FR 2788366 A1 20000713 FR 0000339 A 20000112 PROCEDE DE COMMANDE D'UNE IMPULSION D'ENTRETIEN POUR UN PANNEAU D'AFFICHAGE A PLASMA ET CIRCUIT DE COMMANDE POUR COMMANDER UN PANNEAU D'AFFICHAGE A PLASMA DESCRIPTION CONTEXTE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé pour commander une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma et un circuit de commande pour commander un panneau d'affichage à plasma et, plus particulièrement, un procédé de commande d'une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma pour maintenir à une intensité stable les décharges d'entretien pour chaque cellule d'affichage indépendamment de la variation de charge des cellules d'affichage, ainsi qu'un circuit de commande pour commander un panneau d'affichage à plasma pour maintenir à une intensité stable les décharges d'entretien pour chaque cellule d'affichage indépendamment de la variation de charge des cellules d'affichage. Le panneau d'affichage à plasma est avantageux du fait de la réduction possible de son épaisseur et, également, du fait du grand contraste de l'affichage sans scintillement sensible, ainsi qu'avantageux du fait de l'agrandissement possible de son écran. Le panneau d'affichage à plasma est, de plus, avantageux du fait de la grande vitesse de réponse et de la réalisation d'un affichage multicolore par l'utilisation d'un matériau fluorescent du fait de l'affichage de type à auto-émission. Ces dernières années, l'utilisation du panneau d'affichage à plasma s'est développée dans de nombreux domaines d'affichage pour les ordinateurs et d'affichage couleur. La figure 1 est un schéma de réalisation illustratif d'une configuration de circuit classique d'un circuit de commande pour commander une cellule d'affichage d'un panneau d'affichage à plasma. Le circuit de commande est connecté à une cellule d'affichage 16. Le circuit de commande pour commander la cellule d'affichage 16 comprend un dispositif de commande d'adresse 20, un dispositif de commande de balayage 21 et un dispositif de commande d'entretien 22. Le dispositif de commande d'adresse 20 est connecté, par l'intermédiaire d'une électrode de données 7, à la cellule d'affichage 16. Le dispositif de commande de balayage 21 est également connecté, par l'intermédiaire d'une électrode de balayage 3, à la cellule d'affichage 16. Le dispositif de commande d'entretien 22 est également connecté, par l'intermédiaire d'une électrode d'entretien 4, à la cellule d'affichage 16. La cellule d'affichage 16 présente une capacitance statique de panneau entre l'électrode de balayage 3 et l'électrode d'entretien 4. Le dispositif de commande d'adresse 20 comprend un circuit MOS complémentaire qui comprend un transistor MOS à effet de champ à canal n Tll et un transistor MOS à effet de champ à canal p T10 connectés en série entre une ligne de masse et une ligne de tension élevée Vd, dans lequel la ligne de tension élevée est connectée au transistor MOS à effet de champ à canal p T10, tandis que la ligne de masse est connectée au transistor MOS à effet de champ à canal n Tll. L'électrode de données 7 est connectée à un point intermédiaire entre le transistor MOS à effet de champ à canal p T10 et le transistor MOS à effet de champ à canal n Til. Le dispositif de commande de balayage 21 comprend sept diodes D20, D21, D23, D31, D42, D52 et D54, et cinq transistors MOS à effet de champ à canal n T21, T22, T23, T31 et T42, ainsi que deux transistors MOS à effet de champ à canal p T20 et T52. L'électrode de balayage 3 est connectée à un premier noeud Ni du dispositif de commande de balayage 21. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 est connecté en série entre le premier noeud Ni et un second noeud N2. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 est connecté en série entre le premier noeud Ni et un troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 sont connectés en série entre le second noeud N2 et le troisième noeud N3, et le premier noeud en tant que point intermédiaire entre le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 est connecté à l'électrode de balayage 3. Deux diodes D20 et D21 sont connectées en série entre le second noeud N2 et le troisième noeud N3 en parallèle à la connexion série du transistor MOS à effet de champ à canal p T20 et du transistor MOS à effet de champ à canal n T21. La diode D20 est connectée entre le premier noeud Ni et le second noeud N2 dans une direction telle que la diode D20 permet la circulation d'un courant du premier noeud Ni vers le second noeud N2. La diode D21 est connectée entre le premier noeud Nl et le troisième noeud N3 dans une direction telle que la diode D21 permet la circulation d'un courant du troisième noeud N3 vers le premier noeud Ni. Le second noeud N2 est connecté au dispositif de commande d'entretien 22. Le troisième noeud N3 est également connecté au dispositif d'entretien 22. La diode D23 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vbw à laquelle est appliqué un niveau de tension Vbw. La diode D23 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 dans une direction telle que la diode D23 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T23. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 est connecté entre la diode D23 et la ligne de tension Vbw. La diode D31 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vpe à laquelle est appliqué un niveau de tension Vpe. La diode D31 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 dans une direction telle que la diode D31 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T31. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 est connecté entre la diode D31 et la ligne de tension Vpe. La diode D42 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vs à laquelle est appliqué un niveau de tension Vs. La diode D42 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 dans une direction telle que la diode D42 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T42. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 est connecté entre la diode D42 et la ligne de tension Vs. La diode D54 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 sont connectés en série entre le troisième noeud N3 et une ligne de tension Vw à laquelle est appliqué un niveau de tension Vw. La diode D54 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 dans une direction telle que la diode D54 permet la circulation d'un courant du troisième noeud N3 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T22. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 est connecté entre la diode D54 et la ligne de tension Vw. La diode D52 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 sont connectés en série entre le troisième noeud N3 et une ligne de masse à laquelle est appliqué un niveau de tension de masse. La diode D52 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 dans une direction telle que la diode D52 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T52 vers le troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 est connecté entre la diode D52 et la ligne de masse. Le dispositif de commande d'entretien 22 comprend également cinq diodes D30, D40, D50, D60 et D61 et quatre transistors MOS à effet de champ à canal n T30 et T32, T60 et T61, ainsi qu'un transistor MOS à effet de champ à canal p T50 unique. Un quatrième noeud N4 est connecté à l'électrode d'entretien 4. La diode D30 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de tension Vp à laquelle est appliqué un niveau de tension Vp. La diode D30 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 dans une direction telle que la diode D30 permet la circulation d'un courant du quatrième noeud N4 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T30. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 est connecté entre la diode D30 et la ligne de tension Vp. La diode D40 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T32 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de tension Vs à laquelle est appliqué un niveau de tension Vs. La diode D40 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T32 dans une direction telle que la diode D40 permet la circulation d'un courant du quatrième noeud N4 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T32. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T32 est connecté entre la diode D40 et la ligne de tension Vs. La diode D50 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de masse à laquelle est appliqué un potentiel de masse. La diode D50 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 dans une direction telle que la diode D50 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T50 vers le quatrième noeud N4. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 est connecté entre la diode D50 et la ligne de masse. Le quatrième noeud N4 est également connecté, par l'intermédiaire d'une réactance L60, au cinquième noeud N5. La diode D60 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 sont connectés en série entre le cinquième noeud N5 et le troisième noeud N3 du dispositif de commande de balayage 21. La diode D60 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 dans une direction telle que la diode D60 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal n T60 vers le troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 est connecté entre la diode D60 et le cinquième noeud N5. La diode D61 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 sont également connectés en série entre le cinquième noeud N5 et le second noeud N2 du dispositif de commande de balayage 21. La diode D61 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 dans une direction telle que la diode D61 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T61. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 est connecté entre la diode D61 et le cinquième noeud N5. Le circuit ci-dessus fonctionne comme suit. Dans un intervalle de temps de décharge préliminaire, le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 devient passant, de sorte que la diode D30 met le quatrième noeud N4 et l'électrode d'entretien 4 au niveau de tension Vp, de telle manière qu'une impulsion de décharge préliminaire Pp soit appliquée à l'électrode d'entretien 4. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 est mis à l'état passant, de sorte que les diodes D52 et D21, connectées en série, maintiennent l'électrode de balayage 3 au potentiel de masse. Ensuite, le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 devient passant, de sorte que les diodes D31 et D20, connectées en série, mettent le second noeud N2 et l'électrode de balayage 3 au niveau de tension Vpe, de telle manière qu'une impulsion d'annulation de décharge préliminaire Ppe soit appliquée à l'électrode de balayage 3. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 est mis à l'état passant, de sorte que la diode D50 met l'électrode d'entretien 4 au potentiel de masse. Pendant l'intervalle de temps de décharge préliminaire ci- dessus, le transistor MOS à effet de champ à canal p T10 reste à l'état bloqué, tandis que le transistor MOS à effet de champ à canal n Tll reste à l'état passant, de sorte que l'électrode de données 7 reste au niveau de masse. Pendant un intervalle de temps de décharge d'écriture, le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 devient passant, de sorte que les diodes D23 et D20, connectées en série, mettent le second noeud N2 et l'électrode de balayage 3 au niveau de tension Vbw. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 est mis à l'état passant, de sorte que la diode D50 met l'électrode d'entretien 4 au potentiel de masse. De plus, le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 est mis à l'état passant. Dans ces états, le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 est commuté, de manière sélective, à l'état passant, de sorte que le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 est abaissé au niveau de tension Vw, de telle manière que l'impulsion de balayage Pw soit appliquée à l'électrode de balayage 3. Pour exécuter la décharge d'écriture, en réponse à cette impulsion de balayage Pw, le transistor MOS à effet de champ à canal p T10 devient passant, tandis que le transistor MOS à effet de champ à canal n Tll devient bloqué, de sorte que l'électrode de données 7 est mise au niveau de tension Vd, de telle manière que l'impulsion de données soit appliquée à l'électrode de données 7. Une impulsion d'entretien peut être obtenue par divers procédés, par exemple, un procédé de récupération d'énergie présenté dans la Publication de Brevet Japonais N 2755201 tel que mentionné ci- dessous. Les opérations suivantes consistent à appliquer une impulsion d'entretien de potentiel négatif à l'électrode d'entretien 4. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 devient passant, de sorte que les charges accumulées dans la capacitance statique de panneau Cp sont amenées à circuler à travers l'électrode de balayage 3, les diodes D20 et D61 et, de plus, à travers le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 et la réactance L60, vers le quatrième noeud N4 et l'électrode d'entretien 4, de telle manière qu'un phénomène de résonance soit provoqué pour charger les charges de polarités opposées dans la capacitance de panneau Cp. En conséquence, l'électrode de balayage 3 est mise au potentiel GO et l'électrode d'entretien 4 est mise au potentiel Vs0. Ensuite, afin de fournir le courant de décharge d'entretien, le transistor MOS à effet de champ à canal n T32 devient passant, de sorte que le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 est abaissé au niveau de tension Vs. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 devient passant, de sorte que le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 s'élève au niveau de masse GND. Les opérations suivantes consistent à appliquer une impulsion de balayage de potentiel négatif à O10 l'électrode de balayage 3. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 devient passant, de sorte que les charges accumulées dans la capacitance statique de panneau Cp sont amenées à circuler à travers l'électrode d'entretien 4, le quatrième noeud N4, la réactance L60 et, de plus, à travers le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 et les diodes D60 et D21 vers l'électrode de balayage 3, de telle manière qu'un phénomène de résonance soit provoqué pour charger les charges de polarités opposées dans la capacitance de panneau Cp. En conséquence, l'électrode d'entretien 4 est mise au potentiel G0 et l'électrode de balayage 3 est mise au potentiel Vs0. Ensuite, afin de fournir le courant de décharge d'entretien, le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 devient passant, de sorte que le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 est abaissé au niveau de tension Vs. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 devient passant, de sorte que le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 s'élève au niveau de masse GND. Les opérations ci-dessus sont répétées pour alterner les niveaux de potentiel de l'électrode de balayage 3 et de l'électrode d'entretien 4, réalisant de ce fait la décharge d'entretien requise. Pour l'affichage à plasma, il est facile de sélectionner l'activation ou la désactivation de la lumière, cependant il est difficile d'ajuster de manière analogique la luminosité. Si les images doivent être affichées dans de multiples niveaux de gris, alors le procédé de sous-champs est utilisé. Les cellules d'affichage sur l'affichage à plasma présentent une l1 certaine luminescence lors de l'application de l'impulsion d'entretien dans la condition o les charges sont écrites ou chargées dans la capacitance. Dans le procédé de sous-champs, la luminosité de la cellule d'affichage est considérée comme étant un effet intégral de l'intégration de la visibilité, et le nombre d'applications de l'impulsion d'entretien est ajusté afin d'ajuster la luminosité de la cellule d'affichage. Une trame en tant que trame principale de l'écran d'affichage est divisée en une pluralité de sous-champs o les intervalles pour appliquer les impulsions d'entretien en tant qu'impulsions de commande sont différents en fonction des sous-champs individuels. Par exemple, les signaux d'image comprennent des échelles binaires de 6 bits pour afficher une image en 64 niveaux de gris. La figure 2 est un schéma illustratif de synchronisations d'applications d'impulsions d'entretien pour des sous- champs individuels SF1, SF2, SF3, SF4, SF5 et SF6 dans une trame. Ladite trame est divisée en six sous-champs SF1, SF2, SF3, SF4, SF5 et SF6. Dans le premier sous- champ SF1, après l'intervalle de temps de décharge préliminaire et l'intervalle de temps de décharge d'écriture, un premier intervalle de temps de décharge d'entretien existe, lequel correspond à une application de l'impulsion d'entretien. Dans le second sous-champ SF2 qui suit le premier sous-champ SF1, après le même intervalle de temps de décharge préliminaire et le même intervalle de temps de décharge d'écriture que ceux dans le premier sous-champ SF1, un second intervalle de temps de décharge d'entretien existe, lequel correspond à deux applications de l'impulsion d'entretien. Dans le troisième sous- champ SF3 qui suit le second sous-champ SF2, après le même intervalle de temps de décharge préliminaire et le même intervalle de temps de décharge d'écriture que ceux dans le second champ SF2, un troisième intervalle de temps de décharge d'entretien existe, lequel correspond à quatre applications de l'impulsion d'entretien. Dans le quatrième sous-champ SF4 qui suit le troisième sous-champ SF3, après le même intervalle de temps de décharge préliminaire et le même intervalle de temps de décharge d'écriture que ceux dans le troisième sous- champ SF3, un quatrième intervalle de temps de décharge d'entretien existe, lequel correspond à huit applications de l'impulsion d'entretien. Dans le cinquième sous-champ SF5 qui suit le quatrième sous- champ SF4, après le même intervalle de temps de décharge préliminaire et le même intervalle de temps de décharge d'écriture que ceux dans le quatrième sous-champ SF4, un cinquième intervalle de décharge d'entretien existe, lequel correspond à seize applications de l'impulsion d'entretien. Dans le sixième sous-champ SF6 qui suit le cinquième sous-champ SF5, après le même intervalle de temps de décharge préliminaire et le même intervalle de temps de décharge d'écriture que ceux dans le cinquième sous-champ SF5, un sixième intervalle de temps de décharge d'entretien existe, lequel correspond à trente-deux applications de l'impulsion d'entretien. Ces divers intervalles de temps d'application aux sous-champs de l'impulsion d'entretien sont, de manière optionnelle, seuls ou combinés, de sorte que 64 intervalles de temps différents d'application dans une trame d'une impulsion d'entretien peuvent être obtenus, c'est pourquoi il est possible de réaliser l'affichage de 64 niveaux de gris correspondant au nombre des applications de l'impulsion d'entretien dans ladite trame, de sorte que la luminosité correspondant aux 64 niveaux de gris correspondant aux 64 intervalles de temps différents d'application de l'impulsion d'entretien est obtenue. La technique classique ci-dessus présente les problèmes suivants. Si le nombre des cellules luminescentes est modifié, de telle manière qu'une charge d'affichage soit modifiée dans l'intervalle de temps de décharge d'entretien, les variations du courant de décharge d'entretien à appliquer aux cellules d'affichage individuelles sont provoquées par les résistances de l'électrode de balayage 3 et de l'électrode d'entretien 4 et, également, par l'impédance de sortie du circuit d'alimentation en courant de décharge d'entretien, c'est pourquoi même si le nombre des impulsions est identique pour les cellules d'affichage, la luminosité est différente entre les cellules d'affichage. Si la charge d'affichage de chaque sous-champ est modifiée, alors les 64 niveaux de luminosité ne varient pas de manière uniforme, de telle manière que deux niveaux de luminosité supérieur et inférieur contigus sont inversés, de sorte qu'un niveau de luminosité supérieur, qui devrait être supérieur à un niveau de luminosité inférieur contigu, peut, en réalité, être inférieur au niveau de luminosité inférieur contigu. Il n'est plus possible d'obtenir un affichage d'image correcte, ce qui résulte en une détérioration importante de la qualité de l'image. Même si les deux niveaux de luminosité supérieur et inférieur contigus ne sont pas inversés, il n'est plus possible ensuite d'obtenir des niveaux de gris précis, de telle manière que la qualité de l'affichage est médiocre. La figure 3A est un diagramme illustratif des formes d'onde d'impulsion d'entretien et de courant de décharge d'entretien pour chaque cellule d'affichage dans l'art antérieur, lorsqu'une charge d'affichage est faible. La figure 3B est un diagramme illustratif des formes d'onde d'impulsion d'entretien et de courant de décharge d'entretien pour chaque cellule d'affichage dans l'art antérieur, lorsqu'une charge d'affichage est grande. Si la charge d'affichage est faible, alors une distorsion de la forme d'onde d'impulsion d'entretien est également faible et une valeur crête du courant de décharge d'entretien est grande. Si, cependant, la charge d'affichage est grande, alors une distorsion de la forme d'onde d'impulsion d'entretien est également grande et une valeur crête du courant de décharge d'entretien est faible. De plus, la valeur crête du courant de décharge est presque proportionnelle à la luminosité, c'est pourquoi si la charge d'affichage est faible, alors la luminosité est augmentée. Si, cependant, la charge d'affichage est grande, alors la luminosité est diminuée. Dans les circonstances ci-dessus, il a été nécessaire de développer un nouveau circuit de commande pour commander une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma et un nouveau procédé de commande d'une impulsion d'entretien pour le panneau d'affichage à plasma exempt du problème ci-dessus. RESUME DE L'INVENTION En conséquence, c'est un objet de la présente invention de proposer un nouveau circuit de commande pour commander une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma exempt des problèmes ci- dessus. C'est un autre objet de la présente invention de proposer un nouveau circuit de commande pour commander une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma, qui est capable de maintenir la stabilité de l'intensité du courant de décharge d'entretien pour chaque cellule indépendamment de la variation de la charge d'affichage. C'est encore un autre objet de la présente invention de proposer un nouveau procédé de commande d'une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma exempt des problèmes ci-dessus. C'est encore un autre objet de la présente invention de proposer un nouveau procédé de commande d'une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma qui est capable de maintenir la stabilité de l'intensité du courant de décharge d'entretien pour chaque cellule d'affichage indépendamment de la variation de la charge d'affichage. La première présente invention propose un procédé de commande d'une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma, dans lequel des impulsions d'entretien sont générées, lesquelles comprennent plusieurs impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant des niveaux de tension d'achèvement différents les uns des autres et des impulsions de pente, de sorte qu'une fois que les impulsions de pente ont été générées et sorties, les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant les différents niveaux de tension d'achèvement sont appliquées dans l'ordre d'une amplitude de différence entre les différents niveaux de tension d'achèvement et un potentiel d'une impulsion finale parmi les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien. Les objets, caractéristiques et avantages ci-dessus et les autres de la présente invention seront évidents à partir de la description suivante. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Les modes de réalisations préférés selon la présente invention vont être décrits en détail avec référence aux dessins joints. La figure 1 est un schéma de réalisation d'une configuration de circuit classique d'un circuit de commande pour commander une cellule d'affichage d'un panneau d'affichage à plasma. La figure 2 est diagramme illustrant les synchronisations des applications d'impulsions d'entretien pour les sous-champs individuels SF1, SF2, SF3, SF4, SF5 et SF6 dans une trame. La figure 3A est un diagramme illustrant des formes d'onde d'impulsion d'entretien et de courant de décharge d'entretien pour chaque cellule d'affichage dans l'art antérieur, lorsqu'une charge d'affichage est faible. La figure 3B est un diagramme illustrant des formes d'onde d'impulsion d'entretien et de courant de décharge d'entretien pour chaque cellule d'affichage dans l'art antérieur, lorsqu'une charge d'affichage est grande. La figure 4 est une vue schématique illustrant une cellule d'affichage d'un panneau d'affichage à plasma susceptible d'être commandé dans un mode de décharge de courant alternatif dans un premier mode de réalisation selon la présente invention. La figure 5 est un schéma fonctionnel illustrant un dispositif d'affichage comprenant un panneau d'affichage à plasma, un circuit de contrôle, un dispositif de commande d'adresse, un dispositif de commande de balayage et un dispositif de commande d'entretien selon la présente invention. La figure 6 est un diagramme illustrant les formes d'onde d'une impulsion de commande d'électrode d'entretien, d'une impulsion de commande d'électrode de balayage et d'une impulsion de commande d'électrode de données. La figure 7 est un diagramme de synchronisation illustrant les divers signaux utilisés pour mettre en pratique un nouveau procédé de commande d'impulsion d'entretien du panneau d'affichage à plasma selon la présente invention. La figure 8 est un schéma de réalisation illustrant une configuration decircuit pour un circuit de commande pour commander une cellule d'affichage d'un panneau d'affichage à plasma dans un premier mode de réalisation selon la présente invention. La figure 9 est un diagramme illustrant les variations de luminosité par rapport au taux d'affichage dans le procédé classique et dans le nouveau procédé. La figure 10 est un diagramme de synchronisation illustrant divers signaux utilisés pour mettre en pratique un nouveau procédé de commande d'impulsion d'entretien du panneau d'affichage à plasma selon la présente invention. La figure 11 est un schéma de réalisation illustrant une configuration de circuit d'un circuit de commande pour commander une cellule d'affichage d'un panneau d'affichage à plasma dans un second mode de réalisation selon la présente invention. PRESENTATION DE L'INVENTION La première présente invention propose un procédé de commande d'une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma, dans lequel des impulsions d'entretien sont générées, lesquelles comprennent plusieurs impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant des niveaux de tension d'achèvement différents les uns des autres et des impulsions de pente, de sorte qu'une fois que les impulsions de pente ont été générées et sorties, les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant les différents niveaux de tension d'achèvement sont appliquées dans l'ordre d'une amplitude de différence entre les différents niveaux de tension d'achèvement et un potentiel d'une impulsion finale parmi les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien. Il est préférable que les niveaux de tension des impulsions en courant de décharge d'entretien à un instant d'application initial soient contrôlés et qu'au moins l'un d'un courant de décharge d'entretien et d'un intervalle de temps d'application de décharge d'entretien soit également contrôlé pendant une décharge d'entretien vers une cellule de décharge. La seconde présente invention propose un procédé de commande d'une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma, dans lequel des impulsions d'entretien sont générées, lesquelles comprennent plusieurs impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant des niveaux d'impédance de sortie différents les uns des autres et des impulsions de pente, de sorte qu'une fois que les impulsions de pente ont été générées et sorties, les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant les différents niveaux de tension d'achèvement sont appliquées dans l'ordre d'une amplitude de différence entre les niveaux d'impédance de sortie et un potentiel d'une impulsion finale parmi les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien. Il est préférable que les niveaux de tension des impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien à l'instant d'application initial soient contrôlés et qu'au moins l'un d'un courant de décharge d'entretien et d'un intervalle de temps d'application de décharge d'entretien soit également contrôlé pendant une décharge d'entretien vers une cellule de décharge. La troisième présente invention propose un circuit de commande pour un panneau d'affichage à plasma, comprenant: un circuit pour générer des impulsions d'entretien, lesquelles comprennent plusieurs impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant des niveaux de tension d'achèvement différents les uns des autres et des impulsions de pente; et un circuit pour appliquer, une fois que les impulsions de pente ont été générées et sorties, les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant les différents niveaux de tension d'achèvement dans l'ordre d'une amplitude de différence entre les différents niveaux de tension d'achèvement et un potentiel d'une impulsion finale parmi les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien. Il est préférable qu'il comprenne, de plus, un circuit pour contrôler les niveaux de tension des impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien à un instant d'application initial; et un circuit pour contrôler au moins l'un d'un courant de décharge d'entretien et d'un intervalle de temps d'application de décharge d'entretien pendant une décharge d'entretien vers une cellule de décharge. La troisième présente invention propose un circuit de commande pour un panneau d'affichage à plasma, comprenant: un circuit pour générer des impulsions d'entretien, lesquelles comprennent plusieurs impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant des niveaux d'impédance de sortie différents les uns des autres et des impulsions de pente; et un circuit pour appliquer, une fois que les impulsions de pente ont été générées et sorties, les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant les différents niveaux de tension d'achèvement dans l'ordre d'une amplitude de différence entre les niveaux d'impédance de sortie et un potentiel d'une impulsion finale parmi les impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien. Il est préférable qu'il comprenne, de plus, un circuit pour contrôler les niveaux de tension des impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien à un instant d'application initial; et un circuit pour contrôler au moins l'un d'un courant de décharge d'entretien et d'un intervalle de temps d'application de décharge d'entretien pendant une décharge d'entretien vers une cellule de décharge. MODES DE REALISATION PREFERES PREMIER MODE DE REALISATION Un premier mode de réalisation selon la présente invention va être décrit en détail avec référence aux dessins. La figure 4 est une vue schématique illustrative d'une cellule d'affichage d'un panneau d'affichage à plasma 15 susceptible d'être commandé dans un mode de décharge de courant alternatif dans un premier mode de réalisation selon la présente invention. Le panneau d'affichage à plasma 15 est avantageux du fait de la réduction possible de son épaisseur et, également, du fait du grand contraste de l'affichage sans scintillement sensible, ainsi qu'avantageux du fait de l'agrandissement possible de son écran. Le panneau d'affichage à plasma est, de plus, avantageux du fait de la grande vitesse de réponse et de la réalisation d'un affichage multicolore par l'utilisation d'un matériau fluorescent du fait de l'affichage de type à auto-émission. Ces dernières années, l'utilisation du panneau d'affichage à plasma s'est développée dans de nombreux domaines d'affichages pour les ordinateurs et les affichages couleur. Le panneau d'affichage à plasma 15 est classé en deux types, l'un est du type à décharge de courant alternatif o l'affichage est commandé par une décharge de courant alternatif dans un espace de décharge entre des électrodes revêtues de films diélectriques, et un autre est du type à décharge de courant continu o l'affichage est commandé par une décharge de courant continu dans un espace de décharge entre des électrodes exposées. Le panneau d'affichage à plasma à décharge de courant alternatif est, de plus, classé en deux types de système de commande, l'un est du type qui met en oeuvre la mémoire utilisant la caractéristique de mémorisation de la cellule de décharge et un autre est du type qui met en oeuvre le rafraîchissement n'utilisant pas la caractéristique de mémorisation de la cellule de décharge. Le panneau d'affichage à plasma du type à décharge de courant alternatif de la figure 4 est du type qui met en oeuvre la mémoire. La luminosité du panneau d'affichage à plasma est proportionnelle au nombre de décharges ou au nombre de répétitions des impulsions. Le panneau d'affichage à plasma à décharge de courant alternatif du type qui met en oeuvre le rafraîchissement est adapté au besoin d'une faible capacité d'affichage étant donné que si la capacité d'affichage est grande, alors la luminosité est détériorée. La cellule de décharge 15 est définie entre des premier et second substrats isolants 1 et 2 qui sont réalisés en verre. Le premier substrat isolant 1 est positionné d'un côté arrière et le second substrat isolant 2 est positionné d'un côté avant. Sur une surface intérieure du second substrat isolant 2, une électrode de balayage 3 en forme de bande et une électrode d'entretien 4 en forme de bande s'étendent à une certaine distance parallèles l'une à l'autre et dans une première direction latérale. Une première électrode de trace 5, qui est en forme de bande, est déposée en couche sur une partie sélectionnée de l'électrode de balayage 3 afin de réduire une résistance de l'électrode de balayage 3. La première électrode de trace 5 s'étend dans la même direction que l'électrode de balayage 3. Une seconde électrode de trace 6, qui est en forme de bande, est déposée en couche sur une partie sélectionnée de l'électrode d'entretien 4 afin de réduire une résistance de l'électrode d'entretien 4. La seconde électrode de trace 6 s'étend dans la même direction que l'électrode d'entretien 4. Sur une surface intérieure du premier substrat isolant 1, une électrode de données 7 en forme de bande s'étend dans une seconde direction latérale qui est perpendiculaire à la première direction latérale le long de laquelle l'électrode de balayage 3 et l'électrode d'entretien 4 s'étendent. Une première couche diélectrique 14 est prévue qui recouvre toute la surface intérieure du premier substrat isolant 1, de sorte que l'électrode de données 7 est recouverte par la première couche diélectrique 14. Une paire de première et seconde nervures 16 et 17 en forme de bandes est prévue sur la première couche diélectrique 14, de sorte que les première et seconde nervures 16 et 17 en forme de bandes s'étendent parallèles l'une à l'autre et, également, parallèles à l'électrode de données 7. Les première et seconde nervures 16 et 17 en forme de bandes sont distantes l'une de l'autre de sorte que les première et seconde nervures 16 et 17 en forme de bandes s'étendent le long des côtés opposés de l'électrode de données 7, mais sont séparées des bords des côtés opposés de l'électrode de données 7. Un matériau fluorescent 11 est prévu sur la surface de la première couche diélectrique 14 et également sur les parois latérales des première et seconde nervures 16 et 17 en forme de bandes. L'électrode de balayage 3, l'électrode d'entretien 4, et les première et seconde électrodes de trace 5 et 6 ci- dessus sont transparentes pour permettre la transmission de lumière à travers celles-ci. Une seconde couche diélectrique 12 est également prévue qui recouvre une surface intérieure entière du second substrat isolant 2, de sorte que l'électrode de balayage 3, l'électrode d'entretien 4 et les première et seconde électrodes de trace 5 et 6 sont recouvertes par la seconde couche diélectrique 12. Une couche protectrice 13 est, de plus, prévue sur la seconde couche diélectrique 12. Un espace de décharge 8 est défini entre la couche protectrice 13 et le matériau fluorescent 11 et également entre les première et seconde nervures 16 et 17. L'espace de décharge 8 est rempli d'un gaz de décharge, par exemple, d'hélium à l'état gazeux, de néon à l'état gazeux, de xénon à l'état gazeux ou d'un mélange gazeux de ceux-ci, de sorte qu'une décharge dans l'espace de décharge 8 rempli du gaz de décharge crée un rayon ultraviolet et que ce rayon ultraviolet est converti par le matériau fluorescent 11 en une lumière visible 12. Une opération de décharge de la cellule d'affichage va être décrite. Une tension d'impulsion qui est supérieure à un niveau de tension de seuil est appliquée entre l'électrode de balayage 3 et l'électrode de données 7 afin de provoquer une décharge dans l'espace de décharge 8. En fonction de la polarité de la tension d'impulsion, les charges positives et négatives sont attirées dans des directions opposées et déposées sur les surfaces des première et seconde couches diélectriques 12 et 14. Les dépôts des charges positives et négatives sur les surfaces des première et seconde couches diélectriques 12 et 14 en fonction de la polarité de la tension d'impulsion provoque une tension interne équivalente en tant que tension de paroi qui est d'une polarité opposée à la tension d'impulsion, c'est pourquoi un développement de la décharge provoque une chute de la tension efficace à l'intérieur de la cellule de décharge. Même si la tension d'impulsion est maintenue constante, il y a de fortes chances que la décharge s'affaiblisse graduellement. Afin de maintenir la décharge, une impulsion de décharge d'entretien ayant la même polarité que la tension de paroi est appliquée entre l'électrode de balayage 3 et l'électrode d'entretien 4, de sorte que la tension de paroi due aux dépôts des charges positives et négatives sur les première et seconde couches diélectriques 12 et 14 est superposée en tant que tension efficace, de telle manière que même si l'amplification de la tension de l'impulsion de décharge d'entretien est inférieure au niveau de seuil de décharge, la décharge soit provoquée. Par conséquent, l'impulsion de décharge d'entretien est appliquée de manière alternée entre l'électrode de balayage 3 et l'électrode d'entretien 4 afin de maintenir la décharge dans l'espace de décharge 8. Le maintien de la décharge a une fonction de mémoire. Cette décharge d'entretien peut être interrompue en appliquant une longue impulsion de tension faible afin de neutraliser la tension de paroi, ou en appliquant une impulsion d'annulation en tant qu'impulsion de durée réduite qui correspond à une tension d'impulsion de décharge d'entretien de durée réduite. La figure 5 est un schéma fonctionnel illustratif d'un dispositif d'affichage comprenant un panneau d'affichage à plasma, un circuit de contrôle, un dispositif de commande d'adresse, un dispositif de commande de balayage, et un dispositif de commande d'entretien selon la présente invention. Un panneau d'affichage à plasma 15 comprend une matrice de m x n cellules d'affichage 16 pour l'affichage d'une matrice de points. Les électrodes de balayage Scl, Sc2, Sc3,..., Scm et les électrodes d'entretien Sul, Su2,..., Sum sont prévues en tant qu'électrodes de ligne, tandis que les électrodes de données Dl, D2,..., Dn sont prévues en tant qu'électrodes de colonne qui s'étendent perpendiculaires aux électrodes de balayage Scl, Sc2, Sc3,..., Scm et aux électrodes d'entretien Sul, Su2, Sum. Un dispositif de commande de balayage 21 est connecté aux électrodes de balayage Scl, Sc2, Sc3,... Scm afin d'appliquer des impulsions de commande d'électrode de balayage aux électrodes de balayage Scl, Sc2, Sc3,..., Scm. Un dispositif de commande d'entretien 22 est connecté aux électrodes d'entretien Sul, Su2,..., Sum afin d'appliquer des impulsions de commande d'électrode d'entretien aux électrodes d'entretien Sul, Su2,..., Sum. Un dispositif de commande d'adresse 20 est connecté aux électrodes de données Dl, D2,..., Dn afin d'appliquer des impulsions de commande d'électrode de données aux électrodes de données Dl, D2,..., Dn. Un circuit de contrôle 30 comprend une mémoire de trame 31, un processeur de signal et contrôleur de mémoire 32, et un contrôleur de dispositif de commande 33. Le processeur de signal et contrôleur de mémoire 32 reçoit un signal de synchronisation verticale Vsync, un signal de synchronisation horizontale Hsync, un signal d'horloge Clock, et un signal de données DATA. Le dispositif de commande d'adresse 20 est connecté au processeur de signal et contrôleur de mémoire 32 dans le circuit de contrôle 30 pour recevoir un signal de contrôle de dispositif de commande d'adresse provenant du processeur de signal et contrôleur de mémoire 32, de sorte que le dispositif de commande d'adresse 20 est commandé conformément au signal de contrôle de dispositif de commande d'adresse. Le dispositif de commande de balayage 21 est connecté au contrôleur de dispositif de commande 33 dans le circuit de contrôle pour recevoir un signal de contrôle de dispositif de commande de balayage provenant du contrôleur de dispositif de commande 33, de sorte que le dispositif de commande de balayage 21 est commandé conformément au signal de contrôle de dispositif de commande de balayage. Le dispositif de commande d'entretien 22 est connecté au contrôleur de dispositif de commande 33 dans le circuit de contrôle 30 pour recevoir un signal de contrôle de dispositif de commande d'entretien provenant du contrôleur de dispositif de commande 33, de sorte que le dispositif de commande d'entretien 22 est commandé conformément au signal de contrôle de dispositif de commande d'entretien. La figure 6 est un diagramme illustratif des formes d'onde d'une impulsion de commande d'électrode d'entretien, d'une impulsion de commande d'électrode de balayage, et d'une impulsion de commande d'électrode de données. L'impulsion de commande d'électrode d'entretien Wc est fournie par le dispositif de commande d'entretien 22 et appliquée aux électrodes d'entretien Sul,..., Sum. Une impulsion de commande d'électrode de balayage Wsl est fournie par le dispositif de commande de balayage 21 et appliquée à l'électrode de balayage Scl. Une impulsion de commande d'électrode de balayage Ws2 est fournie par le dispositif de commande de balayage 21 et appliquée à l'électrode de balayage Sc2. Une impulsion de commande d'électrode de balayage Wsm est fournie par le dispositif de commande de balayage 21 et appliquée à l'électrode de balayage Scm. Une impulsion de commande d'électrode de données Wd est fournie par le dispositif de commande de données 20 et appliquée aux électrodes de données Dl,... Dn. Un sous-champ correspond à un cycle de commande. Ledit sous-champ comprend un intervalle de temps de décharge préliminaire "A", un intervalle de temps de décharge d'écriture "B" qui suit l'intervalle de temps de décharge préliminaire "A", et un intervalle de temps de décharge d'entretien "C" qui suit l'intervalle de temps de décharge d'écriture "B". Une trame comprend une pluralité de sous-champs, par exemple, six sous- champs afin d'obtenir un affichage d'image. Pendant l'intervalle de temps de décharge préliminaire "A", des particules actives et des charges de paroi sont formées dans l'espace de décharge 8 afin d'obtenir une caractéristique de décharge stable pendant l'intervalle de temps de décharge d'écriture "B" suivant. Des impulsions de décharge préliminaire Pp sont appliquées simultanément aux électrodes de balayage Scl, Sc2,..., Scm pour provoquer simultanément des décharges préliminaires, formant de ce fait des charges de paroi avant que des impulsions d'annulation de décharge préliminaire Ppe ne soient ensuite appliquées simultanément aux électrodes de balayage Scl, Sc2,..., Scm pour annuler les charges, lesquelles peuvent éviter la décharge d'écriture et la décharge d'entretien, dans les charges de paroi. A savoir, les impulsions de décharge préliminaire Pp sont appliquées simultanément aux électrodes de balayage Scl, Sc2,..., Scm pour provoquer des décharges préliminaires simultanément dans toutes les cellules d'affichage avant que les impulsions d'annulation de décharge préliminaire Ppe ne soient ensuite appliquées simultanément aux électrodes de balayage Scl, Sc2,... Scm pour amener les décharges d'annulation à annuler les charges de paroi telles que déposées par les impulsions de décharge préliminaire Pp. Pendant l'intervalle de temps de décharge d'écriture "B", des impulsions de balayage Pw sont appliquées de manière séquentielle aux électrodes de balayage Scl, Sc2,..., Scm. De plus, en synchronisation avec les impulsions de balayage Pw, une impulsion de données est appliquée de manière sélective à l'une sélectionnée Di des électrodes de données Dl, D2,... Dn, qui est connectée à une cellule d'affichage sélectionnée sur laquelle un affichage est requis, de sorte qu'une décharge d'écriture est provoquée dans la cellule de décharge sélectionnée. Pendant l'intervalle de décharge d'entretien "C", des impulsions de décharge d'entretien Pc ayant une polarité négative sont appliquées aux électrodes d'entretien Sul, Su2,..., Sum et, de plus, des impulsions de décharge d'entretien Ps ayant une polarité négative avec un déphasage de 180 degrés par rapport aux impulsions de décharge d'entretien Pc ci- dessus sont appliquées aux électrodes de balayage Scl, Sc2,..., Scm. La figure 7 est un diagramme de synchronisation illustratif des divers signaux utilisés pour mettre en pratique un nouveau procédé de commande d'impulsion d'entretien du panneau d'affichage à plasma selon la présente invention, o sont montrées une forme d'onde d'une impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc à appliquer aux électrodes d'entretien 4 pendant l'intervalle de temps de décharge d'entretien "C", une forme d'onde d'un signal de commande d'électrode de balayage Ws à appliquer aux électrodes de balayage 3, des signaux de contrôle pour commander l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc et le signal de commande d'électrode de balayage Ws. Un axe horizontal représente le temps, tandis qu'un axe vertical représente la tension ou le courant. Conformément au circuit de dispositif de commande pour commander le panneau d'affichage à plasma 15, le dispositif de commande d'adresse 20, le dispositif de commande de balayage 21 pour appliquer l'impulsion de commande d'électrode de balayage à l'électrode de balayage 3, et le dispositif de commande d'entretien 22 pour appliquer l'impulsion de dispositif de commande d'électrode d'entretien à l'électrode d'entretien 4 sont prévus. Un premier circuit de pente est commandé conformément à un signal de contrôle ER1 afin de fournir une impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc qui chute à un instant (a) et pour fournir également un signal de commande d'électrode de balayage Ws qui croit à l'instant (a). A un instant (b), le potentiel de l'impulsion d'entretien s'élève au-dessus d'une tension d'amorçage de décharge, de telle manière que la décharge soit amorcée. Simultanément ou immédiatement avant, un premier circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Scl pour faire chuter un potentiel de l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc à une tension Vsl et, de plus, un second circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Gsl pour faire croître un potentiel du signal de commande d'électrode de balayage Ws à une tension G1. Quelques centaines de nanosecondes après l'amorçage de la décharge d'entretien, ou à un instant (c), un troisième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé conformément à un signal de contrôle Sc2 pour faire chuter un potentiel de l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc à une tension Vs2 et, de plus, un quatrième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Gs2 pour faire croître le potentiel du signal de commande d'électrode de balayage Ws à la tension de masse GND. Un circuit de pente est commandé conformément au signal de contrôle ER2 pour provoquer l'augmentation de l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc à un instant (d), tandis que le signal de commande d'électrode de balayage Ws chute à l'instant (d). A un instant (e), le potentiel de l'impulsion d'entretien s'élève au-dessus d'une tension d'amorçage de décharge, de telle manière que la décharge soit amorcée. Simultanément ou immédiatement avant, un cinquième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Gcl pour faire croître un potentiel de l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc à une tension G1 et, de plus, un sixième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Ssl pour faire chuter un potentiel du signal de commande d'électrode de balayage Ws à une tension Vsl. Quelques centaines de nanosecondes après l'amorçage de la décharge d'entretien, ou à un instant (f), un septième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé conformément à un signal de contrôle Gc2 pour faire croître un potentiel de l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc au niveau de masse GND et, de plus, un huitième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Ss2 pour faire chuter le potentiel du signal de commande d'électrode de balayage Ws à une tension Vs2. Les opérations ci-dessus sont répétées à des instants identiques aux instants de luminescence prédéterminés, de telle manière que l'intervalle de temps de décharge d'entretien se termine. La figure 8 est un schéma de réalisation illustratif d'une configuration de circuit d'un circuit de commande pour commander une cellule d'affichage d'un panneau d'affichage à plasma dans un premier mode de réalisation selon la présente invention. Le circuit de commande est connecté à une cellule d'affichage 16. Le circuit de commande pour commander la cellule d'affichage 16 comprend un dispositif de commande d'adresse 20, un dispositif de commande de balayage 21 et un dispositif de commande d'entretien 22. Le dispositif de commande d'adresse 20 est connecté, par l'intermédiaire d'une électrode de données 7, à la cellule d'affichage 16. Le dispositif de commande de balayage 21 est également connecté, par l'intermédiaire d'une électrode de balayage 3, à la cellule d'affichage 16. Le dispositif de commande d'entretien 22 est également connecté, par l'intermédiaire d'une électrode d'entretien 4, à la cellule d'affichage 16. La cellule d'affichage 16 présente une capacitance statique de panneau entre l'électrode de balayage 3 et l'électrode d'entretien 4. Le dispositif de commande d'adresse 20 comprend un circuit MOS complémentaire qui comprend un transistor MOS à effet de champ à canal n Tll et un transistor MOS à effet de champ à canal p T10 connectés en série entre une ligne de masse et une ligne de tension élevée Vd, dans lequel la ligne de tension élevée est connectée au transistor MOS à effet de champ à canal p T10, tandis que la ligne de masse est connectée au transistor MOS à effet de champ à canal n Tii. L'électrode de données 7 est connectée à un point intermédiaire entre le transistor MOS à effet de champ à canal p T10 et le transistor MOS à effet de champ à canal n Tll. Le dispositif de commande de balayage 21 comprend neuf diodes D20, D21, D23, D31, D42, D43, D52, D53 et D54 et six transistors MOS à effet de champ à canal n T21, T22, T23, T31, T42 et T43, ainsi que trois transistors MOS à effet de champ à canal p T20, T52 et T53. L'électrode de balayage 3 est connectée à un premier noeud N1 du dispositif de commande de balayage 21. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 est connecté en série entre le premier noeud N1 et un second noeud N2. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 est connecté en série entre le premier noeud N1 et un troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 sont connectés en série entre le second noeud N2 et le troisième noeud N3 et le premier noeud en tant que point intermédiaire entre le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 et le transistor MOS à effet de champ àcanal n T21 est connecté à l'électrode de balayage 3. Deux diodes D20 et D21 sont connectées en série entre le second noeud N2 et le troisième noeud N3 en parallèle au transistor MOS à effet de champ à canal p T20 et au transistor MOS à effet de champ à canal n T21 connectés en série. La diode D20 est connectée entre le premier noeud Ni et le second noeud N2 dans une direction telle que la diode D20 permet la circulation d'un courant du premier noeud Ni vers le second noeud N2. La diode D21 est connectée entre le premier noeud Nl et le troisième noeud N3 dans une direction telle que la diode D21 permet la circulation d'un courant du troisième noeud N3 vers le premier noeud Ni. Le second noeud N2 est connecté au dispositif de commande d'entretien 22. Le troisième noeud N3 est également connecté au dispositif de commande d'entretien 22. La diode D23 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vbw à laquelle est appliqué un niveau de tension Vbw. La diode D23 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 dans une direction telle que la diode D23 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T23. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 est connecté entre la diode D23 et la ligne de tension Vbw. La diode D31 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vpe à laquelle est appliqué un niveau de tension Vpe. La diode D31 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 dans une direction telle que la diode D31 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T31. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 est connecté entre la diode D31 et la ligne de tension Vpe. La diode D32 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vs2 à laquelle est appliqué un niveau de tension Vs2. La diode D42 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 dans une direction telle que la diode D42 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T42. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 est connecté entre la diode D42 et la ligne de tension Vs2. La diode D43 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T43 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vsl à laquelle est appliqué un niveau de tension Vsl. La diode D43 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T43 dans une direction telle que la diode D43 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T43. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T43 est connecté entre la diode D43 et la ligne de tension Vsl. La diode D54 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 sont connectés en série entre le troisième noeud N3 et une ligne de tension Vw à laquelle est appliqué un niveau de tension Vw. La diode D54 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 dans une direction telle que la diode D54 permet la circulation d'un courant du troisième noeud N3 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T22. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 est connecté entre la diode D54 et la ligne de tension Vw. La diode D52 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 sont connectés en série entre le troisième noeud N3 et une ligne de masse à laquelle est appliqué un niveau de tension de masse. La diode D52 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 dans une direction telle que la diode D52 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T52 vers le troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 est connecté entre la diode D52 et la ligne de masse. La diode D53 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T53 sont connectés en série entre le troisième noeud N3 et une ligne de tension G1 à laquelle est appliqué un niveau de tension G1. La diode D53 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T53 dans une direction telle que la diode D53 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T53 vers le troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T53 est connecté entre la diode D53 et la ligne de tension G1. Le dispositif de commande d'entretien 22 comprend également sept diodes D30, D40, D41, D50, D51, D60 et D61 et cinq transistors MOS à effet de champ à canal n T30, T40, T41, T60, T61, ainsi que deux transistors MOS à effet de champ à canal p T50 et T51. Un quatrième noeud N4 est connecté à l'électrode d'entretien 4. La diode D30 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de tension Vp à laquelle est appliqué un niveau de tension Vp. La diode D30 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 dans une direction telle que la diode D30 permet la circulation d'un courant du quatrième noeud N4 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T30. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 est connecté entre la diode D30 et la ligne de tension Vp. La diode D40 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T40 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de tension Vs2 à laquelle est appliqué un niveau de tension Vs2. La diode D40 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T40 dans une direction telle que la diode D40 permet la circulation d'un courant du quatrième noeud N4 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T40. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T40 est connecté entre la diode D40 et la ligne de tension Vs2. La diode D41 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T41 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une tension de ligne Vsl à laquelle est appliqué un niveau de tension Vsl. La diode D41 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T41 dans une direction telle que la diode D41 permet la circulation d'un courant du quatrième noeud N4 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T41. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T41 est connecté entre la diode D41 et la ligne de tension Vsl. La diode D50 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de masse à laquelle est appliqué un potentiel de masse. La diode D50 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 dans une direction telle que la diode D50 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T50 vers le quatrième noeud N4. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 est connecté entre la diode D50 et la ligne de masse. La diode D50 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T51 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de tension G1 à laquelle est appliquée une tension G1. La diode D51 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T51 dans une direction telle que la diode D51 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T51 vers le quatrième noeud N4. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T51 est connecté entre la diode D51 et la ligne de tension G1. Le quatrième noeud N4 est également connecté, par l'intermédiaire d'une réactance L60, à un cinquième noeud N5. La diode D60 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 sont connectés en série entre le cinquième noeud N5 et le troisième noeud N3 du dispositif de commande de balayage 21. La diode D60 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 dans une direction telle que la diode D60 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal n T60 vers le troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 est connecté entre la diode D60 et le cinquième noeud N5. La diode D61 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 sont également connectés en série entre le cinquième noeud N5 et le second noeud N2 du dispositif de commande de balayage 21. La diode D61 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 dans une direction telle que la diode D61 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T61. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 est connecté entre la diode D61 et le cinquième noeud NS. Le circuit ci-dessus fonctionne comme suit. Pendant un intervalle de temps de décharge préliminaire, le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 devient passant, de sorte que la diode D30 met le quatrième noeud N4 et l'électrode d'entretien 4 au niveau de tension Vp, de telle manière qu'une impulsion de décharge préliminaire Pp soit appliquée à l'électrode d'entretien 4. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 est mis à l'état passant, de sorte que les diodes D52 et D21, connectées en série, maintiennent l'électrode de balayage 3 au potentiel de masse. Ensuite, le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 devient passant, de sorte que les diodes D31 et D20, connectées en série, mettent le second noeud N2 et l'électrode de balayage 3 au niveau de tension Vpe, de telle manière que l'impulsion d'annulation de décharge préliminaire Ppe soit appliquée à l'électrode de balayage 3. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 est mis à l'état passant, de sorte que la diode D50 met l'électrode d'entretien 4 au potentiel de masse. Pendant l'intervalle de temps de décharge préliminaire ci- dessus, le transistor MOS à effet de champ à canal p T10 reste à l'état bloqué, tandis que le transistor MOS à effet de champ à canal n Tll reste à l'état passant, de sorte que l'électrode de données 7 reste au niveau de masse. Pendant un intervalle de temps de décharge d'écriture, le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 devient passant, de sorte que les diodes D23 et D20, connectées en série, mettent le second noeud N2 et l'électrode de balayage 3 au niveau de tension Vbw. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 est mis à l'état passant, de sorte que la diode D50 met l'électrode d'entretien 4 au potentiel de masse. De plus, le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 est mis à l'état passant. Dans ces états, le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 est commuté, de manière sélective, à l'état passant, de sorte que le potentiel du premier noeud N1 et de l'électrode de balayage 3 chute au niveau de tension Vw, de telle manière que l'impulsion de balayage Pw soit appliquée à l'électrode de balayage 3. Pour réaliser la décharge d'écriture, en réponse à cette impulsion de balayage Pw, le transistor MOS à effet de champ à canal p T10 devient passant, tandis que le transistor MOS à effet de champ à canal n Tll devient bloqué, de sorte que l'électrode de donnée 7 est mise au niveau de tension Vd, de telle manière que l'impulsion de données soit appliquée à l'électrode de données 7. Les opérations du circuit ci-dessus de la figure 8 vont être décrites avec référence de nouveau à la figure 7. A un instant (a) de la figure 7, un signal de contrôle ER1 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 devient passant, de sorte que les charges accumulées dans la capacitance statique de panneau Cp sont amenées à circuler à travers l'électrode d'entretien 4, la réactance L60, le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 et les diodes D60 et D21, vers le premier noeud Ni et l'électrode de balayage 3, de telle manière qu'un phénomène de résonance soit provoqué pour charger des charges de polarités opposées dans la capacitance de panneau Cp. En conséquence, l'électrode de balayage 3 est mise au potentiel GO et l'électrode d'entretien 4 est mise au potentiel Vs0. Ensuite, afin de fournir le courant de décharge d'entretien, à un instant (b) de la figure 7, le signal de contrôle Scl passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T41 devient passant, de sorte que le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 chute au niveau de tension Vsl. Simultanément, le signal de contrôle Gsl passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T53 devient passant, de sorte que le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 s'élève jusqu'au niveau de tension G1. Au même instant ou immédiatement après, la cellule de décharge 16 présente une décharge d'entretien, à quelle fin le courant de décharge d'entretien est appliqué à partir des alimentations individuelles pour fournir les niveaux de tension G1 et Vsl. A un instant (c) de la figure 7, le signal de contrôle Sc2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T40 devient passant, de sorte que le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 est, de plus, abaissé au niveau de tension Vs2 qui est inférieur au précédent niveau de tension Vsl. Simultanément, le signal de contrôle Gs2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 devient passant, de sorte que le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 s'élève davantage jusqu'au niveau de masse GND qui est supérieur au précédent niveau de tension Gi. A cet instant, la cellule de décharge 16 présente une décharge d'entretien, c'est pourquoi les trajets d'application des courants de décharge d'entretien sont modifiés vers la masse à travers le transistor MOS à effet de champ à canal n T40 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T52, ainsi qu'à partir de la source d'alimentation fournissant le niveau de tension Vs2. Il est préférable que l'instant (c) soit retardé de quelques centaines de nanosecondes, par exemple, environ 100 à 300 nanosecondes à partir de l'amorçage de la décharge d'entretien. A un instant (d) de la figure 7, un signal de contrôle ER2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 devient passant, de sorte que les charges accumulées dans la capacitance statique de panneau Cp sont amenées à circuler à travers l'électrode de balayage 3, les diodes D20 et D61, le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 et la réactance L60, vers le quatrième noeud N4 et l'électrode d'entretien 4, de telle manière qu'un phénomène de résonance soit provoqué pour charger des charges de polarités opposées dans la capacitance de panneau Cp. En conséquence, l'électrode d'entretien 4 s'élève au potentiel GO et l'électrode de balayage 3 chute au potentiel Vs0. Ensuite, afin de fournir le courant de décharge d'entretien, à un instant (e) de la figure 7, le signal de contrôle Ssl passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T43 devient passant, de sorte que le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 chute au niveau de tension Vsl. Simultanément, le signal de contrôle Gcl passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T51 devient passant, de sorte que le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 s'élève jusqu'au niveau de tension G1. Au même instant ou immédiatement après, la cellule de décharge 16 présente une décharge d'entretien, à quelle fin le courant de décharge d'entretien est fourni à partir des alimentations individuelles pour fournir les niveaux de tension G1 et Vsl par l'intermédiaire, respectivement, du transistor MOS à effet de champ à canal n T43 et du transistor MOS à effet de champ à canal p T51. A un instant (f) de la figure 7, le signal de contrôle Ss2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 devient passant, de sorte que le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 chute davantage au niveau de tension Vs2 qui est inférieur au précédent niveau de tension Vsl. Simultanément, le signal de contrôle Gc2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 devient passant, de sorte que le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 s'élève davantage jusqu'au niveau de masse GND qui est supérieur au précédent niveau de tension G1. A cet instant, la cellule de décharge 16 présente une décharge d'entretien, c'est pourquoi les trajets d'application des courants de décharge d'entretien sont modifiés vers la masse à travers le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 ainsi qu'à partir de la source d'alimentation fournissant le niveau de tension Vs2 pour fournir le courant de décharge d'entretien pendant l'opération de décharge d'entretien. Il est préférable que l'instant (f) soit décalé de quelques centaines de nanosecondes, par exemple, environ 100 à 300 nanosecondes à partir de l'amorçage de la décharge d'entretien. De nouveau en référence à la figure 7, les formes d'onde des impulsions d'entretien et des impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien pendant l'intervalle de temps de décharge d'entretien sont montrées. Un courant pour charger la capacitance statique Cp de la cellule de décharge est ignoré. L'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien correspond à un courant de décharge dû à une décharge dans le gaz enfermé. Une pluralité de cellules d'affichage 16 présentent des décharges d'entretien. Une impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien I est un courant circulant dans une électrode. Une impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien ia et une impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien ib sont des courants circulant dans des cellules d'affichage individuelles 16. La décharge d'entretien apparait entre les instants (b) et (c). Pendant l'intervalle de temps entre les instants (b) et (c), une tension appliquée est abaissée après l'instant (c), c'est pourquoi pendant l'intervalle de temps entre les instants (b) et (c), la décharge d'entretien apparaît dans les cellules d'affichage 16 qui présentent des tensions de seuil de décharge inférieures. Le courant de décharge est tel que l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien ia. Après l'instant (c), le niveau de tension appliqué s'élève, provoquant les courants tels que l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien ib dans les cellules d'affichage 16 qui ne présentaient pas de décharge entre les instants (b) et (c). Si un nombre relativement faible de cellules d'affichage 16 présentent la décharge d'entretien, l'apparition de la décharge d'entretien a tendance à être concentrée dans un premier temps après l'application de la tension d'entretien. Le courant de décharge d'entretien pour chaque électrode est rendu faible, de telle manière que la chute de tension due à la résistance de l'électrode soit également rendue faible, et qu'une tension de commande suffisante puisse être appliquée à la cellule d'affichage 16 individuelle. Comme décrit ci-dessus, selon le premier mode de réalisation, le niveau de tension d'impulsion d'entretien pendant l'intervalle de temps initial est faible pour contrôler le courant d'alimentation vers la cellule d'affichage 16 afin d'éviter une augmentation excessive de l'intensité de la décharge d'entretien ou une augmentation excessive de l'intensité de la luminescence. Si un grand nombre de cellules d'affichage 16 présentent des décharges d'entretien, pendant l'intervalle de temps entre les instants (b) et (c), le courant de décharge est rendu faible, et l'intervalle de temps entre les instants (b) et (c) est ajusté de manière à provoquer le maintien de la décharge d'entretien après l'instant (c). Après l'instant (c), la tension de commande est augmentée afin d'élever l'intensité de la décharge d'entretien, de telle manière que l'intensité de la luminescence soit récupérée. Par conséquent, pratiquement la même luminosité que lorsqu'un petit nombre de cellules de décharge présentent la décharge d'entretien peut être obtenue. La figure 9 est un diagramme illustratif des variations de luminosité par rapport au taux d'affichage dans le procédé classique et dans le nouveau procédé. Conformément au nouveau procédé, la variation de la luminosité du panneau d'affichage par rapport au taux d'affichage ou au nombre des cellules de décharge d'entretien est inférieure à celle du procédé classique. Indépendamment de la charge d'affichage, la marge de commande de décharge d'entretien est stable et l'intensité de la luminescence par la décharge d'entretien est pratiquement constante. SECOND MODE DE REALISATION Un second mode de réalisation selon la présente invention va être décrit en détail avec référence aux dessins. La figure 10 est un diagramme de synchronisation illustratif des divers signaux utilisés pour mettre en pratique un nouveau procédé de commande d'impulsion d'entretien du panneau d'affichage à plasma selon la présente invention, sur lequel sont montrés une forme d'onde d'une impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc à appliquer à l'électrode d'entretien 4 pendant l'intervalle de temps de décharge "C", une forme d'onde d'un signal de commande d'électrode de balayage Ws à appliquer aux électrodes de balayage 3, des signaux pour commander l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc et le signal de commande d'électrode de balayage Ws. Un axe horizontal représente le temps, tandis qu'un axe vertical représente la tension ou le courant. Conformément au circuit de commande pour commander le panneau d'affichage à plasma 15, le dispositif de commande d'adresse 20, le dispositif de commande de balayage 21 pour appliquer l'impulsion de commande d'électrode de balayage aux électrodes de balayage 3, et le dispositif de commande d'entretien 22 pour appliquer l'impulsion de commande d'électrode d'entretien à l'électrode d'entretien 4 sont prévus. Un premier circuit de pente est commandé conformément à un signal de contrôle ER1 afin de fournir une impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc qui chute à un instant (a) et pour fournir, également, un signal de commande d'électrode de balayage Ws qui croît à l'instant (a). A un instant (b), le potentiel de l'impulsion d'entretien s'élève au-dessus d'une tension d'amorçage de décharge, de telle manière que la décharge soit amorcée. Simultanément ou immédiatement avant, un premier circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Scl pour faire chuter un potentiel de l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc à une tension Vs et, de plus, un second circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Gsl pour élever un potentiel du signal de commande d'électrode de balayage Ws à la tension de masse GND. Quelques centaines de nanosecondes après l'amorçage de la décharge d'entretien, ou à un instant (c), un troisième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé conformément à un signal de contrôle Ss2 et, de plus, un quatrième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Gs2 pour mettre les premier à quatrième circuits d'alimentation de décharge d'entretien dans des états de fonctionnement. Un circuit de pente est commandé conformément au signal de contrôle ER2 pour provoquer l'élévation de l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien Wc à un instant (d), tandis que le signal de commande d'électrode de balayage Ws chute à l'instant (d). A un instant (e), le potentiel de l'impulsion d'entretien s'élève au-dessus de la tension d'amorçage de décharge, de telle manière que la décharge soit amorcée. Simultanément ou immédiatement avant, un cinquième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Gcl pour élever un potentiel de l'impulsion d'alimentation en courant de décharge d'entretien à la tension de masse GND et, de plus, un sixième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Ssl pour faire chuter un potentiel du signal de commande d'électrode de balayage Ws à une tension Vs. Quelques centaines de nanosecondes après l'amorçage de la décharge d'entretien, ou à un instant (f), un septième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé conformément à un signal de contrôle Gc2 et, de plus, un huitième circuit d'alimentation de décharge d'entretien est commandé en utilisant un signal de contrôle Ss2 pour mettre les cinquième à huitième circuits d'alimentation de décharge d'entretien dans des états de fonctionnement. * Les opérations ci-dessus sont répétées à des instants identiques aux instants de luminescence prédéterminés, de telle manière que l'intervalle de temps de décharge d'entretien se termine. La figure 11 est un schéma de réalisation illustratif d'une configuration de circuit d'un circuit de commande pour commander une cellule d'affichage d'un panneau d'affichage à plasma dans un second mode de réalisation selon la présente invention. Le circuit de commande est connecté à une cellule d'affichage 16. Le circuit de commande pour commander la cellule d'affichage 16 comprend un dispositif de commande d'adresse 20, un dispositif de commande de balayage 21 et un dispositif de commande d'entretien 22. Le dispositif de commande d'adresse 20 est connecté, par l'intermédiaire d'une électrode de données 7, à la cellule d'affichage 16. Le dispositif de commande de balayage 21 est également connecté, par l'intermédiaire d'une électrode de balayage 3, à la cellule d'affichage 16. Le dispositif de commande d'entretien 22 est également connecté, par l'intermédiaire d'une électrode d'entretien 4, à la cellule d'affichage 16. La cellule d'affichage 16 présente une capacitance statique de panneau entre l'électrode de balayage 3 et l'électrode d'entretien 4. Le dispositif de commande d'adresse 20 comprend un circuit MOS complémentaire qui comprend un transistor MOS à effet de champ à canal n Tll et un transistor MOS à effet de champ à canal p T10 connectés en série entre une ligne de masse et une ligne de tension élevée Vd, dans lequel la ligne de tension élevée est connectée au transistor MOS à effet de champ à canal p T10, tandis que la ligne de masse est connectée au transistor MOS à effet de champ à canal n Tll. L'électrode de données 7 est connectée à un point intermédiaire entre le transistor MOS à effet de champ à canal p T10 et le transistor MOS à effet de champ à canal n TII. Le dispositif de commande de balayage 21 comprend neuf diodes D20, D21, D23, D31, D42, D43, D52, D53 et D54, et six transistors MOS à effet de champ à canal n T21, T22, T23, T31, T42, T43, ainsi que trois transistors MOS à effet de champ à canal p T20, T52 et T53, et une résistance unique R53. L'électrode de balayage 3 est connectée à un premier noeud N1 dudispositif de commande de balayage 21. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 est connecté en série entre le premier noeud N1 et un second noeud N2. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 est connecté en série entre le premier noeud N1 et un troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 sont connectés en série entre le second noeud N2 et le troisième noeud N3 et le premier noeud N1 en tant que point intermédiaire entre le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 est connecté à l'électrode de balayage 3. Deux diodes D20 et D21 sont connectées en série entre le second noeuds N2 et le troisième noeud N3 en parallèle avec le transistor MOS à effet de champ à canal p T20 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 connectés en série. La diode D20 est connectée entre le premier noeud N1 et le second noeud N2 dans une direction telle que la diode D20 permet la circulation d'un courant du premier noeud N1 vers le second noeud N2. La diode D21 est connectée entre le premier noeud N1 et le troisième noeud N3 dans une direction telle que la diode D21 permet la circulation d'un courant du troisième noeud N3 vers le premier noeud Ni. Le second noeud N2 est connecté au dispositif de commande d'entretien 22. Le troisième noeud N3 est également connecté au dispositif de commande d'entretien 22. La diode D23 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vbw à laquelle est appliqué un niveau de tension Vbw. La diode D23 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 dans une direction telle que la diode D23 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T23. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 est connecté entre la diode D23 et la ligne de tension Vbw. La diode D31 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vpe à laquelle est appliqué un niveau de tension Vpe. La diode D31 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 dans une direction telle que la diode D31 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T31. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 est connecté entre la diode D31 et la ligne de tension Vpe. La diode D42 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vs à laquelle est appliqué un niveau de tension Vs. La diode D42 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 dans une direction telle que la diode D42 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T42. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 est connecté entre la diode D42 et la ligne de tension Vs. La diode D43 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T43 sont connectés en série entre le second noeud N2 et une ligne de tension Vs à laquelle est appliqué un niveau de tension Vs. La diode D43 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T43 dans une direction telle que la diode D43 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T43. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T43 est connecté entre la diode D43 et la tension de ligne Vs. La diode D54 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 sont connectés en série entre le troisième noeud N3 et une ligne de tension Vw à laquelle est appliqué un niveau de tension Vw. La diode D54 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 dans une direction telle que la diode D54 permet la circulation d'un courant du troisième noeud N3 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T22. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 est connecté entre la diode D54 et la ligne de tension Vw. La diode D52 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 sont connectés en série entre le troisième noeud N3 et une ligne de masse à laquelle est appliqué un niveau de tension de masse. La diode D52 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 dans une direction telle que la diode D52 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T52 vers le troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 est connecté entre la diode D52 et la ligne de masse. La résistance R53, la diode D53 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T53 sont connectés en série entre le troisième noeud N3 et une ligne de masse à laquelle est appliqué un niveau de masse. La résistance R53 est connectée entre la diode D53 et le troisième noeud N3. La diode D53 est connectée entre la résistance R53 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T53 dans une direction telle que la diode D53 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T53 vers la résistance R53. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T53 est connecté entre la diode D53 et la ligne de masse. Le dispositif de commande d'entretien 22 comprend également sept diodes D30, D40, D41, D50, D51, D60, D61 et cinq transistors MOS à effet de champ à canal n T30, T40, T41, T60 et T61, ainsi que deux transistors MOS à effet de champ à canal p T50 et T51. Un quatrième noeud N4 est connecté à l'électrode d'entretien 4. La diode D30 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de tension Vp à laquelle est appliqué un niveau de tension Vp. La diode D30 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 dans une direction telle que la diode D30 permet la circulation d'un courant du quatrième noeud N4 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T30. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 est connecté entre la diode D30 et la ligne de tension Vp. La diode D40 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T40 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de tension Vs2 à laquelle est appliqué un niveau de tension Vs2. La diode D40 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T40 dans une direction telle que la diode D40 permet la circulation d'un courant du quatrième noeud N4 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T40. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T40 est connecté entre la diode D40 et la ligne de tension Vs2. La diode D41 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T41 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de tension Vsl à laquelle est appliqué un niveau de tension Vsl. La diode D41 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T41 dans une direction telle que la diode D41 permet la circulation d'un courant du quatrième noeud N4 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T41. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T41 est connecté entre la diode D41 et la ligne de tension Vsl. La diode D50 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de masse à laquelle est appliqué un potentiel de masse. La diode D50 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 dans une direction telle que la diode D50 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T50 vers le quatrième noeud N4. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 est connecté entre la diode D50 et la ligne de masse. La diode D51 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T51 sont connectés en série entre le quatrième noeud N4 et une ligne de masse à laquelle est appliquée une tension de masse. La diode D51 est connectée entre le quatrième noeud N4 et le transistor MOS à effet de champ à canal p T51 dans une direction telle que la diode D51 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal p T51 vers le quatrième noeud N4. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T51 est connecté entre la diode D51 et la ligne de masse. Le quatrième noeud N4 est également connecté, par l'intermédiaire d'une réactance L60, à un cinquième noeud N5. La diode D60 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 sont connectés en série entre le cinquième noeud N5 et le troisième noeud N3 du dispositif de commande de balayage 21. La diode D60 est connectée entre le troisième noeud N3 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 dans une direction telle que la diode D60 permet la circulation d'un courant du transistor MOS à effet de champ à canal n T60 vers le troisième noeud N3. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 est connecté entre la diode D60 et le cinquième noeud N5. La diode D61 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 sont également connectés en série entre le cinquième noeud N5 et le second noeud N2 du dispositif de commande de balayage 21. La diode D61 est connectée entre le second noeud N2 et le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 dans une direction telle que la diode D61 permet la circulation d'un courant du second noeud N2 vers le transistor MOS à effet de champ à canal n T61. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 est connecté entre la diode D61 et le cinquième noeud N5. Le circuit ci-dessus fonctionne comme suit. Pendant un intervalle de temps de décharge préliminaire, le transistor MOS à effet de champ à canal n T30 devient passant, de sorte que la diode D30 met le quatrième noeud N4 et l'électrode d'entretien 4 au niveau de tension Vp, de telle manière qu'une impulsion de décharge préliminaire Pp soit appliquée à l'électrode d'entretien 4. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 est mis à l'état passant, de sorte que les diodes D52 et D21, connectées en série, maintiennent l'électrode de balayage 3 au potentiel de masse. Ensuite, le transistor MOS à effet de champ à canal n T31 devient passant, de sorte que les diodes D31 et D20, connectées en série, mettent le second noeud N2 et l'électrode de balayage 3 au niveau de tension Vpe, de telle manière qu'une impulsion d'annulation de décharge préliminaire Ppe soit appliquée à l'électrode de balayage 3. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 est mis à l'état passant, de sorte que la diode D50 met l'électrode d'entretien 4 au potentiel de masse. Pendant l'intervalle de temps de décharge préliminaire ci- dessus, le transistor MOS à effet de champ à canal p T10 reste à l'état bloqué, tandis que le transistor MOS à effet de champ à canal n Tll reste à l'état passant, de sorte que l'électrode de données 7 reste au niveau de masse. Pendant un intervalle de temps de décharge d'écriture, le transistor MOS à effet de champ à canal n T23 devient passant, de sorte que les diodes D23 et D20, connectées en série, mettent le second noeud N2 et l'électrode de balayage 3 au niveau de tension Vbw. Simultanément, le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 est mis à l'état passant, de sorte que la diode D50 met l'électrode d'entretien 4 au potentiel de masse. De plus, le transistor MOS à effet de champ à canal n T22 est mis à l'état passant. Dans ces états, le transistor MOS à effet de champ à canal n T21 est commuté, de manière sélective, à l'état passant, de sorte que le potentiel du premier noeud N1 et de l'électrode de balayage 3 chute au niveau de tension Vw, de telle manière que l'impulsion de balayage Pw soit appliquée à l'électrode de balayage 3. Pour effectuer la décharge d'écriture, en réponse à cette impulsion de balayage Pw, le transistor MOS à effet de champ à canal p T10 devient passant, tandis que le transistor MOS à effet de champ à canal n Tll devient bloqué, de sorte que l'électrode de données 7 passe au niveau de tension Vd, de telle manière que l'impulsion de données soit appliquée à l'électrode de données 7. Les opérations du circuit ci-dessus de la figure 11 vont être décrites avec référence de nouveau à la figure 10. A un instant (a) de la figure 10, un signal de contrôle ER1 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 devient passant, de sorte que les charges accumulées dans la capacitance statique de panneau Cp sont amenées à circuler à travers l'électrode d'entretien 4, la réactance L60, le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 et les diodes D60 et D21, vers le premier noeud Ni et l'électrode de balayage 3, de telle manière qu'un phénomène de résonance soit provoqué afin de charger des charges de polarités opposées dans la capacitance de panneau Cp. En conséquence, l'électrode de balayage 3 est mise au potentiel GO et l'électrode d'entretien 4 est mise au potentiel Vs0. Ensuite, afin de fournir le courant de décharge d'entretien, à un instant (b) de la figure 10, le signal de contrôle Scl passe au niveau haut. L transistor MOS à effet de champ à canal n T41 devient passant, de sorte que le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 chute au niveau de tension Vsl. Simultanément, le signal de contrôle Gsl passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T53 devient passant, de sorte que le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage s'élève jusqu'au niveau de masse GND. Au même instant ou immédiatement après, la cellule de décharge 16 présente une décharge d'entretien, à quelle fin le courant de décharge d'entretien est fourni à partir des alimentations individuelles pour appliquer le niveau de masse GND et le niveau de tension Vsl par l'intermédiaire, respectivement, du transistor MOS à effet de champ à canal n T41 et du transistor MOS à effet de champ à canal p T53. A un instant (c) de la figure 10, le signal de contrôle Sc2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T40 devient passant, de sorte que le nombre des éléments de circuit de commande pour maintenir le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 au niveau de tension Vs est augmenté, de telle manière qu'une capacité de fournir le courant de décharge d'entretien à partir de la source d'alimentation fournissant le niveau de tension Vs soit augmentée. Simultanément, le signal de contrôle Gs2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T52 devient passant, de sorte que le nombre des éléments de circuit de commande pour maintenir le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 au niveau de masse GND est augmenté, de telle manière qu'une capacité de fournir le courant de décharge d'entretien à partir de la masse fournissant le niveau de tension de masse GND soit augmentée. Il est préférable que l'instant (c) soit retardé de quelques centaines de nanosecondes, par exemple, environ 100 à 300 nanosecondes à partir de l'amorçage de la décharge d'entretien. A un instant (d) de la figure 10, un signal de contrôle ER2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T60 devient passant, de sorte que les charges accumulées dans la capacitance statique de panneau Cp sont amenées à circuler à travers l'électrode de balayage 3, les diodes D20 et D61, le transistor MOS à effet de champ à canal n T61 et la réactance L60, vers le quatrième noeud N4 et l'électrode d'entretien 4, d'une manière telle qu'un phénomène de résonance soit provoqué afin de charger des charges de polarités opposées dans la capacitance de panneau Cp. En conséquence, l'électrode d'entretien 4 est élevée jusqu'au potentiel GO et l'électrode de balayage 3 chute au potentiel Vs0. A un instant (e) de la figure 10, le signal de contrôle Ssl passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T43 devient passant, de sorte que le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 chute au niveau de tension Vsl. Simultanément, le signal de contrôle Gcl passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T51 devient passant, de sorte que le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 s'élève jusqu'au niveau de masse GND. Au même moment ou immédiatement après, la cellule de décharge 16 présente une décharge d'entretien, à quelle fin le courant de décharge d'entretien est fourni à partir de la masse pour appliquer le niveau de tension de masse GND et de la source d'alimentation fournissant le niveau de tension Vsl par l'intermédiaire, respectivement, du transistor MOS à effet de champ à canal n T43 et du transistor MOS à effet de champ à canal p T51. A un instant (f) de la figure 10, le signal de contrôle Ss2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal n T42 devient passant, de sorte que le nombre des éléments de circuit de commande pour maintenir le potentiel du premier noeud Ni et de l'électrode de balayage 3 au niveau de tension Vs est augmenté, de telle manière qu'une capacité de fournir le courant de décharge d'entretien à partir de la source d'alimentation fournissant le niveau de tension Vs soit augmentée. Simultanément, le signal de contrôle Gc2 passe au niveau haut. Le transistor MOS à effet de champ à canal p T50 devient passant, de sorte que le nombre des éléments de circuit de commande pour maintenir le potentiel du quatrième noeud N4 et de l'électrode d'entretien 4 au niveau de masse GND est augmenté, de telle manière qu'une capacité de fournir le courant de décharge d'entretien à partir de la masse soit augmentée. A cet instant, la cellule de décharge 16 présente une décharge d'entretien. Il est préférable que l'instant (f) soit retardé de quelques centaines de nanosecondes, par exemple, environ 100 à 300 nanosecondes à partir de l'amorçage de la décharge d'entretien. Comme montré sur la figure 11, les résistances R41, R43, R51 et R53 sont connectées en série, par l'intermédiaire des diodes D41, D43, D51 et D53, respectivement, aux transistors MOS à effet de champ T41, T43, T51 et T53, qui sont commandés immédiatement après la variation de l'impulsion d'entretien, de sorte que les résistances R41, R43, R51 et R53 empêchent des courants de décharge excessifs. Comme montré sur la figure 11, la résistance est connectée au côté de sortie du premier circuit de blocage d'entretien pour empêcher un développement rapide de la décharge d'entretien et pour permettre le maintien de la décharge d'entretien à une seconde tension de blocage d'entretien, de sorte que la luminosité est indépendante de la charge d'affichage. A savoir, les résistances de limitation de courant sont prévues au niveau du premier circuit de blocage d'entretien pour éviter le courant de décharge d'entretien excessif dans la cellule d'affichage 16 si la charge luminescente est faible, de sorte que la décharge d'entretien est rendue faible afin de réduire le courant de décharge, de telle manière que la luminosité de luminescence soit supprimée. Si la charge de luminescence est grande, le courant de décharge est réparti dans le grand nombre de cellules d'affichage 16. Néanmoins, la résistance de limitation de courant est prévue pour réduire le courant de décharge d'entretien pour chacune des cellules d'affichage 16 afin d'éviter une alimentation insuffisante du courant. Pour chacune des cellules d'affichage 16, il est possible de fournir le même courant de décharge que lorsque la charge de luminescence est faible et, également, de maintenir la luminosité similaire à celle lorsque la charge de luminescence est faible. Comme montré sur la figure 9, la variation de la luminosité par rapport à la variation de la charge de luminescence peut être réduite. Au premier instant de blocage d'entretien, le courant de décharge d'entretien est fourni par les transistors MOS à effet de champ T41 et T43. Au second instant de blocage d'entretien, le courant de décharge d'entretien peut être fourni par les transistors MOS à effet de champ T40 et T42. Conformément au second mode de réalisation, en plus des effets du premier mode de réalisation, on peut obtenir un effet de stabilisation de la marge de commande de décharge d'entretien indépendamment de la charge d'affichage et, également, de maintien de l'intensité de la luminosité constante par la décharge d'entretien. Attendu que des modifications de la présente invention seront évidentes pour un spécialiste de l'art, auquel l'invention appartient, on doit comprendre que les modes de réalisation tels que montrés et décrits à titre d'illustrations ne sont, en aucune façon, destinés à être considérés dans un sens limitatif. Par conséquent, les revendications sont destinées à couvrir toutes les modifications qui cadrent avec l'esprit et le domaine de la présente invention. REVEND I CATIONS 1. Procédé de commande d'une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma, caractérisé en ce que des impulsions d'entretien sont générées, qui comprennent plusieurs impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant des niveaux de tension d'achèvement différents les uns des autres et des impulsions de pente, de sorte qu'après la génération et la sortie desdites impulsions de pente, lesdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant lesdits différents niveaux de tension d'achèvement sont appliquées dans l'ordre d'une amplitude de différence entre lesdits différents niveaux de tension d'achèvement et un potentiel d'une impulsion finale parmi lesdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les niveaux de tension desdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien à un instant d'application initial sont contrôlés et au moins l'un d'un courant de décharge d'entretien et d'un intervalle de temps d'application de décharge d'entretien est également contrôlé pendant une décharge d'entretien vers une cellule de décharge. 3. Procédé de commande d'une impulsion d'entretien pour un panneau d'affichage à plasma, caractérisé en ce que des impulsions d'entretien sont générées, qui comprennent plusieurs impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant des niveaux de tension d'achèvement différents les uns des autres et des impulsions de pente, de sorte qu'après la génération et la sortie desdites impulsions de pente, lesdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant lesdits différents niveaux de tension d'achèvement sont appliquées dans l'ordre d'une amplitude de différence entre lesdits niveaux d'impédance de sortie et un potentiel d'une impulsion finale parmi lesdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les niveaux de tension desdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien à un instant d'application initial sont contrôlés et au moins l'un d'un courant de décharge d'entretien et d'un intervalle de temps d'application de décharge d'entretien est également contrôlé pendant une décharge d'entretien vers une cellule de décharge. 5. Circuit de commande pour un panneau d'affichage à plasma, caractérisé en ce qu'il comprend: des moyens pour générer des impulsions d'entretien, qui comprennent plusieurs impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant des niveaux de tension d'achèvement différents les uns des autres et des impulsions de pente; et des moyens pour appliquer, après la génération et la sortie desdites impulsions de pente, lesdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant lesdits différents niveaux de tension d'achèvement dans l'ordre d'une amplitude de différence entre lesdits différents niveaux de tension d'achèvement et un potentiel d'une impulsion finale parmi lesdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien. 6. Circuit de commande selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend, de plus: des moyens pour contrôler les niveaux de tension desdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien à un instant d'application initial; et des moyens pour contrôler au moins l'un d'un courant de décharge d'entretien et d'un intervalle de temps d'application de décharge d'entretien pendant une décharge d'entretien vers une cellule de décharge. 7. Circuit de commande pour un panneau d'affichage à plasma, caractérisé en ce qu'il comprend: des moyens pour générer des impulsions d'entretien, qui comprennent plusieurs impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant des niveaux d'impédance de sortie différents les uns des autres et des impulsions de pente; et des moyens pour appliquer, après la génération et la sortie desdites impulsions de pente, lesdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien ayant lesdits différents niveaux de tension d'achèvement dans l'ordre d'une amplitude de différence entre lesdits niveaux d'impédance de sortie et un potentiel d'une impulsion finale parmi lesdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien. 8. Circuit de commande selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend, de plus: des moyens pour contrôler les niveaux de tension desdites impulsions d'alimentation en courant de décharge d'entretien à un instant d'application initial; et des moyens pour contrôler au moins l'un d'un courant de décharge d'entretien et d'un intervalle de