FR 2841381 A1 20031226 FR 0350243 A 20030623 CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR ET UN PROCEDE DE FABRICATION DU CIRCUIT Domaine Technique La presente invention concerne de maniere generale un circuit integre a semi-conducteur qui inclut une bobine dtinduction et un procede de fabrication du circuit, et plus particulierement un circuit integre a semi-conducteur ayant une bobine dtinduction avec une inductance et un facteur de qualite (facteur Q) ameliores et un procede de fabrication du circuit. Contexte de l' invention La figure 14 est une vue de dessus representant un circuit integre a semi-conducteur conventionnel. La figure 15 est une vue de cote en coupe transversale prise le long de la ligne E-E representee sur la figure 14. Comme illustre sur les figures 14 et 15, dans un circuit integre a semi-conducteur conventionnel, une couche d'interconnexion multicouche 101 peut etre prevue sur un substrat semiconducteur (non represente) Une bobine d' induction 103 est une bobine d' induction en spirale placee sur une couche la plus elevee 102 de la couche d'interconnexion multicouche 101. De facon plus detaillee, la bobine d' induction 103 comprend un conducteur dispose en spirale et forme sur une couche isolante 104 de dioxyde de silicium (sic2) qui est incluse dans la couche dtinterconnexion multicouche 101 En outre, une couche isolante 105 de sio2 peut etre placee pour recouvrir la bobine d' induction 103. De SR 23437 JPICS plus, une couche isolante 106 de polyimide est prevue sur la couche isolante 105. On notera que les couches isolantes 105 et 106 vent omises sur la figure 14. Un cablage de la bobine d' induction 103 est forme d'un corps principal de cablage 107 de cuivre ou d'aluminium. Le corps principal de cablage 107 dispose d'une surface superieure et d'une surface inferieure recouvertes d'une couche de titane-tungstene (TiW) 108. La bobine d' induction 103 est placee sur la couche la plus elevee 102 de la couche d'interconnexion multicouche 101 de facon a reduire, autant que possible, toute capacite parasite entre la bobine d' induction 103 et le substrat semi-conducteur. En outre, l'epaisseur du cablage de la bobine dtinduction 103 est augmentee autant que possible de maniere a reduire la resistance serie d'une telle bobine d' induction 103. La reduction de la resistance serie peut permettre d'ameliorer le facteur de qualite (facteur Q) de la bobine d' induction 103. Un circuit integre a semi- conducteur conventionnel, tel que celui represente sur les figures 14 et 15, peut presenter de nombreux desavantages. En premier lieu, ltepaisseur de la couche la plus elevee 102 peut etre d' environ 10 microns (um). Ainsi, lorsqu'une bobine d' induction 103 est incluse dans la couche la plus elevee 102 d'une couche d'interconnexion multicouche 101, une tel le bobine d' induction 103 peut presenter une epaisseur ayant une limite superieure de quelques microns. Une telle epaisseur limitee peut conduire a une perte d' inductance et a un facteur de qualite Q SR 23437 JP/CS petit (de 5 a 10 environ) de maniere indesirable. En second lieu, pour obtenir une inductance d' environ 10 nano-Henris (nH), une bobine d' induction conventionnelle 103 a une forme en spirale carree (vortex) aux cotes de 200 a 300 m. Il en resulte que la surface d'une bobine dtinduction conventionnelle 103 peut etre, de maniere non souhaitable, grande, limitant ainsi la capacite avec laquelle un circuit integre a semi-conducteur peut etre reduit en taille. Par convention, les couches de substance ferromagnetique ont ete formees avec des bobines d' induction suivant des arrangements particuliers. Une technique conventionnelle pour former une couche de substance ferromagnetique comme couche superieure d'une bobine dtinduction est decrite dans la publication de demande japonaise de modele d'utilite 3 28758 (JU 3-28758). Dans la demande JU 3-28758, une couche de substance ferromagnetique est placee au dessus d'un vortex, relativement a une position verticale, et au niveau des faces internee du vortex, relativement a une position laterale. La publication de demande japonaise de modele d'utilite 4-63653 (JU 463653) presente une autre technique conventionnelle dans laquelle une couche de substance ferromagnetique est placee soit sur, soit sous une bobine dtinduction. Dans la demande JU 4-63653, une couche de substance ferromagnetique est proposee, laquelle recouvre la bobine dtinduction, lorsque la bobine d' induction est vue suivant une direction perpendiculaire a la surface du substrat. SR 23437 JPICS La publication japonaise de demande de brevet 61 161747 (JP 61-161747) represente une autre technique conventionnel le dans laquel le une couche de substance ferromagnetique est placee sur une bobine dtinduction. S Dans la demande JP 61-161747, on notera que l' inclusion d'une telle couche de substance ferromagnetique augmente l' inductance de la bobine d' induction. Toutefois, les approches conventionnelles telles que celles mentionnees ci-dessus peuvent presenter des desavantages. Dans des circuits integres a semi conducteur avec bobines d' induction conventionnel les, telles que celles decrites dans les demandes JU 3-28758, JU 4-63653 et JP 61-161747, le facteur de qualite de la bobine d' induction resultante peut ne pas etre suffisant pour certaines applications. Ainsi, pour parvenir a une inductance predeterminee, une bobine d' induction ayant une plus grande surface peut etre requise. Toutefois, des bobines d' induction d'une telle surface limitent la capacite a reduire la taille d'un circuit integre a semi-conducteur. A la lumiere des desavantages mentionnes ci-dessus, 11 apparait souhaitable de parvenir a un circuit integre a semi-conducteur ayant une inductance et un facteur de qualite qui vent suffisamment eleves, et qui, dans le meme temps, peut egalement etre miniaturise. Il serait egalement souhaitable de parvenir a un procede permettant la fabrication d'un tel circuit integre a semi-conducteur. SR 23437 JP/CS Resume de l' invention La presente invention peut comprendre un circuit integre a semi-conducteur qui comprend une bobine dtinduction sur un substrat, une premiere couche metallique dans la bobine d' induction, lorsque celle-ci est vue d'une direction perpendiculaire a la surface du substrat, et une surface inferieure de la premiere couche metallique n'etant pas plus elevee que la surface inferieure de la bobine d' induction. En outre, une couche de substance ferromagnetique est placee sur la premiere couche metallique. Une surface inferieure de la couche de substance ferromagnetique peut etre moins elevee qu'une surface superieure de la bobine dtinduction, et une surface superieure de la couche de substance ferromagnetique est plus elevee que la couche inferieure de la bobine d' induction. Une seconde couche metallique peut recouvrir une surface superieure et laterale de la couche de substance ferromagnetique, et une surface superieure de la seconde couche metallique ne peut pas etre moins elevee que la surface superieure de la bobine d' induction. Dans divers modes de realisation de la presente invention, un film lamine peut etre forme a partir d' une premiere couche metallique, d' une couche de substance ferromagnetique et d'une seconde couche metallique. Un tel film lamine peut etre situe dans la bobine dtinduction. Dans un tel arrangement, la couche de substance ferromagnetique peut operer comme un noyau magnetique pour la bobine d' induction, ameliorant l' inductance et le facteur de qualite (facteur Q) de la bobine dtinduction. SR 23437 JP/CS En outre, dans un tel film lamine, la couche de substance ferromagnetique peut etre recouverte avec la premiere et la seconde couches metalliques. Ainsi, on peut empecher que le materiau de la couche de substance ferromagnetique diffuse dans d'autres regions du circuit integre a semiconducteur et/ou contamine un systeme de fabrication qui pourrait etre sensible a un tel materiau. En outre, une surface inferieure de la couche de substance ferromagnetique peut etre rendue plus basse qu'une surface superieure de la bobine d' induction, et une surface superieure de la couche de substance ferromagnetique peut etre rendue plus elevee que la surface inferieure de la bobine d' induction. Ainsi, au moins une partie de la couche de substance ferromagnetique peut etre au meme niveau que la bobine dtinduction. Cela peut permettre d'ameliorer l' inductance et le facteur de qualite de la bobine d' induction. De plus, une surface inferieure du film lamine peut etre au meme niveau, ou plus basse, que la surface inferieure de la bobine dtinduction, et une surface superieure du film lamine peut etre au meme niveau, ou plus elevee, que la surface superieure de la bobine d' induction. En consequence, il peut n'y avoir pratiquement aucune capacite parasite entre les surfaces superieure et inferieure du film lamine et la bobine d'induction. Ceci peut egalement ameliorer l' inductance et le facteur de qualite de la bobine d' induction. SR 23437 JP/CS Selon un aspect des modes de realisation, une couche de substance ferromagnetique peut etre divisee en une pluralite de parties qui vent separees les unes des autres, du point de vue de la direction perpendiculaire a la surface du substrat. Un tel arrangement peut contribuer a supprimer le flux de courants de Foucault dans la couche de substance ferromagnetique. Il permet de contrbler la perte d' inductance qui pourrait sinon survenir en raison de ces courants de Foucault. Selon un autre aspect des modes de realisation, un circuit integre a semi-conducteur peut egalement comprendre une couche d'interconnexion multicouche placee sur le substrat. La bobine d' induction et un film lamine vent formes sur la couche la plus elevee de la couche d'interconnexion multicouche. Le film lamine peut comprendre la premiere couche metallique, la couche de substance ferromagnetique et la seconde couche metallique. Selon un autre aspect des modes de realisation, la bobine d' induction, la premiere couche metallique et la seconde couche metallique peuvent comprendre un metal selectionne dans le groupe constitue de cuivre et d'aluminium. Selon un autre aspect des modes de realisation, une couche de substance ferromagnetique comprend du nickel. La presente invention peut egalement comprendre un circuit integre a semi-conducteur qui inclut une bobine d' induction sur un substrat et une couche de substance ferromagnetique qui ne recouvre pas la bobine SR 23437 JP/CS d' induction et qui entoure une majoure partie de la bobine d' induction, du point de vue d'une direction perpendiculaire a la surface du substrat. Dans un tel arrangement, une couche de substance ferromagnetique peut etre proposee, laquelle n'est pas dans, juste au- dessus ou juste en dessous de la bobine dtinduction, mais plutot entoure la bobine d' induction. Dans un tel arrangement, la capacite entre la couche de substance ferromagnetique et la bobine d' induction peut etre reduite par rapport aux approches conventionnelles. En outre, le flux de courants de Foucault dans la couche de substance ferromagnetique peut egalement etre reduit. I1 en resulte que la perte d' inductance qui pourrait survenir par de tels effete peut etre reduite. On notera egalement que dans un tel arrangement de type peripherique, la couche de substance ferromagnetique peut etre sur le trajet des lignes de force magnetique generees par la bobine d' induction, en depit du fait que la couche de substance ferromagnetique soit placee a la peripherie de la bobine d' induction. Donc, un tel arrangement ne reduit pas sensiblement les ameliorations de l' inductance apportees par la couche de substance ferromagnetique, par rapport a des approches conventionnelles dans lesquelles une couche de substance ferromagnetique est placee a l'interieur de la bobine d' induction. Selon un aspect des modes de realisation, une couche de substance ferromagnetique peut integralement entourer une bobine d' induction, du point de vue d'une direction perpendiculaire a la surface du substrat. SR 23437 JP/CS Selon un autre aspect des modes de reallsation, un circuit integre a semiconducteur peut en outre inclure une couche d'interconnexion multicouche placee sur le substrat, et une couche de substance ferromagnetique peut etre formee sur une couche selectionnee dans le groupe consistent en la meme couche que la bobine d' induction et en une couche adjacente a la bobine d' induction. La presente invention peut egalement comprendre un circuit integre a semiconducteur qui inclut une bobine d' induction sur un substrat et une pluralite de couches de substance ferromagnetique separees. Les couches de substance ferromagnetique separees peuvent etre disposees de facon radiale autour d'une zone centrale de la bobine d' induction a un niveau different de celui de la bobine d' induction. Dans l' arrangement ci-dessus, l' arrangement radial des couches de substance ferromagnetique separees peut reduire la capacite entre la bobine d'lnduction et de telles couches de substance ferromagnetique. De plus, de telles couches de substance ferromagnetique separees peuvent reduire le flux de courants de Foucault a l'interieur d'une couche de substance ferromagnetique resultante glob ale comprenant les couches de substance ferromagnetique separees. Selon un aspect des modes de realisation, chaque couche de substance ferromagnetique peut presenter une forme en bande et etre disposee longitudinalement dans une direction allant de la zone centrale de la bobine d' induction a la peripherie de la bobine d' induction. SR 23437 JP/CS Selon un autre aspect des modes de realisation, un circuit integre a semi-conducteur peut en outre comprendre une couche dtinterconnexion multicouche placee sur le substrat. De plus, une couche de substance ferromagnetique peut etre formee dans une couche differente de la couche contenant la bobine d' induction et adjacente a la couche contenant la bobine d' induction. La presente invention peut egalement comprendre un circuit integre a semiconducteur ayant une bobine d' induction formee sur un substrat, une couche isolante qui recouvre la bobine d' induction, une couche de substance ferromagnetique formee sur la couche isolante au-dessus d'une partie centrale de la bobine d' induction et une plage de connexion conductrice formee a partir de la meme couche que la couche de substance ferromagnetique. La plage de connexion conductrice est formee dans une region differente du circuit integre a semi-conducteur que la bobine d' induction. Dans l' arrangement ci-dessus, une couche de substance ferromagnetique peut etre un noyau magnetique pour la bobine dtinduction. Il en resulte que l' inductance et le facteur de qualite de la bobine d' induction peuvent etre ameliores. De plus, une couche de substance ferromagnetique peut etre formee dans la meme couche que la plage de connexion et egalement etre formee du meme materiau que la plage de connexion. Les memes etapes essentielles du processus peuvent former la couche de substance ferromagnetique et la plage de connexion. De cette facon, un processus special pour SR 23437 JP/CS former un noyau magnetique peut ne pas etre necessaire car un processus existent de formation de plage de connexion peut etre utilise. Cela peut rendre la fabrication d'un tel circuit integre a semi-conducteur plus simple et done reduire les couts de fabrication. Selon un aspect des modes de realisation, une couche de substance ferromagnetique peut recouvrir pratiquement toute la surface de la bobine d' induction, du point de vue de la direction perpendiculaire a la surface du substrat. La presente invention peut egalement comprendre un procede de fabrication d'un dispositif a semi- conducteur. Le procede peut comprendre de former une premiere couche metallique sur un substrat, de former selectivement une couche ferromagnetique sur des parties de la premiere couche metallique, de former une seconde couche metallique qui recouvre la couche ferromagnetique et de modeler les contours de la premiere et la seconde couches metalliques pour qu'elles forment un film lamine. Le film lamine peut comprendre la premiere couche metallique, la couche ferromagnetique et la seconde couche metallique. Le procede peut egalement comprendre de former une bobine d' induction a partir d' au moins une des couches du film lamine, avec la bobine d' induction entourant le film lamine. Selon un aspect des modes de realisation, un procede peut egalement comprendre, avant de former la premiere couche metallique sur le substrat, de former une partie en retrait dans la surface sur laquelle le film lamine est a former. La partie en retrait peut SR 23437 JP/CS avoir une profondeur inferieure a l'epaisseur totale de la premiere couche metallique et de la couche ferromagnetique combinees. La presente invention peut egalement comprendre d'inclure un procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur qui comprend de former une bobine dtinduction sur un substrat, de former une couche isolante qui recouvre la bobine d' induction, de former un film d'une substance ferromagnetique sur la couche isolante, de modeler les contours du film de substance ferromagnetique de facon a former une couche de substance ferromagnetique sur une partie centrale de la bobine d' induction et de former une plage de connexion a partir du film de substance ferromagnetique dans une region qui ne se trouve pas sur la bobine d' induction. Breve description des dessins La figure 1 est une vue de dessus representant un circuit integre a semiconducteur selon un premier mode de realisation de la presente invention. La figure 2(a) est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne A-A representee sur la figure 1. La figure 2(b) est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne B-B de la figure 1. Les figures 3(a) a 3(e) vent des vues en coupe transversale representant un procede de fabrication d'un circuit integre a semi-conducteur selon un mode de realisation. Les vues des figures 3(a) a 3(e) representent une partie de la figure 2(a). Les figures 4(a) et 4(b) vent des vues en coupe transversale representant un procede de fabrication SR23437JP/CS d'un circuit integre a seml-conducteur selon une modification des modes de realisation representes sur les figures 1 a 3(e). La figure 4(a) est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne A-A representee sur la figure 1. La figure 4(b) est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne B-B de la figure 1. La figure 5 est une vue de dessus representant un circuit integre a semiconducteur selon un autre mode de realisation de la presente invention. La figure 6 est une vue de dessus representant un circuit integre a semiconducteur selon un autre mode de realisation de la presente invention. La figure 7 est une vue de dessus representant un circuit integre a semiconducteur selon un autre mode de realisation de la presente invention. La figure 8 est une vue de dessus representant un circuit integre a semiconducteur selon un autre mode de realisation de la presente invention. La figure 9 est une vue de dessus representant un circuit integre a semiconducteur selon un autre mode de realisation de la presente invention. La figure 10 est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne C-C de la figure 9. Les figures ll(a) a ll(e) vent des vues en coupe transversale representant un procede de fabrication d'un circuit integre a semi- conducteur selon un mode de realisation. La figure 12 est une vue de dessus representant un circuit integre a semi-conducteur selon un autre mode de realisation de la presente invention. SR 23437 JP/CS La figure 13 est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne D-D de la figure 12. La figure 14 est une vue de dessus representant un circuit integre a semi-conducteur conventionnel. La figure 15 est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne E-E de la figure 14. Description detaillee des modes de realisation Dans la suite de la presente, la presente invention sera decrite plus en detail sur la base de plusieurs modes de realisation particuliers et en reference aux dessins joints. Un premier mode de realisation de la presente invention va maintenant etre decrit. La figure 1 est une vue de dessus representant un circuit integre a semiconducteur selon un mode de realisation. La figure 2(a) est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne A-A de la figure 1. La figure 2(b) est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne B-B de la figure 1. Comme cela est represente sur les figures 1, 2(a) et 2(b), dans un dispositif a semi-conducteur selon un premier mode de realisation, une couche dtinterconnexion multicouche 1 peut etre placee sur un substrat semi-conducteur (non represente). La couche dtinterconnexion multicouche 1 peut etre formee en laminant une pluralite de couches, et peut comprendre une couche la plus elevee isolante 2. Une boblne d' induction 3 peut etre une bobine d' induction en spirale formee sur la couche isolante 2. En particulier, une bobine dtinduction 3 peut etre formee en disposant SR 23437 JP/CS un cablage 3a suivant une forme en spirale (forme de vortex). A titre d'exemple, la couche isolante 2 peut avoir une epaisseur d' environ 1,5 micrometre (um). La bobine d' induction 3 peut avoir une forme carree dont les cotes externes ont une longueur d' environ 100 um. La bobine dtinduction 3 peut egalement presenter une forme interne en carre, avec des cates d'une longueur d' environ 40 a 60 um. La largeur du cablage 3a peut etre comprise entre environ 5 et 10 um, et le nombre de tours dans la bobine dtinduction 3 peut s'elever a trots. On notera que sur la figure 2(a), par souci pratique, seuls deux cablages 3a vent representes pour chaque cote de la bobine d' induction 3. En outre, une couche isolante 4 est prevue, laquelle est a la base de la couche isolante 2. Chacune des couches isolantes 2 et 4 peut, par exemple, etre formee a partir de dioxyde de silicium (sio2). En outre, un cablage 5 peut etre prevu, lequel est integre dans une region de la couche isolante 2 distincte de la bobine d' induction 3. Un trou d'interconnexion 6 peut etre forme dans la couche isolante 2 dans une region au-dessus du cablage 5. Une extremite du cablage 3a peut etre distribuee depuis un cote externe de la bobine dtinduction 3 jusqutau trou dtinterconnexion 6, et peut etre connectee au cablage 5 par l'intermediaire du trou dtinterconnexion 6. De plus, un trou d'interconnexion 7 peut etre forme a travers la couche isolante 2 dans une region situee a l'interieur de la bobine dtinduction 3. Une autre extremite du SR 23437 JP/CS cablage 3a peut etre connectee a un cablage 8 distribue dans une couche inferieure a la bobine d' induction 3 par l'intermediaire du trou d'interconnexion 7. C'est- a-dire que des connexions a la bobine d' induction 3 peuvent etre prevues dans l'ordre suivant: cablage 5, trou d'interconnexion 6, extremite externe du cablage 3a en spirale, extremite interne du cablage 3a en spirale, trou d'interconnexion 7 et cablage 8. Chacun des cablages 3a, 5 et 8 peut etre forme en laminant une couche de titane tungstene (TiW) 9, une couche de cuivre (Cu) 10, une couche de Cu 11 et une couche de TiW 12, dans cet ordre, sur un cote de couche inferieure de la bobine d' induction 3. Dans un exemple particulier, les couches de TiW 9 et 12 peuvent avoir une epaisseur comprise entre environ 0,05 et 0,10 m, et les couches de Cu 10 et 11 peuvent avoir une epaisseur comprise entre environ 0,20 et 0,40 um. En outre, l'epaisseur de film des cablages 3a, 5 et 8 peut etre comprise entre environ 0,50 et 1,00 um. On notera que les couches de Cu 10 et 11 peuvent former une couche d'un corps principal de cablage 17. De plus, les couches 9 et 12 de TiW peuvent constituer des barrieres metalliques pour la couche du corps principal de cablage 17. La couche de TiW 9 peut ameliorer ['adhesion entre la couche de Cu 10 et la couche isolante 2, laquelle peut etre faite de siO2 En outre, un film lamine 14 peut etre dispose sur la couche isolante 2 et dans une region interne de la bobine dtinduction 3, c'est-a-dire a l'interieur du vortex forme par le cablage 3a (dons il est fait reference dans la suite de la presente sous le terme de SR 23437 JP/CS region interne 13). A titre d'exemple, la region interne 13 peut avoir la forme generale d'un carre aux cotes d' environ 40 a 60 um. Le film lamine 14 peut etre de forme carree a l'interieur d'une telle region interne 13, et peut presenter la forme generale d'un carre aux cotes d' environ 30 a 50 um, par exemple. Une surface inferieure du film lamine 14 et du cablage 3a peut etre alignee avec une autre et etre en contact avec la couche isolante 2. Dans le film lamine 14, une couche de TiW 9 et une couche de Cu 10 vent prevues pour former une face de couche inferieure. En outre, une couche de substance ferromagnetique 15, telle que du nickel (Ni), peut etre disposee dans une partie centrale du film lamine 14 sur 1S une couche de Cu 10. Les surfaces superieure et laterale de la couche de substance ferromagnetique 15 peuvent etre recouvertes d'une couche de Cu 11 et d'une couche de TiW 12, dans cet ordre. L'epaisseur d'un film de la couche de substance ferromagnetique 15 peut, par exemple, etre comprise entre environ 3 et 5 um. L' arrangement ci-dessus conduit a ce que la surface inferieure de la couche de substance ferromagnetique 15 soit moins elevee que la surface superieure de la couche de cablage 3a. En outre, une surface superieure de la couche de substance ferromagnetique 15 est plus elevee qu'une surface inferieure de la couche de cablage 3a. En consequence, une partie inferieure de la couche de substance ferromagnetique 15 peut etre placee au meme niveau de couche que la couche de cablage 3a. En outre, la surface superieure de la couche de substance SR 23437 JP/CS ferromagnetique 15 peut etre plus elevee qutune couche superieure de la couche de cablage 3a. Donc, la surface superieure du film lamine 14 est plus elevee que la surface superieure de la couche de cablage 3a. Touj ours en reference aux figures 1, 2(a) et 2(b), un film isolant 16, par exemple constitue de polyimide, peut recouvrir la bobine d' induction 3 et le film lamine 14. On notera que le film isolant 16 n'a pas ete represente sur la figure 1. On notera egalement que tandis qutune bobine d' induction peut etre formee sur une couche isolante 2, d'autres dispositifs, tels que des transistors, peuvent etre formes sur un substrat semi-conducteur (non represente). Tandis que le mode de realisation ci-dessus a fait valoir une bobine dtinduction en forme de spirale ayant trots tours, la presente invention n'a bien sur pas pour objet d'y etre limitee. Le nombre de tours dans le cablage en spirale peut etre superieur ou egal a quatre. A 1' inverse, le nombre de tours du cablage en spirale peut egalement etre inferieur ou egal a deux, et meme inferieur ou egal a un. En outre, la forme particuliere de la bobine d' induction presentee dans les modes de realisation ci dessus ne doit pas non plus etre interpretee comme limitant ['invention. Juste a titre d'exemple, la presente invention peut comprendre d'autres formes de bobines d' induction, telles que des polygones autres que des carres, ou une forme en cercle. De plus, les dimensions des parties de la bobine dtinduction decrites dans le mode de realisation ci-dessus ne SR 23437 JP/CS doivent pas etre considerees comme limitant l' invention a celles-ci. Lapresente invention peut en outre employer une couche de substance ferromagnetique autre qutune couche de Ni. A titre d'exemple du cobalt (Co) peut etre utilise comme couche de substance ferromagnetique. Dans le meme ordre d'idee, le cablage peut comprendre des materiaux electriquement conducteurs autres que le Cu. A titre d'exemple, le cablage peut comprendre l'aluminium (Al) comme materiau conducteur de ltelectricite. En outre, les materiaux isolants particuliers ne doivent pas se limiter a ceux des modes de realisation ci-dessus. A titre d'exemple, le film isolant 2 peut etre forme a partir d'oxynitrure de silicium (SiON). Un procede de fabrication d'un circuit integre a semi-conducteur selon un mode de realisation sera ensuite decrit. Les figures 3(a) a (e) vent des vues en coupe transversale illustrant un procede selon un mode de realisation. Les differentes vues peuvent correspondre a une partie du dispositif a semi- conducteur represente sur la figure 2(a). En reference a la figure 3(a), une couche d'interconnexion multicouche 1 (representee sur la figure 2(a)) peut etre formee sur un substrat semi conducteur. A ce moment un cablage 5 (voir la figure 2(b)) et un cablage 8 (voir la figure 1) peuvent alors etre integres, par exemple par gravure, dans la couche isolante 2. En outre, les cablages 5 et 8 peuvent etre graves comme couches d'arret dans la formation des trous d'interconnexion 6 et 7, respectivement. Une couche de TiW 9 peut ensuite etre formee sur ltensemble SR 23437 JP/CS de la surface de la couche isolante 2 a ['aide, par exemple, d'un procede de pulverisation. Ensuite, une couche de Cu 10 peut etre formee sur la couche de TiW 9 a ['aide, par exemple, d'un procede de galvanoplastie. Ensuite, comme cela est represente sur la figure 3(b), une couche de resist 18 peut etre formee sur la couche de Cu 10, et une partie d'ouverture 18a peut etre formee a travers la couche de resist 18. La partie d'ouverture 18a peut correspondre a la region dans laquelle une couche de substance ferromagnetique doit etre formee. La couche de Cu 10 peut etre exposee par la partie d'ouverture 18a. Comme cela est represente sur la figure 3(c), une galvanoplastie de materiau ferromagnetique peut ensuite etre effectuee avec la couche de resist 18 servant de masque. Cette operation peut permettre de former une couche de substance ferromagnetique 15 de Ni dans la region correspondent a la portion d'ouverture 18a sur la couche de Cu 10. Comme cela est represente sur la figure 3(d), la couche de resist 18 peut alors etre supprimee. Une couche de Cu 11 peut ensulte etre formee sur la couche de Cu 10 et la couche de substance ferromagnetique 15. Ensuite, une couche de TiW 12 peut etre formee sur la couche de Cu 11. Comme cela est represente sur la figure 3(e), une couche de resist (non representee) peut ensuite etre formee sur une couche de TiW 12. La couche de TiW 12, la couche de Cu 11, la couche de Cu 10 et la couche de TiW 9 peuvent alors etre selectivement enlevees avec la couche de resist utilisee comme masque afin de former SR 23437 JP/CS un motif. Une telle suppression selective des couches peut etre effectuee par gravure humide. Plus particulierement, les couches de Cu 11 et 10 peuvent etre retirees par gravure humide a ['aide, par exemple, d'une solution hydrolytique d'acide sulfurique formee en melangeant de l'acide sulfurique et du peroxyde d'hydrogene. Les couches de TiW 9 et 12 peuvent etre retirees par gravure humide a ['aide d'une solution de peroxyde d'hydrogene. A partir d'une telle etape de modelage des contours, un film lamine 14 peut etre forme, lequel presente une forme essentiellement carree, du point de vue d'une direction perpendiculaire au substrat semi conducteur (c' eat-a-dire, vu d'une direction perpendiculaire a la couche isolante 2) . En outre, un cablage 3a peut etre arrange en forme de spirale a la peripherie du film lamine 14. Un tel cablage 3a peut etre connecte aux cablages 5 et 8 via les trous d'interconnexion respectifs 6 et 7. Le film lamine 14 peut etre forme en laminant une couche de TiW 9, une couche de Cu 10, une couche de substance ferromagnetique 15, une couche de Cu 11 et une couche de TiW 12. Le cablage 3a peut etre forme en laminant une couche de TiW 9, une couche de Cu 10, une couche de Cu 11 et une couche de TiW 12. Une couche isolante 16 de polyimide peut etre formee sur ['ensemble de la surface de la couche isolante 2 sur laquelle vent integres le film lamine 14 et le cablage 3a. SR 23437 JP/CS De cette facon, un circuit integre a semi- conducteur peut etre fabrique selon un mode de realisation de la presente invention. Dans le circuit integre a semi -conducteur de s figures 1 a 2(b) et celui resultant du procede des figures 3(a) a 3(e), le cablage 3a peut etre arrange pour former une bobine d' induction en spirale 3. En outre, la couche de substance ferromagnetique 15 peut etre prevue dans une region interne 13 de la bobine d' induction 3 et peut fonctionner comme un noyau magnetique de la bobine d' induction 3. Cela peut ameliorer le facteur de qualite de la bobine d' induction 3. Les presents inventeurs ont decouvert que le circuit integre a semi-conducteur du mode de 1 5 real i sat ion represente sur la figure 1 peut avoir un facteur de qualite qui est pratiquement deux fois plus eleve que celui du circuit a semi- conducteur conventionnel de la figure 14. En outre, selon les modes de realisation ci-dessus, la couche de substance ferromagnetique 15 peut etre recouverte par les couches de Cu 9 et 10; ainsi, la diffusion du materiau de la couche de substance ferromagnetique 15, dans le present cas du Ni, vers d'autres regions du circuit integre a semi-conducteur peut etre empechee. En outre, avec un tel arrangement, il est possible d'empecher qutun materiau ferromagnetique tel que du Ni contamine les systemes de fabrication utilises dans la fabrication du circuit integre a semi-conducteur. De plus, la partie inferieure de la couche de substance ferromagnetique 15 peut etre formee a partir SR 23437 JP/CS de la meme couche que le cablage 3a. Cela peut ameliorer l' inductance et le facteur de qualite de la bobine d' induction resultant 3. En outre, une surface inferieure du film lamine 14 peut etre de niveau avec une surface inferieure du cablage 3a, et la surface superieure du film lamine 14 est plus elevee que la surface superieure de la couche le cablage 3a. Il en resulte qu'il n'y a pratiquement pas de capacite parasite entre la surface superieure et la surface inferieure du film lamine 14 et le cablage 3a. Cela peut egalement ameliorer l' inductance et le facteur de qualite de la bobine dtinduction resultant 3. Un autre mode de realisation sera ensuite decrit, loquel peut etre une modification du premier mode de realisation represente sur les figures 1, 2(a) et 2(b). Une vue de dessus de ce mode de realisation peut etre pratiquement identique a celle representee sur la figure 1. Des vues laterales en coupe transversale de ce mode de realisation vent representees sur les figures 4(a) et 4(b). La figure 4(a) peut correspondre a une vue en coupe transversale prise le long de la ligne A-A de la figure 1. La figure 4(b) peut correspondre a une vue en coupe transversa le pri se le long de la ligne B-B de la figure 1. Comme cela est represente sur les figures 4(a) et 4(b), une couche metallique 19 peut etre placee dans la couche isolante 2 dans une region situee juste sous le film lamine 14. En outre, une partie d'ouverture 2a peut etre formee dans la couche isolante 2 dans une region juste audessus de la couche metallique 19. Une SR 23437 JP/CS partie inferieure de film lamine 14 peut etre integree dans la partie d'ouverture 2a. La couche metallique 19 peut constituer la meme couche que le cablage 5, et peut done etre formee du meme materiau que celui du cablage 5. La couche metallique 19 peut etre formee simultanement avec le cablage 5, et ltouverture 2a peut etre formee simultanement avec les trous d'interconnexion 6 et 7. Dans la formation de la partie d'ouverture 2a, la couche metallique 19 peut etre une couche d'arret de gravure. La structure du circuit integre a semi-conducteur de ce mode de realisation, a l' exception des differences mentionnees ci-dessus, peut etre la meme IS que celle du premier mode de realisation enonce ci- dessus. De maniere similaire, un procede de fabrication d'un circuit integre a semi-conducteur tel que celui represente sur les figures 4(a) et 4(b) peut etre le meme que celui decrit en reference aux figures 3(a) a 3(e), a l' exception des differences mentionnees ci- dessus. Dans ltexemple modifie des figures 4(a) et 4(b), dans la mesure ou le film lamine 14 peut etre forme a un niveau relativement plus teas que le cablage 3a, par rapport au premier mode de realisation, une partie plus importante de couche de substance ferromagnetique 15 peut se trouver dans la meme couche (c' eat-a-dire, au meme niveau) que le cablage 3a. Il en resulte que l' inductance et le facteur de qualite de la bobine d' induction 3 peuvent etre encore ameliores. SR 23437 JP/CS Un autre mode de realisation de la presente invention va maintenant etre decrit. La figure 5 est une vue de dessus d'un circuit integre a semi- conducteur selon ce mode de realisation. Comme represente sur la figure 5, un tel circuit integre a semi-conducteur peut comprendre un film lamine 14 compose d'une pluralite de parties separees 14a, par rapport au premier mode de realisation enonce ci-dessus Dans l'exemple particulier de la figure 5, chacune des parties 14a peut etre un rectangle, du point de vue d'une direction perpendiculaire a la surface de la couche isolante 2. De tels rectangles peuvent avoir un cote d'une longueur comprise entre environ 5 et 10 um. En outre, les parties 14a peuvent etre disposees sous la forme d'une matrice, par exemple, au sein d'une region interne 13 de la bobine d' induction 3. La structure d'un circuit integre a semi- conducteur de ce mode de realisation, a l' exception des differences precedentes, peut etre la meme que celle du premier mode de realisation mentionne ci-dessus. Dans le mode de realisation de la figure 5, puisque le film lamine 14 est divise en une pluralite de parties 14a, par rapport au premier mode de realisation, il est alors possible de reduire davantage la capacite entre le film lamine 14 et le conducteur 3a En outre, un tel arrangement peut supprimer le flux de courants de Foucault dans le film lamine 14. Il en resulte que l' inductance et le facteur de qualite de la bobine d' induction resultante 3 peuvent etre ameliores. Un autre mode de realisation de la presente invention va maintenant etre decrit en reference a la SR 23437 JP/CS * figure 6. La figure 6 est une vue de dessus representant un circuit integre a semi-conducteur. Dans le mode de realisation de la figure 6, une bobine d' induction 3 peut etre integree dans une couche isolante 2, par rapport au premier mode de realisation dans lequel la bobine d' induction est formee sur une couche isolante 2. En consequence, un trou d'interconnexion (tel celui represente sous le numero de reference 6 sur la figure 1) peut ne pas etre forme, et le cablage 3a peut etre connecte au meme niveau du cablage 5. En outre, dans l' arrangement de la figure 6, un film lamine 14 n'est pas prevu dans la region interne 13 de la bobine dtinduction 3. Au lieu de cela, le film lamine 14 peut etre dispose en anneau autour de la peripherie de la bobine dtinduction 3, et sur la couche isolante 2. Le film lamine 14 peut done etre conceptualise comme entourant la region juste au-dessus de la bobine d' induction 3. La structure du circuit integre a semi-conducteur de ce mode de realisation, a l' exception des differences precedentes, peut etre la meme que celle du premier mode de realisation mentionne ci-dessus. On notera que tandis que le mode de realisation de la figure 6 represente le film lamine 14 qui entoure et est dispose au-dessus de la bobine d' induction 3, un tel film lamine 14 peut etre forme au-dessous de la bobine d' induction 3. Dans le mode de realisation de la figure 6, puisque le film lamine 14 est dispose a la peripherie de la bobine d' induction 3, contrairement au cas du SR 23437 JP/CS premier mode de realisation, il peut alors etre possible de reduire davantage la capacite entre le film lamine 14 et le cablage 3a. En outre, il peut egalement etre possible de supprimer les flux de courants de Foucault a l'interieur du film lamine 14. Il en resulte que l'on peut reduire la perte d' inductance due a de tels effete. On notera egalement que dans l' arrangement de la figure 6, meme si une couche de substance ferromagnetique 15 est disposee a la peripherie de la bobine d' induction 3, la couche de substance ferromagnetique 15 reste sur le trajet des lignes de force magnetique generees par la bobine d' induction 3. Ainsi, les ameliorations au niveau de l' inductance ne 1S vent pas degradees par rapport a des arrangements dans lesquels la couche de substance ferromagnetique 15 est placee a l'interieur de la region interne 13. Un autre mode de realisation de la presente invention va maintenant etre decrit en reference a la figure 7. La figure 7 est une vue de dessus representant un circuit integre a semi-conducteur. Dans le mode de realisation de la figure 7, une partie du film lamine 14 est retiree de facon a former une partie discontinue 14b, en comparaison avec le mode de realisation de la figure 6. En outre, dans le mode de realisation de la figure 7, une bobine d' induction 3 peut etre formee non seulement dans une couche isolante 2, mais egalement sur la couche isolante 2, de la meme maniere que dans le premier mode de realisation. Dans un tel arrangement, un cablage 3b, issu de ltexterieur du vortex de la SR 23437 JP/CS bobine d' induction 3, peut passer a travers la partie discontinue 14b. La structure du circuit integre a semi-conducteur de ce mode de realisation, a l' exception des differences precedentes, peut etre la meme que celle du premier mode de realisation mentionne ci-dessus. Dans le mode de realisation de la figure 7, puisque une partie discontinue 14b est formee dans le film lamine 14, contrairement au cas du mode de realisation 6, la circulation de courants de Foucault s'ecoulant a travers un tel film lamine 14 peut etre evitee. Ainsi, les pertes dues aux courants de Foucault peuvent etre davantage reduites pour ameliorer de cette facon le facteur de qualite de la bobine d' induction. Un autre mode de realisation de la presente invention va maintenant etre decrit en reference a la figure 8. Dans le mode de realisation de la figure 8, comme dans celui de la figure 6, une bobine dtinduction 3 peut etre integree dans une couche isolante 2. Contrairement au cas de la figure 6, dans la figure 7 une couche laminee 14 peut etre disposee a l'interieur de la region interne 13 de la bobine d' induction 3. Toutefois, la couche laminee 14 differe de celle de la figure 6 en ce qu'elle est formee d'un certain nombre de parties rectangulaires separees 14c dans une region directement situee au-dessus de la bobine dtinduction et dans la peripherie de la bobine d' induction. La couche laminee 14 peut etre formee sur la couche isolante 2. Dans un arrangement, la largeur de chaque partie rectangulaire 14c peut etre d' environ 10 um. En outre, SR 23437 JP/CS dans l'exemple particulier de la figure 8, les parties rectangulaires 14c peuvent avoir un arrangement radial du point de vue d'une direction perpendiculaire a la surface de la couche isolante 2. Comme illustre, un tel motif radial peut comprendre des parties rectangulaires 14c arrangees longitudinalement le long des directions s'etendant du centre d'une bobine dtinduction en spirale 3 vers la peripherie de celle-ci. La structure du circuit a semi-conducteur de ce mode de realisation, a l' exception des differences precedentes, peut etre la meme que celle du premier mode de realisation mentionne ci-dessus. On notera que tandis que le mode de realisation de la figure 8 represente un film lamine 14 au-dessus de la bobine d' induction 3, un tel film lamine 14 peut etre forme au-dessous de la bobine d' induction 3. Dans le mode de realisation de la figure 8, puisque le film lamine 14 est divise en un certain nombre de parties rectangulaires 14c, en comparaison avec le premier mode de realisation ci-dessus, la capacite entre le film lamine 14 et le cablage 3a peut etre reduite. En outre, un film lamine 14 de la figure 8 est arrange de facon intermittente autour d'une circonference de la bobine dtinduction 3, les courants de Foucault peuvent etre supprimes au sein d'un tel film lamine 14. Il en resulte qu'une perte de l' inductance due a ces effete peut etre reduite. Un autre mode de realisation de la presente invention va maintenant etre decrit en reference a la figure 9. La figure 9 est une vue de dessus representant un circuit integre a semi-conducteur selon SR 23437 JP/CS ce mode de realisation. La figure 10 est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne C-C de la figure 9. Comme represente sur la figure 9 et la figure , dans un circuit integre a semi-conducteur de ce mode de realisation, une couche d'interconnexion multicouche 1 est placee sur un substrat semi- conducteur (non represente). Une couche d'interconnexion multicouche 1 peut etre formee en laminant un certain nombre de couches. lO Une bobine d' induction 3 peut etre une bobine d' induction en spirale formee sur une couche isolante 2, laquelle peut etre la couche la plus elevee de la couche d'interconnexion multicouche 1. La bobine dtinduction 3 peut etre forme en arrangeant un cablage 3a suivant une forme en spirale (vortex). Dans l' arrangement des figures 9 et 10, un cablage 3a peut etre forme en laminant une couche de TiW 22, une couche de Cu 23 et une couche de TiW 24, dans cet ordre. Comme dans le premier mode de realisation, dans les figures 9 et 10, le nombre de tours dans la bobine d' induction 3 est trots. Par souci pratique, seuls deux tours vent representes sur la figure 10, pour chaque cote. Comme cela est represente sur les figures 9 et 10, un film lamine 14 peut etre dispose au-dessus d'une region interne 13 de la bobine d' induction 3, et situe sur la couche isolante 2. Le film lamine 14 peut presenter la meme structure essentielle que le film lamine du premier mode de realisation. En outre, une plage de connexion 21 peut etre formee dans une region distincte de celle de la bobine d' induction 3. Une plage de connexion 21 peut etre SR 23437 JP/CS formee sur la couche isolante 2. Une telle plage de connexion 21 peut etre un point de connexion pour une bille de connexion, ou similaire. La plage de connexion 21 peut avoir une forme octogonale, par exemple, du point de vue d'une direction perpendiculaire a la surface de la couche isolante 2. Un diametre externe d'une telle plage de connexion 21 peut, a titre d'exemple, etre d' environ 100 um. La plage de connexion 21 peut etre formee d'une maniere identique que le film lamine 14. C'est-a-dire que la plage de connexion 21 peut etre formee en laminant une couche de TiW 9 et une couche de Cu 10. Une couche de substance ferromagnetique 15, constituee de Ni par exemple, peut etre laminee sur une partie centrale de la couche de Cu 10. La surface superieure et laterale de la couche de substance ferromagnetique 15 peut alors etre recouverte d'une couche de Cu 11 et d'une couche de TiW 12. Cela pour dire que la plage de connexion 21 peut etre formee a partir de la meme couche que le film lamine 14. Par la suite, un procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur, tel que celui des figures 9 et 10, sera decrit en reference aux figures ll(a) a ll(e). En reference a la figure ll(a) en conjonction avec la figure 10, une couche d'interconnexion multicouche 1 peut etre formee sur un substrat semi-conducteur. A cet instant, une couche de TiW 22, une couche de Cu 23 et une couche de TiW 24 vent laminees, dans cet ordre, sur une couche isolante 4. Les contours d'une telle couche laminee peuvent ensuite etre modeles pour former un cablage en spirale 3a. Il en resulte qu'une bobine SR 23437 JP/CS d' induction en spirale 3 peut etre formee sur la couche isolante 4. La couche isolante 4 peut par exemple etre faite de sio2. Une couche isolante 2, egalement constituee de sio2 par exemple, peut etre formee sur la S couche isolante 4 pour de cette facon y integrer la bobine d' induction 3. Touj ours en reference a la figure ll(a), une couche de TiW 9 peut etre formee sur ltensemble de la surface du film isolant 2 par, par exemple, un procede de pulverisation. Ensuite, une couche de Cu 10 peut etre formee sur la couche de TiW 9 a ['aide, par exemple, d'un procede de galvanoplastie. Ensuite, comme cela est represente sur la figure ll(b), une couche de resist 25 peut etre formee sur la couche de Cu 10. Des parties d'ouverture 25a et 25b peuvent etre formees a travers la couche de resist 25. La partie d'ouverture 25a peut correspondre a la region dans laquelle une couche de substance ferromagnetique d'un film lamine 14 doit etre formee. La partie d'ouverture 25b peut correspondre a la region dans laquelle une couche de substance ferromagnetique 15 d'une plage de connexion 21 doit etre formee. La couche de Cu 10 peut etre exposee a travers les parties d'ouverture 25a et 25b. Ensuite, comme cela est represente sur la figure ll(c), un depot par galvanoplastie de materiau metallique peut etre effectue, avec une couche de resist 25 servant de masque. Cela peut permettre de former la couche de substance ferromagnetique 15 de Ni, par exemple, dans les regions correspondent aux parties d'ouverture 25a et 25b sur la couche de Cu 10. SR 23437 JP/CS Ensuite, comme cela est represente sur la figure ll(d), la couche de resist 25 peut etre retiree. Une couche de Cu 11 peut alors etre formee sur la couche de Cu 10 et la couche de substance ferromagnetique 15. Ensuite, une couche de TiW 12 peut etre formee sur la couche de Cu 11. Ensuite, comme cela est represente sur la figure ll(e), une couche de resist (non representee) peut etre formee sur la couche de TiW 12. La couche de TiW 12, la couche de Cu 11, la couche de Cu 10 et la couche de TiW 9 peuvent alors etre retirees de facon selective avec une telle couche de resist utilisee comme masque, pour de cette maniere, former un motif. Une telle suppression selective des couches peut s'effectuer par gravure humide. Plus particulierement, les couches de Cu 11 et 10 peuvent etre retirees par gravure humide a ['aide, par exemple, d'une solution hydrolytique d'acide sulfurique formee en melangeant de l'acide sulfurique et du peroxyde d'hydrogene. Les couches de TiW 9 et 12 peuvent etre supprimees par gravure humide a ['aide, par exemple, d'une solution de peroxyde dthydrogene. A partir d'une telle etape de modelage des contours, comme represente sur la figure 9, un film lamine 14 peut etre forme, lequel presente une forme essentiellement carree, du point de vue d'une direction perpendiculaire a un substrat semi-conducteur (c'est-a- dire, vu d'une direction perpendiculaire a la couche isolante 2). En outre, une plage de connexion 21 peut etre formee, laquelle presente une forme octogonale du point de vue d'une telle direction. Le film lamine 14 SR 23437 JP/CS et la plage de connexion 21 peuvent etre formes en laminant une couche de TiW 9, une couche de Cu 10, une couche de substance ferromagnetique 1S, une couche de Cu 11 et une couche de TiW 12. Une couche isolante 16 (voir la figure 10) de polyimide peut etre formee sur ['ensemble de la surface de la couche isolante 2 de sorte a y integrer le film lamine 14 et la plage de connexion 21. De cette facon, un circuit integre a semi lO conducteur peut etre fabrique selon un autre mode de realisation de la presente invention. La structure du mode de realisation ci-dessus et du procede de fabrication correspondent, a ['exception des differences notees ci-dessus, peut etre la meme que celle des modes de realisation representes sur les figures 1 a 3(e). Dans les exemples ci-dessus representes sur les figures 9 a ll(e), un cablage 3a est arrange en spirale de maniere a former une bobine d' induction en spirale. Une couche de substance ferromagnetique 15 peut etre disposee dans la region interne 13 de la bobine d'lnduction 3 afln d'operer comme un noysu magnetique. Cela peut permettre une amelioration de l' inductance et du facteur de qualite de la bobine d' induction 3. En outre, dans les exemples des figures 9 a ll(e), un film lamine 14 et une plage de connexion 21 peuvent etre formes suivant le meme processus. Ainsi, un film lamine 14 et une plage de connexion 21 peuvent etre formes dans la meme couche que celle de la plage de connexion 21 et etre constitues des memes materiaux. En consequence, un processus special pour former un film SR 23437 JP/CS lamine 14 n'est pas necessaire. Il en resulte que la fabrication d'un circuit integre a semi-conducteur selon l es modes de realisat ion peut etre s impli fiee et que les couts de fabrication peuvent etre reduits. Un autre mode de realisation de la presente invention va maintenant etre decrit en reference aux figures 12 et 13. La figure 12 est une vue de dessus representant un circuit integre a semi-conducteur selon ce mode de realisation. La figure 13 est une vue en coupe transversale prise le long de la ligne D-D de la figure 12. Comme cela est represente sur les figures 12 et 13, un circuit integre a semi-conducteur selon ce mode de realisation peut differer de celui des modes de realisation representes sur les figures 9 a ll(e) en ce qu'un film lamine 14 peut etre forme non seulement sur une region interne d'une bobine d' induction 3, mais egalement sur ['ensemble de la region situee au-dessus de la bobine d' induction 3. C'est-a-dire qu'un film lamine 14 peut etre forme de telle fa,con que la bobine dtinduction 3 soit recouverte par le film lamine 14, du point de vue d'une direction perpendiculaire a la surface de la couche isolante 2. La structure du mode de realisation ci-dessus et du procede de fabrication correspondent, a l' exception des differences mentionnees ci- dessus, peut etre la meme que celle des modes de realisation representes sur les figures 9 a ll(e). Dans le mode de realisation ci-dessus des figures 12 et 13, meme si une bobine d' induction 3 volt ses dimensions reduites (miniaturisees), il est encore SR 23437 JP/CS possible de placer une couche de substance ferromagnetique 15 d'une taille suffisante. En outre, on notera que si aucun film lamine 14 n'est place, le courant s'ecoulant dans la bobine d' induction est alors concentre sur une surface inferieure de la bobine d' induction 3 (par exemple, la face du substrat semi- conducteur) en raison de lteffet de peau. Toutefois, dans la mesure ou ce mode de real is at i on comprend un film lamine 14 place sur ['ensemble de la region situee au-dessus de la bobine d' induction 3, un courant peut, en fonctionnement, s'ecouler egalement a travers une surface superieure, reduisant de cette facon la valeur de la resistance de la bobine dtinduction 3. Il en resulte que le facteur de qualite de la bobine d' induction 3 peut encore etre ameliore. Comme cela a ete decrit ci-dessus, selon certains modes de realisation de la presente invention, une surface inferieure d'une couche de substance ferromagnetique peut etre rendue plus basse qutune surface superieure d'un cablage de la bobine d'induction. En outre, une surface superieure d'une couche de substance ferromagnetique peut etre rendue plus elevee qu'une surface inferieure d'un cablage de la bobine d' induction. Dans un tel arrangement, au moins une partie de la couche de substance ferromagnetique peut etre au meme niveau (couche) que le cablage de la bobine dtinduction. Cela peut permettre d'ameliorer l' inductance et le facteur de qualite d'une bobine d' induction en spirale. En outre, dans la presente invention, une surface inferieure du film lamine peut etre disposee a un SR 23437 JP/CS niveau egal ou inferieur a une surface inferieure d'un cablage de la bobine d' induction, et une surface superieure d'un film lamine peut etre disposee a un niveau egal ou superieur a une surface superieure du cablage. En consequence, pratiquement aucune capacite parasite ne peut etre presente entre la surface superieure et la surface inferieure du film lamine et le cablage. Cela peut permettre d'ameliorer davantage l' inductance et le facteur de qualite d'une bobine dtinduction en spirale. Tandis que plusieurs modes de realisation particuliers enonces dans la presente ont ete decrits en detail, la presente invention peut faire ['objet de divers changements, substitutions et modifications sans s'ecarter de l' esprit ni de la portee de ['invention. En consequence, la presente invention se vout n'etre limitee que tel que cela est defini dans les revendications annexees. SR 23437 JP/CS Revendi cat ions 1. Circuit integre a semi-conducteur caracterise en ce qu'il comprend: une bobine d' induction (3) sur un substrat; une premiere couche metallique (10) situee dans la bobine d' induction (3), du point de vue d'une direction perpendiculaire a la surface du substrat, une surface inferieure de la premiere couche metallique (10) n'etant pas plus elevee qu'une surface inferieure de la bobine d' induction (3); une couche de substance ferromagnetique (15) situee sur la premiere couche metallique, une surface inferieure de la couche de substance ferromagnetique (15) etant moins elevee qu'une surface superieure de la bobine d' induction, une surface superieure de la couche de substance ferromagnetique (15) etant plus elevee que la surface inferieure de la bobine d' induction; et une seconde couche metallique (11) qui couvre une surface superieure et laterale de la couche de substance ferromagnetique, une surface superieure de la seconde couche metallique n'etant pas moins elevee que la surface superieure de la bobine d' induction. 2. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 1, caracterise en ce que: la couche de substance ferromagnetique (15) est divisee en une pluralite de parties qui vent separees l'une de l'autre, du point de vue de la direction perpendiculaire a la surface du substrat. SR 23437 JP/CS 3. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 1, caracterise en ce qu'il compren d en outre: une couche d'interconnexion multicouche (1) situee sur le substrat; et en ce que la bobine d' induction (3) et un film lamine (14) vent formes sur la couche (2) la plus elevee de la couche d'interconnexion multicouche (1), le film lamine (14) comprenant la premiere couche metallique (10), la couche de substance ferromagnetique (15) et la seconde couche metallique (11). 4. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 1, caracterise en ce que: la bobine dtinduction (3), la premiere couche metallique (10) et la seconde couche metallique (11) comprennent un metal selectionne dans le groupe constitue du cuivre et de l'aluminium. 5. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 1, caracterise en ce que: la couche de substance ferromagnetique (15) comprend du nickel. 6. Circuit integre a semi-conducteur caracterise en ce qu'il comprend: une bobine d' induction (3) sur un substrat; et une couche de substance ferromagnetique (15) qui ne recouvre pas la bobine d' induction (3) et qui entoure une majoure partie de la bobine d' induction, du SR 23437 JP/CS point de vue d'une direction perpendiculaire a la surface du substrat. 7. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 6, caracterise en ce que: la couche de substance ferromagnetique (15) entoure completement la bobine d' induction (3), du point de vue de la direction perpendiculaire a la surface du substrat. 8. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 6, caracterise en ce qu'il compren d en outre: une couche dtinterconnexion multicouche (1) disposee sur le substrat; et en ce que la couche de substance ferromagnetique (15) est formee dans une couche selectionnee dans le groupe consistent en la meme couche que la bobine d' induction (3) et en une couche adjacente a la bobine d' induction (3). 9. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 6, caracterise en ce que: la couche de substance ferromagnetique (15) comprend du nickel. 10. Circuit integre a semi-conducteur caracterise en ce qu'il comprend: une bobine d' induction (3) sur un substrat; et une pluralite de couches de substance ferromagnetique separees (15), disposees suivant un SR 23437 JP/CS arrangement radial autour d'une zone centrale de la bobine d' induction (3) a un niveau different de la bobine d' induction (3). S 11. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 10, caracterise en ce que: chaque couche de substance ferromagnetique (15) presente une forme en bande et est disposee longitudinalement dans une direction allant de la zone centrale de la bobine d' induction (3) a la peripherie de la bobine d' induction (3). 12. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 10, caracterise en ce qutil comprend en outre: une couche d'interconnexion multicouche (1) disposee sur le substrat; et en ce que les couches de substance ferromagnetique (15) vent formees dans une couche differente de et adjacente a une couche contenant la bobine d' induction (3). 13. Circuit integre a semi-conducteur, caracterise en ce qu'il comprend: une bobine d' induction (3) formee sur un substrat; une couche isolante (2) recouvrant la bobine d' induction; une couche de substance ferromagnetique (15) formee sur la couche isolante (2) sur une partie centrale de la bobine d' induction; et une plage de connexion (21) formee a partir de la meme couche que la couche de substance ferromagnetique SR 23437 JP/CS (15), situee dans une region differente du circuit integre a semi-conducteur que la bobine d' induction (3). 14. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 13, caracterise en ce que: la couche de substance ferromagnetique (15) couvre essentiellement ['ensemble de la bobine d' induction (3), du point de vue d'une direction perpendiculaire a une surface du substrat. 15. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 13, caracterise en ce qu'il comprend en outre: une couche d'interconnexion multicouche (1) disposee sur le substrat; et en ce que la couche de substance ferromagnetique (15) et la plage de connexion (21) vent formees sur la couche la plus elevee de la couche d'interconnexion multicouche (1) 16. Circuit integre a semi-conducteur selon la revendication 13, caracterise en ce que: la couche de substance ferromagnetique (15) comprend du nickel. 17. Procede de fabrication d'un dispositif a semi conducteur, caracterise en ce qu'il comprend les etapes consistent a: former une premiere couche metallique (10) sur un substrat; SR 23437 JP/CS former de facon selective une couche ferromagnetique (15) sur des parties de la premiere couche metallique; former une seconde couche metallique (11) qui recouvre la couche ferromagnetique (15); modeler la premiere et la seconde couches metalliques pour qutelles forment un film lamine (14) qui comprend la premiere couche metallique ( 10), la couche ferromagnetique (15) et la seconde couche metallique (11); et former une bobine d' induction (3), qui entoure le film lamine (14), a partir d' au moins une des couches du film lamine. 18. Procede selon la revendication 17, caracterise en ce qu'il comprend en outre les etapes consistent a: avant de former la premiere couche metallique (10) sur le substrat, a former une partie en retrait dans la surface sur laquelle le film lamine est a former, la partie en retrait ayant une profondeur inferieure a l'epaisseur totale de la premiere couche metallique et de la couche ferromagnetique combinees. 19. Procede selon la revendication 17, caracterise en ce que: la couche ferromagnetique (15) comprend du nickel. 20. Procede de fabrication d'un dispositif a semi conducteur, caracterise en ce qu'il comprend les etapes consistent a: SR 23437 JP/CS former une bobine d' induction (3) sur un substraL; former un couche isolante (2) qui recouvre de la bobine d'inducLion (3); former un film d'une substance ferromagntique (15) sur la couche isolante (2); modeler les contours du film de substance ferromagnAtique (15) pour former une couche de substance ferromagnAtique sur une partie centrale de la bobine d' induction; et former une plage de connexion (21) partir du film de substance ferromagnAtique dans une rAgion qui ne recouvre pas la bobine d' induction.