FR 2849017 A1 20040625 FR 0216401 A 20021220 i Procédé de traitement d'une structure pour l'obtention d'un espace interne et structure présentant un espace interne. La présente invention concerne le domaine des structures, en particulier multi-couches, présentant un espace interne d'épaisseur nanométrique ou micrométrique et s'étendant en général sur une surface plus grande que son épaisseur. Dans le domaine des microsystèmes, par exemple pour réaliser 10 des capteurs de pression, il est particulièrement avantageux de réaliser une structure capacitive multi-couche comprenant une plaquette massive de silicium et une membrane constituée par un film de silicium, la plaquette et cette membrane étant séparées par une couche d'un isolant tel que de l'oxyde de silicium, structure dans laquelle est réalisé un 15 espace interne entre la plaquette de silicium et la membrane, de telle sorte qu'une variation de pression extérieure se traduit par une variation de la déformation de la membrane dans la zone de l'espace interne, perpendiculairement à cet espace, engendrant ainsi une variation de la capacité entre la membrane et la plaquette, dont la mesure permet de 20 déterminer la variation de pression extérieure. En référence aux figures 1 et 2 annexées, on va décrire ci-après la manière actuellement utilisée pour réaliser un tel espace interne. En se reportant à la figure 1, on peut voir qu'il est connu de réaliser une structure 1 comprenant une plaquette ou couche de silicium 25 2, par exemple d'épaisseur sensiblement égale à cinq cent cinquante microns, et une plaquette ou couche de silicium 3, par exemple d'épaisseur sensiblement égale à deux microns, séparées par une couche 4 d'un isolant tel que de l'oxyde de silicium, par exemple d'épaisseur sensiblement égale à un micron. On réalise un trou 5, généralement d'un diamètre sensiblement égale à cinq cents nanomètres, dans la plaquette 3 la moins épaisse et on procède à une attaque chimique de l'isolant 4 au travers de ce trou par un liquide chimique d'attaque 6 de façon à enlever cet isolant dans une zone environnant le trou et obtenir un espace interne 7 Puis, comme le montre la figure 2, on rebouche le trou 5 en formant un bouchon 8, l'espace interne 7 ainsi créé pouvant être rempli d'une ou plusieurs phases gazeuses ou mis sous vide avant d'être rebouché. L'inventeur considère qu'une telle manière de procéder présente de nombreux inconvénients et difficultés. La profondeur de pénétration du liquide chimique d'attaque entre les deux plaquettes pour attaquer la couche d'isolant et l'évacuation des produits de réaction dépendent de la section de passage du trou réalisé et 10 de la distance entre les plaquettes qui détermine l'épaisseur de l'espace interne La périphérie de l'espace interne créé présente un contour dont la dimension et la géométrie sont difficiles à contrôler. Pour pouvoir reboucher le trou 5 sans que le matériau 8 de remplissage ne pénètre dans l'espace interne 7, ce trou 5 doit présenter 15 un faible diamètre De plus, pour que ce trou soit techniquement réalisable, l'épaisseur de la plaquette 3 doit être faible Dans ces conditions, la plaquette 3 est déformable et il est difficile d'obtenir un espace interne d'épaisseur uniforme. Il est en conséquence difficile, voire impossible, d'établir un 20 compromis technique permettant d'obtenir un espace interne d'épaisseur nanométrique ou micrométrique, c'est-à-dire d'épaisseur pouvant être comprise entre une fraction de nanomètre et quelques microns, un espace interne de relativement grande surface et dont la périphérie présenterait un contour déterminé, d'utiliser des plaquettes dont l'une serait de faible 25 épaisseur et d'éviter de déformer une telle plaquette sous l'effet des tensions superficielles exercées par le liquide chimique d'attaque. Une méthode de création d'un espace interne entre deux électrodes par enlèvement de la matière d'une couche intermédiaire est également décrite dans le document WO-A-99/13562. 30 L'inventeur a pu observer que des structures multi-couches à espaces internes d'épaisseur nanométrique ou micrométrique peuvent présenter un grand intérêt dans de nombreux autres domaines d' application. En particulier, il serait en effet avantageux de pouvoir réaliser des espacements nanométriques d'épaisseur sensiblement uniforme, sous vide, entre les deux électrodes d'un système faisant appel à une émission électronique de champ dans un tel espacement, en particulier par effet 5 tunnel, afin d'obtenir les champs électriques intenses nécessaires pour produire ces phénomènes d'émission, tout en utilisant des tensions électriques relativement faibles Il s'avèrerait aussi particulièrement intéressant de pouvoir réaliser des espaces internes de grande surface dans des structures multicouches afin d'obtenir des diodes de grande 10 capacité en terme de courant De telles structures trouveraient des applications en particulier dans le domaine des systèmes thermiques utilisant l'effet Peltier, en particulier dans des systèmes de réfrigération tels que décrits dans la revue "APPLIED PHYSICS LETTERS ", volume 78, pages 2572-2574 du 23 avril 2001. 15 La présente invention a pour but de réaliser des structures en particulier multi-couches présentant des espaces internes d'épaisseur nanométriques ou micrométriques, sans être contraint par les difficultés et les inconvénients précités. La présente invention a tout d'abord pour objet un procédé de traitement d'une structure qui consiste: à réaliser une structure initiale comprenant au moins une partie principale et une partie secondaire qui présentent une interface de contact de l'une sur l'autre et des moyens 25 constitués d'au moins une région à traiter susceptible de varier en épaisseur sensiblement perpendiculairement à cette interface sous l'effet d'un traitement du matériau la constituant; et à appliquer ce traitement à ladite région à traiter de ladite structure initiale de façon à réaliser une structure finale telle que la variation d'épaisseur de ladite région 30 engendre la formation d'un espace interne s'étendant entre lesdites parties sur au moins une zone de ladite interface et sensiblement parallèlement à cette interface ou à l'intérieur d'au moins l'une desdites parties, à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. Selon l'invention, lesdits moyens constitués d'au moins une région à traiter sont de préférence intégrés dans ladite partie principale et/ou dans ladite partie secondaire. La présente invention a également pour objet un procédé de 5 traitement d'une structure qui consiste: à réaliser une structure initiale comprenant au moins une partie principale et une partie secondaire qui présentent une interface de contact de l'une sur l'autre et dont au moins l'une présente au moins une région à traiter adjacente à ou voisine de ladite interface et susceptible de réduire en épaisseur sensiblement 10 perpendiculairement à cette interface sous l'effet d'un traitement; et à appliquer ce traitement à ladite région à traiter de ladite structure initiale de façon à réaliser une structure finale telle que la réduction d'épaisseur de ladite région engendre la formation d'un espace interne s'étendant entre lesdites parties sur au moins une zone située dans ladite 15 interface et sensiblement parallèlement à cette interface ou à l'intérieur d'au moins l'une desdites parties, à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. Selon la présente invention, le procédé peut avantageusement consister à réaliser une structure initiale comprenant au moins une partie 20 complémentaire présentant des faces opposées en appui respectivement sur l'une et l'autre desdites parties principale et secondaire, sensiblement parallèlement à ladite interface, ladite région à traiter s'étendant dans le voisinage de cette partie complémentaire et ledit traitement produisant une réduction de l'épaisseur de cette région à 25 traiter. Selon la présente invention, ladite partie complémentaire peut avantageusement comprendre au moins deux portions espacées, ladite région à traiter s'étendant entre ces deux portions et ledit traitement produisant une réduction de l'épaisseur de cette région à traiter. Selon la présente invention, ladite région à traiter résulte de préférence d'une implantation ionique d'amorphisation dans au moins l'une desdites parties, produisant un gonflement du matériau la constituant, et ledit traitement consiste de préférence à recristaliser, préférentiellement par reépitaxie, au moins une partie de la région amorphisée afin de produire une réduction de son épaisseur. Selon la présente invention, une desdites faces de ladite partie complémentaire est de préférence située dans le plan de ladite interface. Selon la présente invention, ladite partie complémentaire comprend de préférence au moins un plot ou un mur. La présente invention a également pour objet un procédé qui consiste: à réaliser une structure initiale comprenant au moins une partie principale et une partie secondaire présentant une interface de 10 contact de l'une sur l'autre et au moins une partie complémentaire présentant des faces opposées en appui respectivement sur lesdites parties principales, sensiblement parallèlement à ladite interface, et comprenant au moins une région à traiter susceptible d'augmenter en épaisseur sensiblement perpendi-culairement à ladite interface sous 15 l'effet d'un traitement; et à appliquer ce traitement à ladite région à traiter de ladite structure initiale de façon à réaliser une structure finale telle que l'augmentation d'épaisseur de ladite région de ladite partie secondaire produit un déplacement desdites parties principales l'une par rapport à l'autre au moins dans le voisinage de ladite partie 20 complémentaire et engendre la formation d'un espace interne s'étendant entre lesdites parties principale et secondaire sur au moins une zone de ladite interface et sensiblement parallèlement à cette interface ou à l'intérieur d'au moins l'une desdites parties, à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. Selon la présente invention, ladite partie complémentaire comprend de préférence au moins deux portions espacées comprenant respectivement au moins une région à traiter susceptible d'augmenter en épaisseur sensiblement perpendiculairement à ladite interface sous l'effet d'un traitement et l'application de ce traitement à ces régions 30 produit de préférence un déplacement desdites parties principale et secondaire l'une par rapport à l'autre au moins dans le voisinage desdites portions et engendre la formation d'un espace interne s'étendant sur au moins une zone de ladite interface, au moins entre lesdites portions espacées, et sensiblement parallèlement à cette interface ou à l'intérieur d'au moins l'une desdites parties, à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. Selon la présente invention, une desdites faces de ladite partie complémentaire est de préférence située dans le plan de ladite interface. Selon la présente invention, ladite partie complémentaire comprend de préférence au moins un plot ou un mur. Selon la présente invention, ledit traitement peut avantageusement consister à produire des bulles gazeuses dans ladite région à traiter de façon à produire ladite augmentation d'épaisseur de 10 ladite partie complémentaire. Selon la présente invention, lesdites parties principale et secondaire comprennent de préférence des couches superposées à interface plate au moins dans la zone dudit espace à former, dont au moins une comprend un matériau semi-conducteur. Selon la présente invention, ladite région à traiter contient de préférence au moins un matériau susceptible de subir un traitement thermique provoquant sa variation d'épaisseur. Selon la présente invention, au moins l'une desdites parties peut avantageusement comprendre une zone fragilisée dans laquelle se forme 20 ledit espace interne. Selon une variante de la présente invention, ladite zone fragilisée peut être obtenue par une implantation ionique. Selon la présente invention, l'adhérence desdites couches l'une sur l'autre est de préférence supérieure à la résistance de ladite zone 25 fragilisée. La présente invention a également pour objet une structure qui comprend au moins deux couches superposées dont au moins l'une comprend un matériau semi-conducteur. Selon l'invention, ladite structure présente un espace interne qui 30 s'étend entre lesdites couches sur au moins une zone de leur interface et sensiblement parallèlement à cette interface ou qui s'étend à l'intérieur d'au moins l'une desdites couches sur au moins une zone située à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. Ladite structure comprend en outre des moyens constituant une région intégrée ayant varié en épaisseur sensiblement perpendiculairement à ladite interface sous l'effet d'un traitement du matériau la constituant pour engendrer la formation dudit espace interne 5 par déplacement de la surface d'au moins l'une desdites couches dans ladite zone dudit espace ou par rupture de la couche précitée dans sa zone précitée située à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. Selon la présente invention, ladite région intégrée est de 10 préférence située dans au moins l'une desdites couches et s'étend parallèlement audit espace, cette région intégrée ayant réduit en épaisseur. Selon la présente invention, ladite structure peut avantageusement comprendre au moins une partie complémentaire 15 présentant des faces opposées en appui respectivement sur l'une et l'autre desdites couches, sensiblement parallèlement à ladite interface, ledit espace s'étendant dans le voisinage de cette partie complémentaire. Selon la présente invention, ladite partie complémentaire comprend de préférence au moins deux portions espacées, ledit espace 20 s'étendant entre ces deux portions. Selon la présente invention, ladite structure peut avantagusement comprendre au moins une partie complémentaire présentant des faces opposées en appui respectivement sur l'une et l'autre desdites couches, sensiblement parallèlement à ladite interface, et ladite région intégrée 25 est de préférence située dans cette partie complémentaire, cette région intégrée ayant augmenté en épaisseur et ledit espace s'étendant dans le voisinage de cette partie complémentaire. Selon la présente invention, ladite partie complémentaire peut avantageusement comprendre au moins deux portions espacées, ledit 30 espace s'étendant entre ces deux portions et que ladite région intégrée est située dans ces portions. Selon la présente invention, ladite structure peut comprendre au moins une couche superficielle adjacente à ou située dans ladite interface, en particulier de nanotubes de carbone. Selon sensiblement Selon comprend de la présente invention, ladite zone située à distance de et parallèlement à ladite interface est de préférence fragilisée. la présente invention, ladite partie complémentaire préférence au moins un plot ou un mur. La présente invention sera mieux comprise à l'étude de structures à espace interne et de modes de fabrication de ces structures, décrites à titre d'exemple S non limitatifs et illustrés par le dessin sur lequel: la figure 1 représente une coupe transversale de la structure 10 connue décrite plus haut, dans une étape de fabrication; la figure 2 représente une coupe transversale de la structure connue de la figure 1, après fabrication; la figure 3 représente une coupe transversale d'une première structure selon l'invention à une première étape de fabrication; la figure 4 représente une vue de dessus de la structure de la figure 3; la figure 4 a représente une vue de dessus d'une variante de la structure selon l'invention; la figure 4 b représente une vue de dessus une autre variante 20 de la structure selon l'invention; la figure 5 représente une coupe transversale de ladite première structure selon 1 'invention à une deuxième étape de fabrication; la figure 6 représente une coupe transversale de ladite 25 première structure selon l'invention à une troisième étape de fabrication; premièer 30 structui la figure 7 représente une coupe transversale de ladite re structure selon l'invention à une étape ultime de fabrication; la figure 8 représente une coupe transversale d'une deuxième re selon l'invention à une première étape de fabrication; la figure 9 représente une coupe transversale de ladite me structure selon l'invention à une deuxième étape de deuxièr fabrication; la figure 10 représente une coupe transversale de ladite deuxième structure selon l'invention à une deuxième étape de fabrication; la figure Il représente une coupe transversale de ladite deuxième structure selon l'invention à une étape ultime de fabrication la figure 12 représente une troisième structure selon l'invention, à une étape de fabrication; la figure 13 représente une coupe transversale de ladite troisième structure selon l'invention à une étape suivante de fabrication; 10 et la figure 14 représente une coupe transversale de ladite troisième structure selon l'invention à une étape finale de fabrication. En se reportant aux figures 3 à 6, on va décrire les étapes permettant d'obtenir une structure initiale 11 permettant d'obtenir, après 15 un traitement, une structure finale 12 représentée sur la figure 7. On voit sur la figure 3 que l'on dispose d'une plaquette de silicium monocristallin 13 sur une surface frontale 14 de laquelle on a réalisé, par les techniques connues en microélectronique, une couche localisée 15 d'oxyde de façon à constituer une multiplicité de plots 20 d'oxyde 16 distants et répartis sur la surface frontale 14, cette couche d'oxyde 15 pouvant être réalisée par oxydation du silicium dans un four sous atmosphère oxydante ou par dépôt par tout procédé connu notamment du type CVD ou PECVD Ainsi, la face frontale 14 de la plaquette 13 présente une zone 17 exempte d'oxydation dans laquelle 25 sont implantés les plots oxydés 16. A titre d'exemple, la profondeur de la couche oxydée 15 constituant les plots 16 par rapport à la surface 14 de la plaquette 13 peut être d'environ deux cents nanomètres. Dans la variante de réalisation représentée sur les figures 3 et 4, 30 les faces frontales plots 16 peuvent représenter des surfaces carrées, par exemple de trois microns de côté, réparties selon un pas de dix microns. Dans des variantes représentées sur les figures 4 a et 4 b, les plots oxydés 16 sont remplacés par des murs oxydés continus 18 constituant une grille déterminant des zones non oxydées 19, distantes et réparties. Sur la figure 4 a, les zones 19 présentent un pourtour carré et sur la figure 4 b, les zones 19 présentent un pourtour hexagonal. En se reportant à la figure 5, on peut voir qu'ensuite on procède, par tout moyen bien connu, à une implantation ionique d'amorphisation 5 de la face frontale 14 de la plaquette 13 de façon à créer une région ou une couche superficielle amorphisée 20 dans la zone 17 non recouverte par les plots 16, respectivement dans les zones 19 non recouvertes par les murs 18. Dans une variante, au moins la zone 17, respectivement les zones 10 19, de la plaquette 13 pourraient être recouverte d'une couche d'un autre matériau, par exemple de nanotubes de carbone, au travers de laquelle on produirait l'implantation ionique précitée. Il est connu que l'amorphisation du silicium produit en général un gonflement du matériau et donc une élévation de la surface ainsi 15 traitée, ce gonflement pouvant atteindre quelques pour cent de l'épaisseur amorphisée. Dans l'article paru dans la revue " Physics Research " B 148 de 1999 pages 573-577, les auteurs montrent que le gonflement du Si C amorphisé peut conduire à une élévation de la surface traitée pouvant 20 atteindre 10 % de l'épaisseur de la couche amorphisée. A titre indicatif, on peut choisir d'implanter des ions silicium dans la zone 17, respectivement les zones 19, de la plaquette 13, à l'énergie de 120 Ke V, à une température voisine de O C et à une dose de l'ordre de 2 E 15 à 6 E 15 par centimètre carré Dans ces conditions, on peut 25 obtenir une couche superficielle amorphisée 20 sur la zone 17 non couverte d'oxyde, respectivement les zones 19, dont l'épaisseur e est d'environ 200 nanomètres Ainsi, dans l'exemple ci-dessus, l'élévation de la surface de la zone 6 amorphisée respectivement des zones 8, peut être comprise entre 30 environ cinq nanomètres et vingt nanomètres en fonction de la dose implantée. En se reportant à la figure 6, on peut voir qu'ensuite on peut procéder au dépôt, sur la face frontale 14 de la plaquette 13, d'une couche épaisse rigide 21, cette couche présentant une face arrière 22 épousant la forme de la face frontale 14 de cette plaquette Ainsi, les plots 16, respectivement les murs 19, présentent des faces opposées 16 a et 16 b parallèles à l'interface 17-22 et en appui sur la plaquette 13 et la couche épaisse 21. De préférence, on choisit des conditions de création de cette couche 21 de telle que d'une part la zone 23 de sa face 22 soit peu adhérente sur la zone non oxydée 17 de la plaquette 13, respectivement sur les zones 19, et que ses zones 24 soient adhérentes sur au moins une partie des surfaces frontales des plots oxydés 16, respectivement des 10 murs 18. Dans un exemple, la couche 21 peut être constituée par une première couche de tungstène d'environ 100 nanomètres d'épaisseur déposée par pulvérisation cathodique, puis d'une seconde couche obtenue par un dépôt épais électrolytique de cuivre d'environ cent microns. Il est possible en outre d'effectuer un traitement thermique de densification de la couche 21 de façon à la rendre plus compacte et plus rigide Un tel traitement peut être réalisé à une température de 350 C pendant trente minutes. Après quoi, on obtient la structure initiale multi-couches 11. Dans l'exemple ci-dessus choisi, on procède alors à un traitement thermique de la structure initiale 1 dans une gamme de température comprise entre par exemple 550 C et 850 C, préférentiellement entre 600 C et 650 C en plaçant la structure initiale 11 par exemple dans un four ainsi réglé pendant quelques minutes ou dizaines de minutes. Grâce à ce traitement thermique, il se produit une recristallisation par re-épitaxie de la région ou couche superficielle 20 antérieurement amorphisée La couche initialement amorphisée se transforme alors en une couche cristalline de plus forte densité, cette cristallisation produisant une réduction de l'épaisseur de la région ou couche 20. La plaquette 13 et la couche rapportée 21 étant maintenues l'une par rapport à l'autre, perpendiculairement à leur interface 14-22, dans la zone des plots 16, respectivement des murs 18, la réduction de l'épaisseur de la région ou couche superficielle 20 engendre un déplacement de la zone 17 de la face frontale 14 de la plaquette 13, respectivement des zones 19, dans le sens qui l'éloigne de la zone 23 correspondante de la couche épaisse 21 sur laquelle elle était préalablement en contact Ce déplacement constitue un retrait de la zone 17 de la plaquette 13 perpendiculairement à l'interface entre cette zone 17 et la zone 23 de la couche épaisse 21. Le déplacement ou retrait ci-dessus engendre la formation d'un espace interface interne 25 qui s'étend sur la zone 17 de la plaquette et autour des plots 16, respectivement sur les zones 18 et entre les murs 19, dont l'épaisseur s'étend parallèlement à l'interface et correspond 10 sensiblement à l'amplitude du retrait. Dans les conditions mentionnées plus haut, l'épaisseur de l'espace interne 25 obtenu peut être de l'ordre de cinq à vingt nanomètres. En se reportant aux figures 8 à 10, on va maintenant décrire les 15 étapes permettant d'obtenir une structure initiale 101 permettant d'obtenir, après un traitement, une structure finale 102 représentée sur la figure 11. On voit sur la figure 8 que l'on dispose d'une plaquette de silicium mono cristallin 103 dans une surface frontale 104 de laquelle on 20 a réalisé, par exemple par les techniques connues de gravure utilisées en microélectronique, des creux ou caissons 105 Ces creux peuvent être des puits régulièrement répartis, de trois microns de côté répartis selon un pas de dix microns, ou des saignées continues, de trois microns de largeur, se croisant éventuellement pour constituer une grille au pas de 25 dix microns Dans un exemple de réalisation, ces creux 105 peuvent présenter une profondeur comprise entre cinq cent et deux mille nanomètres. Comme le montre la figure 9, on procède au remplissage des creux 105 d'une matière susceptible de gonfler lors d'un traitement 30 ultérieur. Par exemple, on recouvre la surface 104 d'une couche d'oxyde tels qu'un phosphosilicate glass (PSG) fortement dopé en phosphore, par exemple à environ douze pour cent, par exemple par une méthode de type PECVD, un tel dépôt remplissant les creux 105 On applique ensuite un traitement de polissage mécano-chimique de façon à enlever la couche d'oxyde sur la surface 104 de la plaquette 103 à l'extérieur des creux 105 et à planariser cette surface et la surface extérieure de la matière remplissant les creux 105. On obtient ainsi, dans les creux 105, des plots ou des murs 106 correspondant superficiellement aux plots 16 ou aux murs 18 de l'exemple précédent et présentant une face arrière 106 a accolée au fond des creux 105. Puis, comme le montre la figure 10, on recouvre la surface 104 et 10 les plots ou murs 106 d'une couche épaisse rigide 107, cette couche 107 présentant une face arrière 108 accolée à la surface 104 de la plaquette 103 et à la face avant 106 b des plots 106 Cette couche 107 peut être constituée comme la couche épaisse 21 de l'exemple précédent. Ainsi, les plots ou murs 106 présentant des faces opposées 106 a 15 et 106 b en appui respectivement sur la plaquette 103 et sur la couche épaisse 107, qui s'étendent sensiblement parallèlement à l'interface constituée par leurs faces accolées 104 et 108. De préférence, cette couche épaisse 107 est peu adhérente sur la surface 104 de la plaquette 103 et plus fortement adhérente sur la surface 20 extérieure des plots ou murs 106. On obtient alors la structure initiale multi-couches 101. Ensuite, compte tenu des matériaux indiqués en exemple précédemment, on place cette structure initiale 101 dans un four réglé à une température d'environ 850 à 950 C de façon à lui appliquer un 25 traitement thermique. Optionnellement, pour éviter les déformations dues à la pression atmosphérique, les traitements thermiques peuvent être réalisés sous vide ou sous faible pression. L'application d'un tel traitement agit sur la matière constituant 30 les plots ou murs 106 et génère, dans l'exemple décrit, la formation de microbulles gazeuses dans cette matière, ce qui provoque un gonflement de ces plots ou murs 106. Ce gonflement engendre principalement un accroissement de l'épaisseur des plots ou murs 106, perpendiculairement à l'interface 104108 de la plaquette 103 et de la couche épaisse 107. Cet accroissement de l'épaisseur des plots ou murs 106, en appui 5 respectivement sur la plaquette 103 et sur la couche épaisse 107 par leurs faces opposées 106 a et 106 b, provoque l'apparition de forces qui sont sensiblement perpendiculaires à l'interface 104-108 et qui produisent undéplacement de la plaquette 103 et de la couche épaisse 107 l'une par rapport à l'autre, perpendiculairement à l'interface 104-108, après 10 décollement de leurs faces 104 et 107 dans leurs zones s'étendant entre les plots ou murs 106. Ce déplacement se traduit par la création d'un espace interne 109 entre la face frontale 104 de la plaquette 103 et la face arrière 108 de la couche épaisse 107 qui se sont écartées, sur la zone ou les zones 15 s'étendant entre les plots ou murs 106 et dont l'épaisseur est sensiblement parallèle à cet interface. On obtient alors la structure finale 102 représentée sur la figure 11. Considérant l'exemple de réalisation mentionné plus haut, 20 l'épaisseur de l'espace interne 109 pourrait être comprise entre dix et quarante nanomètres. En se reportant aux figures 12 et 13, on va maintenant décrire les étapes permettant d'obtenir une structure initiale 201 permettant d'obtenir, après un traitement, une structure finale 202 représentée sur la 25 figure 14. On voit sur la figure 12 que l'on dispose, comme à l'étape de l'exemple précédent décrite en référence à la figure 9, d'une plaquette 203 de silicium mono-cristallin qui présente une surface frontale 204 dans laquelle sont réalisés des plots ou murs 206 une matière susceptible 30 de gonfler lors d'un traitement ultérieur. Dans cette variante, on procède alors à une fragilisation d'une zone 203 a située en profondeur dans la plaquette 203 et s'étendant sensiblement parallèlement à la surface 204, entre les plots ou murs 206. A titre d'exemple, cette zone de fragilisation peut être obtenue par une implantation d'ions d'hydrogène par toute technique connue, suivie éventuellement d'un traitement thermique et peut être située à une distance de la surface 204 comprise entre quelques centaines de nanomètres et quelques microns. On voit sur la figure 13 qu'ensuite on procède, comme à l'étape de l'exemple précédent décrite en référence à la figure 10, au dépôt d'une couche épaisse rigide 207 de recouvrement de la surface 104 et des plots ou murs 106 De préférence, l'adhérence de la couche 207 sur la plaquette 203, à leur interface 208, est supérieure à la résistance de la 10 zone fragilisée 203 a. On obtient alors la structure initiale 201. Ensuite, comme à l'étape de l'exemple précédent décrite en référence à la figure 11, on procède à un traitement des plots ou murs 206 afin de les faire gonfler. Ce gonflement engendre l'apparition de forces qui sont sensiblement perpendiculaires à l'interface 208 et qui produisent une rupture de la plaquette 203 dans la zone fragilisée 203 a Cette rupture produit l'apparition d'un espace interne 209 dans cette zone 203 a entre la couche superficielle 203 b de la plaquette 203 qui reste accollée à la 20 couche épaisse 207 dans l'interface 208 et le reste de cette plaquette 203, qui se sont déplacés l'un par rapport à l'autre perpendiculairement à l'interface 208. Compte tenu de la disposition de la zone fragilisée mentionnée plus haut en exemple, cet espace interne 209 s'étend sensiblement 25 parallèlement à l'interface 204 et, dans les mêmes conditions, son épaisseur correspond sensiblement à celle obtenue dans l'exemple précédent décrit en référence à la figure 11. On obtient alors la structure finale 202 représentée sur la figure 14. Les structures finales 12, 102 et 202 qui viennent d'être décrites peuvent être appliquées, sans que les exemples ci-après soient limitatifs, dans le domaine des micro-structures (MEMS) pour réaliser des capteurs de pression, des microphones, des générateurs vibrants, dans le domaine des structures à émission des champs pour réaliser des diodes, des générateurs thermodynamiques, des dispositifs réfrigérants. La présente invention ne se limite pas aux exemples ci-dessus 5 décrits En particulier, les méthodes proposées de création d'un espace interne pourraient être combinées L'espace interne créé pourrait s'étendre sur une zone limitée et prédéterminée de l'interface, dans cette dernière ou à distance, et, en particulier dans ces conditions, les plots 16 du premier exemple décrit pourraient être supprimés Les structures 10 proposées pourraient être constituées par des plaquettes ou des couches ou des plots ou murs en d'autres matériaux que ceux donnés en exemple et pourraient comprendre d'autres couches en d'autres matériaux et éventuellement des couches intermédiaires. Bien d'autres variantes sont possibles sans sortir du cadre défini 15 par les revendications annexées. REVENDICATIONS 1 Procédé de traitement d'une structure, caractérisé par le fait qu'il consiste: à réaliser une structure initiale ( 11; 101; 201) comprenant au moins une partie principale et une partie secondaire qui présentent une 5 interface de contact de l'une sur l'autre et des moyens constitués d'au moins une région à traiter ( 20; 106; 206) susceptible de varier en épaisseur sensiblement perpendiculairement à cette interface sous l'effet d'un traitement du matériau la constituant; et à appliquer ce traitement à ladite région à traiter de ladite 10 structure initiale de façon à réaliser une structure finale ( 12; 102; 202) telle que la variation d'épaisseur de ladite région engendre la formation d'un espace interne ( 25; 109; 209) s'étendant entre lesdites parties sur au moins une zone de ladite interface et sensiblement parallèlement à cette interface ou à l'intérieur d'au moins l'une desdites parties, à 15 distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdits moyens ( 20) constitué d'au moins une région à traiter sont intégrés dans ladite partie principale et/ou dans ladite partie secondaire. 3 Procédé de traitement d'une structure, caractérisé par le fait 20 qu'il consiste: à réaliser une structure initiale ( 11) comprenant au moins une partie principale ( 13) et une partie secondaire ( 21) qui présentent une interface de contact de l'une sur l'autre et dont au moins l'une présente au moins une région à traiter ( 20) adjacente à ou voisine de ladite 25 interface et susceptible de réduire en épaisseur sensiblement perpendiculairement à cette interface sous l'effet d'un traitement; et à appliquer ce traitement à ladite région à traiter de ladite structure initiale de façon à réaliser une structure finale ( 12) telle que la réduction d'épaisseur de ladite région engendre la formation d'un espace 30 interne ( 25) s'étendant entre lesdites parties sur au moins une zone située dans ladite interface et sensiblement parallèlement à cette interface ou à l'intérieur d'au moins l'une desdites parties, à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. 4 Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait qu'il consiste à réaliser une structure initiale ( 11) comprenant au moins une partie complémentaire ( 16, 18) présentant des faces opposées ( 16 a, 16 b) en appui respectivement sur l'une et l'autre desdites parties principale et 5 secondaire, sensiblement parallèlement à ladite interface, ladite région à traiter ( 20) s'étendant dans le voisinage de cette partie complémentaire et ledit traitement produisant une réduction de l'épaisseur de cette région à traiter. Procédé selon la revendication 4, caractérisé par le fait que 10 ladite partie complémentaire ( 16, 18) comprend au moins deux portions espacées, ladite région à traiter ( 20) s'étendant entre ces deux portions et ledit traitement produisant une réduction de l'épaisseur de cette région à traiter. 6 Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, 15 caractérisé par le fait que ladite région à traiter ( 20) résulte d'une implantation ionique d'amorphisation dans au moins l'une desdites parties, produisant un gonflement du matériau la constituant, et que ledit traitement consiste à recristaliser, préférentiellement par reépitaxie, au moins une partie de la région amorphisée afin de produire une réduction 20 de son épaisseur. 7 Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, caractérisé par le fait qu'une desdites faces de ladite partie complémentaire ( 16, 18) est située dans le plan de ladite interface. 8 Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, 25 caractérisé par le fait que ladite partie complémentaire comprend au moins un plot ( 16) ou un mur ( 18). 9 Procédé de traitement d'une structure, caractérisé par le fait qu'il consiste: à réaliser une structure initiale ( 101; 201) comprenant au moins 30 une partie principale ( 103; 203) et une partie secondaire ( 107; 207) présentant une interface ( 108; 208) de contact de l'une sur l'autre et au moins une partie complémentaire ( 106; 206) présentant des faces opposées ( 106 a, 106 b) en appui respectivement sur lesdites parties principales, sensiblement parallèlement à ladite interface, et comprenant au moins une région à traiter susceptible d'augmenter en épaisseur sensiblement perpendiculairement à ladite interface sous l'effet d'un traitement; et à appliquer ce traitement à ladite région à traiter ( 106; 206) de 5 ladite structure initiale de façon à réaliser une structure finale ( 102; 202) telle que l'augmentation d'épaisseur de ladite région de ladite partie secondaire produit un déplacement desdites parties principales l'une par rapport à l'autre au moins dans le voisinage de ladite partie complémentaire et engendre la formation d'un espace interne ( 109; 209) 10 s'étendant entre lesdites parties principale et secondaire sur au moins une zone de ladite interface et sensiblement parallèlement à cette interface ou à l'intérieur d'au moins l'une desdites parties, à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. Procédé selon la revendication 9, caractérisé par le fait que 15 ladite partie complémentaire ( 106; 206) comprend au moins deux portions espacées comprenant respectivement au moins une région à traiter susceptible d'augmenter en épaisseur sensiblement perpendiculairement à ladite interface sous l'effet d'un traitement; et que l'application de ce traitement à ces régions produit un déplacement 20 desdites parties principale et secondaire l'une par rapport à l'autre au moins dans le voisinage desdites portions et engendre la formation d'un espace interne ( 109; 209) s'étendant sur au moins une zone de ladite interface, au moins entre lesdites portions espacées, et sensiblement parallèlement à cette interface ou à l'intérieur d'au moins l'une desdites 25 parties, à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. 11 Procédé selon l'une des revendications 9 et 10, caractérisé par le fait qu'une desdites faces de ladite partie complémentaire ( 106 206) est située dans le plan de ladite interface. 12 Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, 30 caractérisé par le fait que ladite partie complémentaire ( 106; 206) comprend au moins un plot ou un mur. 13 Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, caractérisé par le fait que ledit traitement consiste à produire des bulles gazeuses dans ladite région à traiter ( 106; 206) de façon à produire ladite augmentation d'épaisseur de ladite partie complémentaire. 14 Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que lesdites parties principale et 5 secondaire comprennent des couches superposées à interface plate au moins dans la zone dudit espace à former, dont au moins une comprend un matériau semi-conducteur. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que ladite région à traiter contient au 10 moins un matériau susceptible de subir un traitement thermique provoquant sa variation d'épaisseur. 16 Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait qu'au moins d'une desdites parties comprend une zone fragilisée ( 203 a) dans laquelle se forme ledit espace 15 interne ( 209). 17 Procédé selon la revendication 16, caractérisé par le fait que ladite zone fragilisée est obtenue par une implantation ionique. 18 Procédé selon l'une des revendications 16 et 17, caractérisé par le fait que l'adhérence desdites couches l'une sur l'autre est 20 supérieure à la résistance de ladite zone fragilisée. 19 Structure comprenant au moins deux couches superposées dont au moins l'une comprend un matériau semi-conducteur, caractérisée par le fait qu'elle présente un espace interne ( 25; 109; 209) qui s'étend entre lesdites couches sur au moins une zone de leur interface et 25 sensiblement parallèlement à cette interface ou qui s'étend à l'intérieur d'au moins l'une desdites couches sur au moins une zone située à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface; et qu'elle comprend des moyens ( 20; 106; 206) constituant une région intégrée ayant varié en épaisseur sensiblement perpendiculairement à ladite 30 interface sous l'effet d'un traitement du matériau la constituant pour engendrer la formation dudit espace interne par déplacement de la surface d'au moins l'une desdites couches dans ladite zone dudit espace ou par rupture de la couche précitée dans sa zone précitée située à distance de et sensiblement parallèlement à ladite interface. Structure selon la revendication 19, caractérisée par le fait que ladite région intégrée ( 20) est située dans au moins l'une desdites couches et s'étend parallèlement audit espace, cette région intégrée ayant réduit en épaisseur. 21 Structure selon l'une des revendications 19 et 20, caractérisée par le fait qu'elle comprend au moins une partie complémentaire ( 16) présentant des faces opposées en appui respectivement sur l'une et l'autre desdites couches, sensiblement parallèlement à ladite interface, ledit espace s'étendant dans le voisinage de cette partie complémentaire. 10 22 Structure selon la revendication 21, caractérisée par le fait que ladite partie complémentaire comprend au moins deux portions espacées, ledit espace s'étendant entre ces deux portions. 23 Structure selon la revendication 19, caractérisée par le fait qu'elle comprend au moins une partie complémentaire ( 106; 206) 15 présentant des faces opposées en appui respectivement sur l'une et l'autre desdites couches, sensiblement parallèlement à ladite interface, et que ladite région intégrée est située dans cette partie complémentaire, cette région intégrée ayant augmenté en épaisseur et ledit espace s'étendant dans le voisinage de cette partie complémentaire. 24 Structure selon la revendication 23, caractérisée par le fait que ladite partie complémentaire comprend au moins deux portions espacées, ledit espace s'étendant entre ces deux portions et que ladite région intégrée est située dans ces portions. Structure selon l'une quelconque des revendications 19 à 24, 25 caractérisée par le fait qu'elle comprend au moins une couche superficielle adjacente à ou située dans ladite interface, en particulier de nanotubes de carbone. 26 Structure selon l'une quelconque des revendications 19 à 24, caractérisée par le fait que ladite zone ( 203 a) située à distance de et 30 sensiblement parallèlement à ladite interface est fragilisée. 27 Structure selon l'une quelconque des revendications 19 à 25, caractérisée par le fait que ladite partie complémentaire ( 106; 206) comprend au moins un plot ou un mur.