FR 2787960 A1 20000630 FR 9816357 A 19981223 DETECTEUR D'IMAGE A AMPLIFICATEURS D'ACQUISITION DE DONNEES INTEGRES La présente invention concerne des détecteurs d'image du type utilisant des matrices de capteurs photosensibles en matériaux semi- conducteurs. L'invention s'applique de manière particulièrement intéressante (mais non exclusivement), dans le cas de la détection d'images radiologiques. Elle pour but de faciliter la fabrication et d'en réduire les coûts, ainsi que d'améliorer la stabilité des mesures et la qualité des images obtenues, dans le cas notamment de détecteurs d'image utilisant un grand nombre de capteurs photosensibles. Il est courant d'utiliser des matrices de capteurs ou points photosensibles en matériaux semi-conducteurs, dans les techniques d'acquisition d'images. Les points photosensibles sont réalisés sur du matériau semi-conducteur, du silicium par exemple, et ils comprennent très souvent chacun au moins une photodiode. Les photodiodes sont sensibles dans une bande de longueurs d'onde correspondant généralement au rayonnement visible ou proche du visible. En fonction des applications auxquelles elles sont destinées, les matrices photosensibles peuvent comporter des nombres très variables de pixels c'est à dire de points photosensibles, de quelques uns à plusieurs dizaines de milliers (et pouvant même atteindre plusieurs millions de points photosensibles pour des dimensions de l'ordre par exemple de 50 cm x 50 cm). L'un des intérêts des images obtenues à l'aide de points photosensibles en matériau semi-conducteur, réside dans le fait que ces images peuvent être numérisées, offrant comme avantages notamment des facilités du traitement et du stockage de l'image. Bien entendu, les avantages liés aux images de type numérique sont tout aussi importants dans le domaine de la détection d'images radiologiques, et particulièrement dans celui de l'imagerie médicale par rayons X. Pour appliquer à la détection d'images radiologiques des matrices photosensibles telles que ci-dessus décrites, il est bien connu d'interposer un écran en une substance scintillatrice entre le rayonnement X et chacun des points photosensibles de la matrice. La substance scintillatrice est choisie pour convertir le rayonnement X en un rayonnement lumineux, dans la bande de longueurs d'onde à laquelle sont sensibles les points photosensibles. Suivant l'un des modes de fonctionnement courant, chaque point photosensible comporte un élément faisant fonction d'interrupteur, monté en série avec la photodiode. La commande ligne par ligne de chacun des éléments interrupteurs (commande opérée après une phase d'exposition ou phase d'intégration, au cours de laquelle la photodiode est exposée à un o signal lumineux de mesure, c'est à dire à un signal correspondant à une image à détecter), permet de transférer sur une colonne des charges électriques produites par la photodiode correspondante durant la phase d'intégration; il est à noter que durant la phase d'intégration, la photodiode est assez fortement polarisée en inverse, de telle manière qu'elle forme une capacité dans laquelle sont stockées les charges engendrées durant cette phase. Des amplificateurs et circuits de multiplexage permettent ensuite de transférer les charges des différents points photosensibles vers un circuit de lecture et de traitement de données. Une matrice dont chaque point photosensible comprend une photodiode coopérant avec un élément interrupteur, comme indiqué plus haut, est décrite ainsi que son mode de fonctionnement dans une demande de brevet français n 86.14. 058 (n de publication 2.605.166). Dans l'exemple de fonctionnement cité plus haut, les charges sont stockées, au fur et au mesure qu'elles sont générées, dans la zone de la photodiode par laquelle elles ont été produites. Suivant un autre mode de fonctionnement assez courant, aussi bien pour ce qui est de l'imagerie par rayons X que pour l'imagerie à partir d'un rayonnement visible, les charges sont transférées dès qu'elles sont produites, pour être stockées en dehors de la zone de la photodiode, par exemple au niveau d'un amplificateur assurant une fonction d'intégrateur. Cette configuration, que l'on peut rencontrer par exemple dans les tomodensitomètres à rayons X, pose particulièrement différents problèmes que l'invention a pour but de résoudre. Mais il est à noter cependant que les solutions proposées par l'invention, trouvent à s'appliquer aussi dans les modes de fonctionnement cités plus haut. Les tomodensitomètres sont des appareils à rayons X qui utilisent généralement une seule source à rayons X et un ensemble détecteur pouvant comporter un grand nombre de points photosensibles. L'ensemble formé par la source et l'ensemble détecteur peut tourner et/ou se déplacer en translation par rapport au corps d'un patient, en vue de former l'image interne d'une tranche du patient. Un tel appareil est décrit par exemple dans le document US -A - 5 592 523. i0 La figure 1 représente de façon schématique et simplifiée certains des éléments essentiels d'un tomodensitomètre. Le tomodensitomètre comporte une source 1 produisant un rayonnement X 2, et un ensemble détecteur 4. Le rayonnement X 2 irradie un corps 3 d'un patient interposé entre la source 1 et le dispositif détecteur 4. Le tomodensitomètre tourne autour d'un axe de rotation représenté par un point 6. Il peut comporter en outre un détecteur auxiliaire 5, situé hors du champ X masqué par le corps 3. Le dispositif détecteur 4 a une longueur qui s'étend suivant un arc de cercle. L'ensemble détecteur 4 comporte une multiplicité de points photosensibles de détection, disposés suivant la longueur et la largeur du dispositif détecteur 4. Les points photosensibles peuvent être regroupés en modules de détection MD. Un tomodensitomètre peut comporter par exemple jusqu'à plusieurs dizaines de modules de détection, disposés côte à côte suivant la longueur du dispositif détecteur 4. Chaque module de détection MD comporte un matériau scintillateur 71 superposé à une matrice photosensible 72. Le matériau scintillateur a pour fonction de convertir le rayonnement X en un rayonnement lumineux auquel sont sensibles les matrices photosensibles; le matériau scintillateur est donc situé du côté de la source 1. Une matrice photosensible 72 peut comporter un réseau de photodiodes (non représentées à la figure 1), disposées suivant par exemple 32 lignes et 16 colonnes, soit un nombre de 512 photodiodes. Dans certaines applications comme celles relatives aux tomodensitomètres, chaque photodiode est reliée à un amplificateur d'acquisition de données qui a pour fonction notamment de recevoir et d'intégrer les charges au fur et au mesure qu'elles sont produites par la photodiode; cette intégration des charges réalise d'une certaine manibre le stockage des charges qui, dans l'autre mode de fonctionnement précédemment cité, s'effectue au niveau de la photodiode elle-même, alors que dans le cas présent ce stockage s'effectue à l'extérieur de la matrice photosensible. En fait dans cette configuration, les amplificateurs qui reçoivent les signaux des photodiodes ne sont pas réalisées sur un même substrat que ces dernières, ces amplificateurs peuvent se trouver à proximité de la matrice photosensible. 0 La figure 2 représente de façon schématique une matrice photosensible 7 semblable à une matrice 72 de la figure 1, et dont chaque point photosensible est formé par une photodiode. Pour simplifier la description seulement 4 photodiodes Dpl à Dp4 sont représentées. Elles sont dans l'exemple disposées suivant 2 lignes L1, L2, et deux colonnes c11, c12. Les photodiodes Dpl à Dp4 sont réalisées sur un substrat Sbl et, par exemple de construction, elles sont toutes reliées électriquement par une même extrémité, leur anode dans l'exemple non limitatif représenté, audit substrat et à la masse. L'autre extrémité de chacune des photodiodes, soit la cathode, est connectée à un conducteur individuel 19, par l'intermédiaire duquel chacune de ces cathodes est connectée à une première entrée E1 d'un amplificateur al à a4 propre à chaque photodiode. Les amplificateurs al à a4 sont couramment constitués à l'aide d'amplificateurs opérationnels; mais il est connu aussi de les réaliser par des composants discrets, avec un ou plusieurs transistors. Ces amplificateurs destinés à l'acquisition des données délivrées par les photodiodes (sous la forme de charges électriques), doivent répondre à des contraintes très sévères: faible bruit, forte dynamique et une grande stabilité pour la reproduction des mesures. Dans l'exemple classique représenté, chaque première entrée E1 correspond en fait à l'entrée inverseuse "-" de l'amplificateur opérationnel al à a4. Une capacité Ci dite d'intégration est reliée entre la première entrée et une sortie S1 de chaque amplificateur al à a4. Un premier élément interrupteur 1l (constitué par exemple par un transistor du type MOS) est monté en parallèle avec chaque capacité d'intégration Ci. Une seconde entrée Ep des amplificateurs al à a4 (correspondant à l'entrée non inverseuse "l+ "Il de l'amplificateur), appelée "entrée pilote' reçoit une tension appelée tension pilote VP1, qui dans l'exemple est développée par rapport à la masse. L'application de la tension pilote VP1 sur une entrée pilote Ep a pour effet d'établir sur la première électrode El, une tension qui constitue la tension de polarisation VP des photodiodes Dpl à Dp4. La valeur de la tension de polarisation VP est donc dépendante de la valeur de la tension i pilote VP1 dont elle suit les variations, et dont elle est plus ou moins proche suivant notamment la nature et les qualités de l'amplificateur. Ceci montre que chacun des amplificateurs utilisés pour recevoir les charges délivrées par une photodiodes Dpl à Dp4, doit comporter outre l'entrée E1 reliée à la photodiode, une autre entrée telle que l'entrée pilote Ep afin de recevoir la tension pilote VP dont découle le potentiel de polarisation VP présent sur la première entrée El. La sortie S1 de chacun des amplificateurs al à a4 est reliée à un deuxième élément interrupteur 12, dont l'autre côté est relié à une capacité Cs dite de stockage. L'autre armature de la capacité de stockage Cs est reliée dans l'exemple à la masse. D'autres différents moyens sont également reliés aux capacités de stockage Cs, qui permettent notamment de transférer les charges vers des circuits de multiplexage et de traitement de données, mais ces moyens ne sont pas davantage décrits car ils sortent du champ de l'invention et sont en eux-mêmes connus. En fait le domaine directement intéressé par l'invention s'arrête à la sortie Sl des amplificateurs al à a4. Pendant la phase d'exposition ou d'intégration, les premiers et deuxièmes interrupteurs 11, 12 sont ouverts, et les charges délivrées par les photodiodes Dpl à Dp4 sont intégrées dans l'amplificateur al à a4 correspondant. Dans une phase suivante, les deuxièmes interrupteurs 12 sont fermés, et les quantités de charges intégrées par les amplificateurs pendant la phase d'intégration sont transférées sur les capacités de stockage Cs; quand ce transfert est opéré les deuxièmes interrupteurs 12 sont mis à l'état ouvert, puis les premiers interrupteurs Il sont fermés un bref instant pour décharger les capacités d'intégration Ci et permettre un nouveau cycle. Pour un fonctionnement correct des photodiodes Dpl à Dp4 dans les phases d'intégration, phases durant lesquelles elles délivrent des charges dont la quantité est fonction de l'intensité du signal lumineux auquel elles sont exposées, la tension de polarisation appliquée à ces photodiodes doit être comprise généralement entre 0 Volt (zéro) et une valeur de polarisation inverse de 20 mV. Cette polarisation doit être stable et appliquée d'une égale manière à toutes les photodiodes, sous peine i0 d'affecter gravement la qualité des mesures et leur stabilité. Dans le cas d'appareils qui utilisent un nombre peu élevé de photodiodes, jusqu'à quelques dizaines par exemple, il peut être admissible d'assurer le traitement des signaux délivrées par ces photodiodes en utilisant un canal individuel pour chacune, et en réalisant les éventuelles adaptations nécessaires au bon fonctionnement de chaque canal: par exemple en ajustant pour chaque amplificateur la valeur de la tension pilote qu'il reçoit, afin que chaque photodiode soit correctement polarisée. Mais dans le cas de matrices pouvant comporter plusieurs centaines de photodiodes, cette méthode ne convient plus, et l'intégration des amplificateurs tels que al à a4 devient nécessaire, tant en ce qui concerne la facilité de fabrication, que l'encombrement, la dissipation thermique et le coût global. Une telle intégration pose malheureusement des problèmes quant à sa compatibilité avec la matrice photosensible: en effet, si l'on n'a plus recours à des canaux individuels de traitement, il devient plus difficile d'utiliser par exemple des amplificateurs opérationnels pour des questions notamment de différences de seuil de tension, comme il est davantage expliqué dans la suite de la description. Il est à noter que par le terme" intégration '" nous entendons qu'il s'agit d'utiliser (et éventuellement de faire réaliser) un circuit intégré contenant de manière en elle-même classique, au moins tous les composants nécessaires à former, sur un même substrat, un nombre pouvant devenir relativement important d'amplificateurs tels que al à a4, un nombre tel que par exemple 64, 128, 256 ou 512 ou plus. Il est à noter aussi que les amplificateurs al à a4 remplissent plusieurs fonctions dont celle d'amplificateur, plus celle d'intégrateur, et plus celle qui consiste à appliquer l'un des potentiels de la tension de polarisation VP à l'une des extrémités de la photodiode qui lui est raccordée. Aussi, ces amplificateurs sont appelés amplificateurs adaptateurs al à a4 dans la suite de la description. Le fait que les photodiodes Dpl à Dp4 soient réalisées sur un substrat et que les amplificateurs adaptateurs al à a4 soient sur un autre substrat, pose une difficulté en ce qui concerne la stabilité vis à vis des variations de température, car les dérives thermiques dans ce cas peuvent être très différentes et peuvent être néfastes. En effet la tension de seuil 1 o d'un transistor varie assez fortement avec la température, et tend alors à modifier la différence entre les valeurs de tensions présentes par exemple sur les premières entrées E1 et les entrées pilote Ep des amplificateurs adaptateurs al à a4. Par ailleurs, il connu que des circuits intégrés provenant de lots de fabrication différents ont des tensions de fonctionnement différentes. Dans ce cas ils imposent des tensions de polarisation différentes aux photodiodes qui leur sont associées. Il est connu d'utiliser des amplificateurs de type différentiel (dérive thermique inférieure à 20 pV/Oc) quand on recherche une faible dérive thermique et une bonne stabilité en général. Sur ce plan des amplificateurs différentiels pourraient donc constituer les amplificateurs intégrés recherchés, mais dans le cas de la présente application, ce type d'amplificateur peut être déconseillé du fait notamment que son étage d'entrée demande deux transistors, et qu'il tend ainsi à majorer le bruit d'un facteur X (racine carrée de deux) relativement important. En outre un amplificateur de ce type utilise une surface double de silicium, ce qui tend à augmenter son encombrement et son coût. Une autre solution (favorable au faible bruit) peut aussi consister à utiliser un amplificateur adaptateur n'utilisant qu'un transistor d'entrée. La figure 3 représente le schéma d'un amplificateur a' susceptible de remplir les fonctions assurées par les amplificateurs adaptateurs al à a4 de la figure 2. L'amplificateur a' comporte 3 transistors de type MOS, Q1, Q2, Q3. Les transistors Q1 et Q2 forment un amplificateur à transconductance de type cascode, bien connu. Le transistor QI peut comporter une grande surface qui lui confère un faible bruit en tension sur sa grille G. Cette grille G de Q1 est reliée à la source S du troisième transistor Q3 et ce point forme une entrée E de l'amplificateur a'; cette entrée E par rapport aux amplificateurs al à a4 montrés figure 2, représente l'entrée inverseuse "Il -" et représente donc une première entrée telle que E1 à laquelle doit être raccordée une photodiode Dp (représentée en traits pointillés). Le Drain D de Q1 est relié à la source S du transistor Q2 dont la grille G est maintenue à une tension fixe VF, et dont le drain D est relié d'une part à une tension d'alimentation V+ par l'intermédiaire d'un générateur de courant Gi, et d'autre part à la grille G du troisième transistor Q3. Le drain D de Q3 reçoit une extrémité d'une capacité d'intégration Ci' dont l'autre extrémité est reliée à la tension d'alimentation V+. La capacité Ci' intègre les courants et un interrupteur Il' disposé en parallèle avec la capacité Ci' permet de remettre la charge de cette dernière à zéro périodiquement. Le drain D de Q3 constitue la sortie de l'amplificateur a' et correspond à une sortie SI des amplificateurs de la figure 2 (cette sortie serait donc à connecter vers un second interrupteur 12 montré à la figure 2). La source S du premier transistor Q1 constitue une seconde entrée Ep de l'amplificateur a'; cette entrée Ep correspond aux entrées non inverseuses "+ Il des amplificateurs de la figure 2, et elle constitue donc une entrée pilote destinée à recevoir une tension pilote VP1, afin de déterminer sur l'entrée E la tension de polarisation VP2. Bien qu'il présente des avantages notamment en ce qui concerne le bruit, par rapport à un amplificateur différentiel, le schéma d'amplificateur ci-dessus décrit pose lui aussi des problèmes, s'il est choisi pour être intégré comme envisagé plus haut. Cet amplificateur en effet est affecté d'une dérive thermique importante de l'ordre de 2mV/oc. D'autre part, en intégrant ce type d'amplificateur, des écarts de 0,1 volt à 0, 2 volt sont possibles d'un circuit intégré à un autre. En conséquence, si plusieurs tels circuits intégrés sont associés, chaque circuit aura sa propre tension de seuil. Or, on recherche une tension de polarisation des photodiodes comprises entre 0 et millivolt. Ces explications montrent que bien qu'elle soit souhaitable, l'intégration mentionnée plus haut est particulièrement difficile à mettre en place. La présente invention a pour but de résoudre les problèmes cités cidessus, et notamment ceux liés à une même polarisation de toutes les photodiodes utilisées ainsi qu'à la conservation de cette polarisation dans le temps, et donc de permettre l'intégration des éléments utiles à l'acquisition des données de matrices photosensibles, et d'autoriser l'utilisation d'une large gamme de type d'amplificateur. L'invention prévoit à cet effet de réaliser des amplificateurs adaptateurs réalisés sous la forme de circuits intégrés sur un même substrat, et d'utiliser l'un de ces amplificateurs adaptateurs intégrés pour lo obtenir un potentiel faisant fonction de référence, afin de définir la tension de polarisation des photodiodes par rapport à ce potentiel de référence. Cette combinaison permet de résoudre tout ou partie des problèmes posés, car en pratique, les amplificateurs d'un même circuit intégré ont la même variation thermique à quelques fractions de mV prés. L'invention concerne donc un détecteur d'image, comportant au moins une matrice de photodiodes, des amplificateurs adaptateurs destinés à recevoir des charges électriques produites par les photodiodes, ces charges étant produites durant une phase dite d'intégration durant laquelle les photodiodes sont chacune polarisées par une tension de polarisation, la tension de polarisation étant appliquée à chaque photodiode par l'intermédiaire d'un amplificateur adaptateur, caractérisé d'une part en ce que les amplificateurs adaptateurs sont constitués en au moins un circuit intégré, et en ce qu'il comporte en outre des moyens pour définir la tension de polarisation par rapport à un potentiel de référence prélevé sur un amplificateur adaptateur. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, faite à titre d'exemple non limitatif et en référence aux figures annexées, parmi lesquelles: - la figure 1 déjà décrite, représente de manière schématique un tomodensitomètre; - la figure 2 déjà décrite, représente de manière schématique une matrice de photodiodes et des amplificateurs adaptateurs servant à l'acquisition des données délivrées par les photodiodes, dans une configuration de l'art antérieur; - la figure 3 déjà décrite, représente de manière schématique un mode de réalisation particulier d'un amplificateur adaptateur représenté à la figure 2; - la figure 4, montre de façon schématique une matrice de photodiodes et des amplificateurs adaptateurs servant à l'acquisition des données délivrées par les photodiodes, dans un premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 5, montre de façon schématique une matrice de photodiodes et des amplificateurs adaptateurs servant à l'acquisition des lo données délivrées par les photodiodes, dans un second mode de réalisation de l'invention. La figure 4 représente une matrice photosensible 7 qui dans l'exemple est identique en structure à celle de la figure 2. Elle comporte des photodiodes Dpl à Dp4 formées sur un substrat Sbl. Dans l'exemple non limitatif décrit, toutes les anodes sont reliées entre elles, par le substrat par exemple. Comme dans l'exemple de la figure 2, la cathode de chacune des photodiodes Dpl à Dp4 est reliée, à l'extérieur de la matrice 7, à une première entrée E1 d'un amplificateur adaptateur A1 à A4 à laquelle elle délivre les charges produites par la photodiode; ces amplificateurs adaptateurs A1 à A4 sont représentés sur la figure 4 comme des amplificateurs opérationnels et ils sont par exemple semblables aux amplificateurs adaptateurs al à a4 déjà décrits en référence à la figure 2, et remplissent les mêmes fonctions. Suivant une caractéristique de l'invention, les amplificateurs adaptateurs A1 à A4 utiles à l'acquisition des données des photodiodes Dpl à Dp4 sont constitués en au moins un circuit intégré 9, et en consequence dans l'exemple de la figure 4, ils sont formés sur un même substrat Sb2. La tension appelée tension pilote VP1, déjà citée, référencée par rapport à la masse par exemple, est appliquée aux secondes entrées ou entrées pilote Ep des amplificateurs adaptateurs A1 à A4. Il en résulte, comme déjà expliqué précédemment, que l'un des potentiels de la tension de polarisation VP est présent sur les premières entrée El, et se trouve donc connecté aux cathodes des photodiodes. Pour appliquer l'autre potentiel de la tension de polarisation VP aux anodes des photodiodes, dans une première forme de réalisation de I'invention et suivant une autre de ses caractéristiques, on utilise un amplificateur supplémentaire c'est à dire dans l'exemple un cinquième amplificateur adaptateur A5. Cet amplificateur A5 est d'une structure identique aux quatre amplificateurs adaptateurs A1 à A4, et il est réalisé sur le même substrat Sb2 que ces derniers, mais aucune photodiode ne lui est relié. L'entrée pilote Ep de cet amplificateur supplémentaire A5 est reliée elle aussi à la tension pilote VP1, et en conséquence sa première entrée E1 est portée au potentiel de la tension de polarisation VP d'une même manière que les autres premières entrées El. o0 Le potentiel présent sur la première entrée E1 de l'amplificateur supplémentaire A5, est considéré comme un potentiel de référence VR. Suivant une nouvelle caractéristique de l'invention, le potentiel de référence VR est appliqué à un amplificateur opérationnel d'un type courant (par exemple connu sous la référence LM 308), fonctionnant en amplificateur suiveur As. L'amplificateur suiveur As reproduit à basse impédance le potentiel de référence VR qui lui est appliqué à l'entrée. La sortie So de l'amplificateur suiveur As est reliée au substrat Sbl de la matrice 7 et donc aux anodes des photodiodes Dpl à Dp4, par l'intermédiaire d'un filtre passe bas; ce dernier est formé de manière classique d'une part, par une résistance Rf insérée en série entre la sortie So et le substrat Sbl, et d'autre part par une capacité Cf connectée entre la masse et le substrat Sbl. Dans ces conditions, on définit la tension de polarisation VP par rapport au potentiel de référence VR car on applique aux anodes des photodiodes Dpl à Dp4, un potentiel qui reste toujours très proche de celui du potentiel de référence VR; le potentiel de référence VR étant lui-même très proche du potentiel appliqué aux cathodes des photodiodes, il en résulte que la tension de polarisation VP est nulle ou très faible, et ceci à toutes températures. Dans cette version de l'invention, toutes les photodiodes Dpl à Dp4 de la matrice 7 sont reliées à un même circuit intégré 9, et ce dernier doit donc dans ce cas posséder au moins un amplificateur adaptateur de plus que le nombre des photodiodes, pour délivrer le potentiel de référence VR. Bien entendu, le nombre des photodiodes que comporte la matrice 7 peut être différent de celui représenté, plus faible ou plus important jusqu'à par exemple plusieurs centaines ou plusieurs milliers, voire davantage. Il convient dans ce cas d'augmenter le nombre d'amplificateurs adaptateurs contenu par le circuit intégré, ce qui ne modifie pas l'organisation générale montrée par l'exemple de la figure 4. Il est préférable en effet dans cette version de l'invention, d'associer les photodiodes d'une même matrice à des amplificateurs adaptateurs contenus dans un même circuit intégré, afin d'éviter des différences entre les tensions de polarisation délivrées par différents circuits intégrés. Il est à noter que les amplificateurs adaptateurs A1 à A5 peuvent avantageusement être constitués par des amplificateurs du type de l'amplificateur a' représenté à la figure 3; ce type d'amplificateur présente en effet des caractéristiques de bruit favorables, dispose d'une entrée pilote, et permet d'assurer toutes les fonctions remplies par les amplificateurs adaptateurs A1 à A5. La figure 5 représente un deuxième mode de réalisation de l'invention, avantageux notamment en ce qu'il permet l'utilisation de plusieurs circuits intégrés pour lire une même matrice de photodiodes. La matrice photosensible 7 montrée à la figure 5 est la même que celle montrée à la figure 4, c'est à dire que pour simplifier la description elle est représentée avec seulement quatre photodiodes Dpl à Dp4. Toutes les anodes des photodiodes Dpl à Dp4 sont reliées entre elles par le substrat Sbl par exemple. Dans cette version de l'invention, les photodiodes sont partagées en groupes, c'est à dire que certaines des photodiodes sont associées à des amplificateurs adaptateurs appartenant à un premier circuit intégré 10, et les autres photodiodes sont associées à des amplificateurs adaptateurs appartenant à un deuxième circuit intégré 11. Dans l'exemple représenté: les deux photodiodes Dpl, Dp2 d'une même ligne L1 forment un groupe etsont reliées par leur cathode respectivement à la première entrée E1 d'un premier et d'un deuxième amplificateurs adaptateurs A1, A2, contenus dans le premier circuit intégré 10; les deux photodiodes Dp3, Dp4 de l'autre ligne L2 forment un second groupe et sont reliées respectivement à la première entrée E1 d'un premier et d'un deuxième amplificateurs adaptateurs A1, A2, contenus dans le deuxième circuit intégré 11. Les deux circuits intégrés 10,11 peuvent être constitués avec des amplificateurs adaptateurs d'un même type, bien que cette condition ne soit pas obligatoire pour le bon fonctionnement. Dans l'exemple non limitatif représenté, chaque circuit intégré 10, 11 comporte trois amplificateurs adaptateurs A1, A2, A3, dont le troisième A3 est l'amplificateur adaptateur supplémentaire destiné à fournir le potentiel de référence VR présent sur sa première entrée El. Une tension fixe V2 est appliquée au substrat Sbl de la matrice 7 et donc aux anodes de toutes les photodiodes Dpl à Dp4, en vue de iO constituer l'un des potentiels de la tension de polarisation VP. Suivant l'invention, l'autre potentiel de la tension de polarisation VP ayant la valeur voulue par rapport à la tension fixe V2, est délivré aux cathodes en appliquant aux entrées pilotes Ep une tension pilote VPla, VPlb élaborée à l'aide d'un d'asservissement utilisant un circuit comparateur 12a, 12b; un circuit comparateur 12a est affecté au circuit intégré 10, et un circuit comparateur 12b est affecté au circuit intégré 11. La tension de polarisation VP correspond donc à la différence de potentiel entre la tension présente sur les premières entrées El, et celle de la tension fixe V2. Les circuits comparateurs 12a, 12b comportent chacun un amplificateur opérationnel respectivement 13a, 13b, par exemple un amplificateur connu dans le commerce sous la référence LM 308. Chaque amplificateur opérationnel 13a, 13b est monté d'une manière en elle même classique, pour constituer notamment un comparateur de tension délivrant un signal quand il détecte une différence entre une première et une seconde tension appliquées respectivement à sa première et à sa seconde entrée "- '±" ' il délivre dans ce cas sur sa sortie 15a, 15b un signal dont le signe est fonction du sens de la différence sur ses entrées. Dans l'exemple non limitatif décrit, la tension fixe V2 appliquée au substrat Sbl de la matrice 7, est également appliquée à l'entrée non inverseuse "+ "des deux amplificateur 13a, 13b, par l'intermédiaire d'une résistance R5 (100 Kç par exemple) pour chacun. Les entrées pilotes Ep des circuits intégrés sont reliées à la sortie 15a, 15b de l'amplificateur 13a, 13b qui lui correspond, c'est à dire la sortie 15a pour le premier circuit intégré 10 et 15b pour le second circuit intégré 11; cette liaison s'effectue par une résistance R6 (par exemple 1000 Q) qui coopère avec un condensateur Cfl ( par exemple 1000pF) pour former un filtre passe bas. Il en est de même pour les premières entrées E1 délivrant des tensions de référence VR, dont celle qui appartient au premier circuit intégré 10 est reliée à l'entrée inverseuse "-"de l'amplificateur 13a, et celle du second circuit intégré 11 est reliée à l'entrée inverseuse "-"de l'amplificateur 13b, chacune par une résistance R7 (égale à R5). Enfin pour chaque amplificateur 13a,13b, I'entrée inverseuse "- "est reliée à la sortie 15a, 15b par un condensateur C5 d'une valeur par exemple de lpF. Les deux amplificateurs 13a,13b sont alimentés de façon habituelle par des tensions 1o non représentées. En fonctionnement, chacun des amplificateurs opérationnels 13a,13b délivre une tension pilote VP1a, VPlb, appliquée aux entrées pilotes Ep du respectivement premier et second circuits intégrés 10,11. Chacune de ces tensions pilotes possède alors une valeur telle que la tension de référence qu'elle engendre, et qui est appliquée sur l'entrée inverseuse:-"de l'amplificateur opérationnel correspondant, ait une même valeur que la tension qui est appliquée à l'entrée non inverseuse Vde ce même amplificateur opérationnel. Les amplificateurs opérationnels 13a,13b étant montés d'une même façon, ils sont ajustés pour déterminer les valeurs des tensions pilotes de telle manière que la différence de potentiel établie aux bornes des photodiodes soit celle recherchée, et soit la même pour toutes les photodiodes; ceci peut conduire à des valeurs de tensions pilotes VPla, VP1b différentes pour compenser d'éventuelles différences de seuils en tension présentés par les différents circuits intégrés 10,11. Dans l'exemple non limitatif décrit, les conditions de fonctionnement des amplificateurs opérationnels 13a,13b ont été ajustées, de manière en elle-même classique, pour que la différence de potentiel établie aux bornes des photodiodes soit proche de 0 volt. Cette version de l'invention permet d'utiliser simultanément plusieurs circuits intégrés, pour lire et polariser à une même valeur de tension de polarisation, les photodiodes d'une même matrice photosensible. Cependant cette version de l'invention présente aussi un grand intérêt même quand les photodiodes sont associées à un unique circuit intégré, car un circuit comparateur 12a,12b présente l'avantage d'être facilement ajusté pour obtenir une quelconque valeur de polarisation des photodiodes. Dans l'exemple non limitatif de la figure 5, un même nombre de photodiodes Dpl à Dp4 coopère avec chaque circuit intégré 10,11, mais il est possible de faire des répartitions différentes, qui dépendent notamment des fabrications réalisées en circuits intégrés, et des disponibilités en circuits intégrés disposant d'un nombre d'amplificateurs adaptateurs égal ou supérieur au nombre des photodiodes d'une même matrice à utiliser; sans oublier bien entendu que dans chaque circuit intégré, un amplificateur O adaptateur doit être réservé pour fournir la tension de référence VR. A titre d'exemple, dans le cas d'une matrice photosensible comportant 600 photodiodes, il serait possible d'utiliser un premier circuit intégré contenant 512 amplificateurs adaptateurs, et un second en contenant 128. Bien entendu, il est clair également que le montage décrit à la figure 5 autorise l'utilisation d'un nombre important de circuits intégrés contenant chacun un nombre important d'amplificateurs adaptateurs tels que A1, A2,..,,A5. Il est à observer que le fonctionnement d'une matrice photosensible coopérant avec des amplificateurs adaptateurs réalisés sous la forme de circuits intégrés, tel que ci-dessus décrit, s'applique aussi bien à un détecteur d'image pour détecter des images contenues dans un rayonnement visible que dans un rayonnement X. En effet, il suffit pour l'un ou l'autre des cas, d'ôter ou d'interposer devant la matrice photosensible, le matériau scintillateur 71 cité en référence à la figure 2. Enfin, la description a été faite en référence principalement à une matrice de photodiodes, mais l'invention s'applique à tout ensemble contenant des photodiodes, et par le terme" matrice "nous entendons aussi les barrettes de photodiodes. REVENDICATIONS 1. Détecteur d'image, comportant une matrice (7) de photodiodes (Dpl à Dp4), des amplificateurs adaptateurs (A1 à A4) destinés à recevoir des charges électriques produites par les photodiodes, ces charges étant produites durant une phase dite d'intégration durant laquelle elles sont chacune polarisées par une tension de polarisation (VP), la tension de polarisation étant appliquée à chaque photodiode (Dpl à Dp4) par l'intermédiaire d'un amplificateur adaptateur (A1 à A4) auquel est reliée la photodiode (Dpl à Dp4) par une première extrémité (cathode), caractérisé en ce que les amplificateurs adaptateurs sont constitués en au moins un circuit intégré (9,10,11), et en ce qu'il comporte en outre des moyens (A5, As, 13a, 13b) pour définir la tension de polarisation (VP) par rapport à un potentiel de référence (VR) prélevé sur un amplificateur adaptateur (A5). 2. Détecteur d'image suivant la revendication 1, caractérisé en ce que chaque photodiode (Dpl à Dp4) est reliée à une première entrée( El) d'un amplificateur adaptateur (A1 à A4) auquel elle transfère des charges qu'elle produit, et dont elle reçoit l'un des potentiels de la tension de polarisation (VP). 3. Détecteur d'image suivant la revendication 2, caractérisé en ce que l'établissement d'un potentiel de la tension de polarisation (VP) sur ladite première entrée (El) d'un amplificateur adaptateur (A1 à A4), résulte de l'application d'une tension appelée tension pilote (VP1) sur une seconde entrée dite entrée pilote (Ep). 4. Détecteur d'image suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que chaque circuit intégré (9,10,11) comporte au moins un amplificateur adaptateur (A5) auquel aucune photodiode (Dpl à Dp4) n'est reliée. 5. Détecteur d'image suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la tension pilote (VP1) est appliquée à l'entrée pilote (Ep) d'au moins un amplificateur adaptateur (A5) auquel aucune photodiode (Dpl à Dp4) n'est reliée. 6. Détecteur d'image suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le potentiel de référence (VR) est prélevé sur un amplificateur adaptateur (A5) auquel aucune photodiode (Dpl à Dp4) n'est reliée et auquel est appliquée la tension pilote (VP1). 7. Détecteur d'image suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte en outre au moins un amplificateur (As) fonctionnant en amplificateur suiveur, dont l'entrée (" +) reçoit le potentiel de référence (VR) et dont la sortie (So) est reliée aux secondes extrémités (anode) des photodiodes (Dpl à Dp4). 8. Détecteur d'image suivant la revendication 7, caractérisé en ce que la tension de polarisation (VP) des photodiodes (Dpl à Dp4) est égale ou voisine de 0 volt. 9. Détecteur d'image suivant l'une quelconque des revendications 3 ou 4 ou 5 ou 6, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un circuit intégré (10,11) associé à un circuit comparateur (12a, 12b) dont une première entrée "- "reçoit la tension de référence (VR) délivrée par le circuit intégré (10,11), et dont une seconde entrée " +" reçoit une tension fixe (V2) appliquée également à la seconde extrémité (anode) des photodiodes (Dpl à Dp4), la sortie (15a, 15b) du circuit comparateur (12a, 12b) étant reliée à l'entrée pilote (Ep) du circuit intégré (10, 11) auquel elle délivre une tension pilote (VP1a, VPlb), le circuit comparateur (12a,12b) fonctionnant de manière à ajuster la valeur de la tension pilote (VP1a, VP1b) pour que la différence de potentiel entre la tension de référence (VR) et la tension fixe (V2) corresponde à la valeur désirée de la tension de polarisation (VP) des photodiodes. 10. Détecteur d'image suivant la revendication 9, caractérisé en ce que au moins deux circuits intégrés (10,11) sont associés chacun à un circuit comparateur (12a, 12b) et en ce que les photodiodes (Dpl à Dp4) d'au moins une matrice photosensible (7) sont partagées en au moins deux groupes (Dpl, Dp2 et Dp3, Dp4), les photodiodes de l'un des groupes étant reliées aux amplificateurs adaptateurs (A1 à A3) de l'un des circuits intégrés et les photodiodes de l'autre groupe étant reliées aux amplificateurs adaptateurs (A1 à A3) de l'autre des circuits intégrés, et en ce que les circuits comparateurs (12a,12b) fonctionnent de manière que la tension de polarisation (Vp) appliquée aux photodiodes (Dpl à Dp4) soit la même pour tous les groupes. 11. Détecteur d'image suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les amplificateurs adaptateurs (A1 à A5) utilisent des amplificateurs (a') du type comportant un unique transistor d'entrée. 12. Détecteur d'image suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les amplificateurs adaptateurs (A1 à A5) coopèrent avec une capacité Ci) dite d'intégration pour intégrer les charges délivrées par les photodiodes (Dp1 à Dp4). 13. Détecteur d'image suivant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que étant prévu pour détecter des images contenues dans un rayonnement X, il comporte en outre au moins un matériau scintillateur (71).