FR 2803603 A1 20010713 FR 0100234 A 20010104 REVETEMENT EN DIAMANT SOUS FORME DE FILM MINCE OU FIN RESISTANT A L'EROSION ET A LA CORROSION, ET SES APPLICATIONS. DEMANDES DE BREVETS CORRESPONDANTES La présente demande bénéficie de la priorité de la demande provisionnelle en cours d'examen N 60/174727 déposée le 6 janvier 2000. ARRIERE-PLAN TECHNOLOGIQUE DE L'INVENTION 1. Secteur technique de l'invention. La présente invention concerne de manière générale des revêtements en diamant sous forme de film mince ou fin. Plus particulièrement, la présente invention concerne l'emploi d'un revêtement en diamant sous forme de film mince ou fin, comme protecteur contre la corrosion et contre l'érosion dans les chambres de traitement de semi-conducteurs. 2. Etat de la technique L'une des étapes de la fabrication de puces de semi-conducteurs consiste à traiter une rondelle ou " tranche " (" wafer") (appelée ci-après " rondelle " dans la suite de la présente demande), dans une chambre de traitement de semi-conducteur afin de déposer des couches sur ledit élément. Le processus de dépôt de couches sur un tel substrat de rondelle de semi-conducteur implique de manière habituelle un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ou de dépôt physique en phase vapeur (PVD), au cours duquel ladite rondelle est placée sur un mandrin en graphite (que l'on peut également désigner comme étant un élément susceptible de convenir pour des rayonnements de type micro-onde ou d'autres types de rayonnements), dans une chambre de réaction thermique. Le mandrin est typiquement revêtu par du carbure de silicium (SiC) afin de protéger le graphite contre la corrosion. Dans toute la présente demande, le vocable "corrosion" désigne les dégradations physiques et/ou chimiques. La rondelle est placée dans un courant de gaz réactifs s'écoulant à travers la surface dudit élément. Le réacteur thermique peut être chauffé à haute température par des lampes externes qui envoient un rayonnement infrarouge dans la chambre de réaction, au travers d'ouvertures de chauffage. Les ouvertures de chauffage sont positionnées de manière typique à la fois au-dessus et au- dessous du mandrin, et sont recouvertes par des fenêtres en quartz qui sont transparentes pour le rayonnement infrarouge. Le mandrin positionne et fait pivoter la rondelle durant le processus de dépôt, et on utilise généralement un pyromètre visant le dos du mandrin, afin de mesurer la température de ce mandrin, et donc de la rondelle, durant le processus, et afin d'obtenir une donnée servant à contrôler la puissance des lampes externes. Durant le processus, les surfaces intérieures de la chambre et les surfaces des composants se trouvant dans la chambre sont soumises à un revêtement par un film de dépôt. Par exemple, durant un processus au nitrure à haute température, un film céramique de nitrure de silicium est déposé sur les parois de la chambre, de même que sur le mandrin. Au fur et à mesure que le film de dépôt s'épaissit sur les parois de la chambre et sur le mandrin, il devient sujet à un écaillement ("flacking") qui introduit des particules indésirables dans la chambre, et altèrent de plus l'émissivité du mandrin par rapport au rayonnement. Au fur et à mesure que ladite émissivité du mandrin change, la précision du pyromètre qui est couplé au mandrin, afin de contrôler la température de ce mandrin, est compromise. Il découle de cela que la précision du contrôle de la température du mandrin, et par conséquent la précision du processus de dépôt du film de dépôt sur le mandrin, deviennent limitées. Ainsi, on utilise périodiquement un processus d'attaque ("etching") in- situ, afin d'enlever ou d'éliminer le film de céramique des parois de la chambre, du mandrin, et d'autres surfaces revêtues. De manière typique, on utilise pour cette attaque un plasma ou un gaz hallogène, par exemple NF3. Il n'est pas inhabituel que des fractions d'un revêtement protecteur se trouvant sur le mandrin soient également attaquées et éliminées durant ce processus, et, lorsque le revêtement protecteur est ainsi éliminé de la surface du mandrin, le mandrin lui-même devient soumis à une attaque corrosive par le facteur utilisé pour l'attaque ("etchant"). D'autres surfaces du système sont affectées de manière similaire. L'attaque par l'élément corrosif ("etchant") affecte l'émissivité du mandrin ce qui, comme discuté ci-dessus, réduit le contrôle de la qualité au niveau de la rondelle de semi-conducteur. De plus, une telle attaque réduit l'intégrité structurelle des composants du système qui sont soumis à cette attaque. On sait qu'un film épais de diamant CVD, par exemple de 200-300 microns d'épaisseur, représente un revêtement protecteur efficace contre la dégradation aussi bien mécanique que chimique. Cependant, en pratique, le coût de tels films de diamant épais rendent prohibitoire leur emploi dans cette application. Le brevet U.S P N 5,916,370 (Chang) décrit l'emploi de films de diamant relativement minces, par exemple de 7 à 15 microns d'épaisseur, pour protéger les surfaces contre la corrosion et l'érosion dans des chambres de traitement de semi-conducteur. Cependant, les films minces de diamant ne sont généralement pas aussi efficaces, et de loin, comme revêtement protecteur, que ne le sont les revêtements épais de diamant. La corrosion de la chambre de traitement représente un problème particulièrement difficile à résoudre, et il se produit une attaque même des matériaux revêtus par. un film de diamant tel que décrit dans le document Chang. Des problèmes semblables existent pour divers matériaux dans d'autres environnements soumis à des fluides hautement corrosifs. RESUME DE L'INVENTION Selon la présente invention, on a mis au point une nouvelle combinaison d'un élément ou membre revêtu par un revêtement de diamant en film mince formé par un procédé particulier, et on a montré qu'il était aussi efficace pour résister à la corrosion qu'un film épais typique de diamant CVD. Le revêtement en diamant sous forme de film mince est formé relativement lentement, avec une concentration relativement faible en méthane, et est caractérisé par ses caractéristiques spectrographiques selon Raman. Le diamant en film mince, dont l'épaisseur est de préférence de 5 à 40 microns présente sensiblement des caractéristiques de Raman semblables à celles du diamant en film épais décrit dans le brevet U.S P N 5,736,252 (Bigelow et al.) qui est ici incorporé par référence, dans son intégralité. Tandis que le document Bigelow et al. indique que le film en diamant épais autoporteur qui y est décrit présente une transparence optique et une conductivité thermique particulièrement favorables, on n'a pas pu établir qu'un diamant en film mince dont la croissance a été obtenue de la manière décrite et présentant les caractéristiques spectrographiques résultantes, particulières, selon Raman, conduirait à une résistance sensiblement supérieure à la corrosion, dans un environnement corrosif, ni à une résistance supérieure à l'érosion dans un environnement mécaniquement dégradant, par rapport à d'autres revêtements en diamant en film fin ou mince. On pense qu'un tel revêtement en diamant en film mince présente une résistance améliorée au point de vue chimique et une intégrité mécanique améliorée, en raison de son degré de pureté et de qualité. En particulier, le processus réduit les frontières entre grains, o les impuretés ont tendances à se concentrer, et qui représentent une opportunité pour la disponibilité à la surface de liaisons chimiques libres. Les frontières exposées entre grains sont, en conséquence, généralement, des sites plus probables d'activité chimique et de rupture mécanique que ne le sont les surfaces cristallines exposées nues. Selon un mode de réalisation de l'invention, le revêtement en diamant sous forme de film mince qui est particulièrement spécifié ici, est déposé en revêtement sur des surfaces exposées, dans une chambre de traitement de semi-conducteurs. Les surfaces exposées de la chambre de traitement sont ainsi munies d'un revêtement protecteur qui résiste à la dégradation mécanique et chimique, et qui résiste tout particulièrement à l'attaque chimique dans une large gamme de températures. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, dans un environnement dans lequel on doit détoxifier par des moyens électrolytiques divers fluides contenant des constituants corrosifs et dommageables pour l'environnement, les électrodes sont revêtues par le revêtement en diamant qui est spécifié ici. Les électrodes peuvent être rendues conductrices par une addition au diamant constitutif du revêtement, d'un dopant porteur de charges électriques, par exemple du bore, afin d'en augmenter la conductivité électrique. Le dopant peut être du type donneur ou accepteur. D'autres objets et avantages de la présente invention seront apparents à l'homme du métier en se référant à la description détaillée qui va suivre, et en se référant au dessin annexé. DESCRIPTION RAPIDE DU DESSIN La figure 1 représente une vue schématique d'un système de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour le revêtement d'un substrat par un film en diamant; La figure 2 représente une vue en coupe d'une chambre de traitement de semi-conducteur revêtue par un revêtement protecteur en diamant conformément à un premier exemple non limitatif d'application de la présente invention; et La figure 3 représente une vue en coupe d'une électrode revêtue par le revêtement protecteur en diamant selon un second exemple non limitatif d'application de la présente invention. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES Selon la présente invention, un revêtement en diamant sous forme de film mince (c'est-à-dire un revêtement de film de diamant présentant de manière typique une épaisseur comprise entre 5 et 150 microns et présentant de préférence une épaisseur inférieure à 40 microns), est proposé, avec des caractéristiques de la spectrographie Raman qui correspondent à celles du revêtement de diamant en film épais décrit dans le U.S. P N 5,736,252, ce document ayant été déjà incorporé ici par référence. Plus particulièrement, la conductivité thermique correspond à celle d'un film épais auto-porteur (c'est-à-dire que cette conductivité thermique est supérieure à 1000 W/mK), présente une largeur totale de pic à mi- hauteur de Raman (FWHM) inférieure à 10 cm-1, et de préférence inférieure à 5 cm-', ce qui est un indicateur de la qualité et de la pureté du revêtement en diamant, ainsi que de la transparence et de l'absorption optique. Le revêtement en diamant sous forme de film mince peut être déposé en revêtement sur des substrats et sur des surfaces de divers composants, en utilisant un système de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), par exemple un processus à jet d'arc en courant continu, un fil chauffé, ou un système CVD à énergie micro-ondes. Si l'on se réfère à la figure 1, qui Fax regu de À, ,, MoCdi 070501 6 concerne un système de CVD à jet d'arc en courant continu, par exemple, on voit qu'un système CVD de référence 100 incorpore une cathode tubulaire creuse1 02 qui est située au voisinage de l'extrénité supérieure d'un cylindre creux 104 disposé dans un élément 106 métâllique formant enveloppe. L'élément 106 formant enVeloppe '("jacket") pré:sente un espace annulaire 108 qui convient pour contenir un fluide réfrigérant. Le cylindre 104 et l'élément 106 formant enveloppe sont entourés par unl assemblage 110 de bobine magnétique refroidie par un fluide. UneW anode 112 est disposée selon l'axe longitudinal, à l'extrémité opposée de la cathllode 102, par rapport au cylindre 104. L'anode 112 présente.lnl ouverture centrale (non représentée) alignée avec l'axe du cylindre 104 ('Ibarrel") et conduisant à une buse 114. La buse 114 s'ouvre dans une chambire de dépôt 116 mise sous vide, qui comporte un mandrin 117 de préférence refroidi par un liquide, sur lequel un substrat de dépôt 118 est dispose a une certaine distance de l'extrémité de la buse ou tuyère 114. Un tub) 120 d'injection d'un premier gaz, situé au niveZau de la' cathode 102, injecté un gaz dans l'ouverture centrale de lacaLhode 102. Un tube 122 poir' I'iinjection d'un second gaz est situé entre l'anode 112 et la buse ou tuyère -1 1. i Lors de la mise en èuvre du système 1'00, on injecte de l'hydrogène gazeux par le premier tube d'injection 120, à un taux prédéterminé. Entre l'anode 112 et la tuyère 114, on injecte une quantité supplémentaire d'hydrogène gazeux, en mélange avec du driéthane ou un autre gaz hydrocarboné, et ce au 'ltoên-' du second tuibe d'injection 122. La concentration en méthane est baséé sur le pourentage total de méthane injecté, sous la formre J'uii pôurcontage en VoluiIiRe pnar rapport au gaz total injecté par les deux tubes dinjections 120, 122. Un aie torrtne par un courant continu est établi entre la cathode 102 et l'anode 112. L'enthalpie du gaz dans le cylindre 104 est alors ajustée par le controle de la puissance de 'arc, afin de conduire à la température souhaitée pour: le substrat 11 8, lequel est chauffé par le gaz qui le frappe à làA sortie de la tuyère 114. A cette enthalpie, l'hydrogène devient dissocié sous la formne d'un plasma d'atomes d'hydrogeène. L'assemblâg'e 'de bobine magnétique 110 disposé autour du cylindre 104 génère un aemp magnétique solénoïdal, qui a pour effet de déformer l'arc en hélice ('"swirling") au niveau de l'àanode 112, ce qui conduit à réduire I'érosion de l'anode. Le gaz activé traverse la tuyère 114, pénètre dans la chambre de dépôt mise sous vide, 116, et frappe le substrat 118 o il forme un film de diamant. Lorsque le méthane pénètre dans le gaz activé au moyen du second tube d'injection 122, il devient également partiellement dissocié sous la forme d'espèces radicalaires de matières hydrocarbonées, activées et instables. Au niveau du substrat 118, I'hydrogène agit comme un gaz "facilitant" pour le dépôt des atomes de carbone depuis les radicaux hydrocarbonés activés, sous la forme de cristallites de diamant liés les uns avec les autres. Les cristallites de diamant consistent en atomes de carbone liés chimiquement les uns aux autres par ce que l'on désigne généralement comme étant des liaisons "sp3", dans un film qui se forme sur le substrat 118. Les caractéristiques avantageuses du revêtement en diamant sous forme de film mince, protecteur, sont principalement réalisées lorsque l'on forme le diamant à une concentration très basse en méthane, et lorsqu'on établit un taux de croissance ou une vitesse de croissance très lent. Des concentrations préférées en méthane sont inférieures à environ 0,07%, et le revêtement de diamant est de préférence déposé sur un substrat maintenu à une température de 900 C, ou inférieure à 900 C. Le film de diamant est de préférence établi avec une croissance dont la vitesse se situe entre 0,5 et 6,0 microns par heure, jusqu'à une épaisseur de film mince d'environ 5 à 40 microns. Les particularités des systèmes CVD et de leur mise en oeuvre sont bien connues de l'homme de métier, et des paramètres autres que la concentration particulière, faible en méthane, par exemple l'enthalpie, le niveau de vide, et la température du substrat, seront déterminables par l'homme de métier sans avoir recours à des expérimentations qui ne seront pas nécessaires. Le diamant résultant, se présentant en film mince, est transparent en infrarouge et par rapport aux rayonnements optiques, est thermiquement conducteur, et, ce qui est de la plus haute importance, est résistant à la corrosion et à l'érosion. Auparavant, on a déjà établi la transparence optique et la conductivité thermique de diamants en film épais dont la croissance a été obtenue de la manière décrite. Cependant, on n'a jamais établi antérieurement la résistance supérieure à la corrosion et à l'érosion foumrnie par un film de diamant tel que décrit dans la présente demande. De plus, il n'a pas été suggéré dans l'état de la technique qu'un revêtement en diamant se présentant en film mince aurait des caractéristiques thermiques et optiques favorables, semblables aux produits antérieurs, ni une résistance supérieure à la corrosion et à l'érosion. On pense que le revêtement de diamant en film mince qui est obtenu présente des propriétés améliorées de type chimique et mécanique en raison de sa pureté et de sa qualité. En particulier, les frontières de grain qui ont tendance à concentrer les impuretés et qui représentent une opportunité pour la disponibilité de liaisons surfaciques libres, et qui sont, en conséquence, de manière générale, plus favorables à l'activité chimique et à la rupture mécanique que des surfaces cristallines exposées nues, sont minimisées. En conséquence, le revêtement en diamant sous forme de film mince convient à des applications dans l'environnement corrosif d'une chambre de traitement d'une rondelle de semi-conducteur. Si l'on se réfère à la figure 2, une chambre de traitement de semi-conducteurs 200 comprend un corps principal 212 présentant des surfaces internes 214 et définissant un orifice d'entrée ou d'admission de gaz 216, et un orifice de sortie de gaz 218. On dispose des fenêtres de quartz 220, 222, supérieure et inférieure, chacune étant transparente aux rayonnements infrarouges, au niveau du corps principal 212, au moyen d'un anneau 224 supérieur de serrage ("clamp") et d'un anneau inférieur de serrage 226. Une chambre interne 228 est formée entre les surfaces internes 214 du corps principal 212 et les fenêtres de quartz supérieure et inférieure 220, 222, et facilite l'écoulement d'un gaz de traitement sur la surface d'une rondelle de semi-conducteur, qui est supportée et positionnée comme décrit ci-dessous. Le gaz servant à la mise en oeuvre du procédé est injecté dans la chambre interne 228 au travers de l'orifice d'entrée de gaz 216, qui est connectée à une source de gaz (non représentée). Le gaz résiduel servant à la mise en oeuvre du procédé et divers résiduaires sont éliminés de la chambre interne 228 par l'orifice de sortie ou d'évacuation 218. On monte des sources de chauffage supérieures 230 au-dessus de la fenêtre supérieure 220 et on monte des sources de chauffage inférieures 232 au- dessous de la fenêtre inférieure 222, afin de produire une chaleur radiante infrarouge dans la chambre interne 228 au travers des fenêtres 220, 222, respectivement supérieure et inférieure. Un mandrin rotatif (ou récepteur) ("susceptor") 240 est disposé dans la chambre interne 228, afin de supporter la rondelle ("wafer") de semi- conducteur. Le mandrin 240 incorpore un corps 242 qui comporte une forme en creux (surface formant siège) 244, ou d'autres moyens permettant de retenir une rondelle dans le mandrin. Le corps 242 du mandrin 240 est de préférence constitué de graphite; cependant, le corps 242 peut être constitué d'autres matériaux tels que le carbure de silicium, nitrure de silicium, nitrure d'aluminium, et d'autres céramiques. Le corps 242 peut être également constitué d'un matériau métallique comportant un revêtement protecteur. Le mandrin rotatif 240 est couplé à une fixation de montage 246 qui supporte le mandrin dans la chambre interne 228. De cette manière, une rondelle de semi-conducteur (non représentée) supportée sur le mandrin 240 peut être mise en rotation durant la mise en oeuvre du traitement afin de permettre un dépôt et un chauffage plus uniformes. De préférence, le mandrin 240 incorpore également plusieurs orifices traversant ("through- holes") 248 destinés à recevoir au moins trois rivets de chargement 250. Les rivets 250 sont montés sur un arbre support 252 qui permet un mouvement vertical visant à élever et à abaisser les rivets 250. De tels rivets sont utilisés pour élever une rondelle de semi-conducteur audessus de la surface du siège 244 tandis que la rondelle est chargée ou déchargée de la chambre de traitement. Un anneau 254 de pré-chauffage, annulaire, positionné sur le corps principal 212 de la chambre de traitement, encercle le mandrin 240. L'anneau 254 de pré-chauffage est typiquement constitué de quartz ou de graphite revêtu de carbure de silicium, en fonction du type particulier de chambre de traitement que l'on utilise. Les surfaces exposées dans la chambre de traitement sont revêtues d'un revêtement 256 de diamant sous la forme d'un film mince résistant à l'érosion et à la corrosion, thermiquement conducteur, et optiquement transparent. Plus particulièrement, les surfaces exposées incluent, mais à titre non limitatif, les surfaces internes 214 du corps principal 212, les surfaces internes des fenêtres 220, 222 en quartz, supérieure et inférieure, le corps du mandrin 242, I'arbre support du mandrin 246, et les rivets de chargement 250. L'homme de métier comprendra que les fenêtres de quartz 220, 222 peuvent également être revêtues, étant donné que le revêtement de diamant utilisé est transparent aux infrarouges. Ainsi, lorsque l'on injecte un fluide d'attaque ("etchant") dans la chambre de traitement afin d'attaquer la rondelle ou d'opérer un nettoiement de la chambre par attaque, le fluide d'attaque élimine les accumulations indésirables, mais est cependant incapable de pénétrer le revêtement en diamant sous forme de film mince déposé sur les surfaces des composants de la chambre de traitement, et est incapable de mettre à jour le matériau sous-jacent du composant. Ainsi, la chambre de traitement conserve son intégrité. Le revêtement en diamant en film mince peut, de plus, être utilisé dans d'autres environnements, en particulier dans des environnements fortement corrosifs. Par exemple, si l'on se réfère à la figure 3 annexée, dans un environnement dans lequel on doit détoxifier par des moyens électrolytiques divers fluides contenant des constituants corrosifs et dommageables pour l'environnement, le revêtement protecteur peut être déposé sur une électrode 300. L'électrode 300 comporte un corps conducteur 302 qui est muni d'un revêtement 304 en diamant sous forme d'un film mince du type identifié ci-dessus. Le revêtement de diamant 304 est rendu conducteur par dopage du revêtement de diamant par un donneur ou un accepteur de supports de charges électriques, par exemple le bore. On a décrit et illustré ici un revêtement protecteur, ainsi que plusieurs applications pour son utilisation. Bien que l'on ait décrit un mode de réalisation particulier de l'invention, le Demandeur n'est pas limité par cette description, et il doit être compris que l'invention est aussi large, en termes de portée, que la technologie le permet, et que l'homme de métier doit interpréter la description en ce sens, ainsi que les revendications. Bien que le revêtement de diamant en film mince présente de préférence une épaisseur comprise entre 5 et 40 microns, l'homme de métier comprendra que le revêtement peut présenter une épaisseur inférieure à 5 microns, par exemple de 0,5 à 5 microns, ou bien supérieure à 40 microns, par exemple jusqu'à 150 microns. Cependant, on préférera utiliser des revêtements dont l'épaisseur ne dépasse pas 100 microns, car de tels revêtements commencent à fonctionner comme des films épais et leur coût de fabrication augmente donc de manière non justifiée, tandis que de tels films peuvent de plus subir une diminution de leurs caractéristiques d'adhérence ou adhésion à la surface sous-jacente. De plus, bien que la concentration en méthane et la température de dépôt sur le substrat aient été présentées comme des paramètres clés, I'homme de métier comprendra que l'on peut remplacer le méthane par d'autres matériaux hydrocarbonés, et que, lorsqu'un matériau de remplacement est utilisé, sa concentration sera de la même manière maintenue dans la même limite de concentration que le méthane, en termes de concentration résultante d'espèces activées de radicaux carbonés. Si l'on se réfère spécifiquement à l'emploi du revêtement protecteur sur les surfaces intérieures d'une chambre de traitement, et bien que l'on ait décrit ci-dessous l'emploi d'un mandrin rotatif, l'homme de métier comprendra que le mandrin peut être monté fixe. De plus, bien que l'on ait décrit ci-dessus des surfaces particulières de la chambre de traitement, comme étant munies d'un revêtement de diamant selon l'invention, on comprendra que la totalité desdites surfaces et desdits éléments n'a pas besoin d'être revêtue, et que, de la même manière, d'autres surfaces peuvent être revêtues. Par exemple, et à titre absolument non limitatif, et en raison des coûts impliqués, il peut être souhaitable de revêtir par le diamant selon l'invention uniquement le mandrin ou les fenêtres de quartz. De même, bien que l'on ait décrit l'emploi d'un revêtement de diamant de film mince dans une chambre de traitement pour rondelles de semi-conducteur, l'homme de métier comprendra que d'autres environnements de dépôt et d'attaque peuvent être aussi revêtus de manière protectrice, de manière analogue. De plus, en ce qui concernme l'application à une électrode, I'homme de métier comprendra que d'autres éléments conducteurs, ainsi que des matériaux composites et des alliages conducteurs, peuvent être utilisés comme matériau dopant. De plus, il sera en conséquence apprécié que le revêtement de diamant en film mince décrit selon la présente invention peut être déposé sur d'autres articles dans des environnements corrosifs et capables de créer une érosion, à des fins de protection, par exemple dans des chambres de combustion, sur des fenêtres de contrôle de processus, et applications analogues. L'homme de métier comprendra donc que d'autres modifications peuvent être apportées à l'invention décrite ici, sans sortir de la portée de cette invention. Fax rega de 3_3+14y'4,-el; ' 2803603 Modif 070501. - ' 13 ' /-.{? ..,... REVENDICATIONS I Revêtement protecteur pou utiflisation sur une sulface d'un article soumis à un environnement corrosif, caractérisé en ce qu'il cqnisiste en: un matériau de type film de diamabit polycristallin, réalisé par dépôt chimique en phase vapeur, présentant une conductivité thermique supérieure à 1000 W/rInK, et une largeur lotale doe pic flarn à mni- hauteur inférieure à 10 cm-', ledit màatélia de film de diamant présentant une épaisseur inférieure à 150 microns. 2 Revêtement protecteur selon la revendication 1. caractérisé en ce que: ledit matériau' de film de diamant' présente une épaisseur comprise entre 5 et 40 mlcrnins. I 3 Revêtement protecteur selon la revendication 1 caractérisé en ce que: ledit matériau" de film de diamant est transparent aux rayonnements infrarouges. 4 Revêtement protecteur selon li revendication 1, oar,.&trisâ en ce. que: ledit matériau de film de diamant presente iune largeur totale du pic Raman à mi-hauteur, infériedue à 5 cm-'. Revêtement protecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il 2o comprend de plus:; un dopant ajouté audit matériau de [ilrr de diamant polycristallin, afin d'augmenter sa condlictvité électrique. 6 Revêtement protecteujr selonla revendication 5, caractérisé en ce que ledit dopant est le bréè:. 7 Electrode caractérsé en ce qu'elle comprend un revôtement protecteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6. Fax reçguae. (-o rfl, nij-r j,. _ Modf 0705O1 1 4 S Procédé pour réaliser la croissance d'un ruvetomrnwnt de diamant en film mince, qui résiste à la corrosion et à i'érosion, ledil 'roc.dé comprenant: a) le positionnement d'un élément de substra, sur un mandrin de dépôt dans une chambre de traitement d'un système de dépôt chimrnique en phase vapeur (CVD) b) la croissance d'un revétement de diamant sur ledit substrat jusqu'à une épaisseur comprise entre 5 et 150 microns, le revêtement de diamant présentant une largeur totale de pic Raman à mi-hauteur intérlieure à 10 cm-', et c) l'enlèvement dudit' ubstrat de ladite chanmbre de traitement, 9 Procédé selon ia revendication 8, caractérisé en ce que; ledlit substrat est maintenu à tne température de 9000C ou intérieure à 900 C. '; Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que; s ledit revêtement de diamant est obfebnu à un taux de croissance compris entre 0,5 et 6,0 microns par heure. 1 1 Procédé selon la reveôdicati6ri 8, caractérisé ern ce que; ledit revetérnent 'de diamauln présonie une conductivité thermique supérieure à 1 00/lmK. 12 Procédé selon la revendication 8, caractdrisé en ceque; ledit revêtément de diamant présehte une largeur totale de pic Raman à mi-hauteur inférieure à 5 cmn1. - 1.:, ' 13 Procédé pour réaliser la croissance d'un revêtement de diamant en film mince, qui résiste à la corrosion et à l'érosion, ledit procédé comprenant: a) le positionnement d'un élément de substrat sur un mandrin de dépôt dans une chambre de traitement d'un système de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) b) la croissance d'un revêtement de diamant sur ledit substrat jusqu'à une épaisseur comprise entre 5 et 150 microns, le revêtement de diamant présentant une largeur totale de pic Raman à mihauteur inférieure à 10 cm-1, et c) I'enlèvement dudit substrat de ladite chambre de traitement. 14 Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que; ledit substrat est maintenu à une température supérieure à 700 C. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que; ledit revêtement de diamant est obtenu à un taux de croissance compris entre 0,5 et 6,0 microns par heure. 16 Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que; ledit revêtement de diamant présente une conductivité thermique supérieure à 1000/mK. 17 Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que; ledit revêtement de diamant présente une largeur totale de pic Raman à mi-hauteur inférieure à 10 cm-'. 18 Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que; ledit revêtement de diamant présente une largeur totale de pic Raman à mi-hauteur inférieure à 5 cm'1.