FR 2839204 A1 20031031 FR 0215003 A 20021129 3 5 du transistor considéré. Dispositif métal-oxyde-silicium comprenant une structure d'oxyde à léchelle du nanomètre La présente invention concerne de manière générale un dispositif métal-oxyde-silicium, comprenant une structure d'oxyde à l'échelle du nanomètre pour augmenter le pouvoir d'émission de lumière, et en particulier un dispositif métal-oxyde-silicium qui peut émettre de la lumière par excitation électronique et augmenter le pouvoir d'émission de lumière grâce à une structure d'oxyde à l'échelle du nanomètre. Le dispositif métal-oxyde-silicium (en abrégé "MOS'') a été révélé par Moll, Pfann et Garrett en 1959. Toutefois, les dispositifs MOS connus n'ont pas été utilisés pour la réalisation d'éléments électroluminescents. Le dispositif MOS a été mis au point à l'origine pour la réalisation de condensateurs à tension réglée. Dans les annces 1970, Boyle et Smith ont pour la première fois fait aboutir un nouveau concept de couplage de charge et réalisé en conséquence un dispositif à couplage de charge (CCD), qui est devenu un composant essentiel des caméras numériques. Dans les années 1980, le dispositif MOS a été très utilisé comme élément clé de circuits intégrés (IC). Le transistor CMOS (métal-oxyde-semiconducteur complémentaire) qui est constitué d'un MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur) à canal n et d'un MOSFET à canal p, joue un rôle important dans les circuits d'intégration à très grande échelle (VLSI) ou dans les circuits d'intégration à ultra grande échelle (ULSI). Même dans le cas des cellules solaires, le dispositif MOS est encore traité comme étant un constituant très apprécié. Bien que le dispositif MOS joue un rôle extrêmement important dans les circuits de microélectronique, son application dans des dispositifs émettant de la lumière n'est pas très escomptée du fait de la largeur de bande interdite indirecte du silicium. Cependant, la demanderesse a décrit dans la demande de brevet à Taiwan n 456 057, déposée le 17 juin 1999, une diode MOS émettrice de lumière, o le dispositif MOS est capable d'émettre de la lumière par excitation électronique et se transforme en une diode émettrice de lumière. La diode MOS émettrice de lumière, décrite dans ce document, est également connue sous la dénomination "MOSLED". La demand ere sse a don c effectué de s tas d'efforts p our améliorer le pouvoir d'émission de lumière du dispositif MOSLED classique, et elle a finalement mis au point un dispositif MOS comprenant une structure d'oxyde à l'échelle du nanomètre, ce qui conduit à un courant non- uniforme et à une augmentation du pouvoir d'émission de lumière. La présente invention a pour but de fournir un dispositif MOS comprenant une structure d'oxyde à l'échelle du nanomètre pour augmenter le pouvoir d'émission de lumière. Un autre but de la présente invention est de fournir un tel dispositif dont les étapes de fabrication sont tout à fait semblables à celles des dispositifs MOS classiques, de sorte qu'il peut s'intégrer à une puce classique à base de silicium. Cela peut étendre encore les domaines d'application des puces à base de silicium et des matériaux à base de siliclum. Un autre but encore de la présente invention est de fournir un tel dispositif dont la structure et les étapes de fabrication soient très simples, et le coût modique. Conformément à la présente invention, ces buts sont atteints grâce à un dispositif métal-oxyde-silicium qui comprend: - un support à base de silicium, - une couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre, formée sur ledit support à base de silicium, cette couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre présentant des caractéristiques ou des structures nanométriques, qui ne sont pas nécessairement des semi-conducteurs, et - une couche métallique formée sur ladite couche d'oxyde. Le dispositif selon l'invention utilise fondamentalement la couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre pour créer un courant d'effet de tunnel non-uniforme, ce qui augmente le pouvoir d'émission de lumi ère. D'autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention apparatront à la lecture de la description suivante, associée aux dessins qui l'accompagnent, dans lesquels: - la figure 1 représente une vue en coupe de la structure MOS selon un mode de réalisation préféré de la présente invention; - les figures 2A, 2B représentent la bande d'énergie du silicium d'un MOSLED de type N. en l'absence de tension de polarisation, conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention; - l es figures 3A et 3B représentent la bande d' énergi e du silicium d'un MOSLED monodimensionnel de type N et d'un MOSLED monodimensionnel de type P. lorsqu'on applique respectivement aux couches métalliques une tension de polarisation directe et une tension de polarisation inverse, conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention; - la figure 4 représente la courbe donnant le courant I en fonction de la tension V pour une tension de polarisation directe, conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention; la figure 5 représente la bande d'énergie bidimensionnelle d'un MOSLED de type N. lorsqu'on applique à la couche métallique une tension de polarisation directe, conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention; - la figure 6 montre les étapes de fabrication d'un MOSLED conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention; - la figure 7A montre la courbe donnant l'intensité lumineuse en fonction du courant, conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention; et - la figure 7B représente la courbe donnant l'intensité lumineuse en fonction du courant lorsque la couche d'oxyde ne contient pas de nanoparticules. La présente invention a été décrite en public lors du congrès IEEE du 28 octobre 2001 au 30 octobre 2001, et le mémoire correspondant est incorporé ici pour référence. Le principe de la présente invention est d'éliminer les limitations d' appli cation du MOSLED dues à la largeur de bande interdite indirecte du silicium, de manière à augmenter le pouvoir d'émission de lumière du MOSLED. Fondamentalement, l'augmentation du pouvoir d'émission de lumière du MOSLED conformément à la présente invention est obtenue grâce à un phénomène d'effet de tunnel de la mécanique quantique. Lorsque l'épaisseur de la couche d'oxyde est faible et située dans le domaine nanométrique, la probabilité de passage d'électrons dans le MOSLED par effet de tunnel augmente beaucoup. La probabilité de passage d'électrons par effet de tunnel augmente rapidement avec la tension de polarisation directe. Toutefois, la couche d'oxyde n'est pas un conducteur et une tension de polarisation arrondie sera appliquée à travers la couche d'oxyde. C'est-à-dire, différentes tensions de polarisation sont appliquées à travers la couche métallique et le support de silicium, ce qui provoque une courbure de la bande d'énergie interdite du silicium. Dans le cas d'un support de siliclum de type N. la bande d'énergie du silicium au voisinage de l'interface silicium-oxyde se recourbera vers le bas dans le cas d'une tension de polarisation directe. Un puits de potentiel pour les électrons sera créé et un grand nombre d'électrons s'accumuleront dans ce puits. Simultanément, un grand nombre de trous atteindront le puits de potentiel par effet de tunnel. Par conséquent, un grand nombre d'électrons et de trous peuvent se recombiner à cet endroit pour produire des photons. Dans le cas d'un support de silicium de type P. le principe de production de photons par excitation électronique peut être déduit de la même manière. Si des nanoparticules de dioxyde de silicium sont déposées entre le support de silicium et la couche métallique, on peut obtenir une couche d'oxyde ayant une épaisseur non-uniforme. A condition d'appliquer une tension de polarisation à la couche métallique et au support de silicium, le puits de potentiel mentionné précédemment sera non seulement limité dans la direction perpendiculaire à l'interface silicium-dioxyde de siliclum, mais aussi dans la direction parallèle à I'interface siliciumdioxyde de silicium. I1 se forme ainsi un puits de potentiel tridimensionnel, ce qui entrane une accumulation locale d'électrons et de trous. De cette manière, le pouvoir d'émission de lumière sera beaucoup augmenté. Conformément à la mécanique quantique et à la physique des semiconducteurs, on sait qu'une couche d'oxyde ayant une épaisseur de l'ordre du nanomètre présente les caractéristiques suivantes: 1) les électrons peuvent traverser la couche d'oxyde par effet de tunnel, et la probabilité de passage d'électrons par effet de tunnel augmente rapidement lorsque la tension appliquée augmente; 2) la probabilité de passage d'électrons par effet de tunnel diminue lorsque l'épaisseur de la couche d'oxyde augmente. Le concept précédent fait partie d'un mécanisme physique qui est connu des spécialistes des techniques MOS dans le domaine des semi-conducteurs. En outre, la bande d'énergie du silicium au voi sinage de l' interface sil icium- oxyde se recourbera pour former un puits de potentiel pour les électrons ou les trous. En conséquence, un grand nombre d'électrons ou de trous s'accumuleront à cet endroit. La probabilité de recombinaison des électrons et des trous et la production de photons augmenteront beaucoup. Du fait de la terminaison périodique du silicium au voisinage de l'interface, la nécessité de conserver la quantité de mouvement est diminuée et la probabilité de recombinaison avec rayonnement augmente beaucoup. Afin d'expliquer plus en détail la structure et l'effet du MOSLED conforme à la présente invention, on va en donner un mode de réalisation préféré et une description détaillée dans ce qui suit. Pour éviter la confusion causée par le fait de prendre simultanément comme exemples d'illustration un semi-conducteur de type P et un semiconducteur de type N. on choisit d'utiliser dans ce mode de réalisation préféré un semi-conducteur de type N. ce choix étant fait à titre d'exemple seulement. La figure 1 représente une vue en coupe de la structure MOS selon un mode de réalisation préféré de la présente invention. Comme le montre cette figure, la structure MOS de la présente invention comportant une structure d'oxyde à l'échelle du nanomètre, comprend au moins une puce 10 à base de silicium, une couche d'oxyde 20 à l'échelle du nanomètre, formée sur la puce 10 à base de silicium, et une couche métallique 30 formée sur la couche d'oxyde 20. Il convient de noter que la couche d'oxyde 20 à l'échelle du nanomètre peut conduire à un courant non-uniforme par effet de tunnel et provoquer une courbure non-uniforme de la bande d'énergie de la puce 10 à base de silicium. La couche d'oxyde 20 à l'échelle du nanomètre peut être constituce d'un matériau isolant, tel qu'un nitrure, mais, en présence d'une tension de polarisation, les électrons peuvent traverser la couche d'oxyde 20 par effet de tunnel. La couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre peut être constituée d'oxyde, de nitrure ou d'un autre matériau isolant qui permet le passage d'électrons par effet de tunnel. La couche d'oxyde 20 à l'échelle du nanomètre a une épaisseur comprise entre 1 nanomètre et 100 nanomètres et peut être constituée de nanoparticules de dioxyde de silicium. La formation de la couche d'oxyde 20 à l'échelle du nanomètre peut être réalisée par l'un quelconque des procédés suivànts: procédé d'oxydati on non -uniforme en surface, déc apage chimi que, déc apage à sec. bombardement par des protons, bombardement par des ions, développement ou lithographie par un faisceau d'électrons, développement par un faisceau d'ions, développement par des rayons X, développement optique de proximité ou lithographie à champ proche, force ou sondage atomique et sondage pénétrant ou sondage tunnel avec balayage, qui conduit à une oxydation non-uniforme. La puce 10 à base de silicium peut être un semi- conducteur de type P. un semi-conducteur de type N ou un semi-conducteur non dopé. La couche métallique 30 peut être constituée d'argent, d'une peinture à l'argent, d'aluminium, d'indium-étain-oxyde (IEO) ou d'un autre matériau conducteur, et la puce 10 à base de siliclum peut être remplacée par d'autres matériaux présentant une largeur de bande interdite indirecte, comme le germanium ou le carbure de silicium (siC). Les figures 2A et 2B montrent la bande d'énergie du silicium en l'absence de tension de polarisation. A l'équilibre thermique, la bande d'énergie est incurvée, aucun courant ne passe au travers et aucune lumière n'est émise. Lorsqu'on applique une tension positive à la couche métallique, le courant est encore infinitésimal. D'autre part, comme la bande d'énergie reste incurvoe vers le haut et qu'il n'y a pas d'accumul ation d'électrons au voi sinage de l' interface silicium-oxyde, il ne se produira pas une quantité importante de recombinaison d'électrons et de trous. Lorsque la tension appliquée à la couche métallique augmente continuellement jusqu'à un niveau qui nivelle la bande d'énergie, la barrière d'énergie que les porteurs passant par effet de tunnel ont à surmonter diminue, et par conséquent le courant par effet de tunnel augmente. Lorsque la tension positive appliquée continue à augmenter, la bande d'énergie s'incurve vers le bas. On sait d'après la méthode WKB de la mécanique quantique que la probabilité de passage par effet de tunnel est beaucoup augmentée, comme le montrent les figures 3A et 3B. Par conséquent, le courant traversant (également désigné par "courant par effet de tunnel") augmente rapidement. La figure 4 montre la courbe I-V dans des conditions de tension de polarisation directe, conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention. Elle révèle que le courant par effet de tunnel augmente rapidement pour une tension de bande plate. Lorsque la bande d'énergie s'incurve vers le bas, la bande de conduction à proximité de l'interface silicium-oxyde forme un puits de potentiel pour les électrons, et un grand nombre d'électrons s'y accumulent. Simultanément, un grand nombre d'électrons traversent la couche métallique et atteignent l'interface silicium-oxyde, et par conséquent un grand nombre de recombinaisons d'électrons et de trous se produira dans cette zone. Toutefois, comme le silicium est un matériau présentant une largeur de bande interdite indirecte, la quantité de mouvement des électrons n'est pas égale à celle des trous. Lors de la recombinaison, la loi de conservation de la quantité de mouvement ne peut pas être respectée. En conséquence, des phonons doivent prendre part au pro cessus de recombinai son de façon à ce que la condition de conservation de la quantité de mouvement soit respectée. Il en résulte que la probabi lité de recombinai son de s électrons et des trous est insignifiante dans des conditions normales. Toutefois, l'utilisation de nanoparticules de dioxyde de silicium entre le support de silicium et la couche métallique peut conduire à une couche d'oxyde ayant une épaisseur non-uniforme et entraîner les effets suivants: 1) dans des conditions de polarisation directe, la tension à travers une couche mince d'oxyde est identique à celle à travers une couche épaisse d'oxyde. C'est-à-dire, le gradient de potentiel dans une couche mince d'oxyde est supérieur à celui dans une couche épaisse d'oxyde. Par conséquent, le dogré de courbure de la bande d'énergie à l'endroit o le support de siliclum entre en contact avec la couche mince d'oxyde est supérieur au degré de courbure de la bande d'énergie à l'endroit o le support de siliclum entre en contact avec la couche épaisse d'oxyde. Comme le montre la figure S. un puits de potentiel tridimensionnel est formé, l'axe z étant perpendiculaire à l'interface silicium-dioxyde de silicium et l'axe x étant parallèle à l'interface silicium dioxyde de silicium. La bande d'énergie dans la direction de l'axe y est semblable à celle dans la direction de l'axe x, et l'axe y du puits de potentiel tridimensionnel n'est pas représenté explicitement. Le puits de potentiel tridimensionnel correspond à l'endroit o le support de silicium entre en contact avec la couche mince oxyde, et les électrons s'accumuleront à cet endroit. 2) Comme on l'a indiqué précédemment, la probabilité de passage par effet de tunnel augmente lorsque l'épaisseur de la couche d'oxyde diminue. Par conséquent, la probabilité de passage par effet de tunnel est plus élevée pour une couche mince d'oxyde que pour une couche épaisse d'oxyde, et un grand nombre de trous passant par effet de tunnel s'accumuleront dans la couche mince d'oxyde. Les effets décrits ci-dessus provoqueront l'accumulation locale des électrons et des trous dans la même zone. Comme les nanoparticules ont une taille inférieure ou égale à 100 nanomètres, les électrons et les trous seront confinés dans une zone à l'échelle du nanomètre. Comme le silicium est un matériau présentant une largeur de bande interdite indirecte, la recombinaison des électrons et des trous ne peut respecter la condition de conservation de la quantité de mouvement que lorsque des phonons prennent part au processus de recombinaison. Dans des conditions normal es, la probabilité pour que des électrons, des trous et des phonons se trouvent ensemble, est faible, et par conséquent la probabilité de recombinaison des électrons et des trous et la probabilité d'émission de lumière sont très insignifiantes. Lorsque les électrons et les trous sont confinés dans une zone à l'échelle du nanomètre, ils ne se déplacent pas librement. Ainsi, les phonons peuvent facilement s'incorporer à eux. Cela signifie que la recombinaison initiale qui nocessite la participation de trois types de particules (électrons, trous et phonons) s'est transformée en une recombinaison qui nécessite la participation de seulement deux types de particules (paires électron-trou et phonons), et par conséquent la probabilité de recombinaison des électrons et des trous est beaucoup augmentée et le pouvoir d'émission de lumière est accru. La figure 6 montre que les nanoparticules de dioxyde de silicium sont déposées entre le support de siliclum et la couche métallique. Un procédé de fabrication du dispositif MOS selon la présente invention est décrit ci-après: Etape 100: nettoyage du support de silicium; Etape 200: dilution de la solution primitive contenant des nanoparticules de dioxyde de silicium pour abaisser la concentration des nanoparticules, et dépôt des nanoparticules sur le support de silicium par un procédé de revêtement par rotation; Etape 300: cuisson de l'échantillon pour éliminer le solvant organique; Etape 400: application d'un film très mince d'aluminium sur les nanoparticules de dioxyde de silicium; Etape 500: oxydation du film mince d'aluminium pour former une couche très mince d'oxyde; et Etape 600: revêtement de la couche mince d'oxyde avec de l'argent ou une peinture à l'argent pour former une couche métallique. Les étapes de fabrication précédentes ne sont données qu'à titre d'exemple, et ne doivent pas être prises comme étant une limitation de la présente invention. La présente invention peut être réalisée du moment que l'épaisseur de la couche d'oxyde n'est pas uniforme et que la taille des caractéristiques à l'intérieur de la couche d'oxyde est au niveau du nanomètre. La figure 7A montre la courbe intensité lumineuse-courant conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention. La figure 7B montre la courbe intensité lumineuse-courant dans le cas o la couche d'oxyde ne contient pas de nanoparticules. Il est évident que l'intensité lumineuse du dispositif MOS selon la présente invention est augmentée de plusieurs centaines de fois. Comme le montre la figure 7A, pour un courant injecté de 50 mA, l'intensité de la lumière émise peut atteindre 1,5 W et le rendement quantique externe correspondant approche 10-4. Toutefois, sur la figure 7A, seule la lumière émise par le bord de la peinture à l'argent est prise en compte, alors que les autres lumières qui sont soit éliminées par filtration par la peinture à l'argent, soit émises dans une autre direction, ne sont pas recueillies par le photodétecteur. Par conséquent, si la lumière totale est prise en compte, le rendement quantique externe réel peut atteindre 10-3. Comme les étapes de fabrication du dispositif MOS selon l'invention sont tout à fait semblables à celles des dispositifs MOS classiques, et que le dispositif MOS selon l'invention est fabriqué à partir d'un support de silicium, ce dispositif peut être intogré à la puce classique à base de silicium de circuit intégré. Cela permet à la puce à base de silicium d'être applicable à des produits électroniques et de servir comme élément émetteur de lumière, très efficace. En outre, l'intégration monolithique de la puce électronique et de l'élément émetteur de lumière peut étendre encore le champ d'application de la puce à base de silicium et des matériaux à base de silicium. La structure et les étapes de fabrication du dispositif MOSLED selon l 'i nventi on sont très simpl es et peu coûteuses, et en particuli er, elles peuvent étre combinées directement avec la fabrication des circuits i ntogrés. Bien que l'invention ait été décrite et illustrce à l'aide de modes de réalisation particuliers, il doit être clairement compris que ces modes de ré ali s ati on ne sont donné s qu ' à titre d' exemples et ne constituent pas une limitation de l'invention, la portée de la présente invention n'étant limitée que par les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Dispositif métal-oxyde-silicium, comportant une structure d'oxyde à l'échelle du nanomètre pour augmenter le pouvoir d'émission de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend: un support à base de silicium, une couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre, formée sur ledit support à base de silicium, cette couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre présentant des caractéristiques ou des structures nanométriques, qui ne sont pas nécessairement des semi-conducteurs, et une couche métallique formée sur ladite couche d'oxyde. 2. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre peut fournir un courant non-uniforme par effet de tunnel. 3. Dispositif métal-oxyde-siliclum selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre est suffisante pour recourber de manière non-uniforme une bande d'énergie de ladite puce à base de silicium, en présence d'une tension de polarisation. 4. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre est remplacée par une couche de nitrure à l'échelle du nanomètre, en tant que couche isolante, qui permet le passage des électrons par un effet de tunnel. 5. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre peut être une couche d'oxyde, une couche de nitrure ou une couche d'un matériau isolant, en tant que couche isolante permettant le passage des électrons par un effet de tunnel. 6. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre a une épaisseur comprise entre l nanomètre et 100 nanomètres. 7. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre ou couche d'isolation a une épaisseur comprise entre 1 nanomètre et 100 nanomètres. 8. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre a une épaisseur comprise entre 1 nanomètre et 100 nanomètres. 9. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre ou couche d'isolation est constituce de nanoparticules de dioxyde de silicium. 10. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre est formoe par l'un des procédés suivants: procédé d'oxydation non uniforme en surface, décapage chimique, décapage à sec. bombardement par des protons, bombardement par des ions, ithographie par un faisccau d'électrons, lithographie par un faisccau d'ions, lithographie par des rayons X, lithographie à champ proche, force atomique et sondage tunnel avec balayage, qui entraînent une oxydation non-uniforme. 11. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre est formée par l'un des procédés suivants: procédé d'oxydation non uniforme en surface, décapage chimique, décapage à sec. bombardement par des protons, bombardements par des ions, lithographie par un faisceau d'électrons, lithographie par un faisceau d'ions, lithographie par des rayons X, lithographie à champ proche, force atomique et sondage tunnel avec balayage, qui entrarnent une oxydation non-uniforme. 12. Dispositif métal-oxyde-siliclum selon la revendication S. caractérisé en ce que ladite couche d'oxyde à l'échelle du nanomètre est formée par l'un des procédés suivants: procédé d'oxydation non uniforme en surface, décapage chimique, décapage à sec. bombardement par des protons, bombardement par des ions, d'i ons, lithographie par de s rayons X, lithographie à champ pro che, force atomique et sondage tunnel avec balayage, qui entraînent une oxydation non-uniforme. 13. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit support à base de silicium est un semi conducteur de type P. un semi-conducteur de type N ou un semi conducteur non dopé. 14. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit support à base de silicium est un semi c onducteur de type P. un semi -c on ducteur de type N ou un semi conducteur non dopé. 1S. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication S. caractérisé en ce que ledit support à base de silicium est un semi conducteur de type P. un semi-conducteur de type N ou un semi conducteur non dopé. 16. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche métallique est constituée d'argent, d'aluminium, d'indium-étain-oxyde ou d'un matériau électriquement conducteur. 17. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite couche métallique est constituée d'argent, d'aluminium, d'indium-étain-oxyde ou d'un matériau électriquement conducteur. 18. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication S. caractérisé en ce que ladite couche métallique est constituée d'argent, d'une peinture à l'argent, d'aluminium, d'indium-étain-oxyde ou d'un matériau électriquement conducteur. 19. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit support à base de silicium peut être remplacé par un matériau présentant une largeur de bande interdite indirecte, comme le germanium ou le carbure de silicium. 20. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit support à base de silicium peut être remplacé par un matériau présentant une largeur de bande interdite indirecte, telle que le germanium ou le carbure de silicium. 21. Dispositif métal-oxyde-silicium selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit support à base de siliclum peut être remplacé par On matériau présentant une largeur de bande interdite