FR 2849962 A1 20040716 FR 0300307 A 20030113 CONDENSATEUR ENTERRE ASSOCI UNE CELLULE SRAM La présente invention concerne de manière générale la formation de condensateurs dans des circuits intégrés, et en particulier la réalisation de condensateurs associés à des cellules SRAM. La figure 1 représente un circuit de cellule de mémoire SRAM à six transistors. La cellule comporte un point mémoire composé de deux inverseurs Il et I2 reliés tête-bêche dont les deux entrées, respectivement BLTI, BLFI, sont reliées à des lignes de bit BLT, BLF par des transistors MOS à canal N 10 (NMOS) Tl, T2. Les grilles des transistors Tl et T2 sont reliées à une ligne de mot WL. L'inverseur Il comporte un transistor PMOS TP1 et un transistor NMOS TN1. Les grilles des transistors TP1 et TN1 sont reliées à la borne BLTI de l'inverseur. Les drains des transistors TP1 et TN1 sont reliés et forment la 15 borne de sortie de l'inverseur. Les sources des transistors TP1 et TN1 sont respectivement reliées à une tension d'alimentation VDD et une masse NMD. L'inverseur I2 a la même structure et comporte un transistor PMOS TP2 et un transistor NMOS TN2. La figure 2 représente une vue de dessus simplifiée 20 d'une réalisation en technologie CMOS de la cellule SRAM de la figure 1. Pour des raisons de simplicité, les transistors à canal P et N sont représentés avec de mêmes largeurs de grille. Les transistors Tl, T2, TN1 et TN2 à canal N sont réalisés dans un substrat de type P (SUB) et les transistors TP1 et TP2 à canal P sont réalisés dans un caisson de type N (NWELL). Les régions de drain des transistors TN1, Tl et TN2, T2 sont 5 confondues. Les grilles des transistors, réalisées en silicium polycristallin, sont représentées en hachuré. Les grilles des transistors TP1, TN1, respectivement TP2, TN2 sont reliées entre elles. Les drains des transistors TP1 et TN1 sont reliés aux grilles des transistors TP2, TN2 par une ligne conductrice 10 réalisée dans une couche métallique supérieure (METAL1) par l'intermédiaire de vias ou contacts (dont les emplacements sont représentés par des croix). Les drains des transistors TP2 et TN2 sont reliés à la grille des transistors TP1, TN1 par une ligne conductrice réalisée dans la même couche métallique 15 (METALl). Des vias font le contact entre les régions de source des transistors Tl, T2, TN1, TN2, TP1, TP2 et des lignes métalliques non représentées reliées respectivement aux lignes BLT, BLF et aux potentiels GND, GND, VDD et VDD. Le caisson de type N est polarisé à la masse et le substrat à un potentiel 20 prédéterminé. Pour des raisons de clarté, les tranchées d'isolation STI des transistors n'ont pas été représentées. Les tranchées STI sont de préférence l'inverse des zones actives (drains ou sources). Les inverseurs Il et I2 forment une structure bistable 25 ou point mémoire pouvant prendre deux états. Lorsque les transistors Tl et T2 sont fermés, une commande appropriée des lignes de bit BLT, BLF permet de modifier l'état du point mémoire et par là de programmer une information. Lorsque les transistors Tl et T2 sont ouverts, la cellule mémoire conserve 30 l'information sous forme d'une charge sur les capacités de grille des transistors de l'un ou l'autre des inverseurs. Si un rayonnement ionisant frappe la cellule 2, cela y crée des charges électriques parasites susceptibles de modifier l'état de mémorisation. Les cellules SRAM récentes étant 35 réalisées avec des transistors MOS ayant des dimensions de plus en plus petites, la capacité de grille des transistors formant les inverseurs est de plus en plus faible et le point mémoire est de plus en plus sensible aux rayonnements ionisants, d'autant plus que le potentiel d'alimentation VDD des inverseurs est de plus en plus faible. Pour accroître la résistance aux rayonnements ionisants d'une cellule SRAM de faible surface réalisée avec des transistors de petite dimension, il a été proposé de coupler les grilles des transistors du point mémoire à des condensateurs 10 supplémentaires. Il se pose alors le problème de réaliser de tels condensateurs sans augmenter la surface de la cellule SRAM. Un objet de la présente invention est de prévoir une structure de condensateur qui puisse être disposée dans un circuit intégré sans accroître la surface du circuit. Un objet plus particulier de la présente invention est de prévoir une telle structure permettant d'associer des condensateurs à une cellule de mémoire SRAM sans augmenter la surface de ladite cellule. Un objet de la présente invention est de prévoir un 20 procédé de fabrication d'un tel condensateur. Pour atteindre ces objets, ainsi que d'autres, la présente invention prévoit un condensateur enterré formé par une région conductrice enrobée d'isolant formée dans une région active d'un composant du circuit intégré. Plus particulièrement, la présente invention prévoit un condensateur dont une première électrode est constituée d'une région active fortement dopée d'un composant semiconducteur formé du côté d'une surface d'un corps semiconducteur, et dont la deuxième électrode est constituée d'une région conductrice 30 enrobée d'isolant formée sous ladite région active et noyée dans le corps semiconducteur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la région conductrice enrobée comprend un prolongement au dessus d'une portion duquel est formée une ouverture de contact vers la 35 deuxième électrode. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la région active fortement dopée est la région de drain ou de source d'un transistor MOS. La présente invention vise également une cellule de 5 mémoire SRAM comportant deux inverseurs tête-bêche dont chacun comporte deux transistors MOS de deux types de conductivité formés côte à côte dont les drains sont reliés entre eux et dont les grilles sont reliées entre elles, et comportant deux condensateurs tels que décrits précédemment dont les premières 10 électrodes respectives sont les drains desdits transistors et dont les deuxièmes électrodes sont une même région enrobée reliée aux grilles desdits transistors par l'intermédiaire d'une ouverture de contact formée entre les deux transistors. La présente invention vise également une cellule de 15 mémoire DRAM comportant un transistor MOS dont la région de source est reliée à une ligne de bits, dont la grille est reliée à une ligne de mot, et comportant un condensateur tel que décrit précédemment dont la première électrode est la région de drain dudit transistor et dont la deuxième électrode est une région 20 enrobée reliée à une ligne d'alimentation. La présente invention vise également un circuit intégré dans lequel l'isolant enrobant la face inférieure de la région enrobée présente une constante diélectrique plus forte que l'isolant enrobant le reste de la région conductrice 25 enrobée. La présente invention vise également un procédé de fabrication d'un condensateur dont une première électrode est constituée d'une région active fortement dopée d'un composant semiconducteur, comprenant les étapes suivantes: a/ former à la surface d'un substrat semiconducteur initial une région conductrice enrobée d'isolant; b/ faire croître par épitaxie une couche semiconductrice de manière à recouvrir le substrat initial et à enterrer la région enrobée; c/ former ladite région active fortement dopée dans toute l'épaisseur de ladite couche semiconductrice, au dessus d'une portion de la région conductrice enrobée. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 5 la région active fortement dopée est l'une de la région de drain et de la région de source d'un transistor MOS. Selon un mode de réalisation de la présente invention, avant de réaliser les régions de drain et de source, une ouverture est pratiquée au dessus d'une autre portion de la 10 région conductrice enrobée dans ladite couche semiconductrice et dans l'isolant enrobant la région conductrice pour relier la région conductrice à une couche conductrice servant à réaliser la grille du transistor. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 15 l'ouverture est pratiquée lors de l'étape de creusement des tranchées d'isolation STI dudit transistor MOS. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers 20 faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1 et 2, précédemment décrites, représentent respectivement un circuit et une vue de dessus simplifiée d'une cellule SRAM classique; les figures 3A et 3B sont des vues de dessus et en perspective d'un transistor MOS dont le drain constitue une première électrode d'un condensateur selon la présente invention; la figure 4 est une vue de dessus simplifiée d'une 30 cellule SRAM associée à des condensateurs selon la présente invention; la figure 5 représente un circuit équivalent à la structure de la figure 4; les figures 6A, 6B, 6C illustrent une étape de la 35 fabrication de l'inverseur Il de la cellule SRAM de la figure 4 respectivement selon une vue de dessus et selon des vues en coupe prises dans des plans B-B, C-C; les figures 7A à lOA, 7B à 10B et 7C à lOC représentent respectivement de mêmes vues de dessus et en coupe pour des étapes ultérieures de fabrication de l'inverseur Il; la figure lOD représente une vue en coupe de l'inverseur Il selon un plan D-D lors de l'étape illustrée par les figures lOA à lOC; et la figure il représente une vue en coupe de deux 10 cellules DRAM selon la présente invention. De mêmes références représentent de mêmes éléments aux f igures 1 et 2 et aux figures suivantes. Seuls les éléments nécessaires à la compréhension de la présente invention ont été représentés. La figure 3A est une vue de dessus simplifiée d'un transistor MOS de type N, T, dont le drain constitue une première électrode d'un condensateur C selon la présente invention. La figure 3B est une vue en perspective du transistor et du condensateur de la figure 3A. En figure 3B, dans les 20 parties en coupe, les régions isolantes sont hachurées. Comme l'illustrent les figures 3A et 3B, le transistor T comporte une grille G réalisée en silicium polycristallin sur une mince couche d'oxyde de grille GO à la surface d'un substrat SUB. Le transistor comporte une région de source S et une région 25 de drain D fortement dopées formées de part et d'autre de la grille G dans la surface du substrat. Le transistor est entouré d'une tranchée d'isolation peu profonde STI formée dans la surface du substrat. Selon la présente invention, une région conductrice BR 30 enrobée d'isolant (IL) est formée dans la région de drain D du transistor T de telle manière qu'une portion de la région BR est séparée d'une portion en regard de la région de drain D par l'isolant IL enrobant la région conductrice BR. Aux figures 3A, 3B et aux figures suivantes, la région enrobée BR est disposée 35 de telle manière que seule la face inférieure de la région de drain D repose sur la face supérieure d'une portion de la région enrobée BR. La présente invention vise cependant également les cas o la région de drain entoure partiellement ou complètement les faces latérales d'une portion de la région BR. Un premier 5 condensateur C est formé entre les portions en regard du drain D et de la région BR, séparées par l'isolant enrobant la région BR. Un deuxième condensateur C' est formé entre les portions en regard de la région BR et du substrat SUB, séparées par l'isolant enrobant la région BR. Une ouverture V aux parois 10 recouvertes d'isolant est formée au dessus d'une autre portion de la région BR. Une couche conductrice, par exemple du silicium polycristallin, remplit l'ouverture V de manière à former un contact vers la région BR. Ainsi, selon un premier avantage de la présente 15 invention, on réalise un condensateur dont une électrode est une région active fortement dopée d'un composant (ici le drain d'un transistor), la surface occupée par l'ensemble de la région active et du condensateur n'étant pas supérieure à la surface de la région active. Selon un deuxième avantage de la présente invention qui ressortira de la description ci-après d'un procédé de fabrication, la prise de contact sur la deuxième électrode du condensateur peut être effectuée en même temps que la réalisation des grilles de transistor MOS. Selon un troisième avantage qui ressortira également de la description ciaprès d'un procédé de fabrication, l'isolant entre la région active et la région conductrice sousjacente peut être choisi indépendamment de l'isolant entre cette région conductrice et le substrat, d'o il résulte que les 30 condensateurs C et C' peuvent être optimisés indépendamment. La figure 4 représente une vue de dessus simplifiée d'une cellule CMOS de mémoire SRAM à six transistors associée à des condensateurs selon la présente invention. La cellule SRAM comporte deux inverseurs Il et I2 et deux transistors Tl, T2 35 ayant les mêmes connexions et les mêmes dimensions qu'en figure 2. Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, une même région enrobée BR1 est disposée de telle manière que les régions de drain des transistors TP1 et TN1 de l'inverseur Il reposent chacune directement sur une portion de 5 la région enrobée BR1. En outre, une excroissance de la couche gravée de silicium polycristallin formant les grilles des transistors TP1 et TN1 est formée de manière à relier électriquement lesdites grilles à la région BR1 par l'intermédiaire d'une ouverture de contact Vl. L'ouverture Vl 10 est pratiquée entre les transistors TP1 et TN1 au dessus de la frontière entre le caisson NWELL et le substrat SUB. Comme cela est illustré par la suite en relation avec la figure 5, quatre condensateurs sont formés autour de la région enrobée BRl reliée aux grilles des transistors TP1 et TN1 de l'inverseur Il. De 15 même, les régions de drain des transistors TP2 et TN2 de l'inverseur I2 reposent chacune directement sur une région enrobée BR2 reliée par une ouverture V2 aux grilles des transistors TP2 et TN2, et quatre condensateurs sont formés autour de la région enrobée BR2 reliée aux grilles des 20 transistors TP2 et TN2 de l'inverseur I2. Les huit condensateurs reliés aux grilles des transistors des inverseurs Il et I2 permettent d'accroître la résistance de la cellule SRAM aux rayonnements ionisants. Ce mode de réalisation préféré de l'invention tire 25 parti du fait qu'un processus de fabrication CMOS classique impose qu'un transistor à canal P formé dans un caisson de type N, ici le transistor TP1 de l'inverseur Il, soit séparé par une distance prédéterminée minimale du plus proche transistor à canal N formé dans le substrat, ici le transistor TN1 de 30 l'inverseur Il. La distance prédéterminée minimale dépend du processus utilisé, mais de manière avantageuse, dans un processus CMOS standard classiquement utilisé pour réaliser une cellule SRAM, la distance séparant les transistors TP1 et TN1 est suffisante pour que la précision du processus permette de 35 former l'ouverture Vl et l'excroissance de la couche de grille sans devoir écarter les transistors TP1 et TN1. Ainsi, la surface de l'inverseur Il couplé à des condensateurs selon la présente invention est identique à la surface d'un inverseur classique. Il en va de même pour l'inverseur I2, d'o il découle 5 que l'invention permet de réaliser une cellule de mémoire SRAM résistante aux rayonnements ionisants qui occupe la même surface qu'une cellule de mémoire SRAM classique non résistante aux rayonnements. La figure 5 représente un circuit équivalent à la 10 structure de la figure 4 et indique en particulier les connexions des condensateurs selon la présente invention. Les inverseurs Il et I2 sont représentés sous forme de blocs. Un condensateur Ci, formé entre le drain D du transistor TP1 et la région BRl reliée à la grille du transistor TP1, couple l'entrée 15 et la sortie de l'inverseur Il. De même, un condensateur C2 formé entre le drain du transistor TN1 et la région BR1 couple l'entrée et la sortie de l'inverseur Il. Un condensateur Cl' formé entre la région conductrice BR1 et le caisson NWELL couple l'entrée de l'inverseur Il à la masse GND. Un condensateur C2', 20 formé entre la région BR1 et le substrat, couple l'entrée de l'inverseur Il à un potentiel de polarisation VPOL du substrat SUB. De manière semblable, des condensateurs C3, C4, respectivement formés entre les drains des transistors TP2, TN2 et la région BR2, couplent l'entrée et la sortie de l'inverseur 25 I2. Un condensateur C3' selon l'invention, formé entre la région conductrice BR2 et le caisson NWELL, couple l'entrée de l'inverseur I2 à la masse GND. Un condensateur C4' selon l'invention, formé entre la région BR2 et le substrat, couple l'entrée de l'inverseur I2 au potentiel VPOL. Les figures 6 à 10 suivantes illustrent des étapes de fabrication de condensateurs selon un mode de réalisation de la présente invention. A titre d'exemple, les figures 6 à 10 suivantes illustrent des étapes de fabrication des condensateurs associés à l'inverseur Il de la cellule SRAM de la figure 4. Les figures 6A, 6B et 6C représentent respectivement une vue de dessus et des vues en coupe selon des plans B-B, C-C de l'inverseur Il après les premières étapes d'un procédé de fabrication selon la présente invention. Le plan B-B coupe le 5 transistor TP1 dans le sens de sa longueur. La source et le drain du transistor TP1 sont respectivement à gauche et à droite de la vue en coupe selon le plan B-B. Lors de premières étapes, une couche mince isolante ILl est déposée à la surface d'un substrat initial SUB de 10 silicium monocristallin faiblement dopé de type P. Une couche d'un conducteur tel que du silicium polycristallin est déposée par-dessus la couche IL1, et les deux couches déposées sont gravées au moyen d'un premier masque de manière à définir la région BR1, ici selon un rectangle dont une première extrémité 15 (coupe B-B) sera située sous le drain du transistor TP1, et dont l'autre extrémité sera située sous le drain du transistor TN1. On procède ensuite à une étape d'oxydation thermique suivie d'une gravure isotrope de l'oxyde de telle sorte qu'il reste une couche mince IL2 d'oxyde de silicium à la surface et sur les 20 côtés de la région de silicium polycristallin et que l'oxyde de silicium est éliminé à la surface du substrat SUB. Les figures 7A, 7B et 7C représentent respectivement les mêmes vues que les figures 6A, 6B et 6C lors d'une étape ultérieure, après avoir fait croître par épitaxie une couche de 25 silicium monocristallin 10 à partir du substrat initial, de manière à recouvrir le substrat initial et à enterrer complètement la région BR1 par croissance latérale. Le type et le niveau de dopage de la couche épitaxiale 10 sont choisis pour optimiser les transistors MOS à former et ne sont pas 30 nécessairement identiques à ceux du substrat initial. L'ensemble du substrat initial et de la couche épitaxiale 10 constitue alors un substrat ou corps semiconducteur dans lequel est noyée la région conductrice enrobée d'isolant BR1. Les figures 8A, 8B et 8C représentent respectivement 35 les mêmes vues que les figures 7A, 7B et 7C après avoir: planarisé la surface de la couche de silicium monocristallin 10; formé des caissons NWELL (non représentés) ; et formé dans la couche 10 et le substrat des tranchées 5 peu profondes (STI) destinées à être remplies d'isolant pour isoler latéralement les transistors MOS de l'inverseur. Pour simplifier les figures, les tranchées d'isolation sont dans les présentes figures représentées plus étroites qu'elles ne le sont en pratique. Selon la présente invention, le 10 masque utilisé de manière classique pour creuser les tranchées d'isolation est également utilisé pour creuser une ouverture Vl située sensiblement au centre de la région BR1 (coupe C-C). En raison de la sélectivité de gravure entre l'oxyde de silicium et le silicium, au dessus de la région BRl, la gravure s'arrête 15 naturellement sur l'oxyde enrobant cette région BR1. Les figures 9A, 9B et 9C représentent respectivement les mêmes vues que les figures 8A, 8B et 8C après avoir: rempli les tranchées STI et l'ouverture Vl d'un isolant tel que de l'oxyde de silicium; recouvert d'une couche d'oxyde de grille le silicium monocristallin de la surface du circuit; retiré l'isolant se trouvant au centre de l'ouverture Vl sur la surface supérieure de la région conductrice BR1, tout en laissant en place un isolant IL3 sur les parois verticales de 25 l'ouverture Vl; déposé à la surface du circuit une couche de silicium polycristallin de manière à former la couche de grille des transistors et à remplir l'ouverture Vl jusqu'à former un contact électrique avec la région enterrée BR1; et gravé le silicium polycristallin puis l'oxyde de grille de manière à définir les grilles G des transistors MOS TN1, TP1 de l'inverseur, reliées entre elles. Selon l'invention, les grilles des transistors TN1, TP1 sont également reliées à la région BR1 par l'ouverture Vl. Les figures 10A, 10B et lac représentent respectivement les mêmes vues que les figures 9A, 9B et 9C après formation des régions de drain D et de source S des transistors PMOS TP1 et NMOS TN1. Selon la présente invention, le dopage des 5 régions de drain D des transistors est tel que les régions de drain s'étendent en profondeur jusqu'à l'isolant ILl recouvrant la face supérieure de la région conductrice BR1. Diverses variantes de réalisation classique de régions de drain et de source pourront être utilisées, par exemple pour former des 10 structures à espaceurs de type LDD. La figure 10D représente une vue en coupe de l'inverseur Il des figures 10A à lOC selon un plan D-D coupant la région conductrice enterrée BRl sur toute sa longueur et coupant les régions de drain des transistors TP1, TN1. La figure 15 10D représente en outre le caisson NWELL non représenté aux figures 6 à 9 pour des raisons de clarté. Le procédé de fabrication illustré aux figures 6 à 10 est particulièrement simple à mettre en oeuvre. De plus, ce procédé ne demande que deux masques spécifiques (décrits en 20 relation avec les figures 6 et 9) ce qui le rend particulièrement peu coteux. Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, le type et l'épaisseur de l'isolant 25 mince (ILl) disposé entre la surface inférieure des régions conductrices et le substrat initial peut être choisi de manière appropriée pour optimiser la valeur des condensateurs couplant les régions conductrices enrobées BR au caisson NWELL et au substrat. A titre d'exemple, l'isolant peut être un oxynitride 30 ayant une épaisseur de 1 à 2 nm, du AL203 ayant une épaisseur de 1 à 3 nm ou du TA205 ayant une épaisseur de 2 à 3 nm. La présente invention a été décrite en relation avec un procédé de fabrication particulier d'une structure particulière comportant des régions conductrices enrobées 35 enterrées, mais l'homme du métier adaptera sans difficulté la présente invention à des procédés de fabrication permettant de réaliser une structure comportant des régions conductrices enrobées enterrées équivalentes. La présente invention a été décrite en relation avec 5 un condensateur formé avec une région conductrice enrobée d'isolant enterrée couplant le drain et la grille d'un transistor, mais elle s'adaptera sans difficulté à un condensateur couplant le drain ou la source d'un transistor MOS à un autre élément du circuit intégré connecté à la région 10 enterrée. La figure il représente à titre d'exemple une vue en coupe de deux cellules DRAM selon la présente invention. Chaque cellule DRAM comprend un transistor de commande TC entouré latéralement de tranchées STI dont la source S est reliée à une 15 ligne de bits non représentée, dont la grille G est reliée à une ligne de mot non représentée, et dont le drain D repose directement sur une région conductrice enrobée BR. La région conductrice enrobée est reliée à une ligne d'alimentation non représentée. Le condensateur C formé entre les surfaces en 20 regard du drain D et de la région BR constitue le point mémoire de la cellule DRAM. L'homme du métier notera que la mise en commun de la région enrobée BR entre les deux cellules DRAM permet un gain de surface. La présente invention s'adaptera également sans 25 difficulté à un ou plusieurs condensateurs couplant d'autres régions actives appartenant à d'autres types de composants d'un circuit intégré reposant directement sur la région enrobée. La présente invention s'adaptera notamment sans difficulté à des condensateurs couplant plusieurs régions actives de plusieurs 30 composants dont chacune repose directement sur une portion d'une même région enterrée. La présente invention s'adaptera également sans difficulté à une technologie bipolaire. REVENDICATIONS 1. Condensateur dont une première électrode est constituée d'une région active fortement dopée (D) d'un composant semiconducteur (T) formé du côté d'une surface d'un corps semiconducteur, caractérisé en ce que la deuxième 5 électrode est constituée d'une région conductrice (BR) enrobée d'isolant (IL) formée sous ladite région active et noyée dans le corps semiconducteur. 2. Condensateur selon la revendication 1, dans lequel la région conductrice enrobée comprend un prolongement au dessus 10 d'une portion duquel est formée une ouverture (V) de contact vers la deuxième électrode. 3. Condensateur selon la revendication 2, dans lequel la région active fortement dopée est la région de drain (D) ou de source d'un transistor MOS (T). 4. Cellule de mémoire SRAM comportant deux inverseurs tête-bêche(I1; I2) dont chacun comporte deux transistors MOS de deux types de conductivité (TN1, TP1; TN2, TP2) formés côte à côte dont les drains sont reliés entre eux et dont les grilles sont reliées entre elles, et comportant deux condensateurs (Ci, 20 C2) selon la revendication 3 dont les premières électrodes respectives sont les drains (D) desdits transistors et dont les deuxièmes électrodes sont une même région enrobée (BR1; BR2) reliée aux grilles (G) desdits transistors par l'intermédiaire d'une ouverture de contact (Vl, V2) formée entre les deux 25 transistors. 5. Cellule de mémoire DRAM comportant un transistor MOS (TC) dont la région de source (S) est reliée à une ligne de bits, dont la grille (G) est reliée à une ligne de mot, et comportant un condensateur (C) selon la revendication 3 dont la 30 première électrode est la région de drain (D) dudit transistor et dont la deuxième électrode est une région enrobée (BR) reliée à une ligne d'alimentation. 6. Circuit intégré comportant un condensateur conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 3 ou comportant une cellule de mémoire conforme à la revendication 4 ou 5, dans lequel l'isolant (ILl) enrobant la face inférieure de la région enrobée (BR1) présente une constante diélectrique plus forte que l'isolant (IL2) enrobant le reste de la région conductrice enrobée. 7. Procédé de fabrication d'un condensateur dont une première électrode est constituée d'une région active fortement dopée (D) d'un composant semiconducteur, comprenant les étapes suivantes: a/ former à la surface d'un substrat semiconducteur initial (SUB) une région conductrice enrobée d'isolant (BR1) ; b/ faire croître par épitaxie une couche semiconductrice (10) de manière à recouvrir le substrat initial et à enterrer la région enrobée (BR1) ; c/ former ladite région active fortement dopée (D) dans toute l'épaisseur de ladite couche semiconductrice (10), au dessus d'une portion de la région conductrice enrobée (BR1). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la région active fortement dopée est l'une de la région de drain 20 (D) et de la région de source d'un transistor MOS (TP1, TN1). 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel avant de réaliser les régions de drain et de source, une ouverture (Vl) est pratiquée au dessus d'une autre portion de la région conductrice enrobée (BR1) dans ladite couche 25 semiconductrice (10) et dans l'isolant (IL2) enrobant la région conductrice (BR1) pour relier la région conductrice (BR1) à une couche conductrice servant à réaliser la grille (G) du transistor (TP1, TN1). 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel 30 l'ouverture (Vi) est pratiquée lors de l'étape de creusement des tranchées d'isolation STI dudit transistor MOS.