FR 2880980 A1 20060721 FR 0500472 A 20050117 Dispositif d'enregistrement de données comportant des micro-pointes dont l'ensemble des extrémités libres forme une surface convexe et procédé de fabrication Domaine technique de l'invention L'invention concerne un dispositif d'enregistrement de données comportant un réseau bidimensionnel de micropointes, de dimensions nanométriques, formées directement sur un substrat comportant des moyens électroniques d'adressage et de contrôle des micropointes, chaque micro-pointe comportant une extrémité libre disposée face à un support de mémoire. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif. État de la technique Dans le domaine de l'enregistrement de données, de très grandes capacités de stockage ont récemment été obtenues en mettant en oeuvre des réseaux de micro-pointes, dont l'apex est de dimension nanométrique. Un actionneur, qui peut être électromécanique, permet un déplacement relatif monolithique de l'ensemble du réseau de micro-pointes par rapport à la surface d'un média constituant le support de mémoire. Dans un tel dispositif d'enregistrement de données, avec effet de pointes, il est nécessaire de garantir un parfait contact de toutes les micropointes avec le support de mémoire. Pour des raisons de complexité du système, il n'est pas envisageable de contrôler la position de chaque micro-pointe individuellement. Or, les micro-pointes sont fabriquées de manière collective, par des techniques dérivées de celles de la microélectronique, et il reste toujours une dispersion, due à la fabrication, de la hauteur des micropointes. Bien que cette dispersion soit minime, typiquement de l'ordre de 100nm, la plus longue des micro-pointes d'un réseau appuie plus que les autres sur le support de mémoire. Pour surmonter cette difficulté, chaque micro-pointe est portée en porteà-faux par une extrémité d'un cantilever, de manière analogue aux réseaux de micro-pointes utilisés en microscopie à sonde locale. La souplesse du cantilever o permet alors d'absorber la contrainte d'un appui. D'autres solutions ont été proposées par la demanderesse, basées sur l'utilisation d'un support de mémoire comportant une membrane souple, permettant de compenser les dispersions dans la hauteur des micro-pointes. Les micro-pointes peuvent alors être formées directement, sans cantilever, sur un même substrat de base, dans lequel peut également être intégré le circuit d'adressage et de contrôle. Cette fabrication monolithique du circuit d'adressage et de contrôle et des micro-pointes permet de réduire le coût du dispositif. Ainsi, le document WO-A-2004/032132 décrit un support de mémoire comportant une membrane souple portée par un cadre formant une pluralité d'alvéoles, chaque alvéole étant associée à au moins une micro-pointe. Pour éliminer les effets de bord, qui réduisent le taux d'occupation, le support de mémoire peut comporter une membrane double à cadres imbriqués. Dans la demande de brevet PCT/FR2004/001677, déposée le 30/06/2004, le support de mémoire comporte une couche mémoire déformable, par exemple constituée par un couche souple en polymère, absorbant la dispersion de hauteur des micro-pointes. Bien que cette approche soit efficace pour absorber des dispersions locales de hauteur des micro-pointes, elle ne permet pas d'assurer dans tous les cas le contact de toutes les micro-pointes avec le support de mémoire, tout en maîtrisant les forces de contact. Objet de l'invention io L'invention a pour but un dispositif d'enregistrement de données ne présentant pas ces inconvénients et permettant plus particulièrement d'assurer dans tous les cas un contact entre chacune des micro-pointes d'un réseau et le support de mémoire correspondant. Selon l'invention, ce but est atteint par le fait que l'ensemble des extrémités libres des micro-pointes définit une surface convexe. Selon un premier développement de l'invention, les micro-pointes ont des hauteurs différentes, de manière à définir ladite surface convexe. Selon un second développement de l'invention, le substrat comportant une face arrière et une face avant, sur laquelle sont formées les micropointes, ladite face avant est convexe, de manière à ce que l'ensemble des extrémités des micro-pointes définisse ladite surface convexe. Selon un autre développement de l'invention, le support de mémoire comporte une membrane souple délimitée par un cadre interne et des moyens de fixation élastique du cadre interne sur un cadre externe, autorisant un déplacement de la membrane dans son plan. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif d'enregistrement de données et plus particulièrement un procédé de fabrication collectif de plusieurs dispositifs. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la o description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 illustre schématiquement les problèmes de contact dus à une 15 déformation d'un substrat de support de micro-pointes. La figure 2 illustre schématiquement un mode de réalisation particulier d'un dispositif selon l'invention, dans lequel les micro-pointes ont des hauteurs différentes, définissant une surface convexe. Les figures 3 à 5 illustrent schématiquement diverses variantes de réalisation d'un dispositif d'enregistrement de données selon l'invention, dans lequel les micro-pointes sont formées sur une face avant convexe du substrat. La figure 6 illustre, en vue de dessus, les dispositions relatives des micro-pointes et des plots d'espacement d'un dispositif selon la figure 5. La figure 7 illustre en vue de dessus une autre disposition relative de plots 25 d'espacement et des micro-pointes. La figure 8 illustre schématiquement, en coupe selon A-A, le contour de deux plots adjacents et des micro-pointes correspondantes dans une variante de la disposition selon la figure 7. Les figures 9 à 11 illustrent schématiquement, en vue de dessus, trois modes de réalisation particuliers d'un support de mémoire d'un dispositif selon l'invention. La figure 12 représente le support de mémoire selon la figure 11, en coupe selon B-B, ainsi qu'un actionneur associé. Les figures 13 et 14 illustrent schématiquement, en coupe, un procédé de fabrication en mode collectif de dispositifs d'enregistrement, respectivement selon les figures 3 et 4. o Description de modes particuliers de réalisation La figure 1 illustre schématiquement l'absence de contact entre un support de mémoire 1 et certaines des micro-pointes 2 formées sur une face avant 3a d'un substrat 3, lorsque la face avant 3a du substrat présente une surface concave. De telles déformations sont notamment susceptibles d'apparaître au cours de l'assemblage du dispositif ou en raison de dérives thermiques. Comme illustré sur la figure 1, les micro-pointes latérales sont en contact avec le support de mémoire 1, qui est sensiblement plat, tandis que les micro-pointes centrales ne sont pas en contact avec le support de mémoire. Le rayon de courbure de la surface concave 3a et, en conséquence, l'écartement entre l'extrémité des micro-pointes centrales et le support de mémoire 1 sont exagérés sur la figure 1 pour mieux mettre en lumière le problème posé. Le même type de problème se pose, de manière analogue, pour d'autres types de déformation de la surface avant du substrat, notamment dans le cas d'une face avant en forme de selle de cheval. Selon l'invention, ce problème est résolu par une conformation des micropointes 2 et/ou du substrat 3 telle que l'ensemble des extrémités libres des micro-pointes 2 (c'est-à-dire l'ensemble de leurs sommets) définisse une surface convexe. Les extrémités libres des micro-pointes, destinées à venir en contact avec le support de mémoire 1, définissent ainsi une enveloppe de surface convexe et les extrémités libres de toutes les micropointes 2 viennent alors en contact avec le support de mémoire 1, dont la souplesse est suffisante pour absorber toutes les variations dans la hauteur des micro-pointes. Dans un premier mode de réalisation, illustré à la figure 2, le substrat 3 a des faces avant 3a et arrière 3b sensiblement planes et la convexité de l'enveloppe des micro-pointes est obtenue par la formation, sur la face avant 3a du substrat 3, de micro-pointes 2 de hauteurs différentes. Les micro-pointes centrales sont ainsi plus hautes que les micro-pointes latérales. Le gradient dans la hauteur des micro-pointes est suffisant pour tenir compte de toutes les déformations susceptibles d'apparaître dans le dispositif et des tolérances inévitables dans la hauteur des micro-pointes. Un tel gradient de hauteur peut notamment être obtenu par une attaque chimique inhomogène des micro-pointes ou par polissage mécanochimique. Dans d'autres modes de réalisation, représentés aux figures 2 et 3, les micro-pointes ont toutes sensiblement la même hauteur et l'enveloppe convexe est obtenue par l'utilisation d'un substrat 3 ayant une face avant 3a convexe. La cambrure de la face avant 3a du substrat 3 reste faible mais suffisante pour tenir compte des déformations susceptibles d'apparaître en sens inverse au cours de l'assemblage du dispositif ou en raison de dérives thermiques. Il est également possible de combiner ces deux effets en formant des micro-pointes de hauteurs différentes (plus hautes pour les micro-pointes centrales et plus petites pour les micro-pointes latérales) sur la face avant convexe du substrat. En pratique, le rayon de courbure de la surface convexe enveloppant les extrémités libres des micro-pointes est, de préférence, compris entre 1 m et 5m, plus particulièrement de l'ordre de 2m, ce qui correspond à une cambrure de l'ordre de 10nm sur 100 m. La cambrure de la face avant du substrat 3 peut notamment être obtenue par polissage mécano-chimique (CMP, "Chemical Mechanical Polishing") de la face avant 3a avant formation des micro-pointes. Dans ce cas, comme illustré à la figure 3, la face arrière 3b du substrat 3 reste sensiblement plane, comme sur io les figures 1 el 2. La cambrure de la face avant 3a peut également être obtenue par application d'une contrainte mécanique sur le substrat 3. Cette mise sous contrainte mécanique peut, par exemple, être réalisée par le dépôt d'une couche mince (non représentée), contrainte en compression, sur la face avant 3a ou par dépôt d'une couche mince (non représentée), contrainte en tension, sur la face arrière 3b. Dans les deux cas, l'application d'une telle couche mince contrainte mécaniquement, en compression ou en tension, provoque une déformation, sensiblement parallèle, des faces avant 3a et arrière 3b du substrat 3, comme représenté à la figure 4. Dans un mode de réalisation particulier, la couche mince est une couche de nitrure de silicium contrainte ou de silice contrainte de quelques centaines de nanomètres d'épaisseur, qui peut supporter sans inconvénient une contrainte de 1GPa. La couche contrainte peut notamment être obtenue par dépôt par pulvérisation par faisceau d'ions (IBS: "Ion Beam Sputtering"). Elle peut également avoir été préalablement contrainte par un autre substrat, dit substrat d'origine, et reportée sur le substrat 3 à cambrer par toute technique de report appropriée, par exemple par collage et amincissement du substrat d'origine. L'épaisseur du substrat 3 est avantageusement choisie pour faciliter l'étape de cambrure. À titre d'exemple, le substrat 3 peut avoir une épaisseur réduite, de l'ordre de 1001.tm par exemple. Pour réduire la force de contact entre les micro-pointes 2 et le support de mémoire 1, tout en conservant une force d'assemblage importante, il est possible de disposer des plots d'espacement 4 sur la face avant convexe 3a du substrat. Comme représenté sur la figure 5, les plots d'espacement 4 ont sensiblement de la même hauteur que les micro-pointes 2. La force d'appui du o support de mémoire 1 se répartit ainsi entre les plots d'espacement et les micro-pointes. Les extrémités libres des plots d'espacement 4 sont plus larges que les extrémités libres des micropointes. Elles ont donc, avec le support de mémoire 1, une surface de contact, par exemple de l'ordre de plusieurs dizaines de m2, très supérieure à celle des micro-pointes. La pression de contact exercée par le support de mémoire sur les micro-pointes est donc réduite et l'usure de friction quasiment supprimée. Comme représenté aux figures 5 et 6, les plots d'espacement peuvent être intercalés entre les micro-pointes 2, les plots d'espacement et les micropointes étant, par exemple, disposés en quinconce. Dans ce mode de réalisation particulier, un réseau de plots d'espacement est ainsi intercalé dans un réseau de micro-pointes. Dans le mode de réalisation particulier illustré aux figures 7 et 8, les réseaux de plots d'espacement et de micro-pointes sont superposés, chaque plot d'espacement 4 ayant alors une forme annulaire et entourant une micro-pointe 2 correspondante. Comme illustré à la figure 8, un replat 20 est avantageusement ménagé au fond de chaque plot 4, à la périphérie de la base de la micro-pointe 2 correspondante. Les micro-pointes 2 et les plots d'espacement 4 peuvent être réalisés en tungstène, par exemple dans une couche en tungstène déposée sur la face avant 3a du substrat 3 et gravée par tout procédé de photolithogravure connu. Cependant, les plots d'espacement 4 peuvent également être réalisés en matériau diélectrique, par exemple en nitrure de silicium ou en silice, ou en carbone, de type carbone-diamant (DLC), dur, ou de type amorphe, ayant des propriétés tribologiques. io Dans une autre variante de réalisation, schématisée par des pointillés sur la figure 8, l'espacement disposé entre les plots est supprimé. Chaque micro-pointe peut alors être formée dans une cavité correspondante d'une couche recouvrant la face avant 3a du substrat. Dans tous les cas, les micro-pointes 2 sont formées directement, sans cantilever, sur le substrat de base, dans lequel peut également être intégré le circuit d'adressage et de contrôle 5, comme représenté sur la figure 5. Comme indiqué ci-dessus, la souplesse du support de mémoire 1 coopère avec la surface convexe de l'enveloppe des extrémités libres des micro- pointes pour assurer le contact entre les micro-pointes et le support de mémoire et absorber toutes les variations dans la hauteur des micro- pointes. Le support de mémoire 1 peut notamment être du type décrit dans les demandes de brevet précitées (WO-A-2004/032132 et PCT/FR2004/001677). Le dispositif d'enregistrement de données comporte généralement des moyens permettant un déplacement relatif du support de mémoire et des micro-pointes dans le plan, sensiblement horizontal, du support de mémoire. II peut également comporter des moyens de déplacement sensiblement perpendiculairement au substrat de support des micro-pointes (soit verticalement) pour amener les micro-pointes en contact avec le support de mémoire. Les figures 9 à 11 illustrent schématiquement, en vue de dessus, trois modes de réalisation particuliers d'un support de mémoire plus particulièrement adapté à une utilisation avec un substrat à surface convexe selon l'invention. De manière connue, le support de mémoire 1 comporte une membrane souple 6 portée par un cadre interne 7. Dans les trois modes de réalisation, le cadre interne 7 délimitant la membrane souple 6 est fixé élastiquement sur un cadre externe 8, io cette fixation élastique autorisant un déplacement du cadre interne 7 et de la membrane 6 dans leur plan, tandis que le cadre externe reste fixe. Sur la figure 9., la fixation élastique du cadre interne 7 sur le cadre externe 8 est constituée par deux bras de suspension 9. Ceux-ci sont, par exemple, parallèles entre eux et à deux côtés opposés du cadre interne et respectivement fixés à une de leurs extrémités à des extrémités diagonalement opposées du cadre interne 7. Une telle fixation autorise le déplacement de la membrane et du cadre interne dans leur plan selon un seul degré de liberté, c'est-à-dire perpendiculairement aux bras de suspension (verticalement dans le plan de la figure 9). Les cadres interne 7 et externe 8, de préférence en silicium, peuvent être formés en même temps que les bras de suspension dans une tranche de silicium portant la membrane 6. Le mode de réalisation illustré à la figure 10 permet un déplacement dans leur plan de la membrane et du cadre interne suivant deux dimensions. Les fixations élastiques connectant le cadre interne 7 au cadre externe 8 sont des fixations en forme de parallélogrammes articulés 10. Chaque coin du cadre interne 7 est connecté à un sommet d'un parallélogramme 10, dont le sommet diagonalement opposé est connecté à un pilier fixe constituant un coin du cadre externe 8. Deux parallélogrammes articulés adjacents sont connectés par des barres de liaison 11 respectivement fixées à un autre sommet de chaque parallélogramme. Chaque barre de liaison 11 peut être munie d'une rangée de doigts 12, en saillie vers l'extérieur, et destinée à coopérer avec une rangée de doigts 13, faisant saillie vers l'intérieur, d'un actionneur 14 associé disposé parallèlement à la barre de liaison (deux actionneurs verticaux disposés respectivement sur la droite et sur la gauche du cadre interne 7 et deux actionneurs horizontaux disposés respectivement au-dessous et au-dessus du cadre interne sur la figure 10). Un déplacement (vers la gauche selon les flèches sur la figure 10) d'un actionneur 14 provoque ainsi un déplacement correspondant de la barre de liaison associée et, par l'intermédiaire des parallélogrammes articulés qui se déforment, un déplacement dans le plan, vers la gauche, du cadre 7 et de la membrane 6. Dans le mode de réalisation particulier de la figure 10, l'actionnement sélectif des quatre actionneurs 14 1s permet un déplacement très précis de la membrane dans son plan. Dans une variante de réalisation, les actionneurs 14 sont fixes et leur actionnement provoque le rapprochement des barres de liaison 11, par exemple par des moyens électrostatiques. Une structure analogue est décrite dans l'article ""Filling the Memory Access Gap: A Case for On-Chip Magnetic Storage" de Steven W. Schlosser et al., Technical Report CMU-CS-99-174, School of Computer Science, Carnegie Mellon University, de novembre 1999. Cependant, dans cet article, cette structure est associée à un réseau de micro-pointes de même hauteur formées sur un substrat plan. II est alors nécessaire d'aligner des éléments de dimensions millimétriques (support de mémoire et réseau de micro-pointes) avec des précisions nanométriques, tout en maîtrisant les forces de contact, qui sont de l'ordre de la dizaine de nanoNewtons. Or la planéité et le parallélisme des surfaces en regard impliquent des tolérances respectivement inférieures à 50nm et à un microradiant. Dans l'article précité, ceci est rendu possible par l'utilisation de cantilevers et d'un processus d'alignement dynamique coûteux. Au contraire, la combinaison d'un support de mémoire selon les figures 9 ou 10 avec un substrat 3 dont la face avant 3a, portant les micro-pointes 2, est convexe et/ou avec des micro-pointes de hauteurs différentes définissant une enveloppe de surface convexe permet de garantir une bonne redistribution de la force d'assemblage entre toutes les micro-pointes. En effet, lors de l'assemblage, le cadre externe 8 peut être solidarisé avec le substrat 3, tout en conservant la liberté de déplacement de la membrane 6 dans son plan. La force d'assemblage plaque alors le support de mémoire, plus particulièrement la membrane 6, sur le réseau de micropointes 2. La force élémentaire exercée par chaque micro-pointe 2 peut être de l'ordre de 0,1nN à 10nN. Elle est fonction du rayon de courbure choisi. À titre d'exemple, la force d'assemblage peut alors être supérieure à 1 mN. Cette force est fixée par la raideur et la déflexion des bras de suspension 9 dans le mode de réalisation de la figure 9. La raideur est essentiellement déterminée par les caractéristiques du matériau utilisé, par exemple le silicium, et par la géométrie des bras de suspension. Il en va de même avec un support de mémoire selon les figures 11 et 12. Dans ce mode de réalisation, les moyens de fixation élastique sont constitués par une membrane de fixation 15 prolongeant la membrane souple 6 à sa périphérie. Des couches mémoire 21, recouvrant la membrane souple 6 sur la face avant du support de mémoire (destinée à venir en contact avec les micro-pointes), complètent le support de mémoire. Ainsi, les membranes 6 et 15 peuvent être formées simultanément en une seule pièce par tout procédé approprié, la membrane 6 étant simplement délimitée par le cadre interne 7. Un procédé connu consiste à déposer à la tournette, sur une tranche de silicium constituant la face arrière du support de mémoire (opposée à sa face avant destinée à venir en contact avec les micro-pointes), une matière plastique, qui s'étale par force centrifuge. La matière plastique utilisée est de préférence un polymère et, plus particulièrement, une résine à base de benzocyclobutène (BCB), comme le CYCLOTENETM Après dépôt de la matière plastique constituant les membranes 6 et 15 et des couches mémoire 21, les cadres interne 7 et externe 8 peuvent être obtenus de manière classique (photolithographie, gravure sèche ou chimique...). À titre d'exemple, les cadres 6 et 15 peuvent être dégagés, dans la tranche de silicium, par gravure chimique, anisotrope, à partir de la face arrière du support de mémoire, jusqu'à la couche constituant les membranes 6 et 15. II est éventuellement possible d'inverser l'ordre de ces étapes (fabrication des membranes, des couches mémoire et fabrication des cadres) suivant les contraintes de procédé liés aux matériaux utilisés. Comme représenté à la figure 12, la membrane de fixation 15 constitue ainsi une sorte de peau extérieure qui sert de structure de support au cadre interne 7 délimitant la membrane souple 6, tout en lui autorisant une liberté de déplacement à la fois verticalement, pour assurer le plaquage de la membrane 6, contre les micro-pointes et horizontalement pour permettre un déplacement élastique de la membrane dans son propre plan, sous l'action d'actionneurs 16 coopérant avec le cadre interne 6 (un seul actionneur 16 est représenté sur la figure 10). Les dimensions de la membrane de fixation 15 périphérique fixent sa raideur. Son épaisseur est, de préférence de l'ordre de quelques microns et sa largeur de l'ordre de quelques millimètres. À titre d'exemple, les dimensions respectives des différents éléments représentés sur la figure 11 peuvent être les suivantes: - de l'ordre de 15mm pour le côté cl du support de mémoire 1, de l'ordre de 9, 5mm pour le côté c2 de la membrane 6, de l'ordre de 0,25mm pour la largeur 11 du cadre interne 7, de l'ordre de 0,5mm pour la largeur 12 du cadre externe 8 et de l'ordre de 2mm pour la largeur 13 de la membrane de fixation 15. La fabrication d'un support de mémoire selon les figures 11 et 12 présente l'avantage d'être plus simple et, en conséquence, moins coûteuse que celle d'un support de mémoire selon les figures 9 ou 10, qui de plus impose des contraintes mécaniques importantes au niveau des bras de suspension 9 ou des parallélogrammes articulés 10. Plusieurs dispositifs d'enregistrement de données selon l'invention peuvent être fabriqués simultanément comme illustré schématiquement sur les figures 13 et 14, ce qui permet une réduction du coût de fabrication. Ainsi, plusieurs réseaux 17 de micro-pointes sont formés simultanément sur la face avant convexe d'un même substrat de silicium pour constituer un premier ensemble. Les circuits d'adressage et de contrôle correspondants sont, de préférence, préalablement formés dans le substrat, au-dessous des réseaux 17. Sur la figure 13, la convexité de la face avant du substrat est obtenue, comme sur la figure 3 par polissage mécano- chimique, tandis que sur la figure 14, la courbure du substrat est obtenue par mise sous contrainte mécanique comme sur la figure 4. De même, plusieurs supports de mémoire sont formés simultanément pour constituer un second ensemble. Sur les figures 13 et 14, les supports de mémoire sont schématisés sous la forme d'une simple membrane souple. Cependant, il est clair que tout type de support de mémoire décrit ci-dessus, notamment en référence aux figures 9 à 12, peut être utilisé. Les premier et second ensembles sont ensuite assemblés de manière à ce qu'un réseau 17 de micro-pointes vienne en contact avec le support de mémoire 1 correspondant. Sur les figures 13 et 14, l'assemblage est schématisé par des zones de fixation 18 (représentées par des X), connectant le substrat 3 au support de mémoire 1 de part et d'autre du réseau de micro-pointes 17. L'assemblage est ensuite découpé, selon les pointillés 19, entre deux zones de fixation 18 adjacentes ou à travers une zone de fixation 18, pour former les dispositifs d'enregistrement individuels. Dans le cas d'un substrat dont la cambrure est formée par une mise sous contrainte mécanique (figure 14), la cambrure peut apparaître en fait lors de l'opération de découpe. Revendications 1. Dispositif d'enregistrement de données comportant un réseau bidimensionnel de micro-pointes (2), de dimensions nanométriques, formées directement sur un substrat (3) comportant des moyens électroniques (5) d'adressage et de contrôle des micro-pointes, chaque micro-pointe comportant une extrémité libre disposée face à un support de mémoire (1), dispositif caractérisé en ce que l'ensemble des extrémités libres des micro-pointes (2) définit une surface convexe. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface convexe a un rayon de courbure compris entre 1 m et 5m. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la surface convexe a un rayon de courbure de l'ordre de 2m. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les micro-pointes ont des hauteurs différentes, de manière à définir ladite surface convexe. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le substrat (3) comportant une face arrière (3b) et une face avant (3a), sur laquelle sont formées les micro-pointes (2), ladite face avant est convexe, de manière à ce que l'ensemble des extrémités des micro-pointes (2) définisse ladite surface convexe. 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comporte des plots d'espacement (4) formés sur ladite face avant. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que les plots d'espacement (4) et les micro-pointes (2) sont disposés en quinconce. 8. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que chaque plot d'espacement (4) est annulaire et entoure une micro-pointe (2) . 9. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que chaque micro-pointe est formée dans une cavité correspondante d'une couche recouvrant ladite face avant. 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le support de mémoire (1) comporte une membrane souple (6) délimitée par un cadre interne (7) et des moyens de fixation élastique du cadre interne (7) sur un cadre externe (8), autorisant un déplacement de la membrane (6) dans son plan. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que les moyens de fixation élastique comportent des bras de suspension (9). 12. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que les moyens de fixation élastique comportent des fixations en forme de parallélogrammes articulés (10). 13. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que les moyens de fixation élastiques sont constitués par une membrane de fixation (15) prolongeant la membrane souple (6) à sa périphérie. 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que la membrane souple (6) et la membrane de fixation (15) sont en matière plastique. 15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que les moyens de 5 fixation comportent une résine à base de benzocyclobutène. 16. Procédé de fabrication d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, caractérisé en ce qu'il comporte la formation sur le substrat (3) d'une face avant convexe sur laquelle sont disposées les micro-pointes (2). 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que la face avant convexe du substrat (3) est réalisée par polissage mécano-chimique de ladite face. 18. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que la face avant convexe du substrat (3) est réalisée par une mise sous contrainte mécanique 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que la face avant 20 convexe du substrat (3) est réalisée par dépôt d'une couche mince contrainte en compression sur ladite face avant (3a). 20. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que la face avant convexe du substrat (3) est réalisée par dépôt d'une couche mince contrainte en 25 traction sur la face arrière (3b) du substrat. 21. Procédé selon l'une des revendications 19 et 20, caractérisé en ce que ladite couche mince est une couche de nitrure de silicium ou de silice de quelques nanomètres d'épaisseur. 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 21, caractérisé en ce que ladite couche mince est déposée par pulvérisation par faisceau d'ions. 23. Procédé selon l'une quelconque des revendications 16 à 22, caractérisé en ce que une pluralité de réseaux (17) de micro-pointes (2) est formée simultanément sur la face avant convexe d'un même substrat pour constituer un premier ensemble, - une pluralité de supports de mémoire (1) est formée simultanément pour constituer un second ensemble, - les premier et second ensembles sont assemblés, de manière à ce qu'un réseau (17) de micro-pointes (2) vienne en contact avec le support de mémoire (1) correspondant, et - l'assemblage est ensuite découpé pour former des dispositifs d'enregistrement individuels.