FR 2830685 A1 20030411 FR 0112978 A 20011009 CONTACT DE BASE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE L'invention concerne le domaine des transistors bipolaires, et plus particulièrement le domaine des transistors bipolaires de puissance. Les transistors bipolaires peuvent notamment être des transistors bipolaires à simple homojonction, à simple hétérojonction, ou à double hétérojonction. Les transistors de puissance, notamment dans le domaine hyperfréquence, pour des applications civiles ou bien militaires, ont une caractéristique importante qui est leur puissance de sortie. A cette caractéristique de puissance de sortie du transistor bipolaire se rattache directement celle de gain en puissance du transistor bipolaire. Un problème connu est d'augmenter cette caractéristique de puissance de sortie en dégradant le moins possible les autres caractéristiques du transistor bipolaire. Un transistor bipolaire comporte un émetteur, une base et un collecteur. Un transistor bipolaire comporte également des contacts en matériau conducteur qui sont respectivement associés à l'émetteur, à la base et au collecteur. Les contacts en matériau conducteur du transistor bipolaire sont distincts des couches actives en matériau semi-conducteur du transistor bipolaire. Dans le domaine des transistors bipolaires hyperfréquence, chaque contact comprend généralement un ou plusieurs doigts sous forme de rubans ainsi qu'un bus ou un pont alimentant en courant ledit ou lesdits doigts ou récupérant le courant issu du ou desdits doigts. Selon un premier art antérieur, pour augmenter la puissance de sortie du transistor bipolaire, il est proposé d'augmenter la surface totale du contact de l'émetteur. En effet, la surface totale du contact de l'émetteur est directement liée à la puissance de sortie maximale que peut fournir un transistor bipolaire. Pour cela, il'est proposé de modifier la topologie du transistor bipolaire en augmentant le nombre de doigts que comporte le contact d'émetteur ainsi que de façon correspondante le nombre des doigts que comportent les autres contacts. Cependant, au fur et à mesure de l'augmentation du nombre de doigts, à partir d'un certain nombre de doigts, plusieurs inconvénients apparaissent. L'un des inconvénients est la chute du gain en puissance du transistor bipolaire due d'une part à l'augmentation de l'inductance équivalente du pont du contact d'émetteur alimentant en courant les doigts du contact d'émetteur et d'autre part à l'élargissement des bus du contact de base et du contact de collecteur ; dans le domaine hyperfréquence, cette diminution conjointe du gain en puissance et de la puissance de sortie devient, par exemple et à titre non limitatif, notable à partir d'une dizaine de doigts du contact d'émetteur en bande X. Un autre inconvénient est la différence de phase entre les courants qui alimentent respectivement un doigt central du contact d'émetteur et un doigt extérieur du contact d'émetteur ; cet inconvénient va devenir particulièrement gênant dans le domaine hyperfréquence au fur et à mesure que la fréquence de fonctionnement du transistor bipolaire va augmenter. Un autre inconvénient est l'importance de la place prise par le contact d'émetteur comportant une dizaine de doigts. Selon un deuxième art antérieur, pour augmenter la puissance de sortie du transistor bipolaire, il est également proposé d'augmenter la surface totale du contact de l'émetteur. En effet, la surface totale du contact de l'émetteur est directement liée à la puissance de sortie maximale que peut fournir un transistor bipolaire. Pour cela, il est proposé de modifier la topologie du transistor bipolaire en augmentant la longueur du ou des doigts que comporte le contact d'émetteur ainsi que de façon correspondante le nombre des doigts que comportent les autres contacts. Cependant, au fur et à mesure de l'augmentation de la longueur du ou des doigts, à partir d'une certaine longueur de doigt, des inconvénients apparaissent. L'un des inconvénients est l'augmentation de l'impédance des doigts du contact de base et des doigts du contact de collecteur. L'augmentation de l'impédance des doigts du contact de base, d'abord et surtout, et l'augmentation de l'impédance des doigts du contact de collecteur, ensuite et dans une moindre mesure, ont pour conséquence de diminuer le gain en puissance du transistor bipolaire et donc la puissance de sortie du transistor bipolaire. Dans le domaine hyperfréquence, cette diminution conjointe du gain en puissance et de la puissance de sortie devient notable, par exemple et à titre non limitatif, à partir d'une longueur dépassant environ 80um en bande X. Une autre conséquence de cet inconvénient est d'entraîner des inhomogénéités substantielles au niveau de la densité de courant traversant le collecteur et au niveau de la puissance dissipée dans le transistor bipolaire, ce qui a surtout des effets néfastes au niveau de la fiabilité du transistor bipolaire car celui-ci est localement, c'est-à-dire au niveau de certaines de ses parties constitutives, soumis à un courant et à une dissipation thermique d'énergie nettement supérieurs à ceux pour lesquels ce transistor bipolaire a été conçu. La fiabilité du transistor bipolaire est notablement dégradée. Selon un troisième art antérieur, afin de réduire l'impédance des doigts du contact de base, principal facteur diminuant la puissance de sortie du transistor et dégradant son gain en puissance après application du deuxième art antérieur, la section des doigts du contact de base est augmentée de manière à réduire l'impédance des doigts du contact de base. Un inconvénient de cet art antérieur réside dans le fait que l'augmentation importante de la section des doigts du contact de base entraînant une diminution notable et intéressante de l'impédance des doigts du contact de base est limitée car elle s'accompagne d'une augmentation correspondante de la surface occupée par le contact de base et par conséquent également de la surface totale occupée par le transistor bipolaire. L'invention se propose, seule ou en combinaison avec les solutions de l'art antérieur précédemment évoquées, d'augmenter à la fois la puissance de sortie et la fiabilité des transistors bipolaires par l'intermédiaire d'une solution simple et relativement aisée à mettre en oeuvre. En décidant de considérer la famille des causes tendant à diminuer la puissance de sortie d'un transistor bipolaire et la famille des causes tendant à diminuer la fiabilité d'un transistor bipolaire, on s'aperçoit que l'une d'entre elles, commune aux deux familles, est l'inégalité des impédances respectivement vues par les différentes parties du ou des doigts du contact de base, ou plus précisément par les différentes sections, successivement disposées dans le sens de la longueur, du ou des doigts du contact de base. Lorsque le doigt de base comporte un ruban de base alimenté par une de ses extrémités, le début du ruban de base voit un signal assez différent de celui qui est vu par la fin zu du ruban de base. La solution de l'invention propose donc une structure particulière de doigt du contact de base, applicable à seulement un, à plusieurs ou bien à tous les doigts du contact de base, permettant une uniformisation des impédances vues les différentes sections du ou des doigts du contact de base correspondants, de manière à réduire les inhomogénéités au niveau de la densité de courant et de la puissance dissipée, de sorte que la puissance de sortie et le gain en puissance du transistor bipolaire ainsi que sa fiabilité soient améliorés. Au contraire des structures de doigt du contact de base selon les différents art antérieurs dans lesquels chaque doigt du contact de base est constitué d'un ruban de base alimenté par une seule de ses deux extrémités, cette structure particulière selon l'invention est basée sur l'utilisation d'un ruban de base alimenté par ses deux extrémités, ses deux extrémités étant respectivement alimentées par des courants d'amplitude équivalente mais de sens opposé. Selon l'invention, il est prévu un transistor bipolaire comportant au moins un contact de base en matériau conducteur comprenant un ou plusieurs doigts, caractérisé en ce qu'au moins un doigt comporte un ruban disposé de manière à pouvoir être alimenté au niveau de chacune de ses extrémités par un courant d'alimentation qui soit de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale au courant d'alimentation de l'autre extrémité. Selon l'invention, il est prévu plus précisément un transistor bipolaire de puissance comportant au moins un émetteur, une base, un collecteur, un contact d'émetteur, un contact de base, un contact de collecteur, les contacts étant en matériau électriquement conducteur et comportant chacun un bus relié à un ou plusieurs doigts, chaque doigt du contact de base étant en regard d'au moins un doigt du contact de l'émetteur, le ou les doigts du contact de base étant suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, caractérisé en ce que pour au moins un doigt du contact de base, le doigt du contact de base comporte un ruban de base, le ruban de base et le bus du contact de base sont structurés et disposés d'une part de manière à ce que chacune des extrémités du ruban de base puisse être alimentée par un courant d'alimentation issu du bus du contact de base et d'autre part de manière à ce que les deux courants d'alimentation entrant respectivement par les deux extrémités du ruban de base soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, de sorte que les impédances respectivement vues par les différentes parties du ruban de base sont plus uniformes entre elles que les impédances qui seraient vues par les différentes parties d'un même ruban de base alimenté par une seule de ses extrémités. L'invention sera mieux comprise et d'autres particularités et avantages apparaîtront à l'aide de la description ci-après et des dessins joints, donnés à titre d'exemples, où : - la figure 1 représente schématiquement la vue de dessus de la structure d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention, ledit doigt étant environné par des doigts des contacts d'émetteur et de collecteur ; - la figure 2 représente schématiquement la décomposition détaillée en parties élémentaires passives équivalentes d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur comme selon l'invention. Un transistor bipolaire de puissance est un transistor destiné à pouvoir fournir une puissance élevée, son gain en puissance et sa puissance de sortie étant des paramètres. Un transistor bipolaire comporte au moins, de manière classique, un émetteur avec un contact d'émetteur associé, une base avec un contact de base associé, un collecteur avec un contact de collecteur associé, les différents contacts étant en matériau électriquement conducteur lequel matériau électriquement conducteur est de préférence un matériau métallique. Les différents contacts peuvent aussi être thermiquement conducteurs ou non : c'est indifférent en ce qui concerne le principe de l'invention. Les contacts sont destinés à être reliés aux connexions qui relient les différents composants électroniques dans un circuit électronique. Pour un transistor bipolaire destiné à fonctionner dans le domaine hyperfréquence, chaque contact comporte un bus et un ensemble de un ou de plusieurs doigts, généralement plusieurs, qui sont reliés au bus de manière à pouvoir être alimentés par le bus. Le bus peut également être appelé pont lorsqu'il n'est pas sensiblement dans le même plan que les doigts. La disposition relative du bus et des doigts permet au bus d'alimenter en parallèle l'ensemble des doigts de manière sensiblement simultanée. Les doigts de chaque type de contact, que ce soit de l'émetteur, de la base ou du collecteur, sont généralement alignés parallèlement les uns aux autres. Les doigts des différents types de contact s'intercalent les uns entre les autres de manière à ce que, par exemple pour un transistor en émetteur commun, chaque doigt du contact de base soit en regard de deux doigts du contact d'émetteur, chaque doigt du contact de collecteur soit en regard de deux doigts du contact d'émetteur, chaque doigt du contact d'émetteur soit en regard à la fois d'un doigt du contact de base et d'un doigt du contact de collecteur. Les doigts des différents types de contact peuvent également s'intercaler les uns entre les autres de manière à ce que, par exemple, chaque doigt du contact de base soit en regard à la fois d'un doigt du contact d'émetteur et d'un doigt du contact de collecteur, chaque doigt du contact de collecteur soit en regard de deux doigts du contact de base, chaque doigt du contact d'émetteur soit en regard de deux doigts du contact de base. Le transistor bipolaire considéré ici correspond à un transistor bipolaire ayant la caractéristique avantageuse particulière des transistors bipolaires selon le deuxième art antérieur, à savoir un ou plusieurs longs doigts du contact de base. Le ou les doigts du contact de base sont suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, c'est-àdire que leur longueur est telle qu'avec une structure de doigt du contact de base selon le deuxième art antérieur la densité du courant et la puissance dissipée seraient substantiellement inhomogènes ; en fait grâce à la structure particulière de doigt du contact de base du transistor bipolaire selon l'invention, ces inhomogénéités seront réduites. Pour au moins l'un des doigts du contact de base, ou pour plusieurs des doigts du contact de base ou préférentiellement pour tous les doigts du contact de base, la section du doigt du contact de base est de préférence importante, car une section du doigt du contact de base importante diminue l'impédance du doigt du contact de base et donc diminue les impédances vues par les différentes sections du doigt du contact de base, ce qui est intéressant et contribue à l'uniformisation des impédances vues par les différentes sections composant le doigt du contact de base, uniformisation qui est recherchée par la structure particulière du ou des doigts de base selon l'invention. Plus précisément, la section du doigt de base est suffisamment importante pour que les inhomogénéités de densité du courant et de puissance dissipée soient plutôt dues à l'inductance du ou des doigts du contact de base qu'à la résistance du ou des doigts du contact de base. Que l'invention concerne un ou plusieurs doigts du contact de base, on ne parlera, par souci de simplicité, dans toute la suite du texte, sauf mention contraire, au niveau de la structure du ou des doigts du contact de base, que d'un ou du doigt du contact de base. Le doigt du contact de base comporte un ruban de base. Le doigt du contact de base peut comporter un ou plusieurs autres rubans ainsi qu'un ou plusieurs autres éléments, mais le doigt du contact de base est de préférence constitué dudit ruban de base, c'est-à-dire ne comporte que ce seul ruban de base. Le ruban de base et le bus du contact de base sont structurés et disposés de manière à ce que chacune des extrémités du ruban de base puisse être alimentée, c'est-à-dire soit alimentée lors du fonctionnement du transistor bipolaire, par un courant d'alimentation issu du bus du contact de base. Le ruban de base et le bus du contact de base sont également structurés et disposés de manière à ce que les deux courants d'alimentation entrant respectivement par les deux extrémités du ruban de base soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, de sorte que les impédances vues par les différentes parties du ruban de base sont plus uniformes entre elles que les impédances qui seraient vues par les différentes parties d'un même ruban de base alimenté par une seule de ses extrémités. Les valeurs des amplitudes des deux courants doivent être suffisamment voisines, car plus elles sont différentes et plus la différence entre les impédances vues par les différentes sections du doigt du contact de base est importante jusqu'à devenir équivalente à la différence desdites impédances dans les structures selon l'art antérieur, auquel cas ni la puissance de sortie (équivalente au gain en puissance du transistor bipolaire) ni sa fiabilité ne sont améliorées de manière sensible. Le ruban de base selon l'invention est alimenté par deux courants, chaque courant entrant dans le ruban de base au niveau de l'une de ses extrémités, c'est-à-dire que chaque courant entre de préférence par l'extrémité elle-même, l'effet d'uniformisation est optimal dans cette situation, mais peut également entrer au voisinage de ladite extrémité. Par contre, si l'un des courants entre par une des extrémités tandis que l'autre courant entre par le milieu du ruban de base, l'effet d'uniformisation est nettement moins bon et la structure obtenue plus complexe et plus difficile à réaliser. De manière plus précise et à titre d'exemple préférentiel, la structure d'un doigt du contact de base selon l'invention va maintenant être décrite en liaison avec la figure 1. La figure 1 représente schématiquement la vue de dessus de la structure d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention, ledit doigt étant environné par des doigts des contacts d'émetteur et de collecteur. Un bus 10 du contact de base alimente en courant un ruban 19 de base d'une part directement au niveau d'une extrémité 17 et d'autre part indirectement au niveau de l'autre extrémité 18 par l'intermédiaire de deux branches de contournement 14 et 15 décrites plus en détail ultérieurement. Un courant i1 d'alimentation entre dans le ruban 19 de base par l'extrémité 17 tandis qu'un courant i2 d'alimentation entre dans le ruban 19 de base par l'extrémité 18. Les courants d'alimentation i1 et i2 sont de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale. Un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention comprend de préférence un seul ruban 19 de base. Mais ce doigt du contact de base peut aussi comprendre plusieurs rubans de ce type juxtaposés les uns par rapport aux autres. Tous les éléments 10,14, 15, et 17 à 19 sont dans le même plan, à savoir le plan XY qui est aussi le plan de la figure 1, ce qui confère une grande simplicité à la structure particulière de doigt du contact de base selon l'invention, car aucune couche supplémentaire dans le sens de l'épaisseur, c'est-à-dire selon l'axe Z, n'est nécessaire pour implémenter ladite structure particulière ; le procédé de réalisation de ladite structure particulière selon l'invention ne comporte donc pas d'étape supplémentaire par rapport au procédé selon l'art antérieur, et n'est par conséquent pas notablement plus complexe que ledit procédé selon l'art antérieur. Un bus 20 du contact de collecteur alimente directement deux doigts 2 du contact de collecteur. Deux doigts 3 du contact d'émetteur sont alimentés par un pont d'émetteur qui les relie l'un à l'autre mais qui n'est pas représenté sur la figure 1 car il est situé audessus du plan de la figure 1. Sur la figure 1, n'a été représenté qu'un seul doigt du contact de base. Mais le contact de base du transistor bipolaire selon l'invention en comporte généralement plusieurs avec les doigts du contact d'émetteur et les doigts du contact de collecteur qui leur sont associés. Dans le cas d'un transistor bipolaire en émetteur commun, la succession des doigts le long de l'axe X est périodique, la période étant la série suivante : doigt du contact de collecteur, doigt du contact d'émetteur, doigt du contact de base, doigt du contact d'émetteur. En cas de pluralité de doigts du contact de base, les branches de contournement 14 et 15 sont de préférence communes à l'ensemble des doigts de base du transistor bipolaire selon l'invention. De préférence, l'une des deux extrémités du ruban de base est alimentée directement par le bus du contact de base tandis que l'autre extrémité dudit ruban de base est alimentée indirectement par le bus du contact de base par l'intermédiaire d'au moins une branche de contournement appartenant au contact de base. La ou les branches de contournement et le ruban de base sont avantageusement tous situés dans le même plan comme sur la figure 1. De préférence, la section de la branche de contournement est suffisamment supérieure à la section du ruban de base pour que la résistance de la branche de contournement soit négligeable devant la résistance du ruban de base de manière à ce que les deux courants d'alimentation entrant respectivement par les deux extrémités du ruban de base soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles. Dans un exemple numérique préférentiel, tandis que la largeur du ruban de base vaut environ 5um, la largeur de la ou des branches de contournement est avantageusement comprise entre 20um et 30um. L'épaisseur du ruban de base vaut par exemple 0, 6um. La longueur de la branche de contournement vaut avantageusement au plus de l'ordre de quelques fois la longueur du ruban de base. Dans un exemple numérique préférentiel, tandis que la longueur du ruban de base vaut environ 150um, la longueur de la ou des branches de contournement vaut environ 250um. L'extrémité du ruban de base alimentée indirectement est préférentiellement alimentée par l'intermédiaire de deux branches de contournement qui sont symétriques l'une de l'autre par rapport audit ruban de base, comme les branches 14 et 15 de contournement sur la figure 1. Dans le cas où le contact de base comporte plusieurs doigts, la ou les branches de contournement sont préférentiellement communes à tous les doigts du contact de base, et s'il y a plusieurs branches de contournement celles-ci sont avantageusement symétriques par rapport au milieu de l'ensemble des doigts de contact de base. Dans un exemple numérique préférentiel, deux branches de contournement symétriques alimentent chacune les extrémités indirectement alimentées de huit rubans de base. La figure 2 représente schématiquement la décomposition détaillée en parties élémentaires passives équivalentes d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur comme selon l'invention, le doigt du contact de base étant rattaché à un bus du contact de base. La figure 2 permet la mise en évidence d'avantages procurés par un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention. L'uniformisation des impédances vues par les différentes sections du ruban de base du doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention, lequel doigt correspondant à une structure à un ruban alimenté par ses deux extrémités, est plus importante que dans le cas du ruban de base d'un doigt du contact de base du transistor bipolaire selon l'art antérieur, lequel ruban de base n'est alimenté que par une seule de ses extrémités. Cette uniformisation procure des avantages qui peuvent être mis en évidence à l'aide de la figure 2 laquelle est un schéma distribué du doigt du contact de base du transistor bipolaire en plusieurs sections, ledit schéma de simulation ayant été obtenu par l'intermédiaire du logiciel Microwave Design System (marque déposée). La figure 2 représente en particulier un schéma du doigt du contact de base du transistor bipolaire distribué en cinq sections dont seulement certaines d'entre elles sont représentées pour des raisons de clarté de la figure 2, les sections manquantes étant signalées par des traits pointillés, toutes les sections considérées étant décrites par leur modèle non linéaire. Sur la figure 2, seules les sections n01, n 2 et n 5 sont représentées. Dans un exemple numérique préférentiel, le doigt du contact de base représenté a une longueur d'environ 150um, distribué en cinq sections d'environ 30um de long chacune. La borne BB représente la borne de base, c'est-à-dire la borne permettant au contact de base du transistor bipolaire d'être relié aux autres éléments du circuit dans lequel s'intègre le transistor bipolaire. La borne BC représente la borne de collecteur, c'est-àdire la borne permettant au contact de collecteur du transistor bipolaire d'être relié aux autres éléments du circuit dans lequel s'intègre le transistor bipolaire. Les contacts de base, d'émetteur et de collecteur sont représentés à l'aide d'éléments RLC tandis que les parties actives du transistor bipolaire, constituées de couches de semi-conducteur dopé, correspondant aux cinq sections précédemment évoquées, sont quant à elles respectivement représentées par des schémas intrinsèques de section n01 à n 5 et respectivement notées SIS1 à SIS5. L'inductance Lb correspond à l'inductance du bus de base. La capacité Cpb correspond à la capacité parasite du bus de base. L'inductance Lc correspond à l'inductance du bus de collecteur. La capacité Cpc correspond à la capacité parasite du bus de collecteur. La résistance Re correspond à la résistance distribuée du doigt du contact d'émetteur. L'inductance Le correspond à l'inductance du doigt du contact d'émetteur. La résistance Rc correspond à la résistance distribuée du doigt du contact de collecteur. La résistance Rbr correspond à la résistance distribuée du ruban de base, cette résistance Rbr étant la résistance du ruban de base dans le sens de la longueur du ruban de base. La résistance Rbc correspond à la résistance distribuée du contact de base, la résistance Rbc étant une résistance dans le sens de l'épaisseur du contact de base. La résistance Rbi correspond à la résistance distribuée intrinsèque de base. L'inductance Lbd correspond à l'inductance distribuée du ruban de base. L'inductance Lcd correspond à l'inductance distribuée du doigt du contact de collecteur. A l'aide du schéma distribué de simulation de la figure 2, les performances d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur sont indiqués dans le tableau n01 ci-dessous tandis que les performances d'un transistor bipolaire selon l'invention sont indiquées dans le tableau n02 ci-dessous. Les performances des transistors bipolaires sont des performances en fonctionnement grand signal, c'est-à-dire avec une puissance de sortie élevée. Pour l'ensemble des deux tableaux, les sections sont numérotées n01 à n 5. Le sens de propagation du signal correspondant à un signal allant de la borne BB vers la borne BC, la puissance de sortie Ps est mesurée pour chaque section au niveau du noeud situé juste en aval de la résistance Rc correspondant à la section concernée, sur la figure 2. La puissance de sortie Ps est indiquée d'une part en dBm et d'autre part en milliwatts mW, la relation suivante étant vérifiée : Ps (dBm) =101og [Ps (mW)]. La puissance injectée au niveau de la borne BB vaut 18dBm. Le rendement PAE (de l'anglais power added efficiency))) est indiqué en pourcentage %. Le courant Ic de collecteur est indiqué en milliampères mA. La densité Jc de courant collecteur est indiquée en kiloampères par centimètre carré kA/cm2. La puissance dissipée Pdiss est indiquée en milliwatts (mW), c'est la puissance dissipée au niveau de chaque section entre le noeud situé juste en amont de la résistance Rbc correspondant à la section concernée et le noeud situé juste en aval de la résistance Rc correspondant à la section concernée, sur la figure 2. La proportion Psratio de la puissance de sortie issue de chacune des sections est indiquée en pourcentage %. Le doigt du contact de base est constitué d'un ruban de base dont la largeur vaut environ 5um et l'épaisseur vaut environ 0, 6um. La résistance Rbr du ruban de base vaut environ 0. 015Q/um. L'inductance Lbd du ruban de base vaut environ 0, 75pH/um. Les tableaux n01 et n 2 sont les suivants, leurs deux dernières lignes donnant le cas échéant le total ou la moyenne des différentes colonnes, un tiret signifiant l'absence d'information pour la case correspondante : Tableau n01 sections Ps Ps PAE Ic Jc Pdiss Psratio (dBm) (mW) (%) (mA) (kA/cm2) (mW) (%) 1 18,9 77 35,7 21,2 35,3 123 13,1 2 20,0 101 63,2 16,4 27,3 54 17, 1 3 21,1 127 63,8 21,0 35,0 68 21,6 4 21,5 141 55,4 27,2 45,3 109 24,0 5 21,5 143 49,1 30,7 51,2 141 24,2 Total-589-116, 7 Moyenne--50, 5-38, 8 Tableau n02 sections Ps Ps PAE Ic Jc Pdiss Psratio (dBm) (mW) (%) (mA) (kA/cm2) (mW) (%) 1 19,6 91 58, 7 16, 3 27,2 61 15,0 2 20,6 114 64,5 18,8 31,3 60 18,7 3 21,2 131 60,2 23,1 38,5 83 21,4 4 21, 3 136 56,0 25,9 43,2 103 22, 3 5 21,4 137 56,0 26,1 43,5 103 22,5 Total-609-110, 2 Moyenne----36, 7 Par rapport à l'art antérieur, dans le cas de l'invention, la puissance de sortie Ps passe de 589mW à 609mW, soit un gain d'environ 3%, ce qui en soi est relativement peu important. Par contre, d'une part la densité maximale Jcmax de courant dans une section passe de 51, 2kNcm2 à 43, 5kNcm2 et la puissance maximale dissipée Pdissmax dans une section passe de 141mW à 103mW et d'autre part les densités de courant dans les différentes sections ainsi que les puissances dissipées dans les différentes sections sont plus homogènes, ce qui améliore beaucoup l'état thermique du transistor bipolaire et par conséquent augmente nettement sa fiabilité. C'est en fait le principal avantage du transistor bipolaire selon l'invention. Cette augmentation de fiabilité est très intéressante car elle permet, pour un transistor bipolaire selon l'invention, par rapport à un transistor bipolaire selon l'art antérieur, soit d'augmenter la puissance de sortie et de conserver une durée de vie équivalente, soit de conserver une puissance de sortie équivalente et d'augmenter la durée de vie, soit un compromis entre les deux précédentes options entraînant une amélioration, moindre mais simultanée, de la puissance de sortie et de la durée de vie. L'avantage principal précité du transistor bipolaire selon l'invention a été obtenu grâce à l'uniformisation des impédances vues par les différentes sections du ruban de base comporté par le doigt du contact de base. Cette uniformisation d'impédances provient de la structure particulière du doigt de contact de base laquelle structure comporte un ruban de base disposé de manière à pouvoir être alimenté par ses deux extrémités, les courants entrant respectivement par ces deux extrémités étant de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale. Un ou plusieurs doigts du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention possèdent une structure particulière précédemment décrite permettant d'augmenter surtout la fiabilité dudit transistor bipolaire. Cette même structure particulière peut aussi, de manière facultative, être appliquée, en plus du ou des doigts du contact de base, à un ou plusieurs doigts du contact de collecteur d'un transistor bipolaire. L'avantage précédemment décrit sera alors encore un peu plus important, mais l'essentiel de l'avantage obtenu provient de ladite structure particulière du ou des doigts du contact de base. L'application de ladite structure particulière au ou aux doigts du contact de collecteur a un effet d'amélioration au second ordre par rapport à l'effet d'amélioration au premier ordre obtenu par l'intermédiaire de l'application de ladite structure particulière au ou aux doigts du contact de base, ledit effet d'amélioration concernant surtout la fiabilité du transistor bipolaire. De préférence, au moins un doigt du contact de collecteur comporte un ruban disposé de manière à pouvoir être alimenté au niveau de chacune de ses extrémités par un courant d'alimentation qui soit de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale au courant d'alimentation de l'autre extrémité. De préférence, plus précisément, chaque doigt du contact de collecteur est en regard d'au moins un doigt du contact de l'émetteur, le ou les doigts du contact de collecteur sont suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, et pour au moins un doigt du contact de collecteur, le doigt du contact de collecteur comporte un ruban de collecteur, le ruban de collecteur et le bus du contact de collecteur sont structurés et disposés d'une part de manière à ce que chacune des extrémités du ruban de collecteur puisse être alimentée par un courant d'alimentation issu du bus du contact de collecteur et d'autre part de manière à ce que les deux courants d'alimentation entrant respectivement par les deux extrémités du ruban de collecteur soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, de sorte que les impédances vues par les différentes parties du ruban de collecteur sont plus uniformes que les impédances qui seraient vues par les différentes parties d'un même ruban de collecteur alimenté par une seule de ses extrémités. Le doigt du contact de collecteur comportant le ruban de collecteur est avantageusement constitué dudit ruban de collecteur. De préférence, la section du doigt du contact de collecteur comportant le ruban de collecteur alimenté par ses deux extrémités est suffisamment importante pour que les inhomogénéités de densité du courant et de puissance dissipée soient plutôt dues à l'inductance dudit doigt qu'à la résistance dudit doigt. De préférence, l'une des deux extrémités du ruban de collecteur est alimentée directement par le bus du contact de collecteur tandis que l'autre extrémité du ruban de collecteur est alimentée indirectement par le bus du contact de collecteur par l'intermédiaire d'au moins une branche de contournement. La section de la branche de contournement est préférentiellement suffisamment supérieure à la section du ruban de collecteur pour que la résistance de la branche de contournement soit négligeable devant la résistance du ruban de collecteur de manière à ce que les deux courants d'alimentation entrant respectivement par les deux extrémités du ruban de collecteur soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles. La longueur de la branche de contournement vaut avantageusement au plus de l'ordre de quelques fois la longueur du ruban de collecteur. L'extrémité du ruban de collecteur alimentée indirectement est préférentiellement alimentée par l'intermédiaire de deux branches de contournement qui sont symétriques l'une de l'autre par rapport au ruban de collecteur. De préférence, le contact de collecteur comporte plusieurs doigts et la ou les branches de contournement sont communes à tous les doigts du contact de collecteur, et s'il y a plusieurs branches de contournement cellesci sont avantageusement symétriques par rapport au milieu de l'ensemble des doigts de contact de collecteur. REVENDICATIONS 1. Transistor bipolaire comportant au moins un contact de base en matériau conducteur comprenant un ou plusieurs doigts, caractérisé en ce qu'au moins un doigt comporte un ruban (19) disposé de manière à pouvoir être alimenté au niveau de chacune de ses extrémités (17,18) par un courant d'alimentation (i1, i2) qui soit de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale au courant d'alimentation (i1, i2) de l'autre extrémité. 2. Transistor bipolaire de puissance comportant au moins un émetteur, une base, un collecteur, un contact d'émetteur, un contact de base, un contact de collecteur, les contacts étant en matériau électriquement conducteur et comportant chacun un bus relié à un ou plusieurs doigts, chaque doigt du contact de base étant en regard d'au moins un doigt du contact de l'émetteur, le ou les doigts du contact de base étant suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, caractérisé en ce que pour au moins un doigt du contact de base, le doigt du contact de base comporte un ruban (19) de base, le ruban (19) de base et le bus (10) du contact de base sont structurés et disposés d'une part de manière à ce que chacune des extrémités (17,18) du ruban (19) de base puisse être alimentée par un courant d'alimentation (i1, i2) issu du bus (10) du contact de base et d'autre part de manière à ce que les deux courants d'alimentation (i1, i2) entrant respectivement par les deux extrémités (17,18) du ruban (19) de base soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, de sorte que les impédances vues par les différentes parties du ruban (19) de base sont plus uniformes que les impédances qui seraient vues par les différentes parties d'un même ruban de base alimenté par une seule de ses extrémités. 3. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le doigt du contact de base comportant le ruban (19) de base alimenté par ses deux extrémités est constitué dudit ruban (19) de base. 4. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la section du doigt du contact de base comportant le ruban (19) de base alimenté par ses deux extrémités (17,18) est suffisamment importante pour que les inhomogénéités de densité du courant et de puissance dissipée soient plutôt dues à l'inductance dudit doigt qu'à la résistance dudit doigt. 5. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'une (17) des deux extrémités (17,18) du ruban (19) de base est alimentée directement par le bus (10) du contact de base tandis que l'autre extrémité (18) du ruban (19) de base est alimentée indirectement par le bus (10) du contact de base par l'intermédiaire d'au moins une branche (14,15) de contournement. 6. Transistor bipolaire selon la revendication 5, caractérisé en ce que la section de la branche (14,15) de contournement est suffisamment supérieure à la section du ruban (19) de base pour que la résistance de la branche (14,15) de contournement soit négligeable devant la résistance du ruban (19) de base de manière à ce que les deux courants d'alimentation (i1, i2) entrant respectivement par les deux extrémités (17,18) du ruban (19) de base soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles. 7. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 5 à 6, caractérisé en ce que la longueur de la branche (14,15) de contournement vaut au plus de l'ordre de quelques fois la longueur du ruban (19) de base. 8. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que l'extrémité (18) du ruban (19) de base alimentée indirectement est alimentée par l'intermédiaire de deux branches (14,15) de contournement qui sont symétriques l'une de l'autre par rapport au ruban (19) de base. 9. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, caractérisé en ce que le contact de base comporte plusieurs doigts et en ce que la ou les branches (14,15) de contournement sont communes à tous les doigts du contact de base. 10. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins un doigt du contact de collecteur comporte un ruban disposé de manière à pouvoir être alimenté au niveau de chacune de ses extrémités par un courant d'alimentation qui soit de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale au courant d'alimentation de l'autre extrémité. 11. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que chaque doigt du contact de collecteur est en regard d'au moins un doigt du contact de l'émetteur, le ou les doigts du contact de collecteur sont suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, et en ce que pour au moins un doigt du contact de collecteur, le doigt du contact de collecteur comporte un ruban de collecteur, le ruban de collecteur et le bus du contact de collecteur sont structurés et disposés d'une part de manière à ce que chacune des extrémités du ruban de collecteur puisse être alimentée par un courant d'alimentation issu du bus du contact de collecteur et d'autre part de manière à ce que les deux courants d'alimentation entrant respectivement par les deux extrémités du ruban de collecteur soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, de sorte que les impédances vues par les différentes parties du ruban de collecteur sont plus uniformes que les impédances qui seraient vues par les différentes parties d'un même ruban de collecteur alimenté par une seule de ses extrémités. 12. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 10 à 11, caractérisé en ce que le doigt du contact de collecteur comportant le ruban de collecteur alimenté par ses deux extrémités est constitué dudit ruban de collecteur. 13. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que la section du doigt du contact de collecteur comportant le ruban de collecteur alimenté par ses deux extrémités est suffisamment importante pour que les inhomogénéités de densité du courant et de puissance dissipée soient plutôt dues à l'inductance dudit doigt qu'à la résistance dudit doigt. 14. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que l'une des deux extrémités du ruban de collecteur est alimentée directement par le bus du contact de collecteur tandis que l'autre extrémité du ruban de collecteur est alimentée indirectement par le bus du contact de collecteur par l'intermédiaire d'au moins une branche de contournement. 15. Transistor bipolaire selon la revendication 14, caractérisé en ce que la section de la branche de contournement est suffisamment supérieure à la section du ruban de collecteur pour que la résistance de la branche de contournement soit négligeable devant la résistance du ruban de collecteur de manière à ce que les deux courants d'alimentation entrant respectivement par les deux extrémités du ruban de collecteur soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles. 16. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 14 à 15, caractérisé en ce que la longueur de la branche de contournement vaut au plus de l'ordre de quelques fois la longueur du ruban de collecteur. 17. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, caractérisé en ce que l'extrémité du ruban de collecteur alimentée indirectement est alimentée par l'intermédiaire de deux branches de contournement qui sont symétriques l'une de l'autre par rapport au ruban de collecteur. 18. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 14 à 17, caractérisé en ce que le contact de collecteur comporte plusieurs doigts et en ce que la ou les branches de contournement sont communes à tous les doigts du contact de collecteur.