FR 2877512 A1 20060505 FR 0502899 A 20050323 La présente invention concerne de manière générale la protection contre les décharges électrostatiques ("DES") et, plus particulièrement, un circuit et un procédé de protection d'un amplificateur de puissance contre des événements DES. Dans un appareil de communication sans fil, tel qu'un téléphone cellulaire, un dispositif à circuit amplificateur de puissance, est habituellement aménagé du côté émission pour amplifier les signaux à émettre. Le dispositif à circuit amplificateur de puissance comprend des éléments d'amplification à semi-conducteurs, tels que des transistors à effet de champ de type métal-oxyde-semi-conducteur ("MOSFET") qui se présentent sous la forme d'un circuit intégré ("Cl"). Cependant, un CI à semi-conducteurs est généralement sujet à un événement de décharge électrostatique ("DES"), qui peut endommager ou détruire le CI. Un événement DES est une décharge électrostatique d'un courant (positif ou négatif) sur une courte durée au cours de laquelle une grande quantité de courant est délivrée au CI. Le courant élevé peut s'être accumulé à partir d'une variété de sources, telles que le corps humain et des machines, appelés modèle de corps humain ("MCH") et modèle machine ("MM"), respectivement. Un CI est particulièrement sujet à une accumulation de MCH et MM pendant la fabrication, le transport ou la manipulation. On a utilisé en général des diodes pour la protection anti-DES dans les CI du fait qu'elles peuvent être aisément mises en oeuvre avec des procédés de fabrication relativement simples. Cependant, un circuit de protection anti-DES utilisant des diodes uniquement peut ne pas être approprié pour protéger un dispositif à circuit amplificateur de puissance contre des événements DES, comme expliqué ci-dessous en se référant à la Fig. 1. La Fig. 1 est un schéma de circuit d'un système 10 utilisant un circuit DES classique pour protéger un amplificateur de puissance. Le système 10 comprend un circuit de protection anti- DES 12, un plot conducteur 14 et un amplificateur de puissance 16. Le circuit de protection anti-DES 12 comprend une première diode 12-1 couplée entre une première ligne d'alimentation VDD et le plot conducteur 14, et une deuxième diode 12-2 couplée entre le plot conducteur 14 et une seconde ligne d'alimentation VSS. Le plot conducteur 14 est connecté à un circuit d'adaptation 16-1, par exemple, un circuit RLC, de l'amplificateur de puissance 16 pour recevoir une tension de sortie de l'amplificateur de puissance 16. L'amplificateur de puissance 16 est connecté entre la première ligne d'alimentation VDD et la seconde ligne d'alimentation VSS. Le niveau de tension de la ligne VDD est approximativement de 2,5 volts (V). L'amplificateur de puissance 16 peut délivrer une tension d'environ 2 VDD ou 5 V au plot conducteur 14 en fonctionnement normal. La tension de sortie de 5 V, supérieure à VDD plus la tension de seuil (par exemple, 0, 7 V) de la première diode 12-1, rend passante la première diode 12-1, qui ne devrait pas être conductrice au cours d'un fonctionnement normal. La mise en service inattendue de la première diode 12-1 peut provoquer un dysfonctionnement de l'amplificateur de puissance 16. On pourra trouver d'autres exemples de dispositifs à circuit amplificateur de puissance dans le brevet U.S. n 6 459 340 délivré à Apel et coll. et intitulé "Power Amplifier Mismatch Protection with Clamping Diodes in RF Feedback Circuit" ("le brevet '340") et dans le brevet U.S. n 6 624 999 délivré à Johnson et intitulé "Electrostatic Discharge Protection Using Inductors" ("le brevet '999"). Le brevet '340 divulgue un circuit comprenant un jeu de diodes de blocage ou de niveau formé entre les bornes d'un transistor opérant en amplificateur de puissance. Le circuit peut ne pas réagir rapidement à un événement DES en raison de la faible vitesse de conduction des multiples diodes. Le brevet '999 divulgue un circuit comprenant un inducteur ou bobine couplé(e) entre un CI à protéger et un dispositif de blocage anti-DES. Du fait que l'inducteur est formé à l'extérieur du CI, le CI lui-même n'est pas muni d'une protection anti-DES et peut être exposé à un événement DES pendant le transport et la manipulation. La présente invention concerne un circuit et un procédé qui pallient un ou plusieurs problèmes résultant des limitations et des désavantages de la technique antérieure. A cet effet, la présente invention a pour objet un circuit pour la protection d'un amplificateur de puissance contre les décharges électrostatiques (DES), qui comprend un circuit de blocage connecté entre une première ligne d'alimentation et une ligne de connexion, et un circuit de détection connecté entre la ligne de connexion et une seconde ligne d'alimentation pour détecter si un événement DES se produit au niveau d'un plot conducteur couplé à l'amplificateur de puissance et pour activer le circuit de blocage en réponse à un événement DES, caractérisé en ce qu'un courant DES dû à l'événement DES est acheminé par le circuit de blocage à la première ligne d'alimentation. Selon d'autres caractéristiques de l'invention, ce circuit comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes: - un circuit de blocage connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation; - un circuit de détection connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit sur la première ligne d'alimentation; et - un circuit de retard compris dans le circuit de détection. La présente invention a également pour objet un circuit pour la protection d'un amplificateur de puissance contre les décharges électrostatiques (DES), qui comprend un premier circuit de blocage connecté entre une première ligne d'alimentation et une ligne de connexion, un second circuit de blocage connecté entre la ligne de connexion et une seconde ligne d'alimentation, et un circuit de détection connecté entre la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation pour détecter si un événement DES se produit au niveau d'un plot conducteur couplé à l'amplificateur de puissance, caractérisé en ce que le circuit de détection active le premier circuit de blocage en réponse à un événement DES pour acheminer un courant DES à la première ligne d'alimentation et active le second circuit de blocage en réponse à l'événement DES pour acheminer le courant DES à la seconde ligne d'alimentation. Selon d'autres caractéristiques de l'invention, ce circuit comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes: - un troisième circuit de blocage connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation; un circuit de détection connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit sur la première ligne d'alimentation; - le circuit de détection connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation active le troisième circuit de blocage en réponse à un événement de décharge électrostatique pour acheminer un courant de décharge électrostatique de la première ligne d'alimentation à la seconde ligne d'alimentation; - un transistor semi-conducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ connecté entre le plot conducteur et la seconde ligne d'alimentation; et - le circuit de détection connecté entre la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation active le transistor semi-conducteur à oxyde de métal ou le dispositif à oxyde de champ pour acheminer un courant de décharge électrostatique du plot conducteur à la seconde ligne d'alimentation. La présente invention a également pour objet un circuit pour la protection d'un amplificateur de puissance contre les décharges électrostatiques (DES), caractérisé en ce qu'il comprend un premier circuit de blocage connecté entre une première ligne d'alimentation et une ligne de connexion, un second circuit de blocage connecté entre la première ligne d'alimentation et une seconde ligne d'alimentation, un premier circuit de détection connecté entre la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation pour détecter si un événement DES se produit au niveau d'un plot conducteur couplé à l'amplificateur de puissance, et pour activer le premier circuit de blocage en réponse à l'événement DES pour acheminer un courant DES à la première ligne d'alimentation, et un second circuit de détection connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation pour détecter si un événement DES se produit sur la première ligne d'alimentation et pour activer le second circuit de blocage en réponse à l'événement DES pour acheminer un courant DES à la seconde ligne d'alimentation. Selon d'autres caractéristiques de l'invention, ce circuit comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes: - un troisième circuit de blocage connecté entre 25 la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation; - le premier circuit de détection active le troisième circuit de blocage pour acheminer un courant de décharge électrostatique à la seconde ligne d'alimentation; - un transistor semi-conducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ connecté entre le plot conducteur et la seconde ligne d'alimentation; - le premier circuit de détection active le transistor semi-conducteur à oxyde de métal ou le dispositif à oxyde de champ pour acheminer un courant de décharge électrostatique du plot conducteur à la seconde ligne d'alimentation; chacun des premier, deuxième et troisième circuits de blocage comprend un transistor semi- conducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ; et - chacun des premier et second circuits de détection comprend un circuit de retard RC. La présente invention a également pour objet un procédé de protection d'un amplificateur de puissance contre les décharges électrostatiques (DES), qui comprend la fourniture d'une première ligne d'alimentation et d'une seconde ligne d'alimentation, la fourniture d'une ligne de connexion entre la première et la seconde ligne d'alimentation, la connexion d'un circuit de blocage entre la première ligne d'alimentation et la ligne de connexion, la connexion d'un circuit de détection entre la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation, le couplage d'un plot conducteur à l'amplificateur de puissance, la détection de l'occurrence éventuelle d'un événement DES au niveau du plot conducteur, l'activation du circuit de blocage lorsqu'un événement DES est détecté, et l'acheminement d'un courant DES du plot conducteur à la première ligne d'alimentation. Selon d'autres caractéristiques de l'invention, ce circuit comprend une ou plusieurs des caractéristiques suivantes: - la connexion d'un circuit de blocage entre la première et la seconde ligne d'alimentation; - la connexion d'un circuit de détection entre la première et la seconde ligne d'alimentation pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit sur la première ligne d'alimentation; - l'activation du circuit de blocage connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation si un événement de décharge électrostatique est détecté sur la première ligne d'alimentation; et l'acheminement d'un courant de décharge électrostatique de la première ligne d'alimentation à la seconde ligne d'alimentation; - la connexion d'un circuit de blocage entre la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation; - l'activation du circuit de blocage connecté entre la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation si un événement de décharge électrostatique est détecté au niveau du plot conducteur; et l'acheminement d'un courant de décharge électrostatique du plot conducteur à la seconde ligne d'alimentation via la ligne de connexion; - la connexion d'un transistor semi-conducteur à oxyde de métal entre le plot conducteur et la seconde ligne d'alimentation; - l'activation du transistor semi-conducteur à oxyde de métal si un événement de décharge électrostatique est détecté au niveau du plot conducteur; et l'acheminement d'un courant de décharge électrostatique directement du plot conducteur à la seconde ligne d'alimentation; - le couplage d'une diode entre la première ligne d'alimentation et la ligne de connexion; et le blocage de la ligne de connexion à un niveau de tension fixe; et - la connexion d'un transistor semi-conducteur à oxyde de métal entre la première ligne d'alimentation et la ligne de connexion; et le blocage de la ligne de connexion à un niveau de tension fixe. La présente invention sera mieux comprise à la lumière de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple, et faite en relation avec les dessins annexés, sur lesquels des références identiques désignent des parties similaires et dans lesquels: la Fig. 1 est un schéma d'un circuit d'un système utilisant un circuit de décharge électrostatique ("DES") classique pour la protection d'un amplificateur 20 de puissance; la Fig. 2 est un schéma d'un circuit pour une protection contre les DES selon une forme de réalisation de 1a présente invention; la Fig. 3 est un schéma d'un circuit pour la 25 protection contre les DES selon une autre forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 4 est un schéma d'un circuit pour la protection contre les DES selon encore une autre forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 5 est un schéma d'un circuit pour la protection contre les DES selon encore une autre forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 6A est un schéma d'un circuit pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 6B est un schéma d'un circuit pour la protection contre les DES selon une autre forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 6C est un schéma d'un circuit pour la protection contre les DES selon encore une autre forme 10 de réalisation de la présente invention; la Fig. 7A est un schéma d'un circuit pour la protection contre les DES selon autre forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 7B est un schéma d'un circuit pour la 15 protection contre les DES selon autre forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 8A est un schéma d'un circuit pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 8B est un schéma d'un circuit pour la protection contre les DES selon une autre forme de réalisation de la présente invention; la Fig. 9A est un graphique montrant le résultat d'une simulation pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention; et la Fig. 9B est un graphique montrant le résultat d'une simulation d'un circuit pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention. La Fig. 2 est le schéma d'un circuit 20 pour la protection contre les décharges électrostatiques ("DES") selon une forme de réalisation de la présente invention. Le circuit 20 comprend un circuit de blocage 22 et un circuit de détection 24 pour la protection d'un circuit central à fréquence radio 16, tel qu'un amplificateur de puissance, contre des événements DES. Le circuit de blocage 22 est connecté entre une première ligne d'alimentation VDD et une ligne de connexion 26. Le circuit de détection 24 est connecté entre une seconde ligne d'alimentation VSS et la ligne de connexion 26 et comprend une borne (non numérotée) couplée à une borne (non numérotée) du circuit de blocage 22. Le circuit 20 comprend en outre une première diode 28-1 et une deuxième diode 28-2. La première diode 28-1 est couplée entre un plot conducteur 14 et la ligne de connexion 26. La deuxième diode 28-2 est couplée entre le plot conducteur 14 et la seconde ligne d'alimentation VSS. Le plot conducteur 14 sert de plot de sortie pour transmettre des signaux à partir de l'amplificateur de puissance 16. En fonctionnement, lorsqu'un événement DES se produit au niveau du plot conducteur 14, le circuit de détection 24 détecte l'événement DES et délivre un signal pour mettre en service le circuit de blocage 22. Un courant DES dû à l'événement DES est acheminé du plot conducteur 14 à la première ligne d'alimentation VDD via la première diode 28-1, la ligne de connexion 26 et le circuit de blocage 22. En fonctionnement normal, le circuit de détection 24 met hors service le circuit de blocage 22. Le fonctionnement du circuit de détection 24 et du circuit de blocage 22 sera discuté en détail en se référant au schéma de circuit représenté sur la Fig. 7A. La Fig. 3A est un schéma d'un circuit pour la protection contre les DES selon une autre forme de réalisation de la présente invention. Le circuit 30 a une structure de circuit similaire à celle du circuit 20 illustré sur la Fig. 2, si ce n'est qu'un autre circuit de blocage 32 et un autre circuit de détection 34 sont ajoutés. Le circuit de blocage 32 est connecté entre la première ligne d'alimentation VDD et la seconde ligne d'alimentation VSS. Le circuit de détection 34 est couplé entre la première ligne d'alimentation VDD et la seconde ligne d'alimentation VSS et comprend une borne (non numérotée) couplée à une borne (non numérotée) du circuit de blocage 32. En fonctionnement, lorsqu'un événement DES se produit sur la première ligne d'alimentation VDD, le circuit de détection 34 détecte l'événement DES et délivre un signal pour mettre en service le circuit de blocage 32. Un courant DES dû à l'événement DES est acheminé de la première ligne d'alimentation VDD à la seconde ligne d'alimentation VSS via le circuit de blocage 32. La Fig. 4 est un schéma d'un circuit 40 pour la protection contre les DES selon encore une autre forme de réalisation de la présente invention. Le circuit 40 a une structure de circuit similaire à celle du circuit représenté sur la Fig. 2, si ce n'est qu'un autre circuit de blocage 42 est ajouté. Dans les formes de réalisation précitées concernant le circuit 20 ou le circuit 30, un événement DES se produisant au niveau du plot conducteur 14 peut provoquer une défaillance de la deuxième diode 28- 2. Le circuit de blocage 42 est destiné à protéger la deuxième diode 28-2 contre une défaillance par des événements DES. Le circuit de blocage 42 est connecté entre la ligne de connexion 26 et la seconde ligne d'alimentation VSS et comprend une borne (non numérotée) couplée à la borne du circuit de détection 24. En fonctionnement, lorsqu'un événement DES se produit au niveau du plot conducteur 14, le circuit de détection 24 détecte l'événement DES et délivre un signal pour mettre en service les circuits de blocage 22 et 42. Un courant DES dû à l'événement DES est acheminé par un premier chemin partant du plot conducteur 14 et arrivant à la première ligne d'alimentation VDD via la première diode 28-1, la ligne de connexion 26 et le circuit de blocage 22 ou par un second chemin partant du plot conducteur 14 et arrivant à la seconde ligne d'alimentation VSS via la première diode 28-1, la ligne de connexion 26 et le circuit de blocage 42. Le second chemin passant par le circuit de blocage 42 protège la deuxième diode 28-2 contre des événements DES, qui se déchargent à travers la deuxième diode 28-2. La Fig. 5 est un schéma d'un circuit 50 pour la protection contre les DES selon encore une autre forme de réalisation de la présente invention. En se référant à la Fig. 5, tous les éléments ont été décrits précédemment, excepté la première diode 52. Comme illustré, la première diode 52 comprend une chaîne de diodes pour prévenir les circuits de blocage 22 et 42 d'une mise en service erronée. Si la première diode 52 ne comprend qu'une diode, lorsqu'un niveau de tension au niveau du plot conducteur 14 (VpAp) en fonctionnement normal devient supérieur à VDD plus la tension de seuil de la diode (VCUT-IN) , c'est-à-dire VpAp > VDD + VCUT-IN, le circuit de blocage 22 ou 42 peut être mis en service par inadvertance, ce qui n'est pas souhaitable. La Fig. 6A est un schéma d'un circuit 60 pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention. Le circuit 60 a une structure similaire à celle du circuit 20 illustré sur la Fig. 2, si ce n'est qu'une troisième diode 62 est ajoutée. La troisième diode 62, couplée entre la première ligne d'alimentation VDD et la ligne de connexion 26, empêche la tension sur la ligne de connexion 26 de flotter. Une ligne de connexion flottante 26 peut entraîner un fonctionnement erroné du circuit de détection 24. Lorsqu'un niveau de tension en un point P (Vp) devient approximativement égal à VDD moins la tension de seuil de la troisième diode 62 (V,,3), c'est-à-dire, Vp VDD - Vp3r la troisième diode 62 est bloquée. Le niveau de tension de la ligne de connexion 26 est bloqué à un niveau fixe, Vp. La Fig. 6B est un schéma d'un circuit 70 pour la protection contre les DES selon une autre forme de réalisation de la présente invention. Le circuit 70 a une structure de circuit similaire à celle du circuit 60 représenté sur la Fig. 6A, si ce n'est qu'un transistor semi-conducteur à oxyde de métal de type p ("PMOS") 72 est utilisé en lieu et place de la troisième diode 62. Le transistor PMOS 72 comprend une grille (non numérotée) couplée à la ligne de connexion 26, une source (non numérotée) couplée à la première ligne d'alimentation VDD et un drain et un substrat (non numérotés ni l'un ni l'autre) couplés à la ligne de connexion 26. Lorsqu'un niveau de tension en un point Q (VQ) devient approximativement égal à VDD moins la tension de seuil du transistor PMOS 72 (VTHp), c'est-à-dire VQ = VDD - VTHp, le transistor PMOS 72 devient bloquant. Le niveau de tension de la ligne de connexion 26 est bloqué à un niveau fixe, VQ_ La Fig. 6C est un schéma d'un circuit 80 pour la protection anti-DES selon encore une autre forme de réalisation de la présente invention. Le circuit 80 a une structure de circuit similaire à celle du circuit 60 représenté sur la Fig. 6A, si ce n'est qu'un transistor semi- conducteur à oxyde de métal de type n ("NMOS") 82 est utilisé en lieu et place de la troisième diode 62. Le transistor NMOS 82 comprend une grille et un drain (non numérotés) couplée à la première ligne d'alimentation VDD, une source (non numérotée) couplée à la ligne de connexion 26 et un substrat (non numéroté) couplé à la seconde ligne d'alimentation VSS. Lorsqu'un niveau de tension en un point R (VR) devient approximativement égal à VDD moins la tension de seuil du transistor NMOS 82 (VTHN), c'est- à-dire, VR VDD VTHN, le transistor NMOS 82 devient bloquant. Le niveau de tension de la ligne de connexion 26 est bloqué à un niveau fixe, VR. La Fig. 7A est un schéma d'un circuit 90 pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention. En se référant à la Fig. 7A, les circuits de blocage 22 et 42 comprennent des transistors NMOS désignés par N3 et N4, respectivement. Le circuit de détection 24 comprend un circuit RC et un circuit semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire ("CMOS") formé en parallèle avec le circuit RC. Le circuit RC comprend une résistance désignée par R et un transistor NMOS désigné par N1. Le transistor NMOS N1 comprend une grille (non numérotée) couplée à une extrémité B de la résistance R et une source, un substrat et un drain (non numérotés) couplés ensemble à la seconde ligne d'alimentation VSS. Le transistor NMOS N1 a pour fonction de servir de condensateur. Le circuit CMOS comprend un transistor PMOS désigné par Pl et un transistor NMOS désigné par N2. Les grilles (non numérotées) du transistor PMOS P1 et du transistor NMOS N2 sont couplées ensemble à l'extrémité B de la résistance R. Les drains (non numérotés) du transistor PMOS P1 et du transistor NMOS N2 sont couplés aux grilles (non numérotées) de transistors NMOS N3 et N4. En fonctionnement, lorsqu'un événement DES se produit au niveau du plot conducteur 14, en raison d'un effet de retard du circuit RC, le niveau de tension en un point B (VB) s'élève plus lentement qu'en un point A (VA), c'est-à-dire que VB Le circuit 90 comprend en outre un circuit de blocage 32 et un circuit de détection 34, qui ont une structure de circuit similaire à celle du circuit de blocage 22 et du circuit de détection 24, respectivement. En fonctionnement, lorsqu'un événement DES se produit sur la première ligne d'alimentation VDD, en raison de l'effet de retard du circuit RC, le point de tension en un point B' (VB.) s'élève plus lentement qu'en un point A' (VA0), c'est-à-dire que VB, La Fig. 7B est un schéma d'un circuit 100 pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention. Le circuit 100 a une structure similaire à celle du circuit 90 représenté sur la Fig. 7A, si ce n'est qu'un transistor NMOS désigné par N7 est utilisé en lieu et place de la deuxième diode 28-2. En fonctionnement, lorsqu'un événement DES se produit au niveau du plot conducteur 14, Vc est tirée vers VA, ce qui a pour effet de rendre le transistor NMOS N7 passant. Un courant DES dû à l'événement DES est acheminé du plot conducteur 14 à la seconde ligne d'alimentation VSS via le transistor NMOS N7. La Fig. 8A est un schéma d'un circuit 110 pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention. Le circuit 110 a une structure de circuit similaire à celle du circuit 90 représenté sur la Fig. 7A, si ce n'est que, dans un circuit de blocage, un dispositif à oxyde de champ ("FOD") est utilisé en lieu et place d'un transistor MOS. En se référant à la Fig. 8A, le circuit 110 comprend des circuits de blocage 122, 132 et 142 et des circuits de détection 124 et 134. Chacun des circuits de blocage 122, 132 et 142 comprend un FOD. Un FOD est un dispositif déclenché par un substrat et a une meilleure résistance aux DES qu'un dispositif MOS. Un exemple d'un tel FOD est décrit dans le brevet U.S. n 5 744 842 délivré à Ker, un des inventeurs de la présente invention, et intitulé "Area-Efficient VDD-to-VSS ESD Protection Circuit." La Fig. 8B est un schéma d'un circuit 120 pour la protection contre les DES selon une autre forme de réalisation de la présente invention. Le circuit 120 a une structure similaire à celle du circuit 110 représenté sur la Fig. 8A, si ce n'est qu'un FOD désigné par N8 est utilisé en lieu et place de la deuxième diode 28-2. La fonction et l'objet du FOD N8 sontsimilaires à ceux du FOD 122, 132 ou 142 représentés sur la Fig. 8A et, par suite, ne seront pas discutés. La Fig. 9A est un graphique montrant le résultat d'une simulation d'un circuit pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention. En se référant à la Fig. 9A, une onde sinusoïdale ayant un niveau de tension pic à pic approximativement de 5 V est appliquée à un plot conducteur 14 représenté, par exemple, sur la Fig. 7A. L'onde sinusoïdale représente un signal de tension qui apparaît au niveau du plot conducteur 14 lors d'un fonctionnement normal. La courbe représentée en dessous de l'onde sinusoïdale est un signal de tension de sortie (Vc) du circuit de détection 24 illustré sur la Fig. 7A. Le niveau de tension Vc est approximativement de 0 V, inférieur à une tension de seuil de 0,5 V du transistor NMOS N3 ou N4. Les circuits de blocage 22 et 42 ne sont pas mis en service, alors qu'ils sont censés l'être en fonctionnement normal. La Fig. 9B est un graphique montrant le résultat d'une simulation d'un circuit pour la protection contre les DES selon une forme de réalisation de la présente invention. En se référant à la Fig. 9B, une impulsion ayant une amplitude de 5 V et durant environ 220 nanosecondes (ns) est appliquée au plot conducteur 14 représenté sur la Fig. 7A. L'impulsion représente un événement DES. Le niveau de tension de sortie Vc du circuit de détection 24 est approximativement de 0,8 V, supérieur à une tension de seuil de 0, 5 V du transistor NMOS N3 ou N4. Les circuits de blocage 22 et 24 sont mis en service pour acheminer un courant DES. La description précédente des formes de réalisation préférées de la présente invention a été présentée à des fins d'illustration et de description. Elle n'est pas destinée à être exhaustive ou à limiter l'invention aux formes précises décrites. De nombreuses variations et modifications des formes de réalisation de la présente demande seront évidentes pour l'homme de métier à la lumière de la description présentée ci-dessus. La portée de l'invention doit être définie uniquement par les revendications ci-annexées et par leurs équivalents. En outre, lors de la description des formes de réalisation représentatives de la présente invention, la description peut avoir présenté le processus et/ou le procédé de la présente invention comme une séquence particulière d'étapes. Cependant, dans la mesure où le processus ou le procédé ne repose pas sur l'ordre particulier des étapes présentées dans la présente demande, le processus ou le procédé ne sera pas limité(e) à la séquence particulière d'étapes décrites. Comme l'homme de métier le comprendra, d'autres séquences d'étapes peuvent être possibles. Par suite, l'ordre particulier des étapes présentées dans la description ne sera pas interprété comme des limitations apportées aux revendications. En outre, les revendications visant le processus et/ou le procédé de la présente invention ne seront pas limitées à l'exécution de leurs étapes dans l'ordre écrit et l'homme de métier pourra aisément comprendre que les séquences peuvent être modifiées et encore rester dans l'esprit et la portée de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Circuit pour la protection d'un amplificateur de puissance (16) contre les décharges électrostatiques, comprenant: un circuit de blocage (22; 122) connecté entre une première ligne d'alimentation (VDD) et une ligne de connexion (26) ; et un circuit de détection (24; 124) connecté entre la ligne de connexion (26) et une seconde ligne d'alimentation (VSS) pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit au niveau d'un plot conducteur (14) couplé à l'amplificateur de puissance (16) et pour activer le circuit de blocage (22; 122) en réponse à un événement de décharge électrostatique, caractérisé en ce qu'un courant de décharge électrostatique dû à l'événement de décharge électrostatique est acheminé par le circuit de blocage (22; 122) à la première ligne d'alimentation (VDD). 2. Circuit selon la revendication 1, comprenant en outre un circuit de blocage (32; 132) connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation (VDD, VSS). 3. Circuit selon la revendication 2, comprenant en outre un circuit de détection (34; 134) connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation (VDD, VSS) pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit sur la première ligne d'alimentation (VDD). 4. Circuit selon la revendication 3, dans lequel le circuit de détection (34; 134) connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation active le circuit de blocage (32; 132) connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation pour acheminer un courant de décharge électrostatique de la première ligne d'alimentation (VDD) à la seconde ligne d'alimentation (VSS). 5. Circuit selon la revendication 1, comprenant en outre un circuit de blocage (42; 142) connecté entre la ligne de connexion (26) et la seconde ligne d'alimentation (VSS). 6. Circuit selon la revendication 5, dans lequel le circuit de détection (24; 124) active le circuit de blocage (42; 142) connecté entre la ligne de connexion (26) et la seconde ligne d'alimentation (VSS) pour acheminer un courant de décharge électrostatique du plot conducteur (14) à la seconde ligne d'alimentation (VSS). 7. Circuit selon la revendication 1, comprenant en outre une diode (28-1) couplée entre la ligne de 20 connexion (26) et le plot conducteur (14). 8. Circuit selon la revendication 1, comprenant en outre une diode (28-2) couplée entre le plot conducteur (14) et la seconde ligne d'alimentation (VSS). 9. Circuit selon la revendication 1, comprenant en outre une chaîne de diodes (52) couplées en série entre la ligne de connexion (26) et le plot conducteur (14). 10. Circuit selon la revendication 1, comprenant 30 en outre une diode (62) couplée entre la première ligne d'alimentation (VDD) et la ligne de connexion (26). 11. Circuit selon la revendication 1, comprenant en outre un transistor (72) semi-conducteur à oxyde de métal connecté entre la première ligne d'alimentation (VDD) et la ligne de connexion (26) et comprenant une grille couplée à la ligne de connexion (26). 12. Circuit selon la revendication 1, comprenant en outre un transistor (82) semi-conducteur à oxyde de métal connecté entre la première ligne d'alimentation (VDD) et la ligne de connexion (26) et comprenant une grille couplée à la première ligne d'alimentation (VDD). 13. Circuit selon la revendication 1, dans lequel le circuit de blocage (22; 122) comprend un transistor semi-conducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ. 14. Circuit selon la revendication 2, dans lequel le circuit de blocage (32; 132) connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation (VSS, VDD) comprend un transistor semi-conducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ. 15. Circuit selon la revendication 5, dans lequel le circuit de blocage (32; 132) connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation (VDD, VSS) comprend un transistor semi-conducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ. 16. Circuit selon la revendication 5, comprenant en outre un transistor semi-conducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ connecté entre le plot conducteur (14) et la seconde ligne d'alimentation (VSS). 17. Circuit selon la revendication 1, dans lequel le circuit de détection (24; 124) comprend un circuit de retard RC. 18. Circuit pour la protection d'un amplificateur de puissance (16) contre les décharges électrostatiques 5 comprenant. un premier circuit de blocage (22; 122) connecté entre une première ligne d'alimentation (VDD) et une ligne de connexion (26) ; un deuxième circuit de blocage (42; 142) connecté entre la ligne de connexion (26) et une seconde ligne d'alimentation (VSS) ; et un circuit de détection (24; 124) connecté entre la ligne de connexion (26) et la seconde ligne d'alimentation (VSS) pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit au niveau du plot conducteur (14) couplé à l'amplificateur de puissance (16), caractérisé en ce que le circuit de détection 24; 124) active le premier circuit de blocage (22; 122) en réponse à un événement de décharge électrostatique pour acheminer un courant de décharge électrostatique à la première ligne d'alimentation (VDD) et active le deuxième circuit de blocage (42; 142) en réponse à l'événement de décharge électrostatique pour acheminer le courant de décharge électrostatique à la seconde ligne d'alimentation (VSS). 19. Circuit selon la revendication 18, comprenant un troisième circuit de blocage (32; 132) connecté 30 entre la première et la seconde ligne d'alimentation (VDD, VSS). 20. Circuit selon la revendication 19, comprenant un circuit de détection (34; 134) connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation (VDD, VSS) pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit sur la première ligne d'alimentation (VDD). 21. Circuit selon la revendication 20, dans lequel le circuit de détection (34; 134) connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation active le troisième circuit de blocage (32; 132) en réponse à un événement de décharge électrostatique pour acheminer un courant de décharge électrostatique de la première ligne d'alimentation (VDD) à la seconde ligne d'alimentation (VSS). 22. Circuit selon la revendication 18, comprenant un transistor semiconducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ connecté entre le plot conducteur (14) et la seconde ligne d'alimentation (VSS). 23. Circuit selon la revendication 22, dans lequel le circuit de détection (24; 124) connecté entre la ligne de connexion (26) et la seconde ligne d'alimentation (VSS) active le transistor semi- conducteur à oxyde de métal ou le dispositif à oxyde de champ pour acheminer un courant de décharge électrostatique du plot conducteur (14) à la seconde ligne d'alimentation (VSS). 24. Circuit pour la protection d'un amplificateur de puissance (16) contre les décharges électrostatiques 30 (DES), caractérisé en ce qu'il comprend: un premier circuit de blocage (22; 122) connecté entre une première ligne d'alimentation (VDD) et une ligne de connexion (26) ; et un deuxième circuit de blocage (32; 132) connecté entre la première ligne d'alimentation (VDD) 5 et une seconde ligne d'alimentation (VSS) ; un premier circuit de détection (24; 124) connecté entre la ligne de connexion (26) et la seconde ligne d'alimentation (VSS) pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit au niveau d'un plot conducteur (14) couplé à l'amplificateur de puissance (16) et pour activer le premier circuit de blocage (22; 122) en réponse à l'événement de décharge électrostatique pour acheminer un courant de décharge électrostatique à la première ligne d'alimentation; et un second circuit de détection (34; 134) connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation (VDD, VSS) pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit sur la première ligne d'alimentation (VDD), et pour activer le deuxième circuit de blocage (32; 132) en réponse à l'événement de décharge électrostatique pour acheminer un courant de décharge électrostatique à la seconde ligne d'alimentation (VSS). 25. Circuit selon la revendication 24, comprenant un troisième circuit de blocage (42; 142) connecté entre la ligne de connexion (26) et la seconde ligne d'alimentation (VSS). 26. Circuit selon la revendication 25, dans lequel le premier circuit de détection (24; 124) active le troisième circuit de blocage (42; 142) pour acheminer un courant de décharge électrostatique à la seconde ligne d'alimentation (VSS). 27. Circuit selon la revendication 25, comprenant en outre un transistor semi-conducteur à oxyde de métal 5 ou un dispositif à oxyde de champ connecté entre le plot conducteur (14) et la seconde ligne d'alimentation (VSS). 28. Circuit selon la revendication 27, dans lequel le premier circuit de détection (24; 124) active le transistor semi-conducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ pour acheminer un courant de décharge électrostatique du plot conducteur (14) à la seconde ligne d'alimentation (VSS). 29. Circuit selon la revendication 25, dans lequel chacun des premier, deuxième et troisième circuits de blocage comprend un transistor semiconducteur à oxyde de métal ou un dispositif à oxyde de champ. 30. Circuit selon la revendication 24, dans 20 lequel chacun des premier et second circuits de détection comprend un circuit de retard RC. 31. Procédé de protection d'un amplificateur de puissance contre les décharges électrostatiques, caractérisé en ce qu'il comprend: la fourniture d'une première ligne d'alimentation et d'une seconde ligne d'alimentation; la fourniture d'une ligne de connexion entre la première et la seconde ligne d'alimentation; la connexion d'un circuit de blocage entre la 30 première ligne d'alimentation et la ligne de connexion; la connexion d'un circuit de détection entre la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation; le couplage d'un plot conducteur à l'amplificateur de puissance; la détection de l'occurrence éventuelle d'un événement de décharge électrostatique au niveau du plot conducteur; l'activation du circuit de blocage lorsqu'un événement de décharge électrostatique est détecté ; et l'acheminement d'un courant de décharge électrostatique du plot conducteur à la première ligne d'alimentation. 32. Procédé selon la revendication 31, comprenant également la connexion d'un circuit de blocage entre la 15 première et la seconde ligne d'alimentation. 33. Procédé selon la revendication 32, comprenant également la connexion d'un circuit de détection entre la première et la seconde ligne d'alimentation pour détecter si un événement de décharge électrostatique se produit sur la première ligne d'alimentation. 34. Procédé selon la revendication 33, comprenant également: l'activation du circuit de blocage connecté entre la première et la seconde ligne d'alimentation si un événement de décharge électrostatique est détecté sur la première ligne d'alimentation; et l'acheminement d'un courant de décharge électrostatique de la première ligne d'alimentation à la seconde ligne d'alimentation. 35. Procédé selon la revendication 31, comprenant également la connexion d'un circuit de blocage entre la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation. 36. Procédé selon la revendication 35, comprenant également: l'activation du circuit de blocage connecté entre la ligne de connexion et la seconde ligne d'alimentation si un événement de décharge électrostatique est détecté au niveau du plot conducteur; et l'acheminement d'un courant de décharge électrostatique du plot conducteur à la seconde ligne d'alimentation via la ligne de connexion. 37. Procédé selon la revendication 35, comprenant également la connexion d'un transistor semi-conducteur à oxyde de métal entre le plot conducteur et la seconde ligne d'alimentation. 38. Procédé selon la revendication 37, comprenant également: l'activation du transistor semi-conducteur à oxyde de métal si un événement de décharge électrostatique est détecté au niveau du plot conducteur; et l'acheminement d'un courant de décharge électrostatique directement du plot conducteur à la seconde ligne d'alimentation. 39. Procédé selon la revendication 31, comprenant en outre. le couplage d'une diode entre la première ligne d'alimentation et la ligne de connexion; et le blocage de la ligne de connexion à un niveau de tension fixe. 40. Procédé selon la revendication 31, comprenant en outre: la connexion d'un transistor semi-conducteur à oxyde de métal entre la première ligne d'alimentation et la ligne de connexion; et le blocage de la ligne de connexion à un niveau 5 de tension fixe.