FR 2861853 A1 20050506 FR 0312719 A 20031030 Domaine technique et art antérieur L'invention concerne le domaine de l'optique et de l'optoélectronique. Elle peut aussi s'appliquer au domaine de la microélectronique ou au domaine des semi-conducteurs. En particulier, l'invention s'applique aux composants émettant de la lumière (diodes électroluminescentes: LEDs, les diodes lasers: LDs), ou recevant et/ou détectant de la lumière (cellules solaires, photodiodes, ). Elle s'applique aussi aux dispositifs ou composants traversés par de la lumière, par exemple dont l'intensité ou la polarisation est justement modifiée par ce dispositif ou composant. De tels dispositifs sont par exemple des filtres actifs, ou des matrices actives pour LEDs organiques ou pour affichage à cristaux liquides (LCD). Pour une grande partie des composants cités ci-dessus, les couches actives, constituées de matériaux semi-conducteurs (Si, SiC, Ge, SiGe, GaN, AIGaN, InGaN, GaAs, InP, ...) et censées émettre ou recevoir ou modifier de la lumière, sont réalisées sur un substrat transparent tel que du verre, du saphir ou encore du quartz afin de maximiser le rendement lumineux du composant. Par exemple, les matrices actives utilisées pour la réalisation d'écrans plats à base de OLEDs (LEDs organiques) sont fabriquées à partir d'un substrat de verre sur lequel est réalisé un film mince de silicium, souvent polycristallin et plus rarement monocristallin. La lumière émise par les LEDs traverse ainsi le support mécanique en verre ou éventuellement en quartz. Selon un autre exemple, les LEDs émettant dans le vert ou le bleu sont généralement fabriquées à partir de couches minces de GaN, épitaxiées sur un substrat de saphir, afin d'autoriser l'extraction de lumière également à travers le substrat. Lors de la conception de ces composants, on cherche à minimiser les pertes de lumière. Ceci se traduit en général par des géométries spécifiques (texturation de surface, LEDs en forme de pyramides, ) et/ou des revêtements antiréfléchissants encapsulant le composant. Les substrats transparents tels que le verre, le quartz et dans une moindre mesure le saphir, ont des indices de réfraction, n, nettement plus faibles (n Substrats transparents Semi-conducteurs (couches actives) nature n nature n Verre Corning 1737 1.52 Si 3.4 Quartz 1.48 Ge 4.0 Saphir 1.77 GaAs 3.7 InP 3.5 GaN 2.3 SiC 2.7 Tableau 1: Indice de réfraction ( a 500 nm) des principaux 35 substrats transparents et de quelques matériaux semi-conducteurs. R= (n1+ n2)2 30 2861853 3 Par exemple, les interfaces Si / Quartz et GaAs / Verre, conduisent à environ 16% et 19% de pertes de lumière par réflexion, respectivement. Ces pertes de lumière, uniquement dues à l'interface substrat / couche active semi-conductrice, sont à ajouter aux pertes occasionnées aux interfaces substrat / air (face inférieure de la structure, par exemple: air / verre: 4%) et couche active semi-conductrice / air (face supérieure de la structure, par exemple: air / Si: 30 h). Les deux interfaces, avec l'air d'un côté et de l'autre de la structure, peuvent recevoir un traitement antiréflexion à la fin du procédé de fabrication du composant. Par contre l'interface interne substrat transparent / semi-conducteur ne peut être améliorée qu'avant la fabrication du composant, c'est-à-dire lors de l'élaboration du substrat composite, avant l'application du film mince de semi-conducteur sur le support transparent. Les applications faisant appel à un substrat transparent tel que le verre ou le quartz surmonté d'un film mince de silicium ont d'abord été développées à base de silicium amorphe hydrogéné obtenu par dépôt chimique en phase gazeuse, puis à base de silicium polycristallin obtenu par recristallisation de silicium amorphe. Pour bénéficier d'une meilleure mobilité des électrons et des trous, une nouvelle génération de composants à base de silicium monocristallin est, depuis peu, en cours de développement. Pour satisfaire ces filières émergentes, de nouveaux substrats sont apparus tels que les structures de type SOG (Silicium sur Verre) ou SOQ (Silicium sur Quartz) comprenant une couche mince de silicium monocristallin directement appliquée sur le support transparent. Une couche intermédiaire de SiO2 peut éventuellement être intercalée entre les deux, réalisant ainsi une structure verre / SiO2 / Si. Mais ceci ne réduit malheureusement pas les pertes par réflexion. Il se pose donc le problème de trouver de nouvelles structures, et des procédés de fabrication correspondants, permettant de réduire les pertes constatées actuellement. Exposé de l'invention L'invention a pour objet un substrat composite comprenant un support mécanique transparent, en verre ou en quartz par exemple, un film ou une couche mince de matériau semi-conducteur monocristallin et une couche intermédiaire, située entre la couche-mince ou le film semi- conducteur et le support et dont les caractéristiques optiques (épaisseur, indice de réfraction et absorption) sont choisies de sorte à éviter ou à limiter les pertes de lumière par réflexion au sein du substrat composite sur le chemin optique entre le support et le film semi-conducteur. Selon une autre définition, l'invention a aussi pour objet un substrat composite comprenant un support transparent, une couche mince ou un film mince de matériau semi-conducteur et une couche mince antiréfléchissante enterrée entre le support transparent et la couche mince ou le film semiconducteur. Le matériau semi-conducteur constituant le film semi-conducteur 20 est par exemple choisi parmi Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, GaP, InP, AIGaInP, GaN, AIN, AnGaN, InGaN, AIGaInN. La couche mince antiréfléchissante peut être constituée d'oxyde, de nitrure, ou d'un mélange d'oxyde et de nitrure. Par exemple, elle contient de l'oxyde de silicium, ou du nitrure de silicium, ou du carbure de silicium, ou encore de l'oxynitrure de silicium SiOXNy ou du nitrure de gallium ou de nitrure d'aluminium. Selon un mode de réalisation, le substrat composite comporte une seule couche mince ayant une composition qui varie graduellement pour adapter l'indice de réfraction entre le substrat et le film semiconducteur. La couche mince antiréfléchissante peut être constituée de SiO2 en contact avec le substrat, puis d'oxynitrure SiOXNy avec une proportion d'azote graduellement augmentée jusqu'à former du Si3N4, du côté de la couche semiconductrice. La, ou les, couche(s) mince(s) antiréfléchissante(s) peut/peuvent être isolante(s) électriquement ou au contraire conductrice(s) 2861853 5 électriquement. Dans ce dernier cas, elles sont par exemple en oxyde transparent conducteur, notamment en ITO (In203:Sn) ou en ZnO, ou en un alliage Zn2In205_X. De préférence, chaque couche mince antiréfléchissante a un indice de réfraction n; proche de (n;+l x ni_1)112, où n;+1, n;_1 sont les indices des matériaux de part et d'autre de la couche en question. L'invention concerne également un dispositif d'émission ou de réception de lumière, comportant un substrat composite tel que décrit ci-dessus et des moyens d'émission ou de détection de lumière formés au moins partiellement dans et/ou sur la couche de matériau semi-conducteur. Peuvent ainsi être réalisés, notamment, un dispositif émetteur de lumière à base de diodes électroluminescentes, ou un dispositif capteur ou détecteur de lumière tel qu'un photodétecteur ou une cellule solaire ou une matrice active pour la projection d'image. L'invention a également pour objet un procédé de réalisation d'un substrat composite, ce substrat comportant un support transparent, un film mince de matériau semi-conducteur et au moins une couche mince anti- réfléchissante enterrée entre le support transparent et le film semi- conducteur, ce procédé comportant les étapes suivantes: - réalisation d'au moins une couche mince antiréfléchissante sur le support transparent ou sur un substrat en matériau semi-conducteur, - assemblage du support transparent et du substrat en matériau semi- conducteur, de sorte que la couche mince soit située entre les deux, amincissement du substrat en matériau semi-conducteur. L'assemblage du substrat transparent et du substrat en matériau semiconducteur est par exemple réalisé par adhésion moléculaire. L'étape d'amincissement du substrat semi-conducteur peut être réalisée par formation d'une couche ou d'une zone de fragilisation. La couche ou la zone de fragilisation est par exemple réalisée par formation d'une couche de silicium poreux, ou par implantation d'ions dans le substrat semi-conducteur tels que des ions d'hydrogène ou un mélange d'ions d'hydrogène et d'ions d'hélium. L'étape d'amincissement peut aussi être obtenue par polissage ou gravure. Brève description des figures - les figures 1 et 2 représentent une structure selon l'invention, - les figures 3A à 3F représentent des étapes d'un procédé de réalisation selon l'invention, - les figures 4A à 4D représentent des étapes d'un autre procédé de réalisation selon l'invention. Description détaillée de modes de réalisation de l'invention La figure 1 représente un exemple de structure selon l'invention. Elle comporte d'abord un support transparent 10, de préférence constitué de verre, de quartz (fused silica), ou de saphir. Tout autre matériau transparent au rayonnement, qui est utile pour le composant fabriqué à partir de ce substrat, est également apte à servir de support. Par exemple, s'il s'agit de réaliser des capteurs de rayonnement infrarouge, un support de silicium peut être avantageusement utilisé. Un film mince 14 en matériau semi-conducteur préférentiellement monocristallin est séparé du support par une ou plusieurs couches minces 12 antiréfléchissantes. Le matériau semi-conducteur constituant le film 14 est de préférence choisi parmi Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, GaP, InP, AIGaInP, GaN, AIN, AIGaN, InGaN, AIGaInN. La couche intermédiaire, ou l'ensemble de couches intermédiaires, 12 est de préférence constituée d'un matériau compatible avec les procédés de réalisation des composants à partir du film mince de semi-conducteur qui surmonte la couche enterrée anti-réflective. En particulier, il est préférable d'éviter les matériaux instables à basse température ou contenant des métaux susceptibles de diffuser à travers le film 14 et /ou d'endommager ou de perturber le fonctionnement du composant. La couche intermédiaire 12 est constituée d'au moins une couche de matériau(x) isolant(s), afin d'éviter tout chemin de conduction électrique entre le film semi-conducteur 14 et le support transparent 10, ce qui permet de bénéficier des mêmes avantages que les structures du type SOI (Semiconducteur Sur Isolant), et notamment d'une faible consommation des composants et de meilleures performances à haute fréquence (RF). Cette couche intermédiaire 12 est de préférence constituée d'oxyde, de nitrure, ou d'un mélange d'oxyde et de nitrure. En particulier, elle peut contenir de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, ou encore de l'oxynitrure de silicium SiOxNY. Elle peut aussi résulter de l'empilement de plusieurs couches, d'un même matériau ou de matériaux différents, et dont les propriétés optiques (épaisseur, coefficient d'absorption et indice de réfraction) sont combinées pour réduire la quantité de lumière perdue par les réflexions internes entre le support transparent 10 et le film semi-conducteur 14. La couche 12 peut encore être constituée d'une seule couche dont la composition varie graduellement pour adapter progressivement l'indice de réfraction entre le substrat 10 et le film 14. En particulier, la couche 12 peut être constituée de SiO2 en contact avec le support transparent de verre ou de quartz puis d'oxynitrure SiOXNY avec une proportion d'azote graduellement augmentée jusqu'à former du Si3N4 dans les derniers nanomètres de cette couche intermédiaire. Dans le cas où la couche intermédiaire contient une ou plusieurs couches de matériau(x) électriquement conducteur(s), la transparence est maintenue grâce à des oxydes transparents conducteurs comme par exemple l'ITO (Indium Tin Oxide, In203:Sn) ou le ZnO, ou les alliages Zn2In205_x. L'insertion d'une ou plusieurs couches transparentes conductrices peut être nécessaire pour prendre un contact électrique immédiatement en dessous du film 14. L'épaisseur de la couche intermédiaire 12 ou de chaque sous- couche constituant l'empilement intermédiaire est approximativement comprise entre 0.05pm et lpm. Elle est de préférence égale à environ un quart de la longueur d'onde moyenne émise ou captée ou transmise par le composant réalisé à partir du substrat composite ( ou un nombre impair de quarts de longueur d'onde). Par exemple, si le composant en question est une cellule solaire à base de silicium reporté sur quartz, l'épaisseur de la couche intermédiaire 12 est approximativement choisie à 0.13pm afin d'être optimisée pour un rayonnement solaire centré sur 0.55pm. L'indice de réfraction du matériau constituant cette couche ou souscouche est de préférence proche de la valeur correspondant à n; (n;+1 x ni_1)'12, où n;+1, ni_1 sont les indices des matériaux de part et d'autre de la couche en question. Par exemple, la couche intermédiaire insérée entre un support en verre (n ' 1.5) et un film de GaAs (n 3.7) est de préférence constituée d'un matériau transparent d'indice proche de (1.5 x 3.7)1/2 = 2.3. Un nitrure de silicium peut alors convenir, tout comme un film de GaN. Selon un autre exemple, dans le cas d'un empilement de 2 couches insérées entre un support de quartz et un film de silicium ( n 3.4), l'indice des deux couches successives est de préférence choisi autour de 1.95 (=(1.5 x 2.6)1/2) et 2.6 (= (1.95 x 3.4)1/2). Un film d'oxynitrure de silicium et un film de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) ou de carbure de silicium amorphe hydrogéné (a-SiC:H) peuvent alors convenir. Les propriétés optiques de la couche enterrée telles que l'épaisseur, et/ou le coefficient d'absorption et/ou l'indice de réfraction du, ou des, matériaux la constituant, sont donc de préférence choisies ou optimisées de manière à limiter les pertes par réflexion au sein du substrat composite. Comme illustré sur la figure 2, la couche intermédiaire 12, constituée d'une ou plusieurs couches empilées, réalise une adaptation d'impédance optique entre le support transparent 10 et le film semi-conducteur 14 de sorte que: - la lumière émise 20 à partir de la couche 14, ou d'autres couches déposées sur celle-ci, traverse le substrat composite en subissant des pertes par réflexion limitées; il y a donc amélioration de l'extraction de la lumière produite par des moyens ou un dispositif d'émission de lumière, tels qu'une ou des diode(s) électroluminescente(s), réalisé(s) à partir de, ou dans, la couche 14; - la lumière 22 censée atteindre la couche 14 ou d'autres couches déposées sur celle-ci traverse le substrat composite avec une meilleure efficacité ; il y a donc amélioration du fonctionnement d'un élément ou de moyens de capture ou de détection de la lumière, tel(s) qu'un, ou des, photodétecteur(s), ou tel(s) qu'une, ou des, cellule(s) solaire(s), réalisé(s) dans la couche 14; - la lumière 24 traverse le substrat composite de part et 5 d'autre avec peu de pertes; on obtient donc une amélioration de composants ou de moyens, réalisés dans la couche 14, tels que les matrices actives pour la projection d'images. Les techniques de formation d'un dispositif selon l'invention mettent de préférence en oeuvre une étape d'assemblage de deux substrats ou supports, dont l'un est transparent et l'autre est semi-conducteur, et une étape d'amincissement du substrat en matériau semi-conducteur. La couche intermédiaire antiréfléchissante peut être formée avant l'étape d'assemblage sur le support transparent et/ou sur la surface de matériau semi-conducteur. Selon un mode particulier de réalisation, illustré sur la figure 3A, une implantation atomique ou ionique est réalisée dans un substrat 30 semiconducteur (voir par exemple figure 3A), formant une mince couche 32 qui s'étend sensiblement parallèlement à une surface 31 du substrat 30. En fait est ainsi formée une couche ou un plan de fragilisation ou de fracture délimitant dans le volume du substrat 30 une région 35 destinée à constituer un film mince et une région 33 constituant la masse du substrat 30. Cette implantation est en général une implantation d'hydrogène, mais peut être aussi faite à l'aide d'autres espèces, ou encore avec une coimplantation H/He. Le substrat 30, sur lequel une (figure 3B), ou des (figure 3C), couche(s) antiréfléchissante(s) 36, 38 est/sont formée(s) est ensuite assemblé avec un substrat transparent 40, sur lequel une couche antiréfléchissante 42 est éventuellement aussi formée (figure 3D). Une telle étape d'assemblage est représentée sur la figure 3E, et est par exemple réalisée par une technique de type "wafer bonding" ou par contact de type adhérent par exemple par adhésion moléculaire ou par collage. On pourra se reporter, en ce qui concerne ces techniques, à l'ouvrage de Q.Y. Tong et U. Gosele Semiconductor Wafer Bonding (Science and Technology), Wiley Interscience Publications. Une partie du substrat 30 est ensuite détachée par un traitement permettant de provoquer une fracture le long du plan de fragilisation 32. Un exemple de cette technique est décrit dans l'article de B. Aspar et al. The generic nature of the Smart-Cut process for thin film transfer paru dans Journal of Electronic Materials, Vol. 30, N 7 (2001), p. 834-840. Cette technique est aussi exposée dans le document FR 2 681 472. Le film mince est ainsi lié au support transparent via une interface de collage obtenue par adhésion moléculaire alors que le clivage est le résultat d'une implantation ionique suivie d'un traitement thermique. La formation d'un plan de fragilisation peut être obtenue par d'autres méthodes que par l'implantation d'ions. Ainsi, il est aussi possible de réaliser une couche de silicium poreux, comme décrit dans l'article de T. Yonehara et al. Epitaxial layer transfer by bond and etch back of porous Si , paru dans Applied Physics Letters, Vol. 64, N 16 (1994), p. 2108-2110, ou encore dans le document EP 0 925 888. Selon un autre mode particulier de réalisation, on réalise une ou plusieurs couches antiréfléchissantes 52 sur un substrat 50 semiconducteur (figure 4A), et éventuellement sur un substrat transparent 56 (figure 4B). Ces deux substrats sont ensuite assemblés, par les mêmes techniques que celles déjà évoquées ci-dessus (figure 4C). Un amincissement du substrat 50 est ensuite réalisé, par des techniques de polissage ou de gravure (figure 4D). Trois exemples particuliers de réalisation sont donnés ci- dessous. Exemple de réalisation n 1: Cet exemple concerne un substrat composite comportant un film mince de silicium, un support transparent en quartz et une couche anti- réfléchissante enterrée constituée de deux sous-couches (en vue de la réalisation d'un composant censé détecter de la lumière de longueur d'onde centrée autour de 500nm). 1. Il y a tout d'abord (figure 3A) implantation ionique d'hydrogène dans un substrat 30 de silicium. 2. Une première couche 36, ayant l'épaisseur souhaitée (par exemple 125nm) et constituée de carbure de silicium amorphe ( n N 2.6), est ensuite appliquée (figure 3B) sur la surface de Si implanté, par pulvérisation cathodique ou par décomposition chimique en phase vapeur (CVD) ; 3. Une seconde couche 38, constituée de SiOXNY ( n N 1.95), est appliquée par CVD (figure 3C). Un polissage de ce dépôt permet d'obtenir l'épaisseur souhaitée, par exemple 125 nm, et une surface suffisamment lisse pour réaliser un collage par adhésion moléculaire. 4. Un dépôt 42 d'oxyde de silicium est ensuite réalisé sur le support de quartz 40 (figure 3D). Un polissage de ce dépôt permet d'applanir la surface en vue du collage par adhésion moléculaire. 5. Les surfaces sont nettoyées. Il y a alors collage, par adhésion moléculaire, du substrat Si surmonté des deux dépôts précédents 36, 38, et du support transparent de quartz 40 surmonté du dépôt d'oxyde 42 (figure 3E). 6. Un traitement thermique permet de réaliser la fracture du substrat 30 (traitement aussi appelé Smart-Cut ) (figure 3F). Il en résulte un clivage du substrat de silicium 30 au niveau de la zone implantée 32 et formation d'une couche de matériau semi-conducteur 35. 7. Eventuellement, une finition de surface du substrat composite est réalisée, par exemple par polissage mécano-chimique ou recuit lissant sous hydrogène. La technique de transfert du film mince semi-conducteur est ici la technique de fracture de substrat, ou technique Smart-Cut 25 (implantation + collage + fracture thermique ou éventuellement mécanique). Exemple de réalisation n 2: Cet exemple concerne la réalisation d'un substrat composite 30 comportant un film mince de GaAs, un support transparent de verre et une couche anti-réflective simple (en vue de la réalisation d'une LED émettant à 640nm) : 1. Il y a tout d'abord dépôt 52 (et éventuellement aplanissement), de 160 nm de nitrure de gallium amorphe ou polycristallin ( n N 2.3) sur un substrat 50 monocristallin de GaAs nettoyé au préalable (figure 4A). 2. Puis est réalisé un dépôt 54 et, éventuellement, un applanissement, de SiO2 sur le support 56 de verre, nettoyé au préalable 5 (figure 4B). 3. Après nettoyage, le support transparent 56 est collé, par adhésion moléculaire, sur le substrat 50 de GaAs (face GaN) (figure 4C). 4. Un amincissement mécanique et/ou chimique du substrat de GaAs permet d'obtenir un film mince 51 de GaAs d'épaisseur contrôlée (figure 4D). 5. Enfin il est procédé à la finition de la surface du substrat composite. La technique de transfert du film mince semi-conducteur est ici la méthode Bond & Etch back , à savoir collage puis amincissement par 15 la face arrière. Exemple de réalisation n 3: Cet exemple concerne la réalisation d'un substrat composite comportant un film mince de Si, un support de verre et une couche anti- réflective conductrice simple (en vue de la réalisation d'une cellule solaire). Il sera détaillé en liaison avec les mêmes figures 4A 4D: 1. Tout d'abord un film mince 52 d'oxyde transparent conducteur est appliqué sur un substrat 50 de Si (figure 4A). 2. Par planarisation de cette couche, on obtient l'épaisseur voulue (par exemple: 125 nm) et une surface compatible avec un collage par adhésion moléculaire. 3. une couche 54 de SiO2 est appliquée sur le support 56 de verre, en vue du collage, et éventuellement aplanie, 4. Il y a ensuite collage par adhésion moléculaire (figure 4C), face oxyde transparent conducteur 52 sur face 54 de SiO2. Ce collage est de preférence réalisé à basse température pour limiter toute diffusion d'éléments métalliques de l'oxyde conducteur vers le silicium. 5. Enfin, il est procédé à un amincissement mécanique et/ou chimique du substrat de silicium (figure 4D). 6. Eventuellement, une étape de finition de la surface du substrat composite est réalisée. REVENDICATIONS 1. Substrat composite comprenant un support transparent (10), un film mince (14) de matériau semi-conducteur et au moins une couche mince antiréfléchissante (12) enterrée entre le support transparent et le film semi-conducteur. 2. Substrat selon la revendication 1, le matériau semi-conducteur constituant le film (14) étant choisi parmi Si, Ge, SiGe, SiC, GaAs, GaP, 10 InP, AIGaInP, GaN, AIN, AnGaN, InGaN, AIGaInN. 3. Substrat selon l'une des revendications 1 ou 2, la couche mince antiréfléchissante étant constituée d'oxyde, de nitrure, de carbure ou d'un mélange d'oxyde et de nitrure. 4. Substrat selon la revendication 3, la couche mince antiréfléchissante contenant de l'oxyde de silicium, ou du nitrure de silicium, ou de carbure de silicium, ou encore de l'oxynitrure de silicium SiOxNY, ou du nitrure de gallium, ou de nitrure d'aluminium. 5. Substrat selon l'une des revendications 1 à 3, comportant une seule couche mince ayant une composition qui varie graduellement pour adapter l'indice de réfraction entre le substrat (10) et le film semiconducteur (14). 6. Substrat selon la revendication 5, la couche mince antiréfléchissante étant constituée de SiO2 en contact avec le substrat (10), puis d'oxynitrure SiOxNY avec une proportion d'azote graduellement augmentée jusqu'à former du Si3N4, du côté de la couche semiconductrice. 7. Substrat selon l'une des revendications 1 à 6, la, ou au moins une des, couche(s) mince(s) antiréfléchissante(s) (12) étant isolante(s) électriquement. 2861853 15 8. Substrat selon l'une des revendications 1 à 6, la, ou les, couche(s) mince(s) antiréfléchissante(s) (12) étant conductrice(s) électriquement. 9. Substrat selon la revendication 8, la, ou les couche minces, étant en oxyde transparent conducteur. 10. Substrat selon la revendication 8, au moins une des couches conductrices étant en ITO (In2O3:Sn) ou en ZnO, ou en un alliage 10 Zn2In2Os_x. 11. Substrat selon l'une des revendications 1 à 10, chaque couche mince antiréfléchissante ayant un indice de réfraction n; proche de (n;+1 x ni_1)1V2, où n i+1i n;_1 sont les indices des matériaux de part et 15 d'autre de la couche en question. 12. Substrat selon la revendication 1, le support transparent (10) étant en verre ou en quartz, le matériau semi-conducteur (14) étant de l'arséniure de Galium GaAs, et comportant une couche mince (12) antiréfléchissante en nitrure de silicium Si3N4 ou en nitrure de Gallium GaN. 13. Substrat selon la revendication 1, le support transparent (10) étant en verre ou en quartz, le matériau semi-conducteur (14) étant du silicium Si, et comportant une couche mince (12) antiréfléchissante en oxynitrure de silicium et/ou en silicium amorphe hydrogéné. 14. Dispositif d'émission ou de réception de lumière, comportant un substrat composite selon l'une des revendications 1 à 13 et des 30 moyens d'émission ou de détection de lumière formés au moins partiellement dans et/ou sur le film de matériau semi-conducteur. 15. Procédé de réalisation d'un substrat composite, ce substrat comportant un support transparent (10), un film mince (14) de matériau 35 semi-conducteur et au moins une couche mince antiréfléchissante (12) 2861853 16 enterrée entre le support transparent et le film semiconducteur, ce procédé comportant les étapes suivantes: - réalisation d'au moins une couche mince anti-réflective sur le support transparent ou sur un substrat en matériau semi-conducteur, - assemblage du support transparent et du substrat en matériau semi- conducteur, de sorte que la couche mince soit située entre les deux, - amincissement du substrat en matériau semi-conducteur. 16. Procédé selon la revendication 15, l'assemblage du substrat 10 transparent et du substrat en matériau semi-conducteur étant réalisé par adhésion moléculaire. 17. Procédé selon l'une des revendications 15 ou 16, l'étape d'amincissement du substrat semi-conducteur étant réalisée par formation 15 d'une couche ou d'une zone de fragilisation (32). 18. Procédé selon la revendication 17, la couche ou la zone de fragilisation étant réalisée par formation d'une couche de silicium poreux. 19. Procédé selon la revendication 17, la formation d'une couche ou d'une zone de fragilisation étant réalisée par implantation d'ions dans le substrat semi-conducteur. 20. Procédé selon la revendication 19, les ions implantés étant 25 des ions hydrogène ou un mélange d'ions hydrogène et d'ions hélium. 21. Procédé selon l'une des revendications 15 ou 16, l'étape d'amincissement étant obtenue par polissage ou gravure.