FR 2853479 A1 20041008 FR 0304295 A 20030407 Dispositif de télétransmission par couplage inductif à modulation multiniveaux Domaine technique de l'invention L'invention concerne un dispositif de télétransmission comportant un objet portatif muni d'un bobinage d'antenne couplé inductivement à un bobinage d'antenne d'une station fixe émettant un champ magnétique alternatif, l'objet 10 portatif comportant des moyens de modulation d'une impédance de charge du bobinage d'antenne de l'objet portatif par des signaux binaires de données. État de la technique Le couplage inductif est classiquement utilisé pour la télétransmission de données entre un objet portatif, notamment du type carte, billet, étiquette, etc., et une station fixe, par exemple constituée par un lecteur de cartes, un interrogateur d'étiquettes, etc., dans le domaine de l'identification d'objets, du 20 contrôle d'accès, du télépéage, etc. Dans la plupart des dispositifs de télétransmission de ce type, l'objet portatif est passif. Il est donc télé-alimenté par la station fixe, qui comporte son propre circuit d'alimentation en énergie, par l'intermédiaire du couplage inductif qui est 25 réalisé par des antennes constituées par des bobinages. Ces dispositifs utilisent généralement le principe de la modulation de charge. Comme représenté à la figure 1, lorsque l'objet portatif, par exemple constitué par une étiquette 1, est disposé suffisamment près de la station fixe, constituée par exemple par un lecteur 2, pour qu'il y ait couplage inductif, les bobinages d'antenne 3 et 4 de l'étiquette 1 et du lecteur 2 se comportent comme un transformateur, de mauvaise qualité. Le bobinage d'antenne 4 du lecteur 2 émettant un champ magnétique alternatif, l'étiquette 1 interagit sur ce champ 5 magnétique par l'intermédiaire de son bobinage d'antenne 3 en émettant un champ magnétique secondaire, dépendant de l'impédance des circuits connectés au bobinage d'antenne 3. Ceci induit une tension détectable dans le bobinage d'antenne 4 du lecteur. Une modification de l'impédance Z au secondaire de ce transformateur peut ainsi être détectée par le lecteur 2, 10 lorsqu'elle est suffisante au vu de la sensibilité du lecteur. Un signal de données binaire D contrôle la valeur de l'impédance présente aux bornes du bobinage d'antenne 3 de l'étiquette 1, l'impédance Z pouvant prendre deux valeurs distinctes, respectivement ZO et Zl selon que le signal de données D prend la valeur binaire O ou la valeur binaire 1. Une capacité Ce peut être connectée en parallèle sur le bobinage d'antenne 3 et l'inductance Z, constituant ainsi un résonateur, dont l'impédance peut être modifiée soit par modulation résistive, c'est-à- dire par modification de la composante résistive, soit par modulation capacitive, c'est-à-dire par 20 modification de la composante capacitive du résonateur. La modification de l'impédance Z entraîne une modification de l'amplitude de la tension V aux bornes du bobinage d'antenne 3 et, en conséquence, une modification du courant parcourant le bobinage d'antenne 3 et, donc, du champ magnétique qu'il émet. Le signal de données binaire D module ainsi l'amplitude de la tension V 25 aux bornes du bobinage d'antenne 3, comme représenté à la figure 2, cette amplitude prenant, pour un même champ magnétique en provenance du lecteur 2, une première valeur lorsque le signal de données D prend la valeur binaire O et une seconde valeur, inférieure à la première sur la figure 2, lorsque le signal de données D prend la valeur binaire 1. Pour permettre la télé-alimentation de l'étiquette 1, celle-ci comporte, de préférence, comme représenté à la figure 3, un circuit de redressement 5, qui peut être constitué par une diode, un pont de diodes ou tout circuit approprié, 5 connecté à la sortie du bobinage d'antenne 3. Une tension continue VDD est donc produite à la sortie du circuit de redressement 5, à partir de la tension aux bornes du bobinage d'antenne 3, induite par le champ magnétique émis par le lecteur 2. Le champ magnétique vu par l'étiquette 1 varie rapidement avec la distance séparant l'étiquette du lecteur 2. La force électromotrice induite dans le bobinage d'antenne 3 de l'étiquette 1 peut ainsi varier dans de grandes proportions. L'étiquette étant essentiellement constituée par un circuit intégré connecté au bobinage d'antenne 3, ce circuit est généralement protégé par des 15 moyens de limitation de la tension aux bornes du bobinage d'antenne, ce qui permet d'utiliser des technologies basse tension standard, moins coûteuses que les technologies haute tension. Il est connu d'utiliser pour cela un circuit de régulation de type shunt, dont le principe est illustré à la figure 3. Le circuit de régulation de la figure 3 comporte un régulateur 6 connecté à la sortie du circuit 20 de redressement 5 et contrôlant la valeur d'une impédance variable commandée Ze, connectée aux bornes du bobinage d'antenne 3. Dans le mode particulier de réalisation illustré à la figure 4, le régulateur comporte un pont diviseur, constitué par deux résistances, Rl et R2, connectées en série entre la sortie du circuit redresseur 5 et la masse, et un amplificateur 7, ayant une entrée 25 connectée au point milieu du pont diviseur et une autre entrée connectée à une tension de référence Vref. L'impédance variable est constituée par un transistor T, dont l'électrode de commande est connectée à la sortie de l'amplificateur 6. La tension VDD est ainsi régulée à une valeur proche de Vref.(R1+R2)/R1, ce qui régule et limite la tension aux bornes du bobinage d'antenne 3. Une régulation de ce type peut cependant, en l'absence de précautions particulières, entrer en conflit avec une modulation du type illustré à la figure 1. Plusieurs solutions ont été proposées pour résoudre ce problème: - Limiter la bande passante de la boucle de régulation, constituée par le circuit de redressement 5, le régulateur 6 et l'impédance variable commandée Ze, de manière à ce que les variations de l'impédance commandée par le signal de données D soient trop rapides pour la régulation. Ceci est possible dans la mesure o les variations de champ sont dues à des mouvements, donc sont des 10 variations basse fréquence. - Réaliser une modulation capacitive en déplaçant la fréquence de résonance du bobinage d'antenne de l'étiquette de part et d'autre de la fréquence du champ en fonction du signal de données D, de manière à maintenir constante la force électromotrice. - Utiliser une entrée du régulateur 6 pour réaliser la modulation par le signal de données D. Ceci peut, par exemple être réalisé en modulant la tension de référence Vref, qui peut prendre deux valeurs VrefO et Vrefl en fonction de la valeur du signal binaire de données D, comme représenté à la figure 5. Dans un autre mode de réalisation (FR-A-2776865), illustré à la figure 6, une tension, 20 variable entre deux valeurs EO et El, en fonction de la valeur du signal binaire de données D, est interposée entre la sortie VDD du circuit redresseur 5 et l'entrée du régulateur 6. Tous les dispositifs de télétransmission connus décrits ci-dessus ne permettent 25 le transfert de données binaires qu'avec un débit réduit. Or, de nombreuses applications potentielles, par exemple l'identification biométrique, nécessitent le transfert d'une quantité importante d'informations, dans un temps qui doit rester suffisamment faible pour qu'un utilisateur considère que la transmission est quasi-instantanée. Une augmentation de la fréquence du signal binaire de données D pourrait permettre d'augmenter le débit binaire. Cependant, une telle augmentation aurait pour conséquence une augmentation de la bande passante nécessaire. Or, une augmentation de la bande passante nécessiterait une réduction du facteur de qualité de l'étiquette, au détriment des performances de 5 la télé-alimentation, en raison d'une réduction du coefficient de surtension du circuit RLC. Objet de l'invention L'invention a pour but un dispositif de télétransmission par couplage inductif ne présentant pas ces inconvénients et, plus particulièrement un dispositif ayant un débit binaire élevé sans modification significative de la bande passante. Selon l'invention, ce but est atteint par le fait que les moyens de modulation comportent des moyens pour imposer k valeurs différentes à l'impédance de charge, k étant strictement supérieur à 2. Selon un développement de l'invention, les moyens de modulation comportent 20 une pluralité de dipôles et des moyens de connexion sélective des dipôles au bobinage d'antenne de l'objet portatif, de manière à constituer k résistances de charge différentes, associées à k différents mots de n bits. Selon un autre développement de l'invention, l'objet portatif comporte un circuit 25 de régulation de tension et la modulation de l'impédance de charge peut être réalisée en agissant sur le niveau d'une des tensions utilisées par le circuit de régulation. Description sommaire des dessins D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention 5 donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 illustre un dispositif de télétransmission à couplage inductif selon l'art antérieur. La figure 2 représente les variations de la tension V aux bornes du bobinage d'antenne d'un lecteur d'un dispositif selon la figure 1 en fonction de la valeur du signal de données binaire D. Les figures 3 à 6 représentent respectivement le principe et des variantes de réalisation d'un dispositif selon l'art antérieur, comportant une régulation de 15 tension. La figure 7 illustre un dispositif selon l'invention. La figure 8 représente les variations de la tension V aux bornes du bobinage d'antenne d'un lecteur d'un dispositif selon la figure 7 en fonction des signaux de données binaires. La figure 9 illustre un premier mode particulier de réalisation d'un objet portatif d'un dispositif selon la figure 7. La figure 10 représente une variante de réalisation de la modulation d'un dispositif selon la figure 7. Les figures 11 et 12 illustrent deux modes particuliers de réalisation d'un objet 25 portatif, avec régulation de tension, d'un dispositif selon l'invention. Les figures 13 à 18 illustrent diverses variantes de réalisation de la modulation dans un objet portatif selon la figure 12. Description de modes particuliers de réalisation. Le dispositif représenté à la figure 7 permet d'augmenter le débit binaire, sans augmenter de façon significative la bande passante. Ce dispositif se distingue 5 du dispositif de la figure 1 par le fait que l'impédance de charge du bobinage d'antenne 3 peut prendre k valeurs différentes, Zl... Zk, k étant strictement supérieur à 2. Les signaux binaires de données sont codés, par tout moyen approprié, sous la forme de mots de n bits. Les signaux de données, sous la forme de n signaux d'entrée Bi... Bn, d'un bit, sont alors appliqués, en parallèle, 10 à n entrées de commande d'un circuit 9 d'impédance de charge. Les k valeurs différentes de l'impédance de charge sont ainsi associées à k différents mots de n bits, avec k=2. Les amplitudes de la tension V aux bornes du bobinage d'antenne 3 et du 15 courant dans le bobinage d'antenne sont ainsi modulées sur k niveaux, par exemple sur 4 niveaux différents pour des données codées sous la forme de mots de 2 bits (n=2 et k=4) comme représenté à la figure 8 Le débit binaire peut être multiplié par n par rapport à celui du dispositif selon la figure 1, tout en conservant le même rythme de transition d'une amplitude à l'autre de la tension 20 V et, en conséquence, une bande passante sensiblement identique. Dans les modes particuliers de réalisation des figures 9 et 10, les n bits d'entrée, Bi... Bn, contrôlent directement la valeur d'une impédance connectée en parallèle avec la bobine d'antenne 3. Le circuit de modulation 9 comporte 25 alors des dipôles pouvant être connectés sélectivement au bobinage d'antenne 3, de manière à constituer k résistances de charge différentes, associées à k différents mots de n bits. Dans l'étiquette de la figure 9, un premier dipôle résistif, comportant une résistance R en série avec un interrupteur électronique constitué par un transistor Tl, de type MOS, dont la grille reçoit un premier bit Bi de données, est connecté en parallèle sur le bobinage d'antenne 3 et sur une résistance de 5 charge initiale RO. Des second et troisième dipôles résistifs, comportant respectivement des résistances 2Ret 4R et des transistors T2 et T3, respectivement contrôlés par les Bits B2 et B3, sont également connectés en parallèle sur le bobinage d'antenne 3. Chaque transistor est respectivement conducteur ou bloqué selon la valeur binaire du bit B appliqué sur sa grille. Dans 10 l'exemple représenté à la figure 9, l'impédance de charge peut ainsi prendre 8 valeurs différentes (RO, RO en parallèle sur R, sur 2R, sur 4R, sur R et 2R, sur R et 4R, sur 2R et 4R, sur R, 2R et 4R), chaque valeur de l'impédance de charge correspondant à une amplitude particulière de la tension V. La tension V est ainsi modulée sur 8 niveaux (k=8) à partie de mots de 3 bits (n=3). Plus 15 généralement, l'impédance de charge peut être modulée sur k niveaux avec n bits d'entrée (k=2n) contrôlant simultanément n transistors de n dipôles résistifs. Dans le circuit de modulation de la figure 10, un transistor de charge TO est connecté en parallèle sur le bobinage d'antenne 3. Sa grille est connectée à 4 20 tensions de polarisation différentes, Vi à V4, par l'intermédiaire de 4 circuits de polarisation. Chaque circuit de polarisation comporte deux transistors connectés en série et contrôlés respectivement par le bit Bi ou son complément Bi et par le bit B2 ou son complément B2. Les compléments des signaux B1 et B2 sont obtenus, de manière connue, par inversion des signaux B1 et B2. Ainsi, sur la 25 figure 10, les bits Bi et B2 contrôlent les transistors du circuit de polarisation connecté à Vi, tandis que les bits Bi et B2 contrôlent les transistors connectés à V2, les bits B1 et B2 contrôlant les transistors connectés à V3 et les bits Bi et B2 les transistors connectés à V4. Pour chaque mot de 2 bits, seul un des circuits de polarisation est conducteur, et définit la tension de polarisation appliquée à la grille du transistor de charge TO et, en conséquence, la résistance de celui-ci, qui définit l'impédance de charge du bobinage d'antenne 3. Plus généralement, l'électrode de commande du transistor de charge TO peut 5 être connectée à k tensions de polarisation différentes par k circuits de polarisation comportant chacun n transistors connectés en série et contrôlés par les n bits d'entrée et leurs compléments. Les modes de réalisation décrits ci-dessus présentent cependant un 10 inconvénient. En effet, les impédances de charge Z1-Zk dépendent du niveau du champ si celui-ci n'est pas constant. Dans un mode de réalisation préférentiel, permettant de remédier à cet inconvénient, le circuit de modulation de l'impédance de charge contrôle une 15 des tensions utilisées par un circuit de régulation, de type shunt, comportant, comme sur la figure 3, un circuit de redressement 5, connecté à la sortie du bobinage d'antenne 3, un régulateur 6 connecté à la sortie du circuit de redressement 5 et contrôlant la valeur d'une impédance variable commandée Ze, connectée aux bornes du bobinage d'antenne 3. Dans une première variante de réalisation, illustrée à la figure 11, un circuit de modulation 10, comportant n entrées recevant respectivement les bits Bi à Bn, contrôle la tension de référence Vref, lui imposant k valeurs différentes, Vrefl... Vrefk, associées à k différents mots de n bits. Dans une seconde variante de réalisation, illustrée à la figure 12, un circuit de modulation 11, comportant n entrées recevant respectivement les bits Bi à Bn, est connecté entre la sortie du circuit de redressement 5 et la première entrée du régulateur 6. Le circuit de modulation 11 provoque une chute de tension pouvant prendre k valeurs différentes, El... Ek, associées à k différents mots de n bits. Dans un mode de réalisation illustré à la figure 13, le circuit de modulation 5 11 comporte deux transistors T4 et T5 connectés en série entre la tension VDD de sortie du circuit de redressement 5 et la première entrée du régulateur 6 et respectivement contrôlés par deux bits Bi et B2. Des résistances différentes, respectivement R4 et R5, sont connectées en parallèle sur les transistors T4 et T5. Selon la valeur du bit B1, le transistor T4 est conducteur ou bloqué et la 10 chute de tension à ses bornes est nulle ou proportionnelle à R4. De même, la chute de tension aux bornes du transistor T5 peut être nulle ou proportionnelle à R5. La chute de tension aux bornes du circuit de modulation 1 peut ainsi prendre 4 valeurs différentes, associées aux 4 valeurs différentes d'un mot de 2 bits. Les résistances R4 et R5 peuvent être remplacées par des diodes ayant chacune une tension de seuil Vd. Comme représenté à la figure 14, une première diode Dl est connectée en parallèle sur le transistor T4, tandis que deux diodes D2 et D3, connectées en série, sont connectées en parallèle sur le 20 transistor T5. La chute de tension aux bornes du circuit de modulation 11 peut ainsi prendre 4 valeurs, 0, Vd, 2Vd ou 3Vd, respectivement associées à 4 valeurs différentes d'un mot de 2 bits. La tension aux bornes du bobinage d'antenne 3 est alors régulée sur 4 niveaux, correspondant respectivement à Vref, Vref+Vd, Vref+2Vd etVref+ 3Vd, associés aux 4 valeurs différentes d'un 25 mot de 2 bits. Plus généralement, le circuit de modulation 11 peut comporter n transistors, respectivement connectés en parallèle avec n dipôles associés, provoquant des chutes de tension différentes aux bornes des transistors associés lorsque ceux- il ci sont bloqués, les n transistors étant connectés en série et comportant des électrodes de commande constituant les entrées de commande du circuit de modulation. Lorsque les dipôles sont constitués par des diodes, i diodes en série sont associées à un transistor associé à une entrée de commande d'ordre i, i étant compris entre 1 et n. Dans une autre variante de réalisation du circuit de modulation 11, illustrée à la figure 15, trois transistors, T6, T7 et T8, de type MOS et dont la grille est connectée au drain, sont connectés en série entre la tension VDD de sortie du 10 circuit de redressement 5 et la première entrée du régulateur 6. Le bit Bi est connecté au substrat d'un transistor T6, tandis que le B2 est appliqué sur les substrats des deux transistors T7 et T8. La tension de seuil d'un transistor MOS dépendant de son potentiel de substrat, il est ainsi possible de moduler la tension de seuil des transistors T6 à T8 et, en conséquence, la chute de tension 15 à leurs bornes. Comme précédemment la chute de tension aux bornes du circuit de modulation 11 peut ainsi être modulé sur 4 niveaux, associés aux 4 valeurs différentes d'un mot de 2 bits. Plus généralement, le circuit de modulation 11 peut comporter une pluralité de transistors connectés en série, chaque transistor, de type MOS, comportant un substrat, une grille, un drain connecté à 20 la grille et une source, une entrée de commande d'ordre i des moyens de modulation, i étant compris entre 1 et n, étant connectée aux substrats de i transistors associés à cette entrée de commande. Il est également possible de remplacer le circuit de modulation 11 par un circuit 25 de modulation 12, insérant, entre la sortie du circuit de redressement 5 et la première entrée du circuit de régulation 6, une tension ayant une valeur prédéterminée parmi k valeurs différentes, associées respectivement à k différents mots de n bits. Dans une variante de réalisation, le circuit de régulation 12 comporte n dipôles connectés en série. Chaque dipôle, dont un seul est représenté aux figures 16 et 17, comporte une source de tension, constituée par une pile 13 (figure 16) ou par une capacité préchargée 14 (figure 17), connectée en série avec un 5 transistor T9 dont la grille reçoit le bit Bi. Un transistor additionnel T10 est connecté en parallèle sur le circuit série constitué par la source de tension (13 oul4) et le transistor T9. La grille du transistor additionnel T10 est connectée à la grille du transistor T9 par un circuit inverseur 15. La tension insérée par le circuit de modulation 12 prend ainsi k niveaux, associés aux différents mots de n 10 bits. Dans le mode particulier de réalisation illustré à la figure 18, une source d'énergie 16 préchargée à une tension prédéterminée parmi k valeurs différentes, associées respectivement à k mots de n bits, peut être introduite 15 entre la sortie du circuit de redressement 5 et la première entrée du circuit de régulation 6. Le circuit de modulation 17 comporte alors la source d'énergie 16, un circuit de charge de la source d'énergie, un commutateur 18 connectant la source d'énergie 16 au circuit de charge pendant une phase de précharge et un commutateur 19 connectant la source d'énergie préchargée entre la sortie du 20 circuit de redressement 5 et la première entrée du circuit de régulation 6 pendant une phase de modulation. Le circuit de charge comporte un convertisseur analogique-numérique 20 dont les entrées constituent les entrées de commande sur lesquelles sont appliqués simultanément les n bits Bi à Bn. Le convertisseur 20 charge ainsi la source d'énergie 16 à une tension 25 dépendant du mot de n bits appliqué sur ses entrées et cette tension est ensuite utilisée, pendant la phase de modulation. L'invention s'applique également lorsque le circuit de redressement n'est pas idéal et/ou si seule une fraction de la tension de sortie du circuit de redressement 5 est appliquée à l'entrée du régulateur 6. Revendications 1. Dispositif de télétransmission comportant un objet portatif (1) muni d'un 5 bobinage d'antenne (3) couplé inductivement à un bobinage d'antenne (4) d'une station fixe (2) émettant un champ magnétique alternatif, l'objet portatif (1) comportant des moyens de modulation d'une impédance de charge du bobinage d'antenne de l'objet portatif par des signaux binaires de données, dispositif caractérisé en ce que les moyens de modulation comportent des moyens pour 10 imposer k valeurs différentes (Zl... Zk) à l'impédance de charge, k étant strictement supérieur à 2. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les signaux binaires de données sont codés sous la forme de mots de données de n bits 15 pour former n signaux d'entrée (B1... Bn) d'un bit, appliqués en parallèle à n entrées de commande des moyens de modulation, k valeurs différentes (Z1... Zk) de l'impédance de charge étant associées à k différents mots de n bits, le nombre k de valeurs distinctes étant égal à 2n. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens de modulation comportent une pluralité de dipôles et des moyens de connexion sélective des dipôles au bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif (1), de manière à constituer k résistances de charge différentes, associées à k différents mots de n bits. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les moyens de modulation comportent n dipôles résistifs ayant n valeurs distinctes, comportant chacun une résistance (R, 2R, 4R) en série avec un interrupteur électronique (Tl, T2, T3), connectés en parallèle avec le bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif (1), chaque interrupteur électronique (Tl, T2, T3) comportant une borne de commande constituée par une entrée de commande (B1, B2, B3) des moyens de modulation. 5. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les moyens de modulation comportent un transistor de charge (TO), connecté en parallèle avec le bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif (1) et comportant une électrode de commande connectée à k tensions de polarisation différentes (Vl, V2, V3, V4) 10 par l'intermédiaire de k circuits de polarisation, chaque circuit de polarisation comportant n transistors connectés en série et contrôlés par les n signaux d'entrée et leurs compléments binaires. 6. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'objet portatif 15 comporte un circuit de redressement (5) connecté au bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif (1), un circuit de régulation (6) ayant une première entrée connectée à la sortie du circuit de redressement (5), une seconde entrée connectée à une tension de référence (Vref) et une sortie connectée à une entrée de contrôle d'une impédance variable (Ze), connectée aux bornes du 20 bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif(1). 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (10) pour imposer k valeurs différentes (Vref1,...,Vrefk) à la tension de référence (Vref), associées à k différents mots de n bits. 8. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la première entrée du circuit de régulation (6) est connectée à la sortie du circuit de redressement (5) par l'intermédiaire d'un circuit de modulation (11) contrôlé par les n signaux d'entrée (B1... Bn) et provoquant, entre la sortie du circuit de redressement (5) et la première entrée du circuit de régulation (6), une chute de tension ayant une valeur prédéterminée parmi k valeurs distinctes (El... Ek), associées à k différents mots de n bits. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que le circuit de modulation (11) comporte n transistors (T4, T5), respectivement connectés en parallèle avec n dipôles associés provoquant des chutes de tension différentes aux bornes des transistors (T4, T5) associés lorsque ceux-ci sont bloqués, les n transistors (T4, T5) étant connectés en série et comportant des électrodes de 10 commande constituant les entrées de commande (Bl. . Bn) des moyens de modulation. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les dipôles sont constitués par des résistances (R4, R5). 11. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les dipôles sont constitués par des diodes (Dl, D2, D3), i diodes en série étant associées à un transistor associé à une entrée de commande d'ordre i, i étant compris entre 1 et n. 12. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que le circuit de modulation (11) comporte une pluralité de transistors (T6, T7, T8) connectés en série, chaque transistor, de type MOS, comportant un substrat, une grille, un drain connecté à la grille et une source, une entrée de commande (B1, B2) 25 d'ordre i des moyens de modulation, i étant compris entre 1 et n, étant connectée aux substrats de i transistors associés à cette entrée de commande. 13. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la première entrée du circuit de régulation est connectée à la sortie du circuit de redressement par l'intermédiaire d'un circuit de modulation (12) contrôlé par les n signaux d'entrée (Bi... Bn) et insérant, entre la sortie du circuit de redressement (5) et la première entrée du circuit de régulation (6), une tension ayant une valeur prédéterminée parmi k valeurs différentes, associées respectivement à k différents mots de n bits. 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que le circuit de modulation (12) comporte n dipôles connectés en série et comportant chacun une source de tension (13, 14), connectée en série avec un premier transistor 10 (T9) ayant une électrode de commande constituant une des entrées de commande (B1) des moyens de modulation, et un transistor additionnel (T10), connecté en parallèle sur le circuit série constitué par la source de tension (13, 14) et le premier transistor (T9) et ayant une entrée de commande connectée à l'électrode de commande du premier transistor (T9) par un circuit inverseur (15). 15 15. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de modulation (17) comporte une source d'énergie (16), des moyens de charge de la source d'énergie à une tension prédéterminée parmi k valeurs différentes, associées respectivement à k différents mots de n bits, des moyens (19) 20 d'insertion de la source d'énergie (16) chargée entre la sortie du circuit de redressement (5) et la première entrée du circuit de régulation (6). 16. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que les moyens de charge comportent un convertisseur analogique-numérique (20) ayant n entrées 25 constituées par les entrées de commande (Bl..Bn) des moyens de modulation et une sortie connectée aux bornes de la source d'énergie (16) pendant une phase de charge.