FR 2889349 A1 20070202 FR 0507912 A 20050726 PROCEDE ET DISPOSITIF DE SECURISATION D'UN CIRCUIT INTEGRE, NOTAMMENT UNE CARTE A MICROPROCESSEUR La présente invention concerne la sécurisation des circuits intégrés, et notamment la protection des circuits intégrés pour carte à puce contre la fraude. La présente invention concerne plus particulièrement la sécurisation de circuits de traitement de signaux parallèles et notamment la sécurisation de circuits de lecture de cellules mémoire, pour empêcher l'accès frauduleux à des données stockées dans une mémoire. Les circuits de lecture de cellules mémoire, également appelés "amplificateurs de lecture", sont particulièrement vulnérables aux attaques de fraudeurs visant à découvrir des données présentes dans une mémoire. En effet, lorsque des amplificateurs de lecture lisent des cellules mémoire, la simple observation de leur activité (observation des potentiels électriques) permet de déterminer la valeur des données stockées dans des cellules mémoire en cours de lecture. Combinée à une injection d'erreur dans les adresses appliquées à la mémoire, cette technique permet de déduire la valeur des données stockées dans des zones protégées de la mémoire. Les mémoires présentes dans les circuits intégrés pour cartes à puce sont particulièrement visées par ce type d'attaque car elles contiennent des données confidentielles (clés secrètes, mots de passe...) que le fraudeur cherche à connaître. Pour contrer ce type d'attaque, il est connu de chiffrer les données contenues dans la mémoire. Toutefois, cette solution augmente la durée des cycles de traitement des données car elle nécessite de chiffrer les données avant de les écrire dans la mémoire puis de déchiffrer les données lues dans la mémoire avant de pouvoir les exploiter. Il est également connu d'implanter des cellules mémoire sur un substrat semi-conducteur sans suivre les règles habituelles de conception des circuits intégrés, afin que des cellules mémoire d'adresses successives ne soient pas physiquement voisines mais agencées de façon aléatoire. Toutefois, lorsqu'un mot binaire est lu dans une mémoire, plusieurs cellules mémoire sont lues simultanément, chaque cellule mémoire contenant un bit du mot binaire. Chaque cellule mémoire de rang déterminé fournit un signal électrique dont le traitement est assuré par un amplificateur de lecture de rang déterminé. Il existe ainsi une relation statique entre le rang d'une cellule mémoire au sein d'un groupe de cellules contenant un mot binaire et le rang de l'amplificateur de lecture affecté à la lecture de la cellule mémoire, grâce à laquelle les bits fournis par les amplificateurs de lecture sont agencés dans un ordre déterminé, correspondant à leur rang au sein du mot binaire. Ainsi, le fraudeur peut observer l'activité des amplificateurs de lecture, en déduire la valeur des données en train d'être lues puis retrouver l'adresse des cellules mémoire qui contiennent ces données. Par conséquent, un agencement aléatoire de cellules mémoire et une attribution d'adresse aléatoire aux cellules mémoire ne permet pas de contrer valablement les tentatives de fraude et permet seulement de complexifier le travail du fraudeur Ainsi, un objectif général de la présente invention est de contrer les techniques de fraude de circuits intégrés basées sur l'observation de l'activité de circuits de traitement de signaux électriques parallèles. Un objectif plus particulier de la présente invention est de contrer les techniques de fraude d'une mémoire basées sur l'observation de l'activité des amplificateurs de lecture présents dans la mémoire. De façon générale, la présente invention se base sur la constatation que des circuits de traitement parallèles tels des amplificateurs de lecture sont vulnérables aux attaques de fraudeurs, dès lors qu'il existe une relation ou "règle d'assignation" statique entre les signaux électriques à traiter, par exemple les signaux électriques fournis par les cellules mémoire, et les circuits de traitement. Une telle règle d'assignation statique existe dans divers types de dispositifs autres que les mémoires, où un niveau de sécurité élevé peut également être souhaité, par exemple un convertisseur analogique/numérique comprenant plusieurs blocs de conversion analogique/numérique recevant chacun un signal analogique et fournissant chacun un signal numérique correspondant au signal analogique reçu, ou un circuit de surveillance comprenant des blocs de surveillance parallèles recevant chacun un signal à surveiller et basculant dans un état d'erreur lorsque le signal surveillé présente une caractéristique déterminée, par exemple un niveau de tension ou de courant dépassant un seuil déterminé, etc.. Ainsi, la présente invention prévoit un procédé de traitement de signaux électriques parallèles ayant chacun un rang déterminé, comprenant des cycles successifs de traitement des signaux électriques par circuits de traitement parallèles selon une règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement, et, entre des cycles de traitement, une étape de modification de la règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement, de sorte qu'un circuit de traitement traite des signaux électriques de rangs différents au cours de cycles de traitement différents. Selon un mode de réalisation, la règle d'assignation est modifiée de façon aléatoire ou pseudo- aléatoire tous les T cycles de traitement afin de ne pas être prédictible, T étant un entier constant ou variable, supérieur ou égal à 1. Selon un mode de réalisation, le nombre de circuits de traitement est égal au nombre de signaux électriques à traiter, chaque circuit de traitement étant affecté au traitement d'un signal électrique et un seul à chaque cycle de traitement, sans redondance de circuits de traitement. Selon un mode de réalisation, l'étape de modification de la règle d'assignation comprend une étape d'application d'une première permutation à au moins une partie des signaux électriques à traiter. Selon un mode de réalisation, les circuits de traitement fournissent des signaux de sortie ayant chacun un rang déterminé, et l'étape de modification de la règle d'assignation comprend une étape d'application aux signaux de sortie d'une seconde permutation pour ordonner les signaux de sortie dans un ordre invariant prédéterminé. Selon un mode de réalisation, une permutation est effectuée au moyen de multiplexeurs. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes consistant à définir des groupes de signaux électriques et des groupes de circuits de traitement, chaque groupe de circuits de traitement étant affecté au traitement d'un groupe de signaux, définir au sein de chaque groupe de signaux électriques une règle d'assignation de chaque signal électrique du groupe à l'un des circuits de traitement du groupe de circuits de traitement affecté au groupe de signaux, et modifier la règle d'assignation des signaux électriques au sein d'au moins un groupe de signaux entre deux cycles de traitement différents. Selon un mode de réalisation, le nombre de circuits de traitement dans chaque groupe de circuits de traitement est égal au nombre de signaux électriques dans chaque groupe de signaux électriques, chaque groupe de circuits de traitement étant affecté au traitement d'un groupe de signaux électriques sans redondance de circuits de traitement. Selon un mode de réalisation, le procédé est appliqué à des cycles de lecture de cellules mémoire sélectionnées au sein d'une mémoire, les signaux électriques à traiter sont des signaux électriques fonction de l'état de conductivité des cellules mémoire sélectionnées, les circuits de traitement sont des circuits de lecture de cellules mémoire, agencés pour lire en parallèle les cellules mémoire sélectionnées, et fournir chacun un signal de sortie binaire représentatif de l'état de conductivité de la cellule mémoire à laquelle il est relié, et la règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement définit des chemins électriques reliant les cellules mémoire sélectionnées aux circuits de lecture. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend des étapes consistant à prévoir des chemins électriques permutables entre les cellules mémoire et les circuits de lecture, appliquer une première permutation à au moins une partie des chemins électriques, pour modifier l'ordre dans lequel les cellules mémoire sélectionnées sont reliées aux circuits de lecture, et appliquer une seconde permutation aux signaux de sortie fournis par les circuits de lecture, pour que les signaux de sortie soient fournis dans un ordre invariant prédéterminé. La présente invention concerne également un dispositif de traitement pour effectuer des cycles successifs de traitement de signaux électriques parallèles ayant chacun un rang déterminé, comprenant des circuits de traitement parallèles comportant chacun une entrée pour recevoir l'un des signaux électriques à traiter selon une règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement, un premier circuit de permutation pour appliquer une permutation à au moins une partie des signaux électriques à l'entrée des circuits de traitement et modifier la règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement, et des moyens de contrôle du premier circuit de permutation, pour modifier la règle d'assignation entre des cycles de traitement successifs. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend un nombre de circuits de traitement égal au nombre de signaux électriques à traiter, chaque circuit de traitement étant affecté au traitement d'un signal électrique et un seul à chaque cycle de traitement, sans redondance de circuits de traitement. Selon un mode de réalisation, les moyens de contrôle fournissent au circuit de permutation un signal de consigne de permutation. Selon un mode de réalisation, les moyens de contrôle modifient le signal de consigne de façon aléatoire ou pseudo-aléatoire tous les T cycles de traitement, T étant un entier constant ou variable, supérieur ou égal à 1. Selon un mode de réalisation, les circuits de traitement fournissent des signaux de sortie de rang déterminé, et le dispositif comprend un second circuit de permutation pour appliquer aux signaux de sortie une permutation telle que les signaux de sortie soient fournis dans un ordre invariant prédéterminé. Selon un mode de réalisation, le premier et/ou second circuit de permutation comprend des multiplexeurs. Selon un mode de réalisation, le premier circuit de permutation comprend des blocs de permutation juxtaposés, chaque bloc de permutation étant agencé pour assigner les signaux électriques d'un groupe de signaux électriques à un groupe de circuits de traitement affecté au traitement du groupe de signaux électriques, et les moyens de contrôle sont agencés pour modifier la règle d'assignation appliquée par au moins un bloc entre deux cycles de traitement différents. Selon un mode de réalisation, le nombre de circuits de traitement dans chaque groupe de circuits de traitement est égal au nombre de signaux électriques dans chaque groupe de signaux électriques à traiter, les groupes de circuits de traitement étant affectés chacun au traitement d'un groupe de signaux électriques sans redondance de circuits de traitement. L'invention concerne également une mémoire comprenant des cellules mémoire, des moyens de sélection de cellules mémoire, et un dispositif de traitement selon l'invention dans lequel les signaux électriques à traiter sont des signaux électriques fonction de l'état de conductivité des cellules mémoire sélectionnées, les circuits de traitement sont des circuits de lecture de cellules mémoire, agencés pour lire en parallèle des cellules mémoire sélectionnées et fournir chacun un signal de sortie binaire représentatif de l'état de conductivité de la cellule mémoire à laquelle il est relié, et la règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement définit des chemins électriques reliant les cellules mémoire sélectionnées aux circuits de lecture. Selon un mode de réalisation, la mémoire comprend 35 des chemins électriques reliant les cellules mémoire sélectionnées aux circuits de lecture, un premier circuit de permutation pour permuter les chemins reliant les cellules mémoire et les circuits de lecture, et un second circuit de permutation pour appliquer une permutation aux signaux de sortie fournis par les circuits de lecture, pour que les signaux de sortie soient fournis dans un ordre invariant prédéterminé. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de l'invention faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles - la figure 1 représente sous forme de blocs un dispositif classique de traitement de signaux électriques 15 parallèles; - la figure 2 représente sous forme de blocs un dispositif selon l'invention de traitement de signaux électriques, comprenant des circuits de permutation; - la figure 3 représente schématiquement un mode de réalisation des circuits de permutation de la figure 2, comprenant une juxtaposition de blocs de permutation; - les figures 4A et 4B représentent un exemple de réalisation des blocs de permutation de la figure 3; - la figure 5 représente un mode de réalisation des circuits de permutation de la figure 2 sans juxtaposition de blocs de permutation; et la figure 6 représente schématiquement une mémoire équipée d'un dispositif de traitement selon l'invention. La figure 1 représente un dispositif classique 1 assurant le traitement de signaux électriques ISO-ISm parallèles. Le dispositif comprend des circuits de traitement CTO, CT1,...CTm parallèles, chacun ayant un rang déterminé et comportant une entrée pour recevoir l'un des signaux électriques ISO-ISm, ceux-ci ayant également chacun un rang déterminé. Les circuits de traitement réalisent la même fonction de traitement et les signaux électriques ISO-ISm sont traités en parallèle au cours de cycles de traitement successifs entre lesquels ils changent de valeur ou sont présumés changer de valeur. A l'issue de chaque cycle de traitement, chaque circuit de traitement fournit un signal de sortie OSO-OSm ayant un rang correspondant à celui du signal d'entrée qu'il reçoit. Dans un tel dispositif, le signal électrique reçu par chaque circuit de traitement est déterminé par une règle d'assignation statique définissant les chemins électriques amenant les signaux électriques ISO-ISm aux circuits de traitement CTO-CTm. Le schéma représenté en figure 1 ne comporte pas d'entrelacement, un circuit CTi de rang "i" déterminé (0, 1,. ..m) assurant le traitement d'un signal ISi de même rang. La règle d'assignation pourrait également comporter un entrelacement statique des chemins électriques mais, pour des raisons exposées plus haut, cette précaution serait insuffisante pour contrer valablement les techniques de fraude basées sur l'observation de l'activité des circuits de traitement. La figure 2 représente un dispositif de traitement 10 selon l'invention. Le dispositif 10 assure le traitement des mêmes signaux électriques ISOISm que le dispositif 1 représenté en figure 1 et comprend les mêmes circuits de traitement CTO, CT1,...CTm. Le dispositif 10 se distingue tout d'abord du dispositif 1 en ce qu'il comporte des moyens permettant de modifier de façon dynamique la règle d'assignation des signaux ISO, IS1,...ISm aux circuits de traitement CTO, CT1,...CTm. Ces moyens comprennent ici un premier circuit de permutation SCT et un circuit ISGEN fournissant un signal de commande SEL au circuit de permutation SCT. Le circuit SCT détermine les chemins électriques amenant les signaux ISO-ISm aux circuits de traitement CTO, CT1,...CTm selon une règle d'assignation qui est fonction du signal de commande SEL, lequel est modifié tous les T cycles de traitement par le circuit ISGEN, T étant un nombre entier supérieur ou égal à 1. Ainsi, tous les T cycles de traitement, les chemins électriques amenant les signaux ISO-ISm aux circuits de traitement CTO-CTm sont modifiés en tout ou en partie, de sorte qu'un circuit de traitement CTi de rang i peut traiter un signal électrique de rang i' différent de i au cours d'un cycle de traitement, puis traiter un signal électrique de rang i" différent de i' au cours d'un autre cycle de traitement. Sur la figure 2, il apparaît ainsi que le circuit de permutation SCT reçoit les signaux électriques ISO, IS1,...ISm de rangs 0,1,...m et fournit aux circuits de traitement CTO, CT1,...CTm des signaux électriques ISu, ISv,...ISw de rangs respectifs u, v,...w ne correspondant pas nécessairement à 0, 1,...m (u, v,...w étant des entiers compris entre 0 et m). Par contre, les circuits de traitement fournissent des signaux de sortie OSu, OSv,...OSw de même rang que les signaux électriques reçus ISu, ISv,...ISw. De préférence, le signal de commande SEL est rafraîchi de façon aléatoire ou pseudo-aléatoire tous les T cycles de traitement afin que les modifications de la règle d'assignation ne soient pas prédictibles. Par ailleurs, il peut être avantageux de modifier régulièrement ou aléatoirement la fréquence de modification de la règle d'assignation. Dans ce cas, le paramètre T est une variable qui peut elle-même être aléatoire ou pseudo aléatoire. Selon un second aspect de l'invention, le dispositif de traitement 10 comprend un second circuit de permutation DSCT, agencé à la sortie des circuits de traitement CTO-CTm. Le circuit DSCT applique aux signaux de sortie OSu, OSv,...OSw fournis par les circuits de traitement une permutation qui est telle que ces signaux sont réordonnés dans un ordre invariant prédéterminé. L'ordre souhaité pour la présentation des signaux de sortie peut être le même que l'ordre dans lequel les signaux électriques ISO, ISl,...ISm sont reçus par le circuit de permutation SCT, comme illustré sur la figure 2. Dans ce cas, le circuit de permutation DSCT applique aux signaux de sortie OSu, OSv,...Osw une permutation qui est l'inverse de celle appliquée par le circuit de permutation SCT, de sorte que l'on retrouve à la sortie du circuit DSCT les signaux de sortie OSO, OSl,...OSm dans le même ordre que les signaux d'entrée ISO, ISI,...ISm, OSO étant le signal de sortie correspondant au signal d'entrée ISO, OS1 le signal de sortie correspondant au signal d'entrée ISl, etc., OSm étant le signal de sortie correspondant au signal d'entrée ISm. L'ordre souhaité pour la présentation des signaux de sortie, bien qu'étant invariable, peut aussi être différent de l'ordre dans lequel les signaux électriques ISO, ISl,...ISm sont reçus. Dans ce cas le circuit de permutation DSCT applique aux signaux de sortie OSu, OSv,...Osw une première permutation qui est l'inverse de celle appliquée par le circuit de permutation SCT puis une seconde permutation (invariable) pour obtenir l'ordre souhaité. Dans les deux cas, la permutation que réalise le circuit DSCT compense (neutralise) celle effectuée par le circuit SCT. A cet effet, le second circuit de permutation DSCT peut être commandé par le même signal de commande SEL que le circuit de permutation SCT. L'homme de l'art notera que le second aspect de l'invention n'est pas nécessaire lorsque les circuits de traitement CTO-CTm fournissent des signaux de sortie dont le rang est sans importance ou lorsque les signaux à traiter incluent par exemple une étiquette d'identification qui est recopiée par les circuits de traitement dans les signaux de sortie (par exemple dans le cas d'un traitement parallèle de signaux numériques comprenant un champ d'identification). Grâce à l'invention, une simple observation de l'activité des circuits de traitement CTO-CTm ne permet pas de déterminer la relation existant entre les signaux de sortie et les signaux d'entrée, car cette relation change tous les T cycles de traitement selon une règle qui n'est pas connue du fraudeur et est de préférence aléatoire ou pseudo-aléatoire comme proposé ci-dessus. La figure 3 illustre un mode de réalisation du dispositif selon l'invention dans lequel les circuits de permutation SCT, DSCT sont formés par la juxtaposition de blocs de permutation SCTO:l à SCTm-l:m, respectivement DSCTO:l à DSCTm-l:m, ayant chacun un nombre d'entrées et de sorties inférieur au nombre total des signaux électriques ISO-ISm. A cet effet les signaux d'entrée ISO-ISm, les signaux de sortie OSO-Osm et les circuits de traitement sont répartis dans plusieurs groupes de signaux d'entrée, autant de groupes de signaux de sortie, et autant de groupes de circuits de traitement. Chaque bloc SCTO:l - SCTm-l:m comprend des entrées pour recevoir un groupe de signaux électriques d'entrée, des sorties connectées aux entrées d'un groupe de circuits de traitement CTO- CTm, et applique entre ses entrées et ses sorties une permutation fonction du signal de commande SEL. De même, chaque bloc de permutation DSCTO:l DSCTm-l:m comprend des entrées connectées aux sorties d'un groupe de circuits de traitement CTO-CTm, pour recevoir un groupe de signaux de sortie fourni par le groupe de circuits de traitement, et des sorties pour recopier ces signaux de sortie après leur avoir appliqué une permutation qui est fonction du signal de commande SEL. A chaque bloc de permutation SCTO:l - SCTm-l:m correspond un bloc de permutation DSCTO:l - DSCTm-l:m et réciproquement. Un bloc de permutation SCTO:l - SCTm-l:m et le bloc de permutation DCTO:l - DSCTm-l:m correspondant appliquent des permutations inverses l'une de l'autre aux signaux d'entrée et de sortie des circuits de traitement correspondants, afin que chacun des signaux de sortie soit présenté selon un rang invariable indépendant des variations de la règle d'attribution (ici un rang identique au rang du signal d'entrée correspondant). Dans un mode de réalisation préféré tel que représenté sur la figure 3, les blocs SCTO:1-SCTm-l:m et DSCTO:1-DSCTm-l:m sont tous identiques et présentent le même nombre d'entrées et de sorties, ici deux entrées et deux sorties. Ainsi, chaque bloc de permutation SCTO:1-SCTm-l:m, DSCTO:1-DSCTm-1:m comprend deux entrées INO, IN1, deux sorties OUTO, OUT1 et est commandé par un bit du signal de commande SEL qui est ici un mot binaire. Le bit de commande qui pilote un bloc de permutation SCTO:1-SCTm-l:m est également appliqué au bloc de permutation DSCTO:1-DSCTm-l:m correspondant. Chaque bloc de permutation SCTO:1-SCTm-l:m reçoit sur ses entrées INO, IN1 deux signaux à traiter parmi les signaux INO-INm et applique ou non une permutation à ces signaux en fonction de la valeur du bit de commande, et fournit sur ses sorties OUTO, OUT1 les deux signaux dans l'ordre initial ou dans un ordre inversé. De même, chaque bloc de permutation DSCTO:1-DSCTm-l:m reçoit sur ses entrées INO, IN1 deux signaux de sortie parmi les signaux OSO-OSm fournis par les circuits de traitement CTO-CTm et applique ou non une permutation à ces signaux en fonction de la valeur du bit de commande, pour fournir sur ses sorties OUTO, OUT1 les deux signaux dans l'ordre initial ou dans un ordre inversé. Par exemple, le bloc SCTO:l fournit les signaux ISO, IS1 aux circuits de traitement CTO, CT1 dans un ordre qui est fonction du premier bit du signal SEL, et le bloc correspondant DSCTO:1, piloté par le même bit de commande, recopie les signaux de sortie OSO, OS1 fournis par les circuits de traitement CTO, CT1 de manière que ceux-ci se présentent dans l'ordre initial des signaux ISO, ISl. Ainsi, en supposant que le bloc SCTO:l permute les signaux d'entrée ISO, IS1, comme représenté sur la figure, le bloc DSCTO:l permute également les signaux de sortie OSO, OS1 qui se trouvent alors réordonnés conformément aux rangs des signaux d'entrée. De même, chaque bloc de permutation suivant SCTi:i+l, et ce jusqu'au dernier bloc SCTm-l:m, fournit les signaux ISi, ISi+1 à des circuits de traitement CTi, CTi+l dans un ordre qui est fonction du bit de commande du signal SEL affecté au contrôle de ce bloc, et le bloc correspondant DSCTi:i+l, piloté par le même bit de commande, recopie les signaux de sortie OSi, OSi+l fournis par les circuits de traitement CTi, CTi+1 de manière que ceux-ci se présentent dans l'ordre initial des signaux ISi, ISi+l. Les figures 4A et 4B illustrent un mode de réalisation de deux blocs de permutation, par exemple les blocs SCTO:1, DSCTO:1, les autres blocs étant identiques. Chaque bloc de permutation SCTO:l ou DSCTO:l comprend quatre transistors NMOS Tl-T4. La grille des transistors Tl et T2 est commandée par un bit SEL01 du signal de commande SEL et la grille des transistors T3, T4 est commandée par le bit SEL01 inversé fourni par une porte inverseuse INV. L'entrée INO du bloc de permutation est connectée aux drains des transistors Tl et T3, et l'entrée IN1 est connectée aux drains des transistors T2 et T4. Les sources des transistors Tl et T4 sont connectées à la sortie OUTO du bloc de permutation, et les sources des transistors T2 et T3 sont connectées à la sortie OUT1. La figure 4A illustre le cas où le bit de commande SEL01 est à 0, soit la masse du circuit ou un niveau bas de tension, et la figure 4B illustre le cas où le bit de commande SEL01 est à 1, soit un niveau haut de tension suffisant pour rendre les transistors passants. Les équipotentielles au niveau bas sont représentées en traits fins et les équipotentielles au niveau haut sont représentées en traits plus épais. Sur la figure 4A, les transistors T3 et T4 sont passants tandis que les transistors Ti et T2 sont bloqués. Il en résulte que les rangs des signaux ISO et ISl sont inversés en sortie du bloc SCTO:1. Ainsi, le signal IS1 est appliqué en entrée du circuit de traitement CTO et le signal ISO est appliqué en entrée du circuit de traitement CT1. En sortie des circuits CTO, CT1, les signaux de sortie OSO et OS1 sont dans le même ordre que les signaux ISO, ISl tels qu'appliqués aux circuits de traitement, de sorte que le signal OS1 est appliqué à l'entrée INO du bloc DSCTO:1 tandis que le signal OSO est appliqué à l'entrée IN1 du bloc DSCTO:1. Comme le même bit de commande SEL01 est appliqué aux blocs SCTO:l et DSCTO:1, les transistors T3 et T4 du bloc DSCTO:l sont également passants, tandis que les autres transistors sont bloqués. Il en résulte que le signal OS1 appliqué à l'entrée INO est recopié par la sortie OUT1 du bloc DSCTO:l, tandis que le signal OSO appliqué à l'entrée IN1 est recopié par la sortie OUTO du bloc DSCTO:1. Les signaux OSO et OS1 sont donc fournis suivant le rang des signaux d'entrée ISO et IS1 correspondants. L'homme de l'art notera que les transistors Ti, T3 forment un premier circuit multiplexeur et que les transistors T2, T4 forment un second circuit multiplexeur. Ainsi, chaque bloc SCTO:1, DSCTO:1 est l'équivalent de deux multiplexeurs imbriqués ayant leurs sorties interconnectées. La figure 5 représente un second mode de réalisation des circuits de permutation SCT, DSCT de la figure 2 sans juxtaposition de blocs de permutation. Chaque circuit de permutation SCT, DSCT comprend ici m x m transistors TR, par exemple des transistors NMOS, disposés en lignes et en colonnes selon une répartition matricielle de m lignes et m colonnes, m étant le nombre de circuits de traitement CTO-CTm. Les drains des transistors de chaque ligne sont connectés respectivement à une entrée INO-INm du circuit de permutation, tandis que les sources destransistors de chaque colonne sont respectivement connectées à une sortie OUTO-OUTm du circuit. Les grilles des transistors sont commandées séparément par un circuit de contrôle CTL. Pour réaliser des permutations, le circuit de contrôle CTL commande les transistors T de sorte qu'un seul transistor soit passant par ligne et par colonne de transistors. Le nombre de permutations dans un ensemble ordonné de m+l éléments étant égal à (m+l) ! (factorielle m+l), le signal de commande SEL fourni par le circuit de commande ISGEN comporte le nombre de bits nécessaires pour coder (m+l)!. Par exemple, pour 8 circuits de traitement (m = 7), le nombre de permutations possibles est égal à 8! (40320) et le signal de commande comporte alors 16 bits. Il est à noter que les circuits de contrôle CTL des deux circuits de permutation SCT, DSCT peuvent être prévus différents de manière à effectuer des permutations inverses à partir du même signal de commande SEL. Les circuits de contrôle CTL peuvent également être prévus identiques et recevoir des signaux de commande SEL(SCT) et SEL(DSCT) différents mais liés, le circuit ISGEN assurant alors la fourniture du signal aléatoire ou pseudo aléatoire SEL(SCT) et la fourniture du signal SEL(DSCT) tel que le circuit DSCT effectue une permutation qui neutralise celle effectuée par le circuit SCT, avec éventuellement réorganisation des signaux de sortie selon un ordre invariable différent de celui des signaux d'entrée. La figure 6 illustre une application de la présente invention à une mémoire 20 dans laquelle on a incorporé les circuits de permutation SCT, DSCT et le circuit de commande ISGEN décrits ci-dessus. La mémoire 20 est par exemple de type EEPROM ou FLASH et comporte un plan mémoire MA comprenant des cellules mémoire MC effaçables et programmables électriquement. Les cellules mémoire MC sont connectées à des lignes de mot horizontales WLO-WLn et à des lignes de bit verticales BL. Les lignes de bit sont regroupées en colonnes Ck-1, Ck, Ck+l comportant chacune m+l lignes de bit BL, m+l étant le nombre de bits par colonne, et k étant un indice de colonne. Le plan mémoire définit ainsi, le long des lignes de mot WLO-WLn, des mots binaires de m+l bits chacun. La mémoire 20 comprend également m+l amplificateurs de lecture SAO-SAm permettant de lire un mot binaire de m+l bits en un cycle de lecture. Chaque ligne de bit BL est reliée à un amplificateur de lecture par l'intermédiaire d'un transistor de sélection TS et d'un bus de multiplexage MB. Un décodeur de colonne CDEC fournit des signaux de sélection de colonne SCk-1, SCk, SCk+l qui sont appliqués aux grilles des transistors TS. Les transistors TS assurant la sélection des lignes de bit d'une même colonne sont pilotés par le même signal SCk. Ainsi, sur sélection d'une ligne de mot WLi (i étant un nombre entier compris entre 0 et n, n étant le nombre de lignes de mots dans le plan mémoire) et d'une colonne Ck, les amplificateurs de lecture SAO-SAm lisent les m+l cellules mémoire MC du mot de rang i,k sélectionné. A cet effet, ils reçoivent via le bus MB des signaux CBLO-CBLm représentatifs de l'état de conductivité des cellules mémoire sélectionnées auxquelles ils sont reliés, et fournissent sur un bus de données DB des bits de donnée b0-bm. Comme cela est bien connu de l'homme de l'art, dans une mémoire de type EEPROM ou FLASH les signaux CBLO-CBLm sont généralement des courants dont l'intensité dépend de l'état de conductivité des cellules mémoire, l'état de conductivité des cellules mémoire étant lui- même représentatif des données enregistrées dans celles-ci. Le circuit de permutation SCT selon l'invention est agencé entre le bus de multiplexage MB et les entrées des amplificateurs de lecture SAO-SAm et est piloté comme précédemment par le signal de commande SEL fourni par le circuit ISGEN. Le circuit ISGEN fournit un nouveau signal de commande SEL tous les T cycles de lecture d'un mot dans la mémoire, par exemple à chaque nouveau cycle de lecture (T=l) . Comme précédemment, le signal SEL est de préférence aléatoire ou pseudo-aléatoire afin de ne pas être prédictible. Le nombre T de cycles de lecture pendant lesquels le signal de commande est maintenu invariant peut également être variable au cours du temps, comme exposé plus haut. Ainsi, les rangs 0-m des signaux CBLO-CBLm ne correspondent pas nécessairement aux rangs des amplificateurs SAO-SAm. Ainsi, dans l'exemple représenté sur la figure 6, le signal CBLu de rang u est appliqué à l'amplificateur SAO, et le signal CBLv de rang v à l'amplificateur SAm, u et v étant des nombres entiers compris entre 0 et m qui ne sont pas nécessairement égaux à 0 et m, respectivement. Le second circuit de permutation DSCT est agencé à la sortie des amplificateurs SAO-SAm pour réordonner les bits bO-bm selon un ordre invariant correspondant au rang des cellules mémoire ou selon un ordre invariant sans relation avec le rang des cellules mémoire (par exemple si les cellules mémoire recevant les bits d'un même mot binaire sont agencées de façon entrelacée ou aléatoire dans le plan mémoire). Il est à noter que dans les circuits de permutation SCT, DSCT précédemment décrits, les chemins d'entrelacement des signaux ne comprennent qu'un seul transistor Tl-T4, TR (figures 4A, 4B, 5), de sorte que les signaux analogiques CBLO-CBLm fournis par les cellules mémoire ou les signaux numériques bO-bm fournis par les amplificateurs de lecture ne sont pas altérés en traversant ces circuits. Certaines précautions à la portée de l'homme de l'art peuvent par ailleurs être prévues, par exemple le fait de rendre passant les transistors des circuits SCT, DSCT en leur appliquant une tension de grille au moins égale à la somme de la tension maximale des signaux qui les traversent et de la tension de seuil de ces transistors. A la lumière des exemples décrits ci-dessus, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que le procédé et le dispositif selon l'invention sont susceptibles de diverses variantes de mise en uvre. Ainsi, la permutation des signaux de sortie effectuée en aval des circuits de traitement, notamment la permutation des bits bO-bm fournis par les amplificateurs de lecture, peut être réalisée par un dispositif externe qui reçoit alors les signaux de sortie dans le désordre, par exemple un microprocesseur externe qui utilise la mémoire. Le signal SEL qui contrôle la première permutation est alors fourni au dispositif externe, par exemple au moyen d'une sortie spécifique de la mémoire, afin de permettre au dispositif externe de réorganiser les signaux de sortie dans l'ordre souhaité. Alternativement, le signal de commande SEL peut être fourni par le dispositif externe en prévoyant une entrée spécifique reliée à l'entrée de commande du circuit de permutation SCT. Par ailleurs, le nombre de signaux d'entrée et le nombre de circuits de traitement ne sont pas nécessairement identiques. Ainsi, le nombre de circuits de traitement peut être supérieur à celui des signaux d'entrée afin de réaliser par exemple une architecture redondante dans laquelle chaque signal d'entrée peut être traité simultanément par plusieurs circuits de traitement. Il peut également ne pas être nécessaire de traiter tous les signaux à chaque cycle ou étape de traitement, comme cela est le cas dans la mémoire précédemment décrite, où seules les cellules mémoire correspondant à un mot sont lues au cours d'un cycle de lecture. Dans ce cas, le nombre de signaux susceptibles d'être traités peut être supérieur au nombre de circuits de traitement. Le procédé et le dispositif selon l'invention sont également susceptibles de diverses applications, et s'appliquent de façon générale à tout dispositif comportant des circuits de traitement parallèles tels le convertisseur analogique/numérique ou le dispositif de surveillance mentionnés plus haut. REVENDICATIONS 1. Procédé de traitement de signaux électriques (SO-Sm) parallèles ayant chacun un rang déterminé (0-m) , comprenant des cycles successifs de traitement des signaux électriques par circuits de traitement parallèles (CTO-CTm) selon une règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement, caractérisé en ce qu'il comprend, entre des cycles de traitement, une étape de modification de la règle d'assignation des signaux électriques (SO-Sm) aux circuits de traitement (CTO-CTm), de sorte qu'un circuit de traitement traite des signaux électriques de rangs différents au cours de cycles de traitement différents. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la règle d'assignation est modifiée de façon aléatoire ou pseudo-aléatoire tous les T cycles de traitement afin de ne pas être prédictible, T étant un entier constant ou variable, supérieur ou égal à 1. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le nombre de circuits de traitement (CTO-CTm) est égal au nombre de signaux électriques (SO-Sm) à traiter, chaque circuit de traitement étant affecté au traitement d'un signal électrique et un seul à chaque cycle de traitement, sans redondance de circuits de traitement.. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel l'étape de modification de la règle d'assignation comprend une étape d'application d'une première permutation à au moins une partie des signaux électriques (SO-Sm) à traiter. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel - les circuits de traitement (CTO-CTm) fournissent des signaux de sortie (SO'-Sm') ayant chacun un rang déterminé, et - l'étape de modification de la règle d'assignation 5 comprend une étape d'application aux signaux de sortie d'une seconde permutation pour ordonner les signaux de sortie dans un ordre invariant prédéterminé. 6. Procédé selon la revendication 4 ou 5, dans 10 lequel une permutation est effectuée au moyen de multiplexeurs (Tl-T4). 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, comprenant des étapes consistant à : - définir des groupes de signaux électriques (ISO-ISm) et des groupes de circuits de traitement (CTO-CTm), chaque groupe de circuits de traitement étant affecté au traitement d'un groupe de signaux, définir au sein de chaque groupe de signaux électriques 20 une règle d'assignation de chaque signal électrique du groupe à l'un des circuits de traitement du groupe de circuits de traitement affecté au groupe de signaux, et - modifier la règle d'assignation des signaux électriques au sein d'au moins un groupe de signaux entre deux 25 cycles de traitement différents. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le nombre de circuits de traitement (CTO-CTm) dans chaque groupe de circuits de traitement est égal au nombre de signaux électriques (ISO-ISm) dans chaque groupe de signaux électriques, chaque groupe de circuits de traitement étant affecté au traitement d'un groupe de signaux électriques sans redondance de circuits de traitement. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, appliqué à des cycles de lecture de cellules mémoire (MC) sélectionnées au sein d'une mémoire (20), dans lequel: - les signaux électriques à traiter sont des signaux électriques fonction de l'état de conductivité des cellules mémoire sélectionnées, - les circuits de traitement sont des circuits de lecture (SAO-SAm) de cellules mémoire, agencés pour lire en parallèle les cellules mémoire sélectionnées, et fournir chacun un signal de sortie binaire (bO-bm) représentatif de l'état de conductivité de la cellule mémoire à laquelle il est relié, et - la règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement définit des chemins électriques reliant les cellules mémoire sélectionnées aux circuits de lecture. 10. Procédé selon la revendication 9, comprenant des étapes consistant à prévoir des chemins électriques permutables entre les cellules mémoire et les circuits de lecture (SAO-SAm), - appliquer une première permutation à au moins une partie des chemins électriques, pour modifier l'ordre dans lequel les cellules mémoire sélectionnées sont reliées aux circuits de lecture, et - appliquer une seconde permutation aux signaux de sortie (bO-bm) fournis par les circuits de lecture, pour que les signaux de sortie soient fournis dans un ordre invariant prédéterminé. 11. Dispositif de traitement pour effectuer des cycles successifs de traitement de signaux électriques (ISO-ISm) parallèles ayant chacun un rang déterminé, comprenant des circuits de traitement (CTO-CTm) parallèles comportant chacun une entrée pour recevoir l'un des signaux électriques à traiter selon une règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement, caractérisé en ce qu'il comprend - un premier circuit de permutation (SCT) pour appliquer une permutation à au moins une partie des signaux électriques (ISO-ISm) à l'entrée des circuits de traitement (CTO-CTm) et modifier la règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement, et - des moyens de contrôle (ISGEN) du premier circuit de permutation, pour modifier la règle d'assignation entre des cycles de traitement successifs. 12. Dispositif selon la revendication 11, comprenant un nombre de circuits de traitement (CTO-CTm) égal au nombre de signaux électriques (ISO-ISm) à traiter, chaque circuit de traitement étant affecté au traitement d'un signal électrique et un seul à chaque cycle de traitement, sans redondance de circuits de traitement. 13. Dispositif selon la revendication 11 ou 12, dans lequel les moyens de contrôle (ISGEN) fournissent au circuit de permutation (SCT) un signal de consigne de permutation (SEL). 14. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel les moyens de contrôle (ISGEN) modifient le signal de consigne (SEL) de façon aléatoire ou pseudo-aléatoire tous les T cycles de traitement, T étant un entier constant ou variable, supérieur ou égal à 1. 15. Dispositif selon l'une des revendications 11 à 14, dans lequel les circuits de traitement (Ct0-CTm) 35 fournissent des signaux de sortie (OSO-OSm) de rang déterminé, et comprenant un second circuit de permutation (DSCT) pour appliquer aux signaux de sortie (OSO-Osm) une permutation telle que les signaux de sortie soient fournis dans un ordre invariant prédéterminé. 16. Dispositif selon l'une des revendications 11 à 15, dans lequel le premier et/ou second circuit de permutation (SCT, DSCT) comprend des multiplexeurs (Tl-T4). 17. Dispositif selon l'une des revendications 11 à 16, dans lequel - le premier circuit de permutation (SCT) comprend des blocs de permutation (SCTO:1 - SCTm-1:m) juxtaposés, chaque bloc de permutation étant agencé pour assigner les signaux électriques d'un groupe de signaux électriques (ISO-ISm) à un groupe de circuits de traitement (CTO-CTm) affecté au traitement du groupe de signaux électriques, et - les moyens de contrôle (ISGEN) sont agencés pour modifier la règle d'assignation appliquée par au moins un bloc entre deux cycles de traitement différents. 18. Dispositif selon la revendication 17, dans lequel le nombre de circuits de traitement (CTO-CTm) dans chaque groupe de circuits de traitement est égal au nombre de signaux électriques (IS0-ISm) dans chaque groupe de signaux électriques à traiter, les groupes de circuits de traitement étant affectés chacun au traitement d'un groupe de signaux électriques sans redondance de circuits de traitement. 19. Mémoire (20) comprenant des cellules mémoire (MC), des moyens de sélection (Cdec, TS) de cellules mémoire, et un dispositif (SCT, DSCT) selon l'une des revendications 11 à 18 dans lequel: - les signaux électriques à traiter (CBLO-CBLm) sont des signaux électriques (CBLO-CBLm) fonction de l'état de conductivité des cellules mémoire (MC) sélectionnées, - les circuits de traitement sont des circuits de lecture (SAO-SAm) de cellules mémoire, agencés pour lire en parallèle des cellules mémoire sélectionnées et fournir chacun un signal de sortie binaire (bO-bm) représentatif de l'état de conductivité de la cellule mémoire à laquelle il est relié, et - la règle d'assignation des signaux électriques aux circuits de traitement définit des chemins électriques reliant les cellules mémoire sélectionnées aux circuits de lecture. 20. Mémoire selon la revendication 19, comprenant: - des chemins électriques reliant les cellules mémoire sélectionnées aux circuits de lecture (SAO-SAm), - un premier circuit de permutation (SCT) pour permuter les chemins reliant les cellules mémoire et les circuits de lecture, et -un second circuit de permutation (DSCT) pour appliquer une permutation aux signaux de sortie (bO-bm) fournis par 25 les circuits de lecture, pour que les signaux de sortie soient fournis dans un ordre invariant prédéterminé.