FR 2862298 A1 20050520 FR 0452607 A 20041112 Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de production d'une couche sur une surface d'une plaquette MEMS, dans lequel: la couche présente des propriétés anti-adhésives, - la surface est exposée au revêtement en phase gazeuse d'un matériau. Elle concerne également un dispositif constitué d'une pièce de fonction micromécanique et d'un couvercle qui y est solidement fixé, la pièce de fonction et le couvercle entourant un espace creux commun. Etat de la technique Les éléments mobiles dans les structures électromécaniques (MEMS) peuvent adhérer aux structures solides. Comme mécanisme pour le collage, il faut mentionner entre autres, la surcharge mécanique, la charge électrostatique et les liaisons chimiques. En ce qui concerne les liaisons chimiques, les interactions de van der Waals, les liaisons covalentes ou les liaisons métalliques peuvent être déterminantes. Les surfaces qui se touchent et qui ont une haute énergie superficielle, comme par exemple les surfaces de silicium avec une couche de revêtement en groupes OH ou avec une pellicule d'eau, peuvent présenter des forces de liaison importantes, qui reposent alors sur des interactions ioniques ou des liaisons covalentes (après élimination de l'eau), et qui maintiennent ensemble les deux surfaces. L'adhérence décrite (en anglais sticking ) peut être em- pêchée par un revêtement des surfaces avec des couches qui s'y opposent, ce qu'on appelle des couches anti-adhérentes. L'apport de la couche anti- adhérente à partir de la phase liquide sur les structures de MEMS n'est possible que difficilement, car les forces capillaires collent les MEMS au séchage. Les procédés de revêtement avec des composés organiques en phase gazeuse (en anglais: Chemical Vapour Deposition - CVD) avec des silanes sont connus par exemple d'après le document DE 2625448. Ces revêtements passivent les surfaces avec une couche à faible énergie superficielle et recouvrent d'éventuels groupes OH. Le document DE 19817310 recommande, comme couches protec- trices diminuant l'adhérence à la surface des structures MEMS mobiles, des couches de CVD-SiO2, des couches d'oxyde métallique, des couches de nitrure métallique et des revêtements organiques. Les silanes réactifs, perfluorés ou aromatiques sont con-nus et se trouvent dans le commerce. De tels silanes réagissent avec les groupes OH présents à la surface des pièces pour donner des couches de silane minces qui adhèrent solidement. Les propriétés antiadhésives, hydrophobes, oléophobes et autres propriétés répulsives de telles couches sont connues. Un procédé de revêtement pour le dépôt de monocouches de silanes perfluorés en phase gazeuse (CVD) en vue de la I o protection de pièces micromécaniques contre l'adhésion (sticking) est connu d'après le document EP 0845301. Un autre procédé de revêtement en phase gazeuse en vue de la protection des pièces micromécaniques avant le collage est connu d'après le document US 5694740. On utilise des huiles de silicone et entre autres des silanes perfluorés. Un autre procédé de revêtement en phase gazeuse est décrit dans Sakata J., Tsuchiya T., Inoue A, Tkumitsu S., Funabashi H. et al., Anti-Stiction Silanization coating... vapour phase deposition process , Transducers 99, 7.6.99, Sendai Jp. Les pièces micromécani- ques y sont munies d'une couche d ( antistiction au moyen d'un re- vêtement en phase gazeuse avec du 1,1,2,2- tétrahydroperfluorooctyltrichlorosilane. Un procédé habituel pour la production d'éléments de construction microélectromécaniques consiste à produire un grand nombre de ces éléments de construction ensemble sur une plaquette, ce qu'on appelle la plaquette MEMS, puis à les réunir. En vue de la protection contre les influences de l'environnement, on munit d'un couvercle les éléments de construction électromécaniques. Un procédé habituel pour le recouvrement consiste à déposer un couvercle de sili- cium sur l'élément de construction électromécanique et à le fixer à cet élément de construction par le procédé de fixation par scellement du verre. De même que les éléments de construction eux-mêmes, les couvercles peuvent être produits ensemble sur une plaquette, ce 35 qu'on appelle la plaquette-couvercle, puis être réunis. Enfin, on connaît également un procédé dans lequel le recouvrement des éléments de construction s'effectue en reliant entre eux la plaquette MEMS complète et la plaquette-couvercle. Ensuite, on réunit les éléments de construction recouverts. Avantages de l'invention L'invention propose un procédé caractérisé en ce qu' on dépose le matériau sur une plaquette-couvercle, - la plaquette-couvercle est reliée à la plaquette MEMS, avec au moins un espace creux entouré par les deux plaquettes et - au cours de la liaison et/ou d'une étape ultérieure du procédé, le matériau est vaporisé et au moins certaines parties de la surface de la plaquette MEMS sont revêtues. Dans le dispositif selon l'invention, au moins certaines parties des surfaces du dispositif qui avoisinent l'espace creux présen-15 tent un revêtement anti-adhésif. L'invention part d'un procédé de production d'une couche antiadhésive sur une surface de plaquette MEMS. La surface y est ex-posée au revêtement de la phase gazeuse d'un produit anti-adhésif. Le coeur de l'invention tient au fait que le milieu d'antistriction n'est pas déposé directement sur la plaquette fonctionnelle ou plaquette MEMS, mais, dans une première étape de procédé, sur une plaquette-couvercle. Cette plaquette-couvercle ensemencée est reliée de façon durable dans les étapes ultérieures du procédé avec la plaquette de capteur fonctionnelle, c'est-à-dire la plaquette MEMS. Dans ce processus, ou ultérieurement, le milieu d'antistriction s'évapore et est déposé au moins sur certaines parties des surfaces de la plaquette MEMS. L'adhérence des éléments mobiles est ainsi empêchée. Aucune étape de revêtement séparée pour la plaquette MEMS n'est ici nécessaire. Le procédé selon l'invention présente cet avantage de pouvoir être réalisé de manière particulièrement économique et en outre d'être apte à l'utilisation pour le revêtement de charges entières de plaquettes (capacité par lots). Un autre avantage tient au fait que l'on peut revenir à l'équipement de production présent. Les risques de contami- nation sur d'autres produits (contamination croisée) par l'émission, peuvent être réduits au minimum, respectivement exclus par ce procédé. Le dispositif selon l'invention peut être réalisé de manière particulièrement économique. L'avantage est ici que le matériau est tout d'abord déposé sur une plaquette-couvercle qui est liée à la plaquette MEMS. Pendant cette étape opératoire, ou une étape ultérieure, le matériau est vaporisé, et la surface de la plaquette MEMS est revêtue. Il est de plus avantageux que la plaquette-couvercle soit liée à la plaquette MEMS au moyen d'une pâte de verre de scellement. La pâte de verre de scellement ferme o hermétiquement l'espace creux, la plaquette-couvercle et la plaquette MEMS par rapport à l'environnement extérieur et maintient le matériau anti-adhésif vaporisé à l'intérieur de l'espace creux, dans lequel il recouvre au moins en partie les surfaces avoisinantes. Il est particulièrement intéressant que la vaporisation du matériau en vue du revêtement se fasse par une diminution de la pression de l'atmosphère environnante et/ou par une élévation de la température. Ces conditions favorisent la vaporisation du matériau et le revêtement sur la plaquette MEMS. Un mode de réalisation avantageux du procédé selon l'in- vention consiste à ajouter le produit à la pâte de verre de scellement. Ainsi, on n'a pas besoin d'étape de revêtement particulière pour la plaquette-couvercle. En outre, il est intéressant que le matériau soit introduit dans l'atmosphère d'un four, tandis que la plaquette-couvercle est exposée à un processus de pré-cuisson de verre de scellement. Le maté- riau contenu dans l'atmosphère recouvre la plaquette-couvercle pendant le procédé. Un mode de réalisation avantageux du procédé selon l'invention consiste à doper l'atmosphère à l'intérieur de la chambre fermée, en particulier du four, avec le matériau, en imprégnant avec le matériau un corps poreux, en particulier constitué d'une gomme de silicone ou d'une gomme de phényl silicone et à disposer le corps imbibé en un endroit chauffé à environ 200 à 300 C dans la chambre, en particulier dans la canalisation d'introduction d'un gaz de balayage. Le gaz de balayage du four absorbe le matériau et le conduit dans la chambre fermée. Un autre mode de réalisation avantageux consiste à doper avec le matériau l'atmosphère à l'intérieur de la chambre fermée en disposant une source de vaporisation constituée d'un récipient de réserve rempli du matériau à l'intérieur de la chambre. Il est également avantageux de doper l'atmosphère à l'intérieur de la chambre fermée avec le matériau, en dopant auparavant avec le matériau un gaz de balayage introduit dans la chambre, en particulier en mélangeant avec le matériau le gaz de balayage provenant d'un vaporisateur, ou en faisant barboter le gaz de balayage à travers le matériau dans un récipient de barbotage. En outre, il est avantageux de doper l'atmosphère à l'intérieur de la chambre fermée avec le matériau, en vaporisant le matériau provenant d'un flacon de réserve à travers une soupape, par une canalisation d'introduction chauffée, et en l'introduisant dans la chambre fermée. Un autre mode de réalisation avantageux du procédé consiste à revêtir avec le matériau la plaquette-couvercle et/ou le verre de scellement selon le procédé de pré-cuisson de verre de scellement. Ceci peut se faire par exemple par dépôt, pulvérisation, immersion, raclage, sérigraphie, revêtement CVD, laminage ou épandage. Il est ici avantageux que le matériau antiadhésif soit déposé immédiatement avant la liaison et ne puisse par exemple se volatiliser pendant le processus de pré-cuisson. On utilise avantageusement pour le procédé de revête-ment selon l'invention un matériau de la classe de composé des silanes. Les matériaux de cette classe de composés conviennent bien pour le re- vêtement et présentent des propriétés anti-adhésives particulièrement bonnes. L'invention part en outre d'un dispositif constitué d'une pièce de fonction micromécanique et d'un couvercle qui y est relié, la pièce de fonction micromécanique et le couvercle délimitant ensemble 30 un espace creux. Le coeur de l'invention tient au fait qu'au moins certaines parties des surfaces de la pièce de fonction et du couvercle qui avoisi- nent l'espace creux, en particulier les surfaces auxquelles peut s'effectuer le collage décrit ci-dessus, présentent un revêtement anti- 35 adhésif. On empêche ainsi l'adhérence des structures micromécaniques de la pièce de fonction entre elles, sur le substrat et au couvercle. Il est en particulier ainsi possible d'utiliser des couvercles particulièrement plats, qui s'étendent à une faible hauteur au-dessus s de la structure micromécanique. On peut ainsi à nouveau avoir des formes de construction plus petites des composants microélectromécaniques. D'autres modes de réalisation avantageux se déduisent des revendications secondaires. 1 o Dessins Des exemples de réalisation de l'invention sont représentés dans les dessins et précisés dans la description qui suit. Ainsi: - la figure 1 montre un élément de construction de MEMS avec cou- vercle représenté en coupe, la figure 2 représente le procédé de sérigraphie du verre de scelle-ment sur une plaquette-couvercle, - la figure 3 montre le procédé de pré-cuisson d'une plaquette-couvercle imprimée avec un verre de scellement, - la figure 4 représente la liaison de la plaquette MEMS et de la pla- quette-couvercle, - la figure 5 montre une source de liquide (récipient de barbotage) avec manteau de réglage de la température, la figure 6 montre un flacon de vaporisateur avec enveloppe d'étuvage, la figure 7 montre un récipient de réserve avec couvercle à trous comme vaporisateur, - la figure 8 représente un four avec flacon de réserve et dispositif d'introduction chauffé, - la figure 9 présente une source de vaporisateur sous la forme d'un 30 corps poreux en gomme de silicone dans la canalisation d'apport d'un gaz de balayage, la figure 10 monte un dispositif selon l'invention représenté en coupe. Description d'exemples de réalisation L'invention sera représentée de façon détaillée à l'aide des modes de réalisation décrits ci-dessous. La figure 1 montre un élément de MEMS 11 avec un cou- vercle 11 représenté en coupe. L'élément de construction de MEMS 11 se compose de la première couche au-dessus du substrat 13, d'une couche isolante ou couche sacrifiée 14 et d'une deuxième couche de fonction 15 avec éléments micromécaniques structurés en relief 16. L'élément de construction de MEMS 11 et le couvercle 12 sont liés au t 0 moyen d'un verre de scellement 17. La figure 2 représente le procédé de dépôt par sérigraphie d'un verre de scellement 3 sur une plaquette-couvercle 21. Le verre de scellement 3 est, dans un mode de réalisation du procédé selon l'invention, déposé au moyen d'une installation de sérigraphie 22 sur le bord d'une plaquettecouvercle 21. L'épaisseur de couche appropriée du verre de scellement déposée en revêtement 24, qui est typiquement de 5 à 40 m, est atteinte par un ou plusieurs processus d'impression. Selon un mode de réalisation du procédé selon l'invention, le verre de scelle-ment 23 contient le matériau antiadhésif. La figure 3 montre le procédé de pré-cuisson d'une plaquette-couvercle 21 munie d'un revêtement de verre de scellement 24. Ici, on vaporise ou un brûle sous l'action de la chaleur 31 à une température d'environ 300 à 500 C les constituants organiques de la pâte de verre de scellement. En outre, une pré-vitrification peut se produire en fonction du type de verre. Selon un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention, l'atmosphère 32 environnant la plaquette-couvercle 21 est dopée avec le matériau antiadhésif, et la surface de la plaquette-couvercle 21 est revêtue avec ce matériau. La figure 4 représente la liaison de la plaquette MEMS 41 et de la plaquette-couvercle 21. Cette étape du procédé s'effectue sous l'action de la chaleur 44. la température est ici choisie de manière que le verre de scellement dans le revêtement 24 se présente en phase liquide. Les températures sont typiquement de 300 à 600 C. La plaquette MEMS 41 et la plaquette-couvercle 21 sont ici mises en contact l'une avec l'autre. Selon un mode de réalisation du procédé selon l'invention, le matériau antiadhésif contenu dans le revêtement en verre de scelle- ment 24 se vaporise et dope l'atmosphère 46 environnant la plaquette MEMS 41 et la plaquette-couvercle 21. Le matériau antiadhésif se dé-pose à partir de l'atmosphère dopée 46 et recouvre les surfaces avoisi- nantes, en particulier également la structure micromécanique 47 de la plaquette MEMS 41. Selon un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention, la plaquette-couvercle et/ou le verre de scellement est recouverte d'un procédé de pré-cuisson du verre de scellement, avec le I o matériau antiadhésif, en particulier par arrosage, pulvérisation, immersion, raclage, sérigraphie, revêtement à partir de la phase gazeuse (CVD), laminage ou épandage. Ce matériau anti-adhésif déposé à la surface de la plaquettecouvercle 21 se vaporise alors au cours de la liaison à partir du revêtement 45 et dope à nouveau l'atmosphère dans l'espace creux 46 entouré par la plaquette MEMS 41 et la plaquette-couvercle 21. Le matériau antiadhésif se dépose à partir de l'atmosphère dopée et recouvre les surfaces environnantes, en particulier également la structure micromécanique 46 de la plaquette MEMS 41. La figure 5 montre une chambre 500 qui peut être chauffée au moyen de la paroi 501. Selon un mode de réalisation du procédé selon l'invention, on trouve dans là chambre 500 une source de liquide (récipient de barbotage) 502, remplie du matériau antiadhésif 503 en phase liquide ou dans une solution du matériau avec un solvant inerte. La source de liquide 502 présente une canalisation de gaz de balayage 504, en particulier avec une soupape d'arrêt 505 et une soupape de régulation 506. En outre, la source de liquide 502 présente une canalisation de sortie de gaz de balayage 510, en particulier avec une soupape d'arrêt 508 et une soupape de régulation 507. Le gaz de balayage du four s'écoule (barbote) à travers la canalisation 504 dans le récipient de barbotage 502, traverse le liquide 503 et y est dopé avec le matériau anti-adhésif. Le gaz de balayage de four ainsi dopé quitte le récipient 502 par la canalisation de sortie 510, où il passe par la soupape de régulation 507 et par la soupape d'arrêt 508, et débouche dans la cham- bre 500. L'atmosphère 509 dans la chambre 500 est ainsi dopée avec le matériau anti-adhésif. La figure 6 montre la chambre 500, chauffable au moyen de la paroi 501. Selon un autre mode de réalisation selon l'invention, on s trouve dans la paroi 501 un vaporisateur 602, rempli du matériau antiadhésif 503 en phase liquide, ou d'une solution du matériau avec un solvant inerte. Le vaporisateur 602 présente une canalisation de sortie 510, en particulier avec une soupape d'arrêt 508 et une soupape de régulation 507. Le matériau anti-adhésif 503 passe dans le vaporisateur to 602 en phase gazeuse, quitte le récipient 602 par la canalisation de sortie 510, où il passe à travers la soupape de réglage 507 et la soupape d'arrêt 508 et débouche dans la chambre 500. L'atmosphère 509 dans la chambre 500 est ainsi dopée avec le matériau anti-adhésif. La figure 7 montre la chambre 500, chauffable au moyen de la paroi 501. Selon un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention, on trouve dans la chambre 500 un vaporisateur sous la forme d'un récipient 702 avec un couvercle à trous 703. Le récipient 702 est rempli du matériau anti-adhésif 703 en phase liquide, ou d'une solution du matériau avec un solvant inerte. Le matériau anti-adhésif 503 est vaporisé, c'est-à-dire qu'il passe dans le récipient 702 en phase gazeuse, qu'il le quitte à travers le couvercle à trous 703 et débouche dans la chambre 500. L'atmosphère 509 dans la chambre 500 ainsi dopée avec le matériau anti-adhésif. La figure 8 montre une chambre 500 chauffable au moyen de la paroi 501. Selon un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention, on trouve à l'extérieur de la chambre 500 un ballon de ré-serve 802. Le ballon de réserve 802 présente une canalisation de sortie chauffée 803, en particulier avec une soupape de régulation 804, une soupape d'arrêt 805 et une sortie 510. Le ballon de réserve 802 est rempli avec le matériau anti-adhésif 503 ou une solution du matériau avec un solvant inerte. Le matériau anti-adhésif 503 est vaporisé, quitte le ballon de réserve 802 à travers la canalisation de sortie chauffée 803 et débouche dans la chambre 500. L'atmosphère 509 dans la chambre 500 est ainsi dopée avec le matériau anti-adhésif. La figure 9 montre une chambre 500, chauffable au moyen de la paroi 501. Selon un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention, on trouve dans la chambre 500 la canalisation d'un balayage de gaz 902, en particulier en un endroit de la chambre 500 chauffée à environ 200 à 300 C. Dans la canalisation d'introduction 902, on trouve un corps poreux, en particulier en caoutchouc (gomme) de silicone ou en caoutchouc de phénylméthyl silicone. Le corps 903 est imbibé avec le matériau antiadhésif 503 en phase liquide ou une solution du matériau avec un solvant inerte. Le matériau anti-adhésif 503 lo se vaporise hors du corps poreux 903. On conduit un gaz de balayage de four à travers la canalisation 902, et on le dope ainsi avec le matériau anti-adhésif 503. Le gaz de balayage passe à travers une soupape de balayage 507 et une soupape d'arrêt 508 et sort ainsi à travers l'ouverture 510 dans l'atmosphère 509 de la chambre 500. L'atmosphère 509 est alors dopée avec le matériau anti-adhésif. La figure 10 montre un dispositif selon l'invention 100, constitué essentiellement de la pièce de fonction 110 et du couvercle 106. La pièce de fonction 110 et le couvercle 106 sont reliés au moyen du verre de scellement 105, c'est-à-dire assemblés. La pièce de fonction 110 et le couvercle 106 entourent un espace creux. Les surfaces 107 avoisinant cet espace creux sont munies d'un revêtement 108 fait d'un matériau anti-adhésif. La pièce de fonction 110 présente en particulier un substrat 101 et une couche sacrifiée 102, sur laquelle se trouve une couche de fonction 103. La couche de fonction forme une structure mi- cromécanique 104, prévue en particulier mobile. La surface revêtue 107 avec le revêtement 108 du dispositif 100 fait que, en cas de contact d'une partie de la structure micromécanique mobile 104 avec une autre pièce, respectivement avec le substrat 101 ou avec le couvercle 106, il n'y a pas d'adhérence. Les matériaux présentant une pression de vapeur supérieure à 1 mbar à 200 C conviennent pour le dopage de l'atmosphère du four, en particulier selon les procédés présentés dans les figures 3 à 9. Les matériaux ayant une pression de vapeur inférieure à 1 mbar à 200 C conviennent pour le dopage du verre de scellement, en particulier selon la figure 2. Il Les groupes de silane suivants conviennent pour les couches antiadhésives décrites: 1. Groupement des silanes appropriés pour les couches anti-adhésives pour MEMS 1.1 R-SiX3 et dérivés R-SiX3 avec X = fluor, chlore, brome, méthoxy, éthoxy, isopropoxy, alcoxy, acétoxy R-Si(X)2Me avec X comme ci-dessus et Me = méthyle, R-Si(X)Me2 avec X comme ci-dessus et Me2 = diméthyle, 1 o R = Rf-Rb Rf = perfluoroéthyle, -butyle, -hexyle, -octyle, -décyle, - méthyle et Rb = éthyle et méthyle, par exemple 1,1,2,2- tétrahydroperfluorooctyl- ou 3,3,3-trifluoropropyle R = alkyle en C1 à Cao, isopropyle, t-butyle R = alkyle en C1 à c4 monochloré ou monoalcoxy alkyle R = arylalkyle/aryle = phényléthyle, naphtyle, 2-méthyl-2- phényléthyle, 4-phénylbutyle, pentafluorophényle, phényle, phénéthyle, R = groupe perfluoropolyéther R = allyle ou 3-aryloxypropyle, aminopropyle, méthacryloxyméthyle, vinyle. 1.2 R2-SiX2 et dérivés avec X = fluor, chlore, brome, méthoxy, éthoxy, isopropoxy, alcoxy, acétoxy R = Rf-Rb avec Rf = perfluoroéthyle, -butyle, -méthyle et Rb = éthyle et 25 méthyle, par exemple 3,3,3-trifluoropropyle R = arylalkyle/aryle = phényléthyle, naphtyle, pentafluorophényle, phényle, R = alkyle en C1 à c4, isopropyle, t-butyl, isobutyle. 1.3 R3-SiX et dérivés avec X = fluor, chlore, brome, méthoxy, éthoxy, isopropoxy, alcoxy, acétoxy R = Rf-Rb avec Rf = perfluoroéthyle, -butyle, -méthyle et Rb = éthyle et méthyle, par exemple 3,3,3-trifluoropropyle R = alkyle en C1 à c4, isopropyle, R = arylalkyle/aryle = phényle. 1.4 X3Si-Rc-SiX3 et dérivés X3Si-Re-SiX3 avec X comme ci-dessus et Rc = méthyle, éthyle, propyle, butyle, perfluoropolyéther bifonctionnel, (X)2MeSi-Rc-Si(X)2Me avec X et Rc comme ci-dessus (X)Me2Si-Rc-Si(X)Me2 avec X et Rc comme ci-dessus 1.5 Polymères Io poly(borodiphénylsiloxane) copolymères de diphényle et diméthysiloxane, par exemple triméthylpentaphényltrisiloxane DC 705, tétraméthyltétraphényltrisiloxane DC 704 1.6. Silanes cycliques: 1,1,3,3,5,5 hexaméthylcyclotrisilazane, 1,3-diméthyl- 1, 1,3,3 - tétraphényldi silazane, 1,3-diphényl- 1, 1,3,3 -tétraméthyldisilazane, octaméthylcyclotétrasilazane, octaphénylcyclotérasiloxane 1.7 Silazanes et siloxanes appropriés 1, 3-divinyltétraméthyldisilazane, hexaméthyldisilazane, hexaméthyldisiloxane, octaphényltétrasilazane, octaphényltétrasiloxane, 1.8 Agents de dérivatisation pour la chromatographie en phase gazeuse 30 N-(triméthylsilyl)diméthylamine, N,N-bis(triméthylsilyl)méthylamine, N, O -bis (triméthyl silyl) acétamide, N, O-bis (triméthylslyl) carbamate, N, 0-bis (triméthylsilyul)trifluoroacétamide, Nbutylaminopropyltriméthoxysilane, N-méthyl-Ntriméthylsilyltrifluoroacétamide, Conviennent en outre les silanes du commerce suivant pour revêtements anti-adhésifs d'éléments de construction de MEMS: Dérivés perfluoropolyéther réactifs, par exemple PFPE à terminaison alcoxysilane 7007X ou Galden série MF 400, PFPE à terminaison acide phosphorique Galden MF 201 ou Galden série 201 ou MF 200, Galden MF 407 (perfluoropolyéther avec groupes d'extrémité amidosilane), Fomblin Fluorolink S tous de la société Ausimont, Bollate, l 0 Italie, Poly-borophéylsiloxane), par exemple type SSPO40, société Gelest, Huiles de copolymères de diphényl- et diméthylsiloxane, par exemple les types PDM-0421, PMM-1043, PMP-5053, PDM-7040, PDM 7050 de la société Gelest ou les types de la série AP, respective-ment S, de la société Wacker Burghausen, par exemple AP 150. On trouvera ci-dessous une liste alphabétique des silanes appropriés pour revêtements adhésifs d'éléments de construction de MEMS identifiés jusqu'à présent: (2-méthyl-2-phényléthyl)méthyldichlorosilane, (3 (acryloxypropyl) triméthoxysilane, 1,1,2,2, tétrahydroperfluorodécyltriéthoxysilane, 1,1,3,3,5,5 hexaméthylcyclotrisilazane, 1,2-bis(chlorodiméthylsilyl)éthane, 1, 3-bis(chlorodiméthylsilyl)butane, 1,3-bis(chlorodiméthylsilyl)propane, 1,3-bis(dichlorométhylsilyl)propane, 1,3-bis(trichlorosilyl)propane, 1,3-diméthyl-1,1,3,3-tétraphényldisilazane, 1,3-diphényl-1,1,3,3tétraméthyldisilazane, 1, 3-divinyltétraméthyldisilazane, 11-(chlorodiméthylsilylméthyl)-heptacosane, 1 1(dichlorométhylsilylméthyl) -hep taco sane, 35 11- (trichlorosilylméthyl) -heptacosane, 1 3- (chlorodiméthylsilylméthyl) -heptacosane, 1 3 (dichlorométhylsilylméthyl)-heptacosane, 1 3 -(trichlorosilylméthyl) heptacosane, 2 -chloroéthyltrichlorosilane, 3 chloropropyltrichlorosilane, 3- chloropropyltriméthoxysilane, di(3, 3, 3-trifluoropropyl) dichloro silane, 3, 3, 3-triflu oropropyltriacétoxysilane, 3, 3, 3 -trifluoropropyltribromosilane, Io 3,3, 3-trifluoropropyltrichlorosilane, 3,3,3-trifluoropropyltriéthoxysilane, 3, 3, 3 -triflu oropropyltrifluoro silane, 3, 3, 3 -trifluoropropyltriisopropoxysilane, 3, 3, 3-triflu oropropyltriméthoxysilane, 3-méthoxypropyltriméthoxysilane, 4-phénylbutyldiméthylchlorosilane, 4- phénylbutylméthyldichlorosilane, 4-phénylbutylméthyldiméthoxysilane, 4- phénylbutyltrichlorosilane, 4-phénylbutyltriéthoxysilane, 4 -phénylbu tyltriméthoxysilane, acétoxypropyltriméthoxysilane, allyloxyundécyltriméthoxysilane, allyltrichloro silane, aminopropyltriéthoxysilane, aminopropyltriméthoxysilane, Ausimont Fomblin Fluorolink S., Ausimont Galden 7007X8 (perfluoropolyéther avec groupes d'extrémité alcoxysilane, Ausimont Galden MF 407 (perfluoropolyéther avec des groupes d'extrémité amidosilane), Di(3,3,3-trifluoropropyl)diacétoxysilane, di(3, 3, 3trifluoropropyl) dibromosilane, di(3, 3, 3-trifluoropropyl) dichloro silane, di(3,3,3-trifluoropropyl)diéthoxysilane, di(3,3,3-trifluoropropyl) difluorosilane, di(3,3, 3-trifluoropropyl)diisopropoxysilane, di(3, 3, 3trifluoropropyl)diméthoxysilane, di (pentafluorophényl) diacétoxysilane, di (pentafluorophényl)dibrlmosilane, di(pentafluorophényl)dichlorosilane, di (p entafluorophényl) diéthoxysilane, di(pentafluorophényl) difluorosilane, di(pentafluorophényl)diisopropoxysilane, to di(pentafluorophényl)diméthoxysilane, diéthoxydiacétoxysilane, diéthyldibromo silane, diéthyldichloro silane, diéthyldiéthoxysilane,diéthyldifluorosilane, diéthyldiisopropoxysilane, diéthyldiméthoxysilane, diisopropyldiacétoxysilane, diisopropyldibromosilane, diisporpyldichlorosilane, diisopropyldiéthoxysilane, diisopropyldifluorosilane, diisopropyldiisopropoxysilane, diisopropyldiméthoxysilane, diméthylchlorosilane, diméthyldiacétoxysilane, diméthyldibromo silane, diméthyldichlorosilane, diméthyldiéthoxysilane, diméthyldifluorosilane, diméthyldiisopropoxysilane, diméthyldim éthoxysilane, diméthyléthoxysilane, diméthylméthoxysilane, diméthylphénylchlorosilane, di-n-butyldichloro silane, di-nbutyldiéthoxysilane, di-n-butyldiméthoxysilane, diphényldiaétoxysilane, diphényldibromosilane, diphényldichlorosilane, diphényldiéthoxysilane, diphénydifluorosilane, diphényldiisopropoxysilane, diphényldiméthoxysilane, diphénylméthylchlorosilane, diphénylsilanediol, dipropyldiacétoxysilane, dipropyldibromosilane, dipropyldiflhorosilane, dipropyldiéthoxysilane, dipropyldifluorosilane, dipropyldiisopropoxysilane, dipropyldiméthoxysilane, di-tbutyldichlorosilane, docosényltriéthoxysilane, dodécyltrichlorosilane, dodécyltriacétoxysilane, dodécyltriéthoxysilane, dodécyltriméthoxysilane, éthylphénéthyltriméthoxysilane, éthylphénéthyltriméthoxysilane, éthyltriacétoxysilane, éthyltribromosilane, éthyltriéthoxysilane, éthyltrifluorosilane, éthyltriisopropoxysilane, éthyltriméthoxysilane, hexadécyltrichlorosilane, hexaméthyldisilazane, hexaméthyldisiloxane, isobutyltriméthoxysilane, i s op ropyltriacétoxysilan e, isopropyltribromosilane, isopropyltrichlorosilane, isopropyltriéthoxysilane, isopropyltrifluorosilane, isopropyltriisopropoxysilane, isopropyltriméthoxysilane, 1 o méthacryloxyméthyltriéthoxysilane, méthacryloxyméthyltriméthoxysilane, méthyltriacétoxysilane, méthyltribromosilan e, m éthyltriéthoxysilane, méthyltrifluorosilane, méthyltrii soprop oxysilane, méthyltriméthoxysilane, N- (triméthylsilyl) diméthylamine, N, N-bis (triméthyl silyl) méthylam ine, N,O-bis-(triméthylsilyl) acétamide, N, O bis (triméthylsilyl) carbamate, N, O-bis(triméthylsilyl) trifluoroacétamide, Naphtyltriacétoxysilane, Naphtyltribromo silane, Naphtyltrichlorosilane, Naphtyltriéthoxysilane, Naphtyltrifluorosilane, Naphtyltriisopropoxysilane, Naphtyltriisopropoxysilane, Naphtyltriméthoxysilane, N-butylaminopropyltriméthoxysilane, N-méthyl-Ntriméthylsilyltrifluoroacétamide, n-octadécyltrichlorosilane, nundécyltrichlorosilane, otadécyldiméthylchlorosilane, o ctadécyltrichloro silane, o ctadécyltrié thoxysilane, octadécyltriméthoxysilane, octaméthylcyclotétrasilazane, octaphénylcyclotétrasiloxane, octaphényltétrasilazane, octaphényltétrasiloxane, octylméthyldichlorosilane, octyméthyldiméthoxysilane, octyltrichlorosilane, octyltriéthoxysilane, octyltriéthoxysilane, octyltriméthoxysilane, pentafluorophénylacétoxysilane, pentafluorophényldiméthylchlorosilane, pentafluorophénylméthyldichlorosilane, pentafluorophénylméthyldiméthoxysilane, pentafluorophénylpropyltrichlorosilane, pentafluorophénhyltriacétoxysilane, pentafluorophényltribromosilane, p entaflu orophényltrichloro silane, pentafluorophényltriéthoxysilane, pentafluorophényltrifluorosilane, pentaflu orophényltrii sopropoxysilane, pentafluorophényltriméthoxysilane, perfluorodécyl- 1 H,1 H, 2H, 2Hdiméthylchlorosilane, perfluorodécyl- 1 H,1 H,2H,2H -méthyldichlorosilane, perfluorodécyl- 1 H, 1 H,2H,2H-triacétoxysilane, perfluorodécyl-1H,1H,2H, 2H-trichlorosilane, perfluorodécyl- 1 H, 1H,2H,2H-triéthoxysilane, perfluorodécyl- 1H, 1 H, 2 H,2H-triméthoxysilane, perfluorododécyl- 1 H, 1 H, 2 H, 2 H-diméthylchlorosilane, perfluorododécyl- 1 H,1H,2H, 2Hméthyldichloro silane, perfluorododécyl- 1 H, 1H, 2 H, 2 Htrichlorosilane, perfluorododécyl- 1 H, 1H,2H,2H-triéthoxysilane, perfluorododécyl- 1 H, 1 H, 2H,2H-triméthoxysilane, perfluorohexyl- 1 H, 1 H, 2H,2H-diméthylchlorosilane, perfluorohexyl- 1 H, 1H,2 H, 2Hméthyldichlorosilane, perfluorohexyl- 1 H, 1 H,2H,2H-trichlorosilane, perfluorohexyl- 1 H, 1 H,2H,2H-triéthoxysilane, perfluorohexyl- 1 H, 1H, 2H,2H-triméthoxysilane, perfluorooctyl- 1 H, 1H,2H,2Hdiméthylchlorosilane, perfluorooctyl- 1 H, 1H,2H, 2H-méthyldichlorosilane, perfluorooctyl- 1 H,1 H,2H, 2H-triacétoxysilane, 1 o perfluorooctyl- 1 H,1 H, 2H, 2H-trichlorosilane, perfluorooctyl- 1 H, 1 H, 2H, 2H-triéthoxysilane, perfluorooctyl- 1 H, 1 H, 2H,2H- triméthoxysilane, phénéthyltrichloro silane, phénéthyltriméthoxysilane, phényltriacétoxysilane, phényltriacétoxysilane, phényltribromosilane, phényltrichlo ro silane, phényltriéthoxysilane, phényltrifluorosilane, phényltriisopropoxysilane, phényltriméthoxysilane, propyltriacétoxysilane, propyltribromosilane, propyltrichlorosilane, propyltriéthoxysilane, propyltriflu oro silane, propyltriisopropoxysilane, propyltriméthoxysilane, t-butyldiméthylchlorosilane, tbutyldiphénylchlorosilane, tétraméthyltétraphényltrisiloxane DC 704, Thexyldiméthylchlorosilane, tri(3, 3, 3-trifluoropropyl) acétoxysilane, tri(3,3,3 -trifluoropropyl)bromosilane, tri(3, 3, 3-trifluoropropyl) fluorosilane, tri(3,3,3-trifluoropropyl)chlorosilane, tri(3, 3, 3trifluoropropyl) éthoxysilane, tri(3,3,3-trifluoropropyl)fluorosilane, tri(3,3,3-trifluoroporpyl)isopropoxysilane, tri (3,3,3- trifluoropropyl) méthoxysilane, triéthylacétoxysilane, triéthylbromosilane, triéthylchlorosilane, I o triéthyléthoxysilane, triéthylfluorosilane, triéthylisopropoxysilane, triéthylméthoxysilane, triisopropylacétoxysilane, triisopropylbromosilane, triisopropylchlorosilane, triisopropyléthoxysilane, trii sopropylflu oro silane, triisopropylisopropoxysilane, triisopropylméthoxysilane, triméthylacétoxysilane, trim éthylbrom o silane, triméthylchlorosilane, triméthyléthoxysilane, triméthylfluorosilane, triméthyliodosilane, triméthylisopropoxysilane, triméthylméthoxysilane, triméthylpentaphényltrisiloxane DC 705, triphénylchlorosilane, triphénylméthyldiméthylchlorosilane, triphénylméthylméthyldichlorosilane, triphénylméthylméthyldiméthoxysilane, triphénylm éthyltrichloro silane, triphénylméthyltriéthoxysilane, triphénylméthyltriméthoxysilane, tripropylacétoxysilane, tripropylbromo silane, tripropylchlorosilane, tripropyléthoxysilane, tripropylfluoro silane, triisopropylisopropoxysilane, tripropylméthoxysilane, undécyldiméthylchlorosilane, Io undécylméthyldiméthoxysilane, undécyltrichlorosilane, undécyltriéthoxysilane, undécyltriméthoxysilane, vinyltriéthoxysilane. REVENDICATIONS 1 ) Procédé de production d'une couche (108) sur une surface d'une plaquette MEMS (41), dans lequel la couche (108) présente des propriétés anti-adhésives, s - la surface est exposée au revêtement en phase gazeuse d'un matériau, caractérisé en ce qu' - on dépose le matériau sur une plaquette-couvercle (21), - la plaquette-couvercle (21) est reliée à la plaquette MEMS (41), avec to au moins un espace creux (46) entouré par les deux plaquettes et - au cours de la liaison et/ou d'une étape ultérieure du procédé, le matériau est vaporisé et au moins certaines parties de la surface de la plaquette MEMS (41) sont revêtues. 2 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la plaquettecouvercle (21) est relié e au moyen d'une pâte de verre de scellement (23) avec la plaquette MEMS (41). 3 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la vaporisation du matériau et le revêtement s'effectuent en abaissant la pression de l'atmosphère environnante et/ou en élevant la température. 4 ) Procédé selon les revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le matériau est ajouté à la pâte de verre de scellement (23). 5 ) Procédé selon les revendications 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la plaquette-couvercle (21) est ajoutée dans une chambre (500), par exemple un four, subit un procédé de pré-cuisson de verre de scelle-ment, et le matériau (503) est ajouté dans l'atmosphère (509) du four. 6 ) Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu' on dope l'atmosphère (509) à l'intérieur de la chambre (500) avec le matériau (503) en imprégnant un corps poreux (903), en particulier s constitué de gomme de silicone ou de gomme de phényl-silicone, avec le matériau (503), et en soumettant le corps imprégné (903) en un endroit chauffé à environ 200 à 300 C dans la chambre (500), en particulier dans la canalisation d'introduction (902), à un balayage de gaz. 7 ) Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu' on dope l'atmosphère (509) à l'intérieur de la chambre (500) avec le matériau (503) en posant une source de vaporisation constituée d'un récipient de réserve (703) rempli de matériau (503) à l'intérieur de la chambre (500), et on y vaporise le matériau (503). 8 ) Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu' on dope l'atmosphère (509) à l'intérieur de la chambre (500) avec le matériau (503), en dopant au préalable avec le matériau (503) un gaz de balayage introduit dans la chambre (500), en particulier en faisant barboter le gaz de balayage dans un récipient de barbotage (502) avec le matériau (503), ou en mélangeant le gaz de balayage provenant d'un vaporisateur (602) avec le matériau (503). 9 ) Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu' on dope l'atmosphère (509) à l'intérieur de la chambre (500) avec le matériau (503), en vaporisant le matériau (503) provenant d'un ballon de réserve (802) à. travers une soupape, en passant par une canalisation d'introduction chauffée (803) et on l'introduit dans la chambre (500). 10 ) Procédé selon les revendications 1, 2 ou 3, caractérisé en ce qu' on recouvre la plaquette-couvercle (21) et/ou le verre de scellement selon le procédé de pré-cuisson de verre de scellement, au moins en partie avec le matériau, en particulier par versement, pulvérisation, immer- Sion, raclage, sérigraphie, revêtement à partir de la phase gazeuse (CVD), laminage ou épandage. 11 ) Procédé selon la revendication 1 ou 3, caractérisé en ce qu' to on utilise comme matériau une substance ou une combinaison de substances qui contient au moins un composé de la classe des composés des silanes. 12 ) Dispositif (100) constitué d'une pièce de fonction micromécanique (110) et d'un couvercle (106) qui y est solidement fixé, la pièce de fonction (110) et le couvercle (106) entourant un espace creux commun (109), caractérisé en ce qu' au moins certaines parties des surfaces (107) du dispositif (100) qui 20 avoisinent l'espace creux (109) présentent un revêtement anti-adhésif (108). 13 ) Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que toutes les surfaces (107) du dispositif (100) qui avoisinent l'espace creux (109) présentent un revêtement antiadhésif (108). 14 ) Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'atmosphère dans l'espace creux (109) est dopée avec le matériau. 15 ) Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le verre de scellement (105) contient le matériau. 16 ) Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le matériau est une substance ou une combinaison de substances qui contient au moins un composé de la classe de composés des silanes.