FR 2824846 A1 20021122 FR 0106432 A 20010516 s SUBSTRAT A REVETEMENT PHOTOCATALYTIQUE o La présente invention concerne des substrats munis d'un revêtement photocatalytique, le procédé d'obtention d'un tel revêtement et ses différentes applications. Elle concerne plus particulièrement les revêtements comprenant des matériaux semi-conducteurs à base d'oxydes métalliques, notamment d'oxyde s de titane, qui sont aptes, sous l'effet d'un rayonnement de longueur d'onde adéquate, à initier des réactions radicalaires provoquant l'oxydation de produits organiques. Les revêtements permettent ainsi de conférer de nouvelles fonctionnalités aux matériaux qu'ils recouvrent, notamment des propriétés anti-salissures, o fongicides, bactéricides, éventuellement combinées à des propriétés hydrophiles, anti-buée, optiques,... Des substrats très divers peuvent être envisagés, notamment ceux utilisés dans le domaine des véhicules ou des bâtiments, tels que des vitrages, des matériaux de façade, de bardage, de toiture, de sol, tels que des tuiles, des s ardoises, des dalles, des carrelages et plus généralement tout matériau utilisé dans la construction. Ces matériaux peuvent être ainsi en verre, métal, en vitrocéramique, en céramique, en ciment, en briques, en bois, en pierre ou matériau reconstitué à partir de ces matériaux naturels, en matériau plastique, en matériau fibreux du type laine minérale, notamment pour des procédés de o filtration, etc.... On peut les ranger également en matériaux transparents, utilisés en particulier comme vitrages, tels que des substrats verriers ou en plastique souple ou rigide comme des substrats en polyester ou en acrylate comme le polyméthacrylate de méthyle (PMMA). Les substrats peuvent aussi être rangés dans la catégorie des non ou peu poreux (verre) ou dans la catégorie des matériaux (relativement) poreux tels que des tuiles, les céramiques. On peut considérer les substrats " > comme les substrats verriers, ou les substrats comportant une superposition de matériaux, de s couches, comme les façades que l'on munit d'un revêtement du type enduit de façade. Il est déjà connu des demandes de brevet internationales WO97/10186 et WO97/10185 des revêtements contenant du TiO2 cristallisé anatase à propriétés photocatalytiques, revêtements obtenus à partir de la décomposition thermique o de précurseurs organo- métalliques appropriés et/ou à partir de particules de TiO2"' pré-cristallisées " et enrobées dans un liant minéral ou organique. Il est également connu du brevet W099/44954 une amélioration de ces types de revêtements consistant à utiliser des particules de TiO2 précristallisées que l'on enrobe dans un liant qui, lui aussi, contient du TiO2 partiellement s cristallisé: le liant vient ainsi participer à l'effet photocatalytique des particules, augmentant les performances du revêtement à la fois en termes de propriétés photocatalytiques et de durabilité. Il est par ailleurs connu des demandes de brevet EP-1 036 826 et EP-1 081 108 des revêtements utilisant des particules de TiO2 dans un liant contenant de o l'oxyde de zirconium. L'invention a alors pour but d'améliorer les revêtements photocatalytiques connus, notamment en termes de niveau de performances photocatalytiques, de pérennité de ses performances dans le temps et/ou de durabilité mécanique/chimique. s La présente invention a tout d'abord pour objet un substrat muni sur au moins une partie d'au moins une de ses faces d'un revêtement photocatalytique contenant de l'oxyde de titane photocatalytique (de préférence essentiellement ou majoritairement sous forme anatase), qui se trouve dans un liant essentiellement minéral comprenant au moins un oxyde métallique semi conducteur. On choisit de préférence un oxyde semi-conducteur qui ne présente substantiellement pas, sous illumination solaire, d'activité photocatalytique (ou alors dont l'activité photocatalytique est nettement inférieure à celle du TiO2), et de conductivité électronique significative. Sa résistivité est choisie avantageusement inférieure ou égale à 108 ohm.cm, notamment inférieure ou égale à 107 ou 106 ohm.cm. La résistivité peut même être choisie beaucoup plus faible, par exemple être inférieure à 10 ohm.cm. (Par extension, cette résistivité peut être celle du liant dans son ensemble, sil contient plusieurs s oxydes semiconducteurs et éventuellement dautres composés qui ne le sont pas.) En fait, comme cela sera détaillé par la suite, il s'est avéré que des oxydes semi-conducteurs, présentant donc un certain niveau de conductivité électronique, permettaient, sous forme de liant en association avec du TiO2 o photocatalytique, d'augmenter l'efficacité du processus de photocatalyse, en comparaison avec un liant qui serait isolant électriquement, par exemple un liant à base de SiO2. De manière surprenante, utiliser un tel liant s fonctionnalité. Cette demande se démarque donc de l'enseignement du brevet W099/44954. Il ne s'agit pas, dans la présente invention, de rendre le revêtement plus photocatalytique en utilisant un liant qui est partiellement cristallisé et photocatalytique lui-même. Ici, il ne s'agit pas d'additionner o l'activité photocatalytique importante de particules de TiO2 cristallisées, et celle, plus faible, provenant du liant. Dans l'invention, on ne cherche avant tout à exploiter que les propriétés de conductivité électronique du liant, qui, par ailleurs, peut être tout à fait amorphe, tout à fait dépourvu d'activité photocatalytique per se. s L'invention a ainsi découvert un effet coopératif, une synergie entre le matériau photocatalytique et le matériau avec lequel il est intimement associé: son liant. Selon une première variante de l'invention, au moins une partie de l'oxyde de titane photocatalytique (notamment tout ou la majorité) est so incorporée au revêtement sous forme de particules préformées. On choisit de préférence des particules de taille nanométrique. Ces particules sont généralement sous forme d'agglomérats de cristallites, les agglomérats ayant une taille moyenne d'environ 5 à 80 nm (par exemple 30 à 60 nm) et les cristallites une taille moyenne d'environ 5 à 20 nm (notamment 5 à 10 nm). On les manipule généralement sous forme dune dispersion dans une phase liquide, notamment en suspension collodale en milieu aqueux ou en dispersion dans un ou plusieurs solvants organiques. Ces tailles moyennes correspondent à des diamètres, en assimilant par approximation leurs formes à des sphères (même si s ce n'est pas nécessairement le cas, les particules pouvant avoir aussi une forme lenticulaire ou en forme de bâtonnet). En première approximation, on peut considérer que l'on retrouve dans le revêtement final les mêmes agglomérats, n'ayant subi que peu de modification structurelle ou dimensionnelle. En fait, on a observé que lorsque le procédé de fabrication du revêtement implique un o traitement thermique, il est accompagné généralement d'une augmentation sensible de la taille des cristallites, par exemple d'un facteur 1,5 à 2, 5, comme cela est détaillé dans le brevet W099/44954 précité. Selon une seconde variante, au moins une partie de l'oxyde de titane photocatalytique est constituée lors de la formation du revêtement, notamment s par décomposition thermique de précurseurs de type organométallique ou halogènures métalliques ou sels métalliques. Comme cela est expliqué dans le brevet W097/10186 précité, des techniques de dépôt du revêtement (détaillées par la suite) du type sol-gel ou pyrolyse de précurseurs adhoc permettent de former in situ des "" particules >> de TiO2 photocatalytique (soit dès le dépôt à chaud, soit par cristallisation par un traitement thermique post-dépôt). Dans ce cas là, on a aussi des domaines cristallins de TiO2 (anatase) répartis dans le liant, que l'on peut assimiler aux particules formées au préalable décrites dans la première variante, sachant que peuvent aussi être présents des domaines amorphes de TiO2. Les deux variantes sont alternatives ou cumulatives. Pour amplifier l ' im pact du liant > selon l ' invention (on comprendra sous ce terme, dans le reste du texte, la présence dans le liant d'un ou plusieurs oxydes métalliques semi-conducteurs), on peut augmenter sa conductivité électronique en dopant avec un métal ou un halogène le ou les so oxydes semi-conducteurs du liant. Ce dopage, notamment avec un halogène, peut être réalisé en utilisant une technique de dépôt par décomposition thermique de précurseurs halogénés (qui sont également les précurseurs de l'un des oxydes du revêtement ou qui est un précurseur dont la seule fonction est d apporter l halogène), technique mentionnée plus haut. Pour faciliter lincorporation de lhalogène dans le revêtement, notamment quand on part de précurseurs du type halogénures métalliques, on peut réaliser sur le revêtement, pendant ou après son dépôt, un traitement thermique sous atmosphère sous-stoechiométrique en oxygène s En fait, il faut comprendre le terme uniquement dans le liant ou sur un des composés constituant le liant. Les inventeurs se sont intéressés à la raison pour laquelle on obtenait un niveau photocatalytique, à iso-quantité de TiO2 photocatalytique, plus élevé o avec un liant conducteur. En fait, sous l'effet d'un rayonnement adéquat, centré sur les ultraviolets, des paires électron-trou sont générées dans les particules de TiO2 photocatalytique: les trous initient des réactions radicalaires provoquant l'oxydation de substances organiques, les électrons devant réaliser une réduction électrochimique. La présence d'un liant conducteur permettrait deux s choses: > d'une part, il pourrait accueillir les photo-électrons générés dans le TiO2 photocatalytique, et permettre à ces électrons d'y réaliser une réduction électrochimique, en principe celle de l'oxygène. On a ainsi une coopération entre les particules photocatalytiques et leur liant, les particules o photocatalytiques étant le siège de réactions d'oxydation par les photo-trous, tan dis q ue le lia nt est le siège de réactions de réduction par les photo- électrons qui y ont été transférés. Il y aurait donc optimisation du cycle rédox impliqué par le phénomène de photocatalyse, en permettant aux électrons d'être efficacement utilisés, s > d'autre part, cette encore va dans le sens d'une plus grande efficacité des particules. Deux cas de figure peuvent se présenter, de façon non limitative: > dans un premier cas de figure, le ou au moins un des oxyde(s) métallique(s) o semi-conducteur(s) du liant a le niveau énergétique le plus bas de sa bande de conduction qui est: - i nférieu r ou égal au niveau énergétiq ue le plus bas de la ban de de conduction de l'oxyde de titane photocatalytique, - proche du niveau énergétique électronique (le plus probable) de l'oxygène, E ox' dans le couple rédox O2/H2O2 ou O2/H2O. O - le positionnement relatif des bandes de conduction du liant et de loxyde photocatalytique est important: s'il faut que le liant conducteur ait un niveau suffisant de conduction électronique pour acheminer les électrons en surface du s liant, il faut aussi que la bande de conduction du liant soit proche, de préférence plus basse, en énergie que celle du TiO2 photocatalytique, de façon à ce que les électrons puissent passer d'un matériau à l'autre, - quant au niveau énergétique E ox des couples rédox O2/H2O2 ou O2/H2O, s'il est similaire à celui de la bande de conduction du liant conducteur, la double o réaction de réduction (sur le liant) et d'oxydation (sur le TiO2) va être favorisée, les électrons vont pouvoir réaliser la réduction électrochimique voulue. Un certain nombre d'oxydes respectent ces deux conditions et é. Il s'agit notamment de l'oxyde de titane TiO2, de l'oxyde d'étain SnO2, de l'oxyde d'antimoine (notamment Sb2O3 et/ou Sb2O5), de l'oxyde de zinc ZnO, de s l'oxyde de tungstène WO3, de l'oxyde de cobalt CO3O4, de l'oxyde de nickel NiO, d'un oxyde mixte de cobalt et de nickel NiCO2O4. Chacun de ces oxydes peut aussi être dopé (comme ZnO:Al, SnO2:Sb, SnO2:F, ZrO2:F, Sb2O3:F, ZnO:F). Il peut s'agir aussi d'oxydes mixtes contenant du manganèse (la famille des manganites) et d'oxydes mixtes contenant du cobalt (la famille des cobaltites). o Il sest avéré que les oxydes pré-cités contenant Co, Ni ou Mn ont un intérêt supplémentaire: ce sont des composés qui sont catalytiques vis-à vis de la réduction de l'oxygène. La réaction redox mentionnée plus haut s'en trouve encore favorisée. La littérature a étudié les propiétés catalytiques des oxydes mixtes de Ni et de Co, notamment la publication Surfaces properties of Ni and s Co mixed oxides: a study by X rays, XPS, BET and PZC, de L.A De Faria, JF Koenig, P Chartier et S Trasatti (Electrochemica Acta 44(1998)1481-1489). Des publications décrivent des modes d'obtention par sol-gel d oxydes de Ni et/ou de Co, comme celle de F. Svegl et al. dans Electrochemica Acta 45(2000) 4359- 4371, celle de G. Spinolo et al. dans Journal of Electroanalytical Chemistry 423 o (1997) 49-57, et celle de J.G. Kim et al. dans Applied Surface Science 165(2000) -84. Un mode de réalisation avantageux de l'invention consiste donc à ce que le liant "conducteur" soit non seulement conducteur électronique, mais aussi catalytique vis-à-vis de la réduction de l'oxygène (pour au moins un des oxydes semi-conducteurs qu il contient s il en contient plusieurs). Dans un second cas de figure, le ou au moins un des oxyde(s) métallique(s) semi-conducteur(s) du liant a: - le niveau énergétique le plus bas de sa bande de conduction qui est s supérieur à celui de l'oxyde de titane photocatalytique, - des états électroniques dans la bande interdite, notamment liés à des défauts structuraux et/ou des liaisons pendantes. Il s'agit notamment de l'oxyde d'aluminium Al2O3 et de l'oxyde de zirconium ZrO2 (éventuellement dopés). Malgré le positionnement défavorable de leurs bandes de conduction, ce type o d'oxyde s'est révélé avantageux, car ils ont ainsi des états énergétiques intermédiaires situés dans leur bande interdite qui leur permettent d'accueillir des électrons (et de se rapprocher des niveaux E ox des couples O21H2O2 Ou O2/ H2O). Selon une variante de l ' invention, le liant selon l ' invention peut en outre s comporter au moins un composé isolant électriquement, notamment un dérivé de silicium, comme de l'oxyde de silicium, de l'oxynitrure, de l'oxycarbure ou du nitrure de siliclum. On comprend par " > des matériaux qui ont notamment une résistivité supérieure à 10' ohm.cm, notamment supérieure à 1042 ohm.cm. o Une conséquence extrêmement avantageuse de l'invention est que l'on peut moduler beaucoup plus librement le taux de TiO2 photocatalytique dans le revêtement: des taux même relativement peu élevés permettent quand même d'obtenir des niveaux photocatalytiques satisfaisants grâce à l'effet amplificateur du liant conducteur. Notamment dans la variante o l'on utilise s des particules de TiO2 photocatalytiques préformées, cela peut être d'un intérêt considérable, car un fort taux de particules préformées dans le revêtement tend généralement à en abaisser la durabilité et/ou l'adhérence au substrat sur le quel le revêtement est déposé: l'invention permet ainsi d'obtenir de meilleurs compromis performances /durabilité, plus particulièrement dans cette variante. so On peut ainsi choisir, par exemple, un rapport RTjo2/ian en poids entre l'oxyde de titane photocatalytique et le liant qui varie entre 10/90 et 60/40, notamment 10/90 et 50/50 ou 20/80 et 40/60. En ce qui concerne la composition du liant, on préfère que le taux d'oxyde(s) métallique(s) semi-conducteur(s) dans celui-ci soit d'au moins 25% en poids, notamment d'au moins 50 jusqu'à 100% en poids. Il peut être intéressant, comme on l'a vu plus haut, d'ajouter un matériau nonconducteur comme le SiO2, notamment pour des considérations d'ordre optique: ainsi, la présence de SiO2 peut abaisser l'indice de réfraction global du revêtement, ce qui permet s d'abaisser si besoin est sa réflexion lumineuse. Avantageusement, la quantité d'oxyde de titane présente dans le revêtement est comprise entre 5 et 100,ug/cm2, notamment entre 10 et 50 ou entre 15 et 35,ug/cm2. Ici, il s'agit de l'ensemble de l'oxyde de titane, comprenant à la fois le TiO2 cristallisé photocatalytique et éventuellement aussi o du TiO2 photocatalytique (amorphe) s'il y en a dans le liant. Des modes de réalisation préférés selon l'invention consistent en des revêtements dont le liant est en oxyde de zirconium ou oxyde de titane éventuellement associé à de l'oxyde de silicium. Les revêtements selon l'invention présentent notamment une activité s photocatalytique du revêtement, rapporté à la quantité totale d'oxyde de titane, dau moins 2 nm/h/(,ug/cm2), notamment d'au moins 5, 10 ou 20 nm/h/('ug/cm2). Le fait de rapporter cette activité à la quantité totale de TiO2 permet de mieux évaluer l'impact du liant sur ses performances, comme les exemples le démontreront ultérieurement. Les revêtements selon l'invention, tout particulièrement quand ils sont destinés à recouvrir des verres ou substrats transparents pour faire des vitrages, restent de préférence d'épaisseur interférentielle (au plus 1, um, généralement de l'ordre de 10 à 300 nm). Une variante selon l'invention consiste à associer le revêtement à au moins une autre couche d'épaisseur interférentielle. Il peut notamment s'agir d'une couche à propriétés thermiques (bas-émissive), à fonction optique (pour abaisser le niveau de réflexion lumineuse ou en modifier la couleur par effet interférentiel) ou faisant barrière à la migration d'espèces diffusant hors du substrat: on insère alors la couche entre le substrat et le revêtement. C'est so particulièrement utile quand le substrat est en verre, pour bloquer la diffusion d'alcalins. La souscouche barrière peut être en dérivé de silicium comme de l'oxyde de silicium, de l'oxycarbure ou de l'oxynitrure ou du nitrure de siliclum ou à base d'oxyde métallique éventuellement dopé (SnO2:F, SiO2:Sb,...). Le revêtement peut ainsi constituer la dernière couche d'un empilement réfléchissant la chaleur/bas-émissif, par exemple. Les applications du substrat revêtu selon l'invention ont déjà été évoquées dans le préambule de la demande. Il peut en fait s'agir de tout matériau architectural, notamment un vitrage, un matériau de toiture, un s matériau de bardage, de sol, de faux-plafond. Il peut aussi s'agir de matériaux utilisés dans les moyens de locomotion (automobile, train, avion, bateau) notamment des vitrages ou de matériaux destinés à l'électroménager (parois de four, parois vitrées de réfrigérateur/congélateur,...). Les substrats utilisables sont donc très variés: matériau transparent type o verre ou polymère, céramique, vitrocéramique, bois, métal, ciment, pierre, enduit de face, matériau reconstitué à partir de matériaux naturels, On peut aussi déposer le revêtement sur des matériaux fibreux du type laine minérale d'isolation thermique et/ou acoustique ou encore tout assemblage de fil de renforcement, pour des applications dans le domaine de la s filtration par exemple. Les revêtements selon l'invention étant également hydrophiles, on peut exploiter suivant les applications leurs fonction anti-salissures et/ou bactéricide/fongicide et/ou anti-buée, selon les besoins. L'invention a également pour objet le procédé d'obtention du substrat o revêtu précédemment décrit. On peut utiliser, dans une première variante, une technique impliquant une décomposition thermique d'au moins un précurseur organo-métallique ou sous forme d'un halogénure métallique ou de sel métallique. La phase de dépôt à proprement dite peut être suivie ou non d'un traitement thermique post-dépôt, par exemple de l'ordre de 30 minutes à plusieurs heures vers 350-550 C (dépôt à froid du type sol gel ou dépôt à chaud du type pyrolyse). Dans une seconde variante, on peut utiliser une technique de dépôt sous vide, notamment la puivérisation cathodique, de préférence assistée par champ magnétique. Elle peut être réactive (à partir de cible de métal/métaux, alliages, o avec un dépôt en présence d'espèces oxydantes au moins), ou non-réactive (à partir de cibles de céramique de composition appropriée). L'invention sera décrite ci-dessous plus en détails à l'aide d'exemples non limitatifs et des figures suivantes: Figures 1 à 3: des détails sur les mécanismes probables faisant intervenir le liant conducteur de l'invention dans le niveau d'activité photocatalytique du revêtement, Figure 4: un graphe représentant l'activité photocatalytique de revêtements selon l'invention. s La figure l permet d'illustrer le premier cas de figure mentionné plus haut, à savoir quand le liant conducteur comporte un oxyde semiconducteur dont le niveau le plus bas de sa bande de conduction est en dessous de celui du TiO2 photocatalytique. L'axe X représente le niveau énergétique électronique (eV) croissant, la ligne en traits pleins C correspond au niveau le plus bas de la o bande de conduction du TiO2 photocatalytique et la ligne en traits pointillés C2 correspond à celui, par exemple du SnO2, Sb2O3 ou ZnO (liant), la ligne C3 correspond au niveau d'énergie le plus bas de la bande de valence du TiO2 photocatalytique. L' axe X est la limite entre l' épaisseur du revêtement (à gauche) et sa surface tournée vers l'extérieur (à droite). La ligne hirizontale C4 s représente le niveau de Fermi. Par photo-excitation, des électrons, symbolisés e, vont donc passer de la bande de conduction du TiO2 à celle, par exemple, du SnO2 plus basse en énergie. L'électron tend ensuite à être acheminé à la surface du revêtement. La figure 3 représente, sur une échelle en ordonnée, l'énergie (à pH = 7, o en eV) du bas de la bande de conduction de différents oxydes, ainsi que les niveaux E ox de l'oxygène dans les couples en O2/H2O2 et O2/H2O (E ox est le niveau le plus probable, au centre d'une gaussienne de largeur voisine de 0.8 eV). On peut vérifier que SnO2, par exemple, qui se trouve entre les deux niveaux des couples O2/H2O2 et/ou O2/H2O, est bien placé pour opérer une réduction électrochimique de l oxygène en H2O2 ou H2O avec les électrons qu'il a récupérés des particules photocatalytiques. Les oxydes TiO2, Sb2O3, ZnO, NiO sont également appropriés; WO3 et CO3O4 sont un peu bas mais peuvent encore convenir, puisqu'ils diffèrent de moins de 0,5 eV, notamment moins de 0,4 eV, du potentiel rédox du couple O2/H2O, et CO304 est un oxyde conu pour être so catalytique vis à vis de la réduction de loxygène. Le second cas de figure mentionné plus haut est illustré par la figure 2: dans ce cas, avec les mêmes conventions que pour la figure 1, la bande de conduction du liant conducteur, par exemple en ZrO2 ou en Al2O3 est audessus de celle du TiO2 photocatalytique. Leurs positions dans la figure 3 ne paraissent pas, théoriquement, favorables. En fait, ces deux oxydes permettent également d'accueillir les électrons provenant du matériau photocatalytique, car ils possèdent des états énergétiques intermédiaires dans leurs bandes interdites (symbolisés à la figure 2 par une zone hachurée le long de l axe X. s EXEMPLES 1 à 5 Ces cinq exemples se rapportent à un substrat en verre clair silico-sodo- calcique de 3 mm, surmonté d'une première couche en SiOC déposée de façon connue par CVD (pyrolyse en phase gazeuse (Chemical Vapor Deposition), puis d un revêtement photocatalytique constitué d'un liant mixte SiO2 + TiO2 enrobant o des particules de TiO2 préformées. Le dépôt se fait par sol-gel, par dip-coating, comme décrit dans le brevet pré-cité W099/44954, à partir d'une solution contenant les précurseurs du liant et utilisant: comme solvant: de l'éthanol et de l'éthylène glycol en proportions s massiques 75/25 comme stabilisant: de l'acétylacétonate, comme précurseur de TiO2: du tétrabutoxyde de titane (TBT) comme précurseur de SiO2: du tétraéthylorthosilicate (TEOS) et d'une dispersion, qui est: o la phase liquide en éthylène glycol contenant les particules cristallisées photocatalytiques, de caractéristiques suivantes: surface spécifique des particules: > 350 m2/g taille des particules: 40 nm taille des cristallites qui constituent les particules: 7 nm s phase cristalline: anatase à plus de 80% On associe ensuite la solution et la dispersion dans des concentrations/ proportions ad hoc pour avoir dans le revêtement les taux de TiO2 et de SiO2 et de nano-particules voulus dans le liant. L'activité photocatalytique du revêtement est mesurée de la façon so suivante, en utilisant de l'acide palmitique: Une couche d'acide palmitique est déposée par puivérisation à partir d'une solution dans le chloroforme sur la plaque à tester. La quantité déposée est ensuite déterminée par pesée. La plaque est ensuite placée sous irradiation UV (environ 30 W/m2) et le flou induit par la présence de l'acide palmitique est mesuré au cours du temps. Ceci permet de déterminer la vitesse de disparition de l'acide palmitique, exprimée en nm/h. Cette vitesse peut également être ramenée à la quantité totale de TiO2 (en,ug/cm2) présent sur le vitrage étudié (représentative de l'épaisseur de la couche) et s'exprime alors en (nm/h)/(,ug/cm2). Les revêtements selon les cinq exemples contiennent tous 50% en poids de nano-particules de TiO2 préformées, et 50% en poids en liant réparti entre SiO2 et TiO2. Ils ont été recuits après dépôt vers 500 C. Le tableau 1 ci-dessous regroupe pour chacun des exemples les données suivantes (l'exemple 1 a un liant 100% SiO2 et est donc un exemple comparatif): o > le taux de TiO2 par rapport à SiO2 dans le liant, en % molaire: " >, > le niveau d'activité photocatalytique des revêtements " AP >>, selon le test décrit plus, exprimé en nm/h/(gg/cm2), rapporté à la quantité totale de TiO2 dans le revêtement. EXEMPLE | % TiO2 LIANT | AP | 1 (comparatif) 0 ( 100% SiO2) 1.1 2 14 1.5 2.2 4 50 6.8 75 7.8 TABLEAU 1 EXEMPLE 6 Cet exemple concerne un revêtement déposé sur le même substrat et par une technique dite de " dip-coating >> contenant 50% en poids de nanoparticules de TiO2 préformées (celles utilisées dans les exemples précédents) et 50% d'un liant à base de 100% d'oxyde de zirconium. o Le mode opératoire est le suivant: on ajoute de l'isopropoxyde de zirconium dans de l'isopropanol. On y ajoute de l'acétylacétone, et on effectue une dilution avec de l'éthanol. On mélange ensuite cette solution à une dispersion de nano-particules en suspension collodale dans de l'eau acidifié avec de l'acide nitrique. Après dépôt, le revêtement est recuit vers 500 C, s l'activité photocatalytique AP du revêtement ainsi obtenu est. selon la convention utilisée pour les exemples précédents, de 2,5 nm/h/(g/cm2). EXEMPLES 7 et 8 Ces exemples concernent des revêtements ne contenant (en poids) que % de nano-particules préformées. L'exemple 7 est l'exemple comparatif, comprenant un liant 100% SiO2, le dépôt se fait par dip-coating. L'exemple 8 utilise un liant 100% SnO2 dopé à l'antimoine. s Pour l'exemple 7, on utilise une suspension collodale de nanoparticules de TiO2 comme à l'exemple 6 et une solution à base de TEOS. Pour l'exemple 8, le mode opératoire est le suivant: on dissout du chlorure d'étain II (SnCl2) dans du diméthyl formamide. On dissout ensuite du chlorure d'antimoine dans du diméthyl formamide, et on ajoute cette seconde o solution à la première. On ajoute ensuite une suspension collodale de nano particules de TiO2 comme précédemment, dont la concentration a été ajustée. Le revêtement est déposé par dip-coating. Il est ensuite recuit vers 500 C. Pour l'exemple 7, l'activité photocatalytique AP mesurée est de 0,1 nm/h/(g/cm2). s Pour l'exemple 8, l'activité photocatalytique AP mesurée est de 3 nm/h/(,ug/cm2). De cette série d'exemples 1 à 8, on voit qu'à iso-quantité de TiO2, le liant influe directement sur l'activité photocatalytique du revêtement alors qu'il n ' est pas (ou quasi ment) pas photocatalytique lui-même. o Cela est notamment frappant pour l'exemple 8, qui contient très peu de nano-particules de TiO2 photocatalytique. On prouve ainsi l'importance des propriétés semi-conductrices et de conduction électronique du liant. Pour mémoire, on rappelle ci-dessous les résistivités électriques d'oxydes conducteurs pouvant être utilisés dans la cadre de l'invention, en comparaison avec celles du verre et du siO2 ZnO:Al 10 3 SnO2:Sb 1 o-2 SnO2 5 ZrO2 1 07 TiO2 105 Verre 102 SiO2 1 oi7 Trois séries d'exemples A, B. C ont ensuite été faites, en utilisant un liant mixte TiO2 + SiO2 et des nano-particules de TiO2, de façon similaire à la série d'exemples 1 à 5 (même mode de dépôt, mêmes précurseurs). Le tableau 2 ci-dessous résume, pour chaque exemple de chaque série, (les pourcentages sont en poids) s > Le % de TiO2 nano-particulaire > Le % TiO2 du liant > Le % SiO2 du liant - La valeur d'activité photocatalytique du revêtement dans son ensemble AP', exprimée en nm/h, la valeur d'activité photocatalytique du revêtement o rapporté à la quantité totale de TiO2 dans le revêtement AP exprimée en nm/h/(,ug/cm2), et la quantité Q de TiO2 (contenue dans les nano-particules et le liant) dans le revêtement exprimée en,ug/cm2. % TiO2 % TiO2 % SiO2 AP' Q = quantité de TiO2 AP nano- dans le dans le (nanoparticules+liant) particulaire liant liant nm.h I 1lg.cm 2 nm.h'. lig'.cm2 SérieOA 0 1 B 22.3 0.81 100 0 128 23.7 5.40 100 0 159 22.9 6.94 100 0 231 24.8 9.30 100 0 210 24.1 8.71 100 0 167 18.5 9.03 100 0 222 22.7 9.78 Série B 14 66 0 0 14 86 0 8.3 0 14 86 0 17.6 0 14 86 58 32.7 1.77 14 86 233 42.1 5.53 14 86 535 49.7 10.77 1 14 1 86 1 15 1 9 7 1 1.55 25 75 25 11.3 2.21 50 50 88 12.9 6.82 75 25 137 17.5 7.83 Tableau 2 La figure 4 représente sous forme d'un graphe l'activité photocatalytique s de ces revêtements: en abscisse est représenté le pourcentage en poids de nano-particules dans le revêtement, et en ordonnée la valeur AP: elle met tout à fait en évidence que plus il y a de TiO2 dans le liant, plus l'activité photocatalytique augmente (série C). La comparaison de la série B et de la série C montre bien que la quantité de matériau conducteur électronique dans le liant a un impact aussi significatif sur le niveau d'activité photocatalytique du revêtement que la quantité de nano-particules du TiO2. EXEMPLES SELON UNE SERIE D s Une dernière série d'exemples concerne la variante o le TiO2 photocatalytique est généré in situ par décomposition thermique de précurseurs adhoc et cristallisé au moins partiellement (ce qui peut nécessiter une opération de recuit post-dépôt). Ces exemples utilisent différents types de liant à part le TiO2. Le TiO2 o provenant de la décomposition thermique de précurseurs est en partie cristallisé anatase (photocatalytique) et en partie amorphe. Les dépôts se font par pyrolyse liquide sur un substrat en verre déjà utilisé pour les exemples précédents. Le tableau 3 ci-dessous regroupe pour chacun des exemples de cette s série: > Le type de liant (la formule Sb20x signifie quil s'agit soit de Sb2O3 soit de Sb2O5, la stoechiométrie en oxygène n ayant pas été mesurée) > La quantité de TiO2 dans les revêtements (mesurée par fluorescence X: exprimée en,ug/cm2: QTIO2 o > La valeur AP telle que précédemment définie, en nm/h/(,ug/cm2) > La quantité de matière totale du revêtement, exprimée également en ug/cm2: QTOT Pour tous ces exemples, la proportion entre le TiO2 (qu'il soit cristallisé ou amorphe) et les autres composants du revêtement (le liant) est de 90% en mole s de TiO2 pour 10%o en mole de Si ou d'un autre métal suivant les exemples. EXEMPLES QTIO2 QTOT LIANT AP D-10 15.4 15.4 TiO2 19.4 D-11 12.1 14.6 SnO2 11.5 D-12 12.4 15. 0 SnO2:F 12.5 D- 13 11.1 12.7 Al2O3 4.8 D-14 11.8 13.5 Al203:F 4.7 D- 15 15.8 18.5 ZrO2 17.8 D-16 16.0 18.7 ZrO2:F 20.0 D- 17 19.5 25.0 Sb2Ox 3. 0 D-18 17.0 21.8 Sb2OX:F 1.5 D-19 19.6 21.8 ZnO 1.8 D-20 20.3 22. 6 ZnO:F 2.2 TABLEAU 3 Les précurseurs pour chacun de ces exemples sont des précurseurs de type organo-métallique, halogénure ou sel métallique, connus de la littérature. Pour l'exemple D-10 constitué entièrement de TiO2, il s'agit du même s précurseur que dans les exemples 1 à 5. Le tableau 4 ci-dessous mentionne pour ces exemples les valeurs de transmission lumineuse T mesurées selon l'liluminant D65 des verres ainsi revêtus, ainsi que les valeurs de réflexion lumineuse R (même liluminant). Il indique aussi la valeur de transmission diffuse Td en % également, et la valeur de o Delta Td, qui correspond à la variation de transmission diffuse des revêtements après avoir subi le test d'abrasion mécanique suivant: on fait subir au revêtement un test de frottement à sec consistant en un mouvement de vaet- vient combiné à une rotation propre d'un cylindre chargé. La charge de cylindre est de 390 gIcm2, la vitesse de va-et-vient est de 50 allers/retours par minute, s et la vitesse de rotation propre est de 6 tours par minute. La valeur de Td est mesurée après 500 cycles de va-et-vient. _ TABLEAU 4 Ces résultats confirment les précédents: les liants " > permettent d'améliorer dans de larges proportions les performances des revêtements photocatalytiques, en obtenant en outre des revêtements résistants à l'abrasion et de bonne qualité optique. En conclusion, l'ensemble de ces résultats montre que l'on peut s sélectionner au mieux les liants conducteurs selon l'invention, qui permettent d'évacuer des particules/domaines cristallins photocatalytiques les électrons photo-générés, et d'opérer dans le revêtement des réactions rédox avantageuses. REVENDICATIONS 1. Substrat muni sur au moins une partie d'au moins une de ses faces d'un revêtement à propriétés photocatalytiques contenant de l'oxyde de titane photocatalytique, notamment cristallisé sous forme anatase, dans un liant s essentiellement minéral comprenant au moins un oxyde métallique semi- conducteur. 2. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce qu 'au moins une partie de l'oxyde de titane photocatalytique est incorporée au revêtement sous forme de particules pré-formées, notamment de taille nanométrique. o 3. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu 'au moins une partie de l' oxyde de titane photocatalytique est constituée lors de la formation du revêtement, notamment par décomposition thermique de precurseurs. 4. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le ou au moins un des oxyde(s) métallique(s) semi-conducteur(s) du liant a une résistivité électrique inférieure ou égale à 108 ohm.cm. 5. Substrat selon lune des revendications précédentes, caractérisé en ce que le ou au moins un des oxyde(s) métallique(s) semi-conducteur(s) du liant est catalytique vis-à-vis de la réduction de l'oxygène. o 6. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le ou au moins un des oxydes(s) métallique(s) semi-conducteur(s) du liant est dopé, notamment par un métal ou un halogène. 7. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le ou au moins un des (oxyde(s) métallique(s) semi-conducteur(s) du liant: s > a le niveau énergétique le plus bas de sa bande de conduction qui est inférieur ou égal au niveau énergétique le plus bas de la bande de conduction de l'oxyde de titane photocatalytique, > est proche du niveau énergétique électronique le plus probable de l'oxygène dans le couple rédox O2/H2O2 et/ou O2/H2O. o 8. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le ou au moins un des oxyde(s) métallique(s) semi-conducteur(s) du liant est à base d'oxyde de titane, d'oxyde d'étain, d'oxyde d'antimoine, d'oxyde de zinc, d'oxyde de tungstène, d'oxyde de cobalt, d'oxyde de nickel, d'oxyde mixte de cobalt et de nickel, éventuellement dopé(s), doxyde mixte choisi parmi les manganites et les cobaltites.,; 9. Substrat selon l'une des revendications 1 à 6 caractérisé en ce que le ou au moins un des oxyde(s) métallique(s) semi-conducteur(s) du liant: - a le niveau énergétique le plus bas de sa bande de conduction qui est supérieur au niveau énergétique le plus bas de la bande de conduction de l'oxyde de titane photocatalytique, - a des états électroniques dans la bande interdite, notamment liés à des défauts structuraux et/ou des liaisons pendantes. 10. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en o ce que le ou au moins un des oxyde(s) métallique(s) semi-conducteur(s) du liant est à base d'oxyde de zirconium ou d'oxyde d'aluminium éventuellement dopés. 11. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le liant comprend aussi un composé isolant électriquement, notamment un dérivé de silicium comme l'oxyde de silicium, l'oxynitrure, l'oxycarbure ou le nitrure de silicium. 12. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le taux d' oxyde(s) métallique(s) semi-conducteur(s) dans le liant est d ' au moins 25% en poids, notamment d'au moins 50% jusqu'à 100% en poids. 13. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en o ce que le rapport en poids entre l'oxyde de titane photocatalytique et le liant RTjO2/[jan varie entre 10/90 et 60/40, notamment entre 10/90 et 50/50. 14. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la quantité d'oxyde de titane présente dans le revêtement est de 5 à 100 ug/cm2, notamment de 10 à 50 g/cm2. s 15. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le liant est un mélange d'oxyde de zirconium ou d'oxyde de titane avec de l'oxyde de silicium. 16. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'activité photocatalytique du revêtement est d'au moins 2 nm/h/(, ug/cm2), notamment d'au moins 5 ou 10 ou 20 nm/h/(gg/cm2), rapporté à la quantité totale d'oxyde de titane dudit revêtement. 17. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu 'au moins une couche mince à fonction optique, thermique en faisant barrière à la migration d'espèces diffusant du substrat est disposée entre ledit substrat et le revêtement à propriétés photocataLytiques. 18. Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il s'agit d'un matériau architectural, notamment un vitrage, un matériau de toiture, de bardage, de sol, un faux-plafond, ou un matériau destiné à équiper des moyens de locomotion, notamment un vitrage pour automobile, train, avion, bateau, ou d'un matériau destiné à l'électroménager, notamment pour des parois de four ou des parois vitrées de rétrigérateur /congélateur. 19 Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce o qu'il est à base de matériau transparent du type verre ou polymère, ou à base de céramique ou à base de tuile ou de brique, ou à base de bois, métal, ciment, pierre, enduit, ou à base de matériau fibreux du type laine de verre d'isolation ou assemblage de fils de verre de renforcement. 20. Procédé d'obtention du substrat selon l'une des revendications s précédentes, caractérisé en ce qu'on dépose le revêtement à propriétés photocatalytiques par une technique impliquant la décomposition thermique d'au moins un précurseur organo-métallique ou halogénure métallique, du type sol-gel, pyrolyse de poudre, pyrolyse liquide, pyrolyse en phase gazeuse. 21. Procédé selon la revendication 20 caractérisé en ce que, pour o faciliter l'incorporation d'halogène dans le revêtement, quand il est obtenu à partir dau moins un précurseur de type halogénure métallique, on réalise un traitement thermique dudit revêtement sous atmosphère sousstoechiométrique en oxygène. 22. Procédé d'obtention du substrat selon l'une des revendications 1 à 19, s caractérisé en ce qu 'on dépose le revêtement à propriétés photocatalytiques