FR 2864705 A1 20050701 FR 0407231 A 20040630 DISPOSITIF D'AFFICHAGE ELECTROLUMINES CENT ORGANIQUE A DOUBLE PANNEAU ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un dispositif d'affichage électroluminescent organique et son procédé de fabrication, et plus particulièrement, un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau (dual panel) et son procédé de fabrication. Parmi les dispositifs d'affichage à écran plat, comme un dispositif d'affichage électroluminescent organique est auto-luminescent et ne nécessite pas de source lumineuse additionnelle, le dispositif d'affichage électroluminescent organique a un grand angle de visualisation, un facteur de contraste élevé, une petite taille et est léger, comparé à un dispositif d'affichage à cristaux liquides. Le dispositif d'affichage électroluminescent organique a également une faible consommation électrique. En outre, le dispositif d'affichage électroluminescent organique est alimenté par un courant continu de basse tension et a un temps de réponse court. Puisque tous les éléments du dispositif d'affichage électroluminescent organique sont solides, le dispositif d'affichage électroluminescent organique peut être utilisé dans une large plage de températures et il est peu probable qu'il soit endommagé par des chocs extérieurs. De plus, le dispositif d'affichage électroluminescent organique peut avoir des coûts de fabrication réduits. Le dispositif d'affichage électroluminescent organique dépend notamment de processus de fabrication simples comparé au dispositif d'affichage à cristaux liquides ou à un écran d'affichage à plasma, et seuls des appareils de déposition et d'encapsulation sont utilisés pour fabriquer le dispositif d'affichage électroluminescent organique. La figure 1 est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique selon l'art connexe. Dans la figure 1, le dispositif d'affichage électroluminescent organique comprend un premier substrat 10 et un second substrat 60 faisant face au premier substrat à une distance prédéterminée entre eux. Une couche de matrice d'éléments AL est formée sur une surface interne du premier substrat 10. La couche de matrice d'éléments AL comprend un transistor à couches minces T formé à chaque région de pixels P, qui est une unité minimale pour une image. Une diode électroluminescente organique E est formée sur la couche de matrice d'éléments AL. La diode électroluminescente organique E comprend une première électrode 48, une couche organique électroluminescente 54 et une seconde électrode 56 formée séquentiellement. La lumière émise de la couche organique R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - U44 électroluminescente 54 est transmise vers une électrode transparente des première et seconde électrodes 48 et 56. Le dispositif d'affichage électroluminescent organique est classé en un mode d'émission supérieur et un mode d'émission inférieur en fonction d'une direction d'émission. Ici, le dispositif d'affichage électroluminescent organique a le mode d'émission inférieur, où la première électrode 48 est formée d'un matériau transparent et la lumière émise de la couche organique électroluminescente 54 est transmise à travers la première électrode 48. Le second substrat 60 sert de type de substrat d'encapsulation. Une concavité 62 est formée sur une surface interne du second substrat 60 et un déshydratant 64 est disposé à l'intérieur de la concavité 62. Le déshydratant 64 enlève toute humidité externe qui pourrait pénétrer dans un espace entre les premier et second substrats 10 et 60 et protège la diode électroluminescente organique E. Un motif d'étanchéité 70 est formé le long des parties périphériques des premier et second substrats 10 et 60 et rend étanche les premier et second substrats 10 et 60. La figure 2A est une vue en plan d'un pixel pour un dispositif d'affichage électroluminescent organique (OELD: organic electroluminescent display) de l'art connexe et la figure 2B est une vue en coupe transversale le long de la ligne II-II de la figure 2B. Aux figures 2A et 2B, une couche tampon 12 est formée sur un substrat 10, et une couche semi-conductrice 14 et une électrode de grille condensateur 16 sont formées sur la couche tampon 10 avec un espace entre elles. Une couche isolante de grille 18 et une électrode de grille 20 sont formées séquentiellement sur une partie centrale de la couche semi-conductrice 14. La couche semi-conductrice 14 comprend une zone active 14a correspond à l'électrode de grille 20 et aux zones source et de drain 14b et 14c disposées des deux côtés de la zone active 14a. Une ligne de grille 22 dans une première direction est également formée sur la même couche que l'électrode de grille 20. Une première couche de passivation 24 recouvre l'électrode de grille 20 et l'électrode condensateur 16. Une électrode de puissance 26 est formée sur la première couche de passivation 24 correspondant à l'électrode condensateur 16, et l'électrode de puissance 26 s'étend depuis une ligne d'alimentation électrique 28, qui est formée dans une seconde direction croisant la première direction. Une seconde couche de passivation 30 est formée sur toute une surface du substrat 10 comprenant l'électrode de puissance 26. Les première et seconde couches de passivation 24 et 30 comprennent des premier et second trous de contact 32 et 34 qui les traversent. Le premier trou de contact 32 expose la zone de drain 14c de la couche semi-conductrice 14 et le second trou de contact 34 expose la zone source R:1Brevets122700122713. doc - 30 juin 2004 - 2144 14b de la couche semi-conductrice 14. La seconde couche de passivation 30 a également un troisième trou de contact 36 exposant une partie de l'électrode de puissance 26. Une électrode source 38 et une électrode de drain 40 sont formées sur la seconde couche de passivation 30. L'électrode de drain 40 est relié à la zone de drain 14c de la couche semi-conductrice 14 par l'intermédiaire du premier trou de contact 32. L'électrode source 38 est relié à la zone source 14b de la couche semi-conductrice 14 par l'intermédiaire du second trou de contact 34 et l'électrode de puissance 26 par l'intermédiaire du troisième trou de contact 36. Comme représenté à la figure 2A, une ligne de données 42 est formée sur la même couche que les électrodes source et de drain 38 et 40 dans la seconde direction. La ligne de données 42 croise la ligne de grille 22 pour définir une région de pixels P. Une troisième couche de passivation 44 recouvre l'électrode de drain 40 et l'électrode source 38. La troisième couche de passivation 44 a un trou de contact de drain 46 exposant une partie de l'électrode de drain 40. Une zone électroluminescente EA est définie sur la troisième couche de passivation 44, et une première électrode 48 est formée dans la zone électroluminescente EA. La première électrode 48 est reliée à l'électrode de drain 40 par l'intermédiaire du trou de contact de drain 46. Une couche inter-isolante 50 est formée sur la première électrode 48 et la troisième couche de passivation 44. La couche inter-isolante 50 expose la partie principale de la première électrode 48 et recouvre les bords de la première électrode 48. Une couche organique électroluminescente 54 est formée sur la première électrode 48 et la couche inter-isolante 50 dans la zone électroluminescente EA. Une seconde électrode 56 est formée sur toute une surface du substrat 10 comprenant la couche organique électroluminescente 54. La couche semi-conductrice 14, l'électrode de grille 20, l'électrode source 38 et l'électrode de drain 40 constituent un transistor à couches minces. Le transistor à couches minces de la figure 2B est un transistor d'attaque à couches minces Td. Le transistor d'attaque à couches minces Td est disposé entre un transistor de commutation à couches minces Ts et la ligne d'alimentation électrique 28. Le transistor de commutation à couches minces Ts est situé à une partie de croisement de la ligne de grille 22 et la ligne de données 42, et a la même structure que le transistor d'attaque à couches minces Td. Ici, l'électrode de grille 20 du transistor d'attaque à couches minces Td est reliée au transistor de commutation à couches minces Ts et l'électrode de drain 40 du R:\Brevets\22700\227I3.doc - 30 juin 2004 - 3/44 transistor d'attaque à couches minces Td est formée en forme d'îlot. Le transistor de commutation à couches minces Ts comprend une autre électrode de grille s'étendant depuis la ligne de grille 22 et une autre électrode source s'étendant depuis la ligne de données 42. La ligne d'alimentation électrique 28 (comprenant l'électrode de puissance 26) et l'électrode condensateur 16 se chevauchent ensemble pour former un condensateur de stockage Cst. Le dispositif OELD en mode d'émission inférieur est fabriqué en fixant un substrat comprenant des barrettes d'éléments et des diodes luminescentes organiques et un autre substrat pour l'encapsulation. Comme le rendement du Dispositif OELD dépend des rendements des barrettes d'éléments barrettes d'éléments et des diodes luminescentes organiques, dans le dispositif OELD présentant la structure ci-dessus, tout le rendement de traitement est largement affecté par ce dernier processus de diode luminescente organique. Ainsi, même si les barrettes d'éléments sont fabriquées correctement, si la couche organique électroluminescente devant être formée à une épaisseur d'environ 1 000 À n'est pas fabriquée correctement en raison d'impuretés ou de tous autres facteurs, le dispositif OELD résultant sera rejeté car mauvais. Dans ce cas, tous les coûts de fabrication et les matériaux sources requis pour les barrettes d'éléments sont gaspillés, et le rendement produit est diminué. Bien que le dispositif OELD en mode d'émission inférieur présente une excellente stabilité et un certain degré de liberté en terme de processus de fabrication, le dispositif OELD en mode d'émission inférieur présente une ouverture relative réduite ouverture relative. Ainsi, le dispositif OELD en mode d'émission inférieur n'est généralement pas approprié à un dispositif à grande ouverture. Par ailleurs, un dispositif OELD en mode d'émission supérieur présente une ouverture relative élevée, et est facile à fabriquer. En outre, le dispositif OELD en mode d'émission supérieur a une longue durée de vie. Cependant, dans le dispositif OELD en mode d'émission supérieur, comme une électrode négative (cathode) est généralement disposée sur la couche organique électroluminescente, le choix de matériau pour pouvoir réaliser l'électrode négative (cathode) est limité. En conséquence, la transmission de la lumière est limitée, et l'efficacité électroluminescente est réduite. En outre, afin d'améliorer la transmission de la lumière, la couche de passivation devrait être formée en couche mince, moyennant quoi l'humidité et l'air extérieurs ne sont pas entièrement bloqués. R: \Brevets\22700122713.doc - 30 juin 2004 - 4/44 RESUME DE L'INVENTION En conséquence, la présente invention concerne un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau et son procédé de fabrication qui pallie essentiellement un ou plusieurs des problèmes dus aux limites et inconvénients de l'art connexe. Un objet de la présente invention est de fournir un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau et son procédé de fabrication présentant une ouverture relative élevée et des images hautes définitions. Un autre objet de la présente invention est de fournir un dispositif d'affichage Io électroluminescent organique à double panneau et son procédé de fabrication présentant un rendement et une productivité amélioré(e)s. Un autre objet de la présente invention est de fournir un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau et son procédé de fabrication qui sont fiables. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront décrits dans la description qui va suivre et ressortiront partiellement de la description, ou pourront être appris en pratiquant l'invention. Les objectifs et autres avantages de l'invention seront réalisés et atteints par la structure notamment décrite dans la description qui suit et les revendications qui y sont annexées ainsi que dans les dessins joints. Pour atteindre ces avantages et d'autres encore et conformément au but de la présente invention, conforme aux modes de réalisation et largement décrit, un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau comprend des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre, une couche de matrice d'éléments sur une surface interne du premier substrat et comprenant un transistor à couches minces, un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments et relié électriquement au transistor à couches minces, une première électrode sur une surface interne du second substrat, une cloison de séparation sur la première électrode dans une zone sans pixels entre des zones de pixels adjacentes, une couche organique électroluminescente sur la première électrode dans la zone de pixels, une seconde électrode sur la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels et reliée électriquement au motif de raccordement, une couche d'absorption d'humidité sur la cloison de séparation, et un motif d'étanchéité entre les premier et second substrats le long d'une partie périphérique. Le cloison de séparation peut avoir des côtés coniques inversés par rapport au second substrat. La couche d'absorption d'humidité est de préférence composée d'un R:\Brevets\22700122713.doc - 30 juin 2004 - 5/44 matériau isolant. Le matériau isolant comprend de préférence un oxyde, choisi de préférence parmi l'oxyde de calcium et l'oxyde de baryum. Le dispositif peut comprendre en outre un motif isolant entre la première électrode et la cloison de séparation dans la zone sans pixels. La première électrode fonctionne de préférence comme une électrode positive (anode) et la seconde électrode fonctionne comme une électrode négative (cathode), et la première électrode est de préférence transparente, moyennant quoi la lumière émise par la couche organique électroluminescente est transmise à travers la première électrode. Selon un autre aspect, un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau comprend des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre, une couche de matrice d'éléments sur une surface interne du premier substrat et comprenant un transistor à couches minces, un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments et relié électriquement au transistor à couches minces, une première électrode sur une surface interne du second substrat, une cloison de séparation sur la première électrode dans une zone sans pixels entre des zones de pixels adjacentes, la cloison de séparation comprenant des cloisons de sous-séparation, chacune d'elle entourant une zone de pixels, une couche organique électroluminescente sur la première électrode dans la zone de pixels, une seconde électrode sur la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels et reliée électriquement au motif de raccordement, une couche d'absorption d'humidité entre des cloisons de sous-séparation, et un motif d'étanchéité entre les premier et second substrats le long d'une partie périphérique. La couche d'absorption d'humidité est de préférence composée d'un matériau 25 isolant. Le matériau isolant comprend de préférence un oxyde, choisi de préférence parmi l'oxyde de calcium et l'oxyde de baryum. Le dispositif peut comprendre en outre un motif isolant entre la première électrode et la cloison de séparation dans la zone sans pixels. Selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau comprend des étapes consistant à former une couche de matrice d'éléments sur un premier substrat, la couche de matrice d'éléments comprenant un transistor à couches minces, former un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments, le motif de raccordement relié électriquement au transistor à couches minces, former une première électrode sur un second substrat, former une cloison de séparation sur la première électrode dans une zone sans pixels entre des zones de pixels adjacentes, la cloison de séparation ayant R:\Brevcts\22700\227 13.doc - 30 juin 2004 - 6/44 des côtés coniques inversés, former une couche organique électroluminescente sur la première électrode dans la zone de pixels, former une seconde électrode sur la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels, former une couche d'absorption d'humidité sur la cloison de séparation, et fixer les premier et second substrats de telle sorte que la seconde électrode est reliée au motif de raccordement, dans lequel la couche organique électroluminescente et la seconde électrode sont automatiquement imprimées en raison de la cloison de séparation. La couche d'absorption d'humidité est de préférence composée d'un matériau isolant. Le matériau isolant comprend de préférence un oxyde, choisi de préférence 10 parmi l'oxyde de calcium et l'oxyde de baryum. Pour former la couche d'absorption d'humidité, on peut utiliser un procédé parmi un procédé à jet d'encre, un procédé d'impression à rouleaux, un procédé de sérigraphie, et un procédé de couchage à lame. Pour former la couche d'absorption d'humidité, on peut utiliser un masque qui 15 comprend une ouverture correspondant à la cloison de séparation. La formation de la couche d'absorption d'humidité est de préférence réalisée entre la formation de la cloison de séparation et la formation de la couche organique électroluminescente. Pour former la couche organique électroluminescente, de préférence on forme séquentiellement des couches lumineuses rouges, vertes et bleues distinctes, chacune d'elle correspondant à une zone de pixels. Le procédé peut comprendre en outre une étape consistant à former une couche de filtre chromatique entre la première électrode et le second substrat, la couche organique électroluminescente émettant sensiblement une lumière monochromatique et/ou une étape consistant à former des milieux de changement de couleur entre la première électrode et le second substrat et/ou une étape consistant à former un motif isolant entre la première électrode et la cloison de séparation dans la zone sans pixels. Selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau comprend des étapes consistant à former une couche de matrice d'éléments sur un premier substrat, la couche de matrice d'éléments comprenant un transistor à couches minces, former un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments, le motif de raccordement relié électriquement au transistor à couches minces, former une première électrode sur un second substrat, former une cloison de séparation sur la première électrode dans une zone sans pixels entre des zones de pixels adjacentes, la cloison de séparation ayant R: \Brevets\22700\227I3.doc - 30 juin 2004 - 7/44 des côtés coniques inversés et comprenant des cloisons de sous-séparation, chacune d'elle entourant une zone de pixels, former une couche organique électroluminescente sur la première électrode dans la zone de pixels, former une seconde électrode sur la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels, former une couche d'absorption d'humidité entre des cloisons de sous-séparation, et fixer les premier et second substrats de telle sorte que la seconde électrode est reliée au motif de raccordement, dans lequel la couche organique électroluminescente et la seconde électrode sont automatiquement imprimées en raison de la cloison de séparation. Pour former la couche organique électroluminescente, on peut appliquer sélectivement un matériau pour la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels en utilisant les côtés coniques inversés de la cloison de séparation, ce qui permet de former un motif de la couche organique électroluminescente sans utiliser de masque, et pour former la seconde électrode, on peut appliquer sélectivement un matériau pour la seconde électrode dans la zone de pixels en utilisant les côtés coniques inversés de la cloison de séparation, ce qui permet de former un motif de la seconde électrode sans utiliser de masque. Selon un autre aspect, un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau comprend des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre, une couche de matrice d'éléments sur une surface interne du premier substrat et comprenant un transistor à couches minces, un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments et relié électriquement au transistor à couches minces, une couche d'absorption d'humidité recouvrant la couche de matrice d'éléments et exposant le motif de raccordement, une diode électroluminescente organique sur une surface interne du second substrat et reliée électriquement au motif de raccordement, et un motif d'étanchéité entre les premier et second substrats le long d'une partie périphérique. L'intérieur du motif d'étanchéité entre les premier et second substrats est de préférence sensiblement vide. La couche d'absorption d'humidité peut être composée d'un matériau isolant absorbant l'humidité et les gaz. Selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau comprend des étapes consistant à former une couche de matrice d'éléments sur un premier substrat, la couche de matrice d'éléments comprenant un transistor à couches minces, former un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments, le motif de raccordement relié R:\Brevets\22700\22713.doc juin 2004 - 8/44 électriquement au transistor à couches minces, former une couche d'absorption d'humidité recouvrant la couche de matrice d'éléments et exposant le motif de raccordement, former une diode électroluminescente organique sur un second substrat, former un motif d'étanchéité sur l'un du premier substrat et du second substrat le long d'une partie périphérique, et fixer les premier et second substrats de telle sorte que la diode électroluminescente est reliée au motif de raccordement. Un intérieur défini par le motif d'étanchéité entre les premier et second substrats est de préférence rendu vide après avoir fixé les premier et second substrats. Pour former la couche d'absorption d'humidité, on peut déposer un revêtement en matériau hygroscopique à un état liquide sur le premier substrat. Selon un autre aspect, un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau comprend des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre, une pluralité de lignes de grille, une pluralité de lignes de données et une pluralité de lignes d'alimentation sur le premier substrat, la pluralité de lignes de grille croisant la pluralité de lignes de données et la pluralité de lignes d'alimentation pour définir une pluralité de zones de pixels, un élément de commutation à chaque zone de pixels, l'élément de commutation comprenant un transistor de commutation à couches minces et un transistor d'attaque à couches minces, un condensateur de stockage à chaque zone de pixels et relié à l'élément de commutation, un motif de raccordement relié électriquement au transistor d'attaque à couches minces, une couche d'absorption d'humidité d'un matériau hygroscopique conducteur sur le condensateur de stockage, une diode électroluminescente organique sur une surface interne du second substrat et comprenant une première électrode, une couche organique électroluminescente et une seconde électrode, la diode électroluminescente organique étant reliée électriquement au motif de raccordement. Le matériau hygroscopique conducteur comprend de préférence un matériau dégazeur qui améliore le niveau de vide et enlève l'humidité, choisi de préférence parmi au moins un des éléments du groupe 4, tels que le zirconium (Zr), le titane (Ti) et l'hafnium (Hf), des éléments du groupe 5 tels que le vanadium (V), le niobium (Nb) et le tantale (Ta), des éléments du groupe 6 tels que le chrome (Cr), le molybdène (Mo) et le tungstène (W), des éléments du groupe 8 tels que le fer (Fe), le ruthénium (Ru) et l'osmium (Os), des éléments du groupe 10 tels que le nickel (Ni), et des éléments du groupe 9 tels que le cobalt (Co), dans lequel le tableau utilisé pour le label de groupes est numérique et répond à la convention actuelle de l'IUPAC (International Union of Pure and Applied Chemistry). R:'Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 9144 Selon un autre aspect, un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau comprend des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre, une partie de pilotage des pixels sur une surface interne du premier substrat, la partie de pilotage des pixels comprenant un groupe de lignes métalliques et un transistor à couches minces, le groupe de lignes métalliques comprenant une ligne de grille, une ligne de données et une ligne d'alimentation, le transistor à couches minces étant activé par une tension appliquée par le groupe de lignes métalliques, un motif de raccordement sur la partie de pilotage des pixels et relié électriquement au transistor à couches minces, une diode électroluminescente organique sur une surface interne du second substrat et reliée électriquement au transistor à couches minces par l'intermédiaire du motif de raccordement, et une couche d'absorption d'humidité sur la partie de pilotage des pixels à l'exception des zones correspondant au groupe de lignes métalliques et le transistor à couches minces, la couche d'absorption d'humidité comprenant un matériau hygroscopique conducteur. Selon un autre aspect, un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau comprend des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre, un transistor à couches minces sur une surface interne du premier substrat, un motif de raccordement relié au transistor à couches minces, une diode électroluminescente organique sur une surface interne du second substrat et reliée électriquement au transistor à couches minces par l'intermédiaire du motif de raccordement, et une couche d'absorption d'humidité sur une surface interne de l'un des premier et second substrats. On comprendra que, tant la description générale qui précède que la description détaillée qui va suivre sont données à titre d'exemple et d'explication, et sont destinées à apporter des explications complémentaires à l'invention telle que décrite par les revendications. Les dessins annexes, qui sont inclus pour apporter une meilleure compréhension de l'invention, et sont intégrés et forment partie intégrante de la présente demande, illustrent des modes de réalisation de l'invention et, conjointement avec la description, servent à expliquer le principe de l'invention. Dans les dessins: La figure 1 est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique selon l'art connexe. La figure 2A est une vue en plan d'un pixel pour un dispositif d'affichage électroluminescent organique de l'art connexe. R:\Brevets122700\22713.doc - 30 juin 2004 - 10/44 La figure 2B est une vue en coupe transversale le long de la ligne II-II de la figure 2B. La figure 3 est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 4 est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. La figure 5 est une vue en plan schématique d'un substrat pour le dispositif 10 d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. La figure 6A est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. La figure 6B est une vue agrandissant la région B de la figure 6A. La figure 6C est une vue en plan d'un substrat pour le dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau. La figure 7 est un organigramme illustrant un processus de fabrication d'un exemple d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon la présente invention. La figure 8 est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. La figure 9 est une vue en plan illustrant un substrat inférieur pour le dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau de la figure 8. La figure 10 est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention. La figure 11 est un organigramme illustrant un processus de fabrication d'un autre exemple d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon la présente invention. La figure 12A est une vue en plan illustrant un substrat pour un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon un sixième mode de réalisation de la présente invention. La figure 12B est une vue en coupe transversale le long de la ligne XIIXII de la figure 12A. R:\Brevets\22700\227 13.doc - 30 juin 2004 - 11/44 La figure 13 est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau selon le sixième mode de réalisation de la présente invention. On se reportera maintenant en détail aux modes de réalisation préférés de la présente invention, dont les exemples sont illustrés dans les dessins annexes. La figure 3 est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique (OELD) à double panneau selon un premier mode de réalisation de la présente invention. À la figure 3, le dispositif d'affichage électroluminescent organique (OELD) à double panneau comprend un premier substrat 110 et un second substrat 130 qui sont espacés l'un de l'autre et se font face l'un par rapport à l'autre. Une couche de matrice d'éléments A comprenant une pluralité de transistors à couche mince T est formée sur une surface interne du premier substrat 110. Une pluralité de motifs de raccordement 120 ayant une épaisseur prédéterminée sont formés sur la couche de matrice d'éléments A. Chaque motif de raccordement 120 est relié à chaque transistor à couche mince T. L'épaisseur prédéterminée des motifs de raccordement 120 peut être choisie dans une plage d'épaisseurs de telle sorte qu'une partie de pilotage des pixels et une partie émettrice partie émettrice formées sur différents substrats sont reliées électriquement l'une avec l'autre par le motif de raccordements 120. Ainsi, l'épaisseur des motifs de raccordement 120 correspond à un espace cellulaire entre les substrats 110 et 130. Les transistors à couches minces T de la figure 3 peuvent servir de transistor d'attaque à couches minces pour alimenter en courants une diode électroluminescente organique et pour commander la luminosité de la lumière émise. Les transistors à couches minces T peuvent avoir une structure décalée inversée en utilisant un silicium amorphe. Une première électrode 132 est formée sur toute une surface interne du second substrat 130, et un motif isolant 138 et une cloison de séparation 140 sont formés séquentiellement sur la première électrode 132 dans une zone sans pixels NP correspondant à une partie frontière entre des zones adjacentes de pixels P. La cloison de séparation 140 est inversement conique et présente une certaine épaisseur. Une couche organique électroluminescente 142 et une seconde électrode 144 sont formées séquentiellement sur la première électrode 132 entre des cloisons de séparation adjacentes 140 et entre des motifs isolants adjacents 138. La couche organique électroluminescente 142 et la seconde électrode 144 sont imprimées grâce à la cloison de séparation 140, et ne nécessitent pas de processus d'impression R:1Brevets122700122713doc - 30 juin 2004 - 12144 supplémentaires. Ainsi, l'épaisseur totale de la cloison de séparation 140 et du motif isolant 138 est choisie dans une plage de telle sorte que la couche organique électroluminescente 142 et la seconde électrode 144 sont divisées dans chaque zone de pixels P par la cloison de séparation 140 et le motif isolant 138. La couche organique électroluminescente 142 comprend des couches lumineuses rouges, vertes et bleues 142a, 142b et 142c, chacune correspondant à la zone de pixels respective P. Les première et seconde électrodes 132 et 144 et la couche organique électroluminescente 142 intercalée entre elles forment une diode électroluminescente organique E. La première électrode 132 peut être composée en un matériau transparent de telle sorte que la lumière émise de la couche organique électroluminescente 142 est transmise à travers la première électrode 132 pour afficher une image en mode d'émission supérieur. Par exemple, si la première électrode 132 fonctionne comme une électrode positive (anode) et la seconde électrode 144 sert d'électrode négative (cathode), la première électrode 132 peut être composée en un matériau conducteur transparent tel que l'oxyde d'étain indium (ITO: indium tin oxide). Les premier et second substrats 110 et 130 sont fixés par un motif d'étanchéité 150 formé dans des parties périphériques des substrats 110 et 130. Dans le dispositif OELD à double panneau du premier mode de réalisation, comme les barrettes d'éléments et la diode électroluminescente organiques sont formées sur différents substrats, le rendement et la productivité sont améliorés, et la durée de vie du dispositif est effectivement augmentée. En outre, le transistor à couches minces est conçu de manière simple; une ouverture relative élevée et une résolution élevée sont obtenus; et sa fiabilité est augmentée en raison du mode d'émission supérieur. En plus, comme la couche organique électroluminescente et la seconde électrode sont automatiquement imprimées grâce à la cloison de séparation sans masque perforé supplémentaire, l'efficacité du processus est améliorée. Dans le premier mode de réalisation, pour afficher une image en couleurs, on utilise des couches lumineuses rouges, bleues et vertes, qui émettent respectivement une lumière rouge, verte et bleue. On peut se reporter à ce sujet à un procédé de luminescence indépendant. Bien que non représenté dans la figure, au lieu du procédé luminescent indépendant, on peut utiliser un élément supplémentaire tout en couleur, telle une structure simple d'une couche de filtre chromatique ou une structure double d'une couche de filtre chromatique et des milieux de changement de couleur (CCM). Dans le dispositif comprenant un tel élément tout en couleurs, la R:\Brevets\22700\22713doc - 30 juin 2004 - 13/44 couche organique électroluminescente émet uniquement essentiellement la lumière monochromatique, par exemple. Le dispositif OELD à double panneau peut présenter le problème qu'il n'y a pas d'espace supplémentaire pour fixer le déshydratant, qui absorbe l'humidité à l'intérieur du dispositif. Plus particulièrement, dans le dispositif OELD de l'art connexe, comme aucun élément n'est formé sur le substrat supérieur, le déshydratant pouvait être fixé sur la surface interne du substrat supérieur. En revanche, le dispositif OELD à double panneau ne présente pas d'espace libre pour le déshydratant parce que la partie de pilotage des pixels et la partie émettrice sont formées sur les substrats respectifs. La figure 4 est une vue en coupe transversale d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique (OELD) à double panneau selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Les éléments différant du premier mode de réalisation seront principalement décrits. Comme illustré à la figure 4, le dispositif OELD à double panneau comprend un premier substrat 210 et un second substrat 250 qui sont espacés l'un de l'autre et se font face l'un par rapport à l'autre. Une couche de matrice d'éléments A comprenant une pluralité de transistors à couche mince T est formée sur une surface interne du premier substrat 210. Une pluralité de motifs de raccordement 240 sont formés sur la couche de matrice d'éléments A pour être reliés à la pluralité de transistors à couche mince T. Une première électrode 252 est formée sur toute une surface interne du second substrat 250, et un motif isolant 254 et une cloison de séparation 256 sont formés séquentiellement sur la première électrode 252 dans une zone sans pixels NP correspondant à une partie frontière entre des zones adjacentes de pixels P, chacune ayant une unité minimale pour une image. La cloison de séparation 256 est inversement conique et présente une certaine épaisseur. Une couche organique électroluminescente 258 et une seconde électrode 260 sont formées séquentiellement sur la première électrode 252 dans la zone de pixels P, c'est-à-dire, entre des cloisons de séparation adjacentes 256 et entre des motifs isolants adjacents 254. La couche organique électroluminescente 258 et la seconde électrode 260 sont automatiquement imprimées grâce à la cloison de séparation 256, et ne nécessitent pas de processus d'impression supplémentaires. Ainsi, l'épaisseur totale de la cloison de séparation 256 et du motif isolant 254 est choisie dans une plage de telle sorte que la couche organique électroluminescente 258 et la seconde électrode 260 sont divisées dans chaque zone de pixels P grâce à la cloison de séparation 256. R1Brevets122700122713.doc - 30 juin 2004 - 14/44 La première électrode 252, la couche organique électroluminescente 258, et la seconde électrode 260 constituent une diode électroluminescente organique E. Un motif d'étanchéité 270 est formé le long des parties périphériques des premier et second substrats 210 et 250 et rend étanche les premier et second substrats 210 et 250. Dans ce mode de réalisation, une couche d'absorption d'humidité 262 estformée sur la cloison de séparation 256. La couche d'absorption d'humidité 262 peut être composée d'un matériau parmi les oxydes hygroscopiques tels que le l'oxyde de calcium (CaO) ou l'oxyde de baryum (BaO) et autres matériaux hygroscopiques isolants. Si la couche d'absorption d'humidité 262 formée sur la cloison de séparation 256 a une propriété conductrice, les électrodes adjacentes 260 avec la cloison de séparation 256 entre elles peuvent être raccourcies en raison de la couche d'absorption d'humidité 262. Ainsi, il est préférable que la couche d'absorption d'humidité 262 soit composée en un matériau isolant. La couche d'absorption d'humidité 262 peut être composée par un procédé utilisant un matériau source d'une phase liquide. Dans ce mode de réalisation, comme la couche d'absorption d'humidité est formée sur la cloison de séparation, aucun espace supplémentaire n'est requis pour installer l'élément d'absorption d'humidité. Dans la figure, Bien que deux pixels comprenant six zones de pixels P sont représentés, le dispositif comprend plus de pixels. Ainsi, la zone de la couche d'absorption d'humidité est grande comparée à l'art connexe, et donc la capacité hygroscopique est améliorée. La figure 5 est une vue en plan schématique d'un substrat pour le dispositif OELD à double panneau selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, et représente le second substrat comprenant la couche d'absorption d'humidité. À la figure 5, une pluralité de zones de pixels P, chacune ayant une unité minimale pour une image, sont définies sur un substrat 250 et espacées les unes des autres. Un espace entre les zones de pixels P est désigné par une zone sans pixels NP. Une couche d'absorption d'humidité 262 est formée correspondant à la zone sans pixels NP. Un motif isolant 254 et une cloison de séparation 256 de la figure 4 sont formés séquentiellement sous la couche d'absorption d'humidité 262. En fait, la couche d'absorption d'humidité 262 est séparée d'une seconde électrode 260 formée dans la zone de pixels P en raison de l'épaisseur de la cloison de séparation 256. R:1Brevets122700122713.doc - 30 juin 2004 - 15/44 Les figures 6A à 6C représentent un dispositif OELD à double panneau selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. La figure 6A est une vue en coupe transversale du dispositif OELD à double panneau, la figure 6B est une vue agrandissant la région B de la figure 6A, et la figure 6C est une vue en plan d'un substrat pour le dispositif OELD à double panneau. Les éléments différant du premier mode de réalisation seront expliqués. Dans ce mode de réalisation, une cloison de sous-séparation 355 en forme de carré entoure une zone de pixels P. Dans une zone sans pixels NP entre les zones de pixels P, des cloisons adjacentes de sous-séparation 355, qui sont espacées les unes des autres, forment une double cloison de séparation 356. Dans ce mode de réalisation, comme une couche organique électroluminescente 358 et une seconde électrode 360 sont également divisées par la double cloison de séparation 356, qui comprend une zone d'écartement SA, la seconde électrode 360 est séparée de manière fixe comparée à la cloison unique de séparation des modes de réalisation précédents. Ici, une couche d'absorption d'humidité 362 est formée dans la zone d'écartement SA dans la double cloison de séparation 356. Une largeur et une épaisseur de la couche d'absorption d'humidité 362 dépend de la largeur et de l'épaisseur de la zone d'écartement SA. Selon le troisième mode de réalisation, la structure de la couche d'absorption d'humidité 362 est plus stable que celle du deuxième mode de réalisation, et la couche d'absorption d'humidité 362 est formée dans la zone d'écartement SA, réduisant ainsi la probabilité que d'autres couches peuvent être endommagées par la couche d'absorption d'humidité 362. En outre, il est facile d'améliorer la capacité hygroscopique en contrôlant les dimensions de la zone d'écartement SA. Les côté coniques inversés de la double cloison de séparation 356 correspondent aux côtés internes des cloisons de sous-séparation 355 enfermant les zones de pixels P, respectivement. Dans la zone d'écartement SA entre les cloisons de sous-séparation 355, la couche d'absorption d'humidité 362 est formée. La structure des côtés externes des cloisons de sous-séparation 355 (qui font face à la zone d'écartement SA) qui est verticale par rapport à respect au substrat facilite la fabrication du dispositif. La couche d'absorption d'humidité 362 peut être composée du même matériau et par le même processus que dans le deuxième mode de réalisation. Bien que non décrite dans les deuxième et troisième modes de réalisation, la couche organique électroluminescente et la seconde électrode sont formées dans la R \Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 16/44 zone la plus externe de la cloison de séparation. L'ordre de déposition de la couche organique électroluminescente et de la seconde électrode avec la couche d'absorption d'humidité dépend du processus de fabrication. La figure 7 est un organigramme illustrant un processus de fabrication d'un 5 dispositif OELD à double panneau selon la présente invention. À l'étape ST1, une couche de matrice d'éléments comprenant une pluralité de transistors à couche mince est formée sur un premier substrat et une pluralité de motifs de raccordement sont formés sur la couche de matrice d'éléments. Chaque motif de raccordement est relié au transistor à couche mince respectif La couche de matrice d'éléments comprend également une pluralité de lignes de grille, de lignes de données et de lignes d'alimentation. Les transistors à couches minces comprennent un transistor de commutation à couches minces qui est formée en une partie de croisement des lignes de données et de grille et un transistor d'attaque à couches minces qui est relié à une électrode de drain du transistor de commutation à couches minces et la ligne d'alimentation. Le transistor d'attaque à couches minces fournit en courants la diode électroluminescente organique. Dans les exemples ci-dessus, les transistors à couche mince susmentionnés désignent le transistor d'attaque à couches minces. La pluralité de motifs de raccordement est au moins partiellement composée en un matériau conducteur. Chaque motif de raccordement peut comprendre un motif projeté d'un matériau organique et d'une électrode de raccordement couvrant le motif projeté et relié au transistor à couches minces. Le motif de raccordement peut être relié au transistor à couches minces par l'intermédiaire d'une autre électrode. À l'étape ST2, une première électrode est formée sur toute une surface d'un second substrat. Ensuite, un motif isolant et une cloison de séparation sont formés sur la première électrode dans une zone sans pixels. La cloison de séparation présente une épaisseur prédéterminée et des cotés inversement coniques. Puis, une couche organique électroluminescente et une seconde électrode sont formées. Elles sont automatiquement imprimées grâce à la cloison de séparation. La première électrode, la couche organique électroluminescente, et la seconde électrode constituent une diode électroluminescente organique. La cloison de séparation peut avoir une structure simple ou une structure double. Dans la case de la structure double avec des cloisons de sousséparation, le matériau de couche organique électroluminescente et le matériau de la seconde électrode sont formés entre les cloisons de sous-séparation. R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 17/44 Dans un procédé de luminescence indépendant, la couche organique électroluminescente comprend des matériaux lumineux rouges, verts et bleus. Dans le cas où on utilise un élément supplémentaire tout en couleurs tel un filtre chromatique, la couche organique électroluminescente comprend un matériau lumineux monochromatique, par exemple. À l'étape ST3, une couche d'absorption d'humidité est formée. Dans la structure simple, la couche d'absorption d'humidité est formée sur la cloison de séparation, et dans la structure double, la couche d'absorption d'humidité est formée dans une zone d'écartement entre des cloisons de sous-séparation. La formation de la couche d'absorption d'humidité consiste à recouvrir sélectivement un matériau source en phase liquide sur la cloison de séparation ou dans la zone d'écartement entre les cloisons de sous-séparation par l'intermédiaire d'un processus de formation de couche. La couche d'absorption d'humidité peut être composée en un matériau d'oxyde hygroscopique tel que l'oxyde de calcium (CaO) ou l'oxyde de baryum (BaO) ou tout autre matériau hygroscopique isolant. En outre, on peut utiliser un procédé parmi un procédé à jet d'encre, un procédé d'impression à rouleaux, un procédé de sérigraphie, et un procédé de couchage à lame pour recouvrir le matériau source. Un masque peut être utilisé au cours de l'étape, le masque ayant une ouverture correspondant à une surface supérieure de la cloison de séparation (dans la structure simple) ou à la zone d'écartement entre les cloisons de sous-séparation (dans la structure double). À l'étape ST4, les premier et second substrats sont face à face de telle sorte que le motif de raccordement correspond à la diode électroluminescente organique, et sont ensuite fixés. Avant de fixer les substrats, un motif d'étanchéité est formée sur un des premier et second substrats dans des zones périphériques. Par conséquent, les parties périphériques des premier et second substrats sont rendues étanches par le motif d'étanchéité au cours de l'étape de fixation. L'intérieur des premier et second substrats est laissé vide par l'étape de fixation. La couche d'absorption d'humidité enlève l'humidité qui peut rester dans ou entrer dans le dispositif pour augmenter ainsi la durée de vie du dispositif et restreindre les problèmes. En outre, comme la couche d'absorption d'humidité est formée dans une zone de cloison de séparation, aucun espace supplémentaire n'est requis pour installer l'élément d'absorption d'humidité. Comme décrit ci-dessous, la couche d'absorption d'humidité peut être formée sur un substrat comprenant un transistor à couches minces. R:1Brevets122700122713.doc - 30 juin 2004 - 18/44 La figure 8 est une vue en coupe transversale d'un dispositif OELD à double panneau selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Les éléments différant du premier mode de réalisation seront principalement expliqués. Comme illustré à la figure 8, le dispositif OELD à double panneau comprend un premier substrat 410 et un second substrat 450 qui sont espacés l'un de l'autre et se font face l'un par rapport à l'autre. Une couche de matrice d'éléments A comprenant un transistor à couches minces T est formée sur une surface interne du premier substrat 410. Un motif de raccordement 440 relié aux transistors à couches minces T est formé sur la couche de matrice d'éléments A. Une diode électroluminescente organique E est formée sur une surface interne du second substrat 450 et est reliée au motif de raccordement 440. Un motif d'étanchéité 470 est formée le long des parties périphériques des premier et second substrats 410 et 450. La diode électroluminescente organique E présente la même structure que celle des modes de réalisation précédents. Dans l'art connexe, l'intérieur du dispositif OELD peut être rempli d'un gaz d'azote (N2). Au contraire, l'intérieur du dispositif OELD à double panneau peut être vide. Une couche d'absorption d'humidité 442 est formée sur le premier substrat 410, et recouvre toutes les zones à l'exception du motif de raccordement 440 de telle sorte que la couche d'absorption d'humidité 442 ne peut pas interrompre la connexion électrique du motif de raccordement 440 et la diode électroluminescente organique E. La couche d'absorption d'humidité 442 est disposée à l'intérieur du motif d'étanchéité 470. La couche d'absorption d'humidité 442 peut être composée en un matériau isolant ayant une propriété hygroscopique. La couche d'absorption d'humidité 442 peut être composée d'oxyde de calcium (CaO) ou d'oxyde de baryum (BaO). La couche d'absorption d'humidité 442 peut être formée par un procédé à jet d'encre, un procédé d'impression à rouleaux, un procédé de sérigraphie, et un procédé de couchage à lame en utilisant un matériau source en phase liquide. La figure 9 est une vue en plan illustrant un substrat inférieur pour le dispositif OELD à double panneau de la figure 8. Comme représenté à la figure 9, une ligne de grille 412 est formée dans une première direction sur un substrat, et une ligne de données 420 et une ligne d'alimentation 432 sont formées dans une seconde direction croisant la première direction et sont espacées l'une de l'autre. Un transistor de commutation à couches minces Ts est formé en une partie de croisement de la ligne de grille 412 et de la ligne de données 420. R:1Brevets122700122713.doc - 30 juin 2004 - 19/44 Le transistor de commutation à couches minces Ts comprend une première électrode de grille 414 qui s'étend depuis la ligne de grille 412, une première électrode source 422 qui s'étend depuis la ligne de données 420, une première électrode de drain 424 qui est espacée de la première électrode source 422, et une première couche semi-conductrice 418. La première couche semiconductrice 418 chevauche la première électrode de grille 414, la première électrode source 422 et la première électrode de drain 424, et a un motif en forme d'îlot. Une seconde électrode de grille 428 est reliée à la première électrode de drain 424, et une seconde couche semi-conductrice 430 recouvre la seconde électrode de grille 428. Une seconde électrode source 434 et une seconde électrode de drain 438 sont espacées l'une de l'autre sur la seconde couche semi-conductrice 430. La seconde électrode source 434 et la seconde électrode de drain 438 ont des motifs en forme d'îlot. Une électrode de puissance 433 s'étend depuis la ligne d'alimentation 432 et est reliée à la seconde électrode source 434. La seconde électrode de grille 428, la seconde couche semi-conductrice 430, la seconde électrode source 434, et la seconde électrode de drain 438 constituent un transistor d'attaque à couches minces Td. Une première électrode condensateur 426 s'étend depuis la première électrode de drain 424 et une seconde électrode condensateur 436 s'étend depuis la ligne d'alimentation 432. La première électrode condensateur 426 et la seconde électrode condensateur 436 se chevauchent l'une sur l'autre pour former un condensateur de stockage Cst avec une couche isolante entre elles. Un motif de raccordement 440 est relié à la seconde électrode de drain 438, et une couche d'absorption d'humidité 442 est formée sur toute une surface d'un zone hachurée, qui exclut le motif de raccordement 440, comme représenté à la figure 9. Comme la couche d'absorption d'humidité 442 est formée sur le substrat comprenant le motif de raccordement 440, la couche d'absorption d'humidité 442 peut recouvrir une partie de raccordement du motif de raccordement 440 relié à l'électrode de drain 438. Comme susmentionné, la couche d'absorption d'humidité 442 est composée d'un matériau d'oxyde tel que l'oxyde de calcium (CaO) et l'oxyde de baryum (BaO) ou tout matériau isolant liquide ayant une propriété hygroscopique. Ainsi, la couche d'absorption d'humidité 442 peut être formée pour recouvrir la ligne de grille 412, la ligne de données 420, la ligne d'alimentation 432, le transistor de commutation à couches minces Ts, et le transistor d'attaque à couches minces Td. R:\Breveu\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 20/44 La capacité hygroscopique de la couche d'absorption d'humidité 442 est proportionnelle à sa taille. Dans ce mode de réalisation, comme la couche d'absorption d'humidité 442 est formée sur toute la surface du substrat à l'exception des zones correspondant au motif de raccordements 440, la capacité hygroscopique dans le dispositif OELD à double panneau est améliorée. Comme décrit ci-dessous, un dispositif OELD à double panneau de la présente invention peut comprendre un élément supplémentaire tout en couleur et une couche organique électroluminescente d'un matériau lumineux monochromatique. La figure 10 est une vue en coupe transversale d'un dispositif OELD à double panneau selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif OELD à double panneau comprend une couche de filtre chromatique pour l'élément tout en couleurs. Comme représenté à la figure 10, un premier substrat 510 et un second substrat 550 sont espacés l'un de l'autre et se font face. Une couche de filtre chromatique 552 et une matrice noire 554 sont formées sur une surface interne du second substrat 550. La couche de filtre chromatique 552 comprend des sous-filtres rouges, verts et bleus 552a, 552b et 552c, et la matrice noire 554 est disposée entre des sous-filtres adjacents 552a, 552b et 552c de la couche de filtre chromatique 552. Une couche de revêtement 558 et une couche barrière 560 sont formées séquentiellement sur la couche de filtre chromatique 552 et la matrice noire 554. La couche de revêtement 558 remplace une surface du second substrat 550 comprenant la couche de filtre chromatique 552 et la matrice noire 554. La couche barrière 560 empêche toute sortie de gaz de la couche de filtre chromatique 552. Une première électrode 562 est formée sur la couche barrière 560, et un motif isolant 564 et une cloison de séparation 566 sont formés séquentiellement sur la première électrode 562 dans une zone sans pixels. La cloison de séparation 566 présente des côtés inversement coniques et une certaine épaisseur. Une couche organique électroluminescente 568 et une seconde électrode 570 sont formées séquentiellement sur la première électrode 562 entre des cloisons de séparation adjacentes 566 et entre des motifs isolants adjacents 564. La couche organique électroluminescente 568 et la seconde électrode 570 sont automatiquement imprimées grâce à la cloison de séparation 566, et ne nécessitent pas de processus d'impression supplémentaires. La couche organique électroluminescente 568 est formée d'un matériau 35 lumineux monochromatique, qui peut émettre une lumière blanche par exemple. R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 21/44 La première électrode 562, la seconde électrode 570, et la couche organique électroluminescente 568 constituent une diode électroluminescente organique E. Une couche de matrice d'éléments A comprenant un transistor à couches minces T est formée sur une surface interne du premier substrat 510. Un motif de raccordement 540 est formée sur la couche de matrice d'éléments A et est relié au transistor à couches minces T. Le motif de raccordement 540 est également en contact avec la seconde électrode 570 et relie électriquement le transistor à couches minces T à la diode électroluminescente organique E. Une couche d'absorption d'humidité 542 est formée sur toute une surface du premier substrat 510 à l'intérieur d'un motif d'étanchéité 571, et recouvre la couche de matrice d'éléments A à l'exception des zones correspond au motif de raccordements 540. Une structure double d'une couche de filtre chromatique et des milieux de changement de couleur (CCM) peut être utilisée pour l'élément tout en couleurs. Dans un tel cas, la couche organique électroluminescente émet uniquement sensiblement la lumière monochromatique d'une longueur d'ondes sensiblement simple. Par exemple, la couche organique électroluminescente émet une lumière bleue. La figure 11 est un organigramme illustrant un processus de fabrication d'un exemple d'un dispositif OELD à double panneau selon la présente invention. À l'étape ST11, une couche de matrice d'éléments comprenant un transistor à couches minces est formée sur un premier substrat et un motif de raccordement est formée sur la couche de matrice d'éléments. Le motif de raccordement est relié au transistor à couches minces. La couche de matrice d'éléments comprend également une ligne de grille, une ligne de données, une ligne d'alimentation, et un condensateur de stockage. Le transistor à couches minces comprend un transistor de commutation à couches minces qui est formé en une partie de croisement de la ligne de grille et de données et un transistor d'attaque à couches minces qui est relié à une électrode de drain du transistor de commutation à couches minces et à la ligne d'alimentation. À l'étape ST12, un masque est disposé sur le premier substrat comprenant le motif de raccordement, dans lequel le masque à une ouverture à l'exception de la zone correspondant au motif de raccordement. Ensuite, un matériau d'absorption d'humidité en phase liquide est enduit sur le premier substrat par l'ouverture du masque en utilisant un procédé à jet d'encre. Le matériau d'absorption d'humidité est enduit à l'intérieur d'un motif d'étanchéité, qui doit être formé à la périphérie. À côté R:\Brevets\22700\22713doc - 30 juin 2004 - 22144 du procédé à jet d'encre, on peut utiliser un procédé d'impression à rouleaux, un procédé de sérigraphie, et un procédé de couchage à lame. À l'étape ST13, une couche d'absorption d'humidité est formée en traitant thermiquement le matériau d'absorption d'humidité enduit. À l'étape ST14, une diode électroluminescente organique est formée sur un second substrat. La diode électroluminescente organique comprend une première électrode, une seconde électrode, et une couche organique électroluminescente interposée entre elles. À l'étape ST15, un motif d'étanchéité est formé dans une partie périphérique de l'un des premier et second substrats, et puis les premier et second substrats sont fixés par l'intermédiaire du motif d'étanchéité. Dans cette étape, le motif de raccordement est relié électriquement à la diode électroluminescente organique, et la cavité définie par les premier et second substrats est laissée vide. Dans les exemples ci-dessus, le transistor à couches minces a une structure décalée inversée et comprend un silicium amorphe. Cependant, le transistor à couches minces peut avoir une structure de grille supérieure en utilisant un silicium polycristallin. Comme décrit ci-dessous, la couche d'absorption d'humidité peut être composée en d'un matériau conducteur. La figure 12A est une vue en plan illustrant un substrat pour un dispositif OELD à double panneau selon un sixième mode de réalisation de la présente invention et la figure 12B est une vue en coupe transversale le long de la ligne XII-XII de la figure 12A. Le sixième mode de réalisation permet d'utiliser une couche d'absorption d'humidité qui est composée en un matériau électriquement conducteur. Comme représenté aux figures 12A t 12B, une ligne de grille 614 est formée dans une première direction sur un substrat 610, et une première électrode de grille 612 s'étend depuis la ligne de grille 614. Une ligne de raccordement 616 en motif en forme d'îlot est formée dans une seconde direction et est espacée de la première électrode de grille 612 et de la ligne de grille 614. La ligne de raccordement 616 présente des parties courbées. Une extrémité de la ligne de raccordement 616 est située de manière adjacente à la première électrode de grille 612. Une second électrode de grille 618 s'étend depuis la ligne de raccordement 616. Une couche isolante de grille 620 recouvre la première électrode de grille 612, la ligne de grille 614, la ligne de raccordement 616, et la seconde électrode de grille 618. Une première couche semi-conductrice 622 et une seconde couche semi- conductrice 624 sont formées sur la couche isolante de grille 620 sur la première R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 23/44 électrode de grille 612 et la seconde électrode de grille 618, respectivement. La seconde couche semi-conductrice 624 comprend une couche active 624a de silicium amorphe non dopé et une couche de contact ohmique 624b de silicium amorphe dopé. La première couche semi- conductrice 622 a la même structure que la seconde couche semi- conductrice 624. La couche de grille isolante 620 présente un premier trou de contact 630 exposant une partie de la ligne de raccordement 616. Une ligne de données 632 et la première électrode condensateur 638 sont formées sur la couche isolante de grille 620. La ligne de données 632 est formée dans la seconde direction croisant la première direction et comprend une première électrode source 634. La première électrode de drain 636 est espacée de la première électrode source 634 et est reliée à la ligne de raccordement 616 par l'intermédiaire du premier trou de contact 630. La première électrode de drain 636 et la première électrode source 634 chevauchent la première couche semi-conductrice 622 sur les côtés respectifs. La première électrode condensateur 638 s'étend depuis la première électrode de drain 636. Une seconde électrode source 640 et une seconde électrode de drain 642 sont formées sur la seconde couche semi-conductrice 624. La seconde électrode source 640 et la seconde électrode de drain 642 ont des motifs en forme d'îlot et chevauchent les cotés respectifs de la seconde couche semi-conductrice 624. La première électrode de grille 612, la première couche semi-conductrice 622, la première électrode source 634, et la première électrode de drain 636 constituent un transistor de commutation à couches minces Ts. La seconde électrode de grille 618, la seconde couche semi-conductrice 624, la seconde électrode source 640, et la seconde électrode de drain 642 constituent un transistor d'attaque à couches minces Td. Le transistor de commutation à couches minces Ts contrôle la tension appliquée à la seconde électrode de grille du transistor d'attaque à couches minces Td conformément aux tensions appliquées à la ligne de grille 614 et la ligne de données 632. Il en résulte que le transistor d'attaque à couches minces Td commande la luminosité de l'émission de lumière en commandant un courant au travers de la ligne d'alimentation 652 conformément aux tensions appliquées au transistor de commutation à couches minces Ts. Une première couche de passivation 646 recouvre le transistor de commutation à couches minces Ts et le transistor d'attaque à couches minces Td. La première couche de passivation 646 présente un second trou de contact 644 exposant une partie de la seconde électrode source 640. R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 24/44 Une ligne d'alimentation 652 est formée dans la seconde direction sur la première couche de passivation 646 et est espacée de la ligne de données 632. Une électrode de puissance 648 et une seconde électrode condensateur 650 s'étendent depuis la ligne d'alimentation 652. L'électrode de puissance 648 est reliée à la seconde électrode source 640 par l'intermédiaire du second trou de contact 644. La seconde électrode condensateur 650 chevauche la première électrode condensateur 638. Les première et seconde électrodes condensateurs 638 et 650 constituent un condensateur de stockage Cst avec la première couche de passivation 646 interposée entre elles. Une zone de pixels P est définie en croisant 1 ligne de grille 614, la ligne de données 632 et la ligne d'alimentation 652. Une seconde couche de passivation 656 recouvre la ligne d'alimentation 652, l'électrode de puissance 648 et la seconde électrode condensateur650. La seconde couche de passivation 656 présente un troisième trou de contact 654 exposant une partie de la seconde électrode de drain 642 par l'intermédiaire de la première couche de passivation 646. Un motif projetant 658 d'une épaisseur prédéterminée est formée sur la seconde couche de passivation 656 dans la zone de pixels P. le motif projetant 658 est situé de manière adjacente au troisième trou de contact 654. Une électrode de raccordement 660 recouvre le motif projetant 658, et est reliée à la seconde électrode de drain 642 par l'intermédiaire du troisième trou de contact 654. Le motif projetant 658 et l'électrode de raccordement 660 constituent un motif de raccordement 662. Une couche d'absorption d'humidité 664 est formée sur la seconde couche de passivation 656 sur le condensateur de stockage Cst. La couche d'absorption d'humidité 664 peut être composée d'un matériau métallique hygroscopique qui peut enlever l'humidité du dispositif. Dans ce mode de réalisation, si la couche d'absorption d'humidité 664 est composée d'un matériau métallique, qui est formé d'une couche mince par un processus de déposition, la couche d'absorption d'humidité 664 ne devrait pas être fermée de préférence sur les transistors à couches minces et les lignes métalliques, telles que la ligne de grille, la ligne de données et la ligne d'alimentation. Plus spécifiquement, si la couche d'absorption d'humidité électriquement conductrice 664 est formée sur le transistor à couches minces ou les lignes métalliques, un condensateur de parasites peut entraîner un retard de signal ou des images pauvres. En conséquence, il est souhaitable de former la couche d'absorption d'humidité dans une zone où il n'y a pas le transistor à couches minces ni les lignes métalliques en R:1Brevets122700122713doc - 30 juin 2004 - 25/44 dessous, tel qu'à l'emplacement où la capacitance de stockage est située dans cet exemple. Le matériau métallique hygroscopique qui peut être utilisé dans le présent mode de réalisation peut être un matériau dégazeur qui améliore le niveau de vide et enlève l'humidité. Le matériau dégazeur peut comprendre un élément du groupe 4 tel que le zirconium (Zr), le titane (Ti) et l'hafnium (HO, un élément du groupe 5 tel que le vanadium (V), le niobium (Nb) et le tantale (Ta), un élément du groupe 6 tel que le chrome (Cr), le molybdène (Mo) et le tungstène (W), un élément du groupe 8 tel que le fer (Fe), le ruthénium (Ru) et l'osmium (Os), un élément du groupe 10 tel que le nickel (Ni), ou un élément du groupe 9 tel que le cobalt (Co), où le tableau utilisé pour le label de groupes est numérique et répond à la convention actuelle de l'IUPAC (International Union of Pure and Applied Chemistry). Le matériau dégazeur peut également comprendre des éléments des groupes 1, 11, 13, 15, 16, 17, ou 18. Le matériau métallique hygroscopique peut être formé par un procédé de pulvérisation un procédé par évaporation par exemple. La figure 13 est une vue en coupe transversale d'un dispositif OELD à double panneau selon le sixième mode de réalisation de la présente invention. Les mêmes pièces que dans la figure 12B peuvent être expliquées brièvement. Comme représenté à la figure 13, un premier substrat 710 et un second substrat 750 sont espacés l'un de l'autre et se font face. Un transistor à couches minces T est formé sur une surface interne du premier substrat 710. Le transistor à couches minces T comprend une électrode de grille 718, une couche semi-conductrice 724, une électrode source 740 et une électrode de drain 742. Une première électrode condensateur 738 est formée du même matériau et dans la même couche que les électrodes source et de drain 740 et 742. Une ligne d'alimentation 752 est formée sur une première couche de passivation 746. La ligne d'alimentation 752 comprend une électrode de puissance 748 et une seconde électrode condensateur 750. L'électrode de puissance 748 est reliée à l'électrode source 740, et la seconde électrode condensateur 750 chevauche la première électrode condensateur 738. Les première et seconde électrodes condensateurs 738 et 750 constituent un condensateur de stockage Cst avec la première couche de passivation 746 entre elles. Une seconde couche de passivation 756 recouvre le condensateur de stockage Cst et le transistor à couches minces T, et un motif de raccordement 762 est sur la seconde couche de passivation 756. Le motif de raccordement 762 est relié au transistor à couches minces T. Une couche d'absorption d'humidité 764 est formée R:\Brevets\22700\22713doc - 30 juin 2004 - 26/44 sur la seconde couche de passivation 756 à un emplacement correspond au condensateur de stockage Cst. Une première électrode 772 est formée sur toute une surface interne du second substrat 770. Un motif isolant 774 et une cloison de séparation 776 sont formés séquentiellement sur la première électrode 772 dans une zone sans pixels NP. La cloison de séparation 766 a des côtés inversement conique par rapport au second substrat 770 et présente une certaine épaisseur. Une couche organique électroluminescente 778 et une seconde électrode 780 sont formées séquentiellement sur la première électrode 772 entre des cloisons de séparation adjacentes 776 et entre des motifs isolants adjacents 774. La couche organique électroluminescente 778 et la seconde électrode 780 sont automatiquement imprimées grâce à la cloison de séparation 776 sans processus d'impression supplémentaire. La seconde électrode 780 contacts le motif de raccordement 762. La première électrode 772, la seconde électrode 780, et la couche organique électroluminescente 778 constituent une diode électroluminescente organique E. La première électrode 772 est transparente, et le dispositif a ainsi un mode d'émission supérieur. Par exemple, la première électrode 772 peut être an électrode positive (anode) et la seconde électrode 780 peut être une électrode négative (cathode). Dans ce cas, la première électrode 772 peut être composée en d'un matériau conducteur transparent tel que l'oxyde d'étain indium (ITO). Bien que non représenté à la figure 13, la couche organique électroluminescente 778 peut être formée par un procédé de luminescence indépendant, où des couches lumineuses rouges, bleues et vertes sont formées séquentiellement aux pixels respectifs. En variante, une couche lumineuse monochromatique peut être utilisée pour la couche organique électroluminescente, et une structure simple d'une couche de filtre chromatique ou une structure double d'une couche de filtre chromatique et des milieux de changement de couleur (CCM) peuvent être utilisée pour l'élément tout en couleurs. Dans les modes de réalisation de la présente invention, comme la barrettes d'éléments et la diode électroluminescente organique sont formés sur différents substrats, le rendement et la productivité sont améliorés et la durée de vie du dispositif est augmentée. Le dispositif OELD à double panneau présente une ouverture relative élevée et une définition d'images élevée car il peut fonctionner dans la mode d'émission supérieur. En outre, comme la couche organique électroluminescente et la seconde électrode sont automatiquement imprimées grâce à la cloison de séparation sans R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 27/44 utiliser de masque perforé , l'efficacité du processus de fabrication est améliorée. De plus, comme la couche d'absorption d'humidité est formée sur un des substrats supérieurs et inférieurs, tout endommagement du dispositif en raison d'humidité peut être empêché, et on obtient une utilisation effective de l'espace. Il apparaîtra clairement à l'homme du métier que des modifications et variantes variées peuvent être réalisées dans le dispositif d'affichage électroluminescent organique et son procédé de fabrication de la présente invention sans sortir de l'esprit ou de la portée de l'invention. Ainsi, on comprend que la présente invention est couverte par les modifications et variantes de cette invention dans la mesure où elles entrent dans la portée des revendications annexées et de leurs équivalents. R:\Brevets122700\22713.doc - 30 juin 2004 - 28144 REVENDICATIONS 1. Dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau, comprenant: des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre; une couche de matrice d'éléments sur une surface interne du premier substrat (110; 210; 410; 510; 710) et comprenant un transistor à couches minces; un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments et relié électriquement au transistor à couches minces; une première électrode sur une surface interne du second substrat (130; 250; 450; 550; 770) ; une cloison de séparation (140; 256; 566; 776) sur la première électrode dans une zone sans pixels entre des zones de pixels adjacentes; une couche organique électroluminescente sur la première électrode dans la 15 zone de pixels; une seconde électrode sur la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels et reliée électriquement au motif de raccordement; une couche d'absorption d'humidité (262; 362; 442; 542; 664; 764) sur la cloison de séparation; et un motif d'étanchéité entre les premier et second substrats le long d'une partie périphérique. 2. Dispositif selon l'une quelconque des revendication 1, dans lequel la cloison de séparation (140; 256; 566; 776) a des côtés coniques inversés par rapport 25 au second substrat (130; 250; 450; 550; 770). 3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, dans lequel la couche d'absorption d'humidité (262; 362; 442; 542; 664; 764) est composée d'un matériau isolant. 4. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel le matériau isolant comprend un oxyde. 5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel l'oxyde comprend au 35 moins un oxyde parmi l'oxyde de calcium et l'oxyde de baryum. R:1Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 29144 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un motif isolant entre la première électrode et la cloison de séparation (140; 256; 566; 776) dans la zone sans pixels. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel la première électrode fonctionne comme une électrode positive (anode) et la seconde électrode fonctionne comme une électrode négative (cathode), et dans lequel la première électrode est transparente, moyennant quoi la lumière émise par la couche organique électroluminescente est transmise à travers la fo première électrode. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la couche organique électroluminescente comprend des couches lumineuses rouges, vertes et bleues distinctes, chacune d'elle correspondant à une zone de pixels. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de filtre chromatique entre la première électrode et le second substrat (130; 250; 450; 550; 770), la couche organique électroluminescente émettant sensiblement une lumière monochromatique. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des milieux de changement de couleur entre la première électrode et le second substrat (130; 250; 450; 550; 770). 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel le transistor à couches minces fonctionne comme un transistor d'attaque à couches minces, et la couche de matrice d'éléments comprend en outre un transistor de commutation à couches minces. 12. Dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau, comprenant: des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre; une couche de matrice d'éléments sur une surface interne du premier substrat et comprenant un transistor à couches minces; un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments et relié électriquement au transistor à couches minces; R:\Brevets122700\22713.doc - 30 juin 2004 - 30/44 une première électrode sur une surface interne du second substrat; une cloison de séparation sur la première électrode dans une zone sans pixels entre des zones de pixels adjacentes, la cloison de séparation comprenant des cloisons de sous-séparation (355), chacune d'elle entourant une zone de pixels; une couche organique électroluminescente sur la première électrode dans la zone de pixels; une seconde électrode sur la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels et reliée électriquement au motif de raccordement; une couche d'absorption d'humidité (362) entre des cloisons de sous- 10 séparation (355) ; et un motif d'étanchéité entre les premier et second substrats le long d'une partie périphérique. 13. Dispositif selon la revendication, dans lequel la couche d'absorption d'humidité (362) est composée d'un matériau isolant. 14. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel le matériau isolant comprend un oxyde. 15. Dispositif selon la revendication 14, dans lequel le matériau isolant est au moins un oxyde parmi l'oxyde de calcium et l'oxyde de baryum. 16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un motif isolant entre la première électrode 25 et la cloison de séparation dans la zone sans pixels. 17. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 16, dans lequel la première électrode fonctionne comme une électrode positive (anode) et la seconde électrode fonctionne comme une électrode négative (cathode), et dans lequel la première électrode est transparente, moyennant quoi la lumière émise par la couche organique électroluminescente est transmise à travers la première électrode. 18. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 17, dans 35 lequel la couche organique électroluminescente comprend des couches lumineuses rouges, vertes et bleues distinctes, chacune d'elle correspondant à une zone de pixels. R:\Brevets\22700\22713doc - 30 juin 2004 - 31/44 19. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 18, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de filtre chromatique entre la première électrode et le second substrat, la couche organique électroluminescente émettant sensiblement une lumière monochromatique. 20. Dispositif selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des milieux de changement de couleur entre la première électrode et le second substrat. 21. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 20, dans lequel le transistor à couches minces fonctionne comme un transistor d'attaque à couches minces, et la couche de matrice d'éléments comprend en outre un transistor de commutation à couches minces. 22. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à 21, dans lequel une largeur et une épaisseur de la couche d'absorption d'humidité sont définies par une zone d'écartement entre les cloisons de sousséparation (355) adjacentes. 23. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 à, 22 dans lequel chaque cloison de sous-séparation a un côté conique inversé et un côté normal par rapport au second substrat. 24. Dispositif selon la revendication 23, dans lequel le côté conique inversé fait face à la zone de pixels sous forme d'une face interne de la cloison de sous-séparation (355). 25. Procédé de fabrication d'un d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau, comprenant les étapes consistant à : former une couche de matrice d'éléments sur un premier substrat, la couche de matrice d'éléments comprenant un transistor à couches minces; former un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments, le motif de raccordement étant relié électriquement au transistor à couches minces; former une première électrode sur un second substrat; R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 32/44 former une cloison de séparation sur la première électrode dans une zone sans pixels entre des zones de pixels adjacentes, la cloison de séparation ayant des côtés coniques inversés; former une couche organique électroluminescente sur la première électrode dans la zone de pixels; former une seconde électrode sur la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels; former une couche d'absorption d'humidité sur la cloison de séparation; et fixer les premier et second substrats de telle sorte que la seconde électrode est Io reliée au motif de raccordement. 26. Procédé selon la revendication 25, dans lequel la couche d'absorption d'humidité est composée d'un matériau isolant. 27. Procédé selon la revendication 26, dans lequel le matériau isolant comprend un oxyde. 28. Procédé selon la revendication 27, dans lequel le matériau isolant comprend au moins un oxyde parmi l'oxyde de calcium et l'oxyde de baryum. 29. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 28, dans lequel pour former la couche d'absorption d'humidité, on utilise un procédé parmi un procédé à jet d'encre, un procédé d'impression à rouleaux, un procédé de sérigraphie, et un procédé de couchage à lame. 30. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 29, dans lequel pour former la couche d'absorption d'humidité, on utilise un masque qui comprend une ouverture correspondant à la cloison de séparation. 31. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 30, dans lequel la formation de la couche d'absorption d'humidité est réalisée entre la formation de la cloison de séparation et la formation de la couche organique électroluminescente. 32. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 31, dans lequel pour former la couche organique électroluminescente, on forme R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 33/44 séquentiellement des couches lumineuses rouges, vertes et bleues distinctes, chacune d'elle correspondant à une zone de pixels. 33. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 32, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape consistant à former une couche de filtre chromatique entre la première électrode et le second substrat, la couche organique électroluminescente émettant sensiblement une lumière monochromatique. 34. Procédé selon la revendication 33, caractérisé en ce qu'il comprend en 10 outre une étape consistant à former des milieux de changement de couleur entre la première électrode et le second substrat. 35. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 34, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape consistant à former un motif isolant entre la première électrode et la cloison de séparation dans la zone sans pixels. 36. Procédé selon l'une quelconque des revendications 25 à 35, dans lequel pour former la couche organique électroluminescente, on applique sélectivement un matériau pour la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels en utilisant les côtés coniques inversés de la cloison de séparation, ce qui permet de former un motif de la couche organique électroluminescente sans utiliser de masque, et dans lequel pour former la seconde électrode, on applique sélectivement un matériau pour la seconde électrode dans la zone de pixels en utilisant les côtés coniques inversés de la cloison de séparation, ce qui permet de former un motif de la seconde électrode sans utiliser de masque. 37. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau, comprenant les étapes consistant à : former une couche de matrice d'éléments sur un premier substrat, la couche de matrice d'éléments comprenant un transistor à couches minces; former un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments, le motif de raccordement étant relié électriquement au transistor à couches minces; former une première électrode sur un second substrat; former une cloison de séparation sur la première électrode dans une zone sans pixels entre des zones de pixels adjacentes, la cloison de séparation ayant des côtés R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 34/44 coniques inversés et comprenant des cloisons de sous-séparation, chacune d'elle entourant une zone de pixels; former une couche organique électroluminescente sur la première électrode dans la zone de pixels; former une seconde électrode sur la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels; former une couche d'absorption d'humidité entre des cloisons de sous- séparation; et fixer les premier et second substrats de telle sorte que la seconde électrode est 10 reliée au motif de raccordement. 38. Procédé selon la revendication 37, dans lequel la couche d'absorption d'humidité est composée d'un matériau isolant. 39. Procédé selon la revendication 38, dans lequel le matériau isolant comprend un oxyde. 40. Procédé selon la revendication 39, dans lequel le matériau isolant est un oxyde parmi l'oxyde de calcium et l'oxyde de baryum. 41. Procédé selon l'une quelconque des revendications 37 à 40, dans lequel pour former la couche d'absorption d'humidité, on utilise un procédé parmi un procédé à jet d'encre, un procédé d'impression à rouleaux, un procédé de sérigraphie, et un procédé de couchage à lame. 42. Procédé selon l'une quelconque des revendications 37 à 41, dans lequel pour former la couche d'absorption d'humidité, on utilise un masque qui comprend une ouverture correspondant à la cloison de séparation. 43. Procédé selon l'une quelconque des revendications 37 à 42, dans lequel la formation de la couche d'absorption d'humidité est réalisée entre la formation de la cloison de séparation et la formation de la couche organique électroluminescente. 44. Procédé selon l'une quelconque des revendications 37 à 43, dans lequel chaque cloison de sous-séparation a un côté conique inversé et un côté normal R:\Brevets122700\22713.doc - 30 juin 2004 - 35144 par rapport au second substrat, le côté conique inversé faisant face à la zone de pixels. 45. Procédé selon l'une quelconque des revendications 37 à 44, dans lequel pour former la couche organique électroluminescente, on forme séquentiellement des couches lumineuses rouges, vertes et bleues distinctes, chacune d'elle correspondant à une zone de pixels. 46. Procédé selon l'une quelconque des revendications 37 à 45, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape consistant à former une couche de filtre chromatique entre la première électrode et le second substrat, la couche organique électroluminescente émettant sensiblement une lumière monochromatique. 47. Procédé selon la revendication 46, caractérisé en ce qu'il comprend en 15 outre une étape consistant à former des milieux de changement de couleur entre la première électrode et le second substrat. 48. Procédé selon l'une quelconque des revendications 37 à 47, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape consistant à former un motif isolant entre la 20 première électrode et la cloison de séparation dans la zone sans pixels. 49. Procédé selon l'une quelconque des revendications 37 à 48, dans lequel pour former la couche organique électroluminescente, on applique sélectivement un matériau pour la couche organique électroluminescente dans la zone de pixels en utilisant les côtés coniques inversés de la cloison de séparation, ce qui permet de former un motif de la couche organique électroluminescente sans utiliser de masque, et dans lequel pour former la seconde électrode, on applique sélectivement un matériau pour la seconde électrode dans la zone de pixels en utilisant les côtés coniques inversés de la cloison de séparation, ce qui permet de former un motif de la seconde électrode sans utiliser de masque. 50. Dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau, comprenant: des premier et second substrats (510, 550) se faisant face et espacés l'un de l'autre; R:\Brevets\22700\227 I3.doc - 30 juin 2004 36/44 une couche de matrice d'éléments sur une surface interne du premier substrat (510) et comprenant un transistor à couches minces; un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments et relié électriquement au transistor à couches minces; une couche d'absorption d'humidité (542) recouvrant la couche de matrice d'éléments et exposant le motif de raccordement; une diode électroluminescente organique (E) sur une surface interne du second substrat (550) et reliée électriquement au motif de raccordement; et un motif d'étanchéité (571) entre les premier et second substrats le long d'une partie périphérique. 51. Dispositif selon la revendication 50, dans lequel l'intérieur du motif d'étanchéité (571) entre les premier et second substrats est sensiblement vide. 52. Dispositif selon la revendication 51, dans lequel la couche d'absorption d'humidité (542) est composée d'un matériau isolant absorbant l'humidité et les gaz. 53. Dispositif selon la revendication 52, dans lequel le matériau isolant 20 comprend un oxyde. 54. Dispositif selon la revendication 52, dans lequel le matériau isolant comprend au moins un oxyde parmi l'oxyde de calcium et l'oxyde de baryum. 55. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 50 à 54, dans lequel la couche d'absorption d'humidité (542) est disposée à l'intérieur du motif d'étanchéité. 56. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 50 à 55, dans lequel la diode électroluminescente organique comprend une couche organique électroluminescente composée des couches lumineuses rouges, vertes et bleues distinctes. 57. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 50 à 56, 35 caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de filtre chromatique entre la diode électroluminescente organique et le second substrat (550), une couche \\iIIRSCH6\BREVETS\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 37/44 organique électroluminescente de la diode électroluminescente organique émettant sensiblement une lumière monochromatique. 58. Dispositif selon la revendication 57, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des milieux de changement de couleur entre la diode électroluminescente organique et le second substrat (550). 59. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 50 à 58, dans lequel la diode électroluminescente organique comprend une première électrode, une 1 o couche organique électroluminescente, une seconde électrode, et une cloison de séparation, la première électrode étant disposée sur une surface entière du second substrat (550), la cloison de séparation ayant des côtés coniques inversés, les frontières de la couche organique électroluminescente et de la seconde électrode étant définies par la cloison de séparation. 60. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 50 à 59, dans lequel le transistor à couches minces fonctionne comme un transistor d'attaque à couches minces, qui fournit un courant électrique à la diode électroluminescente organique. 61. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 50 à 60, dans lequel la couche de matrice d'éléments comprend une pluralité de lignes de grille formées dans une première direction, une pluralité de lignes de données croisant la pluralité de lignes de grille, une pluralité de lignes d'alimentation parallèles à la pluralité de lignes de données, un transistor de commutation à couches minces à chaque croisement des lignes de données et de grille, et un transistor d'attaque à couches minces relié à une électrode de drain du transistor de commutation à couches minces etla ligne d'alimentation correspondante, dans lequel le motif de raccordement est relié à une électrode de drain du transistor d'attaque à couches minces, et dans lequel la couche d'absorption d'humidité (542) recouvre la pluralité de lignes de grille, lignes de données et lignes d'alimentation, le transistor de commutation à couches minces et le transistor d'attaque à couches minces. 62. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau, comprenant les étapes consistant à : R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 38144 former une couche de matrice d'éléments sur un premier substrat, la couche de matrice d'éléments comprenant un transistor à couches minces; former un motif de raccordement sur la couche de matrice d'éléments, le motif de raccordement étant relié électriquement au transistor à couches minces; former une couche d'absorption d'humidité recouvrant la couche de matrice d'éléments et exposant le motif de raccordement; former une diode électroluminescente organique sur un second substrat; former un motif d'étanchéité sur l'un du premier substrat et du second substrat le long d'une partie périphérique; et fixer les premier et second substrats de telle sorte que la diode électroluminescente organique est reliée au motif de raccordement. 63. Procédé selon la revendication 62, dans lequel un intérieur défini par le motif d'étanchéité entre les premier et second substrats est rendu vide après avoir 15 fixé les premier et second substrats. 64. Procédé selon la revendication 62, dans lequel pour former la couche d'absorption d'humidité, on dépose un revêtement en matériau hygroscopique à un état liquide sur le premier substrat. 65. Procédé selon la revendication 64, dans lequel le matériau hygroscopique comprend un matériau absorbant l'humidité et les gaz et un solvant. 66. Procédé selon la revendication 64, dans lequel pour recouvrir le 25 matériau hygroscopique, on utilise un procédé parmi un procédé à jet d'encre, un procédé d'impression à rouleaux, un procédé de sérigraphie, et un procédé de couchage à lame. 67. Procédé selon la revendication 65, dans lequel pour recouvrir le 30 matériau hygroscopique, on utilise un masque qui une ouverture correspondant à une partie, sauf une zone, correspondant au motif de raccordement. 68. Dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau, comprenant: 35 des premier et second substrat s se faisant face et espacés l'un de l'autre; R: \Brevets\22700\227I3.doc - 30 juin 2004 - 39/44 une pluralité de lignes de grille (614), une pluralité de lignes de données (632) et une pluralité de lignes d'alimentation (652) sur le premier substrat, la pluralité de lignes de grille croisant la pluralité de lignes de données et la pluralité de lignes d'alimentation pour définir une pluralité de zones de pixels (P) ; un élément de commutation (Ts) à chaque zone de pixels, l'élément de commutation comprenant un transistor de commutation à couches minces et un transistor d'attaque à couches minces; un condensateur de stockage (Cst) à chaque zone de pixels et relié à l'élément de commutation; un motif de raccordement relié électriquement au transistor d'attaque à couches minces; une couche d'absorption d'humidité (664) d'un matériau hygroscopique conducteur sur le condensateur de stockage; une diode électroluminescente organique sur une surface interne du second 15 substrat et comprenant une première électrode, une couche organique électroluminescente et une seconde électrode, dans lequel la diode électroluminescente organique est reliée électriquement au motif de raccordement. 69. Dispositif selon la revendication 68, dans lequel le matériau hygroscopique conducteur comprend un matériau dégazeur qui améliore le niveau de vide et enlève l'humidité. 70. Dispositif selon la revendication 69, dans lequel le matériau dégazeur comprend au moins un des éléments du groupe 4, tels que le zirconium (Zr), le titane (Ti) et l'hafnium (Hf), des éléments du groupe 5 tels que le vanadium (V), le niobium (Nb) et le tantale (Ta), des éléments du groupe 6 tels que le chrome (Cr), le molybdène (Mo) et le tungstène (W), des éléments du groupe 8 tels que le fer (Fe), le ruthénium (Ru) et l'osmium (Os), des éléments du groupe 10 tels que le nickel (Ni), et des éléments du groupe 9 tels que le cobalt (Co), dans lequel le tableau utilisé pour le label de groupes est numérique et répond à la convention actuelle de l'IUPAC (International Union of Pure and Applied Chemistry). 71. Dispositif selon la revendication 69, dans lequel le matériau dégazeur 35 comprend au moins un élément parmi le zirconium (Zr), le titane (Ti), l'hafnium (Hf), le vanadium (V), le niobium (Nb), le tantale (Ta), le chrome (Cr), le molybdène R:'Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 40/44 (Mo), le tungstène (W), le fer (Fe), le ruthénium (Ru), l'osmium (Os), le nickel (Ni), et le cobalt (Co). 72. Dispositif selon la revendication 69, dans lequel le matériau dégazeur comprend au moins un des éléments des groupes 1, 11, 13, 15, 16, 17, ou 18, dans lequel le tableau utilisé pour identifier les groupes est numérique et répond à la convention actuelle de l'IUPAC (International Union of Pure and Applied Chemistry). 73. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 68 à 72, dans lequel la couche d'absorption d'humidité est formée par un procédé de déposition. 74. Dispositif selon la revendication 73, dans lequel le procédé de déposition est un procédé choisi parmi un procédé de pulvérisation et procédé 15 d'évaporation. 75. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 68 à 74, dans lequel la couche organique électroluminescente comprend des couches lumineuses rouges, vertes et bleues distinctes, chacune d'elle correspondant à une zone de pixels. 76. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 68 à 75, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de filtre chromatique entre la diode électroluminescente organique et le second substrat, la couche organique électroluminescente émettant sensiblement une lumière monochromatique. 77. Dispositif selon la revendication 76, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des milieux de changement de couleur entre la diode électroluminescente organique et le second substrat. 78. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 68 à 77, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un motif isolant et une cloison de séparation sur la première électrode dans une zone sans pixels entre des zones de pixels adjacentes, dans lequel la première électrode est formée sur toute une surface du second substrat et la cloison de séparation a des côtés coniques inversés, les frontières de la couche organique électroluminescente et de la seconde électrode étant définies par la cloison de séparation. R:\Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 - 41/44 79. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 68 à 78, dans lequel la première électrode est transparente de telle sorte que la lumière émise par la couche organique électroluminescente est transmise à travers de la première électrode. 80. Dispositif selon la revendication 79, dans lequel la première électrode fonctionne comme une électrode positive (anode) et la seconde fonctionne comme une électrode négative (cathode), et la première électrode est composée d'un matériau conducteur transparent. 81. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 68 à 80, dans lequel la pluralité de lignes d'alimentation sont parallèles à la pluralité de lignes de données. 82. Dispositif selon la revendication 81, dans lequel le transistor de commutation à couches minces est formé à chaque croisement des lignes de grille et de données et relié aux lignes de données et de grille, et dans lequel le transistor d'attaque à couches minces est relié à la ligne 20 d'alimentation et au transistor de commutation à couches minces. 83. Dispositif selon la revendication 82, dans lequel chacun des transistor de commutation à couches minces et transistor d'attaque à couches minces comprend une électrode de grille, une couche semiconductrice, une électrode source et une électrode de drain, et dans lequel le condensateur de stockage comprend une première électrode condensateur (638) qui est reliée à l'électrode de drain du transistor de commutation à couches minces, une seconde électrode condensateur qui est reliée à la ligne d'alimentation, et une couche isolante qui est interposée entre les première et seconde électrodes condensateurs. 84. Dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau, comprenant: des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre; une partie de pilotage des pixels sur une surface interne du premier substrat (410; 510), la partie de pilotage des pixels comprenant un groupe de lignes R:'Brevets\22700\22713.doc - 30 juin 2004 42/44 métalliques et un transistor à couches minces, le groupe de lignes métalliques comprenant une ligne de grille, une ligne de données et une ligne d'alimentation, le transistor à couches minces étant activé par la tension appliquée par le groupe de lignes métalliques; un motif de raccordement (440; 540) sur la partie de pilotage des pixels et relié électriquement au transistor à couches minces; une diode électroluminescente organique sur une surface interne du second substrat (450; 550) et reliée électriquement au transistor à couches minces par l'intermédiaire du motif de raccordement; et une couche d'absorption d'humidité (442; 542) sur la partie de pilotage des pixels à l'exception des zones correspondant au groupe de lignes métalliques et le transistor à couches minces, la couche d'absorption d'humidité comprenant un matériau hygroscopique conducteur. * 85. Dispositif d'affichage électroluminescent organique à double panneau, comprenant: des premier et second substrats se faisant face et espacés l'un de l'autre; un transistor à couches minces sur une surface interne du premier substrat (110; 210;410;510;710); un motif de raccordement relié au transistor à couches minces; une diode électroluminescente organique sur une surface interne du second substrat (130; 250; 450; 550; 770) et reliée électriquement au transistor à couches minces par l'intermédiaire du motif de raccordement; et une couche d'absorption d'humidité (262; 362; 442; 542; 664; 764) sur une surface interne de l'un des premier et second substrats. R:\Brevets\22700\227t3.doc - 30 juin 2004 - 43/44