FR 2786318 A1 20000526 FR 9814714 A 19981123 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE RESISTANCE DE CHARGE L'invention concerne de façon générale un procédé de fabrica- tion d'un circuit intégré, et elle concerne plus particulièrement un procédé de fabrication d'une résistance de charge dans une mémoire vive statique (ou SRAM pour "static random access memory"). Une mémoire SRAM est un dispositif très largement utilisé dans des circuits intégrés, en particulier dans des produits électroniques liés à l'informatique. Une faible dimension et un niveau d'intégration élevé sont maintenant une tendance dominante dans la fabrication d'un dispositif. Une résistance de charge est l'un des dispositifs qui constituent une cel- lule de mémoire SRAM. La résistance de charge se présente de façon caractéristique sous la forme d'une région de silicium polycristallin fai- blement dopée ou non dopée. La figure 1 montre un schéma de circuit d'une cellule de mé- moire SRAM. La cellule de mémoire SRAM comprend deux résistances de charge R1, R2, deux transistors de rappel au potentiel bas Q1, Q2, et deux transistors de transfert Q3, Q4. Une première couche de silicium polycristallin est employée à titre de grille des transistors Q1, Q2, Q3 et Q4, et une seconde couche de silicium polycristallin est formée pour une résistance de charge. La seconde couche de silicium polycristallin com- prend une partie à résistance élevée qui est utilisée à titre de résistance de charge, et une partie à résistance faible qui est utilisée à titre d'inter- connexion. Dans la technique antérieure, la partie à faible résistance, c'est-a-dire l'interconnexion, est formée en dopant fortement une partie de la seconde couche de silicium polycristallin, tandis que la partie à ré- sistance élevée, c'est-à-dire la résistance de charge, est formée par une partie faiblement dopée ou non dopée de la seconde couche de silicium polycristallin. L'interconnexion et la résistance de charge constituent un îr T M ' chemin de circuit allant de la source d'alimentation Vcc aux noeuds A et B. Comme mentionné ci-dessus, l'interconnexion et les résistances de charge sont formées conjointement par la seconde couche de silicium polycristallin. L'épaisseur de I'interconnexion et des résistances de charge est donc la même. On décrira ci-dessous un procédé classique pour la formation d'une résistance de charge d'une mémoire SRAM, en se référant aux fi- gures 2A à 2J. Sur la figure 2A, on fournit un substrat en silicium 10. On forme sur le substrat 10 un transistor comprenant une couche d'oxyde de grille 13, une grille 12, une région de source/drain 14 et 16 et une couche d'oxyde de champ 11. On forme une couche dielectrique 18 sur le subs- trat 10. Sur la figure 2B, on forme une couche de résine photosensible 20 avec une ouverture mettant à nu une partie de la couche diélectrique 18, au-dessus de la région de source/drain 14 et 16 et de la grille 12. Sur la figure 2C, on enlève la partie à nu de la couche dielec- trique 18 pour former des passages pour mettre à nu la région de source/drain 14 et 16 et la grille 12. Sur la figure 2D, on enlève la couche de résine photosensible. On forme une couche de silicium polycristallin 22. Conformément à une technique antérieure, la couche de silicium polycristallin 22 est faible- ment dopée avec un dopant, ou bien la couche de silicium polycristallin 22 est laissée non dopée. Sur la figure 2E, on forme une couche de résine photosensible 24 avec des ouvertures pour mettre à nu des parties de la couche de sili- cium polycristallin 22. Sur la figure 2F, on enlève la couche de silicium polycristallin 22 à nu, pour laisser un circuit ouvert entre les régions de source/drain 14, 16 et la grille 12. On enlève ensuite la couche de résine photosensi- ble 24, comme représenté sur la figure 2G. Sur la figure 2H, on forme une couche de résine photosensible 26 de façon à recouvrir des parties de la couche de silicium polycristallin 22. Les parties recouvertes de la couche de silicium polycristallin 22 doi- vent devenir des résistances de charge, tandis que les parties à nu de la couche de silicium polycristallin 22 doivent devenir des interconnexions Sur la figure 21, on dope fortement les parties à nu de la couche de sili- cium polycristallin 22 pour réduire leur résistance. Les interconnexions comprennent donc l'élément conducteur 28 de Vcc, l'élément conducteur 30 de la région de drain, l'élément conducteur 36 de la région de source et l'élément conducteur 32 de la grille. Sur la figure 2J, on enlève la couche de résine photosensible 26 pour mettre à nu les parties de la couche de silicium polycristallin 22, à titre de résistances de charge portant les désignations 34, 38. Dans le procéde de fabrication ci-dessus pour former des ré- sistances de charge dans une mémoire SRAM, on forme une couche de silicium polycristallin pour fabriquer à la fois des résistances de charge et des interconnexions. On forme les résistances de charge sans dopage ou avec un dopage faible, tandis qu'on forme les interconnexions par un fort dopage. Comme mentionné ci-dessus, les résistances de charge sont formées avec la même épaisseur que les interconnexions. Lorsque le ni- veau d'intégration augmente, pour former une résistance de charge avec une résistance suffisamment élevée, on forme couramment la résistance de charge avec une épaisseur réduite. Par conséquent, I'épaisseur des interconnexions est réduite, ce qui affecte leur conductivité. En outre, dans le procédé ci-dessus, on forme les intercon- nexions au moyen d'un fort dopage. Les ions correspondant à un fort do- page qui sont introduits dans les interconnexions peuvent diffuser aisé- ment hors de la plage de l'interconnexion, vers la résistance de charge. La longueur effective de la résistance de charge est donc réduite, ce qui occasionne une résistance réduite, et affecte donc la qualité du disposi- tif. Un autre procédé pour augmenter la valeur de la résistance de charge consiste à augmenter la largeur. Cependant, lorsque le niveau d'intégration augmente de plus en plus, la possibilité d'augmentation de la largeur est très restreinte. Un but de l'invention est de procurer un procédé de fabrication d'une résistance de charge ayant une valeur de résistance suffisamment élevée. La résistance de charge est formée avec une dimension limitée, sans affecter l'exigence d'intégration du dispositif. En outre, la résistance --!T - --Il de charge est formée en convertissant une couche d'oxyde de métal ré- fractaire qui est également formée pour la fabrication d'une intercon- nexion. On obtient donc un dispositif ayant une surface plus plane qu'un dispositif classique. En outre, du fait que la résistance de charge et l'in- terconnexion sont formées par la même couche d'oxyde de métal réfrac- taire, le processus de fabrication est considérablement simplifié. Un autre but de l'invention est de procurer un procédé de fabri- cation d'une résistance de charge. En utilisant un traitement par de l'hy- drogène, on peut ajuster de la manière exigée à la fois la valeur d'une résistance de charge et la conductivité d'une interconnexion. Pour atteindre les buts et avantages mentionnés ci-dessus, I'in- vention procure un procédé de fabrication d'une résistance de charge. On fournit un substrat ayant au moins une région conductrice. On forme une couche d'isolation sur le substrat, avec une ouverture mettant à nu la ré- gion conductrice. On forme une couche d'oxyde de métal réfractaire sur la couche d'isolation et de façon à remplir l'ouverture. On effectue un traitement par de l'hydrogène en deux étapes pour convertir la couche d'oxyde de métal réfractaire en un conducteur avec une faible résistance, un conducteur avec une résistance élevée et un isolant. Dans le procédé mentionné ci-dessus, l'oxyde de métal réfrac- taire qui n'est pas converti par un traitement par de l'hydrogène forme un isolant. On peut également former l'isolant en enlevant sélectivement la couche d'oxyde de métal réfractaire. La résistance de charge qui est fabriquée par le procédé ci- dessus peut être appliquée à une mémoire vive statique, le substrat qui est fourni comprenant au moins un dispositif du type métal-oxyde- semiconducteur. Le dispositif métal-oxyde-semiconducteur comprend en outre une grille et une région de source/drain. Comme mentionné ci- dessus, les interconnexions pour connecter les régions de source/drain et les résistances de charge d'une mémoire vive statique sont formées en appliquant un traitement par de l'hydrogène à la couche d'oxyde de métal réfractaire. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non li- mitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels La figure 1 montre un schéma de circuit classique d'une cellule de mémoire SRAM; Les figures 2A à 2J montrent un processus de fabrication clas- sique pour former une résistance de charge d'une mémoire SRAM; Les figures 3A à 3F montrent un processus de fabrication pour former une résistance de charge d'une mémoire SRAM dans un mode de réalisation préféré conforme à l'invention; Les figures 4A à 4F montrent un processus de fabrication pour former une résistance de charge d'une mémoire SRAM dans un autre mode de réalisation préféré conforme à l'invention; et Les figures 5A à 5F montrent un processus de fabrication pour former une résistance de charge d'une mémoire SRAM dans un autre mode de réalisation préféré conforme à l'invention. Un oxyde de métal réfractaire, tel que l'oxyde de titane (TiO2), l'oxyde de tantale (Ta2Os), I'oxyde de fer (Fe203) et l'oxyde de baryum- titane (BaTiO3), est une sorte d'isolant ayant une bande interdite très large. Avec un traitement par de l'hydrogène, on introduit de l'hydrogène dans des interstices dans la structure atomique ou des lacunes d'oxy- gène dans l'oxyde de métal réfractaire, de façon que les interstices et les lacunes ne soient pas occupés par de l'oxygène dans le processus ulté- rieur. On considère que le traitement par un plasma d'hydrogène ou un traitement thermique par de l'hydrogène convient pour ce traitement par de l'hydrogène, bien que d'autres procédures puissent également fonc- tionner. En termes plus simples, les lacunes d'oxygène sont divers em- placements auxquels de l'oxygène peut être placé dans l'oxyde de métal réfractaire. Sous l'effet du traitement par de l'hydrogène, certains de ces emplacements o de l'oxygène peut être placé sont occupés par de l'hy- drogène. On considère que dans l'oxyde de métal réfractaire, la teneur en oxygène est un facteur clé qui détermine la conductivité. Lorsque la teneur en oxygène est moindre, on considère que la substance réfrac- taire a des caractéristiques proches de celles d'un métal. Au contraire, lorsque la teneur en oxygène est plus élevée, on considère que l'oxyde de métal réfractaire a une caractéristique de conduction proche de celle d'un isolant. Ainsi, I'oxyde de métal réfractaire avec une moindre teneur en oxygène a une conductivité plus élevée, tandis que l'oxyde de métal réfractaire avec une plus grande teneur en oxygène a une moindre con- ductivité. En outre, on considère que certains atomes d'oxygène dans l'oxyde de métal réfractaire sont même expulsés et remplacés par les atomes d'hydrogène. Le mécanisme réactionnel de l'expulsion d'oxygène est représenté par o'ó 4 02 + 2e- Comme le montre le mécanisme ci-dessus, lorsqu'une molécule d'oxygène est expulsée ou remplacée, deux moles d'électrons sont pro- duites. Ces électrons sont des porteurs chargés mobiles qui augmentent la conductivité de la couche d'oxyde de métal réfractaire. Avec ces élec- trons mobiles, I'oxyde de métal réfractaire est transformé d'un isolant en un semiconducteur de type n. Si de l'oxygène en une quantité suffisante dans l'oxyde de métal réfractaire est expulsé ou remplace par de l'hydro- gène, une grande quantité d'électrons est produite. L'oxyde de métal ré- fractaire peut même être transformé d'un isolant en un conducteur. La conductivité de l'oxyde de métal réfractaire dépend de la quantité dans laquelle l'oxygène est expulsé ou remplacé. En outre, la conductivité de l'oxyde de métal réfractaire varie avec la quantité d'élec- trons qui sont produits par l'expulsion d'oxygène. En utilisant un traite- ment par un plasma d'hydrogène ou un traitement thermique par de l'hy- drogène, on peut commander ou ajuster la teneur en oxygène dans l'oxyde de métal réfractaire. Par conséquent, on peut ajuster à un niveau prédéterminé la conductivité, ou la résistance, de l'oxyde de métal ré- fractaire. Plus le traitement par de l'hydrogène diminue la teneur en oxy- gène, plus la conductivité est grande et la résistance est faible. Le procédé d'introduction d'hydrogène dans l'oxyde de métal réfractaire pour ajuster la conductivité est décrit dans "Semiconductor Electrodes for Photo-electrolysis, page 151, State University of New York, 1982", par Fu-Tai Liou; "Solid Electro-Chemical Modification of Semiconductors, Solid State Comm., Vol. 43, n 8, pages 633-636 par C.Y. Yang et al."; et "Photo-Electrolysis at Fe203/TiO2 Hetero-junction Electrodee, Journal of the Electrochemical Society, Vol. 129, n 2, pages 342-345, 1982", par Fu-Tai Liou. Les figures 3A à 3F montrent un mode de réalisation préféré de la fabrication d'une résistance de charge d'une mémoire SRAM. Sur la figure 3A, des dispositifs a semiconducteurs 301a, 301b et une couche d'oxyde de champ 302 sont formés sur un substrat 300. Dans ce mode de réalisation, des transistors sont utilisés à titre d'exem- ple pour les dispositifs à semiconducteurs 301a et 301b. Le transistor 301a comprend une grille 303a, une couche d'oxyde de grille 304a et des régions de source/drain 305a, 306a. D'autre part, le transistor 301b com- prend une grille 303b, une couche d'oxyde de grille 304b et une région de source/drain 305b, 306b. Sur la figure 3B, on forme une couche d'isolation 307 sur le substrat 300. La couche d'isolation comprend des ouvertures 308a, 308b, 308c et 308d qui mettent respectivement à nu la grille 303a et les régions de source/drain 305a, 306b et 305b. Sur la figure 3C, on forme sur la couche d'isolation 307 une couche d'oxyde de métal réfractaire 309, par exemple une couche de TiO2, Ta205, Fe203, ou BaTiO3. La couche d'oxyde de métal réfractaire 309 remplit également les ouvertures 308a, 308b, 308c et 308d pour être connectée à la grille 303a et aux régions de source/drain 305a, 306b et 305b. On effectue ensuite un traitement par de l'hydrogène en deux éta- pes pour convertir la couche d'oxyde de métal réfractaire 309 d'un maté- riau à résistance élevee en un conducteur avec une résistance supé- rieure et un conducteur avec une résistance inférieure. Ce traitement par de l'hydrogène en deux étapes est présenté en détail ci-après. Sur la figure 3D, on forme une première couche de masque 310 sur la couche d'oxyde de métal réfractaire 309. Comme représenté sur la figure, des parties de la couche d'oxyde de métal réfractaire 309 sont à nu, tandis que les autres parties de la couche d'oxyde de métal réfrac- taire 309 sont recouvertes par la première couche de masque 310. On effectue une première étape de traitement par de l'hydrogène sur la cou- che d'oxyde de métal réfractaire 309 qui est à nu. L'oxyde de métal ré- fractaire 309 à nu est donc converti d'un isolant en un conducteur avec une résistance élevée. Les parties converties sont utilisées à titre de ré- sistances de charge dans une mémoire SRAM, et elles sont désignées par 309a et 309b. Sur la figure 3E, on enlève la couche de masque 310. On forme une seconde couche de masque 311 sur la couche d'oxyde de métal ré- fractaire 309. On effectue un second traitement par de l'hydrogène pour convertir des parties de la couche d'oxyde de métal réfractaire 309 qui sont laissées à nu par la seconde couche de masque 311. Les parties converties deviennent des conducteurs avec une faible résistance, dési- gnés par 309c, 309d, 309e, 309f, 309g et 309h, et on peut les utiliser à titre d'interconnexions dans une mémoire SRAM, dans ce mode de réali- sation, tandis que les parties qui sont recouvertes par la seconde couche de masque 311 restent un isolant, comme indiqué en 309i, 309j et 309k. On enlève ensuite la seconde couche de masque 311, comme représenté sur la figure 3F. Il en résulte que les résistances de charge 309a et 309b et les interconnexions 309c à 309h sont formées avec une surface du substrat 300 beaucoup plus plane en comparaison avec une mémoire SRAM classique. La surface plus plane est avantageuse pour le proces- sus de fabrication ultérieur. En outre, dans le processus classique, lors- qu'une résistance de charge ayant une valeur de résistance élevée est exigée, il arrive souvent que la résistance de charge soit formée avec une épaisseur réduite. De ce fait, I'épaisseur des interconnexions est ré- duite, ce qui affecte leur conductivité. Les figures 4A à 4F montrent un autre mode de réalisation préféré pour la fabrication d'une résistance de charge d'une mémoire SRAM. Sur la figure 4A, on forme des dispositifs à semiconducteur 401a, 401b, et une couche d'oxyde de champ 402 sur un substrat 400. Dans ce mode de réalisation, on utilise des transistors à titre d'exemple pour les dispositifs à semiconducteur 401a et 401b. Le transistor 401a comprend une grille 403a, une couche d'oxyde de grille 404a, et des ré- gions de source/drain 405a, 406a. D'autre part, le transistor 401b com- prend une grille 403b, une couche d'oxyde de grille 404b et une région de source/drain 405b, 406b. Sur la figure 4C, on forme une couche d'oxyde de métal ré- fractaire 409, par une couche de TiO2, Ta205, Fe203, ou BaTiO3, sur la couche d'isolation 407. La couche d'oxyde de métal réfractaire 409 rem- 7Or 7 u7--l plit également les ouvertures 408a, 408b, 408c et 408d pour être con- nectée à la grille 403a et aux régions de source/drain 405a, 406b et 405b. On enlève sélectivement la couche d'oxyde de métal réfractaire 407, par des opérations de photolithographie et d'attaque. L'enlèvement de la couche d'oxyde de métal réfractaire 407 forme donc un isolant. Ain- si, toute connexion indésirable entre des interconnexions, des résistan- ces de charge, ou la région de source/drain est donc évitée. On effectue ensuite un traitement par de l'hydrogène en deux étapes pour convertir la couche d'oxyde de métal réfractaire 409 d'un matériau fortement résistif en un conducteur avec une résistance supérieure et un conducteur avec une faible résistance. Ce traitement par de l'hydrogène en deux étapes est présenté en détail dans ce qui suit. Sur la figure 4D, on forme une première couche de masque 410 sur la couche d'oxyde de métal réfractaire 409. Comme représenté sur la figure, des parties de la couche d'oxyde de métal réfractaire 409 sont à nu, tandis que les autres parties de la couche d'oxyde de métal réfrac- taire 409 sont recouvertes par la première couche de masque 410. On effectue une première étape de traitement par de l'hydrogène sur la cou- che d'oxyde de métal réfractaire 409 à nu. L'oxyde de métal réfractaire 409 à nu est donc converti d'un isolant en un conducteur avec une ré- sistance élevée Les parties converties sont utilisées à titre de résistan- ces de charge dans une mémoire SRAM, et elles portent les désignations 409a et 409b. Dans cette étape, on utilise la première couche de masque 410 à la fois à titre de couche de résine photosensible et de couche de barrière de diffusion. Sur la figure 4E, on enlève la couche de masque 410. On forme une seconde couche de masque 411 sur la couche d'oxyde de métal ré- fractaire 409. On effectue un second traitement par de l'hydrogène pour convertir des parties de la couche d'oxyde de métal réfractaire 409 qui sont laissées à nu par la seconde couche de masque 411. Les parties converties deviennent des conducteurs avec une faible résistance, por- tant les désignations 409c, 409d, 409e, 409f, 409g et 409h, et on peut les utiliser à titre d'interconnexions dans une mémoire SRAM dans ce mode de réalisation. Il en résulte que les résistances de charge 409a et 409b et les interconnexions 409c à 409h sont formées avec une surface 7 I 1 TW 77!.-. du substrat 400 beaucoup plus plane en comparaison avec une mémoire SRAM classique. La surface plus plane est avantageuse pour le proces- sus de fabrication ultérieur. En outre, dans le processus classique, lors- qu'une résistance de charge avec une valeur de résistance élevée est exigée, on forme souvent la résistance de charge avec une épaisseur réduite. L'épaisseur des interconnexions est donc réduite, ce qui affecte la conductivité. Sur la figure 4F, on enlève la seconde couche de masque. Dans ce mode de réalisation, I'isolant 309i à 309k qui est représenté sur la fi- gure 3E et la figure 3F du mode de réalisation précédent, est enlevé pour éviter tout contact ou connexion électrique indésirable. Les figures 5A à 5F montrent un autre mode de réalisation préféré pour la fabrication d'une résistance de charge d'une mémoire SRAM. Sur la figure 5A, on forme des dispositifs à semiconducteur 501a, 501b et une couche d'oxyde de champ 502 sur un substrat 500. Dans ce mode de réalisation, on utilise des transistors à titre d'exemple pour les dispositifs à semiconducteur 501a et 501b. Le transistor 501la comprend une grille 503a, une couche d'oxyde de grille 504a et des ré- gions de source/drain 505a, 506a. D'autre part, le transistor 501b com- prend une grille 503b, une couche d'oxyde de grille 504b et une région de source/drain 505b, 506b. Sur la figure 5B, on forme une couche d'isolation 507 sur le substrat 500. La couche d'isolation comprend des ouvertures 508a, 508b, 508c et 508d, mettant à nu respectivement la grille 503a et les régions de source/drain 505a, 506b et 505b. Sur la figure 5C, on forme une couche d'oxyde de métal ré- fractaire 509, par exemple une couche de TiO2, Ta205, Fe203, ou BaTiO3, sur la couche d'isolation 507. La couche d'oxyde de métal ré- fractaire 509 remplit également les ouvertures 508a, 508b, 508c et 508d pour être connectée à la grille 503a et aux régions de source/drain 505a, 506b et 505b. On enlève sélectivement la couche d'oxyde de métal ré- fractaire 407 en utilisant des opérations de photolithographie et d'atta- que. L'enlèvement de la couche d'oxyde de métal réfractaire 407 forme donc un isolant. Ainsi, toute connexion indésirable entre des intercon- nexions, des résistances de charge ou la région de source/drain est donc évitée. On effectue ensuite un traitement par de l'hydrogène en deux étapes, pour convertir la couche d'oxyde de métal réfractaire 509 d'un matériau fortement résistif à un conducteur avec une résistance supé- rieure et un conducteur avec une faible résistance. Ce traitement par de l'hydrogène en deux étapes est présenté en détail dans ce qui suit. Sur la figure 5D, on effectue une première étape de traitement par de l'hydrogène sur la couche d'oxyde de métal réfractaire 509. L'oxyde de métal réfractaire 509 est donc converti d'un isolant en un conducteur avec une résistance élevée. Sur la figure 5E, on forme une couche de masque 510 de façon à recouvrir des parties de la couche d'oxyde de métal réfractaire 509 qui sont converties par une première étape de traitement par de l'hydrogène. Les parties recouvertes portent les désignations 509a et 509b. Un se- cond traitement par de l'hydrogène est effectué pour convertir des parties de la couche d'oxyde de métal réfractaire 509c à 509h qui sont laissées à nu par la seconde couche de masque 510. Les parties converties devien- nent des conducteurs avec une faible résistance portant les désignations 509c, 509d, 509e, 509f, 509g et 509h, qui peuvent être utilisés à titre d'interconnexions dans une mémoire SRAM dans ce mode de réalisation. Il en résulte que les parties 509a et 509b restent sous la forme d'un con- ducteur avec une résistance elevee et sont utilisées à titre de résistances de charge, tandis que les parties converties 509c à 509g sont utilisées à titre d'interconnexions avec une faible résistance. Les interconnexions 509a à 509h sont formées avec une surface du substrat 500 beaucoup plus plane en comparaison avec une mémoire SRAM classique. La sur- face plus plane est avantageuse dans le processus de fabrication ulté- rieur. Dans ce mode de réalisation, une seule couche de masque est exi- gee pour atteindre l'objectif consistant à former à la fois des résistances de charge et des interconnexions locales. De plus, de façon similaire au second mode de réalisation, les parties de la couche d'oxyde de métal réfractaire qui se trouvent entre des interconnexions ou des résistances de charge sont enlevées, pour éviter tout contact ou connexion électrique indésirable. Il faut noter que les modes de réalisation ci-dessus sont pré- TM iii. T sentes avec les exemples d'une cellule de mémoire SRAM. L'homme de l'art peut également appliquer cette technique pour former à la fois des résistances de charge et des interconnexions locales, ou même les iso- lants de la même couche d'oxyde de metal réfractaire, en utilisant des traitements sélectifs par de l'hydrogène. Alors que les interconnexions locales sont formées pour connecter diverses régions conductrices d'un substrat, les résistances de charge sont formées à titre d'éléments pas- sifs pour réaliser un circuit. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être ap- portées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'inven- tion. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une résistance de charge, caractéri- sé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: on fournit un substrat (300) ayant au moins une région conductrice (303a, 305a, 306a, 303b, 305b, 306b); on forme une couche isolante (307) sur le substrat avec une ouverture (308a - 308d) mettant à nu la région conductrice; on forme une couche d'oxyde de métal réfractaire (309) sur la couche d'isolation (307) et de façon à remplir l'ouverture (308a - 308d); et on effectue un traite- ment par de l'hydrogène en deux étapes pour convertir la couche d'oxyde de métal réfractaire (309) en un conducteur avec une faible résistance (309c - 309h), un conducteur avec une résistance élevée (309a, 309b) et un isolant (309i - 309k). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région conductrice comprend une région de source/drain (305a, 306a) d'un dispositif métal-oxyde-semiconducteur (301a). 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région conductrice comprend une grille (303a) d'un dispositif métal- oxyde-semiconducteur (301a). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'oxyde de métal réfractaire (309) est formée à partir d'un maté- riau sélectionné parmi l'un au moins des suivants: TiO2, Ta205, Fe203, ou BaTiO3. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le traitement par de l'hydrogène en deux étapes comprend en outre les opé- rations suivantes: on forme une première couche de masque (310) avec au moins une ouverture. pour mettre à nu une première partie de la cou- che d'oxyde de métal réfractaire (309); on effectue une première étape du traitement par de l'hydrogène pour convertir la première partie à nu de la couche d'oxyde de métal réfractaire (309) de façon à donner le con- ducteur à faible résistance (309c - 309h); on enlève la première couche de masque (310); on forme une seconde couche de masque (311) pour mettre à nu une seconde partie de la couche d'oxyde de métal réfractaire (309); et on effectue une seconde étape du traitement par de l'hydrogène pour convertir la seconde partie à nu de la couche d'oxyde de métal ré- fractaire, pour donner le conducteur avec une résistance élevée (309a, Ir iT r 7 -ln 309b), tandis qu'on laisse non convertie une troisième partie de la cou- che d'oxyde de métal réfractaire (309). pour constituer l'isolant (309i - 309k). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la première étape du traitement par de l'hydrogène est effectuée pendant une plus longue durée que la seconde étape du traitement par de l'hy- drogène. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le traitement par de l'hydrogène comprend un traitement thermique par de I'hydrogène. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le traitement par de l'hydrogène comprend un traitement par un plasma d'hydrogène. 9. Procédé de fabrication d'une résistance de charge, caractéri- sé en ce qu'il comprend les étapes suivantes on fournit un substrat (400) ayant au moins une région conductrice (403a, 405a, 406a; 403b, 405b, 406b); on forme une couche d isolation (407) avec une ouverture mettant à nu la région conductrice; or forme une couche d'oxyde de mé- tal réfractaire (409) sur la couche d'isolation (407) de façon à remplir I'ouverture; on enlève une partie de:a couche d'oxyde de métal réfrac- taire (409); on convertit une première partie restante de la couche d'oxyde de métal réfractaire (409) en an conducteur ayant une résistance élevée (409a, 409b); et on convertit une seconde partie restante de la couche d'oxyde de métal réfractaire (409) en un conducteur ayant une faible résistance (409c - 409h). 10. Procédé selon la revendication 9. caractérisé en ce que la région conductrice comprend une région de source/drain (405a, 406a) d'un dispositif métal-oxyde-semiconducteur (401a). 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la région conductrice comprend une grille (403a) d'un dispositif métal- oxyde-semiconducteur (401a). 12. Procédé selon la revendication 9 caractérisé en ce que la couche d'oxyde de métal réfractaire 409) est formée à partir d'un maté- riau sélectionné parmi l'un au moins des suivants: TiO2, Ta205, Fe203, ou BaTiO3. 13. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape de conversion des première et seconde parties restantes de la couche d'oxyde de métal réfractaire (409) comprend une étape de traite- ment par de l'hydrogène. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le traitement par de l'hydrogène comprend un traitement thermique par de l'hydrogène. 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le traitement par de l'hydrogène comprend un traitement par un plasma d'hydrogène. 16. Procédé de fabrication d'une résistance de charge, caracté- risé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on fournit un substrat (500) ayant au moins une région conductrice (503a, 505a, 506a; 503b, 505b, 506b); on forme une couche d'isolation (507) avec une ouverture (508a 508d) mettant à nu la région conductrice; on forme une couche d'oxyde de métal réfractaire (509) sur la couche d'isolation (507) de fa- çon à remplir l'ouverture; on enlève une partie de la couche d'oxyde de métal réfractaire (509). on effectue un premier traitement par de l'hydro- gène sur la couche d'oxyde de métal réfractaire (509) restante; et on ef- fectue un second traitement par de l'hydrogène sur une partie de la cou- che d'oxyde de métal réfractaire (509). 17 Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que la région conductrice comprend une grille (503a) d'un dispositif métal- oxyde-semiconducteur (501a). 18. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que la couche d'oxyde de métal réfractaire (509) est formée à partir d'un maté- riau sélectionné parmi l'un au moins des suivants: TiO2, Ta205, Fe203, ou BaTiO3. 19. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le traitement par de l'hydrogène comprend un traitement par un plasma d'hydrogène. 20. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le traitement par de l'hydrogène comprend un traitement thermique par de l'hydrogène. 21. Procédé de fabrication d'une résistance de charge d'une 7 r- r E.--T mémoire vide dynamique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on fournit un substrat (300) ayant au moins un dispositif mé- tal-oxyde-semiconducteur (301a, 301b) qui comprend une région de source/drain (305a, 306a; 305b, 306b) et une grille (303a, 303b); on forme une couche d'isolation (307) avec des ouvertures (308a - 308d) mettant à nu la grille (303a, 303b) et la région de source/drain (305a, 306a; 305b, 306b); on forme une couche d'oxyde de métal réfractaire (309) sur la couche d'isolation (307) et de façon à remplir les ouvertures (308a 308d); et on effectue un traitement par de l'hydrogène en deux étapes pour convertir la couche d'oxyde de métal réfractaire (309) en trois parties (309a - 309k) ayant des conductivités différentes. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que les trois parties de la couche d'oxyde de métal réfractaire (309) com- prennent un conducteur (309c - 309h) avec une faible résistance, un conducteur (309a, 309b) avec une résistance élevée, et un isolant (309i - 309k). ME 17 1?