FR 2880991 A1 20060721 FR 0500454 A 20050117 Utilisation de composants supraconducteurs en couches minces comme inductance variable, dispositifs incluant de tels composants, et procédé de commande associé La présente invention concerne une utilisation d'un composant supraconducteur en couches minces comme inductance variable. Elle vise également des dispositifs réalisant une telle utilisation, ainsi qu'un procédé de commande de l'inductance d'un tel composant. Cette invention s'inscrit dans le domaine des composants électriques et électroniques supraconducteurs pour les secteurs de l'électrotechnique ou de l'électronique, de la téléphonie, des antennes et des composants à haute fréquence. Ces composants sont utiles en particulier pour l'imagerie médicale, les radars et l'électronique de défense, la téléphonie mobile, ainsi que la télévision ou la communication par satellite. La réalisation de composants inductifs supraconducteurs en couches minces est généralement effectuée par dépôt d'un film supraconducteur, généralement par des méthodes de vide telles que la pulvérisation cathodique ou l'ablation laser pulsée, puis la définition par photo lithogravure de une ou plusieurs spires. Dans cette technique la dimension du dispositif croit avec la valeur de son inductance. Un exemple pratique de réalisation consiste en une bobine comportant 5 spires dont le diamètre extérieur est de 15mm, avec des pistes de 0,4mm de largeur espacées de 0,3mm présentant une inductance de 2,12pH, qui est décrite dans le mémoire de thèse soutenu par Jean-Christophe Ginefri le 16 décembre 1999 à l'Université de Paris XI et intitulé Antenne de surface supraconductrice miniature pour l'imagerie RMN à 1,5 Tesla . La technique décrite ci-dessus présente deux inconvénients 30 principaux: - la surface occupée par chaque composant inductif est importante. Par exemple, le composant décrit au paragraphe précédent occupe une surface de plus de 700mm2: - si le composant est intégré dans un circuit, il est souvent nécessaire de 35 raccorder l'extrémité de la spire intérieure à une ligne supraconductrice. - 2 - Ceci implique un processus complexe comportant après le dépôt et la gravure des spires: a) le dépôt et la gravure d'un film isolant, b) le dépôt et la gravure sur cet isolant d'un deuxième film supraconducteur présentant des propriétés similaires à celles du premier film. Cette dernière étape est particulièrement délicate car il est nécessaire de réaliser une reprise d'épitaxie, technique qui est difficilement maîtrisable. Il existe d'autres procédés permettant de déposer une bobine en couches minces, mais ils présentent des difficultés de réalisation identiques à celles décrites ici. Par contre, ces techniques ne permettent pas d'obtenir des composants inductifs dont les caractéristiques d'inductance sont réglables facilement, une fois implantés dans un circuit ou un dispositif électrique ou électronique. Or il peut-être très utile de disposer de composants inductifs dont l'inductance peut être réglée après implantation, par exemple pour effectuer un étalonnage, une mesure, un réglage ou un ajustement au sein d'un appareil incluant de tels composants. Les dispositifs ou procédés connus pour cela utilisent souvent un ajustement ou un réglage de cette inductance par modification de la géométrie par une action mécanique. Il s'agit par exemple d'ajuster ou de régler la position d'un noyau de ferrite au coeur d'une bobine comme dans le brevet US 4 558 295, ou d'une électrode métallique entre deux parties diélectriques comme le décrit le brevet US 6 556 415 dans le cas d'un circuit résonant. Il peut s'agir également d'un déplacement de contact sur une piste conductrice formant un méandre déposé en couche mince, tel qu'enseigné par la demande de brevet US 2002/01 90835. Il est également possible d'associer sélectivement, par connexion électrique ou électronique, un certain nombre de sous composants d'inductance connue, comme le propose le brevet US 5 872 489, ce qui présente des limites évidentes, par exemple en terme de nombre de valeurs obtenues et de complexité de réalisation. Une autre méthode est proposée par le brevet US 5 426 409, qui consiste à contrôler par un courant variable le degré de saturation - 3 -magnétique du noyau d'une bobine. Lorsque les contraintes et les fréquences concernées le permettent, il est également possible d'ajuster une inductance par variation de fréquence sur un matériau semi-conducteur (technologie MESFET GaAs, décrite dans le brevet US 6 211 753). Ce type de solution n'est toutefois pas applicable dans tous les cas, et n'est pas toujours non plus miniaturisable au-delà d'une certaine limite. Avec les solutions connues, les composants obtenus peuvent être sujets à l'usure. Souvent, ils imposent un encombrement non négligeable. Ils présentent également des limites en matière de plages de fréquences et/ou de performances utilisables. De plus, ils sont souvent difficiles à intégrer dans des circuits fabriqués industriellement et à faible coût. Un but de la présente invention est de remédier à tout ou partie de ces inconvénients. Dans la demande de brevet français n 03 09212 du 28 Juillet 2003, les auteurs de la présente invention proposent un procédé de réalisation d'un composant supraconducteur inductif en couches minces, de bonnes performances en valeur d'inductance comme en matière de miniaturisation et d'intégration. Ce composant supraconducteur inductif présente au moins deux bornes et comprenant au moins un segment de ligne intégrant au moins une de ces bornes, ce segment de ligne constituant une couche conductrice ou supraconductrice au sein d'un empilement de films alternativement supraconducteurs et isolants. Plus particulièrement, ce segment de ligne peut être constitué d'une ligne supraconductrice traversant le composant et sur laquelle est déposé cet empilement. Au cours du développement et des essais de ce type de composant, dans certaines conditions, les inventeurs ont observé un comportement inductif dont l'inductance varie lorsque l'intensité d'un courant traversant ce composant varie. La présente invention propose d'utiliser, en tant que composant à inductance variable en fonction du courant le traversant, un composant supraconducteur inductif présentant au moins deux bornes et comprenant au moins un segment de ligne intégrant au moins une de ces bornes, ce - 4 segment de ligne constituant une couche conductrice ou supraconductrice au sein d'un empilement de films alternativement supraconducteurs et isolants. Dans le même esprit, l'invention propose un dispositif électronique comprenant au moins un tel composant inductif supraconducteur à inductance variable en fonction du courant le traversant, ledit composant inductif supraconducteur présentant au moins deux bornes et comprenant au moins un segment de ligne intégrant au moins une de ces bornes, ce segment de ligne constituant une couche conductrice ou supraconductrice au sein d'un empilement de films alternativement supraconducteurs et isolants. Selon un premier mode de réalisation, l'invention propose une telle utilisation dans laquelle la valeur d'inductance du composant inductif supraconducteur est modifiée ou commandée par des moyens de commande de courant agissant sur un courant continu qui traverse ledit composant. L'invention propose en particulier un procédé de commande de l'inductance d'un composant inductif supraconducteur, ce composant inductif supraconducteur présentant au moins deux bornes et comprenant au moins un segment de ligne intégrant au moins une de ces bornes, ce segment de ligne constituant une couche conductrice ou supraconductrice au sein d'un empilement de films alternativement supraconducteurs et isolants, ce composant étant soumis à une tension ou un courant alternatif, ce procédé comprenant une injection d'un courant de commande sensiblement continu en superposition du courant alternatif traversant ledit composant inductif supraconducteur. Dans ce mode de réalisation, un dispositif selon l'invention comprend au moins un composant inductif supraconducteur qui est traversé par un courant alternatif. Ce dispositif comprend en outre des moyens pour commander ou modifier la valeur d'inductance dudit composant inductif supraconducteur, ces moyens agissant sur l'intensité d'un courant continu traversant ledit composant inductif supraconducteur et se superposant au courant alternatif. - 5 - Dans un tel dispositif, le composant inductif supraconducteur peut être utilisé au sein d'un circuit électronique réalisant un filtrage de fréquence, dont au moins une caractéristique est modifiée par modification de l'inductance dudit composant inductif supraconducteur. Le composant inductif supraconducteur peut également être utilisé au sein d'un circuit électronique réalisant une ligne à retard, dont au moins une caractéristique est modifiée par modification de l'inductance dudit composant inductif supraconducteur. Plus particulièrement, le composant inductif supraconducteur peut être utilisé au sein d'un circuit électronique réalisant une antenne fabriquée à partir d'un film mince supraconducteur, au moins une caractéristique de cette antenne étant commandée ou modifiée par modification de l'inductance dudit composant inductif supraconducteur. L'invention propose alors également un dispositif de radar à décalage de phase comprenant une pluralité d'antennes comprenant chacune au moins un circuit électronique incluant une ligne à retard, cette ligne à retard étant agencée de sorte que chacune des desdites antennes émet ou reçoit un signal dont la phase est décalée par rapport à celle des antennes voisines, cet agencement étant commandé par modification de l'inductance dudit composant inductif supraconducteur. De plus, dans nombre d'applications il peut être utile de disposer d'un traitement modifiant certaines caractéristiques d'une ou plusieurs ondes mettant en jeu un courant alternatif, en particulier pour traiter une composante de cette onde lorsque cette composante représente un signal porteur d'informations. Un autre but de l'invention est alors d'utiliser ces variations d'inductance pour réaliser des traitements électroniques nouveaux ou pour réaliser de façon nouvelle des traitements électroniques qui étaient réalisés dans l'état de la technique de façon très différente ou avec d'autres types de composants. Selon un deuxième mode de réalisation, l'invention propose également une telle utilisation dans laquelle le composant inductif supraconducteur est soumis à une tension ou un courant ondulatoire - 6 -constituant au moins une onde, à laquelle il réagit avec un comportement inductif variant au sein d'une même période de cette onde, cette variation produisant une modification d'au moins une caractéristique de cette onde. Dans ce mode de réalisation, un dispositif selon l'invention comprend au moins un tel composant inductif supraconducteur qui est soumis à une tension ou un courant ondulatoire constituant au moins une onde, à laquelle ledit composant réagit avec un comportement inductif variant au sein d'une même période de cette onde, cette variation produisant une modification d'au moins une caractéristique de cette onde. Plus particulièrement, l'invention propose une telle utilisation pour réaliser un mélangeur de fréquence, ainsi qu'un dispositif réalisant cette utilisation. Au sein de ce mélangeur, au moins un tel composant inductif supraconducteur est soumis: - d'une part à une onde d'entrée comprenant au moins une première composante constituant un signal, dit signal d'entrée, à une première fréquence, dite fréquence haute, et - d'autre part à une onde régulière à une fréquence d'oscillation proche de la fréquence haute. Le comportement inductif dudit composant inductif supraconducteur produit alors une onde de sortie comprenant au moins une deuxième composante ondulatoire selon une deuxième fréquence, dite fréquence basse, valant approximativement la fréquence haute diminuée de la fréquence d'oscillation, ladite deuxième composante constituant un signal de sortie dépendant du signal d'entrée. Selon une particularité, un tel mélangeur comprend au moins un composant inductif supraconducteur monté en parallèle avec un composant oscillateur. Selon une autre particularité, un tel mélangeur comprend au moins un composant oscillateur en parallèle ainsi qu'un composant inductif supraconducteur en série monté en aval et à la sortie duquel est connecté au moins un montage capacitif et inductif réalisant un filtre passe-bas. 7 - L'invention propose également un système de réception d'un signal électromagnétique de transmission hertzienne comprenant un tel mélangeur. Dans le même esprit, l'invention propose également une telle utilisation pour réaliser un modulateur de fréquence, ainsi qu'un dispositif réalisant cette utilisation. Au sein de ce modulateur, au moins un tel composant inductif supraconducteur est soumis: - d'une part à une onde d'entrée comprenant au moins une première composante constituant un signal d'entrée à une première fréquence, dite fréquence basse, et - d'autre part à une onde régulière à une fréquence d'oscillation. Le comportement inductif dudit composant inductif supraconducteur produit alors une onde de sortie comprenant au moins une deuxième composante ondulatoire selon une deuxième fréquence, dite fréquence haute, valant approximativement la somme de la fréquence basse et de la fréquence d'oscillation, ladite deuxième composante constituant un signal de sortie dépendant du signal d'entrée. Selon une particularité, un tel modulateur comprend au moins un composant oscillateur en parallèle ainsi qu'un composant inductif supraconducteur en série monté en aval et à la sortie duquel est connecté au moins un montage capacitif et inductif réalisant un filtre passe-haut. L'invention propose alors un système d'émission d'un signal électromagnétique de transmission hertzienne comprenant un tel modulateur. Ainsi, l'invention propose un système de diffusion audiovisuelle ou de communication ou par satellite utilisant au moins l'un de ces dispositifs. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de mise en oeuvre nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 est un schéma d'un empilement E de couches alternativement supraconductrices C1 et isolantes C2 déposées sur un substrat S de façon à réaliser un composant inductif; - 8 - - la figure 2A est une vue de dessus d'une ligne supraconductrice LS comportant un composant inductif constitué de films alternativement supraconducteurs Cl et isolants C2; -la figure 2B est une vue en coupe d'une ligne supraconductrice LS comportant un composant inductif E constitué de films alternativement supraconducteurs Cl et isolants C2; - la figure 3A est une photographie du motif utilisé pour les tests montrant l'emplacement des entrées de courant I1 et I2, les plots de mesure V1 et V2 de la différence de potentiel aux bornes d'un pont recevant un composant inductif en couches minces, ainsi que l'emplacement de celui-ci; - la figure 3B représente le masque de photolithogravure utilisé pour réaliser le motif de test de la figure3A; - La figure 4 est un schéma du dispositif de mesure utilisé pour caractériser un composant inductif supraconducteur selon l'invention; - la figure 5 illustre une différence de potentiel mesurée entre les plots V1 et V2 (traits pleins) lorsqu'un courant (pointillés) en dents de scie à la fréquence de 1000 Hz circule dans l'échantillon; - la figure 6 représente une comparaison des différences de potentiel mesurées entre les plots V1 et V2 lorsque deux courants en dents de scie de même amplitude Imax =10 microampères mais de fréquences différentes circulent dans l'échantillon; - la figure 7 illustre une ligne de retard implémentant un composant inductif supraconducteur selon l'invention; -la figure 8 illustre un schéma de principe d'une antenne à décalage de phase utilisant de telles lignes à retard; - la figure 9 est une courbe représentant la valeur de la différence de potentiel mesurée entre les plots V1 et V2 en fonction de l'intensité circulant entre les plots I1 et I2, au cours d'une période d'un courant alternatif IAC à une fréquence de 2 kHz; - la figure 10 est une courbe représentant la valeur de la différence de potentiel mesurée entre les plots V1 et V2 en fonction du temps, lorsqu'un courant alternatif IAC en dents de scie (pointillés) à la fréquence de 10 kHz circule dans l'échantillon, dans le cas où un courant continu IDC - 9 circule également dans l'échantillon, et pour des intensités de ce courant continu IDC valant respectivement 0 A, 5 pA, et 10 pA. - la figure 11 illustre des valeurs d'inductance selon la fréquence et pour différentes intensités de ce courant continu IDC valant respectivement 0 A (points carrés), 5 pA (cercles), 10 pA (triangles montants) et -10 pA (triangles descendants) ; - la figure 12 est un schéma de principe d'un filtre passe-haut accordable selon l'invention; - la figure 13 est un schéma de principe d'un filtre passe-bas accordable selon l'invention; - la figure 14 est un schéma de principe d'un mélangeur hétérodyne selon l'art antérieur, utilisant une diode; - les figures 15 et 16 sont des schémas de principe de mélangeurs hétérodynes selon l'invention; - les figures 17 et 18 sont des schémas de principe de modulateurs selon l'art antérieur, à base de diodes et respectivement de transistors; - la figure 19 est un schéma de principe d'un modulateur selon l'invention. Le principe mis en oeuvre dans le composant et son procédé de réalisation selon l'invention comprend un empilement E de films minces, ou couches minces, alternativement supraconducteurs Cl et isolants C2, déposés sur un substrat S, en référence à la figure 1, ou bien sur une ligne supraconductrice LS. Il est important que les films C2 soient isolants et de bien contrôler d'éventuels défauts de croissance risquant de mettre deux films supraconducteurs voisins en contact direct. Cet empilement permet l'obtention de composants particulièrement performants, entre autres parce que de valeur d'inductance très élevée par rapport à leur taille. Au sein du comportement inductif de ce composant lorsqu'il reçoit un courant IAC ou une tension alternatifs ou transitoires, le principe consiste à obtenir une modification de ce comportement inductif en le faisant traverser par un courant continu IDC déterminé. En commandant la valeur de ce courant continu IDC, il est alors possible de commander la valeur d'inductance obtenue pour ce composant. - 10 - Il est ainsi possible de réaliser des composants présentant une inductance de la valeur voulue, ou d'une inductance pouvant être commandée en fonction des besoins. Il est également possible de réaliser des composants dont la valeur d'inductance peut être modifiée par le passage d'un courant à détecter ou à mesurer, ou par une ou plusieurs grandeurs physico-chimiques à détecter entraînant une variation d'un tel courant. Dans une forme de réalisation préférée de l'invention, le premier film déposé pour réaliser l'empilement E est isolant comme indiqué sur la figure 1. L'intégration de composants inductifs dans un circuit supraconducteur peut être effectuée de la façon indiquée sur les figures 2A et 2B en utilisant les techniques de dépôt de films minces bien connues de l'homme de l'art, par exemple l'ablation laser, la pulvérisation cathodique radiofréquence, l'évaporation sous vide, le dépôt chimique en phase vapeur et de manière générale toute technique de dépôt permettant l'obtention de couches minces. Il est à noter que dans cette version particulière du procédé selon l'invention correspondant aux figures 2A et 2B, un film supraconducteur L1 déposé sur un substrat S, une fois gravé, constitue une ligne supraconductrice LS sur laquelle sera placé l'empilement inductif E. Dans un exemple particulier de réalisation selon l'invention fourni à titre non limitatif, les matériaux choisis sont les composés YBa2Cu3O7-5 pour les films supraconducteurs et LaAIO3 pour les films isolants. Les épaisseurs sont de 10nm (10-9m) pour les films supraconducteurs et de 4nm (4.10-9m) pour les films isolants. 14 paires de films ont été déposées. Après dépôt, les films ont été gravés de façon à obtenir le motif représenté sur la figure 3A dans laquelle on distingue les contacts métallisés I1, I2 qui permettent d'amener le courant dans l'échantillon et ceux qui permettent de mesurer les tensions V1 et V2 aux bornes de l'élément central, appelé pont, du motif. A titre indicatif et non limitatif, la taille du pont est de 10pm x 20pm. La modification de la valeur de l'inductance peut toutefois être aussi obtenue avec des motifs de même forme mais de - 11 - dimensions différentes ou avec des motifs de forme différente de celle présentée sur les figures. Le dispositif de mesure utilisé pour caractériser les échantillons de composants inductifs supraconducteurs selon l'invention, représenté en figure 4, comporte un générateur GBF créant un courant variable dans le temps I(t) qui traverse la résistance R et l'échantillon Ech via les contacts I1 et I2. La différence de potentiel aux bornes de la résistance R est amplifiée par un amplificateur différentiel AI et envoyée sur une entrée YI de l'oscilloscope Osc. Elle permet de connaître l'intensité I(t) du courant traversant l'échantillon. La différence de potentiel aux bornes de l'échantillon est prélevée en V1 et V2, amplifiée par l'amplificateur Av et envoyée sur l'entrée Yv de l'oscilloscope Osc. La figure 5 montre les signaux recueillis en YI et Yv lorsque l'échantillon est à une température de 37 K. Dans le cas présent, l'échantillon était placé dans un cryogénérateur à hélium mais tout procédé permettant d'obtenir une température inférieure à la température critique de l'échantillon étudié convient. Le générateur délivre un courant en dents de scie à la fréquence de 1000 Hz. On a directement reporté la valeur du courant I(t). On observe que la différence de potentiel V(t) entre V1 et V2 présente la forme de créneaux, ce qui indique que V(t) est proportionnelle à la dérivée par rapport au temps de I(t). Cette caractéristique indique que l'échantillon se comporte bien comme un composant inductif. On a reporté sur la figure 6 les signaux V(t) mesurés à 700 Hz et 2kHz pour une valeur du courant crête égale à 10 pA dans les deux cas. Dans cette figure, le trait plein correspond à la tension relevée pour un courant à la fréquence F=700Hz et le trait pointillé à celle relevée pour un courant à la fréquence F=2000Hz. On observe que le rapport de l'amplitude des signaux obtenus est dans le rapport des fréquences appliquées, ce qui là aussi est typique d'un composant inductif. Des résultats présentés sur la figure 6, on déduit que l'inductance du composant réalisé selon l'invention est égale à 535 pH 10pH. Les composants testés n'ont pas tous présenté une inductance aussi élevée mais des valeurs de l'ordre de quelques dizaines de microhenry ont été - 12 couramment obtenues avec des composants de forme identique à celui présenté ici. Sur la figure 9, on constate que la valeur absolue de la tension V entre les plots V1 et V2 décroît lorsque l'intensité du courant IAC augmente en valeur absolue. Cette décroissance correspond à une réduction de l'inductance du dispositif de test quand le courant IAC croît en intensité au sein d'une de ses périodes. Sur la figure 10, est représentée la valeur de la différence de potentiel V mesurée entre les plots V1 et V2, au cours d'une période du courant alternatif IAC en dents de scie à une fréquence de 10 kHz, et dans l'état supraconducteur. Cette différence de potentiel V est représentée sur trois courbes différentes obtenues en faisant traverser ou non le dispositif de test par un courant continu IDC. Une première de ces courbes représente la situation avec IDC=O, soit avec un courant uniquement alternatif, et représente un comportement inductif du dispositif de test, Sur cette même figure et pour le même dispositif testé, une deuxième courbe pour cette tension V est obtenue avec un courant superposé IDC=5 pA (micro-ampères), pouvant être considéré comme continu par rapport à la fréquence du courant alternatif IAC. Cette deuxième courbe indique alors une inductance plus faible que la courbe obtenue avec courant alternatif seul. Avec un courant continu superposé plus important, valant IDC=10 pA (micro-ampères), une troisième courbe pour cette tension V indique une inductance du même dispositif testé encore plus faible que les première et deuxième courbes. La figure 11 représente une mesure de l'inductance du dispositif de test sur une plage de fréquence entre 100 Hz et 10 kHz, pour des valeurs de courant continu IDC superposé prenant les valeurs de 0,5pA, + 10pA, et 10pA (micro-ampères). Sur l'ensemble de cette plage de fréquence, on constate que la valeur de l'inductance diminue lorsque le courant continu IDC augmente en intensité, et ce dans les deux sens de ce courant IDC. Plus particulièrement sur la plage de fréquences où l'inductance est sensiblement constante c'est à dire entre 1 et 10kHz, cette inductance se présente comme une fonction décroissante de l'intensité de ce courant continu superposé IDC. - 13 - L'invention réalise ainsi un composant inductif à inductance variable en fonction du courant le traverse. En faisant traverser un tel composant supraconducteur inductif par un courant continu IDC commandé, on peut commander la valeur de l'inductance avec laquelle ce composant réagit à un signal alternatif correspondant. L'invention réalise ainsi un composant inductif réglable ou accordable, par commande d'un courant le traversant. De plus, lorsque que le composant est traversé par un courant alternatif, l'intensité instantanée le parcourant varie au cours de chaque période. Ainsi que l'indique la figure 9, l'inductance du composant varie également au cours de chaque période. En particulier lorsque ce courant alternatif correspond à une onde portant ou incluant un ou plusieurs signaux, cette variation d'inductance au sein même d'une période produit alors aux bornes du composant une tension alternative qui représente une version modifiée du signal porté par ce courant alternatif. Pour un comportement inductif classique, cette tension produite serait la dérivée par rapport au temps du courant qui traverse le composant. Dans le cas présent, la tension produite est une image modifiée de cette dérivée, et représente donc une version modifiée du signal d'entrée. Ainsi, l'invention réalise également un composant inductif de modification ou de traitement de signal. Les composants inductifs supraconducteurs obtenus par le procédé selon l'invention peuvent trouver des applications dans les domaines de l'électrotechnique ou de l'électronique, de la téléphonie, des antennes et des composants passifs à haute fréquence, en particulier pour l'imagerie médicale ainsi que les radars et l'électronique de défense. Dans un premier exemple d'application, des composants inductifs supraconducteurs sont implémentés dans des systèmes d'antennes. Ainsi, dans un certain nombre de cas, par exemple en imagerie médicale par résonance magnétique (IRM) de surface, on utilise des antennes accordées. Il est alors possible de réaliser un accord d'une antenne par réglage de l'inductance d'un ou plusieurs des composants inductifs qu'elle comprend.Un paramètre important intervenant dans l'efficacité de l'antenne est le 14 - coefficient de surtension qui est proportionnel à son inductance. Une antenne supraconductrice permet de faire croître ce coefficient car sa résistance ohmique est très faible. On peut penser obtenir un nouvel accroissement du coefficient de surtension en incluant dans le circuit d'antenne un dispositif du type de ceux décrits ici. Un cas particulièrement favorable sera celui ou l'antenne elle-même est réalisée à partir d'un film mince supraconducteur. Dans un autre exemple d'application, des composants inductifs supraconducteurs sont mis en oeuvre dans des lignes à retard. Les lignes à retard sont d'usage courant dans tous les domaines de l'électronique. La forme la plus simple que peut prendre une ligne à retard est représentée sur la figure 7. La présence dans le circuit de l'inductance L et du condensateur C provoque une différence de phase entre la tension V et le courant I. Un exemple d'utilisation est celui des radars à décalage de phase qui permettent d'explorer l'espace environnant avec un système d'antennes fixes. Un schéma de principe pour un tel système est reporté sur la figure 8. Dans ce dispositif la ligne principale portant le courant I est couplé aux différentes antennes. Chacune de celles-ci comporte dans son circuit une ligne à retard. Il en résulte que chaque antenne émet ou reçoit un signal dont la phase est décalée par rapport à celle des antennes voisines. En faisant varier ce décalage de phase on change la direction du rayonnement émis. En électronique de défense, on étudie depuis longtemps l'introduction de composants supraconducteurs dans les circuits électroniques, en particulier pour les radars et plus généralement les contre-mesures. La présence de composants à forte inductance, de petites dimensions et dont la fabrication utilise des processus similaires à ceux employés pour le reste du circuit serait une innovation importante dans ce domaine. Dans de telles applications, le composant selon l'invention, du fait qu'il est accordable en cours d'utilisation, peut être avantageusement utilisé pour modifier les caractéristiques ou le comportement d'un dispositif dans lequel il est inclus. Cela permet par exemple de modifier ou d'étalonner les caractéristiques d'une antenne composite et/ou active, par réglage global - 15 - ou différentié de l'inductance au sein des lignes à retard des antennes individuelles qui la composent. Les possibilités de réglages de telles antennes individuelles ou composites incluant le composant supraconducteur inductif accordable selon l'invention peuvent également permettre des avancées importantes, dans le domaine de l'imagerie médicale. Par exemple pour l'imagerie par IRM, l'utilisation de telles antennes pourrait permettre de réaliser des images avec différentes valeurs du champ magnétique appliqué. Ceci offrirait un degré de liberté supplémentaire pour optimiser la qualité des images obtenues. De tels composants inductifs performants et facilement intégrables peuvent également être utilisés de façon générique dans la plupart des applications générales de l'électronique, en particulier pour réaliser des fonctions de filtrage de tous types, par exemple passe-haut, passe- bas ou passe-bande. Il est alors possible de réaliser des filtres très intégrés et/ou miniaturisés. L'utilisation d'un composant selon l'invention permet en effet d'intégrer une inductance de valeur importante dans un circuit de faible encombrement Ainsi qu'illustré en figures 12 et 13 pour des filtres passe- haut et passe-bas, il est alors possible de filtrer de façon réglable une tension d'entrée V,n pour obtenir une tension de sortie V0, en utilisant une inductance variable L selon l'invention. Ainsi qu'illustré dans cet exemple, l'utilisation de composants inductifs selon l'invention permet de réaliser dans des circuits intégrés des filtres ne comportant que des condensateurs et des inductances, qui sont peu dissipatifs par rapport à des filtres construits avec des condensateurs et des résistances. En utilisant les variations d'inductance au sein d'une période ondulatoire, le composant selon l'invention est également utilisable de façon avantageuse pour réaliser un type de dispositif électronique appelé mélangeur, et utilisé en particulier dans la détection hétérodyne. Les mélangeurs sont très utilisés pour traiter une onde à une certaine fréquence fi, par exemple 12 GHz, en utilisant un oscillateur produisant une onde de fréquence f0, par exemple 10 GHz, de façon à obtenir une onde à - 16 - une fréquence f2=fl-fO portant un signal à détecter. De façon typique, un tel mélangeur est utilisé à proximité d'une antenne de réception pour décoder des signaux 12 GHz reçus depuis un satellite de télévision directe, et en tirer un signal à une fréquence voisine de 2 GHz qui sera envoyé par câble coaxial vers un démodulateur. Dans l'état de la technique, les mélangeurs sont typiquement réalisés à l'aide de composants discrets qui sont causes d'encombrement de coût et de fragilité, ou à l'aide de composants non linéaires, par exemple des diodes, qui présentent certains inconvénients, comme par exemple une dissipation importante d'énergie ou le fait de nécessiter un niveau de signal élevé. La figure 14 illustre ainsi un schéma de principe d'un tel mélangeur à diode. A titre d'exemple, la figure 15 représente un schéma de principe d'un composant inductif variable selon l'invention, utilisé pour réaliser une fonction de mélangeur de façon simple. Le courant à détecter i1 de fréquence fl, avec le courant iO issu d'un oscillateur local à la fréquence f0, est envoyé sur un composant à inductance variable Lv1 selon l'invention. La valeur de l'inductance du composant selon l'invention Lvl dépend alors du courant reçu, selon une fonction de la grandeur il+iO. Plus particulièrement dans certaines conditions, par exemple sur certaines plages de fréquences, cette fonction peut s'écrire sous la forme d'une relation comprenant un coefficient a pouvant être déterminé par différents types de mesures, par exemple similaires à celles illustrées en figures 9 et 10. Une telle relation peut s'écrire alors sous la forme suivante: L =Lo-a.(il+io) Dans laquelle LO est la valeur d'inductance du composant lorsque le courant continu superposé IDC est nul. En particulier lorsque l'amplitude du courant local iO issu de l'oscillateur est beaucoup plus importante, cette relation correspond à une relation de forme suivante: L =Lo-a.io Dans ces conditions, si le signal d'entrée est sinusoïdal, la tension de sortie V contient une composante Vf2 ondulant à la fréquence f2=f1-fO et - 17 - dépendant du signal d'entrée. Cette composante de fréquence fl-f0 présente alors la forme suivante: Vf2=ir.a.io.il.fl.sin[271(fo-fl)t+4] où 4 est la phase du signal du signal d'entrée par rapport à celui de l'oscillateur. Cette relation indique que le composant inductif variable selon l'invention se comporte bien comme un mélangeur. La figure 16 est un schéma de principe d'un mélangeur utilisant une inductance variable selon l'invention pour extraire un signal à une fréquence f2, à partir d'un signal S1 à une fréquence fl et en utilisant une onde à la fréquence f0 issue d'un oscillateur Osc et proche de fl, avec f2=fl-f0. Cette opération est utilisable par exemple pour obtenir un signal S2 en l'extrayant du signal S1 provenant par exemple d'une antenne de réception. Par rapport au schéma de la figure 15, le schéma de la figure 16 comporte en outre un condensateur C et une inductance LA, constituant un filtre passe- bas, en sortie d'inductance variable. La présence de ce filtre permet d'isoler en sortie le signal S2 à la fréquence f2=fl-f0, et peut être utile voire nécessaire pour intégrer ce type de mélangeur au sein d'un dispositif de traitement de signal. Le composant inductif accordable selon l'invention peut également être avantageusement utilisé pour réaliser un dispositif incluant un modulateur. Un modulateur est typiquement utilisé pour obtenir un signal à une fréquence f1 élevée à partir d'une composante signal S2 à une fréquence f2 relativement basse, en lui ajoutant une onde à une fréquence f0 proche de fi. L'état de la technique connaît des modulateurs typiquement réalisés en utilisant des composants discrets qui sont causes d'encombrement de coût et de fragilité, ou à l'aide de composants intégrés non linéaires, qui présentent certains inconvénients, comme par exemple une certaine dissipation d'énergie. Les figures 17 et 18 représentent ainsi des schémas de principe de modulateurs réalisés respectivement à l'aide de diodes (fig.17) et à l'aide de transistors (fig.18). La figure 19 illustre un schéma de principe d'un mélangeur utilisant une inductance variable selon l'invention pour mélanger un signal à une fréquence f2 avec une onde à la fréquence f0 issue d'un oscillateur Osc, 18 - utilisable par exemple pour coder un signal S2 avant émission. Plus particulièrement dans le cas où la fréquence f0 est nettement plus importante que la fréquence f2, l'inductance variable Lv2 effectue le mélange en un signal qui est ensuite filtré par le montage passe-haut constitué par l'inductance LA et le condensateur C. Ce filtrage ne laisse alors passer que la composante ondulatoire Vfl de fréquence fl, avec f1=f2+f0. Au sein des exemples décrits, les inductances qui ne sont pas précisées comme étant variables ou commandées peuvent bien sûr également être réalisées sous la forme d'un composant inductif supraconducteur, de façon à homogénéiser le dispositif obtenu et conserver ou améliorer les gains de l'invention, par exemple en termes de coût, fiabilité, performances ou encombrement. Dans tous ces exemples, comme dans d'autres modes de réalisation non décrits ici, la commande par courant selon l'invention permet en particulier de piloter de façon entièrement électronique une plus grande part de fonctions et réglages. Un tel pilotage permet alors une plus grande souplesse dans la conception des appareils concernés, mais également d'apporter des fonctionnalités et des performances nouvelles par rapport à l'état de la technique. De même, la réalisation de ces composants sous forme de couches minces supraconductrices permet une plus grande miniaturisation ainsi qu'une intégration sur une bien plus grande échelle. Cela rend possible de concevoir des systèmes moins dissipatifs, d'en multiplier les composants, et d'en améliorer la puissance et/ou d'en diminuer l'encombrement. L'intégration permet également d'améliorer la fiabilité et la reproductibilité de tels dispositifs, et d'en diminuer les coûts de fabrication. Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. Ainsi, le nombre de films respectivement isolants et supraconducteurs n'est pas limité aux exemples décrits. Par ailleurs, les dimensions des composants inductifs supraconducteurs ainsi que leurs surfaces peuvent évoluer en fonction des applications spécifiques de ces composants. De plus, les films respectivement supraconducteurs et isolants peuvent être réalisés à partir - 19 - d'autres composés que ceux proposés dans l'exemple décrit, pourvu que ces composés satisfassent aux conditions physiques requises pour les applications. - 20 - REVENDICATIONS 1. Utilisation, en tant que composant à inductance variable en fonction du courant le traversant, d'un composant supraconducteur inductif présentant au moins deux bornes et comprenant au moins un segment de ligne collabore avec lesdites bornes et intègre au moins une de ces bornes, ce segment de ligne constituant une couche conductrice ou supraconductrice au sein d'un empilement (E) de films alternativement supraconducteurs (Cl) et isolants (C2). 2. Utilisation selon la revendication 1, dans laquelle la valeur d'inductance du composant inductif supraconducteur est modifiée ou commandée par des moyens de commande de courant agissant sur un courant continu qui traverse ledit composant. 3. Utilisation selon la revendication 1, dans laquelle le composant inductif supraconducteur est soumis à une tension ou un courant ondulatoire constituant au moins une onde, à laquelle il réagit avec un comportement inductif variant au sein d'une même période de cette onde, cette variation produisant une modification d'au moins une caractéristique de cette onde. 4. Utilisation selon l'une des revendications 1 ou 3 pour réaliser un mélangeur de fréquence, dans laquelle le composant inductif supraconducteur (Lv1 fig.15, 16) est soumis d'une part à une onde d'entrée comprenant au moins une première composante constituant un signal, dit signal d'entrée (Si), à une première fréquence, dite fréquence haute (fi), et d'autre part à une onde régulière à une fréquence d'oscillation (f0) proche de la fréquence haute (fl), le comportement inductif dudit composant inductif (Lvl) supraconducteur produisant une onde de sortie comprenant au moins une deuxième composante ondulatoire selon une deuxième fréquence, dite fréquence basse (f2), valant approximativement la fréquence haute diminuée de la fréquence d'oscillation, ladite deuxième composante constituant un signal de sortie (S2) dépendant du signal d'entrée (Si). 5. Utilisation selon l'une des revendications 1 ou 3 pour réaliser un modulateur de fréquence, dans laquelle le composant inductif (Lv2 fig.19) supraconducteur est soumis d'une part à une onde d'entrée comprenant au moins une première composante constituant un signal d'entrée (S2) à une première fréquence, dite fréquence basse (f2), et d'autre part à une onde régulière à une fréquence d'oscillation (f0), le comportement inductif dudit composant inductif (Lv2) supraconducteur produisant une onde de sortie comprenant au moins une deuxième composante ondulatoire selon une deuxième fréquence, dite fréquence haute (fi), valant approximativement la somme de la fréquence basse et de la fréquence d'oscillation, ladite deuxième composante constituant un signal de sortie (Si) dépendant du signal d'entrée (S2). 6. Dispositif électronique comprenant au moins un composant inductif supraconducteur à inductance variable en fonction du courant le traversant, ledit composant inductif supraconducteur présentant au moins deux bornes et comprenant au moins un segment de ligne qui collabore avec lesdites bornes et intègre au moins une de ces bornes, ce segment de ligne constituant une couche conductrice ou supraconductrice au sein d'un empilement (E) de films alternativement supraconducteurs (Cl) et isolants (C2). 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le composant inductif supraconducteur est traversé par un courant alternatif et en ce qu'il comprend en outre des moyens pour commander ou modifier la valeur d'inductance dudit composant inductif supraconducteur, ces moyens agissant sur l'intensité d'un courant continu traversant ledit composant inductif supraconducteur et se superposant au courant alternatif. 8. Dispositif selon l'une des revendications 6 ou 7, le composant inductif supraconducteur est utilisé au sein d'un circuit électronique réalisant un - 22 - filtrage de fréquence, dont au moins une caractéristique est modifiée par modification de l'inductance dudit composant inductif supraconducteur. 9. Dispositif selon l'une des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que le composant inductif supraconducteur est utilisé au sein d'un circuit électronique réalisant une ligne à retard, dont au moins une caractéristique est modifiée par modification de l'inductance dudit composant inductif supraconducteur. 10. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 9, caractérisé en ce que le composant inductif supraconducteur est utilisé au sein d'un circuit électronique réalisant une antenne fabriquée à partir d'un film mince supraconducteur, au moins une caractéristique de cette antenne étant commandée ou modifiée par modification de l'inductance dudit composant inductif supraconducteur. 11. Dispositif selon la revendication 10, utilisé dans un radar à décalage de phase comprenant une pluralité d'antennes comprenant chacune un circuit électronique incluant au moins une ligne à retard, cette ligne à retard étant agencée de sorte que chacune des desdites antennes émet ou reçoit un signal dont la phase est décalée par rapport à celle des antennes voisines, cet agencement étant commandé par modification de l'inductance dudit composant inductif supraconducteur. 12. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que ce composant inductif supraconducteur est traversé par un courant constituant au moins une onde, à laquelle ledit composant réagit avec un comportement inductif variant au sein d'une même période de cette onde, cette variation produisant une modification d'au moins une caractéristique de cette onde. 13. Dispositif selon l'une des revendications 6 ou 12, caractérisé en ce que ce composant inductif supraconducteur (Lvi fig.15, 16) est soumis d'une part à une onde d'entrée comprenant au moins une première - 23 composante constituant un signal, dit signal d'entrée (Si) , à une première fréquence, dite fréquence haute (fi), et d'autre part à une onde régulière à une fréquence d'oscillation (f0) proche de la fréquence haute (fl), le comportement inductif dudit composant inductif (Lv1) supraconducteur produisant une onde de sortie comprenant au moins une deuxième composante ondulatoire selon une deuxième fréquence, dite fréquence basse (f2), valant approximativement la fréquence haute diminuée de la fréquence d'oscillation, ladite deuxième composante constituant un signal de sortie (S2) dépendant du signal d'entrée (Si). 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il réalise un mélangeur et comprend au moins un composant inductif supraconducteur (Lv1, fig.15) monté en parallèle avec un composant oscillateur (Osc). 15. Dispositif selon l'une des revendications 13 ou 14, caractérisé en ce qu'il réalise un mélangeur et comprend au moins un composant oscillateur (Osc) en parallèle ainsi qu'un composant inductif supraconducteur (Lvi, fig.16) en série monté en aval et à la sortie duquel est connecté au moins un montage capacitif et inductif réalisant un filtre passe-bas. 16. Dispositif selon l'une des revendications 6 ou 12 à 15, caractérisé en ce qu'il est utilisé au sein un système de réception d'un signal électromagnétique de transmission hertzienne. 17. Dispositif selon l'une des revendications 6 ou 12, caractérisé en ce que le composant inductif supraconducteur (Lv2 fig.19) est soumis d'une part à une onde d'entrée comprenant au moins une première composante constituant un signal d'entrée (S2) à une première fréquence, dite fréquence basse (f2), et d'autre part à une onde régulière à une fréquence d'oscillation (f0), le comportement inductif dudit composant inductif (Lv2) supraconducteur produisant une onde de sortie comprenant au moins une deuxième composante ondulatoire selon une deuxième fréquence, dite fréquence haute (fl), valant approximativement la somme de la fréquence 24 - basse et de la fréquence d'oscillation, ladite deuxième composante constituant un signal de sortie (Si) dépendant du signal d'entrée (S2). 18. Dispositif selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il réalise un modulateur et comprend au moins un composant oscillateur (Osc) en parallèle ainsi qu'un composant inductif supraconducteur (Lv2, fig.19) en série monté en aval et à la sortie duquel est connecté au moins un montage capacitif et inductif réalisant un filtre passe-haut. 19. Dispositif selon l'une des revendications 6, 12, 17 ou 18, caractérisé en ce qu'il est utilisé au sein un système d'émission d'un signal électromagnétique de transmission hertzienne. 20. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 19, caractérisé en ce qu'il est utilisé au sein d'un système de diffusion audiovisuelle ou de communication ou par satellite. 21. Procédé de commande de l'inductance d'un composant inductif supraconducteur, ce composant inductif supraconducteur présentant au moins deux bornes et comprenant au moins un segment de ligne qui collabore avec lesdites bornes et intègre au moins une de ces bornes, ce segment de ligne constituant une couche conductrice ou supraconductrice au sein d'un empilement (E) de films alternativement supraconducteurs (Cl) et isolants (C2), ce composant étant soumis à une tension ou un courant alternatif, ce procédé comprenant une injection d'un courant de commande sensiblement continu en superposition du courant alternatif traversant ledit composant inductif supraconducteur.