FR 2850466 A1 20040730 FR 0401562 A 20040217 SYSTEME DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE 5 A CRISTAUX LIQUIDES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES L'UTILISANT La présente invention concerne un système de fabrication d'un dispositif d'affichage et un procédé de fabrication d'un dispositif utilisant un système de fabrication et, plus particulièrement, un système de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) et un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant le système de fabrication. Les dispositifs LCD sont mis en oeuvre de manière courante dans différents types de matériels électroniques, tels que les téléphones mobiles, les assistants personnels (PDA) et ordinateurs portables, en raison de leur faible poids, leur faible épaisseur et leur définition d'image élevée. Parmi les différents types de dispositifs LCD, les dispositifs d'affichage à cristaux liquides TFT (transistor à couches minces) 20 à matrice active ont des temps de réponse rapides et produisent des quantités inférieures d'images résiduelles. La figure 1 est une représentation schématique d'un circuit de dispositif LCD selon l'art apparenté. Sur la figure 1, un panneau i d'affichage à cristaux liquides comprend une pluralité de lignes de grille 3 disposées le long d'une première 25 direction et une pluralité de lignes de données 5 disposées le long d'une deuxième direction perpendiculaire à la première direction, définissant ainsi une pluralité de zones de pixel. De plus, un transistor à couches minces (TFT) 7 est disposé à l'intérieur de chacune des zones de pixel et est activé lorsqu'un signal de balayage est généré par la ligne de grille 3, afin de fournir une entrée de signal de données par 30 la ligne de données 5 à une couche de cristaux liquides 9. En outre, un condensateur mémoire 1 l est prévu pour maintenir le signal d'entrée des données jusqu'à ce qu'un signal de balayage suivant soit délivré. La figure 2 est une vue en coupe transversale d'un dispositif LCD selon l'art apparenté. Sur la figure 2, une électrode de grille 22 est formée sur un substrat 35 inférieur 20, et une couche isolante de grille 24 est déposée sur une face entière du substrat inférieur 20. En outre, une couche semi-conductrice 26 est formée sur la couche isolante de grille 24, et des électrodes de source/drain 28 sont formées sur la couche semiconductrice 26. De plus, une couche de passivation 32 est déposée sur R:\Brevets\22000\22024.doc - 16 février 2004 - 1/16 une face entière du substrat inférieur 20 et une électrode de pixel 30 réalisée en métal transparent, tel que l'oxyde d'indium et d'étain (ITO: indium tin oxide), est formée sur une zone d'affichage et est reliée électriquement aux électrodes de source/drain 28 par un orifice de contact dans la couche de passivation 32. Une matrice noire 42, qui fonctionne comme une couche de blindage légère, est formée sur une zone de non-affichage d'un substrat supérieur 40 afin d'empêcher une diminution de qualité de l'image, et une couche de filtre chromatique 44 est formée dans la zone d'affichage. De plus, une électrode commune 46 réalisée en métal transparent, tel que 'ITO, est formée sur la matrice noire 42 et la couche de 10 filtre chromatique 44. Une butée d'espacement 52 est prévue entre le substrat inférieur 20 et le substrat supérieur 40 pour maintenir un intervalle de cellule uniforme entre les cellules. En outre, un matériau de cristaux liquides est injecté entre les substrats inférieur 20 et supérieur 40 pour former une couche de matériau de cristaux liquides 50. Bien que non représentées, des couches d'alignement pour 15 aligner les molécules de cristaux liquides de la couche de matériau de cristaux liquides 50 sont déposées sur l'électrode de pixel 30 du substrat inférieur 20 et sur l'électrode commune 46 du substrat supérieur 40. Sur la figure 2, la couche semi-conductrice 26 est activée pour former une couche de canal quand le signal de balayage entre par la ligne de grille 3, l'entrée de 20 signal de données de la ligne de données 5 étant fournie à la couche de matériau de cristaux liquides 50 par la couche de canal. Chacune des électrodes de grille 22 des TFT est reliée à au moins une des lignes de grille 3 qui sont disposées le long de la première direction. En conséquence, en fournissant le signal de balayage à la ligne de grille 3, la couche semi-conductrice reliée à la ligne de grille 3 correspondante est 25 activée, de sorte que le signal de données est fourni à la couche de matériau de cristaux liquides 50 du pixel par la ligne de données 5 pour contrôler les molécules de cristaux liquides du pixel correspondant. La figure 3 est un organigramme d'un procédé de fabrication d'un dispositif LCD selon l'art apparenté. Sur la figure 3, un procédé de fabrication d'un dispositif 30 LCD comprend un processus de matrice TFT pour former des transistors à couches minces (7 sur la figure 1) sur le substrat inférieur 20, un processus de filtre chromatique pour former un filtre chromatique 44 (sur la figure 1) sur le substrat supérieur 40 et un processus de production de cellules. Une étape SIOl comprend le processus de matrice TFT, dans lequel les lignes 35 de grille 3 et les lignes de données 5 sont formées sur le substrat inférieur 20, et les TFT 7 reliés aux lignes de grille 3 et aux lignes de données 5 sont formés dans chaque zone de pixels. En outre, les électrodes de pixel 30 reliées aux TFT 7 sont R'\Brevets\22000\22024.doc 16 février 2004 - 2/16 formées pour contrôler la couche de matériau de cristaux liquides 50 lorsque le signal est fourni par les TFT 7. Une étape S104 comprend le processus de filtre chromatique, dans lequel la couche de filtre chromatique 44 et l'électrode commune 46 sont formées sur le substrat supérieur 40. Des étapes S102 et S105 comprennent la formation de couches d'alignement sur le substrat inférieur 20 et le substrat supérieur 40, et le frottement des couches d'alignement pour appliquer des forces de commande d'alignement ou des forces de fixation de surface (c'est-à-dire des angles de pré-inclinaison et des directions 10 d'alignement) aux molécules de cristaux liquides de la couche de cristaux liquides 50 entre les substrats inférieur 20 et supérieur 40. Une étape S103 comprend la diffusion de butées d'espacement 52 sur le substrat inférieur 20 pour maintenir un intervalle uniforme entre les cellules. Une étape S106 comprend l'enduction d'un matériau d'étanchéité le long d'une 15 zone d'angle sur le substrat supérieur 40. Une étape S107 comprend l'assemblage des substrats inférieur 20 et supérieur40 en collant ensemble les substrats inférieur20 et supérieur40 sous l'application d'une pression. Une étape S 108 comprend un processus de production de cellules, o les 20 substrats inférieur 20 et supérieur 40 collés sont découpés pour produire une pluralité de cellules individuelles d'affichage à cristaux liquides. Une étape S109 comprend l'injection du matériau de cristaux liquides dans chacune des cellules individuelles d'affichage à cristaux liquides à travers un orifice d'injection de cristaux liquides formé dans le matériau d'étanchéité. De plus, un 25 processus d'encapsulation comprend l'obturation de l'orifice d'injection de cristaux liquides. Une étape S110 comprend le contrôle des cellules individuelles d'affichage à cristaux liquides. Comme décrit ci-dessus, le dispositif LCD est fabriqué par le processus de 30 matrice TFT, le processus de filtre chromatique et le processus de production de cellules. Cependant, chacun des processus est réalisé en utilisant différents systèmes de fabrication. Par exemple, le substrat TFT est fabriqué en utilisant un système de fabrication de matrice TFT (c'est-à-dire une ligne TFT), le substrat C/F est fabriqué en utilisant un système de fabrication de filtre chromatique (c'est-à-dire une ligne 35 C/F) et le substrat TFT et le substrat C/F sont fixés et transformés au moyen d'un système de fabrication de cellules (c'est-à-dire une ligne de cellules) pour fabriquer les cellules individuelles d'affichage à cristaux liquides. De plus, la ligne TFT, la R:\Brevets\22000\22024.doc - 16 féner 2004 - 3/16 ligne C/F et la ligne de cellules comprennent respectivement chacune une pluralité de lignes individuelles de traitement. Les figures 4A à 4D sont des organigrammes schématiques représentant un système de fabrication d'un dispositif LCD selon l'art apparenté. Les figures 4A et 5 4B représentent une ligne TFT et une ligne C/F, respectivement, et les figures 4C et 4D représentent une ligne de cellules. Sur la figure 4A, le substrat inférieur 20 sur lequel les TFT 7 sont formés passe par une ligne de couche d'alignement, une ligne de frottement et une ligne de diffusion de butées d'espacement de la ligne TFT. Dans la ligne de couche d'alignement, le substrat inférieur 20 est nettoyé, un matériau de 10 couche d'alignement est déposé, et le matériau de couche d'alignement déposé est chauffé à haute température pour plastifier le matériau de la couche d'alignement. Dans la ligne de frottement, la couche d'alignement du substrat inférieur 20 est frottée pour obtenir la force de commande d'alignement. Dans la ligne de diffusion de butées d'espacement, les butées d'espacement, telles que des billes d'espacement, 15 sont diffusées sur le substrat inférieur 20 après que le substrat inférieur 20 a été nettoyé. Le substrat inférieur 20 est ensuite introduit dans un premier système de transfert. Sur la figure 4B, le substrat supérieur 40 sur lequel la couche de filtre chromatique 42 est formée passe par une ligne de couche d'alignement, une ligne de 20 frottement et une ligne de diffusion de butées d'espacement. Dans la ligne de couche d'alignement, le substrat supérieur 40 est nettoyé, un matériau de couche d'alignement est déposé, et le matériau de couche d'alignement déposé est chauffé à haute température pour plastifier le matériau de la couche d'alignement. Dans la ligne de frottement, la couche d'alignement du substrat supérieur 40 est frottée pour 25 appliquer la force de commande d'alignement. Dans la ligne de diffusion de butées d'espacement, les butées d'espacement, telles que des billes d'espacement, sont diffusées sur le substrat supérieur 40 une fois que le substrat supérieur 40 a été nettoyé. Le substrat supérieur 40 est ensuite introduit dans un deuxième système de transfert. Sur les figures 4A et 4B, la ligne de couche d'alignement et la ligne de frottement, la ligne de frottement et la ligne de diffusion de butées d'espacement, la ligne de frottement et la ligne d'enduction de couche d'étanchéité ne sont, respectivement, pas des chaînes de fabrication continues. Bien que non représenté, un système de transfert, tel qu'un robot (c'est-à-dire un chargeur ou un déchargeur), 35 est installé entre chacune des lignes de couche d'alignement, de frottement et de diffusion de butées d'espacement. La ligne de couche d'alignement et la ligne de diffusion de butées d'espacement, telles que représentées sur la figure 4A, sont réalisées sur la ligne R \BrevetsM22000\22024.doc - 16 férTier 2004 - 4/16 TFT. De plus, la ligne de couche d'alignement et la ligne d'enduction de couche d'étanchéité, telles que représentées sur la figure 4B, sont réalisées sur la ligne C/F. Par exemple, pendant le processus TFT, le processus de couche d'alignement et le processus de diffusion de butées d'espacement sont réalisés sur le substrat 5 inférieur 20, et pendant le processus C/F, le processus de frottement/couche d'alignement et le processus d'enduction de couche d'étanchéité sont réalisés sur le substrat supérieur 40. Ces processus sont réalisés séparément sur les substrats inférieur 20 et supérieur 40. Sur la figure 4C, le substrat inférieur 20 (c'est-à-dire le substrat TFT) passe par 10 la ligne TFT et est transféré vers une ligne d'assemblage en utilisant un premier système de transfert. De la même manière, le substrat supérieur 40 (c'est-à-dire le substrat C/F) passe par la ligne C/F et est transféré vers une ligne d'assemblage en utilisant un deuxième système de transfert. Dans la ligne d'assemblage, le substrat TFT et le substrat C/F sont alignés et collés ensemble par pression, les substrats 15 collés sont chauffés pour durcir le matériau d'étanchéité. Les substrats collés sont ensuite découpés en cellules individuelles de cristaux liquides dans la ligne de découpe. Sur la figure 4D, les cellules d'affichage à cristaux liquides séparées sont transférées vers une ligne de polissage au moyen d'un troisième système de transfert, 20 dans lequel chacune des cellules d'affichage à cristaux liquides est soumise à des processus de polissage et de nettoyage. Ensuite, les cellules d'affichage à cristaux liquides sont introduites dans une ligne d'injection de cristaux liquides pour injecter le matériau de cristaux liquides à travers l'orifice d'injection de cristaux liquides et pour encapsuler l'orifice d'injection de cristaux liquides avec le matériau 25 d'encapsulation. Les cellules d'affichage à cristaux liquides encapsulées sont ensuite introduites dans une ligne de contrôle pour nettoyer les cellules d'affichage à cristaux liquides et contrôler les cellules d'affichage à cristaux liquides. En conséquence, les couches d'alignement sont formées sur les substrats inférieur 20 et supérieur 40, respectivement le long de la ligne TFT et de la ligne 30 C/F, les substrats inférieur 20 et supérieur 40 collés continuent dans les lignes d'assemblage et de découpe, le matériau de cristaux liquides est injecté dans les cellules d'affichage à cristaux liquides, le contrôle du panneau d'affichage à cristaux liquides est effectué et le dispositif LCD est fabriqué. Les lignes de couche d'alignement et de diffusion de butées d'espacement, 35 telles que représentées sur la figure 4A, et les lignes de couche d'alignement et d'enduction de couche d'étanchéité, telles que représentées sur la figure 4B, peuvent être disposées dans un dispositif de fabrication le long de directions parallèles et espacées l'une de l'autre. De plus, les lignes d'assemblage et de découpe, telles que R:\Brevets\22000\22024 doc - 16 février 2004 - 5/16 représentées sur la figure 4C, et les lignes de polissage et d'injection de cristaux liquides, telles que représentées sur la figure 4D, sont disposées de manière à être séparées des lignes de couche d'alignement et de diffusion de butées d'espacement, telles que représentées sur la figure A4, et des lignes de couche d'alignement et 5 d'enduction de couche d'étanchéité, telles que représentées sur la figure 4B. En conséquence, la sortie du substrat TFT des lignes de couche d'alignement et de diffusion de butées d'espacement est placée dans un premier système de transfert pour être transférée vers les lignes d'assemblage et de découpe, et être introduite dans les lignes d'assemblage et de découpe par un système de chargement, tel qu'un 10 robot. De la même manière, le substrat C/F fourni par les lignes de couche d'alignement et d'enduction de couche d'étanchéité est placé dans un deuxième système de transfert pour être transférée vers les lignes d'assemblage et de découpe, et être introduit dans les lignes d'assemblage et de découpe par un autre système de chargement, tel qu'un autre robot. De surcroît, les cellules d'affichage à cristaux 15 liquides dans les lignes d'assemblage et de découpe sont placées individuellement dans un troisième système de transfert pour être transférées vers une ligne d'injection de cristaux liquides. Les premier, deuxième et troisième systèmes de transfert se déplacent automatiquement entre les lignes de traitement, pour transférer les substrats dans chacune des lignes, dans lesquelles une pluralité de substrats (ou 20 cellules d'affichage) sont fixés par une cassette montée sur le système de transfert. En conséquence, de grandes quantités d'espaces ouverts sont nécessaires puisque les lignes de traitement représentées aux figures 4A à 4D sont disposées séparément dans une installation de fabrication, augmentant encore de cette façon les cots de fabrication du dispositif LCD. De surcroît, des dispositifs de transfert 25 automatisés sont nécessaires pour passer dans chaque processus le long d'une ligne de traitement, ce qui augmente encore les cots de fabrication du dispositif LCD. En outre, comme les systèmes de transfert automatisés sont très coteux, les cots de fabrication du dispositif LCD sont encore augmentés. De plus, les processus peuvent être retardés en raison des délais nécessaires pour transférer chacun des substrats. En conséquence, la présente invention concerne un système de fabrication pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides et un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant un système de fabrication qui essentiellement évite un ou plusieurs des problème(s) dus aux limitations et inconvénients de l'art antérieur. Un objet de la présente invention est de proposer un système de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides pour réduire les cots de production. R:\Brevets\22000\22024.doc - 16 février 2004 - 6116 Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant un système de fabrication pour réduire les cots de production. Un autre objet de la présente invention est de proposer un système de 5 fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides pour réduire le temps de fabrication. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant un système de fabrication pour réduire le temps de fabrication. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description qui va suivre et découleront en partie de la description ou peuvent être appris par la pratique de l'invention. Les objets et autres avantages de l'invention seront réalisés et atteints par la structure notamment décrite dans la description écrite et les revendications annexées, ainsi que dans les dessins joints. Pour atteindre ces avantages et d'autres, conformément au but de la présente invention, tel qu'il est réalisé et largement décrit, un système de fabrication pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend: - une première chaîne de fabrication recevant séparément un premier substrat et un 20 deuxième substrat pour former une couche d'alignement sur le premier substrat et le deuxième substrat, diffuser des butées d'espacement sur le premier substrat, enduire un matériau d'étanchéité sur le deuxième substrat, coller ensemble les premier et deuxième substrats et découper les premier et deuxième substrats collés en une pluralité de cellules d'affichage à cristaux liquides, et - une deuxième chaîne de fabrication pour injecter un matériau de cristaux liquides dans chacune des cellules d'affichage à cristaux liquides, afin de former une couche de matériau de cristaux liquides, et pour contrôler les cellules d'affichage à cristaux liquides. Selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend l'introduction d'un premier substrat et d'un deuxième substrat dans un système de fabrication en ligne pour former une couche d'alignement sur le premier substrat, la formation des butées d'espacement sur le premier substrat, enduire un matériau d'étanchéité sur le deuxième substrat, le 35 collage des premier et deuxième substrats ensemble et la séparation des premier et deuxième substrats collés en une pluralité de cellules d'affichage à cristaux liquides, l'injection d'un matériau de cristaux liquides dans chacune des cellules d'affichage à R:\Breets\22000\22024.doc - 16 février 2004 - 7/16 cristaux liquides pour former une couche de matériau de cristaux liquides et le contrôle des cellules d'affichage à cristaux liquides. On comprendra que la description générale qui précède et la description détaillée qui va suivre sont toutes les deux données à titre d'exemple et d'explication 5 et sont destinées à expliquer plus en détail l'invention présentée dans les revendications. Les dessins annexés, qui sont inclus pour permettre une compréhension plus approfondie de la présente invention, et qui sont intégrés à celle- ci et font partie de la présente description, illustrent des modes de réalisation de la présente invention et 10 permettent d'expliquer, avec la description, les principes de l'invention. Dans les dessins: la figure 1 est une représentation schématique d'un circuit de dispositif LCD selon l'art apparenté; la figure 2 est une vue en coupe transversale d'un dispositif LCD selon l'art 15 apparenté; la figure 3 est un organigramme d'un procédé de fabrication d'un dispositif LCD selon l'art apparenté; les figures 4A à 4D sont des organigrammes schématiques représentant un système de fabrication d'un dispositif LCD selon l'art apparenté; la figure 5 est un organigramme d'un exemple de procédé de fabrication d'un dispositif LCD selon la présente invention; les figures 6A et 6B sont des organigrammes schématiques d'un exemple de système de fabrication d'un dispositif LCD selon la présente invention; la figure 7 est un organigramme d'un autre exemple de procédé de fabrication 25 d'un dispositif LCD selon la présente invention; et la figure 8 est un organigramme schématique d'un autre système de fabrication d'un dispositif LCD selon la présente invention. On va maintenant faire référence aux modes de réalisation préférés de la 30 présente invention, dont des exemples sont décrits dans les dessins annexés. La figure 5 est un organigramme d'un exemple de procédé de fabrication d'un dispositif LCD selon la présente invention. Sur la figure 5, une étape S201 peut comprendre la formation d'une pluralité de TFT sur un substrat TFT. l'étape S202, une couche de filtre chromatique peut être formée sur un 35 substrat C/F. De plus, une couche d'alignement peut être déposée sur un substrat C/F. R:\Breve[s\22000\22024 doc - 16 février 2004 - 8116 l'étape S203, des couches d'alignement peuvent être formées sur le substrat TFT et le substrat C/F. Ensuite, les deux couches d'alignement peuvent être frottées pour appliquer une force de commande d'alignement. l'étape S204, des butées d'espacement peuvent être diffusées sur le substrat TFT. l'étape S205, un matériau d'étanchéité peut être enduit sur le substrat C/F, le matériau d'étanchéité pouvant comprendre un orifice d'injection de cristaux liquides. l'étape S206, le substrat TFT et le substrat C/F peuvent être collés ensemble pour former un panneau LCD ayant une pluralité de cellules d'affichage unitaires. l'étape S207, le panneau LCD peut être découpé en cellules d'affichage individuelles. A l'étape S208, un matériau de cristaux liquides peut être injecté dans les cellules d'affichage à travers un orifice d'injection de cristaux liquides et l'orifice d'injection de cristaux liquides peut être obturé par l'encapsulation de la cellule 15 d'affichage. l'étape S209, les cellules d'affichage peuvent être inspectées. Les figures 6A et 6B sont des organigrammes schématiques d'un exemple de système de fabrication d'un dispositif LCD selon la présente invention. Sur les figures 6A et 6B, un système de fabrication d'un dispositif LCD peut comprendre 20 deux lignes de fabrication unifiées, la figure 6A représentant une première ligne de traitement de plaques de verre avant la découpe et la figure 6B représentant une deuxième ligne pour le traitement du panneau de découpe unitaire. Sur la figure 6A, la première ligne peut comprendre une ligne de couche d'alignement, une ligne de frottement, une ligne de diffusion de butées 25 d'espacement, une ligne d'enduction de matériau d'étanchéité, et une ligne d'assemblage et de découpe. La ligne de couche d'alignement, la ligne de frottement et la ligne d'assemblage et de découpe peuvent être des lignes de traitement pour traiter un substrat TFT et un substrat C/F. De surcroît, la ligne de diffusion de butées d'espacement peut être une ligne de traitement pour traiter le substrat TFT et la ligne 30 d'enduction de matériau d'étanchéité peut être une ligne de traitement pour traiter le substrat C/F. Le substrat TFT et le substrat C/F, qui sont respectivement traités dans la ligne TFT et la ligne C/F, peuvent être introduits en variante dans la ligne de couche d'alignement. Bien que n'importe quel substrat TFT ou C/F puisse être introduit en 35 premier, pour des raisons de clarté, l'introduction en premier du substrat TFT va être décrite. Le substrat TFT est introduit dans la ligne de couche d'alignement de la première ligne, dans laquelle le substrat TFT est nettoyé pendant un processus de R \Brevets\22000\22024.doc - 16 février 2004 - 9/16 nettoyage, un matériau de couche d'alignement est enduit sur le substrat TFT nettoyé et ensuite chauffé pour plastifier le matériau de couche d'alignement. Ensuite, pendant que le substrat TFT est introduit dans une ligne de tampon, le substrat C/F est simultanément introduit dans le processus de nettoyage de la ligne de couche 5 d'alignement. La ligne de tampon peut synchroniser le mouvement du substrat TFT et du substrat C/F. De cette manière, les différents processus sont réalisés, de sorte que le substrat TFT et le substrat C/F ont un temps de finition de traitement différent. De plus, puisque l'intervalle de traitement pour deux processus adjacents (c'est-àdire deux lignes) peut être différent, le substrat TFT et le substrat C/F peuvent 10 interférer l'un avec l'autre par la différence d'intervalle. En conséquence, en maintenant le substrat TFT dans le tampon et en permettant au substrat C/F de finir la ligne de couche d'alignement, le traitement du substrat TFT et du substrat C/F peut être synchronisé. Par exemple, lorsque le substrat TFT a terminé la ligne de couche 15 d'alignement, le substrat TFT peut être introduit dans une ligne de frottement et en même temps le substrat C/F peut être introduit dans le processus de nettoyage de la ligne de couche d'alignement. En conséquence, il existe une différence de temps entre les temps de traitement de la ligne de frottement et de la ligne de couche d'alignement de sorte que, lorsque le substrat C/F termine la ligne de couche 20 d'alignement, il est maintenu dans la ligne de tampon pendant un certain temps. Ensuite, une direction d'alignement de la couche d'alignement du substrat TFT est déterminée après le processus de frottement, et le substrat TFT peut être introduit dans une ligne de diffusion de butées d'espacement. Simultanément, le substrat C/F peut être transféré du tampon et introduit dans la ligne de frottement pour déterminer 25 la direction d'alignement de la couche d'alignement du substrat C/F. Ensuite, après le processus de frottement, le substrat TFT et le substrat C/F peuvent respectivement être traités par des processus différents. Par exemple, le substrat TFT peut être introduit dans la ligne de diffusion de butées d'espacement et le substrat C/F peut être introduit dans une ligne d'enduction de matériau 30 d'étanchéité sans être introduit dans la ligne de diffusion de butées d'espacement. En conséquence, le substrat TFT peut être traité par la ligne de frottement et peut être introduit dans la ligne de diffusion de butées d'espacement pour disperser les butées d'espacement sans que le substrat TFT soit introduit dans une ligned'enduction de matériau d'étanchéité. De plus, le substrat C/F peut être maintenu dans un tampon 35 disposé à une extrémité de la ligne de frottement pendant que le traitement de diffusion de butées d'espacement est réalisé sur le substrat TFT. Ensuite, le substrat TFT peut être maintenu dans un tampon à une extrémité de la ligne d'enduction de matériau d'étanchéité après que le traitement de diffusion de butées d'espacement est R-\Brevets\22000\22024.doc - 16 février 2004 - 10116 terminé et le substrat C/F peut être introduit dans la ligne d'enduction de matériau d'étanchéité pour enduire le matériau d'étanchéité le long d'une zone de bord du substrat C/F. En variante, l'ordre de la ligne de diffusion de butées d'espacement et de la 5 ligne d'enduction de matériau d'étanchéité peut être changé. Si le substrat TFT est introduit en premier dans la ligne de couche d'alignement, alors le substrat TFT peut terminer le processus de frottement et peut passer dans la ligne d'enduction de matériau d'étanchéité sans aucun traitement à introduire dans la ligne de diffusion de butées d'espacements. De la même manière, le substrat C/F peut terminer le 10 processus de frottement et peut être introduit dans la ligne d'enduction de matériau d'étanchéité, dans laquelle le processus d'enduction de matériau d'étanchéité peut être réalisé sur le substrat C/F alors que le substrat TFT peut continuer le processus de diffusion de butées d'espacement. En d'autres termes, lorsque la ligne d'enduction de matériau d'étanchéité est disposée' avant la ligne de diffusion de butées 15 d'espacement, puisque le processus de diffusion de butées d'espacement du substrat TFT et le processus d'enduction de matériau d'étanchéité du substrat C/F peuvent être réalisés simultanément pendant un certain temps, il est possible de réaliser un processus de fabrication rapide. Ensuite, le substrat TFT peut terminer la ligne de diffusion de butées 20 d'espacement et le substrat C/F peut terminer la ligne d'enduction de matériau d'étanchéité, le substrat TFT et le substrat C/F pouvant être introduits dans une ligne d'assemblage et de découpe pour être collés ensemble. Les substrats TFT et C/F collés peuvent alors être découpés en cellules d'affichage à cristaux liquides individuelles. Ensuite, les cellules d'affichage à cristaux liquides individuelles 25 peuvent être introduites dans la deuxième ligne, comme représenté sur la figure 6B. Selon la présente invention, la première ligne peut comprendre des étapes de traitement avec la ligne de couche d'alignement, la ligne de frottement, la ligne de diffusion de butées d'espacement, la ligne d'enduction de matériau d'étanchéité, et la ligne d'assemblage et de découpe. De plus, la ligne de tampon peut être disposée 30 entre des étapes de traitement adjacentes pour synchroniser le substrat TFT et le substrat C/F pour fabriquer les cellules d'affichage à cristaux liquides individuelles. Sur la figure 6A, chaque étape de traitement peut être disposée le long de la direction de traitement des substrats TFT et C/F. Cependant, les substrats TFT et C/F peuvent être traités par un système de déplacement des substrats (c'est-à-dire une bande 35 transporteuse), dans lequel chacune des lignes de frottement, lignes de diffusion de butées d'espacement, lignes d'enduction de matériau d'étanchéité, et lignes d'assemblage et de découpe, peut être installée près du système de déplacement des substrats. En conséquence, les substrats TFT et C/F peuvent être introduits entre les R \Brevets\22000\22024.doc - 16 février 2004 - 11/16 étapes de traitement par le système de déplacement des substrats, de telle sorte que, lorsque le substrat TFT ou C/F a terminé un processus, il est déplacé vers une étape de traitement suivante par le système de déplacement des substrats. Sur la figure 6B, la deuxième ligne peut comprendre une ligne de polissage, 5 une ligne d'injection du matériau de cristaux liquides et une ligne d'inspection. La cellule d'affichage à cristaux liquides peut être traitée par la ligne d'assemblage et de découpe de la première ligne, sur la figure 6A, et peut être introduite dans la ligne de polissage de la deuxième ligne. En conséquence, la cellule d'affichage à cristaux liquides peut être polie dans la ligne de polissage et le matériau de cristaux liquides 10 peut être injecté dans les cellules d'affichage à cristaux liquides à travers un orifice d'injection de cristaux liquides dans la ligne d'injection de cristaux liquides, l'orifice d'injection de cristaux liquides pouvant être encapsulé pour former la couche de matériau de cristaux liquides. La cellule d'affichage à cristaux liquides peut ensuite être inspectée. Selon la présente invention, le substrat TFT et le substrat C/F peuvent être introduits dans les première et deuxième lignes de fabrication pour fabriquer une cellule LCD. Ainsi, le nombre total de lignes de fabrication individuelles peut être réduit et les cots de fabrication peuvent également être réduits. Par exemple, dans la présente invention, la couche d'alignement peut être formée sur le substrat TFT et le 20 substrat C/F en utilisant une seule ligne d'alignement. En conséquence, les cots de fabrication peuvent être réduits et l'espace de fabrication peut être minimisé. Ainsi, les cots globaux de fabrication du dispositif LCD peuvent être réduits. De surcroît, il n'est pas nécessaire de préparer le système de transfert automatique coteux pour transférer le substrat ou le panneau d'affichage à cristaux 25 liquides, les cots de fabrication du dispositif LCD pouvant ainsi être encore diminués et la durée de fabrication pouvant être réduite de façon significative. En outre, le système de fabrication selon la présente invention ne peut pas être limité à la structure du dispositif LCD. Par exemple, différents types de dispositifs LCD, tels que des dispositifs LCD à mode de commutation en plan (IPS: in-plane 30 switching), des dispositifs LCD réfléchissants et des dispositifs LCD semitransparents, peuvent être fabriqués conformément à la présente invention. En outre, la présente invention ne peut pas être limitée au système de fabrication et au procédé de fabrication susmentionnés. Par exemple, des procédés de fabrication de dispositifs LCD peuvent comprendre une distribution directe du 35 matériau de cristaux liquides sur un des substrats TFT et C/F ou sur les deux à la fois, à la place d'une injection du matériau de cristaux liquides entre les substrats TFT et C/F collés. En conséquence, la présente invention peut être appliquée au procédé de distribution de cristaux liquides. Dans le procédé de distribution des R \Brevets\22000\22024 doc - 16 février 2004 - 12/16 cristaux liquides, le matériau de cristaux liquides est déposé sur le substrat TFT ou le substrat C/F au moyen d'un distributeur de cristaux liquides, et les cristaux liquides déposés sont répartis uniformément sur toute une zone entre les substrats TFT et C/F en appliquant une pression sur les substrats TFT et C/F collés. En conséquence, il est 5 possible de former rapidement la couche de cristaux liquides et de diminuer le temps de fabrication du dispositif LCD. La figure 7 est un organigramme d'un autre exemple de procédé de fabrication d'un dispositif LCD selon la présente invention. Sur la figure 7, une étape S301 peut comprendre la formation d'une pluralité de TFT sur un substrat TFT, et peut 10 comprendre la formation d'une pluralité de butées d'espacement sur le substrat TFT. l'étape S302, une couche de filtre chromatique peut être formée sur un substrat C/F et une pluralité de butées d'espacement peuvent être formées sur le substrat C/F. l'étape S303, des couches d'alignement peuvent être formées sur le substrat 15 TFT et le substrat C/F. Ensuite, les couches d'alignement peuvent être frottées pour appliquer une force de commande d'alignement. l'étape S304, un matériau de cristaux liquides peut être distribué sur l'un des substrats TFT et C/F. l'étape S305, un matériau d'étanchéité peut être enduit sur l'un des substrats 20 TFT et C/F, le matériau d'étanchéité pouvant comprendre un orifice d'injection de cristaux liquides. A l'étape S306, le substrat TFT et le substrat C/F peuvent être collés ensemble pour former un panneau LCD ayant une pluralité de cellules d'affichage unitaires. l'étape S307, le panneau LCD peut être découpé en cellules d'affichage 25 individuelles. l'étape S308, les cellules d'affichage individuelles peuvent être inspectées. Selon la présente invention, un processus de distribution de cristaux liquides peut être compris et une pluralité de butées de d'espacement peuvent être formées sur un des substrats TFT et C/F ou sur les deux. Ainsi, le dispositif LCD peut avoir un 30 nombre réduit d'étapes de fabrication, réduisant par conséquent les cots de fabrication et les temps de fabrication. La figure 8 est un organigramme schématique d'un autre système de fabrication d'un dispositif LCD selon la présente invention. L'exemple de système de fabrication de la figure 8 peut être similaire à l'exemple du système de fabrication 35 des figures 6A et 6B, à l'exception des première et deuxième lignes des figures 6A et 6B qui peuvent être intégrées dans une seule ligne de traitement. De plus, une ligne de dépôt de cristaux liquides a été ajoutée et la ligne d'injection de cristaux liquides n'a pas été ajoutée, la ligne de diffusion de butées d'espacement de la figure 6A R:\Brcvets\22000\22024 doc - 16 février 2004 - 13/16 pouvant ne pas être comprise dans l'exemple du système de fabrication de la figure 8. De plus, la ligne d'assemblage et de découpe de la figure 6A a été divisée en étapes de traitement séparées, c'est-à-dire en une ligne d'assemblage et une ligne de découpe. Sur la figure 8, dans la ligne de couche d'alignement, les substrats TFT et C/F, qui passent respectivement par les lignes TFT et C/F, peuvent être introduits en variante pour former la couche d'alignement. Ensuite, les substrats TFT et C/F peuvent être respectivement introduits dans la ligne de frottement pour appliquer la force de commande d'alignement. En conséquence, la ligne de tampon peut être 10 disposée entre les phases de traitement pour empêcher toute interférence entre les substrats TFT et C/F en synchronisant le déplacement des substrats TFT et des substrats C/F. Le substrat TFT (ou le substrat C/F) peut comprendre une couche d'alignement avec une direction d'alignement introduite dans la ligne de distribution de cristaux 15 liquides, et le substrat C/F (ou le substrat TFT) peut être introduit dans la ligne d'enduction de matériau d'étanchéité. Alors, le substrat TFT et le substrat C/F peuvent être introduits dans la ligne d'assemblage pour être collés ensemble sous l'application d'une pression. En conséquence, le matériau de cristaux liquides déposé sur le substrat TFT (ou le substrat C/F) peut être réparti uniformément sur toute une 20 zone entre les substrats TFT et C/F par la pression appliquée. Ensuite, les substrats TFT et C/F collés peuvent être découpés en cellules d'affichage à cristaux liquides individuelles et être ensuite inspectés. L'homme de l'art comprendra que des variantes et modifications peuvent être apportées au système de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides et 25 au procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides utilisant le système de fabrication de la présente invention sans sortir de l'esprit ou de la portée de l'invention. Ainsi, la présente invention est destinée à couvrir les modifications et variantes de la présente invention à condition qu'elles correspondent à la portée des revendications annexées et leurs équivalents. P:\Brevets\22000\22024.doc - 16 février 2004 - 4/16 REVENDICATIONS 1. Un système de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant: - une première chaîne de fabrication recevant séparément un premier substrat et un deuxième substrat pour former une couche d'alignement sur le premier substrat et le deuxième substrat, diffuser des butées d'espacement sur le premier substrat, enduire un matériau d'étanchéité sur le deuxième substrat, coller ensemble les premier et deuxième substrats et découper les 10 premier et deuxième substrats collés, en une pluralité de cellules d'affichage à cristaux liquides; et - une deuxième chaîne de fabrication pour injecter un matériau de cristaux liquides dans chacune des cellules d'affichage à cristaux liquides afin de former une couche de matériau de cristaux liquides et pour contrôler les 15 cellules d'affichage à cristaux liquides. 2. Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant les étapes consistant: - à introduire un premier substrat et d'un deuxième substrat dans un système 20 de fabrication en ligne pour former une couche d'alignement sur le premier substrat, à former des butées d'espacement sur le premier substrat, enduire un matériau d'étanchéité sur le deuxième substrat, à coller ensemble les premier et deuxième substrats et séparer les premier et deuxième substrats collés en une pluralité de cellules d'affichage à cristaux liquides; - à injecter un matériau de cristaux liquides dans chacune des cellules d'affichage à cristaux liquides pour former une couche de matériau de cristaux liquides; et - à contrôler les cellules d'affichage à cristaux liquides. R:\Brevets\22000\22024 doc - 16 févier 2004 - 15/16