FR 2877442 A1 20060505 FR 0506451 A 20050624 PANNEAU D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES DU TYPE A APPLICATION DE CHAMP ELECTRIQUE HORIZONTAL ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI La présente demande concerne un écran à cristaux liquides et plus particulièrement un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal et un procédé de fabrication de celui-ci. Les écrans à cristaux liquides contrôlent généralement la transmittance lumineuse d'un cristal liquide en utilisant un champ électrique pour afficher ainsi une image. Les écrans à cristaux liquides peuvent être classés en un type à champ électrique vertical et un type à champ électrique horizontal en fonction d'une direction du champ électrique appliqué au cristal liquide. L'écran à cristaux liquides de type à application de champ électrique vertical entraîne un cristal liquide dans un mode nématique en hélice (TN) avec un champ électrique vertical formé entre une électrode à pixel et une électrode commune agencées de manière opposée l'une à l'autre sur un substrat supérieur et un substrat inférieur. L'écran à cristaux liquides de type à application de champ électrique vertical possède l'avantage d'une grande ouverture relative tout en ayant l'inconvénient d'un angle de vision étroit d'environ 90 . L'écran à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal entraîne un cristal liquide dans un mode IPS (In Plane Switching) avec un champ électrique horizontal entre l'électrode à pixel et l'électrode commune agencées parallèlement l'une à l'autre sur le substrat inférieur. L'écran à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal possède l'avantage d'un angle de vision large d'environ 160 . L'écran à cristaux liquides du type à application de champ électrique horizontal comprend un substrat à matrice de transistors à couches minces (c'est-à-dire un substrat inférieur) et un substrat à matrice de filtres colorés (c'est-à-dire un substrat supérieur) rejoints de manière opposée l'un à l'autre, une cale pour maintenir un espace de cellule uniformément entre deux substrats et un cristal liquide versé dans un espace défini par la cale. Le substrat à matrice de transistors à couches minces est constitué d'une pluralité de circuits d'acheminement des signaux et de transistors à couches minces pour former un champ électrique horizontal pour chaque pixel, et d'un film d'alignement enduit sur ceux-ci pour aligner le cristal liquide. Le substrat à matrice de filtres colorés comprend un filtre coloré pour mettre en oeuvre un affichage couleur, une matrice noire pour empêcher une fuite lumineuse et un film d'alignement enduit sur ceux-ci pour aligner le cristal liquide. v,111RSCH6ABREVETS\Brevets\24000A24059 dot - 23 juin 2005 - 1122 La figure 1 est une vue en plan illustrant une structure d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de l'art connexe de type à application de champ électrique horizontal et la figure 2 est une vue en coupe du substrat à matrice de transistors à couches minces prise le long de la ligne I-1' de la figure 1. Le substrat à matrice de transistors à couches minces comprend une ligne de grille 2 et une ligne de données 4 prévues sur un substrat inférieur 45 de manière à se couper l'une l'autre, un transistor à couches minces 6 prévu à chaque intersection, une électrode à pixel 14 et une électrode commune 18 prévues au niveau d'une zone de pixels 5 définie par la structure d'intersection dans le but de former un champ horizontal et une ligne commune 16 connectée en commun à l'électrode commune 18. La ligne de grille 2 fournit un signal de grille à une électrode de grille 8 du transistor à couches minces 6. La ligne de données 4 fournit un signal de pixel par l'intermédiaire d'une électrode de drain 12 du transistor à couches minces 6 à l'électrode à pixel 14. La ligne de grille 2 et la ligne de données 4 sont prévues au niveau d'une structure d'intersection pour définir la zone de pixels 5. La ligne de grille 2 est connectée par l'intermédiaire d'une portion de pastille de grille (non illustrée) à un pilote de grille (non illustré). La ligne de données 4 est connectée par l'intermédiaire d'une portion de pas- tille de données (non illustrée) à un pilote de données (non illustré). La ligne commune 16 est disposée parallèlement à la ligne de grille 2 en ayant la zone de pixels 5 entre elles pour appliquer une tension de référence pour entraîner le cristal liquide vers l'électrode commune 18. Le transistor à couches minces 6 permet au signal de pixel de la ligne de don-nées 4 d'être chargé et maintenu dans l'électrode à pixel 14 en réponse au signal de grille de la ligne de grille 2. Le transistor à couches minces 6 comprend à cet effet une électrode de grille 8 connectée à la ligne de grille 2, une électrode de source 10 connectée à la ligne de données 4 et une électrode de drain 12 connectée à l'électrode à pixel 14. En outre, le transistor à couches minces 6 comprend un motif semi-conducteur 49 ayant une couche active 48 chevauchant l'électrode de grille 8 en ayant un film isolant de grille 46 entre elles pour définir un canal entre l'électrode de source 10 et l'électrode de drain 12. Le motif semi-conducteur 49 est en outre pour-vue d'une couche de contact ohmique positionnée sur la couche active 48 pour réali- ser un contact ohmique avec la ligne de données 4, l'électrode de source 10 et l'électrode de drain 12. L'électrode à pixel 14 est connectée par l'intermédiaire d'un troisième orifice de contact 17 à l'électrode de drain 12 du transistor à couches minces 6 et est prévue \\HIRSCH6\BREVETS.Brevets\24000\24059 duc - 23 juin 2005 - 2/22 au niveau de la zone de pixels 5. L'électrode à pixel 14 comprend notamment une première partie horizontale 14a connectée à l'électrode de drain 12 et disposée parallèlement à la ligne de grille adjacente 2, une deuxième partie horizontale 14b chevauchant la ligne commune 16, et une partie de contact d'extrémité sous forme de doigt 14c disposée parallèlement à l'électrode commune 18 entre les première et deuxième parties horizontales 14a et 14b. L'électrode commune 18 est connectée à la ligne commune 16 et est formée à partir du même métal que la ligne de grille 2 et l'électrode de grille 8 au niveau de la zone de pixels 5. L'électrode commune 18 est disposée parallèlement à la partie de contact d'extrémité sous forme de doigt 14c de l'électrode à pixel 14 au niveau de la zone de pixels 5. En conséquence, un champ électrique horizontal est formé entre l'électrode à pixel 14 à laquelle un signal de pixel est fourni par l'intermédiaire du transistor à couches minces 6 et l'électrode commune 18 à laquelle une tension de référence est fournie par l'intermédiaire de la ligne commune 16. Le champ électrique horizontal est formé entre la partie de contact d'extrémité sous forme de doigt 14c de l'électrode à pixel 14 et l'électrode commune 18. Les molécules de cristal liquide agencées dans la direction horizontale entre le substrat à matrice de transistors à couches minces et le substrat à matrice de filtres colorés sont pivotées par un tel champ électrique horizontal en raison d'une anisotropie diélectrique. La transmittance d'une lumière transmettant la zone de pixels 5 est liée à une étendue de rotation des molécules de cristal liquide, mettant ainsi en oeuvre une échelle de niveaux de gris. Dans le substrat à matrice de transistors à couches minces, une portion de cristal liquide 51 positionnée sur l'électrode à pixel 14 possédant une faible conductivité n'est pas entraînée, tel qu'illustré sur la figure 3. L'ouverture relative est ainsi réduite par une zone correspondant à la portion de cristal liquide non entraînée 51. En outre, étant donné qu'une Iumière est transmise dans l'électrode à pixel 14, lorsqu'un état de niveaux de gris noir est mis en oeuvre, le facteur de contraste total est réduit. Dans un aspect, le panneau à cristaux liquides selon l'invention comprend une ligne de grille disposée sur un substrat; une ligne commune disposée parallèlement à la ligne de grille et une électrode commune disposée sensiblement perpendiculaire-ment à la ligne commune; un film isolant disposé pour recouvrir la ligne de grille et la ligne commune; un motif d'électrode transparente comprenant une électrode à pixel connectée électriquement à un transistor à couches minces, le motif d'électrode transparent étant disposé de sorte qu'au moins une portion de celle-ci est parallèle à l'électrode commune; et un motif conducteur opaque disposé pour chevaucher le motif d'électrode transparent. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059. doc - 23 juin 2005 - 3/22 Selon un mode de réalisation, le motif conducteur opaque recouvre sensible-ment l'ensemble du motif d'électrode transparente. Selon un autre mode de réalisation, le motif conducteur opaque recouvre sensiblement ou recouvre entièrement l'électrode à pixel. Selon un autre mode de réalisation, le motif conducteur opaque possède une largeur de ligne plus petite que le motif d'électrode transparent. Selon un autre mode de réalisation, le motif conducteur opaque possède la même largeur de ligne que le motif d'électrode transparent. Selon un autre mode de réalisation, le motif conducteur opaque possède une largeur de ligne plus grande que le motif d'électrode transparent. Selon un autre mode de réalisation, la largeur de ligne du motif conducteur opaque est d'environ 1 à 3 m. Selon un autre mode de réalisation, le motif conducteur opaque comprend au moins un élément parmi le molybdène ou le titane. Selon un autre mode de réalisation, l'électrode à pixel comprend: - une première partie disposée parallèlement à la ligne de grille et connectée à une électrode de drain d'un transistor à couches minces; et - une deuxième partie étendue depuis la première partie et disposée parallèlement à l'électrode commune. Selon un autre mode de réalisation, la ligne de grille, la ligne commune et l'électrode commune sont réalisées dans le même matériau. Dans un autre aspect, un procédé de fabrication d'un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à champ électrique horizontal comprend: la formation d'un motif de grille comprenant une électrode de grille prévue au niveau d'un substrat, une ligne commune disposée parallèlement à une ligne de grille et une électrode commune étendue depuis la ligne commune; la formation d'un film isolant de grille pour recouvrir la ligne de grille et la ligne commune; la formation d'un motif d'électrode transparente comprenant une électrode à pixel connectée électriquement à un transistor à couches minces et disposée de sorte qu'au moins une portion du motif d'électrode transparent est parallèle à l'électrode commune; et la formation d'un motif conducteur opaque chevauchant le motif d'électrode transparent. Selon un mode de réalisation, le motif conducteur opaque recouvre sensible-ment l'ensemble de l'électrode transparente. Selon un autre mode de réalisation, le motif conducteur opaque recouvre sensiblement ou entièrement l'électrode à pixel. Selon un autre mode de réalisation, le motif conducteur opaque possède une largeur de ligne plus petite que le motif d'électrode transparent. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059. doc - 23 juin 2005 - 4/22 Selon un autre mode de réalisation, le motif conducteur opaque possède la même largeur de ligne que le motif d'électrode transparent. Selon un autre mode de réalisation, le motif conducteur opaque possède une largeur de ligne plus grande que le motif d'électrode transparent. Selon un autre mode de réalisation, la formation de l'électrode à pixel comprend: la formation d'une première partie disposée parallèlement à la ligne de grille et connectée à I'électrode de drain du transistor à couches minces et d'une deuxième partie étendue depuis la partie horizontale et disposée parallèlement à l'électrode commune. Selon un autre mode de réalisation, la formation du motif d'électrode transparent et du motif d'électrode opaque comprend: - formation d'un matériau d'électrode transparente sur le film isolant de grille; formation d'un matériau conducteur opaque sur le matériau d'électrode transparente; - formation d'un motif de résine photosensible sur le matériau conducteur opaque; et - modelage des contours du matériau conducteur opaque et du matériau d'électrode transparente en utilisant le motif de résine photosensible comme masque. Selon un autre mode de réalisation, le modelage des contours du matériau conducteur opaque et du matériau d'électrode transparente comprend: - le modelage des contours du matériau d'électrode transparente et du matériau conducteur opaque par un premier liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique ou l'acide acétique et un additif en utilisant le motif de résine photosensible comme masque; - le polissage au disque toile du motif de résine photosensible; et - le modelage des contours du motif conducteur opaque exposé par le motif de résine photosensible polie par un deuxième liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique ou l'acide acétique en utilisant le motif de résine photosensible comme masque, fournissant de ce fait le motif conducteur opaque possédant une largeur plus petite que le motif d'électrode transparent. Selon un autre mode de réalisation, le modelage des contours du matériau conducteur opaque et du matériau d'électrode transparente comprend: VAHIRSCH6ABREVETSVBrevets \24000A24059.doc - 23 juin 2005 - 5122 - le modelage des contours simultané du matériau d'électrode transparente et du matériau conducteur opaque par un liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique ou l'acide acétique et un additif en utilisant le motif de résine photosensible comme masque. Selon un autre mode de réalisation, le modelage des contours du matériau conducteur opaque et du matériau d'électrode transparente comprend: le modelage des contours du matériau d'électrode transparente et du matériau conducteur opaque par un liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique, l'acide acétique et un additif en utilisant le motif de résine photosensible comme masque; et la gravure supplémentaire du matériau d'électrode transparente par un liquide de gravure contenant un acide oxalique en utilisant le motif de résine photosensible comme masque, fournissant de ce fait le motif d'électrode transparent possédant une largeur de ligne plus grande que le motif conducteur opaque. Le procédé peut comprendre en outre la formation d'un motif semiconducteur sur le film isolant de grille. Le procédé peut comprendre en outre la formation d'un motif de source/de drain comprenant une ligne de données disposée pour croiser la ligne de grille et la ligne commune et ayant le film isolant de grille entre elles pour définir ainsi une zone de pixels, une électrode de source connectée à la ligne de données, une électrode de drain opposée à l'électrode de source et une électrode de pastilles de données inférieure connectée à la ligne de données. Dans un autre aspect, et selon l'invention, un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à champ électrique horizontal comprend des moyens pour appliquer un champ électrique horizontal à un cristal liquide et des moyens pour bloquer la lumière passant à travers les moyens pour appliquer un champ électrique horizontal. La figure 1 est une vue en plan illustrant une structure d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de l'art connexe de type à application de champ électrique horizontal; la figure 2 est une vue en coupe du substrat à matrice de transistors à couches minces prise le long de la ligne I-I' de la figure 1; la figure 3 illustre un cristal liquide positionné au niveau d'une zone corres- pondant à la zone de pixels qui n'est pas entraîné ; la figure 4 est une vue en plan illustrant une structure d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à champ électrique horizontal selon un premier mode de réalisation; \\HI RSCH6\13REVETS\Brevets\24000\24059 doc - 23 juin 2005 - 6/22 la figure 5 est une vue en coupe du substrat à matrice de transistors à couches minces prise le long des lignes III-III' et IV-IV' de la figure 4; la figure 6 illustre un cristal liquide positionné au niveau d'une zone correspondant à la zone de pixels qui est entraîné ; les figures 7A à 7E sont des vues pour illustrer un procédé de fabrication du substrat à matrice de transistors à couches minces illustré sur la figure 5; la figure 8 est une vue en coupe illustrant une structure d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à champ électrique horizontal selon un deuxième mode de réalisation; les figures 9A à 9D sont des vues pour illustrer un procédé de fabrication d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à champ électrique horizontal selon le deuxième mode de réalisation; la figure 10 est une vue en coupe illustrant une structure d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à champ électrique horizontal selon un troisième mode de réalisation; et les figures 11A à Il c sont des vues pour illustrer un procédé de fabrication d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal selon le troisième mode de réalisation. Des exemples de modes de réalisation peuvent être mieux compris en référence aux dessins mais ces modes de réalisation ne sont pas destinés à être de nature limitative. Des éléments à numéro identique sur les mêmes dessins ou sur des dessins différents réalisent des fonctions équivalentes. La figure 4 est une vue en plan illustrant une structure d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal selon un premier mode de réalisation et la figure 5 est une vue en coupe du substrat à matrice de transistors à couches minces prise le long des lignes III-III' et IV-IV' de la figure 4. Le substrat à matrice de transistors à couches minces comprend une ligne de grille 102 et une ligne de données 104 prévues sur un substrat inférieur 145 de manière à se couper l'une l'autre, un transistor à couches minces 106 prévu à chaque intersection, une électrode à pixel 114 et une électrode commune 118 prévues au niveau d'une zone de pixels définie par la structure d'intersection dans le but de former un champ horizontal et une ligne commune 116 connectée à l'électrode commune 118. La ligne de grille 102 fournit un signal de grille à une électrode de grille 108 du transistor à couches minces 106. La ligne de données 104 fournit un signal de pixel 1\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059.doc - 23 juin 2005 - 7/22 par l'intermédiaire d'une électrode de drain 112 du transistor à couches minces 106 à l'électrode à pixel 114. La ligne de grille 102 et la ligne de données 104 sont prévues au niveau d'une structure d'intersection pour définir la zone de pixels 105. La ligne de grille 102 est connectée par l'intermédiaire d'une portion de pastille de grille 126 à un pilote de grille (non illustré). La portion de pastille de grille 126 est constituée d'une électrode de pastille de grille inférieure 128 étendue depuis la ligne de grille 102 et d'une électrode de pastille de grille supérieure 132 connectée, par l'intermédiaire d'un premier orifice de contact 130 passant à travers un film isolant de grille 146 et un film protecteur 152, à l'électrode de pastille de grille infé- rieure 128. La ligne de données 104 est connectée par l'intermédiaire d'une portion de pastille de données 134 à un pilote de données (non illustré). La portion de pastille de données 134 est constituée d'une électrode de pastille de données inférieure 136 étendue depuis la ligne de données 104 et d'une électrode de pastille de données supérieure 140 connectée, par l'intermédiaire d'un deuxième orifice de contact 138 passant à travers le film protecteur 152, à l'électrode de pastille de données inférieure 136. La ligne commune 116 est disposée parallèlement à la ligne de grille 102 ayant la zone de pixels 105 entre elles pour appliquer une tension de référence pour entrai- ner le cristal liquide vers l'électrode commune 118. Le transistor à couches minces 106 permet au signal de pixel de la ligne de données 104 d'être chargé et maintenu dans l'électrode à pixel 114 en réponse au signal de grille de la ligne de grille 102. Le transistor à couches minces 106 comprend une électrode de grille 108 connectée à la ligne de grille 102, une électrode de source 110 connectée à la ligne de données 104 et une électrode de drain 112 connectée à l'électrode à pixel 114. En outre, le transistor à couches minces 106 comprend un motif semi-conducteur 149 ayant une couche active 148 chevauchant l'électrode de grille 108 et ayant un film isolant de grille 146 entre elles pour définir un canal entre l'électrode de source 110 et l'électrode de drain 112. Le motif semi- conducteur 149 est en outre pourvue d'une couche de contact ohmique 150 position-née sur la couche active 148 pour réaliser un contact ohmique avec la ligne de données 104, l'électrode de source 110 et l'électrode de drain 112. L'électrode à pixel 114 est connectée par l'intermédiaire d'un troisième orifice de contact 117 à l'électrode de drain 112 du transistor à couches minces 106 et est prévue au niveau de la zone de pixels 105. L'électrode à pixel 114 comprend une première partie horizontale 114a connectée à l'électrode de drain 112 et disposée parallèlement à la ligne de grille adjacente 102, une deuxième partie horizontale 114b chevauchant la ligne commune 116, et une partie de contact d'extrémité sous \\IIIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059. doc - 23 juin 2005 - 8/22 forme de doigt 114c disposée parallèlement à l'électrode commune 118 entre les première et deuxième parties horizontales 114a et 114b. L'électrode commune 118 est connectée à la ligne commune 116 et est formée à partir du même métal que la ligne de grille 102 et l'électrode de grille 108 au niveau de la zone de pixels 105. L'électrode commune 118 est disposée parallèle-ment à la partie de contact d'extrémité sous forme de doigt 114c de l'électrode à pixel 114 au niveau de la zone de pixels 105. Un motif conducteur opaque 155 est formé sur un motif d'électrode transparente comprenant l'électrode à pixel 114, l'électrode de pastille de grille supérieure 132 et l'électrode de pastille de données supérieure 140. Le motif conducteur opaque 155 améliore une conductivité du motif d'électrode transparent et empêche une lumière de se produire à travers l'électrode à pixel 114 lorsqu'un état de niveaux de gris noir est mis en oeuvre tel qu'illustré sur la figure 6. Un motif conducteur opaque 155 possédant une bonne conductivité est prévu sur le motif d'électrode transparent comprenant l'électrode à pixel 114, etc., conduisant à l'application de champs électriques horizontaux supérieurs au cristal liquide 151 positionné au niveau d'une zone correspondant à l'électrode à pixel 114. En conséquence, le cristal liquide positionné au niveau d'une zone correspondant à l'électrode à pixel 114 est entraîné pour améliorer une ouverture relative. En outre, la lumière provenant d'une lumière arrière est bloquée par le motif conducteur opaque 155 lorsqu'un niveau de gris noir est mis en oeuvre, de sorte que le facteur de contraste total est amélioré. Le motif conducteur opaque contient au moins un élément parmi le molybdène (Mo) ou le titane (Ti) et possède la largeur de ligne sensiblement identique à le motif d'électrode transparent. Le motif conducteur opaque 155 possède une largeur de ligne de 1 à 3 gm et une épaisseur de 30 à 1500 Angstrom, tandis que le motif d'électrode transparent possède une épaisseur de 300 à 1000 Angstrom. Les figures 7A à 7E sont des vues pour illustrer un procédé de fabrication du substrat à matrice de transistors à couches minces selon le premier mode de réalisation. Une couche métallique de grille est déposée sur le substrat inférieur 145 par une technique de dépôt telle que par pulvérisation, etc. et est modelée par photolithographie et gravure. Ainsi, un motif de grille comprenant l'électrode de grille 108, la ligne de grille 102 et l'électrode de pastille de grille inférieure 128 est prévue et l'électrode commune 118 et la ligne commune 116 sont prévues tel qu'illustré sur la figure 7A. La couche métallique de grille est réalisée en aluminium/néodyme (Al/Nd) ou en aluminium (Al) ou dans un matériau similaire. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059. doc - 23 juin 2005 - 9/22 Un matériau isolant inorganique est déposé sur le substrat inférieur 145 et pourvu du motif de grille, etc., par une technique de dépôt telle que par PECVD ou par d'autres techniques telles qu'elles sont connues dans l'art, fournissant de ce fait le film isolant de grille 146 tel qu'illustré sur la figure 7B. Le film isolant de grille 146 est réalisé à partir d'un matériau isolant inorganique tel que le nitrure de silicium (SiNX) ou l'oxyde de silicium (SiOx) ou d'un matériau similaire. Des première et deuxième couches semi-conductrices sont déposées sur le substrat inférieur 145 pourvu du film isolant de grille 146 et sont modelées par photolithographie et gravure, fournissant de ce fait le motif semi-conducteur 149 comprenant la couche active 148 et la couche de contact ohmique 150. Un métal est déposé sur le film isolant de grille 146 pourvu du motif semi-conducteur 149 par photolithographie et gravure, fournissant de ce fait un motif de source/de drain comprenant la ligne de données 104, l'électrode de source 110, l'électrode de drain 112 et l'électrode de pastille de données inférieure 136 tel qu'illustré sur la figure 7C. La couche de contact ohmique 150 du transistor à couches minces est gravée à sec en utilisant les électrodes de source et de drain 110 et 112 comme masque pour exposer la couche active 148. Le métal est sélectionné parmi le chrome (Cr), le molybdène (Mo) ou le titane (Ti) ou un matériau similaire. Le matériau isolant inorganique est déposé sur le substrat inférieur 145 pourvu du motif de source/de drain pour fournir le film protecteur 152 tel qu'illustré sur la figure 7D. Le film protecteur 152 est réalisé à partir d'un matériau isolant inorganique tel que le nitrure de silicium (SiNX) ou l'oxyde de silicium (SiOx) ou d'un autre matériau approprié tel qu'il est connu dans l'art. Le film protecteur 152 est ensuite modelé par photolithographie et gravure pour ainsi définir les premier à troisième orifices de contact 130, 138 et 117. Le premier orifice de contact 130 expose l'électrode de pastille de grille inférieure 128; le deuxième orifice de contact 138 expose l'électrode de pastille de données inférieure 136; et le troisième orifice de contact 117 expose l'électrode de drain 112 du transistor à couches minces. Le matériau d'électrode transparente et le matériau conducteur opaque sont déposés de manière séquentielle sur le substrat inférieur 145 pourvu du film protecteur 152. Un motif de résine photosensible est formée par photolithographie. Le matériau d'électrode transparente et le matériau conducteur opaque sont modelés collectivement (gravés) par un liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique ou l'acide acétique et un additif en utili- saut le motif de résine photosensible comme masque, fournissant de ce fait le motif d'électrode transparent comprenant l'électrode à pixel 114, l'électrode de pastille de grille supérieure 132 et l'électrode de pastille de données supérieure 140 et le motif conducteur opaque 155 formé sur celle-ci. Le motif d'électrode transparent peut être \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059. doc - 23 juin 2005 - 10/22 formée à partir d'oxyde d'étain et d'indium (ITO), d'oxyde d'étain (TO), d'oxyde de zinc et d'indium (IZO) ou d'oxyde de zinc, d'étain et d'indium (ITZO) ou d'un matériau similaire tel qu'il est connu dans l'art. Le motif conducteur opaque 155 contient au moins un élément parmi le molybdène (Mo) ou le titane (Ti). Le motif conducteur opaque 155 possède la largeur de ligne sensiblement identique au motif d'électrode transparent. Le motif conducteur opaque 155 possède une largeur de ligne de 1 à 3 m et une épaisseur de 30 à 1500 Angstrom, tandis que le motif d'électrode transparent possède une épaisseur de 300 à 1000 Angstrom. Dans le panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal et le procédé de fabrication de celui-ci selon le premier mode de réalisation, le motif conducteur opaque 155 est prévu sur le motif d'électrode transparent comprenant l'électrode à pixel 114, l'électrode de pastille de grille supérieure 132 et l'électrode de pastille de données supérieure 140. En conséquence, une conductivité de l'électrode à pixel 114 est améliorée. Le cristal liquide 150 posi- tionné au niveau d'une zone correspondant à l'électrode à pixel 114 est ainsi entraîné plus efficacement pour améliorer une ouverture relative. La figure 8 est une vue en coupe illustrant une structure d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal selon un deuxième mode de réali- sation. Le substrat à matrice de transistors à couches minces illustré sur la figure 8 possède les mêmes éléments que le substrat à matrice de transistors à couches minces illustré sur la figure 5 et sur la figure 6 sauf qu'une largeur de ligne du motif conducteur opaque 155 est réglé pour être inférieure à celle du motif d'électrode transparent. Par conséquent, les mêmes éléments seront désignés par les mêmes numéros et une explication détaillée de ceux-ci sera omise. Le substrat à matrice de transistors à couches minces dans le panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal comprend un motif de grille comprenant une électrode de grille 108 prévue au niveau d'un substrat 145, une ligne de grille 102 connectée à l'électrode de grille 108 et une électrode de pastille de grille inférieure 128 connectée à la ligne de grille 102; une ligne commune 116 disposée parallèlement à la ligne de grille 102; un film isolant de grille 146 disposé pour recouvrir la ligne de grille 102 et la ligne commune 116; un motif de source/de drain comprenant une ligne de données 104 disposée pour croiser la ligne de grille 102 et la ligne commune 116 en ayant le film isolant de grille 146 entre elles pour définir ainsi une zone de pixels 105, une électrode de source 110 connectée à la ligne de données 104, une électrode de drain 112 opposée à l'électrode de source 110 et une électrode de pastille de données inférieure 136 \1HIRSCH6\BREVETS'.Brevets\24000\24059 doc - 23 juin 2005 - 11/22 connectée à la ligne de données 104; un transistor à couches minces 106 positionné à chaque intersection entre la ligne de grille 102 et la ligne de données 104; un motif d'électrode transparente comprenant une électrode à pixel 114 connectée électrique-ment au transistor à couches minces 106 et disposée de sorte qu'au moins une portion de celle-ci est parallèle à l'électrode commune 118, une électrode de pastille de grille supérieure 132 connectée à l'électrode de pastille de grille inférieure 128 et une électrode de pastille de données supérieure 140 connectée à l'électrode de pastille de données inférieure 136; et un motif conducteur opaque 155 chevauchant le motif d'électrode transparent et possédant une largeur de ligne inférieure au motif d'électrode transparent. Le motif conducteur opaque 155 est formé sur un motif d'électrode transparente comprenant l'électrode à pixel 114, etc., permettant de ce fait l'application de champs électriques horizontaux supérieurs au cristal liquide 150 positionné au niveau d'une zone correspondant à l'électrode à pixel 114. En conséquence, le cristal liquide positionné au niveau de ladite zone correspondant à l'électrode à pixel 114 est également entraîné pour améliorer une ouverture relative. En outre, une lumière provenant d'une lumière arrière est bloquée par le motif conducteur opaque 155, un état de niveaux de gris noir est amélioré et le facteur de contraste total est par conséquent amélioré. Le motif conducteur opaque 155 illustré sur la figure 8 possède une largeur de ligne plus petite que le motif d'électrode transparent de sorte qu'un niveau de gris blanc est augmenté par rapport au premier mode de réalisation lorsqu'un état de niveaux de gris blanc est mis en oeuvre, améliorant de ce fait un facteur de contraste. Le motif conducteur opaque contient au moins un élément parmi le molybdène (Mo) ou le titane (Ti) et possède une largeur de ligne plus petite que le motif d'électrode transparent. Le motif conducteur opaque 155 possède une largeur de ligne de 1 à 3 m et une épaisseur de 30 à 1500 Angstrom, tandis que le motif d'électrode transparent possède une épaisseur de 300 à 1000 Angstrom. Les figures 9A à 9D sont des vues pour illustrer un procédé de fabrication du substrat à matrice de transistors à couches minces selon le deuxième mode de réali- sation de la présente invention. Le procédé de fabrication du substrat à matrice de transistors à couches minces dans le panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal selon le deuxième mode de réalisation est sensiblement identique au procédé de fabrication du substrat à matrice de transistors à couches minces dans le panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal selon le premier mode de réalisation sur les figures 7A à 7E sauf que la couche conductrice opaque 155 est réglée pour avoir une largeur de ligne plus petite que le motif d'électrode transparent. \HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059_doc - 23 jum 2005 - 12/22 Tel qu'illustré sur les figures 7A à 7D, un matériau d'électrode transparente 113 et un matériau conducteur opaque 154 sont déposés de manière séquentielle sur le substrat inférieur 145 pourvu du motif de grille, du film isolant de grille 146, du motif semi-conducteur 149, du motif de source/de drain et du film protecteur 152 par une technique de dépôt telle que par pulvérisation ou par d'autres techniques telles qu'elles sont connues dans l'art. Un motif de résine photosensible 173 est ensuite formée tel qu'illustré sur la figure 9A par photolithographie. Le matériau d'électrode transparente 113 et le matériau conducteur opaque 154 sont ensuite modelés collectivement (gravés) tel qu'illustré sur la figure 9B par un liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique ou l'acide acétique et un additif en utilisant le motif de résine photosensible 173 comme masque. Le motif de résine photosensible 173 est partiellement enlevé par le processus de polissage au disque toile pour fournir le motif de résine photosensible 173 exposant partiellement le matériau conducteur opaque modelé 154 tel qu'illustré sur la figure 9C. Le maté- riau métallique opaque 154 est modelé (gravé) tel qu'illustré sur la figure 9B par un liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique ou l'acide acétique en utilisant le motif de résine photosensible 173 comme masque, fournissant de ce fait le motif conducteur opaque 155 tel qu'illustré sur la figure 9D. Le motif d'électrode transparent est formé à partir d'oxyde d'étain et d'indium (ITO), d'oxyde d'étain (TO), d'oxyde de zinc et d'indium (IZO) ou d'oxyde de zinc, d'étain et d'indium (ITZO), etc. La couche conductrice opaque 155 contient au moins un élément parmi le molybdène (Mo) ou le titane (Ti). Le motif conducteur opaque 155 possède une largeur de ligne de 1 à 3 m et une épaisseur de 30 à 1500 Angstrom, tandis que le motif d'électrode transparent possède une épaisseur de 300 à 1000 Angstrom. Le motif conducteur opaque 155 est prévu sur le motif d'électrode transparent comprenant l'électrode à pixel 114, l'électrode de pastille de grille supérieure 132 et l'électrode de pastille de données supérieure 140. En conséquence, une conductivité de l'électrode à pixel 114 est améliorée. Le cristal liquide 150 positionné au niveau d'une zone correspondant à l'électrode à pixel 114 est ainsi entraîné pour améliorer une ouverture relative. En outre, une lumière provenant d'une lumière arrière est bloquée par le motif conducteur opaque 155 et lorsqu'un niveau de gris noir est mis en oeuvre, le facteur de contraste total est amélioré. Une largeur de ligne du motif conducteur opaque 155 est réglé pour être plus petite que celle du motif d'électrode transparent de sorte qu'un niveau de gris blanc est augmenté pour améliorer un facteur de contraste. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059doc - 23 juin 2005 - 13/22 La figure 10 est une vue en coupe illustrant une structure d'un substrat à matrice de transistors à couches minces dans un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal selon un troisième mode de réalisation. Le substrat à matrice de transistors à couches minces illustré sur la figure 10 possède les mêmes éléments que le substrat à matrice de transistors à couches minces illustré sur la figure 5 et sur la figure 6 sauf qu'une largeur de ligne du motif conducteur opaque 155 est réglé pour être plus grande que celle du motif d'électrode transparent. Les mêmes éléments seront par conséquent désignés par les mêmes numéros et une explication détaillée sera omise. En se référant à la figure 10, le substrat à matrice de transistors à couches minces dans le panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal comprend un motif de grille comprenant une électrode de grille 108 prévue au niveau d'un substrat 145, une ligne de grille 102 connectée à l'électrode de grille 108 et une électrode de pastille de grille inférieure 128 connectée à la ligne de grille 102; une ligne commune 116 prévue parallèlement à la ligne de grille 102; un film isolant de grille 146 disposé pour recouvrir la ligne de grille 102 et la ligne commune 116; un motif de source/de drain comprenant une ligne de données 104 disposée pour croiser la ligne de grille 102 et la ligne commune 116 en ayant le film isolant de grille 146 entre elles pour définir ainsi une zone de pixels 105, une électrode de source 110 connectée à la ligne de données 104, une électrode de drain 112 opposée à l'électrode de source 110 et une électrode de pastille de données inférieure 136 connectée à la ligne de données 104; un transistor à couches minces 106 positionné à chaque intersection entre la ligne de grille 102 et la ligne de données 104; un motif d'électrode transparente comprenant une électrode à pixel 114 connectée électriquement au transistor à couches minces 106 et disposée de sorte qu'au moins une portion de celle-ci est parallèle à l'électrode commune 118, une électrode de pastille de grille supérieure 132 connectée à l'électrode de pastille de grille inférieure 128 et une électrode de pastille de données supérieure 140 connectée à l'électrode de pastille de données inférieure 136; et un motif conducteur opaque 155 chevauchant le motif d'électrode transparent et possédant une largeur de ligne supérieure au motif d'électrode transparent. Le motif conducteur opaque 155 est formé sur un motif d'électrode transparente comprenant l'électrode à pixel 114, etc., conduisant de ce fait à l'application de champs électriques horizontaux supérieurs au cristal liquide 150 positionné au niveau d'une zone correspondant à l'électrode à pixel 114. En conséquence, le cristal liquide positionné au niveau de ladite zone correspondant à l'électrode à pixel 114 est également entraîné pour améliorer une ouverture relative. En outre, une lumière \\HIRSCH6\13REVETS\Brevets\24000\24059. doc - 23 juin 2005 - 14/22 provenant d'une lumière arrière est bloquée par le motif conducteur opaque 155 lorsqu'un état de niveaux de gris noir est mis en oeuvre, de sorte que le facteur de contraste total est amélioré. Le motif conducteur opaque 155 selon le troisième mode de réalisation est 5 réglée pour être plus large que le motif d'électrode transparent, empêchant de ce fait l'exposition du motif d'électrode transparent. En conséquence, il devient possible d'empêcher une corrosion du motif d'électrode transparent. Dans les présentes, le motif conducteur opaque contient au moins un élément parmi le molybdène (Mo) ou le titane (Ti). Le motif conducteur opaque 155 possède une largeur de ligne de 1 à 3 m et une épaisseur de 30 à 1500 Angstrom, tandis que le motif d'électrode transparent possède une épaisseur de 300 à 1000 Angstrom. Les figures 11A à 11D sont des vues pour illustrer un procédé de fabrication du substrat à matrice de transistors à couches minces selon le troisième mode de réalisation. Le procédé de fabrication du substrat à matrice de transistors à couches minces dans le panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal selon le troisième mode de réalisation est sensiblement identique au procédé de fabrication du substrat à matrice de transistors à couches minces dans le panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal selon le premier mode de réalisation sur les figures 7A à 7E sauf que la couche conductrice opaque 155 est réglée pour avoir une largeur de ligne plus grande que le motif d'électrode transparent. Tel qu'illustré sur les figures 7A à 7D, un matériau d'électrode transparente 113 et un matériau conducteur opaque 154 sont déposés de manière séquentielle sur le substrat inférieur 145 pourvu du motif de grille, du film isolant de grille 146, du motif semi-conducteur 149, du motif de source/de drain et du film protecteur 152 par une technique de dépôt telle que par pulvérisation ou par une autre technique appropriée telle qu'elle est connue dans l'art. Un motif de résine photosensible 173 est ensuite formé tel qu'illustré sur la figure 11A par photolithographie. Le matériau d'électrode transparente 113 et le matériau conducteur opaque 154 sont ensuite modelés collectivement (gravés) tel qu'illustré sur la figure 11B par un liquide de gravure contenant au moins un élément parmi un acide phosphorique, un acide nitrique, un acide acétique et un additif en utilisant le motif de résine photosensible 173 comme masque. Le motif d'électrode transparent est ensuite uniquement en outre partiellement gravée par un liquide de gravure contenant un acide oxalique pour fournir ainsi le motif d'électrode transparent possédant une largeur de ligne plus petite que le motif conducteur opaque 155 tel qu'illustré sur la figure 11C. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059. doc - 23 juin 2005 - 15/22 Dans les présentes, le motif d'électrode transparent est formé à partir d'oxyde d'étain et d'indium (ITO), d'oxyde d'étain (TO), d'oxyde de zinc et d'indium (IZO) ou d'oxyde de zinc, d'étain et d'indium (ITZO) ou d'un autre matériau approprié tel qu'il est connu dans l'art. Le motif conducteur opaque 155 contient au moins un élément parmi le molybdène (Mo) ou le titane (Ti). Le motif conducteur opaque 155 possède une largeur de ligne de 1 à 3 m et une épaisseur de 30 à 1500 Angstrom, tandis que le motif d'électrode transparent possède une épaisseur de 300 à 1000 Angstrom. Le motif conducteur opaque 155 est prévu sur le motif d'électrode transparent comprenant l'électrode à pixel 114, l'électrode de pastille de grille supérieure 132 et l'électrode de pastille de données supérieure 140. En conséquence, une conductivité de l'électrode à pixel 114 est améliorée. Le cristal liquide 150 positionné au niveau d'une zone correspondant à l'électrode à pixel 114 est ainsi entraîné pour améliorer une ouverture relative. En outre, une lumière provenant d'une lumière arrière est bloquée par le motif conducteur opaque 155 de sorte que lorsqu'un état de niveaux de gris noir est mis en oeuvre, le facteur de contraste total est amélioré. En outre, il devient possible d'empêcher une corrosion du motif d'électrode transparent. Tel que décrit ci-dessus, le motif conducteur opaque est prévu sur le motif d'électrode transparent comprenant l'électrode à pixel, l'électrode de pastille de grille supérieure et l'électrode de pastille de données supérieure. En conséquence, une conductivité de l'électrode à pixel est améliorée pour entraîner le cristal liquide positionné au niveau d'une zone correspondant à l'électrode à pixel, améliorant ainsi une ouverture relative. En outre, une lumière provenant de la lumière arrière est bloquée par la couche conductrice opaque et lorsqu'un niveau de gris noir est mis en oeuvre, le facteur de contraste total est amélioré. Bien que la présente invention ait été expliquée par les modes de réalisation illustrés dans les dessins décrits ci-dessus, il doit être compris par l'homme du métier que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation mais plutôt que divers changements ou modifications de celle-ci sont possibles sans s'écarter de l'esprit de l'invention. En conséquence, la portée de l'invention doit être uniquement déterminée par les revendications annexées et leurs équivalents. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059 doc - 23 juin 2005 - 16/22 REVENDICATIONS 1. Panneau d'affichage à cristaux liquides de type à application de champ électrique horizontal, comprenant: - une ligne de grille (102) disposée sur un substrat; une ligne commune (116) disposée parallèlement à la ligne de grille et une électrode commune (118) disposée sensiblement perpendiculairement à la ligne commune; un film isolant (146) disposé pour recouvrir la ligne de grille (102) et la ligne commune (116) ; un motif d'électrode transparente (113) comprenant une électrode à pixel (114) connectée électriquement à un transistor à couches minces, le motif d'électrode transparent étant disposée de sorte qu'au moins une portion de celle-ci est parallèle à l'électrode commune (118) ; et, - un motif conducteur opaque disposé pour chevaucher le motif d'électrode 15 transparent. 2. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le motif conducteur opaque recouvre sensiblement l'ensemble du motif d'électrode transparente (113). 3. Appareil selon la revendication 2, caractérisé en ce que le motif conducteur opaque recouvre sensiblement ou recouvre entièrement l'électrode à pixel (114). 4. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à, 3 caractérisé en ce que le motif conducteur opaque possède une largeur de ligne plus petite que le motif d'électrode transparent (113). 5. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé 30 en ce que le motif conducteur opaque possède la même largeur de ligne que le motif d'électrode transparent (113). 6. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le motif conducteur opaque possède une largeur de ligne plus grande que 35 le motif d'électrode transparent (113). 7. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la largeur de ligne du motif conducteur opaque est d'environ 1 à 3 m. VA11IRSCH6ABREVETSIBrevets\24000A24059.doc - 23 juin 2005 - 17/22 8. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le motif conducteur opaque comprend au moins un élément parmi le molybdène ou le titane. 9. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'électrode à pixel (114) comprend: - une première partie disposée parallèlement à la ligne de grille (102) et connectée à une électrode de drain (112) d'un transistor à couches minces; et - une deuxième partie étendue depuis la première partie et disposée parallèlement à l'électrode commune (118). 10. Appareil selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la ligne de grille (102), la ligne commune (116) et l'électrode commune 15 (118) sont réalisées dans le même matériau. 11. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage à cristaux liquides de type à champ électrique horizontal, comprenant: - la formation d'un motif de grille comprenant une électrode de grille prévue 20 au niveau d'un substrat, une ligne commune disposée parallèlement à une ligne de grille et une électrode commune étendue depuis la ligne commune; - la formation d'un film isolant de grille pour recouvrir la ligne de grille et la ligne commune; - la formation d'un motif d'électrode transparente comprenant une électrode à pixel connectée électriquement à un transistor à couches minces et dispo- sée de sorte qu'au moins une portion du motif d'électrode transparent est parallèle à l'électrode commune; et - la formation d'un motif conducteur opaque chevauchant le motif 30 d'électrode transparent. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le motif conducteur opaque recouvre sensiblement l'ensemble de l'électrode transparente. 13. Procédé selon la revendication 11 ou 12, caractérisé en ce que le motif conducteur opaque recouvre sensiblement ou entièrement l'électrode à pixel. \\11IRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059. doc - 23 juin 2005 - 18/22 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que le motif conducteur opaque possède une largeur de ligne plus petite que le motif d'électrode transparent. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que le motif conducteur opaque possède la même largeur de ligne que le motif d'électrode transparent. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, caractérisé 10 en ce que le motif conducteur opaque possède une largeur de ligne plus grande que le motif d'électrode transparent. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 16, caractérisé en ce que la formation de l'électrode à pixel comprend: - la formation d'une première partie disposée parallèlement à la ligne de grille et connectée à l'électrode de drain (112) du transistor à couches minces et d'une deuxième partie étendue depuis la partie horizontale et disposée parallèlement à l'électrode commune. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 17, caractérisé en ce que la formation du motif d'électrode transparent et du motif d'électrode opaque comprend: - formation d'un matériau d'électrode transparente sur le film isolant de grille; - formation d'un matériau conducteur opaque sur le matériau d'électrode transparente; - formation d'un motif de résine photosensible sur le matériau conducteur opaque; et modelage des contours du matériau conducteur opaque et du matériau d'électrode transparente en utilisant le motif de résine photosensible comme masque. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que le modelage des contours du matériau conducteur opaque et du matériau d'électrode transparente comprend: - le modelage des contours du matériau d'électrode transparente et du matériau conducteur opaque par un premier liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique ou l'acide \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059.doc - 23 juin 2005 - 19/22 acétique et un additif en utilisant le motif de résine photosensible comme masque; - le polissage au disque toile du motif de résine photosensible; et le modelage des contours du motif conducteur opaque exposé par le motif de résine photosensible polie par un deuxième liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique ou l'acide acétique en utilisant le motif de résine photosensible comme masque, fournissant de ce fait le motif conducteur opaque possédant une largeur plus petite que le motif d'électrode transparent. 20. Procédé selon la revendication 18 ou 19, caractérisé en ce que le modelage des contours du matériau conducteur opaque et du matériau d'électrode transparente comprend: - le modelage des contours simultané du matériau d'électrode transparente et du matériau conducteur opaque par un liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique ou l'acide acétique et un additif en utilisant le motif de résine photosensible comme masque. 21. Procédé selon la revendication 18, 19 ou 20, caractérisé en ce que le modelage des contours du matériau conducteur opaque et du matériau d'électrode transparente comprend: - le modelage des contours du matériau d'électrode transparente et du matériau conducteur opaque par un liquide de gravure contenant au moins un élément parmi l'acide phosphorique, l'acide nitrique, l'acide acétique et un additif en utilisant le motif de résine photosensible comme masque; et - la gravure supplémentaire du matériau d'électrode transparente par un liquide de gravure contenant un acide oxalique en utilisant le motif de résine photosensible comme masque, fournissant de ce fait le motif d'électrode transparent possédant une largeur de ligne plus grande que le motif conducteur opaque. 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 21, comprenant en outre: - la formation d'un motif semi-conducteur sur le film isolant de grille. 23. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 22, comprenant en outre: \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059 doc - 23 juin 2005 - 20/22 la formation d'un motif de source/de drain comprenant une ligne de données disposée pour croiser la ligne de grille et la ligne commune et ayant le film isolant de grille entre elles pour définir ainsi une zone de pixels, une électrode de source (110) connectée à la ligne de données, une électrode de drain (112) opposée à l'électrode de source (110) et une électrode de pastilles de données inférieure connectée à la ligne de données. 24. Panneau d'affichage à cristaux liquides de type à champ électrique horizontal, comprenant: - des moyens pour appliquer un champ électrique horizontal à un cristal liquide; - des moyens pour bloquer la lumière passant à travers les moyens pour appliquer un champ électrique horizontal. \\1-IIRSCH6\BREVETS\Brevets\24000\24059. doc - 23 juin 2005 - 21/22