FR 2853794 A1 20041015 FR 0304564 A 20030411 COMMDE D'UNE CELLULE PHOTOSENSIBLE La présente invention concerne la commande d'une cellule photosensible d'un capteur d'images destiné à être utilisé dans des dispositifs de prise de vues tels que, par exemple, des caméras vidéos ou des appareils photographiques numériques. Plus 5 particulièrement, la présente invention concerne une cellule photosensible réalisée sous forme monolithique à base de semiconducteurs. La figure 1 illustre schématiquement le circuit d'une cellule photosensible d'une matrice de cellules photosensibles 10 réparties en rangées et en colonnes d'un capteur d'images. A chaque cellule photosensible de la matrice sont associés un dispositif d'initialisation et un dispositif de lecture. Le dispositif d'initialisation est constitué d'un transistor MOS à canal N Ml, interposé entre un rail d'alimentation Vdd et un 15 noeud de lecture S. La grille du transistor d'initialisation M1 est propre à recevoir un signal de commande d'initialisation RST. Le noeud de lecture S est propre à stocker des charges. Pour ce faire, une diode réalisée par un composant distinct peut être connectée au noeud S. La capacité du noeud S peut également 20 correspondre aux capacités des sources des transistors M1 et M4, à la capacité d'entrée du transistor M2 ainsi qu'à l'ensemble des capacités parasites présentes au noeud S. Le dispositif de lecture est constitué de la connexion en série de premier et second transistors MOS à canal N M2, M3. Le drain du premier transistor de lecture M2 est connecté au rail d'alimentation Vdd. La source du second transistor de 5 lecture M3 est connectée à une borne de sortie P. La grille du premier transistor de lecture M2 est reliée au noeud de lecture S. La grille du deuxième transistor de lecture M3 est propre à recevoir un signal de lecture RD. La position relative des transistors de lecture M2 et M3 peut éventuellement être inversée 10 sans modifier sensiblement le fonctionnement de l'appareil. La cellule photosensible comprend une photodiode D dont l'anode est reliée à un rail d'alimentation de référence ou masse du circuit GND et la cathode est reliée au noeud de lecture S par l'intermédiaire d'un transistor MOS à canal N de 15 transfert M4. La grille du transistor de transfert M4 est propre à recevoir un signal de commande de transfert TX. De façon générale, les signaux RD, RST, et TX sont fournis par des circuits de commande non représentés en figure 1 et peuvent être fournis simultanément à l'ensemble des cellules photosensibles 20 d'une même rangée de la matrice de cellules. Les bornes de sortie P des cellules photosensibles d'une même colonne sont reliées à un circuit de traitement (non représenté). La figure 2 représente un exemple de chronogramme des signaux RD, RST, TX de la tension Vs entre le noeud de lecture S 25 et la masse du circuit, et de la tension VD aux bornes de la photodiode D du circuit de la figure 1 entre deux cycles de lecture de la cellule photosensible. Les signaux RD, RST et TX sont des signaux binaires variant entre des niveaux hauts et bas qui peuvent être différents pour chacun des signaux. La durée TRD correspond à la durée d'un cycle de lecture. Au début d'un cycle de lecture, une certaine quantité de charges (des électrons) est stockée au niveau de la photodiode D. Le cycle de lecture débute lorsque le signal RD passe au niveau haut ce qui correspond à la sélection de la 35 rangée de la matrice contenant la cellule photosensible à lire. Le signal RST est alors à l'état haut. Le transistor d'initialisation M1 est donc passant. La tension VS est alors sensiblement égale à la tension Vdd. Le signal RST est alors mis à l'état bas. Le transistor d'initialisation M1 est donc bloqué. 5 La tension Vs au noeud de lecture S est alors fixée à un niveau d'initialisation VRST qui peut être inférieur à la tension Vdd en raison d'un couplage avec le transistor d'initialisation M1. Le niveau d'initialisation VRST est généralement perturbé par un bruit provenant essentiellement du bruit thermique du canal du 10 transistor d'initialisation M1. Ce bruit est échantillonné et maintenu sur le noeud de lecture lors du blocage du transistor d'initialisation M1. Le niveau d'initialisation VRST est alors mémorisé à l'extérieur de la cellule photosensible par l'intermédiaire des transistors de lecture M2, M3. Le signal de commande de transfert TX est alors mis à l'état haut. Le transistor de transfert M4 est donc passant ce qui permet le transfert des charges stockées dans la photodiode D vers le noeud de lecture S. La photodiode D est conçue de telle sorte que toutes les charges stockées dans celle-ci sont transférées 20 vers le noeud de lecture S. La tension VS diminue alors jusqu'à un niveau de signal utile VU. Le signal TX est ensuite remis au niveau bas. La photodiode D est donc isolée à nouveau et, en raison de l'éclairement lumineux, des charges sont à nouveau stockées. Le niveau de signal utile VU au noeud de lecture S est 25 alors lu par l'intermédiaire des transistors de lecture M2, M3. Comme le niveau d'initialisation VRST, le niveau de signal utile VU est perturbé notamment par le bruit thermique du canal du transistor d'initialisation M1 qui a été échantillonné et maintenu sur le noeud de lecture. La soustraction des signaux VU et VRST 30 par le circuit de traitement permet l'élimination du bruit du transistor d'initialisation M1 par un double échantillonnage corrélé. Le signal RST est mis à l'état haut. La tension VS au noeud de lecture S est alors maintenue égale à la tension Vdd. Le cycle de lecture se termine lorsque le signal RD est mis à l'état 35 bas pour désélectionner la cellule photosensible. La durée TFR entre le début de deux cycles de lecture d'une même rangée de cellules photosensibles correspond à la durée ou période d'une trame du capteur d'images. La durée TIRD entre la fin d'un cycle de lecture d'une rangée de cellules et 5 le début du cycle de lecture suivant de la même rangée de cellules peut être telle que lors d'un éclairement trop intense, une saturation de la photodiode peut survenir. Il est donc préférable de limiter la durée TINT de la phase d'intégration pendant laquelle des charges sont formées et stockées au niveau 10 de chaque photodiode D. Pour ce faire, un exemple de commande classique consiste à maintenir le signal de commande d'initialisation RST à l'état haut pendant toute la durée TIRD entre deux cycles de lecture d'une même rangée. Le signal de commande de transfert TX est mis 15 à l'état haut peu après la fin d'un cycle de lecture. La photodiode D se décharge alors en permanence vers le rail d'alimentation. Le signal TX est mis à l'état bas à l'achèvement d'une durée TRST après la fin du cycle de lecture pour commencer une phase d'intégration. Pour des technologies de plus en plus denses avec des cellules photosensibles de petites dimensions et des signaux de commande de plus en plus faibles, il devient difficile d'assurer un bon transfert de charges de la photodiode D vers le noeud de lecture S pendant un cycle de lecture ou avant le début d'une 25 phase d'intégration. Pour améliorer le transfert de charges, on augmente le niveau haut du signal TX appliqué sur la grille du transistor de transfert M4 pour augmenter l'intensité du champ électrique permettant le passage des charges. Toutefois, si ce niveau 30 devient trop important, un puits de potentiel se crée dans le canal du transistor de transfert M4 d'une valeur supérieure à la tension d'initialisation VRST. Des charges peuvent alors être stockées pendant le transfert de charges dans la région de canal du transistor de transfert M4. Une partie de ces charges peut alors être renvoyée vers la photodiode D lors du front descendant du signal TX du niveau haut vers le niveau bas. Lorsque la cellule photosensible est soumise à un faible éclairement, il apparaît que le risque de retour de charges 5 est plus important avec une telle mise en oeuvre lorsque le signal de transfert TX est mis à l'état bas avant le début d'une phase d'intégration que lors d'un cycle de lecture. Ceci peut se traduire par une injection de charges depuis le noeud de lecture S vers la photodiode avant la phase d'intégration et conduire à 10 un offset du signal mesuré ultérieurement en l'absence de lumière s'accompagnant par une augmentation des non uniformités à bas niveau de signal. La présente invention prévoit un procédé et un dispositif de commuande d'une cellule photosensible permettant d'amé15 liorer le transfert complet des charges de la photodiode vers le noeud de lecture avant le début d'une phase d'intégration de la photodiode. Dans ce but, la présente invention prévoit un procédé de commande d'une cellule photosensible comprenant une photo20 diode reliée à un noeud de lecture par l'intermédiaire d'un transistor MOS de transfert, le noeud de lecture étant relié à une source d'un potentiel de référence par l'intermédiaire d'un transistor MOS d'initialisation, comprenant de façon cyclique une phase d'attente d'une durée non nulle à la fin de laquelle 25 la photodiode est isolée du potentiel de référence; une phase d'intégration pendant laquelle la tension de la photodiode varie depuis une tension d'initialisation jusqu'à une tension utile qui dépend de l'éclairement; et une phase de lecture d'une tension représentative de la tension utile, dans lequel l'isolation 30 de la photodiode du noeud de lecture en fin de phase d'attente comprend les étapes de mise à l'état passant du transistor de transfert, le transistor d'initialisation étant bloqué ; blocage du transistor de transfert; et mise à l'état passant du transistor d'initialisation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape de mise à l'état passant du transistor de transfert est précédée par une étape de blocage du transistor d'initialisation, le transistor de transfert étant bloqué. Selon un mode de réalisation de la présente invention, un blocage du transistor de transfert est réalisé pendant la phase de lecture qui précède la phase d'attente, le transistor de transfert étant maintenu bloqué au début de la phase d'attente. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 10 un blocage du transistor de transfert est réalisé pendant la phase d'attente avant le blocage du transistor d'initialisation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le transistor d'initialisation est rendu passant dès la fin de la phase de lecture qui précède la phase d'attente et est main15 tenu passant au début de la phase d'attente. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape de blocage du transistor d'initialisation est réalisé pendant la phase de lecture qui précède la phase d'attente, le transistor d'initialisation étant maintenu bloqué au début de la 20 phase d'attente. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le transistor de transfert est rendu passant de façon temporaire plusieurs fois pour décharger la photodiode en fin de phase d'attente, le transistor d'initialisation étant maintenu bloqué. 25 La présente invention prévoit également un dispositif de commande d'une cellule photosensible comprenant une photodiode dont la tension varie en fonction de l'éclairement, la photodiode étant reliée à un noeud de lecture par l'intermédiaire d'un transistor MOS de transfert, le noeud de lecture 30 étant relié à une source d'un potentiel de référence par l'intermédiaire d'un transistor MOS d'initialisation, un moyen de lecture d'une tension représentative de la tension de la photodiode, un moyen d'isolation de la photodiode du potentiel de référence et un moyen de temporisation pour retarder l'isolation 35 de la photodiode par le moyen d'isolation après la lecture de la tension représentative par le moyen de lecture, dans lequel le moyen d'isolation comprend un moyen pour rendre temporairement passant le transistor de transfert tout en maintenant le transistor d'initialisation bloqué. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les transistors MOS d'initialisation et/ou le transistor MOS de transfert sont partagés entre plusieurs cellules photosensibles. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le moyen de lecture est partagé entre plusieurs cellules photo10 sensibles. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante d'exemples de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes 15 parmi lesquelles: la figure 1, précédemment décrite, représente un schéma électrique d'une cellule photosensible; la figure 2, précédemment décrite, illustre un chronogramme classique de tensions caractéristiques du circuit de la 20 figure 1; la figure 3 représente une vue en coupe partielle et schématique d'une partie du circuit de la figure 1 réalisée sous forme monolithique; les figures 4A à 4H représentent, de façon schématique 25 des niveaux de potentiel dans la structure de la figure 3 à des instants donnés du chronogramme de la figure 2; et la figure 5 représente un exemple de chronogramme de tensions caractéristiques selon la présente invention du circuit de la figure 1. Les inventeurs ont étudié l'évolution des potentiels caractéristiques au niveau d'une cellule photosensible de façon à mettre en évidence les phénomènes qui favorisent le retour de charges lors d'un cycle de lecture ou avant le début d'une phase d'intégration d'une cellule photosensible. La figure 3 illustre, selon une vue en coupe partielle et schématique, une réalisation classique sous forme monolithique de l'ensemble de la photodiode D, du transistor de transfert M4 et du transistor d'initialisation Ml de la figure 1. Ces éléments sont 5 réalisés dans une même zone active d'un substrat semiconducteur 1 d'un premier type de conductivité, par exemple de type P, fortement dopé (P+). Le substrat est relié au rail d'alimentation de référence GND. La zone active correspond à une couche 3 de même type de conductivité que le substrat 1 sous-jacent, mais plus 10 faiblement dopée, par exemple une couche épitaxiée. Audessus de la surface de la couche 3 sont formées deux structures de grilles isolées 4, 5, éventuellement munies d'espaceurs latéraux, associées respectivement aux transistors M4 et Ml. A gauche de la grille 4, entre les grilles 4, 5 et à droite de la grille 5, se trouvent 15 respectivement, à la surface de la couche 3, des régions 6, 7, 8 du type de conductivité opposé, par exemple N. La région 7, intermédiaire entre les grilles 4, 5, est fortement dopée (N+) et forme respectivement le drain et la source des transistors M4 et M1 Elle est appelée par la suite 20 région de lecture 7. La région 6 à gauche de la structure de grille 4, appelée par la suite région de photodiode, est réalisée sur une surface beaucoup plus importante que la région de lecture 7. Elle constitue la source du transistor M4 et forme avec la couche 3 sous-jacente la jonction de la photodiode D. La 25 région 8, à droite de la grille 5, appelée par la suite région d'alimentation, forme le drain du transistor M1. La grille 4, la région de lecture 7, la grille 5 et la région d'alimentation 8 sont solidaires de connexions (non représentées) qui permettent de mettre en contact ces régions respectivement avec le signal 30 de commande de transfert TX, la grille du transistor M2 (noeud S), le signal de commande d'initialisation RST et le rail d'alimentation Vdd. La photodiode D est du type dit complètement déplété et comporte, à la surface de la région de photodiode 6, une région de type P 10, peu profonde et plus fortement dopée 35 (P+) que la couche 3 et connectée au potentiel de référence ou masse par l'intermédiaire de la couche 3 et du substrat 1. Les régions de canal des transistors M4 et Ml sont respectivement désignées par les références 11 et 12. Les figures 4A à 4H illustrent de façon schématique 5 les niveaux de potentiel les plus élevés dans les différentes régions de la figure 3 successivement à des instants successifs to et t6 du chronogramme de la figure 2. A l'instant to, au début d'un cycle de lecture de la cellule photosensible, la photodiode D a stocké une quantité de 10 charges représentée par une zone hachurée Q sur la figure 4A, délimitée par un potentiel VD correspondant au potentiel dans la région de photodiode 6 et le potentiel VDR de la photodiode D lorsqu'elle est complètement déchargée. Le signal de commande de transfert TX est à l'état bas. Le potentiel de la région de 15 canal 11 du transistor M4 est donc proche de zéro volt. Les potentiels de la région de lecture 7, de la région de canal 12 du transistor M4, et de la région d'alimentation 8 sont au potentiel de l'alimentation Vdd. A l'instant t1, comme cela est représenté en figure 20 4B, le signal de commande d'initialisation RST est mis à l'état bas. Le potentiel de la région de canal 12 du transistor M1 est donc proche de zéro volt. En raison des phénomènes de couplage entre la région de lecture 7 et le transistor Ml, le potentiel de la région de lecture 7 passe à un potentiel VRST légèrement 25 inférieur au potentiel de l'alimentation Vdd. A l'instant t2, comme cela est représenté en figure 4C, le signal de commande de transfert TX est mis à un état haut suffisamment élevé pour que le potentiel VC de la région de canal 11 soit supérieur à Vdd. Le potentiel de la région de lecture 7 30 augmente jusqu'à un potentiel V0 en raison du couplage entre le transistor M4 et la région de lecture 7. Ceci permet d'accroître le champ électrique favorisant le transfert des charges de la photodiode D vers le noeud de lecture S. Les charges stockées au niveau de la photodiode D s'écoulent vers la région de lecture 7 et 35 font augmenter le potentiel de cette région jusqu'à la valeur V1. Dans le cas o la charge Q est relativement faible, le potentiel V1 peut être supérieur à Vdd et supérieur à VC. La région hachurée Q' délimitée par les potentiels VO et V1 représente les charges stockées au niveau de la région de lecture 7. A l'instant t3, comme cela est représenté en figure 4D, le signal de transfert TX est mis à l'état bas. Le potentiel de la région de canal il du transistor M4 passe donc à zéro. Aucune charge étant stockée dans la région de canal 1h pour de faible charge Q, il n'y a pas alors de retour de charge vers la 10 photodiode D. Le couplage du front du signal de transfert TX amène le potentiel V0' sensiblement au potentiel VRST de la figure 4B. A l'instant t4, comme cela est représenté en figure 4E, le signal de commande d'initialisation RST est mis à l'état 15 bas. Le potentiel de la région de canal 12 du transistor M1 augmente donc de façon à permettre l'écoulement des charges Q" stockées au niveau de la région de lecture 7 vers la région d'alimentation 8. Les potentiels des régions 7, 12 et 8 se stabilisent donc au niveau du potentiel d'alimentation Vdd. A l'instant t5, comme cela est représenté en figure 4F, après la fin du cycle de lecture et avant le début de la phase d'intégration suivante, les signaux de commande TX et RST ont la même valeur qu'à l'instant t4. Toutefois, une certaine quantité de charges a été produite et est stockée au niveau de 25 la diode D comme cela est représenté par la région barrée Q. A l'instant t6, comme cela est représenté en figure 4G, le signal de commande de transfert TX est mis à l'état haut. Les charges stockées au niveau de la photodiode D s'écoulent vers la région d'alimentation 8 et les potentiels des régions 30 11, 7, 12 et 8 se stabilisent à la valeur Vdd. Des charges sont alors stockées au niveau de la région de canal 1h et sont représentées par la zone hachurée Q" délimitée par le potentiel Vdd et le potentiel VC fixé par la valeur de l'état haut du signal de commande de transfert TX. Les inventeurs ont mis en évidence, en figure 4G, que lorsque le signal TX est mis à l'état haut, il ne se produit pas de couplage entre le transistor M4 et la région de lecture 7. En effet, le transistor Ml étant ouvert, la région de lecture 7 5 n'est pas isolée de la région d'alimentation 8 et se trouve donc à faible impédance. A l'instant t7, comme cela est représenté en figure 4H, le signal de commande de transfert TX est mis à l'état bas. Une partie des charges Q" stockées au niveau de la région de 10 canal 11 en figure 4G risque alors d'être renvoyée vers la photodiode, comme cela est illustrée de façon schématique par la quantité de charges QM. La présente invention consiste donc à proposer un chronogramme particulier des signaux de commande d'une cellule 15 photosensible avant le début d'une nouvelle phase d'intégration de façon à réduire le risque de retour de charges. La figure 5 représente deux exemples de réalisation d'un chronogramme selon l'invention. Dans le premier exemple de réalisation représenté en traits pleins, le signal d'initia20 lisation RST est maintenu à l'état passant depuis la fin du cycle de lecture et le signal de commande de transfert Tx est mis à l'état haut peu après la fin du cycle de lecture. Le procédé de commande prévoit, avant le début d'une phase d'intégration TINT, de mettre au niveau bas successivement le signal 25 TX et le signal RST. Le signal TX est alors remis à l'état haut un court instant puis à nouveau à l'état bas. On bénéficie alors du couplage favorable illustré en figure 4C entre le transistor M4 et la région de lecture 7 dû au fait que celle-ci est à haute impédance lors de la mise à l'état haut du signal TX puisqu'elle 30 est alors isolée de la région d'alimentation 8. Le premier front descendant du signal TX est effectué alors que le signal RST est à l'état haut afin que la région de lecture 7 soit à faible impédance et qu'il n'y ait pas de couplage défavorable entre le transistor de transfert M4 et la région de lecture 7. Selon le second exemple de réalisation, représenté en traits pointillés, les signaux RST et TX sont maintenus à l'état bas depuis la fin du cycle de lecture précédent. La présente invention prévoit de mettre un court instant à l'état haut le 5 signal RST pour décharger complètement le noeud de lecture S et de le remettre à l'état bas puis de mettre un court instant à l'état haut le signal TX et de le remettre à l'état bas alors que le signal RST est toujours à l'état bas. La présente invention consiste donc avant de débuter 10 une nouvelle période d'intégration, d'effectuer le front montant et un front descendant du signal de commande de transfert lorsque la région de lecture 7 est à haute impédance pour bénéficier d'un couplage favorable. Il est à noter, que plusieurs impulsions successives 15 du signal de commande de transfert T peuvent être prévues avant le début d'une période d'intégration. Le procédé de commande selon l'invention permet d'obtenir, lors de la décharge de la photodiode avant le début d'une phase d' intégration, un phénomène de couplage favorable qui 20 permet de réduire le risque de retour de charges vers la photodiode lorsque la quantité de charges stockée dans la photodiode est faible. On réduit donc l'apparition de défauts sur une image formée à partir de la lecture des cellules photosensibles particulièrement pour de faibles éclairages. Ceci est particulièrement avantageux 25 étant donné la sensibilité accrue des utilisateurs aux défauts des images obtenues sous de faibles éclairages. Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, l'invention a été décrite dans le 30 cadre d'une cellule photosensible à quatre transistors MOS (cellules 4T). Il est clair que la présente invention trouve une application pour d'autres types de cellules photosensibles. Il s'agit, par exemple, d'une cellule photosensible ayant un ou plusieurs transistors MOS en commun avec une ou plusieurs autres 35 cellules photosensibles. REVENDICATIONS 1. Procédé de commande d'une cellule photosensible comprenant une photodiode (D) reliée à un noeud de lecture (S) par l'intermédiaire d'un transistor MOS de transfert (M4), le noeud de lecture étant relié à une source d'un potentiel de 5 référence (Vdd) par l'intermédiaire d'un transistor MOS d'initialisation (Ml), comprenant de façon cyclique: - une phase d'attente d'une durée non nulle à la fin de laquelle la photodiode est isolée du potentiel de référence; - une phase d'intégration pendant laquelle la tension 10 de la photodiode varie depuis une tension d'initialisation jusqu'à une tension utile qui dépend de l'éclairement; et - une phase de lecture d'une tension représentative de la tension utile, caractérisé en ce que l'isolation de la photodiode du 15 noeud de lecture en fin de phase d'attente comprend les étapes suivantes: - mise à l'état passant du transistor de transfert, le transistor d'initialisation étant bloqué ; - blocage du transistor de transfert; et - mise à l'état passant du transistor d'initialisation. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de mise à l'état passant du transistor de transfert (M4) est précédée par une étape de blocage du transistor 25 d'initialisation (Ml), le transistor de transfert étant bloqué. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel un blocage du transistor de transfert (M4) est réalisé pendant la phase de lecture qui précède la phase d'attente, le transistor de transfert étant maintenu bloqué au début de la phase 30 d'attente. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel un blocage du transistor de transfert (M4) est réalisé pendant la phase d'attente avant le blocage du transistor d'initialisation (M1) . 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le transistor d'initialisation (Ml) est rendu passant dès la fin de la phase de lecture qui précède la phase d'attente et est maintenu passant au début de la phase d'attente. 6. Procédé selon la revendication 2, dans lequel l'étape de blocage du transistor d'initialisation (Ml) est réalisé pendant la phase de lecture qui précède la phase d'attente, le transistor d'initialisation étant maintenu bloqué au début de la phase d'attente. 7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le transistor de transfert (M4) est rendu passant de façon temporaire plusieurs fois pour décharger la photodiode (D) en fin de phase d'attente, le transistor d'initialisation (Ml) étant maintenu bloqué. 8. Dispositif de commande d'une cellule photosensible comprenant une photodiode (D) dont la tension varie en fonction de l'éclairement, la photodiode étant reliée à un noeud de lecture (S) par l'intermédiaire d'un transistor MOS de transfert (M4), le noeud de lecture étant relié à une source d'un 20 potentiel de référence (Vdd) par l'intermédiaire d'un transistor MOS d'initialisation (Ml), un moyen de lecture (M2, M3) d'une tension représentative de la tension de la photodiode, un moyen d'isolation de la photodiode du potentiel de référence et un moyen de temporisation pour retarder l'isolation de la 25 photodiode par le moyen d'isolation après la lecture de la tension représentative par le moyen de lecture, caractérisé en ce que le moyen d'isolation comprend un moyen pour rendre temporairement passant le transistor de transfert tout en maintenant le transistor d'initialisation bloqué. 9. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel les transistors MOS d'initialisation (Ml) et/ou le transistor MOS de transfert (M4) sont partagés entre plusieurs cellules photosensibles. 10. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel le moyen de lecture (M2, M3) est partagé entre plusieurs cellules photosensibles.