FR 2877767 A1 20060512 FR 0510557 A 20051017 Des dispositifs à semiconducteur modernes, tels que des circuits intégrés, sont fabriqués de façon caractéristique à partir de tranches de matériau semiconducteur. Les tranches sont fabriquées par une succession de couches de matériau semiconducteur dans lesquelles on a défini des motifs. Des motifs de circuit sont fabriqués en utilisant une variété de techniques établies depuis longtemps, par exemple des techniques lithographiques. Un positionnement et un alignement précis pendant la fabrication sont importants pour fabriquer des motifs exacts. Par exemple, la maîtrise d'alignement de l'outil de photorépétition est importante pour assurer un processus cohérent. Il existe des méthodologies établies pour l'alignement statistique de photorépéteurs, dans lesquelles on utilise des techniques statistiques pour déterminer l'alignement d'un réticule avec un motif créé par le photorépéteur ou en association avec celui-ci, pour faciliter l'alignement du photorépéteur. La technique utilise de façon caractéristique des images générées dans l'optique de photorépéteur, ou projetées sur la tranche par l'optique de photorépéteur. On a employé des méthodes statistiques similaires pour aligner par exemple un outil d'exposition pendant la fabrication de motifs. Bien qu'une telle technologie d'alignement ait bien fonctionné, et soit importante dans la fabrication de dispositifs, elle concerne seulement l'alignement de l'outillage de fabrication. Ceci peut être une limitation avec des structures de semiconducteurs ayant une succession de couches de motifs de matériau semiconducteur, dans lesquelles il est souhaitable d'être capable de déterminer le défaut de coïncidence entre des couches fabriquées elles-mêmes. On utilise la métrologie de recouvrement dans la fabrication de dispositifs à semiconducteur pour déterminer avec quelle précision une couche imprimée recouvre une couche imprimée précédemment. Un alignement serré de chaque couche en tous points à l'intérieur du dispositif est important pour atteindre les objectifs de conception et donc la qualité et les performances exigées pour le dispositif fabriqué. Par conséquent, il est important pour le rendement du processus de fabrication que toute erreur d'alignement entre deux couches dans lesquelles on a défini des motifs sur une tranche puisse être mesurée rapidement et avec exactitude. Il est important, de façon similaire, d'être capable de mesurer toute erreur d'alignement entre des expositions successives dans la même couche. L'explication donnée ici concernant deux couches s'applique tout aussi bien à deux expositions dans la même couche. Un défaut de coïncidence entre des couches est appelé une erreur de recouvrement. On utilise des outils de métrologie de recouvrement pour mesurer l'erreur de recouvrement. Cette information peut être fournie à un système en boucle fermée pour corriger l'erreur de recouvrement. La métrologie de recouvrement actuelle utilise des marques ou des motifs de cible, lisibles de façon optique, imprimés sur des couches d'une tranche de semiconducteur pendant la fabrication. Le déplacement relatif de deux couches successives est mesuré en formant l'image des motifs avec un grossissement élevé, en numérisant les images, et en traitant les données d'image à l'aide de divers algorithmes d'analyse d'image connus, pour quantifier l'erreur de recouvrement. Des techniques de métrologie de recouvrement font donc intervenir la mesure directe d'un défaut de coïncidence entre des motifs formés en association directe avec chacune des couches. En particulier, des marques ou des motifs de cible sont développés dans ou sur la surface de chacune des couches, au lieu d'être des images latentes, ou des images générées à l'intérieur de l'optique d'un instrument de formation d'image, ou projetées à partir de cette optique. Le motif de la marque de cible peut être appliqué sur la tranche par n'importe quel procédé approprié. La marque est souvent imprimée de préférence sur les couches de tranche, par exemple en utilisant des procédés photolithographiques. De façon caractéristique, on utilise la même technique pour appliquer des marques de cibles de recouvrement sur chacune de deux couches de tranche, ou plus, à tester, pour permettre de mesurer une information d'alignement représentative de l'alignement des couches. L'exactitude de l'alignement des couches doit correspondre à l'exactitude de l'alignement de motifs de circuit dans la tranche fabriquée. La métrologie de recouvrement actuelle est normalement pratiquée en imprimant des cibles avec une symétrie rectangulaire. Pour chaque mesure, deux cibles sont imprimées, une dans la couche présente et une dans une couche précédente, ou une en association avec chaque motif dans une couche commune. Le choix de la couche précédente à utiliser est déterminé par des tolérances de processus. Les deux cibles ont habituellement un centre nominalement commun, mais sont imprimées avec des tailles différentes de façon à pouvoir être différenciées. Normalement, mais pas toujours, la cible imprimée dans la couche présente est la plus petite des deux cibles. Une mesure de recouvrement dans un tel système est le déplacement mesuré réel des centres des deux cibles. La taille des cibles est actuellement souvent conçue de façon que des images des deux cibles puissent être formées simultanément par un microscope à champ clair. Du fait de considérations de formation d'image, la plus grande des deux cibles est de façon caractéristique un carré d'environ 25 m de côté sur l'extérieur. Cet agencement permet l'acquisition de toutes les données nécessaires pour l'accomplissement de la mesure à partir d'une seule image. Des mesures à une cadence d'une par seconde, ou moins, sont possibles en utilisant la technologie actuelle. Cette procédure exige généralement que la cible et l'image de la cible soient symétriques, du fait que sinon il n'y a pas de point central défini sans ambiguïté. En l'absence de symétrie, il y a une incertitude dans la mesure, qui peut être supérieure à ce qui peut être toléré. Des tailles et des formes préférées de modèles actuels de cibles à mesurer sont connues de façon générale. Les cibles sont positionnées dans la zone de découpe au bord du circuit fabriqué. Il est généralement hautement souhaitable que les cibles de mesure maintiennent une symétrie axiale autour de l'axe optique de l'outil de mesure, du fait qu'une mesure exacte exige de maîtriser très étroitement des aberrations d'image. Dans la pratique actuelle, ceci peut être réalisé seulement pour des images sur l'axe de système ou centrées sur celui-ci. Dans la plupart des systèmes connus, des mesures sont donc effectuées sur les cibles en calculant un axe pour chaque cible différente. La mesure de recouvrement est la différence entre les axes. La plupart des modèles de cibles utilisés de façon générale permettent une mesure de l'écart de recouvrement vertical et horizontal à partir d'une seule image. Des erreurs de mesure doivent être maîtrisées pour être réduites à une très faible valeur. Ces erreurs peuvent être classées en erreurs aléatoires, caractérisées par la détermination de la précision de mesure; et en erreurs systématiques, caractérisées par des erreurs induites par l'outillage, des différences de mesure d'un outil à un autre, et des erreurs introduites par la dissymétrie dans les cibles qui sont mesurées. Pour que la métrologie de recouvrement puisse être appliquée avec succès à la maîtrise de processus portant sur des semiconducteurs, il est généralement exigé que ces erreurs (combinées) s'élèvent à moins de 10% du budget de maîtrise de processus. Le budget de maîtrise de processus est approximativement le tiers de la plus petite dimension définie par le processus. Les plus petites tailles d'éléments qui sont imprimés dans la fabrication de dispositifs à semiconducteur sont actuellement de 65 nm. Ces éléments deviendront progressivement encore plus petits. Le budget d'erreur de mesure de recouvrement est donc maintenant de 3 nm ou moins, et deviendra encore plus petit dans le futur prévisible. On détermine aisément la précision de mesure par l'analyse des variations de mesures répétées. On peut déterminer différentes formes de précision par des procédés appropriés bien connus, permettant la détermination des composantes de précision statique à court terme et à long terme. La détermination de la contribution de l'outil de mesure seul dans l'apparition d'erreurs est réalisée en comparant des mesures effectuées avec la cible dans sa présentation normale, avec une mesure effectuée après rotation de la cible de 180 par rapport au système de formation d'image. De façon idéale, la mesure changera simplement de signe. La moyenne des mesures à 0 et 180 est appelée Décalage Induit par l'Outil ou TIS ("Tool Induced Shift"), comme cela est bien connu de l'homme de l'art. Le TIS est largement accepté en tant que mesure de la contribution d'erreur systématique de l'outil. Des mesures de TIS diffèrent d'un outil à un autre et avec la couche de processus. Le fait de soustraire des mesures l'erreur de TIS estimée permet d'éliminer l'erreur de TIS affectant les mesures, mais au prix du temps supplémentaire nécessaire pour mesurer deux fois la cible. Des outils différents, même lorsqu'ils sont du même type, effectueront des mesures légèrement différentes, même après prise en compte de la précision et des erreurs de TIS. On peut déterminer expérimentalement la grandeur de cette erreur en comparant les moyennes de mesure répétées à 0 et 180 sur deux outils ou plus. Les contributions de précision, de variation de TIS et de différences entre outils sont normalement combinées par un produit de racine de somme des carrés, ou un autre procédé approprié, pour déterminer l'incertitude de mesure totale due au processus de mesure. L'incertitude de mesure totale doit être inférieure à 10% du budget de recouvrement global pour le processus, pour que la métrologie ait de la valeur. Des outils et des procédures de mesure existants parviennent à une incertitude totale suffisante pour des techniques de fabrication actuelles, mais insuffisante pour les exigences futures de plus petites tailles d'éléments. La métrologie de recouvrement est accomplie à l'heure actuelle presque exclusivement par microscopie en champ clair. Des motifs sont fabriqués au bord du champ dont l'image est formée, dans la zone de chemins de découpe du dispositif, de façon spécifique en vue de la métrologie. A l'heure actuelle, certains éléments de dispositifs sont plus petits que la longueur d'onde de la lumière visible. Il en résulte que les cibles sont généralement notablement plus grandes que ces très petits éléments (des dimensions extérieures d'environ 25 pm sont normales, comme représenté sur la figure 1). La cible standard actuelle est grande, de façon que les composants soient effectivement isolés. Il y a trois sources d'erreur à considérer. La première source d'erreur est l'imperfection dans la fabrication de la cible qui conduit à une incertitude dans son emplacement. Un exemple de ceci est une dissymétrie physique de la cible, éventuellement occasionnée par un dépôt non uniforme d'une pellicule de métal. Une seconde source d'erreur est la différence entre l'écart des deux couches à la cible de mesure et le recouvrement authentique des mêmes couches dans le dispositif qui est fabriqué. Ceci peut résulter d'erreurs dans la conception et la fabrication des réticules utilisés pour créer les motifs sur la tranche, d'effets de proximité dans le processus d'impression et d'une déformation des pellicules après l'impression, par d'autres étapes de processus. Une troisième source d'erreur est le décalage dans la position relative apparente des deux couches qui est dû à des effets de proximité lorsque l'image mesurée est formée. Ces erreurs de mesure représentent une limitation pratique de l'état actuel de la technique et peuvent occasionner des problèmes importants dans l'application de la métrologie de recouvrement à la maîtrise de processus concernant des semiconducteurs. Une erreur résultant de l'imperfection dans la fabrication de la cible peut quelquefois être réduite en fabriquant les éléments, dans les cibles mesurées, à partir d'objets beaucoup plus petits, tels que des lignes ou des trous. Ces éléments plus petits sont imprimés avec la règle de conception pour le processus, actuellement dans la plage de 0,1 - 0,2 m, et sont étroitement groupés ensemble. Ils sont trop petits pour être séparés individuellement par des microscopes optiques utilisés dans des outils de métrologie de recouvrement. Les petits éléments sont groupés en plus grandes formes dans le motif de cibles de recouvrement traditionnelles. L'utilisation de petits éléments évite certains des mécanismes occasionnant des imperfections dans la forme des cibles fabriquées, en partie en profitant de l'optimisation du processus de fabrication pour des objets de cette taille et cette forme. Si les diverses parties de la cible de mesure sont trop rapprochées les unes des autres, elles interagiront alors pendant la formation de l'image dans l'outil de mesure (R. Silver et al., SPIE 5038, page 428). Ces interactions introduiront une erreur dans la mesure (Smith, Nigel P. ; Goelzer, Gary R. ; Hanna, Michael; Troccolo, Patrick M., "Minimizing overlay measurement errors", août 1993, Proceedings of SPIE Volume: 1926, Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control VII, publié par: Postek, Michael T). L'effet peut être réduit dans une certaine mesure en améliorant la résolution du système de formation d'image, par exemple en augmentant l'ouverture numérique (O.N.) du système de formation d'image. Cependant, une telle augmentation augmenterait également jusqu'à des niveaux inacceptables l'aberration du système et donc la grandeur d'erreurs de mesure créées par l'outil (en particulier le TIS). Pour maintenir des niveaux d'erreur de mesure acceptables, certains systèmes de l'art antérieur utilisent des microscopes avec une O.N. limitée à 0,5. Par conséquent, la séparation d'éléments dans la cible doit être maintenue à plus de 5 m si on veut négliger des effets de proximité dans l'image. Les systèmes de l'art antérieur ne corrigent pas ces effets de proximité. La rapidité est l'un des avantages clés de la technique de métrologie de recouvrement existante. Par conséquent, l'utilisation de mesures répétées est indésirable, à moins qu'elles puissent être effectuées sans exiger notablement plus de temps. Il demeure un besoin portant sur d'autres motifs de recouvrement et/ou procédés d'analyse qui réduisent des erreurs et améliorent l'exactitude, et sans perte notable de vitesse de traitement. Pour atteindre la mesure de recouvrement très exacte et précise qui est exigée lorsque les règles de conception se réduisent à 65 nm et audessous, on considère toutes ces questions. Bien que dans certains cas le procédé de l'art antérieur employant une mesure de grandes cibles dans la zone de chemins de découpe puisse être suffisant pour la maîtrise de processus dans le futur, le domaine d'applicabilité dépendra du processus et résidera très probablement dans la partie initiale de processus, où la pile de dispositifs, et donc le processus de formation d'image, est plus simple. Selon un premier aspect, un modèle de cible original occupe seulement un espace de quelques micromètres carrés. La cible est placée près de la zone de dispositif active, ou dans celle-ci. Le modèle de cible dans la puce réduit l'erreur de mesure induite par la tranche ou le processus, ou WIS ("wafer or process induced measurement error") et tend à augmenter l'exactitude de mesure. Il a une forte corrélation dans la mesure de résultats de recouvrement résultant de distorsions optiques et de variations de processus, entre l'emplacement de la cible de recouvrement réelle et la zone active. En outre, il réduit la différence dans les dimensions relatives des cibles de recouvrement et des cibles réelles dans la zone active, du fait que les ensembles d'erreurs varient souvent avec la taille des éléments. La réduction de la taille des cibles de mesure est souhaitable. De plus petites cibles utilisent une plus petite étendue de champ de formation d'image. Par conséquent, il y a moins de différence dans les coefficients d'aberration dans différentes parties de l'image, et donc une moindre erreur de mesure due à ces aberrations. La largeur de chemins de découpe est réduite en même temps qu'une grande confiance dans la métrologie augmente la demande d'espace à l'intérieur de ces lignes. Des outils à faisceau d'électrons remplacent des systèmes de photolithographie pour certaines applications de définition de motifs. Ces outils sont incapables de créer des motifs ayant une dimension linéaire supérieure à 10 m. Les marques et les composants de marques décrits ici peuvent être formés par lithographie, photolithographie, outils à faisceau d'électrons, nano-impression (par exemple comme décrit dans la Publication de Brevet des E.U.A. n 2004/0168586), ou d'autres manières. Toute tentative de réduire la taille de cible au-dessous des dimensions (par exemple 25 m) utilisées en commun par des systèmes de l'art antérieur exigera de traiter des effets de proximité dans la formation d'image, si on désire maintenir des niveaux d'erreur de mesure. Selon un autre aspect, une erreur de mesure introduite par le placement des cibles de mesure dans les chemins de découpe peut être éliminée en plaçant les cibles à l'intérieur de la zone active de la tranche. Du fait que ceci fait intrusion dans la partie productive du dispositif à semiconducteur, la taille de tels motifs est réduite à une taille de cible d'environ 1 m au carré, ou moins. De très petites cibles de mesure - environ 1 m au carré ou moins sont également capables de réduire des erreurs dues à des changements de forme induits par le processus, qui affecteront des objets de taille similaire aux motifs de dispositif moins qu'elles n'affectent de plus grandes étendues. Un exemple bien connu de cet effet consiste en ce que le polissage mécanochimique utilisé pour obtenir la planéité de surface avant des étapes de lithographie occasionnera une modification de hauteur de surface (appelée déformation en cuvette) dans de grands objets (> 1 m) , tandis qu'aucun dommage de ce type n'est occasionné à de plus petits objets. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est une vue de dessus d'une cible de l'art antérieur. Les figures 2, 7, 8 et 9 montrent des cibles 25 originales. Les figures 3, 4, 5 et 6 sont des vues de côté ou en coupe de cibles. Une marque de métrologie de recouvrement pour déterminer la position relative entre deux couches, ou plus, d'une structure à semiconducteur, ou entre deux motifs, ou plus, générés séparément sur une seule couche d'une structure à semiconducteur, comprend une première partie de marque 20 associée à un premier motif ou couche, et une seconde partie de marque 30 associée à un second motif ou couche. Comme représenté sur la figure 2, en vue en plan, la première partie de marque 20 comprend un rectangle ou un carré vide (les deux sont appelés ici un "rectangle") de largeur W et de hauteur H et de largeur de ligne Wl (sur tous les côtés). La seconde partie de marque 30 est une croix de largeur W2 qui est contenue à l'intérieur du rectangle. Par conséquent, le centre du carré 20 et le centre de la croix 30 coïncident. Toute différence est l'erreur de recouvrement qui doit être mesurée. L'une des deux parties de marque peut être enterrée ou non au-dessous d'une ou plusieurs couches de matière semi-transparente ou transparente, 32, comme indiqué par les coupes des figures 3 et 4. Dans le mode de réalisation préféré, la première partie de marque, comprenant le motif rectangulaire, est enterrée tandis que la seconde partie de marque, la croix, est formée dans une matière consistant en résine photosensible et s'étend au sommet. Un petit espace (G) peut être placé entre la croix et le rectangle si le processus de fabrication pour la cible le nécessite, mais il n'est pas obligatoire. Comme représenté sur la figure 5, un cas dans lequel un espace peut être exigé est celui dans lequel il n'y a pas de couverture par une matière pour l'une ou l'autre couche. Dans d'autres situations, aucun espace n'est exigé, par exemple lorsqu'une couche est enterrée audessous d'une pellicule qui est ensuite polie pour être aplanie, comme représenté sur la figure 6. Lorsqu'un espace est utilisé, l'espace est avantageusement placé à l'intérieur du rectangle extérieur, au lieu d'être entre le rectangle et la croix, comme représenté sur la figure 7. Dans le mode de réalisation préféré de l'invention, la largeur W et la hauteur H du rectangle entourant sont les mêmes, de même que les longueurs des branches de la croix entourée (W - 2G, H - 2G). Il n'est pas nécessaire que la croix 30 soit jointe au centre. Elle peut être composée de quatre barres ou rectangles 40 disposés en un motif en croix 50, comme représenté sur les figures 8 et 9. Cet arrangement évite un arrondissement qui se produit à la jonction des intersections des deux branches d'une croix complète. Ceci est une amélioration importante si la largeur W2 des branches de la croix est proche des limites de conception du processus de lithographie, ou atteint ces limites. Les modèles de cibles décrits ci-dessus conservent la symétrie centrale caractéristique de modèles de cibles utilisés dans les systèmes de l'art antérieur. Cette symétrie axiale favorise les systèmes optiques utilisés pour former des images des cibles pendant une mesure. Ceci minimise les erreurs apparaissant dans la mesure sous l'effet d'une distorsion optique de l'image. Cependant, le groupe central de quatre barres (ou un rectangle) utilisé dans les cibles de mesure de l'art antérieur est rétréci à une croix, ce qui facilite la réduction de taille de la cible. Bien que le modèle puisse être utilisé pour créer des cibles de taille similaire à celles de l'art antérieur (W = H 25 m, et Wl W2 2 m), la taille de ce motif peut être réduite pour permettre son utilisation à l'intérieur de la zone de circuit (W = H 1 m, et Wl W2 0,1 m). Une cible de taille réduite conforme à ce modèle peut encore être utilisée pour améliorer l'exactitude de mesure, même si elle est placée à l'intérieur de la région de chemins de découpe. Lorsqu'elles sont utilisées dans la région de découpe ou dans la zone active de la tranche, les cibles originales décrites ci-dessus évitent les problèmes envisagés ci-dessus en utilisant des éléments d'une taille correspondant aux règles de conception, répartis sur une petite étendue, pour éviter des dommages résultant d'étapes de processus telles que le polissage mécanochimique, qui sont optimisées pour des motifs d'objets plus petits que 1 m. Ces cibles de recouvrement originales peuvent être utilisées dans la zone active ou au voisinage de celle-ci. Ces cibles permettent d'effectuer une mesure à partir de la couche actuelle jusqu'à la couche précédente la plus critique. Dans le cas d'une incertitude de mesure excessive, il est possible de mesurer d'autres couches et d'utiliser des cibles de secours. De façon idéale, des mesures à l'intérieur de la zone de dispositif sont effectuées en utilisant le motif de circuit lui-même. Cependant, le motif de circuit est conçu pour réaliser la fonction du dispositif qui est fabriqué et non pour bénéficier à la métrologie. Lorsqu'on forme une image en vue en plan, la plupart des sections pertinentes de la zone de dispositif active apparaîtront en motifs dans de nombreuses couches au même point, et pas seulement dans les deux motifs de couches utilisés pour la mesure de recouvrement. Dans le cas général, l'image résultante est trop complexe pour les procédés d'analyse disponibles, pour pouvoir effectuer des mesures de qualité acceptable. Il est donc habituellement nécessaire de prévoir des cibles de mesure spéciales pour lesquelles la complexité de l'image peut être maîtrisée, de façon à permettre à l'outil de mesure d'extraire des données de mesure exactes. De petites cibles de mesure appropriées ont été proposées et leur utilité a été démontrée avec les mesures effectuées en utilisant un microscope électronique à balayage (MEB). Voir: Eric P. Solecky, J. Morillo (IBM) SPIE5375-06, 2004, Publication de Brevet des E.U.A. n 2003/0071997. Un MEB a une bien meilleure résolution que les outils optiques utilisés dans des systèmes de mesure de recouvrement de l'art antérieur. Par conséquent, les erreurs de proximité d'image envisagées ci-dessus interviennent moins ou sont mêmes hors de considération. Cependant, les MEB ont l'inconvénient de ne pas être capables de former des images à travers des couches enterrées. Par conséquent, de nombreuses mesures de recouvrement exigées ne peuvent pas être effectuées avec ce procédé. De plus, des outils à MEB sont à la fois plus coûteux et plus lents que des systèmes optiques, ce qui conduit à une augmentation indésirable du coût par mesure. Un avantage des cibles originales décrites ici consiste en ce qu'elles permettent la mesure de cibles de recouvrement appropriées, incluant celles dans lesquelles l'une des couches est enterrée, avec les avantages de vitesse et de coût de l'équipement de mesure optique existant. Pour que des concepteurs acceptent le placement de cibles de mesure à l'intérieur de la zone de dispositif, les nouvelles cibles doivent offrir une qualité de mesure améliorée qui ne peut être obtenue d'aucune autre manière, et l'aire occupée par ces cibles doit être maintenue à un minimum. Il n'y a pas de limite supérieure spécifique à la taille acceptable de cibles quelconques utilisées. Des cibles d'une dimension extérieure de 1 m seront plus viables que de plus grandes cibles, de 10 m ou plus. Par ailleurs, une cible de 25 m comme celles utilisées dans des systèmes de l'art antérieur ne serait pas acceptable à l'intérieur de la zone de dispositif. Par conséquent, tout motif placé à l'intérieur de la zone de dispositif doit être beaucoup plus petit que ceux utilisés précédemment. On doit également considérer des effets d'interaction dans les algorithmes utilisés pour effectuer la mesure, pour pouvoir atteindre l'exactitude de mesure désirée. Les termes dans les revendications, incluant les termes rectangle, croix, cadre, axe central, cercle, carré et d'autres termes géométriques similaires, n'ont pas leurs définitions habituelles données par un dictionnaire de mathématiques. A la place, ils sont définis ici conformément à leurs significations habituelles admises dans la métrologie de fabrication des semiconducteurs. Ainsi, le terme rectangle tel qu'il est utilisé ici, par exemple, inclut des formes qui ne sont pas des rectangles mathématiquement parfaits, à cause de limitations de processus de fabrication ou de mesure. REVENDICATIONS 1. Marque pour l'utilisation avec un système de formation d'image optique, pour déterminer la position relative entre deux couches, ou plus, d'une structure de circuit intégré, ou entre deux motifs, ou plus, générés séparément sur une seule couche d'une structure de circuit intégré, caractérisée par: une première partie de marque (20) associée à un premier motif ou couche et une seconde partie de marque (30) associée à un second motif ou couche; et la première partie de marque incluant un cadre (20) ayant pratiquement une forme de rectangle, et la seconde partie de marque incluant pratiquement une forme en croix (30) à l'intérieur du cadre (20) de la première partie de marque. 2. Marque de métrologie de recouvrement selon la revendication 1, caractérisée en ce que les première et seconde parties de marque (20, 30) sont respectivement formées à l'intérieur des première et seconde couches, ou sur elles. 3. Marque selon la revendication 1, caractérisée en ce que les première et seconde parties de marque (20, 30) sont imprimées par un processus microlithographique. 4. Marque selon l'une quelconque des revendications 1 ou 3, caractérisée en ce que les centres des motifs de chaque partie de marque (20, 30) sont pratiquement en coïncidence. 5. Marque selon l'une quelconque des revendications 1 ou 3, caractérisée en ce que les dimensions horizontale et verticale de la marque sont pratiquement les mêmes. 6. Marque selon la revendication 1, caractérisée en ce que la largeur (W) du cadre (20) formé par la première partie de marque correspond à la règle de conception pour le processus microlithograpnique. 7. Marque selon la revendication 1, caractérisée en 35 ce que le motif de cadre (20) ou le motif de croix (30), ou les deux, sont formés par de plus petits sous-éléments de motif (40, 50). 8. Marque selon la revendication 7, caractérisée en ce que l'un au moins des sous-éléments (40, 50) a 5 pratiquement la forme de cercles, de carrés ou de lignes, ou d'une combinaison de ceux-ci. 9. Marque selon la revendication 1, caractérisée en ce que la largeur (Wl, W2) des lignes dans la croix (30) formée par la seconde partie de marque correspond à la règle de conception pour le processus microlithographique. 10. Structure de circuit intégré caractérisée en ce qu'elle comprend: une première couche incluant une zone de circuit active et. une zone de chemin de découpe; une première cible de métrologie (20) dans la zone de circuit active de la première couche; une seconde couche incluant une zone de circuit active et une zone de chemin de découpe; et une seconde cible de métrologie (30) dans la zone de circuit active de la seconde couche. 11. Circuit intégré caractérisé en ce qu'il comprend: un premier motif de circuit sur une couche, le premier motif de circuit ayant une première zone de circuit active; une première cible de métrologie (20) dans la zone active du premier motif; un second motif de circuit sur la couche, le second motif de circuit ayant une zone de circuit active; et une seconde cible de métrologie (30) dans la zone active du second motif de circuit. 12. Procédé pour mesurer une erreur de recouvrement dans un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à placer une première partie de marque (20) dans une première zone active du dispositif; placer une seconde partie de marque {30) dans une seconde zone active du dispositif; et mesurer le décalage entre la première partie de marque (20) et la seconde partie de marque (30). 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la première partie de marque comprend un cadre (20) pratiquement rectangulaire, et la seconde partie de marque comprend une croix, et en ce que la largeur (W) du cadre (20) et de la croix (30) dans le motif de marque est au niveau de la règle de conception du processus de microlithographie, ou au voisinage de ce niveau. 14. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'un ou l'autre du cadre (20) ou de la croix (30), ou les deux, dans le motif de marque sont formés par des sous- éléments (40, 50) définis au niveau de la règle de 10 conception du processus de microlithographie, ou au voisinage de ce niveau. 15. Marque de métrologie de recouvrement pour l'utilisation avec un système de formation d'image optique pour déterminer la position relative entre deux couches, ou plus, d'une structure de circuit intégré, ou entre deux motifs, ou plus, générés séparément sur une seule couche d'une structure de circuit intégré, caractérisée en ce qu'elle comprend une première partie de marque (20) associée à un premier motif ou couche et une seconde partie de marque (30) associée à un second motif ou couche; la première partie de marque comprenant un cadre (20) en forme de carré ou de rectangle; la seconde partie de marque comprenant quatre carrés ou rectangles (40, 50) positionnés en une forme en croix contenue à l'intérieur du cadre (20) défini par la première partie de marque; et un espace demeurant entre les carrés ou les rectangles (40, 50) avec une taille suffisamment grande pour éviter des changements notables de la forme carrée ou rectangulaire sous l'effet du processus d'impression lithographique.