FR 2840451 A1 20031205 FR 0206837 A 20020604 traitement de surface est appliquee apres ladite operation d'impregnation. DISPOSITIF POUR LA PRODUCTION DANS UNE ENCEINTE D'UN PLASMA A PRESSION INTERMEDIAIRE. DOMAINE TECHNIQUE GENERAL DE L'INVENTION La presente invention concerne le domaine technique general de la production de plasmas a pression intermediaire excites par une puissance micro-once. Plus precisement ['invention concerne la production de nappes de plasmas denses, de grandes dimensions devant l'epaisseur du plasma, dans le domaine des moyennes pressions ou pressions intermediaires, c'esta-dire de l'ordre de quelques dixiemes de Pa a quelques milkers de Pa, ou de l'ordre de quelques millitorr a quelques dizaines de torn (On rappelle que 1 torr vaut approximativement 133 Pa) La presente invention concerne des applications tres diverges, telles que les traitements de surface, par exemple le nettoyage des surfaces defilant a grande vitesse, et surtout le depot de diamants par depot chimique en phase vapeur assistee par plasma (CVD plasma - a Chemical Vapor Deposition >> plasma selon la terminologie anglo-saxonne generalement utilisee). En particulier, I'invention presente un interet pour les applications necessitant des procedes utilisant des plasmas uniformes a des pressions intermediaires sur de grandes surfaces. ETAT DE L'ART Toutes les applications sus-mentionnees necessitent la production prealable d'un plasma dense et uniforme dans une enceinte, par exemple dans celle ou se deroule ['application. On rappelle qu'un plasma est un milieu gazeux, conducteur, constitue d'electrons, d'ions et de particules neutres, macroscopiquement neutre electriquement. Un plasma est obtenu notamment par ionisation d'un gaz par les electrons. Generalement, les depots de diamant par CVD plasma vent effectues dans des plasmas d'hydrogene, contenant un falble pourcentage de methane a une pression totale de quelques dizaines de torr, et une temperature de substrats de l'ordre de 600 a 800 C, voire plus. Le melange peut contenir aussi des gaz precurseurs pour le dopage du diamant, ou des impuretes modifiant la croissance du diamant. Les plasmas utilises pour les depots de diamant par CVD plasma vent generalement excites par des micro-ondes. Deux types de procedes d'excitation dans des reacteurs vent possibles. 1/ On peut exciter le plasma par une once de surface. Le schema de principe de ce type d'excitateur est represente sur la figure 1. L'excitateur du plasma comporte un applicateur micro-once 1 dans le prolongement duquel est fixe un tube dielectrique 2 directement en contact avec le plasma 3 a exciter. Le tube dielectrique 2 comporte un evasement , qui dirige les micro-ondes et le plasma vers le substrat 4, qui baigne dans le plasma 3. 2/ On peut utiliser un applicateur micro-once de type cavite. Le schema de principe de ce type d'applicateur est represente a la flgure 2. Dans un reacteur 1, le plasma 3 est produit en reponse a une excitation de la part d'une antenne 2 permettant le couplage des micro-ondes a la cavite. Le plasma 3 est excite sous un dome de quartz 5. Le depot est effectue sur un substrat 4 dispose lui aussi sous le dome 5 et baignant dans le plasma 3. Les deux types d 'excitation presentes permettent de produ ire des plasmas denses (typiquement 1042/cm3) permettant de deposer du diamant, notamment a une vitesse de quelques micrometres par heure, sur des substrats de quelques centimetres de diametre. Les techniques precedentes presentent cependant des inconvenients. En effet, les plasmas prod u its par ces d eux tech niques necessitent pour leur entretien plusieurs kW pour un substrat de diametre 100 mm, et done ['inconvenient majeur de ces techniques de depot de diamant est la difficulte d'extension d'echelle des reacteurs. En ce qui conceme les decharges a once de surface de la figure 1, le diametre utile de plasma peut etre accru par evasement du tube de silice 5 utilise au-dela de l'applicateur micro-once 1. II faut cependant des densites de puissance micro-once telles, que l'emploi d'un liquide de refroidissement sans perte dielectrique est imperatif. La circulation de ce fluide s'effectue dans i'applicateur, dans un circuit de distribution a double paroi qui est tres onereux. De plus, I'extension d'echelle de ce type de reacteur presente des limitations technologiques en terme de diametre maximum realisable. En effet, la puissance micro-once delivree par un generateur unitaire ne peut pas etre augmentee de fa,con sensible. Les generateurs micro-ondes disponibles en mode continu a 2,45 GHz ne depassent en effet generalement pas 12kW, ce qui est insuffflsant pour produire des plasmas permettant les applications visees. Enfln les guides d'ondes rectangulaires standards en mode de propagation unique utilises dans les applicateurs des micro-ondes ont des grands cotes.ne depassant pas 8,6 cm - ce qui correspond au standard europeen. La solution consistent a reduire la frequence d'excitation et a utiliser la frequence ISM (Industrielle, Scientifique et Medicale) de 915 MHz permet d'augmenter les dimensions des guides d'ondes - dans le rapport de I'inverse des frequences - et d'obtenir des puissances unitaires en mode continu jusqu'a 30 kW. Wile n'est cependant pas totalement satisfaisante. En effet, les dimensions des composants micro-ondes - tels que le piston court-circuit, les adaptateurs d'impedance, les bi-coupleurs pour la mesure des puissances - augmentent correlativement. II semble alors que les limites technologiques vent desormais atteintes, et que les diametres maximaux du substrat que l'on peut traiter vent de l'ordre de 100 a 150 mm. En ce qui concerne les decharges micro-ondes donnees par les applicateurs micro-once de type cavite, les memes problemes se posent. En effet, I'augmentation d'echelle de la cavite impose soit de passer en cavite multimodes, ce qui ne permet plus d'obtenir un plasma uniforme au niveau du substrat, soit de diminuer la frequence des micro-ondes jusqu'a 915 MHz. La diminution de frequence procure les memes avantages que precedemment, mais procure egalement les memes inconvenients. On ne peut traiter que des substrats de diametre maximal de l'ordre de 100 a 1 50 mm. PRESENTATION DE L'INVENTION L' invention propose de pal lier ces inconvenients. Notamment, I'invention a pour objet la production d'une tranche ou d'une nappe de plasma de grandes dimensions dans le domaine de pression du torr, a savoir de l'ordre de quelques millitorr a quelques dizaines de torn La production de cette tranche ou de cette nappe s'effectue par excitation micro-once du gaz, ce qui permet la production de plasma sur un volume dependent des conditions operatoires, a savoir la pression et la puissance micro-once injectee sur cheque applicateur. A cet effet, I'invention propose un dispositif de production d'un plasma (16) dans une enceinte comportant des moyens de production d'une energie dans le domaine des micro-ondes en vue de i'excitation du plasma, ces moyens comportant au moins un dispositif elementaire d'excitation de plasma comportant un applicateur coaxial d'une energie micro-once dont une des extremites est reliee a une source de production d'une energie micro-once, I'autre extremite etant dirigee vers le gaz a exciter a l'interieur de l'enceinte, caracterise en ce que cheque dispositif elementaire d'excitation est dispose dans la paroi de l'enceinte, chaque applicateur comportant une ame centrale qui affleure sensiblement avec la paroi de I'enceinte, I'ame centrale et l'epaisseur de la paroi de l'enceinte etant separees par un espace coaxial a l'ame centrale, cet espace etant totalement rempli au moins a l'extremite de chaque applicateur par un materiau dielectrique de fac,on a ce que ledit materiau affleure sensiblement avec le niveau de la paroi de l'enceinte. L' i nventi o n est ava ntageu sement co m pletee par l es ca racteristiqu es suivantes, prises seules ou en une quelconque de leur combinaison techniquement possible: - le materiau dielectrique est refractaire; s - le materiau dielectrique est realise en alliage de silice eVou de nitrure d'aluminium eVou d'alumine; - ie materisu dielectrique remplit tout l'espace coaxial; - la longueur du materiau dielectrique est egale a un nombre entier de demi longueur d'onde des micro-ondes dans le materieu dielectrique; - il comporte des joints toriques interposes entre le dielectrique, 1'3me centrale d'un applicateur et la paroi interne de l'applicateur; - chaque joint torique est encastre dans les parois interne et externe de la structure coaxiale; - une 3me centrale se termine par un aimant permanent encapsule dans 1'3me centrale et affleurant avec les parois de 1'enceinte; -- il comporte une lame dielectrique qui s'etend a l'interieur de l'enceinte sur la paroi interieure de celle-ci, celle lame recouvrant completement les dispositifs d'excitation du plasma; - il comporte dans les parois de 1'enceinte des moyens de refroidissement de chaque applicateur; - il comporte dans 1'3me centrale de chaque applicateur des moyens de refroidissement des applicateurs; - la pression du plasma est comprise entre une valeur de l'ordre du mlilitorr et une valeur de 1'ordre de quelques dizaines de torn - il comporte une pluralite d'applicateurs, les applicateurs etant disposes en reseau bidimensionnel dans la paroi de l'enceinte afin d'obtenir la densite d'applicateurs souhaitee pour un domaine de pression souhaite. PRESENTATION DES FIGURES D'autres caracteristiques, buts et avantages de ['invention ressortiront de ['invention qui suit qui est purement illustrative et non limitative, et qui doit etre lue en regard des dessins annexes sur lesquels: La figure 1, deja commentee, represente schematiquement un applicateur d'excitation du type once de surface selon 1'etat de la technique; La figure 2, deja commentee, represente schematiquement un reacteur d'excitation de plasma du type cavite selon l'etat de la technique; La figure 3 est une vue schematique en coupe d'un mode de realisation possible de ['invention comportant un seul applicateur; La figure 4 est une vue schematique en coupe d'un mode de realisation possible de ['invention comportant plusieurs applicateurs; La figure 5 est une vue representant une disposition rapprochee des applicateurs; La figure 6 est une vue de face d'un reseau bidimensionnel carre d'applicateurs; La figure 7 est une vue de face d'un reseau bidimensionnel hexagonal d'applicateurs; La figure 8 represente le recouvrement de la paroi du reacteur avec une plaque dielectrique; La figure 9 represente schematiquement un mode de realisation possible de montage de joints toriques d'etancheite; et La figure 10 est une representation d'un perfectionnement d'un mode de realisation de ['invention comportant un aimant permanent a l'extremite de l'applicateur. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION La figure 3 illustre schematiquement un mode de realisation possible d'un dispositif 1 de production d'un plasma. Le dispositif 1 comprend de fac,on classique une enceinte etanche 3, equipee de nombreux dispositifs d'introduction de gaz et de pompage de gaz, non representes mais connus en eux-memes. Les dispositifs d'introduction et de pompage permettent de maintenir la pression du gaz a ioniser a une valeur souhaitee - qui peut etre par exemple de l'ordre de quelques dixiemes de Pa a quelques milkers de pascals, c'est-a-dire de l'ordre de quelques millitorr a quelques dizaines de torr, suivant la nature du gaz et la frequence d'excitation. Classiquement, la paroi de l'enceinte 3 est metallique. Conformement a ce mode de realisation possible de ['invention, le dispositif de production 1 comporte un applicateur elementaire 4 d'excitation. Selon une variante de ce mode de realisation schematiquement represente a la figure 4, le dispositif de production du plasma comporte une serie de dispositifs ou applicateurs 4 elementaires d'excitation d'un plasma 16. Les applicateurs 4 vent alors repartis entre eux en fonction de la densite et de la pression interieure de ltenceinte. Conformement a ['invention, cheque dispositif elementaire 4 d'excitation de plasma est constitue par un applicateur coaxial de puissance microonce comportant une ame centrale 5 entouree d'une cavite 6 rapportee ou directement percee dans la paroi de l'enceinte 3. Preferentiellement, I'ame centrale 5 ainsi que la cavite 6 I'entourant vent de symetrie de revolution. Une des extremites de l'applicateur 4 est reliee a une source d'energie 7 dans le domaine des micro-ondes et exterieure a l'enceinte 3. L'autre extremite 8 de l'applicateur 4 est libre et debouche a l'interieur de l'enceinte 3. Wile est en contact avec le gaz present dans l'enceinte 3. La propagation de l'energie micro-once de la source d'energie 7 a l'extremite libre 8 s'effectue dans la cavite 6 entourant l'ame centrale de l'applicateur. De maniere generale, I'ame centrale 5 de cheque applicateur 4 est refroidie par un circuit de circulation d'eau (non represente sur les figures). De la meme fa,con, les figures 3 et 4 montrent que les espaces 12 entre les applicateurs 4 de la paroi 3 vent generalement refroidis par une circulation d'eau 13. Un materiau dielectrique 14 a l'etat solide est dispose a l'interieur de la cavite 6 autour de l'ame centrale 5. Le dielectrique 14 est dispose du cote de l'extremite libre 8 de l'applicateur 4, sensiblement au niveau de la paroi de l'enceinte. II peut legerement depasser de la paroi de l'enceinte 3 ou etre legerement enforce par rapport au niveau de la paroi de l'enceinte 3, laquelle affleure preferentiellement sensiblement le niveau de l'extremite de I'ame centrale 5 en contact avec le plasma, comme represente sur la figure 5. II peut selon une variante, remplir ['ensemble de l'espace entre l'ame centrale et la paroi interieure de la cavite. Preferentiellement, la longueur du materiau dielectrique est egale a un nombre entier de demi longueur d'onde de l'onde dans le dielectrique, ceci afin de compenser les reflexions et recompositions des ondes aux interfaces. La longueur I du dielectrique est definie par: /:xl = kx OU: Er est la permittivite relative du materiou dielectrique k est un nombre entier l est la longueur d'onde de l'onde dans le vice. Le dielectrique 14 est avantageusement >. II est de preference refractaire afin de resister aux fortes temperatures de certaines applications visees. II peut etre realise en alliage par exemple en nitrure d'aluminium (AIN), eVou en alumine (Al2O3), eVou en silice (sio2). Les fleches 15 visibles aux figures 3, 4 et 5 representent la propagation des ondes micro-ondes dans la cavite 6 de chaque applicateur 4. Wiles se propagent en direction de l'interieur de l'enceinte 3 et excite le plasma 16 situe dans ladite enceinte 3. Les figures 4 et 5 permettent de comparer ['influence de la distance de separation des applicateurs les uns par rapport aux autres sur la formation du plasma. On a besoin d'une densite relativement reduite d'applicateurs par unite de surface pour produire un plasma uniforme lorsque la pression du gaz est relativement faible. En effet, le plasma diffuse plus facilement lorsque la pression du gaz est peu elevee. On peut alors ne prevoir qu'un seul applicateur 4 pour la production du plasma sur une dimension donnee. Par contre, plus la pression du gaz est elevee, plus le plasma sera produit localement. Le plasma ne sera pas uniforme si les applicateurs vent trop eloignes, comme sur la figure 4. On aura done besoin diune densite plus importante d'applicateurs par unite de surface, les applicateurs etant eux aussi repartis de fac,on la plus uniforme possible. C'est aussi pour cette raison que materiau dielectrique est situe a l'extremite de l'applicateur, et non pas en retrait par rapport a cette extremite. Ainsi, on evite la formation de plasma dans l'interieur de l'applicateur (zone coaxiale, cote utilisation) dans tout le domaine de pression accessible. Les applicateurs 4 peuvent etre disposes selon differents reseaux. La figure 6 montre une vue de face de la paroi interne de l'enceinte 3. Wile represente la disposition en reseau des extremites libres 8 des applicateurs 4. Dans ce reseau carre, la distance 17 entre deux extremites libres 8 definit la densite du reseau. La figure 7 montre que, pour une meme distance 17 entre deux extremites libres 8, une disposition en reseau hexagonal - schema reference par 18 sur la figure - permet d'obtenir une plus grande densite areolaire d'applicateurs 4. Une densite plus grande permet une meilleure uniformite d'applicateurs 4, et par consequent une meilleure uniformite du plasma ainsi produit. On peut egalement fournir une plus grande densite de puissance micro-once par unite de surface, a puissance maximale donnee par applicateur 4. Pour des raisons de clarte, les figures 6 et 7 ne montrent schematiquement que deux extremites d'applicateurs 4. On distingue les extremites 5 des ames centrales, ainsi que les materiaux dielectriques 14. Pour obtenir une nappe de plasma 16 uniforme de tres grandes dimensions, une condition necessaire est de pouvoir distribuer la puissance microonce de fa,con aussi uniforme que possible sur ['ensemble des applicateurs 4. Pour cela, il est possible d'utiliser un generateur de puissance micro once reglable par applicateur. On peut alors utiliser par exemple pour cheque applicateur une source micro-once transistorisee. On peut egalement utiliser un generateur de puissance micro-once unique et diviser ensuite cette puissance pour la distribuer a cheque applicateur 4. La puissance micro-once injectee dans chaque applicateur 4 peut etre ajustee facilement et de fa,con independante par un adaptateur d'impedance, dispose juste en amont de chaque applicateur 4. Certains procedes de depot ou de traitement necessitent une temperature elevee de la surface d'utilisation. D'autres necessitent des temperatures plus basses. On rappelle que les parties 12 situees entre deux applicateurs, ainsi que les ames centrales 5 vent refroidies par des circuits de refroidissement par circulation de fluide, notamment d'eau. Par consequent, il est possible que les gaz constituent le plasma soient refroidis en passant au contact des surfaces refroidies de l'enceinte 3 et refroidissent a leur tour la surface d'utilisation. On prevoit ainsi un chauffage independent d'une surface d'utilisation notamment pour le depot de diamant. La figure 8 montre que l'on peut egalement interposer une lame dielectrique 20 a faible perte (comme de la silice par exemple) entre les parties refroidies de chaque applicateur et le plasma, afin d'eviter le refroidissement du plasma au contact des surfaces refroidies par la circulation de fluide. La lame dielectrique 20 peut recouvrir tout ou une partie de ['ensemble des extremites libres 8 des applicateurs 4. La figure 9 montre que des joints toriques 21 permettent l'etancheite entre les parties amont (atmosphere) et aval (plasma) des applicateurs 4. Les joints toriques 21 vent de preference encastres dans l'ame centrale 5 et entre les parois de l'enceinte 3 et le presse etoupe 3', afin d'eviter leur echauffement par le passage des micro-ondes. De plus, ce type d'encastrement permet egalement d'assurer un meilleur refroidissement, puisqu'ils profitent du circuit de distribution de refroidissement present dans la paroi 3 ainsi que dans chaque ame centrale 5. Le dispositif selon ['invention represente sur les figures 1 a 9 stapplique avantageusement au domaine des moyennes pressions (de l'ordre de quelques dixiemes de pascals a quelques milkers de pascals, c'est-a-d ire de ltord re de quelques mill itorr a quelques d izaines de torr). Cependant, si on souhaite etendre l'utilisation de ['invention pour une excitation du plasma dans le domaine des basses pressions (de ltordre de 1 o-2 torr), une variante du dispositif est envisagee. Sur cette variante, representee a la figure 10, on dispose a I'extremite de l'ame centrale 5 de l'applicateur 4 un aimant permanent 22 dont l'axe d'aimantation permanente est avantageusement dans l'axe de l'ame centrale. Cet aimant 22 est encapsule dans l'ame centrale 5. L'extremite libre de l'aimant est sensiblement au niveau de l'extremite libre de la paroi 3 en contact avec le plasma 16. Avec un tel aimant permanent 22, le demarrage du plasma est facilite dans le domaine des plus basses pressions visees par la presente invention, grace au confinement de plasma ou a la presence d'une zone de RCE (Resonance Cyclotronique Electronique) pres du pole de l'aimant. Chaque aimant permanent 22 peut etre conventionnel, par exemple en samarium - cobalt, en neodyme - fer - bore, voire en ferrite de baryum et de strontium. Le reacteur plasma decrit dans la presente demande comporte des moyens de mesure de pression et de diagnostic plasma souhaite (non visible sur les figures) De meme, un porte-substrat utilise pour les procedes mis en couvre comporte des moyens de chauffage ou de refroidissement ainsi que tous les moyens de polarisation (continu, pulsee, basse frequence ou radio frequence) du substrat necessaire au procede utilise. AVANTAGES DE L'INVENTION L'un des avantages apportes par la presente invention est la possibilite de realiser ['extension d'echelle des nappes de plasma produite par ladite technologie decrite et de produire des plasmas denses dans la gamme de pression definie dans ['invention. On peut n'utiliser qu'un seul applicateur. Mais il n'y a pas de limitation a augmenter le nombre d'applicateurs. Les applicateurs peuvent etre disposes selon n'importe queue geometric, et s'adaptent a n'importe queue configuration d'enceinte, cylindrique notamment. De meme, il est possible d'alimenter en puissance micro-once autant d'applicateurs que souhaite par autant de generateur independents que necessaire, avec ou sans division de puissance. Chaque applicateur peut etre alimente a ['aide d'un cable coaxial, puisque la puissance micro-once necessaire a cheque applicateur est relativement falble d'ou la grande fiabilite du dispositif global. Un autre avantage est que le refroidissement des applicateurs micro ondes est facile a assurer par une circulation de liquide dans la partie metallique des applicateurs. II n'y a pas de necessite de fournir un fluide dielectrique a faible perte comme dans le cas des decharges a once de surface de l'etat de la technique. Enfin, le controle des parametres interaction plasma/surface est plus facile a ma^'triser que dans les dispositifs de l'etat de la technique. Par exemple, si l'on considere un reseau carre d'applicateurs micro ondes coaxieux, par exemple d'un diametre interieur du conducteur externe 16 mm disposes tous les deux centimetres, I'aire de chaque applicateur est de 4 cm 2. Cette aire est reduite a 3,5 cm 2 environ dans le cas d'une structure hexagonale. Dans le cas d'une nappe de plasma de 2 cm d'epaisseur, fixee par exemple par la distance applicateur-surface d'utilisation, le volume de plasma cree par chaque applicateur est de 8 cm3 pour un reseau carre, et de 7 cm3 pour un reseau hexagonal. Pour une puissance micro-once par applicateur de 200 W. la densite de puissance maximale fournie au plasma est de 25 W/cm3 pour un reseau carre, et de 28,5 W/cm3 pour un reseau hexagonal. Dans les deux cas, il est ainsi possible d'appliquer jusqu'a 5 kW par surface 100 mm x 100mm pour un reseau carre, soit 25 applicateurs, et un peu plus pour un reseau hexagonal. Un autre avantage est la simplicite de realisation de cheque applicateur elementaire. La frequence micro-once utilisee n'est pas critique, et il est possible d'utiliser l'une des frequences ISM (Industrielle, Scientifique et Medicale) comme le 915 MHz ou le 2,45 GHz, ou toute autre frequence. REVENDICATIONS. 1. Dispositif de production d'un plasma (16) dans une enceinte comportant des moyens de production d'une energie dans le domaine des micro-ondes en vue de ['excitation du plasma, ces moyens comportant au moins un dispositif elementaire d'excitation de plasma comportant un applicateur (4) coaxial d'une energie micro onde dont une des extremites est reliee a une source de production (7) d'une energie micro-once, I'autre extremite (8) etant dirigee vers le gaz a exciter a l'interieur de l'enceinte, caracterise en ce que chaque dispositif elementaire d'excitation est dispose dans la paroi (3) de l'enceinte, chaque applicateur (4) comportant une ame centrale (5) qui affleure sensiblement avec la paroi de l'enceinte, I'ame centrale et l'epaisseur de la paroi (3) de l'enceinte etant separees par un espace (6) coaxial a l'ame centrale, cet espace etant totaiement rempli au moins a l'extremite de cheque applicateur par un materiau dielectrique (14) de facon a ce que ledit materiou affleure sensiblement avec le niveau de la paroi de l'enceinte. 2. Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce que le materiau dielectrique (14) est refractaire. 3. Dispositif selon la revendication 2, caracterise en ce que le materiau dielectrique (14) est realise en alliage de silice eVou de nitrure d'aluminium eVou d'alumine. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 3, caracterise en ce que le materiau dielectrique remplit tout ltespace coaxial (6). 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 3, caracterise en ce que la longueur du materiau dielectrique est egale a un nombre entier de demi longueur d'onde des micro-ondes dans le materiau dielectrique. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 5, caracterise en ce qutil comporte des joints toriques (21) interposes entre le dielectrique (14), I'ame centrale d'un applicateur et la paroi interne de l'applicateur. 7. Dispositif selon la revendication 6, caracterise en ce que chaque joint torique (21) est encastre dans les parois interne et externe de la structure coaxiale. 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 7, caracterise en ce qu'une ame centrale (5) se termine par un aimant permanent (22) encapsule dans l'ame centrale et affleurant avec les parois de l'enceinte. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 8, caracterise en ce qu'il comporte une lame dielectrique (20) qui s'etend a l'interieur de l'enceinte sur la paroi interieure de celle-ci, celle lame recouvrant completement les dispositifs d'excitation du plasma. 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 a 9, caracterise en ce qutil comporte dans les parois de l'enceinte des moyens (12) de refroidissement de chaque applicateur (4). 11.Dispositif selon l'une des revendications 1 a 10, caracterise en ce qu'il comporte dans l'ame centrale (5) de cheque applicateur (4) des moyens de refroidissement des applicateurs. 12.Dispositif selon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce que la pression du plasma (16) est comprise entre une valeur de I'ordre du millitorr et une valeur de l'ordre de quelques dizaines de torn 13. Dispositif salon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce qu'il comports une pluralite d'applicateurs (4), les applicateurs etant dispose en reseau bidimensionnel dens la paroi de l'enceinte afin d'obtenir la densite d'applicateurs souhaitee pour un domains de