FR 2787949 A1 20000630 FR 9816556 A 19981229 Dispositif de contrôle de phase constitué de multiples structures amplificatrices distribuées à éléments actifs commutables. La présente invention concerne un dispositif de contrôle de phase constitué de multiples structures amplificatrices distribuées à éléments actifs commutables. Elle trouve une application générale en télécommunication ou en instrumentation hyperfréquence large bande (par exemple du continu jusqu'à plusieurs dizaines de GHz), et plus particu- lièrement dans les systèmes électroniques de type contre- mesure, balayage électronique, ou spatial. Elle appartient au domaine technique de la micro-électronique hyperfréquence, et plus particulièrement à la technologie des circuits intégrés monolithiques micro-ondes (MMIC). Le plus souvent, un dispositif de contrôle de phase à commande numérique fonctionne sur la base d'une commutation entre au moins deux voies différentes, susceptibles chacune de se comporter soit comme un déphaseur, soit comme une ligne à longueur programmable. En pratique, dans un déphaseur, entre deux états, le signal subit en transmission un déphasage dont la valeur est constante dans la bande de fréquences considérée. An contrai- re, dans une ligne de longueur programmable, entre deux états, le signal subit en transmission un déphasage dont la valeur correspond à la propagation du courant le long d'une ligne de longueur constante (c'està-dire un retard constant) dans la bande de fréquences considérée. De façon connue, un dispositif de contrôle de phase comprend une entrée de commande numérique, et, entre une entrée de signal et une sortie de signal, au moins une cellule compor- tant des moyens de commutation aptes, sous contrôle d'un bit de l'entrée de commande, à procurer au moins deux fonctions de transfert différentes en termes de phase et/ou retard temporel. On sait mettre en oeuvre un tel dispositif de contrôle de phase à partir d'une technologie de circuits intégrés monoli- thiques micro-ondes (MMIC) sur une bande de fréquences allant par exemple de 2 à 18 GHz. Cependant, la mise en série de plusieurs cellules réalisées entièrement en technologie MMIC conduit à des pertes d'inser- tion relativement importantes. En effet, un commutateur passif fonctionnant dans la bande de fréquences mentionnée ci-avant est susceptible de perdre en insertion 1 à 2 dB selon l'isolement. De même, une cellule de déphasage ou de retard peut présenter des pertes allant jusqu'à 2 dB pour les bits de poids moyens et forts. Ainsi, la réalisation sur technologie MMIC d'une ligne à longueur programmable de 9 bits comprenant 9 cellules de même structure mises en série peut conduire à des pertes d'insertion comprises entre 30 et 40 dB. La Demanderesse s'est posée le problème de remédier à ces inconvénients. La présente invention a justement pour but de proposer des solutions susceptibles de minimiser les pertes d'insertion dans des dispositifs de contrôle de phase du type décrit ci- avant. Elle porte sur un dispositif de contrôle de phase à commande numérique, comprenant une entrée de commande numérique, et, entre une entrée de signal et une sortie de signal, au moins un circuit comportant des moyens de commutation aptes, sous contrôle d'un bit de l'entrée de commande, à procurer deux fonctions de transfert différentes en termes de phase et/ou retard temporel. Selon une définition générale de l'invention, le circuit comporte au moins un double amplificateur distribué compre- nant au moins une première ligne dont une extrémité forme borne commune pour les moyens de commutation, au moins des deuxième et troisième lignes dont les extrémités forment les bornes commutées pour les moyens de commutation, et, entre la première ligne et chacune des deux lignes commutées, au moins un élément actif commutable, commandé en fonction du bit de contrôle du circuit, l'élément actif commutable disposé entre la première ligne et la deuxième ligne étant polarisé en mode amplificateur lorsque l'élément actif commutable disposé entre la première ligne et la troisième ligne est polarisé bloquant, et réciproquement. Un tel double amplificateur distribué présente l'avantage de combiner la fonction amplification et la fonction commutation en s'affranchissant des pertes d'insertion d'un commutateur passif. Le bilan global en termes de performances et de consommation en est amélioré d'autant. Selon un premier mode de réalisation de l'invention, le double amplificateur hyperfréquence distribué forme un commutateur actif à une entrée et deux sorties, la première ligne étant une ligne de grille et les deuxième et troisième lignes étant chacune une ligne de drain. Selon un second mode de réalisation de l'invention, le double amplificateur hyperfréquence distribué forme un commutateur actif à deux entrées et une sortie, la première ligne étant une ligne de drains et les deuxième et troisième lignes étant chacune une ligne de grilles. Selon un troisième mode de réalisation de l'invention, le double amplificateur distribué comprend au moins des première et seconde simples structures distribuées comprenant chacune une ligne de grilles commune et une ligne de drains commune, l'une des extrémités de la ligne de grilles commune de la première structure étant reliée à l'une des extrémités de la ligne de grilles commune de la seconde structure pour former la première ligne du double amplificateur distribué tandis que les lignes de drains des première et seconde structures distribuées constituent respectivement les deuxième et troisième lignes du double amplificateur distribué. Selon un quatrième mode de réalisation de l'invention dans lequel le double amplificateur distribué est constitué au moins de deux simples structures distribuées mises en série au niveau de leurs lignes de grilles, il est prévu que l'une des extrémités de la deuxième ligne et l'une des extrémités de la troisième ligne sont reliées l'une et l'autre à un organe sommateur dont la sortie est reliée à une charge, les première et seconde simples structures distribuées formant ainsi une ligne à longueur programmable à 1 bit. En pratique, le dispositif selon l'invention peut comprendre plusieurs simples structures distribuées dont les lignes de grilles communes sont mises en série directement ou indirec- tement pour former des lignes à longueur programmable de plu- sieurs bits. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lumière de la description détaillée ci- après et des dessins dans lesquels: - la figure 1 représente un dispositif de contrôle de phase à deux voies conforme à l'art antérieur; - la figure 2 représente schématiquement la fonction équiva- lente réalisée par un commutateur actif; - la figure 3 représente schématiquement le montage d'un simple amplificateur distribué conforme à l'art antérieur; - la figure 4 illustre le montage d'un double amplificateur distribué assurant la fonction d'un commutateur actif à une entrée et deux sorties selon l'invention; - la figure 5 illustre le montage d'un double amplificateur distribué assurant la fonction d'un commutateur actif à deux entrées et une sortie selon l'invention; - la figure 6 illustre le montage de deux doubles amplifica- teurs distribués montés en série selon l'invention, le premier étant celui décrit en référence à la figure 4 et le second étant celui décrit en référence à la figure 5; - la figure 7 illustre une variante de représentation schéma- tique du montage d'un simple amplificateur distribué conforme à l'art antérieur; - la figure 8 illustre le montage d'un commutateur actif réalisé avec deux simples amplificateurs distribués mis en série selon l'invention; - la figure 9 représente schématiquement un commutateur actif réalisé avec 4 simples amplificateurs distribués mis en série selon l'invention; - la figure 10 représente schématiquement une ligne à longueur programmable à 1 bit réalisé à partir de deux simples amplificateurs distribués mis en série selon l'inven- tion; - les figures 11 et 12 représentent des lignes à longueurs programmables à 2 bits selon l'invention; - la figure 13 représente schématiquement une ligne à longueur programmable à 3 bits selon l'invention; - la figure 14 représente schématiquement une ligne à longueur programmable à 4 bits selon l'invention; - la figure 15 représente une structure à double amplifica- teur distribué ayant une configuration auto-recombineuse, selon l'invention; et - la figure 16 représente une variante de la structure de la figure 15. Les dessins comportent des éléments de caractère certain. A ce titre, ils servent non seulement à illustrer l'invention mais aussi, le cas échéant, à contribuer à la définition de celle-ci. En référence à la figure 1, un dispositif de contrôle de phase CP, conforme à l'art antérieur, fonctionne sur la base d'une commutation entre au moins deux voies différentes, par exemple une voie courte VOC et une voie longue VOL. Le dispositif CP est susceptible de comprendre plusieurs étages mis en série, dont un seul est ici représenté pour alléger la description. Le dispositif CP comprend une entrée de signal 2 et une sortie de signal 4. Un commutateur 6, ayant une entrée et deux sorties, est sous le contrôle d'un bit de l'entrée de commande 3. De même, un commutateur 8 ayant deux entrées et une sortie, est sous le contrôle d'un bit de l'entrée de commande 3. Ainsi, les commutateurs 6 et 8 sont aptes, sous contrôle d'un bit de l'entrée de commande 3, à procurer au moins deux fonctions de transfert différentes en terme de phase et/ou retard temporel. La voie courte VOC est associée à une quantité x0 tandis que la voie longue VOL est associée à une quantité xO+x. La quantité x représente, soit un déphasage, soit une longueur électrique de ligne. Les valeurs x0, xl, x2, etc... corres- pondent à la phase commune entre les deux états de chaque étage. Elles n'interviennent donc pas dans le contrôle du signal. La valeur x et ses multiples égaux à une puissance de 2 correspond à la différence entre les deux états. Cette valeur x correspond également au bit de plus faible poids. La fabrication de ce type de circuit en technologie de circuit intégré monolithique micro-onde (MMIC) sur une bande de fréquence allant, par exemple, de 2 à 18 GHz est réalisa- ble. Cependant, la mise en série de plusieurs étages réalisés entièrement en technologie (MMIC) conduit à des pertes d'insertion relativement importantes. En effet, un commuta- teur passif 6 ou 8, fonctionnant dans la bande de fréquence mentionnée ci-avant, est susceptible de perdre, en insertion, un à deux dB, selon l'isolement qui lui est demandé. De même, une cellule de déphasage ou de retard peut présenter des pertes allant jusqu'à 2 dB pour les bits de poids moyen et fort. Ainsi, la réalisation sur technologie (MMIC) d'une ligne à longueur programmable de 9 bits comprenant 9 cellules de même structure mises en série, peut conduire à des pertes d'insertion comprises entre 30 et 40 dB. La demanderesse s'est posée le problème de réaliser un commutateur actif en technologie MMIC, en utilisant une structure amplificatrice distribuée, en vue de réduire les pertes d'insertion. En référence à la figure 2, la fonction réalisée par un commutateur actif peut être définie comme étant équivalente à celle réalisée par la combinaison d'un étage d'amplifica- tion EAP et d'un étage de commutation ECO. En référence à la figure 3, un simple amplificateur distri- bué, conforme à l'art antérieur, comprend n cellules amplifi- catrices CE à base de transistors. Pour simplifier la description, seuls les modes de réalisa- tion à base de transistors à effet de champs montés en source commune sont ici décrits, mais l'invention s'applique aussi à d'autres types de transistors, par exemple bipolaires à hétérojonction ou analogues. Les cellules amplificatrices sont montées entre une ligne de grille commune Lgc à laquelle sont connectées toutes les grilles des transistors des cellules amplificatrices et une ligne de drain commune Ldc o convergent les drains des transistors des cellules amplificatrices CE. Chaque cellule amplificatrice comporte une structure amplifi- catrice A représentée sous la forme d'un triangle et consti- tuée chacune d'un ou plusieurs transistors T montés en source commune. La grille du transistor est reliée à un point de la ligne de grille commune Lgc qui s'étend entre un point d'entrée du montage E et une résistance Rg reliée à la masse. Le drain du transistor est relié à un point de la ligne de drains commune Ldc qui s'étend entre une résistance Rd reliée à la masse et un point de sortie S du montage. Les points de liaison des transistors sur la ligne de drains commune se succèdent sur ladite ligne de drains commune Ldc, dans le même ordre que les points de liaison desdits transis- tors, sur la ligne de grilles commune Lgc. Chaque cellule amplificatrice est complétée par des éléments passifs servant à constituer des équivalents de tronçons de ligne de drains Ld et de la ligne de grilles Lg. Par exemple, la cellule CE2 comprend deux tronçons Lg/2 et deux tronçons Ld/2. La tête de la ligne de grilles commune Lgc forme l'entrée E de l'amplificateur distribué. L'autre extrémité de la ligne de grilles commune Lgc est chargée sur une résistance terminale Rg qui est sensiblement égale à l'impédance caractéristique Zg de la ligne de grilles commune Lgc. Le plus souvent, la résistance terminale Rg est de 50 ohms. De même, l'une des extrémités de la ligne de drains commune Ldc est chargée sur une résistance terminale Rd sensiblement égale à l'impédance caractéristique Zd de la ligne de drains commune Ldc, tandis que l'autre extrémité de la ligne de drains commune définit la sortie S de l'amplificateur distribué. Des moyens de polarisation POLg appliquent une tension de polarisation continue Vg à la ligne de grilles commune Lgc à travers la résistance Rg. De même, des moyens de polarisation POLd appliquent une tension de polarisation continue Vd à la ligne de drains commune Ldc. Les moyens de polarisation POLd ou POLg peuvent être de différents types, notamment une inductance de forte valeur ou bien des charges saturables distribuées ou non. Des capacités de liaisons CL1 et CL2 sont prévues respective- ment entre l'entrée E et la tête de la ligne de grilles commune Lgc, et entre l'extrémité de la ligne de drains commune Ldc et la sortie S de l'amplificateur distribué. Le fonctionnement d'un amplificateur distribué du type de celui illustré sur la figure 3 est le suivant. Le signal d'entrée appliqué en entrée E se propage sur la ligne de grilles commune Lgc pour être absorbé par la charge Rg. Sur chaque grille de transistors passe donc une onde de tension, se propageant de la gauche vers la droite, sur la figure 3. Un courant est alors généré par chaque transistor. Il alimente la ligne de drains commune Ldc. Ce courant se propage pour partie vers la charge Rd et pour partie vers la sortie S. Les composantes qui vont vers la sortie S se super- posent avec la même phase, pourvu que le temps de propagation intercellule soit identique sur la ligne de drains commune et sur la ligne de grilles commune. L'amplification est à très large bande passante, car elle commence depuis le continu jusqu'aux fréquences de coupure des filtres LC réalisées par les lignes de grilles et de drains avec les capacités parasites des transistors. Ces fréquences de coupure peuvent être très hautes, de plusieurs dizaines de GHz, à la centaine de GHz, avec des conceptions appropriées. En référence aux figures 4 et 5, la demanderesse a observé de façon surprenante qu'un commutateur actif est susceptible d'être réalisé, selon l'invention, sur le principe d'un double amplificateur distribué. Selon un mode de réalisation de l'invention, un double amplificateur distribué comprend une ligne de grilles commune Lgcl et deux lignes de drains communes Ldcl et Ldc2 pour réaliser un commutateur actif à une entrée et deux sorties (DAD1, figure 4) ou comprend deux lignes de grilles communes Lgcl et Lgc2 et une ligne de drains commune Ldcl pour réaliser un commutateur actif à deux entrées et une sortie (DAD2, figure 5). En référence à la figure 4, la ligne centrale est la ligne de grilles commune Lgcl. Les lignes inférieures et supérieures sont les lignes de drains communes Ldcl et Ldc2. Des moyens de polarisation (non représentés) sont prévus pour polariser (commander) les transistors T des structures amplificatrices supérieures AS (individualisées en AS1 à AS3) et inférieures AI (individualisées en AI1 à AI3), soit en mode amplificateur, soit en mode bloqué. Par exemple, les moyens de polarisation sont similaires à ceux décrits en référence à la figure 3. En pratique, la commande de commutation entre le mode bloqué et le mode amplificateur, est appliquée sur les grilles des transistors T des structures amplificatrices supérieures AS et inférieures AI. On peut aussi appliquer la commande de commutation sur les drains mais cette solution est plus complexe en raison du courant de drain qui pénalise la rapidité de la commande. Une capacité CDE peut être reliée en série avec la capacité de la grille (CGS) d'un transistor T pour former un pont capacitif. Un tel pont diminue le gain en fonction de la fréquence. Ainsi, le gain de chaque cellule peut être modulé en amplitude absolue ou en amplitude en fonction de la fréquence selon la présence et la valeur de la capacité CDE entre la ligne de grille commune et la grille d'un transis- tor. Cette modulation peut s'appliquer à l'amplitude sur toute la bande de fréquences ou bien à une variation de l'amplitude en fonction de la fréquence pour la création d'une pente positive en vue de compenser les pertes des circuits passifs. Selon l'invention, les moyens de polarisation sont agencés de sorte que lorsque les transistors T des structures amplifica- trices supérieures AS sont polarisés dans un état bloqué, les transistors T des structures amplificatrices inférieures AI sont polarisés dans un état amplificateur, et réciproquement. Le fonctionnement d'un double amplificateur distribué DAD1 du type dans lequel les transistors T des structures amplifica- trices supérieures AS sont polarisés dans un état bloqué tandis que les transistors T des structures amplificatrices inférieures AI sont polarisés dans un état amplificateur, est le suivant. Le signal d'entrée appliqué en entrée E1 se propage sur la ligne de grilles commune Lgcl pour être absorbé par la charge Rgl. Sur chaque grille de transistors de chaque structure amplificatrice inférieure passe donc une onde de tension, se propageant de la gauche vers la droite, sur la figure 4. Un courant est alors généré par chaque transistor de chaque structure amplificatrice inférieure. Ce courant ainsi généré alimente la ligne de drains commune Ldc2. Ce courant se propage pour partie vers la charge Rd2 et pour partie vers la sortie S2. Les composantes qui vont vers la sortie S2 se superposent avec la même phase, pourvu que le temps de propagation intercellule soit identique sur la ligne de drains commune Ldc2 et sur la ligne de grilles Lgcl. L'ampli- fication est alors la somme des amplifications réalisées par chaque transistor de chaque structure amplificatrice infé- rieure. Aucun courant ne se propage sur la ligne de drains commune Ldcl dans la mesure o les transistors des structures amplificatrices supérieures sont polarisés en mode bloqué. De même, en commutant la polarisation des structures amplifi- catrices inférieures et supérieures respectivement en mode bloqué et en mode amplificateur, on obtient un courant qui se propage vers la sortie S1 et aucun courant vers la sortie S2. Un tel double amplificateur distribué DAD1 peut être réalisé à l'aide de transistors appartenant à la filière PH25 de la Fonderie UMS (société Franco-Allemande). Par exemple, dans le cas du double amplificateur distribué décrit en référence à la figure 4, le gain obtenu dans la bande de fréquence 1 à 20 GHz, est de l'ordre de +7 dB pour la voie amplifiée, et de l'ordre de dB pour la voie bloquée. Le comportement du circuit décrit en référence à la figure 4 en régime grand signal montre une puissance de sortie supérieure à 10 dBm avec 1 dB de compression pour une consom- mation de 38 mA sur 3 volts, ce qui correspond à une puis- sance consommée inférieure à 120 mW. Le gain, la puissance de sortie et la consommation peuvent être ajustés en faisant varier le nombre de cellules, la taille des transistors T, ainsi que le nombre de capacités CDE. En référence à la figure 5, la ligne centrale est la ligne de drains commune Ldgcl. Les lignes inférieures et supérieures sont les lignes de grilles communes Lgcl et Lgc2. Comme dans le double amplificateur distribué de la figure 4, le double amplificateur de la figure 5 comprend des moyens de polarisation (non représentés) pour commander les transistors T des structures amplificatrices supérieures AS et inférieu- res AI, soit en mode amplificateur, soit en mode bloqué, en fonction de la valeur du bit d'entrée de la commande numéri- que. Selon l'invention, les moyens de polarisation sont agencés de sorte que lorsque les transistors T des structures amplifica- trices supérieures AS sont polarisés dans un état bloqué, les transistors T des structures amplificatrices inférieures AI sont polarisés dans un état amplificateur, et réciproquement. Le fonctionnement d'un double amplificateur distribué DAD2 du type dans lequel les transistors T des structures amplifica- trices supérieures AS sont polarisés dans un état bloqué tandis que les transistors T des structures amplificatrices inférieures AI sont polarisés dans un état amplificateur, est le suivant. Le signal d'entrée appliqué en entrée E2 se propage sur la ligne de grilles commune Lgc2 pour être absorbé par la charge Rg2. Sur chaque grille de transistors de chaque structure amplificatrice inférieure passe donc une onde de tension, se propageant de la gauche vers la droite, sur la figure 5. Un courant est alors généré par chaque transistor de chaque structure amplificatrice inférieure. Ce courant ainsi généré alimente la ligne de drains commune Ldcl. Ce courant se propage pour partie vers la charge Rdl et pour partie vers la sortie Sl. Les composantes qui vont vers la sortie S1 se superposent avec la même phase, pourvu que le temps de propagation intercellule soit identique sur la ligne de drains commune Ldcl et sur la ligne de grilles commune Lgc2. L'amplification est alors la somme des amplifications réalisées par chaque transistor de chaque structure amplifi- catrice inférieure. Seul le signal se propageant sur la ligne de grille commune Lgc2 est amplifié dans la mesure o les transistors des structures amplificatrices supérieures sont polarisés en mode bloqué. De même, en commutant la polarisation des structures amplifi- catrices inférieures et supérieures respectivement en mode bloqué et en mode amplificateur, on obtient une amplification du signal qui se propage sur la ligne de grilles commune Lgcl et une atténuation très forte du signal présent sur la ligne de grilles commune Lgc2. En référence à la figure 6, on a représenté un double amplificateur distribué DAD1, sensiblement similaire à celui décrit en référence à la figure 4, mis en série avec un double amplificateur distribué DAD2, sensiblement similaire à celui décrit en référence à la figure 5. Une telle structure permet de réaliser un dispositif de contrôle de phase tel que décrit en référence à la figure 1, dans lequel le double amplificateur distribué DAD1 joue le rôle de commutateur actif amont, et dans lequel le double amplificateur distribué DAD2 joue le rôle de commutateur actif aval. Le double amplificateur distribué DAD1 de la figure 6 comprend par exemple une structure amplificatrice supérieure en moins (la dernière en partant de la gauche) par rapport au double amplificateur distribué DAD1 de la figure 4. Une telle suppression modifie le temps de propagation du courant sur la ligne de drains Ldcl. De même, le double amplificateur distribué DAD2 de la figure 6 comprend par exemple une structure amplificatrice supé- rieure en moins (la première en partant de la gauche) par rapport au double amplificateur distribué DAD2 de la figure 5. Un retard temporel passif RT peut être ajouté entre la ligne de drains Ldc2 du double amplificateur distribué DAD1 et la ligne de grilles Lgc2 du double amplificateur distribué DAD2. La ligne supérieure constitue une première voie tandis que la ligne inférieure constitue une seconde voie. Le choix de la commande des transistors permet de faire passer le courant soit selon la première voie, soit selon la seconde voie. Le choix de la voie peut être déterminé en fonction du retard temporel à appliquer audit courant, ledit retard étant fonction du nombre de structures amplificatrices et de la valeur du retard RT. Il convient de remarquer que les structures amplificatrices représentées sous la forme d'un triangle en référence aux figures 3 à 6 peuvent comprendre un ou plusieurs transistors, de type à effet de champ ou bipolaire, avec ou sans montage cascode, avec ou sans capacité CDE en série avec la capacité de la grille du transistor. En référence à la figure 7, on a représenté un simple amplificateur distribué AD, conforme à la technique antérieu- re, selon une variante de représentation schématique légère- ment différente de celle utilisée en figure 3 et qui sera reprise dans les figures suivantes. La référence C désigne les moyens de commande numérique qui agissent sur l'état bloqué ou amplificateur des transistors T de l'amplificateur distribué AD. L'entrée E de l'amplificateur distribué AD est reliée à l'une des extrémités de la ligne de grilles commune Lgc. La référence CH désigne la charge sur laquelle est reliée la sortie S de l'amplificateur distribué AD. Classiquement, la charge a une valeur de 50 ohms et les impédances caractéris- tiques Zd et Zg respectivement des lignes de drains communes Ldc et de grilles communes Lgc sont de 50 ohms. Les résistan- ces terminales Rg et Rd sont de 50 ohms. Il est clair que le nombre de cellules (ici 2) et le nombre de transistors par cellule (ici 1) ne sont donnés qu'à titre illustratif, il peuvent être bien évidemment différents de ceux représentés en référence à la figure 7. tO est le temps de propagation du courant le long de la ligne de grilles commune Lgcl, de l'entrée E jusqu'au point Rg. r est le temps depropagation du courant de l'entrée E jusqu'à la sortie S. r - r0 représente approximativement le temps de retard au passage de l'élément actif (transistor) de chacune des cellules (supposées identiques). Pour simplifier, on pourra considérer que cette différence est nulle puisque l'on s'intéressera ci-après seulement aux retards relatifs. Par ailleurs, on supposera par la suite que les différentes lignes de drains et de grilles sont peu dispersives, c'est-à- dire que les temps mentionnés ci-dessus sont sensiblement constants dans la bande de fréquence visée. En référence à la figure 8, la demanderesse a observé de façon surprenante que des circuits de commutation distribués sont susceptibles d'être réalisés à l'aide d'un double amplificateur distribué LAD constitué de deux amplificateurs distribués AD1 et AD2, similaires à ceux décrits en référence à la figure 7, et mis en série au niveau de leurs lignes de grilles selon l'invention. Plus précisément, le double amplificateur distribué LAD com- prend une ligne de grilles commune 10 formée de deux tronçons de ligne de grilles Lgcl et Lgc2 mis en série et deux lignes de drains séparées Ldcl et Ldc2 pour réaliser deux circuits de commutation distribués à une entrée 12 et deux sorties 14 et 16. Le tronçon de ligne de grilles Lgcl est la ligne de grilles commune de l'amplificateur distribué AD1 dont la structure est similaire à celle du simple amplificateur distribué AD décrit en référence à la figure 7, tandis que le tronçon de ligne de grilles Lgc2 est la ligne de grilles commune de l'amplificateur distribué AD2 dont la structure est similaire à celle du simple amplificateur distribué AD décrit en référence à la figure 7. L'entrée 12 du double amplificateur distribué LAD est reliée à l'une des extrémités de la ligne de grilles Lgcl. L'autre extrémité de la ligne de grilles Lgcl est reliée directement (ou via un retard passif) à l'une des extrémités de la ligne de grilles Lgc2. L'autre extrémité de la ligne de grilles Lgc2 est reliée à la résistance terminale Rg. L'une des extrémités de la ligne de drains Ldcl est reliée à la résistance terminale Rdl. L'autre extrémité de la ligne de drains Ldcl est reliée à une charge CH1, via la sortie 14. De même, l'une des extrémités de la ligne de drains Ldc2 est reliée à la résistance terminale Rd2. L'autre extrémité de la ligne de drains Ldc2 est reliée à une charge CH2, via la sortie 16. Les impédances des charges CH1 et CH2 sont classiquement de ohms. La commande des moyens de polarisations continues Cl des grilles et des drains des transistors T de l'amplificateur distribué AD1 et les moyens de polarisations continues C2 des grilles et des drains des transistors T de l'amplificateur distribué AD2 est choisie de sorte que les transistors T de l'amplificateur AD1 sont polarisés en mode passant (ou amplificateur) lorsque les transistors T de l'amplificateur AD2 sont polarisés en mode bloqué et réciproquement. En configurant la commande des transistors des amplificateurs distribués AD1 et AD2 respectivement en mode bloqué et en mode amplificateur, on obtient un courant qui se propage jusqu'à la sortie 14 et aucun courant jusqu'à la sortie 16. Réciproquement, en configurant la commande des transistors des amplificateurs distribués AD1 et AD2 respectivement en mode amplificateur et en mode bloqué, on obtient un courant qui se propage jusqu'à la sortie 16 et aucun courant jusqu'à la sortie 14. Comme le double amplificateur de la figure 4, le double amplificateur de la figure 8 est adapté à la commutation active. De plus, comme on le verra plus en détail ci-après, sa structure peut aussi servir à la réalisation d'une ligne à longueur programmable (ligne à retard). En référence à la figure 9, on a représenté un quadruple amplificateur distribué QAD constitué de deux doubles amplificateurs distribués LAD1 et LAD2, similaires à ceux décrits en référence à la figure 8, et mis en série selon l'invention. * Selon l'invention, le quadruple amplificateur distribué QAD comprend une ligne de grilles commune 20 formée de quatre tronçons de lignes de grilles Lgcl à Lgc4 mis en série et quatre lignes de drains séparées Ldcl à Ldc4 pour réaliser l'équivalent de quatre circuits de commutation distribuées à une entrée 22 et quatre sorties 24, 26, 28, et 30. Le gain du double ou du quadruple amplificateur est de l'ordre de +7 à +10 dB dans la gamme de fréquence 1-20 GHz. En référence à la figure 10, la demanderesse a observé de façon surprenante qu'une ligne à longueur programmable LLP1 de 1 bit est susceptible d'être réalisée à l'aide d'un double amplificateur distribué constitué de deux amplificateurs distribués AD1 et AD2, similaires à ceux décrits en référence à la figure 7, mis en série conformément à la figure 8, et dont les sorties 14 et 16 sont reliées à un organe sommateur 18, la sortie 19 de l'organe sommateur 18 étant reliée à une charge unique 21, classiquement de 50 ohms. r est le temps de propagation du courant de l'entrée 12 jusqu'à la sortie 14. 2t est le temps de propagation du courant de l'entrée 12, jusqu'à la sortie 16. En configurant la commande des transistors des amplificateurs distribués AD1 et AD2 respectivement en mode amplificateur et en mode bloqué, on obtient un courant qui se propage selon un temps de propagation égal à t jusqu'à la sortie 19, via la sortie 14. En configurant la commande des transistors des amplificateurs distribués AD1 et AD2 respectivement en mode bloqué et en mode amplificateur, on obtient un courant qui se propage selon un temps de propagation égal à 2r jusqu'à la sortie 19, via la sortie 16. Ainsi, selon la valeur de la commande, le signal est amplifié par l'étage AD1 et retardé de r ou bien amplifié par l'étage AD2 et retardé de 2 t. La différence de retard est égale à r entre les deux états. Il est à observer qu'il y a une différence de niveau due aux pertes dans les lignes de grilles et au fait que lesdistes lignes sont mises en série. Selon l'invention, cette différence de niveau peut être compensée en ajoutant une dissymétrie entre les deux étages AD1 et AD2. Par exemple, l'étage AD2 peut avoir un gain plus important que l'étage AD1, le cas échéant avec une pente légèrement positive en fonction de la fréquence. Cette compensation peut aussi être obtenue en jouant sur la taille des transistors et sur les circuits passifs constituant les lignes de grilles et de drains. La capacité CDE mentionnée ci-avant et mise en série avec la capacité de la grille de transistor permet aussi d'obtenir une pente de gain positive en fréquence. Il y a lieu de remarquer selon l'invention que le circuit LLP1 décrit en référence à la figure 10 réalise simultanément les quatre fonctions suivantes: amplification, commutation, retard, et correction de gain. De plus, le niveau "haut" de tension de grille associé à la valeur 1 de la commande de polarisation C peut varier, par exemple en fonction de la température pour réaliser une correction de gain intervenant dans l'ensemble du circuit. Avec une telle compensation, chaque structure distribuée réalise ainsi les fonctions suivantes: amplification, commutation, retard, correction de gain, et compensation de gain. Pour considérer le circuit de la figure 10 comme une ligne à longueur programmable active, il convient de combiner les deux sorties 14 et 16 en une sortie 19. C'est le rôle d'un organe sommateur 18 qui peut être extérieur ou non au circuit. Un pont de type wilkinson peut être utilisé comme organe sommateur passif. L'organe sommateur peut aussi être de type actif comme l'organe sommateur (deux entrées et une sortie) décrit en référence à la figure 5. Selon le principe décrit en référence à la figure 10, et en agissant sur la topologie des organes sommateurs, il est possible selon l'invention de réaliser une multitude de circuits répondant à la définition d'une ligne à longueur programmable active à n bits. En effet, les simples structu- res distribuées AD peuvent constituer des chaînes à retard à plusieurs maillons constitués chacun de simples structures distribuées toutes mises en série au niveau de leurs lignes de grilles. De plus, il convient de noter que les structures amplifica- trices distribuées offrent certains choix dans l'impédance des lignes des drains qui sont appliquées aux organes sommateurs. On peut donc optimiser le choix de l'organe sommateur (actif ou passif) ainsi que l'impédance des lignes de drains ( 50, 100, ou 200 ohms). En référence à la figure 11, on a représenté une ligne à longueur programmable LLP2 à 2 bits, réalisée à l'aide d'un quadruple amplificateur distribué constitué de deux doubles amplificateurs distribués LLP1, similaires à ceux décrits en référence à la figure 10, mis en série conformément à la figure 10, et dont les sorties 30 et 32 sont reliées à un premier organe sommateur 33 et dont les sorties 34 et 36 sont reliées à un second organe sommateur 37, la sortie 35 du premier organe sommateur 33, ainsi que la sortie 39 du second organe sommateur étant reliées à un troisième organe somma- teur 40 dont la sortie 41 est reliée à la charge unique 42, classiquement d'impédance 50 ohms. r est le temps de propagation du courant de l'entrée 31 jusqu'à la sortie 30. 2r est le temps de propagation du courant de l'entrée 31 jusqu'à la sortie 32. 3r est le temps de propagation du courant de l'entrée 31 jusqu'à la sortie 34. 4r est le temps de propagation du courant de l'entrée 31 jusqu'à la sortie 36. Par exemple, en configurant la commande des transistors des amplificateurs distribués AD1 en mode amplificateur et la commande des transistors des amplificateurs distribués AD2 à AD4 en mode bloqué, on obtient un courant qui se propage selon un temps de propagation égal à r jusqu'à la sortie 41, via l'organe sommateur 33. Par exemple, en configurant la commande des transistors des amplificateurs distribués AD1 à AD3 en mode bloqué et la commande des transistors des amplificateurs distribués AD4 en mode amplificateur, on obtient un courant qui se propage selon un temps de propagation égal à 4t jusqu'à la sortie 41, via l'organe sommateur 37. La ligne LLP2 de la figure 11 correspond à une chaîne à retard à 4 maillons de it de retard chacun. En référence à la figure 12, on a représenté une variante de réalisation d'une ligne à longueur programmable LLP2' à 2 bits selon l'invention. Dans cette variante, la ligne à longueur programmable à 2 bits LLP2' comprend deux organes sommateurs 50 et 52 au lieu de trois comme dans celle décrite en référence à la figure 10. Elle comprend 4 cellules à structures distribuées simples AD1 à AD6. Les deux premières cellules AD1 à AD2 sont mises en série conformément au double amplificateur de la figure 10. Les sorties des deux premières 51, et 53 sont reliées à un organe sommateur 50 dont la sortie 55 est reliée à l'entrée de la troisième cellule AD3. Les troisième et quatrième cellules AD3 et AD4 sont mises en série conformément au double amplificateur de la figure 10. Les sorties des troisième et quatrième cellules 57 et 59 sont reliées à un organe sommateur 52 dont la sortie 58 est reliée à la charge d'impédance 50 ohms. Selon la configuration de la commande, le signal peut être retardé de 3r, 4r, 5r ou 6r, soit 4 états, c'est-à-dire 2 bits. Ainsi, la ligne LLP2' de la figure 12 correspond à deux chaînes à retard mises en série, la première chaîne à retard ayant 2 maillons de 1 de retard chacun et la seconde chaîne à retard ayant 2 maillons de 2r de retard chacun. En référence à la figure 13, on a représenté une ligne à longueur programmable LLP3 à 3 bits. Elle comprend 6 cellules à structures distribuées simples AD1 à AD6. Les quatre premières cellules AD1 à AD4 sont mises en série conformément au quadruple amplificateur de la figure 11. Les sorties des quatre premières 72, 74, 76, et 80 sont reliées à un organe sommateur 70 dont l'unique sortie 79 est reliée à l'entrée de la cinquième cellule AD5. Les cinquième et sixième cellules AD5 et AD6 sont mises en série conformé- ment au double amplificateur de la figure 10. Les sorties des cinquième et sixième cellules 82 et 84 sont reliées à un organe sommateur 80 dont la sortie 86 est reliée à la charge 88 d'impédance 50 ohms. Selon la configuration de la commande, le signal peut être retardé de 5tr, 6r, 7t, 8r, 9r, 0lt, 11r, ou 12r, soit 8 états, c'est-à-dire 3 bits. Ainsi, la ligne LLP3 de la figure 13 correspond à deux chaînes à retard mises en série, la première chaîne à retard ayant 4 maillons de tlr de retard chacun et la seconde chaîne ayant 2 maillons de 4r de retard chacun. En référence à la figure 14, on a représenté une ligne à longueur programmable LLP4 à 4 bits. La ligne LLP4 comprend 8 cellules à structures distribuées simples AD1 à AD8. Les quatre premières cellules AD1 à AD4 sont mises en série conformément au quadruple amplificateur de la figure 11. Les sorties des quatre premières cellules 102, 104, 106, et 108 sont reliées à un organe sommateur 100 dont la sortie 109 est reliée à l'entrée de la cinquième cellule AD5. Les quatre dernières cellules AD5 à AD8 sont mises en série conformément au quadruple amplificateur de la figure 11. Les sorties des quatre dernières cellules premiè- res 112, 114, 116, et 118 sont reliées à un organe sommateur dont la sortie 119 est reliée à la charge 120, d'impé- dance 50 ohms. Selon la configuration de la commande, le signal peut être retardé de 5r, 6t, 7r, 8r, 9r, 10r, 11r, 12x, 13r, 14r, 15r, 16r, 17r, 18r, 19r, ou 20r, soit 16 états, c'est-à-dire 4 bits. Ainsi, la ligne LLP4 de la figure 14 correspond à deux chaînes à retard mises en série, la première chaîne à retard ayant 4 maillons de lr de retard chacun et la seconde chaîne ayant 4 maillons de 4r de retard chacun. Dans les figures 10 à 14, les maillons d'une même chaîne à retard sont tous identiques et comprennent un retard indivi- duel de même valeur pour des raisons d'équilibrage d'amplitu- de. Dans les figures 10 à 14, les organes sommateurs engendrent des pertes ou des limitations de bande lorsqu'ils sont passifs, ou une consommation importante lorsqu'ils sont actifs. La Demanderesse s'est posée le problème de résoudre ces problèmes. La présente invention apporte justement une solution à base d'un double amplificateur distribué à configuration dite "auto-recombineuse" dans laquelle la ligne de drain joue le rôle de sommateur. Plus précisément, en référence à la figure 15, on a repré- senté un tel double amplificateur "lauto-recombineur" selon l'invention dans lequel l'extrémité 202 de la ligne de grilles commune Lgcl, opposée à l'entrée 200, est reliée directement à l'extrémité 204 de la ligne de grilles commune Lgc2, opposée à l'extrémité 206 reliée à la résistance terminale 208. Une telle connexion entre la fin d'une ligne de grilles commune Lgcl et le début d'une autre ligne de grilles commune Lgc2 permet de réaliser la structure dite "auto-recombi- neuse". La ligne de drains unique Ldcl sert ici d'organe sommateur. Elle recueille les signaux amplifiés soit de la ligne de grilles supérieure Lgcl, avec un certain temps de retard, soit de la ligne de grilles inférieure Lgc2, soit avec un temps de retard sensiblement le double de celui de la ligne supérieure. En référence à la figure 16, le rebouclage d'une ligne de grille sur l'autre peut lui-même comporter un retard, qui peut être réalisé sur le circuit (puce) ou bien à l'exté- rieur. Un tel retard permet d'augmenter la différence de retard entre les deux états et réaliser un bit de ligne de longueur programmable de plus fort poids. Par exemple, le rebouclage entre la fin de la ligne Lgcl et le début de la ligne Lgc2 comprend 3 retards passifs RP1 à RP3, de valeur individuelle r pour simplifier. La ligne de grilles inférieure Lgc2 comprend une cellule active supplémentaire par rapport à la ligne de grilles supérieure Lgcl, pour compenser les pertes dues aux cellules passives RP1 à RP3 insérées entre les lignes Lgcl et Lgc2. Cette cellule active supplémentaire représente une cellule passive sur la ligne de drains lorsque les transistors supérieurs sont en mode amplificateur. Si, pour simplifier, on suppose que toutes les cellules passives ou actives retardent le signal d'un même temps r, les deux états sont caractérisés par un retard de 3r lorsque les transistors supérieurs sont en mode amplificateurs, ou par un retard de 8r lorsque les transistors inférieurs sont en mode amplificateur. Le retard relatif en figure 16 est donc de 5 r au lieu d'être d'r en figure 15. Les solutions décrites selon l'invention en référence aux figures 4 à 16, présentent toutes certains avantages en terme de réduction de pertes d'insertion. De plus, l'intérêt de l'utilisation de la technologie MMIC est dans la possibilité de combiner à volonté les différentes solutions mentionnées ci-avant. Par exemple, on peut réaliser des commutateurs actifs à 4 voies. On peut aussi associer des étages à base 4 avec d'autres à base 2 ou combiner des retards et des déphasages. On peut également moduler le gain des commuta- teurs et choisir leur emplacement en fonction des contraintes de dynamique et de facteur de bruit. Revendications 1. Dispositif de contrôle de phase à commande numérique, comprenant une entrée de commande numérique, et, entre une entrée de signal (2) et une sortie de signal (4), au moins un circuit comportant des moyens de commutation aptes, sous contrôle d'un bit de l'entrée de commande, à procurer au moins deux fonctions de transfert différentes en termes de phase et/ou retard temporel, caractérisé en ce que le circuit comprend au moins un double amplificateur distribué (DAD1, DAD2, LAD), avec au moins une première ligne (Lgcl, Ldcl, 10) dont une extrémité forme borne commune pour les moyens de commutation (T), au moins des deuxième (Ldcl, Lgcl, Ldcl) et troisième lignes (Ldc2, Lgc2, Ldc2) dont les extrémités forment les bornes commutées pour les moyens de commutation (T), et, entre la première ligne et chacune des deux lignes commutées, au moins un élément actif commutable, commandé en fonction du bit de contrôle de la cellule, l'élément actif commutable disposé entre la première ligne (Lgcl, Ldcl, 10) et la deuxième ligne (Ldcl, Lgcl, Ldcl) étant polarisé en mode amplificateur lorsque l'élément actif commutable disposé entre la première ligne (Lgcl, Ldcl, 10) et la troisième ligne (Ldc2, Lgc2, Ldc2) est polarisé bloquant, et récipro- quement. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le double amplificateur hyperfréquence distribué (DAD1) forme un commutateur actif à une entrée (El) et deux sorties (S1 et S2), la première ligne étant une ligne de grille (Lgcl) et les deuxième et troisième lignes étant chacune une ligne de drain (Ldcl et Ldc2). 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le double amplificateur hyperfréquence distribué (DAD2) forme un commutateur actif à deux entrées (El et E2) et une sortie (Sl), la première ligne étant une ligne de drains (Ldcl) et les deuxième et troisième lignes étant chacune une ligne de grilles (Lgcl et Lgc2). 4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le double amplificateur distribué (LAD) comprend au moins des première et seconde simples structures distribuées (AD1,AD2) comprenant chacune une ligne de grilles commune (Lgcl) et une ligne de drains commune (Ldcl), l'une des extrémités de la ligne de grilles commune de la première structure (AD1) étant reliée à l'une des extrémités de la ligne de grilles commune de la seconde structure (AD2) pour former la première ligne (10) du double amplificateur distribué (LAD), tandis que les lignes de drains des première et seconde structures distribuées (AD1 et AD2) constituent respectivement les deuxième et troisième lignes du double amplificateur distribué (LAD). 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend au moins deux doubles amplificateurs distri- bués (LAD1, LAD2), mis en série pour former un quadruple amplificateur distribué (QAD) à commutation active. 6. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'une des extrémités de la deuxième ligne (Ldcl) et l'une des extrémités de la troisième ligne (Ldc2) sont reliées l'une et l'autre à un organe sommateur passif ou actif (18) dont la sortie est reliée à une charge (21), les première et seconde simples structures distribuées (AD1, AD2) formant une ligne à longueur programmable (LLP1) à 1 bit. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs simples structures distribuées (AD1, AD2, AD3,...) dont les lignes de grilles communes sont mises en série directement ou indirectement pour former des lignes à longueur programmable (LLP2, LLP2', LLP3, LLP4) de plu- sieurs bits. 8. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'une (202) des extrémités de la deuxième ligne (Lgcl) est reliée à l'une (204) des extrémités de la troisième ligne (Lgc2), de sorte que le double amplificateur distribué forme une structure auto-recombineuse, sans organe sommateur passif ou actif. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que la connexion entre l'une (202) des extrémités de la deuxième ligne (Lgcl) et l'une (204) des extrémités de la troisième ligne (Lgc2) comprend au moins un retard passif (RP1 à RP3). 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que les éléments actifs commutables comprennent des transistors (T) à effets de champs, des transistors bipolaires à hétérojonction ou analogues. 11. Dispositif selon l'une quelconque des précédentes revendications, caractérisé en ce qu'il est apte à fonction- ner dans une très large bande de fréquences allant du continu jusqu'à plusieurs dizaines de GHz. 12. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en qu'il est réalisé en technologie des circuits intégrés monolithiques micro-ondes (MMIC). 13. Double amplificateur distribué, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une première ligne (Lgcl, Ldcl, 10) dont une extrémité forme borne commune pour des moyens de commuta- tion (T), au moins des deuxième (Ldcl, Lgcl, Ldcl) et troisième lignes (Ldc2, Lgc2, Ldc2) dont les extrémités forment les bornes commutées pour les moyens de commutation (T), et, entre la première ligne et chacune des deux lignes commutées au moins un élément actif commutable (T), l'élément actif commutable disposé entre la première ligne (Lgcl, Ldcl, ) et la deuxième ligne (Ldcl, Lgcl, Ldcl) étant polarisé en mode amplificateur lorsque l'élément actif commutable disposé entre la première ligne (Lgcl, Ldcl, 10) et la troisième ligne (Ldc2, Lgc2, Ldc2) est polarisé bloquant et réciproque- ment, ledit double amplificateur distribué assurant ainsi la fonction de commutation active.