FR 2825298 A1 20021206 FR 0107229 A 20010601 La présente invention concerne de manière générale les procédés et dispositifs permettant de recouvrir d'une couche de matériau un support, ladite couche de matériau étant apportée par pulvérisation ou par dépôt de particules. Plus particulièrement, l'invention concerne un procédé de revêtement d'un support par une couche de particules issues d'une cible, le procédé comprenant la mise en oeuvre d'une source d'ions pour diriger un faisceau d'ions vers ladite cible, afin de générer un flux de particules issues de l'interaction entre le faisceau d'ions et la cible, en vue de déposer au moins une partie du flux de particules sur le support, L'invention concerne également un dispositif pour la mise en oeuvre d'un tel procédé, et une structure multicouche réalisée par un tel procédé. On connaît déjà des dispositifs permettant de mettre en oeuvre un procédé du type mentionné ci-dessus pour revêtir un support. Ces dispositifs comprennent une source d'ions permettant de générer un faisceau d'ions. Après avoir été éventuellement neutralisés électriquement (par exemple par un faisceau d'électrons venant croiser le faisceau d'ions), ledit faisceau d'ions vient frapper une cible réalisée dans un matériau choisi. Un flux de particules est alors généré par l'impact des ions sur la cible, lesdits ions ayant une énergie suffisante pour arracher des particules de la cible. Les particules peuvent être des atomes prélevées à la cible. Une partie du flux de particules arrive ensuite sur le support, de manière à revêtir sa surface. De la sorte, ces dispositifs opèrent une pulvérisation (sputtering selon la terminologie anglo-saxonne répandue) permettant de revêtir un support. Une application avantageuse, mais non limitative, de tels dispositifs est la réalisation sur un support de structures multicouches, dans lesquelles on fait alterner des couches de différents matériaux. Il est ainsi connu de réaliser des blancs de masque réflectifs pour la lithographie extrême ultra violet (EUV-correspondant à un rayonnement dont la longueur d'onde est comprise entre 10 et 14 nm). On constitue ensuite un motif sur de tels blancs de masque, de sorte que le masque exposé à une source de rayonnement EUV ne réfléchisse ce rayonnement que selon un motif spatial désiré. On peut par exemple réaliser sur un support une alternance de couches de Mo et de Si. Pour constituer de la sorte des structures multicouches, il est nécessaire de changer de cible lorsqu'on désire déposer une nouvelle couche d'un matériau différent de celui qui constitue la dernière couche déposée sur la structure. Plusieurs solutions sont connues pour effectuer un tel changement de cible : on connaît ainsi des dispositifs dans lesquels un support de cible mobile (par exemple en rotation) est apte à présenter sélectivement au premier faisceau d'ions une cible parmi une pluralité que le support de cible porte. Des moyens mécaniques sont alors prévus pour commander l'orientation du support de cible. Un tel dispositif peut également mettre en oeuvre un obturateur mobile, qui permet d'interrompre le bombardement des cibles par le faisceau d'ions. Un tel obturateur peut être mis en oeuvre en particulier lors de l'allumage de la source d'ions, afin de permettre la mise en route de celle-ci sans pour autant commencer le revêtement du support. On peut également utiliser l'obturateur pendant les phases de changement de la position du support de cible, en vue de présenter une nouvelle cible au faisceau d'ions. Dans de tels dispositifs connus, les changement de cible et les opérations associées sont ainsi réalisés par des éléments mécaniques (supports de cible qui est généralement mobile en rotation, obturateur mobile,...). La présence dans le dispositif de tels éléments mécaniques qui peuvent être exposés aux faisceaux constitue une source potentielle de particules susceptibles de se déposer sur le support, ce qui peut entraîner la formation de défauts dans le revêtement du support.. Or il est souvent souhaitable de pouvoir réaliser le revêtement d'un support avec un très haut niveau de qualité et un très faible taux de défauts. Ceci est le cas notamment pour les structures multicouches optiquement réfléchissantes telles que celles mises en oeuvre dans les dispositifs de lithographie EUV : un objectif est de réaliser des structures multicouches dont les plus gros défauts admissibles ont une taille caractéristique inférieure à 50 nm. Et avec les limitations exposées ci-dessus à propos des dispositifs mécaniques de l'état de la technique, il peut s'avérer problématique d'atteindre de tels niveaux de qualité. Par ailleurs, la présence dans ces dispositifs connus de moyens mécaniques commandant la mobilité de ces éléments constitue un facteur qui compromet la robustesse et la fiabilité des dispositifs. Il est en effet nécessaire de garder un parfait contrôle de la position, de l'orientation et de la cinématique des différents éléments du dispositif, de sorte que des ajustements et réglages extrêmement fins sont nécessaires pour le fonctionnement de l'appareil. En outre, les appareils sont rendus fragiles par la présence de ces éléments mécaniques : tout choc ou toute vibration sera ainsi susceptible de compromettre la fiabilité du dispositif. Un but de l'invention est de permettre de réaliser des structures multicouches répondant aux objectifs de qualité exposés ci-dessus. Un autre but de l'invention est de permettre en outre de réaliser des dispositifs de pulvérisation dont le degré de robustesse et de fiabilité soit augmenté. Afin d'atteindre ces buts, l'invention propose selon un premier aspect un procédé de revêtement d'un support par une couche de particules issues d'un ensemble de cible, le procédé comprenant la mise en oeuvre d'une source d'ions pour diriger un faisceau d'ions vers ledit ensemble de cible, afin de générer un flux de particules issues de l'interaction entre le faisceau d'ions et l'ensemble de cible, en vue de déposer au moins une partie du flux de particules sur le support, caractérisé en ce que le procédé comprend la mise en mouvement sélective du faisceau d'ions entre la source d'ions et l'ensemble de cible Des aspects préférés, mais non limitatifs du procédé selon l'invention sont les suivants : ladite déviation sélective est réalisée par l'établissement d'un champ électromagnétique dédié, ladite déviation sélective est réalisée grâce à un champ magnétique dédié, ladite déviation sélective est réalisée grâce à un champ électrostatique dédié, lors de la déviation sélective on oriente le faisceau d'ions sur l'une désirée parmi une pluralité de cibles, les cibles sont fixes, on réalise toute séquence désirée des cibles par le faisceau d'ions, les cibles sont séparées par des murs, l'on neutralise en outre électriquement le faisceau d'ions, on adapte la trajectoire du faisceau d'électrons en fonction de la déviation du faisceau d'ions, * lors de la déviation sélective on balaye une cible avec le faisceau d'ions de manière à définir de manière désirée le lien d'impact du faisceau d'ions sur l'ensemble de cible, * on réalise ainsi un revêtement selon une distribution désirée sur le support, * on réalise ainsi un revêtement très homogène sur une surface importante, . lors de la déviation sélective on oriente momentanément le faisceau d'ions vers une zone de rebut d'ions en vue d'interrompre le flux de particules, * on effectue un balayage ultra rapide du faisceau d'ions entre au moins deux cibles, de manière à constituer un revêtement de composites ou d'alliages sur le support, le procédé comprend la mise en mouvement sélective d'un deuxième faisceau d'ions dirigé vers le support de manière à assister la croissance du revêtement. Selon un deuxième aspect, l'invention propose un dispositif de mise en oeuvre d'un procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une source d'ions, un ensemble de cible comprenant au moins une cible et des moyens de déviation sélective du faisceau d'ions issu de la source d'ions. Des aspects préférés, mais non limitatifs du dispositif selon l'invention sont les suivants : * lesdits moyens de déviation sélective comprennent des moyens magnétiques tels que des aimants ou des électro-aimants, * lesdits moyens de déviation sélective comprennent des moyens de création d'un champ électrostatique, 'it est prévu des moyens de neutralisation électrique du faisceau d'ions, * te dispositif comprend une pluralité de cibles, . les cibles sont fixes. Selon un troisième aspect, l'invention propose également une structure multicouches réalisée par un procédé tel qu'évoqué ci-dessus, caractérisée en ce que la structure est apte à réfléchir un rayonnement du type EUV. Un aspect préféré, mais non limitatif de la structure multicouche apte à réfléchir un rayonnement EUV selon l'invention est le suivant : la structure constitue un blanc de masque pour lithographie EUV. Selon un quatrième aspect, l'invention propose également un filtre réalisé par un procédé tel que réalisé ci-dessus. D'autres aspects, buts et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lecture suivante d'une forme de réalisation de l'invention, faite en référence à la figure unique annexée qui est un schéma de principe d'un dispositif selon l'invention. Sur cette figure, on a représenté par la référence générale 1 un dispositif selon l'invention, qui renferme dans une enceinte étanche 2 dans laquelle on a établi un vide les éléments qui vont être décrits ci-dessous. On précise que cette figure est un schéma de principe, et que la disposition des différents éléments du dispositif ainsi que leur taille n'est pas forcément représentative d'une configuration réelle. Le dispositif 1 renferme tout d'abord une source d'ions 10 capable de générer un faisceau 100 d'ions. La source d'ions peut être classique en soi, et être de tout type connu. Les ions peuvent être par exemple des ions d'argon, de krypton, de xénon ou autre. L'énergie du faisceau 100 d'ions correspond au niveau d'énergie mis en oeuvre habituellement dans les faisceaux d'ions utilisés dans les dispositifs connus de revêtement tels qu'évoqués en introduction de la présente demande (plus précisément dispositif de type BS-ton Beam Sputtering, qui désigne les dispositifs de pulvérisation à partir d'un faisceau d'ions selon la terminologie anglo-saxonne répandue). Une pluralité de cibles fixes 21,22, 23 sont également prévues dans le dispositif. Les cibles 21 à 23 forment un ensemble de cible 20. Chaque cible est réalisée dans un matériau différent. Comme on le verra dans la description de la première application préférée de l'invention, chacune de ces cibles est destinée à être bombardée sélectivement par les ions du faisceau 100, de manière à produire un flux de particules F pour revêtir un support 30. Le support 30 peut être tout substrat, ou assemblage de substrats, destiné à être revêtu par les particules du flux F qui sont issues du bombardement d'une des cibles de l'ensemble 20 par les ions du faisceau 100. On précise que par déviation , on entend l'opération consistant à mettre en mouvement de manière contrôlée les ions du faisceau 100. Il est en effet important de remarquer que le procédé selon l'invention permet une évolution dynamique de l'orientation du faisceau d'ions 100, par les moyens que l'on va décrire ci-dessous. De la sorte, on balaye avec le faisceau d'ions l'ensemble de cible de manière à définir de manière désirée le lieu d'impact du faisceau d'ions sur l'ensemble de cible. Les cibles peuvent être séparées par des murs 200, afin d'éviter toute contamination du flux de particules qui sera issu d'une cible lorsque le faisceau 100 est dirigé vers ladite cible. Cet aspect sera également détaillé dans la description de la première application préférée de l'invention. On précise que le nombre de cibles représentées sur la figure est purement illustratif, et que le dispositif selon l'invention peut fonctionner avec un ensemble 20 comprenant un nombre quelconque de cibles. Et le dispositif peut également fonctionner selon l'invention avec une seule cible (dans ce cas l'ensemble de cible 20 est réduit à une seule cible), l'invention n'étant pas limitée à la configuration à plusieurs cibles. Les ions du faisceau 100 qui est issu de la source 10 sont chargés électriquement, de sorte que le faisceau 100 n'est pas électriquement neutre. On utilise selon l'invention cette propriété pour dévier sélectivement les ions du faisceau 100. On précise que le support 30 peut être soit fixe, soit mobile. En particulier, le support 30 peut être monté à rotation, de manière à combiner les mouvements du support avec les dispositions qui vont être décrites cidessous et qui permettent d'adapter de manière désirée les caractéristiques du revêtement effectuées sur le support. Cette déviation est effectuée par des moyens de déviation sélective 40 qui sont aptes à produire un champ dédié à la déviation, qui peut être de nature électromagnétique, magnétique ou électrostatique. Ce champ de déviation interagit avec les ions chargés du faisceau 100. Les moyens de déviation sélective 40 peuvent mettre en oeuvre un dipôle créant un champ électromagnétique, ou tout autre système de création d'un champ électromagnétique ou magnétique dont on peut contrôler les caractéristiques. A cet égard, on pourra mettre en oeuvre des aimants ou des électroaimants. Il est également possible de mettre en oeuvre un champ électrostatique pour dévier sélectivement les ions du faisceau 100. Dans tous les cas, les moyens de déviation sélective sont aptes à diriger le faisceau 100 de manière désirée, et/ou à effectuer tout balayage désiré avec ce faisceau Ceci permet de diriger sélectivement le faisceau 100 selon un faisceau 101,102 ou 103 sur l'une des cibles de l'ensemble 20. Et comme on le verra, ceci permet également de diriger sélectivement le faisceau d'ions vers des régions désirées d'une seule cible, par exemple pour générer un flux de particules F permettant d'effectuer un revêtement particulièrement homogène sur une grande surface de support, ou un revêtement selon un profil d'épaisseur désiré. Dans une première application préférée de l'invention, cette déviation sélective dirige les ions du faisceau 100 sélectivement en un faisceau 101, 102 ou 103 dirigé uniquement vers l'une des cibles 21,22 ou 23 respectivement. En déviant sélectivement les ions du faisceau 100 vers l'une, choisie, des cibles 21 à 23, on permet ainsi la création d'un flux F de particules issues de l'interaction entre les ions du faisceau 100 et la matière de ladite cible choisie, ledit flux de particule étant dirigé vers le support 30 pour le revêtir. On comprend que le dispositif selon l'invention permet ainsi de revêtir de manière sélective un support par des particules de type désiré, l'interaction des ions du faisceau 100 avec les différentes cibles respectives créant des flux de particules différents. Il est prévu en association avec les moyens 40 de déviation sélective des moyens de contrôle programmables permettant de réaliser toute séquence désirée de la commande de l'orientation du faisceau 100 vers des cibles désirées de l'ensemble 20. On peut ainsi réaliser des programmes de balayage du faisceau 100 pour revêtir le support 30 par différentes couches successives en des matériaux de revêtement dont les particules correspondent aux cibles respectives bombardés successivement par les ions, et ce selon toute séquence désirée de bombardements des cibles 21 à 23 par le faisceau d'ions. Comme on l'a dit, des murs 200 sont prévus entre les cibles de manière à éviter toute contamination du flux F de particules issues d'une cible sur laquelle est dirigé le faisceau d'ions par des éventuelles particules provenant d'une cible voisine. Il est également possible de réaliser selon l'invention des revêtements en composites ou en alliages, par exemple en faisant effectuer au faisceau 100 un balayage ultra rapide entre deux cibles (pouvant être à titre d'exemple et de manière absolument non limitative en fer et en cobalt). Du fait de la rapidité de l'alternance des bombardements des deux cibles respectives, le flux de particules F comprend alors un mélange de particules issues des deux cibles respectives, ledit mélange venant se déposer sur le support. Et en programmant de manière désirée les paramètres d'un tel balayage ultra rapide, il est possible d'ajuster à volonté les pourcentages des différents constituants des composites ou de l'alliages ainsi déposés sur le support (étant entendu qu'il est évidemment possible de mettre en oeuvre cette variante de l'invention avec plus de deux cibles différentes, sur lesquelles on fait alterner de manière ultra rapide le bombardement du faisceau d'ions). II est possible de neutraliser en outre électriquement le faisceau d'ions avant que celui-ci n'atteigne une cible, en croisant ce faisceau d'ions avec un faisceau d'électrons E1 issu d'une source d'électrons 50. Et le faisceau d'électrons E1 peut être dirigé sélectivement dans l'enceinte 2 pour suivre les mouvements du faisceau d'ions 100, durant ses différentes déviations. De la sorte, on garantit que le faisceau E 1 croise toujours le faisceau d'ions dans les meilleurs conditions pour neutraliser électriquement ce faisceau. L'énergie du faisceau E1 peut être de l'ordre de 500 à 1000 eV par exemple, en fonction de l'énergie associée au faisceau 100. Dans une variante de l'invention qui peut être mise en oeuvre avec toutes les applications décrites ici, il est en outre possible de diriger sur le support 30 un deuxième faisceau d'ions 600 issu d'une source d'ions 60. La source 60 peut, comme la source 10, être de type connu en soi. Le faisceau 600 permet d'assister la croissance de la couche de revêtement sur le support 30. Et il est ici encore possible de neutraliser électriquement les ions de ce faisceau avant qu'ils n'atteignent le support 30, en croisant avec ce faisceau 600 un deuxième faisceau d'électrons E2, issu d'une source d'électrons 70. L'énergie du faisceau E2 peut être de l'ordre de 20 à 50 eV par exemple, en fonction de l'énergie associée au faisceau 600. On précise selon une variante avantageuse de l'invention qui peut être mis en oeuvre indépendamment des autres aspects décrits dans cette demande, on associe également au deuxième faisceau 600 des moyens de déviation sélective 40'permettant de déplacer selon toute trajectoire désirée ce faisceau 600. Les moyens 40'de mise en mouvement du faisceau 600 peuvent être similaires à ceux, désignés par la référence 40, permettant de mettre en mouvement le faisceau 100. On peut ainsi assister la croissance de la couche de revêtement sur une surface importante du support 30. On précise que par assistance de la croissance , on entend en particulier le fait de fournir aux particules du flux F une énergie supplémentaire, afin de leur permettre de s'intégrer dans des trous du revêtement. Une telle disposition a donc pour conséquence d'améliorer les qualités de surface du revêtement qui est en particulier plus lisse. Cette disposition permet ainsi d'éviter une croissance du revêtement en colonnes de particules agrégées, ménageant entre les colonnes des espaces de moindre densité. Et on précise également qu'en augmentant l'énergie associée au faisceau 600 on peut également améliorer les qualités de surface de revêtement en bombardant ledit revêtement par les ions du faisceau 100 dans une opération équivalente à une pulvérisation (le revêtement bombardé jouant en quelque sorte le rôle d'une cible). Dans une deuxième application préférée de l'invention qui peut être combinée avec la première application décrite ci-dessus ou bien mise en oeuvre avec un dispositif comprenant une seule cible, il est également possible de dévier sélectivement les ions du faisceau 100 de manière à bombarder sélectivement des régions d'une seule cible. On peut de la sorte faire effectuer au faisceau 100 tout type de balayage désiré et favoriser la création d'un flux de particules F de caractéristiques désirées. On peut ainsi balayer une cible avec le faisceau 100 selon toute séquence désirée pour créer un flux de particules homogène et couvrant une surface importante, de manière à produire sur le support 30 un revêtement présentant de grandes qualités d'homogénéité, sur une surface importante. On peut également créer sur le support 30 toute répartition désirée de revêtement de particules, par exemple pour réaliser des revêtements dont la ou les couche (s) a (ont) une épaisseur variable selon un profil désiré. Il est ainsi possible dans cette deuxième application préférée de l'invention d'adapter le profil d'un revêtement, par exemple pour réaliser un miroir multicouche courbe sur un substrat constitué par le support 30. On peut à cet effet balayer une cible de manière à obtenir une distribution désirée de particules sur le support 30. En particulier, il est possible de diriger plus ou moins de particules sur certaines régions du support 30, et réaliser ainsi des couches d'épaisseur variable. Bien entendu, dans le cas évoqué ci-dessus de fabrication de miroir multicouche, on utilise un ensemble de cible comprenant plusieurs cibles de manière à constituer les différentes couches du miroir. Il apparaît que l'invention permet de s'affranchir des inconvénients mentionnés en introduction de ce texte. En effet, aucune pièce mécanique mobile n'est présente dans l'enceinte 2 - le seul mouvement associé à la mise en ouvre de l'invention étant l'introduction du support 30 dans l'enceinte, en vue de son revêtement. De plus, l'invention permet d'effectuer des revêtements très homogènes sur de grandes surfaces. En outre, l'invention permet d'augmenter sensiblement le rendement des opérations de revêtement. En effet, il est possible dans le cas de l'invention de réaliser toute séquence désirée de bombardement de régions désirées d'une cible, ou de bombardement de cibles désirées, et ce sans nécessiter aucune opération mécanique en vue d'interrompre la génération du flux de particules F. Dans le cas où on souhaite toutefois retarder ou interrompre momentanément la génération du flux F, on peut dans le cas de l'invention diriger le faisceau d'ions 100 vers une zone de rebut des ions, grâce aux moyens 40. La zone de rebut, bombardée par les ions du faisceau 100, ne produit aucune particule susceptible de se déposer sur le support. Une telle zone peut être prévue adjacente à l'ensemble de cibles 20. Par exemple, on peut prévoir de la disposer au centre d'une anneau dont différents secteurs angulaires correspondent aux différentes cibles de l'ensemble 20. On précise que la zone de rebut est particulièrement intéressante à l'allumage de la source d'ions 10, afin de permettre la mise en service opérationnelle de celle-ci sans pour autant commencer à générer un flux de particules (dont la qualité risquerait d'être instable de la phase transitoire de mise en service de la source d'ions). Et cet avantage est obtenu sans organe mécanique tel qu'un obturateur. Et dans le cas de la mise en oeuvre d'une telle zone de rebut, on peut interrompre à volonté la génération de particules sans affecter la continuité du processus de revêtement : aucune interruption mécanique n'a lieu-et on ne se trouve pas exposé aux inconvénients associés à de telles interruptions mécaniques (gestion de l'inertie des pièces, ajustement et jeux, vibrations,...). L'invention permet ainsi de réaliser des revêtements selon un procédé souple et continu, autorisant de nombreuses variantes (changements de cibles quelconques et/ou adaptation d'un profil de revêtement) sans interrompre le déroulement du procédé. On remarquera que l'invention est bien adaptée pour réaliser des structures multicouches telles que des blancs de masque de lithographie, en particulier de lithographie EUV, qui nécessitent comme on l'a dit un haut degré d'homogénéité et sont associés à des exigences de qualité sévères. Cependant, l'invention n'est pas limitée à la réalisation de telles structures multicouches. En particulier, il est possible selon l'invention de réaliser des filtres du type DWDM (Dense Wavelength Division Multiplexing selon la terminologie anglo-saxonne répandue). De tels filtres permettent de séparer des signaux de différentes longueurs d'onde qui peuvent être multiplexés, par exemple dans des filtres optiques utilisés dans en télécommunications. En effet, un des avantages de l'invention étant de permettre de réaliser des revêtements présentant de très bonne qualité d'homogénéité sur des surfaces importantes, cette invention trouve une application avantageuse dans la réalisation de plaques de grandes dimensions servant à la fabrication de filtres du type mentionné ci-dessus. Et plus généralement, on comprendra que l'invention peut être mise en oeuvre pour réaliser tout type de structure multicouche. On précise que selon l'invention il est également possible d'injecter un gaz tel que de l'oxygène ou de l'azote dans l'enceinte 2, afin de favoriser une pulvérisation réactive mettant en oeuvre des oxydes ou des nitrures. Et dans une variante de cette dernière option, il est également possible de mettre en oeuvre des ions d'un gaz tel que mentionné ci-dessus uniquement en association avec le deuxième faisceau d'ions 600. REVENDICATIONS 1. Procédé de revêtement d'un support (30) par une couche de particules issues d'un ensemble de cible (20), le procédé comprenant la mise en oeuvre d'une source d'ions (10) pour diriger un faisceau d'ions (100) vers ledit ensemble de cible, afin de générer un flux de particules (F) issues de l'interaction entre le faisceau d'ions et l'ensemble de cible, en vue de déposer au moins une partie du flux de particules sur le support, caractérisé en ce que le procédé comprend la mise en mouvement sélective du faisceau d'ions entre la source d'ions et l'ensemble de cible. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite déviation sélective est réalisée par l'établissement d'un champ électromagnétique dédié. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite déviation sélective est réalisée grâce à un champ magnétique dédié. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite déviation sélective est réalisée grâce à un champ électrostatique dédié. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que lors de la déviation sélective on oriente le faisceau d'ions sur l'une désirée parmi une pluralité de cibles. 6. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les cibles sont fixes. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on réalise toute séquence désirée des cibles (21,22, 23) par le faisceau d'ions. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les cibles sont séparées par des murs (200). 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on neutralise en outre électriquement le faisceau d'ions. 10. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ladite neutralisation est réalisée à l'aide d'un faisceau d'électrons (E1). 11. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'on adapte la trajectoire du faisceau d'électrons (E1) en fonction de la déviation du faisceau d'ions (100). 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que lors de la déviation sélective on balaye une cible avec le faisceau d'ions de manière à définir de manière désirée le lien d'impact du faisceau d'ions sur l'ensemble de cible. 13. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'on réalise ainsi une revêtement selon une distribution désirée sur le support (30). 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on réalise ainsi un revêtement très homogène sur une surface importante. 15. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que lors de la déviation sélective on oriente momentanément le faisceau d'ions vers une zone de rebut d'ions en vue d'interrompre le flux de particules. 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on effectue un balayage ultra rapide du faisceau d'ions entre au moins deux cibles, de manière à constituer un revêtement de composites ou d'alliages sur le support. 17. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le procédé comprend la mise en mouvement sélective d'un deuxième faisceau d'ions (600) dirigé vers le support de manière à assister la croissance du revêtement. 18. Dispositif de mise en oeuvre d'un procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une source d'ions (10), un ensemble de cible (20) comprenant au moins une cible et des moyens de déviation sélective (40) du faisceau d'ions issu de la source d'ions. 19. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que lesdits moyens de déviation sélective (40) comprennent des moyens magnétiques tels que des aimants ou des électro-aimants. 20. Dispositif selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdits moyens de déviation sélective (40) comprennent des moyens de création d'un champ électrostatique. 21. Dispositif selon l'une des trois revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est prévu des moyens de neutralisation électrique du faisceau d'ions. 22. Dispositif selon l'une des quatre revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif comprend une pluralité de cibles. 23. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les cibles sont fixes. 24. Structure multicouches réalisée par un procédé selon l'une des revendications 1 à 17, caractérisée en ce que la structure est apte à réfléchir un rayonnement du type EUV. 25. Structure multicouches selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la structure constitue un blanc de masque pour lithographie EUV. 26. Structure multicouche réalisée par un procédé selon l'une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que la structure est un filtre du type DWDM.