FR 2852735 A1 20040924 FR 0400051 A 20040106 De façon générale, des dispositifs de mémoire à semiconducteur pour stocker des données sont divisés en dispositifs de mémoire volatile, qui sont sujets à la perte de leurs données lorsque l'alimentation est interrompue, et 5 en dispositifs de mémoire non volatile, qui peuvent conserver leurs données même lorsque l'alimentation est interrompue. Des mémoires à semiconducteur non volatiles sont relativement petites, en comparaison avec d'autres technologies de mémoire non volatile, par exemple des 10 unités de disque. De ce fait, des dispositifs de mémoire non volatile ont été largement employés dans des systèmes de télécommunication mobiles, des cartes à mémoire, etc. On a proposé récemment des dispositifs de mémoire non volatile ayant des structures silicium-oxyde-nitrure15 oxyde-silicium (SONOS), c'est-à-dire des dispositifs de mémoire non volatile de type SONOS. Les dispositifs de mémoire non volatile de type SONOS ont des cellules minces qui sont simples à fabriquer et peuvent être incorporées aisément par exemple dans une région périphérique et/ou une 20 région logique d'un circuit intégré. On décrira en référence à la figure 1 un dispositif de mémoire à semiconducteur non volatile de type SONOS conforme à l'art antérieur. Le dispositif de mémoire à semiconducteur non volatile de type SONOS 10 comprend: un 25 substrat en silicium 6 ayant des régions de source et de drain 5 dopées; une couche d'oxyde tunnel 1; une couche de nitrure 2 sur la couche d'oxyde tunnel 1; une couche d'oxyde supérieure 3 sur la couche de nitrure 2; et une couche de grille en silicium polycristallin ("polysilicium") 4 sur la couche d'oxyde 3. Les couches 1, 2 et 3 définissent ensemble une structure oxyde-nitrureoxyde (ONO) 1/2/3. En fonctionnement, des électrons ou des trous sont injectés dans la couche d'oxyde tunnel 1 à partir de la 35 région d'inversion induite entre la source 5 et le drain 5. La couche de nitrure 2 est une couche de piégeage de charges qui piège des électrons ou des trous qui pénètrent à travers la couche d'oxyde tunnel 1. La couche d'oxyde supérieure 3 est incorporée pour empêcher que des électrons ou des trous qui s'échappent de la couche de piégeage 2 5 n'atteignent la couche de silicium polycristallin 4 pendant des opérations d'écriture ou d'effacement. La structure 10 peut être décrite comme une cellule du type SONOS empilée. Lorsque l'électrode de grille 4 est chargée positivement, des électrons provenant du substrat 10 semiconducteur 6 sont piégés dans une région 7 de la couche de nitrure 2. Inversement, lorsque l'électrode de grille 4 est chargée négativement, des trous provenant du substrat semiconducteur 6 sont piégés dans la région 7. La représentation de la région 7 sur la figure 1 est 15 asymétrique par rapport à un axe central vertical (non représenté) du dispositif de mémoire à semiconducteur de type SONOS 10. La figure 1 suppose une situation dans laquelle le drain correspond à la région 5 du côté droit de la figure 1, tandis que la source correspond à la région 5 20 du côté gauche de la figure 1, le drain étant également supposé être polarisé à une tension supérieure à celle de la source. Par conséquent, des électrons/trous s'accumulent près du drain polarisé à un niveau supérieur. Les électrons ou les trous piégés dans la région 7 25 peuvent changer la tension de seuil du dispositif de mémoire à semiconducteur non volatile entier. Lorsque la tension de seuil de grille atteint un niveau prédéterminé, c'est-à-dire lorsque le courant d'un canal est réduit à un niveau suffisamment bas, le processus de programmation 30 s'arrête. La tension de seuil Vth est fixée à une valeur à laquelle un bit "0" peut être distingué de façon sûre d'un bit "1" pour des données qui ont été conservées pendant une durée prédéterminée (autrement dit, Vth est fixée à une valeur à laquelle une durée de rétention de données 35 prédéterminée peut être obtenue de façon sûre). Du fait qu'une structure ONO (1/2/3) existe au- dessus de la région de canal entière, la cellule de type SONOS empilée 10 a une tension de seuil Vth initiale élevée (et une consommation de puissance élevée de façon correspondante) et un courant de programmation élevé. Du 5 fait de la tension de seuil Vth élevée et du courant de programmation élevé, il est difficile d'incorporer la structure SONOS empilée dans des produits du type "système sur une puce" qui exigent une faible consommation de puissance. De plus, dans la cellule de type SONOS empilée 10, des électrons piégés dans la couche de nitrure 2 peuvent se déplacer latéralement le long de la couche de nitrure, et de ce fait une opération d'effacement peut ne pas être effectuée complètement. Si des opérations de programmation 15 et des opérations d'effacement sont effectuées de façon répétitive, la tension de seuil Vth d'une cellule à l'état passant (cellule effacée) peut augmenter, ce qui peut réduire le courant de la cellule à l'état passant et la vitesse de lecture. Pour s'attaquer à de tels problèmes, on a développé dans l'art antérieur des dispositifs de type SONOS ayant diverses structures, comme par exemple la cellule de type SONOS locale 20 représentée sur la figure 2. La cellule de type SONOS 20 comprend: un substrat en silicium 26 ayant 25 des régions de source et de drain 25 dopées; une couche d'oxyde tunnel 21 sur le substrat 26; des segments de couche de nitrure 28 et 29 sur la couche d'oxyde tunnel 21; une couche diélectrique 27 sur la couche d'oxyde tunnel 21; une couche d'oxyde supérieure 23 sur le segment de couche 30 de nitrure 28, la couche diélectrique 27 et le segment de couche de nitrure 29; et une couche de grille en silicium polycristallin 4 sur la couche d'oxyde supérieure 23. Contrairement à la figure 1, dans laquelle la couche d'oxyde tunnel 1 recouvre entièrement la région de 35 canal entre les régions de source et de drain 5, la couche de nitrure (non représentée, mais à partir de laquelle les segments de couche de nitrure 8 et 9 ont été formés) a subi l'enlèvement d'une section centrale, donnant les segments de couche de nitrure 8 et 9. En séparant les segments de couche de nitrure 8 et 9 (et en remplissant l'espace 5 résultant avec la couche diélectrique 27) , des électrons piégés qui seraient par ailleurs capables de migrer latéralement le long de la couche de nitrure 2 de la figure 1, ne peuvent pas se déplacer à partir du segment de couche de nitrure 8 vers le segment de couche de nitrure 9, et 10 inversement. Ceci améliore le courant et la vitesse de lecture de la cellule à l'état passant. Les structures ONO séparées 21 / (28 ou 29) / 23 sont la raison pour laquelle on décrit la cellule de type SONOS 20 comme étant une cellule de type SONOS locale. Cependant, du fait qu'il 15 existe une structure diélectrique épaisse (couches 21, 27 et 23) au-dessus de la région de canal entière, la cellule de type SONOS locale 20 a encore une tension de seuil Vth initiale élevée. La figure 3 est un schéma montrant une autre 20 cellule de type SONOS locale 30 conforme à l'art antérieur. La cellule de type SONOS locale 30 comprend: un substrat en silicium 26 ayant des régions de source et de drain 25 dopées; une couche d'oxyde 32 sur le substrat 26, la couche d'oxyde 32 ayant des branches 34 et 38; des segments de 25 couche de nitrure 36 formés entre des paires de branches de couche d'oxyde, respectivement 34 et 38; et une couche de grille en silicium polycristallin 40. Chaque segment de couche de nitrure 36 intercalé entre des branches d'oxyde 34 et 38 définit une structure ONO 34/36/38. La partie de 30 la couche d'oxyde 32 se trouvant entre les structures ONO est notablement plus mince que la structure diélectrique 21/27/23 correspondante dans la cellule de type SONOS locale 20 de la figure 2, ce qui peut améliorer (c'est-àdire abaisser) la tension de seuil Vth. Les caractéristiques de fonctionnement de la cellule de type SONOS locale peuvent varier considérablement en fonction de la longueur (L) du recouvrement entre la structure ONO 34/36/38 et la couche de grille 40, L étant pratiquement identique à la longueur du segment de couche de nitrure 36. Par conséquent, il est 5 important de minimiser une variation de la longueur du recouvrement entre les structures ONO 34/36/38 et la grille 40. On utilise la photolithographie pour définir la longueur des structures ONO 34/36/38 sur la figure 3. 10 Pendant la partie de photographie du processus photolithographique, un défaut d'alignement peut se produire, conduisant à une variation notable du recouvrement. Les figures 4A et 4B sont incorporées pour aider à 15 représenter le problème du défaut d'alignement. La figure 4A est une coupe (d'une structure intermédiaire produite à un stade dans la fabrication de la cellule de type SONOS 30 sur la figure 3) montrant un alignement notable. La figure 4B est une coupe similaire montrant un défaut d'alignement 20 notable. Pour aider à faire ressortir la relation entre la figure 3 et les figures 4A et 4B, concernant la disposition de couches sur la figure 3 au-dessous de l'accolade 42, une configuration de couches correspondante sur la figure 4 est placée au-dessous de l'accolade 442. La structure intermédiaire 400 sur la figure 4A comprend: un substrat semiconducteur en silicium 402; une structure ONO 404 sur le substrat 402; et une couche de résine photosensible (PR pour "Photo Resist") 407 sur la couche de grille en silicium polycristallin 406. Un espace 30 408 est représenté dans la couche de résine photosensible 407. L'espace 408 est aligné de façon que lorsque la partie hachurée 410 sous-jacente est enlevée, le recouvrement résultant entre les structures ONO 404 restantes et la couche de grille 406 soit pratiquement égal, comme indiqué 35 par chaque recouvrement ayant la longueur L1. D'autre part, la figure 4B est une coupe d'une structure intermédiaire 420 conforme à l'art antérieur qui correspond à la structure intermédiaire 400, mais qui est affectée d'un défaut d'alignement notable. La structure intermédiaire 420 comprend: un substrat en silicium 422; 5 une structure ONO 424 sur le substrat 422; une couche polycristalline 426 sur la structure ONO 424 et le substrat 422; et une couche de résine photosensible 427 dans laquelle existent des espaces 428. Lorsque les régions hachurées 430 au-dessous des espaces 428 sont enlevées par 10 gravure, les structures ONO 424 n'auront pas la même largeur, comme indiqué par les longueurs L2 et L3, avec L2 On connaît un type d'architecture d'électrode de 20 grille à recouvrement, mais avec séparation électrique, par exemple d'après le brevet des E.U.A. n0 6 388 293 délivré à Ogura et al. (ci-après le "brevet Ogura") . La figure 5 de la présente demande, concernant l'art antérieur, correspond à la figure 11 du brevet Ogura, à l'exception de 25 l'utilisation d'une numérotation dans la série 500 au lieu d'une numérotation dans la série 100. La structure à recouvrement, mais électriquement séparée, 500, de la figure 5 concernant l'art antérieur comprend: un substrat semiconducteur 510 ayant des régions de source/drain 521 et 30 522 dopées; un isolant de grille à trois strates 532 formé sur le substrat 510; une électrode de grille inférieure 542 formée sur l'isolant de grille 532; un autre isolant de grille 531 formé sur le substrat 510, le bord latéral de l'isolant de grille 532, et le bord latéral et une partie 35 du sommet de l'électrode de grille inférieure 542; et une électrode de grille supérieure 541 formée sur l'isolant de grille 531. L'isolant de grille à trois strates 532 peut être une structure ONO, c'est-à-dire qu'une couche 532A est un oxyde, une couche 532B est un nitrure et une couche 532C est un oxyde; d'autres combinaisons de matériaux pour les 5 trois strates sont également indiquées dans le brevet Ogura. L'isolant de grille à trois strates 532 est autoaligné avec l'électrode de grille inférieure 542. L'électrode de grille inférieure 542 et l'électrode de grille supérieure 541 sont électriquement séparées, c'est10 à-dire qu'elles ne sont pas connectées électriquement ensemble. En outre, le brevet Ogura indique que le potentiel électrique appliqué à l'électrode de grille inférieure 542 doit être élevé, tandis que le potentiel électrique appliqué à l'électrode de grille supérieure 541 15 doit être aussi faible que la tension de seuil de grille. Un mode de réalisation de l'invention procure une structure SONOS locale comprenant un substrat; une structure ONO sur le substrat; une première couche de grille sur la structure ONO et alignée avec celle-ci; un 20 isolant de grille sur le substrat ailleurs qu'à l'endroit de la structure ONO; et une seconde couche de grille sur la première couche de grille et sur l'isolant de grille, les première et seconde couches de grille étant électriquement connectées ensemble, la structure ONO, la première couche 25 de grille et la seconde couche de grille définissant au moins une structure SONOS locale à 1 bit. Un autre mode de réalisation de l'invention procure un procédé de formation d'une structure SONOS locale, le procédé comprenant les étapes suivantes: on fournit un substrat; on forme une structure ONO sur le substrat; on forme une première couche de grille sur la structure ONO et en alignement avec celle-ci; on forme un isolant de grille sur le substrat à côté de la structure ONO; on forme une seconde couche de grille sur la première couche 35 de grille et sur l'isolant de grille; et on connecte électriquement les première et seconde couches de grille, la structure ONO, la première couche de grille et la seconde couche de grille définissant au moins une structure SONOS locale à 1 bit. D'autres caractéristiques et avantages de 5 l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 est une coupe d'une mémoire non 10 volatile de type SONOS conforme à l'art antérieur. La figure 2 est une coupe d'une autre mémoire non volatile de type SONOS locale conforme à l'art antérieur. La figure 3 est une coupe d'encore une autre mémoire non volatile de type SONOS locale conforme à l'art 15 antérieur. Les figures 4A et 4B sont des coupes de structures intermédiaires conformes à l'art antérieur, formées pendant la fabrication de la structure de type SONOS locale de la figure 3. La figure 5 est une coupe d'une structure de type SONOS conforme à l'art antérieur, ayant un recouvrement mais des électrodes de grille électriquement séparées. La figure 6 est une coupe d'une structure de type SONOS locale ayant une configuration de grille en deux 25 parties, conforme à un mode de réalisation de l'invention. La figure 7 est une vue de dessus montrant des interconnexions entre une multiplicité des structures de type SONOS locales de la figure 6. La figure 8 est une coupe d'une autre structure de 30 type LOCOS ayant une configuration de grille en deux parties, conforme à un autre mode de réalisation de l'invention. La figure 9 est une vue de dessus montrant des interconnexions entre une multiplicité des structures de 35 type SONOS locales de la figure 8. Les figures 1OA-lOE sont des coupes de produits intermédiaires formés à divers stades pendant un procédé de fabrication (une structure de type SONOS locale telle que celle de la figure 6) conforme à un mode de réalisation de l'invention. La figure llA est une coupe d'une région d'extrémité correspondant à la région d'extrémité sur la figure 7. La figure llB est une coupe d'une région d'extrémité qui est une variante de la région d'extrémité 10 de la figure llA. Les figures 12A-12E sont des coupes de produits intermédiaires formés à divers stades pendant un procédé de fabrication (une structure de type SONOS locale comme celle de la figure 8) conforme à un autre mode de réalisation de 15 l'invention. La figure 13 est une coupe d'une structure de type SONOS locale ayant une configuration constituant une variante de la configuration de grille en deux parties relative à la figure 8. La figure 14 est une coupe d'une structure de type SONOS locale ayant une configuration constituant une autre variante de la configuration de grille en deux parties relative à la figure 8. La figure 15 est une coupe d'une structure de type 25 SONOS locale ayant une configuration constituant encore une autre variante de la configuration de grille en deux parties relative à la figure 8. Un mode de réalisation de l'invention est basé sur la reconnaissance du fait qu'il est possible de résoudre un 30 problème consistant dans la variation de la longueur de recouvrement, L (entre une électrode de grille et une structure de type ONO), si l'électrode de grille est formée comme une structure en deux parties, avec la structure de type ONO auto- alignée avec la première partie de 35 l'électrode de grille. En d'autres termes, ce mode de réalisation est basé sur la reconnaissance du fait qu'une tolérance d'alignement de la partie supérieure, ou seconde partie, de l'électrode de grille en deux parties n'induit pratiquement pas de variation de la tension de seuil Vth si la structure de type ONO est autoalignée avec l'électrode 5 inférieure, ou première électrode, de l'électrode de grille en deux parties. La figure 6 est une coupe d'une structure de type SONOS locale 600 ayant une configuration de grille en deux parties conforme à un mode de réalisation de l'invention. 10 On peut utiliser la structure 600 par exemple dans des dispositifs de mémoire à semiconducteur non volatile, comme ceux qu'on trouve dans des systèmes de télécommunication mobiles, des cartes à mémoire, des appareils électroniques miniatures basés sur un processeur, etc. La structure 600 comprend un substrat semiconducteur 1002, par exemple en silicium, ayant des régions de drain/source 1025/1027 (régions à drain faiblement dopé, ou LDD), la région 1025 étant la région faiblement dopée et la région 1027 étant la région 20 fortement dopée; des structures oxyde/nitrure/oxyde (ONO) 1030 sur le substrat 1002; des électrodes de grille inférieures 1032 sur les structures ONO 1030; une couche d'isolant de grille 1023 sur le substrat 1002, les bords latéraux des structures ONO 1030 et les bords latéraux et 25 la surface supérieure des électrodes de grille inférieures 1032; des segments de couche diélectrique 1024 formés sur l'autre bord latéral de la structure ONO 1030 et sur l'autre bord latéral de l'électrode de grille inférieure 1032; une électrode de grille supérieure 1034 sur l'isolant 30 de grille 1023; des segments de couche diélectrique pratiquement verticaux à côté de l'électrode de grille supérieure 1034; et des éléments d'espacement de paroi latérale 1040 placés en contact direct avec les segments de couche diélectrique 1038 et sur la couche d'isolant de 35 grille 1023 et la couche diélectrique 1024. Les électrodes de grille inférieures 1032 sont connectées électriquement à 1l l'électrode de grille supérieure 1034, comme indiqué par le symbolisme de circuit portant le numéro de référence 602. Les électrodes de grille inférieures 1032 peuvent être par exemple en silicium polycristallin. Les structures 5 ONO 1030 peuvent comprendre les combinaisons de strates suivantes: O/N/O; ON/N/O; ON/N/ON; O/N/ON; O/T/O; ON/T/O; et O/T/ON; dans lesquelles O désigne l'oxyde de silicium, ON désigne une pellicule d'oxynitrure de silicium, N désigne une pellicule de nitrure de silicium et T désigne 10 une pellicule d'oxyde de tantale. Les électrodes de grille supérieures 1034 peuvent être par exemple en silicium polycristallin. La figure 7 est une vue de dessus correspondant à la figure 6 qui montre une multiplicité des structures de 15 type SONOS locales 600. Une ligne verticale discontinue VIVI' a été représentée pour contribuer à expliquer la correspondance entre les figures 6 et 7. On notera que la figure 7 comprend une région d'extrémité 708 dans laquelle les électrodes de grille inférieures 1032 et l'électrode de 20 grille supérieure 1034 sont connectées électriquement ensemble. Dans la région 708, une couche conductrice 702, par exemple en aluminium ou en titane, est représentée dans une condition de recouvrement des électrodes de grille 25 inférieures 1032 et de l'électrode de grille supérieure 1034. La couche conductrice 702 peut être formée directement en contact avec les couches 1032 et 1034, mais ceci n'est pas obligatoire. La figure 7 montre des puits conducteurs 704 connectant électriquement la couche 30 conductrice 702 et les électrodes de grille inférieures 1032. De plus, on voit un puits conducteur 706 connectant électriquement la couche conductrice 702 aux couches d'électrode de grille supérieures 1034. Par conséquent, le chemin électrique entre la couche d'électrode de grille 35 supérieure 1034 et les électrodes de grille inférieures 1032 passe par le puits conducteur 706 jusqu'à la couche conductrice 702, et à partir de la couche conductrice 702 passe par le puits conducteur 704 jusqu'à chacune des électrodes de grille inférieures 1032. La figure 8 est une coupe d'une autre structure de 5 type SONOS 800 ayant une configuration de grille en deux parties conforme à un autre mode de réalisation de l'invention. Comme la structure 600, la structure 800 convient bien, par exemple, pour des dispositifs de mémoire à semiconducteur non volatile (NV) (non représentés), 10 prévus pour l'utilisation dans des choses telles que des systèmes de télécommunication mobiles, des cartes à mémoire, etc. Le système 800 comprend: un substrat en semiconducteur 1202, par exemple en silicium, ayant des régions de source/drain 1230/1236 parmi lesquelles la sous15 région 1230 est faiblement dopée et la sous-région 1236 est fortement dopée, et des structures ONO 1214 (similaires aux structures ONO 1030) formées sur le substrat 1202; une électrode de grille inférieure 1216 formée sur la structure ONO 1214; une couche d'isolant de grille 1218 formée sur le 20 substrat, sur les bords latéraux de la structure ONO 1214 et sur les bords latéraux et la surface supérieure de l'électrode de grille inférieure 1216; une électrode de grille supérieure 1220; des segments de couche diélectrique pratiquement verticaux, 1238, à côté de l'électrode de 25 grille supérieure 1220; un élément d'espacement latéral 1224 sur la couche d'isolant de grille 1218; et des éléments d'espacement de paroi latérale 1232 et 1233 respectivement contre les segments de couche diélectrique 1238. L'électrode de grille inférieure 1216 et l'électrode 30 de grille supérieure 1220 sont connectées électriquement ensemble, comme indiqué par le symbolisme de circuit ayant le numéro de référence 802. Les matériaux pour les composants de la figure 8 peuvent être par exemple les mêmes que pour les composants correspondants de la figure 6. La figure 9 est une vue de dessus correspondant à la figure 8 qui montre une multiplicité de structures de type SONOS 800. Une ligne discontinue verticale portant la désignation VIII-VIII' a été représentée sur la figure 9 pour contribuer à expliquer la correspondance entre les figures 8 et 9. La figure 9 représente une région 5 d'extrémité 908 qui est similaire à la région d'extrémité 708 de la figure 7. La région 908 comprend: une couche conductrice 902 (correspondant à 702); un puits conducteur 904 (correspondant à 704); et un puits conducteur 906 (correspondant à 706). Les figures IOA-lOE sont des coupes de produits intermédiaires formés à divers stades pendant un procédé de fabrication (d'une structure de type SONOS locale 600) conforme à un mode de réalisation de l'invention. Sur la figure 10A, on fournit une couche de 15 substrat 1002. On forme une couche d'oxyde 1022 sur la couche de substrat 1002. On forme une couche de nitrure 1021 sur la couche d'oxyde 1022. On forme une couche d'oxyde 1020 sur la couche de nitrure 1021. On forme une couche 1019 de matériau d'électrode sur la couche d'oxyde 20 1020. De plus, on forme sur la couche de matériau d'électrode 1020 des segments de résine photosensible 1017 dans lesquels on a défini un motif, ce qui donne une structure intermédiaire 1070. La couche d'oxyde 1022 peut avoir une épaisseur 25 dans la plage d'environ 15 À à environ 100 A. L'épaisseur de la couche de nitrure 1021 peut être dans la plage d'environ 20 À à environ 100 . L'épaisseur de la couche d'oxyde 1020 peut être dans la plage d'environ 30 À - 200 A. L'épaisseur de la couche de matériau d'électrode 1019 30 peut être dans la plage d'environ 100 A - 800 À. La couche de matériau d'électrode 1019 peut être du silicium polycristallin dopé sur lequel un processus d'implantation ionique est accompli. Selon une variante, la couche de matériau d'électrode 1019 peut être du tungstène ou du 35 siliciure de tungstène (WSix) sur lequel un processus d'implantation ionique est accompli, ou bien la couche 1019 peut être un composé métallique. La structure intermédiaire 1070 est gravée pour donner la structure intermédiaire 1072 de la figure 10B. La structure intermédiaire 1072 comprend les structures ONO 5 1030 et les électrodes de grille inférieures 1032. Les structures ONO 1030 comprennent des segments qui restent de chacune des couches 1022, 1021 et 1020. On forme une couche d'oxyde (non représentée) sur la structure intermédiaire 1072. On forme ensuite sur la 10 couche d'oxyde une seconde couche (non représentée) de matériau d'électrode; on applique ensuite par exemple aux deux des opérations de définition de motif et de gravure (non représentées) pour produire l'électrode de grille supérieure 1034 et la couche d'oxyde 1023. Selon une 15 variante, on peut former la seconde électrode de grille 1034 (ceci n'est pas représenté) en faisant croître une couche polycristalline en utilisant une croissance épitaxiale sélective de silicium. Le résultat, à ce point, est la structure intermédiaire 1074 de la figure IOC. La figure 10D montre une couche d'oxyde 1038 qui a été formée sur la structure intermédiaire 1074. Ensuite, on accomplit un processus d'implantation ionique comme représenté par les flèches 1039 dirigées vers le bas. Le résultat du processus d'implantation ionique 1039 est la 25 formation de régions faiblement dopées 1025 dans le substrat 1002. Ensuite, sur la figure 10E, des éléments d'espacement de paroi latérale 1040 ont été formés. Ensuite, on accomplit un processus d'implantation ionique 30 (représenté par la flèche 1041 dirigée vers le bas), donnant les sous-régions fortement dopées 1027, ce qui complète les régions de source/drain 1025/1027; la partie de la couche diélectrique 1038 s'étendant sur la surface supérieure de l'électrode de grille 1034 a été enlevée par 35 gravure dans une étape de nettoyage. La figure llA est une coupe d'une région d'extrémité 1108 correspondant à la région d'extrémité 708 sur la figure 7. En tant que telle, il y a les correspondances suivantes le puits conducteur 1106 correspond au puits 706; les puits conducteurs 1104 5 correspondent aux puits 704; et la couche conductrice 1102 correspond à la couche 702. Les puits 1104 et 1106sont formés dans une couche diélectrique d'aplanissement 1105, par exemple à un point intermédiaire dans un processus de fabrication correspondant à la structure intermédiaire 10 représentée sur la figure 10E. La figure l1B représente un autre mode de réalisation de la région d'extrémité 1108. La région d'extrémité 1141 de la figure llB a des similitudes avec la région d'extrémité 1108, qui comprennent: une couche 15 diélectrique 1145 correspondant à la couche 1105; des parties semblables à des puits, 1144, correspondant aux puits 1104; une partie semblable à un puits 1146 correspondant au puits 1106, et une partie semblable à une couche 1148 correspondant à la couche 1102. La région 20 d'extrémité 1141 est une forme de réalisation du type incrustation. Au lieu de s'étendre sur le diélectrique 1145 (comme le fait la couche conductrice 1102 par rapport au diélectrique 1105), la partie semblable à une couche 1148 est formée dans une cavité à l'intérieur du diélectrique 25 1145. De façon similaire, des trous de contact pour les parties semblables à des puits, 1144 et 1146, sont formés dans le diélectrique 1145 mais sont remplis par un matériau continu ayant les parties semblables à des puits, 1144 et 1146, qui sont en continuité avec la partie semblable à une 30 couche 1148. Les figures 12A-12E sont des coupes de produits intermédiaires formés à divers stades au cours d'un procédé de fabrication (d'une structure de type SONOS locale 800) conforme à un mode de réalisation de l'invention. Sur la figure 12A, on fournit une couche de substrat 1202. On forme une couche d'oxyde 1204 sur la couche de substrat 1202. On forme une couche de nitrure 1206 sur la couche d'oxyde 1204. On forme une couche d'oxyde 1208 sur la couche de nitrure 1206. On forme une couche 1210 de matériau d'électrode sur la couche d'oxyde 5 1208. De plus, on forme sur la couche de matériau d'électrode 1210 un segment de résine photosensible 1212 dans lequel on définit un motif, ce qui donne une structure intermédiaire 1270. La couche d'oxyde 1204 peut avoir une épaisseur 10 dans la plage d'environ 15 À à environ 100 À. L'épaisseur de la couche de nitrure 1206 peut être dans la plage d'environ 20 A à environ 100 A. L'épaisseur de la couche d'oxyde 1208 peut être dans la plage d'environ 30 À - 200 A. L'épaisseur de la couche de matériau d'électrode 1210 15 peut être dans la plage d'environ 100 A - 800 À. La couche de matériau d'électrode 1210 peut être du silicium polycristallin dopé sur lequel un processus d'implantation ionique est accompli. Selon une variante, la couche de matériau d'électrode 1210 peut être du tungstène ou du 20 siliciure de tungstène (WSix) sur lequel un processus d'implantation ionique est accompli, ou bien la couche 1210 peut être un composé métallique. On grave la structure intermédiaire 1270, ce qui donne la structure intermédiaire 1272 de la figure 12B. La 25 structure intermédiaire 1272 comprend: les structures ONO 1214 et l'électrode de grille inférieure 1216. La structure ONO 1214 comprend un segment restant de chacune des couches 1204, 1206 et 1208. On forme une couche d'oxyde (non représentée) sur 30 la structure intermédiaire 1272. On forme ensuite une seconde couche (non représentée) de matériau d'électrode sur la couche d'oxyde; ensuite, on applique aux deux par exemple une opération de définition de motif et de gravure (non représentée), pour produire l'électrode de grille 35 supérieure 1220 et la couche d'oxyde 1218. Selon une variante, la seconde électrode de grille 1220 peut être formée (ceci n'est pas représenté) en faisant croître une couche polycristalline en utilisant une croissance épitaxiale de silicium sélective. Le résultat, à ce point, est la structure intermédiaire 1274 de la figure 12C. La figure 12D montre un processus d'implantation ionique qui est effectué comme indiqué par les flèches 1228 dirigées vers le bas. Le résultat du processus d'implantation ionique 1228 est la formation de régions faiblement dopées 1230A et 1230B dans le substrat 1202. Ensuite, sur la figure 12E, on forme des éléments d'espacement de paroi latérale 1232 et 1233. On accomplit ensuite un processus d'implantation ionique (représenté par la flèche 1234 dirigée vers le bas), donnant les sousrégions fortement dopées 1236, ce qui achève les régions 15 LDD 1230A/1236 et 1230B/1236. La partie de la couche diélectrique 1226 s'étendant sur la surface supérieure de l'électrode de grille 1220 a été enlevée par gravure dans une étape de nettoyage. La figure 13 est une coupe d'une configuration 1300 20 constituant une variante de la structure 800. Pour abréger, on n'envisagera pas les similitudes vis-à-vis de la structure 800. Dans la configuration 1300, l'électrode de grille inférieure 1216 et l'électrode de grille supérieure 1220 sont connectées électriquement ensemble par une couche 25 de silicium polycristallin 1302 formée par croissance épitaxiale, se trouvant par exemple dans une région correspondant à la région d'extrémité 908. La figure 14 est une coupe d'une configuration 1400 constituant une autre variante, qui est similaire à la 30 configuration 1300. Dans la configuration 1400, une couche de siliciure auto-alignée 1402 a été formée à la place de la couche 1302 produite par croissance épitaxiale. La figure 15 représente une configuration 1500 qui est encore une autre variante de la configuration 1300. 35 Dans la configuration 1500, l'électrode de grille supérieure 1520 a été formée directement en contact avec l'électrode de grille inférieure 1514, en créant ainsi une connexion électrique. Un segment pratiquement vertical d'une couche diélectrique 1538 (correspondant à 1238) a été formé. De façon similaire, un élément d'espacement de paroi 5 latérale 1533 (correspondant à 1233) a été formé. Contrairement à l'élément d'espacement de paroi latérale 1233, une partie de l'élément d'espacement de paroi latérale 1533 est formée directement en contact avec la surface supérieure de l'électrode de grille inférieure 10 1514. La présente invention et des modes de réalisation constituant des exemples de celle-ci sont décrits de façon plus complète en référence aux dessins annexés. Cette invention peut cependant être mise en oeuvre sous de 15 nombreuses formes différentes, et on ne doit pas considérer qu'elle est limitée aux modes de réalisation présentés ici à titre d'exemples; à la place, ces modes de réalisation constituant des exemples sont fournis pour que cet exposé soit approfondi et complet, et permette à l'homme de l'art 20 de comprendre le concept de l'invention. Dans les dessins, les épaisseurs de couches et de régions sont exagérées pour la clarté. Lorsqu'il est dit qu'une couche est "sur" une autre couche ou un substrat, la couche peut être directement sur l'autre couche ou le substrat, ou bien des 25 couches intercalaires peuvent également être présentes. REVENDICATIONS 1. Structure SONOS locale caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat (1002, 1202) ; une structure ONO (1030, 1214) sur le substrat (1002, 1202) ; une première 5 couche de grille (1032, 1216) sur la structure ONO et en alignement avec celle-ci; un isolant de grille (1023, 1218) sur le substrat, à côté de la structure ONO; et une seconde couche de grille (1034, 1220) sur la première couche de grille (1032, 1216) et sur l'isolant de grille (1023, 10 1218), les première et seconde couches de grille étant connectées électriquement ensemble, et la structure ONO (1030, 1214), la première couche de grille (1032, 1216) et la seconde couche de grille (1034, 1220) définissant une structure SONOS locale à au moins 1 bit. 2. Structure SONOS locale selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'isolant de grille (1023, 1218) est également formé entre la première couche de grille (1032, 1216) et la seconde couche de grille (1034, 1220). 3. Structure SONOS selon la revendication 1, 20 caractérisée en ce que la seconde couche de grille (1520) est formée directement en contact avec la première couche de grille (1514). 4. Structure SONOS selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une couche de 25 connexion électrique (1302, 1402) formée directement en contact avec une partie de la première couche de grille (1216) et une partie de la seconde couche de grille (1220). 5. Structure SONOS selon la revendication 4, caractérisée en ce que la partie de la seconde couche de 30 grille (1220) est une partie latérale, et la couche de connexion électrique (1302) consiste en silicium formé par croissance épitaxiale. 6. Structure SONOS selon la revendication 4, caractérisée en ce que la partie de la seconde couche de 35 grille (1220) est une partie latérale, et la couche de connexion électrique (1402) consiste en siliciure autoaligné. 7. Structure SONOS selon la revendication 1, caractérisée en ce que la structure ONO (1030) a une première partie et une seconde partie disposée latéralement 5 par rapport à la première partie; et la première couche de grille (1032) a une première partie et une seconde partie disposée latéralement par rapport à la première partie; la première partie de la structure ONO (1030) étant autoalignée avec la première partie de la première couche de 10 grille (1032); la seconde partie de la structure ONO (1030) étant auto-alignée avec la seconde partie de la première couche de grille (1032); la seconde couche de grille (1034) étant formée sur la première partie de la première couche de grille (1032) et sur la seconde partie de la première 15 couche de grille (1032); et la première partie de la première couche de grille (1032), la seconde partie de la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) étant connectées électriquement ensemble; les première et seconde parties de la structure ONO (1030), les 20 première et seconde parties de la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) définissant une structure SONOS locale à 2 bits. 8. Structure SONOS selon la revendication 7, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre: une couche 25 diélectrique (1105) sur la structure SONOS locale à 2 bits; et des premier, second et troisième puits de contact (1104, 1106) descendant à travers la couche diélectrique (1105) pour être en contact électrique respectivement avec les première et seconde parties de la première couche de grille 30 (1032) et avec la seconde couche de grille (1034) ; et une couche conductrice (1102) connectant électriquement ensemble les premier, second et troisième puits de contact (1104, 1106), de façon que la première partie de la première couche de grille (1032), la seconde partie de la 35 première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) soient connectées électriquement ensemble. 9. Structure SONOS selon la revendication 7, caractérisée en ce les première et seconde parties de la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) s'étendent à l'intérieur d'une région 5 extérieure (708) située à l'extérieur de la zone correspondant à la structure SONOS locale à 2 bits; et les premier et second puits de contact (704, 706) et la couche conductrice (702) sont placés dans la région extérieure (708). 10. Structure SONOS selon la revendication 7, caractérisée en ce les première et seconde parties de la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) s'étendent à l'intérieur d'une région extérieure (708) située à l'extérieur de la zone 15 correspondant à la structure SONOS locale à 2 bits; et en ce que la structure SONOS comprend en outre: une couche conductrice (702) , située dans la région extérieure (708), connectant électriquement ensemble les première et seconde parties de la première couche de grille (1032) et la 20 seconde couche de grille (1034). 11. Structure SONOS selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre: une couche diélectrique (1105) sur la structure SONOS locale à au moins 1 bit; et des premier et second puits de contact 25 (1104, 1106) descendant à travers la couche diélectrique (1105) pour être en contact électrique respectivement avec la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034); et une couche conductrice (1102) connectant électriquement ensemble les premier et second puits de 30 contact (1104, 1106) , de façon que la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) soient connectées électriquement ensemble. 12. Structure SONOS selon la revendication 1, caractérisée en ce la première couche de grille (1216) et 35 la seconde couche de grille (1220) s'étendent dans une région extérieure (908) située à l'extérieur de la zone correspondant à la structure SONOS locale à au moins 1 bit; et les premier et second puits de contact (904, 906) et la couche conductrice (902) sont situés dans la région extérieure (908). 13. Structure SONOS selon la revendication 1, caractérisée en ce la première couche de grille (1216) et la seconde couche de grille (1220) s'étendent dans une région extérieure (908) située à l'extérieur de la zone correspondant à la structure SONOS locale à au moins 1 bit; 10 et en ce que la structure SONOS (1214) comprend en outre: une couche conductrice (902) située dans la région extérieure, connectant électriquement ensemble la première couche de grille (1216) et la seconde couche de grille (1220). 14. Procédé de formation d'une structure SONOS locale, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on fournit un substrat (1002, 1202); on forme une structure ONO (1030, 1214) sur le substrat; on forme une première couche de grille (1032, 1216) sur la structure 20 ONO et en alignement avec celle-ci; on forme un isolant de grille (1023, 1218) sur le substrat, à côté de la structure ONO (1030, 1214); on forme une seconde couche de grille (1034, 1220) sur la première couche de grille (1032, 1216) et sur l'isolant de grille (1023, 1218); et on connecte 25 électriquement les première et seconde couches de grille (1032, 1216; 1034, 1220); la structure ONO, la première couche de grille et la seconde couche de grille définissant une structure SONOS locale à au moins 1 bit. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé 30 en ce que la formation de l'isolant de grille (1023, 1218) occasionne également la formation de l'isolant de grille sur la première couche de grille (1032, 1216), de façon que l'isolant de grille soit présent entre la première couche de grille (1032, 1216) et la seconde couche de grille 35 (1034, 1220). 16. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que la formation de la seconde couche de grille (1520) laisse à nu une partie de la première couche de grille (1514); et sous l'effet de la formation de la seconde couche de grille (1520), la seconde couche de 5 grille est placée directement en contact avec la partie à nu de la première couche de grille (1514). 17. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'aspect de connexion électrique comprend: la formation d'une couche conductrice (1302, 1402) directement 10 en contact avec une partie de la première couche de grille (1216) et une partie de la seconde couche de grille (1220). 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la partie de la seconde couche de grille (1220) est une partie latérale, et l'aspect de connexion 15 électrique comprend la croissance épitaxiale de la couche conductrice (1302). 19. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la partie de la seconde couche de grille (1220) est une partie latérale, et l'aspect de connexion 20 électrique comprend la formation de la couche conductrice (1402) sous la forme d'un siliciure auto-aligné. 20. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que la formation de la structure ONO (1030) conduit à une structure ONO divisée ayant une première partie et une 25 seconde partie disposée latéralement par rapport à la première partie; et la formation de la première couche de grille (1032) conduit à une première couche de grille divisée ayant première partie et une seconde partie disposée latéralement par rapport à la première partie; la 30 formation de la couche de grille (1032) conduit également à l'auto-alignement de la première partie de la structure ONO (1030) avec la première partie de la première couche de grille (1032), et à l'auto-alignement de la seconde partie de la structure ONO (1030) avec la seconde partie de la 35 première couche de grille (1032); la formation de la seconde couche de grille (1034) conduit à la formation de la seconde couche de grille sur la première partie de la première couche de grille (1032) et sur la seconde partie de la première couche de grille (1032); et l'aspect de connexion électrique conduit à connecter électriquement 5 ensemble la première partie de la première couche de grille (1032) , la seconde partie de la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034); les première et seconde parties de la structure ONO (1030), les première et seconde parties de la première couche de grille (1032) 10 et la seconde couche de grille (1034) définissant une structure SONOS locale à 2 bits. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'aspect de connexion électrique comprend: la formation d'une couche diélectrique (1105) sur la structure 15 SONOS locale à 2 bits; et la formation d'un premier, d'un second et d'un troisième puits de contact (1104, 1106) descendant à travers la couche diélectrique (1105) pour être respectivement en contact électrique avec les première et seconde parties de la première couche de grille (1032) 20 et avec la seconde couche de grille (1034); et la formation d'une couche conductrice (1102) connectant électriquement ensemble les premier, second et troisième puits de contact (1104, 1106), de façon que la première partie de la première couche de grille (1032), la seconde partie de la 25 première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) soient connectées électriquement ensemble. 22. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce sous l'effet de la formation de la première couche de grille (1032) et de la formation de la seconde couche de 30 grille (1034), les première et seconde parties de la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) s'étendent respectivement dans une région extérieure (708) située à l'extérieur de la zone correspondant à la structure SONOS locale à 2 bits; et la 35 formation des premier, second, et troisième puits de contact (1104, 1106) place les premier et second puits de contact (704, 706) dans la région extérieure (708); et la formation de la couche conductrice (702) place la couche conductrice dans la région extérieure (708). 23. Procédé selon la revendication 20, caractérisé 5 en ce que sous l'effet de la formation des première et seconde parties de la première couche de grille (1032) et de la formation de la seconde couche de grille (1034), les première et seconde parties de la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) s'étendent 10 dans une région extérieure (708) située à l'extérieur de la zone correspondant à la structure SONOS locale à 2 bits; et en ce que le procédé comprend en outre la formation d'une couche conductrice placée dans la région extérieure, directement en contact avec les première et seconde parties 15 de la première couche de grille (1032) et avec la seconde couche de grille (1034), la couche conductrice connectant électriquement les première et seconde parties de la première couche de grille (1032) et les première et seconde parties de la seconde couche de grille (1034). 24. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en qu'il comprend en outre: la formation d'une couche diélectrique (1105) sur la structure SONOS locale à au moins 1 bit; et la formation d'un premier et d'un second puits de contact (1104, 1106) descendant à travers la 25 couche diélectrique (1105) pour être respectivement en contact électrique avec la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034); et la formation d'une couche conductrice (1102) connectant électriquement ensemble les premier et second puits de contact (1104, 30 1106), de façon que la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) soient connectées électriquement ensemble. 25. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que sous l'effet de la formation de la première 35 couche de grille (1032) et de la formation de la seconde couche de grille (1034), la première couche de grille (1032) et la seconde couche de grille (1034) s'étendent jusque dans une région extérieure (708) située à l'extérieur de la zone correspondant à la structure SONOS locale à au moins 1 bit; et la formation des premier, 5 second et troisième puits de contact place les premier et second puits de contact (704, 706) dans la région extérieure (708) ; et la formation de la couche conductrice (702) place la couche conductrice dans la région extérieure (708) 26. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que sous l'effet de la formation de la première couche de grille (1216) et de la formation de la seconde couche de grille (1220), la première couche de grille (1216) et la seconde couche de grille (1220) s'étendent 15 jusque dans une région extérieure (908) située à l'extérieur de la zone correspondant à la structure SONOS locale à au moins 1 bit; et en ce que le procédé comprend en outre la formation d'une couche conductrice (902) dans la région extérieure, directement en contact avec la 20 première couche de grille (1216) et la seconde couche de grille (1220), la couche conductrice (902) connectant électriquement la première couche de grille (1216) et la seconde couche de grille (1220).