FR 2878340 A1 20060526 FR 0501827 A 20050223 PUCE OPTIQUE DESTINEE A UNE TRANSMISSION OPTIQUE ET PROCEDE DE REALISATION DE CELLE-CI La présente invention se rapporte à un procédé de réalisation d'une puce optique destinée à une transmission optique utilisée pour un dispositif d'émission/réception de lumière tel qu'un modulateur optique par exemple. Comme décrit dans la publication de demande de brevet japonais N 2002-22 993, une puce optique destinée à une transmission optique comprend un guide d'onde de lumière. Un guide d'onde de lumière fait de résine est formé sur une tranche dans le procédé de fabrication de la puce optique. Une couche de placage et une couche de protection recouvrent la tranche et le guide d'onde de lumière. Le guide d'onde de lumière et la couche de placage sont ensuite découpés suivant une forme prédéterminée sur la tranche, à partir d'un procédé de découpage en puces élémentaires. L'extrémité cie bout du guide d'onde de lumière se trouve exposée au niveau d'un plan de coupe. La tranche est alors coupée et divisée. L'extrémité de bout du guide d'onde de lumière est exposée au niveau du plan de coupe. Des rayures se forment souvent sur le plan de coupe en raison d'un raclage contre une lame de découpage en puces, par exemple. Les rayures dans l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière induisent des pertes de lumière lors de la diffusion de la lumière. Un processus de meulage ou de polissage peut être exécuté sur le plan de coupe pour éliminer les rayures. Cependant, si la taille des grains de meulage est minimisée pour accomplir l'élimination des rayures, beaucoup de temps est nécessaire pour exécuter le processus de meulage. La productivité s'en trouve dégradée. C'est en conséquence un but de la présente invention de procurer une puce optique destinée à une transmission optique capable d'établir facilement une surface plane de coupe nette à l'extrémité de bout d'un guide d'onde de lumière. Conformément à un premier aspect de la présente invention, il est fourni une puce optique comprenant: un substrat fait d'un cristal diélectrique et définissant des surfaces le long de plans parallèles perpendiculaires à une surface plate du substrat, un guide d'onde de lumière formé dans le substrat le long de la surface plate du substrat sur la base d'une diffusion d'un matériau minéral, et un creux formé sur la surface plate du substrat de.façon à localiser l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière à une position en retrait par rapport au plan. Le creux du substrat peut être formé facilement sur la base d'un processus de gravure, par exemple. Une surface plate peut être établie à l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière sur la base du processus de gravure. Une perte de lumière peut être empêchée au mieux, au contact avec une fibre optique connectée au guide d'onde de lumière, par exemple. Le creux peut inclure une rainure s'étendant à partir du plan, par exemple. Conformément à un second aspect de la présente invention, il est fourni un procédé de réalisation d'une puce optique, comprenant: la préparation d'une tranche faite d'un cristal diélectrique, la diffusion d'un matériau minéral à partir d'une surface plate de la tranche de façon à former un guide d'onde de lumière s'étendant dans la tranche le long de la surface plate de la tranche, et le fait de soumettre la surface de la tranche à un processus de gravure de façon à former une surface le long d'un plan de référence perpendiculaire au guide d'onde de lumière. Le procédé permet des découpes le long du plan de référence perpendiculairement au guide d'onde de lumière sur la base d'un processus de gravure. L'extrémité de bout du guide d'onde de lumière se trouve exposée au niveau de la surface plate à l'intérieur du plan de référence. Une surface lisse peut être établie aisément à l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière. Le procédé peut en outre inclure: la formation d'une rainure croisant le guide d'onde de lumière sur la surface plate de la tranche de façon à former la surface, et la découpe de la tranche le long d'un plan imaginaire dans un espace défini entre les extrémités de bouts des guides d'onde de lumière opposées les unes aux autres dans la rainure. Le procédé permet d'empêcher un contact entre une lame de découpe en puces et le guide d'onde de lumière, par exemple. La génération de fissures ou de rayures peut être empêchée de façon fiable à l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière. En outre, le processus peut être réalisé en une période plus courte. La période d'usinage peut être raccourcie. Les buts, caractéristiques et avantages de la présente invention qui précèdent ainsi que d'autres, seront mis en évidence d'après la description suivante des modes de réalisation préférés en conjonction avec les dessins annexés, qui sont donnés à titre d'exemple, dans lesquels: La figure 1 illustre de façon simplifiée la structure d'un modulateur optique conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention, La figure 2 est une vue en perspective partielle agrandie illustrant de façon simplifiée la structure d'une puce optique destinée à une transmission optique, à titre d'exemple spécifique conforme à la présente invention, La figure 3 est une vue en plan illustrant de façon simplifiée la structure de la partie optique, La figure 4 est une vue en coupe prise suivant la ligne 4-4 de la figure 3, La figure 5 est une vue en plan illustrant de façon simplifiée une tranche utilisée dans un procédé de réalisation de la puce optique, La figure 6 est une vue en coupe agrandie prise suivant la ligne 6-6 de la 10 figure 5, afin d'illustrer de façon simplifiée les films de résine photosensible dans un motif sur la tranche, La figure 7 est une vue en plan de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée le processus de formation d'un guide d'onde de lumière, La figure 8 est une vue en coupe 'partielle agrandie de la tranche destinée 15 à illustrer de façon simplifiée un processus de gravure humide appliqué à une couche de Ti, La figure 9 est une vue en coupe partielle agrandie de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée une diffusion d'atomes de Ti, La figure 10 est une vue en plan de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée des vides mis en motif dans une résine photosensible, La figure 11 est une vue en perspective partielle agrandie de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée une rainure définie dans la résine photosensible, La figure 12 est une vue en perspective partielle agrandie de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée une rainure définie dans la tranche, La figure 13 est une vue en coupe partielle agrandie de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée des vides mis en motif dans une résine photosensible, La figure 14 est une vue en coupe partielle agrandie de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée des rainures formées dans une première couche de Au et une couche de Ti, La figure 15 est une vue en coupe partielle agrandie de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée une seconde couche de Au formée autour d'une résine photosensible, La figure 16 est une vue en coupe partielle agrandie de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée une troisième couche de Au formée autour d'une résine photosensible, La figure 17 est une vue en coupe partielle agrandie de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée une résine photosensible remplissant des rainures formées au travers des première à troisième couches de Au et la couche de Ti; La figure 18 est une vue en coupe partielle agrandie de la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée une électrode de signal et des électrodes de masse, La figure 19 est une vue en plan d.e la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée des découpes le long de plans imaginaires parallèles, parallèlement aux guides d'onde de lumière, La figure 20 est une vue en plan dle la tranche destinée à illustrer de façon simplifiée des découpes le long d'une paire de plans imaginaires parallèles dans la direction perpendiculaire aux guides d'onde de lumière, La figure 21 est une vue en perspective agrandie destinée à illustrer de façon simplifiée la surface d'extrémité de la puce optique, La figure 22 illustre de façon simplifiée la structure d'un modulateur optique conforme à un second mode de réalisation de la présente invention, La figure 23 est une vue en perspective partielle agrandie de la puce optique destinée à illustrer de façon simplifiée la fixation de la fibre optique à l'intérieur d'un creux, La figure 24 est une vue en perspective partielle agrandie d'une puce optique destinée à illustrer de façon simplifiée un exemple modifié de la présente invention, et La figure 25 est une vue en perspective partielle agrandie d'une puce optique destinée à illustrer de façon simplifiée un autre exemple modifié de la présente invention. La figure 1 illustre de façon simplifiée la structure d'un dispositif d'émission/réception de lumière ou modulateur optique 11 conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention. Le modulateur optique 11 est ce que l'on appelle un modulateur du type Mach-Zehnder, par exemple. Le modulateur optique 11 comprend un boîtier 12. Une fibre optique d'entrée 13a et une fibre optique de sortie 13b sont insérées dans le boîtier 12. Une ferrule 14 est fixée aux extrémités des bouts individuels des fibres optiques 13a, 13b de façon à aider à l'insertion des fibres optiques d'entrée et de sortie 13a, 13b. La ferrule 14 peut être faite d'un matériau de verre, par exemple. Les ferrules 14 sont couplées de façon amovible à des connecteurs correspondants 15. Les fibres optiques 13a, 13b sont alignées sur une ligne droite commune. Comme on le sait de façon classique, les fibres optiques individuelles 13a, 13b comprennent un coeur, une couche de gaine conçue pour entourer le coeur, et une couche de couverture conçue pour recouvrir la couche de gaine. Le boîtier 12 contient une puce optique 16 destinée à une transmission optique. La puce optique 16 est située entre les fibres optiques 13a, 13b. La puce optique 16 comprend un corps 17, un guide d'onde de lumière 18 formé le long de la surface plate du corps 17. Le corps 17 prend la forme d'une plaque plate, par exemple. Le corps 17 définit une paire de surfaces d'extrémités 17a, 17b s'étendant à l'intérieur des plans perpendiculaires à la surface plate du corps 17. Le guide d'onde de lumière 18 est conçu pour s'étendre dans la direction longitudinale du corps 17 entre les surfaces d'extrémités 17a, 17b. Le guide d'onde de lumière 18 peut transmettre de la lumière au travers du corps 17. Les extrémités de bouts du guide d'onde de lumière 18 sont reliées aux fibres optiques 13a, 13b. Le centre géométrique du guide d'onde de lumière 18 est aligné sur les axes longitudinaux des fibres optiques 13a, 13b. Le guide d'onde de lumière 18 comprend un trajet d'entrée 18a et un trajet de sortie 18b, tous deux définis sur une ligne droite commune. Les trajets d'entrée et de sortie 18a, 18b sont reliés l'un à l'autre par l'intermédiaire des première et seconde dérivations 18c, 18d. Les dérivations 18c, 18d bifurquent au niveau des divisions 19, 21 à partir des trajets d'entrée et de sortie 18a, 18b. Les première et seconde dérivations 18c, 18d peuvent s'étendre parallèlement l'une à l'autre. Une lentille 22 est incorporée entre la fibre optique 13a et la surface d'extrémité 17a de la puce 16 et entre la surface d'extrémité 17b de la puce 16 et la fibre optique 13b. La lentille 22 sert à condenser la lumière provenant de l'extrémité de bout de la fibre optique 13a sur l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 18. De la même manière, la lentille 22 sert à condenser de la lumière provenant de l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 18 sur l'extrémité de bout de la fibre optique 13b. Une photodiode 23 est positionnée optionnellement entre la surface d'extrémité 17b du corps 17 et la lentille 22. La photodiode 23 sert à transformer 35 la lumière provenant de l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 18 en un signal électrique. L'état de la lumière provenant du guide d'onde de lumière 18 peut être surveillé en se fondant sur le signal électrique. Comme indiqué sur la figure 2, des creux 24, 24 sont formés sur la surface plate du corps 17. Les creux 24 servent à localiser les extrémités de bouts des trajets d'entrée et de sortie 18a, 18b à des positions en retrait par rapport aux surfaces d'extrémités 17a, 171). Le creux 24 peut être une rainure partant de la surface d'extrémité individuelle 17a, 17b. Ici, les extrémités de bouts du guide d'onde de lumière 18 sont situées sur des surfaces plates 25 perpendiculaires à la surface plate du corps 17. Comme indiqué sur la figure 3, une électrode de signal 26 est formée sur la surface plate du corps 17. L'électrode de signal 26 est conçue pour s'étendre sur la première dérivation 18c. Des première et seconde électrodes de masse 27, 28 sont formées de la même manière sur la surface plate du corps 17 à des emplacements espacés les uns des autres. L'électrode de signal 26 est située dans un espace entre les première et seconde électrodes de masse 26, 27. La première électrode de masse 27 est conçue pour s'étendre sur la seconde dérivation 18d. Des premières extrémités de ces électrodes 26, 27, 28 sont reliées à une source de signal 29. Les autres extrémités des électrodes 26, 27, 28 sont reliées à une résistance de terminaison 31. La source d.e signal 29 fournit un signal électrique à l'électrode de signal 26. Comme indiqué sur la figure 4, le corps 17 de la puce optique 16 comprend un substrat 32. Le substrat 32 est fait d'un cristal diélectrique, tel que du LiNbO3, par exemple. Le substrat 32 est conçu pour s'étendre le long d'un plan prédéterminé. Le guide d'onde de lumière mentionné précédemment 18 est formé dans le substrat 32. Le guide d'onde de lumière 18 est formé dans le substrat 32 le long de la surface plate du substrat 32, grâce à une diffusion thermique d'un matériau minéral, tel que Ti, par exemple. Le corps 17 comprend une couche de SiO2 33 s'étendant sur la surface plate du substrat 32. Le guide d'onde de]lumière 18 est donc interposé entre la couche de SiO2 33 et le substrat 32. La couche de SiO2 33 agit comme couche tampon. Le corps 17 comprend en outre une couche de Si 34 s'étendant sur la surface de la couche de SiO2 33. La couche de Si 34 est conçue pour recouvrir simultanément les surfaces latérales et alTière du substrat 32. La couche de Si 34 reçoit l'électrode de signal mentionnée précédemment 26 et les première et seconde électrodes de masse 27, 28 au niveau de sa surface plate. Les électrodes 26, 27, 28 peuvent être faites d'un matériau électriquement conducteur tel que Au, par exemple. Une couche de Ti 35 est interposée entre les électrodes 26, 27, 28 et la couche de Si 34. Un espace prédéterminé 36 est défini entre la première électrode de masse 27 et l'électrode de signal 26. De la même manière, un espace prédéterminé 37 est défini entre l'électrode de signal 26 et la seconde électrode de masse 28. La seconde électrode de masse 28 est donc espacée par rapport à l'électrode de signal 26 d'une distance prédéterminée. Comme cela est évident sur la figure 3, les extrémités des espaces 36, 37 atteignent la surface latérale du corps 17 s'étendant parallèlement au guide d'onde de lumière 18. On fera ensuite une brève description du fonctionnement du modulateur optique 11. Lorsque de la lumière provenant de la source de lumière est appliquée en entrée dans le boîtier 12 par l'intermédiaire de la fibre optique d'entrée 13a, la lumière d'entrée est condensée au niveau de la lentille 22 de façon à atteindre l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 18 ou du trajet d'entrée 18a. Ensuite, la lumière d'entrée se divise au niveau de la division 19 en les première et seconde dérivations 18e, 18d. La lumière d'entrée est sensiblement divisée en deux au niveau de la division 19. La lumière divisée est introduite dans les première et seconde dérivations 18c, 18d. Par ailleurs, un signal électrique est appliqué en entrée à l'électrode de signal 26 à partir de la source de signal 29. Un champ électrique est appliqué sur la première dérivation 18c en fonction du signal électrique. L'indice de réfraction de la lumière appliquée en entrée varie donc dans la première dérivation 18c. Ce que l'on appelle un effet optoélectronique sert à induire un déphasage entre les première et seconde dérivations 18e, 18d. Le déphasage correspond à des valeurs "1" et "0" du signal électrique. La lumière. guidée par l'intermédiaire des première et seconde dérivations 18c, 18d est combinée au niveau de la division 21. La différence de phase provoque une déviation de la lumière combinée au niveau de la division 21. La lumière est divisée en une lumière de sortie conduite vers le trajet de sortie 18b et une lumière de fuite pénétrant dans le substrat 32 du corps 17. La lumière de sortie provenant de l'extrémité de bout du trajet de sortie 18b est rayonnée sur la fibre optique de sortie 13b par l'intermédiaire de la lentille 22. La fibre optique de sortie 13b sert à transmettre la lumière de sortie ou le signal lumineux vers une destination cible. Des données d'informations peuvent être lues sur la base de l'intensité de la lumière de sortie au niveau de la destination cible. Le modulateur optique mentionné précédemment 11 permet que l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 18 se trouve exposé à la position en retrait par rapport à la surface d'extrémité 17a, 17b dans le creux 24. Le creux 24 peut être formé aisément grâce à un processus de gravure, par exemple, comme on le décrit plus loin en détail. Une surface lisse peut être établie à l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 18 grâce au processus de gravure. Une perte de lumière est empêchée au mieux au niveau du contact avec les fibres optiques 13a, 13b. On fera ensuite en détail une description d'un procédé de réalisation de la puce optique 16. Comme indiqué sur la figure 5, une tranche 41 est tout d'abord préparée. La tranche 41 est faite d'un cristal diélectrique, tel que du LiNbO3 par exemple. La tranche 41 correspond au substrat 32 du corps 17. Comme représenté sur la figure 6, une couche d'un matériau minéral ou une couche de Ti 42 est formée sur toute la surface plate avant de la tranche 41. La tranche 41 est placée dans une chambre d'un appareil d'évaporation non représenté. La pureté du Ti est amenée à 4N. Un vide est établi approximativement à 6,6 x 104 [Pa] dans la chambre, par exemple. L'épaisseur de la couche de Ti 42 est établie à 100 nrn approximativement, par exemple. La tranche 41 est sortie de la chambre après la formation de la couche de Ti 42. Une résine photosensible 43 est appliquée à la surface entière de la couche de Ti 42. L'épaisseur de la résine photosensible 43 est établie approximativement à 1 m, par exemple. La résine photosensible 43 est soumise à une exposition et un développement sous un masque approprié. Il en résulte que des films de résine photosensible 43a sont formés suivant un motif prédéterminé, comme indiqué sur la figure 7. Le film de résine photosensible individuel 43a est conçu pour représenter le motif du guide d'onde de lumière 18. En particulier, le film de résine photosensible 43a comprend des parties s'étendant sur une ligne droite commune à des emplacements espacés les uns des autres, et une paire de parties s'étendant sur des lignes droites parallèles entre les parties sur la ligne droite commune. Les parties sur les lignes droites parallèles se divisent au niveau des extrémités intérieures des parties sur la ligne droite, de façon à relier les extrémités intérieures l'une à l'autre. La surface de la couche de Ti 42 est exposée autour des films de résine photosensible 43a. Un processus de gravure humide est réalisé après cela sur la couche de Ti 42. La couche de Ti 42 est éliminée autour des films de résine photosensible 43a. Comme représenté sur la figure 8, la couche de Ti 42 subsiste donc sur la surface de la tranche 41 suivant le motif prédéterminé. Les films de résine photosensible 43a sont alors éliminés de]a surface de la tranche 41. La tranche 41 est alors placée dans une chambre d'un appareil de diffusion, non représenté. La tranche 41 est chauffée à 1 000 degrés Celsius en dix heures dans la chambre. Un gaz d'oxygène pur circule au travers de la chambre à un débit de dix litres par minute. Comme indiqué sur la figure 9, des atomes de Ti diffusent donc dans la surface plate avant de la tranche 41. Les guides d'onde de lumière 44 sont formés de cette manière pour s'étendre dans la tranche 41 le long de la surface plate avant de la tranche 41 grâce à la diffusion des atomes de Ti. La tranche 41 est alors sortie de la chambre. Comme représenté sur la figure 10, le guide d'onde de lumière 44 comprend une paire de parties en ligne droite 44a, 44b s'étendant sur une ligne droite à des emplacements espacés l'un de l'autre. Une paire de parties de lignes droites dérivées parallèles 44c, 44d sont divisées à partir des extrémités intérieures des parties de lignes droites 44a, 44b. Les parties de lignes droites dérivées 44c, 44d relient donc les extrémités intérieures des parties de lignes droites 44a, 44b l'une à l'autre. Une résine photosensible 45 est alors appliquée à la surface entière de la tranche 41. L'épaisseur de la résine photosensible 45 est établie approximativement à 15!lm, par exemple. La résine photosensible 45 est soumise à une exposition et à un développement. Il en résulte que des vides mis en motif 46 sont formés dans un film de résine photosensible 45a. Comme cela est évident d'après la figure 10, le vide 46 est conçu pour croiser les parties de lignes droites 44a, 44b du guide d'onde de lumière 44. La surface de la tranche 41 est exposée au fond des vides mis en motif 46. Un processus de gravure à sec est alors réalisé sur la tranche 41. Ici, une gravure à ions réactifs (RIE) est exécutée. La tranche 41 est placée dans une chambre d'un appareil de gravure à sec, non représenté. Un gaz de mélange d'un gaz de Ar et d'un gaz de C3F8 est utilisé comme gaz réactif, par exemple. Une puissance d'antenne d'une source d'alimentation à haute fréquence est réglée à 1 200 W. Une puissance de polarisation d'une source d'alimentation de polarisation est réglée à 200 W. Une pression est établie à 0,25 [Pa] dans la chambre. La température est réglée à -10 degrés Celsius, approximativement, dans un dispositif de refroidissement. Le processus de gravure est réalisé en une à trois heures. Les ions entrent en collision contre la surface de la résine photosensible 45 grâce au plasma du gaz réactif dans la chambre. En même temps, une réaction chimique a lieu sur la surface de la tranche 41 en raison du gaz réactif. De cette manière, le matériau de la tranche 41 est éliminé dans les vides mis en motif 46. La tranche 41 est alors sortie de la chambre. Le film de résine photosensible 45a est ensuite éliminé de la surface de la tranche 41. Une rainure 47 est donc formée sur la surface plate avant de la tranche 41 à l'intérieur des vides mis en motif 46, comme indiqué sur la figure 12. Les rainures 47 sont conçues pour croiser le guide d'onde de lumière 44 au niveau des parties de lignes droites 44a, 44b. Les surfaces plates 48, 48 sont définies dans la rainure 47 le long de plans de référence perpendiculaires au guide d'onde de lumière 44. Une surface d'extrémité 49 est ainsi coupée à l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 44 le long de la surface plate 48. Comme indiqué sur la figure 13, une couche de SiO2 52 est alors formée sur la surface de la tranche 41. La tranche 41 est placée dans une chambre d'un appareil de pulvérisation, non représenté. L'épaisseur de la couche de SiO2 52 peut être établie approximativement à 1 p.m, par exemple. La tranche 41 est sortie après cela de la chambre. La tranche 41 est ensuite chauffée à 600 degrés Celsius en dix heures dans une chambre. Un gaz d'oxygène pur circule au travers de la chambre à un débit de dix litres par minute. La couche de Si 53 est ensuite formée sur la surface de la couche de S1052 et la surface arrière de la tranche 41. La tranche 41 est placée dans une chambre d'un appareil d'évaporation, non représenté. Un vide est établi à approximativement 1 [Pa] dans la chambre, par exemple. L'épaisseur de la couche de Si 53 est établie approximativement à 100 nm, par exemple. La tranche 41 est alors sortie de la chambre après la formation de la couche de Si 53. Une couche de Ti 54 et une première couche de Au 55 sont ensuite formées sur la surface de la couche de Si 53 dans cette séquence. La tranche 41 est placée dans une chambre d'un appareil d'évaporation, non représenté. Un vide est établi à 6,6 x 104 [Pa], approximativement, dans la chambre, par exemple. La pureté du Ti est établie à 4N. L'épaisseur de la couche de Ti 54 est établie approximativement à 50 nm, par exemple. La pureté de Au est établie à une valeur supérieure ou égale à 4N. L'épaisseur de la première couche de Au 55 est établie approximativement à 200 nm, par exemple. La tranche 41 est alors sortie de la chambre. Une résine photosensible 56 est ensuite appliquée à la surface entière de la première couche de Au 55. L'épaisseur de la résine photosensible 56 est établie approximativement à 1 m, par exemple. La résine photosensible 56 est soumise à une exposition et un développement. Il en résulte que des vides mis en motif 57, 58, sont formés suivant un motif prédéterminé dans le film de résine photosensible 56. Le contour du vide 57 correspond au contour de l'espace mentionné précédemment 36. De la même manière, le contour du vide 58 correspond au contour de l'espace mentionné précédemment 37. La première couche de Au 55 et la couche de Ti 54 sont ensuite soumises à un processus de gravure humide. La couche de Au 55 et la couche de Ti 54 sont éliminées dans les vides 57, 58. Les rainures 57a, 58a sont formées dans la couche de Au 55 et la couche de Ti 54. La résine photosensible 55 est ensuite retirée. Comme indiqué sur la figure 14, la surface de la couche de Si 53 se trouve exposée à l'intérieur des rainures 57a, 58a. La première couche de Au 55 et la couche de Ti 54 dessinent la forme des espaces mentionnés précédemment 36, 37. Une résine photosensible est ensuite appliquée à la surface entière de la tranche 41. L'épaisseur de la résine photosensible est établie approximativement à 13 m, par exemple. La résine photosensible est soumise à une exposition et un développement. Il en résulte que les films de résine photosensible 59 sont formés suivant un motif prédéterminé, comme indiqué sur la figure 15. Les films de résine photosensible 59 se tiennent dans les rainures 57a, 58a. Une seconde couche de Au 61 est alors formée autour des films de résine photosensible 59 grâce à un processus de placage. L'épaisseur de la seconde couche de Au 61 est établie approximativement à 4 m, par exemple. Les films de résine photosensible 59 sont éliminés après cela. Comme représenté sur la figure 16, une troisième couche de Au 63 est formée sur la seconde couche de Au 61 après exposition et développement d'une résine photosensible 62. La résine photosensible 62 se tient dansles rainures 57a, 58a formées dans les seconde et première couches de Au 61, 55 et la couche de Ti 54. L'épaisseur de la troisième couche de Au 63 est établie approximativement à 13 m, par exemple. Un processus de plaquage est exécuté pour former la troisième couche de Au 63. L'épaisseur de la troisième couche de Au 63 est établie approximativement à 13 m, par exemple. La résine photosensible 62 est éliminée après cela.. Une résine photosensible 64 est ensuite appliquée à la surface de la tranche 41. L'épaisseur de la résine photosensible 64 est établie approximativement à 14 m, par exemple. La résine photosensible 64 est soumise à une exposition et un développement. Il en résulte que la résine photosensible 64 est formée en suivant un motif prédéterminé, comme indiqué sur la figure 17. La résine photosensible 64 remplit les rainures 57c, 58c formées dans les troisième à première couches de Au 63, 51, 55 et la couche de Ti 54. Les troisième à première couches de Au 63, 61, 55 et la couche de Ti 54 sont ensuite soumises à un processus de gravure humide à partir de la résine photosensible 64. Les surfaces latérales des première et seconde électrodes de masse 27, 28 sont ainsi formées. La résine photosensible 64 est éliminée après cela. Comme représenté sur la figure 18, l'électrode de signal 26 et les première et seconde électrodes de masse 27, 28 sont formées de cette manière sur la surface de la tranche 41. Comme représenté sur la figure 19, la tranche 41 est soumise à des découpes le long de plans imaginaires parallèles 65. Les plans imaginaires 65 sont définis parallèlement aux guides d'onde de lumière 44. Une lame métallique peut être utilisée. Les surfaces latérales des puces optiques 16 sont ainsi formées. Comme représenté sur la figure 20, la tranche 41 est ensuite soumise à des découpes le long d'une paire de plans imaginaires parallèles 66, 66 définis dans un espace entre les surfaces plates 48 opposées l'une à l'autre à l'intérieur de la rainure 47, à savoir entre les surfaces d'extrémités 49 des guides d'onde de lumière 44. Les plans imaginaires 66 peuvent être définis perpendiculairement aux guides d'onde de lumière 44. Une lame de résine au diamant peut être utilisée. Comme indiqué sur la figure 21, les surfaces d'extrémités 17a, 17b de la puce optique individuelle 16 sont ainsi formées. Une couche de Si, non représentée, est ensuite formée sur les surfaces latérales des puces optiques individuelles 16. L'épaisseur de la couche de Si peut être établie approximativement à 100 nm, par exemple. Les surfaces plates 17a, 17b de la puce optique 16 sont alors soumises à un traitement de revêtement AR (antireflet). Les puces optiques 16 peuvent être obtenues de cette manière. Le procédé mentionné précédemment permet les découpes des surfaces d'extrémités 49 sur les guides d'onde de lumière 44 en se fondant sur un processus de gravure tel qu'une gravure à ions réactifs, par exemple. Une surface lisse peut être établie à l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 44 grâce au processus de gravure. En outre, la tranche 41 est divisée en les puces optiques 16 grâce aux découpes le long des plans imaginaires 66 entre les surfaces d'extrémités 49, 49 des guides d'onde de lumière 44 à l'intérieur de la rainure 47. Il en résulte que l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 44 est empêchée d'entrer en contact avec la lame, de façon fiable. La génération de fissures et de rayures peut être empêchée de façon fiable au niveau de la surface d'extrémité 49 du guide d'onde de lumière 44. De plus, les découpes peuvent être réalisées en une période plus courte. Le temps d'usinage peut être raccourci. Par ailleurs, un élément de protection est collé à la surface de la tranche le long d'une ligne droite perpendiculaire aux guides d'onde de lumière lorsque la tranche est découpée en les puces optiques avec la lame, dans un procédé classique. La lame se déplace sur l'élément de protection. L'élément de protection sert à empêcher des fissures au niveau des surfaces plates avant des puces optiques. Cependant, la lame entre en contact avec l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière au niveau de la surface de coupe, de sorte que des rayures se forment sur les surfaces de coupe en raison du frottement entre la lame et des extrémités de bouts des guides d'onde de lumière. Un processus de polissage ou de meulage devrait être ensuite exécuté sur les surfaces de coupe. En outre, des fissures se produisent dans les surfaces de coupe en raison de la contrainte provenant de la lame. La surface de coupe souffre également d'une pollution due à l'adhésif de l'élément de protection. Une perte de lumière ne peut pas être évitée au niveau des surfaces d'extrémités du guide d'onde de lumière. La rainure 47 peut être formée après la formation de la couche de Si 53, avant la formation de la couche de Ti 54 dans le procédé mentionné précédemment. En variante, la rainure 47 peut être formée après la formation de l'électrode de signal 26 et des première et seconde électrodes de masse 27, 28 avant la division de la tranche 41 en les puces optiques 16. La figure 22 illustre de façon simplifiée la structure d'un modulateur optique 1 l a conforme à un second mode de réalisation de la présente invention. Ce modulateur optique l la permet une fixation directe des fibres optiques 13a, 13b à la puce optique 16. En particulier, l'extrémité de bout de la ferrule 14 est reçue directement sur la puce optique 16 sans aucun connecteur. Les connecteurs 15, les lentilles 22 et la photodiode 23 peuvent être omis du modulateur optique 1 la. Comme représenté sur la figure 23, la ferrule 14 est reçue dans le creux 24 dans le modulateur optique Il a. L'extrémité de bout de la fibre optique 13 peut entrer en contact avec l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière 18. Les axes longitudinaux des fibres optiques 13a, 13b sont alignés avec le centre géométrique du guide d'onde de lumière 18. Le procédé mentionné précédemment peut être utilisé pour former la puce optique 16 de ce type. Des références numériques identiques sont rattachées à une structure ou des composants équivalents à ceux du premier mode de réalisation mentionné précédemment. Le modulateur optique Il a permet la réception de la ferrule 14 directement dans le creux 24 de la puce optique 16. Le creux 24 sert à positionner les fibres optiques 13a, 13b par rapport au guide d'onde de lumière 18. Il en résulte que l'axe des fibres optiques 13a, 13b peut être aligné aisément avec le centre géométrique du guide d'onde de lumière 18. L'alignement des fibres optiques 13a, 13b peut être exécuté en une période plus courte. En outre, une perte de lumière est empêchée de façon fiable aux extrémités de bouts du guide d'onde de lumière, de la manière qui est décrite ci-dessus. Comme indiqué sur la figure 24, le creux 24 peut être rétréci à mesure qu'il s'éloigne de la surface d'extrémité 17a, 17b. Le procédé mentionné précédemment peut être utilisé pour réaliser la puce optique 16 de ce type. Comme représenté sur la figure 25, une marche 71 peut être formée sur la surface plate du corps 17 à la place du creux 24. La marche 71 peut s'étendre dans la direction perpendiculaire au guide d'onde de lumière 18 le long des surfaces d'extrémités 17a, 17b. Le procédé mentionné précédemment peut être utilisé pour former la puce optique 16 de ce type. La rainure 47 peut s'étendre sur la tranche 41 en travers des guides d'onde de lumière parallèles 44, par exemple, dans le procédé. REVENDICATIONS 1. Puce optique (16) comprenant: un substrat (32) fait d'un cristal diélectrique et définissant des surfaces le long de plans imaginaires parallèles perpendiculairement à une surface plate du substrat (32), un guide d'onde de lumière (18) formé dans le substrat le long de la surface plate du substrat, grâce à une diffusion d'un matériau minéral, et un creux (24) formé sur la surface plate du substrat de façon à positionner une extrémité de bout du guide d'onde de lumière (18) à une position en retrait par rapport à l'un des plans parallèles imaginaires. 2. Puce optique (16) selon la revendication 1, dans laquelle ledit creux (24) comprend une rainure s'étendant à partir du plan. 3. Procédé de réalisation d'une puce optique, comprenant: la diffusion d'un matériau minéral (42) à partir d'une surface plate d'une tranche (41) faite d'un cristal diélectrique, de façon à former un guide d'onde de lumière s'étendant dans la tranche le long de la surface plate de la tranche, et le fait de soumettre la surface plate de la tranche à un processus de gravure de façon à former une surface le long d'un plan de référence perpendiculaire au guide d'onde de lumière. 4. Procédé selon la revendication 3, comprenant en outre: la formation d'une rainure croisant le guide d'onde de lumière sur la surface plate de la tranche de façon à former la surface, et la découpe de la tranche le long d'un plan imaginaire dans un espace défini entre les extrémités de bouts des guides d'onde de lumière opposées l'une à l'autre dans la rainure. 5. Puce optique (16) comprenant: un substrat (32) ; un guide d'onde de lumière (18) formé dans le substrat; et un creux (24) formé sur une surface du substrat de façon à positionner une extrémité de bout du guide d'onde de lumière (18) à une position en retrait par rapport à une surface d'extrémité du substrat. 6. Puce optique (16) selon la revendication 5, dans laquelle le creux (24) comprend une rainure s'étendant à partir de la surface d'extrémité. 7. Puce optique (16) selon la revendication 5, dans laquelle le creux (24) définit une première surface exposant l'extrémité du bout de guide d'onde de lumière (18), et des deuxième et troisième surfaces qui s'étendent dans une direction intersectant la première surface et qui sont opposées l'une à l'autre. 8. Procédé de réalisation d'une puce optique (16) comprenant: la formation d'un guide d'onde de lumière (44) dans une tranche; le fait de soumettre la tranche à un processus de gravure pour former un renfoncement (46) dans une zone prédéterminée de la tranche, laquelle zone prédéterminée contient le guide d'onde de lumière; et la coupe de la tranche dans une direction intersectant le guide d'onde de lumière dans le renfoncement. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel le renfoncement (46) comprend une rainure s'étendant dans une direction intersectant le guide d'onde de lumière (44). 10. Modulateur optique comprenant: un substrat (32) définissant une paire de surfaces d'extrémité ; un guide d'onde de lumière (18) formé dans le substrat; un creux (24) formé dans le substrat de façon à positionner une extrémité de bout du guide d'onde de lumière à une position en retrait au moins par rapport à l'une des surfaces d'extrémité du substrat; et une fibre optique (13) engagée dans le creux et ayant une extrémité faisant face à l'extrémité de bout du guide d'onde de lumière. 11. Modulateur optique selon la revendication 10, dans lequel une ferrule (14) est fixée à l'extrémité de la fibre optique. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif ayant un guide d'onde de lumière (44), comprenant: la formation d'un renfoncement (46) dans une zone prédéterminée d'un substrat au moyen d'une réaction chimique, ladite zone prédéterminée contenant le guide d'onde de lumière (44) ; et la coupe du substrat selon un plan imaginaire intersectant un prolongement imaginaire du guide d'onde de lumière dans le renfoncement.