FR 2840733 A1 20031212 FR 0207109 A 20020610 diune dispersion au sein de la composition. Filtre a resonateur supraconducteur avant une frequence de resonance reglable. La presente invention est relative aux filtres a resonateurs supraconducteurs ayant des frequences de resonance reglables. On connalt dans l'art anterieur de nombreux filtres de ce type, dont les resonateurs presentent l'avantage d'avoir un coefficient de qualite tres eleve du fait de l'utilisation de materiaux supraconducteurs, ce qui permet notamment d'obtenir de tres fortes pentes de coupure en frequence et done des filtres tres selectifs. Toutefois, le probleme du reglage de la frequence centrale de resonance de tels filtres et de leur bande passante n'a jamais ete resolu de facon satisfaisante. Ainsi, par exemple, le document US-A-6 360 112 decrit un filtre connu de ce type qui fait appel a des pieces mecaniques mobiles pour accorder la frequence de resonance. De tels moyens de reglage vent toutefois peu gables et peuvent etre instables dans le temps notamment lorsque le dispositif anquel appartient le filtre est soumis a des vibrations ou a des variations de temperature. En outre, ils vent fastidieux et rents a mettre en muvre, ce qui exclut tout reglage dynamique de la frequence de resonance. D,autres solutions tout aussi peu satisfaisantes ont egalement ete essayees dans l'art anterieur pour regler la frequence de resonance de filtres a resonateurs supraconducteurs, notamment l'utilisation de materiaux ferroelectriques dont on fait changer la permittivite par application d'un champ electrique reglable (voir par exemple le document US-A-5 935 910), mais toutes les solutions proposees souffrent de graves problemes (en particulier l'utilisation de tels materiaux augmente les pertes par absorption des ondes electromagnetiques de haute frequence, ce qui a pour effet de reduire le coefficient de surtension du resonateur, en allant ainsi a l'encontre des avantages procures par l'emploi du materiau supraconducteur. La presente invention a notamment pour but de proposer un filtre comprenant au moins un resonateur supraconducteur dont la frequence de resonance soit reglable aisement et tres rapidement, de facon gable et stable, sans augmenter sensiblement l'encombrement et la masse du filtre et sans introduire de pertes electromagnetiques supplementaires. A cet effet, selon ['invention, un filtre du genre en question est caracterise en ce que le resonateur inclut au moins un element actif qui comprend au moins une partie commutable adaptee pour etre commandee par effet de champ pour etre soit supraconductrice, soit non supraconductrice dans des conditions de temperature predeterminees, le resonateur ayant une premiere frequence de resonance loreque la partie commutable audit element actif est supraconductrice et une deuxieme frequence de resonance lorsque ladite partie commutable de l' clement actif est non supraconductrice, et le filtre comportant en outre au moins un dispositif de commande electronique a effet de champ adapte pour rendre ladite partie commutable de l' clement actif soit supraconductrice, soit non supraconductrice. Grace a ces dispositions, la frequence de resonance du resonateur est reglable de facon precise, gable, rapide, aisee et stable. Ce reglage peut etre effectue lors de la fabrication ou de la mise en place du filtre dans une installation, et/ou de facon dynamique en cours d'utilisation. Le filtre selon l' invention peut etre utilise notamment: - dans les stations de base de telephonic cellulaire, - dans les recepteurs radio a tres haute selectivite, - dans toutes les applications necessitant une agilite en frequence, notamment pour assurer une reduction de la sensibilite au bruits electromagnetiques ou pour assurer une discretion ou une immunite aux contre-mesures, en technique radar ou radio. Dans des modes de real i sat ion preferes de linvention, on peut eventuellement avoir recours en outre a l'une et/ou a l'autre des dispositions suivantes: - le resonateur inclut un nombre n au moins egal a 2 d'elements actifs commandes par n dispositifs electroniques de commande permettant d'obtenir au moins n+1 frequences de resonance differentes; - le resonateur inclut des lignes supraconductrices couplees electromagnetiquement les unes aux autres, lesdites lignes supraconductrices incluant au moins une ligne active qui comprend au moins un element actif adapte pour faire varier une longueur supraconductrice de ladite ligne active; - ladite ligne active est couplee a une ligne supraconductrice adjacente par une certaine zone de couplage, ledit element actif appartenant a ladite zone de couplage et etant adapte pour faire varier une longueur de couplage supraconductrice entre ladite ligne active et ladite ligne supraconductrice adjacente; ladite zone de couplage de la ligne active comprend plusieurs elements actifs adaptes pour faire varier par increments la longueur de couplage supraconductrice de ladite zone de couplage; - le resonateur comprend plusieurs lignes actives; - la partie commutable audit element actif appartient a la ligne active; - la ligne active comprend au moins une zone de supraconductivite permanente dans lesdites conditions de temperature predeterminees et la partie commutable audit element actif est dopee chimiquement de facon differente de ladite zone de supraconductivite permanente pour ne pas etre a l'etat supraconducteur en l 'absence de champ applique par le dispositif de commande dans lesdites conditions de temperature predeterminees; - le dispositif de commande audit element actif comprend une premiere electrode en contact avec ladite partie commutable et une deuxieme electrode isolee de ladite partie commutable, pour pouvoir selectivement doper ou non la partie commutable par effet de champ lorsqutune difference de potentiel electrique est appliquee entre les premiere et deuxieme electrodes; - le dispositif de commande audit element actif comporte en outre une troisieme electrode en contact avec la zone commutable de l' clement actif, les premiere et deuxieme electrodes etant en contact avec deux zones de supraconductivite permanente de la ligne active qui vent reliees entre elles par ladite partie commutable (cette zone commutable constitue alors avec les premiere, deuxieme et troisieme electrodes un transistor supraconducteur a effet de champ). D'autres caracteristiques et avantages de l' invention apparaltront au cours de la description suivante d'une de ses formes de realisation, donnee a titre d'exemple non limitatif, en regard des dessins joints. Sur les dessins: - la figure 1 est une vue schematique d'un exemple de filtre a resonateur supraconducteur selon une forme de realisation de l 'invention, le resonateur de ce filtre comprenant une serie de lignes supraconductrices couplees les unes aux autres electromagnetiquement, - la figure 2 est une vue en coupe agrandie d'une des lignes supraconductrices appartenant au resonateur du filtre de la figure 1, - et la figure 3 est une vue similaire a la figure 2, dans une deuxieme forme de realisation de ['invention. Sur les differentes figures, les memes references designent des elements identiques ou similaires. Le filtre electronique 1 represente sur la figure 1 comprend au moins un resonateur 2 (ou plusieurs resonateurs, similaires ou non, permettant d'obtenir un gabarit de filtre souhaite) qui est constitue par une serie de lignes supraconductrices 3 couplees electromagnetiquement les unes aux autres, ces lignes supraconductrices etant deposees sur un substrat dielectrique 4 d'epaisseur d et de permittivite dielectrique relative E. L'epaisseur d peut etre comprise par exemple entre 10 m et 1 mm, notamment de l'ordre de 300 m, et la permittivite relative s peut etre comprise par exemple entre 2 et 100, notamment entre 2 et 10. Dans l'exemple particulier considere ici, toutes les lignes supraconductrices 3 vent sensiblement de meme longueur L, ces lignes s'etendent vent toutes paralleles et disposees a espacements reguliers e en etant decalees successivement l'une par rapport a lautre d'une longueur L' sensiblement egale a L/2 dans leur direction longitudinale, touj ours dans le meme sens X. Chaque ligne supraconductrice 3 s'etend dans le sens X entre une premiere extremite situee en regard de la ligne supraconductrice 3 precedente (sauf pour la premiere ligne supraconductrice), et une deuxieme extremite situee en regard de la ligne supraconductrice 3 suivante (sauf pour la derriere ligne supraconductrice). Comme il sera explique ci-apres, la longueur supraconductrice des lignes 3 est reglable autour d'une longueur LO moyenne, entre une longueur supraconductrice minimale et une longueur supraconductrice maximale egale a L. Dans l'exemple considere, le filtre est un filtre passe-bande a bande etroite centree sur une frequence fO loreque les llgnes supraconductrices 3 vent supraconductrices sur la longueur LO. La longueur LO de chaque ligne supraconductrice 3 vaut par exemple AO/2, ou AO est la longueur d'onde correspondent a la frequence fO susmentionnee (AO = v/fO, ou v est la celerite des ondes electromagnetiques dans le substrat dielectrique 4, celerite qui depend en particulier de la permittivite ú du substrat). Touj ours dans l'exemple considere: - le decalage L' entre deux bandes supraconductrices 3 successives est d' environ AO/4, de sorte que la longueur de recouvrement entre deux lignes supraconductrices successives 3 est egalement de l'ordre de AO/4, lorsque les lignes 3 vent supraconductrices sur toute leur longueur, - l'espacement e entre deux lignes supraconductrices 3 successives peut etre notamment compris entre lo m et 1 mm et par exemple de l'ordre 150 m, - et la largeur 1 des lignes supraconductrices peut etre notamment compris entre lo m et 1 mm et par exemple de l'ordre de 150 m. Bien entendu, l'espacement e entre deux lignes supraconductrices 3 et la largeur l des lignes supraconductrices 3 pourrait varier d'une ligne supraconductrice a l'autre. La premiere extremite de la premiere ligne supraconductrice 3 est reliee electriquement a une borne de connexion d' entree 5a, tandis que la deuxieme extremite de derriere ligne supraconductrice 3 est reliee a une borne de connexion de sortie 5b. En fonctionnement, le filtre est maintenu a une certaine temperature TO, par des moyens connus. La ligne supraconductrice 3 qui est reliee a la borne de sortie 5b peut etre constituee entierement d'une zone S qui est dopee chimiquement et/ou par effet de champ en permanence, de facon que toute cette ligne 3 soit a l'etat supraconducteur loreque le filtre 1 est maintenu a ladite temperature T0. Les autres lignes supraconductrices 3, appelees ci- apres "lignes actives" par souci de clarte, comprennent egalement une zone S qui est en permanence a l'etat supraconducteur a la temperature T0 et qui s'etend dans le sens X depuis leur premiere extremite, mais cette zone S s'interrompt avant la deuxieme extremite de la ligne 3. Entre la fin de cette zone S et la deuxieme extremite de la ligne 3 consideree, lesdites lignes actives comprennent egalement des zones successives A1, A2... An qui constituent des elements actifs pouvant etre commandes electriquement par dopage par effet de champ pour etre soit a lietat non supraconducteur, soit a l'etat supraconducteur a la temperature T0 a laquelle est maintenue le filtre 1. Ces elements actifs A1-An vent disposes en regard de la zone S de la ligne supraconductrice 3 suivante. Le nombre n est un entier au moins egal a 1 et de preference au moins egal a 2, avantageusement superieur a 10 et encore plus preferentiellement superieur a 100. Dans l'exemple considere, les n elements actifs de chaque ligne active constituent des zones successives ayant toutes une meme longueur dans la direction X (mats ces zones pourraient avoir des longueurs o differentes). Les elements actifs A1-An peuvent etre par exemple commandes tous de la meme facon et en synchronisme sur ['ensemble des lignes actives. On peut ainsi faire varier a volonte la longueur supraconductrice effective Li des lignes actives 3 par increments de a partir de leur premiere extremite et par vole de consequence leur frequence de resonance fit On peut aussi faire varier la longueur de couplage Ci (ciest-a-dire la longueur de recouvrement supraconductrice) entre deux lignes supraconductrices successives, par increments de 5. Ces variations permettent de regler la frequence de resonance fi du resonateur 2 (a une valeur eventuellement differente de f0), et egalement la bande passante du filtre 1. Ce reglage est effectue de facon simple, precise et tres rapide. A titre d'exemple, la longueur L0 peut etre de l'ordre de 25 mm pour un filtre travaillant a des frequences de liordre de 2 Gz, et la longueur peut etre de l'ordre de 1 m a 1 mm pour ces frequences (par exemple environ 10 a 200 m. On notera que chaque element actif A1-An pourrait le cas echeant comprendre, en eerie, une zone de materiau supraconducteur qui ne passe a l'etat supraconducteur a la temperature T0 que par effet de champ, et une zone similaire aux zones S susmentionnees, qui reste en permanence a l'etat supraconducteur a la temperature T0. On notera egalement que les elements actifs A1-An pourraient etre disposes aux premieres extremites des lignes 3 (sauf de la premiere) plutot qu'aux deuxiemes extremites. La structure d'une ligne supraconductrice 3 est representee plus en details sur la figure 2. Cette ligne supraconductrice 3 peut avantageusement etre une couche mince deposee sur le substrat 4 par epitaxie par jet moleculaire ("MBE"), sur une epaisseur h qui peut par exemple etre de l'ordre de quelques nanometres, par exemple 1 a 100 nm. Le materiau constitutif de la ligne supraconductrice 3 peut etre par exemple le materiau divulque dans la demande de brevet francais n 02 00936 deposee le 25 janvier 2002 au nom de la Societe WINTICI, ce materiau etant dope chimiquement de facon differente dans la zone S susmentionnee qui reste en permanence a l'etat supraconducteur a la temperature T0 et dans la zone 3a qui correspond aux elements actifs A1-An (figure 2). Dans cet exemple, le substrat 2 peut etre constitue par exemple de titanate de strontium SrTiO3 oriente (100) ou d'oxyde de magnesium (MgO), tandis que la couche de materiau actif 10 peut etre constituee notamment d'une phase de cuprate de calcium CaCuO2 cite phase infinie, dans laquelle vent inclus des reservoirs de charges, repartis de fa,con homogene et constitues par exemple d'oxyde de strontium SrO et d'oxyde de bismuth BiO. Pour plus de details sur la phase de cuprate de calcium CaCuO2 cite phase infinie, on se reportera par exemple a l' article de revue "The infinite layer family of superconducting cuprates" [M. Lagues, C. F. Beuran, C. Coussot, C. Deville Cavellin, B. Eustache, C. Hatterer, P. Laffez, V. Mairet, X.M. Xie and X.Z. Xu, Coherence in superconductors, p70, Ed. G. Deutscher & A. Revcoleschi (World Scientific 1996)]. Les reservoirs de charges fournissent des charges, electrons ou trous, susceptibles de doper la phase conductrice du materiau constituent les lignes supraconductrices 3, doper cette derriere. Le niveau de ce dopage depend notamment: - de la concentration en reservoirs de charges dans le materiau constituent les lignes supraconductrices 3 (il s'agit d'un dopage que l'on peut appeler dopage chimique, puisque dependent de la constitution du materiau), - et de ['application eventuelle d'un champ notamment electrique dans le materiau (dopage par effet de champ), comme decrit notamment par J.H. Schon et al. ("Superconductivity in CaCuO2 as a result of field-effect doping", Nature, Vol.414, page 434, Nov. 2001 et "Field Induced Superconductivity in a Spin-Ladder Cuprate", Science, Vol. 293, pages 2430-2432, Sept. 2001). La temperature de transition entre les etats supraconducteur et non supraconducteur de la phase cuprate varie en fonction de son niveau de dopage par des porteurs de charges, electrons ou trous. Ainsi: - le niveau de dopage chimique dans les zones S est choisi de facon que ces zones S soient a l'etat supraconducteur a la temperature TO a laquelle est maintenu le filtre 1, comme deja indique ci-dessus, - et dans les zones 3a (cites zones commutables) des elements actifs A1-An, le niveau de dopage chimique est adapte pour que le materiau soit normalement, a la temperature TO, non supraconducteur mais proche de la transition de l'etat non supraconducteur a l'etat supraconducteur: un dopage additionnel par effet de champ dans ces zones 3a provoque done la transition du materiau de son etat non supraconducteur a son etat supraconducteur. A titre d'exemple, pour une temperature TO=40K, le materiau des zones S peut etre dope chimiquement a 0,1 porteur de charges par maille CuO2 de facon a etre en permanence supraconducteur, tandis que le materiau des zones 3a peut etre dope chimiquement a un niveau de dopage de 0,05 porteur de charges par maille CuO2, ['application d'un champ electrique (par exemple de l'ordre de quelques 106 a 109 Volts/m) permet d' augmenter le niveau de dopage jusqu'a 0,1 porteur de charges par maille CuO2, en passant de l'etat non supraconducteur a l'etat supraconducteur. Dans lexemple represente sur la figure 2, le champ electrique est applique dans chaque zone A1, A2,... Ai,... An par un dispositif de commande 6 a effet de champ qui comprend deux electrodes 7, 8. Chacune de ces deux electrodes 7, 8 peut etre constituee par exemple par une couche mince d'or ou autre materiau conducteur depose notamment par epitaxie par jet moleculaire sur la ligne supraconductrice 3, sur une epaisseur qui peut typiquement etre comprise par exemple entre 10 et 1000 nm, notamment de l'ordre de 100 nm. Dans l'exemple considere, l' electrode 7 est deposee directement sur la ligne supraconductrice 3 correspondante, tandis que l' electrode 8 est isolee de ladite ligne supraconductrice et de l'autre electrode 7 par une couche mince de materiau isolant, par exemple de l'alumine AL203 ou du titanate de strontium SrTiO3, ou autre, depose notamment par epitaxie par jet moleculaire. Les deux electrodes 7, 8 de chaque dispositif de commande 6 vent reliees a des moyens de commandes exterieurs (non representes) par des lignes conductrices (egalement non representees) qui vent deposees sur le substrat 4 selon des techniques connues dans la realisation de circuits electroniques. Ces moyens de commandes exterieurs permettent de mettre les electrodes 7, 8 de chaque dispositif de commande 6, soit au meme potentiel electrique, auquel cas la zone de materiau 3a de l' clement actif Ai correspondent est a l'etat non supraconducteur, soit a des potentials electriques differents permettant d'appliquer au materiau de la zone commutable 3a correspondante un champ electrique faisant passer cette zone de l'etat non supraconducteur a l'etat supraconducteur. On notera que les electrodes 7, 8 des elements actifs successifs doivent etre connectees de facon que les potentials des electrodes successives 7, 8, 7, etc. soient alternes sur toute la longueur Li de la ligne 3 qui doit etre a l'etat supraconducteur (autrement dit toutes les electrodes 7 vent a un premier potentiel et toutes les electrodes 8 vent a un deuxieme potentiel sur toute cette longueur supraconductrice Li, allant de la premiere extremite de la ligne 3 a l' clement actif Ai). 3 0 En variante, comme represente sur la figure 3, chaque element actif Ai pourrait comprendre, en serie dans le sens X susmentionne: - une zone commutable 3a de la ligne supraconductrice 3 qui est normalement a l'etat non supraconducteur a la temperature T0 en l' absence de champ electrique applique, comme deja expliclte ci-dessus en regard de la figure 2, - et une zone de supraconductivite permanente 3b de la ligne supraconductrice 3 qui est similaire a la zone S susmentionnee et qui est en permanence a letat supraconducteur a la temperature TO. De plus, chaque element actif Ai de ce deuxieme mode de realisation comporte un dispositif de commande 11 qui comprend: - une premiere electrode 12, deposee directement sur la ligne supraconductrice 3, a cheval sur la zone 3a de l' clement actif Ai considere et sur la zone 3b de l 'clement actif precedent Ai-1 (ou, lorsque i=1, a cheval sur la zone 3a de ltelement actif A1 et sur la zone S de la ligne supraconductrice), une electrode 13 deposee directement sur la ligne supraconductrice 3 a cheval sur les zones 3a et 3b de lielement actif Ai, - et une electrode 14 deposee entre les electrodes 12 et 13 mais isolee desdites electrodes et de la ligne supraconductrice 3 par une couche isolante 15. Les electrodes 12, 13, 14 et la couche isolante 15 vent similaires aux electrodes 7, 8 et a la couche isolante 9 decrites ci-dessus en regard de la figure 2, et vent reliees de fac,on analogue a un dispositif de commande electronique exterieur (non represente). Le dispositif de commande 11 constitue, avec la zone 3a correspondante, un transistor supraconducteur a effet de champ dont la source est constituee par exemple par l' electrode 12, dont le drain est constitue par exemple par l' electrode 13 et dont la grille est constituee par l 'electrode 14, le canal de ce transistor a effet de champ etant constitue par la zone commutable 3a susmentionnee. Ainsi, a la temperature TO, tent que les electrodes 12 et 14 vent au meme potential, la zone commutable 3a reste a l'etat non supraconducteur et l' clement actif Ai se comporte comme une coupure de la ligne supraconductrice 3. En revanche, lorsqu'une difference de potentiel est appliquee entre les electrodes 12 et 14, la zone de materiau 3A devient supraconductrice et le transistor supraconducteur a effet de champ constitue par le dispositif de commande 11 et la zone de materiau 3a devient passant, de sorte que l 'clement actif Ai devient supraconducteur dans son ensemble et ne se comporte plus comme une coupure de la ligne supraconductrice 3. On notera que, dans la deuxieme forme de realisation de l' invention representee sur la figure 3, il serait possible de realiser des transistors supraconducteurs a effet de champ qui relient entre elles la zone S et les differentes zones 3b d'une meme ligne supraconductrice 3 active, autrement que par des zones de la ligne 3 ayant un dopage chimique different du reste de la ligne 3. En particulier, les transistors supraconducteurs a effet de champ en question pourraient etre constitues par des couches de materiau distinctes de la couche constituent la ligne 3, anquel cas les zones S et 3B de chaque ligne supraconductrice 3 serait separee les unes des autres et reliees les unes aux autres par les transistors supraconducteurs a effet de champ. Dans tous les exemples decrits ci-dessus, le materiau supraconducteur pourrait eventuellement etre a letat supraconducteur en l' absence de champ electrique, et non supraconducteur en presence du champ electrique de commande. Par ailleurs, on notera egalement que l'ordre de depot des differentes couches susmentionnees pourrait etre modifie sans pour autant sortir du cadre de l' invention: en particulier, les electrodes 7, 8, 12, 13 et 14 pourraient etre deposees sur le substrat 4, les lignes supraconductrices 3 etant alors deposees au dessus de ces electrodes, avec interposition des couches isolantes 9, 15, selon le cast Enfin, on notera que l' invention n'est pas limitee a exemple particulier de resonateur represente sur les dessins. En particulier, l 'invention est egalement applicable a un resonateur constitue de lignes supraconductrices couplees electromagnetiquement les unes aux autres, mais presentant des formes autres que rectilignes. Plus generalement, l' invention s'appliquerait egalement a tout autre resonateur supraconducteur qu pourrait etre raccorde selectivement a des composants tels que capacites, serfs ou autres par des elements actifs supraconducteurs similaires a ceux decrits ci-dessus afin de modifier sa frequence de resonance. REVENDICATIONS 1. Filtre comprenant au moins un resonateur supraconducteur (2), caracterise en ce que le resonateur inclut au moins un element actif (A1An) qui comprend au moins une partie commutable (3a) adaptee pour etre commandee par effet de champ pour etre soit supraconductrice, soit non supraconductrice dans des conditions de temperature predeterminees, le resonateur (2) ayant une premiere frequence de resonance loraque la partie commutable (3a) audit element actif est supraconductrice et une deuxieme frequence de resonance lorsque ladite partie commutable de ['element actif est non supraconductrice, et le filtre comportant en outre au moins un dispositif de commande electronique (6, 11) a effet de champ adapte pour rendre ladite partie commutable de ltelement actif soit supraconductrice, soit non supraconductrice. 2. Filtre selon la revendication 1, dans lequel le resonateur (2) inclut un nombre n au moins egal a 2 delements actifs (A1-An) commandes par n dispositifs electroniques de commande (6, ll) permettant d'obtenir au moins n+1 frequences de resonance differentes. 3. Filtre selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans loquel le resonateur inclut des lignes supraconductrices (3) couplees electromagnetiquement les unes aux autres, lesdites lignes supraconductrices incluant au moins une ligne active (3) qui comprend au moins un element actif (A1-An) adapte pour faire varier une longueur supraconductrice (Li) de ladite ligne active. 4. Filtre selon la revendication 3, dans lequel ladite ligne active (3) est couplee a une ligne supraconductrice adjacente (3) par une certaine zone de couplage, ledit element actif appartenant a ladite zone de couplage et etant adapte pour faire varier une longueur de couplage supraconductrice (Ci) entre ladite ligne active et ladlte ligne supraconductrice adjacente. 5. Filtre selon la revendication 4, dans lequel ladite zone de couplage de la ligne active (3) comprend plusieurs elements actifs (Al-An) adaptes pour faire varier par increments () la longueur de couplage supraconductrice (Ci) de ladite zone de couplage. 6. Filtre selon l'une quelconque des revendications 3 a 5, dans lequel le resonateur (2) comprend plusieurs lignes actives (3). 7. Filtre selon l'une quelconque des revendications 3 a 6, dans loquel la partie commutable (3a) audit element actif appartient a la ligne active (3). 8. Filtre selon l'une quelconque des revendications 3 a 7, dans lequel la ligne active (3) comprend au moins une zone de supraconductivite permanente (S; S,3b) dans lesdites conditions de temperature predeterminees et la partie commutable (3a) audit element actif est dopee chimiquement de fa,con differente de ladite zone de supraconductivite permanente pour ne pas etre a l'etat supraconducteur en l' absence de champ applique par le dispositif de commande, dans lesdites conditions de temperature predeterminees. 9. Filtre selon l'une quelconque des revendications 3 a 8, dans lequel le dispositif de commande (6, 11) audit element actif (Al-An) comprend une premiere electrode (7; 12) en contact avec ladite partie commutable (3a) et une deuxieme electrode (8; 14) isolee de ladite partie commutable, pour pouvoir selectivement doper ou non la partie commutable par effet de champ lorsqu'une difference de potentiel electrique est appliquee entre les premiere et deuxieme electrodes. 10. Filtre selon la revendication 8 et la revendication 9, dans lequel le dispositif de commande (11) audit element actif comporte en outre une troisieme electrode (13) en contact avec la partie commutable (3a) de l' clement actif, les premiere et deuxieme electrodes (12, 14) etant en contact avec deux zones de supraconductivite permanence (S. 3b) de la ligne active qui vent reliees