l'homogénéité spatiale intérieure et Z2'p a 0 Vp po' pour réaliser la décroissance rapide du champ extérieur désirées. Les conclusions du processus d'optimisation sont alors les suivantes : il faut toujours pour l'aimant principal au moins po + 1 blocs dont les épaisseurs et les séparations augmentent du centre vers les extrémités. Leurs paramètres sont évidemment ajustés pour tenir compte de la présence d'un aimant de compensation il suffit d'annuler les deux premiers moments (Z2 a Z a- 0) et éventuellement le troisième (Z6' a 0) pour ramener la limite des 5 gauss à une distance acceptable du centre de l'aimant. Pour ce faire il suffit d'un, deux ou trois bobinages de compensation 5, 6 seulement. On peut même trouver des configurations où un seul bobinage de compensation 7 suffit pour obtenir 4 a- Z4' a- 0 comme dans le mode de réalisation des Figures 12 et 13 . la capacité de transport de courant (volume de supraconducteur) est d'autant plus faible que le rayon extérieur a; des bobinages de compensation est plus grand, leur épaisseur a2' ùa," diminue. Il faudra donc fixer, dans le processus d'optimisation, une borne supérieure à ce rayon. Par ailleurs la faible épaisseur fait privilégier une réalisation en couches plutôt qu'en doubles galettes pour ces bobinages de compensation. Comme ces bobinages de compensation se trouvent dans une zone de champ relativement faible, on aura inter-et à utiliser un conducteur différent de celui de l'aimant principal afin d'augmenter la densité de courant hors tout en valeur absolue ; la présence des bobinages de compensation réduit non seulement 35 le champ extérieur mais aussi la différence entre le champ maximum ( peak field ) dans les bobinages principaux et le champ nominal au centre. On peut également introduire ce dernier paramètre dans le processus d'optimisation afin de rendre cette différence aussi petite que possible pour utiliser au mieux les performances du supraconducteur utilisé, plus particulièrement lorsqu'il est près de son champ critique. Les deux modes de réalisation des Figures 10, 11 et 12, 13 qui comprennent d'une part sept blocs 1 à 4 d'un aimant principal et d'autre part soit deux blocs 5, 6, soit un bloc 7 de bobinages de compensation, alimentés par des courants en sens inverse de celui des courants parcourant les blocs 1 à 4, peuvent être adaptés par exemple à une installation comportant un tunnel intérieur 40 de diamètre D = 1 m. Dans un exemple particulier de réalisation, on a les valeurs suivantes pour les divers paramètres Bo (induction du champ magnétique de base), D (diamètre du tunnel intérieur), Jo (densité de courant), Vbob (volume des bobinages) et W (énergie magnétique stockée dans l'aimant) : Bo = 11,7436T (500 MHz) D=1m h o! = 34,612 A/mm2 (aimant principal et compensations) Vb0b. = 8,204 m3 W = 300 MI Dans cet exemple particulier, l'aimant principal est constitué de 203 doubles galettes ; afin d'utiliser comme supraconducteur du NbTi, l'aimant est plongé dans un bain d'hélium superfluide à pression normale suivant le brevet US 3 992 893. L'homogénéité théorique (po = 6) est gouvernée par Zi14i, soit mieux que 0,006 ppm dans une sphère de diamètre 200 i/im et mieux que 0,006 ppm dans une sphère de diamètre 500 ii!/;i Le champ extérieur (po' = 2) est gouverné par Zo', c'est-à-dire que l'aimant est, pour l'extérieur, un hexapôle comme le montrent les lignes de champ des Figures 10 et 12. Les Figures 11 et 13 montrent la limite des 5 gauss (0,5 mT), 35 chacune des autres lignes correspondant à une valeur de champ multipliée par deux par rapport à la précédente en se rapprochant du centre ou divisée par deux s'éloignant. La ligne la plus extérieure correspond donc à 1,25 gauss (0,125 mT) et la plus interne à 2560 gauss (0.256T ). Enfin, le champ maximum sur le conducteur ne dépasse que de 0,418% le champ au centre de l'aimant, ce qui est tout à fait remarquable. REVENDICATIONS 1. Dispositif de création d'un champ magnétique homogène dans une zone d'intérêt, notamment pour la résonance magnétique nucléaire et l'imagerie par résonance magnétique, comprenant un agencement de bobines supraconductrices disposées autour d'un axe longitudinal (z) de ladite zone d'intérêt, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un empilement (là 4) d'un ensemble d'éléments modulaires (8) répartis le long dudit axe longitudinal (z), chaque élément modulaire (8) comprenant un conducteur de section rectangulaire en matériau supraconducteur enroulé de façon continue sous la forme d'une double galette avec une première galette simple plane (10) en forme de spirale, une deuxième galette simple plane (20) en forme de spirale juxtaposée à la première galette simple (10) parallèlement à celle-ci et un tronçon de transition (30) sans jonction interne entre les première et deuxième galettes simples (10, 20), chaque galette simple (10, 20) comprenant une extrémité de raccordement (11, 21) située à la partie périphérique externe de la galette et le tronçon de transition (30) permettant, suivant l'axe longitudinal (z), un décalage au moins égal à la dimension transversale du conducteur selon cet axe. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que des premières cales isolantes (51) sont disposées entre la première galette simple (10) et la deuxième galette simple (20) au sein de chaque élément modulaire (8) et des deuxièmes cales isolantes (61) sont disposées entre les éléments modulaires (8) successifs. 3. Dispositif selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le tronçon de transition (30) s'étend autour de l'axe longitudinal (z) sur un intervalle inférieur à 2n. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le tronçon de transition (30) s'étend autour de l'axe longitudinal (z) sur un intervalle égal à r. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le tronçon de transition (300) est réalisé sous la 35 forme d'une couronne sinusoïdale constituée par l'enroulement d'une sinusoïde autour d'un cylindre de révolution. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que chaque empilement (1 à 4) comprend plusieurs dizaines d'éléments modulaires (8). 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comprend au moins sept empilements (1 à 4) d'éléments modulaires (8), disposés symétriquement par rapport à un plan médian de la zone d'intérêt perpendiculaire audit axe longitudinal, l'épaisseur des empilements (1 à 4) et la longueur de l'espace libre de séparation entre deux empilements adjacents augmentant du plan médian vers les extrémités du dispositif. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre au moins une bobine supraconductrice de compensation (5, 6 ; 7) qui entoure les empilements (1 à 4) d'éléments modulaires (8) et présente un axe coïncidant avec l'axe longitudinal (z), ladite bobine supraconductrice de compensation (5, 6 ; 7) étant parcourue par un courant de sens inverse à ceux desdits empilements (1 à 4). 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'ensemble des empilements (1 à 4) et bobines de compensation (5, 6 ; 7) parcourus par des courants sont tels qu'au moins le moment dipolaire (Z21 Z'2) de la distribution de courant est nul. 10. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'ensemble des empilements (1 à 4) et bobines de compensation (5, 6 ; 7) parcourus par des courants sont tels qu'au moins le moment dipolaire (Z2, Z'2) et le moment quadrupolaire (Z4, Z'4) de la distribution du courant sont nuls. 11. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'ensemble des empilements (1 à 4) et bobines de compensation (5, 6 ; 7) parcourus par des courants sont tels que les moments magnétiques multipolaires de la distribution de courant sont nuls depuis l'ordre inférieur 2 (Z2, Z'2) jusqu'à un ordre supérieur à 2 fixé (Z2,Z'2 ). 12. Dispositif selon rune quelconque des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que la bobine supraconductrice de compensation (5, 6 ; 7) est réalisée sous la forme d'un bobinage en couches. 13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que les empilements (1 à 4) d'éléments modulaires sontdisposés autour d'une zone d'intérêt dont le diamètre est égal ou supérieur à 1 mètre. 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que le champ magnétique créé par les empilements (1 à 5 4) d'éléments modulaires est supérieur ou égal à 10 T. 15, Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que la section du conducteur d'un élément modulaire (8) est comprise entre quelques millimètres carrés et quelques dizaines de millimètres carrés. 10 16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé en ce qu'un élément modulaire (8) présente une masse comprise entre quelques dizaines de kilogrammes et une centaine de kilogrammes. 17. Procédé de fabrication d'un dispositif de création d'un 15 champ magnétique homogène, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) préparer une longueur de fil de matériau supraconducteur à section rectangulaire sans raccord, b) mettre en forme un tronçon central de la longueur de fil pour 20 créer un tronçon de transition (30) entre deux galettes simples juxtaposées, c) disposer sur un mandrin et rendre provisoirement solidaire de celui-ci le tronçon de transition (30) formé et la moitié de la longueur de fil s'étendant d'un côté du tronçon de transition (30), 25 d) former par rotation du mandrin dans un premier sens une première galette simple plane (10) en forme de spirale à partir de l'autre moitié de la longueur de fil restée libre par rapport au mandrin, e) rendre provisoirement solidaire du mandrin la première galette simple formée (10) et libérer le tronçon de transition (30) de la 30 moitié de la longueur de fil précédemment rendue provisoirement solidaire du mandrin, f) former par rotation du mandrin dans un cieu>ieme sens une deuxième galette simple plane (20) en forme de spirale à partir de la moitié de la longueur du fil libérée,g) retirer du mandrin l'élément modulaire (8) obtenu et former des extrémités de raccordement (11, 21) à la partie périphérique externe de chaque galette simple (10, 20), et h) assembler et raccorder le long d'un axe longitudinal (z) une pluralité d'éléments modulaires (8) préparés selon les étapes a) à g). 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape d'insérer de premières cales isolantes (51) entre la première galette simple (10) et la deuxième galette simple (20) au sein de chaque élément modulaire (8) et d'insérer de deuxièmes cales isolantes (61) entre les différents éléments modulaires (8) successifs d'un même empilement.