FR 2843462 A1 20040213 FR 0209998 A 20020806 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE MATRICE ACTIVE, DISPOSITIFS DE VISUALISATION ELECTRO-OPTIQUES ET MASQUE CORRESPONDANTS La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication de matrices actives pour dispositifs de visualisation électro-optiques. Elle s'applique plus particulièrement à la fabrication d'écrans plats haute densité. Elle s'applique plus généralement à des afficheurs matriciels utilisés en 10 vision directe ou en projection. De façon simplifiée, un dispositif de visualisation à matrice active comprend des cellules disposées selon un réseau croisé de lignes et de colonnes, chaque cellule comprenant un élément pixel associé à un commutateur électronique formé par un élément actif, transistor ou diode, 15 relié électriquement à une colonne du réseau et qui relie l'élément pixel à une ligne du réseau. Ces cellules sont toutes identiques. Elles sont obtenues à partir du même dessin à chaque niveau de fabrication. Ces cellules forment la zone active du circuit de matrice. Des circuits de contrôle et d'adressage des lignes et colonnes de la matrice sont disposés en périphérie. Ces circuits 20 forment la zone périphérique de la matrice. La zone active des matrices actives pour des écrans haute densité ayant une surface importante, bien supérieure à la dimension des champs d'insolation, leur fabrication nécessite l'utilisation d'un photorépéteur (stepper dans la littérature anglo-saxonne) pour reporter et insoler plusieurs 25 fois le même masque ou réticule, par lequel les motifs des cellules sont formés. Dans un exemple typique, pour la réalisation d'un écran de visualisation de 600 lignes par 600 lignes, on reporte neuf fois le même masque pour couvrir toute la surface de la zone active. Sur la figure la, on a représenté une dalle de verre 1 sur laquelle 30 on réalise quatre écrans de visualisation E1 à E4. Le masque de zone active est reporté neuf fois pour chaque écran, correspondant sur la dalle aux champs insolés marqués ZA, pour Zone Active. Dans cet exemple, la zone périphérique est obtenue au moyen de quatre masques de périphérie: les champs insolés correspondants sont marqués T-B pour "Top-Bottom", 35 correspondant à la partie périphérique de contrôle des colonnes; RL pour "Right-Left", correspondant à la partie périphérique de contrôle des lignes de la matrice et C-T (pour Coin-Top) et C-B (pour Coin-Bottom) correspondants respectivement aux coins supérieurs et inférieurs dans la zone périphérique des écrans. Les écrans sont ensuite séparés. En pratique, on a un empilement de couches conductrices et de 5 couches isolantes pour réaliser une cellule de matrice active. Pour chacun des niveaux de fabrication, on a un jeu de masques avec des dessins correspondant au niveau concerné. Si on prend l'exemple d'une cellule de matrice active à transistors à couches minces, ou transistors TFT, représentée en vue de dessus sur la figure lb et en coupes longitudinales o10 selon A1l-A2, A2-A3 et A3-A4 sur les figures lc à le, les couches conductrices comprennent différentes couches métalliques, par exemple une couche a de titane-molybdène (TiMo) pour les lignes de sélection et les grilles des transistors, une couche b de molybdène (Moly) pour les sources et drains des transistors et les colonnes de la matrice, une couche c 15 transparente d'oxyde d'étain et d'indium (ITO) pour les électrodes pixel et des couches minces d, e de semi-conducteur (silicium amorphe intrinsèque, dopé n+,...) pour le canal des transistors. Il y a aussi différentes couches d'isolant f, g (nitrure,....) sur lesquelles on vient notamment graver des contacts de périphérie. Pour chacune de ces couches, on a un dépôt d'une 20 couche du matériau, suivi d'une couche de résine photosensible, puis photoinsolation au travers d'un masque ou réticule, révélation (développement) et gravure. A chacune de ces couches correspond donc un niveau de masquage, avec un jeu de masques correspondant. Dans l'exemple illustré sur la figure 1.b, on a ainsi six niveaux de masquage, auquel se rajoute 25 généralement un septième niveau, correspondant à une couche opaque isolante (organique) que l'on vient graver par dessus la couche d'isolant g, pour servir de masque optique " LBL" (Light Blocking Layer) au-dessus de chaque transistor (figure lb). Ces masques sont formés sur un ou plusieurs réticules, en fonction de la place disponible sur ces réticules et des règles de 30 dessin applicables. Pour le niveau de fabrication représenté sur la figure la, on utilise par exemple le jeu de masques [M-ZA, M-TB, M-RL, M-c] illustré sur la figure 1f, et qui est réalisé sur trois réticules rl, r2 et r3. Le masque de coin M-c regroupe les dessins pour le coin supérieur et le coin inférieur correspondant aux champs insolés C-T et C-B sur la figure la. Une 35 particularité du masque de la zone active, est qu'il est formé d'un dessin de motifs identiques, répartis selon un réseau croisé de lignes et de colonnes, chaque motif correspondant à une cellule de la matrice. Dans une étape d'insolation des dessins ou motifs de la zone active, le même masque M-ZA est ainsi reporté successivement plusieurs 5 fois, neuf fois dans l'exemple illustré, de façon à couvrir toute la surface de la zone active. Ce report se fait bord à bord, le long des lignes et des colonnes. Il se fait avec une certaine imprécision correspondant à la tolérance de positionnement du photo-répéteur utilisé et aux défauts liés à la photoinsolation. Ce sont notamment les effets de bord, de grandissement, 10 d'aberration optique, de rotation ou de désalignement en X et en Y du masque. Ces défauts sont variables d'un champ d'insolation à l'autre. Ils se traduisent par des imprécisions dans la reproduction de l'image ou du dessin au niveau de la frontière ou jonction entre deux champs d'insolation successifs. C'est le défaut dit de "stepper pattern" qui agit sur les qualités 15 électro-optiques du dispositif de visualisation. Ce défaut correspond à l'impact visuel d'une variation des couplages capacitifs parasites des cellules de la matrice situées à la frontière entre deux champs d'insolation successifs. Par exemple, dans le cas d'une matrice active à transistors à couches minces ou transistors TFT, il y a des couplages parasites entre la grille 20 (ligne), la source (colonne) et l'électrode pixel ou le drain. Ces couplages sont sensibles aux défauts des dessins des grilles, des couches semiconductrices, des colonnes et des drains des transistors TFT et des électrodes pixel. Le long de la frontière entre deux champs d'insolation, ces couplages peuvent avoir des valeurs qui s'écartent de la valeur moyenne des 25 couplages à l'intérieur même des champs d'insolation. Pour un écran sans défaut dit de " stepper pattern ", la valeur des couplages est uniforme sur toute la surface de l'écran. La variation des valeurs des couplages entre deux zones d'insolation due aux désalignements des dessins insolés sur la matrice agit sur la luminance des 30 pixels concernés le long des frontières entre les différentes zones d'insolation. La tension réelle appliquée aux bornes des éléments pixels correspondants va donc être différente le long de ces frontières, ce qui va se voir visuellement: c'est le stepper pattern. Si on applique une tension V aux bornes E et CE d'un élément 35 pixel tel que schématiquement représenté sur la figure 2b, dans le cas d'un effet cristal liquide TN (Twisted Nematic), la luminance est très sensible à l'amplitude de cette tension. Comme illustré sur la figure 2a qui représente une courbe de luminance en fonction de l'amplitude de la tension, L=f(V), c'est dans la zone des niveaux de gris que la variation est très importante. 5 Ainsi, avec des champs insolés selon l'état de la technique, on obtient une courbe de luminance sur la zone active qui est discontinue: au passage des frontières d'insolation, elle ne se raccorde pas. Cette cassure se traduit en pratique par une difficulté à restituer correctement les niveaux de gris. Sur un écran de visualisation, on peut ainsi observer visuellement les jonctions entre 10 les différents champs d'insolation de la zone active, comme illustré sur la figure 3a, d à des discontinuités de la courbe de luminance, par exemple du type représenté sur la figure 3b, selon l'axe des x. La qualité visuelle est donc dégradée. On connaît un procédé selon lequel, pour réduire les effets des 15 erreurs de positionnement des masques, les frontières entre les champs d'insolation sont déplacées d'un niveau d'insolation à un autre. En d'autres termes, les frontières ne sont pas reproduites aux mêmes endroits d'un niveau à l'autre. Ce faisant, on répartit les effets électro-optiques dus aux erreurs de positionnement en faisant glisser les frontières d'insolation sur la 20 surface de la matrice, au lieu de les placer toujours au même endroit. Dans l'invention, on a cherché une autre solution pour réduire de façon efficace les effets néfastes dus aux reports successifs du masque de zone active. Dans l'invention, on a cherché un procédé de fabrication de 25 matrice active qui permette d'améliorer de façon significative la qualité visuelle des écrans de visualisation. L'idée à la base de l'invention est de reporter le masque de zone active de manière à ce qu'il existe une zone de recouvrement non nulle entre deux champs d'insolation successifs. Si on insole une première fois une 30 partie de la zone active de la matrice, on positionne le masque pour l'insolation suivante de façon à recouvrir le premier champ insolé sur une certaine largeur, correspondant à la largeur d'une zone périphérique définie sur le masque. Dans cette zone périphérique du masque, le dessin à réaliser est incomplet ou flou. Un masque (ou réticule) d'une matrice active peut se décrire comme un quadrillage, dans lequel chaque croisement d'une ligne et d'une colonne, est un point, un dot selon la terminologie anglo-saxonne, qui correspond à une cellule de matrice active. Ce point est en réalité un motif 5 élémentaire du dessin (positif ou négatif) à réaliser sur une cellule pour un niveau de gravure considéré. On a ainsi un dessin de motifs identiques disposés selon un réseau croisé de lignes et de colonnes, qui correspond au réseau croisé de lignes et de colonnes de la matrice. Selon l'invention, on définit sur ce masque une zone centrale et 10 une zone périphérique. Le motif élémentaire est dessiné en chacun des points de la zone centrale du masque. Dans la zone périphérique, ce motif n'est pas dessiné en certains points, ces points étant répartis d'une façon aléatoire ou pseudo aléatoire. On reporte le masque ainsi défini en faisant se recouvrir la zone 15 périphérique entre deux champs d'insolation successifs. Chaque insolation apporte ainsi une partie des motifs dans les zones de recouvrement sur la matrice. De préférence, chaque insolation amène la même densité de motifs. Au final, le dessin des motifs dans les zones de recouvrement se complète. Dans les zones de recouvrement sur la matrice active, on a une répartition 20 spatiale aléatoire des motifs apportés par les différentes insolations correspondant à la répartition aléatoire des points sans motifs entre les différentes parties de la zone périphérique du masque. Par cette méthode d'insolation, on n'a plus une frontière nette entre deux champs d'insolation, correspondant à un report bord à bord, 25 comme dans l'état de la technique, mais au contraire une frontière floue due à la largeur de la zone de recouvrement, et au caractère aléatoire ou pseudo-aléatoire de la répartition spatiale des motifs dans cette zone. Le procédé de recouvrement selon l'invention s'applique notamment aux couches qui jouent un rôle direct dans les problèmes 30 précités. Dans un exemple de matrice active à transistors TFT, comme illustré sur la figure lb, il s'applique notamment aux trois niveaux de masquage des couches b, d et e, et c correspondant respectivement aux colonnes, aux canaux des transistors TFT et aux électrodes pixel (ITO). De façon plus générale, ce procédé peut être appliqué à chacun des niveaux de masquage de la matrice active, par exemple aux sept niveaux détaillés en référence à la figure 1 b. Telle que revendiquée, I'invention concerne donc un procédé de fabrication d'une matrice active comprenant une zone active comportant un 5 ensemble de cellules disposées selon un réseau de lignes et de colonnes, ledit procédé comprenant au moins une étape de dépôt d'une couche d'un matériau et de réalisation d'un motif sur cette couche au moyen d'un masque reporté plusieurs fois sur la zone active, de façon à réaliser des champs d'insolation successifs couvrant l'ensemble de cette zone, caractérisé en ce 10 qu'il existe une zone de recouvrement non nulle entre deux champs d'insolation successifs, chaque insolation apportant une partie des motifs dans cette zone. Selon un aspect de l'invention, dans une zone de recouvrement de champs, les motifs à réaliser sont amenés par au moins deux insolations 15 du masque de zone active, les motifs de la zone de recouvrement étant répartis entre les différentes insolations de manière aléatoire ou pseudoaléatoire. De préférence, les étapes d'insolation du masque de zone active dans la zone de recouvrement amènent chacune sensiblement la même 20 densité de motifs, selon une répartition des motifs complémentaire. L'invention concerne aussi un dispositif de visualisation ou de détection électro-optique à matrice active obtenue selon un tel procédé. L'invention concerne aussi un masque pour insoler un dessin formé de motifs identiques disposés selon un réseau croisé de lignes et de 25 colonnes, chaque motif étant dessiné au point d'intersection d'une ligne et d'une colonne, caractérisé en ce que ledit masque comprend une partie périphérique autour d'une zone centrale, et en ce que le dessin est incomplet dans la zone périphérique, certains des motifs n'étant pas réalisés en certains points de cette zone. Selon un aspect de l'invention, la zone périphérique comprend une partie latérale gauche, une partie latérale droite, une partie supérieure et une partie inférieure, lesdites parties ayant en commun deux à deux un coin parmi les quatre coins du masque, caractérisé en ce que la répartition des points sans motifs dans la zone périphérique est telle que les parties 35 latérales gauche et droite, respectivement supérieure et inférieure, sont complémentaires, le dessin de l'une étant le négatif de l'autre en dehors des coins, et en ce que les quatre coins sont complémentaires. Selon un autre aspect de l'invention, la répartition des points sans motifs entre les parties complémentaires entre elles, est aléatoire ou pseudo5 aléatoire. De préférence, la répartition des points sans motifs dans cette zone périphérique du masque est effectuée en fonction du mode d'adressage des lignes et/ou des colonnes du dispositif de visualisation. Selon un autre aspect de l'invention, pour des dispositifs de 10 visualisation couleur, la répartition des points sans motifs dans cette zone périphérique du masque est effectuée en fonction de la structure des filtres colorés sur la matrice active. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront 15 plus clairement à la lecture de la description qui suit, faite à titre indicatif et non limitatif de l'invention et en référence aux dessins annexés, dans lesquels: - les figures 1 a à 1 f déjà décrites représentent des champs insolés en zones active et périphérique d'écrans à matrice active, des vues de 20 dessus et en coupe longitudinale d'une cellule de matrice active à transistors à couches minces TFT et des masques utilisés selon des procédés de fabrication connus; - les figures 2a et 2b déjà décrites représentent respectivement un schéma d'un élément pixel et une courbe de luminance de cet élément 25 pixel en fonction de l'amplitude de la tension V réelle appliquée aux bornes de l'élément pixel, - les figures 3a et 3b déjà décrites représentent le défaut dit de stepper-pattern tel qu'on peut l'observer (fig.3a) sur un dispositif de visualisation obtenu selon un procédé de l'état de la technique d à des 30 discontinuités dans la courbe de luminance au niveau des frontières (fig.3b), - la figure 4 représente un schéma de principe d'un procédé d'insolation par recouvrement de champs selon l'invention, - la figure 5 illustre de façon schématique les champs d'insolation réalisés selon l'invention sur un niveau donné d'une matrice active, - la figure 6 est une image d'un masque de zone active selon l'invention, - la figure 7 illustre le principe de réalisation de masques d'insolation selon l'invention, - les figures 8a à 8d représentent des échantillons des parties respectivement supérieure, inférieure, latérale droite et de coin supérieur droit de la zone périphérique d'un masque de zone active selon l'invention, destiné à la fabrication d'une matrice active comprenant une structure de filtres colorés de type "Stripe", - les figures 9a et 9b représentent schématiquement une structure de filtres colorés de type "Quad". - les figures 10 Oa à 10Od représentent schématiquement des réticules pour matrice active associés à un niveau de fabrication donné, sur lesquels sont dessinés les différents masques nécessaires pour couvrir la 15 zone active et la périphérie selon un procédé conforme à l'invention, - la figure 11 montre les champs insolés correspondants sur la matrice active, - les figures 12a à 12c montrent un autre exemple de jeu de réticules par lesquels on peut mettre en oeuvre l'invention, et - la figure 13 montre les champs insolés correspondants sur la matrice active. Le principe d'insolation selon l'invention est illustré sur la figure 4, qui montre une zone de recouvrement ZR de largeur F de deux champs d'insolation INS1 et INS2,. Ces champs d'insolation ont été obtenus à partir 25 d'un masque, pour reproduire un motif m identique en chaque point de la matrice active. Dans chaque champ d'insolation on a une zone dans laquelle tous les motifs m sont réalisés, et une zone en périphérie, dans laquelle certains motifs seulement sont réalisés. On réalise une première insolation du 30 masque, qui donne un premier champ d'insolation INS1. On réalise une deuxième insolation du même masque, en plaçant le masque de façon à ce que la zone périphérique du masque vienne en superposition sur la zone périphérique du champ précédemment insolé. Sur la figure, on a représenté la limite latérale droite L1 de l'insolation. On vient superposer à la partie 35 périphérique latérale droite du premier champ INS1, la partie périphérique latérale gauche du masque, pour réaliser le deuxième champ d'insolation INS2. La zone de recouvrement ZR sur la matrice active, est ainsi délimitée à droite par la limite d'insolation Ll1 du premier champ, et à gauche par la limite d'insolation L12 du deuxième champ INS2. Dans cette zone de recouvrement, 5 on a des motifs m amenés par la première insolation, indiqués en moucheté sur la figure, et des motifs m amenés par la deuxième insolation, indiqués en rayé. Cette zone de recouvrement a une largeur F. Dans un exemple pratique, pour une matrice active de 600 par 600, la largeur de la zone de recouvrement peut correspondre à une vingtaine de lignes (parties 10 périphériques supérieure et inférieure) ou de colonnes (parties périphériques latérales). De préférence, pour favoriser la continuité des motifs dans la zone de recouvrement, par exemple pour assurer la continuité des lignes I sur la figure 4, on utilise une technique de raccordement dite de "stitchin'g" utilisée 15 habituellement sur les bords des masques. Cette technique consiste à dépasser un peu certaines des cotes réelles de certains motifs dans le dessin du masque, pour compenser les erreurs de repositionnement dans la zone de recouvrement. Le masque étant insolé deux fois dans cette zone de recouvrement, après développement sur la dalle de matrice active, on a les 20 mêmes cotes partout. Sur la figure 5, on a représenté schématiquement des champs d'insolation CH1, CH2 obtenus sur un niveau de masquage de matrice active selon l'invention. Les zones de recouvrement sont indiquées en rayé sur la figure. Pour un champ d'insolation donné, CH1 par exemple, les zones de 25 recouvrement comprennent les parties périphériques, autour de la zone centrale zc, à savoir, les parties latérales gauche zi et droite zr, et les parties supérieure zt et inférieure zb, ces parties ayant en commun deux à deux un des quatre coins cl, c2, c3, c4 du champ. Dans la zone centrale, la densité de motifs amenée par une insolation est de 1, dans les zones de 30 recouvrement, elle est inférieure. Le masque de zone active a été reporté 9 fois dans cet exemple, en recouvrant à chaque fois une zone du champ d'insolation précédent. Sur les bords de la matrice active, différentes techniques de recouvrement peuvent être utilisées, pour amener les motifs manquants. On peut par exemple prévoir des masques supplémentaires pour les bords, ou utiliser au moins certains des masques des circuits périphériques, comme on le détaillera plus loin. La figure 6 montre l'image d'un masque d'insolation selon l'invention. C'est habituellement une plaque de verre, sur laquelle du chrome 5 a été déposé puis gravé. Dans l'exemple, les zones ou points noirs, o le chrome n'a pas été enlevé, sont les zones ou points sans motifs. La zone centrale M-zc apparaît ainsi entièrement blanche. Dans la zone périphérique M-zp, tout autour de la zone centrale, il manque des motifs. Cette zone périphérique M-zp comprend des parties latérales gauche M-zl et droite M-zr 10 et des parties supérieure M-zt et inférieure (M-zb). Ces parties ont en commun deux à deux un coin parmi les quatre coins du masque M-c1, M-c2, M-c3, M-c4. Dans cette zone périphérique, les points noirs, sans motifs, sont répartis aléatoirement ou pseudo-aléatoirement entre les différentes parties 15 de la zone périphérique. Sur la figure 7, on a détaillé un échantillon de dessin du masque, qui correspond à une bande centrale longitudinale de ce masque. Le réseau croisé de lignes et de colonnes correspond à celui de la matrice active. Il constitue la trame de dessin du masque. En chacun des points d'intersection, 20 ou points pi, on a normalement un motif m de cellule, qui correspond au niveau de masquage concerné. Dans l'exemple, ce motif m est représenté sous la forme d'un rond plein. Dans la zone centrale M-zc, on a un motif sur chaque point. Dans les partie périphériques à gauche Mzl et à droite M-zr, il y a des points sans motifs, tels que Pa, Pb. Le dessin de ces parties M-zl et M-zr est tel que si on les superposent, les motifs se complètent. Si on reprend la figure 5, on comprend que dans les zones de recouvrement, en dehors des coins, l'ensemble des motifs m est amené par deux insolations, une insolation d'une partie périphérique du masque, et une autre insolation de la partie 30 périphérique opposée du masque: ces parties sont complémentaires. Dans chaque coin, les motifs sont amenés par quatre insolations du masque, par chacun des coins du masque. Ainsi, les dessins des coins se complètent. En dehors des coins, les parties périphériques du masque latérales gauche et droite, respectivement supérieure et inférieure sont complémentaires deux à 35 deux: le dessin de l'une est le négatif de l'autre, en dehors des coins. De préférence, on prévoit que ces parties ont chacune une densité de motif sensiblement égale à 1/2, et à 1/4 dans les coins du masque. Ainsi dans une zone de recouvrement, la contribution de chaque insolation à la construction du dessin complet est sensiblement égale. De préférence la fonction de répartition aléatoire des points sans motifs sur les parties périphériques du masque suit une loi de croissance ou décroissance selon les lignes (parties latérales) et les colonnes (parties supérieure et inférieure). Visuellement cela se traduit par un dégradé dans la répartition des points noirs: dégradé vertical pour les parties supérieure et 10 inférieure, horizontal pour les parties latérales de la zone floue et dégradé vertical et horizontal dans les coins. Partant de l'extérieur du masque vers la zone centrale, on a ainsi de moins en moins de points sans motifs. Cela est très visible sur la figure 6: aux abords de la zone centrale, les points sans motifs sont peu nombreux, ce qui se traduit visuellement par un moucheté 15 noir. Plus on approche des bords extérieurs du masque, plus les points sans motifs sont nombreux, ce qui se traduit visuellement par un moucheté blanc. De préférence, on prévoit que cette fonction de répartition aléatoire des points sans motifs est une fonction décroissante ( ou croissante) selon les lignes ou les colonnes. Si on applique par exemple une fonction de 20 croissance linéaire, dans les parties périphériques supérieure et inférieure, sur la première ligne jouxtant la zone centrale, il manquera par exemple un motif, sur la deuxième il en manquera deux, sur la troisième il en manquera 3,...(dégradé vertical). Dans les parties périphériques latérales gauche et droite, c'est un dégradé horizontal, comme illustré sur la figure 7. D'autres 25 fonctions de décroissance peuvent être appliquées. Dans le cas d'une matrice active avec une structure de filtres colorés, la fonction de répartition aléatoire des points sans motifs tient compte de préférence de l'arrangement des filtres colorés sur la matrice. En effet, selon le filtre coloré associé, un élément pixel d'une cellule aura une 30 luminance différente. Par exemple, on sait que les éléments pixels associés à un filtre vert sont beaucoup plus lumineux que ceux associés à un filtre rouge ou bleu. Si on enlève trop de motifs de cellules associées à une même couleur de filtre, on risque de dégrader les performances électro-optique du dispositif de visualisation. Prenons par exemple la partie périphérique 35 latérale droite du masque. Supposons que la fonction de répartition appliquée dans cette partie se traduise par principalement ne pas réaliser des motifs de cellules associées sur la matrice à des filtres verts. Les motifs de ces cellules "vertes" sont apportés par une autre insolation du masque, par la partie périphérique latérale gauche complémentaire. En procédant 5 ainsi, on risque fort de voir apparaître une différence de luminance dans cette zone de la matrice active par rapport au reste de l'écran. Ainsi, dans l'invention, on prévoit de préférence de répartir les points sans motifs sur la zone périphérique du masque en sorte que dans les motifs amenés par une insolation du masque, il manque autant de motifs de 10 cellules dans chaque couleur. De cette façon on obtient des qualités visuelles cosmétiques optimum. Si on prend une matrice active comprenant une structure de filtres colorés de type "stripe". Dans une matrice ayant une telle structure de filtres, un point image comprend trois éléments pixels placés consécutivement sur 15 la même ligne, avec un élément pixel associé à un filtre rouge R, un élément pixel associé à un filtre V et un élément pixel associé à un filtre bleu B, cette structure R, V, B étant répétée tout au long de la ligne et d'une ligne à l'autre. Si on applique le principe de l'invention à ce cas, dans chaque ligne, à chaque fois qu'on enlève un motif associé à une des couleurs, on enlève 20 dans la même ligne un motif associé à chacune des autres couleurs. De préférence, toujours pour améliorer la qualité visuelle des écrans, on prévoit de ne pas enlever les motifs par points image. En effet, dans une zone de recouvrement, les motifs seraient alors tous amenés par une insolation par groupe de trois motifs, correspondant à la structure des 25 filtres, ce qui visuellement pourrait donner une structure trop grossière. Ainsi, on prévoit que la répartition des motifs amenés par une insolation dans la zone de recouvrement est telle que pour chaque point image dans la zone périphérique, une insolation ne peut pas amener que 0 ou n=3 motifs, mais amener 0, 1, 2 ou 3 motifs. C'est ce que l'on peut voir sur les figures 8a à 8d, qui représentent de façon schématique des échantillons de dessin de la zone périphérique d'un masque selon l'invention. Plus précisément, la figure 8a représente un échantillon de la partie supérieure, la figure 8b, l'échantillon complémentaire de la partie inférieure, la figure 8c, un échantillon de la partie latérale droite et 35 la figure 8d, un coin supérieur droit. Ces échantillons se présentent sous la forme d'un quadrillage. Chaque rangée de carreaux correspond à une ligne de cellules sur la matrice. Chaque colonne de carreaux correspond à trois colonnes de cellules sur la matrice, correspondant à la structure R, V, B des filtres. Chaque carreau du quadrillage correspond ainsi à un point image Pi 5 comportant trois cellules successives, sur la même ligne: une cellule à filtre rouge, une cellule à filtre vert V et une cellule à filtre bleu B. La rangée li1 en bas du quadrillage de la figure 8a correspond à la dernière ligne de la zone périphérique du masque, avant la partie centrale (non représentée). Dans cette rangée li1, il manque un motif de cellule à filtre 10 rouge, un motif de cellule à filtre vert et un motif de cellule à filtre bleu, chacun pris sur un groupe de points du masque correspondant à des points image différents Pi", Pi2 et Pi3 de la matrice. Sur la ligne suivante li2, il manque deux motifs de cellule à filtre rouge R, deux motifs de cellule à filtre vert V et deux motifs de cellule à filtre bleue B. Et ainsi de suite. Le fait que la 15 cellule soit à filtre rouge, vert ou bleu dépend de sa position sur la matrice, en fonction de la structure des filtres colorés de la matrice. Sur l'échantillon complémentaire, représenté sur la figure 8b, la rangée li'1 a un dessin complémentaire du dessin de la rangée li,. Un autre exemple de structure de filtre coloré est représenté sur 20 les figures 9a et 9b. Ce sont des structures de type "Quad". Chaque point image comprend quatre éléments pixels disposés sur deux colonnes successives, deux éléments pixels sur une même ligne et deux éléments pixels sur la ligne suivante. Dans la matrice, sur les lignes paires, les éléments pixels sont alternativement colorés rouge R et vert V, tandis que 25 sur les lignes impaires, les éléments pixels sont alternativement colorés vert V et bleu B (figure 9b) ou blanc W et bleu B (figure 9a). On applique les mêmes principes de répartition des points sans motifs précédemment exposés pour élaborer le dessin de la zone périphérique du masque, pour avoir la meilleure qualité optique. Si on prend la structure quad de la figure 9a, un masque selon l'invention aura un dessin de zone périphérique tel qu'une insolation de cette zone périphérique amènera autant de motifs dans chacune des couleurs par ligne. En d'autres termes, cette insolation amènera autant de "rouge" que de "vert" dans les lignes paires et autant de "vert" que de "bleu" dans les lignes 35 impaires (figure 9a). En outre, de même que précédemment, dans le dessin de la zone périphérique les points sans motifs sont de préférence répartis de façon à ce qu'une insolation de cette zone périphérique ne puisse pas amener pour chaque point image que 0 ou n=2 motifs sur la ligne, mais 0, ou 1 ou n=2 5 motifs. En d'autres termes, si on prend les lignes "paires", pour chaque point image dans la zone de recouvrement, une insolation de la zone périphérique amène 0 motif, ou un motif (rouge ou vert) ou les deux motifs (rouge et vert). Il existe d'autres structures de filtres colorés. Dans tous les cas, pour réaliser une zone périphérique selon l'invention, la fonction de 10 répartition des points sans motifs doit tenir compte de la structure des filtres le long des lignes de la matrice, pour avoir le moins d'effets négatifs, notamment eu égard aux différences de luminance apportées par les insolations successives. Une définition générale de la règle de sélection de points sans 15 motifs, pour le dessin de la zone périphérique, peut s'énoncer comme suit: Une structure de filtres colorés d'une matrice comprend n couleurs par ligne: n=2 couleurs pour la structure quad, n=3 couleurs dans la structure RVB, pour les deux exemples cités. Ces règles peuvent se traduire sur le dessin de la zone 20 périphérique de la façon suivante: en regroupant les points par série de n points successifs selon les lignes, correspondant à une matrice à structure périodique de n filtres colorés selon les lignes, et en attribuant un rang 1, 2,...n à chaque point dans chaque série, la répartition des points sans motifs dans la zone périphérique (M-zp) du masque est telle qu'il y a autant de 25 points sans motifs dans chaque rang. Avantageusement, dans les séries de n points, on ne peut pas avoir que des points sans motifs ou que des points avec motifs: dans chaque série, il peut manquer 0, 1, 2 ou n motifs. Dans le but d'avoir la plus grande qualité visuelle possible, le 30 dessin de la zone périphérique du masque doit aussi de préférence tenir compte du mode d'adressage des lignes de la matrice. Il est bien connu que les modes d'adressage les plus courants, sont les modes d'adressage en inversion ligne, colonne ou point. Si on prend le mode d'adressage en inversion ligne, dans une trame, la polarité de la 35 tension appliquée est inversée à chaque ligne, et inversée de trame en trame. En inversion colonne, la polarité est inversée à chaque colonne et inversée de trame en trame. En inversion point, on a un mélange des deux. Ces modes d'adressage permettent d'empêcher l'écrêtage du champ électrique en prévenant la migration de charges. Ces divers modes 5 d'adressage sont utilisées avec des matrices actives sans filtres colorés. Ils sont aussi utilisés pour des matrices actives avec une structure de filtres de type stripe. Avec des structures de filtres quad, on utilise habituellement un autre type d'adressage, qui est le mode d'adressage en inversion double ligne: les deux premières lignes sont dans une polarité, les deux suivantes 10 dans l'autre et ainsi de suite. Si on ne se préoccupe pas du mode d'adressage dans la création du dessin de la zone périphérique, on risque d'avoir des phénomènes de papillotement. Prenons par exemple le mode inversion point. Dans une trame, on a une inversion de polarité à chaque point sur chaque ligne, et une 15 inversion de ligne en ligne. Si on ne tient pas compte de ces propriétés dans la répartition des points sans motifs, on pourrait très bien avoir dans une zone de recouvrement sur la matrice active, des motifs de cellules "positives" qui seraient en majeure partie amenés par l'insolation d'une partie périphérique du masque, et des motifs de cellules "négatives" qui seraient en 20 majeure partie amenés par l'insolation de la partie périphérique complémentaire du masque. Les différences de luminance entre les deux insolations sont alors amplifiées, et peut entraîner un phénomène de papillotement. Selon l'invention, on prévoit de grouper les points sans motifs au 25 moins par paires, correspondant à deux cellules de polarités opposées dans la matrice, de manière à amener à chaque insolation autant de motifs de cellules dans une polarité que de motifs de cellules dans l'autre polarité. La position de ces points est fonction du mode d'adressage des lignes et/ou de colonnes. La position de ces points est aussi fonction de la structure de filtres colorés dans le cas d'une matrice couleur. En effet, on peut obtenir un avantage supplémentaire, qui est de mieux compenser les différences de luminance dues aux différentes polarités dans les trames, lorsque les points sans motifs groupés par paires correspondent à des cellules de polarité 35 opposée mais associées à la même couleur (donc de même luminance). Si on considère une matrice active à structure de filtres colorés quelconque. Si je prends une cellule quelconque de la matrice: il y a au moins une cellule proche voisine de polarité opposée associée à la même couleur, selon la périodicité horizontale et/ou verticale de la structure de filtre 5 et selon le mode d'inversion de trame. On en déduit aisément pour chaque type de matrice active, une règle de groupement deux par deux des points sans motifs. Dans le cas d'une matrice à structure RVB par exemple, avec un mode d'adressage en inversion colonne, une cellule la plus proche voisine 10 de polarité opposée et de même couleur qu'une cellule par exemple une cellule rouge, se situe sur la même ligne que cette cellule c'est la cellule rouge suivante ou précédente dans la ligne, comme illustré dans le tableau suivant: |R? + V - B + RIV + R + V - B + R - V + Dans le cas d'une matrice à structure RVB pour un mode d'adressage en inversion ligne ou point, une cellule la plus proche voisine de 20 polarité opposée et de même couleur qu'une cellule, par exemple une cellule verte, se situe sur la même colonne que cette cellule: c'est la cellule verte sur la ligne précédente ou la ligne suivante, comme illustré dans le tableau suivant: R + V U B + R V + R - 3B - R + V - Dans le cas d'une matrice à structure quad, dont on a vu que le mode d'adressage était le mode d'inversion double ligne, une cellule la plus 30 proche voisine de polarité opposée et de même couleur qu'une cellule, par exemple une cellule rouge, se situe sur la même colonne que cette cellule, et sur la ligne suivante de même parité c'est une cellule rouge sur la même colonne, et sur la ligne paire suivante ou précédente, comme illustré sur le tableau suivant Ligne paire R Xi, " V + R + V + R + Ligne impaire V + B + V,:?. B + V + Ligne paire R:-: ER - R V - R Ligne impaire V B - V B avec motif) sur au moins deux carreaux verticalement. Le même dessin est applicable dans le cas d'une matrice sans filtres colorés, en mode inversion ligne ou point. Dans le cas d'une matrice sans filtres colorés, en mode inversion colonne, la sélection des points sans motifs se fait par paires horizontales de points successifs. Dans les autres cas, la règle de dessin correspondant à la règle de sélection est fonction de la périodicité intrinsèque à la structure des filtres sur la matrice et au mode d'adressage de la matrice. Ainsi, I'élaboration du dessin dans la zone périphérique du masque dépend de différentes règles de conception des masques et des 30 différentes règles de répartition des points sans motifs précédentes, dont on a pu vérifier qu'elles permettaient d'obtenir des qualités visuelles optimales. En particulier, cette élaboration dépend des fonctions de dégradé horizontal, vertical que l'on veut appliquer, du mode d'adressage de la matrice, et le cas échéant, de la structure des filtres colorés. Les largeurs des parties latérales et supérieure/inférieure peuvent être différentes, les contraintes étant généralement différentes sur ces parties. En pratique, I'élaboration du dessin dans la zone périphérique du masque, tout autour de la zone centrale, peut être simplifiée par des règles de conception simples. Si on prend la figure 8a par exemple, dans cet échantillon, on a un 10 effet miroir inverse du dessin par rapport à l'axe A1 qui coupe l'échantillon en deux longitudinalement, sauf sur les quelques lignes autour de cet axe, les li13 à li16 dans l'exemple. On peut aussi répéter un dessin aléatoire. C'est ce que l'on peut observer sur l'échantillon d'une partie périphérique latérale gauche illustré 15 sur la figure 8c: le même dessin aléatoire est répété 3 fois (pl, p2, p3) verticalement. Enfin, la répartition des points sans motifs (ou avec motifs, par complémentarité) est fonction de la densité de motifs recherchée pour chaque insolation. De préférence, pour avoir un meilleur effet flou en terme 20 de luminance, on cherche à ce que chaque insolation d'une partie périphérique dans une zone de recouvrement sur la matrice amène sensiblement la même densité de motifs. En pratique, on prévoit que ces densités sont sensiblement égales: on a alors une densité de motifs dans les parties périphériques sensiblement égale à 1/2 excepté dans les coins, o 25 elle est sensiblement égale 14. Ainsi, comme représenté sur la figure 10b, un masque de zone active MzAFUZY selon un mode de réalisation préféré de l'invention se découpe en des zones de densité de motifs différentes: la zone centrale 10 avec une densité de 1 des motifs. Les zones supérieure 11, inférieure 12, 30 latérale gauche 13, latérale droite 14, avec une densité de 1/2, et les quatre coins 15, 16, 17 et 18, avec une densité de 14. Pour les zones de densité 1/2, il faut deux insolations pour avoir le dessin complet, pour les zones de densité 1/ , il en faut quatre. Si on reporte ce masque selon le procédé de l'invention, on 35 couvre la zone active de la matrice, par exemple en neuf insolations par matrice, comme représenté sur la figure 11. Après ces neuf insolations, les motifs ne sont cependant pas tous au complet sur les bords, sur une largeur correspondant à la largeur des zones floues du masque: FRL sur les bords droit et gauche de la zone active, FTB sur les bords supérieur et inférieur de la zone active. Il y a ainsi plusieurs façons de compléter ces bords, en utilisant les masques de périphérie et/ou des masques spécifiques. En effet, le défaut dit de "stepper pattern" est peu visible en bord d'écrans. Il est donc possible d'utiliser d'autres masques pour compléter les bords que le masque de zone 10 active. Pour un type de matrice donnée, le choix d'une solution sera principalement motivé par un compromis entre la place disponible en périphérie, la périodicité du dessin flou en comparaison de la celle des dessins périphériques, et le nombre d'insolation (shoot) par niveau que l'on cherche en général à minimiser, pour optimiser les temps de fabrication. Un premier exemple de réalisation est illustré sur les figures 10Oa à 1 Od en combinaison avec la figure 1 1. Les figures 1 Oa à 1 Od représentent des réticules sur lesquels on a réalisé des masques qui permettent de mettre en ceuvre un procédé de recouvrement selon l'invention. La figure 11 représente les champs insolés avec ces masques sur la matrice. Sur la figure 11, les champs insolés dans la zone active sont obtenus par reports successifs, avec recouvrement, du masque de zone active MZAFUzzy représenté sur la figure 10b. Si on prend la matrice active référencée El, la zone grisée montre les bords de la zone active qui ne sont insolés qu'une seule fois à travers le masque MZAFUZZY. Dans cette zone 25 grisée, on a donc une densité de motifs de 1/2, sauf dans les quatre coins cl, c2, c3 et c4 de la matrice o la densité des motifs n'est que de 1/4 . Ces motifs sont ici complétés aux moyens des masques de périphérie. Ces masques sont détaillés sur les figures 10Oa et 10Oc. Le masque latéral gauche/droite de périphérie, noté MTBFuZY 30 disposé verticalement sur la figure 10a, comprend une partie centrale 30 qui correspond au dessin habituel des circuits de périphérie, et deux zones 31 et 32 de part et d'autre qui correspondent au dessin flou à compléter à gauche et à droite de la matrice. Ces deux zones verticales ont la même largeur que les zones qu'elles doivent compléter, soit FRL, et une densité de motif de 1/2. Le masque supérieur/inférieur de périphérie, noté MTBFUZZY disposé horizontalement sur la figure 10Oc, comprend une partie centrale 20 qui correspond au dessin habituel des circuits de périphérie, et deux zones horizontales de part et d'autre qui correspondent au dessin flou à compléter 5 en haut ou en bas de la matrice. Ces deux zones horizontales ont la même largeur que les zones qu'elles doivent compléter, soit FT,, et une densité de motif 1/2, excepté à chaque extrémité, en bl, b2, b3 et b4 sur la figure, o cette densité est d'1/4. En outre, ces zones débordent de chaque côté pour former une oreille avec une densité de 1/4. Ces oreilles sont notées ol, 02, 10 03, o4 sur la figure. A chaque extrémité, on a ainsi une densité de 14 sur une longueur FRL. Ce masque de périphérie est reporté le long des bords périphériques supérieur et inférieur de la matrice en sorte qu'il y ait recouvrement des extrémités de densité 1/4. La zone 21, respectivement 22 de ce masque complète la zone 12, respectivement 11 du masque de zone 15 active. La zone (o2 +b2) se complète à 1/2 avec la zone (b4+o4); la zone (ol+bl) se complète à 1/2 avec la zone (b3+o3). Le masque de coin de périphérique Mc est inchangé par rapport aux procédés de l'état de la technique. L'exemple représenté sur la figure 11, correspond à une mise en 20 ceuvre de l'invention dans laquelle la zone floue droite/gauche sur les bords de la zone active chevauche la zone active et la zone périphérique. Si on se réfère à la figure 11, la contribution du masque latéral de périphérie MRLFUZzY est indiquée en rayé dans la zone 40. Elle complète le bord grisé en apportant une densité de 1/2 des motifs. Dans le coin cl, il 25 manque encore 1/4 des motifs. C'est le rôle des oreilles dans le masque supérieur/inférieur de périphérie d'apporter ces motifs manquants. La contribution de ce masque est indiquée en rayé dans la zone 50. Dans l'exemple, le coin cl est ainsi réalisé avec une contribution d'1/4 amenée par la zone 18 du masque MZAFUzY, une contribution d'1/2 amenée par la zone 32 30 du masque MRLFUZZY et une contribution d'/4 amenée par o2 + b2 du masque MTBFUZZY. La zone 60 sur la figure 11 correspond à un coin droit d'un champ 1 de zone active et gauche du champ 2 de zone active réalisé à côté. La densité des motifs apportée dans cette zone par le masque MzAUZy insolé 35 deux fois (champs 1 et 2, figure 11) est de 1/2. Le complément des motifs est alors apporté pour 1/4, par b4 + o4 par une première insolation du masque MTBFuzzy (champ 1) et pour 1/4 par o2 + b2 par une deuxième insolation du masque MTBFUZZY (champ 2). Une variante de réalisation est représentée sur la figure 1 Od. Dans 5 cette variante, le masque de périphérie supérieur/inférieur ne comporte plus d'oreille. Il se positionne bord à bord, le long des bords périphériques supérieur et inférieur, et complète la zone grisée de zone active le long de ces bords à 1/2. Les coins cl, c2, c3, c4 et les zones telles que 60, en bordure dans la zone active, correspondant aux coins en zone de recouvrement des 10 champs, sont alors complétés à 1/4 par un masque supplémentaire spécifique, noté CFUZZY, de longueur 1 fois FRL. Dans cette variante, on augmente cependant le nombre d'insolations à réaliser par niveau. D'autres variantes sont possibles. En particulier, si on a de la place, on peut éloigner un peu les éléments de circuit périphérique de la 15 matrice, en sorte qu'au lieu de positionner les masques de zone active au bord de la zone active, on va les faire chevaucher cette limite, en sorte que la zone floue du masque se retrouve insolée dans la partie périphérique. Une deuxième insolation, avec un masque de zone périphérique adapté, permet d'annuler ces motifs. Un des problèmes liés à l'utilisation des masques de périphérie est qu'il faut que ces masques s'accordent bien avec le dessin aléatoire à compléter. En d'autres termes, le dessin aléatoire qu'un masque de périphérie doit compléter doit être toujours le même. Si le dessin aléatoire est périodique, il faut que la longueur du masque de périphérie soit compatible 25 avec cette périodicité. Dans l'exemple de la figure 11, la contrainte de périodicité s'applique le long des colonnes, c'est à dire verticalement. Dans d'autres exemples, on pourrait aussi avoir une contrainte de périodicité le long des lignes. Lorsque le dessin flou déborde sur la partie périphérique, il faut 30 encore que l'on est assez de place en périphérie. Lorsqu'il n'est pas envisageable d'utiliser les masques de périphérie, ou seulement une partie de ces masques, par exemple, lorsque l'on utilise seulement le masque de périphérie supérieur/inférieur, on utilise des masques spécifiques pour compléter les bords. Un telle variante est 35 illustrée sur les figures 12a à 12c et 13. Sur la figure 12a, on a un premier réticule qui comporte un masque de périphérie supérieur/inférieur, du type flou, comme dans le cas précédent, noté MTBFUZZY, et deux masques de périphérie latérale MRL1 et MRL2,. Ces deux masques MRL1 et MRL2 correspondent à un dessin différent, 5 typiquement au niveau de l'évasement vers la périphérie, des lignes de la matrice. Sur la figure 12b, on a un deuxième réticule qui comporte deux masques latéraux flous, un gauche MLFUZZY, et un droit MLFuzYy, et le masque de zone active selon l'invention, MZAFuzzy. La différence avec la réalisation 10 précédente, est que les masques latéraux flous gauche et droit sont respectivement insolés sur les bords de la zone active, en rayé sur la figure 13, respectivement sur le bord latéral droit, gauche de la zone floue (en grisé) amené par le masque de zone active. L'image du deuxième réticule est représentée sur la figure 12. L'invention qui vient d'être expliquée et illustrée au moyen d'exemples pratiques de réalisation s'applique d'une manière générale à la fabrication de matrice active, pour dispositif de visualisation. Elle permet d'améliorer leurs qualités électro-optiques. En particulier la qualité visuelle cosmétique des écrans haute densité est sensiblement améliorée. L'invention peut s'appliquer à tout autre procédé de fabrication par photogravure de motif devant se répéter sur une surface plus grande que la zone insolée en une seule fois et dont les propriétés doivent être identiques, par exemple, pour des matrices de capteurs, de détecteurs, par exemple des détecteurs de rayons X. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une matrice active comprenant une zone active comportant un ensemble de cellules disposées selon un réseau croisé de lignes et de colonnes, ledit procédé comprenant au moins une étape de dépôt d'une couche d'un matériau et de réalisation d'un motif (m) 5 de cellule sur cette couche par insolation d'un masque reporté plusieurs fois sur la zone active, de façon à réaliser des champs d'insolation successifs couvrant l'ensemble de cette zone, caractérisé en ce qu'il existe une zone de recouvrement (ZR) non nulle entre deux champs d'insolation successifs (INS1, INS2), chaque insolation apportant une partie des motifs (m) dans la zone de 10 recouvrement. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans une zone de recouvrement de champs, les motifs (m) à réaliser sont amenés par au moins deux insolations du masque de zone 15 active (MZAFuzY) , les motifs de la zone de recouvrement étant répartis entre les différentes insolations de manière aléatoire ou pseudo-aléatoire. 3. Procédé de fabrication selon la revendication 2, caractérisé en ce que chacune des différentes insolations du masque de zone active 20 (MZAFUZzY) amène chacune sensiblement la même densité de motifs dans la zone de recouvrement. 4. Procédé de fabrication selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'un champ d'insolation (CH1) correspondant à une insolation du 25 masque de zone active (MZAFUZzY) comprend une zone centrale (zc) dans laquelle la densité des motifs amenée par l'insolation est égale à un, et des zones de recouvrement (zr, zl, zt, zb) périphériques de la zone centrale dans lesquelles la densité de motifs amenée par une insolation est inférieure à 1, lesdites zones de recouvrement correspondant à une partie latérale gauche 30 (zr), respectivement droite (zl), supérieure (zt) et inférieure (zb), lesdites zones de recouvrement ayant en commun deux à deux un coin du champ (cl, c2, c3, c4). 5. Procédé de fabrication selon la revendication 4, caractérisé en ce que la densité de motifs amenée par une insolation dans les zones de recouvrement est sensiblement égale à 1/2, excepté dans les coins o elle est sensiblement égale à 1/4. 6. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que dans une zone de recouvrement de champs, les motifs amenés par une insolation sont répartis selon un dégradé sur la largeur de la zone de recouvrement, les motifs étant 10 de moins en moins nombreux en limite de champ. 7. Procédé de fabrication selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dégradé suit une loi linéaire sur toute la largeur de la zone de recouvrement. 8. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications précédentes, la matrice étant organisée selon une structure de points images Pi, correspondant à une structure de filtres colorés de la matrice, chaque point image comprenant un groupe de cellules disposées 20 sur des lignes et/ou des colonnes successives et chaque cellule étant associée à une couleur de filtre, caractérisé en ce que la répartition des motifs amenés par une étape d'insolation dans une zone de recouvrement est fonction de la dite structure de filtres sur la matrice. 9. Procédé de fabrication selon la revendication 8, la matrice étant organisée selon une structure de points images Pi, correspondant à une structure de filtres colorés de la matrice, chaque point image comprenant un groupe de n cellules disposées sur des lignes et/ou des colonnes successives, caractérisé en ce que la répartition des motifs amenés par une 30 insolation dans une zone de recouvrement d'un champ (CH1) est telle que dans chaque point image de cette zone, il ne peut pas manquer que O ou n motifs. 10. Procédé de fabrication selon la revendication 8 ou 9, chaque 35 cellule de la matrice étant associée à une couleur de filtre, selon une structure telle que chaque ligne de la matrice comprend autant de cellules par couleur de filtre, caractérisé en ce que la répartition des motifs amenés par une étape d'insolation dans une zone de recouvrement est telle que l'on a sur chaque ligne de cette zone autant de motifs amenés dans chaque couleur de filtre. 11. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la répartition des motifs amenés par une insolation dans une zone de recouvrement dépend du mode 10 d'adressage des lignes et/ou des colonnes de la matrice. 12. Procédé de fabrication selon la revendication 11, caractérisé en ce que pour des modes d'adressage de type à inversion de lignes et/ou de colonnes, la répartition des motifs amenés par une insolation dans une 15 zone de recouvrement est telle que les motifs de cellules manquent au moins par deux cellules de polarité opposée les plus proches voisines. 13. Procédé de fabrication selon la revendication 12, en combinaison avec la revendication 10, caractérisé la répartition des motifs 20 amenés par une insolation dans une zone de recouvrement est telle que les motifs de cellules manquent au moins par deux cellules de polarité opposée et de même couleur les plus proches voisines. 14. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des 25 revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'il est appliqué à chacune des étapes de dépôt d'une couche de matériau et de réalisation d'un motif de cellule sur cette couche par photo-insolation d'un masque de zone active correspondant. 15. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, pour une matrice active à transistors, chaque cellule de la matrice comprenant un élément pixel avec une électrode pixel et un transistor connecté au réseau de lignes et de colonnes, chaque transistor comprenant une grille, une première et une deuxième électrode, un canal 35 semi-conducteur entre la grille et les électrodes, la première électrode étant connectée à une colonne de la matrice, la deuxième électrode étant connecté à une électrode pixel et la grille étant connectée à une ligne de la matrice, caractérisé en ce que le procédé de recouvrement est appliqué au moins à chacune des couches (b, d, e, c) sur lesquelles sont formées les colonnes, les canaux semi-conducteurs et les électrodes pixels. 16. Procédé selon la revendication 14 ou 15, en combinaison avec la revendication 2, caractérisé en ce que pour les couches de la matrice auxquelles le procédé de recouvrement est appliqué, les zones de 10 recouvrement sont aux même emplacements sur la zone active, et avec une même répartition des motifs entre les différentes étapes d'insolation de ces zones d'une couche à l'autre. 17. Dispositif de visualisation ou de détection électro-optique à 15 matrice active, caractérisé en ce que cette matrice active est obtenue par un procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications précédentes. 18. Masque pour insoler un dessin formé de motifs identiques 20 (m) disposés selon un réseau croisé de lignes et de colonnes, chaque motif étant dessiné au point d'intersection (pi) d'une ligne et d'une colonne, caractérisé en ce que ledit masque comprend une partie périphérique (M-zp) autour d'une zone centrale (M-zc), et en ce que le dessin est incomplet dans la zone périphérique, certains des motifs n'étant pas réalisés en certains 25 points (pa, Pb) de cette zone. 19. Masque selon la revendication 18, caractérisé en ce que la zone périphérique (M-zp) comprend une partie latérale gauche (M-zl), une partie latérale droite (M-zl) et une partie supérieure (M-zt) et une partie 30 inférieure (M-zb), lesdites parties ayant en commun deux à deux un coin parmi les quatre coins du masque (M-c1, M-c2, M-c3, M-c4), caractérisé en ce que la répartition des points sans motifs dans la zone périphérique est telle que les parties latérales gauche et droite, respectivement supérieure et inférieure, sont complémentaires, le dessin de l'une étant le négatif de l'autre 35 en dehors des coins, et en ce que les quatre coins sont complémentaires. 20. Masque selon la revendication 19, caractérisé en ce que la répartition des points sans motifs entre les parties complémentaires entre elles, est aléatoire ou pseudo-aléatoire. 21. Masque selon la revendication 18, 19 ou 20, caractérisé en ce que la densité de motifs dans chaque partie de la zone périphérique est sensiblement égale à 1/2, excepté dans les coins du masque o elle est sensiblement égale à 1/ . 22. Masque selon l'une quelconque des revendications 18 à 21, caractérisé en ce que la répartition des points sans motifs dans la zone périphérique (M-zp) suit un dégradé horizontal dans les parties latérales (Mzr, M-zl), et vertical dans les parties supérieure et inférieure (M-zt, M-zb), les 15 points sans motifs étant de moins en moins nombreux aux abords de la zone centrale (M-zc) du masque. 23. Masque d'insolation selon la revendication 22, caractérisé en ce que le dégradé est linéaire. 24. Masque selon l'une quelconque des revendications 18 à 23, caractérisé en ce que, en regroupant les points par série de n points successifs selon les lignes, correspondant à une matrice à structure périodique de n filtres colorés selon les lignes, et en attribuant un rang 1, 2, 25...n à chaque point dans chaque série, la répartition des points sans motifs dans la zone périphérique (M-zp) du masque est telle qu' il y a autant de points sans motifs dans chaque rang. 25. Masque selon la revendication 24, caractérisé en ce que 30 dans les séries de points d'une ligne, il n'y a pas que des séries qui ne comprennent que des points sans motifs ou que aucun point sans motif. 26. Masque selon l'une quelconque des revendications 18 à 25, caractérisé en ce que dans la zone périphérique, les points sans motifs 35 manquent au moins par paires (Pe, pf) selon les lignes et/ou les colonnes. 27. Masque selon la revendication 26, caractérisé en ce que les points sans motifs manquent au moins par deux points successifs le long des colonnes ou des lignes. 28. Masque selon la revendication 26, caractérisé en ce que la répartition des points sans motifs points dans la zone périphérique (M-zp) du masque est telle que les paires de points sans motifs correspondent dans une matrice active à des cellules les plus proches voisines adressées avec 10 des polarités opposées. 29. Masque selon la revendication 26, caractérisé en ce que la répartition des points sans motifs points dans la zone périphérique (M-zp) du masque est telle que les paires de points sans motifs correspondent, dans 15 une matrice active à structure de filtres colorés, à des cellules les plus proches voisines adressées avec des polarités opposées et de même couleur.