FR 2822229 A1 20020920 FR 0103471 A 20010314 poussoirs sont situés sur le tambour (1) et les encoches sur la base (2). MICROCAPTEIR CAPACITIF La présente invention concerne un microcapteur capaci tif statique permettant notamment de déterminer une variation de distance entre ce microcapteur et une surface chargée présentant un mouvement relatif par rapport à ce microcapteur. La présente invention s' applique notamment à la réali sation d'un détecteur d'empreintes digitales. La figure 1 représente un microcapteur capacitif classique permettant notamment la détection d'empreintes. Ce microcapteur comprend un ensemble de sites de détection 1 disposés selon une ou lo plusieurs rangées. Ce microcapteur est formé sur une plaquette isolante 2, par exemple en verre ou en silice ou en un matériau flexible. Sur la plaquette 2 sont formoes des régions conductrices 3 dont des zones d'extrémité 4 sont situées en regard des sites de détection. Les régions conductrices 3 sont revêtues d'une couche isolante 5 au-dessus de laquelle est formoe une couche conductrice 6 comportant des fenêtres en regard des sites de détec- tion. La couche conductrice 4 est revêtue d'une couche isolante 7 revêtue dune couche conductrice 8 comportant également des fenêtres au niveau de chaque site de détection. Le substrat est traversé par des vias conducteurs. Des premiers vias 11 viennent contacter les régions 3, un deuxième via 12 vient contacter la couche 6 et un troisième via 13 vient contacter la couche 8. Chacun des vias se termine par un plot de connexion, respectivement 14, 15, 16. On comprendra qu'il existe une zone de détection 4 pour chaque fenêtre 1 tandis que la couche conductrice 6 est ccmmune à l' ensemble de la structure de même que la couche conductrice 8. hventuellement, pour des raisons pratiques, la face inférieure du substrat 2 est revêtue d'une couche isolante 18, cette couche isolante étant elle-méme revêtue, éventuellement, d'une couche conductrice de blindage (non représentée) ouverte aux emplace- ments des plots. Les régions 3 sont reliées à un circuit de détection par les plots 14. La couche 6 est reliée à la masse par le plot 15. La couche 8 est reliée à un générateur de haute fréquence par le plot 16. Ainsi, quand une surface isolante, par exemple un doigt, est déplacce par rapport à la rangée de microcapteurs 1, cette surface est chargée par le signal haute fréquence, et la capacité entre la partie de la surface passant au-dessus d'une zone de détection et cette zone de détection varie en fonction de la distance entre la portion de la surface passant au-dessus de la zone de détection (creux ou relief dune empreinte digitale) et cette zone. On peut ainsi détecter à l' emplacement de chaque zone de détection, les reliefs successifs d'une empreinte digi tale. Divers moyens sont connus dans la technique pour réaliser les mesures. Certains de ces moyens sont décrits dans la demande de brevet européen 1058531 de la société Idex AS. La présente invention vise à améliorer la sensibilité de ce type de microcapteur capacitif. Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit un microcapteur capacitif formé sur une plaquette, comprenant une zone conductrice de détection disposée sur une première face ou face avant de la plaquette; un via conducteur traversant la pla quette et débouchant sur ladite zone; et un moyen de reprise de contact avec ledit via sur la deuxième face ou face arrière de la plaquette. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la zone conductrice de détection est recouverte d'une couche i solante au - des sus de laquel le est formée une é lect rode de pola - risation haute fréquence. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la zone conductrice de détection est entource d'une électrode de polarisation haute fréquence, la zone conductrice de détection et une partie au moins de l'électrode de polarisation étant recou- vertes d'une couche isolante. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche isolante est munie d'ouvertures en regard de portions lo de liélectrode de polarisation, cette électrode de polarisation étant reliée à la masse par l'intermédiaire d'un composant de protection bidirectionnel à écrêtage. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le substrat est un substrat conducteur, les parois internes du via et les surfaces du substrat étant revêtues dune couche iso lante. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le substrat est en silicium, les parois internes du via et les surfaces du substrat étant oxydéss. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le microcapteur comprend uniquement un ensemble de zones conduc trices de détection, la polarisation d'une surface à détecter étant assurce par ailleurs. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le substrat est connecté à la masse et les parois latérales des vias correspondant aux zones de détection sont entources d'une zone semiconductrice de type opposé à celle du substrat, des électrodes de polarisation étant connactées aux régions du deuxième type de polarité par l'intermédiaire d'une ouverture formée dans la couche d'oxyde disposce au-dessus du substrat semiconducteur. La présente invention prévoit aussi un détecteur d'empreintes digitales comprenant un ensemble de microcapteurs tels que susmentionnés. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1, décrite précédemment, est une vue en pers- pective partielle d'un exemple de microcapteur selon l'art anté- rieur; et les figures 2 à 6 représentent divers modes de réalisa tion dun microcapteur selon la présente invention. Comme cela est classique dans la représentation des microcomposants, les diverses figures ne sont pas tracces à 1'échelle. De plus, les parties communes aux structures des diverses figures sont désignées par les mêmes références. La présente invention se base sur une analyse du fonc tionnement de la structure de la figure 1. Il apparaît que la sensibilité du microcapteur dépend essentiellement de la distance entre la surface à détecter et le sommet de la zone de détection 4. Cette distance est fixce par les épaisseurs des couches isolantes 5 et 7. Réduire excessivement ces épaisseurs rend la structure trop fragile ou irréalisable. Ainsi, linventeur a ana- lysé plus en détail la structure et notamment la raison dêtre de la couche de blindage 6 relise à la masse. La fonction essen- tielle de cette couche 6 est d'éviter toute interférence entre les hautes fréquences sur l'électrode supérieure 8 et l'électrode de détection 4 et surtout le conducteur 3 relié à cette électrode de détection. Plutôt que de modifier la structure de l'électrode de blindage 6, la présente invention propose de modifier le mode de raccordement de la zone de détection 4 pour éviter la nécessité de l'électrode de blindage. La figure 2 illustre un premier mode de réalisation de la présente invention. Le substrat 2 est un substrat isolant. Le via destiné à venir en contact avec la zone de détection 4 est disposé directement sous cette zone. Ce via est désigné par la référence 21 en figure 2. S'il faut déporter le plot de contact sur la face inférieure, il est prévu une couche conductrice 22 du côté de la face supérieure s'étendant jusque vers un plot de connexion 23. En raison de la grande épaisseur de la plaquette 2, par exemple de 1'ordre de 0,3 à 1 mm, par rapport à 1'épaisseur d'une couche isolante, le couplage entre l'électrode supérieure 8 et la connexion 22 est négligeable. On peut donc se passer de l'électrode de blindage 6. Ainsi, il existe une seule épaisseur de couche isolante, 25, entre le substrat et l'électrode supé rieure 8, cette couche ayant pour fonction d'isoler la zone 4 de la surface, par exemple un doigt, à analyser. La figure 3 représente un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Comme dans le premier mode de réalisa- tion illustré en figure 2, la zone de détection 4 est reliée à un plot de contact 23 par un via 21 disposé sous cette zone et une couche conductrice 22 sur la face inférieure du substrat 2. Toutefois, dans ce mode de réalisation, l'électrode recevant une haute fréquence, désignée par la référence 31, est gravoe dans la même couche conductrice que la zone de détection 4 et l' ensemble est surmonté dune couche isolante 32. L'électrode 31, comme l'électrode 8 des figures 1 et 2 est relice par un via 13 à un plot de contact 16 du côté de la face inférieure. Dans ce mode de réalisation, il est possible si on le souhaite de dégager une partie de la couche isolante 32 au-dessus de la couche conduc trice 31. Toutefois, on pourra maintenir cette couche isolante 32 et la charge de la surface à analyser se fera par voie capa citive. La structure de la figure 3 est susceptible de diverses variantes. Dans une première variante illustrée en figure 4, le substrat 2 est un substrat de silicium 40 dopé et donc conducteur et est connecté à la masse. Alors, avant la formation de la couche conductrice de via 21 dans l'ouverture disposce sous la zone de détection 4, 1' ensemble de la structure est oxydé pour crcer un isolement 42 entre le silicium 2 et les couches conduc trices 4, 31 et 22 ainsi que les parois du via 21. La connexion à la masse du substrat permet déviter tout couplage parasite entre la couche conductrice 31 et les autres couches conductrices de la structure. Dans cette variante, la couche isolante 43 recouvrant la zone de détection 4 ne recouvre pas la couche de polarisation 31. Selon une deuxième variante du deuxième mode de réali- sation, le substrat étant isolant ou conducteur (en silicium par exemple), la métallisation 31 est reliée à la masse par l'inter médiaire dun composant de protection bidirectionnel à écrêtage ou autre dispositif équivalent, et une ouverture ponctuelle est ménagée dans l'isolant 32 au-dessus de la métallisation 31. Alors, en cas de surtension sur la surface à analyser, une éven- tuelle décharge électrostatique est effectuée vers la masse par 1'intermédiaire du ccmposant de protection bidirectionnel à écrêtage, ce qui évite 1'endommagement du circuit d'analyse. La figure 5 représente un troisième mode de réalisation de la présente invention. Dans ce mode de réalisation, de mêmes éléments sont désignés par de mêmes références qu'en figure 3. On notera que, dans ce mode de réalisation, la métallisation de polarisation 31 est supprimée. La polarisation de la surface à analyser est réalisée par un contact avec une partie de la sur- face à analyser externe à la zone des capteurs. Par exemple, si on veut analyser l'empreinte digitale dun doigt, une tension haute fréquence sera appliquce à un autre doigt. On a également représenté en figure 5, du côté de la face arrière, une couche conductrice de blindage 35 qui est de préférence connectée à la masse. La figure 6 représente un quatrième mode de réalisation de la présente invention réalisé à partir d'un substrat 40 en silicium d'un premier type de conductivité, par exemple P. Ce substrat est dabord percé d'ouvertures situces aux emplacements des vias à former. Un dopage de type opposé est réalisé par dif- fusion au voisinage des ouvertures, la zone dopée 41 s'étendant au-delà des zones de détection 4, jusqu'à s'étendre partiellement sous une métallisation de polarisation 31. Comme dans le mode de réalisation de la figure 3, la métallisation de polarisation haute fréquence 31 et les zones de détection 4 sont formées à partir d'une méme couche conductrice. (Comme en figure 4, le via de contact avec la couche 31 n'est pas représenté). Les surfaces supérieure et inférieure du substrat ainsi que les parois des vias sont revêtues d'une mince couche isolante 42, par exemple par oxydation thermique pour isoler les diverses couches conduc- trices du substrat. La couche isolante 42 est ouverte, par exemple annulairement, en regard d'une portion de l' extension latérale de la région du type N 41 de sorte que la métallisation 31 est en contact avec cette région. La métallisation 31 est connactée comme précédemment à un générateur haute fréquence mais la tension qui lui est appliquce comporte également une tension de polarisation continue positive pour polariser en inverse la jonction NP 41-40. Le substrat 40 étant relié à la masse, on obtient ainsi une protection intégrce contre d'éventuelles surtensions. D'autre part, on limite le couplage parasite entre le conducteur du via 21 et le substrat du fait de la polarisation positive de la région N. Cette polarisation peut par exemple être de l'ordre de 2 à 3 volts. L'homme de 1'art saura réaliser les divers modes de réalisation de la présente invention en utilisant les divers matériaux couramment utilisés dans le domaine de la fabrication des semiconducteurs. Les couches conductrices de polarisation et de détection seront par exemple des couches de silicium polycris- tallin dopé ou d'un métal tel que de l'aluminium ou autre métal connu pour réaliser des métallisations. Les couches isolantes du côté de la surface supérieure seront par exemple des couches d'oxyde et/ou de nitrure de silicium ou autre isolant classique. Les couches d'isolement du côté de la face inférieure seront par exemple des couches d'oxyde de silicium ou des couches de poly- mères. Les épaisseurs des couches seront par exemple de l'ordre 0,1 à 0,2 m pour les couches isolantes et de l'ordre de 0,1 à 2 m pour les couches conductrices. La présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l' art. Divers moyens autres que des vias pourront par exemple être utilisés pour assurer un contact avec la couche conductrice de polarisation. Les caractéristiques illustrées dans les diverses figures pourront éventuellement être combinées, par exemple la couche de blindage 33 représentée en figure 5 du côté de la face inférieure pourrait être utilisée dans les divers modes de réali- sation. REVENDICATIONS 1. Microcapteur capacitif formé sur une plaquette (2; ), caractérisé en ce qu'il comprend: une zone conductrice de détection (4) disposée sur une première face ou face avant de la plaquette; un via conducteur (21) travereant la plaquette et débouchant sur ladite zone; et un moyen de reprise de contact (22, 23) avec ladit via sur la deuxième face ou face arrière de la plaquette. 2. Microcapteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone conductrice de détection (4) est recouverte dune couche isolante (25) audessus de laquelle est formée une électrode de polarisation haute fréquence (8). 3. Microcapteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone conductrice de détection (4) est entourée d'une électrode de polarisation haute fréquence (8), la zone conduc- trice de détection (4) et une partie au moins de l'électrode de polarisation (8) étant recouvertes dune couche isolante (32). 4. Microcapteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche isolante est munie d'ouvertures en regard de portions de l'électrode de polarisation, cette électrode de pola- risation étant reliée à la masse par 1'intermédiaire d'un compo- sant de protection bidirectionnel à écrêtage. 5. Microcapteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le substrat est un substrat conducteur, les parois internes du via et les surfaces du substrat étant revêtues d'une couche isolante. 6. Microcapteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le substrat est en silicium, les parois internes du via et les surfaces du substrat (40) étant oxydées. 7. Microcapteur selon la revendication 1, caractérisé en ce quil comprend uniquement un ensemble de zones conductrices de détection (4), la polarisation dune surface à détecter étant assurée par ailleurs. 8. Microcapteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que le substrat est connocté à la masse et en ce que les parois latérales des vias correspondant aux zones de détection sont entourées dune zone semiconductrice (41) de type opposé à celle du substrat (40), des électrodes de polarisation étant connectées aux régions du deuxième type de polarité par l'inter- médiaire dune ouverture formée dans la couche d'oxyde () disposce au-dessus du substrat semiconducteur. 9. Détecteur d'empreintes, caractérisé en ce qu'il comprend un ensemble de microcapteurs selon 1'une quelconque des