FR 2865809 A1 20050805 FR 0550050 A 20050106 CARACTERISATION DE LA FREQUENCE DE CRISTAUX DE QUARTZ Contexte de l'invention Domaine de l'invention L'invention concerne généralement le domaine des cristaux de quartz utilisés comme étalon de fréquence hautement stable (tel que des horloges). Plus particulièrement, l'invention concerne des techniques pour profiler ou caractériser la sortie en fréquence d'oscillateurs basés sur des cristaux avec des déviations réduites de fréquence dues aux effets environnementaux. Art antérieur La synchronisation du fonctionnement des dispositifs électroniques, en particulier des dispositifs numériques, requiert un signal d'horloge précis et à la fréquence stable. Nombre de tels dispositifs électroniques sont sujets à des variations de la température ambiante au cours de leur fonctionnement. Comme cela est bien connu de l'art, des changements de la température ambiante affectent la fréquence d'un cristal typique. Tandis que les oscillateurs à quartz sont considérablement plus stables que d'autres types d'oscillateurs, leur sortie en fréquence est connue pour présenter une certaine dérive lorsqu'ils sont soumis à de rapides variations de température. L'effet de contraintes exercées sur des cristaux de quartz est bien connu et exploité dans la conception de capteurs de pression et de contrainte basés sur un quartz. En raison de la faible conductivité thermique et des propriétés anisotropes du quartz, le chauffage et le refroidissement de cristaux sont connus pour causer des contraintes dans le cristal, lesquelles affectent la fréquence. Voir, Bottom, Virgile E. Introduction to Quartz Crystal Unit Design , New York: D. Van Nostrand, 1982. Pour cette raison, il n'est généralement pas recommandé de soumettre des cristaux de quartz à des gradients de température rapides. Dans des applications conventionnelles, les déviations de fréquence des cristaux de quartz dues à la température sont profilées ou caractérisées en cours de fabrication et compensées en temps réel. Des fluctuations rapides de température dans l'environnement du cristal et des taux de variation de température, également appelés gradients de température, entraînent une déviation de la fréquence du cristal relativement à la caractérisation. Bien que les taux de variation de température changeants puissent ne durer qu'une brève période, leurs effets peuvent se prolonger pendant de longues périodes de temps, en causant alors des erreurs de mesure. De manière à atteindre une plus grande stabilité en fréquence, plusieurs procédés ont été proposés pour prendre en compte ces déviations. Une approche consiste à placer le cristal dans une chambre à régulation de température, laquelle maintiendra le cristal à une température constante et préviendra toute déviation de sa fréquence. Voir, par exemple, les brevets US n 5 917 272, 5 729 181, 5 180 942, 4 586 006 et 3 619 806. Une autre approche considérée pour compenser les déviations de fréquence dues à la température consiste à utiliser un oscillateur commandé en tension dont la fréquence peut être ajustée en changeant la tension au niveau de l'entrée de commande. Dans ces conceptions, la température du cristal est mesurée et utilisée pour calculer numériquement une tension de correction à appliquer à l'oscillateur commandé en tension. Voir, par exemple, les brevets US n 5 668 506, 5 473 289, 5 214 668, 5 170 136, 081 431, 4 922 212, 4 746 879, 4 427 952 et 4 380 745. Un problème avec l'utilisation d'un capteur de température et avec la mesure de la température hors du cristal réside dans le fait qu'il y a un décalage de temps entre la température réelle du cristal (au niveau de la plaque de quartz) et l'extérieur où la température est mesurée. Cela entraîne que les oscillateurs sont lents à répondre à un changement de température, introduisant ainsi des erreurs. Une solution proposée à ce problème consiste à ce que le cristal oscille simultanément dans deux modes, où un des deux modes est sensible à la température tandis que le second mode est relativement stable avec la température. Le mode sensible à la température est utilisé pour obtenir la température au niveau du cristal lui-même, puis est ensuite utilisé pour compenser des petites déviations avec la température dans le mode stable. Voir, par exemple, les brevets US n 5 525 936 et 4 079 280. En dépit de la mesure très précise de la température dans ces réalisations, de forts gradients de température dans l'environnement continuent à induire des erreurs. Les cristaux modernes sont également coupés suivant des angles spéciaux, telle que la coupe SC, dans une tentative de minimiser la déviation en fréquence due à la température. Un autre procédé qui peut être utilisé pour minimiser les problèmes dus à des taux de variation de température fluctuants consiste à placer le cristal dans une chambre régulée en température. Voir, par exemple, le brevet US n 6 606 009 (cédé au présent concessionnaire). Toutefois, cette option entraîne une consommation d'énergie accrue, ce qui peut être un désavantage dans certaines applications. Il demeure donc un besoin pour des techniques améliorées pour prendre en compte et minimiser la déviation de fréquence observée dans les oscillateurs à base de cristal due à des variations environnementales. Résumé de l'invention Un aspect de l'invention propose un procédé pour déterminer un profil de fréquence d'un cristal de quartz. Le procédé inclut la soumission du cristal de quartz à des cycles de température à différents taux de variation de température; la surveillance des fréquences du cristal, d'un paramètre de température du cristal et des taux de variation de température lorsque le cristal est soumis aux cycles de température; et le regroupement des fréquences surveillées corrélées avec les paramètres de température et les taux de variation de température surveillés. Un aspect de l'invention propose un procédé pour déterminer une fréquence d'un cristal de quartz. Le procédé inclut la détermination d'une température du cristal de quartz; la dérivation d'un taux de variation de température à partir de la température du cristal déterminée; et la mise en relation de la température du cristal et du taux de variation de température avec un ensemble de données caractérisant une corrélation entre la fréquence du cristal, sa température et ses taux de variation de température afin de déterminer la fréquence du cristal. Un aspect de l'invention propose un système pour déterminer une fréquence d'un cristal de quartz. Le système comprend un cristal ayant une sortie de fréquence liée à une température du cristal; et un processeur adapté pour calculer une fréquence du cristal à partir d'un paramètre de température mesuré du cristal, d'un taux de variation de température du cristal et des fréquences observées du cristal corrélées avec les paramètres de température observés et les taux de variation de température du cristal. Brève description des dessins D'autres aspects et avantages de l'invention 25 apparaîtront plus clairement à partir de la description suivante et des revendications annexées. La figure 1 est une coupe transversale d'un boîtier de cristal de quartz en accord avec l'invention. La figure 2 est une vue détaillée de dessus du cristal de quartz de la figure 1. La figure 3 est un tracé représentant des cycles de température du cristal à gradients de température changeants en accord avec l'invention. La figure 4 est un tracé de la température et des 5 gradients de température de la figure 3. La figure 5 est un tracé de la fréquence d'un cristal comme une fonction de la température et d'un taux de variation de température représenté sous la forme d'une surface dans un espace cartésien à 3 dimensions. La figure 6 est une vue de dessus d'un cristal de quartz en accord avec l'invention. La figure 7 représente un système de diagraphie de forage disposé dans un trou de sonde et équipé d'un oscillateur à cristal en accord avec l'invention. La figure 8 illustre un organigramme d'un processus pour déterminer un profil de fréquence d'un oscillateur à cristal de quartz en accord avec l'invention. La figure 9 illustre un organigramme d'un processus pour déterminer une fréquence d'un oscillateur à cristal de quartz en accord avec l'invention. La figure 10 illustre un organigramme d'un processus pour déterminer une fréquence d'un oscillateur à cristal de quartz en temps réel en accord avec l'invention. Description détaillée Dans les applications d'oscillateur à cristal de quartz qui nécessitent une stabilité en fréquence significative, la dépendance en température de la fréquence est typiquement profilée ou caractérisée au cours de la fabrication et capturée sous la forme d'une table polynomiale ou de conversion. Au cours de la caractérisation, un cristal est soumis à un cycle de température tandis que la fréquence et la température sont surveillées. Un cycle de température implique un chauffage de la plus basse à la plus élevée température de fonctionnement, puis un refroidissement de la plus haute à la plus basse température. La répétitivité de la réponse en fréquence du cristal est cruciale pour le succès d'applications à haute stabilité. Si le cristal était parfait, la réponse en fréquence au cours du chauffage devrait théoriquement parfaitement correspondre à la réponse en fréquence au cours du refroidissement. En réalité, toutefois, les réponses d'un cristal ne correspondent pas parfaitement. Cet effet, parfois appelé hystérésis, entraîne que la réponse au cours du chauffage est légèrement différente de celle au cours du refroidissement. Cet effet est qualifié d'effet de taux de variation de température/de gradient dans cette description car une forte dépendance de cet effet sur le régime de chauffage ou le taux de variation de la température a été observée. Un exemple de dispositif à cristal de quartz de base qui peut être utilisé pour implémenter divers aspects de l'invention est représenté de manière générale sur la figure 1. Une plaque, ou un disque, de quartz 14 est fixé à des attaches de montage et/ou conducteurs électriques 16. Le disque 14 est disposé à l'intérieur d'un logement 10 et y est scellé par une couche isolante 18 (par exemple, une couche de verre). Le logement 10 est de préférence vidé de manière à former une zone de vide 12 pour le disque de quartz 14 et son environnement. Des connexions électriques aux électrodes situées sur le disque 14 sont effectuées via les conducteurs 16 traversant la couche isolante 18. Bien que la figure 1 représente un exemple de dispositif à cristal de quartz, l'homme de l'art appréciera que de nombreux styles et/ou configurations de boîtiers standard sont utilisés pour le montage de cristaux de quartz. Une description plus détaillée des boîtiers de cristaux de quartz est donnée dans l'article de Griffith, James, E., Development And Advancements in SC-Cut Crystals , RF Expo EAST, 1994, (http://www.corningfrequency.com). La figure 2 représente une vue plus détaillée du disque de quartz 14 tel qu'il est vu de dessus. Le disque 14 a deux électrodes métalliques, une électrode 24 sur la surface supérieure et l'autre 22 sur la surface inférieure, pour procurer le stimulus électrique pour faire vibrer le disque. Les électrodes 22, 24 sont disposées sur le disque 14 par des moyens bien connus de l'art. Le boîtier 10 du disque 14 est métallique, ce qui est typique pour des boîtiers de cristal conventionnels. Lorsque l'on considère le cycle de caractérisation dans lequel le cristal est chauffé, on peut s'attendre à ce que le boîtier métallique 10 soit chauffé en premier lieu, puis le disque 14. Dans cette situation, dans la mesure où la zone à l'intérieur du boîtier 10 est le vide, le flux de chaleur le plus important est attendu à travers les attaches de montage et/ou les conducteurs 16 connectés aux électrodes 22, 24 car ceux-ci sont constitués de métal, bon conducteur de chaleur. Ainsi, lorsque l'on considère la distribution de la température du disque de quartz 14, on peut s'attendre à ce que les zones immédiatement proches des conducteurs connectés 16 deviennent plus chaudes, tandis que les zones plus éloignées des conducteurs restent relativement plus froides car le quartz est généralement un mauvais conducteur thermique. On notera que les attaches de montage 16 non utilisées comme conducteurs pour les électrodes 22, 24 peuvent être non métalliques dans certaines conceptions. On peut s'attendre à ce que les zones les plus chaudes du disque 14 se dilatent plus en raison de la dilatation thermique, tandis que les zones les moins chaudes se dilatent moins. Ce type de non-correspondance de l'expansion a tendance à induire des contraintes mécaniques, lesquelles provoquent des changements dans la fréquence de vibration. Au cours de la partie de refroidissement du cycle, l'extérieur du boîtier 10 est plus froid que le disque 14 et la chaleur s'écoule dans la direction opposée à travers les conducteurs 16. Ainsi, dans cette situation, la zone encore plus éloignée des conducteurs 16 sera chaude et dilatée tandis que la zone plus proche des conducteurs sera plus froide et contractée. Ce renversement des états de contrainte affecte le cristal, ce qui entraîne un décalage de la fréquence dans une direction au cours du chauffage et dans la direction opposée au cours du refroidissement. Ces contraintes induites par des distributions non uniformes de la température sont des facteurs clés dans les décalages de fréquence des cristaux de quartz, produisant des effets de gradient de fréquence. Comme cela a été décrit ci-dessus, des procédés conventionnels de compensation des déviations dans une sortie de fréquence d'un oscillateur à quartz dues à la température sont caractérisés par = f(T) (1) où f représente la fréquence et T la température. Les cristaux fabriqués sont soumis à un cycle de température, tandis que la fréquence et la température sont mesurées. Ces données sont utilisées pour calculer l'équation (1) par optimisation. Cette fonction est typiquement représentée sous une forme polynomiale: f(T)=aT' (2) =o et les coefficients sont calculés par optimisation (correspondance du polynôme avec les données) à l'aide des données de caractérisation. Ces coefficients sont typiquement stockés et utilisés pour calculer la fréquence réelle de l'oscillateur en mesurant la température. Des techniques de la présente invention prennent en compte les effets du gradient de température sur le cristal en procédant à une caractérisation en deux dimensions, où les deux dimensions sont un paramètre de température et un taux de variation de température. Le paramètre de température peut être n'importe quel paramètre représentatif de la température. Dans un mode de réalisation, le paramètre de température est le rapport des fréquences (Fb/Fc), tel que cela est décrit dans le brevet US n 6 606 009 (intégré par référence dans la présente dans son intégralité), avec le taux de variation de température étant capturé par la dérivée temporelle du paramètre. Dans un processus de l'invention, la caractérisation implique de soumettre le cristal de quartz 14 à plusieurs cycles de température avec des taux de variation de température changeants. La fréquence du cristal est ensuite caractérisée comme une fonction du paramètre de température et du taux de variation de température, de la façon suivante: f = f(T,T), avec = (3) où f représente la fréquence, T représente la température ou tout paramètre représentant la température, T représente une dérivée temporelle de T, et t représente le temps. La caractérisation peut être représentée par une table de conversion ou polynomiale qui peut être utilisée en temps réel pour calculer la fréquence du cristal. Dans l'approche bidimensionnelle de l'invention, un cristal est soumis à une série de cycles 1, 2, 3, 4, 5, 6 de température T, à taux de variation de température variants, tel que cela est représenté sur la figure 3. Au cours de ces cycles, l'état du cristal peut être considéré comme suivant la courbe représentée sur la figure 4 sur un tracé de la température T par rapport à un taux de variation de température T pour un cas simple où les régimes de chauffage et de refroidissement sont les mêmes. Si l'on considère le cycle de température 1 de la figure 3, la température augmente à un taux constant (par exemple, 20 degrés par heure), donc la courbe correspondante 1 (taux de l0 variation T) de la figure 4 est une constante positive lorsque la température T augmente. Dans le cycle de refroidissement 2, la courbe 2 (figure 4) reste constante lorsque la température T diminue, mais il s'agit maintenant d'un taux négatif. Pour le cycle suivant 3, le taux de variation de température est plus élevé que celui représenté par la courbe 3 de la figure 4, et ainsi de suite. Lorsque le cristal 14 est soumis aux cycles de température, la fréquence, le paramètre de température et le taux de variation de température sont surveillés et enregistrés. Ces données de caractérisation peuvent être représentées graphiquement pour définir la forme d'une surface au sein d'un espace cartésien en 3 dimensions à l'aide d'une fonction mathématique standard de deux variables réelles qui attribue un nombre réel unique ou un point z = f(x, y) à chaque paire ordonnée (x, y) de nombres réels dans l'ensemble de données enregistré. Dans ce cas, la paire ordonnée consiste en les paramètres de température T et en les taux de variation de température T surveillés. Comme cela est représenté sur la figure 5, les fréquences du cristal peuvent être représentées comme un ensemble de points (T,T) dans le plan xy et le graphique de la fonction de fréquence comme la surface f= f(T,T) Donc, lorsque le point (T,T) varie dans le domaine de l'ensemble de données, le point correspondant (x, y,z) = (T,T, f (T,T)) varie sur la surface. Tout logiciel approprié peut être utilisé pour le traitement de l'ensemble de données et pour tracer la surface, tel que cela est connu de l'art. Des techniques d'interpolation et d'extrapolation connues de l'art peuvent être utilisées pour dériver des points manquants sur la surface f = f(T,T). Une fois la surface générée, elle peut être utilisée en temps réel pour calculer la fréquence plus précisément en calculant le paramètre de température T et le taux de variation de température T. Les effets de gradient non souhaités peuvent également être réduits ou éliminés en rendant la distribution en température du cristal 14 plus uniforme. La figure 6 représente un autre mode de réalisation de l'invention. Dans ce mode de réalisation, un plaquage fictif 26 est disposé sur la surface du disque de quartz 14 afin d'améliorer la conduction thermique à travers le disque. Une face ou les deux faces du disque 14 peuvent être revêtues du plaquage 26. N'importe quel conducteur thermique approprié peut être utilisé pour le matériau du plaquage 26 (par exemple, du métal qui est un bon conducteur thermique). Le plaquage 26 peut être disposé sur le disque 14 via n'importe quel moyen approprié connu de l'art (par exemple, par dépôt électrique, par dépôt en phase vapeur, par attaque chimique, par des adhésifs, etc.) Un espace libre suffisant devra être laissé entre le plaquage fictif 26, les attaches de montage et/ou conducteurs 16 et les électrodes 22, 24 afin d'empêcher les courts-circuits électriques. Certains modes de réalisation peuvent être implémentés avec des électrodes plus grandes 22, 24 afin de couvrir une partie plus importante de la surface du disque de quartz 14 (non représenté). Il sera apprécié par l'homme ayant une connaissance normale de l'art que la présente invention soit applicable à, et puisse être implémentée dans, n'importe quel domaine où des oscillateurs à cristal de quartz sont utilisés comme étalons de fréquence (par exemple, dans un appareil destiné à une utilisation dans l'espace, dans des automobiles, etc.). Bien qu'elle ne soit pas limitée à une application particulière, la présente invention est appropriée pour des applications subsurfaciques où des variations rapides de température sont rencontrées. La figure 7 représente un autre mode de réalisation de l'invention. Un oscillateur à cristal de quartz 48 est représenté monté dans un outil de diagraphie de fond de puits 28 disposé dans un trou de forage 30 qui pénètre une formation terrestre. L'oscillateur 48 est logé à l'intérieur d'une chambre thermiquement isolée 50 afin de réduire le flux de chaleur vers le cristal au cours du chauffage et du refroidissement. La chambre 50 offre une isolation thermique via l'utilisation de matériaux d'isolation conventionnels ou via l'utilisation d'un vase de Dewar, tel que cela est connu de l'art et décrit dans le brevet US n 6 606 009. L'outil 28 comprend également une antenne électromagnétique multi-axiale 19, un réseau source/capteur 44 pour les mesures subsurfaciques (par exemple, nucléaires, acoustiques, gravitationnelles) et de l'électronique 42 avec des circuits appropriés. L'outil 28 est représenté dans le trou de forage 30 supporté par un câble de diagraphie 36 dans le cas d'un système à câble ou par un train de tiges de forage 36 dans le cas d'un système pendant le forage. Avec un outil à câble, l'outil 28 est remonté et descendu dans le trou de forage 30 à l'aide d'un treuil 38, lequel est commandé par l'équipement de surface 32. Le câble de diagraphie ou le train de tiges de forage 36 comprennent des conducteurs 34 qui connectent l'électronique de fond de puits 42 avec l'équipement de surface 32 pour les communications de commande et de signaux. En variante, ces signaux peuvent être traités ou enregistrés dans l'outil 28 et les données traitées transmises vers l'équipement de surface 32. Il apparaîtra également à l'homme du métier que cette invention peut être implémentée en programmant un ou plusieurs microprocesseurs universels appropriés. La programmation peut être accomplie via l'utilisation d'un ou de plusieurs dispositifs de stockage de programmes lisibles par le processeur et le codage d'un ou plusieurs programmes d'instructions exécutables par le processeur pour exécuter les opérations décrites cidessus. Le dispositif de stockage de programme peut prendre la forme de, par exemple, une ou plusieurs disquettes, d'un CD ROM ou autre disque optique, d'une bande magnétique, d'une puce mémoire morte (ROM) et d'autres formes d'un type bien connu de l'art ou ultérieurement développées. Le programme d'instructions peut être du type code objet , c'est-à-dire, une forme binaire qui est exécutable plus ou moins directement par le processeur; du type code source qui nécessite une compilation ou une interprétation avant son exécution; ou d'un type à la forme intermédiaire, tel qu'un code partiellement compilé. Les formes précises du dispositif de stockage de programme et du codage des instructions sont ici immatérielles. Ainsi, ces moyens de traitement peuvent être implémentés dans l'équipement de surface 32, dans l'outil 28 ou partagés par les deux, tel que cela est connu de l'art. Un mode de réalisation concerne un processus pour déterminer un profil de fréquence d'un cristal de quartz. La figure 8 esquisse le processus. Tout d'abord, le cristal de quartz est soumis à des cycles de température à divers taux de variation de température (étape 100). Cette étape peut être exécutée au cours de la fabrication du cristal ou dans tout lieu approprié (par exemple, dans un laboratoire, un emplacement sur le terrain, etc.). Ensuite, les fréquences du cristal, un paramètre de température du cristal et les taux de variation de température sont surveillés lorsque le cristal est soumis aux cycles de température (étape 105). Ensuite, un regroupement est effectué des fréquences surveillées corrélées avec les paramètres de température et les taux de variation de température surveillés (étape 110). Le regroupement des données peut être effectué en utilisant un moyen à processeur ou tout autre moyen approprié connu de l'art. La figure 9 est un organigramme illustrant un processus pour déterminer une fréquence d'un cristal de quartz selon l'invention. Le processus commence en soumettant le cristal de quartz à des cycles de température à divers taux de variation de température (étape 200). À l'étape 205, les fréquences du cristal, un paramètre de température du cristal et les taux de variation de température sont surveillés lorsque le cristal est soumis aux cycles de température. Ensuite, les fréquences surveillées corrélées avec les paramètres de température et les taux de variation de température sont regroupées (étapes 210). À l'étape 215, la température du cristal et un taux de variation de température du cristal sont déterminés. La détermination de la température et du taux de variation est effectuée à l'aide de n'importe quel moyen connu de l'art et approprié pour l'environnement particulier. Finalement, la température du cristal et le taux de variation de température déterminés sont mis en relation avec les fréquences regroupées afin de déterminer la fréquence du cristal (étape 220). Cette association est effectuée tel que cela est décrit dans la présente à l'aide d'un moyen à microprocesseur ou de tout autre moyen approprié connu de l'art. La figure 10 est un organigramme illustrant un processus pour déterminer une fréquence d'un cristal de quartz en temps réel selon l'invention. Le processus commence en déterminant une température du cristal de quartz (étape 300). La température du cristal peut être déterminée à l'aide de n'importe quel moyen connu de l'art et approprié pour l'environnement particulier du cristal. Un taux de variation de température est ensuite dérivé de la température du cristal déterminée l0 (étape 305). À l'étape 310, la fréquence du cristal est déterminée en mettant en relation la température du cristal et le taux de variation de température avec un ensemble de données caractérisant une corrélation entre la fréquence du cristal, sa température et ses taux de variation de température. L'ensemble de données est compilé tel que décrit dans la présente. REVENDICATIONS 1. Procédé pour déterminer un profil de fréquence d'un cristal de quartz, comprenant les étapes consistant à a) soumettre (100) le cristal de quartz à des cycles de température à divers taux de variation de température b) surveiller (105) les fréquences du cristal, un paramètre de température du cristal et les taux de variation de température lorsque le cristal est soumis aux cycles de température; et c) regrouper (110) les fréquences surveillées corrélées avec les paramètres de température et 15 les taux de variation de température surveillés. 2. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape consistant à : d) définir une surface dans l'espace cartésien tridimensionnel à l'aide des fréquences, de la température et des taux de variation de température regroupés. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel 25 les fréquences regroupées sont représentées graphiquement sur l'axe cartésien z, selon z = f (x, y), où x est une température et y est un taux de variation de température. 4. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape consistant à : d) caractériser la fréquence du cristal (f) comme une 5 fonction des paramètres de température et des taux de variation de température surveillés selon f= f (T, T> , 1 0 où T est un paramètre de température et T = dT dt 5. Procédé selon la revendication 4, comprenant en outre l'étape consistant à : e) représenter graphiquement la fréquence du cristal 15 f = f(T,T) pour définir une surface dans un espace cartésien tridimensionnel. 6. Procédé selon la revendication 5, comprenant en outre l'étape consistant à exécuter une technique d'interpolation ou d'extrapolation pour dériver des points manquants sur la surface. 7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le paramètre de température du cristal est soit un 25 rapport de fréquences représentatif de la température, soit une valeur de la température. 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le paramètre de température du cristal est une 30 fréquence qui dépend de la température. 9. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre les étapes consistant à : d) déterminer la température et un taux de variation 5 de température du cristal; et e) mettre en relation la température et le taux de variation de température du cristal déterminés avec les fréquences regroupées afin de déterminer la fréquence du cristal. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'étape (d) comprend le fait de déterminer la température du cristal lorsque le cristal est situé en subsurface. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel le cristal est disposé dans un outil adapté pour une disposition subsurfacique. 12. Procédé pour déterminer une fréquence d'un cristal de quartz comprenant les étapes consistant à : a) déterminer une température du cristal de quartz; b) dériver un taux de variation de température de la température du cristal déterminée; et c) mettre en relation la température du cristal et le taux de variation de température avec un ensemble de données caractérisant une corrélation entre la fréquence du cristal, sa température et ses taux de variation de température de manière à déterminer la fréquence du cristal. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel l'ensemble de données comprend une surface représentée graphiquement dans un espace cartésien tridimensionnel. 14. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la température du cristal est déterminée lorsque le cristal est situé en subsurface. 15. Système pour déterminer la fréquence d'un 10 cristal de quartz comprenant: un cristal de quartz ayant une sortie en fréquence liée à la température du cristal; et un processeur adapté pour calculer une fréquence du cristal à partir d'un paramètre de température mesuré du cristal, d'un taux de variation de température du cristal et de fréquences observées du cristal corrélées avec des paramètres de température et des taux de variation de température observés du cristal. 16. Système selon la revendication 15, dans lequel le processeur est adapté pour caractériser une relation entre la fréquence du cristal (f) et les paramètres de température et les taux de variation de température observés selon. f = f(T,T) , où T est un paramètre de température et T= dT dt 17. Système selon la revendication 15, dans lequel le paramètre de température du cristal mesuré est déterminé pour un cristal situé en subsurface. 18. Système selon la revendication 17, dans le cristal est disposé dans un outil adapté pour une disposition subsurfacique. 19. Système selon la revendication 15, dans lequel les fréquences, les paramètres de température et les taux de variation de température observés du cristal forment un ensemble de données dans un dispositif de stockage couplé de manière opérationnelle au processeur. 20. Système selon la revendication 15, dans lequel le paramètre de température du cristal est soit un rapport de fréquences représentatif de la température, soit une valeur de la température.