FR 2784819 A1 20000421 FR 9812943 A 19981015 AMPLIFICATEUR CASCODE La présente invention concerne d'une manière générale des amplificateurs cascode et plus particulière- ment des amplificateurs de ce type, qui sont adaptés pour amplifier les signaux de télévision transmis par câble. Comme cela est connu dans la technique, lors de la transmission de signaux de télévision au moyen de cables, il est nécessaire de prévoir des amplificateurs en différents points le long du trajet de transmission. Un type d'amplificateur utilisé à cet effet est représenté sur la figure 1 annexée à la présente demande. Un tel amplifi- cateur comprend des couples 12, 14 de transistors à base de silicium. Chaque couple de transistors est connecté selon une configuration cascode. Les deux couples de transistors sont commandés par un transformateur d'entrée 16 et les - sorties des couples de transistors sont connectées à un transformateur de sortie 19. Les deux couples de transis- tors 12, 14 sont polarisés de manière à fonctionner selon une configuration linéaire push-pull, classe 1. Des ampli- ficateurs de ce type sont disponibles et fonctionnent entre MHz et 550 MHz. Dans le futur, on s'attend à ce que la limite supérieure de la bande augmente jusqu'à 1000 MHz dans des systèmes qui devraient véhiculer au moins 110 signaux ana- logiques asynchrones. La distorsion d'intermodulation doit être réduite dans un tel système. On s'attend à ce que la puissance maximale requise pour chaque transistor de sortie soit de 1,9 watt pour un point de compression de 1 dB et que le gain requis soit de 18-20 dB. En outre l'amplifica- teur doit être pratique du point de vue économique. Conformément à une caractéristique de l'invention il est prévu un amplificateur cascode. L'amplificateur est réalisé sous la forme d'un circuit intégré sur un substrat. Le système possède un couple de régions actives allongées formées le long d'un couple de régions, espacées latérale- ment, d'une surface du substrat. Dans chacune des régions actives est formée une pluralité de cellules à transistor interconnectées électriquement. Les cellules à transistor situées dans une première des régions actives sont inter- connectées dans une configuration en émetteur commun et la pluralité de cellules à transistor situées dans une seconde des régions actives sont interconnectées dans une configu- ration en base commune. Une pluralité de premières résis- tances est disposée sur la surface du substrat. Chacune des résistances possède une première électrode adaptée pour réaliser un couplage au potentiel de masse, et une seconde électrode connectée à des régions d'émetteur d'un couple correspondant de cellules à transistor adjacentes formées dans la première des régions actives. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, chacune des cellules à transistor de la pre- mière des régions actives possède une région de collecteur connectée à une région d'émetteur de l'une correspondante des cellules à transistor de la seconde des régions actives. Les régions de collecteur des cellules à transis- tor de la seconde région active sont connectées à un bus de sortie commun disposé sur la surface du substrat pour for- mer une sortie de l'amplificateur. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, un condensateur est prévu sur le substrat. Ce condensateur comporte une première plaque inférieure adap- tée pour réaliser un couplage à la masse, et une seconde plaque supérieure couplée aux régions de base des cellules à transistor dans la seconde région. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, une pluralité de secondes résistances sont formées sur la surface du substrat. Les secondes résis- tances sont connectées électriquement entre des régions de base des cellules à transistor de la seconde région active et la plaque supérieure du condensateur. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, la plaque supérieure du condensateur comprend une couche conductrice allongée disposée au-dessus de l'élément de surface du substrat entre les première et seconde régions actives. La couche conductrice forme un bus. Des premières électrodes des secondes résistances sont connectées successivement le long du bus. Le bus se termine par des plots de contact adaptés pour le couplage d'une source d'alimentation à courant continu aux régions de base des cellules à transistor dans la seconde région active. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, une seconde couche conductrice est disposée au-dessous de la couche conductrice mentionnée en premier lieu, tout en en étant séparée par un diélectrique, de manière à former une seconde plaque pour le condensateur. Dans une forme de réalisation préférée, la seconde couche conductrice est connectée à un conducteur du plan de masse disposé sur une surface inférieure du substrat, au moyen d'un trajet traversant conducteur s'étendant depuis la seconde couche conductrice jusqu'au conducteur du plan de masse en traversant le substrat. Selon une autre caractéristique de l'invention, un second bus est disposé en parallèle avec les couches conductrices, les premières électrodes de la seconde résis- tance étant connectées successivement le long du second bus. Les électrodes de base des cellules à transistor dans la seconde région active sont également connectées succes- sivement le long du second bus, de manière à interconnecter électriquement de telles électrodes de base aux premières électrodes du second transistor. Des secondes électrodes des secondes résistances sont connectées successivement le long de la couche conductrice mentionnée en premier lieu, c'est-à-dire le bus mentionné en premier lieu - la plaque supérieure du condensateur. Par conséquent les électrodes de base des cellules à transistor dans la seconde région sont connectées à la plaque supérieure du condensateur par l'intermédiaire de la pluralité de secondes résistances. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, la seconde pluralité de résistances est dispo- sée sur une région de la surface du substrat entre les cou- ches conductrices allongées et la seconde région active. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, une pluralité de contacts à trajets traver- sants conducteurs sont formés dans une région allongée du substrat. La première région active est disposée entre la région allongée de contacts traversants conducteurs et les couches conductrices. Les contacts traversants conducteurs sont connectés électriquement aux premières électrodes des premières résistances. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, un troisième bus allongé est disposé entre la première région active et la région allongée de contacts traversants conducteurs pour connecter électriquement des régions de base de la pluralité de cellules à transistor dans la première région active. Dans une forme de réalisa- tion préférée, les régions de base des cellules à transis- tor dans la première région active sont connectées électri- quement successivement le long du troisième bus allongé. Une troisième pluralité de résistances sont dis- posées sur la surface du substrat. La troisième pluralité de résistances sont disposées perpendiculairement aux bus, aux première et seconde régions actives et entre des couples adjacents des contacts traversant conducteurs. Les troisièmes résistances possèdent des premières électrodes adaptées pour le couplage à une entrée de l'amplificateur et des secondes électrodes connectées électriquement suc- cessivement le long du troisième bus allongé. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, une pluralité d'étriers sont disposés au- dessus de la surface du substrat. Les étriers s'étendent au-dessus du troisième bus allongé et connectent électri- quement la première pluralité de résistances aux régions d'émetteur des cellules à transistor dans la première région active. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, une seconde pluralité d'étriers sont disposés au-dessus de la surface du substrat. La seconde pluralité d'étriers s'étendent au-dessus des couches conductrices, du premier bus mentionné en premier lieu et du second bus conducteur et interconnectent des régions d'émetteur des cellules à transistor dans la seconde région active aux régions de collecteur des cellules à transistor dans la première région active. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, chacun des seconds étriers connecte électri- quement une région de collecteur de l'une des cellules à transistor dans la première région active à des régions d'émetteur d'un couple adjacent de cellules à transistor dans la seconde région active. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'amplificateur comprend une pluralité de seconds transis- tors disposés au-dessus de la surface du substrat, chacun des seconds transistors étant connecté électriquement entre des régions de base des cellules à transistor dans la seconde région active et la plaque supérieure du condensa- teur. Selon une autre caractéristique de l'invention, la plaque supérieure comprend une couche conductrice allon- gée disposée au-dessus de la surface du substrat entre les première et seconde régions actives. Selon une autre caractéristique de l'invention, il comporte une seconde couche conductrice disposée au- _.._ I t dessous de la couche conductrice mentionnée en premier lieu, tout en en étant séparée par un diélectrique, de manière à former une seconde plaque pour le condensateur. Selon une autre caractéristique de l'invention, la seconde pluralité de résistances est disposée au-dessus d'une région de la surface du substrat entre les couches conductrices allongées et la seconde région active. Selon une autre caractéristique de l'invention, il comporte une pluralité de contacts traversants conduc- teurs formés dans une région allongée du substrat, la pre- mière région active étant disposée entre la région allongée de trous traversants conducteurs et les couches conduc- trices. Selon une autre caractéristique de l'invention, les contacts traversants conducteurs sont connectés élec- triquement aux premières électrodes des premières résis- tances. Selon une autre caractéristique de l'invention, chacun de la pluralité de contacts traversants conducteurs est connecté à une pluralité des premières électrodes des premières résistances. Selon une autre caractéristique de l'invention, il comprend un second bus allongé disposé entre la première région active et la seconde région allongée de contacts traversants conducteurs pour interconnecter électriquement des régions de base de la pluralité de cellules à transis- tor dans la première région active. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'amplificateur comprend une troisième pluralité de résis- tances disposée au-dessus de la surface du substrat. Selon une autre caractéristique de l'invention, la troisième pluralité de résistances sont disposées per- pendiculairement aux première et seconde régions actives et entre des couples adjacents des contacts traversants conducteurs. Selon une autre caractéristique de l'invention, chacune des troisièmes résistances possède une première électrode adaptée pour être couplée à une entrée de l'amplificateur, et une seconde électrode connectée élec- triquement au second bus. Selon une autre caractéristique de l'invention, la troisième pluralité de résistances sont connectées suc- cessivement le long du second bus. Selon une autre caractéristique de l'invention, il comporte une pluralité d'étriers disposés au-dessus de la surface du substrat, et dont chacun s'étend au-dessus du second bus et établit une connexion électrique entre la première pluralité de résistances et les régions d'émetteur des cellules à transistor situées dans la première région active. Selon une autre caractéristique de l'invention, il comporte une seconde pluralité d'étriers disposés au- dessus de la surface du substrat chacun de la seconde plu- ralité d'étriers s'étendant au-dessus des couches conduc- trices et du premier bus et interconnectant électriquement une région d'émetteur de l'une des cellules à transistor dans la seconde région active et une région de collecteur de l'une correspondante des cellules à transistor dans la première région active. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur les- quels: - la figure 1, dont il a déjà été fait mention, représente un schéma d'un amplificateur de l'art antérieur; - les figures 2A et 2B représentent respective- ment un schéma et un dessin d'agencement schématique d'un amplificateur selon l'invention; - la figure 3A représente une vue en plan de l'amplificateur des figures 2A et 2B; OrI - la figure 3B est un schéma de l'amplificateur de la figure 3A; - la figure 4A est une vue en plan schématique d'une partie de l'amplificateur de la figure 3A, une telle partie représentant un couple de cellules à transistor adjacentes utilisées dans un tel amplificateur et configu- rées de manière à former un transistor à base commune pour l'amplificateur sur les figures 2A et 2B; - la figure 4B est une vue en plan schématique d'une partie de l'amplificateur de la figure 3A, une telle partie représentant un couple de cellules à transistor adjacentes utilisées dans de tels amplificateurs et confi- gurées de manière à former un transistor à émetteur commun; - la figure 4C est une vue en coupe transversale de la partie de l'amplificateur représenté sur la figure 4B, une telle coupe transversale étant prise sur la ligne 4C-4C sur la figure 4B; et - la figure 4D est une vue en coupe transversale schématique d'une partie d'un condensateur utilisé dans l'amplificateur de la figure 3A, une telle coupe transver- sale étant prise suivant la ligne 4D-4D sur la figure 4A. En se référant maintenant aux figures 2A et 2B, on y voit représenté un amplificateur 20 comportant un couple de transistors 24, 28 connectés selon une configura- tion cascode. Comme cela est représenté schématiquement sur la figure 2B, l'amplificateur 20 est formé d'un circuit intégré monolithique, ici disposé sur un substrat monocris- tallin III-V 40. Ici le substrat 40 est formé d'arséniure de gallium. Les transistors 24, 26 sont des transistors bipolaires à hétérojonction, représentés plus clairement sur la figure 4C. Ils comportent une région formant couche d'émetteur à hétérojonction en AlGaAs mince ou en InGaP mince, d'une épaisseur comprise de façon typique entre 300 et 500 angstrôms, de manière à permettre une corrosion sélective jusqu'à une couche de passivation de la jonction 1_.i émetteur - base. De préférence, on utilise une région d'émetteur en InGaP. La région de collecteur possède ici une épaisseur d'un micromètre. Un premier transistor 24 comporte la région d'émetteur connectée au conducteur de plan de masse 37 (formé sur la surface inférieure du substrat 40 au moyen d'un contact traversant conducteur 27) par l'intermédiaire d'une première résistance 26 comme cela est représenté. La région de collecteur du premier transistor 24 est connectée à la région d'émetteur d'un second transistor 28 comme cela est représenté. La région de base du second transistor 28 est connectée au conducteur 37 du plan de masse par l'intermédiaire d'une seconde résistance 30 et d'un conden- sateur 32 connecté en série, comme cela est représenté. La région de collecteur du second transistor 28 forme la sor- tie 34 à l'amplificateur 20. La région de base du premier transistor 24 est connectée à l'entrée 26 de l'amplifica- teur 20 par l'intermédiaire d'une troisième résistance 38 comme cela est représenté. En se référant à nouveau aux figures 2A et 2B, on notera que le bus 42 est connecté à la région de base du transistor 28 pour être couplé à une tension continue d'alimentation externe non représentée pour polariser l'amplificateur 20 pour le fonctionnement dans la classe A. Un autre bus 44 est connecté à une plaque supérieure PU du condensateur 32, la plaque inférieure PL du condensateur étant connectée au conducteur 37 du plan de masse, par l'intermédiaire du conducteur traversant 39 qui traverse le substrat 40. Le bus 44 permet de connecter un condensateur supplémentaire de plus grande taille, non représenté, à l'extérieur du substrat 40 du circuit intégré, au condensa- teur 32. Le condensateur 32 formé sur le substrat 40 peut être relativement petit et est utilisé pour produire un trajet à haute fréquence en direction de la masse. Comme cela a été indiqué, un condensateur de taille plus impor- tante peut être couplé au bus 44, qui possède une réactance inductive, de manière à permettre la dérivation de la par- tie à fréquences plus faibles de la bande. En se référant maintenant aux figures 3A et 3B, on y voit représenté le substrat comportant un couple de régions actives allongées 50, 52 (figure 3B) formées le long d'un couple de régions espacées latéralement de la surface supérieure 54 du substrat 40. Dans chacune des régions actives 50, 52, est formée une pluralité, ici par exemple 24, de cellules à transistor 241-2424, 281-2824 interconnectées électriquement. Les cellules à transistor 241-2424 situées dans une première des régions actives 52 forment le premier transistor 24 sur les figures 2A et 2B et par conséquent les cellules à transistor 241-2424 sont interconnectées selon une configuration de montage en émet- teur commun. La pluralité, ici par exemple 24, de cellules à transistor 281-2824 dans une seconde des régions actives 52 forment le second transistor 28 (figures 2A et 2B) et sont par conséquent interconnectées selon une configuration de montage en base commune. Les cellules 241-2424 et 281- 2824 sont décrites dans la demande de brevet copendante ayant pour titre "Heterojunction Bipolar Transistor", N de série 08/827 851 déposée le 11 Avril 1997, inventeurs Adlerstein et al., et dont le sujet est entièrement incor- poré ici par référence. Une pluralité, ici par exemple 13, de premières résistances 261-2613 forment la première résistance 26 (figures 2A et 2B) et sont disposées sur la surface supé- rieure 54 du substrat 40. Les premières résistances 261- 2613 comportent des premières électrodes adaptées pour être couplées au conducteur 37 du plan de masse par l'intermé- diaire de trajets traversants conducteurs 271-275 qui tra- versent le substrat 40, et des secondes électrodes connec- tées à des régions d'émetteur des cellules à transistor 241-2424 dans la première région active 50. (Le conducteur 24-IE ll 37 du plan de masse est adapté pour réaliser un couplage au potentiel de masse). Plus particulièrement, les secondes électrodes des résistances 261 et 2613 sont connectées respectivement aux régions d'émetteur des cellules à transistor 241 et 2424, comme cela est représenté schématiquement pour la cellule à transistor 241 et la résistance 261 sur la figure 3B. Chacune des premières résistances 262-2612 possède une première électrode adaptée pour le couplage au potentiel de masse, comme décrit précédemment. Une seconde électrode de chacune des résistances 262-2612 est connectée aux régions d'émetteur d'un couple correspondant de cellules à transis- tor adjacentes 241-2423. Par conséquent, les régions d'émetteur du couple de cellules à transistor adjacentes 242, 243 sont connectées à une résistance commune 262; les régions d'émetteur du couple de cellules à transistor adja- centes 244 et 245 sont connectées à une résistance commune 263; les régions d'émetteur des cellules à transistor adja- centes 244, 245 sont connectées à une résistance commune 263; les régions d'émetteur du couple de cellules à tran- sistor adjacentes 246, 247 sont connectées à une résistance commune 264;. et les régions d'émetteur du couple de cellules à transistor adjacente 2422, 2424 sont connectées..DTD: à une résistance commune 2612. Par conséquent, les dimen- sions (c'est-à-dire l'étendue en surface) de la résistance 261 et de la résistance 2613 sont égales à la moitié des dimensions (c'est-à-dire de l'étendue en surface) de chacun des transistors 262-2612, comme représenté sur la figure 3A. Chacune des cellules à transistor 241-2424 dans la première des régions actives 50 possède une région de collecteur connectée à une région d'émetteur de l'une cor- respondante des cellules à transistor 281-2824 dans la seconde des régions actives 52. Les régions de collecteur des cellules à transistor 281-2824 dans la seconde des - - __ --1*,EI régions actives 52 sont connectées à un bus commun de sor- tie 34 disposé au-dessus de la surface supérieure 54 du substrat 40 pour fournir une sortie 34 pour l'amplificateur 20. Un condensateur 32 est prévu sur le substrat 40. Le condensateur 32 possède une première plaque supérieure ou inférieure PL adaptée pour réaliser le couplage avec un conducteur 37 du plan de masse par l'intermédiaire de tra- jets traversants conducteurs 39 qui traversent le substrat 40 d'une manière similaire aux trajets traversants conduc- teurs 271-275 comme représenté sur la figure 4D et une seconde plaque supérieure PU connectée électriquement à des régions de base des cellules à transistor 281-2824 dans la seconde région active 52. Plus particulièrement, les plaques PL' PU du condensateur 32 sont des couches conduc- trices allongées 33, 35, séparées par un diélectrique, la couche conductrice inférieure 33 étant légèrement plus étendue que la couche conductrice supérieure 35, comme cela est plus clairement visible sur la figure 4D. On notera sur la figure 4D que la plaque supérieure PU (c'est-à-dire la couche conductrice 35) et la plaque inférieure PL (c'est-à- dire la couche conductrice 33) sont séparées par une couche diélectrique 29, ici du nitrure de silicium. On notera éga- lement que la plaque inférieure PL (c'est-à-dire la couche 33) est connectée au conducteur 37 du plan de masse formé sur la surface inférieure du substrat 40 par une pluralité, ici six, de conducteurs traversants circulaires de forme rétrécie 39 qui traversent le substrat 40 depuis la face inférieure de la plaque inférieure PL du condensateur 32 jusqu'au conducteur 37 du plan de masse, formé sur la sur- face supérieure du substrat 40, seul un contact traversant pris à titre d'exemple parmi les contacts traversants conducteurs 39 étant représenté sur la figure 4D. La couche conductrice supérieure 35 forme le bus 44. On notera que le bus 44 est un bus allongé. En référence aux figures 4A, 4B, une pluralité, ci par exemple 13, de secondes résistances 321-3213 forment la seconde résistance 30 (figures 2A et 2B) et sont dispo- sées au-dessus de la surface supérieure 54 du substrat 40. Les secondes résistances 301-3013 possèdent des premières électrodes connectées électriquement à la plaque supérieure PU du condensateur 32 (c'est-à-dire connectées successive- ment le long du bus allongé 44) et des secondes électrodes connectées électriquement successivement le long du bus 42. On notera que le bus 42 est un bus allongé disposé parallè- lement au bus 44 et à des régions actives allongées 50,52. De même les régions de base des cellules à transistor 281- 2824 dans la seconde région active 52 sont connectées suc- cessivement le long du bus 42. Par conséquent, les régions de base des cellules à transistor 281-2824 sont intercon- nectées électriquement par le bus 42. Par conséquent, le bus 42 établit la connexion électrique entre les régions de base des cellules à transistor 281-2824 et de la plaque supérieure PU du condensateur 32 par l'intermédiaire de la seconde pluralité de résistances 301-3012. En se référant également à la figure 3A, une plu- ralité comprenant ici par exemple cinq contacts traversants conducteurs 271-275 sont formés à travers le substrat 40 et aboutissent au conducteur 37 du plan de masse dans une région allongée 60 du substrat 40 de manière à établir le contact de masse 27 représenté sur les figures 2A et 2B. Par conséquent, comme indiqué précédemment, les contacts traversants 271-275 sont similaires aux contacts traver- sants 39 comme représenté sur la figure 4D. La première région active 50 est disposée entre la région allongée 60 et les couches conductrices 33, 35 comme représenté sur la figure 3A. Les contacts traversants conducteurs 271-275 sont connectés électriquement aux premières électrodes des premières résistances 261-2613. Les premières résistances 261-2613 sont des résistances ballast comme cela est décrit dans la demande de brevet copendante mentionnée précédem- ment. Plus particulièrement, le contact traversant conducteur 271 est connecté à des premières électrodes de résistances 261 et 262 comme représenté sur la figure 3A. Le contact traversant conducteur 272 est connecté à des premières électrodes de résistances 263 à 265. Le contact traversant conducteur 273 est connecté à des premières électrodes de résistances 266 à 268. Un contact traversant conducteur 273 est connecté à des premières électrodes de résistances 269 à 2611. Un contact traversant conducteur 265 est connecté à des premières électrodes de résistances 2612 et 2613. Par conséquent, chacun de la pluralité de contacts traversants conducteurs 271 est connecté à des premières électrodes des premières résistances 261-2613. En référence à la figure 3B, un bus allongé 62 est disposé entre la première région active 50 et la région allongée 60 de contacts traversants conducteurs. Une troi- sième pluralité, ici 4, de résistances 381-384 est disposée au-dessus de la surface supérieure 54 du substrat 40 de manière à former la troisième résistance 38 représentée sur les figures 2A et 2B. La troisième pluralité de résistances 381-384 est disposée perpendiculairement aux première et seconde régions actives allongées 50, 52 et entre des couples adjacents des contacts traversants conducteurs 271- 275, comme représenté sur la figure 3A. Chacune des troi- sièmes résistances 381-384 possède une première électrode adaptée pour le couplage à un plot d'entrée 36 de l'ampli- ficateur 20 et une seconde électrode connectée au bus 62. (Bien que les plots d'entrée 36 soient représentés sous la forme de plots séparés qui sont raccordés par des fils individuels, non représentés, un plot de transmission de signal situé à l'extérieur du substrat 40, les plots 36 peuvent être formés sur le substrat 40 sous la forme d'un seul plot). Les régions de base des cellules à transistor 241-2424 dans la première région active 50 sont également connectées électriquement au bus 62. C'est pourquoi, les troisièmes résistances 381-384 sont connectées électrique- ment aux régions de base des cellules à transistor 241- 2424. En référence à la figure 3B, une pluralité, ici 11, d'étriers 801-8011 sont disposés au-dessus de la sur- face supérieure 54 du substrat 40. Chacun des étriers 801- * 8011 est un étrier dans l'air, qui passe au-dessus du bus 62 et connecte électriquement une seconde électrode de l'une des troisièmes résistances 261-2613 aux régions d'émetteur des cellules à transistor 241-2424 dans la pre- mière région active 50, comme représenté sur la figure 3B. Le bus allongé 42 est disposé parallèlement au bus 62 men- tionné en premier lieu et connecte électriquement les régions de base des cellules à transistor 281-2824 dans la seconde région active. Une seconde pluralité, ici 12, d'étriers 821-8212 sont disposés au-dessus de la surface supérieure 54 du substrat 40. Chacun de la seconde plura- lité d'étriers 821-8212 est un étrier dans l'air, qui passe au-dessus des couches conductrices surjacentes 33, 35 for- mant le condensateur 32 et au-dessus du bus 42 de manière à interconnecter électriquement une région d'émetteur de l'une des cellules à transistor 281-2824 dans la seconde région active 52 à la région de collecteur de l'une corres- pondante des cellules à transistor 241-2424 (figure 3A) dans la première région active 50. En se référant maintenant aux figures 4A, 4B et 4C, on y voit représenté un couple, pris à titre d'exemple, de cellules adjacentes à transistor bipolaire à hétérojonc- tion 241-2424, ici un couple de cellules adjacentes à tran- sistor 246, 247. Par conséquent, comme indiqué précédem- ment, les cellules à transistor 246, 247 sont formées sur un substrat monocristallin semi-isolant 40 formé d'un maté- riau III-IV, ici de l'arséniure de gallium semi-isolant. Chacune des cellules à transistor 246, 247 comprend respec- tivement une couche sous-collecteur III-V 81 possédant un dopant relativement intense possédant le premier type de conductivité, ici de l'arséniure de gallium ayant une conductivité de type N+ est disposé au-dessus de la surface supérieure, de la couche d'arséniure de gallium 40 du subs- trat. Une couche de collecteur III-V 83 possédant le dopant ayant le premier type de conductivité, ici de l'arséniure de gallium à conductivité de type N, est disposée sur des parties latéralement espacées de la surface supérieure du substrat 40, comme représenté. La couche de collecteur 83 en arséniure de gallium à conductivité de type N est dispo- sée sur une partie de la couche sous-collecteur 81, comme représenté. On fait croître par voie épitaxiale une couche de base III-V, ici de l'arséniure de gallium, 84 contenant un dopant relativement intense ayant une seconde conducti- vité (c'est-à-dire ici une conductivité de type P+) opposée au type de conductivité du dopant possédant le premier type de conductivité, sur une surface de la couche de collecteur 83. On forme par épitaxie une région d'émetteur 86 III-V, ici de l'arséniure de gallium ou du phosphure d'indium et de gallium par exemple, sur la couche 84 de la région de base établissant une hétérojonction entre la région d'émet- teur III-V 86 et la couche 84 de la région de base. La région d'émetteur 86 possède une conductivité de type N. Une électrode d'émetteur 88 est disposée sur la région d'émetteur 86. On dispose un matériau diélectrique formé de nitrure de silicium, non référencé, autour des parois laté- rales de l'électrode d'émetteur 88 et de la région d'émet- teur 86, comme cela est représenté. Les électrodes de collecteur 90a, 90b (figures 4B, 4C) sont connectées électriquement à la couche sous- collecteur 81 par l'intermédiaire d'un métal formant contact ohmique 94, comme cela est représenté, respective- ment pour les cellules à transistor 246, 247, comme repré- senté. Les électrodes de base 92 sont connectées électri- quement à la couche de base 84 par l'intermédiaire d'un métal de contact ohmique 86 comme cela est représenté. Les électrodes de base 92 sont adaptées pour commander le flux de porteurs entre les électrodes de collecteur 90 et les électrodes d'émetteur 88. On notera que l'électrode de col- lecteur 90b est connectée à un étrier dans l'air 824 comme cela est représenté plus clairement sur la figure 4A. On notera également que les électrodes d'émetteur 88 sont connectées à un étrier dans l'air 803, comme cela est représenté plus clairement sur la figure 4C. En outre on notera que l'étrier dans l'air 803 est connecté à une élec- trode de la résistance 264 et que l'autre électrode de la résistance 264 est connectée à un contact traversant 272, comme représenté. En outre, l'étrier dans l'air 803 s'étend au-dessus du bus 62 et au-dessus d'une électrode d'un couple d'électrodes de base 92 utilisées pour chacune des cellules à transistor 246, 247. On notera également que le bus 62 est connecté à une électrode des résistances 381 et 382 comme représenté sur la figure 4B. En référence à la figure 4A, on notera que la plaque supérieure PU (c'est-à-dire la couche conductrice ) est connectée électriquement à une électrode des résis- tances 304, 305. L'autre électrode des résistances 304, 305 est représentée comme étant connectée au bus 42. De même, les électrodes de base 100 de cellules à transistor 287, 288 sont également connectées au bus 42. On notera que les cellules à transistor 281-2824 sont essentiellement iden- tiques aux cellules à transistor 246, 247 représentées sur la figure 4C. Les électrodes de collecteur 102 du couple, pris à titre d'exemple, des cellules adjacentes 287, 288 sont connectées au bus de sortie 24. On notera que chacune des cellules 246, 247, 287, 286 (figure 4A) possède respectivement un couple d'électro- des de base 92, 100 (figure 4B), à savoir l'une de chaque - sr côté respectivement de l'électrode d'émetteur 88, 104 comme cela est représenté. De même les cellules à transistor 241- 2424, 281-2824 sont des structures mesa, telles que repré- sentées sur la figure 4C pour des cellules 246, 246 prises à titre d'exemple. Les électrodes de base et de collecteur , 92, 100, 102 sont disposées sur le substrat 40 et sont connectées à des électrodes de base et de collecteur en forme de doigts, c'est-à-dire allongées, au moyen de la formation de parties qui s'étendent depuis le substrat 40 au-dessus des bords des structures mesa sous la forme de brefs étriers dans l'air. Les électrodes d'émetteur 88, 100 sont également en forme de doigts (c'est-à-dire allongées) et sont connec- tées électriquement à un plot d'émetteur 108 disposé entre le couple de cellules à transistor 246, 247 par des étriers dans l'air 803 et des étriers dans l'air 110 pour les cel- lules 287, 288 comme cela est représenté. REVENDICATIONS 1. Amplificateur comportant un couple de transis- tors (24,28 disposés selon une configuration cascode, caractérisé en ce qu'il comporte: un substrat (40); un couple de régions actives allongées (50,52), formées le long d'un couple de régions, espacés latérale- ment, d'une surface du substrat et dans chacune desquelles sont formées une pluralité de cellules à transistor (241- 2424, 281-2824) interconnectées électriquement, et que les cellules à transistor (241-2424) dans une première (50) des régions actives sont interconnectés selon un montage en émetteur commun de manière à former un tran- sistor (24) du couple de transistors, et la pluralité de cellules à transistor (281-2824) dans une seconde (52) des régions actives sont interconnectées selon une configura- tion en base commune pour former l'autre transistor (28) du couple de transistors. 2. Amplificateur selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il comporte une pluralité de premières résistances (261-2613) disposées sur la surface du subs- trat, chacune des résistances possédant une première élec- trode adaptée pour être couplée au potentiel de masse et une seconde électrode connectée à des régions d'émetteur d'un couple correspondant de cellules à transistor adja- centes formées dans la première (50) des régions actives. 3. Amplificateur selon la revendication 2, carac- térisé en ce que chacune des cellules à transistor (241- 2424) dans la première (50) des régions actives possède une région de collecteur connectée à une région d'émetteur de l'une correspondante des cellules à transistor (281-2824) dans la seconde (52) des régions actives. 4. Amplificateur selon la revendication 3, carac- térisé en ce qu'il comporte un bus de sortie disposé sur la surface du substrat (40) et que les régions de collecteur des cellules à transistor (281-2824) dans la seconde (52) des régions actives sont connectées au bus de sortie (34) un tel bus formant une sortie pour l'amplificateur. 5. Amplificateur selon la revendication 4, carac- térisé en ce qu'il comporte un condensateur (32) situé sur le substrat et comportant une première plaque supérieure (PU) couplée à des régions de base des cellules à transis- tor de la seconde région (52), et une seconde plaque infé- rieure (PL) adaptée pour être couplée à la masse. 6. Amplificateur selon la revendication 5, carac- térisé en ce que la plaque supérieure (Pu) du condensateur (32) comporte une couche conductrice allongée disposée au- dessus de la partie de surface du substrat (40) située entre les première et seconde régions actives (50,52), et que la couche conductrice forme un bus. 7. Amplificateur selon la revendication 6, carac- térisé en ce que des premières électrodes des secondes résistances (3213213) sont connectées successivement le long du bus. 8. Amplificateur selon la revendication 7, carac- térisé en ce que le bus (34) se termine par des plots de contact adaptés pour le couplage d'une source d'alimenta- tion à courant continu aux régions de base des cellules à transistor (281-2824) dans la seconde région active (52). 9. Amplificateur selon la revendication 7, carac- térisé en ce qu'une seconde couche conductrice est disposée au-dessous de la couche conductrice mentionnée en premier lieu, tout en en étant séparée par un diélectrique, de manière à former une seconde plaque du condensateur. 10. Amplificateur selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'un second bus (42) est disposé en parallèle avec les couches conductrices, des premières électrodes de secondes résistances (301-3013) étant connec- tées successivement le long du second bus (42). 11. Amplificateur selon la revendication 10, - 1 " i caractérisé en ce que les électrodes de base des cellules à transistor (281-2824) dans la seconde région active (52) sont également connectées successivemen: le long du second bus (42), ce qui interconnecte ainsi électriquement de telles électrodes de base aux premières électrodes des secondes résistances. 12. Amplificateur selon la revendication 11, caractérisé en ce que des secondes électrodes des secondes résistances (301-3013) sont connectées successivement le long de la couche conductrice mentionnée en premier en for- mant la plaque supérieure (Pu) du condensateur (32), les électrodes de base des cellules à transistor (281-2824) dans la seconde région (52) étant connectées à la plaque supérieure du condensateur au moyen de la pluralité de secondes résistances. 13. Amplificateur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la seconde pluralité de résistances (301-3013) est disposée sur une régicn de la surface du substrat entre les couches conductrices allongées et la seconde région active (52). 14. Amplificateur selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'une pluralité de contacts traversants conducteurs (271-275) sont disposés dans une région allon- gée du substrat, la première région active (50) étant dis- posée entre la région allongée (60) des contacts traver- sants conducteurs et les couches conduc:rices. 15. Amplificateur selon la revendication 14, caractérisé en ce que les contacts traversants conducteurs (271-275) sont connectés électriquement aux premières élec- trodes des premières résistances (321-3213). 16. Amplificateur selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'un troisième bus allongé (62) est dis- posé entre la première région active (50) et la région allongée (60) des contacts traversants conducteurs pour connecter électriquement des régions de base de la plura- l i lité de cellules à transistor dans la première région active (50). 17. Amplificateur selon la revendication 16, caractérisé en ce que des régions de base des cellules à transistor (241-2424) dans la première région active (50) sont connectées électriquement successivement le long du troisième bus allongé (62). 18. Amplificateur selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'une troisième pluralité de résistances (381-384) sont disposées sur la surface du substrat. 19. Amplificateur selon la revendication 18, caractérisé en ce que la troisième pluralité de résistances (381-384) sont disposées perpendiculairement aux bus (34, 42, 62), aux première et seconde régions actives (50,52) et entre des couples adjacents des contacts traversants conducteurs. 20. Amplificateur selon la revendication 19, caractérisé en ce que les troisièmes résistances possèdent des premières électrodes adaptées pour être couplées à une entrée de l'amplificateur, et des secondes électrodes con- nectées électriquement successivement le long du troisième bus allongé (62). 21. Amplificateur selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'une pluralité d'étriers (801-8011) sont disposés au-dessus de la surface du substrat, de tels étriers passant au-dessus du troisième bus allongé (62) pour connecter électriquement la première pluralité de résistances aux régions d'émetteur des cellules à transis- tor (241-2424) dans la première région active (50). 22. Amplificateur selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'une seconde pluralité d'étriers (821- 8212) sont disposés au-dessus de la surface du substrat, la seconde pluralité d'étriers passant au-dessus des couches conductrices, du premier bus mentionné en premier lieu (34) et du second bus conducteur (42) pour interconnecter des régions d'émetteur des cellules à transistor (281-2824) dans la seconde région active (52) aux régions de collec- teur des cellules à transistor (241-2424) dans la première région active (50). 23. Amplificateur selon la revendication 22, caractérisé en ce que chacun des seconds étriers (821-8212) connecte électriquement une région de collecteur de l'une des cellules à transistor dans la première région active (50) à des régions d'émetteur d'un couple adjacent de cel- lules à transistor dans la seconde région active (52). 24. Amplificateur selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend une pluralité de seconds transistors disposés au-dessus de la surface du substrat, chacun des seconds transistors étant connecté électrique- ment entre des régions de base des cellules à transistor dans la seconde région active (52) et la plaque supérieure (PU) du condensateur (32). 25. Amplificateur selon la revendication 24, caractérisé en ce que la plaque supérieure (Pu) comprend une couche conductrice allongée disposée au-dessus de la surface du substrat (40) entre les première et seconde régions actives (50,52). 26. Amplificateur selon la revendication 25, caractérisé en ce qu'il comporte une seconde couche conduc- trice disposée au-dessous de la couche conductrice mention- née en premier lieu, tout en en étant séparée par un diélectrique, de manière à former une seconde plaque pour le condensateur (32). 27. Amplificateur selon la revendication 26, caractérisé en ce que la seconde pluralité de résistances est disposée au-dessus d'une région de la surface du subs- trat entre les couches conductrices allongées et la seconde région active (52). 28. Amplificateur selon la revendication 27, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de contacts traversants conducteurs formés dans une région allongée du substrat, la première région active (50) étant disposée entre la région allongée de trous traversants conducteurs et les couches conductrices. 29. Amplificateur selon la revendication 28, caractérisé en ce que les contacts traversants conducteurs sont connectés électriquement aux premières électrodes des premières résistances. 30. Amplificateur selon la revendication 29, caractérisé en ce que chacun de la pluralité de contacts traversants conducteurs est connecté à une pluralité des premières électrodes des premières résistances (261-2613). 31. Amplificateur selon la revendication 30, caractérisé en ce qu'il comprend un second bus allongé dis- posé entre la première région active (50) et la seconde région allongée de contacts traversants conducteurs pour interconnecter électriquement des régions de base de la pluralité de cellules à transistor dans la première région active (50). 32. Amplificateur selon la revendication 31, com- prenant une troisième pluralité de résistances disposée au- dessus de la surface du substrat. 33. Amplificateur selon la revendication 32, caractérisé en ce que la troisième pluralité de résistances sont disposées perpendiculairement aux première et seconde régions actives (50,52) et entre des couples adjacents des contacts traversants conducteurs. 34. Amplificateur selon la revendication 32, caractérisé en ce que chacune des troisièmes résistances (381-384) possède une première électrode adaptée pour être couplée à une entrée de l'amplificateur, et une seconde électrode connectée électriquement au second bus (42). 35. Amplificateur selon la revendication 34, caractérisé en ce que la troisième pluralité de résistances (381-384) sont connectées successivement le long du second bus (42) 36. Amplificateur selon la revendication 35, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité d'étriers (821-8212) disposés au-dessus de la surface du substrat et dont chacun s'étend au-dessus du second bus (42) et établit une connexion électrique entre la première pluralité de résistances et les régions d'émetteur des cellules à tran- sistor situées dans la première région active (50). 37. Amplificateur selon la revendication 36, caractérisé en ce qu'il comporte une seconde pluralité d'étriers disposés au-dessus de la surface du substrat, chacun de la seconde pluralité d'étriers (801-8011) s'éten- dant au-dessus des couches conductrices et du premier bus (62) et interconnectant électriquement une région d'émet- teur de l'une des cellules à transistor dans la seconde région active (52) et une région de collecteur de l'une correspondante des cellules à transistor dans la première région active (50). T-I 7