FR 2839828 A1 20031121 FR 0205908 A 20020514 revendications l0 a 12. -1 DISPOSITIF DE COMMANDE D'UN COMMUTATEUR/INTERRUPTEUR RAPIDE A GRILLE ISOLEE, DE FORT COURANT, ET COMMUTATEUR/INTERRUPTEURS D'IMPULSIONS COMPORTANT UN TEL DISPOSITIF DESCRIPTION Domaine technique La presente invention se rapporte a un dispositif de commande d'un commutateur rapide a grille isolee pour la commutation d'impulsions de fort courant, eventuellement de haute tension, et de faible duree. On entend par haute tension et fort courant, une tension allant de quelques centaines de volts a quelques dizaines de kilovolts et un courant allant de quelques amperes a quelques milkers d'amperes. Par faibles durees, on entend des durees de l'ordre de quelques nanosecondes a quelques centaines de nanosecondes. L' invention stapplique en particulier a la realisation de commutateurs/interrupteurs dans lesquels ces dispositifs de commande permettent la mise en conduction d'un nombre important d'etages montes en serie et constitues d'un grand nombre de transistors a grilles isolees branches en parallele pour la commutation dt impulsions de haute tension, de fort courant et de faible duree. L' invention concerne exclusivement la commande de 2s commutateurs/interrupteurs commandes en tension, c' est a dire qui comporte des transistors ou organes de commutation a grille(s) isolee(s). Etat de la technique anterieure Les dispositifs de commande de commutateurs d'impulsions comportent de facon connue d'une part, des moyens de mise en conduction du commutateur et d'autre part, des moyens dits de blocage qui mettent fin a la conduction du commutateur. On peut se reporter a ce sujet a la figure 1. Le montage represente schematiquement a la figure 1 comporte un commutateur a grille -2 isolee 2. Ce commutateur est equipe par exemple d'un transistor de type MOS (Metal-Oxyde-Semi-Conducteur) avec la reference 4. Le commutateur 2 a la fonction d'un interrupteur pour faire circuler un courant dans le circuit 6 qui comporte une charge 8 et un reservoir d'energie electrique 10 forme par un condensateur. Ce montage est prevu pour faire passer dans la charge 8 des impulsions breves de fort courant. Ainsi, lorsque le commutateur 2 est mis en conduction et se comporte comme un interrupteur ferme, des charges accumulees dans le condensateur 10 viennent s'ecouler rapidement dans la charge 8. 0 Le condensateur 10 et la charge 8 vent montes en serie dans un circuit qui est relic a des bornes 12 et 14 du commutateur 2, ces bornes correspondent respectivement au drain et a la source du transistor 4. Sur la figurel, vent representees egalement des capacites internee du commutateur 2. Une capacite 16 relic la source et le drain du transistor 4. Des capacites 18 et 20 relient respectivement le drain 12 et la source 14 a la grille 23 du transistor 4 suppose ideal. Un dispositif de commande 24 du commutateur 2 comporte d'une part des moyens de mise en conduction composes essentiellement d'une source de tension 26, d'un condensateur 28 et d'un interrupteur 30, et d'autre part, des moyens dits de blocage comportant un interrupteur 32. Les moyens de mise en en conduction et les moyens de blocage vent relies en parallele sur la grille 23, par 1'intermediaire d'une resistance de grille 34, et sur la source 14 du commutateur 2. Lorsque 2s l'interrupteur 30 se ferme, la source de tension 26 en parallele avec le condensateur 28 permet de faire circuler un courant dans la resistance 34 qui vient charger le condensateur de grille 20, ce qui provoque la mise en conduction du transistor 4. Les condensateurs 18 et 16 se decharge alors dans le transistor 4. A l' inverse, lorsque I'interrupteur 30 est ouvert et 1'interrupteur 32 ferme, le condensateur 20 se decharge a travers la resistance 34. Le transistor 4 passe alors dans un etat bloque ou il ntest plus conducteur. Un tel dispositif montre rapidement ses limites dans des applications ou l' on souhaite fournir des impulsions de fort courant et 3s de course duree. La mise en conduction rapide d'un transistor a grille -3 isolee necessite la fourniture d'un fort courant de commande pour charger la grille. A titre d'exemple, pour la mise en conduction d'un transistor du type IRF 840, apres un temps de reponse de 20 ns, il faut fournir une impulsion de courant de commande a la grille de 3A. Ainsi, dans un commutateur rapide susceptible de fournir des impulsions breves de fort courant et de haute tension, qui comporte par exemple une trentaine ou une soixantaine de ces transistors mis en parallele, il faut fournir un courant de commande de 90A ou de 180A. Ainsi lorsque l' on sonhaite commander plusieurs transistors a grille isolee en parallele, le dispositif de commande necessite une source de tension auxiliaire et un interrupteur de commande a fort courant et de faible inductance parasite. En se reportant encore a l'exemple de la figure 1, une telle source de tension auxiliaire est realisee par le condensateur 28. La source 26 vient charger le condensateur 28, puts, quand l'interrupteur est ferme, le condensateur 28 fournit le courant de grille necessaire a la commande du ou des transistors. Lorsque le nombre de transistors est important, il est necessaire de disposer d'un reservoir d'energie suffisant et ayant une inductance tres faible. Ceci impose ['usage de batteries de condensateurs de forte capacite ainsi que des pistes conductrices de distribution de l'energie dimensionnees en consequence. Ces composants supplementaires vent d'un cout eleve et ne permettent pas d'obtenir un dispositif dont la compacite est compatible avec une realisation integree. Un autre probleme qui se pose pour la commande d'un grand nombre de transistors relies en parallele, est celui d'une bonne repartition du courant de commande de chaque grille 23 entre les differents transistors 4 a grille isolee. Les transistors doivent en effet etre commandes simultanement. Le dispositif de commande doit done etre capable de fournir des courants de grilles identiques en meme temps; c'est a dire avec une dispersion de temps de l'ordre de la nanoseconde. Pour permettre un etablissement rapide d'un courant de grille circulant dans les resistances de grilles 34, les inductances de 3s cablage en serie avec chacune des grilles 23 de chaque transistor -4 doivent etre minimisees. Par exemple, il est souhaitable de ne pas depasser une valeur maximale de 30 nH pour ['inductance de cablage de chaque composant. Dans le cas de l'exemple precedent de la mise en parallele s de trente transistors du type IRF 840, il est tres difficile de generer un courant total de grille de 90A et de le distribuer a ['ensemble des grilles. En effet, l' inductance equivalente de ['ensemble des transistors doit etre inferieure a 1 nH pour avoir une inductance equivalente par grille de 30 nH. Une solution pourrait etre envisagee en implantant les differents transistors a grille isolee de maniere circulaire, le dispositif de commande etant alors place au centre. Une telle methode, connue pour les transistors bipolaires, permet une circulation radiale des courants de commande et de puissance avec une inductance equivalente faible. Une telle structure n'est cependant pas adaptee pour la mise en serie et en parallele d'un grand nombre de transistor a grille isolee car les interconnexions entre les differents composants disposes circulairement vent delicates a mettre en aeuvre et le volume de ['ensemble devient tres important. La presente invention a done comme objet de proposer un dispositif de commande susceptible de commander un commutateur qui comporte un grand nombre de transistors mis en serie et/ou en parallele. Un autre objet de la presente invention est de proposer un commutateur capable de commuter des impulsions de fort courant et de faible duree et qui ne presente pas les inconvenients mentionnes ci-dessus. Un autre objectif encore est de fournir un commutateur qui soit a la fois gable, compact et d'une realisation simple. Expose de l' invention Pour atteindre ces objectifs, I' invention concerne plus particulierement un dispositif de commande d'un commutateur rapide a grille isolee pour la commutation d'impulsions de fort courant et de 3s faible duree dans un circuit dit de charge, comportant des moyens de mise en conduction du commutateur et des moyens dits de blocage du commutateur. Selon l' invention, les moyens de mise en conduction comportent un circuit de commande pour deriver du circuit de charge un courant de mise en conduction du commutateur vers une electrode de commande 22 du commutateur, et un ecreteur 39 pour limiter la tension de ['electrode de commande. Le circuit de commande comporte, par exemple, au moins un interrupteur connecte entre une electrode de commande 22 et une premiere electrode principale du lo commutateur, la premiere electrode principale 12 etant reliee a un potentiel superieur a celui d'une seconde electrode principale 14 dans le circuit de charge 6 comportant la charge 8. Ainsi le courant de commande de grille(s) 23,dans 1'electrode de commande 22 est derive a partir du circuit de charge 6 qui comporte de toute facon un important reservoir d'energie electrique pour fournir le courant de la charge 8. L'ecreteur 39 peut etre une diode Zener branchee a ['entree du commutateur entre ['electrode de commande 22 et la seconde electrode principale 14. Sa fonction est de limiter la tension de I'electrode de commande 22, c'est a dire la tension entre 1'electrode de commande 22 et la seconde electrode principale 14. En effet, lorsque la tension d'ecretage de l'ecreteur 39 est atteinte, par exemple 20 volts, I'ecreteur derive le courant de commande vers la seconde electrode principale 14 et evite ainsi toute deterioration du commutateur. Pour rendre pleinement conducteur le commutateur, il convient de disposer sur lt electrode de commande 22 d'une tension suffisante. Cette tension de commande, mesuree par rapport a la seconde electrode principale 14, est generalement une tension superieure a 10 volts environ. Ainsi, selon un aspect de ['invention le commutateur presente preferentiellement une resistance interne ainsi qu'une inductance (impedance) adaptees au courant des impulsions, de sorte que le commutateur presente entre ses electrodes principales 12 et 14, ctest a dire les electrodes principales, c'est a dire les electrodes reliees -6 dans le circuit de charge 6, une tension inferieure a 50 volts, lors d'une impulsion, ctest a dire a l'etat passant (etat pleinement conducteur du commutateur). Ceci permet une commutation rapide. Pour un courant dtimpulsion compris entre 10A et 50A, la s resistance interne est. par exemple de 1Q, on a de 10 volts a 50 volts entre les electrodes principales 12 et 14. Lorsque la tension entre les electrodes principales 12 et 14 est superieure a 50 volts, les composants du commutateur fonctionnent generalement dans un mode lineaire et ne vent pas veritablement a l'etat conducteur. Le commutateur 2 peut comporter un ou plusieurs transistors a grille isolee 4, c'est a dire commandes en tension. II est possible d'utiliser des transistors a effet de champ a grille metallique isolee de type MOS par exemple (Metal-Oxyde-S em i-conductor) ou des transistors bipolaires a grille isolee du type IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). La premiere electrode principale 12 et la seconde electrode principale 14 et 1'electrode de commande 22 correspondent respectivement au drain 12, a la source 14, et a la grille 23 (par la resistance 34) du ou des transistors. Dans la suite du texte et par extension, on entend par drain aussi bien lt electrode principale d' un transistor de type MOS que le collecteur d'un transistor bipolaire a grille isolee (IGBT). Par source, on entend la seconde electrode principale d'un transistor MOS ou l'emetteur d'un transistor bipolaire a grille isolee (IGBT). Parmi les transistors a effet de champ on peut utiliser de facon 2s preferentielle les transistors a effet de champ a canal N. ct est a dire dans lequel les porteurs majoritaires vent des electrons. Ainsi, le drain 12 est relic a un potentiel superieur a celui de la source 14. Selon que l'on souhaite produire des impulsions de haute tension ou de fort courant, le commutateur peut comporter une pluralite de transistors montes en parallele ou en eerie, ou en parallele et en eerie. Selon un aspect de ['invention, les moyens de mise en conduction peuvent comporter une diode 42 montee en serie avec un interrupteur 3 8 et connectee par son anode a la premiere electrode principale 14 du commutateur La diode 42 empeche la decharge du condensateur de -7 grille 20 lorsque la tension du ou des drains 12 des transistors 4 devient inferieure aux tensions des grilles 23. Selon un autre aspect de l' invention, les moyens de mise en conduction peuvent comporter egalement un ecreteur 44 monte en parallele sur 1'interrupteur 38 afin de limiter la tension de 1'electrode de commande 22 du commutateur. L'invention concerne aussi un commutateur d'impulsions rapide de fort courant et de faible duree, comportant une pluralite de transistors a grille isolee. Les transistors a grille isolee vent repartis en des lo groupes de transistors a grille isolee montes en serie et/ou en parallele, et commandes par des dispositifs de commande respectivement associes a chaque groupe, les dispositifs de commande etant conformes a ['invention. Les groupes de transistors peuvent etre relies entre eux en parallele et/ou en eerie. II est possible egalement de realiser une combinaison de groupes dont certains vent relies en parallele et d'autres en eerie. Grace a ['invention, le dispositif de commande ne necessite plus une source de tension autonome ni une source de tension auxiliaire telle que decrite dans ce qui precede. Le courant de commande est directement fourni par le circuit principal 6 qui est commande. Ainsi, le reservoir d'energie electrique du circuit principal 6 qui fournit le courant necessaire aux impulsions dans la charge 8, fournit egalement le courant de commande dans ['electrode de commande 22 et dont 1'intensite reste tres faible comparativement a celle du courant dans le circuit de charge 6. Breve description des figures O La figure 1, deja decrite, est une vue schematique simplifiee d'un commutateur dtimpulsion et d'un dispositif de commande du commutateur conforme a 1'art anterieur; La figure 2 est un schema simplifie d'un commutateur permettant dtillustrer le principe de la presente invention; La figure 3 est un schema simplifie representant les principaux elements du commutateur et du dispositif de commande conformes a 1'invention; -8 La figure 4 est un schema de cablage du dispositif de commande et du commutateur selon ['invention; La figure 5 est un schema de cablage d'un commutateur comportant une pluralite de transistors relies en serie et en parallele et une pluralite de dispositifs de commande pour les transistors. Description detaillee de modes de mise en ceuvre de ['invention Des elements commune a differentes figures decrites dans la description portent les mCme references. Le schema de la figure 2 represente un commutateur 2 identique a celui de la figure 1 et des moyens de mise en conduction 36 qui permettent d'illustrer le principe de ['invention. Les moyens de mise en conduction comportent de facon tres simplifiee un interrupteur 38 en serie dans un circuit, comprenant 1'electrode de commande 22, qui relic la borne 1 2 du drain a la resistance de grille 34; elle-meme reliee a la grille 23 du commutateur 2. Conformement au principe de l' invention, c'est le courant issue du circuit principal 6 qui est utilise pour la commande du commutateur. Lorsque l'interrupteur 3 8 se ferme, un courant circule de la borne 12 vers la borne de grille 23 et provoque la charge du condensateur de grille 20. Le condensateur 18 se decharge sur lui-meme par l'intermediaire de l'interrupteur 38. Lorsque le transistor conduit, il permet aussi la decharge du condensateur 1 6. La figure 3 est un schema plus complet montrant les elements fonctionnels d'un dispositif de commande conforme a ['invention. Le commutateur 2 comporte soit un seal, soit une pluralite de transistors 4 relies en parallele, bien que la figure nten represente qu'un senl, Ces transistors vent du type commandes en tension, ctest a dire des transistors a grille isolee. I1 s'agit, par exemple, de transistors du type metal-oxyde-semiconducteur MO S. de transistors bipolaires a grille isolee du type IGBT ou tous autres composants a grille isolee. Chaque transistor 4, constituent le commutateur 2, a sa propre grille 23 reliee par sa propre resistance de grille 34 a une electrode commune de commande 22 du commutateur 2. Ce dispositif de commande comporte tout d'abord des moyens de mise en conduction 36 avec un interrupteur 38. L'interrupteur, par exemple un transistor a effet de champ, est commande par un circuit de commande 36 qui sera decrit plus en detail dans la suite de la description. Le dispositif de commande comporte aussi des moyens 40 dits de decharge pour suspendre la conduction du commutateur 2. Une diode 42 est branchee entre 1'interrupteur 38 et le drain 12 du commutateur 2 auquel elle est reliee par son anode. La diode 42 empeche la decharge du condensateur de grille ou des condensateurs de grille du commutateur 2 lorsque la tension de drain a la borne 12 devient inferieure a la tension de la borne 22 lors d'une impulsion dans la charge 8, la borne 22, cite electrode commune de commande de grille 22 du commutateur 2 et correspondent a la grille 23 de chaque transistor 4 du commutateur 2 par 1'intermediaire de chaque resistance de grille 34. Le dispositif de commutation comporte enfin des moyens ecreteurs 39 qui permettent de limiter la tension entre la borne 22, cite electrode commune de commande du commutateur 2, et la borne 14, limitant ainsi la tension entre les grilles 23 et les sources 14 des transistors 4 du commutateur 2 a une valeur inferieure a la specification du constructeur de ces composants. Des moyens de blocage 40, decrits dans la suite de la description vent egalement connectes entre les bornes 22 et 14. La figure 4 montre de fa,con plus detaillee un schema de cablage 2s du dispositif conforme a 1'invention. On retrouve des elements des figures precedentes et en particulier l'interrupteur 38 qui est par exemple un transistor du type IRF 840, le commutateur 2 qui comporte dans l'exemple de la figure huit transistors 4, branches en parallele. Les sources et les drains des transistors vent respectivement relies entre eux et relies aux bornes 12 et 14 du commutateur 2. L'interrupteur 38 est relic a la borne 12 par 1'intermediaire de la diode 42; et la grille 23 de chaque transistor 4 est reliee a ltelectrode commune de commande 22 de grilles par 1'intermediaire respectivement d'une resistance de grille 34. -10 Une resistance de grille 34 est associee a chaque transistor 4 afin d'obtenir des courants de commande distribues de facon uniforme entre les differents transistors 4 du commutateur 2. Des diodes d'ecretage 44, 39 vent respectivement branchees entre I'electrode commune de commande 22 et la cathode de la diodes 42 et entre ['electrode commune de commande 22 et la source 14 des transistors 4 du commutateur 2. Les moyens de blocage 40 destines a faire passer les transistors du commutateur 2 dans un etat de blocage sont, dans 1'exemple de la figure 4, simplement realises avec une resistance 48 branchee en parallele sur ltecreteur 39, c'est-a-dire aux bornes 22 et 14 du commutateur 2. La resistance 48 permet de decharger le condensateur et de provoquer ainsi le blocage du transistor 4. Une autre resistance 50 est branchee en parallele sur les moyens ecreteurs 49, soit entre la grille 21 et ['electrode 22 reliee a la source du transistor de l'interrupteur 38. Cette resistance 50 permet egalement le blocage du transistor 38 lorsque le courant de commande a ete envoye au transistor 4. A titre d'exemple, les resistances 48 et 50 ont des valeurs respectivement de 100 Q et de 1 kQ. Un circuit de commande 37 comporte un etage 52, generateur d'impulsions de commande, dit de basse tension qui fournit des ordres de commande a l'interrupteur 38 par 1'intermediaire d'un transformateur d'impulsions 54 et une diode 56 dont la cathode est reliee a la grille 21 du transistor de I' interrup teur 38. Le transformateur dtimpulsions 54 comporte par exemple un tore (muni d'un bobinage et) traverse par un cable de haute tension qui constitue l'etage primaire 55 du transformateur. Le bobinage du tore constitue le secondaire 53. Le transformateur 54 permet de realiser une isolation galvanique entre le commutateur 2 et 1'etage generateur d'impulsions de basse tension 52. Finalement, sur la figure 4, on peut distinguer globalement trots parties, d'une part l'etage de basse tension 52 avec le transformateur d'impulsions 54, puis un etage 58 qui comporte l'interrupteur 38 et enfin un etage forme par le commutateur 2 comportant les transistors 4. Le deuxieme etage qui comporte 1'interrupteur 38 est designe dans la suite de la description -1 1 par lot et porte la reference 58. On designe par lot ['ensemble des composants qui realise le dispositif de commande pour un commutateur comprenant un ou plusieurs transistors a la grille isolee 4. Des bornes de l'lot 58 portent les references 58i, 58j, 58g, 58s et 58d correspondent respectivement aux connexions au transformateur 54, et aux electrodes de commande de grilles 22 (resistances de grilles 34 et grilles 23), sources 14 et drains 12 (figure 5) De la meme facon et pour des raisons de clarte, sur la figure 5 qui donne un exemple de cablage de commutateur comportant un grand nombre de transistors, des blocs de references 60 representent chaque fois un transistor 4 associe a une resistance 34 reliee a la grille 23 du transistor. Les blocs 60 vent simplement designee dans la suite de la description par transistors 60. La figure 5 donne un modele de cablage qui stapplique particulierement bien pour une implantation des transistors sur un circuit imprime sous forme d'une matrice. Dans cette matrice, les lignes vent constituees par des transistors a grille isolee montes en parallele, tandis que les colonnes vent constituees par des transistors mis en eerie. Dans ltexemple de la figure 5, le montage comporte deux lignes, la ligne 62 correspondent a un premier groupe 64 de vingt-quatre transistors 60 montes en parallele. L'ensemble des transistors du groupe 64 ont leurs drains 12 relies a la ligne 62. Une ligne de commande 62' (correspondent a 1'electrode de commande de grille 22 2s de la figure 4) est reliee respectivement a chaque grille 23 des transistors 60. L'ensemble des sources respectivement de chaque transistor 60 du groupe 64 vent relies entre eux et egalement a une ligne 66 a laquelle vent egalement connectes tous les drains d'un second groupe 68 de transistors 60. De meme que pour le premier groupe, les transistors du groupe 68 ont leurs grilles reliees a une ligne de commande 66' et leurs sources respectivement a une ligne 70. Dans le cas present, les groupes 64 et 68 de transistors vent relies en eerie. La ligne 62 est par exemple reliee a une source de 3s haute tension ou a un reservoir d'energie electrique susceptible de -12 fournir des impulsions de fort courant et la ligne 70 est relic a la masse. Dans d'autres applications, il est bien sur possible de mettre en serie et en parallele un nombre de groupe de transistors plus important. Pour la commande des quarante-huit transistors des groupes 64 et 68, le montage comporte six ilots 58, c'est-a-dire six dispositifs de commande. Les sorties 58d, 58g et 58s de chaque 1ot vent respectivement reliees a des lignes correspondent aux drains 12, aux grilles 23 et aux sources 14 des transistors 60. Les sorties 58d vent reliees, de telle maniere, aux lignes 66 et 62 que de part et 0 d'autre des connexions 72 de la sortie 58d sur cette ligne, se trouvent chaque fois quatre transistors. Ainsi, chaque ilot est destine a la commande de huit transistors connectes respectivement de part et d'autre de la connexion 72 des sorties 58d respectivement sur les lignes 66 et 62. On peut ainsi definir dans les groupes 64 et 68 des sous-groupes de hu it trans istors en p ar allele as s oc ies chaque fo is a un ilot de commande. Cette repartition des transistors sur differents ilots de commande bien que ['ensemble des transistors soit relies en parallele, permet une tres bonne distribution des courants de commande et done une commande simultanee de 1'ensemble des transistors. Les sorties 58i et 58j des ilots 58 vent respectivement reliees a des enroulements secondaires 53 d'un transformateur 54 dont l'enroulement primaire 55 est relic a l'etage de basse tension 52. Pour des raisons de clarte de la figure 5, certains enroulements secondaires 53 (en trait mixte) du 2s transformateur 54 ne vent pas representes en face de 1'enroulement primaire 55 relic a 52. Ces enroulements 53 font toutefois partie du transformateur 54 et cooperent avec ltenroulement primaire 55. Dans le cas de la figure 5, le courant de commande peut atteindre 72A. Grace a l'utilisation d'llots et de dispositifs de commande conformes a 1'invention il est possible avec un nombre de composants tres limite de fournir le courant necessaire. De larges connexions de drain et de source en cuivre, s'etendant sur toute la largueur du circuit imprime permettent en outre, grace a ['invention, de minimiser les inductions parasites et de provoquer la commutation synchrone de 3s tous les transistors a grilles isolees. -13 REVENDICATIONS 1. Dispositif de commande d'un commutateur (2) rapide a grille i isolee pour la commutation d'impulsions de fort courant et de faible duree dans un circuit (6) dit de charge, comportant des moyens de mise en conduction (36) du commutateur et des moyens (40) dits de blocage du commutateur (2), caracterise en ce que, les moyens de mise en conduction comportent un circuit 0 de commande pour deriver du circuit de charge (6) un courant de mise en conduction du commutateur (2) vers une electrode de commande (22) du commutateur, et un ecreteur (39) pour limiter la tension de ltelectrode de commande. 2. Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que le commutateur (2) presente une resistance ainsi qutune inductance (impedance) interne adaptees au courant des impulsions, de sorte que le commutateur (2) presente, entre ses electrodes principales (12, 14) reliees au circuit de charge (6), une tension inferieure a volts, lors d'une impulsion, c'est a dire a l'etat passant et pleinement conducteur, permettant ainsi une commutation rapide. 3. Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que le circuit de commande comporte au moins un interrupteur (3 8) connecte entre une electrode de commande (22) et une premiere electrode principale ( 12) du commutateur, la premiere electrode principale(12) etant reliee a un potentiel superieur a celui d'une seconde electrode principale (14) dans le circuit de charge (6), 4. Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que le commutateur (2) comporte au moins un transistor a grille isolee (4), la premiere (12) et la seconde electrode (14) correspondent respectivement au drain, a la source du transistor (4), ['electrode de commande (22) correspondent a la grille (23) du transistor (4) par la resistance (34), 5. Dispositif selon la revendication 4, caracterise en ce que le transistor a grille isolee (4) est choisi dans le groupe consistent -14 en les transistors de type MOS et les transistors de type IGBT ou tous autres composants a grilles isolees, 6. Dispositif selon la revendication 4, caracterise en ce que le commutateur (2) comporte une pluralite de transistors (4) montes s en parallele et/ou en eerie, la premiere electrode (12), la seconde electrode (14) et 1'electrode de commande (22) etant respectivement reliees aux drains, source et grille (23) de chaque transistor (4), 7. Dispositif selon la revendication 3, caracterise en ce que l'interrupteur (38) est un transistor a effet de champ, 8. Dispositif selon la revendication 7, caracterise en ce que les moyens de mise en conduction comporte une diode (42) montee en serie avec l'interrupteur (38) et connectee par son anode a la premiere electrode principale (12) du commutateur (2), 9. Dispositif selon la revendication 3, caracterise en ce que les moyens de mise en conduction comporte un ecreteur (44) montee en parallele sur l'interrupteur (38) pour limiter la tension de ['electrode de commande (22). 10. Commutateur d'impulsions de fort courant et de faible duree comportant une pluralite de transistors a grille isolee (4), caracterise en ce que les transistors a grille isolee (4) vent repartis en des groupes de transistors a grilles isolees montes en serie et/ou en parallele, et commandes par des dispositifs de commande (58) respectivement associes a chaque groupe, les 2s dispositifs de commande etant conformes a 1'une quelconque des