FR 2861949 A1 20050506 FR 0312789 A 20031031 Dispositif de commutation de puissance refroidi à entretoise de résine et son procédé de fabrication La présente invention concerne un dispositif de commutation de puissance, notamment destiné à des boîtiers d'interconnexion pour véhicules à moteurs à combustion ou bien électriques, utilisant des organes semi-conducteurs de commutation dont il faut évacuer au mieux la puissance thermique dissipée. Le document FR 2 800 567 fait connaître un dispositif de commutation de puissance comportant des organes semi-conducteurs de commutation présentant deux jeux de connexions, lesdits dispositifs semi- conducteurs étant fixés par leur base sur une plaque de refroidissement de cuivre ou autre métal conducteur à laquelle est raccordé le premier jeu de connexions, tandis que le second jeu de connexion des dispositifs semi-conducteurs est relié à un circuit de commande et à des connecteurs de puissance. Les organes de commutation sont par exemple de type MOSFET ou SMART POWER; dans le cas d'un MOSFET, le premier jeu de connexion comporte le drain et le second jeu de connexions comporte la grille et la source; dans le cas d'un SMART POWER, le premier jeu de connexions comporte l'alimentation et le second jeu de connexions comporte les entrées 1 à n, les sorties 1 à n, le capteur de courant et la masse. Les organes de commutation comportent avantageusement une semelle (le drain pour un MOSFET) qui est directement accolée à la plaque de refroidissement, par brasure ou plaquage. Celle-ci est elle-même accolée à une plaque de support en plastique constituant une partie d'un boîtier et contribuant à la dissipation thermique vers l'extérieur par rayonnement. Les connexions du second jeu de connexions des organes de commutation sont reliées par des broches transversales à un circuit de routage disposé parallèlement à la plaque de refroidissement. Une seule et même plaque de cuivre sert au refroidissement thermique et à la distribution électrique, ce qui entraîne des limitations dans les possibilités d'organiser les circuits et de les rendre compacts. 2 2861949 Pour améliorer encore l'organisation et la compacité d'un tel dispositif de commutation de puissance refroidi, la Demanderesse a déjà proposé dans la demande de brevet français FR 02 05 555, un dispositif de commutation de puissance comportant des organes semi-conducteurs de commutation présentant deux jeux de connexions, lesdits organes semiconducteurs étant accolés par leur base sur une plaque de refroidissement électriquement conductrice à laquelle est raccordé un premier jeu de connexions, tandis que le second jeu de connexions des organes semiconducteurs est relié à un circuit de commande et à des connecteurs de puissance, qui était caractérisé en ce que ladite plaque comporte des bossages sur lesquels sont fixés ou plaqués les organes semi-conducteurs par leur base et en ce que le second jeu de connexions est relié au circuit de commande au travers d'un circuit de routage disposé globalement parallèlement au voisinage de ladite plaque mais isolé d'elle et comportant des ouvertures correspondant aux bossages plats de la plaque sous-jacente, lesquels sont dans un plan voisin du circuit de routage, moyennant quoi la connexion des organes semi-conducteurs à la plaque et au circuit de routage peut se faire sensiblement dans le même plan. Ainsi, selon cette précédente invention, on a dissocié la fonction de distribution électrique sur deux circuits parallèles, à savoir le circuit d'alimentation ou de drain, avantageusement réalisé dans la plaque métallique de refroidissement emboutie, qui distribue le positif ou le négatif de la batterie vers le premier jeu de connexions (drain, semelle, broche) des organes de commutation et le circuit de routage, avantageusement réalisé une plaque métallique découpée, qui distribue les sorties de puissance et les liaisons vers la commande. La plaque du circuit de drain continue d'assurer le refroidissement électrique et cette dissipation thermique peut se faire d'une manière optimisée puisque la plaque est réservée à l'implantation de la partie dissipante des composants. Cette plaque peut notamment être mise en contact presque totalement, et notamment à l'endroit des bossages, avec une paroi de plastique du boîtier favorisant les échanges thermiques. La fonction de routage, c'est-à-dire le cheminement des pistes du composant vers l'extérieur ou vers la commande est réalisé à un autre étage, plus éloigné de la paroi de plastique. La plaque découpée réalisant le circuit de routage permet également avantageusement de comprendre le développer 3 2861949 des languettes des connecteurs ou d'avoir des connecteurs soudés par vague sélective. Toujours selon cette précédente invention, le circuit de routage et la plaque de refroidissement sont espacés et réunis par une couche entretoise de matière non conductrice, telle qu'une matière plastique destinée à assurer un placement relatif précis des deux circuits, l'ensemble formant un circuit double-face. Toujours selon cette précédente invention, la couche entretoise peut être associée aux deux circuits par collage (résine ou autre matière) ou par sertissage à chaud ou par ultrasons au moyen de pions déformés assurant la liaison mécanique; en alternative, la couche entretoise peut être surmoulée sur le circuit de routage, ce qui permet d'assurer le maintien mécanique des pistes découpées sur le circuit par exemple. Le but de la présente est d'améliorer encore la précédente innovation, notamment au niveau de son procédé de fabrication. L'invention atteint son but en remplaçant l'entretoise en matière plastique collée selon la technique antérieure par une entretoise réalisée en une résine isolante électriquement qui réunit à la fois des propriétés de tenue mécaniques aux températures ambiantes, c'est-à-dire celles de montage et celles de fonctionnement du dispositif dans l'environnement définitif, et des propriétés de collage à une température différente des températures ambiantes, notamment supérieure aux températures ambiantes, qui permettent d'effectuer l'assemblage de l'entretoise et des circuits en une seule opération. Autrement dit, l'invention concerne un dispositif de commutation de puissance comportant des organes semi-conducteurs présentant deux jeux de connexions, lesdits organes semi-conducteurs étant fixés par leur base sur une plaque de refroidissement électriquement conductrice à laquelle est raccordé le premier jeu de connexions, ladite plaque comportant des bossages sur lesquels sont fixés ou plaqués les organes semi-conducteurs par leur base, le second jeu de connexions étant relié à un circuit de commande et aux connecteurs de puissance au travers d'un circuit de routage disposé globalement parallèlement au voisinage de ladite plaque mais isolé d'elle par une entretoise et comportant des ouvertures correspondant aux bossages plats de la plaque sous-jacente, 4 2861949 lesquels sont dans un plan voisin du circuit de routage, l'entretoise assurant l'isolation électrique et le maintien mécanique entre la plaque de refroidissement et le circuit de routage, caractérisé en ce que l'entretoise est réalisée dans une résine isolante présentant à la fois une tenue mécanique aux températures ambiantes et une propriété de collage à une température supérieure aux températures ambiantes. Grâce à cette résine, il est possible d'assurer en une seule opération le collage et la tenue mécanique suivant les trois axes entre les deux circuits de cuivre. Cette entretoise en résine selon la présente invention peut être io constituée de plusieurs feuilles de résine, par exemple 2, 3, 4 ou plus. La résine retenue est de celles qui présentent une température de transition vitreuse Tg comprise entre les températures ambiantes et la température de collage, par exemple, Tg supérieure à 50 C ou de préférence à 80 C ou de manière encore plus préférée supérieure à 130 C. A l'état non vitreux, la résine montre suffisamment de tenue mécanique pour pouvoir servir de support, au moins provisoire, au circuit de routage qu'on lui accole. Avantageusement, il est prévu un dépassement de résine à l'intérieur des ouvertures du circuit de routage correspondant aux bossages de la plaque sous-jacente et d'une manière générale au-dessous de toutes les bordures du circuit de routage ainsi qu'autour des zones prévues pour les connecteurs. De même, il est prévu un retrait entre la résine et la base des bossages de la plaque sous-jacente. L'une et l'autre mesures contribuent à supprimer le phénomène d'électromigration entre les deux circuits de cuivre, et à améliorer la résistance d'isolement. Avantageusement, il est formé des trous de déshuntage borgnes dans le circuit de routage fermés au fond par une couche de résine, de manière à éviter la remontée de filaments ou de déchets de cuivre lors de la découpe des circuits de cuivre et leur déshuntage. L'invention concerne aussi le procédé de fabrication associé d'un dispositif de commutation de puissance tel que décrit ci-dessus, du type consistant à assembler une plaque de refroidissement électriquement conductrice, un circuit de routage disposé globalement parallèlement au voisinage de ladite plaque mais isolé d'elle par une entretoise, l'entretoise assurant l'isolation électrique et le maintien mécanique entre la plaque de 2861949 refroidissement et la circuit de routage, caractérisé en ce qu'on utilise pour l'entretoise une résine isolante présentant à la fois une tenue mécanique aux températures ambiantes et une propriété de collage à une température supérieure aux températures ambiantes. Avantageusement, on dispose l'entretoise en deux couches différentes, d'abord une première couche sur le circuit de routage après quoi on effectue le déshuntage du circuit de routage, puis on complète par une seconde couche au moment où on assemble avec la plaque de refroidissement. En alternative et pour éviter l'opération de déshuntage, on peut procéder ainsi: lors de l'assemblage précité de la plaque de refroidissement, de la résine et du circuit de routage, la plaque de routage comporte naturellement des ouvertures localisées à l'emplacement prévu pour des composants semi-conducteurs mais les pistes du circuit de routage sont encore non formées, et en ce qu'on grave chimiquement après ledit assemblage les pistes de distribution électrique du circuit de routage. La présente invention partage avantageusement avec la précédente invention de nombreuses caractéristiques. Les organes semi-conducteurs peuvent avoir à leur base une semelle (par exemple une semelle de drain) directement brasée ou plaquée sur les bossages de la plaque de refroidissement. Cependant, d'autres modes de connexion de la base des organes aux bossages sont possibles, tels qu'un collage de la semelle et une connexion électrique réalisée par une broche. On peut aussi envisager la brasure localisée de la semelle au laser, ce qui résout les difficultés liées à un défaut de planéité. Il est aussi possible que les MOS ou SMART soient livrées en puces nues: au lieu de souder le drain, on soude la puce directement sur le circuit de drain, et au lieu de souder les broches du composants, on réalise une connexion ("bonding") entre la puce et le circuit de routage. Autrement dit, dans ce mode de réalisation, le premier jeu de connexion est réduit à une soudure directe et le second jeu de connexion est établi lors du montage du circuit. Le dispositif de commutation constitue de préférence un module enfermé dans un boîtier en matière plastique comprenant des reliefs correspondant aux bossages de la plaque de refroidissement. En effet, du fait que la plaque de refroidissement ne sert qu'à l'implantation des organes 6 2861949 de commutation, laquelle se fait sur les bossages précités, il est possible et avantageux de donner une forme adjacente tridimensionnelle quasi-identique au fond du boîtier sur lequel est accolée la plaque de refroidissement de manière à favoriser les échanges thermiques, puisque le pouvoir rayonnant du plastique est supérieur à celui du cuivre nu. Le fond de boîtier ou le boîtier lui-même peut comporter vers l'extérieur des nervures servant à accélérer les échanges thermiques et aussi à raidir le fond du boîtier. De préférence, une couche de couverture est également prévue i0 sur l'autre face du circuit de routage (celle qui n'est pas associée par l'entretoise à la plaque de refroidissement), ce qui permet de protéger et d'étanchéifier le circuit et aussi de profiter du pouvoir de rayonnement infrarouge de la couche de couverture pour évacuer des calories vers l'extérieur du module. Cette couche de couverture peut être réalisée par un simple vernis ou une résine d'enrobage. Toutefois, il est avantageux de la prévoir sous la forme d'une couche de matière plastique surmoulée sur le circuit de routage, ce qui permet d'équilibrer les éventuelles tendances au cintrage du circuit de routage lors d'un surmoulage unilatéral. La plaque de refroidissement peut comporter des ailettes latérales, par exemple disposées contre les côtés du boîtier et augmentant encore la dissipation thermique. Ces ailettes peuvent être réalisées par pliage en même temps que l'emboutissage pour former les bossages ou après l'assemblage des composants électroniques si l'on dépose la crème à braser par sérigraphie. La plaque de circuit de commande peut être disposée perpendiculairement ou parallèlement à la plaque de refroidissement et au circuit de routage (comme dans le document FR 2 800 567 précité) au moyen de pattes transversales. Selon un mode de réalisation, le circuit comporte une plaque de commande latérale, sur un côté du circuit de routage; il est alors facile de prévoir des broches de connexion disposées sur le côté du circuit de routage et destinées à s'enficher dans la plaque du circuit de commande. Selon une autre forme de réalisation, la carte de commande est parallèle au module de puissance: les broches de connexion sont pliées à angle droit pour venir s'insérer dans la carte de commande puis on procède à une soudure par vague sélective. 7 2861949 Le boîtier peut renfermer deux modules de circuits superposés, disposés en vis-à-vis, et reliés à la même plaque de circuit de commande. Naturellement, outre les composants semi-conducteurs mentionnés, les modules de circuits peuvent comporter des types très divers de composants montés en surface (CMS) tels que des relais, des capacités, des diodes, des résistances, et notamment des composants de type traversants qui peuvent être soudés, sur le circuit drain ou le circuit de routage, par tous moyens, tels que vague sélective, robot, laser ou manuellement. lo Selon une variante avantageuse, qui d'ailleurs s'applique également à la précédente invention, la plaque de refroidissement est formée de plusieurs parties électri^ quement disjointes, permettant de prévoir plusieurs plus batterie. Ces parties sont de préférence reliées initialement par des ponts de matière qu'on peut déshunter à une étape de la fabrication. D'autres avantages et caractéristiques apparaîtront à la lecture de la description de l'invention, ainsi que des dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une vue en coupe transversale, selon le plan I-I de la figure 4, d'un premier mode de réalisation du dispositif de l'invention; la figure 2 est une vue du détail A du dispositif de la figure 1; la figure 3 est une vue en coupe perpendiculaire à celle de la figure 1, selon le plan III-III de la figure 4, du dispositif de l'invention; - la figure 4 est une vue en perspective de dessus du dispositif de l'invention dans son boîtier; - la figure 5 est une vue en perspective de dessous du même dispositif; la figure 6 est une vue en éclaté montrant les trois strates 30 destinées à être empilées pour former un module conforme à l'invention selon le premier mode de réalisation; - la figure 7 est une vue en perspective d'un module conforme au premier mode de réalisation de l'invention; la figure 8 est une vue en éclaté analogue à la figure 6 d'un 35 second mode de réalisation du module de l'invention; 8 2861949 - la figure 9 est une vue montrant les trois strates du module de la figure 8 après assemblage et déshuntage; - la figure 10 est une vue en perspective analogue à la figure 7 du second mode de réalisation du module de l'invention; la figure 11 est une vue de détail analogue à la figure 2 dans le second mode de réalisation de l'invention; - les figures 12 et 13 illustrent schématiquement deux étapes du procédé de déshuntage du circuit de routage complètement assemblé avec la résine et la plaque de drain, io selon une première méthode; - les figures 14 et 15 illustrent schématiquement deux étapes du procédé de déshuntage du circuit de routage seulement partiellement assemblé avec une première couche de résine, selon une seconde méthode; les figures 16 et 17 illustrent schématiquement les deux étapes finales de montage du circuit à l'issue de déshuntage des figures 14 et 15; la figure 18 est une vue en perspective d'une variante de réalisation du circuit de drain du module de l'invention; - la figure 19 illustre schématiquement sur le même dessin les deux opérations de déshuntage du circuit de routage et du circuit de drain. Le dispositif de l'invention tel que représenté sur les figures 1 à 7 renferme dans un boîtier plat 1 deux modules de commande respectivement 25 inférieur et supérieur 2 et 2'. Le boîtier 1 est constitué de deux demi-boîtiers plats inférieur et supérieur 3 et 3', formés d'un fond globalement plan 5, 5' sensiblement rectangulaire entouré d'un bord relevé bas 6, 6' sur trois côtés et d'un bord de nature différente 7, 7' sur le quatrième côté. Les demi-boîtiers sont assemblés entre eux par des attaches 4 sur les bords 6, 6' et éventuellement sur le bord 7, 7'. Les fonds 5, 5' comprennent un certain nombre de bossages 8, 8' de même hauteur, tournés vers l'intérieur du boîtier 1. Ces bossages 8, 8' forment un plateau 9, sensiblement rectangulaire, surélevé par rapport au plan moyen 10 du fond 5, 5', et entouré d'une zone de raccordement en 9 2861949 pente vers le plan 5, 5'. Le fond 5, 5' comprend un réseau de nervures 12, 13, 13', 14 disposées diagonalement (12) ou bien entourant les bossages (nervures 13, 13') ou bien périphériquement (nervures 14, 14'). Ces nervures contribuent au raidissement du fond mais surtout augmentent la surface d'échange thermique, notamment autour des bossages. Le côté 7, 7' des demi-boîtiers 3, 3' est conformé de manière à ménager un volume secondaire 15, globalement orthogonal au volume principal 16 défini entre les fonds 5 et 5' en vis-à-vis. Ce volume secondaire 15, adjacent au volume principal 16 le long d'un côté du boîtier 1, est io délimité en partie par une paroi 17 perpendiculaire au fond 13' et renforcée par deux équerres 18. Les deux modules 2 et 2' sont formés de la même manière et on ne décrira en détail que le module 2 en liaison avec les figures 1 à 7. Ce module 2 peut aussi servir à la construction d'un dispositif à module unique comme dans le second mode de réalisation des figures 8 à 11 qu'on décrira en même temps dans la mesure où il présente de nombreux traits communs. Le module 2 comprend essentiellement un circuit double-face formé d'un circuit de drain 20, d'une entretoise 30 et d'un circuit de routage 40 et, le cas échéant d'une couverture 50 Le circuit de drain 20 est réalisé par une plaque électriquement conductrice, métallique, par exemple en cuivre, sensiblement rectangulaire, comportant des bossages 21 sensiblement rectangulaires (ou d'une autre forme) correspondant aux bossages 8 du fond 5 de boîtier. La plaque 20 comporte sur deux côtés deux ailes latérales relevées 22, par exemple à angle droit; selon le premier mode de réalisation (figures 1 à 7), chaque aile s'étend sur un peu moins de la moitié d'un côté et sa hauteur est presque celle du volume 16 entre les deux demi-boîtiers opposés; cette disposition permet de prévoir des ailes semblables sur la plaque analogue du module supérieur 2'. Selon le second mode de réalisation (figures 8 à 11) ; les ailes s'étendent sur toute la longueur du bord. Il va de soi qu'on pourrait prévoir un nombre d'ailettes différent, par exemple trois ailettes. Les plateaux des bossages 21 définissent un plan, parallèle et décalé par rapport au plan du fond 23 de la plaque 20. À ce plan correspond le plan de la surface supérieure 41 du 35 circuit de routage 40 constitué par une plaque électriquement conductrice, 2861949 métallique, par exemple en cuivre,_ découpée ou gravée chimiquement de manière à former d'une part des évidements sensiblement rectangulaires 42 correspondant sensiblement aux bossages 21 de la plaque de drain 20 et destinés à laisser ceux-ci affleurer au même niveau que la surface 41, et d'autre part des pistes conductrices 43 conduisant à des broches 44 ramenées sur un côté de la plaque de circuit de routage. Sur la figure 6, ces broches 44 sont représentées avant le déshuntage qui supprimera la partie de maintien 45 et d'autres ponts provisoires 45' de maintien entre pistes 43 comme on va l'expliquer plus loin (en relation avec les figures 12 à 17). Le circuit de routage 40 comporte, en plus des broches 44 déjà mentionnées, d'autres broches 46 montrées sur la figure 6 avant pliage et sur la figure 7 après pliage, permettant de sortir du boîtier perpendiculairement au plan des circuits, au niveau de deux connecteurs de puissance 19 situés sur le dessus du boîtier 1. En alternative, comme représenté dans le second mode de réalisation, on peut avoir un connecteur 17 rapporté et dont les broches 14' sont soudées sur le circuit de routage 40 en même temps que les autres éléments (cf. figure 10). Les broches 44 quant à elles sont enfichées dans une carte électronique de commande 70 disposée dans le volume secondaire 15. Le circuit de routage 40 est maintenu parallèle et à la bonne distance du circuit de drain 20 grâce à une entretoise 30 réalisée en feuilles de résine conductrice. Cette entretoise comporte d'une part des évidements 31 correspondants aux bossages 21 du circuit de drain et aux évidements 42 du circuit de routage et d'autre part, le cas échéant, d'autres évidements 32 correspondant à des passages de broches, telles que les broches 46, 46'. Comme le montrent les figures 2 et 11, les évidements 31 de l'entretoise entourent la base des bossages 21 du circuit de drain 20 avec un retrait périphérique R, par exemple de 0,5 mm laissé sans résine. Les évidements 42 du circuit de routage 40 entourent les évidements 31 en laissant un dépassement périphérique D de résine, par exemple de 1 mm. Ce dépassement de la résine est destiné à éviter les courts-circuits et à respecter le test d'isolement ou de rigidité diélectrique. Le même dépassement est avantageusement prévu autour du module entier et/ou autour des zones des connecteurs. 11 2861949 Des trous 28, 38, 48 se correspondant verticalement dans les trois plans 20, 30, 40 permettent le positionnement relatif lors de l'étape d'assemblage des trois plans et ensuite l'assemblage dans le boîtier. Le circuit de puissance comporte des éléments semi-conducteurs 60 comportant, dans le cas d'un MOSFET par exemple, à leur base une semelle de drain 61 brasée sur le plateau d'un bossage 21 de la plaque de drain 20. L'élément 61 comporte aussi une ou plusieurs broches de grille 62 et une ou plusieurs broches de source 63, sous forme de pattes latérales, qui sont brasées sur une piste respective 43 de la surface 41 du circuit de routage, au bord d'un évidement 42. Une couverture 50 de matière non conductrice de l'électricité est avantageusement formée au-dessus du circuit de routage, par exemple selon l'une des trois méthodes suivantes: surmoulage à basse pression avec une résine de type thermofusible ( hot-15 melt ), comme représenté figure 11. trempe dans un bain de vernis dépôt de résine thermofusible sur le module par nappage, soit sur l'ensemble des pièces soit seulement sur certaines pièces sensibles, comme les SMART ou MOS. Le circuit de puissance comprend aussi d'autres éléments de circuits tels que les éléments 64, ne nécessitant pas de refroidissement intense, et disposés directement sur le circuit de routage 40. Dans le premier mode de réalisation, une cosse d'alimentation 71 destinée à être reliée à la batterie est connectée à une patte surélevée 27 formée dans un coin de la plaque de drain 40 de sorte que les deux pattes 27, 27' des deux plaques des modules en vis-à-vis puissent être reliées à la même cosse 71. Il va de soi qu'on peut n'avoir qu'un seul module et la cosse 71 peut être placée comme représentée figure 8. Dans les deux modes de réalisation représentés et décrits jusque là, on a illustré un module de puissance entièrement plat. Il pourrait fort bien être constitué de plusieurs sections planes faisant un angle entre elles, les circuits de drain, de routage et l'entretoise restant parallèles à l'intérieur de chaque section. Le module peut même se relier sur lui-même pour gagner en compacité. 12 2861949 L'assemblage des différentes plaques peut se faire de la manière suivante. On découpe le cuivre pour former le circuit de routage 40 en laissant des ponts de matières entre les broches pour permettre leur tenue provisoire. On procède au bossage du circuit de drain 20 en cuivre (on procèdera ultérieurement au pliage des oreilles, après la soudure des composants représentée à la figure 10, pour ne pas entraver le dépôt de la crème à braser par sérigraphie). On prépare ces deux pièces primaires pour faciliter l'accrochage ultérieur de la résine par micro-gravure chimique ( micro-etching ), afin de supprimer les traces d'huile et de manipulation et de créer des micro-sillages ancrant mécaniquement la résine ultérieurement et s'opposant au délaminage. On prépare un substrat d'entretoise 30 en feuilles de résine et on pré- assemble les trois éléments 20, 30, 40 ensemble, comme représenté figure 9. On passe les éléments ainsi pré-assemblés dans une presse où, sous des conditions prédéterminées de température et de pression et éventuellement de vide, la résine de l'entretoise 30 dépasse son point de transition vitreux Tg et vient s'ancrer sur les faces des plaques 20 et 40 et réalise leur collage en même temps que leur isolation. Un exemple de caractéristiques typiques de la résine est le 20 suivant: Tg 130 C ou plus Viscosité +/- 15 Pa.s Diélectrique protégeant à 500 V ou plus Temps de polymérisation environ 2h Conductibilité thermique 0,38 W/mK Coefficient de dilation linéaire 85% Résistance à la compression 168 bar Résistance à la traction 137 bar Résistance à la flexion 67 bar Vieillissement thermique: 1000 h à 150 C Une fois procédé à l'assemblage des trois étages 20, 30, 40, on procède au déshuntage du circuit de routage 40 dont les pistes de cuivre sont retenues par endroit par des ponts de matière 45' qu'il convient d'éliminer maintenant que l'assemblage des trois étages permet d'assurer le 13 2861949 maintien desdites pistes 43. Après ce déshuntage, on procède à la soudure des divers composants sur le module (figure 10) puis au pliage des pattes. Selon une première méthode de déshuntage représentée sur les figures 12 et 13, l'ensemble des trois étages 20, 30, 40 est positionné à l'envers sur une matrice 90 dotée d'une cavité de poinçonnage 91 et coopérant avec un poinçon 92; le circuit de drain 20 comporte des trous préformés 93 (cf. aussi figure 8) à l'endroit des ponts de matières 45' plus larges que lepoinçon 92 le poinçon découpe alors le pont 45' et sépare ainsi les pistes adjacentes 43. La matière 45' libérée est évacuée dans la cavité de poinçonnage 91 et laisse un espace libre 45". La bavure est enlevée vers l'extérieur du circuit. On évite ainsi le risque de filament de cuivre lors du déshuntage qui pourrait faire un court circuit entre le drain et le routage. Selon une seconde méthode illustrée sur les figures 14 à 17, on procède au déshuntage avant la solidarisation définitive de l'entretoise 30; laquelle est mise en deux étapes. On solidarise (figure 14) au circuit de routage 40 qui comprend les ponts 45', dont l'épaisseur est par exemple de 400 m, une première épaisseur 30' de résine, par exemple de 100 m, obtenue à l'aide d'une ou plusieurs feuilles de résine pressées à chaud. On place (figure 15) ce premier pré-assemblage dans une matrice 90 dotée de poinçons 92 et de cavités de poinçonnage 91 pour découper les points 45' et déshunter le circuit 40. On positionne (figure 17) le pré- assemblage déshunté 40, 30', une seconde épaisseur 30" de résine et le circuit de drain 20, dont l'épaisseur est par exemple de 400 m, en vue de leur solidarisation sous température et pression convenable. L'avantage de cette méthode est que les espaces libres 45" libérés lors du déshuntage sont des trous borgnes, fermés par l'épaisseur supplémentaire 30" de résine: ceci peut éviter la remontée de déchets provenant des circuits de cuivre lors du déshuntage et risquant de provoquer un court-circuit entre pistes. En variante, on peut réaliser le déshuntage par poinçon par attaque par gravure chimique afin de séparer les pistes entre elles. On peut aussi utiliser l'attaque chimique pour former entièrement les pistes conductrices du circuit de routage, après l'assemblage des trois strates du module. 14 2861949 Dans la variante représentée figure 18, la plaque de drain est réalisée de manière à permettre une alimentation multi-potentielle, par exemple avec trois plus batterie, qui peuvent être égaux ou différents: deux 12V et un 42V, ou trois 12V, ou 12V, 2V et 42V. Pour cela, la plaque de drain 20 est fonnée en trois partie 20A, 20B, 20V rattachées provisoirement l'une à l'autre seulement par des ponts de matière 29 qu'il faudra éliminer plus tard. Chaque partie de la plaque 20 comprend ses bossages 21 destinés à former la plate-forme de réception et de refroidissement d'éléments de puissances qui seront assemblés ultérieurement. L'assemblage de strates de drain 20, de résine 30 et du circuit de routage 40 se fait selon les procédés déjà vus plus haut et on procède au déshuntage du circuit de routage 40 par un procédé analogue à celui qui a été expliqué en référence aux figures 12,13: ce déshuntage a été représenté sur la partie gauche de la figure 19, l'assemblage étant alors disposé à l'envers de ce que représente la figure 19. On retourne ensuite l'assemblage et on procède au déshuntage du drain 20 dans une matrice 90' et avec un poinçon 92', semblable pour le principe aux matrice 90 et poinçon 92 de déshuntage du circuit de routage. 2861949 REVENDICATIONS 1. Dispositif de commutation de puissance comportant des organes semiconducteurs (60) présentant deux jeux de connexions, lesdits organes semiconducteurs (60) étant fixés par leur base sur une plaque de refroidissement (20) électriquement conductrice à laquelle est raccordé le premier jeu de connexions (31), ladite plaque (20) comportant des bossages (21) sur lesquels sont fixés ou plaqués les organes semi- conducteurs (60) par leur base, le second jeu de connexions (62, 63) étant relié à un circuit de commande (70) et aux connecteurs de puissance (19) au travers d'un circuit de routage (40) disposé globalement parallèlement au voisinage de ladite plaque (20) mais isolé d'elle par une entretoise (30) et comportant des ouvertures (42) correspondant aux bossages plats (21) de la plaque sous-jacente (20), lesquels sont dans un plan voisin du circuit de routage (40), l'entretoise (30) assurant l'isolation électrique et le maintien mécanique entre la plaque de refroidissement (20) et la circuit de routage (40), caractérisé en ce que l'entretoise (30) est réalisée dans une résine isolante présentant à la fois une tenue mécanique aux températures ambiantes et une propriété de collage à une température supérieure aux températures ambiantes. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'entretoise en résine selon la présente invention est constituée de plusieurs feuilles de résine. 3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il est prévu un dépassement (D) de résine (30) à l'intérieur des ouvertures (42) du circuit de routage correspondant aux bossages (21) de la plaque sous-jacente (20) et/ou à la périphérie de la plaque de routage (40) et/ou autour de zones prévues pour les connecteurs (19). 16 2861949 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il est prévu un retrait (R) entre la résine (30) et la base des bossages (21) de la plaque sous-jacente (20). 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il est formé des trous (45") de déshuntage borgnes dans le circuit de routage (40) fermés au fond par une couche de résine (30"). 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé 10 en ce que la résine (30) a une température de transition vitreuse Tg supérieure ou égale à 50 C et de préférence à 80 C. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la plaque de refroidissement (20) est formée de plusieurs 15 partie (20A, 20B, 20C) électriquement disjointes. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif de commutation de puissance selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, du type consistant à assembler une plaque de refroidissement (20) électriquement conductrice, un circuit de routage (40) disposé globalement parallèlement au voisinage de ladite plaque (20) mais isolé d'elle par une entretoise (30), l'entretoise (30) assurant l'isolation électrique et le maintien mécanique entre la plaque de refroidissement (20) et le circuit de routage (40), caractérisé en ce qu'on utilise pour l'entretoise (30) une résine isolante présentant à la fois une tenue mécanique aux températures ambiantes et une propriété de collage à une température supérieure aux températures ambiantes. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on dispose l'entretoise en deux couches différentes (30', 30"), d'abord une première couche (30') sur le circuit de routage (40) après quoi on effectue le déshuntage du circuit de routage, puis on complète par une seconde couche (30") au moment où on assemble avec la plaque de refroidissement (20). 17 2861949 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que lors de l'assemblage de la plaque de refroidissement (20), de l'entretoise de résine (30) et du circuit de routage (40), les pistes du circuit de routage (40) sont encore non formées, et en ce qu'on grave chimiquement après ledit assemblage les pistes de distribution électrique du circuit de routage. io