FR 2874126 A1 20060210 FR 0408745 A 20040806 Technique de fabrication de nano-systèmes pour filtre RF et échangeur d'énergie Domaine: Cette invention traite d'une technique de fabrication d'un nanosystème intégré pour divers dispositifs tels que: 1. Filtre de signaux radio-électriques et radio-fréquences 2. Dispositif de duplexage ( duplexer) 3. Dispositif de multiplexage (Multiplexer) 4. Radiateur et dissipateur d'énergie Art antérieur: Tous dispositifs intégrés pour les radio-fréquences (RF) sont basés sur l'appui de composants filtres qui permettent de sélectionner des fréquences du signal électrique et de définir des bandes passantes pour chaque application. La plupart des filtres sont basés sur des composants élémentaires de micro-inductances au facteur de qualité variant entre 15 et 50 à des fréquences de 2 à 3 GHz et de composants capacitifs comme les condensateurs dont les densités peuvent atteindre 100 nF/mm2 pour des facteurs de qualité variant de 50 à 150 à des fréquences de 2 à 5 GHz. Ce typé de filtre ont des performances de référence étant donné que les composants passifs et discret sont très fiables et industriellement viables. La conception à base de ces composants permet selon le modèle divers types de filtres. Des filtres à effet piézo-électrique comme les filtres de dénomination internationale SAW (Self Acoustic Wave resonator) et les FBAR (Filter Bulk Acoustic Resonator) sont deux générations successives de filtres très largement répandus dans les matériels de télécommunication en particulier. Ces filtres sont des filtres permettant des bandes passantes à des fréquences de 1 à 3 GHz mais avec un facteur de qualité moyen de l'ordre de 100 à 1000. Par contre ces filtres par leur nature de la source piézo-électrique ne peuvent être intégrés au dispositif sur silicium faute de comptabilité de procédés et d'incompatibilité des matériaux comme le quartz avec les transistors formés en surface de tranche de silicium. Un inconvénient majeur est la taille, c'est à dire la surface de substrat que prennent les filtres classiques à base de passifs ou de SAW ou de FBAR. Avec le développement des dispositifs RF et de composants complexes comme les SOC (System On a Chip) alliant l'analogique, le numérique et la RF, les filtres sont de plus en plus nécessaire et complexes avec des exigences en filtrage à des fréquences de plus en plus haute dans l'échelle du giga Hertz (GHz). Le développement de solutions à base de micro-système électro-mécanique dénommé en anglais MEMS (Micro ElectroMechanical System) pour fabriquer une micro-structure vibrante et résonnante permet de créer des filtres d'exceptionnelle qualité par la perte d'insertion relativement faible et un facteur de qualité très élevé de l'ordre de 10000 mais pour des fréquences de 150 MHz à 380 MHz (méga Hertz). Ces dispositifs MEMS exigent par leur mise en oeuvre certaines incompatibilité avec la filière silicium des technologies CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) et par un déficit de fiabilité lorsque le dispositif est monté en composant en raison de l'effet capillaire qui tend à coller la structure oscillante qui est généralement une poutre horizontale, laquelle se déforme par l'effet des champs électriques des électrodes mais qui par gravité et par les propriétés du poly-silicium qui s'oxyde, la capillarité maintient la membrane déformée. Toutefois des développements récents et démontrés par le chercheur Dr. Clark Nguyen ont permis de montrer qu'un dispositif de micro-résonateur MEMS par une conception et par des procédés astucieux permettent d'obtenir de très bons filtres de petite dimension avec des hautes performances de filtre passe bande pour des fréquences de 150 MHz. Ce type de micro-résonateur ouvre la voie à une plus large intégration et à développer des matériaux plus appropriés pour des résonateurs ayant des tailles de plus en petites et pour atteindre des fréquences de résonance dans l'échelle du GHz voire dans le THz (Tera Hertz). Les microrésonateurs (MEMS) et les nanorésonateurs en technologie sur la base des nano-systèmes électro-mécaniques nommés en anglais NEMS (Nano ElectroMechanical System) ne peuvent pas atteindre des fréquences de résonance supérieures à 4 GHz même en usant de nano-matériaux comme les CNT (Carbon Nano Tube) entre autres et surtout ces composants souffrant d'un déficit de fiabilité en raison de l'effet capillaire qui maintient déformé la membrane micro ou nanoscopique, il n'est pas possible techniquement d'échelonner en fréquences ces filtres car les variations des dimensions des MEMS ou des NEMS sont très faibles et donc la résonance ne peut pas évoluer comme peut évoluer une intégration plus importantes des transistors. Or les dispositifs intégrés de type CMOS et RF basés sur les transistors ont une fréquence d'horloge croissante, qui évolue très rapidement et comme la miniaturisation est non seulement une réponse technique aux besoins, elle est une nécessité économique et donc il sera de plus en plus difficile d'apporter des solutions intégrées de filtrage de signaux dans les générations qui entrent en production. La seule solution technique est de faire une succession de filtres externes prenant beaucoup de place et coûtant fort cher et donc cela ne correspond évidemment pas aux besoins et à l'évolution des semiconducteurs. Exposé de l'invention: La présente invention a pour objet de définir les étapes de fabrication d'un nano-système intégré formé par une cavité résonante mécanique dont les dimensions sont à l'échelle nanométrique et d'électrodes. Une cavité résonante est utilisée pour la structure vibrante, laquelle a une forme particulière de diapason ou en U qui vibre en fonction de champs électriques. L'espace libéré entre la structure vibrante et les électrodes d'entrée et de sortie des signaux forme un condensateur dont la capacité varie en fonction de la différence de potentiel arrivant aux électrodes et par la vibration de la structure en U , la distance séparant cette structure vibrante avec les électrodes varie et ainsi la capacité varie aussi. L'ensemble de cette structure constitue un nanorésonateur de très petite taille variant de 750 nm x 250 nm à 50 nm x 16 nm et l'association des nano- résonateurs par l'interconnexion en parallèle ou en série ou en série parallèle permet de créer un filtre Radio-Fréquence passe bande, lequel peut être un outil de duplexage ( duplexer), un outil de diplexage (diplexer) ou un outil de triplexage ou de multiplexage (triplexer). Figures: Les figures la à ly représentent les étapes de fabrication d'un nano-rèsonateur intégré dont la technique d'élaboration des matériaux est d'abord une méthode de dépôt d'alliages par couche atomique nommée en anglais ALD (Atomic Layer Deposition) ou par la méthode par cycle de saturation de polymérisation de liants moléculaires en surface pour le dépôt par couche atomique nommé en anglais MALD (Modified Atomic Layer Deposition) : vue de profil pour montrer l'intégration des procédés et des matériaux. 40 La figure 2 présente une vue de-dessus du nano-résonateur selon un modèle de conception par la mise en oeuvre décrite par la technique d'intégration des procédés des figures la à ly. La figure 3 présente une vue de-dessus du nano-résonateur selon un autre modèle de conception par la mise en oeuvre décrite par la technique d'intégration des procédés des figures la à ly.. - La figure 4 présente les possibilités de formation de différents types de filtres passe bande par l'interconnexion des nano-résonateurs. Sachant que la structure vibrante doit permettre des fréquences de résonance dans la gamme de 4 GHz à 2 THz, le principal intérêt de cette structure de nano-résonateur réside dans les possibilités de réduire les différentes dimensions pour augmenter la fréquence de résonance ou d'utiliser des matériaux aux caractéristiques particulières à savoir: Matériaux conducteurs sans valeur de résistivité particulière si ce n'est sa conductivité thermique 250 GPa - Dureté (Knoop) > 2000 Kg/ mm2 - Chemin libre de phonons Description du nano-système de nano-résonateur: La mise en oeuvre de cette technologie de filtre par un nano-système de nano-résonateur se caractérise par une structure mécanique vibrante dans le plan perpendiculaire au plan des transistors, des interconnexions de transistors ou d'interconnexions d'électrodes et donc la structure mécanique vibrante constituant la source de vibrations et donc de résonance est verticale et non horizontale et forme une cavité en forme de U placé entre des électrodes servant d'entrée et de sortie de signaux de telle manière que les surfaces en regard sont constituées par les parois verticales de la nanostructure vibrante et les parois verticales des électrodes pour former un filtre passe bande. La nanostructure vibrante étant de forme en U et est verticale, offre ainsi une surface dans le plan vertical la plus importante, représentant 90% de la totalité de la surface de la nanostructure. Cette nanostructure a l'avantage d'avoir une surface horizontale très petite et donc n'est pas soumis à la gravité lors de la déformation de la nanostructure pour provoquer les vibrations et donc l'émission des ondes. Par ailleurs cette nanostructure en forme de cavité résonante est très rigide et la partie verticale des deux membres de la cavité est libéré tandis que la partie horizontale joignant les membres verticaux de la cavité résonante en forme de U est encrée dans un matériau isolant de faible perte et de faible capacité : ces matériaux peuvent être de l'oxyde de silicium ou un polymère organo-silicate à densité de nanoporisité variable pour obtenir des permittivités inférieures à 3,9 et préférentiellement une permittivité effective inférieure à 2,9 et très préférentiellement inférieure à 2,2. Les membres verticaux de la nanostructure constituée d'une cavité résonante sont libérés et peuvent être encapsulés sous atmosphère contrôlé à pression constante d'un gaz inerte choisi parmi l'hélium, l'hydrogène, l'azote, l'argon et tout autres gaz rares ou sous atmosphère d'air purifié d'eau à pression constante ou sous un vide de 11. Torr à 100 mTorr. Fabrication du nano-système de nano-résonateur quel que soit le modèle de conception: A partir d'un substrat tel que décrit auparavant et comportant ou pas un dispositif électronique ou photonique intégré, la première phase consiste à constituer les connexions et interconnexions des électrodes et donc des référents de potentiel afin d'acheminer le signal et de le réceptionner au-travers de l'encapsulation. Par ailleurs les interconnexions intégrées sont de technologie semblable aux dispositifs électroniques intégrés CMOS. 10 Au-dessus d'un substrat, dépôt de couche d'isolation (1) de connexions et interconnexions par l'emploi de matériaux à base de silice comme les silicates organiques ou des polymères nanoporeux déposés par diverses méthodes concomitantes comme la technique CVD (Chemical Vapor Deposition) et plus particulièrement la technique PECVD (Plasma Enhanced CVD) pour déposer en couche de 1000 à 50000 A un matériau diélectrique de permittivité comprise entre 1 et 3,9 ou de film épais de 10 à 5001 d'un matériau diélectrique de permittivité comprise entre 1 et 8 soit par la technique PECVD, soit par la technique PEALD (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition) soit par la technique ALD. Des couches intermédiaires (2) sont des films permettant de graver de façon sélective les dépôts ultérieurs et ces films peuvent être de nature différente comme du nitrure de silicium ou du carbure de silicium. Le premier niveau de connexion (3) des différents types d'électrodes est réalisé et peut utilisé comme métal l'aluminium (Al) qui est déposé par CVD en couche épaisse de 1000 à 5000 A recouvrant l'ensemble de la surface en utilisant des précurseurs aux molécules telles que l'hydrate tri-isobutyl-alumiunium qui se décompose à moins de 50 C dans la chambre du réacteur CVD avant de réagir par chimisorption à la surface du substrat maintenu entre 200 et 400 C puis l'aluminium est gravé (figure lb) par une technique de gravure sèche anisotropique à assistance plasma et au moyen de gaz comme une mixture de BC13/C12/N2 ou par une mixture de HBr/C12/N2 au ratio ajusté selon l'épaisseur d'Al. Afin d'isoler les connexions et interconnexions, un matériaux isolant (4) est déposé par une ou plusieurs des méthodes préalablement citées et après étalement du diélectrique recouvrant les espaces entre les connexions d'aluminium, une planarisation par CMP (Chemical Mechanical Polishing) est assurée au moyen d'un abrasif à base de klébosols de silice fumée ou de silice colloïdale suspendu dans un milieu basique composé d'au-moins NH4OH, lequel abrassif est dispersé à l'interface entre la surface du substrat pressé contre un tissu de mousse poreuse en polyuréthane type SUBA-IV de Shipley Rodel à titre d'exemple ou selon une autre technique CMP, le tissu est composé de pastilles d'oxyde de cérium collées à un tissu de polyester qui ont la même action de planarisation en concomitance avec l'action chimique de gravure par les ions OH- de Hy.SiO,, et donc l'arrachement de matière agglomérée;toutefois la présente description est très limitée. A la suite de cette étape de polissage par CMP, un nettoyage de la surface a pour but de retirer les sels d'abrassifs restés agglomérés en surface par un milieu au pH permettant d'avoir un potentiel Zeta de polarité identique aux sels utilisés pour le pontage lors de l'étape de CMP et dont l'action chimique aura un effet de gravure anisotropique afin d'éviter une rugosité élevée. Ces étapes se répètent autant de fois qu'il est nécessaire d'interconnecter des connexions des différentes électrodes pour faire entrer et réceptionner un signal et pour créer un filtre aux caractéristiques électroniques bien définis pour chaque application comme un triplexer ou un duplexer et ainsi couplé en série ou en parallèle les nano-résonateurs comme cela est montré à la figure 4 dont deux modèles de nano-résonateur sont donnés aux figures 2 et 3 respectivement. Les étapes décrites par les figures la à 1d sont des étapes communes à la fabrication de dispositifs électroniques intégrés et sont décrites dans l'exemple donné pour des connexions et interconnexions en aluminium (6) comme matériau conducteur isolées par un matériau organique de silicate (5) déposé par PECVD. Mais cet exemple n'est pas limitatif à l'intégration du dispositif dont le dispositif nano-système de nano- résonateur est strictement compatible avec: connexions et interconnexions électroniques par un conducteur comme le cuivre isolées dans une structure damascène formée dans un matériau polymère fortement poreux connexions et interconnexions électroniques par des nanomatériaux conducteurs comme les nanotubes en carbone ou en nitrure de bore isolé par dans des micro-cavité d'air - connexions et interconnexions optiques et photoniques connexions et interconnexions constituées de molécules à auto-assemblage ou neuronales constituées de tissus biologiques Les différents types de connexions et interconnexions des électrodes constituant le nano-résonateur doivent être situées au-dessous de la cavité résonante. Après avoir constitué le niveau d'interconnexion du premier niveau de connexion des électrodes d'entrée et de sortie de signaux, il convient d'élaborer l'interconnexion de l'électrode de la cavité résonante cylindrique creux. Le matériau qui est utilisé à cet effet doit être préférentiellement le même en terme de composition et de tenue mécanique, mais dont la composition atomique peut varier selon les alliages possibles. On prépare une structure damascène (figure le) en gravant le matériau isolant du niveau des interconnexions. Ce damascène doit permettre de placer l'électrode de la cavité résonante en liaison avec les connexions d'électrodes puisque au-moins trois électrodes sont nécessaires à la mise en oeuvre d'un nano-résonateur par: électrode d'entrée dont la connexion métallisée supérieure doit épouser la forme de la base encrée de la cavité résonante électrode de la cavité résonante dont la cavité résonante en forme de cylindre creux vertical a une base cylindrique encrée qui peut être de forme polygonale ou hémisphérique ou circulaire ou ovoïdale ou elliptique et dont les parois verticales du cylindre creux sont séparées des électrodes entrée et sortie par un milieu contrôlé à pression constante d'un gaz inerte choisi parmi l'hélium, l'hydrogène, l'azote, l'argon et tout autres gaz rares ou sous atmosphère d'air purifié d'eau à pression constante ou sous un vide de 1 Torr à 100 mTorr. électrode sortie dont la connexion métallisée supérieure doit épouser la forme de la base encrée de la cavité résonante Le damascène est utilisé au niveau des interconnexions de connexions de chaque type d'électrodes car l'interconnexion inter-niveaux de l'électrode de la cavité résonante doit être préférentiellement voire très préférentiellement élaborée du même matériau qui constitue la cavité résonante pour améliorer la tenue mécanique, éviter les contaminations croisées et éviter les joints de grains. Les interconnexions des électrodes entrée et sortie sont isolées et la surface de la zone conductrice est passivée par une couche d'un matériau de nitrure de titane ou nitrure de tungstène ou nitrure de niobium ou un composé de tungstène-titane (7). Ce film est déposé soit par procédé dit lift-off soit par lithographie et donc par dépôt de couche puis lithographie utilisant le masque de formation de la zone d'interconnexion et si le métal est de l'aluminium, la résine photosensible sera négative pour l'image du masque et si le métal déposé dans la structure damascène est du cuivre, la résine sera positive en raison de l'image du masque du damascène. La passivation est nécessaire pour limiter les réactions d'interfaces avec le matériau isolant et pour les traitements par voie humide lors des passages à l'air des tranches de silicium exposant le métal à une oxydation et pour limiter l'inter-diffusion d'éléments et donc de croiser des contaminations et pour augmenter la résistance à l'électromigration ce qui a pour effet d'augmenter la résistivité par l'emploi de métaux de résistivité plus élevée comme film stable de passivation. Le matériau élaboré pour constituer la cavité résonante (8) est préférentiellement du béryllium et alliage de béryllium. Mais ce matériau peut être substitué par tout composé métallique à base: de borure - BxMei_ de carbure - CxMet_x - de nitrure - MexN 1.x et de matériaux alliages en nano-laminé formés et déposés par ALD, MALD, PEALD, PAALD ou RTALD nano-laminé de TiN(Cr)/TiAIN nano-laminé de NbN(Cr)/NbAlN nano-laminé de TiN(C)/AlN nano-laminé de TiN(C)/TiSiN nano-laminé de TiN(C)/WCN nano-laminé de Hf(C)/HfN nano- laminé de AlNa nano-laminé de Ir/IrO2 nano-laminé de Ru/RuO2 nano-laminé de TiN/MgA1N nano-laminé de TaC/TaSiN nano-laminé de NbC/NbAIN nano- laminé de TiC/TiAlN nano-laminé de TiN/SiC nano-laminé de TiN/Si3N4 nano- laminé de TiB/TiAIN nano-laminé de HfB/TiB(N) nano-laminé de OsB/TiB(N) nano-laminé de TiC/TiB La cavité résonante ne peut être élaborée que par les techniques de réactions de chimisorption saturées en phase vapeur décomposées en cycles de réactions par rythme d'injection dosée de chaque élément apporté par une réaction de surface et par purge de la chambre de réaction et donc toutes techniques basées sur les réactions de dépôt de couche atomique ALD et comprenant les techniques ALD, PEALD, PAALD, MALD, RTALD et de façon très préférentielle la technique ALD et PEALD ou par une méthode de croissance physico-chimique en phase vapeur comme la MOCVD ou l'épitaxie ou à l'aide de la technique d'impression nanométrique par des molécules qui s'auto-assemblent. Les alliages de béryllium sont des matériaux aux propriétés adéquates pour fabriquer la cavité résonante et l'interconnexion entre le niveau de connexion des électrodes de la cavité résonante et la cavité résonante par la technique ALD. Le matériaux très préférentiellement utilisé pour fabriquer la cavité résonante et l'interconnexion entre le niveau de connexion des électrodes de la cavité résonante et la cavité résonante est l'alliage en laminé de béryl BeO déposé par ALD ou tout alliage ALD à base de béryl BeO ou de béryllium. ^ Le béryllium (Be) est un matériau aux caractéristiques principales à savoir: - Résistivité : 4 S2. cm - Densité : 1.88 g/cm3 15 20 25 - Module d'Young: 290 GPa - Chemin libre de phonons Descriptif du procédé d'élaboration par ALD du nano-matériau Be,OyAll.,N, - Montée en température pendant 100 secondes pour atteindre 450 C et injection d'argon à 340 cm3/min et pression à 35 mTorr - Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde Injection d'hélium à 180 cm3/min pendant 250 msec (milli seconde) et Be(Et)2 1 mTorr de pression - Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde Injection de 03 à 380 cm3/min avec 150 cm3/min d'azote pendant 500 msec Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde Injection d'hélium à 180 cm3/min pendant 250 msec (milli seconde) et Be(Et)2 1 mTorr de pression Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde Injection avec 150 cm3/min d'azote de 200 cm3/min de NH3 pendant 1 000 msec Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 500 msec Injection d'hélium à 180 cm3/min pendant 250 msec (milli seconde) et Be(Et)2 1 mTorr de pression Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 500 msec Injection de 03 à 380 cm3/min avec 150 cm3/min d'azote pendant 500 msec Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde Injection d'hélium à 180 cm3/min pendant 250 msec (milli seconde) et AI(Et-Me)3 1 mTorr de pression - Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde - Injection avec 150 cm3/min d'azote de 200 cm3/min de NH3 pendant 250 msec Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 500 msec Injection d'hélium à 180 cm3/min pendant 250 msec (milli seconde) et Be(Et)2 1 mTorr de pression Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 500 msec Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde Injection avec 150 cm3/min d'azote de 200 cm3/min de NH3 pendant 1 000 msec - Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 500 msec Injection d'hélium à 180 cm3/min pendant 250 msec (milli seconde) et Be(Et)2 1 mTorr de pression - Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 500 msec - Injection de 03 à 380 cm3/min avec 150 cm3/min d'azote pendant 500 msec Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 500 msec Injection d'hélium à 180 cm3/min pendant 250 msec (milli seconde) et Be(Et)2 1 mTorr de pression Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde Injection de 03 à 380 cm3/min avec 150 cm3/min d'azote pendant 500 msec - Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde Injection d'hélium à 180 cm3/min pendant 250 msec (milli seconde) et Be(Et)2 1 mTorr de pression Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 1 seconde Injection avec 150 cm3/min d'azote de 200 cm3/min de NH3 pendant 1 000 msec Injection d'argon à 350 cm3/min pendant 500 msec Afin de déposer l'alliage ALD comme nano-matériau BexOyAli_,N., une technique innovante de dépôt sélectif (8) dans la structure damascène peut être mise en oeuvre afin de réduire les étapes de lithographie et de gravure et donc de réduire le coût de fabrication. Cette technique dite de dépôt ALD sélectif se caractérise par le dépôt par une technique CVD de NNitroophenyihydroxylamine d'aluminium sublimé à 135 C ou par un dépôt pareffet centrifuge d'un gel de N-Nitroophenylhydroxylamine d'aluminium d'une épaisseur de 1000 A puis gravé facilement par voie humide à base d'un bain de H2SO4:03 pour créer une réaction de CARO qui va graver de façon anisotrope la couche anti-polymérisation. Un procédé à base de polymères amphiphiliques peut être mis en oeuvre pour un dépôt sélectif d'image négative par le dépôt par effet centrifuge d'un gel de poly(oxyde d'éthylène)-poly(oxyde de propylène)-poly(oxyde d'éthylène) ou par un méthode CVD d'un film d'une épaisseur de 300 A puis gravé facilement par plasma d'oxygène, ce qui inhibe la réaction de chimisorption et donc d'échange de liants entre la surface rendue non réactive et les liants de la molécule sublimée transportant un élément de l'alliage BexOyAl,_ZNZ et donc de fait le dépôt ALD ne se fait que dans la structure damascène ce qui évite de graver BexOyAl,_zNz. Cette technique de dépôt sélectif peut utiliser une image positive pour le dépôt et donc l'utilisation d'un film de poly (diméthyl-siloxane)-poly(oxyde d'éthylène) qui est de caractère amphiphile et peut être utilisé en image positive ou négative du dépôt. Etant donné la porosité des matériaux utilisés pour isoler des interconnexions, il est préférable d'utiliser pour une dépôt sélectif de BexOyAh_,N, : É soit poly(oxyde d'éthylène)-poly(oxyde de propylène)-poly(oxyde d'éthylène) et ses dérivés, ^ soit poly (diméthyl-siloxane)-poly(oxyde d'éthylène) et ses dérivés à chaîne de PDMS, ^ soit un poly acrylique et ses dérivés à chaîne de PMMA Le dépôt de l'alliage ALD BexOyAll_ZNz s'effectue à une température comprise entre 160 C et 360 C et très préférentiellement à une température entre 185 C et 235 C par la méthode de dépôt sélectif utilisant une base PDMS d'image négative. A la suite de cette étape de formation d'interconnexions des différentes électrodes, il est formé par dépôt une couche isolante (9) par les matériaux précédemment cités à savoir des matériaux à base de silice comme les silicates organiques ou des polymères nanoporeux déposés par diverses méthodes concomitantes comme la technique CVD (Chemical Vapor Deposition) et plus particulièrement la technique PECVD (Plasma Enhanced CVD) pour déposer une couche de 1000 à 5000 A un matériau diélectrique de permittivité comprise entre 1 et 3,9 puis un film épais 10 à 5001 et d'une couche d'arrêt (10) composé d'un matériau diélectrique choisi parmi le SiC, Si3N4 déposé par PECVD ou par PEALD ou par ALD. Cette couche d'arrêt va être comme masque dur pour former un niveau supérieur d'interconnexion des électrodes entrée et sortie uniquement et pour former la cavité résonante afin que la cavité résonante soit encrée par sa base en forme de U dans un matériau isolant. Cette couche d'arrêt permettra lors de la gravure sélective du moule des membres verticaux de la cavité résonante de stopper la gravure à la couche d'arrêt et donc la libération de la cavité résonante n'en sera que partielle et l'emploi préférentiel de SiC permet d'augmenter la sélectivité de gravure par l'utilisation d'acide fluorhydrique anhydrique. Un film ultra mince de TiN (11) est déposé par la technique lift-off ou préférentiellement le dépôt par ALD précède la lithographie et la gravure par voie humide effectuée à partir d'une réaction de CARO: cette couche a pour fonction de protéger l'interface d'Al avec les couches supérieures et éviter la corrosion et par ailleurs d'augmenter la résistance à l'électromigration. Le niveau supérieur des interconnexions des électrodes entrée et sortie est effectué en utilisant une des techniques précédemment citées pour les connexions et interconnexions dont le métal peut être du tungstène. La formation de la cavité résonante s'effectue par la succession des étapes suivantes: ^ dépôt d'une couche isolante (12) servant de moule en damascène par PECVD ou par Spin-On et par PECVD d'une couche d'un diélectrique à base de silice épaisse de 6000 à 65000 A ^ lithographie de l'image du damascène ^ gravure à travers le masque de résine du matériau isolant ^ retrait de la résine et nettoyage des résidus de gravure É dépôt par la technique ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de TiN épaisse de 100 à 1500 A (13) É lithographie de l'image négative du damascène utilisant le masque damascène de la cavité résonante ^ gravure de TiN à travers le masque de résine négative (figure 1 j) ^ dépôt par CVD ou par effet centrifuge d'un matériau à base PDMS ou PMM (figure 1k) ^ lithographie de l'image positive du damascène utilisant le masque damascène de la cavité résonante É gravure par plasma ou par voie humide du film inhibiteur de polymérisation É dépôt de conformalité élevée du premier nano-laminé d'alliage ALD de Be, OyAlt N, d'une épaisseur comprise entre 30 et 200 A (14) par une technique choisie parmi ALD, PEALD, PAALD, MALD, RTALD et l'épitaxie ^ dépôt du second nano-laminé d'alliage ALD de Be.OyAlt_,N, (15) d'une épaisseur comprise entre 30 et 200 A par une technique choisie parmi ALD, PEALD, PAALD, MALD, RTALD et l'épitaxie d'une épaisse comprise entre 30 et 200 A dépôt du troisième nano-laminé d'alliage ALD de BeXOyAlt_zN, (16) d'une épaisseur comprise entre 30 et 200 A par une technique choisie parmi ALD, PEALD, PAALD, MALD, RTALD et l'épitaxie traitement thermique par flash d'une durée comprise entre 1 milliseconde et 3000 millisecondes soit par voie d'un LASER type excimer à une température comprise entre 400 C et 1200 C soit par recuit thermique rapide nommé RTA (Rapid Thermal Annealing) ou RTP (Rapid Thermal Processing) sous atmosphère de deutérium ou de gaz deutéré ou de gaz inerte comme une mixture N2:H2 à une température comprise entre 400 C et 10000C dépôt par CVD ou par effet centrifuge d'un matériau à base PDMS ou PMM (figure 1m) lithographie de l'image positive du damascène utilisant le masque damascène de la cavité résonante ^ gravure par plasma ou par voie humide du film inhibiteur de polymérisation dépôt par la technique ALD, ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de TiN épaisse de 200 à 2000 A (17) ^ traitement de surface par technique de RTP sous atmosphère de N2:H2 à une température comprise entre 400 C et 1000 C ^ retrait et nettoyage par voie de plasma ou par voie humide du matériau inhibiteur de polymérisation ^ gravure de la couche isolante servant de moule en damascène (figure In) par une mixture à base de gaz AHF: N2:H2:IPA d'une forte sélectivité de 50:1 avec la couche de TiN et stopper par la couche d'arrêt de SiC É dépôt par la technique ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de SiOxN1.x épaisse de 10 à 2000 A (18) servant de matériau de libération verticale de la cavité résonante avec les électrodes entrée et sortie ^ dépôt d'une couche isolante (19) servant de damascène pour la métallisation des électrodes entrée et sortie par une technique choisie parmi l'effet centrifuge (Spin-On Gel Deposition) ou par PECVD d'un matériau ou d'une pluralité de matériaux de permittivité effective comprise entre 1 et 3,9 et à base de silice afin de remplir l'intérieur de la cavité résonante en forme de U ^ planarisation par CMP de la couche isolante pour obtenir une surface plane jusqu'à la couche de SiOxN1_x (figure 1p) assurée au moyen d'un abrasif à base de klébosols de silice fumée ou de silice colloïdale suspendu dans un milieu basique composé d'au-moins NH4OH, lequel abrassif est dispersé à l'interface entre la surface du substrat pressé contre un tissu de mousse poreuse en polyuréthane type SUBA-IV de Shipley Rodel à titre d'exemple ou selon une autre technique CMP, le tissu est composé de pastilles d'oxyde de cérium collées à un tissu de polyester qui ont la même action de planarisation en concomitance avec l'action chimique de gravure par les ions OH- de HySiOx et donc l'arrachement de matière agglomérée ^ nettoyage de la surface par voie humide assurée par un bain dHF (acide fluorhydrique ultra dilué) ou par un bain de NH4OH:H2O4:H2O ou par un bain de dHF:03:C6H8O7:H2O pour retirer les sels d'abrassifs restés agglomérés en surface par un milieu au pH permettant d'avoir un potentiel Zeta de polarité identique aux sels utilisés pour le pontage lors de l'étape de CMP et dont l'action chimique aura un effet de gravure anisotropique afin d'éviter une rugosité élevée ^ Métallisation en aluminium selon la technique damascène se réalise par: o lithographie de l'image positive de damascènes utilisant le masque des électrodes entrée et sortie (20) o gravure de préférence sèche mais l'utilisation de procédés par voie humide à partir des mixtures diluées dans l'eau dé-ionisée à base de HF et de BHF (Bu ffered HF) le procédé pour graver est préférentiellement se fait à la suite d'une lithographie à travers le masque de résine par un procédé de gravure plasma d'ions réactifs dont la mixture de gaz employés est préférentiellement CHF3/CF4/N2/02 o Nettoyage à base de plasma ou par voie humide à partir de bain chimique ultra dilué composé d'une mixture de dHF:03:C6H8O7:H2O (21) o Dépôt par la technique PVD mais préférentiellement par ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de TiN épaisse de 200 à 2000 A (22) o par la technique PVD ou par CVD ou par ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de Al épaisse de 6000 à 65000 A (23) o planarisation par CMP de l'aluminium (24) déposé en dehors de la damascène servant de moule pour les électrodes entrée et sortie pour obtenir une surface plane jusqu'à la couche de SiOxN1_x assurée au moyen d'un abrasif à base de klébosols d'alumine colloïdale suspendu dans un milieu acide composé d'au- moins d'acide nitrique et de peroxyde d'hydrogène lequel abrassif est dispersé à l'interface entre la surface du substrat pressé contre un tissu de mousse poreuse en polyuréthane type ICI000 ou une mousse XARS1627 de Shipley Rodel à titre d'exemple ou selon une autre technique CMP, le tissu est composé de pastilles d'oxyde de cérium collées à un tissu de polyester qui ont la même action de planarisation en concomitance avec l'action chimique de gravure par les ions OH- de HySiOX et donc l'arrachement de matière agglomérée o nettoyage de la surface par voie humide assurée par une mixture de dHF:03:C6H8O7 pour retirer les sels d'abrassifs restés agglomérés en surface par un milieu au pH permettant d'avoir un potentiel Zeta de polarité identique aux sels utilisés pour le pontage lors de l'étape de CMP et dont l'action chimique aura un effet de gravure anisotropique afin d'éviter une rugosité élevée o Dépôt par la technique PVD (Pulverisation Vapor Deposition) mais préférentiellement par ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de TiN épaisse de 500 à 500 A (25) ^ lithographie de l'image des électrodes entrée et sortie É gravure de la couche de passivation du métal des électrodes à savoir le film de TiN à travers le masque de résine du matériau isolant ^ retrait de la résine et nettoyage des résidus de gravure ^ libération de la structure intérieure de la cavité résonante qui a servi de protection pour la formation supérieure des électrodes entrée et sortie (26): o gravure de préférence sèche mais l'utilisation de procédés par voie humide à partir des mixtures diluées dans l'eau dé-ionisée à base de HF et de BHF (Buffered HF) le procédé pour graver est préférentiellement se fait à la suite d'une lithographie à travers le masque de résine par un procédé de gravure plasma d'ions réactifs dont la mixture de gaz employés est préférentiellement CHF3/CF4/N2/02 o gravure obligatoirement anisotrope de la couche ultra mince de SiOxN1_x épaisse de 10 à 2000 A (27)servant de matériau de libération verticale de la cavité résonante avec les électrodes entrée et sortie par une gravure soit: ^ par plasma de source TCP ou MORI d'ions réactifs dont la mixture de gaz employés est préférentiellement CH3CHF4/N2 ^ par AHF/N2/IPA dans un réacteur Excalibur du fabricant FSlnternational dont le ratio AHF/N2 permettra de faire la sélectivité avec la couche de TiN et avec la couche d'arrêt horizontale en SiC La cavité résonante est ainsi libérée mais selon les performances souhaitées en terme de bande passante autour de la résonance, il peut être procédé au retrait sélectif des couches protectrices de TiN entourant et protégeant la cavité résonante en forme de U constituée par l'alliage ALD de nano- matériaux de Bex01All_ZNZ. Cette étape de fabrication peut se faire soit par voie humide à partir d'une réaction de CARO d'un bain composé de de H2SO4:O3 mais d'une dilution de 1:100 à une température comprise entre 300C et 120 C soit par voie sèche de gravure par plasma d'ions réactifs composés de SF6. Le principal intérêt technologique de cette technique de fabrication du nano-résonateur en structure verticale avec comme source de vibration une cavité résonante en forme de U réside dans la libération de la structure n'entraînant aucun effet de capillarité et donc de collage de structure vibrante au métal, ce qui accroît la fiabilité et permet un plus large choix d'encapsulation. De plus le matériau utilisé pour former la cavité résonante en forme de U est une nanostructure composée de nano-laminé d'alliages ALD de nano-matériaux de BexOYAlt_ZN, qui est très peu sensible à l'oxydation par l'air à une température inférieure à 600 C. L'étape finale de fabrication consiste à encapsuler le nano-résonateur par un collage d'un substrat (28) comme le silicium, l'alumine ou du SOI sur lequel des connexions métalliques sont constituées afin de faire ressortir les connexions dans le boîtier de packaging du dispositif. L'encapsulation se fait par collage substrat-substrat et dont la méthode de collage peut se faire par: ^ collage moléculaire ^ collage eutectique d'alliage ^ collage par une résine d'epoxie ou autres polymères ^ collage anodique L'encapsulation permet de soumettre la cavité résonante sous atmosphère contrôlé de d'azote, d'hélium, d'argon, d'hydrogène, d'air ou de vide à une pression comprise entre 1 .Torr à 100 mTorr (milli Torr). Le nano-résonateur ainsi formé peut être fabriqué selon deux modèles de conception à savoir: É Cavité résonante en forme de cylindre creux de profile vertical et de base polygonale de forme carrée 20 ou rectangulaire ou de polygone comme la vue de dessus le montre à la figure 2: cette base est dite polygonale ^ Cavité résonante en forme de cylindre creux de profile vertical et de base hémisphérique de forme ronde ou elliptique ou ovoïdale comme la vue de dessus le montre à la figure 3: cette base est dite hémisphérique La cavité résonante est de forme d'un cylindre creux de profile vertical dont la partie longitudinale est systématiquement dans le plan vertical par rapport au plan des transistors et des connexions ou des électrodes. La cavité résonante en forme de cylindre creux par son profile vertical peut être constituée comme base du cylindre creux soit d'une base polygonale, soit d'une base hémisphérique. La cavité résonante de forme cylindrique de profile vertical et de base dite polygonale se caractérise en ce que le nano-résonateur est constitué d'une cavité résonante de forme d'un cylindre creux de profile vertical en U dont la hauteur des parois verticales intérieures du cylindre creux (29) est comprise entre 1000 A et 100000 A et de forme carrée ou rectangulaire ou polygonale à la base du cylindre vertical dont les parois verticales intérieures sont espacées d'une distance comprise entre 500 A et 100000 A et dont les parois sont épaisses de 10 A à 10000 A et dont la base est encrée et isolée dans un matériau diélectrique et isolant par rapport aux électrodes entrée et sortie des signaux qui entourent la cavité résonante et la cavité résonante est séparée des électrodes supérieures entrée et sortie par un milieu qui est sous atmosphère contrôlé de d'azote, d'hélium, d'argon, d'hydrogène, d'air ou de vide à une pression comprise entre 1 Torr à 100 mTorr dont la distance de séparation entre les électrodes supérieures (entrée et sortie) et les parois verticales extérieures de la cavité résonante cylindrique (31) est comprise entre 5 A à 1000 A et dont l'intérieur de la cavité résonante de forme cylindrique est sous atmosphère contrôlé d'azote, d'hélium, d'argon, d'hydrogène, d'air ou de vide à une pression comprise entre 1liTorr à 100 mTorr. Les surfaces en regard des électrodes entrée et sortie entourant le cylindre creux en forme de U de profile vertical sont séparées par une distance (30) comprise entre 200 A à 20000 A. La cavité résonante cylindrique de profile vertical et de base dite hémisphérique se caractérise en ce que le nanorésonateur est constitué d'une cavité résonante de forme d'un cylindre creux de profile vertical en U dont la hauteur des parois verticales intérieures du cylindre creux (34) est comprise entre 1000 A et 100000 A et de forme circulaire ou ronde ou elliptique ou ovoïdale à la base du cylindre vertical dont les parois verticales intérieures sont espacées d'une distance comprise entre 500 A et 100000 A et dont les parois sont épaisses de l0 A à 10000 A (35) et dont la base est encrée et isolée dans un matériau diélectrique et isolant par rapport aux électrodes entrée et sortie des signaux qui entourent la cavité résonante et la cavité résonante est séparée des électrodes supérieures entrée et sortie par un milieu qui est sous atmosphère contrôlé de d'azote, d'hélium, d'argon, d'hydrogène, d'air ou de vide à une pression comprise entre 1 Torr à 100 mTorr dont la distance de séparation entre les électrodes supérieures (entrée et sortie) et les parois verticales extérieures de la cavité résonante cylindrique (33) est comprise entre 5 A. à 1000 A et dont l'intérieur de la cavité résonante de forme cylindrique est sous atmosphère contrôlé de d'azote, d'hélium, d'argon, d'hydrogène, d'air ou de vide à une pression comprise entre 1 Torr à 100 mTorr. Les surfaces en regard des électrodes entrée et sortie entourant le cylindre creux en forme de U de profile vertical (32) sont séparées par une distance comprise entre 200 A à 20000 A. Un modèle de nano-résonateur peut se définir par: Cavité résonante de forme cylindrique de profile vertical constitué d'un cylindre creux aux parois constituées de Be,OyAh_,N, épaisses de 300 A et séparées d'électrodes entrée et sortie constituées en Al-Si(1%) d'une distance de 50 A et d'une base du cylindre creux en forme d'ellipse ayant comme rayons R' et R" dont les valeurs sont 1000 A et 20000 A et d'une hauteur totale de la cavité résonante de 10000 A. 30 35 REVENDICATIONS 1. Dispositif électronique réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur, comportant un nano-système intégré, caractérisé en ce que le nano- système intégré est un nano-résonateur ayant pour fonction électronique un filtre passe-bande de signaux radio-électriques et radio-fréquences, un dispositif de duplexage ou un dispositif de multiplexage, un radiateur ou dissipateur d'énergie et en ce qu'il comporte: électrode d'entrée dont la connexion supérieure doit épouser la forme de la base encrée de la cavité résonante électrode de la cavité résonante dont la cavité résonante en forme de cylindre creux vertical par rapport au plan des transistors, lequel cylindre creux a une base cylindrique encrée qui peut être de forme polygonale ou hémisphérique ou circulaire ou ovoïdale ou elliptique et dont les parois verticales du cylindre creux sont séparées des électrodes entrée et sortie par un milieu contrôlé à pression constante d'un gaz inerte choisi parmi l'hélium, l'hydrogène, l'azote, l'argon et tout autres gaz rares ou sous atmosphère d'air purifié d'eau à pression constante ou sous un vide de 1 Torr à 100 mTorr. - électrode de sortie dont la connexion supérieure doit épouser la forme de la base encrée de la cavité résonante 2. Dispositif électronique réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le nano-résonateur comportent des connexions et interconnexions intégrées situées au-dessous de la cavité résonante et sont interconnectées à la cavité résonante dont les connexions et interconnexions sont soit de type électroniques constituées par un matériau conducteur comme le cuivre ou l'aluminium ou le tungstène et isolées dans un matériau à base de silice, soit des connexions et interconnexions électroniques constituées par des nanomatériaux conducteurs comme les nanotubes en carbone ou en nitrure de bore isolées par ou dans des cavités d'air, soit par des connexions et interconnexions optiques et photoniques, soit par des connexions et interconnexions moléculaires constituées de molécules à auto-assemblage ou neuronales constituées de tissus biologiques. 3. Dispositif électronique réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ce que la cavité résonante du nano-résonateur a une forme systématique d'un cylindre creux de profile vertical dont la partie longitudinale est systématiquement dans le plan vertical par rapport au plan des transistors et des connexions des électrodes et dont la base du cylindre creux a une base soit de type polygonale, soit de type hémisphérique. 4. Dispositif électronique réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la cavité résonante comporte une cavité résonante de forme d'un cylindre creux de profile vertical en U dont la hauteur des parois verticales intérieures du cylindre creux (29) est comprise entre 1000 A et 100000 A et de forme carrée ou rectangulaire ou polygonale à la base du cylindre vertical dont les parois verticales intérieures sont espacées d'une distance comprise entre 500 A et 100000 A et dont les parois sont épaisses de 10 A à 10000 A et dont la base est encrée et isolée dans un matériau diélectrique et isolant par rapport aux électrodes entrée et sortie des signaux qui entourent la cavité résonante et la cavité résonante est séparée des électrodes supérieures entrée et sortie par un milieu qui est sous atmosphère contrôlé d'azote, d'hélium, d'argon, d'hydrogène, d'air ou de vide à une pression comprise entre 1 Torr à 100 mTorr dont la distance de séparation entre les électrodes supérieures (entrée et sortie) et les parois verticales extérieures de la cavité résonante cylindrique (31) est comprise entre 5 A à 1000 A et dont l'intérieur de la cavité résonante de forme cylindrique est sous atmosphère contrôlé d'azote, d'hélium, d'argon, d'hydrogène, d'air ou de vide à une pression comprise entre 11.tTorr à 100 mTorr et dont les surfaces en regard des parois verticales des électrodes supérieures entrée et sortie entourant le cylindre creux en forme de U de profile vertical sont séparées par une distance (30) comprise entre 200 A à 20000 A. 5. Dispositif électronique réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la cavité résonante de base dite hémisphérique comporte une cavité résonante de forme d'un cylindre creux de profile vertical en U dont la hauteur des parois verticales intérieures du cylindre creux (34) est comprise entre 10000 A et 100000 A et de forme circulaire ou ronde ou elliptique ou ovoïdale à la base du cylindre vertical dont les parois verticales intérieures sont espacées d'une distance comprise entre 500 A et 100000 A et dont les parois extérieures sont épaisses de 100 A à 10000 A (35) et dont la base est encrée et isolée dans un matériau diélectrique et isolant par rapport aux électrodes entrée et sortie des signaux qui entourent la cavité résonante et la cavité résonante est séparée des électrodes supérieures entrée et sortie par un milieu qui est sous atmosphère contrôlé d'azote, d'hélium, d'argon, d'hydrogène, d'air ou de vide à une pression comprise entre 1 Torr à 100 mTorr dont la distance de séparation entre les électrodes supérieures (entrée et sortie) et les parois verticales extérieures de la cavité résonante cylindrique (33) est comprise entre 5 A à 1000 A et dont l'intérieur de la cavité résonante de forme cylindrique est sous atmosphère contrôlé d'azote, d'hélium, d'argon, d'hydrogène, d'air ou de vide à une pression comprise entre 1 Torr à 100 mTorr et dont les surfaces des parois verticales des électrodes supérieures entrée et sortie entourant le cylindre en forme de U de profile vertical (32) sont séparées par une distance comprise entre 200 A à 20000 A. 6. Dispositif électronique réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur selon les revendications l et 3, caractérisé en ce que la cavité résonante comporte des matériaux à alliages laminés aux caractéristiques particulières à savoir un matériau conducteur de conductivité thermique inférieure à 2500 W/m/K, de densité inférieure à 3 g/cm3, de module d'Young supérieur à 250 GPa, de dureté supérieure à 2000 Kg/ mm2, de chemin libre de phonons inférieur à 200 nm, de coefficient thermique d'expansion inférieur à 3.E-6/K et élaborés à partir de composé binaire ou ternaire ou quaternaire comprenant les borures BxMet_x, les carbures - CxMe,_x, les nitrures - MexNj_x à base de béryllium, titane, tantale, aluminium, ruthénium, iridium, osmium, hafnium, niobium déposés par une ou plusieurs des techniques sélectionnées parmi ALD, MALD, PEALD, PEALD, RTALD, épitaxie. 7. Dispositif électronique réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la cavité résonante est préférentiellement élaborée d'alliage ALD de nanornatériaux composé de BexOyAli_,N2 et très préférentiellement de nano-matériaux constitués de la nanostructure suivante (BeO)a (Be3N2)b (BeO), (A1N)d (Be3N2)e (Al2O3)f (BeO)g (Be3N2)h dont chaque composé a une épaisseur entre 10 et 50A et dont chaque alliage a une épaisseur entre 3 et 30A. 8. Dispositif électronique réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur selon les revendications précédentes, caractérisé en ce que la fabrication de la cavité résonante intégrée consiste en un cycle d'étapes au-dessus des connexions et interconnexions des différentes électrodes par la succession des étapes suivantes: ^ dépôt d'une couche isolante (12) par PECVD ou par dépôt centrifuge et par PECVD d'une couche d'un diélectrique à base de silice épaisse de 6000 à 65000 A ^ lithographie de l'image du damascène ^ gravure à travers le masque de résine du matériau isolant ^ retrait de la résine et nettoyage des résidus de gravure ^ dépôt par la technique ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de TiN épaisse de 100 à 1500 A (13) ^ lithographie de l'image négative du damascène utilisant le masque damascène de la cavité résonante ^ gravure de TiN à travers le masque de résine négative ^ dépôt par CVD ou par effet centrifuge d'un matériau à base PDMS ou PMM ^ lithographie de l'image positive du damascène utilisant le masque damascène de la cavité résonante gravure par plasma ou par voie humide du film inhibiteur de polymérisation dépôt de conformalité élevée du premier nano-laminé d'alliage ALD de Be,OyAlt_ZNz d'une épaisseur comprise entre 30 et 200 A (14) par une technique choisie parmi ALD, PEALD, PAALD, MALD, RTALD et l'épitaxie dépôt du second nano-laminé d'alliage ALD de Be. OyAll_ZNz (15) d'une épaisseur comprise entre 30 et 200 A par une technique choisie parmi ALD, PEALD, PAALD, MALD, RTALD et l'épitaxie d'une épaisse comprise entre 30 et 200 A dépôt du troisième nano-laminé d'alliage ALD de BesOyAl1_zNz (16) d'une épaisseur comprise entre 30 et 200 A par une technique choisie parmi ALD, PEALD, PAALD, MALD, RTALD et l'épitaxie traitement thermique par flash d'une durée comprise entre 1 milliseconde et 3000 millisecondes soit par voie d'un LASER type excimer à une température comprise entre 400 C et 1200 C soit par recuit thermique rapide nommé RTA (Rapid Thermal Annealing) ou RTP (Rapid Thermal Processing) sous atmosphère de deutérium ou de gaz deutéré ou de gaz inerte comme une mixture N2:H2 à une température comprise entre 400 C et 1000 C ^ dépôt par CVD ou par effet centrifuge d'un matériau à base PDMS ou PMM ^ lithographie de l'image positive du damascène utilisant le masque damascène de la cavité résonante ^ gravure par plasma ou par voie humide du film inhibiteur de polymérisation ^ dépôt par la technique ALD, ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de TiN épaisse de 200 à 2000 A (17) ^ traitement de surface par technique de RTP sous atmosphère de N2:H2 à une température comprise entre 400 C et 1000 C ^ retrait et nettoyage par voie de plasma ou par voie humide du matériau inhibiteur de polymérisation ^ gravure de la couche isolante servant de moule en damascène et stoppée par la couche d'arrêt de SiC ^ dépôt par la technique ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de SiOXN1_X épaisse de à 2000 A (18) ^ dépôt d'une couche isolante (19) servant de damascène pour la métallisation des électrodes entrée et sortie par une technique choisie parmi l'effet centrifuge (Spin-On Gel Deposition) ou par PECVD 15 25 30 35 d'un matériau ou d'une pluralité de matériaux de permittivité effective comprise entre 1 et 3,9 et à base de silice afin de remplir l'intérieur de la cavité résonante en forme de U ^ Planarisation par CMP de la couche isolante pour obtenir une surface plane jusqu'à la couche de SiO,,N1, et nettoyage de la surface par voie humide ^ Métallisation en aluminium selon la technique damascène réalisée par: o lithographie de l'image positive de damascènes utilisant le masque des électrodes entrée et sortie (20) o gravure par voie humide à partir des mixtures diluées dans l'eau dé-ionisée à base de HF et de BHF (Buffered HF) et préférentiellement à la suite d'une lithographie à travers le masque de résine par un procédé de gravure plasma d'ions réactifs dont la mixture de gaz employés est préférentiellement CHF3/CF4/N2/02 o Nettoyage à base de plasma ou par voie humide à partir de bain chimique ultra dilué composé d'une mixture de dHF:03:C5H8O7:H2O (21) o Dépôt par la technique PVD mais préférentiellement par ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de TiN épaisse de 200 à 2000 A (22) o par la technique PVD ou par CVD ou par ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de Al épaisse de 6000 à 65000 A (23) o planarisation par CMP de l'aluminium (24) déposé en dehors de la damascène et nettoyage de la surface par voie humide assurée par une mixture de dl-IF:03:C6H8O7 pour retirer les sels d'abrassifs o Dépôt par la technique PVD (Pulverisation Vapor Deposition) mais préférentiellement par ALD ou PEALD ou PAALD ou MALD d'une couche de TiN épaisse de 500 à 500 A (25) ^ lithographie de l'image des électrodes supérieures entrée et sortie ^ gravure de la couche de passivation du métal des électrodes à savoir le film de TiN à travers le masque de résine du matériau isolant ^ retrait de la résine et nettoyage des résidus de gravure ^ libération de la structure intérieure de la cavité résonante qui a servi de protection pour la formation supérieure des électrodes entrée et sortie (26): o gravure par voie humide à partir des mixtures diluées dans l'eau dé-ionisée à base de HF et de BHF (Buffered HF) et préférentiellement par un procédé de gravure plasma d'ions réactifs dont la mixture de gaz employés est préférentiellement CHF3/CF4/N2/02 consécutivement à une lithographie o gravure obligatoirement anisotrope de la couche ultra mince de SiO,N1, épaisse de 10 à 2000 A (27)servant de matériau de libération verticale de la cavité résonante avec les électrodes entrée et sortie par une gravure sèche