FR 2836597 A1 20030829 FR 0202461 A 20020227 masse. 1 2836597 MICRO-COMPOSANT ELECTRONIQUE INCORPORANT UNE STRUCTURE CAPACITIVE, ET PROCEDE DE REALISATION Domaine technique L'invention se rattache au domaine technique de la micro-électronique. Elle vise plus précisément des micro-composants électroniques incorporant une ou plusieurs structures capacitives formant des micro-condensateurs. Ces composants p euvent notamment étre utilis és dans le cadre d'appli cations radio fréquence par exemple, et peuvent notamment servir de capacités de découplage. L'invention vise plus précisément la structure d'une telle capacité en vue d'en augmenter très fortement s a " capacitance", c'est- à- dire s a capacité par unité de surface, et ce sans augmenter trop fortement les coûts de fabrication: Techniques antérieures La réalisation de microcondensateurs ou de structures capacitives sur des substrats semi-conducteurs a déjà fait l'objet de certains développements. Différentes technologies ont déjà vu le j our, et notamment celles qui permettent de réaliser des structures capacitives constituées de deux électrodes formées par des couches métalliques, séparées par une couche de matériau isolant ou diélectrique. Ce type de capacités est généralement qualifié de structure "MIM" pour "Métal Isolant Métal". L'invention se rattache à ce type de structure capacitive. Parmi les solutions existantes, celle décrite dans le document FR 2 801 425 concerne un micro-condensateur dont les deux électrodes sont formées par des couches métalliques planes. Dans ce cas, la valeur de la capacité du condensateur est essentiellement fonction du type de matériau diélectrique utilisé, ainsi que de la surface en regard des deux électrodes métalliques. Autrement dit, la "capacitance", ou la capacité par unité de surface, est fixée de façon prépondérante par l'épaisseur de la couche isolante et sa permittivité relative. Ainsi, pour augmenter la valeur de ,,.7 2 2836597 capacitance, il est nécessaire soit de choisir des matériaux de très forte permittivité relative, soit de réduire les distances entre les électrodes, avec le risque d' apparition de phénomènes de claquage voire d'effets tunnels. Autrement, les condensateurs réalisés selon la structure décrite dans ce document sont limités en terme de capacitance. Le Déposant a décrit dans la demande de brevet français n 02.01618 une nouvelle structure de capacité réalisée sur un niveau de métallisation d'un composant électronique. Chaque électrode de cette structure capacitive comporte une pluralité de lamelles qui sont perpendiculaires au plan principal du substrat. Un des objectifs de l'invention est de proposer une structure capacitive qui puisse être réalisée sur un dernier niveau de métallisation apparent d'un micro- composant électronique, et qui possède une valeur de capacité par unité de surface 1 S qui soit nettement plus élevée que les valeurs habituellement observees. Exposé de l' invention L'invention concerne donc un micro-composant électronique réalisé à partir d'un substrat semi-conducteur, et qui incorpore une structure capacitive réalisée au dessus du dernier niveau de métallisation apparent du substrat. Cette structure capacitive comporte deux électrodes dont, conformément à l'invention: une des électrodes comporte un ensemble de lamelles superposées parallèlement au plan du substrat, et décalée de l'une à l'autre par rapport à un tronc central; À l'autre électrode comporte deux ensembles de lamelles, les lamelles de chaque ensemble étant intercalées entre les lamelles de la première électrode en étant reliées entre elles par une paroi commune, les deux parois communes étant elles-mêmes reliées par dessus la première électrode. Autrement dit, la première électrode forme une structure arborescente dont le tronc est formée par la superposition des portions en recouvrement de chacune des lamelles. À:& 3 2836597 La seconde électrode recouvre la première en formant une pluralité de lamelles qui sont intercalées entre les lamelles de la première électrode situées de part et d'autre du tronc central. La surface en regard de chacune des électrodes est donc particulièrement élevée. Pour une même surface occupée sur le substrat, cette surface en regard peut être accrue en augmentant le nombre de lamelles de chaque électrode, ce qui permet donc d'augmenter la capacitance à souhait. En pratique, les électrodes sont séparées par une couche diélectrique réalisée à partir de matériaux qui sont avantageusement choisis dans le groupe des oxydes ferro-électriques et pyroélectriques. Parmi ces oxydes ferroélectriques, on conna^t le dioxyde d'Hafnium, le pentoxyde de Tantale, le dioxyde de Zirconium, les oxydes de Lanthane, le trioxyde de di-Yttrium, l'alumine, le dioxyde de Titane, ainsi que les titanates et tantalates de Skontium (STO), les titanates de Strontium et Baryum (BST), les Tantalates de Strontium et Bismuth (SBT), ainsi que les titanates de Plomb et de zirconate de Plomb (PZT), les titanates et zirconates de Plomb dopées avec des Lanthanides (PLZT), les nobiates de Strontium et Bismuth (SBN), les tantalates et niobates de Strontium et Bismuth (SBTN), les cuprates de Baryum et Yttrium, les Alcalinoxydes de Manganèse Me2MnO3 Ce matériau diélectrique peut étre déposé soit en couche homogène d'un même matériau, ou d'un alliage de plusieurs de ces matériaux. Néanmoins, dans une forme préférce, la couche diélectrique peut également être constituée de la superposition de couches élémentaires de matériaux différents formant une structure nanolaminée. Dans ce cas, chacune des couches est de très faible épaisseur, de l'ordre de quelques Angstrom à quelques centaines d' Angstrom. Oans une forme préférce, la st_chiométrie des matériaux varie d'une couche élémentaire à l'autre dans la structure nanoiaminée. Ainsi, en faisant varier la 4 2836597 st_chiométrie de chaque couche, on crée des gradients de eoneentration d'oxygène (et des autres matériaux utilisés) à travers quelques eouches atomiques. La variation de structure de bandes de chaque couche élémentaire de la structure nanolaminée a pour conséquenee de modifier la structure de bande globale des alliages et des composés d'oxydes ferro et pyroélectriques à travers seulement quelques eouches atomiques. On obtient de la sorte des valeurs de permittivité relative particulièrement importantes, ee qui agit en faveur de l'augmentation de la capaeitanee. En pratique, on préférera que la surface de chaque éleetrode soit recouverte d'une couche de matériau barrière à la diffusion de l'oxygène, typiquement à base de nitrure de titane, de nitrure de tungstène, de nitrure de tantale, ou bien encore l'un des matériaux suivants: TaAlN, TiAlN, MoN, CoW ou TaSiN. Avantageusement, les différentes lamelles faisant partie de chacune des électrodes sont réalisées à partir du même matériau, ce qui améliore le eomportement électrique du eondensateur, en éliminant notamment eertains risques de déDeetivité. En pratique, le matériau utilisé pour former les électrodes peut être du tungstène, ou plus généralement tout matériau condueteur possédant une bonne conductivité électrique. Les électrodes peuvent ainsi être réalisées en cuivre, ce qui permet d'utiliser des méthodes de dépôt électrolytique. L'invention concerne également un proeédé de fabrieation d'une telle strueture eapaeitive. Cette strueture capacitive est fabriquée sur un micro- composant, au-dessus du dernier niveau de métallisation apparent réalisé dans le substrat du micro-composant. Conformément à l'invention, le procédé comporte les étapes suivantes consistant à: 2836597 À déposer au-dessus du n*eau de métallis$ion, une couche métallique destinée à former la partie basse d'une des deux électrodes de la structure capacitive; À déposer au-dessus de la couche métallique une couche structurante de manière à définir un canal destiné à accueillir un dépôt métallique; À déposer dans le canal ainsi formé un dépôt métallique; À renouveler les deux étapes précédentes autant de fois que nécessaire, en fonction de la géométrie souhaitée de la capacité, en décalant d'une fois sur l'autre la position de la couche structurante pour ne couvrir qu'une partie de la couche métallique sousjacente, de manière à également décaler les futurs dépôts métalliques, et obtenir ainsi une structure arborescente formant la première électrode; À déposer au-dessus de la première électrode une couche de matériau diélectri que s el on les compositions décrites ci -avant et notamment en c e 1S qui concerne les structures nanolaminées; À déposer par dessus la première électrode un matériau conducteur venant s'insérer entre les différentes couches métalliques de la première électrode. Description sommaire des fgures La manière de réaliser l'invention ainsi que les avantages qui en découlent ressortiront bien de la description du mode de réalisation qui suit, à lappui des figures annexées numérotées 1 à 19, représentant une vue en coupe du micro- composant conforme à l'invention au niveau de la structure capacitive caractéristique, et ce au fir et à mesure des étapes de fabrication. Pour des raisons de simplifications, les figures 4 à 18 ne représentent que la partie supérieure du composant, dans la zone o est réalisée la structure capacitive. De façon générale, les dimensions des différentes couches et éléments réels peuvent différer de celles des couches et éléments qui sont représentés aux figures uniquement dans le but de faire comprendre l'invention. 6 2836597 Manière de réaliser l'nvention Comme déJà évoqué, l'invention concerne un micro-composant incorporant un micro-condensateur réalisé selon une structure spécifique, particulièrement avantageuse en termes de capacitance, c'est-à-dire de capacité par unité de surface. Un tel micro-condensateur peut être réalisé sur un micro-composant (1) tel qu'illustré à la figure 1. Pour illustrer la possibilité de réaliser le micro- condensateur à différents niveaux du micro-composant, le substrat (2) illustré à la figure 1 comprend plusieurs niveaux de métallisation (3, 4, 5). Le substrat (2) comporte également un plot d'interconnexion (6) détouchant sur la face supérieure (7) du substrat. Plus précisément, cette face supérieure (7) est recouverte d'une couche de passivation (8), typiquement en SiO2 ou SiON. Néanmoins, l'invention ne se limite pas à cette seule forme de gamme de micro-composants présentant une structure interne à plusieurs niveaux de métallisation. On décrit par la suite un procédé particulier de réalisation qui perrnet d'obtenir la structure de micro-capacités conforme à l'invention. Certaines étapes du procédé peuvent néanmoins être considérées comme accessoires ou simplement utiles et avantageuses pour améliorer certaines performances, sans être absolument obligatoires pour rester dans le cadre de l'invention. Ainsi, dans une première étape illustrée à la figure 2, on procède à la gravure de la couche de passivation (8), de manière à laisser apparaître le niveau de métallisation (3) sousjacent. La gravure de la couche de passivation (8) peut, lorsque cette dernière est réalisée en SiON, être effectuée par un procédé classique de gravure chimique utilisant un mélange CF4:O2 ou CF4:H2 ou bien encore une technique de type "Reactive Ion Etchingii (RIE), voire encore en utilisant un plasma radioréquence. On procède par la suite à une étape de nettoyage permettant d'éliminer toute trace restante de SiON ou des produits utilisés pour sa gravure. Ce nettoyage peut par exemple être réalisé en utilisant une solution commercialisée sous la référence . 7 2836597 AC:T 970 par la Société ASHLAND. Ce nettoyage peut être suivi d'un prérinçage avec dissolution de dioxyde de carbone ou d'ozone par bullage, avec un acide hydroxyle carboxylique tel que de l'acide citrique ou encore de l'acide oxalique. Par la suite, on procède au dépôt de la couche barrière à diffusion de l'oxygène (10) tel qu'illuské à la figure 2. Cette couche barrière à la diffusion fera office de couche amorce pour le dépôt des couches supérieures. Cette couche sert également à améliorer la résistance à l'électro-migration et à la diffusion de l'oxygène. Cette couche peut étre déposée par une technique de dépôt de couches atomiques également appelée ALD pour "Atomic Layer Deposition". Une telle technique confère une très bonne uniformité d'épaisseur et une excellente intégrité à cette couche barrière à diffusion (10). Les matériaux susceptibles d'être utilisés pour réaliser cette couche barrière à la diffusion peuvent être du nitrure de titane ou du nitrure de tungstène, du nitrure de tantale, ou encore un des matériaux suivants: TaAlN, TiAlN, MoN, CoW ou TaSiN. Par la suite, et comme illustré à la figure 3, on procède au dépôt d'une couche conductrice destinée à former la lamelle inférieure de l'électrode centrale. Cette couche (11) peut être déposée par différentes techniques classiques, parmi ces techniques, on peut citer les techniques connues sous les abréviations PVD, E-BEAM, CVD, ALD, ainsi que les procédés de croissance électrolytique. Les matériaux aptes à être employés pour fermer cette couche formant la base de l'électrode (11) peuvent étre choisis dans le groupe comprenant: le tungstène, le molybdène, le ruthénTum, l'aluminium, le titane, le nickel, le gallium, le palladium, le platine, l'or, l'argent, le nioblum, l'iridium, le dioxyde de iridium, le dioxyde de ruthénium, l'yttrium, le dioxyde d'yttrium ainsi que le cuivre. L'épaisseur ainsi déposée est typiquement supérieure à 100 nanomètres. Par la suite, on procède comme illustré aux figures 4 à 7 à différentes étapes de gravure permettant de délimiter dans le plan du substrat la position de l'électrode centrale de la micro-capacité. Ces différentes étapes se décomposent tout d'abord comme illustré à la figure 4 par le dépôt *une couche de résine (12) recouvrant le dépôt métallique (11). Cette couche (12) est ensuite insolée puis éliminée dans les zones périphériques pour ne demeurer que dans la zone (13) située à l'aplomb de la première électrode, comme illustré à la figure 5. On procède par la suite comme illustré à la fgure 6 à la gravure de la couche métallique (11) en dehors de la zone protégée par la couche de résine (13). Cette dernière est ensuite éliminée comme illustrée à la figure 7 pour laisser appara^tre la partie inférieure (14) qui formera la base de la première éleckode. Par la suite, et comme illuské à la figure 8, on procéde au dépôt d'une couche structurante (15) qui permettra par la suite de définir différents canaux dans lesquels seront effectués des dépôts métalliques qui permettront la construction de la première électrode. On choisira un matériau métallique susceptible d'être gravé en définissant des parois relativement planes et perpendiculaires au substrat. Parrni ces matériaux, on pourra choisir une résine photosensible, telle que notamment les résines commercialisées sous les références SJR 57-40 ou SU 8 par les sociétés SHIPLEY et CLARIANT. On peut également utiliser un polyimide, et notamment ceux commercialisés par la société DUPONTt DE NEMOURS, ou du beuzocycloDutène (BCB) photosensible fabriqué par la société DOW CHEMICAL. Il est également possible d'utiliser un matériau commercialisé sous la référence CYCLOTENE DRYETCH série 3 par la société DOW CHEMICAL. On peut également déposer une couche de SOG (SPIN ON GLASS), ou bien encore de polysilicium, ou bien encore de l' oxyde de siliclum (S i O2) ou de l'oxynitrure de silicium ( SiON) qui peuvent être déposés par différentes techniques de dépôt chimique en phase vapeur PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), ou APCVD (Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition). On procède par la suite et comme toujours illustré à la fgure 8, à la définition d'une tranchée centrale (16) réalisée au niveau médian de la première lamelle métallique (14). Cette kanchée centrale est obtenue par lithographie et/ou gravure :. - 3 9 2836597 de manière à éliminer la couche sucturante (1S) jusqu'à laisser apparaitre la couche (14) formant la partie basse de l'électrode. Par la suite, on procède comme illustré à la figure 9 à un dépôt métallique dans la tranchée (16), de manière à définir un plot (17) audessus de la base métallique (14). Ce plot (17) est ensuite protégé par le dépôt d'une résine photosensible (18). Par la suite, on procède à un nouveau dépôt d'une résine analogue à celle utilisée pour former la couche structurante (1S). Cette nouvelle couche structurante est éliminée à l'exception de la zone (19), située d'un côté du plot métallique (17), corume illustré à la figure 10 Par la suite, on procède comme illustré à la figure 11 au dépôt d'une nouvelle couche métallique formant une lamelle (20) s'étendant depuis le plot central (17) jusqu'à un côté de la première électrode. Ce dépôt métallique est effectué selon une épaisseur sensiblement égale à celle de la couche structurante (19) déposée du côté opposé de l'électrode. La lamelle (20) illustrée à la figure 11 est obtenue après que le dépôt métallique ait subi une étape de gravure par une technique de "lift off'. La lamelle métallique (20) ainsi obtenue est ensuite protégée par le dépôt d'une couche de résine photosensible (21) recouvrant sa face supérieure. On procède ensuite comme illustré à la figure 12 à l'élimination de la couche de résine (21) puis au dépôt d'une couche structurante qui n'est conservée que dans la zone (22) situce d'un côté de l'électrode, en dehors du tronc central (23). Par la suite, on procède en enchainant les différentes étapes de dépôt métallique, puis de dépôt de couche structurante, de manière à obtenir la structure illustrce à la figure 13. L'électrode possède donc alors une structure arborescente formoe des différentes lamelles (25, 26) s'étendant autour du tronc central (27). On obtient ainsi une superposition de différentes lamelles présentant chacune une épaisseur de l'ordre de 150 Angstroms. Bien entendu, ces dimensions sont données à titre d'exemple, et peuvent être modifiées en fonction des valeurs des capacités ou de capacitance souhaitée. ...... o 2836597 Par la suite on procède, à l'élimination de la couche structurante (1S) et des différentes portions de couches structurantes (19, 22) restant entre les lamelles (25, 26), pour obtenir la structure illustrée à la fgure 14. Cette élimination a lieu en employant un solvant dédié à la formulation de la couche structurante. s Par la suite, comme illustré à la figure 1 S. on procède au dépôt d'une nouvelle couche structurante (30) permettant de protéger la zone du microcomposant située en dehors de la première électrode vis à vis des futures diffusions ou dépôts ultérieurs. On procède par la suite comme illustré à la figure 16 au dépôt d'une couche barrière (32) recouvrant l'intégralité de la surface extérieure de la première électrode (31), y compris dans les espaces défnis entre les lamelles successives (25, 26). On procède par la suite comme illustré à la figure 17, au dépôt d'une structure nano-laminée (33) réalisce à partir de différentes couches d'oxyde ferroélectrique et/ou pyroélectrique. Dans un exemple particulier de réalisation, la structure nano laminée (33) peut comporter un empilement de huit couches différentes. À La première couche, possédant une épaisseur de S à 10 A est réalisée à partir de AlXO3 x' avec x compris entre 0.et 3. À La seconde couche présente une épaisseur de l'ordre de 10 à 15 A, et est réalisée à partir de Taz-2o5-zAl2ox,avec z compris entre Oet 2. À La troisième couche d'une épaisseur de l'ordre de 1 S à 20 A réalisée à partir de TiO2 A1X 03+y, avec y compris entre Oet3. À La quatrième couche d'une épaisseur de l'ordre de 40 à 100 A est réalisce à partir de Tioy-xTaz-2o5+z. À La cinquième couche, d'une épaisseur de 60 à 200 À est réalisée à partir de TiOyTa3 zOz. À Les sixième, septième et huitième couches sont identiques respectivement aux troisième, deuxième et première couches. 11 2836597 La structure nano-laminée ainsi obtenue présente une épaisseur comprise entre 200 et 400 A. La permittivité relative de cette couche est de l'ordre de 23. Bien entendu, la structure nano-laminée décrite ci-avant est un exemple non limitatif dans laquelle certains éléments peuvent être substitués sans sortir du cadre de l'invention. Par la suite, comme illustré à la figure 18, on procède au dépôt d'une nouvelle couche structurante (36), qui est typiquement obtenue en BCB, en polyimide, en Parylène ou en cyclotène. Cette couche structurante (36) est gravée pour définir une tranchée (37) à l' aplomb du plot d'interconnexion (6) ainsi que dans la zone entourant l'électrode (31). L'ensemble de la couche structurante (36) et de l'électrode (31) reçoit le dépôt d'une couche barrière (34) à diffusion typiquement réalisée en nitrure de titane. Dans le cas o l'on souhaite réaliser la seconde électrode en cuivre électrolytique, on procède également au dépôt d'une couche amorce de cuivre. Cette couche amorce est ensuite recouverte sur les faces supérieures des portions de couches structurantes (36), de manière à empêcher la croissance ultérieure du cuivre électrolytique. Par la suite, on procède comme illustré à la figure 19 au dépôt électrolytique de cuivre de manière à remplir la tranchée (37) reliée au point d'interconnexion (36), et à combler l'espace défini autour de la première électrode (31). La portion (38) de cuivre déposée à l'aplomb d'interconnexion (6) permet de rendre accessible au niveau supérieur du composant le plot d'interconnexion (6) mais également le niveau de métallisation (3) auquel est reliée la première électrode (31). Le dépôt de cuivre élecholytique permet également de former la seconde électrode remplissant les espaces situés entre les différentes lamelles (25, 26) de la i2 2836597 première électrode. Ce dépôt définit donc des lamelles (40, 41) de part et d'autre de la première électrode. Certaines de ces lamelles (40) sont reliées à une paroi commune (42), les autres lamelles (41) étant reliées à une autre paroi commune (43). Les parois communes (42, 43) sont elles-mémes reliées au niveau supérieur par une portion transversale (44) formant également le plot de connexion de l'électrode supérieure (45). On peut procéder par la suite comme illustré à la fgure 19, au dépôt d'une couche de passivation typiquement en chrome, ou en Nitrure de Tantale, Nitrure de Titane, Molybdène, recouvrant à la fois la portion (38) de liaison à la première électrode et la seconde électrode (45). A titre d'exemple, on peut ainsi réaliser des micros-capacités ayant une capacitance supérieure à 25 nanoFarad par millimètre carré, en définissant des 1S épaisseurs de lamelles de l'ordre du micromètre, chacune des lamelles possédant sensiblement une longueur de l'ordre de S micromètres, l'épaisseur du tronc central étant voisine de 2,5 micromètres. I1 est possible d'empiler un nombre important de lamelles, typiquement un nombre supérieur à 10. Bien entendu, les chiffres donnés ne le sont qu'à titre d' exemple non limitatif, et l'invention couvre de nombreus es variantes de réalisation. Il ressort de ce qui précède que les capacités conformes à l'invention peuvent être obtenues avec des valeurs de capacitance très élevées sans engendrer de coûts importants en ce qui concerne leur procédure de réalisation. En outre, ces micro capacités possèdent l'avantage de pouvoir être utilisées pour des opérations ultérieures, réalisées directement sur le circuit intogré, puisque les deux électrodes de la capacité sont accessibles sur la face supérieure des micro- composants équipés du micro-condensateur. -... 3 2836597 REVE ND I C ATI ON S 1/ Micro-composant électronique (1) réalisé à partir d'un substrat (2), et incorporant une structure capacitive réalisée au-dessus du dernier niveau de métallisation (3) apparent réalisé dans le substrat, ladite structure capacitive comportant deux électrodes (31,45), caractérisé en ce qu'une des électrodes (31) comporte un ensemble de lamelles (25,26) superposées et décalées de l'une à l'autre par rapport à un tronc central (27), l'autre électrode (45) comportant deux ensembles de lamelles (40,41) , les lamelles (40,41) de chacun de ces ensembles étant intercalées entre les lamelles (25,26) de la première électrode (31) en étant relié entre elles par une paroi commune (42,43), les deux parois commune (42,43) étant elles-mêmes reliées (44) par dessus la première électrode (31). 2/ Micro-composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que les électrodes (31,45) sont séparces par une couche diélectrique (33) réalisée à partir de matériaux choisis dans le groupe des oxydes ferro- électriques et/ou pyroélectriques. 3/ Micro-composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de matériaux diélectrique (33) est réalisée par une superposition de couches élémentaires de matériaux différents formant une structure nanolaminée. 4/ Micro-composant selon la revendication 3, caractérisé en ce que la st_chiométrie des matériaux varie d'une couche élémentaire à l'autre de la structure nanolaminée (33). / Micro-composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface de chaque électrode (31,45) est recouverte d'une couche (32,34) d'un matériau barrière à la difffision de l'oxygène. À -. -- -.. 14 2836597 6/ Micro-composant selon la revendication 1, caractéri-sé en ce que pour chaque électrode (31,45), les différentes lamelles (25,26,40,41) sont réalisées à partir du même matériau. 7/ Micro-composant selon la revendication 6, caractérisé en ce que les électrodes sont réalisées à partir de cuivre. 8/ Procédé de fabrication d'une structure capacitive sur un micro. composant (1) réalisé à partir d'un substrat, ladite structure capacitive étant fabriquée au-dessus du dernier niveau de métallisation apparent (3) réalisé sur le substrat, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes consistant à: À déposer au-dessus du niveau de métallisation (3) , une couche métallique (11) destinée à former la partie basse (14) d'une des deux électrodes (31) de la structure capacitive; déposer au-dessus de la couche métallique (11) une couche structurante (12) de manière à définir un canal destiné à accueillir un dépôt métallique; À déposer dans le canal ainsi formé un dépôt métallique (20); renouveler les deux étapes précédentes en décalant une fois sur l'autre la position de la couche structurante pour ne couvrir qu'une partie de la couche métallique sousjacente, de manière à égalemènt décaler la position des dépôts métalliques (25,26), et obtenir une structure arborescente formant lapremière électrode (31); déposer au-dessus de la première électrode (31) une couche de matériau diélectrique (33); À déposer par dessus la première électrode (31) un matériau conducteur venant s'insérer entre les couches métalliques (25,26) de la première électrode, de manière à former la seconde électrode (45). Déposant: MEMSCAP Mandataire: Cabinet LAURENT ET CHARRAS