FR 2825807 A1 20021213 FR 0107483 A 20010608 (Be). 1 2825807 DISPOSITIF DE POLARISATION AUTOPOLARISE A POINT DE FONCTIONNEMENT STABLE La présente invention concerne les dispositifs de polarisation autopolarisés. De te l s dispos it i f s de polarisat ion sont couramment utilisés dans les circuits intégrés pour générer des tensions de référence appliquées à des générateurs de courant. Ils sont également utilisés, dans certaines applications, en tant que générateurs de tension. La figure 1 représente schématiquement un dispositif de polarisation autopolarisé classique 10. Le dispositif 10 comprend deux branches B1, B2 comprenant chacune un élément bipolaire BE1, BE2 et un circuit BC1, BC2 de polarisation de l'élément bipolaire. Les éléments bipolaires BE1, BE2 sont contrôlés en courant par des tensions de polarisation V1, respectivement V2, et peuvent comprendre des résistances, des diodes, des transistors bipolaires, des transistors MOS.. Au moins l'un des éléments bipolaires est un élément non linéaire afin que les fonctions de transfert courant/tension fl, f2 des deux éléments bipolaires se croisent et présentent un point de fonctionnement commun P1, représenté en figure 2A. Un circuit d'autopolarisation SBC assure le contrôle des tensions de polarisation V1, V2 de manière que le dispositif 10 se stabilise sur le point de fonctionnement P1 lorsque celui-ci est alimenté par une tension Vcc. Le dispositif 10 délivre une tension de référence Vref généralement égale à V1 ou V2. - Sur l'exemple de la figure 2A, les éléments bipolaires BE1, BE2 présentent des fonctions de transfert fl, f2 non linéaires et le point de fonctionnement P1 se caractérise par deux courants I1, I2 égaux dans les branches B1, B2 et deux tensions de polarisation V1, V2 identiques. 2 2825807 Un tel dispositif de polarisation 10 présente toutefois un autre point de fonctionnement, qui apparaît sur la figure 2A. Il s'agit d'un point de fonctionnement PO de courant nul et de tension nulle, dont l' existence est due au fait que chaque fonction de transfert fl, f2 présente un point d'origine en zéro. Ainsi, à la mise sous tension, le dispositif 10 ne bascule pas spontanément sur le point de fonctionnement P1 et un moyen externe doit être prévu pour atteindre le point P1. Un tel moyen externe est un circuit dit de "précharge dynamique" qui applique aux branches B1 et B2 une impulsion de courant ou de tension. Pour fixer les idées, les figures 3 et 4 représentent deux modes de réalisation classiques de dispositifs de polarisation 11, 12. Dans chacun des dispositifs 11, 12, les circuits de polarisation BC1 et BC2 des branches B1, B2 sont des transistors PMOS identiques, respectivement TP1, TP2. L'élément bipolaire de la branche B1 est un transistor NMOS TN1 et l'élément bipolaire de la branche B2 est un transistor NMOS TN2 en série avec une résistance R2. Les tensions de polarisation V1, V2 sont appliquées sur les grilles G des transistors TN1, TN2. Le transistor TN2 présente un rapport W/L (largeur sur longueur de grille) sensiblement 2s supérieur à celui du transistor TN1, l'écart entre la tension aux bornes du transistor TN1 et la tension aux bornes du transistor TN2 étant absorbé par la résistance R2. Dans le dispositif 11 de la figure 3, les grilles G des transistors TP1 et TP2 sont interconnectées et le transistor TP2 a son drain D ramené sur sa grille. Les grilles G des transistors TN1, TN2 sont également interconnectées et le transistor TN1 a son drain D ramené sur sa grille. Le circuit d'autopolarisation SBC est implicite dans un tel montage et ne correspond à aucun composant actif spécifique, l'autopolarisation étant obtenue par le fait que chaque branche contrôle l'autre 3 2825807 branche (contrôle en courant). Dans un souci de simplicité, un tel agencement sera appelé par la suite un agencement en "miroirs de courant réciproques". Un circuit de précharge dynamique adapté au S dispositif 11 comprend par exemple un transistor de précharge PT relié aux grilles des transistors TN1, TN2 par l'intermédiaire d'un condensateur de précharge PC. Lorsqu'un signal de précharge PS est appliqué à la grille du transistor PT, celui-ci devient passant et les grilles des transistors TN1, TN2 reçoivent une tension suffisante pour forcer les transistors dans l'état passant, ce qui active les transistors TP1, TP2. Dans le dispositif 12 de la figure 4, les transistors TN1 et TN2 ont chacun leur grille G ramenée 1S sur leur drain D (montage en diode). Le circuit d'autopolarisation est un amplificateur différentiel DA recevant sur ses entréss négative et positive les tensions V1 et V2, qui sont à la fois les tensions de drain et de grille des transistors TN1, TN2. L'amplificateur différentiel DA délivre un signal de contre-réaction EQ appliqué aux grilles des deux transistors TP1, TP2. Le point de fonctionnement P1 est atteint lorsque les tensions V1 et V2 sont égales. Un circuit de précharge dynamique adapté au 2s dispositif 12 comprend par exemple deux transistors PT1, PT2 connoctés aux drains des transistors TN1, TN2 et pilotés par le signal de précharge PS. Les tensions V1, V2 aux bornes des éléments bipolaires sont identiques quand le point de fonctionnement P1 est atteint. La tension de référence Vref délivrce par les dispositifs 11 et 12 peut être prélevée sur le drain (ou la grille) du transistor TN1 (fig. 3) ou sur le drain (ou la grille) du transistor TN2 (fig. 4). Avec un dispositif de polarisation du type décrit ci-dessus, il existe un risque que le passage du point de fonctionnement PO au point de fonctionnement P1 ne se fasse pas correctement lors de l' intervention du circuit 4 2825807 de précharge dynamique, de sorte que le dispositif peut rester bloqué sur le point de fonctionnement P0. Ceci est illustré de façon schématique en figure 2B, o les deux points de fonctionnement P0 et P1 sont représentés par deux positions possibles d r une bille posée sur une surface ondulée. Pour que la bille passe du point de fonctionnement P0, représenté par un creux, au point de fonctionnement P1, représenté par un autre creux, une bosse doit être franchie. On comprend à l' aide de cet exemple que la bille peut revenir au point P0 si on lui applique une impulsion trop faible ou trop forte. Si l'impuleion est trop faible, la bille risque de ne pas franchir la bosse. Si l'impuleion est trop forte, la bille risque de franchir la bosse, d'atteindre et de dépasser le point P1, puis de revenir au point P0. En pratique, cela signifie que les concepteurs de circuits intégrés doivent prendre diverses précautions pour s' assurer qu'un dispositif de polarisation autopolarisé va atteindre le point de fonctionnement P1 lors de son activation par le dispositif à précharge dynamique. Malgré ces précautions, il arrive que les circuits de polarisation restent bloqués. En tout état de cause, les calauls et les mises au point que nécessite la prévision d'un circuit de précharge dynamique compliquent la conception d'un circuit de polarisation autopolarisé et augmentent son prix de revient. La présente invention vise à palier cet inconvénient. Plus particulièrement, un objectif de la présente invention est de prévoir un moyen simple et fiable permettant de garantir qu'un dispositif de polarisation du type autopolarisé va se caler sur le point de fonctionnement souhaité. Cet objectif est atteint par la prévision d'un dispositif de polarisation comprenant une première branche comprenant un premier élément bipolaire et des moyens de polarisation du premier élément bipolaire, au s 2825807 moins une seconde branche comprenant un second élément bipolaire et des moyens de polari sat ion du second é lément bipolaire, des moyens d'autopolarisation, pour que le di spos it if de polari sat ion présente un point de s fonctionnement dans lequel un courant traversant la première branche est égal ou proportionnel à un courant traversant la seconde branche, le dispositif de polarisation comprenant en outre un premier générateur de courant en parallèle avec les moyens de polarisation du premier élément bipolaire, injectant un premier courant auxiliaire dans le premier élément bipolaire, et au moins un second générateur de courant en parallèle avec les moyens de polarisation du second élément bipolaire, injectant dans le second élément bipolaire un second courant auxiliaire égal ou proportionnel au premier courant auxiliaire. Selon un mode de réalisation, les premier et second générateurs de courant comprennent des transistors MOS recevant des tensions de grille identiques. Selon un mode de réalisation, la première branche et la seconde branche sont agencées en miroirs de courant réciproques. Selon un mode de réalisation, les moyens de polarisation de la première et de la deuxième branche comprennent des transistors pilotés par un signal délivré par un amplificateur différentiel recevant en entrée des tensions présentes aux bornes des éléments bipolaires. Selon un mode de réalisation, les éléments bipolaires de la première et de la deuxième branche comprennent des transistors NMOSo Selon un mode de réalisation, au moins l'un des éléments bipolaires comprend une diode ou un transistor agencé en diode. La présente invention concerne également un circuit intégré sur substrat de silicium, comprenant au moins un dispositif de polarisation selon l' invention et au moins 6 2825807 un circuit recevant une tension prélevée en un point du dispositif de polarisation. Selon un mode de réalisation, le circuit intégré comprend un plan mémoire non volatile et des circuits de lecture de cellules mémoire polarisés par un dispositif de polarisation selon l' invention. La présente invention concerne également un procédé pour stabiliser le point de fonctionnement d'un dispositif de polarisation comprenant une première branche comprenant un premier élément bipolaire et des moyens de polarisation du premier élément bipolaire, au moins une seconde branche comprenant un second élément bipolaire et des moyens de polarisation du second élément bipolaire, et des moyens d'autopolarisation du dispositif, pour que le dispositif de polarisation présente un point de fonctionnement dans lequel un courant travereant la première branche est égal ou proportionnel à un courant travereant la seconde branche, le procédé comprenant l' injection d'un premier courant auxiliaire dans le premier élément bipolaire, au moyen d'un premier générateur de courant en parallèle avec les moyens de polarisation du premier élément bipolaire, et l' injection d'un second courant auxiliaire égal ou proportionnel au premier courant auxiliaire, au moyen d'un second générateur de courant en parallèle avec les moyens de polarisation du second élément bipolaire. Selon un mode de réalisation, les premier et second générateurs de courant sont réalisés au moyen de deux transistors MOS auxquels on applique des tensions de grille identiques. Selon un mode de réalisation, la première branche et la seconde branche sont agencées en miroirs de courant réc1proques. Selon un mode de réalisation, la première et la 3s deuxième branche sont polarisoes par des transistors pilotés par un signal délivré par un amplificateur 7 2825807 différentiel recevant en entrée des tensions présentes aux bornes des éléments bipolaires. Selon un mode de réalisation, les éléments bipolaires de la première et de la deuxlème branche s comprennent des transistors NMOS. Selon un mode de réalisation, au moins l'un des éléments bipolaires comprend une diode ou un transistor agencé en diode. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend une étape consistant à prélever en un point du dispositif de polarisation une tension de référence et à appliquer la tension de référence à au moins un élément d'un circuit intégré. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante du procédé selon l' invention et d'exemples de réalisation de dispositifs de polarisation selon l 'invention, faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: - la figure 1 précédemment décrite est le schéma de principe d'un dispositif de polarisation classique, - la figure 2A précédemment décrite représente des courbes courant/tension qui illustrent le fonctionnement 2s du dispositif de polarisation classique, la figure 2B illustre le passage d'un point de fonctionnement à un autre dans un dispositif de polarisation classique, - la figure 3 précédemment décrite représente un mode de réalisation classique d'un dispositif de polarisation, - la figure 4 précédemment décrite représente un autre mode de réalisation classique d'un dispositif de polarisation, - la figure 5 est le schéma de principe d'un dispositif de polarisation selon l 'invention, 8 2825807 - la figure 6A représente des courbes courant/tension qui illustrent le fonctionnement d'un dispositif de polarisation selon l' invention, - la figure 6B iIlustre la stabilité du point de fonctionnement d'un dispositif de polarisation selon l' invention, - la figure 7 représente un premier mode de réalisation d'un dispositif de polarisation selon l'invention, la figure 8 représente un second mode de réalisation d'un dispositif de polarisation selon l' invention, - la figure 9 représente un exemple d' application d'un dispositif de polarisation selon l' invention, et - la figure 10 représente un autre exemple d' application d'un disposltif de polarisation selon l'invention. La figure 5 est le schéma de principe d'un dispositif de polarisation 20 selon l 'invention, du type autopolarisé. Le dispositif 20 est dans sa structure générale identique à celui décrit au préambule (fig. 1) et comprend deux branches B1, B2 comportant chacune un circuit de polarisation BC1, respectivement BC2, et un élément bipolaire BE1, respectivement BE2. Chaque circuit de polarisation BC1, BC2 est alimenté par une tension Vcc et est connecté à une borne de l'élément bipolaire correspondant BE1, BE2, dont l'autre borne est connactée à la masse. Chaque élément bipolaire BE1, BE2 est traversé par un courant I1, respectivement I2, et est contrôlé en courant par une tension V1, respectivement V2. Un circuit d'autopolarisation SBC assure l'équilibrage des deux branches de manière que le dispositif 20 se cale sur un point de fonctionnement déterminé. En général, ce point de fonctionnement est caractérisé par des courants I1 et I2 égaux ou proportionnels et des tensions V1 et V2 égales. Le dispositif 20 selon l' invention se distingue d'un dispositif classique par le fait que deux générateurs de courant CG1, CG2 sont agencés en parallèle avec les circuits de polarisation BC1, BC2. Le générateur 9 2825807 CG1 injecte un courant auxiliaire Ial dans la branche B1 et le générateur CG2 injecte un courant auxiliaire Ia2 dans la branche B2. En raison de l' action du circuit d'autopolarisation SBC, les courants I1 et I2 dans les branches B1 et B2 restent égaux ou proportionnels et obéissent aux relations suivantes: (1) I1 = (Ial + Ipl) (2) I2 = (Ia2 + Ip2) (3) I1 = K I2 dans lesquelles Ipl, Ip2 sont les courants de polarisation délivrés par les circuits BC1, BC2, K étant une constante généralement choisie égale à 1. Il doit être noté que le rapport I1/I2 est imposé par le circuit d'autopolarisation. Ainsi, si les courants Ial et Ia2 changent, les courants Ipl et Ip2 changent de manière inverse afin de satisfaire les relations (1) (2) et (3). Ainsi, même si les générateurs de courant CG1, CG2 ne sont pas stables, par exemple en raison de variations de la température ambiante, la stabilité du dispositif 20 n'en est pas affectée. Les deux générateurs de courant selon l' invention peuvent ainsi être réalisés de façon très simple, par exemple au moyen de deux transistors MOS recevant une même tension de grille, comme cela sera décrit plus loin. En pratique, une condition à satisfaire pour la mise en _uvre de l 'invention est que les courants auxiliaires Ial et Ia2 soient inférieurs à I1 et I2. Les courants Ial et Ia2 sont choisis identiques lorsque le point de fonctionnement du dispositif est tel que I1 est égal à I2. Ils sont choisis proportionnels dans le rapport K si la constante K est différente de 1. Les courants Ial et Ia2 sont de préférence inférieurs à Ipl et Ip2 et sont par exemple l'ordre de 1 microampère voire moins (un nanoampère peut suffire en pratique) pour des courants I1 et I2 de l'ordre de 10 microampères. 2825807 Le résultat obtenu grâce au procédé selon l' invention est que le dispositif de polarisation 20 ne peut rester bloqué sur un point de fonctionnement P0 mentionné au préambule, dans lequel les courants I1, I2 et les tensions V1, V2 sont nuls. Comme représenté en figure 6A, le dispositif 20 selon l' invention ne comprend en réalité qu'un point de fonctionnement P1, à l' intersection des courbes fl et f2 représentant les fonctions de transfert courant/tension des éléments bipolaires. Ceci est également illustré en figure 6B par une bille qui repose dans un creux unique représentant le point de fonctionnement unique P1. La figure 7 illustre l 'application du procédé de l' invention à un dispositif de polarisation 21 du type décrit au préambule en relation avec la figure 3, les mêmes éléments étant désignés par les mêmes références. La branche B1 du dispositif 21 comprend ainsi un transistor PMOS TP1 en série avec un transistor NMOS TN1, et la branche B2 un transistor PMOS TP2 en série avec un transistor NMOS TN2 et une résistance R2. Le transistor TN2 présente un rapport W/L (largeur sur longueur de grille) sensiblement supérieur à celui du transistor TN1, l'écart entre les tensions aux bornes des transistors TN1 et TN2 étant absorbé par la résistance R2. Généralement, le transistor TN2 est réalisé en disposant en parallèle plusieurs transistors identiques (non représentés). La tension Vcc est appliquée sur les sources S des transistors TP1, TP2. La source S du transistor TN1 est connectée à la masse tandis que la source S du transistor TN2 est reliée à la masse par l'intermédiaire de la résistance R2. Les grilles G des transistors TP1, TP2 et le drain du transistor TP2 sont interconnectés. Les grilles G des transistors TN1, TN2 et le drain du transistor TN1 sont également interconnectés, les 3s tensions de grille V1, V2 de ces deux transistors étant ainsi égales. La tension de sortie Vref délivrée par le 11 2825807 dispositif 21 est prélevée par exemple sur le drain du transistor TN1 (tension V1). Le générateur de courant CG1 selon l' invention comprend ici un transistor PMOS CGT1 dont la source reçoit la tension Vcc et dont le drain D est connecté aux drains des transistors TP1 et TN1. Le générateur de courant CG2, de même structure que le générateur CG1, comprend un transistor PMOS CGT2 dont la source reçoit la tension Vcc et dont le drain D est connacté aux drains des transistors TP2 et TN2. Les transistors CGT1, CGT2 sont identiques et recoivent une tension de grille Vi identique. Les courants auxiliaires Ial et Ia2 sont ainsi identiques, aux tolérances de fabrication près. La tension Vi est par exemple obtenue au moyen d'une branche auxiliaire comprenant un transistor PMOS CGT0 agencé en diode (grille G connectée au drain D), recevant la tension Vcc sur sa source et ayant son drain relié à la masse par l'intermédiaire d'une résistance CGR, la tension Vi étant prélevée sur la grille du transistor CGT0. Les deux branches B1, B2 étant agencées en miroirs de courant réciproques, et les transistors TP1, TP2 étant identiques, le dispositif s'autopolarise sur un point de fonctionnement dans lequel I1 = I2 et V1 = V2. La figure 8 illustre l'application du procédé de l' invention à un dispositif de polarisation 22 du type décrit au préambule en relation avec la figure 4. Les branches B1 et B2 ainsi que les générateurs de courant CG1, CG2 sont de structures identiques à celles du dispositif 21 qui vient d'être décrit. Ici, les grilles des transistors TN1 et TN2 ne sont pas interconnectées et chaque transistor TN1, TN2 a sa grille connectée à son drain (montage en diode). Le transistor TP2 n'a pas sa grille connectée à son drain. Les grilles des transistors 3s TP1, TP2 sont pilotées par un signal de contre-réaction EQ délivré par un amplificateur différentiel DA recevant sur ses entrces négative et positive les tensions V1 et 12 2825807 V2 présentes sur les grilles et les drains des transistors TN1 et TN2. La tension de sortie Vref délivrée par le dispositif 21 est prélevée par exemple sur le drain du transistor TN2 (tension V2). Les transistors TP1, TP2 étant identiques, le dispositif 22 s'autopolarise sur un point de fonctionnement dans lequel I1 = I2 et V1 = V2. La constante K mentionnée plus haut peut toutefois être différente de 1 en choisissant des transistors TP1 et TP2 ayant des tailles différentes (rapports W/L) et des transistors TN1 et TN2 ayant le même rapport de taille que les transistors TP1, TP2. Ceci peut être obtenu par exemple en disposant en parallèle deux transistors TP1 et deux transistors TN1 dans la branche B1. Il apparaîtra clairement à l'homme de l'art qu'un dispositif de polarisation selon l' invention est susceptible de diverses variantes de réalisation. Bien que 1'on ait décrit dans ce qui précède des exemples de mise en _uvre de l' invention dans des dispositifs ne comprenant que deux branches en parallèle, des dispos it ifs autopolarisés à t rois branches voi re plus peuvent être prévus dans certaines applications. Dans ce cas, il est prévu un générateur de courant en parallèle avec les circuits de polarisation présents dans chaque branche. Un dispositif de polarisation selon l 'invention est par ailleurs susceptible de diverses applications, et de façon générale toute application connue pour les dispositifs de polarisation classiques. La figure 9 représente schématiquement un exemple d' application dans lequel la tension Vref délivrée par un dispositif 20 selon l' invention est appliquée à la grille d'un transistor de réqulation REGT de type NMOS. Le transistor REGT a sa source connectée à la masse et son drain connecté à un dispositif LBD qui est alimenté par la tension Vcc. Le transistor REGT étant piloté par la tension Vref, il réqule le courant I travereant le 13 2825807 dispositif LBD. Ce courant I est par exemple égal au courant I1 du dispositif 20 si la tension Vref est prélevée aux bornes du transistor TN1 de la branche B1 et si le transistor REGT a le même rapport W/L que le transistor TN1. Comme autre exemple d' application, la figure 10 représente un circuit intogré IC comprenant un plan mémoire MA, un décodeur de ligne XDEC, un décodeur de colonne YDEC et une rangée d'amplificateurs de lecture formant un bloc de lecture SA. Le plan mémoire MA comprend par exemple des cellules mémoire non rémanentes réalisées à partir de transistors à grille floUtante. Lorsqu'une adresse ADIN est appliquée aux décodeurs XDEC et YDEC par l'intermédiaire d'une borne d'entrée du circuit intégré, le bloc de lecture SA est activé pour la lecture de cellules mémoire sélectionnées par les décodeurs XDEC et YDEC. Un circuit de polarisation 20 selon l' invention délivre au bloc de lecture SA une tension de référence Vref qui permet au bloc de lecture SA de déterminer l'état passant ou non passant des transistors à grille floUtante des cellules mémoire sélectionnées. Les données binaires DTOUT sont délivrées par le bloc de lecture SA sur une borne de sortie du circuit intégré IC. 14 2825807 REVENDICATIONS 1. Dispositif de polarisation (20, 21, 22) comprenant: - une première branche (B1) comprenant un premier élément bipolaire (BE1, TN1) et des moyens (BC1, TP1) de polarisation du premier élément bipolaire, - au moins une seconde branche (B2) comprenant un second élément bipolaire (BE2, TN2) et des moyens (BC2, TP2) de polarisation du second élément bipolaire, et des moyens d'autopolarisation (SBC, DA), pour que le di spos it if de polari sat ion présente un point de fonctionnement (P1) dans lequel un courant (I1) traversant la première branche est égal ou proportionnel à un courant (I2) traversant la seconde branche, caractérisé en ce qu'il comprend: - un premier générateur de courant (CG1) en parallèle avec les moyens (BC1, TP1) de polarisation du premier élément bipolaire, injectant un premier courant auxiliaire (Ial) dans le premier élément bipolaire, et - au moins un second générateur de courant (CG2) en parallèle avec les moyens (BC2, TP2) de polarisation du second élément bipolaire, injectant dans le second élément bipolaire un second courant auxiliaire (Ia2) égal ou proportionnel au premier courant auxiliaire (Ial). 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les premier et second générateurs de courant (CG1, CG2) comprennent des transistors MOS (CGT1, CGT2) recevant des tensions de grille identiques (Vi). 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, dans lequel la première branche et la seconde branche sont agencées en miroirs de courant réciproques. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel les moyens de polari sat ion de la première et 2825807 de la deuxième branche comprennent des transistors (TP1, TP2) pilotés par un signal (EQ) délivré par un amplificateur différentiel (DA) recevant en entrée des tensions (V1, V2) présentes aux bornes des éléments bipolaires. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel les éléments bipolaires de la première et de la deuxième branche comprennent des transistors NMOS (TN1, TN2). 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel au moins l'un des éléments bipolaires comprend une diode ou un transistor agencé en diode (TN1). 7. Circuit intégré sur substrat de silicium (IC), caractérisé en ce qu'il comprend au moins un dispositif de polarisation (20) selon l'une des revendications 1 à 6, et au moins un circuit (SA) recevant une tension (Vref) prélevée en un point du dispositif de polarisation. 8. Circuit intégré selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend un plan mémoire non volatile (MA) et des circuits (SA) de lecture de cellules mémoire polarisés par un dispositif de polarisation (20) selon l'une des revendications 1 à 6. 9. Procédé pour stabiliser le point de fonctionnement d'un dispositif de polarisation (20, 21, 22) comprenant: - une première branche (B1) comprenant un premier élément bipolaire (BE1, TN1) et des moyens (BC1, TP1) de polarisation du premier élément bipolaire, 16 2825807 - au moins une seconde branche (B2) comprenant un second élément bipolaire (BE2, TN2) et des moyens (BC2, TP2) de polarisation du second élément bipolaire, et - des moyens d'autopolarisation du dispositif (SBC, DA), s pour que le di spos it i f de polarisat ion présente un point de fonctionnement (P1, Vp, Ip) dans lequel un courant (I1) travereant la première branche est égal ou proportionnel à un courant (I2) traversant la seconde branche, procédé caractérisé en ce qu'il comprend: - l'injection d'un premier courant auxiliaire (Ial) dans le premier élément bipolaire, au moyen d'un premier générateur de courant (CG1) en parallèle avec les moyens (BC1, TP1) de polarisation du premier élément bipolaire, et l'injection d'un second courant auxiliaire (Ia2) égal ou proportionnel au premier courant auxiliaire (Ial), au moyen d'un second générateur de courant (CG2) en parallèle avec les moyens (BC2, TP2) de polarisation du second élément bipolaire. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel les premier et second générateurs de courant (CG1, CG2) sont réalisés au moyen de deux transistors MOS (CGT1, CGT2) auxquels on applique des tensions de grille identiques (Vi). 11. Procédé selon l'une des revendications 9 et 10, dans lequel la première branche et la seconde branche sont agencces en miroirs de courant réciproques. 12. Procédé selon l'une des revendications 9 et 10, dans lequel la première et la deuxième branche sont polarisoes par des transistors (TP1, TP2) pilotés par un signal (EQ) délivré par un amplificateur différentiel (DA) recevant en entrse des tensions (V1, V2) présentes aux bornes des éléments bipolaires. 17 2825807 13. Procédé selon l'une des revendications 9 à 12, dans lequel les éléments bipolaires de la première et de la deuxième branche comprennent des transistors NMOS (TN1, TN2). 14. Procédé selon l'une des revendications 9 à 13, dans lequel au moins l'un des éléments bipolaires comprend une diode ou un transistor agencé en diode (TN1). 15. Procédé selon l'une des revendications 9 à 14, comprenant une étape consistant à prélever en un point du dispositif de polarisation une tension de référence (Vref) et à appliquer la tension de référence à au moins