FR 2828746 A1 20030221 FR 0210330 A 20020814 silhouettes diverses et personnalisables. 1 2828746 COMPOSITION D'ELIMINATION DE RESERVE ET DE SOUS-PRODUITS DE GRAVURE ET PROCEDE D' ELIMINATION DE RESERVE UTILISANT CELLE-CI DESCRIPTION ARRIERE-PLAN DE L' INVENTION Domaine de l' invention La présente invention concerne une composition d'élimination de réserve et de sous-produits de gravure et un procédé d'élimination de réserve utilisant celle- ci. Description de l'art antérieur Les dispositifs à semi-conducteur sont fabriqués suivant une série complexe de procédés discrets et séquentiels. Après certains de ces procédés pour fabriquer le dispositif à semi-conducteur, par exemple, un procédé d'attaque à sec ou un procédé d'implantation ionique, un motif de réserve qui est utilisé comme un masque doit étre éliminé. De plus, dans le cas o le motif de réserve est mal aligné, il doit étre éliminé pour former un motif de réserve nouveau et correctement aligné. Un critère important pour le procédé d'élimination de réserve est d'éliminer complètement la réserve et/ou les sous-produits de gravure de la surface d'un substrat aussi rapidement que possible sans attaquer les couches sous-jacentes. En général, le procédé d'élimination de réserve type associe une étape de décapage à sec. telle qu'une étape d'incinération (" ashing "), et une étape de décapage humide utilisant un décapant organique, pour éliminer les impuretés de la surface d'un substrat de circuit intégré. De telles impuretés peuvent 8tre la réserve restante qui n'a pas été complètement éliminée pendant l'étape d'incinération. Les autres impuretés peuvent comprendre les sous-produits de gravure générés pendant les étapes de gravure pour former différents motifs, par exemple, des motifs d'interconnexion simples ou multiples formés de tungstène, aluminium, cuivre, titane ou nitrure de titane. Des impuretés peuvent également 8tre générces pendant l'étape de gravure pour former des trous de contact (" via ", trous d'interconnexions) exposant les motifs d'interconnexion. Les sous-produits de gravure à éliminer comprennent des polymères organiques produits par la réaction du plasma, et des composants constituant le motif de réserve lui-même, tel que le carbone (C), l'hydrogène (H) ou l'oxygène (o), pendant une gravure au plasma ou une gravure à ions réactifs (RIE). Les sous-produits de gravure peuvent également comprendre des polymères organométalliques produits lorsque les matériaux d'interconnexion sont rétro-pulvérisés (" back-sputtered ") sur les parois latérales du motif de réserve et des trous de contact sont formés pendant une étape de gravure ou une étape d'incinération. Les sousproduits de gravure peuvent également comprendre des matériaux isolants ou des oxydes métalliques formés lorsqu'une couche d' isolation sous le motif d'interconnexion est sur-gravée (" over-etched ") puis rétro- pulvérisée. Certaines compositions pour éliminer des réserves ou des sous- produits de gravure sont décrits dans les brevets U.S. n 6 242 400 et 6 221 818. Les compositions décrites comprennent un agent réducteur d'amine basique, telle que l'hydroxylamine ou la monoéthanolamine, un solvant polaire, et un acide organique tel que le catéchol, en tant que leurs composants essentiels. Cependant, étant donné que l' amine basique de cette composition classique est relativement faible en terme de pouvoir réducteur, elle ne peut pas éliminer complètement les résidus de gravure, par exemple, un oxyde métallique ou un polymère organométallique, qui sont produits lorsque de nouveaux interconnexions ou trous de contact sont formés. Par conséquent, avant que l'étape d'incinération soit conduite, une étape de prétraitement à l'acide nitrique doit être conduite. Etant donné que les compositions classiques sont constituées en grande partie de composants organiques et ont une viscosité élevoe, les sousproduits de gravure ne sont pas complètement éliminés dans le cas d'un rinçage seul avec de l'eau déaionisé, laissant ainsi un résidu sur le substrat qui cause une contamination organique. De plus, étant donné que les compositions classiques corrodent facilement une couche sous-jacente exposée à la composition, telle que la couche d'interconnexion, le profil du motif de la couche J d'interconnexion peut être déformé, par attaque latérale (" undercutting "), par exemple. Par conséquent, une étape de rincage supplémentaire utilisant un agent de rincage à base d'alcool tel que S l'alcool isopropylique (IPA) doit être conduite après l'étape d'incinération. Par conséquent, étant donné qu'une étape avant élimination de traitement à l'acide nitrique doit être conduite avant l'étape d'incinération, et qu'une étape de traitement après retrait à l'alcool isopropylique est conduite après l'étape d'incinération, le procédé d'élimination de réserve devient plus compliqué et la durée du traitement est prolongée, ce qui diminue la productivité. De plus, étant donné que le matériau avant élimination, par exemple, l'acide nitrique, et le matériau après élimination, par exemple, l'alcool isopropylique, sont également nécessaires en plus du matériau d'élimination de réserve, les coûts de fabrication augmentent. De plus, étant donné que des bains discrets pour l'étape avant élimination et l'étape après élimination sont nécessaires, l'appareil d'élimination de réserve lui-même devient plus compliqué et occupe un plus grand espace au sol. RESUME DE L' INVENTION Compte tenu des problèmes et des inconvénients des techniques classiques, c'est un but de la présente invention de proposer une composition ayant une capacité supérieure pour éliminer une réserve, un polymère, un polymère organométallique et/ou des sous- produits de gravure, tels qu'un oxyde métallique, tandis que simultanément, la composition n'attaque pas les couches sous-jacentes exposées à la composition et ne laisse pas de résidus après une étape de rinçage. C'est un autre but de la présente invention que de proposer un procédé d'élimination de réserve ou de sous-produits de gravure utilisant la composition ayant les capacités décrites ci-dessus. Pour atteindre le premier but de la présente invention, il est proposé une composition d'élimination de réserve comprenant une alcoxy-N- hydroxyalkyl alcanamide, et un agent gonflant. De préférence, la composition d'élimination de 1S réserve contient au moins 10 % en poids d'alcoxy-N- hydroxyalkyl-alcanamide et au moins 0,01 % en poids de l' agent gonflant. Un sel d'hydroxylamine est préférablement utilisé en tant qu' agent gonflant. Les sels d'hydroxylamine appropriés comprennent le sulfate d' hydroxylamine, le chlorhydrate d' hydroxylamine, le nitrate d'hydroxylamine, le phosphate d'hydroxylamine, l'oxalate d'hydroxylamine, le citrate d'hydroxylamine, et les mélanges de ceux-ci. La composition d'élimination de réserve peut également comprendre au moins un composé choisi dans le groupe constitué d'un matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus, un inhibiteur d'attaque, et une alcanolamine. L'inhibiteur d'attaque supprime efficacement les dommages subis par une couche d'interconnexion existante lorsque la couche d'interconnexion est 6 2828746 exposée à la composition d'élimination de réserve. L'alcanolamine ou matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus améliore la capacité d'élimination de réserve ou de polymère. Pour atteindre un autre but- de la présente invention, il est proposé un procédé d'élimination de réserve comprenant les étapes consistant à fournir un substrat comportant une couche de réserve formoe sur celui-ci, et à mettre en contact le substrat avec une composition d'élimination de réserve comprenant un alcoxy-N-hydroxyalkyl-alcanamide et un agent gonflant pour éliminer la couche de réserve du substrat. La composition selon la présente invention possède une capacité supérieure pour éliminer la réserve et peut éliminer efficacement un polymère, un polymère organométallique et des sous-produits de gravure, tels que des oxydes métalliques. De plus, la composition ne laisse pas de résidus après une étape de rinçage, et n'attaque pas les couches sous- jacentes exposées à la composition. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Les buts et avantages ci-dessus de la présente invention apparaîtront plus clairement en décrivant de manière détaillée des modes de réalisation de celle-ci en référence aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est un schéma de principe représentant un procédé d'élimination de réserve ou de sous-produits de gravure selon la présente invention; La figure 2 est une photographie au microscope électronique à balayage (SEM) d'une vue de dessus d'un trou d'interconnexion immédiatement après qu'une étape d'incinération ait été conduite, le trou d'interconnexion étant formé par photolithographie; Les figures 3A et 3B sont des photographies SEM d'une vue de dessus et d'une vue en coupe, respectivement, d'un trou d'interconnexion après l'élimination de réserve et de polymère en utilisant la composition selon la présente invention; Les figures 4A et 4B sont des photographies SEM d'une vue de dessus et d'une vue en coupe, respectivement, d'un trou d'interconnexion après l'élimination de réserve et de polymère en utilisant une composition classique; et La figure 5 est une photographie SEM d'une vue en coupe d'un trou d'interconnexion après l'élimination de réserve et de polymère en utilisant une autre composition classique. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES Ci-après, une composition pour éliminer une réserve ou des sous-produits de gravure selon la présente invention et un procédé d'élimination utilisant celle-ci sont décrits de manière détaillée. Cependant, la présente invention n'est pas limitée aux modes de réal i sat ion suivants et peut être mi se en _uvre sous différentes autres formes. Sanf indication contraire, le pourcentage en poids (% en poids) utilisé tout au long de la description est calculé dans l'hypothèse o la densité de chaque composant est égale à 1. Le terme " réserve " (" resist ") utilisé tout au S long de la description est défini comme couvrant non seulement une résine photosensible, mais également les sous-produits de gravure et autres polymères. De plus, par souci de simplicité et de facilité de description, une composition pour éliminer la réserve, les sous produits de gravure et les autres polymères est référencée ici comme étant une composition d'élimination de réserve. La composition d'élimination de réserve selon la présente invention comprend un aleoxy-N-hydroxyalkyl alcanamide et un agent gonflant De préférence, la composition d'élimination de réserve comprend au moins % en poids d'alcoxy-N-hydroxyalkyl-alcanamide et au moins 0,01 % d'un agent gonflant. De préférence encore, l' agent gonflant est inclus à une teneur de 0,01 à 30 % en poids. L'alcoxy-N-hydroxyalkyl-alcanamide est représenté par la formule 1: (Formule 1) R4-O-R3-CO-N-R1R2OH dans laquelle R1 est un atome d'hydrogène ou un hydrocarbure en C1 à C5, et R2, R3 et R4 sont chacun indépendamment des hydrocarEures en C1 à C5. Dans le mode de réalisation préféré, Rl est un atome -d 'hydrogène, R2 est -CH2CH2-, R3 est -CH2CH2-, et R4 est -CH3-. Les agents gonflants appropriés comprennent un sel d'hydroxylamine. Des exemples du sel d'hydroxylamine comprennent le sulfate d'hydroxylamine, le chlorhydrate d'hydroxylamine, le nitrate d'hydroxylamine, le phosphate d'hydroxylamine, l'oxalate d'hydroxylamine, le citrate d'hydroxylamine, et les mélanges de ceux-ci. De plus, un sel d'hydroxylamine ayant des groupes alkyle en Cl à C5 substitués dans celui-ci peut être utilisé. La fonction de la composition d'élimination de réserve selon la présente invention est apparemment remplie suivant le mécanisme de réaction suivant. L'alcoxy-N-hydroxyalkyl-alcanamide contient un groupe hydroxy (-OH), un groupe alcoxy (-OR4), et un groupe carbonyle (C=O). Par conséquent, la composition d'élimination de réserve selon la présente invention est très efficace dans le décapage et la dissolution d'une réserve et d'un polymère. De plus, comme décrit dans la formule de réaction 1 suivante, l'alcoxy-Nhydroxyalkyl-alcanamide réagit avec un polymère organométallique, facilitant ainsi l'élimination du polymère organométallique de la surface d'un substrat: (Formule de réaction 1) R R /Mp Mp +R4- 0 R3-C-N-HR2OH- R40 R3 C NR > S dans laquelle Mp représente un polymère organométallique. Le sel d'hydroxylamine améliore la capacité de retrait de polymère grâce à ses actions gonflante et réductrice. Une solution de sel d'hydroxylamine permet que la viscosité de la composition d'élimination de réserve soit dans un intervalle qui soit suffisant pour éliminer aisément la composition d'élimination de réserve avec de l'eau désionisée. De préférence, la solution des sels d'hydroxylamine permet que la viscosité de la composition d'élimination de réserve soit 20 cp ou moins. La composition selon la présente invention peut également comprendre au moins un composé choisi dans le groupe constitué par un matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus, un inhibiteur d'attaque, et une alcanolamine. Dans ce cas, 0,01 à 30 % en poids de l'inhibiteur d'attaque, 0,01 à 60 % en poids du matériau polaire ayant un moment dipolaire de -3 ou plus, et 0,01 à 30 % en poids de l'alcanolamine sont préférablement inclus dans la composition selon la présente invention. En tant que matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus, l'eau, le méthanol ou le diméthylsulfoxyde peuvent étre utilisés. Les inhibiteurs d'attaque appropriés comprennent un composé aromatique tel que le beuzotriazole, le catéchol, l'acide gallique, ou un composé carboxylique aliphatique choisi dans le groupe constitué par l'acide S acétique, l'acide citrique, l'acide lactique et l'acide succinique. Les alcanolamines appropriéss comprennent une monoalcanolamine, une dialcanolamine et une trialcanolamine. Une monoalcanolamine en C1 à C10 représentée par la formule 2 ci-dessous est également une alcanolamine appropriée: (Formule 2) 1S R5-NH-R6OH dans laquelle R5 est un atome d'hydrogène ou un hydrocarbure en C1 à C5, et R6 est un hydrocarbure en C à c5. Dans le mode de réalisation préféré, une monoéthanolamine, dans laquelle R5 est un atome d'hydrogène et R6 est -CH2CH2-, est préférablement utilisée en tant qu'alcanolamine. Le matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus présente une haute solubilité vis-à-vis d'un polymère réticulé et d'une réserve. En d'autres termes, un tel matériau polaire peut éliminer efficacement tout polymère qui est fortement fixé sur les parois latérales du motif de réserve et la surface de la couche sous-jacente exposée. De plus un tel matériau polaire facilite l'élimination de la réserve elle-même. L'inhibiteur d'attaque sert d' agent de dissolution pour un polymère organométallique et empêche les interconnexions exposées à la surface d'un substrat de circuit intégré d'être corrodées ou attaquées. Dans la plupart des cas, une couche d'oxyde métallique est formée sur la surface des motifs d'interconnexion exposés à la surface du substrat de circuit intégré. Si la couche d'oxyde métallique réagit avec l' agent réducteur pour être transformée en ions métalliques, l'inhibiteur d'attaque provoque la chélation avec les ions métalliques pour former un composé chélate. Par conséquent, la surface du motif d'interconnexion métallique exposé est recouverte par un composé chélate stable, de sorte que la corrosion ou l'attaque du motif d'interconnexion puisse être efficacement évitée. L'alcanolamine confère efficacement une capacité améliorée de retrait de polymère ou de polymère organométallique à la composition d'élimination de réserve selon la présente invention. Par conséquent, la composition d'élimination de réserve selon la présente invention a une capacité supérieure d'élimination de réserve et peut éliminer efficacement un polymère, un polymère organométallique et un oxyde métallique. De plus, la composition d'élimination de réserve a une viscosité appropriée de manière à être suffisamment rincée avec de l'eau désionisée sans attaquer les couches sous-jacentes exposées à la composition, éliminant ainsi tous les résidus organiques. Des exemples de compositions d'élimination de réserve dans la portée de la présente invention et le 13 2828746 en poids respectif de chaque composant sont présentés dans le tableau 1. Tableau 1: exemples de compositions d'élimination de réserve Coos it ion alc -N- Agent Matériau ILiteur Alcanolamine d' élimina- hydroxy- gonflant polaire d'attaque (% en poids) tion de ayl- (% en (% en (% en résee alca:amide poids) poids) poids) (% en poids) 1 10-70 0,01-30 2 10-70 0,01-30 0,01-60 3 10-70 0,01-30 0,01-30 -70 0,01-30 0,01-30 -70 0,01-30 0,01-60 0,01-30 -70 0,01-30 0,01-60 0,01-30 7 10-70 0,01-30 0,01-30 0,01-30 8 10-70 (35-50) 0,01-30 0,01-60 0,01-30 0,01-30 (6-13) (25-45) (1-15) (1-10) Notez que l'intervalle de valeurs le plus préféré est présenté entre parenthèses dans le tableau 1. Les éléments des compositions d'élimination de réserve décrites ci-dessus sont optimisés de sorte qu'une réserve et un polymère puissent être efficacement éliminés, et la couche sous-jacente exposée à une composition d'élimination de réserve est attaquée de manière minimale par de telles compositions, et la composition a une viscosité suffisante de manière à être aisément rincée avec de l'eau désionisée sans laisser un résidu. 14 2828746 Les compositions 1, 2, 4 et 6, qui ne comprennent pas d'inhibiteur d'attaque, peuvent également produire le même effet que les autres compositions dans le cas o un matériau normalement attaqué par une composition d'élimination de réserve, tel qu'une interconnexion, n'est pas exposé à la composition d'élimination de -réserve. De plus, les compositions 1, 3, 4 et 7, qui ne comprennent pas un matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus, peuvent également produire le même effet que les autres compositions dans le cas o la quantité de polymère à éliminer est très faible, ou bien qu'une étape avant élimination a été conduite. De manière similaire, les compositions 1, 2, 3 et 5, qui ne comprennent pas une alcanolamine, peuvent également produire le même effet que les autres compositions dans le cas o la quantité de polymère ou de polymère organométallique à éliminer est très faible. Comme décrit ci-dessus, les compositions d'élimination de réserve présentent une capacité supérieure pour éliminer la réserve et les polymère, polymère organométallique et oxyde métallique, qui sont des sous-produits de gravure. De plus, elles n'attaquent pas la couche sousjacente, par exemple, une couche d'interconnexion, qui est exposée, et sont complètement éliminées avec de l'eau désionisée de sorte qu'elles ne restent pas sur le substrat. De plus, les matériaux décrits ci-dessus sont moins coûteux que les composants des compositions d'élimination de réserve classiques. Etant donné que la composition selon la présente invention a une capacité supérieure de retrait de 2828746 polymère, elle peut être avantageusement utilisée pour un procédé de retrait d'un matériau polymère organique, par exemple un polyimide, en plus de la résine photosensible utilisée pour fabriquer un dispositif à semi-conducteur ou un dispositif d'affichage de type plat. Procédé d'élimination de réserve Les étapes d'élimination de réserve en utilisant la composition d'élimination de réserve selon la présente invention sont décrites en référence à la figure 1. Premièrement, un motif de réserve est formé suivant une séquence de photolithographie classique. Ensuite, différents procédés pour réaliser un dispositif à semiconducteur, par exemple, un procédé de gravure (à sec ou humide) ou un procédé d' implantation ionique, sont conduits en utilisant le motif de réserve comme un masque. Ensuite, une étape d'incinération, qui est un procédé de décapage à sec. est conduite sur le substrat à l'endroit auquel le motif de réserve est formé (étape 100). Ensuite, une étape de décapage humide est conduite (étape 100). Dans l'étape de gravure humide, la partie du substrat o l'étape d'incinération a été effectuée est laissée en contact avec une composition d'élimination de réserve, telle que celles listées dans le tableau 1, pour éliminer la réserve, polymère ou polymère organométallique. Cela est effectué en placant la composition d'élimination de réserve dans un bain, puis en immergeant le substrat dans le bain. En variante, la composition d'élimination de réserve peut être pulvérisée sur le substrat. Dans le cas de l'utilisation des compositions d'élimination de réserve selon la présente invention, l'étape d'élimination de réserve est conduite à une température basse de 70 C ou moins, spécifiquement, dans l'intervalle de la température ambiante à 70 C, de préférence de 45 C à 70 C. Un temps de contact dans l'intervalle d'environ 10 à environ 30 minutes est préféré. La réserve éliminée par la composition d'élimination de réserve selon la présente invention peut comprendre une réserve adaptée pour l'exposition à courte longueur d'onde, telle qu'une réserve pour un laser excimère à ArF (193 nm) ou une réserve pour un laser excimère à F2 (157 nm), ainsi qu'une réserve pour une bande-i classique (365 nm) ou une réserve pour un laser excimère à KrF (248 nm). Une fois que la réserve est complètement éliminé, la composition d'élimination de réserve et la réserve dissous restant sur le substrat sont éliminés par rinçage (étape 120) en utilisant de l'eau désionisée. Si nécessaire, l'étape de rinçage peut être conduite de nouveau. Finalement, le substrat est séché suivant un procédé d'essorage centrifuge ou un procédé à sec utilisant l'isopropanol pour éliminer l'eau désionisée restant sur le substrat (étape 130). Après l'étape de séchage 130, le substrat est transféré vers le traitement suivant. Lorsqu'une réserve est utilisée de nouveau dans une étape suivante, il est de nouveau éliminé suivant les étapes décrites sur la figure 1 après que liétape suivante soit terminée. Etant donné que la composition d'élimination de réserve selon la présente invention a une capacité supérieure pour éliminer les réserves, polymère, polymère organométallique ou oxyde métallique, elle est adaptée pour une utilisation dans des cas dans lesquels des décapants organiques classiques n'ont pas permis d'éliminer les sous-produits d'un procédé de gravure. En conséquence, l'étape avant élimination (avant le procédé d'incinération) n'est pas nécessaire, contrairement à la technique classique. De plus, étant donné que l'on évite que la couche sous-jacente de la réserve soit attaquée, et que les réaidus ou couches résiduelles organiques ne restent pas sur la surface, l'étape après élimination (après le procédé d'incinération) peut être également omise, contrairement à la technique classique. Par conséquent, selon la présente invention, la réserve peut être complètement éliminée par un procédé simple et rationalisé, comparé au procédé d'élimination de réserve classique. De plus, selon la présente invention, l'appareil d'élimination de réserve ne requiert pas l es ba ins séparés néces sai res pour conduire l'étape avant élimination et l'étape après élimination. Par conséquent, l'appareil d'élimination de réserve peut être simplifié et occupe par conséquent moins d'espace au sol. De plus, étant donné que les matériaux utilisés dans l'étape avant élimination et l'étape après élimination, tels que l'acide nitrique et l'IPA, ne sont pas nécessaires, le coût de fabrication est diminué tandis que la productivité du procédé de fabrication de semi-conducteur peut 8tre remarquablement améliorse. Des détails supplémentaires de la présente invention sont décrits en référence aux exemples suivants. Exemple l Cet exemple illustre les capacités de l'élimination de polymère de différentes compositions ayant différents rapports de composition. Premièrement, des plaquettes pour traitement avec les compositions selon la présente invention sont préparées de la manière suivante. Des couches de verre au borophosphosilicate (BPSG) sont formées avec une épaisseur de 5000 À sur une pluralité de substrats, respectivement. Ensuite, une couche de titane et une couche de nitrure de titane sont formées avec une épaisseur de 200 [, respectivement, et recuites. Ensuite, une couche d'aluminium est déposée avec une épaisseur de 6000 À et circulée. Ensuite, une couche de nitrure de titane servant de couche de couverture est formée sur la couche d'aluminium, et une couche mince (film) diélectrique entre couches est ensuite formée avec une épaisseur de lOOOO . Ensuite, une couche de la résine photosensible est ensuite appliquée sur la couche mince diélectrique entre couches avec une épaisseur d' environ 0,3 um. Ensuite, la plaquette recouverte de la composition de réserve pour un laser excimère à ArF (fabriqué par ISI Co. et ayant une ouverture numérique (NA) de 0,6 et une profondeur focale () de 0,7), cuite après exposition à 120 C pendant 90 secondes, et développée avec 2,38 % en poids d'une solution de TMAH, formant ainsi un motif de réserve définissant un trou d'interconnexion ou trou de contact. La couche mince diélectrique entre couches est attaquée avec un réactif d'attaque d'oxyde tamponné en utilisant le motif de la résine photosensible comme un masque dattaque, produisant ainsi un trou d'interconnexion de 400 à 500 m de large. Après la formation du trou d'interconnexion, les substrats respectifs sont immergés dans 7 bains contenant les compositions listées dans le tableau 2. Les températures des bains sont maintenues à 60 C. Après avoir été immergés pendant environ 20 minutes, les substrats sont rincés avec de l'eau désionisée pendant environ 5 minutes et séchés, puis les matériaux obtenus sont identifiés en utilisant la microscopie électronique à balayage (SEM). Dans le tableau 2, HAS déaigne un sulfate d'hydroxylamine, MHPA désigne le méthoxy-N-hydroxyéthylpropanamide, BTA désigne le benzotriazole et MEA désigne la monoéthanolamine. 2828746 Tableau 2: capacité d'élimination de réserve et de polymère C=ositi A X2O BTA pacité (\ en (% en (% en (% en (% en d'éli=ation de poiés) poids) poids) poids) poids) réserve et de polmére 1 7 59 34 x x 13 46 41 x x 12 44 40 4 x 8 38 51 4 x O 8 47 39 6 x O 7 57 33 3 x 6 46 43 4 x O 6 41 47 6 x O 7 41 37 3 7 7 34 46 4 9 O 11 6 41 34 5 12 O 12 6 34 30 3 9 13 6 39 37 4 15 O 14 5 33 37 5 20 O 7 53 31 x 9 16 12 43 38 x 7 (O: bon,: très bon,: optimal) Les résultats sont basés sur les quantités relatives de polymère et de réserve résiduels obtenus par observation SEM. Le bon état indiqué par "O" est similaire aucas de l'utilisation du décapant organique classique (appelé décapant A), le très bon état indiqué par "" est un état amélioré par rapport au cas 21 2828746 classique, et l'état optimal indiqué par "" est un état nettement amélioré par rapport au cas classique. Comme décrit dans le tableau 2, la capacité d'élimination de réserve ou de polymère de la composition selon la présente invention est au moins la même que, et dans la plupart des cas, sensiblement meilleure que celle du décapant A. Exemple 2 Cet exemple détermine si les compositions selon la présente invention attaquent ou non des couches d'interconnexion. Dans cet exemple, des plaquettes comprenant des trous d'interconnexion sont préparées de la même manière que dans l'exemple 1 et les compositions listées dans le tableau 3 sont utilisées. Ensuite, les états attaqués des couches d'interconnexion, par exemple, par attaque latérale, sont examinés. Tableau 3: présence d'attaque latérale carpositicn HAS MH9A H2O BTA Présence dattaque (% en (% en (% en (% en (% en latérale poids) poids) poids) poids) poids) 1 7 59 34 x x x 2 13 46 41 x x x 3 12 44 40 4 x x 4 8 38 51 4 x x 8 47 39 6 x x 6 7 57 33 3 x x 7 6 46 43 4 x x 8 6 41 47 6 x 9 11 41 37 3 7 7 34 46 4 9 11 7 41 34 5 12 12 6 52 30 3 9 13 6 39 37 4 15 14 5 33 37 5 20 7 53 31 x 9 O 16 12 43 38 x 7 O ("O" indique qu'une attaque latérale s'est produite, rAl' indique qu'une légère attaque latérale s'est produite, et "x" indique qu'aucune attaque latérale ne s'est produite). Comme décrit dans le tableau 3, lors de l'utilisation des compositions selon la présente invention, seules quelques couches d'interconnexion sont attaquées comme indiqué par le degré d'attaque latérale. Même si une attaque latérale insignifiante s'est produite, elle est considérée comme négligeable par rapport au cas de l'utilisation du décapant classique A. De plus, il a été confirmé que dans le cas o MEA est inclus dans la composition, la présence d'attaque latérale peut être plus efficacement évitée en incluant également BTA en plus de MEA. Exemple 3 Cet exemple illustre une comparaison de performances entre la composition selon la présente invention, le décapant classique A, et un autre décapant organique classique (appelé décapant B). Le trou d'interconnexion ayant une largeur de 400 à 500 um est formée de la méme manière que dans l'exemple 1, puis une étape d'incinération est conduite. La vue de dessus du trou d'interconnexion obtenue est observée par SEM et les résultats d' observation sont décrits sur la figure 2, sur laquelle il est observé qu'une grande quantité de polymère reste autour de la circonférence du trou d'interconnexion. La plaquette soumise à l'étape d'incinération est immergée dans la composition selon la présente invention à 65 C pendant 20 minutes, rincée avec de l'eau désionisée puis séchée. Ensuite, la vue de dessus et la vue en coupe transversale du trou d'interconnexion sont observées par SEM et les résultats d'observation sont présentés sur les figures 3A et 3B. Les plaquettes soumises à l'étape d'incinération sont immergées dans les décapants A et B à 65 C pendant minutes, rincées avec de l'eau désionisée puis séchées. Ensuite, la vue de dessus et la vue en coupe transversale du trou d'interconnexion traitée avec le décapant A sont observées par SEM et les résultats dobservation sont présentés sur les figures 4A et 4B. La vue en coupe transvereale du trou d'interconnexion traitée avec le décapant B est observée par SEM et le résultat d'observation est présenté sur la figure 5. Comme décrit sur les figures 3A et 3s, dans le cas de l'utilisation de la composition selon la présente invention, tout polymère est complètement éliminé et il n'y a pas d'attaque latérale de la couche d'interconnexion d'aluminium. Par contre, comme décrit sur les figures 4A et 4B, dans le cas de l'utilisation du décapant A, du polymère reste sur la couche d'interconnexion d'aluminium et une attaque latérale importante se produit. C'est également vrai dans le cas de l'utilisation du décapant B. comme décrit sur la figure 5. Exemple 4 Cet exemple illustre comment les compositions selon la présente invention ayant des composants différents affectent les couches métalliques. Des échantillons formés en déposant une couche de titane et une couche de nitrure de titane sur des plaquettes nues avec une épaisseur de 200 A, respectivement, et un échantillon formé en déposant une couche de tungetène 2828746 sur une plaquette nue avec une épaisseur de 2000 À sont préparés. Les échantillons sont traités avec la composition ayant les mémes composants que ceux de la composition 5 listés dans le tableau 2 et contenant du catéchol à la place du BTA, et avec le décapant B à OC pendant 20 minutes. Ensuite, les étendues attaquées des couches respectives sont mesurées. Selon les résultats de mesure, dans le cas de l'utilisation de la composition selon la présente invention, la couche de titane/nitrure de titane est attaquée à une épaisseur d'environ 1,12 À et la couche de tungetène est attaquée à une épaisseur d'environ 18,61 . Par contre, dans le cas de l'utilisation du décapant B. la couche de titane/nitrure de titane est attaquée à une épaisseur d' environ 11,82 À et la couche de tungstène est attaquse à une épaisseur d' environ 27,44 . En conclusion, cela démontre que la composition selon la présente invention peut diminuer remarquablement l'attaque d'une couche métallique. En résumé, la composition d'élimination de réserve selon la présente invention a une capacité supérieure d'élimination de réserve et peut efficacement éliminer des sous-produits de gravure tels qu'un polymère, un polymère organométallique ou un oxyde métallique. De plus, la composition d'élimination de réserve selon la présente invention n'attaque pas les couches sous jacentes exposées à celle-ci. Par conséquent, dans le cas de l'utilisation de la composition selon la présente invent ion, une étape avant él iminat ion pour éliminer des résidus tels qu'un polymère, et une étape après élimination pour éviter que les couches sous jacentes soient attaquées, ne sont pas nécessaires. Par conséquent, le procédé d'élimination de réserve devient simplifié et la durée de traitement est réduite. De plus, l'appareil d'élimination de réserve pour utilisation dans la composition selon la présente invention devient simplifié et léger. De plus, étant donné que la composition d'élimination de réserve selon la présente invention a une viscosité suffisante pour étre rincée avec de l'eau désionisse, elle peut être complètement nettoyée avec de l'eau désionisée après qu'elle ait été utilisée pour l'élimination de réserve, sans laisser de matériaux résiduels. Bien que cette invention ait été particulièrement présentée et décrite en référence aux modes de réalisation préférés de celle-ci, il apparaîtra à l'homme du métier que différentes modifications de forme et de détails peuvent être apportées à celle-ci sans s'écarter de l' esprit et de la portée de l 'invention comme défini par les revendications annexées. REVENDI CATIONS 1. Composition d'élimination de réserve comprenant: une alcoxy-Nhydroxyalkyl-alcanamide; et un agent gonflant. 2. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 1, dans laquelle l'alcoxy-N-hydroxyalkyl alcanamide est représenté par la formule: R4 - O - R3 - CO - N-R1R2OH dans laquelle R1 est l'un parmi un atome d'hydrogène et un hydrocarbure en C1 à C5, et R2, R3 et R4 sont chacun indépendamment des hydrocarbures en C1 à C5. 3. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 1, dans laquelle l'alcoxy-N-hydroxyalkyl alcanamide représente environ 10 en poids à environ en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 4. Composition délimination de réserve selon la revendication 1, dans laquelle l' agent gonflant est un sel d'hydroxylamine. 5. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 4, dans laquelle le sel d'hydroxylamine est choisi dans le groupe constitué par le sulfate d' hydroxylamine, le chlorhydrate d' hydroxylamine, le nitrate d'hydroxylamine, le phosphate d'hydroxylamine, ltoxalate d'hydroxylamine, le citrate d'hydroxylamine, et les mélanges de ceux-ci. 6. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 4, dans laquelle le sel d'hydroxylamine est le sulfate d'hydroxylamine. 7. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 1, dans laquelle l' agent gonflant représente environ 0,01 % en poids à environ 30 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 8. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 3, dans laquelle l' agent gonflant représente environ 0,01 % en poids à environ 30 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 9. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 6, dans laquelle l' agent gonflant représente environ 0,01 % en poids à environ 30 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 10. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 1, comprenant également un matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus. 11. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 10, dans laquelle le matériau polaire est choisi dans le groupe constitué par l'eau, le méthanol et le diméthyleulfoxyde. 12. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 10, dans laquelle le matériau polaire représente environ 0,01 % en poids à environ 60 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 13. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 1, comprenant également un inhibiteur d'attaque. 14. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 13, dans laquelle l'inhibiteur d'attaque est choisi dans le groupe constitué par le benzotriazole, le catéchol, liacide gallique, et un composé carboxylique aliphatique, et dans lequel le composé carboxylique aliphatique est choisi dans le groupe constitué par l'acide acétique, l'acide citrique, l'acide lactique et l'acide succinique. 15. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 13, dans laquelle l'inLibiteur d'attaque est le beuzotriazole. 1S 16. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 13, dans laquelle 1'inhibiteur d'attaque représente environ 0,01 % en poids à environ 30 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 17. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 1, comprenant en outre une alcanolamine représentée par la formule: R5-NH-R6OH dans laquelle R5 est l'un parmi un atome d'hydrogène et un hydrocarEure en C1 à C5, et R6 est un hydrocarbure en C1 à C5. 18. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 17, dans laquelle l'alcanolamine représente environ 0,01 % en poids à environ 30 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 19. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 1, comprenant 10 à 70 % en poids de l'alcoxy-N-hydroxyalkyl-alcanamide et 0, 01 à 30 % en poids d'un sel d'hydroxylamine en tant qu' agent gonflant, et comprenant en outre 0,01 à 60 % en poids d'un matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus. 20. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 19, comprenant en outre 0,01 à 30 en poids d'un inhibiteur d'attaque. 21. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 19, comprenant en outre 0,01 à 30 en poids d'une alcanolamine. 22. Composition d'élimination de réserve selon la revendication 1, dans laquelle la réserve est choisie dans le groupe constitué par une résine photosensible, un polymère et un polymère organométallique. 23. Procédé d'élimination de réserve, comprenant: la fourniture d'un substrat comprenant une couche de réserve formée sur celui-ci; et la mise en contact du substrat avec une composition d'élimination de réserve comprenant une alcoxy-N hydroxyalkyl-alcanamide et un agent gonflant pour éliminer la couche de réserve du substrat. 24. Procédé selon la revendication 23, dans lequel lors de la mise en contact, l'alcoxy-N-hydroxyalkyl- alcanamide est représenté par la formule: R4-O-R3-CO-N-R1R2OH 31 2828746 dans laquelle R1 est l'un parmi un atome d'hydrogène et un hydrocarbure en C1 à C5, et R2, R3 et R4 sont chacun indépendamment des hydrocarbures en C1 à C5. 25. Procédé selon la revendication 23, dans lequel l'alcoxy-Nhydroxyalkyl-alcanamide représente environ % en poids à environ 70 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 26. Procédé selon la revendication 23, dans lequel l' agent gonflant est un sel d'hydroxylamine. 27. Procédé selon la revendication 26, dans lequel le sel d'hydroxylamine est choisi dans le groupe constitué par le sulfate d'hydroxylamine, le chlorhydrate d'hydroxylamine, le nitrate d'hydroxylamine, le phosphate d'hydroxylamine, l'oxalate d'hydroxylamine, le citrate d'hydroxylamine, et les mélanges de ceux-ci. 28. Procédé selon la revendication 26, dans lequel le sel d'hydroxylamine est le sulfate d'hydroxylamine. 29. Procédé selon la revendication 25, dans lequel l' agent gonflant représente environ 0,01 % en poids à environ 30 en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 30. Procédé selon la revendication 23, comprenant en outre un matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus. 31. Procédé selon la revendication 30, dans lequel le matériau polaire est choisi dans le groupe constitué par l'eau, le méthanol et le diméthyleulfoxyde. 32 2828746 32. Procédé selon la revendication 30, dans lequel le matériau polaire représente environ 0,01 % en poids à environ 60 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 33. Procédé selon la revendication 23, comprenant également un inhibiteur d'attaque. 34. Procédé selon la revendication 33, dans lequel l'inhibiteur dattaque est choisi dans le groupe constitué par le benzotriazole, le catéchol, l'acide gallique, et un composé carboxylique aliphatique, et dans lequel le composé carboxylique aliphatique est choisi dans le groupe constitué par l'acide acétique, l'acide citrique, l'acide lactique et l'acide succinique. 35. Procédé selon la revendication 33, dans lequel l'inhibiteur d'attaque est le benzotriazole. 36. Procédé selon la revendication 33, dans lequel l'inhibiteur d'attaque représente environ 0,01 % en poids à environ 30 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 37. Procédé selon la revendication 23, comprenant en outre une al canol amine représ entée par la formul e: R5-NH-R6OH dans laquelle R5 est un atome d'hydrogène ou un hydrocarbure en C1 à C5, et R6 est un hydrocarbure en C à Cs. 38. Procédé selon la revendication 37, dans lequel l'alcanolamine représente environ 0,01 % en poids à environ 30 % en poids par rapport au poids total de la composition d'élimination de réserve. 39. Procédé selon la revendication 23, comprenant à 70 en poids de l'alcoxy-N-hydroxyalkyl alcanamide et 0,01 à 30 % en poids du sel d'hydroxylamine en tant qu' agent gonflant, et comprenant en outre 0,01 à 60 % en poids d'un matériau polaire ayant un moment dipolaire de 3 ou plus. 40. Procédé selon la revendication 39, comprenant également 0,01 à 30 % en poids d'un inhibiteur d'attaque. 41. Procédé selon la revendication 39, comprenant