FR 2875927 A1 20060331 FR 0410110 A 20040924 Procédé de protection d'une puce électronique, puce électronique autoprotégée et procédé de fabrication de la puce Domaine technique de l'invention L'invention concerne un procédé de protection d'une puce électronique, une puce électronique autoprotégée, ainsi qu'un procédé de fabrication de la puce. État de la technique Les puces électroniques sont de plus en plus utilisées, notamment dans les cartes à puces, comme moyens de contrôle d'opérations financières, d'accès ou d'identité. Des tentatives de fraudes de plus en plus fréquentes et sophistiquées amènent les fournisseurs de cartes à puce à renforcer la sécurité de ces cartes. Différents types de protection ont été développés, tenant compte de divers types de fraudes. À titre d'exemple, les fraudeurs peuvent utiliser l'observation du comportement électrique de la puce, notamment les variations de son courant d'alimentation, le démontage et/ou l'observation directe du circuit. La protection contre des attaques liées à une observation purement électrique est généralement assurée par logiciel, par exemple en prévoyant des instructions qui brouillent les messages (ajout de commutations leurre, par exemple). Pour empêcher ou, du moins, limiter les possibilités d'observation directe du circuit, celui-ci est généralement disposé dans un boîtier scellé. Il reste néanmoins possible d'ouvrir le boîtier de protection du circuit pour observer en détail son fonctionnement et comprendre et contourner ses moyens de protection. Pour renforcer la sécurité, il a déjà été proposé de détruire le circuit dès qu'une tentative d'intrusion physique est détectée. Ceci implique cependant simultanément que: l'intrusion soit détectée, - la puce comporte des moyens de destruction embarqués sur la puce, les moyens de destruction embarqués ne soient pas déconnectables, les moyens de destruction soient peu coûteux, les moyens de destruction ne se déclenchent pas de manière intempestive. Dans les procédés de protection connus, la destruction du circuit est notamment réalisée soit au moyen d'une impulsion électrique, par exemple par utilisation d'un fusible, soit par activation de micro-charges explosives. Dans tous les cas, une source d'énergie doit être embarquée sur la puce et un capteur d'intrusion doit être inclus dans le boîtier. De tels dispositifs de protection sont complexes et, en conséquence, coûteux, et il peut subsister un risque de désactivation, notamment dans la mesure où la source d'énergie électrique peut se décharger. Objet de l'invention L'invention a pour but de remédier à ces inconvénients et, plus particulièrement, de fournir un procédé peu coûteux de protection d'une puce électronique. Selon l'invention, ce but est atteint par le fait qu'au moins une partie d'un circuit électronique de la puce est formée sur une membrane rigide, mince, disposée entre des première et seconde cavités, normalement à une pression sensiblement identique, très supérieure à la pression atmosphérique, une tentative d'intrusion provoquant une réduction de la pression dans l'une des cavités, créant une différence de pression qui brise la membrane. Dans une puce électronique autoprotégée selon l'invention, au moins une partie d'un circuit électronique de la puce est formée sur une membrane rigide, mince, disposée entre des première et seconde cavités dans lesquelles la pression est normalement très supérieure à la pression atmosphérique. Un procédé de fabrication d'une puce selon l'invention comporte la formation d'au moins un orifice de communication traversant la membrane, la mise sous pression des première et seconde cavités, reliées par ledit orifice de o communication, et le bouchage dudit orifice de communication. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 illustre le principe de protection d'une puce électronique selon l'invention. Les figures 2 à 5 illustrent les étapes successives d'un mode particulier de réalisation d'un procédé de fabrication d'une puce autoprotégée selon l'invention. Les figures 6 et 7 représentent, respectivement en coupe et en vue de dessus, un mode de réalisation particulier de bouchage partiel d'un passage de communication d'une puce selon l'invention. Les figures 8 à 11 illustrent les étapes successives d'un autre mode particulier de réalisation d'un procédé de fabrication d'une puce autoprotégée selon l'invention. Les figures 12 et 13 illustrent des variantes de réalisation du procédé selon les 5 figures 8 à 11. La figure 14 représente, en vue de dessus une variante de réalisation d'éléments de support de la membrane d'une puce électronique selon l'invention. Description de modes particuliers de réalisation Selon l'invention, la protection de la puce électronique est assurée par destruction d'au moins une partie du circuit électronique qu'elle comporte, sans nécessiter de capteur d'intrusion, ni de source d'énergie électrique embarquée, ni de circuit électrique de commande de la destruction. Comme représenté à la figure 1, le circuit électronique 1 de la puce est formé sur une membrane 2, disposée entre deux cavités 3 et 4. Les cavités 3 et 4 sont, en fonctionnement normal, à une pression élevée, sensiblement identique, très supérieure à la pression atmosphérique. La membrane 2, mince et rigide, est ainsi soumise à cette pression élevée sur ses deux faces opposées. La première cavité 3 est de préférence disposée sous la membrane, tandis que la seconde cavité 4 est disposée entre la membrane 2 et un capot de protection 5. Une tentative d'intrusion, à partir de la face avant de la puce électronique, à travers le capot 5, ou à partir de sa face arrière, à travers un substrat 6, provoque automatiquement une fuite et, en conséquence, une réduction brutale de la pression dans l'une des cavités 3 et 4. La membrane est alors soumise à une différence de pression importante, qui doit être suffisante pour qu'elle se brise, provoquant ainsi la destruction du circuit électronique qu'elle supporte. Lors de l'intrusion, l'une des cavités passe ainsi rapidement à la pression atmosphérique, tandis que l'autre reste à la pression initiale, très supérieure à la pression atmosphérique. Dans un mode de réalisation préférentiel, la pression élevée initiale est de l'ordre d'une dizaine de bars, ce qui conduit, par exemple, lors d'une intrusion à une différence de pression de l'ordre de 9 bars. La membrane 2 est, de préférence, constituée par une couche mince de silicium. Un ordre de grandeur de l'épaisseur de la membrane 2 peut être obtenu à partir de la formule suivante, qui s'applique dans le cas d'une membrane circulaire: T = 3Pr2/8h2 dans laquelle T est la contrainte ou limite de rupture de la membrane, P la différence de pression appliquée sur la membrane, r le rayon de la membrane et h son épaisseur. À titre d'exemple, pour un diamètre de l mm, une pression interne initiale de 10bars dans les cavités, c'est-à-dire une différence de pression de 9 bars en cas d'intrusion, et une limite de rupture de 1 Gpa, la membrane doit avoir une épaisseur inférieure à 12 m pour se briser. De nombreuses autres combinaisons de pression, surface et épaisseur de membrane sont, bien entendu, possibles. De plus, certaines zones de la membrane peuvent préalablement être fragilisées, par exemple par gravure de sillons de fragilisation lors de la fabrication de la puce. Par ailleurs, il est possible de limiter à certaines parties sensibles seulement, le circuit électronique disposés sur la membrane 2 disposée entre les deux cavités 3 et 4. La destruction de la membrane en cas d'intrusion provoque alors la destruction de ces parties sensibles, ce qui est suffisant pour empêcher toute observation et utilisation ultérieure de la puce. Les étapes successives d'un mode particulier de réalisation d'un procédé de fabrication d'une puce autoprotégée sont illustrées aux figures 2 à 5. Sur la figure 2, le circuit électronique 1 de la puce ou, éventuellement, seulement certaines parties sensibles du circuit, est formé, de manière classique en technologie silicium sur isolant (SOI), sur un substrat 7 comportant une couche 8 d'oxyde (SiO2) enterrée entre deux couches de silicium, respectivement avant 9 et arrière 10. Un orifice de communication 11 est formé, à côté du circuit 1, à travers le substrat 7, par exemple par gravure. La première cavité 3 est ensuite formée en deux étapes. Tout d'abord, comme représenté à la figure 3, le substrat 7 est attaqué sélectivement par sa face arrière, par exemple à travers un masque non représenté, avec arrêt de la gravure sur la couche d'oxyde enterrée 8, de manière à ne laisser subsister de la couche arrière 10 du substrat 7 qu'une zone périphérique 12, destinée à délimiter latéralement la première cavité 3. Ensuite, comme représenté à la figure 4, un substrat arrière 13 est scellé sur la zone périphérique 12. La première cavité 3, ou cavité arrière, est ainsi délimitée à l'avant par la couche d'oxyde enterrée 8, à l'arrière par le substrat arrière 13 et latéralement par la zone périphérique 12 de la couche arrière 10 du substrat 7. La technique de scellement utilisée peut être de tout type connu, à condition que la température de scellement ne dépasse pas la température maximum acceptable par le circuit 1. À titre d'exemple, il est possible d'utiliser un scellement anodique verre-silicium, un cordon de verre fusible ou des techniques de scellement direct par adhésion moléculaire basse température. II est ainsi possible de réaliser facilement une première cavité 3 suffisamment profonde pour que la membrane 2 ne vienne pas en butée avec le fond de la cavité 3 avant de se briser, lors d'une intrusion par la face arrière de la puce (la pression dans la seconde cavité 4 reste élevée, tandis que la pression dans la première cavité 3 se réduit jusqu'à la pression atmosphérique et la membrane se déforme vers l'arrière). Dans l'exemple précédemment décrit (diamètre de l mm, limite de rupture de 1 Gpa, épaisseur de la membrane inférieure à 12 m), pour une différence de pression de 9bars, la déflexion de la membrane est de l'ordre de 30 m avant rupture. La profondeur de la cavité 3, correspondant à l'épaisseur de la couche arrière 10 de silicium, doit donc être supérieure à cette valeur. II est également souhaitable, lors du dimensionnement de la cavité 3, de tenir compte de la variation de la pression dans cette cavité due à la déformation de la membrane 2 lors d'une intrusion par la face avant (la pression dans la seconde cavité 4 se réduit jusqu'à la pression atmosphérique, tandis que la première cavité 3 reste à une pression très supérieure à la pression atmosphérique et la membrane se déforme vers l'avant). En effet, le produit PV de la pression P dans la cavité par le volume V de cette cavité reste constant dans la cavité 3, qui ne présente pas de fuite. Si cette cavité est trop mince, l'augmentation de son volume V est, proportionnellement, rapidement très importante lors de la déformation de la membrane et la pression dans la cavité 3 diminue dans les mêmes proportions, réduisant rapidement la différence de pression exercée sur la membrane. Or, le procédé décrit ci-dessus permet de réaliser facilement des cavités dont la profondeur est de l'ordre de 5001. tm, soit plus de 10 fois supérieure à la déflexion de la membrane, ce qui permet d'écarter ce problème. De nombreux autres techniques de fabrication connues peuvent être utilisées pour former la première cavité 3. C'est notamment le cas des techniques d'amincissement et de report de circuits. Le circuit peut, par exemple, être collé sur un substrat et aminci avant d'être reporté sur un autre substrat comportant la cavité. Comme représenté à la figure 5, la puce est alors complétée par scellement du capot de protection 5 sous pression élevée, la seconde cavité 4 étant disposée entre la membrane 2 et le capot 5. L'orifice de communication 11 permet l'égalisation des pressions dans les deux cavités 3 et 4 avant et/ou pendant le scellement. Cet orifice peut, comme représenté à la figure 5, être bouché par le cordon de scellement 14, par exemple en verre fusible, qui est disposé entre la membrane 2 et le capot de protection 5 de manière à recouvrir l'orifice de communication 11. Plusieurs orifices de communication 11 peuvent être prévus et d'autres solutions peuvent être utilisées pour boucher les orifices de communication 11. Dans une variante de réalisation, les orifices de communication peuvent être bouchés après scellement du capot de protection 5. Cette solution permet de laisser plus de liberté sur le choix de l'emplacement des orifices de communication 11. II est notamment possible de déposer, par exemple par un dépôt chimique en phase vapeur (CVD), un film en verre de silicate (PSG), sur la membrane, autour de l'orifice de communication 11 et de réaliser, après scellement du capot de protection 5, une étape de chauffage à haute température provoquant le fluage du film et le bouchage de l'orifice de communication par le verre flué. Cependant, il est nécessaire d'utiliser un matériau qui flue à une température comprise entre la température de scellement du capot de protection 5 et la température maximale que peut supporter le circuit 1, ce qui peut être difficile à mettre au point. Un passage à faible conductance hydraulique peut être maintenu entre les cavités 3 et 4. Ce passage doit être suffisant pour permettre un équilibre des pressions dans les deux cavités en cas de variation lente des pressions, mais pas en cas de variation brutale de la pression dans l'une des cavités, de manière à maintenir la formation d'une différence de pression suffisante pour briser la membrane en cas d'intrusion. L'orifice de communication 11 peut alors être bouché avant scellement du capot. w Dans une première variante de réalisation (non représentée), les orifices de communication 11 sont totalement bouchés et un orifice additionnel ou capillaire ayant un très petit diamètre, de préférence inférieur à un micron, est formé, par exemple par gravure, dans la membrane 2, à côté du circuit 1. Une telle variante de réalisation présente l'avantage d'être tolérante aux dispersions de la technologie. Dans une seconde variante de réalisation (non représentée), les orifices de communication 11 sont bouchés par un matériau de bouchage suffisamment poreux pour permettre un équilibre des pressions dans les première et seconde cavités 3 et 4 en cas de variation lente des pressions, par exemple lors du scellement du capot de protection, mais pas suffisamment poreux pour permettre un équilibre des pressions en cas de variation brutale de la pression dans l'une des cavités. À titre d'exemple, le matériau de bouchage peut être constitué par du verre de polysilicate (PSG), qui remplit ainsi les orifices de communication 11 en réduisant leur section sans les fermer complètement. Dans une troisième variante de réalisation, illustrée sur les figures 6 et 7, qui ne reproduisent qu'une extrémité de la membrane, le passage à faible conductance hydraulique est formé, sur la membrane 2, par un petit canal 15, constituant un capillaire. Le canal 15 est perpendiculaire à l'orifice 11, avec lequel il communique. Il est, de préférence, formé dans une couche mince en métall6, recouvrant l'orifice de communication 11, par exemple par les techniques connues utilisant une couche sacrificielle à base de polymère. Les deux extrémités du canal, respectivement en haut et en bas sur la figure 7, restent ouvertes et communiquent ainsi avec l'intérieur de la cavité correspondante. Les pressions peuvent donc s'équilibrer, à travers le canal 15 et l'orifice de communication 11, en cas de variation lente des pressions. Les figures 8 à 11 illustrent les étapes successives d'un autre mode particulier de réalisation d'un procédé de fabrication d'une puce autoprotégée, faisant appel à la technique des couches sacrificielles. Sur la figure 8, la puce est formée en technologie silicium sur isolant (SOI), à partir d'un substrat 17 comportant une couche 18 d'oxyde (SiO2) enterrée entre deux couches de silicium, respectivement avant 19 et arrière 20. Un cordon 21 est gravé, autour de la zone destinée à porter le circuit électronique 1, dans la couche de silicium avant 19 et dans la couche d'oxyde enterrée 18, qu'il traverse. La membrane 2 est constituée par la partie de la couche de silicium avant 19 qui est délimitée latéralement par le cordon 21. Celui-ci est rempli de nitrure de silicium (Si3N4), par exemple par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le nitrure déposé à la surface du substrat 17 est éliminé par tout moyen approprié, par exemple par polissage mécano-chimique (CMP ou "Chemical Mechanical Polishing") ou par attaque chimique. Comme représenté à la figure 9, le circuit électronique 1 est ensuite formé, de manière classique, sur la face avant du substrat 17, dans la zone délimitée par le cordon 21. Au moins un orifice de communication 11 est formé dans cette 2875927 Il zone, à côté du circuit électronique 1, par exemple par gravure dans la couche avant de silicium 19. La première cavité 3, disposée sous la membrane 2 et délimitée latéralement par le cordon 21, est ensuite formée dans la couche d'oxyde enterrée 18, par attaque de la couche d'oxyde enterrée 18 à travers le/les orifices de communication 11. La couche d'oxyde enterrée 18 sert ainsi, dans ce cas, de couche sacrificielle pour la formation de la première cavité 3. Sur la figure 11, comme dans le mode de réalisation représenté à la figure 5, la puce est alors complétée par scellement du capot de protection 5 sous pression élevée, la seconde cavité 4 étant disposée entre la membrane 2 et le capot 5. Comme précédemment, le/les orifices de communication 11 permettent l'égalisation des pressions dans les deux cavités 3 et 4 avant et/ou pendant le scellement. Ces orifices peuvent, comme représenté à la figure 11, être bouchés par le cordon de scellement 14, par exemple en verre fusible, qui est disposé entre la membrane 2 et le capot de protection 5 de manière à recouvrir les orifices de communication 11. Dans les modes de réalisation illustrés aux figures 8 à 13, l'épaisseur de la couche d'oxyde enterrée 18 définit la profondeur de la première cavité 3. Le dimensionnement des différents éléments de la puce doit tenir compte de cette profondeur et du débattement possible de la membrane 2. Or, les substrats 17 utilisés en technologie silicium sur isolant ont couramment une couche d'oxyde enterrée 18 de 3 m d'épaisseur. La membrane 2 doit alors avoir un diamètre suffisamment petit pour lui permettre d'atteindre sa limite à la rupture avant d'entrer en contact avec le fond de la première cavité 3. Avec la même pression de 10bars que dans l'exemple précédent, le diamètre de la membrane doit alors être inférieur ou égal à 0,1 mm. Il est alors possible de ne former sur la membrane 2 qu'une partie stratégique du circuit électronique 2, c'est-à- dire une partie dont la destruction provoque l'impossibilité d'utiliser la puce. Une membrane ayant une épaisseur de l'ordre de 1,51.tm peut alors être utilisée. Une telle épaisseur, bien qu'envisageable, peut être un peu faible pour y implanter le circuit électronique 1. Une alternative consiste à utiliser une membrane plus épaisse avec des zones préalablement fragilisées, par exemple par la formation de sillons de fragilisation dans la membrane. La couche de silicium avant 19 peut, par exemple, être épaissie par épitaxie, de manière à former une couche de silicium épitaxiée sur la couche de silicium avant 19, de manière à former une membrane 2 plus épaisse. Cette épitaxie est, de préférence, réalisée avant la formation du cordon 21. Le cordon 21 et les orifices de communication 11 traversent alors cette couche épitaxiée. Des sillons de fragilisation peuvent alors être formés dans la membrane. Dans une variante de réalisation illustrée à la figure 12, une couche de silicium épitaxiée 22 de quelques microns d'épaisseur est formée, après gravure et remplissage du cordon 21 par le nitrure de silicium, sur la couche de silicium avant 19, qui peut initialement avoir une épaisseur de l'ordre de 0,2 m. Un sillon de fragilisation 23 peut alors être gravé dans la couche de silicium épitaxiée 22, de préférence en regard et au- dessus du cordon 21. Il se forme ainsi automatiquement dans la couche 22, à la périphérie du sillon de fragilisation 23, une zone fragile 24, en silicium polycristallin, à forte concentration de contrainte, fragilisant la membrane à sa périphérie. Simultanément, la formation, comme sur la figure 10, de la première cavité 3 par attaque de la couche d'oxyde enterrée 18 à travers le/les orifices de communication 11, provoque, comme représenté à échelle agrandie sur la figure 12, une surgravure 25 de la base du cordon 21, disposée dans la couche 18. En effet, bien que plus faible que celle de l'oxyde de silicium (SiO2) de la couche 18, la vitesse de gravure du nitrure de silicium (Si3N4) remplissant le cordon 21 n'est pas nulle. Le cordon 21, qui sert de pilier d'encastrement pour la membrane 2, est ainsi fragilisé à sa base. Dans la variante de réalisation illustrée à la figure 13, le phénomène de surgravure est, de plus, utilisé pour fragiliser la membrane dans des emplacements prédéterminés de sa partie centrale. Pour cela, des orifices ou tranchées de fragilisation 26 fin(e)s sont gravé(e)s, en même temps que le cordon 21, dans la couche de silicium avant 19 et dans la couche 18, qu'ils traversent. Les orifices ou tranchées de fragilisation 26 sont rempli(e)s de nitrure de silicium en même temps que le cordon 21. Une couche de silicium épitaxiée 22 peut ensuite être formée sur la couche avant 19. Le diamètre ou la largeur des orifices/tranchées de fragilisation 26, de préférence inférieur(e) à un micron, est suffisamment petit(e) pour que l'attaque de la couche d'oxyde enterrée 18 pour former la première cavité 3 provoque une gravure totale du nitrure de silicium qu'ils contiennent dans la couche 18 et au moins une gravure partielle ou surgravure 27 dans la membrane, qui est ainsi fragilisée. Les orifices/tranchées de fragilisation 26 sont, de préférence disposé(e) s assez près des orifices de communication 11, qui sont utilisés pour la gravure de la première cavité 3 dans la couche d'oxyde enterrée 18. Sur la figure 13, après gravure du cordon 21 et des orifices/tranchées de fragilisation 26 et leur remplissage par du nitrure. Dans une autre variante de réalisation, le circuit électronique 1 est réparti sur une pluralité de membranes élémentaires, qui portent chacune une partie sensible du circuit électronique. La figure 14 représente schématiquement un exemple de disposition des éléments de support des membranes élémentaires (non représentées). Chaque membrane élémentaire est associée à une première cavité élémentaire 28 correspondante, rectangulaire sur la figure 14, et toutes les premières cavités élémentaires 28 communiquent entre elles. La seconde cavité 4, non représentée sur la figure 14, est commune à toutes les membranes élémentaires. Sur la figure 14, les cavités élémentaires 28 sont délimitées, à l'intérieur d'un cordon de support périphérique 29, par des cordons d'ancrage 30. Le cordon périphérique 29 est sensiblement carré et les cordons d'ancrage 30 forment des parois internes non jointives, de manière à permettre la communication entre deux premières cavités élémentaires 28 adjacentes. Le cordon de support périphérique 29 et les cordons d'ancrage 30, remplis de nitrure de silicium, peuvent être formés de la même façon que le cordon 21 décrit précédemment. Les premières cavités élémentaires 28 peuvent, comme la première cavité 3 décrite précédemment, être formées dans une couche sacrificielle en oxyde de silicium à travers des orifices de communication 11. Sur la figure 14, quatre orifices de communication 11 sont prévus dans quatre renfoncements 31, en saillie vers l'extérieur, des parois du cordon périphérique 29. En option, des piliers de blocage 32, également en nitrure de silicium, peuvent être prévus pour bloquer la membrane au-dessus de certaines cavités élémentaires 28 (dans la partie centrale sur la figure 14), de manière à maintenir constante une partie du volume de la première cavité. Il est ainsi possible de limiter la variation de pression en fonction de la déformation des membranes élémentaires non bloquées. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation particuliers décrits ci-dessus. En particulier, il est possible de combiner la répartition du circuit électronique sur des membranes élémentaires et la formation de sillons de fragilisation. Ces derniers peuvent, par exemple, être formés au-dessus du cordon périphérique 29 ou des cordons d'ancrage 30. Revendications 1. Procédé de protection d'une puce électronique, caractérisé en ce qu'au moins une partie d'un circuit électronique (1) de la puce est formée sur une membrane (2) rigide, mince, disposée entre des première et seconde cavités (3, 4), normalement à une pression sensiblement identique, très supérieure à la pression atmosphérique, une tentative d'intrusion provoquant une réduction de la pression dans l'une des cavités (3, 4), créant une différence de pression qui o brise la membrane (2). 2. Puce électronique autoprotégée pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'au moins une partie d'un circuit électronique (1) de la puce est formée sur une membrane rigide, mince, disposée entre des première et seconde cavités (3, 4) dans lesquelles la pression est normalement très supérieure à la pression atmosphérique. 3. Puce selon la revendication 2, caractérisée en ce que la pression dans les première et seconde cavités (3, 4) est de l'ordre de l'ordre d'une dizaine de bars. 4. Puce selon l'une des revendications 2 et 3, caractérisée en ce que la première cavité (3) étant disposée sous la membrane (2), la seconde cavité (4) est disposée entre la membrane (2) et un capot de protection (5). 5. Puce selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisée en ce que la membrane (2) est constituée par une couche mince de silicium (9, 19). 6. Puce selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisée en ce que la membrane (2) comporte des zones préalablement fragilisées. 7. Puce selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, caractérisé en ce que le circuit électronique (1) comporte une pluralité de parties sensibles réparties sur une pluralité de membranes élémentaires, associées à des premières cavités élémentaires (28) correspondantes, lesdites premières cavités élémentaires (28) communiquant entre elles et avec une seconde cavité (4) commune à toutes les membranes élémentaires. 8. Procédé de fabrication d'une puce selon l'une selon l'une quelconque des io revendications 2 à 7, caractérisé en ce qu'il comporte la formation d'au moins un orifice de communication (11) traversant la membrane (2), la mise sous pression des première et seconde cavités (3, 4) , reliées par ledit orifice de communication (11), et le bouchage dudit orifice de communication (11). 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit circuit électronique (1) étant formé, en technologie silicium sur isolant, sur une face avant d'un substrat (7) comportant une couche d'oxyde enterrée (8), la première cavité (3), disposée sous la membrane (2), est formée par attaque de la face arrière du substrat (7), avec arrêt sur l'oxyde enterré. 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que - ledit circuit électronique (1) est formé, en technologie silicium sur isolant, sur une face avant d'un substrat (17) comportant une couche d'oxyde (18) enterrée entre une couche de silicium arrière (20) et une couche de silicium avant (19), - un cordon (21), traversant la couche de silicium avant (19) et la couche d'oxyde enterrée (18), est gravé autour de ladite partie du circuit et délimite latéralement la membrane (2) dans ladite couche de silicium avant (19), - le cordon (21) est rempli par du nitrure de silicium, - l'orifice de communication (11) est formé dans la couche de silicium avant (19), - la première cavité (3), disposée sous la membrane (2) et délimitée latéralement par ledit cordon (21), est formée dans la couche d'oxyde enterrée (18) par attaque de la couche d'oxyde enterrée, à travers l'orifice de communication (11). 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que des tranchées de fragilisation (26), de moins d'un micron de largeur et traversant la couche de w silicium avant (19), sont gravées et remplies de nitrure de silicium en même temps que le cordon (21), l'attaque de la couche d'oxyde enterrée (18) pour former la première cavité (3) provoquant une gravure au moins partielle du nitrure de silicium du cordon (21) et des tranchées de fragilisation (26). 12. Procédé selon l'une des revendications 10 et 11, caractérisé en ce que la couche de silicium avant (19) est épaissie par épitaxie avant formation de ladite partie de la puce sur la face avant du substrat (17). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que la seconde cavité (4) est disposée entre la membrane (2) et un capot de protection (5), ledit capot de protection (5) étant scellé sous ladite pression, très supérieure à la pression atmosphérique, au moyen d'un cordon de scellement (14) recouvrant ledit orifice de communication (11). 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que la seconde cavité (4) étant disposée entre la membrane (2) et un capot de protection (5), le bouchage dudit orifice de communication (11) est réalisé après scellement du capot de protection (5). 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte le dépôt d'un film en verre de polysilicate, sur la membrane (2), autour de l'orifice de communication (11) et, après scellement du capot de protection (5), une étape de chauffage à haute température provoquant le fluage dudit film et le bouchage de l'orifice de communication (11) par le verre flué. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 12, caractérisé en ce qu'il comporte le maintien, entre les première et seconde cavités (3, 4), d'un passage à faible conductance hydraulique. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que ledit passage est formé par bouchage de l'orifice de communication (11) par un matériau de bouchage suffisamment poreux pour permettre un équilibre des pressions dans les première et seconde cavités (3, 4) en cas de variation lente des pressions, mais pas assez poreux pour permettre un équilibre des pressions en cas de variation brutale de la pression dans l'une des cavités. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que le matériau de bouchage est du verre de polysilicate. 19. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que ledit passage est formé par gravure, dans la membrane, d'un orifice additionnel ayant un diamètre inférieur à un micron. 20. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que ledit passage est formé, sur la membrane, par un capillaire (15), perpendiculaire à l'orifice de communication (11) avec lequel il communique et formé dans une couche mince (16) recouvrant l'orifice de communication (11). 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que ladite couche mince (16) recouvrant l'orifice de communication (11) et dans laquelle est formé le capillaire (15) est en métal.