FR 2796163 A1 20010112 FR 9908879 A 19990708 COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE COMPORTANT UN EMPILEMENT DE BRAGG La présente invention se situe dans le domaine général de l'optoélectronique, et concerne plus précisément un composant optique avec un empilement de Bragg réalisé sur un substrat semi-conducteur tel que de l'InP, par exemple. La loi de Bragg définit les conditions de transmission ou de réflexion d'un signal lumineux par un composant en fonction du revêtement déposé sur la surface du composant. Pour obtenir un minimum de réflexion, cette loi s'exprime par la relation suivante: n * e= / 4 o n(X) est l'indice de réfraction du revêtement; e est l'épaisseur du revêtement; X est la longueur d'onde du signal transmis par le composant. Ainsi, pour une longueur d'onde X donnée, l'indice et l'épaisseur du revêtement déterminent la nature réfléchissante ou anti-réfléchissante de la surface du composant. Une couche unique de revêtement permet un contrôle du pouvoir réfléchissant pour une longueur d'onde donnée. La réalisation d'un empilement de Bragg, composé d'une pluralité de paires de couches de revêtement, permet d'élargir le spectre, ainsi que le pouvoir de réflexion ou de transmission du composant. Le dépôt d'un miroir de Bragg en extrémité d'un composant est couramment réalisé sur les composants optoélectroniques. Un tel miroir est généralement constitué d'un empilement de paires de couches distinctes dont les indices de réfraction respectifs sont très différents. Un tel miroir de Bragg, peut être réalisé à l'extrémité d'un composant, tel qu'un laser par exemple, afin de permettre une réflexion optimale de la lumière par ledit composant. Le pouvoir réfléchissant d'un miroir de Bragg peut atteindre les 99.99 %, valeur impossible à atteindre avec une seule couche de revêtement. En particulier, pour un laser à émission par la surface (VCSEL, Vertical Cavity Surface Emitting Laser, en terminologie anglaise), la réalisation d'un empilement de Bragg sur la surface est primordiale. De même, un empilement de Bragg peut être réalisé sur une photo-diode par exemple, afin de constituer une couche anti-réfléchissante pour améliorer la sensibilité du composant. L'invention s'applique également à tout type de composant optique pouvant nécessiter une grande différence d'indice, tel qu'un guide d'onde, un coupleur ou autre. Les techniques les plus connues pour déposer un tel empilement de Bragg sont le dépôt de matériaux amorphes ou polycristallins, par pulvérisation réactive ou non, ou par un canon à électrons, et la croissance par épitaxie d'un matériau semi-conducteur. La première méthode de dépôt d'un empilement de Bragg exploite la technique connue du canon à électrons ou de pulvérisation réactive à partir de deux sources distinctes. Les matériaux utilisés dans cette méthode proviennent de deux sources distinctes et sont des matériaux amorphes présentant une grande différence d'indice de réfraction et un faible pouvoir réfléchissant. Un faisceau d'électrons est envoyé sur une source afin de déposer une couche de matériau sur 3 2796163 un échantillon du composant situé à une distance donnée. Ainsi, on obtient des miroirs de Bragg composés d'une succession de couches, par exemple de Silice et d'oxyde de titane (SiO2/TiO2), ou de Silice et de Silicium (SiO2/Si). Pour une longueur d'onde de 1.5 pm, les indices de réfraction respectifs des couches sont de 1.46 et 2.23 et de 1.46 et 3.6. Cette technique de dépôt bi-sources est souvent utilisée avec de bons résultats. Il s'agit néanmoins d'une technique longue et lourde à mettre en euvre. Il faut en effet prévoir deux sources distinctes pour les deux matériaux composant les couches successives de l'empilement de Bragg, et réaliser ainsi les couches l'une après l'autre en ouvrant et fermant alternativement une source après l'autre. La deuxième méthode de dépôt d'un empilement de Bragg est réalisée sur un substrat cristallin et exploite une technique de croissance par épitaxie d'une succession de couches cristallines fines de différents indices de réfraction. Les méthodes les plus connues de croissance par épitaxie sont " l'épitaxie en phase vapeur " (VPE pour Vapor Phase Epitaxy, en terminologie anglaise) et " l'épitaxie par jet de molécules " (MBE pour Molecular Beam Epitaxy en anglais). En particulier les techniques connues sous les termes de MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, en terminologie anglaise) et de MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition en anglais) sont couramment utilisées car elles se prêtent bien à des procédés industriels et permettent d'obtenir des couches très fines. Ces techniques désignent respectivement l'utilisation de la VPE et de la MBE avec des métaux 4 2796163 organiques comme supports des précurseurs de l'épitaxie. Avec la MOVPE, par exemple, les différents matériaux qui doivent participer à la croissance sont apportés dans un réacteur par des précurseurs mis sous forme de vapeur pour interagir à la surface du composant et faire croître une couche d'un matériau donné. Ainsi, on obtient des successions de couches fines de différents indices de réfraction, comme par exemple sur un substrat d'Arséniure de Gallium, une alternance d'Arséniure de Gallium et d'Arséniure d'Aluminium (GaAs/AlAs), ou par exemple sur un substrat de Phosphure d'Indium, de l'Antimoine d'Arséniure de Gallium Aluminium et de l'Antimoine d'Arséniure d'Aluminium (AlGaAsSb/AlAsSb). Pour une longueur d'onde de 1.5 gm, les indices de réfraction respectifs des couches sont de 3.372 et 2.9 et de 3.65 et 3.11. Ces techniques sont également couramment utilisées avec de bons résultats. Néanmoins, les conditions opératoires sont lourdes et le procédé de croissance est long et difficile à maîtriser. De plus, les différentes méthodes décrites de réalisation d'un empilement de Bragg sur un composant nécessitent l'utilisation de deux matériaux distincts intervenant successivement et alternativement dans le procédé. Il est alors nécessaire de prévoir deux sources distinctes pour les deux matériaux, ce qui alourdi l'appareillage. En outre le contrôle des épaisseurs de chaque couche est délicat. 2796163 La présente invention propose de pallier les inconvénients de l'art antérieur et propose une structure de composant optique muni d'un empilement de Bragg dont les paires de couches sont composées d'un même matériau amorphe constitué d'au moins deux éléments atomiques, la variation d'indice entre les paires de couches étant obtenue par variation de la stoechiométrie desdits éléments. L'invention concerne également le procédé de réalisation d'un tel empilement de Bragg. Ce procédé permet l'utilisation d'un unique matériau non cristallin composé d'au moins deux espèces atomiques distinctes et permet de contrôler parfaitement les variations d'indices et l'épaisseur des différentes couches successives de l'empilement de Bragg. La présente invention a plus particulièrement pour objet un composant optique sur matériau semi-conducteur comportant au moins un empilement de Bragg comprenant une succession de couches d'indices différents, caractérisé en ce que lesdites couches sont réalisées dans un matériau amorphe composé d'au moins deux éléments prédéterminés, la différence d'indice entre les couches successives étant obtenue par des rapports stoechiométriques différents desdits éléments. Selon une caractéristique, le matériau amorphe est constitué d'un matériau diélectrique. Selon une autre caractéristique, les éléments prédéterminés sont constitués par du silicium (Si) et de l'azote (N). La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un composant optique sur matériau semi-conducteur comprenant au moins un empilement de Bragg, caractérisé ne ce qu'il comporte les étapes suivantes: - réalisation d'un plasma à partir d'un premier gaz source; interaction dudit plasma avec un second gaz source à la surface du substrat semi-conducteur du composant, les flux respectifs des gaz étant contrôlés de manière à obtenir une succession de couches en matériau amorphe composé de deux éléments provenant respectivement des deux gaz sources, les différentes couches présentant des rapports stoechiométriques différents. Selon un mode de réalisation, le premier gaz source est constitué par de l'azote (N2). Selon un autre mode de réalisation, le premier gaz source est constitué par de l'ammoniac (NH3). Selon un mode de réalisation, le second gaz source est constitué par du silane (SiH4). Selon une caractéristique, le matériau amorphe est constitué de SixNYHz, les valeurs de x, y et z variant d'une couche à l'autre. Selon une caractéristique, le plasma est créé dans un cylindre en soumettant le premier gaz source à une onde électromagnétique. Selon une particularité, l'onde électromagnétique est générée par une antenne alimentée par une tension alternative à 13.56 MHz. Préférentiellement, l'interaction entre le plasma et le second gaz source a lieu dans une chambre de confinement entourée par une pluralité d'aimants. Le procédé selon l'invention exploite les propriétés du plasma par couplage inductif qui permet de maîtriser les incorporations des différents éléments du matériau. 7 2796163 Le procédé selon l'invention est en outre simple à mettre en oeuvre. Une simple variation de flux entrant de l'un ou l'autre gaz source entraînera une variation de la stoechiométrie de la couche de matériau déposée. Le procédé selon l'invention permet donc de contrôler les épaisseurs des couches et leurs indices de réfraction respectifs. Le procédé selon l'invention présente de nombreux avantages. En particulier, le gain de temps pour la réalisation d'un empilement de Bragg. Ainsi, pour un empilement comportant environ dix paires de couches Cl, C2, le procédé selon l'invention nécessite environ 2h30 contre 8 à 10 heures d'opérations pour un procédé classique de l'art antérieur. En outre, le procédé selon l'invention est opérationnel à faible température, soit inférieure ou égale à 180 C. Il peut donc être réalisé en fin de fabrication du composant optique sans risque de détérioration. Dans le cas d'un empilement anti-réfléchissant, sur une photo-diode par exemple, les couches de matériau Cl, C2 sont plus épaisses que celles obtenues par des procédés classiques. Néanmoins, le gain de temps et la simplicité de la mise en oeuvre demeurent. D'autres particularités et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui suit, donnée à titre d'exemple illustratif et non limitatif et faite en référence aux figures annexées qui représentent: - la figure 1 illustre schématiquement la structure de l'empilement de Bragg selon la présente invention; - la figure 2 illustre schématiquement l'appareillage de réalisation de l'empilement de Bragg selon l'invention; - la figure 3 est un graphe du pouvoir de réflexion en fonction de la longueur d'onde d'un empilement de Bragg selon l'invention. En se référant à la figure 1, un composant optoélectronique 50 présente un empilement de Bragg 60 sur sa face d'entrée. Un tel empilement se compose d'une succession de couches Cl et C2 alternées, chacune avec un indice de réfraction différent. Selon une particularité de l'invention, les couches Cl et C2 se composent du même matériau comportant au moins deux espèces atomiques distinctes. Préférentiellement, le matériau constituant les couches Cl et C2 est un diélectrique, et les deux espèces atomiques qui composent ledit matériau sont constituées par du silicium (Si) et de l'azote (N). On a ainsi la couche Cl constituée de SixlNyl, et la couche C2 constituée de Six2Ny2, avec (xl,yl) et (x2,y2) les valeurs stoechiométriques des espèces Si et N des couches respectives. En outre, l'indice de réfraction du diélectrique Si3N4 présente la particularité d'être croissant en fonction de la longueur d'onde. Ainsi, lorsque la longueur d'onde augmente, l'indice augmente également et la loi de Bragg reste vérifiée plus longtemps. Avantageusement, la première couche de l'empilement de Bragg 60 peut constituer la passivation du composant optique 50. L'empilement de Bragg selon l'invention est obtenu par une technique plasma, connue sous le terme générale 9 2796163 de PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition en terminologie anglaise, qui désigne une technique de dépôt chimique sous forme vapeur renforcé par un plasma). Classiquement, le plasma est obtenu par application d'un champ électrique alternatif entre deux plaques en vis-àvis. Le plasma est créé à partir d'un mélange de gaz provenant d'au moins deux sources différentes. Une telle technique ne permettait pas de contrôler efficacement l'épaisseur et l'indice des couches déposées. La présente invention propose d'associer la technique générale de PECVD avec une technique connue de plasma à couplage inductif (ICP, Inductively Coupled Plasma en terminologie anglaise). Cette technique d'ICP est généralement utilisée pour de la gravure chimique sur des composants optiques. La figure 2 illustre schématiquement l'appareillage utilisé pour réaliser un dépôt de miroir de Bragg avec une technique de PECVD/ICP. Une telle machine se compose d'un cylindre 1, en alumine par exemple, dans lequel est introduit un premier gaz Gl, source d'azote par exemple. Ce premier gaz source GI peut être constitué par de l'Azote (N2) ou de l'ammoniac (NH3) par exemple. Le gaz source d'azote Gl est introduit par le haut du cylindre 1 à travers un petit conduit 11. Le plasma est créé dans le cylindre 1 en alumine. A cette fin, le cylindre 1 est entouré d'une antenne A dans laquelle une décharge électromagnétique est envoyée. Cette décharge, d'une fréquence de 13.56 MHz par exemple, permet d'amorcer et d'entretenir le plasma à partir du gaz source d'azote Gl. Une bobine B garantit un meilleur couplage entre l'onde électromagnétique et le plasma dans le cylindre 1. On obtient ainsi un mélange de gaz neutre, d'électrons et d'ions qui se heurtent, se dissocient et se recombinent. Une chambre de diffusion 2 se situe sous le cylindre 1. Le plasma, amorcé dans le cylindre 1 par la décharge électromagnétique, diffuse dans la chambre 2 dans laquelle le composant 50 est placé sur un support 55. Les conditions opératoires imposent un fonctionnement sous vide dans le cylindre 1 et la chambre de diffusion 2. Un système de pompage est par conséquent prévu, tel que cela est classiquement connu de l'homme du métier. Un second gaz source G2 est introduit dans la chambre de diffusion 2. Ce second gaz, source de silicium par exemple, est constitué par du silane (SiH4) par exemple. Il est introduit à travers une couronne 21 munie de plusieurs petits orifices 22. La chambre de diffusion 2 est préférentiellement entourée par une pluralité d'aimants 26 afin de confiner le plasma au centre de la chambre de diffusion 2, et plus particulièrement autours de la couronne 21 par laquelle le second gaz source G2 pénètre. Ce second gaz sera par conséquent fortement dissocié pour obtenir un plasma à haute densité. La dissociation des gaz G1 et G2 peut en effet atteindre une valeur 100 fois plus élevée que celle obtenue par un plasma classique. Une grille 25 permet avantageusement de retenir le plasma dans la chambre de diffusion 2. Le second gaz G2, source de silicium, interagit avec le plasma du premier gaz Gl, source d'azote, juste au dessus du composant 50. Les espèces atomiques des deux gaz étant fortement dissociées dans le plasma, elles se recombinent aléatoirement pour former toutes les composantes possibles de SixNYHz avec des valeurs de x, yet z variant de 0 à 4. Ces espèces interagissent à la surface du composant pour former une succession de couches de SixNYHz avec des valeurs de x, y, et z variables. La présence probable d'hydrogène H dans la composition des couches Cl et C2 de l'empilement 60 n'influe pas sur les caractéristiques réfléchissantes ou anti-réfléchissante du revêtement du composant 50. La valeur non nulle de z est uniquement liée au procédé selon l'invention et au choix des gaz source Gi et G2 pour sa mise en oeuvre. Selon le procédé de la présente invention, les flux des gaz sources Gl et G2 sont respectivement contrôlés afin de maîtriser les rapports stoechiométriques des couches successives de SixNyHz, ainsi que leurs épaisseurs respectives. Un tel contrôle de stoechiométrie est possible par l'utilisation particulière de la technique ICP qui permet un taux de dissociation beaucoup plus élevé que dans les techniques classiques de PECVD. Le graphe de la figure 3 illustre le pouvoir de réflexion d'un composant en fonction de la longueur d'onde. Le procédé selon l'invention a été testé expérimentalement pour la réalisation d'un empilement de Bragg pour une longueur d'onde de transmission de 1.5pm, et pour des indices de réfractions respectifs de 2.413 et 1.844 des couches Cl et C2 successives. La 1 2 2796163 différence d'indices pourrait être augmentée davantage selon la nature et l'épaisseur des couches réalisées. La réflectivité a ensuite été mesurée et elle est reportée sur le graphe de la figure 3. Cette réflectivité expérimentale correspond à la valeur théorique obtenue comme suit: ns (n2 2'Nf ni n3 (2)Nf l -ns. n2 2N nI n 3 Avec Xbragg = 1.5im ns = 3.5, indice du substrat (Si) du composant nl = 1, indice de l'air n2 = 2.413, indice à k/4 côté air n3 = 1.844, indice à X/4 côté substrat Nf = 5, le nombre de paires de couches miroir. La réflectivité, Rf, est alors: Rf= (rf)2= 0.92542. La courbe expérimentale donne, conformément à la théorie, un empilement réfléchissant à 92.54% à la surface du composant. 13 2796163 REVENDICATIONS 1. Composant optique (50) sur matériau semi- conducteur comportant au moins un empilement de Bragg (60) comprenant une succession de couches (Cl, C2) d'indices différents, caractérisé en ce que lesdites couches (Cl, C2) sont réalisées dans un matériau amorphe composé d'au moins deux éléments prédéterminés, la différence d'indice (nj, n2) entre les couches successives (Cl, C2) étant obtenue par des rapports stoechiométriques différents desdits éléments. 2. Composant optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau amorphe est constitué d'un matériau diélectrique. 3. Composant optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les éléments prédéterminés sont constitués par du silicium (Si) et de l'azote (N). 4. Procédé de fabrication d'un composant optique (50) sur matériau semiconducteur comprenant au moins un empilement de Bragg (60), caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: - réalisation d'un plasma à partir d'un premier gaz source (Gl); - interaction dudit plasma avec un second gaz source (G2) à la surface du substrat semi- conducteur du composant (50), les flux respectifs des gaz (Gl, G2) étant contrôlés de manière à obtenir une succession de couches (Cl, C2) en matériau amorphe composé de deux éléments 14 2796163 provenant respectivement des deux gaz sources (G1, G2), les différentes couches (C1, C2) présentant des rapports stoechiométriques différents. 5. Procédé de fabrication selon la revendication 4, caractérisé en ce que le premier gaz source (G1) est constitué par de l'azote (N2). 6. Procédé de fabrication selon la revendication 4, caractérisé en ce que le premier gaz source (G1) est constitué par de l'ammoniac (NH3). 7. Procédé de fabrication selon la revendication 4, caractérisé en ce que le second gaz (G2) source est constitué par du silane (SiH4). 8. Procédé de fabrication selon les revendications 4 à 7, caractérisé en ce que le matériau amorphe est constitué de SixNyHz, les valeurs de x, y et z variant d'une couche à l'autre. 9. Procédé de fabrication selon la revendication 4, caractérisé en ce que le plasma est créé dans un cylindre (1) en soumettant le premier gaz source (G1) à une onde électromagnétique. 10. Procédé de fabrication selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'onde électromagnétique est générée par une antenne (A) alimentée par une tension alternative à une fréquence de 13.56 MHz. 11. Procédé de fabrication selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'interaction entre le plasma et le second gaz source (G2) a lieu dans une chambre de confinement (2) entourée par une pluralité d'aimants (26).