FR 2820201 A1 20020802 FR 0201182 A 20020131 CAPTEUR DE QUANTITE DYNAMIQUE À SEMICONDUCTEUR La présente invention se rapporte à un capteur de quantité dynamique à semiconducteur, pour détecter une quantité dynamique. On connaît des capteurs de quantité dynamique à semiconducteur, comportant un pont de résistances calibrées sur un diaphragme semiconducteur pour détecter une quantité dynamique telle qu'une pression ou une accélération. Le diaphragme s'incurve sous l'effet de l'application d'une quantité dynamique. Ceci engendre une répartition de contraintes sur le diaphragme. Un certain nombre de résistances calibrées subit des contraintes en tension et les autres, des contraintes en compression. Ceci conduit à une variation de la valeur de ces résistances calibrées, de sorte que le pont émet un signal de détection de quantité dynamique. De plus, un capteur de quantité dynamique à semiconducteur avec fonction de test est également connu. La publication provisoire de la demande de brevet japonais 10-506718 (DE19527687; EP0783677) décrit un tel capteur de quantité dynamique à semiconducteur. Il est ainsi décrit: Un capteur testable et parfaitement disponible qui comporte une membrane de mesure supportant les résistances de deux ponts complets différents. Sur la moitié droite, on utilise des compressions et extensions radiales. Sur la moitié gauche, on utilise des compressions radiales, mais des extensions tangentielles. Des phénomènes de vieillissement influencent la sensibilité des deux ponts complets à 2 2820201 des degrés différents, si bien que le capteur peut être testé en service sans mesures spéciales de référence. De plus, un pont complet peut être utilisé en cas d'urgence lorsque l'autre pont complet est en panne. La publication de brevet japonais N .3049532 décrit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur avec fonction de diagnostic décrit comme suit: Détecter une variation des valeurs caractéristiques initiales du capteur, le premier et le second pont possédant chacun quatre résistances calibrées qui sont connectées en parallèle. Les signaux de sortie de ces ponts sont comparés entre eux. Une variation du contrôle du signal de sortie permet le diagnostic. Le but de l'invention est de fournir un capteur de quantité dynamique à semiconducteur. Selon la présente invention, son premier aspect consiste à fournir un capteur de quantité dynamique à semiconducteur comprenant: un substrat de semiconducteur comportant un diaphragme déformé élastiquement par application d'une quantité dynamique avec une distribution de contraintes au moins sur ledit diaphragme; et un circuit en pont comprenant dans ledit diaphragme quatre résistances calibrées, les valeurs desdites résistances calibrées variant respectivement sur la base de contraintes dues à ladite répartition de contraintes, ledit circuit en pont comportant une première et une deuxième entrée de potentiel et ayant deux sorties à des points de jonction intermédiaires entre lesdites première et 3 2820201 seconde entrées, chacune des quatre résistances calibrées comprenant une pluralité de résistances calibrées divisionnaires qui sont séparées en des premier et second groupes, ledit premier groupe de résistances calibrées divisionnaires étant disposé à un premier emplacement près du centre dudit diaphragme, de façon à ce que les résistances calibrées divisionnaires dudit premier groupe reçoivent des contraintes dues à ladite répartition de contraintes, les amplitudes de ces contraintes étant égales entre elles, et ledit second groupe de résistances calibrées divisionnaires étant disposé près d'un bord périphérique dudit diaphragme, en sorte que lesdites résistances calibrées divisionnaires du second groupe reçoivent lesdites contraintes dues à ladite répartition de contraintes, les amplitudes de ces contraintes étant égales entre elles. Selon la présente invention, un second aspect de la présente invention prévoit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du premier aspect, dans lequel un premier point de jonction d'une première paire desdites résistances calibrées divisionnaires parmi lesdites résistances calibrées délivrant une première tension et un second point de jonction d'une seconde paire desdites résistances calibrées divisionnaires parmi d'autres résistances calibrées délivrant une seconde tension fournit une sortie diagnostic, ladite première tension est sensiblement égale à la deuxième tension lorsqu'aucune quantité dynamique n'est appliquée audit diaphragme. 4 2820201 Selon la présente invention, un troisième aspect de la présente invention fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du premier aspect, dans lequel ledit substrat de semiconducteur comprend une partie de support, et ledit diaphragme et ladite partie de support sont formés de façon à ce que lesdites contraintes à un centre dudit diaphragme dues à ladite répartition de contraintes soient maximum et diminuent de façon sensiblement coaxiale depuis ledit centre jusqu'audit bord périphérique dudit diaphragme. Un quatrième aspect, conforme à la présente invention, prévoit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du troisième aspect, dans lequel ledit diaphragme a la forme d'un carré. Un cinquième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du troisième aspect, dans lequel ledit diaphragme a la forme d'un cercle. Un sixième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du premier aspect, dans lequel, si l'on considère que l'intersection d'un premier et d'un second axe est située au centre dudit diagramme, sur une surface supérieure dudit diaphragme, lesdites résistances calibrées divisionnaires dudit premier groupe sont disposées symétriquement par rapport à un point sur quatre secteurs différents définis par ledit premier et ledit second axes, respectivement, lesdites résistances calibrées divisionnaires dudit second groupe étant disposées 2820201 symétriquement par rapport à un point sur lesdits quatre secteurs différents. Un septième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du premier aspect, dans lequel toutes les résistances calibrées divisionnaires ont la même résistance. Un huitième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du premier aspect, dans lequel ledit circuit en pont comprend en outre deux motifs de câblage pour connecter deux résistances calibrées divisionnaires successives, dans lequel, si l'on considère que ledit circuit en pont comprenant lesdites résistances calibrées divisionnaires et lesdits motifs de câblage sont représentés symétriquement par un schéma électrique équivalent, chaque paire de motifs de câblage disposés dans des positions symétriques par rapport à une ligne entre lesdits points de jonction intermédiaires sur le schéma équivalent, ont l'une et l'autre la même résistance de câblage. Un neuvième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du huitième aspect, dans lequel chaque paire desdites résistances calibrées divisionnaires disposée dans des positions symétriques par rapport à une ligne entre lesdits premier et second points d'entrée sur ledit 6 2820201 schéma équivalent dudit circuit en pont, ont l'une et l'autre la même résistance de câblage. Un dixième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du huitième aspect, dans lequel chaque paire desdits motifs de câblage ont des formes rectangulaires avec le même rapport entre les différents côtés desdits motifs rectangulaires. Un onzième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du huitième aspect, dans lequel lesdits motifs de câblage ont la même résistance de câblage. Un douzième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du huitième aspect, dans lequel lesdits motifs de câblage ont des formes rectangulaires avec le même rapport entre les différents côtés desdites formes rectangulaires. Un treizième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à semiconducteur sur la base du huitième aspect, dans lequel au moins l'un desdits motifs de câblage comprend des moyens d'ajustement de résistance, avec une rainure formée dans ledit motif de câblage pour ajuster ladite résistance de câblage dudit motif de câblage. Un quatorzième aspect, conforme à la présente invention, fournit un capteur de quantité dynamique à 7 2820201 semiconducteur sur la base du treizième aspect, dans lequel chacune desdites résistances calibrées divisionnaires comporte des barres droites dans une première direction, et des parties courbes pour connecter lesdites barres droites en série, ladite rainure ayant une forme rectangulaire, une direction longitudinale de ladite forme rectangulaire de l'encoche étant orientée dans une seconde direction perpendiculaire à ladite première direction. L'objet et les caractéristiques de la présente invention seront rendus plus facilement compréhensibles par la description détaillée suivante en liaison avec les dessins qui l'accompagnent, dans lesquels: La figure 1 est une vue en plan d'un capteur de pression à semiconducteur conforme à un mode de réalisation de la présente invention; La figure 2 est une section de vue de profil, prise le long de la ligne Z-Z de la figure 1; La figure 3 est un schéma équivalent de circuit du capteur de pression conforme à ce mode de réalisation; La figure 4 est une illustration conforme à ce mode de réalisation, représentant la répartition des contraintes dans le diaphragme lorsque ce diaphragme est déformé d'une façon élastique; La figure 5 est un schéma conforme à ce mode de réalisation, représentant une relation dans les variations des sorties différentielles Voutl et Vout2 dans le circuit en pont; La figure 6 est en plan du diaphragme représenté sur la figure 1; 8 2820201 La figure 7 est une vue en plan d'une disposition modifié des résistances calibrées selon cette invention; La figure 8 est un schéma équivalent du circuit en pont représenté sur la figure 7; La figure 9 est un schéma équivalent d'un exemple modifié obtenu à partir de la structure représentée sur la figure 3, dans lequel le ratio des résistances entre les résistances calibrées divisionnaires du même côté du circuit en pont est de 1: 2; La figure 10 est une vue en plan agrandie d'un motif de circuit tel que représenté sur la figure 1; La figure 11 est un schéma équivalent du circuit en pont pour représenter plus en détail la résistance de câblage dans le circuit en pont de la figure 3; La figure 12 est une vue en plan représentant la moitié du circuit en pont représenté sur la figure 10; La figure 13 est une vue en plan représentant une modification pour réduire davantage la tension offset; et La figure 14 est une vue en plan d'un capteur de quantité dynamique à semiconducteur dont la tension offset a été réduite selon l'invention. Les mêmes éléments ou pièces correspondants sont désignés par les mêmes références sur l'ensemble des dessins. Le capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon cette invention supprime la variation de sensibilité due à un changement de position des résistances calibrées et réduit la tension offset. Un capteur de pression à semi-conducteur est décrit dans 9 2820201 le mode de réalisation suivant en tant que capteur de quantité dynamique à semiconducteur. La figure 1 est une vue de dessus d'un capteur de pression à semiconducteur Si conforme à ce mode de réalisation. La figure 2 est une vue de profil partielle selon la ligne Z-Z de la figure 1. La figure 3 est un schéma équivalent du capteur de pression Si. Le capteur de pression à semiconducteur Si peut être fabriqué selon des techniques de fabrication bien connues des semi-conducteurs. Le capteur de pression à semiconducteur Si comprend un substrat de semiconducteur 10 fait d'un substrat en cristal de silicium simple formant un plan (110) à la surface supérieure de celui-ci. La figure 1 représente ce plan (110) dans lequel l'axe des X (premier axe), représenté par une ligne interrompue, correspond à l'axe (001) du cristal, et l'axe des Y (second axe) représente l'axe (110) du cristal. Le substrat 10 du semi-conducteur comporte une partie creuse 13, formée par gravure du fond 12 du substrat 10 du semiconducteur, et formant ainsi le diaphragme 14 (partie mince). Ce diaphragme 14 se courbe, c'est à dire qu'il est déformé de façon élastique sous l'effet de l'application d'une pression sur la surface 11 ou 12. La forme du diaphragme 14 est carrée et son épaisseur est constante, dans les tolérances de sa fabrication. Dans le substrat 10 du semi-conducteur sont disposés sur sa surface 11, quatre résistances calibrées Ra, Rb, Rc, Rd, par implantation ionique ou par une méthode de diffusion, par calibrage des contraintes, dont les résistances varient en fonction de l'importance des contraintes dans le diaphragme 14. 2820201 Ces quatre résistances calibrées Ra à Rd (Ra, Rb, Rc et Rd) forment un circuit en pont 20, comme représenté sur la figure 3, dans lequel l'axe du cristal (110) (axe des Y) sert à fournir une sensibilité relativement élevée. Parmi ces quatre résistances calibrées, deux résistances calibrées (résistances calibrées de la partie centrale) Ra et Rd, sont disposées au voisinage du centre du diaphragme 14 (intersection des axes X et Y), et les deux autres résistances calibrées (résistances calibrées de la partie périphérique) Rb et Rc sont disposées au voisinage de la partie périphérique en bordure du diaphragme 14. Cela signifie que les résistances calibrées Ra et Rd de la partie centrale sont montées plus près du centre du diaphragme 14 que les résistances calibrées Rb et Rc de la partie périphérique. D'un autre côté, les résistances calibrées de la partie périphérique Rb et Rc sont montées plus près du bord périphérique du diaphragme 14 que les résistances calibrées de la partie centrale Ra et Rb. Plus précisément, les résistances calibrées de la partie périphérique Rb et Rc sont disposées à l'extérieur du bord périphérique du diaphragme 14, comme le représentent les figures 1 et 2 de ce mode de réalisation. Les résistances calibrées de la partie centrale Ra et Rd, et les résistances calibrées de la partie périphérique Rb et Rc reçoivent des contraintes de polarités opposées, c'est-à-dire, lorsqu'une pression est appliquée sur le diaphragme, une contrainte de tension et une contrainte de compression, de sorte que les résistances varient avec les polarités opposées. il 2820201 Chacune des résistances calibrées Ra à Rd présente un motif de barres repliées, lui-même, divisé en deux parties. C'est à dire que les résistances calibrées divisionnaires Ral, Ra2, Rbl, Rb2, Rcl, Rc2, Rdl, Rd2 (Ral à Rd2) sont disposées comme indiqué sur la figure 1. Ces résistances divisionnaires Ral à Rd2 ont une valeur égale, lorsque le diaphragme est au repos. De plus, sur la surface 11 du substrat 10 du semiconducteur, des motifs (de câblage) principaux 15 pour relier en série les résistances calibrées divisionnaires Ral à Rd2 en vue de constituer le circuit en pont 20 et les parties de contacts 16 pour les bornes d entrée et les bornes de sortie du circuit en pont 20 et les parties de câblage sont formées par implantation ionique ou diffusion ou autre. Sur la figure 1, les résistances calibrées Ra à Rd, les motifs principaux 15, les parties de contacts 16 et les parties de câblage sont représentés sous forme hachurée pour des raisons de clarté. Les motifs principaux 15 respectifs sont de surface relativement large pour qu'il soit possible de négliger leurs résistances dans le circuit en pont 20, et ils ont donc une forme sensiblement carrée. Les contacts 16 sont reliés électriquement à un circuit externe (non représenté). La figure 3 représente un schéma équivalent du circuit en pont 20. Ce circuit est fourni dans un pont de Whetstone avec quatre résistances calibrées Ra, Rb, Rc, Rd (huit résistances calibrées divisionnaires). Les contacts 16 correspondant aux bornes A, B, C, D, B1 et Cl de la figure 3, sont indiquées sur la figure 1 avec des parenthèses, respectivement 16(A), 16(B), 16(C), 16(D), 16(Bl) et 16(C1). De plus, s'il 12 2820201 existe sur la figure 1, les mêmes éléments tels que 16(A), ceux-ci sont connectés les uns aux autres, ainsi qu'au circuit externe. Le pont de Whetstone comporte un circuit fermé, ayant la forme d'un quadrilatère à quatre côtés, dans lequel les résistances calibrées Ra à Rd sont connectées en série. Les points de jonction (bornes) A et B, situés au sommet du quadrilatère se faisant face l'un à l'autre, et les points de jonction (bornes) C et D sont utilisés pour délivrer respectivement une tension d'entrée Vin et pour émettre un signal de sortie différentiel Voutl en sortie du capteur. Dans ce mode de réalisation, la borne d'entrée A est reliée à une alimentation (premier potentiel) et la borne d'entrée D est reliée à la terre (second potentiel). Donc, dans toute la description, le potentiel de la borne A est désigné par potentiel A, et le potentiel à la borne D est désigné par potentiel D. Dans ce circuit en pont 20, chacune des résistances calibrées Ra à Rd est divisée en deux résistances divisionnaires égales. Cela signifie que la résistance calibrée Ra, reliée à la borne d'entrée A et à la borne de sortie B est divisée en une résistance calibrée Ral et une résistance calibrée Ra2. La résistance calibrée Rb, reliée à la borne de sortie B et à la borne d'entrée D est divisée en une résistance calibrée Rbl et une résistance calibrée Rb2. La résistance calibrée Rc, reliée à la borne d'entrée A et à la borne de sortie C est divisée en une résistance calibrée Rcl et une résistance calibrée Rc2. La résistance calibrée Rd, reliée à la borne de sortie C et à la borne d'entrée D, est divisée en une résistance calibrée Rdl et une résistance calibrée Rd2. 13 2820201 Les résistances calibrées divisionnaires Ral, Ra2, Rdl et Rd2 faisant partie des résistances calibrées Ra et Rd de la partie centrale (premier groupe) présentent des variations de résistance, de polarité opposée à celle des résistances calibrées divisionnaires Rbl, Rb2, Rcl et Rc2 (second groupe) des résistances calibrées Rb et Rc de la partie périphérique. Chacune des résistances calibrées Ra à Rd comporte un point de jonction intermédiaire entre les résistances calibrées divisionnaires, c'est-àdire qu'il existe un point de jonction intermédiaire entre les résistances divisionnaires Ral et Ra2, un point de jonction intermédiaire B1 entre les résistances divisionnaires Rbl et Rb2, un point de jonction intermédiaire entre les résistances divisionnaires Rcl et Rc2, un point de jonction intermédiaire C1 entre les résistances divisionnaires Rdl et Rd2. Dans ce mode de réalisation, les valeurs de ces résistances divisionnaires Ral à Rd2 sont déterminées de façon à ce que les points de jonction intermédiaires entre Ral et Ra2, et entre Rcl et Rc2 soient au même potentiel, et que les points de jonction intermédiaires B1 et C1 soient au même potentiel lorsqu' aucune pression n'est appliquée sur le diaphragme 14. Dans cette configuration, on utilise la différence de potentiel Vout2 entre les points de jonction des résistances divisionnaires B1 et C1 pour faire un diagnostic. Plus spécifiquement, la différence de potentiel Vout2 est amplifiée dans le circuit externe par un amplificateur opérationnel et la sortie de l'amplificateur opérationnel est utilisée pour le diagnostic. 14 2820201 La figure 4 représente la répartition des contraintes sur le diaphragme 14, lorsque celui-ci est incurvé, c'est à dire, déformé de façon élastique. Les résistances calibrées divisionnaires Ral à Rd2 sont disposées en tenant compte de la répartition des contraintes engendrées par la courbure du diaphragme 14. Sur la figure 4, les lignes L0 à L8 représentent les lignes d'égalité de contraintes sur le diaphragme 14 et les parties périphériques, obtenues par analyse de simulation, telle que la méthode par éléments finis (FEM) ou une méthode équivalente. La répartition des contraintes est représentée par les lignes de iso contraintes L0 à L8 telles que les contraintes équivalentes sont reliées sur une même ligne, comme les lignes de niveau sur une carte. La ligne de niveau des contraintes L0 est censée représenter une contrainte nulle. La répartition présentée sur la figure 4 montre le cas o une pression est appliquée sur le diaphragme 14, sur la face supérieure 11 du substrat du semiconducteur 10. la contrainte de tension est donc engendrée à l'extérieur de la ligne de force L0 o la contrainte est nulle (à l'extérieur du diaphragme 14) et à l'intérieur de celui-ci, est générée une contrainte de compression. Sur la figure 4, la partie inférieure de la surface supérieure du diaphragme 14 (sur le dessin) n'a pas été représentée, sa répartition étant symétrique par rapport à l'axe des X. Dans ce mode de réalisation, le diaphragme 14 a un plan (110) et une forme carrée plane, de sorte que la répartition des contraintes sur le diaphragme 14 est maximale au centre et décroît radialement avec la 2820201 distance jusqu'à la périphérie de ce diaphragme 14, d'une façon sensiblement concentrique. Le diaphragme 14 doit avoir une forme qui présente la répartition des contraintes correspondantes et donc, peut avoir la forme d'un cercle 14', comme représenté sur la figure 6. Plus particulièrement, une partie voisine du centre du diaphragme 14 engendre un maximum de contraintes de -9,6kgf/mm2 et la valeur de la contrainte décroît de manière concentrique le long de la ligne L0 à -8,1; - 6,7; -5,2; -3,8 et -2,3kgf/mm2. A l'extérieur de la partie périphérique en bordure du diaphragme 14, un endroit proche de la partie du bord périphérique présente une contrainte de 0,5kgf/mm2, ce qui est relativement grand. Dans le substrat du semiconducteur 10, ayant une telle répartition des contraintes, les résistances calibrées divisionnaires Ral, Ra2, Rdl, Rd2 (premier groupe) disposées au voisinage du centre du diaphragme 14 sont disposées de façon à recevoir des contraintes qui sont tout égales entre elles et les résistances calibrées divisionnaires Rbl, Rb2, Rcl, Rc2 (second groupe) disposées au voisinage de la partie périphérique du diaphragme 14 sont disposées de façon à recevoir également des contraintes qui sont tout égales entre elles. Cela signifie que les résistances calibrées divisionnaires du même groupe sont disposées à des emplacements o les contraintes sont du même ordre (équivalentes). Le niveau d'équivalence est représenté sur la figure 4. Par exemple, les résistances calibrées divisionnaires Rdl et Ral du premier groupe sont 16 2820201 disposées à des emplacements o les contraintes sont de -9,6 et -8,1 kgf/mm2. Les résistances calibrées divisionnaires Rbl et Rb2 du second groupe sont localisées à des emplacements o les contraintes sont de 0,5 kgf/mm2. La structure d'ensemble des résistances divisionnaires Ral à Rd2, selon le mode de réalisation, est représentée sur la figure 1. Sur la figure 1, le premier groupe de quatre résistances calibrées divisionnaires Ral, Ra2, Rdl et Rd2 est agencé selon une symétrie par rapport à un point. Le deuxième groupe de résistances calibrées divisionnaires Rbl, Rb2, Rcl et Rc2 est également agencé selon une symétrie par rapport à un point. De plus, les quatre résistances calibrées divisionnaires de chaque groupe sont positionnées sur des secteurs différents définis par les axes X et Y. On décrit maintenant, en se référant à la figure 3, le fonctionnement du capteur de quantité dynamique à semiconducteur Si. Le capteur de quantité dynamique à semiconducteur Si comporte une tension d'entrée Vin, mais d'un autre côté, il comporte deux tensions de sortie Voutl et Vout2, c'est-à-dire la sortie du capteur entre les bornes de sortie B et C et la "sortie diagnostic" entre les bornes B1 et Cl. Au cas o le signal d'entrée (potentiel) Vin entre dans le circuit en pont 20, lorsque le diaphragme 14 s'serait incurvé sous l'application d'une pression, l'équilibre des résistances entre les quatre résistances Ra à Rd n'existe plus, si bien que la différence de potentiel (signal de sortie) Voutl varie en fonction de l'amplitude de la pression appliquée. Cette sortie est fournie au circuit extrême pour 17 2820201 obtenir que la sortie du capteur détecte l'amplitude de la pression exercée. Pour détecter un défaut, la différence de potentiel Voutl entre les bornes de sortie B et C est comparée à la différence de potentiel Vout2, entre les points de jonction B1 et Ci des résistances divisionnaires. Dans ce mode de réalisation, les résistances calibrées divisionnaires respectives ont les mêmes valeurs, si bien que le ratio de résistance entre les résistances calibrées divisionnaires Rdl et Rd2 et le ratio de résistance entre les résistances calibrées divisionnaires Rbl et Rb2 sont respectivement de 1:1. En conséquence, dans des conditions normales, c'est-à-dire, en l'absence de défaut, la différence de potentiel Vout2 pour la sortie diagnostic est toujours la moitié de la différence de potentiel Voutl pour la sortie capteur. La figure 5 représente cette relation, c'est à dire les variations des sorties différentielles Voutl et Vout2, la pression étant représentée sur l'axe des abscisses, et la tension (V) étant représentée sur l'axe des ordonnées. Cette relation montre que, par exemple, la sortie différentielle Vout2 est amplifiée avec un gain de deux pour arriver, dans des conditions normales, à un rapport de 1:1 entre la sortie du capteur et la sortie diagnostic. Dans des conditions non usuelles, c'est-à-dire lorsque les contraintes sont appliquées sur le diaphragme 14 d'une façon inhomogène ou lorsqu'il survient une rupture dans une résistance, le ratio de résistance entre les résistances calibrées divisionnaires Rdl et Rd2 ou le ratio de résistance entre les résistances calibrées divisionnaires Rbl et 18 2820201 Rb2 s'écarte du rapport 1:1. La sortie diagnostic s'écarte alors de la moitié de la valeur de la sortie capteur, ce qui signifie que le ratio entre la différence de potentiel Vout2 amplifiée avec un gain de 2, et la différence de potentiel Voutl s'écarte de 1:1. C'est ce qui permet de détecter un défaut dans le capteur Si. Si l'on considère que la sortie diagnostic Vout2 ne fournit rien, donc si le capteur de quantité dynamique à semiconducteur Si agit seulement sur la sortie capteur Voutl, bien que la sortie du capteur Voutl soit à 0, il n'est pas possible de dire si la cause en est un dommage sur le capteur 14, un défaut dans les résistances calibrées, un défaut dans le circuitexterne ou le fait que la pression soit en réalité nulle. D'un autre côté, dans ce mode de réalisation, bien que la sortie du capteur Voutl soit est à 0, par suite d'une erreur, aussi longtemps que la sortie diagnostic Vout reste normale, on peut dire que la pression n'est pas nulle, et qu'aucun défaut ne se trouve dans le circuit externe, mais que le défaut se situe dans le diaphragme 14 ou dans une résistance calibrée. De plus, si la sortie diagnostic Vout2 est également à 0, on peut conclure que le circuit externe ne fonctionne plus ou que la pression est en réalité nulle. Comme il a été indiqué précédemment, selon cette invention, quatre résistances calibrées Ra à Rd formant le circuit en pont 20 sont divisées respectivement en deux, pour obtenir huit résistances calibrées divisionnaires Ral à Rd2. Les résistances calibrées divisionnaires de chaque résistance sont reliées par un point de jonction des résistances divisionnaires dans 19 2820201 lequel tout couple de points de jonction des résistances divisionnaires engendrant le même potentiel en l'absence de pression, est utilisé pour la sortie diagnostic. Dans ce mode de réalisation, les points de jonction des résistances divisionnaires B1 et Cl sont utilisés pour constituer les sorties différentielles Vout pour diagnostic. Les diagnostics et les mesures peuvent donc être effectués sur un seul circuit en pont simultanément. De plus, comme indiqué sur la figure 1, quatre résistances calibrées divisionnaires Ral, Ra2, Rdl, Rd2, faisant partie des résistances calibrées de la partie centrale sont disposées d'une façon équidistante par rapport au centre du diaphragme 14, donc à des emplacements o les contraintes sont égales. Ceci supprime les variations de sensibilité qui proviendraient d'une modification de l'emplacement des résistances calibrées divisionnaires. De plus, il est connu que, lorsque la temperature varie à des endroits o les répartitions des contraintes sont différentes l'une de l'autre, ces répartitions de contraintes varient en fonction de la température, d'une façon différente l'une de l'autre. Par ailleurs, dans ce mode de réalisation, chaque groupe de résistances calibrées divisionnaires est disposé à des emplacements o les répartitions des contraintes sont homogènes, de façon à ce que les caractéristiques de sensibilité à la température puissent être améliorées. Dans le brevet japonais N 3049532, on a formé sur le diaphragme, une rainure circulaire afin de constituer une partie mince et une partie épaisse. Dans cette réalisation, on peut adopter un tel diaphragme. 2820201 Toutefois, ainsi, la forme du diaphragme devient compliquée, et le diaphragme peut alors être formé avec une modification des positions des éléments respectifs. Pour éviter un tel inconvénient, dans ce mode de réalisation, le diaphragme 14 présente une épaisseur constante. Cette structure a, de plus, l'avantage de réduire son coût. Dans ce mode de réalisation, si les résistances des motifs principaux 15 ou similaires, présentent des dispersions, la sensibilité de détection s'en trouvera affectée. On a donc ici, rendues égales les dimensions et les formes des motifs principaux 15. La figure 7 est une vue en plan d'une autre disposition des résistances calibrées. La disposition des résistances calibrées correspondant au dispositif de la figure 1 peut être remplacée par celle de la figure 7. Dans la disposition de la figure 1, les résistances calibrées divisionnaires Ral et Ra2 sont disposés symétriquement par rapport à l'axe des X, et, d'une façon semblable, les résistances calibrées divisionnaires Rdl et Rd2 sont disposés symétriquement par rapport à l'axe des X également. De plus, les résistances calibrées divisionnaires Ral et Rdl sont disposées symétriquement par rapport à l'axe des Y, et d'une façon semblable, les résistances calibrées divisionnaires Ra2 et Rd2 sont disposés symétriquement par rapport à l'axe des Y. Par ailleurs, dans la disposition de la figure 7, les résistances calibrées divisionnaires Ral et Ra2 sont disposées symétriquement par rapport à l'axe des Y, et d'une façon semblable, les résistances calibrées divisionnaires Rdl et Rd2 sont disposées symétriquement par rapport à l'axe des Y. De plus, les résistances 21 2820201 calibrées divisionnaires Ral et Rd2 sont disposées symétriquement par rapport à l'axe des X, et d'une façon semblable, les résistances calibrées divisionnaires Ra2 et Rdl sont disposées symétriquement par rapport à l'axe des X. La figure 8 est un schéma équivalent du capteur de quantité dynamique à semiconducteur représenté sur la figure 7. Sur la figure 7, bien que la mise en place des résistances calibrées dans le schéma équivalent soit différente de celle représentée sur la figure 3, il a été prévu pour les mêmes fonctions, les bornes respectives A, B, C, D, B1 et Cl. Dans ce mode de réalisation, la différence de potentiel entre deux points de jonction des résistances divisionnaires est utilisée pour faire des diagnostics. Les ensembles de deux points de jonction des résistances divisionnaires peuvent être choisis librement dans la mesure o leurs tensions respectives sont égales, en l'absence de pression. Sur la figure 3, par exemple, la différence de potentiel entre les points de jonction des résistances divisionnaires, entre les résistances calibrées divisionnaires Ral et Ra2 et entre les résistances calibrées divisionnaires Rcl et Rc2 sont utilisés en tant que sortie diagnostic. De plus, pour accroître la précision de l'opération de diagnostic, on peut utiliser simultanément une pluralité de différences de potentiel (une pluralité de paires de points de jonction des résistances divisionnaires). Plus précisément, on utilise la différence de potentiel entre les points de jonction des résistances divisionnaires, entre les résistances calibrées divisionnaires Ral et Ra2 et entre les résistances 22 2820201 calibrées divisionnaires Rcl et Rc2, en plus de la différence de potentiel Vout2 entre les bornes B1 et Cl, pour obtenir deux sorties diagnostic ou pour produire un résultat obtenu par une opération logique de deux résultats de diagnostic. De plus, les huit résistances calibrées divisionnaires Ral à Rd2 peuvent avoir des valeurs différentes. La figure 9 représente cet exemple modifié. Sur cette figure, le ratio de résistances entre les résistances calibrées divisionnaires Rdl et Rd2 et entre Rbl et Rb2 est de 1: 2. Donc, dans des conditions normales, pour l'opération de diagnostic, la différence de potentiel Voutl est égale à une fois et demi la différence de potentiel Vout2. Si cette proportion n'est pas conservée, il aura pu se produire un défaut sur le capteur Si. Cela signifie que les points de jonction des résistances divisionnaires pour la sortie diagnostic sont choisis pour obtenir le même ratio de division. En particulier, sur la figure 9, les points de jonction des résistances divisionnaires sont choisis pour avoir un ratio de résistances Rbl: Rb2 = Rdl: Rd2. De plus, dans l'exécution définie précédemment, quatre résistances calibrées divisionnaires Ra à Rd ont été divisées respectivement en deux. Toutefois, le nombre de résistances divisionnaires d'une résistance calibrée peut être différent de deux, par exemple, trois ou plus. Dans le cas de trois résistances calibrées divisionnaires, on détermine un couple de points de jonction des résistances divisionnaires pour fournir le même potentiel lorsqu'aucune quantité dynamique n'est appliquée. La différence de potentiel 23 2820201 entre le couple de points de jonction des résistances divisionnaires est utilisée pour des diagnostics. Dans le circuit en pont 20, il peut exister des tensions offset entre à la différence de potentiel Vout à la sortie du capteur et la différence de potentiel Vout2 pour les diagnostics. Ces tensions offset sont définies comme des tensions à ces sorties lorsqu' aucune pression n'est appliquée, et peuvent conduire à des erreurs. Ces tensions offset dans le circuit en pont sont engendrées par la résistance du câblage. C'est à dire que les résistances de câblage engendrent dans le circuit en pont 20, des tensions offset correspondant à la forme du motif de câblage. La figure 10 est une vue de dessus d'un motif de circuit, dans lequel les motifs de câblage des parties principales 15 ont été modifiés par rapport à ceux de la figure 1 afin d'éviter l'établissement d'une tension offset. La figure 11 est un schéma équivalent au circuit en pont 20 de la figure 10 pour représenter plus précisément que sur la figure 3, la résistance de câblage dans ce circuit en pont 20. Sur la figure 10, les parties principales 15 sont hachurées pour la clarté de leur représentation. Les résistances de câblage des parties principales 15 correspondent aux motifs de câblage (résistances de câblage) Hi à H10 de la figure 11. Les résistances des parties principales 15 sont représentées sur la figure , entre parenthèses en précisant l'une des valeurs des résistances de câblage. Plus précisément, les motifs de câblage (résistances de câblage) H21, H22, H41, H42, H71, H72, H91 et H92 correspondent aux motifs de câblage entre 24 2820201 les résistances calibrées divisionnaires Ral à Rd2, c'est à dire les motifs entre les résistances calibrées divisionnaires. De plus, les motifs de câblage (résistances de câblage) H31, H32, H81 et H82 correspondent aux motifs de câblage pour le branchement des bornes B et C aux bornes respectives des résistances calibrées divisionnaires. De plus, les motifs de câblage H5 et H6 correspondent aux motifs de câblage reliant respectivement le premier potentiel A aux résistances calibrées. De plus, les résistances de câblage Hi et H10O correspondent aux motifs de câblage reliant le second potentiel D respectivement aux résistances calibrées. Ici, la limite entre les motifs de câblage H21 et H22 correspond à la ligne centrale (en pointillé sur la figure 10) d'un motif étroit de liaison 17 pour une connexion entre la partie principale 15 et une partie de contact 16. De même, les limites entre les paires de motifs de câblage H31 et H32, H41 et H42, H71 et H72, H81 et H82, H91 et H92 correspondent aux lignes centrales d'un motif étroit relié respectivement aux parties de contact 16. Comme indiqué précédemment, si l'on considère le circuit en pont 20 depuis les bornes B et C, jusqu'à la borne A, on voit que sont branchés successivement les motifs de câblage H31 et H81 reliant les bornes B et C respectivement aux résistances calibrées, les motifs de câblage H41, H42, H71 et H72 reliant les résistances calibrées et les motifs de câblage H5 et H6 à la borne A. D'autre part, si l'on observe le schéma depuis les bornes B et C, jusqu'à la borne D, on voit que sont 2820201 branchés successivement les motifs de câblage H32 et H82 reliant les bornes B et C respectivement aux résistances calibrées, les motifs de câblage H21, H22, H91 et H92 reliant les résistances calibrées et les motifs de câblage Hi et H10 à la deuxième borne D. Ici, pour réduire les tensions offset, on a égalisé dans le circuit équivalent, les résistances de câblage et les motifs de câblage à leurs positions correspondantes, par rapport à la ligne réunissant les bornes B et C. En d'autres termes, en dehors des motifs de câblage H5 et H6, entre le premier potentiel A et des résistances calibrées, les motifs de câblage Hi et H10 entre le second potentiel D et des résistances calibrées, les motifs de câblage H31 et H32, H81 et H82 et les motifs de câblage H21, H22, H41, H42, H71, H72, H91 et H92 entre les résistances calibrées, un paire de motifs de câblages montée à une position symétrique par rapport à la ligne reliant les bornes B à C, ont une résistance égale. Plus particulièrement, sur la figure 11, les motifs de câblage Hl et H5 présentent la même résistance de câblage. De même, les paires de motifs de câblage H22 et H41, les motifs de câblage H21 et H42, les motifs de câblage H32 et H31, les motifs de câblage H10 et H6, les motifs de câblage H92 et H71, les motifs de câblage H91 et H71, et les motifs de câblage H82 et H81 ont respectivement les mêmes résistances de câblage. On donne à cette structure, le nom de "structure de câblage symétrique par rapport à une ligne, ici la ligne B à C". Conformément à cette structure, dans les conditions selon lesquelles les potentiels appliqués 26 2820201 aux bornes A et B, et o le diaphragme 14 n'est pas incurvé, la différence de potentiel entre le premier potentiel A et la borne B est égalisée avec la différence de potentiel entre la borne B et la seconde borne au potentiel D. Par ailleurs, la différence de potentiel entre les bornes A et C est égale à la différence de potentiel entre les bornes C et D. Si l'on considère que la relation entre les résistances de câblage dans le circuit en pont ne satisfait pas à la condition de " structure de câblage symétrique par rapport à la ligne B à C", la différence de potentiel aux bornes A et B est différente de la différence de potentiel aux bornes B et D, bien que le diaphragme 14 ne soit pas sous pression. Il apparaît donc une différence de potentiel entre les bornes B et C, ce qui constitue un défaut dans la tension de sortie du capteur, Voutl. D'un autre côté, dans cette exécution, lorsqu' aucune pression n'est appliquée sur le diaphragme 14, la tension offset entre les bornes B et C s'annule, c'est à dire que l'éventualité de voir apparaître une tension entre les bornes B et C n'existe plus. De ce fait, la sortie du capteur Voutl ne comprend pas de tension offset. En conséquence, l'utilisation de la " structure de câblage symétrique par rapport à la ligne B à C" fournit une caractéristique de sortie précise, ce qui supprime la variation dans la sensibilité de la détection par suite du déplacement des résistances calibrées. De plus, outre la " structure de câblage symétrique par rapport à la ligne B à C", en plus des motifs de câblage Hl, H21, H22, H31, H32, H41, H42, H5, 27 2820201 H6, H71, H72, H81, H82, H91, H92, H10, chaque paire de motifs de câblage aux positions symétriques par rapport à la ligne entre le premier potentiel A et le second potentiel D, ont la même résistance. Plus particulièrement, sur la figure 11, le motif de câblage Hi a la même résistance que le motif de câblage 10; de même le motif de câblage H22 et le motif de câblage H92; le motif de câblage H21 et le motif de câblage H91; le motif de câblage H32, et le motif de câblage H82; le motif de câblage 31 et le motif de câblage H81; le motif de câblage H42 et le motif de câblage H72; le motif de câblage H41 et le motif de câblage H71; et le motif de câblage H5 et le motif de câblage H6. Cette structure est désignée comme "structure de câblage symétrique par rapport à la ligne A à D". Conformément à cette structure, dans les conditions o le diaphragme 14 ne se courbe pas, et que la tension est appliquée entre le premier point de potentiel A et le second point de potentiel D, la différence de potentiel entre le point B1 de jonction de la résistance divisionnaire et le second point sous tension D est égale à la différence de potentiel entre le point de potentiel D et le point de jonction de la résistance calibrée divisionnaire Ci. Cela signifie que la différence de potentiel Vout2 entre les points de jonction des résistances divisionnaires B1 et Ci dépend des résistances de câble entre les points de jonction des résistances divisionnaires B1 et Ci. Sur la figure 11, par exemple, si l'on considère que la résistance de câblage du motif de câblage Hi est différente de celle du motif de câblage H10, il se développe une tension offset, du 28 2820201 fait que la différence de potentiel entre le point de jonction des résistances divisionnaires B1 et le second point de potentiel D est différent de celle existant entre le second potentiel D et le point de jonction des résistances divisionnaires Cl. Par ailleurs, l'utilisation de la " structure de câblage symétrique par rapport à la ligne A à D" réduit à zéro, en l'absence de pression, la tension offset entre les points de jonction des résistances divisionnaires B1 et Cl. La tension offset à la sortie diagnostic Vout2 est donc supprimée, ce qui permet d'obtenir des conditions de réalisation d'un diagnostic plus précis. Dans ce cas, les deux " structure de câblage symétrique par rapport à la ligne B à C" et " structure de câblage symétrique par rapport à la ligne A à D" peuvent être facilement obtenues en donnant la même résistance de câblage à tous les motifs de câblage Hl, H21, H22, H31, H32, H41, H42, H5, H6, H71, H72, H81, H82, H91, H92, H10. On obtient ainsi un circuit en pont de structure simple. Dans cette exécution, les motifs de câblage Hi à H10l (partie principale 15) pour la connexion entre les résistances calibrées divisionnaires Ral à Rd2, ont des formes rectangulaires. La dimension de chaque partie rectangulaire détermine la résistance de câblage. La figure 12 représente la moitié du circuit bride , comprenant le premier point de potentiel A, le point de jonction des résistances divisionnaires B, et le second point de potentiel D (résistances calibrées Ral, Ra2, Rbl et Rb2). Les résistances calibrées Ra à Rd et les parties principales 15 (motifs de câblage Hl à H10) sont 29 2820201 formées par implantation ionique ou diffusion thermique de bore ou équivalent dans le substrat de silicium 10. On désigne par p s une résistance surfacique, L une longueur de câblage (en direction de Y), W une largeur (direction latérale), la résistance du câblage est alors R = p s. L / W. La résistance surfacique p s dépend des conditions de l'implantation ionique et de la température de diffusion thermique. Si ces motifs de câblage et résistances sont réalisés dans les mêmes conditions d'implantation ionique ou à la même température de diffusion thermique, la résistance R dépend de L / W, par exemple, Ll / W1. Donc, si l'on rend égaux les ratios des faces voisines des formes rectangulaires entre deux motifs de câblage, on obtient la même résistance de câblage. Les ratios L / W peuvent être ajustés pendant la réalisation d'un motif de masque pour l'implantation ionique. Plus particulièrement, le ratio de Ll / W1 (motif de câblage Hi) est égal à celui de L5 / W5 (motif de câblage H5), le ratio de L22 / W2 (motif de câblage H22) est égal à celui de L41 / W4 (motif de câblage H41), le ratio de L21 / W2 (motif de câblage H21) est égal à celui de L42 / W4 (motif de câblage H42), le ratio de L32 / W3 (motif de câblage H32) est égal à celui de L31 / W3 (motif de câblage H31). L'autre demi-partie du circuit en pont 20, c'est à dire la partie comprenant les résistances calibrées divisionnaires Rcl, Rc2, Rdl et Rd2 est réalisée d'une façon analogue. On obtient ainsi une " structure de câble symétrique par rapport à la ligne B à C". 2820201 De plus, chaque paire de motifs de câblage sur les positions de la ligne de symétrie se rapportant à la ligne A-D est conçue pour donner le même ratio L / W. On obtient ainsi une " structure de câble symétrique par rapport à ligne A à D". De plus, en donnant à tous les ratios des motifs de câblage Hi à H10 des valeurs égales, on obtient entre eux la même résistance de câblage. En outre, il peut se produire des dispersions dans le processus de fabrication. Donc, pour réduire une dispersion dans les valeurs des résistances de câbles, Hi à H10, on augmente la concentration de la diffusion (concentration en impuretés) dans le motif de câblage, par exemple, à environ lxl020cm-3 afin de réduire la valeur de la résistance (réduction de la résistance surfacique p s). De plus, en effectuant une concentration de diffusion plus élevée sur les motifs de câblage Hi à H10, que celle des résistances calibrées Ra à Rd, on réduit encore d'avantage la tension offset. Plus précisément, en effectuant sur les motifs de câblage Hi à H10, une concentration de diffusion égale à celle de la partie de contact 16, on améliore la tension offset sans aucun traitement additionnel. Comme indiqué précédemment, dans les structures présentées sur les figures 1 et 10, on annule la tension offset en ajustant la résistance des motifs de câblage Hi à H10, en réglant le motif de masque pour l'implantation ionique, c'est à dire en ajustant les formes rectangulaires des motifs de câblage Hi à H10. Toutefois, l'ajustement précité provoque une faible variation de résistance, ce qui limite la réduction de la tension offset. En d'autres termes, si l'on agrandit 31 2820201 les motifs de câblage pour permettre l'ajustement, la taille du capteur est, elles aussi, agrandie. La figure 13 représente une modification dans le but de réduire d'avantage la tension offset. La structure représentée sur la figure 13 représente une * modification partielle de la structure de la figure 10. On prévoit en outre des parties de résistances d'ajustement 50 en formant des encoches de nature à ajuster les valeurs des résistances des motifs de câblage H32, H5, H81 et H10. Sur la figure 13, on a formé sur les motifs de câblage H32, H5, H81 et H10, des encoches pour former des parties 50 de résistances d'ajustement en tant que parties rétrécies. Dans ce cas, les résistances calibrées divisionnaires Ral à Rdl et Ra2 à Rd2 ont des parties repliées, c'est à dire qu'elles comprennent un certain nombre de barres droites orientées en direction Y et placées en direction X, et des barres courtes, reliant en série les extrémités des barres droites successives, de façon à former les parties repliées. D'un autre côté, la rainure de forme rectangulaire, est montée en direction Y, c'est à dire qu'elle est disposée dans la direction perpendiculaire à la direction des barres droites. Conformément à la figure 13, les motifs de câblage H32, H5, H81 et H10 présentent des parties de résistance d'ajustement 50 comportant des parties rétrécies constituées par les rainures. Ce fait permet de faire d'avantage varier les résistances de ces motifs de câblage, que la méthode d'ajustement des résistances utilisée dans la structure de la figure 10. Comme indiqué précédemment, la partie d'ajustement de la résistance 50 peut faire varier la résistance 32 2820201 sans accroître la forme du motif de câblage, et l'ajustement de la résistance de câblage peut être réalisé sans avoir à modifier la surface occupée par le capteur. En d'autres termes, chacune des résistances calibrées divisionnaires comporte des barres droites en direction Y et des parties transversales destinées à les réunir entre elles. La rainure a une forme rectangulaire, et la direction longitudinale de la forme rectangulaire de la rainure est orientée dans une direction X perpendiculaire à la direction Y. Dans les résistances calibrées divisionnaires Ral à Rdl et Ra2 à Rd2, la résistance varie uniquement dans les barres droites des résistances calibrées divisionnaires orientées en direction X. Par ailleurs, la partie d'ajustement de la résistance 50 (rétrécissement) est obtenue par introduction de cette rainure, de forme rectangulaire dont la partie longitudinale est perpendiculaire à la direction longitudinale des barres droites de la résistance divisionnaire. Ceci évite des variations dans la partie rétrécie de la partie d'ajustement de résistance 50. En d'autres termes, si l'on effectue une rainure dans la direction longitudinale des barres droites d'une résistance calibrée divisionnaire, la partie d'ajustement de résistance rétrécie 50 forme elle-même une résistance calibrée divisionnaire dont la valeur de la résistance varie par application d'une pression. On peut facilement former les parties d'ajustement de résistance 50 en ajustant les motifs de masque, et en formant ainsi par implantation ionique les motifs de câblage Hl à H10. 33 2820201 Cette invention s'applique à un capteur de pression à semiconducteur comprenant une gaine métallique présentant une extrémité fermée, et une partie mince sur laquelle est monté le substrat de semiconducteur, l'autre extrémité de la gaine métallique étant ouverte pour la transmission d'une pression s'exerçant sur la partie mince. La pression incurve la partie mince. Le semiconducteur lui-même s'incurve donc comme un diaphragme. Une contrainte dans le substrat du semiconducteur est ainsi détectée dans ce dernier au moyen de résistances calibrées. De plus, cette invention s'applique à un capteur d'accélération comportant un diaphragme qui s'incurve sous l'effet d'un choc engendré par application d'une accélération, dans lequel les contraintes sur le diaphragme sont détectées par des résistances calibrées. La figure 14 est une vue de dessus d'un capteur de quantité dynamique à semiconducteur suivant une modification de ce mode de réalisation. Les potentiels aux points de jonction des résistances divisionnaires B et C sont équilibrés par réglage de la position d'un câblage principale 103 relié aux motifs de câblage. Sur la figure 14, les motifs de câblage H3-1 et H3-2 (H3) connectés aux résistances calibrées divisionnaires Rbl et Ra2 se combinent pour donner une forme rectangulaire dont la direction longitudinale coincide avec l'axe des Y. Un motif de câblage principal 103 est connecté à une ligne centrale de la forme rectangulaire qui s'étend suivant l'axe des X. En ajustant la position du point de jonction entre le motif de câblage principal 103 et le motif de câblage 34 2820201 H3 (partie rétrécie) on peut contrôler la résistance de câblage des motifs de câblage de H3-1 et H3-2. On ajuste ainsi le potentiel de la borne B. D'une façon similaire, on ajuste le potentiel de C en ajustant la position du point de jonction entre le motif de câblage principal 104 et le motif de câblage H8. Cette structure permet d'obtenir un ajustement fin des potentiels B et C, bien qu'il ne soit pas possible d'égaliser en partie le ratio L / W entre la forme rectangulaire des motifs de câblage. S'il existe une limite dans la formation des motifs de câblage la tension offset pourra ainsi être facilement réduite. De plus, les motifs de câblage H2-1 et H2-2 (H2) reliés aux résistances calibrées divisionnaires Rbl et Rb2 se combinent pour former une surface rectangulaire. Un motif de câblage principal 105 est relié à une ligne centrale de la forme rectangulaire des motifs de câblage H2-1 et H2-2. En ajustant la position du point de jonction entre le motif de câblage principal 105 et le motif de câblage H3 (position rétrécie), on contrôle la résistance de câblage des motifs de câblage H2-1 et H2-2. De même, les motifs de câblage H7-1 et H7-2 (H7) connectés aux résistances calibrées Rcl et Rc2, se combinent pour former une surface rectangulaire. Un motif de câblage principal 108 est connecté à une ligne centrale de la forme rectangulaire des motifs de câblage H7-1 et H7-2. En ajustant la position du point de jonction entre le motif de câblage principal 108 et le motif de câblage H7 (position rétrécie), on contrôle la résistance de câblage des motifs decâblage H7-1 et H7-2. De même, les motifs de câblage H9-1 et H9-2 (H7) connectés aux résistances calibrées Rdl et Rd2, se 2820201 combinent pour former une surface rectangulaire. Un motif de câblage principal 106 est connecté à une ligne centrale de la forme rectangulaire des motifs de câblage H9-1 et H9-2. En ajustant la position du point de jonction entre le motif de câblage principal 107 et le motif de câblage H4 (position rétrécie), on contrôle la résistance de câblage des motifs de câblage H4-1 et H4-2. Un motif de câblage principal 107 est connecté à une ligne centrale de la forme rectangulaire des motifs de câblage H9-1 et H9-2. En ajustant la position du point de jonction entre le motif de câblage principal 107 et le motif de câblage H4 (position rétrécie), on contrôle la résistance de câblage des motifs de câblage H4-1 et H4-2. 36 2820201 REVENDICATIONS: 1. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur comprenant: un substrat de semiconducteur ayant un diaphragme déformé d'une façon élastique par application d'une quantité dynamique avec une répartition des contraintes sur au moins ledit diaphragme, et, un circuit en pont comprenant quatre résistances calibrées dans ledit diaphragme, les valeurs desdites résistances calibrées variant respectivement sur la base de contraintes dues à ladite répartition de contraintes, ledit circuit en pont comportant un premier et un second potentiel d'entrée, et comportant deux sorties à des points de jonction intermédiaires entre lesdites première et seconde entrées, chacune desdites quatre résistances calibrées comprenant une pluralité de résistances calibrées divisionnaires qui sont séparées en un premier et un second groupe, dans lequel lesdites résistances calibrées divisionnaires du premier groupe sont disposées en un premier emplacement au voisinage du centre dudit diaphragme en sorte que lesdites résistances calibrées divisionnaires du premier groupe reçoivent des contraintes dues à ladite répartition de contraintes, les amplitudes de ces contraintes étant égales entre elles, et ledit second groupe de résistances calibrées divisionnaires est disposé au voisinage d'un bord périphérique dudit diaphragme en sorte que lesdites résistances calibrées divisionnaires du second groupe reçoivent des contraintes dues à ladite répartition de contraintes, les amplitudes de ces contraintes étant égales entre elles. 2. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel un premier point de jonction d'une première paire desdites résistances calibrées divisionnaires de l'une des résistances calibrées, délivrant un premier potentiel, et un deuxième point de jonction d'une deuxième paire desdites résistances calibrées divisionnaires d'une autre résistance calibrée, délivrant un second potentiel, fournissent une sortie diagnostic, ledit premier potentiel étant sensiblement égal au second potentiel lorsque ladite quantité dynamique n'est pas appliquée sur ledit diaphragme. 3. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit substrat du semiconducteur comprend une partie de support, et ledit diaphragme et ladite partie de support sont formés de sorte que lesdites contraintes dues à ladite répartition de ces contraintes sont plus élevées au centre dudit diaphragme et diminuent d'une façon sensiblement coaxiale depuis ledit centre jusqu'au bord périphérique dudit diaphragme. 4. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 3, dans lequel ledit diaphragme a la forme d'un carré. 38 2820201 5. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 3, dans lequel ledit diaphragme a la forme d'un cercle. 6. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 2, dans lequel si l'on considère que l'intersection de premier et second axes perpendiculaires se situe audit centre dudit diaphragme sur une surface supérieure dudit diaphragme, lesdites résistances calibrées divisionnaires dudit premier groupe sont disposées symétriquement par rapport à un point sur quatre secteurs différents définis respectivement par lesdits premier et second axes, et lesdites résistances calibrées divisionnaires dudit second groupe sont disposées symétriquement par rapport à un point sur lesdits quatre secteurs différents. 7. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel toutes les résistances calibrées divisionnaires ont la même résistance. 8. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit circuit en pont comprend en outre deux motifs de câbles pour la connexion entre successivement chacune de deux desdites résistances calibrées divisionnaires et, dans lequel, si l'on considère que ledit circuit en pont comprenant les dites résistances calibrées divisionnaires et lesdits motifs de câblage sont représentés symétriquement par un schéma équivalent de circuit, chacune des paires desdits motifs de câblage étant disposée sur des emplacements symétriques par rapport à une ligne située entre les points de jonction intermédiaires sur ledit schéma équivalent, ont la même résistance de câblage. 9. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 8, dans lequel chaque paire desdites résistances calibrées divisionnaires disposées sur des emplacements symétriques par rapport à une ligne située entre lesdits premier et second points d'entrée sur ledit schéma équivalent du circuit en pont, ont chacune la même résistance de câblage. 10. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 8, dans lequel chaque paire desdits motifs de câblage a une forme rectangulaire, avec le même ratio entre les différents côtés desdits motifs rectangulaires. 11. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 8, dans lequel lesdits motifs de câblage ont la même résistance de câblage. 12. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 8, dans lequel lesdits motifs de câblage ont des formes rectangulaires, avec le même ratio entre les différents côtés desdites formes rectangulaires. 13. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 8, dans lequel au moins l'un 2820201 desdits motifs de câblage comprend des moyens d'ajustement de résistance avec une rainure formée dans ledit motif de câblage pour ajuster ladite résistance de câblage dudit motif de câblage. 14. Capteur de quantité dynamique à semiconducteur selon la revendication 13, dans lequel chacune desdites résistances calibrées divisionnaires comporte des barres droites s'étendant le long d'une première direction et des portions incurvées reliant lesdites barres droites en série, ladite rainure ayant une forme rectangulaire, une direction longitudinale de ladite forme rectangulaire de ladite rainure étant orientée dans une seconde direction perpendiculaire à ladite première direction.