FR 2839386 A1 20031107 FR 0205517 A 20020502 I'autre couche correspondent a un reliquat de silicium. MEMOIRE NON VOLATILE A LECTURE SEDLE MODIFIABLE PAR REDEFINITION D'UN NrVEAU DE METAL OU DE VIAS La presente invention concerne les circuits integres, et plus part iculierement un point memoire realise sur plus ieurs niveaux de metal et de vies pouvant 8tre reprogramme par modification d'un niveau quelconque de metal ou de via. Les circuits integres vent de plus en plus complexes et il est souvent necessaire de modifier plusieurs fois un circuit apres test et evaluation par l'utilisateur. Il est cou rant d'avoir trots a dix versions successives d'un m8me circuit. D'une version a une autre, les modifications du circuit vent classiquement effectuees en redefinissant les connexions metal liques sur un seul niveau de metal ou un seul niveau de via. Il est souhaitable de pouvoir indiquer a queue version un circuit donne appartient. Ceci peut 8tre fait par marquage de la puce ou du bo1tier. Ces deux solutions soulevent des difficultes au niveau de la fabrication et de l'utilisation. Des solutions permettant, par un test electrique de determiner la version, impliquent de prevoir un moyen de memorisation dans le circuit qui puisse 8tre remis a j our lors des modifications successives de ce circuit. Or les moyens de memorisation connus ne se prdtent pas a 8tre modifies simplement lors de la rede- finition dun seul niveau de metal ou d'un seul niveau de via. Un objet de la presente invention est de prevoir une memoire non volatile a lecture seule pouvant 8tre reprogrammee par modification d'un niveau quelconque de metal ou de via. Pour atteindre cet objet, la presente invention prevoit un element de memoire dans un circuit integre comprenant plu- sieurs niveaux de mate ri aux conduct eurs s epare s par de s niveaux isolants dont chacun est susceptible d'8tre traverse par des vies conducteurs d'un niveau de via intercalaire, et au moins deux rails de connexion, caracterise en ce qu'il comprend plu sieurs ensembles de zones et de vies successifs interconnectes, un premier ensemble etant constitue d'un serpentin allant d'un premier niveau de metal a un dernier niveau de metal et en retour vers le premier niveau de metal entre une premiere extremite et une seconde extremite, chacun des autres ensembles etant relic a un des rails de connexion, la premiere extremite du serpentin etant connectee a un ensemble initial parmi les autres ensembles. Selon une variante de realisation de l' clement de memoire tel que decrit precedemment, le serpentin est coupe une fois et connecte une fois a l'un des autres ensembles different de l' ensemble initial, la coupure etant du c6te de la premiere extremite, et la connexion du c6te de la seconde extremite, la coupure et la connexion etant effectuees sur un m8me niveau de metal ou un m8me niveau de via. La presente invention prevoit un point memoire compre nant une pluralite d' elements de memoire, tels que precedemment definis, en eerie, la seconde extremite d'un element de memoire etant reliee a la premiere extremite de l' clement de memoire suivant. La presente invention prevoit aussi une memoire comprenant un ou plusieurs points memoire tels que precedemment definis. De plus, la presente invention prevoit un procede de programmation d'un point memoire dans un circuit integre comprenant plusieurs niveaux de materiaux conducteurs separes par des niveaux isolants dont chacun est susceptible d'etre traverse par des vies conducteurs d'un niveau de via inter- calaire, et au moins deux rails de connexion, le point memoire comprenant au moins deux ensembles de zones et de vies inter connectes, un premier ensemble etant constitue de n serpentine en eerie, n etant un nombre superieur ou egal a 1, chaque serpentin allant d'un premier niveau de metal a un dernier niveau de metal et en retour vers le premier niveau de metal entre une premiere extremite et une seconde extremite, la seconde extremite de chaque serpentin etant reliee a la premiere extremite du serpentin suivant, chacun des autres ensembles etant relies a un des rails de connexion, la premiere extremite du premier serpentin etant connectee a un ensemble initial choisi parmi les autres ensembles, caracterise en ce qu'il comprend: - une premiere programmation au niveau du premier serpentin en deux etapes: -- une coupure du serpentin en deux parties, et -- une connexion de la partie du serpentin reliee a la seconde extremite a l'un des autres ensembles different de l' ensemble initial; - une deuxieme programmation au niveau du deuxieme serpentin ou eventuel lement du premier serpent in en deux etapes: -- une coupure du serpentin en deux parties, et -- une connexion de la partie du serpentin reliee a la seconde extremite a l'un des autres ensembles different de celui utilise pour la programmation precedente; - des programmations successives d'un ou plusieurs serpentine, jusqu' au nieme serpentin selon le procede de la deuxieme programmation. Selon un mode de realisation de l' clement de memoire selon la presente invention, une premiere partie du serpentin est constituee de i+1 zones metalliques et de i vies superposes entre les premier et dernier niveaux de metal, la zone supe rieure sur le niveau de metal superieur etant reliee a la premiere extremite, et une seconde partie du serpentin en forme d'escalier est constituee de i+1 zones metalliques et de i vies entre les premier et dernier niveaux de metal, deux vies sur des niveaux de via consecutifs etant disposes d'un c8te et de l'autre de la zone definie sur le niveau de metal intermediaire, la zone superieure etant reliee a la seconde extremite du serpentin, les zones inferieures, sur le premier niveau de metal, des premiere et seconde parties du serpentin etant reliees, et dans lequel des deuxieme et troisieme ensembles vent disposes d'un c8te et de l'autre du serpentin et vent constitues tous deux de i-1 colonnes de tailles decroissantes formees de zones et de vies superposes entre le dernier niveau de metal et un niveau de metal, du premier au i-eme niveau de metal, les i-1 zones inferieures de chaque colonne recouvrant une partie des i 1 zones de la seconde partie du serpentin definies respecti- vement sur les niveaux de metal allant du premier niveau de metal au niveau de metal i-2, les i-1 colonnes etant reliees ensemble par un rail defini sur le i-eme niveau de metal, la zone superieure de la premiere partie du serpentin etant reliee au rail du deuxidme ou du troisieme ensemble. Selon une variante de realisation de l' clement de memoire tel que decrit ci-dessus, la premiere partie du serpen- tin est coupee par suppression d'un via et la seconde partie du serpentin est reliee a l'un des premier et deuxieme ensembles par raj out diun via, sur le meme niveau de via, entre une des zones de la seconde partie du serpentin et la zone inferieure d'une des colonnes recouvrant cette derriere. Selon une autre variante de realisation de l' clement de memoire tel que decrit ci-dessus, une des zones de la seconde partie du serpentin est coupee, la partie de cette zone du cote de la seconde extremite du serpentin est reliee a la zone inferieure d'une des colonnes definie sur le meme niveau de metal. Selon un autre mode de realisation d'un element de memoire selon la presente invention, une premiere partie du serpentin est constituee d'une colonne de zones et de vies superposes entre les premier et dernier niveaux de metal, la zone superieure etant reliee a l'extremite du serpentin, une seconde partie du serpentin est constituee de i+1 zones metal liques rectilignes definies sur tous les niveaux de metal du premier au dernier, et de i vies definis sur tous les niveaux de vies, relies ensemble a la forme d'une spirale montante, les zones rectilignes definies sur les niveaux de metal pairs etant orientees selon une premiere direction, celles definies sur les niveaux de metal impairs etant orientees selon une seconde direction perpendiculairement a la premiere direction, la zone superieure de la seconde partie du serpentin etant reliee a la seconde extremite du serpentin, les zones inferieures, sur le premier niveau de metal, des premiere et seconde parties du serpentin etant reliees, et dans laquel des deuxieme et troi- sieme ensembles vent tous deux constitues de premiers rails rect il. ignes superpose s def ini s sur chacun de s niveaux de metal pairs et orientes selon la premiere direction, et de seconds rails rectilignes superposes definis sur chacun des niveaux de metal impairs et orientes selon la seconde direction, les premiers et seconds rails d'un meme ensemble etant relies par des vies, les rails orientes selon la premiere ou la seconde direction passant respectivement en dessous ou au-dessus des zones de la seconde partie du serpentin orientees respectivement selon la seconde ou la premiere direction. Selon une variante de realisation de l' clement de memoire tel que decrit ci-dessus, la premiere partie du serpen- tin est coupee par suppression d'un via et la seconde partie du serpentin est reliee a 1'un des deuxieme et troisieme ensembles par raj out d'un via, sur le meme niveau de via, entre une des zones de la seconde partie du serpentin et le rail de l'un des deuxieme et troisieme ensembles passant au-dessus de cette zone. Selon une autre variante de realisation de l' clement de memoire tel que decrit ci-dessus, une des zones de la seconde partie du serpentin est coupee, la partie de cette zone du c8te de la seconde extremity du serpentin est reliee au rail de l'un des deuxieme et troisieme ensembles defini sur le meme niveau de metal. Cet objet, ces caracteristiques et avantages, ainsi que d'autres de la presente invention seront exposes en detail dans la description suivante de modes de realization parti- culiers faite a titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1 est une vue en coupe schematique et simplifiee d'une structure elementaire de point memoire selon l' invention; la figure 2A est une representation schematique d'un point memoire selon l' invention; les figures 2B, 2C, 2D et 2E illustrent respectivement les programmations des premiere, deuxieme, troisieme et qua- trieme structures elementaires du point memoire de la figure 2A; la figure 3A est une vue en coupe schematique plus detaillee d'une structure elementaire de point memoire selon l' invention; la figure 3B illustre la programmation par modifi- cation d'un niveau de metal d'une structure elementaire de point memoire selon l' invention; la figure 3C illustre la programmation par modifi cation d'un niveau de via d'une structure elementaire de point memoire selon l' invention; la figure 4A est une vue en coupe d'une structure elementaire de point memoire selon un autre mode de real isat ion de l' invention; la figure 4B est une vue de dessus de la structure elementaire de la figure 4A; la figure 5A illustre la programmation par modifi cation d'un niveau de via de la structure elementaire de la figure 4A; la figure 5B illustre la programmation par modifi- cation d'un niveau de metal de la structure elementaire de la figure 4B; la figure 6A est une vue de dessus d'une structure elementaire de point memoire selon un autre mode de realisation de l' invention; la figure 6B est une vue en coupe de la structure elementaire de la figure 6A; et la figure 6C est une vue de dessus incluant des rails d'alimentation VDD et GND de la structure de la figure 6A. la figure 1 est une vue en coupe schematique et sim- plifiee d'une structure elementaire 10 d'un point memoire selon ['invention. Le point memoire fait partie d'un circuit integre comprenant plusieurs niveaux de materiaux conducteurs couramment appeles niveau de metal (M1 a Mi). Chaque niveau de metal est separe par une couche isolante. Un niveau de via permet de realiser des connexions entre des lignes conductrices realisees sur des niveaux de metal adjacents. Chaque niveau de via entre deux niveaux de metal adjacents Mz et M(z+l) sera designe par ''vz_(z+l)'' z etant un entier compris entre 1 et i-1. A titre d'exemple, six niveaux de metal M1 a M6 et 5 niveaux de vies v1_2 a v5-6 vent utilises dans les exemples de realisation presentes ci-apres. La structure elementaire 10 comporte des premier 11, deuxieme 12 et troisieme 13 ensembles de zones metalliques et de vies interconnectes. Le premier ensemble est constitue de 6 zones metalliques 111 a 116, respectivement sur les niveaux de metal M1 a M6, et de 5 vies superposes 111_2 a 115_6, respec- tivement sur les niveaux de vies v1_2 a v5_6, sensiblement selon une colonne. Par souci de clarte, la zone 111 n'est pas repre- sentee et le via 111_2 est raccourci. Le second ensemble est constitue de 6 zones metalliques 121 a 126, respectivement sur les niveaux de metal M1 a M6, et de 5 vies superposes 121_2 a _6, respectivement sur les niveaux de vies v1_2 a v5_6, sensiblement selon une colonne. Par souci de clarte la aussi, la zone 126 n'est pas representee et le via 125_6 a ete raccourci. Les premier et deuxieme ensembles peuvent 8tre relies a des bornes internee ou externes au circuit integre ou 8tre relies respectivement a des bornes haute (VDD) et basse (GND) d'une alimentation, comme cela est illustre en figure 1. Le troisieme ensemble 13 forme un serpentin entre une premiere extremite 1 et une seconde extremite 2, allant du niveau de metal superieur M6 au niveau de metal inferieur M1 et en retour vers le niveau de metal superieur M6. Une premiere partie 14 du serpentin, du cote de l'extremite 1, est constituee de 6 zones metalliques 141 a 146, respectivement sur les niveaux de metal M1 a M6 et de 5 vies superposes 141-2 a 145-6' respectivement sur les niveaux de vies vl_2 a v5_6. Une seconde partie 15 du serpentin, du cOte de l'extremite 2, est constituee de 6 zones metalliques 151 a 156, respectivement sur les niveaux de metal M1 a M6 et de 5 vies 151-2 a 155_6, respectivement sur les niveaux de vies vl_2 a v5_6. Dans la seconde partie 15 du serpentin, les zones metalliques 151 a 155 vent de m8mes tailles et vent superposees. Les vies 151-2 a 155-6 vent alternativement disposes du cote droit et du cote gauche des zones metalliques 151 a 155. Les zones 151 a 155 vent suffisamment larges pour que les deux vies relies a chacune des zones, par exemple les vies 152_3 et 153_4 pour la zone 153, ne soient pas superposes. La zone 156 est reliee a l'extremite 2 du serpentin. Les zones 141 et 151 respectivement de la premiere et de la seconde partie du serpen tin vent reliees par une zone 131 formee sur le niveau de metal M1 o Le premier ensemble 11 est dispose entre les premiere et seconde parties du serpentin. Le deuxieme ensemble est dispose a droite de la seconde partie du serpentin. Ainsi la zone metallique 131, reliant les deux parties du serpentin, passe a cote de la zone metallique 111 du premier ensemble 11 (relic a VDD). La zone 156 de la seconde partie 15 du serpentin passe a cote de la zone metallique 126 du second ensemble 12 (relic a GND). La zone 116 de la colonne du premier ensemble 11 est reliee a une ligne horizontale tracee au-dessus de la figure precedemment decrite, cette ligne representant symboliquement un rail de connexion relic dans cet exemple a la borne VDD. De meme, le second ensemble est relic a un rail de connexion horizontal positionne sous la figure et relic a la borne GND dans cet exemple. De facon generale, la programmation de la structure elementaire de point memoire telle que celle decrite ci-dessus se fait en connectant le serpentin, ou troisieme ensemble 13, a l'un des premier et deuxieme ensembles (11, 12). La valeur pro grammee peut 8tre lue sur la seconde extremite 2 du serpentin. La structure elementaire est initialement programmee. Pour ce faire, la premiere extremite 1 du serpentin est reliee a l'un des premier et deuxieme ensembles. Dans l'exemple de la figure 1, la structure elementaire est initialement programmee a GND. La structure elementaire pourra etre programmee par la suite a VDD (ou a GND dans le cas d'une programmation initiale a VDD) comme cela sera decrit ci-apres. La figure 2A est une vue en coupe schematique d'un point memoire selon l' invention, comportant n structures elemen- taires telles que celle illustree en figure 1, n etant un entier superieur ou egal a un. Le point memoire illustre en figure 2A comporte 4 structures elementaires. La seconde extremite 2 du serpentin d'une structure elementaire est reliee a la premiere extremite 1 du serpentin de la structure elementaire suivante. Les premiers ensembles 11 de chaque structure vent relies entre eux par un premier rail 110, relic a VDD. Les seconds ensembles 12 de chaque structure vent aussi relies entre eux par un second rail 120, relic a GND. La premiere extremite 1 du premier serpentin (le serpentin de la premiere structure elementaire) est reliee a l'un des deux rails 110, 120, par exemple a GND. La seconde extremite 2 du dernier serpentin est la sortie OUT du point memoire. La valeur du point memoire est la valeur pouvant etre lue sur cette sortie OUT. Ainsi, initialement la sortie OUT est a GND, dans lioxemple choisi. Les figures 2B, 2C, 2D, 2E illustrent des program mations successives du point memoire, par programmation respec- tivement des premiere, deuxieme, troisieme et quatrieme struc- tures elementaires constitutives du point memoire. La figure 2B illustre une premiere programmation du point memoire par une modification du niveau de metal M2. Une coupure 1152 de la zone metallique 152 de la seconde partie du premier serpentin est realisee entre le via 151_2 et le via 152_3 Une zone metallique 2152 sur le niveau de metal M2 est rajoutee entre la partie gauche de la zone 152 et la zone 112 du premier ensemble a VDD de la premiere structure. Ainsi, apres cette premiere programmation, la valeur memorisee dans le point memoire est VDD. La figure 2C illustre une programmation suivante du meme point memoire realisee par une modification du niveau de metal M5. Cette deuxieme programmation est realisee sur la seconde structure elementaire du point memoire. Une coupure 1155 de la zone 155 de la seconde partie du deuxieme serpentin du point memoire est realisee entre les vies 154_5 et 155_6. Une zone metallique 2155 est rajoutee afin de relier la partie droite de la zone 155, du cote de la seconde extremite du serpentin, a la zone 125 du second ensemble (GND) de la seconde structure elementaire. La sortie OUT est ainsi reliee a GND. On notera que dans liexemple considere on pourrait effectuer la seconde programmation sans utiliser le second serpentin car il est possible de couper la deuxieme partie du premier serpentin et de relier ensuite la seconde extremite de ce serpentin au second ensemble (GND) en modifiant le niveau de metal M5. La figure 2D illustre une troisieme programmation du point memoire, au niveau de la troisieme structure elementaire de ce dernier, realisee par une modification du niveau de metal M4 On realise une coupure 1154 de la zone 154 de la seconde partie du troisieme serpentin entre le via 153_4 et le via 154_5. Une zone metallique 2154 sur le niveau correspondent M4 est rajoutee et permet de connecter la partie gauche de la zone 154 a la zone 114 du premier ensemble (VDD) de la troisieme structure. La sortie OUT est ainsi reliee a VDD. On notera que cette troisieme programmation sur le niveau de metal M4 doit necessairement etre realisee sur la troisieme structure elementaire. En effet, la programmation precedente ayant ete realisee sur le niveau de metal M5, une coupure et une connexion de la zone 154 de la deuxieme structure au premier ensemble (VDD) ne changerait pas la tension appliquee sur la sortie OUT. De fagon generale, il est possible de realiser une nouvelle programmation sur une structure elementaire deja programmee sur un niveau de metal donne si la zone de seconde partie du serpentin definie sur ce niveau de metal est encore reliee a la seconde extremite de la structure elementaire et done a la sortie OUT. La figure 2E illustre une quatrieme programmation du point memoire realisee sur la quatrieme structure du point memoire par modification du niveau de metal M3. On realise une coupure 1153 de la zone 153 de la seconde partie du quatrieme serpentin entre les vies 152_3 et 153_4. On ajoute une zone metallique 2153 sur le niveau de metal M3 reliant la partie droite de la zone 153 du quatrieme serpentin a la zone 123 du second ensemble (GND) de la quatrieme structure. La sortie OUT est ainsi reliee a GND. Selon un aspect fondamental de la presente invention, on notera que la programmation de chacune des structures elemen taires aurait pu etre realisee de fagon similaire sur n'importe lequel des 6 niveaux de metal. Ainsi, cette programmation peut se faire en meme temps que la retouche d'un niveau quelconque de metal pour realiser une nouvelle version d'un circuit integre. On peut ainsi, en particulier, coder de facon souhaitee un numero de version en prevoyant plusieurs points memoire tels que celui decrit precedemment, la programmation d'un ou plusieurs de ces points memoire etant modifiee a chaque retouche. Selon un autre aspect fondamental de la presente invention, on notera que la programmation d'une structure elementaire de point memoire aurait pu 8tre realisee de facon similaire par modification de n'importe lequel des 5 niveaux de via. Ceci va etre explique en relation avec les figures 3A a 3C. La figure 3A est une vue en coupe schematique plus detaillee diune structure elementaire de point memoire. Dans cette figure les elements analogues a ceux de la figure 1 vent designee par de memes references. Toutefois pour simplifier la representation de nombreuses references vent omises. Les dif- ferences essentielles avec la figure 1 vent indiquees ci-apres. Les zones metalliques 151 a 155 de la seconde partie du serpentin ont ete allongees, de facon symetrique, sur la gauche et sur la droite. La taille de chaque zone diminue progres sivement en passant du niveau de metal M1 au niveau de metal M5. Ainsi, la zone M1 est plus grande que la zone M2 qui est elle meme plus grande que la zone M3 et ainsi de suite. Les zones metalliques 112 a 116, et 122 a 126 des premier et second ensembles ont ete al longees respect ivement sur la droite et sur la gauche, l'allongement augmentant avec le niveau de metal. La partie droite d'une zone metallique du premier ensemble (VDD) sur un niveau de metal Mk est au-dessus de la partie gauche de la zone metallique de la seconde partie du serpentin definie sur un niveau de metal Mk_1. Ainsi, par exemple, la partie droite de la zone 113 (VDD) est au-dessus de la partie gauche de la zone 152. De meme, la partie gauche d'une zone metallique du second ensemble (GND) sur un niveau de metal Mk, est au-dessus de la partie droite d'une zone metallique de la seconde partie du serpentin definie sur le niveau de metal Mk_1. En figure 3A, comme en figure 1, la structure de point memoire est initia- lement programmee par connexion de l'extremite 1 du serpentin au rail relic a GND. La figure 3B, comme la figure 2B, illustre une programmation par modification du niveau de metal M2. Une ouverture 162 de la zone 152, est realisee entre les vies 151-2 et 152_3. Une zone metallique 172 est rajoutee et connecte la zone 112 du premier ensemble (VDD) a la partie gauche de la zone 152. Le morceau du serpentin relic a l'extremite 2 est done maintenant connecte a la premiere borne VDD. La figure 3C illustre le fait que la programmation peut aussi etre realisee par modification d'un niveau de via. Le via 143_4 de la premiere partie du serpentin a ete supprime. Un via 163 _4, sur le niveau de via v3 _4 est rajoute. Le via 163 _4 est dispose sur le cote gauche de la zone 153 de la seconde partie du serpentin et sur le cote droit de la zone 114 du premier ensemble (VDD). Comme pour la programmation sur un niveau de metal decrite ci-dessus, le serpentin est coupe en deux morceaux et le morceau relic a la seconde extremite 2 du serpentin est connecte a VDD. La valeur memorisee passe de GND, choisie comme valeur initiale, a VDD. Les figures 4A et 4B representent respectivement une vue en coupe et une vue de dessus d'une structure elementaire d'un point memoire selon un mode de realisation de l' invention. Sur la figure 4B, les vies vent representes par un carre dans lequel est insere une croix, les zones metalliques vent representees par un rectangle ou toute autre forme geometrique. La structure comporte six niveaux de metal M1 a M6 plus un niveau conducteur inferieur denomme Mo, par exemple en silicium polycristallin et un niveau de via supplementaire vO_1. La structure elementaire comporte trots ensembles 21, 22, 23 de zones metalliques et de vies successifs interconnectes. Les premier 21 et deuxieme 22 ensembles vent relies respectivement a des bornes haute VDD et basse GND d'une alimentation. Le troisieme ensemble forme un serpentin 23 entre une premiere extremite 1 et une seconde extremite 2. La premiere partie 24 du serpentin 23, sur la gauche de la figure, est constituee de 7 zones metalliques 240 a 246, respectivement sur les niveaux Mo a M6 et six vies 240_1 a 245-6 respectivement sur les niveaux de vies vO_1 a v5_6, superposes. La seconde partie 25 du serpentin est constituee de sept zones metalliques 250 a 256, respectivement sur les niveaux Mo a M6, et de six vies 250_1 a 255_6, respectivement sur les niveaux de vies vO_1 a v5_6. Les zones 250 a 256 de la seconde partie du serpentin 25 vent representees par des rectangles de tailles decroissantes. Les zones 250 a 256 et les vies 250_1 a 255_6 vent agences en forme d'escalier depuis la zone 250 au niveau de metal Mo jusqu'a la zone 256 au niveau de metal M6. Ainsi, le via 250_1 est dispose du c8te droit de la zone 250 et du c8te gauche de la zone 251. De m8me, le via 251-2 est dispose du c8te droit de la zone 251 et du c8te gauche de la zone 252, et ainsi de suite. Les zones 240 et 250 vent en fait contigues et ne forment qu'une seule zone, reliant ainsi les premiere 24 et seconde 25 parties du serpentin. Chaque ensemble 21, 22 comprend un rail rectiligne et horizontal 216, 226 sur le niveau de metal M6 dispose de part et d'autre du serpentin. Cinq colonnes verticales 211 a 215 et 221 a 225 de zones metalliques et de vies superposes vent positionnees sous chaque rail 216, 226. Chaque couple de colonnes 211, 221 a 215, 225 s'etend respectivement de part et d'autre d'une zone metallique 250 a 254 jusqu'au niveau de metallisation superieur a celui de la zone metallique 250 a 254. La zone metallique du niveau de metal le plus faible, respec- tivement 2111 a 2151 et 2211 a 2251 de chacune des colonnes a une forme allongee pour recouvrir une partie de la zone metal- lique 250 a 254 adjacente du niveau de metal immediatement inferieur. Ainsi, la zone inferieure 2111 de la colonne 211 du niveau de metal M1 est allongee pour recouvrir une partie de la zone 250 du serpentin. Les rails 216, 226 ont chacun une portion allongee pour recouvrir respectivement une partie de la zone 255 sur le niveau de metal M5 de la seconde partie du serpentin. Les differentes colonnes reliees a VDD, GND vent ainsi de tailles decroissantes en allant de la gauche vers la droite sur la figure 4A. I1 est ainsi possible de relier le serpentin 23 a l'un des premier 21 et deuxieme 22 ensembles en rajoutant un unique via entre une des zones 250 a 255 et une zone inferieure de l'une des colonnes. La structure elementaire illustree en figures 4A et 4B est prevue pour que l'on puisse aisement associer plusieurs structures les unes a c8te des autres, en juxtaposant la partie droite de la zone 256 d'un serpentin a la partie gauche de la zone 246 du serpentin suivant. Dans ce cas, les rails216, 226, a VDD, GND des structures elementaires successives se juxtaposent pour ne former qu'un seul rail VDD relic respecti vement a VDD et a GND. Les figures 5A et 5B illustrent une programmation d'une structure elementaire diun point memoire selon le mode de realisation decrit ci-dessus en relation aux figures 4A et 4B. En figure 5A, une programmation est effectuee par modification du niveau de via v3_4. Le via 243_4 de la premiere partie 24 du serpentin 23 est supprime. Le premier ensemble 21 (VDD) ou le deuxieme ensemble 22 (GND) est relic a la seconde partie 25 du serpentin 23 par l'intermediaire diun via 273_4 connectant la zone 253 de la seconde partie 25 du serpentin 23 a la zone inferieure 2141 de la quatrieme colonne 214 reliee a VDD. Une programmation d'un point memoire selon le mode de realisation decrit en figures 4A et 4B peut 8tre realisee de facon similaire pour n'importe quel niveau de via par sup pression d'un via de la colonne 24 et par aj out d'un via sur le meme niveau de via entre le serpentin 23 et l'une des colonnes (ou le rail pour le niveau de via v5_6). En figure 5B, une programmation a VDD est effectuee par modification du niveau de metal M4. Une coupure 274 de la zone 254 de la seconde partie 25 du serpentin 23 est realisee entre les vies 253_4 et 254_5. Une connexion 284 est realisee entre la partie de la zone 254 reliee au via 254_5 et la zone inferieure 2141 de la quatrieme colonne 214 du premier ensemble 21 definie sur le niveau de metal M4. Une programmation a GND aurait consiste en une connexion entre la partie de la zone 254 reliee au via 254_5 et la zone inferieure 2241 de la quatrieme colonne 224 reliee au rail 226 (GND) definie sur le niveau de metal M4. La programmation d'un point memoire selon le mode de realisation decrit en figures 4A et 4B peut edtre realisee de facon similaire pour n'importe quel niveau de metal par coupure d'une zone metallique 250 a 256 du serpentin 23 et par aj out dune zone metallique, sur ce m8me niveau de metal, entre le serpentin 23 et la partie inferieure d'une des colonnes du premier ou du deuxieme ensemble (ou un des rails 216, 226 pour la zone metallique 256). Les figures 6A et 6B representent respectivement une vue de dessus et une coupe selon la direction D d'une structure elementaire 400 d'un point memoire selon un autre mode de realisation de ['invention. La structure elementaire comprend des premier, deuxieme et troisieme ensembles de zones et de vies interconnectes. Seul le troisieme ensemble formant un serpentin, entre une premiere extremite 1 et une seconde extremite 2, est represente. Une premiere partie du serpentin est une colonne 450 de vies 4501-2 a 4505_6, formes respectivement sur les niveaux de via vl_2 a v5-6 et de zones metalliques 451 a 456, formees respectivement sur les niveaux de metal M1 a M6 superposes, la zone superieure 456 de la colonne 450 etant reliee a la premiere extremite 1 du serpentin. Une seconde partie du serpentin comprend six zones metalliques rectilignes 401 a 406, respectivement sur les niveaux de metal M1 a M6, reliees par des vies 4 O1-2 a 40O5_6, formes respectivement sur les niveaux de vies v1_2 a v5-6 et formant une spirale entre les niveaux M1 et M6. Cette spirale est positionnee a droite de la colonne 450. Sur la figure 6A, les zones 405, 401 et 403 vent representees par des bandes verticales et vent positionnees respectivement de gauche a droite. Les zones 404, 402 et 406 vent representees par des bandes horizontales et positionnees respectivement de teas en haut. Le haut de la zone 401 est connecte a la partie gauche de la zone rectiligne 402 par un via 4 O1-2. La partie droite de la zone 402 est connectee a la partie haute de la zone 403 par un via 4002_3. La partie basse de la zone 403 est connectee a la partie droite de la zone 404 par un via 40O3_4. La partie gauche de la zone 404 est reliee a la partie basse de la zone 405 par un via 40O4_5. La partie haute de la zone 405 est reliee a la partie gauche de la zone 406 par un via 40O5_6. La partie droite de la zone 406 est reliee par un via 4155-6 forme dans le niveau de via v5-6 a la partie haute d'une zone 415 rectiligne verticale sur le niveau de metal M5. La partie basse de la zone 415 est reliee par un via 4265_6, forme dans le niveau de via v5_6, a la partie gauche d'une zone rectiligne horizontale 426 sur le niveau de metal M6, elle-meme connectee a la seconde extremite 2 du serpentin. La zone 401 sur le niveau de metal M1 se prolonge par le teas par une zone 411 rectiligne et horizontale af in de real iser une connexion avec la zone inferieure de la colonne 450. Les zones 456 et 426 vent alignees afin de pouvoir abuser aisement deux serpentine de deux struc- tures elementaires. La figure 6C est une vue de dessus plus detaillee de la structure elementaire illustree en figure 6A. Dans cette figure, les elements analogues a ceux de la figure 6A vent designee par de memes references. Des premier 460 et deuxieme 470 ensembles de zones et de vies relies respectivement a VDD et a GND vent rajoutes. Le premier ensemble 460, relic a VDD, est compose de trots zones metalliques rectilignes verticales 461, 463, 465, respectivement sur les niveaux de metal M1, M3, M5 et trots zones rectilignes horizontales 462, 464, 466, respecti vement sur les niveaux de metal M2, M4, M6. Ces six zones 461 a 466 vent reliees par des vies formant une colonne 467. Les trots zones verticales 461, 463, 465 vent superposees et s'inserent entre les zones verticales 401 et 403 du serpentin et passent au-dessus ou en dessous des zones 402, 404 et 406 du serpentin. Les trots autres zones 462, 464 et 466 vent superposees et s'inserent entre la ligne 402 et les lignes 426, 404 et 411 et passent au-dessus ou en dessous des zones 401, 403, 405 et 415. De meme, le deuxieme ensemble 470, relic a GND, est constitue de trots zones metalliques rectilignes verticales 471, 473, 475, respectivement sur les niveaux de metal M1, M3, M5 et de trots zones metalliques rectilignes horizontales 472, 474, 476, respectivement sur les niveaux de metal M2, M4 et M6. Ces six zones vent reliees par des vies formant une colonne 480. Les trots zones verticales 471, 473 et 475 vent superposees et inserees entre les zones 401, 403 et 405 et passent au-dessus ou en dessous des zones 402, 404 et 406 du serpentin. Les trots zones horizontales 472, 474, 476 vent inserees entre les zones 402 et 406 et les zones horizontales 411, 426 et 404 et passent au-dessus ou en dessous des zones 401, 403, 405 et 415. Une programmation d'une structure elementaire, telle que celle illustree en figure 6C, peut se faire par modification d'un niveau de via ou d'un niveau de metal. Une programmation par un niveau de via se fait en supprimant un via de la colonne 450 et en rajoutant un via, sur le meme niveau de via, qui relic le premier ensemble 460 (VDD) ou le deuxieme ensemble 470 (GND) et une des zones 401 a 406 du serpentin. Ainsi une programmation a GND sur le niveau de via v3_4 est realisee en supprimant le via 4503_4 de la colonne 450 et en rajoutant un via entre la zone 403 du serpentin et la zone 474 du deuxieme ensemble 470 (GND) au niveau de la region de superposition 490 des deux zones 403, 474. Une programmation par modification d'un niveau de metal Mk se fait en coupant une des zones 401 a 406 du serpentin definie sur ce meme niveau de metal Mk en deux morceaux. Le morceau connecte a la seconde extremite 2 du serpentin est relic au premier ensemble 460 (VDD) ou au deuxieme ensemble 470 (GOOD) par raj out d'une zone sur le meme niveau de metal Mk. Ainsi une programmation a VDD sur le niveau de metal M5 se fait en coupant la zone 405 et en reliant la partie superieure de la zone 405 reliee a la seconde extremite 2 a la zone 465 du premier ensemble 460 (VDD). Un avantage d'un point memoire selon la presente invention est que la valeur programmee peut etre changee pour chaque nouvelle version impliquant une modification d'un niveau quelconque de metal ou de via. Bien entendu, la presente invention est susceptible de diverges variantes et modifications qui apparaitront a l'homme de ['art. En particulier, les premier 110 et second 120 rails du point memoire peuvent etre relies a des bornes internee ou externes du circuit. On pourra ainsi par exemple relier le premier rail du point memoire selon l' invention et le serpentin a la source d'un transistor utilise comme point memoire d'une memoire ROM (la grille et le drain du transistor etant relies a des ligne et colonne d'acces). La source du transistor pourra etre a la tension appliquee sur le second rail, en connectant le serpentin au second rail, ou en haute impedance en ne connectant pas le serpentin. Ceci permet de reprogrammer une memoire ROM lors d'une modification d'un niveau quelconque de metal ou de via contrairement aux memoires ROM actuelles qui vent modifiables par retouche d'un niveau de metal determine. De plus, un point memoire selon l' invention pourrait comporter de multiples rails a des niveaux de tension dif ferents. Le point memoire pourra etre programme a differentes valeurs en connectant le serpentin a l'un des rails. En outre, le nombre de niveaux de metal utilises peut etre adapte en fonction du circuit. De plus, de nombreux modes de realisation d'un point memoire selon l' invention peuvent etre imagines. En outre, le nombre de structures elementaires consti- tutives du point memoire sera defini pour chaque application. REVENDICTIONS 1. Element de memoire (20) dans un circuit integre comprenant plusieurs niveaux de materiaux conducteurs (Mo a Mi) separes par des niveaux isolants dont chacun est susceptible d'etre traverse par des vies conducteurs d'un niveau de via intercalaire (v0_1 a v(i_1)-i), et au moins deux rails de connexion, caracterise en ce qu'il comprend plusieurs ensembles de zones et de vies successifs interconnectes, un premier ensemble etant constitue d'un serpentin allant d'un premier niveau de metal (Mi ou Mo) a un dernier niveau de metal (Mo ou Mi) et en retour vers le premier niveau de metal (Mi ou Mo) entre une premiere extremite (1) et une seconde extremite (2), chacun des autres ensembles etant relies a un des rails de connexion, la premiere extremite (1) du serpentin etant connectee a un ensemble initial parmi les autres ensembles. 2. Element de memoire selon la revendication 1, dans lequel le serpentin est coupe une fois et connecte une fois a l'un des autres ensembles different de l' ensemble initial, la coupure etant du cote de la premiere extremite, et la connexion du cote de la seconde extremite, la coupure et la connexion etant effectuees sur un meme niveau de metal ou un meme niveau de via. 3. Point memoire caracterise en ce qu'il comprend une pluralite d' elements de memoire selon la revendication 1, en eerie, la seconde extremite d'un element de memoire etant reliee a la premiere extremite de lielement de memoire suivant. 4. Memoire comprenant un ou plusieurs points memoire selon la revendication 3. 5. Procede de programmation dun point memoire dans un circuit integre comprenant plusieurs niveaux de materiaux conducteurs (Mo a Mi) separes par des niveaux isolants dont chacun est susceptible d'etre traverse par des vies conducteurs dun niveau de via intercalaire (vO-1 a V(i-l)-i)' et au moins deux rails de connexion, le point memoire comprenant au moins deux ensembles de zones et de vies interconnectes, un premier ensemble etant constitue de n serpentine en eerie, n etant un nombre superieur ou egal a 1, chaque serpentin allant d'un premier niveau de metal (Mi ou Mo) a un dernier niveau de metal (Mo ou Mi) et en retour vers le premier niveau de metal (Mi ou Mo) entre une premiere extremite (1) et une seconde extremite (2), la seconde extremite de chaque serpentin etant reliee a la premiere extremite du serpentin suivant, chacun des autres ensembles etant relic a un des rails de connexion, la premiere extremite (1) du premier serpentin etant connectee a un ensemble initial choisi parmi les autres ensembles, caracterise en ce qu'il comprend: - une premiere programmation au niveau du premier serpentin en deux etapes: -- une coupure du serpentin en deux parties, et -- une connexion de la partie du serpentin reliee a la seconde extremite a l'un des autres ensembles different de l' ensemble initial; - une deuxieme programmation au niveau du deuxieme serpentin ou eventuellement du premier serpent in en deux etapes: -- une coupure du serpentin en deux parties, et -- une connexion de la partie du serpentin reliee a la seconde extremite a l'un des autres ensembles different de celui utilise pour la programmation precedente; - des programmations successives d'un ou plusieurs serpentine, jusqu' au nieme serpentin selon le procede de la deuxieme programmation. 6. Element de memoire selon la revendication 1, dans lequel: une premiere partie du serpentin est constituee de i+1 zones metalliques (240 a 246) et de i vies (240_1 a 245_6) superposes entre les premier (Mo) et dernier (Mi) niveaux de metal, la zone superieure (246) sur le niveau de metal superieur (Mi) etant reliee a la premiere extremite (1), et une seconde partie du serpentin en forme d'escalier est constituee de i+1 zones metalliques (250 a 256) et de i vies (250 1 a 255 6) entre les premier (Mo) et dernier (Mi) niveaux de metal, deux vies sur des niveaux de via consecutifs (v(k_1) k et Vk (k+1)) etant disposes d'un c8te et de l'autre de la zone definie sur le niveau de metal intermediaire (Mk), la zone superieure (256) etant reliee a la seconde extremite du serpentin, les zones inferieures, sur le premier niveau de metal (Mo), des premiere et seconde parties du serpentin etant reliees, et dans lequel des deuxieme et troisieme ensembles vent disposes d'un c8te et de l'autre du serpentin et vent constitues tous deux de i-1 colonnes (211 a 215 et 221 a 225) de tailles decroissantes formees de zones et de vies superposes entre le dernier niveau de metal (M6) et un niveau de metal, du premier au i-eme niveau de metal (M1 a Mi_1), les i-1 zones inferieures de chaque colonne recouvrant une partie des i-1 zones de la seconde partie du serpentin definies respectivement sur les niveaux de metal allant du premier niveau de metal au niveau de metal i-2 (Mo a Mi_2), les i-1 colonnes etant reliees ensemble par un rail defini sur le i-eme niveau de metal (Mi) (216, 226), la zone superieure (246) de la premiere partie du serpentin etant reliee au rail (216 ou 226) du deuxieme ou du troisieme ensemble. 7. Element de memoire selon la revendication 6, dans lequel la premiere partie du serpentin est coupee par suppression d'un via et la seconde partie du serpentin est reliee a l'un des premier et deuxieme ensembles par raj out d'un via, sur le meme niveau de via, entre une des zones de la seconde partie du serpentin et la zone inferieure d'une des colonnes recouvrant cette derriere. 8. Element de memoire selon la revendication 7, dans lequel une des zones de la seconde partie du serpentin est coupee, la partie de cette zone du cote de la seconde extremite du serpentin est reliee a la zone inferieure diune des colonnes definie sur le m8me niveau de metal. 9. Element de memoire selon la revendication 1, dans lequel une premiere partie du serpentin est constituee d'une colonne (450) de zones et de vies superposes entre les premier (Mo) et dernier (Mi) niveaux de metal, la zone superieure etant reliee a l'extremite (1) du serpentin, une seconde partie du serpentin est constituee de i+1 zones metalliques rectilignes (401 a 406) definies sur tous les niveaux de metal du premier (Mo) au dernier (Mi), et de i vies (4 O1-2 a 40O5_6) definis sur tous les niveaux de vies (vO_1 a v5 6), relies ensemble a la forme d'une spirale montante, les zones rectilignes definies sur les niveaux de metal pairs etant orientees selon une premiere direction, celles definies sur les niveaux de metal impairs etant orientees selon une seconde direction perpendiculairement a la premiere direction, la zone superieure (406) de la seconde partie du serpentin etant reliee a la seconde extremite (2) du serpentin, les zones inferieures, sur le premier niveau de metal (Mo), des premiere et seconde parties du serpentin etant reliees, et dans lequel des deuxieme et troisieme ensembles vent tous deux constitues de premiers rails rectilignes superposes definis sur chacun des niveaux de metal pairs (462, 464, 466 et 472, 474, 476) et orientes selon la premiere direction, et de seconds rails rectilignes superposes definis sur chacun des niveaux de metal impairs (461, 463, 465 et 471, 473, 475) et orientes selon la seconde direction, les premiers et seconds rails d'un m8me ensemble etant relies par des vies, les rails orientes selon la premiere ou la seconde direction passant respectivement en dessous ou au- dessus des zones de la seconde part ie du serpent in orientees respect ivement selon la seconde ou la premiere direction. 10. Point memoire selon la revendication 9, dans lequel la premiere partie du serpentin est coupee par suppression d'un via et la seconde partie du serpentin est reliee a l'un des deuxieme et troisieme ensembles par raj out diun via, sur le meme niveau de via, entre une des zones de la seconde partie du serpentin et le rail de 1'un des deuxieme et troisieme ensembles passant au-dessus de cette zone. 11. Element de memoire selon la revendication 6, dans lequel une des zones de la seconde partie du serpentin est coupee, la partie de cette zone du cote de la seconde extremite du serpentin est reliee au rail de l'un des deuxieme et