FR 2879820 A1 20060623 FR 0413422 A 20041216 L'invention concerne un modulateur à jonction capacitive, par exemple un modulateur optique, une jonction capacitive et son procédé de réalisation. Par modulateur, on entend un dispositif apte à faire varier l'intensité d'une onde électromagnétique (par exemple la lumière) qui le traverse, éventuellement de manière binaire: il peut donc s'agir d'un commutateur. On cherche de nos jours à réaliser des modulateurs (notamment optiques) qui puissent être intégrés à des circuits microélectroniques, c'est-à-dire obtenus par des moyens directement applicables aux procédés de fabrication utilisés dans la filière silicium. Dans ce cadre, il a été proposé d'utiliser la propriété physique selon laquelle l'indice de réfraction d'un matériau peut être modifié en faisant varier la densité des porteurs dans ce matériau. Cette propriété est par exemple utilisée dans les jonctions de types pn capacitives constituées par une barrière d'oxyde interposée entre deux couches de silicium dopées p et n respectivement. Une solution de ce type est par exemple décrite dans l'article "A high-speed silicon optical modulator based on a metaloxyde-semiconductor capacito?', de A. Liu et al., in Nature, vol. 427, February 12, 2004. Dans ce type de solutions, les contacts électriques sont réalisés par des matériaux ou des dopages importants qui provoquent de fortes pertes optiques et il est donc souhaitable d'éloigner ces contacts électriques de la région où le flux lumineux traverse la jonction capacitive afin de réduire les pertes optiques du composant. Pour une densité de porteur donnée au niveau de la jonction capacitive, cet éloignement génère une augmentation de la puissance consommée, notamment dans le cas où la jonction capacitive s'étend de la région où elle est traversée par le flux lumineux jusqu'aux contacts électriques. Par ailleurs, la couche de silicium déposée sur la couche barrière d'oxyde de silicium est polycristalline; cette propriété engendre des pertes 30 optiques. L'invention vise donc notamment un modulateur à jonction capacitive dont les contacts électriques puissent être suffisamment éloignés de la région de la jonction capacitive traversée par l'onde électromagnétique sans que cette 2 2879820 éloignement ne provoque une augmentation problématique de la puissance consommée pour une densité de porteur donnée au niveau de cette même région. L'invention propose un modulateur comportant une jonction capacitive traversée par une onde électromagnétique, la jonction capacitive comprenant une couche diélectrique interposée entre deux couches en matériau semi-conducteur, caractérisé en ce que la couche diélectrique présente une réduction d'épaisseur au niveau de l'onde électromagnétique. La réduction d'épaisseur de la couche diélectrique entraîne localement la formation d'un champ électrique plus intense, ce qui permet une plus forte concentration des porteurs de charge dans cette région traversée par l'onde électromagnétique. Autrement dit, pour une concentration de porteurs donnée dans la région traversée par l'onde électromagnétique, on aura une concentration de porteurs moins importante en dehors de cette région et par conséquent une consommation électrique réduite de la jonction. Selon des possibilités de mise en oeuvre particulièrement pratiques et éventuellement combinées, au moins une desdites couches en matériau semi-conducteur est dopée, au moins une desdites couches en matériau semi-conducteur est réalisée en silicium et la couche diélectrique est réalisée en oxyde de silicium ou en polymère isolant. Avantageusement les couches de silicium sont monocristallines afin de limiter les pertes optiques. Chacune desdites couches en matériau semi-conducteur peut avoir une épaisseur comprise entre 30 nm et 500 nm, tandis que la couche diélectrique peut avoir une épaisseur comprise entre 2 nm et 30 nm en dehors de ladite réduction d'épaisseur. De telles dimensions facilitent encore l'intégration du modulateur au sein d'un système réalisé en couches minces. Selon une possibilité de mise en oeuvre, la réduction d'épaisseur est supérieure à 20 %, par exemple comprise entre 20 % et 60 %, afin de générer l'effet décrit plus haut de manière optimale. Par exemple, pour une couche diélectrique d'épaisseur 30 nm en dehors de la réduction d'épaisseur, une réduction d'épaisseur de 60 % conduit à une épaisseur réduite d'environ 10 nm. Afin d'améliorer encore l'efficacité du modulateur et selon un concept original en soi, le modulateur peut comprendre une pluralité de couches diélectriques séparées par des couches réalisées en matériau semiconducteur et traversées chacune sur une partie au moins par l'onde électromagnétique. On utilise ainsi en quelque sorte un empilement de jonctions capacitives qui permet de multiplier l'effet de modulation dans la direction de l'épaisseur des couches. L'invention propose également en tant que telle une jonction capacitive qui comprend une région apte à être traversée par une onde électromagnétique, la jonction capacitive comprenant une couche diélectrique interposée entre deux couches en matériau semi-conducteur, caractérisée en ce que la couche diélectrique présente une réduction d'épaisseur au niveau de ladite région. La jonction capacitive ainsi proposée peut également posséder les caractéristiques optionnelles déjà présentées pour la jonction capacitive du modulateur et les avantages qui en découlent. L'invention propose enfin un procédé de réalisation d'une jonction 15 capacitive, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: gravure d'une région d'une couche située au contact d'un matériau semiconducteur, ladite gravure étant initiée dans ladite couche en dehors de la ladite région, - remplissage de l'espace gravé par un matériau diélectrique. Selon une possibilité de réalisation, lequel ladite couche est interposée entre deux couches en matériau semi-conducteur qui forment alors avec le matériau diélectrique la jonction capacitive. Chacune desdites couches en matériau semi-conducteur a par exemple une épaisseur comprise entre 30 nm et 500 nm. Quant à elle, ladite couche a une épaisseur comprise entre 1 nm et 15 nm ce qui permet d'obtenir, après gravure et remplissage, une couche de diélectrique d'épaisseur comprise entre 2 nm et 30 nm comme déjà indiqué. Selon une possibilité de mise en oeuvre du procédé, celui-ci comporte en outre une étape de formation de trous d'accès à ladite couche en dehors de ladite région, la gravure étant initiée par ces trous. Cette solution est particulièrement pratique, notamment lorsque la jonction capacitive est utilisée comme modulateur au sein d'un cristal photonique dont les trous peuvent être réalisés au cours de ladite étape de formation de trous. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui suit faite en référence aux dessins annexés, dans lesquels: - les figures 1 à 7 représentent un procédé de réalisation d'une jonction 5 capacitive pour modulateur optique selon un premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 8 représente un empilement de jonctions capacitives conforme à un second mode de réalisation de l'invention. Un premier mode de réalisation de l'invention est à présent décrit en 10 référence aux figures 1 à 7. La figure 1 représente une structure formée par un empilement de couches qui comprend: - une première couche 2 de matériau semi-conducteur, par exemple de silicium dopé p (dénommé dans la suite "couche de Si-p") qui pourrait par exemple être un substrat, mais dont l'épaisseur est ici limitée, par exemple à 500 nm; - une seconde couche 4 qui recouvre la première couche 2 et est réalisée dans un matériau relativement proche de celui de la première couche (ici par exemple du silicium-germanium SiGe), mais qui s'élimine plus facilement comme décrit dans la suite, avec une épaisseur par exemple comprise entre 1 nm et15nm; - une troisième couche 6 réalisée en matériau semi-conducteur, ici en silicium dopé n (cette troisième couche 6 étant par conséquent dénommée dans suite "couche de Sin"), d'épaisseur 50 nm par exemple. La structure en couches est par exemple réalisée par dépôt successif de la seconde couche 4 et de la troisième couche 6 sur la première couche 2, ou en variante par épitaxie de façon à obtenir une seconde et une troisième couches 4, 6 monocristallines. La structure en couches est déposée sur un substrat qui lui assure une tenue mécanique par exemple un substrat SOI ("Silicon On lnsulator') ou un 30 substrat en quartz. On réalise dans la structure qui vient d'être décrite, et précisément dans deux régions de celle-ci séparées par une région centrale 7, des trous 8, par exemple cylindriques, d'axes perpendiculaires à la surface libre de la troisième couche 6 (c'est-à- dire également à l'interface entre chaque paire de couches), qui s'étendent verticalement sur toute la profondeur de la troisième couche 6, de la seconde couche 4 et de la première couche 2. Chacune des régions séparées par la région centrale 7 comporte une pluralité de trous (typiquement de l'ordre de grandeur d'une dizaine ou de quelques dizaines de trous), ce qui permet de donner accès depuis l'extérieur (c'est-à-dire la face libre de la troisième couche 6) à la seconde couche 4 sur toute la région précitée, en conservant la structure mécanique générale de la troisième couche 6 dans cette même région. Cet ensemble de trous pourrait également être fourni par la présence d'un cristal photonique où les trous peuvent être de section circulaire, carrée ou d'une autre forme selon les propriétés recherchées du cristal photonique. Cet ensemble de trous peut également se présenter comme la répétition d'un même trou, d'un ensemble de trous, ou encore comme une structure compacte apériodique (c'est-à-dire non périodique). Mais pour des raisons de commodité de réalisation, on pourra préférer réaliser les trous de section cylindrique ou carrée selon un simple réseau périodique triangulaire ou carré, où chaque trou sera avantageusement de taille submicrométrique. On obtient ainsi la structure représentée en coupe par un plan vertical 20 A-A à la figure 2 et en vue de dessus à la figure 3. On procède alors à l'étape suivante qui consiste à attaquer la seconde couche 4 (réalisée en SiGe dans l'exemple décrit ici) par gravure, par exemple par voie humide au moyen d'un mélange d'acide fluorhydrique, d'acide acétique et de peroxyde d'hydrogène, comme expliqué par exemple dans le document "Chemical etching of Si1,Gex in HF:H202:CH3000H de T.K. Carns et al. dans J. Electrochem. Soc., vol. 142, n 4, Avril 1995. Un dopage de type n de la seconde couche 4 (réalisée en SiGe) peut être prévu lors de la formation de cette couche afin de favoriser une telle gravure. En variante, on pourrait utiliser une gravure sèche du type gravure 30 plasma isotrope à base CF4. On peut se référer à la demande de brevet FR 2 795 554 pour plus de détails sur ce type de procédés, utilisés dans ce document dans une application différente. Quel que soit le procédé utilisé, celui-ci conduit en premier lieu à l'élimination de la seconde couche 4 dans chacune des régions pourvues des trous cylindriques 8, ce qui débute la formation de cavités 9 en remplacement de la seconde couche 4 dans ces régions, et en second lieu à l'attaque des parties résiduelles de la seconde couche 4 par action de la gravure à partir des cavités 9, de telle sorte que les parties de la seconde couche 4 situées au niveau de la région centrale 7 sont éliminées pour former un prolongement 10 de chaque cavité 9. Un passage 12 est ainsi ménagé entre les deux cavités 9 via leur prolongement respectif 10. Si la gravure utilisée attaque de manière prioritaire la seconde couche 4 réalisée en SiGe comme on vient de le décrire, elle attaque également, bien que plus légèrement, les couches situées au contact de la seconde couche 4, à savoir la première couche 2 et la troisième couche 6. Toutefois, du fait du plus lent métabolisme de la réaction de gravure avec la première couche 2 et la troisième couche 6 formées en silicium, l'épaisseur de matière gravée dépendra fortement du temps d'exposition de la zone considérée au produit réactif de telle sorte que les parties de ces couches 2, 6 situées au voisinage des trous cylindriques 8 (par lesquels pénètrent les réactifs) seront gravées de manière notable (ce qui conduit à un agrandissement des cavités 9) ; par exemple, avec une gravure sèche à base de CF4, l'épaisseur rognée est typiquement de l'ordre de 10 à 50 nm pour une gravure latérale de 150 nm. Au contraire, les parties de ces couches 2, 6 situées au niveau de la région centrale 7 seront moins gravées à mesure que l'on s'éloigne de la région des trous cylindriques 8. De ce fait, les prolongements 10 des cavités 9 ont une épaisseur qui varie entre l'épaisseur de la cavité concernée 9 au niveau de celle- ci à une épaisseur de l'ordre de l'épaisseur initiale de la seconde couche 4 au niveau du passage 12 (où la gravure des couches en silicium 2, 6 n'a pratiquement pas eu lieu). On obtient ainsi une structure telle que représentée en coupe à la figure 4. On peut remarquer que la réduction d'épaisseur des prolongements 10 et du passage 12 au niveau de la région centrale 7 et la forme de cette réduction d'épaisseur peuvent être contrôlées en jouant sur la concentration en germanium (Ge) de la seconde couche 4 réalisée en SiGe. En faisant varier la concentration de germanium en fonction de la profondeur dans la couche, on influe sur la vitesse d'élimination de la seconde couche 4 en fonction de la profondeur considérée, ce qui permet d'agir sur le profil des prolongements 10 en coupe verticale. Par exemple, une concentration uniforme de germanium dans la seconde couche 4 générera un profil abrupt entre les parties des prolongements 10 générées par la seule élimination de la seconde couche 4 (parties proches du passage 12) et les parties des prolongements 10 générées par la combinaison de l'élimination de la seconde couche 4 et l'attaque de la couche 2,6 de Si-n ou de Si-p concernée. Au contraire, une variation continue de la concentration en germanium au passage de la couche de silicium dopée 2,6 concernée à la seconde couche 4 permettra une transition plus régulière entre la partie du passage 12 formé par l'élimination de la seconde couche 4 et les prolongements 10 formés par la combinaison de l'élimination de cette même couche 4 et de l'attaque des couches voisines 2,6. Une fois les cavités 9, les prolongements 10 et le passage 12 formés comme décrit précédemment, on procède au remplissage des cavités précédemment formées (cavités 9 et leurs prolongements 10) et des parties résiduelles des trous cylindriques 8 par un matériau diélectrique 14. Ce remplissage est par exemple réalisé par infiltration d'un isolant ou par oxydation thermique de la structure (qui provoque le remplissage des cavités par du dioxyde de silicium), selon des techniques utilisées dans d'autres applications, comme décrit par exemple dans la demande de brevet FR 2 800 913. On obtient ainsi la structure représentée en coupe à la figure 5 et qui comprend ainsi les éléments de base d'une jonction capacitive (couches de silicium dopé séparées par un matériau diélectrique 14). On procède ensuite à la gravure des parties externes des régions pourvues de trous (par rapport à la région centrale 7) de manière à éliminer des résidus éventuels de la seconde couche 4 en SiGe et d'obtenir un profil d'isolant 14 d'épaisseur constante sauf au niveau de la région centrale 7 où l'épaisseur d'isolant 16 est réduite en conséquence de la forme des prolongements 10 précédemment exposée. La structure alors obtenue est représentée à la figure 6. On peut alors procéder au dépôt de contacts d'une part au niveau de la troisième couche 6 (qui garde une structure globale de couche malgré la présence d'isolant aux endroits où ont été gravés les trous cylindriques 8), et d'autre part sur la face supérieure de la première couche 2 mise à nu lors de l'étape précédente de gravure. On a ainsi formé une jonction capacitive qui comprend la première couche 2 réalisée en Si-p et la troisième couche 6 réalisée en Si-n séparées par une couche intermédiaire 14 en matériau isolant qui comporte une réduction d'épaisseur 16 au niveau de la région centrale 7. La réduction d'épaisseur est ici de l'ordre de 20 à 60 % du fait du procédé de formation des cavités présenté plus haut. Cette réduction d'épaisseur 16, qui entraîne un champ électrique plus intense au niveau de la région centrale 7, permet une forte concentration de porteurs de charge dans la région centrale 7 et la jonction capacitive ainsi réalisée est donc particulièrement appropriée à la réalisation d'un modulateur, par exemple un modulateur optique. Un tel modulateur peut facilement être réalisé au sein d'une structure d'optique intégrée, dont les guides d'ondes sont formés par des microcavités à cristaux photoniques. Dans ce cas, la largeur de la zone d'épaisseur réduite 16 au sein de la couche diélectrique 14 est de l'ordre de la largeur de la microcavité formant guide d'onde. Cette solution permet en outre de graver les trous 8 utilisés dans le procédé décrit ci-dessus dans la même étape technologique que les trous qui forment le cristal photonique dans le silicium. La figure 8 représente un second mode de réalisation de l'invention dans lequel on utilise un empilement de jonctions capacitives comme décrit ci-après. Une telle structure multi-jonction comprend une alternance de couches 22, 26 en matériau semi-conducteur dopé p et de couches 24, 28 en matériau semi-conductueur dopé n, entre chacune desquelles est interposée une couche diélectrique 30. Dans l'exemple représenté à la figure 8, la structure multi- jonction comporte deux couches 22, 26 en silicium dopées p (dénommées ci- après couches 22, 26 de Si-p) et deux couches 24, 28 en silicium dopées n (dénommées ci-après couches 24, 28 de Si-n. La structure a donc l'organisation suivante: une couche de Si-p 22; une couche diélectrique 30; une couche de Si-n 24; une couche diélectrique 30; une couche de Si-p 26 une couche diélectrique 30; et une couche de Si-n 28. Une telle structure est par exemple obtenue en appliquant la technique exposée à propos du premier mode de réalisation à l'empilement de couches précité, ce qui n'implique d'ailleurs pas d'étape technologique supplémentaire par rapport au cas où une seule jonction est réalisée comme décrit en référence aux figures 1 à 7. De ce fait, les couches de silicium dopées sont traversées par des trous 23 remplis de matériau diélectrique dans deux régions séparant une région centrale 15 21, 25, 27, 29 de chaque couche 22, 24, 26, 28. Chaque couche diélectrique 30 comprend une réduction d'épaisseur au niveau de la partie centrale 21, 25, 27, 29 des couches 22, 24, 26, 28 qui la jouxtent. Ces réductions d'épaisseur sont par exemple obtenues par l'utilisation de la technique exposée à propos du premier mode de réalisation pour la réalisation de chaque couche diélectrique 30. Des gravures latérales du même type que celles proposées dans le premier mode de réalisation permettent de mettre à nu la face supérieure de chacune des couches de silicium dopées 22, 24, 26, 28 et de former ainsi des contacts électriques 32, 34, 36, 38 avec chacune de ces faces supérieures. En alimentant la structure multi-jonction qui vient d'être décrite au moyen des contacts électriques 32, 34, 36, 38, on peut contrôler l'accumulation des porteurs de charges présents dans les couches de silicium dopées 22, 24, 26, 28, qui seront concentrées en particulier au niveau de la région centrale 21, 25, 27, 29 de chaque couche grâce à la réduction d'épaisseur de la couche diélectrique 30 concernée: on obtient ainsi un modulateur optique particulièrement efficace grâce à cette concentration des porteurs de charges dans les régions centrales 21, 25, 27, 29 et à la superposition des jonctions capacitives qui permet d'obtenir l'effet de modulation sur une épaisseur relativement importante. Afin d'obtenir une accumulation encore meilleure des porteurs de charges dans chacune des jonctions, on connecte l'ensemble de celle-ci en parallèle en liant les contacts 32, 36 associés aux couches de Si-p 22, 26 à une même borne d'un générateur de tension et les contacts 34, 38 associés aux couches de Si-n 24, 28 à la borne opposée de ce générateur. Les produits et procédés présentés ci-dessus ne représentent que des exemples non limitatifs de mis en oeuvre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Modulateur comportant une jonction capacitive traversée par une onde électromagnétique, la jonction capacitive comprenant une couche diélectrique (14; 30) interposée entre deux couches en matériau semiconducteur (2,6; 22, 24, 26, 28), caractérisé en ce que la couche diélectrique (14; 30) présente une réduction d'épaisseur (16; 21, 25, 27, 29) au niveau de l'onde électromagnétique. 2. Modulateur selon la revendication 1, dans lequel au moins une 10 desdites couches en matériau semi-conducteur (2,6; 22, 24, 26, 28) est dopée. 3. Modulateur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel au moins une desdites couches en matériau semi-conducteur (2,6; 22, 24, 26, 28) est réalisée en silicium. 4. Modulateur selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la couche diélectrique (14; 30) est réalisée en oxyde de silicium ou en polymère isolant. 5. Modulateur selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel chacune desdites couches en matériau semi-conducteur (2,6; 22, 24, 26, 28) a une épaisseur comprise entre 30 nm et 500 nm. 6. Modulateur selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la 25 couche diélectrique (14; 30) a une épaisseur comprise entre 2 nm et 30 nm en dehors de ladite réduction d'épaisseur (16; 21, 25, 27, 29). 7. Modulateur selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel ladite réduction d'épaisseur (16; 21, 25, 27, 29) est comprise entre 20 % et 60 %. 8. Modulateur selon l'une des revendications 1 à 7, comprenant une pluralité de couches diélectriques (30) séparées par des couches réalisées en matériau semi-conducteur (22, 24, 26, 28) et traversées chacune sur une partie au moins par l'onde électromagnétique. 9. Jonction capacitive comprenant une région apte à être traversée par une onde électromagnétique, la jonction capacitive comprenant une couche diélectrique (14; 30) interposée entre deux couches en matériau semi-conducteur (2,6; 22, 24, 26, 28), caractérisée en ce que la couche diélectrique (14; 30) présente une réduction d'épaisseur (16; 21, 25, 27, 29) au niveau de ladite région. 10. Jonction capacitive selon la revendication 9, dans laquelle au moins une desdites couches en matériau semi-conducteur (2,6; 22, 24, 26, 28) est dopée. 11. Jonction capacitive selon la revendication 9 ou 10, dans laquelle au moins une desdites couches en matériau semi-conducteur (2,6; 22, 24, 26, 28) est réalisée en silicium. 12. Jonction capacitive selon l'une des revendications 9 à 11, dans laquelle la couche diélectrique (14; 30) est réalisée en oxyde de silicium ou en polymère isolant. 13. Jonction capacitive selon l'une des revendications 9 à 12, dans 20 laquelle chacune desdites couches en matériau semi-conducteur (2, 6; 22, 24, 26, 28) a une épaisseur comprise entre 30 nm et 500 nm. 14. Jonction capacitive selon l'une des revendications 9 à 13, dans laquelle la couche diélectrique (14; 30) a une épaisseur comprise entre 2 nm et 30 25 nm en dehors de ladite réduction d'épaisseur (16; 21, 25, 27, 29). 15. Jonction capacitive selon l'une des revendications 9 à 14, dans laquelle ladite réduction d'épaisseur (16; 25, 27, 29) est comprise entre 20 % et 60 %.