FR 2806530 A1 20010921 FR 0101644 A 20010207 2806530 B 01/0350 FR Plaquette de semiconducteur comportant un point de marquage de forme particulière et procédé de formation du point de marquage La présente invention concerne une plaquette de semiconduc- teur qui comporte un point de marquage ayant une forme particulière et réalisée sur une partie de la plaquette. Plus particulièrement, elle concerne une plaquette de semiconducteur comportant un point de marquage ayant une forme présentant une visibilité optique excellente et qui permet de repérer optiquement l'azimut d'un axe de réseau cris- tallin (appelé dans ce qui suit "axe cristallin"). Elle concerne aussi un procédé de réalisation d'un point de marquage de ce type. Les caractéristiques électriques du silicium, qui est un maté- riau utilisé pour les substrats de circuits intégrés à base de semicon- ducteur, dépendent de l'azimut d'un axe cristallin de celui-ci. Par conséquent, lorsque l'on imprime un circuit sur une plaquette de sili- cium, qui est un matériau semiconducteur d'usage répandu, le motif du circuit doit correspondre avec l'azimut d'un axe cristallin du matériau. C'est pourquoi on réalise habituellement une marque indiquant l'azi- mut d'un axe cristallin sur la plaquette de semiconducteur. Comme exemple typique de cette marque, un méplat d'orien- tation est formé en découpant une partie d'une plaquette de semicon- ducteur en forme de disque suivant une corde géométrique de la pla- quette de semiconducteur, qui est perpendiculaire à l'azimut de son axe cristallin. Généralement, ce type de méplat est réalisé sur une pla- quette de semiconducteur de 150 mm de diamètre. On le réalise aussi parfois sur une plaquette de 20 mm de diamètre. Récemment, comme la plaquette de semiconducteur utilisée s'est agrandie (diamètre: 200 mm ou plus), on a réalisé une marque en forme d'encoche en V. L'encoche en V est formée dans une partie de la périphérie de la pla- quette de semiconducteur de façon que l'azimut de son axe cristallin corresponde avec une droite reliant le sommet de l'encoche en V au centre de la plaquette. Ceci est dû à une demande des fabricants qui veulent obtenir autant de circuits intégrés à semiconducteur que possi- ble en agrandissant la plaquette de semiconducteur. En outre, une inhomogénéité minime dans la qualité de formation de film au cours de la formation des circuits due au méplat d'orientation a une influence significative sur le degré d'intégration. Toutefois, la marque d'azimut sous forme d'encoche susmen- tionnée peut aussi avoir une influence négative sur le degré d'intégra- tion. En outre, étant donné que l'encoche forme un petit espace, de la poussière tend à s'accumuler dans l'encoche. Par conséquent, il existe une tendance au marquage de l'azimut de l'axe cristallin sur la pla- quette de semiconducteur à l'aide d'un dispositif de marquage au laser, au lieu des marquages susmentionnés. Toutefois, le marquage de l'azi- mut de l'axe cristallin par le dispositif de marquage au laser n'a pas été aussi standardisé que les techniques de marquage susmentionnées parce qu'il s'accompagne du changement du matériel existant et qu'il conduit à un accroissement des coûts de production. D'autre part, dans un procédé de fabrication d'une plaquette de semiconducteur et d'un dispositif à semiconducteur, un dispositif de marquage au laser est souvent utilisé pour marquer des informations de gestion incluant des informations d'identification, l'historique du traitement et les caractéristiques électriques sur une partie de la sur- face de la plaquette de semiconducteur. Par ailleurs, si une marque formée par laser indique aussi directement l'azimut de l'axe cristallin de la plaquette de semiconducteur, l'azimut de l'axe cristallin n'a pas besoin d'être mesuré au préalable en utilisant des rayons X. En outre, la plaquette de semiconducteur n'a pas du tout besoin d'être coupée. Par conséquent, ce procédé peut satisfaire aussi bien les besoins des fabricants de plaquettes que les fabricants de dispositifs à semiconduc- teur. La présente invention a été réalisée au vu de ces circonstan- ces. Plus précisément, un objet de la présente invention est de propo- ser une plaquette de semiconducteur comportant une seule marque d'azimut ou plusieurs marques d'azimut, qui ne demande pas de découpe de la plaquette et qui permet à l'azimut d'un axe cristallin d'être repéré au moyen de la ou les marque(s), grâce à la combinaison d'une technologie de marquage au laser améliorée avec une technolo- gie de traitement général courante. En outre, la présente invention a pour objet de proposer un procédé de réalisation d'une marque présen- tant ces caractéristiques particulières. Les inventeurs de la présente invention ont proposé un point de marquage ayant une forme particulière, qui est différente d'un point de marquage conventionnel de type concave formé à l'aide d'une tech- nologie de marquage au laser conventionnelle, et un procédé de forma- tion de celui-ci dans la demande de brevet japonais n 10-334009. Le point de marquage divulgué dans cette invention antérieure est formé en marquant une surface d'un produit en utilisant un faisceau laser comme source d'énergie. La partie centrale de chacun des points de marquage est une partie saillante qui fait saillie vers le haut sur la sur- face du produit à marquer. C'est un point de marquage très fin ayant une largeur allant de 1 à 15,um au niveau de la surface de marquage, et une hauteur comprise dans une plage allant de 0,01 à 5 gtm. Bien que ce point de marquage soit très fin, il présente une excellente visi- bilité optique. Lorsque les inventeurs ont formé par croissance épitaxiale un mince film sur la surface de formation de marque de la plaquette de semiconducteur comportant le point de marquage susmentionné avec une partie saillante, ils ont constaté que le point de marquage a changé de forme. Les inventeurs ont donc répété des expériences en faisant varier la largeur du point au niveau de la surface de marquage et en faisant varier l'épaisseur d'un monocristal à l'aide de la croissance épi- taxiale susmentionnée. En conséquence, on a constaté que si l'épais- seur du cristal ayant subi cette croissance se trouve dans une plage appropriée, le point de marquage grandit jusqu'à devenir une pyramide polygonale ou une pyramide polygonale tronquée ayant des arêtes net- tes. En outre, lorsque les inventeurs ont formé un monocristal par croissance épitaxiale après avoir formé plusieurs points de marquage à la surface de la plaquette de semiconducteur, ils ont constaté que les points de marquage respectifs avaient tous la même forme après avoir changé et, en outre, que les arêtes correspondantes étaient orientées dans la même direction. Les inventeurs ont ensuite supposé que les arêtes étaient d'une quelconque manière liées à l'azimut de l'axe cristallin. Ils ont donc mesuré l'azimut de l'axe cristallin dans la plaquette de semicon- ducteur après la croissance épitaxiale. En conséquence, ils ont trouvé que les arêtes coïncidaient complètement avec l'azimut de l'axe cristal- lin. Bien que la cause d'une telle modification de la forme du point de marquage ne soit pas prouvée, la croissance épitaxiale fait apparem- ment croître un cristal ayant le même azimut en surface que celui de la surface d'un substrat sur le substrat monocristallin. Etant donné que des caractéristiques telles que la densité atomique diffèrent en fonc- tion de l'azimut en surface du substrat, la vitesse de croissance pré- sente une anisotropie qui diffère en fonction de l'azimut de surface. Par conséquent, on peut considérer que la vitesse de la crois- sance épitaxiale en un point précis faisant saillie sur la surface du sub- strat diffère en fonction de l'azimut en surface. Par conséquent, le point va croître jusqu'à donner une pyramide polygonale ayant une arête s'étendant le long de l'azimut de l'axe cristallin. D'après cette estimation, on peut considérer que le point de marquage formé sur le semiconducteur avant la croissance épitaxiale n'a pas toujours besoin d'être formé par un dispositif de marquage par laser mais qu'il peut être formé par dépôt chimique en phase vapeur ou autre procédé sem- blable, qui permet aussi de former un point de marquage ayant une partie saillante sur la surface de formation de point de marquage. La présente invention est basée sur la connaissance décrite ci-dessus. Selon un premier aspect de la présente invention, on pro- pose une plaquette de semiconducteur comportant un point de mar- quage faisant saillie sur une surface de la plaquette en une position arbitraire, le point de marquage ayant une forme qui permet de repérer optiquement l'azimut d'un axe cristallin. En particulier, le point de marquage ayant la forme susmen- tionnée est formé en une position arbitraire de la plaquette de semi- conducteur de façon que l'azimut de l'axe cristallin puisse être repéré directement grâce à la forme du point de marquage. De ce fait, il n'est pas nécessaire de réaliser un méplat d'orientation ni une encoche en V, surtout après avoir mesuré l'azimut de l'axe cristallin. Ainsi, non seu- lement il n'est plus nécessaire d'avoir un appareil servant à mesurer l'azimut de l'axe cristallin, mais en plus la partie coupée peut être sup- primée, ce qui permet d'obtenir de manière efficace un grand nombre de circuits intégrés. En outre, étant donné que le point de marquage servant à indiquer l'azimut de l'axe cristallin ne comporte pas de partie défor- mée localement par un méplat d'orientation ou par une encoche en V, il ne se produit pas d'accumulation de poussière, même dans des pro- cédés à étapes multiples, de sorte qu'il est possible de maintenir un bon degré de propreté. De plus, selon le premier aspect de la présente invention, il est préférable que le point de marquage comporte une arête indiquant l'azimut de l'axe cristallin. Comme décrit précédemment, le point de marquage formé sur la plaquette de semiconducteur après la croissance épitaxiale a des arêtes nettes, qui sont orientées suivant l'azimut de l'axe cristallin de la plaquette. Par conséquent, l'azimut de l'axe cris- tallin peut être reconnu aisément en spécifiant l'azimut des arêtes. En outre, selon le premier aspect de la présente invention, la forme du point de marquage est spécifiée. A savoir, celle-ci est de pré- férence une pyramide polygonale ou une pyramide polygonale tron- quée comportant toutes deux des faces polygonales. Si le nombre de faces polygonales est pair, une diagonale passant par le centre du point est une ligne droite de sorte que l'azimut de l'axe cristallin peut être facilement repéré. En outre, le nombre de faces polygonales est de préférence de six ou moins. De manière plus préférable, ce nombre n'est que de quatre. Dans ce cas, les arêtes sont disposées en croix, si bien que lorsque plusieurs points de marquage sont formés, les arêtes sont agencées en ligne droite, ce qui permet de repérer l'azimut de l'axe cristallin indiqué par les lignes droites. Si le nombre de faces polygonales est de huit ou plus, la forme d'ensemble constitue presque un cercle, ce qui rend difficile le repérage des arêtes et donc de l'azi- mut de l'axe cristallin. De plus, selon le premier aspect de la présente invention, il est préférable que le point de marquage soit formé sur une partie de la face périphérique de la plaquette de semiconducteur. Les côtés avant et arrière de la face périphérique de la plaquette de semiconducteur sont partiellement chanfreinés. Ces régions chanfreinées des côtés avant et arrière et une région de face latérale entre ces régions chan- freinées sont très étroites. En outre, ces régions sont moins exposées à un appareil voisin ou au polissage chimique d'un procédé de produc- tion de plaquettes ou un procédé de production de composants à semi- conducteur. En particulier, les régions chanfreinées des côtés avant et arrière sont de configuration stable. Par conséquent, si le point de marquage susmentionné peut être formé dans ces régions, il n'est jamais détruit, même au cours de nombreux processus de fabrication, si bien que l'azimut de l'axe cristallin peut toujours être repéré à cha- que fois que cela est nécessaire. Afin de pouvoir former un nombre souhaité de points de marquage dans les régions susmentionnées, il faut que les points de marquage en eux-mêmes soient fins. A cet égard, la technique de formation de points de marquage de l'invention antérieure mentionnée plus haut, proposée par les présents inventeurs, est très efficace. Selon un deuxième aspect de la présente invention, est pro- posé un procédé de formation d'au moins un point de marquage ayant une forme particulière, comprenant les étapes consistant à: former une marque en forme de point ayant une forme arbitraire faisant saillie à la surface d'une plaquette de semiconducteur en une position prédéter- minée de la plaquette de semiconducteur; former un film mince consti- tué d'un monocristal sur une surface entière de la plaquette de semi- conducteur par croissance épitaxiale; et, au cours de cette croissance épitaxiale, transformer la marque en forme de point pour lui donner une forme de pyramide polygonale ou une forme de pyramide polygo- nale tronquée présentant des faces polygonales et comportant une arête indiquant l'azimut d'un axe cristallin. La marque en forme de point, qui doit être formée avant la croissance épitaxiale, peut être formée aisément au moyen du disposi- tif de marquage laser selon l'invention antérieure proposée par les inventeurs. Ou bien cette marque en forme de point peut être formée au moyen d'une autre technique de traitement, comme un procédé de croissance par dépôt chimique en phase vapeur. En outre, le procédé susmentionné de croissance épitaxiale utilisé dans la présente inven- tion peut employer une technologie conventionnelle bien connue qui n'a pas besoin d'être modifiée spécialement pour la présente invention. En outre, selon le deuxième aspect de la présente invention, il est préférable que la longueur maximale de la marque en forme de point, parallèlement à la surface de la plaquette de semiconducteur, soit comprise dans l'intervalle allant de 1 à 15,um. Etant donné que la marque en forme de point est très fine, un nombre souhaité de marques en forme de point peuvent être formées sur une face périphérique de la plaquette comme décrit plus haut. Par ailleurs, ce point de marquage présente une excellente visibilité optique même après le processus de croissance épitaxiale. En conséquence, il peut être utilisé pour diver- ses sortes d'informations de gestion. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée suivante de modes de réalisation, faite en réfé- rence aux dessins d'accompagnement, dans lesquels: la figure 1 est une représentation schématique montrant un exemple de dispositif de marquage laser servant à former une marque en forme de point ayant une forme particulière selon la présente inven- tion, à la surface d'une plaquette W; la figure 2 est une vue tridimensionnelle de marques en forme de point typiques formées par le dispositif susmentionné et d'un agen- cement de ceux-ci, tel qu'observé par microscopie à force atomique (appelée ci-après AFM, pour Atomic Force Microscopy); la figure 3 est une vue en coupe des marques de la figure 2, observées par la même AFM; la figure 4 est une vue tridimensionnelle montrant un exem- ple de marque en forme de point M' selon un mode de réalisation de la présente invention, observée par AFM; la figure 5 est une vue tridimensionnelle montrant un exem- ple de marque en forme de point M' selon un autre mode de réalisation de la présente invention, observée par AFM; les figures 6A à 6D sont des vues en plan montrant les chan- gements de forme de la marque en forme de point de la figure 4 obte- nus après la croissance épitaxiale, tels qu'observés par AFM; les figures 7A à 7D sont des vues en plan montrant les chan- gements de forme de la marque en forme de point de la figure 5 obte- nus après la croissance épitaxiale, tels qu'observés par AFM; les figures 8A à 8D sont des vues tridimensionnelles de mar- ques agrandies correspondant aux figures 6A à 6D; les figures 9A à 9D sont des vues tridimensionnelles de mar- ques agrandies correspondant aux figures 7A à 7D; la figure 10 est un schéma explicatif montrant un procédé servant à déterminer l'azimut d'un axe cristallin à partir de la forme du point de marquage selon la présente invention; la figure 11 est un schéma explicatif montrant un autre pro- cédé servant à déterminer l'azimut d'un axe cristallin à partir de la forme du point de marquage selon la présente invention. Tout d'abord, un exemple préféré de dispositif de marquage laser à utiliser va être décrit simplement en se basant sur le dispositif de marquage laser divulgué dans l'invention antérieure mentionnée plus haut et proposée par les présents inventeurs. Ce dispositif de mar- quage laser sert à former des marques en forme de points saillants dans une partie d'une plaquette de semiconducteur avant de réaliser la croissance épitaxiale de la présente invention. En référence à la figure 1, un dispositif de marquage laser 1 comprend un oscillateur laser 2, un homogénéisateur 3 de faisceau per- mettant d'obtenir une répartition énergétique homogène dans le fais- ceau produit par l'oscillateur laser 2, un masque 4 à cristaux liquides qui est commandé afin de permettre ou non au faisceau laser d'être transmis selon l'affichage d'un motif, un convertisseur 5 de profil de faisceau pour former et convertir la répartition de densité d'énergie du faisceau laser correspondant à chaque pixel du masque 4 à cristaux liquides en une formation de répartition souhaitée, et un module à len- tilles 6 pour focaliser en un point le faisceau ayant passé le masque 4 à cristaux liquides à la surface d'une plaquette W de semiconducteur. La longueur maximale d'un point unique sur le masque 4 à cristaux liquides est de 50 à 200 um et la longueur maximale d'un point unique donné par le module à lentilles 6 est de 1 à 15 gm. Dans le dispositif de marquage laser 1, le faisceau laser émis par l'oscillateur laser 2, qui a une distribution de densité d'énergie de forme gaussienne, passe à travers l'homogénéisateur 3 de façon à avoir une distribution de densité d'énergie de type haut-de-forme (loi uni- forme) ayant des valeurs maximales sensiblement uniformes. Après obtention de cette distribution de densité d'énergie uniforme, le fais- ceau laser est dirigé sur la surface du masque 4 à cristaux liquides. A cet instant, comme cela est connu, le masque 4 à cristaux liquides est capable d'afficher un motif de marquage prédéterminé. En consé- quence, le faisceau laser transmet des parties de pixel à l'intérieur de la région d'affichage de motif, qui sont phototransmissibles. Les dis- tributions respectives de densité d'énergie de la lumière transmise après division dans les pixels respectifs ont la même forme que celle formée par l'homogénéisateur 3 de faisceau de sorte que la densité d'énergie est distribuée de manière égale. Le terme homogénéisateur de faisceau est un terme général désignant un composant optique servant à lisser la forme de la distri- bution de densité d'énergie d'un faisceau laser ayant par exemple une forme gaussienne. Ce composant optique peut appliquer, par exemple, un procédé de rayonnement collectif de faisceau laser sur la surface du masque en utilisant une lentille multiple, une optique binaire, ou une lentille cylindrique, ou un procédé de balayage de la surface du mas- que en commandant un miroir à l'aide d'un actionneur tel qu'un miroir polygonal, un analyseur à balayage ou autre élément similaire. Selon la présente invention, comme décrit précédemment, le faisceau laser est commandé de telle manière que la largeur d'impul- sion du faisceau laser vaut de 10 à 500 ns et que sa densité d'énergie est comprise entre 1,0 et 15,0 J/cm2. De préférence, la densité d'éner- gie est comprise entre 1,5 et 11,0 J/cm2. Lorsque le faisceau laser est commandé à l'intérieur de cette plage de valeurs, le point de marquage susmentionné ayant une forme particulière de la présente invention peut être formé. Selon ce mode de réalisation, une région du masque 4 à cris- taux liquides à irradier une fois fait 10 x 1 1 points. Bien que ces points soient tous irradiés par faisceau laser en une seule fois, le nom- bre de points n'atteint souvent pas le nombre de points de marquage requis. Dans ce cas, il est possible de diviser le motif d'une marque en plusieurs sections, d'afficher ces sections successivement sur le mas- que à cristaux liquides et de les commuter, de façon qu'un motif de marque complet soit formé à la surface de la plaquette en combinant ces différentes sections. Dans ce cas, il est nécessaire de commander et de déplacer la plaquette sur une position d'irradiation lorsque le faisceau laser est focalisé à la surface de la plaquette. Pour cette com- mande, on peut utiliser divers procédés connus de manière convention- nelle. Le faisceau laser ayant traversé le masque 4 à cristaux liqui- des passe ensuite dans le convertisseur 5 de profil de faisceau. Ce convertisseur 5 de profil de faisceau est agencé en matrice afin de cor- respondre avec les cristaux liquides individuels disposés en matrice dans le masque 4 à cristaux liquides. Par conséquent, le faisceau laser ayant traversé le masque 4 à cristaux liquides passe dans le convertis- seur 5 de profil de faisceau point par point en correspondance un à un, de sorte que le faisceau laser ayant une distribution de densité d'éner- gie lissée par l'homogénéisateur 3 de faisceau voit sa distribution transformée en une distribution requise pour former un point de mar- quage ayant une forme fine particulière à la présente invention. Bien que selon ce mode de réalisation, on fasse passer le faisceau laser ayant traversé le masque 4 à cristaux liquides par le convertisseur 5 de profil de faisceau afin de convertir sa distribution de densité d'éner- gie, il est possible d'introduire le faisceau laser directement dans le module à lentilles 6 sans convertir le profil de la distribution de den- sité d'énergie dans le convertisseur 5 de profil de faisceau. Le faisceau laser ayant traversé le convertisseur 5 de profil de faisceau est concentré par le module à lentilles 6 et irradié en une position prédéterminée à la surface de la plaquette W de semiconduc- teur, de sorte que le marquage de point voulu est réalisé sur cette sur- face. Selon la présente invention, si la longueur maximale d'un seul pixel du cristal liquide est comprise entre 50 et 2000 gtm, le pixel est concentré en une longueur allant de 1 à 15 gum à la surface de la pla- quette W de semiconducteur à l'aide du module à lentilles 6. Si l'on souhaite réaliser ce "micromarquage" de manière égale à la surface de plusieurs plaquettes, il est nécessaire de régler la distance séparant la surface de marquage de la lentille de focalisation ainsi que son axe optique au micromètre près. Selon ce mode de réalisation, pour la détection d'un point focal, on mesure une hauteur par un procédé à foyer commun qui est généralement utilisé dans un microscope à laser, puis le résultat de cette mesure est utilisé pour l'asservissement d'un mécanisme de positionnement précis dan une direction verticale de la lentille, si bien que le point focal est automatiquement déterminé. Des procédés connus de manière générale sont utilisés pour établir l'axe optique et pour le positionnement et l'ajustement des composants opti- ques. Par exemple, il est possible de les ajuster sur une tache de réfé- rence, préalablement choisie, à l'aide d'un mécanisme de réglage à vis grâce à un faisceau de guidage tel qu'un laser He-Ne. Ce réglage n'a besoin d'être effectué qu'une fois au cours de l'assemblage. Une marque fine en forme de point M' selon ce mode de réa- lisation a une longueur maximale comprise dans la plage allant de 1 à gim, et une hauteur comprise dans la plage allant de 0,01 à 5 gm, la zone environnante de sa partie saillante étant légèrement bosselée. Afin de former une marque en forme de point M' ayant ces dimensions, la longueur d'un côté de chaque point du masque 4 à cristaux liquides doit être comprise entre 50 et 2000 gm afin de ne pas provoquer d'effondrement dans la formation d'image sur un point irradié à la sur- face de la plaquette W de semiconducteur dû à la résolution ou carac- téristique similaire d'un module à lentilles de focalisation. En outre, si la distance entre le convertisseur 5 de profil de faisceau et le masque 4 à cristaux liquides est trop grande ou trop petite, le faisceau laser a tendance à être perturbé par la lumière environnante ou par la condi- tion instable de l'axe optique si bien que la formation d'image à la sur- face de la plaquette de semiconducteur a tendance à être désordonnée. Ainsi, selon ce mode de réalisation, on règle la distance X séparant le convertisseur 5 de profil de faisceau du masque 4 à cristaux liquides de façon qu'elle fasse de 0 à 10 fois la longueur maximale Y de chacun des pixels du masque 4 à cristaux liquides. En choisissant la distance X dans cette plage, la formation d'image à la surface de la plaquette devient nette. Le convertisseur 5 de profil de faisceau susmentionné est un composant optique servant à convertir la distribution de densité d'énergie lissée par l'homogénéisateur 3 de faisceau en une distribu- tion de densité d'énergie optimale pour obtenir une forme de point spé- cifique à la présente invention. Ce convertisseur 5 sert à convertir le profil de la distribution de densité d'énergie d'un faisceau laser inci- dent en une forme arbitraire en faisant intervenir un phénomène de diffraction, un phénomène de réfraction ou en modifiant de manière arbitraire le facteur de transmission de la lumière en un point d'irra- diation laser. Comme composant optique, on peut utiliser par exemple un élément optique holographique, un réseau de micro-lentilles de type convexe, ou des cristaux liquides. Ces dispositifs sont agencés en matrice afin de constituer le convertisseur 5 de profil de faisceau. Les figures 2 et 3 montrent un exemple typique de forme et d'agencementdes points de marquage formés selon le procédé de la présente invention. La figure 2 est une vue tridimensionnelle observée par AFM et la figure 3 est une vue en coupe obtenue par AFM. Selon ce mode de réalisation, chaque marque en forme de point M' réalisée à la surface de la plaquette W de semiconducteur est un carré de 3,6 [tm x 3,6 [tm et l'intervalle entre points respectifs est établi à 4,5 grm x 4,5 gm. Comme on peut le voir sur ces figures, des marques en forme de point M' substantiellement coniques sont formées à la surface de la plaquette W de semiconducteur, chacune correspondant à une partie du faisceau laser divisé correspondant à chaque pixel du masque 4 à cris- taux liquides. En outre, les marques en forme de point M' sont dispo- sées selon une formation 1 1 x 10 et leur hauteur est établie de manière sensiblement égale. Ceci est dû au fait que la distribution de densité d'énergie du faisceau laser projeté sur le masque 4 à cristaux liquides a été lissée de manière uniforme par l'homogénéisateur 3 de faisceau. Les figures 4 et 5 montrent respectivement la forme de la marque en forme de point M' spécifique à la présente invention, qui est formée sous une condition du procédé de la présente invention par le dispositif de marquage laser 1 employé dans ce mode de réalisation, et la forme d'une marque en forme de point M' formée sous une autre condition par le dispositif de marquage laser 1. Les caractéristiques techniques du dispositif de marquage laser 1 sont les suivantes Milieu laser: laser Nd:YAG Longueur d'onde laser: 532 nm Mode: TEM00 Puissance moyenne: 4 W à 1 kHz Largeur d'impulsion: 100 ns à i kHz Bien que la longueur d'onde du faisceau laser soit ici de 532 nm, elle * ne doit pas être limitée à cette valeur. Comme faisceau laser à utiliser dans ce mode de réalisation, le deuxième harmonique d'un oscillateur laser YAG ou un oscillateur laser YV04 et un faisceau laser produit par un oscillateur laser titane saphir ou similaire peuvent être employés. Comme montré sur les figures 4 et 5, une partie concave peu profonde en forme d'anneau se forme autour de la marque en forme de point M' et le centre de la marque en forme de point M' fait saillie vers le haut pour former une partie saillante substantiellement conique. Selon cette forme de point, une partie ayant une luminance très élevée est formée sur cette parti saillante si bien que la différence de lumi- nance avec le voisinage est accrue. En conséquence, une visibilité suf- fisante peut être assurée. D'après la forme de la marque en forme de point précédant la croissance épitaxiale et le procédé de marquage par points de ce mode de réalisation, il est possible de former une seule marque en forme de point M' ayant une forme uniforme faisant de 3/20 à 1/100 de la taille du point conventionnel de manière précise et nette dans une région pour chacun des points à la surface de la plaquette de semiconducteur. En outre, la marque en forme de point M' a une forme particulière qui fait que sa partie centrale est saillante, contrairement aux marques conventionnelles. Ainsi, la marque en forme de point M' de ce mode de réalisa- tion est rendue plus fine que les marques conventionnelles. En outre, puisque la limite entre marques en forme de point M' adjacentes peut être clairement repérée, un grand nombre de marques en forme de point M' peuvent être formées dans la même région. En conséquence, non seulement la région de marquage est largement agrandie, mais en plus les possibilités offertes par cette région de marquage sont accrues. Selon la présente invention, après avoir ainsi formé la mar- que en forme de point M' à la surface de la plaquette de semiconduc- teur par le procédé décrit plus haut, on forme par croissance épitaxiale une couche cristalline constituée d'un monocristal neuf à la surface de la plaquette incluant cette même marque. Selon ce mode de réalisation, la marque en forme de point, avant la croissance épitaxiale susmentionnée, est obtenue en projetant une image optique des carrés respectifs 9 gm x 9 gm et 4 rm x 4 gm à l'aide du faisceau laser à la surface de la plaquette de semiconducteur constituée d'un monocristal de Si. Comme on peut le voir sur les figu- res 6A et 7D, la marque en forme de point saillant obtenue n'est pas une pyramide mais juste un cône circulaire, qui montre qu'elle n'est pas toujours analogue à une image optique obtenue par faisceau laser dans une vue en plan. En outre, selon ce mode de réalisation, les diffé- rentes formes de point sont comparées entre elles lorsque la couche cristalline formée par croissance épitaxiale présente respectivement une épaisseur de 1 gm, 5 gm et 10,um. Pour réaliser la croissance épitaxiale selon ce mode de réali- sation, on utilise un procédé de croissance par dépôt chimique en phase vapeur. Dans cette croissance épitaxiale, généralement, on place une plaquette sur un socle en carbone à revêtement en SiC, celui-ci étant un corps chauffant, puis on place le tout dans un four. La pla- quette est ensuite chauffée dans une atmosphère d'hydrogène sous haute température, d'environ 1000 à 1200 C, par un procédé de chauf- fage à hautes fréquences, de chauffage par résistance ou de chauffage à lampe. Après cela, la surface de la plaquette subit une attaque chimi- que gazeuse, à une profondeur allant de 0,1 à 0,4 gm, par un gaz qui est de l'hexafluorure de soufre ou du chlore, dilué avec de l'hydrogène, afin d'obtenir une surface de silicium propre. Après cette attaque gazeuse, on introduit un mélange gazeux comprenant un gaz réactif tel qu'un monosilane gazeux ou un gaz dopant dans un four afin de réaliser la croissance épitaxiale du mono- cristal de silicium à la surface de la plaquette. A ce moment, l'épais- seur de la couche réalisée par croissance épitaxiale est déterminée par le temps de croissance. Elle est déterminée par la concentration, le débit, la vitesse d'écoulement, la température, la pression et autres caractéristiques du gaz réactif. Par conséquent, l'épaisseur et la durée de la croissance sont déterminées après que ces relations aient été déterminées avec precision. Les figures 6A et 7A montrent la forme des marques en forme de point M' formées par le dispositif de marquage laser avant la crois- sance épitaxiale, chaque partie centrale faisant saillie à la surface de la plaquette de semiconducteur. Les figures 6B à 6D et 7B à 7D mon- trent respectivement la forme des marques de l'invention vues de des- sus, formées à la surface de la plaquette de semiconducteur comportant les marques en forme de point M' montrées sur les figures 6A et 7A lorsque la couche est formée par croissance épitaxiale de façon à avoir une épaisseur respectivement de 1,um, de 5 gum et de 10 gm. Les figu- res 8A à 8D et les figures 9A à 9D sont des vues en perspective agran- dies des marques des figures 6A à 6D et 7A à 7D. Comme on peut le voir de manière évidente sur ces figures, la croissance épitaxiale transforme la couche de telle manière que le sommet d'un point de marquage M devient une surface lisse à mesure que l'épaisseur de la couche augmente, quelle que soit la taille de la marque en forme de point M'initialement formée à la surface de la pla- quette de semiconducteur. Plus précisément, le point de marquage M a une forme de pyramide à base complètement carrée lorsque l'épaisseur de la couche à croissance épitaxiale est comprise entre 1 et 5 gim, de sorte que les arêtes s'étendant en croix depuis le sommet du point de marquage M sont nettes. Si l'épaisseur de la couche est comprise entre et 10 gm, toutefois, la forme pyramidale susmentionnée se trans- forme en une pyramide tronquée ayant une partie supérieure plate, au lieu de la forme pyramidale susmentionnée. En outre, plus la taille de la marque en forme de point M' est initialement petite, plus la partie supérieure de la pyramide est tronquée, si bien que sa forme résultante devient presque un simple cube de faible hauteur. Bien que dans l'exemple montré, on utilise une plaquette de silicium dans laquelle l'azimut de son axe cristallin est et la forme du point de marquage après la croissance épitaxiale est une pyramide ou une pyramide tronquée comme décrit précédemment, l'azimut de l'axe cristallin d'une plaquette généralement utilisée est souvent . Même avec cet azimut, le point de marquage obtenu après croissance épitaxiale donne une pyramide polygonale ou une pyramide polygonale tronquée comportant des arêtes. Par conséquent, cet azimut de l'axe cristallin peut être spécifié par les arêtes comme l'azimut de l'axe cristallin de . De toute manière, ce qu'il faut retenir ici, c'est que la direc- tion des arêtes est la même pour tous les points de marquage M formés sur la même surface de plaquette. Par conséquent, comme décrit ci- dessus, l'extension des arêtes coïncide avec l'azimut de l'axe cristallin de la plaquette de semiconducteur. Les figures 10 et 11 sont des sché- mas explicatifs montrant un procédé servant à déterminer l'azimut d'un axe cristallin de la plaquette en utilisant ce phénomène. A savoir, comme montré en figure 10, une seule marque saillante en forme de point M' est formée près d'une face périphérique de la surface de la plaquette de semiconducteur à l'aide du dispositif de marquage laser mentionné plus haut. Ensuite, on exécute un traite- ment d'épitaxie sur toute la surface de la plaquette de semiconducteur y compris cette marque saillante en forme de point M' de sorte qu'une couche cristalline est formée par croissance. Les arêtes, qui sont clai- rement repérables optiquement, sont formées sur le point de marquage M dont la forme a été changée par la formation de cette couche cristal- line par croissance comme décrit précédemment. Selon le procédé de détermination de l'azimut tel que repré- senté en figure 11, on forme d'abord deux marques saillantes en forme de point M' près d'une face périphérique de la surface de la plaquette de semiconducteur le long d'un diamètre de la plaquette de semicon- ducteur et l'on forme deux marques saillantes en forme de point M' linéairement et perpendiculairement au diamètre sous les mêmes conditions de traitement, à l'aide du dispositif de marquage laser sus- mentionné. Ensuite, on exécute le traitement épitaxial sur toute la sur- face de la plaquette de semiconducteur incluant les quatre marques saillantes en forme de point M' de sorte que la couche cristalline est formée par croissance. Les arêtes, qui sont clairement repérables opti- quement, sont formées sur les quatre points de marquage M dont la forme a été changée par la formation de la couche cristalline par croissance. Une direction linéaire reliant les arêtes des deux points de marquage M agencés selon la direction diamétrale et une direction linéaire reliant les arêtes des deux points de marquage disposés per- pendiculairement à ce diamètre indiquent respectivement l'azimut de l'axe cristallin. Lorsque l'azimut de l'axe cristallin est déterminé par plusieurs de ces points de marquage M, on peut obtenir un azimut avec plus de précision que pour l'azimut déterminé par un seul point de marquage M. Dans l'exemple décrit ci-dessus, les points de marquage M sont formés à la surface de la plaquette soumise au traitement de miroir. Le point de marquage ayant une forme fine a une excellent visibilité, comme il apparaît de manière évidente avec les figures 6 et 7. Par conséquent, lorsque le point de marquage M est formé sur une face périphérique de la plaquette moins affectée par divers traitements de formation de film ou traitements de formation de circuit, le point de marquage peut être utilisé de manière efficace non seulement pour déterminer l'azimut de l'axe cristallin, mais aussi pour des informa- tions de gestion de plaquettes, comme les points conventionnels. REVENDICATIONS 1. Plaquette de semiconducteur comportant un point de marquage (M) faisant saillie sur une surface de la plaquette (W) de semiconducteur en une position arbitraire, caractérisée en ce que ledit point de marquage (M) présente une forme qui permet de repérer opti- quement l'azimut d'un axe cristallin. 2. Plaquette de semiconducteur selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit point de marquage (M) comporte une arête indiquant l'azimut de l'axe cristallin. 3. Plaquette de semiconducteur selon la revendication 2, caractérisée en ce que la forme dudit point de marquage (M) est soit celle d'une pyramide polygonale, soit celle d'une pyramide polygonale tronquée, ayant chacune des faces polygonales. 4. Plaquette de semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que ledit point de marquage (M) est formé sur une partie d'une face périphérique de la plaquette (W) de semiconducteur. 5. Procédé de formation d'au moins un point de marquage ayant une forme particulière, caractérisé en ce qu'il comprend les éta- pes consistant à: former une marque en forme de point (M') de forme arbitraire faisant saillie à la surface d'une plaquette (W) de semiconducteur, en une position prédéterminée de la plaquette (W) de semiconducteur; former un film mince constitué d'un monocristal sur une sur- face entière de ladite plaquette (W) de semiconducteur par croissance épitaxiale; et au cours de ladite croissance épitaxiale, transformer ladite marque en forme de point (M') pour lui donner une forme de pyramide polygonale ou une forme de pyramide polygonale tronquée présentant des faces polygonales et comportant une arête indiquant l'azimut d'un axe cristallin. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la longueur maximale de la marque en forme de point (M'), parallèlement à la surface de la plaquette (W) de semiconducteur, fait entre 1 et 15 gm.