FR 2813968 A1 20020315 FR 0111941 A 20010914 SYSTEME DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR La présente invention concerne un système et une méthode de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. La présente invention concerne également un dispositif à semi-conducteur fabriqué par un tel système ou une telle méthode, un programme d'ordinateur destiné à commander un ordinateur formant un tel système, et un support contenant un tel programme d'ordinateur. Il existe un besoin de conception et de production rapides de dispositifs à semi-conducteur tels que des circuits intégrés qui fonctionnent correctement et qui atteignent leurs paramètres de référence souhaités "du premier coup", en d'autres termes sans exiger une reprise étendue de la conception ou différentes étapes de prototypage. Par exemple, cela est exigé de la part de produits mélangeur-oscillateur destinés à être utilisés dans des tuners ayant des valeurs de bruit faibles et des performances élevées de distorsion d'intermodulation (IIP3). Des techniques connues pour atteindre ce but reposent sur la réutilisation et l'optimisation de cellules de circuit conçues antérieurement pour des blocs de circuits discrets. Cependant, cette procédure d'optimisation exige beaucoup de temps et réclame une compréhension approfondie des limitations des circuits utilisés antérieurement. Selon un premier aspect de l'invention, il est proposé un système de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur, comprenant: une première bibliothèque d'au moins un modèle, ce modèle ou chacun d'eux comprenant une représentation d'un bloc de circuit discret, et au moins 2 2813968 une équation mettant en relation au moins un paramètre de performances du bloc de circuit avec au moins un paramètre électrique d'au moins un composant du bloc de circuit; des premiers moyens de sélection pour sélectionner le modèle ou un des modèles dans la bibliothèque; des deuxièmes moyens de sélection pour sélectionner une valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, du bloc de circuit du modèle sélectionné; et des moyens pour calculer une valeur d'un paramètre électrique, au moins au nombre de un, pour obtenir la valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, en entrant la valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, dans l'équation, au moins au nombre de un, et en résolvant l'équation, au moins au nombre de un, pour le paramètre électrique, au moins au nombre de un, de façon à former une conception du dispositif à semi-conducteur; et des moyens pour agir sur la conception pour fabriquer le dispositif à semi- conducteur. Le paramètre électrique, au moins au nombre de un, peut comprendre une valeur de composant pour le composant, au moins au nombre de un. Le composant, au moins au nombre de un, peut comprendre au moins un composant résistif et la valeur du composant peut comprendre sa résistance. Le paramètre de performances, au moins au nombre de un, peut comprendre un chiffre de bruit. Le paramètre de performances, au moins au nombre de un, peut comprendre une valeur de distorsion. Les premiers moyens de sélection peuvent comprendre des premiers moyens de sélection manuels. 3 2813968 L'équation, au moins au nombre de un, peut comprendre une pluralité d'équations simultanées. Le paramètre de performances, au moins au nombre de un, peut comprendre une pluralité de paramètres de performances. Le paramètre électrique, au moins au nombre de un, peut comprendre une pluralité de paramètres électriques. Le composant, au moins au nombre de un, peut comprendre une pluralité de composants. Les moyens de calcul peuvent calculer une pluralité de valeurs du composant, au moins au nombre de un, le système comprenant des troisièmes moyens de sélection pour sélectionner une des valeurs calculées conformément à un critère prédéterminé. Le critère prédéterminé peut être la dissipation de puissance la plus faible. Le système peut comprendre une deuxième bibliothèque de fichiers de procédé de fabrication dont chacun comprend des paramètres électriques prédéterminés d'au moins un type de composant des blocs de circuit. Le type de composant, au moins au nombre de un, peut comprendre un transistor. Le système peut comprendre des quatrièmes moyens de sélection pour sélectionner un fichier de procédé dans la deuxième bibliothèque. Les quatrièmes moyens de sélection peuvent comprendre des deuxièmes moyens de sélection manuels. Les moyens de calcul peuvent entrer au moins certains des paramètres électriques prédéterminés du fichier de procédé sélectionné dans l'équation, au moins au nombre de un, afin de calculer la valeur du paramètre électrique, au moins au nombre de un. Les moyens de calcul peuvent être agencés pour calculer la dimension du composant, au moins au nombre de un, tel qu'une résistance, au moins au nombre de un, conformément au courant qu'il doit laisser passer. 4 2813968 Le système peut comprendre des moyens pour produire un schéma du bloc de circuit du modèle sélectionné, y compris la valeur calculée du paramètre électrique, au moins au nombre de un, du composant, au moins au nombre de un. Le système peut comprendre des moyens pour simuler le fonctionnement du schéma, y compris le calcul d'une valeur simulée du paramètre de performances, au moins au nombre de un. Le dispositif à semi-conducteur peut comprendre au moins une partie d'un circuit intégré. Le bloc de circuit du modèle, au moins au nombre de un, peut comprendre une paire différentielle de transistors bipolaires pour une utilisation en radiofréquence, le paramètre de performances, au moins au nombre de un, peut comprendre un chiffre de bruit NF et une distorsion d'intermodulation du troisième ordre d3, le paramètre électrique, au moins au nombre de un, peut comprendre une résistance de charge Rl, une résistance de contre-réaction d'émetteur Re et une résistance d'émetteur interne re de la paire différentielle de transistors, et l'équation, au moins au nombre de un, peut comprendre: 2813968 Rs Rs2o-R{ +$Rs R Rf12 +Rf'+ Ri NF = 10 10glo Rf _ 1 Rp Rs 2L e[e+rbb + RS À Ramp = 2 Re+ 2rbb + + re RI + 1(Re+Rs+rbb)2 + 1 (Re+rbb)2 2, i re 2,. re d3 _ _( __) 481+ Re±3 l re _ o: Rs est la résistance source à laquelle la paire différentielle doit être connectée; Rf est une résistance de contre-réaction de la paire différentielle; rbb est la résistance intrinsèque de la base des transistors bipolaires; f3 est le gain en courant des transistors bipolaires; re = 50mV/Iee; Iee est le courant d'émetteur des transistors bipolaires. 6 2813968 Selon un deuxième aspect de l'invention, il est proposé une méthode de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, comprenant: la sélection, dans une bibliothèque, d'un modèle comprenant une représentation d'un bloc de circuit discret et au moins une équation mettant en relation au moins un paramètre de performances du bloc de circuit avec au moins un paramètre électrique d'au moins un composant du bloc de circuit; la sélection d'une valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, du bloc de circuit; le calcul d'une valeur du paramètre électrique, au moins au nombre de un, pour obtenir la valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, en entrant la valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, dans l'équation, au moins au nombre de un, et en résolvant l'équation, au moins au nombre de un, pour le paramètre électrique, au moins au nombre de un, de façon à former une conception du dispositif à semi- conducteur; et l'action sur la conception pour fabriquer le dispositif à semi-conducteur. Selon un troisième aspect de l'invention, il est proposé un dispositif à semi-conducteur fabriqué par un système selon le premier aspect de l'invention ou par une méthode selon le deuxième aspect de l'invention. Selon un quatrième aspect de l'invention, il est proposé un ordinateur programmé par un programme d'ordinateur pour mettre en oeuvre une méthode selon le deuxième aspect de l'invention. Selon un cinquième aspect de l'invention, il est proposé un programme d'ordinateur pour programmer un ordinateur selon le quatrième aspect de l'invention pour 7 2813968 mettre en oeuvre une méthode selon le deuxième aspect de l'invention. Selon un sixième aspect de l'invention, il est proposé un support contenant un programme d'ordinateur selon le cinquième aspect de l'invention. Il est ainsi possible de proposer un système qui est capable d'optimiser un ou plusieurs types de bloc de circuit discret émanant d'une bibliothèque de tels blocs. En particulier, il est possible de produire un dispositif à semiconducteur, qui peut faire partie d'un circuit intégré, qui respecte un ou plusieurs paramètres de performances essentiellement simplement en spécifiant les valeurs souhaitées de tels paramètres. Il a été constaté que des valeurs de composants de tels blocs de circuit peuvent être dérivées des paramètres de performances requis et que les conceptions résultantes, une fois produites, peuvent atteindre les paramètres de performances requis avec un probabilité très élevée. Cette probabilité peut être augmentée en simulant automatiquement les conceptions résultantes et cela permet de vérifier si les paramètres de performances souhaités peuvent être atteints, par exemple dans une plage de températures et de tensions d'alimentation. Ainsi, les procédures d'optimisation étendues et les étapes de prototypage de techniques connues peuvent être évitées essentiellement ou au moins grandement réduites. Ainsi, la productivité peut être augmentée sans compromettre l'intégrité de la conception. L'invention va être décrite de façon détaillée, en guise d'exemple, en référence aux dessins d'accompagnement: 8 2813968 La figure 1 est un schéma fonctionnel d'une partie d'un système constituant un mode de réalisation de l'invention; La figure 2 est un organigramme de principe illustrant le fonctionnement du système de la figure 1; La figure 3 est un schéma illustrant un bloc de circuit discret et des équations associées représentant un modèle d'une bibliothèque du système de la figure 1. Bien que le système de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur puisse en principe être utilisé avec n'importe quel type de bloc de circuit, par exemple pour former une partie ou la totalité d'un circuit intégré, le mode de réalisation décrit plus bas se réfère à une paire différentielle de transistors à jonction bipolaire constituant un amplificateur de fréquences radioélectriques, par exemple destiné à constituer une partie de "récepteurs" d'un tuner pour recevoir des signaux depuis un réseau de distribution câblé ou une antenne terrestre ou satellite. Comme le montre la figure 1, le système comprend un ordinateur 1 muni d'une mémoire de programme 2 contenant un programme pour commander le fonctionnement de l'ordinateur 1. L'ordinateur 1 est muni d'un dispositif ou agencement d'entrée 3, par exemple sous la forme d'un clavier et/ou d'une souris pour permettre l'entrée et la sélection manuelles. L'ordinateur est également muni d'une dispositif ou agencement de sortie 4, par exemple sous la forme d'un écran de visualisation (VDU) et/ou d'une imprimante. L'ordinateur 1 est également muni d'une bibliothèque de modèles 5 qui contient un ou plusieurs modèles qui peuvent être sélectionnés manuellement, par exemple par un utilisateur maneuvrant le dispositif ou agencement 9 2813968 d'entrée 3. Chaque modèle contient des informations concernant un bloc de circuit discret comme décrit plus loin. La bibliothèque peut, par exemple être contenue dans la mémoire 2. L'ordinateur 1 est muni d'une bibliothèque de fichiers de procédé 6 qui contient des fichiers concernant un ou plusieurs procédés de fabrication pour des dispositifs à semi-conducteur tels que des circuits intégrés, et qui peut également, par exemple, être contenue dans la mémoire 2. Un fichier de procédé typique sera décrit de façon plus détaillée plus loin. Les bibliothèques 5 et 6 sont concrétisées en tant que données stockées dans n'importe quel support ou moyens appropriés accessibles à l'ordinateur 1. La figure 2 illustre un fonctionnement du système de la figure 1 pour concevoir et fabriquer un amplificateur de fréquences radioélectriques à paire différentielle. Un environnement de conception est entré à l'étape 10 et un bloc de circuit discret ou "cellule" est choisi(e) dans un menu dans une étape 11. Par exemple, l'ordinateur 1 affiche un menu ou une série de menus imbriqués sur le dispositif de sortie 4 et un utilisateur sélectionne la cellule souhaitée au moyen du dispositif d'entrée 3. Dans l'exemple qui est décrit, l'utilisateur sélectionne un modèle sous la forme d'une représentation d'une paire différentielle de transistors à jonction bipolaire et une série correspondante d'équations comme indiqué sur la figure 3. L'utilisateur est ensuite invité à entrer les paramètres de performances souhaités de l'amplificateur de fréquences radioélectriques devant être mis en oeuvre par la paire différentielle et, dans une étape 12, il entre le chiffre de bruit souhaité, la distorsion 2813968 d'intermodulation du troisième ordre (IIP3), le gain souhaité de l'amplificateur, la consommation de courant souhaitée et la tension d'alimentation nominale. Dans une étape 13, divers paramètres électriques requis pour calculer les valeurs de composant sont lus dans un des fichiers de procédé dans la bibliothèque 6. Bien qu'il soit possible au système de sélectionner automatiquement le procédé de fabrication le plus approprié ou un des procédés de fabrication appropriés pour former le dispositif à semi-conducteur à partir de la bibliothèque 6, cela peut être effectué manuellement. Par exemple, l'ordinateur 1 affiche un menu des procédés de fabrication disponibles correspondant aux fichiers de la bibliothèque 6 sur le dispositif de sortie 4 et l'utilisateur sélectionne le procédé de fabrication souhaité et de ce fait le fichier correspondant de la bibliothèque 6 au moyen du dispositif d'entrée 3. Cela se traduit par des paramètres électriques prédéterminés de composants formés par le procédé de fabrication sélectionné qui est mis à disposition pour des calculs ultérieurs. Dans l'exemple illustré, l'étape 13 lit les paramètres prédéterminés du gain en courant de transistor (ô ou "bêta") et la résistance intrinsèque de la base rbb des transistors à jonction bipolaire qui sont produits par le procédé de fabrication sélectionné. Dans une étape 14, les équations "de conception" pour le bloc de circuit sélectionné émanant de la bibliothèque 5 sont résolues. Dans le cas de l'amplificateur à paire différentielle tel qu'il est indiqué sur la figure 3, le circuit obtenu à partir de la bibliothèque 5 comprend des transistors Q0 et Q1 dont les bases sont connectées à des entrées complémentaires in+ h1 12813968 et in-. Les bases sont également connectées via des résistances spécifiques R5 et R6 à une source de tension de polarisation et les valeurs Rin des résistances R5 et R6 constituent l'impédance d'entrée de l'amplificateur à paire différentielle. Les émetteurs des transistors Q0 et Q1 sont connectés via des résistances R3 et R4 à une source à courant constant CC qui alimente un courant de queue Iee de la paire différentielle. Les résistances R3 et R4 forment des résistances de contre-réaction d'émetteur, ayant chacune une valeur Re. Les collecteurs des transistors Q0 et Q1 sont connectés à une ligne d'alimentation VCC via des résistances de charge R1 et R2 respectivement, chacune ayant une valeur R1. Quand la paire différentielle illustrée sur la figure 3 est attaquée par une impédance de la source Rs, le chiffre de bruit NF est donné par: Rs2(Rs 2 Rs+Rs + 1Rs + Rf. Ramp Rf y Rf) NF = 10 Olo g to Rs dans laquelle F rbb + RS SRe+ re +(b+) Ramp =2Re+ 2rbb + + Rl i 1 re + (Re+ Rs + rbb)2 + (Re+ rbb)2 2,' re 2,. re Rf est une résistance de contre-réaction. 12 2813968 Rbb est la résistance intrinsèque de la base de chacun des transistors Q0 et Q1; P est le gain en courant de chacun des transistors Q0 et Q1; re est la résistance de diode de chacun des transistors Q0 et Q1 donnée par 50mV/Iee; Iee est le courant de queue total. La distorsion du troisième ordre d3, quand la paire différentielle est attaquée par deux générateurs d'ondes sinusoïdales, à chaque amplitude de crête vin, est donnée par: d3- V) 48 1+ Re, re) O Vt est la tension thermique. Ces équations sont effectivement quadratiques et peuvent être résolues de façon analytique de façon à fournir des valeurs pour la résistance de contre-réaction d'émetteur Re et la résistance de charge de collecteur Ri de la paire différentielle. En général, les solutions pour ces paramètres électriques ou valeurs de composant nominales des résistances Ri à R4 donneront deux valeurs, par exemple pour les résistances de contreréaction d'émetteur Re. Une étape 15 sélectionne la valeur de Re à partir des solutions obtenues dans l'étape 14 selon un critère prédéterminé. Par exemple, l'étape 15 sélectionne la valeur plus élevée de Re de façon à minimiser la dissipation de puissance du bloc de circuit. Une étape 16 sélectionne d'autres caractéristiques à introduire dans le schéma de la paire différentielle. Dans l'exemple montré, l'étape 16 choisit le nombre de 13 2813968 transistors connectés en parallèle qui vont constituer les transistors Q0 et Q1 à paire différentielle. Le système calcule, dans une étape 17, les dimensions physiques de divers composants de la paire différentielle et, dans cet exemple particulier, calcule les largeurs requises ou largeurs minimales des résistances RI à R4 conformément au courant traversant la paire différentielle de transistors. Cela est également introduit dans le schéma. Une étape 18 illustre l'achèvement de la capture du schéma du circuit effectif pour obtenir les paramètres de performances comme spécifié dans l'étape 12. Cela est effectivement constitué par la conception détaillée finale du circuit, la conception de l'implantation physique, et les valeurs de tous les composants constituant l'amplificateur final de fréquences radioélectriques à paire différentielle. Le schéma formé par l'étape 18 est ensuite sorti vers un agencement 7 (figure 1) pour former des masques afin de fabriquer le dispositif à semiconducteur. La possibilité de modifier des valeurs de composant à ce stade est illustrée par une étape 19. Cependant, avant de fabriquer effectivement ou de prototyper un dispositif conformément à la conception dont le schéma a été formé dans l'étape 18, la conception peut être simulée afin de fournir une confirmation que les paramètres de performances souhaités, en particulier le chiffre de bruit et les valeurs de distorsion d'intermodulation entrés dans l'étape 12, seront probablement obtenus. Dans ce but, un environnement de simulation est entré dans une étape 20, et une étape 21 commence la simulation. Cela peut être effectué par l'ordinateur 1 14 2813968 sous le contrôle de la mémoire de programme 2 qui contient un programme pour effectuer la simulation. A titre d'alternative, le schéma complet capturé peut être fourni à un système différent pour effectuer la simulation, par exemple également sur la base d'un ordinateur programmé. Une fois que la simulation a été achevée, une étape 22 vérifie si la performance de distorsion et de bruit respecte les exigences minimales telles qu'elles ont été entrées dans l'étape 12. D'autres simulations sont ensuite effectuées dans une étape 23, par exemple sur une plage de tensions d'alimentation et de températures, pour vérifier si les spécifications requises sont respectées sur la plage de fonctionnement spécifiée pour le dispositif effectif. Les résultats de la simulation sont ensuite générés dans une étape 24. En supposant que les simulations indiquent que les spécifications requises seront probablement respectées, le schéma complet capturé dans l'étape 18 est ensuite fourni dans une étape 25 à d'autres procédés pour fabriquer effectivement des dispositifs à semi-conducteur tels que des circuits intégrés comprenant ou incluant l'amplificateur de fréquences radioélectriques à paire différentielle. Le système assure qu'il y a une très forte probabilité pour la plupart ou la totalité des dispositifs fabriqués respectent la spécification souhaitée, par exemple en termes de chiffre de bruit et de distorsion d'intermodulation sur les plages de tension d'alimentation et de température de fonctionnement spécifiées pour le dispositif. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, 2813968 à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour autant sortir du cadre de l'invention. 1 6 2813968 REVENDICATIONS 1. Système de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur, caractérisé par le fait qu'il comprend: une première bibliothèque (5) d'au moins un modèle (figure 3), le modèle ou chacun d'entre eux comprenant une représentation d'un bloc de circuit discret et au moins une équation mettant en relation au moins un paramètre de performances du bloc de circuit avec au moins un paramètre électrique d'au moins un composant du bloc de circuit; des premiers moyens de sélection (1, 3, 11) pour sélectionner le modèle ou un des modèles dans la bibliothèque (5); des deuxièmes moyens de sélection (1, 3, 12) pour sélectionner une valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, du bloc de circuit du modèle sélectionné; des moyens (1, 14) pour calculer une valeur du paramètre électrique, au moins au nombre de un, pour obtenir la valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, en entrant la valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, dans l'équation, au moins au nombre de un, et en résolvant l'équation, au moins au nombre de un, pour le paramètre électrique, au moins au nombre de un, de façon à former (18) une conception du dispositif à semi-conducteur; et des moyens (7, 25) pour agir sur la conception pour fabriquer le dispositif à semi-conducteur. 2. Système selon la revendication 1, caractérisé en ce que le paramètre électrique, au moins au nombre de un, comprend une valeur de composant du composant, au moins au nombre de un. 17 2813968 3. Système selon la revendication 2, caractérisé en ce que le composant, au moins au nombre de un, comprend au moins un composant résistif (R3, R4) et en ce que la valeur de composant comprend sa résistance (Re). 4. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le paramètre de performances, au moins au nombre de un, comprend un chiffre de bruit (NF). 5. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le paramètre de performances, au moins au nombre de un, comprend une valeur de distorsion (d3). 6. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les premiers moyens de sélection (1, 3, 11) comprennent des premiers moyens de sélection manuels (3). 7. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'équation, au moins au nombre de un, comprend une pluralité d'équations simultanées. 8. Système selon la revendication 7, caractérisé en ce que le paramètre de performances, au moins au nombre de un, comprend une pluralité de paramètres de performances. 9. Système selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que le paramètre électrique, au moins au nombre de un, comprend une pluralité de paramètres électriques. 10. Système selon la revendication 9, caractérisé en ce que le composant, au moins au nombre de un, comprend une pluralité de composants. 11. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les moyens de calcul (1, 14) calculent une pluralité de valeurs du composant, 18 2813968 au moins au nombre de un, le système comprenant des troisièmes moyens de sélection (1, 3, 15) pour sélectionner une des valeurs calculées selon un critère prédéterminé. 12. Système selon la revendication 11, caractérisé en ce que le critère prédéterminé est la dissipation de puissance la plus faible. 13. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par une deuxième bibliothèque (6) de fichiers de procédé de fabrication, dont chacun comprend des paramètres électriques prédéterminés d'au moins un type de composant des blocs de circuit. 14. Système selon la revendication 13, caractérisé en ce que le type de composant, au moins au nombre de un, comprend un transistor. 15. Système selon la revendication 13 ou 14, caractérisé par des quatrièmes moyens de sélection (1, 3, 13) pour sélectionner un fichier de procédé dans la deuxième bibliothèque (6). 16. Système selon la revendication 15, caractérisé en ce que les quatrièmes moyens de sélection (1, 3, 13) comprennent des deuxièmes moyens de sélection manuels (3). 17. Système selon la revendication 15 ou 16, caractérisé en ce que les moyens de calcul (1, 4) introduisent au moins certains des paramètres électriques prédéterminés du fichier sélectionné dans l'équation, au moins au nombre de un, afin de calculer la valeur du paramètre électrique, au moins au nombre de un. 18. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les moyens de calcul (1) sont agencés pour calculer (17) la dimension du 1 9 2813968 composant, au moins au nombre de un, selon le courant qu'il doit laisser passer. 19. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par des moyens (1, 18) de production d'un schéma du bloc de circuit du modèle sélectionné comprenant la valeur calculée du paramètre électrique, au moins au nombre de un, du composant, au moins au nombre de un. 20. Système selon la revendication 19, caractérisé par des moyens (1, 2024) de simulation du fonctionnement du schéma, y compris le calcul d'une valeur simulée du paramètre de performances, au moins au nombre de un. 21. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif à semi- conducteur comprend au moins une partie d'un circuit intégré. 22. Système selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le bloc de circuit du modèle, au moins au nombre de un, comprend une paire différentielle (Q0, Q1, cc, R1-R6) de transistors bipolaires pour une utilisation radiofréquence, en ce que le paramètre de performances, au moins au nombre de un, comprend un chiffre de bruit NF et une distorsion d'intermodulation du troisième ordre d3, en ce que le paramètre électrique, au moins au nombre de un, comprend une résistance de charge R1, une résistance de contre- réaction d'émetteur Re et une résistance d'émetteur interne re de la paire différentielle de transistors, et en ce que l'équation, au moins au nombre de un, comprend: 2813968 Rs +Rs2 I Rs + Rf] Rs +1 I- Rf LRfJ NF= 10 log,0 Rf Ramp Rs i (Re+rbb)Rs 2 Re+ re + rb R Ramp = 2 Re+ 2rbb + - + re Rl 1 2 12 + (Re+ Rs + rbb) + (Re+ rbb 2,fl. - re 2 re d3=.Vt J 48 Re3 [ re] o: Rs est la résistance source à laquelle la paire différentielle doit être connectée; Rf est une résistance de contre-réaction de la paire différentielle; rbb est la résistance intrinsèque de la base des transistors bipolaires; f est le gain en courant des transistors bipolaires; re = 50mV/Iee; Iee est le courant d'émetteur des transistors bipolaires. 23. Méthode de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur, comprenant: la sélection (11), dans une bibliothèque, d'un modèle comprenant une représentation d'un bloc de circuit discret et au moins une équation mettant en relation au moins un paramètre de performances du bloc de circuit avec au moins un paramètre électrique d'au moins un composant du bloc de circuit; la sélection (12) d'une valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, du bloc de circuit; le calcul (14) d'une valeur du paramètre électrique, au moins au nombre de un, pour obtenir la valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, en entrant la valeur souhaitée du paramètre de performances, au moins au nombre de un, dans l'équation, au moins au nombre de un, et en résolvant l'équation, au moins au nombre de un, pour le paramètre électrique, au moins au nombre de un, de façon à former une conception du dispositif à semi-conducteur; et l'action (25) sur la conception pour fabriquer le dispositif à semi- conducteur. 24. Dispositif à semi-conducteur fabriqué par un système selon l'une quelconque des revendications 1 à 22 ou par une méthode selon la revendication 23. 25. Programme d'ordinateur pour programmer un ordinateur pour mettre en oeuvre la méthode selon la revendication 23. 26. Ordinateur programmé par un programme d'ordinateur selon la revendication 25. 27. Support contenant un programme d'ordinateur selon la revendication 25.