FR 2818440 A1 20020621 FR 0108478 A 20010627 La présente demande revendique le bénéfice de la date de dépôt de la demande coréenne n 2000-78547 déposée le 19 décembre 2000 qui est citée ici à titre de référence. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semiconducteur, et plus particulière- ment un procédé de fabrication d'un condensateur comprenant un processus de traitement thermique pour améliorer les propriétés électriques d'un condensateur. L'accroissement de la densité d'intégration de dispo- sitifs de mémoire à semiconducteur entraîne habituellement une diminution de l'espace occupé par une zone de cellule de mémoire. La diminution de la capacité de la cellule constitue habituellement un obstacle important s'opposant à l'accroissement de l'intégration de dispositifs de mémoire vive dynamique (DRAM) ayant des condensateurs de mémorisation. Une diminution de la capacité de la cellule non seulement affaiblit l'aptitude à la lecture d'une cellule de mémoire et augmente le taux d'erreurs induites, mais rend également difficile le fonctionnement du dispositif à une basse tension, et rend excessive la consommation d'énergie pendant le fonctionnement d'un dispositif. On doit donc développer un procédé pouvant augmenter la capacité d'une cellule pour fabriquer un dispositif de mémoire à semiconducteur hautement intégré. En général, les propriétés diélectriques de la capaci- té d'une cellule peuvent être évaluées par l'épaisseur d'oxyde équivalente (Toxeq) et la densité du courant de fuite. L'épaisseur Toxeq est une valeur obtenue en convertissant l'épaisseur d'une couche diélectrique formée d'une matière autre qu'une substance du type oxyde de silicium en l'épaisseur d'un film diélectrique formé d'une substance du type oxyde de silicium. Lorsque la valeur Toxeq diminue, la capacité augmente. De plus, il est préférable que la densité du courant de fuite soit de faible valeur pour améliorer les propriétés électriques d'un condensateur. Pour augmenter la capacité de la cellule, on procède à des recherches sur des procédés dans lesquels une couche de nitrure de silicium ou une couche d'oxyde de silicium est remplacée par une couche hautement diélectrique ayant une constante diélectrique élevée en tant que couche diélectrique d'un condensateur. Par conséquent, un oxyde métallique diélectrique, tel que Ta205, (Ba, Sr)TiO3 (BST), Pb(Zr, Ti)03 (PZT), est indiqué en tant que candidat sérieux comme matière pour la couche diélectrique d'un condensateur pour un dispositif de mémoire à semiconducteur, donnant une grande capacité. Pour la fabrication d'un condensateur qui utilise une couche diélectrique ayant une constante diélectrique élevée, en général, on effectue un traitement thermique sous une atmosphère comprenant de l'oxygène après qu'une électrode supérieure a été formée, afin d'améliorer les propriétés de courant de fuite et les propriétés diélectriques du condensateur. Un traitement thermique améliore les propriétés de courant de fuite du condensa- teur, mais la température du traitement thermique doit être élevée pour qu'on obtienne un effet satisfaisant d'amélioration des propriétés de courant de fuite. De plus, pour obtenir des propriétés électriques d'un niveau satisfaisant, la température du traitement thermique après la formation d'une électrode supérieure dépend du type de couche diélectrique utilisé et de l'état de traitement thermique de la couche diélectrique. Pour obtenir une capacité d'un niveau raisonnable dans un dispositif à semiconducteur qui est intégré de façon continue, on a développé une technique utilisant une matière précieuse telle que Ru et Pt en tant que matière d'électrode. Par exemple, dans le cas o une couche de Ta205 cristallisée sous une atmosphère d'azote est formée en tant que couche diélectrique, les propriétés de courant de fuite peuvent être améliorées uniquement par un traitement thermique à une température égale ou supérieure à 500 C sous l'atmosphère d'oxygène après la formation d'une électrode supérieure. Cependant, dans le cas o une couche de Ru est formée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur la couche de Ta2Os en tant qu'électrode supérieure, l'électrode supérieure formée de Ru est oxydée si la température du traitement thermique sous l'atmosphère d'oxygène est égale ou supérieure à 450 C après la formation de l'électrode supérieure, en sorte qu'il est difficile d'effectuer un traitement thermique à une température égale ou supérieure à 450 C. Dans le cas o la couche de Ta205 est formée en tant que couche diélectrique, l'effet d'amélioration du courant de fuite est très faible à une température de traitement thermique de 400 C. De plus, dans le cas o une couche de BST formée par le procédé CVD est utilisée en tant que couche diélectri- que, on ne peut obtenir des propriétés électriques satisfaisantes que par un traitement thermique à une température égale ou supérieure à 500 C sous l'atmosphère d'oxygène après la formation d'une électrode supérieure. Cependant, dans le cas o une couche de Ru est formée en tant qu'électrode supérieure, la couche de Ru commence à s'oxyder rapidement à une température égale ou supérieure à 450 C, en sorte qu'il est impossible d'effectuer un traitement thermique à une température égale ou supérieure à 500 C. Pour résoudre les problèmes ci-dessus, un objectif de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur qui peut améliorer efficacement les propriétés électriques d'un condensateur en limitant l'oxydation d'une électrode supérieure sans abaisser la température de traitement thermique afin d'améliorer les propriétés de courant de fuite et les propriétés diélectriques d'un condensateur. Par conséquent, pour atteindre l'objectif ci-dessus, il est proposé un procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur selon un aspect de l'invention, dans lequel une électrode inférieure est formée sur un substrat de semiconducteur. Une couche diélectrique est formée sur l'électrode inférieure. Une électrode supérieure constituée d'un métal noble est formée sur la couche diélectrique. La structure résultante ayant l'électrode supérieure est ensuite soumise à un premier traitement thermique sous une première atmosphère comprenant de l'oxygène dont la première température est choisie dans la plage de 200 à 600 C, qui est inférieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure. La structure résultante, ayant été soumise au premier traitement thermique, subit un second traitement thermique sous une seconde atmosphère sans oxygène et à une seconde température qui est choisie dans la plage de 300 à 900 C, laquelle est supérieure à la première température. L'électrode inférieure peut être constituée d'une seule couche formée de polysilicium dopé, de TiN, de TaN, de WN, de W, de Pt, de Ru, d'Ir, de RuO2 ou d'Ir02, ou une couche d'un complexe de ceux-ci. La couche diélectrique peut être formée d'une seule couche de Ta2O5, TiO2, (Ba, Sr) TiO3 (BST), StTiO3 (ST), SiO2, Si3N4, ou PbZrTiO3 (PZT), ou une couche d'un complexe de ceux-ci. L'électrode supérieure peut être formée de Ru, Pt, Ir, RuO2 ou Ir02. Dans la première étape de traitement thermique, la première atmosphère comprend de l'oxygène à une concentration de 0,01 à 100% en volume. Ici, la première atmosphère peut comprendre de l'02, du N20 ou du 03 gazeux. De plus, dans la seconde étape de traitement thermique, la seconde atmosphère est une atmosphère constituée d'un gaz inerte ou une atmosphère à vide poussé. Les premières et secondes étapes de traitement thermique peuvent être effectuées sur place dans la même chambre. Un procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur selon l'aspect de la présente invention comprend en outre une étape de formation d'une couche de nitrure de silicium qui recouvre l'électrode inférieure après la formation de l'électrode inférieure. De plus, un procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur selon l'aspect de la présente invention comprend en outre une étape de traitement thermique de la couche diélectrique après la formation de la couche diélectrique. Si la couche diélectrique est soumise à un traitement thermique sous une atmosphère comprenant de l'oxygène, elle est traitée thermiquement à une température de 200 à 800 C. Si la couche diélectrique est soumise à un traitement thermique sous une atmosphère sans oxygène, elle est traitée thermiquement à une température de 500 à 800 C. Dans un procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur selon un autre aspect de l'invention, une électrode inférieure est formée sur un substrat de semiconducteur. Une couche diélectrique constituée d'une couche de Ta2O5 est formée sur l'électrode inférieure. La couche diélectrique est traitée thermique- ment. Une électrode supérieure constituée de Ru est formée sur la couche diélectrique traitée thermiquement. La structure résultante ayant l'électrode supérieure est soumise à un premier traitement thermique sous une première atmosphère comprenant de l'oxygène et à une première température qui est choisie dans une plage de 300 à 500 C, laquelle est inférieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure. La structure résultante ayant été soumise au premier traitement thermique subit un second traitement thermique sous une seconde atmosphère sans oxygène et à une seconde température qui est choisie dans une plage de 500 à 700 C, laquelle est supérieure à la première température. Conformément à l'invention, pour améliorer les pro- priétés électriques d'un condensateur, la surface d'une électrode supérieure n'est pas oxydée et on peut obtenir un effet suffisant de mûrissement d'une couche diélectrique par un traitement thermique en deux étapes après la formation de l'électrode supérieure, afin d'améliorer les propriétés de courant de fuite et les propriétés diélectriques d'un condensateur, et de pouvoir obtenir des propriétés électriques meilleures. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemple nullement limitatif et sur lesquels: les figures 1A à 1G sont des vues en coupe transver- sale illustrant, dans l'ordre de traitement, un procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur selon une forme appréciée de réalisation de l'invention; et les figures 2A et 2B sont des graphiques illustrant des résultats d'évaluation des propriétés de courant de fuite d'un condensateur fabriqué par un procédé selon l'invention. Sur les dessins, l'épaisseur des couches et les régions sont exagérées pour plus de clarté. On doit également comprendre que lorsqu'on indique qu'une couche se trouve "sur" une autre couche ou un substrat, elle peut être située directement sur l'autre couche ou le substrat, ou bien des couches intermédiaires peuvent également être présentes. Les mêmes références numériques désignent les mêmes éléments sur les différents dessins et leur description ne sera donc pas répétée. Les figures 1A à 1G sont des vues en coupe illustrant, dans l'ordre de traitement, un procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur selon une forme appréciée de réalisation de l'invention. En référence à la figure 1A, une électrode inférieure 20 est formée sur un substrat de semiconducteur 10. L'électrode inférieure 20 peut être constituée d'une seule couche formée d'une matière conductrice telle que du polysilicium dopé, du W, du Pt, du Ru, du Ir, un nitrure de métal conducteur tel que du TiN, du TaN, du WN, ou un oxyde de métal conducteur tel que du RuO2, du Ir02, ou d'une couche constituée d'un complexe de ceux-ci. En référence à la figure lB, une couche 30 de nitrure de silicium qui recouvre l'électrode inférieure 20 est formée. La raison pour laquelle on forme la couche 30 de nitrure de silicium est d'empêcher l'épaisseur d'oxyde équivalente (Toxeq) de devenir plus élevée du fait de l'oxydation de l'électrode inférieure 20 pendant le processus suivant. La couche 30 de nitrure de silicium est efficace en particulier lorsque l'électrode inférieure 20 est formée de polysilicium dopé. Pour former la couche 30 de nitrure de silicium, la structure résultante comportant l'électrode inférieure 20 peut être traitée thermiquement par exposition de l'électrode inférieure 20 à une atmosphère de NH3. En variante, il est possible d'utiliser un procédé de dépôt d'une couche de Si3N4 par un procédé CVD. La couche 30 de nitrure de silicium est avantageuse- ment formée de façon à être comprise dans une plage d'épaisseur d'environ 0,5 à 3 nm. L'étape de formation de la couche 30 de nitrure de silicium peut être supprimée si cela est nécessaire. En référence à la figure 1C, une couche diélectrique est formée sur toute la surface de la structure résultante comportant la couche 30 de nitrure de silicium. La couche diélectrique 40 peut être formée d'une seule couche de Ta2O5, TiO2, (Ba, Sr)TiO3 (BST), StTiO3 (ST), SiO2, Si3N4, ou PbZrTiO3 (PZT), ou d'une couche constituée d'un complexe de ceux-ci. Si on utilise une couche de Ta2Os en tant que couche diélectrique 40, il est préférable que l'épaisseur soit comprise dans une plage d'environ 4 à 10 nm. En référence à la figure 1D, la couche diélectrique 40 subit un traitement thermique 42. Si une couche de Ta205 est formée en tant que couche diélectrique 40, le traitement thermique 42 peut être effectué à une température de 200 à 900 C. Le traitement thermique 42 peut être effectué sous une atmosphère constituée d'un gaz inerte sans oxygène ou une atmosphère comprenant de l'oxygène. Si le traitement thermique 42 de la couche diélectrique 40 est effectué sous une atmosphère constituée d'un gaz inerte, la température du traitement thermique 42 peut être choisie dans une plage de 500 à 800 C. Par ailleurs, si le traitement thermique 42 de la couche diélectrique 40 est effectué sous une atmosphère comprenant de l'oxygène, la température du traitement thermique 42 peut être choisie de façon à être comprise dans une plage de 200 à 800 C. On peut utiliser du 02, du N20 ou du 03 gazeux pour exécuter le traitement thermique 42 de la couche diélectrique 40 sous l'atmosphère comprenant de l'oxygène. Le traitement thermique 42 aboutit à une cristallisation de la couche diélectrique 40 et diminue l'effet du processus suivant de traitement thermique à haute température, ce qui permet d'améliorer les propriétés électriques. En référence à la figure 1E,, une électrode supérieure est formée sur la couche diélectrique 40 qui a subi le traitement thermique 42. L'électrode supérieure 50 peut être formée d'un métal noble du groupe VIII, par exemple, Ru, Pt et Ir, et elle peut être formée d'un oxyde conducteur de métal précieux tel que RuO2 et IrO2, qui joue le rôle d'un catalyseur pour la décomposition des molécules d'oxygène, et présente une certaine perméabilité à l'oxygène. En référence à la figure 1F, la structure résultante comportant l'électrode supérieure 50 subit un premier traitement thermique 52 sous une première atmosphère comprenant de l'oxygène et à une première température (Tl) qui est choisie de façon à être comprise dans une plage de à 600 C, laquelle est inférieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure 50. Ici, la première atmosphère comprenant de l'oxygène comprend de l'oxygène à une concentration de 0,01 à 100% en volume, avantageusement d'environ 5% en volume. À cet effet, la première atmosphère peut comprendre du 02, du N20 ou du 03 gazeux. Ici, l'autre gaz de la première atmosphère est formé d'un gaz inerte tel que N2 ou Ar. Par exemple, si la couche diélectrique 40 est formée d'une couche de Ta205 et si l'électrode supérieure est formée d'une couche de Ru déposée par le procédé CVD, la première température (T1) du premier traitement thermique 52 peut être de 300 à 500 C, avantageusement 350 à 450 C. Étant donné que le premier traitement thermique 52 effectué sous la première atmosphère comprenant de l'oxygène est exécuté à la première température (T1) inférieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure 50, la surface à découvert de l'électrode supérieure 50 n'est pas oxydée, et l'oxygène contenu dans la première atmosphère pénètre dans l'électrode supérieure 50. En conséquence, des atomes d'oxygène s'empilent à proximité de l'interface entre l'électrode supérieure 50 et la couche diélectrique 40. Les atomes d'oxygène empilés à proximité de l'interface ne font pas mûrir la couche diélectrique 40 du fait de la basse température de réaction, et ils restent autour de l'interface dans son état non-réagi. Pour le premier traitement thermique 52, il est possible d'utiliser un four ou un appareil de traitement thermique du type pour une seule tranche. Le premier traitement thermique 52 est avantageusement exécuté dans un four de traitement thermique rapide (RTP). En référence à la figure 1G, la structure résultante qui a subi le premier traitement thermique 52 subit un second traitement thermique 54 sous une seconde atmosphère sans oxygène. Le second traitement thermique 54 est exécuté à la seconde température (T2) qui est choisie de façon à être comprise dans une plage de 300 à 900 C, laquelle est supérieure à la première température (Tl). Pour le second traitement thermique 54, il est possible d'utiliser un four ou un appareil de traitement thermique du type pour une seule tranche. Le premier traitement thermique 52 et le second traitement thermique 54 sont avantageusement exécutés sur place dans la même chambre. Pour le second traitement thermique 54, la seconde atmosphère peut être une atmosphère d'un gaz inerte tel que N2 ou Ar, ou une atmosphère à vide poussé. Par exemple, si la couche diélectrique 40 est formée d'une couche de Ta2O5, et si l'électrode supérieure 50 est formée d'une couche de Ru déposée par le procédé CVD, la seconde température (T2) du second traitement thermique 54 peut être de 500 à 700 C, avantageusement 600 à 650 C. La seconde température (T2) appliquée pendant le second traitement thermique 54 est choisie de façon à être suffisante pour faire mûrir la lacune d'oxygène dans la couche diélectrique 40, et éliminer les combinaisons libres présentes sur l'interface entre l'électrode supérieure 50 et la couche diélectrique 40. Pour que le traitement thermique améliore les propriétés électriques d'un condensateur, on procède successivement à un traitement thermique en deux étapes formé du premier traitement thermique 52, qui est effectué sur la structure résultante comportant l'électrode supérieure 50 sous la première atmosphère comprenant de l'oxygène à la première température (T1) inférieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure 50, et du second traitement thermique 54, qui est exécuté sous la seconde atmosphère sans oxygène à la seconde température (T2) supérieure à la première température (T1), afin que la surface de l'électrode supérieure 50 ne soit pas oxydée et qu'un effet suffisant de mûrissement de la couche diélectrique 40 puisse être obtenu. Par conséquent, les propriétés de courant de fuite et les propriétés diélectriques d'un condensateur peuvent être améliorées sans oxydation de l'électrode supérieure 50. Les figures 2A et 2B sont des graphiques illustrant les résultats d'une évaluation des propriétés de courant de fuite d'un condensateur fabriqué par un procédé selon l'invention. La figure 2A illustre les résultats d'une évaluation d'un exemple comparatif, et la figure 2B illustre un résultat d'évaluation d'un condensateur fabriqué par un procédé selon l'invention. Pour l'évaluation des figures 2A et 2B, après qu'une électrode inférieure constituée de polysilicium dopé a été formée sur un substrat de semiconducteur de façon à avoir une épaisseur de 40 nm, on a procédé à une nitruration thermique rapide (RTN), et on a formé une couche de nitrure de silicium sur l'électrode inférieure. Ensuite, une couche diélectrique constituée de Ta2O5 a été formée sur la couche de nitrure de silicium en utilisant le procédé CVD de façon à avoir une épaisseur de 9 nm. Après que la couche diélectrique a été traitée thermiquement sous l'atmosphère de N2 à une température de 700 C et cristallisé, une couche de Ru a été formée de façon à avoir une épaisseur de 80 nm sur la couche diélectrique en utilisant le procédé CVD, et a été soumise à la formation d'un motif pour former une électrode supérieure. Ensuite,f sous une atmosphère comprenant 5% en volume de 02 et le reste de N2 gazeux, la structure résultante comportant l'électrode supérieure a subi un premier traitement thermique à une température de 400 C à laquelle l'électrode supérieure n'est pas oxydée, et on a ensuite obtenu, en tant que résultat d'une évaluation du courant de fuite, le résultat tel qu'illustré sur la figure 2A. Sur la figure 2A, le résultat (-0-) d'une mesure du courant de fuite immédiatement après la formation de l'électrode supérieure, et le résultat (-O-) d'une mesure du courant de fuite après le premier traitement thermique de la structure résultante comportant l'électrode supérieure dans les conditions ci-dessus, sont illustrés ensemble. D'après le résultat de la figure 2A, lorsque la structure résultante comportant l'électrode supérieure a subi un premier traitement thermique dans les conditions ci-dessus, l'effet d'amélioration du courant de fuite n'est pas important en comparaison avec le courant de fuite précédant le premier traitement thermique. Ceci est dû au fait que le mûrissement de la couche diélectrique n'a pas été suffisamment réalisé. La figure 2B illustre un résultat d'une évaluation du courant de fuite obtenu après que la structure résultante du premier traitement thermique a subi un second traitement thermique supplémentaire sous une atmosphère de 100% en volume de N2 et à une température de 600 C conformément aux conditions précédentes. Si le second traitement thermique est exécuté conformément aux conditions précédentes, le résultat de la figure 2B confirme que les propriétés de courant de fuite dans une région de basse tension sont notablement améliorées. La raison pour laquelle on obtient les résultats ci- dessus est la suivante. L'oxygène contenu dans l'atmosphère du premier traitement thermique n'oxyde pas la surface de l'électrode supérieure, et pénètre dans l'électrode supérieure. Cependant, à la température de 400 C du premier traitement thermique, la température de réaction n'est pas suffisante, en sorte que des défauts présents dans la couche diélectrique ne sont pas traités, et que l'oxygène s'empile à proximité de l'interface entre l'électrode supérieure et la couche diélectrique. Les atomes d'oxygène empilés à proximité de l'interface subissent le second traitement thermique, et les défauts présents dans la couche diélectrique sont traités. Autrement dit, la raison pour laquelle l'effet d'amélioration des propriétés de courant de fuite après le premier traitement thermique sous l'atmosphère comprenant de l'oxygène à 400 C est insuffisant n'est pas un apport d'oxygène insuffisant, mais la présence d'une réaction à un certain degré entre l'oxygène fourni et les défauts dans une couche diélectrique. Dans un procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur selon l'invention, après la formation d'une électrode supérieure, pour un traitement thermique destiné à améliorer les propriétés électriques du condensateur, on effectue un premier traitement thermique sur la structure résultante comportant l'électrode supérieure sous une première atmosphère comprenant de l'oxygène à une première température inférieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure, puis on effectue le second traitement thermique sous la seconde atmosphère sans oxygène à la seconde température supérieure à la première température. Du fait d'un traitement thermique en deux étapes comprenant les premier et second traitements thermiques, la surface de l'électrode supérieure n'est pas oxydée, et un effet suffisant de mûrissement d'une couche diélectrique peut être obtenu. Par conséquent, les propriétés de fuite et les propriétés diélectriques d'un condensateur sont améliorées, et on peut obtenir des propriétés électriques améliorées. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé de fabrication décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: la formation d'une électrode inférieure (20) sur un substrat (10) de semiconducteur; la formation d'une couche diélectrique (40) sur l'électrode inférieure; la formation d'une électrode supérieure (50) en métal noble sur la couche diélectrique; l'exécution d'un premier traitement thermique (52) sur la structure résultante ayant l'électrode supérieure sous une première atmosphère comprenant de l'oxygène à une première température qui est choisie de façon à être comprise dans une plage de 200 à 600 C, et inférieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure; et l'exécution d'un second traitement thermique (54) sur la structure résultante ayant subi le premier traitement thermique, sous une seconde atmosphère sans oxygène à une seconde température qui est choisie de façon à être comprise dans une plage de 300 à 900 C, et supérieure à la première température. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode inférieure est formée d'un polysilicium dopé, d'un métal, d'un nitrure métallique conducteur ou d'un oxyde métallique conducteur. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'électrode inférieure est formée d'une seule couche de polysilicium dopé, de TiN, de TaN, de WN, de W, de Pt, de Ru, d'Ir, de RuO2 ou d'Ir02, ou d'une couche constituée d'un complexe de ceux-ci. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche diélectrique est formée d'une seule couche de Ta2O5, TiO2, (Ba, Sr)TiO3 (BST), StTiO3 (ST), SiO2, Si3N4 ou PbZrTiO3 (PZT), ou d'une couche constituée d'un complexe de ceux-ci. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode supérieure est formée de Ru, de Pt, d'Ir, de Ru02 ou d'Ir02. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première atmosphère de l'étape du premier traitement thermique comprend de l'oxygène ayant une concentration de 0,01 à 100% en volume. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première atmosphère de l'étape du premier traitement thermique comprend du 02, du N20 ou du 03 gazeux. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première atmosphère de l'étape de premier traitement thermique comprend en outre un gaz inerte. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde atmosphère de l'étape du second traitement thermique est une atmosphère de gaz inerte. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde atmosphère de l'étape de second traitement thermique est une atmosphère à vide poussé. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de premier traitement thermique est effectuée dans un four de traitement thermique rapide (RTP). 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les étapes des premier et second traitements thermiques sont effectuées sur place dans la même chambre. 13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après la formation de l'électrode inférieure, la formation d'une couche de nitrure de silicium recouvrant l'électrode inférieure. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'étape de formation de la couche de nitrure de silicium comprend un traitement thermique de l'électrode inférieure sous une atmosphère de NH3. 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche de nitrure de silicium est formée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). 16. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la couche de nitrure de silicium est formée de façon à avoir une épaisseur de 0,5 à 3 nm. 17. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après l'étape de formation d'une couche diélectrique, un traitement thermique de la couche diélectrique. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'étape de formation de la couche diélectrique est effectuée sous une atmosphère comprenant de l'oxygène. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique de la couche diélectrique est effectuée à une température de 200 à 8000C. 20. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique de la couche diélectrique est effectuée sous une atmosphère sans oxygène. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique de la couche diélectrique est effectuée à une température de 500 à 800 C. 22. Procédé de fabrication d'un condensateur d'un dispositif de mémoire à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: la formation d'une électrode inférieure (20) sur un substrat (10) de semiconducteur; la formation d'une couche diélectrique (40) formée d'une couche de TaO2 sur l'électrode inférieure; un traitement thermique de la couche diélectrique; la formation d'une électrode supérieure (50) de Ru sur la couche diélectrique traitée thermiquement: l'exécution d'un premier traitement thermique (52) sur la structure résultante ayant l'électrode supérieure sous une première atmosphère comprenant de l'oxygène, à une première température qui est choisie de façon à être comprise dans une plage de 300 à 500 C, et inférieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure; et l'exécution d'un second traitement thermique (54) sur la structure résultante ayant subi le premier traitement thermique, sous une seconde atmosphère sans oxygène, à une seconde température qui est choisie de façon à être comprise dans une plage de 500 à 700 C, et supérieure à la première température. 23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que l'électrode inférieure est formée d'un polysilicium dopé, d'un métal, d'un nitrure métallique conducteur ou d'un oxyde métallique conducteur. 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que l'électrode inférieure est formée d'une seule couche d'un polysilicium dopé, de TiN, de TaN, de WN, de W, de Pt, de Ru, d'Ir, de RuO2 ou d'Ir02, ou d'une couche constituée d'un complexe de ceux-ci. 25. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique de la couche diélectrique est exécutée sous une atmosphère comprenant de l'oxygène. 26. Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique de la couche diélectrique est exécutée à une température de 200 à 800 C. 27. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique de la couche diélectrique est effectuée sous une atmosphère sans oxygène. 28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique de la couche diélectrique est effectuée à une température de 500 à 800 C. 29. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que la première atmosphère du premier traitement thermique comprend de l'oxygène ayant une concentration de 0,01 à 100% en volume. 30. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que la première atmosphère de l'étape du premier traitement thermique comprend du 02, du N20 ou du 03 gazeux. 31. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que l'étape du premier traitement thermique est exécutée à une température de 350 à 450 C. 32. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que la première atmosphère du premier traitement thermique comprend en outre un gaz inerte. 33. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que la seconde atmosphère de l'étape du second traitement thermique est une atmosphère de gaz inerte. 34. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que l'étape du second traitement thermique est exécutée à une température de 600 à 650 C. 35. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que les étapes des premier et second traitements thermiques sont exécutées sur place dans la même chambre. 36. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après la formation de l'électrode inférieure, la formation d'une couche de nitrure de silicium recouvrant l'électrode inférieure. 37. Procédé de fabrication d'un condensateur de circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes dans lesquelles: on forme une électrode inférieure (20) de condensateur sur un substrat (10) de semiconducteur; on forme une couche diélectrique (40) sur l'électrode inférieure de condensateur; on forme une électrode supérieure (50) de condensateur comprenant un métal noble sur la couche diélectrique, opposée à l'électrode inférieure de condensateur; on expose l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère (52) contenant de l'oxygène ayant une première température dans une plage comprise entre 200 C et une première température limite qui est inférieure à une température d'oxydation de l'électrode supérieure de condensateur; puis on expose l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère (54) dépourvue d'oxygène, ayant une seconde température supérieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure de condensateur. 38. Procédé selon la revendication 37, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une électrode supérieure de condensateur est précédée de l'étape d'accroissement de la cristallinité de la couche diélectrique par un traitement thermique de la couche diélectrique dans une atmosphère (42) dépourvue d'oxygène. 39. Procédé selon la revendication 37, caractérisé en ce que l'atmosphère dépourvue d'oxygène comprend un gaz inerte choisi dans le groupe constitué de l'argon et de l'azote. 40. Procédé selon la revendication 37, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche diélectrique est précédée de l'étape de formation d'une couche (30) de nitrure de silicium sur l'électrode inférieure de condensateur. 41. Procédé selon la revendication 37, caractérisé en ce que l'étape d'exposition de l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère contenant de l'oxygène comprend l'exposition de l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère contenant de l'oxygène pendant une durée suffisante pour provoquer une migration d'oxygène à travers l'électrode supérieure de condensateur et jusque dans la couche diélectrique. 42. Procédé de fabrication d'un condensateur de circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend: la formation d'une électrode inférieure (20) de condensateur sur un substrat (10) en semiconducteur; la formation d'une couche diélectrique (40) sur l'électrode inférieure de condensateur; la formation d'une électrode supérieure (50) de condensateur, comprenant un métal ou un oxyde métallique, sur la couche diélectrique; l'exposition de l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère (52) contenant de l'oxygène, ayant une première température dans une plage comprise entre 200 C et une première température limite qui est inférieure à une température d'oxydation de l'électrode supérieure de condensateur; puis l'exposition de l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère (54) dépourvue d'oxygène, ayant une seconde température supérieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure de condensateur. 43. Procédé selon la revendication 42, caractérisé en ce que le métal ou l'oxyde métallique est une matière électriquement conductrice choisie dans le groupe constitué des Ru, Pt, Ir, RuO2 et Ir02. 44. Procédé selon la revendication 42, caractérisé en ce que l'atmosphère dépourvue d'oxygène comprend un gaz inerte choisi dans le groupe constitué de l'argon et de l'azote. 45. Procédé selon la revendication 42, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche diélectrique est précédée de l'étape de formation d'une couche (30) de nitrure de silicium sur l'électrode inférieure de condensateur. 46. Procédé selon la revendication 42, caractérisé en ce que l'étape d'exposition de l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère contenant de l'oxygène comprend l'exposition de l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère contenant de l'oxygène pendant une durée suffisante pour provoquer une migration d'oxygène à travers l'électrode supérieure de condensateur et jusque dans la couche diélectrique. 47. Procédé de fabrication d'un condensateur de circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend: la formation d'une électrode inférieure (20) de condensateur sur un substrat (10) en semiconducteur; la formation d'une couche diélectrique (40) sur l'électrode inférieure de condensateur; la formation d'une électrode supérieure (50) de condensateur, comprenant un métal ou un oxyde métallique, sur la couche diélectrique; l'exposition de l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère (52) contenant de l'oxygène, ayant une première température dans une plage comprise entre 200 C et une première température limite qui est inférieure à une température d'oxydation de l'électrode supérieure de condensateur, pendant une durée suffisante pour accumuler des atomes d'oxygène à une interface entre l'électrode supérieure de condensateur et la couche diélectrique; puis l'exposition de l'électrode supérieure de condensateur à une atmosphère (54) dépourvue d'oxygène, ayant une seconde température supérieure à la température d'oxydation de l'électrode supérieure de condensateur et, en outre, suffisamment élevée pour faire mûrir la couche diélectrique par diffusion de l'oxygène accumulé dans les vacances d'oxygène à l'intérieur de la couche diélectrique. 48. Procédé selon la revendication 47, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche diélectrique est précédée de l'étape de formation d'une couche (30) de nitrure de silicium sur l'électrode inférieure de condensateur.