FR 2839964 A1 20031128 FR 0206388 A 20020524 L'invention concerne un procede de realisation de structure de microsysteme a entrefers lateraux et les structures de microsysteme correspond antes. Les technologies actuelles de mise en couvre de structures de microsysteme en silicium a entrefers lateraux ont pour objet la construction de structures de microsysteme en silicium dans lesquelles les caracteristiques mecaniques des structures rapportees sur un substrat, constitutives de ces structures de microsysteme, vent primordiaies, dans la mesure ou les caracteristiques mecaniques precitees vent determinantes pour la definition de caracteristiques fonctionnelles, electromecaniques, de composants incorporant ces derrieres. C'est en particulier le cas pour ce qui concerne la realisation de filtres ou resonateurs electromecaniques incorporant de telles structures de microsysteme. Parmi les techniques precitees connues actuellement, ayant pour objet l'obtention de structures resonantes en hautes frequences, on peut retenir deux processus specifiques. Un premier processus decrit par W.T. Hsu et al dans ['article intitule "A sub-micron capacitive gap process for multiple metal electrode lateral micromechanical resonators", Technical Digest, 14th International IEEE Electro Mechanical Systems Conference, Interlaken, Switzerland, Jan. 2225, 2002, pp. 349-352, est base sur un processus de micro-usinage de couches minces. La realisation de ltentrefer est effectuee au moyen de l'oxydation d'un element de polysilicium. Toutefois, la realisation des electrodes necessite l'utilisation de depat electrolytique d'or. Le plus petit entrefer obtenu a ['aide de ce processus est actuellement de 100 nm. Ce processus presente ['inconvenient de necessiter, d'une part, la superposition de nombreux masques et d'etapes technologiques complexes alors que, d'autre part, les structures finalement obtenues ont des dimensions minimales limitees par le procede de moulage ce qui introduit des restrictions dans la geometric des structures realisables. Un deuxieme processus decrit par D. Galayko et al dans ['article intitule "High frequency high-Q micromechanical resonator in thick epipolytechnology with post-process gap adjustment", Technical Digest, 15th International IEEE Micro Electro Mechanical Systems Conference, Las Vegas, U.S.A., Jan. 21-24, 2002, pp. 665-668 est base sur l'utilisation de l'actionnement, apres liberation des elements structurels mobiles, d'une electrode mobile rapprochee en butee d'une poutre resonante. Le processus precise permet d'atteindre une valeur d'entrefer de l'ordre de 0,2 m. Toutefois, la valeur minimale d'entrefer reste dependante de la precision laterale de la lithographic et de la gravure des couches structurelles. En consequence, des valeurs d'entrefer inferieures a 0,2 m peuvent difficilement etre atteintes. En outre, le processus precise impose des architectures particulieres pour le positionnement des electrodes et necessite, entre autre, des plots de connexion et une source de tension electrique supplementaires. Enfin, un troisieme processus de reduction d'entrefers verticaux a ete decrit par K. Wang et al "VHF free-free beam high-Q micromechanical resonator", Technical Digest, 12th International IEEE Micro Electro Mechanical Systems Conference, Orlando, U.S.A., Jan. 17-21, 1999, pp. 453458. Dans le processus precise, un resonateur suspendu a des poutres flexibles est attire verticalement vers le substrat, orthogonalement a la face du substrat par une electrode enterree, cette electrode servant en outre d'electrode de transduction. L'entrefer correspondent peut etre reduit de 1,5 m jusqu'a 0,3 a 0,5 m. L'utilisation de ce processus est limitee aux resonateurs a excitation et entrefer vertical, et, en raison de l'utiiisation d'une electrode enterree, aux applications aux technologies a couches minces, des niveaux de tension trop importants etant necessaires sinon. Comparativement aux technologies de micro-electronique classique, les technologies precitees necessitent la mise en osuvre de structures en couches significativement plus epaisses, afin d'obtenir une stabilite satisfaisante des structures mobiles, vis-a-vis de ltensemble. Ces epaisseurs, relativement importantes, se traduisent systematiquement par une augmentation des dimensions laterales minimales, orthogonales a la dimension d'epalsseur, mises en couvre dans le cadre des technologies de fabrication de structures de microsysteme precitees. En particulier, tous les processus mis en ceuvre dans le cadre de ces technologies vent a facteur de forme sensiblement constant, le facteur de forme etant defini comme le rapport entre les dimensions laterales minimales et ltepaisseur des structures rapportees mises en ceuvre pour constituer ces structures de microsysteme. Dans la majorite des applications actuelles de ces structures de microsysteme et dans celles raisonnablement envisageables a echeance moyenne, les structures rapportees mobiles vent actionnees par transduction electrostatique, pour realiser des filtres, des resonateurs ou autres. L'optimisation de l'efficacite de transduction, et, par la meme, I'amelioration des performances des structures de microsysteme mises en ceuvre necessitent l'obtention d'entrefers lateraux separant une structure rapportee mobile d'une ou plusieurs structures rapportees fixes ou mobiles, dans une direction sensiblement parallele au substrat, les plus etroits possibles. Pour cette raison, une incompatibilite manifeste appara^it entre la necessite de structures mecaniques rapportees epaisses et l'efficacite de la transduction electrostatique. La presente invention a pour objet de resoubre le probleme pose par I'existence de l'incompatibilite precitee. En consequence, un objet de la presente invention est la mise en couvre d'un procede de realisation de structures de microsysteme a entrefers lateraux dont la largeur d'entrefer est sensiblement independante de l'epaisseur des couches constitutives des structures rapportees et de la precision des processus de gravure de ces couches mis en ceuvre pour la realisation de ces structures rapportees. En particulier, un autre objet de la presente invention, en raison de l'independance precitee, est la mise en ceuvre d'un procede de realisation de structures de microsysteme a entrefers lateraux de largeur extremement reduite. Un autre objet de la presente invention est egalement la mise en ceuvre de structures de microsysteme comprenant des structures rapportees sur un substrat, comportant au moins une structure rapportee mobile, I'entrefer lateral separant cette structure rapportee mobile de toute autre structure rapportee presentant une dimension lineique inferieure a O,1 m. Le procede de realisation d'entrefers lateraux entre structures S rapportees en surface d'un substrat support d'une structure de microsysteme, - objet de la present invention, s'applique pour la creation de structures rapportees comportant au moins une structure rapportee mobile, presentant deux degree de liberte par rapport au substrat, un premier degre de liberte dans une direction sensiblement perpendiculaire au substrat et un deuxieme degre de liberte dans une direction sensiblement parallele au substrat et a la direction des entrefers. II est remarquable en ce qu'il consiste a deposer, sur la surface du substrat, rune premiere couche sacrificielle d'epaisseur determinee, a former, sur ia premiere couche sacrificielle, un element structurel destine a constituer la structure rapportee mobile presentant deux degree de liberte, I'une des faces de cet element structurel etant en contact avec la premiere couche sacrificielle, a recouvrir la surface libre de cet element structurel d'une deuxieme couche sacrificielle, d'epaisseur sensiblement egale a la dimension lineique des entrefers lateraux, a recouvrir la partie libre de cette premiere couche sacrificielle et ia surface libre de cette deuxieme couche sacrificielle orthogonale a la direction d'entrefer d'une couche de materiau specifique destinee a constituer au moins une autre structure rapportee et a attaquer par gravure la deuxieme couche sacrificielle sietendant dans la direction du deuxieme et du premier degre de liberte, puis la premiere couche sacrificielle s'etendant dans la direction du premier et du deuxieme degre de liberte, sous ['element structurel et sous la couche de materiau specifique, de maniere a liberer, au moins partiellement, cet element structurel de tout contact dans la direction du premier respectivement du deuxieme degre de liberte et des entrefers vis-a-vis de l'autre structure rapportee et du substrat. Ceci permet d'engendrer des entrefers lateraux de largeur sensiblement egale a l'epaisseur de la deuxieme couche sacrificielle. La structure de microsysteme, objet de la presente invention, comprend des structures rapportees sur un substrat, I'une des structures rapportees, structure mobile, presentant deux degree de liberte par rapport a ce substrat, un premier degre de liberte dans une direction sensiblement perpendiculaire au substrat et un deuxieme degre de liberte dans une direction sensiblement parallele au substrat. L'une au moins des autres structures rapportees est fixe et mecaniquement solidaire du substrat. Wile est remarquable en ce qu'elle comporte une couche intermediaire assurant la liaison mecanique entre le substrat et les structures rapportees, cette couche intermediaire etant gravee et supprimee, au moins partieliement, entre l'une des structures rapportees constituent cette structure mobile et le substrat et au moins un entrefer lateral separant cette structure mobile de l'une des autres structures rapportees dans la direction du deuxieme degre de liberte. L'entrefer lateral presente, dans la direction du deuxieme degre de iiberte, une dimension lineique inferieure a 0,1,um. Le procede et la structure de microsysteme objets de la presente invention trouvent application a l'industrie et a la technologie des microsystemes, en particulier pour la fabrication de resonateurs, de fiitres electromecaniques, ou, plus generalement, de composants electromecaniques incorporant ces derniers. Ils seront mieux compris a la lecture de la description et a I'observation des dessins ci-apres dans lesquels: - la figure 1a represente, a titre illustratif, un schema de mise en couvre d'etapes successives du procede objet de la presente invention; - la figure 1b represente, a titre illustratif, un schema de mise en oeuvre d'etapes successives d'une variante du procede objet de ['invention, dans laquelle les etapes essentielles vent appliquees a une ebauche de structure microelectronique, pour une mise en oeuvre a l'echelle industrielle par exemple; - la figure 2 represente, a titre illustratif, un exemple detaille de mise en ceuvre d'etapes du procede objet de ['invention dans la variante de mise en couvre illustree en figure 1b; - la figure 3 represente, a titre illustratif, une vue en perspective d'une structure de microsysteme conforme a ltobjet de la presente invention; - la figure 4 represente, a titre illustratif, une representation de la topographic d'un microresonateur a poutre vibrante laterale incorporant une structure de microsysteme conforme a ltobjet de la presente invention, telle que representee en figure 3; - la figure 5 represente, a titre illustratif, une representation de la topographic d'un microresonateur a mode de Lame incorporant une structure de microsysteme conforme a ['objet de la presente invention, representee en figure 3. Une description plus detaillee du procede de realisation d'entrefers lateraux entre structures rapportees en surface d'un substrat d'une structure de microsysteme et d'une structure microsysteme correspondante, conformes a ltobjet de ia presente invention, sera maintenant donnee en liaison avec la figure 1 a et les figures suivantes. D'une maniere generale, on rappelle que le procede objet de la presente invention a pour objet de realiser des entrefers lateraux entre structures rapportees en surface du substrat support. Par structure rapportee, on entend toute structure mecanique eVou eiectromecanique, telles que masse vibrante, electrode et/ou paroi fixe par rapport au substrat, formee sur ce dernier pour constituer la structure microelectronique precitee. Ces structures rapportees comportent au moins une structure rapportee mobile, laquelle est destinee a former la partie vibrante d'un resonateur ou d'un filtre par exemple, cette structure rapportee mobile presentant deux degree de liberte par rapport au substrat. En reference a la figure 1a, on indique que la structure mobile precitee est reputee comporter un premier degre de liberte dans une direction sensiblement perpendiculaire au substrat ou, plus particulierement, orthogonale a la surface du substrat sur laquelle les structures vent rapportees, et un deuxieme degre de liberte dans une direction sensiblement parallele au substrat ou a la surface libre de ce dernier et, ainsi, a la direction des entrefers lateraux. Sur la figure 1a, au point a) de celle-ci, on a represente la direction XX constituent ia direction du deuxieme degre de liberte et la direction YY, perpendiculaire a cette derriere, constituent la direction du premier degre de liberte, le substrat S etant vu de face et la surface libre de ce dernier etant, ainsi, orthogonale au plan de la feuilie representative du dessin. En reference a la figure 1 a precitee, au point a) de celle-ci, le procede objet de la presente invention consiste a deposer ou a former, sur la surface du substrat S. une premiere couche sacrificielle, notee CS, d'epaisseur determinee. D'une maniere generale, on indique que le substrat est un substrat de silicium bien que, ie procede objet de la presente invention, ne soit pas limite a la mise en ocuvre sur un substrat de silicium. Dans ces conditions, la premiere couche sacrificielle peut etre constituee par une couche d'oxyde de silicium formee par croissance d'oxyde, le processus de croissance etant represente par Ia fleche verticale, orientee dans la deuxieme direction YY precitee. L'etape a) peut alors etre suivie d'une etape b) consistent a former, sur la premiere couche sacrificielle CS,, un element structurel, note SE, destine a constituer la structure rapportee mobile, par exemple, presentant deux degree de liberte. L'une des faces de ltelement structurel SE est en contact avec la premiere couche sacriDcielle CS. De maniere classique, I'element structurel SE peut etre forme, ainsi que represente de maniere illustrative sur la figure 1 a, par depot d'une couche specifique en un materiau determine, tel que le polysilicium ou autre, cette couche etant representee en pointilles au point b) de la figure 1a, puis gravore par masquage permettant de faire appara^'tre l'eiement structurel SE precise. D'une maniere generale, on indique que les etapes a) et b) precitees correspondent a la mise en couvre d'etapes classiques dans le dornaine des processus de technologie de couches minces ou epaisses et que, pour cette raison, ces etapes ne seront pas decrites plus en detail. Suite aux etapes a) et b) precitees, le procede objet de ['invention consiste, a l'etape c), a recouvrir la surface libre de ltelement structurel SE d'une deuxieme couche sacrificielle, notee CS2, d'epaisseur determinee, cette epaisseur etant choisie sensiblement egale a la dimension lineique des entrefers lateraux a creer. A titre d'exemple non limitatif, on indique que, lorsque ['element structurel SE est constitue en polysilicium par exemple, letape c) peut etre realisbe par croissance d'une couche d'oxyde de silicium a la fois sur la surface supGrieure libre de l'bibment structurel SE et, bien entendu, sur ia surface latbrale libre de ce dernier. - Le choix de l'bpaisseur de la couche sacrificielle CS2 a la valeur de I'entrefer est notb par la relation e = dg ou e reprbsente l'bpaisseur de la couche d'oxyde et dg la valeur de la dimension lineique de l'entrefer dans la direction du deuxieme degrb de libertb X)( sensiblement paralleble au substrat S. L'etape c) est alors suivie d'une btape d) consistent a recouvrir la partie libre de la premibre couche sacrificielle CS et la surface libre de la deuxieme couche sacrificielle CS2 orthogonale a la direction d'entrefer d'une couche de materiau spbcifique, notbe SM, destinbe a constituer au moins une autre structure rapportee dans les conditions qui seront explicitbes ciaprbs. En reference au point d) de la figure 1a, on indique que ['operation prbcitbe consiste, en fait, a assurer une planarisation de ltensemble, seule, de preference, la deuxibme couche sacrificielle CS2, au niveau de la partie supGrieure de celle-ci, pouvant etre laissebe libre et non recouverte par le materiau spbcifique SM prbcitb. L'btape d) est alors suivie d'une btape e) consistent a attaquer par gravure la deuxieme couche sacrificielle CS2 s'btendant dans la direction du deuxieme et du premier degrb de libertb et, bien entendu, dans une direction orthogonale au plan de la feuille reprbsentant le dessin, pour atteindre la premibre couche sacrificielle CS1 par l'intermbdiaire des entrefers liberes et attaquer ensuite par gravure la premibere couche sacrificielle CS' stbtendant dans la direction du premier et du deuxieme degrb de liberte sous l'bibment structurel SE et sous la couche de matbriau spbcifique SM. Cette opGration permet de libbrer, au moins partiellement, ainsi que reprbsente en figure 1a, au point e) de celle-ci, I'bibment structurel SE de tout contact dans la direction du premier, respectivement du deuxieme degre de libertb YY, XX et done dans la direction des entrefers vis-a-vis, d'une part, de toute autre structure rapportee adjacente constituee par le matbriau speGcifique SM, et, bien entendu, du substrat S. On comprend, en particulier, que, I'attaque par gravure de la premiere couche sacrificielle CS permet de liberer un espace correspondent a I'epaisseur de cette couche sacrificielle sous ['element structurel SE, d'une part, et, partiellement, sous la couche de materiau specifique SM, cet espace libere etant note q' au point e3 de la figure 1 a. On comprend ainsi que le procede objet de la presente invention permet d'engendrer les entrefers lateraux designee "gap" dont la largeur dg est sensiblement egale a l'epaisseur de la deuxieme couche sacrificielle e. Le procede objet de la presente invention appara^'t particulierement performant dans ia mesure ou, conformement a un aspect remarquable de ce dernier, I'epaisseur e de la deuxieme couche sacrificielle CS2 peut etre reglee directement par le choix des parametres du processus de formation de la deuxieme couche sacrificielle et, en particulier, du processus d'oxydation lorsque cette couche sacrificiel le est real isee par d e l'oxyde de s il iciu m. Les parametres precites concernent non seulement les parametres physiques d'oxydation du polysilicium constitutif de ['element structurel SE precise, mais egalement le temps de formation de l'oxyde- de silicium obtenu formant la deuxieme couche sacrificielle CS2. Dans ces conditions, on indique que la deuxieme couche sacrificielle peut etre engendree de fa,con a presenter une epaisseur determinee inferieure a O,1 um. Bien entendu, le procede objet de la presente invention a ete represente, en figure 1 a, dans le castle plus general. Toutefois, dans l'optique d'une mise en couvre industrielle de ce dernier, il est envisageable de supprimer les etapes a) et b) representees en figure 1a, les etapes c), d) et e) etant alors appliquees a une ebauche de structure de microsysteme. L'ebauche telle que representee en figure 1 b comporte le substrat S recouvert de la premiere couche sacrificielle SC et l'eiement structurel SE forme sur cette premiere couche sacrificielle, destine a constituer une structure rapportee mobile presentant les deux degree de liberte. L'une des faces de ['element structurel SE est en contact avec la premiere couche sacrificielle CS. On comprend, en particulier, que l'ebauche precitee peut etre fabriquee en grande serie et qu'il est alors envisageable de realiser une production de grande serie de structures de microsysteme par application des etapes c), d) et e) telles que representees en figure 1 b, lesquelles correspondent aux etapes c), d) et e) de la figure 1a. D'une maniere generale, on indique que la premiere couche sacrificielle CS, et la deuxieme couche sacrificielle CS2 vent constituees par des materieux sensiblement de meme nature. En particulier, lorsque le substratS est un substrat de silicium et ['element structurel SE est en polysilicium, la premiere et la deuxieme couches sacrificielles vent avantageusement constituees par de l'oxyde de silicium. Dans ces conditions, I'etape d'attaque par gravure de la deuxieme couche sacrificielle CS2, puis de la premiere couche sacrificielle CS1, peut etre realisee de maniere sensiblement continue, par gravure isotrope par exemple, seules les conditions de l'attaque, c'est-a-dire la vitesse d'attaque, et de gravure par exemple, pouvant etre modulees en fonction de certaines specificites du processus. De la meme maniere, lorsque le substrat S est constitue par du silicium, I'operation de depot ou de formation sur ce dernier de la premiere couche sacrificielle CS, consiste avantageusement a faire cro'^tre, par oxydation, une couche d'oxyde de silicium d'epaisseur determinee, cette epaisseur pouvant etre de l'ordre de quelques micrometres, afin de constituer la zone liberee, notee cP au point e) de la figure 1 a ou 1 b. Enfin, le materiau specifique SM, destine a constituer au moins une autre structure rapportee, peut etre constitue par les materiaux les plus divers tels que le polysilicium, un metal pour constituer une electrode, un compose de silicium, une resine epoxy ou autre. En particulier, on indique que, la ou les structures rapportees adjacentes a ['element structurel SE destine a constituer la structure mobile, car separees de ce dernier par les entrefers lateraux precites, peuvent elles-memes etre fixes ou, le cas echeant, mobiles. Une description detaillee d'une mise en ceuvre industrielle du procede objet de la presente invention, telle qu'illustree en figure 1b, sera maintenant donnee en liaison avec la figure 2. Sur la figure 2, les memes references d'etapes representent les memes etapes que celles decrites precedemment relativement a la figure 1 b ou 1a, les indices differents associes a ces references d'etapes designant des sous-etapes particulieres. On comprend, ainsi, quta partir d'une ebauche semblable a celle representee en figure 1 b, le procede objet de ['invention decrit met en ceuvre la succession des trots etapes c), d) et e). Plusieurs techniques peuvent toutefois etre utilisees pour la mise en couvre de ia structure intermediaire representee a ltetape d) de la figure 1a ou 1b, par exemple. On rappelle, en particulier, que l'etape precitee correspond a un processus de depot et de planarisation de la structure adjacente a ['element structurel SE, structure adjacente destinee a constituer ['electrode fixe par exemple. Parmi les techniques precitees peuvent etre mentionnes le polissage mecano-chimique, la planarisation simple par resine ou la planarisation par resine et attaque selective. La derriere technique precitee est la plus generale, car elle est applicable queue que soit ltepaisseur ep, de ltelement structurel mobile SE et l'epaisseur ep2 de la couche, notee SM, destinee a realiser l'autre structure rapportee adjacente, structure fixe telle qu'une electrode par exemple. C'est dans le cadre de la technique de planarisation par resine et attaque selective precedemment mentionnee que la succession des etapes de mise en couvre du procede objet de la presente invention sera maintenant decrite en liaison avec la figure 2. En reference a la figure precitee, on considere une ebauche, telle que decrite precedemment dans la description, comportant une premiere couche de materiau structurel, d'epaisseur e, destinee a former i'element structurel SE et situee au-dessus de la premiere couche sacrificielle CS,. Les elements structurels, tels que SE, vent alors definis par une premiere photolithographie et gravare. Cette definition s'effectue a partir d'un masque epais d'oxyde de silicium qui est conserve par la suite et qui permet d'obtenir I'ebauche, telle que representee en figure 1b ou 2, I'ebauche precitee etant toutefois limitee a la definition d'un seul element structurel SE. Le masque epais d'oxyde de silicium est note OM et est superpose a ['element structurel SE. i2 A partir de l'ebauche precitee, I'etape c) est mise en ceuvre, conformement a l'etape representee en figure 1 b par exemple. Au cours de cette etape, les francs de ['element structurel SE vent oxydes pour former la deuxieme couche sacrificielle CS2, laterale, dont I'epaisseur e = dg definit exactement la valeur de l'entrefer nanometrique desiree, ainsi que represente en figure 2, au point c). L'etape d) est alors realisee et, ainsi que represente en figure 2, par depot diune deuxieme couche structurelle d'epaisseur ep2, en une sous etape d), de fa,con a former un recouvrement conforme de ['ensemble et, en particulier, de 1'element structurel SE et de la deuxieme couche sacrificielle CS2. Cette deuxieme couche structurelle est designee SM. Cette operation est representee a ltetape d,) de la figure 2a. L'ensemble est ensuite protege par depot d'une resine suffisamment epaisse formant couche protectrice pour recouvrir sensiblement la hauteur des marches obtenues a la sousetape d), cette operation etant representee a la sous-etape d2) et correspondent a une operation de planarisation du deuxieme niveau de materiau structurel. La resine est notee SM2, au point d2) de la figure 2. On comprend, en particulier, que la sous-etape d2) permet une premiere planarisation dans le sens ou la hauteur de marche est sensiblement reduite une premiere foist L'etape suivante correspond sensiblement a l'etape de gravure et d'attaque, etape e) de la figure 1 b ou 1 a. Dans ce but, la couche protectrice de resine epaisse est gravee de fa,con a operer une ouverture sur la materiau structurel SM, uniquement aux endroits ou il existe un recouvrement d'elements structurels, ctest-adire de I'element structurel SE. A partir d'un procede de gravure isotrope selectif entre le materiau SM' et la couche protectrice SM2, le deuxieme niveau structurel SM' est planarise jusquta effleurement avec ltoxyde de silicium, c'est-a-dire le masque epais d'oxyde de silicium OM situe au-dessus de ['element structurel SE. Le masque epais precise, forme par ltoxyde de silicium, sert d'indicateur pour la fin de 1'attaque representee au point e2) de la figure 2. La sous-etape e2) est alors suivie d'une sous-etape e3) ou 1'on procede au retrait de la couche protectrice, c'est-a-dire du materisu SM2, a ltetape e3), et le materieu SM est ensuite defini en element rapporte formant les autres elements rapportes par une deuxieme etape de photolithographie par masquage et gravure. Les autres elements rapportes vent representes sur la figure 2 a l'etape e3). L'element structurel SE destine a former ['element moblie est ensuite desolidarise des autres elements rapportes par gravure selective du masque epais d'oxyde de silicium OM, de ia couche sacrificielle CS2, puis de la couche sacrificielle CS, ainsi que decrit precedemment en liaison avec la figure 1 b ou 1a, en liberant une structure mobile, la structure SE, separee d'un entrefer lateral nanometrique, de largeur dg vis-a-vis d'une structure adjacente servant d'electrode, ainsi que, par exemple, represente a la sous-etape e4) de la figure 2. Le procede objet de ['invention met done en aeuvre uniquement les deux niveaux de masquage precedemment decrits, et des moyens de lithographic a moyenne resolution, c'est-a-dire a resolution superieure a 1,um. En outre, il n'est pas necessaire de mettre en ceuvre un alignement tres precis, I'alignement necessaire etant superieur a 2,um, pour reaiiser les structures mobiles ayant des entrefers lateraux nanometriques avec des electrodes auto alignees. C'est, en particulier, le cas pour la creation d'une poutre resonante actionnee par des electrodes laterales. Le procede objet de la presente invention est. bien entendu, applicable a un nombre quelconque de niveaux structurels dans ie cadre d'autres applications. II permet, ainsi, de realiser des entrefers lateraux dont l'ecart d'entrefer est compris entre 10 nm a 1 am, pour des epaisseurs de materiau variant, independamment de la valeur de l'entrefer choisie, de 100 nm a 1 5 um. Le procede objet de la presente invention permet de mettre en cauvre et de realiser a l'echelle industrielle des structures rapportees sur un substrat S. constitutives de structures de microsysteme, telles que representees en figure 3. Ces structures de microsysteme peuvent etre mises en couvre pour realiser des composants de microsysteme de tous types, ainsi qutil sera decrit ulterieurement dans la description. En reference a la figure 3, on rappelle que toute structure de microsysteme conforme a ['objet de la presente invention comprend, parmi les structures rapportees sur le substrat S. une structure rapportee au moins, constituent une structure mobile, I'element structurel SE. Cet element structurel presente deux degree de liberte par rapport au substrat S dans les directions XX et YY precedemment mentionnees dans la description. L'une au moins des autres structures rapportees SM est fixe et mecaniquement solidaire du substrat S. Selon un premier aspect remarquable de la structure de microsysteme objet de la presente invention, celle-ci comprend une couche intermediaire CS assurant la liaison mecanique entre le substrat S et les structures rapportees SE, SM, la couche intermediaire CS' etant gravee et supprimee, au moins partiellement, entre l'une au moins des structures rapportees, en particulier, I'element structurel SE constituent la structure mobile, et le substrat S et, le cas echeant, pour partie au moins, I'une ou l'autre des structures mobiles SM et le substrat S. Enfin, et de maniere particutierement remarquable, la structure de microsysteme objet de la presente invention comprend au moins un entrefer lateral separant la structure mobile, ctest-a-dire ['element structurel SE, des autres structures rapportees dans la direction du deuxieme degre de liberte, la direction XX precitee. De maniere non limitative, sur la figure 3, on a represente deux entrefers lateraux e, = dg et e2 = dg, cheque entrefer lateral presentant, dans la direction du deuxieme degre de liberte XX, une dimension lineique inferieure a 0,1 m. La couche intermediaire CS, est une couche sacrificielle presentant une epaisseur determinee comprise entre 1 et 10,um par exemple. Par couche sacrificielle, on rappelle qu'il s'agit d'une couche susceptible d'etre attaquee et gravee par attaque chimique par exemple. Deux exemples de mise en ceuvre specifique de microsystemes a partir de structures de microsysteme conformes a ['objet de la presente invention, tel que representes en figure 3, seront maintenant donnes en liaison avec les figures 4 et 5. Sur la figure 4, on a represente un microresonateur a-poutre vibrante obtenu grace a l'utilisation d'une structure de microsysteme, telle que representee en figure 3. Sur la figure 4, on indique que la poutre vibrante porte la reference VB et que le plan de symetrie longitudinale de cette derriere est represente par sa trace, notee PP' sur la figure 4. De maniere classique, la poutre vibrante VB est assujettie au substrat par un premier et un deuxieme ancrage, notes ANC et ANC2. Un premier et un deuxieme entrefer lateral vent chacun formes entre un bord lateral de la poutre vibrante VB et le bord lateral d'une premiere, respectivement d'une deuxieme electrode, notees E, E2. En reference a la figure 3, on rappelle que les entrefers lateraux, pour cette raison, vent notes e et e2 Le microresonateur a poutre vibrante encastree, tel que represente en figure 4, a ete mis en ceuvre avec les dimensions ci-apres: - longueur: 30 um, largeur:2,um, - epaisseur: 2 am. Un autre exemple de mise en couvre d'un microresonateur dit a mode de Lame sera maintenant decrit en liaison avec la figure 5. En reference a la figure precitee, on indique que le microresonateur a mode de Lame comporte une structure de microsysteme, telle que representee en figure 3, conforme a 1'objet de la presente invention. Cette structure de microsysteme presente une symetrie par rapport a un centre de symetrie, note C, materialise par ['intersection d'un axe YY' orthogonal a la surface du substrat S. Wile comporte une plaque vibrante VP sensiblement carree, le centre de symetrie C etant situe au centre de la plaque, cette plaque etant ancree au substrat S par l'intermediaire de la couche interrnediaire par ses sommets, ies points d'ancrage etant notes ANC,, ANC2, ANC3 et ANC4. Ainsi que represente sur la figure 5, le micror-esonateur a mode de Lame comporte quatre entrefers lateraux formes chacun entre un des bords lateraux de la plaque vibrante VP et le bord adjacent d'une electrode laterale notee E, E2, E3, E4 et associee a l'un des bords lateraux de la plaque vibrante VP. Les entrefers lateraux vent notes e, e2, es et e4. Dans le mode de realisation mis en cauvre en reference a la figure 5, on indique que la plaque vibrante VP presentait un bord lateral ou cote de longueur de 35 m sensiblement. Dans tous les cas, microresonateur a poutre vibrante encastree ou microresonateur en mode de Lame, tels que representes en figures 4 et 5, les valeurs d'entrefers lateraux precedemment mentionnes presentaient une valeur sensiblement egale a 80 nm. Le procede objet de la presente invention permet la mise en couvre de structures de microsysteme particulierement performantes dans lesquelles Ies entrefers lateraux vent largement inferieurs a 1 m et, en particulier, a 0,1 m. D'une maniere generale, tout type de composant peut etre mis en ceuvre a partir des structures de microsysteme precitees. Le procede objet de ['invention appara^'t particulierement bien adapte a la realisation de structures de microsysteme a partir d'un substrat de type SOI, pour Silicon On Insulator, dans loquel le substrat est en silicium monocristall in et l'oxyd e d'isolation d u SO I constitue la premiere cou che sacrificielle CS. Les applications visees concernent des systemes de positionnement ayant quelques nanometres de precision, la prehension de ['objet d'envergure nanometrique, les resonateurs a polarisation nulle et les resonateurs a tres haute frequence, designee nanoresonateurs. REVENDICATIONS 1. Procde de realisation d'entrefers lateraux entre structures rapportees en surface d'un substrat, lesdites structures rapportees comportant au moins une structure rapportee mobile presentant deux degree de liberte, par rapport audit substrat, un premier degre de liberte dans une direction sensiblement perpendiculaire au substrat et un deuxieme degre de liberte dans une direction sensiblement parallele au substrat et a la direction des entrefers, caracterise en ce qu'il consiste: a) a deposer, sur ladite surface de substrat, une premiere couche sacrificielle d'epaisseur determinee; b) a former, sur ladite premiere couche sacrificielle, un element structurel destine a constituer ladite au moins une structure rapportee mobile presentant deux degree de liberte, I'une des faces audit element structurel etant en contact avec ladite premiere couche sacrificielle; c) a recouvrir la surface libre audit element structurel d'une deuxieme couche sacrificielle d'epaisseur determinee, sensiblement egale a la dimension lineique desdits entrefers lateraux; d) a recouvrir la partie libre de ladite premiere couche sacrificielle et la surface libre de ladite deuxieme couche sacrificielle orthogonale a ladite direction d'entrefer d'une couche de materieu specifique destinee a constituer au moins une autre structure rapportee; e) a attaquer, par gravure, la cite deuxieme couche sacrificielle s'etendant dans la direction du deuxieme et du premier degre de liberte puis ladite premiere couche sacrificielle s'etendant dans la direction du premier et du deuxieme degre de liberte, sous ['element structurel et sous la couche de materieu specifique, de maniere a liberer, au moins partiellement, led it element structurel de tout contact dans la direction du premier respectivement du deuxieme degre de liberte et des entrefers vis-a-vis de ladite au moins une autre structure rapportee et audit substrat, ce qui permet d'engendrer des entrefers lateraux de largeur sensiblement egale a l'epaisseur de ladite deuxieme couche sacrificielle. 2. Procede selon la revendication 1, caracterise en ce que celui-ci consiste a appliquer successivement les etapes c), d) et e) a une ebauche de structure de microsysteme, ladite ebauche comportant ledit substrat recouvert de ladite premiere couche sacrificielle et ledit element structurel forme sur cette premiere couche sacrificielle et destine a constituer ladite au moins une structure rapportee mobile presentant deux degree de liberte, I'une des faces audit element structurel etant en contact avec ladite couche sacrificielle. 3. Procede selon l'une des revendications 1 ou 2, caracterise en ce que la deuxieme couche sacrificielle presente une epaisseur inferieure a 0,1 um. 4. Procede selon l'une des revendications 1 a 3, caracterise en ce que la premiere et la deuxieme couches sacrificielles vent constituees en un meme materieu. S. Procede selon l'une des revendications 1 a 4, caracterise en ce que, pour un substrat constitue par du silicium, I'operation consistent a deposer, sur le substrat, ladite premiere couche sacrificielle, consiste a faire cro^tre par oxydation, une couche d'oxyde de silicium d'epaisseur determinee. 6. Procede selon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce que, pour un element structurei destine a constituer ladite structure rapportee mobile en un materieu appartenant au groupe forme par le silicium, le poiysilicium ou un compose de silicium, ladite operation consistent a recouvrir la surface libre audit element structurel d'une deuxieme couche sacrificielle d'epaisseur determinee, consiste a faire cro^'tre, par oxydation, une couche d'oxyde de silicium d'epaisseur sensiblement egale a la largeur des entrefers iateraux. 7. Procede selon la revendication 6, caracterise en ce que I'epaisseur de ladite couche d'oxyde de silicium est regiee par le temps de croissance de ladite couche d'oxyde de silicium. 8. Procede selon l'une des revendications 1 a 7, caracterise en ce que ledit materieu specifique destine a constituer au moins une autre structure rapportee est constitue par un materiau appartenant au groupe forme par le 3-0 polysilicium, un metal, un compose de silicium, une resine epoxy. 9. Structure de microsysteme comprenant des structures rapportees sur un substrat, I'une des-structures rapportees, structure mobile, presentant deux degree de liberte par rapport audit substrat, un premier degre de liberte y' dans une direction sensiblement perpendiculaire au substrat et un deuxieme degre de liberte dans une direction sensiblement parallele au substrat, I'une au moins des autres structures rapportees etant fixe et mecaniquement solidaire audit substrat, caracterise en ce que ladite structure de microsysteme comporte: - une couche intermediaire assu rant la liaison mecanique entre led it substrat et lesdites structures rapportees, ladite couche intermediaire etant gravee et supprimee, au moins partiellement, entre l'une au moins desdites structures rapportees, constituent ladite structure mobile et iedit substrat; - au moins un entrefer lateral separant ladite structure mobile des autres structures rapportees dans la direction audit deuxieme degre de liberte, ledit entrefer lateral presentant, dans la direction audit deuxieme degre de liberte, une dimension lineique inferieure a 0,1 am. 10. Structure selon la revendication 9, caracterisee en ce que ladite couche interrnediaire est une couche sacrificielle presentant une epaisseur determinee comprise entre 1 et 10,um. 11. Microresonateur a poutre vibrante, caractbrise en ce qu'il comporte une structure de microsysteme selon l'une des revendications 9 ou 10, ladite structure de microsysteme presentant une symetrie par rapport a un plan de symetrie longitudinal de ladite poutre vibrante, et, un premier et un deuxieme entrefers lateraux chacun forme entre un bord lateral de ladite poutre vibrante et un bord lateral d'une premiere respectivement d'une deuxieme electrode. 12. Microresonateur a mode de Lame, caracterise en ce qutil comporte une structure de microsysteme selon l'une des revendications 9 ou , ladite structure de microsysteme presentant une symetrie par rapport a un centre de symetrie et comportant: - une plaque vibrante sensiblement carree centree sur ledit centre de symetrie et ancree audit substrat par l'intermediaire de la couche intemediaire par ses sommets; - quatre entrefers lateraux formes chacun entre un des bords lateraux de iadite plaque vibrante et le bord adjacent d'une electrode laterale