FR 2875334 A1 20060317 FR 0409637 A 20040910 L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor réalisé en couches minces. Un transistor peut être réalisé sous forme de couches minces comme c'est le cas par exemple dans les circuits microélectroniques. Selon une conception possible, le canal (réalisé en matériau semi-conducteur) est séparé de la grille par une première couche mince (en matériau isolant) qui constitue le diélectrique du transistor. On peut alors réaliser la grille dans une seconde couche mince superposée à la première couche formant diélectrique. Afin de définir l'extension latérale de la grille (c'est-à-dire sa dimension selon une direction perpendiculaire à l'empilement des couches), une solution consiste à utiliser une gravure plasma, par exemple avec une chimie HBr/O2. Selon cette technique, expliquée à présent en référence aux figures 1 et 2, un masque de gravure 10 est déposé sur la seconde couche 8 destinée à former la grille. A cette étape, comme visible sur la figure 1, les différentes couches (notamment le canal 4 réalisé ici sous forme d'une couche mince et la seconde couche 6 formant diélectrique) ont des épaisseurs essentiellement constantes sur toute leur largeur. (Pour être complet, on peut également mentionner dans l'exemple décrit ici la couche enterrée 2 en matériau isolant l'ensemble couche enterrée 2 et canal 4 étant dans cet exemple réalisé par la technologie silicium-sur-isolant parfois dénommée selon l'acronyme anglais SOI.) Lorsque la structure qui vient d'être décrite (représentée à la figure 1) subit la gravure plasma déjà mentionnée, on obtient la structure telle que représentée à la figure 2: comme souhaité, la gravure plasma a permis d'obtenir une grille 12 d'extension latérale limitée par élimination de la seconde couche 8 dans les régions non recouvertes par le masque de gravure 10. On remarque toutefois que, du fait de la faible épaisseur de la première couche 6 formant diélectrique, la gravure plasma a provoqué l'oxydation des parties supérieures de la couche formant canal 4 (sauf au niveau de la grille 12 qui empêche cette oxydation), ce qui a pour effet de diminuer l'épaisseur de la couche formant canal, représentée avec son épaisseur réduite sous la référence 4' en figure 2. Un tel phénomène a par exemple été mis en évidence dans l'article "Sub-0, l pm gate etch processes: towards some limitations of the plasma technology?", de L. Desvoivres, L. Vallier et O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. B 18(1), janvier-février 2000. La figure 3 illustre le transistor obtenu par le procédé qui vient d'être décrit et pourvu de ses espaceurs 14. Comme prévisible en raison du phénomène qui vient d'être expliqué, l'épaisseur du canal 4' est réduite sous les espaceurs 14, ce qui conduit à une dégradation des performances du transistor ainsi formé, notamment par une augmentation de la résistance d'accès du canal qui provoque une diminution du courant de saturation du transistor. Cette dégradation des performances est de plus encore amplifiée lorsque la dimension latérale de la grille diminue, ce qui est la tendance actuelle en microélectronique. Afin d'éviter ces problèmes, l'invention cherche notamment à proposer une solution qui permette de préserver autant que possible l'épaisseur des régions situées de part et d'autre du canal, et en particulier sous les espaceurs, afin par exemple de conserver une couche d'épaisseur constante quand le canal est réalisé dans une couche mince. L'invention propose ainsi un procédé de fabrication d'un transistor comprenant une grille située à proximité immédiate d'un diélectrique, comportant une étape de gravure d'une couche de matériau de grille, cette étape de gravure de grille étant caractérisée par les étapes suivantes: gravure plasma de cette couche sur la majeure partie de son épaisseur afin de définir latéralement la grille; gravure chimique d'une partie résiduelle de cette couche pour définir cette grille jusqu'au diélectrique. Grâce à cette conception, la gravure plasma peut n'être appliquée que tant que le lieu de la gravure est à une distance suffisante du diélectrique, ce qui permet de réduire, voire de supprimer, l'effet néfaste de la gravure plasma sur les régions voisines du diélectrique, notamment sur les régions conductrices situées de part et d'autre du canal. En utilisant une gravure chimique très sélective par rapport au diélectrique, on supprime la partie résiduelle sans toutefois être gêné par l'effet néfaste lié à la gravure plasma. Par ailleurs, la gravure chimique, bien qu'anisotrope, ne compromet pas la définition latérale de la grille puisqu'elle est utilisée pour graver la partie résiduelle seulement. La partie résiduelle a par exemple une épaisseur inférieure ou égale à 10 nm, ce qui permet d'assurer une bonne définition de la fin de la grille par gravure chimique malgré l'anisotropie de cette méthode. Le diélectrique est réalisé par exemple sous forme d'une couche d'oxyde de silicium ayant une épaisseur inférieure ou égale à 3 nm. En variante, le diélectrique peut être réalisé sous forme d'une couche d'un matériau à haute permittivité ayant une épaisseur inférieure ou égale à 7 nm. L'invention est particulièrement appropriée dans ces différentes conditions, car la couche diélectrique ne permet pas alors d'assurer à elle seule une isolation des parties conductrices proches du canal de l'effet néfaste de la gravure plasma. Selon un premier mode de réalisation, la couche de matériau de grille comprend une première sous-couche recouverte par une seconde sous-couche, la première sous-couche et la seconde sous-couche étant réalisées dans des matériaux différents. Ce mode de réalisation permet de réaliser de manière pratique une distinction entre la partie à graver par gravure plasma et la partie à graver par gravure chimique. Par exemple, le matériau de la première sous-couche peut être 5 moins sensible à la gravure plasma que le matériau de la seconde sous-couche. Selon une possibilité de réalisation, la seconde sous-couche comporte un empilement de couches. Selon un second mode de réalisation, la couche de matériau de 10 grille est réalisée sous forme d'une couche uniforme, ce qui simplifie sa formation. On peut également prévoir que l'étape d'attaque de la partie résiduelle est précédée d'une étape d'implantation d'une espèce chimique dans la partie résiduelle. Cette étape peut permettre de faciliter, ou de rendre possible la gravure de la partie résiduelle par gravure chimique. La partie résiduelle est par exemple réalisée dans un matériau dont le travail de sortie est adapté à une tension de seuil du transistor prédéfinie. Le canal peut être réalisé dans une couche mince, qui recouvre par exemple une couche d'isolant. Dans ce cas, comme déjà mentionné, l'invention permet de conserver une épaisseur de canal constante sous les espaceurs. La technique proposée s'applique également dans le cas où le canal est formé dans un substrat semi-conducteur, comme un substrat massif de silicium. L'invention permet dans ce cas également d'empêcher une consommation de silicium en dehors du canal, ce qui évite de dégrader les performances du transistor soit en obtenant des jonctions source et drain plus profondes, soit en obtenant des sources et drains plus résistifs que prévus car moins épais. L'invention est notamment intéressante quand la gravure plasma utilise un pas de fin de gravure à base d'oxygène, car ce type de gravure plasma a tendance à oxyder les régions situées de part et d'autre du canal qui se situeraient à trop faible distance du lieu de la gravure. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description qui suit, faite en référence aux dessins annexés dans lesquels: - les figures 1 à 3 représentent des étapes d'un procédé de réalisation d'un transistor selon l'art antérieur tel que décrit précédemment; - les figures 4 à 9 représentent les étapes principales d'un procédé de fabrication d'un transistor conformément à un premier mode de réalisation de l'invention; - les figures 10 à 13 représentent les étapes principales d'un 10 procédé de fabrication d'un transistor conformément à un second mode de réalisation de l'invention. Un premier exemple de procédé réalisé conformément aux enseignements de l'invention va à présent être décrit en référence aux figures 4 à 9. La figure 4 représente une structure sous forme de couches à laquelle vont être appliquées les étapes du procédé réalisé conformément à l'invention. Cette structure présente huit couches ou sous-couches qui vont être décrites à présent de la couche la plus profonde à la couche surfacique. L'exemple représenté à la figure 4 utilise une structure dite siliciumsur-isolant, parfois dénommée selon l'acronyme SOI (de l'anglais "SiliconOnlnsulator"). Comme on l'indiquera à nouveau dans la suite, l'invention n'est toutefois pas limitée aux transistors basés sur ce type de technologie. Conformément à la technique SOI utilisée ici, une couche profonde 20 de silicium massif est recouverte par une couche d'oxyde de silicium 22 (parfois dénommée couche enterrée, d'où son appellation anglaise "BOx" pour "Buried Oxyde"), elle-même recouverte par une couche mince de silicium 24 destinée à former le canal du transistor comme on le verra dans la suite. La couche mince de silicium 24 a par exemple une épaisseur de l'ordre de 10 nm, voire inférieure à 10 nm. L'association de ces trois couches est généralement dénommée le substrat SOI. Le substrat SOI est recouvert d'une couche diélectrique 26 destinée à réaliser le diélectrique du transistor. La couche diélectrique 26 est donc réalisée en matériau isolant, par exemple un oxyde de silicium; en variante, il peut de plus s'agir d'un matériau à haute permittivité (c'est-à-dire dont la permittivité relative est supérieure à 10), tel que du ZrO2, du Hf02 ou du HfSiOX. L'épaisseur de la couche diélectrique 26 est en général inférieure à celle de la couche formant canal 24 (soit ici inférieure à 10 nm) ; l'épaisseur de la couche diélectrique 26 est par exemple de l'ordre de 1 nm (et en général inférieure à 3 nm), lorsque la couche diélectrique 26 est réalisée en oxyde de silicium, ou de l'ordre de 3 nm (et en général inférieure à 7 nm) lorsque la couche diélectrique 26 est réalisée dans un matériau à haute permittivité. La couche diélectrique 26 est recouverte d'un bi-couche composé d'une sous-couche mince 28 déposée au contact de la couche diélectrique 26 et d'une sous-couche épaisse 30 qui recouvre la sous-couche mince 28. La sous-couche mince 28 est avantageusement réalisée en métal pour supprimer les effets de poly-déplétion de grille. Le matériau qui la constitue est choisi pour son travail de sortie qui permet de régler la tension de seuil du transistor. Cette sous-couche de métal 28 sera avantageusement déposée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour ne pas créer de défauts dans le diélectrique de grille et pour permettre un dépôt en couche mince. La sous-couche épaisse 30 qui recouvre la sous-couche mince 28 peut être une couche conductrice, ce qui permet de réduire la résistance globale de la grille dans le cas où la sous-couche mince 28 est résistive. En variante, il peut s'agir d'une couche isolante. De manière générale, cette sous-couche 30 est choisie pour son aptitude à être gravée par gravure plasma et à présenter une sélectivité de gravure chimique par rapport à la sous-couche mince 28. On peut choisir par exemple de réaliser la sous-couche mince 28 en nitrure de titane (TiN) et la sous-couche épaisse 30 en silicium poly- cristallin. L'épaisseur de la sous-couche mince 28 est par exemple de l'ordre de grandeur de 5 nm, en général comprise entre 2 nm et 10 nm. La sous- couche épaisse 30 a une épaisseur supérieure, par exemple comprise entre 40 nm et 100 nm. En variante, la sous-couche mince 28 pourrait être réalisée sous forme d'un film de tungstène (W), de nitrure de molybdène (MoN) ou de nitrure 5 de tantale (TaN), ou en aluminium (Al) Le bi-couche 28, 30 est recouvert par une couche-masque 32 destinée à former un masque de gravure, par exemple réalisée en oxyde de silicium (SiO2), elle-même recouverte par une couche de résine 34. La structure composée des couches 20 à 34 qui vient d'être décrite est par exemple réalisée par le dépôt successif des couches et sous-couches. A partir de la structure représentée à la figure 4 et qui vient d'être décrite, on procède tout d'abord à la définition de motifs dans la couche de résine 34, par exemple par lithographie optique ou électronique. On obtient alors une structure du type représenté à la figure 5, dans laquelle la couche de résine 34 est à présent réduite à des motifs 34' formés dans cette couche. Pour simplifier l'exposé, on ne considérera ici qu'un seul motif 34' destiné à définir le masque de gravure de la grille du transistor comme expliqué dans la suite. On réalise alors la gravure de la couche-masque 32, par exemple par gravure plasma, afin d'obtenir un masque de gravure 32', utilisé pour la gravure plasma comme expliqué dans la suite, et dont la géométrie reprend par définition celle du masque de résine 34' (voir figure 6). Après élimination du masque de résine 34', on réalise le report du motif défini par le masque de gravure 32' dans la sous-couche épaisse 30 au moyen d'une gravure plasma, par exemple avec un pas de fin de gravure à base d'oxygène, précisément ici avec une chimie HBr/02. (En variante, il pourrait s'agir d'une chimie C12/02.) Ce type de gravure est très anisotrope, ce qui permet d'obtenir après gravure une grille 30' dont l'extension latérale, bien que réduite (30 nm et moins), correspond précisément à celle du masque de gravure 32', et ce malgré l'épaisseur importante de la sous-couche épaisse 30, comme visible à la figure 7. La gravure plasma est effectuée tant qu'elle n'atteint pas la sous-couche mince 28, ce qui est facilement détectable par exemple en analysant les résidus de gravure: la gravure plasma doit être arrêtée lorsque l'on commence à détecter le matériau de la sous-couche mince 28 dans les résidus de gravure. En variante, on peut utiliser un système de détection in situ pour détecter la mise à nu de la sous-couche mince. En variante, on pourrait choisir le matériau de la sous-couche mince 28 du bi-couche afin qu'il ne soit pas altéré par la gravure plasma qui vient d'avoir lieu. Ainsi, la sous-couche mince 28 n'est pas modifiée par la gravure plasma. Tout au long de la gravure plasma, la couche formant canal 24 est séparée de la surface subissant la gravure plasma non seulement par la couche diélectrique 26, mais également par la sous-couche mince 28. Les effets de la gravure plasma sur la couche formant canal 24 sont donc très limités, voire totalement supprimés, par la présence de la sous-couche mince 28. II peut être précisé sur ce point que la dénomination "sous-couche mince" donnée à la sous-couche du bi-couche en contact avec la couche diélectrique 26 est donnée relativement à la sous-couche épaisse 30 qui forme l'autre partie du bi-couche. Toutefois, comme on l'a vu précédemment, la sous-couche mince 28 du bi-couche a en général une épaisseur au moins égale, et ici supérieure, à celle de la couche diélectrique 26; ainsi, la présence de la sous-couche mince 28 permet au moins de doubler la distance séparant le lieu de la gravure plasma de la couche formant canal 24. Comme on l'a vu, la gravure plasma permet de définir la grille 30' dans la sous-couche épaisse 30, c'est-à-dire sur une épaisseur comprise entre 40 nm et 100 nm pour reprendre les valeurs précédemment évoquées. On procède alors à une étape de gravure chimique afin d'éliminer les parties de la sous-couche mince 28 non recouvertes par la grille 30'. Dans le cas précédemment mentionné où la sous-couche mince 28 est réalisée en nitrure de titane (TiN), on utilise par exemple une gravure chimique du type "Standard Clean 2". Dans le cas où la sous-couche mince est en aluminium, on peut utiliser une solution d'acide orthophosphorique (H3PO4). La gravure chimique est en tout cas choisie de telle sorte qu'elle élimine la sous-couche mince 28 (sauf dans les régions où celle-ci est recouverte par la grille 30'), sans altérer la grille 30' (ici en silicium) ni la couche diélectrique 26 (ici en oxyde de silicium). Comme indiqué précédemment, la gravure chimique laisse toutefois subsister une partie 28' de la sous-couche mince 28 située sous la grille 30'. Cette partie 28' issue de la sous-couche mince 28 vient compléter la grille 30' dans son épaisseur, ici donc en prolongeant la grille d'une épaisseur de 10 nm (correspondant à l'épaisseur de la sous-couche mince 28 déjà donnée comme exemple). Du fait de la faible épaisseur relative de la sous-couche 28 (par exemple par rapport à l'épaisseur de la sous-couche épaisse 30) 10 nm ou moins comme indiqué ci-dessus, le fait d'utiliser une gravure chimique ne pose pas de problème en terme de définition de l'extension latérale de la partie inférieure de la grille 28' malgré l'isotropie de cette technique de gravure. Comme on l'a vu, la grille du transistor est finalement constituée d'une première partie 30' issue de la sous-couche épaisse 30 et d'une seconde partie 28' issue de la sous-couche mince 28. Ainsi, on a réalisé la gravure de la grille d'une part par gravure plasma, sur une partie substantielle de son épaisseur (ici au moins 80 %), et d'autre part par gravure chimique pour la partie restante. Cette solution permet de profiter de la forte anisotropie de la gravure plasma pour définir la cote de la grille avec une bonne définition, sans que toutefois cette gravure plasma ne vienne diminuer l'épaisseur de la couche de silicium en dehors du canal formé par la couche 24, et ce grâce à la présence de la sous-couche mince 28 durant la phase de gravure plasma. De plus, l'étape de gravure chimique qui vient terminer la gravure de la grille permet de conserver l'épaisseur initiale de la couche de silicium en dehors du canal et, du fait de la faible épaisseur de la couche mince, cette étape de gravure chimique conserve la cote définie lors de l'étape précédente de gravure plasma. La structure ainsi obtenue permet d'obtenir un transistor dont les principaux éléments, y compris les espaceurs 36, sont représentés à la figure 9. Comme visible sur cette figure et déjà indiqué précédemment, la couche formant canal 24 n'a subi aucune altération, notamment de part et d'autre du canal, au cours des précédentes étapes de fabrication; cette couche a donc une épaisseur constante et présentera donc une résistance d'accès optimale. Un second exemple d'un procédé réalisé conformément aux enseignements de l'invention va à présent être décrit en référence aux figures 10 à 13. La figure 10 représente une structure en couche mince analogue à celle présentée dans le premier mode de réalisation en référence à la figure 6, à ceci près notamment que le bi-couche 28, 30 du premier mode de réalisation est remplacé dans ce second mode de réalisation (figure 10) par une couche uniforme 50. Plus précisément, la structure utilisée ici comprend tout d'abord un substrat SOI formé par une épaisseur de silicium massif 40 recouverte par une couche enterrée 42 réalisée en matériau isolant (oxyde de silicium), elle-même recouverte par une couche 44 en matériau semi-conducteur (ici du silicium) destinée à former le canal du transistor. Le substrat SOI composé de ces trois éléments est quant à lui recouvert par une couche formant diélectrique 46, qui peut être également réalisée en oxyde de silicium, ou en d'autres matériaux à haute permittivité (oxydes à forte constante diélectrique) comme précédemment mentionné. Comme indiqué pour le premier mode de réalisation de l'invention, l'épaisseur de cette couche formant diélectrique 46 est typiquement d'environ 1 nm lorsqu'elle est réalisée en oxyde de silicium ou 3 nm en oxyde à forte constante diélectrique. La couche formant diélectrique 46 est recouverte d'une couche épaisse 50 destinée à former, après gravure pour définir son extension latérale, la grille du transistor. La couche épaisse 50 est ici réalisée en polysilicium avec une épaisseur de 60 nm. En variante, d'autres matériaux pourraient être utilisés, tels que du nitrure du titane (TiN), du tungstène (W), du nitrure de molybdène (MoN) ou du nitrure de tantale (TaN). On choisira par exemple le matériau de grille pour son travail de sortie qui permet de régler la tension seuil du transistor. Afin de ne pas créer de défaut dans le diélectrique de grille, on pourra déposer la couche épaisse 50 par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). La couche épaisse 50 porte un motif de gravure 52 qui peut être défini d'une manière semblable au masque de gravure 32' impliqué dans le premier mode de réalisation. Selon le procédé décrit ici, on soumet alors la structure qui vient d'être décrite et qui est représentée à la figure 10 à une gravure plasma, ici par exemple avec une chimie HBr/02. On interrompt toutefois la gravure plasma avant que celle-ci n'ait totalement éliminé les parties de la couche épaisse 50 qui ne sont pas situées sous le motif de gravure 52, afin de laisser ainsi subsister une couche résiduelle 48, dont l'épaisseur est par exemple comprise entre 5 nm et 10 nm. Pour ce faire, on utilise par exemple un système in situ de mesure d'épaisseur, tel que la technique d'ellipsométrie. Après cette étape de gravure partielle par plasma de la couche épaisse 50, qui permet toutefois de définir la cote de la grille 50' dans une partie substantielle de son épaisseur (ici au minimum sur une épaisseur de 50 nm à comparer à l'épaisseur initiale de la couche épaisse 50 de 60 nm), on obtient la structure représentée à la figure 11: sous le motif de gravure 52, la couche épaisse 50 demeure inchangée afin de définir la grille 50' ; en dehors du motif de gravure 52, seule une couche résiduelle 48 subsiste (avec une composition identique à celle de la couche épaisse 50 dont elle est issue). Du fait de l'interruption de la gravure plasma avant que celle-ci n'ait éliminé totalement la couche épaisse dans les régions situées en dehors de la grille 50', le lieu de la gravure est toujours séparé de la couche formant canal 44 non seulement par la couche formant diélectrique 46, mais aussi par la couche résiduelle 48 (soit par une distance minimum de 8 nm si l'on utilise une couche formant diélectrique 46 de 3 nm d'épaisseur environ et une couche résiduelle 48 d'au moins 5 nm d'épaisseur comme indiqué précédemment). Ainsi, l'étape de gravure plasma ne provoquera pas d'altération de la couche formant canal 44 (et notamment dans le cas de la gravure plasma avec une chimie HBr/O2, pas d'oxydation des parties situées de part et d'autre du canal). On procède alors à une implantation d'une espèce chimique dans la couche résiduelle 48. Pour ce faire, on peut utiliser par exemple une implantation ionique basse énergie. Dans le cas décrit ici où la couche épaisse 50 est réalisée en polysilicium, on peut implanter du bore avec une énergie de 250 eV ou du germanium avec une énergie de 3 keV. Afin de modifier suffisamment la composition de la couche résiduelle 48 par cette implantation, on choisira des doses d'implantation élevées, par exemple supérieures à 1015 at.cm-2. On obtient ainsi la structure représentée à la figure 12: les régions 48' de la couche résiduelle qui ne sont pas situées sous le motif de gravure 52, c'est-à-dire qui ne sont pas situées au niveau de la grille 50', ont subi l'implantation et leur composition chimique est donc modifiée de façon importante; la région de la couche résiduelle 48 située sous la grille 50' n'a pas subi d'implantation du fait de la protection réalisée par cette même grille 50' et cette région a donc une composition inchangée qui forme un prolongement de la grille 50'. On procède alors à l'élimination par gravure chimique des parties 48' de la couche résiduelle dont la composition chimique a été modifiée. On choisit naturellement pour cette gravure un agent chimique qui réagit avec la partie 48' dopée par implantation, mais qui laisse intacte la grille 50' (ici en polysilicium) et les couches inférieures, notamment la couche formant diélectrique. Dans le cas où l'espèce implantée était du bore comme proposé ci- dessus, on réalise par exemple la gravure chimique au moyen d'une solution TMAH (Tétra Méthyl Ammonium Hydroxyde). Dans le cas où l'espèce implantée est du germanium (également donné en exemple ci-dessus), on peut utiliser pour la gravure chimique une solution d'acide acétique, d'acide fluorhydrique et d'eau oxygénée ou une solution d'acide acétique, d'acide fluorhydrique et d'acide nitrique. On obtient alors la structure représentée à la figure 13 sur la base de laquelle on peut réaliser un transistor avec des propriétés électriques satisfaisantes, en utilisant notamment la couche 44 formant canal d'épaisseur constante, la couche 46 formant diélectrique et la grille 50' gravée dans la couche épaisse 50. Les exemples qui viennent d'être donnés ne sont que des modes 5 possibles de réalisation de l'invention. Comme déjà mentionné, l'invention est notamment applicable quand le substrat de départ n'est pas un substrat SOI comme dans les exemples cidessus, mais un substrat de silicium massif. Dans ce cas comme dans les exemples précédents, l'invention permet d'éviter une consommation de silicium en dehors du canal, ce qui évite de dégrader les performances du transistor soit en obtenant des jonctions source et drain plus profondes, soit en obtenant des sources et drains plus résistifs que prévus car moins épais. Par ailleurs, une étape d'implantation de la partie résiduelle de la couche de matériau de grille pourrait par exemple être également réalisée dans le cas où la couche de matériau de grille est formée par deux souscouches dans des matériaux différents. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un transistor comprenant une grille (28', 30' ; 50') située à proximité immédiate d'un diélectrique (26; 46), comportant une étape de gravure d'une couche (28, 30; 50) de matériau de grille, cette étape de gravure de grille étant caractérisé par les étapes suivantes: gravure plasma de cette couche (28, 30; 50) sur la majeure partie de son épaisseur afin de définir latéralement la grille (30' ; 50'); gravure chimique d'une partie résiduelle (28; 48') de cette couche pour définir cette grille (28', 30' ; 50') jusqu'au diélectrique (26; 46). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite 15 partie résiduelle (28; 48') a une épaisseur inférieure ou égale à 10 nm. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le diélectrique est réalisé sous forme d'une couche (26; 46) d'oxyde de silicium ayant une épaisseur inférieure ou égale à 3 nm. 4. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le diélectrique est réalisé sous forme d'une couche (26; 46) d'un matériau à haute permittivité ayant une épaisseur inférieure ou égale à 7 nm. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche de matériau de grille (28, 30) comprend une première sous-couche (28) recouverte par une seconde sous-couche (30), la première sous-couche (28) et la seconde sous-couche (30) étant réalisées dans des matériaux différents. 2875334 15 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le matériau de la première sous-couche (28) est moins sensible à la gravure plasma que le matériau de la seconde sous-couche (30). 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que la seconde sous-couche comporte un empilement de couches (30, 32). 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche de matériau de grille (50) est réalisée sous forme d'une couche 10 uniforme. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'étape de gravure chimique est précédée d'une étape d'implantation d'une espèce chimique dans la partie résiduelle (48'). 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que la gravure plasma utilise un pas de fin de gravure à base d'oxygène. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce 20 que la partie résiduelle (28; 48') est réalisée dans un matériau dont le travail de sortie est adapté à une tension de seuil du transistor prédéfinie.