FR 2845208 A1 20040402 FR 0212133 A 20021001 COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES A GUIDAGE DE L'ONDE OPTIQUE PAR RUBAN METALLIQUE Le domaine de l'invention est celui des composants optoélectroniques à hétérostructures multicouches, et notamment celui des 5 diodes laser émettant en polarisation transverse magnétique, c'est-à-dire dont le champ électrique d'émission est polarisé perpendiculairement au plan des couches de l'hétérostructure. De nombreuses applications de ce type de composants nécessitent que le mode optique qui y règne présente des qualités spatiale et 10 spectrale bien déterminées. Le confinement du mode optique intracomposant doit, par conséquent, être parfaitement maîtrisé. Les composants électroniques multicouches comprennent principalement une zone active émettant dans le moyen ou le lointain infrarouge en polarisation transverse magnétique, en exploitant, par 1 5 exemple, les transitions intersousbande des puits quantiques (cas des lasers à cascade quantique dits QCL). Cette zone active est comprise entre deux couches dites couches de cladding. Les modes optiques de propagation à l'intérieur de ces couches encore appelés modes diélectriques sont alors caractérisés par un indice optique noté indice effectif. Le confinement dans 20 un plan perpendiculaire au plan des couches du mode optique est assuré par les contrastes d'indice entre chaque couche. On parle alors de mode de guide planaire. Le confinement ou le guidage du mode dans le plan des couches est également nécessaire. Il permet notamment de minimiser le courant de seuil. Celui-ci ne peut être obtenu que par modification locale de 25 l'indice effectif du mode planaire des couches. Pour réaliser cette modulation d'indice effectif, on réalise actuellement des gravures par différentes techniques connues comme, par exemple, la gravure par faisceau ionique à assistance chimique (procédé CAIBE pour Chemical Assisted Ion Beam Etching) ou la gravure ionique 30 réactive (procédé RIE pour Reactive Ion Etching). Le processus de gravure peut conduire à un état de surface rugueux, générant des pertes optiques par diffusion. La gravure chimique permet de réduire la rugosité des surfaces gravées. Cependant, ce processus est difficile à maîtriser pour des structures de faibles dimensions, typiquement inférieures au micron, nécessaires aux composants travaillant dans l'infrarouge moyen. En effet, l'attaque chimique est sélective et anisotrope et rend délicate la reproductibilité du dispositif. D'autre part, dans le cas o les composants sont destinés à émettre des faisceaux optiques de forte puissance, la gravure des couches rend plus difficile le montage du composant avec sa face épitaxiée tournée vers l'embase en vue d'améliorer la dissipation thermique, montage dit E pilayer-down. L'objet de l'invention est de réduire ces différents problèmes liés à la gravure tout en conservant un procédé de réalisation simple. Une onde électromagnétique polarisée Transverse Magnétique peut se propager de manière guidée à l'interface d'un métal et d'un 1 5 diélectrique sous forme de plasmon lorsque le métal et le semiconducteur ont des constantes diélectriques de signe opposée (P.Yeh, Optical Waves in Layered Media - Wiley, New-York, 1998). Dans le moyen infrarouge, le principe d'une diode laser basée sur cet effet a été démontré (C. Sirtori, C. Gmachl, F.Capasso, J.Faist, D.L. Sivco, A.L.Hutchinson and A.Y.Cho, Long20 wavelength (2 = 8 - 11.5pm) semiconductor lasers with waveguides based on surface plasmons, Optics Letters / Vol. 23, NO 17/ 1366, sept. 1, 1998). Cependant, cette diode s'avère peu performante car, dans ce domaine spectral, le métal introduit des pertes importantes. Afin de minimiser les pertes tout en gardant l'avantage du guidage 25 de l'onde, l'invention propose de coupler le plasmon de surface et le mode diélectrique d'un guide diélectrique planairé de façon à moduler l'indice effectif du mode diélectrique afin d'obtenir un mode optique résultant qui soit à la fois guidé et à faibles pertes. Cet effet est obtenu en déposant sur les couches de cladding du composant optoélectronique une zone supérieure en 30 matériau semi-conducteur, puis un dépôt métallique sur ladite zone, l'épaisseur optique de la zone supérieure étant choisie de façon à obtenir un couplage optimal. On réalise ainsi une variation locale de l'indice effectif, suffisante pour assurer le guidage du mode dans le plan des couches sans altérer la 35 structure planaire du composant et en supprimant les problèmes introduits par la gravure, le dépôt de métal ne présentant pas de difficultés techniques de réalisation. Cette disposition s'applique notamment à différentes structures optiques de laser de type QCL, par exemple les lasers de type " Fabry5 Pérot ", mais également les lasers de type DFB (Distributed FeedBack) ou c&-DFB (cDistributed FeedBack), les lasers de type ARROW (AntiResonant Reflecting Optical Waveguide) ou encore les lasers basés sur des cavités de type à bande interdite photonique. La forme du dépôt métallique est simplement adaptée à chaque type de composant. 10 Plus précisément, l'invention a pour objet un composant optoélectronique à hétérostructure multicouches, comprenant successivement au moins un substrat, une zone active émettant en polarisation transverse magnétique et une zone supérieure en matériau 1 5 semiconducteur, ledit composant comportant une face latérale d'émission sensiblement perpendiculaire au plan des couches, et émettant par ladite face latérale une onde optique à une longueur d'onde située dans l'infrarouge, caractérisé en ce que ladite zone supérieure porte au moins un dépôt métallique et que l'épaisseur de ladite zone supérieure est égale à une 20 fraction de la longueur d'onde d'émission, permettant d'avoir une résonance entre d'une part, un mode de surface plasmonique lié au dépôt métallique et d'autre part un mode diélectrique lié à la zone active. Pour les composants de type laser " Fabry-Pérot ", ledit dépôt métallique a la forme d'un ruban métallique. Pour les composants de type DFB (Distributed FeedBack), ledit dépôt métallique est composé de rubans identiques, parallèles entre eux et de direction parallèle à la face d'émission. Pour les composants de type ARROW (AntiResonant Reflecting Optical Waveguide), ledit dépôt métallique est composé d'au moins deux 30 ensembles identiques de rubans parallèles entre eux et de direction perpendiculaire à la face latérale d'émission. Pour les composants de type oa-DFB (a-Distributed FeedBack), ledit dépôt métallique est composé de deux ensembles identiques de rubans parallèles entre eux, la direction desdits rubans étant inclinée par rapport à la 35 face latérale d'émission. Pour les lasers de type ARROW et c-DFB, chacun desdits ensembles de rubans constitue un miroir de Bragg. Enfin, dans le cas de dispositifs à bande photonique interdite, ledit dépôt métallique est composé d'un motif périodique bidimensionnel de zones 5 métalliques. Pour assurer des guidages particuliers de l'onde, ledit motif comporte au moins une zone métallique manquante. Avantageusement, le dépôt métallique comporte des plages dédiées à la connexion électrique. Dans un mode particulier de réalisation de ladite connexion, la zone supérieure et le dépôt métallique comporte une 10 couche de matériau isolant, ladite couche comportant des zones d'épargne situées au-dessus du dépôt métallique, la connexion électrique du composant étant réalisée au niveau desdites zones d'épargne. Le matériau de la couche isolante est préférentiellement de l'alumine. Avantageusement, les matériaux des couches sont à base 15 d'arséniure de gallium et aluminium (AlAsGa) ou de phosphure d'indium et aluminium (AlInP) ou d'antimoniure d'indium (InSb) ou d'alliages siliciumgermanium(SiGe). Le métal du dépôt est de l'or ou de l'aluminium. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages 20 apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles: - les figures la et lb représentent une vue en perspective et une vue de dessus du dispositif selon l'invention dans le cas d'un laser de type " Fabry-Pérot "; - la figure 2 représente, dans le cas d'un laser QCL en AlGaAs/GaAs, le profil d'indice optique des différentes couches et la répartition d'énergie du mode optique diélectrique en fonction de ce profil lorsque le laser ne comporte pas de dépôt métallique; - la figure 3 représente, dans le cas d'un laser QCL en 30 AlGaAs/GaAS selon l'invention, comportant une zone supérieure d'épaisseur inférieure à l'épaisseur dite de résonance, le profil d'indice optique des différentes couches et les répartitions d'énergie des modes optiques dits " liant " et " anti-liant " - la figure 4 représente, dans le cas d'un laser QCL en 35 AlGaAs/GaAS selon l'invention, comportant une zone supérieure d'épaisseur égale à l'épaisseur dite de résonance, le profil d'indice optique des différentes couches et les répartitions d'énergie des modes optiques couplés " liant " et " anti-liant "; - la figure 5 représente, dans le cas d'un laser QCL en 5 AlGaAs/GaAS selon l'invention, comportant une zone supérieure d'épaisseur supérieure à l'épaisseur dite de résonance, le profil d'indice optique des différentes couches et les répartitions d'énergie des modes optiques " liant " et " anti-liant "; - la figure 6 représente les variations de l'indice effectif des modes 10 optiques couplés " liant " et " anti-liant " en fonction de l'épaisseur de la zone supérieure; - la figure 7 représente le schéma de principe d'un laser de type DFB selon l'invention; - la figure 8 représente le schéma de principe d'un laser de type i s ARROW selon l'invention; - la figure 9 représente le schéma de principe d'un laser de type a-DFB selon l'invention; - la figure 10 représente le schéma de principe d'un laser à bande photonique interdite selon l'invention; - la figure 11 représente une première disposition de la connectique électrique du composant; - la figure 12 représente une seconde disposition de la connectique électrique du composant. Les figures la et lb représentent le dispositif selon l'invention dans le cas d'un laser de type QCL (Quantum Cascade Laser) à cavité " Fabry-Pérot ". Classiquement, un laser de type QCL comporte une hétérostructure multicouches 7 comprenant successivement un substrat 5, une première couche 42 dans un premier matériau semiconducteur, une 30 seconde couche 32 dans un second matériau semiconducteur, une zone active 3, une troisième couche 31 identique à 32, une quatrième couche 41 identique à 42, une zone supérieure 2, la dite zone 2 étant recouverte d'un ruban métallique 1, l'indice optique du premier matériau étant inférieur à celui du second matériau. L'ensemble des couches 3, 31et 32 forme le coeur du 35 guide d'onde de la cavité laser qui émet un mode optique 6 par la face latérale 8. Les miroirs plans de la cavité " Fabry-Pérot " sont constitués d'une part par la face latérale d'émission 8 et d'autre part par la face 80 opposée et parallèle à ladite face latérale 8. Par rapport à un repère (O, x, y, z) orthogonal, le plan des couches est dans un plan (x, y), la face latérale 8 5 et la face opposée 80 dans un plan (x, z) et la direction du ruban métallique et la direction d'émission du mode optique sont parallèles à l'axe Oy. A l'intérieur du composant, le mode optique 6 est confiné dans la direction Oz par le contraste d'indice existant entre les couches 41, 42 et les couches 31, 32. Il est confiné dans la direction Ox par la variation d'indice effectif introduit 10 par le ruban métallique 1. Dans le cas d'un laser QCL en AlGaAs/GaAs, le substrat est en GaAs, la zone active est à base d'antimoniure d'indium, les couches 31 et 32 sont en GaAs, les couches 41 et 42 sont en AlGaAs, la zone supérieure 2 est également en GaAs et le dépôt métallique est, par exemple, en or. L'indice i 5 optique suivant l'axe transversal Oz aux couches est fonction du matériau et de l'épaisseur en microns desdites couches. Il est représenté sur la courbe du bas de la figure 2. Lorsque le laser ne comporte pas de dépôt métallique, un mode optique diélectrique peut se propager à l'intérieur du composant, la répartition d'énergie de ce mode optique diélectrique en fonction du profil 20 d'indice est représentée sur la courbe du haut de cette même figure. La répartition d'énergie a une allure " gaussienne " suivant l'axe Oz. En l'absence de dépôt métallique, elle n'est cependant pas confinée suivant l'axe Ox. Lorsque l'on ajoute le dépôt métallique sur la zone supérieure, 25 deux modes optiques peuvent coexister dans la zone du composant située sous le dépôt: a Le mode optique diélectrique précédent confiné selon l'axe Oz caractérisé par un premier indice effectif dépendant de l'épaisseur de la zone supérieure. 30. Un mode plasmonique ou plasmon, de polarisation transverse magnétique se propageant à l'interface métal-zone intermédiaire caractérisé par un second indice effectif dépendant également de l'épaisseur de la zone supérieure. L'onde plasmonique prend naissance à l'interface de deux 35 matériaux dont les constantes diélectriques sont de signe opposé. En effet, dans le moyen infrarouge, la fréquence optique du mode plasmonique étant inférieure à la fréquence de plasma, la constante diélectrique du métal est négative alors que celle de la zone supérieure est positive. L'amplitude de ce mode de surface décroît exponentiellement dans les deux milieux selon l'axe 5 Oz, normal à l'interface entre les deux milieux. Les pertes d'un mode plasmonique sont importantes. Le coefficient de perte est souvent supérieur à 50 cm-'. Dans le cas o le mode diélectrique est également de polarisation transverse magnétique, ces deux modes peuvent interagir, l'interaction 10 dépendant de l'épaisseur géométrique de la zone supérieure. Lorsque les deux indices effectifs se rapprochent, les deux modes se couplent pour former deux modes hybrides dits " liant " et " anti-liant ", ces modes hybrides pouvant être décrits comme des combinaisons linéaires des modes en interaction. i 5 L'hybridation des modes permet donc d'obtenir à la fois un mode liant confiné selon l'axe Ox dans la zone du composant située sous le dépôt et présentant également de faibles pertes dans la mesure o il n'est pas purement plasmonique. Pour la configuration " Fabry-Pérot " du laser QCL décrit en 20 figures 1 et 2, les trois courbes de la figure 3 représentent en l'absence de zone supérieure: La courbe du bas: le profil d'indice des différentes couches selon un axe Oz. La double barre indique la limite entre la zone supérieure et le métal. 25. La courbe du milieu: la répartition d'énergie (E.M.N.L.) du mode " anti-liant " en fonction de ce même profil d'indice. * La courbe du haut: la répartition d'énergie (E.M.L.) du mode " liant " en fonction de ce même profil d'indice. Pour la configuration du laser QCL décrit en figures 1 et 2, les 30 trois courbes de la figure 4 représentent pour une zone supérieure ayant une épaisseur optimale: La courbe du bas: le profil d'indice des différentes couches selon un axe Oz. L'épaisseur optimale de la couche supérieure vaut environ 1 micron. * La courbe du milieu: la répartition d'énergie (E.M.N.L.) du mode " anti- liant " en fonction de ce même profil d'indice. ò La courbe du haut: la répartition d'énergie (E.M.L.) du mode " liant " en fonction de ce même profil d'indice. Pour la configuration du laser QCL décrit en figures 1 et 2, les trois courbes de la figure 5 représentent pour une zone supérieure ayant une épaisseur de 2 microns supérieure à l'épaisseur optimale: La courbe du bas: le profil d'indice des différentes couches selon un axe Oz. 10. La courbe du milieu: la répartition d'énergie (E.M.N.L.) du mode " anti-liant " en fonction de ce même profil d'indice.. La courbe du haut: la répartition d'énergie (E.M.L.) du mode " liant " en fonction de ce même profil d'indice. 1 5 La courbe de la figure 6 représente la variation de l'indice effectif N.M.L. pour le mode " liant " (courbe en trait plein) et la variation de l'indice effectif N.M.N.L. pour le mode " anti-liant " (courbe en trait pointillé) en fonction de l'épaisseur de la zone supérieure. Le couplage optimal entre les deux modes est réalisé pour l'épaisseur correspondant à la quasi-égalité des 20 indices effectifs. L'invention s'applique à différents types de composants optoélectroniques décrits ci-dessous, à titre non limitatif: Lasers à contre-réaction répartie de type DFB (Distributed 25 FeedBack). Les lasers à semiconducteurs présentent un fonctionnement multimode longitudinal. Ce caractère multimodal est très gênant pour de nombreuses applications (focalisation du faisceau, propagation dans des fibres optiques,...). Pour y remédier, on réalise des lasers à contre-réaction 30 répartie de type DFB (Distributed FeedBack). Le principe est d'introduire une modulation périodique de l'indice effectif dans la direction de propagation du faisceau et, de ce fait, d'effectuer un filtrage fréquentiel très sélectif, analogue à celui du miroir de Bragg. On peut ainsi rendre une diode laser monomode. La modulation d'indice effectif peut être obtenue en déposant 35 des rubans métalliques selon l'invention sur l'hétérostructure du composant. La figure 7 donne le schéma de principe d'un dispositif de ce type. Sur une hétérostructure multicouches 7 définie dans un repère (O, x, y, z) orthogonal, le plan des couches est dans un plan (x, y), les rubans métalliques 1 parallèles entre eux sont implantés sur I'hétérostructure multicouches 7 5 suivant la direction Ox, la face latérale d'émission 8 du mode est dans un plan (x, z), le mode 6 est émis par cette face latérale suivant une direction Oy perpendiculaire à la direction des rubans métalliques 1. Structures anti-guidantes de type ARROW (AntiResonant 10 Reflecting Optical Waveguide) Ce type de guide permet un bon confinement optique horizontal dans les guides d'onde planaire (J.Gehler, A.Brauer and W. Karthe: Antiresonant reflecting optical waveguides in strip configuration - Appl. Phys. Letters 64 (3), 17 january 1994). Le principe est de réaliser deux miroirs de 1 5 Bragg parallèles entre eux sur l'hétérostructure, le mode d'émission étant confiné dans l'espace situé entre ces deux miroirs. Un seul mode optique transversal est présent dans cette structure quelle que soit la taille de ce mode, ce qui représente l'avantage principal de ce guidage. De plus, il est aussi possible d'immuniser le guide ARROW des phénomènes de saturation 20 spatiale du gain. Chaque miroir peut être obtenu en déposant au moins deux rubans selon l'invention sur l'hétérostructure comme il est présenté en figure 8. Sur une hétérostructure multicouches 7 définie dans un repère (O, x, y, z) orthogonal, le plan des couches est dans un plan (x, y), les rubans métalliques 1 constituant les miroirs de Bragg sont implantés sur 25 I'hétérostructure multicouches 7 suivant la direction Oy, la face latérale d'émission 8 du mode est dans un plan (x, z), le mode 6 est émis par cette face latérale suivant une direction Oy parallèle à la direction des rubans métalliques 1. * Lasers de type ca-DFB ((-Distributed FeedBack) Dans les applications de forte puissance nécessitant une taille plus grande du mode optique, la technologie DFB ne convient plus. On réalise alors un laser de type cúDFB. Le principe est de confiner le mode optique dans une structure guidante inclinée par rapport à la face latérale de 35 sortie (R.E. Bartolo, W.W.Bewley, I.Vurgaftman, C.L.Felix, J.R.Meyer and M.J.Yang, Appl. Phys. Lett. 76(2000), 3164). Les modes réalisent alors un trajet en zig-zag par réflexions successives sur les miroirs de Bragg de la structure guidante et seuls ceux qui sont normaux à la face de sortie peuvent osciller. On améliore ainsi nettement la cohérence spatiale et la cohérence 5 temporelle du mode. La structure guidante inclinée peur être obtenue comme pour un guide de type ARROW au moyen de rubans métalliques déposés sur l'hétérostructure du composant comme il est indiqué sur la figure 9. Sur une hétérostructure multicouches 7 définie dans un repère (O, x, y, z) orthogonal, le plan des couches est dans un plan (x, y), les rubans métalliques 1 10 constituant les miroirs de Bragg sont implantés sur l'hétérostructure multicouches 7 suivant une direction inclinée d'un angle a par rapport à la direction Ox, la face latérale d'émission 8 du mode est dans un plan (x, z), le mode 6 est émis par cette face latérale suivant la direction Oy après un parcours en zig-zag à l'intérieur du composant. Structures photoniques bidimensionnelles. En procédant au dépôt de motifs bidimensionnels métalliques sur une hétérostructure multicouches, on réalise des structures de type cristaux photoniques. En particulier, on peut réaliser des lasers à bande interdite avec 20 défaut (Twodimensional Photonic Band-gap defect Mode Laser- O.Painter, R.K.Lee, A. Scherer, A.Yariv, J.D. O'Brien, P.D.Dapkus, I.Kim - Science, 284, 1819). La figure 10 représente un exemple d'une structure photonique bidimensionnelle de ce type. Sur une hétérostructure multicouches 7 définie dans un repère (O, x, y, z) orthogonal, le plan des couches est dans un plan 25 (x, y), les pavés métalliques 1 sont implantés sur l'hétérostructure multicouches 7 suivant un motif régulier bidimensionnel, seul manque un pavé 11 comme indiqué sur la figure 10. Sous l'emplacement du pavé manquant 11, le champ optique est le plus intense. Le courant électrique nécessaire au fonctionnement du composant est amené par le dépôt métallique. Afin de ne pas perturber la géométrie des ondes émises, la connexion électrique ne peut être établie directement sur les zones du dépôt servant au guidage de l'onde. Aussi, il est avantageux que le dépôt métallique comprennent des plages de connexion 12 35 spécifiques situées hors des zones de guidage 1, des zones d'interconnexion 13 reliant les zones de guidage aux plages de connexion, comme il est indiqué sur la figure i1. Il est également possible, afin de conserver la géométrie des dépôts métalliques, de déposer sur la surface du composant une couche de 5 matériau électriquement isolant 14, ladite couche comportant des zones d'épargne situées au-dessus du dépôt métallique, la connexion électrique 15 du composant étant réalisée au niveau desdites zones d'épargne comme il est indiqué sur la figure 12. REVENDICATIONS 1. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches 5 (7) comprenant successivement au moins un substrat (5), une zone active (3) émettant en polarisation transverse magnétique et une zone supérieure (2) en matériau semiconducteur, ledit composant comportant une face latérale (8) d'émission sensiblement perpendiculaire au plan des couches, et émettant par ladite face latérale (8) une onde optique (6) à une longueur 10 d'onde située dans l'infrarouge, caractérisé en ce que ladite zone supérieure (2) porte au moins un dépôt métallique (1) et que l'épaisseur de ladite zone supérieure (2) est égale à une fraction de la longueur d'onde d'émission, permettant d'avoir une résonance entre un mode de surface plasmonique lié au dépôt métallique (1) et un mode diélectrique lié à la zone active (3). 1 5 2. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dépôt métallique a la forme d'un ruban métallique droit. 3. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dépôt métallique est composé de rubans (1) identiques, parallèles entre eux et de direction parallèle à la face latérale d'émission (8). 4. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dépôt métallique est composé d'au moins deux ensembles identiques de rubans (1) parallèles entre eux et de direction perpendiculaire à la face latérale d'émission (8). 5. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dépôt métallique est composé d'au moins deux ensembles identiques de rubans (1) parallèles entre eux, la direction desdits rubans étant inclinée par rapport à la face latérale d'émission. 6. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches selon les revendications 4 et 5, caractérisé en ce que lesdits deux ensembles identiques de rubans (1) forment des miroirs de Bragg. 7. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches de type cristal photonique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dépôt métallique est composé d'un motif périodique bidimensionnel de zones métalliques (1). 8. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches de type cristal photonique selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit motif comporte au moins une zone métallique manquante (11). 9. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dépôt métallique comporte des plages (12) dédiées à la connexion électrique. 10. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches 20 selon la revendication 9, caractérisé en ce que la zone supérieure (2) et le dépôt métallique (1) comporte une couche de matériau isolant (14), ladite couche comportant des zones d'épargne situées au-dessus du dépôt métallique, la connexion électrique (15) du composant étant réalisée au niveau desdites zones d'épargne. 11. Composant optoélectronique à hétérostructure multicouches selon la revendication 10, caractérisé en ce que le matériau de la couche isolante est de l'alumine. 12. Composant électronique à hétérostructure multicouches selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les matériaux des différentes couches (2, 3, 31, 32, 41 et 42) sont à base d'arséniure de gallium et aluminium (AlAsGa) ou de phosphure d'indium et aluminium (AlInP) ou d'antimoniure d'indium (InSb) ou d'alliages silicium-germanium 35 (SiGe). 13. Composant électronique à hétérostructure multicouches selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau d'au moins une couche est à base d'arséniure de gallium (AsGa). 14. Composant électronique à hétérostructure multicouches selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le métal du dépôt (1) est de l'or ou de l'aluminium.