FR 2881913 A1 20060811 FR 0506433 A 20050624 TRANSDUCTEUR CAPACITIF TRES SENSIBLE (A MICRO-USINAGE) MICRO-USINE A ULTRASONS L'invention concerne d'une façon générale des systèmes mécaniques 5 d'imagerie et, plus particulièrement, les transducteurs capacitifs à micro-usinage à ultrasons (cMUT). Les transducteurs sont des dispositifs qui transforment des signaux d'entrée qui se présentent sous une forme en signaux de sortie sous une forme différente. Parmi les transducteurs couramment utilisés, on peut citer des capteurs de lumière, des capteurs de chaleur et des capteurs acoustiques. Un exemple de capteur acoustique est constitué par un transducteur à ultrasons qui peut être mis en uvre en imagerie médicale, lors d'évaluations non destructives et dans d'autres applications. Actuellement, une forme de transducteur à ultrasons est constituée par un transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons (cMUT). Une cellule de cMUT comprend globalement un substrat qui contient une électrode inférieure, un diaphragme suspendu au-dessus du substrat par des montants de support, et une couche de métallisation qui sert d'électrode supérieure. L'électrode supérieure, le diaphragme et l'électrode inférieure définissent une cavité. Dans les dispositifs de cMUT selon la technique antérieure, l'écartement entre les électrodes supérieure et inférieure de la cellule de cMUT est conçu de manière à être uniforme et étroit afin d'accroître la sensibilité lorsque l'émetteur-récepteur constituant le cMUT est employé comme récepteur. Cependant, la faible profondeur de la cavité limite l'amplitude maximale du déplacement du diaphragme lorsque l'émetteur-récepteur sous la forme du cMUT est utilisé comme émetteur. Par conséquent, pour accroître l'amplitude de l'impulsion émise, il peut être souhaitable que le cMUT fonctionnant en émission ait un intervalle plus grand entre les électrodes supérieure et inférieure pour permettre un plus grand fléchissement du diaphragme. En outre, il peut être souhaitable d'améliorer la sensibilité et les performances du cMUT pendant son fonctionnement comme émetteur et comme récepteur. En outre, il peut être souhaitable de maîtriser activement la zone acoustique (intervalle) et la profondeur de la cavité du cMUT. En bref, selon une forme de réalisation de la présente technique, il est proposé un transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons (cMUT). Le cMUT 35 comprend une électrode inférieure. En outre, le cMUT comprend un diaphragme disposé au voisinage immédiat de l'électrode inférieure de façon qu'un intervalle ayant une première largeur d'intervalle soit formé entre le diaphragme et l'électrode inférieure. En outre, le cMUT comprend au moins un élément formé dans l'intervalle, l'élément au moins unique étant agencé pour créer une deuxième largeur d'intervalle entre le diaphragme et l'électrode inférieure. En outre, l'élément au moins unique peut être constitué par un élément saillant, ou bien par un élément en retrait. Selon une autre forme de réalisation de la présente technique, une cellule de cMUT est présentée. Le cMUT comprend une électrode inférieure comportant une 1 o face supérieure et une face inférieure. De plus, une pluralité de montants de support sont disposés sur la face supérieure de l'électrode inférieure et sont agencés pour définir une cavité. En outre, un diaphragme est disposé sur la pluralité de montants de support pour créer un intervalle délimité par le diaphragme et l'électrode inférieure. De plus, le cMUT comprend une électrode supérieure disposée sur la face supérieure du diaphragme. Le cMUT comprend en plus au moins un élément formé dans la cavité et agencé pour créer entre l'électrode inférieure et l'électrode supérieure un intervalle plus petit que la profondeur de la cavité. En outre, la cellule de cMUT peut comporter une source de potentiel de polarisation, la source de potentiel de polarisation étant agencée pour distendre le diaphragme vers l'électrode inférieure. Selon un autre aspect de la présente technique, il est proposé un procédé pour fabriquer un cMUT. Le procédé comprend une étape consistant à former une pluralité de montants de support sur une électrode inférieure pour définir une cavité entre les montants de support. De plus, le procédé comprend une étape consistant à former au moins un élément dans la cavité. De plus, le procédé comprend une étape consistant à disposer un diaphragme sur la pluralité de montants de support afin de former un intervalle entre l'électrode inférieure et le diaphragme. En outre, le procédé comprend une étape consistant à disposer une électrode supérieure sur le diaphragme. Selon un aspect de la présente technique, il est proposé une structure de cellules de cMUT. La structure de cellules de cMUT comprend une première cellule configurée pour fonctionner en mode réception, la première cellule comportant une électrode inférieure et une électrode supérieure. En outre, la structure de cellules de cMUT comporte une deuxième cellule configurée pour fonctionner en mode émission, la deuxième cellule comportant une électrode inférieure et une électrode supérieure. De plus, la structure de cellules de cMUT comporte une pluralité de montants de support agencés pour former entre eux des cavités dans chacune des première cellule et deuxième cellule. La structure de cellules de cMUT comprend en outre une pluralité de diaphragmes disposés sur les montants de support. De plus, la structure de cellules de cMUT comprend un élément saillant et/ou un élément en retrait formés dans une cavité de la première cellule et de la deuxième cellule. Selon un autre aspect de la présente technique, il est proposé un procédé pour fabriquer une structure de cellules de cMUT. Le procédé comprend une étape consistant à fabriquer une première cellule configurée pour fonctionner en mode 1 o réception, la première cellule comportant une électrode inférieure et une électrode supérieure. En outre, le procédé comprend une étape consistant à fabriquer une deuxième cellule configurée pour fonctionner en mode émission, la deuxième cellule comportant une électrode inférieure et une électrode supérieure. Par ailleurs, le procédé comprend une étape consistant à fabriquer un élément saillant et/ou un élément en retrait dans l'une des première cellule et deuxième cellule. Selon un aspect de la présente technique, il est proposé un système comprenant un cMUT et une résistance couplée au cMUT. En outre, le système comprend un bloc de tension de polarisation, le bloc de tension de polarisation étant couplé à la résistance. De plus, le système comprend un multiplexeur, le multiplexeur étant couplé à la résistance. En outre, le système comprend un commutateur couplé au multiplexeur, le commutateur étant configuré pour commander des modes de fonctionnement du cMUT. Le système comprend également des circuits de commande couplés au commutateur, les circuits de commande étant configurés pour commander le fonctionnement du bloc de tension de polarisation et du commutateur. Par ailleurs, le système comprend un pulseur couplé au commutateur, le pulseur étant configuré pour générer des impulsions d'excitation de courant alternatif. Par ailleurs, le système comporte un amplificateur à faible bruit couplé au commutateur, l'amplificateur à faible bruit étant configuré pour renforcer des signaux. L'invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée d'un mode de réalisation pris à titre d'exemple non limitatif et illustré par les dessins annexés sur lesquels: la Fig. 1 est une vue latérale en coupe illustrant un exemple de forme de réalisation d'un émetteur- récepteur de cMUT comportant un relief annulaire et fonctionnant en mode émission selon des aspects de la présente technique; la Fig. 2 est une vue latérale en coupe illustrant un exemple de forme de réalisation de l'émetteur-récepteur de cMUT de la Fig. 1 comportant un relief annulaire et fonctionnant en mode réception selon des aspects de la présente technique; la Fig. 3 est une vue de dessus en coupe de l'émetteurrécepteur de cMUT de la Fig. 1 suivant la ligne de coupe 3-3; la Fig. 4 est une vue latérale en coupe d'un autre exemple de forme de réalisation de l'émetteur-récepteur de cMUT de la Fig. 1, comportant un relief unique selon des aspects de la présente technique; la Fig. 5 est une vue latérale en coupe d'un autre exemple de forme de réalisation de l'émetteur-récepteur de cMUT de la Fig. 1, comportant une série de 15 reliefs selon des aspects de la présente technique; la Fig. 6 est une vue latérale en coupe d'un autre exemple de forme de réalisation de l'émetteur-récepteur de cMUT de la Fig. 1, comportant un puits selon des aspects de la présente technique; la Fig. 7 est une vue latérale en coupe d'un autre exemple possible de forme 20 de réalisation de l'émetteurrécepteur de cMUT de la Fig. 2, comportant un relief unique selon des aspects de la présente technique; la Fig. 8 est une vue latérale en coupe d'un autre exemple de forme de réalisation de l'émetteur-récepteur de cMUT de la Fig. 2, comportant une série de reliefs selon des aspects de la présente technique; la Fig. 9 est une vue latérale en coupe d'un autre exemple de forme de réalisation de l'émetteur-récepteur de cMUT de la Fig. 2, comportant un puits selon des aspects de la présente technique; la Fig. 10 est une vue de dessus en coupe de l'émetteur-récepteur de cMUT de la Fig. 4, suivant la ligne de coupe 10-10; la Fig. 11 est une vue de dessus en coupe de l'émetteur-récepteur de cMUT de la Fig. 5 suivant la ligne de coupe 11-11; la Fig. 12 est une vue de dessus en coupe de l'émetteur-récepteur de cMUT de la Fig. 6 suivant la ligne de coupe 12-12; la Fig. 13 est une vue latérale en coupe illustrant un exemple de forme de réalisation d'une cellule individuelle de cMUT à double cavité selon des aspects de la présente technique; la Fig. 14 est une vue latérale en coupe illustrant un exemple de forme de 5 réalisation d'une autre configuration possible de la cellule individuelle de cMUT à double cavité de la Fig. 13 selon des aspects de la présente technique; les figures 15 à 20 illustrent un exemple de procédé de fabrication de la cellule de cMUT de la Fig. 1; les figures 21 à 26 illustrent un autre exemple possible de procédé de I o fabrication de la cellule de cMUT de la Fig. 1; les figures 27 à 32 illustrent un autre exemple de procédé de fabrication de la cellule de cMUT de la Fig. 1; et la Fig. 33 est un schéma de principe d'un système mettant en oeuvre des émetteurs- récepteurs de cMUT selon un aspect de la présente technique. Dans de nombreux domaines tels que l'imagerie médicale et les évaluations non destructives, il peut être souhaitable d'utiliser des transducteurs à ultrasons permettant d'obtenir des images diagnostiques de grande qualité. Des images diagnostiques de grande qualité peuvent être obtenues à l'aide de transducteurs à ultrasons tels que des transducteurs capacitifs à micro-usinage à ultrasons, qui présentent une grande sensibilité aux signaux acoustiques de faible niveau à des fréquences ultrasonores. Les techniques présentées ici résolvent certains ou la totalité de ces problèmes. Considérant maintenant la Fig. 1, il y est illustré une vue latérale d'une coupe d'une forme de réalisation d'un émetteur-récepteur 10 de transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons (cMUT). Comme le comprendront les spécialistes de la technique, les figures n'ont qu'un rôle d'illustration et ne sont pas dessinées à l'échelle. La Fig. 1 représente l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionnant en mode émission. L'émetteur-récepteur 10 de cMUT comprend une électrode inférieure 12, ayant une face supérieure et une face inférieure, qui peut être disposée sur un substrat (non représenté). L'épaisseur de l'électrode inférieure 12 peut, par exemple, être approximativement de l'ordre de 20 à 500 micromètres. Plusieurs montants de support 14, comportant une face supérieure et une face inférieure, peuvent être disposés sur la face supérieure de l'électrode inférieure 12. Selon une autre possibilité, les différents montants de support 14 peuvent être disposés directement sur le substrat. Les montants de support 14 peuvent être configurés pour définir une cavité 20. D'une façon générale, la hauteur des montants de support 14 est de l'ordre de plusieurs dixièmes à quelques micromètres ( m). Par ailleurs, les montants de support 14 peuvent être en matière telle que, d'une manière nullement limitative, l'oxyde de silicium ou le nitrure de silicium. De plus, une membrane ou un diaphragme 16 peut être disposé sur la face supérieure des différents montants de support 14. En outre, en fonction des procédés de micro-usinage employés pour fabriquer le cMUT, le diaphragme 16 peut être réalisé à l'aide de matière telle que, d'une manière nullement limitative, le nitrure de silicium, l'oxyde de silicium, le silicium monocristallin, le silicium épitaxial, le silicium polycristallin et d'autres matériaux semi-conducteurs. L'épaisseur du diaphragme 16 peut par exemple être approximativement de l'ordre de 0,1 à 5 micromètres. L'émetteur-récepteur 10 de cMUT peut comprendre une électrode supérieure 18 comportant une face supérieure et une face inférieure, l'électrode supérieure 18 pouvant être disposée sur la face supérieure du diaphragme 16. L'épaisseur de l'électrode supérieure 18 peut par exemple être approximativement de l'ordre de 0,1 à 1 micromètre. L'émetteur-récepteur 10 de cMUT peut comporter un intervalle qui peut être délimité par l'électrode inférieure 12 et le diaphragme 16. La cavité 20 peut être remplie d'air ou d'un gaz, ou encore un vide complet ou partiel peut y être créé. Cependant, selon un exemple de forme de réalisation de la présente technique, il est possible d'employer une cavité 20 dans laquelle le vide est entièrement ou partiellement créé. De plus, la cavité 20 comporte un fond 24 en diélectrique. La cavité 20 peut avoir une profondeur de l'ordre d'approximativement des dixièmes de micromètre à quelques micromètres. Selon un exemple de forme de réalisation de la présente technique, et comme décrit plus en détail ci-après, au moins un élément tel qu'un élément saillant (par exemple, figures 1 à 5) ou un élément en retrait (par exemple, Fig. 6) peut être formé dans la cavité 20, et configuré pour régler l'intervalle, c'est-à-dire la largeur de l'intervalle, de façon qu'elle soit inférieure à la profondeur de la cavité 20, entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18, dans certains modes de fonctionnement. En particulier, dans un premier exemple de forme de réalisation, l'élément au moins unique peut être constitué par un élément saillant tel qu'un relief 22. Le relief 22 peut être disposé sur la face supérieure de l'électrode inférieure 12. Selon une autre possibilité, le relief 22 peut être disposé sur la face inférieure du diaphragme 16. Le relief 22 peut comporter deux couches. Comme illustré sur la vue agrandie du relief de la Fig. 1, la couche supérieure du relief 22 peut comporter un matériau isolant tel qu'une couche de diélectrique pour empêcher l'apparition de courts-circuits entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18. La couche de diélectrique peut comporter des matières telles que, de manière nullement limitative, l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, un polymère et autres matériaux non conducteurs. Par ailleurs, la couche inférieure du relief 22 peut comporter un matériau conducteur tel que, de manière nullement limitative, un métal, du silicium épitaxié, du silicium monocristallin, du silicium polycristallin et autres matériaux 1 o semi-conducteurs. Le relief 22 peut présenter diverses formes, notamment, mais de manière nullement limitative, une forme circulaire, rectangulaire ou hexagonale. De plus, le relief 22 peut être représenté par un relief unique, un relief en forme d'anneau, ci-après appelé relief annulaire, ou n'importe quel agencement de relief, par exemple, mais de manière nullement limitative, un groupe de reliefs. Par ailleurs, les parois latérales du relief 22 peuvent être verticales, coniques ou arrondies. Par ailleurs, l'élément au moins unique qui peut être formé dans la cavité 20 de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT peut être un élément en retrait tel qu'un puits 26. Le puits 26 peut être formé par attaque chimique dans la cavité 20 (comme cela sera illustré et examiné en référence à la Fig. 6 ci-après). De plus, l'émetteur-récepteur 10 de cMUT peut comporter à la fois le relief 22 et le puits (non représenté). Selon une autre possibilité, un puits peut être formé par attaque chimique sur l'électrode inférieure 12, et le relief 22 peut être formé sur le diaphragme 16. Selon encore une autre configuration, les reliefs 22 peuvent être formés dans un puits. De plus, selon un autre aspect de la présente technique, l'émetteurrécepteur 10 de cMUT peut comporter une source de potentiel de polarisation (non représentée), la source de potentiel de polarisation étant configurée pour distendre le diaphragme 16 vers l'électrode inférieure 12. Selon une forme de réalisation de la présente technique, la largeur de l'intervalle entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18 peut être modifié en modifiant la hauteur des reliefs 22 et/ou la profondeur des puits, et en modifiant le potentiel de polarisation en fonction d'un mode de fonctionnement de l'émetteurrécepteur de cMUT. Pendant que l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionne comme émetteur, il peut être avantageux d'accroître la profondeur de la cavité pour faciliter un plus grand fléchissement du diaphragme afin d'accroître l'amplitude du signal émis. Cependant, lorsque l'émetteurrécepteur de cMUT fonctionne comme récepteur, il peut être avantageux d'avoir une plus petite largeur de l'intervalle entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18 afin d'accentuer la réception de signaux. Par conséquent, la sensibilité de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT peut être accrue en réglant la dimension de l'intervalle entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18, en optimisant avantageusement les performances de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT pour émettre et recevoir des signaux. Comme le comprendra un spécialiste ordinaire de la technique, l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18 séparées par la cavité 20 forment une capacitance. Pour l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionnant dans le mode émission comme illustré sur la Fig. 1, un grand fléchissement du diaphragme pour accroître l'amplitude de l'impulsion émise peut être obtenu à l'aide d'une cavité 20 plus profonde. Dans le mode émission, une plus petite polarisation du courant continu (c.c.) permet l'application d'une forte impulsion d'excitation de courant alternatif (c.a.), ce qui peut avoir l'avantage d'aboutir à un plus grand fléchissement de la membrane et un plus grand rapport signal-bruit pour l'émetteur-récepteur 10 de cMUT. Cependant, pour l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionnant en mode réception, il peut être souhaitable d'avoir un plus petit intervalle entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18 afin d'accentuer la sensibilité de l'émetteur- récepteur 10 de cMUT. La Fig. 2 représente une vue latérale d'une coupe d'un émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionnant dans le mode réception. Comme illustré sur la Fig. 2, la profondeur de la cavité 20 peut être plus petite que la profondeur de la cavité de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT de la Fig. 1 fonctionnant dans le mode émission. Cette profondeur plus faible de la cavité peut aboutir à une plus grande capacitance, ce qui peut à son tour avoir l'effet avantageux de renforcer la sensibilité de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT. Comme illustré sur la Fig. 2, lorsque la source de potentiel de polarisation est appliquée à l'émetteur-récepteur 10 de cMUT, le diaphragme 16 peut fléchir vers l'électrode inférieure 12. Cependant, du fait de la présence des reliefs 22 dans la cavité 20, la profondeur de la cavité 20 diminue beaucoup. Par conséquent, le fléchissement du diaphragme 16 avec une profondeur réduite de la cavité peut avoir pour effet une plus grande sensibilité de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionnant comme récepteur. La Fig. 3 est une vue de dessus d'une coupe transversale de l'émetteurrécepteur 10 de cMUT de la Fig. 1, suivant la ligne 3-3. Dans la forme de réalisation illustrée de la Fig. 3 est représenté un relief annulaire. Cependant, comme décrit plus haut, le relief peut se présenter sous la forme d'un cercle, d'un rectangle, d'un hexagone ou sous n'importe quelle autre forme. Les figures 4 à 6 représentent des vues en coupe d'autres formes possibles de réalisation de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionnant dans le mode émission. Considérant en particulier la Fig. 4, une vue latérale en coupe d'une autre forme possible de réalisation de l'émetteur- récepteur 10 de cMUT fonctionnant dans le mode émission et ayant un relief unique 22 disposé dans la cavité 20 est représentée. En outre, la Fig. 5 représente encore une autre forme possible de réalisation d'un émetteur-récepteur 10 de cMUT, fonctionnant dans le mode émission et ayant une pluralité de reliefs 22 disposés en groupe qui peut être formé dans la cavité 20. Selon d'autres aspects de la présente technique, un élément en retrait peut être formé dans la cavité 20. La Fig. 6 illustre une forme de réalisation de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionnant dans le mode émission et ayant un élément en retrait tel qu'un puits 26, formé par une attaque chimique dans la cavité 20. En référence à la Fig. 6, le puits 26 peut comporter deux couches. Comme illustré sur la vue agrandie du puits de la Fig. 6, la couche supérieure du puits 26 peut comporter un matériau isolant tel qu'une couche de diélectrique afin d'empêcher l'apparition de courts-circuits entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18. La couche de diélectrique peut comporter des matières telles que, de manière nullement limitative, l'oxyde de silicium, le nitrure de silicium, un polymère et autres matériaux non conducteurs. Par ailleurs, la couche inférieure du puits 26 peut comporter un matériau conducteur tel que, mais de manière nullement limitative, un métal, du silicium épitaxié, du silicium monocristallin, du silicium polycristallin et autres matériaux semiconducteurs. Le puits 26 peut présenter diverses formes telles que, de manière nullement limitative, une forme circulaire, rectangulaire ou hexagonale. De plus, le puits 26 peut être représenté par un puits unique, un puits en forme d'anneau, ci-après appelé puits annulaire, ou par n'importe quel agencement de puits tel que, mais d'une manière nullement limitative, un groupe de puits. Par ailleurs, les parois latérales des puits 26 peuvent être verticales, coniques ou arrondies. Les figures 7 à 9 représentent des vues en coupe correspondant à celles de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT illustré sur les figures 4 à 6, fonctionnant dans le mode de réception. La Fig. 7 représente l'émetteurrécepteur 10 de cMUT de la Fig. 4 fonctionnant dans le mode réception. De même, la Fig. 8 représente l'émetteur- récepteur 10 de cMUT de la Fig. 5 fonctionnant dans le mode réception. D'une façon similaire, la Fig. 9 représente l'émetteur-récepteur 10 de cMUT de la Fig. 6 fonctionnant comme récepteur. Les figures 10 à 12 représentent des vues de dessus en coupe correspondant à celles de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT représenté sur les figures 4 à 6. Considérant en particulier la Fig. 10, il y est représenté une vue de dessus de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT de la Fig. 4 suivant la ligne 10-10, ayant un relief unique 22 disposé dans la cavité 20 de l'émetteurrécepteur 10 de cMUT. La Fig. 11 représente une vue de dessus de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT de la Fig. 5 suivant la ligne 11-11, un groupe de reliefs 22 étant disposé dans la cavité 20 de l'émetteurrécepteur 10 de cMUT. De même, une vue de dessus de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT de la Fig. 6, suivant la ligne 12-12 et ayant un puits 26 formé par attaque chimique dans la cavité 20 de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT, est représentée. Les reliefs 22 et les puits 26 peuvent être conçus pour modifier la profondeur de la cavité 20 de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT. De plus, en modifiant le potentiel de polarisation, il est possible d'optimiser les dimensions de l'intervalle entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18 pour émettre et recevoir des signaux. Cette optimisation peut être réalisée à l'aide d'une source de potentiel de polarisation pour commander le fléchissement du diaphragme 16 lorsque l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionne dans le mode émission et/ou réception. Par exemple, lorsque l'émetteur-récepteur de cMUT fonctionne dans le mode émission, comme illustré sur la Fig. 1, une polarisation de courant continu, inférieure à la tension d'affaissement, peut être appliquée à l'aide de la source de polarisation, ce qui peut avoir l'avantage de créer un grand intervalle entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18, comme illustré sur la Fig. 1. Ainsi que le comprendront des spécialistes de la technique, la tension d'affaissement est une tension de polarisation où la force mécanique de rappel à la suite d'un fléchissement de la membrane pour de petits fléchissements de la membrane ne peut pas compenser la force électrostatique. La faible polarisation de courant continu permet l'application d'une forte impulsion d'excitation de courant alternatif, ce qui peut aboutir à un plus grand fléchissement de la membrane et à un plus grand rapport signal-bruit pour l'émetteurrécepteur 10 de cMUT fonctionnant dans le mode émission. En outre, dans le mode réception, une tension de courant continu suffisante pour amener le diaphragme 16 à s'affaisser sur les reliefs 22, peut être appliquée par l'intermédiaire de la source de potentiel de polarisation. La tension appliquée peut amener le diaphragme 16 à fléchir en s'affaissant sur le relief 22, comme illustré sur la Fig. 2. La largeur réduite de l'intervalle entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18 peut avoir l'effet avantageux d'une plus grande variation de capacité pour une onde acoustique incidente donnée, ce qui peut à son tour aboutir à une sensibilité accrue de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT. En outre, la largeur de l'intervalle entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18 dans l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionnant dans le mode réception est inférieure à celle du cas où l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionne dans le mode émission. De plus, bien que la tension de polarisation appliquée à l'émetteur- récepteur 10 de cMUT fonctionnant comme récepteur convienne pour attirer l'électrode supérieure 18 jusque 1 o sur le relief 22, le potentiel de polarisation peut être inférieur à la tension d'affaissement pour l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18. Comme évoqué plus haut, les reliefs 22 peuvent dépasser du fond de la cavité 20. De ce fait, la profondeur effective de la cavité 20 entre le sommet des reliefs 22 et l'électrode supérieure 18 (c'est-à-dire "l'intervalle") peut être plus petite, ce qui nécessite donc un potentiel de polarisation plus faible pour amener le diaphragme 16 à s'affaisser sur les reliefs 22. Dans un exemple de forme de réalisation, la hauteur desreliefs 22 peut être par exemple inférieure à 0,2 micromètre. De plus, les reliefs peuvent être disposés sur l'électrode inférieure 12 ou sur l'électrode supérieure 18. La profondeur de la cavité 20 de l'émetteurrécepteur 10 de cMUT fonctionnant comme récepteur peut être régulée par la hauteur du relief 22 lorsque le diaphragme 16 est affaissé sur les reliefs 22. Cette profondeur plus petite de la cavité peut avoir l'effet avantageux d'un plus grand changement de capacité pour une onde ultrasonore incidente donnée et peut donc aboutir à une meilleure sensibilité de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT fonctionnant dans le mode réception. Selon un exemple de forme de réalisation de la présente invention, un émetteur-récepteur 10 de cMUT dans lequel l'intervalle entre l'électrode inférieure 12 et l'électrode supérieure 18 peut être réglé en constituant des reliefs et/ou des puits, et en modifiant le potentiel de polarisation, a été décrit. Selon les présents exemples de formes de réalisation, l'émetteur-récepteur 10 de cMUT peut être optimisé pour fonctionner à la fois comme émetteur et comme récepteur. Des principes similaires peuvent être employés pour des configurations avec des cellules d'émission et de réception séparées en permettant de ce fait une optimisation individuelle des cellules du cMUT fonctionnant comme émetteurs et récepteurs, ainsi qu'on le décrira plus en détail par la suite. Les figures 13 et 14 illustrent d'autres formes possibles de réalisation d'une cellule individuelle 28 de cMUT à double cavité ayant des structures distinctes de cellules d'émission et de réception de façon que des intervalles de différentes profondeurs puissent être réalisés dans chacun des modes émission et réception. Dans une configuration actuellement envisagée, la cellule individuelle 28 de cMUT représentée sur les figures 13 et 14 comporte une première cellule (cellule de réception 30), qui est configurée pour fonctionner en mode de réception. Comme décrit plus en détail par la suite, la cellule de réception 30 comporte une électrode inférieure et une électrode supérieure et un intervalle ayant une première largeur 1 o d'intervalle. De plus, la cellule individuelle 28 de cMUT comporte une deuxième cellule (cellule d'émission 32) configurée pour fonctionner en mode émission. De même que dans le cas de la cellule de réception 30, la cellule d'émission 32 comporte une électrode inférieure et une électrode supérieure, et un intervalle ayant une deuxième largeur d'intervalle plus grande que la première largeur d'intervalle, comme décrit plus en détail par la suite. Considérant initialement la Fig. 13, la cellule de réception 30 comporte une électrode inférieure 34. Plusieurs montants de support 36 peuvent être disposés sur l'électrode inférieure 34. De plus, un diaphragme 38 peut être disposé sur les différents montants de support 36. De plus, une électrode supérieure 40 peut être disposée sur le diaphragme 38. La cellule de réception 30 a un intervalle possédant une première largeur d'intervalle entre l'électrode inférieure 34 et l'électrode supérieure 40. La première largeur d'intervalle peut être conçue pour optimiser la variation de capacité pour un signal ultrasonore incident donné lorsque la cellule individuelle 28 de cMUT fonctionne dans le mode réception. La cellule individuelle 28 de cMUT comprend en outre une cellule d'émission 32, qui peut être disposée de manière adjacente à la cellule de réception 30, pouvant comporter une électrode inférieure 42. Selon une autre possibilité, la cellule d'émission 32 peut aussi être disposée à l'écart de la cellule de réception 30. Comme dans le cas de la cellule de réception 30, la cellule d'émission 32 comporte en outre plusieurs montants de support 36 disposés sur l'électrode inférieure 42. En outre, un diaphragme 44 peut être disposé sur les différents montants de support 36 et une électrode supérieure 46 peut être disposée sur le diaphragme 44. En outre, selon le présent exemple de forme de réalisation, la cellule d'émission 32 peut comporter un puits 48 formé par micro-usinage. La présence du puits 48 crée un intervalle d'une plus grande largeur d'intervalle entre l'électrode inférieure d'émission 42 et l'électrode supérieure d'émission 46 en comparaison de la largeur de l'intervalle de la cellule de réception 30, ce qui peut faciliter à son tour un plus grand déplacement du diaphragme d'émission 44 lorsque la cellule individuelle 28 de cMUT fonctionne dans le mode émission. Par conséquent, une onde ultrasonore d'amplitude accrue peut être réalisée lorsque la cellule individuelle 28 de cMUT fonctionne dans le mode émission. De plus, une couche d'isolation 50 peut être disposée sur l'électrode inférieure de réception 34, l'électrode inférieure d'émission 42 et le fond du puits 48. En outre, bien que le présent exemple de forme de réalisation illustré sur la Fig. 13 montre un puits 48 formé dans l'électrode inférieure d'émission 42 pour assurer des largeurs d'intervalles variées dans chacune des cellule de réception 30 et cellule d'émission 32, dans un autre exemple possible de forme de réalisation représenté sur la Fig. 14, un élément saillant tel qu'un relief 52 peut être disposé sur l'électrode inférieure de réception 34. Le relief 52 peut être configuré pour réduire la largeur de l'intervalle entre l'électrode inférieure de réception 34 et l'électrode supérieure de réception 40, ce qui optimise donc la variation de la capacité pour une onde ultrasonore incidente donnée. En outre, une couche d'isolation peut être disposée sur le relief 52. La couche d'isolation peut également être disposée sur la couche inférieure de réception 34. Selon une autre possibilité, la cellule individuelle 28 de cMUT à double cavité peut être configurée pour comporter à la fois un puits 48 dans la cellule d'émission 32 et un relief 52 dans la cellule de réception 30, ou n'importe quelles combinaisons de reliefs et de puits. Dans l'exemple de forme de réalisation des cellules individuelles 28 de cMUT à double cavité illustré sur les figures 13 et 14, les dimensions latérales des cellules de réception et d'émission peuvent être différentes. Cela facilite l'emploi de la cellule individuelle 28 de cMUT à double cavité dans divers domaines. Par exemple, les cellules individuelles 28 de cMUT à double cavité peuvent trouver une application en imagerie à harmoniques, où la fréquence de fonctionnement de la cellule de réception 30 et de la cellule d'émission 32 peut être avantageusement adaptée en réglant les dimensions respectives de chacune des cellules. La cellule individuelle 28 à double cavité peut avoir les mêmes dimensions que l'émetteur-récepteur 10 de cMUT de la Fig. 1. Comme le comprendra un spécialiste ordinaire de la technique, en séparant les cellules de cMUT d'après leur fonctionnalité, c'est-à-dire l'émission et la réception, une zone de détection comprenant une pluralité de cellules d'émission et de réception distinctes de cMUT peut subir une perte de signaux en raison d'une réduction de la surface de détection pendant que les unes ou les autres des cellules d'émission et des cellules de réception sont en fonctionnement. Cependant, le fait de séparer la structure en cellules d'émission et de réception distinctes, comme illustré sur les figures 13 et 14, peut plus que compenser la perte de signaux subie si un seul ensemble de cellules de cMUT, c'est-à-dire les cellules d'émission ou les cellules de réception, sont en fonctionnement. Les cellules d'émission et de réception peuvent alors être optimisées séparément, ce qui permet d'améliorer la sensibilité, laquelle peut surpasser les pertes de surface de détection active. De plus, comme décrit à propos de l'émetteur-récepteur 10 de cMUT, la cellule individuelle 28 de cMUT à double cavité peut comporter au moins une source de potentiel de polarisation, la source de potentiel de polarisation étant configurée pour distendre le diaphragme de réception 38 et le diaphragme d'émission 44 vers leurs électrodes inférieures correspondantes 34 et 42. Selon d'autres aspects de la présente technique, il est proposé un procédé pour fabriquer une forme de réalisation d'un émetteur-récepteur de cMUT. Les figures 15 à 20 illustrent le déroulement d'un procédé de fabrication de l'émetteur-récepteur de cMUT, dans lequel les reliefs peuvent être disposés sur le diaphragme. La Fig. 15 illustre une étape initiale du procédé de fabrication d'une partie inférieure 54 (une plaquette initiale à faible résistivité), qui peut comporter une électrode inférieure d'émetteur-récepteur de cMUT. Comme illustré sur la Fig. 15, une première couche d'oxyde 56 et une deuxième couche d'oxyde 60 peuvent être formées par un procédé d'oxydation qui peut être un procédé d'oxydation par voie sèche, un procédé d'oxydation par voie humide, ou une combinaison des deux, sur des faces opposées d'un substrat tel qu'une couche de silicium 58 fortement conductrice. La deuxième couche d'oxyde 60 définit l'intervalle entre l'électrode inférieure et l'électrode supérieure. Comme illustré sur la Fig. 16, la lithographie et l'attaque par voie humide peuvent être employées pour éliminer par attaque une partie de la deuxième couche d'oxyde, en définissant de la sorte une pluralité de montants de support 62 et une cavité 64 qui peut être définie par les montants de support. Ensuite, comme illustré sur la Fig. 17, une oxydation peut être employée pour créer une isolation électrique 66 dans la cavité 64. Le procédé de fabrication d'un émetteur-récepteur de cMUT comprend en outre une étape consistant à fabriquer une partie supérieure 68 (une plaquette de silicium sur isolant (SSI)) qui peut comporter une électrode supérieure. Selon une autre possibilité, comme le comprendront les spécialistes de la technique, une SSI préfabriquée comportant un substrat en silicium, une couche d'oxyde noyée et une tranche de silicium permettant des manipulations peut être employée pour fabriquer l'émetteurrécepteur de cMUT. Comme illustré sur la Fig. 18, la partie supérieure 68 comporte une couche d'oxyde noyée 70 ("boîte") qui peut être disposée sur une plaquette 72 permettant des manipulations. De plus, une couche conductrice ou à faible résistivité, par exemple, mais d'une manière nullement limitative, une couche de silicium épitaxié, de silicium monocristallin ou de silicium polycristallin, peut être disposée sur la couche d'oxyde 70 formant une boîte, la couche conductrice pouvant être configurée pour servir de diaphragme 74. Selon une autre possibilité, une couche non conductrice ou à forte résistivité, par exemple, mais d'une manière nullement limitative, une couche de silicium épitaxié, de silicium monocristallin ou de silicium polycristallin, peut être disposée sur la couche d'oxyde 70 formant une boîte, cette couche pouvant être configurée de façon à servir de diaphragme 74. En outre, au moins un élément tel qu'un relief saillant 76 peut être formé sur le diaphragme 74. Le relief 76 peut être formé par lithographie suivie d'une attaque par voie sèche, laquelle peut être suivie d'une oxydation thermique pour créer une couche isolante 78 sur les reliefs 76. Comme le comprendra un spécialiste de la technique, des techniques telles que, de manière nullement limitative, le dépôt en phase vapeur par voie chimique renforcé par plasma (PVCRP) et le dépôt en phase vapeur par voie chimique à basse pression (PVCBP), peuvent aussi être employés pour former les reliefs 76. Selon une autre possibilité, les reliefs 76 peuvent être formés en déposant une matière, par exemple un métal, sur le diaphragme 74, après quoi un dépôt de diélectrique est réalisé pour créer une couche isolante sur les reliefs 76. En outre, la hauteur des reliefs 76 formés peut être conçue pour définir la largeur de l'intervalle dans la cavité 64 entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure lorsque l'émetteur- récepteur de cMUT fonctionne en mode réception. En outre, comme illustré sur la Fig. 9, une structure 80 peut alors être formée en disposant la partie supérieure 68 (plaquette de SSI) sur la partie inférieure 54 (plaquette initiale) par fixation par fusion entre la plaquette de SSI et la plaquette initiale 54. Un polissage ou un meulage mécanique suivi d'une attaque par voie humide à l'aide de produits chimiques tels que, de manière nullement limitative, l'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH), l'hydroxyde de potassium (KOH) et l'éthylène-diamine pyrocatéchol (EDP), peut servir à éliminer la plaquette de manipulation72. A la suite de l'élimination de la plaquette de manipulation 72, la couche de boîte d'oxyde 70 peut être éliminée à l'aide d'acide fluorhydrique tamponné (BHF). Ensuite, comme illustré sur la Fig. 20, une électrode supérieure 83 peut être disposée sur le diaphragme 74 pour former l'émetteur-récepteur 81 de cMUT. La Fig. 20 représente un émetteur-récepteur 81 de cMUT dans lequel les reliefs 76 sont disposés sur le diaphragme 74. De plus, comme le comprendra un spécialiste ordinaire, un micro-usinage de la surface peut également être employé pour créer des reliefs et/ou des puits. Par micro-usinage de la surface, le diaphragme est déposé, au lieu d'être fixé à partir d'une tranche de SSI comme dans le procédé de micro-usinage dans la masse. Cela peut être suivi par l'élimination d'éventuelles couches sacrificielles situées sous le diaphragme (par exemple l'oxyde), le comblement de la cavité par un vide et le dépôt de l'électrode supérieure. Le déroulement du procédé décrit en référence aux figures 15 à 20 illustre le procédé de fabrication de l'émetteur-récepteur de cMUT dans lequel les reliefs 76 peuvent être disposés sur le diaphragme 74. Comme le comprendra un spécialiste de la technique, des techniques similaires peuvent également être employées pour fabriquer une structure de cellules individuelles de cMUT à double cavité. De même, les figures 21 à 26 illustrent le déroulement d'un procédé de fabrication d'un émetteurrécepteur de cMUT dans lequel les reliefs peuvent être disposés sur l'électrode inférieure, de la manière décrite plus loin, et comme illustré précédemment sur la Fig. 1. La Fig. 21 illustre une étape initiale du procédé de fabrication d'une partie inférieure 54 (une plaquette initiale à faible résistivité) d'un émetteur-récepteur de cMUT, où une première couche d'oxyde 56 et une deuxième couche d'oxyde 60 sont fabriquées par oxydation, notamment, mais d'une manière nullement limitative, un procédé d'oxydation par voie sèche, un procédé d'oxydation par voie humide ou une combinaison des deux, et peuvent être disposées sur une couche de silicium 58 à forte conductivité. La deuxième couche d'oxyde 60 définit la largeur de l'intervalle entre l'électrode inférieure et l'électrode supérieure. Comme illustré sur la Fig. 22, la lithographie et l'attaque par voie humide peuvent être employées pour éliminer par attaque chimique une partie de la deuxième couche d'oxyde en définissant de la sorte une pluralité de montants de support 62 et une cavité 64 qui peut être définie par les montants de support. Ensuite, comme illustré sur la Fig. 23, une opération de lithographie éventuellement suivie par une attaque chimique peut être employée pour former les reliefs 76 dans la cavité 64. Comme illustré sur la Fig. 24, une oxydation, destinée à créer une couche d'isolation électrique 78 sur les reliefs 76, peut suivre la formation des reliefs 76. Selon une autre possibilité, décrite plus haut, les reliefs 76 peuvent être formés en déposant une matière telle qu'un métal sur l'électrode inférieure, La Fig. 25 illustre une autre forme possible de réalisation de la présente technique dans laquelle les reliefs 76 sont disposés dans la cavité 64. Le présent exemple de procédé de fabrication d'un émetteurrécepteur de cMUT comprend en outre la fabrication d'une partie supérieure 68 (plaquette de SSI). Selon une autre possibilité, un spécialiste de la technique comprendra qu'un SSI préfabriqué comprenant un substrat en silicium, une couche d'oxyde noyée et une plaquette de silicium à manipuler peut être employé pour fabriquer l'émetteur- récepteur de cMUT. 1 o Comme illustré sur la Fig. 25, la partie supérieure 68 comprend une couche d'oxyde formant une boîte 70 disposée sur une plaquette de manipulation 72. De plus, une couche conductrice ou à faible résistivité, par exemple, mais de manière nullement limitative, une couche de silicium épitaxié, de silicium monocristallin ou de silicium polycristallin peut être disposée sur la couche de boîte d'oxyde 70, cette couche pouvant être conçue pour servir de diaphragme 74. Selon une autre possibilité, une couche non conductrice ou à forte résistivité telle que, de manière nullement limitative, une couche de silicium épitaxial, de silicium monocristallin et de silicium polycristallin peut être disposée sur la couche de boîte d'oxyde 70, cette couche pouvant être conçue pour servir de diaphragme 74. En outre, comme illustré sur la Fig. 25, une structure 82 peut alors être formée en disposant la partie supérieure 68 sur la partie inférieure 54 par fixation par fusion entre la plaquette de SSI et la plaquette initiale. La plaquette de manipulation 72 peut être éliminée par polissage ou meulage mécanique, puis par attaque par voie humide à l'aide d'agents d'attaque tels que, de manière nullement limitative, TMAH, KOH et EDP. A la suite de l'élimination de la plaquette de manipulation, la couche de boîte d'oxyde 70 peut être éliminée par BHF. Ensuite, comme illustré sur la Fig. 26, l'électrode supérieure 83 peut être disposée sur le diaphragme 74 afin de former l'émetteur-récepteur 85 de cMUT. La Fig. 26 représente un émetteur-récepteur 85 de cMUT où les reliefs 76 sont disposés sur l'électrode inférieure 58. De plus, comme le comprendra un spécialiste ordinaire de la technique, un micro-usinage de surface peut aussi être employé pour créer des reliefs et/ou des puits. Par micro- usinage de surface, le diaphragme est déposé, au lieu d'être fixé à partir d'une tranche de SSI comme dans le procédé de micro-usinage dans la masse. Cette opération peut être suivie de l'élimination d'éventuelles couches sacrificielles situées sous le diaphragme, par exemple l'oxyde, en fermant la cavité à l'aide d'un vide et en déposant l'électrode supérieure. Les déroulements de procédé décrit plus haut décrivent la formation de reliefs dans la cavité d'un émetteur-récepteur de cMUT. Comme indiqué plus haut, des techniques similaires peuvent également être employées pour fabriquer une structure de cellules individuelles de cMUT à double cavité. Comme le comprendront les spécialistes de la technique, des procédés similaires peuvent suivre pour créer par attaque chimique un élément en retrait tel qu'un puits, dans la cavité de l'émetteur- récepteur de cMUT, de la manière décrite plus en détail ci-après en référence aux figures 27 à 32. Cette conception permet au diaphragme de s'affaisser sur une région saillante, fortement dopée tout en conservant un mince intervalle souhaitable en mode réception pour améliorer la sensibilité. Comme le comprendront des spécialistes de la technique, des techniques similaires peuvent également être employées pour fabriquer une structure de cellules individuelles de cMUT à double cavité. Les figures 27 à 32 illustrent un exemple de déroulement de procédé selon des aspects de la présente technique, pour fabriquer une cellule de cMUT où un élément en retrait tel qu'un puits est formé dans un intervalle entre une électrode inférieure et une électrode supérieure. La Fig. 27 illustre une étape initiale du procédé consistant à fabriquer une partie inférieure 84 (tranche initiale) d'une cellule de cMUT qui peut comporter une électrode inférieure, une première couche d'oxyde 86 et une deuxième couche d'oxyde 90 étant fabriquées par oxydation, notamment, mais de manière nullement limitative, par oxydation par voie sèche, oxydation par voie humide ou une combinaison des deux, et peuvent être disposées sur une couche de silicium 88 à faible conductivité. Comme illustré sur la Fig. 28, un premier procédé de lithographie et d'attaque chimique peut être employé pour éliminer par attaque une partie de la deuxième couche d'oxyde 90 en définissant de la sorte une pluralité de montants de support 92 et une cavité 94 qui peut être définie par les montants de support 92. De plus, comme illustré sur la Fig. 28, une deuxième étape de lithographie et d'attaque peut être employée pour définir un élément en retrait tel qu'un puits 96, formé au fond de la cavité 94. Dans la présente forme de réalisation, la couche de silicium 88 peut être fortement dopée, de la manière indiquée plus haut. Selon une autre possibilité, illustrée sur la Fig. 29, la couche de silicium 88 faiblement dopée de la Fig. 27 peut être fortement dopée dans des régions adjacentes aux montants de support 92. Ces régions fortement dopées, désignées par le repère 98, peuvent être incluses par l'intermédiaire d'une étape de dopage supplémentaire. Les régions fortement dopées 98 peuvent également être appliquées sur l'élément saillant tel que des reliefs, comme évoqué dans les paragraphes précédents. A la suite de l'étape de dopage, un processus d'oxydation peut créer une isolation électrique 100, comme illustré sur la Fig. 30. De plus, le procédé de fabrication de cellule de cMUT comprend en outre la fabrication d'une partie supérieure 104 (plaquette de SSI) de la manière décrite plus haut. Selon une autre possibilité, comme le comprendra un spécialiste de la technique, un SSI préfabriqué comprenant un substrat en silicium, une couche d'oxyde noyée et une plaquette de manipulation en silicium peut être employé pour fabriquer l'émetteur- récepteur de cMUT. Comme illustré sur la Fig. 31, la partie supérieure 104 peut comporter une couche de boîte d'oxyde 106 ayant une première face et une deuxième face et peut être disposée sur une tranche de manipulation 108. De plus, une couche conductrice ou à faible résistivité, par exemple, mais de manière nullement limitative, une couche de silicium épitaxié, de silicium monocristallin ou de silicium polycristallin peut être disposée sur une deuxième face de la couche de boîte d'oxyde 106, cette couche pouvant être configurée pour servir de diaphragme 110. Selon une autre possibilité, une couche non conductrice ou à forte résistivité telle que, mais de manière nullement limitative, une couche de silicium épitaxié, de silicium monocristallin et de silicium polycristallin peut être disposée sur la deuxième face de la couche de boîte d'oxyde 106, cette couche pouvant être configurée pour servir de diaphragme 110. En outre, comme illustré sur la Fig. 31, une structure 102 peut alors être formée en disposant la partie supérieure 104 sur la partie inférieure 84 par fixation par fusion entre la plaquette de SSI et la plaquette initiale. La plaquette de manipulation 108 peut être éliminée par polissage ou meulage mécanique, puis par attaque par voie humide à l'aide d'agents d'attaque tels que, de manière nullement limitative, TMAH, KOH et EDP. La couche de boîte d'oxyde 106 peut être éliminée par BHF. Ensuite, comme illustré sur la Fig. 31, l'électrode supérieure 113 peut être disposée sur le diaphragme 110 pour former l'émetteur-récepteur 112 de cMUT. La Fig. 32 représente un émetteur-récepteur 112 de cMUT dans lequel le puits 96 est disposé sur l'électrode inférieure 88. De plus, comme le comprendra un spécialiste ordinaire de la technique, un micro- usinage de surface peut également être employé pour créer des reliefs et/ou des puits. Par micro-usinage de surface, le diaphragme est déposé, au lieu d'être fixé à partir d'une plaquette de SSI comme dans le procédé de micro-usinage dans la masse. Cela peut être suivi de l'élimination d'éventuelles couches sacrificielles situées sous le diaphragme (par exemple l'oxyde), la fermeture de cavité par un vide et le dépôt des électrodes supérieures. Le déroulement du procédé décrit ci-dessus décrit le procédé pour former un puits dans la cavité de la cellule 112 de cMUT. Des procédés similaires peuvent être adoptés pour former un élément saillant tel qu'un relief dans la cavité d'une cellule 112 de cMUT. Cependant, selon un exemple de forme de réalisation de la présente technique, il peut être souhaitable que les régions fortement dopées se situent dans la couche de silicium des reliefs pour que le diaphragme soit attiré préférentiellement vers les régions des reliefs, ce qui a pour effet une réduction de la largeur de l'intervalle pour améliorer le fonctionnement en mode réception. Comme décrit précédemment, selon d'autres formes de réalisation de la présente technique, une structure de cellules individuelles à double cavité telle que les cellules individuelles à double cavité illustrées sur les figures 13 et 14, peut être réalisée. Comme décrit précédemment, la structure de cellules individuelles à double cavité comprend une première cellule qui peut être configurée pour servir de récepteur. De plus, la structure de cellules individuelles de cMUT à double cavité peut comporter une deuxième cellule qui peut être conçue pour servir d'émetteur. Selon d'autres aspects de la présente technique, on va décrire un exemple de procédé pour fabriquer une structure individuelle de cellules de cMUT à double cavité. Comme indiqué précédemment, des exemples de procédés décrits en référence aux figures 15 à 32 peuvent servir pour fabriquer la structure de cellules individuelles de cMUT à double cavité. Le procédé comprend la fabrication d'une première cellule qui peut être configurée pour servir de récepteur, la cellule cMUT de réception pouvant comporter une électrode inférieure et une électrode supérieure. En outre, le procédé peut impliquer la fabrication d'une deuxième cellule pouvant être configurée pour servir en mode émission, la cellule cMUT d'émission pouvant comporter une électrode inférieure et une électrode supérieure. Par ailleurs, le procédé peut impliquer la formation d'un élément saillant et/ou d'un élément en retrait dans l'une des première cellule et deuxième cellule. La Fig. 33 est un schéma de principe d'un système d'émetteur-récepteur 118 de cMUT qui peut comporter des exemples de cellules 120 de cMUT fabriquées selon des aspects de la présente technique. Le système 118 peut comporter un groupe de résistances 122 et peut être couplé aux cellules 120 de cMUT. De plus, le système 118 peut comporter un bloc 124 de tension de polarisation qui peut être couplé aux résistances 122, lesquelles peuvent être alimentées par au moins une tension extérieure. De plus, des convertisseurs continu-continu qui peuvent être présents dans le bloc de tension de polarisation peuvent générer diverses tensions de polarisation prédéterminées, qui peuvent être distinctes ou continues. Le bloc de tension de polarisation 124 peut être réalisé à l'aide de dispositifs électroniques individuels disposés sur une carte. Selon une autre possibilité, le bloc de tension de polarisation peut être réalisé sous la forme d'un circuit intégré spécifique de l'application (ASIC). En mettant en oeuvre un circuit ASIC pour intégrer le bloc de tension de polarisation 124 et le reste des blocs fonctionnels, il est possible de réaliser un système sur puce (SSP). Le coffret noir 126 peut comporter des circuits de multiplexage et peutêtre couplé aux résistances 122. Le commutateur d'émission/réception (E/R) 128 qui peut être couplé au coffret noir 126 peut normalement comporter des circuits de commutation et peut être conçu pour une commutation entre l'émission et la réception de signaux. En outre, le système 118 peut comporter un pulseur 130 qui peut être couplé au commutateur E/R 128, lequel pulseur peut servir à produire les impulsions d'excitation de courant alternatif. L'amplificateur à faible bruit (AFB) 132 qui peut être couplé au commutateur E/R 128 peut servir à renforcer des signaux. De plus, selon un exemple de forme de réalisation de la présente technique, un bloc de commande E/R 134 qui peut être couplé au commutateur E/R 128 peut servir à coordonner le fonctionnement du bloc de tension de polarisation 124 et du commutateur E/R 128. Des dispositifs programmables tels que, de manière nullement limitative, des réseaux de portes programmables par l'utilisateur (FPGA) et des circuits logiques, peuvent être utilisés pour mettre en oeuvre la commande E/R 134. Des composants achetés dans le commerce peuvent être utilisés pour mettre en oeuvre le pulseur 130 et l'AFB 132. Pendant le fonctionnement des émetteurs-récepteurs 120 de cMUT en mode émission, une tension de polarisation de courant continu fournie par le bloc de tension de polarisation 124 et une impulsion d'excitation de courant alternatif qui a été produite par le pulseur peuvent être appliquées aux émetteurs-récepteurs 120 de cMUT. La commande E/R 134 peut être utilisée pour mettre le bloc de tension de polarisation 124 et le commutateur E/R 128 dans le mode émission pour permettre l'application de la tension de polarisation de courant continu et des impulsions ultrasonores aux cMUT 120. Ces impulsions ultrasonores peuvent être transformées en signaux acoustiques à l'aide des cMUT 120. Pendant le fonctionnement en mode réception, une plus forte tension de polarisation de courant continu fournie par le bloc de tension de polarisation 124 peut être appliquée aux cMUT 120. La commande E/R 134 peut servir à mettre le bloc de tension de polarisation 124 et le commutateur E/R 128 dans le mode réception. A la réception de signaux acoustiques réfléchis, les cMUT 120 peuvent transformer ces signaux acoustiques en signaux électriques. En outre, ces signaux électriques sont acheminés jusqu'à l'AFB 132 pour l'amplification des signaux. Selon un aspect de la présente technique, il est proposé un émetteurrécepteur de cMUT. Comme décrit plus haut en référence aux figures, l'émetteur-récepteur de cMUT peut comporter une électrode inférieure. En outre, un diaphragme peut être disposé au voisinage immédiat de l'électrode inférieure de façon qu'un intervalle, ayant une première largeur d'intervalle, soit formé entre le diaphragme et l'électrode inférieure. De plus, selon des aspects de la présente technique, au moins un élément peut être formé dans l'intervalle. L'élément est agencé pour créer une deuxième largeur d'intervalle entre le diaphragme et l'électrode inférieure. Dans une forme de réalisation, la première largeur d'intervalle est plus grande que la deuxième largeur d'intervalle. En outre, l'élément peut comporter un élément saillant tel qu'un relief. L'élément peut en outre comporter un élément en retrait tel qu'un puits. L'émetteur-récepteur de cMUT peut comporter une électrode supérieure couplée au diaphragme. De plus, l'émetteur-récepteur de cMUT peut comporter une source de potentiel de polarisation pouvant servir à distendre le diaphragme vers l'électrode inférieure pendant le fonctionnement de l'émetteur- récepteur de cMUT. Les émetteurs-récepteurs 10 de cMUT et le procédé de fabrication des émetteurs-récepteurs de cMUT décrits plus haut permettent la fabrication d'émetteurs-récepteurs de cMUT d'une plus grande sensibilité. Les performances de l'émetteur-récepteur de cMUT pendant son fonctionnement comme émetteur et comme récepteur peuvent être avantageusement améliorées. Ces émetteurs-récepteurs de cMUT peuvent trouver une application dans divers domaines tels que l'imagerie médicale, les évaluations non destructives, les communications sans fils, la sécurité, la détection de gaz et autres applications. Par ailleurs, des cellules individuelles 28 de cMUT à double cavité et le 35 procédé de fabrication des cellules individuelles de cMUT à double cavité, décrits ci- dessus, facilitent l'optimisation du fonctionnement de cellules séparées pour émettre et recevoir des signaux, ce qui peut aboutir à une meilleure sensibilité des cellules individuelles de cMUT à double cavité. Ces cellules individuelles de cMUT à double cavité peuvent trouver une application dans des domaines tels que l'imagerie médicale, l'évaluation non destructive, les communications sans fils, la sécurité, la détection de gaz et autres applications. REVENDICATIONS 1. Cellule (10) de transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons, comprenant: une électrode inférieure (12) ; un diaphragme (16) disposé de manière adjacente à l'électrode inférieure (12) de façon qu'un intervalle ayant une première largeur d'intervalle soit formé entre le diaphragme (16) et l'électrode inférieure (12) ; et au moins un élément formé dans l'intervalle, l'élément au moins unique étant conçu pour créer une deuxième largeur d'intervalle entre le diaphragme (16) et l'électrode inférieure (12). 2. Cellule (10) de transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons selon la revendication 1, dans laquelle l'élément au moins unique est constitué par un élément saillant. 3. Cellule (10) de transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons selon la revendication 1, dans laquelle l'élément au moins unique comporte un élément en retrait. 4. Cellule (10) de transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons, comprenant: une électrode inférieure (12) comportant une face supérieure et une face inférieure; une pluralité de montants de support (14) disposés sur la face supérieure de l'électrode inférieure (12) et configurés pour définir une cavité (20) ; un diaphragme (16) disposé sur la pluralité de montants de support (14) pour créer un intervalle délimité par le diaphragme (16) et l'électrode inférieure (12) ; une électrode supérieure (18) disposée sur le diaphragme (16) ; et au moins un élément formé dans la cavité (20) et configuré pour créer une largeur d'intervalle entre l'électrode inférieure (12) et l'électrode supérieure (18), laquelle est inférieure à la profondeur de la cavité (20). 5. Cellule (10) de transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons selon la revendication 4, comprenant en outre une source de potentiel de polarisation, la source de potentiel de polarisation étant configurée pour distendre le diaphragme (16) vers l'électrode inférieure (12). 6. Procédé de fabrication d'une cellule de transducteur capacitif à microusinage à ultrasons, le procédé comprenant les étapes consistant à : former une pluralité de montants de support sur une électrode inférieure (12) pour définir une cavité (20) entre les montants de support (14) ; former au moins un élément dans la cavité (20) ; disposer un diaphragme sur la pluralité de montants de support (14) pour former un intervalle entre l'électrode inférieure (12) et le diaphragme (16) ; et disposer une électrode supérieure sur le diaphragme (16). 7. Structure (28) de cellules de transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons, la structure comprenant: une première cellule (30) configurée pour fonctionner en mode réception, la première cellule (30) comportant une électrode inférieure (34) et une électrode supérieure (40) ; une deuxième cellule (32) configurée pour fonctionner en mode émission, la deuxième cellule (32) comportant une électrode inférieure (42) et une électrode supérieure (46) ; une pluralité de montants de support (36) agencés pour former entre eux des cavités dans la première cellule (30) ainsi que dans la deuxième cellule (32) ; une pluralité de diaphragmes (38, 44) disposés sur les montants de support (36) ; et un élément saillant et/ou un élément en retrait formés dans une cavité de la première cellule (30) ou de la deuxième cellule (32). 8. Procédé de fabrication d'une structure de cellules individuelles de transducteur capacitif à micro-usinage à ultrasons, le procédé comprenant les étapes consistant à : fabriquer une première cellule de la cellule individuelle configurée pour fonctionner en mode réception, la première cellule (30) comportant une électrode inférieure (34) et une électrode supérieure (40) ; et fabriquer une deuxième cellule dans la cellule individuelle, configurée pour fonctionner dans un mode émission, la deuxième cellule (32) comportant une électrode inférieure (42) et une électrode supérieure (46). 9. Procédé selon la revendication 8, comprenant en outre l'étape consistant à fabriquer un élément saillant et/ou un élément en retrait dans l'une des première cellule (30) et deuxième cellule (32). 10. Système (118) comprenant: un transducteur capacitif à micro-usinage (120) à ultrasons; une résistance (122) couplée au transducteur capacitif à micro-usinage (120) à ultrasons; un bloc (124) de tension de polarisation couplé à la résistance (122) ; un multiplexeur (126) couplé à la résistance (122) ; un commutateur (128) couplé au multiplexeur (126) et configuré pour commander des modes de fonctionnement du transducteur capacitif à micro-usinage (120) à ultrasons; des circuits de commande (134) couplés au commutateur (128) et configurés pour commander le fonctionnement du bloc de tension de polarisation (124) et du 10 commutateur (128) ; un pulseur (130) couplé au commutateur (128) et configuré pour générer des impulsions d'excitation de courant alternatif; et un amplificateur (132) de faible bruit couplé au commutateur (128) et configuré pour renforcer des signaux.