FR 2879345 A1 20060616 FR 0413178 A 20041210 MASQUE POUR LASER ET PROCEDE DE CRISTALLISATION UTILISANT LE MASQUE La présente invention concerne un masque pour laser et un procédé de cristallisation utilisant le masque, et plus particulièrement, un masque pour laser et un procédé de cristallisation utilisant le masque qui peuvent améliorer les caractéristiques de cristallisation de films minces de silicium. Récemment, en raison des besoins pour les affichages d'informations, spécialement pour les affichages portables d'informations, des dispositifs d'affichage à écran plat (FDP) de type à couche mince ont fait l'objet de recherches et de commercialisations actives au point qu'ils sont en train de remplacer les tubes à rayons cathodiques (CRT). Sur ces dispositifs d'affichage à écran plat, un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) affiche des images en utilisant une anisotropie optique du cristal liquide. Un dispositif LCD peut être utilisé pour des ordinateurs portables, des moniteurs de bureau et d'autres dispositifs d'affichage, en raison de son excellente résolution, de sa capacité de rendu des couleurs et de sa qualité d'image. Un procédé commandant une matrice active (MA), un procédé de commande typique utilisé dans le dispositif LCD, commande chaque pixel du dispositif LCD en utilisant un transistor à films minces de silicium amorphe (TFT à a-Si) servant de dispositif de commutation. La technique employant des transistors TFT à a-Si a été décrite par English LeComber et al. en 1979 et a été commercialisée en 1968 sous forme d'un téléviseur portable avec un écran à cristaux liquides de 3 pouces. Récemment, on a développé un dispositif LCD-TFT avec une surface d'affichage de plus de 50 pouces. Toutefois, la mobilité d'effet de champ des transistors TFT à a-Si est d'environ 1 cm2/Vs ce qui empêche son utilisation dans des circuits périphériques qui appliquent des signaux aux pixels, parce que les circuits périphériques fonctionnent généralement à plus de 1 MHz. Par conséquent, on a poursuivi activement des recherches pour former simultanément des transistors de commutation dans une zone de pixels et des circuits périphériques dans une zone de circuits de commande sur un substrat en verre en utilisant un transistor TFT à silicium polycristallin (poly-Si) ayant une mobilité d'effet de champ supérieure à celle du transistor TFT à a-Si. Le transistor TFT à poly-Si a été mis en application pour de petits affichages à écran plat, tels que les oculaires de caméscope, alors qu'un téléviseur couleur avec un écran à cristaux liquides a été développé en 1982. Un tel transistor TFT a une faible photosensibilité et une grande mobilité d'effet de champ, et il peut être directement fabriqué sur un substrat pour former des circuits de commande. La mobilité accrue peut augmenter la fréquence de fonctionnement des circuits de commande. La capacité fréquentielle des circuits de commande détermine le nombre de pixels qui peuvent être commandés tout en conservant une capacité d'affichage adéquate. Plus spécifiquement, l'augmentation de fréquence diminue le temps de charge d'un signal appliqué à un pixel de sorte que la distorsion du signal soit diminuée et la qualité d'image augmente. Comparé au transistor TFT à a-Si, qui a une tension de commande élevée de 25 V environ, le transistor TFT à poly-Si, qui a une tension de commande de moins de 10 V, consomme moins d'énergie. Le transistor TFT à poly-Si peut être fabriqué en déposant directement un film mince de silicium polycristallin sur un substrat ou en déposant un film mince de silicium amorphe qui est ensuite cristallisé par un processus thermique. Afin de pouvoir utiliser un verre peu coûteux pour le substrat, on a recours à des processus à basse température, et, afin de pouvoir utiliser le transistor TFT à poly-Si pour des circuits de commande, on a recours à un procédé augmentant la mobilité d'effet de champ. En général, des procédés de traitement thermique pour cristalliser un film mince de silicium amorphe sont le procédé de cristallisation à phase solide (SPC) et le procédé de recuit avec un laser à Excimer (ELA). Le procédé SPC forme un film mince de silicium polycristallin à une basse température de 600 C environ. Dans ce procédé, un film mince de silicium polycristallin est formé en déposant un film mince de silicium amorphe sur un substrat de verre ayant un point de fusion bas et en réalisant ensuite un processus de chauffage lent à environ 600 C pendant une durée maximale de 10 heures. Un film mince de silicium polycristallin obtenu par le procédé SPC a des grains relativement de grande taille de l'ordre de plusieurs m (micromètres). Toutefois, ces grains présentent de nombreux défauts. Bien qu'ils ne soient pas aussi mauvais que des frontières de grain dans un transistor TFT à poly-Si, ces défauts nuisent aux performances d'un transistor TFT à poly-Si. Le procédé de recuit par laser à Excimer est un procédé typique de fabrication 30.. d'un transistor TFT à poly-Si à basse température. Le laser cristallise un film mince de silicium amorphe en irradiant un faisceau laser à haute énergie sur le film mince de silicium amorphe pendant une durée de dix nanosecondes. Dans ce procédé, le silicium amorphe est fondu et cristallisé pendant un temps très court de sorte que le substrat de verre ne soit pas endommagé. Un film mince de silicium polycristallin fabriqué par le procédé laser présente également d'excellentes caractéristiques électriques, en comparaison à un film mince de silicium polycristallin fabriqué par un procédé classique de traitement thermique. Par exemple, la mobilité d'effet de champ d'un transistor TFT à poly-Si fabriqué par le procédé de laser à Excimer est supérieure à 100 cm2/Vs, la mobilité d'effet de champ d'un transistor TFT à a-Si étant de 0,1 à 0,2 cm2/Vs et la mobilité d'effet de champ d'un transistor TFT à poly-Si fabriqué par un procédé classique de traitement thermique étant de 10 à 20 cm2/Vs (IEEE Trans. Electron Devices, vol. 36, n 12, p. 2868, 1989). Un procédé de cristallisation utilisant un laser sera désormais décrit ci-après en détail. La figure 1 est un graphique illustrant la relation entre la taille d'un grain d'un film mince de silicium polycristallin et la densité d'énergie d'un laser utilisé pour former le film mince de silicium polycristallin. Comme on peut le voir sur la figure 1, dans les première et deuxième régions I et II, lorsque la densité d'énergie augmente, la taille d'un grain du film mince de silicium polycristallin augmente, comme cela est exposé dans IEEE Electron Device Letters, DEL-7, 276, 1986. Toutefois, dans la troisième région III, lorsque la densité d'énergie devient supérieure à une densité d'énergie spécifique Ec, la taille d'un grain du film mince cristallisé de silicium polycristallin diminue radicalement. C'est- à-dire, selon le graphique montré sur la figure 1, le mécanisme de cristallisation pour le film mince de silicium devient différent lorsque la densité d'énergie est supérieure à une densité d'énergie spécifique Ec. Les figures 2A à 2C, 3A à 3C et 4A à 4C sont des vues en coupe transversale illustrant des mécanismes de cristallisation de silicium selon les densités d'énergie du laser de la figure 1. C'est-à-dire, elles illustrent un processus de cristallisation séquentielle selon chaque densité d'énergie du laser. Un mécanisme de cristallisation de silicium amorphe par un recuit au laser est influencé par de nombreux facteurs, tels que les conditions d'irradiation du laser comprenant la densité d'énergie du laser, la pression d'irradiation, la température du substrat, et les caractéristiques physiques/géométriques comprenant le coefficient d'absorption, la conductivité thermique, la masse, le degré d'impureté contenues et l'épaisseur de la couche de silicium amorphe. Premièrement, comme le montrent les figures 2A à 2C, la première région (I) de la figure 1 est une région de fusion partielle, et un film mince de silicium amorphe 12 n'est cristallisé que jusqu'à la ligne en pointillés et la taille d'un grain G1 formé à cet instant est de l'ordre de quelques centaines d'angstrôms. Lorsqu'un faisceau laser est irradié sur le film mince de silicium amorphe 12 sur un substrat 10 où est formée une couche tampon 11, le film mince de silicium amorphe 12 est fondu. A cet instant, parce que l'énergie laser élevée est directement irradiée sur une surface du film mince de silicium amorphe 12 et l'énergie laser relativement faible est irradiée sur une partie inférieure du film mince de silicium amorphe 12, une certaine partie du film mince de silicium amorphe 12 est fondue. Il en résulte que la cristallisation est partiellement réalisée. Typiquement dans le procédé de cristallisation avec laser, les cristaux croissent par le biais des processus de fusion primaire dans lesquels une couche en surface d'un film mince de silicium amorphe est fondue par une irradiation du laser, la fusion secondaire dans laquelle une partie plus basse du film mince de silicium amorphe est fondue par la chaleur latente générée durant la solidification du silicium fondu et la solidification de la couche plus basse. Ces processus de croissance de cristaux seront expliqués de manière plus détaillée. Un film mince de silicium amorphe sur lequel un faisceau laser est irradié a une température de fusion supérieure à 1000 C et fond principalement pour passer lo dans un état liquide. Parce qu'il y a une grande différence de température entre la couche fondue à la surface et le silicium plus bas et le substrat, la couche fondue à la surface se refroidit vite jusqu'à ce que la nucléation en phase solide et la solidification soient terminées. La couche en surface reste fondue jusqu'à ce que la nucléation en phase solide et la solidification soient terminées. L'état de fusion dure longtemps lorsque la densité d'énergie du laser est élevée ou que le dégagement thermique vers l'extérieur est faible. Parce que la couche en surface fond à une température inférieure à la température de fusion de 1400 C pour le silicium cristallin, la couche en surface se refroidit et conserve un état superfondu dans lequel la température est inférieure à la température de transition de phase. Plus l'état surfondu est grand, c'est-à-dire, plus la température de fusion du film mince est basse ou plus la vitesse de refroidissement est rapide, plus le taux de nucléation est grand au moment de la solidification de sorte que des cristaux fins croissent pendant la solidification. Si la solidification démarre lorsque la couche en surface fondue se refroidit, des cristaux croissent dans une direction vers le haut à partir d'un noyau de cristal. A ce moment, la chaleur latente est générée durant la transition de phase de la couche en surface fondue de l'état liquide à l'état solide, et ainsi la fusion secondaire commence lorsque le film mince plus bas de silicium amorphe fond. Ensuite a lieu la solidification du film mince de silicium amorphe plus bas. A ce moment, le taux de génération du noyau de la deuxième couche plus basse fondue augmente parce que le film mince de silicium amorphe plus bas est plus superfondu que la première couche fondue. Ainsi, la taille du cristal résultant de la deuxième couche fondue est plus petite. Par conséquent, la vitesse de refroidissement de la solidification a été réduite afin d'améliorer les caractéristiques cristallines. La vitesse de refroidissement peut être réduite en limitant l'énergie laser absorbée dégagée vers l'extérieur. Des exemples de procédés pour contenir l'énergie sont le chauffage du substrat, une irradiation à deux rayons ou l'insertion d'une couche tampon isolante entre le substrat et la couche de silicium amorphe. Les figures 3A à 3C sont des vues en coupe transversale illustrant le mécanisme de cristallisation du silicium de la deuxième région (II) de la figure 1 dans lequel la deuxième région (II) représente une région presque complètement cristallisée. En référence aux figures 3A à 3C, un film mince de silicium polycristallin a des grains relativement grands 30A à 30C d'environ 3000 à 4000 À formés à l'interface de la couche tampon inférieure 11. Lorsqu'une énergie de fusion presque complète, non pas une énergie de fusion complète, est irradiée sur le film mince de silicium amorphe 12, presque tout le film mince de silicium amorphe 12 proche de la couche tampon 11 fond. A ce moment, des germes solides 35 qui n'ont pas été fondus au niveau de l'interface entre le film mince de silicium fondu 12' et la couche tampon 11 agissent comme un noyau de cristallisation pour induire une croissance latérale, formant ainsi les grains relativement grands 30A à 30C (J. Appl. Phys. 82, 4086). Toutefois, parce que cette cristallisation ne se produit que lorsque l'énergie du laser est telle que les germes solides 35 restent sur l'interface avec la couche tampon 11, la marge du processus est très limitée. En plus, parce que les germes solides 35 sont générés de manière non uniforme, les grains cristallisés 30A à 30C du film mince de silicium polycristallin ont différentes directions de cristallisation, d'où il en résulte des caractéristiques de cristallisation non uniformes. Les figures 4A à 4C sont des vues en coupe transversale illustrant le mécanisme de cristallisation du silicium de la troisième région (III) de la figure 1 correspondant à une région complètement cristallisée. En référence aux figures 4A à 4C, de très petits grains 30 sont irrégulièrement formés avec une densité d'énergie correspondant à la troisième région (III). Lorsque la densité d'énergie du laser devient supérieure à une densité d'énergie spécifique Ec, une énergique suffisante est appliquée suffisamment pour fondre complètement le film mince de silicium amorphe 12, ne laissant aucuns germes solides qui pourraient croître pour former des grains. Après cela, le film mince de silicium 12' qui a été fondu lors de la réception du faisceau laser de forte énergie est soumis à un processus rapide de refroidissement qui génère une pluralité de noyaux uniformes 35 et ainsi des grains fins 30. Par ailleurs, un procédé de recuit par laser à Excimer employant un laser de type à impulsions est typiquement utilisé pour la cristallisation par laser, et un procédé de solidification latérale séquentielle (SLS), qui montre une amélioration remarquable des caractéristiques de cristallisation en faisant croître des grains dans une direction horizontale, a été récemment proposé et largement étudié. La solidification latérale séquentielle (SLS) utilise le fait que des grains croissent latéralement depuis une interface entre le silicium en phase liquide et le silicium en phase solide (Robert S. Sposilli, M. A. Crowder et James S. lm, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 452, 956 à 957, 1997). Dans ce procédé, des grains croissent latéralement avec une longueur prédéterminée en réglant la densité d'énergie du laser et la plage d'irradiation d'un faisceau laser, augmentant de cette façon la taille des grains de silicium. Cette solidification latérale séquentielle est un exemple de solidification latérale (LS), et le mécanisme de cristallisation par rapport à la solidification LS sera décrit ci-après en référence aux dessins annexés. Les figures 5A à 5C sont des vues en coupe transversale illustrant un processus de cristallisation séquentielle selon un art antérieur. En référence à la figure 5A, lorsqu'un laser a une densité d'énergie dans la troisième région (III) de la figure 1 et que la densité d'énergie capable de faire fondre complètement un film mince de silicium amorphe 112, est irradiée sur une partie d'un film mince de silicium amorphe 112, la partie du film de silicium amorphe fond complètement. Un masque avec des motifs peut être employé pour former une région irradiée par le laser et une région non irradiée par le laser. A ce moment, comme le montrent les figures 5B et 5C, parce que le laser a une énergie suffisante, le film mince de silicium amorphe 112 irradié par le laser peut être complètement fondu. Toutefois, le faisceau laser est irradié à certains intervalles sur le film mince de silicium amorphe 112, des cristaux croissent à partir de l'interface entre le film mince de silicium 112 de la région non irradiée par le laser (phase solide) et le film mince de silicium fondu 112' (phase liquide). Ainsi, l'interface fournit des noyaux pour cette cristallisation. Autrement dit, immédiatement après que le faisceau laser est irradié, le film mince de silicium fondu 112' se refroidit à partir des surfaces gauche/droite, les interfaces de la région non irradiée par le laser. La raison en est que le film mince de silicium amorphe 112 en phase solide a une conductivité thermique supérieure à celle de la couche tampon 111 ou du substrat de verre 110 en dessous des films minces de silicium 112 et 112'. Par conséquent, le film mince de silicium fondu 112' atteint en premier la température de formation d'un noyau au niveau de l'interface entre la phase solide horizontale et la phase liquide plutôt que dans la partie centrale, formant un noyau de cristal dans la partie correspondante. Après que le noyau de cristal s'est formé, des grains 130A et 130B croissent horizontalement d'un côté à basse température vers un côté à haute température, c'est-à-dire, de l'interface vers la partie centrale. En raison de la cristallisation latérale, il peut se former des grains de grande taille 130A et 130B, et parce que le processus est exécuté avec la densité d'énergie de la troisième région, la marge du processus n'est pas limitée, en comparaison à d'autres régions. Toutefois, la solidification latérale séquentielle présente les problèmes suivants. La cristallisation est exécutée en déplaçant de manière infinitésimale et répétitive le masque ou la platine porte-objet afin d'augmenter la taille des grains. Il en résulte que la durée du processus pour cristalliser un film mince de silicium amorphe de grande taille est rallongée et le processus perd de son intérêt. Par conséquent, la présente invention concerne un masque pour laser et un procédé de cristallisation utilisant le masque, lequel répond pour l'essentiel à un ou plusieurs des problèmes dus aux limitations et désavantages de l'art antérieur. Un avantage de la présente invention est de proposer un masque pour laser et un procédé de cristallisation utilisant le masque qui peuvent améliorer les caractéristiques de cristallisation d'un film mince de silicium. Encore un autre avantage de la présente invention est de proposer un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant un film mince de silicium ayant des caractéristiques de cristallisation améliorées réalisées par le procédé de cristallisation décrit ici. Pour parvenir à ces avantages et d'autres, et en conformité avec l'objectif de la présente invention, telle qu'elle est réalisée et largement décrite, un masque pour laser ayant des premier, deuxième et troisième blocs, chaque bloc ayant un motif périodique comprend une pluralité de régions transmettantes et une région bloquante, le motif périodique du premier bloc ayant une première position, le motif périodique du deuxième bloc ayant une deuxième position, le motif périodique du troisième bloc ayant une troisième position, les premières, deuxième et troisième positions étant différentes les unes des autres. Dans un autre aspect de la présente invention, le masque pour laser est tel que lorsque les trois motifs périodiques sont disposés dans un bloc, les trois régions transmettantes adjacentes forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. Dans un autre aspect de la présente invention, le masque pour laser est tel que les régions transmettantes ont la forme d'un cercle. Dans un autre aspect de la présente invention, le masque pour laser est tel que une distance entre les centres des régions transmettantes est L, un rayon des régions transmettantes ayant une forme circulaire est R, et L et R satisfont la relation L L Dans un autre aspect de la présente invention, le masque pour laser est tel que les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées dans une configuration de matrice à N rangées par M colonnes (N et M étant des nombres entiers). Dans un autre aspect de la présente invention, le masque pour laser est tel que les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées entrecroisées dans des rangées paires et impaires. Dans un autre aspect de la présente invention, le masque pour laser est tel que le masque pour laser est fait de métal, le métal pouvant être du chrome ou de l'aluminium. Dans un autre aspect de la présente invention, un procédé de cristallisation utilisant un masque comprend la fourniture d'un substrat ayant une couche semi- conductrice; le positionnement d'un masque sur le substrat, le masque ayant des premier, deuxième et troisième blocs, chaque bloc ayant un motif périodique comprenant une pluralité de régions transmettantes et une région bloquante, le motif périodique du premier bloc ayant une première position, le motif périodique du deuxième bloc ayant une deuxième position, le motif périodique du troisième bloc ayant une troisième position, les première, deuxième et troisième positions étant différentes les unes des autres; et la cristallisation de la couche semi-conductrice par irradiation d'un faisceau laser à travers le masque. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que lorsque les trois motifs périodiques sont disposés dans un bloc, les trois régions transmettantes adjacentes forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que les régions transmettantes ont la forme d'un cercle. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que une distance entre les centres des régions transmettantes est L, un rayon des régions transmettantes ayant une forme circulaire est R, et L et R satisfont la relation L L Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées en une configuration de matrice de N rangées par M colonnes (N et M étant des nombres entiers). Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que les régions 5 transmettantes dans chaque bloc sont disposées entrecroisées dans des rangées paires et impaires. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que le masque est fait de métal, le métal pouvant être du chrome ou de l'aluminium. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que la cristallisation de la couche semi-conductrice comprend en outre l'irradiation d'un premier faisceau laser à travers le masque afin de former une première région cristallisée, dans laquelle une dimension de la première région cristallisée est W; le déplacement du substrat de moins de W; l'irradiation d'un deuxième faisceau laser à travers le masque afin de former une deuxième région cristallisée; le déplacement du substrat de moins de W; et l'irradiation d'un troisième faisceau laser à travers le masque afin de former une troisième région cristallisée. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que le substrat est déplacé d'un tiers de W environ. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que la cristallisation de la couche semi-conductrice comprend en outre l'irradiation d'un premier faisceau laser à travers le masque afin de former une première région cristallisée; le déplacement du masque d'une distance environ égale à une taille d'un bloc; l'irradiation d'un deuxième faisceau laser à travers le masque afin de former une deuxième région cristallisée; le déplacement du masque d'une distance environ égale à une taille d'un bloc; et l'irradiation d'un troisième faisceau laser à travers le masque afin de former une troisième région cristallisée. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que le laser irradié a une densité d'énergie d'une région de fusion complète. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que la couche 30 semi-conductrice est cristallisée par un procédé de solidification latérale séquentielle (SLS). Dans un autre aspect de la présente invention, un dispositif d'affichage comprend une ligne de grilles et une ligne de données se croisant l'une l'autre pour former un pixel; un transistor à couches minces (TFT) situé à proximité du croisement, le transistor TFT comprenant une couche de silicium polycristallin, dans lequel la couche de silicium polycristallin comprend une pluralité de cristaux circulaires, et trois cristaux circulaires adjacents forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. Dans un autre aspect de la présente invention, un dispositif d'affichage comprend une ligne de grilles et une ligne de données se croisant l'une l'autre pour former un pixel; un transistor à couches minces (TFT) situé à proximité du croisement, le transistor TFT comprenant une couche de silicium polycristallin, dans lequel la couche de silicium polycristallin comprend une pluralité de cristaux ayant une forme de polygone, et les centres de trois cristaux adjacents forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. Dans un autre aspect de la présente invention, le dispositif est tel que les régions transmettantes ont la forme d'un polygone, le polygone pouvant être un triangle, un carré, un hexagone et un octogone. Dans un autre aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage comprend la formation d'une pluralité de lignes de grilles et de lignes de données sur un substrat, les lignes de grilles et de données se croisant les unes les autres pour définir des pixels; et la formation d'un transistor à couches minces (TFT) à proximité de chaque croisement dans le pixel, cette étape comprenant en outre la formation d'une couche semi-conductrice sur le substrat; le positionnement d'un masque sur le substrat, le masque ayant des premier, deuxième et troisième blocs, chaque bloc ayant un motif périodique comprenant une pluralité de régions transmettantes et une région bloquante, le motif périodique du premier bloc ayant une première position, le motif périodique du deuxième bloc ayant une deuxième position, le motif périodique du troisième bloc ayant une troisième position, les première, deuxième et troisième positions étant différentes les unes des autres; la cristallisation de la couche semi-conductrice par irradiation d'un faisceau laser à travers le masque. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que lorsque les trois motifs périodiques sont disposés dans un bloc, les trois régions transmettantes adjacentes forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que les régions 30 transmettantes ont la forme d'un cercle. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que une distance entre les centres des régions transmettantes est L, un rayon des régions transmettantes ayant une forme circulaire est R, et L et R satisfont la relation L L Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées en une configuration de matrice de N rangées par M colonnes (N et M étant des nombres entiers). Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées entrecroisées dans des rangées paires et impaires. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que le masque est fait de métal, le métal pouvant être du chrome ou de l'aluminium. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que la cristallisation de la couche semi-conductrice comprend en outre l'irradiation d'un premier faisceau laser à travers le masque afin de former une première région cristallisée, dans lequel une dimension de la première région cristallisée est W; le déplacement du substrat de moins de W; l'irradiation d'un deuxième faisceau laser à travers le masque afin de former une deuxième région cristallisée; le déplacement du substrat de moins de W; et l'irradiation d'un troisième faisceau laser à travers le masque afin de former une troisième région cristallisée. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que le substrat est déplacé d'un tiers de W environ. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que la cristallisation de la couche semi-conductrice comprend en outre l'irradiation d'un premier faisceau laser à travers le masque afin de former une première région cristallisée; le déplacement du masque d'environ une distance égale à une taille d'un bloc; l'irradiation d'un deuxième faisceau laser à travers le masque afin de former une deuxième région cristallisée; le déplacement du masque d'environ une distance égale à une taille d'un bloc; et l'irradiation d'un troisième faisceau laser à travers le masque afin de former une troisième région cristallisée. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que le laser irradié a une densité d'énergie d'une région de fusion complète. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que la couche semi-conductrice est cristallisée par un procédé de solidification latérale séquentielle (SLS). Dans un autre aspect de la présente invention, le dispositif est tel que le dispositif d'affichage est, soit un affichage à cristaux liquides, soit un affichage électroluminescent. Dans un autre aspect de la présente invention, le dispositif est tel que le dispositif d'affichage est, soit un affichage à cristaux liquides, soit un affichage électroluminescent. Dans un autre aspect de la présente invention, le dispositif est tel que le 5 dispositif d'affichage est, soit un affichage à cristaux liquides, soit un affichage électroluminescent. Dans un autre aspect de la présente invention, le dispositif est tel que chaque cristal circulaire comprend une pluralité de grains ayant une croissance radiale. Dans un autre aspect de la présente invention, le procédé est tel que chaque 10 cristal comprend une pluralité de grains ayant une croissance radiale. On doit comprendre que la description générale précédente ainsi que la description détaillée suivante sont données à titre d'exemple et d'explication et qu'elles ont pour objectif de fournir des explications supplémentaires sur l'invention telle qu'elle est revendiquée. Des caractéristiques et avantages supplémentaires de la présente invention seront présentés dans la description ci-après, et seront en partie évidents suite à la lecture de la description, ou peuvent être appris en mettant en pratique l'invention. Les objectifs et autres avantages de l'invention seront réalisés et atteints par la structure particulièrement révélée dans la description écrite et dans les revendications de l'invention ainsi que dans les dessins annexés. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description ci-après, faite en référence aux dessins annexés qui constituent une partie de ce mémoire, illustrent des modes de réalisation de l'invention et, conjointement à la description, servent à expliquer les principes de l'invention, sur lesquels: la figure 1 est un graphique illustrant une relation entre la taille d'un grain d'un film mince de silicium polycristallin et la densité d'énergie d'un laser utilisé pour former le film mince de silicium polycristallin, les figures 2 à 4 sont des vues en coupe transversale illustrant les mécanismes 30 de cristallisation du silicium selon les densités d'énergie du laser de la figure 1, les figures 5A à 5C sont des vues en coupe transversale illustrant un processus de cristallisation séquentielle selon un art antérieur, la figure 6A est une vue de dessus illustrant un exemple d'un masque pour laser utilisé pour une solidification latérale séquentielle (SLS), la figure 6B est une vue de dessus illustrant un film mince de silicium cristallisé par le masque de la figure 6A, la figure 7 est une vue de dessus agrandie illustrant la partie E' du film mince de silicium cristallisé de la figure 6B, les figures 8A à 8C sont des vues de dessus illustrant un processus séquentiel pour cristalliser un film mince de silicium en utilisant le masque de la figure 6A, la figure 9 illustre un autre exemple d'un masque pour laser utilisé pour la solidification latérale séquentielle SLS, la figure 10 illustre un procédé pour construire des motifs périodiques dans un masque pour laser conformément à la présente invention, la figure 11 illustre la taille d'une région transmettante du masque pour laser de la figure 10, la figure 12 illustre un procédé pour construire des motifs de masque divisés en trois blocs pour le masque pour laser de la figure 10, les figures 13A à 13C illustrent trois blocs d'un masque pour laser construit conformément au procédé décrit en référence à la figure 12, les figures 14A à 14C illustrent un processus pour cristalliser un film mince de silicium en utilisant le masque pour laser des figures 13A à 13C, la figure 15A illustre un procédé pour construire un masque pour laser conformément à un premier mode de réalisation de la présente invention, la figure 15B illustre un exemple d'un masque pour laser fabriqué par le procédé de construction de motifs en référence à la figure 15A, les figures 16A à 16H illustrent un processus séquentiel pour cristalliser un film mince de silicium en utilisant le masque pour laser illustré sur la figure 15B, la figure 17 illustre un procédé pour construire des motifs périodiques dans un masque pour laser conformément à un deuxième mode de réalisation de la présente invention, la figure 18A illustre un procédé pour construire un masque pour laser conformément au deuxième mode de réalisation de la présente invention, la figure 18B illustre un exemple d'un masque pour laser fabriqué par le procédé de construction de motifs décrit en référence à la figure 18A, les figures 19A à 19G illustrent un processus séquentiel pour cristalliser un film mince de silicium en utilisant le masque pour laser illustré sur la figure 18B, la figure 20 est une vue de dessus illustrant une structure d'un écran d'affichage à cristaux liquides, dans lequel un circuit de commande est intégré avec le substrat maillé de l'écran à cristaux liquides, la figure 21 illustre un exemple d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué en utilisant un film mince de silicium cristallisé par un procédé de cristallisation conformément à la présente invention. On fera ci-après référence en détail aux modes de réalisation de la présente invention dont des exemples sont illustrés sur les dessins annexés. La figure 6A est une vue de dessus illustrant un exemple d'un masque pour laser utilisé pour une solidification latérale séquentielle (SLS), lequel est conçu pour raccourcir le temps de cristallisation en comparaison à l'art antérieur. En référence à la figure 6A, un masque pour laser 270 comprend un motif de type à fente 275 ayant une région transmettante rectangulaire 273 avec des largeur et longueur prédéterminées. Le masque pour laser 270 comprend deux régions transmettantes rectangulaires 273 destinées à laisser passer la lumière et une région bloquante 274 destinée à bloquer la lumière. Un faisceau laser émis à travers les régions transmettantes 273 de la fente 275 cristallise un film mince de silicium selon la forme (par exemple, rectangulaire) des régions transmettantes 273. En référence à la figure 6B, toutefois, une partie sur le bord (E) du film mince de silicium cristallisé a une forme ronde, différente du motif du masque (la fente 275), à cause de la diffraction du faisceau laser. Cela sera décrit ci-après en détail. Pour servir de référence, la ligne en pointillés au niveau de la partie sur le bord (E) du film mince de silicium cristallisé illustré sur la figure 6B illustre la forme de la fente 275 du masque 270 utilisé pour la cristallisation. La figure 7 est une vue de dessus agrandie illustrant la partie E' du film mince de silicium cristallisé de la figure 6B. Comme le montre la figure 7, une région A', le centre de la partie sur le bord (E) a un motif de cristallisation similaire à la fente 275, parce qu'est irradié le faisceau laser ayant une densité d'énergie suffisante pour fondre complètement le film de silicium. Toutefois, le faisceau laser est diffracté en une région B', les angles de la partie sur le bord (E) de la fente 275. Ainsi, le faisceau laser ne peut pas avoir une densité d'énergie suffisante pour fondre complètement le film mince de silicium. Il en résulte que la partie sur le bord (E) prend une forme ronde ou convexe. Autrement dit, parce que les grains dans la partie sur le bord (E) du film mince de silicium cristallisé ayant la forme ronde croissent du noyau formé à proximité du film mince de silicium amorphe (phase solide) au niveau de l'interface du silicium amorphe fondu, un deuxième grain 230B croît dans une direction différente du premier grain 230A. C'est-à-dire, le deuxième grain 230B a des caractéristiques de cristallisation différentes du premier grain 230A, et il en résulte qu'il existe une région discontinue dans le film mince de silicium cristallisé. A ce moment, parce que la région discontinue ayant une largeur (W), la partie convexe sur le bord (E) du film mince de silicium cristallisé, a des caractéristiques de cristallisation différentes, il est nécessaire de réduire la largeur (W) de la région discontinue afin de mettre en application le film mince de silicium dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides. Un processus de cristallisation destiné à cristalliser le film mince de silicium en utilisant le masque décrit ci-dessus sera décrit ci- après. Les figures 8A à 8C sont des vues de dessus illustrant un processus séquentiel pour cristalliser un film mince de silicium en utilisant le masque de la figure 6A. Premièrement, comme le montre la figure 8A, le masque 270 de la figure 6A est positionné sur un substrat 210 sur lequel est irradié un premier faisceau laser afin de cristalliser un film mince de silicium amorphe 212 formé sur le substrat 210. A ce moment, la région cristallisée correspond à la région transmettante 273 du masque 270, et lorsque le masque 270 a deux régions transmettantes, la région cristallisée a deux régions cristallisées ayant une longueur prédéterminée dans une direction horizontale. Autrement dit, lorsque le premier faisceau laser est irradié sur la surface du substrat 210 en utilisant le masque 270 comportant la fente rectangulaire 275, le film mince de silicium, sur lequel le premier faisceau laser a été irradié à travers la fente 275, a un premier grain 230A croissant latéralement (verticalement sur la figure 8A) à partir des noyaux formés à proximité du film mince de silicium amorphe 212 (phase solide) positionné au niveau des surface limitrophes haute et basse. A ce moment, comme cela a été mentionné plus haut, les parties sur le bord du film mince de silicium cristallisé 212' ont une forme ronde différente du motif du masque, la forme de la fente 275, due à la diffraction du faisceau laser, et au niveau des parties rondes sur le bord (E), un deuxième grain 230B croît à partir des noyaux formés à proximité du film mince de silicium amorphe 212 (phase solide) positionné au niveau de la surface limitrophe du silicium amorphe fondu dans une direction différente du premier grain 230A. C'est-à-dire, le deuxième grain 230B a des caractéristiques de cristallisation différentes de celles du premier grain 230A, et une région discontinue existe dans le film mince de silicium cristallisé. Après que la première cristallisation est terminée, la platine porte-objet (non illustrée) ou le masque 270 placé sur le substrat 210 est déplacé d'une courte distance non supérieure à la longueur horizontale du motif du masque 270 (la largeur de la fente 275), et ensuite un deuxième faisceau laser est irradié afin d'exécuter le processus de cristallisation dans la direction de l'axe X'. Par exemple, après que la platine porte-objet est déplacée dans la direction de l'axe - X' afin de recouvrir la région discontinue 280 du film mince de silicium cristallisé 212' selon le motif de fente, le deuxième faisceau laser est alors irradié sur la surface du substrat 210. Ensuite, comme le montre la figure 8B, le deuxième motif cristallisé 212", ayant le même motif que le film mince de silicium 212' cristallisé par la première cristallisation, est formé dans la direction de l'axe X', tout en recouvrant la région discontinue 280 du premier film mince de silicium cristallisé 212'. Après cela, lorsqu'un troisième faisceau laser est irradié sur la surface du substrat 210 de la même façon que celle décrite en référence au premier faisceau laser, le troisième motif de cristallisation 212", ayant le même motif que le film mince de silicium 212" cristallisé par la deuxième cristallisation, est formé, tout en recouvrant la région discontinue 280 du deuxième film mince de silicium cristallisé 212". A ce moment, plus la région discontinue 280 est large, plus la région de recouvrement du faisceau laser pour la prochaine irradiation sera large, ce qui augmente la durée globale du processus. Les régions discontinues 280 des films minces de silicium cristallisés 212', 212" et 212" ont des caractéristiques de cristallisation différentes, et à cet égard, parce que le film mince de silicium 212 autour des régions discontinues 280 reste dans un état amorphe, sans être cristallisé, la prochaine irradiation du faisceau laser est nécessaire pour recouvrir des régions discontinues 280. Après que le processus de cristallisation clans la direction de l'axe X' est terminé, le masque 270 ou la platine porte-objet est déplacé d'une distance prédéterminée dans la direction de l'axe Y' (en cas de déplacement de la platine porte-objet, elle est déplacée dans la direction de l'axe -Y'). Et ensuite, comme le montre la figure 8C, le processus d'irradiation du laser est exécuté de nouveau dans la direction de l'axe X', en commençant à partir du point où le premier processus de cristallisation s'était terminé. Lorsque le processus de cristallisation décrit ci-dessus est exécuté de manière répétitive, un problème survient en ce que le film mince de silicium polycristallin a une pluralité de premières régions (P1) ayant des grains normaux et une pluralité de deuxièmes régions (P2) ayant des régions discontinues qui ont des caractéristiques de cristallisation différentes et sont situées entre les premières régions Pl. C'est-à-dire, lorsqu'un dispositif d'affichage à cristaux liquides est fabriqué en incorporant un tel film mince de silicium ayant ces régions discontinues, le dispositif d'affichage à cristaux liquides souffre de caractéristiques inégales, et ainsi, la qualité du dispositif à cristaux liquides se dégrade. En plus, parce que le film mince de silicium autour des régions discontinues reste dans un état de silicium amorphe, plutôt que dans un état de silicium cristallisé, la prochaine irradiation du faisceau laser est nécessaire pour recouvrir ces régions discontinues 280. Ces régions de recouvrement (à savoir, les régions de recouvrement X) dans lesquelles les régions discontinues se recouvrent l'une l'autre produisent une marque d'impact. La marque d'impact diminue la qualité d'image et produit des caractéristiques non uniformes pour le dispositif lorsqu'il est mis en application pour un dispositif à cristaux liquides ou une diode électroluminescente organique. Par ailleurs, bien que ce ne soit pas expliqué dans le processus de cristallisation susmentionné, on peut effectuer la croissance des grains dans la direction de l'axe Y' et les recouvrements du masque dans la direction de l'axe Y' afin d'augmenter la taille des grains, et ensuite, la cristallisation peut être exécutée de manière répétitive. Dans ce cas, toutefois, la marque d'impact peut être produite dans les régions de recouvrement (à savoir, les régions de recouvrement Y) dans la direction de l'axe Y'. La marque d'impact est donc un point critique lorsque l'on emploie un masque pour laser 370 d'un procédé à balayage unique, ce qui est illustré sur la figure 9, ainsi que lorsque l'on emploie le procédé de transition décrit ci-dessus (procédé à balayage multiple). C'est-à-dire, le problème de la marque d'impact nécessite d'être résolu dans chaque procédé de cristallisation où il y a des recouvrements de faisceaux laser. Ainsi, la présente invention expose un masque pour laser et un procédé de cristallisation utilisant le masque qui ne forment pas une telle région de recouvrement dans un film de silicium cristallisé. Pour atteindre cet objectif, un masque pour laser conforme à la présente invention a des motifs périodiques. Un masque pour laser conforme à la présente invention est divisé en trois blocs, chaque bloc ayant un motif périodique. Un faisceau laser est irradié trois fois sur un film mince de silicium, à chaque fois en utilisant un des trois blocs. Un film mince de silicium cristallisé par le procédé susmentionné (procédé à trois impacts) a des caractéristiques de cristallisation uniformes sans avoir de régions de recouvrement X ou Y, en raison des motifs périodiques du masque. On décrira ci-après en détail le film mince de silicium cristallisé formé par le motif périodique du masque et le procédé à trois impacts formant des gains uniformes qui croissent dans une direction radiale, sans avoir de marque d'impact. Premièrement, un procédé destiné à construire de tels motifs périodiques dans un masque pour laser sera décrit ci-après. La figure 10 illustre un procédé destiné à construire des motifs périodiques dans un masque pour laser conformément à la présente invention. Le masque pour laser a trois blocs, chaque bloc ayant son propre motif périodique. En référence à la figure 10, un masque pour laser conformément à la présente invention comprend une pluralité de régions transmettantes ayant une forme circulaire. Le masque pour laser est divisé en trois blocs pour résoudre le problème des marques d'impact. Une région transmettante 475A ayant une position A' est formée dans un premier bloc et on forme dans un deuxième bloc, soit une région transmettante 475B ayant une position B', soit une région transmettante 475C ayant une position C'. Les positions A, B et C sont illustrées sur la figure 10, et les positions A, B et C et la relation entre elles seront décrites plus tard en détail. Ainsi, lorsque le deuxième bloc a la région transmettante 475B, le troisième bloc a alors la région transmettante 475C. D'un autre côté, lorsque le deuxième bloc a la région transmettante 475C, le troisième bloc a alors la région transmettante 475B. C'est-à-dire, un des trois blocs du masque pour laser a une des régions transmettantes 475A à 475C. Bien que le motif du masque pour laser soit formé sur la base de la région transmettante 475C de la position C', la région transmettante 475A de la position A' ou la région transmettante 475B de la position B' peuvent être utilisées comme point de référence. Lorsque la région transmettante 475C de la position C' est utilisée comme point de référence, la région transmettante 475A de la position A' et la région transmettante 475B de la position B' entourent le point de référence 475C. Lorsqu'un film mince de silicium amorphe est cristallisé en utilisant le masque pour laser ayant les trois motifs 475A à 475C, les trois motifs voisins 475A à 475C forment un triangle équilatéral, et six triangles équilatéraux forment un hexagone régulier, comme le montre la figure 10. Autrement dit, le motif de masque 475C de la position C' ou le motif de masque 475B de la position B', qui est formé dans le deuxième bloc, est positionné au centre du motif en forme d'hexagone régulier, et les motifs de masque différents du motif central entourent le centre du motif en forme d'hexagone régulier. En plus, lorsqu'un film mince de silicium amorphe est cristallisé en appliquant séquentiellement les trois motifs de masque 475A à 475C, les trois motifs voisins 475A à 475C sont positionnés aux sommets du triangle équilatéral. Entre temps, la taille et les intervalles des trois motifs périodiques 475A à 475C doivent satisfaire une certaine relation afin que le masque pour laser cristallise complètement le silicium amorphe en l'irradiant trois fois (trois impacts) sans marque d'impact. Cela sera décrit ci-après. La figure 11 illustre la taille d'une région transmettante du masque pour laser de la figure 10, prenant en exemple la région transmettante de la position A'. Comme illustré, à supposer qu'un rayon de la région transmettante 475A de la position A' soit R' et une distance entre les centres des régions transmettantes 475A soit L', le rayon (R) de la région transmettante doit satisfaire l'équation (1) afin de cristalliser toute la région. L L équation (1) : Un masque pour laser qui a les trois motifs de masque dans trois blocs sera décrit ci-après en détail. La figure 12 illustre un procédé pour construire les motifs de masque répartis dans trois blocs pour le masque pour laser de la figure 10. En référence à la figure 12, des motifs de masque 575A à 575C sont positionnés dans l'ordre aux sommets des triangles équilatéraux qui constituent l'hexagone régulier illustré sur la figure 10. Avec l'exemple de la première rangée, le motif de masque 575A de la position A', le motif de masque 575C de la position C' et le motif de masque 575B de la position B' sont positionnés de manière répétitive et ordonnée dans la direction de l'axe X', en commençant par le motif de masque 575A de la position A'. Pour la deuxième rangée, un autre ensemble de motifs de masque 575A à 575C est positionné après un déplacement d'une distance correspondant à la moitié de la longueur (L') du côté du triangle équilatéral dans les motifs de masque 575A à 575C dans la première rangée. Autrement dit, dans la deuxième rangée, après un déplacement de L'/2 dans la direction de l'axe X, le motif de masque 575B de la position B', le motif de masque 575A de la position A' et le motif de masque 575C de la position C' sont positionnés de manière répétitive et ordonnée dans la direction de l'axe X. Les trois motifs de masque 575A à 575C dans la deuxième rangée constituent des triangles équilatéraux avec les motifs de masque voisins 575A à 575C dans la première rangée. La troisième rangée (à savoir, les rangées de numéro impair) est construite de la même manière que la première rangée, et la quatrième rangée (à savoir, les rangées de numéro pair) est construite de la même manière que la deuxième rangée. En répartissant les trois motifs de masque périodiques dans trois blocs dans un masque pour laser et en appliquant le masque pour laser au procédé à trois impacts de cristallisation, un film mince de silicium cristallin peut être obtenu sans recouvrement X ni recouvrement Y. Cela sera décrit ci-après. Les figures 13A à 13C illustrent trois blocs d'un masque pour laser construit selon le procédé décrit sur la figure 12. Dans le masque pour laser, le motif de masque 575C de la position C' est formé dans le deuxième bloc et le motif de masque 575B de la position B' est formé dans le troisième bloc. Comme le montrent les figures, chaque bloc (580' à 580"') comprend plusieurs régions transmettantes 573A à 573C ayant une forme circulaire et des régions bloquantes 574A à 574C destinées à bloquer la lumière. Le premier bloc 580' comprend le motif de masque 575A positionné dans les première, quatrième et septième colonnes de la figure 12. Le deuxième bloc 580" comprend les motifs de masque 575C positionnés dans les troisième, sixième et neuvième colonnes. Le troisième bloc 580" comprend les motifs de masque 575B positionnés dans les deuxième, cinquième et huitième colonnes. Bien que les régions transmettantes des motifs de masque 575A à 575C aient une forme circulaire sur les dessins, elles peuvent être également formées pour avoir une forme de polygone régulier tel qu'un triangle équilatéral, un carré, un hexagone régulier et un octogone régulier sans être limitées à ces formes. En plus, sur les dessins, bien que le rayon (R) des motifs de masque circulaires 575A à 575C soit un tiers de la distance (L) entre les centres des motifs de masque 575A à 575C, il n'est pas limité à cette valeur du moment que la relation entre R et L satisfait l'équation 1. Les figures 14A à 14C illustrent un processus pour cristalliser un film mince de silicium en utilisant le masque pour laser des figures 13A à 13C. Un film mince de silicium cristallisé par le masque pour laser à trois blocs ayant la périodicité décrite ci-dessus a des caractéristiques de cristallisation uniformes sans marque d'impact. Premièrement, comme le montre la figure 14A, lorsqu'un premier faisceau laser est irradié sur un film de silicium 512 sur un substrat 510 à travers le motif de masque 575A de la position A' (à savoir, les régions transmettantes 573A du motif de masque 575A) formé dans le premier bloc 580', des grains croissent vers les centres du motif circulaire 573A en utilisant comme noyau le film mince de silicium amorphe (phase solide) 512 positionnés à la surface limitrophe, formant de cette façon des premiers cristaux polycristallins 512' ayant une forme circulaire. Les régions cristallisées par cette première cristallisation correspondent aux régions transmettantes 573A du masque pour laser. Ainsi, s'il y a huit régions transmettantes dans le premier bloc du masque pour laser, huit cristaux polycristallins 512' ayant une forme circulaire seront formés dans le film mince de silicium 512. Après que la première cristallisation est terminée, un deuxième faisceau laser est irradié sur le film mince de silicium 512 ayant les premiers cristaux polycristallins 512' par le biais du deuxième bloc 580" de la figure 13B. Cette deuxième cristallisation utilise le deuxième bloc 580", dans lequel est formé le motif de masque 575C de la position C', sans déplacer le substrat dans la direction X ou Y. Il en résulte, comme on peut le voir sur la figure 14B, qu'en démarrant à partir des circonférences des motifs des premiers cristaux polycristallins 512', des grains croissent vers les centres du motif de masque 575C du deuxième bloc 580" afin de former les deuxièmes cristaux polycristallins 512". La deuxième cristallisation est telle que trois des premiers cristaux 512' entourent un des deuxièmes cristaux 512", et la deuxième cristallisation commence à partir des régions dans lesquelles le motif de masque 575C de la position C' recouvre les trois premiers cristaux 512'. Il en résulte que les deuxièmes cristaux 512" croissent vers les centres du motif de masque 575C de la position C'. Ensuite, un troisième faisceau laser est irradié sur le film mince de silicium 512 ayant les premiers et deuxièmes cristaux polycristallins 512' et 512" par le biais du troisième bloc 580" de la figure 13C dans lequel est formé le motif de masque 575B de la position B'. Alors, comme on peut le voir sur la figure 14C, en commençant à partir des régions 520" où les motifs des deuxièmes cristaux 512" recouvrent le motif de masque 575B de la position B', des grains croissent vers les centres du motif de masque 575B du troisième bloc 580' afin de former les troisièmes cristaux polycristallins 512", ce qui termine la cristallisation du film mince de silicium 512. De cette façon, le procédé à trois impacts, en utilisant le masque pour laser, cristallise complètement le film de silicium 512 sur le substrat 510 sans recouvrement X ni recouvrement Y, c'est-à-dire sans marque d'impact. Comme cela a été expliqué, le masque pour laser a trois blocs, chaque bloc ayant un motif périodique. A ce moment, les premiers, deuxièmes et troisièmes cristaux 512', 512" et 512" formés par le procédé à trois impacts ont la même forme circulaire que les motifs de masque 575A à 575C, et par conséquent, le film mince de silicium cristallisé commence à avoir des grains uniformes ayant eu une croissance dans une direction radiale. Un masque pour laser et un processus pour cristalliser un film mince de silicium de grande taille utilisant ce masque conformément à la présente invention seront décrits ci-après. La figure 15A illustre un procédé pour construire un masque pour laser selon un premier mode de réalisation de la présente invention. En référence à la figure 15A, un motif de masque 675A de la position A' est formé dans un premier bloc 680' indiqué par une ligne continue, un motif de masque 675C de la position C' est formé dans un deuxième bloc 680" et un motif de masque 675B de la position B' est formé dans un troisième bloc 680". Les trois motifs de masque 675A à 675C sont formés dans les trois blocs 680' à 680" du masque pour laser selon le procédé de construction de motifs de la présente invention illustré sur la figure 10 ou la figure 12. Dans le premier bloc 680', douze régions transmettantes (le motif de masque 675A à la position de A') ayant une forme circulaire sont disposées dans une configuration de matrice avec 3 rangées et 4 colonnes. Pour plus de sécurité, les régions transmettantes sont disposées entrecroisées dans les rangées paires et impaires de sorte que chaque rangée ne corresponde pas une autre, mais on a supposé que les régions transmettantes sont disposées dans la même rangée pour simplifier l'explication). Comme pour le motif de masque 675A de la position A', douze régions transmettantes au total du motif de masque 675C sont formées dans une configuration de matrice avec 3 rangées et 4 colonnes dans le deuxième bloc 680". Les positions des régions transmettantes du motif de masque 675C correspondent aux positions des triangles dans le premier bloc 680'. Ainsi, 12 régions transmettantes au total du motif de masque 675B de la position B' sont formées dans une configuration de matrice avec 3 rangées et 4 colonnes dans le troisième bloc 680". Les positions des régions transmettantes du motif de masque 675B correspondent aux positions des petits carrés dans le premier bloc 680'. De cette façon, la position de chaque motif de masque 675A à 675C est cohérente avec le procédé de construction de motifs de la présente invention. C'est-à-dire, en supposant que les trois motifs soient formés dans un seul bloc, sur la base des régions transmettantes positionnées dans la première rangée x la première colonne du motif de masque 675C (appelé ci-après motif de référence'), les régions transmettantes positionnées à la première rangée x première colonne du motif de masque 675A de la position A' sont décalées d'une colonne sur la gauche (c'est-àdire, elles sont déplacées d'une distance égale à un côté du petit triangle équilatéral indiqué par une ligne en pointillés), et les régions transmettantes positionnées à la première rangée x première colonne du motif de masque 675B de la position B' sont décalées d'une colonne vers la droite. A l'exception de la différence ci-dessus, les trois motifs de masque 675A à 675C formés dans les trois blocs 680' à 680" ont la même configuration de 3 rangées x 4 colonnes. Sur la figure 15A, les motifs de masque 675A à 675C sont également formés en dehors des trois blocs 680' à 680" indiqués par la ligne continue. Les trois blocs 680' à 680" sont des régions virtuelles destinées à construire les motifs périodiques 675A à 675C sur un masque pour laser, et ainsi les motifs de masque 675A à 675C peuvent être ré- agencés en tenant compte des conditions du processus telles que l'équipement du laser ou le système optique. Les blocs 680' à 680" peuvent servir de référence pour le prochain impact pendant le procédé à trois impacts de cristallisation. Conformément à cela, une distance de déplacement dans la direction de l'axe X (à savoir, la distance du pas X (Dx)) est pour l'essentiel la même que la longueur du côté horizontal du carré (un bloc), et une distance de déplacement dans la direction de l'axe Y (à savoir, distance du pas Y (Dy)) est pour l'essentiel la même que la longueur du côté vertical du carré. La distance du pas X (Dx) signifie une distance de déplacement du masque pour laser ou de la platine porte-objet dans la direction de l'axe X pour le procédé à trois impacts, et la distance du pas Y (Dy) signifie une distance de déplacement du masque pour laser ou de la platine porte-objet dans la direction de l'axe Y afin d'effectuer la cristallisation le long de l'axe Y après la cristallisation de long de l'axe X. La distance du pas Y (Dy) signifie également une distance de déplacement du masque ou de la platine porte-objet dans la direction de l'axe Y de sorte qu'une région plus basse du film mince de silicium, qui n'est pas irradiée par le faisceau laser à trois impacts durant la cristallisation le long de l'axe X, puisse être cristallisée par le procédé à trois impacts. La distance du pas X (Dx) et la distance du pas Y (Dy) sont déterminées en considérant la périodicité des trois blocs 680' à 680" afin d'éliminer un recouvrement X ou un recouvrement Y. Un masque pour laser ayant les trois motifs de masque décrits ci-dessus sera décrit ci-après à l'aide d'un exemple. La figure 15B illustre un exemple d'un masque pour laser fabriqué par le procédé de construction de motifs décrit en faisant référence à la figure 15A. Comme cela a été décrit plus haut, un masque pour laser 670 formé par le procédé de construction de masque selon le premier mode de réalisation de la présente invention a trois blocs ayant le motif de masque 675A de la position A', le motif de masque 675C de la position C' et le motif de masque 675B de la position B'. Le masque pour laser 670 bloque un faisceau laser sauf dans les régions l0 transmettantes des motifs de masque 675A à 675C formées avec une certaine périodicité. Le masque 670 peut être réalisé en un métal qui peut bloquer la lumière, tel que du chrome, de l'aluminium, ou un métal similaire. Bien que douze régions transmettantes soient formées dans chaque bloc du masque pour laser 670, il est possible de former plus de douze régions transmettantes dans chaque bloc en tenant compte des conditions du processus telles que l'équipement du laser ou le système optique. Un processus pour cristalliser un film mince de silicium de grande taille en utilisant le masque pour laser sera décrit ci-après. Les figures 16A à 16H illustrent un processus séquentiel pour cristalliser un film mince de silicium en utilisant le masque pour laser illustré sur la figure 15B. Comme le montre cette figure, trois blocs sont indiqués par une ligne continue pour faciliter l'explication. Ainsi, chaque bloc est indiqué par un carré entouré d'une ligne continue. Dans cet exemple, à partir de la gauche, un premier bloc 680' correspond au motif de masque de la position A', un deuxième bloc 680" correspond au motif de masque de la position C' et un troisième bloc 680" correspond au motif de masque de la position B'. En référence à la figure 16A, une première cristallisation est réalisée en irradiant un faisceau laser sur un film de silicium déposé sur un substrat à travers le masque pour laser illustré sur la figure 15B. A ce moment, le faisceau laser a une densité d'énergie correspondant à la région de fusion complète comme cela a été décrit dans les premières sections, et des cristaux croissent vers les centres des cercles en utilisant comme noyau le silicium amorphe (phase solide) positionné à la surface limitrophe, formant ainsi des premiers cristaux polycristallins 612' dans une première région irradiée (Pl). Les premiers cristaux 612' ont des grains radiaux. Dans ce cas, la totalité de la première région irradiée (PI) n'est pas cristallisée, mais une pluralité de premiers cristaux 612' ayant une forme circulaire sont formés selon le motif du masque 670. De manière détaillée, les régions cristallisées par la première cristallisation correspondent aux régions transmettantes du masque 670. Ainsi, si le masque ayant les trois blocs 680' à 680" a trente six régions transmettantes, le film de silicium a également trente six cristaux de silicium polycristallin 612', chaque cristal ayant un certain rayon. Après que la première cristallisation est terminée, la platine porte-objet (non illustrée) sur laquelle est placé le substrat ou le masque 670 est déplacé dans la direction de l'axe X sur une distance égale à la longueur du côté du carré (un bloc), laquelle est la même que la distance du pas X (Dx), et ensuite un deuxième faisceau laser est irradié. La platine porte-objet est déplacée de la distance du pas X (Dx) dans la direction de l'axe -X', par exemple, les premiers cristaux 612' de la position C' formés par le deuxième bloc recouvrent le motif de masque de la position B' dans le troisième bloc, et ensuite, un deuxième faisceau laser est irradié sur la surface du substrat. Ensuite, comme le montre la figure 16B, sont formés les deuxièmes cristaux 612" ayant la même forme que les premiers cristaux 612'. A ce moment, les positions des deuxièmes cristaux 612" sont décalées de la distance du pas X (Dx) par rapport aux premiers cristaux 612', et ainsi les deuxièmes cristaux 612" recouvrent une partie des premiers cristaux 612'. Les deux régions centrales sur la figure 16B où le premier impact de laser et le deuxième impact de laser se recouvrent l'un l'autre, c'est-à-dire, là où la première région irradiée (P1) et la deuxième région irradiée (P2) se recouvrent l'une l'autre, sont irradiées par le deuxième impact du faisceau laser de sorte que, à partir des circonférences des premiers cristaux 612', des cristaux croissent vers les centres du motif de masque 670 du deuxième impact afin de former les deuxièmes cristaux polycristallins 612". Autrement dit, les trois premiers cristaux 612' qui ont été cristallisés par la première cristallisation sont positionnés autour des deuxièmes cristaux 612", et la deuxième cristallisation démarre à partir de la région 620' où le motif de masque et les trois premiers cristaux 612' se recouvrent l'un l'autre, formant de cette façon les deuxièmes cristaux 612" croissant vers les centres du motif de masque (voir la figure 14B). Sur la figure 16B, les cristaux formés par le premier bloc du masque 670 durant le deuxième impact sont les premiers cristaux, et non les deuxièmes cristaux. Ensuite, la platine porte-objet ou le masque 670 est déplacé de nouveau de la distance du pas X (Dx) dans la direction de l'axe X, et alors un troisième faisceau laser est irradié afin de procéder en continu à la cristallisation dans la direction de l'axe X. Par exemple, après que la deuxième cristallisation ait été effectuée par le deuxième impact du laser, le troisième faisceau laser est irradié sur la surface du substrat. A ce moment, les premiers cristaux 612' de la position A' formés par le premier bloc recouvrent le motif de masque de la position B' dans le troisième bloc. Alors, comme le montre la figure 16C, sont formés les troisièmes cristaux 612" ayant la même forme que les premiers cristaux 612'. A ce moment, les positions des troisièmes cristaux 612" sont décalées de la distance du pas X (Dx) par rapport aux premiers cristaux 612', et recouvrent ainsi une partie des premiers cristaux 612' et des deuxièmes cristaux 612". A ce moment, la région centrale sur la figure 16C où les premier, deuxième et troisième impacts laser se recouvrent l'un l'autre, c'est-à- dire, là où la première région irradiée (Pl), la deuxième région irradiée (P2) et la troisième région irradiée (P3) se recouvrent l'une l'autre (à savoir, la région correspondant au troisième bloc du masque 670 pour la troisième irradiation du laser), est irradiée par le troisième impact du faisceau laser de sorte que, à partir des circonférences des motifs des deuxièmes cristaux 612", des cristaux croissent vers les centres du motif de masque 670 du troisième impact afin de former les troisièmes cristaux polycristallins 612". Autrement dit, les trois deuxièmes cristaux 612" qui ont été cristallisés par la deuxième cristallisation sont positionnés autour des troisièmes cristaux 612", et la troisième cristallisation démarre à partir de la région 620" où le motif de masque selon le troisième impact recouvre les trois deuxièmes cristaux 612", formant de cette façon les troisièmes cristaux 612" croissant vers les centres du motif de masque (voir la figure 14C). De cette manière, après que la cristallisation à trois impacts a été effectuée en appliquant le masque pour laser ayant les trois blocs, la région des trois impacts est cristallisée sans recouvrement X, c'est-àdire, sans marque d'impact, comme cela est illustré sur le dessin. C'està-dire, la région où les premiers cristaux 612', les deuxièmes cristaux 612" et les troisièmes cristaux 612" sont tous formés correspond à la région des trois impacts qui a été cristallisée sans marque d'impact. Sur la figure 16C, les cristaux formés par le deuxième bloc du masque 670 durant le troisième impact sont les deuxièmes cristaux 612" récemment formés par le troisième impact du laser après la première cristallisation, et non les troisièmes cristaux, et les cristaux formés par le premier bloc du masque 670 durant le troisième impact sont les premiers cristaux 612' récemment formés par le troisième impact du laser, et non les troisièmes cristaux. Ensuite, comme le montre la figure 16D, la platine porte-objet ou le masque 670 est encore déplacé de la distance du pas X (Dx) dans la direction de l'axe X, et ensuite un quatrième faisceau laser est irradié. Ensuite, la région de cristal des trois impacts (P) ayant des caractéristiques cristallines uniformes sans recouvrement X ni recouvrement Y est formée au centre par le faisceau laser à trois impacts. Comme cela est décrit plus haut, la région de cristal des trois impacts (P) correspondant à la région des troisièmes cristaux 612" est formée sans recouvrement X, à savoir, sans marque d'impact. Par ailleurs, le processus de cristallisation est effectué de manière répétitive dans la direction de l'axe X. Alors, comme le montrent les figures 16E et 16F, la région de cristal des trois impacts (P) sans marque d'impact augmente dans la direction de l'axe X. Cette région de cristal des trois impacts (P) est une région de Y cristal uniforme sans marque d'impact qui est formée en utilisant le masque pour laser ayant trois blocs, chaque bloc ayant un motif périodique. Pendant ce temps-là, la région plus basse du film de silicium n'est pas complètement irradiée par un faisceau laser. La raison en est que le processus de cristallisation n'a été effectué que dans la direction de l'axe X. Après que le processus de cristallisation est terminé dans la direction de l'axe X (cristallisation de l'axe X), sur la figure 16G, le masque 670 ou la platine porte-objet est déplacé de la distance du pas Y (Dy) dans la direction de l'axe Y (en cas de déplacement de la platine porte-objet, dans la direction de l'axe -Y), et ensuite, le processus de cristallisation décrit plus haut concernant la cristallisation de l'axe X est effectué de manière continue dans la direction de l'axe -X, en démarrant à partir du point final où le premier processus de cristallisation de l'axe X s'était arrêté. Dans ce cas, la cristallisation est effectuée de manière continue en appliquant les mêmes blocs du masque 670 comme avec la cristallisation de l'axe X. Le motif supérieur (à savoir, le motif formé en dessous de la région des blocs) du masque 670 est positionné en correspondance avec la région plus basse qui n'a pas été complètement irradiée par un faisceau laser après la première cristallisation de l'axe X. Ainsi, la région plus basse peut être complètement cristallisée par le processus de cristallisation dans la direction de l'axe -X. Avec cette procédure, la région plus basse cristallisée par le processus de cristallisation dans la direction de l'axe -X peut être formée sans recouvrement Y. Après cela, le procédé décrit plus haut est appliqué de manière répétitive dans les directions de l'axe X et de l'axe Y afin de former une région cristallisée arbitraire, comme le montre la figure 16H. En particulier, la région de cristal des trois impacts (P) est une région cristallisée sans recouvrement X ni recouvrement Y qui a des caractéristiques de cristallisation uniformes. La raison en est que cette région ne comprend pas de marque d'impact et que les cristaux ont des grains radiaux. Dans ce mode de réalisation, un film mince de silicium cristallin sans recouvrement X ni recouvrement Y est obtenu par le procédé à trois impacts en utilisant le masque pour laser ayant trois blocs, chaque bloc ayant un motif périodique. Bien que les motifs de masque aient des régions transmettantes ayant une forme circulaire, ils peuvent également être formés pour avoir la forme d'un polygone régulier, tel qu'un triangle équilatéral, un carré, un hexagone régulier, un octogone régulier, ou des figures similaires. En plus, bien que chaque bloc ait douze régions transmettantes, le nombre des régions transmettantes dans chaque bloc peut être modifié en fonction des conditions du processus. Du reste, bien que le rayon (R) des régions transmettantes soit la moitié de la distance (L) entre les centres des régions transmettantes, il peut être modifié du moment que la relation entre R et L satisfait l'équation 1. Dans ce mode de réalisation, bien que le motif de masque de la position A', le motif de masque de la position C' et le motif de masque de la position B' soient positionnés de manière ordonnée dans le premier au troisième bloc du masque, les positions des motifs de masque peuvent être modifiées. Un autre exemple de positionnement des trois motifs de masque sera décrit ci-après en détail. La figure 17 illustre un procédé pour construire des motifs périodiques dans un masque pour laser conformément à un deuxième mode de réalisation de la présente invention. En référence à la figure 17, dans des régions transmettantes de construction circulaire (A, B et C) dans le masque pour laser, le masque pour laser est divisé en trois blocs afin d'éliminer une marque d'impact. Une région transmettant le laser 775A ayant la position A' est formée dans un premier bloc, une région transmettante 775B ayant la position B' est formée dans le deuxième bloc, et une région transmettante 775C ayant la position C' est formée dans le troisième bloc. C'est-à- dire, comme mentionné plus haut, les motifs de masque circulaires 775A à 775C sont formés séquentiellement dans chacun des trois blocs du masque de cristallisation par laser. Dans ce mode de réalisation, le motif de masque 775B de la position B' est positionné au centre de l'hexagone régulier illustré sur la figure 17, mais la présente invention n'est pas limitée à cette configuration. La région transmettante 775A de la position A' et la région transmettante 775C de la position C' entourent le point de référence 775B. C'est-à-dire, le motif de masque 775B de la position B' formé dans le troisième bloc est positionné au centre du motif en forme d'hexagone régulier, autour duquel sont positionnés les différents motifs (c'est-à-dire, le motif de masque 775A de la position A' et le motif de masque 775C de la position C'). Par ailleurs, la taille et les intervalles des motifs de masque 775A à 775C doivent satisfaire l'équation 1 afin de cristalliser complètement un film mince de silicium par le procédé à trois impacts sans marque d'impact. Le masque pour laser ayant les motifs de masque construits par le procédé susmentionné et un processus de cristallisation utilisant le masque pour laser seront décrits ci-après. La figure 18A illustre un procédé pour construire un masque pour laser en conformité avec le deuxième mode de réalisation de la présente invention. Le deuxième mode de réalisation de la présente invention est le même que le premier mode de réalisation de la présente invention à l'exception de l'ordre de positionnement des motifs de masque de la position B' ou C' dans les deuxième et troisième blocs. En référence à la figure 18A, un motif de masque 775A de la position A' est positionné dans un premier bloc 780' indiqué par un carré entouré d'une ligne continue, un motif de masque 775B de la position B' est positionné dans un deuxième bloc 780" et un motif de masque 775C de la position C' est positionné dans un troisième bloc 780". Les trois motifs de masque 775A à 775C sont formés dans les trois blocs 780' à 780" du masque pour laser selon le procédé de construction de motifs illustré sur la figure 17. Dans le premier bloc 780', douze régions transmettantes ayant une forme circulaire (le motif de masque 775A) sont disposées dans une configuration de matrice à 3 rangées et 4 colonnes. Pour plus de sécurité, les régions transmettantes sont disposées entrecroisées dans les rangées paires et impaires de sorte que chaque rangée ne corresponde pas l'une à l'autre, mais il est supposé que les régions transmettantes soient disposées dans la même rangée pour simplifier l'explication. Comme le motif de masque 775A de la position A', douze régions transmettantes au total du motif de masque 775B sont formées dans une configuration de matrice à 3 rangées et 4 colonnes dans le deuxième bloc 780". Les positions des régions transmettantes du motif de masque 775B correspondent aux positions des petits carrés dans le premier bloc 780' sur la figure 18A. Ainsi, douze régions transmettantes au total du motif de masque 775C de la position C' sont formées dans une configuration de matrice à 3 rangées et 4 colonnes. Les positions des régions transmettantes du motif de masque 775C correspondent aux positions des triangles dans le premier bloc 780' et dans le troisième bloc 780" sur la figure 18A. La position de chaque motif de masque 675A à 675C est cohérente avec le procédé de construction de motifs de la présente invention. C'est- à-dire, à supposer que les trois motifs soient formés dans un seul bloc, sur la base des régions transmettantes positionnées dans la première rangée x première colonne du motif de masque 775B (appelé ci-après motif de référence'), les régions transmettantes positionnées dans la première rangée x première colonne du motif de masque 775A sont positionnées aux sommets du côté inférieur gauche du triangle équilatéral, et les régions transmettantes positionnées dans la première rangée x première colonne du motif de masque 775C sont positionnées aux sommets du côté inférieur droit du triangle équilatéral par rapport au motif de référence. Les motifs de masque 775A et les motifs de masque 775C sont décalés d'une certaine distance (la moitié de la longueur d'un côté du triangle équilatéral vers la gauche ou la droite, et de la hauteur du triangle équilatéral vers le bas), les trois motifs de masque 775A à 775C formés dans les trois blocs 780' à 780" ont la même configuration de 3 rangées x 4 colonnes. Comparé au procédé de construction du masque pour laser selon le premier mode de réalisation de la présente invention, le procédé de construction du masque pour laser selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention a un concept de masque différent. Autrement dit, dans le premier mode de réalisation, le motif de masque C' est positionné dans le deuxième bloc, tandis que le motif de masque B' est positionné dans le deuxième bloc dans le deuxième mode de réalisation. Un masque pour laser formé par le procédé de construction de motifs décrit plus haut sera décrit ci-après à l'aide d'un exemple. La figure 18B illustre un exemple d'un masque pour laser fabriqué par le procédé de construction de motifs décrit en référence à la figure 18A. Comme cela a été décrit plus haut, un masque pour laser 770 formé par le procédé de construction de masque en conformité avec le deuxième mode de réalisation de la présente invention a trois blocs ayant le motif de masque 775A de la position A', le motif de masque 775B de la position B' et le motif de masque 775C de la position C'. Dans ce mode de réalisation, douze régions transmettantes sont formées dans chaque bloc du masque pour laser 770, il est possible de former plus de douze régions transmettantes en tenant compte des conditions du processus, telles que l'équipement du laser ou le système optique, sans être limité à ce nombre. Un processus pour cristalliser un film mince de silicium de grande taille en utilisant le masque pour laser sera décrit ci-après. Les figures 19A à 19G illustrent un processus séquentiel pour cristalliser un film mince de silicium en utilisant le masque pour laser illustré sur la figure 18B. Comme le montrent ces figures, trois blocs sont indiqués par une ligne continue pour simplifier l'explication. Ainsi, chaque bloc est indiqué par une carré entouré d'une ligne continue. Dans cet exemple, à partir de la gauche, un premier bloc 780' correspond au motif de masque de la position A', un deuxième bloc 780" correspond au motif de masque de la position B' et un troisième bloc 780" correspond au motif de masque de la position C'. En référence à la figure 19A, une première cristallisation est effectuée en irradiant un faisceau laser sur un film de silicium déposé sur un substrat à travers le masque pour laser illustré sur la figure 18B. A ce moment, le faisceau laser a une densité d'énergie correspondant à larégion de fusion complète comme cela est décrit dans les premières sections, et des cristaux croissent vers les centres des cercles en utilisant comme noyau le silicium amorphe (phase solide) positionné aux surfaces limitrophes, formant de cette façon des premiers cristaux polycristallins 712' dans une première région irradiée (Pl). Les premiers cristaux 712' ont des grains radiaux. Après que la première cristallisation est terminée, la platine porte-objet (non illustrée) sur laquelle est placé le substrat ou le masque 770 est déplacé dans la direction de l'axe X d'une distance de la longueur (Dx) du côté du carré (un bloc), et ensuite un deuxième faisceau laser est irradié. La platine porte-objet est déplacée de la distance du pas X (Dx) dans la direction de l'axe -X', par exemple, les premiers cristaux 712' de la position B' dans le deuxième bloc recouvrent le motif de masque de la position C' dans le troisième bloc, et ensuite, le deuxième faisceau laser est irradié sur la surface du substrat. Ensuite, comme le montre la figure 19B, sont formés les deuxièmes cristaux 712" ayant la même forme que les premiers cristaux 712'. A ce moment, les positions des deuxièmes cristaux 712" sont décalées de la distance du pas X (Dx) par rapport aux premiers cristaux 712', et ainsi les deuxièmes cristaux 712" recouvrent une partie des premiers cristaux 712'. Les deux régions centrales sur la figure 19B où le premier impact du laser et le deuxième impact du laser se recouvrent l'un l'autre, c'est-à-dire, là où la première région irradiée (P1) et la deuxième région irradiée (P2) se recouvrent l'une l'autre, sont irradiées par le deuxième impact du faisceau laser de sorte qu'à partir de la région 720', où le motif de masque pour le deuxième impact recouvre les premiers cristaux 712', des cristaux croissent vers les centres du motif de masque 770 du deuxième impact afin de former les deuxièmes cristaux polycristallins 712" (voir la figure 14B). Sur la figure 19B, les cristaux formés par le premier bloc de masque 770 durant le deuxième impact sont les premiers cristaux, et non les deuxièmes cristaux. Ensuite, la platine porte-objet ou le masque 770 est déplacé de nouveau de la distance du pas X (Dx) dans la direction de l'axe X, et ensuite un troisième faisceau laser est irradié pour réaliser de manière continue la cristallisation dans la direction de l'axe X. Par exemple, après que la deuxième cristallisation a été effectuée par le deuxième impact du laser, le troisième faisceau laser est irradié sur la surface du substrat. A ce moment, les premiers cristaux 712' de la position A' formés par le premier bloc recouvrent le motif de masque de la position C' dans le troisième bloc. Ensuite, comme le montre la figure 19C, sont formés les troisièmes cristaux 712" ayant la même forme que les premiers cristaux 712'. A ce moment, la région centrale sur la figure 19C où les premier, deuxième et troisième impacts laser se recouvrent l'un l'autre, c'est-à-dire, là où la première région irradiée (Pi), la deuxième région irradiée (P2) et la troisième région irradiée (P3) se recouvrent l'une l'autre (à savoir, la région correspondant au troisième bloc du masque 770 pour la troisième irradiation du laser), est irradiée par le troisième impact du faisceau laser de sorte que, à partir des circonférences des motifs des deuxièmes cristaux 712" (spécifiquement, la région 720" où le motif de masque pour le troisième impact recouvre les deuxièmes cristaux 712"), des cristaux croissent vers les centres du motif de masque 770 du troisième impact afin de former les troisièmes cristaux polycristallins 712"'(voir la figure 14C). De cette manière, après que la cristallisation à trois impacts a été effectuée en appliquant le masque ayant les trois blocs, la région des trois impacts est cristallisée sans recouvrement X, c'est-à-dire sans marque d'impact comme le montre le dessin. Sur la figure 19C, les cristaux formés par le deuxième bloc du masque 770 durant le troisième impact sont les deuxièmes cristaux 712" récemment formés par le troisième impact du laser après la première cristallisation, et non les troisièmes cristaux, et les cristaux formés par le premier bloc du masque 770 durant le troisième impact sont les premiers cristaux 712' récemment formés par le troisième impact du laser, et non les troisièmes cristaux. Ensuite, comme le montre la figure 19D, la platine porte-objet ou le masque 770 est encore déplacé de la distance du pas X (Dx) dans la direction de l'axe X, et ensuite un quatrième faisceau laser est irradié. Ensuite, la région de cristal à trois impacts (P) ayant des caractéristiques cristallines uniformes sans recouvrement X ni recouvrement Y est formée dans le centre par le troisième impact du faisceau laser. Comme cela a été décrit plus haut, la région de cristal des trois impacts (P) correspondant à la région des troisièmes cristaux 712" est formée sans recouvrement X, c'est-à-dire, sans marque d'impact. Pendant ce temps-là, le processus de cristallisation est effectuée de manière répétitive dans la direction de l'axe X. Ensuite, comme le montrent les figures 19E et 19F, la région de cristal des trois impacts (P) sans marque d'impact augmente dans la direction de l'axe X. Cette région de cristal des trois impacts (P) est une région de cristal uniforme sans marque d'impact qui est formée en utilisant le masque pour laser ayant les trois blocs, chaque bloc ayant un motif périodique. Ensuite, après que le processus de cristallisation est terminé dans la direction de l'axe X (première cristallisation de l'axe X), le masque 770 ou la platine porte-objet est déplacé de la distance du pas Y (Dy) dans la direction de l'axe Y (en cas de déplacement de la platine porte-objet, dans la direction de l'axe -Y), et ensuite, le processus de cristallisation décrit plus haut concernant la cristallisation de l'axe X est exécuté de manière continue dans la direction de l'axe -X, en démarrant au point final où le premier processus de cristallisation de l'axe X s'était terminé. Dans ce cas, la cristallisation est réalisée de manière continue en appliquant les mêmes blocs de masque 770 que pour la première cristallisation de l'axe X. Le motif supérieur (à savoir, le motif formé en dessous de la région des blocs) du masque 770 est positionné en correspondance avec la région plus basse qui n'a pas été complètement irradiée par un faisceau laser après la première cristallisation de l'axe X. La région plus basse peut être complètement cristallisée par le processus de cristallisation dans la direction de l'axe -X. Avec cette procédure, la région plus basse cristallisée par le processus de cristallisation dans la direction de l'axe -X peut être formée sans recouvrement Y. Après cela, le procédé décrit plus haut est appliqué de manière répétitive dans les directions de l'axe X et de l'axe Y afin de former une région cristallisée arbitraire, illustrée sur la figure 19G. Bien que le motif de masque de la position A', le motif de masque de la position C' et le motif de masque de la position B' soient positionnés séquentiellement dans le premier au troisième bloc du masque pour laser dans le deuxième mode de réalisation, ce dernier n'est pas limité à cette configuration. Par exemple, soit le motif de masque de la position C', soit le motif de masque de la position B' peut être positionné dans le premier bloc tout en conservant l'ordre des trois motifs de masque de la même manière. Comme cela a été décrit dans les premier et deuxième modes de réalisation de la présente invention, des faisceaux laser sont irradiés sur un film mince de silicium à travers les trois motifs de masque formés dans les trois blocs du masque pour laser. Par conséquent, la partie du film mince de silicium irradiée par les trois impacts d'irradiation au laser est complètement cristallisée. Le procédé à trois impacts comprend la première cristallisation par le premier impact, la deuxième cristallisation par le deuxième impact et la troisième cristallisation par le troisième impact. Dans la première cristallisation, des cristaux croissent vers les centres des cercles en utilisant comme noyau le film mince de silicium amorphe (phase solide) positionné autour du motif circulaire, c'est-à-dire à la surface limitrophe des circonférences. Dans les deuxième et troisième cristallisations, des cristaux croissent vers les centres des motifs de masque du deuxième impact et du troisième impact utilisant comme point de départ les circonférences des premiers et deuxièmes cristaux. Un procédé de fabrication d'un dispositif à cristaux liquides utilisant le film mince de silicium ayant les caractéristiques de cristallisation améliorées en conformité avec la présente invention sera décrit ci-après. La figure 20 est une vue de dessus illustrant une structure d'un écran d'affichage à cristaux liquides dans lequel un circuit de commande est intégré au substrat matriciel de l'écran à cristaux liquides. Comme illustré, l'écran à cristaux liquides intégrant un circuit de commande comprend un substrat matriciel 820, un substrat filtre de couleurs 830 et une couche de cristaux liquides (non illustrée) formée entre le substrat matriciel 820 et le substrat filtre de couleurs 830. Le substrat matriciel 820 comprend une unité de pixels 825, une région d'affichage d'image où des pixels de l'unité sont disposés dans une configuration de matrice, et une unité de circuit de commande de grilles 824 et une unité de circuit de commande de données 823 positionnées à un bord extérieur de l'unité de pixels 825. Bien que cela ne soit pas illustré, l'unité de pixels 825 du substrat matriciel 820 comprend une pluralité de lignes de grilles et de lignes de données disposées verticalement et horizontalement, et définissant une pluralité de régions de pixels sur le substrat 820. L'unité de pixels comprend en outre un transistor à films minces, un dispositif de commutation formé à proximité des croisements des lignes de grilles et des lignes de données, et des électrodes de pixel formées dans les régions de pixel. Le transistor à films minces (TFT), servant de dispositif de commutation pour appliquer un signal de tension aux électrodes de pixel, est un transistor à effet de champ (FET) destiné à commander un flux de courant par un champ électrique. L'unité du circuit de commande des données 823 du substrat matriciel 820 est positionnée sur le grand côté du substrat matriciel 820 qui dépasse par rapport au substrat filtre de couleurs 830, et l'unité de circuit de commande des grilles 824 est positionnée sur le petit côté du substrat matriciel 820. Afin de sortir de manière appropriée un signal entré, l'unité de circuit de commande des grilles 824 et l'unité de circuit de commande des données 823 utilisent un transistor à films minces avec une structure CMOS (semi conducteur à oxyde de métal complémentaire), un inverseur. A titre de référence, le CMOS est un circuit intégré, ayant une structure MOS, utilisé pour traiter des signaux à hauts débits, et a besoin de transistors à canal P et à canal N. Ses caractéristiques de vitesse et de densité sont situées entre le NMOS et le PMOS. L'unité de circuit de commande des grilles 824 et l'unité de circuit de commande des données 823, qui sont des dispositifs destinés à fournir un signal de balayage et un signal de données à l'électrode de pixel par le biais de la ligne de grilles et la ligne de données, sont connectées à un connecteur d'entrée de signaux externes (non illustré) afin de commander un signal externe transmis par le connecteur d'entrée de signaux externes et de le fournir en sortie à l'électrode de pixel. Bien que cela ne soit pas illustré, un filtre de couleurs pour implanter la couleur et une électrode commune, qui est une contre- électrode de l'électrode de pixel formée sur le substrat matriciel 820, sont formés sur la région d'affichage d'image 825. Une entretoise entre le substrat matriciel et le substrat filtre couleur est formée afin de fournir un interstice de cellule uniforme. Le substrat matriciel et le substrat filtre de couleurs sont fixés par une structure de joint formée en un bord externe de la région d'affichage d'image afin de former un écran d'affichage à cristaux liquides. Les deux substrats sont fixés par une clé de fixation formée sur le substrat matriciel ou le substrat filtre de couleurs. L'écran à cristaux liquides avec circuit de commande intégré utilisant le film mince de silicium polycristallin a de nombreux avantages en ce qu'il a d'excellentes caractéristiques fonctionnelles, une excellente qualité d'image, une capacité adéquate d'affichage et une faible consommation. Un dispositif à cristaux liquides avec circuit de commande intégré utilisant le film mince de silicium cristallisé fabriqué conformément à la présente invention sera décrit ci-après par son processus de fabrication. La figure 21 illustre un exemple d'un dispositif à cristaux liquides fabriqué en utilisant un film mince de silicium cristallisé par un procédé de cristallisation en conformité avec la présente invention. Comme pour le transistor à films minces (TFT) formé sur l'unité de pixels, les deux types de transistors TFT, N et P, sont disponibles. Pour l'unité de circuit de commande, on peut utiliser soit des transistors TFT de type N soit des TFT de type P comme dans l'unité de pixels, ou on peut également utiliser la structure CMOS ayant des transistors TFT de types N et P. La figure 21 illustre ici un exemple du dispositif d'affichage à cristaux liquides CMOS. Un procédé de fabrication du dispositif à cristaux liquides CMOS sera décrit ci-après. Premièrement, une couche tampon 821 faite d'un film d'oxyde de silicium (SiO2) est formée sur un substrat 820 fait d'un matériau isolant transparent tel que du verre. Ensuite, des couches actives 824N et 824P faites de silicium polycristallin sont formées sur le substrat 820 formé par la couche tampon. Dans ce but, après qu'un film mince amorphe a été formé sur toute la surface du substrat 820, les couches actives 824N et 824P sont solidifiées latéralement et séquentiellement par un procédé à trois impacts de cristallisation qui est conforme à la présente invention. A ce moment, le procédé à trois impacts de cristallisation utilise un masque pour laser ayant trois blocs, chaque bloc ayant un motif périodique. Par conséquent, un film mince de silicium polycristallin uniforme peut être formé sans marque d'impact. Après cela, le film mince cristallisé de silicium polycristallin reçoit une structure par le biais d'un processus de photolithographie afin de former les structures actives 824N et 824P au niveau des régions NMOS et PMOS. Ensuite, un film d'isolation des grilles 825A est déposé sur les couches actives 824N et 824P. Par la suite, des électrodes de grille 850N et 850P, faites de molybdène (Mo), d'aluminium (Al), d'un alliage d'aluminium ou d'un matériau similaire, sont formées sur une certaine région (à savoir, une région de formation de canaux des couches actives 824N et 824P) sur le film d'isolation des grilles 825. Les électrodes de grille 850N et 850P sont formées par un processus de photolithographie après qu'un métal de grille a été déposé sur le film d'isolation des grilles 825A. Ensuite, un processus de dopage N et un processus de dopage P sont réalisés séquentiellement pour former un transistor TFT de type N (à savoir, un transistor TFT ayant des régions de source/drain 822N et 823 formées en implantant des ions N+ dans une certaine région de la couche active 824N) et un transistor TFT de type P. A ce moment, la région de source 822N et la région de drain 823N du transistor TFT de type N sont formées en injectant un élément du cinquième groupe tel que du phosphore (P) qui peut donner un électron. Les régions de source/drain 822P et 823P du transistor TFT de type P sont formées en injectant un élément du troisième groupe tel que du bore (B) qui peut donner un trou. Après cela, un film d'isolation entre les couches 825B est déposé sur toute la surface du substrat 820, et des trous de contact 860N et 860P sont formés pour mettre à nu une partie des régions de source/drain 822N, 822P, 823N et 823P par un processus de photolithographie. Finalement, des électrodes de source/drain 851N, 851P, 852N et 852P sont formées pour connecter électriquement les régions de source/drain 822N, 822P, 823N et 823P par le biais des trous de contact 860N et 860P, terminant de cette façon le dispositif d'affichage à cristaux liquides CMOS. Bien que la présente invention présente un procédé de fabrication d'un dispositif à cristaux liquides ayant le film mince de silicium cristallisé, les principes de la présente invention peuvent être également appliqués à d'autres dispositifs d'affichage tels qu'une diode électroluminescente organique sans y être limités. Comme cela a été déjà décrit, le masque pour laser et le procédé de cristallisation conformément à la présente invention présentent de nombreux avantages. Un masque pour laser conformément à la présente invention a trois blocs, chaque bloc ayant son propre motif périodique. Avec un procédé de cristallisation conforme à la présente invention, qui utilise le masque pour laser, on peut obtenir un film mince de silicium polycristallin sans recouvrement X ni de recouvrement Y, c'est-à-dire, sans marque d'impact, en appliquant de manière répétitive les trois blocs. En plus, en fabriquant un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant le film mince de silicium polycristallin, le dispositif peut avoir des caractéristiques uniformes et améliorées en raison des caractéristiques de cristallisation de la couche active. De plus, parce que la couche active n'a pas de marque d'impact, la qualité d'image du dispositif d'affichage à cristaux liquides peut également être améliorée. Il est évident à l'homme du métier que diverses modifications et variantes peuvent être apportées au dispositif d'affichage présenté plus haut et au procédé de commande de celui-ci sans départir de l'esprit ou de la portée de l'invention. Ainsi, il est entendu que la présente invention couvre les modifications et variantes de cette invention à condition qu'elles demeurent dans la portée des revendications annexées et de leurs équivalents. REVENDICATIONS 1. Un masque pour laser ayant des premier, deuxième et troisième blocs, chaque bloc ayant un motif périodique comprenant une pluralité de régions transmettantes et une région bloquante, le motif périodique du premier bloc ayant une première position, le motif périodique du deuxième bloc ayant une deuxième position, le motif périodique du troisième bloc ayant une troisième position, les premières, deuxième et troisième positions étant différentes les unes des autres. 2. Le masque pour laser selon la revendication 1, dans lequel, lorsque les trois motifs périodiques sont disposés dans un bloc, les trois régions transmettantes adjacentes forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. 3. Le masque pour laser selon la revendication 1, dans lequel les régions transmettantes ont la forme d'un cercle. 4. Le masque pour laser selon la revendication 3, dans lequel une distance entre les centres des régions transmettantes est L, un rayon des régions transmettantes ayant une forme circulaire est R, et L et R satisfont la relation L L 6. Le masque pour laser selon la revendication 1, dans lequel les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées dans une configuration de matrice à 30 N rangées par M colonnes (N et M étant des nombres entiers). 7. Le masque pour laser selon la revendication 6, dans lequel les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées entrecroisées dans des rangées paires et impaires. 8. Le masque pour laser selon la revendication 1, dans lequel le masque pour laser est fait de métal, le métal pouvant être du chrome ou de l'aluminium. 9. Un procédé de cristallisation utilisant un masque comprenant: la fourniture d'un substrat ayant une couche semi-conductrice; le positionnement d'un masque sur le substrat, le masque ayant des premier, deuxième et troisième blocs, chaque bloc ayant un motif périodique comprenant une pluralité de régions transmettantes et une région bloquante, le motif périodique du premier bloc ayant une première position, le motif périodique du deuxième bloc ayant une deuxième position, le motif périodique du troisième bloc ayant une troisième position, les première, deuxième et troisième positions étant différentes les unes des autres; et la cristallisation de la couche semi-conductrice par irradiation d'un faisceau laser à travers le masque. 10. Le procédé selon la revendication 9, dans lequel, lorsque les trois motifs périodiques sont disposés dans un bloc, les trois régions transmettantes adjacentes forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. 11. Le procédé selon la revendication 9, dans lequel les régions transmettantes ont la forme d'un cercle. 12. Le procédé selon la revendication 11, dans lequel une distance entre les centres des régions transmettantes est L, un rayon des régions transmettantes ayant une forme circulaire est R, et L et R satisfont la relation L L - 14. Le procédé selon la revendication 9, dans lequel les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées en une configuration de matrice de N rangées par M colonnes (N et M étant des nombres entiers). 15. Le procédé selon la revendication 14, dans lequel les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées entrecroisées dans des rangées paires et impaires. 16. Le procédé selon la revendication 9, dans lequel le masque est fait de métal, le métal pouvant être du chrome ou de l'aluminium. 17. Le procédé selon la revendication 9, dans lequel la cristallisation de la couche semi-conductrice comprend en outre: l'irradiation d'un premier faisceau laser à travers le masque afin de former une première région cristallisée, dans laquelle une dimension de la première région cristallisée est W; le déplacement du substrat de moins de W; fo l'irradiation d'un deuxième faisceau laser à travers le masque afin de former une deuxième région cristallisée; le déplacement du substrat de moins de W; et l'irradiation d'un troisième faisceau laser à travers le masque afin de former une troisième région cristallisée. 18. Le procédé selon la revendication 17, dans lequel le substrat est déplacé d'un tiers de W environ. 19. Le procédé selon la revendication 9, dans lequel la cristallisation de la 20 couche semi-conductrice comprend en outre: l'irradiation d'un premier faisceau laser à travers le masque afin de former une première région cristallisée; le déplacement du masque d'une distance environ égale à une taille d'un bloc; l'irradiation d'un deuxième faisceau laser à travers le masque afin de former 25 une deuxième région cristallisée; le déplacement du masque d'une distance environ égale à une taille d'un bloc; et l'irradiation d'un troisième faisceau laser à travers le masque afin de former une troisième région cristallisée. 20. Le procédé selon la revendication 9, dans lequel le laser irradié a une densité d'énergie d'une région de fusion complète. 21. Le procédé selon la revendication 9, dans lequel la couche semiconductrice est cristallisée par un procédé de solidification latérale séquentielle (SLS). 22. Un dispositif d'affichage comprenant: une ligne de grilles et une ligne de données se croisant l'une l'autre pour former un pixel; un transistor à couches minces (TFT) situé à proximité du croisement, le transistor TFT comprenant une couche de silicium polycristallin, dans lequel la couche de silicium polycristallin comprend une pluralité de cristaux circulaires, et trois cristaux circulaires adjacents forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. 23. Un dispositif d'affichage comprenant: une ligne de grilles et une ligne de données se croisant l'une l'autre pour former un pixel; un transistor à couches minces (TFT) situé à proximité du croisement, le transistor TFT comprenant une couche de silicium polycristallin, dans lequel la couche de silicium polycristallin comprend une pluralité de cristaux ayant une forme de polygone, et les centres de trois cristaux adjacents forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. 24. Le dispositif selon la revendication 23, dans lequel les régions 20 transmettantes ont la forme d'un polygone, le polygone pouvant être un triangle, un carré, un hexagone et un octogone. 25. Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage comprenant: la formation d'une pluralité de lignes de grilles et de lignes de données sur un 25 substrat, les lignes de grilles et de données se croisant les unes les autres pour définir des pixels; et la formation d'un transistor à couches minces (TFT) à proximité de chaque croisement dans le pixel, cette étape comprenant en outre: la formation d'une couche semi-conductrice sur le substrat; le positionnement d'un masque sur le substrat, le masque ayant des premier, deuxième et troisième blocs, chaque bloc ayant un motif périodique comprenant une pluralité de régions transmettantes et une région bloquante, le motif périodique du premier bloc ayant une première position, le motif périodique du deuxième bloc ayant une deuxième position, le motif périodique du troisième bloc ayant une troisième position, les première, deuxième et troisième positions étant différentes les unes des autres; la cristallisation de la couche semi-conductrice par irradiation d'un faisceau laser à travers le masque. 26. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel, lorsque les trois motifs périodiques sont disposés dans un bloc, les trois régions transmettantes adjacentes forment un triangle équilatéral, et six des triangles équilatéraux forment un hexagone régulier. 27. Procédé selon la revendication 25, dans lequel les régions transmettantes ont la forme d'un cercle. 28. Le procédé selon la revendication 27, dans lequel une distance entre les centres des régions transmettantes est L, un rayon des régions transmettantes ayant une forme circulaire est R, et L et R satisfont la relation L L 29. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel les régions transmettantes ont la forme d'un polygone, le polygone pouvant être un triangle, un carré, un hexagone et un octogone. 30. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel les régions 20 transmettantes dans chaque bloc sont disposées en une configuration de matrice de N rangées par M colonnes (N et M étant des nombres entiers). 31. Le procédé selon la revendication 30, dans lequel les régions transmettantes dans chaque bloc sont disposées entrecroisées dans des rangées paires 25 et impaires. 32. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel le masque est fait de métal, le métal pouvant être du chrome ou de l'aluminium. 33. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel la cristallisation de la couche semi-conductrice comprend en outre: l'irradiation d'un premier faisceau laser à travers le masque afin de former une première région cristallisée, dans lequel une dimension de la première région cristallisée est W; le déplacement du substrat de moins de W; l'irradiation d'un deuxième faisceau laser à travers le masque afin de former une deuxième région cristallisée; le déplacement du substrat de moins de W; et l'irradiation d'un troisième faisceau laser à travers le masque afin de former une troisième région cristallisée. 34. Le procédé selon la revendication 33, dans lequel le substrat est déplacé d'un tiers de W environ. 35. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel la cristallisation de la couche semi-conductrice comprend en outre: l'irradiation d'un premier faisceau laser à travers le masque afin de former une première région cristallisée; le déplacement du masque d'environ une distance égale à une taille d'un bloc; l'irradiation d'un deuxième faisceau laser à travers le masque afin de former une deuxième région cristallisée; le déplacement du masque d'environ une distance égale à une taille d'un bloc; et l'irradiation d'un troisième faisceau laser à travers le masque afin de former une troisième région cristallisée. 36. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel le laser irradié a une densité d'énergie d'une région de fusion complète. 37. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel la couche semi-conductrice est cristallisée par un procédé de solidification latérale séquentielle 25 (SLS). 38. Le dispositif selon la revendication 22, dans lequel le dispositif d'affichage est, soit un affichage à cristaux liquides, soit un affichage électroluminescent. 39. Le dispositif selon la revendication 23, dans lequel le dispositif d'affichage est, soit un affichage à cristaux liquides, soit un affichage électroluminescent. 40. Le procédé selon la revendication 25, dans lequel le dispositif d'affichage est, soit un affichage à cristaux liquides, soit un affichage électroluminescent. 41. Le dispositif selon la revendication 22, dans lequel chaque cristal circulaire comprend une pluralité de grains ayant une croissance radiale. 42. Le dispositif selon la revendication 23, dans lequel chaque cristal comprend une pluralité de grains ayant une croissance radiale. R:1Brevets123200123240-irreg-modifrev.doc - 23 février 2005 -42/1