FR 2871939 A1 20051223 FR 0451293 A 20040618 B 14750.3 ALP 1 2871939 AGENCEMENT AMELIORE DES COMPOSANTS D'UN PIXEL OLED DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La présente invention concerne un dispositif microélectronique permettant d'émettre un rayonnement lumineux et pouvant être utilisé par exemple pour former une matrice de pixels améliorés d'afficheurs ou d'écrans de type OLED (OLED pour Organic Light Emission Displays , en français afficheurs organiques électroluminescents). Les écrans de type OLED sont des écrans plats utilisant la propriété de luminescence de diodes organiques OLED. Pour régler la luminescence d'une diode OLED associée à un pixel d'écran ou d'afficheur, un dispositif d'adressage en courant, intégré au pixel est généralement prévu. Un exemple suivant l'art antérieur d'un tel dispositif d'adressage associé à une diode électroluminescente 10, de type OLED (OLED pour Organic Light Emission Diode ) est illustré sur la figure 1. Cet exemple de dispositif d'adressage comporte tout d'abord un premier transistor couche mince ou TFT (TFT pour thin film transistor ) noté 11, fonctionnant comme un interrupteur, et dont l'ouverture ou la fermeture est contrôlée par un signal de sélection par exemple sous forme d'une tension notée vlin appliquée sur la grille de ce dernier. Le dispositif d'adressage comporte en outre 30 au moins un second transistor couche mince ou TFT noté 12 permettant de produire un courant id à l'entrée de la diode électroluminescente 10, en fonction d'une tension de réglage vdat, le courant id provoquant l'émission d'un rayonnement par la diode 10. La tension de réglage vdat est fonction d'une valeur d'intensité lumineuse ou de luminance à laquelle on souhaite fixer le rayonnement émis par la diode 10. Pour une certaine valeur du signal de sélection vlin, le premier transistor 11 peut être mis dans un état fermé . La tension de réglage vdat est alors appliquée sur le drain du premier transistor couche mince 11, et transmise sur la grille du second transistor couche mince 12 reliée à la source du premier transistor 11, le second transistor 12 émettant alors le courant id à l'entrée de la diode électroluminescente 10. Le second transistor 12 joue ainsi le rôle de modulateur de courant à l'entrée de la diode 10. Afin de bénéficier d'un maximum de stabilité en courant et d'un minimum de sensibilité aux fluctuations de tension entre son drain et sa source, le second transistor 12 est généralement polarisé en régime de saturation, par une tension de polarisation notée Vdd par exemple de l'ordre de +16V, appliquée sur le drain du second transistor 12. Dans un dispositif d'adressage de pixel d'écran ou d'afficheur du type de celui qui vient d'être décrit, le premier transistor 11 et le second transistor 12 peuvent être des transistors de type TFT (TFT pour Thin Film Transistor en français transistor couche mince), formés par exemple d'une couche active à base de silicium amorphe ou de silicium polycristallin. Selon une variante, décrite notamment dans le document EP 1193741 A2, le transistor modulateur de courant 12 d'un tel dispositif d'adressage peut être éventuellement remplacé par deux transistors de drain commun polarisés par la tension +Vdd, et dont les sources respectives sont reliées à une électrode de la diode électroluminescente 10. Comme cela est décrit dans ce document, cette variante peut permettre d'améliorer le rendement du procédé de fabrication des matrices de pixels OLED, le rendement étant défini dans ce cas par le rapport entre le nombre de circuits utilisables à la fin du procédé de fabrication et le nombre total de circuits initialement soumis au procédé de fabrication. Le dispositif d'adressage comprend également un condensateur 13, dit de stockage , prévu pour permettre de retenir le signal de réglage vdat, lorsque ce signal est transmis sur la grille du second transistor couche mince 12. Le condensateur 13 est généralement agencé de manière à ce qu'une de ses électrodes notée 14 est reliée à la grille du transistor 12 modulateur de courant et à la source du premier transistor 11 interrupteur, tandis que l'autre électrode 15 est à un potentiel fixe. Cette masse est généralement assuré par une le rôle est, comme le décrivent document précité et le document EP 1298634, dédié uniquement à la polarisation de ladite reliée à une masse ou ou ce potentiel fixe ligne ou un bus, dont par exemple le seconde électrode du condensateur de stockage Cs. Dans une matrice de pixels, l'agencement des lignes ou des bus servant à polariser les condensateurs de stockage Cs des différents pixels, est généralement tel que ces lignes ou ces bus croisent d'autres lignes permettant par exemple d'acheminer les signaux de données ou les signaux de polarisation des moyens modulateurs de courant peuvent être source de bruit également appelé cross talk . Pour palier à des phénomènes de fuite des transistors 11 et 12 dans ce type de dispositif, la valeur de capacité du condensateur 13 est généralement élevée et induit un encombrement important de ce dernier. Cet encombrement peut limiter le taux d'ouverture ( aperture ratio ) des pixels. La polarisation de la seconde électrode du condensateur de stockage Cs par une ligne spécifique et l'encombrement que génère ce condensateur rendent par ailleurs délicat l'agencement des différents composants du pixel les uns par rapport aux autres. On cherche continuellement à optimiser l'agencement des composants et à réduire la taille du dispositif d'adressage par rapport à celui des moyens électroluminescents dans ce type de circuit. Ainsi, il se pose le problème d'améliorer les performances des pixels d'écrans ou d'afficheurs, par exemple de type OLED, notamment en terme de taux d'ouverture. Il se pose également le problème d'améliorer les performances électriques du dispositif d'adressage de tels pixels. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention propose un dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux doté d'une matrice comportant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant: - des moyens électroluminescents, aptes à émettre un rayonnement lumineux en fonction d'un courant reçu en entrée, - des moyens modulateurs de courant aptes à moduler en fonction d'un signal de réglage acheminé par une ligne de données ledit courant en entrée des moyens électroluminescents, - des moyens interrupteurs reliés à ladite ligne de données, aptes à transmettre ou non ledit signal de réglage aux moyens modulateurs de courant en fonction d'un signal de sélection, - une ligne de sélection reliée aux moyens interrupteurs apte à acheminer ledit signal de sélection vers les moyens interrupteurs, - une ligne de polarisation reliée aux moyens modulateurs de courant, apte à acheminer un signal de polarisation des moyens modulateurs de courant, - un condensateur de stockage, apte à retenir ledit signal de réglage en entrée des moyens modulateurs de courant et comprenant une première électrode reliée aux moyens modulateurs de courant, la seconde électrode du condensateur étant reliée à une autre ligne de sélection d'un autre pixel de la matrice ou à ladite ligne de polarisation. Lesdits moyens électroluminescents peuvent comprendre une électrode formée d'au moins une couche de nature organique. Ladite matrice peut être alors une matrice de pixels OLED. Lesdits moyens interrupteurs peuvent comprendre au moins un transistor couche mince. Les moyens modulateurs de courant peuvent quant à eux comprendre au moins un transistor couche mince. Selon une variante, les moyens modulateurs de courant peuvent comprendre un premier transistor couche mince et un second transistor couche mince partageant une région de drain commun. Dans une matrice de pixels suivant l'invention, contrairement aux dispositifs de l'art antérieur, ladite seconde électrode du condensateur n'est pas reliée à une ligne ou à un bus dont le rôle est spécifiquement et uniquement dédié à la polarisation de cette dernière, mais à une ligne ayant une autre fonction, par exemple celle d'acheminer le signal de sélection (SL') d'un autre pixel, ou par exemple celle de polariser les moyens modulateurs de courant dudit pixel. Cela peut permettre notamment, de faciliter l'agencement des composants dudit pixel, ainsi qu'un gain de place au sein de chaque pixel de la matrice. Ce gain de place peut permettre d'obtenir des pixels de taille réduite ou/et d'améliorer le taux d'ouverture ( aperture ratio ) de chacun desdits pixels. Cela peut permettre également de diminuer le nombre de croisements entre lignes susceptibles d'acheminer un signal électrique au sein d'un même pixel, et ainsi de diminuer les interférences de type cross talk pouvant être générées par ces croisements Dans le cas où la seconde électrode du condensateur est reliée à une autre ligne de sélection d'un autre pixel, ledit autre pixel peut être un pixel voisin dudit pixel, par exemple situé sur une même rangée verticale de la matrice de pixels que ce dernier. Le condensateur de stockage peut être en contact avec ladite autre ligne de sélection dudit pixel voisin sur une distance d'au moins 50 pm ou la moitié de la largeur du pixel. Le condensateur de stockage peut prendre plusieurs formes. Selon un mode de réalisation avantageux, ce dernier peut comprendre une partie située entre la ligne de polarisation et les moyens électroluminescents et une autre partie située entre les moyens électroluminescents et ladite ligne de sélection dudit autre pixel. Selon un mode de réalisation particulier du dispositif suivant l'invention, ledit condensateur de stockage peut avoir une forme en L, ce qui peut permettre notamment de faciliter l'agencement des composants au sein de chaque pixel. Cette forme particulière peut permettre également lorsqu'une des barres formant le L' est en contact avec et parallèle à la ligne de sélection d'un autre pixel, d'obtenir un condensateur de stockage ayant de bonnes propriétés électriques. Dans une matrice de pixels suivant l'invention, le condensateur de stockage peut être éventuellement formé de deux condensateurs mis en parallèles. 8 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 illustre un schéma électrique d'un pixel OLED suivant l'art antérieur, - les figures 2 et 3 illustrent des schémas 10 électriques d'exemples de matrice de pixels suivant l'invention, - la figure 4 illustre un exemple d'empilement de couches comprises dans une matrice de pixels suivant l'invention, - les figures 5A, 5B, 5C, 5D illustrent les motifs de différentes couches d'un tel empilement, - la figure 6 illustre un autre empilement de couches comprises dans une variante de matrice de pixels suivant l'invention, - les figures 7A, 7B, 7C, illustrent les motifs de différentes couches d'un tel autre empilement, - la figure 8 illustre un autre exemple d'empilement de couches comprises dans une autre variante matrice de pixels OLED suivant l'invention. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. 20 EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Un dispositif microélectronique mis en oeuvre suivant l'invention va à présent être décrit en liaison avec la figure 2. Ce dispositif comprend une matrice de m (avec m un entier) lignes ou rangées horizontales (suivant la direction de l'axe i d'un repère orthogonal [0;1;j] défini sur cette figure) et p (avec p un entier) colonnes ou rangées verticales (suivant la direction d'un axe j du repère orthogonal [0;i;j]) de pixels ou cellules de type OLED (OLED pour Organic Light Emission Display ). Sur la figure 2, on distingue notamment un pixel P comprenant tout d'abord des moyens électroluminescents de nature organique par exemple une diode de type OLED (OLED pour Organic Light Emission Diode ) que l'on notera OEL. La diode GEL est apte à émettre un rayonnement lumineux en fonction d'un courant qui lui est fourni en entrée par des moyens modulateurs de courant, par exemple sous forme d'un premier transistor couche mince TFT2a et d'un second transistor couche mince noté TFT2b. Les régions de sources respectives du premier transistor couche mince TFT2a et du second transistor couche mince noté TFT2b sont chacune connectées à l'anode de la diode OEL. Les moyens modulateurs de courant sont polarisés par une tension de polarisation +Vdd par exemple de +16V, acheminée par une ligne de polarisation notée PL reliée à une région de drain commune aux transistors TFT2a et TFT2b. Dans cet exemple, la ligne de polarisation PL s'étend dans la même direction que celle des rangées verticales de la matrice de pixels. La ligne de polarisation PL peut être partagée par plusieurs pixels appartenant à la même rangée verticale que le pixel P, voire à l'ensemble des pixels appartenant à la même rangée verticale de la matrice que le pixel P. Le courant émis depuis les moyens modulateurs de courant TFT2a et TFT2b vers la diode OEL du pixel P, dépend notamment d'une tension de réglage vdat acheminée par une ligne que l'on notera DL et que l'on nommera ligne de données . Cette ligne de données DL s'étend dans cet exemple, dans la direction des rangées verticales de la matrice. La ligne de donnée DL peut être partagée par plusieurs pixels, voire par l'ensemble des pixels appartenant à la même rangée verticale que le pixel P. La ligne de données DL est reliée à des moyens interrupteurs, qui prennent la forme par exemple d'un transistor couche mince noté TFT1. Le transistor TFT1 permet de transmettre ou non sur la grille du transistor TFT2a et sur la grille du transistor TFT2b, la tension de réglage vdat, en fonction d'un signal dit de sélection noté vsel. Le signal de sélection vsel est appliqué par exemple sur la grille du transistor TFT1. La tension de sélection vsel du pixel P est acheminée par une ligne dite de sélection , notée SL, qui s'étend dans cet exemple, dans la même direction que celle des rangées horizontales de la matrice. La ligne de sélection SL peut être partagée par plusieurs pixels, voire par l'ensemble des pixels appartenant à la même rangée horizontale que le pixel P. Ainsi, dans cet exemple les pixels de la matrice sont adressés, rangée horizontale par rangée horizontale. Le pixel P comprend en outre un condensateur dit de stockage Cs, qui permet de retenir le signal de réglage vdat, lorsque ce signal est transmis aux moyens modulateurs de courant TFT2a et TFT2b. Le condensateur Cs est agencé de manière à ce qu'une de ses électrodes est reliée aux grilles respectives des transistors modulateurs TFT2a et TFT2b, tandis que la seconde électrode est reliée à une ligne ou à un bus jouant le rôle de ligne de masse ou de potentiel fixe. La ligne ou le bus relié(e) à la seconde électrode du condensateur Cs, correspond dans cet exemple à une ligne de sélection SL' d'un autre pixel P', voisin du pixel P et situé sur la même rangée verticale que ce dernier. La ligne de sélection SL' appartenant au pixel voisin P' permet d'acheminer un signal de sélection dudit pixel voisin P'. Dans cet exemple de matrice, les pixels étant adressés rangée horizontale par rangée horizontale, lorsqu'on modifie l'intensité lumineuse de la diode OEL associée au pixel P, la ligne de sélection SL achemine le signal de sélection vsel au pixel P, tandis que l'autre ligne de sélection SL' dudit pixel voisin P' est inactive et n'achemine pas de signal de sélection. P' est de préférence le pixel voisin de la ligne précédemment adressée. En effet, si P' est adressé après P, la charge aux bornes de la capacité Cs risque d'être modifiée pendant l'adressage de la ligne qui lui sert d'électrode. L'autre ligne de sélection SL' peut alors jouer le rôle de masse pour la seconde électrode du condensateur Cs. Lorsque SL' est inactive elle est maintenue à un potentiel fixe, par exemple compris entre -2 V et + 2 V, généralement voisin de 0V. Dans cet exemple, contrairement aux matrices de pixels OLED suivant l'art antérieur, il n'est pas fait usage pour un pixel donné, d'une ligne ou d'un bus dont le rôle est uniquement et spécifiquement dédié à la polarisation de la seconde électrode du condensateur de stockage Cs. Cette polarisation est, dans cet exemple, assurée par la ligne de sélection SL' dudit pixel voisin P', laquelle a également pour rôle d'acheminer le signal de sélection dudit pixel voisin P'. Selon une variante de l'exemple de dispositif précédemment décrit, les transistors TFT2a et TFT2b de drain commun peuvent être éventuellement remplacés par un seul transistor couche mince, dont le drain est polarisé par la ligne PL, la source est reliée à l'anode des moyens électroluminescents OEL, et la grille reliée à la première électrode du condensateur de stockage. La figure 3 représente une variante de l'exemple de dispositif précédemment décrit. Le condensateur de stockage compris dans chaque pixel de la matrice et notamment dans le pixel P, est cette fois noté C " s et comprend tout d'abord une première électrode reliée aux grilles des transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b, et une seconde électrode reliée à la ligne de polarisation PL du pixel P. Dans cet exemple, comme dans l'exemple précédemment décrit, il n'est pas fait usage pour un pixel donné, d'une ligne ou d'un bus dont le rôle est uniquement et spécifiquement dédié à la polarisation de la seconde électrode du condensateur de stockage. Cette polarisation est assurée par la ligne PL qui permet par ailleurs d'acheminer le signal de polarisation des transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b. La ligne de polarisation PL étant maintenue à un potentiel fixe par exemple de l'ordre de +16V, les niveaux des tensions utilisés pour les tensions de réglage vdat et de sélection vsel du pixel P, seront différents de ceux utilisés dans l'exemple précédemment décrit en liaison avec la figure 2. Typiquement vdat est de l'ordre de 10V et vsel de l'ordre de 15 V. La figure 4 représente un empilement technologique en vue de dessus d'une partie d'une matrice de cellules ou de pixels OLED (OLED pour organic light-emitting display ) du type de celle précédemment décrite en liaison avec la figure 2. On distingue notamment dans la représentation de cet empilement, le pixel P délimité de chaque côté par des bus ou des lignes permettant d'acheminer des signaux électriques. Le pixel P est délimité notamment par une ligne notée 112 lui appartenant et par une autre ligne notée 312 appartenant à un pixel voisin P" situé sur une même rangée horizontale de la matrice que le pixel P. Les lignes 112 et 312 s'étendent dans une direction parallèle à l'axe j d'un repère orthogonal [0;i;j] défini sur la figure 4, qui correspond à la même direction que celle des rangées verticales de la matrice. Les lignes 112 et 312 correspondent respectivement à la ligne de données DL apte à acheminer le signal de réglage vdat du pixel P, et à une ligne de données notée DL" apte à acheminer le signal de réglage du pixel voisin P". Le pixel P est par ailleurs délimité par une autre paire de lignes dont une notée 106 lui appartient et dont une autre notée 206 appartient à un autre pixel voisin P' situé sur une même rangée verticale de la matrice que le pixel P. Les lignes 106 et 206 s'étendent dans une direction parallèle à l'axe i du repère orthogonal [0;1;j], correspondant à la même direction que celle des rangées verticales de la matrice. Les lignes 106 et 206 correspondent respectivement à la ligne de sélection SL apte à acheminer le signal de sélection vsel du pixel P et à une autre ligne de données SL' apte à acheminer le signal de sélection vsel' du pixel voisin P'. Dans cet exemple l'agencement du pixel P est tel que le transistor commutateur TFT1, est placé à proximité d'un croisement entre la ligne de données DL et la ligne de sélection SL, ainsi qu'à proximité des transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b. Les transistors TFT2a et TFT2b quant à eux sont placés entre une zone de forme rectangulaire notée 140, qui correspond à une électrode de la diode électroluminescente OEL, et une ligne notée 128, qui s'étend dans une direction parallèle à l'axe j du repère [0;ï ;j], et qui correspond à la ligne de polarisation PL desdits transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b. Le condensateur de stockage du pixel P épouse quant à lui la forme de l'électrode 140 de la diode électroluminescente. Ce condensateur de stockage Cs comporte une première portion située entre l'électrode 140 de la diode électroluminescente et la ligne de polarisation PL, et une seconde portion située entre la ligne de sélection SL' dudit pixel voisin P' et l'électrode 140 de la diode électroluminescente. Ledit empilement technologique est formé notamment d'une couche active, par exemple à base de polysilicium, dont les motifs sont par ailleurs représentés en vue de dessus sur la figure 5A. Dans une zone notée 100 de cette couche active, sont formées notamment une région de drain 100a, ainsi qu'une région de source 100b du transistor de commutation TFT1. Dans une autre respectivement une région transistor modulateur dezone notée 102, sont formées de source 102a du premier courant TFT2a, une autre région de source 102b du second de courant commune au de courant. TFT2b, ainsi qu'une premier et au second transistor modulateur région de drain 102c transistor modulateur Une autre zone de la couche active notée 104, prenant la forme d'un correspond quant à elle à une première électrode du condensateur de stockage Cs. Cette première électrode est recouverte d'un isolant (non représenté) par exemple à base de SiO2, qui peut être formé dans la même couche que l'isolant de grille respectivement des transistors TFT1, TFT2a et TFT2b. Une couche à base de matériau de grille, par exemple de l'aluminium, surmonte ledit isolant de grille et du condensateur Cs. Les motifs de cette couche à base de matériau de grille sont représentés en figure 5B et comprennent notamment la ligne 106, qui correspond à ladite ligne de sélection SL du pixel P. Des zones juxtaposées notées 107a, 107b, 107c, sont chacune reliées à la ligne 106. Comme le montre l'empilement de la figure 4, ces zones juxtaposées 107a, 107b, 107c recouvrent une portion de la zone 100 de la couche active (figure 5A) et forment une structure multi-grille pour le transistor de commutation TFT1. La couche à base de matériau de grille comprend également des parties 108 et 109, qui, comme le montre l'empilement de la figure 4, recouvrent des portions de la zone 102 de la couche active, qui correspondent respectivement à la grille du premier transistor de commutation TFT2a et à la grille du second transistor de commutation TFT2b. Une autre zone de la couche de matériau de grille, prenant la forme d'un L' et notée 110 sur la figure 5B correspond quant à elle à la seconde électrode du condensateur de stockage Cs. Cette seconde électrode est reliée à la ligne notée 206 qui correspond à la ligne de sélection SL' dudit pixel voisin P'. La ligne 206 sert de ligne de potentiel fixe ou de ligne de masse pour la seconde électrode du condensateur. Ainsi, contrairement aux structures de matrices de pixels OLED suivant l'art antérieur, le pixel suivant l'invention ne comprend pas de ligne ou de zone dont le rôle est spécifiquement dédié à celui de ligne de masse ou de potentiel fixe pour la seconde électrode du condensateur de stockage. Dans cet exemple c'est la ligne 206 qui joue ce rôle et qui sert également de ligne de sélection SL' du pixel voisin P'. Une partie notée 110a de la zone 110, s'étend dans une direction parallèle à l'axe i du repère [O;i;j] et constitue la barre horizontale du Cette partie 100a a une longueur dl qui peut être de l'ordre de 50}un, par exemple 58 pin et qui se trouve en contact avec la ligne de sélection SL' du pixel voisin P', sur une distance égale à la distance dl. La distance de contact entre la seconde électrode du condensateur Cs et la ligne de sélection SL' du pixel voisin pourra varier suivant la forme du condensateur Cs. La distance de contact entre la seconde électrode du condensateur et la ligne de sélection SL' peut être comprise par exemple entre 10 pin et 90}un pour un pixel par exemple de dimensions 120 pm * 360 pin ou être par exemple d'au moins 1/5 ème de la largeur du pixel et d'au plus 4/sème de la largeur du pixel. La zone 110 formant la seconde électrode du condensateur Cs peut avoir une surface, par exemple de l'ordre de 3300 pam2 pour une capacité du condensateur de l'ordre de 1,2 pF. Une autre partie notée 110b de cette zone constitue la barre horizontale du et s'étend dans une direction parallèle à l'axe j du repère [O;T;J]. Cette partie 100b a une longueur d2 qui peut être de l'ordre de 60 pm, par exemple 67 pin. Un pixel mis en oeuvre suivant l'invention n'est pas limité à une forme en Cette forme en L' permet de maintenir une distance de contact importante entre la seconde électrode du condensateur et la ligne de sélection SL' du pixel voisin P' et d'avoir un condensateur de stockage Cs ayant de bonnes propriétés électriques, tout en limitant l'encombrement de ce dernier. Une couche à base de matériau diélectrique (non représentée), par exemple à base de SiO2 repose sur la couche à base de matériau de grille 111. Pardessus ladite couche à base de matériau diélectrique se trouve une couche métallique dont les motifs sont représentés en figure 5C. Dans cette couche métallique, par exemple à base de molybdène, est formée la ligne 112 qui correspond à la ligne de données DL du pixel P. Un noeud noté 114 appartenant à cette ligne de données DL, est relié électriquement, par l'intermédiaire d'un contact vertical ou via noté 115 à la région de drain du transistor TFT1. Un second noeud 116, également formé dans la couche métallique, peut permettre d'assurer une connexion, entre la région de source du transistor de commutation TFT1 et la grille 108 du premier transistor modulateur de courant TFT2a, par l'intermédiaire de contacts verticaux ou vias notés 117 et 118. Dans cette même couche de métal, un troisième noeud de connexion noté 120 permet, par l'intermédiaire de contacts verticaux ou vias notés 121 et 122, de relier électriquement la région de source du premier transistor modulateur de courant TFT2 et la zone notée 140 servant d'anode pour la diode électroluminescente OEL. Un quatrième noeud de connexion noté 124 permet quant à lui, par l'intermédiaire de contacts verticaux notés 121 et 122, de relier électriquement la région de source du second transistor modulateur de courant TFT2b avec la zone 140 d'anode de la diode OEL. Un cinquième noeud de connexion noté 128, également formé dans la couche de métal, a pour rôle d'assurer une connexion entre la première électrode du condensateur Cs et la région de grille du transistor modulateur de courant TFT2a, par l'intermédiaire de contacts verticaux 129 et 130. Dans la couche métallique est également formée la ligne notée 131, qui correspond à la ligne de polarisation PL des transistors modulateurs de courant TFT2a et TFT2b. Par l'intermédiaire d'un contact vertical 133, un noeud de connexion noté 132, appartenant à cette ligne de polarisation PL est relié électriquement à la région de drain commune aux transistors TFT2a et TFT2b. L'empilement technologique peut comprendre en outre une couche de passivation, par dessus la couche métallique représentée en figure 5B, ainsi qu'une autre couche représentée en figure 5D, surmontant la couche de passivation et dans laquelle est réalisée la zone 140 formant l'anode de la diode électroluminescente OEL. Cette zone 140 peut être à base de ITO (ITO pour Indium TiN Oxyde) et avoir par exemple la forme d'un rectangle, de longueur L (définie sur la figure 5D dans une direction parallèle à l'axe j du repère [O;i;j]) par exemple de l'ordre de 250 pm, par exemple de 253 pn. Par dessus la couche à base de ITO formant l'anode de la diode électroluminescente OEL, l'empilement représenté en figure 4 et sur les figures 5A-5D est complété par au moins une couche de nature organique d'injections de porteurs (non représentée), par exemple à base de Alq3, apte à émettre un rayonnement lumineux. Dans un pixel mis en oeuvre suivant l'invention, on n'utilise pas de ligne d'alimentation ou de polarisation spécifique pour la seconde électrode du condensateur de stockage Cs. Cette seconde électrode étant reliée à la ligne de sélection SL' d'un autre pixel, le pixel dont l'empilement technologique vient d'être décrit a un nombre de bus inférieur à ceux des pixels suivant l'art antérieur, ce qui peut permettre notamment un gain de place dans l'agencement dudit pixel et d'améliorer son taux d'ouverture (aperture ratio selon la terminologie anglo-saxonne) ou éventuellement d'obtenir de former un pixel de taille réduite par rapport à ceux de l'art antérieur. Le nombre de bus dans le pixel suivant l'invention étant diminué, le nombre de croisement entre bus ou lignes permettant d'acheminer des signaux électriques au sein d'un même pixel l'est également ce j d'un repère [0; l 21 qui peut permettre notamment certains phénomènes de bruit ou cross talk dus à ces croisements. La figure 6 représente un autre exemple d'empilement technologique du type de celui précédemment décrit, mais qui diffère notamment au niveau de la constitution et de la forme du condensateur de stockage compris dans chaque pixel. Dans cet exemple, le condensateur de stockage C's compris dans le pixel P, diffère de celui illustré en liaison avec la figure 4, en ce qu'il est formé de deux condensateurs C'sl et C's2 mis en parallèles l'un avec l'autre. Le condensateur C's a par ailleurs la forme d'un rectangle (dont la longueur est parallèle à l'axe j d'un repère [0;1; j] définie sur cette figure 6) et qui se trouve placé entre la ligne de polarisation PL et l'électrode 140 de la diode électroluminescente. L'empilement technologique de la figure 6 comprend notamment une couche active notée 405, dont les motifs sont représentés sur la figure 7A. Les motifs de la couche active 405 diffèrent de ceux de la couche active compris dans l'exemple d'empilement précédemment décrit, notamment au niveau d'une zone notée 401, qui forme la première électrode pour le condensateur C'sl, et qui a dans cet exemple une forme d'un rectangle dont la longueur est parallèle à l'axe L'empilement technologique de la figure 6 comprend également une couche à base de matériau de grille notée 411 par-dessus la couche active 405, dont les motifs sont représentés sur la figure 7B. Parmi les motifs de la couche à base de matériau de grille notée 411, une zone notée 410 de la forme d'un rectangle, dont la longueur est parallèle à l'axe j d'un repère i [0:1:1], constitue une seconde électrode pour le condensateur C'sl. Cette seconde électrode est comme pour l'exemple de pixel décrit précédemment, reliée à une ligne de sélection SL' d'un autre pixel P', voisin du pixel P et situé sur une même rangée verticale de la matrice que ce dernier. La zone notée 410 constitue par ailleurs une première électrode pour le condensateur C's2. L'empilement technologique comprend en outre une couche métallique notée 435, située par-dessus la couche à base de matériau de grille 411, et dont les motifs sont représentés sur la figure 7C. Dans la couche métallique 435, sont formées notamment la ligne de polarisation PL, ainsi que la ligne de données DL. Par rapport à la couche métallique 235 de l'exemple d'empilement précédemment décrit, la couche métallique 435 comprend notamment un motif supplémentaire noté 436, de la forme d'un rectangle, dont la longueur est parallèle à l'axe j d'un repère orthogonal [0;i;j]. Le motif 436 forme une seconde électrode pour le condensateur C's2. Cette seconde électrode est reliée à la première électrode du condensateur C'sl formée dans la couche active 405, par l'intermédiaire de vias ou de contacts verticaux notés 437. Le motif 436 est relié par ailleurs à un autre motif supplémentaire 438 formé dans la couche métallique 435 et qui, par l'intermédiaire de vias ou de contacts verticaux 439, est connecté à la grille du premier transistor modulateur de courant TFT2a. Il s'agit là d'une variante permettant de réaliser les contacts (contacts stockés) pour gagner en surface d'émission. Ce type de contact aurait très bien pu être utilisé sur la figure 5C. La figure 8 représente un autre empilement technologique en vue de dessus d'un pixel du type de ceux compris dans la matrice précédemment décrite en liaison avec la figure 3. De cet empilement, seule une couche à base de matériau de grille 511 et une autre couche métallique 535, située par dessus la couche 511 sont représentées. Dans la couche à base de matériau de grille est formée notamment une zone 510, par exemple de la forme d'un rectangle, parallèle dans le sens de sa longueur à la ligne de polarisation PL du pixel P. La ligne de polarisation PL du pixel P est quant à elle formée dans la couche métallique 535. La zone 510 de la couche de matériau de grille forme une des électrodes d'un condensateur de stockage C " s pour le pixel P. L'agencement de la ligne de polarisation PL par rapport à la zone 510 est tel qu'une projection orthogonale sur un même plan de la zone 510 et de la ligne PL sont au moins partiellement confondues. La zone 510 est reliée électriquement à la ligne de polarisation PL par l'intermédiaire de contacts verticaux 532. Ainsi, la ligne de polarisation PL sert de ligne de potentiel fixe pour une des électrodes du condensateur 0''s. L'autre électrode du condensateur 0''s (non représentée sur cette figure) est reliée à la grille du transistor modulateur de courant TFT2a et peut être formée quant à elle dans une couche active située au dessous de la couche à base de matériau de grille. REVENDICATIONS 1. Dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux, doté d'une matrice comportant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant: - des moyens électroluminescents (OEL), aptes à émettre un rayonnement lumineux en fonction d'un courant reçu en entrée, - des moyens modulateurs de courant aptes à moduler en fonction d'un signal de réglage acheminé par une ligne de données (DL) ledit courant en entrée des moyens électroluminescents, - des moyens interrupteurs (TFT1) reliés à ladite ligne de données (DL), aptes à transmettre ou non ledit signal de réglage aux moyens modulateurs de courant en fonction d'un signal de sélection, - une ligne de sélection (SL) reliée aux moyens interrupteurs apte à acheminer ledit signal de 20 sélection vers les moyens interrupteurs, - une ligne de polarisation (PL) reliée aux moyens modulateurs de courant, apte à acheminer un signal de polarisation des moyens modulateurs de courant, - un condensateur (Cs), apte à retenir ledit signal de réglage en entrée des moyens modulateurs de courant et comprenant une première électrode reliée aux moyens modulateurs de courant, la seconde électrode du condensateur étant reliée à une ligne de sélection (SL') d'un autre pixel (P'). 2. Dispositif microélectronique selon la revendication 1, ledit condensateur de stockage (Cs) étant en contact avec ladite ligne de sélection (SL') dudit autre voisin (P') sur une distance d'au moins 50 lm ou la moitié de la largeur du pixel (P). 3. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 ou 2, ledit condensateur de stockage (Cs) comprenant une partie située entre la ligne de polarisation (PL) et les moyens électroluminescents et une autre partie située entre les moyens électroluminescents et ladite ligne de sélection (SL') dudit autre pixel (P'). 4. Dispositif microélectronique permettant de produire un rayonnement lumineux doté d'une matrice comportant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant: - des moyens électroluminescents (OEL), 20 aptes à émettre un rayonnement lumineux en fonction d'un courant reçu en entrée, des moyens modulateurs de courant aptes à moduler en fonction d'un signal de réglage acheminé par une ligne de données (DL) ledit courant en entrée des moyens électroluminescents, - des moyens interrupteurs (TFT1) reliés à ladite ligne de données (DL), aptes à transmettre ou non ledit signal de réglage aux moyens modulateurs de courant en fonction d'un signal de sélection, - une ligne de sélection (SL) reliée aux moyens interrupteurs apte à acheminer ledit signal de sélection vers les moyens interrupteurs, - une ligne de polarisation (PL) reliée aux moyens modulateurs de courant, apte à acheminer un signal de polarisation des moyens modulateurs de courant, - un condensateur (Cs), apte à retenir ledit signal de réglage en entrée des moyens modulateurs de courant et comprenant une première électrode reliée aux moyens modulateurs de courant, la seconde électrode du condensateur étant reliée à ladite ligne de polarisation (PL). 5. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 4, ledit condensateur de stockage ayant une forme en L. 6. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 5, ledit condensateur de stockage (C's) étant formé de deux condensateurs (C'sl, C's2) mis en parallèles. 7. Dispositif microélectronique selon la revendication 6, dans lequel ladite matrice est formée d'un empilement de couches minces comprenant au moins une couche active, au moins une couche à base de matériau de grille de transistors, au moins une couche métallique, ledit condensateur de stockage (Cs) étant formé d'un premier condensateur (C'sl) doté d'une première électrode (C'sl) formée dans la couche active, d'une seconde électrode formée dans ladite couche de matériau de grille, - d'un second condensateur (C's2) doté d'une première électrode commune avec ladite seconde électrode du premier condensateur, d'une seconde électrode formée dans ladite couche métallique. 8. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 7, les moyens interrupteurs 10 (TFT1) comprenant au moins un transistor couche mince. 9. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 8, les moyens modulateurs de courant comprenant au moins un transistor couche mince. 10. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 9, les moyens modulateurs de courant comprenant un premier transistor couche mince (TFT2a) et un second transistor couche mince (TFT2b) partageant une région de drain commun et une région de source commune. 11. Dispositif microélectronique selon l'une des revendications 1 à 10, dans lequel les moyens électroluminescents comprennent une électrode formée d'au moins une couche de nature organique, ladite matrice étant une matrice de pixels OLED.