FR 2825537 A1 20021206 FR 0114799 A 20011115 valeur aussi proche que possible de 50 %. La présente invention est relative à un amplificateur haute fréquence et à S un amplificateur haute fréquence à étages multiples qui sont utilisés pour la communication par satellite, la communication terrestre par faisceaux hertziens et/ou la communication mobile. La figure 16 est une vue représentant la configuration d'ull amplificateur haute fréquence classique décrit dans l'article " Ultra-Low Noise LNA with Series Drain Resistors ", the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Society Meeting de 1999, C-2-38, page 67. Sur la figure 16, 1 représente une borne d'entrce pour recevoir un signal d'entrée; 2 représente une borne de sortie; 3 représente un circuit d'adaptation d'entrée pour appliquer une polarisation côté entrée, au signal d'entrce; 5 représente un circuit d'adaptation de sortie; 6 représente une résistance série; 7 représente une bobine d'inductance ou une ligne d'alimentation en tension; 8 représente un condensateur; 9 représente un circuit de polarisation côté sortie pour appliquer une polarisation côté sortie au signal amplifié dans l'amplificateur 3. Le circuit 9 de polarisation côté sortie est composé de la bobine d'inductance 7 et du condensateur 8. Le fonctionnement sera décrit maintenant ci-dessous. Un signal introduit dans la borne d' entrée 1 est reçu dans l' amplificateur 3 par l'intermédiaire du circuit 4 d' adaptation d'entrce. Puis, le signal d'entrée est amplifié dans l'amplificateur 3 tout en stabilisant le signal arnplifié dans la résistance série 6. Puis, le signal amplifié est délivré par la borne de sortie 2, par l'intermédiaire du circuit 5 d'adaptation de sortie, sous la forme d'un signal de sortie. Une polarisation côté entrée est appliquée au signal d'entrée dans un circuit de polarisation côté entrée, disposé dans le circuit 4 d' adaptation d'entrée. Une polarisation côté sortie est appliquée au signal amplifié, à partir du circuit 9 de polarisation côté sortie. Par conséquent, le signal d'entrée peut êke amplifié sans une instabilité telle qu'une oscillation. En ouke, puisque la résistance série 8 de stabilisation est insérée dans l'amplificateur haute fréquence classique du côté sortie de l'amplificateur 3, une caractéristique de bruit faible peut être obtenue dans un amplificateur haute fréquence classique. Cependant, puisque la résistance série 6 de stabilisation est insérée du côté sortie de l'amplificateur 3, une perte de puissance électrique du signal amplifié est générée dans la résistance série 6 placée côté sortie de l'amplificateur 3, et la caractéristique de puissance électrique de sortie et le troisième point d'interception (IP3) représentant une caractéristique de distorsion, sont affectés (détériorés) dans un amplificateur haute fréquence classique. La raison de l'affectation des caractéristiques sera décrite. Dans l'exemple représenté sur la figure 16, la résistance série 6 ayant une valeur ohmique Rs est insérée en série enke le côté sortie de l'amplificateur 3 et le circuit 5 d'adaptation de sortie, et l'impédance de sortie de l'amplificateur 3 est égale à une valeur Zout. Dans ce cas, une impédance de sortie ayant une valeur de Zout + Rs est obtenue lorsque l'amplificateur 3 est observé depuis le circuit 5 d'adaptation de sortie, et l'impédance de sortie Zout + Rs est modifiée pour une impédance caractéristique Zo dans le circuit 5 d'adaptation de sortie. Par conséquent, l'impédance Zout* + Rs, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence classique depuis le circuit de stabilisation composé de la résistance série 6, est égale à la valeur conjuguée au nombre complexe Zout + Rs de l'impédance de sortie, et l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence classique depuis l'amplificateur 3, est égale à une valeur Zout* + 2Rs conjuguée à un nombre complexe Zout + 2Rs. Par conséquent, l'impédance de charge de sortie ZL est supérieure de 2Rs à l'impédance complexe conjuguée Zout* de l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3. En outre, la puissance électrique de sortie du signal amplifié délivré par l'amplificateur 3 et le troisième point d'interception sont établis, en général, aux valeurs les plus élevées dans le cas o l'impédance de charge de sortie ZL obtenue en observant le côté sortie d'un amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3, est légèrement inférieure à l'impédance complexe conjuguce Zout* de l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3. Par conséquent, puisque l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence classique depuis l'amplificateur 3, est supérieure de 2Rs à l'impédance complexe conjuguée de l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3 dans un amplificateur haute fréquence classique, en plus de la perte de puissance électrique qui apparâît dans la résistance série 6 insérée du côté sortie de l'amplificateur 3, un problème se pose en ce que la puissance électrique de sortie du signal amplifié, délivré par l'amplificateur 3, et le troisième point d'interception, sont abaissés. Un but de la présente invention est de fournir, en prenant en considération les inconvénients d'un amplificateur haute fréquence classique, un amplificateur haute fréquence et un amplificateur haute fréquence à étages multiples dans lesquels un signal de sortie, ayant une puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion, est obtenu. Ce but est atteint par la mise en oeuvre d'un amplificateur haute fréquence comprenant un amplificateur pour amplifer un signal d'entrce et un circuit de stabilisation qui est disposé du côté sortie de l'amplificateur et qui comporte une résistance série et une résistance parallèle pour stabiliser l' amplification du signal d'entrée, effectuée dans l'amplificateur, et délivrer le signal d'entrce amplifié. Dans la configuration ci-dessus, dans le cas o les valeurs de la résistance série et de la résistance parallèle sont déterminces de manière à établir une impédance de charge de sortie, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur, à une valeur proche de la valeur de l'impéJance complexe conjuguée de l'impédance de sortie de l'amplificateur, ou logèrement inférieure à celle-ci, un signal de sortie ayant une puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion peut être obtenu dans un amplificateur haute fréquence, tout en conservant le gain et la caractérisrique de bruit d'un amplificateur haute fréquence. I1 est préférable que le circuit de stabilisation soit formé d'un circuit de type T comportant une première résistance série, une deuxième résistance série et une résistance parallèle. Dans ce cas, le gain de l'amplificateur haute fréquence peut être réglé en réglant la valeur de la première résistance série. I1 est aussi préférable que le circuit de stabilisation soit formé d'un circuit de type comportant une résistance série, une première résistance parallèle et une deuxième résistance parallèle. Dans ce cas, le gain de l'amplificateur haute fréquence peut être réglé en réglant la valeur de la deuxième résistance parallèle. I1 est aussi préférable que le circuit de stabilisation soit formé d'un circuit de type en échelle comportant une résistance série et une résistance parallèle. Dans ce cas, puisque le nombre de résistances, dans le circuit de type en échelle, est inférieur à celui dans le circuit de type T ou le circuit de type, la configuration de l'amplificateur haute fréquence peut être simplifiée. I1 est aussi préférable que l'amplificateur haute fréquence comprenne en outre une bobine d'inductance série disposée entre l'amplificateur et le circuit de stabilisation, et un condensateur parallèle disposé entre l'amplificateur et le circuit de stabilisation. Par conséquent, un signal de sortie ayant une distorsion plus faible peut être obtenu dans un amplificateur haute fréquence. Le but est aussi atteint par la création d'un amplificateur haute fréquence à étages multiples comprenant un amplificateur haute fréquence spécifique, disposé dans un premier étage, pour amplifier un signal d'entrée, et un amplificateur haute fréquence général, disposé dans un étage suivant le premier étage, pour amplifier le signal d'entrée amplifié par l'amplificateur haute fréquence spécifique et délivrer le signal d'entrée amplifié sous la forme d'un signal de sortie. L'amplificateur haute fréquence spécifique comprend un amplificateur pour amplifier le signal d'entrée, et un circuit de stabilisation qui est disposé du côté S sortie de l'amplificateur et qui comporte une résistance série et une résistance parallèle pour stabiliser l'amplification du signal d'entrée, effectuée dans l'amplificateur. Dans la configuration ci-dessus, dans le cas o les valeurs ohmiques de la résistance série et de la résistance parallèle du circuit de stabilisation sont déterminées de manière à établir une impédance de charge de sortie, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence spécifique depuis l'amplificateur, à une valeur proche de la valeur de l'impédance complexe conjuguée de l'impédance de sortie de l'amplificateur, ou légèrement inférieure à celle-ci, un signal de sortie ayant une puissance électrique de sortie élevée et une 1S faible distorsion peut être obtenu dans l'amplificateur haute fréquence spécifique, tout en conservant le gain et la caractéristique de bruit de l'amplificateur haute fréquence. Par conséquent, un signal de sortie ayant une puissance électrique de sortie élevoe et une faible distorsion peut être obtenu dans la totalité de l'amplificateur haute fréquence à étages multiples, tout en conservant le gain et la caractéristique de bruit de l'amplificateur haute fréquence. En outre, puisque l'amplificateur haute fréquence spécifique disposé dans le premier étage de l'amplificateur haute fréquence à étages multiples a une grande influence sur le bruit généré dans le signal, le bruit du signal de sortie de l'amplificateur haute fréquence à étages multiples peut être réduit de manière efficace. I1 est prétérable que le circuit de stabilisation de l'amplificateur haute fréquence spécifique soit formé d'un circuit de type T comportant une première résistance série, une deuxième résistance série et une résistance parallèle. Dans ce cas, le gain de l'amplificateur haute fréquence peut être réglé en réglant la valeur de la première résistance série. I1 est aussi préférable que le circuit de stabilisation de l'amplificateur haute fréquence spécifique soit formé d'un circuit de type comportant une résistance série, une première résistance parallèle et une deuxTème résistance parallèle. Dans ce cas, le gain de l'amplificateur haute fréquence peut être réglé en réglant la valeur de la deuxième résistance parallèle. I1 est aussi préférable que le cTrcuit de stabilisation de l'amplificateur haute fréquence spécifique soit formé d'un circuit de type en échelle comportant une résistance série et une résistance parallèle. Dans ce cas, puisque le nombre de résistances dans un circuit de type en échelle est inférieur à celui dans un circuit de type T ou un circuit de type T, la configuration de l'amplificateur haute fréquence peut être simplifiée. Ainsi, l'invention concerne un amplificateur haute fréquence, caractérisé en ce qu'il comprend un amplificateur pour amplifier un signal d'entrce et un circuit de stabilisation qui est disposé du côté sortie de l'amplificateur et qui comporte une résistance série et une résistance parallèle pour stabiliser l'amplification du signal d'entrée effectuée dans l'amplificateur et délivrer le signal d'entrée amplifié. L'amplificateur haute fréquence peut présenter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes: le circuit de stabilisation est formé d'un circuit de type T comportant une première résistance série, une deuxTème résistance série et une résistance parallèle; le circuit de stabilisation est formé d'un circuit de type comportant une résistance série, une première résistance parallèle et une deuxième résistance parallèle; le circuit de stabilisation est formé d'un cTrcuit de type en échelle comportant une résistance série et une résistance parallèle; il comprend en outre une bobine d'inductance série disposée entre l'amplificateur et le circuit de stabilisation, et un condensateur parallèle disposé entre l'amplificateur et le circuit de stabilisation. L'invention concerne aussi un amplificateur haute fréquence à étages multiples, caractérisé en ce qu'il comprend un amplificateur haute fréquence spécifique, disposé dans un premier étage, pour amplifier un signal d'entrce et un amplificateur haute fréquence général, disposé dans un étage suivant le premier étage, pour arnplifier le signal d'entrée amplifié par l'amplificateur haute fréquence spécifique et délivrer le signal d'entrce amplifié sous la forme d'un signal de sortie, et l'amplificateur haute fréquence spécifique comprend un amplificateur pour amplifier le signal d'entrée et un circuit de stabilisation qui est disposé du côté sortie de l'amplificateur et qui comporte une résistance série et une résistance parallèle pour stabiliser l'amplification du signal d'entrée effectuée dans l'amplificateur. L'amplificateur haute fréquence à étages multiples peut présenter une ou plusieurs des caractéristiques suivantes: le circuit de stabilisation de l'amplificateur haute fréquence spécifique est formé d'un circuit de type T comportant une première résistance série, une deuxième résistance série et une résistance parallèle; le circuit de stabilisation de l'amplificateur haute fréquence spécifique est formé d'un circuit de type comportant une résistance série, une première résistance parallèle et une deuxième résistance parallèle; et le circuit de stabilisation de l'amplificateur haute fréquence spécifique est formé d'un circuit du type en échelle comportant une résistance série et une résistance parallèle. La présente invention sera mieux appréciée et une meilleure compréhension de celle-ci sera assurce en se référant à la description détaillée suivante des modes préférés de réalisation de l'invention, lorsqu'elle sera considérée en connexion avec les dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur haute fréquence conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 2 représente une vue caractéristique de valeurs ohmiques de résistanc es s érie et d ' une résistance p arallèle, dans le c as o une imp édanc e de charge de sortie, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis un FET, est comprise entre 8 et 100 Q; la figure 3 représente une vue caractéristique, à la fois d'un gain de puissance électrique disponible maximum MAG et d'un facteur de stabilisation K par rapport à l'impédance de charge de sortie, la figure 4 représente une vue caractéristique d'une puissance électrique de sortie (PldB) par rapport à l'impédance de charge de sortie; la figure 5 représente une vue caractéristique d'un troisième point d'interception d'enkée (IIP3), d'un troisième point d'interception de sortie (OIP3), d'une troisième distorsion intermodulation (IM3) et d'une cinquième distorsion intermodulation (IM5) par rapport à l'impédance de charge de sortie, lorsque la puissance électrique d'entrée est établie à - 10 dBm, la figure 6 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur haute fréquence conforme à un deuxième mode de réalisation de la présente 1 5 invention; la figure 7 représente une vue caractéristique de valeurs ohmiques d'une résistance série et de deux résistances parallèles, dans le cas o une impédance de charge de sortie, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis un FET, est comprise entre 8 et 100 Q; la figure 8 représente une vue caractéristique, à la fois d'un gain de puissance électrique disponible maximum MAG et d'un facteur de stabilisation K, par rapport à l'impédance de charge de sortie; la figure 9 représente une vue caractéristique d'une puissance électrique de sortie (PldB) par rapport à l'impédance de charge de sortie; la figure 10 représente une vue caractéristique d'un troisième point d'interception d'enkée (IIP3), d'un troisième point d'interception de sortie (OIP3), d'une troisième distorsion intermodulation (1:M3) et d'une cinquième distorsion intermodulation (IM5) par rapport à l'impédance de charge de sortie, à la condition que la puissance électrique d'enkée soit établie à - 10 dBm; la figure 11 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur haute fréquence conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention; la figure 12 représente une relation entre une puissance électrique de sortie (PldB) et une impédance de charge de sortie obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis un FET; la figure 13 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur haute fréquence conforme à un quatrième mode de réalisation de la présente invention; la figure 14 représente une relation entre un troisième point d'interception d'entrée (IIP3) et une impédance de charge de sortie obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis un FET; la figure 15 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur haute fréquence à étages multiples conforme à un cinquième mode de réalisation de la présente invention;et la figure 16 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur haute fréquence classique. Des modes de réalisation de la présente invention seront décrits maintenant en se référant aux dessins annexés. MODE DE REALISATION 1 La figure 1 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur haute fréquence conforrne à un premier mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 1, 1 représente une borne d'entrée pour recevoir un signal d'entrée; 2 représente une borne de sortie pour délivrer un signal de sortie; 3 représente un amplificateur pour amplifier le signal d'entrée; 4 représente un circuit d'adaptation d'enhée pour appliquer une polarisation du côté entrée au signal d'enkée; 5 représente un circuit d'adaptation de sortie; 14 représente une résistance série (ou une première résistance série) disposoe en série entre l'amplificateur 3 et le circuit S d'adaptation de sortie; 10 représente une résistance série (ou une deuxième résistance série) connectée en série à la résistance série 14 entre l'amplificateur 3 et le circuit 5 d'adaptation de sortie; 11 représente une résistance parallèle connectée au point de connexion des résistances série 14 et 10; la résistance parallèle 11 est disposée pour être parallèle aux résistances série 14 et 10, et 8 est un condensateur. Une extrémité du condensateur 8 est connectée à la résistance parallèle 11 et l'autre exkémité du condensateur 8 est mise à la masse. 12 représente un circuit de type T fonctionnant comme un circuit de stabilisation. Le cTrcuit 12 de type T est composé des résistances série 14 et 10, de la résistance parallèle 11 et du condensateur 8. La résistance série 14 a une valeur ohmique R1, la résistance parallèle 11 a une valeur ohmique R2, et la résistance série 10 a une valeur ohmique R3. Le fonctionnement de l'amplificateur haute fréquence sera décrit maintenant ci-dessous. Un signal introduit dans la borne d'entrée 1 est reçu dans l'amplificateur 3 par l'intermédiaire du circuit 4 d' adaptation d' entrée. Puis, le signal d' entrée est amplifié dans l'amplificateur 3 tout en stabilisant le signal amplifié en utilisant le circuit 12 de type T comportant les résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 11. Puis, le signal amplifié est délivré sous la forme d'un signal de sortie par la borne de sortie 2, par l'intermédiaire du circuit 5 d'adaptation de sortie. Dans ce cas, une polarisation du côté entrce est appliquée au signal d'entrée dans un cTrcuit de polarisation du côté entrée, disposé dans le circuit 4 d' adaptation d'entrée, et une polarisation du côté sortie est appliquée au signal amplifié, par l'intermédiaire de la résistance parallèle 11 du cTrcuit 12 de type T fonctionnant comme un cTrcuit de stabilisation. On peut aussi envisager que la polarisation du côté sortie soit appliquée au signal amplifié dans une bobine d' inductance ou une ligne d'alimentation en tension disposée entre le circuit 12 de type T et l'amplificateur 3. En outre, il peut étre envisagé que la polarisation du côté sortie soit appliquée au signal amplifié, dans un cTrcuit de polarisation disposé dans le circuit 5 d'adaptation de sortie. Puisque le circuit 12 de type T fonctionnant comme un circuit de stabilisation est disposé dans l' amplificateur haute fréquence, le signal d' entrée peut être amplifié sans une instabilité telle qu'une oscillation. En outre, puisque le circuit 12 de type T. comportant les résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 11, est inséré dans l'amplificateur haute fréquence du côté sortie de l'amplificateur 3, une caractéristique de faible bruit peut étre obtenue dans l'amplificateur haute fréquence. Ici, le condensateur 8 est disposé pour bloquer un courant continu. Cependant, il peut être envisagé qu'un condensateur soit disposé entre la résistance série 14 et l'amplificateur 3 pour bloquer un courant continu, à la place du condensateur 8. En outre, il peut être envisagé qu'un condensateur soit disposé entre le point de connexion des résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 1S 11 pour bloquer un courant continu, à la place du condensateur 8. En outre, dans le cas o la valeur ohmique R2 de la résistance parallèle 11 est suffisamment élevée pour abaisser suffisamment le courant qui circule dans la résistance parallèle 11, l'accroissement de puissance électrique consommée dans la résistance parallèle 11 peut être négligé. Par conséquent, dans ce cas, le condensateur 8 n'est pas nocessaire. Dans la configuration représentée sur la figure 1, puisque le circuit 12 de type T comportant les résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 11 fonctionne comme un circuit de stabilisation, bien que l'impédance de sortie, obtenue en observant l'amplificateur 3 et le cTrcuit 12 de type T depuis le circuit 5 d' adaptation de sortie, soit adaptée à une impédance caractéristique Zo dans le circuit 5 d'adaptation de sortie, l'impédance de charge de sortie ZL obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3 peut être établie de manière appropriée à une valeur supérieure, inférieure ou égale à une valeur d'impéJance Zout* coujuguée au nombre complexe de l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3. Dans ce cas, seule l'impédance de charge de sortie ZL obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3 peut être modifiée, à la condition que le gain de l'amplificateur haute fréquence ou la perte de puissance électrique du côté sortie de l'amplificateur 3, reste à une valeur constante. Dans le cas o seule l'impédance de charge de sortie ZL obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3 est modifiée, à la condition que le gain de l'amplificateur haute fréquence ou la perte de puissance électrique du côté sortie de l'amplificateur 3, reste à une valeur constante, la puissance électrique de sortie (PldB) dans une compression de gain de 1 dB, un troisième point d'interception d'entrée (IIP3), un troisième point d ' interception de sortie (OIP3), une troisième distorsion d' intermodulation (IM3) et une cinquième distorsion d'intermodulation (IM5), sont calculés. Dans le calcul de IM3 et IM5, la puissance électrique d'entrée est établie à une certaine valeur. Le calcul est exécuté à une fréquence de 900 MHz en utilisant un modèle de signal important d'un transistor à effet de champ (FET) ayant une largeur de grille de 5,8 mm, en tant qu'amplificateur 3. Dans ce calcul, le circuit 4 d'adaptation d'entrée est disposé du côté entrée de l'amplificateur haute fréquence, mais le circuit 5 d' adaptation de sortie n'est pas disposé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence. Par conséquent, le cTrcuit 12 de type T comportant les résistances est disposé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence et est directement connecté à un élément de charge de l'impédance caractéristique Zo. Le gain de l'amplificateur haute fréquence est établi pour étre presque égal à 11 dB, les valeurs R1, R3 et R2 des résistances série 14 et 10 de la résistance parallèle 11 sont déterminces de manière à établir l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis le FET (à savoir l'amplificateur 3), à des valeurs comprises entre 8 et 100 Q. La condition de polarisation est établie à la classe AB, et l'impédance de sortie Zout du FET dans la condition de polarisation établie, est établie à 11,1 - j3,3 Q. Ici, le symbole j exprime une partie imaginaire. La figure 2 représente une vue caractéristique des valeurs R1, R3 et R2 des résistances série 14 et 10 et de la résistance parallèle 11 dans le cas o l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie depuis le FET, est établie à des valeurs comprises entre 8 et 100 Q. En outre, la figure 3 représente une vue caractéristique d'un gain de puissance électrique disponible maximum MAG et d'un facteur de stabilisation K, dans le cas o l'impédance de charge de sortie ZL est établie dans la plage comprise entre 8 et 100 Q. Corume représenté sur la figure 3, dans le cas o les résistances série 14 et et la résistance parallèle 11 sont établies aux valeurs ohmiques R1, R3 et R2 représentées sur la figure 2, l'impédance de charge de sortie ZL peut étre modifiée dans la plage de 8 à 100 Q. sans modifier le gain de puissance électrique disponible maximum MAG qui représente le gain de l'amplificateur haute fréquence, ou le facteur de stabilisation K. En outre, la figure 4 représente une vue caractéristique de la puissance électrique de sortie (PldB) dans le cas o l'impédance de charge de sortie ZL est établie dans la plage comprise entre 8 et 100 Q. et la figure 5 représente une vue caractéristique du troisième point d'interception d'entrée (IIP3), du troisième point d' interception de sortie (OIP3), de la troisième distorsion d' intermodulation (IM3) et de la cinquième distorsion d' intermodulation (IM5), dans le cas o l' impédance de charge de sortie ZL est établie dans la plage comprise entre 8 et 100 Q. Dans le calcul de IM3 et IM5, la puissance électrique d'entrce est établie à dBm. Comme représenté sur la figure 4, lorsque l'impédance de charge de sortie ZL est modifiée dans la plage comprise entre 8 et 100 Q. la puissance électrique de sortie (PldB) est modifiée d'environ 5 dB. En outre, commereprésenté sur la figure 5, lorsque l'impédance de charge de sortie ZL est modifiée dans la plage comprise entre 8 et 100 Q. le troisième point d'interception d'entrée (IIP3) est modifié d' environ 5 dB, le troisième point d'interception de sortie (OIP3) est modifié d' environ 4,5 dB, la troisième distorsion intermodulation (IM3) est modifiée d' environ 25 dB, et la cinquième distorsion intermodulation (IM5) est modifiée d' environ 30 dB. Au contraire, dans le cas o le calcul de la puissance électrique de sortie (PldB), du troisième point d'interception d'entrce (IIP3), du troisième point d' interception de sortie (OIP3), de la troisième distorsion intermodulation (IM3) et de la cinquième distorsion intermodulation (IM5), est effectué pour l'amplificateur haute fréquence classique représenté sur la figure 16, la valeur ohmique Rs de la résistance série 14 représentant un circuit de stabilisation, est égale à environ 70 Q. et l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3 est égale à environ 11 Q. Par conséquent, puisque la relation de l'impédance de charge de sortie ZL = Zout* + 2Rs est satisfaite, la valeur de l'impédance de charge de sortie ZL est égale à environ 150 Q. C'est-à- dire que l'impéJance de charge de sortie ZL est considérablement supérieure à l'impédance complexe conjuguée Zout* de l'impédance de sortie Zout, dans l'art antérieur. Par conséquent, comme représenté sur la figure 1, puisque le circuit 12 de type T comportant les résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 11 est utilisé en tant que circuit de stabilisation dans le premier mode de réalisation, dans le cas o les valeurs R1, R3 et R2 des résistances série 14 et 10 et de la résistance parallèle 11 sont déterminées de manière à établir l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3, à une valeur proche de la valeur de l'impéJance complexe conjuguée Zout* de l'impédance de sortie Zout (Zout = 11,1 - j3, 3 Q), ou à une valeur légèrement inférieure à celle-ci, un signal de sortie ayant une puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion, peut étre obtenu dans un amplificateur haute fréquence, par rapport à celui obtenu dans un amplificateur haute fréquence classique, tout en maintenant le gain de l'amplificateur haute fréquence et la caractéristique de bruit à des valeurs constantes. Ici, le gain de l'amplificateur haute fréquence peut 8tre réglé en réglant la valeur ohmique R1 de la résistance série 14. Les résultats du calcul représentés sur les figures 2 à S sont obtenus lorsque l'adaptation à l'impédance caractéristique Zo égale à 50 Q. est effectuée S simultanément en utilisant le circuit de stabilisation (à savoir le circuit 12 de type T) placé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence. Cependant, une adaptation effectuée en utilisant le circuit de stabilisation est limitée à une . mpeJance appropnee. En outre, bien que le circuit S d' adaptation de sortie soit disposé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence, comme représenté sur la figure 1, un signal de sortie ayant une puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion, peut être obtenu dans un amplificateur haute fréquence. MODE DE REALISATION 2 La figure 6 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur 1S haute fréquence conforme à un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Les éléments constitutifs qui sont les mémes que ceux représentés sur la figure 1 sont indiqués par des numéros de rétérence identiques à ceux de la figure 1, et une description supplémentaire de ces éléments constitutifs est donc À, evtee. Sur la figure 6, 21 représente une résistance série disposée en série entre l'amplificateur 3 et le circuit 5 d'adaptation de sortie; 22 représente une résistance parallèle (ou une première résistance parallèle) placée du côté entrée de la résistance série 21 de manière à être disposée en parallèle avec la résistance série 21; 23 représente une résistance parallèle (ou une deuxième résistance parallèle) placée du côté sortie de la résistance série 21 de manière à être disposce en parallèle avec la résistance série 21; 8a représente un condensateur; une extrémité du condensateur 8a étant connectée à la résistance parallèle 22, et l'autre extrémité du condensateur 8a étant mise à la masse; 8b représente un condensateur; une extrémité du condensateur 8b étant connoctée à la résistance parallèle 23, et l'aukre extrémité du condensateur 8b étant mise à la masse; 24 représente un circuit de type fonctionnant comme un cTrcuit de stabilisation. Le circuit 24 de type est composé de la résistance série 21, des résistances parallèles 22 et 23 et des condensateurs 8a et 8b. La résistance parallèle 22 a une valeur oUmique R1, la résistance série 21 a une valeur ohmique R2 et la résistance parallèle 23 a une valeur ohmique R3. Le fonctionnement de l'amplificateur haute fréquence sera décrit maintenant ci-dessous. Un signal introduit dans la borne d'entrée 1 est reçu dans l'amplificateur 3 par l'intermédiaire du circuit 4 d'adaptation d'entrée. Puis, le signal d'entrée est amplifié dans l'amplificateur 3 tout en stabilisant le signal d'entrée amplifié en utilisant le circuit 24 de type comportant la résistance série 21 et les résistances parallèles 22 et 23. Puis, le signal amplifié est délivré sous la forme d'un signal de sortie par la borne de sortie 2, par l'interrnédiaire du circuit 5 d'adaptation de sortie. Dans ce cas, une polarisation du côté enkée est appliquée au signal d'entrce dans un circuit de polarisation du côté entrce, disposé dans le circuit 4 d'adaptation d'entrce, et une polarisation du côté sortie est appliquée au signal amplifié, par l'intermédiaire des résistances parallèles 22 et 23 du circuit 24 de type 1r fonctionnant comme un circuit de stabilisation. On peut aussi envisager que la polarisation du côté sortie soit appliquée au signal amplifié dans une bobine d'inductance ou une ligne d'alimentation en tension, disposée entre le circuit 24 de type et l'amplificateur 3. En outre, il peut être envisagé que la polarisation du côté sortie soit appliquée au signal amplifié dans un circuit de polarisation disposé dans le circuit 5 d'adaptation de sortie. Puisque le circuit 24 de type f fonctionnant cornme un circuit de stabilisation est disposé dans l' amplificateur haute fréquence, le signal d' entrée peut étre amplifié sans une instabilité telle qu'une oscillation. En outre, puisque le circuit 24 de type f:, comportant la résistance série 21 et les résistances parallèles 22 et 23, est inséré dans l'amplificateur haute fréquence du côté sortie de l'amplificateur 3, unè caractéristique de faible bruit peut être obtenue dans l'amplificateur haute fréquence. Ici, les condensateurs 8a et 8b sont disposés pour bloquer des courants continus. Cependant, il peut être envisagé qu'un condensateur soit disposé entre la résistance série 21 et l'amplificateur 3, à la place des condensateurs 8a et 8b, pour bloquer un courant continu. En outre, il peut être envisagé qu'un condensateur soit disposé entre la résistance série 21 et la résistance parallèle 22 pour bloquer un courant continu. Dans ce cas, le condensateur 8b disposé entre la résistance parallèle 23 disposée à distance de l'amplificateur 3 et la masse, n'est pas nécessaire. En outre, dans le cas o les valeurs ohmiques R1 et R3 des résistances parallèles 22 et 23 sont suffisamment élevoes de manière à abaisser suffisamment le courant qui circule dans chacune des résistances parallèles 22 et 23, l'accroissement de puissance électrique consommée dans les résistances parallèles 22 et 23 peut être ignoré. Par conséquent, dans ce cas, le groupe de condensateurs 8a et 8b n'est pas nocessaire. Dans la configuration représentée sur la figure 6, puisque le circuit 24 de type comportant la résistance série 21 et les résistances parallèles 22 et 23 fonctionne comme un cTrcuit de stabilisation, bien que l'impéJance de sortie, obtenue en observant l'amplificateur 3 et le cTrcuit 24 de type depuis le circuit 5 d' adaptation de sortie, soit adaptée à une impéJance caractéristique Zo dans le cTrcuit S d'adaptation de sortie, l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l' amplificateur haute fréquence depuis l' amplificateur 3, peut être établie de manière approprice à une valeur supérieure, inférieure ou égale à la valeur d'impédance Zout* conjuguce au nombre complexe de l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3. Dans ce cas, seule l'impéJance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3, peut étre modifiée, à la condition que le gain de l'amplificateur haute fréquence ou la perte de puissance électrique du côté sortie de l'amplificateur 3, reste à une valeur constante. D ans le cas o seule l' imp édance de charge de sortie ZL obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'ampliÈcateur 3 est modifiée, à la condition que le gain de l'amplificateur haute fréquence ou la perte de puissance électrique du côté sortie de l'amplificateur 3 reste à une valeur constante, la puissance électrique de sortie (PldB) dans une compression de gain de 1 dB, un troisième point d' interception d' entrée (IIP3), un troisième point d' interception de sortie (OIP 3), une troisième distorsion intermodulation (IM3) et une cinquième distorsion intermodulation (IM5), sont calculés. Dans le calcul de IM3 et IM5, la puissance électrique d'entrce est établie à une certaine valeur. Le calcul est exécuté à une fréquence de 900 MHz en utilisant un modèle de signal important d'un transistor à effet de champ (FET) ayant une largeur de grille de 5,8 mm, en tant qu'amplificateur 3. Dans ce calcul, le circuit 4 d'adaptation d'entrée est disposé du côté entrée de l'amplificateur haute fréquence, mais le circuit 5 d'adaptation de sortie n'est pas disposé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence. Par conséquent, le circuit 24 de type comportant les résistances est disposé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence et est directement connocté à un élément de charge de l'impéJance caractéristique Zo. Le gain de l'amplificateur haute fréquence est établi pour être presque égal à 11 dB, les valeurs R2, R1 et R3 de la résistance série 21 et des résistances parallèles 22 et 23 sont déterminces de manière à établir l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis le FET (à savoir l'amplificateur 3), à des valeurs comprises entre 8 et 100 Q. La condition de polarisation est établie à la classe AB, et l'impédance de sortie Zout du FET, dans la condition de polarisation établie, est établie à 11,1 - j3,3Q. La figure 7 représente une vue caractéristique des valeurs R2, R1 et R3 de la résistance série 21 et des résistances parallèles 22 et 23 dans le cas o l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie depuis le FET, est établie à des valeurs comprises entre 8 et lOO Q. En outre, la figure 8 représente une vue caractéristique d'un gain de puissance électrique disponible maximum MAG et d' un facteur de stabilisation K, dans le cas o l' impédance de charge de sortie ZL est établie dans la plage comprise entre 8 et 100 Q. Comme représenté sur la figure 8, dans le cas o la résistance série 21 et les résistances parallèles 22 et 23 sont établies aux valeurs ohmiques R2, Rl et R3 représentées sur la figure 7, l'impédance de charge de sortie ZL peut être modifiée dans la plage de 8 à lOO Q. sans modifier le gain de puissance électrique disponible maximum MAG qui représente le gain de l'amplificateur haute fréquence, ou le facteur de stabilisation K. En outre, la figure 9 représente une vue caractéristique de la puissance électrique de sortie (PldB) dans le cas o l'impédance de charge de sortie ZL est établie dans la plage comprise entre 8 et lOO Q. et la figure lO représente une vue caractéristique du troisième point d'interception d'entrce (IIP3), du troisième point d'interception de sortie (OIP3), de la troisième distorsion intermodulation (IM3) et de la cinquième distorsion intermodulation (IM5), dans le cas o l'impédance de charge de sortie ZL est établie dans la plage comprise entre 8 et 100 Q. Dans le calcul de IM3 et IM5, la puissance électrique d'entrce est établie à dBm. Comme représenté sur la figure 9, lorsque l'impédance de charge de sortie ZL est modifiée dans la plage comprise entre 8 et 100 Q. la puissance électrique de sortie (PldB) est modifiée d'environ 5 dB. En outre, comme représenté sur la figure lO, lorsque l'impéJance de charge de sortie ZL est modifiée dans la plage comprise entre 8 et 100 Q. le troisième point d'interception d'entrée (IIP3) est modifié d' environ 5 dB, le troisième point d'interception de sortie (OIP3) est modifié d' environ 4,5 dB, la troisième distorsion intermodulation (IM3) est modifiée d' environ 25 dB, et la cinquième distorsion intermodulation (IM5) est modifiée d'environ 30 dB. Au contraire, dans le cas o le calcul de la puissance électrique de sortie (PldB), du troisième point d'interception d'entrée (IIP3), du troisième point d' interception de sortie (OIP3), de la troisième distorsion intermodulation (IM3) et de la cinquième distorsion intermodulation (IMS), est effectué pour l'amplificateur haute fréquence classique représenté sur la figure 16, la valeur ohmique Rs de la résistance série 6 représentant un circuit de stabilisation, est égale à environ 70 Q. et l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3 est égale à environ 11 Q. Par conséquent, puisque la relation de l'impédance de charge de sortie ZL = Zout* + 2Rs est satisfaite, la valeur de l'impédance de charge de sortie ZL est égale à environ 150 Q. C'est-à- dire que l'impédance de charge de sortie ZL est considérablement supérieure à l'impédance complexe conjuguée Zout* de l' impédance de sortie Zout, dans l' art antérieur. Par conséquent, comme représenté sur la figure 6, puisque le circuit 24 de type comportant la résistance série 21 et les résistances parallèles 22 et 23 est 1S utilisé en tant que circuit de stabilisation dans le deuxième mode de réalisation, dans le cas o les valeurs R2, R1 et R3 de la résistance série 21 et des résistances parallèles 22 et 23 sont déterminées de manière à établir l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3, à une valeur proche de la valeur de l'impédance complexe conjuguée Zout* de l'impédance de sortie Zout (Zout = 11,1 - j3, 3 Q), ou à une valeur légèrement inférieure à celle-ci, un signal de sortie ayant une puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion, peut être obtenu dans l'amplificateur haute fréquence, par rapport à celui obtenu dans un amplificateur haute fréquence classique, tout en maintenant le gain de l'amplificateur haute fréquence et la caractéristique de bruit à des valeurs constantes. Ici, le gain de l'amplificateur haute fréquence peut être réglé en réglant la valeur ohmique R3 de la résistance parallèle 23. Les résultats du calcul représentés sur les figures 7 à 10 sont obtenus à la condition que l'adaptation à l'impédance caractéristique Zo égale à 50 Q soit effectuée simultanément en utilisant le circuit de stabilisation (à savoir le circuit 24 de type) placé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence. Cependant, une adaptation effectuée en utilisant le cTrcuit de stabilisation est limitée à une impédance approprice. En outre, bien que le circuit 5 d' adaptation de sortie soit disposé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence, comme représenté sur la figure 6, un signal de sortie ayant une puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion, peut être obtenu dans l'amplificateur haute fréquence. MODE DE REALISATION 3 La figure 11 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur haute fréquence conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention. Les éléments constitutifs qui sont les mêmes que ceux représentés sur la figure 1 sont indiqués par des numéros de référence identiques à ceux de la figure 1, et une description supplémentaire de ces éléments constitutifs est donc 1 5 évitée. Sur la figure 11, 31 représente une résistance série disposce en série entre l'amplifcateur 3 et le circuit 5 d'adaptation de sortie; 32 représente une résistance parallèle placée du côté entrée de la résistance série 31 de manière à être disposée en parallèle avec la résistance série 31; 33 représente un circuit de type en échelle fonctionnant comme un circuit de stabilisation. Le circuit 33 de type en échelle est composé de la résistance série 31, de la résistance parallèle 32 et du condensateur 8. La résistance série 31 a une valeur ohmique R1, et la résistance parallèle 32 a une valeur oUmique R2. Le fonctionnement de l'amplificateur haute fréquence sera décrit maintenant ci-dessous. Un signal introduit dans la borne d'entrée 1 est reçu dans l'amplificateur 3 par l'intermédiaire du cTrcuit 4 d' adaptation d' entrée. Puis, le signal d'entrce est amplifié dans l'amplificateur 3 tout en stabilisant le signal d'entrée amplifié en utilisant le circuit 33 de type en échelle comportant la résistance série 31 et la résistance parallèle 32. Puis, le signal amplifié est amplifié dans l'amplificateur 3 et est délivré sous la forme d'un signal de sortie par la borne de sortie 2, par l' intermédiaire du circuit 5 d' adaptation de sortie. Dans ce cas, une polarisation du côté enkée est appliquce au signal d'entrée dans un circuit de polarisation du côté entrée, disposé dans le circuit 4 d'adaptation d'entrée, et une polarisation du côté sortie est appliquée au signal amplifié, par l'intermédiaire de la résistance parallèle 32 du circuit 33 de type en échelle fonctionnant comme un circuit de stabilisation. On peut aussi envisager que la polarisation du côté sortie soit appliquée au signal amplifié dans une bobine d'inductance ou une ligne d'alimentation en tension disposée entre le circuit 33 de type en échelle et l'amplificateur 3, et il peut être envisagé que la polarisation du côté sortie soit appliquce au signal amplifié dans un circuit de polarisation disposé dans le circuit 5 d'adaptation de sortie. Puisque le circuit 33 de type en échelle fonctionnant comme un circuit de stabilisation est disposé dansl'amplificateurhaute fréquence, le signal d'entrée peut être amplifié en l' absence d' instabilité telle qu' une oscillation. En outre, puisque le circuit 33 de type en échelle comportant la résistance série 31 et la résistance parallèle 32 est inséré dans l'amplificateur haute fréquence du côté sortie de l'amplificateur 3, une caractéristique de faible bruit peut être obtenue dans l'amplificateur haute fréquence. Ici, le condensateur 8 est disposé pour bloquer un courant continu. Cependant, il peut être envisagé qu'un condensateur soit disposé entre la résistance série 32 et l'amplificateur 3, à la place du condensateur 8, pour bloquer un courant continu. En outre, dans le cas o la valeur ohmique R2 de la résistance parallèle 32 est suffisamment élevée de manière à abaisser suffisamment le courant qui circule dans la résistance parallèle 32, l'accroissement de puissance électrique consommée dans la résistance parallèle 32 peut être ignoré. Par conséquent, dans ce cas, le condensateur 8 n'est pas nocessaire. Dans la configuration représentée sur la figure 11, le circuit 33 de type en échelle comportant la résistance série 31 et la résistance parallèle 32 fonctionne comrne un circuit de stabilisation. Par conséquent, dans le cas o l'impédance de sortie, obtenue en observant l'amplificateur 3 et le circuit 33 de type en échelle depuis le circuit 5 d' adaptation de sortie, est adaptée à une impédance caractéristique Zo dans le circuit 5 d' adaptation de sortie, puisque la résistance parallèle 32 est placce du côté de l'amplificateur 3, l'impéJance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3, est inférieure à une impédance Zout* conjuguce au nombre complexe de l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3. Dans ce cas, le gain de l'amplificateur haute fréquence, le facteur de stabilisation et l'impédance de charge de sortie ZL obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3, peuvent être modifiés dans une certaine plage en établissant de manière appropriée les valeurs oUmiques R1 et R2 de la résistance série 31 et de la résistance parallèle 32. La puissance électrique de sortie (PldB) dans une compression de gain de 1 dB, est calculée à la condition que seule l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3, soit modifiée. Le calcul est effectué à une fréquence de 900 MHz en utilisant un modèle de signal important d'un transistor à effet de champ (FET) ayant une largeur de grille de 5,8 mrn, corume amplificateur 3. Dans ce calcul, le circuit 4 d' adaptation d' entrée est disposé du côté entrée de l'amplificateur 3 pour effectuer une adaptation d'entrée pour le signal d'entrce, et le signal d'entrée est stabilisé en utilisant le circuit 33 du type en échelle fonctionnant comme un circuit de stabilisation. L'impédance de sortie Zout du FET, dans la condition de polarisation établie, est établie à 11,1 - j3,3 Q. La figure 12 représente une relation entre la puissance électrique de sortie (PldB) et l'impédance de charge de sortie ZL obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis le FET, représentant l'amplificateur 3. Comme représenté sur la figure 12, la puissance électrique de sortie (PldB) est maximisoe à une valeur d'impédance inférieure à la valeur 11,1 - j3,3 Q de l'impédance de sortie Zout du FET. Cette relation entre la puissance électrique de sortie (PldB) et l'impédance de charge de sortie ZL concide avec la relation (se référer à la figure 4 et à la figure 9) entre la puissance électrique de sortie (PldB) et l'impédance de charge de sortie ZL et la relation (se rétérer à la figure 5 et à la figure 10) entre le troisième point d'interception d'entrce (IIP3) et l'impédance de charge de sortie ZL obtenue dans les amplificateurs haute fréquence représentés sur la figure 1 et sur la figure 6. C'est-à-dire que la puissance électrique de sortie (PldB) et le troisième point d'interception d'entrée (IIP3) sont élevés à cause du circuit 12 de type T ou du circuit 24 de type lorsque l'impédance de charge de sortie ZL est réduite. Par conséquent, dans l'amplificateur haute fréquence représenté sur la figure 11, puisque l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3, peut étre établie à une valeur inférieure à celle de l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3, un signal de sortie ayant une puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion, peut étre obtenu dans l'amplificateur haute fréquence. En oube, puisque le nombre de résistances placces à l'extérieur de l'amplificateur 3 est réduit de un par rapport à celui dans les amplificateurs haute fréquence représentés sur la figure 1 et sur la figure 6, un amplificateur haute fréquence de petites dimensions peut étre fabriqué à un faible coût. Dans les premier à troisième modes de réalisation, le circuit 12 de type T. le circuit 24 de type et le circuit 33 de type en échelle, sont utilisés en tant que circuits de stabilisation. Cependant, la présente invention n'est pas limitée à ces circuits. C'est-à-dire qu'il peut étre envisagé qu'un groupe constitué d'une résistance série et d'une résistance parallèle, disposé du côté sortie de l'amplificateur 3, soit utilisé en tant que circuit de stabilisation. MODE DE REALISATION 4 La figure 13 est une vue représentant la configuration d'un amplificateur haute fréquence conforme à un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Les éléments constitutifs qui sont les mêmes que ceux représentés sur la figure 1 sont indiqués par des numéros de rétérence identiques à ceux de la figure 1, et une description supplémentaire de ces éléments constitutifs est donc évitée. Sur la figure 13, 41 représente une bobine d'inductance (ou une bobine d'inductance série) disposoe en série enke l'amplificateur 3 et le circuit 12 de type T; 42 représente un condensateur (ou un condensateur parallèle) placé du côté enkée de la bobine d'inductance 41 de manière à être disposé en parallèle avec la bobine d'inductance 41; 43 représente une ligne de constante de répartition (ou une bobine d'inductance série) disposce à la place de la bobine d'inductance 41; 44 représente un adaptateur ouvert (ou un condensateur parallèle) disposé à la place du condensateur 42. - Le fonctionnement de l'amplificateur haute fréquence sera décrit maintenant ci-dessous. L'amplificateur haute fréquence du quatrième mode de réalisation diffère de celui du premier mode de réalisation en ce que la bobine d'inductance 41 du montage série et le condensateur du montage parallèle sont en outre insérés dans l'amplificateur haute fréquence, entre l'amplificateur 3 et le circuit 12 de type T. De la méme manière que dans l'amplificateur haute fréquence du premier mode de réalisation, une polarisation du côté entrce est appliquce au signal d'entrce dans un circuit de polarisation du côté entrée, disposé dans le circuit 4 d' adaptation d' entrée, et une polarisation du côté sortie est appliquée au signal amplifié par l'intermédiaire de la résistance parallèle 11 du circuit 12 de type T fonctionnant comme un circuit de stabilisation. On peut aussi envisager que la polarisation du côté sortie soit appliquée au signal amplifié dans une bobine d'inductance ou une ligne d'alimentation en tension, disposée entre le circuit 12 de type T et l'amplificateur 3. En outre, il peut être envisagé que la polarisation du côté sortie soit appliquce au signal amplifié dans un cTrcuit de polarisation disposé dans le circuit 5 d'adaptation de sortie. Puisque le circuit 12 de type T fonctionnant comme un circuit de stabilisation est disposé dans l' amplificateur haute fréquence, le signal d' entrée peut être amplifié sans une instabilité telle qu'une oscillation. En outre, puisque le circuit 12 de type T comportant les résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 11 est inséré dans l'amplificateur haute fréquence du côté sortie de l'amplificateur 3, une caractéristique de faible bruit peut être obtenue dans l'amplificateur haute fréquence. Ici, le condensateur 8 est disposé pour bloquer un courant continu. Cependant, il peut être envisagé qu'un condensateur soit disposé entre la résistance série 14 et l'amplificateur 3 pour bloquer un courant continu, à la place du condensateur 8. En outre, il peut être envisagé qu'un condensateur soit disposé entre la résistance série 14 et la résistanceparallèle 11 pour bloquer un courant continu, à la place du condensateur 8. En outre, dans le cas o la valeur ohmique R2 de la résistance parallèle 11 est suffisamment élevée pour abaisser suffisarnment le courant qui cTrcule dans la résistance parallèle 11, l'accroissement de puissance électrique consommée dans la résistance parallèle 11 peut être négligé. Par conséquent, dans ce cas, le condensateur 8 n'est pas nécessaire. Dans la configuration représentée sur la figure 13, puisque le circuit 12 de type T comportant les résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 11 fonctionne comme un circuit de stabilisation, bien que l'impédance de sortie, obtenue en observant l'amplificateur 3 et le circuit 12 de type T depuis le circuit 5 d' adaptation de sortie, soit adaptée à une impédance caractéristique Zo dans le circuit 5 d'adaptation de sortie, l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3, peut être établie de manière appropriée à une valeur supérieure, inférieure ou égale à une valeur d'impédance Zout* conjuguée au nombre complexe de l'impédance de sortie Zout de l'amplificateur 3. Dans ce cas, seule l'impédance de charge de sortie ZL obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis l'amplificateur 3 peut être modifiée, à la condition que le gain de l'amplificateur haute fréquence, la perte de puissance électrique du côté sortie de l'amplificateur 3, et la caractéristique de bruit, soient maintenus. La figure 14 représente une relation entre le premier point d'interception d'entrce (IIP3) et l'impédance de charge de sortie ZL obtenue en observant le côté sortie de l'amplificateur haute fréquence depuis le FET représentant l'amplificateur 3. La valeur de la bobine d'inductance 41 est exprimée par un symbole L et la valeur du condensateur 42 est exprimée par un symbole C. Le calcul est exécuté à une fréquence de 900 MHz en utilisant un modèle de signal important d'un transistor à effet de champ (FET) ayant une largeur de grille de 5,8 mm, en tant qu'amplificateur 3. Dans ce calcul, le circuit 4 d'adaptation d'entrce est disposé du côté entrce de l'amplificateur haute fréquence, mais le circuit 5 d'adaptation de sortie n'est pas disposé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence. Par conséquent, le circuit 12 de type T comportant les résistances est disposé du côté sortie de l'amplificateur haute fréquence et est directement connecté à un élément de charge de l'impédance caractéristique Zo. L'impédance de sortie Zout du FET, dans la condition de polarisation établie, est établie à 11,1 - j3,3 Q. Comme représenté sur la figure 14, la puissance électrique de sortie (PldB) est maximisce à une valeur d'impédance qui est inférieure à la valeur 11,1 - j3,3 Q de l'impédance de sortie Zout du FET, dans le cas d'une réactance capacitive. Dans l'amplificateur haute fréquence représenté sur la figure 13, la bobine d'inductance 41 du montage série et le condensateur 42 du montage parallèle sont insérés dans l'amplificateur haute fréquence, entre l'amplificateur 3 et le circuit 12 de type T. Par conséquent, comme représenté sur la figure 14, lorsque la valeur L de la bobine d'inductance 41 et la valeur C du condensateur 42 sont établies de manière appropriée, l'impédance de charge de sortie ZL, obtenue en observant le côté sortie de l'amplifcateur haute fréquence depuis le FET représentant l'amplificateur 3, peut se rapprocher d'une valeur d'impédance (indiquée par des flèches épaisses sur la figure 14) de manière à élever le koisième point d'interception d'entrée (IIP3). Par conséquent, dans l'amplificateur haute fréquence du quatrième mode de réalisation, un troisième point d' interception d'entrée (IIP3) plus élevé que celui du premier mode de réalisation, peut être obtenu, et une caractéristique peut être obtenue, par rapport à celle du premier mode de réalisation, permettant de réduire encore la distorsion du signal de sortie. Dans ce mode de réalisation, comme représenté sur la figure 13, il peut être envisagé que la ligne 43 de constante de répartition soit disposce en série à la place de la bobine d'inductance 41, et il peut être envisagé que l'adaptateur ouvert 44 soit disposé à la place du condensateur 42. Dans ce cas, aucune bobine d'inductance ou aucun condensateur n'est utilisé, mais la ligne 43 de constante de répartition et l'adaptateur ouvert 44 peuvent être formés de fils disposés sur un substrat. Par conséquent, l'amplificateur haute fréquence peut être- fabriqué à un faible coût. En outre, dans ce mode de réalisation, le circuit 12 de type T est utilisé en tant que cTrcuit de stabilisation. Cependant, il peut être envisagé que le circuit 24 de type représenté sur la figure 6 ou le cTrcuit 33 de type en échelle représenté sur la figure 11, soit utilisé à la place du circuit 12 de type T. Dans ce cas, des caractéristiques identiques à celles obtenues en utilisant le circuit 12 de type T. peuvent être obtenues. En outre, dans ce mode de réalisation, bien que la bobine d' inductance 4 1 ne soit pas disposée dans le circuit haute fréquence, comme représenté par la flèche en pointillés sur la figure 14, l'impédance de charge de sortie ZL peut être réglée, et l' on peut obtenir une caractéristique permettant de réduire encore la distorsion du signal de sortie. Dans ce cas, puisque labobine d'inductance 41 n'est pas disposée dans le circuit haute fréquence, un amplificateur haute fréquence de petites dimensions peut être fabriqué à un faible coût. MODE DE REALISATION 5 La figure 15 est une vue représentant la configuration d'un amplifcateur haute fréquence à étages multiples conforme à un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Les éléments constitutifs qui sont les mêmes que ceux représentés sur la figure 1 sont indiqués par des numéros de référence identiques à ceux de la figure 1, et une description supplémentaire de ces éléments constitutifs est donc évitée. Sur la figure 15, 51 représente des amplificateurs haute fréquence tel que représenté sur la figure 1 et 52 représente un amplificateur haute fréquence général disposé dans l'étage final d'un amplificateur haute fréquence à étages multiples. L'amplificateur haute fréquence à étages multiples comprend les amplificateurs haute fréquence 51 et l'amplificateur haute fréquence général 52 (ou les amplificateurs haute fréquence généraux 52) disposés en série. Le fonctionnement de l'amplificateur haute fréquence à étages multiples sera décrit maintenarit ci-dessous. - Un signal introduit dans la borne d'entrce 1 est amplifié dans chacun des amplificateurs haute fréquence 51 dans lesquels le circuit 12 de type T comportant les résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 11 est disposé en tant que circuit de stabilisation. Puis, le signal est amplifié dans chaque amplificateur haute fréquence général 52, et le signal est délivré par la borne de sortie 2. Par conséquent, bien qu'un amplificateur haute fréquence disposé dans le premier étage de l'amplificateur haute *équence à étages multiples ait une grande influence sur le bruit généré dans le signal, puisque l'amplificateur haute fréquence 51 dans lequel le circuit 12 de type T comportant les résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 11, est disposé en tant que circuit de stabilisation pour obtenir une caractéristique de faible bruit, est utilisé en tant qu'amplifcateur haute fréquence du premier étage, le bruit du signal délivré par l'amplificateur haute fréquence à étages multiples, peut être réduit. En outre, puisque les amplificateurs haute fréquence 51 ayant des caractéristiques de puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion sont utilisés en tant qu'amplificateurs haute fréquence des premier et deuxième étages, le signal délivré par l'amplificateur haute fréquence à étages multiples peut avoir une puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion. En outre, puisque le signal délivré par l'amplificateur haute fréquence à étages multiples a une puissance électrique de sortie élevoe, l'amplficateur haute fréquence à étages multiples peut fonctionner avec une grande efficacité. En outre, l'amplificateur haute fréquence S1 a pour caractéristiques une grande efficacité, une puissance électrique de sortie élevée et un faible bruit en utilisant le circuit 12 de type T comportant les résistances série 14 et 10 et la résistance parallèle 11, en tant que circuit de stabilisation. Par conséquent, dans le cas o l'amplificateur haute fréquence 51 est utilisé en tant qu'amplificateur haute fréquence du premier étage de chacun des amplificateurs haute fréquence disposés dans le premier étage et dans un autre étage (ou d'autres étages) près du premier étage, un amplificateur haute fréquence à étages multiples ayant pour caractéristiques une grande efficacité, une puissance électrique de sortie élevoe et un faible bruit, peut être obtenu. En outre, dans le cas o un amplificateur haute fréquence 51 ayant une caractétistique de faible bruit est disposé dans chacun des étages de l'amplificateur haute fréquence à étages multiples, un amplificateur haute fréquence à étages multiples ayant une caractéristique de bruit la plus faible, peut être obtenu, et un amplificateur haute fréquence à étages multiples ayant pour caractéristiques une puissance électrique de sortie élevée et une faible distorsion, peut être obtenu. Dans le cinquième mode de réalisation, un amplificateur haute fréquence 51 comportant le circuit 12 de type T en tant que circuit de stabilisation, est utilisé pour l'amplificateur haute fréquence à étages multiples. Cependant, il peut être envisagé qu'un amplificateur haute fréquence comportant le cTrcuit 24 de type représenté sur la figure 6 ou le circuit 33 de type en échelle représenté sur la figure 11, soit utilisé comme amplificateur haute fréquence à étages multiples, à la place de l'amplificateur haute fréquence comportant le circuit 12 de type T. En outre, il peut étre envisagé qu'un amplii;cateur haute *équence comportant en outre la bobine d'inductance 41 et le condensateur 42 représentés sur la figure 13, soit utilisé comme amplificateur haute fréquence à étages multiples. Dans ce cas, des caractéristiques identiques à celles obtenues dans l'amplificateur haute fréquence à étages multiples représenté sur la figure 15, peuvent étre obtenues. REVENDICATIONS 1. Amplificateur haute fréquence, caractérisé en ce qu'il comprend: un amplificateur (3) pour amplifier un signal d'entrée; et un circuit de stabilisation (12, 24, 33) qui est disposé du côté sortie de l'amplificateur (3) et qui comporte une résistance série (14, 10, 21, 31) et une résistance parallèle (11) pour stabiliser l'amplification du signal d'entrée, effectuée dans l' amplificateur (3), et délivrer le signal d' entrée amplifié. 2. Amplificateur haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de stabilisation est formé d'un circuit de type T (12) comportant une première résistance série (14), une deuxième résistance série (10) et une résistance parallèle (11). 3. Amplificateur haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de stabilisation est formé d'un circuit de type (24) comportant une résistance série (21), une première résistance parallèle (22) et une deuxième résistance parallèle (23). 4. Amplificateur haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de stabilisation est formé d'un circuit de type en échelle (33) comportant une résistance série (31) et une résistance parallèle (32). 5. Amplificateur haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une bobine d'inductance série (41) disposoe entre l'amplificateur (3) et le circuit de stabilisation (12); et un condensateur parallèle (42) disposé entre l'amplificateur (3) et le circuit de stabilisation (12). 6. Amplificateur haute fréquence à étages multiples, caractérisé en ce qu'il comprend: un amplificateur haute fréquence spécifique (51) disposé dans un premier étage, pour amplifier un signal d'entrce; et un amplificateur haute fréquence général (52) disposé dans un étage suivant le premier étage, pour amplifier le signal d'entrée amplifié par l'amplifcateur haute fréquence spécifique (51) et délivrer le signal d'entrce amplifié sous la forme d'un signal de sortie, et l'amplificateur haute fréquence spécifique (51) comprend un amplificateur (3) pour amplifier le signal d'entrce; et un circuit de stabilisation (12) qui est disposé du côté sortie de l'amplificateur (3) et qui comporte une résistance série (14, 10, 21, 31) et une résistance parallèle (11) pour stabiliser l'amplification du signal d'entrée, effectuce dans l'amplificateur (3). 7. Amplificateur haute fréquence à étages multiples selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de stabilisation de l'amplificateur haute fréquence spécifique (51) est formé d'un circuit de type T (12) comportant une première résistance série (14), une deuxième résistance série (10) et une résistance parallèle (ll). 8. Amplificateur haute fréquence à étages multiples selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de stabilisation de l'amplificateur haute fréquence spécifique (51) est formé d'un circuit de type (24) comportant une résistance série (21), une première résistance parallèle (22) et une deuxième résistance parallèle (23). 9. Amplificateur haute fréquence à étages multiples selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de stabilisation de l'amplificateur haute fréquence spécifique (51) est formé d'un circuit du type en échelle (33)