FR 2805394 A1 20010824 FR 0013219 A 20001016 i DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur et un procédé de fabrication de celui-ci, et elle concerne plus particuliè- rement un dispositif à semiconducteur comprenant un transistor MOS ayant une pellicule d'oxyde de grille protégée contre un claquage diélec- trique, et un procédé de fabrication de celui-ci. On utilise pour un dispositif portable ou de type semblable un dispositif à semiconducteur (qu'on appelle ci-après un dispositif SOI) ayant une structure silicium sur isolant (ou SOI pour "silicon on insula- tor") formée sur un substrat SOI, comprenant une pellicule d'oxyde enter- rée et une couche SOI disposées sur un substrat en silicium, qui peut réduire la capacité parasite et fonctionner à une vitesse élevée avec une faible consommation de puissance. La figure 41 montre une partie d'une structure en coupe d'un exemple de dispositif SOI 70 dans lequel des transistors MOS sont isolés électriquement par isolation par tranchées. En se référant à la figure 41, on note qu'un substrat SOI com- prend une pellicule d'oxyde enterrée 2 et une couche SOI 3 disposées sur un substrat en silicium 1, et un transistor MOS à canal N (transistor NMOS) N1 et un transistor MOS à canal P (transistor PMOS) P1 sont dis- posés sur la couche SOI 3, tandis qu'une pellicule d'oxyde d'isolation 4 isole complètement l'un de l'autre, au point de vue électrique, ces tran- sistors MOS N1 et P1. La pellicule d'oxyde d'isolation 4 est disposée de façon à entourer le transistor NMOS N1 et le transistor PMOS P1. Chacun des transistors comprenant le transistor NMOS N1 et le transistor PMOS P1 est formé par des régions de source/drain SD et une région de formation de canal CH formées dans la couche SOI 3, une pel- licule d'oxyde de grille GO formée sur la région de formation de canal CH, une électrode de grille GT formée sur la pellicule d'oxyde de grille GO et des pellicules d'oxyde de paroi latérale SW recouvrant les surfa- ces latérales de l'électrode de grille GT. Par conséquent, dans le dispositif SOI 70, le transistor NMOS N1 et le transistor PMOS P1 sont non seulement indépendants l'un de l'autre dans la couche SOI 3 à cause de la pellicule d'oxyde d'isolation 4, mais sont également complètement isolés par rapport à d'autres éléments à semiconducteur, etc., grâce à quoi il ne se produit en principe pas de déverrouillage dans ces transistors N1 et P1. Par conséquent, au moment de la fabrication d'un dispositif SOI ayant un transistor CMOS, on peut utiliser la largeur d'isolation minimale fixée par une technique de microlithographie, et on peut avantageuse- ment réduire l'aire d'une puce. Cependant, un effet de substrat flottant occasionne divers problèmes tels que les suivants: des porteurs (trous dans un transistor NMOS) générés par ionisation par chocs sont collectés dans la région de formation de canal, pour donner des non-linéarités ou dégrader une tension de tenue en fonctionnement, et une instabilité du potentiel de la région de formation de canal occasionne une dépendance d'un temps de retard vis-à-vis de la fréquence. A cet égard, on a imaginé une structure d'isolation par tranchée partielle. La figure 42 est une partie d'une représentation en coupe mon- trant un substrat SOI 80 ayant une telle structure d'isolation par tranchée partielle (structure PTI). En se référant à la figure 42, on note qu'un transistor NMOS N1 et un transistor PMOS P1 sont disposés sur une couche SOI 3, tandis qu'une pellicule d'oxyde d'isolation partielle 5 ayant une région de puits WR disposée sur sa partie inférieure, isole l'un de l'autre le transistor NMOS N1 et le transistor PMOS P1. La pellicule d'oxyde d'isolation par- tielle 5 est disposée de façon à entourer le transistor NMOS N1 et le transistor PMOS P1. En ce qui concerne la pellicule d'oxyde d'isolation partielle 5, une structure telle que celle de la pellicule d'oxyde d'isolation 4 dans le dispositif SOI 70, qui isole complètement des éléments, au point de vue électrique, avec une pellicule d'oxyde de tranchée atteignant la pellicule d'oxyde enterrée 2, est appelée une structure d'isolation par tranchée complète (structure FTI), et la pellicule d'oxyde est appelée une pellicule d'oxyde d'isolation complète. Bien que la pellicule d'oxyde d'isolation partielle 5 isole l'un de l'autre le transistor NMOS N1 et le transistor PMOS P1, des porteurs peuvent se déplacer à travers la région de puits WR sur la partie inférieure de la pellicule d'oxyde d'isolation partielle 5, et on peut empêcher qu'ils soient collectés dans des régions de formation de canal, tandis que le potentiel des régions de formation de canal peut être fixé par l'inter- médiaire de la région de puits WR, grâce à quoi l'effet de substrat flot- tant n'occasionne aucun problème. Cependant, indépendamment du fait qu'un dispositif SOI utilise la structure PTI ou la structure FTI, de nouvelles étapes de fabrication doivent être ajoutées pour augmenter l'épaisseur de pellicule d'oxyde de grille, afin d'améliorer la fiabilité de transistors MOS, et pour ajuster la quantité d'une impureté injectée dans des canaux, afin de réduire des tensions de seuil. On va maintenant décrire en se référant aux figures 43 à 50 un procédé de fabrication d'un dispositif SOI 90 ayant une structure PTI améliorant la fiabilité de transistors MOS. Premièrement, on prépare un substrat SOI constitué par un substrat en silicium 1, une pellicule d'oxyde enterrée 2 et une couche SOI 3, formé par un procédé SIMOX qui forme la pellicule d'oxyde enterrée 2 par implantation d'ions d'oxygène ou un procédé d'assemblage. De façon générale, I'épaisseur de la couche SOI 3 est de 50 à 200 nm, et l'épais- seur de la pellicule d'oxyde enterrée 2 est de 100 à 400 nm. Comme re- présenté sur la figure 43, une pellicule d'oxyde 6 d'environ 10 à 30 nm (100 à 300 A) d'épaisseur est formée dans le substrat SOI par dépôt chi- mique en phase vapeur (ou CVD) ou par oxydation thermique, et une pel- licule de nitrure 7 de 30 à 200 nm (300 à 200 A) d'épaisseur est formée par dessus. Ensuite, un masque de matière de réserve RM1 est formé par définition de motif sur la pellicule de nitrure 7. Le masque de matière de réserve RM1 a une ouverture pour former une tranchée. Ensuite, le masque de matière de réserve RM1 est employé à titre de masque pour définir un motif dans la pellicule de nitrure 7, la pel- licule d'oxyde 6 et la couche SOI 3, par attaque, pour former ainsi une tranchée partielle TR dans la couche SOI 3, comme représenté sur la fi- gure 44. Dans cette opération d'attaque, des conditions d'attaque sont ajustées de façon à ne pas enlever complètement la couche SOI 3 et mettre à nu la pellicule d'oxyde enterrée 2, mais à laisser la couche SOI 3 avec une épaisseur déterminée sur le fond de la tranchée TR. La tranchée partielle TR1 est formée de façon à s'étendre pra- tiquement perpendiculairement au substrat en silicium 1 avec une largeur déterminée, grâce à quoi une isolation d'éléments peut être effectuée tout en maintenant la finesse, sans réduire le degré d'intégration. Dans une étape représentée sur la figure 45, une pellicule d'oxyde d'environ 500 nm (5000 A) d'épaisseur est déposée, et une partie allant jusqu'à une partie intermédiaire de la pellicule de nitrure 7 est po- lie par polissage chimio-mécanique (ou CMP), et ensuite la pellicule de nitrure 7 et la pellicule d'oxyde 6 sont enlevées pour former ainsi une pellicule d'oxyde d'isolation partielle 5. On suppose ici que la région se trouvant du côté gauche de la pellicule d'oxyde d'isolation partielle 5 sur la figure 45 est une première région R1 pour former un transistor ayant une faible tension de seuil, tandis que la région se trouvant du côté droit de la pellicule d'oxyde d'isolation partielle 5 est une seconde région R2 pour former un transistor à fiabilité élevée ayant une tension de seuil gé- nérale. Dans une étape représentée sur la figure 46, une pellicule d'oxyde OX1 est formée sur toute l'étendue de la couche SOI 3. L'épais- seur de la pellicule d'oxyde OX1 est de 1 à 4 nm (10 à 40 A). Ensuite, un masque de matière de réserve RM2 est formé de façon à recouvrir la se- conde région R2, et une impureté pour semiconducteur est introduite dans la couche SOI 3 de la première région R1 par implantation ionique à travers la pellicule d'oxyde OX1. En ce qui concerne les conditions pour cette implantation pour former le transistor ayant une faible tension de seuil, on implante des ions de bore (B) avec une énergie de 5 à 40 keV et une dose de 1 x 1011 à 3 x 1011/cm2 au moment de la formation d'un transistor NMOS, par exemple. Préalablement à cette étape, on implante des ions de bore avec une énergie de 30 à 100 keV et une dose de 1 x 1012 à 3 x 1014/cm2 pour former une région de puits. Dans une étape représentée sur la figure 47, un masque de matière de réserve RM3 est formé de façon à recouvrir la première région R1, et une impureté pour semiconducteur est introduite dans la couche SOI 3 de la seconde région R2 par implantation à travers la pellicule d'oxyde OX1. En ce qui concerne les conditions pour cette implantation pour former le transistor ayant une tension de seuil générale, on implante des ions de bore (B) avec une énergie de 5 à 40 keV et une dose de 3 x 1011 à 5 x 1011/cm2 lorsqu'on forme par exemple un transistor NMOS. A une étape représentée sur la figure 48, un masque de matière de réserve RM est formé de façon à recouvrir la seconde région R2, et la pellicule d'oxyde OX1 est retirée de la première région R1. Le masque de matière de réserve RM4 est enlevé et ensuite une pellicule d'oxyde est formée sur toute l'étendue dans une étape re- présentée sur la figure 49. A ce moment, une pellicule d'oxyde OX2 de 2 à 4 nm (20 à 40 A) d'épaisseur est formée sur la région R1, tandis que I'épaisseur de la pellicule d'oxyde OX1 est augmentée pour définir une pellicule d'oxyde OX3 sur la région R2. Ensuite, une couche de silicium polycristallin (qu'on appelle ci-après une couche de "polysilicium") PS1 définissant des électrodes de grille est formée sur toute l'étendue. Dans une étape représentée sur la figure 50, on définit un motif dans la couche de polysilicium PS1 et les pellicules d'oxyde OX2 et OX3 pour former des électrodes de grille GT1 et GT2 et des pellicules d'oxyde de grille GO1 et GO2, et pour former des transistors NMOS N3 et N4 par la formation de pellicules d'oxyde de paroi latérale SW et de couches de source/drain SD. Une région de puits WR est formée sur une partie infé- rieure de la pellicule d'oxyde d'isolation partielle 5. Une pellicule d'isolation inter-couche est formée sur les tran- sistors NMOS N3 et N4 et une multiplicité de trous de contact atteignant les couches de source/drain SD à travers la pellicule d'isolation inter- couche sont formés de façon à constituer le transistor SOI 90, bien que I'illustration de ces éléments soit omise. Par conséquent, I'épaisseur de la pellicule d'oxyde de grille est augmentée de façon générale pour former le transistor ayant une fiabilité élevée, ce qui évite le claquage diélectrique de la pellicule d'oxyde de grille, avec l'exigence d'étapes de formation de masques de matière de réserve. Cependant, lorsqu'on augmente l'épaisseur de la pellicule d'oxyde de grille, il y a une possibilité d'un problème tel que la dégrada- tion des caractéristiques de transistors. Selon un premier aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteur comprend un substrat semiconducteur, une multiplicité d'éléments à semiconducteur formés sur le substrat semiconducteur et une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée obtenue en enterrant une pellicule d'oxyde dans une tranchée formée dans la surface du substrat semiconducteur pour isoler électriquement la multiplicité d'éléments à semiconducteur par la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée, la pelli- cule d'oxyde d'isolation par tranchée ayant des formes de contour diffé- rentes pour la partie de bord supérieur sur les côtés gauche et droit dans une section transversale de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée. Dans un dispositif à semiconducteur conforme au premier as- pect de la présente invention, la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a des formes de contour différentes de la partie de bord supérieur sur les côtés gauche et droit dans la section transversale de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée, grâce à quoi des pellicules d'oxyde de grille de transistors MOS qui sont formés sur les côtés gauche et droit de la pelli- cule d'oxyde d'isolation par tranchée peuvent avoir des épaisseurs diffé- rentes, et les formes des parties de bord des pellicules d'oxyde de grille peuvent être optimisées sous la dépendance de transistors MOS ayant différentes spécifications. Selon un second aspect de la présente invention, le substrat semiconducteur est un substrat SOI comprenant un substrat en silicium, une pellicule d'oxyde enterrée disposée sur le substrat en silicium et une couche SOI disposée sur la pellicule d'oxyde enterrée, et la pellicule d'isolation par tranchée est disposée dans la surface du substrat SOI. Dans un dispositif à semiconducteur conforme au second as- pect, le substrat semiconducteur est un substrat SOI et la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée est disposée dans la surface du substrat SOI, grâce à quoi le dispositif à semiconducteur peut atteindre une fiabi- lité élevée tout en évitant un claquage diélectrique de pellicules d'oxyde de grille de transistors MOS SOI. En outre, seule l'épaisseur des parties de bord des pellicules d'oxyde de grille est augmentée, et par conse- quent les caractéristiques des transistors ne sont pas dégradées, contrai- rement au cas de l'augmentation de l'épaisseur globale des pellicules d'oxyde de grille. Selon un troisième aspect de la présente invention, la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a une forme de contour telle que sa par- tie de bord supérieur fasse saillie à l'intérieur de la surface du substrat semiconducteur sous la forme d'un bec d'oiseau. Dans le dispositif à semiconducteur conforme au troisième as- pect, la partie de bord supérieur de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a la forme de contour faisant saillie dans la surface du substrat semiconducteur avec la forme d'un bec d'oiseau. Par conséquent, lorsque les éléments à semiconducteur sont des transistors MOS, I'épaisseur de parties de bord de la pellicule d'oxyde de grille est ainsi augmentée par la formation des pellicules d'oxyde de grille de façon qu'elles viennent en contact avec le bec d'oiseau de la pellicule d'oxyde d'isolation par tran- chée, et le dispositif à semiconducteur peut atteindre une fiabilité élevée tout en évitant le claquage diélectrique des pellicules d'oxyde de grille au voisinage de parties de bord d'électrodes de grille o un champ électri- que se concentre aisément. En outre, seule l'épaisseur des parties de bord des pellicules d'oxyde de grille est augmentée, et par conséquent les caractéristiques des transistors ne sont pas dégradées, contrairement au cas de l'augmentation de l'épaisseur globale des pellicules d'oxyde de grille. Selon un quatrième aspect de la présente invention, la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a des formes différentes sur les côtés gauche et droit dans sa section transversale, et en combinaison elle comprend une structure de tranchée complète atteignant la pellicule d'oxyde enterrée à travers la couche SOI, et une structure de tranchée partielle ayant la couche SOI sur sa partie inférieure. Dans le dispositif à semiconducteur conforme au quatrième as- pect, la pellicule d'isolation par tranchée a, en combinaison, la structure de tranchée complète et la structure de tranchée partielle, grâce à quoi la partie de bord supérieur peut aisément avoir des formes de contour diffé- rentes sur les côtés de la structure de tranchée complète et de la struc- ture de tranchée partielle dans son processus de formation. Selon un cinquième aspect de la présente invention, la hauteur d'une saillie sur une partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme d'un bec d'oiseau sur le côté de la structure de tran- chée complète est relativement faible, et la hauteur d'une saillie sur une partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée partielle est relative- ment grande, dans la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée. Dans le dispositif a semiconducteur conforme au cinquième as- pect, la hauteur de la saillie sur la partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée complète est relativement faible, et la hauteur de la saillie sur la partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée par- tielle est relativement grande, grâce à quoi l'épaisseur de la partie de bord de la pellicule d'oxyde de grille peut être réduite dans le transistor MOS venant en contact avec le côté de la structure de tranchée com- plète, de façon qu'une pellicule d'oxyde de grille appropriée pour le tran- sistor MOS dont les caractéristiques de transistor sont fixées avec les caractéristiques d'un transistor parasite, puisse être obtenue, tandis que l'épaisseur de la partie de bord de la pellicule d'oxyde de grille peut être augmentée dans le transistor MOS venant en contact avec le côté de la structure de tranchée partielle, et par conséquent il est possible d'obtenir une pellicule d'oxyde de grille convenant pour un transistor MOS qui exige une amélioration de la fiabilité de la pellicule d'oxyde de grille. Selon un sixième aspect de la présente invention, la longueur de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oi- seau du côté de la structure de tranchée complète est relativement grande, et la longueur de la partie de bord faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée partielle est relativement petite dans la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée. Dans le dispositif à semiconducteur conforme au sixième as- pect, la longueur de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée complète est relativement grande, et la longueur de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée partielle est relativement petite, grâce à quoi les formes des parties de bord des pellicules d'oxyde de grille peuvent être optimisées sous la dé- pendance de transistors MOS ayant différentes spécifications. Selon un septième aspect de la présente invention, la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a des formes de contour différentes d'une partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée partielle entre une première partie inclinée dans une direction s'éloignant de la couche SOI, et une seconde partie inclinée dirigée vers la couche SOI, la pre- mière partie inclinée ayant une forme de contour pratiquement rectiligne, et la seconde partie inclinée ayant une forme de contour faisant saillie de manière arrondie en direction de la couche SOI. Dans le dispositif à semiconducteur conforme au septième as- pect, la première partie inclinée de la partie de bord supérieur du côté de la structure de tranchée partielle a une forme de contour pratiquement rectiligne, et par conséquent on peut éviter qu'un matériau de grille in- utile reste sur la surface de la pellicule d'oxyde d'isolation au moment de l'enlèvement du matériau de grille dans la formation de l'électrode de grille. En outre, la seconde partie inclinée a une forme de contour faisant saillie de manière arrondie en direction de la couche SOI, grâce à quoi il est possible d'atténuer une contrainte occasionnée au voisinage de l'in- terface entre la couche SOI et la pellicule d'oxyde d'isolation, résultant d'un traitement thermique ou d'une oxydation effectué dans le processus de fabrication du dispositif à semiconducteur, et on peut éviter la forma- tion dans la couche SOI de défauts cristallins résultant d'une telle con- trainte. Selon un huitième aspect de la présente invention, la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a différentes formes de contour d'une partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée partielle, entre une première partie inclinée dans une direction s'éloignant de la couche SOI, et une seconde partie inclinée dirigée vers la couche SOI, la première partie inclinée ayant une forme de contour déprimée de manière arrondie en direction de la couche SOI, et la seconde partie inclinée ayant une forme de contour faisant saillie de manière arrondie en direction de la couche SOI. Dans le dispositif à semiconducteur conforme au huitième as- pect, la première partie inclinée de la partie de bord supérieur du côté de la structure de tranchée partielle a la forme de contour arrondie déprimée en direction de la couche SOI, grâce à quoi un effet consistant à empê- cher qu'un matériau de grille inutile reste sur la surface de la pellicule d'oxyde d'isolation est augmenté au moment de l'enlèvement du matériau de grille dans la formation d'une électrode de grille, tandis qu'une marche faisant saillie à partir de la surface supérieure de la couche SOI peut être réduite en réduisant l'épaisseur de la partie de bord de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée, ce qui simplifie une étape de formation d'électrodes de grille ou autres. En outre, la seconde partie inclinée a la forme de contour arrondie faisant saillie en direction de la couche SOI, grâce à quoi il est possible de relaxer une contrainte occasionnée au voi- sinage de l'interface entre la couche SOI et la pellicule d'oxyde d'isola- tion, résultant d'un traitement thermique ou d'une oxydation effectué dans le processus de fabrication du dispositif à semiconducteur, et il est possible d'éviter la formation dans la couche SOI de défauts cristallins résultant d'une telle contrainte. Selon un neuvième aspect de la présente invention, la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a une forme de contour telle que sa par- tie de bord inférieur fasse saillie entre la couche SOI et la pellicule d'oxyde enterrée. Dans le dispositif à semiconducteur conforme au neuvième as- pect, la partie de bord inférieur de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a une forme de contour faisant saillie entre la couche SOI et la pellicule d'oxyde enterrée, grâce à quoi il est possible d'améliorer l'état d'interface entre la couche SOI et la pellicule d'oxyde enterrée. Selon un dixième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprend les étapes sui- vantes: (a) on prépare un substrat SOI comprenant un substrat en sili- cium, une pellicule d'oxyde enterrée disposée sur le substrat en silicium et une couche SOI disposée sur la pellicule d'oxyde enterrée, (b) on forme une couche d'extension d'oxyde sur la couche SOI, (c) on forme une couche de masque ayant un motif d'ouverture déterminé sur la cou- che d'extension d'oxyde, (d) on forme une tranchée en enlevant sélecti- vement la couche SOI à travers la couche de masque, sans traverser la couche SOI à partir de la surface, (e) on forme un masque de matière de réserve ayant une ouverture dans une première région entre une position déterminée au moins sur la surface inférieure de la tranchée et une pre- mière surface de paroi latérale dans une section transversale, et recouvrant une seconde région entre au moins la position déterminée et une seconde surface de paroi latérale dans la section transversale, (f) on enlève de la matière de la tranchée pour atteindre la pellicule d'oxyde enterrée, à travers le masque de matière de réserve, pour former une tranchée combinée ayant une partie correspondant à la seconde région qui est une tranchée partielle ayant la couche SOI sur sa partie infé- rieure, et une partie correspondant à la première région qui est une tran- chée complète traversant la couche SOI, (g) on forme une première pelli- cule d'oxyde sur la paroi intérieure de la tranchée combinée en effec- tuant une oxydation thermique de la paroi intérieure de la tranchée enter- rée et de la couche d'extension d'oxyde, et (h) on forme une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée ayant, en combinaison, une structure de tranchée complète atteignant la pellicule d'oxyde enterrée à travers la couche SOI, et une structure de tranchée partielle ayant la couche SOI sur sa partie inférieure, en remplissant la tranchée combinée avec une seconde pellicule d'oxyde. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur conforme au dixième aspect, on peut obtenir une pellicule d'oxyde d'iso- lation par tranchée ayant en combinaison une structure de tranchée com- plète atteignant la pellicule d'oxyde enterrée à travers la couche SOI, et une structure de tranchée partielle ayant la couche SOI sur sa partie in- férieure. En outre, cette pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a une forme de contour telle que sa partie de bord supérieur fasse saillie dans la surface de la couche SOI avec la forme d'un bec d'oiseau, tandis que la forme de contour diffère sur les côtés gauche et droit dans une section transversale. Selon un onzième aspect de la présente invention, la couche d'extension d'oxyde comprend une pellicule d'oxyde disposée sur la cou- che SOI et une couche de silicium polycristallin disposée sur la pellicule d'oxyde. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur conforme au onzième aspect, la couche d'extension d'oxyde comprend la pellicule d'oxyde disposée sur la couche SOI et la couche de silicium po- lycristallin disposée sur la pellicule d'oxyde, grâce à quoi la couche de silicium polycristallin est oxydée dans la formation de la première pellicule d'oxyde, de façon que le bec d'oiseau sur la partie de bord supérieur de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée ait une forme plus nette. Selon un douzième aspect de la présente invention, I'étape (h) comprend des étapes (h-1) consistant à former la seconde pellicule d'oxyde pour remplir la tranchée combinée et recouvrir toute l'étendue sur la couche de masque, et (h-2) consistant à aplanir la seconde pelli- cule d'oxyde par polissage chimio-mécanique à travers la couche de masque remplissant la fonction d'un élément d'arrêt. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur conforme au douzième aspect, la seconde pellicule d'oxyde est aplanie par polissage chimio-mécanique à travers la couche de masque remplis- sage la fonction d'un élément d'arrêt, grâce à quoi la forme de la partie de bord de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée peut être ajustée en ajustant le degré d'aplanissement. Selon un treizième aspect de la présente invention, I'ouverture du masque de matière de réserve est formée sur la première région et sur une première partie de bord de la couche de masque adjacente à la pre- mière région, et la première partie de bord de la couche de masque est enlevée pour avoir une marche, en association avec la formation de la tranchée combinée, de façon que l'épaisseur de la couche de masque soit partiellement réduite. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur conforme au treizième aspect, la première partie de bord de la couche de masque est enlevée de façon à être mince, en présentant la marche, ce qui fait que l'épaisseur de la seconde pellicule d'oxyde est réduite sur la partie de la tranchée complète et augmentée sur la partie de la tranchée partielle, grâce à quoi on peut finalement obtenir une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée telle que la hauteur de la saillie sur la partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau soit relativement petite du côté de la structure de tranchée com- plète, et la hauteur de la saillie sur la partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie avec la forme du bec d'oiseau soit relativement grande du côté de la structure de tranchée partielle. Selon un quatorzième aspect de la présente invention, le mas- que de matière de réserve comprend en outre une ouverture locale disposée sur, au moins, soit une première région déterminée d'une première partie de bord de la couche de masque adjacente à la première région, soit une seconde région déterminée d'une seconde partie de bord de la couche de masque adjacente à la seconde région, et une partie concave est formée dans, au moins, soit la première région déterminée, soit la seconde région déterminée, de la couche de masque, en association avec la formation de la tranchée combinée. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur conforme au quatorzième aspect, la partie concave est formée dans, au moins, la première région déterminée ou la seconde région déterminée de la couche de masque, en association avec la formation de la tranchée combinée, pour définir une saillie, tandis que l'épaisseur de la seconde pellicule d'oxyde se trouvant sur cette saillie est réduite lorsque la se- conde pellicule d'oxyde est formée par dépôt chimique en phase vapeur par plasma à haute densité, et la saillie est également polie lorsqu'on effectue un aplanissement par polissage chimio-mécanique, grâce à quoi on peut ainsi donner à la partie de bord de la couche de masque une forme amincie avec une marche. Selon un quinzième aspect de la présente invention, le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprend en outre une étape consistant à effectuer un recuit dans une atmosphère d'azote, une atmosphère d'hydrogène ou une atmosphère d'argon, à un stade situé au moins avant ou après la formation de la première pellicule d'oxyde. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur conforme au quinzième aspect, il est possible d'améliorer la cristallinité de la surface la plus extérieure de la couche SOI en effectuant un recuit dans une atmosphère d'azote, une atmosphère d'hydrogène ou une at- mosphère d'argon avant la formation de la première pellicule d'oxyde, tandis que la contrainte s'exerçant sur la couche SOI à la suite du traite- ment thermique peut être relaxée en effectuant ce recuit après l'oxyda- tion. Selon un seizième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprend les étapes sui- vantes: (a) on prépare un substrat SOI comprenant un substrat en sili- cium, une pellicule d'oxyde enterrée disposée sur le substrat en silicium et une couche SOI disposée sur la pellicule d'oxyde enterrée, (b) on forme une couche d'extension d'oxyde sur la couche SOI, (c) on forme une couche de masque ayant un motif d'ouverture déterminé sur la cou- che d'extension d'oxyde, (d) on forme une tranchée en enlevant sélecti- vement la couche SOI à travers la couche de masque, sans traverser la couche SOI à partir de la surface, (e) on forme une première pellicule d'oxyde sur la paroi intérieure de la tranchée par oxydation thermique de la paroi intérieure de la tranchée et de la couche d'extension d'oxyde, (f) on forme un masque de matière de réserve ayant une ouverture dans une première région entre une première position déterminée au moins sur la * surface inférieure de la tranchée et une première surface de paroi laté- rale dans une section transversale, et recouvrant une seconde région entre au moins la position déterminée et une seconde surface de paroi latérale dans la section transversale, (g) on enlève de la matière de la tranchée pour atteindre la pellicule d'oxyde enterrée, à travers le masque de matière de réserve, pour former une tranchée combinée ayant une partie correspondant à la seconde région qui est une tranchée partielle ayant la couche SOI sur sa partie inférieure, et une partie correspondant à la première région qui est une tranchée complète traversant la couche SOI, et (h) on forme une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée ayant en combinaison une structure de tranchée complète atteignant la pelli- cule d'oxyde enterrée à travers la couche SOI, et une structure de tran- chée partielle ayant la couche SOI sur sa partie inférieure, en remplis- sant la tranchée combinée avec une seconde pellicule d'oxyde. Dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur conforme au seizième aspect, on peut obtenir une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée ayant en combinaison une structure de tranchée complète atteignant la pellicule d'oxyde enterrée à travers la couche SOI, et une structure de tranchée partielle ayant la couche SOI sur sa partie inférieure. Cette pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a une forme de contour telle que sa partie de bord supérieur fait saillie dans la surface de la couche SOI avec la forme d'un bec d'oiseau, tandis que la forme de contour est similaire sur les côtés gauche et droit dans une section transversale. Un but de la présente invention est de procurer un dispositif à semiconducteur comprenant un transistor MOS ayant une pellicule d'oxyde de grille protégée contre un claquage diélectrique, sans aug- menter son épaisseur, et un procédé de fabrication de ce dispositif. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la des- cription se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 est une coupe illustrant la structure d'ensemble d'un dispositif à semiconducteur conforme à un mode de réalisation 1 de la présente invention; La figure 2 est une vue en plan illustrant la structure d'ensem- ble du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation 1 de la présente invention; Les figures 3 à 12 sont des coupes illustrant schématiquement des étapes de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation 1 de la présente invention; Les figures 13 à 15 sont des coupes illustrant les détails des étapes de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation 1 de la présente invention; La figure 16 est une coupe montrant les détails de la structure du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation 1 de la présente invention; La figure 17 est une coupe montrant la fonction et l'effet du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation 1 de la pré- sente invention; La figure 18 est une coupe montrant la structure d'une forme modifiée du dispositif a semiconducteur conforme au mode de réalisation 1 de la présente invention; Les figures 19 à 22 sont des coupes illustrant des étapes de fabrication de la forme modifiée du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation 1 de la présente invention; La figure 23 est une coupe illustrant une structure obtenue par attaque en excès; La figure 24 est un schéma illustrant un problème occasionné par l'attaque en excès; La figure 25 est une coupe illustrant la structure d'un dispositif à semiconducteur conforme à un mode de réalisation 2 de la présente invention; Les figures 26 à 31 sont des coupes illustrant les détails d'éta- pes de fabrication d'un dispositif à semiconducteur conforme à un mode de réalisation 2 de la présente invention; Les figures 32 à 38 sont des coupes illustrant des étapes de fabrication d'une forme modifiée du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation 2 de la présente invention; Les figures 39 et 40 sont des coupes illustrant la fonction et l'effet des dispositifs à semiconducteur conformes aux modes de réalisa- tion 1 et 2 de la présente invention; Les figures 41 et 42 sont des coupes illustrant les structures de dispositifs à semiconducteur classiques; Les figures 43 à 49 sont des coupes illustrant des étapes de fabrication d'un dispositif à semiconducteur classique; et La figure 50 est une coupe illustrant la structure du dispositif à semiconducteur classique. A. Mode de réalisation 1 A-1. Structure du dispositif La figure 1 montre une structure en coupe d'un dispositif SOI conforme à un mode de réalisation 1 de la présente invention. Comme représenté sur la figure 1, le dispositif SOI 100 a une région NR pour former des transistors NMOS et une région PR pour former un tran- sistor PMOS, qui sont formées sur un substrat SOI 10, comprenant une pellicule d'oxyde enterrée 2 et une couche SOI 3 disposées sur un subs- trat en silicium 1, avec entre elles une pellicule d'oxyde d'isolation com- binée BT1 préparée en combinant une pellicule d'oxyde d'isolation com- plète et une pellicule d'oxyde d'isolation partielle. La pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 a une forme en coupe telle qu'une partie plus proche de la région PR atteigne la pellicule d'oxyde enterrée 2 a travers la couche SOI 3, tandis qu'une partie plus proche de la région NR comporte une région de puits de type p WR1 sur sa partie inférieure. Deux transistors NMOS Mll et M12 sont disposés sur la couche SOI 3 dans la région NR, et sont isolés l'un de l'autre par une pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 au-dessous de laquelle se trouve la ré- gion de puits WR1. Le transistor NMOS Mll disposé sur la couche SOI 3 du côté gauche de la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 a une pellicule d'oxyde de grille G011 s'étendant entre la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 et une autre pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1, et une électrode de grille GT11, disposée sur la pellicule d'oxyde de grille GO11, ayant des extrémités qui viennent en contact avec la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 et l'autre pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1. Le transistor NMOS M12 disposé sur la couche SOI 3 du côté droit de la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 a une pellicule d'oxyde de grille GO12 s'étendant entre la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 et la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1, et une électrode de grille GT12, disposée sur la pellicule d'oxyde de grille GO12, ayant des extrémités qui viennent en contact avec la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 et la pellicule d'oxyde d'isolation combi- née BT1. Une autre pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT2 est dispo- sée sur la couche SOI 3 dans la région PR, et un transistor PMOS M13 est disposé sur la couche SOl 3 entre la pellicule d'oxyde d'isolation par- tielle PT2 et la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1. Une pellicule d'isolation inter-couche 9 est disposée sur la tota- lité de la surface du substrat SOI 10 et une multiplicité de contacts de grille GC atteignant des extrémités des électrodes de grille GT11, GT12 et GT13 sont disposés à travers la pellicule d'isolation inter-couche 9, tandis que les contacts de grille GC sont respectivement connectés à des couches d'interconnexion WL formées par une opération de définition de motif sur la pellicule d'isolation inter-couche 9. On va maintenant décrire en se référant à la figure 2 une structure en plan du dispositif SOI 100, vu par le côté de la pellicule d'isolation inter-couche 9. Comme représenté sur la figure 2, les transistors NMOS Mll et M12 et le transistor PMOS M13 ont des couches de source/drain SD11, SD12 et SD13 dans la couche SOI 3 des deux côtés des électrodes de grille respectives GT11, GT12 et GT13, et des contacts de source/drain SDC sont respectivement connectés aux couches de source/drain SD11, SD12 et SD13. La figure 1 montre une coupe effectuée selon la ligne A-B sur la figure 2. Une région de fixation de potentiel de corps BR qui fixe le po- tentiel de la couche SOI 3 dans la région NR est disposée au voisinage des transistors NMOS Mll et M12, et un contact de corps BC est con- necté à la région de fixation de potentiel de corps BR. La pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 (non représentée) définit les régions PR et NR, et les pellicules d'oxyde d'isolation partielle PT1 et PT2 (non représentées) sont disposées de façon à définir les cou- ches de source/drain SD11, SD12 et SD13, c'est-à-dire des régions acti- ves. A-2. Procédé de fabrication A-2-1. Présentation générale de l'ensemble des étapes On décrira tout d'abord un procédé de fabrication du dispositif SOI 100 en se référant aux figures 3 à 12 qui montrent successivement les étapes de celui-ci. Premièrement, on prépare comme représenté sur la figure 3 le substrat SOI 10 comprenant la pellicule d'oxyde enterrée 2 et la couche SOI 3 disposées sur le substrat en silicium 1. Le substrat SOI 10 peut être formé par n'importe quel procédé, tel que le procédé SIMOX, un pro- cédé d'assemblage de tranches ou autres. De façon générale, I'épaisseur de la couche SOI 3 est de 50 à 200 nm, et celle de la pellicule d'oxyde enterrée 2 est de 200 à 400 nm. Une pellicule d'oxyde (couche d'extension d'oxyde) OX11 d'en- viron 5 à 50 nm (50 à 500 A) d'épaisseur est formée sur la couche SOI 3 par dépôt chimique en phase vapeur dans une condition de température d'environ 800 C. Selon une variante, cette pellicule d'oxyde OX11 peut être formée par oxydation thermique de la couche SOI 3 dans une condi- tion de température d'environ 800 à 1000 C. Ensuite, on forme une couche de polysilicium (couche d'exten- sion d'oxyde) PS11 de 10 à 100 nm (100 à 1000 A) d'épaisseur sur la pellicule d'oxyde OX 1, par dépôt chimique en phase vapeur. Ensuite, on forme une pellicule de nitrure SN11 de 50 à 200 nm (500 à 2000 A) d'épaisseur sur la couche de polysilicium PS11, par dépôt chimique en phase vapeur dans une condition de température d'environ 7000C. On peut remplacer la pellicule de nitrure SN11 par une pellicule d'oxynitrure contenant de l'azote dans une proportion, en pourcentage, allant de quelques unités à quelques dizaines, formée dans une atmo- sphère consistant en un mélange d'azote et d'oxygène. Ensuite, on forme un masque de matière de réserve RM11 sur la pellicule de nitrure SN11, par définition de motif. Le masque de ma- tière de réserve RM11 a un motif comportant des ouvertures dans des parties qui correspondent aux positions de disposition des pellicules d'oxyde d'isolation partielle PT1 et PT2 et de la pellicule d'oxyde d'isola- tion combinée BT1 (figure 1). Dans une étape représentée sur la figure 4, on attaque la pelli- cule de nitrure de silicium SN11 conformément au motif d'ouverture du masque de matière de réserve RM11, et on l'utilise ensuite à titre de masque d'attaque pour enlever sélectivement la couche de polysilicium PS11, la pellicule d'oxyde OXIl1 et la couche SOI 3, par attaque par voie sèche, et pour former des tranchées TR1, TR2 et TR3 en correspondance avec les positions pour former les pellicules d'oxyde d'isolation partielle PT1 et PT2 et la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1. Bien que l'attaque de la couche SOI 3 doive être effectuée de façon à ne pas traverser la couche SOI 3, des défauts cristallins se pro- duisent si l'épaisseur de la couche SOI 3 se trouvant entre les parties de fond des tranchées TR1 à TR3 et la pellicule d'oxyde enterrée 2 est ex- cessivement réduite. Par conséquent, la condition d'attaque est fixée de façon que l'épaisseur soit au moins d'environ 10 nm. Dans une étape représentée sur la figure 5, on forme un mas- que de matière de réserve RM12 par une opération de définition de motif. Le masque de matière de réserve RM12 a un motif pour ouvrir seulement une partie déterminée de la tranchée TR2. Plus précisément, le motif du masque de matière de réserve RM12 est défini de façon à avoir une ou- verture seulement dans une région correspondant à une partie, atteignant la pellicule d'oxyde enterrée 2 à travers la couche SOI 3, de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 (figure 11) formée à une étape ultérieure. La tranchée TR2 est attaquée conformément au motif d'ouverture du masque de matière de réserve RM12, pour mettre à nu la pellicule d'oxyde enterrée 2. On enlève le masque de matière de réserve RM12 et ensuite on effectue une oxydation thermique de la surface à nu de la couche SOI 3, à travers la pellicule de nitrure SN11 remplissant la fonction d'un mas- que, à une étape représentée sur la figure 6, pour former une pellicule d'oxyde OX12. On attaque à nouveau la tranchée TR2 pour définir une tranchée TR21 ayant une partie qui traverse la couche SOI 3. On forme la pellicule d'oxyde OX12 de façon à éliminer un dommage occasionné par l'attaque pour la définition de motif dans la couche SOI 3, et pour obtenir des pellicules d'oxyde de grille qui ne sont pas sujettes au claquage diélectrique et qui ont une meilleure fiabilité. On forme la pellicule d'oxyde OX12 à une température d'environ 800 à 1350 C avec une épaisseur d'environ 1 à 60 nm (10 à 600 A). On peut effectuer le recuit dans une atmosphère d'azote, une atmosphère d'hydrogène ou une atmosphère d'argon, au moins avant ou après l'oxy- dation. La durée de traitement est d'environ 30 minutes à 2 heures lors- qu'on effectue ce recuit à une température relativement basse de 600 à 900 C, tandis que la durée de traitement est d'environ 2 secondes à 1 minute lorsqu'on effectue le recuit à une température relativement élevée de 900 à 1300 C. On peut améliorer la cristallinité de la surface la plus extérieure de la couche SOI 3 lorsqu'on effectue le recuit mentionné ci-dessus avant oxydation, tandis qu'on peut relaxer la contrainte appliquée à la couche SOI 3 à la suite du traitement thermique, lorsqu'on effectue le recuit mentionné ci-dessus après l'oxydation. Dans une étape représentée sur la figure 7, on forme une pelli- cule d'oxyde OX13 d'environ 300 à 600 nm d'épaisseur sur la totalité de la surface du substrat SOI 10, par dépôt chimique en phase vapeur, pour remplir complètement les tranchées TR1, TR3 et TR21 avec la pellicule d'oxyde OX13. La pellicule d'oxyde OX13 est formée par exemple par dépôt chimique en phase vapeur par plasma à haute densité, ou HDP-CVD. Le HDP-CVD, employant un plasma ayant une densité supérieure d'un ou de deux ordres de grandeur à celle employée dans le CVD par plasma géné- ral pour déposer une pellicule d'oxyde, en effectuant simultanément une pulvérisation cathodique et un dépôt, peut procurer une pellicule d'oxyde ayant une excellente qualité de pellicule. La pellicule d'oxyde OX13 a des parties irrégulières reflétant les formes de marches des tranchées TR1, TR3 et TR21, etc., et un mas- que de matière de réserve RM13 dans lequel est défini un motif pour re- couvrir les parties irrégulières, est formé sur la pellicule d'oxyde OX13. La pellicule d'oxyde OX13 est attaquée jusqu'à une profondeur déterminée conformément à un motif d'ouverture du masque de matière de réserve RM13, qui est ensuite enlevé à son tour pour obtenir une structure représentée sur la figure 8. Ce traitement est effectué pour améliorer l'uniformité d'épaisseur de la pellicule d'oxyde OX13 après que celle-ci a été soumise à un polissage chimio-mécanique (ou CMP) ulté- rieur. Dans une étape représentée sur la figure 9, la pellicule d'oxyde OX13 est polie jusqu'à une partie intermédiaire de la pellicule de nitrure SN11 par CMP, pour être aplanie. Ensuite, la pellicule de nitrure SN11 et la couche de polysilicium PS11 sont enlevées par attaque par voie hu- mide ou sèche, pour ainsi définir la forme des pellicules d'oxyde d'isola- tion partielle PT1 et PT2 et de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 représentées sur la figure 1. Dans une étape représentée sur la figure 10, on recouvre la région NR avec un masque de matière de réserve RM14 pour effectuer une implantation ionique d'une impureté de type n dans la couche SOI 3 de la région PR, à travers la pellicule d'oxyde OX11. A ce moment, on implante des ions de phosphore (P) avec une énergie de 80 à 200 keV et une dose de 3 x 1011 à 5 x 1013/cm2, pour réduire le perçage, par exem- ple, et on implante des ions de phosphore au voisinage de la surface de la couche SOI 3 avec une énergie de 20 à 100 keV et une dose de 3 x 1011 à 5 x 1011/cm2 pour fixer une tension de seuil. Dans une étape représentée sur la figure 11, on recouvre la région PR avec un masque de matière de réserve RM15 pour l'implanta- tion ionique d'une impureté de type p dans la couche SOI 3 de la région NR à travers la pellicule d'oxyde OX11. A ce moment, on implante des ions de bore avec une énergie de 80 à 200 keV et une dose de 3 x 1011 à 5 x 1013/cm2 pour réduire le perçage, par exemple, et on implante des ions de bore au voisinage de la surface de la couche SOI 3 avec une énergie de 5 à 40 keV et une dose de 3 x 1011 à 5 x 1011/cm2 pour fixer une tension de seuil. Dans une étape représentée sur la figure 12, on enlève la pelli- cule d'oxyde OX11 par attaque par voie humide et ensuite on forme sur la totalité de la surface du substrat SOI 10 une pellicule d'oxyde OX14 pour définir les pellicules d'oxyde de grille GOl 1 à GO13. Bien que, selon une variante, la pellicule d'oxyde OX11 puisse être enlevée immédiatement après la formation des pellicules d'oxyde d'isolation partielle PT1 et PT2 et de la pellicule d'oxyde d'isolation com- binée BT1, avant l'étape représentée sur la figure 10, il en résulte qu'une pellicule d'oxyde est formée dans ce cas pour protéger la surface de la couche SOI 3 dans l'implantation ionique représentée sur les figures 10 et 11, et cette pellicule d'oxyde est enlevée avant la formation de la pel- licule d'oxyde OX14. Ensuite, on forme sur la totalité de la surface de la pellicule d'oxyde OX14 une pellicule de polysilicium PS12 pour definir les électro- des de grille GT11 à GT13. Ensuite, on définit un motif dans la couche de polysilicium PS12 et la pellicule d'oxyde OX14, par une technique existante, pour donner une forme aux électrodes de grille GT1 1 à GT13 et aux pellicules d'oxyde de grille OX11 à OX13, et obtenir le dispositif SOI 100 repré- senté sur la figure 1, par formation des couches de source/drain SD11 à SD13, formation de la pellicule d'isolation inter-couche 9 et formation des contacts de grille GC et des contacts de source/drain SDC. A-2-2. Détails d'étapes innovantes On va maintenant décrire en détail les étapes de ce mode de réalisation en se référant aux figures 13 à 16. La figure 13 est un schéma détaillé montrant l'étape d'attaque de la tranchée TR2 représentée sur la figure 5. Comme représenté sur la figure 13, les surfaces d'extrémités de la couche de polysilicium PS11 sont en retrait en comparaison avec la pellicule de nitrure SN11 et la couche SOI 3, à cause de l'attaque anisotrope, telle qu'une attaque par voie humide, employée pour former la tranchée TR2. La figure 14 montre la tranchée TR21 formée par attaque de la couche SOI 3 à travers le masque de matière de réserve RM12. La sur- face d'extrémité droite de la couche de silicium polycristallin PS11 qui n'est pas recouverte par le masque de matière de réserve RM12 est en- core davantage en retrait. La figure 15 montre la tranchée TR21 dont des parois intérieu- res ont été oxydées comme représenté sur la figure 6. Comme le montre la figure 15, la surface d'extrémité de la couche SOI 3 est oxydée de fa- çon thermique pour changer la pellicule d'oxyde OX12, dans des condi- tions dans lesquelles le degré de changement de celle-ci, c'est-à-dire l'épaisseur de la pellicule d'oxyde OX12, n'est pas nécessairement uni- forme mais diffère sur les surfaces de parois latérales gauche et droite de la tranchée TR21. En d'autres termes, la surface d'extrémité de la couche de po- lysilicium PS11 est en retrait en comparaison avec la pellicule de nitrure SN11 et la couche SOI 3 sur la surface de paroi latérale droite de la tranchée TR21, et par conséquent de l'oxygène remplissant la fonction d'un oxydant s'infiltre profondément dans les espaces entre la couche de polysilicium PS11 et la pellicule d'oxyde OX11 et entre la pellicule d'oxyde OX11 et la couche SOI 3 pour ainsi élargir les régions oxydées de la couche de polysilicium PS11 et de la couche SOI 3, et augmenter l'épaisseur de la pellicule d'oxyde OX12 dans une partie (région A) pro- che de la partie de bord supérieur de la couche SOI 3, dans la direction verticale (perpendiculaire au substrat 10) et la direction horizontale (parallèle au substrat 10). Sur la partie de bord inférieur de la couche SOI 3, I'oxygène s'infiltre dans l'interface entre la couche SOI 3 et la pellicule d'oxyde enterrée 2 pour élargir la région oxydée de la couche SOI 3 et augmenter les épaisseurs horizontale et verticale de la pellicule d'oxyde OX12 dans une partie (région B) proche de la partie de bord inférieur de la couche SOI 3. Egalement sur la surface de paroi latérale gauche de la tran- chée TR21, la surface d'extrémité de la couche de polysilicium PS11 est enretrait en comparaison avec la pellicule de nitrure SN11 et la couche SOI 3, pour augmenter les épaisseurs verticale et horizontale de la pelli- cule d'oxyde OX12 dans une partie (région C) proche de la partie de bord supérieur de la couche SOI 3. Sur la partie de bord inférieur de la couche SOI 3, l'épaisseur de la couche SOI 3 est plus petite que celle du côté droit de la couche TR21, et par conséquent une pellicule d'oxyde formée par de l'oxygène s'infiltrant dans l'interface entre la couche SOI 3 et la pellicule d'oxyde enterrée 2 croît rapidement pour augmenter les épaisseurs horizontale et verticale de la pellicule d'oxyde OX12 dans une partie (région D) proche de la partie de bord inférieur, au-delà de celle sur la surface de paroi la- térale droite de la tranchée TR21. La figure 16 montre les détails de la forme de section de la pel- licule d'oxyde d'isolation combinée BT11 formée en remplissant avec la pellicule d'oxyde OX13 la tranchée TR21 dont les parois intérieures sont recouvertes par la pellicule d'oxyde OX12 ayant la forme mentionnée ci- dessus, en l'aplanissant, en enlevant ensuite la couche de polysilicium PS11, la pellicule de nitrure SN11 et la pellicule d'oxyde OX11, et en formant les pellicules d'oxyde de grille GO12 et GO13. Comme représenté sur la figure 16, des parties de bord de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 ont la forme de becs d'oiseau dans une pellicule d'oxyde d'isolation de type LOCOS ("local oxidation of silicon", c'est-à-dire "oxydation locale de silicium"). Ceci est un effet ré- sultant de l'augmentation des épaisseurs verticale et horizontale de la pellicule d'oxyde OX12 dans les parties proches de la partie de bord su- périeur de la couche SOI 3, comme représenté sur la figure 15. Par conséquent, des parties définissant les parties de bord des pellicules d'oxyde de grille GO12 et GO13 ont une épaisseur localement accrue. A-3. Fonction/effet Ainsi, les parties de bord de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 ont la forme de becs d'oiseau pour augmenter de ce fait seulement les épaisseurs des parties de bord des pellicules d'oxyde de grille G012 et G013. De façon générale, une pellicule d'oxyde de grille subit aisé- ment un claquage au voisinage d'une partie de bord o un champ électri- que tend à se concentrer, et par conséquent on peut éviter que les pelli- cules d'oxyde de grille G012 et G013 représentées sur la figure 16 ne subissent un claquage diélectrique, en augmentant les épaisseurs de leurs parties de bord. Seules les épaisseurs des parties de bord des pellicules d'oxyde de grille G012 et G013 sont augmentées, et par conséquent les caractéristiques de transistors ne sont pas dégradées, contrairement au cas de l'augmentation des épaisseurs de l'ensemble des pellicules d'oxyde de grille G012 et G013. En outre, seule l'étape de formation de la pellicule d'oxyde OX12 est exigée pour augmenter les épaisseurs des pellicules d'oxyde de grille G012 et G013 en particulier, et par consé- quent il est possible de minimiser une augmentation du coût de fabrica- tion résultant de l'augmentation du nombre d'étapes de fabrication. De l'oxygène s'infiltre dans l'interface entre la couche SOI 3 et la pellicule d'oxyde enterrée 2 pour former la pellicule d'oxyde OX12 sur cette interface au voisinage de la partie de bord inférieur de la couche SOI 3, grâce à quoi l'état d'interface entre la couche SOI 3 et la pellicule d'oxyde enterrée 2 peut être amélioré. Dans la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1, les formes des becs d'oiseau formés sur les parties de bord sont légèrement diffé- rentes l'une de l'autre sur les côtés des pellicules d'oxyde de grille G012 et GO13. Ceci vient du fait que la surface de paroi plus proche de la pel- licule d'oxyde de grille G012 est recouverte par le masque de matière de réserve RM12 pour définir la forme d'une pellicule d'oxyde d'isolation partielle au moment de la reprise de l'attaque de la tranche TR2, tandis que la surface de paroi plus proche de la pellicule d'oxyde de grille G013 est exposée à la reprise de l'attaque pour définir la forme d'une pellicule d'oxyde d'isolation complète, et par conséquent les formes des surfaces de parois gauche et droite de la couche de polysilicium PS11 diffèrent l'une de l'autre. Dans l'isolation LOCOS classique, ou autres, on forme une pel- licule d'oxyde d'isolation en oxydant une couche de silicium, et par con- séquent des parties de bord gauche et droite de la pellicule d'oxyde d'isolation ont une forme identique. Au contraire, dans la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1, conforme à l'invention, formée en combinant une pellicule d'oxyde d'isolation complète et une pellicule d'oxyde d'isolation partielle, les formes gauche et droite peuvent être différentes l'une de l'autre à cause du mécanisme mentionné ci-dessus, et par conséquent les formes des parties de bord gauche et droite de la pellicule d'oxyde d'isolation BT1 peuvent être optimisées sous la dépen- dance de transistors MOS ayant différentes spécifications. Bien que des parties inclinées supérieures (premières parties inclinées) sur des régions X et Y des parties de bord de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 représentée sur la figure 16 aient des formes de contour inclinées de manière douce, il est possible d'éviter qu'un matériau de grille inutile ne reste sur la surface de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT au moment o on enlève le matériau de grille inutile dans la mise en forme de la grille, à cause de telles formes de contour. D'autre part, une partie inclinée inférieure (seconde partie incli- née) dans une région Z a une forme de contour elliptique faisant saillie de manière arrondie vers la couche SOI 3, grâce à quoi il est possible de relaxer une contrainte occasionnée au voisinage de l'interface entre la couche SOI 3 et la pellicule d'oxyde d'isolation BT1, à cause d'un traite- ment thermique ou d'une oxydation effectué dans le processus de fabri- cation du dispositif à semiconducteur, pour empêcher l'apparition dans la couche SOI 3 de défauts cristallins occasionnés par une telle contrainte. Bien que la longueur d'une partie de marche SP sur la surface du côté gauche de la couche SOI 3 ne soit pas très grande en comparai- son avec sa hauteur dans la tranchée TR21 représentée sur la figure 15, une contrainte soulevant sa partie d'extrémité avant peut être appliquée à cause de la formation de la pellicule d'oxyde OX12 lorsque la longueur de la partie de marche SP est augmentée, ce qui réduit la robustesse structurale, et entraîne une formation partielle de défauts cristallins. La figure 17 représente de façon caractéristique cet état. Comme représenté sur la figure 17, I'extrémité avant de la partie de mar- che SP de la couche SOI 3 est soulevée par une telle contrainte, en oc- casionnant des défauts cristallins DF. Cependant, une partie indiquée par un symbole D n'influe pas directement sur les caractéristiques du tran- sistor, et aucun problème n'est occasionné par les défauts cristallins DF qui résultent de la contrainte accrue sur cette partie. Au contraire, les défauts cristallins DF peuvent remplir la fonction de sites de piégeage pour des impuretés de contamination. Lorsque la longueur de la partie de marche SP est augmentée pour séparer l'une de l'autre les régions C et D, il est possible de réduire une augmentation d'un champ électrique sur une partie d'extrémité d'élément. Un champ électrique d'une électrode de grille peut traverser la pellicule d'oxyde d'isolation BT1 et la pellicule d'oxyde enterrée 2, pour occasionner une élévation de potentiel sur la surface latérale de la cou- che SOI 3 ou dans la partie intérieure proche de la surface latérale, pour élever le champ électrique sur la partie d'extrémité d'élément dans une région E représentée sur la figure 17. Lorsque la longueur de la partie de marche SP est augmentée, le champ électrique ne peut pas entrer dans la partie intérieure de la couche SOI 3 proche de la surface latérale. Par conséquent, il est possible de réduire l'augmentation du champ électrique sur la partie d'extrémité d'élément dans la région E, pour contribuer à l'amélioration des caractéristiques de transistors. A-4. Modification Bien que la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 soit for- mée en combinant une pellicule d'oxyde d'isolation complète et une pelli- cule d'oxyde d'isolation partielle, comme décrit ci-dessus, et présente des formes de becs d'oiseau dans ses parties d'extrémités, on peut at- teindre un effet supplémentaire en optimisant les formes des parties de bord. La figure 18 est une partie d'une coupe montrant une pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1A dans laquelle la forme de chaque partie de bord est optimisée. La figure 18 montre la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BTIlA du côté d'une électrode de grille GT12. Dans une partie inclinée supérieure (première partie inclinée) représentée par une région Z, le contour de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BTIlA présente deux dépressions continues. Du fait de cette forme, un effet consistant à éviter qu'un maté- riau de grille inutile ne reste sur la surface est augmenté dans la mise en * forme de la grille, tandis qu'une marche faisant saillie à partir de la sur- face principale d'une couche SOI 3 peut être réduite en réduisant l'épaisseur de la partie de bord de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BTIlA, grâce à quoi une étape de formation de l'électrode de grille GT12, ou autres, est simplifiée. D'autre part, une partie inclinée inférieure (seconde partie incli- née) représentée par une région W sur la figure 18 a une forme faisant saillie de façon arrondie vers la couche SOI 3, et par conséquent il est possible de relaxer une contrainte occasionnée au voisinage de l'inter- face entre la couche SOI 3 et la pellicule d'oxyde d'isolation BT1A qui est occasionnée par un traitement thermique ou une oxydation effectué dans le processus de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, et il est possible d'empêcher que des défauts cristallins ne soient occasionnés dans la couche SOI 3 à cause d'une telle contrainte. On va maintenant décrire un procédé de fabrication de la pelli- cule d'oxyde d'isolation combinée BTIlA en se référant aux figures 19 à 22. La figure 19 montre une partie d'une tranchée TR21 formée de façon identique à la tranchée TR21 décrite en relation avec la figure 14. Des éléments identiques à ceux dans la figure 14 sont désignés par les mêmes numéros de référence. Dans une étape représentée sur la figure 20, on forme une pel- licule d'oxyde OX121 sur la paroi intérieure de la tranchée TR21. Alors que la pellicule d'oxyde OX12 représentée sur la figure 15 est formée par oxydation thermique à une température d'environ 800 à 1350 C, la pelli- cule d'oxyde OX121 est formée par oxydation par voie humide dans une condition de température d'environ 700 à 900 C ou par oxydation dans une atmosphère contenant HCI (acide chlorhydrique) et de l'oxygène. Par conséquent, la pellicule d'oxyde OX121 s'infiltre plus profondément à l'intérieur d'espaces entre la couche de polysilicium PS11 et une pellicule d'oxyde OX11, et entre la pellicule d'oxyde OX 1 et la couche SOI 3, pour rendre plus remarquable la forme d'un bec d'oiseau. Ensuite, on remplit la tranchée TR21 avec une pellicule d'oxyde OX13, qu'on aplanit à son tour par polissage chimio-mécanique pour ob- tenir une structure représentée sur la figure 21. La quantité de la pelli- cule d'oxyde OX13 polie par polissage chimio-mécanique est réduite d'environ 10 à 500 nm en comparaison avec celle à l'étape décrite en relation avec la figure 9, pour laisser la pellicule d'oxyde OX13 de façon que la position de la surface aplanie de la pellicule d'oxyde OX13 ne soit pas excessivement abaissée au-delà de la surface principale d'une pelli- cule de nitrure SN11, afin d'empêcher une attaque en excès au cours d'une attaque ultérieure fixée à un temps de traitement long. A une étape représentée sur la figure 22, on enlève la pellicule de nitrure SN11 et la couche de polysilicium PS11 par attaque par voie humide suivie par l'enlèvement de la pellicule d'oxyde OX11. A ce mo- ment, les conditions d'attaque sont fixées en excès de 50 à 100%, pour adoucir ainsi la forme de contour du bec d'oiseau de la pellicule d'oxyde OX13, tout en formant des dépressions dans le contour de la pellicule d'oxyde OX13 en correspondance avec les formes de contour de la pelli- cule de nitrure SN11 et de la couche de polysilicium PS11, pour obtenir ainsi la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1A. Lorsque la pellicule d'oxyde OX13 est attaquée de façon exces- sive au point que la surface supérieure de la pellicule d'oxyde d'isolation complète s'abaisse au-dessous de la surface principale de la couche SOI 3, le problème suivant apparaît: La figure 23 montre une pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1B formée de façon que sa surface supérieure soit située à une posi- tion inférieure à la surface principale d'une couche SOI 3. Du fait que la surface supérieure de la pellicule d'oxyde d'iso- lation combinée BT1B est inférieure à la surface principale de la couche SOI 3, une partie de bord d'une électrode de grille GT12 est déprimée vers la couche SOI 3, et l'électrode de grille GT12 s'enroule autour d'une partie de coin de la couche SOI 3. Par conséquent, un champ électrique se concentre dans une région Q pour occasionner désavantageusement un claquage dielectrique d'une pellicule d'oxyde de grille. Lorsque le champ électrique se concen- tre sur la région Q, il en résulte qu'une caractéristique d'un transistor MOS au-dessous du seuil présente une bosse. La figure 24 montre une caractéristique au-dessous du seuil idéale, C1, et une caractéristique au-dessous du seuil C2 ayant une bosse. En se référant à la figure 24 qui montre une tension de grille VG sur l'axe horizontal et un courant de drain ID sur l'axe vertical, on note que le courant de drain 'D augmente de façon exponentielle lorsque la tension de grille VG augmente dans la caractéristique au-dessous du seuil idéale, Cl, tandis que la caractéristique au-dessous du seuil C2 ayant une bosse, comprend une région dans laquelle le courant de drain ID n'augmente pas malgré l'augmentation de la tension de grille VG. La présence d'une telle bosse abaisse désavantageusement la tension de seuil d'un transistor parasite, pour débloquer aisément le transistor para- site, et par conséquent il est important d'éviter d'attaquer excessivement la pellicule d'oxyde OX13. B. Mode de réalisation 2 B-1. Structure du dispositif Dans le mode de réalisation 1 envisagé ci-dessus, les parties de bord de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 représentée sur la figure 16 ont la forme de becs d'oiseau, pour augmenter ainsi les épaisseurs des parties de bord des pellicules d'oxyde de grille GO12 et GO13. Les formes des becs d'oiseau ne sont que légèrement différentes l'une de l'autre dans les parties de bord gauche et droite, mais les formes des parties de bord peuvent être rendues nettement différentes l'une de l'autre. La figure 25 montre une structure en coupe d'une pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT2 ayant des formes de parties de bord nettement différentes. En se référant à la figure 25, on note que des éléments identiques à ceux représentés sur la figure 16 sont désignés par les mêmes numéros de référence. Comme représenté sur la figure 25, les épaisseurs sont mu- tuellement différentes sur une partie de bord gauche (plus proche d'une électrode de grille GT12) représentée comme une région X et sur une partie de bord droite (plus proche d'une électrode de grille GT13).repré- sentée comme une région Y. En d'autres termes, une saillie d'une partie de la partie de bord droite correspondant à la partie de bord de la pelli- cule d'oxyde de grille GO13 est inférieure en comparaison avec une saillie d'une partie de la partie de bord gauche correspondant à la partie de bord de la pellicule d'oxyde de grille GO12, et les épaisseurs des par- ties de bord des pellicules d'oxyde de grille GO12 et GO13 sont par con- séquent différentes l'une de l'autre. B-2. Fonction/effet Ainsi, des pellicules d'oxyde de grille ayant des épaisseurs dif- férentes des parties de bord peuvent être formées en augmentant l'épaisseur d'une partie de bord d'une pellicule d'oxyde d'isolation com- plète au-delà de celle d'une autre partie de bord, pour parvenir à une structure formée de façon appropriée entre un transistor MOS dans le- quel la fiabilité d'une pellicule d'oxyde de grille doit être améliorée, et un transistor MOS dont les caractéristiques de transistor sont fixées en con- sidérant les caractéristiques d'un transistor parasite plutôt que la fiabilité d'une pellicule d'oxyde de grille. Lorsqu'on commande des caractéristiques de transistor avec la tension de seuil d'un transistor parasite, I'épaisseur d'une partie de bord d'une pellicule d'oxyde de grille est plutôt réduite, du fait qu'il est indési- rable que la concentration de champ soit atténuée à cause d'une grande épaisseur sur la partie de bord de la pellicule d'oxyde de grille, pour augmenter la tension de seuil du transistor parasite. Dans ce cas, une structure telle que celle de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT2 est effective. B-3. Procédé de fabrication On va maintenant décrire un procédé de fabrication de la pelli- cule d'oxyde d'isolation combinée BT2, en se référant aux figures 26 à 31. La description suivante montre également un exemple de changement de la procédure de l'étape d'oxydation thermique de la paroi intérieure de la tranchée décrite en relation avec le mode de réalisation 1. Comme représenté sur la figure 26, on attaque une pellicule de nitrure SN11 conformément à un motif d'ouverture d'un masque de ma- tière de réserve RM11, et on l'utilise ensuite à titre de masque d'attaque pour attaquer une couche de polysilicium PS11, une pellicule d'oxyde OX 1 et une couche SOI 3 et pour former des tranchées TR1, TR2 et TR3 en correspondance avec des positions pour former des pellicules d'oxyde d'isolation partielle PT1 et PT2 et une pellicule d'oxyde d'isolation combi- née BT1. Une étape qui précède celle représentée sur la figure 26 est identique à celle pour la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 con- forme au mode de réalisation 1, décrite en relation avec la figure 3. La figure 26 montre la partie de la tranchée TR2 dans une étape identique à celle pour les tranchées TR1 à TR3 décrite en relation avec la figure 4, et des éléments identiques à ceux de la figure 4 sont désignés par les mê- mes numéros de référence. Dans une étape représentée sur la figure 27, la surface de la couche SOI 3 mise à nu dans la tranchée TR2 est soumise à une oxyda- tion thermique à travers la pellicule de nitrure SN11 remplissant la fonc- tion d'un masque, pour former une pellicule d'oxyde OX21. Lorsqu'une surface d'extrémité de la couche SOI 3 est soumise à une oxydation thermique pour devenir la pellicule d'oxyde OX21, son degré de change- ment, c'est-à-dire l'épaisseur de la pellicule d'oxyde OX21, est non uni- forme pour une raison similaire à celle relative à la pellicule d'oxyde OX21 décrite en relation avec la figure 15. Sur les surfaces de parois la- térales gauche et droite de la tranchée TR2, les surfaces d'extrémité de la couche de polysilicium PS11 sont en retrait en comparaison avec la pellicule de nitrure SN11 et la couche SOI 3, pour augmenter les épais- seurs verticale et horizontale de la pellicule d'oxyde OX21 au voisinage de la partie de bord supérieur de la couche SOI 3. Cependant, les épais- seurs sont pratiquement identiques l'une à l'autre sur les surfaces de pa- rois latérale gauche et droite. Ceci vient du fait que les surfaces latérales gauche et droite de la couche de polysilicium PS11 sont simplement ex- posées à une seule attaque à ce moment, et par conséquent les distan- ces de retrait des surfaces d'extrémité de la couche de polysilicium PS11 sont mutuellement équivalentes. Ceci s'applique également au cas dans lequel non seulement les surfaces d'extrémité de la couche de polysili- cium PS11 mais également celles de la pellicule de nitrure SN11 sont en retrait. On forme ensuite un masque de matière de réserve RM21 par définition de motif. Le masque de matière de réserve RM21 a un motif pour ouvrir une partie déterminée de la tranchée TR2 et une partie de la pellicule de nitrure SN11 du côté droit de la tranchée TR2. Plus précisé- ment, le masque de matière de réserve RM21 a un motif qui ouvre une région correspondant à une partie de la pellicule d'oxyde d'isolation com- binée BT2 (figure 25) formée ultérieurement, atteignant une pellicule d'oxyde enterrée 2 à travers la couche SOI 3, jusqu'à une partie sur la pellicule de nitrure SN11 correspondant à la région Y. La tranchée TR2 est attaquée conformément au motif d'ouverture du masque de matière de réserve RM21 pour mettre à nu la pellicule d'oxyde enterrée 2, de fa- çon à transformer la tranchée TR2 en une tranchée TR21 ayant une par- tie qui traverse le couche SOI 3, comme représenté sur la figure 28. En se référant à la figure 28, on note que la partie de la pelli- cule d'oxyde OX21 se trouvant sur la paroi latérale gauche de la tranchée TR2 a un faible changement de forme du fait qu'elle a été protégée par le masque de matière de réserve RM21, tandis que la forme de la partie de la pellicule d'oxyde OX21 se trouvant sur la surface de paroi latérale droite est changée par attaque. Une partie de la pellicule de nitrure SN11 se trouvant du côté droit de la tranchée TR21 est attaquée pour définir une partie de marche SP1. Dans une étape représentée sur la figure 29, la paroi intérieure de la tranchée TR21 est soumise à une oxydation thermique supplémen- taire pour augmenter l'épaisseur de la pellicule d'oxyde OX21, tandis que la surface à nu de la couche SOI 3 est oxydée pour former une pellicule d'oxyde OX22. Dans la pellicule d'oxyde OX22, les épaisseurs verticale et ho- rizontale au voisinage de la partie d'extrémité supérieure de la couche SOI 3 sont augmentées davantage en comparaison avec la pellicule d'oxyde OX21, tandis que les épaisseurs verticale et horizontale sont également augmentées sur la partie de bord inférieur de la couche SOI 3 de façon similaire à la pellicule d'oxyde OX12 décrite en relation avec la figure 15. La tranchée TR21 dont la surface intérieure est recouverte par la pellicule d'oxyde OX22 ayant la forme mentionnée ci-dessus est rem- plie avec une pellicule d'oxyde OX13 et aplanie par polissage chimio- mécanique, comme représenté sur la figure 30. En se référant à la figure 30, on note que l'épaisseur de la par- tie d'extrémité droite de la pellicule de nitrure SN11 ayant la partie de marche SP1 est réduite en comparaison avec la partie d'extrémité gau- che, ce qui fait que les épaisseurs des parties gauche et droite de la pel- licule d'oxyde aplanie OX13 sont différentes l'une de l'autre. Du fait que la pellicule de nitrure SN11 est employée à titre d'élément d'arrêt dans l'aplanissement par polissage chimio-mécanique, la partie de la pellicule d'oxyde OX13 plus proche de la partie d'extrémité droite réduite, avec la partie de marche SP1, est polie dans une plus grande mesure que la partie de la pellicule d'oxyde OX13 plus proche de I'extrémité gauche, et il en résulte que les épaisseurs de la pellicule d'oxyde OX13 aplanie sont par conséquent différentes l'une de l'autre. Ensuite, la couche de polysilicium PS11, la pellicule de nitrure SN11 et la pellicule d'oxyde OX11 sont enlevées, pour obtenir ainsi la forme en coupe de la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT2 repré- sentée sur la figure 31. La différence entre les épaisseurs gauche et droite de la pelli- cule d'oxyde OX13 aplanie reste également après l'enlèvement de la couche de polysilicium PS11, de la pellicule de nitrure SN11 et de la pel- licule d'oxyde OXI 1, par attaque. Par conséquent, I'épaisseur d'une partie de bord de la pellicule d'oxyde d'isolation complète peut être augmentée au-delà de celle de l'autre partie de bord, en rendant mutuellement différentes les épaisseurs gauche et droite de l'ouverture de la pellicule de nitrure employée à titre d'élément d'arrêt pour le polissage chimio-mécanique, de façon à obtenir une différence entre les épaisseurs gauche et droite de la pellicule d'oxyde aplanie. B-4. Modification Bien que l'épaisseur d'une partie d'extrémité de la pellicule de nitrure employée à titre d'élément d'arrêt pour le polissage chimio- mécanique soit réduite préalablement dans la description ci-dessus, I'épaisseur d'une partie d'extrémité d'une pellicule de nitrure peut égale- ment être réduite par un procédé décrit en relation avec les figures 32 à 38. La figure 32 illustre une étape identique à celle décrite en se référant à la figure 27, et des éléments identiques à ceux de la figure 27 sont désignés par les mêmes numéros de référence. L'étape représentée sur la figure 32 diffère de celle représen- tée sur la figure 27 seulement par le point consistant en ce que le mas- que de matière de réserve RM21 est remplacé par un masque de matière de réserve RM31 ayant une ouverture OP11 également au voisinage d'une partie de bord d'une pellicule de nitrure SN11 se trouvant du côté gauche d'une tranchée TR2. L'ouverture OP11 est disposée dans la di- rection d'extension de la tranchée TR2. La tranchée TR2 est attaquée conformément au motif d'ouver- ture du masque de matière de réserve RM31, pour mettre à nu une pelli- cule d'oxyde enterrée 2 et former une tranchée TR21, comme représenté sur la figure 33. La figure 33, correspondant à la structure représentée sur la figure 28, diffère de la figure 28 seulement par le point consistant en ce qu'une partie concave CP11 est formée sur la pellicule de nitrure SN11 en correspondance avec l'ouverture OP11 du masque de matière de ré- serve RM31. Dans une étape représentée sur la figure 34, la paroi intérieure de la tranchée TR2 est soumise à une oxydation thermique supplémen- taire pour augmenter l'épaisseur de la pellicule d'oxyde OX21, tandis que la surface à nu de la couche SOI 3 est oxydée pour former une pellicule d'oxyde OX22. Dans une étape représentée sur la figure 35, la tranchée TR21 dont la surface intérieure est recouverte par la pellicule d'oxyde OX22 est remplie avec une pellicule d'oxyde OX13. Comme décrit ci-dessus, la pellicule d'oxyde OX13 est formée par dépôt chimique en phase vapeur par plasma à haute densité (ou HDP-CVD). La formation de pellicule par HDP-CVD est caractérisée en ce qu'il apparaît une grande différence entre les épaisseurs d'une pellicule formée sur une surface plane large et plate, et d'une pellicule formée sur une surface plane étroite et irrégulière. Comme représenté sur la figure 35, une saillie DP sur la partie de bord de la pellicule de nitrure SN11, définie par une partie concave CP11, a une étendue étroite, tandis que l'épaisseur de la pellicule d'oxyde OX13 dans une région P formée par dessus est plus petite que celle de la partie de la pellicule d'oxyde OX13 formée sur la pellicule de nitrure SN11 à l'extérieur de la partie concave CP11 (à côté de la tranche TR21). En se référant à la figure 35, on note que le masque de matière de réserve RM13 ayant un motif défini de façon à recouvrir une partie irrégulière reflétant la forme de marche de la tranchée TR21, comme dé- crit en relation avec la figure 7, est formé sur la pellicule d'oxyde OX13, et ce masque de matière de réserve RM13 est disposé de façon à recou- vrir la région P de la pellicule d'oxyde OX13. La pellicule d'oxyde OX13 est attaquée jusqu'à une profondeur déterminée conformément au motif d'ouverture du masque de matière de réserve RM13, après quoi celui-ci est retiré comme représenté sur la fi- gure 36. En se référant à la figure 36, on note que l'épaisseur d'une ré- gion S de la pellicule d'oxyde OX13 se trouvant sur une partie de marche SP1 de la pellicule de nitrure SN11 est pratiquement identique à l'épais- seur de la région P de la pellicule d'oxyde OX13, et ces régions S et P sont polies de façon identique au moment de l'aplanissement de la pelli- cule d'oxyde OX13 par polissage chimio-mécanique dans cet état. Comme représenté sur la figure 37, la saillie DP de la pellicule de nitrure SN11 est également polie dans la région P, et la partie con- cave CP11 disparaît pour définir une partie de marche SP2. Par conséquent, les épaisseurs gauche et droite de la pellicule d'oxyde OX13 aplanie sont uniformisées au voisinage des parties d'ex- trémité gauche et droite de la pellicule de nitrure SN11. Ensuite, la couche de polysilicium PS11, la pellicule de nitrure SN11 et la pellicule d'oxyde OX11 sont enlevées pour obtenir la forme en coupe d'une pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT3 représentée sur la figure 38. Dans la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT3, les parties de bord gauche et droite ont des saillies de hauteurs équivalentes et d'épaisseurs identiques. Les épaisseurs gauche et droite de la pellicule d'oxyde OX13 aplanie sont uniformes et le restent également après l'enlèvement de la couche de polysilicium PS 11, de la pellicule de nitrure SN11 et de la pellicule d'oxyde OX 1 par attaque. Par conséquent, il en résulte qu'un effet similaire à celui obtenu en réduisant préalablement l'épaisseur d'une partie d'extrémité de la pel- licule de nitrure, est obtenu en formant une partie irrégulière ayant une étendue étroite sur une partie d'extrémité de la pellicule de nitrure em- ployée comme l'élément d'attaque pour le polissage chimio-mécanique. Bien que l'attaque de formation de tranchée soit effectuée avec un masque d'attaque ayant la structure obtenue en empilant la pellicule d'oxyde OX11l, la couche de polysilicium PS11 et la pellicule de nitrure SN11 sur la couche SOI 3 dans chacun des modes de réalisation 1 et 2 de la présente invention, envisagés ci-dessus, la couche de polysilicium PS11 peut ne pas être utilisée et la pellicule de nitrure SN11 peut être formée directement sur la pellicule d'oxyde OXI1. Dans ce cas, les becs d'oiseau sont formés par oxydation thermique de la pellicule d'oxyde OX 1l. Bien que les formes des parties de bord des pellicules d'oxyde d'isolation combinées BT1 à BT3 formées en combinant des pellicules d'oxyde d'isolation complète et des pellicules d'oxydes d'isolation par- tielle, soient définies arbitrairement dans les modes de réalisation 1 et 2, les pellicules d'oxyde d'isolation complète et les pellicule d'oxyde d'isola- tion partielle peuvent évidemment être définies également de façon simi- laire. Bien que la présente invention soit appliquée à la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée constituant la pellicule d'oxyde d'isola- tion pour des transistors MOS formés sur un substrat SOI dans chacun des modes de réalisation 1 et 2, la présente invention n'est pas restreinte à ceci, mais est évidemment également applicable au cas de l'utilisation d'une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée à titre de pellicule d'oxyde d'isolation pour des transistors MOS formés sur un substrat en silicium massif. C. Fonction et/ou effet supplémentaire commun aux modes de réalisation 1 et 2 Bien qu'on ait décrit en relation avec les modes de réalisation 1 et 2 envisagés précédemment une fonction et/ou un effet consistant en ce que les parties de bord ont la forme de becs d'oiseau pour ainsi aug- menter seulement les épaisseurs des parties de bord de la pellicule d'oxyde de grille, la fonction et/ou l'effet suivant est également atteint. La figure 39 montre une structure en coupe selon la ligne A-O- C sur la figure 2. En se référant à la figure 39, on note qu'une région de corps BR de la région NR dans laquelle sont disposés les transistors NMOS Mll et M12, est une région d'impureté de type p ayant une con- centration relativement élevée dont l'étendue est définie par la pellicule d'oxyde d'isolation combinée BT1 et la pellicule d'oxyde d'isolation par- tielle PT1. La région de corps BR est connectée électriquement à la ré- gion de canal (type p) du transistor NMOS Ml (et M12) à travers la cou- che SOI 3 (région de puits de type p) située au-dessous de la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1. La figure 39 montre une étape de recouvrement du transistor NMOS Mll (et M12) avec le masque de matière de réserve RM31 et d'im- plantation d'une impureté de type p dans la région de corps BR et la cou- che de source/drain du transistor PMOS (non représenté). La figure 40 montre une étape de recouvrement de la région de corps BR et du transistor PMOS (non représenté) avec un masque de matière de réserve RM32 et d'implantation d'une impureté de type n dans la couche de source/drain du transistor NMOS Ml (et M12). Bien que l'ordre des étapes représentées sur les figures 39 et ne soit pas limité, la région de corps BR et la région de canal du tran- sistor NMOS Mll (et M12) doivent être connectées par l'intermédiaire de la région d'impureté de type p. Par conséquent, au moment de l'implantation de l'impureté de type p, la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 doit être recouverte par le masque de matière de réserve RM32 pour empêcher l'implantation de l'impureté de type n à travers la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1. Cependant, la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 peut être incomplètement recouverte à cause d'un déplacement du masque de ma- tière de réserve RM32, ou autres, et l'impureté de type n peut passer à travers la pellicule d'oxyde d'isolation partielle PT1 si son épaisseur est faible. Cependant, dans la présente invention, les formes des parties de bord sont commandées dans la pellicule d'oxyde d'isolation partielle, la pellicule d'oxyde d'isolation complète et la pellicule d'oxyde d'isolation combinée, pour commander la forme de la partie de bord définissant un élément de bord, tout en maintenant l'épaisseur dans les parties restan- tes, grâce à quoi il est possible d'éviter un phénomène consistant en ce que les pellicules d'oxyde d'isolation sont si minces qu'une impureté in- désirable les traverse. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être ap- portées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur, comprenant: un substrat semi- conducteur; une multiplicité d'éléments à semiconducteur formés sur le substrat semiconducteur; et une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée (BT1, BTIA, BT2, BT3) obtenue en enterrant une pellicule d'oxyde dans une tranchée formée dans la surface du substrat semiconducteur, pour isoler électriquement la multiplicité d'éléments à semiconducteur par la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée, caractérisé en ce que la pelli- cule d'oxyde d'isolation par tranchée a des formes de contour différentes pour la partie de bord supérieur sur les côtés gauche et droit dans une section transversale de la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée. 2. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que le substrat semiconducteur est un substrat SOI (10) comprenant un substrat en silicium (1), une pellicule d'oxyde enterrée (2) disposée sur le substrat en silicium et une couche SOI (3) disposée sur la pellicule d'oxyde enterrée, et en ce que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée est disposée dans la surface du substrat SOI. 3. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a une forme de contour selon laquelle sa partie de bord supérieur fait saillie dans la surface du substrat semiconducteur sous la forme d'un bec d'oiseau. 4. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, carac- térisé en ce que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a des formes différentes sur les côtés gauche et droit dans sa section transversale, et elle comprend en combinaison: une structure de tranchée complète at- teignant la pellicule d'oxyde enterrée à travers la couche SOI, et une structure de tranchée partielle ayant la couche SOI à sa partie inférieure. 5. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 3, carac- térisé en ce que la hauteur d'une saillie sur une partie de base de la par- tie de bord supérieur faisant saillie sous la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée complète est relativement faible, et la hauteur d'une saillie sur une partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie sous la forme d'un bec d'oiseau du côté de la structure de tran- chée partielle est relativement grande, dans la pellicule d'oxyde d'isola- tion par tranchée. 6. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 3, carac- térisé en ce que la longueur de la partie de bord supérieur faisant saillie sous la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée com- plète est relativement grande, et la longueur de la partie de bord supé- rieur faisant saillie sous la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée partielle est relativement petite, dans la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée. 7. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 6, carac- térisé en ce que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a des formes de contour différentes d'une partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie sous la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée partielle, entre une première partie inclinée dans une direction s'éloignant de la couche SOI, et une seconde partie inclinée dirigée vers la couche SOI; la première partie inclinée a une forme de contour prati- quement rectiligne; et la seconde partie inclinée a une forme de contour faisant saillie de manière arrondie vers la couche SOI. 8. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 6, carac- térisé en ce que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a des formes de contour différentes d'une partie de base de la partie de bord supérieur faisant saillie sous la forme du bec d'oiseau du côté de la structure de tranchée partielle, entre une première partie inclinée dans une direction s'éloignant de la couche SOI, et une seconde partie inclinée dirigée vers la couche SOI; la première partie inclinée a une forme de contour dépri- mée de manière arrondie en direction de la couche SOI; et la seconde partie inclinée a une forme de contour faisant saillie de manière arrondie vers la couche SOI. 9. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, carac- térisé en ce que la pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée a une forme de contour telle que sa partie de bord inférieur fasse saillie entre la cou- che SOI et la pellicule d'oxyde enterrée. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) on prépare un substrat SOI (10) comprenant un substrat en silicium (1), une pellicule d'oxyde enterrée (2) disposée sur le substrat en silicium et une couche SOI (3) disposée sur la pellicule d'oxyde enterrée; (b) on forme une cou- che d'extension d'oxyde (OX11, PS11) sur la couche SOI; (c) on forme une couche de masque (SN11) ayant un motif d'ouverture déterminé sur la couche d'extension d'oxyde; (d) on forme une tranchée (TR2) en enle- vant sélectivement la couche SOI à travers la couche de masque, sans traverser la couche SOI à partir de la surface; (e) on forme un masque de matière de réserve (RM12) ayant une ouverture dans une première région entre une position déterminée au moins sur la surface de fond de la tranchée et une première surface de paroi latérale dans une section transversale, et recouvrant une seconde région entre au moins la position déterminée et une seconde surface de paroi latérale dans la section transversale; (f) on enlève de la matière de la tranchée pour atteindre la pellicule d'oxyde enterrée, à travers le masque de matière de réserve, pour former une tranchée combinée (TR21) ayant une partie correspon- dant à la seconde région qui est une tranchée partielle ayant la couche SOI sur sa partie inférieure, et une partie correspondant à la première région qui est une tranchée complète traversant la couche SOI; (g) on forme une première pellicule d'oxyde (OX12) sur la paroi intérieure de la tranchée combinée, par oxydation thermique de la paroi intérieure de la tranchée combinée et de la couche d'extension d'oxyde; et (h) on forme une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée (BT1) ayant, en combinai- son, une structure de tranchée complète atteignant la pellicule d'oxyde enterrée à travers la couche SOI, et une structure de tranchée partielle ayant la couche SOI sur sa partie inférieure, en remplissant la tranchée combinée avec une seconde pellicule d'oxyde (OX13). 11. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) on prépare un substrat SOI (10) comprenant un substrat en silicium (1), une pellicule d'oxyde enterrée (2) disposée sur le substrat en silicium et une couche SOI (3) disposée sur la pellicule d'oxyde enterrée; (b) on forme une cou- che d'extension d'oxyde (OX11, PS11) sur la couche SOI; (c) on forme une couche de masque (SN11) ayant un motif d'ouverture déterminé sur la couche d'extension d'oxyde; (d) on forme une tranchée (TR2) en enle- vant sélectivement la couche SOI à travers la couche de masque, sans traverser la couche SOI à partir de la surface; (e) on forme une première pellicule d'oxyde (OX21) sur la paroi intérieure de la tranchée, par oxy- dation thermique de la paroi intérieure de la tranchée et de la couche d'extension d'oxyde; (f) on forme un masque de matière de réserve (RM12) ayant une ouverture dans une première région entre une position déterminée au moins sur la surface de fond de la tranchée et une pre- mière surface de paroi latérale dans une section transversale, et recou- vrant une seconde région entre au moins la position déterminée et une seconde surface de paroi latérale dans la section transversale; (g) on enlève de la matière de la tranchée pour atteindre la pellicule d'oxyde enterrée, à travers le masque de matière de réserve, pour former une tranchée combinée (TR21) ayant une partie correspondant à la seconde région qui est une tranchée partielle ayant la couche SOI sur sa partie inférieure, et une partie correspondant à la première région qui est une tranchée complète traversant la couche SOI; et (h) on forme une pellicule d'oxyde d'isolation par tranchée (BT2) ayant en combinaison une struc- ture de tranchée complète atteignant la pellicule d'oxyde enterrée à tra- vers la couche SOI, et une structure de tranchée partielle ayant la cou- che SOI sur sa partie inférieure, en remplissant la tranchée combinée avec une seconde pellicule d'oxyde. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur se- lon la revendication 10 ou la revendication 11, caractérisé en ce que la couche d'extension d'oxyde comprend: une pellicule d'oxyde disposée sur la couche SOI, et une couche de silicium polycristallin disposée sur la pellicule d'oxyde. 13. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur se- lon la revendication 10 ou la revendication 11, caractérisé en ce que l'étape (h) comprend les étapes suivantes: (h-1) on forme la seconde pellicule d'oxyde de façon à remplir la tranchée combinée et à recouvrir la totalité de l'étendue de la couche de masque, et (h-2) on aplanit la se- conde pellicule d'oxyde par polissage chimio-mécanique à travers la cou- che de masque remplissant la fonction d'un élément d'arrêt. 14. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur se- lon la revendication 13, caractérisé en ce que l'ouverture du masque de matière de réserve est formée sur la première région et une première partie de bord de la couche de masque adjacente à la première région, et la première partie de bord de la couche de masque est enlevée de façon à avoir une marche en association avec la formation de la tranchée com- binée, afin de réduire partiellement l'épaisseur de la couche de masque. 15. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur se- Ion la revendication 13, caractérisé en ce que le masque de matière de réserve comprend en outre une ouverture locale (OP11) disposée sur, au moins, une première région déterminée d'une première partie de bord de la couche de masque adjacente à la première région, ou une seconde région déterminée d'une seconde partie de bord de la couche de masque adjacente à la seconde région; et une partie concave (CP11) est formée dans, au moins, la première région déterminée ou la seconde région dé- terminée de la couche de masque, en association avec la formation de la tranchée combinée.