FR 2882851 A1 20060908 FR 0502149 A 20050303 Support d'enregistrement optique de données comportant une couche mince en alliage d'étain et de tellure. Domaine technique de l'invention L'invention concerne un support d'enregistrement optique de données comportant une couche active en matériau inorganique, apte à subir des déformations locales pendant des opérations d'écriture et présentant une face avant destinée à recevoir un rayonnement optique pendant au moins des opérations de lecture. État de la technique L'enregistrement optique, par exemple sur des supports de type CD-R (disque compact enregistrable également connu sous le nom anglo-saxon Compact Disc Recordable ) et de type DVD-R (disque numérique polyvalent enregistrable également connu sous le nom anglosaxon "Digital Versatile Disc Recordable"), est, le plus souvent, réalisé grâce à une couche en matériau à colorant déposée sur un substrat en matière plastique et recouverte par une couche métallique réflectrice. Cependant, les technologies d'enregistrement optique irréversible dans des matériaux à colorant présentent parfois des coûts élevés, notamment par rapport au prix des colorants et au coût de la main d'oeuvre pour les étapes de manipulation des colorants. Dans les années 80, de nombreuses recherches ont porté sur la formation de. marques dans des matériaux inorganiques par ablation laser, la présence de la marque se traduisant alors par une baisse locale de la réflexion d'un faisceau laser à la surface du disque. Les matériaux inorganiques étudiés à cette époque sont, par exemple, le tellure et les alliages comportant de l'arsenic, de l'antimoine, du sélénium et du soufre. Cependant, dans la plupart des études et notamment dans l'article Chalcogenide thin films for laser-beam recordings by thermal creation of holes de M. Terao et Al. (J. Appl. Phys. 50 (11), November 1979), les puissances utilisées étaient comprises entre 40 mW et 300 mW et les dimensions des marques étaient de l'ordre de 10 m. Or, ces puissances et ces dimensions de marques ne correspondent plus aux spécifications d'écriture actuelles. En effet, les puissances d'écriture utilisées pour enregistrer des données sur un DVD-R doivent être de l'ordre de 10 mW et le diamètre d'une marque doit être de l'ordre de 400 nm. Par ailleurs, avec de tels matériaux inorganiques, il est souvent nécessaire de déposer une couche protectrice, par exemple en polymère, sur le support d'enregistrement. Cependant, la présence d'une couche protectrice provoque généralement une dégradation de la qualité des signaux et une augmentation de la puissance d'écriture. Ainsi, beaucoup de matériaux ont été étudiés, mais peu permettent une écriture de bonne qualité. De plus, ils ne permettent pas d'atteindre les densités de stockage requises pour le format DVD-R. C'est pourquoi, les colorants, malgré leur coût de fabrication élevé, se sont imposés pour ce standard. Actuellement, certains proposent de réaliser l'enregistrement optique des données, dans un support comportant une couche active en matériau inorganique, au moyen d'une diode laser bleue. L'étroitesse du faisceau laser focalisé permet, en effet, d'obtenir une densité de puissance plus élevée que dans les générations précédentes de disques optiques (CD-R et DVD-R). Ceci permet de dépasser la limite usuelle des matériaux inorganiques, c'est-à-dire une relative insensibilité comparativement aux disques organiques. Une autre technique d'écriture exploitant la déformation des couches sous forme de bulles au lieu de trous permet également d'utiliser des puissances plus faibles. Pour obtenir un support d'enregistrement comportant une couche active inorganique, permettant d'atteindre une résolution des marques et une densité de stockage correspondant aux spécifications du format DVD, il a été proposé, dans la demande de brevet WO-A-2004/053858, d'utiliser une couche active en alliage de tellure et de zinc. La couche active comporte une face avant destinée à recevoir un rayonnement optique, tel qu'un laser permettant un mécanisme d'écriture par déformation mécanique, par exemple sous forme de trous ou de bulles. Une couche semi-réfléchissante métallique est, éventuellement disposée sur la face avant de la couche active de manière à augmenter la réflexion sans augmenter excessivement le seuil d'écriture. Cependant, les matériaux métalliques, bien que bons conducteurs thermiques, ne peuvent pas être utilisés en couches épaisses sans induire une baisse de sensibilité et, lorsqu'ils sont utilisés en couches fines, ils perdent, généralement, leurs propriétés métalliques et/ou se dégradent plus facilement, notamment par oxydation ou par sulfuration. De plus, les matériaux inorganiques utilisés jusqu'à présent, dans le cadre d'écriture par formation de trous ou de bulles ont une réflexion relativement faible, souvent inférieure à 40%. Ceci provient notamment du fait de leur configuration électronique d'une part et de la structure amorphe qu'ils présentent après leur dépôt. Les mêmes matériaux, une fois cristallisés, présentent une réflexion plus importante, mais ils nécessitent une étape de transition de l'état amorphe à l'état cristallin, ce qui requiert l'utilisation d'un initialiseur. Or, l'utilisation d'un initialiseur, courante dans les disques ré-enregistrables, reste trop coûteuse pour les supports d'enregistrement irréversibles. Objet de l'invention L'invention a pour but de remédier aux inconvénients de l'art antérieur et, plus particulièrement, de proposer un support d'enregistrement optique présentant une réflexion initiale d'un rayonnement optique de lecture et une absorption partielle d'un rayonnement optique d'écriture, correspondant aux spécifications des normes internationales, notamment dans le cas d'un support DVD. Selon l'invention, ce but est atteint par le fait que le support comporte une couche mince en alliage d'étain et de tellure. Selon un développement de l'invention, la proportion en pourcentage atomique d'étain, dans l'alliage d'étain et de tellure, est comprise entre 40% et 60% et, de préférence entre 45% et 55%. Selon un mode particulier de réalisation, la couche mince en alliage d'étain et de tellure forme la couche active du support. Selon un autre mode particulier de réalisation, la couche mince en alliage d'étain et de tellure forme une couche semi-réfléchissante disposée sur la face avant de la couche active et, plus particulièrement, le matériau inorganique de la couche active est un alliage de tellure et de zinc. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 illustre un premier mode de réalisation d'un support d'enregistrement optique selon l'invention et comportant une couche active en alliage Sn-Te. La figure 2 représente un cliché obtenu par microscopie à force atomique (AFM) du support selon la figure 1, après une opération d'écriture. La figure 3 représente les variations de l'indice de réfraction (n) et du coefficient d'absorption (k) d'un alliage Sn-Te en fonction de l'énergie de photon (eV). Les figures 4 à 6 représentent, les iso-valeurs de la réflexion et de l'absorption pour différentes valeurs d'indice de réfraction (n) et de coefficient d'absorption (k) pour une couche mince respectivement de 20, 30 et 40nm. La figure 7 illustre schématiquement, sur un même graphique, les différentes zones 1 représentées aux figures 4 à 6. La figure 8 représente un second mode de réalisation d'un support d'enregistrement optique selon l'invention et comportant une couche semiréflechissante en alliage Sn-Te. La figure 9 représente une variante de réalisation d'un support d'enregistrement optique selon la figure 8. Description de modes particuliers de réalisation Selon un premier mode de réalisation représenté à la figure 1, un support d'enregistrement optique de données, de préférence irréversible, comporte un substrat 1, par exemple en polycarbonate, sur lequel est disposée une couche active 2 en matériau inorganique. La couche active 2 est apte à subir des déformations locales pendant des opérations d'écriture. Elle présente une face avant 3 destinée à recevoir un rayonnement optique 4 pendant au moins des opérations de lecture et une face arrière 5. A la figure 1, la face arrière 5 correspond à la face libre de la couche active 2 tandis que la face avant 3 est en contact avec le substrat 1. Le rayonnement optique 4 traverse alors le substrat 1 avant d'atteindre la face avant 3 de la couche active 2. Dans une autre configuration, la face avant 3 recevant le rayonnement optique 4 pourrait être la face libre de la couche active tandis que la face arrière 5 pourrait être en contact avec le substrat 1. Le rayonnement optique proviendrait alors du côté du support, opposé au substrat 1 pour atteindre la face avant 3 libre de la couche active 2. Les déformations locales subies par la couche active sont, de préférence, des déformations sous forme de bulles, provoquées, par exemple, sous l'action d'un rayonnement optique d'écriture reçu par la face avant 3 de la couche active 2. Le rayonnement optique d'écriture est, par exemple, un faisceau laser focalisé. Selon le premier mode de réalisation, le matériau inorganique de la couche active 2 est un tellurure d'étain (Sn-Te) également appelé alliage ou composé d'étain et de tellure. De préférence, dans l'alliage Sn-Te, la proportion en pourcentage atomique d'étain est comprise entre 40% et 60%, et, plus particulièrement entre 45 et 55%. Ainsi, la proportion en pourcentage atomique de tellure, dans l'alliage, étant complémentaire à celle de l'étain, elle est, de préférence, comprise entre 60% et 40% et plus particulièrement entre 55 et 45%. Ainsi, une composition privilégiée de l'alliage Sn-Te, en pourcentages atomiques, est de 50% d'étain et de 50% de tellure. La couche active 2 a de préférence une épaisseur comprise entre 10 nanomètres et 60 nanomètres et cette épaisseur est, de préférence, ajustée pour permettre de conserver une puissance d'écriture raisonnable avec une réflexion suffisante. Ainsi, dans le mode de réalisation représenté à la figure 1, 2882851 7 l'épaisseur de la couche active 2 est, de préférence, de l'ordre de 30 nanomètres. L'utilisation d'un alliage Sn-Te pour former une couche active 2 dans un support d'enregistrement optique de données est, particulièrement avantageuse. En effet, l'alliage Sn-Te est un matériau inorganique apte à être déformé localement, notamment sous l'effet d'un faisceau laser focalisé. Ainsi, comme représentée à la figure 2, après une opération d'écriture, une couche mince en alliage Sn-Te, de 30 nm d'épaisseur, présente une face avant structurée, sous forme d'une piste en relief, de préférence en forme de spirale. Des déformations locales, sous forme de bulles 2a, se sont formées localement sur la face avant de la couche active, sur les parties en relief de la piste. L'alliage Sn-Te présente également des propriétés optiques permettant de former un support d'enregistrement optique répondant aux spécifications des normes internationales pour les supports de type DVD-R, en termes de réflexion initiale et d'absorption. En effet, les normes internationales exigent que les supports de type DVDR aient une réflexion initiale d'au moins 45%. Cette réflexion fait intervenir la géométrie du substrat, qui peut être responsable de pertes par diffraction, et les propriétés optiques de matériaux déposés sur ce substrat. De plus, l'écriture des données étant liée à l'absorption partielle d'un rayonnement optique par les couches déposées sur le substrat et notamment par la couche active, l'absorption du support doit être au moins supérieure à 30%. La figure 3 représente la variation théorique de l'indice de réfraction n et du coefficient d'absorption k de l'alliage Sn-Te, sous forme cristallisée, en fonction de l'énergie de photon. On constate qu'à une valeur d'énergie de 2 eV, valeur d'énergie correspondant à peu près à la longueur d'onde utilisée de manière connue pour des opérations d'écriture et de lecture dans un support de type DVD-R, l'alliage Sn-Te présente un indice de réfraction très élevé, de l'ordre de 4, et un coefficient d'absorption maximal, de l'ordre de 5,5. Les figures 4 à 6 représentent les iso-valeurs de la réflexion et de l'absorption pour différentes valeurs d'indice de réfraction n et de coefficient d'absorption k d'une couche mince, ayant respectivement une épaisseur de 20, 30 et 40nm. Sur les figures 4 à 6, les différentes zones 1 représentées correspondent à des io zones d'indices de réfraction n et de coefficients d'absorption k dans lesquelles l'absorption est supérieure à 30% et la réflexion est d'au moins 45%. Sur la figure 4, des zones 2 à 5 sont également représentées à titre d'indication. Dans la zone 2, la réflexion est d'au moins 45% mais l'absorption est comprise entre 20 et 30% tandis que, dans la zone 3, la réflexion est comprise entre 35% et 45% mais l'absorption est supérieure à 35%. Dans la zone 4, la réflexion est comprise entre 35 et 45% et l'absorption est comprise entre 20% et 35% tandis que, dans la zone 5, la réflexion et l'absorption sont trop faibles. La zone 1 représente donc la zone idéale dans laquelle doit se placer un support d'enregistrement de type DVD pour répondre aux exigences des normes internationales. Or, les figures 4 à 6 montrent que les courbes d'iso-valeurs de réflexion et d'absorption varient selon l'épaisseur de la couche mince. Ainsi, la figure 7 représente, sur un même graphique, les différentes zones 1 représentées aux figures 4 à 6, respectivement pour une couche d'une épaisseur de 20, de 30 et de 40nm. La courbe A représente, ainsi, la zone 1 selon la figure 4 tandis que les courbes B et C représentent respectivement les zones 1 selon les figures 5 et 6. On constate alors que, pour une valeur d'énergie de 2 eV, l'indice de réfraction n et le coefficient d'absorption k de l'alliage Sn-Te sont toujours situés dans une zone 1, quelle que soit l'épaisseur de la couche active. Ainsi, contrairement aux matériaux inorganiques usuellement utilisés dans les supports d'enregistrement, les propriétés optiques de l'alliage Sn-Te permettent de répondre, en termes de réflexion et d'absorption, aux spécifications des normes internationales pour les DVDR, quelle que soit l'épaisseur de la couche active, comprise entre 20nm et 40nm. Par ailleurs, l'alliage Sn-Te présente également l'avantage d'avoir une température de cristallisation inférieure à 0 C. Ainsi, contrairement aux matériaux inorganiques selon l'art antérieur, lors d'une opération de dépôt, la couche mince en alliage Sn-Te est déjà sous forme cristalline et ne nécessite pas d'étape d'initialisation, comme les matériaux inorganiques usuellement utilisés. Par ailleurs, pour trouver un matériau se situant dans les zones 1 représentées aux figures 4 à 6, il est, généralement, habituel de chercher des matériaux présentant des propriétés optiques anormales, à proximité des bandes d'absorption et une des voix possibles est de choisir un matériau présentant un gap proche de la longueur d'onde de travail, c'est-à-dire une longueur d'onde correspondant à 2eV. Or, on constate, à la figure 3, que le coefficient d'absorption k de l'alliage Sn-Te progresse relativement doucement au-dessus de l'énergie de gap et que l'intérêt du matériau Sn-Te réside dans un point critique E2, proche de la longueur d'onde de travail, ce qui se traduit par un gap très petit. Les propriétés de l'alliage Sn-Te permettent également d'utiliser l'alliage, dans un support d'enregistrement optique, de préférence irréversible, sous forme d'une couche mince autre que la couche active. A titre d'exemple, l'alliage Sn-Te peut être utilisé pour former une couche semi-réfléchissante, par exemple telle que décrite dans la demande de brevet WO-A-01/93256. Ainsi, comme représenté à la figure 8, le support d'enregistrement optique comporte un substrat 1, par exemple en polycarbonate, sur lequel est disposée une couche semi-réflechissante 6 et une couche active 7. La couche active 7 présente une face avant 8 en contact avec la couche semi-réflechissante 6 et une face arrière 9 libre. La couche active 7 est constituée par un matériau inorganique apte à subir des déformations locales pendant des opérations d'écriture et la face avant 8 est destinée à recevoir un rayonnement optique 4 pendant au moins des opérations de lecture. Les déformations locales subies par la couche active sont, de préférence, des déformations sous forme de bulles, provoquées par l'action d'un rayonnement optique d'écriture reçu par la face avant 3 de la couche active 2. Le rayonnement optique d'écriture est, par exemple, un faisceau laser focalisé. La couche semi-réfléchissante 6 est, de préférence, composée par l'alliage d'étain et de tellure tandis que la couche active 7 est, de préférence, constituée d'un alliage de zinc et de tellure (Zn-Te) tel que décrit dans la demande de brevet WO-A1-2004/053585. Ainsi, l'empilement formé par la couche active 8 et la couche semi-réfléchissante 6 a, de préférence, une épaisseur inférieure ou égale à 80 nanomètres et préférentiellement inférieure ou égale à 50nm. Plus particulièrement, selon un mode préféré, la couche semi-réfléchissante 6 et la couche active 8 ont chacune une épaisseur de l'ordre de 20nm. Les couches minces du support d'enregistrement peuvent être agencées au sein du support, dans un ordre différent pour permettre au rayonnement optique 4 d'atteindre la couche active 7 du côté opposé au substrat 1. Ainsi, à la figure 9, le substrat 1 en polycarbonate est successivement recouvert par la couche active 7, la couche semi-réfléchissante 6, une couche de colle 10 et un support de protection 11, par exemple en polycarbonate. Les faces avant 8 et arrière 9 de la couche active 7 sont alors respectivement en contact avec la couche semiréfléchissante 6 et le substrat 1, de sorte que le rayonnement optique 4 provenant de la face libre du support de protection 11 atteigne toujours la couche active par sa face avant 8. La couche de colle 10 est, de préférence, une couche de colle capable de se déformer. Elle accompagne, ainsi, la déformation des couches, respectivement active 7 et semi-réfléchissante 6, sous l'action d'un rayonnement optique d'écriture 4 provenant de la face libre du support de protection 11. A titre d'exemple, dans le mode particulier de réalisation représenté à la figure 9, la couche active 7 est en alliage de zinc et de tellure, avec 65% atomiques de zinc et 35% atomiques de tellure tandis que la couche semi-réfléchissante 6 est en alliage d'étain et de tellure. Les couches active 7 et semi-réfléchissante 6 ont, par exemple, chacune une épaisseur de 20nm tandis que le substrat 1 a une épaisseur de 0,6mm et que l'épaisseur de la couche de colle 10 est de l'ordre de quelques dizaines de micromètres. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus. Ainsi, le rayonnement optique d'écriture, par exemple un faisceau laser focalisé reçu par la face avant de la couche active, pour former des déformations locales dans la couche active peut être remplacé par tout autre type de moyens tels que des moyens d'échauffement. A titre d'exemple, les déformations locales peuvent être provoquées par un échauffement provoqué par des micro-pointes ou par effet Joule. Revendications 1. Support d'enregistrement optique de données comportant une couche active (2, 7) en matériau inorganique, apte à subir des déformations locales pendant des opérations d'écriture et présentant une face avant (3, 8) destinée à recevoir un rayonnement optique (4) pendant au moins des opérations de lecture, support caractérisé en ce qu'il comporte une couche mince en alliage d'étain et de tellure. 2. Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que la proportion en pourcentage atomique d'étain, dans l'alliage d'étain et de tellure, est comprise entre 40% et 60%. 3. Support selon la revendication 2, caractérisé en ce que la proportion en pourcentage atomique d'étain, dans l'alliage d'étain et de tellure, est comprise entre 45% et 55%. 4. Support selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche mince en alliage d'étain et de tellure forme la couche active (2) du support. 5. Support selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche active (2) a une épaisseur comprise entre 10nm et 60nm. 6. Support selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche active (2) a une épaisseur de l'ordre de 30nm. 7. Support selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche mince en alliage d'étain et de tellure forme une couche semiréfléchissante (6) disposée sur la face avant (8) de la couche active (7). 8. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que le matériau inorganique de la couche active (7) est un alliage de tellure et de zinc. 9. Support selon l'une des revendications 7 et 8, caractérisé en ce que la couche active (7) et la couche semi-réfléchissante (6) forme un empilement io ayant une épaisseur inférieure ou égale à 80nm. 10. Support selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'empilement a une épaisseur inférieure ou égale à 50nm. 11. Support selon l'une des revendications 9 et 10, caractérisé en ce que la couche semi-réfléchissante (6) et la couche active (7) ont chacune une épaisseur de l'ordre de 20nm. 12. Support selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la couche active (2, 7) est apte à subir des déformations locales provoquées par des moyens d'échauffement. 13. Support selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la couche active (2, 7) est apte à subir des déformations locales provoquées par l'action d'un rayonnement optique d'écriture reçu par la face avant (3, 8) de la couche active (2, 7).