FR 2799283 A1 20010406 FR 0012446 A 20000929 L'invention concerne un procédé pour examin la surface d'une tranche à gravure. L'invention cencer plus particulièrement un procédé pour établir une distincticiï entre plusieurs types de défauts d'une tranche en utilisant un dispositif pour examiner la surface d'une tranc, à gravure, lequel dispositif détecte une lumière diffusant s-lon plusieurs canaux à partir d'un fond noir ou "'une region de défaut d'une tranche. Récemment, l'intégration de mémoires à circuits intégrés (CI) s'est améliorée en passant de 16 mégabits à 64 mégabits ou plus. En conséquence, les largeurs des ifs ont pris des dimensions microscopiques, des substances étrangères microscopiques qui ne posaient aucun problème dans le passé constituent à présent des sources de contamination et de défauts possibles. En conséquence lors la fabrication de dispositifs du type LSI à intégration extrêmement élevée, hautement intégrés, tels que des -nemcires vives dynamiques (DRAM) de 64 méaabi s ou de 256 mégabits, il est souhaitable de maîtr;-ser complètement et donc d'éviter la présence de défauts et/ou de substances étrangères de dimensions micrescop-ques sur la tranche pour améliorer ainsi notablement le rendement. En général, la dimension d'un défaut qui peut ser des problèmes est facteur de la largeur minimale du câblage du dispositif LSI à intégration extrêmement élevée -ant être fabriqué. Par exemple, il est nécessaire oie limiter défauts de dimension microscopique, qui ont des diamètres de 0,1 à 0,2 Mm ou moins dans des mémoires DP,A:f 256 mégabits ou dans des dispositifs ayant des capacités supérieures à celles des mémoires DRAM de 256 rnégabits qui sont exécutés avec une largeur de trait de 0,23 ou moins. Des défauts qui posent des problèmes Dei,dan,- ,@a fabrication de dispositifs LSI à intégration extrêmer,,,ei-_t élevée peuvent être globalement divisés selon deux tl@pes. L'un est celui des défauts dus à "des particules d'origine cristall " (POC) formés sur la surface d'une tranche ou à l'intérieur de la tranche pendant la fabrication de la tranche. 'autre type est la présence de poussière ou de contaminants réels (appelés ci-après partic-_;les) ad:,érant à la surface de la tranche. Les défauts du type POC sont générés pendant la fabrication de tranches de silicium. En général, des défauts cristal appelés défauts "de croissance" sont introduits dans un lingot de silicium monocristallin qui est tire conformément à un procédé appelé procédP Czochral (appelé ci-après procédé CZ) pendant croissance du silicium monocristallin. Ce défaut d@,: cristal n'est pas eliminé pendant le refroidissement du cristal reste dans la tranche traitée et fabriquée. Dans cet état lorsqu'un nettoyage en milieu liquide est exécuté (lequel est aéné-_-alement utilisé pour éliminer des particules adhérant à la surface de la tranche), des r,,.icrouiqûres forment sur la surface de la tranche car la vitesse d'attaque chimique est plus grande au niveau ou j ..isir:.age des défauts du cristal sur la tra,1-1_e qu' er. des parties la tranche ne présentant pas de tels défauts. Ces piqûres sont appelées ici piqûres POC. La figure 1 des dessins annexés et décrits ci-après est une vue en coupe montrant schéma-iquement des représentations de piqûres POC et de particules sur une tranche il est connu que le défaut POC décirade la caractéristiaue de claquage électrique du film d'oxyde de grille un dispositif semi-conducteur. ___ outre, le défaut POC agit à la manière d'une source de contarl--na.-icn sur la tranche qui peut provoquer un claquage ou la fcrmation 'un court-circuit d'un motif du circuit. Je défaut PCC Deut donc aboutir à des produits défect.:e@@:: cu une et une fiabilité diminuées du proda-t. Lorsqu'une tranche présentant à la fois des piqûres ou défauts PCC et des particules est mesurée au moyen d'un c:JMD_eu@- classique de particules ou d'un dis-ositif d'examen tranche, les piqûres POC (qui sont défauts du type lacune) sont souvent détectées par erreur en tant que particules. Autrement dit, les piqûres PCC sont pas distinguées avec précision de particules qui correspczzder'- à des contaminants réels. Cependant, pour gérer convenablement les défauts et donc améliorer le rendement, il est important d'établir avec précision la distinction entre des piqûres POC et des particules sur une tranche. Il est donc souhaitable de mesurer quantitativement et d'analyser les états des piqûres POC et/ou des particules sur la tranche pour en permettre la distinction. Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 5 640 238, délivré à Nakano et collaborateurs, décrit une technologie classique pour distinguer les piqûres POC de particules sur une tranche. Dans ce brevet, un procédé pour examiner des particules comprend les étapes dans lesquelles on réalise une première carte de particules en mesurant des particL:--es sur une tranche devant être examinée; on exécute un traitement d'élimination des particules pour éliminer les particules de la tranche; on réalise une seconde carte de particules par une mesure de particules sur la tranche qui a été soumise au traitement d'élimination des particules; et on compare la première carte de particules à la seconde carte de particules. Des particules apparaissant en chaque point immobile commun à l'ensemble des première et seconde cartes de particules sont déterminées comme étant des défauts du cristal ou des irrégularités de surface, et des particules apparaissant dans la première carte de particules mais non dans la seconde carte de particules, sont déterminées comme étant des particules de poussière ou des contaminants réels. Cependant, dans cette technologie classique, éta:zt donné qu'un processus de nettoyage doit être exécuté pcL:@ éliminer les particules d'une tranche, un inconvénient est qu'il faut davantage de temps pour contrôler les particules présentes sur la tranche. En particulier, étant donné que le processus pour éliminer des particules doit etre exécuté mFme lorsque seules des piqûres POC qui affectent le rendement sont présentes (en opposition à particules q peuvent être traitées pendant la processus inutile est ajouté de façcn ré,éti7i augmentant ainsi le temps de traitement. De plus, lors de l'utilisation d'un processus de nettoyage en m.i '- 1-qu-lde pour éliminer des particules conformément à la technologie class;que, non seulement des solutions nettoyage provoquent une pollution de l'environnement mais les dimensions des piqûres POC augmentent du fait d'un effet d'attaque du processus de nettoyage en milieu liquide. En outre la technologie classique ne peut pas être appliquée pour réaliser un contrôle sur place pendant la fabrication des dispositifs, et les tranches utilisées pour le contrôle ne peuvent pas être réutilisées, ce qui dim:i:r_:e ,@a Productivité. L'in :ren Lion a pour objet de proposer u#__ pr o.Cédé C-o-r examiner la surface d'une tranche, permettant un c@~@trôle in situ pendant la fabrication de dispositifs semi condu-teurs, et qui distingue rapidement et avec précision des piqûres du type POC de particules réel sUr la tranche. Pour réaliser l'objet de l'invention, il prcpCsé .:n procédé d'examen de la surface d'une tranche dest iné à distinguer entre des types de défauts sur une trar_che en fonction de mesures de défauts obtenues au moyen d'un systèri-ie d'examen de tranche qui comprend plusieurs détecteurs de fond obscur. En utilisant le s1#stèrle de mesure de ranche, on détermine si des première, ù@..__iè-ne et troisièr-.e conditions sont satisfaites. La 'ID re71ière condition est lorsqu'une dimension d'un défaut sur la tranc' mesurée par le système d'examen de tranche est inférieure à une valeur limite indiquant dimension m.axiir,al e de particules d'origine cristalline. La de_ix-@ème condition est lorsqu'une corrélation e:_ #: p1L.sleurs valeurs ''intensité de lumière de défauts détectées par plusieurs détecteurs de fond noir du système de mesure de la tranche satisfait à une condition de réference. La trcisièrr.e condition est lorsque la pos-t--o:_ du défaut mesurée par le système d'examen de tranche est à l'intérieur d'une zone riche en lacunes de la tranche. Le type du défaut est alors déterminé comme étant une particule d'origine cristalline lorsque les première, deuxièTe troisième conditions sont toutes satisfaites. Par le type de défaut est déterminé comme étar.@ une particule réelle lorsque l'une quelconque ou plusieurs des première, deuxième et troisième conditions ne sont pas satisfaites. La valeur limite indiquant une dimension maximale de piqûres POC est avantageusement de 0 _6 pn-., et le système d'examen de tranche est un système de mesure de particules par diffusion. Chacun des détecteurs de fond noir peu*-- comprendre un tube photomultiplicateur à grand angle pour la detection de la lumière diffusée à partir du défaut sur un -and anale et un ;ube photomultiplicateur à petit anale pour la détection de la lumière diffusée à partir du si-ir un petit angle. Dans ce cas, la pluralité -.raseurs d'intensité de lumière de défaut comprend une valeur d'irtensité de défaut SW obtenue à partir du tube uhotomultipl,lcateur à grand angle et une valeur d'intensité de S.. obtenue à partir du tube photomult-plicateiur à petit anJie, et la deuxième condition est satisfaite dans le cas où le rapport d'intensité Sr.,/S,, de la valeur d'iiïtensité SN à la valeur d'intensité S,, dépasse la valeur de référence. En variante, chacun des détecteurs de fond noir peut comtrendre un détecteur à petit angle destiné à cétecter des c_n-.Dosa#_tes de lumière diffusées vers du défaut sous un petit angle, un détecteur à angle n-.@1#en destiné à détecter des composantes de lumière diffusées perpendiculairement à partir du défaut sous un anale moyen et un détecteur à grand angle destiné à détecter des composantes de lumière diffusées vers l'arrière à partir du défaut sous un grand angle. Dans ce cas, la p:ïurali-é de va-leurs d'intensité de lumière de défaut. comprend une valeur 'intensité de lumière de défaut SS obtenue à partir du détenteur à petit angle, une valeur d'intensité de lumière défaut Sm obtenue à partir du détecteur à ar:al e moyen et une valeur d'intensité de lumière de défaut Sr obtenue à partir du détecteur à grand angle, et la deuxième condition est satisfaite lorsque à la fois (a) un rapport d'intensité Sm/S@ de la valeur d'intensité St. à la -@,#.aleur d'intensité SL dépasse une première valeur de reférence et (bi un rapport d'intensité SM/SS de la valeur d'intensité SM à la valeur d'intensité Ss dépasse une seconde valeur de référence. Conformément à l'invention, le taux d erreur de distinction de défaut est minimisé, l'examen de la surface d'une tranche peut être réalisé par un contr_ in situ pendant la fabrication de dispositifs semi-conducteurs, et le type de défaut sur la tranche est détermine rapider,,.ez_t et avec précision d'une manière non destructive. L' ration sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemple nullement limitatif et sur lesquels: la figure 1 est une vue en coupe schématique montrant des représentations de particules d'origine cristalline (?@C:@ et de particules réelles apparaissant dans u r_ e tranche; la figure 2A est un diagramme simpli montr-nt schématiquement une partie d'un système optique qui examine 1 ur_ cnar;p noir d'une tranche dans un exemple un s, stème classique d'examen; ,@a figure 2B est un organigramme _itrart u r. algorithme de distinction de défauts adopté dans le système d'examen de la figure 2A; la figure 3A est un diagramme simplifié montrant schématiquement une partie d'un système optique qui examine un champ noir d'une tranche dans un autre exemple d'un systeme classique d'examen; la figure 3B est un organigramme montrant un algorithme de distinction de défauts adopté dans système d'examen de la figure 3A; et la figure 4 est un organigramme montrant un algorithme de distinction de défauts adopté dans un procède d'examen de surface de tranche selon une forme appreciée de réal'sation de l'invention. Des défauts sur une tranche sont habituellement mesurés au moyen d'un système de mesure de particule par diffusion. Des systèmes connus de ce type comprennent le système "Surfscan SP1 TBI" (fabriqué par la firme Kla-Tencor Corporation, EUA) et le système "Advanced Wafer Inspection System" (ATi7IS) (fabriqué par firme ADE Optical Systems Corporation, EUA). Chacun de ces systèmes est utilisé pour établir une distinction entre des particules réelles et des particules d'origine cristalline (POC) sur une tranche. La figure 2A est un diagramme simplifié montrant schématiquement une partie d'un système optique qui examine des champs noirs d'une tranche dans le système d'examen "Surfscan SP1 TBI" Des champs noirs sont des anomalies optiques qui ont été détectées sur des régions de la tranche et désignent des défauts suspectés d'un type ou d'un autre, c'est-à-dire des particules POC ou des particules réelles. En référence à la figure 2A, un faisceau incident normal 12 et un faisceau incident oblique 14 sont utilisés en tant que sources de lumiere d'une illumination 10 de fond sombre. Le faisceau incident normal 12 le faisceau incident oblique 14 sont amenés - rayonner sur un fond noir d'une tranche 16. La lumière diffusée a partir du fond noir est réfléchie par un collecteur ellipsoïdal 18 puis détectée par un détecteur 20 de fond noir. Le détecteur 20 de fond noir comprend un tube photomultiplicateur (TPM) à grand angle 22 destiné à détecter de la lumière 'ffusant dans une plage angulaire relativement large et un tube TPM à petit angle 24 destiné détecter de la lumière diffusant dans une plage d'un angle relativement étroit. La plage angulaire de la lumière de diffusion par réflexion d'un défaut se trouvant sur la tranche 16 varie avec le type du défaut du fond noir. Par exemple, l'angle d'une lumière diffusante revenant par réflexion d'un défaut du type POC qui est un défaut cristallin du type piqûre est plus étroit que l'angle d'une lumière diffusante revenant par réflexion d'une particule réelle adhérant à la surface de la tranche 16 et en faisant saillie. Le tube TPM 22 à grand angle et le tube TPM 24 à petit angle génèrent des données d'image différentes Sw et SN, respectivement, en fonction de l'intensité de la lumière diffusante détectée, ces données variant avec le type de défaut dans le fond noir sur la tranche 16. Le système d'examen "Surfscan SP1 TBI" identifie si le fond noir (défaut) sur la tranche est une particule POC ou une particule réelle en soumettant les valeurs S-,,, et SN obtenues à partir du tube TPM 22 grand angle et du type TPM 24 à petit angle à un algorithme de distinction de défaut. La figure 2B est un organigramme pour expliquer l'algorithme de distinction de défaut utilisé dans le système d'examen "Surfscan SP1 TBI" qui adopte le système optique de la figure 2A. En référence à la figure 2B, après l'obtention des valeurs d'intensité de défaut Sw et SN à partir du tube TPM 22 à grand angle et du tube TPM 24 à petit angle, on obtient dans une étape 52 le rapport d'intensité SN/Sw de la valeur de dimension de défaut SN à la valeur d'intensité de défaut Sw. Une valeur de référence prédéterminée (par exemple 1,2) à comparer avec le rapport d'intensité SN/Sw est établie dans une étape 54. Le rapport d'intensité SN/Sw est alors comparé à la valeur de référence dans une étape 56. Lorsque la valeur de SN/Sw dépasse la valeur de référence, il est déterminé qu'un défaut détecté dans la tranche est un défaut du type POC dans une étape 58. Lorsque la valeur de SN/Sy, ne dépasse pas la valeur de référence, il est déterminé que le défaut détecté est une particule réelle lors d'une étape 60. La figure 3A est un diagramme simplifié montrant schématiquement une partie d'un système optique qui examine un fond noir d'une tranche dans le système AWIS mentionné précedemment. En référence à la figure 3A, un faisceau laser 102 rayonnant depuis le laser d dispositif de balayage 100 balaie la surface d'une tranche 106 en passant par un déflecteur acousto-optique 104, une lumière diffusante revenant par réflexion de la surface de la tranche 106 est détectée par un détecteur 1 de fond noir. Le detecteur 110 de fond noir comprend un détecteur 112 à petit angle, un détecteur 114 à angle moyen un détecteur 116 a grand angle. Des composantes de lumière diffusées vers l'avant à partir d'un défaut de la surface de la tranche 106 sont collectées dans une plage angulaire relativement petite par un collecteur (non représenté) à petit angle et détectées par le détecteur 112 à petit angle. Des composantes de lumière diffusées perpendiculairement à partir du défaut de surface de la tranche 106 sont collectées dans une plage angulaire relativement moyenne par un collecteur (non représenté) à angle moyen et détectées par le détecteur 114 à angle moyen. Des composantes de lumière diffusées vers l'arrière à partir du défaut de la surface de la tranche 106 sont collectées dans une plage angulaire relativement grande par un collecteur (non représenté) à grand angle et détectées par 1e détecteur 116 à grand angle. Le detecteur 112 à petit angle, le détecteur 114 à angle moyen et le détecteur 116 à grand angle génèrent alors des valeurs d'intensités de défauts SS, SM et SL (données d'image) à partir des intensités lumineuses détectées, respectivement. Les principes de mesure utilisés dans le système d'examen ayant la configuration montrée sur la figure 3A, ou la configuration d'un appareil pour la mise en #uvre de s principes, sont décrits en détail dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 5 712 701 délivré à Clementi et laborateurs. Le système AWIS détermine si le type de défaut sur la tranche est un défaut du type POC ou une particule en soumettant les valeurs d'intensité de défaut Sm et SL obtenues à partir du détecteur à petit angle, du détecteur 114 à angle moyen et du détecteur 116 à grand angle, respectivement, à un algorithme de distinction défaut. La figure 3B est un organigramme montrant 'algorithme distinction de défaut utilisé dans le systeme AWIS qui adopte le système optique de la figure 3A. En référence à figure 3B, les valeurs d'intensité de défaut SS, SM et SL obtenues à partir du détecteur 112 à petit angle, du détecteur 114 à angle moyen et du détecteur 116 à grand angle, comme indiqué sur la figure 3A, puis un rapport d'intensité SM/SL de la valeur de dimension de défaut Sm à la valeur d'intensité de défaut SL est obtenu dans une étape 152. Une valeur de référence prédéterminée (par exemple 1,0) est établie en tant que première valeur de référence à des fins de comparaison avec rapport d'intensité SM/SL dans une étape 154. Ensuite rapport d intensité SM/SL est comparé à la première valeur de référence dans une étape 156. Lorsque la valeur rapport SM/SL ne dépasse pas la première valeur de référence, 1e défaut est déterminé comme étant une particule réelle dans une étape 170. Lorsque la valeur du rapport SM/SL dépasse première valeur de référence dans l'étape 156, un rapport d'intensité SM/SS de la valeur de dimension de défaut Sm à la valeur de dimension de défaut SS obtenu dans une étape 162. Une valeur de référence prédéterminée (par exemple 1,25) est établie en tant que seconde valeur de référence à des fins de comparaison avec le rapport d'intensité SM/Ss dans une étape 164. Ensuite, rapport d'intensité SM/SS est comparé à la seconde valeur de référence dans une étape 166. Lorsque la valeur S..,/SS ne dépasse pas la seconde valeur de référence, le défaut est déterminé comme étant une particule réelle dans l'étape 170. Lorsque la valeur de SM/Ss dépasse la seconde valeur de référence dans l'étape 166, le défaut détecté sur la tranche est détermine comme étant un défaut du type POC dans une étape 168. Les systèmes d'examen décrits ci-dessus, qui établissent une distinction entre des particules POC et des particules sur une tranche en fonction d'algorithmes de distinction de défaut tels que montrés sur les figures 2B et 3B, ont un taux d'erreur relativement élevé, en particulier lors de la discrimination de défauts microscopiques ayant dimensions inférieures à 0,2 Mm. Autrement dit, à ces dimensions, les particules POC sont souvent détectées comme etant des particules réelles. En particulier, lors de l'examen de la surface d'une tranche et d'une mesure dimensions des défauts détectés en utilisant les systèmes d'examen décrits ci-dessus, il apparaît que des defauts déterminés comme étant des particules POC ont sensiblement des dimensions comprises entre 0,12 et 0,16 que des défauts déterminés comme étant des particules réelles ont sensiblement des dimensions supérieures ou égales à 0,16 Mm. De plus, conformément aux algorithmes de distinction de défaut des systèmes d'examen tels décrits ci-dessus, seules des particules POC ou des particules ayant des dimensions supérieures ou égales à 0, Mm peuvent être distinguées. Cependant, en utilisant un microscope à force atomique (MFA), il a été confirmé la plupart des particules POC ont sensiblement des dimensions inférieures à 0,16 Mm. De plus, lorsque les dimensions des défauts déterminées comme étant des particules POC conformément aux algorithmes de distinction de défaut dans les systèmes d'examen décrits ci-dessus sont détectées comme étant supérieures ou égales à 0,16 Mm, il s'avère (par essai sous microscope MFA) que les défauts n'étaient pratiquement pas des particules , mais étaient plutôt des particules réelles. Pendant la fabrication de tranches utilisant procédé CZ, du fait du comportement thermique de défauts ponctuels provoqués par la différence de répartition chaleur à la limite entre le silicium fondu et le silicium monocristallin apparaissant lors de la croissance silicium monocristallin à partir du silicium fondu, des lacunes réseau cristallin provoquant des défauts cristallins tels que des particules POC apparaissent principalement dans la zone centrale de la tranche. Une zone se trouvant à une distance prédéterminée du centre de la tranche forme une zone riche en interstitiels (appelée ci-après zone riche en I) ayant uniquement des défauts causés des atomes interstitiels, c'est-à-dire dans un site anormal. Pour la zone centrale de la tranche dans laquelle particules POC peuvent apparaître, à savoir une zone riche en lacunes (appelée ci-après zone riche en L), l'étendue de la zone riche en L est prédéterminée en fonction du type de la tranche pendant la fabrication de la tranche et peut être ajustée. L'étendue de la zone riche en L d'une tranche d'un certain type est la même que celle d'une autre tranche du même type. Cependant, conformément aux algorithmes de distinction de défaut adoptés dans des procédés d'examen de tranche utilisant les systèmes d'examen décrits ci-dessus, défauts detectés dans la zone riche en I sont parfois déterminés comme étant des particules POC. Lorsque défauts detectés dans la zone riche en I sont déterminés comme étant des particules POC conformément aux algorithmes de distinction de défaut des systèmes d'examen, ces résultats de la distinction sont tous erronés. Des résultats d'essai confirmés en utilisant un microscope sont également à l'appui de ce jugement. Par conséquent, pour améliorer le rendement pendant fabrication de dispositifs LSI à intégration extrêmement poussée exigeant une gestion parfaite des substances étrangères ayant des diamètres de 0,1 à 0,2 Mm ou moins, ' est nécessaire de développer un algorithme nouveau pour déterminer avec précision si des défauts se trouvant une tranche sont du type POC ou des particules en tenant compte causes d'erreur qui peuvent apparaître dans les algorithmes de distinction d'examen utilisés dans des systèmes existants d'examen de tranche tels que décrits ci dessus, afin de minimiser les taux d'erreur. La figure 4 est un organigramme montrant un algorithme de distinction de défaut adopté dans un procédé d'examen de surface tranche selon une forme appréciée de réalisation de l'invention. L'algorithme de distinction de défaut décrit en regard de la figure 4 peut être appliqué systèmes existants d'examen de tranche décrits ci-dessus. En référence à la figure 4, une dimension SD d un défaut sur une tranche est d'abord mesurée en utilisant système d'examen de tranche (tel que ceux décrits ci-dessus) dans une étape 212. Une valeur limite d' dimension maximale de défaut POC apparaissant sur la tranche établie dans une étape 214. -ci, en fonction des résultats d'un examen utilisant un microscope MFA, on a démontre la dimension maximale de défaut POC sur une tranche est d'environ 0,16 Mm et que des défauts supérieurs à 0,16 étaient des particules. Par conséquent, dans la forme réalisation de l'invention, la valeur limite de la dimension maximale des défauts POC est établie à 0,16 dans l'etape 214. Ensuite, la dimension de défaut mesurée SD comparée à la valeur limite dans une étape 216. Lorsque la dimension de défaut mesurée SD est supérieure ou égale à valeur imite, à savoir 0,16 Mm dans l'étape 216, le défaut est déterminé comme étant une particule dans une étape Lorsque la dimension de défaut mesurée SD est inférieure à la valeur limite de 0,16 Mm dans l'étape 216, il déterminé que d'autres étapes de distinction sont nécessaires. Lorsque la dimension de défaut rr.esuree S, est inferieur_e à la valeur limite de 0,16 um, on procède à une distinction supplémentaire du défaut en se basant sur une corrélation entre plusieurs valeurs d'intensité obtenues à partir de plusieurs détecteurs de fond noir situés dans le système d'examen de tranche dans une étape 220. Une corrélation prédéterminée entre la pluralité valeurs d'intensité est obtenue dans une étape 222, puis il est déterminé si la corrélation entre les valeurs 'intensité satisfait à une condition de référence prédéterminée dans une étape 224. En fonction du résultat de cette détermination, on distingue le type du défaut. Autrement dit si la corrélation entre les valeurs d'intensité ne satisfait pas à la condition de référence prédéterminée, le défaut est distingué comme étant une particule. contre, si la condition de référence est satisfaite, une distinction supplémentaire du défaut est alors necessaire. La condition de corrélation et de référence prédéterminée de l'étape 220 peut être adoptée et analysée de la même manière que celle décrite ci-dessus en association avec les algorithmes de la figure 2B ou de la figure 3B. Par exemple, dans le cas de l'adoption de l'algorithme de figure 2B, des valeurs d'intensité de défaut S;.; et SN sont obtenues à partir du tube TPM 22 à grand angle et du tube TPM 24 à petit angle, respectivement. Ensuite, on obtient dans l'étape 222 un rapport d'intensité SN/S;., en tant que corrélation entre ces valeurs d'intensité de défaut. Une valeur de référence prédéterminée (par exemple 1, , qui est établie de la même manière que celle décrite dans l'étape 54 de la figure 2B, est ensuite comparée au rapport d'intensité SN/Sw. Il est ensuite déterminé si la condition de référence SN/SW>1,2 est satisfaite dans l'étape 224. Lorsque la corrélation représentée en tant que rapport d'intensité SN/S4, ne satisfait pas à la condition dans l'étape le défaut est déterminé comme étant une particule dans l'étape 244. Lorsque la corrélation satisfait a la condition de référence dans l'étape 224, il est déterminé qu'une distinction supplémentaire du défaut est nécessaire. Lorsqu'on adopte plutôt l'algorithme de la figure 3B comme indiqué à l'étape 220, on obtient des valeurs d'intensités de défaut SS, Sr, et S=, à partir du détecteur 112 à petit angle, du détecteur 114 à angle moyen et détecteur à grand angle, respectivement. Ensuite, dans l'étape 222 en tant que première corrélation entre valeurs d'intensités de défaut, on obtient un rapport d'intensité SM/SL de la même manière que dans l'étape de la figure 3B et, en tant que seconde corrélation. entre les valeurs d'intensité de défaut, on obtient un. rapport d'intensité SM/SS de la même manière que dans l'étape 162 de la figure 3B. Ensuite, pour déterminer si les première et seconde corrélations satisfont à des conditions référence prédéterminées, on adopte les mêmes procédés que dans les étapes 156 et 166 de la figure 3B, sauf que première et seconde valeurs de référence sont établies à 1,14 dans présente forme de réalisation, dans l'étape 224. Une première condition de référence est prédéterminée sous la forme SM/SL>1,14. Il est ensuite déterminé si la première condition de référence est satisfaite, c'est-à dire si première corrélation dépasse la première valeur de référence. De plus, une seconde condition de référence est prédéterminée sous la forme Sfr/SS>1, 14. Il est ensuite déterminé si la seconde condi@.ion de référence est satisfaite, c'est-à-dire si la seconde corrélation dépasse 1a seconde valeur de référence. Les première et seconde valeurs de référence prédéterminées peuvent être modifiées en fonction des conditions de traitement ou des conditions de l'installation. Lorsque l'une ou l'autre de la première condition de référence de la seconde condition de référence n est pas satisfaite le défaut est déterminé comme étant une particule dans l'étape 244. Lorsque les première et seconde conditions de référence sont toutes deux satisfaites, il est déterminé que des étapes supplémentaires de di inction de défaut sont nécessaires. Lorsque la condition ou les conditions sont toutes satisfaites dans l'étape 224, l'emplacement du défaut est mesuré en utilisant le système d'examen de tranche dans une étape 232. Ensuite, il est déterminé si l'emplacement du défaut tombe dans la zone riche en L ou dans la zone riche en I sur la tranche dans une étape 234. Par exemple, dans le cas d' tranche ayant une zone riche en I s'étendant depuis le bord de la tranche sur un rayon de 50 mm et une zone riche V située dans la partie centrale restante de la tranche il est déterminé si l'emplacement du défaut est en dehors la plage s'étendant du bord de la tranche jusqu'au rayon de 50 mm dans l'étape 234. Lorsque l'emplacement du défaut ne se trouve pas dans la zone riche en L sur la tranche dans l'étape 234, le défaut est déterminé comme étant une particule dans l'étape 244. Lorsque l'emplacement du défaut se trouve dans la zone riche en sur la tranche, le défaut est déterminé comme étant du type POC dans l'étape 242. En plus des conditions de distinction adoptées dans les algorithmes de distinction de défaut de systèmes existants d'examen de tranches, le procédé d'examen de la surface d'une tranche selon la présente invention utilise un algorithme qui détermine en outre si la dimension d'un défaut est inférieure à une valeur limite représentant la dimension maximale de défauts POC et qui détermine en outre si le défaut apparaît dans la zone riche en L sur une tranche, de manière à distinguer de façon plus précise le type de défaut sur la tranche. Par conséquent, le cas dans lequel un défaut ayant une dimension supérieure à une dimension maximale des défauts est distingué comme étant un défaut POC et le cas dans lequel un défaut dans la zone riche en I est distingué comme étant un défaut POC sont évités, ce qui minimise le taux d'erreur pendant le processus global de distinction. En outre, l'algorithme de distinction de défaut conforme au procédé d'examen l'invention peut être appliqué à des systèmes d'examen existants. Le fait de combiner le système d'examen avec un outil multiposte permet à la surface d'une tranche d'être examinée par un contrôle in situ pendant la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. L'invention détermine également de façon précise et rapide le type de défaut sur une tranche en utilisant un procédé non destructif, améliorant ainsi la productivité. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé décrit représenté sans sortir du cadre de l'invention. A titre uniquement d'exemple, il est évident pour un spécialiste la technique qu'on peut aisément modifier l'ordre des étapes de traitement apparaissant sur la figure a. Ainsi la distinction de la dimension (étapes 212 à 216), la distinction de l'intensité de la lumière (étape 220) et la distinction de l'emplacement (étapes 232 à 234) peuvent être exécutées dans n'importe quel ordre. REVENDICATIONS 1. Procédé pour examiner la surface d'une tranche afin d'établir une distinction entre des types de défauts sur une tranche (16) en fonction de mesures de défaut obtenues à partir d'un système d'examen de tranche qui comprend plusieurs détecteurs (20) de fond noir, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les etapes dans lesquelles on détermine si une première condition est satisfaite, condition dans laquelle une dimension d'un defaut sur la tranche, mesuré par le système 'examen de tranche, est inférieure à une valeur limite indiquant une dimension maximale de particules d'origine cristalline POC) ; on détermine si une deuxième condition est isfaite, condition dans laquelle une corrélation entre plusieurs valeurs d'intensité de lumière de défaut detectées par la pluralité de détecteurs de fond noir isfait à une valeur de référence; on détermine si une troisième condition est isfaite, condition dans laquelle un emplacement du défaut mesuré par le système d'examen de tranche se trouve à l'intérieur d'une zone riche en lacunes de la tranche; et on détermine que le type du défaut est une particule d'origine cristalline lorsque les première, deuxième et troisième conditions sont toutes isfaites, et on détermine que le type du défaut est une particule réelle lorsque l'une quelconque ou plus d'une des première, deuxième et troisième conditions n'est pas satisfaite. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en que la valeur limite est de 0,16 um. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en qu'on utilise un système de mesure de particule à diffusion en tant que système d'examen de tranche. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que chacun des détecteurs de fond noir comprend un tube photomultiplicateur à grand angle (22) destiné à détecter une lumière revenant par diffusion du défaut sous un grand angle et un tube photomultiplicateur (24) à petit angle destiné à détecter de la lumière revenant du defaut par diffusion dans un angle étroit. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que pluralité de valeurs d'intensité de lumière de défaut comprend une valeur d'intensité de défaut obtenue à partir tube photomultiplicateur à grand angle, et une valeur d'intensité de défaut SN obtenue à partir du tube photomultiplicateur à petit angle, et la deuxième condition est lorsqu'un rapport d'intensité SN/Sw de valeur d'intensite S_,. à la valeur d'intensité S,;; dépasse valeur de référence. 6. Procédé selon la revendication 3, caracterisé en ce que chacun des détecteurs de fond noir comprend un détecteur (112) à petit angle destiné à détecter des composantes de lumière diffusées vers l'avant à partir du défaut sous un petit angle, un détecteur (114) à anale moyen destiné à détecter des composantes de lumière diffusées perpendiculairement à partir du défaut sous un angle moyen et un détecteur (116) à grand angle destiné à détecter composantes de lumière diffusées vers l'arrière à partir du défaut sous un grand angle. 7. Procédé selon la revendication 6, caracterisé en ce que la pluralité de valeurs d'intensité de lumière de défaut comprend une valeur Ss d'intensité de lumière de défaut obtenue à partir du détecteur à petit angle, une valeur SM d'intensité de lumière de défaut obtenue a partir du détecteur à angle moyen et une valeur S- d'intensité de lumière de défaut obtenue à partir du détecteur à grand angle, et la deuxième condition est lorsque à la fois (a) un rapport d'intensité SM/SL de la valeur d'intensité Sr,. à la valeur d'intensité SL dépasse une première valeur de référence et (b) un rapport d'intensité SM/Ss de la valeur d'intensité SM à la valeur d'intensité Ss dépasse une seconde valeur de référence. 8. Procédé pour examiner la surface d'une tranche afin d'établir une distinction entre des types de défauts sur une tranche (16), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes dans lesquelles: on utilise un système d'examen de tranche pour mesurer une dimension d'un défaut sur la tranche; on détermine si une première condition est satisfaite, condition dans laquelle une dimension du défaut sur la tranche est inférieure à une valeur limite indiquant une dimension maximale de particules d'origine cristalline POC) ; on utilise plusieurs détecteurs (20) de fond noir système d'examen de la tranche pour détecter respectivement plusieurs valeurs d'intensité de lumière defaut; on détermine si une deuxième condition satisfaite, condition dans laquelle une corrélation entre la pluralité de valeurs d'intensité de lumière du défaut satisfait à une valeur de référence; on utilise le système d'examen de tranche pour déterminer un emplacement du défaut; on détermine si une troisième condition satisfaite, condition dans laquelle l'emplacement du défaut se trouve dans une zone riche en lacunes de la tranche; on détermine que le type du défaut est une particule d'origine cristalline lorsque les première, deuxième et troisième conditions sont toutes satisfaites et on détermine que le type de défaut est une particule réelle lorsque l'une quelconque ou plusieurs des première deuxième et troisième conditions ne sont pas satisfaites. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé que la valeur limite est de 0,16 /m. 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé au'ori utilise un système de mesure de particule à diffusion en tant que système d'examen de tranche. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que chacun des détecteurs de fond noir comprend un tube photomultiplicateur (22) à grand angle destine à détecter de la lumière revenant du défaut par diffusion sous un grand angle et un tube photomultiplicateur ) à petit angle destiné à détecter de la lumière revenant du défaut par diffusion sous un petit angle. 12. Procédé selon la revendication. 11, caractérisé en ce que pluralité de valeurs d'intensité lumière de défaut comprend une valeur d'intensité de défaut Swo obtenue à partir tube photomultiplicateur à grand angle et une valeur d'intensité de défaut SN obtenue à partir du tube photomultiplicateur à petit angle, et la deuxieme condition est lorsqu'un rapport d'intensité S;;/Sw de la valeur d'intensite SN à la valeur d'intensité S;., dépasse la valeur de référence; 13. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que chacun des détecteurs de fond noir comprend un détecteur (112) à petit angle destiné à détecter des composantes de lumière diffusées vers l'avant depuis le défaut sous un petit angle, un détecteur (114) à angle moyen destiné à détecter des composantes de lumière diffusées perpendiculairement à partir du défaut dans un angle moyen, et un détecteur (116) à grand angle destiné à détecter composantes de lumière diffusées vers l'arrière à partir du défaut dans un grand angle. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la pluralité de valeurs d'intensité de lumière de défaut comprend une valeur Ss d'intensité de lumière de défaut obtenue à partir du détecteur à petit angle, une valeur SM d'intensité de lumière de défaut obtenue à partir du détecteur à angle moyen et une valeur d'intensité de lumière de défaut SL obtenue à partir du détecteur à grand angle, et la deuxième condition est lorsque à la fois (a) un rapport d'intensité SM/SL de la valeur d'intensité SM à la valeur d'intensité SL dépasse une première valeur de référence et (b) un rapport 'intensité Sr.:/SS de la valeur d'intensité SM à la valeur d'intensité SS dépasse une seconde valeur de référence.