FR 2870626 A1 20051125 FR 0505214 A 20050524 La présente invention concerne un dispositif de mémoire magnétique possédant une section de mémoire comprenant un élément de mémoire magnétique qui est formé par empilage superposé d'une couche magnétique fixe, dont la direction d'aimantation est fixe, d'une couche formant barrière pour l'effet tunnel et d'une couche magnétique libre, dont la direction d'aimantation est variable. Plus particulièrement la présente invention concerne un dispositif de mémoire magnétique qui est configuré en tant que mémoire magnétique à accès direct (MRAM) désignée comme étant une mémoire non volatile, et un procédé pour sa fabrication. Etant donné que des équipements de télécommunication, en particulier de petits équipements personnels tels que des terminaux portables, connaissent un développement rapide, on exige de plus en plus d'avoir des performances plus élevées comprenant une intégration plus grande, une vitesse plus élevée et une consommation d'énergie plus faible, dans des éléments tels qu'une mémoire et une logique constituant l'équipement de ce type. On estime qu'en particulier des mémoires non volatiles sont essentielles à l'ère de l'omniprésence. Dans le cas d'un épuisement et d'une perturbation d'une source d'alimentation et dans le cas d'une déconnexion entre un serveur et un réseau en raison d'une quelconque obstruction, des mémoires non volatiles peuvent protéger des informations importantes incluant des informations personnelles. Bien que les équipements portables récents soient conçus pour réduire la consommation d'énergie en plaçant le bloc de circuits inutiles dans son état d'attente, si l'on peut réaliser une mémoire non volatile disponible en tant que mémoire de travail à grande vitesse et en tant que mémoire de grande capacité, il est possible d'éliminer un gaspillage de consommation d'énergie et de mémoire. En outre le fait d'obtenir une mémoire non vola- tile fonctionnant à grande vitesse et ayant une grande capacité permet une fonction "instantanée" qui permet un démarrage rapide après le branchement de l'alimentation. A titre d'exemples de mémoires non volatiles, on peut citer des mémoires flash utilisant des semiconducteurs, et des mémoires ferroélectriques à accès direct (FRAM) utilisant des éléments ferroélectriques. Cependant, les mémoires flash présentent l'inconvénient consistant en ce que le temps d'écriture d'une information est de l'ordre de la p-seconde et que par conséquent la vitesse d'écriture est très faible. Alors que dans les mémoires FRAM on a signalé que le nombre pouvant être écrit va de 1012 à 1014, l'endurance est trop faible pour envisager le remplacement complet d'une mémoire statique à accès direct (SRAM) ou pour des mémoires dynamiques à accès direct (DRAM), et la microfabrication d'un condensateur ferroélectrique est difficile. Une mémoire magnétique, qui est désignée comme étant une mémoire magnétique à accès direct (MRAM), est un bon candidat pour une mémoire non volatile qui ne présente pas les inconvénients indiqués précédemment et possède une grande vitesse, une grande capacité (haute intégration) et une faible consommation d'énergie. Des mémoires MRAM antérieures étaient basées sur un effet magnétorésistif sur une valve à spin utilisant un effet magnétorésistif anisotrope (AMR), qui est actuelle- ment présenté dans J. M. Daughton, Thin Solid Films, Vol. 216, pp. 162-168, 1992, ou un effet de magnétorésistance géante (GMR) qui est présenté dans D. D. Tang et al., IEDM Technical Digest, pp. 995-997. Cependant ces mémoires présentent les inconvénients consistant en ce que la valeur résistive de la charge de la cellule de mémoire est aussi faible que 10 à 100 Q et que par conséquent la consomma- tion d'énergie par bit au moment de la lecture est élevée, et il est difficile d'obtenir une grande capacité de mémoire. En ce qui concerne l'effet de magnétorésistance à effet tunnel (TMR), initialement c'était seulement le matériau qui présentait 1 à 2 % du point de vue du taux de variation de la valeur résistive à la température ambiante, comme cela est indiqué dans R. Meservey et al., Physics Reports, Vol. 238, pp. 214-217, 1994. Cependant le matériau, dont le taux de variation de la valeur résistive est proche de 20 %, devient maintenant disponible, comme cela est indiqué dans T. Miyazaki et al., J. Magnetisum & amp; Magnetic Material, Vol. 139, (L231), 1995. En raison de l'amélioration de la caractéristique du matériau TMR ces dernières années, la mémoire MRAM utilisant l'effet TMR devient un bon candidat. Un élément TMR possède la structure, dans laquelle une couche formant barrière pour l'effet tunnel est intercalée entre deux couches magnétiques comprenant une couche magnétique libre (couche de mémorisation) et une couche magnétique fixe. L'élément TMR est un élément de mémoire qui mémorise le fait que les directions d'aimantation des deux couches magnétiques sont "parallèles" ou "antiparallèles", sous la forme d'une information "0" ou "1", et lit l'information en utilisant le fait que l'intensité du courant circulant dans la couche formant barrière pour l'effet tunnel varie en fonction de la différence de la direction d'aimantation relative. Une mémoire MRAM de type TMR comporte des éléments TMR disposés sous la forme d'une matrice et comporte des lignes de bits et des lignes de mots pour l'accès dans la direction des lignes et dans la direction des colonnes pour mémoriser une information dans l'élément TMR désiré. De ce fait, une information peut être écrite sélectivement uniquement dans l'élément TMR positionné dans une région de croisement moyennant l'utilisation de la caractéristique en forme d'astéroïde, qui sera décrite plus loin. La mémoire MRAM de type TMR est une mémoire magnétique à semiconducteurs qui peut lire une information en utilisant l'effet de résistance magnétique basé sur le phénomène de conduction qui dépend du spin, propre à un matériau nanomagnétique, et est une mémoire non volatile qui peut conserver l'état de mémoire sans apport d'une énergie à partir de l'extérieur. En outre, sa structure simple facilite l'obtention d'une haute intégration. Etant donné que l'enregistrement est réalisé avec l'inverse du moment magnétique, un nombre rechargeable est élevé et par conséquent on s'attend à ce que la durée d'accès s'effectue également à une vitesse extrêmement élevée. Une possibilité de fonctionnement à 100 MHz est déjà présentée par R. Scheuerlein et al., ISSCC Digest of Technical Papers, pp. 128-129, Février 2000. Ci-après, on va décrire de façon plus détaillée la mémoire MRAM de type TMR. La figure 11A est une vue en perspective d'un élément TMR 10A qui constitue un élément de mémoire d'une cellule d'une mémoire MRAM. L'élément TMR 10A est disposé sur un substrat de support 7 et comprend une couche magné-tique libre (couche de mémoire) 2, dont la direction d'aimantation est inversée relativement aisément, et une couche magnétique fixe 4, dont la direction d'aimantation est fixe. Pour la couche magnétique libre (couche de mémoire) 2 et pour la couche magnétique fixe 4, on utilise un matériau ferromagnétique qui comprend principalement par exemple du nickel, du fer, du cobalt ou les alliages de ces matériaux. Sinon la couche magnétique fixe 4 peut être un film à couches multiples, comportant un élément antiferromagnétique synthétique (SAF) (un film en stratifié formé par empilage, dans lequel un métal est intercalé entre des matériaux ferromagnétiques). Le SAF est présenté dans S. S. Parkin et al., Physical Review Letters, 7 Mai, pp. 2304- 2307 (1990). La couche magnétique fixe 4 est formée en contact avec une couche antiferromagnétique 5, et l'interaction d'échange qui se produit entre les deux couches impartit une anisotropie magnétique unidirectionnelle intense à la couche magnétique fixe 4. Le matériau de la couche antiferromagnétique 5 est par exemple un alliage de fer, de nickel, de platine, d'iridium ou de rhodium avec le manganèse ou un oxyde de cobalt ou de nickel. La couche magnétique libre (couche de mémoire) 2 possède un axe d'aimantation facile qui est parallèle à la direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4 (un axe de direction, selon lequel un matériau ferromagnétique est aisément aimanté) et est susceptible d'être aimanté dans une direction parallèle ou une direction antiparallèle par rapport à la direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4, de sorte qu'il est relativement facile d'inverser la direction d'aimantation entre ces deux états. C'est pourquoi, lorsque la couche magnétique libre (couche de mémoire) 2 est utilisée en tant que support de mémorisa- tion d'informations, les deux états de la couche magnétique libre (couche de mémoire) 2, qui est aimantée d'une manière "parallèle" et "antiparallèle" à la direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4 sont associés à l'information "0" et "1". Entre la couche magnétique libre (couche de mémoire) 2 et la couche magnétique fixe 4 est disposée une couche formant barrière à effet tunnel 3, qui est formée d'un isolant constitué d'un oxyde ou d'un nitrure d'aluminium, de magnésium, de silicium, etc. La couche formant barrière pour l'effet tunnel 3 sert à interrompre un cou-plage magnétique entre la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 et la couche magnétique fixe 4 et le passage d'un courant d'effet tunnel conformément à la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2. On utilise un procédé de pulvé- risation principalement pour former une couche magnétique et une couche conductrice de l'élément TMR 10A. La couche formant barrière pour l'effet tunnel 3 peut être obtenue par oxydation ou nitruration d'un film métallique formé par dépôt par pulvérisation. Une couche de revêtement supérieure 1 a pour rôle d'empêcher une diffusion mutuelle entre l'élément TMR 10A et le câblage connecté à l'élément TMR 10A, en réduisant la résistance de contact et en empêchant l'oxydation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2. Le matériau fo de la couche de revêtement supérieure 1 est formé de cuivre, de tantale, de nitrure de titane ou de titane. Une électrode d'extraction 6 est utilisée pour établir une connexion avec un transistor de lecture, etc. devant être connecté en série avec l'élément TMR 10A. La couche d'électrode d'extraction de tête 6 peut également servir de couche de matériau antiferromagnétique 5. La figure 11B est une vue en perspective d'un élément TMR 10B qui est utilisé en tant qu'élément de mémorisation d'une cellule de mémoire du type MRAM à point de croisement, qui sera décrite plus loin. Dans l'élément TMR 10B, à la place de la couche d'électrode d'extraction de tête 6 et d'un substrat 7 de l'élément TMR 10A, il est prévu une couche formant diode à jonction pn 201, qui est réunie directement à des lignes de mots 12 qui seront décrites plus loin. Cependant il est possible de supprimer la couche de diode à jonction pn 201. Les cellules de mémoire d'une mémoire MRAM peu- vent être classées en deux types principaux. L'un est une cellule de mémoire MRAM du type à points de croisement, dans laquelle un élément TMR est utilisé seul. L'autre type est une cellule MRAM du type dans laquelle un élément TMR est utilisé conjointement avec un élément sélectif tel qu'un transistor de lecture, de façon plus spécifique une cellule MRAM possédant une structure lTlJ, dans laquelle un élément sélectif est disposé pour un élément TMR, ou une structure 2T2J dans laquelle la structure 1T1J est disposée de façon complémentaire, c'est-à-dire que deux éléments sélectifs sont disposés pour deux éléments TMR. La figure 12A est une vue en perspective à plus grande échelle illustrant une partie d'une cellule de mémoire MRAM du type à points de croisement. Ici, neuf cellules de mémoire sont représentées à titre d'exemple. Dans cette mémoire MRAM, des lignes de bits 11 et des lignes de mots 12 se croisent, et les éléments TMR 10B sont disposés sous la forme d'une matrice entre des couches, au niveau desquelles ces lignes 11 et 12 se croisent. La figure 12B est une vue en plan montrant un agencement de cellule d'une mémoire MRAM du type à points de croisement. La mémoire MRAM du type à points de croise-ment occupe 4F2 dans la zone minimale d'une cellule de mémoire, F étant la dimension minimale d'un câblage dans le cadre d'une règle de conception. En l'absence d'un élément de commutation pour chaque élément, la vitesse d'accès peut être faible, mais on dispose d'une mémoire de grande capa-cité. Les figures 13 et 14 représentent des schémas de circuits équivalents d'une mémoire MRAM du type 1T1J. De façon spécifique, la mémoire 13 représente un agencement d'ensemble. La figure 14 est une vue partiellement à plus grande échelle de cet agencement, qui montre six cellules de mémoire à titre d'exemple. Les éléments TMR 10A sont disposés sous la forme d'une matrice entre des couches, au niveau desquelles des lignes de bits de lecture 13 et des lignes de mots d'écriture 14 se croisent, et il est prévu des transistors à effet de champ électrique 18 pour sélectionner l'élément TMR 10A correspondant lors de la lecture d'une information, qui sont connectés en série à l'élément TMR 10A. En outre, il est prévu des lignes de bits de lec- ture 15, des lignes de mots de lecture 16 pour la commande de la mise à l'état conducteur/bloqué des transistors à effet de champ électrique 18, et des lignes de détection 17 pour délivrer l'information de lecture. Dans une section de circuit périphérique, des circuits 19 de commande du cou-rant des lignes de bits d'écriture sont connectés aux lignes de bits d'écriture 13, des circuits 20 de commande du courant de lignes de mots d'écriture sont connectés aux lignes de mots d'écriture 14, des circuits 21 de commande des lignes de bits de lecture sont connectés aux lignes de bits de lecture 15, des circuits 22 de commande de lignes de mots de lecture sont connectés aux lignes de mots de lecture 16 et des amplificateurs de détection 23 servant à détecter l'information de lecture sont connectés aux lignes de détection 17. La figure 15 est une vue en perspective représentant un exemple des cellules d'une mémoire MRAM de type 1T1J classique, et la figure 16 représente une vue en coupe schématique d'une telle mémoire. A titre de commodité, la figure 16 illustre un film isolant entre couches 50, avec suppression des limites intercalaires et des hachures. Au-dessus de la cellule de mémoire, la ligne de bits d'écriture 13 et la ligne de bits de lecture 15 sont disposées avec interposition entre elles d'une couche isolante entre couches 56, et l'élément TMR l0A est adjacent à et situé au-dessous de la ligne de bits de lecture 15. En outre, la ligne de mots d'écriture 14 est disposée au-dessous de la couche d'électrode d'extraction de tête 6 de l'élément TMR 10A, moyennant l'interposition d'une couche isolante entre eux. D'autre part, au-dessous de la cellule de mémoire par exemple d'un transistor à effet de champ électrique 18 du type métal-oxydesemiconducteur (MOS) de type n, qui est constitué par une électrode de drain 33, une région de drain 34, une électrode de grille 16, un film d'isolant de grille 35, une région de source 36 et une électrode de source 37, est disposé dans une région de puits 31 de type p formée dans un substrat semiconducteur 30 en silicium de type p. L'électrode de grille 16 du transistor 18 est réalisée sous la forme d'une bande de manière à établir une connexion entre des cellules, et sert également de ligne de mots de lecture 16. L'électrode de drain 33 est connectée à la couche d'électrode d'extraction de tête 6 de l'élément TMR l0A par l'intermédiaire d'un câblage de lecture 210 constitué par un câblage d'extraction 202, des broches de connexion de lecture 211, 213, 215 et des plots d'impact de lecture 212, 214, 216. L'électrode de source 37 est connectée à la ligne de détection 17. Dans la cellule de mémoire ainsi agencée, on réalise l'écriture d'une information dans l'élément TMR l0A en envoyant un courant à la ligne de bits d'écriture 13 et à la ligne de mots d'écriture 14 et en déterminant, en fonction du champ magnétique synthétique résultant de champs magnétiques produits par ces lignes, si la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 est "parallèle" ou "antiparallèle" par rapport à la direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4. Dans le champ magnétique à l'intérieur de la cou- che magnétique libre (couche de mémorisation) 2 de l'élément TMR 10A, un champ magnétique dans la direction de l'axe d'aimantation facile HEA est appliqué normalement par le courant d'écriture circulant dans la ligne de bits d'écriture 13, un champ magnétique dans la direction de l'axe d'aimantation difficile HHA est appliqué au courant d'écriture circulant dans la ligne de mots d'écriture 14, ce qui permet l'application d'un champ magnétique synthétique résultant obtenu en tant que composition à partir de la synthèse de vecteurs des champs magnétiques HEA et HHA. Dans la mémoire MRAM, l'écriture est exécutée d'une manière générale par application du champ magnétique HEA ( La figure 17 est un graphique d'une courbe en forme d'astéroïde représentant la caractéristique de réponse de champ magnétique de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 de l'élément TMR pendant une opération d'écriture d'informations. Dans une condition d'énergie minimale, la courbe en forme d'astéroïde est fournie par l'équation suivante: HEA2/3 + HHA2/3 = Hs2/3 qui exprime la condition d'écriture dans l'élément TMR, c'est-à-dire une valeur de seuil, pour laquelle la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 peut être inversée par le champ magnétique appliqué. Ici, l'amplitude d'un champ magnétique de commutation Hk dépend non seulement du matériau de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2, mais également de sa forme. Comme cela est représenté sur la figure 17, en supposant que le champ magnétique HEA dans la direction de l'axe d'aimantation facile est Hx ( La caractéristique d'inversion de la direction d'aimantation mentionnée précédemment indique le principe selon lequel, lorsque le champ magnétique dans la direction de l'axe d'aimantation facile HEA et le champ magnétique dans la direction de l'axe d'aimantation difficile HHA coexistent, l'amplitude du champ magnétique nécessaire pour inverser la direction d'aimantation peut être réduite par rapport au cas où chaque champ magnétique est appliqué lui seul, et l'utilisation de deux lignes d'écriture de la ligne de bits d'écriture 13 et de la ligne de mots d'écriture 14 permet d'écrire sélectivement une information uniquement dans l'élément TMR 10A de la cellule de mémoire située au niveau du point d'intersection des deux lignes. De façon spécifique, au moyen du courant d'écriture circulant dans une ligne de bits d'écriture 13, Hx, qui est le champ magnétique dans la direction de l'axe d'aimantation facile HEA, est appliqué à l'ensemble des éléments TMR l0A disposés au-dessous de la ligne de bits d'écriture 13. De façon analogue, à l'aide du courant d'écriture traversant une ligne de mots d'écriture 14, Hy, qui est le champ magnétique dans la direction de l'axe d'aimantation difficile HHA, est appliqué à l'ensemble des éléments TMR 10A situés au-dessus de la ligne de mots d'écriture 14. Cependant, lorsqu'un seul champ magnétique est appliqué dans la direction de l'axe d'aimantation facile ou dans la direction de l'axe d'aimantation difficile, la valeur de seuil d'un champ magnétique nécessaire pour l'inversion de l'aimantation est une valeur située sur l'axe d'aimantation facile (axe X) ou sur l'axe d'aimantation difficile (axe Y) de la courbe en forme d'astéroïde mentionnée précédemment, c'est-à-dire le champ magnétique d'inversion unidirectionnel Hk. C'est pourquoi, même si Hx ou Hy, qui sont tous deux inférieurs à Hk, est appliqué, l'un de ces deux champs ne peut à lui seul inverser la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2. Cependant, dans une cellule de mémoire qui est située au niveau du point de croisement entre la ligne de bits d'écriture 16 et la ligne de mots d'écriture 14 et à laquelle s'appliquent les deux champs Hx et Hy, son champ magnétique synthétique résultant H dépasse une valeur de seuil Hc sur la courbe en forme d'astéroïde et atteint une région 151(A) située à l'extérieur de la courbe en forme d'astéroïde. Cela permet d'inverser la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2. Si le champ Hx ou Hy est supérieur au champ magnétique d'inversion unidirectionnelle Hk, il s'avère qu'une information est écrite dans l'ensemble des cellules de mémoire, auxquelles ce champ Hx ou Hy est appliqué. Par conséquent les champs Hx et Hy doivent être inférieurs à Hk et par conséquent une région 152 est inappropriée. C'est pourquoi une région appropriée pour un champ magnétique synthétique résultant, qui est appliqué à la couche magné-tique libre (couche de mémorisation) 2 pour une information d'écriture, est la région 151(A) représentée en gris sur la figure 17. La figure 18 est une vue en coupe schématique permettant d'expliquer une opération de lecture d'informations dans l'élément TMR 10A. Ici la configuration de couches de l'élément TMR 10A est représentée schématique-ment, sans représentation de la couche de revêtement supérieure 1, de la couche antiferromagnétique 5 et d'une couche d'électrode d'extraction de tête 6. La lecture de l'information mémorisée dans l'élément TMR 10A est exécutée en utilisant l'effet TMR qui est l'un des effets de magnétorésistance. Ici l'effet TMR désigne le phénomène selon lequel la valeur résistive en rapport avec le courant d'effet tunnel traversant les deux couches magnétiques, qui sont disposées en vis-à-vis l'une de l'autre avec interposition d'une couche formant barrière pour l'effet tunnel, devient faible lorsque les directions des spins magnétiques des deux couches magnétiques sont "parallèles", et devient élevée lorsque ces directions sont "antiparallèles". De façon plus spécifique, comme représenté sur la figure 18, le courant d'effet tunnel, qui circule dans la ligne de bits d'écriture 13 en direction de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2, la couche formant barrière pour l'effet tunnel 3, puis la couche magnétique fixe 4, est délivré pour extraire le courant de lecture correspondant à l'amplitude de la valeur résistive mentionnée précédemment, et la direction du spin magnétique de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 est détectée par l'amplitude du courant de lecture. En d'autres termes, comme cela est représenté sur le dessin de gauche de la figure 18, lorsque les directions d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 et de la couche magnétique fixe 4 sont "parallèles" et que les spins magnétiques sont alignés, la valeur résistive entre ces deux couches est faible et par conséquent un courant de lecture intense traverse la couche formant barrière pour l'effet tunnel 3. D'autre part, comme représenté sur le dessin de gauche de la figure 18, lorsque les directions d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 et de la couche magnétique 4 sont "antiparallèles" et que les spins magnétiques sont tournés dans des directions opposées, la valeur résistive entre ces deux couches est élevée et par conséquent le courant de lecture traversant la couche formant barrière pour l'effet tunnel 3 est faible. Comme cela est représenté sur la figure 16, la couche d'électrode d'extraction de tête 6 de l'élément TMR 10A est connectée à l'électrode de drain 33 du transistor de lecture 18 au moyen du câblage d'extraction 202 et du câblage de lecture 210. L'électrode de source 37 du transistor de lecture 18 est connectée à la ligne de détection 17. C'est pourquoi, pendant l'opération de lecture de la mémoire MRAM, dans les éléments TMR 10A connectés à la ligne de bits de lecture 15, à laquelle une tension de commande est appliquée, seul le courant de lecture de l'élément TMR 10A sélectionné par application d'un signal de commande à l'électrode de grille (ligne de mots de lecture) 16 est délivré à la ligne de détection 17 par l'intermédiaire du transistor à effet de champ électrique de lecture 18. C'est pourquoi, le transistor à effet de champ électrique 18 agit en tant qu'élément de commutation pour lire sélectivement l'information mémorisée dans l'élément TMR 10A. Le transistor 18 peut être un transistor à effet de champ électrique de type n ou de type p. En outre, on peut utiliser une variété d'éléments de commutation tels qu'une diode, un transistor bipolaire et un transistor à effet de champ métal-semiconducteur (MESFET). Comme cela a été décrit précédemment, la mémoire MRAM du type 1T1J telle que représentée sur la figure 16 peut exécuter une opération d'écriture et une opération de lecture presque simultanément, étant donné que la ligne de bits d'écriture 13 et la ligne de mots 14 et la ligne de bits de lecture 15 et la ligne de mots 16 sont disposées de façon indépendante (voir M. Durlam et al., International Electron Devices Meeting Technical Digest, pp. 995-997 (2003)). Dans ce cas, la ligne de bits d'écriture 13 et la ligne de mots 14, et la ligne de bits de lecture 15 et la ligne de mots 16 doivent être isolées électriquement. Sinon, la ligne de bits d'écriture 13 et la ligne de bits de lecture 15 peuvent utiliser en commun le même câblage, comme de nombreuses mémoires MRAM, dont les résultats de fabrication expérimentaux ont été signalés par le passé comme par exemple dans le brevet U.S. N 5 940 319 (pp. 2-4,figures 1-13). De même dans ce cas, la ligne de mots d'écriture 14 et la ligne de mots de lecture 16 doi- vent être isolées électriquement. Dans les deux cas, comme représenté sur la figure 16, la ligne de mots d'écriture 14 est aussi proche que possible de la couche d'électrode d'extraction de tête 6, et est disposée directement au-dessous de cette dernière de sorte que le champ magnétique produit par le courant circulant dans la ligne de mots d'écriture 14 agit d'une manière efficace sur l'élément TMR 10A. Le câblage, qui s'étend entre la couche d'électrode d'extraction de tête 6 et la ligne de mots de lecture 16 est disposé dans une position décalée par rapport au côté inférieur de l'élément TMR 10A, sous l'effet de la disposition de l'électrode d'extraction 202, afin d'éviter un contact avec la ligne de mots d'écriture 14. Dans cette position, sont normalement formés des câblages de lecture 210, comme par exemple des broches de connexion de lecture 211, 213, 215 et des plots d'impact de lecture 212, 214, 216 servant à établir une connexion avec le transistor de lecture 18. La figure 19 est une vue en plan représentant un agencement d'une cellule de la mémoire MRAM de type lTlJ classique représentée sur la figure 16. Dans la mémoire 2870626 16 MRAM de ce type, on suppose qu'une dimension minimale du câblage dont la règle d'agencement est F, la longueur de la cellule de mémoire dans la direction le long de la ligne de bits est fournie par l'addition d'une longueur F pour la mise en place du câblage de lecture 210 dans une position décalée, à une longueur 3F nécessaire pour la disposition de la ligne de mots d'écriture 14 et de la ligne de mots de lecture 16, et cette longueur de la cellule devient égale au minimum à 4F. Par conséquent, il est impossible de commander la surface minimale de la cellule de mémoire de manière qu'elle ne soit pas supérieure à 8F2. Par conséquent la mémoire MRAM de type 1T1J est supérieure à la mémoire MRAM du type à points de croisement mentionnée précédemment en ce qui concerne la vitesse d'accès, mais il se pose le problème consistant en ce que le degré d'intégration de la cellule de mémoire est inférieur de moitié. Comme cela a été décrit précédemment, dans la mémoire MRAM du type à point de croisement il se pose le problème consistant en ce que la vitesse d'accès est tai- ble, bien qu'il soit possible de réaliser une mémoire de grande capacité ayant une faible surface minimale de cellules de mémoire et un degré élevé d'intégration. D'autre part, dans la mémoire MRAM du type 1T1J et analogue comportant un élément sélectif, il se pose le problème consistant en ce que la zone minimale d'une cellule de mémoire est étendue et que le degré d'intégration d'une cellule de mémoire est inférieur de moitié, bien que l'on dispose d'une excellente vitesse d'accès. C'est pourquoi la présente invention a pour but de fournir un dispositif de mémoire magnétique comportant un élément sélectif, qui présente une excellente vitesse d'accès et une surface minimale faible pour une cellule de mémoire et atténue la réduction du degré d'intégration de la cellule de mémoire, ainsi qu'un procédé pour fabriquer ce dispositif. Dans un dispositif de mémoire selon l'invention, un élément de mémoire est constitué par un élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel formé par empilage superposé, dans l'ordre indiqué, d'une couche magnétique fixe, dont la direction d'aimantation est fixée, d'une couche formant barrière pour l'effet tunnel et d'une couche magnétique libre, dont la direction d'aimantation est variable. Sur le côté situé à l'opposé d'un premier câblage connecté électriquement à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel, un second câblage est disposé en vis-à-vis de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel moyennant l'interposition d'une couche isolante. Du même côté que le second câblage par rapport à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel, un troisième câblage pour la lecture, connecté électriquement à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel, est disposé dans un trou de connexion qui pénètre au moins dans une partie d'une zone du second câblage et est formé dans un état électriquement isolé. Il est également prévu un procédé pour fabriquer ce dispositif de mémoire. Le procédé comprend l'étape consistant à former un second câblage, les étapes consistant à former un trou de connexion pénétrant dans au moins une partie d'une zone du second câblage et l'étape consis- tant à former, dans le trou de connexion, un troisième câblage qui est isolé électriquement par rapport au second câblage. Conformément à une forme de réalisation de l'invention, il est proposé un dispositif de mémoire magné- tique, dans lequel: un élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel est configuré au moyen de l'empilage d'une couche magnétique fixe, dont la direction d'aimantation est fixée, d'une couche formant barrière pour l'effet tunnel et d'une couche magnétique libre, dont la direction d'aimantation est variable, dans cet ordre, et un second câblage est disposé à l'opposé de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel moyennant l'inter-position d'une couche isolante, sur le côté opposé à un premier câblage connecté électriquement à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel, et un troisième câblage de lecture connecté électriquement à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel sur le même côté que le second câblage par rapport à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel est disposé dans un trou de connexion, qui est formé dans un état électrique-ment isolé avec le second câblage, tout en pénétrant dans au moins une partie d'une zone du second câblage. Dans le dispositif de mémoire magnétique, sur le même côté que le second câblage par rapport à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel, le troisième câblage pour la lecture, qui est connecté électriquement à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel, est disposé dans le trou de connexion qui s'étend sur au moins une partie de la zone du second câblage et est formé dans l'état dans lequel il est isolé électriquement vis-à-vis du second câblage. Avec cet agencement, le troisième câblage peut être disposé directement au-dessous de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel. Ceci réduit la surface d'une cellule de mémoire et améliore le degré d'intégration de la cellule de mémoire, par rapport au dispositif de mémoire magnétique classique dans lequel un câblage pour la lecture contourne la zone du second câblage et est disposé dans une position décalée juste au-dessous de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel. De préférence, une couche isolante est formée sur la paroi latérale du trou de connexion, et le troisième câblage est enseveli à l'intérieur de la couche isolante. De préférence, le trou de connexion pénètre dans la zone du second câblage. De préférence, le second câblage est divisé au moins par l'élément de mémoire magnétique, sur les deux côtés du trou de connexion. De préférence, il est prévu un quatrième câblage pour l'écriture, qui est isolé électriquement de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel sur le même côté que le premier câblage par rapport à l'élément de résistance magnétique à effet tunnel. A titre de variante, de préférence, le premier 10 câblage agit en tant que câblage pour la lecture et en tant que câblage pour l'écriture. De préférence, le premier câblage et le second câblage sont disposés de manière à se croiser, et l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel est disposé au niveau du point d'intersection. De préférence, la couche formant barrière pour l'effet tunnel est intercalée entre la couche magnétique fixe et la couche magnétique libre de sorte qu'une informa- tion est écrite par aimantation de la couche magnétique libre dans une direction prédéterminée avec un champ magnétique induit par le passage d'un courant en direction du premier ou du quatrième câblage et du second câblage, et l'information écrite est lue au moyen du troisième câblage par l'effet de résistance magnétique à effet tunnel par l'intermédiaire de la couche formant barrière pour l'effet tunnel. Il s'agit d'une configuration standard de mémoires MRAM. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire magnétique, dans lequel un élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel est configuré au moyen de l'empilage d'une couche magnétique fixe, dont la direction d'aimantation est fixée, une couche formant barrière pour l'effet tunnel et une couche magnétique libre, dont la direction d'aimantation est variable, dans cet ordre, et un second câblage est disposé à l'opposé de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel moyennant l'interposition d'une couche isolante sur le côté opposé à un premier câblage connecté électriquement à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel, et un troisième câblage de lecture connecté électriquement à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel sur le même côté que le second câblage par rapport à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel est disposé dans un trou de connexion, qui est formé dans un état électriquement isolé avec le second câblage, tout en pénétrant dans au moins une partie d'une zone du second câblage, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes sui-vantes: une étape de formation du second câblage, une étape de formation du trou de connexion qui pénètre au moins dans la partie de la zone du second câblage, et une étape de formation du troisième câblage dans le trou de connexion dans un état électriquement isolé avec le second câblage. Selon une autre caractéristique de l'invention, on forme une couche isolante sur la paroi latérale du trou de connexion, et on ensevelit le troisième câblage à l'intérieur de la couche isolante. Selon une autre caractéristique de l'invention, 25 le trou de connexion pénètre dans la zone du second câblage. Selon une autre caractéristique de l'invention, le second câblage est divisé au moins par l'élément de mémoire magnétique, sur les deux côtés du trou de connexion. Selon une autre caractéristique de l'invention, il est prévu un quatrième câblage pour l'écriture, qui est isolé électriquement de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel sur le même côté que le premier câblage par rapport à l'élément de résistance magnétique à effet tunnel. Selon une autre caractéristique de l'invention, le premier câblage agit en tant que câblage pour la lecture et en tant que câblage pour l'écriture. Selon une autre caractéristique de l'invention, le premier câblage et le second câblage sont disposés de manière à se croiser, et l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel est disposé au niveau du point d'intersection. Selon une autre caractéristique de l'invention, la couche formant barrière pour l'effet tunnel est intercalée entre la couche magnétique fixe et la couche magnétique libre de sorte qu'une information est écrite par aimantation de la couche magnétique libre dans une direction prédéterminée avec un champ magnétique induit par le passage d'un courant en direction du premier ou du quatrième câblage et du second câblage, et l'information écrite est lue au moyen du troisième câblage par l'effet de résistance magnétique à effet tunnel par l'intermédiaire de la couche formant barrière pour l'effet tunnel. D'autres caractéristiques et avantages de la pré-sente invention, ressortiront de la description donnée ci-après, prise en référence aux dessins annexés, sur les-quels: - la figure 1 est une vue en coupe schématique d'une cellule d'une mémoire MRAM de type 1T1J conformément à une première forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 2A est une vue en perspective mon- trant un modèle de calcul pour trouver la relation entre la position, dans laquelle un trou traversant est disposé, et la valeur actuelle nécessaire pour inverser l'aimantation, et les figures 2B et 2C sont des graphiques représentant les résultats du calcul; - la figure 3A à 3K sont des vues en coupe sché- matique de parties importantes lors des étapes de fabrication de la mémoire MRAM; la figure 4A à 4E sont des vues en coupe schématique des parties importantes lors de la fabrication des étapes d'une mémoire MRAM conformément à une seconde forme de réalisation préférée de l'invention; la figure 5A à 5F sont des vues en coupe schématique montrant des parties importantes lors des étapes de fabrication d'une mémoire MRAM conformément à une troisième forme de réalisation préférée de l'invention; - la figure 6 est une vue en plan schématique d'une partie importante d'une mémoire MRAM conformément à une quatrième forme de réalisation préférée de l'invention; - les figures 7A à 7F sont des vues en coupe schématique montrant des parties importantes lors des étapes de fabrication de la mémoire MRAM dans la quatrième forme de réalisation préférée; - la figure 8 est une vue en plan schématique montrant une partie importante d'une mémoire MRAM conformé- ment à une cinquième forme de réalisation préférée de l'invention; - la figure 9 est une vue en coupe schématique d'une cellule d'une mémoire MRAM du type 1T1J conformément à une autre forme de réalisation préférée de la présente invention; - les figures 10A à bOC sont des vues en plan représentant la forme d'un trou de connexion formé au niveau d'une ligne de mots d'écriture conformément à des formes de réalisation préférées de l'invention; - les figures 11A et 11B sont des vues en perspective schématiques d'un élément TMR d'une mémoire MRAM; - la figure 12A est une vue en perspective à plus grande échelle montrant une partie d'une section d'une mémoire MRAM du type à points de croisement, et la figure 12B est une vue en plan représentant un agencement de cellules de cette mémoire; - les figures 13 et 14 sont des schémas de cir- cuits équivalents d'une mémoire MRAM du type 1T1J; - la figure 15 est une vue en perspective repré-5 sentant une mémoire MRAM du type 1T1J classique; - la figure 16 est une vue en coupe schématique d'une cellule de la mémoire MRAM du type 1T1J classique; - la figure 17 est un diagramme représentant la caractéristique de réponse du champ magnétique au moment de l'écriture dans une mémoire MRAM; - la figure 18 est un schéma illustrant le principe de l'opération de lecture d'une mémoire MRAM; et - la figure 19 est une vue en plan représentant un agencement de cellule d'une mémoire MRAM du type 1T1J classique. On va maintenant décrire de façon détaillée des formes de réalisation préférées en référence aux dessins annexés. La figure 1 est une vue en coupe schématique mon- trant l'une des cellules de mémoire disposées dans une section d'une mémoire MRAM de type 1T1J conformément à une forme de réalisation préférée. A titre de commodité, la figure 1 représente des films 50 et 56 d'isolation entre couches, sans représentation des limites intercalaires et des hachures. Au-dessus de la cellule de mémoire, une ligne de bits d'écriture 13 et une ligne de bits de lecture 15 sont disposées moyennant l'interposition entre elles d'un film intercouches isolant 56, et un élément TMR 10C est disposé en position adjacente et au-dessous de la ligne de bits de lecture 15. En outre, des lignes de mots d'écriture 14, qui correspondent au second câblage mentionné précédemment, sont disposés dans des positions opposées au-dessous de l'élément TMR 10C, avec interposition entre elles d'une couche isolante 54, qui est la couche isolante mentionnée précédemment. D'autre part, au-dessous de la cellule de mémoire, un transistor à effet de champ électrique MOS de type n 18, qui est constitué par une électrode de drain 33 et une région de drain 34, une électrode de grille 16, un film isolant de grille 35, une région de source 36 et une électrode de source 37, est disposé dans une région de puits de type p 31 formée à l'intérieur d'un substrat semiconducteur en silicium de type p 30. L'électrode de grille 16 du transistor 18 est réalisée sous la forme d'une bande de manière à établir une connexion entre des cellules et sert également de ligne de mots de lecture 16. L'élec- trode de source 37 est connectée à une ligne de détection 17. Les points indiqués précédemment sont identiques à ceux d'une mémoire MRAM de type 1T1J classique représentée sur la figure 16. Le point différent est que dans la mémoire MRAM classique, le câblage de lecture 210 pour le raccordement de l'élément TMR 10A à l'électrode de drain 33 du transistor de lecture 18 est disposé dans la position décalée par rapport à une position située juste au-dessous de l'élément TMR 10A, alors que dans la mémoire MRAM de la présente forme de réalisation, un câblage de lecture 40 pour la connexion de l'élément TMR l0C à l'électrode de drain 33 du transistor de lecture 18 est disposé juste au- dessous de l'élément TMR l0C de manière à pénétrer dans la ligne de mots d'écriture 14. C'est pourquoi, en désignant par F une dimension minimale du câblage sur la base de la règle de conception, il existe la différence indiquée ciaprès en termes de dimension minimale dans la direction de la longueur d'une ligne de bits d'une cellule de mémoire. La dimension de la mémoire MRAM classique est fournie par addition d'une longueur F pour la disposition du câblage de lecture 210 dans la position décalée, à une longueur 3F nécessaire pour la mise en place de la ligne de mots d'écriture 14 et de la ligne de mots de lecture 16, et sa valeur est égale à 4F. Dans cette forme de réalisation préférée, cette longueur devient égale à 3F étant donné que l'addition due au déca- lage du câblage de lecture 210 est supprimée, et la zone minimale de la cellule de mémoire est 6F2. Cela permet une excellente vitesse d'accès et approximativement les trois quarts du degré d'intégration de la cellule dans la mémoire MRAM du type à points de croisement. On va décrire ci-après de façon plus détaillée la mémoire MRAM conforme à cette forme de réalisation préférée. La structure de base de l'élément TMR 10C est identique à celle de l'élément classique représenté sur les figures 11A et 11B. L'élément TMR 10C contient une couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2, dont la direction d'aimantation est inversée relativement aisément, et une couche magnétique fixe 4, dont la direction d'aimantation est fixée. Pour la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 et pour la couche magnétique fixe 4, on utilise un matériau ferromagnétique qui comprend principalement par exemple du nickel, du fer, du cobalt ou leurs alliages. Sinon, la couche magnétique fixe 4 peut être un film à couches multiples comportant un matériau antiferro- magnétique synthétique (SAF) (un film stratifié dans lequel un métal est intercalé entre des matériaux ferromagnétiques). La couche magnétique fixe 4 est placée en contact avec une couche antiferromagnétique 5, et la couche magné- tique fixe 4 possède une anisotropie magnétique unidirectionnelle grâce à l'interaction d'échange entre les deux couches. Le matériau de la couche antiferromagnétique 5 est par exemple un alliage de fer, de nickel, de platine, d'iridium ou de rhodium avec le manganèse ou un oxyde de cobalt ou de nickel. La couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 possède un axe d'aimantation facile parallèle à la direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4 (un axe de direction selon lequel un matériau ferromagnétique est aimanté facilement), et est susceptible d'être aimanté dans la direction parallèle ou antiparallèle par rapport à la direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4, de sorte que la direction d'aimantation est relativement aisément inversée entre les deux états. La couche magnéti- que libre (couche de mémorisation 2) est utilisée en tant que support de mémorisation d'information par le fait qu'elle comporte deux états de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2, qui est aimantée d'une manière "parallèle" et "antiparallèle" par rapport à la direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4, d'une manière associée à un élément "0" et "1" d'information. Entre la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 et la couche magnétique fixe 4 est disposée une couche formant barrière pour l'effet tunnel 3 formée d'un isolant qui est constitué d'un oxyde ou d'un nitrure d'aluminium, de magnésium, de silicium, etc. La couche formant barrière pour l'effet tunnel 3 sert à interrompre un cou-plage magnétique entre la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 et la couche magnétique fixe 4, et à faire passer un courant tunnel conformément à la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2. Une couche magnétique et une couche conductrice, qui constituent l'élément MR 10C, peuvent être obtenues principalement au moyen d'un procédé de pulvérisa- tion ou d'un procédé d'épitaxie à faisceau moléculaire (MBE). La couche formant barrière à effet tunnel 3 peut être obtenue par oxydation ou nitruration d'un film métallique formé au moyen du procédé de pulvérisation, sinon par formation d'une couche d'oxyde au moyen du procédé MBE ou du procédé de pulvérisation. Une couche de revêtement supérieur 1 a pour rôle d'empêcher une diffusion mutuelle entre l'élément TMR 10C et le câblage connecté à l'élément TMR 10C en réduisant la résistance de contact et en empêchant une oxydation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2. Le matériau de la couche de revêtement supérieure 1 est normalement formé de cuivre, de tantale, de nitrure de titane ou de titane. En plus de ce qui précède, l'élément TMR 10C pos- Bède une couche 9 de connexion de la ligne de bits, au-dessus de la couche de revêtement supérieure 1. La couche 9 de connexion de la ligne de bits est une couche conductrice destinée à établir une connexion électrique avec la ligne de bits de lecture 15. Le matériau de la ligne de bits de la couche 9 de connexion de la ligne de bits est normale-ment réalisé en tungstène ou en nitrure de titane. A la place de la couche d'électrode d'extraction de tête 6 dans l'élément TMR classique 10A, une couche formant barrière 8 destinée à être connectée au câblage de lecture 40 est disposée au-dessous de la couche antiferromagnétique 5. La couche formant barrière 8 a pour rôle d'empêcher une diffusion mutuelle entre l'élément TMR 10C et le câblage connecté à l'élément TMR 10C, et de réduire la résistance de contact. Le matériau de la couche formant barrière 8 est normalement du cuivre, du tantale, du nitrure de titane et du titane. Les lignes de mots d'écriture 14 sont disposées dans des positions opposées moyennant l'interposition d'une couche isolante 54 au-dessous de la couche formant barrière 8. La couche isolante 54 est formée par une couche d'oxyde d'aluminium (alumine) ayant une épaisseur de 50 nm par exemple. Un trou de connexion 25, qui est le trou de connexion mentionné précédemment, est formé de manière à pénétrer dans la couche isolante 54 et dans la ligne de mots d'écriture 14. Une broche de connexion de lecture 41 est formée par ensevelissement par exemple de tungstène dans le trou de connexion 25 et est isolée électriquement vis-à-vis de la ligne de mots d'écriture 14 par une paroi latérale isolante 42. La broche de connexion de lecture 41 est connectée à la couche formant barrière 8 de l'élément TMR 10C. La broche de connexion de lecture 41 forme le câblage de lecture 40 conjointement avec les plots d'impact de lecture 43, 45 et la broche de connexion de lecture 44 et est connectée électriquement à l'électrode de drain 33 du transistor de lecture 18 de l'élément TMR 10C, ce qui permet un fonctionnement permettant d'introduire le courant de lecture de l'élément TMR 10C dans la ligne de détection 17. Dans la cellule de mémoire ainsi configurée, l'écriture de l'information dans l'élément TMR 10C est exécutée en faisant passer un courant en direction de la ligne de bits d'écriture 13 et de la ligne de mots d'écriture 14 et en déterminant, en fonction du champ magnétique synthétique résultant des champs magnétiques générés par ces lignes, si la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 est "parallèle" ou "antiparallèle" par rapport à la direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4. Cette direction est alors associée à un "0" et à un "1" d'information. Dans le champ magnétique au niveau de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2, un champ magnétique dans la direction de l'axe d'aimantation facile HEA est appliqué par le courant d'écriture circulant dans la ligne de bits d'écriture 13, un champ magnétique dans la direction de l'axe d'aimantation difficile HHA est appliqué par le courant d'écriture circulant dans la ligne de mots d'écriture 14, et le champ magnétique synthétique résultant obtenu par la composition de synthèse de vecteurs de ces champs magnétique HEA et HHA est appliqué. La figure 17 représente une courbe en forme d'astéroïde montrant les conditions d'écriture de la mémoire MRAM et indique la valeur de seuil, pour laquelle l'inversion de la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 est provoquée par les champs magnétiques appliqués HEA et HHA. Lorsque le champ magnétique synthétique résultant représentant l'extérieur de cette courbe en forme d'astéroïde est généré, l'inversion d'aimantation est possible. Avec le champ magnétique synthétique résultant représentant l'intérieur de cette courbe en forme d'astéroïde, la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 ne peut pas être inversée d'un côté à l'autre. Dans la mémoire MRAM, l'écriture est réalisée par application de champs magnétiques HEA et HEA, dont uniquement l'un d'eux ne peut pas provoquer l'inversion de l'aimantation, de sorte que l'inversion du spin magnétique est générée uniquement dans une cellule de mémoire désignée moyennant l'utilisation de la caractéristique d'inversion d'aimantation sous forme d'astéroïde. De même dans des cellules autres que la cellule située au niveau du point d'intersection de la ligne de bits d'écriture 13 et de la ligne de mots d'écriture 14, par lequel un courant peut circuler, le champ magnétique généré uniquement par la ligne de bits d'écriture 13 ou par la ligne de mots d'écriture 14 est appliqué. Par consé- quent, lorsque leur amplitude respective n'est pas infé- rieure à un champ magnétique inversé unidirectionnel HK, la direction d'aimantation des cellules autres que la cellule située au niveau du point d'intersection est également inversée. Par conséquent, dans le champ magnétique généré uniquement par la ligne de bits d'écriture 13 ou par la ligne de mots d'écriture 14 par exemple, l'intensité du courant, qui peut circuler dans la ligne de bits d'écriture 13 et dans la ligne de mots d'écriture 14 est ajustée de telle sort que lechamp magnétique synthétique résultant se situe dans une région en gris 151(A) sur la figure 17, afin d'éviter l'inversion de la direction d'aimantation de la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2. La lecture d'une information est réalisée en utilisant l'effet TMR, dans lequel l'effet de résistance magnétique est appliqué. De façon spécifique le courant (courant d'effet tunnel) provenant de la ligne de bits de lecture 15 peut circuler entre la couche magnétique libre (couche de mémorisation) 2 et la couche magnétique fixe 4, entre lesquelles est interposée une couche formant barrière pour l'effet tunnel 2, et le courant de sortie correspondant à la valeur de la résistance mentionnée précédemment est extrait et introduit dans la ligne de détection 17 par l'intermédiaire du transistor à effet de champ électrique de lecture 18. Avec la structure, dans laquelle la broche de connexion de lecture 41 pénètre dans la ligne de mots d'écriture 14, il existe un risque que le champ magnétique devant être formé sur la couche magnétique libre 2 puisse varier en raison de l'influence de la broche de connexion de lecture 41 et de l'influence d'un écart d'alignement entre la broche de connexion de lecture 41 et la ligne de mots d'écriture 14. En tenant compte de ce point, on forme un trou traversant dans la ligne de mots d'écriture 14, et on trouve la relation entre la position, dans laquelle ce trou traversant est disposé, et la valeur du courant nécessaire pour l'inversion de l'aimantation, au moyen d'une simulation avec l'utilisation d'un logiciel "Micromag" (marque déposée), qui est un logiciel analytique. La figure 2A est une vue en perspective illustrant un modèle de calcul. Les figures 2B et 2C sont des graphiques représentant les résultats de calculs. L'élément TMR 10C est conformé sous la forme d'une ellipse ayant un grand axe de 0,26 pm et un petit axe de 0,13 pm. En désignant par D un écart entre le centre de l'élément TMR 10C et le centre du trou traversant, on a trouvé la relation entre l'écart D et la valeur du courant nécessaire pour l'inversion de l'aimantation. On a effectué le calcul pour deux cas, où l'intervalle entre la ligne de mots d'écriture 14 et l'élément TMR 10C est égal à 10 nm et à 100 nm. Les résultats sont représentés sur les figures 2B et 2C. En rapport avec ces deux cas, on a en outre effectué le calcul dans les conditions suivantes: en l'absence d'un trou traversant; lorsque le trou traversant possède un diamètre de 50 nm; et lorsque le trou traversant possède un diamètre de 80 nm. Les résultats de ces calculs sont disposés en chevauchement sur les graphiques et par conséquent ne peuvent pas être distingués les uns des autres. Il n'existe maintenant aucune différence significative entre les trois résultats de calcul obtenus en l'absence d'un trou traversant, lorsque le trou traversant possède un diamètre de 50 nm et lorsque le trou traversant possède un diamètre de 80 nm, et que même si l'écart D est modifié, le courant inverse est constant indépendamment de l'écart D, comme représenté sur les figures 2B et 2C, on peut en conclure que la broche de connexion de lecture 41 disposée sur la ligne de mots d'écriture 14 a une faible influence sur l'intensité du champ magnétique formé sur l'élément TMR 10C. Le déroulement des étapes de fabrication de la mémoire MRAM représentée sur la figure 1 va être décrit ci-après en référence aux vues en coupe schématique représentées sur les figures 3A à 3K. Etant donné que le processus allant jusqu'à l'étape de formation d'un câblage de sous-couche est le même que dans le cas classique, on expliquera ces pas d'une manière résumée. Tout d'abord par exemple, les transistors à effet de champ électrique MOS de lecture 18 et un film d'oxyde 22, tel qu'un isolant de tranchée peu profonde (STI) pour séparer les transistors 18, sont formés dans une région de puits 31 de type p d'un substrat en silicium 30 au moyen d'une technique connue des semiconducteurs. Ensuite, sur un film isolant empilé d'une manière superposée à ce qui précède, on forme un câblage de sous-couche. Par exemple, on peut former un câblage en cuivre conformément aux étapes indiquées ci-après. Comme film d'isolant entre couches, on dépose un film d'oxyde de silicium au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Puis on structure le film d'isolant entre couches au moyen d'une technique de photolithographie et on lui applique une corrosion à sec. Ensuite, en tant que couche formant barrière, on forme un film mince de tantale ou de nitrure de tantale sur l'ensemble de la surface du film d'isolant entre couches au moyen d'un procédé de pulvérisation, et on remplit une rainure de câblage et une partie d'ouverture avec du cuivre au moyen du procédé CVD ou d'un procédé de placage, puis on planarise la surface au moyen d'un procédé de polissage mécano-chimique (CMP). Lors de la formation d'un câblage en aluminium, on forme un film mince d'aluminium au moyen d'un procédé de pulvérisation ou à l'aide d'un procédé de dépôt, puis on le structure au moyen d'une technique de photolithographie ou bien par attaque chimique à sec. Sur la structure inférieure ainsi formée, on forme une structure supérieure telle que l'élément TMR 10C. A titre de simplification, les figures 3A à 3K illustrent uniquement la structure qui est située au-dessus d'un film isolant entre couches 51, où une broche de connexion de lecture 44 formée de tungstène est formée, et montre uni- quement la coupe transversale de parties importantes au voisinage de l'élément TMR 10C. Ici, on suppose qu'un flot d'impact de lecture 43 est déjà formé sur la broche de connexion de lecture 44. A titre de commodité, presque toutes les hachures du film d'isolant entre couches sont omises sur les figures 3A à 3K (il en va de même pour les suivantes). En référence à la figure 3A, on dépose un film d'oxyde de silicium sur une épaisseur de 1000 nm au moyen d'un procédé CVD à plasma haute densité. Ensuite on plana-rise ce film au moyen du procédé CMP et on forme une pellicule d'isolant entre couches 52 de telle sorte que le film d'oxyde de silicium possédant une épaisseur de 500 nm subsiste sur le plot d'impact de lecture 43. En référence à la figure 3B, on dépose successivement du titane (20 nm), du nitrure de titane (20 nm), un alliage aluminium-cuivre (300 nm), du titane (10 nm) et du nitrure de titane (100 nm), puis on les structure par attaque chimique avec une résine photosensible en tant que masque, en formant de ce fait une ligne de mots d'écriture 14. Ensuite, on dépose un film d'oxyde de silicium sur une épaisseur de 500 nm au moyen d'un procédé CVD à plasma haute densité, puis on le planarise au moyen du procédé CMP, de sorte que la surface de la ligne de mots d'écriture 14 est exposée, ce qui conduit à la formation d'un film d'isolant entre couches 53. En référence à la figure 3C, on dépose une couche isolante 54 formée d'oxyde d'aluminium (alumine) sur une épaisseur de 50 nm sur l'ensemble de la surface et on forme par-dessus une couche de résine photosensible. Puis on structure cette couche de résine photosensible de manière à former une résine photosensible 71 possédant une partie d'ouverture 72. En outre on applique un traitement thermique à la résine photosensible 71 entre 200 et 300 C, et la résine photosensible 71 est amenée à fluer et le diamètre de la partie d'ouverture 72 est réduit, ce qui conduit ainsi à la formation d'une résine photosensible 73 possédant une partie d'ouverture 74. Sur la figure 3C, la ligne en trait plein représente la forme en coupe transversale de la résine photosensible 71 et la ligne formée de tirets représente la forme en coupe transversale de la résine photosensible 73 après fusion. Sinon, le procédé de réduction de la partie d'ouverture de la résine photosensible peut être par exemple un procédé utilisant une formation de paroi latérale, qui est indiquée dans T. Toyoshima et al., International Electron Device Meeting Technical Digest, pp. 333-336 (1998) . En référence à la figure 3D, grâce à l'exécution d'une attaque chimique utilisant en tant que masque la résine photosensible 73 pourvu de la partie d'ouverture 74, dont le diamètre est réduit, la couche isolante 54, la ligne de mots d'écriture 14 et le film d'isolant entre couches (film d'oxyde de silicium 52) sont attaqués chimiquement d'une manière séquentielle en formant de ce fait un trou de connexion 25 qui atteint le plot d'impact de lecture 43. La résine photosensible est ensuite retirée sous atmosphère gazeuse oxydante. En référence à la figure 3E, on dépose le film d'oxyde de silicium sur une épaisseur de 20 nm au moyen d'un procédé CVD à plasma et on réalise une attaque chimique en retrait pour former, dans le trou de connexion 25, une paroi latérale isolante 42 constituée par le film d'oxyde de silicium. En référence à la figure 3F, on remplit le trou de connexion 25 avec la paroi latérale isolante 42 avec une couche de tungstène au moyen du procédé CVD, puis on plana-rise la surface au moyen du procédé CMP en formant de ce fait une broche de connexion de lecture 41. En référence à la figure 3G, on dépose séquen- tiellement au moyen du procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD) une couche formant barrière 8, une couche antiferromagnétique 5, une couche magnétique fixe 4, une couche formant barrière pour l'effet tunnel 3, une couche magnétique libre 2 et une couche de revêtement supérieure 1. Ici, on peut utiliser du nitrure de titane, du tantale ou du nitrure de tantale pour la couche formant barrière 8. On peut utiliser des alliages tels que fer-manganèse, nickel-manganèse, platine-manganèse et iridium-manganèse pour la couche antiferromagnétique 5. On peut utiliser du nickel/fer et/ou un alliage de cobalt pour la couche magné-tique fixe 4. La direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4 est fixée par une connexion commutée avec la couche antiferromagnétique 5. Normalement, on utilise de l'oxyde d'aluminium (alumine: Al203) pour la couche for- tuant barrière pour l'effet tunnel 3. Etant donné que ce film d'alumine est aussi mince que 0,5 à 5 nm, il est formé au moyen d'un procédé de dépôt de couche atomique (ALD) ou d'un procédé de dépôt d'aluminium par pulvérisation, suivi par une oxydation plasmatique. Comme la couche magnétique fixe 4, on peut utiliser du nickel/fer ou un alliage de cobalt pour la couche magnétique libre 2. La direction d'aimantation de cette couche peut être parallèle ou anti-parallèle par rapport à la direction d'aimantation de la couche magnétique fixe 4 en fonction de l'application d'un champ magnétique extérieur. La couche de revêtement supérieure 1 est formée par le même matériau que celui de la couche formant barrière 8. Ensuite, on dépose une couche 9 de connexion de lignes de bits, constituée par du tungstène ou du nitrure de titane, sur une épaisseur de 50 nm au moyen du procédé CVD. En référence à la figure 3H, on applique une attaque chimique aux films à couches multiples 9, 1 à 5 et 8, qui sont formés lors de l'étape illustrée sur la figure 3G, pour former l'élément TMR 10C. En référence à la figure 3I, on dépose un film d'isolant entre couches 55 constitué par de l'oxyde de silicium sur une épaisseur de 100 nm au moyen d'un procédé CVD à plasma. Puis on planarise la surface au moyen du procédé CMP de telle sorte que la couche 9 de connexion de la ligne de bits constituée par du tungstène ou du nitrure de titane est exposée. En référence à la figure 3J, on forme une ligne de bits de lecture 15 au moyen d'une technique de formation de câblage standard. Le matériau de la ligne de bits de lecture 15 est un alliage d'aluminium, du cuivre ou du nitrure de titane. En référence à la figure 3K, après le dépôt d'une couche d'isolant entre couches 56, on forme une ligne de bits d'écriture 13, le câblage d'un circuit périphérique (non représenté) et une région de plot de liaison (non représentée) au moyen d'une technique de formation de câblage standard. En outre, on dépose un film isolant 57 constitué d'un film de nitrure de silicium sur l'ensemble de la surface au moyen d'un procédé CVD à plasma, et on ouvre une partie de plots de liaison (non représentée), ce qui complète le processus de fabrication de la pastille pour la fabrication de la mémoire MRAM. Ainsi, avec la structure MRAM et le procédé de fabrication de cette structure conformément à la première forme de réalisation préférée, on peut supprimer la partie classique de câblage d'extraction, et on peut réduire la longueur dans la direction le long d'une ligne de bits. C'est pourquoi il est possible d'obtenir, en tant que zone d'une cellule de mémoire, une cellule dont la taille n'est pas supérieure à 8F2, F étant la dimension minimale du câblage sur la base d'une règle de conception. En outre, étant donné que l'élément TMR 10C requiert uniquement une attaque chimique en une seule étape, l'élément TMR peut être fabriqué par attaque chimique avec une précision relativement faible. On va décrire une seconde forme de réalisation préférée. Sur les figures 4A à 4E, les dessins de gauche sont des vues en plan montrant les étapes de fabrication d'une mémoire MRAM, possédant sensiblement la même struc- ture que la mémoire MRAM de la première forme de réalisation préférée, au moyen d'un procédé selon une seconde forme de réalisation préférée, et les dessins de droite sont des vues en coupe prises suivant la ligne A-A sur leurs vues en plan respectives. Ces dessins représentent le passage du même état que celui représenté sur la figure 3A jusqu'à l'état correspondant à la figure 3F. On ne donnera pas les descriptions des étapes suivantes étant donné qu'elles sont identiques à celles de la première forme de réalisation préférée. En référence à la figure 4A, on dépose un film d'oxyde de silicium sur une épaisseur de 1000 nm au moyen d'un procédé CVD à plasma haute densité. Ensuite on plana-rise ce film au moyen du procédé CMP, on forme un film d'isolant entre couches 52 de telle sorte que le film d'oxyde de silicium ayant une épaisseur de 500 nm subsiste sur un plot d'impact de lecture 43. En référence à la figure 4B, on dépose séquentiellement du titane (20 nm), du nitrure de titane (20 nm), un alliage aluminium-cuivre (300 nm), du titane (10 nm) et du nitrure de titane (100 nm), puis on structure l'ensemble par attaque chimique avec une résine photosensible en tant que masque, de manière à former une ligne de mots d'écriture 14, dans laquelle au niveau de la position de formation d'une broche de connexion de lecture 41 est formé un trou traversant possédant un diamètre intérieur légèrement supérieur au diamètre de la broche 41. Ensuite, on dépose un film d'oxyde de silicium sur une épaisseur de 500 nm au moyen du procédé CVD à plasma haute densité, puis on le planarise au moyen du procédé CMP de sorte que la surface de la ligne de mots d'écriture 14 est exposée, en formant ainsi un film d'isolant entre couches 53. En référence à la figure 4C, on dépose une couche isolante 54 formée d'oxyde d'aluminium (alumine) sur une épaisseur de 50 nm sur l'ensemble de la surface et on forme par-dessus une couche de résine photosensible. Puis on structure cette couche de résine photosensible pour former une résine photosensible 81 qui possède une partie d'ouverture 82 ayant le même diamètre intérieur que le trou traversant mentionné précédemment, et on recouvre la zone autre que la partie supérieure de ce trou traversant. En outre, on applique un traitement thermique à la résine photosensible 81 à 200 à 300 C, et on laisse la résine photosensible 81 fondre et le diamètre intérieur de la partie d'ouverture 82 est réduit, ce qui conduit à la formation d'une résine photosensible 83 possédant une partie d'ouverture 84, dont le diamètre intérieur est identique au diamètre de la broche de connexion de lecture 41. Sur la figure 4C, la ligne en trait plein représente la forme en coupe transversale de la résine photosensible 81, et la ligne formée de tirets représente la forme en coupe transversale de la résine photosensible 83 obtenue après fusion. Sinon, le procédé de réduction de la partie d'ouverture de la résine photosensible peut être par exemple le procédé mentionné précédemment utilisant la formation d'une paroi latérale. En référence à la figure 4D, en réalisant une attaque chimique moyennant l'utilisation d'un masque, à savoir la résine photosensible 83 pourvue de la partie d'ouverture 54 dont le diamètre est réduit, on applique une attaque chimique séquentielle à la couche isolante 54, à la ligne de mots d'écriture 14 et au film d'isolant entre couches (film d'oxyde de silicium) 52 en formant ainsi un trou de connexion 25 qui atteint un plot d'impact de lecture 43. On élimine ensuite la résine photosensible 83 sous atmosphère gazeuse oxydante. En référence à la figure 4E, on remplit le trou de connexion 25 par une couche de tungstène au moyen du procédé CVD, puis on planarise la surface au moyen du procédé CMP, en formant ainsi une broche de connexion de lecture 41. La seconde forme de réalisation préférée n'inclut pas l'étape de formation d'une paroi latérale dans une partie d'ouverture et par conséquent fournit l'avantage consistant en ce qu'il est facile de l'appliquer à une telle partie d'ouverture qui possède un faible diamètre intérieur et un rapport hauteur/largeur élevé, ce qui implique la difficulté de formation d'une paroi latérale. La seconde forme de réalisation préférée est par ailleurs sensiblement similaire à la première forme de réalisation préférée. Il va sans dire que l'on peut s'attendre à obtenir le même effet de fonctionnement que celui de la première forme de réalisation préférée. Par conséquent, avec la structure MRAM et le pro- cédé de fabrication de cette structure conformément à la seconde forme de réalisation préférée, on peut supprimer la partie de câblage d'extraction classique, et on peut réduire la longueur dans la direction d'une ligne de bits. C'est pourquoi il est possible de réaliser, en tant que zone d'une cellule de mémoire, une taille de cellule non supérieure à 8F2, F étant la dimension minimale du câblage sur la base d'une règle de conception. En outre, étant donné que l'élément TMR 10C ne requiert qu'une attaque chimique en une seule étape, l'élément TMR peut être fabri- qué par attaque chimique avec une précision relativement faible. Ci-après on va décrire une troisième forme de réalisation préférée. Sur les figures 5A à 5F, les dessins représentés à gauche sont des vues en plan montrant les étapes de fabrication d'une mémoire MRAM, possédant sensiblement la même structure que la mémoire MRAM de la première forme de réalisation préférée, à l'aide d'un procédé selon une troisième forme de réalisation préférée, et les dessins de droite sont des vues en coupe prise suivant la ligne A-A dans leurs vues en plan respectives. Ces dessins représentent les états allant du même état que celui représenté sur la figure 3B jusqu'à l'état correspondant à celui de la figure 3F. Les descriptions des étapes suivantes sont omises étant donné qu'elles sont identiques à celle de la première forme de réalisation préférée. Dans le troisième mode de mise en oeuvre préféré, un trou de connexion 25, qui atteint une portée ou un plot de lecture 43, n'est pas formé. Par exemple, un trou de connexion peut être formé de manière à atteindre une position, dans laquelle il pénètre dans une ligne de mots d'écriture 14. Dans cet état, une paroi latérale isolante est formée. Avec cette paroi latérale en tant que masque, on forme un trou de connexion de manière qu'il atteigne le plot de lecture 43. En référence à la figure 5A, sur un film d'isolant entre couches 52 constitué par un film d'oxyde de silicium formé au moyen d'un procédé CVD à plasma haute densité, on dépose successivement du titane (20 nm), du nitrure de titane (20 nm), un alliage aluminium-cuivre (300 nm), du titane (10 nm) et du nitrure de titane (100 nm), puis on le structure au moyen d'une attaque chimique avec une résine photosensible en tant que masque, de manière à former une ligne de mots d'écriture 14. Ensuite, on dépose un film d'oxyde de silicium sur une épaisseur de 500 nm au moyen d'un procédé CVD à plasma à haute densité, puis on le planarise au moyen du procédé CMP, de sorte que la surface de la ligne de mots d'écriture 14 est exposée, ce qui conduit à la formation d'un film d'isolant entre couches 53. En référence à la figure 5B, on dépose une couche isolante 54 formée d'oxyde d'aluminium (alumine) sur une épaisseur de 50 nm sur l'ensemble de la surface, et on forme par-dessus une couche de résine photosensible. Puis on structure cette couche de résine photosensible de manière à former une résine photosensible 91 possédant une partie d'ouverture 92. La partie d'ouverture 92 possède le même diamètre intérieur que le trou de connexion 25. En référence à la figure 5C, en réalisant une attaque chimique moyennant l'utilisation d'un masque, à savoir la résine photosensible 91, on applique successivement une attaque chimique à une couche isolante 54 et à la ligne de mots d'écriture 14, en formant ainsi un trou de connexion 26 qui atteint le film d'isolant entre couches 52. Puis on élimine la résine photosensible 91 sous atmosphère gazeuse oxydante. En référence à la figure 5D, on dépose un film de nitrure de silicium sur une épaisseur de 20 nm au moyen d'un procédé CVD à plasma, puis on applique une attaque chimique en retrait pour former, dans le trou de connexion 26, une paroi latérale isolante 46 constituée par le film de nitrure de silicium. En référence à la figure 5E, en utilisant en tant que masque la couche isolante 54 et la paroi latérale 46 formée par le film de nitrure de silicium, on applique une attaque chimique au film d'isolant entre couches 52 pour former un trou de connexion 25 qui atteint le plot d'impact de lecture 43. En référence à la figure 5F, on remplit le trou de connexion 25 par une couche de tungstène au moyen d'un procédé CVD, puis on planarise la surface au moyen du procédé CMP en formant ainsi la broche de connexion de lecture 41. Avec le troisième mode de mise en oeuvre préféré, bien qu'il comporte l'étape de formation de la paroi latérale dans la partie d'ouverture, la profondeur de la partie d'ouverture est inférieure à la moitié de celle présente lors du premier mode de mise en oeuvre préféré, ce qui facilite l'étape de formation de la paroi latérale. En outre, le troisième mode de mise en oeuvre préféré fournit l'avantage d'inclure une seule étape de formation de mas-que, contrairement à deux étapes pour la seconde forme de réalisation préférée. La troisième forme de réalisation préférée est par ailleurs sensiblement similaire à la première forme de réalisation préférée. Il va sans dire que l'on peut s'attendre à obtenir le même effet de fonctionne-ment que celui du premier mode de mise en oeuvre préféré. C'est pourquoi, avec la structure MRAM et le pro-cédé de fabrication de cette structure conformément au troisième mode de mise en oeuvre préféré, la partie de câblage d'extraction classique peut être supprimée et la longueur dans la direction d'une ligne de bits peut être réduite. C'est pourquoi il est possible de réaliser, en tant que zone d'une cellule de mémoire, une cellule d'une taille non supérieure à 8F2, F étant la dimension minimale du câblage conformément à la règle de conception. En outre, étant donné que l'élément TMR 10C requiert seulement une seule étape d'attaque chimique, l'élément TMR peut être fabriqué par attaque chimique avec une précision relative- ment faible. Ci-après on va décrire un quatrième mode de mise en oeuvre préféré. La figure 6 est une vue en plan représentant schématiquement une partie importante d'une mémoire MRAM conformément à un quatrième mode de mise en oeuvre préféré. Une ligne de mots d'écriture 14 de la figure 6 possède une partie en forme d'encoche 100 possédant la forme d'un rectangle. La ligne de mots d'écriture 14 est divisée en deux côtés par la partie en forme d'encoche 100. Un trou de connexion 25 est disposé entre les deux côtés. Une broche de connexion de lecture 41 est formée dans le trou de connexion 25. Sur les figures 7A à 7F, les dessins de gauche sont des vues en plan représentant des étapes de fabrica- tion d'une mémoire MRAM, présentant essentiellement la même structure que la mémoire MRAM du premier mode de mise en oeuvre, à l'aide d'un procédé conformément à un quatrième mode de mise en oeuvre préféré, et des dessins de droite sont des vues en coupe prises suivant la ligne A-A dans leurs vues en plan respectives. Ces dessins représentent un état allant du même état que celui représenté sur la figure 3B jusqu'à l'état correspondant à celui de la figure 3F. En référence à la figure 7A, sur un film d'isolant entre couches 52 constitué par un film d'oxyde de silicium formé au moyen d'un procédé CVD à plasma haute densité, on dépose successivement du titane (20 nm), du nitrure de titane (20 nm), un alliage aluminium-cuivre (300 nm), du titane (10 nm) et du nitrure de titane (100 nm), puis on structure l'ensemble par attaque chimique en utili- sant une résine photosensible en tant que masque, de manière à former une ligne de mots d'écriture 14. Ensuite, on dépose un film d'oxyde de silicium sur une épaisseur de 500 nm au moyen d'un procédé CVD à plasma haute densité, puis on le planarise au moyen du procédé CMP, de sorte que la surface de la ligne de mots d'écriture 14 est exposée, ce qui conduit à la formation d'un film d'isolant entre couches 53. En référence à la figure 7B, on dépose une couche isolante 54 formée d'oxyde d'aluminium (alumine) sur une épaisseur de 50 nm sur l'ensemble de la surface et on forme par-dessus une couche de résine photosensible. Puis on structure cette couche de résine photosensible de manière à former une résine photosensible 101 possédant une partie d'ouverture 102. Avec la résine photosensible 101 en tant que masque, on applique une attaque chimique séquentiellement à la couche isolante 54 et à la ligne de mots d'écriture 14 en formant ainsi la ligne de mots d'écriture 14 possédant la partie formant encoche rectangulaire 100. Puis on élimine la résine photosensible 101 sous atmosphère gazeuse oxydante. En référence à la figure 7C, on dépose un film de nitrure de silicium sur une épaisseur de 20 nm au moyen du procédé CVD à plasma, puis on effectue une attaque chimique en retrait pour former dans la partie formant encoche 100 une paroi latérale isolante 47 constituée d'un film de nitrure de silicium. En référence à la figure 7D, on remplit la partie formant encoche rectangulaire avec un film d'oxyde de silicium au moyen d'un procédé CVD à plasma haute densité, puis on planarise la surface au moyen d'un procédé CMP, de telle sorte que la surface de la ligne de mots d'écriture 14 est exposée, en formant ainsi une couche isolante 57. En référence à la figure 7E, on forme et on structure une couche de résine photosensible pour former une résine photosensible 103 possédant une partie d'ouverture 104 qui présente par exemple la forme d'une ellipse. Avec la résine photosensible 103 en tant que masque, on applique une attaque chimique successivement à la couche isolante 57 et à la couche d'isolant entre couches 52 pour former un trou de connexion 106 (nonreprésenté) possédant une coupe transversale ayant la forme d'une ellipse partiellement encochée. Puis on élimine la résine photosensible 103 par brûlage sous atmosphère gazeuse oxydante. En référence à la figure 7F, on dépose un film de tungstène au moyen d'un procédé CVD, puis on planarise la surface au moyen du procédé CMP en formant ainsi une broche de connexion de lecture 41. Conformément à la quatrième forme de réalisation préférée, après la formation de la paroi latérale isolante 47 sur la ligne de mots d'écriture 14, avec cette paroi latérale en tant que masque, on forme le trou de connexion 106 qui atteint la portée de plot de lecture 43. Ceci fournit l'avantage consistant en ce que le trou de connexion 106 est obtenu par attaque chimique avec une précision relativement faible. Bien que ce processus inclue l'étape de formation de la paroi latérale au niveau de la partie d'ouverture, la partie d'ouverture est formée d'un rectangle large, ce qui facilite la formation de la paroi latérale. En outre, étant donné que le trou de connexion 106 est formé après la formation de la partie d'ouverture large, le rapport hauteur/largeur du trou de connexion 106 devient petit, ce qui facilite sa formation. Par ailleurs, il existe le risque que la présence de la partie encochée 100 sur la ligne de mots d'écriture 14 réduise la surface en coupe transversale dans la région de la ligne de mots d'écriture 14, dans laquelle la partie formant encoche 100 est formée, et cette région possède une durée de vie plus faible que d'autres régions, en rapport avec l'électromigration. Cependant, avec le quatrième mode de mise en oeuvre préféré par exemple, le risque que la ligne de mots d'écriture 14 entraîne une fusion en raison de l'électromigration est réduit par la limitation de la région servant à disposer la partie en forme d'encoche 100 à une portion de la ligne de mots d'écriture 14. Le quatrième mode de mise en oeuvre préféré est par ailleurs sensiblement similaire au premier mode de mise en oeuvre préféré. Il va sans dire qu'on peut s'attendre au même effet opérationnel que celui du premier mode de mise en oeuvre préféré. De façon spécifique, avec la structure de mémoire MRAM et le procédé de fabrication de cette structure conformément au quatrième mode de mise en oeuvre préféré, la partie de câblage d'extraction classique peut être supprimée et la longueur dans la direction d'une ligne de bits peut être réduite. C'est pourquoi il est possible de réaliser, en tant que zone d'une cellule de mémoire, une cellule dont la taille n'est pas supérieure à 8F2, F étant la dimension minimale du câblage conformément à la règle de conception. En outre, étant donné que l'élément TMR 10C requiert une seule étape d'attaque chimique, l'élément TMR peut être fabriqué par attaque chimique avec une précision relativement faible. On va décrire ci-après un cinquième mode de mise en oeuvre préféré. La figure 8 est une vue en plan représentant schématiquement une partie importante d'une mémoire MRAM conformément à un cinquième mode de mise en oeuvre préféré. Dans ce mode de mise en oeuvre, une ligne de mots d'écriture 14 comprend deux ou plusieurs câblages. Un trou de connexion 25 est disposé entre les câblages et une broche de connexion de lecture 41 est formée à l'intérieur du trou de connexion 25. Cette forme est similaire à celle de la ligne de mots d'écriture dans la quatrième forme de réalisation préférée et peut être considérée comme étant la forme, dans laquelle la partie en forme d'encoche 100 du quatrième mode de mise en oeuvre préféré est agrandie dans la direction s'étendant suivant une ligne de bits, ce qui conduit à une connexion entre des cellules de mémoire. La ligne de mots d'écriture 14 est connectée, au niveau de sa partie d'extrémité, à un câblage de sous-couche d'une section de circuit périphérique. Une pluralité de câblages constituant la ligne de mots d'écriture 14 sont connectés de préférence électriquement entre eux au niveau de ce câblage de sous-couche. Sinon, ils peuvent être connectés entre eux dans la position d'une partie d'extrémité avant d'atteindre le câblage de sous-couche. Par exemple, la pluralité de câblage constituant la ligne de mots d'écriture 14 peut être obtenue au moyen de la formation d'une pluralité de câblages avec un pas minimum de répartition lors de la formation des câblages. Sinon, comme dans le quatrième mode de mise en oeuvre préféré, on forme tout d'abord un seul câblage, puis on le divise en une pluralité de câblages. Cependant, à ce stade, la division doit être exécutée sur l'ensemble de la ion- gueur de câblage. Après la formation de la pluralité de câblages, on forme un trou de connexion 25 et une broche de connexion de lecture 41 entre les câblages. Etant donné que ces étapes sont les mêmes que celles décrites en référence aux figures 7A à 7F dans le quatrième mode de mise en oeuvre préféré, on ne les donnera pas ici pour éviter une redite. Le cinquième mode de mise en oeuvre préféré est par ailleurs essentiellement similaire aux premier et quatrième modes de mise en oeuvre préférés. Il va sans dire que l'on peut s'attendre à obtenir le même effet opérationnel que celui obtenu avec le premier mode de mise en oeuvre préféré. De façon spécifique, avec la structure MRAM et son procédé de fabrication conformément au cinquième mode de mise en oeuvre préféré, on peut supprimer la partie de câblage d'extraction classique et on peut réduire la longueur dans la direction le long d'une ligne de bits. C'est pourquoi il est possible de réaliser, en tant que zone d'une cellule de mémoire, une cellule d'une taille non supérieure à 8F2, F étant la dimension minimale de câblage sur la base de la règle de conception. En outre, étant donné que l'élément TMR 10C ne requiert qu'une seule étape d'attaque chimique, l'élément TMR peut être fabriqué par attaque chimique avec une précision relativement faible. La description précédente illustre et décrit la présente invention sur la base des modes de mise en oeuvre préférés. Cependant on comprendra que dans le cadre de l'invention on peut utiliser différentes autres variantes entrant dans les limites du concept inventif. Par exemple le premier mode de mise en oeuvre préféré illustre le cas où la ligne de bits d'écriture 13 et la ligne de bits de lecture 15 sont disposées individuellement, mais les deux lignes peuvent se partager une ligne de bits 11, comme représenté sur la figure 9. En outre, la forme du trou de connexion 25 devant être formé dans la ligne de mots d'écriture 14 peut être un cercle ou une ellipse comme représenté respectivement sur les figures 10A et 10B. Sinon, une partie de ce trou peut pénétrer dans la ligne de mots d'écriture 14. On estime que les mémoires MRAM sont essentielles à l'ère de l'omniprésence, en tant que mémoire de grande taille non volatile et fonctionnant à grande vitesse. Elles sont appropriées pour des dispositifs électriques, en particulier des équipements de communication d'informations qui requièrent en outre une performance beaucoup plus élevée et une vitesse plus grande, une consommation d'énergie plus faible et une intégration plus grande. C'est le cas notamment pour des petits équipements personnels tels que des terminaux portables. REVENDICATIONS 1. Dispositif de mémoire magnétique, caractérisé en ce que: un élément (10A, 10B, 10C) à effet de résistance magnétique à effet tunnel est configuré au moyen de l'empilage d'une couche magnétique fixe (4), dont la direction d'aimantation est fixée, d'une couche (3) formant barrière pour l'effet tunnel et d'une couche magnétique libre (2), dont la direction d'aimantation est variable, dans cet ordre, et un second câblage (14) est disposé à l'opposé de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel moyennant l'interposition d'une couche isolante, sur le côté opposé à un premier câblage (15) connecté électriquement à l'élément (10A, 10B, 10C) à effet de résistance magnétique à effet tunnel, et un troisième câblage de lecture (41) connecté électriquement à l'élément (10A, 10B, 10C) à effet de résistance magnétique à effet tunnel sur le même côté que le second câblage (14) par rapport à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel est disposé dans un trou de connexion (25), qui est formé dans un état électriquement isolé avec le second câblage, tout en pénétrant dans au moins une partie d'une zone du second câblage (14). 2. Dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche isolante (42) est formée sur la paroi latérale du trou de connexion (25), et que le troisième câblage (41) est enseveli à l'intérieur de la couche isolante (42). 3. Dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le trou de connexion (25) pénètre dans la zone du second câblage (14). 4. Dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second câblage (14) est divisé au moins par l'élément de mémoire magnétique, sur les deux côtés du trou de connexion (25). 5. Dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est prévu un quatrième câblage (13) pour l'écriture, qui est isolé électriquement de l'élément (10A, 10B, 10C) à effet de résistance magnétique à effet tunnel sur le même côté que le premier câblage (15) par rapport à l'élément de résistance magnétique à effet tunnel. 6. Dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier câblage agit en tant que câblage pour la lecture et en tant que câblage pour l'écriture. 7. Dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier câblage (15) et le second câblage (14) sont disposés de manière à se croiser, et que l'élément (10A, 10B, 10C) à effet de 20 résistance magnétique à effet tunnel est disposé au niveau du point d'intersection. 8. Dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (3) formant barrière pour l'effet tunnel est intercalée entre la couche magnétique fixe (4) et la couche magnétique libre (2) de sorte qu'une information est écrite par aimantation de la couche magnétique libre dans une direction prédéterminée avec un champ magnétique induit par le passage d'un courant en direction du premier ou du quatrième câblage (13) et du second câblage (14), et que l'information écrite est lue au moyen du troisième câblage (41) par l'effet de résistance magnétique à effet tunnel par l'intermédiaire de la couche (3) formant barrière pour l'effet tunnel. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire magnétique, dans lequel un élément (10A, 10B, 10C) à effet de résistance magnétique à effet tunnel est configuré au moyen de l'empilage d'une couche magnétique fixe (4), dont la direction d'aimantation est fixée, d'une couche (3) formant barrière pour l'effet tunnel et d'une couche magnétique libre (2), dont la direction d'aimantation est variable, dans cet ordre, et un second câblage (14) est disposé à l'opposé de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel moyennant l'interposition d'une couche isolante, sur le côté opposé à un premier câblage (15) connecté électriquement à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel, et un troisième câblage de lecture (41) connecté électriquement à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel sur le même côté que le second câblage (14) par rapport à l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel est disposé dans un trou de connexion (25), qui est formé dans un état électriquement isolé avec le second câblage (14), tout en pénétrant dans au moins une partie d'une zone du second câblage, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes sui-25 vantes: une étape de formation du second câblage (14), une étape de formation du trou de connexion (25) qui pénètre au moins dans la partie de la zone du second câblage, et une étape de formation du troisième câblage (41) dans le trou de connexion dans un état électriquement isolé avec le second câblage. 10. Procédé de fabrication du dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 9, caractérisé en 35 ce qu'on forme une couche isolante (42) sur la paroi latérale du trou de connexion (25), et qu'on ensevelit le troisième câblage (41) à l'intérieur de la couche isolante (42). 11. Procédé de fabrication du dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 9, caractérisé en ce que le trou de connexion (25) pénètre dans la zone du second câblage (14). 12. Procédé de fabrication du dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 9, caractérisé en ce que le second câblage (14) est divisé au moins par l'élément de mémoire magnétique, sur les deux côtés du trou de connexion (25). 13. Procédé de fabrication du dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il est prévu un quatrième câblage (13) pour l'écriture, qui est isolé électriquement de l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel sur le même côté que le premier câblage par rapport à l'élément de résistance magnétique à effet tunnel. 14. Procédé de fabrication du dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 9, caractérisé en ce que le premier câblage agit en tant que câblage pour la lecture et en tant que câblage pour l'écriture. 15. Procédé de fabrication du dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 9, caractérisé en ce que le premier câblage (15) et le second câblage (14) sont disposés de manière à se croiser, et que l'élément à effet de résistance magnétique à effet tunnel est disposé au niveau du point d'intersection. 16. Procédé de fabrication du dispositif de mémoire magnétique selon la revendication 9, caractérisé en ce que la couche (3) formant barrière pour l'effet 35 tunnel est intercalée entre la couche magnétique fixe (4) et la couche magnétique libre (2) de sorte qu'une information est écrite par aimantation de la couche magnétique libre dans une direction prédéterminée avec un champ magnétique induit par le passage d'un courant en direction du premier ou du quatrième câblage et du second câblage, et que l'information écrite est lue au moyen du troisième câblage (41) par l'effet de résistance magnétique à effet tunnel par l'intermédiaire de la couche (3) formant barrière pour l'effet tunnel.