FR 2874285 A1 20060217 FR 0451850 A 20040813 PROCEDE DE REALISATION D'EMPILEMENTS D'ILOTS DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ENCAPSULES DANS UN AUTRE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR. DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention se rapporte à un procédé de réalisation d'empilements d'îlots de matériau semi-conducteur encapsulés dans un autre matériau semiconducteur. Elle se rapporte en particulier à la réalisation d'empilements d'îlots de germanium encapsulés dans du silicium. Les circuits intégrés réalisés avec la technologie microélectronique basée sur le silicium sont de plus en plus complexes et rapides. Les dispositifs et groupes fonctionnels de ces circuits intégrés sont aujourd'hui reliés par des lignes métalliques. Ces dernières présentent des limitations, en particulier une constante de temps RC et une forte dissipation thermique qui, malgré les évolutions technologiques, ne pourront pas permettre de poursuivre l'augmentation des fréquences de fonctionnement des microprocesseurs. L'idée d'utiliser les liens optiques comme alternative aux interconnexions métalliques émerge. Par rapport aux lignes métalliques, les liens optiques offrent: un gain en rapidité, une réduction de l'altération du signal, une propagation sans dissipation thermique et la possibilité de multiplexage en longueur d'onde. Les liens (fibres) optiques étant déjà utilisés dans les réseaux à plus ou moins grande échelle (des réseaux 2874285 2 locaux aux réseaux internationaux), le concept de connexions tout optique des transistors aux réseaux se dessine. La réalisation d'interconnexions optiques au sein des circuits intégrés requiert la fabrication de dispositifs optoélectroniques, plus précisément des sources de lumière, des modulateurs de signaux (pour générer le signal haute fréquence) et des photo-détecteurs ultra-rapides. Une conception des circuits intégrés de type monolithique étant favorable d'un point de vue technologique, un grand intérêt est porté depuis une dizaine d'années sur la réalisation de dispositifs optoélectroniques avec une technologie compatible avec la microélectronique sur silicium. Les matériaux III-V, classiquement mis en oeuvre dans ce genre d'applications, sont alors exclus, et le germanium, dont la largeur de bande interdite est plus faible que celle du silicium, est le candidat le plus prometteur. De plus, le germanium présente l'avantage d'être déjà mis en oeuvre dans l'industrie microélectronique. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE Pour son utilisation en photo-détection, le germanium est déposé par épitaxie soit sous forme de couches épaisses (plusieurs centaines de nanomètres), soit sous forme d'un alliage avec du silicium pour réaliser des multi-puits quantiques (empilements de couches de silicium et d'alliage silicium-germanium). Ces deux types de structures constituent la zone d'absorption des photons incidents dans les photo-détecteurs. Cependant, les propriétés optiques des couches épaisses de germanium pur sont dégradées par la présence de dislocations (dues au désaccord de maille avec le substrat de silicium) et des difficultés d'intégration dans les dispositifs sont rencontrées (rugosité des couches élevée, prise de contact problématique...). Quant aux multi-puits quantiques de couches de silicium et d'alliages silicium- germanium, ils présentent un coefficient d'absorption qui est trop faible pour une photodétection efficace. La croissance du germanium sur du silicium selon le mode StranskiKrastanov est une alternative aux deux méthodes décrites ci-dessus. Un exemple de formation de photodétecteur constitué d'îlots de germanium est donné par El Kurdi et al. dans Physica E 16, 523 (2003). Le mode de croissance Stranski-Krastanov permet de former des îlots de germanium de petite taille, avec une distribution relativement homogène de cette taille. Deux types d'îlots sont généralement formés: des pyramides et des dômes de petite taille. Le prolongement du dépôt conduit à la formation de dômes de grande taille qui sont plastiquement relaxés, c'est-à-dire que ces dômes contiennent des dislocations. Les dômes de petite taille, dans lesquels les contraintes sont relâchées de façon élastique, sont les structures recherchées. Des empilements de couches d'îlots de germanium peuvent être réalisés en séparant les couches d'îlots par des couches de silicium, de façon analogue aux multi-puits quantiques. Ces empilements permettent d'absorber plus efficacement les photons incidents que les multi-puits quantiques à base de couches d'alliage silicium-germanium, tout en posant moins de difficultés d'intégration que le germanium pur. Cependant, les propriétés optiques des couches d'îlots de germanium sont sensibles aux caractéristiques des îlots, principalement leur taille, la distribution de leur taille, leur densité surfacique, et leur composition. Les différentes études menées jusqu'à présent montrent que des plans d'îlots de forte densité surfacique et de faible taille donnent de meilleurs résultats en terme de qualité et rendement optique. Cependant, pour obtenir ces caractéristiques, il faut soit travailler à faible température (T 0,83 mTorr). Or, les îlots élaborés à faible température ont des propriétés optiques dégradées. Dans le cas où les îlots sont élaborés à forte pression de germane et à la température optimale de croissance, le problème du contrôle de la quantité de matière déposée est critique et ce à partir du deuxième plan de l'empilement. En effet, l'augmentation de la pression partielle de germane conduit à une augmentation de la vitesse de croissance, si bien que les temps de dépôts sont réduits à quelques secondes. Dès lors, une dérive, même très faible, d'un ou plusieurs paramètres de dépôt a un fort impact sur la croissance des îlots et le risque de formation de dômes plastiquement relaxés (décrits ci-dessus) devient élevé. En raison de leur grande taille et des dislocations qu'ils contiennent, ces dômes relaxés détériorent les propriétés optiques des couches d'îlots. Comme décrit par Le Thanh et al. dans J. Vac. Sci. Technol. B, 20/3, pages 1259 à 1265, 2002, la croissance d'une couche d'îlots sur une couche d'îlots enterrée, c'est-à-dire une couche d'îlots recouverte par du silicium, est modifiée par les contraintes générées dans le silicium encapsulant par le plan d'îlots inférieur. Bensahel et al., dans le brevet US N 6 596 555, ont proposé une séquence pour la formation d'un plan simple d'îlots, basée sur la génération d'un plus grand nombre de sites de formation des îlots grâce à un fort débit de germane en début de dépôt. Ils proposent de former des empilements en recouvrant cette couche d'îlots par du silicium et en répétant cette séquence autant de fois que nécessaire. Toutefois, ce procédé requiert des temps d'injection très courts. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention propose une alternative au brevet US 6 596 555 en utilisant des paramètres de dépôt plus facilement contrôlables et reproductibles. Il est proposé, selon la invention, un procédé permettant la d'empilements (de 1 à n périodes) de plans premier matériau semiconducteur (par exemple du germanium) encapsulés par un deuxième matériau semiconducteur (par exemple du silicium), ces îlots étant non relaxés plastiquement, de petite taille, avec une densité surfacique élevée, et réalisés à la température de croissance optimale pour les propriétés optiques (par exemple à 650 C dans le cas d'îlots de germanium). Pour cela, on réalise un premier plan présente réalisation d'îlots d'un d'îlots encapsulé (par exemple par du silicium) dans des conditions de croissance permettant d'obtenir de fortes densités d'îlots de faible taille. Ce plan sera appelé plan sacrificiel car il peut être réalisé dans des conditions de croissance (pression et/ou température) ne permettant pas nécessairement d'obtenir de bonnes propriétés optiques. Ensuite, grâce à l'utilisation des contraintes générées dans la couche de matériau semiconducteur encapsulante, le plan sacrificiel va permettre de générer de nombreux sites de nucléation pour les plans d'îlots suivants. Ces plans d'îlots suivants seront eux réalisés dans des conditions de croissance conduisant à de bonnes propriétés optiques. L'invention a donc pour objet un procédé de réalisation d'une structure empilée de plans d'îlots d'un premier matériau semiconducteur encapsulés dans un deuxième matériau semiconducteur, sur un substrat, comprenant le dépôt alterné de plans d'îlots de premier matériau semiconducteur et de couches d'encapsulation de deuxième matériau semiconducteur, les plans d'îlots de premier matériau semiconducteur étant réalisés à une température de croissance optimale et sous une pression partielle de gaz précurseur optimale pour obtenir une structure empilée dont les propriétés optiques permettent une utilisation comme interconnexions optiques au sein de circuits intégrés, le procédé étant caractérisé en ce que la structure empilée est réalisée sur un plan d'îlots de troisième matériau semiconducteur, dit plan sacrificiel, encapsulé dans un quatrième matériau semiconducteur, les îlots du plan sacrificiel étant réalisés dans des conditions de croissance permettant d'obtenir de fortes densités d'îlots de faible taille, c'est-à-dire à une température inférieure à la température optimale de croissance et/ou sous une pression partielle de gaz précurseur supérieure à la pression partielle optimale. Le premier matériau semiconducteur et le troisième matériau semiconducteur peuvent être identiques. Le deuxième matériau semiconducteur et le quatrième matériau semiconducteur peuvent aussi être identiques. Avantageusement, le premier matériau semiconducteur est du germanium et le deuxième matériau semiconducteur est du silicium. Dans ce cas, les îlots de germanium peuvent être déposés à une température de l'ordre de 650 C et sous une pression partielle de germane de l'ordre de 0,83 mTorr. Avantageusement aussi, le troisième matériau semiconducteur est du germanium et le quatrième matériau semiconducteur est du silicium. Dans ce cas, les îlots de germanium du plan sacrificiel peuvent être déposés à une température de l'ordre de 650 C et sous une pression partielle de germane de l'ordre de 6,56 mTorr. Ils peuvent aussi être déposés à une température de l'ordre de 550 C et sous une pression partielle de germane de l'ordre de 0,83 mTorr. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, données à titre d'exemple non limitatif, et accompagnée des dessins annexés parmi lesquels: - la figure 1 regroupe des diagrammes représentant la taille d'îlots de germanium en fonction 5 de la pression partielle de germane, la figure 2 est un diagramme représentant la densités d'îlots de germanium en fonction de la pression partielle de germane, - la figure 3 reproduit un cliché AFM d'une surface d'îlots de germanium réalisés à la température de croissance optimale et avec une pression partielle de germane standard de 0,83 mTorr, - la figure 4 reproduit un cliché AFM d'une surface d'îlots de germanium réalisés à la température de croissance optimale et avec une pression partielle de germane élevée, - la figure 5 reproduit un cliché AFM de la surface d'un empilement de deux plans d'îlots de germanium réalisé selon un procédé de l'art connu, et - la figure 6 reproduit un cliché AFM de la surface d'un empilement de deux plans d'îlots de germanium réalisé selon le procédé de la présente invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On va maintenant décrire plus en détail la réalisation d'un empilement de plans d'îlots de germanium encapsulés dans du silicium en vue d'obtenir une structure possédant de bonnes propriétés optiques. La figure 1 regroupe des diagrammes représentant la taille d'îlots de germanium (la largeur L et la hauteur H en nanomètres) en fonction de la pression partielle de germane (en mTorr). La figure 2 est un diagramme représentant la densité de ces îlots de germanium en fonction de la pression partielle de germane. Sur le diagramme de la figure 2, la courbe 1 se rapporte aux pyramides obtenues et la courbe 2 se rapporte aux dômes obtenus. Ces îlots ont été obtenus à la température constante de 650 C sur une face d'un substrat en silicium. On constate que plus la pression de germane est élevée, plus la densité surfacique est grande et plus la taille des îlots obtenus est faible. La figure 3 reproduit un cliché AFM (obtenu par un microscope à force atomique) d'une surface d'îlots de germanium réalisés sur une face d'un substrat en silicium à la température de croissance optimale (650 C) et avec une pression partielle de germane standard de 0,83 mTorr. La densité d'îlots obtenue est inférieure à 1010/cm2. La figure 4 reproduit un cliché AFM d'une surface d'îlots de germanium réalisés sur une face d'un substrat en silicium à la température de croissance optimale (650 C) et avec une pression partielle de germane élevée (6,56 mTorr). On constate aisément, en comparant ces deux clichés, que la densité des îlots montrés sur le cliché de la figure 4 est plus élevée (quelques 1010/cm2) que la densité des îlots montrés sur le cliché de la figure 3. On constate également que la taille des îlots montrés sur le cliché de la figure 4 est plus faible que la taille des îlots montrés sur le cliché de la figure 3. On a ensuite réalisé, sur une face d'un substrat en silicium, un empilement de plans d'îlots de germanium encapsulés dans du silicium par une première variante du procédé selon l'invention. On a aussi réalisé, sur une face d'un substrat en silicium, un empilement de plans d'îlots de germanium encapsulés dans du silicium par une deuxième variante du procédé selon l'invention. Selon la première variante du procédé selon l'invention, on réalise d'abord un plan sacrificiel à une température de 650 C et sous une pression partielle de germane de 6,56 mTorr. Les plans suivants sont réalisés à 650 C (température de croissance optimale) et sous une pression partielle de germane de 0,83 mTorr (pression standard). Selon la deuxième variante du procédé selon l'invention, on réalise d'abord un plan sacrificiel à une température de 550 C et sous une pression partielle de germane de 0,83 mTorr (pression standard). Les plans suivants sont réalisés à 650 C (température de croissance optimale) et sous une pression partielle de germane de 0,83 mTorr (pression standard). La figure 5 reproduit un cliché AFM de la surface d'un empilement de deux plans d'îlots de germanium encapsulés dans du silicium et réalisé, sur une face d'un substrat en silicium, selon un procédé de l'art connu. La température de dépôt pour ces deux plans est de 650 C et la pression partielle de germane pour ces deux plans est de 0,83 mTorr. Les structures de forme carrée observées sur le cliché AFM sont formées lors de l'encapsulation du premier plan d'îlots. La densité surfacique d'îlots pour le deuxième plan est inférieure à 5.109 cm-2. Elle est réduite d'un facteur deux par rapport au premier plan. La figure 6 reproduit un cliché AFM de la surface d'un empilement de deux plans d'îlots de germanium encapsulés dans du silicium et réalisé, sur une face d'un substrat en silicium, selon le procédé de la présente invention. La température de dépôt du plan sacrificiel est de 650 C et la pression partielle de germane est de 6,56 mTorr. La température de dépôt du plan suivant est de 650 C et la pression partielle de germane est de 0, 83 mTorr. La densité surfacique d'îlots pour le deuxième plan est alors deux fois plus élevée que pour le deuxième plan de l'exemple précédent (selon l'art connu) et les îlots sont aussi de plus petite taille. La description précédente à été faite pour des îlots de germanium encapsulés dans du silicium, cependant l'invention s'applique également à d'autres matériaux semiconducteurs. Il est possible par exemple de réaliser un plan sacrificiel d'îlots de SixGel_x et de réaliser sur ce plan sacrificiel des empilements d'îlots de germanium. L'invention s'applique également à tout procédé d'hétéroépitaxie permettant de réaliser des empilements d'îlots de matériaux semiconducteurs (IV-IV, III-V, etc.). REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'une structure empilée de plans d'îlots d'un premier matériau semiconducteur encapsulés dans un deuxième matériau semiconducteur, sur un substrat, comprenant le dépôt alterné de plans d'îlots de premier matériau semiconducteur et de couches d'encapsulation de deuxième matériau semiconducteur, les plans d'îlots de premier matériau semiconducteur étant réalisés à une température de croissance optimale et sous une pression partielle de gaz précurseur optimale pour obtenir une structure empilée dont les propriétés optiques permettent la réalisation de composants optoélectroniques pour interconnecter des circuits intégrés, le procédé étant caractérisé en ce que la structure empilée est réalisée sur un plan d'îlots de troisième matériau semiconducteur, dit plan sacrificiel, encapsulé dans un quatrième matériau semiconducteur, les îlots du plan sacrificiel étant réalisés dans des conditions de croissance permettant d'obtenir de fortes densités d'îlots de faible taille, c'est-à-dire à une température inférieure à la température optimale de croissance et/ou sous une pression partielle de gaz précurseur supérieure à la pression partielle optimale. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier matériau semiconducteur et le troisième matériau semiconducteur sont identiques. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le deuxième matériau semiconducteur et le quatrième matériau semiconducteur sont identiques. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le premier matériau semiconducteur est du germanium et le deuxième matériau semiconducteur est du silicium. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en que les îlots de germanium sont déposés à une température de l'ordre de 650 C et sous une pression partielle de germane de l'ordre de 0,83 mTorr. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le troisième matériau semiconducteur est du germanium et le quatrième matériau semiconducteur est du silicium. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que les îlots de germanium du plan sacrificiel sont déposés à une température de l'ordre de 650 C et sous une pression partielle de germane de l'ordre de 6,56 mTorr. 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que les îlots de germanium du plan sacrificiel sont déposés à une température de l'ordre de 550 C et sous une pression partielle de germane de l'ordre de 0,83 mTorr.