FR 2828331 A1 20030207 FR 0110270 A 20010731 s déclenchement en cas de sous-tension. PROCÈDÉ DE FABRICATION DE TRNSISTOR BIPOLAIRE DANS UN CIRCO1T INTÉGRÉ CMOS La présente invention concerne le domaine de la fabri- cation des circuits intégrés. Avec les progrès de la technologie, on voit actuel- lement se développer des circuits intagrés de plus en plus complexes intégrant un grand nombre de composants de types dif- férents: en particulier des transistors CMOS et des transistors bipolaires. La réalisation classique de telles structures entraîne la prévision d'un grand nombre détapes de fabrication du fait que l'on doit ajouter aux étapes de fabrication dun circuit CMOS des étapes spécifiques à la réalisation des transis- tors bipolaires. C'est donc un objet constant de la recherche dans le domaine de la fabrication des circuits intégrés que de rechercher des procédés de fabrication permettant d'optimiser simultanément des composants de types différents tout en minimisant le nombre d'étapes de fabrication. En particulier, on cherche à rendre commune le plus grand nombre diétapes lors de l'élaboration des transistors bipolaires et des transistors MOS sur un circuit intégré. La présente invention vise la fabrication simultance de transistors bipolaires et de transistors MOS sur un même circuit intogré dans laquelle un grand nombre d'étapes de fabrication du transistor bipolaire demeurent communes avec les étapes de fabri- cation des transistors MOS. Plus précisément, la présente invention vise la fabri cation d'un émetteur de transistor bipolaire de facon similaire à la fabrication de la grille dun transistor MOS. P1US généralement, la présente invention vise à réa- liser un contact entre une couche de silicium polycristallin dopée et un substrat sous-jacent nonobstant la présence d'une couche isolante mince entre ceux-ci. Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit un procédé de fabrication dun contact entre un substrat semi- conducteur et une couche de silicium polycristallin dopée déposée sur le substrat avec interposition d'une couche isolante, dans lequel on implante à travers la couche de silicium polycristallin des éléments propres à rendre la couche isolante perméable à la migration de dopants en provenance de la couche de silicium polycristallin vers le substrat. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche isolante est une couche doxyde de silicium. Selon un mode de réalisation de la présente invention, lesdits éléments sont constitués d'hydrogène. Selon un mode de réalisation de la présente invention, lesdits éléments sont constitués de silicium ou de germanium. La présente invention prévoit également un procédé de fabrication de la zone démetteur dun transistor bipolaire dans une plaquette de circuit intégré de type oMos' comportant les étapes de former sur la plaquette une couche isolante surmontée dune couche de silicium polycristallin sur l' ensemble du cTrcuit intégré; dans la zone du transistor bipolaire, implanter à travers la couche de silicium polycristallin des éléments propres à rendre la couche isolante perméable à la migration de dopants en provenance de la couche de silicium polycristallin; et éliminer la couche de silicium polycristallin et la couche isolante en dehors des emplacements o l'on veut former l'émetteur du transistor bipolaire et les grilles des transistors MOS. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche isolante est une couche d'oxyde de silicium. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape d' implantation comprend l' implantation de silicium ou de germanium. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'étape dimplantation comprend l' implantation dhydrogène. La présente invention vise également un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire dans un circuit intogré de type CMOS, comprenant les étapes de former dans le substrat du circuit intogré une région propre à former la zone de collecteur du transistor bipolaire; implanter dans la région, une région dopée propre à former la base du transistor bipolaire; et former l'émetteur du transistor bipolaire par le procédé mentionné précédemment. La présente invention vise également un procédé de fabrication de la zone démetteur dun transistor bipolaire dans un circuit intégré de type CMOS, comportant les étapes d'iplanter de ltazote dans la zone du transistor bipolaire; former une couche isolante (19) surmontée dune couche en silicium polycristallin (20) sur liensemble du circuit intagré; et éliminer la couche de silicium polycristallin (20) et la couche isolante (19) en dehors des emplacements o l'on veut former l'émetteur du transistor bipolaire et les grilles des transistors MOS. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que dautres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1 à 6 sont des vues en coupe schématiques illustrant des étapes successives de fabrication simultance dun transistor MOS et dun transistor bipolaire; et les figures 7 à 9 sont des vues en coupe schématiques illustrant un troisième mode de réalisation des étapes des figures 3 à 6. On notera que dans ces diverses figures, comme cela est usuel dans la représentation des circuits intogrés, les épais- seurs et dimensions latérales des diverses couches ne sont pas tracces à l'échelle ni à lintérieur d'une même figure ni d'une figure à l'autre pour améliorer la lisibilité de ces figures. Par ailleurs, de mêmes références désigneront de mêmes éléments ou couches, éventuellement à des stades successifs de fabrication. Enfin, seules les étapes caractéristiques du procédé selon l' invention seront décrites en détail par la suite, les étapes intermédiaires bien connues de l'homme de l'art ne seront pas mentionnées. On va décrire ciaprès, à titre d'exemple, la formation sur un circuit intégré d'un transistor MOS à canal P dans la partie droite et la fabrication dun transistor bipolaire de type NPN dans la partie gauche des figures 1 à 6. Bien sûr, parallèle ment à la formation de transistors de type NPN, et de transistors MOS à canal P. sont également formés sur le circuit intégré des transistors MOS à canal N qui ne sont pas représentés sur les figures pour plus de clarté. La figure 1 représente une plaquette de circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur 10 de type P. u côté du transistor bipolaire, une région 11 de type N est surmontée d'une région 12 de type N moins dopée. Du côté du transistor MOS à canal P. une région 13 de type N est formoe en même temps que la région 12. Une tranchée principale 14 remplie disolant, par exemple de 1'oxyde de silicium, sépare la zone de transistor bipolaire de celle du transistor MOS à canal P. Du côté du tran- sistor bipolaire, une tranchée auxiliaire 15 remplie disolant, délimite avec la tranchée principale 14, un puits 16 de type N reliant la surface de la plaquette à la région 11 de type N. située sous la région 12 de type N. Sur la figure 2, un masque 17 recouvre la zone du tran- sistor MOS à canal P. Un dopant de type P est implanté, de facon à former une région 18 de type P à la surface de la région 12 de type N de la zone du transistor bipolaire. Cette région 18 est destinée à former la base du transistor bipolaire. A l'étape représentée sur la figure 3, on fait croître sur toute la surface extérieure de la plaquette une couche d'oxyde de grille 19, par exemple de l'oxyde de silicium, ayant par exemple une épaisseur de 1,5 nm. Sur la figure 4 est représentée une couche de silicium polycristallin 20, ayant par exemple une épaisseur de 0,2 m, déposée sur la couche d'oxyde de grille 19, et recouverte, au niveau de la zone du transistor MOS à canal P. par un masque 21. Selon un premier mode de réalisation de l 'invention, on réalise alors une implantation d'hydrogène dans la couche d'oxyde 19 à travers la couche de silicium polycristallin 20 non protégée par le masque 21, c'est- à-dire au niveau de la zone du transistor bipolaire. L' implantation est réalisée par exemple sous une énergie 10 keV, et avec une dose de 1015 at/cm2 à 1017 at/cm2. La couche de silicium polycristallin 20 dopée de type N au niveau du transistor bipolaire et des transistors MOS à canal N (non repré- sentés), et est dopée de type P au niveau du transistor MOS à canal P. La figure 5 illustre la structure obtenue après élimi nation de la couche de silicium polycristallin 20 et de l'oxyde de grille 19 excepté sur les emplacements o l'on veut former l'émetteur du transistor bipolaire et la grille du transistor MOS à canal P. Du côté du transistor bipolaire, on obtient un premier empilement 25 constitué dune portion 27 de la couche d'oxyde de grille 19 dans laquelle une implantation d'hydrogène a été réalisée, surmontée d'une portion 28 de la couche de silicium polycristallin 20. Du côté du transistor MOS à canal P. un second empilement 26 destiné à former la grille du transistor MOS à canal P. comprend également une portion 29 non modifiée de la couche d'oxyde de grille 19 surmontée dune portion 30 de la couche de silicium polycristallin 20. La figure 6 présente schématiquement des étapes ulté- rieures de réalisation des transistors. On réalise une implantation de dopants de type P pour former, de part et d'autre du second empilement 26, des régions désignées par la référence 33. Suite à cette implantation, on forme des espaceurs désignés par la référence 31 au niveau du premier empilement 25 du côté du transistor bipolaire et désignés par la référence 32 au niveau du second empilement 26 du côté du transistor MOS à canal P. Ensuite, une deuxième implantation de dopants de type P est réalisce, pour former des régions fortement dopées de part et d'autre des premier et second empilements. On forme ainsi les régions 36 de base extrinsèque du transistor bipolaire et des régions 35 de drain et de source du transistor à canal P. Un recuit d 'activation est en général réalisé à cette étape, par exemple à une température de 1000 C et pendant une durce de 10 secondes. Lors de ce recuit, l'hydrogène implanté dans la portion 27 d'oxyde de grille du côté du transistor bipo laire, se combine, selon une réaction classique doxydoréduction, avec les molécules de SiO2. La réduction de la portion 27 d'oxyde de grille par l'hydrogène en modifie les propriétés. En particulier, cette portion d'oxyde 27 ne s' oppose plus à la migration des dopants de type N présents dans la portion 28 de silicium polycristallin vers la région 18 de type P. pour former une zone d'émetteur 37. On obtient ainsi un transistor de type NPN dont l'émetteur correspond à la région 37 en contact avec la portion 28 de silicium polycristallin, la base correspond à la région 18 dopée P s'étendant jusqu'aux régions de base extrinsèque 36, et le collecteur correspond à la région 12 de type N se prolongeant par la région 11 et le puits 16. En outre, lors du fonctionnement du transistor de type NPN, la portion d'oxyde 27 ne s' oppose plus au passage des porteurs de charge, c'est-à-dire que la portion d'oxyde 27 devient conductrice. Se lon un deuxième mode de réal i sat ion de la pré sente invention, au lieu d'implanter de l'hydrogène dans la couche d'oxyde de grille 19, on implante du silicium ou du germanium. L' implantation est réalisoe, par exemple, avec une dose de 1ol5 à 1017 atomes/cm2. Un facteur important à cette étape est le flux avec lequel le silicium ou le germanium sont implantés. En effet, les ions de silictum ou de germanium viennent altérer la struc- ture de la couche d'oxyde de grille 19. Cette altération de l'oxyde se produit essentiellement pendant l' implantation des ions de silicium ou de germanium et non lors du recuit d'activa- tion comme c'était le cas pour le premier mode de réalisation. Le flux de silicTum ou de germanium sera par exemple de 10 à gA. L' implantation de silicium ou de germanium risque dabîmer les couches sousjacentes, cest-à-dire la région de base 18 de type P. Toutefois, lors d'une des étapes de recuits, on aura une reconstruction du matériau cristallin. Un troisième mode de réalisation de la présente inven- tion est représenté sur les figures 7 à 9. Une implantation diazote sur la zone du transistor bipolaire est réalisée avant la formation de la couche d'oxyde de grille 19, dans la région 18 de type P destinée à former la base du transistor bipolaire. L' implantation d'azote est effectuce, par exemple, à une dose de 1014 à 1ol6 at/cm2 Comme cela est représenté sur la figure 7, quand on fait croître la couche d'oxyde de grille 19 sur 1' ensemble de la plaquette du circuit intégré, la présence des implants d'azote réduit la croissance de l'oxyde au niveau de la région 18 de type P. Ainsi, lorsque l'on fait croître la couche d'oxyde de grille 19 pour obtenir une épaisseur moyenne de 1,2 nm au niveau du transistor MOS à canal P. on obtient au niveau du transistor bipolaire une couche d'oxyde de grille 19, présentant une épaisseur moyenne de 0,8 nm. On fait croître alors une couche de silicium polycristallin 20 comme dans les modes de réalisation précédemment décrits. La figure 8 représente deux empilements 25, 26 restant en place après l'élimination de la couche de silicium polycris- tallin 20 et de l'oxyde de grille 19. L'empilement 25, situé du côté du transistor bipolaire, présente une portion 27 de doxyde de grille modifice par rapport à celle de l'empilement 26 situé du côté du transistor MOS à canal P. La figure 9 représente, les étapes finales de ce troi- sième mode de réalisation qui sont identiques à celles des modes de réalisation précédents. La présence de la couche d'oxyde très mince 27 autorise la diffusion des dapants présents dans la portion 28 de silicium polycristallin lors du recuit d'activa- tion, pour former une zone déémetteur 37. Ains i se lon le s mode s de réal i sat ion de la présente invention, il devient possible de fabriquer sur un circuit intégré des transistors de type MOS et des transistors bipolaires avec un minimum diétapes spécifiques au transistor bipolaire. Les différences essentielles consistent dune part en limplan- tation dune région dopée P. correspondant par exemple à l' implantation des sources et drains du transistor MOS à canal P. pour constituer la base intrinsèque du transistor NPN et d'autre part en 1'étape consistant à modifier la couche d'oxyde de grille de facon à ce qu'elle ne s' oppose pas au passage des dapants, lors du recuit d' activation, pour former la zone démetteur. Dans ce qui précède, on a décrit des modes de réalisa tion particuliers de la présente invention. Il est clair que ces réalisations sont susceptibles de variantes et de modifica tions qui apparaîtront à l'homme de l'art. Notamment, tous les types de conductivité pourraient être inversés pour former simultanément un transistor MOS à canal N et un transistor bipolaire PNP. En outre, bien que la présente invention ait été décrite dans le cadre de la fabrication sur un circuit intégré de transistors de type MOS et de transistors bipolaires, elle peut sappliquer à la fabrication simultanée sur un circuit intégré de transistors de type MOS et de transisLors effet de champ junction JFEI, la junction de commande du transistor effet de champ JEER est alors dbtenue de fagon similaire la region d'metteur du transistor bipolaire salon le procAdA de la prAsente invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication dun contact (27) entre un substrat semiconducteur (10) et une couche de silicium polycris- tallin (20) dopée déposée sur le substrat (10) avec interposition d'une couche isolante (19), caractérisé en ce que l'on implante à travers la couche de silicium polycristallin (20) des éléments propres à rendre la couche isolante (19) perméable à la migration de dapants en provenance de la couche de silicium polycristallin (20) vers le substrat. 2. Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche isolante (19) est une couche d'oxyde de silicium. 3. Procédé de fabrication selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdits éléments sont constitués d'hydrogène. 4. Procédé de fabrication selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdits éléments sont constitués de silicium ou de germanTum. 5. Procédé de fabrication de la zone démetteur d'un transistor bipolaire dans une plaquette de circuit intégré de type CMOS, caractérisé en ce quil comporte les étapes suivantes: - former sur la plaquette une couche isolante (19) surmontée dune couche de silicium polycristallin (20) sur l' ensemble du circuit intégré; - dans la zone du transistor bipolaire, implanter à travers la couche de silicium polycristallin (20) des éléments propres à rendre la couche isolante (19) perméable à la migration de dopants en provenance de la couche de silicium polyeristallin (20); et éliminer la couche de silicium polycristallin (20) et la couche isolante (19) en dehors des emplacements o l'on veut former l'émetteur du transistor bipolaire et les grilles des transistor MOS. 6. Procédé de fabrication selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche isolante (19) est une couche doxyde de silicium. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape d' implantation comprend l' implantation de silicium ou de germanTum. 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que 1'étape d' implantation comprend 1iimplantation d'hydrogène. 9. Procédé de fabrication dun transistor bipolaire dans un circuit intégré de type CMOS, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: former dans le substrat (10) du circuit intégré une région (11,12) propre à former la zone de collecteur du transistor bipolaire; - implanter dans la région (12), une région dopée (18) propre à former la base du transistor bipolaire; et - former l'émetteur (27,37) du transistor bipolaire par le procédé selon la revendication 5. 10. Procédé de fabrication de la zone diémetteur dun transistor bipolaire dans un circuit intégré de type CMOS, carac térisé en ce quil comporte les étapes suivantes: - implanter de l' ote dans la zone du transistor bipolaire; - former une couche isolante (19) surmontée dune couche en silicium polycristallin (20) sur l' ensemble du circuit intégré; et éliminer la couche de silicium polycristallin (20) et la couche isolante (19) en dahors des emplacements o l'on veut former l'émetteur du transistor bipolaire et les grilles des