FR 2863118 A1 20050603 FR 0408901 A 20040816 CIRCUIT ONDULEUR La présente invention concerne un circuit onduleur. Un circuit onduleur comprend généralement des éléments de commutation du côté de tension élevée et du côté de tension basse, con- nectés en série entre un potentiel d'alimentation et un potentiel de masse, et des circuits d'attaque du côté de tension élevée et du côté de tension basse pour commander respectivement l'actionnement des éléments de commutation du côté de tension élevée et du côté de tension basse. Le circuit onduleur utilisé de façon classique est présenté par exemple dans les demandes de brevets du Japon ouvertes à l'examen du public n 2003- 178895, 9-219977 (1997), 10-42575 (1998), et dans la publication PCT n WO 01/59918. Le circuit onduleur classique est confronté au problème ci-dessous. Au moment auquel l'élément de commutation du côté de tension élevée est bloqué, le circuit onduleur est placé dans un mode de roue libre d'une diode de roue libre connectée en parallèle et en inverse sur l'élément de commutation du côté de tension basse (diode de roue libre de la branche inférieure). A ce moment, une pointe de tension négative est générée sur une borne de sortie du circuit onduleur, et cette tension est le produit de di/dt pendant le blocage de l'élément de commutation du côté de tension élevée, et d'une inductance dans une boucle de roue libre de la diode de roue libre de la branche inférieure. Lorsque cette pointe de tension est égale ou supérieure à un niveau prédéterminé, elle peut occasionner une panne ou un fonctionnement défectueux du circuit d'attaque du côté de tension élevée. Un courant de commutation plus élevé occasionnera probablement une augmentation de la pointe de tension, ce qui occasionne une difficulté pour obtenir une grande capacité d'acheminement de courant du circuit onduleur. Un but de la présente invention est donc d'obtenir un circuit onduleur capable d'atténuer une pointe de tension négative résultant du blocage d'un élément de commutation du côté de tension élevée. Selon un aspect de la présente invention, le circuit onduleur comprend un élément de commutation du côté de tension élevée et un élément de commutation du côté de tension basse, un circuit d'attaque du côté de tension élevée, un condensateur, une diode et une résistance. Les éléments de commutation du côté de tension élevée et du côté de tension basse sont connectés en série entre un potentiel d'alimentation et un potentiel de masse. Le circuit d'attaque du côté de tension élevée a une borne connectée à une borne d'émission de courant de l'élément de commutation du côté de tension élevée, tout en fournissant un potentiel de référence d'un circuit intérieur de potentiel haut. La borne du circuit d'attaque du côté de tension élevée sera appelée une borne VS. La diode a une connexion en série au condensateur entre la borne VS et le potentiel de masse (GND), avec une polarité telle qu'un courant direct circule du potentiel de masse vers la borne VS. La résistance est connectée en parallèle sur la diode ou sur le condensateur, ou sur les deux. Une pointe de tension négative qui résulte du blocage de l'élé- ment de commutation du côté de tension élevée est ainsi atténuée. Selon un autre aspect de la présente invention, le circuit onduleur comprend un élément de commutation du côté de tension élevée et un élément de commutation du côté de tension basse, un circuit d'attaque du côté de tension élevée et une diode. Les éléments de commutation du côté de tension élevée et du côté de tension basse sont connectés en série entre un potentiel d'alimentation et un potentiel de masse (GND). Le circuit d'attaque du côté de tension élevée a une borne connectée au potentiel de masse, tandis qu'il fournit un potentiel de référence d'un cir- cuit intérieur du côté du potentiel bas. La borne sera appelée une borne COM. La diode est connectée entre la borne COM et le potentiel de masse (GND), avec une polarité telle qu'un courant direct circule de la borne COM vers le potentiel de masse. Une pointe de tension négative qui résulte du blocage de l'élé- ment de commutation du côté de tension élevée est ainsi atténuée. Selon encore un autre aspect de la présente invention, le circuit onduleur comprend un élément de commutation du côté de tension élevée et un élément de commutation du côté de tension basse, un circuit d'attaque du côté de tension élevée et une diode. Les éléments de commuta- tion du côté de tension élevée et du côté de tension basse sont connectés en série entre un potentiel d'alimentation et un potentiel de masse. Le circuit d'attaque du côté de tension élevée a une borne connectée par l'intermédiaire d'un condensateur d'alimentation d'amorçage à une borne d'émission de courant de l'élément de commutation du côté de tension élevée. La borne du circuit d'attaque du côté de tension élevée sera appelée une borne VDB. La diode a une connexion en série au condensateur d'alimentation d'amorçage, entre la borne d'émission de courant et la borne VDB, avec une polarité telle qu'un courant direct circule à partir de la borne d'émission de courant vers la borne VDB. Une pointe de tension négative qui résulte du blocage de l'élément de commutation du côté de tension élevée est ainsi atténuée. D'autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront davantage de la description détaillée de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 est un schéma de circuit montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un premier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 2 est un schéma de circuit montrant schématiquement la configuration à l'intérieur d'un circuit d'attaque du côté de tension élevée; La figure 3 est un schéma de circuit correspondant à la figure 1, montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à une modification du premier mode de réalisation préféré; La figure 4 est un schéma de circuit montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 5 est un schéma de circuit montrant la configuration à l'intérieur d'un circuit de décalage de niveau de la figure 2, lorsqu'une diode est connectée à une borne COM du circuit d'attaque du côté de tension élevée; La figure 6 est un schéma de circuit correspondant à la figure 4, montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 7 est un schéma de circuit correspondant à la figure 4 ou 6, montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un qua- trième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 8 est un schéma de circuit correspondant à la figure 4 ou 6, montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un cinquième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 9 est un schéma de circuit correspondant à la figure 4, montrant une première configuration d'un circuit onduleur conforme à un sixième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 10 est un schéma de circuit correspondant à la figure 6, montrant une seconde configuration du circuit onduleur conforme au sixième mode de réalisation préféré; La figure 11 est un schéma de circuit correspondant à la figure 7, montrant une troisième configuration du circuit onduleur conforme au sixième mode de réalisation préféré; La figure 12 est un schéma de circuit correspondant à la figure 8, montrant une quatrième configuration du circuit onduleur conforme au sixième mode de réalisation préféré; La figure 13 est un schéma de circuit montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un septième mode de réalisation préféré de la présente invention; et La figure 14 est un schéma de circuit montrant la configuration à l'intérieur du circuit de décalage de niveau de la figure 2, lorsqu'une diode est connectée à une borne VDB du circuit d'attaque du côté de tension élevée. Premier Mode de Réalisation Préféré La figure 1 est un schéma de circuit montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un premier mode de réalisation préféré de la présente invention. Le circuit onduleur est un circuit à deux phases ou plus (généralement trois phases), mais la figure 1 montre la configuration d'un circuit monophasé. La configuration de la figure 1 est une partie extraite du circuit onduleur qui est principalement pertinente pour la pré- sente invention. Le circuit onduleur comprend une connexion en série d'un transistor bipolaire à porte isolée, ou IGBT (élément de commutation du côté de tension élevée) 3, et d'un IGBT (élément de commutation du côté de tension basse) 4, entre un potentiel d'alimentation Vcc et un po- tentiel de masse, GND, et d'un circuit d'attaque du côté de tension élevée (HVIC) 1, et d'un circuit d'attaque du côté de tension basse (LVIC) 2, pour commander respectivement l'actionnement des IGBT 3 et 4. La figure 2 est un schéma de circuit montrant schématiquement la configuration à l'intérieur du HVIC 1. En se référant à la figure 2, on note que le HVIC 1 comprend un circuit d'entrée, un circuit monostable, un circuit de décalage de niveau, un circuit de protection de réduction de puissance de commande, et un circuit d'attaque. La configuration à l'intérieur du HVIC 1 représentée sur la figure 2 est la même dans des second à septième modes de réalisation préférés envisagés ultérieurement. En se référant aux figures 1 et 2, on note que le HVIC 1 a des bornes Vcc, PIN, COM, VDB, HO et VS. La borne Vcc reçoit de l'énergie pour attaquer un circuit intérieur de potentiel bas du HVIC 1 (incluant le circuit d'entrée et le circuit monostable représentés sur la figure 2), à partir d'une alimentation de commande externe VDD d'environ 15 V. La borne PIN reçoit un signal d'entrée provenant d'un micro-ordinateur ex- terne. La borne COM est connectée au potentiel de masse (GND), et elle a pour fonction de fournir un potentiel de référence du circuit intérieur de potentiel bas. La borne VDD est connectée à l'émetteur (borne d'émission de courant) de l'IGBT 3 par l'intermédiaire d'un condensateur d'alimenta- tion d'amorçage 100. La borne HO est connectée à la porte de l'IGBT 3. La borne VS est connectée à l'émetteur de I'IGBT 3, et elle a pour fonction de fournir un potentiel de référence d'un circuit intérieur de potentiel haut (incluant le circuit de protection de réduction de puissance de commande et le circuit d'attaque représentés sur la figure 2). En se référant à la figure 1, on note que le circuit onduleur comprend le condensateur d'alimentation d'amorçage 100 qui est chargé par l'alimentation de commande VDD lorsque l'IGBT 4 est dans l'état conducteur. Lorsque l'IGBT 3 est dans l'état conducteur, le condensateur d'alimentation d'amorçage 100 fournit au HVIC 1 de l'énergie pour attaquer le circuit intérieur de potentiel haut par l'intermédiaire de la borne VDB. Le circuit onduleur comprend en outre un condensateur 5, une diode 6 et une résistance 7. Le condensateur 5 est connecté entre la borne VS et la borne de masse GND. La diode 6 a une connexion en sé- rie au condensateur 5 entre la borne VS et le potentiel de masse, avec une polarité telle qu'un courant direct circule à partir du potentiel de masse vers la borne VS. La résistance 7 est connectée en parallèle sur le condensateur 5. Lorsque la borne PIN du HVIC reçoit un signal de conduction (signal de niveau haut), l'IGBT 3 devient conducteur pour faire circuler un courant 11, comme représenté sur la figure 1. Lorsque la borne PIN reçoit ensuite un signal de blocage (signal de niveau bas), l'IGBT 3 est bloqué pour faire circuler un courant 12, comme représenté sur la figure 1. A l'instant de la circulation du courant 12, il est généré une pointe de tension négative qui est le produit de dildt pendant le blocage de l'IGBT 3 et d'une inductance dans l'interconnexion en trait gras représentée sur la figure 1 Comme envisagé dans la description de l'art antérieur, une pointe de tension d'un niveau excessif peut occasionner une panne ou un fonctionnement défectueux du HVIC 1. Pour y faire face, le circuit onduleur du premier mode de réalisation préféré a la possibilité d'atténuer une pointe de tension au moyen d'une connexion en série du condensateur 5 et de la diode 6 entre la borne VS et le potentiel de masse. En outre, du fait que le premier mode de réalisation préféré empêche la circulation d'un courant direct, le circuit onduleur peut être constitué du condensateur 5 peu coûteux et de la diode 6. Le premier mode de réalisation préféré utilise en outre de façon caractéristique la résistance 7 pour décharger des charges électriques stockées dans le condensateur 5, résultant d'une pointe de tension, ce qui empêche avantageusement une réduction de l'absorption de pointe de tension par le condensateur 5. La figure 3 est un schéma de circuit correspondant à la figure 1, montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à une modification du premier mode de réalisation préféré. La configuration de la figure 1 a une connexion en parallèle de la résistance 7 et du condensa- teur 5, tandis qu'une autre configuration, représentée sur la figure 3, a une connexion en parallèle d'une résistance 8 et de la diode 6. Selon encore une autre variante, les deux résistances 7 et 8 peuvent être incorporées. Le circuit onduleur représenté sur la figure 3 produit un effet qui est le même que celui obtenu par le circuit onduleur de la figure 1. Second Mode de Réalisation Préféré La figure 4 est un schéma de circuit montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un second mode de réalisation préféré de la présente invention. Le circuit onduleur comporte deux phases ou plus (généralement trois phases), bien que la figure 4 montre la configu- ration d'un circuit monophasé. La configuration de la figure 4 est une partie extraite du circuit onduleur qui est principalement pertinente pour la présente invention. Au lieu du condensateur 5, de la diode 6 et de la résistance 7 représentés sur la figure 1, le circuit onduleur du second mode de réalisation préféré comprend une diode 10 à titre d'élément pour atté- nuer une pointe de tension résultant du blocage de l'IGBT 3. Conjointe- ment au HVIC 1, au LVIC 2 et aux IGBT 3 et 4, la diode 10 est présentée sous la forme d'un module d'alimentation intelligent du type DIP-IPM (dual-in-line package intelligent power module) 9. La diode 10 a une anode connectée à la borne COM du HVIC 1, et une cathode connectée à une borne 50 du DIP-IPM 9. La diode 10 est placée entre la borne COM du HVIC 1 et le potentiel de masse, avec une polarité telle qu'un courant direct circule à partir de la borne COM du HVIC 1 vers le potentiel de masse. La figure 5 est un schéma de circuit montrant la configuration à l'intérieur du circuit de décalage de niveau de la figure 2, lorsque la diode 10 est connectée à la borne COM du HVIC 1. En se référant à la figure 5, on note que lorsque la borne VDD est soumise à l'application d'une pointe de tension négative résultant du blocage de l'IGBT 3, la diode 10 a pour fonction de procurer une fixation de niveau de tension (blocage en inverse) entre les bornes COM et VDB. Il en résulte que le second mode de réalisation préféré n'occasionne pas l'application d'une pointe de tension à un niveau excessif entre les bornes COM et VDB, tout en évitant la circulation d'un courant, grâce à quoi le HVIC 1 est protégé contre une panne ou un fonctionnement défec- tueux. Troisième Mode de Réalisation Préféré La figure 6 est un schéma de circuit correspondant à la figure 4, montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention. Dans le circuit on- duleur du troisième mode de réalisation préféré, la diode 10 habituelle représentée sur la figure 4 est remplacée par une diode à recouvrement rapide, 11, qui a la même polarité que la diode 10. Dans le circuit onduleur représenté sur la figure 4, la diode 10 reçoit continuellement un courant de circuit du HVIC 1, qui est fourni par l'alimentation de commande VDD. Lorsque la borne VDB est soumise à l'application de la pointe de tension négative précédente (c'est-à-dire lorsque la diode 10 est polarisée en inverse par cette pointe de tension négative), la pointe de tension est appliquée de façon correspondante entre les bornes COB et VDM pendant un temps de recouvrement de la diode 10. Il en résulte qu'un fonctionnement défectueux du HVIC 1 est probable. Pour y faire face, dans le circuit onduleur du troisième mode de réalisation préféré, la diode 10 habituelle représentée sur la figure 4 est remplacée par la diode à recouvrement rapide 11. La diode à recouvrement rapide 11 exige un temps de recouvrement plus court que celui de la diode 10 habituelle, et par conséquent l'application de la pointe de tension entre les bornes COM et VDB se poursuit pendant une plus courte durée, grâce à quoi on obtient une possibilité d'amélioration d'un fonctionnement défectueux. Quatrième Mode de Réalisation Préféré Dans le circuit onduleur représenté sur la figure 4 ou 6, si l'on désigne par VDO la tension de l'alimentation de commande VD, et on dé-signe par VRO une pointe de tension appliquée aux bornes de la diode 10 ou de la diode à recouvrement rapide 1 1, une tension de VDO + VRO est appliquée entre les bornes Vcc et COM du HVIC 1. Lorsque la pointe de tension VRO a un niveau excessif, et par conséquent une tension dépassant une tension nominale Vm est appliquée entre les bornes Vcc et COM du HVIC 1, un fonctionnement défectueux du HVIC 1 est probable. La figure 7 est un schéma de circuit correspondant à la figure 4 ou 6, montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention. Dans le circuit onduleur du quatrième mode de réalisation préféré, la diode habituelle 10 de la figure 4 ou la diode à recouvrement rapide 11 de la figure 6 est remplacée par une diode Zener 12 ayant une tension Zener Vzl qui a la même polarité que la diode 10 ou que la diode à recouvrement rapide 11. La tension Zener Vzl de la diode Zener 12 a un niveau tel que la somme des tensions VDO et Vzl ne soit pas supérieure à la tension nominale Vm. Conformément au circuit onduleur du quatrième mode de réalisation préféré, dans le cas de l'application d'une pointe de tension avec un niveau excessif, la tension entre les bornes Vcc et COM du HVIC 1 est fixée à la tension VDO + Vzl qui n'est pas supérieure à la tension nominale Vm. Il en résulte qu'un défaut de fonctionnement du HVIC 1 est évité. Cinquième Mode de Réalisation Préféré Comme envisagé dans le quatrième mode de réalisation préféré ci-dessus, lorsque la pointe de tension VRO a un niveau excessif, et par conséquent une tension dépassant la tension nominale Vm est appliquée entre les bornes Vcc et COM du HVIC 1, une panne du HVIC 1 est probable. La figure 8 est un schéma de circuit correspondant à la figure 4 ou 6, montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un cinquième mode de réalisation préféré de la présente invention. Le circuit onduleur du cinquième mode de réalisation préféré comprend en outre une diode Zener 13 ayant une tension Zener Vz2, en plus de la diode ha- bituelle 10 de la figure 4 ou de la diode à recouvrement rapide 11 de la figure 6. La diode Zener 13 a une anode connectée à la borne COM du HVIC 1, et une cathode connectée à la borne Vcc du HVIC 1. La tension Zener Vz2 de la diode Zener 13 a un niveau qui n'est pas supérieur à la tension nominale Vm entre les bornes Vcc et COM du HVIC 1. Conformément au circuit onduleur du cinquième mode de réalisation préféré, dans le cas de l'application d'une pointe de tension avec un niveau excessif, la tension entre les bornes Vcc et COM du HVIC 1 est fixée à la tension Zener Vz2 qui n'est pas supérieure à la tension nominale Vm. Il en résulte que le fonctionnement défectueux du VHIC 1 est évité. Sixième Mode de Réalisation Préféré La figure 9 est un schéma de circuit correspondant à la figure 4, montrant une première configuration d'un circuit onduleur conforme à un sixième mode de réalisation préféré de la présente invention. La fi- gure 4 montre la diode 10 unique, bien que le circuit onduleur ait en ré- alité une configuration comprenant deux phases, ou plus (généralement trois phases). Le HVIC 1 et l'alimentation de commande VD sont incorporés dans chaque phase. Ainsi, la diode 10 de la figure 4 est incorporée de façon à réagir au HVIC 1 dans chaque phase. Au contraire, dans le circuit onduleur représenté sur la figure 9, les bornes COM des HVIC 1 dans les phases respectives sont connectées les unes aux autres dans un module DIP-IPM 15. Ainsi, une seule alimentation de commande VD est exigée, comme une alimentation de commande commune parmi les HVIC 1 dans deux phases ou plus, ce qui fait que, de façon correspondante, une seule diode 16 est exigée comme une diode commune parmi les HVIC 1 dans deux phases ou plus. La diode 16 est placée à l'extérieur du DIP-IPM 15. La diode 16 a une anode connectée à une borne 51 du DIP-IMP 15, et une cathode connectée au potentiel de masse de l'alimentation de commande VDD. La borne 51 est connectée aux bornes COM des HVIC 1. La figure 10 est un schéma de circuit correspondant à la figure 6, montrant une seconde configuration du circuit onduleur conforme au sixième mode de réalisation préféré. Le circuit onduleur de la figure 10 comprend une seule diode à recouvrement rapide 17, comme une diode commune parmi les HVIC 1 dans deux phases ou plus, qui remplace la diode à recouvrement rapide 11 (figure 6) qui est incorporée de façon à réagir au HVIC 1 dans chaque phase. La figure 1 est un schéma de circuit correspondant à la figure 7, montrant une troisième configuration du circuit onduleur conforme au sixième mode de réalisation préféré. Le circuit onduleur de la figure 11 comprend une seule diode Zener 18 comme une diode commune parmi les HVIC 1 dans deux phases ou plus, qui remplace la diode Zener 12 (figure 7), qui est incorporée de façon à réagir au HVIC 1 dans chaque phase. La figure 12 est un schéma de circuit correspondant à la figure 8, montrant une quatrième configuration du circuit onduleur conforme au sixième mode de réalisation préféré. En plus des caractéristiques précédentes envisagées en référence à la figure 9 ou 10, le circuit onduleur de la figure 12 comprend une seule diode Zener 19 comme une diode corn- mune parmi les HVIC 1 dans deux phases ou plus, qui remplace la diode Zener 13 (figure 8) qui est incorporée de façon à réagir au HVIC 1 dans chaque phase. La diode Zener 19 a une anode connectée à la borne 51 du module DIP-IPM 15, et une cathode connectée à une borne 52 du DIPIPM 15 ayant une connexion vers les bornes Vcc des HVIC 1. Le circuit onduleur du sixième mode de réalisation préféré comprend de façon caractéristique la diode 16, la diode à recouvrement rapide 17 ou la diode Zener 18 ou 19, chacune d'elles remplissant la fonction d'une diode commune parmi les HVIC 1 dans deux phases ou plus. En comparaison avec la configuration dans laquelle ces diodes sont in- corporées dans chaque phase, le circuit onduleur du sixième mode de réalisation préféré offre une configuration plus simple. Septième Mode de Réalisation Préféré La figure 13 est un schéma de circuit montrant la configuration d'un circuit onduleur conforme à un septième mode de réalisation préféré de la présente invention. Le circuit onduleur est du type à deux phases, ou plus (généralement trois phases), mais la figure 13 montre la configuration d'un circuit monophasé. La configuration de la figure 13 est une partie extraite d'un circuit onduleur qui est principalement pertinente pour la présente invention. Au lieu du condensateur 5, de la diode 6 et de la résistance 7 représentés sur la figure 1, le circuit onduleur du septième mode de réalisation préféré comprend une diode 21 à titre d'élément pour atténuer une pointe de tension résultant du blocage de l'IGBT 3. La diode 21 est placée à l'extérieur d'un module DIP-IPM 20. La diode 21 a une anode connectée au condensateur d'alimentation à d'amorçage 100, et une cathode connectée à une borne 53 du DIP-IPM 20. La borne 53 est connectée à la borne VDB du HVIC 1. La diode 21 a donc une connexion en série vers le condensateur d'alimentation d'amorçage 100, entre l'émetteur de l'IGBT 3 et la borne VDB du HVIC 1, avec une polarité telle qu'un courant direct circule de l'émetteur vers la borne VDB. La figure 14 est un schéma montrant la configuration à l'inté- rieur du circuit de décalage de niveau de la figure 2, lorsque la diode 21 est connectée à la borne VDB du HVIC 1. En se référant à la figure 14, on note que lorsqu'une pointe de tension négative est appliquée à la borne VDB sous l'effet du blocage de l'IGBT 3, une diode 30 de la figure 14 est polarisée en sens direct de façon à faire circuler un courant en l'absence de la diode 21. Ceci peut perturber le décalage de niveau en entraînant un fonctionnement défectueux. Pour l'éviter, dans le circuit onduleur du septième mode de réalisation préféré, la diode 21 connectée à la borne VDB a pour fonction d'empêcher une telle circulation de courant. Il en résulte que le HVIC 1 est protégé contre un fonctionnement défectueux. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Circuit onduleur, caractérisé en ce qu'il comprend: un élément de commutation du côté de tension élevée (3) et un élément de commutation du côté de tension basse (4) connectés en série entre un potentiel d'alimentation et un potentiel de masse; un circuit d'attaque du côté de tension élevée (1) ayant une borne connectée à une borne d'émission de courant de l'élément de commutation du côté de tension élevée, tout en fournissant un potentiel de référence d'un circuit intérieur de potentiel haut, ladite borne du circuit d'attaque du côté de tension éle- vée étant appelée une borne VS; un condensateur (5) connecté entre la borne VS et le potentiel de masse; une diode (6) ayant une connexion en série au condensateur entre la borne VS et le potentiel de masse, avec une polarité telle qu'un courant direct circule à partir du potentiel de masse vers la borne VS; et une résistance (7, 8) connectée en parallèle sur la diode ou sur le condensateur, ou sur les deux. 2. Circuit onduleur, caractérisé en ce qu'il comprend: un élément de commutation du côté de tension élevée (3) et un élément de commutation du côté de tension basse (4) connectés en série entre un potentiel d'alimentation et un potentiel de masse; un circuit d'attaque du côté de tension élevée (1) ayant une borne connectée au potentiel de masse, tout en fournissant un potentiel de référence d'un circuit intérieur de potentiel bas, ladite borne étant appelée une borne COM; et une diode (10) connectée entre la borne COM et le potentiel de masse, avec une polarité telle qu'un courant direct circule de la borne COM vers le poten- tiel de masse. 3. Circuit onduleur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la diode est une diode à recouvrement rapide (11). 4. Circuit onduleur selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que le circuit d'attaque du côté de tension élevée comprend une multi- plicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée; en ce que la multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée sont établis dans des phases respectives du circuit onduleur, en ce que les bornes COM de la multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée sont connectées les unes aux autres, et en ce que ladite diode (16, 17) est une diode commune parmi la multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée. 5. Circuit onduleur selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que le circuit d'attaque du côté de tension élevée comporte en outre une borne pour recevoir de l'énergie pour attaquer le circuit intérieur de potentiel bas, ladite borne pour recevoir de l'énergie étant appelée une borne Vcc; le circuit onduleur comprenant en outre une diode Zener (13) ayant une anode connectée à la borne COM, et une cathode connectée à la borne Vcc. 6. Circuit onduleur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le circuit d'attaque du côté de tension élevée comprend une multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée, en ce que la multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée sont établis dans des phases respectives du circuit onduleur, en ce que les bornes COM de la multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée sont connectées les unes aux autres, et en ce que la diode (16, 17) et la diode Zener (19) sont chacune une diode commune parmi la multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée. 7. Circuit onduleur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la diode est une diode Zener (12) 8. Circuit onduleur selon la revendication 7, caractérisé en ce que le circuit d'attaque du côté de tension élevée comprend une multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée, en ce que la multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée sont incorporés dans des phases respectives du circuit onduleur, en ce que les bornes COM de la multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée sont connectées les unes aux autres, et en ce que la diode Zener (18) est une diode commune parmi la multiplicité de circuits d'attaque du côté de tension élevée. 9. Circuit onduleur, caractérisé en ce qu'il comprend un été- ment de commutation du côté de tension élevée (3) et un élément de commutation du côté de tension basse (4) connectés en série entre un potentiel d'alimentation et un potentiel de masse; un circuit d'attaque du côté de tension élevée (1) ayant une borne connectée par l'intermédiaire d'un condensateur d'alimentation d'amorçage (100) à une borne d'émission de courant de l'élément de commutation du côté de tension élevée, cette borne du circuit d'attaque du côté de tension élevée étant appelée une borne VDB; et une diode (21) ayant une connexion en série avec le condensateur d'alimentation d'amorçage entre la borne d'émission de courant et la borne VDB, avec une polarité telle qu'un courant de sens direct circule de la borne d'émission vers la borne VDB.