FR 2853445 A1 20041008 FR 0304127 A 20030402 " Cellule mémoire statique à accès aléatoire (SRAM), et unité mémoire à ultra basse consommation réalisée à partir de telles cellules " La présente invention concerne une cellule mémoire statique à accès aléatoire (SRAM) fonctionnant en ultra basse tension pour une ultra basse consommation. Elle vise également une unité mémoire à ultra basse consommation réalisée à partir de telles cellules. Le développement considérable des équipements électroniques portables suscite un besoin croissant pour des composants à basse consommation. Cet objectif de basse consommation peut en particulier être atteint en concevant des composants fonctionnant avec une tension d'alimentation 15 ultra basse. Pour la conception de mémoires SRAM, il est nécessaire d'obtenir un compromis entre des attentes contradictoires telles qu'une bonne stabilité des cellules mémoires assurant une bonne fiabilité (du point de vue du taux d'erreur 20 logiciel (SER: soft Error Rate), de la sensibilité de la mémoire aux tolérances du procédé de fabrication et des conditions de fonctionnement), une taille de cellule la plus faible possible pour une densité maximale, une maximisation du courant de charge pour permettre une vitesse élevée et un 25 courant (statique en mode rétention) de fonctionnement minimal pour assurer une basse consommation d'énergie. Il existe déjà des cellules mémoires de type 4T-2R. Ces cellules nécessitent un ratio de cellule élevé pour assurer -ue la stabilité et présentent un courant de fuite au repos 30 élevé. Les cellules mémoire de type 4T-2TFT présentent une compatibilité avec les technologies CMOS et leur résistance modulée permet une amélioration du compromis entre le courant au repos (Ioff) et le courant de fuite de charge de la cellule (Ion). Les cellules mémoires de type 6T PMOS LOAD sont compatibles avec les technologies CMOS et leur structure en 5 " pull-up " actif assure une stabilité de la cellule et une bonne immunité aux erreurs. Ces cellules mémoires présentent un faible courant de fuite au repos. Cependant, l'écriture dans ces cellules est plus difficile que dans des cellules de type 4T-2R/TFT. Par ailleurs, leurs dimensions sont plus 10 grandes que celles des cellules 4T-2R/TFT, d'un facteur 1,5 à 2. Outre les structures conventionnelles de cellules mémoires, sont maintenant développées des cellules mémoires présentant de nouvelles architectures, telle que l'architecture de cellule à commande de sourceligne proposée par HITACHI et divulguée dans l'article intitulé " Driving Source-Line Cell Architecture for Sub-lV High-Speed Low-Power Applications " paru dans la revue " IEEE Journal Solid-State Circuits " Vol. 31, No. 4, Avril 1996. Cette architecture de 20 cellule, qui est adaptée pour des applications à basse tension et par conséquent basse puissance, requiert de générer des signaux supplémentaires et notamment une source de tension négative. En mode de rétention, SL = Vss, tandis qu'en lecture, SL Il existe aussi une architecture de cellule de type CMOS 4T sans charge proposée par NEC et divulguée dans l'article intitulé " A 16-Mb 400-MHz loadless CMOS Four-Transistor SRAM Macro " paru dans la revue " IEEE Journal of Solid-State Circuits " Vol.35,Noll, Novembre 2000. Cette cellule a en 30 pratique la taille d'une cellule de type 4T-2R. Elle est toutefois sensible à la désadaptation et à la température. Par ailleurs, elle nécessite des circuits supplémentaires pour procurer la fonction de rafraîchissement de cellule et sa fiabilité. Le but de la présente invention est de proposer une topologie de cellule mémoire à ultra basse consommation, qui permette de remédier aux inconvénients précités. Cet objectif est atteint avec une cellule mémoire statique à accès aléatoire (SRAM), comprenant - un premier et un second transistors de charge, de technologie MOSFET, agencés pour contrôler et maintenir les 10 potentiels respectifs d'un premier et d'un second noeuds de stockage par rapport à une référence de tension et, - un premier et un second transistors d'accès, de technologie MOSEFET complémentaire de celle desdits transistors de charge, disposés respectivement (i) entre une ligne de bit et le 15 premier noeud de stockage et (ii) entre une ligne de bit complémentaire et le second noeud de stockage, et ayant leurs grilles respectives reliées à une ligne de mot. Suivant l'invention, les transistors de charge et d'accès sont réalisés en technologie Silicium sur Isolant 20 (SOI). Dans cette nouvelle architecture d'une cellule mémoire à quatre transistors implémentée en technologie SOI, les transistors de charge ont pour fonction d'assurer et de maintenir la charge nécessaire à l'établissement d'un niveau 25 logique 'l', correspondant au potentiel égal à la tension d'alimentation, à l'un ou l'autre des noeuds en fonction de la valeur logique mémorisée. Les deux transistors d'accès, dont les substrats sont laissés flottants, ont pour fonction d'autoriser, lors d'un 30 cycle de lecture ou d'écriture, l'accès aux potentiels des noeuds. Par ailleurs, ces transistors d'accès contribuent à maintenir le niveau logique '0' aux noeuds en fonction de la valeur logique mémorisée. Le maintien du niveau logique '0' est effectué par un système d'autorégulation des charges du noeud. Dans une forme de réalisation particulièrement avantageuse, les transistors de charge sont de type PMOS et 5 ont leurs sources respectives reliées à une source de tension d'alimentation, tandis que les transistors d'accès sont de type NMOS et ont leurs drains respectifs reliés respectivement aux premier et second noeuds de stockage. Dans un mode particulier d'implémentation, les premier 10 et second transistors de charge (TL1, TL2) ont leurs drains respectifs définissant respectivement lesdits premier et second noeuds de stockage et reliés respectivement aux grilles respectives du second transistor de charge et du premier transistor de charge, et les premier et second transistors 15 d'accès (TA1, TA2) ont leurs sources respectives reliées respectivement à la ligne de bit (BLT) et à la ligne de bit complémentaire (BLC). Les premier et second transistors de charge sont de préférence montés selon la technologie DTMOS (Dynamic 20 Threshold Metal Oxide Semiconductor Métal Oxyde Semiconducteur à seuil dynamique). Les charges électriques, à l'un ou l'autre des noeuds de stockage (A, B) selon l'état de la ligne de bit (BLT), sont autorégulées de sorte que le potentiel dudit noeud est 25 maintenu au niveau logique 0'. Dans une forme particulière de réalisation d'une cellule mémoire selon l'invention, les transistors de charge (TL1, TL2) opèrent comme des transistors de conduction de type pMOS montés en DTMOS et les transistors d'accès (TA1, TA2) sont de 30 type nMOS et à substrat flottant. La ligne de bit (BLT) et la ligne de bit complémentaire (BLC) sont alors préchargées à la tension d'alimentation (Vss), et la ligne de mot (WL) est prévue pour commander les transistors d'accès (TA1, TA2), soit en blocage à la tension d'alimentation (VDD), soit en activation à 0 volt. Grâce à la nouvelle architecture des cellules mémoires selon l'invention, et aux caractéristiques électriques des 5 transistors SOI, en mode de rétention, les valeurs logiques mémorisées n'ont pas besoin d'être rafraîchies par des circuits électriques externes et complémentaires, contrairement aux cellules mémoires du type " Loadless CMOS 4T ". De plus, une cellule mémoire selon l'invention permet une précharge des lignes de bit à 0 et ne requiert pas une forte différence de potentiels entre ces lignes de bit lors d'une opération d'écriture ou de lecture, ce qui contribue à minimiser la consommation électrique des lignes de bits de la 15 cellule mémoire. En outre, du fait de la structure des transistors SOI et de l'architecture à quatre transistors de la cellule mémoire selon l'invention, il est possible de réaliser un plan mémoire à forte capacité d'intégration. Ainsi, la présente invention procure à la fois une très bonne stabilité, une très faible consommation et un taux d'intégration élevé. La cellule mémoire selon l'invention est agencée pour fonctionner en ultra basse tension, i.e. égale ou inférieure à la tension de conduction d'une jonction PN, 25 par exemple à une tension inférieure à 0.5 Volt. Par ailleurs, le rapport de la largeur d'un transistor d'accès sur la largeur du transistor de charge relié au transistor d'accès est de préférence égal ou supérieur à 1.5 suivant la technologie utilisée. Suivant un autre aspect de l'invention, il est proposé une unité mémoire comprenant un tableau de cellules mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM), des moyens de registre d'entrée de données, des moyens de registre de sortie de données, des moyens de registre d'adresse, et des moyens d'écriture/lecture, lesdites cellules mémoires comprenant - un premier et un second transistors de charge, de technologie MOSFET, agencés pour contrôler et maintenir les 5 potentiels respectifs d'un premier et d'un second noeuds de stockage par rapport à une référence de tension et, - un premier et un second transistors d'accès, de technologie MOSFET complémentaire de celle desdits transistors de charge, disposés respectivement (i) entre une ligne de bit et le 10 premier noeud de stockage et (ii) entre une ligne de bit complémentaire et le second noeud de stockage, et ayant leurs grilles respectives reliées à une ligne de mot. Cette unité mémoire est caractérisée en ce que les transistors de charge et d'accès sont réalisés en technologie 15 Silicium sur Isolant (SOI), ces transistors de charge étant de type PMOS et ayant leurs sources respectives reliées à une source de tension d'alimentation, et lesdits transistors d'accès étant de type NMOS et ayant leurs drains respectifs reliés respectivement auxdits premier et second noeuds de 20 stockage. Les moyens de lecture de chaque cellule mémoire peuvent être agencés pour opérer soit en tension, soit en courant. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée d'un mode 25 de mise en oeuvre nullement limitatif, et des dessins annexés sur lesquels - la figure 1 est un schéma synoptique d'une unité mémoire selon l'invention; - la figure 2a est une coupe transversale d'un transistor 30 SOI à substrat flottant, mis en oeuvre comme transistor d'accès dans une cellule mémoire selon l'invention; - la figure 2b est une coupe transversale d'un transistor SOI monté en DTMOS, mis en oeuvre comme transistor de charge dans une cellule mémoire selon l'invention; - la figure 3 est un schéma fonctionnel d'une cellule mémoire selon l'invention; - la figure 4 illustre l'évolution de la différence de potentiel entre les noeuds A et B dans une cellule mémoire selon l'invention en fonction du rapport dimensionnel de cette cellule; - la figure 5a illustre l'évolution temporelle des potentiels respectifs des noeuds A et B, illustrant le phénomène d'autorégulation du potentiel de niveau logique " O " ; - la figure 5b illustre l'évolution temporelle des 15 tensions respectives Vbody-source des transistors d'accès lors d'un cycle d'écriture dans une cellule mémoire selon l'invention; - la figure 6a illustre l'évolution temporelle d'un signal de commande sur la ligne de mot WL, qui est appliqué 20 lors d'un cycle d'écriture dans une cellule mémoire selon l'invention; - la figure 6b illustre l'évolution temporelle de signaux de commande appliqués respectivement sur la ligne de bit et sur la ligne de bit complémentaire, lors d'un cycle 25 d'écriture dans une cellule mémoire selon l'invention; - la figure 6c illustre l'évolution temporelle des potentiels respectifs de la ligne de bit et de la ligne de bit complémentaire, lors d'un cycle d'écriture dans une cellule mémoire selon l'invention; - la figure 6d illustre l'évolution temporelle des potentiels respectifs des noeuds A et B d'une cellule mémoire selon l'invention, lors d'un cycle d'écriture i et - la figure 6e illustre l'évolution temporelle des tensions Vsubstratsource des transistors d'accès lors d'un 5 cycle d'écriture dans une cellule mémoire selon l'invention. On va maintenant décrire, en référence aux figures précitées, la structure d'une cellule mémoire selon l'invention et d'une unité mémoire incluant de telles 10 cellules mémoires, ainsi que le fonctionnement de cette cellule mémoire dans les différents modes de lecture, d'écriture et de rétention. Une unité mémoire selon l'invention comprend, en référence à la figure 1, un tableau de cellules mémoires à 15 ultra basse consommation selon l'invention, auquel sont associés un registre d'adresse, un registre d'entrée des données, une horloge, une circuiterie d'écriture/lecture, et un registre de sortie de données. Les cellules mémoires du tableau, qui ne requièrent pas de cycle de rafraîchissement 20 et présentent une très forte intégration, sont arrangées sous la forme d'une matrice conventionnelle. Le registre d'adresse est prévu pour adresser ou sélectionner une cellule de la matrice. Sa fonction est de décoder les coordonnées, c'est-à-dire la ligne et la colonne, 25 de chaque cellule à partir d'un mot d'adresse de plusieurs bits. Le registre d'entrée de données a pour fonction de fournir les bits d'un mot qui doivent être mémorisés dans le tableau lors d'une opération d'écriture. Le registre de sortie de données a pour fonction de 30 recevoir les bits du mot mémorisé à l'adresse définie dans le registre d'adresse lors d'une opération de lecture. Les transistors d'accès prévus dans une cellule mémoire selon l'invention présentent, en référence à la figure 2a, une structure de transistor NMOS/SOI à substrat flottant, tandis que les transistors de charge présentent, en référence 5 à la figure 2b, une structure de transistor PMOS/SOI monté en DTMOS. Chaque cellule mémoire comporte, au schéma de la figure 3, deux transistors de charge TL1, TL2 de type PMOS/SOI montés en DTMOS, qui ont pour fonction d'assurer et de maintenir la 10 charge nécessaire à l'établissement d'un niveau logique '1' correspondant à un potentiel égal à la tension d'alimentation Vdd. Les sources respectives de ces deux transistors de charge sont reliées à une ligne maintenue à cette tension d'alimentation Vdd, tandis que leurs drains respectifs sont 15 reliés aux grilles respectives des transistors opposés et représentent les deux noeuds de stockage A, B. Chaque cellule mémoire comporte en outre deux transistors d'accès TAi, r A2 qui ont pour fonction d'autoriser, lors d'un cycle de lecture ou d'écriture, 20 l'accès aux potentiels des noeuds A et B. Par ailleurs, ces deux transistors d'accès contribuent, en mode de rétention, à maintenir le niveau logique '0' aux noeuds A ou B en 'fonction de la valeur logique mémorisée. Le maintien du niveau logique 'O' est obtenu par un mécanisme d'autorégulation des charges 25 du noeud qui sera expliqué dans la suite. Les drains respectifs des deux transistors d'accès TA1, TA2 sont reliés, aux noeuds A et B, aux drains respectifs des deux transistors de charge, tandis que leurs sources respectives sont reliées respectivement à une ligne de bit 30 BLT et à une ligne de bit complémentaire BLC. Les grilles respectives des deux transistors d'accès TA1, TA2 sont reliées à une ligne de mot WL. - 10 On va maintenant décrire, en référence aux figures 4 à 6e, les différents modes opérationnels mis en oeuvre dans une cellule mémoire selon l'invention. En mode de rétention, la nouvelle topologie de cellule 5 mémoire selon l'invention procure l'avantage de ne pas nécessiter de cycle de rafraîchissement et d'assurer, grâce à une forte rétroaction entre les deux transistors de charge TL1, TL2, de bons niveaux logiques. Dans ce mode, la ligne de mot WL et les lignes de bit BLT, BLC sont polarisées et 10 maintenues à un potentiel nul. Les transistors d'accès TA1, TA2 présentent alors des tensions VGrille-source égales à 0V, ce qui les conditionne dans un état bloqué. Les courants DrainSource, issus de ces transistors, sont des courants de fuite proportionnels aux tensions VBodysource et VDrain-source de chacun 15 d'entre eux. Pour un niveau logique mémorisé '1', correspondant à A='l' et B='0', le transistor TL2 est également dans un état bloqué (VGrille-Source=O). Comme ce transistor est monté en DTMOS, le courant de fuite qui le traverse est minimisé par 20 sa tension VBody-source nulle. Pour maintenir le potentiel du noeud B proche de 0V, il est nécessaire que le transistor d'accès TA2 conduise le courant issu du transistor de charge TL2 dans la ligne de bit complémentaire BLC. Pour une largeur de grille fixe, le courant de fuite conduit par le transistor d'accès TA2 est fonction du potentiel de son substrat flottant (body) . Si le potentiel V(B) au noeud B augmente, le potentiel du substrat flottant du transistor d'accès TA2 augmente aussi par des effets physiques propres à la technologie SOI et par un 30 couplage capacitif CDrain-Body qui existe entre le drain et le substrat flottant du transistor. Ceci entraîne une augmentation exponentielle du courant dans le transistor d'accès TA2 qui devient rapidement plus grand que le courant fourni par le transistor de charge TL2, ce qui limite ainsi la charge du noeud B. En même temps, la diminution de la tension VDrain-Source du transistor de charge TL2 et l'augmentation de la tension VDain-Source du transistor d'accès 5 TA2 viennent renforcer cette évolution (diminution et augmentation linéaire du courant suivant VDS). La minimisation du potentiel au noeud B implique un dimensionnement approprié des transistors de la cellule mémoire. En effet, l'amplitude du potentiel au noeud B est 10 proportionnelle au ratio r=WA/WL de la largeur WA du transistor d'accès sur la largeur WL du transistor de charge, dans le cas présent le transistor d'accès TA2 et le transistor de charge TL2. En référence à la figure 4 qui représente la stabilité 15 d'une cellule mémoire selon l'invention par la variation de la dif férence de tension (V (A) -V(B)>) entre le noeud A et le noeud B en fonction du ratio r, il apparaît que la cellule mémoire est stable tant que la différence de tension est positive. L'étude de stabilité d'une cellule mémoire selon 20 l'invention a été effectuée en fonctionnement standard ou typique et dans des situations limites, notamment en présence de bruit de procédé (en anglais mismatch) entre les transistors et en présence de température. A titre d'exemple non limitatif, pour une technologie SOI à 0.25pm, on observe 25 que la cellule mémoire reste stable pour r=1.5 et au dessus. On peut envisager une diminution de ce ratio pour d'autres technologies. Comme l'illustrent les figures 5a et 5b, le potentiel V(B) au noeud B d'une cellule mémoire selon l'invention tend 30 vers une valeur de potentiel constante et de faible amplitude, selon un processus d'autorégulation du potentiel du noeud B. - 12 En mode d'écriture, la charge dynamique du substrat flottant des transistors d'accès TA1, TA2, via un couplage capacitif Grille-Body lors de la commutation du signal WL sur la ligne de mot (figure 6a), ainsi qu'une très forte 5 rétroaction des transistors de charge TL1, TL2 montés en DTMOS, contribuent à accroître la vitesse d'écriture des cellules mémoires selon l'invention qui est intrinsèquement modérée du fait d'une tension d'alimentation faible (de l'ordre du demi volt et en dessous) . Il est à noter que la 10 tension maximale de fonctionnement n'est limitée que par la tension de conduction d'une jonction PN, en général 0.6V. En mode d'écriture, les lignes de bit BLT et BLC sont chargées de façon complémentaire. Si l'on souhaite écrire un '0' logique au noeud B et un '1' logique au noeud A, la ligne 15 de bit BLT et la ligne de bit complémentaire BLC sont chargées respectivement à un potentiel correspondant au niveau logique haut et à un potentiel nul qui tend vers la moitié de la tension d'alimentation Vdd. La ligne de mot WL est activée et désactivée quelques nanosecondes après et avant que les lignes de bit ne soient elles-mêmes activées et désactivées. Les figures 6a à 6e illustrent un cycle d'écriture et met en avant la charge dynamique des substrats flottants des transistors d'accès (figure 6e) ainsi que le phénomène de 25 rétroaction des transistors de charge (figure 6d). La très bonne rétroaction de la structure de cellule mémoire selon l'invention est due à un très bon rapport Ion (courant passant) /Iff (courant de fuite en mode bloqué) des transistors de charge TL1, TL2 montés en DTMOS. Le mode de lecture d'une cellule mémoire selon l'invention peut être réalisé soit en tension, soit en courant. Comme dans le mode d'écriture, lors de l'activation du signal de ligne de mot WL, le couplage capacitif Grille- - 13 Body des transistors d'accès contribue à charger dynamiquement leur substrat et doper leur capacité à conduire du courant. Grâce au très bon rapport I,,/Iff des transistors de charge TL1, TL2, le rapport du courant IDrain-source du premier 5 transistor d'accès TAl sur le courant IDrain- Source du second transistor d'accès TA2 est aussi très élevé, ce qui procure un grand avantage pour une lecture en courant. Bien sûr, l'invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent 10 être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. - 14 REVENDICATIONS 1. Cellule mémoire statique à accès aléatoire (SRAM), comprenant - un premier et un second transistors de charge (TnL, TL2), de technologie MO.SFET, agencés pour contrôler et maintenir les potentiels respectifs d'un premier et d'un second noeuds de stockage (A, B) par rapport à une référence de tension et, - un premier et un second transistors d'accès (TA1, TA2), de 10 technologie MOSFET complémentaire de celle desdits transistors de charge, disposés respectivement (i) entre une ligne de bit (BLT) et ledit premier noeud de stockage (A) et (ii) entre une ligne de bit complémentaire (BLC) et ledit second noeud de stockage (B), et ayant leurs grilles 15 respectives reliées à une ligne de mot (WL), caractérisée en ce que les transistors de charge (TL1, TL2) et d'accès (TA1, TA2) sont réalisés en technologie Silicium sur Isolant (SOI). 2. Cellule mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que les transistors de charge (TL1, TL2) sont de type pMOS et ont leurs sources respectives reliées à une source de tension d'alimentation (VDD), et en ce que les transistors d'accès (TA1, TA2) sont de type nMOS et ont leurs drains 25 respectifs reliés respectivement auxdits premier et second noeuds de stockage (A, B). 3. Cellule mémoire selon la revendication 2, caractérisée en ce que les premier et second transistors de charge (TLI, TL2) 30 sont montés selon la technologie DTMOS (Dynamic Threshold Metal Oxide Semiconductor Métal Oxyde Semiconducteur à seuil dynamique). 4. Cellule mémoire selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisée en ce que les premier et second transistors d'accès (TA1, TA2) sont du type à substrat flottant. 5. Cellule mémoire selon l'une des revendication 2 à 4, caractérisée en ce que les premier et second transistors de charge (TL1, TL2) ont leurs drains respectifs définissant respectivement lesdits premier et second noeuds de stockage et reliés respectivement aux grilles respectives dudit second 10 transistor de charge et dudit premier transistor de charge, et en ce que les premier et second transistors d'accès (TA1, TA2) ont leurs sources respectives reliées respectivement à la ligne de bit (BLT) et à la ligne de bit complémentaire (BLC). 6. Cellule mémoire selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle est agencée pour fonctionner en ultra basse tension, i.e. égale ou inférieure à la tension de conduction d'une jonction PN. 20 7. Cellule mémoire selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce que les charges électriques, à l'un ou l'autre des noeuds de stockage (A, B) selon l'état de la ligne de bit (BLT), sont autorégulées de sorte que le 25 potentiel dudit noeud est maintenu au niveau logique '0'. 8. Cellule mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que les transistors de charge (TL1, TL2) opèrent comme des transistors de conduction de type pMOS montés en DTMOS et en 30 ce que les transistors d'accès (TA1, TA2) sont de type nMOS et à substrat flottant. 9. Cellule mémoire selon la revendication 8, caractérisé en ce que la ligne de bit (BLT) et la ligne de bit complémentaire (BLC) sont préchargées à la tension d'alimentation (Vss), et en ce que la ligne de mot (WL) est 5 prévue pour commander les transistors d'accès (TA1, TA2), soit en blocage à la tension d'alimentation (VDD), soit en activation à 0 volt. 10. Unité mémoire comprenant un tableau de cellules mémoires 10 statiques à accès aléatoire (SRAM), des moyens de registre d'entrée de données, des moyens de registre de sortie de données, des moyens de registre d'adresse, et des moyens d'écriture/lecture, lesdites cellules mémoires comprenant: un premier et un second transistors de charge (TL1, TL2), de 15 technologie MOSFET, agencés pour contrôler et maintenir les potentiels respectifs d'un premier et d'un second noeuds de stockage (A, B) par rapport à une référence de tension et, - un premier et un second transistors d'accès (TA1, TA2), de technologie MOSFET complémentaire de celle desdits 20 transistors de charge, disposés respectivement (i) entre une ligne de bit (BLT) et ledit premier noeud de stockage (A) et (ii) entre une ligne de bit complémentaire (BLC) et ledit second noeud de stockage (B), et ayant leurs grilles respectives reliées à une ligne de mot (WL), caractérisé en ce que les transistors de charge (TL1, TL2) et d'accès (TA1, TA2) sont réalisés en technologie Silicium sur Isolant (SOI), lesdits transistors de charge (TL1, TL2) étant de type pMOS et ayant leurs sources respectives reliées à une source de tension d'alimentation (VDD), et lesdits 30 transistors d'accès (TA1, TA2) étant de type nMOS et ayant leurs drains respectifs reliés respectivement auxdits premier et second noeuds de stockage (A, B). - 17 11. Unité mémoire selon la revendication 10, caractérisée en ce que les moyens de lecture de chaque cellule mémoire sont agencés pour opérer en tension. 12. Unité mémoire selon la revendication 10, caractérisée ne ce que les moyens de lecture de chaque cellule mémoire sont agencés pour opérer en courant.