FR 2865676 A1 20050805 FR 0550255 A 20050128 La présente invention concerne de façon générale le domaine du polissage. Plus particulièrement, la présente invention se rapporte à un tampon de polissage ayant un motif de gorges pour réduire les sillons de mélange de bouillie dans les gorges. Dans la fabrication des circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposées et gravées à partir de la surface d'une plaquette de semi-conducteur. Les couches minces de matériau conducteur, semi-conducteur et diélectrique peuvent être déposées par diverses techniques de dépôt. Les techniques de dépôt courantes dans le traitement moderne de plaquettes comprennent le dépôt de vapeur physique (PVD), également connu comme étant une projection, le dépôt de vapeur chimique (CVD), le dépôt de vapeur chimique favorisé au plasma (PECVD) et le placage électrochimique. Les techniques de gravure courante comprennent la gravure isotrope et anisotrope à l'état humide et à sec entre autres. Etant donné que les couches de matériaux sont déposées et gravées de façon séquentielle, la surface supérieure de la plaquette devient non plane. Etant donné que le traitement de semi-conducteurs subséquent (par exemple, la photolithographie) nécessite que la plaquette présente une surface plane, la plaquette a besoin d'être rendue plane. Le planage est utile pour éliminer la topographie de surface indésirée ainsi que les défauts de surface comme les surfaces rugueuses, les matériaux agglomérés, les altérations de réseau cristallin, les rayures et les couches ou matériaux contaminés. Le planage mécanique chimique ou le polissage mécanique chimique (CMP) est une technique courante utilisée pour rendre planes les pièces usinées comme des plaquettes de semi-conducteurs. Dans le polissage mécanique chimique classique utilisant une polisseuse rotative à axe double, un support de plaquette ou une tête de polissage est monté sur un ensemble porteur. La tête de polissage maintient la plaquette et la positionne en contact avec une couche de polissage d'un tampon de polissage clans la polisseuse. Le tampon de polissage présente un diamètre supérieur au double du diamètre de la plaquette qui est rendue plane. Pendant le polissage, chacun du tampon de polissage et de la plaquette est amené à tourner autour de son centre concentrique tandis que la plaquette est mise en contact avec la couche de polissage. L'axe de rotation de la plaquette est décalé par rapport à l'axe de rotation du tampon de polissage d'une distance supérieure au rayon de la plaquette de sorte que la rotation du tampon conduit à une "piste de plaquette" en forme d'anneau sur la couche de polissage du tampon. Lorsque le seul mouvement de la plaquette est rotatif, la largeur de la piste de plaquette est égale au diamètre de la plaquette. Cependant, dans certaines polisseuses à axe double, la plaquette oscille dans un plan perpendiculaire à son axe de rotation. Dans ce cas, la largeur de la piste de la plaquette est supérieure au diamètre de la plaquette d'une quantité qui représente le déplacement dû à l'oscillation. L'ensemble porteur fournit une pression apte à être régulée entre la plaquette et le tampon de polissage. Pendant le polissage, une bouillie ou autre milieu de polissage s'écoule sur le tampon de polissage et dans l'intervalle entre la plaquette et la couche de polissage. La surface de la plaquette est polie et rendue plane par une action chimique et mécanique de la couche de polissage et de la bouillie sur la surface. L'interaction entre les couches de polissage, les bouillies de polissage et les surfaces de plaquette pendant le polissage mécanique chimique a été étudiée en vue de rendre optimum les conceptions de tampon de polissage. La plupart des tampons de polissage ont eu au cours des dernières années des développements de nature empirique. La plupart des conceptions des surfaces de polissage ou des couches de polissage se sont concentrées sur la fourniture de ces couches avec divers motifs de vides et de réseaux de gorges qui sont destinés à améliorer l'utilisation de la bouillie et l'uniformité du polissage. Au cours des années, on a réalisé des configurations et des motifs de vide et de gorges quelque peu différents. Ces motifs de gorges comprennent, entre autres, des motifs radiaux concentriques circulaires en spirale et à grille cartésienne. En outre, ces configurations de gorges comprennent des configurations dans lesquelles la largeur et la profondeur de toutes les gorges sont uniformes et des configurations dans lesquelles la largeur ou la profondeur des gorges varie d'une gorge à une autre gorge. Certains concepteurs de tampons de polissage mécanique chimique rotatifs ont réalisé des tampons ayant des configurations de gorges qui comprennent deux ou plusieurs configurations de gorges qui sont modifiées d'une configuration à une autre sur la base d'une ou plusieurs distances radiales à partir du centre du tampon. Ces tampons sont destinés à fournir des performances supérieures en ternies d'uniformité de polissage et d'utilisation de la bouillie entre autres. A titre d'exemple, le brevet U.S. n 6 520 847 aux noms d'Osterheld et al. décrit plusieurs tampons ayant trois régions de forme annulaire concentrique renfermant chacune une configuration de gorges qui est différente de la configuration des deux autres régions. Les configurations varient selon différentes façons dans divers modes de réalisation. Les façons selon lesquelles les configurations varient comprennent des variations dans le nombre, la superficie en coupe transversale, l'espacement et le type des gorges. Bien que les concepteurs de tampons aient jusqu'ici conçu des tampons de polissage mécanique chimique qui comportent deux ou plusieurs configurations de gorges qui sont différentes les unes des autres dans différentes zones de la couche de polissage, ces conceptions ne considèrent pas directement l'effet de la configuration de la gorge sur les sillons de mélange qui apparaissent dans les gorges. La figure 1 illustre un tracé 10 du rapport d'une nouvelle bouillie à une vieille bouillie pendant le polissage à un instant dans l'intervalle (représenté par la région circulaire 14) entre une plaquette (non représentée) et un tampon de polissage rotatif classique 18 ayant des gorges circulaires 22. Dans la présente invention, une "nouvelle bouillie" peut être considérée comme une bouillie qui a été déplacée dans le sens de rotation du tampon de polissage 18 et une "vieille bouillie" peut être considérée comme une bouillie qui a déjà participé au polissage et qui est maintenue dans l'intervalle par la rotation de la plaquette. Dans le tracé 10, la région 26 à nouvelle bouillie renferme essentiellement seulement la nouvelle bouillie et la région 30 à veille bouillie contient essentiellement seulement la vieille bouillie à un instant lorsque le tampon de polissage 18 tourne dans la direction 34 et la plaquette tourne dans la direction 38. Une région de mélange 42 est formée dans laquelle la nouvelle bouillie et la vieille bouillie sont mélangées l'une avec l'autre afin de provoquer un gradient de concentration (représenté par la région 42) entre la région 26 à nouvelle bouillie et la région 30 à vieille bouillie. Les simulations dynamiques des fluides par calcul montrent qu'en raison de la rotation de la plaquette, la bouillie immédiatement contiguë à la plaquette peut être entraînée dans une direction autre que la direction de rotation 34 du tampon, tandis que la bouillie quelque peu éloignée de la plaquette est maintenue parmi les "aspérités" ou éléments grossiers sur la surface du tampon de polissage 18 et résiste plus fortement en étant entraînée dans une direction autre que la direction 34. L'effet de la rotation de la plaquette est davantage prononcé au niveau des gorges circulaires 22 en des emplacements où les gorges sont selon un petit angle par rapport à la direction de rotation 38 de la plaquette car la bouillie dans les gorges n'est pas maintenue parmi l'une quelconque des aspérités et est facilement entraînée par la rotation de la plaquette sur la longueur des gorges circulaires 22. L'effet de rotation de la plaquette est moins prononcé dans les gorges circulaires 22 aux endroits où les gorges sont transversales au sens de rotation 38 de la plaquette car la bouillie peut être entraînée seulement le long de la largeur de la gorge dans laquelle elle est autrement confinée. Des sillons de mélange analogues aux sillons de mélange 46 représentés apparaissent dans les motifs de gorges autres que les motifs circulaires comme les motifs de gorges mentionnés plus haut. Comme le tampon à gorge circulaire 18 de la figure 1, dans chacun de ces motifs de gorges alternatifs, les sillons de mélange sont davantage prononcés dans les régions dans lesquelles la direction de rotation de la plaquette est davantage alignée avec les gorges ou les segments de gorges, comme cela peut être le cas, du tampon. Les sillons de mélange peuvent être nuisibles au polissage pour diverses raisons comme un polissage non uniforme et un défaut accru. Par conséquent, il existe un besoin de conceptions de tampon de polissage mécanique chimique qui seraient rendues optimums, au moins en partie, en considérant l'apparition des sillons de mélange et les effets que ces sillons ont sur le polissage. Selon un aspect de l'invention, on prévoit un tampon de polissage approprié pour polir au moins l'un des substrats à semi-conducteur, optique et magnétique comprenant (a) une couche de polissage ayant une région de polissage définie par une première délimitation définie par une trajectoire d'un premier point sur le tampon de polissage et une deuxième délimitation définie par une trajectoire d'un deuxième point sur le tampon de polissage, la deuxième délimitation étant espacée de la première délimitation; (b) une pluralité de premières gorges à grand angle, chacune contenue au moins partiellement dans la région de polissage près de la première délimitation et faisant un angle de 45 à 135 au point d'intersection avec la première délimitation; (c) une pluralité de deuxièmes gorges à grand angle, chacune étant au moins partiellement contenue dans la région de polissage près de la deuxième délimitation et faisant un angle de 45 à 135 au point d'intersection avec la deuxième délimitation; et (d) au moins une gorge à petit angle contenue dans la région de polissage et entre la pluralité des premières gorges à grand angle et la pluralité des deuxièmes gorges à grand angle et faisant un angle de -30 à 30 par rapport à la trajectoire de la première délimitation et de la deuxième délimitation. Selon un deuxième aspect de l'invention, on prévoit un procédé de polissage d'un substrat à semi-conducteur, optique ou magnétique comprenant les étapes de polissage du substrat avec un tampon de polissage et un milieu de polissage, le tampon de polissage comprenant: (a) une couche de polissage ayant une région de polissage définie par une première délimitation définie par une trajectoire d'un premier point sur le tampon de polissage et une deuxième délimitation définie par une trajectoire d'un deuxième point sur le tampon de polissage, la deuxième délimitation étant espacée de la première délimitation; (b) une pluralité de premières gorges à grand angle, chacune étant contenue au moins partiellement dans la région de polissage près de la première délimitation et faisant un angle de 45 à 135 au point d'intersection avec la première délimitation; (c) une pluralité de deuxièmes gorges à grand angle, chacune étant au moins partiellement contenue dans la région de polissage près de la deuxième délimitation et faisant un angle de 45 à 135 au point d'intersection avec la deuxième délimitation; et (d) au moins une gorge à petit angle contenue dans la région de polissage et entre la pluralité des premières gorges à grand angle et la pluralité des deuxièmes gorges à grand angle et faisant un angle de -30 à 30 par rapport à la trajectoire de la première délimitation et de la deuxième délimitation. Divers avantages et caractéristiques de la présente invention ressortiront de la description détaillée ci-après faite en liaison avec les dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une vue en plan partielle/tracé partiel montrant la formation de sillons de mélange dans l'intervalle entre une plaquette et un tampon de polissage de l'art antérieur ayant un motif de gorge circulaire; la figure 2 est une vue en perspective d'une partie d'une polisseuse à axe double appropriée pour être utilisée dans la présente invention; la figure 3A est une vue en plan d'un tampon de polissage rotatif de la présente invention, la figure 3B est une vue en plan d'une variante du tampon de polissage rotatif de la présente invention, la figure 3C est une vue en plan d'une autre variante du tampon de polissage rotatif de la présente invention; et la figure 4 est une vue en plan partielle du tampon de polissage du 15 type à courroie de la présente invention. En se référant aux dessins, la figure 2 représente de façon générale les caractéristiques principales de la polisseuse 100 de polissage mécanique chimique à axe double appropriée pour être utilisée dans la présente invention. La polisseuse 100 comprend de façon générale un tampon de polissage 104 ayant une couche de polissage 108 pour la mise en contact avec un article comme des substrats à semi-conducteurs comprenant une plaquette de semi-conducteurs 112 (traitée ou non traitée), des substrats optiques comprenant des affichages à panneau plan et en verre et des substrats pour stocker des informations magnétiques, comme des disques de nickel, afin de réaliser le polissage de la surface polie 116 de la pièce usinée en présence d'une bouillie 120 ou d'un autre milieu de polissage. A des fins de simplicité, les mots "plaquette" et "bouillie" sont utilisés ci-après de façon générique. En outre, comme ils sont utilisés dans l'invention, les termes "milieu de polissage" et "bouillie" comprennent des solutions de polissage renfermant des particules et des solutions ne renfermant pas de particules comme les solutions de polissage liquides réactives et exemptes d'abrasif. Comme indiqué de façon détaillée ci-après, la présente invention prévoit un tampon de polissage 104 avec un agencement de gorges (voir, par exemple, l'agencement de gorges 144 de la figure 3A) qui inhibe la formation de sillons de mélange ou réduit la dimension des sillons de mélange qui apparaissent dans l'intervalle entre la plaquette 112 et le tampon de polissage 104 pendant le polissage. Comme indiqué ci-dessus, les sillons de mélange apparaissent dans l'intervalle dans lequel une nouvelle bouillie remplace une vieille bouillie et sont plus prononcés dans les régions dans lesquelles la direction de rotation de la plaquette 112 est davantage alignée avec les gorges, ou les segments de gorges, comme cela peut être le cas, du tampon de polissage 104. La polisseuse 100 peut comprendre un plateau 124 sur lequel le tampon de polissage 104 est monté. Le plateau 124 est apte à être tourné autour d'un axe de rotation 128 par un dispositif d'entraînement de plateau (non représenté). La plaquette 112 peut être supportée par un porteur de plaquette 132 qui est apte à tourner autour d'un axe de rotation 136 parallèle et espacé de l'axe de rotation 128 du plateau 124. Le porteur de plaquette 132 peut présenter une articulation (non représentée) qui permet à la plaquette 112 de prendre une position très légèrement non parallèle à la couche de polissage 108, auquel cas les axes de rotation 128, 136 peuvent être très légèrement en biais. La plaquette 112 comprend la surface polie 116 qui est tournée vers la couche de polissage 108 et qui est rendue plane pendant le polissage. Le porteur de plaquette 132 peut être supporté par un ensemble de support de porteur (non représenté) agencé pour faire tourner la plaquette 112 et fournir une force vers le bas F pour presser la surface polie 116 contre la couche de polissage 108 afin qu'une pression désirée existe entre la surface polie et la couche de polissage pendant le polissage. La polisseuse 100 peut également comprendre une entrée de bouillie 140 pour amener de la bouillie 120 à la couche de polissage 108. Comme le comprendra l'homme du métier, la polisseuse 100 peut comprendre d'autres composants (non représentés) comme un dispositif de régulation du système, un système de distribution et de stockage de bouillie, un dispositif de chauffage, un dispositif de rinçage et divers éléments de commande pour contrôler les divers aspects du procédé de polissage comme: (1) des dispositifs de réglage de vitesse et des sélecteurs pour l'une ou les deux vitesses de rotation de la plaquette 112 et du tampon de polissage 104, (2) des dispositifs de commande et des sélecteurs pour faire varier la vitesse et l'emplacement de fourniture de la bouillie 120 au tampon, (3) des dispositifs de commande et des sélecteurs pour commander la grandeur de la force F appliquée entre la plaquette et le tampon et (4) des dispositifs de commande, des dispositifs d'actionnement et des sélecteurs pour commander l'emplacement de l'axe de rotation 136 de la plaquette par rapport à l'axe de rotation 128 du tampon, entre autres. L'homme du métier comprendra comment ces composants sont réalisés et mis en oeuvre si bien qu'une description détaillée pour la mise en oeuvre de la présente invention n'est pas nécessaire à l'homme du métier.. Pendant le polissage, le tampon de polissage 104 et la plaquette 112 sont amenés à tourner autour de leurs axes de rotation respectifs 128, 136 et la bouillie 120 est fournie à partir de l'entrée de bouillie 140 sur le tampon de polissage rotatif. La bouillie 120 s'étale sur la couche de polissage 108, y compris l'intervalle en dessous de la plaquette 112 et le tampon de polissage 104. Le tampon de polissage 104 et la plaquette 112 sont de façon caractéristique, mais non nécessairement, amenés à tourner à des vitesses choisies comprises entre 0,1 tour par minute et 150 tours par minute. La force F est de façon caractéristique, mais non nécessairement, d'une grandeur choisie pour induire une pression souhaitée de 6,9 à 103 kPa entre la plaquette 112 et le tampon de polissage 104. La figure 3A illustre en liaison avec le tampon de polissage 104 de la figure 2 un motif de gorge 144 qui, comme mentionné plus haut, inhibe la formation des sillons de mélange (éléments 46 de la figure 1) ou réduit la dimension des sillons de mélange dans les gorges 148, 152, 156 présentes dans la couche de polissage 108 du tampon. De façon générale, le concept de la présente invention est de fournir des gorges 148, 152, 156 qui sont à grand angle par rapport aux vecteurs de vitesse tangentielle de la plaquette 112 dans tous les emplacements sur la couche de polissage 108 ou dans la plupart des emplacements autant que cela est possible. Si l'axe de rotation 136 de la plaquette 112 coïncide avec l'axe de rotation 128 du tampon de polissage 104, le motif de gorge idéal selon la présente invention serait celui dans lequel les gorges rayonnent vers l'extérieur à partir de l'axe de rotation du tampon. Cependant, dans les polisseuses à axe double, comme la polisseuse 100 représentée sur la figure 2, la situation est compliquée par le décalage 160 entre les axes de rotation 128, 136 du tampon de polissage 104 et la plaquette 112. Néanmoins, il est possible de concevoir un tampon de polissage, par exemple le tampon 104 destiné à être utilisé avec une polisseuse à axe double qui s'approche du motif de gorge idéal possible lorsque le polissage est réalisé quand les axes de rotation 136, 128 de la plaquette 112 et du tampon sont coïncidants. Comme résultat du décalage 160 (figure 1) entre les axes de rotation 128, 136, le polissage a pour effet que le tampon de polissage 104 balaie la région de polissage 64 (désignée de façon courante par la "piste de plaquette" dans le contexte du planage de plaquette à semi-conducteur) définie par une délimitation intérieure 168 et une délimitation extérieure 172, chacune définie par une trajectoire d'un point sur le tampon de polissage 104. Pour les tampons de polissage rotatifs, la délimitation intérieure 168 et la délimitation extérieure 172 représentent des cercles. Généralement, la région de polissage 164 est la partie de la couche de polissage 108 qui est en vis-à-vis de la surface polie (non représentée) de la plaquette 112 pendant le polissage à mesure que le tampon de polissage 104 tourne par rapport à la plaquette. Dans le mode de réalisation représenté, le tampon de polissage 104 est conçu pour être utilisé avec la polisseuse 100 de la figure 2 où la plaquette 112 est amenée à tourner dans une position fixe par rapport au tampon. Par conséquent, la région de polissage 164 est de forme annulaire et présente une largeur W entre les délimitations intérieure et extérieure 168, 172 qui est égale au diamètre de la surface polie de la plaquette 112. Dans un mode de réalisation dans lequel la plaquette 112 n'est pas seulement amenée à tourner, mais également à osciller dans une direction parallèle à la couche de polissage 108, la région de polissage 164 sera de façon caractéristique de la même façon annulaire, mais la largeur W entre les délimitations intérieure et extérieure 168, 172 sera plus grande que le diamètre de la surface polie de la plaquette 112 pour tenir compte de l'enveloppe d'oscillation. La délimitation intérieure 168 de la région de polissage 164 définit une région centrale 176 dans laquelle une bouillie (non représentée), ou un autre milieu de polissage, peut être fournie au tampon de polissage 104 pendant le polissage. Dans un mode de réalisation dans lequel la plaquette 112 est non seulement tournée mais également amenée à osciller dans une direction parallèle à la couche de polissage 108, la région centrale 176 peut être excessivement petite si l'enveloppe d'oscillation s'étend au centre ou presqu'au centre du tampon de polissage 104, auquel cas la bouillie ou un autre milieu de polissage peut être fourni au tampon en un emplacement décentré. La délimitation extérieure 172 de la région de polissage 164 sera de façon caractéristique située radialement vers l'intérieur du bord périphérique extérieur 180 du tampon de polissage 104 mais peut, à titre de variante, être de même étendue avec ce bord. Dans la conception du motif de gorge 144 d'une façon qui réduit ou minimise le nombre d'apparitions où la direction de rotation 184 de la plaquette 112 est alignée avec les gorges 148, 152, 156 ou leurs segments, il est utile de considérer la vitesse de la plaquette aux quatre emplacements L1, L2, L3, L4, deux le long d'une ligne 188 s'étendant au travers des axes de rotation 128, 136 du tampon de polissage 104 et de la plaquette et deux le long d'un arc circulaire 190 concentrique à l'axe de rotation du tampon et s'étendant au travers de l'axe de rotation de la plaquette. Il en est ainsi car ces emplacements représentent quatre extrêmes de vecteurs de vitesse de la plaquette 112 par rapport à la direction de rotation 192 du tampon de polissage 104. Ainsi, l'emplacement L1 représente l'emplacement dans lequel un vecteur de vitesse V1 de la plaquette 112 est essentiellement de sens de rotation directement opposé 192 du tampon de polissage 104 et a la plus grande amplitude dans cette direction, l'emplacement L2 représente l'emplacement où un vecteur de vitesse V2 de la plaquette est essentiellement dans la même direction que la direction de rotation du tampon et a la plus grande amplitude dans cette direction et les emplacements L3 et L4 représentent les emplacements où les vecteurs de vitesse respectifs V3 et V4 de la plaquette sont selon de grands angles par rapport à la direction de rotation du tampon et ont la plus grande amplitude dans ces directions. C'est dans les emplacements L1-L4 que les principes de la présente invention peuvent être appliqués afin de fournir le motif de gorge idéal discuté plus haut. Comme on le comprendra facilement, la considération de vecteurs de vitesse VI-V4 de la plaquette 112 à ces quatre emplacements L1-L4 conduit généralement au cloisonnement de la région de polissage 164 selon trois zones, la zone Z1 correspondant à l'emplacement LI, la zone Z2 correspondant aux deux emplacement L3 et L4 et la zone Z3 correspondant à l'emplacement L2. La largeur W de la piste de plaquette peut être répartie parmi les zones Z1-Z3 généralement selon n'importe quelle façon souhaitée. Par exemple, les zones Z1 et Z3 peuvent chacune représenter un quart de la largeur W et la zone Z3 peut représenter une moitié de la largeur W. D'autres répartitions, comme un tiers de W, peuvent être attribuées à chacune des zones Z1, Z2 et respectivement Z3. De préférence, le tampon de polissage 104 polit une plaquette à semi-conducteur avec une pluralité de premières gorges à grand angle de la zone Z1, une pluralité de deuxièmes gorges à grand angle de la zone Z3 et au moins une zone Z2 à gorge à petit angle contiguës de façon simultanée à la plaquette à semi-conducteur simultanément pendant au moins une partie du polissage. L'application des principes de la présente invention, c'est-à-dire de prévoir des gorges 148, 152, 156 qui sont à grands angles aux vecteurs de vitesse de la plaquette 112 dans la zone Z1, en considérant le vecteur de vitesse à l'emplacement L1, montre que les gorges radiales 148 sont souhaitables dans la zone Z1. Il en est ainsi car le vecteur de vitesse Vi est essentiellement perpendiculaire aux gorges radiales 148. Il convient de remarquer que les gorges 148 peuvent s'étendre au-delà de la délimitation intérieure 168 vers ou au niveau de l'axe de rotation 128. Comme on le comprendra, les gorges radiales 148 sont perpendiculaires à la délimitation intérieure 168 de la région de polissage 164. Il convient de remarquer que les gorges 148 n'ont pas besoin d'être vraiment radiales. A la place, chaque gorge 148 peut former un angle a avec la délimitation intérieure 168 différent de 90 . Généralement, l'angle a représente un grand angle, de préférence dans la gamme de 45 à 135 , notamment de 60 à 120 , et mieux encore de 75 à 105 . En outre, il convient de remarquer que chaque gorge 148 n'a pas besoin d'être linéaire mais est plutôt incurvée, en zigzag, ondulée ou en forme de dent de scie. Généralement, pour la forme en dent de scie, ondulée, en zigzag et analogue des gorges, l'angle a est mesuré depuis la ligne médiane transversale de la gorge dans le sens global plutôt que local, c'est-à-dire l'emplacement central de la gorge lorsqu'on considère la moyenne de plusieurs unités de forme répétitive (ondes ou zigzags). Les besoins pour la zone Z3 par rapport aux gorges 156 sont essentiellement les mêmes que les besoins pour la zone Z1, la différence principale étant que le vecteur de vitesse V2 à l'emplacement L2 est opposé au vecteur de vitesse VI à l'emplacement L I. Par conséquent, les gorges 156 peuvent être des gorges radiales comme les gorges 148 de la zone Z1 afin de former un angle B de 90 par rapport à la délimitation extérieure 172. Cependant, comme les gorges 148, les gorges 156 n'ont pas besoin d'être vraiment radiales. Au lieu de cela, chaque gorge 152 peut former un angle 13 avec la délimitation extérieure 172 différent de 90 . Généralement, l'angle B représente un grand angle, de préférence dans la gamme de 45 à 135 , mieux encore de 60 à 120 et, tout particulièrement, dans la gamme de 75 à 105 . En outre, comme les gorges 148, chaque gorge 156 n'a pas besoin d'être linéaire, mais peut plutôt être incurvée, enzigzag, ondulée ou en forme de dent de scie. Egalement comme les gorges 148 pour les gorges 156 de forme en dent de scie, ondulée, en zigzag, l'angle B peut être mesuré à partir d'une ligne qui représente généralement le sens transversal de la gorge dans le sens global en considérant la moyenne de plusieurs unités de forme répétitive. Les vecteurs de vitesse V3 et V4 de la plaquette 112 dans la zone Z2 sont perpendiculaires aux vecteurs de vitesse V 1 et V2 dans les zones Z1 et respectivement Z3. Afin d'obtenir des gorges 152 dans la zone Z2 selon un grand angle par rapport aux vecteurs de vitesse V3 et V4, ces gorges peuvent être parallèles ou présenter un petit angle par rapport aux délimitations intérieure et extérieure 168, 172 de la région de polissage 164. A cet égard, chaque gorge 152 forme, de préférence, un petit angle y avec soit la délimitation intérieure 168 soit la délimitation extérieure 172 de -30 à 30 et, mieux encore, de -15 à 15 . Si les gorges 152 ne sont pas parallèles aux délimitations intérieure et extérieure 168, 172 (et les unes avec les autres), elles peuvent, mais cela n'est pas nécessaire, être toutes uniformément espacées les unes des autres, comme représenté sur la figure 3A. Si on le souhaite, les gorges 152 ou des parties de celles-ci peuvent se croiser l'une l'autre dans des directions opposées afin de former une grille en forme de rhomboèdre (non représentée) ou un autre motif, comme indiqué ci-après en liaison avec la figure 3B. D'une façon correspondante, l'une des gorges 148, 152 et 156 respectives peut ne pas être reliée avec une autre, comme représenté afin de former des canaux continus (dont un est souligné sur la figure 3A et identifié par la référence 196) s'étendant d'un emplacement proche de l'axe de rotation 128 et au travers et au-delà de la région de polissage 164. La prévision de canaux continus 196, comme représenté, peut être bénéfique pour l'utilisation de la bouillie et aide au balayage des débris de polissage et à l'élimination de chaleur. Chaque gorge 148 peut être reliée à l'une respective correspondante des gorges 152 au niveau d'une première transition 200 et, de façon analogue, chaque gorge 152 peut être reliée à l'une respective correspondante des gorges 156 au niveau d'une deuxième transition 204. Chacune des première et deuxième transitions 200, 204 peut être graduelle, par exemple les transitions incurvées représentées, ou abrupte, par exemple où l'une des gorges reliées des gorges 148, 152, 156 forme un angle vif avec une autre, comme cela est souhaité pour s'adapter à un motif particulier. Bien que la région de polissage 164 ait été décrite comme étant divisée en trois zones Zl-Z3, l'homme du métier comprendra que la région de polissage peut être répartie selon un plus grand nombre de zones si on le souhaite. Cependant, quel que soit le nombre de zones prévues, le procédé de disposition des gorges, par exemple les gorges 148, 152, 156 dans chaque zone, doit être identique. Ceci signifie que dans chaque zone, la/les orientation(s) des gorges peut/peuvent être choisie(s) pour être selon un grand angle par rapport au vecteur de vitesse (de façon analogue aux vecteurs de vitesse V1-V4) en un emplacement correspondant (analogue aux emplacements L1-L4). A titre d'exemple, deux zones supplémentaires (non représentées), l'une entre les zones Z1 et Z2 et l'autre entre les zones Z2 et Z3 peuvent être ajoutées comme suit. Quatre emplacements supplémentaires pour quatre vecteurs de vitesse supplémentaires peuvent être tout d'abord déterminés en utilisant deux arcs circulaires supplémentaires (chacun analogue à l'arc circulaire 190) qui sont chacun concentrique à l'axe de rotation 128 du tampon de polissage 104. L'un des arcs supplémentaires peut être situé afin de couper la ligne 188 à mi-chemin entre l'emplacement L1 et l'axe de rotation 136 de la plaquette 112 et l'autre peut être situé afin de croiser la ligne 188 à mi-chemin entre 1" axe de rotation de la plaquette et l'emplacement L2. Les emplacements supplémentaires pour les vecteurs de vitesse peuvent ensuite être choisis pour être les quatre points dans lesquels les deux nouveaux arcs circulaires coupent le bord périphérique extérieur 180 de la plaquette 112. Les deux zones supplémentaires correspondront alors aux deux arcs circulaires supplémentaires d'une façon analogue à la correspondance de la zone Z2 à l'arc circulaire 190 et aux emplacements correspondants Z3 et Z4. Les vecteurs de vitesse supplémentaires de la plaquette 112 pourront ensuite être déterminés pour les quatre emplacements supplémentaires et les nouvelles gorges orientées par rapport aux vecteurs de vitesse supplémentaires, comme indiqué plus haut eu égard aux gorges 148, 152, 156. Les figures 3B et 3C montrent chacune un tampon de polissage 300, 400 ayant chacun un motif de gorge 302, 402 qui est généralement une variante du motif de gorge 144 de la figure 3A qui englobe les concepts de la présente invention. La figure 3B montre les zones Z1' et Z3' comme renfermant partiellement respectivement les gorges 304, 308, qui sont chacune généralement radiales et selon un grand angle par rapport à l'une correspondante des délimitations intérieure et extérieure 312, 316 de la région de polissage 320 mais incurvées dans des directions opposées l'une de l'autre. Bien entendu, les gorges 312, 316 peuvent présenter d'autres formes et orientations, comme les formes et orientations mentionnées plus haut en liaison avec la figure 3A. La figure 313 montre également une zone Z2' contenant une gorge à une seule spirale 324 dans laquelle en n'importe quel point de celle-ci, la gorge est à un petit angle par rapport aux délimitations intérieure et extérieure 312, 316 (et également selon un grand angle par rapport aux gorges 304, 308). On peut voir facilement que le motif de gorge 302 fournit, conformément à la présente invention, des gorges 304 qui sont à grand angle par rapport au vecteur de vitesse V l', des gorges 308 qui sont à grand angle par rapport au vecteur de vitesse V2' et la gorge 324 qui est à grand angle par rapport aux vecteurs de vitesse V3' et V4' afin d'inhiber la formation et l'étendue de sillons de mélange qui se forment dans ces gorges pendant le polissage. La largeur W' peut être répartie dans les zones Zl'-Z3' selon n'importe quelle façon appropriée comme un quart W'/une moitié W'/un quart W' ou un tiers W'. Comme mentionné plus haut eu égard à la figure 3A, la zone Z2 peut renfermer des gorges 152 ou des parties de celles-ci qui se croisent l'une l'autre. Ceci peut être facilement envisagé dans le contexte de la gorge à spirale 324 de la figure 3B. A titre d'exemple, en plus de la gorge à spirale 324 dans le sens inverse à celui des aiguilles d'une montre représentée, la zone Z2' peut également renfermer une gorge en spirale dans le sens des aiguilles d'une montre analogue (non représentée) qui doit nécessairement croiser la gorge à spirale dans le sens contraire à celui des aiguilles d'une montre en de nombreux emplacements. La figure 3C représente les zones Z1" et Z3" comme renfermant partiellement respectivement des gorges 404, 408 qui sont chacune généralement radiales et selon un grand angle par rapport à celle correspondante des délimitations intérieure et extérieure 412, 416 de la région de polissage 420. Bien entendu, les gorges 404, 408 peuvent présenter d'autres formes et orientations comme les formes et orientations mentionnées plus haut en liaison avec la figure 3A. La figure 3C montre, en outre, la zone Z2" renfermant une pluralité de gorges circulaires 424 qui sont chacune parallèles aux délimitations intérieure et extérieure 412, 416. Comme les figures 3A et 3B, on peut constater aisément que le motif de gorge 402 fournit, conformément à la présente invention, des gorges 404 qui sont à grand angle par rapport au vecteur de vitesse V 1 ", des gorges 408 qui sont à grand angle par rapport au vecteur de vitesse V2" et des gorges 412 qui sont à grand angle par rapport aux vecteurs de vitesse V3" et V4" afin d'inhiber la formation et l'étendue des sillons de mélange qui se forment dans ces gorges pendant le polissage. La largeur W" peut être répartie dans les zones Z1 -Z3", selon n'importe quelle façon appropriée, comme un quart W"/une moitié W"/un quart W" ou un tiers W". La figure 4 illustre la présente invention dans le contexte d'un tampon de polissage 500 du type à courroie continue. Comme les tampons de polissage rotatifs 104, 300, 400 discutés ci-dessus en liaison avec les figures 3A-3C, le tampon de polissage 500 de la figure 4 comprend une région de polissage 504 définie par une première délimitation 508 et une deuxième délimitation 512 espacées l'une de l'autre d'une distance W"' égale ou supérieure au diamètre de la surface polie (non représentée) de la plaquette 516 en fonction si oui ou non la plaquette est oscillée en plus d'être amenée à tourner pendant le polissage. Pour les tampons de type bande et courroie, la délimitation intérieure 168 et la délimitation extérieure 172 représentent des lignes droites. De façon analogue aux tampons de polissage rotatifs 104, 300, 400, la région de polissage 504 peut être divisée en trois zones Zr', Zr' et Zr' contenant des gorges correspondantes 520, 524, 528 ayant des orientations ou des orientations et des formes choisies sur la base de la direction de certains des vecteurs de vitesse de la plaquette 516, comme les vecteurs de vitesse V1", V2", V3"' et respectivement V4"' situés aux emplacements L1", L2"', L3"' et L4". La largeur W" de la région de polissage 504 peut être répartie dans les zones Zr', Z2"' et Z3"' d'une façon discutée plus haut eu égard à la figure 3A. Outre la forme de la région de polissage 504 qui est différente de la forme de la région de polissage de la figure 3A (linéaire par opposition à circulaire) et les emplacements L3"' et L4"' des vecteurs de vitesse V3"' et V4" différents des emplacements L3 et L4 de la figure 3A d'une façon analogue, les principes concernant le choix des orientations des gorges 520, 524, 528 sont essentiellement les mêmes que ceux mentionnés ci-dessus eu égard à la figure 3A. Ceci signifie qu'il est souhaitable que les gorges 520 dans la zone Z 1 " soient à grand angle par rapport au vecteur de vitesse V les gorges 524 dans la zone Z2" soient à grand angle par rapport aux vecteurs de vitesse V3"' et V4"' et les gorges 528 dans la zone Z3"' soient à grand angle par rapport au vecteur de vitesse V2"'. Ceci peut être satisfait de la même manière que mentionné plus haut eu égard aux tampons de polissage rotatifs 104, 300, 400, par exemple en réalisant les gorges 520 à grand angle par rapport à la première délimitation 508 de la région de polissage 504, en réalisant les gorges 524 parallèles ou à petit angle par rapport aux première et deuxième délimitations 508, 512 et en réalisant les gorges 528 à grand angle par rapport à la deuxième délimitation 512. De façon générale, ces buts peuvent être satisfaits en réalisant les gorges 520 qui forment un angle cf avec la première délimitation 508 d'environ 60 à 120 , notamment d'environ 75 à 105 , en réalisant les gorges 520 qui forment un angle 13' avec la première ou la deuxième délimitation 508, 512 d'environ -30 à 30 , notamment de -15 à 15 , et en réalisant les gorges 528 qui forment un angle y' avec la deuxième délimitation 512 d'environ 60 à 120 , notamment d'environ 75 à 105 . Il convient de remarquer que bien que les gorges 520, 524, 528 soient reliées les unes aux autres afin de former des canaux continus, ceci n'est pas nécessaire. A la place, les gorges 520, 524, 528 peuvent être discontinues, c'est-à-dire réalisées selon les gorges 424 de la figure 3C. En translatant les gorges circulaires 424 de la figure 3C au patin de polissage 500 de type courroie de la figure 4, les gorges 524 dans la zone Z2"' seront linéaires et parallèles aux première et deuxième délimitations 508, 512. Cependant, si les gorges 520, 524, 528 sont reliées les unes aux autres, les transitions peuvent être abruptes (comme représenté) ou plus graduelles, c'est-à-dire analogues aux première et deuxième transitions 200, 204 de la figure 3A. 18 REVENDICATIONS 1. Tampon de polissage approprié pour polir au moins l'un des substrats à semi-conducteur, optique, et magnétique comprenant: (a) une couche de polissage (108) ayant une région de polissage (164, 320, 420, 504) définie par une première délimitation (168, 172, 312, 316) définie par une trajectoire d'un premier point sur le tampon de polissage (104, 300, 400, 500) et une deuxième délimitation (412, 416, 508, 512) définie par une trajectoire d'un deuxième point sur le tampon de polissage (104, 300, 400, 500), la deuxième délimitation (412, 416, 508, 512) étant espacée de la première délimitation (168, 172, 312, 316) ; (b) une pluralité de premières gorges (148, 152, 156, 304, 308) à grand angle, chacune contenue au moins partiellement dans la région de polissage (164, 320, 420, 504) près de la première délimitation (168, 172, 312, 316) et faisant un angle de 45 à 135 au point d'intersection avec la première délimitation (168, 172, 312, 316) ; (c) une pluralité de deuxièmes gorges (404, 408, 520, 528) à grand angle, chacune étant au moins partiellement contenue dans la région de polissage près de la deuxième délimitation (412, 416, 508, 512) et faisant un angle de 45 à 135 au point d'intersection avec la deuxième délimitation; et (d) au moins une gorge (324, 424, 524) à petit angle contenue dans la région de polissage et entre la pluralité des premières gorges (148, 152, 156, 304, 308) à grand angle et la pluralité des deuxièmes gorges (404, 408, 520, 528) à grand angle et faisant un angle de -30 à 30 par rapport à la trajectoire de la première délimitation (168, 172, 312, 316) et de la deuxième délimitation (412, 416, 508, 512). 2. Tampon de polissage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le tampon de polissage (104, 300, 400, 500) est un tampon de polissage rotatif. 3. Tampon de polissage selon la revendication 2, caractérisé en ce que chacune de la pluralité des premières gorges (148, 152, 156, 304, 308) à grand angle et chacune de la pluralité des deuxièmes gorges (404, 408, 520, 528) à grand angle sont essentiellement disposées radialement par rapport à l'axe de rotation (128, 136) du tampon de polissage (104, 300, 400, 500). 4. Tampon de polissage selon la revendication 1, caractérisé en ce que au moins une gorge (324, 424, 524) à petit angle est une gorge en spirale. 5. Tampon de polissage selon la revendication 1, comprenant, en outre, une pluralité de gorges à petit angle, caractérisé en ce que chacune de la pluralité des gorges (324, 424, 524) à petit angle relie l'une de la pluralité correspondante respective des premières gorges (148, 152, 156, 304, 308) à grand angle à l'une respective correspondante de la pluralité des deuxièmes gorges (404, 408, 520, 528) à grand angle. 6. Tampon de polissage selon la revendication 2, comprenant, en outre, une pluralité de gorges à petit angle, caractérisé en ce que chacune de la pluralité des gorges (324, 424, 524) à petit angle est circulaire. 7. Tampon de polissage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le tampon de polissage (104, 300, 400, 500) est une courroie linéaire. 8. Tampon de polissage selon la revendication 1, caractérise en ce que la pluralité des premières gorges (148, 152, 156, 304, 308) à grand angle est de 60 à 120 au point d'intersection avec la première délimitation (168, 172, 312, 316) et la pluralité des deuxièmes gorges (404, 408, 520, 528) à grand angle est de 60 à 120 au point d'intersection avec la deuxième délimitation (412, 416, 508, 512). 9. Procédé de polissage d'un substrat à semi-conducteur optique ou magnétique comprenant les étapes de polissage du substrat avec un tampon de polissage et un milieu de polissage, le tarnpon de polissage comprenant: (a) une couche de polissage ayant une région de polissage définie par une première délimitation définie par une trajectoire d'un premier point sur le tampon de polissage et une deuxième délimitation définie par une trajectoire d'un deuxième point sur le tampon de polissage, la deuxième délimitation étant espacée de la première délimitation; (b) une pluralité de premières gorges à grand angle, chacune étant contenue au moins partiellement dans la région de polissage près de la première délimitation et faisant un angle de 45 à 135 au point d'intersection avec la première délimitation; (c) une pluralité de deuxièmes gorges à grand angle, chacune étant au moins partiellement contenue dans la région de polissage près de la deuxième délimitation et faisant un angle de 45 à 135 au point d'intersection avec la deuxième délimitation; et (d) au moins une gorge à petit angle contenue dans la région de polissage et entre la pluralité des premières gorges à grand angle et la pluralité des deuxièmes gorges à grand angle et faisant un angle de -30 à 30 par rapport à la trajectoire de la première délimitation et de la deuxième délimitation. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le tampon de polissage polit une plaquette à semi-conducteur et la pluralité des premières gorges à grand angle et la pluralité des deuxièmes gorges à grand angle et au moins une gorge à petit angle sont contigus à la plaquette à semi-conducteur simultanément pour au moins une part Eie du polissage.