FR 2851821 A1 20040903 FR 0401945 A 20040226 DISPOSITIF DE DETECTION DE PRESSION DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention se rapporte d'une façon générale à un 5 dispositif de détection de pression et plus particulièrement à un dispositif de détection de pression comprenant un substrat de semiconducteur en tant qu'élément de détection de pression et un élément de transmission de pression pour transmettre la pression vers le substrat de semiconducteur, l'élément de détection de 10 pression et l'élément de transmission de pression étant reçus dans un boîtier. ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION Un substrat de semiconducteur présentant un effet 15 piézoélectrique fournit en sortie un signal électrique en fonction de la pression appliquée dans une *direction d'espacement entre les surfaces à la fois avant (supérieure) et arrière du substrat de semiconducteur, c'est-à-dire dans le sens de l'épaisseur du substrat de semiconducteur. Une variation de 20 résistance du substrat de semiconducteur qui correspond à une déformation provoquée par une application de pression est utilisée pour mesurer la pression. Les documents JP-A-7-253 364, JP-A-7-19 981 et le brevet japonais NO 3 166 015 décrivent des dispositifs de détection de 25 pression qui comprennent un substrat de semiconducteur comme élément de détection de pression. Dans ces dispositifs de détection de pression, un substrat de semiconducteur et un élément de transmission de pression destinés à transmettre une pression vers le substrat de semiconducteur sont logés dans un 30 boîtier métallique. En outre, la surface avant du substrat de semiconducteur est équipée d'une électrode de détection, la périphérie extérieure du substrat de semiconducteur est équipée d'un élément de conducteur et l'électrode ainsi que l'élément de conducteur sont reliés l'un à l'autre par une liaison par fil 35 pour recevoir un signal. Lorsqu'un tel dispositif de détection de pression tel que celui décrit cidessus est appliqué à un capteur de pression de combustion destiné à un moteur, la partie de logement de l'élément de transmission de pression du boîtier est insérée 40 dans un trou du bloc-moteur, et la pression dans la chambre de 2 2851821 combustion est reçue par l'élément de transmission de pression et transmise au substrat de semiconducteur afin de détecter ainsi la pression. Les exigences de conception actuelles imposent que les 5 moteurs soient compacts et légers. En conséquence, l'espace de montage du dispositif de détection de pression doit également être de taille réduite. Pour cette raison, il est également nécessaire de réduire le diamètre (la taille) du dispositif de détection de pression, c'est-à-dire le diamètre (la taille) du 10 boîtier. Cependant, le dispositif de détection de pression classique présente une contrainte qui a empêché une réduction de la taille du boîtier. Plus particulièrement, dans le dispositif de détection de pression classique tel que décrit ci-dessus, comme 15 l'élément de semiconducteur et l'élément de conducteur sont liés l'un à l'autre par une liaison par fil, l'élément de conducteur est situé à la périphérie extérieure du substrat de semiconducteur. Pour cette raison, la partie de liaison par fil contenant l'élément de conducteur est de taille plus grande que 20 le substrat de semiconducteur, et le diamètre du boîtier est défini par la taille de la partie de liaison par fil, qui est la plus grande des pièces logées dans le boîtier. Plus précisément, le diamètre minimum du boîtier est contraint par la taille de la partie de liaison par fil. Cependant, comme la partie de liaison 25 par fil est plus grande que le substrat de semiconducteur, une restriction est imposée à la réduction de taille du dispositif de détection de pression. En ce qui concerne ce problème, l'inventeur a effectué une expérimentation en concevant le dispositif de détection de 30 pression pour inclure des électrodes équipant les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur. De même, le substrat de semiconducteur était pris en sandwich par une partie du boîtier métallique et des éléments de conducteurs. En conséquence, aucune liaison par fil ne devait être nécessaire 35 pour la sortie de connexion des électrodes sur à la fois les surfaces avant et arrière concernées et la taille (le diamètre) du boîtier a pu être réduite. Avec cette conception, pour pouvoir établir une conductivité électrique, le boîtier au niveau du côté de la surface avant du 40 substrat de semiconducteur, c'est-à-dire le boîtier au niveau du s 4 côté recevant la pression du substrat de semiconducteur, doit être formé de métal. Plus particulièrement, si le boîtier entier est formé de métal, on pourrait simplement s'attendre à pouvoir choisir une conception de sortie de connexion d'électrodes du 5 type substrat de semiconducteur pris en sandwich. Cependant, si le boîtier entier est formé de métal, dans le cas du capteur de pression de combustion qui est décrit ci-dessus ou autre, une première extrémité du boîtier est exposée à un environnement de mesure à haute température dans une chambre de combustion ou 10 autre et la forte chaleur de la chambre de combustion ou autre est transmise par l'intermédiaire du boîtier au substrat de semiconducteur relié à une partie du boîtier. Pour cette raison, le substrat de semiconducteur passe à une haute température, ce qui peut provoquer une erreur de fonctionnement et conduire à 15 des difficultés de fonctionnement. RESUME DE L'INVENTION Pour cette raison, la présente invention a été réalisée au vu des problèmes qui précèdent, et a pour premier objectif de 20 fournir un dispositif de détection de pression présentant une conception correcte pour permettre une réduction de la taille (du diamètre) d'un boîtier. Un second objectif est de procurer un dispositif de détection de pression qui permet de réduire l'augmentation de température du substrat de semiconducteur tout 25 en réduisant le diamètre (la taille) du boîtier. Le dispositif de détection de pression comprend un substrat de semiconducteur destiné à fournir en sortie un signal électrique conformément à une pression appliquée dans une direction selon laquelle à la fois les surfaces avant et arrière 30 du substrat de semiconducteur sont espacées l'une de l'autre, un élément de transmission de pression présentant des propriétés électriquement conductrices et qui équipe le côté de la surface avant du substrat de semiconducteur pour transmettre une pression au côté de la surface avant du substrat de 35 semiconducteur, et un boîtier dans lequel le substrat de semiconducteur et l'élément de transmission de pression sont logés. Le substrat de semiconducteur comporte une première électrode sur sa surface avant et une seconde électrode sur sa 40 surface arrière de sorte qu'un signal électrique peut être fourni en sortie par la première électrode et la seconde électrode lorsque la pression est appliquée. La première électrode est reliée électriquement à l'élément de transmission de pression. Un élément de conducteur électriquement indépendant du boîtier est logé dans le boîtier au niveau du côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur. L'élément de conducteur et la seconde électrode du substrat de semiconducteur sont reliés électriquement l'un à l'autre. Conformément au premier aspect de cette invention, le dispositif à semiconducteur est conçu de manière à ce que les électrode équipent ses surfaces avant et arrière et qu'à la fois les surfaces avant et arrière sont prises en sandwich par l'élément conducteur transmettant la pression et l'élément de 15 conducteur, de sorte qu'une liaison par fil n'est nécessaire pour la sortie de connexion de l'électrode sur aucune des surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur. Pour cette raison, conformément à ce premier aspect, un dispositif de détection de pression présentant une conception convenable pour 20 réduire la taille d'un boîtier peut être procurée. En outre, conformément à un second aspect de cette invention, dans le dispositif de détection de pression du premier aspect, la première électrode est disposée à la partie périphérique sur la surface avant du substrat de semiconducteur, 25 la pression provenant de l'élément de transmission de pression est transmise à la partie centrale de la surface avant du substrat de semiconducteur, et la première électrode ainsi que l'élément de transmission de pression sont reliés électriquement l'un à l'autre par l'intermédiaire d'un matériau conducteur 30 adhésif. Conformément à cet aspect, la pression provenant de l'élément de transmission de pression est directement appliquée au substrat de semiconducteur par l'intermédiaire de la première électrode afin d'empêcher ainsi ou de limiter significativement 35 la perte de transmission de la pression. De plus, conformément à un troisième aspect de cette invention, la première électrode selon le premier aspect est conçue en forme d'anneau. Conformément à cet aspect, la première électrode est conçue de façon à entourer l'élément de 40 transmission de pression équipant la partie centrale de la j v-jt surface avant du substrat de semiconducteur. Pour cette raison, la liaison entre l'élément de transmission de pression et la première électrode peut être exécutée facilement par le matériau conducteur adhésif. Conformément à un quatrième aspect de cette invention, le substrat de semiconducteur selon le premier aspect est un substrat de silicium de type N présentant une direction de plan correspondant au plan (110). La pression provenant de l'élément de transmission de pression est transmise à la partie centrale 10 de la surface avant du substrat. Le substrat comprend une première couche de diffusion de type N équipant la partie périphérique sur la surface avant du substrat de silicium de type N, une couche de jauge à diffusion de type P qui est formée de façon continue afin de s'étendre depuis le voisinage de la 15 première couche de diffusion de type N en passant par la partie centrale du substrat de silicium de type N jusqu'à l'autre partie périphérique, et une seconde couche de diffusion de type N équipant la surface arrière du substrat de silicium de type N. La couche de jauge à diffusion de type P est reliée 20 électriquement à la première électrode au niveau de l'autre partie périphérique sur la surface avant du substrat de silicium de type N et la seconde couche de diffusion de type N est reliée électriquement à la seconde électrode sur la surface arrière du substrat de silicium de type N. Une troisième électrode destinée 25 à relier électriquement la première couche de diffusion de type N et la couche de jauge à diffusion de type P équipe la partie périphérique de la surface avant du substrat de silicium de type N. Le substrat de semiconducteur du dispositif de détection de 30 pression conforme au premier aspect de cette invention peut être construit comme décrit ci-dessus. Conformément au substrat de semiconducteur comprenant le substrat de silicium de type N qui présente une direction de plan correspondant au plan (110), la direction de la pression peut être exécutée comme suit. Une tension est appliquée au substrat de semiconducteur, ou, plus particulièrement, au substrat de silicium de type N de manière à ce que la seconde électrode soit placée à un potentiel positif et que la première électrode soit placée à un potentiel négatif grâce à l'élément de transmission de pression et à 40 l'élément de conducteur. + .* Dans ce cas, le courant circule depuis la seconde électrode au travers de la seconde couche de diffusion de type N, l'intérieur du substrat de silicium de type N, la première couche de diffusion de type N, la troisième électrode, la couche 5 de jauge à diffusion de type P et la première électrode, dans cet ordre. A ce moment, dans la couche de jauge à diffusion de type P, le courant circule principalement le long de la direction de l'axe du cristal . Lorsqu'une pression est appliquée au substrat de silicium de 10 type N dans la direction d'espacement à la fois les surfaces avant et arrière et donc que le substrat de silicium de type N est déformé dans le sens de l'épaisseur de celui-ci, la valeur ohmique le long de la direction de l'axe du cristal dans la couche de jauge à diffusion de type P varie. Donc, la 15 détection de la pression peut être exécutée en fournissant en sortie la variation de courant ou de tension provoquée par l'application de la pression, sous forme d'un signal électrique provenant de la première électrode et de la seconde électrode. En outre, conformément à un cinquième aspect de cette 20 invention, la couche de jauge à diffusion de type P présente une forme telle que la direction longitudinale de la résistance se trouve le long de la direction de l'axe du cristal du substrat de silicium de type N au niveau de la partie centrale de la surface avant du substrat de silicium de type N. 25 Conformément à cet aspect de l'invention, la variation de la valeur ohmique dans la direction de l'axe du cristal dans la couche de jauge à diffusion de type P peut être intensifiée au niveau de la partie centrale de la surface avant du substrat de silicium de type N à laquelle la pression est appliquée 30 depuis l'élément de transmission de pression, et donc la détection de pression peut être exécutée avec une haute précision. De plus, conformément à un sixième aspect de cette invention, le substrat de semiconducteur selon le premier aspect 35 est un substrat de silicium de type P présentant une direction de plan correspondant au plan (110) . La pression provenant de l'élément de transmission de pression est transmise à la partie entière sur la surface avant du substrat de silicium de type P. Le substrat comprend une première couche de diffusion de type P 40 reliée électriquement à la première électrode et équipant la surface avant du substrat de silicium de type P, une seconde couche de diffusion de type P électriquement reliée à la seconde électrode et équipant la surface arrière du substrat de silicium de type P, et la première couche de diffusion de type P ainsi 5 que la seconde couche de diffusion de type P sont respectivement disposées au niveau d'une partie périphérique et de l'autre partie périphérique qui sont l'une en face de l'autre au travers de la partie centrale du substrat de silicium de type P le long de la direction de l'axe du cristal . Le substrat de semiconducteur conforme au premier aspect peut être construit comme on l'a décrit ci-dessus. Conformément au substrat de semiconducteur comprenant le substrat de silicium de type P dont la direction du plan correspond au plan (110), la détection de la pression peut être exécutée comme suit. Lorsqu'une tension est appliquée entre la première électrode et la seconde électrode par l'intermédiaire de l'élément de transmission de pression et de l'élément de conducteur, le courant circule depuis l'une des première et seconde couches de diffusion de type P par l'intérieur du substrat de silicium de 20 type P vers l'autre couche de diffusion de type P principalement le long de la direction de l'axe du cristal . Lorsqu'une pression est appliquée au substrat de silicium de type P dans la direction de l'espacement à la fois des surfaces avant et arrière de celui-ci et que donc le substrat de silicium 25 de type P est déformé dans son sens de l'épaisseur, la valeur ohmique le long de la direction de l'axe du cristal dans le substrat de silicium de type P varie. Pour cette raison, la détection de la pression peut être exécutée en fournissant en sortie la variation de courant ou de tension provoquée par 30 l'application de la pression en tant que signal électrique provenant des première et seconde électrodes. En outre, conformément à un septième aspect de cette invention, le substrat de silicium de type P selon le sixième aspect est conçu suivant une forme de plan rectangulaire, la 35 direction de l'axe de cristal de celui-ci suit une direction de diagonale du substrat de silicium de type P, et la première couche de diffusion de type P (201) ainsi que la seconde couche de diffusion de type P (202) sont l'une en face de l'autre le long de la direction de la diagonale du substrat 40 de silicium de type P. Conformément au septième aspect de cette invention, dans le substrat de silicium de type P rectangulaire, la distance entre la première couche de diffusion de type P et la seconde couche de diffusion de type P est augmentée, c'est-à-dire que la ligne 5 de courant le long de la direction de l'axe du cristal peut être allongée, et que la variation de la valeur ohmique peut être intensifiée, de manière à ce que la sensibilité de la détection puisse être améliorée. Conformément à un huitième aspect de cette invention, le 10 substrat de semiconducteur selon le premier aspect est un substrat de silicium de type P présentant une direction de plan correspondant au plan (110). La pression provenant de l'élément de transmission de pression est transmise à la partie centrale de la surface avant du substrat de silicium de type P. Le 15 substrat comprend une couche de jauge à diffusion de type P électriquement reliée à la première électrode au niveau d'une partie périphérique du substrat de silicium de type P et sur la surface avant du substrat de silicium de type P. La couche de jauge à diffusion de type P présente une forme telle qu'elle 20 s'étend depuis la partie périphérique sur la surface avant du substrat de silicium de type P jusqu'à l'autre partie périphérique, le long de la direction de l'axe du cristal . Une couche de diffusion de type N électriquement reliée à la première électrode est formée au niveau de la partie 25 périphérique et sur la surface avant du substrat de silicium de type P de façon à être située entre la couche de jauge à diffusion de type P et l'intérieur du substrat de silicium de type P pour recouvrir la couche de jauge à diffusion de type P, à l'exception de la zone correspondant à la partie d'extrémité 30 de la couche de jauge à diffusion de type P au niveau du côté de l'autre partie périphérique. Une couche de diffusion de type P reliée électriquement à la seconde électrode équipe la surface arrière du substrat de silicium de type P. En outre, le substrat de semiconducteur selon le premier 35 aspect peut être construit comme décrit ci-dessus. Conformément au substrat de semiconducteur comprenant le substrat de silicium de type P dont la direction du plan correspond au plan (110), la détection de la pression peut être exécutée comme suit. Une tension est appliquée au substrat de semiconducteur, ou, 40 plus particulièrement, au substrat de silicium de type P de manière à ce que la première électrode soit placée à un potentiel positif et que la seconde électrode soit placée à un potentiel négatif par l'intermédiaire de l'élément de transmission de pression et de l'élément de conducteur ainsi que la seconde électrode. Dans ce cas, le courant circule depuis la première électrode au travers de la couche de jauge à diffusion de type P, l'intérieur du substrat de silicium de type P, la couche de diffusion de type P, et la seconde électrode, dans cet ordre. A 10 ce moment, le courant circule dans la couche de jauge de type P principalement le long de la direction de l'axe du cristal . En outre, à ce moment, la couche de diffusion de type N recouvrant la couche de jauge à diffusion de type P assure 15 l'isolement électrique entre la couche de jauge à diffusion de type P et l'intérieur (partie de type P) du substrat de silicium de type P, et maintient la circulation du courant décrite cidessus. Lorsqu'une pression est appliquée au substrat de silicium de 20 type P dans la direction de l'espacement de ses surfaces à la fois avant et arrière, et donc que le substrat de silicium de type P est déformé dans le sens de l'épaisseur de celui-ci, la valeur ohmique le long de la direction de l'axe du cristal dans la couche de jauge à diffusion de type P varie. Donc, la 25 détection de la pression peut être exécutée en fournissant en sortie la variation de courant ou de tension provoquée par l'application de la pression sous forme d'un signal électrique provenant des première et seconde électrodes. Conformément à un neuvième aspect de cette invention, sur la 30 surface avant du substrat de semiconducteur des quatrième à huitième aspects, l'élément de transmission de pression est disposé de façon à être tourné vers la partie centrale, et la première électrode est disposée pour être plus proche du côté de la partie périphérique que l'élément de transmission de 35 pression, et électriquement reliée à l'élément de transmission de pression par l'intermédiaire du matériau adhésif conducteur. Conformément à cet aspect, les quatrième à huitième aspects de cette invention ont le même effet que le second aspect de cette invention. En outre, conformément à un dixième aspect de cette invention, le boîtier présente des propriétés électriquement conductrices, et la première électrode est reliée électriquement au boîtier par l'intermédiaire de l'élément de transmission de 5 pression, grâce à quoi la première électrode peut être électriquement reliée à l'extérieur. Conformément à cet aspect, le boîtier peut être utilisé comme borne, et la conception des connexions électriques du dispositif de détection de pression peut être simplifiée. De plus, conformément à un onzième aspect de cette invention, l'élément de transmission de pression et le boîtier du dixième aspect sont équipés d'une couche conductrice dont la résistance électrique est inférieure à celle de l'élément de transmission de pression et du boîtier. Conformément à cet aspect, la résistance électrique peut être réduite dans la ligne de courant entre la première électrode et l'extérieur, et ceci est préférable. Comme expliqué ci-dessus, un second objectif est de procurer un dispositif de détection de pression qui permet de réprimer 20 une augmentation de température du substrat de semiconducteur tout en réduisant le diamètre (la taille) du boîtier. De manière à atteindre le second objectif de l'invention, dans un douzième aspect de l'invention, le boîtier comprend une première partie, une seconde partie présentant une conductivité thermique plus 25 petite que la première partie et une partie de cloison électriquement conductrice par l'intermédiaire de laquelle la première partie et la seconde partie sont séparées l'une de l'autre. Le substrat de semiconducteur est logé dans la première 30 partie du boîtier, et l'élément de transmission de pression est logé dans la seconde partie du boîtier de sorte que la pression est transmise au travers de la partie de cloison vers la surface avant du substrat de semiconducteur. Le substrat de semiconducteur comporte une première 35 électrode sur sa surface avant et une seconde électrode sur sa surface arrière, et un signal électrique est fourni en sortie depuis la première électrode et la seconde lorsqu'une pression est appliquée. La première électrode du substrat de semiconducteur est 40 reliée électriquement à la partie de cloison du boîtier, un élément de conducteur qui est électriquement indépendant du boîtier est logé au niveau du côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur dans le boîtier, et l'élément de conducteur ainsi que la seconde électrode du substrat de semiconducteur sont reliés électriquement l'un à l'autre. Conformément au dispositif de détection de pression du douzième aspect, le substrat de semiconducteur est muni des électrodes à la fois sur les surfaces avant et arrière de celuici, et la partie de cloison ainsi que l'élément de conducteur 10 sont disposés de manière à ce qu'à la fois les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur soient prisent en sandwich par la partie de cloison et l'élément de conducteur. Pour cette raison, une liaison par fil n'est pas nécessaire pour la sortie de connexion des électrodes à la fois sur les surfaces avant et 15 arrière du substrat de semiconducteur. En conséquence, la taille (diamètre) du boîtier peut être réduite. De plus, même lorsque l'environnement de mesure est placé à une haute température, on peut empêcher la chaleur d'être transférée de l'environnement de mesure vers le substrat de 20 semiconducteur car la seconde partie du boîtier située au niveau du côté de l'environnement de mesure présente une conductivité thermique inférieure à la première partie. Pour cette raison, conformément à la présente invention, on peut fournir un dispositif de détection de pression dans lequel 25 l'augmentation de la température du substrat de semiconducteur peut être réprimée en réduisant la taille du boîtier. Dans ce cas, conformément à un treizième aspect de la présente invention, la première partie du boîtier est constituée de métal, et la seconde partie est constituée d'un matériau de 30 céramique. De plus, conformément à un quatorzième aspect de la présente invention, il est préférable que l'élément de transmission de pression présente une conductivité thermique plus petite que la première partie du boîtier. Dans ce cas, la réduction du 35 transfert de chaleur depuis l'environnement de mesure vers le substrat de semiconducteur peut être largement améliorée. Dans ce cas, conformément à un quinzième aspect de la présente invention, l'élément de transmission de pression peut être formé du même matériau que la seconde partie du boîtier. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Les objectifs, caractéristiques et avantages ci-dessus, ainsi que d'autres, de la présente invention seront davantage mis en évidence d'après la description détaillée suivante, faite en faisant référence aux dessins annexés. Sur les dessins: La figure 1 est une vue en coupe longitudinale représentant la conception générale d'un dispositif de détection de pression conforme à un premier mode de réalisation d'un dispositif de détection de pression, La figure 2 est une vue agrandie du substrat de semiconducteur de la figure 1 et de son voisinage immédiat, La figure 3 est une vue en plan du côté de la surface avant du substrat de semiconducteur de la figure 1, La figure 4 est une vue agrandie du substrat de 15 semiconducteur et de son voisinage immédiat, conformément à une modification du premier mode de réalisation, La figure 5 est une vue en plan représentant la conception de chaque partie au niveau du côté de la surface avant du substrat de semiconducteur, conformément à la modification du 20 premier mode de réalisation, La figure 6 est une vue en coupe transversale représentant le substrat de semiconducteur et son voisinage conformément à un système mode de réalisation du dispositif de détection de pression, La figure 7A est une vue en plan du côté de la surface avant du substrat de semiconducteur représenté sur la figure 6, La figure 7B est une vue en plan du côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur représenté sur la figure La figure 8 est une illustration de la relation d'agencement plan des parties respectives du substrat de semiconducteur d'une modification du second mode de réalisation, La figure 9 est une vue en coupe transversale représentant le substrat de semiconducteur et son voisinage immédiat, 35 conformément à un troisième mode de réalisation du dispositif de détection de pression, La figure 10 est une vue en plan du substrat de semiconducteur représenté sur la figure 9, La figure 11 est une vue en coupe transversale représentant 40 la conception générale d'un dispositif de détection de pression conforme à un quatrième mode de réalisation du dispositif de détection de pression, et La figure 12 est une vue agrandie représentant le substrat de semiconducteur de la figure il et son voisinage immédiat. DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES Des modes de réalisation préférés conforme à la présente invention seront décrits ci-dessous en faisant référence aux dessins annexés. Dans les modes de réalisation qui suivent, les 10 mêmes éléments sont représentés par les mêmes références numériques. (Premier mode de réalisation) La figure 1 est une vue en coupe longitudinale représentant la conception générale d'un dispositif de détection de pression 15 Si conforme à un premier mode de réalisation de cette invention. Le dispositif de détection de pression Si peut être appliqué par exemple, comme capteur de pression de combustion pour détecter la pression de la combustion dans une chambre de combustion d'un moteur. Un boîtier 10 est conçu suivant une forme d'ensemble pratiquement cylindrique, et est formé de métal tel que de l'acier inoxydable ou autre. Un diaphragme 11, qui est déformé par une application de pression F, équipe l'extrémité supérieure du boîtier 10. Le diaphragme 11 est formé de métal tel que de 25 l'acier inoxydable ou autre, et est lié au boîtier 10 par soudage, collage ou autre. Un élément de transmission de pression 20 destiné à transmettre la pression F au substrat de semiconducteur 30 équipe le boîtier 10. L'élément de transmission de pression 20 30 comprend une tige cylindrique 21 située au niveau du côté du diaphragme il et un élément intercalé 22 placé en contact avec la tige 21 et le substrat de semiconducteur 30. La tige 21 et l'élément intercalé 22 peuvent également être formés d'un métal tel que de l'acier inoxydable ou autre. Le substrat de semiconducteur 30 est logé au niveau d'un côté plus bas du boîtier 10 que l'élément de transmission de pression 20 dans le boîtier 10. Ici, dans la description qui suit, la surface avant du substrat de semiconducteur 30 représente la surface supérieure du substrat de semiconducteur 40 30 tel qu'il est indiqué sur la figure 1, c'est-à-dire une surface du substrat de semiconducteur 30 située au niveau du côté de l'élément de transmission de pression 20. La surface arrière du substrat de semiconducteur 30 représente la surface plus basse du substrat de semiconducteur 30 qui est opposée à la 5 surface avant. En outre, une direction le long de laquelle la surface avant et la surface arrière sont espacées l'une de l'autre, c'est-à-dire la direction verticale sur la figure 1, sera appelée ci-après "direction d'espacement". Le substrat de semiconducteur 30 fournit en sortie un signal électrique 10 conformément à la pression appliquée dans la direction de l'espacement, c'est-à-dire dans la direction de l'épaisseur du substrat de semiconducteur 30. La surface avant du substrat de semiconducteur 30 est amenée jusqu'en contact avec l'élément de transmission de pression 20 15 de sorte que la pression provenant de l'élément de transmission de pression 20 est transmise à la surface avant du substrat de semiconducteur 30. Dans ce mode de réalisation, l'élément intercalé 22 de l'élément de transmission de pression 20 et la surface avant du substrat de semiconducteur 30 sont liés l'un à 20 l'autre par un matériau adhésif conducteur 40 tel qu'une pâte d'argent ou autre. Un élément de conducteur 50, qui est électriquement indépendant du boîtier 10, est reçu au niveau du côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur 30 à l'intérieur 25 du boîtier 10. L'élément de conducteur 50 est conçu sous forme d'une tige métallique, et comprend un élément de base plaqué d'or d'un alliage du type Ni-Cu-Co. L'élément de conducteur 50 est inséré et maintenu dans un support de conducteur cylindrique 51 formé d'un matériau de 30 céramique tel que de l'alumine électriquement isolante ou autre. L'intervalle entre le support de conducteur 51 et l'élément de conducteur 50 est scellé hermétiquement par du verre ou autre. Une partie d'extrémité de l'élément de conducteur 50 au niveau du côté du substrat de semiconducteur 30 dépasse du 35 support de conducteur 51 et est amenée en contact avec la surface arrière du substrat de semiconducteur 30 de façon à être reliée électriquement à la surface arrière du substrat de semiconducteur 30. Dans ce mode de réalisation, l'élément de conducteur 50 et la surface arrière du substrat de semiconducteur 30 sont collés l'un à l'autre par un matériau adhésif conducteur 40 tel qu'une pâte d'argent ou autre. Une bague électriquement isolante 52 formée d'un matériau de céramique est disposée sur la périphérie extérieure de la partie 5 d'extrémité de l'élément de conducteur 50 et est mise en contact avec la surface arrière du substrat de semiconducteur 30. L'autre partie d'extrémité de l'élément de conducteur 50, qui est située du côté opposé du substrat de semiconducteur 30, dépasse du support de conducteur 51 de sorte que l'élément de 10 conducteur 50 peut être relié à un élément de câblage externe (non représenté) ou être généralement relié à l'extérieur. Ici, le support de conducteur 51 est supporté par des parties en saillie12, 13 équipant la surface intérieure du boîtier 10 de sorte qu'il est pratiquement empêché de se 15 déplacer dans les directions longitudinales et latérales. Dans le dispositif de détection de pression Si, la pression F reçue par le diaphragme 11 est transmise depuis l'élément de transmission de pression 20 situé au niveau du côté de la surface avant du substrat de semiconducteur 30 à la surface 20 avant du substrat de semiconducteur 30. Ici, la pression F est appliquée au substrat de semiconducteur 30 dans la direction de l'espacement des surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 30, et le signal électrique fourni en sortie depuis le substrat de semiconducteur 30 est amené à varier 25 conformément à la variation de la pression F. La conception détaillée du substrat de semiconducteur 30 de ce mode de réalisation sera décrite en faisant référence aux figures 2 et 3. La figure 2 est une vue agrandie représentant le voisinage 30 immédiat du substrat de semiconducteur 30 de la figure 1, et la figure 3 est une vue en plan représentant la conception de chaque partie au niveau du côté de la surface avant du substrat de semiconducteur 30. Sur la figure 3, pour la facilité de l'illustration et de l'identification des pièces respectives, la 35 première couche de diffusion de type N 31 est représentée avec des pointillés, et la première électrode 35a est représentée avec des hachures. Le substrat de semiconducteur 30 de ce mode de réalisation est un substrat de silicium de type N 30 dont la direction du 40 plan rectangulaire correspond à un plan (110) . De même, l'axe de cristal existe sur les plans des surfaces avant et arrière du substrat de silicium de type N 30. Comme indiqué sur les figures 2 et 3, la pression F provenant de l'élément intercalé 22 de l'élément de transmission 5 de pression 20 est transmise à la partie centrale de la surface avant du substrat de silicium de type N 30. La première couche de diffusion de type N 31 équipe la partie périphérique de la surface avant du substrat de silicium de type N 30. La première couche de diffusion de type N 31 est 10 formée par dopage ou par diffusion d'impuretés telles que du phosphore ou autre. Dans ce cas, la première couche de diffusion de type N 31 est constituée en forme d'anneau au niveau de la partie périphérique du substrat de silicium de type N 30. En outre, une couche de jauge à diffusion de type P 32 est 15 formée de façon continue sur la surface avant du substrat de silicium de type N 30 de façon à s'étendre depuis une partie de voisinage de la première couche de diffusion de type N 31 au travers de la partie centrale du substrat de silicium de type N 30 jusqu'à l'autre partie périphérique. Dans la description qui 20 suit, la partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 32 sera appelée ci-après "une partie d'extrémité" du côté de la première couche de diffusion de type N 31. La partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 32 au niveau de l'autre côté périphérique sera appelée ci-après 25 "l'autre partie d'extrémité". Dans ce cas, comme indiqué sur la figure 3, la couche de jauge à diffusion de type P 32 est formée de façon continue depuis la première partie d'extrémité du substrat de silicium de type N rectangulaire 30 jusqu'à l'autre partie d'extrémité de 30 celui-ci. La couche de jauge à diffusion de type P 32 est formée par dopage ou par diffusion d'impuretés telles que du bore ou autre. Comme indiqué sur la figure 3, la couche de jauge à diffusion de type P 32 est conçue pour présenter des parties 35 recourbées (en forme de U) au niveau de la partie centrale de la surface avant du substrat de silicium de type N 30 (c'est-à-dire que la couche de jauge à diffusion de type P 32 est conçue avec une forme sinueuse). Cette partie sinueuse est conçue comme une partie de jauge 32a. La partie longitudinale de chaque partie 40 recourbée de la partie de jauge sinueuse 32a est prévue le long de la direction de l'axe du cristal du substrat de silicium de type N 30. Comme décrit ci-dessus, la couche de jauge à diffusion de type P 32 présente une forme telle que la direction 5 longitudinale de la résistance est située le long de la direction de l'axe du cristal du substrat de silicium de type N 30 au niveau de la partie centrale de la surface avant du substrat de silicium de type N 30. En outre, une seconde couche de diffusion de type N 33 10 équipe la surface arrière du substrat de silicium de type N 30 comme indiqué sur la figure 2. La seconde couche de diffusion de type N 33 est formée par dopage ou par diffusion d'impuretés telles que du phosphore ou autre. Dans ce cas, la seconde couche de diffusion de type N 33 est formée pratiquement sur toute la 15 zone de la surface de la surface arrière du substrat de silicium de type N 30. Comme représenté sur la figure 2, un film d'oxyde de silicium 34 est en outre formé en tant que film isolant sur la surface avant du substrat de silicium de type N 30 grâce à une 20 oxydation thermique ou autre de façon à recouvrir la surface avant du substrat de silicium de type N 30. En outre, une première électrode 35a et une troisième électrode 35c sont formées sur le film d'oxyde de silicium 34 au niveau du côté de la surface avant du substrat de silicium de type N 30 et une 25 seconde électrode 35b est formée au niveau du côté de la surface arrière du substrat de silicium de type N 30. Ces première à troisième électrodes 35a à 35c sont formées d'aluminium ou autres par pulvérisation, dépôt de vapeur ou autre et elles sont construites sous forme d'électrodes ohmiques 30 reliées aux couches de diffusion respectives 31, 32, 33 du substrat de silicium de type N 30 par l'intermédiaire d'un contact ohmique. Dans ce cas, la première électrode 35a est disposée au niveau de la partie périphérique sur la surface avant du 35 substrat de silicium de type N 30, et dans l'exemple représenté sur la figure 3, la première électrode 35a prend une forme d'anneau de façon à entourer l'élément intercalé 22 de l'élément de transmission de pression 20 situé au niveau de la partie centrale. Plus particulièrement, la première électrode 35a est 40 située au niveau de la partie périphérique à l'exclusion de la partie de jauge 32a de la couche de jauge à diffusion de type P 32 qui est située à la partie centrale du substrat de silicium de type N 30. Dans ce mode de réalisation, la première électrode 35a est conçue pour présenter une forme d'anneau qui entoure la 5 partie de jauge 32a. La première électrode 35a et l'élément intercalé 22 de l'élément de transmission de pression 20 sont reliés électriquement l'un à l'autre par l'intermédiaire du matériau adhésif conducteur 40. Comme représenté sur les figures 2 et 3, au niveau du côté 10 de la surface avant du substrat de silicium de type N 30, un (premier) trou de contact 34a est formé sur le film d'oxyde de silicium 34 à la position correspondant à la première couche de diffusion de type N 31 et la première partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 32 qui est adjacente à la 15 première couche de diffusion de type N 31. La troisième électrode 35c est reliée électriquement à la première couche de diffusion de type N 31 et à la première partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 32 par l'intermédiaire du trou de contact 34a sous un contact ohmique. De plus, un (second) trou de contact 34b est formé dans le film d'oxyde de silicium 34 à la position correspondant à l'autre partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 32 au niveau du côté opposé à la première couche de diffusion de type N 31. La première électrode 35a et l'autre 25 partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 32 sont électriquement reliées l'une à l'autre par le trou de contact 34b sous un contact ohmique. La seconde électrode 35b est formée pratiquement sur la zone de la surface entière du côté de la surface arrière du substrat 30 de silicium de type N 30. La seconde électrode 35b ainsi que la seconde couche de diffusion de type N 33 sont reliées électriquement l'une à l'autre au niveau du côté de la surface arrière sous un contact ohmique. La seconde électrode 35b est collée et reliée électriquement à l'élément de conducteur 50 par 35 l'intermédiaire du matériau adhésif conducteur 40. Comme on l'a décrit ci-dessus, le substrat de silicium de type N 30 comprend les couches de diffusion 31, 32, 33, le film d'oxyde de silicium 34, la première électrode 35a et la troisième électrode 35c, l'ensemble étant formé sur la surface 40 avant du substrat 30. Le substrat 30 comprend également la seconde électrode 35b qui est formée sur la surface arrière. Ces éléments peuvent être fabriqués par des techniques de fabrication de semiconducteur bien connues. Conformément à la conception utilisant le substrat de 5 semiconducteur 30 comprenant le substrat de silicium de type N dont la direction du plan correspond au plan (110) comme indiqué sur les figures 2 et 3, la détection de la pression peut être exécutée comme suit. Dans le substrat de silicium de type N 30 qui est décrit ci10 dessus, une tension est appliquée au substrat de silicium de type N 31 par l'intermédiaire de l'élément de transmission de pression 20 et de l'élément de conducteur 50, de sorte que la seconde électrode 35b est placée à un potentiel positif et la première électrode 35a est placée à un potentiel négatif. Ceci 15 sera appelé état avec une tension appliquée. Ici, dans ce mode de réalisation, le boîtier 10, le diaphragme il et l'élément de transmission de pression 20 sont tous formés de métal et présentent donc des propriétés de conduction électriques et sont mutuellement reliés électriquement les uns aux autres. Pour cette raison, la première électrode 35a est électriquement reliée au boîtier 10 par l'intermédiaire de l'élément de transmission de pression 20, de sorte qu'il peut être électriquement relié à l'extérieur. De ce fait, l'état avec la tension appliquée décrit ci25 dessus peut être obtenu en collant un élément de câblage externe tel qu'un connecteur ou autre à une extrémité (l'extrémité inférieure de la figure 1) du boîtier 10 sur la figure 1, et en plaçant respectivement l'élément de conducteur 50 et le boîtier à un potentiel positif et un potentiel de masse GND. Dans cet état avec la tension appliquée, le courant circule comme indiqué par une flèche sur la figure 2. Plus particulièrement, le courant circule de la seconde électrode 35b au travers de la seconde couche de diffusion de type N 33, à l'intérieur du substrat de silicium de type N 30 et la troisième 35 électrode 35c. Le courant circule en outre depuis la première partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 32 au travers de la partie de jauge 32a et l'autre partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 32 jusqu'à la première électrode 35a, dans cet ordre. A ce moment, 40 dans la couche de jauge à diffusion de type P 32, le courant circule principalement le long de la direction de l'axe du cristal (110). Lorsque la pression F reçue par le diaphragme lh est transmise au travers de l'élément de transmission de pression 20 5 vers la surface avant du substrat de silicium de type N 30 dans l'état ci-dessus, la pression est appliquée au substrat de silicium de type N 30 dans la direction de l'espacement à la fois des surfaces avant et arrière et une déformation apparaît dans le substrat de silicium de type N 30. A ce moment, la 10 valeur ohmique le long de la direction de l'axe du cristal (110) dans la couche de jauge à diffusion de type P 32 varie en liaison avec la déformation du substrat de silicium de type N 30. Pour cette raison, la détection de pression peut être exécutée en fournissant en sortie la variation de la valeur 15 ohmique provoquée par l'application de la pression, c'est-à-dire la variation du courant ou de la tension sous forme d'un signal électrique à partir à la fois des première et seconde électrodes. Comme on l'a décrit ci-dessus, conformément à ce mode de 20 réalisation, en ce qui concerne le substrat de semiconducteur 30, pour fournir en sortie un signal électrique conforme à la pression appliquée dans la direction de l'espacement de ses surfaces avant et arrière, la première électrode 35a est formée sur sa surface avant alors que la seconde électrode 35b est 25 formée sur sa surface arrière, et le signal électrique est fourni en sortie depuis les première et seconde électrodes 35a et 35b. Dans le dispositif de détection de pression Si de ce mode de réalisation, le substrat de semiconducteur 30 est équipé des 30 électrodes 35a, 35b sur les surfaces avant et arrière de celuici, respectivement, et à la fois les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 30 sont prises en sandwich par l'élément conducteur de transmission de pression 20 et l'élément de conducteur de conduction 50. De ce fait, aucune liaison par 35 fil n'est nécessaire pour la sortie de connexion des électrodes 35a, 35b sur les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 30. Pour cette raison, ce mode de réalisation élimine le besoin de disposer un élément de conducteur pour la liaison par fil sur 40 la périphérie extérieure du substrat de semiconducteur 30 comme dans le cas du capteur à semiconducteur classique, et donc le diamètre du boîtier 10 peut être réduit à une taille plus proche de la taille du substrat de semiconducteur 30. Comme on l'a décrit ci-dessus, conformément à ce mode de réalisation, on peut 5 prévoir un dispositif de détection de pression présentant une conception appropriée pour réduire le diamètre (la taille) du boîtier 10. En outre, conformément à ce mode de réalisation, l'élément de transmission de pression 20 (l'élément intercalé 22 dans ce 10 mode de réalisation) est disposé pour être tourné vers la partie centrale de la surface avant du substrat de semiconducteur 30 de manière à ce que la pression provenant de l'élément de transmission de pression 20 soit transmise à la partie centrale de la surface avant concernée. De plus, sur la surface avant du substrat de semiconducteur 30, la première électrode 35a est disposée de façon à être plus proche du côté de la partie périphérique sur la surface avant que l'élément de transmission de pression 20, et l'élément intercalé 22 de l'élément de transmission de pression 20 ainsi 20 que la première électrode 35a sont reliés électriquement l'un à l'autre grâce au matériau adhésif conducteur 40. Conformément à la conception décrite ci-dessus, la pression provenant de l'élément de transmission de pression 20 est appliquée directement à la surface avant du substrat de 25 semiconducteur 30 sans passer par la première électrode 35a, de sorte que la perte de transmission de la pression par la première électrode 35a équipant la surface avant du substrat de semiconducteur 30 est réduite au minimum. La première électrode 35a est formée d'un métal tel que de 30 l'aluminium ou autre qui est normalement plus mou que le substrat de semiconducteur 30. Pour cette raison, il est préférable que la pression soit transmise au substrat de semiconducteur 30 sans passer par la première électrode 35a. Si la première électrode 35a est conçue en forme d'anneau 35 comme représenté sur la figure 3, l'élément intercalé 22 de l'élément de transmission de pression 20 équipant la partie centrale de la surface avant du substrat de semiconducteur 30 est de préférence conçu de façon à entourer la première électrode 35a. Pour cette raison, la première électrode 35a peut 40 être reliée à une surface latérale quelconque de l'élément intercalé 22 de l'élément de transmission de pression 20 par l'intermédiaire du matériau adhésif conducteur 40. En outre, dans ce mode de réalisation, le substrat de silicium de type N 30 représenté sur les figures 2 et 3 est 5 utilisé comme substrat de semiconducteur 30. En particulier, la couche de jauge à diffusion de type P 32 est conçue avec une forme telle que la direction longitudinale de la résistance au niveau de la partie centrale de la surface avant du substrat de silicium de type N 30 soit le long de la direction de l'axe du 10 cristal , c'est-à-dire qu'elle comporte la partie de jauge 32a. Conformément à cette conception, la variation de la valeur ohmique dans la direction de l'axe du cristal dans la couche de jauge à diffusion de type P 32 peut être intensifiée 15 au niveau de la partie centrale sur la surface avant du substrat de silicium de type N 30 auquel est appliquée la pression provenant de l'élément de transmission de pression 20, et donc la détection de la pression peut être exécutée avec une haute précision. De plus, conformément à ce mode de réalisation, la première électrode 35a est reliée électriquement au boîtier 10 présentant les propriétés électriquement conductrices par l'intermédiaire de l'élément de transmission de pression 20, en permettant ainsi la connexion électrique entre la première électrode 35a et un 25 dispositif externe, ou plus généralement une connexion externe de la première électrode 35a. En conséquence, le boîtier 10 peut être utilisé comme borne, et la conception de la connexion électrique du dispositif de détection de pression peut être simplifiée. Ici, une couche conductrice (non représentée) présentant une résistance électrique inférieure à celle de l'élément de transmission de pression 20 et du boîtier 10 peut être formée dans l'élément de transmission de pression et le boîtier 10. Par exemple, en plaquant de l'or sur la surface extérieure de 35 l'élément de transmission de pression 20 ou la surface inférieure du boîtier 10, la couche plaquée d'or ainsi formée sert de couche conductrice présentant des propriétés électriquement conductrices bien meilleures par comparaison aux deux éléments 10, 20 formés d'acier inoxydable ou autre. En formant une telle couche conductrice, la résistance électrique dans la ligne de courant s'étendant depuis la première électrode 35a et passant par l'élément de transmission de pression 20 et le boîtier 10 jusqu'à l'extérieur peut être réduite et ceci est préférable. Ensuite, une modification du mode de réalisation ci-dessus sera décrite. Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 2 et 3, la première électrode 35a est disposée au niveau de la partie périphérique de l'élément de transmission de 10 pression 20 située à la partie centrale sur la surface avant du substrat de semiconducteur 30, grâce à quoi la pression provenant de l'élément de transmission de pression 20 est transmise à la partie centrale sur la surface avant du substrat de semiconducteur 30. Plus particulièrement, la pression est 15 transmise à la partie de jauge 32a sans passer par la première électrode 35a. Cependant, le dispositif de détection de pression peut être modifié de manière à ce que la pression provenant de l'élément de transmission de pression 20 puisse être transmise par 20 l'intermédiaire de la première électrode 35a à la partie centrale de la surface avant du substrat de semiconducteur 30, c'est-à-dire la partie de jauge 32a, comme indiqué sur les figures 4 et 5. La figure 4 est une vue agrandie du voisinage immédiat du 25 substrat de semiconducteur 30 dans la modification du mode de réalisation ci-dessus, et la figure 5 est une vue en plan représentant la conception de chaque partie au niveau du côté de la surface avant du semiconducteur 30 de la modification. Dans cette modification, la partie intérieure de la première 30 électrode en forme d'anneau 35a selon la conception indiquée sur les figures 2 et 3, est incrustée. C'est-à-dire que la première électrode 35a est formée de façon continue depuis la partie centrale jusqu'à la partie périphérique sur la surface avant du substrat de semiconducteur 30, et sa forme plane est 35 pratiquement circulaire sur l'illustration. Dans ce cas, la première électrode 35a et l'élément intercalé 22 de l'élément de transmission de pression 20 peuvent être amenés en contact direct l'un avec l'autre s'ils peuvent être reliés électriquement l'un à l'autre. Cependant, il est 40 normalement préférable de les relier électriquement par l'intermédiaire d'un matériau adhésif conducteur 40 comme indiqué sur la figure 4. (Second mode de réalisation) Par comparaison au premier mode de réalisation, le substrat de semiconducteur d'un second mode de réalisation est modifié. Dans la description qui suit, on décrira principalement la différence par rapport au premier mode de réalisation. La figure 6 représente la partie principale du dispositif de 10 détection de pression conforme au second mode de réalisation de cette invention, et en particulier il s'agit d'une vue en coupe transversale représentant le substrat de semiconducteur 200 et son voisinage immédiat. Sur la figure 6, la bague 52 entourant l'élément de conducteur 50 est omise pour la facilité de 15 l'illustration. La figure 7A est une vue en plan représentant la conception de chaque partie au niveau du côté de la surface avant du substrat de semiconducteur 200, et la figure 7B est une vue en plan représentant la conception de chaque partie au niveau du 20 côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur 200. Sur les figures 7A et 7B, les couches de diffusion 201, 202 sont hachurées pour la facilité de l'illustration et de l'identification des éléments respectifs. Dans ce mode de réalisation, un substrat de silicium de type 25 P 200 dont la direction du plan correspond au plan (110) est utilisé comme substrat de semiconducteur du dispositif de détection de pression S1. Le substrat de silicium de type P 200 est également conçu de manière à ce que la pression F provenant de l'élément de transmission de pression 20 soit transmise à la 30 partie centrale de la surface avant de celui-ci. Comme indiqué sur les figures 6 et 7, une première couche de diffusion de type P 201 équipe une partie périphérique de la surface avant du substrat de silicium de type P 200. La première couche de diffusion de type P 201 est formée par dopage ou par 35 diffusion d'impuretés telles que du bore ou autre. En outre, une seconde couche de diffusion de type P 202 équipe la surface arrière du substrat de silicium de type P 200 au niveau de l'autre partie périphérique opposée par rapport aux directions de l'axe du cristal (110) en intercalant la partie 40 centrale, par rapport à la partie périphérique du substrat de silicium de type P 200 dans laquelle la première couche de diffusion de type P 201 est positionnée. La seconde couche de diffusion de type P 202 est également formée par dopage ou par diffusion d'impuretés telles que du bore ou autres. Conformément à ce mode de réalisation, (comme indiqué sur les figures 7A et 7B) dans le substrat de silicium de type P rectangulaire 200, la direction de l'axe du cristal (110) concide avec la direction selon laquelle deux faces opposées du substrat 200 sont espacées l'une de l'autre. Pour cette raison, 10 la première couche de diffusion de type P 201 est disposée à la partie périphérique du côté gauche du substrat de silicium de type P 200 et la seconde couche de diffusion de type P 202 est disposée à la partie périphérique du côté droit de la seconde couche de diffusion de type P sur les figures 7A et 7B. En outre, comme indiqué sur la figure 6, le film d'oxyde de silicium 203, 204 est formé en tant que film isolant sur les côtés des surfaces avant et arrière du substrat de silicium de type P 200 par oxydation thermique ou autre de façon à recouvrir la surface avant et arrière du substrat de silicium de type P 20 200, respectivement. En outre, la première électrode 35a est formée de façon à recouvrir le film d'oxyde de silicium 203 au niveau du côté de la surface avant du substrat de silicium de type P 200, et la seconde électrode 35b est formée de façon à recouvrir le film 25 d'oxyde de silicium 204 au niveau du côté de la surface arrière du substrat de silicium de type P 200. Dans ce cas, la première électrode 35a et la seconde électrode 35b sont formées pratiquement sur la zone de la surface entière des surfaces avant et arrière du substrat de 30 silicium de type P 200. De plus, comme indiqué sur la figure 6, la première électrode 35a est collée et reliée électriquement à l'élément de transmission de pression 20 par l'intermédiaire du matériau adhésif conducteur 40, et la seconde électrode 35b est électriquement reliée à l'élément de conducteur 50 par le 35 matériau adhésif conducteur 40. Ce mode de réalisation peut être modifié de manière à ce que la première électrode 35a soit disposée au niveau de la partie périphérique de l'élément de transmission de pression 20 situé à la partie centrale sur la surface avant du substrat de silicium 40 de type P 200, et que la première électrode 35a et l'élément de transmission de pression 20 soient reliés électriquement l'un à l'autre par le matériau adhésif conducteur 40. Dans ce cas, par exemple, comme représenté sur la figure 7A, l'élément de transmission de pression 20 est séparé, et la première électrode 35a est formée du côté gauche du substrat 200. En outre, un trou de contact 203a est formé à la position correspondant à la première couche de diffusion de type P 201 dans le film d'oxyde de silicium 203 au niveau du côté de la surface du substrat de silicium de type P 200. La première 10 électrode 35a et la première couche de diffusion de type P 201 sont reliées électriquement l'une à l'autre par l'intermédiaire du trou de contact 203a sous un contact ohmique. En outre, un trou de contact 204a est formé à la position correspondant à la seconde couche de diffusion de type P 202 15 dans le film d'oxyde de silicium 204 au niveau du côté de la surface arrière du substrat de silicium de type P 200. La seconde électrode 35b et la seconde couche de diffusion de type P 202 sont reliées électriquement l'une à l'autre par l'intermédiaire du trou de contact 204a sous un contact ohmique. 20 Comme décrit ci-dessus, le substrat de silicium de type P comporte les couches de diffusion respectives 201, 202, le film d'oxyde de silicium 203 et la première électrode 35a formée sur la surface avant du substrat 200, et le film d'oxyde de silicium 204 ainsi que la seconde électrode 35b formée sur la 25 surface arrière du substrat 200. Ces éléments peuvent être fabriqués en utilisant des techniques de fabrication de semiconducteur bien connues. Conformément à la conception utilisant le substrat de semiconducteur 200 comprenant le substrat de silicium de type P 30 200 dont la direction du plan correspond au plan (110) représenté sur les figures 6 et 7A, 7B, la détection de pression peut être exécutée comme suit. La relation des potentiels (potentiel positif et potentiel négatif) entre la première électrode 35a et la seconde électrode 35 35b n'est pas limitée à une forme spécifique. C'est-à-dire que chacune de la première électrode 35a et de la seconde électrode 35b peut être placée à un potentiel positif ou négatif. Dans ce mode de réalisation, on suppose qu'une tension est appliquée au substrat de semiconducteur, c'est-à-dire le substrat de silicium 40 de type P 200 par l'intermédiaire de l'élément de transmission de pression 20 et de l'élément de conducteur 50 de manière à ce que lapremière électrode 35a soit placée à un potentiel positif et que la seconde électrode 35b soit placée à un potentiel négatif, uniquement pour l'explication. Dans le premier mode de réalisation, l'état avec la tension appliquée est obtenu en reliant une extrémité (extrémité inférieure de la figure 1) du boîtier 10 de la figure 1 à un élément de câblage externe tel qu'un connecteur ou autre et en plaçant l'élément de conducteur 50 à un potentiel négatif (ou la 10 masse GND) alors que le boîtier 10 est placé à un potentiel positif. Dans ce mode de réalisation, dans l'état avec la tension appliquée, le courant circule comme indiqué par une flèche sur la figure 6. C'est-à-dire que le courant circule depuis la première couche de diffusion de type P 201 par 15 l'intérieur du substrat de silicium de type P 200 vers la seconde couche de diffusion de type P 202 principalement dans la direction de l'axe du cristal . Lorsque la pression F est appliquée au substrat de silicium de type P 200 dans la direction de l'espacement des surfaces à 20 la fois avant et arrière de celui-ci et que le substrat de silicium de type P 200 est donc déformé dans le sens de l'épaisseur de celui-ci, la valeur ohmique le long de la direction de l'axe du cristal du substrat de silicium de type P 200 est amenée à varier. Donc, la variation de courant ou 25 de tension provoquée par l'application de la tension est fournie en sortie sous forme d'un signal électrique provenant à la fois des première et seconde électrodes 35a et 35b, grâce à quoi la détection de la pression peut être exécutée. Dans le dispositif de détection de pression de ce mode de 30 réalisation, en concevant le substrat de semiconducteur 200 de manière à ce que les électrodes 35a, 35b équipent les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 200 et que les surfaces avant et arrière soient prises en sandwich entre l'élément de transmission de pression conducteur 20 et l'élément 35 de conducteur 50, aucune liaison par fil n'est nécessaire pour la sortie de connexion des électrodes 35a, 35b sur les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 200. Pour cette raison, il est inutile de disposer l'élément de conducteur pour une liaison par fil sur la périphérie extérieure 40 du substrat de semiconducteur 200, de sorte que le diamètre (la taille) du boîtier 10 peut être réduit à une taille proche de la taille du substrat de semiconducteur 200. Comme on l'a décrit ci-dessus, conformément à ce mode de réalisation, on peut procurer un dispositif de détection de pression présentant une conception appropriée pour réduire la taille du boîtier 10. Ici, une modification du mode de réalisation ci-dessus sera décrite. Dans le mode de réalisation représenté sur les figures 6, 7A et 7B, dans le substrat de silicium de type P rectangulaire 200, la direction de l'axe du cristal 10 concide avec la direction selon laquelle deux faces opposées du substrat 200 sont espacées l'une de l'autre. Pour cette raison, la première couche de diffusion de type P 201 et la seconde couche de diffusion de type P 202 sont situées au niveau de la première et des autres faces opposées du substrat de silicium de 15 type P rectangulaire 200 suivant une relation de position plane. Ici, la figure 8 représente la relation de position plane des parties respectives du substrat de semiconducteur conformément à la modification du mode de réalisation ci-dessus. Dans la modification indiquée sur la figure 8, dans le substrat 20 de silicium de type P rectangulaire 200, la direction de l'axe du cristal est le long de la direction de la diagonale du substrat de silicium de type P 200. Dans le substrat de silicium de type P 200 qui est décrit ci-dessus, la première couche de diffusion de type P 201 et la 25 seconde couche de diffusion de type P 202 sont opposées l'une à l'autre le long de la direction de la diagonale du substrat de silicium de type P 200. Plus particulièrement, les deux couches de diffusion de type P 201 et 202 sont situées au niveau des parties de coin face à face du substrat de silicium de type P 30 200. Conformément à cette conception, la distance entre la première couche de diffusion de type P 201 et la seconde couche de diffusion de type P 202 peut être augmentée dans le substrat de silicium de type P rectangulaire 200. C'est-à-dire que la 35 ligne de courant le long de la direction de l'axe du cristal peut être allongée. En conséquence, la variation de la valeur ohmique peut être intensifiée, et la sensibilité de la détection peut être améliorée. (Troisième mode de réalisation) Dans un troisième mode de réalisation de cette invention, le substrat de semiconducteur du mode de réalisation cidessus est modifié. Dans la description qui suit, la différence par rapport au mode de réalisation ci-dessus sera principalement décrite. La figure 9 est un schéma représentant la partie principale d'un dispositif de détection de pression conforme au troisième mode de réalisation, et en particulier, la figure 9 est une vue en coupe transversale représentant le substrat de semiconducteur 10 300 et son voisinage immédiat. Sur la figure 9, la bague 52 entourant l'élément de conducteur 50 est omise pour la facilité de l'illustration. La figure 10 est une vue en plan représentant la conception de chaque partie au niveau du côté de la surface avant du 15 substrat de semiconducteur 300. Sur la figure 10, une couche de jauge à diffusion de type P 301 est représentée comme étant hachurée et une couche de diffusion de type N 302 est représentée avec des pointillés de manière à faciliter l'identification des parties respectives. Dans ce mode de réalisation, un substrat de silicium de type P 300 dont la direction du plan correspond au plan (110) est utilisé comme semiconducteur dans le dispositif de détection de pression Si. Le substrat de silicium de type P 300 est également conçu de manière à ce que la pression provenant de l'élément de 25 transmission de pression 20 soit transmise à la partie centrale sur la surface avant du substrat de silicium de type P 300. Comme indiqué sur les figures 9 et 10, la couche de jauge à diffusion de type P 301 équipe la surface avant du substrat de silicium de type P 300. La couche de jauge à diffusion de type P 30 301 est formée par dopage ou par diffusion des impuretés telles que du bore ou autre. La couche de jauge à diffusion de type P 301 présente une forme telle qu'elle s'étend depuis une partie périphérique du substrat de silicium de type P 300 vers une autre partie 35 périphérique le long de la direction de l'axe du cristal (110). En particulier, la couche de jauge à diffusion de type P 301 comporte des parties recourbées (parties en forme de U) (c'està-dire une partie sinueuse) au niveau de la partie centrale sur la surface avant du substrat de silicium de type P 300 comme 40 indiqué sur la figure 10, et la partie longitudinale de chaque partie recourbée au niveau de la partie sinueuse est conçue le long de la direction de l'axe du cristal . De plus, la couche de diffusion de type N 302 est formée au niveau d'une partie périphérique sur la surface avant du 5 substrat de silicium de type P 300. La couche de diffusion de type N 302 est formée par dopage ou par diffusion d'impuretés telles que du phosphore ou autre. La couche de diffusion de type N 302 est située entre la couche de jauge à diffusion de type P 301 et l'intérieur du 10 substrat de silicium de type P 300 (partie P-) de façon à recouvrir la couche de jauge à diffusion de type P 301 dans une zone excluant la partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 301 au niveau de l'autre partie périphérique. Comme indiqué sur la figure 9, une couche de diffusion de type P 303 équipe la surface arrière du substrat de silicium de type P 300. La couche de diffusion de type P 303 est également formée par dopage ou par diffusion d'impuretés telles que du bore ou autre. Le film d'oxyde de silicium 304 est formé en tant que film isolant sur la surface avant du substrat de silicium de type P 300 par oxydation thermique ou autre de façon à recouvrir la surface avant du substrat de silicium de type P 300 comme indiqué sur la figure 9. De plus, la première électrode 35a est 25 formée sur le film d'oxyde de silicium 304 au niveau du côté de la surface avant du substrat de silicium de type P 300, et la seconde électrode 35b est formée du côté de la surface arrière du substrat de silicium de type P 300. Dans ce cas, les première et seconde électrodes 35a et 35b 30 sont formées pratiquement sur la zone de la surface entière des surfaces avant et arrière du substrat de silicium de type P 300. De plus, la première électrode 35a est collée et reliée électriquement à l'élément de transmission de pression 20 par l'intermédiaire du matériau adhésif conducteur 40, et la seconde 35 électrode 35b est électriquement reliée à l'élément de conducteur 50 par l'intermédiaire du matériau adhésif conducteur 40, comme représenté sur la figure 9. Ce mode de réalisation peut également être modifié de manière à ce que la première électrode 35a soit disposée au 40 niveau de la partie périphérique de l'élément de transmission de pression 20 situé à la partie centrale sur la surface avant du substrat de silicium de type P 300, et de manière à ce que la première électrode 35a et l'élément de transmission de pression 20 soient reliés électriquement l'un à l'autre par le matériau 5 adhésif conducteur 40. Dans ce cas, la première électrode 35a peut être formée uniquement au niveau du côté gauche du substrat 300 comme indiqué sur la figure 10. En se référant à la figure 10, au niveau du côté de la surface avant du substrat de silicium de type P 300, un trou de 10 contact 304a est formé dans le film d'oxyde de silicium 304 à la position correspondant à la couche de diffusion de type N 302 et une partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 301 recouverte par la couche de diffusion de type N 302. La première électrode 35a est reliée électriquement à la couche de 15 diffusion de type N 302 et à la première partie d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P 301 par l'intermédiaire du trou de contact 304a sous un contact ohmique. En outre, la seconde électrode 35b est formée pratiquement sur toute la zone de la surface du côté de la surface arrière du 20 substrat de silicium de type P 300, et la seconde électrode 35b ainsi que la couche de diffusion de type P 303 sont reliées électriquement l'une à l'autre sous un contact ohmique du côté concerné de la surface arrière. Comme cela est décrit ci-dessus, le substrat de silicium de 25 type P 300 comprend les couches de diffusion respectives 301, 302, 303, le film d'oxyde de silicium 304 et la première électrode 35a, l'ensemble étant formé sur la surface avant du substrat 300. Le substrat 300 comprend également la seconde électrode 35b formée sur sa surface arrière. Ces éléments 30 peuvent être fabriqués en utilisant des techniques de fabrication de semiconducteur bien connues. Comme indiqué sur les figures 9 et 10, conformément à la conception utilisant le substrat de semiconducteur 300 comprenant le substrat de silicium de type P 300 dont la 35 direction du plan correspond au plan (110), la détection de pression peut être exécutée comme suit. Une tension est appliquée au substrat de semiconducteur, c'est-à-dire au substrat de silicium de type P 300 par l'intermédiaire de l'élément de transmission de pression 20 et à 40 l'élément de conducteur 50 de manière à ce que la première électrode 35a soit placée à un potentiel positif et que la seconde électrode 35b soit placée à un potentiel négatif. Cet état avec la tension appliquée est le même que celui du second mode de réalisation. Sous cet état avec la tension appliquée, le courant circule comme indiqué par une flèche sur la figure 9. C'est-à-dire que le courant circule depuis la première électrode 35a, par l'intermédiaire de la couche de jauge à diffusion de type P 301, l'intérieur du substrat de silicium de type P 300 (la partie du 10 type P-), la couche de diffusion de type P 303 jusqu'à la seconde électrode 35b, dans cet ordre. A ce moment, le courant circule principalement le long de la direction de l'axe du cristal dans la couche de jauge à diffusion de type P 301. A ce moment, la couche de diffusion de type N 302 recouvrant 15 la couche de jauge à diffusion de type P 301 assure l'isolement électrique entre la couche de jauge à diffusion de type P 301 et l'intérieur du substrat de silicium de type P 300 (la partie de type P-), et entretient une circulation normale du courant. Lorsque la pression F est appliquée au substrat de silicium 20 de type P 300 dans la direction de l'espacement des deux surfaces avant et arrière, le substrat de silicium de type P 300 est déformé dans le sens de l'épaisseur de celui-ci et la valeur ohmique le long de la direction de l'axe du cristal dans la couche de jauge à diffusion de type P 301 est amenée à 25 varier. Donc, la détection de la pression peut être exécutée en fournissant en sortie la variation de courant ou de tension provoquée par l'application de pression sous forme d'un signal électrique provenant des première et seconde électrodes. Dans le dispositif de détection de pression de ce mode de 30 réalisation, le substrat de semiconducteur 300 est également conçu de manière à ce que les électrodes 35a et 35b équipent les surfaces avant et arrière du substrat 300 et que les surfaces à la fois avant et arrière soient prises en sandwich par l'élément de transmission de pression conducteur 20 et l'élément de 35 conducteur 50, de manière à ce qu'aucune liaison par fil ne soit nécessaire pour la sortie de connexion des électrodes 35a, 35b sur les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 200. Pour cette raison, il est inutile de disposer l'élément de 40 conducteur pour une liaison par fil sur la périphérie extérieure du substrat de semiconducteur 300, comme dans le cas du dispositif de détection de pression classique, et la taille du boîtier 10 peut donc être davantage réduite à une taille plus proche de celle du substrat de semiconducteur 300. Comme on l'a 5 décrit ci-dessus, conformément à ce mode de réalisation, on peut procurer un dispositif de détection de pression présentant une conception appropriée pour réduire la taille du boîtier 10. (Quatrième mode de réalisation) En se référant à la figure 11, un quatrième mode de réalisation du dispositif de détection de pression sera expliqué en faisant remarquer les différences avec le premier mode de réalisation. Dans ce mode de réalisation, le boîtier 10 est conçu sous une forme pratiquement cylindrique dans l'ensemble, 15 et il comprend une première partie 101 située du côté d'une extrémité (extrémité inférieure sur la figure 11) de celui-ci, une seconde partie 102 qui est située du côté de l'autre extrémité (extrémité supérieure sur la figure 11) de celui-ci et présente une conductivité thermique plus petite que la première 20 partie 101, et une partie de cloison électriquement conductrice 103 par l'intermédiaire de laquelle la première partie 101 et la seconde partie 102 sont séparées. Par exemple, la première partie 101 et la partie de cloison 103 sont formées d'un métal tel que de l'acier inoxydable ou 25 autre, et la seconde partie 102 est formée d'un matériau de céramique tel que de l'alumine ou autre. Dans ce cas, la première partie 101 et la partie de cloison 103 sont collées fermement l'une à l'autre par un collage, un soudage ou autre, et la seconde partie 102 et la partie de cloison 103 sont 30 collées fermement l'une à l'autre par un collage ou autre. Un élément de transmission de pression 20 destiné à transmettre la pression P au substrat de semiconducteur 400 équipe la seconde partie 102. Dans ce mode de réalisation, l'élément de transmission de pression 20 présente également une 35 conductivité thermique plus petite que la première partie 101 du boîtier 10, et est formé en particulier du même matériau que la seconde partie 102 du boîtier 10, tel que par exemple un matériau de céramique ou autre. Dans ce mode de réalisation, l'élément de transmission de 40 pression 20 est conçu avec une forme cylindrique, et il est logé dans la seconde partie 102 du boîtier 10 alors que sa première extrémité est amenée en contact avec le diaphragme 11 et son autre extrémité est amenée en contact avec la partie de cloison 103. La partie de cloison 103 est conçue en forme de disque 5 comportant des protubérances sur les surfaces supérieure et inférieure au niveau de la partie centrale de celui-ci, et une protubérance de la partie de cloison 103 vient jusqu'en contact avec l'élément de transmission de pression 20. Le substrat de semiconducteur 400 est monté à l'intérieur d'une partie 10 d'extrémité (une partie d'extrémité au niveau du côté de la partie de cloison 103) de la première partie du boîtier 10. La surface avant du substrat de semiconducteur 400 vient jusqu'en contact avec la protubérance de la partie de cloison 103. Un élément de conducteur 50 qui est électriquement 15 indépendant du boîtier 10 est monté du côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur 400 dans la première partie 101 du boîtier 10. L'élément de conducteur 50 est conçu sous forme d'une tige métallique formée de cuivre ou autre, et l'élément de conducteur 20 50 est inséré et maintenu dans un support de conducteur cylindrique 51 constitué d'un matériau de céramique électriquement isolant tel que de l'alumine ou autre. L'intervalle entre le support de conducteur 41 et l'élément de conducteur 40 est scellé hermétiquement par du verre ou autre. La partie d'extrémité du côté du substrat de semiconducteur 400 de l'élément de conducteur 50 dépasse du support de conducteur 51, lequel vient jusqu'en contact avec la surface arrière du substrat de semiconducteur 400. En outre, une partie d'extrémité de l'élément de conducteur 50 qui vient en contact 30 avec la surface arrière du substrat de semiconducteur 400 est insérée dans une bague électriquement isolante 42 formée de céramique ou autre, et le substrat de semiconducteur 400 est également supporté par la bague 42. L'autre partie d'extrémité de l'élément de conducteur 50 au niveau du côté opposé du 35 substrat de semiconducteur 400 dépasse du support de conducteur 51 de sorte que l'élément de conducteur 50 peut être électriquement relié à un élément de câblage externe (non représenté). Dans le dispositif de détection de pression Si qui est 40 décrit cidessus, la pression F reçue par le diaphragme 14 est transférée de l'élément de transmission de pression 20 situé au niveau du côté de la surface avant (surface supérieure sur la figure 11) du substrat de semiconducteur 400 par l'intermédiaire de la plaque de cloison 103 jusqu'à la surface avant du substrat de semiconducteur 400. Ici, la pression est appliquée au substrat de semiconducteur 400 dans la direction le long de laquelle ses surfaces avant et arrière sont espacées l'une de l'autre, et le signal électrique fourni en sortie depuis le substrat de semiconducteur 400 (ses 10 électrodes) est amené à varier conformément à une variation de la pression P. Ensuite, la conception détaillée du substrat de semiconducteur 400 conforme à ce mode de réalisation sera décrite en faisant référence à la figure 12. La figure 12 est une vue agrandie représentant le substrat de semiconducteur 400 de la figure 11 et son voisinage immédiat. Le substrat de semiconducteur 400 est formé d'un substrat de silicium de type N_ 401, par exemple, et présente un axe de cristal sur les plans des surfaces avant et arrière du 20 substrat de silicium 401. Les surfaces avant et arrière du substrat de silicium 401 concident avec les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 400, respectivement. Une première couche N+ 31 est formée sur la surface du substrat de silicium 401 par dopage ou par diffusion d'impuretés 25 telles que du phosphore ou autre, et également une couche P+ 32a est formée sur la surface du substrat de silicium 401 par dopage ou diffusion d'impuretés telles que du bore ou autres, de façon à être adjacente à la première couche N+ 31 et à s'étendre le long de la direction de l'axe du cristal . En outre, une 30 seconde couche N+ 133 est formée sur la surface arrière du substrat de silicium 401, également par dopage ou par diffusion d'impuretés telles que du bore ou autre. Après cela, le film d'oxyde de silicium 34a, 34b est formé par oxydation thermique ou autre de façon à recouvrir les 35 surfaces avant et arrière du substrat de silicium 401, et ensuite un film électriquement conducteur 35a, 35b, 35c est formé d'alumine ou analogue par pulvérisation, dépôt ou autre de façon à recouvrir le film d'oxyde de silicium 34a, 34b. Dans ce cas, un trou de contact est formé dans le film 40 d'oxyde de silicium 34a au niveau du côté de la surface du substrat de silicium 401 de façon à se trouver à la position correspondant à l'interface de jonction entre la première couche N+ 31 et la couche P+ 32a, et l'interface de jonction concernée ainsi que le film électriquement conducteur 35c sont reliés 5 électriquement l'un à l'autre. Le film électriquement conducteur 35c est conçu comme une électrode relais 35c. De plus, un trou de contact est formé dans le film d'oxyde de silicium 34a au niveau du côté de la surface du substrat de silicium 401 de façon à être localisé à la position 10 correspondant à la partie d'extrémité de la couche P+ 32a du côté opposé à l'interface de jonction entre la première couche N+ 31 et la couche P+ 32a, et la partie d'extrémité de la couche P+ 32a concernée ainsi que le film électriquement conducteur 35a sont reliés électriquement l'un à l'autre. Le film électriquement 15 conducteur 35a est conçu comme première électrode 35a. De plus, un trou de contact est formé dans le film d'oxyde de silicium 34b au niveau du côté de la surface arrière du substrat de silicium 401 de façon à être localisé à la position correspondant à la seconde couche N+ 133, et la seconde couche N+ 20 133 ainsi que le film électriquement conducteur 35b sont reliés électriquement l'un à l'autre. Le film électriquement conducteur 35b est conçu comme seconde électrode 35b. Comme cela est décrit ci-dessus, le substrat de semiconducteur 400 comporte la première électrode 35a sur la 25 surface avant de celui-ci, et la seconde électrode 35b sur la surface arrière de celui-ci. Un tel substrat de semiconducteur 400 peut être fabriqué en utilisant une technique de fabrication de semiconducteur bien connue. Comme représenté sur la figure 12, la première électrode 35a 30 du côté de la surface du substrat de semiconducteur 400 est amenée en contact électrique avec la protubérance de la partie de cloison 103 du boîtier 10. En outre, la seconde électrode 35b du côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur 400 est amenée en contact électrique avec l'élément de conducteur 35 50. Dans ce cas, les première et seconde électrodes 35a, 35b peuvent être amenées en contact direct avec la partie de cloison 103 et l'élément de conducteur 50, respectivement, pour établir la conduction électrique entre ceux-ci, ou bien ils peuvent être 40 amenés en contact avec la partie de cloison 103 et l'élément de conducteur 50, respectivement, par l'intermédiaire d'un agent adhésif électriquement conducteur, d'une pâte d'argent ou autre. En particulier, la première électrode 35a est située du côté de réception de pression, et il est donc préférable que la partie 5 de cloison 103 ainsi que la première électrode 35a soient fixées l'une à l'autre par l'intermédiaire d'un agent adhésif durci électriquement conducteur. Dans le substrat de semiconducteur 400 qui est décrit cidessus, une tension est appliquée au substrat de semiconducteur 10 400 par l'intermédiaire de la partie de cloison 103 et de l'élément de conducteur 50 de manière à ce que la première électrode 35a soit placée au potentiel de la masse et que la seconde électrode 35b soit placée au potentiel positif. Cet état avec la tension appliquée, est représenté sur la figure 11. Cet état avec la tension appliquée est obtenu en reliant un élément de câblage externe tel qu'un connecteur ou autre à une extrémité du boîtier de la figure il (l'extrémité inférieure sur la figure 11) de sorte que l'élément de conducteur 50 soit placé au potentiel positif et que la première partie 101 du boîtier 10 20 qui est en conduction électrique avec la partie de cloison 103 soit placée au potentiel de la masse. Sous l'état avec la tension appliquée décrit ci-dessus, le courant circule dans le sens qui est indiqué par une flèche sur la figure 12. C'est-à-dire que le courant circule depuis la seconde électrode 35a et la seconde couche N+ 133 au niveau du côté de la surface arrière par l'intermédiaire de l'intérieur du substrat de silicium 401 vers la première couche N' 31, l'électrode relais 35c et la couche P' 32a du côté de la surface avant. Dans la couche P+ 32a, le courant circule vers la première 30 électrode 35a le long de la direction de l'axe du cristal . Dans ce cas, lorsque la pression, reçue par le diaphragme 1l est transmise par l'intermédiaire de l'élément de transmission de pression 20 et la partie de cloison 103 vers la surface avant du substrat de semiconducteur 400, la pression est appliquée au 35 substrat de semiconducteur 400 dans la direction le long de laquelle les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 400 sont espacées l'une de l'autre, et donc une déformation apparaît dans le substrat de semiconducteur 400. A ce moment, la valeur ohmique de la couche P' 32a dans le substrat 40 de semiconducteur 400 est amenée à varier conformément à cette 38 2851821 déformation, et le courant circulant dans le substrat de semiconducteur 400 est également amené à varier en raison de la variation de la valeur ohmique. La variation du courant est détectée sous forme d'un signal électrique entre les première et 5 seconde électrodes 35a, 35b pour déterminer la pression appliquée. Comme cela est décrit ci-dessus, conformément à ce mode de réalisation, dans le substrat de semiconducteur 400 destiné à fournir en sortie le signal électrique correspondant à la 10 pression appliquée dans la direction selon laquelle les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur sont espacées l'une de l'autre (comme décrit dans le brevet japonais NO 3 166 015), les première et seconde électrodes 35a et 35b sont formées sur les surfaces avant et arrière du substrat de 15 semiconducteur 400, et le signal électrique est fourni en sortie à partir des première et seconde électrodes 35a et 35b. De plus, dans le dispositif de détection de pression SI de ce mode de réalisation, les électrodes 35a, 35b sont formées sur les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 400, 20 et la partie de cloison 103 du boîtier 10 ainsi que l'élément de conducteur 50 sont installés de manière à ce que les surfaces avant et arrière du substrat de semiconducteur 400 soient prises en sandwich par la partie de cloison 103 et l'élément de conducteur 50, de sorte qu'aucune liaison par fil n'est 25 nécessaire pour la sortie de connexion des électrodes 35a, 35b sur les surfaces respectives du substrat de semiconducteur 400. De ce fait, contrairement au dispositif de détection de pression classique, il est inutile d'agencer les éléments de conducteurs pour la liaison par fil sur la périphérie extérieure 30 du substrat de semiconducteur 400, et le boîtier 10 peut donc être réduit en taille approximativement à la taille du substrat de semiconducteur 400. En outre, lorsque le dispositif de détection de pression SI de ce mode de réalisation est appliqué comme capteur de pression 35 de combustion, la seconde partie 102 servant de partie de monture pour l'élément de transmission de pression 20 dans le boîtier 10 est insérée dans un trou d'un bloc-moteur, et la seconde partie 102 du boîtier 10 est exposée à un environnement de mesure à haute température. Dans ce cas, conformément à ce mode de réalisation, la seconde partie 102 du boîtier 10 située du côté de l'environnement de mesure à haute température présente une conductivité thermique inférieure à celle de la première partie 5 101, de sorte que la chaleur provenant de l'environnement de mesure peut être empêchée d'être transmise au substrat de semiconducteur 400. Comme cela est décrit ci-dessus, conformément à ce mode de réalisation, on peut procurer un dispositif de détection de 10 pression Si qui permet de réprimer l'augmentation de température du substrat de semiconducteur 400 en réduisant la taille (le diamètre) du boîtier 10 par comparaison aux dispositifs de détection de pression classiques. L'élément de transmission de pression 20 peut être constitué 15 d'un métal tel qu'un acier inoxydable ou autre. Cependant, si l'élément de transmission de pression 20 est conçu pour présenter une conductivité thermique plus petite que la première partie 101 du boîtier 10 comme dans le mode de réalisation cidessus, il sera évident que l'effet de réduction du transfert de 20 chaleur depuis l'environnement de mesure vers le substrat de semiconducteur 30 peut être rendu plus remarquable. En outre, conformément à ce mode de réalisation, le diaphragme 11, exposé à l'environnement de mesure, est également formé d'un matériau de céramique, de sorte que l'effet de 25 réduction de la conduction thermique vers le substrat de semiconducteur 30 peut être amélioré. Le diaphragme 11 peut être constitué d'un métal tel qu'un acier inoxydable ou autre. La description de l'invention n'est qu'un exemple par nature et donc, des variantes qui ne s'écartent pas de l'esprit de 30 l'invention sont destinées à rester dans la portée de l'invention. De telles variantes ne doivent pas être considérées comme un écart par rapport à l'esprit et la portée de l'invention. REVEND I CATIONS 1. Dispositif de détection de pression comprenant un substrat de semiconducteur (30, 200, 300, 400) destiné à 5 fournir en sortie un signal électrique conformément à une pression appliquée dans le sens de l'épaisseur du substrat de semiconducteur, un élément de transmission de pression (20) qui équipe le côté de la surface avant du substrat de semiconducteur et qui 10 transmet une pression au côté de la surface avant du substrat de semiconducteur, et un boîtier (10) dans lequel le substrat de semiconducteur et l'élément de transmission de pression sont logés, caractérisé en ce que: l'élément de transmission de pression présente des propriétés électriquement conductrices, le substrat de semiconducteur comporte une première électrode (35a) sur la surface avant de celui-ci et une seconde électrode (35b) sur la surface arrière de celui-ci, le signal 20 électrique étant fourni en sortie par l'intermédiaire de la première électrode et de la seconde électrode lorsque la pression est appliquée, la première électrode est électriquement reliée à l'élément de transmission de pression, un élément de conducteur (50) électriquement indépendant du boîtier est logé dans le boîtier au niveau du côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur, et l'élément de conducteur et la seconde électrode sont reliés électriquement l'un à l'autre. 2. Dispositif de détection de pression selon la revendication 1, dans lequel la première électrode (35a) est disposée à la partie périphérique sur la surface avant du substrat de semiconducteur (30), la pression provenant de 35 l'élément de transmission de pression (20) est transmise à la partie centrale sur la surface avant du substrat de semiconducteur, et la première électrode ainsi que l'élément de transmission de pression sont reliés électriquement l'un à l'autre par l'intermédiaire d'un matériau adhésif conducteur 40 (40). 3. Dispositif de détection de pression selon la revendication 2, dans lequel la première électrode (35a) est conçue en forme d'anneau. 4. Dispositif de détection de pression selon la revendication 1, dans lequel: le substrat de semiconducteur est un substrat de silicium de type N (30) présentant une direction de plan correspondant au plan (110), la pression provenant de l'élément de transmission de pression (20) est transmise à la partie centrale de la surface avant du substrat de semiconducteur, une première couche de diffusion de type N (31) équipe une partie périphérique sur la surface avant du substrat de 15 silicium, le substrat de semiconducteur comprend une couche de jauge à diffusion de type P (32) qui est formée de façon continue sur celui-ci de façon à s'étendre depuis un voisinage de la première couche de diffusion de type N en passant par la partie centrale 20 du substrat de silicium de type N jusqu'à l'autre partie périphérique, une seconde couche de diffusion de type N (33) équipe la surface arrière du substrat de silicium de type N, la couche de jauge à diffusion de type P est reliée 25 électriquement à la première électrode (35a) au niveau de l'autre partie périphérique sur la surface avant du substrat de silicium de type N, la seconde couche de diffusion de type N est reliée électriquement à la seconde électrode (35b) sur la surface 30 arrière du substrat de silicium de type N, une troisième électrode (35c) destinée à relier électriquement la première couche de diffusion de type N, et la couche de jauge à diffusion de type P équipe la partie périphérique sur la surface avant du substrat de silicium de 35 type N. 5. Dispositif de détection de pression selon la revendication 4, dans lequel la couche de jauge à diffusion de type P (32) est de forme telle que la direction longitudinale de 40 la résistance se trouve le long de la direction de l'axe du cristal du substrat de silicium de type N au niveau de la partie centrale sur la surface avant du substrat de silicium de type N (30). 6. Dispositif de détection de pression selon la revendication 1, dans lequel: le substrat de semiconducteur est un substrat de silicium de type P (200) présentant une direction de plan correspondant au plan (110), la pression provenant de l'élément de transmission de pression (20) est transmise à la partie entière sur la surface avant du substrat de silicium de type P (200), une première couche de diffusion de type P (201) reliée électriquement à la première électrode (35a) équipe la surface avant du substrat de silicium de type P, une seconde couche de diffusion de type P (202) reliée électriquement à la seconde électrode (35) équipe la surface arrière du substrat de silicium de type P, et la première couche de diffusion de type P et la seconde 20 couche de diffusion de type P sont respectivement disposées au niveau d'une partie périphérique et de l'autre partie périphérique qui sont opposées l'une à l'autre par l'intermédiaire de la partie centrale du substrat de silicium de type P le long de la direction d'axe de cristal . 25 7. Dispositif de détection de pression selon la revendication 6, dans lequel le substrat de silicium de type P (200) est conçu suivant une forme plane rectangulaire de manière à ce que la direction de l'axe de cristal de celui-ci soit 30 le long d'une direction en diagonale du substrat de silicium de type P, et la première couche de diffusion de type P (201) ainsi que la seconde couche de diffusion de type P (202) sont opposées l'une à l'autre le long de la direction en diagonale du substrat de silicium de type P. 8. Dispositif de détection de pression selon la revendication 1, dans lequel: le substrat de semiconducteur est un substrat de silicium de type P (300) présentant une direction de plan correspondant au 40 plan (110), la pression provenant de l'élément de transmission de pression (20) est transmise à la partie centrale sur la surface avant du substrat de silicium de type P (300), une couche de jauge à diffusion de type P (301) reliée 5 électriquement à la première électrode (35a) au niveau d'une partie périphérique du substrat de silicium de type P est située sur la surface avant du substrat de silicium de type P, la couche de jauge à diffusion de type P est mise en forme de façon à s'étendre depuis la partie périphérique sur la 10 surface avant du substrat de silicium de type P vers l'autre partie périphérique, le long de la direction de l'axe du cristal , une couche de diffusion de type N (302) reliée électriquement à la première électrode est formée au niveau de 15 la partie périphérique sur la surface avant du substrat de silicium de type P de façon à être située entre la couche de jauge à diffusion de type P et l'intérieur du substrat de silicium de type P pour recouvrir la couche de jauge à diffusion de type P, à l'exception de la zone correspondant à la partie 20 d'extrémité de la couche de jauge à diffusion de type P au niveau du côté de l'autre partie périphérique, et une couche de diffusion de type P (303) reliée électriquement à la seconde électrode (35b) équipe la surface arrière du substrat de silicium de type P. 25 9. Dispositif de détection de pression selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, dans lequel: l'élément de transmission de pression (20) est disposé sur la surface avant du substrat de semiconducteur (30, 200, 300) 30 pour être face à la partie centrale, et la première électrode (35a) est placée de façon à être plus proche du côté de la partie périphérique que l'élément de transmission de pression et à être reliée électriquement à l'élément de transmission de pression par l'intermédiaire du 35 matériau adhésif conducteur (40). 10. Dispositif de détection de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel le boîtier (10) présente des propriétés électriquement conductrices, et la 40 première électrode (35a) est reliée électriquement au boîtier par l'élément de transmission de pression (20), grâce à quoi la première électrode (35a) peut être reliée électriquement à l'extérieur. 11. Dispositif de détection de pression selon la revendication 10, dans lequel l'élément de transmission de pression (20) et le boîtier (10) sont équipés d'une couche conductrice présentant une résistance électrique inférieure à celle de l'élément de transmission de pression et du boîtier. 12. Dispositif de détection de pression selon la revendication 1, dans lequel le boîtier présente des propriétés électriquement conductrices, et le signal électrique fourni en sortie à partir de la première électrode est fourni en sortie à 15 l'extérieur par l'intermédiaire de l'élément de transmission de pression et du boîtier. 13. Dispositif de détection de pression selon la revendication 1, dans lequel le boîtier comprend une première partie (101) , une seconde partie (102) présentant une conductivité thermique plus petite que la première partie, et une partie de cloison électriquement conductrice (103), par l'intermédiaire de laquelle la première partie et la seconde partie sont séparées l'une de l'autre, le substrat de semiconducteur est logé dans la première partie (101) du boîtier, l'élément de transmission de pression est logé dans la seconde partie (102) du boîtier de sorte que la pression est transmise par l'intermédiaire de la partie de cloison à la 30 surface avant de substrat de semiconducteur, la première électrode (35a) du substrat de semiconducteur est reliée électriquement à la partie de cloison du boîtier, et l'élément de conducteur (50) et la seconde électrode (35b) du substrat de semiconducteur sont électriquement reliés l'un à 35 l'autre. 14. Dispositif de détection de pression selon la revendication 13, dans lequel la première partie (101) du boîtier (10) est formée d'un métal, et la seconde partie (102) 40 est formée d'un matériau de céramique. 15. Dispositif de détection de pression selon la revendication 13 ou 14, dans lequel l'élément de transmission de pression (20) présente une conductivité thermique plus petite que la première partie (101) du boîtier (10). 16. Dispositif de détection de pression selon la revendication 14, dans lequel l'élément de transmission de pression (20) est formé du même matériau que la seconde partie (102) du boîtier (10). 17. Dispositif de détection de pression comportant un substrat de semiconducteur (400) destiné à fournir en sortie un signal électrique conformément à une pression appliquée dans une direction le long de laquelle à la fois les surfaces avant et 15 arrière du substrat de semiconducteur sont espacées l'une de l'autre, un élément de transmission de pression (20) qui équipe le côté de la surface avant du substrat de semiconducteur et transmet une pression au côté de la surface avant du substrat de semiconducteur, et un boîtier (10) dans lequel le substrat de 20 semiconducteur et l'élément de transmission de pression sont logés, caractérisé en ce que le boîtier comprend une première partie (101), une seconde partie (102) présentant une conductivité thermique plus petite que la première partie, et une partie de cloison électriquement 25 conductrice (103) par l'intermédiaire de laquelle la première partie et la seconde partie sont séparées l'une de l'autre, le substrat de semiconducteur est logé dans la première partie (101) du boîtier, l'élément de transmission de pression est logé dans la 30 seconde partie (102) du boîtier de sorte qu'une pression est transmise par l'intermédiaire de la partie de cloison à la surface avant du substrat de semiconducteur, le substrat de semiconducteur comporte une première électrode (35a) sur sa surface avant et une seconde électrode 35 (35b) sur sa surface arrière, un signal électrique étant fourni en sortie depuis la première électrode et la seconde électrode lorsqu'une pression est appliquée, la première électrode du substrat de semiconducteur est électriquement reliée à la partie de cloison du boîtier, et un élément de conducteur (50) qui est électriquement indépendant du boîtier est logé au niveau du côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur dans le boîtier, et l'élément de conducteur ainsi que la seconde électrode du 5 substrat de semiconducteur sont reliés électriquement l'un à l'autre. 18. Dispositif de détection de pression selon la revendication 17, dans lequel la première partie (101) du 10 boîtier (10) est formée d'un métal, et la seconde partie (102) est formée d'un matériau de céramique. 19. Dispositif de détection de pression selon la revendication 17 ou 18, dans lequel l'élément de transmission de 15 pression (20) présente une conductivité thermique plus petite que la première partie (101) du boîtier (10). 20. Dispositif de détection de pression selon la revendication 19, dans lequel l'élément de transmission de 20 pression (20) est formé du même matériau que la seconde partie (102) du boîtier (10).