FR 2844135 A1 20040305 FR 0210868 A 20020903 1. L'invention concerne une diode électroluminescente, un support pour sa fabrication ainsi qu'un procédé de fabrication d'une telle diode électroluminescente. Elle concerne également un procédé pour générer dans la couche 5 émettrice d'une diode électroluminescente une microstructure périodique à l'échelle de la longueur d'onde de la lumière émise par la couche émettrice de lumière. Elle concerne aussi des écrans d'affichage incorporant ces diodes électroluminescentes. Les dispositifs d'affichage et, en particulier, les écrans d'affichage font actuellement l'objet de nombreux développements. Les diodes électroluminescentes organiques, encore connues sous leur abréviation OLED, constituent une technologie qui permet d'obtenir des affichages plus lumineux, moins chers et plus efficaces et qui 15 pourraient être utilisées notamment dans l'élaboration d'écrans d'affichage plats. Il existe actuellement trois structures basiques connues, qui sont montrées aux figures 1 à 3, de diodes électroluminescentes. Schématiquement, les OLED connues ont une structure à 20 empilement de couches, comprenant une couche formant anode en un matériau oxyde transparent conducteur, ci-après désigné TCO, une couche d'injection de trous, une couche de transport de trous, une couche émettrice de lumière, une couche de transport d'électrons et une couche formant cathode. L'oxyde transparent conducteur le plus utilisé à l'heure actuelle pour former l'anode est un oxyde mixte d'indium et d'étain, ci-après appelé ITO (correspondant à l'abréviation des termes anglais Indium Tin Oxide). Un inconvénient des OLED actuelles est leur faible efficacité d'émission lumineuse due à ce que la lumière émise par la couche 30 émettrice de lumière est piégée à l'intérieur de la structure de la diode en raison de l'effet bien connu de guidage d'ondes et sort vers l'extérieur seulement par les bords de la diode, là o cela n'est pas utile pour une application d'affichage. En effet, seule la sortie de lumière normale au plan d'émission au travers la couche en oxyde transparent conducteur (TCO) 35 est utilement pixélisée pour former l'image affichée par I'OLED. Un autre problème rencontré avec les OLED actuelles est la rugosité de l'anode transparente, cette rugosité provenant du procédé actuellement utilisé de dépôt par vaporisation sous vide du matériau la constituant. Cette rugosité crée de fortes variations locales de densité de 5 courant le long de la surface des pixels et donc un vieillissement accéléré de I'OLED. De plus, lorsque l'oxyde transparent conducteur constituant l'anode est l'ITO, les atomes d'indium de cette couche d'ITO ont tendance à migrer vers les couches l'entourant sous l'effet d'un champ électrique. La recherche d'une solution à cet autre problème a mené les 10 inventeurs à la mise au point d'une structure de diode électroluminescente telle que montrée en figure 4 et qui fait l'objet d'une demande de brevet séparée et déposée le même jour que la présente demande. La structure de diode électroluminescente représentée en figure 4 et décrite ci-après n'est pas une structure faisant partie de l'art antérieur 15 pour la présente demande mais représente seulement l'art interne aux demandeurs. Schématiquement, dans cette structure de la diode électroluminescente selon l'art interne des demandeurs, l'anode est constituée de deux couches superposées constituées chacune d'un oxyde 20 transparent conducteur différent ou identique, mais dans ce dernier cas les deux couches sont déposées par un procédé de dépôt différent, et ayant des propriétés qui sont plus détaillées ci-après. De plus, ces couches d'oxydes transparents conducteurs peuvent remplacer la couche d'injection de trous présente dans les OLED de l'art antérieur. Ainsi, l'invention a pour but principal de proposer des diodes électroluminescentes organiques ayant des pertes de lumière par les bords nettement diminuées. En résolvant le problème de la perte de lumière par les bords des OLED, l'invention permet également, dans certains modes de réalisation, de résoudre le problème lié à la rugosité de la couche 30 d'oxyde transparent conducteur constituant l'anode. Même plus, dans encore certains modes de réalisation de l'invention, non seulement le problème de la perte de lumière par les bords et le problème de la rugosité de la couche d'oxyde transparent constituant l'anode sont résolus mais également le problème de la migration de l'indium de l'ITO vers les 35 couches avoisinantes est résolu. A cet effet, l'invention propose une diode électroluminescente du type à structure à empilement de couches comprenant: - au moins une couche formant substrat, - au moins une couche formant anode, - au moins une couche d'injection de trous, - au moins une couche de transport de trous, - au moins une couche formant couche émettrice de lumière, - au moins une couche de transport d'électrons, et - au moins une couche formant cathode, 10 caractérisée en ce qu'elle comprend - au moins une couche en un matériau inorganique, déposée entre la au moins une couche formant substrat et la au moins une couche formant couche émettrice de lumière, et en ce que ladite couche en un matériau inorganique comporte, imprimée à sa surface, une structure périodique 15 à l'échelle de la longueur d'onde émise par ladite au moins une couche émettrice de lumière. Selon un premier mode de réalisation, ladite au moins couche en un matériau inorganique est une couche de SiO2 déposée entre la au moins une couche formant substrat et la au moins une couche formant anode. Selon un second mode de réalisation, ladite au moins couche en un matériau organique est une des couches formant anode. Selon un troisième mode de réalisation, ladite au moins couche en un matériau inorganique est une des couches formant couche d'injection de trous. De préférence, dans le second mode de réalisation, ladite au moins couche formant anode est une couche en oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO). Egalement, de préférence, dans le second mode de réalisation, ladite au moins couche formant anode est une couche en oxyde mixte 30 d'antimoine et d'étain (ATO). De préférence, dans le troisième mode de réalisation, ladite au moins couche formant couche d'injection de trous est une couche en oxyde mixte d'antimoine et d'étain (ATO). L'invention propose également un support pour la fabrication d'une diode électroluminescente qui, dans un premier mode de réalisation, est constitué d'un empilement des couches suivantes - au moins une couche formant substrat, - une couche de SiO2 comportant imprimée à sa surface une structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde voulue, et - au moins une couche formant anode. Cependant, le support de l'invention pour la fabrication d'une diode est constitué, selon un second mode de réalisation, d'un empilement des o10 couches suivantes: - au moins une couche formant substrat, - au moins une couche formant anode en un matériau inorganique et comportant imprimée sur sa surface supérieure une structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde voulue. Mais encore, le support de l'invention pour la fabrication d'une diode est constitué, selon un troisième mode de réalisation, d'un empilement des couches suivantes: - au moins une couche formant substrat, - au moins une couche formant anode, - au moins une couche formant couche d'injection de trous en un matériau inorganique et comportant imprimée sur sa surface supérieure une structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde voulue. L'invention propose encore un procédé pour générer une microstructure périodique à l'échelle de la longueur d'onde de la lumière 25 émise par la couche émettrice d'une diode électroluminescente, ladite diode électroluminescente étant constituée d'un empilement des couches suivantes: - au moins une couche formant substrat, - au moins une couche formant anode, - au moins une couche d'injection de trous, - au moins une couche de transport de trous, - au moins une couche formant couche émettrice de lumière, - au moins une couche de transport d'électrons, et au moins une couche formant cathode, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: a) dépôt par un procédé sol-gel d'au moins une couche en un matériau inorganique entre ladite au moins une couche formant substrat et ladite au moins une couche formant couche émettrice de lumière, et b) impression par lithographie douce de la structure périodique à l'échelle 5 de la longueur d'onde de la lumière émise par ladite au moins une couche formant couche émettrice, à la surface supérieure de ladite au moins une couche déposée à l'étape a). Dans une première variante de ce procédé, ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une couche de SiO2 déposée o10 directement sur ladite au moins une couche formant substrat. Dans une seconde variante de ce procédé, ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une des couches formant anode. De préférence, dans cette seconde variante de ce procédé, ladite au moins une des couches formant anode en un matériau inorganique est 15 en oxyde mixte d'indium et d'étain. Cependant, également, toujours dans cette seconde variante de ce procédé, ladite au moins une des couches formant anode en un matériau inorganique peut être un oxyde mixte d'antimoine et d'étain. Dans une troisième variante de ce procédé, ladite au moins une 20 couche en un matériau inorganique est une des couches formant couche d'injection des trous. De préférence, dans cette troisième variante de ce procédé, ladite une des couches formant couche d'injection des trous est une couche en oxyde mixte d'antimoine et d'étain. Dans toutes les variantes de ce procédé, ladite au moins une couche en un matériau inorganique est imprimée avant sa consolidation par chauffage. L'invention propose aussi un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente, caractérisé en ce qu'il comprend la génération d'une 30 microstructure, périodique à l'échelle de la longueur d'onde de la lumière émise par la couche émettrice, dans la couche émettrice d'une diode électroluminescente par le procédé selon l'invention décrit ci-dessus. L'invention propose encore un procédé d'une fabrication d'une diode électroluminescente, caractérisé en ce qu'il comprend une étape 35 d'utilisation du support de l'invention décrit ci-dessus. De plus, I'invention propose un écran d'affichage à diode électroluminescente, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une diode électroluminescente selon l'invention. Enfin, I'invention propose un écran d'affichage à diode 5 électroluminescente, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une diode électroluminescente comprenant le support de l'invention décrit ci-dessus. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, avantages et caractéristiques de celle-ci apparaîtront plus clairement à la lecture de la description explicative qui va suivre et qui est faite en référence aux 10 figures dans lesquelles: - la figure 1 représente schématiquement une vue en coupe d'une première structure d'OLED de l'art antérieur, - la figure 2 représente une vue schématique en coupe d'une seconde structure d'OLED de l'art antérieur, la figure 3 représente une vue schématique en coupe d'une troisième structure d'OLED de l'art antérieur, - la figure 4 représente une vue schématique en coupe d'une OLED selon l'art interne des demandeurs, - la figure 5 représente une vue schématique en coupe d'une OLED selon 20 un premier mode de réalisation de l'invention, - la figure 6 représente une vue en coupe d'une OLED selon un second mode de réalisation de l'invention, - la figure 7 représente une vue en coupe schématique d'une OLED selon un troisième mode de réalisation de l'invention, - la figure 8 représente une vue schématique en coupe d'une OLED selon un quatrième mode de réalisation de l'invention, - la figure 9 représente une vue schématique en coupe d'une OLED selon un cinquième mode de réalisation de l'invention, et - la figure 10 représente une vue schématique en coupe d'une OLED 30 selon un sixième mode de réalisation de l'invention. Ces figures sont des figures schématiques qui ne sont pas à l'échelle des structures réelles et qui ont pour seul but de mieux visualiser la génération des structures périodiques dans les OLED de l'invention. Ainsi, les épaisseurs réelles des différentes couches sont de l'ordre 35 de 10 à 100 nanomètres et la période de la structure périodique voulue est de l'ordre de 200 à 400 nanomètres, alors que ces dimensions sont inversées dans les figures. Tout d'abord, les structures des OLED existantes et connues dans l'art antérieur par l'article de Véronique DENTAN et al., C.R. Acad. Sci. 5 Paris, tome 1, série IV, pages 425-435, intitulé "Progress in molecular organic electroluminescent materials" seront expliquées en référence aux figures 1 à 3. La structure la plus complexe des OLED de l'art antérieur est la structure dite TL représentée en figure 1. Comme on le voit en figure 1, cette structure est une structure à empilement de couches comprenant du bas vers le haut: - une couche formant substrat 10, généralement en verre, - une couche formant anode 11 en un oxyde transparent conducteur, généralement de l'ITO, déposée, généralement par dépôt chimique en 15 phase vapeur, sur la surface supérieure de la couche formant substrat 10, - une couche formant couche d'injection de trous 12, déposée sur la surface supérieure de la couche formant anode 11, - une couche formant couche de transport de trous 13, déposée sur la 20 surface supérieure de la couche formant couche d'injection de trous 12, une couche formant couche émettrice de lumière 14, déposée sur la surface supérieure de la couche formant couche d'injection de trous 12, - une couche 15 formant couche de transport des électrons provenant de la cathode 16, déposée sur la surface supérieure de la couche formant 25 couche émettrice de lumière 14, et - une couche formant cathode 16, déposée sur la surface supérieure de la couche 15 formant couche de transport des électrons. Le second type basique de structure d'OLED est celui représenté en figure 2. Il s'agit du type d'OLED appelée DL-H. Comme on le voit en 30 figure 2, la structure des OLED DL-H correspond à la structure des OLED TL représentée en figure 1, sauf que la couche, notée 14' en figure 2, est en un matériau qui permet à cette couche 14' de jouer le rôle à la fois de la couche d'injection de trous, notée 13 en figure 1, et de la couche d'émission de lumière, notée 14 en figure 1. Le troisième type basique d'OLED existant actuellement est le type d'OLED appelé DL-E est représenté en figure 3. La structure des OLED DL-E correspond à la structure des OLED TL représentée en figure 1, sauf que dans les OLED DL-E, la couche, s notée 14" en figure 3, est en un matériau permettant à cette couche 14" de jouer à la fois le rôle de la couche émettrice de lumière, notée 14 en figure 1, et de la couche de transport d'électrons, notée 15 en figure 1. D'autres structures d'OLED ont été mises au point par les demandeurs. Ces structures sont décrites dans la demande de brevet 10 déposée le même jour que la présente demande qui vise à résoudre, d'une part, les problèmes liés à la rugosité de surface des couches d'oxyde transparent conducteur et déposée par un procédé de vaporisation sous vide formant l'anode des OLED de l'art antérieur, et, d'autre part, le problème lié à la migration de l'indium lorsque cet oxyde transparent 15 conducteur est l'ITO. Ces structures représentent uniquement l'art interne des demandeurs et n'ont jamais été divulguées avant le dépôt de la présente demande. Une de ces structures est montrée en figure 4. Pour résoudre les 20 problèmes liés à la rugosité de surface des couches d'oxyde transparent conducteur déposées par vaporisation sous vide pour former l'anode 11 d'une OLED, et pour éviter la migration des ions indium lorsque cette anode 11 est en ITO, vers les couches supérieures de l'OLED, les demandeurs ont découvert qu'en déposant sur la couche formant 25 anode 11 d'une OLED de l'art antérieur, une couche supplémentaire, notée 18 en figure 4, en un oxyde transparent conducteur différent de l'oxyde transparent conducteur constituant l'anode 11, par un procédé solgel, le problème lié à la rugosité de surface de l'anode 11 déposée dans l'art antérieur par vaporisation sous vide était résolu. En outre, en 30 choisissant convenablement l'oxyde transparent conducteur constituant la seconde couche 18, il est apparu qu'il était possible de limiter considérablement la migration de l'indium, lorsque l'anode 11 est en ITO, cette couche 18 servant d'écran à la migration de l'indium provenant de la couche d'ITO sous l'effet d'un champs électrique. De préférence cette 35 seconde couche 18 est en ATO. Les demandeurs ont également découverts que la couche formant anode 11 pouvait elle-même être déposée par un procédé sol-gel, auquel cas elle ne présentait pas la rugosité de surface des couches déposées par vaporisation sous vide. Comme cela est expliqué dans la demande de brevet déposée le même jour que la présente demande, les deux couches 11 et 18 peuvent à elles deux former l'anode ou encore, la couche 11 peut former l'anode et la couche 18 peut servir de couches d'injection de trous, auquel cas, dans la structure représentée en figure 4, la couche 12 n'est plus présente. Pour obtenir ces résultats, les deux types d'oxyde métallique transparent conducteur, constituant les couches 11 et 18 dans les structures représentant l'art interne des demandeurs, doivent être sélectionnés de sorte que la transmittance dans le visible de l'ensemble constitué par les deux couches 11 et 18 est au moins égale à 80 % et que 15 le travail d'extraction des électrons de la deuxième couche notée 18 est supérieur au travail d'extraction des électrons de la couche notée 11, et dans tous les cas supérieur à 4,6 électrons volts, et de préférence supérieur à 4,8 électrons volts. De manière avantageuse, la couche 11 est une couche en ITO 20 déposée par dépôt chimique en phase vapeur et la couche 18 est en ATO ou en ITO déposée par sol-gel. Cependant, les couches 11 et 18 peuvent être toutes deux déposées par sol-gel, auquel cas elles sont constituées de deux TCO différents. De plus, on l'a vu précédemment, la couche 18, lorsqu'elle est 25 en ATO, peut, dans certains cas, faire office de couche d'injection de trous. Dans tous les cas, les deux couches de TCO successives 11 et 18 peuvent être constituées de tout oxyde transparent conducteur, qu'il soit simple, mixte ou un mélange d'oxydes d'au moins un métal choisi dans le.30 groupe constitué par l'étain, le zinc, l'indium, associé, le cas échéant à au moins un élément choisi dans le groupe constitué par le gallium, l'antimoine, le fluor, l'aluminium, le magnésium et le zinc, cet élément entrant dans la composition de l'oxyde mixte ou du mélange d'oxydes ou agissant en tant qu'élément dopant de l'oxyde. A titre d'exemples de mélange d'oxydes, on citera - Ga-In-O, - Ga-In-Sn-O, - Zn-In-O, - Zn-In-Sn-O, - Sb-Sn-O, - Zn-Sn-O, - Mg-In-O, - Cd-In-O, Cd-Sn-O, - Cd-Sn-In-O, qui sont tous des oxydes mixtes d'au moins un métal choisi par le zinc, l'indium et l'étain. A titre d'exemples d'oxyde dopés, on citera l'oxyde d'étain dopé au fluor (SnO2:F) ou l'oxyde d'étain dopé à l'antimoine (SnO2:Sb) ou l'oxyde À15 d'indium dopé à l'étain (In203:Sn). Dans ce qui suit on désignera par les termes "oxyde mixte" aussi bien les mélanges d'oxydes et les oxydes dopés que les oxydes mixtes en eux-mêmes. Pour diminuer les pertes de lumière de la couche émettrice de 20 lumière 14, 14', 14", l'invention propose de générer une microstructure périodique à l'échelle de la longueur d'onde émise par la couche émettrice 14, 14', 14" dans cette couche émettrice de lumière 14, 14', 14", 14a. Selon l'invention, une telle structure périodique à l'échelle de la 25 longueur d'onde de la lumière émise par la couche émettrice est générée dans cette couche émettrice par impression de la structure périodique voulue dans une couche déposée entre la couche formant substrat 10 et la couche émettrice de lumière 14, 14', 14", elle-même. On connaît une méthode d'impression de microstructures 30 périodiques par photolithographie dans des couches de photorésists. Cependant, d'une part, la technique de la photolithographie est une technique coteuse qui ne peut pas s'appliquer facilement pour imprimer des microstructures sur des films à surface non plane. D'autre part, elle n'est directement applicable que pour des matériaux de type photorésists, 35 ces photorésists étant de plus difficilement adhérents ou déposables sur il des matériaux tels que le verre dont les substrats d'OLED sont souvent constitués. Pour pallier les inconvénients de l'impression de structures périodiques à l'échelle de la longueur d'onde émise par la couche 5 émettrice de la diode des OLED, inhérents à l'emploi d'un photorésist et à la technique de la photolithographie, I'invention propose d'imprimer cette structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde de la lumière émise par la couche émettrice dans une couche en un matériau inorganique déposée entre le substrat et la couche émettrice. Avantageusement, cette couche inorganique sera déposée par le procédé connu appelé sol-gel et l'impression dans cette couche de la structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde émise par la couche émettrice des OLED se fera par lithographie douce qui permet de pallier les limitations de la méthode d'impression par photolithographie. Les couches suivantes déposées sur la couche dans laquelle la microstructure périodique est imprimée, seront, elles, déposées par tout procédé approprié à l'exception du procédé sol-gel car un tel procédé lisserait la surface de la couche imprimée et la microstructure périodique ne se retrouverait pas dans la couche émettrice de lumière. Autrement dit, si on déposait par le procédé sol-gel, les couches présentes sur la couche imprimée elle-même, la structure périodique voulue ne serait pas générée dans la couche émettrice de l'OLED. En revanche, les couches déposées sous la couche imprimée pourront être déposées par tout procédé approprié qui apparaîtra à 25 I'homme de l'art, et en particulier par le procédé sol-gel. La lithographie douce ou "soft" lithographie est une méthode d'impression de couches mécaniquement déformables et est décrite dans le document "Soft Lithography", Younan Xia and George M. Whitesides (Angew. Chem. Int Ed. 1998, 37, 550-575). Afin de mieux faire comprendre l'invention, on va en décrire maintenant à titre d'exemples purement illustratifs et non limitatifs plusieurs exemples de réalisation. Dans ces exemples: - les couches dont la référence est uniquement un chiffre noté x ou un 35 chiffre noté x' ou x", représentent des couches dans lesquelles aucune structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde émise par la couche émettrice de lumière de l'OLED n'est ni imprimée ni générée. - les couches référencées par un chiffre noté x suivi de la lettre "a" représente les couches dans lesquelles la structure périodique à 5 l'échelle de la longueur d'onde de la lumière émise par la couche émettrice de l'OLED a été uniquement générée, et - les couches référencées par un chiffre noté x suivi de la lettre "b" sont des couches en un matériau inorganique dans lesquelles la structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde de la lumière émise par la 10 couche émettrice de l'OLED a été imprimée, de préférence par -lithographie douce. EXEMPLE 1: Un premier mode de réalisation de l'invention est représenté en figure 5. Dans cet exemple, l'OLED selon l'invention a la structure de l'OLED TL de l'art antérieur représentée en figure 1, sauf qu'elle comporte une couche supplémentaire, notée 17b en figure 5. Dans cet exemple, la couche formant substrat 10 est de préférence en verre et la couche supplémentaire notée 17b est en silice déposée par sol-gel. C'est dans cette couche 17b qu'a été imprimée par soft lithographie, la structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde émise par la couche émettrice de lumière de l'OLED représentée en 25 figure 5. La silice et le verre sont des matériaux parfaitement compatibles. De plus, la silice est également un matériau compatible avec le matériau constituant l'anode, notée 11a en figure 5, de préférence de l'ITO. Comme on le voit en figure 5, en raison de la présence de la couche supplémentaire 17b dans laquelle la structure périodique voulue 30 est introduite, on génère dans la couche émettrice de lumière, notée 14a, la même structure périodique voulue. En réalité la structure périodique voulue est générée dans toutes les couches déposées sur cette couche 17b. Pour obtenir la structure représentée en figure 5, le substrat 10 a 35 été recouvert par un procédé sol-gel d'une couche de silice. Alors que cette couche déposée par sol-gel est encore mécaniquement déformable, la structure périodique voulue a été imprimée dans cette couche de silice. Après cette impression, la couche est consolidée par chauffage. On obtient alors la couche 17b. Puis, les couches suivantes sont déposées 5 successivement comme dans le procédé de fabrication connu des OLED. Cependant, les couches suivantes devront être déposées par un autre procédé que le procédé sol-gel, pour les raisons exposées précédemment. On peut déposer une couche de SiO2, de la même façon, entre la couche formant substrat 10 et la couche formant anode 11 des OLED de 10 structure DL-H et DL-E représentées aux figures 2 et 3 respectivement et de telles structures sont des structures faisant partie de l'invention. De la même façon, tout matériau autre que la silice qui est compatible avec les matériaux formant le substrat et l'anode, qui peut être déposé par un procédé sol-gel, pourra être utilisé pour obtenir les structures d'OLED selon cet exemple. EXEMPLE 2: Un second mode de réalisation de l'invention est représenté en 20 figure 6. L'OLED représentée en figure 6 a la structure de I'OLED de type TL de l'art antérieur représentée en figure 1, sauf que dans ce mode de réalisation, c'est la couche formant anode 11 dans laquelle la structure périodique voulue a été imprimée. La couche formant anode comportant 25 la structure périodique voulue imprimée à sa surface est notée 11b en figure 6. Là encore, du fait de l'impression de la structure périodique voulue dans la couche formant anode 11b, la structure périodique voulue est générée dans la couche émettrice de lumière de l'OLED notée 14a. Là encore, la structure périodique n'est pas générée que dans la couche émettrice de lumière 14a mais dans toutes les couches déposées sur la couche formant anode 11b. Pour obtenir cette structure selon le second mode de réalisation de l'invention, on procède comme à l'exemple, c'est-à-dire que l'on dépose 35 par un procédé sol-gel une couche qui, au contraire de l'exemple 1, ne sera pas une couche de silice supplémentaire, non présente dans ce mode de réalisation, mais une couche formant anode en un oxyde conducteur, de préférence en ITO, sur la couche formant substrat 10. Avant consolidation du matériau d'ITO déposé par sol-gel, on 5 imprime par soft lithographie la structure périodique voulue. Puis, cette couche llb est consolidée par chauffage et les couches suivantes sont déposées par le procédé habituel de fabrication des OLED. On notera que dans ce mode de réalisation, le problème de la rugosité de la couche formant anode 11b en un oxyde conducteur 10 transparent, et plus particulièrement en ITO est également résolu, ce qui améliore encore les performances de l'OLED de l'invention. EXEMPLE 3: Une OLED selon un troisième mode de réalisation de l'invention est représentée en figure 7. L'OLED représentée en figure 7 a la structure de I'OLED de type TL de l'art antérieur représentée en figure 1, mais dans ce mode de réalisation, la couche d'injection.de trous, notée 12b en figure 7, a été 20 déposée par un procédé sol-gel et la structure périodique voulue a été imprimée par soft lithographie à la surface supérieure de cette couche 12b. Les étapes suivantes du procédé de fabrication de cette OLED sont, comme à l'exemple 1, la consolidation de la couche 12b et ensuite les 25 dépôts successifs des couches suivantes par un procédé autre que le procédé sol-gel. Cette couche formant couche d'injection de trous est une couche en un oxyde transparent conducteur différent de l'oxyde transparent conducteur constituant la couche formant anode, notée 11 en figure 6. De préférence, cette couche, notée 12b en figure 6, est en oxyde mixte d'antimoine et d'étain, noté ATO ci-après. En effet, on a vu précédemment lors de l'explication de l'art interne des demandeurs que pour résoudre le problème lié à la rugosité de la couche 11 en oxyde transparent conducteur déposée, dans l'art antérieur, 35 par dépôt chimique en phase vapeur, les demandeurs ont découvert qu'une telle couche, particulièrement une couche d'ATO, permet non seulement, du fait qu'elle est déposée par un procédé sol-gel, de pallier le problème de la rugosité de la couche 11 mais également de remplacer la couche d'injection de trous utilisée dans l'art antérieur. Comme dans les premier et second modes de réalisation décrits aux exemples i et 2 ci-dessus, en imprimant la structure périodique voulue dans cette couche d'un second oxyde transparent conducteur, la structure périodique voulue est générée dans la couche émettrice de lumière 14a, ce qui est le but recherché, tout comme elle est générée dans toutes les o10 couches déposées ensuite sur cette couche 12b. L'ajout de cette couche 12b permet de plus de résoudre le problème lié à la migration des ions indium vers les couches supérieures, comme cela était le cas dans l'art antérieur lorsque la couche 11 est en ITO. Ainsi, dans ce mode de réalisation, non seulement l'OLED présente des pertes de lumière de la couche émettrice de lumière, notée 14a, par les bords de l'OLED, mais les problèmes liés à la rugosité de la couche formant anode en oxyde transparent conducteur, et plus particulièrement en ITO ainsi que le problème de la migration des ions indium vers les 20 couches supérieures à partir de la couche formant anode 11, lorsque celleci est en ITO sont résolus. EXEMPLE 4 Une structure d'OLED selon un quatrième mode de réalisation de l'invention est représentée en figure 8. Cette structure correspond à la figure présentée en figure 4, c'està-dire une structure dans laquelle l'anode est constituée de deux couches superposées, notée 11 et 18 en figure 4, ici en deux oxydes transparents 30 conducteurs différents. Mais, dans cette structure, la structure périodique voulue a été imprimée dans la couche supérieure, notée 18 en figure 4, constituant, avec la couche 11 l'anode de l'OLED par soft lithographie. Dans ce mode de réalisation, la couche 18 a été déposée par sol35 gel, avant impression. Comme à l'exemple, après impression, cette couche est imprimée et consolidée par chauffage et les couches suivantes sont déposées par tout procédé approprié autre qu'un procédé sol-gel. Quant à la couche 11, qui forme avec la couche 18b l'anode, elle 5 pourra avoir été déposée aussi bien par dépôt chimique sous vide en phase vapeur que par sol-gel. Dans ce mode de réalisation, la couche 18b est réellement une des couches formant l'anode, contrairement au mode de réalisation illustré en figure 7 et décrit à l'exemple 3 ci-dessus dans lequel cette couche est la 10 couche d'injection de trous, notée 12a en figure 7. Dans ce mode de réalisation, comme dans le mode de réalisation décrit à l'exemple 3 et illustré en figure 6, tous les problèmes de perte de lumière par les bords de la couche émettrice de lumière, ainsi que de rugosité de la couche d'ITO, notée 11 en figure 8, déposée par dépôt 15 chimique sous vide en phase vapeur et de migration de l'indium constituant cette couche, notée 11 en figure 8, sont résolus. EXEMPLE 5 Une structure selon un cinquième mode de réalisation de l'invention est illustrée en figure 9. Cette structure correspond à l'OLED représentée en figure 4, c'està-dire une structure selon l'art interne des demandeurs. Dans ce mode de réalisation, c'est la première couche en oxyde 25 conducteur transparent, notée 11 en figure 4, qui a été déposée par solgel et à la surface de laquelle a été imprimée, par soft-lithographie la structure périodique voulue. Cette couche, notée llb en figure 9, est consolidée par chauffage et après cette consolidation, comme aux exemples précédents, les couches suivantes supérieures sont déposées 30 successivement par tout un procédé approprié, autre qu'un procédé solgel. Là encore, non seulement le problème des pertes de lumière par les bords de l'OLED mais également les problèmes de rugosité de la couche 11 et de migration des atomes provenant de cette couche vers les 35 couches supérieures sont résolus. EXEMPLE 6 La structure d'une OLED selon un sixième mode de réalisation de l'invention est décrite en figure 10. La structure de cette OLED correspond à la structure représentée en figure 4, mais dans cette structure une couche supplémentaire notée 17b en figure 10 a été introduite. Cette couche peut être, comme à l'exemple 1, une couche en silice déposée par sol-gel dans laquelle a été imprimée la structure périodique 10 voulue par soft lithographie. Là encore, les inconvénients principaux des OLED de l'art antérieur, à savoir la perte de lumière par les bords, le problème de la rugosité de surface de la première couche formant anode notée lla, en figure 10 et le problème de la migration des atomes à partir de cette couche 11a vers les 15 couches supérieures sont résolues. On le voit, le principe de l'invention pour résoudre le problème des pertes de lumière par les bords est le dépôt d'une couche par sol-gel ou par toute autre technique permettant une impression d'une structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde émise par la couche émettrice 20 d'une OLED ayant les avantages de la soft lithographie, entre la couche formant substrat 10 d'une OLED et la couche émettrice de lumière d'une OLED. Dans ces conditions, d'autres objets de l'invention comportant une telle couche sont des supports qui pourront être commercialisés et 25 fabriqués séparément et que l'acheteur utilisera pour la fabrication ultérieure d'OLED complètes, en y déposant les couches supplémentaires voulues. Selon l'invention, ces supports sont constitués, dans un premier mode de réalisation d'une couche formant substrat 10, revêtue d'une 30 couche en un matériau inorganique, de préférence en silice déposée, de préférence par sol-gel dans laquelle une structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde voulue a été imprimée par sol-gel, couche notée 17b en figure 1 et 10, cette couche 17b étant elle-même revêtue d'au moins une couche formant anode. Dans un second mode de réalisation, le support de l'invention est constitué d'une couche formant substrat notée 10 dans les figures et d'au moins une couche en un matériau inorganique, de préférence déposée par sol-gel, à la surface de laquelle la structure périodique voulue a été imprimée par soft lithographie. Dans le mode de réalisation, la couche en matériau inorganique ayant la structure périodique voulue imprimée à sa surface constitue l'anode. On comprendra que l'anode peut être constituée d'une seule 10 couche, notée llb en figure 6 ou de deux couches superposées, notées 11 et 18 en figure 10, I'une au moins de ces couches ayant été déposée par sol-gel et à la surface de laquelle la structure périodique voulue a été imprimée. Bien entendu, I'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation qui ont été décrits et illustrés. En particulier, bien que l'on ait décrit dans les exemples qui précèdent le substrat 10 comme constitué de verre, ce substrat pourra être tout autre matériau approprié qui apparaîtra à l'homme de l'art tel 20 que par exemple une vitrocéramique. Au contraire, I'invention comprend tous les équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons si celles-ci sont effectuées suivant son esprit. REVENDICATIONS 1. Diode électroluminescente du type à structure à empilement de couches comprenant: - au moins une couche formant substrat (10), - au moins une couche formant anode (11, 1la, 1lb; 18, 18a, 18b), - au moins une couche d'injection de trous (12, 12a, 12b; 18, 18a, 18b), - au moins une couche de transport de trous (13, 13a, 14'), - au moins une couche formant couche émettrice de lumière (14, 14', 10 14", 14a), - au moins une couche de transport d'électrons (15, 15a, 14"), et - au moins une couche formant cathode (16, 16a), caractérisée en ce qu'elle comprend: - au moins une couche (11, 12b, 17b, 18b) en un matériau inorganique, 15 déposée entre la au moins une couche formant substrat (10) et la au moins une couche formant couche émettrice de lumière (14, 14', 14", 14a), et en ce que ladite au moins une couche en un matériau inorganique (1lb, 12b, 17b, 18b) comporte imprimée à sa surface une structure périodique à 20 l'échelle de la longueur d'onde émise par ladite au moins une couche émettrice de lumière (14, 14', 14", 14a). 2. Diode selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une couche de 25 SiO2 (17b) déposée entre la au moins une couche formant substrat (10) et la au moins une couche formant anode (11a). 3. Diode selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une des couches 30 formant anode (11b, 18b). 4. Diode selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une des couches formant couche d'injection de trous (12b, 18b). 5. Diode selon la revendication 3, caractérisée en ce que ladite au moins une couche formant anode est une couche (11b) en oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO). 6. Diode selon la revendication 3, caractérisée en ce que ladite au moins une couche formant anode est une couche (18b) en oxyde mixte d'antimoine et d'étain (ATO). 7. Diode selon la revendication 4, caractérisée en ce que ladite au 10 moins une couche formant couche d'injection de trous est une couche (18b) en oxyde mixte d'antimoine et d'étain (ATO). 8. Support pour la fabrication d'une diode selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il est constitué d'un empilement des couches 15 suivantes: - au moins une couche formant substrat (10), - une couche de SiO2 (17b) comportant imprimée à sa surface une structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde voulue, et - au moins une couche formant anode (11a, 18a). 20 9. Support pour la fabrication d'une diode selon la revendication 1 ou 3, caractérisé en ce qu'il est constitué d'un empilement des couches suivantes: - au moins une couche formant substrat (10), - au moins une couche formant anode (11b, 18b) en un matériau inorganique et comportant imprimée à sa surface une structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde voulue. 10. Support pour la fabrication d'une diode selon la revendication 1 30 ou 4, caractérisé en ce qu'il est constitué d'un empilement des couches suivantes: - au moins une couche formant substrat (10), - au moins une couche formant anode (11), - au moins une couche formant couche d'injection de trous (18b) en un matériau inorganique et comportant sur sa surface supérieure une structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde voulue. 11. Procédé pour générer une microstructure périodique à l'échelle de la longueur d'onde de la couche émettrice d'une diode électroluminescente, ladite diode électroluminescente étant constituée d'un empilement des couches suivantes: - au moins une couche formant substrat (10), - au moins une couche formant anode (11, 11a, 11b; 18, 18a, 18b), - au moins une couche d'injection de trous (12, 12a, 12b; 18, 18a, 18b), - au moins une couche de transport de trous (13, 13a, 14'), - au moins une couche formant couche émettrice de lumière (14, 14', 14", 14a), - au moins une couche de transport d'électrons (15, 15a, 14"), et - au moins une couche formant cathode (16, 16a), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes a) dépôt d'au moins une couche (11, 12, 17, 18) en un matériau inorganique par un procédé sol-gel entre ladite au moins une couche 20 formant substrat (10) et ladite au moins une couche formant couche émettrice de lumière (14, 14', 14", 14a), et b) impression par lithographie douce de la structure périodique à l'échelle de la longueur d'onde de la lumière émise par ladite au moins une couche formant couche émettrice (14, 14', 14", 14a) dans la surface 25 supérieure de ladite au moins une couche déposée à l'étape (a). 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une couche de SiO2 (17, 17b) déposée directement sur ladite au moins une couche 30 formant substrat (10). 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une des couches (11, 11b, 18, 18b) formant anode. 35 " *. 2844135 22 14. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une couche formant anode (11, 11b) en oxyde mixte d'indium et d'étain (ITO). 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une des couches formant anode et est une couche (18) en oxyde mixte d'antimoine et d'étain (ATO). 16. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite au moins une couche en un matériau inorganique est une des couches (12, 12b, 18, 18b) formant couche d'injection des trous. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que ladite 15 une des couches formant couche d'injection des trous est une couche (18, 18b) en oxyde mixte d'antimoine et d'étain (ATO). 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 17, caractérisé en ce que ladite au moins une couche en un matériau 20 inorganique est imprimée avant sa consolidation par chauffage. 19. Procédé de fabrication d'une diode électroluminescente, caractérisé en ce qu'il comprend la génération d'une microstructure périodique à l'échelle de la longueur d'onde de la lumière émise par la 25 couche émettrice dans la couche émettrice d'une diode électroluminescente par le procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 18. 20. Procédé de fabrication d'une 30 caractérisé en ce qu'il comprend une étape l'une quelconque des revendications 8 à 10. diode électroluminescente, d'utilisation du support selon 21. Ecran d'affichage à diode électroluminescente, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une diode électroluminescente selon l'une 35 quelconque des revendications 1 à 7. 22. Ecran d'affichage à diode électroluminescente, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une diode électroluminescente comprenant le support selon l'une quelconque des revendications 8 à 10.