FR 2821160 A1 20020823 FR 0201929 A 20020215 moyens d'accrochage sur un vêtement. 28211 60 CAPTEUR D'HUMIDITE DU TYPE CAPACITIF, ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT CAPTEUR La présente invention se rapporte à un capteur d'hu- midité du type capacitif, dans lequel un film hygrosensible est interposé entre deux électrodes afin d'accroître la constante diélectrique d'une capacité établie entre les deux électrodes; et à un procédé de fabrication dudit capteur. Comme exposé dans le document JP-A-60-166854, ce type de capteur comprend un substrat matérialisant une électrode inférieure, un film hygrosensible déposé sur ledit substrat, et une mince électrode supérieure perméable à l'humidité. Néanmoins, l'électrode supérieure est exposée à l'environne- ment, et c'est pourquoi ladite électrode supérieure doit être hautement résistive vis-à-vis de l'environnement. A l' inverse, comme exposé dans le document JU-A-5- 23124 ou JP-A-7-20080, il a été proposé un capteur dans le quel deux électrodes sont ménagées dans un même plan sur un substrat, en vis-à-vis l'une de l'autre, et un film hygro- sensible est déposé sur ces deux électrodes. Toutefois, ces doeuments traitent majoritairement d'un capteur à détection de type résistif, cependant qu'un capteur à détection de type capacitif est uniquement évoqué, sans description dé- taillée ni figures. Par ailleurs, bien que les électrodes soient dispo- sées au-dessous du film hygrosensible, lesdites électrodes sont exposées à l'eau. En conséquence, cela soulève un pro blème concernant la propriété de résistance à l'eau. Dans le capteur décrit ci-avant, un métal précieux doit être optimalement employé pour assurer une fiabilité des électrodes vis-à-vis de l'humidité. Cependant, le métal précieux augmente les coûts de fabrication. Qui plus est. le métal précieux se transforme en impuretés lors d'un proces- sus de fabrication. 28211 60 L' invention a pour objet de fournir un capteur sensi ble à l'humidité, qui soit d'une haute fiabilité et puisse être fabriqué dans une chaîne de production de semi-conduc teurs; et un procédé de fabrication dudit capteur. Conformément à un aspect de la présente invention, un premier film isolant est déposé sur un substrat semi-conduc teur. Des première et seconde électrodes sont ménagées sur le premier film isolant, et se font mutuellement face avec interposition d'un interstice. Un second film isolant est déposé de façon à recouvrir les première et seconde électro des. Un film hygrosensible est déposé, par ailleurs, en vue de recouvrir le second film isolant. Dans cette structure, le second film isolant est in- terposé entre les première et seconde électrodes, et le film hygrosensible, ce qui permet d' assurer une propriété de ré- sistance desdites électrodes à l'eau. L'on fera observer que le capteur exposé dans le do- cument JU-A-5-23124 possade un matériau diélectrique revê- tant la forme d'une plaquette d'embase, de sorte qu'une pla quette distincte à circuits imprimés s'avère nacessaire. La plaquette détectrice est raccordée électriquement à la pla- quette à circuits imprimés par des câblages qui accroissent la capacité de dispersion. De ce fait, la capacité établie dans une zone détectrice doit présenter une valeur élevée, afin d'accroître le composant signal vis-à-vis du composant bruit. Il en résulte un dimensionnement inévitablement grand du corps du capteur. Conformément à un second aspect de la présente inven- tion, une zone à éléments de circuit est intégrée dans le substrat semiconducteur, dans lequel est ménagée une zone de détection sensible à l'humidité. Ladite zone à éléments de circuit traite des signaux émanant de ladite zone de dé- tection. De préférence, les première et seconde électrodes sont constituées du même matériau que celui constituant le câblage de la zone à éléments de circuit. Ainsi, les élec 28211 60 trodes et le câblage sont formés au cours de la même étape. La zone à éléments de circuit renferme, de préfé- rence, un circuit capacitif commuté. Ledit circuit peut dé- tecter, de manière sensible, une petite grandeur de capa s cité. De préférence, le second film isolant se présente comme un film en nitrure de silicium. Ledit film en nitrure de silicium possède une constante diélectrique relativement élevée, d'o un accroissement de la capacité entre les pre- mière et seconde électrodes. De préférence, le premier film isolant est constitué d'un matériau dont la constante diélectrique est inférieure à celle du second film isolant. Cela permet, en conséquence, de diminuer une capacité parasitaire entre les électrodes et le substrat. L' on fera observer qu'une substance organique molécu laire hautement hygroscopique, telle qu'un polyimide ou de l'acéCylcellulose butyrique, peut être employée pour consti tuer le film hygrosensible. Les électrodes respectives présentent, de préférence, une configuration en dents de peigne comprenant des seg ments, et les segments de la première électrode sont imbri qués avec ceux de la seconde électrode, de manière à ac croître une zone dans laquelle les segments de la première électrode font face aux segments de la seconde électrode. Il convient de noter que les électrodes peuvent être constituéss de l'un des matériaux choisis au sein d'un groupe comprenant Al, Al-Si, Ti, Au, Cu -et polysilicium, ou bien d'une combinaison comprenant au moins deux ou plus de deux, parmi ces matériaux. De préférence, le film hygrosensible est agencé de façon telle qu'une surface de celui-ci, en contact avec le second film isolant, occupe une position plus basse que des surfaces des première et seconde électrodes, entre lesdites 3s électrodes, pour que ledit film hygrosensible puisse être 28211 60 logé, de manière sûre, dans l' interstice réservé entre les électrodes. L'on fera observer que la zone de détection est ména gée après que la zone à éléments de circuit a été ménagée. s L' invention va à présent être décrite plus en détail, à titre d'exemple nullement limitatif, en regard des dessins annexés sur lesquels: la figure l est une vue schématique en plan d'un cap teur d'humidité de type capacitif conforme à la présente in vention; la figure 2 est une coupe schématique suivant la li- gne II-II de la figure l; les figures 3A à 3C sont des coupes schématiques sui- vant la ligne II-II de la figure l, montrant un procédé de fabrication du capteur d'humidité de type capacitif conforme à la présente invention; la figure 4 est un schéma de branchement du capteur d'humidité de type capacitif selon la présente invention; et la figure 5 est un chronogramme se rapportant au schéma de branchement de la figure 4. La description ci-après porte sur une forme de réa lisation spécifique de la présente invention, faisant renvoi aux dessins annexés sur lesquels des composants identiques ou similaires sont désignés par des références numériques identiques ou similaires. Un capteur d'humidité Sl illustré sur la figure l peut être utilisé pour commander l'humidité dans un climati- seur, ou pour détecter l'humidité extérieure à des fins d' observations météorologiques. Un substrat en silicium du type N est employé en tant que substrat semi-conducteur lO. Un film 20 en oxyde de si- licium est déposé sur ledit substrat lO, en tant que premier film isolant. Des première et seconde électrodes 31 et 32 3s (désignées ci-après par "électrodes détectrices") sont ména- gées dans un même plan sur le film 20, de manière à se faire 28211 60 mutuellement face en étant séparées par un interstice. Bien que la configuration des électrodes détectrices 31 et 32 ne soit pas limitée, lesdites électrodes 31 et 32 possèdent, dans la présente forme de réalisation, un profil en dents de peigne constitué d'une pluralité de segments d'électrode respectifs. Les multiples segments revêtent res- pectivement la forme d'une barrette, et les multiples seg- ments de l'électrode 31 sont imbriqués avec ceux de l'élec- trode 32, ce qui réduit la superficie occupée par lesdites électrodes 31 et 32. Les électrodes détectrices 31 et 32 peuvent être fa- briquces en un matériau se prêtant à l'utilisation dans une chaîne classique de production de semi-conducteurs. Ce maté- riau est par exemple de l'aluminium (Al), une combinaison aluminiumsilicium [(Al-Si), renfermant des parts infimes de Si, par exemple de l'ordre de moins de 1 %], du titane (Ti), de l'or (Au), du cuivre (Cu), du polysilicium ou des maté- riaux similaires. L'on fera observer que les électrodes 31 et 32 consistent en de l'Al dans la présente forme de réali sation. Un film 40 en nitrure de silicium est déposé sur les électrodes 31 et 32, en tant que second film isolant. Bien que le film 40 recouvre des interstices réservés entre les électrodes 31 et 32, ainsi que lesdites électrodes 31 et 32, 2s ledit film 40 peut recouvrir uniquement lesdites électrodes 31 et 32, et peut ne pas recouvrir lesdits interstices. Un film hygrosensible 50, dont la constante diélec- trique varie en fonction de l'humidité, est déposé sur le film 40 en nitrure de silicium afin de recouvrir les élec trodes 31, 32 et les interstices réservés entre ces derniè- res. Dans la présente forme de réalisation, le film 50 oc- cupe, entre les électrodes 31 et 32, une position telle que sa surface inférieure soit située plus bas que des surfaces desdites électrodes 31 et 32, de sorte que ledit film 50 est interposé entre lesdites électrodes 31 et 32. Une substance organique hygroscopique macromolécu 28211 60 laire peut être employée pour constituer le film hygrosensi- ble 50. Plus particulièrement, il est possible d'utiliser un polyimide ou de l'acétylcellulose butyrique, voire une sub- stance analogue. Dans la présente forme de réalisation, le film 50 consiste en un polyimide. Lorsqu'un écoulement d'eau moléaulaire est absorbé par le film 50, la constante diélec- trique dudit film 50 varie en fonction de la quantité absor- bée dudit écoulement d'eau moléculaire, étant donné que ce dernier présente une haute constante diélectrique propre à provoquer une variation dans la capacité entre les électro- des détectrices 31 et 32. Une région, dans laquelle le film hygrosensible 50 est implanté sur le substrat semi-conducteur 10, matérialise une zone 100 de détection d'humidité. En effet, l'humidité ambiante de ladite zone 100 est détectée sur la base de la capacité établie entre les électrodes détectrices 31 et 32, qui varie en fonction de la variation de l'humidité autour du capteur S1. Une zone 200 à éléments de circuit est ménagée dans une région excluant celle dans laquelle la zone 100 de dé tection d'humidité est disposée (périphérie de ladite zone , repérée par des hachures sur la figure 1). La zone 200 engendre un signal qui indique la valeur de la capacité éta blie entre les électrodes détectrices 31 et 32. Comme illustré sur la figure 2, la zone 200 à élé ments de circuit englobe un transistor 210 du type C-MOS dans cette forme de réalisation. Le transistor 210 comprend un canal P et un canal N. dont chacun comporte une électrode de grille 211 en polysilicium, et des conducteurs 212 en Al raccordés électriquement à une source et à un drain. Le transistor 210 présente, de surcroît, une zone 213 à capa cité de référence qui est munie d'une électrode de câblage 213a en polysilicium. L'on fera observer que le transistor 210 du type C MOS peut renfermer un autre élément de circuit, tel qu'un transistor bipolaire ou un élément similaire. Bien que cela 28211 60 ne soit pas illustré sur la figure 2, cette forme de réali- sation présente un circuit oscillant 350 faisant l'objet d'une description ci-après. Il convient à présent d'expliquer un procédé de fa brication, en faisant référence aux figures 3A à 3C. Comme représenté sur la figure 3A, des régions de diffusion et des films 21 à oxydation thermique sont ménagés sur le substrat 10 en silicium par implantation ionique, diffusion thermique et oxydation thermique. Au stade succes sif, comme illustré sur la figure 3B, des régions de diffu- sion de source et de drain, ainsi que des électrodes 211 et 213a en polysilicTum, sont forméss sur ledit substrat 10 par implantation ionique, diffusion thermique, déposition en phase gazeuse par procédé chimique (CVD) et calibrage, ce S qui donne naissance à la zone 200 à éléments de circuit sur ledit substrat 10. Un film en oxyde de silicium est ensuite déposé sur le film 21 à oxydation thermique, par CVD, pour former un film 20 en oxyde de silicium représentant le premier film isolant, avec ledit film 21. En outre, comme représenté sur la figure 3B, des trous de contact 220 destinés à établir un contact électri- que, entre la zone 200 à éléments de circuit et les électro- des de câblage de cette dernière, sont pratiqués dans le film 20 en oxyde de silicium par un décapage recourant à un procédé photolithographique. Ensuite, comme illustré sur la figure 3C, les élec- trodes de câblage 213a de la zone 200 à éléments de circuit, et les électrodes détectrices 31 et 32 conçues pour détecter une variation d'humidité, sont ménagées par un procédé de métallisation sous vide ou de déposition, utilisant de l'Al ou un métal similaire. Le film 40 en nitrure de silicium (second film isolant) est déposé sur les électrodes par CVD au plasma ou par un procédé analogue. Dans l'enchaînement, des zones tampons (non illus trées), destinées à raccorder la zone 200 à éléments de cir 28211 60 cuit à un dispositif extérieur, sont ouvertes dans le film en nitrure de silicium. Au stade définitif, le film hygrosensible 50 est formé sur le film 40 en nitrure de silicium par un procédé s au cours duquel un polyimide est déposé sur ledit film 40 par revêtement centrifuge, puis est durci et calibré par photodécapage; ou par un procédé au cours duquel un po- lyimide est déposé sur ladit film 40 par impression, puis durci. Cela marque l'achèvement, dans la chaîne classique de production de semiconducteurs, du capteur d'humidité S1 du type capacitif. Il convient à présent, en se référant à la figure 4, d'expliquer le fonctionnement du capteur S1. Dans ledit cap- teur S1, les électrodes détectrices respectives 31 et 32 sont connectées électriquement à la zone 200 à éléments de circuit, pour former un circuit capacitif commuté tel qu'il- lustré sur la figure 4. CS désigne une capacité variable établie par les électrodes détectrices 31 et 32 placées mutuellement en re gard, qui varie en fonction de l'humidité considérée. Co dé signe une capacité de référence qui est établie entre l'électrode de câblage 213a et le substrat 10 en silicium occupant une position sous-jacente dans la zone 213 à capa cité de référence. Un circuit amplificateur différentiel 300 comprend le transistor 210 du type C-MOS, et éléments similaires, pour détecter un potentiel intermédiaire entre la capacité de ré férence Co et la capacité variable CS. Le circuit amplifica teur 300 comporte un interrupteur 302 et un condensateur 301 présentant une capacité Cf. Un potentiel de référence Vs est appliqué au circuit 300. En outre, la zone 200 à éléments de circuit englobe un circuit oscillant 350 pour délivrer des signaux d'ondes porteuses, à phases respectivement inversces, à l'une des électrodes de la capacité de référence Co (par exemple, le substrat 10 en silicium) et à l'une des électrodes détectri 28211 60 ces 31 et 32 (l'une des électrodes de la capacité variable CS). La figure 5 montre un diagramme de formes d'ondes asso- cié au circuit de détection. Un signal 1 donde porteuse (d' amplitude O-V1) est s appliqué à l'une des électrodes de la capacité de référence Co et un signal 2 d'onde porteuse (d'amplitude O-V2), à dé- calage de phase de 180 vis-à-vis dudit signal 1, est appli- qué à l'une des électrodes de la capacité variable CS. L'in- terrupteur 302 est mis en et hors fonction conformément à une synchronisation illustrse sur la figure 5. Lors d'une période de détection T1, le potentiel in- termédiaire engendré entre la capacité variable CS et la ca- pacité de référence Co est délivré, par l'intermédiaire du circuit amplificateur différentiel 300, sous la forme dune tension de sortie Vo. A cet instant, la capacité variable CS varie en fonction de l'humidité considérée, tandis que la capacité de référence Co ne varie pas, afin de provoquer une variation dans le potentiel intermédiaire. En effet, l'humi- dité ne peut pas être détectée en utilisant la tension de sortie Vo. Dans la présente forme de réalisation, du fait que le film 40 en nitrure de silicium est interposé entre les élec- trodes détectrices 31, 32 et le film hygrosensible 50, les- dites électrodes 31 et 32 sont protégées de l 'action de 2s l'eau traversant ledit film 50, ce qui permet d' assurer la résistance desdites électrodes 31 et 32 à l'humidité. Il n'est par conséquent pas nécessaire d' employer, pour constituer les électrodes détectrices 31 et 32, un mé- tal particulier présentant une excellente résistance à l'hu midité, tel qu'un métal précieux, ce qui permet d'utiliser, pour fabriquer lesdites électrodes 31 et 32, un matériau (de l'aluminium, par exemple) ne se transformant pas en une im pureté dans la chaîne classique de production de semi conducteurs. La circulation d'un courant de fuite peut être de surcroît empêchée, entre les électrodes détectrices 31 28211 60 et 32, grâce à l' interposition du film 40 en nitrure de si- licium. L'on fera observer que des électrodes détectrices du capteur à détection du type résistif, majoritairement exposé dans le document JP-A7-20080 précité, ne peuvent pas être recouvertes d'un film isolant, étant donné qu'un courant doit circuler entre lesCites électrodes. Comme décrit ci-avant, il est possible de fournir un capteur d'humidité de type capacitif qui peut être constitué d'un matériau compatible avec l'utilisation de la chaîne lO classique de production de semi-conducteurs, et qui offre une haute fiabilité. Par ailleurs, une technique habituelle de production de semi-conducteurs peut être appliquée au procédé, préala- blement à la formation du film hygrosensible 50, ce qui per met d'obtenir un haut degré d'intégration et de miniaturisa tion du capteur renfermant les électrodes détectrices 31 et 32. Un polyimide se prête particulièrement bien audit pro cédé, du fait de son utilisation classique en tant que film protecteur équipant un dispositif semi-conducteur. De plus, dans la présente forme de réalisation, la zone 200 à éléments de circuit et les électrodes détectrices 31, 32 peuvent être intégrées dans le même substrat 10 en silicium, ce qui permet d'empêcher l'accroissement d'une ca pacité de dispersion établie entre elles. En conséquence, le rapport signal/bruit peut être amélioré de façon à autoriser une miniaturisation des électrodes 31 et 32, en vue d'une miniaturisation du capteur d'humidité du type capacitif. Un matériau se prêtant au revêtement, et durci à une température de 400 C ou moins, est de préférence employé pour constituer le film hygrosensible 50 étant donné qu'un traitement à une température de 400 C, ou moins, ne peut pas influencer la propriété d'un élément semi-conducteur. Il convient de mentionner que le polyimide peut être durci à une température de 350 C. 3s Les électrodes détectrices 31 et 32 consistent, de préférence, en un matériau identique à celui dont les élec 28211 60 trodes de câblage 213a sont constituées, dans la zone 200 à éléments de circuit, si bien que lesdites électrodes 31 et 32 sont ménagées selon le même procédé que celui appliqué pour former lesdites électrodes de câblage de ladite zone 200. Par exemple, durant l'étape illustrce sur la figure 3C, les électrodes détectrices 31, 32 et les électrodes de câblage de la zone 200 à éléments de circuit peuvent être simultanément formées par un procédé de métallisation sous lO vide, ou par un procédé de déposition utilisant de l'Al, de sorte que le nombre d' interventions peut être diminué. Aucun masque n'est, en outre, nécessaire pour ménager les électro- des 31 et 32. De surcroît, bien qu'un autre matériau puisse être employé en tant que second film isolant, pour recouvrir les électrodes détectrices 31 et 32, un film en nitrure de sili- cium est approprié du fait qu'il possède une constante di- électrique relativement élevée, au sein des films isolants, réduisant ainsi une perte de capacité entre lesdites élec trodes 31 et 32, de sorte que la sensibilité de détection peut être supérieure. Un matériau tel qu'un film en oxyde de silicium, pré- sentant une constante diélectrique inférieure à celle d'un film en nitrure de silicium, est de préférence utilisé en tant que premier film isolant, bien que ce dernier puisse être constitué d'un film en nitrure de silicium. Un matériau de ce genre peut diminuer la capacité parasitaire entre les électrodes détectrices 31, 32 et le substrat 10 en silicium, ce qui autorise une plus grande sensibilité de détection. Comme illustré par ailleurs sur la figure 2, étant donné que le film hygrosensible 50 occupe une position plus basse que celle des surfaces des électrodes détectrices 31 et 32, ledit film 50 est logé dans l' interstice réservé entre lesdites électrodes 31 et 32, accroissant ainsi la sensibilité de détection. De plus, la zone 200 à éléments de circuit renferme 28211 60 le circuit capacitif commuté qui convertit, en une tension, une variation intervenant dans la capacité. Ledit circuit capacitif peut détecter de manière sensible une variation infime de la capacité, ce qui permet de miniaturiser les électrodes détectrices. L'on fera observer que la zone lOO de détection d'hu- midité ne do it pas néces sairement êt re intogrée dans la zone à éléments de cTrcuit. Dans ce cas, une puce ou une pla- quette renfermant ladite zone 200 peut être raccordée élec triquement, par des câblages de conduction ou d'intercon- nexion, au substrat doté de ladite zone lOO. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées à l' invention telle que décrite et représen- tée, sans sortir de son cadre. 28211 60 R E V E N D I C A T I O N S 1. Capteur d'humidité (S1) du type capacitif, compre- nant un substrat semi-conducteur (10); un premier film iso lant (20) déposé sur ledit substrat semi-conducteur; deux électrodes (31, 32) ménagées dans un même plan sur le pre- mier film isolant (20), de manière à se faire mutuellement face avec interposition d'un interstice; un second film isolant (40) déposé sur les deux électrodes (31, 32), de ma nière à recouvrir ces dernières; et un film hygrosensible (50) déposé sur le second film isolant (40) en vue de recou- vrir les deux électrodes, ledit film (50) présentant une ca- pacité qui varie en fonction de l'humidité, capteur caracté- risé par le fait qu'une capacité, établie entre les deux électrodes (31, 32), varie en fonction de l'humidité am- biante dudit capteur (S1). 2. Capteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il comprend, en outre, une zone (200) à éléments de circuit ménagée sur le substrat semi-conducteur (10), afin de traiter un signal renfermant une variation interve- nant dans la capacité établie entre les deux électrodes ( 31, 32) 3. Capteur selon la revendication 2, caractérisé par le fait que les deux électrodes (31, 32) sont constituées 2s d'un matériau identique à celui du câblage de la zone (200) à éléments de circuit. 4. Capteur selon l'une quelconque des revendications 2 et 3, caractérisé par le fait que la zone (200) à éléments de circuit présente un circuit capacitif commuté qui conver tit la variation intervenant dans la capacité établie entre les deux électrodes (31, 32). 5. Capteur selon l'une quelcouque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que le second film isolant (40) consiste en du nitrure de silicium. 6. Capteur selon la revendication 5, caractérisé par le fait que le premier film isolant (20) est constitué d'un 28211 60 matériau dont la constante diélectrique est inférieure à celle du nitrure de silicium. 7. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que le film hygrosensible (50) est constitué d'une substance organique hygroscopique macromoléculaire. 8. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que les deux électrodes res- pectives (31, 32) présentent une pluralité de segments den tés, chacun des multiples segments dentés de l'une (31) des électrodes étant imbriqué avec chacun des multiples segments dentés de l'autre électrode (32). 9. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait que les deux électrodes (31, 32) sont constituées de l'un des matériaux choisis au sein d'un groupe comprenant Al, Al-Si, Ti, Au, Cu et polysili- cLum. 10. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait que les deux électrodes (31, 32) sont constituées d'une combinaison comprenant deux ou plus de deux matériaux choisis au sein d'un groupe compre- nant Al, Al-Si, Ti, Au, Cu et polysilicium. 11. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que le film hygrosensible (50) occupe une position plus basse que des surfaces des deux électrodes (31, 32). 12. Procédé de fabrication d'un capteur d'humidité (S1) du type capacitif, procédé caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à déposer un premier film isolant (20) sur un substrat semi-conducteur (10) après qu'une zone (200) à éléments de circuit à été ménagée sur ledit substrat; ménager une électrode de câblage (213a) de ladite zone (200), et deux électrodes (31, 32), pour détec- ter une variation de capacité sur le premier film isolant (20); déposer un second film isolant (40) sur les deux électrodes; et déposer un film hygrosensible (50) sur le 28211 60 second film isolant (40), de manière à recouvrir les deux Electrodes (31, 32), ledit film (50) présentant une capacité qui Marie en fonction de l'humidité. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé par le fait que les deux Electrodes (31, 32), et l'électrode de câblage (213a) de la zone (200) à éléments de circuit,