FR 2843824 A1 20040227 FR 0310107 A 20030822 La présente invention concerne des dispositifs de mémoire morte (ROM), et plus particulièrement un dispositif de mémoire morte ayant une fonction de réparation pour des cellules défectueuses, et un procédé pour réparer des cellules défectueuses. Les mémoires à semiconducteur sont classées grossièrement en mémoires volatiles et mémoires non volatiles sur la base du fait que des données stockées sont conservées ou non même lorsque l'alimentation est coupée. 10 Les mémoires volatiles comprennent les dispositifs de mémoire vive dynamique (DRAM) et les dispositifs de mémoire vive statique (SRAM), et les mémoires non volatiles comprennent les mémoires mortes, les mémoires flash, etc. Ces mémoires sont utilisées pour stocker des données 15 traitées dans un système. En tant qu'unité de stockage, une cellule de mémoire doit stocker de manière stable des données traitées dans un système. Par conséquent, un processus de test pour des cellules de mémoire respectives est inévitablement exigé. Des mémoires volatiles classiques comprennent un circuit de redondance qui remplace des cellules défectueuses par des cellules de mémoire redondantes. Lorsqu'une adresse externe qui adresse des cellules défectueuses est reçue, un tel circuit de redondance permet 25 de désactiver un conducteur de mot connecté aux cellules défectueuses, et d'accéder ensuite à des cellules de mémoire redondantes correspondantes. Ainsi, un conducteur de mot défectueux d'un réseau de cellules de mémoire principal est remplacé par un conducteur de mot redondant 30 correspondant d'un réseau de cellules redondant. Dans le cas de mémoires mortes, des données sont stockées dans des cellules de mémoire, conformément aux exigences d'un utilisateur, pendant le processus de fabrication. Ainsi, des données stockées dans les cellules 35 de mémoire sont fixées (ou ne varient pas) après l'achèvement du processus de fabrication. Les mémoires mortes nécessitent une étape supplémentaire de codage de données, en comparaison avec des mémoires vives dynamiques ou des mémoires vives statiques. Ainsi, un procédé de réparation d'une mémoire morte classique comprend le 5 remplacement d'un conducteur de mot connecté à des cellules défectueuses par un conducteur de mot redondant correspondant, et l'accomplissement d'une opération de codage de données pour le conducteur de mot redondant remplacé, de façon que des données à stocker dans des 10 cellules défectueuses soient stockées dans des cellules redondantes du conducteur de mot redondant de remplacement. Ainsi, le procédé de réparation classique exige un réseau de cellules de mémoire redondant. De plus, du fait qu'une étape de codage de données pour le réseau de 15 cellules de mémoire redondant est nécessaire après la réparation, le processus est complexe et le cot augmente. En outre, du fait que des cellules défectueuses sont réparées par unité de ligne ou de colonne, le rendement de réparation diminue et de nombreuses cellules de mémoire 20 redondantes sont exigées. Ceci devient un obstacle pour parvenir à une densité élevée pour des mémoires mortes. De plus, un test portant sur des cellules redondantes de réparation doit être accompli, exactement comme pour un réseau de cellules de mémoire principal. Ainsi, il serait avantageux de doter un dispositif de mémoire morte d'une fonction de réparation qui conduise à un dispositif ayant une densité élevée. Il serait avantageux de procurer un procédé de réparation qui convienne pour un dispositif de mémoire 30 morte. Conformément à un aspect de la présente invention, un dispositif de mémoire morte avec une fonction de réparation, et un procédé de réparation, utilisent un conducteur de masse ou un conducteur de tension de 35 fonctionnement (par exemple une tension d'alimentation) qui existe dans le dispositif de mémoire morte. De plus, un autre aspect consiste en ce qu'un dispositif de mémoire morte avec une fonction de réparation, et un procédé de réparation, réparent des cellules défectueuses par unité de cellule de bit. Ici, le conducteur de masse est une 5 connexion reliée à la masse qui existe dans le dispositif de mémoire morte, et le niveau de tension correspond à des données d'état logique "0". Le conducteur de tension de fonctionnement est une connexion à laquelle est appliquée une tension de fonctionnement, telle que VCC, et le niveau 10 de tension correspond à des données d'état logique "1". Par conséquent, des cellules de mémoire redondantes séparées ne sont pas nécessaires, et un test portant sur des cellules remplacées n'est pas nécessaire. En particulier, un dispositif de mémoire morte 15 comprend un réseau de cellules de mémoire morte qui a une multiplicité de cellules de mémoire; une section de sélection de cellule qui sélectionne l'une au moins d'une multiplicité de cellules de mémoire en réponse à une adresse d'entrée; une section d'amplificateur de lecture 20 qui lit des données stockées dans la cellule de mémoire sélectionnée; une section de commande de réparation qui génère un premier signal de sélection en réponse à l'adresse d'entrée; et une première section de multiplexage qui sélectionne et fournit en sortie soit un signal de 25 sortie de la section d'amplificateur de lecture, soit une tension fixée, en réponse au premier signal de sélection. La section de commande de réparation génère le premier signal de sélection ayant l'un ou l'autre d'états complémentaires, conformément au fait que l'adresse 30 d'entrée correspond ou non à une cellule défectueuse. A ce moment, la première section de multiplexage sélectionne la connexion lorsque le premier signal de sélection est à un premier état logique, et sélectionne la sortie de la section d'amplificateur de lecture lorsque le premier 35 signal de sélection est à un second état logique. Le premier état logique est un état logique haut, et le second état logique est un état logique bas. De plus, l'opposé peut être possible. Par exemple, la section de commande de réparation génère le premier signal de sélection ayant un état logique haut lorsque l'adresse d'entrée correspond à 5 une cellule défectueuse, et le premier signal de sélection ayant un état logique bas lorsque l'adresse d'entrée correspond à une cellule normale. La première section de multiplexage sélectionne la tension fixée lorsque le premier signal de sélection est à un état logique haut, et 10 sélectionne la sortie de la section d'amplificateur de lecture lorsque le premier signal de sélection est à un état logique bas. La tension fixée est une tension sélectionnée provenant de conducteurs de tension de masse et de tension 15 de fonctionnement dans le dispositif, les conducteurs ayant respectivement une tension de masse et une tension de fonctionnement. Par exemple, lorsqu'une cellule défectueuse a un défaut correspondant à des données "0", la tension fixée est une tension de masse provenant d'un conducteur de 20 masse, et lorsque la cellule défectueuse a un défaut correspondant à des données "1", la tension fixée est une tension de fonctionnement qui n'est pas la masse. Ce dispositif de mémoire morte convient pour n'importe quel type de défaut qui est spécifié dans un 25 processus de fabrication. Ainsi, si un défaut correspondant à des données "0" se produit, un conducteur de masse est utilisé pour une entrée de la première section de multiplexage. Si un défaut correspondant à des données "1" se produit, un conducteur de tension de fonctionnement est 30 utilisé pour une entrée de la première section de multiplexage. La section de sélection de cellule comprend une section de décodeur de ligne qui décode une adresse de ligne de l'adresse d'entrée pour sélectionner une ligne; 35 une section d'attaque de ligne qui attaque la ligne sélectionnée; et une section de décodeur de colonne qui décode une adresse de colonne de l'adresse d'entrée pour sélectionner une colonne. Dans ce mode de réalisation, la section de commande de réparation comprend une multiplicité de boîtes à 5 fusibles qui correspondent respectivement à un nombre de bits de l'adresse d'entrée et à deux fusibles; un bloc de décodage qui a une multiplicité de portes NON-ET et reçoit des signaux de sortie de la multiplicité de boîtes à fusibles; et une porte NON-OU qui est connectée à des 10 sorties des portes NON-ET. Lorsque l'entrée d'adresse désigne une cellule défectueuse, l'un ou l'autre des deux fusibles dans les boîtes à fusibles respectives correspondant à un bit d'entrée d'adresse est coupé de façon à émettre un signal d'un premier état. Lorsque 15 l'entrée d'adresse désigne une cellule normale, les deux fusibles dans les boîtes à fusibles respectives ne sont pas coupés, de façon à émettre un signal d'un second état. Par exemple, lorsque l'entrée d'adresse désigne une cellule défectueuse, on fait sauter un premier fusible de la boîte 20 à fusibles lorsqu'un bit d'adresse correspondant est "0", et on fait sauter un second fusible de la boite à fusibles lorsqu'un bit d'adresse correspondant est "1". Un dispositif de mémoire morte ayant une fonction de réparation comprend une section de réseau de cellules 25 qui a une multiplicité de cellules de mémoire stockant chacune une valeur de données fixée; un section de sélection de cellule qui sélectionne l'une au moins des cellules de mémoire en réponse à une adresse d'entrée; une section d'amplificateur de lecture qui lit des données 30 stockées dans la cellule de mémoire sélectionnée; une section de commande de réparation qui génère un premier signal de sélection et un second signal de sélection en réponse à l'adresse d'entrée; et des première et seconde sections de multiplexage qui fonctionnent respectivement en 35 réponse aux premier et second signaux de sélection. A ce moment, la première section de multiplexage sélectionne et fournit en sortie l'un ou l'autre des signaux de sortie de la section d'amplificateur de lecture et de la seconde section de multiplexage, en réponse au premier signal de sélection. La seconde section de multiplexage sélectionne 5 l'un ou l'autre d'un conducteur de masse à une tension de masse et d'un conducteur de tension de fonctionnement à une tension de fonctionnement, en réponse au second signal de sélection. La section de commande de réparation génère le premier signal de sélection ayant un premier état logique 10 lorsque l'adresse d'entrée correspond à une cellule défectueuse, et un second état logique lorsque l'adresse d'entrée correspond à une cellule normale. De plus, la section de commande de réparation génère le premier signal de sélection ayant l'un ou l'autre d'états complémentaires 15 conformément à un type de défaut de la cellule défectueuse, lorsque le premier signal de sélection est au premier état logique. Par exemple, la section de commande de réparation génère le second signal de sélection d'un premier état lorsque l'adresse d'entrée est liée à un défaut 20 correspondant à des données "1", et le second signal de sélection d'un second état lorsque l'adresse d'entrée est liée à un défaut correspondant à des données "0". Ainsi, lorsque l'adresse d'entrée correspond à une cellule défectueuse, le premier signal de sélection a le 25 premier état logique et la première section de multiplexage sélectionne la sortie de la second section de multiplexage. Lorsque la cellule défectueuse a un défaut correspondant à des données "1", le second signal de sélection a le premier état logique et la seconde section de multiplexage 30 sélectionne le conducteur de tension de fonctionnement. Ainsi, le défaut correspondant à des données "1" est réparé. Lorsque la cellule défectueuse a un défaut correspondant à des données "0", le second signal de sélection a le second état logique et la seconde section de 35 multiplexage sélectionne le conducteur de masse. Ainsi, le défaut correspondant à des données "0" est réparé. -7 Dans ce mode de réalisation préféré, la section de commande de réparation comprend une multiplicité de boîtes à fusibles qui correspondent à un nombre de bits de l'adresse d'entrée; un bloc de décodage qui a une 5 multiplicité de portes NON-ET et reçoit des signaux de sortie de la multiplicité de boîtes à fusibles; une porte NON-OU qui est connectée à des sorties des portes NON-ET pour émettre le premier signal de sélection; un premier transistor NMOS qui a une grille connectée de façon à 10 recevoir un signal de sortie de la porte NON-OU, et une source reliée à la masse; un fusible de sélection qui a une extrémité connectée à un drain du transistor NMOS; et une résistance qui a une extrémité connectée à l'autre extrémité du fusible de sélection, et son autre extrémité 15 connectée pour recevoir une tension de fonctionnement, le second signal de sélection étant émis à partir d'une interconnexion du fusible de sélection et de la résistance. D'autre part, chacune des boîtes à fusibles comprend une première porte de transmission CMOS qui reçoit 20 un bit d'adresse; un premier fusible d'adresse qui est connecté à la première porte de transmission CMOS; et une seconde porte de transmission CMOS qui reçoit une version inversée du bit d'adresse; un second fusible d'adresse qui est connecté à la seconde porte de transmission CMOS; et un 25 second transistor NMOS qui est connecté entre un noeud d'interconnexion des premier et second fusibles d'adresse et une tension de masse. Un procédé de réparation comprend les étapes consistant à générer un signal de sélection conformément au 30 fait qu'une cellule de mémoire désignée par une adresse d'entrée est une cellule défectueuse ou une cellule normale; et à sélectionner et à émettre soit une tension fixée, soit une valeur de données de la cellule de mémoire désignée, en réponse au signal de sélection, la tension fixée étant une tension de fonctionnement qui existe dans un dispositif de mémoire morte. Lorsque la cellule désignée est une cellule normale, le signal de sélection est désactivé et la cellule désignée est sélectionnée. Cependant, lorsque la cellule désignée est une cellule défectueuse, un signal de sélection est 5 activé et la tension fixée est sélectionnée. Ainsi, la cellule défectueuse correspondant à l'adresse d'entrée est remplacée. Dans un cas, en ce qui concerne la tension lorsque la cellule défectueuse correspond à un défaut de données "0", la tension fixée est une tension de masse provenant 10 d'un conducteur de masse. D'autre part, lorsque la cellule défectueuse correspond à un défaut de données "1", la tension fixée est une tension de fonctionnement provenant d'un conducteur de tension de fonctionnement. D'autre part, s'il apparaît à la fois des défauts 15 de données "0" et de données "1", un autre signal de sélection ayant des états complémentaires au point de vue logique est en outre généré. Ceci permet de sélectionner l'un ou l'autre des conducteurs de tension de masse et de tension de fonctionnement, conformément à un type de défaut 20 de la cellule défectueuse. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description 25 se réfère aux dessins annexés dans lesquels des symboles de références semblables désignent les composants identiques ou similaires, et dans lesquels: Les figures 1A et lB sont des schémas de circuits équivalents de cellules de mémoire morte, stockant chacune 30 des données "0" et des données "1"; La figure 2 est un schéma d'un dispositif de mémoire morte conforme à un premier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 3A représente un mode de réalisation 35 préféré d'une section de commande de réparation illustrée sur la figure 2; La figure 3B représente un mode de réalisation préféré d'une boîte à fusibles illustrée sur la figure 3A; La figure 4 est un schéma d'un dispositif de mémoire morte conforme à un second mode de réalisation préféré de la présente invention; et La figure 5 représente un mode de réalisation préféré d'une section de commande de réparation illustrée sur la figure 4. La figure lA montre un circuit équivalent d'une 10 cellule de mémoire morte qui stocke des données "0", et la figure lB montre un circuit équivalent d'une cellule de mémoire morte qui stocke des données "1". La figure 2 est un schéma synoptique d'un dispositif de mémoire morte conforme au premier mode de réalisation préféré. Un 15 dispositif de mémoire morte de la figure 2 peut réparer des cellules défectueuses ayant des données "0", sans cellules redondantes. En se référant à la figure 2, on note que le dispositif de mémoire morte ayant une fonction de 20 réparation comprend une section de sélection de cellule , une section de commande de réparation 120, une section de réseau de cellules 140, une section d'amplificateur de lecture 160 (en abrégé, "SA" sur la figure), une section de multiplexage 180 (en abrégé, "MUX" sur la figure) et une 25 section de sortie de données 220. La section de sélection de cellule 100 comprend une section de commande 102 pour recevoir une adresse, une section de décodage de ligne 104 pour décoder une adresse de ligne d'une adresse reçue sous la commande de la section de commande 102, et une section 30 de décodage de colonne 108 pour sélectionner une cellule de mémoire spécifiée de l'adresse reçue, en décodant une adresse de colonne de l'adresse reçue et en spécifiant une colonne spécifiée. La section de réseau de cellules 140 est constituée d'une multiplicité de cellules de mémoire qui 35 stockent des valeurs de données déterminées respectivement conformément à des exigences de l'utilisateur. La section de sélection de cellule 100 sélectionne au moins une cellule de la section de réseau de cellules 140 en réponse à une adresse reçue. La section de sortie de données 220 est connectée à une sortie de la section de 5 multiplexage 180, et la section d'amplificateur de lecture 160 sélectionne et amplifie des données provenant d'une ou plusieurs cellules sélectionnées par la section de sélection de cellule 100. Un signal de sortie de la section d'amplificateur de lecture 160 est appliqué à une entrée de 10 la section de multiplexage 180, et l'autre entrée de la section de multiplexage 180 est connectée au conducteur de masse 200. La section de commande de réparation 120 active ou désactive un signal de sélection CS1 transféré vers la 15 section de multiplexage 180, conformément à une adresse reçue. La section de multiplexage 180 sélectionne l'un des signaux reçus, en réponse au signal de sélection CS1. Le conducteur de masse 200 est une connexion de masse qui, en général, existe dans le dispositif de mémoire 20 morte. Ainsi, le conducteur de masse 200 est une connexion reliée à une tension de masse, ou est une connexion quelconque qui est mise à la masse lorsque le dispositif de mémoire morte fonctionne. Le conducteur de masse 200 est simplement connecté à l'autre entrée de la section de 25 multiplexage 180. Le dispositif de mémoire morte envisagé ci-dessus n'a pas besoin d'un réseau de cellules redondant séparé pour réparer des cellules défectueuses. De plus, un test de cellules réparées n'est pas exigé. Ainsi, dans le cas d'un état normal (lorsqu'une adresse reçue correspond à une cellule normale), la section de commande de réparation 120, par exemple, génère le signal de sélection CS1 d'un état logique bas. Ceci permet à la section de multiplexage 180 de transférer un signal de 35 sortie de la section de réseau de cellules 140 vers la section de sortie de données 220. Cependant, si une cellule correspondant à une adresse reçue est une cellule défectueuse (défaut de données "0"), la section de commande de réparation 120 génère le signal de sélection CS1 d'un état logique haut. 5 Ceci permet à la section de multiplexage 180 de sélectionner le conducteur de masse 200. Le niveau de tension de masse du conducteur de masse 200 est transféré à la section de sortie de données 220 par l'intermédiaire de la section de multiplexage 180. Il en résulte que le défaut 10 de données "0" peut être réparé sans un réseau de cellules redondant. La figure 3A montre un mode de réalisation préféré d'une section de commande de réparation 120 illustrée sur la figure 2, et la figure 3B montre un mode de réalisation 15 préféré d'une boîte à fusibles illustrée sur la figure 3A. En se référant à la figure 3A, on note qu'une section de commande de réparation 120 est constituée d'un bloc de boîtes à fusibles 300, d'un bloc de décodage 320 et d'une porte NON-OU 340. Le bloc de boîtes à fusibles 300 20 est constitué d'une multiplicité de boîtes à fusibles FB0FB(n-1) qui correspondent respectivement à des bits d'adresse d'entrée AX0-AX(n-1). Chacune des boîtes à fusibles FB0-FB(n-1) reçoit un bit d'adresse d'entrée AXi (i = 0 à n-l), un signal d'horloge CLK, et une version 25 inversée du signal d'horloge CLKB (qu'on appellera ci-après un signal d'horloge inversé). Le bloc de décodage 320 reçoit et décode des signaux de sortie FO0-FO(n-1) du bloc de boîtes à fusibles 300, et il est constitué d'une multiplicité de portes NON-ET NG0-NG(k-1) (k est un entier 30 inférieur à n). La porte NON-OU 340 reçoit des signaux de sortie des portes NON-ET NG0-NG(k-1) et émet un signal de sélection CS1, qui est appliqué à une section de multiplexage 180 sur la figure 2. Chacune des boîtes à fusibles FB0-FB(n-1) a deux fusibles qui sont coupés 35 sélectivement conformément à un bit d'adresse d'entrée. Dans le cas o une adresse d'entrée correspond à une cellule défectueuse, un fusible dans chacune des boîtes à fusibles respectives FB0-FB(n-1) est coupé, de façon que tous les signaux de sortie FO0-FO(n-1) des boîtes à 5 fusibles FB0-FB(n-1) aient un état logique haut. A ce moment, tous les signaux de sortie des portes NON-ET NG0NG(k-1) passent à l'état bas. Ceci fait passer à l'état haut un signal de sortie de la porte NON-OU 340. Ainsi, le signal de sélection CS1 d'un état logique haut est appliqué 10 à la section de multiplexage 180. En particulier, en se référant à la figure 3B, on note que chacune des boîtes à fusibles FB0-FB(n-1) comprend deux portes de transmission CMOS 302 et 304, deux fusibles 306 et 308, un inverseur 310 et un transistor NMOS 309. 15 Chacune des portes de transmission 302 et 304 est constituée d'un transistor PMOS et d'un transistor NMOS. Par exemple, la porte de transmission 302 est constituée d'un transistor PMOS Pi et d'un transistor NMOS Ni, et la porte de transmission 304 est constituée d'un transistor 20 PMOS P2 et d'un transistor NMOS N2. Un bit d'adresse d'entrée AXi est appliqué directement à la porte de transmission 302 et par l'intermédiaire de l'inverseur 310 à la porte de transmission 304. Ainsi, les portes de transmission 302 et 25 304 reçoivent respectivement des signaux de phases (ou d'états logiques) complémentaires. Le signal d'horloge CLK est appliqué à des grilles des transistors NMOS Nl et N2, et le signal d'horloge inversé CLKB est appliqué à des grilles des transistors PMOS Pl et P2. Le transistor NMOS 30 309 est connecté entre une borne de sortie Fouti et une tension de masse, et il est commandé par le signal d'horloge inversé CLKB. Le nombre de boîtes à fusibles, comme celle représentée sur la figure 3B, qui sont exigées est le même que le nombre de bits d'adresse d'entrée. On suppose qu'une adresse d'entrée AXi désigne une cellule défectueuse. Dans cette hypothèse, si un bit d'adresse d'entrée est "0", le fusible 306 dans chaque boîte à fusibles est coupé ou fondu. Si le bit d'adresse d'entrée est "1", le fusible 308 dans chaque boîte à fusibles est coupé ou fondu. D'autre part, du fait que le 5 transistor NMOS 309 reçoit le signal d'horloge inversé CLKB d'un état logique bas, il est bloqué. Par conséquent, un signal de sortie Fouti de la boîte à fusibles passe à l'état haut. On va maintenant décrire complètement ci-dessous le 10 fonctionnement d'un circuit de commande de réparation, en se référant aux figures 3A et 3B. Pour commencer, dans un cas dans lequel une adresse d'entrée AX[(n-1)] :0] désigne une cellule normale, des fusibles 306 et 308 dans des boîtes à fusibles respectives FB0-FBn-1 ne sont pas coupés 15 ou fondus. Du fait qu'un signal d'horloge inversé CLKB est à un état logique bas, le transistor NMOS 309 est bloqué. D'autre part, du fait que les portes de transmission 302 et 304 sont toutes à l'état passant, des signaux d'entrée AXi et AXiB ayant des états complémentaires sont transférés 20 vers la borne de sortie Fouti par l'intermédiaire des portes de transmission et des fusibles correspondants. Ainsi, un bit d'adresse "0" est transféré vers la borne de sortie Fouti par l'intermédiaire de la porte de transmission 302 et du fusible 306, et un bit d'adresse "1" 25 est transféré vers la borne de sortie Fouti par l'intermédiaire de la porte de transmission 304 et du fusible 308. Lorsqu'une adresse d'entrée Axi est "0", un bit d'adresse inversé AXiB à l'état "1" est mis à la masse par un circuit d'attaque (non représenté) par 30 l'intermédiaire duquel l'adresse AXi est appliquée à une boîte à fusibles. Lorsqu'une adresse d'entrée AXi est à l'état "1", ce bit est mis à la masse par l'inverseur 310 (c'est-à-dire un transistor NMOS de l'inverseur 310). Le signal de sortie Fouti est ainsi un signal de niveau 35 logique bas. Selon une variante, dans un cas o on utilise un fusible maître, il est possible d'utiliser un procédé dans lequel un signal de sortie du fusible maître passe à l'état bas lorsqu'il n'y a pas de réparation. On peut accomplir ceci en retardant un signal de sortie de la porte NONOU 340 couplée à une sortie Fouti d'une boîte à fusibles, de façon qu'un bit d'adresse "1" soit mis à la masse. En résumé, lorsque des signaux de niveau bas FO010 FO(n-1) sont émis par les boîtes à fusibles FB0-FB(n-1), un signal de sélection CS1 d'un état logique bas est généré par l'intermédiaire du bloc de décodage 320 et de la porte NON-OU 340. Par conséquent, la section de multiplexage 180 réagit au signal logique CS1 d'un état logique bas et 15 sélectionne des données qui sont lues dans une cellule spécifiée de la section de réseau de cellules 140 par l'intermédiaire de la section d'amplificateur de lecture 160. D'autre part, si une adresse d'entrée désigne une 20 cellule défectueuse (défaut correspondant à des données "0"), l'un ou l'autre des deux fusibles dans chaque boîte à fusibles est coupé conformément à une valeur de l'adresse d'entrée, de façon que les boîtes à fusibles émettent respectivement des signaux FO0-FO(n-1) de niveau haut. Par 25 exemple, si un bit d'adresse d'entrée pour la cellule défectueuse est un "0", alors le fusible 306 est coupé et un signal d'adresse inversé AXiB de niveau "1" est transféré vers la borne de sortie Fouti par l'intermédiaire de la porte de transmission 304 et du fusible 308. De façon 30 similaire, si un bit d'adresse d'entrée pour la cellule défectueuse est un "1", alors le fusible 308 est coupé et le signal d'adresse AXi de valeur "1" est transféré sans modification vers la borne de sortie Fouti parl'intermédiaire de la porte de transmission 302 et du 35 fusible 306. Par conséquent, les boîtes à fusibles émettent des signaux FO0-FO(n-1) de niveau logique haut, ce qui fait que le signal de sélection CS1 passe au niveau haut. Ceci commande à la section de multiplexage 180 de sélectionner le conducteur de masse 200. Ainsi, le défaut correspondant à des données "0" est réparé sans une cellule redondante séparée. Par exemple, si une adresse d'entrée est une adresse à 8 bits, 8 boîtes à fusibles FB0-FB7 sont nécessaires, comme illustré sur la figure 3B. A ce moment, on suppose qu'une adresse d'entrée "10100011" désigne une 10 cellule défectueuse. Dans ce cas, les fusibles suivants sont coupés: un fusible 308 de la boîte à fusibles FB0, un fusible 306 de la boîte à fusibles FB1, un fusible 308 de la boîte à fusibles FB2, un fusible 306 de la boîte à fusibles FB3, un fusible 306 de la boîte à fusibles FB4, un 15 fusible 306 de la boîte à fusibles FB5, un fusible 308 de la boîte à fusibles FB6, et un fusible 308 de la boite à fusibles FB7. Ainsi, comme décrit ci-dessus, les boîtes à fusibles FB0-FB7 émettent toutes des signaux de niveau haut, F0-F7. D'autre part, en retournant à la figure 2, on note 20 que si un défaut correspondant à des données "1" existe après la fabrication d'un dispositif de mémoire morte, il peut être réparé en connectant une entrée d'une section de multiplexage 180 à un conducteur de tension de fonctionnement qui n'est pas la masse (par exemple une 25 tension d'alimentation), au lieu d'un conducteur de masse. Le conducteur de tension de fonctionnement est une connexion recevant une tension de fonctionnement lorsqu'un dispositif de mémoire morte fonctionne. Le défaut correspondant à des données "1" peut également être réparé 30 sans utiliser un réseau de cellules redondant séparé. La figure 4 est un schéma synoptique d'un dispositif de mémoire morte qui peut réparer des défauts correspondant à des données "0" et des données "1". Dans un dispositif de mémoire morte, du fait que des données dans 35 une cellule sont fixées, il est préalablement laissé à un fabricant le soin de déterminer si des données dans une cellule de mémoire d'une adresse quelconque sont des données "0" ou "1". Ainsi, si une adresse pour accéder à une cellule de mémoire est reçue, il est possible de déterminer préalablement si une cellule à laquelle on doit 5 accéder est une cellule défectueuse, et si la cellule défectueuse correspond à un type de défaut quelconque. Par conséquent, les défauts correspondant à des données "0" et "1" peuvent tous être réparés en incorporant dans le dispositif de mémoire morte une section de multiplexage 10 supplémentaire qui a deux entrées, connectées à des conducteurs de tension de masse et de fonctionnement, et qui sélectionne l'un ou l'autre des conducteurs d'entrée. Une description détaillée est présentée ci-après. Sur la figure 4, des éléments constitutifs qui sont 15 identiques à ceux de la figure 2 sont désignés par les mêmes numéros de référence. Comme illustré sur la figure 4, le dispositif de mémoire morte de la présente invention comprend une section de sélection de cellule 100, une section de commande de réparation 120', une section de 20 réseau de cellules 140, une section d'amplificateur de lecture 160, la première section de multiplexage 180 (en abrégé "MUXl" sur la figure), la seconde section de multiplexage 180' (en abrégé "MUX2" sur la figure), et une section de sortie de données 220. La seconde section de 25 multiplexage 180' sélectionne soit le conducteur de masse , soit le conducteur de tension de fonctionnement 200', et émet une tension du conducteur sélectionné vers la première section de multiplexage 180. La première section de multiplexage 180 sélectionne l'un des signaux de sortie 30 de la section d'amplificateur de lecture 160 et de la seconde section de multiplexage 180', et transfère un signal sélectionné vers la section de sortie de données 220. Les première et seconde sections de multiplexage 180 et 180' fonctionnent en réponse à des signaux de sélection 35 correspondants CS1 et CS2 provenant de la section de commande de réparation 120'. Par exemple, si une adresse d'entrée désigne une cellule ayant un défaut correspondant à des données "1", la section de commande de réparation 120' génère le signal de sélection CS1 ayant un état logique haut. De plus, la 5 section de commande de réparation 120' génère le signal de sélection CS2 ayant un état logique bas ou haut conformément au type de cellule défectueuse. On décrira ceci ci-dessous. Lorsque le signal de sélection CS2 est dans un état logique bas, la seconde section de 10 multiplexage 180' sélectionne le conducteur de masse 200 et fournit en sortie la tension de masse. Lorsque le signal de sélection CS2 est à un état logique haut, la seconde section de multiplexage 180' sélectionne le conducteur de tension de fonctionnement 200' et fournit en sortie la 15 tension de fonctionnement qui n'est pas la masse. La figure 5 montre un section de commande de réparation 120' illustrée sur la figure 4. Sur la figure 5, les parties de la section de commande de réparation qui sont les mêmes que celles décrites en relation avec les 20 figures 3A et 3B seront omises pour abréger. La section de commande de réparation 120' comprend en outre une boîte à fusibles 500 ainsi qu'une section de commande de réparation 120, qui est la même que celle illustrée sur la figure 3A. En se référant à la figure 5, 25 on note que la boîte à fusibles 500 comprend une résistance 506, un fusible 504 et un transistor NMOS 502 connectés en série entre une tension d'alimentation VCC et une tension de masse. La grille du transistor NMOS 502 est connectée pour recevoir un signal de sélection CS1, sa source est 30 reliée à la masse et son drain est connecté au fusible 504. Une interconnexion du fusible 504 et de la résistance 506 forme une borne de sortie 505 qui émet un signal de sélection CS2. Si un chemin de courant est établi entre la tension 35 d'alimentation et la tension de masse, une tension divisée apparaît sur la borne de sortie 505. La tension divisée est déterminée par un rapport entre une valeur de résistance de somme du fusible 504 et du transistor NMOS 502, et une valeur de la résistance 506. Une valeur de la résistance 506 est beaucoup plus grande qu'une valeur de résistance de 5 somme du fusible 504 et du transistor NMOS 502. Par cette condition, lorsque le fusible 504 n'est pas coupé, un chemin de courant est établi entre la tension d'alimentation VCC et la masse. A ce moment, une tension apparaissant sur la borne de sortie 505 est très inférieure 10 à la tension d'alimentation VCC. Par conséquent, le signal de sélection CS2 passe au niveau bas. D'autre part, si le fusible 504 est coupé, le signal de sélection CS2 passe au niveau haut. Par exemple, le fusible 504 n'est pas coupé 15 lorsqu'il apparaît un défaut correspondant à des données "0", et il est coupé lorsqu'il apparaît un défaut correspondant à des données "1". A la place, on peut employer la configuration opposée. On va maintenant décrire complètement le 20 fonctionnement du circuit de commande de réparation 120'. Si une adresse d'entrée correspond à une cellule défectueuse, comme décrit ci-dessus, une section de commande de réparation 120 émet un signal de sélection CS1 ayant un état logique haut. Un transistor NMOS 502 est 25 débloqué par le signal de sélection CS1. D'autre part, du fait que des données dans une cellule correspondant à l'adresse d'entrée sont disponibles, on détermine d'après l'adresse d'entrée s'il existe un défaut correspondant à des données "0" ou un défaut correspondant à des données 30 "1". Par conséquent, si une adresse d'entrée est liée à un défaut correspondant à des données "0", un fusible 504 dans une boîte à fusibles 500 n'est pas coupé. Un chemin de courant est formé entre une tension d'alimentation VCC et 35 une tension de masse. Ceci signifie qu'un signal de sélection CS2 d'un état logique bas est émis par une borne de sortie 505. La seconde section de multiplexage 180' sélectionne une ligne de masse 200 en réponse au signal de sélection CS2. D'autre part, du fait que le signal de sélection CS1 est à un état logique haut, la première 5 section de multiplexage 180 sélectionne une sortie (c'està-dire une tension de masse) de la seconde section de multiplexage 180', à la place de la cellule ayant le défaut correspondant à des données "0", et elle émet un signal sélectionné vers une section de sortie de données 220. Il 10 en résulte que le défaut correspondant à des données "0" est réparé sans un réseau de cellules redondant séparé. D'autre part, si une adresse d'entrée est liée à un défaut correspondant à des données "1", le fusible 504 est coupé, ce qui fait que le signal de sélection CS2 passe au 15 niveau haut. La seconde section de multiplexage 180' sélectionne un conducteur de tension de fonctionnement 200' en réponse au signal de sélection CS2. Un signal de sortie de la seconde section de multiplexage 180' (c'est-à-dire une tension de fonctionnement qui n'est pas la masse, comme 20 une tension d'alimentation) est transféré vers la section de sortie de données 220 par l'intermédiaire de la première section de multiplexage 180. Par conséquent, le défaut correspondant à des données "1" est réparé sans un réseau de cellules redondant séparé. Comme exposé ci-dessus, du fait qu'aucun réseau de cellules redondant pour réparer des cellules défectueuses n'est exigé, la mémoire morte peut avoir une densité élevée. De plus, du fait que des cellules défectueuses sont remplacées par un conducteur de tension de masse ou 30 d'alimentation, des opérations de codage de données et de test pour des cellules à remplacer ne sont pas nécessaires. Ceci permet de diminuer le cot. L'invention a été décrite en utilisant des exemples de modes de réalisation préférés. Il va de soi que de 35 nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif de mémoire morte ayant une fonction de réparation, caractérisé en ce qu'il comprend: un réseau de cellules de mémoire morte (140) qui a une multiplicité de cellules de mémoire; une section de sélection de cellule (100) qui sélectionne l'une au moins de la multiplicité de cellules de mémoire en réponse à une adresse d'entrée; une section d'amplificateur de lecture (160) qui 10 lit des données stockées dans la cellule de mémoire sélectionnée; une section de commande de réparation (120) qui génère un premier signal de sélection en réponse à l'adresse d'entrée; et une première section de multiplexage (180) qui sélectionne et, en réponse au premier signal de sélection, émet un signal sélectionné dans le groupe comprenant un signal de sortie de la section d'amplificateur de lecture (160) et une tension fixée. 2. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 1, caractérisé en ce que la section de commande de réparation (120) génère le premier signal de sélection ayant l'un ou l'autre de deux états complémentaires conformément au fait que l'adresse d'entrée 25 correspond ou non à une cellule défectueuse, et en ce que la première section de multiplexage (180) sélectionne la tension fixée lorsque le premier signal de sélection est à un premier état logique, et sélectionne le signal de sortie de la section d'amplificateur de lecture (160) lorsque le 30 premier signal de sélection est à un second état logique. 3. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 1, caractérisé en ce que la tension fixée est une tension sélectionnée parmi la tension de masse et une tension de fonctionnement du dispositif qui n'est pas 35 la masse, et en ce que la tension fixée est la masse lorsqu'une cellule défectueuse a un défaut correspondant à des données "0", et la tension fixée est la tension de fonctionnement lorsque la cellule défectueuse a un défaut correspondant à des données "1". 4. Dispositif de mémoire morte selon la 5 revendication 1, caractérisé en ce que la section de sélection de cellule (100) comprend: une section de décodeur de ligne (104) qui décode une adresse de ligne de l'adresse d'entrée pour sélectionner une ligne; une section d'attaque de ligne (140) qui attaque la ligne sélectionnée; 10 et une section de décodeur de colonne (108) qui décode une adresse de colonne de l'adresse d'entrée pour sélectionner une colonne. 5. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 1, caractérisé en ce que la tension fixée est 15 une tension sélectionnée parmi la masse et une tension de fonctionnement du dispositif qui n'est pas la masse; en ce que la section de commande de réparation (120') comprend en outre une seconde section de multiplexage (180') pour sélectionner la masse ou la tension de fonctionnement, et 20 pour transférer un signal sélectionné vers la première section de multiplexage (180); et en ce que la section de commande de réparation (120') génère un second signal de sélection (CS2) pour commander un signal de sortie de la seconde section de multiplexage (180'). 6. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 5, caractérisé en ce que la section de commande de réparation (120') génère le premier signal de sélection (CS1) ayant l'un ou l'autre d'états complémentaires conformément au fait que l'adresse d'entrée 30 correspond ou non à une cellule défectueuse; en ce que la première section de multiplexage (180) sélectionne la tension fixée lorsque le premier signal de sélection (CS1) est à un premier état logique, et sélectionne le signal de sortie de la section d'amplificateur de lecture (160) 35 lorsque le premier signal de sélection est à un second état logique; et en ce que lorsque le premier signal de sélection (CS1) est au premier état logique, la seconde section de multiplexage (180') sélectionne la tension de fonctionnement en réponse au second signal de sélection (CS2) ayant le premier état logique, et sélectionne la 5 tension de masse en réponse au second signal de sélection (CS2) ayant le second état logique. 7. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 1, caractérisé en ce que la section de commande de réparation (120) comprend: une multiplicité de 10 boîtes à fusibles (FB0-FB(n-1)) correspondant à un nombre de bits dans l'adresse d'entrée, chaque boîte à fusibles ayant deux fusibles (306, 308); un bloc de décodage (320) ayant une multiplicité de portes NON-ET (NG0 - NG(k-1)) et recevant des signaux de sortie de la multiplicité de boîtes 15 à fusibles; et une porte NON-OU (340) qui est connectée à des sorties des portes NON-ET, en ce que lorsque l'adresse d'entrée désigne une cellule défectueuse, l'un ou l'autre des deux fusibles dans les boîtes à fusibles respectives correspondant à un bit d'adresse d'entrée est coupé, de 20 façon à émettre un signal d'un premier état; et en ce que lorsque l'adresse d'entrée désigne une cellule normale, les deux fusibles (306, 308) dans les boîtes à fusibles respectives ne sont pas coupés, de façon à émettre un signal d'un second état. 8. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 5, dans lequel la section de commande de réparation (120') comprend: une multiplicité de boîtes à fusibles (FB0 - FB(n-1)) correspondant à un nombre de bits de l'adresse d'entrée, chaque boîte à fusibles incluant des 30 premier et second fusibles (306, 308); un bloc de décodage (320) qui a une multiplicité de portes NON-ET (NG0 - NG(k1)) et qui reçoit des signaux de sortie de la multiplicité de boîtes à fusibles; une porte NON-OU (340) qui est connectée aux sorties des portes NON-ET pour émettre le 35 premier signal de sélection (CS1); un transistor NMOS (502) qui a une grille connectée pour recevoir un signal de sortie de la porte NON-OU et une source reliée à la masse; un troisième fusible (504) qui a une première extrémité connectée à un drain du transistor NMOS; et une résistance (506) qui a une première extrémité connectée à une seconde 5 extrémité du troisième fusible (504), et une seconde extrémité connectée de façon à recevoir la tension de fonctionnement, le second signal de sélection (CS2) étant émis par une interconnexion (505) du troisième fusible (504) et de la résistance (506); en ce que lorsque 10 l'adresse d'entrée désigne une cellule défectueuse, l'un ou l'autre des premier et second fusibles (306, 308) dans des boîtes à fusibles respectives correspondant à un bit d'adresse d'entrée est coupé de façon à émettre un signal ayant un premier état; en ce que lorsque l'adresse d'entrée 15 désigne une cellule normale, les premier et second fusibles (306, 308) dans les boîtes à fusibles respectives ne sont pas coupés, de façon à émettre un signal d'un second état; en ce que lorsqu'une cellule défectueuse présente un défaut correspondant à des données "1", le troisième fusible (504) 20 est coupé de façon que le second signal de sélection (CS2) ait un premier état logique, et que la seconde section de multiplexage (180') sélectionne la tension de fonctionnement; et en ce que lorsqu'une cellule défectueuse présente un défaut correspondant à des données "0", le 25 troisième fusible (504) n'est pas coupé, de façon que le second signal de sélection (CS2) ait un second état logique et que la seconde section de multiplexage (180') sélectionne la tension de masse. 9. Dispositif de mémoire morte ayant une fonction 30 de réparation, caractérisé en ce qu'il comprend: une section de réseau de cellules (140) qui a une multiplicité de cellules de mémoire stockant chacune une valeur de données fixée; une section de sélection de cellule (100) qui sélectionne l'une au moins des cellules de mémoire en 35 réponse à une adresse d'entrée; une section d'amplificateur de lecture (160) qui lit des données stockées dans la cellule de mémoire sélectionnée; une section de commande de réparation (120') qui génère un premier signal de sélection (CS1) et un second signal de sélection (CS2) en réponse à l'adresse d'entrée; et des première et seconde sections de 5 multiplexage (180, 180') qui fonctionnent respectivement sous la dépendance des premier et second signaux de sélection (CS1, CS2); caractérisé en ce qu'en réponse au premier signal de sélection (CS1), la première section de multiplexage (180) sélectionne et émet un signal 10 sélectionné dans le groupe comprenant un signal de sortie de la section d'amplificateur de lecture (160), et un signal de sortie de la seconde section de multiplexage (180'); et en ce qu'en réponse au second signal de sélection (CS2), la seconde section de multiplexage (180') 15 sélectionne un signal sélectionné dans le groupe comprenant une tension de masse et une tension de fonctionnement qui n'est pas la masse. 10. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 9, caractérisé en ce que la section de 20 commande de réparation (120') génère le premier signal de sélection (CS1) ayant un premier état logique lorsque l'adresse d'entrée correspond à une cellule défectueuse et un second état logique lorsque l'adresse d'entrée correspond à une cellule normale, et en ce que la section 25 de commande de réparation (120') génère le second signal de sélection (CS2) ayant l'un ou l'autre de deux états complémentaires conformément à un type de défaut de la cellule défectueuse, lorsque le premier signal de sélection (CSl) a le premier état logique. 11. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 10, dans lequel lorsque l'adresse d'entrée correspond à une cellule défectueuse, le premier signal de sélection (CS1) a le premier état logique et la première section de multiplexage (180) sélectionne le signal de 35 sortie de la seconde section de multiplexage (180'); en ce que lorsque la cellule défectueuse a un défaut correspondant à des données "1", le second signal de sélection (CS2) a le premier état logique et la seconde section de multiplexage (180') sélectionne la tension de fonctionnement; et en ce que lorsque la cellule défectueuse 5 a un défaut correspondant à des données "0", le second signal de sélection a le second état logique et la seconde section de multiplexage (180') sélectionne la tension de masse. 12. Dispositif de mémoire morte selon la 10 revendication 9, caractérisé en ce que la tension de masse est une tension de masse du dispositif, et la tension de fonctionnement est produite dans le dispositif. 13. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 9, caractérisé en ce que la section de com15 mande de réparation (120') comprend: une multiplicité de boîtes à fusibles (FB0 - FB(n-1)) qui correspondent à un nombre de bits dans l'adresse d'entrée; un bloc de décodage (320) qui a une multiplicité de portes NON-ET (NG0 - NG(k-1)) et reçoit des signaux de sortie de la multiplicité de 20 boîtes à fusibles; une porte NON-OU (340) qui est connectée à des sorties des portes NON-ET pour émettre le premier signal de sélection (CS1); un premier transistor NMOS (502) qui a une grille connectée de façon à recevoir un signal de sortie de la porte NON-OU (340) et une source reliée à la 25 masse; un fusible de sélection (504) qui a une première extrémité connectée à un drain du transistor NMOS (502); et une résistance (506) qui a une extrémité connectée à une seconde extrémité du fusible de sélection (504), et une seconde extrémité connectée de façon à recevoir la tension 30 d'alimentation, le second signal de sélection (CS2) étant émis par une interconnexion (505) du fusible de sélection (504) et de la résistance (506); et en ce que chacune des boîtes à fusibles comprend: une première porte de transmission CMOS (302) qui reçoit un bit d'adresse; un 35 premier fusible d'adresse (306) qui est connecté à la première porte de transmission CMOS (302); une seconde porte de transmission CMOS (304) qui reçoit une version inversée du bit d'adresse; un second fusible d'adresse (308) qui est connecté à la seconde porte de transmission CMOS; et un second transistor NMOS (309) qui est connecté 5 entre un noeud d'interconnexion (Fouti) des premier et second fusibles d'adresse (306, 308) et une tension de masse. 14. Dispositif de mémoire morte selon la revendication 13, caractérisé en ce que lorsque l'adresse 10 d'entrée correspond à une cellule défectueuse, le premier signal de sélection (CS1) a un premier état logique et la première section de multiplexage (180) sélectionne le signal de sortie de la seconde section de multiplexage (180'); en ce que lorsque la cellule défectueuse a un 15 défaut correspondant à des données "1", le second signal de sélection (CS2) a le premier état logique et la seconde section de multiplexage (180') sélectionne la tension de fonctionnement; et en ce que lorsque la cellule défectueuse a un défaut correspondant à des données "0", le second signal de sélection (CS2) a un second état logique et la seconde section de multiplexage (180') sélectionne la tension de masse. 15. Procédé de réparation d'un dispositif de mémoire morte qui comprend une multiplicité de cellules de 25 mémoire stockant chacune une valeur de données fixée, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on génère un signal de sélection (CS1) conformément au fait qu'une cellule de mémoire désignée par une adresse d'entrée est une cellule défectueuse ou une cellule normale; et on 30 sélectionne et on fournit en sortie soit une tension fixée, soit une valeur de données de la cellule de mémoire désignée, en réponse au signal de sélection (CS1). 16. Procédé de réparation selon la revendication , caractérisé en ce que la tension fixée est une tension 35 de masse lorsque la cellule défectueuse présente un défaut correspondant à des données "0", et en ce que la tension fixée est une tension de fonctionnement qui n'est pas la masse lorsque la cellule défectueuse présente un défaut correspondant à des données "1". 17. Procédé de réparation selon la revendication 5 15, caractérisé en ce que lorsque la cellule de mémoire désignée est la cellule normale, le signal de sélection (CS1) est désactivé et la valeur de données est sélectionnée; et en ce que lorsque la cellule de mémoire désignée est la cellule défectueuse, le signal de sélection 10 (CS1) est activé et la tension fixée est sélectionnée. 18. Procédé de réparation selon la revendication 17, comprenant en outre la génération d'un second signal de sélection (CS2) pour sélectionner l'une ou l'autre d'une tension de masse ou d'une tension de fonctionnement qui 15 n'est pas la masse, conformément à un type de défaut de la cellule défectueuse.