FR 2838903 A1 20031024 FR 0204805 A 20020417 PROCEDE ET DISPOSITIF DE LECTURE DE CELLULES PHOTOSENSIBLES La presente invention concerne un procede et un dispo- sitif de lecture de cellules photosensibles. La figure 1 represents un exemple de dispositif clas- sique de lecture d'une cellule photosensible 10 appartenant a un reseau de cellules agencees en rangees et en colonnes. La cellule 10 se compose d'une diode photosensible 12 dont l' anode est connectee a la masse GND, et dont la cathode est reliee a la source d'un transistor de transfert 14 de type MOS a canal N. Le drain du transistor 14 est relic a la source d'un transistor de mise a zero 16 de type MOS a canal N dont le drain est connecte a une source d'une tension d'alimentation VRT. La grille du transistor de transfert 14 est commandee par une tension VTG. La grille du transistor de mise a zero 16 est commandee par une tension VR. Le drain du transistor 14 et la source du transistor 16 vent relies a la cathode d'une diode de transfert 18, et a la grille dun transistor 20. On note Vs la tension a la grille du transistor 20 qui est egale a la tension aux bornes de la diode 18. L' anode de la diode 18 est reliee a la masse GND. Le drain du transistor 20 est relic a la source de tension de reference VRT. La source du transistor 20 est reliee au drain d'un transistor de lecture 22. La source du transistor de lecture 22 constitue la sortie de la cellule 10. La grille du transistor de lecture 22 est commandee par une tension VREAD La source du transistor 22 est reliee a une piste conductrice de colonne 24. A chaque colonne du reseau de cellules photosensibles est associee une piste conductrice de colonne qui est reliee a toutes les cellules 10 de la colonne. A chaque piste de colonne est associe un dispositif de lecture 30. Le dispositif de lecture 30 comprend un premier condensateur 32 dont une borne est connectee a la masse GND et l'autre borne est connectee a la piste de colonne 24, par l'inter- mediaire d'un premier interrupteur 33, et a l' entree diun premier adaptateur d' impedance 34 a gain unitaire. La sortie du premier adaptateur d' impedance 34 fournit une tension V35 sur une premiere borne de sortie 35 du dispositif 30. Le dispositif 30 comprend un second condensateur 36 dont une borne est connectee a la masse GND et l'autre borne est connectee a la piste de colonne 24, par l'intermediaire d'un second interrupteur 37, et a l' entree d'un second adaptateur d' impedance 38 a gain unitaire. La sortie du second adaptateur d' impedance 38 fournit une tension V39 sur une seconde borne de sortie 39 du dispositif 30. Les interrupteurs 33, 37 peuvent etre constitues de transistors de type MOS fonctionnant en interrupteur et dont les grilles vent commandees respectivement par des tensions VII et VI2. Les adaptateurs d' impedance 34, 38 peuvent etre constitues de transistors montes en suiveur. Une source de courant 40 est presente sur la piste de colonne 24. La figure 2 represente un chronogramme de tensions en des points particuliers de la figure 1 illustrant un procede de lecture classique de la cellule 10 par le dispositif de lecture 30. Chaque etape du procede est en fait realisee simultanement pour toutes les cellules 10 d'une meme rangee. On decrira par la suite le procede de lecture pour une unique cellule 10. Sur l'axe des abscisses vent representes des instants successifs t1 a t8. Sur l'axe des ordonnees vent representees differentes courbes d' evolution 50 a 56 de tensions en des points particuliers de la cellule 10 et du dispositif de lecture 30 de la figure 1. La courbe 50 represente la tension Vs sur la grille du transistor 20 et aux bornes de la diode 18. La courbe 51 represente la tension VR appliquee a la grille du transistor 16. La courbe 52 represente la tension VII de commande de l'inter rupteur 33. La courbe 53 represente la tension VTG appliquee a la grille du transistor 14. La courbe 54 represente la tension VI2 de commande de l'interrupteur 37. La courbe 55 represente la tension V35 sur la borne de sortie 35, et la courbe 56 represente la tension V39 sur la borne de sortie 39. La diode 12 est une diode photosensible polarisee en inverse. Wile se comporte comme un condensateur charge sous une tension initiale, qui se decharge lorequ'elle est exposee a une source lumineuse, la charge perdue par la diode 12 etant fonction de l'intensite lumineuse recue. Pendant toute la phase de lecture, la tension VREAD sur la grille du transistor 22 est telle que le transistor 22 se comporte comme un interrupteur ferme. A l' instant t1, la tension VR passe d'une valeur nulle a une valeur positive. Le transistor 16 devient passant. La tension VRT est alors appliquee aux bornes de la diode 18 qui, polarisee en inverse, se comporte comme un condensateur. La tension Vs sur la grille du transistor 20 est alors egale a la tension VRT. A l' instant t2, la tension VR redevient nulle. Le transistor 16 est alors bloque. La tension Vs chute legerement en raison d'un couplage entre la diode 18 et le transistor 16. A l' instant t3, la tension VII passe d'une valeur nulle a une valeur positive. L'interrupteur 33 qui etait ouvert se ferme. La tension V35, correspondent a la tension aux bornes du condensateur 32, est alors egale a une tension constante VREF qui est fonction de la tension Vs. A l' instant t4, la tension VII redevient nulle et l'interrupteur 33 stouvre. Le condensateur 32 conserve a ses bornes la tension VREF A l' instant t5, la tension VTG passe d'une valeur nulle a une valeur positive. Le transistor 14 devient passant. La diode 18 se decharge alors dans la diode 12, ce qui se traduit par une diminution de la tension Vs. Cette diminution est representative de la quantite de lumiere reque par la diode 12. A l' instant t6, la tension VTG redevient nulle, et le transistor 14 se bloque. La tension Vs a la grille du transistor reste stable. A l' instant t7, la tension VI2 passe d'une valeur nulle a une valeur positive. L'interrupteur 37 qui etait ouvert se ferme. La tension V39, correspondent a la tension aux bornes du condensateur 36, est alors egale a une tension constante VpIx fonction de la tension Vs. A l' instant t, la tension VI2 redevient nulle et l'interrupteur 37 s'ouvre. Le condensateur 36 conserve a ses bornes la tension VpIx. La difference Vu entre les tensions VREF et VpIx est representative de l'intensite lumineuse recue par la cellule 10. Les bornes de sortie 35, 39 vent reliees a des amplificateurs ou des convertisseurs (non representes) permettant dieffectuer differents traitements sur la tension Vu. Le fait de considerer la tension utile Vu permet de supprimer le bruit echantillonne sur la diode 18 lors de la deconnexion a la tension VRT par le transistor 16. En effet, ce bruit se retrouve de facon identique sur les deux tensions VREF et VpIx, et est done supprime lorequon realise la difference entre ces deux tensions pour obtenir la tension utile Vu. La tension Vu comporte neanmoins du bruit qui provient de la cha1ne de lecture comportant les transistors 20, 22 et la source de courant 40. Ce bruit n'est pas supprime ou diminue par le procede de lecture precedemment decrit. Le dispositif de lecture 30 est de facon generale directement integre au niveau de la colonne dont la largeur est de l'ordre d'une dizaine de micrometres. Faute de place, il n'est pas possible dinclure directement dans le dispositif 30 des amplificateurs. Ceux-ci doivent etre disposes en aval du circuit de lecture 30 et amplifient done tous les bruits ajoutes en aval du dispositif de lecture 30. La presence d'amplificateurs est diautant plus necessaire que la cellule 10 du type representee sur la figure 1 presente une dynamique reduite dans la mesure ou la tension VpIx ne peut varier qu'entre une tension qui depend du nombre de charges maximum stockees dans la diode 12 (qui est variable selon le procede de fabrication de la diode 12) et une tension VREF inferieure a VRT. Typiquement, la difference entre VREF et VPIX ne depasse pas 1 volt. En outre, la dissymetrie des adaptateurs d' impedance 34, 38 entra1ne une tension de decalage qui peut etre differente pour les adaptateurs des differentes colonnes. En consequence, de s tensions Vu, obtenues a part ir de cellules appartenant a deux colonnes differentes ayant recues une meme intensite lumineuse, peuvent etre differentes. Cela peut se traduire par l' apparition de barres verticales sur une image calculee a partir des signaux Vu. La presente invention vise a proposer un procede et un dispositif de lecture d'une cellule ne presentant pas les inconvenients precedemment mentionnes. Pour atteindre cet objet, la presente invention prevoit un procede de lecture d'une cellule d'un reseau de cellules photosensibles agencees en rangees et en colonnes, chaque cellule etant adaptee a fournir une tension d' image ou une tension de reference, comprend les etapes suivantes: a) charger, de facon simultanee pour toutes les cellules de la rangee de ladite cellule, au moins un condensateur avec une charge resultante fonction de la difference entre un courant de reference et un courant d' image correspondents respectivement a la conversion de la tension de reference et de la tension d' image; et b) mesurer pour la colonne de la cellule la charge du condensateur. Selon une autre caracteristique de l' invention, l'etape a) comprend les etapes, realisees de facon simultanee pour toutes les cellules de la rangee, consistent a convertir la tension de reference en courant de reference; charger un condensateur sous le courant de reference pendant une premiere duree determinee; convertir la tension d' image en courant diimage; decharger le condensateur sous le courant d' image pendant une deuxieme duree determinee. Selon une autre caracteristique de l' invention, l'etape a) comprend les etapes, realisees de facon simultanee pour toutes les cellules de la rangee, consistent a convertir la tension de reference en courant de reference; charger un premier condensateur sous le courant de reference pendant une premiere duree determinee; convertir la tension dtimage en courant d' image; charger un deuxieme condensateur sous le courant de reference pendant une deuxieme duree determinee; et relier les premier et deuxieme condensateurs en eerie. Selon une autre caracteristique de l' invention, le facteur damplification varie en fonction d'une tension de reglage. La presente invention prevoit egalement un dispositif de lecture de cellules diun reseau de cellules photosensibles agencees en lignes et en colonnes, chaque cellule etant adaptee a fournir une tension d' image ou une tension de reference, comprenant pour chaque colonne un convertisseur de tension en courant dont une borne d' entree est reliee a l' ensemble des cellules de la colonne et recevant les tensions fournies par l'une des cellules de la colonne; et au moins un condensateur charge sous le courant fourni par le convertisseur. Selon une autre caracteristique de l' invention, le dispositif comprend un unique condensateur charge ou decharge sous le courant fourni par le convertisseur et des moyens de commutation pour relier une premiere borne du condensateur a une borne de sortie du convertisseur et une seconde borne du condensateur a un premier potential, ou la premiere borne du condensateur au premier potentiel et la seconde borne du condensateur a la borne de sortie du convertisseur, selon les tensions recues par le convertisseur. Selon une autre caracteristique de l' invention, le dispositif comprend des premier et second condensateurs et des moyens de commutation pour relier alternativement le premier condensateur ou le second condensateur a une borne de sortie du convertisseur. Selon une autre caracteristique de l' invention, le convertisseur de tension en courant comprend un premier transistor de type MOS dont le drain est relic a la borne d' entree du convertisseur; des deuxieme et troisieme transistors de type MOS dont les grilles vent connectees ensemble a la borne dentree, et dont les sources vent reliees a un second potential, le deuxieme transistor ayant son drain relic a la source du premier transistor; un quatrieme transistor de type MOS dont la grille est reliee, avec la grille du premier transistor, a une source d'une tension de commande, et dont la source est connectee au drain du troisieme transistor de commande; et un miroir de courant dont lientree est reliee au drain du quatrieme transistor et dont la sortie est reliee a la borne de sortie du convertisseur. Selon une autre caracteristique de l' invention, les deuxieme et troisieme transistors fonctionnent dans un regime dans lequel, pour chaque transistor, pour une tension entre la grille et la source determinee, le courant de drain est proportionnel a la tension entre le drain et la source O Cet objet, ces caracteristiques et avantages, ainsi que d'autres de la presente invention seront exposes en detail dans la description suivante de modes de realisation particuliers faite a titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1, precedemment decrite, represente un dispositif de lecture classique d'une cellule photosensible; la figure 2, precedemment decrite, represente un chronogramme de differentes tensions illustrant un procede de lecture classique de la cellule par le dispositif de la figure 1; la figure 3 represente un premier mode de realisation d'un dispositif de lecture d'une cellule selon la presente invention; la figure 4 represente un chronogramme de differentes tensions illustrant un procede de lecture selon l' invention par le dispositif de la figure 3; la figure 5 represente un second mode de realisation d'un dispositif de lecture d'une cellule selon la presente invention; la figure 6 represente un chronogramme de differentes tensions illustrant un procede de lecture selon l' invention par le dispositif de la figure 5; la figure 7 represente un detail d'un element des dispositifs des figures 3 et 5; et la figure 8 represente la reponse en frequence du dispositif de la figure 3. La figure 3 represente un premier mode de realisation d'un dispositif 60 de lecture selon l' invention d'une cellule , identique a celle de la figure 1. Un dispositif de lecture selon l' invention est associe a chaque colonne du reseau de cellules photosensibles. Le dispositif de lecture 60 comprend un convertisseur tension-courant 61 de gain G dont l' entree est reliee a la piste de colonne 24. La sortie du convertisseur 61 est reliee a une premiere borne 62 diun condensateur 63, de capacite C, par l'intermediaire d'un premier interrupteur 64, et a la seconde borne 65 du condensateur 63 par l'intermediaire d'un second inCerrupteur 66. La premiAre borne 62 du condensaLeur 63 est reliAe une source de Lension 5 ariable par 1'intemAdiaire d'un troisiAme interrupLeur 67. La seconde borne 65 du condensateur 63 est relide la source de tension b par 1'inte=mAdiaire d'un quaLri inLerrupLeur 68. On ncLe VC la Lension entre les premi@re 62 et seconde 65 bornes du conden- sateur 63. Dne source de courant 69 est placAe entre 1'entrde du convertisseur 61 et la masse GND. [es interrupteurs 64, 68 vent commandAs par une IO tension V1. Ils vent fermAs quand la tension V1 est Agale une valeur positive dAtenminAe eL ouverts quand la tension V1 est nulle. Les interrupteurs 66, 67 vent commandAs par une tension V}. Ils vent femAs quand la tension V est Agale une valeur positive dAtenminde et ouverts quand la tension V} est nulle. Les interrupteurs 64, 66, 67, 68 comprennent, par exemple, chacun deux transistors compl ntaires de type MOS. Cn moyen de mesure de charge (non reprAsent6) est relic aux bornes 62, 65 du condensateur 63 de fagon mesurer la charge du condensateur pour un trait _ nt ultArieur. La figure 4 reprAsente un cbronogr _ de tensions en des points particuliers de la figure 3 illustrant le procAdA de lecture selon le premier mcde de ralisation de 1' invention. Cbaque Atape du procAdA est en fait ralise simultanment pour toutes les cellules 10 dune ^ rangAe. On dAcrira par la suite le procAdA de lecture pour une unique cellule 10. Des instants successifs t'1 t'8 vent reprdsentAs sur 1'axe des abscissas. Sur 1'axe des ordonnAes, les coubes 50, 51, 53 vent identiques celles de la figure 2. La coube 70 reprAsente 1'volution de la tension V1 de commande des interrupteurs 64 et 68. La coube 71 reprAsente 1'volution de la tension V de commande des interupteurs 66, 67. La coube 72 reprdsente 16volution de la tension Vb. La coube 73 reprAsente l'dvolution de la tension Vc aux bornes du condensateur 63. Les variations des tension Vs et VR aux instants t'1 et t'2 vent identiques a celles aux instants t1 et t2 de la figure 2. A l' instant t'3, la tension V1 passe d'une valeur nulle a une valeur positive entralnant la fermeture des interrupteurs 64 et 68. La tension V2 reste nulle de sorte que les interrupteurs 66 et 67 demeurent ouverts. La tension de reference VREF, fonction de la valeur de la tension Vs a l' instant t'3, est appliquee a l' entree du convertisseur 61 et est convertie en un courant qui circule dans le condensateur 63 de la premiere borne 62 vers la seconde borne 65. Le courant etant constant, la tension Vc aux bornes du condensateur 63 augmente de facon lineaire ce qui est represente par le troncon 74 de la courbe 73. A l' instant t'4, la tension V1 redevient nulle. Les interrupteurs 64, 68 vent done ouverts. La tension Vc aux bornes du condensateur 63 reste constante, ce qui est represente par le troncon 75 de la courbe 73. Aux instants t'5 et t'6, comme cela a ete decrit precedemment, on transfare une partie de la charge de la diode 18 vers la diode 12, ce qui fait diminuer la tension Vs. Entre les instants t'4 et t'7, la tension VD passe d'une valeur nulle a une valeur VDD, pour eviter la presence d'une tension negative a la sortie du convertisseur 61 au moment t'7. A l' instant t'7, la tension V2 passe d'une valeur nulle a une valeur positive entralnant la fermeture des interrupteurs 66, 67. La tension V1 reste nulle de sorte que les interrupteurs 64 et 68 demeurent ouverts. La tension VpIx, fonction de la valeur de la tension Vs a l' instant t'7, est appliquee a l' entree du convertisseur 61 et est convertie en un courant qui circule dans le condensateur 63 de la seconde borne vers la premiere borne 62. Le courant etant constant, la tension Vc aux bornes du condensateur 63 diminue de facon lineaire ce qui est represente par le troncon 76 de la courbe 73. A l' instant t', la tension V2 redevient nulle. Les interrupteurs 66, 67 vent done ouverts. La tension Vc aux bornes du condensateur 63 reste constante, ce qui est represente par le troncon 77 de la courbe 73. Sur le troncon 74, la charge acquise par le condensateur 63 est donnee par la formule suivante: Q1 = VREF*G*T1 ou T1 = t'4-t 3 Sur le troncon 76, la charge perdue par le condensateur 63 est donnee par la formule suivante: Q2 = VPIX*G*T2 ou T2 = t'8-t 7 Apres l' instant t', la charge resultante du conden sateur 63 est egale a: QR = VREF*G*T1 - VPIX*G*T2 Dans le cas ou T1 = T2 = T. nous pouvons ecrire: QR = G*T*(VREF - VpIx) La tension aux bornes de la capacite Vc s'ecrit done: VC = (G*T/C)*(vREF VpIx) =(G*T/C)*VU 2 O Dans le cas ou le terme G*T/C est superieur a 1, on obtient une amplification de la tension Vu par le dispositif de lecture 60. Afin d'eviter la dependence de Vc par rapport a la capacite C du condensateur 63 qui peut varier legerement d'une 2 5 colonne a l'autre, il est preferable de mesurer la charge resultante QR stockee dans le condensateur 63 plutot que de mesurer directement Vc. En effet, la charge resultante QR est independante de la capacite C. Pour ce faire, on utilise un moyen de mesure de charge classique qui realise le transfert de la charge stockee dans le condensateur 63 sur un ou plusieurs condensateurs de lecture. On lit finalement la tension aux bornes du ou des condensateurs de lecture, qui sera fonction de la charge QC et des capacites des condensateurs de lecture. Le meme ou les memes condensateurs de lecture etant utilises pour toutes les colonnes, la tension finalement lue est independante de la non uniformite des capacites C des condensateurs 63 de chaque colonne. La figure 5 represente un second mode de realisation du dispositif 60 de lecture selon l' invention d'une cellule 10. Selon ce second mode, la sortie du convertisseur tension-courant 61 est reliee a une premiere borne d'un premier condensateur 80, de capacite C1, par l'intermediaire d'un premier interrupteur 82 commande par une tension V82, et a une premiere borne d'un second condensateur 84 par l'intermediaire d'un second interrupteur 86 commande par une tension V86. Les secondes bornes des premier 80 et second 84 condensateurs vent reliees a la masse GND par l'intermediaire dun troisieme interrupteur 88. La figure 6 represente un chronogramme de tensions en des points particuliers de la figure 5 illustrant le procede de lecture selon le second mode de realisation de invention. Chaque etape du procede est en fait realisee simultanement pour toutes les cellules 10 d'une meme rangee. On decrira par la suite le procede de lecture pour une unique cellule 10. Des instants successifs t''1 a t" 8 vent representes sur l'axe des abscissas. Sur l'axe des ordonnees, les courbes , 51, 53 vent identiques a celles de la figure 2. La courbe 90 represente l' evolution de la tension V82. La courbe 91 repre- sente l' evolution de la tension V86. La courbe 92 represente l' evolution de la tension aux bornes du condensateur 80. La courbe 93 represente l' evolution de la tension aux bornes du condensateur 84. De l' instant t''1 a l' instant t" 8, 1' interrupteur 88 reste ferme. Les variations des tensions Vs et VR aux instants t''1 et t"2 vent identiques a celles aux instants t1 et t2 de la figure 2. A l' instant t" 3, la tension V82 passe diune valeur nulle a une valeur positive entralnant la fermeture de 1tinterrupteur 82. a tension V6 reste nulle de sorte que 3 5 1'interrupteur 86 demeure ouvert. La tension de reference VREF, fonction de la valeur de la tension Vs a l' instant t"3, est appliquee a l' entree du convertisseur 61 et est convertie en un courant qui circule dans le condensateur 80. Le courant etant constant, la tension aux bornes du condensateur 80 augmente de fa,con lineaire ce qui est represente par le tron,con 94 de la courbe 92. A l' instant t"4, la tension V82 redevient nulle. L'interrupteur 82 est done ouvert. La tension aux bornes du condensateur 80 reste constante. Aux instants t"5 et t"6, comme cela a ete decrit precedemment, on transfere une partie de la charge de la diode 18 vers la diode 12, ce qui fait diminuer la tension Vs. A l' instant t"7, la tension V86 passe d'une valeur nulle a une valeur positive entralnant la fermeture de l'interrupteur 86. La tension V82 reste nulle de sorte que l'interrupteur 82 demaure ouvert. La tension VpIx, fonction de la valeur de la tension Vs a l' instant t "7, est appliquee a l' entree du convertisseur 61 et est convertie en un courant qui circule dans le condensateur 84. Le courant etant constant, la tension aux bornes du condensateur 84 augmente de fac,on lineaire ce qui est represente par le tron,con 95 de la courbe 93. A l' instant t"8, la tension V86 redevient nulle. L'interrupteur 86 est done ouvert. La tension aux bornes du condensateur 84 reste constante. La lecture est realisee en ouvrant les deux inter rupteurs 82, 86 et en ouvrant l'interrupteur 88. Les conden sateurs 80, 84 vent alors disposes en eerie. Les charges s'equi librent entre les condensateurs 80, 84, de sorte que la charge resultante sur chacun des condensateurs soit liee a la difference entre les tensions VREF et VpIx. On peut alors fire la charge resultante sur l'un des condensateurs 80, 84, ou sur les deux condensateurs, comme cela a ete explique precedemment. Le dispositif selon l' invention presente de nombreux avantages. Premierement, le dispositif selon l' invention permet de reduire le bruit provenant des transistors 20, 22, et de la source de courant 40. En effet, la tension Vc aux bornes du condensateur 63 dans le premier mode de realisation et des condensateurs 80, 84 dans le second mode correspond a l'inte- gration d'un courant issu du convertisseur 61. On realise ainsi une moyenne des bruits presents sur les tensions VREF et VpIx en entree du convertisseur 61. Deuxiemement, le premier mode de realisation du dispositif selon l' invention permet de reduire le "bruit fixe de colonne" dont l'origine provenait de la dissymetrie des adaptateurs dtimpedance 34, 38. En effet, dans la presente invention, le decalage provenant du convertisseur 61 de tension en courant est elimine par l 'operation de "soustraction de charges" realisee au niveau du condensateur 63. Troisiemement, la presente invention permet de realiser une amplification de la tension utile Vu directement au niveau du dispositif de lecture. A titre d'exemple, pour une duree T de l'ordre de 1 ps, une capacite C de 500*10-15 F. et un gain G de 10-6 A|V, on obtient une amplification de la tension utile Vu de l'ordre de deux. Quatriemement, la presente invention permet de regler le facteur d' amplification du dispositif de lecture en modifiant le gain G du convertisseur tension-courant 61, ou en modifiant les durees T1 et T2. En consequence, la presente invention permet, par exemple, de faire varier le facteur d'amplification en fonction de la cellule qui est lue par le dispositif de lecture. On peut ainsi envisager de faire varier le facteur d' amplification en fonction de la couleur qui doit etre utilisee dans l' image calculee a partir du signal utile Vu. Cinquiemement, dans le premier mode de realisation, on a supprime un condensateur dans le dispositif 60 selon l' invention par rapport au dispositif 30 de la figure 1. En realisant le convertisseur tensioncourant 61 et la source de courant 69 avec un nombre limite de transistors de type MOS, on pent obtenir des gains de place allant de 20 9s a 25 A. La figure 7 represente un example de realisation du convertisseur tension-courant 61 et de la source de courant 69 de la figure 3. La borne 100 represents l' entree du convertis- seur 61 ou est appliques une tension VIN et la borne 101 represente la sortie du convertisseur 61 qui fournit un courant To. Le convertisseur 61 comporte deux transistors 102, 103 de type MOS a canal N dont les grilles vent commanders par une tension de reglage VG. La borne 100 est connectee au drain du transistor 102. La source du transistor 102 est connected au drain d'un transistor 104 de type MOS a canal N. La source du transistor 103 est connected au drain d'un transistor 105 de type MOS a canal N. Les sources des transistors 104, 105 vent connecters a la masse AND. Les grilles des transistors 104, 105 vent connecters ensemble et a la borne 100. Le drain du transistor 103 est connecte a un miroir de courant qui se compose de deux transistors 106, 107 de type MOS 2 0 a canal P. Le drain du transistor 106 est connecte au drain du transistor 103. Le drain du transistor 107 est connecte a la borne de sortie 101. Les grilles des transistors 106, 107 vent connecters ensemble et au drain du transistor 106. Les sources des transistors 106, 107 vent connecters a une source de tension VA, qui peut gore egale a la tension VRT. Le principe de fonctionnement du convertisseur 61 est le suivant: Les transistors 104, 105 fonctionnent de facon lineaire, c'est-a-dire que pour une tension entre la grille et la source 3 0 donnee, le courant de drain est sensiblement proportionnel a la tension entre le drain et la source. Le courant du drain ID1o4 du transistor 104 est donne par l 'expressionsuivante: ID104 = K*(VGS104-VTH) *VDS104 ou VGSl04 est la tension entre la grille et la source du transistor 104 et VDSl04 est la tension entre le drain et la source du transistor 104, K est une constante, et VTH une tension de seuil specifique du transistor 104. La tension VGSl04 est egale a la tension d' entree VIN. La tension VDSl04 est donnee par: VDS104 = VG VGS102 ou VGSlo2 est la tension entre la grille et la source du transistor 102. Les transistors 102 et 103 fonctionnent en regime sature et VGSlo2 est fixe par la valeur du courant de drain ID102 du transistor 102, egal a ID1o4 La valeur de VGSlo2 varie peu de sorte que VDS104 varie peu. Etant donne la symetrie du circuit, le courant de drain du transistor 103 est egal a ID1o4. Les transistors 106, 107 formant un miroir de courant, on obtient: Io = ID103 = K*(VGS104-VTH)*VDS104 = K*(VGS104-VTH)*(VGVGS102) G*VGsl04 = G*VIN Le gain G du convertisseur 61 ne depend sensiblement que de la tension de reglage VG. Le convertisseur 61 precedemment decrit est de conception particulierement simple et ne requiert qu'un nombre reduit de transistors de type MOS. Il permet egalement de changer le gain G du convertisseur de fac,on simple au moyen de la tension de reglage VG. La figure 8 represente la reponse en frequence du dispositif selon l' invention. La courbe 100 represente la tension normalisee de sortie Vu du dispositif de lecture 30 de la figure 1. La courbe 111 represente la tension de sortie normalisee Vc du dispositif de lecture 60 selon l' invention. Comme cela apparalt sur la figure 6, pour les deux courbes 110, 111, le signal de sortie n'est pas attenue aux frequences voisines de 100 kHz, qui peuvent correspondre aux frequences habituelles de fonctionnement du dispositif de lecture 30. Pour la courbe 110, le signal n'est pas non plus attenue a certaines frequences superieures au megahertz, en particulier a des frequences de plusieurs dizaines de megahertz qui correspondent aux frequences de fonctionnement de l'horloge du systeme. Au contraire, le dispositif de lecture 60 selon l' invention attenue egalement les signaux au-dela du megahertz. Bien entendu, la presente invention est susceptible de diverges variantes et modifications qui apparaltront a lihomme de ['art. En particulier, lors de la description precedente, il est possible d'agencer les transistors de fagon differente en vue d'optimiser la linearite de la reponse du convertisseur 61 et/ou de minimiser les effete de la dispersion des caracteristiques des transistors MOS afin d'eviter les bruits fixes. REVENDICATIONS 1. Procede de lecture d'une cellule (10) d'un reseau de cellules photosensibles agencees en rangees et en colonnes, chaque cellule etant adaptee a fournir une tension d' image (VpIx) ou une tension de reference (VREF), caracterise en ce qu'il comprend les etapes suivantes: a) charger, de fac,on simultanee pour toutes les cellules de la rangee de ladite cellule, au moins un conden- sateur (63, 80, 84) avec une charge resultante fonction de la difference entre un courant de reference et un courant diimage correspondents respectivement a la conversion de la tension de reference et de la tension d' image; et b) mesurer pour la colonne de la cellule la charge du condensateur. 2. Procede selon la revendication 1, dans lequel l'etape a) comprend les etapes suivantes realisees de fagon simultanee pour toutes les cellules de la rangee: - convertir la tension de reference en courant de reference; - charger un condensateur (63) sous le courant de reference pendant une premiere duree determinee (T1); - convertir la tension d' image en courant d' image; - decharger le condensateur sous le courant d' image pendant une deuxieme duree determinee (T2). 3. Procede selon la revendication 1, dans lequel l'etape a) comprend les etapes suivantes realisees de fa,con simultanee pour toutes les cellules de la rangee: - convertir la tension de reference en courant de reference; - charger un premier condensateur (80) sous le courant de reference pendant une premiere duree determinee (T1); - convertir la tension d' image en courant d' image; - charger un deuxieme condensateur (84) sous le courant de reference pendant une deuxieme duree determinee (T2); et relier les premier et deuxieme condensateurs en eerie. 4. Procede selon la revendication 3, dans loquel le facteur d' amplification varie en fonction d 'une tension de reglage (VG). 5. Dispositif de lecture de cellules (10) d'un reseau de cellules photosensibles agencees en lignes et en colonnes, chaque cellule etant adaptee a fournir une tension d' image (Vpx) ou une tension de reference (VREF), caracterise en ce qu'il comprend pour chaque colonne: - un convertisseur (61) de tension en courant dont une borne d' entree (100) est reliee a l 'ensemble des cellules de la colonne et recevant les tensions fournies par l'une des cellules de la colonne; et au moins un condensateur (63, 80, 84) charge sous le courant fourni par le convertisseur. 6. Dispositif selon la revendication 5, comprenant un unique condensateur (63) charge ou decharge sous le courant fourni par le convertisseur et des moyens de commutation (64, 66, 67, 68) pour relier une premiere borne (62) du condensateur a une borne de sortie (101) du convertisseur et une seconde borne (65) du condensateur a un premier potentiel (VD), ou la premiere borne du condensateur au premier potentiel et la seconde borne du condensateur a la borne de sortie du convertisseur, selon les tensions recues par le convertisseur. 7. Dispositif selon la revendication 5, comprenant des premier et second condensateurs ( 80, 84) et des moyens de commutation (82, 86) pour relier alternativement le premier condensateur ou le second condensateur a une borne de sortie (101) du convertisseur (61). 8. Dispositif selon la revendication 5, dans lequel le convertisseur (61) de tension en courant comprend: - un premier transistor (102) de type MOS dont le drain est relic a la borne d' entree (100) du convertisseur; - des deuxieme (104) et troisieme (105) transistors de type MOS dont les grilles vent connecters ensemble a la borne d' entree, et dont les sources vent reliees a un second potential (GOD), le deuxieme transistor ayant son drain relic a la source du premier transistor; - un quatrieme transistor (103) de type MOS dont la grille est reliee, avec la grille du premier transistor, a une source d'une tension de commando (VG), et dont la source est connectee au drain du troisieme transistor de commande; et - un miroir de courant (106, 107) dont l' entree est reliee au drain du quatrieme transistor et dont la sortie est reliee a la borne de sortie (101) du convertisseur. 9. Dispositif selon la revindication 8, dans lequel les deuxieme (104) et troisieme (105) transistors fonctionnent dans un regime dans lequel, pour chaque transistor, pour une tension entre la grille et la source determines, le courant de drain est proportionnel a la tension entre le drain et la