FR 2853141 A1 20041001 FR 0403121 A 20040326 ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention L'invention se rapporte à un appareil à semiconducteur et, plus particulièrement, elle se rapporte à un appareil à semi-conducteur, à un 5 procédé pour faire croître un semi-conducteur à nitrure et à un procédé de production d'un appareil à semi-conducteur qui conviennent à la fabrication d'un dispositif émetteur de lumière et d'un dispositif récepteur de lumière, tels qu'une diode électroluminescente (LED), une diode laser (DL), une cellule solaire ou un photocapteur, ainsi que d'un dispositif électronique tel 10 qu'un transistor ou un dispositif de puissance. 2. Description de l'art antérieur Un semi-conducteur à nitrure contenant du Ga en tant que constituant principal (un semi-conducteur à GaN) est utilisé comme matériau pour la réalisation d'un dispositif optique tel qu'une diode électroluminescente 15 émettant de la lumière bleue ou violette, une diode laser ou un photocapteur. En outre, les semi-conducteurs à GaN suscitent également de l'intérêt en tant que matériau à haute performance pour la réalisation de dispositifs électroniques étant donné qu'ils sont capables de satisfaire les exigences en matière de haute fréquence et de niveaux d'énergie électrique élevés, et 20 qu'ils sont extrêmement fiables. De plus, une diode électroluminescente utilisant le semi-conducteur à GaN est connue (se reporter à la publication de brevet japonais non examiné JP-A- 4-321280 (1992), par exemple). Un exemple de la structure d'une telle diode électroluminescente est représenté sur la figure 17. Une couche 25 tampon de GaN 21 est formée sur un substrat en saphir (A1203) 20, et, sur la couche tampon de GaN 21, est formée une couche de croissance constituée d'une couche de semi-conducteur à G aN a yant u ne s tructure m ulticouche obtenue par la stratification séquentielle d'une couche de GaN de type n 22 d'une couche de semi-conducteur de type n, d'une couche de revêtement 30 d'AIGaN de type n 23 d'une couche de semiconducteurdetype n, d'une couche émettrice de lumière d'lnGaN 24, d'une couche de revêtement d'AIGaN de type p 25 d'une couche de semi-conducteur de type p et d'une couche de GaN de type p 26 d'une couche de semiconducteur de type p. Dans une partie de la couche de croissance, une zone allant de la couche de GaN de type p 26 jusqu'à une partie supérieure de la couche de GaN de type n 22 est soumise à une attaque et est éliminée, et une partie de la 5 couche de GaN de type n 22 est ainsi exposée. Une électrode de type n 28 est formée sur une surface supérieure de la zone exposée, et une électrode de type p 27 est formée sur une surface supérieure de la couche de GaN de type p 26 de la couche la plus haute. Etant donné qu'il est difficile de fabriquer un substrat en monocristal à 10 partir d'un semi-conducteur à GaN, il est nécessaire de former un appareil à semi-conducteur en utilisant un semi-conducteur à GaN sur un substrat réalisé à partir d'une autre matière. Bien que le saphir soit utilisé, en général, pour réaliser le substrat 20, des substrats en Si, en ZnO, en MgO Al203 (spinelle), en SiC, en GaAs ou une matière analogue ont également fait 15 l'objet d'essais. Lorsqu'il s'agit de faire croître un semi-conducteur à GaN sur un substrat en saphir 20, il se pose un problème de désadaptation de réseau entre les deux. La relation entre leurs constantes de réseau cristallin est telle que représentée ci-après. Le GaN croît dans une direction représentant un 20 mouvement d e rotation d e 3 0 par rapport à u n axe a d ans u n p lan c du substrat en saphir. Quant au saphir, la constante du réseau cristallin a (qui est désigné par a1 dans le Tableau 1 présenté plus loin) est 4,7580 A. La valeur d'intervalle (qui est désignée par a2 dans le Tableau 1 présenté plus loin) correspondant à une rotation de 300 du réseau cristallin est de 2,747, 25 valeur obtenue par l'opération 4, 758 x 1/1,732 (la valeur numérique obtenue en multipliant la longueur de l'axe a dans un réseau unitaire de saphir par 1/1,732 devient une référence). Par contre, s'agissant du GaN, la constante du réseau cristallin est de 3,1860 A. Le rapport de la désadaptation de réseau du GaN en référence au 30 saphir est alors égal à +15,98% (= 100 x (3,1860 - 2,747) / 2,747). Ainsi, la constante d u réseau cristallin d u saphir d iffère d e m anière s ignificative de celle du GaN. Par conséquent, il n'est pas possible d'obtenir un cristal de bonne qualité lorsque l'on fait croître le GaN directement sur le saphir. En outre, il est possible d'envisager l'utilisation d'un substrat réalisé en une matière d'un autre type de la même manière. Dans l'art antérieur, afin d'accroître la cristallinité de la couche de 5 croissance, une couche tampon d'AIN ou de GaN, matières qui sont amorphes ou polycristallines, est formée au préalable sur un plan (0001) du substrat en saphir 20, et la couche de croissance de GaN est formée sur la couche tampon. La couche tampon a pour fonction de réduire la désadaptation de réseau entre la couche de croissance de GaN et le 10 substrat en saphir et d'augmenter la cristallinité. De plus, dans le cas d'un appareil à semi-conducteur, tel qu'une diode laser ou un transistor, qui nécessite l'utilisation d'un cristal de qualité supérieure, une fois que la croissance de la couche du semiconducteur à GaN sur le substrat 20 en monocristal est terminée, ce dernier est éliminé, 15 puis l'appareil à semi-conducteur est formé. La raison en est que, lorsque l'appareil à semi-conducteur est formé sur un substrat 20 réalisé à partir d'une matière autre que celle de l'appareil à semi-conducteur, un défaut du cristal dû à la différence du coefficient de dilatation thermique se produit lors du processus de refroidissement suivant une croissance du cristal à des 20 températures élevées, de 1000 OC ou plus. En outre, dans un autre exemple de l'art antérieur, il existe également une méthode pour faire croître la couche de semi-conducteur à GaN 22 selon laquelle un masque produit en conférant un motif à une couche mince de SiO2 est formé, et l'on fait croître le semi-conducteur à GaN sur le 25 masque dans une direction latérale, ceci afin d'éviter l'influence due à la désadaptation de réseau par rapport au substrat 20. Cependant, étant donné que le rapport de désadaptation de réseau entre le substrat en saphir 20 et la couche de GaN 22 atteint jusqu'à 15,98 %, la couche de croissance de GaN 22 présente des dislocations dont 30 la densité est de 10' à 1011 cm-2, même lorsqu'elle est formée par l'intermédiaire de la couche tampon 21 réalisée en AIN ou en GaN. De plus, même une couche d'un cristal de GaN q ue l'on a f ait c roître l atéralement après l'élimination du substrat en saphir 20, présente des dislocations dont la densité est de 104 à 107 cm2. Elle présente des dislocations extrêmement importantes par comparaison avec le GaAs que l'on a fait croître sur un substrat en GaAs présentant des dislocations dont la densité est de 102 cm-2 à 107 cm-2 La densité de dislocations de la couche de croissance de GaN limite sensiblement la performance de l'appareil à semi-conducteur qui doit être fabriqué à partir de cette matière et, en outre, il existe un besoin d'augmenter la quantité d'éléments d 'addition présents dans la couche de 10 semi-conducteur pour engendrer suffisamment de porteurs. Ceci pose le problème d'une détérioration de l'une des caractéristiques de l'appareil à semi- conducteur, telle que sa durée de vie, sa tension de tenue, sa tension d'attaque, sa consommation d'énergie électrique (son efficacité de fonctionnement), sa vitesse de fonctionnement ou son courant de fuite. L'art antérieur propose également de faire croître un semi-conducteur à nitrure sur un substrat en monocristal de diborure dont la formule chimique est XB2, o X contient au moins un des éléments Ti et Zr. [Tableau 1) Constante de réseau Coefficient de dilatation cristallin thermique [A] [x 10-6K] ZrB2 3,1696 5,9 TiB2 3,0303 Saphir (A1203) a1=4,7580, a2=2, 747 7,5 GaN 3,1860 5,6 AIN 3,1114 4,2 BN 2,5502 InN 3,54 5,7 SiC 3,08 4,3 GaAs 4,00 8,7 Si 3,84 2,6 Etant donné que le semi-conducteur à nitrure est ainsi formé avec une bonne adaptation de réseau avec le substrat en monocristal de diborure, les défauts du réseau cristallin apparaissant dans la couche de croissance sont faibles, et la cristallinité de la couche de nitrure est extrêmement bonne. Cependant, dans l'exemple de l'art antérieur évoqué ci-dessus, par exemple, lorsque l'on fait croître le GaN sous la forme d'un cristal pour constituer un semi-conducteur à nitrure sur un substrat en monocristal de diborure, l'élément B du substrat, en raison d'une variation de la température de croissance lors du processus de croissance, diffuse dans le cristal de 10 GaN, et un semi-conducteur à nitrure GaBN contenant un élément ternaire du groupe 1 3 (anciennement un élément du groupe IIIB) est engendré au niveau de l'interface entre le GaN et le substrat. Dans le cas du BN, comme on le voit sur I e T ableau 1, la désadaptation de réseau augmente jusqu'à environ 20 %, par comparaison avec le GaN (par exemple, (2,550215 3,1696)/3,1696=19,5 %). Par conséquent, dans le cas du GaBN, qui est un semi-conducteur à nitrure ternaire, la différence entre les constantes du réseau cristallin devient très sensible lorsque le rapport des cristaux mixtes de B devient élevé, à la différence de AlGaN, qui est un semi-conducteur à nitrure ternaire, pour lequel le rapport de désadaptation de réseau est de 20 2 % ou moins. Par conséquent, il se produit un défaut du réseau cristallin au niveau de l'interface, même si l'on fait croître le GaN sur un substrat en monocristal de diborure, comme décrit plus haut, et il est impossible d'obtenir un cristal de bonne qualité. Au cours des dernières années, les travaux de recherche et 25 développement consacrés à l'obtention d'un semi-conducteur à nitrure contenant au moins un élément sélectionné parmi les éléments B, AI, Ga, In et Ti ont été poursuivis activement, et les techniques appliquées ont évolué rapidement. Or, à présent, une diode électroluminescente émettant les couleurs verte, bleue et ultraviolette, une diode laser émettant les couleurs 30 bleue et violette, ainsi que des dispositifs analogues, faisant appel à un semi-conducteur à nitrure, sont mis en oeuvre dans des applications pratiques. Plus spécifiquement, le (InN),(GaN)1 x, dont la bande interdite va du rouge au violet et le (AIN),(GaN)iN, dont la bande interdite va du violet à l'ultraviolet, sont classés comme matières principales parmi les semiconducteurs à nitrure du groupement 1II, étant donné que le premier élément 5 permet de réaliser un dispositif émetteur de lumière de couleur bleu-vert, bleue, violette ou d'une couleur analogue, ce qui n'était pas possible auparavant, et que le second élément permet d'envisager une application de source de lumière pour prises de mesures, stérilisation ou de excitation. On fait croître le semi-conducteur à nitrure du groupement îîî à partir 10 de la phasevapeursurun substraten monocristal réalisé en saphir, SiC, GaAs, Si ou un élément analogue à l'aide de la méthode MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy - épitaxie en phase vapeur organométallique). Le semi-conducteur à nitrure du groupement 1I1 comporte une 15 symétrie hexagonale, et les constantes de réseau cristallin d'axe a d'lnN, de GaN et d'AIN sont de 0,311 nm, de 0,319 nm et de 0,354 nm, respectivement. En outre, les constantes de réseau cristallin respectives de (InN)x(GaN)1-x et de (AIN)x(GaN)1-x sont des valeurs se situant en milieu de plage des constantes de réseau cristallin respectives susmentionnées d'lnN, 20 de GaN et d'AIN dépendant de x. Cependant, étant donné que les intervalles entre les atomes pour lesquels le saphir, le Sic, le GaAs et le Si obtiennent une adaptation de réseau avec le semi-conducteur à nitrure du groupement 1I1 sont de 0,275 nm, de 0,308 nm, de 0,400 nm et de 0,384 nm, respectivement (se 25 reporter au Tableau 1), des substrats dont l'adaptation de réseau est parfaite ne sont pas obtenus. Par ailleurs, dans un autre exemple de l'art antérieur, il est proposé une technique basée sur l'utilisation d'une couche tampon à basse température (se reporter, par exemple, à la publication de brevet japonais 30 examiné JP-B2 4-15200 (1992), ainsi qu'au brevet japonais 3026087). Il est possible de faire croître un cristal de bonne qualité sur les substrats présentant une désadaptation de réseau décrits plus haut à l'aide de cette technique; cependant, il existe toujours des dislocations de pénétration d'environ 108 cm-2 à 1011 cm2. De plus, il y a des différences de coefficient de dilatation thermique importantes entre les substrats en monocristal et le semi-conducteur à nitrure susmentionnés, et une différence 5 de degré de contraction suivant la croissance d'un cristal à une température élevée, d'environ 1000 OC, est susceptible de provoquer des fissures. Un autre exemple de l'art antérieur propose, comme méthode destinée à résoudre ces problèmes, une technique pour faire croître un semiconducteur à nitrure sur un plan (0001) d'un substrat en monocristal de 10 ZrB2 (se reporter à la publication de brevet japonais non examiné JP-A 200243223). Le substrat en monocristal de ZrB2 est à symétrie hexagonale, et la constante de réseau cristallin d'axe a est de 0,317 nm (se reporter au Tableau 1), qui atteint complètement une adaptation de réseau avec '15 x = 0,26 dans (AIN)x(GaN)1.- En outre, le coefficient de dilatation thermique est de 5,9 x 10-6K-1, qui est une valeur proche de celle du GaN, à savoir 5,6 x 10-6 K-. En outre, le substrat en monocristal de ZrB2, dont la résistivité peut descendre jusqu'à 4,6 pQ cm, est électroconducteur. Par contre, le substrat 20 en saphir 110 généralement utilisé comme substrat jusqu'à présent est isolant et, par conséquent, la structure d'une diode électroluminescente formée sur le substrat en saphir est telle que deux électrodes, 101 et 109, sont disposées du même côté de plan (la face supérieure du substrat 110 de la figure 18), comme représenté sur la figure 18. La structure représentée sur la figure 18 est une structure dans laquelle une couche tampon à basse température 107, une couche de contact de type n 106, une couche de revêtement de type n 105, une couche émettrice de lumière 104, une couche de revêtement de type p 103 et une couche de contact de type p 102 sont formées séquentiellement par 30 stratification sur un substrat en saphir 110 et une électrode de type p 101 est également formée dessus. De plus, une électrode n 109 est formée sur une surface exposée de la couche de contact de type n 106. Comme décrit plus haut, au cours des dernières années, les travaux de recherche et développement sur les techniques pour faire croître un semiconducteur à nitrure sur un substrat en monocristal de ZrB2 ont évolué. Le document intitulé "Abstr. 13th Int. Conf. Crystal Growth, Aug. 5 2001, 02a-SB2-20 " propose une technique destinée à permettre de faire croître le GaN sur le plan (0001) d'un substrat en monocristal de ZrB2 à l'aide de la méthode EJM (épitaxie par jets moléculaires). Cependant, cette technique pose un problème en ce qu'elle est moins performante sur le plan de la production en série étant donné qu'elle fait 10 appel à la méthode EJM. Il est également proposé une technique destinée à faire croître le GaN sur le plan (0001) d'un substrat en monocristal de ZrB2 en utilisant une couche tampon de AIN à l'aide de la méthode MOVPE (se reporter au document intitulé Ext. Abstr. (62nd Autumn Meet. 2001); Japan Society of 15 Applied Physics, 12p-R-14). De plus, dans l'art antérieur, un film de GaN que l'on fait croître sur un plan (0001) d'un substrat en monocristal de ZrB2 à l'aide de la méthode MOVPE pose un problème en ce que la forme de sa surface a tendance à devenir irrégulière, comme le montre la figure 13. Comme décrit plus haut, lorsqu'il s'agit de faire croître un semiconducteur à nitrure sur le plan (0001) d'un substrat en monocristal de ZrB2 en utilisant une couche tampon de AIN, il est souhaitable de réduire les irrégularités de forme apparaissant sur sa surface. Cependant, selon les deux techniques, dans le cas d'une couche de 25 GaN que l'on fait croître sur le plan (0001) d'un substrat en monocristal de ZrB2, la largeur de demi-atténuation de la courbe d'oscillation de balayage oméga du plan (0002) à l'aide d'une méthode de diffraction des rayons X, qui devient un indicateur d'évaluation de cristallinité, est d'environ 1000 secondes, ce qui n'est pas satisfaisant (se reporter au document intitulé 30 " Study on the crystal growth and properties of group-ll nitride semiconductors on ZrB2 substrate by metalorganic vapor phase epitaxy ", thèse de maîtrise rédigée par Yohei Yukawa, direction des hautes études de l'Université de Meijo, 2001). En outre, étant donné que le AIN est un isolant, lorsque la diode électroluminescente, ou un dispositif analogue, présentant la structure représentée sur la figure 8 et tel que décrit plus loin, est produite, la 5 résistance depuis la couche de semi-conducteur à nitrure vers le substrat augmente, et la tension d'exploitation augmente également. De plus, la bande interdite de AIN va jusqu'à 6,2 eV, et il est difficile, par conséquent, de réduire la résistance par dopage. Dans l'art antérieur susmentionné, lorsque l'on fait croître un semi10 conducteur à nitrure sur le plan (0001) d'un substrat en monocristal de ZrB2, la résistance depuis la couche de semi-conducteur à nitrure vers le substrat augmente, et la tension d'exploitation augmente également. Au cours des dernières années, un semi-conducteur à nitrure tel que le nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'indium (InN) ou le nitrure d'aluminium 15 (AIN) est utilisé comme matière pour réaliser un dispositif optique tel qu'une diode électroluminescente émettrice de lumière bleue ou violette, une diode laser ou un photocapteur étant donné que le semi-conducteur à nitrure est un semi-conducteur composé du type à transition directe, et qu'il a une bande interdite large. En outre, étant donné qu'un semi-conducteur à nitrure est capable de répondre aux exigences en matière de haute fréquence et d'énergie électrique de niveau élevé, et qu'il est extrêmement fiable, il est considéré comme une matière à haute performance pour la fabrication de dispositifs électroniques. Jusqu'à présent, il n'existait pas de substrat permettant d'obtenir une adaptation de réseau avec le semi-conducteur à nitrure. Dans l'art classique, on fait croître un semi-conducteur à nitrure à l'aide d'un substrat réalisé en une matière telle que le saphir, d'un type différent de celui du semi-conducteur à nitrure. Cependant, le rapport de désadaptation de réseau entre le substrat en saphir et le GaN est de 13,8 %, et la différence en termes de coefficient de dilatation thermique est de 3,2 x 10-6/K, et il se pose un problème résultant de la désadaptation de réseau en ce que des dislocations de 108 à 10 cm-2 se produit dans la couche de GaN en raison d'un défaut du cristal apparaissant au niveau de l'interface entre le substrat en saphir et la couche de GaN. De plus, en raison du défaut, ainsi que de la déformation sous l'effet de la température, la couche de GaN subit un gauchissement, et la cristallinité est sensiblement détériorée. En outre, en ce qui concerne la fabrication d'un dispositif tel qu'une diode laser, le semi-conducteur à nitrure est formé sur un substrat réalisé à 10 partir d'une matière d'un type différent de celui d'un semiconducteur à nitrure en GaN, par exemple, ou en une matière analogue, et, par conséquent, un problème se pose en ce que, en cas de la formation d'une surface réfléchissante d'un résonateur laser, les plans de clivage d'un substrat réalisé en une matière d'un type différent et ceux d'un semi15 conducteur à nitrure sont différents, et en ce que la formation par clivage s'avère difficile. Il est donc souhaitable de pouvoir disposer d'un substrat en semi-conducteur à nitrure de bonne qualité. Cependant, le point de fusion d'un semi-conducteur à nitrure, tel que le GaN, est élevé, et la pression de dissociation du nitrure est élevée au 20 point de fusion, si bien que la production d'un monocristal massif s'avère difficile. Par conséquent, comme décrit plus haut, un appareil à semiconducteur est fabriqué, par exemple, en faisant croître une couche épaisse de GaN sur le substrat en saphir, puis en séparant le substrat en saphir, qui est en u ne m atière d'un type a utre q ue l e G aN, d e l a couche é paisse d e 25 GaN. Cependant, lors de l'étape de séparation du substrat et du semiconducteur à nitrure selon la méthode de production susmentionnée, la méthode utilisée pour abraser le substrat donne lieu à un problème, à savoir que les contraintes provenant de la couche épaisse de semi-conducteur à 30 nitrure deviennent importantes à mesure que le substrat devient mince, et que ces contraintes s'exercent sur le substrat, ce qui a pour effet d'aggraver son gauchissement et de provoquer des fissures. Par ailleurs, en matière de méthodes de séparation selon l'art antérieur, il existe, par exemple, celle qui consiste à effectuer la séparation en irradiant localement l'interface entre le substrat en saphir et la couche épaisse de GaN avec un faisceau de lumière laser et en sublimant l'interface (méthode de décollement au laser). Cependant, selon cette méthode, seule une faible partie de l'interface se sépare étant donné que la zone irradiée est peu importante, et les contraintes se concentrent sur une petite partie attachée, ce qui entraîne des fissurations. En outre, étant donné que la zone irradiée est petite, la période 10 de temps nécessaire au traitement est longue. Par ailleurs, il est proposé, comme méthode de réduction des dislocations provoquées dans la couche épaisse de semi-conducteur à nitrure, la méthode d'épitaxie par surcroissance latérale ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth). La figure 19 fournit un exemple de la méthode de croissance ELO classique. Après la croissance d'une couche tampon de AIN 321 sur un substrat en saphir 320, comme illustré sur la figure 19A, on fait croître une première couche de GaN 322, comme illustré sur la figure 19B. Ensuite, un film de SiO2 325 est formé sur la première couche de GaN 322, comme représenté sur la figure 19C, et une ligne formant fente de SiO2 est formée dans la direction [11-20] lors du traitement de masquage, comme illustré sur la figure 19D. Ensuite, on fait croître une seconde couche de GaN, 323, comme 25 représenté sur la figure 19E. Enfin, le substrat en saphir 320 est séparé, comme illustré sur la figure 19F. La seconde couche de GaN 323 croît à partir d'une fenêtre formant fente, et remplit entièrement la ligne de SiO2 pour devenir une couche plate, étant donné que la vitesse de croissance longitudinale dans la 30 direction [1-100] est supérieure à la vitesse de croissance dans la direction [0001]. Bien que les courbes de dislocation dans la direction longitudinale en fonction de la croissance longitudinale, et les dislocations de pénétration sur la ligne de SiO2 puissent être réduites, les dislocations de pénétration se concentrent sur une partie de la fenêtre formant fente de SiO2. Par conséquent, afin de produire un dispositif en sélectionnant une région présentant de faibles dislocations de pénétration, il suffit d'effectuer le traitement de masquage sur la ligne de SiO2. Cependant, du fait du remplissage par SiO2, il est difficile de lui appliquer le traitement de masquage. En outre, étant donné que des dislocations courbes se concentrent sur une portion centrale de la ligne de SiO2, il se pose le problème de l'inclinaison de l'orientation cristalline dans la 10 direction horizontale du substrat, par exemple. En outre, étant donné que l'on fait croître le cristal pendant que du SiO2 est contenu, il se produit une diffusion d'atomes de Si et d'oxygène. De plus, la méthode de croissance ELO nécessite un processus de production complexe, et elle entraîne, par conséquent, une augmentation des coûts. Comme décrit plus haut, selon les méthodes de production classiques, lorsqu'un substrat réalisé en une matière d'un type différent de celui d'un semi-conducteur à nitrure, et lorsque la couche épaisse du semiconducteur à nitrure en est séparée, des contraintes résultant de la différence entre les constantes du réseau cristallin et le coefficient de 20 dilatation thermique provoquent un gauchissement et la formation de fissures de l'appareil à semi-conducteur à nitrure produit. En outre, le processus de production est complexe dans le cas de la croissance ELO destinée à réduire les dislocations, et il est difficile d'éviter la portion sur laquelle se concentre la densité des dislocations de pénétration, et 25 d'appliquer le traitement de masquage sur leS iO2 contenu. De plus, il se pose le problème de l'inclinaison de l'orientation cristalline dans la direction horizontale du substrat en raison des dislocation courbes, par exemple. RESUME DE L'INVENTION La présente invention a donc été conçue à la lumière des problèmes 30 évoqués plus haut, et elle a pour objet, entre autres, de proposer un appareil à semi-conducteur et des procédés de production d'excellente qualité pour lesquels les d éfauts d u réseau c ristallin s ont f aibles, s i b ien q ue l'on p eut s'attendre à de bonnes caractéristiques. L'invention a également pour objet de proposer un appareil à semiconducteur et des procédés de production selon lesquels, par exemple, lors de la croissance d'un semi-conducteur à nitrure sur le plan (0001) d'un 5 substrat en monocristal de ZrB2, permettent de n'obtenir qu'une faible résistance électrique depuis le semi-conducteur à nitrure vers le substrat, ainsi que d'augmenter la qualité cristalline du semi-conducteur à nitrure que l'on a fait croître. L'invention a encore pour objet de proposer un appareil à semi10 conducteur et des procédés de production pour réduire les irrégularités apparaissant au niveau de la forme de sa surface dans le cas de la croissance d'un semi-conducteur à nitrure sur le plan (0001) du substrat en monocristal de diborure en utilisant une couche tampon de AIN. L'invention a également pour objet d'éviter le gauchissement et la '15 formation de fissures dans un appareil à semi-conducteur à nitrure et de réduire la densité des dislocations, ainsi que de proposer un semiconducteur à nitrure et des procédés de production qui soient uniformes. L'invention propose un appareil à semi-conducteur comportant: un substrat réalisé en monocristal de diborure de formule chimique 20 XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf; une couche tampon de semi-conducteur formée sur une surface principale du substrat et réalisée en AlyGa1lyN (0 De plus, l'invention propose un appareil à semi-conducteur comportant: un substrat réalisé en monocristal de diborure de formule chimique 30 XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf; une couche tampon de semi-conducteur formée sur une surface principale du substrat et réalisée en (AIN),(GaN)v-x (O 0,1 Par conséquent, la diffusion de B, q ui e st u n é lément p rincipal q ue contient le substrat en monocristal de diborure et la formation d'un semiconducteur à nitrure contenant du B au niveau de l'interface entre le substrat et l e s emi-conducteur à nitrure sont évitées, et il est possible d'obtenir un 10 semi-conducteur à nitrure dont les défauts cristallins sont faibles, qui est de bonne qualité et qui est doté d'excellentes caractéristiques. Selon l'invention, le substrat est en ZrB2 ou en TiB2. Selon l'invention, le substrat est réalisé à partir d'une solution solide contenant un ou plusieurs éléments-impuretés en un pourcentage atomique 15 de 5 ou moins, un élément-impureté ou plusieurs éléments-impuretés étant sélectionnés dans un groupe composé du Ti, du Cr, du Hf, du V, du Ta et du Nb lorsque le substrat est en ZrB2, ou sélectionnés dans un groupe composé du Zr, du Cr, du Hf, du V, du Ta et du Nb lorsque le substrat est en TiB2. Selon l'invention, l'épaisseur de la couche tampon de semiconducteur en (AIN)x (GaN)1 x se situe dans une plage de 10 à 100 nm. Dans la couche tampon de semi-conducteur en (AIN)x (GaN)1.x de l'invention, x est égal à 0,1 _ x Dans la couche tampon de semi-conducteur en (AIN)x (GaN)1x de 25 l'invention, x est égal à 0,4 Selon l'invention, l'angle 0 formé par une ligne normale à la surface principale du substrat et une ligne normale du plan (0001) du substrat est de 0 _ 01 _ 50. En outre, l'invention propose un procédé pour faire croître un semi30 conducteur à nitrure, comprenant les étapes consistant: sur un substrat réalisé en monocristal de diborure de formule chimique XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf, à faire croître une couche en AlyGal-yN (0 De plus, l'invention propose un procédé pour faire croître un semiconducteur à nitrure, comprenant les étapes consistant: sur un substrat réalisé en monocristal de diborure de formule chimique XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf, à faire croître une couche de (AIN)x(GaN)v-x 10 (0 Selon l'invention, l'épaisseur de la couche de (AIN)x(GaN)1x se situe dans une plage de 10 à 100 nm. Selon l'invention, comme dans le cas de la structure susmentionnée, grâce a u f ait d'avoir f ait c roître u ne couche d e (AIN)x(GaN)v-x (0 En outre, il est possible de réduire la résistance de (AIN)x(GaN)1, par 30 dopage, ce qui permet de réduire la résistance depuis le semi- conducteur vers le substrat. Comme décrit plus haut, selon l'invention, lorsqu'il s'agit de faire croître u ne couche d e s emi-conducteur à n itrure qui contient au moins un élément sélectionné parmi les éléments B, AI, Ga, In et Ti sur le plan (0001) d'un substrat en monocristal de diborure selon la formule chimique XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et 5 Hf, à l'aide de la méthode MOVPE, en faisant croître une couche en (AIN)x(GaN)1-x (0 De plus, selon l'invention, la résistance série est réduite étant donné que la résistivité de (AIN)x(GaN)1-x est inférieure à celle de AIN. En outre, il est possible de réduire la résistance de (AIN)x(GaN)v-x par dopage, si bien qu'il est possible de réduire la résistance depuis le semi-conducteur à nitrure 20 vers le substrat. Par conséquent, il est possible de réduire la tension d'attaque d'une diode électroluminescente du type représenté sur la figure 3, ce qui permet d'en obtenir un grand nombre à partir d'une seule tranche. Selon l'invention, la couche tampon de semi-conducteur est en AIN. Selon l'invention, l'épaisseur de la couche tampon de semi25 conducteur en AIN est de 10 à 250 nm. Selon l'invention, l'angle 01 formé par une normale à la surface principale du substrat et une normale au plan (0001) du substrat est 0 En outre, l'invention propose un procédé pour faire croître un semi30 conducteur à nitrure, comprenant les opérations consistant: sur le plan [0001] d'un substrat réalisé en monocristal de diborure de formule chimique XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf, à faire croître une couche de AIN à partir de la phase vapeur de sorte que l'angle de déviation d'une normale à une surface du substrat à partir d'une direction [0001] devienne égal à 0,55 degrés ou moins, et, ensuite, à faire croître une couche de semiconducteur à nitrure 5 comprenant au moins un type sélectionné parmi les éléments du groupe 13 et As à partir de la phase vapeur. Selon l'invention, l'épaisseur de la couche de AIN est de 10 à 250 nm. Comme décrit plus haut, selon l'invention, lorsqu'il s'agit de faire croître u ne couche d e s emi-conducteur à n itrure qui contient au moins un 10 élément sélectionné parmi B, AI, Ga, In et Ti sur le plan (0001) d'un substrat en monocristal de diborure de formule chimique XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf, à l'aide de la méthode MOVPE, en utilisant une méthode de croissance d'une couche de AIN d'une épaisseur de 10 nm à 100 nm sur le plan (0001) d'un substrat 15 en monocristal de diborure à 800 OC ou moins, et de faire croître ensuite une couche de semi-conducteur à nitrure qui contient au moins un élément sélectionné parmi B, AI, Ga, In et Ti, un substrat dans lequel l'angle de déviation d'une normale à une surface du substrat en monocristal de diborure à partir d'une direction [0001] du cristal de diborure est égal à 0,55 20 degré ou moins étant utilisé, il est possible de faire croître une couche de semi-conducteur à nitrure ayant une surface lisse. Comme signalé plus haut, la couche tampon étant constituée de AIN, la valeur sélectionnée pour l'angle de déviation 01 est inférieure à 0,55 . Il est ainsi possible d'éviter la formation d'aspérités en écailles indésirables sur 25 la surface de la couche de semi-conducteur à nitrure formée sur la couche tampon. La valeur sélectionnée pour l'épaisseur de la couche tampon de semiconducteur en AIN est de 1 0 nm à 2 50 nm. S i l'épaisseur e st i nférieure à 10 nm, l'effet que produit la couche de semi-conducteur à nitrure est 30 insuffisant et des aspérités en forme d'écailles sont présentes sur la surface de la couche de semi-conducteur à nitrure formée sur la couche tampon de semi-conducteur. Si l'épaisseur est supérieure à 250 nm, la qualité de la couche de semi-conducteur à nitrure formée sur la couche tampon de semiconducteur devient médiocre, et la couche de cristal constituant la couche de semi-conducteur à nitrure formée sur la couche tampon de semiconducteur, couche de cristal qui est formée au- dessus du plan cristallin du 5 substrat par l'intermédiaire de la couche tampon de semi-conducteur, se détériore. Ainsi, grâce à l'utilisation de l'invention, il est possible de produire avec un plan lisse un dispositif tel qu'une diode électroluminescente sur un substrat en monocristal de ZrB2, et d'améliorer ses caractéristiques et son 10 rendement. L'épaisseur de la couche tampon de semi-conducteur est sélectionnée de sorte qu'elle devienne inférieure à celle d'une couche de cristal réalisée en semi-conducteur de nitrure formée initialement sur la couche tampon de semi-conducteur. Selon l'invention, le substrat est érodé et éliminé par attaque. En outre, l'invention propose un procédé pour produire un appareil à semiconducteur, comprenant les opérations consistant: à éroder et à éliminer un substrat en monocristal de diborure d'un appareil à semi-conducteur obtenu à l'aide du procédé susmentionné pour faire croître des semi-conducteurs à nitrure par attaque. De plus, l'invention propose un procédé pour produire un appareil à semiconducteur, comportant les étapes consistant: à produire, en faisant croître un cristal, une couche de semiconducteur à nitrure sur une surface principale d'un substrat en monocristal ayant une symétrie cristalline hexagonale, présentant des propriétés de 25 conductivité électrique; et à éroder et à éliminer par attaque le substrat en monocristal. Selon l'invention, le substrat en monocristal est un substrat en monocristal de diborure désigné par la formule XB2, X comprenant au moins un des éléments suivants: Zr et Ti. Selon l'invention, lors de la croissance de la couche de semiconducteur à nitrure à partir de la phase vapeur, la couche de semiconducteur à nitrure que l'on fait croître initialement est une couche de AIxGa1,N (O Selon l'invention, une solution mixte contenant au moins de l'acide nitrique et de l'acide fluorhydrique est utilisée pour l'attaque. Comme décrit plus haut, selon le procédé de production d'un appareil 5 à semi-conducteur de l'invention, en procédant par l'étape consistant à produire, en faisant croître un cristal, une couche de semi-conducteur à nitrure sur une surface principale d'un substrat en monocristal ayant une structure à symétrie hexagonale présentant des propriétés de conductivité électrique, et par l'étape consistant à éroder et à éliminer le substrat en 10 monocristal par attaque, il est possible d'éviter le gauchissement et les fissurations de l'appareil à semi-conducteur, de réduire la densité des dislocations, les dislocations courbes, d'empêcher une inclinaison de l'orientation cristalline dans la direction horizontale de l'appareil à semiconducteur, et d'obtenir ainsi un appareil à semi- conducteur à nitrure 15 présentant une bonne uniformité, dans le plan, de la densité des dislocations. DESCRIPTION SOMMAIRE DES DESSINS D'autres objets, caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement de la description détaillée qui suit, considérée en 20 référence aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 est une vue en coupe illustrant, de manière schématique, un appareil à semi-conducteur selon l'invention; La figure 2 est une vue en coupe représentant un substrat en monocristal de diborure (formule chimique: XB2) de l'appareil à semi25 conducteur représenté sur la figure 1; Les figures 3A et 3B sont des vues de la structure cristalline du XB2, respectivement; Les figures 4A et 4B sont des vues de la structure cristalline du XB2, respectivement; La figure 5 est une vue illustrant un état de surface B d'un film d e GaN; La figure 6 est une vue illustrant un état de surface A d'un film de GaN; La figure 7 est une courbe illustrant la relation entre un angle formé par une normale à une surface principale du substrat et une normale au plan (0001) et un état de surface; La figure 8 est une vue en coupe schématique d'un l'appareil à semiconducteur dans lequel une couche de semi-conducteur à nitrure est formée sur un substrat en monocristal de ZrB2; La figure 9 présente des photographies de surfaces de films de GaN La figure 10 est une courbe illustrant la relation entre l'épaisseur du 10 film de (AIN)x(GaN)1"- et la largeur de demi-atténuation des rayons X; La figure 11 est une vue en coupe schématique d'un appareil à semiconducteur dans lequel une couche de semi-conducteur à nitrure est formée sur un substrat en monocristal de ZrB2; La figure 12 est une courbe illustrant la relation entre un angle de 15 décalage de la surface d'un substrat et son état de surface; La figure 13 est une vue illustrant un état de surface (l'état de surface B) d'un film de GaN; La figure 14 est une vue illustrant un état de surface (l'état de surface A) d'un film de GaN selon l'invention; Les figures 15A à 15F sont des schémas de procédé illustrant un procédé de production d'un substrat à semi- conducteur selon l'invention La figure 16 est une vue de la structure cristalline du monocristal de diborure désigné par la formule ZrB2; La figure 17 est une vue en coupe représentant un appareil à semi25 conducteur classique; La figure 18 est une vue en coupe schématique de l'appareil à semiconducteur dans lequel une couche de semi-conducteur à nitrure est formée sur un substrat en saphir; et Les figures 19A à 19F sont des schémas de procédé illustrant un 30 substrat de semi-conducteur classique. DESCRIPTION DETAILLEE Des modes de réalisation préférés de l'invention vont maintenant être décrits ci-après, en référence aux dessins. La f igure 1 e st u ne v ue e n c oupe représentant u n a ppareil à s emiconducteur selon un mode de réalisation de l'invention. La figure 2 est une vue en coupe représentant un substrat en 5 monocristal de diborure (formule chimique: XB2) 10 de l'appareil à semiconducteur représenté sur la figure 1. Une normale à une surface principale 34 du substrat 10 est inclinée par rapport à un axe 32 d'un cristal, qui est un axe [0001] perpendiculaire à un plan (0001) 31 du substrat 10, d'un angle 01, qui est supérieur ou égal à 0' et inférieur ou égal à 50 (00 01 Plus spécifiquement, TiB2 et ZrB2, formules dans lesquelles X désigne Ti et Zr, présentent des différences de constantes de réseau cristallin de 2 % ou moins pour toute composition du semi-conducteur à nitrure réalisé en AI, en Ga ou en N, qui sont les éléments constitutifs de la couche tampon de 30 semi-conducteur. Par exemple, dans un appareil à semi-conducteur dans lequel le semi-conducteur à nitrure est le AIN et dans lequel le substrat est constitué de ZrB2, si l'on se reporte au Tableau 1 susmentionné, on constate que la différence des constantes du réseau cristallin est de (3,16963,1114)/3,1114 = 1,9%. On obtient donc une combinaison présentant une très bonne adaptation. La constante du réseau cristallin du semi-conducteur à nitrure contenant AI ou Ga et N, à savoir AlyGalyN (0 Une structure cristalline de XB2 est une structure à symétrie 10 hexagonale que l'on désigne comme structure AIB2, comme représenté sur les figures 3A, 3B. Cette structure est similaire à une structure de wurtzite d'un cristal de GaN représentée sur les figures 4A, 4B. Plus concrètement, en ce qui concerne la relation d'adaptation du réseau cristallin entre le plan (0001) d'un cristal de XB2 de Ti ou Zr et GaN ou AIN, comme illustré dans le 15 Tableau 1, la différence de constantes de réseau cristallin entre TiB2 ou ZrB2 et GaN ou AIN est de 2 % ou moins dans n'importe combinaison et, par conséquent, on peut considérer qu'ils constituent une combinaison présentant une très bonne adaptation. Pour former la couche tampon de semi-conducteur lors de la 20 croissance du cristal, il est fait appel à la méthode d'épitaxie par jets moléculaires (EJM), la méthode d'épitaxie en phase vapeur organométallique (MOCVD), la méthode d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE), la méthode de sublimation ou une méthode analogue. En outre, il est également possible de combiner de manière appropriée les 25 méthodes de croissance susmentionnées. Par exemple, il est possible d'utiliser la méthode EJM, qui permet de faire croître le cristal tout en en contrôlant l'état de surface, pour la croissance épitaxiale initiale, et de faire appel à la méthode HVPE, grâce à laquelle il est possible de faire croître le cristal à des vitesses élevées, lorsqu'une couche mince de GaN épaisse est 30 requise. Ensuite, après la formation d'une couche tampon 11, un semiconducteur à nitrure contenant un élément du groupe 13 (anciennement groupe IIIB) que l'on veut obtenir est formé. Ici, on fait croître le cristal du semiconducteur à nitrure à une température de croissance de 700 OC à 900 'C. A ce stade, le B, qui est un élément constitutif majeur de du substrat en monocristal de diborure 10, diffuse, à partir du côté substrat, dans le semi-conducteur à nitrure de la couche tampon 11. Selon l'invention, une couche tampon de semi-conducteur constituée au moins de AlGaN, est utilisée pour former la couche tampon 11. Dans le semi-conducteur à nitrure, la distance interatomique de l'AIN est inférieure à celles d e n N et d e G aN. P ar conséquent, la liaison cristalline de l'AIN est 10 plus forte que celles de l'lnN et du GaN, et la diffusion de B à partir du substrat e n m onocristal d e d iborure dans l'AIN est inférieure à la diffusion dans l'lnN et le GaN. En outre, comme l'illustre le Tableau 1 susmentionné, il existe une désadaptation importante entre InN et InGaN et le substrat en monocristal 15 de diborure en termes de constantes de réseau cristallin et, par conséquent, lorsque l'lnN et l'lnGaN sont utilisés pour former les couches tampon et pour faire croître un cristal directement sur le substrat, il se produit un défaut de réseau ou un phénomène analogue. Par contre, dans le cas de l'invention, ceci est préférable étant donné qu'il y a adaptation, en termes de constantes 20 de réseau cristallin, entre l'AINGaN et le substrat en monocristal de diborure. De plus, plus spécifiquement, le semi-conducteur à nitrure contenant l'élément du groupe 13 contient un ou plusieurs éléments sélectionnés parmi Ga, AI, In, B et Ti et, en outre, il peut contenir de l'As, qui est un élément du groupe 15. Quant au monocristal de diborure, supposons qu'un ou plusieurs types d'éléments-impuretés sélectionnés parmi Cr, Hf, V, Ta et Nb, qui sont des éléments des groupes 4 à 6 (anciennement groupes IVA à VIA), sont des solutions solides d'un pourcentage atomique de 5 ou moins. Ceci est dû au fait que, lorsque les éléments-impuretés ont un pourcentage atomique 30 supérieur à 5, la valeur des propriétés physiques présentées dans le Tableau 1 et la valeur de la résistance spécifique du substrat varient, ce qui n'est pas souhaitable. On peut s'attendre, en contenant Cr d'un pourcentage atomique de 5 ou moins, à un effet d'inhibition de la croissance des grains de cristal de la couche de semi-conducteur à nitrure et, par conséquent, il est préférable de procéder ainsi afin de former une couche de bonne qualité, sans l'apparition de fissures ou de phénomènes analogues. Il est ainsi possible, selon l'invention, d'éviter la diffusion de B, qui est un élément constitutif majeur du substrat en monocristal de diborure, ainsi que la formation d'un semi-conducteur à nitrure contenant du B au niveau de l'interface entre le substrat et le semi-conducteur à nitrure, et il est possible d'obtenir un semi-conducteur à nitrure de bonne qualité dont les 10 défauts du réseau cristallin sont faibles et, ainsi, d'obtenir un dispositif à semi-conducteur possédant d'excellentes caractéristiques. Un appareil à semi-conducteur à nitrure (une diode électroluminescente) contenant l'élément du groupe 13 représenté sur la figure 1 va maintenant être décrit à titre de mode de réalisation de 15 l'invention. On fait croître une couche de GaN sur un plan (0001) d'un substrat 10 de ZrB2 en utilisant la méthode d'épitaxie par jets moléculaires (EJM). Sur un substrat en monocristal de ZrB2 10 présentant une orientation de plan (0001), on forme AlGaN d'une couche tampon 11, qui est une couche 20 tampon de semi-conducteur, et l'on fait croître le cristal de semiconducteur à nitrure des couches 12 à 16 que l'on souhaite obtenir sur la couche tampon 11, à l'aide de la méthode EJM, dans cet ordre. Sous vide poussé, la température du substrat de ZrB2 10 est portée jusqu'à 800 C , et un faisceau moléculaire de AI, un faisceau moléculaire de Ga et de l'azote actif 25 provenant d'une cellule de plasma à excitation haute fréquence sont fournis afin de déclencher la croissance du cristal. Ici, un type de conductivité, qui est soit le type p, soit le type n, de la couche de contact de semi-conducteur 12 présente sur la couche tampon 11 est n-GaN, par exemple. Le type de conductivité de la couche de contact de X117 à 9 MC3, semi-conducteur 12 contient environ x 10 à 1019 atomes/cm d'un type de conductivité d'impureté de semi-conducteur, tel que le silicium. De plus, un type de conductivité de la couche de semiconducteur 13 présente sur la couche 12 est une couche de revêtement en nAIGaN, par exemple. En outre, un type de conductivité de la couche de semi-conducteur 13 contient environ 1 x 1016 à 1019 atomes/cm3 d'un type de conductivité d'impureté de semi-conducteur, tel que le silicium. Une couche émettrice de lumière 14 est formée sur la couche 13 et est réalisée en GaN, InGaN ou un élément analogue. Ici, la couche émettrice de lumière 14 peut présenter une structure de puits quantique, une structure quantique à traits fins ou une structure quantique à points. Un type de conductivité inverse, qui est l'autre des deux types, à 10 savoir le type p et le type n, de la couche de semi-conducteur 15 est formé sur la couche 14 et forme une couche de revêtement en p-AIGaN ou en une matière analogue, et il contient environl x 1016 à 1019 atomes/cm3 d'impureté qui se transforme en un type de conductivité inverse, tel que le Mg ou le Zn. Ici, cette couche peut contenir une faible quantité d'un ou plusieurs éléments 15 sélectionnés parmi l'in, le P, l'As et éléments analogues. Un type de conductivité inverse de la couche de contact à semiconducteur 16 est formée sur la couche 15 et est ré alisé en ZrB2, par exemple; il contient environ 1 x 1016 à 1 020 a tomes/cm3 d'impureté qui se transforme en un type de conductivité inverse, tel que le Mg ou le Zn. Une 20 portion s'étendant de la couche 16 jusqu'à une région supérieure de la couche 12 est soumise partiellement à une attaque chimique et est éliminée. Ensuite, un type de conductivité de l'électrode 18 présente sur la couche 12 est réalisé en un ou plusieurs éléments sélectionné parmi l'Au, l'AI, le Cr, le Ti et le Ni. De plus, un type de conductivité inverse de 25 l'électrode 17 présente sur la couche 16 est également réalisé en un ouplusieurs éléments sélectionnés parmi l'Au, l'AI, le Cr, le Ti et le Ni. Ainsi, ce mode de réalisation permet également d'obtenir un appareil à semi-conducteur d'excellente qualité présentant un faible défaut de réseau cristallin, fait grâce auquel on peut s'attendre à de bonnes caractéristiques. 30 Ici, la structure stratifiée de l'appareil à semiconducteur ne se limite pas à la structure représentée sur la figure 1; il peut s'agir d'une structure dans laquelle des couches de semi- conducteur à nitrure 112 à 117 sont formées sur une surface principale d'un substrat 118, comme l'illustre la figure 8, décrite ci-après, une électrode 111 est formée sur la couche de semiconducteur à nitrure 112 et une autre électrode 119 est formée sur une autre surface principale du substrat 118. Les résultats d'une étude de la surface principale 34 du substrat 10 relativement à la croissance souhaitée de la couche de semi-conducteur à nitrure, ainsi que le plan cristallin 31 le plus approprié, seront décrits ci-après en référence aux modes de réalisation respectifs des figures 1 à 4. Etape lA: D'abord, plusieurs types de substrats en monocristal de ZrB2 10 présentant différents angles de décalage (les angles 01 formés par la ligne 33 normale à la surface principale 34 du substrat 10 et la ligne 32 normale au plan (0001) 31 ont été préparés. La surface du ZrB2 a été nettoyée à l'aide d'un solvant alcalin. Etape 2A: Avant la croissance du semi-conducteur à nitrure, le substrat 10 a été chauffé pendant trois minutes sous atmosphère d'hydrogène (H2) (pression d'air 1), et recuit à 1150 OC pendant une minute. Etape 3A: Ensuite, la température a été réduite pendant cinq minutes, et l'on a fait croître une couche d'AIGaN destinée à servir de couche tampon 11. La température de croissance était de 850 OC et l'épaisseur de la couche était de 20 nm à ce stade. De plus, de l'ammoniac (NH3), du triméthyl-aluminium (TMAI) et du triméthyl-gallium (TMGa) ont été utilisés comme gaz sources, 25 les quantités de NH3, de TMAI et de TMGa fournies étaient de 0,07 mole/min, de 8 pmoles/min et de 11 pmoles/min, respectivement, et 7 slm de H2 ont été utilisés en tant que gaz porteur. Le NH3 a été fourni une minute avant la fourniture du TMA. Etape 4A: Ensuite, la température a été portée à 1150 OC, et l'on a fait croître le GaN servant de couche de semi-conducteur à nitrure 12 jusqu'à une épaisseur d'environ 3 pm. Le N H3 et le TMGa ont été utilisés comme gaz sources, et la quantité de TGMa et de NH3 fournies étaient de 44 pmoles/min et de 0,07 mole/min, respectivement. De plus, 3 slm de H2 ont été utilisés comme gaz porteur. Lors de l'examen microscopique des surfaces des couches de GaN 5 12 après la croissance, des surfaces très inégales, telles que représentées sur la figure 5 (état de surface B) et des surfaces présentant un état lisse, telles que représentées sur la figure 6 (état de surface A) ont été observées, respectivement. La relation entre les angles de décalage des substrats en monocristal 10 de ZrB2 10 et les états d e s urface d es couches q ue l'on a f ait c roître e st illustrée sur la figure 7. Ici, l'angle 02 de déviation par rapport à l'axe cristallin (0001) 32 de la ligne 33 normale à la surface 34 du substrat 10 dans la direction [10-10], l'angle 03 de déviation de celle-ci dans la direction [11-20] et la somme des carrés de ces angles de déviation (= 022 + 032) sont 15 représentés par les lignes 36, 37 et 38, respectivement. Tous les substrats dont la somme des carrés des angles de déviation était inférieure à 0,7 conservaient un bon état de surface, à savoir l'état de surface A. Quant aux substrats dont la somme des carrés des angles de déviation était de 0,70 o u p lus, m ais i nférieure à 1,7 , a ussi b ien l'état d e 20 surface A que l'état de surface B ont été observés. On peut en conclure que ceci résulte de la variation des opérations lors de l'expérience relative à la croissance et des états du dispositif, et l'on pense que l'état de surface A peut être reproduit en réduisant les variations. Dans le cas des substrats dont la somme des carrés des angles de déviation était de 1,70 ou plus, 25 presque tous les substrats ont conservé un état de surface B. D'après ces résultats, il est devenu clair que, afin de faire croître une couche de semi-conducteur à nitrure contenant un ou plusieurs éléments sélectionnés parmi les éléments du groupe 13 pour obtenir un état cristallin approprié, et d'obtenir ainsi un appareil à semi-conducteur possédant 30 d'excellentes caractéristiques, telles que l'efficacité de l'émission de lumière, il était plus souhaitable de faire en sorte que l'angle 01 formé par la ligne 33 normale à la surface principale 34 du substrat 10 et la ligne 32 normale au plan (0001) 31 soit de 0' ou plus, mais inférieur à 1, 70, et que, pour former une couche de semi-conducteur à nitrure de bonne qualité, l'angle du cristal de la surface principale du substrat présente la plage de tolérances susmentionnée. Bien que (1) une couche de croissance de GaN soit formée en utilisant un substrat de ZrB2 dans le mode de réalisation décrit plus haut, il est également possible de former une couche de semi-conducteur à nitrure contenant un élément du groupe 13, telle qu'une couche de croissance de GaN, sur (2) un substrat en monocristal réalisé en TiB2 ou (3) un substrat en 10 monocristal formé de solutions solides de ZrB2 et de TiB2 de la même manière que celle qui est décrite plus haut, et il est possible de modifier et de mettre en oeuvre l'invention de manière appropriée, sans sortir du cadre de l'invention. Les étapes de l'invention vont maintenant être décrites de façon 15 séquentielle ci-après. La f igure 8 e st u ne vue e n coupe représentant u n a ppareil à semiconducteur d'une diode électroluminescente selon un autre mode de réalisation de l'invention. Selon l'invention, il est fait appel à un substrat en monocristal de 2o diborure 118 correspondant à la formule chimique XB2, formule dans laquelle X contient au moins un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf. Ledit substrat peut être réalisé en ZrB2, en TiB2 ou en ZrxTi1-xB2. Cependant, dans le présent mode de réalisation, la description portera sur la croissance en phase vapeur sur un substrat de ZrB2 à l'aide de la méthode 25 MOVPE (épitaxie en phase vapeur organométallique). Etape 1B: Le substrat de ZrB2 118 est nettoyé à l'aide d'un solvant alcalin. Etape 2B: Avant la croissance du semi-conducteur à nitrure, le substrat de 30 ZrB2 118 est chauffé pendant trois minutes sous atmosphère d'hydrogène (H2) (pression d'air 1), et recuit à une température de 1150 OC pendant une minute. Etape 3B: Ensuite, la température a été réduite pendant environ cinq minutes, et une couche tampon de (AIN)x(GaN)1 x 117 a été déposée. Il convient de sélectionner une température de croissance T comprise 5 dans une gamme de 400 C Il convient, en outre, de sélectionner pour la couche de (AIN)x(GaN)i.x 117 une épaisseur comprise entre 10 et 100 nm. Dans le cas d'une telle 10 croissance en phase vapeur, les gaz sources utilisés sont l'ammoniac (NH3) , le triméthyl-aluminium (TMA) et le triméthyl-gallium (TMG); les quantités de TMA et de TMG fournies sont, par exemple, de 7 pmoles/min et de 11 pmoles/min, respectivement, et 7 slm de H2 sont utilisés en tant que gaz porteur. 0,07 mole/min de NH3 sont fournis une minute avant la fourniture du 15 TMA et du TMG. Etape 4B: Ensuite, le substrat est porté à une température de 1150 C, par exemple, et l'on fait croître une couche de contact de n-GaN 116 jusqu'à 3 pm à l'aide de la méthode MOVPE, par exemple. Les gaz sources utilisés 20 sont le NH3 et le TMG, et les quantités de TMG et de NH3 fournies sont, par exemple, de 44 pmoles/min et de 0,07 mole/min, respectivement. 3 slm de H2 sont utilisés en tant que gaz porteur. En outre, sont formées une couche de revêtement 115 en n-AIGaN, une couche émettrice de lumière 114 en GaN, en InGaN ou en un élément 25 analogue, une couche de revêtement 113 en p-AIGaN, une couche de contact 112 en p-GaN et une électrode de type p 111, et une électrode de type n 119 est formée sur la surface arrière du substrat 118. En cas d'utilisation du substrat en monocristal de ZrB2 118, étant donné qu'il est possible de produire une structure dans laquelle une 30 électrode 119 peut être disposée sur la surface arrière du substrat 118, la superficie du dispositif peut être réduite de façon avantageuse. Un exemple d'une expérience menée par les inventeurs va maintenant être présenté. Bien que les étapes 1B à 4B susmentionnées aient été exécutées de façon séquentielle, selon l'exemple, on a fait varier la température de déposition entre 400 OC, 7250C, 850 OC et 1100 OC, et on a fait varier 5 l'épaisseur de la couche entre 10 nm, 20 nm, 50 nm et 80 nm à l'étape 3B, si bien que divers types d'échantillons ont été produits. Les gaz sources étaient l'ammoniac (NH3), le triméthyl-aluminium (TMA) et le triméthyl-gallium (TMG); les quantités de TMA et de TMG fournies étaient de 7 pmoles/min et de 11 p moles/min, respectivement, et 10 7 slm de H2 ont été utilisés en tant que gaz porteur. 0,07 mole/min de NH3 ont été fournis une minute avant la fourniture du TMA et du TMG. Ensuite, à l'étape 4B, le substrat a été porté à 1150 OC, et l'on a fait croître du GaN jusqu'à environ 3 pm. Les gaz sources utilisés étaient le NH3 et le TMG, et les quantités de TMG et de NH3 fournies étaient de 44 pmoles/min et de 15 0,07 mole/min, respectivement. 3 slm de H2 ont été utilisés en tant que gaz porteur. Les résultats de l'expérience pour les divers types d'échantillons obtenus en faisant varier la température de déposition et l'épaisseur des couches à l'étape 3B, comme décrit plus haut, sont présentés sur la figure 9. 20 La figure 9 présente des photographies des surfaces de couches de GaN dans le cas de la croissance de la couche de (AIN),(GaN)1 117 à des températures de 400 OC ou moins, de 850 C et de 1100 C ou plus. En outre, la valeur de x et la largeur de demi-atténuation de courbe d'oscillation du balayage oméga du plan (0002) à l'aide d'une méthode de 25 diffraction des rayons X sont indiquées à droite de la description de la température fournie sur chacune des figures 9 (se reporter au Tableau 2). La valeur de x provient de données obtenues en mesurant les couches de (AIN)x(GaN)vx que l'on a fait croître dans les mêmes conditions, à l'aide de la méthode EDX. [Tableau 2] Exemple de Température Largeur de Figure 9 travail / de dépôt T x demiexemple (OC) atténuation comparatif (secondes) (1) Exemple 400 ou moins 0,8 comparatif 1 (2) Exemple de 725 0,6 760 travail 1 (3) Exemple de 850 0,5 596 travail 2 (4) Exemple de 925 0,4 travail 3 (5) Exemple 1100 ou plus 0,25 873 comparatif 2 Comme cela ressort de ces résultats, la couche de GaN n'a pas été 5 formée à 4000C ou moins, et ledit film présentait une forme de surface hexagonale à 1100 OC ou plus. L es c ouches d e G aN a vaient u ne s urface lisse à 850 0C et à 750 OC. Ici, la largeur de demi-atténuation de la courbe d'oscillation était de 1000 secondes ou moins dans chaque cas dans lequel la température de croissance T était supérieure à 400 OC et inférieure à 10 1100 oC. La relation entre l'épaisseur de la couche de (AIN)x(GaN)1x déposée à 850 OC et la largeur de demi-atténuation de la courbe d'oscillation du balayage oméga du plan (0002) à l'aide de la méthode diffraction des rayons X est illustrée sur la figure 10. Lorsque l'on a fait croître la couche en 15 sélectionnant une épaisseur inférieure à 10 nm, son état de surface est devenu le même que celui obtenu à des températures de déposition de 400OC ou moins. On voit d'après la courbe que la largeur de demiatténuation passe à 1000 secondes ou moins entre des épaisseurs de film de 10 nm et 100 nm. En outre, à titre de comparaison, selon l'exemple comparatif 3, une fois que la couche d'AIN a été déposée sur le substrat de ZrB2 à 600 0C, on a fait croître le GaN jusqu'à environ 3 pm à 1150 OC. Les gaz sources utilisés 5 lors de la croissance de la couche de AIN étaient le NH3 et le TMA. Les quantités de TMA et de NH3 fournies en tant que sources étaient de 3,5 pmoles/min et de 0,07 mole/min, respectivement, et 2 slm de H2 ont été utilisés comme gaz porteur. Les conditions autres que celles mentionnées plus haut étaient les mêmes que celles utilisées pour la couche de 10 (AIN),(GaN)i. x. La largeur de demi-atténuation de la courbe d'oscillation du balayage oméga du plan (0002) par diffraction des rayons X était d'environ 1000 secondes. De plus, dans l'exemple comparatif 4, au lieu de faire croître la couche de (AIN)x(GaN)1-x (0 Lors de cette croissance en phase vapeur de la couche de GaN à une température de dépôt de 400 C, les conditions étaient les mêmes que celles 20 utilisées pour la couche d'AIN, sauf que le TMG a remplacé le TMA en tant que source. En raison de ce type de production de l'exemple comparatif 3, la couche de GaN s'est exfoliée du substrat de ZrB2 immédiatement après la croissance. Ici, l'invention ne se limite pas au mode de réalisation décrit plus haut et d iverses m odifications e t a méliorations p ourront I ui être a pportées sans sortir du cadre de l'invention. Par exemple, bien qu'un substrat de ZrB2 ait été utilisé pour former la substrat en monocristal, une expérience a permis de confirmer que l'utilisation d'un substrat dont la formule chimique est XB2, 30 X étant le Ti, le Nb ou le Hf, ou une combinaison de ceux-ci, à la place du substrat décrit plus haut, permettait également d'exécuter les opérations et d'obtenir les effets de l'invention. Selon l'invention, un substrat en monocristal de diborure 218 désigné par la formule chimique XB2, dans laquelle X contient au moins un des éléments suivants: le Ti, le Zr, le Nb et le Hf, est utilisé. Ledit substrat 218 peut être un substrat de ZrB2, de TiB2 ou de 5 ZrxTi1xB2; cependant, c'est la croissance en phase vapeur sur un substrat de ZrB2 218 à l'aide de la méthode MOVPE qui sera décrite dans le présent mode de réalisation. Etape 1C: Le substrat de ZrB2 218 est nettoyé à l'aide d'un solvant alcalin. 10 Etape 2C: Avant la croissance d'une couche de semi-conducteur à nitrure 217, le substrat de ZrB2 218 est chauffé pendant trois minutes sous atmosphère d'hydrogène (H2) (pression d'air 1), et recuit à une température de 1150 C pendant une minute. Etape 3C: Ensuite, la température est réduite pendant environ cinq minutes, et une couche d'AIN 217, qui est une couche tampon à basse température, est déposée. A ce stade, Il convient de sélectionner une température de croissance 20 T comprise dans une plage de 800 C ou moins, et de faire croître la couche d'AIN 217 à partir de la phase vapeur. Ici, dans le présent mode de réalisation, la valeur sélectionnée pour la température est de 600 OC. Il convient, en o utre, d e c hoisir p our I a c ouche d 'AIN 2 17 u ne é paisseur d e 10 nm à 250 nm. Ici, dans le présent mode de réalisation, l'épaisseur 25 sélectionnée est de 20 nm. Lors d'une telle croissance en phase vapeur, l'ammoniac (NH3), le triméthyl-aluminium (TMA) et le triméthyl-gallium (TMG) sont utilisés en tant que gaz sources, les quantités de NH3 et de TMA fournies sont, par exemple, de 0,07 mole/min et de 3,5 pmoles/min, respectivement, et 4 slm 30 de H2 sont utilisés comme gaz porteur. Du NH3 est fourni une minute avant la fourniture du TMA. Etape 4C: Ensuite, le substrat est porté à 1150 OC, par exemple, et l'on fait croître une couche de contact de p-GaN 216 jusqu'à environ 3 pm à l'aide de la méthode MOVPE, par exemple. Les gaz sources utilisés sont le NH3 et le 5 TMG, et les quantités de TMG et de NH3 fournies sont, par exemple, de 44 pmoles/min et de 0,07 mole/min, respectivement. 3 slm de H2 sont utilisés comme gaz porteur. Une couche de revêtement 215 en n-GaN, une couche émettrice de lumière 214 en InN, en InGaN ou en un élément analogue, une couche de 10 revêtement 213 e n p-GaN et une couche de contact 212e n p-GaN sont formées sur la couche de contact de type p 216, dans cet ordre, et une électrode de type p 211 est également formée. Une électrode de type n 219 est formée sur la surface arrière du substrat 218. Lorsque l'on observe les surfaces des couches de GaN 216 après la 15 croissance, on constate la présence d'une surface inégale, telle que représentée sur la figure 13 (état de surface B), et d'une surface lisse, telle que représentée sur la figure 14 (état de surface A). La relation entre l'angle de décalage 01 du substrat en monocristal de ZrB2 218 et l'état de surface de la couche que l'on a fait croître est illustrée 20 sur la figure 12. Ici, l'angle 04 de déviation d'une normale 33 (se reporter à la figure 12 susmentionnée) sur une surface du substrat 218 par rapport à l'axe 32 du cristal [0001] dans la direction [10-10], l'angle 05 de déviation de la normale dans la direction [11-20] et la somme des carrés (= 042 + 052) desdits angles sont désignés par les lignes 236, 237 et 238, respectivement, 25 sur la figure 12. Tous les substrats dont la somme des carrés de l'angle de décalage est de 0,35 degré ou moins conservent l'état de surface A. Dans le cas des substrats dont la somme des carrés des angles de décalage se situe entre 0,35 degré et 0,55 degré, on constate la présence aussi bien d'un état de surface A que celle d'un état de surface B. On peut en conclure que 30 ceci résulte des variations des opérations exécutées lors de l'expérience menée sur la croissance et des états du dispositif, et l'on pense que l'état de surface A peut être reproduit en réduisant les variations. Tous les substrats dont la somme des carrés des angles de décalage est de 0,55 degrés ou plus conservent l'état de surface B. Ici, l'invention ne se limite pas au mode de réalisation décrit ci-dessus, et d iverses m odifications e t a méliorations p ourront I ui ê tre a pportées sans 5 sortir du cadre de l'invention. Par exemple, bien qu'un substrat de ZrB2 ait été utilisé pour former le substrat en monocristal de diborure 218, une expérience a permis de confirmer que l'utilisation d'un substrat dont la formule chimique est XB2, X étant le Ti, le Nb ou le Hf, ou une combinaison de ceux-ci, à la place du substrat décrit plus haut, permettait également 10 d'exécuter les opérations et d'obtenir les effets de l'invention. La figure 15 est un schéma de procédé illustrant une méthode de production d'un dispositif de semi-conducteur à nitrure selon un mode de réalisation de l'invention, et la figure 16 représente la structure cristalline d'un s ubstrat e n m onocristal 310 présentant une structure cristalline ayant 1 5 une symétrie cristalline hexagonale. L'étape consistant à faire croître une couche de semi-conducteur à nitrure 313 sur une surface principale du substrat en monocristal 310 va maintenant être décrite. Le substrat 310 utilisé dans l'invention est un substrat en monocristal 20 de diborure ayant une caractéristique métallique ou semi-métallique et dont la structure cristalline est une structure à symétrie hexagonale. De préférence, en cas de l'utilisation d'un substrat en monocristal de diborure désigné, par exemple, par la formule ZrB2 pour former le substrat en monocristal 310, comme représenté sur la figure 16, il convient de faire 25 du plan (0001) la surface principale du substrat. De plus, par comparaison avec une matière isolante, ledit substrat en monocristal 310 présente le même niveau de conductivité électrique que celui d'une matière semi-métallique étant donné qu'il est présente une conductivité électrique élevée. Quant au ZrB2, dont la constante de réseau cristallin a est de 3,170, par comparaison avec celle du GaN d'une structure de wurtzite (constante de réseau cristallin: a = 3,189 A), son rapport de désadaptation de réseau est de 0,60 % (=3,189-3,170/3,170), ce qui est faible, et la différence de coefficient de dilatation thermique est de 2,7 x 10-6/K; par conséquent, il permet l'obtention d'une combinaison dont le niveau d'adaptation est extrêmement élevé, si bien qu'il est possible d'obtenir un semi-conducteur à 5 nitrure de bonne qualité dont les défauts du réseau cristallin et les contraintes subies par le substrat et le semi- conducteur à nitrure sont peu importants. Lors de la croissance du cristal de la couche tampon 311, il est fait appel à une méthode d'épitaxie par jets moléculaires (EJM), à une méthode 10 d'épitaxie en phase vapeur organométallique (MOCVD), à une méthode d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE), à une méthode de sublimation, et à des méthodes analogues. De plus, ces méthodes de croissance peuvent être utilisées en combinaison. Par exemple, il est possible d'utiliser la méthode EJM ou la 15 méthode MOCVD, ce qui permet de faire croître un cristal, tout en en contrôlant l'état de surface, pour ce qui est de la croissance épitaxiale initiale, et d'utiliser la méthode HVPE, grâce à laquelle il est possible d'atteindre des vitesses de croissance élevées, lorsqu'une couche mince de GaN 311 de grande épaisseur est requise. D'abord, une couche tampon 311 est formée, puis sont formés un semiconducteur à nitrure 312 et un semi-conducteur à nitrure 313 présentant la structure en couches requise. On fait croître la couche tampon 311 et les semi-conducteurs à nitrure 312 et 313 à partir de la phase vapeur à des températures de croissance comprises de 600 'C à 1100 OC. Lorsque la croissance d'un cristal a lieu ainsi, le substrat 310 est chauffé par conduction thermique à partir d'un suscepteur chauffé par un dispositif de chauffage ou appareil analogue. De l'énergie thermique provenant du suscepteur est acheminée thermiquement vers le substrat en monocristal (un substrat en ZrB2) 310 par contact thermique. En outre, de 3u l'énergie thermique est émise sous la forme de rayonnement thermique (rayonnement infrarouge) à partir de la surface du suscepteur, autrement que par contact thermique. Le substrat en monocristal 310, réalisé sous la forme d'un substrat métallique ou semi-métallique, absorbe le rayonnement thermique, et est chauffé. Lorsqu'il est chauffé, le Zr et le B diffusent faiblement dans les semi-conducteurs à nitrure 312 et 313. L'étape d'érosion et d'élimination par attaque chimique du substrat en monocristal 310 va maintenant être décrite. En appliquant un traitement de revêtement de résist à l'ensemble de la surface de la couche épaisse de GaN 313 produite, à l'aide d'un photorésist 314, et en procédant à une attaque chimique à l'aide d'une solution d'attaque ayant une caractéristique d'attaque sélective avec le 10 substrat en ZrB2 310, ce dernier est entièrement érodé. Ensuite, en exfoliant le photorésist 314 à l'aide d'une solution d'exfoliation, on obtient un appareil à semi-conducteur réalisé à partir d'une couche épaisse de GaN 311, ainsi que des couches 312 et 313. Ainsi, selon le procédé de production d'un appareil à semi-conducteur 15 selon l'invention, en passant par les étapes susmentionnées, il est possible de produire un appareil à semi-conducteur à nitrure présentant une faible densité de dislocations et aucune dislocation courbe, et il est possible d'obtenir un appareil à semi-conducteur à nitrure de grande qualité sans inclinaison de l'orientation cristalline dans la direction horizontale du substrat, 20 et sans génération d'un point de concentration de dislocations, dans le plan, de l'appareil à semi- conducteur. Un mode de réalisation de l'invention selon lequel un appareil à GaN est obtenu à l'aide d'un substrat en monocristal de ZrB2 310 va maintenant être décrit. Lors du procédé illustré sur la figure 15, les étapes A à F sont exécutées séquentiellement. Etape 1 D: Un exemple de la formation et de la croissance d'une couche tampon 311 en GaN sur un substrat 310 du plan (0001) de ZrB2 en utilisant à la fois 30 la méthode MOCVD et la méthode HVPE est représenté. On fait croître une couche tampon 311 à partir de la phase vapeur à l'aide d e I a m éthode M OCVD s ur u n s ubstrat e n m onocristal d e ZrB2 310 ayant une orientation de plan (0001). Comme l'illustre la figure 15A, le substrat 310 du plan (0001) du ZrB2 est placé dans un four de croissance MOCVD, et la température du substrat de ZrB2 310 est portée à 800 0C sous vide poussé afin de déclencher la 5 croissance du cristal. Ensuite, la température est réduite à 600 OC pour faire croître la couche tampon 311. Cette dernière est en AlGaN, dont les matières de départ sont le triméthyl-aluminium (désigné ci-après par l'abréviation TMA) le triméthyl-gallium (désigné ci-après par l'abréviation TMG) et le gaz ammoniac, et l'on fait croître la couche tampon jusqu'à une 10 épaisseur de 0,1 prm. Etape 2D: Comme représenté sur la figure 15 B, la température du substrat 310 est portée à 1050 OC, et l'on fait croître une première couche de semiconducteur 312 à l'aide de la méthode MOCVD. La première couche de semi-conducteur 312 est réalisée en GaN, dont les matières de départ sont le TMG et le gaz ammoniac, et on la fait croître jusqu'à une épaisseur de 1 pm. Etape 3D: Le substrat 312, que l'on a fait croître comme illustré sur la figure 15 20 B, est retiré et transféré dans un four HPVE, dans lequel on fait croître une seconde couche de semi-conducteur 313 comme illustré sur la figure 15C. La méthode HPVE convient à la production d'une couche épaisse, d'une épaisseur allant de plusieurs vingtaines de pm jusqu'à plusieurs centaines de pm, étant donné que la vitesse de croissance selon cette 25 méthode dépasse celle de la méthode MOCVD. La seconde couche de semi- conducteur 313 est en GaN, dont les matières de départ sont le chlorure de gallium et le gaz ammoniac, et on la fait croître jusqu'à 300 pm. Etape 4D: Ensuite, le substrat que l'on a fait croître comme illustré sur la figure 30 15C est retiré, et une surface de la seconde couche de GaN 313 est revêtue d'un photorésist 314 par centrifugation et est soumise à un traitement de cuisson, comme illustré sur la figure 15D. Etape 5D: Ensuite, comme illustré sur la figure 15E, le substrat de ZrB2 310 est entièrement érodé à l'aide d'une solution d'attaque chimique constituée d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique. La solution d'attaque constituée d'acide nitrique et d'acide fluorhydrique possède une sélectivité excellente, étant donné que le rapport de la vitesse d'attaque du GaN à celle du ZrB2 est de 100 fois ou plus. Etape 6D: Ensuite, le photorésist 314 est exfolié par une solution d'exfoliation, 10 comme illustré sur la figure 15F, si bien qu'un appareil à semi-conducteur de GaN formé par une couche épaisse de GaN 313 peut être obtenu. L'invention peut être mise en oeuvre sous d'autres formes spécifiques sans s'écarter de l'esprit ou des caractéristiques essentielles de celle- ci. Les présents modes de réalisation sont donc censés être présentés, à tous les 15 égards, à titre d'illustration et ne pas être restrictifs, laportée de l'invention étant précisée par les revendications annexées, et non pas par la description qui précède, et toutes modifications qui tombent sous le sens et qui s'inscrivent parmi les éléments équivalents des revendications sont donc censées être englobées dans celle-ci. REVENDICATIONS 1. Appareil à semi-conducteur, comportant: un substrat réalisé en monocristal de diborure de formule chimique XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, NbetHf; une couche tampon de semi-conducteur formée sur une surface principale du substrat et réalisée en AlyGalyN (O 2. Appareil à semi-conducteur, comportant: un substrat réalisé en monocristal de diborure de formule chimique XB2, dans lequel X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf; 1 5 une couche tampon de semi-conducteur formée sur une surface principale du substrat et réalisée en (AIN).(GaN)1-x (0 3. Appareil à semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le substrat est en ZrB2 ou en TiB2. 4. Appareil à semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le substrat est réalisé à partir d'une solution solide contenant un ou plusieurs éléments-impuretés en un pourcentage atomique de 5 ou moins, 25 un élément-impureté ou plusieurs éléments-impuretés étant sélectionnés dans un groupe composé du Ti, du Cr, du Hf, du V, du Ta et du Nb lorsque le substrat est en ZrB2, ou sélectionnés dans un groupe composé du Zr, du Cr, du Hf, du V, du Ta et du Nb lorsque le substrat est en TiB2. 5. Appareil à semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, dans 30 lequel la couche tampon à semi-conducteur est l'AIN. 6. Appareil à s emi-conducteur s elon l a revendication 5, d ans l equel l'épaisseur de la couche tampon de semi-conducteur en AIN se situe dans une plage de 10 à 250 nm. 7. Appareil à semi-conducteur selon la revendication 2, dans lequel l'épaisseur de la couche tampon de semi-conducteur en (AIN)x (GaN)1.x se situe dans une plage de 10 à 100 nm. 8. Appareil à semi-conducteur selon la revendication 2, dans lequel x de la couche tampon de semi-conducteur en (AlN)x (GaN)1x est tel que 0,1 9. Appareil à semi-conducteur selon la revendication 2, dans lequel x de la couche tampon de semi-conducteur en (AlN)x (GaN)l.x est tel que 10 0,4 10. Appareil à semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel l'angle 01 formé par une ligne normale à la surface principale du substrat et une ligne normale au plan (0001) du substrat est de 0 _ 11. Appareil à semi-conducteur selon la revendication 5, dans lequel 15 lI'angle 01 formé par une ligne normale à la surface principale du substrat et une ligne normale du plan (0001) du substrat est de 0 12. appareil à semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le substrat est érodé et éliminé par attaque. 13. Procédé pour faire croître un semi-conducteur à nitrure, 20 comprenant les opérations consistant: sur un substrat réalisé en monocristal de diborure de formule chimique XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf, à faire croître une couche en AlyGa1lyN (0 14. Procédé pour faire croître un semi-conducteur à nitrure, comprenant les opérations consistant: sur un substrat réalisé en monocristal de diborure de formule 30 chimique XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf, à faire croître une couche de (AlN)x(GaN)1-x (0 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l'épaisseur de la couche de (AIN),(GaN)1-x se situe dans une plage de 10 à 100 nm. 16. Procédé pour faire croître un semi-conducteur à nitrure, comprenant les opérations consistant: sur le plan [0001] d'un substrat réalisé en monocristal de diborure de 10 formule chimique XB2, dans laquelle X comprend au moins l'un des éléments suivants: Ti, Zr, Nb et Hf, à faire croître une couche de AIN à partir de la phase vapeur de sorte que l'angle de déviation d'une normale à une surface du substrat à partir d'une direction [0001] devienne égal à 0,55 degré ou moins, et, ensuite, à faire croître une couche de semi-conducteur à nitrure 15 comprenant au moins un type sélectionné parmi les éléments du groupe 13 et As à partir de la phase vapeur. 17. Procédé selon la revendication 16, dans lequel l'épaisseur de la couche de AIN est de 10 à 250 nm. 18. Procédé pour produire un appareil à semi-conducteur, 20 comprenant l'opération consistant: à éroder et éliminer un substrat en monocristal de diborure d'un appareil à semi-conducteur obtenu à l'aide du procédé pour faire croître des semi- conducteurs à nitrure selon l'une quelconque des revendications 14 à 17 par attaque. 19. Procédé pour produire un appareil à semi-conducteur, comportant les étapes consistant: à produire, en faisant croître un cristal, une couche de semiconducteur à nitrure sur une surface principale d'un substrat en monocristal ayant une symétrie cristalline hexagonale, présentant des propriétés de 30 conductivité électrique; et à éroder et éliminer par attaque le substrat en monocristal. 20. Procédé selon la revendication 19, dans lequel le substrat en monocristal est un substrat en monocristal de diborure de formule XB2, X comprenant au moins un des éléments suivants: Zr et Ti. 21. Procédé selon la revendication 19, dans lequel, lors de la croissance de la couche de semi-conducteur à nitrure à partir de la phase 5 vapeur, la couche de semi-conducteur à nitrure que l'on fait croître initialement est une couche de AIxGa1 N (O 22. Procédé selon la revendication 19, dans lequel une solution mixte contenant au moins de l'acide nitrique et de l'acide fluorhydrique est utilisée pour l'attaque.