FR 2842325 A1 20040116 FR 0208652 A 20020709 PROCEDE DE MODELISATION MATHEMATIQUE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES ET SON UTILISATION POUR LA SIMULATION, LA DETERMINATION DE GEOMETRIE ET LE DIAGNOSTIC DE DEFAUTS DE CES COMPOSANTS. L'invention concerne un procédé et un dispositif de création et d'exploitation de modèle mathématique d'un composant électronique, permettant par exemple de modéliser le comportement électrique du composant en fonction de ses paramètres intrinsèques, par exemple ses paramètres géométriques, et/ou de ses paramètres extrinsèques, par exemple ses tensions d'entrée, tel que la tension de programmation (Vpp) dans le cas d'un transistor d'une cellule de mémoire programmable. A partir d'une telle modélisation, il devient possible de déterminer une géométrie appropriée, et de diagnostiquer les éventuels défauts d'un composant. Le modèle mathématique peut être considéré comme une égalité entre d'une part au moins une grandeur de sortie pertinente d'un composant et d'autre part une expression, par exemple sous forme d'équation polynomiale, des paramètres géométriques de ce composant. A titre indicatif, l'invention peut être mise en oeuvre avantageusement dans le cadre des mémoires semiconducteurs telles que les mémoires programmables effaçables électriquement, connues par l'acronyme anglais de EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory), o elle permet de porter une analyse au niveau des cellules élémentaires. Dans ce contexte, l'évolution du marché des dispositifs portatifs tels que des cartes à puce ou des supports de communication mobile influe directement sur l'utilisation des mémoires EEPROM. En effet, celles-ci sont devenues au cours des dernières années la solution pour toute application faisant appel à une mémoire semiconducteur non-volatile. L'élément de base d'une cellule de mémoire EEPROM est un transistor à grille flottante, connu par l'acronyme anglais FGT (floating gate transistor), dont la tension de seuil VT peut subir une transition entre un état haut et un état bas, ces états correspondant à des valeurs logiques respectives de la cellule. Une telle transition de la tension VT s'opère lorsque la cellule est programmée par une opération d'écriture ou d'effacement. Lorsqu'une charge électrique négative est stockée au noeud auquel se situe la grille flottante, la tension VT est à son niveau élevé et la cellule est considérée comme étant à l'état effacé. A l'inverse, lorsque la charge électrique sur le noeud précité est positive, la tension VT est au niveau bas et la cellule est considérée comme étant à l'état d'inscription. Les transistors FGT utilisés universellement dans l'industrie peuvent être d'une technologie MOS connue par la désignation anglaise de "Flotox", o le transfert de charge électrique du noeud drain vers la grille flottante est du à l'effet tunnel du type Fowler-Nordheim. Cet effet dépend fortement de la géométrie de la cellule, ce qui donne lieu à des problèmes critiques au niveau du contrôle de processus de fabrication. En effet, une faible variation dans l'un quelconque des paramètres géométriques parmi l'ensemble des cellules d'un réseau a pour conséquence directe un étalement de la plage requise pour la tension de seuil VT, ce qui limite de manière correspondante les performances globales de la mémoire. Par ailleurs, la sensibilité des mémoires EEPROM aux variations de processus influe directement sur le rendement de fabrication. Il est donc nécessaire de prendre en compte, lors de la conception d'une cellule d'EEPROM, sa robustesse, c'est-à-dire son insensibilité face aux variations de processus de fabrication. Un autre facteur à prendre en considération lors de la conception d'une cellule EEPROM est la tension de programmation Vpp, c'est-à-dire la haute tension nécessaire pour contrôler l'effet tunnel Fowler-Nordheim, car elle influe directement sur les valeurs de tension de seuil. Par minimiser la puissance consommée, les concepteurs visent à réduire autant que possible la valeur de cette tension Vpp dans la mesure o cela ne dégrade pas la fenêtre de programmation. Enfin, on doit intégrer l'endurance et la rétention dans la conception d'une cellule EEPROM. Ces deux paramètres sont liés au vieillissement de l'oxyde qui forme le tunnel, et résultent de défauts occasionnés par le champ électrique élevé - de l'ordre de méga volts par centimètre (MV/cm) employé pour l'injection de courant FowlerNordheim. Aussi est-il nécessaire de prendre en compte les valeurs maximales de champ électrique utilisées lors des opérations d'inscription (écriture) et d'effacement afin de disposer de connaissances prévisionnelles sur l'endurance et sur la rétention. Du point de vu du concepteur, on peut atteindre de bonnes valeurs pour ces deux paramètres en réduisant autant que possible la valeur maximale du champ électrique, dans la limite o on ne détériore pas le courant Fowler-Nordheim injecté. Ainsi, il est nécessaire d'appréhender tous les aspects évoqués (robustesse aux variations de processus, hautes tension et champ électrique) lors de la conception d'une cellule EEPROM. Or, il est extrêmement complexe et long de concevoir une cellule EEPROM qui satisfait au cahier des charges programmé sur l'ensemble des paramètres que constituent la robustesse, la réduction de la haute tension, et le champ électrique minimal nécessaire pour assurer les performances en termes de rétention et d'endurance. Au vu de ce qui précède, la présente invention prévoit, selon un premier aspect, une méthode de génération de modèle mathématique permettant de caractériser des dépendances d'un composant électronique élémentaire, c'està-dire tout élément basé sur un modèle électrique compact, par rapport à ses constituants, ces derniers comprenant tout paramètre physique intrinsèque et/ou toute grandeur extrinsèque pouvant être simulé électriquement. On utilise alors un plan de simulation pour générer un modèle mathématique d'un composant élémentaire. Cette approche permet d'étudier de manière extrêmement rapide, à des fins de conception aussi bien que de test/diagnostic (y compris une caractérisation en ligne, i.e. une validation ou un diagnostic en temps réel au niveau des étapes de caractérisation durant la fabrication), toutes influences des constituants de ce composant. Plus particulièrement, l'invention prévoit, selon un premier objet, un procédé de génération de modèle mathématique destiné à l'analyse d'un composant électronique, caractérisé en ce qu'il met en oeuvre une technique de plan de simulation pour extraire un ensemble de points de calcul servant à simuler des paramètres du composant. La technique de plan de simulation, aussi désignée par le terme anglais de "Design of Experiment", est connue en elle-même, mais dans d'autres contextes, notamment dans le domaine de l'industrie chimique. Elle est généralement mise en oeuvre à l'aide de matrices, l'invention utilisant avantageusement la matrice de Doehlert. De préférence, ce que le plan de simulation est utilisé pour extraire le modèle du composant avec une optimisation des points de calcul, les valeurs obtenues aux points de calculs ainsi optimisés étant ensuite utilisées pour une simulation plus complexe prenant en compte à la fois le composant et son environnement. L'environnement peut comprendre tout ce qui environne matériellement ou de manière immatérielle (par exemple électriquement) le composant modélisé. L'environnement peut ainsi comprendre, par exemple, des composants ou des sous-ensembles reliés au composant modélisé, des signaux d'entrée ou de sortie du composant modélisé, des paramètres physiques (température, bruit, montage mécanique, tensions d'alimentation, etc.). Dans un mode de réalisation préféré, le plan de simulation prend en entrée: - un modèle électrique du composant, et - une matrice constituée d'un ensemble de valeurs de paramétrage du composant à simuler. L'exécution du plan de simulation peut comprendre les étapes de: réaliser une analyse de réponse de surface, o chaque paramètre d'un ensemble est associé à un facteur respectif, ce facteur étant exprimé sur un nombre déterminé de niveaux, et - établir une cartographie de simulations (16) autour d'un ensemble sélectionné des éléments produits par l'étape d'analyse. L'exécution du plan de simulation peut comprendre en outre l'exécution d'un algorithme de régression multiple pour extraire un modèle polynomial mettant en relation au moins deux paramètres. Le paramétrage peut comprendre au moins un paramètre intrinsèque du composant, notamment au moins un paramètre géométrique de ce dernier. Il peut comprendre au moins un paramètre extrinsèque du composant, notamment au moins un paramètre de signal électrique fourni à ce dernier. Dans un mode de réalisation, le composant est un transistor à grille flottante, destinée notamment à une cellule de mémoire de type EEPROM, et le plan de simulation est utilisé pour la modélisation d'au moins une tension de seuil du transistor en fonction d'une part de ses paramètres géométriques et d'autre de sa haute tension de programmation appliquée. Le plan de simulation peut aussi prendre en compte les paramètres géométriques suivants: - la longueur de canal effective (Leff), - la longueur de la fenêtre d'oxyde de tunnel (Ltun), - la superficie de l'oxyde inter polysilicium (Spp(=Wpp.Lpp)), - l'épaisseur de la fenêtre d'oxyde de tunnel (Ttun), - la longueur de l'oxyde inter polysilicium (Tpp), - la largeur de canal effective (Weff), et - l'épaisseur de l'oxyde au-dessus du canal (Tox), et un paramètre électrique comprenant la haute tension de programmation (Vpp). La matrice peut aussi être programmée pour produire en sortie des modèles de tension de seuil et de champs électriques maximaux en réponse aux paramètres intrinsèques et/ou extrinsèques et à des cartographies de simulation. Selon un deuxième aspect, l'invention concerne un procédé de détermination de la dépendance entre un premier ensemble de paramètres d'un composant d'une part et la réponse de ce composant d'autre part, caractérisé en ce que la détermination met en oeuvre un modèle mathématique issu de procédé selon le premier aspect. Ce procédé peut comprendre les étapes de - intégrer audit modèle au moins une valeur cible de paramètre de réponse; et - générer, à l'aide dudit modèle mathématique, un nombre de candidats correspondants définis par des valeurs dudit premier ensemble de paramètres. Il peut comprendre en outre une étape de d'analyse statistique produisant un classement en termes de sensibilité de la valeur cible audit premier ensemble de paramètres. Lorsque le composant est un transistor à grille flottante, destiné notamment à une cellule de mémoire de type EEPROM, la valeur cible peut comprendre au moins une tension seuil, et le premier ensemble de paramètres peut comprendre au moins un paramètre géométrique. Le procédé peut comprendre en outre l'étape de lier par ledit modèle mathématique la haute tension de programmation et au moins une valeur de champ électrique maximal à travers l'oxyde pour former un tunnel FowlerNordheim dans ledit transistor à grille flottante. Selon un troisième aspect, l'invention concerne un procédé de diagnostic de défaut dans un composant électronique, caractérisé en ce que ledit diagnostic met en oeuvre un modèle mathématique issu du procédé selon le premier aspect pour diagnostiquer une variation d'au moins un paramètre du composant entraînant une variation hors spécification d'au moins une grandeur de sortie du composant. Ce procédé peut comprendre une étape de comparaison d'au moins une des grandeurs électriques d'un composant fabriqué avec au moins une valeur correspondante générée par ledit modèle mathématique pour ce même composant, et une étape de simulation de la variation hors spécification par ledit modèle par variation sélective d'au moins un paramètre intrinsèque dudit composant. Il peut comprendre les étapes de - modéliser par ledit modèle au moins une valeur d'un paramètre du composant; et - générer, à l'aide dudit modèle mathématique, un nombre de candidats correspondants définis par des valeurs dudit premier ensemble de paramètres. Selon un quatrième aspect, l'invention concerne un dispositif de génération de modèle mathématique d'un composant électronique simulable électriquement, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens de mise en oeuvre d'un plan de simulation pour extraire un ensemble de points de calcul servant à simuler des paramètres du composant. Selon un cinquième aspect, l'invention concerne un dispositif de détermination de géométrie d'un composant électronique à base de modèle mathématique, caractérisé en ce qu'il met en oeuvre un modèle mathématique selon obtenu par le procédé selon le premier aspect de l'invention. Selon un sixième aspect, l'invention concerne un dispositif de diagnostic de défauts dans un composant électrique, caractérisé en ce qu'il met en caractérisé en ce qu'il met en oeuvre un modèle mathématique obtenu par le procédé selon le premier aspect de l'invention. Les aspects optionnels de l'invention présentés dans le cadre du procédé s'appliquent mutatis mutandis aux dispositifs présentés. Le mode de réalisation servant d'exemple illustratif se présente sous la forme d'un outil logiciel destiné à générer automatiquement un modèle mathématique permettant d'obtenir les variations des tensions de seuil d'un transistor à grille flottante en fonction de sept paramètres géométriques (constituants intrinsèques) et de la haute tension appliquée à ses bornes (constituants extrinsèques). Cet outil prend en entrée - un modèle électrique de transistor à grille flottante, et - une matrice avec les différentes valeurs de constituants à simuler. L'outil produit en sortie les valeurs des tensions de seuil des différentes configurations qui, après traitement, produit un modèle mathématique. Ce dernier se présente sous forme d'un ensemble de valeurs de tensions de seuil, du champ électrique, en fonction des paramètres géométriques et de la haute tension. Le traitement de ce modèle mathématique permet de connaître les variations des tensions de seuil quelque soit la géométrie et les tensions appliquées aux transistor à grille flottante. Selon un deuxième aspect, l'invention prévoit l'utilisation du modèle mathématique selon le premier objet afin de sélectionner les géométries candidates pour ces composants électroniques élémentaires, permettant notamment de prévoir de manière extrêmement rapide leurs variations de réponse en fonction de leurs différents paramètres géométriques, et ce selon divers critères, comme par exemple une surface minimale, la robustesse aux variations du processus de fabrication, etc. Dans un mode de réalisation, cet aspect de l'invention se présente sous forme d'un outil logiciel capable d'une part de générer automatiquement les géométries candidates d'un transistor à grille flottante pour obtenir des tensions de seuil désirées, et d'autre part de sélectionner parmi ces géométries celles qui sont optimales en fonction d'un critère choisi, tel que la robustesse aux variations de processus de fabrication. La génération des géométries candidates peut s'effectuer aussi à partir du choix de plusieurs critères (à partir de la génération de géométries introduisant une balance entre les différents critères). Cet outil prend en entrée: - un modèle mathématique des tensions de seuil d'un transistor à grille flottante en fonction de la géométrie de ce dernier, et - les valeurs de tension de seuil (correspondant à une cellule vierge, effacée, inscrite) cibles. Cet outil produit en sortie les différentes configurations géométriques candidates. Après traitement, les variations des tensions de seuil des différentes géométries sont données en fonction des variations du processus de fabrication, permettant alors le choix de la géométrie la mieux adaptée, notamment la plus robuste. Selon un troisième aspect, l'invention prévoit l'utilisation du modèle mathématique selon le premier aspect pour diagnostiquer une variation d'un ou de plusieurs des paramètres susceptibles d'entraîner une variation hors spécification d'une ou de plusieurs des grandeurs électriques de sortie (optimisation du diagnostic qui devient plus précis, car prenant en compte les aspects multivariables). Ce diagnostic est réalisé en comparant des grandeurs d'un composant électrique fabriqué avec celles générées par le modèle mathématique, et qui correspondent au même composant, et en prenant compte des paramètres de ce modèle pouvant donner la réponse observée sur le composant fabriqué. Dans un mode de réalisation, cet aspect de l'invention se présente sous forme d'un outil logiciel qui, comme celui du deuxième aspect, produit automatiquement les géométries candidates d'un transistor à grille flottante. Cependant, cet outil donne dans ce cas des tensions de seuil sensiblement identiques à celles mesurées sur un produit pendant une phase de test. De plus, il réalise une étude statistique des géométries candidates de manière à déterminer au moins un paramètre géométrique pouvant être en cause dans un éventuel mauvais fonctionnement du transistor. Cet outil prend les mêmes entrées que celui du deuxième aspect, sauf que les valeurs des tensions concernent des tensions de seuil mesurées (cellule vierge, effacée, inscrite) sur un produit défectueux. L'outil produit également en sortie les différentes configurations géométriques candidates, mais établit en outre - et après un traitement statistique - un classement des paramètres géométriques pouvant être à l'origine du mauvais fonctionnement(Distribution des géométries les plus probables). L'invention et les avantages qui en découlent apparaîtront plus clairement à lecture de la description qui suit des modes de réalisation préférés, donnée purement à titre d'exemples non-limitatifs par référence aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 est un schéma bloc d'une cellule de mémoire de type EEPROM, - les figures 2a et 2b sont des vues en coupe sur deux axes perpendiculaires respectifs d'un transistor à grille flottante de la cellule de la figure 1, indiquant les paramètres géométriques pris en compte pour la modélisation dans le mode de réalisation, - la figure 3 est un tracé montrant l'évolution de la tension de seuil du transistor à grille flottante avec le signal de programmation, il - la figure 4 est un tracé montrant la variation de probabilité d'une valeur résiduelle (différence entre la valeur réelle et prévisionnelle) pour la tension seuil d'un transistor à grille flottante d'une cellule vierge, - la figure 5 est un schéma bloc simplifié du dispositif générateur de modèle mathématique de composant, en l'occurrence d'un transistor à grille flottante, selon le mode de réalisation, - la figure 6 est un schéma bloc d'une mise en oeuvre du modèle mathématique de la figure 5 pour établir une méthodologie de conception d'un transistor à grille flottante, - la figure 7 représente de manière détaillée les entrées et sorties de l'unité de calcul de modèle dynamique de la figure 6, - la figure 8 indique le pourcentage de variation audelà de 16% de la tension seuil pour chacune des géométries candidates produites par le dispositif de la figure 6, - la figure 9 indique le champ électrique maximal pour chacune des géométries candidates produites par le dispositif de la figure 6, - la figure 10 indique la moyenne cumulative de champ électrique pour chacune des géométries candidates produites par le dispositif de la figure 6, - la figure 11 indique la haute tension de programmation Vpp pour chacune des géométries candidates produites par le dispositif de la figure 6, - la figure 12 est un schéma de circuit électrique équivalent d'une cellule de mémoire EEPROM sans mécanisme d'effet tunnel, et - les figures 13a à 13d sont des représentations en trois dimensions de la variation de groupes de trois paramètres, respectivement de: - (figure 13a) la tension seuil en effacement en fonction de l'épaisseur d'oxyde au- dessus du canal et de l'épaisseur de la fenêtre d'oxyde de tunnel, - (figure 13b) la tension seuil en inscription en fonction de la longueur de la fenêtre d'oxyde de tunnel et de la largeur du canal, - (figure 13c) la tension seuil en effacement en fonction de la superficie de la grille de polysilicium et de l'épaisseur de l'oxyde inter polysilicium, et - (figure 13d) la tension seuil d'une cellule vierge en fonction de la largeur du canal et de la longueur effective du canal. Les modes de réalisation portent sur une modélisation conforme à l'invention et à son application à la conception, à la caractérisation et au diagnostic d'un constituant électronique, en l'occurrence un transistor à grille flottante d'une cellule de mémoire de type EEPROM. La modélisation s'adresse aux aspects suivants d'un cahier des charges programmé: - la géométrie de la cellule, notamment en ce qui concerne les facteurs qui influent sur sa robustesse et sa sensibilité aux variations dans son processus de fabrication, - la minimisation de la haute tension Vpp, et - la minimisation du champ électrique à travers l'oxyde pour former le tunnel Fowler-Nordheim. La méthodologie employée pour la modélisation met en oeuvre un modèle polynomial: - d'une part des trois tensions qui interviennent respectivement pour l'effacement (dénommée VTeff), l'inscription (dit aussi l'écriture) sur une cellule vierge (dénommée VTvierge) et l'inscription sur une cellule ayant déjà fait l'objet d'une inscription (dénommée VTinScr), et - d'autre part des champs électriques présents lors d'un cycle d'effacement et d'inscription (dénommés respectivement Eefface et Einscr) et ce en fonction à la fois de la géométrie de la cellule et de la haute tension Vpp présente en sortie d'un générateur de haute tension prévu à cet effet. Ces modèles sont générés à partir d'outils de simulation (simulateur électrique de type "ELDO", "SPICE"), dont la notice d'utilisation pour celui du type "ELDO", dénommée "ELDO User's Manual" (publication de 1998) est disponible auprès de la société Mentor Graphics Corp.. Plan de la simulation. Afin de produire un modèle polynomial des tensions de seuil et de champ électrique précités, on réalise d'abord des simulations pour différentes géométries de cellule et pour la haute tension Vpp. Les points de simulation sont donnés par le plan de simulation. Ce plan est bâti à partir d'une Matrice de DOEHLERT, dans l'exemple, qui produit ainsi le plan de simulation mis en oeuvre. Le terme "plan de simulation" est aussi connue par l'expression anglaise de "Design of Experiment" (DOE). Cette technique est en elle connue dans d'autres domaines, notamment dans l'industrie chimique. Ce contexte est défini à la fois par les différents éléments de circuit qui entourent la cellule de mémoire et par le coeur même de la cellule, à savoir le transistor à grille flottante (FGT). Afin de s'approcher au plus des conditions de fonctionnement du produit, les simulations sont effectuées avec tous les éléments de circuit utilisés pour réaliser une inscription et une lecture sur une cellule mémoire. La figure i représente sous forme de schéma bloc la constitution du circuit d'une mémoire 2, découpée en quatre parties: - un circuit 4 logique de routage de la haute tension Vpp, - un décodeur de lecture 6, - un amplificateur de lecture 8, et - la cellule mémoire 10. Le circuit de routage 4 permet d'appliquer la haute tension Vpp sur les noeuds de la cellule mémoire 10 afin d'effectuer l'inscription et l'effacement. Cette partie logique est commandée par divers signaux désignés génériquement CRL- Le décodeur de lecture 6 sert à sélectionner une cellule désignée 10, durant une opération de lecture, en fonction des signaux CRD présentés à son entrée. L'amplificateur de lecture 8 produit en sortie une tension VOUT à la tension qui correspond à la valeur logique de la cellule adressée. La cellule mémoire 10 est composée de deux transistors de sélection SD et SG, et du transistor à grille flottant FGT, cet ensemble de transistors constituant le noyau de mémorisation(désigné "cellule mémoire"). La modélisation ne considère qu'une seule cellule, car elle se concentre sur les paramètres géométriques du transistor FGT. Une capacité 12 de 14pF est connectée entre la ligne de bit BL et la masse pour simuler la charge capacitive induite par les autres cellules sur cette ligne. Dans ce cas, la logique de routage 4, le décodeur de lecture 6, l'amplificateur de lecture 8, ainsi que les transistors SG et SD, les lignes BL, WL et les différents signaux échangés (Vpp, CRL, CRD, CSA) constituent des exemples de l'environnement du composant à modéliser, en l'occurrence le transistor à grille flottante FGT. Le circuit EEPROM est décrit en tant que "netlist" pour le simulateur ELDO, sur la base d'une règle de conception de 7,7 microns carrés (pmr2) de technologie de la société demanderesse ST-Microelectronic (Rousset FR) portant la désignation F6SDP7.7 Pm2. Le modèle selon le mode de réalisation est développé à partir d'un modèle MOS 9 décrit par Klassen et al intitulé "MOS Model 9" dans la publication "Unclassified Report, NLUR 003/94, Philips Electronics N.V. 1994". Plus particulièrement, le mode de réalisation constitue une modélisation du transistor FGT par un modèle dit "modèle électrique compact en feuillets" (également connue par l'expression anglaise "compact charge sheet model") écrit en langage HDLA. Le modèle selon le mode de réalisation, désigné ciaprès "modèle FGT", prend en compte le comportement à la fois statique et dynamique du transistor FGT. L'approche utilisée pour développer ce modèle est basée sur une formulation de la neutralité de la charge électrique couplée à un modèle "MOS 9". Selon cette approche, la neutralité de charge électrique (soit de la charge stockée sur la grille flottante), est appliquée pour déterminer le potentiel de la grille flottante à partir duquel toutes les variables peuvent être calculées: d'une part dans la formulation du modèle MM9, et d'autre part dans l'équation donnant le courant de tunnel Fowler-Nordheim. En outre, ce modèle donne accès aux grandeurs électriques internes, telles que le champ électrique, la charge injectée, et le courant Fowler-Nordheim. Les figures 2a et 2b représentent la structure du transistor FGT avec tous les sept paramètres géométriques (en termes de longueur, épaisseur, largeur) pris en compte par le modèle selon le mode de réalisation (ces sept paramètres étant i) Leff, ii) Ttun, iii) Spp, iv) Ttun, v) Tpp, vi) Weff, et vii)Tox) o: - Leff est la longueur de canal effective, - Ltun est la longueur de la fenêtre d'oxyde tunnel, - Spp(=Wpp.Lpp) est la surface de l'oxyde inter polysilicium, - Ttun est l'épaisseur de la fenêtre d'oxyde tunnel, - Tpp est la longueur de l'oxyde inter polysilicium, - Weff est la largeur de canal effective, et - Tox est l'épaisseur de l'oxyde au-dessus du canal. Dans le modèle FGT, l'élément "MM9" est le transistor présent entre lenoeud de drain, le noeud de source, et le noeud de grille flottante, avec tous les potentiels référencées à la masse. Ce transistor est réalisé en technologie canal n en double polysilicium (silicium poly35 cristallin) dans lequel la première couche de polysilicium est la grille flottante. Le mode de réalisation établit une structure de test portant sur des mesures et des simulations afin de valider la mise en oeuvre du modèle MM9 précité, appliqué à un transistor FGT. Dans l'exemple, les transistors de la structure de test sont simulés à l'aide de paramètres MM9 préétablis. Les paramètres spécifiques à la géométrie de l'EEPROM sont déterminés avec une caractérisation physique au moyen d'un microscope électronique à balayage et avec une caractérisation électrique. La figure 3 donne un exemple des différentes tensions de seuil (en ordonnée) obtenues avec différentes tensions de programmation (en abscisse). La comparaison des valeurs simulées avec les données géométriques nominales d'une part et avec les valeurs mesurées d'autre part, démontre la bonne précision du modèle MM9 appliqué un transistor FGT. Modèle polynomial des grandeurs électriques internes (Champs électriques) et externes ( Vt, Courant..). Comme expliqué supra, la conception d'une cellule EEPROM nécessite de lier les trois tensions de seuil VTefface, VTinscr- et VTvièrge, ainsi que les champs électriques maximaux Eefface et Einscr., à la fois aux paramètres géométriques et à la haute tension Vpp. Cela demande de prendre en compte toute éventuelle variation de chacun des sept paramètres géométriques sélectionnés avec toute valeur possible pour la tension Vpp. Il est clair qu'une approche classique selon laquelle on change un paramètre à la fois pour toutes les combinaisons d'une série de valeurs possibles des autres paramètres est irréalisable dans la pratique, vu le nombre d'expériences qu'il serait alors nécessaire d'effectuer. A titre indicatif, si on prend 100 valeurs possibles pour chaque paramètre, une telle approche demanderait 109 simulations pour construire une base de données. Pour surmonter cet obstacle, le mode de réalisation met un place une technique dite de "plan de simulation" (abrévié par l'acronyme PS). Cette technique permet de disposer d'une connaissance complète sur des réponses sélectionnées, notamment pour les paramètres de tensions de seuil et de champs électriques, dans le domaine de variation, dit "sphère de connaissances". Cette connaissance porte à la fois sur les sept paramètres géométriques et sur la haute tension à partir d'un nombre restreint de simulations. Plus particulièrement, le mode de réalisation prévoit de sélectionner une matrice dite de Doehlert pour définir toutes les configurations géométriques et de haute tension qui doivent être simulées. Des détails spécifiques aux matrices de Doehlert sont donnés dans l'article de D.H. Deohlert "Uniform Shell Designs", Applied Statistics, 19, pp.231-239 (1978). Les réponses sélectionnées sont générées à partir d'une analyse de réponse de surface (connue également par le terme anglais de "surface response analysis"). Selon cette approche, chaque paramètre géométrique et la haute tension sont associés à un facteur, si bien que huit facteurs sont nécessaires pour le cas d'espèce. Dans l'exemple, les niveaux choisis pour ces facteurs conformément à la matrice de Doehlert sont les suivants Leff est affecté au facteur X3 avec sept niveaux, - Ltun est affecté au facteur X5 avec sept niveaux, - Spp est affecté au facteur X7 avec trois niveaux, - Ttun est affecté au facteur X2 avec sept niveaux, - Tpp est affecté au facteur Xl avec cinq niveaux, - Wreff est affecté au facteur X4 avec sept niveaux, - Tox est affecté au facteur X6 avec sept niveaux, et - Vpp est affecté au facteur X8 avec trois niveaux. A partir de ces éléments d'information, on établit un plan de simulations autour de 73 géométries de transistor FGT et de valeurs de Vpp. Ainsi, 73 simulations de circuit de type ELDO sont réalisées (lancement grâce à un programme réalisé en langage PERL). Partant des résultats de ces simulations, un algorithme dit de régression multiple extrait le modèle polynomial d'une part de chaque tension de seuil pris en compte et d'autre part du champ électrique maximal. Les équations polynomiales prennent la forme générale suivante: P = bo + SibiXi + ibii. (Xi.Xi) + ijbij. (Xi.X) Le degré de confiance sur cinq équations est donné par l'analyse du résidu, à savoir la différence entre la valeur obtenue par les équations et celles obtenues par les simulations. Les expériences montrent que l'on peut obtenir des valeurs maximales de différence de l'ordre de mV pour une cellule vierge, de 180 mV pour une cellule effacée, et de 80 mV pour une cellule inscrite. Ces valeurs, données à titre indicatif seulement, concernent des "frontière", à la limite de la sphère de connaissance. Elles représentent respectivement moins de 2%, 5% et 6% d'erreur par rapport aux valeurs de seuil nominales. En ce qui concerne le champ électrique, l'erreur représente moins de 1%. Ces résultats sont confirmés par des tracés rectilignes normaux (droite de Henry), dont un exemple est donnée par la figure 4 pour le cas d'une cellule vierge. Sur cette figure, le tracé apparaît sur une échelle de valeurs de résidu négatives et positives présentées en abscisse, avec la probabilité liée à ces valeurs en ordonnée. L'organigramme de la figure 5 résume les différentes étapes de la technique automatisée de génération de modèle conforme à l'invention, indiquant notamment la phase de pré-traitement pour la méthodologie de conception. Les paramètres géométriques et les domaines de la tension Vpp (bloc 14) sont fournis en tant qu'entrées intrinsèques et extrinsèques à la matrice de Doehlert (bloc 16). Cette dernière échange des cartographies de simulations et des résultats (bloc 18) avec l'environnement extérieur, et produit en sortie les modèles 20 de tensions seuil VT et de champs électriques maximaux. Parmi les nombreux avantages offerts par le modèle polynomial on note: qu'une expression polynomiale simple autorise un temps de calcul court, permettant ainsi d'envisager de nombreuses variations de géométrie et/ou de haute tension; - qu'un nombre relativement restreint de simulations (73 dans le cas d'espèce) suffit, permettant d'obtenir un temps de génération court. Cette qualité peut être exploitée pour étalonner rapidement et automatiquement le modèle lors d'un passage d'une technologie à une autre, ou d'une unité de production à une autre; - la précision des paramètres géométriques peut être alignée avec celle du procédé de fabrication. L'une des tensions élevées peut être également alignée avec les possibilités du générateur de haute tension Vpp utilisé. Méthodologie de conception. Dans le cas de la conception d'une cellule EEPROM, il est nécessaire de prendre en compte les contraintes telles que la robustesse, une minimisation de la tension Vpp, l'endurance et la fiabilité, ce qu'accomplit la méthodologie de plan de simulation du mode de réalisation. L'organigramme de la figure 6 illustre les différentes étapes de la méthodologie de conception automatisée. Toutes ces étapes sont détaillées dans cette section en prenant l'exemple de la technologie F6SDP7.7 PM2 précitée. Le processus de conception commence par la définition, exprimée par le concepteur C au moyen d'une interface d'entrée 22, des différentes tensions de seuil souhaitées (tensions seuil cibles) VTvierge, VTinscrp. et VTefface (étape E2). Ces seuils de tension définissent la fenêtre de programmation ciblée idéale 24. Cette fenêtre est fournie en entrée d'un module de calcul de modèle dynamique 26, qui crée en réponse une liste 28 de toutes les géométries de cellule possibles et de leurs tensions élevées associées qui satisfont l'ensemble des trois tensions de seuil cibles avec une fenêtre de variation donnée. L'ensemble composé de la géométrie de cellule et Vpp constitue un candidat 30. En outre, l'unité de calcul 26 fournit une liste 32 des champs électriques maximaux (Eefface et Einscr.) associés à chaque candidat. Les paramètres d'entrée et de sortie de l'unité de calcul 26 sont représentés plus particulièrement à la figure 7. On remarque que les valeurs cibles 24 pour les différentes tension de seuil VT sont exprimées avec une plage de tolérance delta. Les variations de fenêtre pour les tensions de seuil ciblées ainsi que l'étape de calcul des différents paramètres (géométriques et de Vpp) peuvent être établis en fonction de la précision voulue. Dans l'exemple considéré, les valeurs indicatives pour la tension de seuil cible sont VTefface = 4,2 0,2 (V) VTinscr. = 2,2 0,2 (V) VTvierge = 1,2 0,2 (V). (Exemple de valeurs gestion de tous les cas possibles). Ainsi, une fenêtre cible idéale 24 a la valeur de 6 + 0,4 (V) dans le pire cas. A partir de ces valeurs cibles, le module de calcul dynamique 26 génère un nombre n de candidats, égal à 33 dans l'exemple et désignés geomO à geom32. L'étape suivante de procédé consiste en une phase de post- traitement, assurée par une unité de post-traitement 34. Lors de cette dernière phase, une statistique des candidats est générée afin de fournir un classement allant du candidat le plus robuste au moins robuste. La robustesse en question est évaluée, pour chaque candidat, par le calcul des valeurs VTefface, VTinscr. et VTvierge, et ce pour toute variation de paramètre dans la marge de fabrication spécifiée. A partir de ce calcul, l'unité de post-traitement 34 détermine le pourcentage de variations de tension de seuil sur un pourcentage accepté pour la valeur candidate nominale, ce qui exprime le classement en termes de robustesse pour tous les candidats. Dans ce cas aussi, le modèle polynomial de tensions de seuil est utilisé pour calculer la robustesse de chaque candidat. Le pourcentage accepté est fixé par l'utilisateur préalablement au calcul. A titre d'exemple, la figure 8 illustre la variation en pourcentage au- dessus de 16% pour chacun des 33 candidats, en présentant la distribution de variation (pourcentage) en ordonnée et pour chacun des candidats séquentiellement en abscisse. Ce pourcentage accepté de variation représente, dans le pire cas, une variation totale de 32% de la fenêtre de programme, soit une diminution dans le pire cas de 2V sur les 6V de la fenêtre de programme. Le classement de robustesse de la figure 8 montre les pourcentages de variation sur 16% de la valeur de tension seuil nominale pour chaque candidat. Ces pourcentages sont inclus entre 2% pour le candidat geom20 et 41% pour le candidat geom32, avec une valeur moyenne de 20%. En termes de robustesse, il apparaît clairement de ces résultats que le candidat geom20 est le plus robuste. Avec 2% de probabilité d'avoir une fermeture de fenêtre de programme au-delà de 16%, il n'y a que peu de configurations de déviation de procédé de fabrication qui soient susceptibles de placer le candidat geom2O sur des tensions seuil hors spécification. Qui plus est, la phase de post-traitement fournit une information sur l'endurance et la rétention au moyen du champ électrique maximal appliqué sur l'oxyde de tunnel durant les opérations d'effacement et d'inscription. Sachant que l'endurance, ainsi que la rétention, sont affectés par des défauts dans l'oxyde de tunnel, un objectif de la conception est de minimiser la contrainte sur cette oxyde par le biais d'une minimisation du champ électrique. Dans le cadre de cet objectif, la méthodologie du mode de réalisation produit d'une part les valeurs respectives de Eefface et de Einscr. pour les différents candidats, et d'autre part une moyenne cumulative de ces deux valeurs Eefface et de Einscr. Les figures 9 et 10 illustrent respectivement ces deux informations, c'est-à-dire le champ électrique maximal et la moyenne cumulative pour les candidats de l'exemple considéré. Pour chacune des figures 9 et 10, les candidats geomO à geom32 sont présentés séquentiellement en abscisse. L'ordonnée de la figure 9 représente le champ électrique maximal (MV/cm), alors que celle de la figure 10 représente la moyenne cumulative du champ électrique (MV/cm). Les valeurs données à la figure 9 concernent le champ électrique en inscription Einscr. (points blancs) et en effacement Eefface (points noirs). La moyenne cumulative du champ électrique est incluse entre 1,17 MV/cm pour le candidat geom28 et 1,24 MV/cm pour le candidat goem20, avec une valeur moyenne de 1,2 MV/cm. Ce résultat donne une idée de la contrainte sur la fenêtre d'oxyde de chaque candidat. On constate alors que le candidat geom28 est le moins contraint. La dernière information générée automatiquement par l'unité de posttraitement 34 selon la méthodologie concerne la haute tension Vpp qui doit être appliquée durant les opérations d'effacement et d'inscription pour atteindre les tensions de seuil cibles. Dans ce cas également, la valeur de Vpp est donnée pour chaque candidat afin de permettre de déterminer ceux pour qui la valeur de Vpp est minimale. La figure 11 montre la répartition de la valeur de la tension Vpp (abscisse) en sortie du générateur de haute tension pour les 33 candidats de l'exemple (ordonnée). Les valeurs de Vpp sont incluses entre 15V pour les candidats geomO à geom3 et 17V pour les candidats geom28 et geom3l. Etant donné que l'on recherche une tension Vpp relativement faible, les candidats geomO à geom3 sont préférés sur ce critère. Avec l'ensemble des informations ainsi produites par le système de modélisation 1, le concepteur peut sélectionner un candidat en fonction d'un ou d'un ensemble de critères pour favoriser un critère ou parvenir à un compromis entre les critères. Si l'on adopte une stratégie de compromis, ou d'équilibre, l'exemple indique que le candidat geoml3 est le mieux adapté, avec un pourcentage de 11% pour la sur-variation pour le critère de robustesse, de 15,5 V pour Vpp, et 1,21 MV/cm pour le champ électrique moyen. Si la robustesse est le critère prépondérant, le candidat geom20 apparaît comme indiqué, avec 2% pour la sur-variation, 15,5 V pour Vpp et 1,24 MV/cm pour le champ électrique moyen. Si la minimisation de la haute tension est le critère prépondérant, alors les candidats sélectionnés sont geomO à geom3 avec 15 V pour Vpp, 1,18 et 1,19 MV/cm pour le champ électrique et 20% à 18% pour l'aspect robustesse. Enfin, si l'endurance (i.e. le champ électrique optimal) est le critère prépondérant, le candidat geom28 est indiqué, avec 1,17 MV/cm pour le champ électrique, 17 V pour Vpp et 28% pour l'aspect robustesse. Cet exemple démontre clairement comment la méthodologie conforme à l'invention peut assister à la sélection d'une conception de cellule EEPROM en prenant en compte des critères tels que la robustesse, la minimisation de la haute tension et de la contrainte par la réduction du champ électrique. Il sera maintenant décrit comment la modélisation permet d'analyser la sensibilité de la tension seuil VT à la géométrie du transistor FGT. Cet aspect de la modélisation est basé sur un circuit électrique équivalent d'une cellule EEPROM sans le mécanisme d'effet tunnel FolwerNordheim, tel que représenté à la figure 12. En appliquant la loi de Gauss sur la surface comprenant la grille flottante, on détermine la charge électrique Qfg piégée sur la grille flottante comme suit: Qfg = Cpp.(Vfg-Vcg) + (tCtun(Vfg-Vd) + Qg + Qfgo... (1) o Cpp est la capacité entre les couches de polysilicium, Vfg est le potentiel sur la grille flottante, Vcg est la tension appliquée sur la grille de commande, Ct,, est la capacité de l'oxyde de tunnel, Vd est la tension appliquée au drain, Qfgo représente, le cas échéant, la charge initiale piégée sur la grille flottante, Qg est la charge de grille calculée à l'aide de la partie "charge électrique" du modèle MM9. Cette charge est fonction de la charge d'appauvrissement("depletion" en terminologie anglaise) et de la charge d'inversion. La valeur de chacun de ces deux types de charge est calculée à partir d'un ensemble de variables, et plus particulièrement du paramètre Vfg, le potentiel sur la grille flottante. L'équation (1) supra étant une équation implicite pour le potentiel Vfg sur la grille flottante, sa solution permet de calculer Vfg pour tout potentiel appliqué sur la cellule EEPROM. En connaissant le potentiel Vfg appliqué sur la grille du modèle MM9, on peut calculer toutes les variables du modèle en remplaçant, au niveau de la formulation MM9, le potentiel Vgs par la somme de Vfg et de Vbs le cas échéant. Modèle dynamique. L'approximation non-quasi-statique peut être utilisée pour développer un modèle dynamique intrinsèque. Une telle approche est basée sur la neutralité de la charge électrique dans la structure. Le potentiel de grille flottante Vp est calculé implicitement à partir de la relation suivante: t = Qfg - Qfgo - OfIfndt o If, est le courant FowlerNordheim donné par Ifn = aStunE2tun [exp (-P/Et.n), o Qfgo est la charge initiale piégée sur la grille flottante, ax et t sont les paramètres Fowler-Nordheim, Stun (= Ltu,.W) est la superficie du film d'oxyde et Etu est le champ électrique d'oxyde. On remarque que le modèle dynamique comprend la capacité entre la diffusion de drain ou de source et le substrat. Le modèle EEPROM peut être validé au moyen d'une structure de test destinée aux mesures et à la validation. Les transistors de la structure de test sont simulés avec des paramètres de test selon le modèle MM9, ainsi qu'avec des paramètres géométriques spécifiques aux EEPROM. Sensibilité de la tension de seuil à la géométrie. Afin de permettre une appréciation générale des effets de la géométrie sur la tension de seuil d'un transistor FGT, la modélisation prévoit une analyse des domaines de variation de chaque paramètre concerné en termes de pourcentage de valeurs nominales. Cette analyse se présente comme suit: - les variations de Leff sont définies entre la valeur nominale, désignée Leffn, et Leffn - 50%, - les variations de Ltun sont définies entre la valeur nominale, désignée Ltunn, et Ltunn - 50%, - les variations de Spp sont définies entre 50% au15 dessus de la valeur nominale, désignée Sppn, et Sppn - 50%, - les variations de Ttun sont définies entre la 25% au-dessus de la valeur nominale, désignée Ttunn, et Ttunn %, - les variations de Tpp sont définies entre 25% au20 dessus de la valeur nominale, désignée Tppn, et Tppn - 50% - les variations de W sont définies entre 50% audessus de la valeur nominale, désignée Wn, et Wn - 50%, et - les variations de Tox sont définies entre 50% audessus de la valeur nominale Toxn et Toxn - 50%. Les figures 13a à 13d illustrent quelques exemples de la sensibilité de la tension seuil (ordonnée) pour une cellule programmée (inscrite ou programmée) ou pour une cellule vierge en fonction de la variation de ces paramètres géométriques. Dans ces exemples, l'influence des paramètres est analysée deux-par-deux sur des axes respectifs mutuellement orthogonaux formant un plan perpendiculaire à l'ordonné, et avec tous les autres paramètres à leur valeur nominale. La figure 13a montre que la sensibilité de la tension de seuil VT d'une cellule en effacement peut être évaluée en fonction des paramètres Ttun et Tox. Il apparaît clairement que la tension de seuil d'une cellule effacée dépend fortement de la valeur de Ttun. Cette dépendance peut s'expliquer par l'influence de Ttun sur à la fois: - la quantité de charge électrique piégée dans la grille flottante par l'effet tunnel Fowler-Nordheim, et le facteur de couplage via la capacité entre le noeud drain et le noeud de la grille flottante. Un résultat semblable est observé dans le cas d'une cellule inscrite. Il ressort de cette étude que l'épaisseur d'oxyde de tunnel se manifeste comme un paramètre clé pour contrôler la tension de seuil d'une cellule programmée. D'autre part, l'influence de Tox est relativement moins importante sur une cellule effacée ou inscrite, surtout pour des valeurs élevées de Tox, ce qui permet de disposer d'une latitude relativement importante dans le choix de l'épaisseur Tox. Comme le montre la figure 13b, le paramètre Stun=W.Ltun a également un impact direct sur la valeur de la tension de seuil pour une cellule inscrite. Là encore, la dépendance du courant d'injection et du facteur de couplage sur Stun explique ce résultat. On remarque que dans ce cas, l'effet du facteur de couplage est dominant, en raison de la quasi noninjection pour une valeur élevée de Stun. Une zone de stabilité pour la tension VT est présente pour une valeur de Stun nominale ou légèrement sous-dimensionnée. La figure 13c montre l'influence de la capacité inter polysilicium Cpp sur les paramètres Spp et Tpp. Dans ce cas aussi, une bonne stabilité de tension de seuil est obtenue pour une valeur élevée de Cpp. On remarque que l'influence de Cpp et de Ctun est respectivement plus importante pour une cellule effacée et pour une cellule inscrite. Enfin, la figure 13d montre l'influence de la longueur effective Leff sur la tension de seuil VT d'une cellule vierge avec un effet de canal court. Cette influence est peu signifiante relativement à celle des autres paramètres pour une cellule programmée. Il ressort de cet aspect de la modélisation qu'il existe différentes aires de stabilité pour des paires de paramètres. Cela reflète clairement que l'influence de paramètres tels que Stun et Cpp peut être contrôlée de manière robuste s'ils sont dimensionnés dans ces aires de stabilité. On comprendra de ce qui précède que l'invention selon ses différents aspects offre de nombreux avantages, dont - l'obtention extrêmement rapide: - de modèles utilisables en vue d'une assistance à la conception et au diagnostic, en comparaison avec la réalisation de tels modèles par une approche classique de plan d'expérience réalisé par fabrication de produits tests sur silicium, - de géométries candidates à partir de modèles mathématiques, en comparaison avec la fabrication de produits tests sur silicium; - de paramètres géométriques potentiellement responsables d'un mauvais fonctionnement; - la reproductibilité complète des expériences, celles-ci étant réalisées par simulation autorisant d'une part une extension rapide et sure des domaines de connaissance et d'autre part une très bonne précision du modèle mathématique, en comparaison avec un modèle électrique. Ces deux éléments sont à comparer à la réalisation de tels modèles par une approche classique de plan d'expérience réalisé par fabrication de produits tests sur silicium; - l'étude possible de ces géométries en termes de surface et de robustesse de manière complètement prédictible et rapide; - l'utilisation générique de la méthode à tous les composants caractérisés et modélisés électriquement de manière compacte. L'invention a été décrite dans le cadre de l'analyse d'un transistor FGT destiné à une cellule de mémoire EEPROM. Il est cependant clair que les enseignements et la protection s'étendent bien au-delà de ce cas de figure, couvrant tout dispositif électronique susceptible de se prêter à une modélisation conforme à l'approche selon l'invention. Revendications 1. Procédé de génération de modèle mathématique (20) destiné à l'analyse d'un composant électronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: - sélectionner un paramétrage (14) du composant électronique, soumettre ce paramétrage à un plan de simulation (16, 18), - extraire à l'aide de ce plan de simulation un ensemble de points de calcul (20), et - générer à partir de l'ensemble de ces points de calcul un modèle mathématique pour simuler des paramètres du composant. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le plan de simulation est utilisé pour extraire le modèle du composant avec une optimisation des points de calcul, les valeurs obtenues aux points de calculs ainsi optimisés étant ensuite utilisées pour une simulation plus complexe prenant en compte à la fois le composant et son environnement. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le plan de simulation prend en entrée: - un modèle électrique du composant (14), et une matrice (18) constituée d'un ensemble de valeurs de paramétrage du composant à simuler. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la matrice est une matrice de Doehlert (18). 5. Procédé selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que l'exécution du plan de simulation comprend les étapes de: - réaliser une analyse de réponse de surface, o chaque paramètre d'un ensemble est associé à un facteur respectif, ce facteur étant exprimé sur un nombre déterminé de niveaux, et - établir une cartographie de simulations (16) autour d'un ensemble sélectionné des éléments produits par l'étape d'analyse. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'exécution du plan de simulation comprend en outre l'exécution d'un algorithme de régression multiple pour extraire un modèle polynomial mettant en relation au moins deux paramètres. 7. Procédé selon quelconque des revendications 3 à 6, caractérisé en ce que le paramétrage comprend au moins un paramètre intrinsèque du composant, notamment au moins un paramètre géométrique de ce dernier. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, caractérisé en ce que le paramétrage comprend au moins un paramètre extrinsèque du composant, notamment au moins un paramètre de signal électrique fourni à ce dernier. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le composant est un transistor à grille flottante (FGT), destinée notamment à une cellule de mémoire de type EEPROM (10), et en ce que le plan de simulation est utilisé pour la modélisation d'au moins une tension de 31 ' 2842325 seuil du transistor en fonction d'une part de ses paramètres géométriques et d'autre de sa haute tension de programmation (Vpp) appliquée. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le plan de simulation prend en compte les paramètres géométriques suivants: - la longueur de canal effective (Leff), - la longueur de la fenêtre d'oxyde de tunnel (Ltun), - la superficie de l'oxyde inter polysilicium (Spp(=Wpp. Lpp)), - l'épaisseur de la fenêtre d'oxyde de tunnel (Ttun), - la longueur de l'oxyde inter polysilicium (Tpp), - la largeur de canal effective (Weff), et - l'épaisseur de l'oxyde au-dessus du canal (Tox), et un paramètre électrique comprenant la haute tension de programmation (Vpp). 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 9 ou 10, caractérisé en ce que la matrice est programmée pour produire en sortie des modèles de tension de seuil et de champs électriques maximaux en réponse aux paramètres intrinsèques et/ou extrinsèques et à des cartographies de simulation. 12. Procédé de détermination de la dépendance entre un premier ensemble de paramètres d'un composant électronique d'une part et la réponse de ce composant d'autre part, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes de: prévoir un modèle mathématique issu du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, 3*2k 2842325 - introduire dans ce modèle mathématique le premier ensemble de paramètres du composant électronique, et - déterminer la réponse du composant à partir de ce modèle mathématique. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: intégrer audit modèle au moins une valeur cible de paramètre de réponse; et - générer, à l'aide dudit modèle mathématique, un nombre de candidats correspondants définis par des valeurs dudit premier ensemble de paramètres. 14. Procédé selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de d'analyse statistique produisant un classement en termes de sensibilité de ladite valeur cible audit premier ensemble de paramètres. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que le composant est un transistor à grille flottante, destiné notamment à une cellule de mémoire de type EEPROM, en ce que ladite valeur cible comprend au moins une tension seuil (VT), et en ce que ledit premier ensemble de paramètres comprend au moins un paramètre géométrique de la revendication 10. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape de lier par ledit modèle mathématique la haute tension de programmation (Vpp) et au moins une valeur de champ électrique maximal à travers l'oxyde pour former un tunnel Fowler-Nordheim dans ledit transistor à grille flottante. 17. Procédé de diagnostic de défaut dans un composant électronique, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes de: prévoir un modèle mathématique issu du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, - introduire dans le modèle mathématique des grandeurs de sortie mesurées sur le composant, et - diagnostiquer à partir de ce modèle mathématique une variation d'au moins un paramètre du composant entraînant une variation hors spécification d'au moins une grandeur de sortie du composant. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de comparaison d'au moins une desdites grandeurs électriques d'un composant fabriqué avec au moins une valeur correspondante générée par ledit modèle mathématique pour ce même composant, et une étape de simulation de ladite variation hors spécification par ledit modèle par variation sélective d'au moins un paramètre intrinsèque dudit composant. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: - modéliser par ledit modèle au moins une valeur d'un paramètre du composant; et - générer, à l'aide dudit modèle mathématique, un nombre de candidats correspondants définis par des valeurs dudit premier ensemble de paramètres. 20. Dispositif de génération de modèle mathématique d'un composant électronique simulable électriquement, caractérisé en ce qu'il comprend: des moyens pour sélectionner un paramétrage (14) du composant électronique, - des moyens pour soumettre ce paramétrage à un plan de simulation (16, 18), - des moyens pour extraire à l'aide de ce plan de simulation un ensemble de points de calcul (20), et - des moyens pour générer, à partir de cet ensemble de points de calcul, un modèle mathématique pour simuler des paramètres du composant. 21. Dispositif selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il est mis en oeuvre pour la génération d'un modèle mathématique d'un transistor à grille flottante, destiné notamment à une cellule de mémoire de type EEPROM, le dispositif comprenant en: - des moyens d'entrée d'un modèle électrique du transistor à grille flottante, - des moyens d'entrée d'une matrice avec différentes valeurs d'au moins un constituant du transistor à simuler, - des moyens de calcul de plan de simulation produisant en réponse auxdites entrées une modèle mathématique sous forme d'au moins une tension de seuil (VT) en fonction des valeurs de ladite matrice. 22. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que lesdites valeurs de ladite matrice concernent des paramètres géométriques du transistor à grille flottante et de tension qui lui sont appliquées. 23. Dispositif de détermination de géométrie d'un composant électronique à base de modèle mathématique, caractérisé en ce qu'il comprend: - le modèle mathématique issu de procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, - des moyens pour introduire dans ce modèle mathématique un premier ensemble de paramètres du composant électronique, et - des moyens pour déterminer la réponse du composant à partir de ce modèle mathématique. 24. Dispositif selon la revendication 23, caractérisé en ce qu'il est mis en oeuvre pour la détermination de la génération d'un transistor à grille flottante, destiné notamment à une cellule de mémoire de type EEPROM, le dispositif comprenant en outre: - des moyens d'entrée dudit modèle mathématique, ce dernier modélisant au moins une tension de seuil du transistor en fonction de sa géométrie, - des moyens d'entrée d'au moins une tension de seuil (VT) cible, - des moyens de calcul opérant sur lesdites entrées pour produire un ensemble de géométries candidates et des variations des tensions de seuil en fonction de différentes géométries. 25. Dispositif de diagnostic de défauts dans un composant électrique, caractérisé en ce qu'il comprend - un modèle mathématique issu du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, r - des moyens pour introduire dans le modèle mathématique des grandeurs de sortie mesurées sur le composant, et - des moyens pour diagnostiquer à partir de ce modèle mathématique une variation d'au moins un paramètre du composant entraînant une variation hors spécification d'au moins une grandeur de sortie du composant. 26. Dispositif selon la revendication 25, caractérisé en ce qu'il est mis en oeuvre pour le diagnostic de défaut d'un transistor à grille flottante, destiné notamment à une cellule de mémoire de type EEPROM, le dispositif comprenant en outre: - des moyens d'entrée dudit modèle mathématique, ce dernier modélisant au moins une tension de seuil du transistor en fonction de sa géométrie, - des moyens d'entrée d'au moins une tension de seuil (VT) mesurée sur un transistor défectueux, - des moyens de calcul opérant sur lesdites entrées pour produire un ensemble de géométries candidates et un classement de paramètres géométriques pouvant être à l'origine du défaut du transistor.