FR 2817621 A1 20020607 FR 0113329 A 20011016 L'invention concerne un appareil pour la détection de défauts dans un dispositif semi-conducteur, et plus particulièrement un appareil pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur, et des procédés pour l'utilisation de cet appareil. Pendant la fabrication de dispositifs semi- conducteurs, divers défauts peuvent apparaître. Ces défauts peuvent provoquer de mauvais fonctionnements et des défaillances dans les dispositifs semi-conducteurs. Les défauts introduits pendant la fabrication des dispositifs peuvent généralement être divisés en deux catégories comprenant les défauts physiques, tels que des particules, qui provoquent une anomalie physique sur la surface d'un substrat semiconducteur, et les défauts électriques qui n'accompagnent pas les défauts physiques, mais provoquent une défaillance électrique dans un dispositif semi-conducteur. Les défauts physiques peuvent en général être détectés par du matériel classique d'observation d'images. Cependant, les défauts électriques ne peuvent pas être habituellement détectés par des appareils ordinaires de détection de surface. Il est connu de tester des trous de contact pénétrant dans une région dopée d'un semi-conducteur entre des pièces d'écartement le long des parois de la structure empilée d'une électrode de grille formée en utilisant un appareil d'inspection à faisceau d'électrons. La surveillance en ligne pour déterminer si un trou de contact formé dans le substrat semi-conducteur est dans un état ouvert ou non est effectuée en utilisant l'appareil d'inspection à faisceau d'électrons. Si une couche de matière non attaquée (par exemple une couche d'oxyde ou de nitrure) est présente dans le trou de contact, les électrons primaires peuvent ne pas circuler convenablement jusqu'à substrat de silicium, en sorte que des électrons s'accumulent sur la surface de la couche de matière non attaquée. Une grande quantité d'électrons secondaires peut alors être émise de la surface du substrat de silicium. Suivant une différence entre les rendements d'émissions d'électrons secondaires, une image plus claire (blanche) ou plus sombre (noire) peut être affichée sur une partie o une grande quantité d'électrons secondaires sont émis, c'est-à-dire une partie o la couche de matière non attaquée est présente, en comparaison avec des parties o la couche de matière non attaquée n'est pas présente. Cependant, une telle approche peut ne pas détecter de façon fiable toutes les conditions d'absence d'attaque et est en outre exécutée avant le dépôt de matière dans le trou de contact. Il est donc souhaitable de disposer de procédés et d'appareils perfectionnés pour la détection de défauts électriques pendant la fabrication de dispositifs semi-conducteurs Des procédés et des appareils pour détecter des défauts dans un dispositif semi-conducteur comprenant une pluralité de plots conducteurs sont proposés conformément à diverses formes de réalisation de l'invention. Les procédés comprennent l'accumulation d'électrons dans des premiers plots de la pluralité de plots conducteurs et la détection d'un premier contraste entre les premiers plots conducteurs d'après des émissions d'électrons secondaires depuis les premiers plots conducteurs, après que des électrons se sont accumulés dans les premiers plots conducteurs. Des trous sont accumulés dans les premiers plots conducteurs et un second contraste est détecté entre ces premiers plots conducteurs sur la base d'émission d'électrons secondaires à partir des premiers plots conducteurs après que des trous se sont accumulés dans ces premiers plots conducteurs. On détermine si un défaut est présent dans l'un des plots conducteurs en se basant sur le premier contraste et le second contraste. Dans d'autres formes de réalisation de l'invention, les opérations de détection comprennent l'application d'un faisceau d'électrons primaires aux premiers plots conducteurs. Les électrons et trous s'accumulant peuvent être accumulés à une surface des premiers plots conducteurs. Les électrons peuvent être accumulés par réglage à un premier niveau de l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires appliqué aux premiers plots de contact et des trous peuvent être accumulés par réglage à un second niveau de l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires appliqué aux premiers plots de contact. Les électrons et/ou les trous peuvent, en variante, être accumulés en utilisant un générateur d'ions. Dans d'autres formes de réalisation de l'invention, un premier contraste de tension associé à un premier des plots conducteurs est détecté et un second contraste de tension associé aux premiers plots conducteurs est détecté. Les opérations de détection peuvent comprendre en outre l'association soit d'une première image claire soit d'une première image sombre au premier des plots conducteurs sur la base du premier contraste de tension détecté et l'association d'une seconde image claire ou d'une seconde image sombre au premier des plots conducteurs sur la base du second contraste de tension détecté. Le contraste de tension peut être déterminé sur la base d'une valeur de référence. En variante, le contraste de tension peut être déterminé sur la base d'une comparaison d'émissions d'électrons secondaires depuis le premier des plots conducteurs et d'émissions d'électrons secondaires depuis au moins un autre des premiers plots de la pluralité de plots conducteurs. Dans d'autres formes de réalisation de l'invention, le fait de déterminer si des défauts sont présents peut comprendre la détermination de la présence d'un défaut électrique dû à une source de fuite à une jonction dans le premier des plots conducteurs lorsque le premier des plots conducteurs est associé à une première image sombre et à une seconde image claire. Il peut également être déterminé qu'un défaut électrique dû à une partie de contact non gravée entre le premier des plots de contact et un substrat semi-conducteur du dispositif semi-conducteur est présent dans le premier des plots conducteurs lorsque celui-ci est associé à une première image claire et à une seconde image sombre. Il peut en outre être déterminé qu'un défaut électrique provoqué par un court-circuit entre le premier des plots conducteurs et une ligne conductrice adjacente du dispositif semi-conducteur est présent dans le premier des plots conducteurs lorsque ce premier plot conducteur est associé à une première image claire et à une seconde image claire. Il peut également être déterminé qu'un défaut physique est présent dans le premier des plots conducteurs lorsque le premier des plots conducteurs est associé à une première image sombre et à une seconde image sombre. Dans d'autres formes de réalisation de l'invention, les électrons sont accumulés par la génération d'une différence de tension entre une surface du dispositif semi- conducteur et un côté arrière du dispositif semi-conducteur choisie pour produire une accumulation d'électrons dans les premiers des plots conducteurs. Les trous peuvent être accumulés par la génération d'une différence de tension entre une surface du dispositif semi-conducteur et un côté arrière du dispositif semi-conducteur choisie pour produire une accumulation de trous dans les premiers des plots conducteurs. La différence de tension peut être générée par réglage de l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires appliqué aux premiers des plots conducteurs. Dans d'autres formes de réalisation de l'invention, il est proposé des appareils pour la détection de défauts dans un dispositif semi-conducteur comprenant une pluralité de plots conducteurs. L'appareil comporte une source d'un faisceau d'électrons configurée pour appliquer un faisceau d'électrons primaires au dispositif semi-conducteur ayant un premier état qui provoque une accumulation d'électrons dans des premiers de la pluralité de plots conducteurs, un deuxième état qui provoque une accumulation de trous dans les premiers plots conducteurs, et un troisième état qui permet une détection d'émissions d'électrons secondaires à partir des premiers plots conducteurs. Les appareils comprennent en outre un analyseur de données configuré pour détecter un premier contraste entre les premiers plots conducteurs sur la base d'émissions d'électrons secondaires à partir des premiers plots conducteurs après que des électrons se sont accumulés dans les premiers plots conducteurs et pour détecter un second contraste entre les premiers de la pluralité des plots conducteurs sur la base d'émissions d'électrons secondaires à partir des premiers plots conducteurs après que des trous se sont accumulés dans les premiers plots conducteurs. L'analyseur de données est en outre configuré pour déterminer si un défaut est présent dans l'un des plots conducteurs sur la base du premier contraste et du second contraste. L'appareil peut également comprendre une unité de commande de platine configurée pour détecter des positions sur le dispositif semi-conducteur de défauts déterminés comme étant présents. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples-nullement limitatifs et sur lesquels: La figure 1 est un schéma fonctionnel simplifié illustrant un appareil pour la détection de défauts d'un dispositif semi-conducteur selon des formes de réalisation de l'invention; la figure 2 est un graphique illustrant des rendements d'émissions d'électrons secondaires en fonction d'une différence de tension entre la surface d'un substrat semi-conducteur et son côté arrière selon des formes de réalisation de l'invention; la figure 3A est une vue schématique illustrant une image d'un défaut de deux plots conducteurs, dont l'un comprend une partie de contact non attaquée, après l'accumulation d'électrons dans les plots conducteurs selon des formes de réalisation de l'invention; la figure 3B est une vue schématique illustrant une image d'un défaut de deux plots conducteurs, dont l'un comprend une partie de contact non attaquée, après l'accumulation de trous dans les plots conducteurs selon des formes de réalisation de l'invention; la figure 4A est une vue schématique illustrant une image d'un défaut de deux plots conducteurs, dont l'un comprend une source de fuite de jonction, après une accumulation d'électrons dans les plots conducteurs selon des formes de réalisation de l'invention; la figure 4B est une vue schématique illustrant une image d'un défaut de deux plots conducteurs, dont l'un comprend une source de fuite d'une jonction, après l'accumulation de trous dans les plots conducteurs selon des formes de réalisation de l'invention; la figure 5A est une vue schématique illustrant une image d'un défaut de deux plots conducteurs, dont l'un comprend un court-circuit vers une ligne conductrice adjacente, après l'accumulation d'électrons dans les plots conducteurs selon des formes de réalisation de l'invention; la figure 5B est une vue schématique illustrant une image d'un défaut de deux plots conducteurs, dont l'un comprend un court-circuit vers une ligne conductrice adjacente, après l'accumulation de trous dans les plots conducteurs selon des formes de réalisation de l'invention; la figure 6 est un organigramme illustrant des opérations pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur selon des formes de réalisation de l'invention; et la figure 7 est un organigramme illustrant des opérations pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur selon d'autres formes de réalisation de l'invention. En référence à la figure 1, on décrira maintenant plus en détail un appareil pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semiconducteur selon des formes de réalisation de l'invention. L'appareil illustré sur la figure 1 comprend une chambre secondaire 13 configurée de façon à recevoir un substrat semi-conducteur (tranche de semi-conducteur) destiné à être utilisé dans la formation d'un dispositif semi-conducteur. L'appareil illustré comporte en outre une unité de manipulation 11 qui peut être utilisée pour charger le substrat semi-conducteur et une chambre principale 15 qui peut comporter une platine dans laquelle le substrat semi-conducteur est chargé. Une unité 16 de commande de vide est illustrée, laquelle est raccordée à la chambre principale 15 et à la chambre secondaire 13. L'unité 16 de commande de vide peut être utilisée pour commander l'état de vide des chambres. Une unité 35 d'alignement de motifs peut être utilisée pour reconnaître une image d'un motif sur un substrat semi- conducteur chargé dans la chambre principale 15, par exemple en utilisant un moyen optique tel qu'un microscope. L'unité 35 d'alignement de motifs peut en outre être configurée pour aligner l'image reconnue comme étant établie approximativement par une image originale sauvegardée dans une mémoire. Il convient de noter que l'invention est décrite ci-dessus en référence à un appareil qui peut fonctionner à la fois pour la détection de défauts et pour la formation du dispositif semi-conducteur. On doit cependant comprendre que la présente invention n'est pas limitée à ceci et qu'il n'est pas nécessaire que l'appareil, dans diverses formes de réalisation, comprenne la totalité des blocs montrés sur la figure 1. Pour la détection de défauts électriques sur un substrat semi-conducteur qui est placé dans la chambre principale 15, l'appareil illustré sur la figure 1 comprend en outre une unité 19 à source de faisceau d'électrons qui est raccordée à la chambre principale 15. L'unité 19 à source de faisceau d'électrons est configurée de façon à émettre un faisceau d'électrons primaires. Le faisceau d'électrons primaires émis peut avoir un premier état provoquant une accumulation d'électrons dans le substrat semi-conducteur, un deuxième état provoquant l'accumulation de trous et un troisième état permettant la détection d'émissions d'électrons secondaires depuis le substrat semi-conducteur. Une unité 21 de traitement de signaux est configurée pour détecter des signaux électriques engendrés par un contraste de tension à partir des électrons secondaires libérés du substrat semi-conducteur après l'application du faisceau d'électrons primaires et pour amplifier les signaux détectés. Un générateur 17 d'ions est également illustré, couplé à la chambre secondaire 13, lequel générateur est configuré pour doper des trous positifs (cations) et/ou des électrons (anions) sur la surface du substrat semi-conducteur lorsque ce substrat est positionné dans la chambre secondaire 13. Le générateur 17 d'ions peut également, similairement à l'unité 19 à source de faisceau d'électrons, être utilisé pour détecter des défauts électriques dans le substrat semi-conducteur afin que ces défauts puissent, par exemple, être classés par type. L'appareil illustré sur la figure 1 comprend en outre une unité 23 d'affichage d'image connectée à l'unité 21 de traitement de signaux et configurée pour générer une représentation visuelle des signaux électriques traités par l'unité 21 de traitement de signaux, par exemple en utilisant des techniques de traitement d'image. Un analyseur 25 de données connecté à l'unité 21 de traitement de signaux est configuré pour analyser les signaux électriques traités par l'unité 21 de traitement de signaux, déterminer si des défauts électriques sont apparus et traiter encore, ensuite les signaux électriques, par exemple de façon statistique. L'appareil illustré sur la figure 1 comprend en outre un ordinateur hôte 27 configuré pour délivrer en sortie des données concernant les positions de défauts sur le substrat semi-conducteur, lesquelles peuvent être reçues d'un ordinateur extérieur 26, et pour commander l'unité 37 de commande de platine, qui comprend un dispositif 29 de commande à interféromètre à laser, et l'unité 31 de déplacement de la platine, afin d'identifier les positions de défauts, tels que des défauts physiques, sur le substrat semi-conducteur sur la base de données reçues, par exemple, de l'ordinateur extérieur 26. Il convient de noter que, avant l'identification des positions de défauts physiques, un point de repère (de référence) d'une marque d'alignement peut être établi afin d'aligner avec précision le substrat semiconducteur. Pour positionner un repère d'alignement sur le substrat semi- conducteur sur la base d'un repère d'alignement sauvegardé dans l'ordinateur hôte 27, on peut comparer les deux repères l'un à l'autre, puis on peut régler le substrat semi-conducteur en utilisant l'unité 37 de commande de la platine. L'appareil illustré sur la figure 1 comprend aussi une unité 33 de traitement d'image configurée pour traiter les données de positions de défauts physiques reçues de l'ordinateur hôte 27 et pour renvoyer par rétroaction les données traitées d'image à l'unité 37 de commande de la platine. L'unité 33 de traitement d'image est également configurée pour traiter en outre les signaux électriques traités par l'unité 21 de traitement de signaux pour les convertir en une image claire ou en une image sombre et pour renvoyer l'image claire ou sombre à l'ordinateur hôte 27. Ce traitement peut être basé, en partie, sur un organigramme de classement des défauts électriques que l'ordinateur hôte 27 contient. Bien que l'appareil illustré sur la figure 1 comprenne un certain nombre de composants du type pour la commande destinés à être utilisés dans la détection de défauts dans un dispositif semi-conducteur, on doit comprendre que la répartition des opérations associées à la présente invention n'est pas limitée au groupe particulier de composants illustrés sur la figure 1. Par exemple, l'unité 21 de traitement de signaux, l'analyseur 25 de données et l'ordinateur hôte 27 pourraient être combinés en une seule unité ou en d'autres groupements présentant les capacités décrites. A titre de contexte pour la poursuite de la description de l'invention, on décrira maintenant plus en détail le rendement d'émissions d'électrons secondaires en référence à la figure 2. Les rendements d'émissions d'électrons secondaires libérés depuis différentes substances, telles qu'une couche d'oxyde et du silicium, seront décrits. La figure 2 est un graphique illustrant un rendement d'émissions d'électrons secondaires qui varient avec la différence de tension entre la surface (le côté supérieur) et le côté arrière d'un substrat semi- conducteur. Sur la figure 2, l'axe des x indique la différence de tension entre la surface et le côté arrière d'un substrat semi-conducteur, qui peut être générée par l'application d'un faisceau d'électrons primaires au substrat. L'axe des y indique un rendement d'émissions d'électrons secondaires qui est le rapport des électrons secondaires libérés du substrat semi-conducteur aux électrons introduits, par exemple, par le faisceau d'électrons primaires. En particulier, un rendement d'émissions d'électrons secondaires pour le silicium et un rendement d'émissions d'électrons secondaires pour une couche d'oxyde sont indiqués en SEsi et SEox, respectivement, sur la figure 2. En référence à la figure 2, si le rendement d'émissions d'électrons secondaires ne dépasse 1, le nombre d'électrons libérés depuis la surface d'une tranche de semi-conducteur est inférieure au nombre d'électrons appliqués à cette surface. Par conséquent, des électrons s'accumulent sur la surface du substrat semi-conducteur, par exemple, à la surface de plots conducteurs formés dans le substrat semi-conducteur. Par contre, si le rendement d'émissions d'électrons secondaires dépasse 1, le nombre d'électrons libérés depuis la surface d'une tranche de semi-conducteur est plus grand que le nombre d'électrons appliqué à cette surface. Par conséquent, des trous s'accumulent sur la surface du substrat semiconducteur, par exemple à la surface des plots conducteurs. En d'autres termes, lorsqu'on travaille dans une plage de différence de tension dans laquelle le rendement d'émissions d'électrons secondaires est inférieur à 1, des électrons excédentaires peuvent s'accumuler. Lorsqu'on travaille dans une plage de différence de tension dans laquelle le rendement d'émissions d'électrons secondaires est supérieur à 1, des trous excédentaires peuvent s'accumuler. L'accumulation d'électrons ou de trous sur la surface d'un substrat semiconducteur conforme à l'invention peut être utilisée pour détecter et/ou classer les défauts électriques, par exemple en utilisant l'appareil pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur de la figure 1. Les électrons ou les trous peuvent être accumulés sur la surface d'un dispositif semi-conducteur en utilisant le générateur d'ions 17 et/ou l'unité 19 à source de faisceau d'électrons de l'appareil pour la détection de défauts électriques illustré sur la figure 1. Sur la figure 2, seules les distributions de rendements d'émissions d'électrons secondaires pour le silicium et une couche d'oxyde sont illustrées. Cependant, on doit comprendre que l'invention peut également être appliquée à d'autres matières ayant une région de génération d'ions ou d'électrons et une région de génération de trous. Les opérations associées à la détection de défauts de différents types selon diverses formes de réalisation de l'invention seront maintenant décrites plus en détail en référence aux exemples illustrés schématiquement sur les figures 3A à 5B. Les types de causes de défauts électriques illustrés, comme décrit ci-dessous, comprennent un défaut de résistance qui apparaît dans une partie de contact non attaquée, un défaut de fuite provoqué par une source de fuite à une jonction, et un court-circuit entre un plot conducteur et une ligne conductrice. Comme montré sur les figures 3A à 5B, le dispositif semi-conducteur comporte une pluralité de motifs de grilles formés chacun par l'accumulation successive d'une couche isolante de grille (non représentée) et d'une ligne conductrice 108, consistant en une couche de polysilicium 104 et une couche de siliciure 106, telle qu'une couche de siliciure de tungstène, qui peuvent agir en tant qu'électrode de grille, et d'une couche isolante 110 de recouvrement. Des pièces d'écartements 112, qui recouvrent chacun des motifs de grille, sont également formées dans le dispositif semi-conducteur. Entre les pièces d'écartements 112, des plots conducteurs 114, qui sont connectés électriquement à une région d'impureté 116, telle qu'une source et une région de drain, sont formés. Chacun des plots conducteurs 114 est formé d'une couche de polysilicium qui a été dopée avec des impuretés, d'une couche de tungstène, d'une couche d'aluminium ou d'une couche de cuivre. Bien qu'une électrode de grille soit utilisée à titre d'exemple des lignes conductrices 108, elles peuvent également être des lignes de bits. En outre, bien qu'une structure et des matières particulières pour le dispositif semi- conducteur soient décrites et illustrées à des fins de simplification de l'explication de l'invention, on doit comprendre que l'invention n'est pas limitée uniquement à cette structure et/ou à ces matières particulières. Les figures 3A et 3B sont des vues schématiques illustrant un défaut d'image (image claire ou sombre provenant d'une détection d'émissions d'électrons secondaires) provenant de deux plots conducteurs, dont l'un comprend une partie de contact non gravée ou non attaquée. L'expression "partie de contact non gravée" ou "partie de contact non attaquée" utilisée ici fait référence à une région de matière isolante non attaquée entre le plot de contact et le substrat semi-conducteur, qui peut avoir été laissée par suite d'une attaque chimique incorrecte pendant le processus de fabrication. Bien que deux plots conducteurs seulement soient illustrés pour simplifier l'explication de l'invention, on doit comprendre qu'un plus grand nombre de plots conducteurs sont habituellement présents dans un dispositif semi-conducteur soumis à un essai conformément à des formes de réalisation de l'invention. La figure 3A illustre l'image défectueuse dans le cas o le rendement d'émissions d'électrons secondaires pour les plots conducteurs 114a et 114b est dans une région o des électrons, qui seront ensuite libérés en tant qu'électrons secondaires, peuvent s'accumuler, (c'est-à-dire, en référence à la figure 2, a été rendu inférieur à 1) par une augmentation de la différence de tension entre la surface et le côté arrière du substrat semi-conducteur 100 en utilisant un faisceau primaire à haute énergie. Dans ces conditions, le nombre d'électrons secondaires libérés des plots conducteurs est inférieur au nombre d'électrons secondaires appliqués aux plots conducteurs et, par conséquent, des électrons s'accumulent sur la surface des plots conducteurs 114a et 114b. Il convient de noter que le terme "accumulation" d'électrons (ou de trous, c'est-à-dire un nombre réduit d'électrons dans une région), tel qu'utilisé ici, fait référence à l'accroissement du nombre d'électrons (ou de trous) utilisables pour faire varier ensuite les niveaux d'émissions d'électrons secondaires et on doit comprendre que le niveau "accumulé" dans un plot conducteur peut être le niveau normal d'électrons pour la matière du plot conducteur pourvu que des électrons soient présents dans un autre plot conducteur, en un nombre suffisamment différent pour pouvoir être distingué du précédent afin de produire un contraste de tension pouvant être détecté comme cela sera décrit ci-après. Comme montré sur la figure 3A, davantage d'électrons s'accumulent dans le plot conducteur 114b ayant une partie de contact non attaquée 150 que dans l'autre plot conducteur 114a ayant une partie de contact ouverte. Les niveaux d'accumulation d'électrons différents résultent du fait que la partie de contact non attaquée réduit le nombre d'électrons se déplaçant vers le substrat semi-conducteur depuis le plot conducteur 114b par rapport au plot conducteur 114a. Un faisceau d'électrons primaires peut être appliqué à la surface du substrat semi-conducteur 100 comprenant les deux plots conducteurs 114a et 114b pour produire la différence de tension souhaitée à travers le substrat 100 en utilisant l'appareil de détection de défauts électriques de la figure 1. Le faisceau d'électrons primaires peut également être appliqué, habituellement à un niveau de puissance différent qui peut être déterminé expérimentalement, pour mesurer le7s émissions d'électrons secondaires afin de produire une lecture de contraste de tension destinée à être utilisée dans la détection de défauts conformément à des formes de réalisation de l'invention. Les nombreux électrons (e) restant dans la partie de contact non attaquée 150 procurent à la partie de contact non attaquée une force de répulsion plus grande que celle de la partie de contact ouverte. Par conséquent, le plot conducteur 114b ayant la partie de contact non attaquée 150 libère davantage d'électrons secondaires que le plot conducteur 114a ayant la partie de contact ouverte. Le plot conducteur 114b peut donc être associé à une image claire basée sur le niveau détecté d'émissions d'électrons secondaires. La figure 3B illustre l'image de défaut dans le cas ou le rendement d'émissions d'électrons secondaires dans les plots de contact se trouve dans une région dans laquelle des trous peuvent s'accumuler (c'est-à-dire, enréférence à la figure 2, a été rendu supérieur à 1) par suite d'une diminution de la différence de tension entre la surface et le côté arrière du substrat semi-conducteur 100 en utilisant un faisceau primaire à faible énergie pour produire une accumulation de trous. Dans ces conditions, le nombre d'électrons secondaires libérés des plots conducteurs est plus grand que le nombre d'électrons secondaires appliqués aux plots conducteurs et, par conséquent, des trous (h) s'accumulent sur la surface des plots conducteurs 114c et 114e. Comme montré sur la figure 3B, il reste davantage de trous dans le plot conducteur 114d ayant une partie de contact non attaquée que dans l'autre plot conducteur 114c ayant une partie de contact ouverte. La différence d'accumulation de trous résulte du fait que la partie de contact non attaquée empêche davantage de trous de se déplacer vers le substrat semi-conducteur 100 que la partie de contact ouverte. Comme décrit en référence à la figure 3A, un faisceau d'électrons primaires peut être appliqué à la surface du substrat semi-conducteur 100 comprenant les deux plots conducteurs 114c et 114d, par exemple en utilisant l'appareil de détection de défauts électriques de la figure 1, pour détecter des niveaux d'émissions d'électrons secondaires des plots conducteurs 114c et 114d. Les trous restant sur la surface des plots conducteurs 114c et 114d agissent à la manière d'un piège pour les électrons secondaires qui seraient autrement libérés. Etant donné que les trous s'accumulent en quantités différentes dans les plots conducteurs 114c et 114d, le plot conducteur 114d ayant la partie de contact non attaquée 150 libère moins d'électrons secondaires que le plot conducteur 114c ayant la partie de contact ouverte. Par conséquent, le plot conducteur 114d ayant la partie de contact non attaquée 150 peut être associé à une image sombre basée sur le niveau d'émissions d'électrons secondaires détectées. Les figures 4A et 4B sont des vues schématiques illustrant une image de défaut à partir de deux plots conducteurs dont l'un comprend une source de fuite de jonction. Plus particulièrement, la figure 4A illustre l'image d'un défaut dans le cas o le rendement d'émissions d'électrons secondaires a été rendu inférieur à 1 par un accroissement de la différence de tension entre la surface et le côté arrière du substrat semi-conducteur 100. Dans ces conditions, comme décrit en référence à la figure 3A, des électrons s'accumulent sur la surface des plots conducteurs 114e et 114f. Cependant, dans le cas du plot conducteur 114f ayant une partie 160 à source de fuite, moins d'électrons (e) s'accumulent que dans l'autre plot conducteur 114e car certains électrons restant dans le plot conducteur 114f fuient à l'extérieur de la partie 160 à source de fuite. Comme décrit précédemment, un faisceau d'électrons primaires peut être appliqué à la surface du substrat semi-conducteur 100 comprenant les plots conducteurs 114e et 114f, par exemple, en utilisant un appareil de détection de défauts électriques, pour détecter des niveaux d'émissions d'électrons secondaires des plots conducteurs 114e et 114f. Si le substrat semi-conducteur 100 est du type P et comporte une zone de jonction de type N, comme montré sur la figure 4A, le nombre d'électrons secondaires libérés du plot conducteur 114f ayant la partie 160 à source de fuite est réduit du fait de la fuite d'électrons à travers la partie 160 à source de fuite. Par conséquent, le plot conducteur 114f peut être associé à une image sombre basée sur le niveau d'émissions d'électrons secondaires détectées. Si le substrat semi-conducteur 100 est du type N et comporte une zone de jonction de type P, le substrat peut se trouver placé en polarisation inverse et la charge de surface de chacun des plots conducteurs 114e et 114f peut ne pas être modifiée. Par conséquent, le plot conducteur 114f ayant la partie de fuite 160 et l'autre plot conducteur 114g peuvent ne pas être différents l'un de l'autre en ce qui concerne leurs images. La figure 4B illustre l'image d'un défaut dans le cas o le rendement d'émissions d'électrons secondaires a été rendu supérieur à 1 et des trous (h) s'accumulent sur la surface des plots conducteurs 114g et 114h. Un faisceau d'électrons primaires peut alors être appliqué à la surface du substrat semi-conducteur 100 comprenant les plots conducteurs 114g et 114h, par exemple, en utilisant l'appareil de détection de défauts électriques montré sur la figure 1, pour détecter des émissions d'électrons secondaires des plots conducteurs 114g et 114h. Si, comme illustré sur la figure 4B, le substrat semi-conducteur 100 est du type P et comporte une zone de jonction de type N, le substrat peut se trouver polarisé en sens inverse et la charge de surface de chacun des plots conducteurs 114g et 114h peut ne pas être modifiée. Par conséquent, le plot conducteur 114h ayant la partie 160 à source de fuite et l'autre plot conducteur 114g peuvent ne pas être différents l'un de l'autre en ce qui concerne leurs images de défauts. Par ailleurs, si le substrat semiconducteur 100 est du type N et comporte une zone de jonction de type P, le substrat 100 peut se trouver polarisé dans le sens direct. Par conséquent, le plot conducteur 114h ayant la partie 160 à source de fuite peut être associé à une image claire basée sur une fuite de trous à travers la partie 160 à source de fuite, permettant un niveau plus élevé d'émissions d'électrons secondaires à partir du plot conducteur 114h qu'à partir du plot conducteur 114g. Les figures 5A et 5B sont des vues schématiques illustrant une image de défaut provenant de deux plots conducteurs, dont l'un comprend un courtcircuit entre un plot conducteur et une ligne conductrice, en utilisant l'appareil de détection de la figure 1. La figure 5A illustre l'image d'un défaut dans le cas o le rendement d'émissions d'électrons secondaires a été rendu inférieur à 1 et des électrons (e) s'accumulent sur la surface des plots conducteurs 114i et 114j. Comme décrit précédemment, un faisceau d'électrons primaires peut alors être appliqué à la surface du substrat semi-conducteur 100 comprenant les plots conducteurs 114i et 114j, par exemple en utilisant l'appareil de détection de défauts électriques de la figure 1, pour détecter des niveaux d'émission d'électrons secondaires. S'il y a un court-circuit entre le plot conducteur 114j et une ligne conductrice 108 ayant des électrons, par exemple, comme montré. sur la figure 5A o une couche 106 de siliciure est présente, des électrons ne peuvent pas fuir vers l'extérieur en direction de la ligne conductrice 108 et, par conséquent, il reste de nombreux électrons à la surface du plot conducteur 114j. Par conséquent, lorsqu'un faisceau d'électrons primaires est appliqué pour détecter des niveaux d'émissions d'électrons secondaires, la quantité d'électrons secondaires se libérant du plot conducteur 114j est plus grande et peut être associée à une image claire. La figure 5B illustre l'image de défaut dans le cas o le rendement d'émissions d'électrons secondaires a été rendu inférieur à 1 et des trous (h) s'accumulent sur la surface des plots conducteurs 114k et 1141. Comme décrit précédemment, un faisceau d'électrons primaires peut alors être appliqué à la surface du substrat semi-conducteur 100 comprenant les plots conducteurs 114k et 1141 pour détecter des niveaux d'émissions d'électrons secondaires. Dans le cas du plot conducteur 1141 en court- circuit avec une ligne conductrice 108 ayant des électrons, telle que la couche de siliciure 106 illustrée sur la figure 5B, des trous (h) fuient vers l'extérieur en direction de la ligne conductrice 108, en sorte qu'il reste moins de trous à la surface du plot conducteur 1141 qu'à l'autre plot conducteur 114k. Par conséquent, la quantité d'électrons secondaires libérés du plot conducteur 1141 augmente relativement, en sorte que le plot conducteur 1141 peut être associé à une image claire. Comme illustré sur les figures 3A à 5B, des défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur peuvent être détectés en détectant un contraste de tension provoqué par des électrons secondaires libérés de la surface de plot conducteur et en convertissant le contraste en une image claire ou en une image sombre associée à un plot conducteur. Sur les figures 3A à 5B, des plots conducteurs sont comparés entre eux pour déterminer si une image associée aux plots conducteurs est sombre ou claire. Cependant, on doit comprendre que la détermination du fait qu'un plot conducteur doive être associé à une image claire ou à une image sombre peut également être basée sur une valeur de référence déterminée à l'avance, par exemple expérimentalement. En outre, les figures 3A à 5B ont été décrites de façon générale en référence aux électrons et/ou aux trous accumulés sur la surface des plots conducteurs 114a à 1141 par réglage de l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires. Cependant, le plot conducteur peut également être dopé directement en utilisant un générateur d'ions, tel que le générateur 17 d'ions de la figure 1. Différents types de défauts électriques ont été illustrés sur les figures, y compris une partie de contact non attaquée présentant un défaut du type à résistance, et un défaut électrique par fuite comme illustré par un court- circuit entre le plot conducteur 114j et la ligne conductrice 108. Ces défauts particuliers peuvent aboutir à des niveaux de luminosité similaires de l'image de défaut détectée, lors de l'accumulation d'électrons sur la surface des plots conducteurs 114b et 114j. Cependant, il peut être souhaitable de classer et d'identifier les types de défauts électriques qui sont apparus. Ce classement et cette identification peuvent être souhaitables pour améliorer le processus de fabrication en réduisant ou empêchant l'apparition de divers défauts par une action corrective dans le processus de fabrication. Divers procédés de détection de défauts, qui peuvent en outre permettre un classement du type de défauts, seront maintenant décrits en référence aux illustrations par des organigrammes de formes de réalisation de l'invention sur les figures 6 et 7. La description des figures 6 et 7 sera donnée en référence au dispositif semi-conducteur illustré sur les figures 3A à 5B qui comprend un substrat semi-conducteur 100, plusieurs lignes conductrices 108, des couches isolantes 110 et 112 et des plots conducteurs 114a à 1141 formés entre chacune des couches isolantes. La figure 6 est un organigramme illustrant un exemple de procédés pour détecter et classer des défauts électriques dans un dispositif semiconducteur, par exemple en utilisant l'appareil pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur, illustré sur la figure 1. Les opérations commencent à un bloc 201 en rendant inférieur à 1 le rendement d'émissions d'électrons secondaires, par exemple en élevant l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires, et des électrons s'accumulent sur la surface de plots conducteurs. Un faisceau d'électrons primaires est appliqué aux plots conducteurs à un niveau de détection et des électrons secondaires libérés de la surface des plots conducteurs sont détectés (bloc 203). Ainsi, un premier contraste de tension entre les plots conducteurs peut être détecté et une première image de défaut est obtenue d'après le premier contraste de tension (bloc 203). Il est déterminé si la première image de défaut est une image sombre ou une image claire (bloc 205). Si la première image de défaut est une image sombre (bloc 205), des trous sont accumulés sur la surface des plots conducteurs, par exemple par réglage de l'énergie du faisceau d'électrons primaires à un niveau bas (bloc 207). Un faisceau d'électrons primaires est appliqué aux plots conducteurs et des électrons secondaires libérés de la surface des plots conducteurs sont détectés (bloc 209). Ainsi, on peut détecter un second contraste de tension entre les plots conducteurs et on obtient une seconde image de défaut d'après le second contraste de tension (bloc 209). Il est déterminé si la seconde image de défaut est une image sombre ou une image claire (bloc 211). Si la seconde image de défaut est une image sombre (bloc 209) et si l'énergie du faisceau d'électrons primaires a la valeur la plus basse (bloc 213), le plot conducteur ayant l'image de défaut sombre est déterminé comme ayant un défaut physique (bloc 215). Cependant, comme illustré pour les formes de réalisation de la figure 6, si l'image de défaut est une image sombre, mais que l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires n'est pas de la valeur la plus basse, les opérations reviennent au bloc 207 et continuent comme décrit ci-dessus, mais avec une diminution du niveau d'énergie du faisceau primaire lors des itérations successives jusqu'à ce que la valeur la plus basse pour le faisceau primaire soit atteinte. Si la seconde image de défaut n'est pas une image sombre (bloc 211), le plot conducteur est classé comme ayant une image de défaut provoquée par une source de fuite de jonction (bloc 217). Si la première image de défaut n'est pas une image sombre (bloc 205), l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires est abaissée et des trous s'accumulent sur la surface des plots conducteurs (bloc 307). Un faisceau d'électrons primaires est appliqué aux plots conducteurs à un niveau d'essai et des électrons secondaires libérés de la surface des plots conducteurs sont détectés (bloc 309). Par conséquent, un contraste de tension entre les plots conducteurs peut être détecté et une deuxième image de défaut (qui peut être autrement appelée ici image de défaut détecté en troisième) est obtenue d'après le contraste de tension (bloc 309). Il est déterminé si la deuxième image de défaut est une image sombre (bloc 311). Si la deuxième image de défaut est une image sombre (bloc 311), le plot conducteur est déterminé comme ayant un défaut électrique provoqué par une partie de contact non attaquée (bloc 317). Si la deuxième image de défaut n'est pas une image sombre (bloc 311), il est déterminé si l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires possède la valeur la plus basse ou non (bloc 313). Si l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires possède la valeur la plus basse (bloc 313), le plot conducteur qui n'est pas associé à une image sombre est classé comme ayant un défaut électrique provoqué par un court-circuit entre une partie de contact et une ligne conductrice (bloc 315). Si la valeur d'énergie du faisceau primaire n'est pas encore au niveau le plus bas, les opérations reviennent au bloc 307 et se répètent comme décrit ci-dessus, avec une réduction du niveau d'énergie du faisceau primaire à chaque (d'une ou plusieurs autres) itération jusqu'à l'obtention du niveau le plus bas. Pour résumer les opérations de détection et de classement de défauts illustrées sur la figure 6, lorsque des défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur sont détectés en utilisant un appareil pour la détection de défauts électriques après que des électrons se sont accumulés sur la surface de plots conducteurs du dispositif semi- conducteur, le plot conducteur ayant une image sombre peut indiquer que des défauts physiques ou des défauts électriques provoqués par une fuite d'une jonction sont présents dans le dispositif semi-conducteur. Après que des trous se sont accumulés sur la surface, l'image de défaut des plots conducteurs ayant une fuite de jonction est inversée tandis que l'image de défaut du plot conducteur ayant des défauts physiques n'est pas inversée. Lorsque des électrons s'accumulent sur la surface de plots conducteurs et que les plots conducteurs ont une image de défaut qui n'est pas sombre, ceci indique des défauts électriques provoqués par un court-circuit entre une partie de contact et une ligne conductrice ou qu'une partie de contact non attaquée peut être présente. Après que des trous se sont accumulés sur la surface, l'image de défaut du plot conducteur ayant la partie de contact non attaquée est inversée, tandis que l'image de défaut du plot conducteur présentant un court-circuit entre une partie de contact et une ligne n'est pas inversée. La figure 7 est un organigramme illustrant des opérations d'autres formes de réalisation pour la détection et le classement de défauts électriques d'un dispositif semi-conducteur, par exemple, en utilisant l'appareil pour la détection de défauts électriques d'un dispositif semi-conducteur de la figure 1, selon la présente invention. En général, les opérations de la figure 7 diffèrent de celles telles que montrées sur la figure 6 par le fait que la condition d'accumulation de trous précède la condition d'accumulation d'électrons. La figure 7 sera également décrite en référence à des formes de réalisation dans lesquelles le générateur 17 d'ions est utilisé. Bien que les opérations soient décrites en référence à l'appareil particulier de la figure 1, on doit comprendre que l'invention n'est pas limitée à ceci. Les opérations commencent par l'accumulation de trous sur la surface de plots conducteurs d'un dispositif semi-conducteur chargé dans la chambre secondaire 13 de la figure 1, en utilisant le générateur 17 d'ions (bloc 401). Le dispositif semi-conducteur est chargé dans la chambre principale 15 (bloc 403) et un faisceau d'électrons primaires est appliqué à un niveau d'essai aux plots conducteurs sur lesquels des trous s'accumulent et des électrons secondaires libérés de la surface des plots conducteurs sont détectés (bloc 404). Par conséquent, un contraste de tension entre les plots conducteurs peut exister et une première image de défaut est obtenue d'après le contraste de tension (bloc 404). Il est déterminé si la première image de défaut est une image sombre ou non (bloc 405). Si la première image de défaut est une image sombre (bloc 405), le dispositif semi-conducteur est déchargé de la chambre principale 15 et chargé dans la chambre secondaire 13 (bloc 407). Des électrons s'accumulent sur la surface des plots conducteurs de ce dispositif semi-conducteur en utilisant le générateur 17 d'ions (bloc 409). Un faisceau d'électrons primaires est appliqué à un niveau d'essai aux plots conducteurs sur lesquels des électrons sont accumulés et des électrons secondaires libérés de la surface des plots conducteurs sont détectés (bloc 410). Par conséquent, un contraste de tension peut exister entre les plots conducteurs et une seconde image de défaut est obtenue d'après le contraste de tension (bloc 410). Il est déterminé si la seconde image de défaut est une image sombre ou non (bloc 411). Si la seconde image de défaut est sombre (bloc 411), le plot conducteur ayant l'image de défaut sombre est classé comme ayant un défaut physique (bloc 413). Si la seconde image de défaut n'est pas une image sombre (bloc 411), le plot conducteur est classé comme ayant un défaut électrique provoqué par une partie de contact non attaquée (bloc 415). Si la première image de défaut n'est pas une image sombre (bloc 405), le dispositif semi-conducteur est également déchargé de la chambre principale 15 et chargé dans la chambre secondaire 13 (bloc 507). Des électrons s'accumulent sur la surface des plots conducteurs du dispositif semi-conducteur par suite de l'utilisation du générateur 17 d'ions (bloc 509). Un faisceau d'électrons primaires est appliqué aux plots conducteurs sur lesquels des électrons sont accumulés et des électrons secondaires libérés de la surface des plots conducteurs sont détectés (bloc 510). Par conséquent, un contraste de tension peut exister entre chacun des plots conducteurs et une seconde image de défaut (qui peut être appelée autrement ici image de défaut détecté en troisième) est obtenue d'après le contraste de tension (bloc 510). Il est déterminé si la seconde image de défaut est une image sombre ou non (bloc 511). Si la seconde image de défaut est une image sombre (bloc 511), le plot conducteur ayant cette image sombre est classé comme ayant un défaut électrique provoqué par une source de fuite de jonction (bloc 513). Si la seconde image de défaut n'est pas sombre (bloc 511), le plot conducteur est classé comme ayant un défaut électrique provoqué par un court-circuit entre une partie de contact et une ligne conductrice (bloc 515). Pour résumer les opérations décrites en référence à la figure 7, lorsque des défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur sont détectés après l'accumulation de trous sur la surface de plots conducteurs du dispositif semi-conducteur, un plot conducteur présentant une image de défaut sombre indique que des défauts physiques ou des défauts électriques provoqués par une partie de contact non attaquée sont présents dans le dispositif semi-conducteur. Après que des électrons se sont accumulés sur la charge de surface, l'image de défaut du plot conducteur ayant une partie de contact non attaquée est inversée, tandis que l'image de défaut du plot conducteur ayant des défauts physiques n'est pas inversée. Lorsque les plots conducteurs ne présentent pas d'image sombre (une image claire) après l'accumulation de trous sur la surface des plots conducteurs, ceci indique que des défauts électriques provoqués par une fuite d'une jonction ou un court-circuit entre une partie de contact et une ligne conductrice existent. Cependant, après que des électrons se sont accumulés sur la surface, l'image de défaut du plot conducteur comprenant un court-circuit entre une partie de contact et une ligne conductrice n'est pas inversée, tandis que l'image de défaut du plot conducteur ayant une source de fuite de jonction est inversée. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé et à l'appareil décrits et représentés sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour détecter des défauts dans un dispositif semi-conducteur comportant une pluralité de plots conducteurs (114), caractérisé en ce qu'il comprend: l'accumulation d'électrons (e) dans des premiers de la pluralité de plots conducteurs; la détection d'un premier contraste entre les premiers plots conducteurs sur la base d'émissions d'électrons secondaires depuis les premiers plots conducteurs après l'accumulation d'électrons sur les premiers plots conducteurs; l'accumulation de trous (h) dans les premiers plots conducteurs; la détection d'un second contraste entre les premiers plots conducteurs sur la base d'émissions d'électrons secondaires à partir des premiers plots conducteurs après l'accumulation de trous dans les premiers plots conducteurs; et la détermination de la présence ou non d'un défaut dans l'un des plots conducteurs sur la base du premier contraste et du second contraste. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les étapes de détection comprennent en outre l'application d'un faisceau d'électrons primaires aux premiers plots conducteurs. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape d'accumulation d'électrons comprend l'accumulation d'électrons sur une surface des premiers plots conducteurs et l'étape d'accumulation de trous comprend l'accumulation de trous sur une surface des premiers plots conducteurs. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape d'accumulation d'électrons comprend en outre l'accumulation des électrons par réglage de l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires appliqué aux premiers plots de contact et l'étape d'accumulation de trous comprend en outre l'accumulation des trous par réglage de l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires appliqué aux premiers plots conducteurs. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que les étapes de détection comprennent en outre l'application d'un faisceau d'électrons primaires aux premiers plots conducteurs. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape d'accumulation d'électrons comprend en outre l'accumulation des électrons en utilisant un générateur (17) d'ions et l'étape d'accumulation de trous comprend en outre l'accumulation des trous en utilisant le générateur d'ions. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de détection d'un premier contraste comprend en outre l'étape de détection d'un premier contraste de tension associé au premier des plots conducteurs et l'étape de détection d'un second contraste comprend en outre l'étape de détection d'un second contraste de tension associé au premier des plots conducteurs. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape de détection d'un premier contraste comprend en outre l'étape d'association soit d'une première image claire soit d'une première image sombre au premier des plots conducteurs sur la base du premier contraste de tension détecté et l'étape de détection d'un second contraste comprend en outre l'étape d'association soit d'une seconde image claire soit d'une seconde image sombre au premier des plots conducteurs sur la base du second contraste de tension détecté. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape de détermination de la présence ou non de défauts dans le premier des plots conducteurs sur la base du premier contraste et du second contraste comprend en outre au moins l'une d'une: détermination de la présence d'un défaut électrique provoqué par une source (160) de fuite de jonction dans le premier (114f) des plots conducteurs lorsque le premier plot conducteur est associé à une première image sombre et à une seconde image claire; détermination de la présence d'un défaut électrique provoqué par une partie de contact non attaquée (150) entre le premier (114d) des plots conducteurs et un substrat semi-conducteur (100) du dispositif semi- conducteur dans le premier des plots conducteurs lorsque le premier des plots conducteurs est associé à une première image claire et à une seconde image sombre; détermination de la présence d'un défaut électrique provoqué par un court-circuit entre le premier (1141) des plots conducteurs et une ligne conductrice adjacente (108) du dispositif semi- conducteur dans le premier des plots conducteurs lorsque le premier des plots conducteurs est associé à une première image claire et à une seconde image claire; et détermination de la présence d'un défaut physique dans le premier des plots conducteurs lorsque le premier des plots conducteurs est associé à une première image sombre et à une seconde image sombre. 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape de détermination d'un premier contraste de tension associé au premier des plots conducteurs comprend en outre l'étape de détermination du premier contraste de tension sur la base d'une valeur de référence et l'étape de détection d'un second contraste de tension associé au premier des plots conducteurs comprend en outre l'étape de détermination du second contraste de tension sur la base d'une valeur de référence. 11. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape de détermination d'un premier contraste de tension associé au premier des plots conducteurs comprend en outre l'étape de détermination du premier contraste de tension sur la base d'une comparaison d'émissions d'électrons secondaires depuis le premier des plots conducteurs et d'émissions d'électrons secondaires depuis au moins un autre de certains de la pluralité de plots conducteurs et l'étape de détection d'un second contraste de tension associé au premier des plots conducteurs comprend en outre l'étape de détermination du second contraste de tension sur la base d'une comparaison d'émissions d'électrons secondaires depuis le premier des plots conducteurs et d'émissions d'électrons secondaires depuis au moins un autre de certains de la pluralité des plots conducteurs. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de détection d'un premier contraste précède l'étape de détection d'un second contraste. 13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de détection d'un second contraste précède l'étape de détection d'un premier contraste. 14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape d'accumulation d'électrons dans des premiers des plots conducteurs comprend en outre la génération d'une différence de tension entre une surface du dispositif semi- conducteur et un côté arrière du dispositif semi- conducteur, sélectionné pour produire une accumulation d'électrons dans les premiers des plots conducteurs. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'étape d'accumulation de trous dans des premiers des plots conducteurs comprend en outre la génération d'une différence de tension entre une surface du dispositif semi- conducteur et un côté arrière du dispositif semi- conducteur, sélectionnée pour produire une accumulation de trous dans les premiers des plots conducteurs. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que la différence de tension est générée par réglage de l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires appliqué aux premiers de la pluralité de plots conducteurs. 17. Appareil pour la détection de défauts dans un dispositif semiconducteur comprenant une pluralité de plots conducteurs (114), l'appareil étant caractérisé en ce qu'il comporte: des moyens destinés à accumuler des électrons (e) dans des premiers de la pluralité des plots conducteurs; des moyens destinés à détecter un premier contraste entre les premiers plots conducteurs sur la base d'émissions d'électrons secondaires depuis les premiers des plots conducteurs après l'accumulation d'électrons dans les premiers des plots conducteurs; des moyens destinés à accumuler des trous (h) dans les premiers de la pluralité de plots conducteurs; des moyens destinés à détecter un second contraste entre les premiers des plots conducteurs sur la base d'émissions d'électrons secondaires depuis les premiers des plots conducteurs après l'accumulation de trous dans les premiers des plots conducteurs; et des moyens destinés à déterminer si un défaut est présent dans l'un des plots conducteurs sur la base du premier contraste et du second contraste. 18. Appareil selon la revendication 17, caractérisé en ce que les moyens destinés à détecter un premier contraste comprennent en outre des moyens destinés à associer soit une première image claire soit une première image sombre au premier des plots conducteurs sur la base d'un premier contraste de tension détecté et les moyens destinés à détecter un second contraste comprennent en outre des moyens destinés à associer une seconde image claire ou une seconde image sombre au premier des plots conducteurs sur la base d'un second contraste de tension détecté, et les moyens destinés à déterminer si des défauts sont présents dans le premier des plots conducteurs sur la base du premier contraste et du second contraste comprennent en outre au moins l'un de: un moyen pour déterminer qu'un défaut électrique provoqué par une source (160) de fuite de jonction est présent dans le premier (114f) des plots conducteurs lorsque le premier des plots conducteurs est associé à une première image sombre et à une seconde image claire; un moyen destiné à déterminer qu'un défaut électrique provoqué par une partie de contact non attaquée (150) entre le premier (114d) des plots de contact et un substrat semi-conducteur (100) du dispositif semi- conducteur est présent dans le premier des plots conducteurs lorsque le premier des plots conducteurs est associé à une première image claire et à une seconde image sombre; un moyen destiné à déterminer qu'un défaut électrique provoqué par un court-circuit entre le premier (1141) des plots conducteurs et une ligne conductrice adjacente (108) du dispositif semi-conducteur est présent dans le premier des plots conducteurs lorsque le premier des plots conducteurs est associé à une première image claire et à une seconde image claire; et un moyen destiné à déterminer qu'un défaut physique est présent dans le premier des plots conducteurs lorsque le premier des plots conducteurs est associé à une première image sombre et à une seconde image sombre. 19. Appareil pour la détection de défauts dans un dispositif semiconducteur comprenant une pluralité de plots conducteurs (114), l'appareil étant caractérisé en ce qu'il comporte: une source (19) de faisceau d'électrons configurée pour appliquer un faisceau d'électrons primaires au dispositif semi-conducteur, ayant un premier état qui provoque l'accumulation d'électrons (e) dans des premiers de la pluralité de plots conducteurs, un deuxième état qui provoque l'accumulation de trous (h) dans les premiers des plots conducteurs, et un troisième état qui permet la détection d'émissions d'électrons secondaires depuis les premiers des plots conducteurs; et un analyseur (25) de données configuré pour détecter un premier contraste entre les premiers des plots conducteurs sur la base d'émissions d'électrons secondaires depuis les premiers des plots conducteurs après l'accumulation d'électrons dans les premiers des plots conducteurs et pour détecter un second contraste entre les premiers des plots conducteurs sur la base d'émissions d'électrons secondaires depuis les premiers des plots conducteurs après l'accumulation de trous dans les premiers des plots conducteurs et pour déterminer si un défaut est présent dans l'un des plots conducteurs sur la base du premier contraste et du second contraste. 20. Appareil selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une unité (37) de commande de platine configurée pour détecter des positions sur le dispositif semi-conducteur de défauts déterminés comme étant présents. 21. Appareil pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comporte: une chambre secondaire (13) dans laquelle un substrat semi-conducteur (100) est chargé; un générateur (17) d'ions qui peut doper la surface du substrat semiconducteur avec des trous (cations) ou des électrons (anions); une chambre principale (15) qui est raccordée à la chambre secondaire et comprend une platine sur laquelle le substrat semi-conducteur est chargé; une unité (19) à source de faisceau d'électrons qui peut appliquer un faisceau d'électrons primaires à un substrat semi-conducteur placé dans la chambre principale, afin de détecter des défauts électriques; une unité (21) de traitement de signaux qui peut détecter des signaux électriques constitués par le contraste de tension de seconds électrons libérés du substrat semi-conducteur après l'application du faisceau d'électrons primaires, puis amplifier les signaux; un analyseur (25) de données qui peut analyser les signaux électriques traités par l'unité de traitement de signaux, déterminer si des défauts électriques sont apparus, puis traiter statistiquement les signaux électriques; un ordinateur hôte (27) qui peut délivrer en sortie des données concernant les positions de défauts électriques sur le substrat semi-conducteur, reçues d'un ordinateur extérieur, et commander tous les constituants; une unité (37) de commande de platine qui peut identifier les positions de défauts physiques sur le substrat semi-conducteur, reçues de l'ordinateur hôte; une unité (33) de traitement d'image qui peut convertir les signaux électriques traités par l'unité de traitement de signaux en une image et renvoyer les signaux électriques traités de l'image à l'ordinateur hôte en suivant un organigramme concernant le classement des défauts électriques. 22. Appareil selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'unité de commande de platine comprend une unité (31) de déplacement de platine qui peut déplacer la platine à l'intérieur de la chambre principale, et un dispositif (29) de commande à interféromètre à laser qui est connecté à l'unité de déplacement de la platine. 23. Appareil selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'unité de traitement de signaux est connectée à une unité d'affichage d'images qui peut visualiser par un traitement d'image les signaux électriques traités par l'unité de traitement de signaux. 24. Procédé pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il 3s comprend les étapes qui consistent à: préparer un dispositif semi-conducteur comprenant une pluralité de lignes conductrices (108), de couches isolantes pour isoler les lignes conductrices, et de plots conducteurs (114) entre chacune des couches isolantes sur un substrat semi-conducteur (100); accumuler des électrons (e) ou des trous (h) sur la surface des plots conducteurs; appliquer un faisceau d'électrons primaires aux plots conducteurs; et déterminer des défauts électriques en détectant le contraste de tension entre les plots conducteurs, qui est provoqué par la libération d'électrons secondaires depuis les plots conducteurs après l'application d'un faisceau d'électrons primaires. 25. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que l'étape d'accumulation d'électrons ou de trous sur la surface des plots conducteurs est effectuée en utilisant un générateur (17) d'ions. 26. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que l'étape d'accumulation d'électrons ou de trous sur la surface des plots conducteurs est effectuée par réglage de l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires. 27. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que l'étape de détermination de défauts électriques est effectuée en convertissant le contraste de tension en une image claire ou une image sombre. 28. Procédé pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes qui consistent à: préparer un dispositif semi-conducteur comprenant une pluralité de lignes conductrices (108), de couches isolantes pour isoler les lignes conductrices, et de plots conducteurs (114) formés entre chacune des couches isolantes sur un substrat semi-conducteur (100); accumuler des électrons (e) sur la surface des plots conducteurs; détecter en premier une image d'un défaut obtenue d'après le contraste de tension entre les plots conducteurs, qui est provoqué par la libération d'électrons secondaires depuis les plots conducteurs après l'application d'un faisceau d'électrons primaires aux plots conducteurs ayant des électrons accumulés; déterminer si l'image d'un défaut est une image sombre ou non; accumuler des trous (h) sur la surface des plots conducteurs si l'image de défaut détectée en premier est une image sombre; détecter en deuxième une image d'un défaut obtenue d'après le contraste de tension entre les plots conducteurs, qui est provoqué par la libération d'électrons secondaires depuis les plots conducteurs après l'application d'un faisceau d'électrons primaires aux plots conducteurs ayant des trous accumulés; déterminer que le plot conducteur dont l'image de défaut détectée en deuxième est une image sombre, a des défauts physiques et que le plot conducteur dont l'image de défaut n'est pas une image sombre, a des défauts électriques provoqués par une source de fuite de jonction (160); accumuler des trous sur la surface des plots conducteurs, si l'image de défaut détectée en premier n'est pas une image sombre; détecter en troisième une image de défaut obtenue d'après le contraste de tension entre les plots conducteurs, qui est provoqué par la libération d'électrons secondaires depuis les plots conducteurs après l'application d'un faisceau d'électrons primaires aux plots conducteurs ayant des trous accumulés; et déterminer que le plot conducteur dont l'image de défaut détectée en troisième est une image sombre, a des défauts électriques provoqués par une partie de contact non attaquée (150) et que le plot conducteur dont l'image de défaut n'est pas une image sombre, a des défauts électriques provoqués par un court-circuit entre le plot conducteur (1141) et une ligne conductrice (108). 29. Procédé selon la revendication 28, caractérisé en ce que l'étape d'accumulation d'électrons ou de trous sur la surface des plots conducteurs est effectuée en réglant l'énergie d'un faisceau d'électrons primaires. 30. Procédé pour la détection de défauts électriques dans un dispositif semi-conducteur, comprenant les étapes qui consistent à: préparer un dispositif semi-conducteur comprenant une pluralité de lignes conductrices (108), de couches isolantes pour isoler les lignes conductrices et de plots conducteurs (114) formés entre chacune des couches isolantes sur un substrat semi-conducteur (100); accumuler des trous (h) sur la surface des plots conducteurs; détecter en premier une image d'un défaut obtenue d'après le contraste de tension entre les plots conducteurs, qui est provoqué par la libération d'électrons secondaires depuis les plots conducteurs après l'application d'un faisceau d'électrons primaires aux plots secondaires ayant des trous accumulés; déterminer si l'image d'un défaut est une image sombre ou non; accumuler des électrons (e) sur la surface des plots conducteurs si l'image de défaut détectée en premier est une image sombre; détecter en deuxième une image d'un défaut obtenue d'après le contraste de tension entre les plots conducteurs, qui est provoqué par la libération d'électrons secondaires depuis les plots conducteurs après l'application d'un faisceau d'électrons primaires aux plots conducteurs ayant accumulé des électrons; déterminer que le plot conducteur dont l'image de défaut détectée en deuxième est une image sombre, a des défauts physiques et que le plot conducteur dont l'image de défaut n'est pas une image sombre, a des défauts électriques provoqués par une partie de contact non attaquée (150) ; accumuler des électrons sur la surface des plots conducteurs si l'image de défaut détectée en premier n'est pas une image sombre; détecter en troisième une image d'un défaut obtenue d'après le contraste de tension entre les plots conducteurs, qui est provoqué par la libération d'électrons secondaires depuis les plots conducteurs après l'application d'un faisceau d'électrons primaires aux plots conducteurs ayant accumulé des électrons; déterminer que le plot conducteur dont l'image de défaut détectée en troisième est une image sombre, a des défauts électriques provoqués par une source de fuite de jonction (160) et que le plot conducteur dont l'image de défaut n'est pas une image sombre a des défauts électriques provoqués par un court-circuit entre le plot conducteur (1141) et une ligne conductrice (108). 31. Procédé selon la revendication 30, caractérisé en ce que l'étape d'accumulation d'électrons ou de trous sur la surface des plots conducteurs est effectuée en utilisant un générateur (17) d'ions.