FR 2856488 A1 20041224 FR 0404006 A 20040416 La présente invention concerne un boîtier pour dispositif de mémorisation, et un dispositif de mémorisation. Il est souhaitable qu'un dispositif de mémori5 sation utilisé en tant que mémoire dans un système de traitement d'informations soit structuré de manière souple allant d'une structure à petite échelle jusqu'à une structure à grande échelle en fonction des besoins des utilisateurs. En conséquence, un dispositif de mémorisation peut être transformé de manière générale jusqu'à une échelle correspondant aux besoins de l'utilisateur en structurant une unité de lecture destinée à recevoir une unité de disque et une unité de commande recevant une 15 partie de commande destinée à exécuter une commande d'un dispositif de mémorisation complet sous la forme de boîtiers indépendants, et d'ajouter une unité de lecture lorsque l'occasion le demande. De plus, dans le cas de la structure à petite 20 échelle dans laquelle le nombre d'unités de disque intégré est petit, il existe un cas o le dispositif de mémorisation est structuré sous la forme d'une unité monobloc dans laquelle des fonctions minimum sont revues dans un boîtier. La structure de dispositif mentionnée ci-dessus est décrite, par exemple, dans le document JP-A-5-204 493. Cependant, dans le dispositif de mémorisation habituel, les boîtiers de l'unité de commande, de l'unité 30 de lecture et de l'unité monobloc sont respectivement fabriqués pour une utilisation exclusive. En conséquence, par exemple, dans le cas o le dispositif de stockage à petite échelle utilisant l'unité monobloc est transformé en dispositif de mémorisation à grande échelle utilisant 35 l'unité de commande et l'unité de lecture, le boîtier de l'unité monobloc qui était utilisé ne peut pas être utilisé. De plus, puisqu'il est nécessaire de fabriquer les différents types de boîtier, le coût du dispositif de mémorisation augmente. La présente invention est mise en oeuvre en prenant en considération le problème mentionné ci-dessus, et un but principal de la présente invention consiste à fournir un boîtier de dispositif de mémorisation et un dispositif de mémorisation. Afin de résoudre le problème mentionné ci-dessus, selon la présente invention, il est fourni un boîtier de dispositif de mémorisation comportant: une première partie de réception destinée à recevoir un coffret d'unité de disque dans lequel une plu15 ralité de disques sont reçus selon une ligne, la première partie de réception ayant une hauteur et une largeur approximativement égales à celles de la boîte de disques, et une deuxième partie de réception pour recevoir 20 un coffret de partie de conmmnande dans lequel une pluralité de cartes de commande destinées à exécuter une commande concernant un processus d'entrée et de sortie de données relative au disque sont revues dans une ligne, la deuxième partie de réception ayant une hauteur et une 25 largeur approximativement égales à la première partie de réception. Il est préférable que le boîtier du dispositif de stockage soit muni d'une troisième partie de réception pour recevoir une partie de source de courant destinée à 30 alimenter en courant électrique la carte de commande et le disque, et la troisième partie de réception est agencée dans une partie inférieure de la deuxième partie de réception. De plus, conformément à la présente invention, 35 il est fourni un dispositif de stockage comportant: le boîtier de mémorisation ayant la structure mentionnée ci-dessus, une pluralité de disques reçus dans le coffret d'unité de disque reçu dans la première partie de récep5 tion, une pluralité de cartes de commande reçues dans le coffret de partie de commande reçu dans la deuxième partie de réception, et la partie de source de courant reçue dans la 10 troisième partie de réception. De plus, conformément à la présente invention, il est fourni un dispositif de mémorisation comportant: une pluralité de boîtiers destinés au dispositif de mémorisation, ayant la structure mentionnée 15 ci-dessus, dans lequel dans l'un des boîtiers du dispositif de mémorisation, le coffret d'unité de disque dans lequel une pluralité de disques sont reçus est reçu dans la première partie de réception, le coffret de partie de 20 commande dans lequel une pluralité de cartes de commande sont reçues est reçu dans la deuxième partie de réception et la partie de source de courant est reçue dans la troisième partie de réception, et dans l'autre des boîtiers du dispositif de mémorisation, le coffret d'unité de dis25 que dans lequel une pluralité de disques sont reçus est reçu dans chacune parmi la première partie de réception et la deuxième partie de réception, et la partie de source de courant est reçue dans la troisième partie de réception. Dans le dispositif de mémorisation mentionné ci-dessus, il est préférable que le courant électrique envoyé à la carte de commande et à l'unité de disque par la partie de source de courant soit un courant électrique continu ayant une tension nominale uniforme. D'autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description qui suit de modes de réalisation de la présente invention, faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure i est une vue représentant l'aspect extérieur d'un dispositif de mémorisation habituel, - la figure 2 est une vue représentant l'aspect extérieur du dispositif de mémorisation habituel, - la figure 3 est une vue représentant une structure détaillée d'une unité de commande du dispositif de mémorisation habituel, - la figure 4 est une vue représentant une structure détaillée d'une unité de lecture du dispositif 15 de mémorisation habituel, - la figure 5 est une vue représentant une structure détaillée d'une unité monobloc du dispositif de mémorisation habituel, - la figure 6 est une vue destinée à comparer 20 l'unité de commande et l'unité de lecture du dispositif de mémorisation habituel, - la figure 7 est une vue destinée à comparer un coffret de partie de commande et un coffret d'unité de disque du dispositif de mémorisation habituel, - la figure 8 est une vue représentant l'aspect extérieur d'un dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, - la figure 9 est une vue représentant l'aspect extérieur du dispositif de mémorisation selon le présent 30 mode de réalisation, - la figure 10 est une vue destinée à expliquer une structure détaillée du dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, - la figure 11 est une vue représentant un état 35 dans lequel un coffret de partie de commande est reçu dans une unité de commande du dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, - la figure 12 est une vue représentant un état dans lequel un coffret d'unité de disque est reçu dans 5 une unité de lecture du dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, - la figure 13 est une vue destinée à comparer l'unité de commande et l'unité de lecture du dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, - la figure 14 est une vue destinée à comparer le coffret de partie de commande et le coffret d'unité de lecture du dispositif de mémorisation selon la présente invention, - la figure 15 est une vue représentant une 15 structure détaillée de l'unité de commande du dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, - la figure 16 est une vue représentant une structure détaillée de l'unité de lecture du dispositif de mémorisation selon la présente invention, - la figure 17 est une vue destinée à expliquer une structure de refroidissement de l'unité de commande du dispositif de mémorisation habituel, - la figure 18 est une vue destinée à expliquer une structure de refroidissement de l'unité de lecture du 25 dispositif de mémorisation habituel, - la figure 19 est une vue destinée à expliquer une structure de refroidissement de l'unité de commande du dispositif de mémorisation selon la présente invention, - la figure 20 est une vue destinée à expliquer la structure de refroidissement de l'unité de commande du dispositif de mémorisation selon la présente invention, - la figure 21 est une vue destinée à expliquer la structure de refroidissement de l'unité de commande du 35 dispositif de mémorisation selon la présente invention, la figure 22 est une vue destinée à expliquer la structure de refroidissement de l'unité de lecture du dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, - la figure 23 est une vue représentant une pile de redresseurs agencée dans le dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, - la figure 24 est une vue représentant la pile de redresseurs agencée dans le dispositif de mémorisation 10 selon le présent mode de réalisation, - la figure 25 est une vue destinée à expliquer une barre de bus agencée dans le dispositif de mémorisation habituel, - la figure 26 est une vue destinée à expliquer 15 la barre de bus agencée dans le dispositif de mémorisation habituel, - la figure 27 est une vue destinée à expliquer une barre de bus agencée dans le dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, et - la figure 28 est une vue destinée à expliquer la barre de bus agencée dans le dispositif de mémorisation selon la présente invention. On va donner ci-dessous une description détaillée d'un mode de réalisation selon la présente invention, 25 en référence aux dessins annexés. Tout d'abord, on va décrire l'aspect extérieur d'un dispositif de mémorisation habituel 1100 en référence aux figures 1 et 2. Le dispositif de mémorisation habituel 1100 re30 présenté sur la figure 1 est muni d'une unité de commande 1110 et d'une unité de lecture 1120. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 1, l'unité de commande 1110 est agencée au centre, et les unités de lecture 1120 sont agencées à la droite et la gauche de l'unité de com35 mande 1110. L'unité de commande 1110 commande la totalité du dispositif de mémorisation 1100. Une partie logique 1420 commandant la totalité du dispositif de mémorisation 1100 est reçue dans l'unité de commande 1110, des détails 5 de celle-ci étant décrits ultérieurement. De plus, une unité de disque 1310 destinée à mémoriser des données est reçue dans l'unité de lecture 1120. Dans le cas o l'on agrandit l'échelle du dispositif de mémorisation 1100, une unité de lecture 1120 est ajoutée. En conséquence, il 10 est possible de changer de manière souple la capacité de mémorisation du dispositif de mémorisation 1100 en correspondance avec les besoins de l'utilisateur, et il est possible de fournir un dispositif de mémorisation 1100 ayant une grande capacité d'adaptation à une échelle. 15 Comme unité de disque 1310, il est possible d'utiliser divers dispositifs, par exemple un disque dur, une mémoire à semi-conducteurs et analogue. D'autre part, le dispositif de mémorisation habituel 1100 représenté sur la figure 2 est muni d'une 20 unité monobloc 1130 dans laquelle sont reçues la partie logique 1420 commandant la totalité, et l'unité de disque 1310 destinée à mémoriser les données. Le dispositif de mémorisation 1100 ayant la structure représentée sur la figure 2 est structuré de telle sorte que les fonctions 25 minimum du dispositif de mémorisation 1100 sont reçues dans un seul boîtier. La figure 2 est une vue du boîtier o le dispositif de mémorisation 1100 est vu à partir du côté dans lequel la partie logique 1420 est reçue. L'unité de disque 1310 est reçue du côté opposé à la partie 30 logique 1420. Dans la description qui va suivre, le côté dans lequel la partie logique 1420 est reçue est aussi appelé côté de face avant. De plus, le côté dans lequel l'unité de disque 1310 est reçue est aussi appelé côté de face arrière. Par la suite, on va décrire ci-dessous une structure détaillée de chacun des dispositifs de mémorisation habituels 1100 représentés sur les figures 1 et 2 en référence aux six vues des figures 3 à 6. la figure 3 5 est constituée de six vues représentant l'unité de commande 1110, la figure 4 étant constituée de six vues représentant l'unité de lecture 1120 et la figure 5 étant constituée de six vues représentant l'unité monobloc 1130. La figure 6 est une vue destinée à comparer l'unité 10 de commande 1110, l'unité de lecture 1120 et l'unité monobloc 1130. Tout d'abord, on va décrire la structure de l'unité de commande 1110 en référence aux figures 3 et 6. L'unité de commande 1110 est structurée de 15 telle sorte qu'un module logique 1400, un module de source de courant 1900, un ventilateur 1500 et une batterie 1800 sont reçus dans le boîtier d'unité de commande 1200. De plus, un panneau de commande 1111 destiné à accepter une entrée de commande appliquée par un opérateur 20 entretenant le dispositif de mémorisation 1100 est agencé dans l'unité de commande 1110. Le module logique 1400 est reçu de manière amovible dans le boîtier d'unité de commande 1200. Le module logique 1400 est muni de la partie logique 1420 destinée 25 à commander le dispositif de mémorisation 1100, et d'un ventilateur de module logique 1410. Un substrat logique 1430 est fixé sur la partie logique 1420, de sorte que diverses commandes du dispositif de mémorisation 1100 sont exécutées. Le substrat logique 1430 fixé sur la par30 tie logique 1420 comporte, par exemple, un adaptateur de canal pour communiquer des données d'entrée et de sortie au dispositif de traitement d'informations utilisant le dispositif de mémorisation 1100 en tant que mémoire, un adaptateur de disque pour exécuter un traitement d'en35 trée-sortie concernant les données mémorisées dans l'uni- té de disque 1310, une mémoire cache pour mémoriser les données données et reçues relatives au dispositif de traitement d'informations, et analogue. Le ventilateur de module logique 1410 refoule de l'air dans une partie in5 térieure de la partie logique 1420. En conséquence, il est possible de refroidir la partie intérieure de la partie logique 1420. L'air refoulé à partir de la partie logique 1420 est évacué vers la partie extérieure de l'unité de commande 1110 à travers une partie intérieure du 10 module de source de courant 1900 par un ventilateur 1500, et des détails de ceci vont être décrits ultérieurement. Le module de source de courant 1900 est reçu de manière amovible dans le boîtier d'unité de commande 1200. Le module de source de courant 1900 est muni d'une 15 unité de source de courant destinée à convertir un courant alternatif en courant continu, et à alimenter en courant continu le module logique 1400. Puisqu'il est nécessaire d'alimenter une pluralité de courants continus ayant des tensions différentes vers le module logique 20 1400 en correspondance avec les utilisations prévues, le module de source de courant 1900 est muni des unités de source de courant correspondant aux tensions respectives. Par exemple, l'unité de source de courant émettant un courant continu ayant une tension nominale de 12 V est 25 prévue pour le ventilateur de module logique 1410. De plus, des unités de source de courant émettant des courants continus ayant des tensions nominales de 5 V et de 3,3 V sont prévues pour le substrat logique 1430. Le ventilateur 1500 refoule l'air situé dans la 30 partie intérieure de l'unité de commande 1110 vers la partie extérieure. En conséquence, il est possible d'évacuer la chaleur produite dans le module de source de courant 1900 et le module logique 1400 vers la partie extérieure de l'unité de commande 1110. La batterie 1800 correspond à un module de source de courant auxiliaire destiné à fournir un courant à chacun des dispositifs de la partie intérieure de l'unité de commande 1110, au moment d'une panne de cou5 rant ou au moment d'un fonctionnement anormal du module de source de courant 1900. Comme représenté sur la figure 3, le module de source de courant 1900, le module logique 1400 et la batterie 1800 sont respectivement reçus dans un étage supé10 rieur, un étage médian et un étage inférieur du boîtier d'unité de commande 1200. De plus, dans le côté de face arrière du boîtier d'unité de commande 1200, de la même manière, le module de source de courant 1900, le module logique 1400 et la batterie 1800 sont respectivement re15 çus dans l'étage supérieur, l'étage médian et l'étage inférieur. Par la suite, on va décrire la structure de l'unité de lecture 1120 du dispositif de mémorisation habituel 1100 en référence aux figures 4 et 6. L'unité de lecture 1120 est structurée de telle sorte qu'un module d'unité de disque 1300, un coffret à courant alternatif 1700 et le ventilateur 1500 sont reçus dans un boîtier d'unité de lecture 1210. Le module d'unité de disque 1300 est reçu de 25 manière amovible dans le boîtier d'unité de lecture 1210. Le module d'unité de disque 1300 reçoit une unité de disque 1310 destinée à mémoriser les données, une source de courant continu 1600 et un circuit de dérivation de port (PBC) 1320. L'unité de disque 1310 correspond à un dispo30 sitif destiné à mémoriser les données, et est munie d'un support d'enregistrement dans une partie intérieure. L'unité de disque 1310 peut utiliser divers dispositifs, par exemple un disque dur, une mémoire à semi-conducteurs et analogue. La source de courant continu 1600 correspond 35 à une unité de source de courant destinée à convertir le courant alternatif en courant continu, et à alimenter en courant continu l'unité de disque 1310. Le PBC 1320 correspond à un dispositif pour commander un trajet de communication entre la partie logique 1420 agencée dans l'unité de commande 1110 et l'unité de disque 1310. Le coffret à courant alternatif 1700 correspond à une entrée de courant alternatif relative au dispositif de mémorisation 1100, et fonctionne comme un rupteur. Le courant alternatif prélevé dans le coffret à courant al10 ternatif 1700 est envoyé à la source de courant continu 1600 du module d'unité de disque 1300, et au module de source de courant 1900 de l'unité de commande 1110. Le ventilateur 1500 refoule l'air situé dans la partie intérieure de l'unité de lecture 1120 vers la par15 tie extérieure. En conséquence, il est possible d'évacuer la chaleur produite dans le module d'unité de disque 1300 vers la partie extérieure de l'unité de lecture 1120. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 4, les modules d'unité de disque 1300 sont reçus 20 dans un état stratifiés en quatre étages dans le boîtier d'unité de lecture 1210. De plus, le ventilateur 1500 est agencé dans une partie supérieure du module d'unité de disque 1300, et le coffret à courant alternatif 1700 est agencé dans une partie inférieure de celui-ci. De plus, 25 dans le côté de face arrière du boîtier d'unité de lecture 1210, de la même manière, les modules d'unité de disque 1300 sont reçus dans un état stratifiés en quatre étages, le ventilateur 1500 étant agencé dans une partie supérieure de celui-ci, et le coffret à courant alterna30 tif 1700 est agencé dans une partie inférieure de celui-ci. On va par la suite décrire l'unité monobloc 1130 du dispositif de mémorisation habituel 1100 en référence aux figures 5 et 6. L'unité monobloc 1130 est structurée de telle sorte que le module logique 1400, le module de source de courant 1900, le ventilateur 1500 et la batterie 1800 sont reçus du côté de face avant du boîtier d'unité mono5 bloc 1220, et le module d'unité de disque 1300, le coffret à courant alternatif 1700 et le ventilateur 1500 sont reçus du côté de face arrière. Les modules sont respectivement les mêmes que ceux reçus dans l'unité de commande 1110 et l'unité de lecture 1120. De plus, les posi10 tions de réception des modules sont respectivement les mêmes que celles de l'unité de commande 1110 et de l'unité de lecture 1120. De plus, de la même manière que l'unité de commande 1110 et l'unité de lecture 1120, les modules respectifs sont reçus de manière amovible dans le 15 boîtier d'unité monobloc 1220. Dans l'unité monobloc 1130, puisque les modules respectifs reçus dans l'unité de commande 1110 et l'unité de lecture 1120 sont reçus dans le boîtier d'unité monobloc 1220, comme mentionné ci-dessus, le dispositif de 20 mémorisation 1100 peut être structuré par l'unité monobloc 1130. Par la suite, on va décrire les différences entre l'unité de commande 1110, l'unité de lecture 1120 et l'unité monobloc 1130 décrites ci-dessus en référence aux 25 figures 6 et 7. Dans ce cas, une vue représentée du côté gauche de la figure 6 représente l'unité de commande 1110, et celleci s'applique également à la face avant de l'unité monobloc 1130. De plus, une vue représentée sur le côté droit de la figure 6 représente l'unité de lec30 ture 1120, et celle-ci s'applique aussi à la face arrière de l'unité monobloc 1130. En conséquence, les différences entre l'unité de commande 1110, l'unité de lecture 1120 et l'unité monobloc 1130 peuvent être expliquées en décrivant la différence entre l'unité de commande 1110 et 35 l'unité de lecture 1120 représentées sur la figure 6. L'unité de commande 1110 est dans une large mesure découpée en étage supérieur, étage médian et étage inférieur. Le module de source de courant 1900 est reçu dans l'étage supérieur, le module logique 1400 est reçu 5 dans l'étage médian, et la batterie 1800 est reçue dans l'étage inférieur. Le boîtier d'unité de commande 1200 destiné à recevoir les modules respectifs et analogue est muni d'une partie de séparation supérieure 1201 et d'une partie de séparation inférieure 1202, et les modules res10 pectifs et analogue sont reçus d'une manière séparée par les parties de séparation. L'unité de lecture 1120 est structurée de telle sorte que les modules d'unité de disque 1300 sont stratifiés en quatre étages, le ventilateur 1500 étant agencé 15 dans la partie supérieure de celle-ci et le coffret à courant alternatif 1700 étant agencé dans la partie inférieure de celleci. De plus, les unités de disque 1310 reçues respectivement dans les modules d'unité de disque 1300 sont reçues dans un état stratifié en quatre étages. 20 Le boîtier d'unité de lecture 1210 destiné à recevoir les modules respectifs et analogue est muni d'une partie de séparation supérieure 1211, d'une première partie de séparation médiane 1212, d'une seconde partie de séparation médiane 1213 et d'une partie de séparation inférieure 25 1214, et les modules respectifs et analogue sont reçus d'une manière séparée par les parties de séparation. Dans ce cas, dans le mode de réalisation représenté sur la figure 6, aucune partie de séparation n'est agencée entre le ventilateur 1500 et le module d'unité de disque 1300, 30 cependant, la partie de séparation peut être prévue. Comme représenté sur la figure 6, la position des parties de séparation est différente entre le boîtier d'unité de commande 1200 et le boîtier d'unité de lecture 1210. L'une des raisons est que la hauteur et la largeur 35 du module logique 1400 sont respectivement différentes de la hauteur et la largeur du module d'unité de disque 1300, comme représenté sur la figure 7. En conséquence, dans le dispositif de mémorisation habituel 1100, il est nécessaire de fabriquer le 5 boîtier d'unité de commande 1200, le boîtier d'unité de lecture 1210 et le boîtier d'unité monobloc 1220 respectivement pour un usage exclusif, et il est nécessaire pour l'utilisateur faisant fonctionner et commandant le dispositif de mémorisation 1100 d'acheter un nouveau bol10 tier au moment d'un changement de structure du dispositif de mémorisation 1100. En conséquence, il est requis de rendre communs les boîtiers des dispositifs de mémorisation 1100. Dans le dispositif de mémorisation 100 selon le 15 présent mode de réalisation, un boîtier 200 destiné au dispositif de mémorisation 100 (un boîtier de dispositif de mémorisation) est conçu pour être commun. Tout d'abord, la structure de l'aspect extérieur du dispositif de mémorisation 100 selon le présent mode de réalisation 20 est représentée sur les figures 8 et 9. Le dispositif de mémorisation 100 selon le présent mode de réalisation représenté sur la figure 8 est muni d'une unité de commande 110 et de deux unités de lecture 120. Dans le mode de réalisation représenté sur 25 la figure 8, l'unité de commande 110 est agencée au centre, et les unités de lecture 120 sont agencées à la droite et la gauche de l'unité de commande 110. L'unité de commande 110 commande la totalité du dispositif de mémorisation 100. Une partie logique 420 30 commandant la totalité du dispositif de mémorisation 100 est reçue dans l'unité de commande 110, dont les détails seront décrits ultérieurement. De plus, une unité de disque 310 destinée à mémoriser des données est reçue dans celle-ci. De plus, une source de courant continu 600, une 35 batterie 800 et un coffret à courant alternatif 700 y sont également reçus. Le côté de face arrière de l'unité de commande 110 est structuré de la même manière. D'autre part, l'unité de disque 310 destinée à mémoriser les données est revue dans l'unité de lecture 5 120. De plus, la source de courant continu 600, la batterie 800 et le coffret à courant alternatif 700 y sont également reçus. La face arrière de l'unité de lecture 120 est structurée de la même manière. Dans le cas o on a agrandit l'échelle du dispositif de mémorisation 100, 10 une unité de lecture 120 est ajoutée. En conséquence, il est possible de changer de manière souple la capacité mémoire du dispositif de mémorisation 100 en correspondance avec les besoins de l'utilisateur, et il est possible de fournir un dispositif de mémorisation 100 ayant une 15 grande capacité d'adaptation à une échelle. Par ailleurs, le dispositif de mémorisation 100 représenté sur la figure 9 comporte une unité monobloc 130 dans laquelle la partie logique 420 commandant la totalité, l'unité de disque 310 destinée à mémoriser les 20 données, la source de courant continu 600, la batterie 800 et le coffret à courant alternatif 700 sont reçus. Le dispositif de mémorisation 100 ayant la structure représentée sur la figure 9 est structuré de telle sorte que les fonctions minimum du dispositif de mémorisation 100 25 sont reçues dans un boîtier. La face arrière est structurée de la même manière. L'unité monobloc 130 selon le présent mode de réalisation est structurée de la même manière que l'unité de commande 110 représentée sur la figure 8. Par la suite, on va décrire la manière par laquelle l'unité de commande 110, l'unité de lecture 120 et l'unité monobloc 130 sont respectivement structurées en utilisant le boîtier commun 200, en référence aux figures à 12. La figure 10 est une vue représentant une structure qui est commune pour l'unité de comuande 110, l'unité de lecture 120 et l'unité monobloc 130. En d'autres termes, un module d'unité de disque 300 (un coffret 5 d'unité de disque) dans lequel plusieurs unités de disque 310 sont reçues dans un étage aligné, est reçu dans un étage supérieur du boîtier 200 (première partie de réception), le coffret à courant alternatif 700 et la source de courant continu 800 sont reçus dans un étage inférieur 10 (une troisième partie de réception). Dans ce cas, la batterie 800, le coffret à courant alternatif 700 et la source de courant continu 800 correspondent à la partie de source de courant. Naturellement, la partie de source de courant peut être structurée par l'intermédiaire de 15 l'un quelconque de ceséléments, ou peut comporter tout autre élément constitutif que ces éléments. De plus, un ventilateur 500 est agencé dans une partie supérieure du module d'unité de disque 300. Dans le cas de l'unité de commande 110 ou de l'unité monobloc 130, un module logi20 que 400 (un coffret de partie de commande) est reçu dans un étage médian (une deuxième partie de réception), et dans le cas de l'unité de lecture 120, un module d'unité de disque 300 est reçu dans l'étage médian. Comme mentionné ci-dessus, la hauteur et la 25 largeur de l'étage supérieur du boîtier 200 sont respectivement formées de manière à être approximativement égales à la hauteur et la largeur du module d'unité de disque 300, de sorte que le module d'unité de disque 300 peut être reçu dans l'étage supérieur. Dans ce cas, le module d'unité de disque 300 de l'étage supérieur est reçu de manière amovible dans le boîtier 200. De plus, l'unité de disque 310 est reçue de manière amovible dans le module d'unité de disque 300. La batterie 800, le coffret à courant alternatif 700 et la source de courant continu 800 de l'étage inférieur sont reçus de manière amovible dans le boîtier 200. L'étage supérieur, l'étage médian et l'étage inférieur du boîtier 200 sont séparés par une partie de 5 séparation supérieure 201 et une partie de séparation inférieure 202. L'unité de commande 110 et l'unité monobloc 130 peuvent être structurées en recevant le module logique 400 dans l'étage médian du boîtier 200. Cet état est re10 présenté sur la figure 11. De plus, l'unité de lecture 120 peut être structurée en recevant un module d'unité de disque 300 dans l'étage médian du boîtier 200. Cet état est représenté sur la figure 12. Le module d'unité de disque 300 15 reçu dans l'étage médian du boîtier 200 est le même que le module d'unité de disque 300 reçu dans l'étage supérieur du boîtier 200. Dans le boîtier 200, conformément au présent mode de réalisation, l'étage supérieur et l'étage médian 20 sont formés de telle sorte que les hauteurs et les largeurs de ceux-ci sont approximativement égales, respectivement. En conséquence, non seulement un module logique 400, mais aussi un module d'unité de disque 300 peuvent être reçus dans l'étage médian. En conséquence, par exemple, dans le cas o l'on agrandit l'échelle du dispositif de mémorisation 100, le boîtier 200 qui est utilisé pour l'unité monobloc 130 peut être utilisé pour une unité de lecture 120. Dans ce cas, les figures 11 et 12 représentent le mode de ré30 alisation o à la fois le module logique 400 et le module d'unité de disque 300 peuvent être reçus dans l'étage médian du boîtier 200, cependant, la structure peut être réalisée de telle sorte que les deux modules peuvent être reçus dans l'étage supérieur en plus de l'étage médian du 35 boîtier 200. De plus, la structure peut être faite de telle sorte que seul l'étage médian ou seul l'étage supérieur peuvent recevoir les deux modules. Comme mentionné ci-dessus, dans le présent mode de réalisation, chaque unité parmi l'unité de commande 5 110, l'unité de lecture 120 et l'unité monobloc 130 peut être structurée en utilisant le boîtier commun 200. Dans le dispositif de mémorisation 100 selon le présent mode de réalisation, la figure 13 représente la structure dans laquelle l'étage supérieur et l'étage mé10 dian du boîtier 200 sont formés de telle sorte que les hauteurs et les largeurs de ceux-ci soient approximativement égales, respectivement. De plus, la figure 14 est une vue destinée à comparer les hauteurs et les largeurs du module logique 400 et du module d'unité de disque 300. 15 De plus, la figure 15 comporte six vues représentant une structure détaillée de l'unité de commande 110 et de l'unité monobloc 130. De plus, la figure 16 comporte six vues représentant une structure détaillée de l'unité de lecture 120. Tout d'abord, on va faire la description des structures de l'unité de commande 110 et de l'unité monobloc 130 selon le présent mode de réalisation en référence aux figures 13 à 15. L'unité de commande 110 et l'unité monobloc 130 25 sont structurées de telle sorte que le module logique 400, le module d'unité de disque 300, la source de courant continu 600, le coffret à courant alternatif 700, la batterie 800 et le ventilateur 500 sont reçus dans le boîtier 200. De plus, l'unité de commande 110 et l'unité 30 monobloc 130 sont munies d'un panneau de commande 111 destiné à accepter une entrée de commande appliquée par un opérateur entretenant le dispositif de mémorisation 100. Comme décrit en utilisant la figure 11, le mo35 dule logique 400 est reçu de manière amovible dans le boîtier 200. Le module logique 400 est muni de la partie logique 420 destinée à commander le dispositif de mémorisation 100, et d'un ventilateur de module logique 410. Un substrat logique 430 (une carte de commande destinée à 5 exécuter une commande concernant un processus d'entrée et de sortie de données relatif à l'unité de disque) est reçu dans la partie logique 420 de manière amovible d'une façon alignée, de sorte que diverses commandes du dispositif de mémorisation 100 sont exécutées. Le substrat lo10 gique 430 reçu dans la partie logique 420 comporte, par exemple, un adaptateur de canal pour communiquer des données d'entrée et de sortie relatives au dispositif de traitement d'informations utilisant le dispositif de mémorisation 100 en tant que mémoire, un adaptateur de dis15 que pour exécuter un traitement d'entrée-sortie concernant les données mémorisées dans l'unité de disque 310, une mémoire cache pour mémoriser les données données et reçues en ce qui concerne le dispositif de traitement d'informations, et analogue. Dans ce cas, les substrats 20 logiques 430 sont non seulement reçus dans la partie logique 420 de manière telle que tous les substrats logiques 430 sont alignés dans la même direction, comme représenté sur les figures 13 ou 11, mais aussi peuvent être reçus, par exemple, d'une manière telle qu'on mé25 lange des substrats logiques 430 alignés dans la direction verticale et des substrats logiques 430 alignés dans la direction horizontale. Le ventilateur de module logique 410 évacue l'air situé dans la partie intérieure de la partie logi30 que 420. En conséquence, il est possible de refroidir la partie intérieure de la partie logique 420. L'air évacué à partir de la partie logique 420 est évacué vers la partie extérieure de l'unité de commande 110 et de l'unité monobloc 130 à travers une partie intérieure d'un conduit 35 d'air 210 (une conduite) agencé dans la partie intérieure du boîtier 200, par l'intermédiaire d'un ventilateur 500, des détails de ceci seront décrits ultérieurement. Le module d'unité de disque 300 est reçu de manière amovible dans le boîtier 200. Le module d'unité de 5 disque 300 reçoit l'unité de disque 310 pour mémoriser les données. L'unité de disque 310 correspond à un dispositif destiné à mémoriser les données, et est munie d'un support d'enregistrement dans une partie intérieure. L'unité de disque 310 peut utiliser divers dispositifs, 10 par exemple un disque dur, une mémoire à semi-conducteurs et analogue. Comme représenté sur la figure 13, les unités de disque 310 sont revues dans le module d'unité de disque 300 selon le présent mode de réalisation dans un état dans lequel les unités de disque 310 sont strati15 fiées en huit étages. En conséquence, la hauteur du module d'unité de disque 300 selon le présent mode de réalisation peut être rendue approximativement la même que la hauteur du module logique 400. Le ventilateur 500 évacue l'air situé dans la 20 partie intérieure de l'unité de commande 110 ou de l'unité monobloc 130 vers la partie extérieure. En consequence, il est possible d'évacuer la chaleur produite dans le module d'unité de disque 300 et le module logique 400 vers la partie extérieure de l'unité de commande 110 25 et de l'unité monobloc 130. Dans ce cas, l'unité de commande 110 et l'unité monobloc 130 sont munies du conduit d'air 210 dans leurs parties intérieures, des détails de ceci seront cités ultérieurement. L'air situé dans la partie intérieure du module logique 400 reçue dans 30 l'étage médian du boîtier 200 est évacué vers la partie extérieure de l'unité de commande 110 et de l'unité monobloc 130 à travers la partie intérieure du conduit d'air 210, par le ventilateur 500. La source de courant continu 600, le coffret à 35 courant alternatif 700 et la batterie 800 sont reçus dans la partie inférieure (la troisième partie de réception) du boîtier 200 (la source de courant continu 600, le coffret à courant alternatif 700 et la batterie 800 correspondent à la partie de source de courant). La partie de 5 source de courant est reçue de manière amovible dans le boîtier 200. La source de courant continu 600 est munie d'une unité de source de courant destinée à convertir le courant alternatif en courant continu et à alimenter en courant continu le module logique 400 et l'unité de dis10 que 310. Le module logique 400 et l'unité de disque 310 sont respectivement actionnés par des courants continus ayant des tensions différentes, de la même manière que dans le dispositif de mémorisation habituel 1100, cependant, dans le présent mode de réalisation, un courant 15 continu ayant une même tension nominale est fourni par la source de courant continu 600 au module logique 400 et à l'unité de disque 310. De plus, le module logique 400 et l'unité de disque 310 auxquels est fourni un courant ayant la même tension convertissent respectivement la 20 tension dans leurs tensions respectives par un dispositif de conversion de tension (convertisseur courant continu/courant continu) agencé dans leurs parties intérieures. De plus, dans l'unité de commande 110 et l'uni25 té monobloc 130 selon le présent mode de réalisation, la source de courant continu 600 destinée à alimenter l'unité de disque 310 en courant continu est reçue dans l'étage inférieur du boîtier 200. En conséquence, puisque la source de courant continu 1600 qui est reçue de ma30 nière habituelle dans le module d'unité de disque 1300 peut être enlevée du module d'unité de disque 1300, il est possible de rendre la largeur du module d'unité de disque 300 approximativement égale à la largeur du module logique 400, selon le présent mode de réalisation. La batterie 800 correspond à une source de courant auxiliaire destinée à alimenter en courant chacun des dispositifs de la partie intérieure de l'unité de commande 110 et de l'unité monobloc 130 au moment d'une 5 rupture de courant ou au moment d'une anomalie de la source de courant continu 600. Le coffret à courant alternatif 700 correspond à une entrée de courant alternatif relative au dispositif de mémorisation 100, et agit comme un rupteur. Le courant 10 alternatif prélevé dans le coffret à courant alternatif 700 est envoyé à la source de courant continu 600. Comme mentionné ci-dessus, dans l'unité de commande 110 et dans l'unité monobloc 130 selon le présent mode de réalisation, les parties de source de courant 15 sont mises ensemble dans la partie inférieure du boîtier 200. En conséquence, il est inutile d'agencer un câblage de courant alternatif dans les parties intérieures de l'unité de commande 110 et de l'unité monobloc 130. De plus, puisque le dispositif de conversion de 20 tension est agencé dans les parties intérieures du module logique 400 et de l'unité de disque 300, il est inutile d'agencer un câblage destiné à alimenter des courants alternatifs ayant des tensions différentes dans les parties intérieures de l'unité de commande 110 et de l'unité mo25 nobloc 130. En conséquence, il est possible de simplifier l'agencement de câbles dans le boîtier 200, et il est possible de rendre faciles la fabrication, l'entretien et la réparation du dispositif de mémorisation 100 et d'améliorer la sécurité. De plus, puisqu'il est possible de le 30 rendre difficilement exposé à l'influence d'un bruit, il est possible d'améliorer la fiabilité du dispositif de mémorisation 100. Un état de ceci va être représenté sur les figures 25 à 28. Les figures 25 et 26 sont des vues repré35 sentant un état dans lequel des courants ayant une plura- lité de tensions nominales sont fournis par le module de source de courant 1900 au module logique 1400, dans l'unité monobloc habituelle 1130. Dans ce cas, les figures 25 et 26 représentent un mode de réalisation du boî5 tier de l'unité monobloc 1130, cependant, ceci s'applique aussi à l'unité de commande 1110. Comme représenté sur la figure 26, le courant est alimenté par le module de source de courant 1900 au module logique 1400 en reliant un substrat de module de 10 source de courant 1910 à un substrat de module logique 1440 par une barre de bus 1610. La barre de bus 1610 correspond à une plaque métallique destinée à envoyer le courant provenant du module de source de courant 1900 vers le module logique 1400. Puisqu'un courant important 15 est envoyé par le module de source de courant 1900 au module logique 1400, la capacité de transport de courant devient juste dans un faisceau de câble normal. En consequence, le courant est alimenté en utilisant une plaque métallique telle que la barre de bus 1610. Le substrat de 20 module de source de courant 1910 est agencé du côté le plus à l'intérieur de l'étage supérieur du boîtier d'unité monobloc 1220 en association avec une plaque de renforcement de module de source de courant 1920. Dans le cas du boîtier d'unité de commande 1200, le substrat de 25 module de source de courant 1910 est agencé du côté de face arrière de la même manière en plus du côté de face avant. Lorsque le module de source de courant 1900 est reçu dans le boîtier d'unité monobloc 1220, un connecteur électrique agencé dans le module de source de courant 30 1900 est agencé sur un connecteur électrique prévu dans le substrat de module de source de courant 1910. D'autre part, le substrat de module logique 1440 est agencé du côté le plus à l'intérieur de l'étage médian du boîtier d'unité monobloc 1220 en association avec une plaque de 35 renforcement de module logique 1450. Dans le cas du bol- tier d'unité de commande 1200, le substrat de module logique 1440 est agencé du côté de face arrière de la même manière, en plus du côté de face avant. Lorsque le module logique 1400 est reçu dans le boîtier d'unité monobloc 5 1220, un connecteur électrique prévu dans le module logique 1400 est agencé sur un connecteur électrique prévu dans le substrat de module logique 1440. Comme mentionné ci-dessus, il est possible de connecter électriquement l'un à l'autre le module de source de courant 1900 et le 10 module logique 1400. De plus, il est possible d'envoyer le courant provenant du module de source de courant 1900 au module logique 1400. Comme mentionné ci-dessus, il est habituellement nécessaire d'alimenter une pluralité de tensions au module logique 1400. En conséquence, comme 15 représenté sur la figure 26, les types et le nombre de barres de bus 1610 destinées à connecter le substrat de module de source de courant 1910 au substrat de module logique 1440 sont augmentés, et l'agencement de la barre de bus 1610 doit nécessairement être conçu. Comme repré20 senté sur la figure 26, il existe un cas o il est nécessaire d'agencer une longue barre de bus 1610 verticalement sur la partie de surface latérale située entre le substrat de module de source de courant 1910 et le substrat de module logique 1440. La figure 25 représente un état dans lequel le module de source de courant 1900 et le module logique 1400 sont reliés entre eux par la barre de bus 1610 située dans la partie intérieure de l'unité monobloc habituelle 1130. Comme représenté sur la figure 25, dans 30 l'unité monobloc habituelle 1130, le module de source de courant 1900 est reçu dans l'étage supérieur du boîtier d'unité monobloc 1220, et le module logique 1400 est reçu dans l'étage médian. En conséquence, puisqu'il est établi un relation de position telle que le ventilateur de mo35 dule logique 1410 est agencé entre le module de source de courant 1900 et le module logique 1400, il est inévitable que la longueur de la barre de bus 1610 soit augmentée dans une mesure telle que le ventilateur de module logique 1410 soit maintenu entre eux. D'autre part, dans l'unité monobloc 130 selon le présent mode de réalisation, la source de courant continu 600 est reçue dans l'étage inférieur du boîtier 200, et le module logique 400 est reçu dans l'étage médian de celui-ci. Dans l'unité monobloc 130 selon le pré10 sent mode de réalisation, le courant est envoyé par la source de courant continu 600 au module logique 400 en utilisant la barre de bus 610. Cependant, puisque la source de courant continu 600 est reçue dans la partie inférieure du module logique 400, comme représenté sur la 15 figure 27, il est possible d'éviter la relation de position telle que le ventilateur de module logique 410 soit agencé entre le module logique 400 et la source de courant continu 600. En conséquence, il est possible de raccourcir la longueur de la barre de bus 610. De plus, comme représenté sur la figure 28, dans l'unité monobloc 130 selon le présent mode de réalisation, un substrat de module logique 440 et un substrat de source de courant continu 910 sont connectés entre eux par la barre de bus 610. De plus, le substrat de source 25 de courant continu 910 est agencé du côté le plus intérieur de l'étage inférieur du boîtier 200 en association avec une plaque de renforcement de source de courant continu 920. Le substrat de source de courant continu 910 est agencé du côté de face arrière de la même manière en 30 plus du côté de face avant. De plus, lorsque la source de courant continu 600 est revue dans le boîtier 200, le connecteur électrique prévu dans la source de courant continu 600 est agencé sur le connecteur électrique prévu dans le substrat de source de courant 1910. D'autre part, 35 le substrat de module logique 440 est agencé du côté le plus à l'intérieur de l'étage médian du boîtier 200 en association avec une plaque de renforcement de module logique 450. Le substrat de module logique 440 est agencé du côté de face arrière de la même manière en plus du cô5 té de face avant. En outre, lorsque le module logique 400 est reçu dans le boîtier 200, le connecteur électrique prévu dans le module logique 400 est agencé sur le connecteur électrique prévu dans le substrat de module logique 440. De la manière mentionnée ci-dessus, la 10 source de courant continu 600 et le module logique 400 sont connectés électriquement l'un à l'autre. De plus, le courant est envoyé depuis la source de courant continu 600 vers le module logique 400. Comme représenté sur les figures 27 et 28, dans 15 le présent mode de réalisation, le nombre de barres de bus 610 peut être réduit par rapport au nombre habituel. De plus, la longueur de la barre de bus 610 peut être raccourcie. Ceci est dû au fait que dans le dispositif de mémorisation 100 selon le présent mode de réalisation, la 20 tension du courant continu fourni par la source de courant continu 600 au module logique 400 est d'un seul type et que la source de courant continu 600 est reçue dans la partie inférieure du 400, comme mentionné ci-dessus. Par la suite, on va décrire une structure de 25 l'unité de lecture 120 selon le présent mode de réalisation en référence aux figures 13 à 16. L'unité de lecture 120 est structurée de telle sorte que le module d'unité de disque 300, la source de courant continu 600, le coffret à courant alternatif 700, 30 la batterie 800 et le ventilateur 500 sont reçus dans le boîtier 200. Les modules respectifs et analogue sont les mêmes que ceux utilisés dans l'unité de commande 110 et l'unité monobloc 130. Dans le dispositif de mémorisation 100 selon le présent mode de réalisation, la totalité de 35 l'unité de commande 110, de l'unité de lecture 120 et de l'unité monobloc 130 est structurée en utilisant le boîtier commun 200. De plus, dans l'unité de lecture 120 le module d'unité de disque 300 peut être reçu dans l'étage médian du boîtier 200 dans lequel le module logique 400 5 est reçu dans l'unité de commande 110. Ceci est dû au fait que dans le présent mode de réalisation, la hauteur et la largeur du module logique 400 peuvent être rendues approximativement égales à la hauteur et la largeur du module d'unité de disque 300, et que l'étage supérieur et 10 l'étage médian du boîtier 200 peuvent être rendus approximativement égaux l'un à l'autre au niveau hauteur et largeur, comme mentionné ci-dessus. Le ventilateur 500 aspire l'air situé dans la partie intérieure des modules d'unité de disque 300 qui 15 sont respectivement reçus dans l'étage supérieur et l'étage médian du boîtier 200, et refoule l'air vers la partie extérieure de l'unité de lecture 120. En conséquence, il est possible d'évacuer la chaleur produite par l'unité de disque 310 reçue dans le module d'unité de 20 disque 300 vers la partie extérieure de l'unité de lecture 120. Dans ce cas, l'unité de lecture 120 est munie du conduit d'air 210 dans la partie intérieure du boîtier 200, et l'air situé dans la partie intérieure du module d'unité de disque 300 reçu dans l'étage médian du boîtier 25 200 est évacué vers la partie extérieure de l'unité de lecture 120 à travers la partie intérieure du conduit d'air 210, par le ventilateur 500. On va décrire une structure de refroidissement du dispositif de mémorisation 100 selon le présent mode 30 de réalisation en référence aux figures 17 à 24. On va tout d'abord décrire la structure de refroidissement du dispositif de mémorisation habituel 1100 en référence aux figures 17 et 18. La figure 17 représente une structure de refroidissement de l'unité mono35 bloc 1130 du dispositif de mémorisation habituel 1100. La figure 18 représente une structure de refroidissement de l'unité de lecture 1120 du dispositif de mémorisation habituel 1100. Les flèches représentées sur les figures 17 et 18 représentent l'état d'écoulement d'un vent de re5 froidissement. Ceci s'applique également aux autres dessins. La structure de refroidissement de l'unité de commande 1110 est la même que la structure de refroidissement de la partie logique 1420 et du module de courant 1900 de l'unité monobloc 1130. L'unité monobloc 1130 est structurée de sorte que la partie logique 1420, le ventilateur de module logique 1410, le module de source de courant 1900, la batterie 1800 et le ventilateur 1500 sont reçus du côté de face avant, et le module d'unité de disque 1300, le cof15 fret à courant alternatif 1700 et le ventilateur 1500 sont reçus du côté de face arrière. Le côté de face avant de l'unité monobloc 1130 est refroidi en évacuant l'air situé dans la partie intérieure de la partie logique 1420 et du module de source 20 de courant 1900 vers la partie extérieure de l'unité monobloc 1130, par l'intermédiaire du ventilateur 1500 et du ventilateur de module logique 1410. En d'autres termes, l'air situé dans la partie intérieure de la partie logique 1420 est aspiré par le ventilateur de module lo25 gique 1410, et est évacué vers la partie extérieure de l'unité monobloc 1130 en même temps que l'air situé dans la partie intérieure du module de source de courant 1900, par le ventilateur 1500. Le côté de face arrière de l'unité monobloc 30 1130 est refroidi en évacuant l'air situé dans la partie intérieure du module d'unité de disque 1300 vers la partie extérieure de l'unité monobloc 1130, par l'intermédiaire du ventilateur 1500. En d'autres termes, l'air situé dans la partie intérieure du module d'unité de disque 35 1300 est évacué vers la partie extérieure de l'unité mo- nobloc 1130 à travers l'espace formé entre le module d'unité de disque 1300 et le module logique 1400 ou le module de source de courant 1900, par le ventilateur 1500, dans la partie intérieure du boîtier d'unité mono5 bloc 1220, comme représenté sur la figure 17. L'unité de lecture 1120 est refroidie de la même manière que le côté de face arrière de l'unité monobloc 1130, conmme représenté sur la figure 18. En d'autres termes, l'air situé dans la partie intérieure du module 10 d'unité de disque 1300 est évacué vers la partie extérieure à travers l'espace formé entre le module d'unité de disque 1300 situé du côté de face avant et le module d'unité de disque 1300 situé du côté de face arrière, par le ventilateur 1500, dans la partie intérieure du boîtier 15 d'unité de disque 1230, comme représenté sur la figure 18. Par la suite, on va faire la description d'une structure de refroidissement du dispositif de mémorisation 100 selon le présent mode de réalisation en réfé20 rence aux figures 19 à 24. Les figures 19 à 21 sont des vues destinées à expliquer la structure de refroidissement de l'unité de commande 110 ou de l'unité monobloc 130. La figure 22 est une vue destinée à expliquer la structure de refroidissement de l'unité de lecture 120. L'unité de commande 110, ou l'unité monobloc 130, selon le présent mode de réalisation est munie du ventilateur 500, du module d'unité de disque 300, de la partie logique 420, du ventilateur de module logique 410, et de la partie de source de courant (la source de cou30 rant continu 600, le coffret à courant alternatif 700 et la batterie 800). L'unité de commande 110 et l'unité monobloc 130 sont refroidies en évacuant l'air situé dans la partie intérieure de l'unité de commande 110 et de l'unité monobloc 130 vers la partie extérieure, par l'in35 termédiaire du ventilateur 500 et du ventilateur de mo- dule logique 410. Dans ce cas, il est souhaitable compte tenu de l'amélioration de l'efficacité du refroidissement que l'air situé dans la partie intérieure du boîtier 200 soit évacué vers la partie extérieure de manière aussi 5 douce que possible. Dans l'unité de comnande 110 et l'unité monobloc 130 selon le présent mode de réalisation, le module d'unité de disque 300 est reçu dans l'étage supérieur, le module logique 400 est reçu dans l'étage médian et la partie de source de courant est re10 çue dans l'étage inférieur. Dans l'unité de commande 110 et l'unité monobloc 130 selon le présent mode de réalisation, il est possible d'améliorer l'efficacité de la mise à l'échappement sur la base de l'agencement mentionné ci-dessus. En d'autres termes, comme représenté sur la figure 19, le module d'unité de disque 300 reçu dans l'étage supérieur du boîtier 200 a une courte profondeur par comparaison au module logique 400 et à la partie de source de courant. En conséquence, dans le cas o le mo20 dule d'unité de disque 300 est reçu dans le boîtier, il est possible d'assurer un grand espace formé entre le module d'unité de disque 300 reçu du côté de face avant et le module d'unité de disque 300 reçu du côté de face arrière. En conséquence, il est possible d'assurer un grand 25 trajet de ventilation pour le vent de refroidissement aspiré par le ventilateur 500. En d'autres termes, il est possible d'évacuer de manière efficace l'air situé dans la partie intérieure du boîtier 200 vers la partie extérieure. De plus, comme représenté sur la figure 19, la partie de source de courant reçue dans l'étage inférieur du boîtier 200 a une grande profondeur par comparaison au module d'unité de disque 300 et au module logique 400. En conséquence, dans le cas o la partie de source de cou35 rant est reçue dans l'étage supérieur ou l'étage médian du boîtier 200, le trajet de ventilation du vent de refroidissement est fermé. Cependant, dans l'unitéde commande 110 et l'unité monobloc 130 selon le présent mode de réalisation, le trajet de ventilation n'est pas fermé, 5 la partie de source de courant étant reçue dans l'étage inférieur. En outre, le module logique 400 reçu dans l'étage médian du boîtier 200 a une courte profondeur par comparaison au module d'unité de disque 300 reçu dans 10 l'étage supérieur, cependant, il a une courte profondeur par comparaison avec la partie de source de courant reçue dans l'étage inférieur. En conséquence, il est possible d'assurer l'espace destiné au trajet de ventilation dans l'étage médian tout en assurant un grand trajet de venti15 lation dans l'étage supérieur du boîtier 200 en recevant le module logique 400 dans l'étage médian du boîtier 200. Dans ce cas, puisque le module logique 400 est structuré de telle sorte que le module logique 400 peut ventiler le côté intérieur du module dans une direction verticale, du 20 fait qu'il est différent du module d'unité de disque 300, il est possible de recevoir le module logique 400 du côté de face avant et le module logique 400 du côté de face arrière de manière telle que le module logique 400 situé du côté de face avant et le module logique 400 situé du 25 côté de face arrière sont agencés proches l'un de l'autre dans la partie intérieure du boîtier 200, comme représenté sur la figure 19. Conformément à la structure mentionnée ci-dessus, il est possible d'acheminer de manière efficace l'air situé dans la partie intérieure de la partie 30 de source de courant et du module logique 400 qui est aspiré par le ventilateur de module logique 410, vers le trajet de ventilation de l'étage supérieur du boîtier 200. Dans le cas o on utilise la structure de re35 froidissement représentée sur la figure 19, le vent de refroidissement provenant du module d'entraînement de disque 300 et le vent de refroidissement provenant du module logique 400 s'écoulent ensemble dans le trajet de ventilation existant dans l'étage supérieur du boîtier 5 200. Dans le cas o l'écoulement du vent de refroidissement est déréglé à un moment o les vents de refroidissement s'écoulent ensemble, ceci provoque une réduction de l'efficacité de mise à l'échappement. En conséquence, la figure 20 est une vue représentant une structure de re10 froidissement destinée à empêcher la turbulence produite à un moment o les vents de refroidissement s'écoulent ensemble. En d'autres termes, comme représenté sur la figure 20, une ailette rectificatrice 211 est agencée dans le boîtier 200. En conséquence, il est possible d'empê15 cher la turbulence du vent de refroidissement produit à un moment o le vent de refroidissement provenant du module d'unité de disque 300 vient heurter le vent de refroidissement provenant du module logique 400. Un état dans lequel l'ailette rectificatrice 211 est agencée est 20 représenté sur la figure 23. Cependant, même dans le cas o l'ailette rectificatrice 211 est utilisée, le vent de refroidissement provenant du module d'unité de disque 300 et le vent de refroidissement provenant du module logique 400 s'écou25 lent ensemble de manière correcte jusqu'à atteindre le ventilateur 500. Une structure de refroidissement représentée sur la figure 21 est prévue dans le but d'empêcher le vent de refroidissement provenant du module d'unité de disque 300 et le vent de refroidissement provenant du mo30 dule logique 400 de s'écouler ensemble de manière à encore augmenter l'efficacité de la mise à l'échappement. En d'autres termes, comme représenté sur la figure 21, le conduit d'air 210 est agencé dans la partie intérieure du boîtier 200. Un état dans lequel le conduit d'air 210 est 35 agencé est représenté sur la figure 24. En agençant le conduit d'air 210 dans le boîtier 200, le vent de refroidissement provenant du module logique 400 atteint le ventilateur 500 à travers une partie intérieure du conduit d'air 210, et le vent de refroidissement provenant du mo5 dule d'unité de disque 300 atteint le ventilateur 500 le long d'une paroi extérieure du conduit d'air 210. En conséquence, il est possible d'empêcher que le vent de refroidissement provenant du module d'unité de disque 300 et le vent de refroidissement provenant du module logique 10 400 ne s'écoulent ensemble. Conformément à la structure mentionnée ci-dessus, il est possible d'améliorer encore l'efficacité de la mise à l'échappement de l'unité de commande 110 et de l'unité monobloc 130. Dans ce cas, il est souhaitable d'agencer la partie supérieure du conduit 15 d'air 210 et le ventilateur 500 pour qu'ils soient écartés de manière appropriée l'un de l'autre sans contact étroit l'un avec l'autre. Ceci est dû au fait que la force d'aspiration obtenue par le ventilateur 500 en ce qui concerne l'air situé dans la partie intérieure du 20 conduit d'air 210 devient faible du fait d'un contact étroit. La figure 22 représente la structure de refroidissement de l'unité de lecture 120 selon le présent mode de réalisation. La structure de refroidissement de l'unité de lecture 120 est une structure munie du conduit d'air 210 dans la partie intérieure, de la même manière que la structure de refroidissement de l'unité de commande 110, et de l'unité monobloc 130, représentée sur la figure 21. 30 Cependant, la structure de refroidissement est différente de la structure de refroidissement de l'unité de commande 110, et de l'unité monobloc 130, dans ce sens que le module d'unité de disque 300 est reçu dans l'étage médian. Dans ce cas, le vent de refroidissement provenant du mo35 dule d'unité de disque 300 situé dans l'étage médian est évacué vers la partie extérieure de l'unité de lecture 120 à travers la partie intérieure du conduit d'air 210. De plus, le vent de refroidissement provenant du module d'unité de disque 300 situé dans l'étage supérieur est 5 évacué vers la partie extérieure de l'unité de lecture 120 le long de la paroi extérieure du conduit d'air 210. Comme mentionné ci-dessus, dans l'unité de lecture 120, en agençant le conduit d'air 210 dans le boîtier 200, il est possible d'évacuer le vent de refroidissement prove10 nant du module d'unité de disque 300 situé dans l'étage supérieur et le vent provenant du module d'unité de disque 300 et de la partie de source de courant situés respectivement dans l'étage médian et l'étage inférieur sans qu'ils ne s'écoulent ensemble. En conséquence, dans 15 l'unité de lecture 120, il est possible de refroidir de manière efficace, de la même manière que pour l'unité de commande 110 et l'unité monobloc 130. Comme décrit ci-dessus, dans le dispositif de mémorisation selon le présent mode de réalisation, il est 20 possible de réaliser un boîtier commun pour structurer l'unité de commande, l'unité de lecture et l'unité monobloc. En conséquence, il est possible de structurer et changer facilement le dispositif de mémorisation en fonction des besoins de l'utilisateur. De plus, il est possi25 ble de faire des pièces communes utilisées au moment de la fabrication du dispositif de mémorisation et il est facile de fabriquer et de réduire les coûts. De plus, puisque la partie de source de courant est reçue dans la partie inférieure du boîtier, il est 30 possible de supprimer la nécessité d'agencer le câblage du courant alternatif dans la partie intérieure du boîtier. De plus, puisque la tension du courant continu alimenté par la partie de source de courant au module logique peut être rendue d'un seul type, il est possible de 35 supprimer la nécessité d'agencer un câblage pour alimen- ter des courants continus ayant des tensions différentes dans la partie intérieure du boîtier. En conséquence, il est possible de simplifier l'agencement des câbles dans le boîtier, et il est possible de fabriquer, entretenir 5 et réparer facilement le dispositif de mémorisation et il est possible d'améliorer la sécurité. En outre, puisqu'il est possible de rendre difficile une exposition à l'influence d'un bruit, il est possible d'améliorer la fiabilité du dispositif de mémorisation. De plus, il est pos10 sible de réduire les types et le nombre de barres de bus utilisées pour envoyer le courant depuis la partie de source de courant vers le module logique, et il est possible de rendre courte leur longueur. En conséquence, il est possible de réduire le nombre de pièces constituant 15 le dispositif de mémorisation, et il est possible d'obtenir un entretien et une réparation faciles du dispositif de mémorisation et d'améliorer la capacité d'assemblage. On a donné ci-dessus la description des présents modes de réalisation, cependant, les modes de ré20 alisation mentionnés ci-dessus sont fournis pour rendre compréhensible la présente invention, et non pas pour la limiter. Il doit être en outre compris par l'homme du métier que la description qui précède a été faite en ce 25 qui concerne des modes de réalisation de la présente invention et que divers changements et modifications peuvent être faits sans sortir de l'esprit ni de la portée des revendications annexées. La présente invention concerne le boîtier du 30 dispositif de mémorisation et le dispositif de mémorisation. REVENDICATIONS 1. Boîtier pour dispositif de mémorisation, caractérisé en ce qu'il comporte: une première partie de réception destinée à re5 cevoir un coffret d'unité de disque (300) dans lequel plusieurs unités de disque (310) sont reçues selon une ligne, la première partie de réception ayant une hauteur et une largeur approximativement égales à celles du coffret d'unité de disque, et une deuxième partie de réception pour recevoir un coffret de partie de commande (400) dans lequel une pluralité de cartes de commande (430) destinées à exécuter une commande concernant un processus d'entrée et de sortie de données relatif à l'unité de disque (300) sont 15 reçues dans une ligne, la deuxième partie de réception ayant une hauteur et une largeur approximativement égales à la première partie de réception. 2. Boîtier pour dispositif de mémorisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que le boîtier 20 du dispositif de mémorisation est muni d'une troisième partie de réception pour recevoir une partie de source de courant (600, 700, 800) destinée à alimenter en courant électrique une carte de commande (430) et l'unité de disque (300), et la troisième partie de réception est agen25 cée dans une partie inférieure de la deuxième partie de réception. 3. Dispositif de mémorisation comportant le boîtier pour dispositif de mémorisation selon la revendication 2, caractérisé en ce que: plusieurs unités de disque (310) sont reçues dans le coffret d'unité de disque reçu dans la première partie de réception, plusieurs cartes de commande (430) sont reçues dans le coffret de partie de commande (400) reçu dans la 35 deuxième partie de réception, et la partie de source de courant (600, 700, 800) est reçue dans la troisième partie de réception. 4. Dispositif de mémorisation comportant une pluralité de boîtiers pour dispositif de mémorisation se5 lon la revendication 2, caractérisé en ce que dans un des boîtiers du dispositif de mémorisation, le coffret d'unité de disque (300), dans lequel plusieurs unités de disque (310) sont reçues, est reçu dans la première partie de réception, le coffret de partie de commande (400), 10 dans lequel plusieurs cartes de commande (430) sont reçues, est reçu dans la deuxième partie de réception et la partie de source de courant (600, 700, 800) est reçue dans la troisième partie de réception, et dans l'autre boîtier pour dispositif de mémorisation, le coffret 15 d'unité de disque (300), dans lequel plusieurs unités de disque (310) sont reçues, est reçu dans chacune de la première partie de réception et de la deuxième partie de réception, et la partie de source de courant (600, 700, 800) est reçue dans la troisième partie de réception. 5. Dispositif de mémorisation selon la revendication 3, caractérisé en ce que le courant électrique envoyé à la partie de commande (430) et à l'unité de disque (310) par la partie de source de courant (600, 700, 800) est un courant électrique continu ayant une tension nomi25 nale uniforme. 6. Dispositif de mémorisation selon la revendication 4, caractérisé en ce que le courant électrique envoyé à la partie de commande (430) et à l'unité de disque (310) par la partie de source de courant (600, 700, 800) 30 est un courant électrique continu ayant une tension nominale uniforme.