FR 2856508 A1 20041224 FR 0406159 A 20040608 La présente invention concerne, de façon globale, les dispositifs de mémoire vive magnétique (MRAM) et plus particulièrement, les matrices de mémoire magnétique. Une pastille de mémoire vive magnétique (MRAM) est, en général, une pastille de silicium sur laquelle est développé ou disposé un groupe de puces de mémoire magnétique (connues, de même, comme des puces). Une pastille usuelle de MRAM peut avoir plus de 10000 puces 10 de mémoire magnétique. Les puces de mémoire magnétique ou puces de mémoire sont disposées sur la pastille de MRAM selon un motif de grille avant la séparation de la pastille de MRAM pour une utilisation ultérieure dans des dispositifs électroniques. Chaque puce de mémoire est constituée d'une ou plusieurs matrice de mémoire, chaque matrice de mémoire étant constituée d'une pluralité de cellules binaires (référencées, de même, comme des "cellules de mémoire"). Les cellules binaires d'une matrice de 20 mémoire stockent des données récupérables. Les données dans chaque cellule binaire sont stockées selon une orientation de magnétisation dans les couches magnétiques de la cellule binaire. Par exemple, selon un type de cellule binaire connu comme une jonction à 25 tunnel magnétique, la cellule binaire consiste en deux couches magnétiques séparées par une mince barrière de tunnel isolant. La valeur logique de la cellule binaire est déterminée par les orientations relatives des magnétisations des deux couches. Si les orientations de 30 magnétisation des couches sont dirigées dans la même direction (référencée comme une orientation "en parallèle"), la résistance de la cellule binaire est faible et une valeur logique 0 est assignée. Si les orientations de magnétisation des couches sont dirigées 35 dans des directions opposées (référencées comme une orientation "antiparallèle"), la résistance de la cellule binaire est grande et une valeur logique 1 est assignée. De façon usuelle, l'orientation de magnétisation d'une couche est fixée ou verrouillée (la 5 "couche de référence") tandis que l'orientation de magnétisation de l'autre couche peut être modifiée par un champ magnétique appliqué (la "couche de données" ou "couche de lecture"). Des pistes conductrices, référencées comme des 10 lignes de mot et des lignes de bit, s'étendent en travers des cellules binaires formant les matrices de mémoire. Des lignes de mot s'étendent selon des rangées de cellules binaires et des lignes de bit s'étendent selon des colonnes de cellules binaires. Des lignes de 15 mot et des lignes de bit sélectionnées sont activées à l'aide de courants électriques combinés afin de créer des champs magnétiques commutant l'orientation de magnétisation d'une cellule binaire sélectionnée de parallèle en antiparallèle et vice versa. Les lignes de 20 mot et les lignes de bit peuvent être référencées de façon globale comme des lignes d'écriture. Les lignes d'écriture peuvent être utilisées, de même, pour lire la valeur logique stockée dans la cellule binaire. En option, des lignes séparées de lecture peuvent être 25 ajoutées afin de lire des données stockées à partir des cellules binaires. La magnétisation stockée dans une cellule binaire créé des lignes de champ magnétique analogues à celles associées à des aimants en général et en tant que 30 telle, la magnétisation possède des pôles magnétiques positifs et des pôles magnétiques négatifs ou charges servant de source et de collecteur pour les lignes de champ. Plus proches sont les pôles magnétiques positifs des pôles magnétiques négatifs, plus grand est le champ 35 magnétique créé par ces pôles. Une mémoire à haute densité est caractérisée par le groupement serré de petites cellules binaires à l'intérieur de matrices de mémoire. De petites cellules binaires possèdent des pâles magnétiques qui sont 5 proches, de façon inhérente, les uns des autres et produisent de forts champs magnétiques. De plus, le champ magnétique associé à des pôles positifs et négatifs à l'intérieur de la cellule binaire est référencé comme un champ de démagnétisation car il 10 s'oppose à la direction de magnétisation à l'intérieur de la cellule binaire. Des champs de démagnétisation deviennent plus importants tandis que les pôles magnétiques les provoquant sont rapprochés les uns des autres. Afin de maintenir l'orientation désirée de magnétisation dans la couche de données (état 0 et 1), une anisotropie magnétique suffisante doit être présente dans le film magnétique pour surmonter le champ de démagnétisation. Deux types prépondérants 20 d'anisotropie magnétique sont l'anisotropie de forme et l'anisotropie magnéto-cristalline, l'anisotropie de forme étant prépondérante pour des cellules binaires inférieures au micron. Une réduction du champ de démagnétisation le long de l'axe aisé des cellules 25 binaires renforcera la stabilité de celles- ci. On désire nettement des cellules binaires magnétiques plus stables. La coercitivité est une mesure d'une résistance de matériau à une magnétisation inverse créée par un champ 30 magnétique appliqué. Dans un film non formé d'un matériau ferromagnétique mou, la coercitivité est déterminée, de façon usuelle, par la résistance au déplacement de paroi de domaine. Une telle coercitivité peut être sensiblement plus faible que 1'anisotropie 35 magnétique du film. Cependant, des films magnétiques minces configurés selon des dimensions inférieures au micron ne contiennent souvent pas de paroi de domaine. Les coercitivités dans de tels films formés sont comparables, en général, à l'anisotropie magnétique 5 totale de la cellule binaire qui est dominée par l'anisotropie de forme. Pour des cellules binaires avec un rapport de forme supérieur à deux, l'anisotropie de forme et par-là, la coercitivité, est inversement proportionnelle à la largeur de la cellule binaire. 10 Tandis que les cellules binaires MRAM se réduisent de taille pour accepter de plus grandes densités de cellule binaire, la coercitivité grimpe et avec elle, la quantité de courant électrique requise pour écrire les cellules binaires. Pour de petites particules magnétiques, le mécanisme de commutation de magnétisation est souvent commandé par une rotation de magnétisation plutôt qu'un déplacement de paroi de domaine. Tandis que la magnétisation tourne selon l'axe difficile (la petite dimension) de la cellule binaire, le champ de démagnétisation atteint une valeur maximale. De façon à commuter l'orientation de magnétisation, le champ magnétique appliqué doit surmonter le champ de démagnétisation d'axe difficile. Une réduction de ce 25 champ de démagnétisation abaisserait la coercitivité de la cellule binaire et par-là, le courant requis pour écrire la cellule binaire. De plus petits courants d'écriture dans des dispositifs de MRAM sont recherchés. Une mémoire à haute densité qui est utile pour des applications informatiques avancées est associée à de petites cellules binaires groupées de façon rapprochée. Des champs de démagnétisation dans de petites cellules binaires provoquent une instabilité de l'orientation de magnétisation d'axe aisé et de hauts champs de commutation. Une matrice de mémoire magnétique comprend une pluralité de cellules binaires. Chaque cellule binaire 5 comprend au moins une couche magnétique possédant des pôles magnétiques libres avec un champ de démagnétisation correspondant. Une couche d'absorption de flux magnétique est disposée entre au moins deux cellules de la pluralité de cellules binaires. L'invention est avantageusement complétée par les caractéristiques suivantes, prises seules ou en combinaison: - la pluralité de cellules binaires sont orientées en rangées et en colonnes et en ce que de plus, la 15 couche d'absorption du flux magnétique est déposée entre au moins une des rangées et des colonnes des cellules binaires; - la couche d'absorption du flux magnétique est disposée entre toutes les cellules de la pluralité de 20 cellules binaires; - la couche d'absorption du flux magnétique est sensiblement coplanaire à la pluralité de cellules binaires; - la couche d'absorption du flux magnétique est 25 contiguë à une couche non magnétique; - la couche d'absorption du flux magnétique est sélectionnée dans le groupe comprenant le fer, le nickel, le cobalt, les alliages de fer, les alliages de nickel et les alliages de cobalt; - la couche d'absorption du flux magnétique est un isolant électrique; - la couche d'absorption du flux magnétique présente une perméabilité magnétique supérieure à 100 et/ou une coercitivité inférieure à 10 Oersteds; et - la couche d'absorption du flux magnétique est un métal amorphe. L'invention concerne également un système électronique, comprenant: - un dispositif électronique; et - une puce de mémoire connectée, de façon électrique, au dispositif électronique, la puce de mémoire comprenant une matrice de mémoire; caractérisé en ce que la matrice de mémoire 10 comprend une pluralité de cellules binaires et une couche d'absorption du flux magnétique disposée entre au moins deux cellules de la pluralité de cellules binaires. Des modes de mise en oeuvre à titre d'exemples de 15 l'invention seront mieux compris en référence aux dessins annexés. Les éléments des dessins ne sont pas nécessairement proportionnés les uns par rapport aux autres. Des références numériques similaires désignent des parties similaires correspondantes. 20 Sur les dessins: la Figure 1 est une vue en perspective d'une pastille de mémoire simplifiée; la Figure 2 est une vue en perspective d'une pastille de mémoire magnétique simplifiée illustrant 25 des lignes de communication connectées à plusieurs matrices de mémoire; la Figure 3 est une vue en perspective d'une matrice simplifiée de mémoire magnétique illustrant une pluralité de cellules binaires; la Figure 4 illustre une cellule binaire; la Figure 5 est une vue en section transversale de la matrice de mémoire de la Figure 3 selon l'axe 5-5; la Figure 6 est la vue de section transversale de la Figure 5 illustrant des colonnes de cellules 35 binaires possédant un revêtement enrobant d'un matériau non magnétique selon un mode de mise en oeuvre de la présente invention; la Figure 7 illustre les colonnes de cellules binaires de la Figure 6, une couche d'absorption de 5 flux magnétique et un matériau épais non magnétique étant déposés; la Figure 8 est la vue de section transversale de la Figure 7 illustrant la couche d'absorption de flux magnétique et les deux couches non magnétiques enlevées 10 pour exposer les lignes de bit de la matrice de mémoire; la Figure 9 est une vue de section transversale des colonnes de cellules binaires dans une matrice de mémoire possédant une couche de matériau d'absorption du flux magnétique déposée le long des colonnes de 15 cellules binaires selon un autre mode de mise en oeuvre de la présente invention; la Figure 10 est une vue de dessus des colonnes de cellules binaires selon l'axe 10-10 de la Figure 8 illustrant le matériau d'absorption de flux magnétique 20 disposé adjacent aux colonnes de cellules binaires; et la Figure 11 est une vue en perspective d'un système électronique comprenant un dispositif électronique et une puce de mémoire munie d'une matrice de mémoire selon un autre mode de mise en oeuvre de la 25 présente invention. Une vue en perspective d'une pastille simplifiée de mémoire vive magnétique (MRAM) est présentée sur la Figure 1. La pastille de MRAM 100 comprend une pluralité de puces séparées de mémoire 110 disposées 30 sur pastille de silicium 112. Chacune des puces de mémoire séparables 110 comprend au moins une matrice de mémoire possédant plusieurs cellules binaires (non illustrées). La Figure 2 illustre une puce de mémoire magnétique 35 110 simplifiée après séparation de la pastille de mémoire 100. La puce de mémoire 110 possède au moins une et de façon usuelle, plusieurs matrices de mémoire magnétique 120. Comme illustré sur la Figure 3, chaque matrice de mémoire magnétique 120 comprend des lignes 5 de mot 122 et des lignes de bit 124 se coupant et à chaque intersection d'une ligne de mot 122 et d'une ligne de bit 124 se trouve une cellule binaire 130. Chaque puce de mémoire magnétique 110 possède au moins un plot de connexion 126. Les plots de connexion 126 10 constituent des positions d'accès électrique pour des dispositifs pour des dispositifs électroniques périphériques aux matrice de mémoire magnétique 120 (et à leurs cellules binaires 130 magnétiques associées) par l'intermédiaire de lignes de communication 128 à 15 l'intérieur de la puce de mémoire magnétique 110. La Figure 3 est une vue en perspective d'une seule matrice de mémoire magnétique 120 simplifiée illustrant la relation entre des lignes de mot 122, des lignes de bit 124 et des cellules binaires 130. Les lignes de mot 20 122 sont positionnées sur un premier côté des cellules binaires 130 tandis que les lignes de bit 124 sont positionnées sur un second côté des cellules binaires 130 opposé aux lignes de mot 122. De façon usuelle, les lignes de mot 122 et les lignes de bit 124 sont 25 orientées, de façon orthogonale, les unes par rapport aux autres (de façon globale, les lignes de mot 122 et les lignes de bit 124 peuvent être référencées comme des lignes d'écriture). On comprendra que la Figure 3 ne représente qu'un seul mode de mise en oeuvre 30 possible d'une matrice de mémoire magnétique 120. Selon des modes de mise en oeuvre en option, la matrice de mémoire magnétique 120 peut contenir des lignes conductrices additionnelles pour lire l'état des cellules binaires 130 magnétiques. De plus, des matrice de mémoire magnétique 120 peuvent comprendre plusieurs couches de cellules binaires 130 magnétiques. Des données sont stockées selon une orientation de magnétisation dans les couches magnétiques d'une 5 cellule binaire 130. Comme illustré sur la Figure 4, une cellule binaire 130 comprend un film actif de données magnétiques 132 (couche de lecture) et un film magnétique concentré 134 (couche de référence) qui sont séparés par une zone diélectrique 136 (barrière à 10 tunnel). L'orientation de magnétisation dans la couche de lecture 132 n'est pas fixée et peut adopter une quelconque parmi deux orientations stables, comme illustré par la flèche Ml. A l'inverse, la couche de référence concentrée 134 possède une orientation fixée 15 de magnétisation, comme illustré par la flèche M2. La couche de lecture 132 fait tourner son orientation de magnétisation en réponse à des courants électriques appliqués aux lignes d'écriture 122 et 124 lors d'une opération d'écriture dirigée vers des cellules binaires 20 130 sélectionnées. Comme mentionné ci-dessus, l'orientation de magnétisation dans la couche de lecture 132 crée un champ opposé de démagnétisation. Le champ de démagnétisation en opposition aura des pôles magnétiques positifs et 25 des pôles magnétiques négatifs. Les champs de démagnétisation deviennent plus forts tandis que les pôles magnétiques sont rapprochés. De plus, de petites cellules binaires 130 possèdent, en général, une largeur W de 500 nm ou moins. Une mémoire à haute 30 densité encourage le resserrement des cellules binaires à l'intérieur des matrice de mémoire magnétique 120 et par consé-quent, des cellules binaires 130 considérées, de façon générale, comme adaptées à une utilisation dans des matrices de mémoire à haute 35 densité possèdent au moins une dimension qui est inférieure à 500 nm. Par conséquent, de petites cellules binaires 130 possèdent des pôles magnétiques qui sont, de façon inhérente, rapprochés et présentent de forts champs de démagnétisation. Comme illustré sur la Figure 4, les cellules binaires 130 peuvent avoir une longueur L supérieure à la largeur W d'une cellule binaire 130. Le rapport entre la longueur L et la largeur W des cellules binaires 130 est défini comme le rapport de forme. Par 10 exemple, des cellules binaires 130 possédant un rapport de forme de deux indiquent que la longueur L est le double de la largeur W, c'est-à-dire L = 2W. Dans le cas o une cellule binaire 130 serait une cellule binaire magnétique avec un rapport de forme supérieur à 15 un, la magnétisation préfère s'étendre le long du grand axe de la cellule binaire (l'axe aisé) c'est-à-dire la longueur L, afin de réduire l'amplitude du champ de démagnétisation et son énergie magnétostatique correspondante. Pour de petites particules magnétiques, le mécanisme de commutation de magnétisation est souvent commandé par une rotation de magnétisation plutôt qu'un déplacement de paroi de domaine. Tandis que la magnétisation tourne selon l'axe difficile (la petite 25 dimension) de la cellule binaire 130, le champ de démagnétisation atteint une valeur maximale. Afin de commuter l'orientation de magnétisation, le champ appliqué doit surmonter ce champ de démagnétisation d'axe difficile. Une réduction de ce champ de démagné30 tisation abaisse la coercitivité de la cellule binaire et par-là, le courant requis pour écrire dans la cellule binaire 130. Un plus faible courant d'écriture dans des dispositifs de MRAM est recherché car une moindre énergie est consommée pour le stockage de 35 données. il Afin d'assurer une orientation de magnétisation stable dans la couche de lecture 132 (l'état 0 et 1), une anisotropie magnétique suffisante doit être présente dans le film magnétique pour surmonter le 5 champ de démagnétisation et maintenir la magnétisation dans l'état désiré. Une réduction du champ de démagnétisation selon l'axe aisé des cellules binaires 130 renforce la stabilité des cellules binaires 130. Des cellules binaires 130 qui sont plus stables peuvent 10 être associées de façon plus rapprochée, ce que l'on recherche dans des mémoires de haute densité. Un dépôt d'un matériau perméable d'un point de vue magnétique au voisinage de la cellule binaire 130 réduit le champ de démagnétisation agissant sur la 15 couche de lecture par création de charges ou pôles d'image magnétique dans le matériau perméable. Ces charges d'image décalent les charges associées à la magnétisation de la couche de lecture 132. La réduction nette de la charge magnétique au voisinage de la couche 20 de lecture 132 entraîne un champ de démagnétisation réduit. Une commutation de l'orientation magnétique de la couche de lecture 132 par rotation de la magnétisation nécessite un champ appliqué proportionnel au champ de 25 démagnétisation d'axe difficile. Une réduction du champ de démagnétisation due à la proximité d'un matériau perméable d'un point de vue magnétique conduit à des cellules binaires 130 présentant une coercitivité réduite. Par conséquent, les effets des champ de 30 démagnétisation sont réduits par la présence d'un milieu perméable d'un point de vue magnétique sur ou près de la cellule binaire 130 ou entre au moins deux cellules binaires 130. Le résultat est une matrice de mémoire magnétique 120 consommant moins d'énergie et 35 autorisant de plus petits circuits d'attaque de courant d'écriture, réduisant ainsi la surface de la puce de mémoire. Par conséquent, la présente invention autorise des matrice de mémoire magnétique 120 de plus faible énergie, de plus grande capacité et moins coûteuses. La matrice de mémoire magnétique 120 comprend des cellules binaires configurées 130. Dans les illustrations suivantes, une matrice de cellules binaires 130 est configurée en rangées et en colonnes. Cependant, la présente invention est utilisée, de façon 10 avantageuse, avec une quelconque matrice de cellules binaires 130 et n'est pas limitée à des matrices orthogonales de rangées et de colonnes de cellules binaires 130. Les cellules binaires 130 sont formées à chaque intersection d'une ligne de mot 122 et d'une 15 ligne de bit 124. La Figure 5 illustre une section transversale d'une matrice de mémoire magnétique 120 dans laquelle des cellules binaires 130 sont alignées en colonnes au sommet de lignes de mot 122. Des courants électriques envoyés le long des lignes de mot 20 122 et des lignes de bit 124 créent des champs magnétiques se combinant pour commuter l'orientation de magnétisation (et ainsi, l'état logique) de la couche de lecture 132 magnétique d'une cellule binaire 130 sélectionnée. Selon un mode de mise en oeuvre selon l'invention, les lignes de champ de démagnétisation de flux sont réduites à l'intérieur des cellules binaires 130 par dépôt d'un matériau perméable d'un point de vue magnétique adjacent aux cellules binaires 130. Comme 30 des cellules binaires 130 dans la matrice de mémoire magnétique 120, à titre d'exemple, sont alignées en rangées et en colonnes, un mode de mise en oeuvre de la présente invention comprend le placement d'un matériau perméable d'un point de vue magnétique le long des 35 colonnes de cellules binaires 130, constituant ainsi un passage pour les lignes de champ de démagnétisation de flux. Lors de la lecture et de la prise en considération de cette description, l'homme du métier des dispositifs de MRAM constatera qu'un matériau 5 perméable d'un point de vue magnétique absorbant le flux peut être placé, de même, le long de rangées de cellules binaires 130 ou le long à la fois de colonnes et de rangées de cellules binaires 130 ou de façon plus générale, entre deux quelconques cellules binaires 130 10 afin de réduire les effets des champ de démagnétisation sur les cellules binaires 130. Un procédé d'élaboration d'une matrice de mémoire avec un matériau perméable d'un point de vue magnétique conducteur de l'électricité entre des cellules binaires 15 130 est décrit dans notre cas en référence aux Figures à 8. Lorsque le matériau perméable d'un point de vue magnétique est conducteur de l'électricité, ce matériau placé près des cellules binaires 130 doit être isolé, de façon électrique, des cellules binaires 130. La 20 Figure 5 illustre une vue en section transversale de la matrice de mémoire magnétique 120 dans laquelle des colonnes de cellules binaires 130 sont disposées sur la ligne de mot 122. Comme illustré sur la Figure 6, une couche non magnétique et non-conductrice de l'électri25 cité 140, c'est-à-dire un matériau diélectrique, est disposée sur chaque cellule binaire 130 et sur les lignes de mot 122 et 124 afin d'isoler, de façon électrique, les cellules binaires 130 des couches suivantes conductrices de l'électricité. Selon un mode 30 de mise en oeuvre de la présente invention, la couche est un revêtement d'enrobage couvrant, de façon sensiblement uniforme, des cellules binaires 130 et des lignes de mot 122 et 124. Les colonnes de cellules binaires 130 sur la Figure 35 6 étant isolées, de façon électrique, par une première couche diélectrique 140, la Figure 7 illustre les étapes suivantes du traitement selon lequel au moins une couche perméable d'un point de vue magnétique, c'est-à-dire absorbant le flux magnétique, est ajoutée à la matrice de mémoire magnétique 120. Comme illustré sur la Figure 7, une couche d'absorption de flux magnétique 144 est ensuite déposée sur la première couche diélectrique 140 non-conductrice et non magnétique et sur des colonnes de cellules binaires 10 130. Finalement, une seconde couche 146 d'un matériau diélectrique non-conducteur et non magnétique est déposée sur la couche d'absorption de flux magnétique 144 et sur des colonnes de cellules binaires 130 de la matrice de mémoire magnétique 120. Une seconde couche 15 diélectrique 146 est déposée avec une épaisseur suffisante pour remplir les espaces entre des colonnes adjacentes de cellules binaires 130. La Figure 7 illustre ainsi une couche d'absorption de flux magnétique 144 déposée le long de colonnes de cellules 20 binaires 130 afin de réduire les effets des champ de démagnétisation sur les cellules binaires 130 selon un mode de mise en oeuvre de la présente invention. Des lignes de bit 124 peuvent être exposées, de façon électrique, par enlèvement de la couche 25 d'absorption de flux magnétique 144 à partir des lignes de bit 124. Comme illustré sur la Figure 8, des couches diélectriques 140 et 146 et une couche d'absorption de flux magnétique 144 ont été enlevées des lignes d'écriture 124. Un procédé adapté pour enlever des 30 couches diélectriques 140 et 146 et une couche d'absorption de flux magnétique 144 consiste à effectuer un polissage chimio-mécanique des couches 140, 146 et 144 à partir de la ligne d'écriture 124. Le processus de polissage chimio-mécanique rend planaire 35 la matrice de mémoire magnétique 120, comme illustré sur la Figure 8. Lors de la lecture et de la prise en considération de cette description, l'homme du métier constatera d'autres procédés adaptés pour l'exposition d'une ligne d'écriture 124 de chaque cellule binaire 5 130. Selon ce mode de mise en oeuvre de la présente invention, des colonnes de cellules binaires 130 possédant une couche d'absorption de flux magnétique 144 adjacente aux cellules binaires 130 réduisent les champ de démagnétisation des cellules binaires 130. Selon un autre mode de mise en oeuvre de la présente invention, la couche d'absorption de flux magnétique 144 est une couche magnétique molle isolante de l'électricité, c'est-à-dire non-conductrice de l'électricité, directement déposée sur des cellules 15 binaires 130, comme illustré sur la Figure 9. Un dépôt d'une couche d'absorption de flux magnétique 144 molle, isolante de l'électricité, évite le besoin de couches diélectriques non magnétiques et non conductrices 140 et 146 non conductrices et non magnétiques. Les 20 ferrites constituent un exemple d'un matériau magnétique mou isolant de l'électricité pouvant être utilisé comme couche perméable 144. Un exemple d'une ferrite magnétique molle acceptable, isolante de l'électricité, est le Fe304. La Figure 9 illustre le 25 fait que la couche d'absorption de flux magnétique 144 isolante de l'électricité a été déposée sur des cellules binaires 130 avec un enlèvement suivant d'une partie de la couche 144 de façon à exposer des lignes d'écriture 124. Selon encore un autre mode de mise en oeuvre de la présente invention, la couche d'absorption de flux magnétique 144 molle, isolante de l'électricité, de la Figure 9 peut être déposée de telle façon que la couche d'absorption de flux magnétique 144 remplisse les 35 espaces séparant les cellules binaires 130. Dans ce cas, une couche d'absorption de flux magnétique 144 molle, isolante de l'électricité, est sensiblement coplanaire à la matrice 120 de cellules binaires 130. Les exemples précédents établissent seulement un 5 nombre limité de nombreuses structures possibles dans lesquelles la couche d'absorption de flux magnétique 144 est déposée entre au moins deux cellules binaires 130 afin de réduire les champ de démagnétisation des cellules binaires 130. Lors de la lecture et de la 10 prise en considération de cette description, on constatera que de nombreuses combinaisons de couches de diélectrique, d'absorption de flux et d'absorption de flux isolantes de l'électricité peuvent être assemblées et positionnées entre des cellules binaires pour 15 obtenir une réduction des champ de démagnétisation des cellules binaires. Dans notre cas, la couche d'absorption de flux magnétique 144 pourrait être déposée le long de rangées de cellules binaires 130 ou le long de colonnes de cellules binaires 130 ou, à la 20 fois, le long des rangées et des colonnes de cellules binaires 130 afin de réduire les champ de démagnétisation des cellules binaires 130. De plus, selon l'invention, la couche d'absorption de flux magnétique 144 peut êtredéposée de telle façon que des cellules 25 binaires 130 soient complètement entourées par la couche 144 avant le positionnement de la ligne d'écriture 124. La couche perméable d'un point de vue magnétique 144 est un absorbeur de flux. Les lignes de flux 30 magnétique comme les courants électriques suivent toujours le trajet de moindre résistance. Ainsi, des lignes de flux suivront le trajet de plus grande perméance (plus faible réluctance). De cette façon, des lignes de flux magnétique associées à une magnétisation 35 de cellules binaires 130 sont dirigées à l'écart des cellules binaires 130 par la couche perméable d'un point de vue magnétique 144. Ainsi, l'amplitude du champ de démagnétisation interférant avec l'état de magnétisation des cellules binaires 130 est réduite. Selon un mode de mise en oeuvre de la présente invention, la couche d'absorption du flux magnétique 144 possède une faible coercitivité et une grande perméabilité. Par exemple, selon un mode de mise en oeuvre, la coercitivité de la couche d'absorption du 10 flux magnétique 144 est d'environ 1 Oersted. Une couche d'absorption de flux magnétique 144 préférée possède une coercitivité de moins de 10 Oersteds, de préférence inférieure à 5 Oersteds et encore plus de préférence inférieure à 2 Oersteds. Selon un mode de mise en oeuvre de la présente invention, la couche d'absorption du flux magnétique 144 possède une perméabilité magnétique d'environ 1000. La perméabilité magnétique est une constante de proportionnalité entre l'induction magnétique et 20 l'intensité du champ magnétique. Des matériaux possédant une grande perméabilité magnétique concentrent le flux magnétique. Une couche d'absorption de flux magnétique 144 préférée concentre le flux magnétique d'un facteur dépassant 10, de préférence d'un 25 facteur supérieur à 100 et encore plus de préférence, d'un facteur dépassant 1000. Selon un mode de mise en oeuvre de la présente invention, la couche d'absorption du flux magnétique 144 est un matériau magnétique mou. La couche d'absor30 ption du flux magnétique 144 peut être formée, par exemple, de fer, de nickel ou de cobalt ou d'alliages de fer, d'alliages de nickel et d'alliages de cobalt. De façon spécifique, il est avantageux de former la couche d'absorption du flux magnétique 144 à partir 35 d'alliages amorphes à base de cobalt présentant une grande perméabilité magnétique. De plus, des agents de rendu amorphe comme du silicium, du bore, de l'hafnium, du tantale, du tungstène et du zirconium peuvent être ajoutés au cobalt et aux alliages à base de cobalt afin 5 d'augmenter la partie amorphe de la structure du métal. Des matériaux magnétiques mous sont ceux présentant une réorientation de magnétisation lorsqu'ils sont soumis à un petit champ magnétique comme le champ de démagnétisation crée dans les couches magnétiques 132 10 et 134 des cellules binaires 130. Par suite de l'orientation du champ de démagnétisation variant lors de tout le processus d'écriture, selon un mode de mise en oeuvre de la présente invention, les couches d'absorption du flux magnétique 144 possèdent une 15 réponse isotrope aux champs magnétiques. Les couches d'absorption du flux magnétique 144 isotropes répondent, de façon uniforme, aux champs magnétiques indépendamment de l'orientation du champ. Certains matériaux peuvent être déposés sous la forme de couches 20 isotropes comme certains alliages amorphes de nickel, de fer et/ou de cobalt. Des couches d'absorption du flux magnétique 144 préférées seront formées à partir de matériaux qui sont isotropes et une majorité de couches d'absorption du flux magnétique 144 peuvent 25 être rendues isotropes par l'intermédiaire de techniques adaptées de traitement. Les couches d'absorption du flux magnétique 144 peuvent être rendues isotropes, par exemple, soit par dépôt en présence d'un champ magnétique tournant, soit 30 en option, par rotation de la pastille de mémoire contenant les matrice de mémoire magnétique 120 en présence d'un champ magnétique statique pendant le dépôt des couches d'absorption du flux magnétique 144. De plus, les couches d'absorption du flux magnétique 35 144 peuvent être rendues isotropes par recuit de la pastille de mémoire contenant les matrice de mémoire magnétique 120 dans un four après le dépôt des couches d'absorption du flux magnétique 144. Cependant, le recuit des matrice de mémoire magnétique 120 à de 5 hautes températures peut affecter, de façon néfaste, les couches magnétiques 132 et 134 et pour cette raison, un recuit à de hautes températures, c'est-àdire des températures suffisantes pour modifier les propriétés magnétiques, est moins recherché. Selon un 10 mode de mise en oeuvre préféré, un champ magnétique tournant est utilisé lors du processus de recuit pour orienter, de façon isotrope, la structure de la couche d'absorption du flux magnétique 144. La Figure 10 est une vue de dessus des colonnes de 15 cellules binaires 130, comme illustré sur la Figure 8. La Figure 10 illustre des colonnes de cellules binaires 130 positionnées sur des lignes de mot 122 présentant des couches diélectriques revêtues 140 et 146 et une couche d'absorption de flux magnétique 144 en relation 20 avec des cellules binaires 130 selon un mode de mise en oeuvre de la présente invention. La ligne d'écriture 124 exposée de la cellule binaire 130 est configurée pour communiquer, de façon électrique, avec des couches suivantes de matrice de mémoire magnétique 120 car les 25 couches suivantes sont élaborées au-dessus de la ligne d'écriture 124. Une première couche diélectrique 140 est adjacente aux cellules binaires 130 et est placée le long de la colonne de cellules binaires 130. La première couche diélectrique 140 isole, de façon 30 électrique, des cellules binaires 130 des couches de métal déposées ensuite. Une couche d'absorption de flux magnétique 144 et une seconde couche diélectrique 146 sont adjacentes à la première couche diélectrique 140. La Figure 10 illustre une seconde couche diélectrique 35 146 exposée audessus de la ligne de mot 122. Selon ce mode de mise en oeuvre de la présente invention, la couche d'absorption du flux magnétique 144 est déposée entre des colonnes de cellules binaires 130 afin de réduire le champ de démagnétisation des cellules binaires 130. Un système électronique comprenant un dispositif électronique et une puce de mémoire munie d'une matrice de mémoire selon la présente invention est illustré, de façon globale, en 150 sur la Figure 11. Le système 10 électronique 150 comprend un dispositif électronique 152 et une puce de mémoire 110 (comme sur la Figure 2) séparés d'une pastille de mémoire 100 (comme sur la Figure 1). La puce de mémoire 110 comprend une matrice de mémoire magnétique 120 et des cellules binaires 130, 15 par exemple, comme la matrice de mémoire magnétique 120 et les cellules binaires 130 décrites ci-dessus sur la Figure 8. Des conducteurs électriques 154 émanent du dispositif électronique 152 et sont connectés, de façon électrique, à la puce de mémoire 110 sur des plots de 20 connexion 126. De cette façon, la matrice de mémoire magnétique 120 communique, de façon électrique, par l'intermédiaire de lignes de communication 128 et des conducteurs électriques 154 avec le dispositif électronique 152 pour définir le système électronique 25 150. Comme illustré dans la vue en éclaté de section transversale de la matrice de mémoire magnétique 120 sur la Figure 11, les couches diélectriques 140 et 146 et la couche d'absorption du flux magnétique 144 ont été enlevées des lignes d'écriture 124. Une couche 30 d'absorption de flux magnétique 144 est déposée entre au moins deux des cellules binaires 130. Lors de la lecture et de la prise en considération de cette description, on constatera que la couche d'absorption du flux magnétique 144 pourrait être déposée sur une 35 couche non magnétique et non conductrice de l'électricité 140 (comme illustré sur les Figures 8 et 11) ; en option, la couche d'absorption du flux magnétique 144 pourrait être un isolant électrique, c'est-à-dire non-conducteur de l'électricité, une 5 couche magnétique de matériau mou directement déposée sur des cellules binaires 130 (comme sur la Figure 9). Dans tous les cas, la Figure 11 illustre, d'une façon ne constituant pas une limitation, un système électronique 150 utilisant une puce de mémoire 110 comprenant une matrice de mémoire magnétique 120 et une pluralité de cellules binaires 130 ainsi qu'une couche d'absorption de flux magnétique 144 disposée entre au moins deux cellules binaires 130. R E V E N D I C A T I 0 N S 1. Matrice de mémoire magnétique (120), caractérisée en ce qu'elle comprend: - une pluralité de cellules binaires (130), chaque 5 cellule binaire (130) comprenant au moins une couche magnétique (132, 134) possédant des pôles magnétiques libres associés à un champ de démagnétisation correspondant; et - une couche d'absorption du flux magnétique (144) 10 disposée entre au moins deux cellules de la pluralité de cellules binaires (130). 2. Matrice de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisée en ce que la pluralité de cellules binaires (130) sont orientées en rangées et en 15 colonnes et en ce que de plus, la couche d'absorption du flux magnétique (144) est déposée entre au moins une des rangées et des colonnes des cellules binaires (130). 3. Matrice de mémoire magnétique selon la 20 revendication 1, caractérisée en ce que la couche d'absorption du flux magnétique (144) est disposée entre toutes les cellules de la pluralité de cellules binaires (130). 4. Matrice de mémoire magnétique selon la 25 revendication 1, caractérisée en ce que la couche d'absorption du flux magnétique (144) est sensiblement coplanaire à la pluralité de cellules binaires (130). 5. Matrice de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche 30 d'absorption du flux magnétique (144) est contiguë à une couche non magnétique (140). 6. Matrice de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche d'absorption du flux magnétique (144) est sélectionnée dans le groupe comprenant le fer, le nickel, le cobalt, les alliages de fer, les alliages de nickel et les alliages de cobalt. 7. Matrice de mémoire magnétique selon la 5 revendication 1, caractérisée en ce que la couche d'absorption du flux magnétique (144) est un isolant électrique. 8. Matrice de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche 10 d'absorption du flux magnétique (144) présente une perméabilité magnétique supérieure à 100 et/ou une coercitivité inférieure à 10 Oersteds. 9. Matrice de mémoire magnétique selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche 15 d'absorption du flux magnétique (144) est un métal amorphe. 10. Système électronique (150), comprenant: - un dispositif électronique (152) ; et - une puce de mémoire (110) connectée, de façon 20 électrique, au dispositif électronique (152), la puce de mémoire (110) comprenant une matrice de mémoire (120) ; caractérisé en ce que la matrice de mémoire (120) comprend une pluralité de cellules binaires (130) et 25 une couche d'absorption du flux magnétique (140) disposée entre au moins deux cellules de la pluralité de cellules binaires (130).