FR 2876224 A1 20060407 FR 0410484 A 20041005 RÉSONATEUR DIÉLECTRIQUE POUVANT ÊTRE ACCORDÉ EN FRÉQUENCE L'invention concerne un résonateur diélectrique pour ondes électromagnétiques pouvant être accordé en fréquence après sa fabrication de façon simple et au moins dans une plage de fréquences prédéterminée sans perte sensible du coefficient de qualité Q. Les résonateurs pour ondes électromagnétiques sont des composants utilisés dans de nombreux dispositifs radiofréquences, micro-ondes ou optiques, notamment dans les émetteurs ou récepteurs pour les télécommunications, les équipements de navigation ou de localisation, les radars... Ils sont souvent intégrés dans des circuits de filtrage ou des oscillateurs commandés en tension, notamment à bord des systèmes spatiaux tels que les satellites artificiels. Plusieurs technologies connues permettent de réaliser de tels résonateurs. Il peut s'agir de cavités à parois métalliques dans lesquelles le milieu résonnant est l'air; d'éléments piézoélectriques résonants sous l'effet du signal électromagnétique; de circuits LC planaires dans le domaine des basses fréquences; de micro systèmes électromécaniques (MEMS) à interrupteurs; ou d'éléments solides résonants linéiques, planaires ou volumiques. Dans cette dernière technologie, certains résonateurs sont formés d'éléments solides résonants, dits diélectriques, en matériau nonconducteur électrique. L'invention concerne cette catégorie de résonateurs diélectriques, qui présentent l'avantage général d'un coefficient de qualité élevé, et donc une forte sélectivité et à des pertes très faibles. Ils présentent néanmoins, de ce fait par nature, une plage de fréquences de fonctionnement très étroite. Or, il serait utile de pouvoir faire varier la fréquence de résonance de tels résonateurs dans une plage relativement grande, notamment pouvant dépasser 1%. Une telle possibilité de variation est utile tout d'abord pour adapter la fréquence de résonance à la valeur requise pour l'application du circuit dans lequel le résonateur doit être intégré. Egalement, il est parfois nécessaire de pouvoir modifier cette fréquence de résonance pour reconfigurer un équipement en cours d'utilisation, par exemple à bord d'un satellite spatial, pour prendre en compte la dérive d'autres composants, ou plus généralement un contexte d'utilisation qui peut avoir changé. Enfin, un ajustage dynamique de la fréquence de résonance permettrait l'utilisation de ces résonateurs dans une boucle d'asservissement en fréquence. Différentes solutions ont été proposées par le passé pour réaliser des résonateurs diélectriques dont la fréquence de résonance peut être ajustée. Une première catégorie de solutions connues consiste à réaliser un accord mécanique à l'aide d'un dispositif mécanique ou électromécanique modifiant la géométrie de la structure solide traversée par l'onde électromagnétique, par exemple en déplaçant un élément conducteur proche du résonateur pour créer un effet capacitif variable (par exemple "A Novel Dielectric Resonator Perturbation Configuration For The Dal Mode Bandpass Filters" Jong-Chul Park et al., 1999 IEEE pp 856-859), ou en utilisant un élément piézoélectrique entre deux résonateurs (par exemple "Bandpass and Band-Rejection Filters with Electrically Controlled Dielectric Resonators" Y. Prokopenko et al, IEEE 1997 Wireless Communications Conference pp 170-174). Ces solutions, qui perturbent le champ électromagnétique, induisent néanmoins une forte dégradation du coefficient de qualité. En outre, les résonateurs ayant une fréquence de résonance élevée sont de dimensions faibles. L'accord mécanique de tels résonateurs est donc d'autant plus difficile à réaliser que la fréquence de résonance est élevée. Ces solutions sont en particulier difficiles à mettre en oeuvre dans le domaine des micro-ondes. De surcroît, notamment dans le cas de l'utilisation d'un élément piézoélectrique, le dispositif est sensible aux chocs et vibrations, de sorte que le résonateur ne peut pas être utilisé dans un milieu subissant des accélérations fortes et/ou permanentes, par exemple à bord d'un système spatial ou d'un véhicule. Une deuxième catégorie de solutions connues consiste en un composant électronique actif externe ajustable, dit varactor, tel qu'une capacité, une diode ou un transistor, permettant d'ajuster finement la fréquence de résonance mais qui dégrade le coefficient de qualité. En outre, la plage de réglage en fréquence reste très faible, même si des configurations spécifiques ont été proposées pour améliorer cette plage (cf par exemple "Novel Invasive Electronic Tuning of Dielectric Resonators" Bul 5. Vindee et al, 2003 IEEE MIT-S Digest pp 51-54 ou FR-2 616 594). Une troisième catégorie de solutions connues consiste à utiliser des ferrites ou des éléments ferromagnétiques commandés par un champ magnétique statique (par exemple "Réalisation de fonctions microondes agiles en fréquence à commande magnétique utilisant un composite ferromagnétique" Erwan Salahun et al, 7èmes journées de caractérisation microondes et matériaux, Toulouse 20-22 Mars 2002, pp 291-294). Ces solutions nécessitent un fort courant de commande et donc une consommation électrique importante, sont sensibles à la température, induisent des perturbations magnétiques incompatibles avec certaines applications (par exemple à bord d'un système spatial), et nécessitent un dispositif de commande lourd, encombrant et coûteux. Une quatrième catégorie de solutions connues consiste à utiliser un résonateur solide en matériau diélectrique non linéaire supraconducteur ferroélectrique, notamment le titanate de strontium, tel que décrit par exemple par WO97/23012 ou US-5,908,811. Outre leur coût et leur complexité de mise en oeuvre, de tels matériaux présentent des pertes diélectriques élevées. Ils nécessitent un contrôle très précis de la température, légèrement au-dessus de la température de Curie, et le coefficient de qualité est dégradé fortement lorsque la tension d'ajustement en fréquence varie. Ces technologies sont très complexes et ne peuvent pas être exploitées, notamment à bord d'un système spatial dans les applications les plus courantes. La présente invention vise à pallier l'ensemble de ces inconvénients en proposant un résonateur diélectrique ajustable en fréquence aisément par une commande électrique dans une plage de fréquences pouvant dépasser 1%, y compris dans le domaine des micro-ondes, et sensiblement sans perte du coefficient de qualité. L'invention vise aussi à proposer un tel résonateur qui n'entraîne pas une consommation énergétique importante. L'invention vise de surcroît à proposer un tel résonateur qui soit de technologie simple, fiable et robuste -notamment qui ne nécessite pas des circuits ou dispositifs accessoires complexes, coûteux, volumineux, encombrants ou perturbateurs et supporte les accélérations et vibrations, en particulier qui soit compatible avec un emploi à bord d'un système spatial tel qu'un satellite artificiel de télécommunication. L'invention vise aussi à proposer un tel résonateur qui puisse être fabriqué en série à faible prix. Pour ce faire, l'invention concerne un résonateur diélectrique pour ondes électromagnétiques caractérisé en ce qu'il comprend: - au moins une jonction formée d'une zone d'interface entre deux matériaux de propriétés diélectriques différentes, dont l'un au moins est un matériau semi-conducteur, - un circuit de polarisation apte à appliquer une tension de polarisation, d'au moins une jonction, dite jonction polarisée, cette tension de polarisation étant adaptée pour modifier la répartition spatiale des charges électriques au niveau de chaque jonction polarisée, de façon à réaliser un accord en fréquence préservant une valeur admissible du coefficient de qualité Q du résonateur. Les inventeurs ont en effet constaté avec surprise, et sans qu'une explication claire puisse être donnée à ce phénomène, que le changement de tension de polarisation d'une jonction polarisée au sein d'un élément solide résonateur diélectrique, au moins pour partie semi-conducteur, permet de modifier la fréquence de résonance dans une grande plage de valeurs et quasiment sans influer sur le coefficient de qualité. Certains résultats ont même démontré une amélioration du coefficient de qualité. Une explication possible serait que la variation de la tension de polarisation a pour effet de modifier la répartition des charges électriques, les dimensions et la permittivité de la zone de charges d'espace créée au niveau de chaque jonction polarisée. Mais cette explication n'est pas démontrée et il n'est pas exclut que d'autres phénomènes plus complexes puissent intervenir dans la variation de la fréquence de résonance. L'invention représente une avancée technique considérable dans le domaine des résonateurs, notamment en permettant de s'affranchir de l'emploi de matériaux supraconducteurs, pour des résultats équivalents et même meilleurs en terme d'ajustement de la fréquence de résonance. L'emploi de simples matériaux semi-conducteurs (considérés comme "diélectriques" dans la présente demande dans la mesure où c'est leur permittivité qui détermine la fréquence de résonance, le matériau étant utilisé en tant que non-conducteur de l'électricité comme décrit par exemple par "Design and Realization of High Q Millimeter-wave Structures Through Micromachining Techniques" B. Guillon et al., 1999 IEEE MIT-S Digest pp. 1519-1522), et d'un simple circuit de polarisation en tension est extrêmement simple et met en oeuvre des technologies courantes parfaitement maîtrisées. Le résonateur selon l'invention peut être fabriqué en série à faible coût, notamment par des techniques de fabrication collective bien connues utilisées pour la fabrication des circuits intégrés. Avantageusement et selon l'invention le circuit de polarisation est adapté pour appliquer une tension continue de polarisation. En variante, rien n'empêche que le circuit de polarisation soit au contraire adapté pour appliquer une tension de polarisation non continue, notamment alternative. En effet, le résonateur selon l'invention est assimilable à une diode aux propriétés non linéaires. Dès lors, l'application d'une tension de polarisation non continue peut produire des effets qualitativement similaires. Avantageusement et selon l'invention, le circuit de polarisation est adapté pour appliquer une tension continue de polarisation inverse à chaque jonction polarisée. On minimise ainsi la valeur du courant traversant la (les) jonction(s), et donc d'une part les consommations énergétiques du résonateur selon l'invention et, d'autre part, les perturbations liées à l'effet Joule. En particulier, avantageusement et selon l'invention, le circuit de polarisation est adapté pour appliquer une tension continue de polarisation comprise entre la tension de claquage et la tension de seuil de chaque jonction polarisée. De nombreux modes de réalisation différents de l'invention peuvent être envisagés. Ainsi, un résonateur selon l'invention peut comprendre au moins une 10 jonction polarisée choisie parmi une jonction PN, une jonction SCHOTTKY, une jonction à contact ohmique, une jonction MIS, ou autre. Une jonction PN est une jonction entre une zone semi-conductrice dopée P et une zone de semi-conducteur dopée N. Une jonction SCHOTTKY est une jonction entre une zone conductrice -notamment métallique- et une zone de semi-conducteur normalement dopée -notamment dopée N-, la jonction présentant une dissymétrie de résistance et sensiblement non-conductrice par effet tunnel. Une jonction à contact ohmique est une jonction entre une zone conductrice -notamment métallique- et une zone de semiconducteur fortement dopée -notamment dopée N±(typiquement de l'ordre de 1019 cm 3), la jonction présentant un potentiel de contact faible indépendant du sens du courant, notamment conducteur par effet tunnel à travers la barrière de potentiel à l'interface des deux matériaux. Une jonction MIS est une jonction entre une zone conductrice -notamment métallique- une zone d'isolant -notamment en oxyde de silicium- et une zone de semi-conducteur dopée -notamment dopée P-. Dans un mode de réalisation simple et avantageux, un résonateur selon l'invention comprend une pastille comprenant un substrat de matériau semiconducteur, présentant deux faces planes opposées, dotées chacune d'une zone conductrice reliée au circuit de polarisation. Chaque zone conductrice permet ainsi de polariser la pastille et la (les) jonction(s) qu'elle incorpore dans son épaisseur. Au moins l'une des zones conductrices est associée à la pastille de façon à faire partie d'une jonction polarisée telle que définie ci-dessus. Le matériau semiconducteur peut être simplement formé de silicium. La pastille est de préférence en forme générale de cylindre de révolution et peut être constituée d'une pièce ou d'un empilement de plusieurs pièces (plusieurs cylindres de substrat semi-conducteurs notamment pour augmenter sa hauteur). Le substrat peut comprendre un alésage axial traversant ou au contraire être formé d'un cylindre plein. Avantageusement et selon l'invention ledit matériau semi-conducteur du substrat est dopé à coeur -notamment dopé N-. Avantageusement et selon l'invention, au moins une des deux faces planes de la pastille est dopée par un dopage superficiel de signe opposé et/ou renforcé par rapport au dopage du coeur du substrat. En outre, un résonateur selon l'invention est avantageusement caractérisé en ce qu'au moins une zone conductrice est directement en contact d'une portion de la pastille qui est dopée par un dopage superficiel renforcé de même signe que celui du coeur du substrat et en ce que ladite zone conductrice est appliquée au contact de cette portion de façon à créer un contact faiblement résistif entre ladite zone conductrice et le matériau semi-conducteur dopé de cette portion. En variante ou en combinaison, au moins une zone conductrice est 20 directement au contact d'une portion de la pastille qui est dopée par un dopage superficiel de signe opposé à celui du coeur du substrat de matériau semi-conducteur. On crée ainsi une jonction PN. En variante ou en combinaison, la pastille comprend au moins une couche de matériau isolant -par exemple en oxyde de silicium- interposée entre une zone conductrice et une portion en regard de semi-conducteur dopée par un dopage superficiel. On crée ainsi une jonction MIS. En particulier, avantageusement et selon l'invention, ladite portion en regard est dopée par un dopage de signe opposé à celui du coeur du substrat. Par ailleurs, quel que soit le type de jonction polarisée formée, un résonateur selon l'invention est avantageusement caractérisé en ce que chaque zone conductrice s'étend en regard d'une partie uniquement de la surface d'une face plane de la pastille, et en ce que chaque portion de matériau semi-conducteur dopé ou de matériau isolant de la pastille en regard d'une zone conductrice est une couche qui s'étend en regard de toute la surface plane correspondante de la pastille. L'aire de chaque zone conductrice peut être ainsi inférieure à celle de chaque face plane de la pastille, ce qui est avantageux notamment pour une onde électromagnétique excitant le résonateur en modes de galerie (le résonateur étant associé à une ligne coplanaire comme décrit par exemple dans la publication B. Guillon et al sur-citée). En effet, il est préférable d'éviter que les zones conductrice ne s'étendent dans les zones de transmission des champs E et H pour ne pas perturber la propagation de ces champs. Par contre, les meilleurs résultats peuvent être obtenus avec des portions dopées, (c'est-à-dire des jonctions polarisées) s'étendant avec une aire maximale. Un résonateur selon l'invention est avantageusement caractérisé en ce qu'il est adapté pour présenter une fréquence de résonance initiale comprise dans le domaine des micro-ondes. En particulier, avantageusement et selon l'invention, la pastille est en forme générale de cylindre de révolution de diamètre compris entre 3 mm et 100 mm et une épaisseur comprise entre 0,5 mm et 1 mm. Avantageusement et selon l'invention, les zones conductrices sont en forme de disque centré sur l'axe de la pastille et présentent un diamètre inférieur à celui de la pastille et compris entre 0,5 mm et 5 mm. L'invention s'étend à un dispositif de filtrage en fréquence comprenant au moins un résonateur diélectrique couplé à au moins une ligne de transmission d'ondes électromagnétiques, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un résonateur selon l'invention. L'invention est applicable par exemple à la réalisation d'un filtre hyperfréquence accordable et/ou d'un oscillateur hyperfréquence accordable et/ou d'un discriminateur de fréquence hyperfréquence accordable. L'invention s'étend à un résonateur et à un dispositif de filtrage 5 caractérisé en combinaison par tout ou partie des caractéristiques mentionnées ci-dessus ou ci-après. D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention apparaissent dans la description suivante de modes de réalisation de l'invention donnés uniquement à titre d'exemples non limitatifs, et qui se réfère aux figures annexées dans lesquelles: - la figure 1 est un schéma en perspective d'un dispositif de filtrage en fréquence selon un premier mode de réalisation de l'invention comprenant un résonateur selon l'invention, - la figure 2 est un schéma en coupe transversale d'un dispositif de 15 filtrage en fréquence selon un deuxième mode de réalisation de l'invention comprenant un résonateur selon l'invention, - les figures 3a à 3g sont des schémas en coupe axiale de différents exemples de réalisation d'un résonateur selon l'invention, - la figure 4 est un diagramme illustrant un exemple de résultat obtenu 20 avec les modes de réalisation des figures 1 et 3d. Le dispositif de filtrage en fréquence schématisé figure 1 comprend une cavité 1 cylindrique de révolution à parois métalliques, interposée sur un guide d'onde 2 formant ainsi une ligne d'alimentation 3 et une ligne de sortie 4 diamétralement opposées pour la transmission d'une onde électromagnétique à travers la cavité 1. Le guide d'onde 2 est par exemple un guide d'onde WR10 dans la bande 75 GHz-110 GHz. La cavité 1 comprend une base inférieure 5 reliée à la masse et un support métallique 6 formé d'un tronçon de cylindre en saillie vers le haut par rapport à la base 5 et coaxial à celle-ci. Un résonateur 7 selon l'invention est formé 2876224 io essentiellement d'une pastille comprenant un substrat 8 principal de silicium, cylindrique de révolution autour d'un axe 13 et pouvant être conforme par exemple à l'un quelconque des modes de réalisation décrits ci-après et représentés figures 3a à 3g. La pastille présente deux faces planes opposées 9, 10, à savoir une face supérieure 9 et une face inférieure 10. Cette pastille, et notamment le substrat 8, peuvent être formés d'un empilement de plusieurs couches cylindriques, de façon à présenter une hauteur axiale suffisante. On constate en effet que la hauteur permettant d'obtenir un coefficient de qualité élevé est supérieure à celle des plaquettes de silicium traditionnellement utilisées. Le substrat 8 peut être formé ainsi de plusieurs couches, par exemple trois couches superposées de silicium. La face supérieure 9 est dotée d'une zone conductrice 11 appliquée sur au moins une portion de surface de cette face supérieure 9. De même, la face inférieure est dotée d'une zone conductrice 12 appliquée sur au moins une portion de surface de cette face inférieure 10. Les zones conductrices 11, 12 sont symétriques de révolution et centrées sur l'axe 13 du résonateur 7. Elles peuvent être formées d'au moins un dépôt métallique par évaporation, par exemple choisi parmi le titane, l'or, l'aluminium, AlSi... et peuvent présenter une épaisseur comprise entre 0,5 m et 1,5 m. Elles permettent d'appliquer une tension électrique de polarisation Up entre les deux faces 9, 10 opposées du résonateur 7. Les zones conductrices peuvent être continues (disques) ou au contraire présenter des évidements (en forme de roues de chariot, ou d'étoiles...), permettant d'optimiser le fonctionnement du résonateur avec certains types d'ondes. Le résonateur 7 est placé sur le support 6 de façon que son axe 13 coïncide avec celui de la cavité 1. Dans le montage représenté figure 1, la zone conductrice supérieure 11 est reliée à une tige de polarisation 14 qui traverse la paroi supérieure 15 de la cavité 1 par l'intermédiaire d'un manchon isolant 16. Cette tige de polarisation 14 est 2876224 Il reliée à une source de tension continue 17 ajustable. L'autre zone conductrice inférieure 12 est reliée à la masse. L'ensemble 11, 12, 14, 17 constitue ainsi un circuit de polarisation du résonateur 7, et donc des différentes jonctions formées dans l'épaisseur de ce résonateur 7, interposées entre les deux zones conductrices 11, 12. La figure 2 représente une variante d'un dispositif de filtrage en fréquence adapté pour une onde électromagnétique transmise en modes de galerie. Ce dispositif est du type décrit dans la publication référencée ci-dessus B. Guillon et al. Ce dispositif comprend deux lignes de transmission coplanaires micro-usinées 18a, 18b réalisées sur un substrat 19 de silicium à haute résistivité (de l'ordre de 8 KSI/cm). Comme on le voit, le résonateur 7 est posé sur la bande centrale conductrice 20 commune aux deux lignes coplanaires 18a, 18b et reliée à la masse, et ce par l'intermédiaire de sa zone conductrice inférieure 12. Comme dans la variante de la figure 1, la zone conductrice supérieure 11 est reliée à une source de tension 17 variable. Les figures 3a à 3g représentent différents modes de réalisation envisageables d'un résonateur 7 selon l'invention, pouvant être utilisé dans l'un ou l'autre des dispositifs de filtrage représentés figures 1 ou 2 ou dans d'autres modes de réalisation de dispositifs de filtrage en fréquence. Dans la première variante représentée figure 3a, la pastille formant le résonateur 7 comprend un substrat 8 constitué d'un (ou plusieurs) bloc(s) de silicium, par exemple dopé N à coeur de façon homogène, doté des zones conductrices 11, 12 qui peuvent être formées d'aluminium. Un tel résonateur 7 est facile à fabriquer par micro-usinage collectif sur plaquette de silicium par les technologies traditionnelles de type photolithographie, gravure RIE, dépôt par évaporation, recuit, ... L'épaisseur du substrat 8 de silicium peut être comprise entre 700 et 785 m (cas d'un bloc), ou être de plusieurs millimètres, par exemple de 2 à 4 mm (cas de plusieurs blocs empilés), son diamètre peut être de l'ordre de 6 mm, et le diamètre hors tout des zones conductrices 11, 12 peut être compris entre 1 et 3 mm. Dans la variante représentée figure 3b, on réalise un contact ohmique entre chaque zone conductrice 11, 12 et le substrat 8 de silicium dopé N formant le coeur de la pastille 7. Pour ce faire, les faces, supérieure 9, et inférieure 10, de la pastille 7 sont dopées par un dopage renforcé N+, formé par exemple d'arsenic, avec une densité supérieure à 5.1019 atomes/cm3 et une profondeur de l'ordre de 1 m. De préférence, ce dopage superficiel est réalisé sur toute la surface diamétrale des faces 9, 10 et est homogène sur toute cette surface. En variante, il pourrait n'être réalisé qu'en regard des zones conductrices 11, 12. Le résonateur 7 ainsi formé se compose donc de la zone conductrice supérieure 11, d'une couche supérieure 21 de dopage renforcé N+, du coeur 23 de silicium dopé N, de la couche inférieure 22 de dopage renforcé N+, et de la zone conductrice inférieure 12. Dans cette variante, la zone conductrice inférieure 12 peut être formée d'une couche de 1 m de AlSi. Dans la variante de la figure 3c, on réalise un contact SCHOTTKY entre la zone conductrice supérieure 1l et le coeur 23 de silicium dopé N. Pour ce faire, la zone conductrice supérieure 11 peut être formée par deux dépôts successifs métalliques, dont l'un en titane de 0,1 m d'épaisseur, et le deuxième en or de 0,5 m d'épaisseur. La zone conductrice inférieure 12 est reliée au coeur 23 de silicium dopé N comme dans la variante précédente, c'est-à-dire par une couche 22 de dopage superficielle renforcée N+. Dans la variante de la figure 3d, la zone conductrice supérieure 11 est appliquée sur une couche de dopage superficielle renforcée P+, par exemple formée de bore avec une densité de dopage de 1019 atomes/cm3 en surface sur une profondeur de 1 m. Là encore, cette couche 24 s'étend de préférence sur toute la surface diamétrale de la face supérieure 9 et est homogène sur toute cette surface. En variante, elle peut être limitée à la portion en regard de la zone conductrice supérieure 11. Cette couche 24 de dopage renforcé P+ crée une jonction P+/N avec le coeur 23 en silicium dopé N. La zone conductrice inférieure 12 est reliée au coeur 23 comme dans les variantes précédentes par une couche 22 de dopage renforcé N+. Dans la variante de la figure 3e, le résonateur 7 comprend une jonction MIS. Pour ce faire, la zone conductrice supérieure 11 est appliquée sur une couche 25 d'isolant, notamment d'oxyde de silicium, réalisée par exemple sur une épaisseur de 1 m et formant la face supérieure 9 du résonateur 7. Sous cette couche 25 d'oxyde de silicium, est réalisée une couche 26 dopée P, par exemple par du bore, sur une profondeur d'environ 1 m. La zone conductrice inférieure 12 est reliée au coeur 23 de silicium comme dans les variantes précédentes, c'est-à-dire par l'intermédiaire d'une couche 22 inférieure de dopage renforcée N+. Les figures 3f et 3g représentent des résonateurs 7 conformes à l'invention similaires à celui de la figure 3d mais présentant des géométries différentes. Dans la variante de la figure 3f, la zone conductrice supérieure 11 n'est pas en forme de disque, mais au contraire en forme d'anneau. Dans la variante de la figure 3g, un alésage 25 axial traversant est réalisé sur toute l'épaisseur du résonateur 7 et à travers les deux zones conductrices 11, 12. La figure 4 représente un exemple de résultat obtenu (énergie transmise en fonction de la fréquence) avec un dispositif de filtrage en fréquence, conforme à la variante de la figure 1, doté d'un résonateur 7 selon l'invention conforme au mode de réalisation de la figure 3d. Comme on le voit, le résonateur 7 présente une résonance à 81,752 GHz qui peut être décalée par l'application d'une tension de polarisation inverse. Les courbes représentées figure 4 correspondent à une tension Up de polarisation de 0 Volt, de -157 Volts et de -189 Volts, respectivement. Comme on le voit, l'énergie transmise ne varie pas et le coefficient de qualité Q n'est pas modifié sensiblement. En outre, ces résultats ont été obtenus avec des courants de fuite négligeables à travers les jonctions. Selon l'invention, la tension continue de polarisation est inférieure à la tension de claquage de la jonction. Dans l'exemple de la figure 4 une tension de l'ordre de -200 V (-180 V) permet de faire varier la fréquence de 100 MHz pour une fréquence initiale de 81,7 GHz soit 1,2 %o. Il est à noter de surcroît que les résultats représentés ont été obtenus avec la mise en oeuvre d'une technologie de laboratoire. En pratique, la tension de polarisation et chaque jonction polarisée pourront êtreadaptées pour produire un courant de fuite d'intensité négligeable à travers la (les) jonction(s) polarisée(s) pour la variation de fréquence maximale et le circuit de polarisation pourra être adapté pour permettre de faire varier la valeur de la fréquence de résonance dans une plage de valeurs d'au moins un pour mille et pouvant aller jusqu'à plusieurs pour cents autour de la fréquence de résonance initiale. L'invention est applicable pour réaliser un résonateur diélectrique, notamment dans le domaine des hyperfréquences, et pour des ondes électromagnétiques de différents types, c'est-à-dire soit en modes de galerie ou TEM ou transverses électriques ou transverses magnétiques. En outre, il est à noter qu'au lieu d'un dopage N utilisé pour le coeur de silicium de la pastille, rien n'empêche d'utiliser un dopage P et d'inverser le sens de la tension de polarisation. L'ajustement en fréquence peut aussi être obtenu par une tension de polarisation directe sur les jonctions. Néanmoins, dans ce cas, cette polarisation s'accompagne d'un courant à travers les jonctions, susceptible de provoquer une perturbation par effet Joule. Il est donc préférable d'utiliser une tension de polarisation inverse (c'est-à-dire inférieure à la tension de seuil, mais supérieure à la tension de claquage) pour éviter ce phénomène. REVENDICATIONS 1/ Résonateur diélectrique pour ondes électromagnétiques, caractérisé en ce qu'il comprend: - au moins une jonction formée d'une zone d'interface entre deux matériaux de propriétés diélectriques différentes, dont l'un au moins est un matériau semi-conducteur, - un circuit (11, 12, 14, 17) de polarisation apte à appliquer une tension (Up) de polarisation d'au moins une jonction, dite jonction polarisée, cette tension de polarisation (Up) étant adaptée pour modifier la répartition spatiale des charges électriques au niveau de chaque jonction polarisée, de façon à réaliser un accord en fréquence préservant une valeur admissible du coefficient de qualité Q du résonateur. 2/ Résonateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit (11, 12, 14, 17) de polarisation est adapté pour appliquer une tension continue de polarisation. 3/ Résonateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le circuit (11, 12, 14, 17) de polarisation est adapté pour appliquer une tension continue de polarisation (Up) inverse à chaque jonction polarisée. 4/ Résonateur selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le circuit de polarisation est adapté pour appliquer une tension continue de polarisation (Up) comprise entre la tension de claquage et la tension de seuil de chaque jonction polarisée. 5/ Résonateur selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une jonction polarisée choisie parmi une jonction PN, une jonction SCHOTTKY, une jonction à contact ohmique, une jonction MIS. 6/ Résonateur selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend une pastille comprenant un substrat (8) de matériau semiconducteur, et présentant deux faces planes opposées (9, 10), dotées chacune d'une zone conductrice (11, 12) reliée au circuit de polarisation. 7/ Résonateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit matériau semi-conducteur du substrat (8) est dopé à coeur -notamment dopé N-. 8/ Résonateur selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'au moins une des deux faces planes (9, 10) de la pastille est dopée par un dopage superficiel de signe opposé et/ou renforcé par rapport au dopage du coeur du substrat (8). 9/ Résonateur selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisé en ce qu'au moins une zone conductrice (11, 12) est directement en contact d'une portion (21, 22) de la pastille qui est dopée par un dopage superficiel renforcé de même signe que celui du coeur du substrat (8) et en ce que ladite zone conductrice (11, 12) est appliquée au contact de cette portion de façon à créer un contact faiblement résistif entre ladite zone conductrice (11, 12) et le matériau semi- conducteur de cette portion. 10/ Résonateur selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce qu'au moins une zone conductrice (11) est directement au contact d'une portion (24) de la pastille qui est dopée par un dopage superficiel de signe opposé à celui du coeur (23) du substrat (8) de matériau semiconducteur. 11/ Résonateur selon l'une des revendications 6 à 10, caractérisé en ce que la pastille comprend au moins une couche (25) de matériau isolant interposée entre une zone conductrice (11) et une portion (26) en regard de semi-conducteur dopée par un dopage superficiel. 12/ Résonateur selon la revendication 11, caractérisé en ce que 25 ladite portion (26) en regard est dopée par un dopage de signe opposé à celui du coeur (23) du substrat (8). 13/ Résonateur selon l'une des revendications 6 à 12, caractérisé en ce que chaque zone conductrice (11, 12) s'étend en regard d'une partie uniquement de la surface d'une face plane (9, 10) de la pastille, et en ce que chaque portion (21, 22, 24, 26) de matériau semi-conducteur dopé ou de matériau isolant de la pastille en regard d'une zone conductrice (11, 12) est une couche qui s'étend en regard de toute la surface plane correspondante de la pastille. 14/ Résonateur selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en 5 ce qu'il est adapté pour présenter une fréquence de résonance initiale comprise dans le domaine des micro-ondes 15/ Résonateur selon la revendication 6 et l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que la pastille est en forme générale de cylindre de révolution de diamètre compris entre 3 mm et 100 mm et d'épaisseur comprise entre 0,5 mm et 1 mm. 16/ Résonateur selon la revendication 15, caractérisé en ce que les zones conductrice (11, 12) sont en forme de disque centré sur l'axe de la pastille et présentent un diamètre inférieur à celui de la pastille, et compris entre 0,5 mm et 5 mm. 17/ Dispositif de filtrage en fréquence comprenant au moins un résonateur diélectrique couplé à au moins une ligne (3, 4, 18a, 18b) de transmission d'ondes électromagnétiques, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un résonateur (7) selon l'une des revendications 1 à 16.