FR 2800477 A1 20010504 FR 9913424 A 19991027 ! PROCEDE DE LITHOGRAPHIE IONIQUE, EQUIPEMENT DE MISE EN EUVRE, ET RETICULE POUR UN TEL EQUIPEMENT L'invention concerne un procédé de lithographie par voie ionique sur un substrat de matériau semi- conducteur, ainsi qu'un équipement de lithographie ionique associé pour sa mise en oeuvre, et un réticule d'insolation sélective pour un tel équipement. L'invention s'applique au domaine de la micro- électronique notamment sur substrat de silicium, et plus particulièrement à la fabrication de circuits intégrés, de mémoires à très haute densité d'intégration et autres composants de la micro-électronique, notamment ceux relatifs aux microsystèmes, qui nécessitent la réalisation de micromotifs de haute précision. Pour réaliser ces micromotifs, il est procédé successivement à une phase de lithographie et à une phase de gravure. La lithographie par radiations lumineuses ou photolithographie consiste d'abord à napper la couche à graver déposée sur une tranche de silicium d'une résine photosensible, puis à insoler la résine photosensible à l'aide d'un rayonnement ultraviolet, à travers un masque dont les motifs représentent ceux du circuit intégré. Une image est ainsi déposée et développée dans la résine photosensible. Les zones de la couche superficielle non protégées par le masque formé par la résine restante, sont alors gravées par attaque ionique réactive dite RIE (initiales de " Reactive Ionic Etching " en terminologie anglosaxonne), ou par attaque chimique pour graver la couche superficielle selon les contours des motifs souhaités. Puis la résine est éliminée à l'aide d'un solvant sélectif. Selon les besoins, la couche superficielle de la tranche de silicium peut être une couche conductrice, par exemple d'aluminium, une couche diélectrique, comme du SiO2, Si3N4, Ta2O5, TiO2, WO3, Al203, NiO, etc., ou une couche semi-conductrice. Cependant, les procédés photolithographiques sont de plus en plus délicats à mettre en oeuvre du fait que les motifs à réaliser ont des dimensions de plus en plus réduites, par exemple sensiblement inférieures au micron: on parle alors de micromotifs et de procédés microlithographiques. De plus, les circuits, de plus en plus complexes, nécessitent à l'heure actuelle la superposition de plus de dix niveaux de masquage, ou même davantage, avec des précisions d'alignement pouvant aller jusqu'à la centaine d'angstrôms et même au-delà. Pour augmenter la résolution de l'image enregistrée, il est apparu nécessaire d'utiliser un rayonnement d'insolation pour la lithographie de plus courte longueur d'onde possible, associée a une énergie la plus élevée possible. C'est ainsi que, comme décrit dans l'article du journal " Semiconductor International " de mars 1999, intitulé " Next Generation Lithography Tools: The Choices Narrow ", les équipements actuels utilisent des lasers excimères de longueur d'onde égale à 248nm, dans des dispositifs appelés DUV (initiales de " Deep Ultra Violet ", c'est-à-dire " ultraviolet profond " en terminologie anglo-saxonne). Des dispositifs utilisant une longueur d'onde encore plus courte sont également décrits. Ces dispositifs, appelés EUV (initiales de " Extrem Ultra Violet ", c'est-à- dire " ultraviolet extrême " en terminologie anglo- saxonne), mettent en euvre un rayonnement de longueur d'onde égale à 157 nm, proche des rayons X mous. Les EUV fonctionnent sous vide et utilisent comme source un jet supersonique de Xénon chauffé par un laser de type Nd:YAG, produisant des radiations d'énergie de l'ordre de 45 eV. Cette solution est complexe et coûteuse à mettre en ouvre. Ce type de technologie définit la limite de ce qu'il est possible d'obtenir en optimisant les performances purement optiques. Par ailleurs, d'autres technologies non optiques se sont développées, basées sur l'utilisation de rayons X, de faisceaux d'électrons, ou de faisceaux ioniques. Ces techniques combinent l'utilisation d'un réticule, servant de masque, et d'une optique de réduction pour former le flux d'insolation projeté sur la résine photosensible. La présente invention relève de la lithographie ionique. Les techniques basées sur l'utilisation des rayons X butent sur la réalisation d'une optique de réduction, qui réduit les dimensions du réticule d'un facteur 3 à 5, et d'un réticule associé suffisamment stables et précis pour constituer un ensemble utilisable industriellement. En particulier, le réticule, qui forme le masque associé à l'optique de réduction, est constitué d'une fine membrane, fragile et instable, destinée à supporter des motifs en or. Un tel réticule est donc hautement délicat à réaliser. Il en est de même de la lithographie par faisceaux d'électrons: le réticule est encore plus délicat à réaliser et à conserver car il est constitué d'une membrane sensiblement plus fine. La lithographie ionique présente les avantages d'utiliser des sources puissantes combinées à des dispositifs de réduction ionique performants. Selon cette technique, le faisceau d'ions (hydrogène ou hélium) provenant d'une source à électrodes multiples est homogénéisé, - la mise en forme, la charge et la vitesse des ions étant sélectionnées -, puis les ions sont projetés sur la résine après avoir traversé le réticule. Cependant, ce réticule, réalisé sous la forme d'un pochoir mécanique de transmission à fenêtres, limite sensiblement la précision de la résolution. De plus, ce type de réticule subit de fortes déformations lorsqu'il est soumis à l'énergie du faisceau. L'invention vise à réaliser une lithographie ionique à haute résolution et haute fiabilité, apte à mettre en ouvre un réticule particulier qui ne présente pas les inconvénients précités. Pour ce faire, l'invention combine l'utilisation d'ions moyennement chargés et fortement décélérés et d'un réticule multicouche plein, apte à réfléchir sélectivement ces ions par des mécanismes d'interaction spécifique. Plus précisément, l'invention a pour objet un procédé de lithographie ionique pour former des micromotifs sur une couche superficielle d'un substrat, la couche étant nappée d'un matériau ionosensible, du type utilisant, du type utilisant une source d'ions et un réticule pour sélectionner un faisceau d'ions dont le profil correspond aux micromotifs à réaliser dans le matériau ionosensible par insolation, après concentration à travers une optique ionique réductrice. Selon le procédé de l'invention, les ions sont produits et le faisceau mis en forme sous vide. Après avoir été sélectionnés en charge, en vitesse, en densité et en direction selon un faisceau parallèle, ils sont décélérés à l'approche du réticule jusqu'à atteindre un niveau d'énergie cinétique proche de zéro, puis sont rétrodiffusés sélectivement sur le réticule selon les micromotifs à réaliser. Le faisceau ionique sélectivement rétrodiffusé est ensuite accélérée, puis concentrée par réduction à travers l'optique ionique réductrice afin d'atteindre le matériau ionosensible Le procédé selon l'invention présente entre autre l'avantage de permettre l'insolation correspondant à tout type de motif comme en photolithographie, par exemple des motifs annulaires, ce que ne permet pas l'utilisation de réticule de type transmission en lithographie ionique, comme les réticules pochoirs. Selon un mode de mise en oeuvre préféré du procédé de l'invention, le faisceau d'ions est dévié, avant et après interaction avec le réticule, pour se présenter et se réfléchir sensiblement perpendiculairement à la surface de celui-ci. De cette manière, le faisceau REFLECHI respecte rigoureusement la forme des micromotifs réalisés sur le réticule. Avantageusement, la densité des ions est contrôlée à la production par le débit de la source d'ions, et à l'approche du réticule par les dimensions du faisceau. L'invention concerne également un équipement de lithographie ionique sous vide pour la mise en oeuvre du procédé. Un tel équipement comporte une source de production d'ions de type ECR (initiales de " Electron Cyclotron Resonance " en dénomination anglo-saxonne) couplée à des moyens de sélection en charge, en densité, en vitesse et en direction des ions, et à des moyens de décélération des ions à l'approche d'un réticule monté sur des moyens mobiles selon une direction et présentant, en surface active d'interaction, au moins une couche de matériau conducteur et une couche de matériau semi- conducteur, l'une de ces couches étant découpée selon les micromotifs à réaliser. Des moyens d'accélération des ions rétrodiffusés par la couche de matériau semi-conducteur du réticule projettent ce faisceau, après réduction par des moyens optiques de rétrécissement, sur la résine ionosensible à insoler. La résine et la tranche de semi- conducteur sont montés sur des moyens mobiles selon deux directions orthogonales. Selon des modes particuliers de mise en oeuvre: - la source ECR produit des ions dont l'énergie cinétique est comprise entre 5 et 20 keV/q par application d'une tension d'extraction d'une dizaine de kilovolts; - les ions générés sont des ions de gaz rares de charge uniforme, pris parmi les gaz Argon, Azote, Néon, Krypton et Xénon, les ions étant sélectionnés en nature et en direction par tri magnétique en fonction de leur rapport charge/masse, par exemple par spectromètre de masse; - les ions produits sont des ions Argon de charge uniforme comprise, au sens large, entre +8 à +18; - la densité des ions à l'approche du réticule est comprise entre 108 et 1016 ions/cm2.s, de préférence entre 1012 et 10i5 ions/cm2.s; - la direction et la densité des ions sont contrôlées par des moyens de réglage de la source d'ions et de réglage des dimensions du faisceau par l'application d'un champ électrique et/ou magnétique; - une sélection fine des ions en direction, en vitesse et en parallélisme est réalisée respectivement par un scanner, par des moyens de filtrage de type passebande ou passe-haut à champ électrique, qui sélectionnent les ions en vitesse en fonction de leur énergie cinétique, et par des moyens de collimation, qui sélectionnent les ions en direction par élimination des ions dont la vitesse latérale est supérieure à un certain seuil; les moyens de collimation sont constitués préférentiellement par une série de diaphragmes de diamètre millimétrique distants de quelques dizaines de centimètres; - la décélération des ions est obtenue par l'application d'un champ électrique contrôlé par une tension de décélération d'une dizaine de kilovolts; - le réticule est disposé selon un plan incliné par rapport à la direction générale du faisceau incident et des moyens électromagnétiques sont prévus pour générer un champ magnétique parallèle à la surface du réticule; l'intensité du courant circulant dans les bobines qui génèrent le champ magnétique, est réglée pour que le champ magnétique dévie le faisceau d'ions perpendiculairement et à proximité de la surface du réticule, aussi bien avant qu'après rétrodiffusion sélective sur cette surface. Un aspect particulier de l'invention concerne le réticule, particulièrement mais non exclusivement adapté à un tel équipement. Le réticule selon l'invention est formé d'un substrat plein, recouvert de couches d'au moins deux matériaux comportant une couche superficielle et au moins une couche sous-jacente, ces couches comprenant au moins une couche rétrodiffusant les ions, et au moins une couche conductrice neutralisant les ions. Selon un mode de réalisation particulier, la couche superficielle est formée en matériau conducteur découpé pour laisser apparaître des zones d'une couche sous-jacente de matériau semi-conducteur, ces zones étant conformées selon des micromotifs à graver sur lesquels les ions sont rétrodiffusés par effet trampoline. Selon un autre mode, la couche superficielle est formée en matériau semiconducteur découpé selon les micromotifs à graver sur la tranche, la couche sous-jacente étant formée d'un matériau conducteur qui neutralise les ions. Le réticule est réalisé par dépôt et gravure de couches successives selon les techniques classiques de la pulvérisation cathodique, de la gravure ionique réactive et de la lithographie électronique. Cette lithographie est utilisée du fait de ses performances en terme de dimensions, des dimensions inférieures à 50 nm pouvant être obtenues. Le coût en temps relativement élevé de cette technique lithographique est aisément amorti car il permet l'insolation de milliers de tranches de silicium. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit, relative à des exemples de réalisation non limitatifs, en référence aux figures annexées qui représentent respectivement: - la figure 1, une vue en coupe schématique, perpendiculaire au plan de la tranche de silicium A insoler, d'un exemple d'équipement de lithographie ionique selon l'invention; - la figure 2, une vue en coupe schématique d'un réticule selon l'invention, illustrant l'absorption et la rétrodiffusion d'ions incidents d'un faisceau incliné sur le réticule; et - la figure 3, une vue en coupe schématique d'un réticule combiné à des moyens magnétiques selon l'invention, illustrant la déviation de la trajectoire d'ions à proximité de la surface du réticule. Sur les figures, les mêmes signes de référence désignent des éléments identiques. L'équipement illustré en coupe sur la figure 1 est disposé dans une enceinte sous un vide poussé, de l'ordre de 10-6 à 10-1l mbar, obtenu par des moyens de pompage connus. L'équipement comporte une source 10 de faisceau d'ions, de type ECR. La source produit des ions Argon Ar"4+ à basse énergie cinétique, de quelques keV/q (q étant le nombre de charges par ion), généralement de 1 à 20 keV/q, keV/q dans l'exemple de mise en oeuvre. L'énergie cinétique d'extraction est réglée par l'application d'une tension d'extraction, qui est égale à 10 kV dans le cas présent. A la sortie de la source 10, les ions produits selon un faisceau F1 sont triés en charge, suivant leur rapport masse/charge, par un électroaimant de tri 20. Un spectromètre de masse réalise ce type de sélection. Les paramètres de réglage de la source et les dimensions du faisceau d'ions sont par ailleurs ajustés par des moyens d'application de champ électrique ou magnétique, pour fournir le débit et la densité d'ions souhaité. La densité des ions est définie à partir du débit, c'est-à- dire par le nombre d'ions par unité de surface et de temps. Dans le cas présent, la densité d'ions est de 'M ions/cm2.s. Un faisceau d'ions parallèle et homogène F2 est ensuite mis en forme à l'aide des moyens 30 qui sélectionnent les ions en direction, en vitesse et en parallélisme. Il est ainsi formé un pinceau de la largeur du réticule 40, mesurée perpendiculairement au plan de la figure, et d'épaisseur de l'ordre de 0,5 à quelques millimètres dans l'exemple illustré. Les moyens 30 sont composés d'un scanner, d'un filtre et de diaphragmes. Un scanner à collection de charges contrôle la position du faisceau d'ions pour régler sa direction. Un scanner est formé d'un fil, d'une grille ou de plaques qui recueille les charges selon deux directions principales et orthogonales, afin de permettre un comptage des charges selon ces deux directions. Ce comptage permet alors de mesurer les profils d'intensité et de repérer la position du faisceau. Il est également possible d'utiliser un détecteur de lumière comportant un tel scanner et d'établir le profil d'intensité et la position du faisceau à partir du nombre de photons émis par les ions captés sur le fil, la grille ou les plaques. Les ions sont sélectionnés en vitesse et en direction par des moyens constitués par: - un filtre de type passe-bande ou passe-haut à champ électrique, connu de l'homme de l'art, qui sélectionne les ions en fonction de leur énergie cinétique, les ions d'énergie égale à environ 10 keV/q étant sélectionnés dans cet exemple; couplé à - une série de diaphragmes, de diamètre de l'ordre du millimètre: ces moyens éliminent les ions dont la composante latérale de vitesse, perpendiculaire à la direction générale du faisceau, est supérieure à une valeur donnée, correspondant ici à une énergie cinétique de 1 eV/q. Un champ électrique de décélération ralentit les ions à l'approche de la surface du réticule 40 jusqu'à atteindre une énergie cinétique au plus égale à quelques eV/q. Ce champ électrique est produit au milieu d'un condensateur plan formé par une électrode 50 et le réticule entre lesquels on applique une tension AU de décélération. Cette tension, réglée par un potentiomètre, est ajustée généralement entre 1 et 20 kV, 10 kV dans l'exemple. Le réticule 40 présente globalement une surface plane perpendiculaire au plan de la figure, comme la tranche de silicium à insoler 60. Le plan du réticule 40 est avantageusement incliné d'un angle 0, environ 45 degrés dans cet exemple de réalisation, par rapport à la direction globale D2 du faisceau d'ions incident F2, afin de ne pas provoquer d'interférence entre les faisceaux d'ions incidents F2 et rétrodiffusés F3 par le réticule 40. Le plan de la tranche de silicium 60 à insoler est, lui, perpendiculaire à la direction du faisceau d'ions F3 projeté à sa surface, après rétrodiffusion sur le réticule , accélération par des moyens 70 et réduction en dimension par une optique ionique de concentration 80. Le réticule 40 est monté sur un chariot mobile 41 qui le déplace selon une direction D parallèlement à lui-même dans le plan de coupe de la figure, c'est-à-dire selon la même inclinaison par rapport au faisceau F2. Le faisceau F2 balaye ainsi toute la longueur du réticule 40, alors que, perpendiculairement au plan de coupe, le faisceau F2 embrasse directement toute la largeur du réticule 40 sans avoir à le déplacer. La réalisation de la topographie d'un circuit intégré peut nécessiter, suivant sa complexité, un nombre de réticules pouvant aller, par exemple, de 6 et 25. Les réticules restent sous vide pour ne pas subir d'oxydation ou d'altération et sont donc stockés dans un magasin 42, dans la même enceinte sous vide que l'équipement décrit. Les réticules sont rangés et sortis du magasin à l'aide d'un " handler " (manipulateur en terminologie anglo- saxonne) connu de l'homme de l'art. Avant son utilisation, tout réticule subit de préférence un décapage de surface pour éliminer toute trace d'oxydation. Le décapage classique consiste à immerger le réticule dans un bain d'acide fluorhydrique suivi d'un rinçage à l'eau désionisée. Cependant, il est avantageux de ne pas sortir les reticules de l'enceinte à vide, et d'utiliser les ions du type de ceux produits par le présent équipement pour réaliser le décapage souhaité par interaction spécifique à distance. Dans ce cas, les particules d'oxyde sont récupérées par un masque électriquement chargé, disposé entre le réticule 40 et le condensateur d'accélération ionique 70. La structure du réticule 40 qui sera décrite ci-après induit une rétrodiffusion sélective des ions pour former le faisceau d'insolation F3. Ce faisceau rétrodiffusé se compose de faisceaux élémentaires F'3 d'ions aptes à insoler le substrat selon les micromotifs correspondant rigoureusement, à un facteur de réduction près, à ceux formés par le matériau du réticule qui rétrodiffuse ces ions. Afin d'ajuster au mieux la forme du faisceau rétrodiffusé sur celle des micromotifs présentés par le réticule 40 au regard des mécanismes d'interaction ions/réticule, un électroaimant 90 est avantageusement prévu à proximité de la face active du réticule 40 pour former des lignes de champ magnétique 91 parallèles au plan du réticule. L'intensité du courant de l'électroaimant est réglée pour que le champ magnétique, d'amplitude pouvant aller de 0,05 à 0,5 teslas dévie les faisceaux d'ions perpendiculairement au plan du réticule, juste avant et après rétrodiffusion sélective sur la face active de celui- ci. Le faisceau d'ions rétrodiffusé F3 est orienté selon une direction D3 sensiblement orthogonale à la direction D2 du faisceau incident F2, du fait des déviations provoquées par le champ magnétique 91. Le faisceau F3 traverse un champ électrique d'accélération des ions jusqu'à atteindre une énergie cinétique égale à 10 keV/q. Ce champ électrique est produit par une tension d'accélération AU', 10 kV dans l'exemple, appliquée aux bornes d'un condensateur plan 70. Les ions ainsi accélérés sont concentrés par une lentille électrostatique unipolaire 80 afin de pouvoir insoler des micromotifs de la taille de 50 nm. Suivant la dimension des plus petits micromotifs du réticule, par exemple 150, 200, ou 250 nm, un facteur de réduction adapté, égal à 3, 4 ou 5 dans cet exemple, est appliqué par la lentille 80. Le faisceau d'ions réduit F4 se projette alors sur la tranche de silicium 60, revêtue de sa résine ionosensible à insoler. Cette tranche est montée sur un double chariot 61 pour réaliser un balayage deux axes afin de couvrir toute la surface de la tranche. Ce type de chariot est habituellement mis en oeuvre en optique, pour permettre la diminution des surfaces insolées afin qu'elles ne soient pas trop affectées par la déformation de la tranche de silicium au cours des différentes étapes de fabrication du circuit intégré. L'insolation se fait à partir des ions rétrodiffusés sur les micromotifs du réticule formés par un matériau semi-conducteur, par projection de ces ions sur la SURFACE à graver au travers de l'optique de réduction. Les chariots 41 et 61, respectivement du réticule et de la tranche à insoler, sont commandés en déplacement de façon synchrone. Les mouvements, contrôlés par interférométrie laser, ont des amplitudes et des rapports de vitesse directement proportionnels aux taux de réduction appliqués. Selon un exemple de réalisation, le réticule 40 selon l'invention se présente en coupe selon le schéma illustré par la figure 2. Il comporte un substrat plan 400 en quartz fondu, semblable à celui utilisé pour les réticules optiques. Sur ce substrat, une couche conductrice 410 est déposée par tout procédé connu, par exemple par pulvérisation cathodique. Le métal peut être de l'aluminium, du tungstène, du titane, de l'or, ou tout métal déposable en couche mince. L'épaisseur de la couche conductrice est de l'ordre de 10 nm à 1 pm. La couche conductrice 410 est recouverte d'un dépôt d'une couche de semiconducteur 420 à graver, du silicium polycristallin dans l'exemple de réalisation. L'épaisseur de la couche de silicium est de l'ordre de 100 na à quelques microns. Le choix de la nature des couches conductrice et semi-conductrice à mettre en oeuvre dépend de la sélectivité de la gravure du semi- conducteur par rapport au métal utilisé en fonction du procédé de gravure pour la couche semi-conductrice. Dans l'exemple, la couche de métal est une couche d'or qui ne se grave pas en gravure RIE. Sur la couche semi-conductrice, une résine électrosensible est déposée, puis l'ensemble est placé dans une machine lithogaphique à faisceaux d'électrons pour former une image topographique selon la technique classique, utilisée par exemple pour réaliser un réticule optique. La résine insolée est développée et la couche semi-conductrice est sélectivement gravée par RIE, le reste de la résine étant ensuite éliminée par les techniques connues, telles qu'immersion dans un solvant. Alternativement, il est possible d'inverser l'ordre des couches conductrice et semi-conductrice sur le substrat 400. Dans ce cas, la lithographie électronique est suivie de la gravure de la couche conductrice par des techniques connues, par exemple par usinage ionique. Quel que soit l'ordre des couches, les ions décélérés Il ou I2 du faisceau F2 arrivant à proximité du réticule 40, vont subir deux types d'interaction conduisant soit à la neutralisation soit à la rétrodiffusion suivant la nature conductrice ou semi-conductrice de la couche d'interaction. S'ils sont proches de la couche conductrice 410, à l'image des ions Il, ils sont neutralisés électriquement par une extraction d'électrons provenant de la couche conductrice, qui a une réserve illimitée d'électrons. Ces ions neutralisés restent près du réticule et sont éliminés par le pompage sous vide. Au contraire, les ions I2 qui arrivent à proximité de zones 421 de la couche semi-conductrice 420, vont être repoussés par " effet trampoline ", perpendiculairement au plan du réticule (flèche Fi), pour constituer le faisceau d'insolation F3 (figure 1). Un tel effet est décrit par exemple dans un article de J.-P. Briand et ai, paru dans le journal de Physics Review, volume A55, R2523 (1997). L'effet trampoline résulte d'un mécanisme d'interaction à courte distance, inférieure à 2 nm, entre l'ion d'énergie cinétique quasi nulle et la matière semi- conductrice. L'ion capture des électrons de la matière semi-conductrice pour devenir un atome " creux ", ces électrons migrant ensuite vers les couches plus profondes de l'atome, pour gagner en stabilité (recherche de l'énergie minimale), en effectuant des transitions Auger: des électrons sont éjectés de l'atome qui redevient un ion positif. D'autres électrons sont arrachés de la zone semi- conductrice par les ions. En moyenne, les ions de type I2 restent chargés positivement, même si leur charge reste moins élevée qu'avant l'interaction. Les électrons des zones semi-conductrices 421 ne sont pas remplacés assez rapidement et des trous positifs 422 apparaissent au cours du temps dans ces zones. Ces trous positifs exercent une force de répulsion sur les ions I2, qui sont alors rétrodiffusés perpendiculairement au plan du réticule (flèche Fi), les trous positifs étant répartis de manière aléatoire. L'effet trampoline, obtenu avec une charge ionique au moins égale à +3, est d'autant marqué que la charge ionique est élevée. Lorsqu'un champ magnétique est créé à proximité du réticule 40, comme illustré par la vue en coupe de la figure 3, les trajectoires des ions Il et I2 sont déviées autour des lignes de champ 90. Les trajectoires incidentes Ti deviennent sensiblement circulaires à proximité des zones de couches semi-conductrice 420 et conductrice 410. Les ions approchent au plus près perpendiculairement à ces zones. Les trajectoires rétrodiffusées Tr des ions I2 venant à proximité des zones semi-conductrices émergent également perpendiculairement de ces zones. Dans ces conditions, les ions sont rétrodiffusés au droit des limites des zones semi-conductrices: la découpe du faisceau rétrodiffusé reproduit très exactement la découpe de ces zones. L'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits et représentés. Il est par exemple possible de prévoir l'insolation entière, par une ou plusieurs illuminations, du réticule et de l'unité de gravure sur la tranche à insoler, indépendamment ou en combinaison avec lespossibilités de balayage de la surface du réticule et de la tranche grâce aux mouvements combinés des chariots. En outre, des moyens de motorisation programmés et centralisés pour l'entraînement des chariots supports de manière synchrone peuvent être prévus. Par ailleurs, le faisceau d'ions peut être rétrodiffusé sur plusieurs réticules qui se succèdent afin de former un faisceau reproduisant une topographie de complexité supérieure. De plus, le procédé selon l'invention permet de bombarder, outre les résines ionosensibles, tout type de matériau ionosensible comme les matériaux diélectriques (SiO2, etc.). D'autre part, d'autres modes de réalisation de la structure multicouche du réticule sont possibles. Par exemple, une couche superficielle particulièrement plane peut être constituée de zones complémentaires en matériau semi-conducteur, découpées selon les micromotifs pour rétrodiffuser les ions destinés à graver la surface selon ces micromotifs, et de zones métalliques destinées à neutraliser les autres ions. Selon encore un autre mode de réalisation, la structure multicouche est formée d'une couche superficielle de matériau conducteur ou semi- conducteur découpé selon les micromotifs à lithographier, isolée électriquement d'une autre couche sous-jacente par une couche isolante, les deux couches étant portées à des potentiels électriques différents, tels que les ions sont repoussés par la première couche et attirés par la seconde. REVENDICATIONS 1. Procédé de lithographie ionique pour former des micromotifs sur une couche superficielle d'un substrat(60), la couche étant nappée d'un matériau ionosensible, du type utilisant une source d'ions et un réticule pour sélectionner un faisceau d'ions dont le profil correspond aux micromotifs à réaliser dans le matériau ionosensible par insolation, après concentration à travers une optique ionique réductrice, caractérisé en ce que les ions (I1, I2), produits et traités sous vide, sont sélectionnés en charge, en vitesse, en direction et en densité selon un faisceau parallèle (F2), sont décélérés à l'approche du réticule jusqu'à atteindre un niveau d'énergie cinétique proche de zéro, puis sont rétrodiffusés sélectivement sur le réticule (40) selon les micromotifs à réaliser, en ce que le faisceau ionique sélectivement rétrodiffusé (F3) est ensuite accéléré, puis concentré par réduction à travers l'optique ionique réductrice afin d'atteindre le matériau ionosensible pour y déposer par insolation l'image des micromotifs. 2. Procédé de lithographie ionique selon la revendication 1, dans lequel le faisceau d'ions (F2, F3) est dévié, avant et après interaction avec le réticule (40), pour se présenter et se réfléchir sélectivement sensiblement perpendiculairement à la surface de celui-ci. 3. Procédé de lithographie ionique selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la densité des ions est contrôlée à la production par le débit de la source d'ions, et à l'approche du réticule (40) par les dimensions du faisceau (F2). 4. Equipement de lithographie ionique sous vide pour la mise en oeuvre du procédé, caractérisé en CE qu'il comporte une source d'ions (10) de type comportant un réacteur de production d'ions sous vide de type ECR, couplée à des moyens de sélection (20, 30) en charge, en direction, en densité, en vitesse et parallélisme des ions, et à des moyens de décélération (50) des ions à l'approche d'un réticule (40) monté sur des moyens mobiles (41) selon une direction (D) et présentant, en surface active d'interaction, au moins une couche de matériau conducteur (410) et une couche de matériau semi-conducteur (420), l'une de ces couches étant découpée selon les micromotifs à réaliser, des moyens d'accélération (70) du faisceau rétrodiffusé (F3) par la couche de matériau semi-conducteur (420) du réticule (40) projetant ce faisceau, après concentration par des moyens de focalisation (80), sur la tranche à insoler (60) montée sur des moyens mobiles (61). 5. Equipement selon la revendication 4, dans lequel les moyens supports du réticule (40) et de la tranche à insoler (60) sont des chariots mobiles (41, 61), respectivement, selon une et deux directions orthogonales, et en ce que des moyens de motorisation programmés et centralisés entraînent les chariots supports de manière synchrone. 6. Equipement selon la revendication 4, dans lequel la source ECR produit des ions dont l'énergie cinétique est comprise entre 5 et 20 keV/q par application d'une tension d'extraction d'une dizaine de kV. 7. Equipement selon la revendication 4, dans lequel les ions générés sont des ions de gaz rares de charge uniforme, pris parmi les gaz Argon, Azote, Néon, Krypton et Xénon, les ions étant sélectionnés en nature, en charge et en direction par tri magnétique (20) en fonction de leur rapport charge/masse. 8. Equipement selon la revendication 6, dans lequel les ions produits sont des ions Argon de charge uniforme comprise, au sens large, entre +8 à +18. 9. Equipement selon la revendication 4, dans lequel la direction et la densité des ions sont contrôlées par des moyens de réglage de la source d'ions et des dimensions du faisceau d'ions (F1) par l'application d'un champ électrique et/ou magnétique, la décélération des ions étant obtenue par l'application d'un champ électrique contrôlé par une tension de décélération. 10. Equipement selon la revendication 4, dans lequel une sélection fine des ions en direction, en vitesse et en parallélisme est réalisée par des moyens de sélection (30) composés respectivement d'un scanner, de moyens de filtrage de type passe-bande ou passe-haut à champ électrique, qui sélectionnent les ions en vitesse en fonction de leur énergie cinétique, et de moyens de collimation, qui sélectionnent les ions en direction par élimination des ions dont la vitesse latérale est supérieure à un certain seuil. 11. Equipement selon la revendication 10, dans lequel les moyens de collimation sont constitués préférentiellement par une série de diaphragmes de diamètre millimétrique. 12. Equipement selon la revendication 4, dans lequel la densité des ions à l'approche du réticule, est comprise entre 1012 et 1015 ions/cm2.s. 13. Equipement selon la revendication 4, dans lequel le réticule (40) est disposé selon un plan incliné (D) par rapport à la direction générale du faisceau incident (D2), et des moyens électromagnétiques (90) sont prévus pour former un champ magnétique (91) parallèle à la surface du réticule, l'intensité du courant étant réglée pour que le champ magnétique dévie les faisceaux d'ions (F2, F3) perpendiculairement et à proximité de la surface du réticule (40). 14. Equipement selon la revendication 4, dans lequel les moyens d'accélération (70) du faisceau rétrodiffusé (F3) sont formés par un condensateur, et les moyens de focalisation (80) de ce faisceau (F3) par une lentille électrostatique unipolaire. 15. Réticule, en particulier pour un équipement selon l'une quelconque des revendications 4 à 14, caractérisé en ce qu'il est formé d'un substrat plein (400), recouvert de couches (410, 420) d'au moins deux matériaux comportant au moins une couche superficielle et une couche sous-jacente, ces couches comprenant au moins une couche rétrodiffusant les ions, et au moins une couche conductrice neutralisant les ions. 16. Réticule selon la revendication 15, dans lequel la couche superficielle est formée en matériau conducteur découpé pour laisser apparaître des zones d'une couche sous-jacente de matériau semiconducteur, ces zones étant conformées selon les micromotifs à graver sur lesquels les ions sont rétrodiffusés. 17. Réticule selon la revendication 15, dans lequel la couche superficielle est formée en matériau semi- conducteur (420) découpé selon les micromotifs à graver (421), la couche sous-jacente étant formée d'un matériau conducteur (420) qui neutralise les ions. 18. Réticule selon la revendication 15, dans lequel une couche superficielle plane est formée de zones complémentaires en matériau semiconducteur, découpées selon les micromotifs pour rétrodiffuser les ions destinés à graver la tranche (60)selon ces micromotifs, et de zones conductrices destinées à neutraliser les autres ions.