FR 2834394 A1 20030704 FR 0206703 A 20020531 identique à la fréquence du signal électrique micro-onde. 1 2834394 AMPLIFICATEUR REPARTI AYANT UNE ARCHITECTURE A TRANSCONDUCTANCE BISEAUTÉE Domaine de l'invention La présente invention concerne d'une manière générale des amplificateurs répartis et plus précisément, des techniques permettant d'augmenter le gain global d'un amplificateur réparti sans augmenter de façon proportionnelle le courant de repos dans l'amplificateur réparti. Contexte de l'invention Les amplificateurs répartis sont bien connus de la technique. Ces amplificateurs répartis comportent en général une pluralité d'étages amplificateurs de base qui sont connectés entre des lignes de transmission d'entrce et de sortie de telle façon que les sorties des étages amplificateurs s de base soient combinées afin de produire un signal amplifié résultant. Chacun des étages amplificateurs de base d'un amplificateur réparti contient des réactances, la plupart du temps capacitives, qui affectent les impédances d'entrce et de sortie de ces étages. Un amplificateur réparti convenablement conçu compense ces réactances afin de minimiser l'effet sur 2 o le transfert de puissance dans une gamme de fréquences de fonctionnement sou h aitée. H a b ituell ement, cel a s'effectu a it en i n clu ant d es réseaux de compensation couplés aux lignes de transmission d'entrée et de sortie. Ces réseaux de compensation comportent en général à la fois des inductances et des capacités suivant leurs longueurs de sorte qu'ils semblent être de courtes s longueurs de lignes de transmission ayant des impédances caractéristiques spécifiques. La capacité d'entrée de chaque étage amplificateur, lorsqu'elle est séparée par une inductance, qu'elle soit à constantes localisées ou réparties, détermine l'impédance caractéristique de la ligne de transmission o dans son ensemble. L'un des problèmes posés par les architectures 2 2834394 d'amplificateurs répartis classiques est que lorsqu'un signal se propage le long de la ligne de transmission d'entrée, il est atténué, et que la puissance fournie en entrée à chacun des étages amplificateurs successifs se rébuit par conséquent de façon significative. Ce problème se pose également sur la ligne de transmission de sortie, bien qu'il soit généralement moins important en raison du fait que les signaux sont amplifiés par la transconductance de chaque étage amplificateur. Pour un nombre donné d'étages amplificateurs, la décroissance de la puissance d'entrée dégrade la puissance de sortie totale et le gain disponible à la sortie de l'amplificateur réparti. Les techniques classiques permettant de réduire la décroissance de la puissance d'entrée comprennent le couplage d'étages amplificateurs supplémentaires à l'amplificateur réparti. Cependant, du fait de la décroissance du signal d'entrée, il existe un point à partir duquel cette démarche conduit à une diminution des rendements. En outre, I'utilisation d'étages amplificateurs supplémentaires fait cro^'tre aussi bien la taille que la consommation de courant de l'amplificateur réparti. Une autre démarche classique permettant d'augmenter le gain global de l'amplificateur réparti consiste à faire cro^'tre uniformément la transconductance de chacun des étages amplificateurs pour se prémunir contre la perte la plus défavorable o pouvant se produire sur la ligne de transmission. Cependant, comme l'augmentation uniforme de la transconductance des étages amplificateurs fait généralement intervenir une augmentation de la taille d'un ou plusieurs transistors dans chacun des étages amplificateurs de l'amplificateur réparti, cette démarche peut dégrader de façon significative la réponse en fréquence :5 et faire cro^'tre de façon indésirable le courant de repos d'un amplificateur réparti. Résumé de l'invention La présente invention propose des techniques permettant d'améliorer de façon efficace une impédance d'adaptation de sortie eVou d'augmenter le gain global d'un amplificateur réparti sans augmenter de façon proportionnelle le courant de repos et/ou sans dégrader de façon notable la réponse en fréquence de l'amplificateur réparti. En outre, ces améliorations des caractéristiques peuvent être obtenues sans augmentation notable de la taille de l'amplificateur réparti. 3 2834394 Conformément à l'un des aspects de l'invention, un amplificateur réparti ayant une impédance d'adaptation de sortie améliorée comporte une pluralité d'étages amplificateurs fonctionnellement couplés entre une ligne de transmission d'entrée et une ligne de transmission de sortie. A chacun d'au moins un sous-ensemble des étages amplificateurs est associé une transconductance qui est fonctionnellement configurée de façon à produire dans l'étage amplificateur un gain qui compense sensiblement l'atténuation du signal d'entrce sur la ligne de transmission d'entrée eVou la ligne de transmission de sortie. Ainsi, la transconductance de chaque étage o amplificateur successif du sous-ensemble est augmentée d'une façon qui dépend de la perte se produisant sur la ligne d'entrée, à l'entrée de l'étage amplificateur correspondant. De cette manière, chaque étage amplificateur du sous-ensemble est individuellement configuré de façon à compenser une perte se produisant sur la ligne de transmission d'entrée. Dans un mode de s réalisation préféré de la présente invention, chaque étage amplificateur de l'amplificateur réparti est configuré de façon à avoir une transconductance qui compense sensiblement l'atténuation dun signal d'entrée à une entrée eVou une sortie respective sur la ligne de transmission d'entrée eVou la ligne de transmission de sortie. o Conformément à un autre aspect de la présente invention, celle ci propose un procédé destiné à former un amplificateur réparti comportant une pluralité d'étages amplificateurs. A chacun des étages amplificateurs, ou d'au moins un sous-ensemble des étages amplificateurs, est associée une transconductance et chacun d'entre eux comporte une entrée et une sortie, les entrées de la pluralité d'étages amplificateurs, ou du sous- ensemble des étages amplificateurs, étant fonctionnellement couplées à une ligne de transmission d'entrce et les sorties des étages amplificateurs, ou du sous ensemble des étages amplificateurs, étant fonctionnellement couplées à une ligne de transmission de sortie. Le procédé comprend les étapes consistant 3 o à: déterminer une atténuation d'un signal d'entrée sur les entrées respectives d'au moins un sous- ensembie de la pluralité d'étages amplificateurs; et sélectionner les transconductances de chacun des étages amplificateurs du sous-ensemble, de telle façon qu'un gain de chacun de la pluralité d'étages amplificateurs du sous-ensemble compense sensiblement une atténuation du signal d'entrce sur la ligne de transmission d'entrce aux entrces respectives des étages d'amplificateurs. 4 2834394 Suivant un perfectionnement, le procédé comprend en outre l'étape consistant à: sélectionner la transconductance d'au moins un étage amplificateur de la pluralité d'étages amplificateurs de telle façon qu'un gain de cet au moins un étage amplificateur compense sensiblement 1'atténuation d'un signal de sortie sur la ligne de transmission de sortie à la sortie respective de cet au moins un étage amplificateur. Suivant un perfectionnement, le procédé comprend en outre l'étape consistant à: o configurer la ligne de transmission d'entrce de telle façon qu'une impédance caractéristique de la ligne de transmission d'entrée compense sensiblement la capacité d'entrée associée à au moins l'un de pluralité d'étages amplificateurs. La présente invention vise également un Circuit intogré comportant au moins un amplificateur réparti, cet au moins un amplificateur réparti comprenant: une ligne de transmission d'entrée, la ligne de transmission d'entrée formant une entrée de l'amplificateur réparti et ayant une impédance caractéristique qui lui est associce; o une ligne de transmission de sortie, la ligne de transmission de sortie formant une sortie de l'amplificateur réparti et ayant une impédance caractéristique qui lui est associée; et une pluralité d'étages amplificateurs, chacun des étages amplificateurs comportant une entrce et une sortie, I'entrce de chaque étage s amplificateur étant fonctionnellement coupiée à la ligne de transmission d'entrée et la sortie de chaque étage amplificateur étant fonctionnement couplée à la ligne de transmission de sortie, chaque étage amplificateur dans au moins un sous-ensemble des étages amplificateurs ayant une transconductance qui lui est associée et qui est fonctionnellement configurée 3 o de façon à produire dans 1'étage amplificateur un gain qui compense sensiblement l'atténuation d'un signal d'entrée à l'entrée respective de l'étage amplificateur. Ces caractéristiques et avantages de la présente invention, ainsi que d'autres, ressortiront de la description détaillée présentée ciaprès de modes de réalisation proposés à titre d'illustration de cette dernière, qui sont présentés en référence aux dessins annexés. 2834394 Brève description des dessins La figure 1 est un diagramme schématique illustrant un exemple d'amplificateur réparti réalisé conformément à la présente invention. La figure 2 est une représentation graphique illustrant l'atténuation d'un signal d'entrée le long d'une ligne de transmission pour chaque point d'entrce dans un exemple d'amplificateur réparti à six étages. Description détaillée des modes de réalisation préférés o La présente invention sera décrite ci-après dans le contexte d'un circuit amplificateur réparti à quatre étages proposé à titre d'illustration qui peut par exemple être utilisé dans une application frontale pour récepteur optique. On notera cependant que la présente invention n'est pas limitée à ce cas ou à une architecture ou une application particulière quelconque d'un s amplificateur réparti. En effet, la présente invention peut plus généralement être appliquée à une architecture d'amplificateur réparti approprié quelconque dans laquelle il est souhaitable d'améliorer l'impédance d'adaptation eVou le gain de l'ampiificateur réparti sans faire cro'^tre de façon proportionnelle le courant de repos dans l'amplificateur réparti. En outre, la présente invention telle qu'elle est décrite ici n'est pas limitée à un processus de fabrication de semi-conducteur particulier, mais peut être utilisée avec des processus qui font intervenir, sans aucune limitation, des technologies à base de semi- conducteur à oxyde de métal (MOS), bipolaires et des transistors à effet de champ à métal-semi-conducteur (MESFET). Le terme "amplificateur" tel qu'il est utilisé ici désigne essentiellement un circuit destiné à multiplier un signal d'entrée appliqué au circuit par un gain prédéterminé qui est supérieur ou égal à un. La figure 1 est un diagramme schématique illustrant un exemple d'amplificateur réparti 100 réalisé conformément à l'un des aspects de la présente invention. L'amplificateur réparti 100 comporte une pluralité d'étages amplificateurs 120, 130, 140 et 150, chacun des étages amplificateurs comportant une entrée et une sortie. On notera que bien que l'exemple d'amplificateur réparti 100 soit représenté comme ayant quatre étages amplificateurs, la présente invention prévoit qu'un nombre quelconque d'étages amplificateurs puisse être utilisé, conformément aux techniques décrites ici. 6 2834394 Dans l'amplificateur réparti 100, un signal d'entrée est reçu par l'intermédiaire d'une entrée IN de l'amplificateur réparti. L'amplificateur réparti a une impédance d'entrée ZIN, mesurée à l'entrée IN, qui permet à l'amplificateur réparti d'être couplé à une ligne de transmission d'entrée externe (non représentée) ayant une impébance caractéristique qui est sensiblement égale a l'impédance ZN. OU à un circuit ou un étage précédent (non représenté) ayant une impédance de sortie sensiblement égale à l'impédance ZIN. L'impéJance d'entrée peut être de l'ordre de cinquante ohms, par exemple, pour permettre le couplage de l'amplificateur réparti 100 o à une ligne de transmission normalisée à cinquante ohms, bien qu'il soit à noter que l'impédance d'entrée ZIN peut avoir une valeur quelconque souhaitée pouvant être exigée par la ligne de transmission ou le circuit devant être couplé à l'amplificateur réparti 100. De même, dans l'amplificateur réparti 100, un signal de sortie :5 est produit sur une sortie OUT de l'amplificateur réparti 100. A l'amplificateur réparti 100 est associée une impédance de sortie ZOUT mesurée à la sortie OUT, qui permet à l'amplificateur réparti d'être couplé à une ligne de transmission de sortie externe (non représentée) ayant une impédance caractéristique qui est sensiblement égale à l'impédance ZOUT. OU à un circuit o ou un étage suivant (non représenté) ayant une impédance d'entrée sensiblement égale à l'impédance ZOUT A titre d'exemple, I'impédance de sortie peut être d'environ cinquante ohms afin de permettre à l'amplificateur réparti 100 d'être couplé à une ligne de transmission de cinquante ohms normalisée, bien qu'il soit à noter que l'impédance de sortie ZOUT peut être configurée de façon à avoir une valeur quelconque pouvant être exigée par la ligne de transmission ou le circuit devant être couplé à l'amplificateur réparti 100. Les étages amplificateurs 120, 130, 140, 150 de l'amplificateur réparti 100 sont fonctionnellement couplés entre des n_uds ou des so dérivations respectifs sur une ligne de transmission d'entrée 102 et des n_uds correspondants sur une ligne de transmission de sortie 104. A titre d'exemple, dans l'exemple d'amplificateur réparti 100, I'entrce de l'étage amplificateur 120 est couplée à la ligne de transmission d'entrée en un n_ud TAP1 et la sortie de l'étage amplificateur 120 est couplée à la ligne de 3 5 transmission de sortie en un n_ud 122. De même, I'entrée de l'étage amplificateur 130 est couplée à la ligne de transmission d'entrée en un n_ud 7 2834394 TAP2 et la sortie de l'étape amplificateur 130 est couplée à la ligne de transmission de sortie au n_ud 124,1'entrée de l'étage amplificateur 140 est couplée à la ligne de transmission d'entrée au n_ud TAP3 et la sortie de l'étage amplificateur 140 est couplée à la ligne de transmission de sortie en un n_ud 126, et l'entrée de l'étage amplificateur 150 est couplée à la ligne de transmission d'entrée en un n_ud TAP4 et la sortie de l'étage amplificateur est couplée à la ligne de transmission de sortie en un n_ud 128. La ligne de transmission d'entrée 102 et la ligne de transmission de sortie 104 sont de préférence réalisées sous la forme de structures o coplanaires qui conviennent pour un fonctionnement à haute fréquence (par exemple à 75 gigahertz (GHz)). La ligne de transmission d'entrée 102 et la ligne de transmission de sortie 104 ont toutes deux une impéJance de ligne respective qui leur sont associées. On notera que d'autres structures permettant de réaliser les lignes de transmission peuvent également être envisagées conformément à la présente invention, parmi lesquelles, à titre d'exemple, des bobines d'inductance spirales et des bus conducteurs, qui ont chacun une certaine impédance caractéristique qui leur est associée et qui peuvent être réglées de façon sélective de la manière souhaitée. Comme le montre la figure 1, les lignes de transmission 102,104 peuvent comporter des inductances série réparties couplées entre des entrées correspondantes ou des sorties correspondantes de la pluralité d'étages amplificateurs, les inductances L1, L2 et L3 correspondant à la ligne de transmission de sortie 104, et les inductances L4, L5 et L6 correspondant à la ligne de transmission d'entrée 102. Plus précisément, dans l'exemple d'amplificateur réparti 100, I'inductance L4 est représentée comme étant couplée entre les entrées des étages amplificateurs 120 et 130, respectivement en des n_uds TAP1 et TAP2, et l'inductance L1 est couplée entre les sorties des étages amplificateurs 120 et 130 respectivement en des n_uds 122 et 124. De même, I'inductance L5 est couplée entre les entrées des étages amplificateurs 130 et 140, respectivement en des n_uds TAP2 et TAP3, et l'inductance L2 est couplée entre les sorties des étages amplificateurs 130 et , respectivement en des n_uds 124 et 126. L'inductance L6 est couplée entre les entrées d'étages amplificateurs 140 et 150, respectivement en des n_uds TAP3 et TAP4, et l'inductance L3 est couplée entre les sorties des étages amplificateurs 140 et 150, respectivement en des n_uds 126 et 128. 8 2834394 Bien que les inductances série L1 à L6 soient représentées comme étant des impédances purement inductives, chacune de ces impédances comprend plus précisément une résistance de ligne R (non représentée), connectée en série avec une inductance L correspondante, et une capacité de dérivation C (non représentée), connectée entre l'inductance et la masse, qui contribuent à atténuer le signal le long des lignes de transmission 102 et 104. La capacité de la ligne de dérivation sera cependant négligeable par comparaison à une capacité d'entrée et à une capacité de sortie associces à chacun de la pluralité d'étages amplificateurs. La o représentation R-L en série avec une C dérivée est une bonne approximation d'un modèle de ligne de transmission type et est donc traitée en tant que telle aux fins de la présente invention. En faisant varier l'inductance série dans les lignes de transmission 102, 104, on peut fonctionnellement ajuster de la façon souhaitée l'impédance caractéristique des lignes, par exemple pour compenser la capacité d'entrée eVou de sortie des étages amplificateurs. Cependant, on ne peut pas facilement éliminer la résistance série associée aux lignes de transmission, de sorte que l'amplificateur réparti 100 doit être configuré de manière à compenser la perte de signal correspondant à cette résistance série. o La ligne de transmission d'entrée 102 comporte de préférence une impébance de terminaison d'entrée 160 qui est couplée à la ligne de transmission d'entrée. Plus précisément, I'impédance de terminaison d'entrée est couplée entre l'entrée de l'étage amplificateur final 150 en un n_ud TAP4 et une alimentation en tension négative, qui peut être la masse. La valeur de l'impédance de terminaison d'entrée 160 est de préférence sélectionnée de façon à être sensiblement adaptée à une impédance de la ligne de transmission d'entrce 102, qui est généralement d'environ cinquante ohms. De même, la ligne de transmission de sortie 104 comporte de préférence une impédance de terminaison de bouclage 110 qui est couplée à la ligne de transmission de sortie. Plus précisément, I'impédance de terminaison de bouclage 110 est couplée entre la sortie du premier étage amplificateur au n_ud 122 et la masse. La valeur de l'impébance de terminaison de bouclage est de préférence sélectionnée de façon à être sensiblement adaptée à l'impédance de la ligne de transmission de sortie 3 104, qui est ici encore généralement d'environ cinquante ohms. Comme le noteront les spécialistes de la technique, les impédances de terminaison 9 2834394 d'entrée et de bouclage peuvent être purement réactives (inductives eVou capacitives), purement résistives, ou être une combinaison des types résistifs et réactifs, selon les nécessités, afin d'obtenir l'impédance caractéristique souhaitée des lignes de transmission respectives aux points de terminaison respectifs. Une impédance de charge représentée par RLOAD est également représentée sur la figure 1, couplée entre la sortie OUT de l'amplificateur réparti 100 et la masse. Les étages amplificateurs 120, 130, 140 et 150 constituant l'amplificateur réparti 100 sont de préférence réalisés au moyen d'étages à o transconductance, chaque étage à transconductance ayant respectivement une transconductance gm, gm2, gm3 et gm4 déterminée à l'avance, qui lui est associée. Une analyse plus détaillée des étages amplificateurs pouvant être appropriée à une utilisation avec la présente invention pourra par exemple être trouvée dans des textes de Paul R. Gray et al., Analysis and Design of s Analog Integratod Circuits, John Wiley & Sons (2001) et Alan B. Grebene, Bipolar and MOS Analog Integrated Circuit Design, John Wiley & Sons (1984), qui sont cités ici à titre de référence. Par conséquent, on ne fournira pas ci-après de description détaillée des étages amplificateurs. En général, chaque étage amplificateur dans un amplificateur réparti o idéal, est identique aux autres, de sorte que la transconductance (gm) associée à chacun des étages amplificateurs de l'amplificateur réparti icléal sera identique aux autres. La transconductance de chaque étage amplificateur est de préférence sélectionnce de façon à faire en sorte que le gain de chaque étage amplificateur soit égal à un gain A souhaité pour I'amplificateur réparti, divisé par le nombre d'étages amplificateurs n, o n est un entier supérieur ou égal à un. Le signal de sortie produit par un amplificateur réparti classique peut alors être défini approximativement par: Signal de sortie = gm x no.d'étages amplicateurs x RLOAD x Signal d'entrce Comme indiqué précédemment, il se produit une perte de signal répartie associée aux lignes de transmission 102, 104 dans l'amplificateur réparti 100. Cette perte augmente à mesure que le signal d'entrce se propage le long des lignes de transmission de l'entrée IN vers la sortie OUT 3s de l'amplificateur réparti. Par conséquent, le gain effectif de chaque étage amplificateur sera inférieur au gain idéal A/n par étage, si l'on suppose 2834394 qu'aucune compensation n'est utilisée. L'atténuation du signal d'entrée pour un exemple d'amplificateur réparti à six étages est représentée sur la figure 2. La forme d'onde 110 représente le signal d'entrce sur une dérivation T1 qui est l'entrée du premier étage amplificateur, la forme d'onde 220 représente le signal d'entrée sur une dérivation T2 qui est l'entrée du second étage, la forme d'onde 230 représente le signal d'entrée sur une dérivation T3 qui est l'entrée du troisième étage, la forme d'onde 240 représente le signal d'entrée sur la dérivation T4 qui est l'entrée du quatrième étage, la forme d'onde 250 représente le signal d'entrée sur la dérivation T5 qui est l'entrée du cinquième o étage, et la forme d'onde 260 représente le signal d'entrce sur la dérivation T6 qui est l'entrée du sixième étage. Les amplitudes reiatives du signal d'entrée sur les dérivations respectives T1 à T6 le long de la ligne de transmission d'entrée sont également représentées sur la figure 2 par rapport à la dérivation T1. A titre d'exemple, sur la dérivation T2, le signal d'entrée est atténué de 0,8612. Sur la dérivation T6, le signal d'entrée est pratiquement atténué de moitié, à savoir de 0,506. Si l'on se réfère de nouveau à la figure 1, conformément à la présente invention, la transconductance de chacun des étages amplificateurs , 130, 140, 150 de l'amplificateur réparti 100 est sensiblement adaptée à o l'atténuation du signal d'entrée sur la ligne de transmission d'èntrée 102, telle qu'elle est mesurée aux entrces des étages amplificateurs respectifs, afin de compenser les pertes respectives. Ainsi, un étage amplificateur suivant se trouvant plus loin sur la ligne de transmission d'entrée 102 par rapport à l'entrée IN de l'amplificateur réparti 100, aura de préférence une transconductance qui sera supérieure à la transconductance d'un étage amplificateur précédent, de telle sorte que gm comme ayant une arc.hitecture à transconductance biseautée. Bien que la présente invention considère que la transconductance de o chacun des étages amplificateurs puisse également être ajustée afin de compenser l'atténuation du signal sur la ligne de transmission de sortie 104, la perte associée à la ligne de transmission de sortie sera généralement notablement plus faible que sur la ligne de transmission d'entrée 102, étant donné que la perte affectant le signal de sortie, lorsqu'elle est ramenée à s I'entrée de l'étage amplificateur particulier, sera divisée par le gain de l'étage amplificateur. Ainsi, pour simplifier l'explication, seules les transconductances 11 2834394 des étages amplificateurs de l'amplificateur réparti 100 seront ajustées pour compenser l'atténuation du signal d'entrée. Comme les transconductances gm,, gm2, gm3, gm4 correspondant respectivement aux étages amplificateurs 120, 130, 140, 150 ne seront vraisemblablement pas égales les unes aux autres, le gain du signal de sortie pourra être déterminé en utilisant une variante de l'équation mentionnée précédemment. Plus précisément, le signal de sortie produit par liamplificateur réparti 100 sur la sortie OUT peut être approché par l'expression suivante: Signal de sortie = gm1 x gm2 x gm3 x gm4 X RLOAD x Signal d'entrée On notera que si l'on utilisait moins d'étages amplificateurs dans l'amplificateur réparti 100, les transconductances de ces étages supplémentaires n'appara^'traient pas dans l'équation cidessus. De même, si l'on utilisait davantage d'étages amplificateurs, les transconductances de ces étages supplémentaires seraient incluses dans l'équation ci-dessus, comme le noteront les spécialistes de la technique. Comme indiqué précédemment, la transconductance de chaque o étage amplificateur est sélectionnée de façon à produire un gain, dans l'étage amplificateur en question, qui compense sensiblement l'atténuation d'un signal d'entrée telle qu'elle est mesurée à l'entrée de l'étage amplificateur. Il est préférable que la transconductance gm du premier étage amplificateur le plus proche de l'entrée IN de l'amplificateur réparti 100 soit utilisée comme référence pour calculer les transconductances gm2, gm3, gm4 des étages amplificateurs suivants 130, 140, 150 respectifs. La transconductance gm' du premier étage amplificateur 120 est de préférence sélectionnée de façon que le gain du premier étage amplificateur soit sensiblement égal à un gain A souhaité divisé par le nombre total d'étages amplificateurs, qui est de 3 o quatre dans l'exemple d'amplificateur réparti 100, bien que l'on puisse choisir une transconductance quelconque déterminée à l'avance. Comme il n'y aura pratiquement pas de perte de signal à l'entrée TAP1 du premier étage amplificateur 120, il n'est pas nécessaire d'ajuster la transconductance du premier étage pour compenser la perte affectant le signal d'entrée. De ce fait, comme le gain de l'étage amplificateur est directement proportionnel à la 12 2834394 transconductance, la transconductance du premier étage amplificateur 120 est de préférence déterminée sous la forme: A gml X- L'atténuation du signal d'entrée à l'entrée TAP2 du deuxième étage amplificateur 130 peut être déterminée comme étant le rapport du niveau du signal au n_ud TAP2 divisé par le niveau du signal au n_ud TAP1. Cette valeur de l'atténuatiGn sera inférieure à un. Il est à noter que les niveaux o relatifs des signaux d'entrée sur chacun des n_uds respectifs le long de la ligne de transmission d'entrée 102 peuvent être déterminés enutilisant par exemple des techniques d'analyse classiques des réseaux ou des résultats de simulation de réseaux, comme le comprendront les spécialistes de la technique. Une solution peut être déterminée d'une manière qui correspond à un problème classique de division de tension. Une fois que cette valeur d'atténuation a été déterminée, la transconductance du deuxième étage amplificateur 130 est de préférence augmentée de façon correspondante afin de compenser sensiblement l'atténuation du signal d'entrée. De ce fait, la transconductance gm2 du deuxIème étage amplificateur 130 de l'amplificateur réparti 100 est de préférence déterminée sous la forme: g _gml 2 - 7 o T2 est l'atténuation du signal d'entrée au n_ud TAP2. Les transconductances des étages amplificateurs restants 140, 150 peuvent de même être déterminées sous la forme: g =gml m3 T3 3 0 g 4 = gml o T3 et T4 sont respectivement les atténuations du signal d'entrée aux n_uds TAP3 et TAP4. Si l'on suppose que des dispositifs semi-conducteurs à oxyde de 3 5 métal (MOS) sont utilisés dans l'amplificateur réparti 100, la transconductance d'un étage amplificateur particulier peut être amenée à 13 2834394 varier sélectivement, par exemple en faisant varier la largeur W d'un ou plusieurs transistors d'entrée que comporte l'étage amplificateur tout en maintenant constante une longueur L des transistors d'entrée, afin de faire cro'^tre ainsi le rapport W/L du transistor particulier. De ce fait, en augmentant la largeur des transistors d'entrée dans un étage d'amplificateur donné, on fait cro^tre de façon proportionnelle la transconductance de cet étage. La transconductance d'un étage amplificateur peut également être modifiée en utilisant d'autres techniques appropriées, par exemple en faisant varier un courant de repos dans les transistors d'entrée constituant l'étage o amplificateur. Comme indiqué précédemment, les techniques de la présente invention ne sont pas limitées à un processus de fabrication de type MOS. Par contre, la présente invention peut être utilisée avec d'autres processus utilisant des semi-conducteurs, parmi lesquels, sans aucune limitation, des techniques de fabrication de transistors bipolaires et MESFET. A titre d'exemple, dans un processus de fabrication de transistor bipolaire, la transconductance des transistors d'entrée est généralement définie par l'approximation vc, o Ic est le courant de collecteur dans les transistors et VT est la tension thermique des transistors, qui est généralement d'environ 26 millivolts (mV) à 300 degrés Kelvin. Par conséquent, on peut faire varier la o transconductance bipolaire par exemple en faisant varier le courant de collecteur /c dans les transistors ou la superficie de l'émetteur des transistors, comme le noteront les spécialistes de la technique. Conformément aux techniques de la présente invention, la transconductance de chacun des étages amplificateurs est de préférence comparée aux atténuations relatives du signal d'entrée aux entrées des étages amplificateurs respectifs. Comme indiqué précédemment, comme l'atténuation relative du signal d'entrée cro^'t à mesure que le signal se propage le long de la ligne de transmission d'entrée 102 de l'entrée IN à la sortie OUT de l'amplificateur réparti 100, la transconductance de chaque étage amplificateur successif le long de la ligne de transmission d'entrée est fonction nell ement a menée à cro^'tre afi n d e co m pen ser la perte correspondante affectant le signal, de telle manière que le gain effectif à la sortie de chaque étage amplificateur soit sensiblement adapté au gain idéal A/n si les pertes affectant la ligne de transmission n'étaient pas présentes, o s A est le gain souhaité de l'amplificateur réparti et n est le nombre d'étages amplificateurs dans l'amplificateur réparti. 14 2834394 On notera qu'il n'est pas nécessaire que chaque étage amplificateur de l'amplificateur réparti 100 soit configuré de la manière décrite cidessus. En effet, un sous-ensemble comprenant un ou plusieurs étages amplificateurs de l'amplificateur réparti peut être configuré de la manière ainsi décrite mais néanmoins permettre d'atteindre au moins certains des objectifs et des avantages de la présente invention. Bien que l'on ait décrit ici des modes de réalisation proposés à titre d'illustration de la présente invention en se référant aux dessins annexés, on notera que l'invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation particuliers, o et que divers autres changements et modifications peuvent être réalisés par une personne compétente dans ce domaine sans qu'elle s'écarte du cadre de la présente invention. La présente invention vise un amplificateur réparti, caractérisé en ce qu'il comporte: une ligne de transmission d'entrée, la ligne de transmission d'entrée formant une entrée de l'amplificateur réparti et ayant une impédance caractéristique qui lui est associée; une ligne de transmission de sortie, la ligne de transmission de sortie formant une sortie de l'amplificateur réparti et ayant une impédance o caractéristique qui lui est associée, et une pluralité d'étages amplificateurs, chacun d'au moins un sous- ensemble des étages amplificateurs comportant une entrée et une sortie, I'entrée de chaque étage amplificateur du sous-ensemble étant fonctionnellement couplée à la ligne de transmission d'entrée et la sortie de chaque étage amplificateur du sous-ensemble étant fonctionnellement couplée à la ligne de transmission de sortie, chaque étage amplificateur du sous-ensemble ayant une transconductance qui lui est associce et qui est fonctionnellement configurée de façon à produire dans l'étage amplificateur un gain qui compense sensiblement une atténuation d'un signal d'entrée à I'entrée respective de l'étage amplificateur. Suivant un perfectionnement, chaque étage amplificateur de l'amplificateur réparti a une transconductance gm',gm2,gm3,gm4 qui lui est associée et qui est fonctionnellement configurée de façon à produire dans l'étage amplificateur un gain qui compense sensiblement l'atténuation d'un signal d'entrée à l'entrée respective de l'étage amplificateur. 2834394 Suivant un perfectionnement, chacune des inductances L,,L2,L3,L4,L5,L6 étant fonctionnellement couplée en série à la ligne 102 de transmission d'entrée entre les entrées de deux étages amplificateurs adjacents et étant couplée en série avec la ligne 104 de transmission de sortie entre les sorties de deux étages amplificateurs adjacents. Suivant un perfectionnement, au moins l'une de la pluralité d'inductances est fonctionnellement configurée de façon à avoir une inductance qui est sensiblement adaptée à l'une (i) d'une capacité d'entree d'un étage amplificateur correspondant; et (ii) d'une capacité de sortie d'un o étage amplificateur correspondant. Suivant un perfectionnement, la transconductance de chaque étage amplificateur du sous-ensemble est configurée en ajustant sélectivement au moins l'un (i) d'un rapport largeur-longueur (W/L) d'au moins un transistor de l'étage amplificateur respectif; (ii) d'une superficie d'émetteur d'au moins un transistor dans l'étage amplificateur respectif; et (iii) d'un courant dans au moins un transistor de l'étage amplificateur respectif. Suivant un perfectionnement, au moins un étage amplificateur de la pluralité d'étages amplificateurs est fonctionnellement configuré de façon qu'un gain de cet au moins un étage amplificateur compense sensiblement o l'atténuation d'un signal de sortie sur la ligne de transmission de sortie à la sortie de cet au moins un étage amplificateur. 16 2834394 REVENDICATIONS 1. Amplificateur (100) réparti, caractérisé en ce qu'il comporte: une ligne de transmission d'entrée, la ligne de transmission d'entrée formant une entrée de l'amplificateur réparti et ayant une impédance caractéristique qui lui est associée; une ligne de transmission de sortie, la ligne de transmission de sortie formant une sortie de l'amplificateur réparti et ayant une impédance caractéristique qui lui est associée; et une pluralité d'étages amplificateurs (120,130,140,150), chacun d'au o moins un sous-ensemble des étages amplificateurs comportant une entrée et une sortie, I'entrce de chaque étage amplificateur du sous-ensemble étant fonctionnellement couplée à la ligne (102) de transmission d'entrée et la sortie de chaque étage amplificateur du sous-ensemble étant fonctionnellement couplée à la ligne (104) de transmission de sortie, chaque étage amplificateur du sous-ensemble ayant une transconductance qui lui est associée et qui est fonctionnellement configurée de façon à produire dans l'étage amplificateur un gain qui compense sensiblement une atténuation d'un signal d'entrée à l'entrée respective de l'étage amplificateur. o 2. Amplificateur réparti suivant la revendication 1, caractérisé en ce que chaque étage amplificateur de l'amplificateur réparti a une transconductance (gm',gm2,gm3,gm4) qui lui est associée et qui est fonctionnellement configurée de façon à produire dans l'étage amplificateur un gain qui compense sensiblement une atténuation d'un signal d'entrée à s I'entrce respective de l'étage amplificateur. 3. Amplificateur réparti suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une pluralité d'inductances (L',L2,L3,L4,L5,L6) chacune des inductances étant fonctionnellement couplée en série à la ligne (102) de o transmission d'entrée entre les entrées de deux étages amplificateurs 17 2834394 adjacents et étant couplée en série avec la ligne (104) de transmission de sortie entre les sorties de deux étages amplificateurs adjacents. 4. Amplificateur réparti suivant la revendication 3, caractérisé en ce qu'au moins l'une de la pluralité d'inductances est fonctionnellement configurée de façon à avoir une inductance qui est sensiblement adaptée à l'une (i) d'une capacité d'entrée d'un étage amplificateur correspondant; et (ii) d'une capacité de sortie d'un étage amplificateur correspondant. 5. Amplificateur réparti suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la transconductance de chaque étage amplificateur du sous-ensemble est configurée en ajustant sélectivement au moins l'un (i) d'un rapport largeur longueur (W/L) d'au moins un transistor de l'étage amplificateur respectif; (ii) d'une superficie d'émetteur d'au moins un transistor dans l'étage amplificateur respectif; et (iii) d'un courant dans au moins un transistor de l'étage amplificateur respectif. 6. Amplificateur réparti suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins un étage amplificateur de la pluralité d'étages amplificateurs est so fonctionnellement configuré de façon qu'un gain de cet au moins un étage amplificateur compense sensiblement l'atténuation d'un signal de sortie sur la ligne (104) de transmission de sortie à la sortie de cet au moins un étage amplificateur. 7. Procedé de formation d'un amplificateur réparti comportant une pluralité d'étages amplificateurs, chacun d'au moins un sous-ensemble des étages amplificateurs ayant une transconductance qui lui est associée et comportant une entrée et une sortie, I'entrée de chaque étage amplificateur du sous- ensemble étant fonctionnellement couplée à une ligne de transmission d'entrée, la sortie de chaque étage amplificateur du sous-ensemble étant fonctionnellement couplée à une ligne de transmission de sortie, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes consistant à: déterminer une atténuation d'un signal d'entrée aux entrées respectives de chaque étage amplificateur du sous-ensemble; et 3 sélectionner les transconductances des étages amplificateurs du sous-ensemble de telle façon qu'un gain de chaque étage amplificateur du 18 2834394 sous-ensemble compense sensiblement une atténuation d'un signal d'entrce sur la ligne de transmission d'entrée à l'entrée respective de l'étage amplificateur. 8. Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape consistant à: sélectionner la transconductance d'au moins un étage amplificateur de la pluralité d'étages amplificateurs de telle façon qu'un gain de cet au moins un étage amplificateur compense sensiblement l'atténuation o d'un signal de sortie sur la ligne de transmission de sortie à la sortie respective de cet au moins un étage amplificateur. 9. Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape consistant à: s configurer la ligne de transmission d'entrée de telle façon qu'une impédance caractéristique de la ligne de transmission d'entrée compense sensiblement une capacité d'entrée associée à au moins l'un de la pluralité d'étages amplificateurs. o 10. Circuit intégré comportant au moins un amplificateur réparti, cet au moins un amplificateur réparti étant caractérisé en ce qu'il comprend: une ligne de transmission d'entrée, la ligne de transmission d'entrée formant une entrce de l'amplificateur réparti et ayant une impédance s caractéristique qui lui est associée; une ligne de transmission de sortie, la ligne de transmiss,on de sortie formant une sortie de l'amplificateur réparti et ayant une impédance caractéristique qui lui est associée; et une pluralité d'étages amplificateurs, chacun des étages amplificateurs comportant une entrée et une sortie, I'entrce de chaque étage amplificateur étant fonctionnellement couplée à la ligne de transmission d'entrée et la sortie de chaque étage amplificateur étant fonctionnement couplée à la ligne de transmission de sortie, chaque étage amplificateur dans au moins un sous-ensemble des étages amplificateurs ayant une s transconductance qui lui est associce et qui est fonctionnellement configurée de façon à produire dans l'étage amplificateur un gain qui compense 19 2834394 sensiblement une attenuation d'un signal d'entrée à l'entrée respective de