FR 2842533 A1 20040123 FR 0307735 A 20030626 La présente invention concerne une composition de revêtement organique antireflet et un procédé pour former un motif de photorésist à l'aide de cette composition, permettant d'empêcher une réflexion d'une couche en film inférieure ou d'un substrat d'un film de photorésist et de réduire des ondes stationnaires dues à la lumière et à des variations d'épaisseur du photorésist proprement dit, pour ainsi augmenter l'uniformité du motif de photorésist en relation avec un procédé de formation de motif extrêmement fin utilisant des photorésists en vue d'une photogravure à l'aide d'une lumière de type F2 ayant une longueur d'onde de 157 nm, entre autres procédés de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. La présente invention concerne plus particulièrement une composition de revêtement organique antireflet et un procédé pour former des motifs de photorésist à l'aide d'une telle composition, permettant d'éviter que la capacité d'absorption d'un film antireflet ne soit trop élevée et, par conséquent, de réduire au minimum le pouvoir réflecteur du film afin qu'il puisse éliminer efficacement les ondes stationnaires et augmenter l'uniformité du motif de photorésist, grâce à l'utilisation de polymères particuliers à base d'organosilicium en plus des compositions de revêtement organique antireflet traditionnellement disponibles. On sait qu'au cours des procédés de formation de motifs extrêmement fins utilisés dans le cadre des méthodes de production de semi-conducteurs conventionnelles sont créées des ondes stationnaires résultant des propriétés optiques d'une couche en film inférieure, c'est-à-dire du substrat d'un film de photorésist, et/ou d'un changement d'épaisseur d'un film photosensible, de la présence d'encoches réfléchissantes et/ou d'une variation d'une dimension critique (appelée ci-après "CD") du motif de photorésist due à la lumière diffractée et à la lumière réfléchie à partir du substrat. On a par conséquent proposé d'insérer entre le substrat et le photorésist une couche de protection contre la réflexion créée sur le substrat, en introduisant des matières dotées d'une très bonne capacité d'absorption de la lumière dans les plages de longueurs d'onde de sources de lumière d'exposition, couche de protection que l'on appelle un film antireflet. Ce film antireflet peut, de manière générale, être classé dans la catégorie des films antireflet inorganiques ou dans la catégorie des films antireflet organiques selon les types de matières utilisés. Au cours des dernières années, les films antireflet organiques ont été largement utilisés dans les procédés de formation de motifs extrêmement fins, et leurs compositions doivent satisfaire aux exigences suivantes. (1) Après l'application en couche du film antireflet et au cours du processus d'application en revêtement du photorésist par-dessus le film, celui-ci ne doit pas se dissoudre dans un solvant du photorésist. C'est la raison pour laquelle il est nécessaire que le film soit conçu pour développer des structures réticulées au cours de son application en couche, le procédé consistant à appliquer le film en revêtement, puis à exécuter un traitement de cuisson tout en empêchant la production d'autres matières chimiques en tant que sous-produits. (2) Pour empêcher une réflexion dispersée à partir du substrat, le film doit contenir certaines matières pour absorber une lumière à l'intérieur de la plage de longueurs d'onde de la source de lumière d'exposition. (3) Le procédé d'application en couche de la composition de revêtement antireflet nécessite un catalyseur particulier pour activer la réaction de réticulation. Pour satisfaire aux exigences ci-dessus, les compositions de revêtement organique antireflet classiques comprennent généralement un agent de réticulation permettant au film antireflet de présenter la structure réticulée requise, un agent absorbant la lumière pour absorber la lumière à l'intérieur de la plage de longueurs d'onde de la source de lumière d'exposition, et un générateur d'acide thermique comme catalyseur pour activer la réaction de réticulation. Toutefois, il convient de préciser que bien que le film antireflet organique nécessite de préférence une grande absorbance puisqu'il doit absorber la lumière et servir à empêcher la réflexion de la lumière sur le substrat, comme cela a été décrit précédemment, l'absorbance de la lumière n'est pas toujours proportionnelle à la réflectance. Au contraire, une absorbance excessivement élevée de la lumière peut entraîner une diminution de la quantité de lumière pénétrant à travers le film antireflet et conduire à une augmentation de la réflectance de celui-ci, ce qui rend difficile une réduction efficace des ondes stationnaires et l'obtention d'un motif de photorésist de qualité. Par conséquent, l'absorbance du film antireflet organique se situe de préférence dans une plage de 0,3 à 0,6. Cependant, la plupart des matières organiques généralement présentes dans les compositions de revêtement organique antireflet classiques ont une absorbance supérieure à 0,7 vis-à-vis de la source de lumière F2 présentant une longueur d'onde de 157 nm. Par conséquent, on considère que le film antireflet organique formé à l'aide de ces compositions connues présente une absorbance trop élevée vis-à-vis de cette lumière, de sorte, que dans le cas du procédé de formation de motif extrêmement fin utilisant la lumière F2 de longueur d'onde 157 nm, les ondes stationnaires ne peuvent pas être réduites, ce qui ne permet pas d'obtenir des motifs de photorésist de qualité. Compte tenu des problèmes ci-dessus posés par les compositions existantes, on a besoin de compositions de revêtement organique antireflet perfectionnées pour éliminer efficacement les ondes stationnaires et pour réaliser des motifs de photorésist stables au cours du processus de formation de motif extrêmement fin à l'aide d'une source de lumière de type F2 ayant une longueur d'onde de 157 nm. La présente invention a précisément pour but de proposer une composition de revêtement organique antireflet qui soit capable d'éviter que l'absorption d'un film antireflet ne soit trop élevée afin que celui-ci puisse éliminer efficacement les ondes stationnaires, et qui permette de former des motifs de photorésist de qualité en utilisant des polymères spécifiques à base d'organosilicium en plus des compositions de revêtement organique antireflet traditionnellement employées. La présente invention a pour autre but de proposer un procédé de formation de motif de photorésist comprenant l'utilisation de la composition de revêtement organique antireflet, qui permette d'obtenir un motif de photorésist perpendiculaire dans un processus de formation de motif extrêmement fin utilisant une source de lumière de type F2 157 nm. Pour atteindre les buts ci-dessus et selon un premier aspect de la présente invention, il est proposé une composition de revêtement organique antireflet, caractérisée en ce qu'elle comprend un agent de réticulation pour doter un film antireflet d'une structure réticulée; un agent absorbant la lumière, qui présente une absorbance élevée dans une plage de longueurs d'onde d'une source de lumière d'exposition; un générateur d'acide thermique; un solvant organique; et un composé polymère, tel qu'un polydiméthylsiloxane ayant une structure selon la formule 1 suivante et de préférence un poids moléculaire dans la plage de 14 000 à 21 000 (poids moléculaire moyen). (Formule 1) 1H3 CH3 Le polymère polydiméthylsiloxane qui présente une absorbance faible de 0,1 ou moins vis-à-vis d'une lumière ayant une longueur d'onde de 157 nm peut être ajouté à la composition de revêtement organique antireflet; par conséquent, la composition de revêtement antireflet résultante a une plage d'absorbance de la lumière préférable de 0,3 à 0,6 et réduit au minimum la réflectance du film antireflet obtenu. La composition comprend également un agent de réticulation ou un agent similaire ayant une absorbance non inférieure à 0,7 dans le cas d'une lumière de 157 nm, de sorte qu'elle permet d'éliminer efficacement des ondes stationnaires et de former des motifs de photorésist satisfaisants. Comme cela a été décrit ci-dessus, le polymère polydiméthylsiloxane inclus dans la composition de revêtement selon la présente invention a un poids moléculaire de 14 000 à 21 000, ce qui correspond au poids moléculaire caractéristique pour le polymère (voir l'Index Merck, douzième édition, pages 544 et 545) Un mode de réalisation de la composition de revêtement organique antireflet selon la présente invention peut contenir des matières présentes dans les compositions de revêtement antireflet conventionnelles, telles que l'agent absorbant la lumière, de préférence un polymère polyvinylphénol ayant une structure selon la formule 2 suivante. Ce polymère polyvinylphénol qui présente une absorbance élevée à la lumière ayant une longueur d'onde de 157 nm et qui contient des groupes hydroxyle pour réagir avec l'agent de réticulation contenu dans la composition de revêtement antireflet pour générer une liaison de réticulation est bien connu et est présent dans ces compositions de revêtement en tant qu'agent absorbant la lumière, de sorte que la liaison de réticulation permet de protéger le film antireflet formé contre une dissolution dans le solvant utilisé pour le photorésist. (Formule 2) A titre de variante, l'agent de réticulation inclus dans la composition de revêtement de la présente invention peut, de manière générale, comprendre des matières utilisées dans les compositions de revêtement organique antireflet conventionnelles, de préférence des composés à base d'acétal et de manière davantage préférable des polymères ayant une structure selon la formule 3 suivante. Ces polymères ont un poids moléculaire dans une plage de 3 000 à 100 000, généralement adapté à un polymère de réticulation appliqué à la composition. (Formule 3) Rl R. O OR2 dans laquelle R1 et R2 sont chacun indépendamment un groupe alkyle en CiCIO substitué, à chaîne ramifiée et/ou linéaire; et R3 est un hydrogène ou un groupe méthyle. Les composés à base d'acétal, tels que le polymère de la formule 3 ci-dessus, réagissent avec un polyvinylphénol utilisé comme agent absorbant la lumière et contenant des groupes hydroxyle capables de créer une réticulation par la réaction d'un alcool en présence d'acide, pour produire la liaison de réticulation afin que le film antireflet organique formé ne se dissolve pas dans le solvant du photorésist du fait de cette liaison de réticulation. Ce polymère peut s'obtenir en polymérisant des aldéhydes (méth)acryliques pour préparer des poly[aldéhydes (méth)acryliques], puis en faisant réagir les matières résultantes avec l'alkylalcool en CI-Clo substitué, à chaîne ramifiée et/ou principale. Ce polymère et sa préparation pratique ont été décrits dans la demande de brevet coréen n0 99-61343 (publiée avant examen le 5 juillet 2001) et dans la demande de brevet coréen n0 99-61344 (publiée avant examen le 5 juillet 2001), toutes deux déposées le 23 décembre 1999 par le déposant de la présente demande. Pour la composition de revêtement de la présente invention, décrite cidessus, le générateur d'acide thermique peut, de manière -générale, comprendre des générateurs d'acide thermique conventionnels, de manière davantage préférable du p-toluènesulfonate de 2-hydroxycyclohexyle qui a une structure selon la formule 4 suivante (Formule 4) 1 Comme cela a été décrit précédemment, le générateur d'acide thermique est un catalyseur destiné à activer la réaction de réticulation entre l'agent de réticulation et l'agent absorbant la lumière. Le film antireflet organique qui ne se dissout pas dans le solvant du photorésist peut être formé tout d'abord par l'application en revêtement de ce générateur d'acide thermique sur la plaquette du dispositif et/ou de l'élément à semi-conducteur, puis par l'exécution d'un traitement thermique, tel qu'une cuisson, pour générer un acide à partir du générateur d'acide thermique et, par conséquent, induire la réaction de réticulation décrite ci-dessus en présence de l'acide résultant. En ce qui concerne la composition de revêtement organique antireflet de la présente invention, le polymère polyvinylphénol de la formule 1 utilisé comme agent absorbant la lumière est de préférence contenu en une quantité de 50 à 400% en poids par rapport à la quantité totale de l'agent de réticulation inclus dans la présente composition, tandis que le générateur d'acide thermique est de préférence contenu en une quantité de 10 à 200% en poids par rapport à la quantité de l'agent de réticulation. En outre, le solvant organique est de préférence contenu en une quantité de 1 000 à 10 000% en poids par rapport à la quantité totale de l'agent de réticulation et de l'agent absorbant la lumière inclus dans la présente composition. Pour sa part, le polydiméthylsiloxane est de préférence présent en une quantité de 20 à 100% en poids par rapport à la quantité totale de l'agent de réticulation et de l'agent absorbant la lumière inclus dans la composition. Grâce à ces composants respectifs ayant les compositions indiquées cidessus, la composition de revêtement organique antireflet de la présente invention peut assurer une protection efficace contre une réflexion dispersée à partir de la couche en film inférieure, c'est-à-dire à partir du substrat du film de photorésist, tout en empêchant une attaque latérale de la partie inférieure des composants de la réaction de réticulation, pour ainsi permettre d'obtenir des motifs de photorésist perpendiculaires de qualité. En outre, grâce au fait que la composition contient le polyméthylsiloxane dans la proportion indiquée ci25 dessus, le film antireflet formé peut présenter une absorbance optimale de la lumière ayant une longueur d'onde de 157 nm, appropriée pour éliminer efficacement les ondes stationnaires dues à la réflexion du substrat. Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, la composition de revêtement organique antireflet peut, en outre, comprendre un composé à base d'éther couronne comme inhibiteur de diffusion d'acide, de manière davantage préférable du 18-couronne-6(l, 4, 7, 10, 13, 16- hexaoxacyclooctadécane) ayant une structure selon la formule 5 suivante (Formule 5) O Ce composé à base d'éther couronne est un composé présentant une structure circulaire en forme de couronne comme celle représentée par la formule 5 ci-dessus, et contenant des atomes d'oxygène à l' intérieur de cette structure circulaire. Les atomes d'oxygène contenus dans ce composé sont facultativement capables d'une interaction avec certains cations dont la taille correspondant à celle de la cavité de la partie centrale de la structure circulaire du solvant organique. En d'autres termes, si le composé ci-dessus est ajouté à la composition de revêtement de la présente invention, celle-ci peut empêcher une diffusion d'acide en direction de la partie inférieure du photorésist et, par conséquent, une attaque latérale résultant de cette diffusion, même si un acide est généré par la réaction du révélateur et du polyvinylphénol au cours de la formation du motif de photorésist, ce qui permet d'obtenir un motif de photorésist perpendiculaire de qualité. Cet inhibiteur de diffusion d'acide est de préférence contenu en une quantité de 30 à 500% en moles par rapport à la quantité du générateur d'acide thermique inclus dans la composition. Selon un deuxième aspect de la présente invention, il est proposé un procédé pour former des motifs de il photorésist, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes qui consistent à appliquer la composition de revêtement organique antireflet de la présente invention sur la surface d'une couche destinée à être attaquée; à soumettre à un traitement de cuisson la matière résultante pour produire une liaison de réticulation et former un film organique antireflet; et appliquer le photorésist en revêtement par-dessus le film antireflet formé, exposer le film appliqué à une source de lumière, puis développer celui-ci pour former les motifs de photorésist souhaités. Etant donné que le procédé de formation de motif de photorésist de la présente invention utilise une composition de revêtement contenant du polydiméthylsiloxane, il permet de faire en sorte que le film antireflet formé ait une absorbance de la lumière qui se situe dans une plage de 0,3 à 0,6 en présence d'une source de lumière de type F2 ayant une longueur d'onde de 157 nm et de réduire au minimum la réflectivité du film, pour ainsi réduire efficacement les ondes stationnaires. On comprendra, par conséquent, que le procédé de la présente invention permet de réaliser un film antireflet de qualité supérieure adapté pour être employé dans un procédé de formation de motif extrêmement fin utilisant une source de lumière de type F2 ayant une longueur d'onde de 157 nm. Un mode de mise en òuvre du procédé de formation de motif de photorésist selon la présente invention comprend de préférence un traitement de cuisson réalisé à une température d'environ 150 à 3000C pendant 1 à minutes. Dans ces conditions, un acide est généré par le générateur d'acide thermique pour former des liaisons de réticulation au sein du film antireflet et pour, par conséquent, produire le film antireflet souhaité qui ne se dissout pas dans le solvant du photorésist. En outre, conformément au procédé de la présente invention décrit ci-dessus, le traitement de cuisson peut également être exécuté avant et/ou après l'étape d'exposition des étapes de formation du motif de photorésist et, de préférence, dans la plage de températures d'environ 70 à 200'C. On comprendra que la composition de revêtement organique antireflet et le procédé de formation de motif de photorésist utilisant celle-ci, selon la présente invention, peuvent trouver une application dans des procédés de formation de motif extrêmement fin particuliers utilisant ArF, KrF, un rayonnement ultraviolet lointain (DUV) y compris EUV (rayonnement ultraviolet extrême), un faisceau électronique, des rayons X ou des faisceaux d'ions, bien qu'ils soient de manière générale employés dans le procédé de formation de motif extrêmement fin utilisant une source de lumière de type F2. Selon un troisième aspect de la présente invention, il est également proposé un dispositif à semiconducteur produit à l'aide du procédé de formation de motif de photorésist selon la présente invention. La présente invention va maintenant être décrite plus en détail en référence à des exemples qui sont présentés à titre d'illustration seulement et ne doivent pas être considérés comme limitatifs de la portée de l'invention. Détermination de l'absorbance de la lumière d'un film organique antireflet préparé par le procédé conventionnel EXEMPLE COMPARATIF 1 A 13 g d'un solvant méthylétheracétate de propylèneglycol, ont été ajoutés et dissous 0,13 g d'un agent de réticulation de la formule 6 suivante, 0,26 g de polyvinylphénol de la formule 2 et 0,085 g d'un générateur d'acide thermique de la formule 4 ci-dessus. Le mélange résultant a ensuite été filtré à travers un filtre fin de 0,2 um pour préparer la composition de revêtement organique antireflet. La composition obtenue a été appliquée en revêtement par centrifugation sur une plaquette de silicium, cuite à 2400C pendant secondes pour générer des liaisons de réticulation et former ainsi le film antireflet souhaité. Le film antireflet résultant a été soumis à une détermination d'absorbance de la lumière en présence de deux sources de lumière ArF 193 nm et F2 157 nm. Les résultats de la détermination sont indiqués dans le Tableau 1 suivant. (Formule 6) CH30 OCHa EXEMPLE COMPARATIF 2 La procédure de l'exemple comparatif 1 a été répétée, excepté que la quantité de polyvinylphénol était de 0,13 g au lieu de 0,26 g. Les absorbances de la lumière en présence des deux sources de lumière (157 nm et 193 nm) ont été déterminées pour le film résultant et sont indiquées dans le Tableau 1. EXEMPLE COMPARATIF 3 La procédure de l'exemple comparatif 1 a été répétée, excepté que les quantités de l'agent de réticulation et du polyvinylphénol étaient respectivement de 0,26 g et 0,13 g. De la même manière, les absorbances de la lumière en présence des deux sources de lumière (157 nm et 193 nm) ont été déterminées pour le film résultant et sont indiquées dans le Tableau 1. Tableau 1 Absorbances de la lumière en présence des sources de lumière de 157 nm et 193 nm pour le film antireflet préparé par le procédé conventionnel Absorbance Exemple Exemple Exemple comparatif 1 comparatif 2 comparatif 3 Source de 0,89 0,85 0,79 lumière 157 nm Source de 0,82 0, 70 0,48 lumière 193 nm Détermination des absorbances de la lumière de films organiques antireflet préparés grâce à la présente invention EXEMPLE 1 A 13 g d'un solvant méthylétheracétate de propylèneglycol, ont été ajoutés et dissous 0,13 g d'un agent de réticulation de la formule 6, 0, 26 g de polyvinylphénol de la formule 2, 0,085 g d'un générateur d'acide thermique de la formule 3 et 0,13 g de polymère polydiméthylsiloxane de la formule 1 cidessus. Le mélange résultant a ensuite été filtré à travers un filtre fin de 0,2 gm pour préparer la composition de revêtement organique antireflet. La composition obtenue a été soumise à une détermination de l'absorbance de la lumière en présence d'une lumière de 157 nm conformément à la procédure utilisée dans les exemples comparatifs précédents. Les résultats de la détermination sont indiqués dans le Tableau 2 suivant. EXEMPLE 2 La procédure de l'exemple 1 a été répétée, excepté que la quantité de polyvinylphénol était de 0,13 g au lieu de 0,26 g. L'absorbance de la lumière en présence d'une source de lumière de 157 nm a été déterminée pour le film résultant et est indiquée dans le Tableau 2. EXEMPLE 3 La procédure de l'exemple 1 a été répétée, excepté que les quantités de l'agent de réticulation et du polyvinylphénol étaient respectivement de 0, 26 g et 0,13 g. De la même manière, l'absorbance de la lumière en présence d'une source de lumière de 157 nm a été déterminée pour le film résultant et est indiquée dans le Tableau 2. Tableau 2 Absorbance de la lumière en présence d'une source de lumière de 157 nm pour le film antireflet préparé selon la présente invention Absorbance Exemple 1 Exemple 2 Exemple 3 Source de 0,54 0,48 0,58 lumière 157 nm Comme cela ressort des exemples comparatifs 1 à 3 et les exemples 1 à 3 ci-dessus, le film antireflet préparé à l'aide du procédé conventionnel doit comporter des compositions relatives de son agent de réticulation et de son agent d'absorption de la lumière déterminées pour avoir des absorbances de 0,3 à 0,6, en raison de l'absorbance relativement faible de l'agent de réticulation en présence d'une source de lumière de type ArF (193 nm). Cependant, dans le cas de la source de lumière F2 de 157 nm, l'agent de réticulation et l'agent d'absorption de la lumière ont tous deux une absorbance de 0,7 ou plus, de sorte que le film antireflet a une absorbance trop élevée pour pouvoir être utilisé dans un procédé de formation de motif extrêmement fin à l'aide de cette source de lumière. En revanche, la composition de revêtement antireflet de la présente invention comprend un polymère polydiméthylsiloxane ayant une absorbance de 0,1 ou moins en présence d'une source de lumière de 157 nm et permet de réaliser un film antireflet ayant une absorbance dans la plage préférable de 0,3 à 0,6 en présence d'une lumière de 157 nm, la réflectivité minimale de celui-ci permettant à la composition de revêtement de la présente invention de supprimer de manière efficace une réflexion du substrat du film et d'éliminer les ondes stationnaires. Comme cela ressort clairement de la description ci-dessus, la composition de revêtement organique antireflet de la présente invention peut avoir une absorbance préférable de 0,3 à 0,6 en présence d'une source de lumière F2 de 157 nm pour produire un film antireflet souhaitable ayant une réflectivité minimum en présence de cette lumière, de sorte que la composition permet de supprimer de manière efficace une réflexion du substrat du film de photorésist et d'éliminer les ondes stationnaires, pour ainsi former des motifs de photorésist de qualité. En outre, la présente invention permet avantageusement de réaliser un excellent film organique antireflet pouvant être utilisé dans un procédé de formation de motif extrêmement fin à l'aide d'une source de lumière F2 de 157 nm, procédé qui est considéré comme le principal procédé de formation de motif de photorésist du futur. Bien que la description précédente ait porté sur différents modes de réalisation préférés de la présente invention, celleci n'est bien entendu pas limitée aux exemples spécifiques décrits et illustrés ici, et l'homme de l'art comprendra aisément qu'il est possible d'y apporter de nombreuses variantes et modifications sans pour autant sortir du cadre de l'invention. REVENDI CAT IONS 1. Composition de revêtement organique antireflet, caractérisée en ce qu'elle comprend un agent de réticulation pour doter un film antireflet d'une structure réticulée; un agent absorbant la lumière, qui présente une absorbance élevée dans une plage de longueurs d'onde d'une source de lumière d'exposition; un générateur d'acide thermique; un solvant organique; et un polymère polydiméthylsiloxane ayant une structure selon la formule 1 suivante: (Formule 1) CH3 CH3 2. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend, en tant qu'agent absorbant la lumière, un polymère polyvinylphénol ayant une structure selon la formule 2 suivante: (Formule 2) 3. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'agent de réticulation comprend des polymères ayant une structure selon la formule 3 suivante, et un poids moléculaire dans une plage de 3 000 à 100 000: (Formule 3) R10 OR2 dans laquelle R1 et R2 sont chacun indépendamment un groupe alkyle en C1Clo substitué, à chaîne ramifiée et/ou linéaire; et R3 est un hydrogène ou un groupe méthyle. 4. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que le générateur d'acide thermique comprend du p- toluènesulfonate de 2-hydroxycyclohexyle ayant une structure selon la formule 4 suivante: (Formule 4) 5. Composition selon la revendication 2, caractérisée en ce que le polymère polyvinylphénol utilisé en tant qu'agent absorbant la lumière est contenu en une quantité de 50 à 400% en poids par rapport à la quantité de l'agent de réticulation inclus dans la composition. 6. Composition selon la revendication 4, caractérisée en ce que le générateur d'acide thermique est contenu en une quantité de 10 à 200% en poids par rapport à la quantité de l'agent de réticulation inclus dans la composition. 7. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que le solvant organique est contenu en une quantité de 1 000 à 10 000% en poids par rapport à la quantité totale de l'agent de réticulation et de l'agent absorbant la lumière inclus dans la composition. 8. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que le polymère polydiméthylsiloxane est contenu en une quantité de 20 à 100% en poids par rapport à la quantité totale de l'agent de réticulation et de l'agent absorbant la lumière inclus dans la composition. 9. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend également, en tant qu'inhibiteur de diffusion d'acide, du 18couronne-6(l, 4, 7, 10, 13, 16-hexaoxacyclooctadécane) ayant une structure selon la formule 5 suivante: (Formule 5) o0 o Q to 10. Composition selon la revendication 9, caractérisée en ce que l'inhibiteur de diffusion d'acide est contenu en une quantité de 30 à 500% en moles par rapport à la quantité du générateur d'acide thermique inclus dans la composition. 11. Procédé de formation d'un motif de photorésist, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes qui consistent à: appliquer la composition de revêtement organique antireflet selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 sur la surface d'une couche destinée à être attaquée; soumettre à un traitement de cuisson la matière résultante pour générer des liaisons de réticulation et former un film organique antireflet; et appliquer un photorésist en revêtement sur le film antireflet formé, exposer le film appliqué à une source de lumière, puis développer celui-ci pour former le motif de photorésist. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le traitement de cuisson est réalisé à une température de 150 à 3000C pendant 1 à 5 minutes. 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'étape de formation du motif comprend également un traitement de cuisson supplémentaire avant et/ou après l'étape d'exposition. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le traitement de cuisson est réalisé à une température de 70 à 2000C. 15. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il est mis en òuvre dans un procédé de formation de motif de photorésist extrêmement fin utilisant F2, ArF, KrF, un rayonnement ultraviolet lointain (DUV) comprenant EWV, un faisceau électronique, des rayons X ou un faisceau d'ions. 16. Dispositif à semi-conducteur caractérisé en ce qu'il est fabriqué à l'aide du procédé de la revendication 11.