FR 2862769 A1 20050527 FR 0412118 A 20041116 et une électrode commune 15 est formée parallèlement et dans la même direction que celle de la ligne de grille. Une région de pixel P est définie par l'intersection de la ligne de grille 1l et la ligne de données 13. Également, une région de pixel P comprend l'électrode commune et l'électrode de pixel 17 produisant une forme en doigt et mis en motif de manière intégrée. En effet, l'électrode commune 15, formée en parallèle et dans la même direction que la ligne de grille 11, présente une pluralité de barres d'électrodes communes 15a formées verticalement, en saillie et s'étendant depuis l'électrode commune 15. Au point de croisement auquel la ligne de grille 15 et la ligne de données 13 se coupent chaque autre, un transistor en couches minces T en tant que dispositif de commutation est formé. Le transistor en couches minces T comprend une électrode de grille 19 connectée à la ligne de grille 11, une électrode de source 21 connectée à la ligne de données 13 et une électrode de drain 23 connectée à l'électrode de pixel 17. Comme dans le cas de l'électrode commune 15, une pluralité de barres d'électrodes de pixel 17a sont formés verticalement pour faire saillie et s'étendre depuis l'électrode de pixel 17. La pluralité de barres d'électrodes de pixel 17a et la pluralité de barres d'électrodes communes 15a sont intégrées de façon alternée. De manière correspondante, lorsqu'une tension prédéterminée est appliquée sur l'électrode de pixel 17 et sur l'électrode commune 15, un champ de bord est distribué entre chacune des barres d'électrodes de pixel 17a et chacune des barres d'électrodes communes 15a. L'alignement des molécules de cristal liquide est modifié selon le champ de bord, là où une image est affichée. Cependant, dans le dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné, tel que représenté sur la Figure 1, la partie A et la partie B (par exemple la région se trouvant entre la ligne de données 13 et la barre d'électrodes de pixel 17a la plus extérieure) représentée par une ligne en pointillés aux deux extrémités de la région de pixel P ne correspond pas à la barre d'électrodes de pixel 17a ni à la barre d'électrodes communes 15a. À la différence d'admission de la région centrale de la région de pixel P, les cristaux liquides disposés sur les parties A et B ne peuvent fonctionner correctement, ce qui devient ainsi un facteur principal de la détérioration de la qualité de l'image. Pour résoudre un tel problème, une couche de matrice noire (appelée ciaprès BM pour Black Matrice) est formée sur une région spécifique du substrat supérieur (non représenté) correspondant au substrat inférieur adapté. Précisément, la couche BM est formée sur la région sur la région des substrats supérieurs correspondant à la région restante à laquelle les barres d'électrodes de pixel 17a et les barres d'électrodes communes 15a sont formées. Étant donné que la couche PM est formée sur le R:\Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 2/24 substrat supérieur qui correspond aux parties A et B décrites ci-dessus, il est possible d'empêcher que de la lumière fuie en s'échappant des parties A et B, sauf pour ce que concerne la zone d'affichage. Cependant, se pose encore le problème selon lequel le taux d'ouverture est réduit, étant donné que la région à laquelle la couche BM est formée est élargie. Pour surmonter un tel problème, une structure a été développée, pour couvrir une portion de la partie supérieure de la ligne de données 13 par les barres d'électrodes communes 15a en saillie et s'étendant depuis l'électrode commune 15. La Figure 2 est une vue en plan partielle d'un substrat inférieur dans un autre dispositif LCD à mode IPS selon l'art concerné. Pour résoudre le problème ci-dessus, une couche isolante (non représentée), faite d'un matériau isolant organique transparent (par exemple du photo acryl) ayant une faible constante diélectrique, est disposée sur une ligne de données 113. Une électrode commune 115, une pluralité de barres d'électrodes communes 115a, une électrode de pixel 117 et une pluralité de barres d'électrodes de pixel 117a sont formées sur la couche isolante. À ce moment, les barres d'électrodes communes 115a sont partiellement formées sur la ligne de données 113. Tel que représenté sur la Figure 2, le substrat inférieur est muni d'une ligne de grille 111, la ligne de données 113 coupe longitudinale perpendiculairement la ligne de données 111 et l'électrode commune 115 est formée parallèlement à et dans la même direction que la ligne de grille 111. Une région de pixel (P) est définie par l'intersection de la ligne de grille et de la ligne de données 113. L'électrode commune 115 et l'électrode de pixel 117 sont mises en motif en structure en forme de doigt, intégrant la région de pixel (P). L'électrode commune 115 présente la pluralité de barres d'électrodes communes 115a qui font saillie verticalement de celle-ci. Et la pluralité des deux barres d'électrodes communes 115a chevauche partiellement la ligne de données 113. À un point d'intersection de la ligne de données 111 e1: de la ligne de données 113, un transistor en couches minces (T) est formé en tant qu'élément de commutation. Le transistor en couches minces (T) présente une électrode de grille 119 connectée à la ligne de grille 11 l, une électrode de source 121 connectée à la ligne de donnée 113 et une électrode de drain 123 connectée à l'électrode de pixel 117. L'électrode de pixel 117 comprend la pluralité de barres d'électrodes 117a faisant saillie verticalement depuis l'électrode de pixel 117 comme dans l'électrode commune 115. Et les barres d'électrodes de pixel 117a sont intégrées avec les barres d'électrodes communes 115a. R: \Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 3/24 De manière correspondante, étant donné que le dispositif d'affichage à cristal liquide à mode IPS de l'art concerné, représenté sur la Figure 2, a la barre d'électrodes communes formée même sur la ligne de données 113 en comparaison avec la Figure 1, un champ de bord est distribué sur de plus larges zones (c'est-à-dire les régions A et B sur la Figure 1). De manière correspondante, le dispositif LCD à mode IPS fonctionne normalement. Par conséquent, même si aucune couche de matrice noire (BM) n'est formée sur un substrat supérieur correspondant aux régions A et B représentées sur la Figure 1, le dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné représenté sur la Figure 2 permet d'améliorer le taux d'ouverture. Les Figures 3A à 3C sont des vues en coupe illustrant un procédé de fabrication, suivant des lignes de coupe I-I et II-II de la Figure 2. Premièrement, tel que représenté sur la Figure 3A, un métal conducteur est déposé et mis en motif sur un substrat 109, afin de former une ligne de grille 111 et une électrode de grille 119. Ensuite, un matériau isolant non-organique (par exemple, un film en nitrure de silicium (SiNx) et un film en oxyde de Silicium (SiO2)) ou un matériau isolant organique (par exemple une résine acrylique ou du benzocyclobutène (BCB)) est déposé sur la totalité de la surface du substrat 109, incluant la ligne de grille 111, de manière à former une couche d'isolation de grille 118. Ensuite, tel que représenté sur la Figure 3B, du silicium intrinsèquement amorphe (a-Si) et un silicium amorphe, dopé par des impuretés (n+a-Si), sont déposés sur la totalité de la couche d'isolation de grille 118. Ensuite, le résultat est mis en motif pour former une couche active 125 et une couche de contact ohmique 127. Ensuite, un métal conducteur est déposé et mis en motif sur la couche de contact ohmique 127, formant de cette manière la ligne de données 113, l'électrode de source 121 et l'électrode de drain 123. Après cela, un matériau à faible constante électrique (par exemple du BCB ou une résine acrylique) est déposé sur la totalité de la surface du substrat, y compris la ligne de données 113 et analogue, de manière à former une couche de passivation 129 et mis en motif pour former un trou de contact de drain 131, de manière qu'une portion de l'électrode de drain 123 soit exposée extérieurement. Tels que représenté sur la Figure 3C, un métal conducteur transparent (par exemple de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO)) est déposé et mis en motif pour former des barres d'électrodes communes 115a et des barres d'électrodes de pixel 117a, de manière à être mutuellement intégrés. En outre, l'électrode commune 115 et l'électrode de pixel 117 sont respectivement formées pour être connectées aux barres d'électrodes communes 115a et aux barres d'électrodes de pixel 117a. À ce moment, certaines des R:\Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 4/24 barres d'électrodes communes 115a sont mises en rapprochement avec la ligne de données 113 avec interposition entre elles de la couche de passivation 129. Ce faisant, le dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné de la Figure 2 subit l'inconvénient selon lequel les molécules de cristal liquide sont l'objet d'un fonctionnement anormal dans les régions A et B de la Figure 1, ce qui a comme effet de détériorer la qualité de l'image, augmentant de cette manière le taux d'ouverture. Cependant, dans le dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné de la Figure 2, la couche de passivation 129 présente une forte épaisseur sur une face inférieure de l'électrode commune 115 et de l'électrode de pixel 117. De manière correspondante, le dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné de la Figure 2 présente l'inconvénient selon lequel un rétro-éclairage (non représenté), émanant de l'extérieur du substrat, présente une transmittance lumineuse réduite, sous l'effet de la couche de passivation 129 qui est épaisse. La Figure 4 est une vue en coupe du substrat inférieur, prise selon des lignes de 15 section I-I et II-II de la Figure 2 et un substrat supérieur correspondant au substrat inférieur adapté. En se référant à la Figure 4, une description supplémentaire concernant le substrat inférieur va être omise, étant donné que le substrat inférieur est identique à celui de la Figure 3C. Le substrat supérieur 140 tourné vers le substrat inférieur inclus une couche de filtre chromatique 144 ayant un filtre de sous-couleur rouge (R), un filtre de sous-couleur vert (G), un filtre de sous-couleur bleu (B), dans lesquels une couche de filtre chromatique appropriée est prévue pour coïncider avec chacune des régions de pixel (P) prévues sur le substrat inférieur. Une couche BM 142 est formée pour couvrir la région entre les filtres de sous-couleur et une portion du transistor en couches minces du substrat inférieur. Une couche de revêtement de dessus (appelé ci-après "OC") 146 est formé sur la couche de filtre chromatique 144 et la couche BM 142. À ce moment, une couche de cristal liquide (non représentée) est interposée entre le substrat supérieur 140 et le substrat inférieur 109. Le dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné mentionné ci-dessus présente l'inconvénient d'avoir un procédé complexe et des coûts de fabrication élevés, du fait de la couche de filtre chromatique 144, du film BM 142 et de la couche OC 146 formée sur le substrat supérieur 140. En outre, il présente l'inconvénient selon lequel le substrat supérieur n'a pas une construction se référant à une marge de combinaison de cellules concernant les substrats supérieurs et inférieurs, lorsque le substrat supérieur a été attaché au substrat inférieur. Récemment a été proposée une structure, dans laquelle une couche de filtre chromatique était formée sur un substrat inférieur, pour empêcher un désalignement R:\Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 5/24 entre le dispositif LCD et une couche BM ayant une largeur réduite, dans le but d'améliorer le taux d'ouverture. Une structure de formation de la couche de filtre chromatique, sous un transistor en couches minces (TFT), est appelée un transistor en couches minces sur un filtre chromatique (TOC), et une structure de formation d'une couche de filtre chromatique sur le TDT est appelée un filtre chromatique sur transistor en couches minces (COT). Dans la structure TOC, seules la couche BM et la couche OC sont formées sur le substrat supérieur. À ce moment, la couche BM est en mesure non seulement d'empêcher que la lumière fuie par des régions autres que la région de pixel, mais également d'occulter la lumière pour l'empêcher qu'elle soit incidente au TFT, empêchant de cette manière une dégénération d'un courant optique. Cependant, lorsque la couche BM est prévue sur le substrat supérieur, on a l'inconvénient selon lequel une lumière incidente oblique ou une certaine lumière réfléchie depuis le film de la couche BM ne puisse être empêchée étant donné que le film de la couche BM et le TFT sont espacés l'un de l'autre. De manière correspondante, la présente invention est orientée sur un substrat inférieur, un dispositif LCD à mode IPS et un procédé de fabrication de celui-ci, qui permet d'éliminer pratiquement un ou plusieurs problèmes du fait des limitations et des inconvénients de l'art concerné. Un but de la présente invention est de fournir un substrat inférieur pour un dispositif LCD à mode IPS ayant un taux d'ouverture amélioré. Un autre but est de fournir un procédé simplifié de fabrication du substrat inférieur d'un dispositif LCD à mode IPS. Pour atteindre ces avantages ainsi que d'autres, et selon le but de l'invention, tel que mis en oeuvre et largement décrit, un substrat inférieur, pour un dispositif LCD à mode IPS comprend un substrat; une ligne de grille formée sur le substrat, une ligne de données formée sur le substrat, croisant la ligne de grille, une région de pixel définie par des intersections de la ligne de grille avec les premières et deuxièmes lignes de données; un transistor en couches minces connecté à la première ligne de grille et à la première ligne de données; une électrode de pixel formée sur la région de pixel et connectée au transistor en couches minces, l'électrode de pixel ayant une pluralité de premières barres et ayant une structure empilée, formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée; une électrode commune formée en chevauchement sur la grille de grille, la ligne de données et le transistor en couches minces, l'électrode commune ayant une pluralité de deuxièmes barres, intégrées aux premières barres de l'électrode de pixel et ayant une structure empilée formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée; et une R:\Brevets123100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 6/24 couche formant filtre chromatique, disposée en des positions correspondant à la région de pixels du substrat. Selon des modes de réalisation: la couche de filtre chromatique peut être formée sur le transistor en couches 5 minces l'électrode commune peut être utilisée comme couche d'occultation de la lumière. la couche de métal transparente peut être formé d'un oxyde métallique sélectionné à partir d'un groupe de métaux conducteurs formés de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (IPO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). la couche de métal colorée peut être formée d'élément métallique sélectionné dans le groupe composé de Cr, Mo, Ti, Ta et W. la couche de métal colorée peut être d'une structure empilée, avec l'un parmi Cr, Mo, Ti, Ta et W et l'un parmi les oxydes métalliques. l'électrode de pixel, la pluralité de premières barres de l'électrode de pixel, et la pluralité de deuxièmes barres de l'électrode commune, sur la région de pixel, peuvent être réalisées en un matériau métallique transparent. l'électrode commune peut être utilisée en tant que couche d'occultation de la lumière. la couche de matériau transparent peut être formée d'un oxyde métallique, sélectionné parmi un métal conducteur transparent, composé d'ITO et d'IZO. Selon un autre aspect, un dispositif LCD à mode IPS comprend un substrat, des premières et deuxièmes lignes de grille, formées sur le substrat, une ligne de données, formée sur le substrat, croisant les premières et deuxièmes lignes de grille, une région de pixel, définie par des intersections des premières et deuxièmes lignes de grille avec les premières et deuxièmes lignes de données, un transistor en couches minces, connecté à la première ligne de grille et à la première ligne de données, une électrode de pixel, formée sur la région de pixel et connectée au transistor en couches minces, l'électrode de pixel ayant une pluralité de premières barres et ayant une structure empilée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée, et une électrode commune, formée en chevauchement de la ligne de grille, de la ligne de données et du transistor en couches minces, l'électrode commune ayant une pluralité de deuxièmes barres, intégrées aux premières barres de l'électrode de pixel, et ayant une structure empilée formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée, et une couche de filtre chromatique, disposée en des positions correspondant à la région de pixel du substrat, un substrat supérieur, espacé R:\ revets\23 1 00/23 1 74.doc - 9 novembre 2004 - 7/24 par un intervalle prédéterminé du substrat inférieur; et une couche en cristal liquide, interposée entre le substrat supérieur et le substrat inférieur. Selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un dispositif LCD à mode IPS, comprend: la formation d'une ligne de grille sur un substrat; la formation d'une ligne de données sur le substrat, croisant la ligne de grille, une région de pixel définie par des intersections de la ligne de grille avec la ligne de données; la formation d'un transistor en couches minces, connecté à la première ligne de grille et à la première ligne de données, la formation d'une couche à filtre chromatique sur la région de pixel, incluant la ligne de grille, la ligne de données et le transistor en couches minces; et la formation d'une électrode de pixel et d'une électrode commune sur la couche de filtre chromatique, l'électrode de pixel étant connectée au transistor en couches minces et ayant une pluralité de premières barres, l'électrode commune chevauchant la ligne de grille, la ligne de données et le transistor en couches minces et ayant une pluralité de deuxièmes barres intégrées à la pluralité des premières barres de l'électrode de pixel, et l'électrode commune ayant une structure empilée, formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée. Selon des modes de réalisation: l'électrode de pixel peut être d'une structure empilée, formée d'une couche 20 de métal transparente et d'une couche de métal colorée. - l'électrode commune peut être utilisée comme couche d'occultation de la lumière. - la couche de métal transparente peut être formée d'un oxyde métallique sélectionné à partir d'un métal conducteur transparent, du groupe formé 25 d'ITO et d'IZO. - la couche de métal colorée peut être formée d'un élément métallique sélectionné dans un groupe composé de Cr, Mo, Ti, Ta et W. - la couche de métal colorée présente une structure empilée, avec l'un parmi Cr, Mo, Ti, Ta et W et l'un parmi les oxydes métalliques. - l'électrode de pixel, les premières barres de l'électrode de pixel et les deuxièmes barres de l'électrode commune, sur la région de pixel (P), sont réalisées en un matériau métallique transparent. - l'électrode commune peut être utilisée comme couche d'occultation de la lumière. Selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un dispositif LCD à mode IPS comprend la formation d'une ligne de grille sur un substrat; la formation d'une ligne de données sur le substrat, croisant la ligne de grille, une région de pixel définie par des intersections de la ligne de grille avec la R:\Brevets\23100\23174. doc 9 novembre 2004 - 8/24 ligne de données; la formation d'un transistor en couches minces, connecté à la première ligne de grille et à la première ligne de données, la formation d'une couche à filtre chromatique sur la région de pixel, incluant la ligne de grille, la ligne de données et le transistor en couches minces; et la formation d'une électrode de pixel et d'une électrode commune sur la couche de filtre chromatique, l'électrode de pixel étant connectée au transistor en couches minces et ayant une pluralité de premières barres, l'électrode commune chevauchant la ligne de grille, la ligne de données et le transistor en couches minces et ayant une pluralité de deuxièmes barres intégrées à la pluralité des premières barres de l'électrode de pixel, et l'électrode commune ayant une structure empilée, formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée; la jonction d'un substrat supérieur au substrat inférieur, avec entre eux un intervalle de valeur prédéterminée; et l'interposition d'une couche de cristal liquide entre le substrat supérieur et le substrat inférieur. Il est évident que, à la fois, la description générale précédente et la description détaillée allant suivre de la présente invention sont données à titre d'exemple et d'exploitation et sont entendues comme devant fournir une exploitation supplémentaire de la présente invention, tel que revendiqué. Les dessins annexés, qui sont inclus pour fournir une meilleure compréhension de la présente invention et sont incorporés dans et font partie de cette demande, illustrent un ou plusieurs modes de réalisation de la présente invention et, conjointement avec la description, servent à expliciter le principe de la présente invention. La Figure 1 est une vue en plan partielle d'un substrat inférieur d'un dispositif LCD à mode IPS selon l'art concerné ; la Figure 2 est une vue en plan partielle d'un substrat inférieur dans un autre dispositif LCD à mode IPS selon l'art concerné. Les Figures 3A à 3C sont des vues en coupe suivant les lignes de coupe II et II-II de la Figure 2. La Figure 4 est une vue en coupe du substrat inférieur suivant les lignes de 30 coupe I-I et II-II de la Figure 2, et un substrat supérieur correspondant au substrat inférieur mis en coïncidence. La Figure 5 est une vue en plan partielle d'un substrat inférieur dans un dispositif LCD à mode IPS selon un mode de réalisation de la présente invention. Les Figures 6A à 6E sont des vues en coupe suivant les lignes de coupe II' et II-II' de la Figure 5. La Figure 7 est une vue en plan partielle d'un substrat inférieur d'un dispositif LCD à mode IPS selon un autre mode de réalisation de la présente invention. R.\Brevets\23100\23 174.doc - 9 novembre 2004 - 9/24 Les Figures 8A à 8E sont des vues en coupe suivant les lignes de coupe I-I' et II-II' de la Figure 7. On va faire à présent référence en détail à des modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins annexés. La Figure 5 est une vue en plan partielle d'un substrat inférieur d'un dispositif LCD à mode IPS, selon un premier mode de réalisation de la présente invention. En se référant à la Figure 5, le dispositif LCD à mode IPS comprend un substrat inférieur sur lequel est prévue une ligne de grille 511, une ligne de données 511 croisant la ligne de grille 511 perpendiculairement, et une ligne d'électrode commune 515 disposée en parallèle avec la ligne de grille 511. Il est préférable que la ligne d'électrode commune 515 soit formée en une partie centrale entre les lignes de grille 511. Une région de pixel P est définie par la ligne de grille 511 et la ligne de données 513. Un transistor en couches minces (TFT) 517 est un élément de commutation prévu en un point de croisement de la ligne de grille 511 et de la ligne de données 513. Sur la région de pixel P, une électrode commune 520 et une électrode de pixel 522 sont formées. De manière correspondante, une électrode de grille (non représentée) du TFT 517 est connectée à la ligne de grille 511, l'électrode de source (non représentée) est connectée à la ligne de données 513, et l'électrode de drain (non représentée) est connectée à l'électrode de pixel 522. En particulier, l'électrode de pixel 522 est réalisée à une forme rectangulaire en direction latérale en une partie centrale de la région de pixel P. L'électrode de pixel 522 comprend une pluralité de barres d'électrode de pixel 522a en saillie et s'étendant en s'écartant de l'électrode de pixel 522. De préférence, la pluralité de barres d'électrode de pixel 522a s'étendent symétriquement dans la région de pixel P. L'électrode commune 520 est formée en chevauchement de la ligne de données 511 et de la ligne de données 513 dans une structure de cadre rectangulaire. l'électrode commune 520 chevauche également le TFT 517. En résultat, l'électrode commune 520 est formée pour chevaucher la ligne de grille 511, [a ligne de grille 513 et le TFT 517. L'électrode commune 520 comprend une pluralité de barres d'électrode commune 520a en saillie et s'étendant depuis l'électrode commune 520 et intégrées avec la pluralité de barres d'électrode de pixel 522a. Lorsqu'une tension est appliquée entre les barres d'électrode commune 520a et les barres d'électrode de pixel 522a, un champ de bord est formé entre elles. L'alignement des molécules de cristal liquide est modifié selon l'intensité du champ de bord, de manière à afficher une image. Ainsi, une région entre l'électrode commune 520 et l'électrode de pixel 522 est appelée une zone d'affichage (c'est-à-dire une région dans laquelle l'alignement des molécules de cristal liquide est R.\Brevets\23100\23174. doc - 9 novembre 2004 - 10/24 modifiée par l'application d'un champ de bord et, de cette manière, de la lumière est transmise sélectivement). À ce moment, une tension identique est appliquée à l'électrode commune 520 et la pluralité de barres d'électrode commune 520a, formées sur chaque région de pixel, par la ligne d'électrode commune 515. Dans ce but, la ligne d'électrode commune 515 est reliée électriquement à l'électrode commune 520 à leur intersection. Également, une couche de filtre chromatique 530 est formée sous l'électrode de pixel 522 et l'électrode commune 520 sur la région de pixel. La couche de filtre chromatique 530 comprend un filtre de souscouleur rouge (R), un filtre de sous-couleur vert (V), et un filtre de sous-couleur bleu (B), dans lequel une couche de filtre chromatique appropriée est formée afin de coïncider avec chaque région de pixel. Dans la présente invention, la couche de filtre chromatique 530 et le TFT 517 forment le filtre chromatique sur la structure à transistor en couches minces (COT). Sur la Figure 5, chacune de l'électrode de pixel 522 et de l'électrode commune 520 présente une structure empilée formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée. De manière correspondante, l'électrode commune 520 chevauchant la ligne de grille 511, la ligne de données 513 et le TFT 517 peuvent être utilisées comme couche de matrice noire (BM). En résultat, la couche de filtre chromatique et la couche BM sont toutes formées sur le substrat inférieur en comparaison au substrat supérieur dans le dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné. Par conséquent, étant donné que le substrat supérieur peut être utilisé en un état de verre nu dans la présente invention, le procédé de fabrication estsimplifié et le rendement de production peut être amélioré. Également, étant donné que l'électrode commune est utilisée en tant que couche BM, il n'est pas nécessaire de former la couche BM séparée pour améliorer le taux d'ouverture. En plus, en minimisant l'intervalle qu'il y a entre l'électrode commune ayant la fonction de la couche BM et du TFT 517, il est possible d'occulter le courant optique généré lorsque la lumière est incidente au TFT 517. Tel que décrit ci-dessus, la couche en métal transparent peut être formée d'oxyde métallique sélectionné à partir d'un groupe de métal conducteur transparent, formé de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et d'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). Également, la couche de métal colorée peut être formée d'un élément métallique sélectionné dans le groupe formé de chrome (Cr), molybd ène (Mo), titane (Ti), Tantale (Ta), et tungstène (W). La couche en métal colorée a une structure empilée, formée d'un parmi Cr, Mo, Ti, Ta, et W et d'un parmi un oxyde de métaux. La couche métallique colorée, servant de couche BM, utilise le métal qui a une excellente propriété pour réfléchir la lumière. R:\Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 11/24 Le substrat supérieur est en un état de verre nu et disposé à une distance prédéterminée du substrat inférieur, construit tel que ci-dessus et la couche de cristal liquide est interposée entre le substrat supérieur et le substrat inférieur par injection ou par application de gouttes, de manière à former le dispositif I,CD à mode IPS de la présente invention. Les Figures 6A à 6E sont des vues en coupe suivant les lignes de coupe II' et II-II' de la Figure 5. En se référant à la Figure 6A, un film métallique conducteur est déposé et mis en motif pour former une ligne de grille 611, une électrode de grille 610, une ligne d'électrode commune 612 et une électrode inférieure 614 d'une plage de connexion de grille. En se référant à présent à la Figure 6B, un matériau isolant non organique, tel que du nitrure de silicium (SiNx), du dioxyde de silicium (SiO2) ou analogue, ou un matériau isolant organique, telle qu'une résine acrylique du benzocyclobutène (BCB) ou analogue, est déposé sur la totalité de la surface du substrat 600, incluant la ligne de grille 611 et analogue pour former une couche d'isolation de grille 620. Ensuite, du silicium intrinsèquement amorphe (a-Si) et du silicium amorphe dopé par une impureté (n+a-Si) sont séquentiellement déposés sur le substrat 600 incluant la couche d'isolation de grille 620, puis un métal conducteur est déposé. Le a-Si intrinsèque, le n+a-Si, et le métal conducteur sont mis en motif pour former une couche active 622, une couche de contact ohmique 624, une ligne de données 627, une électrode de source 625, une électrode de drain 626 et une électrode inférieure 628 sur une plage de connexion de données. Ensuite, en se référant à la figure 6C, un matériau faiblement diélectrique par exemple un BCM ou une résine acrylique est déposé sur la totalité de la surface du substrat 600 incluant la ligne de données 627, pour former une couche de passivation 630. Ensuite, une couche de filtre chromatique 632 est formée sur une région prédéterminée de la couche de passivation 630 incluant l'électrode de source 625 et l'électrode de drain 626. La couche de filtre chromatique 632 peut être formée par un procédé de dispersion de pigments, un procédé de teinture, un procédé travaillant par déposition et un procédé travaillant par impression. Ensuite, en se référant à la Figure 6D, une couche de revêtement de dessus (OC) 640 a été posée sur le substrat 600 incluant la couche de filtre chromatique 632 pour aplanir le substrat 600 dans lequel la couche de filtre chromatique 632 est formée. Ensuite, un processus de mise en motif subséquent a été appliqué pour former un trou de contact de drain 642. Également, des trous de contacts de plage de connexion 644 et 646 sont formés pour exposer l'électrode inférieure 614 de la plage de connexion de grille et l'électrode inférieure 628 de la plage de connexion de données. R:\Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 12/24 Ensuite, en se référant à la figure 6E, une électrode de pixel 522 et une électrode commune 520 sont formées sur une région prédéterminée de la couche OC 640 et dans les trous de contact 644 et 646. L'électrode de pixel 522 et l'électrode commune 520 sont formées au niveau des régions correspondantes représentées sur la Figure 5 agencées en structures empilées de couches de métal transparentes 650 et de couches de métal colorées 652. En d'autres termes, la couche de métal transparente 650 et la couche de métal coloré 652 sont séquentiellement déposées et mises en motif pour former l'électrode de pixel 522 et l'électrode commune 520 représentées sur les Figures 5 et 6E. La couche de métal transparente et la couche de métal coloré 652 peuvent êtres déposés dans un ordre inverse. Cependant, il est à noter que des couches métalliques 654 et 656 formées sur les plages de connexion devront être disposées au-dessous de la couche de métal transparent 650 pour assurer un processus TAB subséquent fiable ou devrait être formé de façon plus large que la couche de métal colorée 652 afin d'exposer les couches métalliques 654 et 656. Par conséquent, l'électrode de pixel 522 est connectée au TFT 517 de la région de pixel P et les barres d'électrodes de pixel 522a sont mises en saillie et s'étendent depuis l'électrode de pixel 522. Également, l'électrode commune 520 incluant la pluralité de barres d'électrodes communes 520a en saillie et étendues depuis l'électrode commune 520 sont intégrées avec les barres d'électrodes de pixel 522a. À ce moment, l'électrode commune 520 est formée en chevauchement avec la ligne de grille 511, la ligne de données 513 et le TFT 517 et peut être utilisé comme couche BM. En d'autres termes, tels que décrits ci-dessus, étant donné que l'électrode commune 520 est formée d'un métal coloré ayant la propriété de ne pas réfléchir la lumière, elle sert de couche BM. De manière correspondante, le dispositif LCD à mode IPS selon la présente invention n'a pas à avoir une couche BM séparée et ainsi les coûts de fabrication peuvent être minimisés. Également, la couche de métal transparente 650 est formée d'oxyde métallique sélectionné à partir du groupe de métal conducteur transparent forme d'ITO et d'IZO. La couche de métal colorée 652 est formée d'éléments métalliques sélectionnés dans le groupe formé de Cr, Mo, Ti et W, et formant une structure empilée faite de Cr, Mo, Ti et W et l'un des oxydes métalliques. Lorsque le substrat inférieur est fabriqué par le procédé décrit cidessus, le substrat supérieur peut être utilisé comme en un état de verre nu. Dans l'art concerné, le dispositif LCD à mode IPS représenté sur la Figure 4 enseigne que le substrat supérieur est muni de la couche de filtre chromatique dans laquelle;!e filtre de sous-couleur rouge (R), le filtre de sous-couleur vert (V) et le filtre de sous-couleur bleu (B) sont agencés de façon alternée et la couche BM est formée entre les filtres de sous-couleur. La couche PM est formée en une portion à laquelle le rétro-éclairage R:\Brevets\23100\23 174.doc - 9 novembre 2004 - 13/24 est empêché de se transmettre au substrat inférieur (c'est-à-dire sur une région prédéterminée du substrat supérieur, par exemple la région à laquelle la couche OC est formée sur la couche de filtre chromatique et la couche BM). À la différence du dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné dans le dispositif LCI) à mode IPS selon le premier mode de réalisation, étant donné que la couche de filtre chromatique et la couche BM sont toutes disposées sur le substrat inférieur, ainsi la couche OC n'a pas à être formée sur le substrat supérieur. En résultat, le substrat supérieur peut être produit par un substrat transparent uniquement. Selon la présente invention, étant donné que le substrat supérieur peut être formé d'un état en verre nu, le procédé de fabrication est simplifié et le rendement de production est amélioré. En plus, étant donné que la couche de filtre chromatique et la couche BM peuvent être toutes formées sur le substrat inférieur, le taux d'ouverture est amélioré et le courant optique du TFT peut être complètement bloqué. La Figure 7 est une vue en plan partielle d'un substrat inférieur dans un dispositif LCD à mode IPS selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. En comparant le dispositif LCI) à mode IPS représenté sur la Figure 7 au dispositif LCD à mode IPS représenté sur la Figure 5, le dispositif LCD à mode IPS représenté sur la Figure 7 présente une différence en ce que l'électrode à pixel 522, les barres d'électrodes de pixel 522a et les barres d'électrodes communes 520 sont formées d'une couche de métal transparente. L'électrode commune 520 chevauchant la ligne de grille 511, la ligne de données 513 et le TFT 517 ont une structure empilée, formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée et peut être utilisée comme couche BM. De manière correspondante, la région à laquelle la couche de métal colorée est fonnée peut servir de couche BM. Également, étant donné que l'électrode de pixel 522, les barres d'électrodes de pixel 522a et les barres d'électrodes communes 520a sont faites de métal transparent, le taux d'ouverture est amélioré. En décrivant la structure de la Figure 7, on va utiliser les mêmes numéros de référence dans les dessins afin de désigner des parties identiques ou analogues à celles représentées sur la Figure 5. En se référant à la Figure 7, le dispositif LCD à mode IPS selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat inférieur muni sur lui d'une ligne de grille 511, d'une ligne de données 513 croisant la ligne de données 511 perpendiculairement, et d'une ligne d'électrodes communes 515 disposée en parallèle avec la ligne de grille 511. Il est préférable que la ligne d'électrodes communes 515 soit formée en une partie centrale entre les lignes de grille 511. Une région de pixel P est définie par la ligne de grille:511 et la ligne de données 513. R: \Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 14/24 Un transistor en couches minces (TFT) 517 est un élément de commutation prévu en un point de croisement de la ligne de grille 511 et de la ligne de données 513. une électrode commune 520 et une électrode de pixel 522 sont formées sur la région de pixel P. De manière correspondante, une électrode de grille (non représentée) du TFT 517 est connecté à la ligne de grille 511, l'électrode source (non représentée) est connectée à la ligne de données 513, et l'électrode de drain (non représentée) est connectée à l'électrode de pixel 522. En particulier, l'électrode de pixel 522 est formée en une direction latérale, en une partie centrale de la région de pixel P. L'électrode de pixel 522 comprend une pluralité de barres d'électrodes de pixel 522a en saillie et s'écartant de l'électrode de pixel 522. De préférence, la pluralité de barres d'électrodes de pixel 522a sont étendues symétriquement dans la région de pixel P. L'électrode commune 520 est formée en chevauchement avec la ligne de grille 511 et la ligne de données 513 en une structure de cadre rectangulaire. L'électrode commune 520 chevauche également le TFT 517. En résultat, l'électrode commune 520 chevauche la ligne de grille 511, la ligne de données 51:3 et le TFT 517. L'électrode commune 520 inclus une pluralité de barres d'électrodes communes 520 en saillie et entendues depuis l'électrode commune 520 et intégrées à la pluralité des barres d'électrodes de pixel 522a. Lorsqu'une tension est appliquée entre les barres d'électrode communes 520a et les barres d'électrodes de pixel 522a, un champ de bord est formé entre elles. L'alignement des molécules de cristal liquide est modifié selon l'intensité du champ de bord, de manière à afficher une image. Ainsi, une région entre l'électrode commune 520 et l'électrode de pixel 522 est appelée une zone d'affichage (c'est-à- dire une région dans laquelle l'alignement des molécules de cristal liquide est modifié par une application du champ de bord et de cette manière la lumière est transmise sélectivement). À ce moment, une tension identique est appliquée par la ligne d'électrodes communes 515 à l'électrode commune 520 et à la pluralité des barres d'électrodes communes 520a formées sur chaque région de pixel P. Dans ce but, la ligne d'électrodes communes 515 est connectée électriquement à l'électrode commune 520 à leurs points de croisement. Également, une couche de filtre chromatique 530 est formée sous l'électrode de pixel 522 et l'électrode commune 520 sur la région de pixel. La couche de filtre chromatique 530 comprend un filtre de sous- couleur rouge (R), un filtre de sous-couleur vert (V) un filtre de sous-couleur bleu (B) , dans lequel un filtre chromatique approprié est formé afin de coïncider avec chaque région de pixel. Dans la présente invention, la couche de filtre chromatique 530 et le TFT 517 ont un filtre chromatique sur la structure à transistor en couches minces (COT). R:\Brevets\23100/23I74.doc - 9 novembre 2004 - 15/24 Il est préférable que les barres d'électrodes de pixel 522a en saillie et s'étendant depuis l'électrode de pixel 522 et les barres d'électrodes communes 520a en saillie et s'étendant depuis l'électrode commune 520 soit formée d'un métal transparent. Également, il est préférable que l'électrode commune 520 chevauchant la ligne de grille 511, la ligne de données 513 et le TFT 517 présente une structure empilée formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée de manière que l'électrode commune 520 puisse être utilisée comme couche de matrice noire (BM). En résultat, la couche de filtre chromatique et la couche BM sont toutes formées sur le substrat inférieur en comparaison du substrat supérieur dans le dispositif LCD à mode IFS de l'art concerné. Par conséquent, dans la présente invention, étant donné que le substrat supérieur peut être utilisé en un état de verre nu, le procédé de fabrication est simplifié et que le rendement de production est amélioré. Également, étant donné que l'électrode commune 520 est utilisée comme couche BM, un intervalle entre l'électrode commune 520 ayant comme fonction celle de couche BM et le TFT 517 est minimisée de manière à bloquer le courant optique généré lorsque la lumière est incidente au TFT 517. Dans ce qui précède, la couche de métal transparente peut être formée d'oxyde métallique sélectionné depuis un groupe de métal conducteur transparent formé d'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) et d'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). Également, la couche en métal colorée peut être formée d'un élément métallique sélectionné dans un groupe composé du chrome (Cr), Molybdenum (Mo), titane (Ti), Tantale (Ta) et tungstène (W). La couche de métal colorée présente une structure à empilement comprenant l'un parmi Cr, Mo, Ti, Ta et W et un parmi les oxydes métalliques. La couche métallique colorée servant de couche BM utilise le métal qui présente une excellente propriété de réflexion de la lumière. Le substrat supérieur en un état de verre nu est disposé à une distance prédéterminée vis-à-vis du substrat construit tel que ci-dessus, et la couche de cristal liquide est interposée entre le substrat supérieur et le substrat inférieur par injection ou projection par gouttes formant de cette manière le dispositif LCD à mode IPS de la présente invention. Les Figures 8A à 8E sont des vues en coupe selon des lignes de coupe I-I' et II-II' de la Figure 7. Étant donné que la description concernant les Figures 8A à 8D sont identiques à celles des Figures 6A à 6D, elle va être omise. En décrivant le processus de Figure 8E, on va utiliser les mêmes numéros de référence que ceux devant désigner des parties identiques ou analogues. En se référant à la Figure 8E, une électrode de pixel 522' et une électrode commune 520 sont formées sur une région prédéterminée de la couche OC 640 et du trou de contact de drain 640 et les trous de contact de plage de connexion 644 et 646. R:\Brevets\23100\23174 doc - 9 novembre 2004 - 16/24 L'électrode de pixel 522' et l'électrode commune 520 sont formées à des régions correspondantes représentées sur la Figure 7, agencées en structures empilées de couches métalliques transparentes 650 et en couches métalliques colorées 652. En d'autres termes, la couche de métal transparente 650 est déposée et mise en motif de manière à former la couche métallique transparente sur des régions de l'électrode de pixel 522', des barres d'électrodes de pixel 522a et de l'électrode commune 520 et les régions des trous de contact de plage de connexion 644 et 646. Ensuite, la couche de métal colorée 652 est déposée et mise en motif de manière à former la couche de métal colorée 652 sur la région de l'électrode commune 520 autre que la région de pixel (c'est-à-dire la région incluant la ligie de données 513, la ligie de grille 511 et le TFT 517, et sur la couche métallique transparente 650 formée dans la région du trou de contact de plage de connexion 646). Ici, il est noté que dans la région du trou de contact de plage de connexion 646, la couche en métal transparente 650 devrait être plus large que la couche en métal 652, pour assurer un processus TAB subséquent fiable, de manière que la couche de métal transparente 650 soit exposée. Par conséquent, l'électrode de pixel 522 est connectée au TFT 517 de la région de pixel P, et les barres d'électrode de pixel 522a sont en saillie et étendues depuis l'électrode de pixel 522'. Également, l'électrode commune 520 incluant la pluralité de barres d'électrode commune 520a en saillie et étendue depuis l'électrode commune 520 dans laquelle les barres d'électrode commune 520a sont intégrées aux barres d'électrode de pixel 522a. L'électrode commune 520 est formée en chevauchement de la ligne de grille 511, de la ligne de données 513 et du TFT 517, et peut être utilisée comme couche BMM. À ce point, l'électrode de pixel 522', les barres d'électrode de pixel 522a et les barres d'électrode commune 520a sur la région de pixel P sont formées de la couche métallique transparente 650, et l'électrode commune 520 est d'une structure empilée, formée de la couche de métal transparente 150 et de la couche de métal colorée 152. Par conséquent, l'électrode commune 520 chevauchant la ligne de grille 511, la ligne de données 513 et le TFT 517 peuvent être utilisés comme couche BM. La couche de métal colorée 652 est formée d'un métal ayant une excellente propriété de réflexion de la lumière, servant ainsi de couche BM. Également, étant donné que l'électrode de pixel 522', les barres d'électrode de pixel 522a et les barres d'électrode commune 520a sur la région de pixel P sont formées de la couche de métal transparente 650, le taux d'ouverture peut être amélioré. En plus, la couche de métal transparente 650 est formée d'oxyde métallique sélectionné dans le groupe de métaux conducteurs transparents, formés de ITO et IZO. La couche de métal colorée 652 est formée d'élément métallique sélectionné R:\Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 17/24 dans le groupe formé de Cr, Mo, Ti, Ta et W, et a une structure empilée, formée de Cr, Mo, Ti, Ta et W et d'un des oxydes métalliques. Lorsque le substrat inférieur est fabriqué par le procédé décrit cidessus, le substrat supérieur peut être fabriqué pour avoir un état de verre nu. C'est-à-dire que dans le dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné, représenté sur la Figure 4, le substrat supérieur est muni de la couche de filtre chromatique dans laquelle le filtre de sous-couleur rouge (R), le filtre de sous-couleur vert (V) et le filtre de sous- couleur bleu (B) sont agencés de façon alternée, et la couche BM est formée entre les filtres de sous-couleur. La couche BM est formée en une partie à laquelle le rétroéclairage est empêché de se transmettre au substrat inférieur (c'est-à-dire sur une région prédéterminée du substrat supérieur, par exemple la couche OC formée sur la couche de filtre chromatique et la couche BM). À la différence du dispositif LCD à mode IPS de l'art concerné, dans le dispositif LCD à mode IPS selon le deuxième mode de réalisation de l'invention, étant donné que la couche de filtre chromatique et la couche BM sont toutes disposées sur le substrat inférieur, ainsi, la couche OC n'a pas à être formée sur le substrat supérieur. De manière correspondante, le substrat supérieur peut être formé d'un substrat transparent uniquement. Étant donné que le substrat supérieur peut être réalisé en un état de verre nu, le procédé de fabrication est simplifié, et le rendement de production est amélioré. Également, étant donné que la couche de filtre chromatique et la couche BM peuvent être toutes formées sur le substrat inférieur, le taux d'ouverture est amélioré et le courant optique du TFT peut être complètement bloqué. Il est évident à l'Homme de l'art que diverses modifications et variations peuvent être apportées au dispositif LCD à mode IPS de la présente invention sans quitter l'esprit ni le champ de l'invention. Ainsi, il est entendu. que la présente invention couvre les modifications et les variations de cette invention, sachant qu'elles sont situées dans le champ des revendications annexées et de leurs équivalents. R:\Brevets\23100\23 174. doc - 9 novembre 2004 - 18/24 REVENDICATIONS 1. Substrat inférieur, pour un dispositif LCD à mode IPS (in plane switching (commutation dans le plan)), comprenant: un substrat; une ligne de grille (511) formée sur le substrat, une ligne de données (513) formée sur le substrat, croisant la ligne de grille (511), une région de pixel (P) définie par des intersections de la ligne de grille (511) avec les premières et deuxièmes lignes de données; Io un transistor en couches minces (517) connecté à la première ligne de grille (511) et à la première ligne de données (513) ; une électrode de pixel (522) formée sur la région de pixel (P) et connectée au transistor en couches minces (517), l'électrode de pixel (522) ayant une pluralité de premières barres et ayant une structure empilée, formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée; une électrode commune (520) formée en chevauchement sur la grille de grille, la ligne de données (513) et le transistor en couches minces (517), l'électrode commune (520) ayant une pluralité de deuxièmes barres, intégrées aux premières barres de l'électrode de pixel (522) et ayant une structure empilée formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée; et une couche formant filtre chromatique (530), disposée en des positions correspondant à la région de pixels du substrat. 2. Substrat inférieur selon la revendication 1, dans lequel la couche de filtre chromatique (530) est formée sur le transistor en couches minces (517). 3. Substrat inférieur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'électrode commune (520) est utilisée comme couche d'occultation de la lumière. 4. Substrat inférieur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche de métal transparente est formé d'un oxyde métallique sélectionné à partir d'un groupe de métaux conducteurs formés de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (IPO) et de l'oxyde de zinc dopé à l'indium (IZO). 5. Substrat inférieur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la couche de métal colorée est formée d'élément métallique sélectionné dans le groupe composé de Cr, Mo, Ti, Ta est W. R:\Brevets\23100\23I74.doc - 9 novembre 2004 - 19/24 6. Substrat inférieur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche de métal colorée est d'une structure empilée, avec l'un parmi Cr, Mo, Ti, Ta et W et l'un parmi les oxydes métalliques. 7. Substrat inférieur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel l'électrode de pixel (522), la. pluralité de premières barres de l'électrode de pixel (522), et la pluralité de deuxièmes barres de l'électrode commune (520), sur la région de pixel (P), sont réalisées en un matériau métallique transparent. l0 8. Substrat inférieur selon la revendication 7, dans lequel l'électrode commune (520) est utilisée en tant que couche d'occultation de la lumière. 9. Substrat inférieur selon la revendication 7 ou 8, dans lequel la couche de matériau transparent est formée d'un oxyde métallique, sélectionné parmi un métal 15 conducteur transparent, composé d'ITO el. d'IZO. 10. Substrat inférieur selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans lequel la couche métallique colorée est formée d'un métal sélectionné dans le groupe composé de Cr, Mo, Ti, Ta et W. 11. Substrat inférieur selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, dans lequel la couche de métal colorée est d'une structure empilée, avec un parmi Cr, Mo, Ti, Ta et W, et un parmi les oxydes métalliques. 12. Substrat inférieur selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel l'électrode de pixel (522) est formée sur la partie centrale de la région de pixel (P). 13. Dispositif LCD à mode IPS, comprenant: un substrat inférieur comprenant: un substrat, des premières et deuxièmes lignes de grille, formées sur le substrat, une ligne de données (513), formée sur le substrat, croisant les premières et deuxièmes lignes de grille, une région de pixel (P), définie par des intersections des premières et deuxièmes lignes de grille avec les premières et deuxièmes lignes de données, un transistor en couches minces (517), connecté à la première ligne de grille (511) et à la première ligne de données (513), R:\Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 20/24 une électrode de pixel (522), formée sur la région de pixel (P) et connectée au transistor en couches minces (517), l'électrode de pixel (522) ayant une pluralité de premières barres et ayant une structure empilée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée, et une électrode commune (520), formée en chevauchement cte la ligne de grille (511), de la ligne de données (513) et du transistor en couches minces (517), l'électrode commune (520) ayant une pluralité de deuxièmes barres, intégrées aux premières barres de l'électrode de pixel (522), et ayant une structure empilée formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée, et une couche de filtre chromatique (530), disposée en des positions correspondant à la région de pixel (P) du substrat, un substrat supérieur, espacé par un intervalle prédéterminé du substrat inférieur; et une couche en cristal liquide, interposée entre le substrat supérieur et le substrat inférieur. 14. Procédé de fabrication d'un substrat inférieur pour un dispositif LCD à mode IPS, le procédé comprenant: la formation d'une ligne de grille (511) sur un substrat; la formation d'une ligne de données (513) sur le substrat, croisant la ligne de grille (511), une région de pixel (P) définie par des intersections de la ligne de grille (511) avec la ligne de données (513) ; la formation d'un transistor en couches minces (517), connecté à la première ligne de grille (511) et à la première ligne de données (513), la formation d'une couche à filtre chromatique sur la région de pixel (P), incluant la ligne de grille (511), la ligne de données (513) et le transistor en couches minces (517) ; et la formation d'une électrode de pixel (522) et d'une électrode commune (520) sur la couche de filtre chromatique (530), l'électrode de pixel (522) étant connectée au transistor en couches minces (517) et ayant une pluralité de premières barres, l'électrode commune (520) chevauchant la ligne de grille (511), la ligne de données (513) et le transistor en couches minces (517) et ayant une pluralité de deuxièmes barres intégrées à la pluralité des premières barres de l'électrode de pixel (522), et l'électrode commune (520) ayant une structure empilée, formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée. R:'Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 21/24 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l'électrode de pixel (522) est d'une structure empilée, formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée. 16. Procédé selon la revendication 14 ou 1.5, dans lequel l'électrode commune (520) est utilisée comme couche d'occultation de la lumière. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 ou 16, dans lequel la couche de métal transparente est formée d'un oxyde métallique sélectionné lo à partir d'un métal conducteur transparent, du groupe formé d'ITO et d'IZO. 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 à 17, dans lequel la couche de métal colorée est formée d'un élément métallique sélectionné dans un groupe composé de Cr, Mo, Ti, Ta et W. 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 à 18, dans lequel la couche de métal colorée présente une structure empilée, avec l'un parmi Cr, Mo, Ti, Ta et W et l'un parmi les oxydes métalliques. 20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 19, dans lequel l'électrode de pixel (522), les premières barres de l'électrode de pixel (522) et les deuxièmes barres de l'électrode commune (520), sur la région de pixel (P), sont réalisées en un matériau métallique transparent. 21. Procédé selon la revendication 20, dans lequel l'électrode commune (520) est utilisée comme couche d'occultation de la lumière. 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications 20 ou 21, dans lequel la couche en métal transparente est formée d'un oxyde métallique sélectionné 30 dans le groupe des métaux conducteurs transparents, formé d'ITO et d'IZO. 23. Procédé selon l'une quelconque des revendications 20 à 22, dans lequel la couche métallique colorée est formée d'un élément métallique sélectionné dans le groupe composé de Cr, Mo, Ti, Ta et W. 24. Procédé selon l'une quelconque des revendications 20 à 23, dans lequel la couche de métal colorée est de structure empilée, avec un parmi Cr, Mo, Ti, Ta et W et un parmi les oxydes métalliques. R:\Brevets\23 100\23174.doc - 16 novembre 2004 - 22/24 25. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 24, dans lequel l'électrode de pixel (522) est formée en une partie centrale de la région de pixel (P). 26. Procédé de fabrication d'un dispositif LCD à mode IPS, le procédé comprenant: la formation d'une ligne de grille (511) sur un substrat; la formation d'une ligne de données (513) sur le substrat, croisant la ligne de grille (511), une région de pixel (P) définie par des intersections de la ligne de grille (511) avec la ligne de données (513) ; la formation d'un transistor en couches minces (517) connecté à la première ligne de grille (511) et à la première ligne de données (513) ; la formation d'une couche de filtre chromatique (530) sur la région de pixel (P), incluant la ligne de grille (511), la ligne de données (513) et le transistor en couches minces (517) ; la formation d'une électrode de pixel (522) et d'une électrode commune (520) sur la couche de filtre chromatique (530), l'électrode de pixel (522) étant connectée au transistor en couches minces (517) e1: ayant une pluralité de premières barres, l'électrode commune (520) chevauchant la ligne de grille (511), la ligne de données (513) et le transistor en couches minces (517), et ayant une pluralité de deuxièmes barres intégrées à la pluralité des premières barres de l'électrode de pixel (522), et l'électrode commune (520) ayant une structure empilée, formée d'une couche de métal transparente et d'une couche de métal colorée; la jonction d'un substrat supérieur au substrat inférieur, avec entre eux un 25 intervalle de valeur prédéterminée; et l'interposition d'une couche de cristal liquide entre le substrat supérieur et le substrat inférieur. R.\Brevets\23100\23174.doc - 9 novembre 2004 - 23/24