FR 2830978 A1 20030418 FR 0113371 A 20011017 au moins une traversée électrique 1 selon l'une des revendications 1 à 7. DISPOSITIF A CAPACITE ELECTRIQUE VARIABLE INTEGREE ET PROCEDE DE REALISATION D' UN TEL DISPOSITIF Domaine technique La présente invention concerne un dispositif à capacité électrique variable intégrée et un procédé de réalisation collective de tels dispositifs. On entend par dispositif à capacité électrique variable, un dispositif ou un composant quelconque qui comprend un ou plusieurs condensateurs intogrés dont la capacité électrique peut être modifiée. De tels dispositifs sont utilisés par exemple pour la réalisation de filtres résonnants que l' on souhaite pouvoir accorder sur différentes fréquences. Une application particulière des dispositifs à capacité variable est la réalisation d'équipements de télécommunications par voie hertzienne. Le caractère intégré des capacités variables, est dicté par les impératifs de miniaturisation des équipements concernés. État de la technique antérieure Une description de l'état de la technique est donnce par le document (1) dont les références sont précisées à la fin de la description. Des éléments complémentaires peuvent être trouvés dans les documents (2) à (4) dont les références sont également précisoes en fin de description. Une capacité électrique intégrce comprend généralement une armature fixe et une armature mobile, disposées en regard l'une de l'autre, et mutuellement .\ B 13940.3/EW isolées. L' armature mobile peut être formoe ou supportée par une membrane. La mobilité de l' armature peut résulter du caractère flexible et déformable de la membrane, ou du fait que cette dernière soit reliée à un support fixe par l'intermédiaire de moyens flexibles, tels que des poutrelles. L'espace séparant les armatures peut être vide ou peut contenir un gaz. La capacité variable est généralement associce à des moyens moteurs de commande. Ceux-ci permettent de déplacer l' armature mobile par rapport à l' armature fixe. Le déplacement de l' armature mobile a pour effet de modifier la distance séparant les armatures en regard et ainsi de modifier la capacité du condensateur formé par les armatures. On connaît pour l'essentiel trois types de moyens moteurs utilisables pour la commande de déplacement de l' armature mobile. On distingue en effe les moyens électrostatiques, les moyens piézoélectriques et les moyens thermiques à dilatation différentielle (bilame). Parmi ces moyens, on privilégie généralement la commande électrostatique. La préférence va à ce type de commande pour la simplicité de sa réalisation et pour sa consommation électrique réduite. Les moyens moteurs électrostatiques utilisent des électrodes entre lesquelles on génère des forces électrostatiques par application d'une différence de potentiel. Les forces sont mises à profit pour le déplacement de l' armature mobile. Avec des dispositifs fortement miniaturisés, une difficulté importante apparaît toutefois pour la B 13940.3/EW fourniture de la tension de commande nécessaire à l'exercice des forces électrostatiques. Celle-ci est de l'ordre de 10 à 100 volts. Une solution possible pour limiter la tension de commande consiste à assouplir les poutrelles de maintien de l' armature mobile. Une meilleure flexibilité des poutres autorise, en effet, une tension de commande plus faible. En revanche, elle accroît également la sensibilité du dispositif à des accélérations. On peut se référer à ce sujet aux documents (2) et (3) qui proposent de mettre à profit la sensibilité d'une armature mobile à l'accélération pour la réalisation d'un accéléromètre. Dans les di spos it i fs vi sés par le présent exposé, toutefois, les accélérations, y compris celle de la pesanteur, ont pour effet de déplacer l' armature mobile et de générer des variations incontrôlées de la capacité. Ce phénomène est particulièrement gênant dans des équipements portables, sujets à des accélérations fortes et répétées. Une réduction de l'effet indésirable est possible en utilisant des armatures mobiles sous la forme de membranes très fines, ou portées par de telles membranes. Leur faible poids les rend, en effet, moins sensibles à l'accélération. L'utilisation de membranes fines présente cependant d'autres difficultés. Par exemple, des modes de résonance propres des membranes, à basse fréquence, peuvent générer des instabilités de la capacité. Par ailleurs les membranes très fines sont fragiles et B 13940.3/EW sujetLes des dformaLions au courG du Lemps. I1 en rsulLe noLammenL une dArive de la capaciL au repoG, c'eGL--dire de la capaciLd en l'abGence de champ AlecLique appliqud. s EXOG de l'invenLion La prsenLe invenLion a pou buL de proposer un disposiLif capaciLA variable inL4gre ne prdsenLanL pas les limitaLions eL difficulLAs ci-dessus. Un buL esL en parLiculier de proposer un Lel disposiLif qui soiL peu sensible aux accAlraLions eL qui prAsenLe LouLefois une bonne GLabiliL dans le Lemp>, LouL en prsenLanL une faible consommaLion lecLique eL LouL en LanL susceptible d'aLre command par unc Lension faible. Un buL esL encore de proposer un diGpositiE fiable suGcepLible d'aLre uLilis dans des quipemenLs de LlcommunicaLion po L'invenLion a aussi pou buL de proposer un procd de ralisaLion d'un Lel dispoGiLif. Enfin, l'invenLion a pour buL de prOposer un procd adapL la fabricaLion collecLive eL concomiLanLe d'un grand nombre de diGposiLif capaciL variable. Pour aLLeindre ces buLs l'invenLion concerne plus prcismenL un disposiLif capaciL variable inLgre comprenanL au moins une membrane formanL au moins une armatue mobile eL prAsenLanL au moins une face principale en regard d'au moins une armaLure fixe. ConformmenL l'invenLion, la membrane esL solIdaire d'au moins une nerure de rigidiLA se dressanL dans une B 13940.3/EW direction perpendiculaire à ladite face principale. De préférence, la nervure est la plus fine possible dans une direction parallèle à la face principale. On considère que la membrane forme une armature mobile lorsqu'au moins une partie de la membrane, susceptible d'être rapprochée ou écartée de l' armature fixe est en un matériau conducteur, ou lorsque la membrane est pourvue en cette partie d'une couche de matériau conducteur formant une ou plusieurs armatures. En d'autres termes, au moins une partie de la membrane constitue ou porte une armature. On considère que la membrane est en un matériau conducteur lorsque ce matériau conduit suffisamment l'électricité pour constituer une armature de condensateur. Ceci n'exclue donc pas le choix de matériaux semi-conducteurs. Le déplacement de l' armature mobile peut avoir lieu en déformant la membrane, qui présente alors au moins une partie flexible, et/ou en déformant une ou plusieurs poutrelles de suspension de la membrane. La nervure permet de conférer à la membrane, et donc à l' armature mobile, une bonne rigidité en dépit de sa minceur et donc de sa logèreté. Elle permet ainsi d'utiliser des membranes plus fines que dans les dispositifs connus. La membrane, ainsi rigidifice, présente une meilleure tenue dans le temps, une meilleure stabilité, tout en restant relativement insensible aux accélérations. La nervure est situce sur au moins l'une des faces principales, c'est-àdire l'une des faces de plus grande surface. Cette caractéristique permet B 13940.3/EW d'opLimier la fonction de raidiGseur de la ou des nervure, mais ne rjuge ni de la forme ni de l'oienLaLion de la membrane. Seleo un aspecL parLiculier de l'invenLion, le disosiLif peuL comporLer u ubLaL porLanL la membrane eL formanL une ou plusieurs armaLures fixes. Ici encore, on conid@re que le subLaL forme une armaLure fixe lorsqu'au moin une parLie du subsLraL eL en un maLAriau conducLeur susceLible de conLiLuer une armaLure, ou lorsque le GubsLraL eL pourvu d'une ou de plusieurG couches conducLices consLiLuanL de lecLrodes eL formanL aiosi la ou les armaLures fie. Eans une ralisation parCiculi@re, le disposiLif de l'invenLion peuL comporLer une premire parLie dipose en regard d'ue premiAre face principale de la membrane eL une deuxime parLie, solidaire de la premire parLie, eL dispose en regard d'une deuxime face principale de la membrane, au moins l'une des premiAre eL deuxime parLie formanL une armaLure fixe. ans le ca ou la membrane eL une membrane plane, le ubsLraL peuL comporLer deux armaLure fixes, dispose) de parL eL d'auLre de la membrane, en regard de ses deux faces principales. AvanLageusemenL, 1'une des armaLures fies peuL Lre uLilise conjoinLemenL avec l'armaLure mobile pour fomer un moyen moLeur de commande lecLoLaLique pour le dAplacemenL de la membrane. La deuxime armaLure fixe peuL alors aLre rAserve exclusivemenL la consLiLuLion d'une capaciLd variable, avec l'armaLure mobile. B 13940.3/EW Il convient de préciser qu'un même jeu d' armatures fixe et mobile peut aussi être utilisé à la fois comme capacité variable et comme moteur électrostatique de commande. L' invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif à capacité variable dans lequel: a) on fournit un substrat précentant au moins une première couche d' armature mince relice à une partie massive par une couche enterrce isolante, b) on forme sur la première couche d' armature mince, une couche d'arrêt de gravore, la couche d'arrêt de gravure présentant au moins une ouverture d'accrochage débouchant sur une partie de la couche darmature mince destince à former une armature mobile, c) on forme au moins une couche de rigidité recouvrant la couche d'arrêt de gravure, et venant en contact avec la première couche d' armature mince dans l'ouverture d'accrochage, d) on pratique une gravure sélective de la couche de rigidité pour y définir au moins une nervure de rigidité s'étendant au-dessus de l'ouverture d'accrochage, et sur la partie de la couche darmature mince destince à former une armature mobile, e) on libère ladite partie par élimination locale de la couche d'arrêt de gravure et de la couche enterrée isolante, pour former l' armature mobile. On entend par couche d' armature, une couche en un matériau conducteur, semi-conducteur ou résistif, B 13940.3/EW susceptible de constituer une ou plusieurs armatures de condensateur. Dans une mise en _uvre particulière du procédé, on peut utiliser une couche d'arrêt de gravure en un matériau isolant électrique, et une couche de rigidité en un matériau électriquement conducteur. On préserve alors, lors de l'étape d), une partie de la couche de rigidité s'étendant au-dessus de la partie de la couche d' armature mince destinée à former une armature mobile, et on libère mutuellement lesdites parties de la couche de rigidité et de la couche d' armature mince. La libération de la couche d' armature de la couche de rigidité permet de former la membrane. Elle peut avoir lieu par exemple par élimination locale d'une couche sacrificielle intercalaire. Cet aspect est encore décrit de façon plus détaillée dans la suite du texte. Le substrat, ou plus précisément la partie massive du substrat, peut être utilisée éventuellement comme armature fixe, lorsqu'elle n'est pas isolante. A titre d' alternative on peut aussi fournir, lors de l'étape a), un substrat présentant en outre, sous la première couche d'armature, une deuxième couche d' armature enterrée, électriquement isolée de la première couche d' armature. Dans ce cas, on peut préserver au moins une partie de cette couche en regard de l' armature mobile, pour former une armature fixe. Selon encore une autre possibilité, on peut former dans la partie massive du substrat une zone conductrice formant armature fixe par implantation 1oulque. B 13940.3/EW L'élimination sélective d'une partie sacrificielle de la couche enterrée peut avoir lieu en pratiquant une ou de préférence plusieurs ouvertures d'accès à cette couche pour la soumettre à des agents de gravure. Cette opération peut être grandement facilitée, lorsqu'on prévoit avant même l'étape b) une ou plusieurs ouvertures de gravure dans la première couche d' armature. lO D'autres caractéristiques et avantages de l' invention ressortiront de la description qui va suivre, en référence aux figures des dessins annexés. Cette description est donnée à titre purement illustratif et non limitatif. Brève description des fiqures La figure 1 est une coupe schématique et simplifice d'un dispositif à capacité variable conforme à l' invention. La figure 2 est une vue de dessus, également simplifiée d'un autre dispositif à capacité variable conforme à l' invention. Les figures 3 à 9 sont des coupes schématiques simplifiées d'un substrat, illustrant des étapes successives de fabrication d'un dispositif à capacité variable, conformément au procédé de l'invention. Les figures 10 et 11 sont des coupes schématiques de substrats différents de celui de la figure 3 également utilisables pour la réalisation dun dispositif conforme à l' invention. B 13940.3/EW Les figures 12 et 13 sont des coupes schématiques simplifiées d'un substrat, illustrant des étapes de fabrication d'un dispositif à capacité variable, conformément au procédé de l' invention, et constituant une variante par rapport aux étapes des figures 7 à 9. La figure 14 est une coupe schématique et simplifice d'un dispositif à capacité variable conforme à l'invention, obtenu conformément au procédé illustré par les figures 12 et 13. Description détaillée de modes de mise en _uvre de l' invention. Dans la description qui suit des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures sont repérces par les mêmes signes de référence pour faciliter le report entre les figures. Par ailleurs, et dans un souci de clarté des figures, tous les éléments ne sont pas représentés selon une échelle uniforme. La figure 1, montre un dispositif à capacité variable conforme à l' invention. Celui-ci comporte une membrane 12 en un matériau conducteur électrique. Celle-ci est maintenue séparée, mais en regard, d'un support 20, par une couche de séparation 22 en un matériau diélectrique. Le support 20 est également en un matériau conducteur électrique. Il forme avec la membrane les armatures d'un condensateur de capacité variable. La capacité peut être modifiée en exergant sur la membrane une B 13940.3/EW pression sous l'effet de laquelle elle se déforme légèrement, pour se rapprocher ou se séparer davantage du support. La membrane est pourvue, sur sa face opposée au substrat, d'une pluralité de lamelles qui forment autant de nervures de rigidité 32. Les lamelles peuvent être rapportées sur la membrane ou être réalisoes d'une seule pièce avec celle-ci. Les lamelles 32 permettent d' augmenter la rigidité de la membrane et donc de réduire son épaisseur à des valeurs très faibles. L'épaisseur de la membrane peut être inférieure à celle qui serait nécessaire pour qu'elle soit autoporteuse en l' absence de nervures. La figure 2 est une vue de dessus d'un autre dispositif à capacité variable conforme à l'invention. Sur cette figure, la membrane 12 constitue également une armature mobile d'un condensateur. La mobilité de l' armature ne résulte pas de la flexibilité de la membrane mais de celle de poutrelles 13 qui suspendent la membrane en la reliant au support 20. La membrane 12 est pourvue d'une nervure 32 en croix qui s'étend selon les diagonales de l'une de ses faces principales. La face principale opposée est tournée vers une partie du substrat non visible qui forme l' armature fixe. La figure 3 montre un substrat utilisable pour la réalisation d'un dispositif conforme à l'invention. Le substrat 20 comprend une partie massive 22 en B 13940.3/EW silicium et une couche mince 10 superficielle en silicTum, de préférence monocristallin. La couche mince 10 est reliée à la partie massive 22 par l'intermédiaire d'une couche enterrée isolante 24. Il s'agit, dans l'exemple illustré, d'une couche d'oxyde de silicium. Un substrat tel que représenté à la figure 3 est en soi connu. Il s'agit par exemple d'un substrat de type SOI (Silicon On Insulator, silicium sur isolant). De tels substrats sont usuellement formés par report d'une couche mince de siliclum sur une plaquette de siliclum préalablement oxydé. Il convient de préciser que d'autres substrats présentant une couche superficielle conductrice, ou recouverte d'un film conducteur, et isolée de la partie massive, peuvent également être retenus. On peut utiliser, par exemple, une couche de cuivre ou d'aluminium pour la couche mince et des couches diélectriques, en polymère ou en verre (PSG), pour former la couche enterrce. La partie massive du substrat peut selon les réalisations être semi- conductrice isolante ou même conductrice. La figure 4 montre la réalisation d'ouvertures 11 dans la couche mince superficielle 10. Les ouvertures sont pratiquces dans une partie centrale de la couche mince superf iciel le dans laquel le une membrane du dispositif doit être ultérieurement formée. La partie centrale est bordée d'une région ou la couche mince superficielle 10 est dépourvue d'ouvertures. B 13940.3/EW Les ouvertures 11 peuvent être formées par gravure sélective du silicium, avec arrêt sur l'oxyde de silicium sous-jacent, selon un motif dicté par un masque. Le masque n'est pas représenté. La figure 5 montre le dépôt d'une nouvelle couche intercalaire 13 d'oxyde de silicium qui recouvre la couche mince superficielle 10 et qui comble les ouvertures 11 préalablement réalisces. La couche intercalaire 13 peut être remplacce par une autre couche en un matériau isolant et susceptible d'être gravé sélectivement par rapport au matériau de la couche mince superficielle. La figure 6 montre la réalisation d'une ouverture d'accrochage 15 dans la couche intercalaire 13, de façon à mettre à nu une zone de la couche mince superficielle 10. On prend soin ici de ne pas faire coïncider l'ouverture d'accrochage avec une ouverture préalablement pratiquée dans la couche superficielle sous-jacente. Comme cela apparaît dans la suite de la description, l'ouverture d'accrochage 15 a pour but de permettre la fixation d'une nervure de rigidité sur la membrane. Plusieurs ouvertures d'accrochages peuvent être prévues. Elles sont ménagées essentiellement dans une partie centrale o une membrane doit être ultérieurement libérce. La figure 7 montre le dépôt d'une couche épaisse de siliclum polycristallin 30. L'épaisseur de cette couche peut être choisie supérieure à celle de la B 13940.3/EW couche mince 10, elle fixe l'épaisseur d'une nervure formée ultérieurement. La couche épaisse 30, encore désignée par " couche de rigidité ", vient recouvrir la couche intercalaire 13 et se fixer sur la couche mince superficielle 10 dans l'ouverture d'accrochage 15. Une gravure sélective de la couche de rigidité permet d'y dégager une nervure 32 visible à la figure 8 La nervure est solidaire de la couche mince superficielle à travers l'ouverture d'accrochage et peut s'étendre en partie au-dessus de la couche intercalaire 13. La gravure de la couche épaisse 30, sélective par rapport à l'oxyde de silicium, fait appel à un masque de gravure non représenté. Celui-ci fixe les dimensions et l' emplacement de la nervure 32. Une dernière gravure isotrope et sélective de l'oxyde de silicium par rapport au silicium de la couche mince superficielle 10 et de la nervure 32 permet d'éliminer la couche intercalaire 13. La même gravure permet aussi d'attaquer la couche enterrée 22 sous-jacente. Cette attaque est possible grâce aux ouvertures 11 préalablement pratiquées dans la couche mince superficielle. Le caractère isotrope de la gravure permet d'éliminer l'oxyde de silicium aussi dans des régions entourant les ouvertures 11, jusqu'à libérer une partie de la couche mince superficielle 10 pour former une membrane 12. La membrane 12, rendue libre par l'élimination partielle de la couche d'oxyde sous-jacente, est susceptible d'être déformoe et constitue une armature B 13940.3/EW mobile. La partie massive du substrat semi-conducteur 22 constitue une armature fixe en regard de la membrane. Dans la région périphérique entourant la membrane, l' absence d'ouvertures dans la couche mince superficielle fait que celle-ci protoge localement la couche d'oxyde sousjacente lors de la gravure. Le reliquat de la couche d'oxyde isolante 24 permet de suspendre la membrane et de la relier à la partie massive du substrat. Le lien formé par le reliquat de la couche d'oxyde est un lien mécanique et non un lien électrique. Il convient de préciser que les ouvertures 11 dans la couche mince superficielle pourraient éventuellement être remplacées par un autre type de canal d'accès, par exemple à travers la partie massive 22, pour autoriser une gravure de libération de la membrane. La description qui précède illustre une possibilité très rudimentaire de mise en _uvre de l' invention dans laquelle le substrat, dans son ensemble, ou plus précisément sa partie massive 22 dans son ensemble, constitue une armature du condensateur de capacité variable. Une telle réalisation du dispositif risque éventuellement d'induire des difficultés d' isolation électrique lorsque d'autres composant doivent être formés dans le même substrat. Une possibilité pour rendre au substrat sa fonction de support exclusivement mécanique consiste à réaliser sur celui-ci une armature fixe, électriquement isolée. B 13940.3/EW La figure 10 montre un substrat utilisable à cet effet. Le substrat de la figure 10 comprend une partie massive 22, une première couche enterrée d'oxyde 24, et une couche mince superficielle de silicium 10. Ces parties sont les mêmes que celles de la figure 3. Le substrat de la figure 10 comporte en outre une deuxième couche d'oxyde de silicium 26 et une couche mince de silicium 28 enterrces et disposées dans cet ordre entre la partie massive et la première couche enterrée 24. La deuxième couche d'oxyde de silicium 26 isole électriquement la couche mince enterrée de la partie massive du substrat. Un tel substrat peut être obtenu aisément à partir d'un substrat SOI, en y ajoutant une couche d'oxyde puis une couche mince de silicium. La deuxième couche mince de silicium peut, par exemple, y être reportée. Un dispositif à capacité variable peut être réalisé à partir de ce substrat selon le procédé précédemment décrit. La couche enterrée de silicium 28 joue alors le rôle de couche d'arrêt de gravure lors de l'attaque de l'oxyde de silicium de la première couche enterrée d'oxyde lors de la libération de la membrane. Dans le dispositif finalement obtenu, la couche enterrée de silicium 28 joue alors le rôle d'armature fixe. La figure 11 montre encore un autre type de substrat susceptible d'être retenu. Il s'agit d'un substrat conforme à la figure 3, avec une couche mince superficielle 10 en siliclum monocristallin ou polyoristallin, par exemple, de type SOI. B 13940.3/EW Une zone depe 29 eGL forme par implantation dans la parLie massive du subLraL, Gous la couche enLerrde. Les impureL6s dopanLes mises en cuvre sonL d'un Lype de conducLiviLd oppos celui de la parLie massive. Le disposiLif capaciLA variable esL ensuiLe poursuivi de la fago djÀ dcriLe. a one depe 29 esL uLilise comme armaLure fixe eL fcme une diode avec le resLe de la parLie massive. Elle esL polarise dans un sens bloquanL pour conLarier LouLe fuiLe de couranL. La figure 12 illusLre une ALape d'une varianLe du procd4, qui prend place apr@s l'Lape dAcriLe en rAfrence la figure 7. La couche Apaisse de Gilicium 30 esL grave selon un masque pour y praLiquer deG Lanches 33. es Lanches 33 LaversenL la ccuche paise de Giliclum eL y dlimiLenL la cu les nervures de rigidiLA 32. La parLie reGLanLe de la couche paiGGe 30 eGL LouLefois prserve. La figure 13 monLre la sErucLure obtenue apr4G une aLLague de l'oyde de silicium de la couche d'oxyde enLerre 24 eL de la couche inLercalaire 13 LaverG leG Lanches 33. CeLLe aLLaque, GlecLive par rapporL au silicium, permeL de libArer la membrane 12 par rapporL la parLie masGive 22 du subGLraL 20 maiG auGGi par rapporL la couche paiGGe de silicium 10. En effeL la gravure chimique anisoLope permeL d'6liminer ausGi de fagon locale la couche inLercalaire 13 dans la rAgion de la membrane. Le reliquaL de la B 13940.3/EW couche intercalaire 13 permet de maintenir la couche de rigidité épaisse 30 à distance de la membrane et de len isoler électriquement. On obtient une double capacité variable. Une première capacité variable est formée entre la partie massive du substrat et la membrane, et la deuxTème capacité variable, entre la membrane et la partie restante de couche de rigidité 30. Cette dernière, lorsqu'elle est suffisamment épaisse pour ne pas être déformée, constitue en effet une armature fixe. Un mouvement de la membrane provoque une modification en sens inverse de ces deux capacités. Pour réaliser des moyens de commande de la capacité variable, il est possible d'utiliser l'une des armatures fixes et d'y appliquer une tension électrostatique de déplacement ou de déflexion de la membrane. Ceci est indiqué par la représentation symbolique d'un générateur de tension connecté entre la membrane et la partie restante de la couche épaisse. La partie restante de la couche de rigidité constitue alors une électrode de commande et la partie massive du substrat, une électrode de signal. La figure 14 montre un dispositif conforme au dispositif de la figure 13 obtenu avec un substrat conforme au substrat de la figure 11. I1 comprend une électrode 29, implantée dans le substrat et formant une armature fixe. Un masquage de l' implantation permet de d'implanter l'électrode 29 dans une région de la membrane qui ne soit pas en regard de l'autre armature fixe formoe par la partie restante de la couche de B 13940.3/EW rigidité 30. Un dispositif conforme à la figure 14 permet de réduire d'éventuelles influences entre l' armature fixe formée par l'électrode 29 et celle formée par la partie restante de la couche de rigidité 30. Bien que la description qui précède se borne à illustrer des exemples de réalisation simples, il convient de préciser que le dispositif de l' invention peut être réalisé avec des formes différentes des armatures. De plus, le procédé de fabrication peut avantageusement être mis en _uvre pour la formation collective d'un grand nombre de dispositifs à capacité variable, identiques ou non, dans un même substrat. DO CUMENTS CI TES (1) TOPICAL REVIEW - " RF MENS from a device perepective De J. JASON Yao J. Micromech. Microeng. 10 (2000) R9-R38 (2) US-A-4 653 326 (3) US-A-5 495 761 (4) US-A-5 576 250 B 13940.3/EW REVENDICATIONS 1. Dispositif à capacité variable intégrée comprenant au moins une membrane (12), formant au moins une armature mobile, et présentant au moins une face principale en regard d'au moins une armature fixe (22, ), caractérisé en ce que la membrane est solidaire d'au moins une nervure de rigidité (32) se dressant dans une direction perpendiculaire à ladite face principale. 2. Dispositif selon la revendication 1, comprenant un substrat (22) de support de la membrane, le substrat formant au moins une armature fixe. 3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le substrat présente une couche (28, 29) électriquement conductrice formant l' armature fixe. 4. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le substrat comporte une première partie (22, 29) disposce en regard d'une première face principale de la membrane (12) et une deuxième partie (30), solidaire de la première partie, et disposoe en regard d'une deuxième face principale de la membrane, au moins l' une des première et deuxième parties formant une armature fixe. 5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel la deuxième partie (30) est une couche électriquement conductrice rigide. B 13940.3/EW 6. Procédé de fabrication d'au moins un dispositif à capacité variable dans lequel: a) on fournit un substrat (20) présentant au moins une première couche d'armature mince (10) relice à une partie massive (22) par une couche enterrée (24), b) on forme sur la première couche d' armature mince, une couche d'arrêt de gravure (13), la couche d'arrêt de gravure présentant au moins une ouverture d'accrochage (15) déLouchant sur une partie de la couche d' armature mince (10) destinée à former une armature mobile, c) on forme au moins une couche de rigidité (30) recouvrant la couche d'arrêt de gravure, et venant en contact avec la première couche d' armature mince (10) dans l'ouverture d'accrochage (15), d) on pratique une gravure sélective de la couche de rigidité (30) pour y définir au moins une nervure (32) sétendant au-dessus de l'ouverture d'accrochage, et sur la partie de la couche d' armature mince destince à former une armature mobile, e) on libère ladite partie par élimination locale de la couche d'arrêt de gravure (13) et de la couche enterrce (24), pour former une armature mobile (12). 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel on utilise une couche d'arrêt de gravure (13) en un matériau isolant électrique et une couche de rigidité (30) en un matériau électriquement conducteur et on préserve, lors de l'étape d), une partie de la couche de rigidité (30) s'étendant au-dessus de la B 13940.3/EW partie de la couche d'armature mince (10) destinée à former une armature mobile, et on libère mutuellement lesUites parties de la couche de rigidité et de la couche d'armature mince. 8. Procédé selon la revendication 6, dans lequel on fournit un substrat présentant en outre, sous la première couche d' armature (10), une deuxième couche d' armature enterrée (28), électriquement isolée de la première couche d' armature, et on préserve au moins une partie de cette couche en regard de l' armature mobile (12), pour former une armature fixe. 9. Procédé selon la revendication 6, dans lequel on forme dans la partie massive (22) du substrat une zone conductrice (29), formant armature fixe, par implantation ionique. 10. Procédé selon la revendication 6, dans lequel, avant l'étape b), on pratique dans la première couche mince d' armature au moins une ouverture de gravure (11) pour l'élimination ultérieure sélective de la couche enterrée sous-jacente.