FR 2837922 A1 20031003 FR 0303617 A 20030325 vue de le raccorder électriquement à la borne (20). STRUCTURE DE CAPTEUR A COMPENSATION DE SENSIBILITÉ, DÉPENDANTE DE LA TEMPÉRATURE La présente invention concerne d'une manière générale un capteur qui agit de manière à mesurer par exemple une pression physique qui agit sur lui, et plus particulièrement une structure perfectionnce d'un tel cap- teur à compensation de sensibilité! dépendante de la tempé- rature, concu pour compenser une variation de la sensibi- lité du capteur apparaissant sous l'effet d'une variation de sa température. On connaît des capteurs de pression destinés à être utilisés pour mesurer la pression d'un fluide de frei nage dans un actionneur de frein ou la pression de carbu rant dans un dispositif d' injection de carburant de véhi cules automobiles. La majeure partie de ce type de capteurs de pression inclut un diaphragme mince formé sur un subs- trat semiconducteur et deux paires de résistances de jauge connsctées à une partie centrale et à une partie périphé- rique du diaphragme sous la forme d'un pont de Wheatstone pour former un élément de détection. Lorsqu'une pression physique est appliquée à l'élément de détection, ceci entraîne une modification de la valeur résistive des résis- tances de jauge par effet piézoélectrique, ce qui conduit à l 'apparition d'une différence de potentiel entre des points médians des paires de résistances de jauge installées sur les parties centrale et périphérique du diaphragme. Le cap- teur de pression amplifie et modifie une telle tension de sortie pour produire un signal électrique en fonction de la pression qui lui est appliquée. Dans un tel type de capteur de pression, les résistances de jauge possèdent un coeffi cient de température de résistance (TCR) sensible à une variation de la température. De façon similaire l'élément de détection possède un coefficient de température de sen- sibilité (TCS) sensible à une variation de la température. C'est pourquoi des capteurs de pression conçus pour compen ser le coefficient TCS de l'élément de détection ont été proposés. La figure 5, annexée à la présente demande, représente un exemple d'un tel capteur de pression, que l'on va décrire ci-après. Le capteur de pression est constitué par un cir cuit à courant contant 1, un élément de détection 2 et une résistance de compensation de température 3. Le circuit à courant constant 1 est formé d'un amplificateur opérationnel 100a, de transistors 100b et c connectés selon un montage de Darlington, de transistors 100d, 100e, et 100f connectés pour former un miroir de courant, et d'une résistance 101. Une tension VK est appliquée de l'extérieur à l'une des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel 100a. L'autre borne d'entrée de l'amplificateur opérationnel 100a est connectée à un émetteur du transistor 100c. L'amplificateur opérationnel a sert de suiveur de tension qui commande le courant traversant le transistor 100d et passant dans les transistors 100b et 100c. Le courant constant Is traverse le transistor 100e proportionnellement au courant traver sant le transistor 100d. De cette manière le courant constant Is traverse le transistor 100e proportionnellement à la tension d'entrée VK. On notera que le courant constant Is est proportionnel uniquement à la tension d'entrée VK, mais ne dépend pas de la tension d'alimentation en énergie VCC1. L'élément de détection 2 est constitué par des résistances de jauge 202 à 205 connectées pour former un pont de Wheatstone. Les résistances de jauge 202 à 205 possèdent chacune un coefficient TCR qui est sensible à la pression appliquée à l'élément de détection 2 et à la température de l'élément de détection 2. La tension VSI du transistor lOOe du circuit à courant constant 1 est appliquée à l'élément de détection 2. Des tensions VS+ et VS- apparaissent au niveau des joints B et C de l'élément de détection 2 en fonction de la tension VSI appliquée à l'élément de détection 2. La résistance de compensation de température 3 possède un coefficient TCR qui est sensible à sa tempéra- ture, et est connectée en parallèle avec l'élément de détection 2. Le coefficient TCR de la résistance de compensa- tion de température 3 est supérieur à ceux des résistances de jauge 202 à 205. Le courant Isl, qui traverse la résis- tance de compensation de température 3, diminue lorsque la température augmente, tandis que le courant Is2, qui tra- verse l'élément de détection 2, augmente lorsque la tempé- rature augmente. L' augmentation du courant Is2 conduit à un accroissement de la tension VSI appliquée à l'élément de détection 2. Le coefficient TCS de l'élément de détection 2 dépend de la tension VSI c'est-à-dire du courant Is2 cTrcu- lant dans l'élément de détection 2. C'est pourquoi, un accroissement du courant Is2 sert à compenser le coefficient TCS de l'élément de détec- tion 2 si le coefficient TCS varie avec une pente négative. En outre l'utilisation d'une résistance en tant que résis- tance de compensation de température 3, qui possède un coefficient TCR inférieur à celui des résistances de jauge 202 à 205, permet une compensation du coefficient TCS de l'élément de détection 2 s'il varie selon une pente posi tive. Dans ce cas, le coefficient TCR de la résistance de compensation de température 3 peut être inférieur à celui des résistances de jauge 202 à 205. Par exemple, il peut être égal à zéro (0). De façon spécifique on réalise la compensation du coefficient TCS de l'élément de détection 2 en conférant une caractéristique de température au courant Is2 traversant l'élément de détection 2 en utilisant la résistance de compensation de température 3 qui possède une caractéristique de température différente de celle des résistances de jauge 202 à 205 de l'élément de détection 2. Le coefficient TCR des résistances de jauge 202 à 205 de l'élément de détection 2, dans le cas o ce dernier est réalisé avec des résistances diffusées, dépend de la concentration en impuretés qu'il contient. Un accroissement de la température de l'élément de détection 2 pendant le passage d'un courant constant dans les résistances de jeuge 202 à 205 entraîne un accroissement de la tension VSI appliquée à l'élément de détection 2. De façon spécifique la réduction du coefficient TCS est compensée par la concentration d'impuretés dans les résistances diffusoes, ce qui est habituellement désigné sous l' expression autocompensation de sensibilité, mais n'est jamais obtenu. Par conséquent le capteur de pression utilise en outre la résistance de compensation de température 3 possédant un coefficient TCR donné pour compenser le coefficient TCS de l'élément de détection 2. Les figures 6(a) et 6(b) annexées à la présente demande présentent respectivement un coefficient TCS idéal et un coefficient TCS récl du capteur de pression. Dans le cas d'un coefficient TCS idéal de la figure 6(a), la sensi bilité d'un élément de détection 2 est maintenue constante par l'autocompensation de sensibilité, indépendamment de sa température. Dans le cas d'un coefficient TCS rcel de la figure 6(b), la sensibilité varie, comme indiqué par la ligne en trait plein, lors d'une variation de la température du capteur de pression. Le capteur de pression de la figure 5 utilise la résistance de compensation de température 3 pour compenser la sensibilité, et ce d'une quantité 6. Cependant dans le capteur de pression indiqué plus haut, il se pose un problème pour la compensation d'une variation du coefficient TCS si le coefficient TCS varie, comme indiqué par une ligne en trait mixte, et ce avec une pente plus élevée. C'est pourquoi un but principal de la présente invention est d' éviter les inconvénients de l' art anté- rieur. Un autre but de l' invention est de fournir une structure de circuit perfectionnée d'un capteur concu pour conférer une caractéristique de température au courant envoyé à un élément de détection, de manière à compenser une variation du coefficient TCS de l'élément de détection. Selon un aspect de l'ivention il est prévu un circuit capteur, qui peut être utilisé pour mesurer une pression physique s'exerçant sur lui, et caractérisé en ce qu'il comprend: (a) une première résistance formant un élément de détection, (b) une seconde résistance branchée en parallèle avec ledit élément de détection, ladite seconde résistance possédant une caractéristique de température différente de celle de ladite première résistance, (c) une source de courant envoyant des courants donnés auxdites première et seconde résistances, et (d) un circuit de compensation installé dans ladite source de courant. Le cTrcuit de compensation agit de manière à conférer des caractéristiques de température aux courants circulant dans les première et seconde résistances, ce qui compense toute variation du coefficient TCS de l'élément de détection. Dans un mode préféré de l' invention, la source de courant peut être concue de manière à augmenter des cou rants circulant dans lesdites première et seconde résis tances, lors d'un accroissement de la température de ces dernières. Ceci permet la compensation d'une variation du coefficient TCS lors d'une modification avec une pente négative lors d'un accroissement de la température. En variante, la source de courant peut être agencce de manière à réduire les courants circulant dans lesUites première et seconde résistances, lors d'accroissement de la température de ces dernières. Ceci permet la compensation d'une variation du coefficient TCS lors du changement d'une pente positive lors d'un accroissement de la température. Selon un second aspect de l' invention, il est prévu un cTrcuit de capteur, caractérisé en ce qu'il com- porte (a) une première résistance formant un élément de détection, (b) une seconde résistance branchée en parallèle avec ledit élément de détection, ladite seconde résistance possédant une caractéristique de température différente de celle de ladite première résistance, (c) une source de courant envoyant des courants donnés auxdites première et seconde résistances, et (d) une troisième résistance installée dans ladite source de courant, ladite troisième résistance possédant une valeur résistive qui varie en fonction d'une variation de la température de la résistance et agit de manière à conférer des caractéristiques de température aux courants donnés traversant lesUites première et seconde résistances, ce qui permet une compensation de toute variation du coefficient TCS de l'élément de détection. Dans le mode préféré de l' invention, la source de courant peut être conçue de manière à augmenter les cou- rants donnés cTrculant dans lesdites première et seconde résistances lors d'un accroissement de la température de ces dernières. Ceci permet la compensation d'une variation du coefficient TCS lors du changement avec une pente négative avec un accroissement de la température. En variante, la source de courant peut étre agencée de manière à réduire les courants donnés circulant dans lesdites première et seconde résistances lors d'un accroissement de la température de ces dernières. Ceci permet la compensation d'une variation du coefficient TCS lors de la modification avec une pente positive lors d'un accroissement de la température. Selon une autre caractéristique de l' invention, ladite source de courant possède des premier et second transistors connectés de manière à former un miroir de cou- rant, ladite source de courant produit un flux de courant de référence traversant ledit premier transistor pour pro- duire des flux d'un courant constant proportionnel au cou- rant de référence délivré par ledit second transistor aux dites première et seconde résistances en tant que courants circulant dans lesdites première et seconde résistances, et la valeur résistive de ladite troisième résistance augmente lorsque sa température augmente pour accroître le courant de référence. La valeur résistive de la troisième résistance peut augmenter lors d'un accroissement de sa température pour réduire le courant de référence, ce qui permet la com pensation d' une variation du coefficient TCS lors d' un changement avec une pente positive lorsque la température augmente. La tension envoyée à l'une des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel peut être modifiée par la valeur résistive de la troisième résistance. La source de courant peut posséder une tension d'entrée appliquée de l' extérieur à l' autre borne d' entrée de l'amplificateur opérationnel. Cette tension d'entrée peut être proportionnelle au courant constant. La source de courant peut comporter des premier et second transistors connectés de manière à former un miroir de courant, une quatrième résistance branchée en série avec ledit premier transistor, et un amplificateur opérationnel comportant deux bornes d'entrée, une tension d'entrée étant appliquée à l'une des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel, la tension apparaissant à une extrémité de la quatrième résistance étant appliquée à l'autre des bornes d'entrée de l'amplificateur opération- nel, une sortie de l'amplificateur opérationnel servant à produire un flux de courant de référence traversant ledit premier transistor pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence depuis ledit second transistor vers lesdites première et seconde résis- tances pour constituer lesdit.s courants donnés cTrculant dans lesUites première et seconde résistances, ladite ten- sion d'entrée étant appliquée à l'autre des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel par l'intermédiaire de ladite troisième résistance, et ledit courant de référence est fourni par un courant circulant dans ladite quatrième résistance moins un courant circulant dans ladite troisième résistance. Ceci permet la compensation d'un variation du coefficient TCS lors d'une modification pour une pente négative lors d'un accroissement de la température. En variante, la source de courant peut comporter des premier et second transistors connoctés de manière à former un miroir de courant, une quatrième résistance branchée en série avec ledit premier transistor, et un amplificateur opérationnel comportant deux bornes d'entrée, une tension d' entrée étant appliquée de l' extérieur à l'une des bornes d'entrce de l'amplificateur opérationnel, la tension apparaissant à une extrémité de la quatrième résistance étant appliquée à l'autre des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel, une sortie de l'amplificateur opérationnel servant à produire un flux de courant de référence dans ledit premier transistor pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence depuis ledit second transistor vers lesdites première et seconde résistances en tant que courants donnés cTrculant dans les première et seconde résistances, et la tension d'entrée appliquée à l'une des bornes d'entrée dudit amplificateur opérationnel est fournie par une fraction d'une tension de source d'alimentation produite par un diviseur de tension en utilisant ladite troisième résistance. Ceci permet la compensation d'une variation du coefficient TCS lors d'une modification pour une pente négative lorsque la température augmente. En variante, la source de courant peut comporter des premier et second transistors connectés de manière à former un miroir de courant, une quatrième résistance branchée en série avec ledit premier transistor, et un amplificateur opérationnel possédant deux bornes d'entrce, une tension d'entrée étant appliquée depuis l'extérieur à l'une des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel, une sortie de l'amplificateur opérationnel servant à produire un flux de courant de référence dans ledit premier transistor pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence depuis ledit second transistor vers lesdites première et seconde résistances pour constituer lesdits courants donnés circulant dans lesUites première et seconde résistances, et une fraction de la tension apparaissant à une extrémité de la quatrième résistance et fournie par ladite troisième résistance et une cinquième résistance est appliquée à l'autre des bornes d'entrée dudit amplificateur opérationnel. Ceci permet la compensation d' une variation du coefficient TCS lors d' une modification sous une pente négative avec un accroissement de la température. Conformément au troisième aspect de l' invention, il est prévu un circuit de capteur, caractérisé en ce qu'il comporte (a) une première résistance formant un élément de détection, (b) une seconde résistance branchée en parallèle avec ledit élément de détection, ladite seconde résistance possédant une caractéristique de température différente de celle de ladite première résistance, (c) une source de courant délivrant des courants donnés auxdites première et seconde résistances, ladite source de courant posséJant des premier et second transistors branchés pour former un miroir de courant, une troisième résistance branchée en série avec ledit premier transistor, et un amplificateur opérationnel comportant deux bornes d'entrée, une tension d'entrée étant appliquée depuis l'extérieur à l'une des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel, une tension apparaissant à une extrémité de la troisième résistance étant appliquce à l'autre des bornes d'entrée de l' amplificateur opérationnel, une sortie de l' amplificateur opérationnel servant à produire un flux de courant de référence dans ledit premier transistor pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence depuis ledit second transistor vers lesdites première et seconde résistances, pour former lesdits courants donnés circulant dans lesdites première et seconde résistances, et (d) une quatrième résistance installée dans ladite source de courant, ladite quatrième résistance possadant une valeur résistive qui varie en fonction d'une variation de sa température et agit de manière à appliquer des caractéristiques de température aux courants donnés circulant dans lesUites première et seconde résistances, et ladite tension d'entrée est appliquée à l'autre des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel par l'intermédiaire de ladite quatrième résistance, et ledit courant de référence est produit par un courant qui traverse ladite troisième résistance, moins un courant qui circule dans ladite quatrième résistance. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur les quels: - la figure 1 est une structure de circuit d'un capteur de pres s ion se lon la première forme de réal i sation de l' invention; - la figure 2 est une structure de circuit d'un capteur de pression selon la seconde forme de réalisation de l' invention; - la figure 3 est une structure de circuit d'un capt eur de pres s ion selon la troi s ième forme de réal i sat ion de l' invention; la figure 4 est une structure de circuit d'un capteur de pression selon la quatrième forme de réalisation de l' invention; - la figure 5, dont il a déjà été fait mention, représente une structure de cTrcuit d'un capteur de pres sion classique; - la figure 6(a), dont il a déjà été fait men tion, représente un graphique qui montre une sensibilité idéale d'un capteur de pression maintenue constante indépendamment de la température du capteur de pression; et - la figure 6(b), dont il a déjà été fait men tion, est un graphique qui représente une sensibilité rcelle du capteur de pression, tel que représenté sur la figure 5, qui est sensible à la température du capteur de pression. En référence aux dessins, sur lesquels des chiffres de référence identiques désignent des parties identiques sur plusieurs vues, notamment en référence à la figure 1, on y voit représentée une structure de circuit d'un capteur de pression conformément à la première forme de réalisation de l' invention. Les mêmes chiffres de référence que ceux utilisés sur la figure 5 désignent les mémes éléments. Le capteur de pression selon cette forme de réalisation diffère, uniquement en ce qui concerne la structure du circuit à courant constant 1, de la structure classique telle que représentée sur la figure 5, et on ne donnera pas ici l' explication détaillée de la structure de l'élément de détection 1. Le circuit à courant constant 1 comprend des résistances 103 et 104 et une résistance de compensation de température 102 possédant un coefficient de température de résistance (TCR). La tension VK est appliquée à l'une des bornes d'entrce d'un amplificateur opérationnel lOOa par l'intermédiaire de la résistance 103 et également à l'autre borne d' entrée de l' amplificateur opérationnel lOOa au moyen de la résistance 102. La borne d'entrée de l'amplifi- cateur opérationnel lOOa aboutissant à la résistance 103 est connoctée à la masse par l'intermédiaire d'une résis- tance 104. D'autres agencements sont identiques à ceux représentés sur la figure 5. Si les courants traversant la résistance 101 et la résistance de compensation de température 102 sont défi nis respectivement par I1 et Ia, le courant Ik traversant le transistor lOOc connecté en montage de Darlington au transistor lOOd est exprimé par Ik = I1 - Ia. Un accroisse ment de la valeur résistive de la résistance 102 lors d'un accroissement de sa température conduit à une réduction du courant Ia circulant dans la résistance à compensation de température 102, et à un accroissement du courant Ik traversant le transistor lOOc. L' augmentation du courant Ik conduit à un accroissement du courant constant Is traver- sant le transistor lOOe, ce qui entraîne un accroissement du courant Is2 traversant l'élément de détection 2, ce qui conduit à un accroissement de la tension VSI appliquée à l'élément de détection 2. Ceci permet de compenser une variation du coefficient de température de sensibilité (TCS) de l'élément de détection 2 étant donné qu'il dépend de la tension VSI appliquée. De façon spécifique, si la sensibilité de l'élé- ment de détection 2 varie fortement, comme indiqué par la ligne en trait mixte sur la figure 6(b), lors d'une varia- tion de sa température, le circuit à courant constant 1 de cette forme de réalisation agit de manière à compenser complètement une variation du coefficient TCS de l'élément de détection 2 par la résistance de compensation de température 102 à l' aide de l'autocompensation de sensibilité obtenue par la commande de la concentration d'impuretés contenues dans les résistances 202 à 205 et la résistance de compensation de température 102 possédant un coefficient TCR donné, comme cela a déjà été décrit dans la partie introductive de la description. Les résistances 103 et 104 sont prévues pour éta- blir la même relation proportionnelle entre la tension d'entrée VK et le courant constant Is que celle présente dans la structure de la figure 5. Le courant constant Is peut être également modifié par la résistance 102 de com- pensation de température sans l'utilisation des résistances 103 et 104. En outre même si la résistance à compensation de température 3 est constituce par une résistance qui ne présente pas le coefficient TCR, on peut également obtenir une modification du courant constant Is en utilisant la résistance de compensation de température 102. Comme pour la structure classique de la figure 5, le courant constant Is est proportionnel uniquement à la tension d'entrée VK indépendamment de la tension d'alimentation en énergie VCC1. Par conséquent si la tension d'entrée VK est fournie d'une manière proportionnelle à la tension d'alimentation en énergie VCC1, alors un signal de sortie de jauge (c'està-dire VS+ - VS-) est proportionnel à la tension d'alimentation en énergie VCC1. La figure 2 représente un capteur de pression selon la seconde forme de réalisation de l' invention, qui diffère de la première forme de réalisation uniquement en ce que la résistance 101 et la résistance de compensation de température 102 sont permutées. De façon spécifique la résistance 101 est dispo- sée entre l'extrémité de la résistance 103, au niveau de laquelle la tension VK est introduite, et l'une des bornes d' entrce de l' amplificateur opérationnel lOOa. La résis tance de compensation de température 102 est disposée entre le transistor lOOc et la masse. D'autres agencements sont identi ques à ceux de la première forme de réal i sat ion, et on n'en donnera aucune explication détaillée. Si des courants circulant dans la résistance de compensation de température 102 et dans la résistance 101 sont définis respectivement par I1 et Ia, le courant Ik circulant dans le transistor lOOc est exprimé par Ik=I1-Ia. Un accroissement de la valeur résistive de la résistance de compensation de température 102 lors d'un accroissement de sa température conduit à des rébuctions du courant I1 cir culant dans la réaistance de compensation de température 102 et du courant Ik traversant le transistor lOOc. La réduction du courant Ik conduit à une réduction du courant constant Is traversant le transistor lOOe, ce qui entraîne une réduction du courant Is2 traversant l'élément de détec- tion 2, ce qui conduit à une réduction de la tension VSI appliquée à l'élément de détection 2. De façon spécifique, un accroissement de la tem- pérature du capteur de pression conduit à un accroissement de la valeur résistive de la résistance de compensation de température 102 comportant un coefficient TCR donné, ce qui réduit le courant constant Is traversant le transistor lOOe connecté au miroir de courant, ce qui compense une varia- tion du coefficient TCS de l'élément de détection 2 dans le cas o le coefficient TCS varie avec une pente positive lors d'une variation de la température. Comme dans la première forme de réali sat ion, le courant constant Is est proportionnel uniquement à la ten- sion d'entrée Vk indépendamment de la tension d'alimentation en énergie VCC1. La figure 3 représente un capteur de pression selon la troisième forme de réalisation de l' invention. Le circuit à courant constant 1 comprend des résistances 105 à 107 et la résistance de compensation de température 102 possédant le coefficient TCR. Les résis tances 106 et 107 et la résistance de compensation de tem- pérature 102 servent à former des fractions d'une tension de source d'alimentation VCC. Une tension intermédiaire développée entre les résistances 106 et 107 est envoyée à l'une des bornes d'entrée du comparateur lOOa. La tension d'entrce VK est appliquée à une jonction des résistances 107 et 108 par l'intermédiaire de la résistance 105. D'autres agencements sont identiques à ceux de la première forme de réalisation, et on n'en donnera ici aucune explication détaillée. En fonctionnement, l'accroissement de la valeur résistive de la résistance de compensation de température 102 lors d'un accroissement de sa température conduit à un accroissement de la tension intermédiaire apparaissant au niveau de la jonction entre les résistances 106 et 107, de sorte que la tension apparaissant au niveau de la borne d'entrée de l'amplificateur opérationnel lOOa augmente. Ceci a pour effet que le courant Ik traversant le transistor lOOc augmente, ce qui accroît le courant constant Is traversant le transistor lOOe. Le courant Is2 traversant l'élément de détection 2 augmente par conséquent de sorte que la tension VSI appliquée à l'élément de détection 2 augmente. De façon spécifique, un accroissement de la tem pérature du capteur de pression conduit à un accroissement de la valeur résistive de la résistance de compensation de température 102 possédant un coefficient TCR donné, ce qui augmente le courant constant Is traversant le transistor lOOe connecté au miroir de courant, ce qui compense une variation du coefficient TCS de l'élément de détection 2 dans le cas o le coefficient TCS varie avec une pente négative d'une variation de la température. La figure 4 représente un capteur de pression conformément à la quatrième forme de réalisation de l'invention. Le cTrcuit à courant constant 1 comprend des résistances 101 et 110 à 112, et la résistance de compensa tion de température 102 possédant le coefficient TCR. L'amplificateur opérationnel est du type à collecteur ouvert. Les résistances 102 et 110 sont branchées en série et connectées en parallèle à la résistance 101. La tension intermédiaire, qui apparaît au niveau de la jonction entre la résistance de compensation de température 102 et la résistance 110 est envoyée à l'une des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel lOOa. Un signal de sortie de l'amplificateur opérationnel lOOa est connscté à la source d'alimentation VCC1 par l'intermédiaire de la résistance 112. La tension d'entrée VK est identique à la tension intermédiaire développée au niveau de la janction entre la résistance de compensation de température 102 et la résis tance 110 pour des caractéristiques de l'amplificateur opérationnel lOOa. Si des valeurs résistives des résis tances 101 et 110 et de la résistance de compensation de température 102 sont désignées respectivement par R1, R2 et R3, la tension Va apparaissant au niveau de la jonction entre la résistance 101 et la résistance de compensation de température 102 est fournie par la relation suivante. Va = {(R2 + RT3) / R2} x VK (1) Les courants I1 et I2 traversant le transistor 101 et 110 sont exprimés par: I1 = (1/R1) x Va (2) I2 = (1/R2) x VK (3) Par conséquent le courant Ik travereant le transistor lOOc est Ik = {(Rl+R2+R3)/(RlxR2)} x VK (4) Si on désigne par n un facteur d' amplification du courant circulant dans un miroir de courant constitué par les transistors lOOd et lOOe, le courant constant Is tra versant le transistor lOOe est exprimé par Is = n x {(R1 + R2 + R3) / (R1 x R2)} x VK (5) Comme cela ressort à l'évidence de ce qui pré- cède, un accroissement de la valeur résistive de la résis- tance de compensation de température 102 conduit à un accroissement du courant constant Is traversant le transis- tor lOOe, ce qui a pour effet que le courant circulant dans l'élément de détection 2 augmente, ce qui conduit à un accroissement de la tension VSI appliquée à l'élément de détection 2. De façon spécifique, un accroissement de la tem pérature du capteur de pression conduit à un accroissement de la valeur résistive de la rési$tance de compensation de température 102 posséJant un coefficient TCR donné, ce qui augmente le courant constant Is traversant le transistor lOOe connecté au miroir de courant, ce qui compense une variation du coefficient TCS de l'élément de détection 2 dans le cas o le coefficient TCS varie avec une pente négative sous une variation de la température. Comme dans la première forme de réalisation, le courant constant Is est proportionnel uniquement à la ten- sion d'entrée VK, en étant indépendant de la tension VCC1 de la source d'alimentation. Comme décrit précédemment, l'amplificateur opéra- tionnel lOOa est du type à collecteur ouvert, ce qui conduit à une gamme étendue de sa tension de sortie, qui augmente une gamme dans laquelle le courant constant Is traversant le transistor lOOe varie. Les formes de réalisation mentionnées précédem- ment peuvent être également utilisées avec des détecteurs de quantités physiques autres que des capteurs de pression, qui sont équipés d'un élément de détection dont la résistance varie en fonction d'une variation de la grandeur physique telle qu'une accélération ou une vitesse angulaire. Bien que la présente invention ait été décrite sur la base des formes de réalisation préférées pour faciliter une meilleure comprehension, on notera qu'elle peut être vise en oeuvre de différentes manières sans sortir du cadre de l' invention. C'est pourquoi l' invention peut être considérée comme incluant toutes les formes de réalisation et variantes possibles par rapport aux formes de réalisa- tion représentées. REVEN DI CAT ION S 1. Circuit de capteur, caractérisé en ce qu'il comprend: une première résistance (2) formant un élément de détection, une seconde résistance (3) branchée en parallèle avec ledit élément de détection, ladite seconde résistance possédant une caractéristique de température différente de celle de ladite première résistance, une source de courant (1) envoyant des courants donnés auxdites première et seconde résistances, et un circuit de compensation (102) installé dans ladite source de courant (1), ladit circuit de compensation agi s s ant de manière à conférer de s caractéri st iques de température aux courants circulant dans lesdites première et seconde résistances. 2. Circuit de capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite source de courant (1) est conçue de manière à augmenter les courants circulant dans lesUites première et seconde résistances (2, 3), lors d'un accroissement de la température de ces dernières. 3. Circuit de capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite source de courant (1) est conçue de manière à réduire les courants circulant dans lesdites première et seconde résistances, lors d'un accroissement de la température de ces dernières. 4. Circuit de capteur, caractérisé en ce qu'il comporte: une première résistance (2) formant un élément de détection, une seconde résistance (3) branchée en parallèle avec ledit élément de détection, ladite seconde résistance posséJant une caractéristique de température différente de celle de ladite première résistance, une source de courant (1) envoyant des courants donnés auxdites première et seconde résistances, et une troisième résistance (102) installée dans ladite source de courant, ladite troisième résistance posséJant une valeur résistive qui varie en fonction d'une variation de sa température et agit de manière à appliquer des caractéristiques de température aux courants donnés traversant lesdites première et seconde résistances. 5. Circuit de capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite source de courant (1) est conçue de manière à augmenter les courants donnés cTrculant dans lesdites première et seconde résistances lors d'un accroissement de la température de ces dernières. 6. Circuit de capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite source de courant (1) est conçue de manière à réduire les courants donnés circulant dans lesdites première et seconde résistances lors d'un accroissement de la température de ces dernières. 7. Circuit de capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que lequel ladite source de courant (1) possède des premier et second transistors (lOOd, lOOe) connectés de manière à former un miroir de courant, que ladite source de courant (1) produit un flux de courant de référence traversant ledit premier transistor (lOOd) pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence délivré par ledit second transistor (lOOe) auxdites première et seconde résistances (2, 3) en tant que courants circulant dans lesdites première et seconde résistances, et que la valeur résistive de ladite troisième résistance (102) augmente lorsque sa température augmente pour accroître le courant de référence. 8. Circuit de capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite source de courant (1) possède des premier et second transistors (lOOd, lOOe) connoctés de manière à former un miroir de courant, que ladite source de courant (1) produit un flux de courant de référence traversant ledit premier transistor (lOOd) pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence délivré par ledit second transistor (lOOe) auxdites première et seconde résistances (2, 3) en tant que courants donnés circulant dans lesdites première et seconde résistances, et que la valeur résistive de ladite troisième résistance (102) augmente lorsque sa température augmente pour réduire le courant de référence. 9. Circuit de capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite source de courant possède des premier et second transistors (lOOd, lOOe) connectés pour former un miroir de courant, et un amplificateur opérationnel (lOOa) agissant de manière à modifier un courant de référence traversant ledit premier transistor (lOOd), ladite source de courant (1) produisant des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence délivré par ledit second transistor (lOOe) auxdites première et seconde résistances (2, 3) en tant que courants donnés circulant dans lesdites première et seconde résistances, et dans lequel la tension envoyée à l'une des bornes d' entrée de l' amplificateur opérationnel (lOOa) est modifiée par la valeur résistive de ladite troisième résistance (102). 10. Circuit de capteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ladite source de courant (1) possède une tension d'entrée (VK) appliquée depuis l'extérieur à l'autre borne d'entrée dudit amplificateur opérationnel (lOOa), la tension d'entrée étant proportionnelle audit courant constant. 11. Circuit de capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite source de courant (1) possède des premier et second transistors (lOOd, lOOe) connectés de manière à former un miroir de courant, une quatrième résistance (101) branchée en série avec ledit premier transistor (lOOd), et un amplificateur opérationnel (lOOa) comportant deux bornes d'entrée, une tension d'entrée étant appliquce à l'une des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel (lOOa), une tension apparaissant à une extrémité de la quatrième résistance (101) étant appliquée à l'autre des bornes d'entrée de l'amplificateur opération- nel (lOOa), une sortie de l'amplificateur opérationnel servant à produire un flux de courant de référence traversant ledit premier transistor (lOOd) pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence depuis ledit second transistor(lOOe) vers lesUites première et seconde résistances (2, 3) pour constituer lesUits courants donnés circulant dans lesdites première et seconde résistances, ladite tension d'entrée étant appliquée à l'autre des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel (lOOa) par l'intermédiaire de ladite troisième résistance (102), et que ledit courant de référence est fourni par un courant circulant dans ladite quatrième résistance (101) moins un courant circulant dans ladite troisième résistance(102). 12. Circuit de capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite source de courant (1) possède des premier et second transistors (lOOd, lOOe) connectés de manière à former un miroir de courant, une quatrième résistance (101) branchée en série avec ledit premier transistor (lOOd), et un amplificateur opérationnel (lOOa) comportant deux bornes d'entrce, une tension d'entrée (VK) étant appliquée de l'extérieur à l'une des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel (lOOa), une tension appa raissant à une extrémité de la quatrième résistance (101) étant appliquée à l'autre des bornes d'entrée de l'amplifi- cateur opérationnel (lOOa), une sortie de l'amplificateur opérationnel servant à produire un flux de courant de référence dans ledit premier transistor (lOOd) pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence depuis ledit second transistor (lOOe) vers lesdites première et seconde résistances (2, 3) en tant que courants donnés circulant dans les premlère et seconde résistances, et que la tension d'entrée (VK) appliquée à l'une des bornes d'entrée dudit amplificateur opérationnel (lOOa) est fournie par une fraction d'une tension de source d'alimentation produite par un diviseur de tension en utilisant ladite troisième résistance (102). 13. Circuit de capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite source de courant (1) possède des premier et second transistors(lOOd, lOOe) connectés de manière à former un miroir de courant, une quatrième réaistance branchée en série avec ledit premier transistor (lOOd), et un amplificateur opérationnel (lOOa) possédant deux bornes d'entrée, une tension d'entrée (VK) étant appliquée depuis l'extérieur à l'une des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel (lOOa), une sortie de l'amplificateur opérationnel (lOOa) servant à produire un flux de courant de référence dans ledit premier transistor (lOOd) pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de rétérence depuis ledit second transistor (lOOe) vers lesUites première et seconde résistances (2, 3) pour constituer lesdits courants donnés cTrculant dans lesdites première et seconde résistances, et qu'une fraction d'une tension apparaissant à une extrémité de la quatrième résistance (101) et fournie par ladite troisième résistance (102) et une cinquième résistance (110) est appliquce à l'autre des bornes d'entrée dudit amplificateur opérationnel (lOOa). 14. Circuit de capteur, caractérisé en ce qu'il comporte: une première résistance (2) formant un élément de détection; une seconde résistance (3) branchée en parallèle avec ledit élément de détection, ladite seconde résistance posséJant une caractéristique de température différente de celle de ladite première résistance, une source de courant (1) délivrant des courants donnés auxdites première et seconde résistances (2,3), ladite source de courant posséJant des premier et second transistors (lOOd, lOOe) branchés pour former un miroir de courant, une troisième résistance (101) branchée en série avec ledit premier transistor, et un amplificateur opérationnel (lOOa) comportant deux bornes d'entrée, une tension d'entrée (VK) étant appliquée depuis l'extérieur à l'une des bornes d'entrce de l'amplificateur opérationnel (lOOa), une tension apparaissant à une extrémité de la troisième résistance (101) étant appliquée à l'autre des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel (lOOa), une sortie de l'amplificateur opérationnel servant à produire un flux de courant de référence dans ledit premier transistor (lOOd) pour produire des flux d'un courant constant proportionnel au courant de référence depuis ladit second transistor (lOOe) vers lesdites première et seconde résistances (2, 3), pour former lesdits courants donnés circulant dans lesdites première et seconde résistances, et une quatrième résistance (102) installée dans ladite source de courant (1), ladite quatrième résistance possédant une valeur résistive qui varie en fonction d'une variation de sa température et agit de manière à appliquer des caractéristiques de température aux courants donnés circulant dans lesUites première et seconde résistances, et que ladite tension d'entrée (VK) est appliquée à l'autre des bornes d'entrée de l'amplificateur opérationnel (lOOa) par l'intermédiaire de ladite quatrième résistance (102), et ledit courant de référence est produit par un courant qui traverse ladite troisième réaistance (101), moins un courant qui circule dans ladite quatrième