FR 2812006 A1 20020125 FR 0109713 A 20010720 ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé pour fabriquer un dispositif hyperfréquence ou micro-ondes (appelé dans la suite du texte seulement mico-ondes) qui utilise un film monocristallin en grenat magnétique qui est fabriqué au moyen d'un procédé de croissance épitaxiale en phase liquide (ci-après appelé procédé LPE). 2. Description de l'art antérieur Un film monocristallin en grenat magnétique est largement utilisé en tant que matériaux pour divers dispositifs tels qu'un isolateur optique, un dispositif à ondes magnétostatiques et un dispositif hyperfréquence ou micro-ondes. Le film monocristallin en grenat magnétique destiné à être utilisé pour un tel dispositif est de façon générale obtenu par croissance au moyen du procédé LPE. C'est-à-dire qu'un bain de fusion de source est produit en fondant un soluté pour un composant d'un film monocristallin en grenat magnétique dans un solvant. Le bain de fusion de source est placé dans un creuset en métal noble et un substrat monocristallin en grenat est amené en contact avec le bain de fusion de source dans un état de supersaturation de manière à faire croître un film monocristallin sur la surface du substrat. Un substrat monocristallin en grenat à surface (111) est utilisé en tant que substrat monocristallin en grenat pour le but mentionné ci-avant du fait que la surface (111) du substrat monocristallin en grenat présente une vitesse de croissance élevée. Les figures 1 à 3 sont des schémas qui représentent un procédé classique de fabrication d'un dispositif micro-ondes en utilisant un film monocristallin en grenat magnétique. Selon ce procédé classique pour fabriquer un dispositif micro- ondes en utilisant un film monocristallin en grenat magnétique, tout d'abord, comme représenté selon la vue de côté de la figure 1, un substrat monocristallin en grenat 4 qui est maintenu par un support de substrat 3 est immergé dans un bain de fusion de source 2 dans un creuset 1 de manière à faire croître un film monocristallin en grenat magnétique au moyen du procédé LPE. Ensuite, comme représenté sur la figure 2, le substrat 5 qui comporte le film monocristallin en grenat magnétique formé sur lui est découpé par exemple le long de lignes qui sont représentées par des pointillés sur la figure 2 selon une pluralité de puces de film monocristallin en grenat magnétique 6. De cette façon, des puces de film monocristallin en grenat magnétique 6 présentant une dimension souhaitée sont obtenues, comme représenté selon une vue en plan de la figure 3. Les puces de film monocristallin en grenat magnétique obtenues 6 peuvent être utilisées en tant que dispositifs micro-ondes (encore appelés dispositifs hyperfréquence). Afin de satisfaire le besoin d'une réduction de la dimension des dispositifs micro-ondes, d'une amélioration de la productivité et d'une réduction du coût de fabrication, des efforts ont été réalisés dans les récentes années pour faire croître un film monocristallin en grenat magnétique sur un substrat monocristallin en grenat selon une dimension plus importante ou pour faire croître un film monocristallin en grenat magnétique sur une pluralité de substrats monocristallins en même temps (comme décrit par exemple dans la publication de demande de brevet examinée du Japon n 7-48442). Cependant, lorsqu'un film monocristallin en grenat magnétique est obtenu par croissance sur un substrat monocristallin en grenat qui présente une dimension importante, une contrainte importante est exercée du fait d'une désadaptation de réseau cristallin entre le substrat monocristallin et le film monocristallin obtenu par croissance sur la surface du substrat et quelquefois, la contrainte importante a pour effet que le substrat monocristallin est rompu pendant la croissance du film monocristallin. Un autre problème qui résulte de l'utilisation d'un substrat de dimension importante consiste en ce qu'une contrainte importante subsiste dans le substrat après la croissance du film monocristallin en grenat magnétique sur le substrat et une formation d'éclat ou un ébréchage (une rupture au niveau d'une face de coupe) se produit souvent lorsque le substrat est découpé selon des puces présentant une forme souhaitée. L'ébréchage conduit à une réduction supplémentaire du rendement de fabrication des dispositifs micro-ondes. Les problèmes mentionnés ci-avant deviennent davantage sérieux lorsque la dimension du dispositif micro-ondes est réduite. Par exemple, après la croissance d'un film monocristallin en Y3Fe5012 (ci-après appelé film monocristallin YIG) moyennant une épaisseur de 0,1 millimètre sur la surface d'un substrat en Gd3Ga5012 (ci-après appelé substrat GGG) moyennant une épaisseur de 0,5 millimètre, le substrat est découpé selon des puces présentant une dimension de 0,5 mm, le rendement est inférieur à 68 %. Dans le cas o un film monocristallin en grenat magnétique est obtenu par croissance sur une pluralité de substrats monocristallins en grenat en même temps, le problème est constitué par le fait qu'il y a une variation importante de l'épaisseur des films monocristallins qui sont obtenus par croissance sur les substrats. Au vu de ce qui précède, un objet de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication de dispositifs micro-ondes avantageux en ce sens qu'un film monocristallin en grenat magnétique peut être obtenu par croissance sans rencontrer une rupture d'un substrat monocristallin en grenat, le film monocristallin obtenu par croissance présentant une variation faible d'épaisseur et une formation d'éclat ou un ébréchage pouvant être atténué ou supprimé. RESUMÉ DE L'INVENTION Conformément à un aspect de la présente invention, on propose un procédé de fabrication d'un dispositif hyperfréquence ou micro-ondes qui utilise un film monocristallin en grenat magnétique au moyen du procédé de croissance épitaxiale de cristal en phase liquide, comprenant les étapes de: découpe d'un substrat monocristallin en grenat selon une pluralité de puces de substrat monocristallin en grenat; et croissance d'un film monocristallin en grenat magnétique sur la surface d'une pluralité des puces de substrat monocristallin en grenat résultantes au moyen du procédé de croissance épitaxiale de cristal en phase liquide. La pluralité de puces qui résultent de la découpe peut être supérieure à 500 puces ou 1000 puces, ou même supérieure à environ 10 000 puces. La production de puces inutilisables du fait d'un ébréchage peut être minimisée en prenant les précautions appropriées et habituellement, on peut obtenir au moins environ 85 %, souvent au moins environ 90 % ou plus, de puces bonnes pour l'étape suivante, c'est-à-dire l'étape de traitement selon le procédé de croissance cristalline épitaxiale en phase liquide. De préférence, un substrat monocristallin en grenat à surface (111) est utilisé en tant que substrat monocristallin en grenat dans ce procédé de fabrication de dispositifs micro-ondes et le substrat monocristallin en grenat est découpé de telle sorte que des surfaces (110) apparaissent en tant que paire de surfaces de découpe opposées et que des surfaces (211) apparaissent en tant qu'autre paire de surfaces de découpe opposées. En outre, le film monocristallin en grenat magnétique dans ce procédé de fabrication de dispositifs micro-ondes est de préférence obtenu par croissance de telle sorte que les puces de la pluralité de puces de substrat monocristallin en grenat soient placées dans un conteneur en forme de maillage et que le conteneur en forme de maillage soit immergé dans un bain de fusion de source de monocristal tout en entraînant en rotation le conteneur en forme de maillage, d'o ainsi la croissance du film monocristallin en grenat magnétique sur la surface de chaque puce de substrat monocristallin en grenat. Du fait qu'un film monocristallin en grenat magnétique est obtenu par croissance sur la surface de chaque puce de substrat monocristallin en grenat après la découpe du substrat monocristallin en grenat selon des puces selon le procédé de fabrication de dispositifs micro-ondes conformément à la présente invention, la contrainte due à une désadaptation de réseau cristallin entre le substrat monocristallin et le film monocristallin obtenu par croissance est réduite et par conséquent, une rupture du substrat monocristallin pendant la croissance du film monocristallin est empêchée. En outre, du fait que le substrat monocristallin est découpé selon des puces avant la formation du film monocristallin sur la surface du substrat monocristallin, le problème de la contrainte qui subsiste dans le substrat après la croissance du film monocristallin sur le substrat peut être éliminé et par conséquent, un ébréchage pendant le processus de découpe peut être réduit. En outre, du fait que le substrat monocristallin en grenat est découpé de telle sorte que des surfaces (110) et (211) qui présentent une vitesse de croissance plus faible que des surfaces (111) apparaissent au niveau de faces de découpe, le cristal peut être obtenu de manière efficiente sur des surfaces (111) présentant une vitesse de croissance élevée. Du fait que des puces de substrat monocristallin en grenat sont placées dans un conteneur en forme de maillage et que le conteneur en forme de maillage est immergé dans un bain de fusion de source de monocristal tout en entraînant en rotation le conteneur, d'o ainsi la croissance d'un film monocristallin en grenat magnétique sur la surface de chaque puce de substrat monocristallin, il est possible de faire croître le film monocristallin en grenat magnétique sur la surface de chacune d'un nombre important de puces de substrat monocristallin en même temps d'une façon hautement fiable. BREÈVE DESCRIPTION DES DESSINS Les figures 1 à 3 forment un schéma qui représente un procédé classique de fabrication d'une puce de film monocristallin en grenat magnétique, la figure 1 étant une vue de côté qui représente un substrat monocristallin en grenat qui est maintenu par un support de substrat et représentant également un creuset qui inclut un bain de fusion de source placé en son sein, la figure 2 étant une vue en plan qui représente un substrat obtenu qui comporte un film monocristallin en grenat magnétique qui est formé sur lui et la figure 3 étant une vue en plan qui représente des puces de film monocristallin magnétique qui sont obtenues en découpant le substrat; les figures 4 à 6 sont un schéma qui représente un procédé de fabrication d'une puce de film monocristallin YIG conformément à un premier mode de réalisation de l'invention, la figure 4 étant une vue en plan d'un substrat GGG, la figure 5 étant une vue de côté qui représente un conteneur de puces en forme de maillage maintenu par un support et qui représente également un creuset qui inclut un bain de fusion de source placé en son sein, et la figure 6 étant une vue en plan de puces de film monocristallin YIG obtenues; la figure 7 est une vue en coupe d'une puce de film monocristallin YIG découpée suivant un plan (211), laquelle puce est fabriquée conformément au premier mode de réalisation de l'invention; la figure 8 est une vue en coupe d'une puce de film monocristallin YIG découpée suivant un plan (110), laquelle puce est fabriquée conformément au premier mode de réalisation de l'invention; et les figures 9 à 11 forment un schéma qui représente un procédé de fabrication d'une puce de film monocristallin YIG conformément à un second mode de réalisation de l'invention, la figure 9 étant une vue en plan d'un substrat GGG, la figure 10 étant une vue de côté qui représente deux conteneurs de puces en forme de maillage empilés verticalement et maintenus par un support et représentant également un creuset qui inclut un bain de fusion de source placé en son sein et la figure 11 étant une vue en plan de puces de film monocristallin YIG obtenues. DESCRIPTION DES MODES DE RÉALISATION PRÉFÉRÉS La présente invention est décrite de manière davantage détaillée ci-après par report à des modes de réalisation spécifiques. Premier mode de réalisation Les figures 4 à 6 sont un schéma qui représente un procédé de fabrication d'une puce de film monocristallin en grenat magnétique pour une utilisation en tant qu'isolateur hyperfréquence ou micro-ondes conformément à un premier mode de réalisation. Tout d'abord, comme représenté selon une vue en plan de la figure 4, un substrat GGG à surface (111) de forme circulaire 11 qui présente une épaisseur de par exemple 0,5 millimètre et un diamètre de 76,2 millimètres a été préparé. Le substrat GGG 11 a été ensuite découpé à une vitesse de 2 millimètres/seconde en utilisant une scie de tranchage de telle sorte que des surfaces (110) apparaissent au niveau d'une paire de faces de découpe opposées et que des surfaces (211) apparaissent au niveau d'une autre paire de faces de découpe opposées. En tant que résultat, 17000 puces de substrat GGG 12 présentant une dimension de 0,5 mm x 0,5 mm x 0,5 mm ont été obtenues. Bien qu'un ébréchage se soit produit pendant le processus de découpe mentionné ci-avant, un bon rendement supérieur à 95% a été obtenu. Il est à noter que les lignes en pointillés sur le substrat GGG 11 indiquent simplement les directions de découpe et que la largeur de découpe n'est pas représentée sur la figure. Ensuite, un conteneur de puces en platine en forme de maillage tel que celui représenté sur la figure 2 a été préparé. Le conteneur de puces en platine en forme de maillage 15 était maintenu par une pluralité de pattes 14 d'un support 13 présentant un diamètre de 80 millimètres connecté à un appareil d'entraînement en rotation (non représenté). Les 17000 puces de substrat GGG 12 obtenues de la manière décrite ci- avant ont été placées dans le conteneur de puces en platine en forme de maillage 15. Le conteneur de puces en platine en forme de maillage 15 incluant les puces de substrat GGG placées en son sein a été immergé dans un bain de fusion de source supersaturé 17 dans un creuset 16 pendant 6 heures tout en entraînant en rotation le conteneur de puces 15 à 100 tours par minute (ou tpm), d'o ainsi la croissance d'un film monocristallin YIG sur la totalité de la surface de chacune des puces de substrat GGG placées dans le conteneur de puces en platine en forme de maillage 15. Ainsi, des puces de film monocristallin YIG ont été obtenues. Selon le processus qui a été décrit ci-avant, le bain de fusion de source 17 a été produit en dissolvant Y203 et Fe203, c'est-à-dire des composants du YIG, dans un solvant incluant du PbO en tant que constituant principal. La quantité du bain de fusion de source était d'environ 10 kilogrammes. Un creuset en platine présentant un diamètre de 150 millimètres et une profondeur de 150 millimètres a été utilisé en tant que creuset 16. Après refroidissement des puces en monocristal YIG obtenues jusqu'à température ambiante, les puces ont été soumises à un traitement par acide en utilisant du HNO3 de manière à enlever le bain de fusion de source qui subsiste sur les puces. En tant que résultat, comme représenté sur la figure 3, des puces de film monocristallin YIG 18 présentant une dimension de 0,8 mm x 0,7 mm x 0,6 mm ont été obtenues. Les puces de film monocristallin YIG obtenues via le processus décrit ci-avant ont été inspectées et aucune fissuration n'a été observée dans une quelconque puce de substrat GGG. La figure 7 est une vue en coupe d'une puce de film monocristallin YIG 18 de l'une des puces obtenues, cette vue étant prise selon un plan (211), et la figure 8 est une vue en coupe d'une autre puce de film monocristallin YIG 18 de l'une des puces, cette vue étant prise selon un plan (211). Comme on peut le voir sur les figures 7 et 8, bien que le film monocristallin YIG 19 ait été obtenu par croissance sur toutes les surfaces de la puce de substrat GGG 12, c'est-à-dire suivant les directions respectives , et , le film monocristallin YIG a été obtenu par croissance jusqu'à une épaisseur la plus importante suivant la direction qui est un axe de croissance aisée. Des isolateurs hyperfréquence ou micro-ondes ont été fabriqués en utilisant les puces de film monocristallin YIG obtenues de la manière décrite ci-avant. Le rendement de fabrication global au niveau du processus de fabrication en partant de la découpe du substrat GGG selon des puces était aussi élevé que 90 % ou plus. Du fait que le conteneur de puces en forme de maillage est entraîné en rotation dans le bain de fusion de source, les puces de substrat GGG sont maintenues selon un bon contact avec le bain de fusion de source pendant la croissance du film monocristallin YIG. Le film monocristallin YIG obtenu par croissance sur la surface de chaque puce présente un poids spécifique inférieur à celui du Pb qui est un constituant du bain de fusion de source. Par conséquent, les puces peuvent se déplacer aisément à l'intérieur du conteneur de puces. Ceci empêche que les puces ne soient en chevauchement les unes avec les autres et ne soient amenées en contact complet les unes avec les autres dans le conteneur de puces et empêche par conséquent la croissance d'un film monocristallin. Second mode de réalisation Deux conteneurs de puces en platine en forme de maillage similaires à celui utilisé selon le premier mode de réalisation ont été placés d'une façon empilée verticalement. Des puces de substrat GGG ont été placées dans les conteneurs de puces respectifs et un film monocristallin en grenat magnétique a été obtenu par croissance sur chaque puce. Les figures 9 à 11 sont un schéma qui représente un procédé de fabrication d'une puce de film monocristallin en grenat magnétique pour une utilisation en tant qu'isolateur hyperfréquence ou micro-ondes, conformément à un second mode de réalisation de la présente invention. Tout d'abord, deux substrats GGG à surface (111) présentant la même forme et la même dimension que celles du substrat utilisé selon le premier mode de réalisation ont été préparés. Comme représenté selon une vue en plan de la figure 9, chaque substrat GGG 21 a été découpé d'une manière similaire à celle du premier mode de réalisation afin d'obtenir 34000 puces de substrat GGG 22 présentant la même dimension que celles du premier mode de réalisation. Bien qu'un ébréchage se soit produit comme selon le premier mode de réalisation, un rendement supérieur à 95% a été obtenu. Il est à noter que les lignes en pointillés sur le substrat GGG 11 indiquent simplement les directions de découpe et que la largeur de découpe n'est pas représentée sur la figure. Ensuite, deux conteneurs de puces en platine en forme de maillage 25 présentant la même dimension que celui utilisé selon le premier mode de réalisation ont été préparés comme représenté sur la figure 10. Les deux conteneurs de puces en platine en forme de maillage ont été empilés verticalement et maintenus au moyen d'une pluralité de pattes 24 d'un support 23 connecté à un appareil d'entraînement en rotation. Les puces de substrat 22 obtenues de la manière décrite ci- avant ont été placées dans les conteneurs de puces en platine en forme de maillage 25 de telle sorte que 17000 puces ont été placées dans chaque conteneur. Les conteneurs de puces en platine en forme de maillage 25 incluant les puces de substrat GGG placées dedans ont été immergés dans un bain de fusion de source supersaturé 27 dans un creuset 26 d'une manière similaire au cas du premier mode de réalisation, d'o ainsi la croissance d'un film monocristallin YOG sur la totalité de la surface de chacune des puces de substrat GGG. Ainsi, des puces de film monocristallin YIG ont été obtenues. La composition et la quantité du bain de fusion de source étaient les mêmes que celles selon le premier mode de réalisation. Le creuset présentant la même dimension et réalisé en le même matériau que le creuset utilisé selon le premier mode de réalisation a été utilisé. Après la croissance, du bain de fusion de source subsistant sur les puces a été enlevé d'une manière similaire au cas du premier mode de réalisation. En tant que résultat, comme représenté sur la figure 11, des puces de film monocristallin YIG 28 présentant la même dimension que dans le cas du premier mode de réalisation ont été obtenues. Les puces de film monocristallin YIG obtenues via le processus décrit ciavant ont été inspectées et aucune fissuration n'a été observée dans de quelconques puces de substrat GGG comme dans le cas du premier mode de réalisation. Certaines des puces de film mode de réalisation YIG ont été découpées d'une manière similaire au cas du premier mode de réalisation et les surfaces découpées ont été observées. L'observation a révélé que le film monocristallin YIG a été obtenu par croissance sur les surfaces du substrat GGG d'une manière similaire au cas du premier mode de réalisation. Bien que, selon le second mode de réalisation, le film monocristallin YIG ait été obtenu par croissance en même temps sur le double du nombre de puces du cas du premier mode de réalisation, en utilisant deux conteneurs de puces en platine en forme de maillage empilés verticalement, la variation de l'épaisseur du film monocristallin YIG obtenu par croissance était aussi bonne que selon le premier mode de réalisation. Des isolateurs micro-ondes ont été fabriqués en utilisant les puces de film monocristallin YIG obtenues de la manière qui a été décrite ci-avant. Le rendement global du processus de fabrication était similaire à celui obtenue selon le premier mode de réalisation, c'est-à-dire qu'il était aussi élevé que 90% ou plus. Comme on peut le comprendre au vu de la description présentée ci-avant, la présente invention procure des avantages importants. C'est- à-dire qu'aucune rupture d'un substrat monocristallin en grenat ne se produit pendant la croissance d'un film monocristallin en grenat magnétique et une formation d'éclat ou un ébréchage qui se produit lorsque le substrat monocristallin en grenat est découpé est atténué ou supprimé. En tant que résultat, des dispositifs micro-ondes peuvent être fabriqués selon un rendement élevé. Du fait que la variation de l'épaisseur du film monocristallin en grenat magnétique est suffisamment faible même lorsque le film est obtenu par croissance sur un nombre important de puces, un nombre important de dispositifs micro-ondes peuvent être fabriqués d'une façon hautement fiable. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes qui utilise un film monocristallin en grenat magnétique au moyen du procédé de croissance épitaxiale de cristal en phase liquide, caractérisé en ce qu'il comprend: la découpe d'un substrat monocristallin en grenat selon une pluralité de puces de substrat monocristallin en grenat (12; 22); et simultanément, la croissance d'un film monocristallin en grenat magnétique sur la surface d'une pluralité des puces de substrat monocristallin en grenat résultantes au moyen du procédé de croissance épitaxiale de cristal en phase liquide. 2. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un substrat monocristallin en grenat à surface (111) est utilisé en tant que dit substrat monocristallin en grenat et ledit substrat monocristallin est découpé de telle sorte que des surfaces (110) apparaissent en tant que paires de surfaces de découpe opposées et que des surfaces (211) apparaissent en tant qu'une autre paire de surfaces de découpe opposées. 3. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 2, caractérisé en ce que les puces de ladite pluralité de puces de substrat monocristallin en grenat sont placées dans un conteneur en forme de maillage et ledit conteneur en forme de maillage est immergé dans un bain de fusion de source de monocristal tout en entraînant en rotation ledit conteneur en forme de maillage, d'o ainsi la croissance d'un film monocristallin en grenat magnétique sur la surface de chaque puce de substrat monocristallin en grenat. 4. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 3, caractérisé en ce que le substrat est découpé selon plus de 500 puces. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat est découpé selon plus de 1000 puces. 6. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 5, caractérisé en ce que le substrat est découpé selon plus qu'environ 10 000 puces. 7. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 1, caractérisé en ce que les puces de ladite pluralité de puces de substrat monocristallin en grenat sont placées dans un conteneur en forme de maillage et ledit conteneur en forme de maillage est immergé dans un bain de fusion de source de monocristal tout en entraînant en rotation ledit conteneur en forme de maillage, d'o ainsi la croissance d'un film monocristallin en grenat magnétique sur la surface de chaque puce de substrat monocristallin en grenat. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 7, caractérisé en ce que le substrat est découpé selon plus de 500 puces. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 8, caractérisé en ce que le substrat est découpé selon plus de 1000 puces. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 9, caractérisé en ce que le substrat est découpé selon plus qu'environ 10 000 puces. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes qui utilise un film monocristallin en grenat magnétique au moyen du procédé de croissance épitaxiale de cristal en phase liquide, caractérisé en ce qu'il comprend: la constitution d'une pluralité de puces de substrat monocristallin en grenat (12; 22), chacune desdites puces comportant trois paires de surfaces opposées dont une paire sont des surfaces (111), dont une paire sont des surfaces (110) et dont une paire sont des surfaces (211); et simultanément, la croissance d'un film monocristallin en grenat magnétique sur la surface de la pluralité de puces de substrat monocristallin en grenat au moyen du procédé de croissance épitaxiale de cristal en phase liquide. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 11, caractérisé en ce que les puces de ladite pluralité de puces de substrat monocristallin en grenat sont placées dans un conteneur en forme de maillage et ledit conteneur en forme de maillage est immergé dans un bain de fusion de source de monocristal tout en entraînant en rotation ledit conteneur en forme de maillage, d'o ainsi la croissance d'un film monocristallin en grenat magnétique sur la surface de chaque puce de substrat monocristallin en grenat. 13. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 12, caractérisé en ce que le substrat est découpé selon plus de 500 puces. 14. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 13, caractérisé en ce que le substrat est découpé selon plus de 1000 puces. 15. Procédé de fabrication d'un dispositif micro-ondes selon la revendication 14, caractérisé en ce que le substrat est découpé selon plus qu'environ 10 000 puces.