FR 2805654 A1 20010831 FR 0017166 A 20001228 Etat de la technique La présente invention concerne un procédé et un dispositif servant à rafraîchir le contenu d'au moins une cellule d'une mémoire morte. L'invention concerne en outre un appareil numérique de commande servant à commander et/ou à réguler des fonctions déterminées dans un véhicule auto- mobile, avec un micro-ordinateur pour prendre en charge un programme de commande mis en mémoire au moins en partie dans une mémoire morte. Un appareil de commande numérique est utilisé dans un véhicule automobile pour commander et/ou pour régu- ler des fonctions déterminées dans le véhicule automobile. En particulier l'appareil de commande sert à commander et/ou à réguler le moteur à combustion interne, la boîte de vitesse, les freins, le chauffage et la climatisation. L'appareil de commande comprend un micro- ordinateur avec un microprocesseur, une mémoire de program- mes, une mémoire de variables et des circuits d'entrée et de sortie. Le microprocesseur constitue l'unité centrale de commande et de calcul et on la désigne aussi par l'expres- sion (CPU) "Central Processing Unit" (Unité Centrale de Traitement). La mémoire des programmes contient une série d'ordres à faire traiter par le microprocesseur, c'est-à- dire le programme de commande. La mémoire de programmation consiste en règle générale en une mémoire morte, car le programme de commande doit demeurer sauvegardé même en cas de panne de la tension de fonctionnement. Dans la mémoire des variables on dépose les variables nécessaires pour le déroulement du programme de commande ou les variables pro- duites pendant le déroulement du programme de commande. La mémoire des variables consiste en règle générale en une mé- moire de lecture et d'écriture avec saisie à volonté, c'est-à-dire une mémoire vive (Random Access Memory, RAM). La communication avec les appareils périphériques, tels que par exemple l'unité d'affichage, le clavier, la mémoire de masse etc. a lieu au moyen des circuits d'entrée et de sor- tie. Pour la communication du microprocesseur avec la mé- moire de programmation, avec la mémoire des données et avec les circuits d'entrée et de sortie il est prévu par exemple trois systèmes de bus. Le microprocesseur indique une adresse voulue de mémoire au moyen d'un bus d'adresses. Le microprocesseur détermine au moyen d'un bus de contrôle s'il faut lire ou écrire. L'échange des données a lieu au moyen d'un bus de données. On désigne aussi les mémoires mortes par l'ex- pression (ROM) Read Only Memory. En dehors des mémoires de programmes on prévoit aussi dans un microprocesseur des mé- moires mortes pour différentes autres missions. Comme les mémoires mortes dans le cas normal sont seulement faites pour la lecture, elles conviennent à la mise en mémoire de tables et de programmes. Le contenu des mémoires mortes de- meure conservé quand on débranche la tension d'alimentation pour une durée finie. Cette durée est de l'ordre de plu- sieurs années. Un type spécial de mémoire ROM est la mémoire EEPROM (Electronically Erasable ROM), c'est-à-dire mémoire morte effaçable par voie électronique. Dans le cas de ce composant il s'agit d'une mémoire que l'on peut effacer et programmer électroniquement. Les informations mises en mé- moire demeurent aussi conservées, une fois que la tension d'alimentation a été débranchée. Immédiatement après la programmation des cellu- les d'une mémoire morte on a l'état de charge sur une charge de programmation. En raison d'effets parasites dans la cellule de la mémoire la charge des cellules de la mé- moire baisse pendant l'intervalle de temps fini de façon continue en partant de la charge de programmation, jusqu'à ce qu'elle tombe finalement en dessous d'une charge de lec- ture. La charge de lecture caractérise la charge d'une cel- lule de la mémoire, nécessaire pour que l'amplificateur de lecture puisse identifier l'état correct (programmé/ef- facé). La baisse de l'état de charge des cellules de la mé- moire en dessous de la charge de lecture conduit à ce que les informations mises en mémoire dans les cellules de la mémoire sont lues d'une manière fausse. On ne peut pas alors effectuer de façon correcte un code de programme et on en arrive à avoir un fonctionnement défectueux ou même à un défaillance totale du micro-ordinateur et de cette façon aussi de l'appareil de commande. La présente invention a pour objet d'éviter un fonctionnement défectueux ou une panne d'un micro- ordinateur saisissant une mémoire morte du fait de pertes de données dans une mémoire morte. Pour résoudre ce problème l'invention propose un procédé, caractérisé par les séquences suivantes: déter- mination de l'état actuel de charge de la cellule de la mé- moire; comparaison de l'état actuel de charge avec un seuil de charge, qui se trouve au-dessus d'une charge de lecture, qui est nécessaire pour identifier correctement le contenu de la cellule de la mémoire; et élévation de l'état de charge de la cellule de la mémoire, au cas o l'état actuel de charge de la cellule de la mémoire se trouve en dessous du seuil de charge. Avantages de l'invention. L'état de charge de la cellule de la mémoire morte est chargé dans le cadre de la programmation ou de la déprogrammation de la cellule de la mémoire sur une charge de programmation (ou une charge d'effaçage). Du fait d'ef- fets parasites (par exemple pièges dans les oxydes) dans la cellule de la mémoire l'état de charge de la cellule de la mémoire baisse lentement en partant de la charge de pro- grammation ou de la charge d'effaçage pendant un intervalle de temps fini de plusieurs années. Le déroulement dans le temps de la décharge peut être fortement fonction de para- mètres d'environnement, en particulier de la température ambiante et on ne peut en conséquence la prédire que d'une manière insuffisante. Selon l'invention on compare pour cette raison l'état de charge de la cellule de la mémoire pendant cet intervalle de temps à un seuil de charge, qui se trouve au-dessus de la charge de lecture qui est la con- dition préalable pour avoir une identification correcte de l'état de programmation ou d'effacement d'une cellule de mémoire. Quand l'état de charge de la cellule de mémoire tombe en dessous de la charge de lecture, on en arrive à avoir une perte de données dans la cellule de mémoire. Pour cette raison on élève l'état de charge de la cellule de mé- moire dès que l'état de charge actuel de la cellule de mé- moire tombe en, dessous du seuil de charge, c'est-à-dire encore avant qu'il ne puisse se produire une perte des don- nées déposées dans la cellule de mémoire. Grâce au procédé selon la présente invention on peut allonger la durée de vie des données dans une mémoire morte d'une façon décisive. Ceci est intéressant en parti- culier pour des mémoires mortes qui sont des parties cons- titutives d'un micro-ordinateur d'un appareil de commande pour un véhicule automobile, car même en cas de perte de charge des cellules de mémoire les informations mises en mémoire dans la mémoire morte sont conservées correctement grâce au rafraîchissement. On choisit le seuil de charge assez loin au- dessus de la charge de lecture pour que les informations déposées dans la cellule de mémoire puissent avec le seuil de charge être encore lues de façon sûre même dans le pire des cas (par exemple à hautes températures). Le procédé selon l'invention détermine pour chaque cellule de mémoire, pour chaque bloc avec plusieurs cellules de mémoire ou pour chaque mémoire morte avec plu- sieurs blocs l'instant optimal pour élever l'état de charge de la cellule de mémoire. Quand l'état de charge d'une cel- lule de mémoire est tombé en dessous du seuil de charge, on peut élever l'état de charge des cellules de mémoire du bloc, dans lequel est disposé cette cellule de mémoire, ou de toutes les cellules de la mémoire morte. A l'aide du procédé selon l'invention, on peut aussi prendre en compte des tolérances lors de la fabrication des cellules de mé- moire d'une mémoire morte, ou une dispersion des composants en ce qui concerne l'intervalle de temps fini pour lequel la conservation de la charge des cellules de mémoire est garanti. Le procédé selon l'invention peut être utilisé de façon universelle pour des mémoires mortes différentes. En dehors d'un circuit de rafraîchissement il n'y a pas be- soin pour réaliser le procédé de matériel supplémentaire dans la mémoire morte ou dans le micro-ordinateur. Le cir- cuit de rafraîchissement peut être intégré dans la mémoire morte. Selon un développement avantageux de la pré- sente invention il est proposé d'élever l'état de charge de la cellule de mémoire à la charge de programmation d'une cellule de mémoire fraîchement programmée. Selon ce déve- loppement l'état de charge d'une cellule de mémoire dont l'état de charge a été élevé, se trouve à nouveau pour une durée finie au-dessus de la charge de lecture, c'est-à-dire que le maintien de la charge de la cellule de mémoire peut être garantie pour de nouvelles années. Selon une forme préférée de réalisation de la présente invention, il est proposé de mettre entre temps en mémoire pour élever l'état de charge de la cellule de mé- moire le contenu de la cellule de la mémoire dans une autre cellule de mémoire, d'effacer la cellule de mémoire et de programmer à nouveau dans la cellule de mémoire le contenu de l'autre cellule de mémoire. Pour élever l'état de charge d'une cellule de mémoire on programme à nouveau la cellule de mémoire dans une certaine mesure avec son contenu. Le processus de programmation a lieu d'une manière connue en soi par l'état de la technique en appliquant une tension de programmation à la cosse de tension de programmation de la mémoire morte. Pour déterminer l'état de charge actuel de la cellule de mémoire on se sert de préférence du procédé de lecture en marge connu par l'état de la technique. Il est connu d'utiliser le procédé de lecture en marge lors de la programmation ou de l'effacement d'une cellule de mémoire d'une EPROM (mémoire morte programmable effaçable), d'une EEPROM (mémoire morte effaçable par voie électronique) ou d'une mémoire Flash, pour vérifier s'il y a une charge suf- fisamment grande sur la cellule de mémoire pour la program- mer ou l'effacer. Selon une autre forme préférée de réalisation de la présente invention il est proposé, pour déterminer l'état de charge actuel de la cellule de mémoire d'appliquer lors d'une phase de contrôle de la cellule de mémoire une tension de contrôle plus élevée que la tension de fonctionnement sur la cellule de mémoire, et de vérifier si la charge de la cellule de mémoire est suffisante, pour faire basculer la charge d'une première charge capacitive raccordée à la cellule de mémoire. Selon cette forme de réalisation on se sert alors du procédé de lecture en marge pour vérifier s'il y a une charge suffisamment grande sur la cellule de mémoire pour pouvoir identifier l'état cor- rect (programmé ou effacé) de la cellule de mémoire. En variante il est proposé, pour déterminer l'état actuel de charge de la cellule de mémoire lors d'une phase de contrôle de la cellule de mémoire, de vérifier à la tension de fonctionnement appliquée sur la cellule de mémoire, si la charge de la cellule de mémoire est suffi- sante, pour faire basculer la charge d'une deuxième charge capacitive raccordée à la cellule de mémoire, qui est plus grande que la première charge capacitive. Grâce à ces deux formes de réalisation alterna- tives on vérifie lors de la phase de contrôle si l'état de charge est tombé en dessous du seuil de charge. Le déroule- ment de l'état de charge de la cellule de mémoire est dé- placé lors de la phase de contrôle par la tension de contrôle ou par la charge capacitive plus grande dans une certaine mesure vers une charge plus faible. Quand le dé- roulement déplacé de l'état de charge tombe en dessous de la charge de lecture, le déroulement effectif de l'état de charge est par contre justement tombé en dessous du seuil de charge. Quand la cellule de mémoire fonctionne normale- ment la tension de fonctionnement se trouve sur la cosse de la tension de programmation de la mémoire morte et la pre- mière capacité (ligne primaire) est raccordée à la cellule de mémoire. Pour déterminer si l'état de charge actuel de la cellule de mémoire se trouve en dessous du seuil de charge, on lit le contenu de la mémoire de manière avanta- geuse une fois en fonctionnement normal et une fois pendant une phase de contrôle à partir de la cellule de mémoire, et on compare les uns avec les autres les contenus lus de la mémoire. D'une manière avantageuse le procédé selon l'invention est mis en oeuvre par blocs pour plusieurs cel- lules d'une mémoire morte, une première somme de contrôle, en fonctionnement normal, étant formée à partir du contenu de la mémoire de toutes les cellules de mémoire d'un bloc, et pendant une phase de contrôle, une deuxième somme de contrôle étant formée à partir des cellules de mémoire de ce même bloc, et les deux sommes de contrôle étant compa- rées l'une à l'autre. Au cas o les deux sommes de contrôle présentent un écart l'une par rapport à l'autre, l'état de charge d'au moins une cellule de mémoire du bloc est tombé en dessous du seuil de charge et en raison de cela l'état de charge de l'ensemble des cellules de mémoire du bloc est relevé. Selon une forme préférée de réalisation de la présente invention, il est proposé de se servir du procédé selon l'invention pour conserver le contenu d'une cellule de mémoire morte, qui est une partie constitutive d'un mi- cro-ordinateur d'un appareil de commande numérique pour un véhicule automobile. D'une manière avantageuse le procédé est mis en oeuvre pendant la marche du véhicule automobile et/ou pendant la marche à vide de l'appareil de commande. Après le débranchement d'un circuit principal ou de la clé de contact du véhicule automobile, l'appareil de commande effectue une marche à vide, pour passer en revue de façon contrôlée l'ensemble des fonctions à commander dans le vé- hicule automobile. Pendant cette marche à vide de l'appa- reil de commande on peut aussi vérifier l'état de charge des cellules de mémoire morte et le cas échéant le relever. En variante on peut aussi mettre en oeuvre le procédé selon l'invention après le branchement de l'appareil de commande pendant le déroulement. Le procédé selon l'invention est mis en oeuvre d'une manière avantageuse en fonction de la durée de fonc- tionnement, de la distance parcourue par le véhicule auto- mobile, et/ou du nombre de cycles de marche du véhicule automobile. Un cycle de marche est respectivement initié par le branchement d'un circuit principal et ou l'actionne- ment de la clé de contact, et il est achevé en débranchant le circuit principal ou en tournant la clé de contact dans le sens de l'arrêt. Comme l'intervalle de temps fini d'une durée de plusieurs années pour lequel le niveau de charge des cellules de mémoire est garanti, est relativement long, il suffit de faire complètement un contrôle de l'état de charge des cellules de mémoire à d'assez grands intervalles de temps, pour être sûr de conserver le contenu de la mé- moire morte. De même on peut mettre en oeuvre le procédé selon la présente invention à des intervalles de temps sen- siblement plus courts quand les cellules de mémoire perdent leur charge sensiblement plus vite. Pour résoudre le problème, la présente inven- tion propose en partant du dispositif servant à rafraîchir le type de solution mentionné au début, que le dispositif présente un circuit de rafraîchissement avec des moyens pour mettre en oeuvre le procédé selon l'invention. Le dis- positif selon l'invention peut faire partie intégrante d'une mémoire morte. La mémoire morte fait de préférence partie d'un micro-ordinateur. Le micro-ordinateur fait de préférence partie d'un appareil numérique de commande pour un véhicule automobile. La mémoire morte peut être commutée entre un fonctionnement normal, un fonctionnement de programmation, et un fonctionnement de contrôle "Margin read" (Lecture en marge). Pendant le fonctionnement de programmation une ten- sion de programmation (Vpp = 5 V) est appliquée à la cosse de tension de programmation. Pendant le fonctionnement de contrôle une tension de contrôle plus faible (V_pp = 4 V) que la tension de programmation est appliquée à la cosse de tension de programmation. Pendant le fonctionnement normal de la mémoire morte la tension de fonctionnement (V_pp = V_cc = 3,3 V) est appliquée à la cosse de tension de pro- grammation. La commutation de la mémoire morte entre le fonctionnement de programmation et le fonctionnement de contrôle peut, par exemple, être réalisé à partir d'un cir- cuit d'alimentation en tension, qui fait partie de la mé- moire morte. Ce circuit présente un diviseur de tension avec deux résistances montées en série, un interrupteur électrique à semiconducteur (transistor) étant disposé en parallèle à l'une des deux résistances. Le diviseur de ten- sion est raccordé par une extrémité à la tension de pro- grammation. L'autre extrémité du diviseur de tension est à la masse. La tension d'alimentation qui est appliquée à la cosse de tension de programmation est prélevée entre les deux résistances du diviseur de tension. Quand le transis- tor est ouvert le circuit d'alimentation de tension fonc- tionne en diviseur de tension, la tension de contrôle plus faible (4 V) étant appliquée à la cosse de tension de pro- grammation. Par contre quand le transistor est fermé l'une des résistances est pontée et la tension de programmation (5 V) est appliquée à la cosse de tension de programmation de la mémoire morte. Comme autre solution au problème posé la pré- sente invention propose en outre un appareil numérique de commande du type mentionné au début, qui présente un dispo- sitif de rafraîchissement selon l'invention. Selon cette solution le dispositif de rafraîchissement ne fait pas né- cessairement partie de la mémoire morte, mais il peut aussi être une partie constitutive de l'appareil de commande, donc être disposé en dehors de la mémoire morte. Dessins L'invention va être décrite ci-après plus en détail à partir d'un exemple préféré de réalisation, repré- senté sur les dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 montre quelques cellules de mémoire d'une mémoire morte servant à la mise en oeuvre du procédé se- lon l'invention conformément à une forme préférée de réalisation, - la figure 2 montre le déroulement de l'état de charge d'une cellule de mémoire de la figure 1 en fonction du temps; et - la figure 3 montre in diagramme de déroulement d'un pro- cédé selon l'invention selon une forme préférée de réa- lisation. Description de l'exemple de réalisation Sur la figure 1 on a représenté un fragment de mémoire morte. La mémoire morte présente un grand nombre de cellules de mémoire 1, dont on a représenté quatre d'entre i! elles à la figure 1. Pour des raisons technologiques et de technique de circuit, les différentes cellules de mémoire 1 ne sont pas disposées en ligne, mais selon une matrice car- rée. L'adressage d'une cellule de mémoire 1 déterminée a lieu en appliquant sur un circuit de lignes (ligne picto- graphique WL) ou sur un circuit de colonnes (ligne de bits BL) un UN logique. Pour la mise en tension de la cosse de tension de programmation des cellules de mémoire 1, il est prévu un circuit d'alimentation en tension 2, qui présente un divi- seur de tension avec deux résistances montées en série 3, 4. La résistance 3 a une valeur de 500 Ohm, la résistance 4 a une valeur de 2 kOhm. Une extrémité du diviseur de ten- sion est raccordée à la tension de programmation V_pp = 5V et l'autre extrémité du diviseur de tension est à la masse. En parallèle à la résistance 3 est monté un transistor 5 "p-Canal MOSFET" (Transistor à effet de champ à grille iso- lée par oxyde métallique). La tension V_pp appliquée à la cosse de tension de programmation est prélevée entre les deux résistances 3 et 4. Le circuit de tension 2 peut être une partie constitutive de la mémoire morte ou être disposé en dehors de la mémoire morte comme partie constitutive d'un micro-ordinateur ou d'un appareil de commande pour un véhicule automobile. La mémoire morte est aussi désigné sous le nom de ROM "Read Only Memory" Elle est constituée par exemple comme une mémoire morte programmable (PROM), comme une mé- moire morte effaçable programmable (EPROM) comme une mé- moire morte électriquement effaçable (EEPROM), ou comme une mémoire Flash (par exemple une EEPROM Flash). Les mémoires mortes sont dans les cas normaux seulement lues. Lors du débranchement de la tension de fonctionnement le contenu des cellules de mémoire 1 d'une mémoire morte est conservé pendant une période de temps finie d'habituellement plu- sieurs années. Sur la figure 2 on a représenté le déroulement 6 de l'état de charge 6 d'une cellule de mémoire 1 de la figure 1. Immédiatement après la programmation de la cel- lule de mémoire 1 la charge de la cellule de mémoire 1 se trouve à une charge de programmation U_prog (5 V). En rai- son d'effets parasites la charge de la cellule de mémoire 1 se réduit en partant de la tension de programmation U_prog de façon continue tout au long de la période de temps finie jusqu'à ce que la tension tombe finalement en dessous d'une tension de lecture U erh (3,6 V). La charge de lecture Uerh caractérise la charge d'une cellule de mémoire, qui est nécessaire pour qu'un amplificateur de lecture puisse identifier l'état correct (programmé ou effacé) de la cel- lule de mémoire. La baisse de l'état de charge des cellules de mémoire 1 en dessous de cette charge de lecture conduit à ce que les informations mises en mémoire dans les cellu- les de mémoire 1 sont lues de façon fausse, et à ce qu'un code de programmation ne peut pas être mis en oeuvre cor- rectement. Pour empêcher un fonctionnement défectueux ou une panne totale de la mémoire morte ou du micro- ordinateur, qui accède à la mémoire morte, on propose d'u- tiliser le procédé selon l'invention. Conformément au procédé selon l'invention, on contrôle de temps en temps l'état de charge 6 de la cellule de mémoire 1, en comparant l'état de charge actuel 6 de la cellule de mémoire 1 à un seuil de charge U schw (4 V), qui se trouve au-dessus de la charge de lecture Uerh. Dans l'exemple de réalisation de la figure 2 l'état de charge 6 de la cellule de mémoire 1 est tombé en dessous du seuil de charge U schw au bout de onze ans. On a ensuite remonté l'état de charge de la cellule de mémoire 1. Ce processus est désigné sur la figure 2 par la référence numérique 7. L'état de charge de la cellule de mémoire 1 a été remonté à la charge de programmation U_prog d'une cellule de mémoire fraîchement programmée. Après le relèvement 7 de l'état de charge de la cellule de mémoire 1 le contenu de la cellule de mémoire 1 demeure conservé lors du débranchement de la tension de fonctionnement V_cc à nouveau pour une période de temps fi- nie. Dans le cas du présent exemple de réalisation l'état de charge décroît de façon continue sur une période de temps de dix sept ans jusqu'en dessous du seuil de charge U_schw. Ce processus de décharge est désigné sur la figure 2 par la référence numérique 8. Après le sous dépassement à nouveau du seuil de charge Uschw on relève encore une fois l'état de charge de la cellule de mémoire 1, ce que l'on a désigné à la figure 2 par la référence numérique 9. Avec le procédé selon l'invention on est de cette façon sûr que le contenu de la mémoire d'une cellule de mémoire morte demeure conservé de façon sûre même sur une période de temps assez longue. De cette façon on peut empêcher qu'une défaillance de la mémoire morte ou d'un mi- cro-ordinateur ayant accès à la mémoire morte se produise du fait d'une perte de données dans la mémoire morte. La durée de vie des données mises en mémoire dans une mémoire morte peut être augmentée à l'aide du procédé selon l'in- vention d'un multiple de la durée de vie habituelle. Pour empêcher de façon sûre une perte de données de la mémoire morte on ne relève pas l'état de charge des cellules de mé- moire 1 seulement après qu'il soit tombé en dessous de la charge de lecture U_erh, mais déjà quand il est tombé en dessous du seuil de charge Uschw. A l'aide du circuit d'alimentation en tension 2 on peut faire passer la mémoire morte d'un fonctionnement de programmation à un fonctionnement de contrôle (Margin Read) et vice versa. En fonctionnement normal la tension de fonctionnement V_cc (V_pp = 3,3 V) est appliquée à la cosse de tension de programmation. En mode de programmation, la cosse de programmation est à la tension de programmation (Vpp = 5 V). En fonctionnement de contrôle, on a une ten- sion de contrôle plus base (4 V). Pour faire basculer l'alimentation en tension on opère une commutation à l'aide du transistor 5 entre une position de blocage (fonctionne- ment de programmation) et une position de passage (fonc- tionnement de contrôle). En fonctionnement de contrôle le circuit d'ali- mentation en tension 2 agit comme un diviseur de tension et l'on a pas la tension de programmation sur les cellules de mémoire 1 par l'intermédiaire de la cosse de tension de programmation, mais la tension de contrôle plus basse. Une source de courant 10 délivre un courant appliqué aux cellu- les 1 de la mémoire morte. Pour activer par exemple la troisième cellule de mémoire 1, on applique à la ligne pic- tographique WL1 et à la ligne de bit BL2 un UN logique. La lecture en marge (Margin Read) est alors activée et de cette façon la cellule de mémoire 1 doit traiter plus de courant que ce ne serait le cas lors d'une saisie normale de lecture. Le courant est un équivalent de la charge qui se trouve sur la cellule de mémoire 1. Sur la base de la tension de contrôle et du courant appliqué par la source de courant 10, on contrôle si l'état de charge de la cellule de mémoire 1 se trouve en * dessous du seuil de charge Uschw. En variante on peut aus- si contrôler cela en appliquant à la cellule de mémoire 1 la tension defonctionnement Vcc et ensuite en contrôlant si la charge de la cellule de mémoire 1 est suffisante pour faire basculer une charge capacitive plus grande, raccordée à la cellule de mémoire 1 qu'une charge capacitive 11. Le déroulement de l'état de charge de la cel- lule de mémoire 1 à la tension de contrôle, qui est plus grande que la tension de fonctionnement Vcc, ou à une charge capacitive, qui est plus grande que la charge capa- citive 11, est désigné à la figure 2 par la référence numé- rique 12. Dès que le déroulement 12 de l'état de charge de trouve en dessous de la tension déterminée Uerh (3,6V) on relève l'état de charge 6 ou l'état de charge 8 de la cel- lule de mémoire 1. Le déroulement 6 ou le déroulement 8 de l'état de charge de la cellule de mémoire 1 est décalé par la tension de contrôle plus grande ou par la charge capaci- tive plus grande sur le déroulement 12 de l'état de charge vers un état de charge plus bas. De cette façon on peut alors déjà relever l'état de charge 6 ou l'état de charge 8 d'une cellule de mémoire 1, quand l'état de charge lui-même n'est pas encore tombé dans le pire des cas en dessous de la charge de lecture Uerh. Sur la figure 3 on a représenté un diagramme de déroulement du procédé selon l'invention. Le procédé est utilisé pour conserver le contenu des cellules d'une mé- moire morte. La mémoire morte est une pièce constitutive d'un microordinateur d'un appareil numérique de commande pour un véhicule automobile. L'appareil de commande com- mande ou règle différentes fonctions du véhicule automo- bile. Le procédé peut par exemple être mis en oeuvre pendant la marche du véhicule automobile. Le procédé repré- senté à la figure 3 est cependant mis en oeuvre pendant la marche à vide de l'appareil de commande. Le procédé commence dans le bloc fonctionnel 20. Dans le bloc fonctionnel 21 on met ensuite une variable BLOCK sur un premier bloc de mémoire consistant en plu- sieurs cellules 1 de la mémoire morte. Dans un bloc fonc- tionnel 22 on forme ensuite à partir du contenu de toutes les cellules 1 du bloc de mémoire quand la mémoire morte est en fonctionnement normal (tension de fonctionnement Vpp = 3,3 V) une première somme de contrôle. Dans un bloc fonctionnel 23 on fait passer la mémoire morte sur le fonc- tionnement de contrôle, c'est-à-dire qu'on applique sur les cellules 1 de la mémoire morte par l'intermédiaire de la cosse de tension de programmation la tension de contrôle (Vpp = 4 V). Dans un bloc fonctionnel 24 on forme ensuite pour les cellules 1 du bloc de mémoire une deuxième somme de contrôle. Au cas o l'état de charge 6 de l'une des cel- lules 1 du bloc de mémoire se trouve en dessous du seuil de charge U_schw quand est appliquée la tension de fonctionne- ment V_cc, l'état de charge 12 de cette cellule de mémoire 1 va se trouver en dessous de la charge de lecture U erh quand est appliquée la tension de contrôle et un amplifica- teur de lecture ne peut pas identifier l'état correct (pro- grammé ou effacé). Dans ce cas la deuxième somme de contrôle est différente de la première somme de contrôle. Dans un bloc d'interrogation 25 on vérifie si la première somme de contrôle est égale à la deuxième somme de contrôle. Au cas o toutes les cellules 1 du bloc de mé- moire contrôlé se trouvent au-dessus du seuil de charge U_schw, la première somme de contrôle est égale à la deuxième somme de contrôle, et on bifurque vers un bloc d'interrogation 26. Dans ce bloc on vérifie si l'ensemble des blocs d'interrogation de la mémoire morte ont été con- trôlés. Si ce n'est pas le cas, on bifurque vers un bloc fonctionnel 27, o la variable BLOCK est mise sur le bloc de mémoire suivant. Ensuite le procédé selon l'invention se déroule encore une fois à partir du bloc fonctionnel 22. Au cas o l'ensemble des blocs de la mémoire morte ont déjà été contrôlés, on bifurque depuis le bloc d'interrogation 26 dans le bloc fonctionnel 28 à la fin du procédé selon l'invention. Au cas o l'interrogation dans le bloc d'inter- rogation 25 a pour résultat d'indiquer que la première somme de contrôle n'est pas égale à la deuxième somme de contrôle, l'état de charge 6 d'au moins une cellule de mé- moire 1 du bloc de mémoire contrôlé se trouve en dessous du seuil de charge U schw. Dans ce cas on relève les états de charge de l'ensemble des cellules de mémoire 1 du bloc de mémoire contrôlé à la charge de programmation Uprog (5 V) d'une cellule de mémoire fraîchement programmée. Pour rele- ver les états de charge des cellules de mémoire 1 celles-ci sont à nouveau programmées avec le contenu de leur mémoire. Pour cela on bifurque du bloc d'interrogation 25 vers un bloc d'interrogation 29, o l'on contrôle si un autre bloc de mémoire est libre avec d'autres cellules de mémoire ser- vant à la mise en mémoire intermédiaire du contenu des cel- lules de mémoire 1 contrôlées. Au cas o l'autre bloc de mémoire n'est pas libre, on efface dans le bloc fonctionnel les contenus des cellules de mémoire de l'autre bloc de mémoire. Ensuite on copie dans un bloc fonctionnel 31 les contenus des cellules de mémoire 1 du bloc de mémoire con- trôlé dans les cellules de mémoire de l'autre bloc de mé- moire. Dans un bloc fonctionnel 32 on efface les cellules de mémoire du bloc de mémoire contrôlé. Finalement on fait basculer la mémoire morte sur le fonctionnement de program- mation et on applique à la cosse de tension de programma- tion la tension de programmation V pp = 5 V. Dans le bloc fonctionnel 33 on programme à nouveau les cellules de mé- moire 1 du bloc de mémoire contrôlé avec les contenus des autres cellules de mémoire. On bifurque alors à nouveau du bloc fonctionnel 33 vers le bloc d'interrogation 26 et on poursuit le procé- dé selon l'invention - comme on l'a déjà décrit ci-dessus. R E V E N D I C A T IONS 1 ) Procédé servant à rafraîchir le contenu d'au moins une cellule de mémoire (1) d'une mémoire morte, caractérisé par les séquences suivantes: - détermination de l'état de charge actuel (6) de la cel- lule de mémoire (1); - comparaison de l'état de charge actuel (6) de la cellule de mémoire (1) avec un seuil de charge (U_schw), qui se trouve au-dessus de la charge de lecture (Uerh), néces- saire pour reconnaître correctement le contenu de la cellule de mémoire(1) ; et - relèvement (7) de l'état de charge (6) de la cellule de mémoire (1) , au cas o l'état de charge actuel (6) de la cellule de mémoire (1) se trouve en dessous du seuil de charge (Uschw). 2 ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'état de charge (6) de la cellule de mémoire (1) est rele- vé (7) au niveau de la charge de programmation (U_prog) d'une cellule de mémoire (1) fraîchement programmée. 3 ) Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que pour le relèvement (7) de l'état de charge (6) de la cel- lule de mémoire (1) on met en mémoire intermédiaire le con- tenu de la cellule de mémoire (1) dans une autre cellule de mémoire, on efface la cellule de mémoire (1) et on pro- gramme le contenu de l'autre cellule de mémoire à nouveau dans la cellule de mémoire (1). 4 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que pour déterminer l'état de charge actuel (6) de la cellule de mémoire (1), on applique à la cellule de mémoire (1) dans un fonctionnement de contrôle une tension de contrôle plus élevée (4 V) que la tension de fonctionnement (Vcc = 3,3V), et on contrôle si la charge de la cellule de mémoire (1) est suffisante pour faire basculer la charge d'une pre- mière charge capacitive (11), raccordée à la cellule de mé- moire (1). 5 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que pour déterminer l'état de charge actuel (6) de la cellule de mémoire (1) on contrôle dans un fonctionnement de con- trôle à une tension de fonctionnement (Vcc = 3,3 V), ap- pliquée à la cellule de mémoire (1), si la charge de la cellule de mémoire (1) est suffisante pour faire basculer la charge d'une deuxième charge capacitive raccordée à la cellule de mémoire (1), qui est plus grande que la première charge capacitive (11). 6 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 4 ou 5, caractérisé en ce que pour déterminer si l'état de charge actuel (6) de la cel- lule de mémoire (1) se trouve en dessous du seuil de charge (U_schw), on lit le contenu de la cellule de mémoire (1) une fois dans un fonctionnement normal, pendant que la ten- sion de fonctionnement (Vcc = 3,3 V) est appliquée à la cellule de mémoire (1) et que la première charge capacitive (11) est raccordée à la cellule de mémoire (1), puis une fois pendant le fonctionnement de contrôle à partir de la cellule de mémoire (1), et on compare entre eux les conte- nus de mémoire que l'on a lus. 7 ) Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le procédé est mis en oeuvre par bloc pour plusieurs cellu- les de mémoire (1) d'une mémoire morte, une première somme de contrôle étant formée en fonctionnement normal à partir du contenu de toutes les cellules de mémoire (1) d'un bloc, et une deuxième somme de contrôle étant formée en fonction- nement de contrôle à partir des cellules (1) de mémoire du même bloc, et les deux sommes de contrôle étant comparées l'une à l'autre. 8 ) Utilisation du procédé selon l'une quelconque des re- vendications 1 à 7, pour conserver le contenu d'une cellule de mémoire (1) d'une mémoire morte, qui est une pièce constitutive d'un micro- ordinateur d'un appareil numérique de commande pour un véhicule automobile. 9 ) Utilisation selon la revendication 8, caractérisée en ce que le procédé est mis en oeuvre pendant la marche du véhicule automobile et/ou pendant la marche à vide de l'appareil de commande. 10 ) Utilisation selon la revendication 9, caractérisée en ce que le procédé est mis en oeuvre en fonction de la durée de fonctionnement, du trajet parcouru et/ou du nombre des cy- cles de marche du véhicule automobile. 11 ) Dispositif servant à rafraîchir le contenu d'au moins une cellule de mémoire (1) d'une mémoire morte, caractérisé en ce que le dispositif présente un circuit de rafraîchissement avec des moyens (2, 3, 4, 5, 10) servant à mettre en oeuvre le procédé selon l'une des revendications 1 à 7. 12 ) Appareil numérique de commande servant à commander et/ou à régler des fonctions déterminées dans un véhicule automobile, avec un microordinateur servant au déroulement d'un programme de commande mis en mémoire au moins en par- tie dans une mémoire morte, caractérisé en ce que l'appareil de commande présente un dispositif servant au rafraîchissement selon la revendication 11.