FR 2791777 A1 20001006 FR 0000175 A 20000107 L'invention concerne la détection de défauts dans des substrats structurés, comme par exemple des pastilles semiconductrices, notamment au moyen d'une inspection utilisant un faisceau d'électrons. Il est admis d'une manière générale que la solution la plus économique pour accroître le rendement de fabrication de dispositifs à semiconducteurs est de détecter des défauts d'une manière aussi précoce que possible au cours de la fabrication plutôt que lors d'un test final des dispositifs. La détection précoce peut permettre d'identifier et d'éliminer une source de défauts avant qu'un grand nombre de pastilles ne soit affecté. C'est pourquoi il est maintenant d'une pratique standard dans l'industrie d'inspecter les pastilles pour déterminer s'il existe des défauts, à de multiples stades de fabrica- tion. Une inspection en ligne est maintenant effectuée la plupart du temps moyennant l'utilisation d'outils d'ins- pection optique comme par exemple les outils d'inspection de pastilles de la série 21XX de la société dite KLA- Tencor. Ces outils utilisent un microscope optique à hautes performances, une table de balayage rapide, un système d'intégration de retard, un détecteur d'images CCD à balayage rapide et un ordinateur à multiprocesseur de traitement d'images. Des algorithmes sont prévus, qui réalisent une comparaison, pixel-par-pixel, entre une image optique d'un dé par rapport à des images d'un ou de deux dés voisins, ou bien une comparaison, pixel-par-pixel,, d'images optiques d'une cellule de mémoire et de cellules de mémoire voisines. D'autres systèmes d'inspection optique sont commercialisés par exemple par la société dite Applied Materials, anciennement Orbot, et par la société dite Hitachi. Des outils optiques sont en soi limités par la diffraction et la profondeur de champ. De ce fait, plus de % de défauts préjudiciables, qui apparaissent lors de procédés en utilisant des règles de conception inférieures aux dimensions CD minimales. La technologie classique des microscopes à balayage électronique (SEM) et des testeurs à faisceau d'électrons permet de former l'image de ces petits défauts de surface. Des testeurs à faisceau d'électrons peuvent également "observer" (détecter) des défauts de surface par mesure de la variation du contraste de tension résultant de l'effet électrique de défauts préjudiciables, c'est-à-dire des défauts du type "circuit ouvert" et "court-circuit". On se référera par exemple à: T. ATON et al., Testing integrated circuit microstructures using charging-induced voltage contrast, J. VAC. SCI. TECHNOL. B 8 (6), Novembre/Décembre 1990, pp. 2041-2044; K. JENKINS et al., Analysis of silicide process defects by non-contact electron- beam charging, 30TH ANNUAL PROCEEDINGS RELIABILITY PHYSICS 1992, IEEE, Mars/Avril 1992, pp. 304-308; J. THONG, ED., ELECTRON BEAM TESTING TECHNOLOGY, Plenum Press 1993, p. 41; et T. CASS, Use of the Voltage Contrast Effect for the Automatic Detection of Electrical Defects on In- Process Wafers, KLA Yield Management Seminar, pp. 506-2 à 506-11. Cependant des microscopes SEM classiques sont trop lents pour couvrir une surface de pastille significative du point de vue statistique ou un nombre de défauts pendant un intervalle de temps suffisamment bref. Cette limitation est basée principalement sur le caractère en série lent du processus de collecte de données, ou bien également en partie sur une absence générale d'automatisa- tion. En outre le temps passé pour déplacer la table mécanique en vue de l'amener dans chaque nouvelle position de formation d'images est conséquent par rapport au temps de formation d'images et par conséquent limite le débit même avec des caractéristiques d'automatisation. Le système dit SEMSpec de la société dite KLA est *basé sur un système d'inspection optique classique comportant un dispositif de balayage mécanique. Il utilise un étage de balayage précis, qui se déplace en continu,30 conjointement avec un faisceau à courant intense et un détecteur à largeur de bande élevée pour accroître la cadence de couverture de la surface. L'étage de balayage réduit la durée de déplacement en tant que facteur limitatif principal du débit du système. La cadence globale de couverture de la surface de 1 cm2/h avec le système SEMSpec est nettement inférieur à plusieurs milliers de cm2/h avec des outils optiques entièrement automatisés. Voir par exemple le brevet US N 5 502 306 et le brevet US N 5 578 821 au nom de Meisburger et al. Les demandes de brevets US copendantes N de série 08/782 740 déposée le 13 Janvier 1997 et N de série 09/012 227 déposée le 23 Janvier 1998 décrivent une autre solution pour obtenir des cadences plus élevées de couverture de surface, au moins pour des couches conductrices. Les couches conductrices sont préchargées, puis sont "sous-échantillonnées" lorsque des caractéristi- ques sont de façon typique des fils longs, minces et parallèles entre eux. Par exemple la figure 1 annexée à la présente demande représente le sous-échantillonnage préchargé 10X d'une couche de circuits intégrés 100 possédant des conducteurs tels que 105 et 110 orientés au maximum dans une seule direction. La surface de l'échantillon est préchargée et seule l'une parmi dix lignes est échantillonnée. On a représenté en 115 le trajet de balayage d'échantillonnage par le faisceau d'électrons. L'agencement d'un circuit intégré logique typique rend maximale la densité d'acheminement sous l'effet de l'orientation de conducteurs d'autres couches dans des directions réciproquement orthogonales -- les conducteurs d'une couche s'étendent en majeure partie dans la direction x, tandis que les conducteurs de couches adjacentes s'éten- dent en majeure partie dans la direction y. La solution préchargée avec sous-échantillonnage fournit beaucoup d'avantages avec des couches possédant des caractéristiques convenant pour le sous- échantillonnage. Malheureusement cette solution n'est pas aussi efficace avec des couches présentant d'autres caractéristiques, par exemple des couches ayant de petites caractéristiques telles que des trous traversants, des contacts, des interconnexions localisées et des cellules de mémoire. Cette solution est également inappropriée pour la détection de petites particules ou d'une configuration manquante ou d'une confi- guration supplémentaire. Il en résulte que dans de nombreux cas, la détection de défauts sur la base d'un faisceau d'électrons est possible uniquement avec une formation d'image complète plutôt qu'avec un sous-échantillonnage. La formation d'image complète avec une cadence de couverture de surface - 1 cm2/heure requiert un nombre estimé de 270 heures pour couvrir une pastille typique d'un diamètre de 200 mm. Pour améliorer la cadence, il est par ailleurs souhaitable d'échantillonner sélectivement des zones de la pastille, dont on s'attend à ce qu'elles possèdent le maximum de défauts auxquels on s'intéresse. Il est également avantageux d'effectuer une comparaison par rapport à un dé de référence quelconque ou par rapport à une base de données, plutôt que par rapport uniquement à un dé voisin comme dans le cas des systèmes d'inspection optique basés sur un balayage, actuellement utilisés et avec le système SEMSpec. La possibilité de comparer une image d'un dé par rapport à une référence quelconque permet de cibler : l'échantillonnage de la surface de la pastille pour une distribution spécifique de défauts. Par exemple, en comparant le dé central d'une pastille, qui a une probabilité plus grande d'être exempte de défauts, aux dés marginaux, dans lesquels on s'attend souvent à obtenir des densités plus élevées de défauts, maximise la probabilité de détection de tels défauts. La figure 2 annexée à la présente demande représente un scénario d'échantillonnage désiré spécialement adapté pour une distribution spécifique de défauts, mais qui n'est pas antériorisé par des systèmes de l'art antérieur. Dans cet exemple, un dé central 200 d'une pastille 205 est choisi en tant que référence et est comparé aux dés extérieurs 210, qui ont une probabilité plus grande de comporter des défauts. La comparaison d'un dé à un dé voisin serait moins susceptible de révéler tous les défauts. On estime que des systèmes de détection de défauts à faisceau d'électrons, disponibles dans le commerce, examinent uniquement des réseaux de mémoire par comparaison d'une cellule de mémoire à ses voisines. Bien qu'un système basé sur un étage de balayage puisse être utilisé pour effectuer une comparaison d'un dé à un autre, la durée du cycle de déplacement de la table de balayage serait un facteur principal du temps système limitant le débit. Les figures 3A et 3B illustrent l'effet de la durée du cycle de déplacement de la table. La figure 3A représente le trajet 300 d'une table mobile continûment (non représentée) par rapport à une zone 305 d'une pastille explorée par balayage. Les données d'image sont acquises alors que l'étage se déplace à une vitesse constante. La vitesse moyenne d'acquisition des données est réduite par le temps nécessaire pour décélérer la table mécanique, inverser la direction et accélérer jusqu'à la vitesse de balayage, et le temps nécessaire pour réaligner le faisceau sur l'échantillon. La figure 3B représente le résultat de balayage global résultant de l'utilisation d'un étage de balayage à déplacement continu. Pour balayer une zone 310 de la pastille 315 à une vitesse constante, l'étage doit se déplacer au-delà du bord de la zone balayée 310 pour décélérer, effectuer une inversion de marche et accélérer. Le trajet de balayage de l'étage par rapport à la zone 310 est représenté en 320. Un but du système de détection de défauts à fais- ceau de particules chargées devant être utilisé dans le cadre d'une production est de réduire ou d'éliminer le temps système de la table de manière que la vitesse d'acquisition soit limitée par la physique fondamentale du faisceau, en tirant ainsi le meilleur parti de la technolo- gie du faisceau de particules chargées pour détecter des défauts qui ne peuvent pas être détectés optiquement. D'une manière générale, on peut utiliser une gamme étendue de sources d'images de référence potentielles, chaque source possédant des avantages et des inconvénients relatifs dans des applications spécifiques. La solution la plus souple consiste à avoir une souplesse totale concernant l'échantillonnage et le choix de la référence sans que ceci ne compromette le débit. Des systèmes actuellement disponibles ne présentent pas une telle souplesse. Ci-après on va décrire certaines comparai- sons désirées. Comparaison Commentaires Cellule-à- De façon typique cette solution est utili- cellule sée pour des cellules de mémoire. Une cel- lule de référence parfaite peut être uti- lisée pour la comparaison de chaque cel- lule de mémoire dans un réseau de mémoire, ou bien chaque cellule de mémoire (ou une structure répétitive telle qu'un bloc de 2 ou 4 cellules réfléchies symétriquement) est comparée à sa voisine. Dé-à-dé C'est de façon typique un mode standard de fonctionnement pour un système d'inspec- tion optique tel que le système KLA213X. Chaque dé est comparé à son voisin adja- cent pendant le processus de balayage. Un troisième dé est ensuite utilisé pour déterminer quel dé posséderait les mêmes défauts. Ceci fonctionne mieux pour des défauts aléatoires, mais pas pour des défauts répétitifs comme par exemple une configuration externe dans une section à cheminement strict du masque. En général il est préférable de disposer de la possi- bilité de comparer efficacement n'importe quel dé à n'importe quel dé, utilisant n'importe quel troisième dé pour l'arbi- trage. Les comparaisons d'un dé à un autre dé quelconque sont valables étant donné que l'utilisateur peut cibler des zones spéci- fiques de la cible avec un type de défaut particulier attendu et le comparer à un dé qui est vraisemblablement bon. Une compa- raison d'un dé marginal au dé central sur une pastille semiconductrice est souhai- table pour cette raison, étant donné que les dés de bord sont souvent "faibles" et moins susceptibles de fléchir que le dé central. Entre un dé et Une image ou d'autres données provenant un dé d'or d'un dé de référence connu (dé "d'or") sur une autre pastille est mémorisée et est comparée au dé lors de l'inspection. Un volume important de données est requis, littéralement des centaines de gigaoctets, mais l'espace de disque et l'espace de mémoire deviennent moins coûteux et il existe un potentiel de compression d'ima- ges à contraste de tension. Aucun arbi- trage n'est requis lors de la comparaison à un dé "d'or". Entre un dé et Cette technique est connue pour l'inspec- une base de tion de masques comme par exemple dans des données systèmes d'inspection de masques de la société KLA. Un challenge avec la solution d'élargissement des caractéristiques appa- rentes est que de multiples couches de la base de données et la connaissance des propriétés électriques du circuit repré- senté sont nécessaires pour déterminer quelles caractéristiques sont connectées à la masse et quelles caractéristiques sont flottantes dans le mode à charge négative, par exemple quelles jonctions p-n sont polarisées dans le sens direct par le potentiel ou la tension négative. Bloc-à-bloc Comme dans le cas dé-à-dé, mais une ou certaines sous-sections du dé sont comparées. Ceci est utile lorsqu'une partie du dé est connue ou lorsqu'on s'attend à ce qu'il possède plus probable- ment un type particulier de défaut auquel on s'intéresse. Cette solution permet une économie de temps par rapport à la compa- raison dé-à-dé complète. Des colonnes SEM classiques sont optimisées pour obtenir la meilleure performance d'images pour un champ d'observation relativement petit, de façon typique dans les limites de 1 mm à 100 mm par rapport à l'axe optique de la colonne. Des tables mécaniques déplacent la pastille échan- tillon et la colonne l'une par rapport à l'autre de manière à permettre l'observation de l'échantillon complet. Ceci est admissible dans des applications dans lesquelles le débit n'est pas un élément capital, on estime que c'est la norme dans les microscopes SEM commerciaux. On sait que des systèmes à faisceau de particules fonctionnent dans une zone de vision étendue dans des buts tels que la lithographie à faisceau d'électrons, mais pas pour la détection de défauts. Voir par exemple H. PFEIFFER, Recent Advances in Electron-Beam Lithography for the High-Volume Production of FLSI Devices, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Vol. ED-26, N 4, Avril 1979; et N. SAITOU et al., Variably shaped electron beam lithography system, EB55: II ELECTRON OPTICS, J. VAC. SCI. TECHNOL., 19(4), Novembre / Décembre 1981. Il est également connu d'utiliser un champ de vision étendu pour un alignement d'une incrustation en superposition, comme dans le brevet US N 5 401 972 au nom de Talbot et al. et dans les systèmes IDS P2X et AMS disponible dans le commerce par la société dite Schlumberger. Des systèmes et procédés perfectionnés sont nécessaires pour détecter des défauts dans un substrat structuré. L'invention concerne un procédé de détection de défauts dans un substrat structuré, caractérisé en ce qu'il comporte le positionnement d'une colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport à un substrat structure, la colonne optique de particules chargées possédant un champ de vision dans lequel existe une résolution sensiblement uniforme; faire fonctionner la colonne optique du faisceau de particules chargées pour acquérir des images concernant de multiples zones secondaires d'une région du substrat structuré située à l'intérieur du champ de vision, par balayage du substrat structuré, par le faisceau de particules chargées, tout en maintenant la colonne optique du faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et comparer les images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré. Selon une autre caractéristique de l'invention, la colonne du faisceau à particules chargées inclut une source de faisceau d'électrons. Selon une autre caractéristique de l'invention, la source de faisceau d'électrons comprend une cathode à émission de champ thermique. Selon une autre caractéristique de l'invention, la source de faisceau d'électrons comprend une cathode au zirconium-tungstène. Selon une autre caractéristique de l'invention, le procédé comporte en outre les étapes consistant à faire fonctionner une table mécanique pour modifier la position de la colonne optique du faisceau de particules chargées par rapport au substrat structuré, et à répéter les étapes 1., 2. et 3. pour acquérir des images à partir d'une autre région du substrat structuré. Selon une autre caractéristique de l'invention, le procédé comporte en outre le contrôle de la position de la table mécanique avec un interféromètre à laser. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'étape de fonctionnement de la colonne optique du faisceau de particules chargées pour acquérir des images comprend l'acquisition d'images à contraste de tension. Selon une autre caractéristique de l'invention, le procédé comporte en outre l'étape consistant en outre à appliquer les particules chargées pour précharger le substrat structuré avant de faire fonctionner la colonne optique à faisceau de particules chargées pour acquérir des images. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'étape d'actionnement de la colonne optique à faisceau de particules chargées pour acquérir des images comprend l'acquisition d'images topographiques, et que l'étape de comparaison consiste à comparer les images acquises à une référence pour identifier des dépôt topographiques dans le -substrat structuré. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'image de référence comprend une image d'une partie du substrat structuré. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'image de référence comprend une image de référence mémorisée. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'image de référence comprend une image produite à partir d'une base de données de conception assistée par ordinateur (CAO). Selon une autre caractéristique de l'invention, la comparaison des images actives comprend la comparaison de caractéristiques des images acquises à des caractéristiques d'une image de référence pour identifier des défauts dans le substrat structure. Selon une autre caractéristique de l'invention, les images acquises sont constituées de pixels et que la référence est une image de référence constituée de pixels, et que la comparaison des images acquises consiste à comparer les images acquises à l'image de référence, pixel- par-pixel. Selon une autre caractéristique de l'invention, le procédé comporte en outre l'étape consistant à appliquer un faisceau d'électrons à un substrat structuré avant de faire fonctionner la colonne optique à faisceau de particules chargées pour acquérir des images. Selon une autre caractéristique de l'invention, le procédé comporte en outre les étapes consistant à appliquer un faisceau d'électrons à une région secondaire du champ de vision. Selon une autre caractéristique de l'invention, la colonne optique du faisceau de particules chargées comprend une lentille d'immersion à axe variable présentant un champ de vision dans lequel existe une résolution sensiblement uniforme. Selon une autre caractéristique de l'invention, la colonne optique du faisceau de particules chargées comprend un détecteur de particules chargées situé dans la lentille pour collecter et détecter des particules chargées d'une manière sensiblement uniforme dans le champ de vision. Selon une autre caractéristique de l'invention, le procédé comprend en outre: le positionnement d'une seconde colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport au substrat structuré, la seconde colonne à faisceau de particules chargées possédant une résolution essentiellement uniforme dans le champ de vision; le fonctionnement de la colonne optique de la seconde particule à faisceau de particules chargées pour acquérir des secondes images dans de multiples zones secondaires d'une région du substrat structuré située dans le champ de vision, par balayage du substrat structuré par le second faisceau de particules chargées tout en maintenant la colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport au substrat structuré; et la comparaison des secondes images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structure. Selon un autre aspect, l'invention a trait en outre à un procédé pour détecter des défauts dans un substrat structuré, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à positionner une colonne optique à faisceau de particules chargées sur un substrat structuré, la colonne optique à faisceau à particules chargées possédant un champ de vision supérieur à 100 micromètres avec une résolution sensiblement uniforme dans le champ de vision faire fonctionner la colonne optique du faisceau à particules chargées pour acquérir une image essentiellement de l'ensemble du champ de vision par balayage du substrat structuré par un faisceau de particules chargées tout en maintenant la colonne optique à faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et comparer l'image acquise à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structure. L'invention a trait également à un dispositif pour détecter des défauts dans un substrat structuré, caractérisé en ce qu'il comporte: une table mécanique pour positionner une colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport à un substrat structuré, une colonne optique à faisceau de particules chargées comportant un champ de vision dans lequel la résolution est sensiblement uniforme, la colonne optique à faisceau de particules chargées pouvant fonctionner de manière à acquérir des images par rapport à de multiples zones secondaires d'une région du substrat structuré située dans le champ de vision par balayage du substrat structuré par le faisceau de particules chargées, alors que la table mécanique maintient la colonne optique à faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et au moins un processeur pouvant agir de manière à comparer les images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré. Selon une autre caractéristique de l'invention, la table mécanique peut agir de manière à repositionner la colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport au substrat structuré, de sorte que des images peuvent être acquises à partir d'une autre région du substrat structure. Selon une autre caractéristique, le dispositif comporte en outre un interféromètre à laser pouvant agir de manière à contrôler la position de la table mécanique. Selon une autre caractéristique, la colonne optique à faisceau de particules chargées peut agir de manière à acquérir des images, y compris des images à contraste de tension. Selon une autre caractéristique, le dispositif comporte en outre une source de particules chargées pouvant agir de manière à précharger le substrat structuré avant le fonctionnement de la colonne optique à faisceau de particules chargées pour l'acquisition d'images. Selon une autre caractéristique, la colonne optique à faisceau de particules chargées peut agir de manière à acquérir des images, y compris des images topographiques, et que le processeur peut agir de manière à comparer les images acquises à une référence pour identifier des défauts topographiques dans le substrat structuré. Selon une autre caractéristique, l'image de référence comprend une image d'une partie du substrat structuré. Selon une autre caractéristique, l'image de référence comprend une image de référence mémorisée. Selon une autre caractéristique, l'image de référence comprend une image produite à partir d'une base de données à conception assistée par ordinateur (CAO). Selon une autre caractéristique, le processeur peut agir de manière à comparer des caractéristiques des images acquises à des caractéristiques d'une image de référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré. Selon une autre caractéristique, la référence est une image de référence constituée de pixels et que le processeur peut agir de manière à comparer les images acquises à l'image de référence, pixel-par-pixel. Selon une autre caractéristique, le dispositif comporte en outre une source de faisceau d'électrons apte à appliquer un faisceau d'électrons au substrat structuré avant l'acquisition d'images avec la colonne optique à faisceau de particules chargées. Selon une autre caractéristique, la source de faisceau d'électrons peut agir de manière à appliquer le faisceau d'électrons à une région secondaire de champ de vision. Selon une autre caractéristique, la colonne optique à faisceau de particules chargées comprend une lentille d'immersion à axe variable possédant un champ de vision dans lequel la résolution est sensiblement uniforme. Selon une autre caractéristique, la colonne optique à faisceau de particules chargées comprend un détecteur de particules chargées situé dans la lentille servant à collecter et détecter des particules secondaires d'une manière sensiblement uniforme au champ de vision. Selon une autre caractéristique, le dispositif comporte: une seconde colonne à faisceau optique de particules chargées possédant un champ de vision, dans lequel la résolution est sensiblement uniforme, la seconde colonne optique à faisceau de particules chargées pouvant agir de manière à acquérir des images dans des zones secondaires multiples d'une région du substrat structuré située dans le champ d'observation par balayage du substrat structuré avec un faisceau de particules chargées, tandis que la table mécanique maintient la seconde colonne optique à faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et au moins un processeur pouvant agir de manière à comparer les autres images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré. L'invention concerne en outre un dispositif pour détecter défauts dans un substrat structuré, caractérisé en ce qu'il comporte une table mécanique pour positionner une colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport à un substrat structuré, une colonne optique à faisceau de particules chargées comportant un champ de vision supérieur à 100 micromètres et dans lequel la résolution est sensiblement uniforme, la colonne optique à faisceau de particules chargées pouvant fonctionner de manière à acquérir une image essentiellement de l'ensemble du champ de vision par balayage du substrat structuré par le faisceau de particules chargées, alors que la table mécanique maintient la colonne optique à faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et au moins un processeur pouvant agir de manière à comparer les images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés; sur lesquels: - la figure 1, dont il a déjà été fait mention, représente un sous- échantillonnage 10X préchargé d'une couche de circuits intégrés portant des conducteurs montés en majeure partie d'une manière principale dans une seule direction; - la figure 2, dont il a déjà été fait mention, illustre un scénario d'échantillonnage typique adapté spécialement pour une distribution spécifique de défauts; - la figure 3A annexée à la présente demande représente le déplacement de l'étage avec une table déplaçable continûment; - la figure 3B annexée à la présente demande illustre un suréchantillonnage résultant de l'utilisation d'une table de balayage se déplaçant continûment; - la figure 4 représente un système d'acquisition d'images selon l'invention; - la figure 5 représente en outre un système d'acquisition d'images selon l'invention; - la figure 6A représente schématiquement la section incluant la colonne, la table et la chambre d'un système de détection de défauts selon l'invention; - la figure 6B représente schématiquement une architecture à niveau haut d'un système de détection de défauts selon l'invention; - la figure 7A illustre la position effective d'une lentille comportant des bobines simples de déviation; - la figure 7B représente la position effective d'une lentille d'objectif mobile comportant des bobines de déviation doubles; - la figure 8 représente une vue en coupe transversale d'une lentille d'objectif à champ de vision étendu, utile dans un système de détection de défauts selon l'invention; - la figure 9 représente une vue en plan schématique d'un système de détection de défauts selon l'invention, qui comporte deux colonnes associées l'une à l'autre pour former simultanément l'image de multiples régions d'une pastille; - la figure 10 est une vue en plan schématique d'un système de détection de défauts selon l'invention, comportant quatre colonnes associées entre elles pour former simultanément l'image de zones multiples d'une pastille; - la figure 11 représente une vue en plan schématique d'un système de détection de défauts selon l'invention, comportant neuf colonnes connectées entre elles pour former simultanément l'image de zones multiples d'une pastille; et la figure 12 représente une vue schématique d'un système de détection de défauts selon l'invention comportant deux colonnes connectées entre elles pour former simultanément l'image de régions multiples d'une pastille. Un but d'une détection de défauts utilisant un : faisceau d'électrons est de réduire l'effet de déplacement de la table de détection et le temps-système de stabilisation dans la durée totale nécessaire au système pour acquérir des données d'image. Le mode de fonctionnement le plus souple de formation d'images est limité uniquement par la physique de l'interaction entre le faisceau d'électrons et l'échantillon. Il est également souhaitable de comparer n'importe quel dé ou partie de dé sur la pastille à un autre dé ou à une autre partie de dé sur la pastille ou à une image de référence mémorisée provenant d'une autre pastille ou d'une base de données CAO, sans réduction importante du débit de sortie du système. Des formes de réalisation compatibles avec la présente invention satisfont à ce besoin moyennant l'utilisation d'une lentille d'objectif à champ de vision étendu, possédant à la fois une résolution essentiellement constante, dans le champ de vision étendu. Un temps- système de la table mécanique est réduit grâce à l'utilisation du faisceau d'électrons à la manière d'une mini-table presque idéal, d'une manière similaire à la table de masse réduite dans le domaine de l'optique de la lumière. Pour chaque position de la table mécanique, des images sont acquises dans de multiples champs de vision secondaires. En raison de la déviation du faisceau d'électrons, les temps d'alignement et de stabilisation sont négligeables par rapport à la durée d'acquisition d'images pour un seul champ de vision secondaire, la durée nécessaire pour le déplacement d'une zone d'acquisition d'image à une autre est essentiellement éliminée. Etant donné que l'on peut acquérir un nombre élevé (- des centaines) de champs de vision secondaires pour chaque position de table mécanique, la durée nécessaire pour le déplacement et la stabilisation de la table mécanique est négligeable par rapport au temps d'acquisition total pour une lentille à champ de vision complet de la lentille englobant des centaines de champs de vision secondaires. Par conséquent l'effet du temps système sur le déplacement de l'étage est une faible partie du temps total nécessaire pour acquérir des images dans un grand nombre de régions d'une pastille. Un système de détection de défauts à grande vitesse selon l'invention est approprié pour l'inspection de pastilles semiconductrices avant que la fabrication soit terminée. Ce système utilise une lentille d'objectif à champ d'observation étendu pour réduire le temps système associé à des déplacements de la table mécanique. Le champ d'observation principal de la lentille, qui couvre par exemple une région de - 1 mm x - 1 mm, est subdivisé en centaines de champs de vision secondaires. Le système peut acquérir des images d'un échantillon avec chaque champ de vision secondaire, sans qu'il soit nécessaire d'effectuer un déplacement de la table mécanique. Un détecteur situé dans la lentille est optimisé pour collecter et détecter des électrons secondaires d'une manière efficace et uniforme dans l'ensemble du champ d'observation de la lentille d'objectif d'un champ d'observation étendu. Ceci est désigné comme étant une technique "d'avance pas-à-pas et de formation d'images", qui se distingue des techniques de l'art antérieur et utilise un déplacement sensiblement continu de la table mécanique pendant l'acquisition d'images. Les figures 4 et 5 illustrent les principes d'un système d'acquisition d'images selon l'invention. Sur la figure 4 on a représenté un exemple d'application d'une lentille d'objectif à champ de vision étendu dans une technique d'avance pas-à-pas et de formation d'images pour l'acquisition d'images en forme de carreaux à partir d'un seul dé. La région 400 d'une pastille contient un dé ou une partie de dé devant être inspecté. La région 400 peut être subdivisée comme représenté en 405 en de multiples régions secondaires, comme par exemple des régions secondaires de 1 mm x 1 mm. Chacune de ces régions secondaires représente un champ de vision d'une colonne à faisceau d'électrons à champ de vision étendu; pour une position donnée de la table mécanique, qui établit une position relative entre la pastille échantillon et la colonne à faisceau d'électrons, la colonne à faisceau d'électrons peut acquérir des images dans une région secondaire correspondant au champ d'observation étendu. Avec la table mécanique positionnée pour l'acquisition d'images dans la région secondaire 140, le faisceau d'électrons peut effectuer un balayage pour acquérir des images sur un grand nombre de zones de champ de vision secondaires, de façon typique des centaines de zones de champ de vision secondaires. La table mécanique étant maintenue fixe, le faisceau d'électrons peut avancer pas-à-pas presque instantanément entre des zones de vision secondaires pour le balayage d'acquisition d'images dans des zones de champs de vision secondaires. La figure 5 représente un exemple d'utilisation d'une colonne à faisceau d'électrons à champ de vision étendu pour l'acquisition d'images afin de détecter des défauts présents sur une pastille 500. Dans cet exemple, une image d'un dé central 505 est acquise et utilisée en tant qu'image de référence pour sa comparaison à des images de plusieurs dés ou bords, comme par exemple le dé ou bord 510. La table mécanique est amenée dans une position telle que l'image d'une partie de dé 515 peut être formée par la colonne à faisceau d'électrons à champ de vision étendu sans déplacement supplémentaire de tables mécaniques. La partie de dé 515 contient un grand nombre, par exemple une centaine, de champs de vision secondaires. Le faisceau d'électrons est dirigé au voisinage d'un champ de vision secondaire comme par exemple le champ de vision secondaire 520 et balaye le champ de vision secondaire de manière à acquérir une image de la région du dé correspondant au champ de vision secondaire. Les formes de réalisation de la présente invention peuvent être mises en oeuvre d'une manière relativement simple. Dans des systèmes de lithographie à champ de vision étendu de l'art antérieur on utilise des systèmes complexes de focalisation dynamique et de correction d'aberrations pour éliminer des variations des aberrations des lentilles lorsque le faisceau se déplace en travers du champ de vision entier. De tels systèmes complexes ne sont pas nécessaires pour une détection de défauts d'une manière compatible avec l'invention étant donné que seul un nombre fini d'images spécifiques de champ de vision secondaire sont utilisées pour l'acquisition d'une image particulière. Une solution utilisant une table de consultation peut par conséquent être utilisée pour corriger de façon statique le foyer et les aberrations de chaque champ de vision. Une interpolation entre des entrées dans la table de consultation peut être également utilisée pour réduire la taille de la table de consultation. Des techniques "d'avance pas-à-pas et de formation d'images" compatibles avec l'invention peuvent les avantages du point de vue débit et mise en oeuvre pour la détection de défauts sur la base d'un contraste de tension ainsi que pour la détection classique de défauts sur la base de la formation d'images de surface ou d'images topographiques moyennant l'utilisation d'un faisceau d'électrons. Les exemples indiqués ci-après illustrent les avantages du point de vue temps-système et débit d'un système utilisant une lentille à champ de vision étendu et une table d'avance pas-à-pas par rapport à un système de l'art antérieur utilisant une lentille à faible champ de vision et une table de balayage continu pour l'inspection d'un seul dé sur une matrice. Exemple 1: Les paramètres suivants sont supposés pour le "cas 1" et pour le "cas 2": - taille des dés = 1 cm2 - résolution des pixels = 25 nm - cadence de pixels = 100 MHz - champ de vision de la lentille à petit champ de vision = mm x 25 mm (1000 pixels par ligne, comme pour le champ de vision secondaire de la lentille à champ de vision étendu) - champ de vision de la lentille à champ de vision étendu = 1 mm x 1 mm - durée pour un seul déplacement de la table = 1 seconde - temps mis par la table de balayage pour changer de direction et réaccélérer pour atteindre une vitesse constante = 3 secondes. Cas 1: Durée nécessaire pour acquérir une image d'un seul dé en utilisant une lentille à champ de vision étendu avec le mode d'avance pas-à-pas de formation d'images (compatible avec la présente invention) Temps de déplacement 100 déplacements de la table: de la table = 100 secondes secondes Durée d'acquisition acquisition de de données: 16 x 1010 pixels = 1600 secondes Temps total requis: déplacement de la table + acquisi- tion = 1700 secondes Rendement (temps d'acquisition des données / temps total): 1600/1700=94% Cas 2: Durée d'acquisition d'une image d'un seul dé en utilisant une lentille à faible champ de vision, avec un déplacement de la table avec balayage continu (art antérieur) Temps de déplacement temps pour de la table: l'inversion de la direction de déplacement de la table & réaccé- lération 800 fois = 2400 secondes. Durée d'acquisition acquisition de de données: 16 x 1010 pixels = 1600 secondes Temps total requis: déplacement de la table + acquisi- tion = 4000 secondes Rendement (durée d'acquisition des données / temps total): 1600/4000=40% Exemple 2: Comme indiqué dans le tableau 1 donné ci-après, cet exemple suppose un champ de vision de 1 mm x 1 mm pour la lentille d'objectif à champ de vision étendu et une cadence d'acquisition de données de pixels de 40 MHz. La durée de déplacement et de stabilisation de la table est supposée, par précautions, être de 1 seconde (de façon typique une table d'avance pas-à-pas bien conçu se déplace et se stabilise en conduirait seulement à l'accroissement de 3 % du débit. Par conséquent le temps de déplacement de la table a une faible importance. Tableau 1 Dimension critique (CD) = 0,18 pLin Aucune précharge Pixels/CD = 4 Cadence de données = 4,00E+07Hz Taille de pixel = 0,045 pmn Moyenne = 2 Pixels/cm 222222 Temps/champ de vision secondaire = 0,05 s Pixels/cm2 49382716049 Temps du vecteur du faisceau 200 pm Temps total/champ de vision secondaire = 0,05 s Champ de vision (pour chaque Temps/champ de côté) = 1 mm vision = 24,8 s Champ de vision / cm2 = 100 Tableau 1 Dimension critique (CD) = 0,18 -Pn Aucune précharge Pixels/CD = 4 Cadence de données = 4,00E+07Hz Taille de pixel = 0,045 pin Moyenne = 2 Pixels/cm 222222 Temps/champ de vision secondaire = 0,05 s Pixels/cm2 49382716049 Temps du vecteur du faisceau 200 pim Temps total/champ de vision secondaire = 0,05 s Champ de vision (pour chaque Temps/champ de côté) = 1 mm vision = 24,8 s Champ de vision / cm2 = 100 Un système selon la présente invention pour la détection, basée sur un faisceau d'électrons, de défauts dans des pastilles structurées est représenté schématiquement sur la figure 6A et la figure 6B. La figure 6A représente la section de la colonne, de la table et de la chambre à vide du système. La figure 6B représente une architecture du système à niveau haut. En référence à la figure 6A, la colonne optique à faisceau d'électrons 600 possède une source d'électrons 602 telle qu'une source d'électrons à émission de champ thermique (TFE) du type utilisé dans la plupart des microscopes SEM modernes, par exemple comportant une cathode en zirconium-tungstène. La source d'électrons comprend un canon à électrons (non représenté) pompé directement par une pompe à ions 604. Le vide poussé dans le canon à électrons est séparé du reste de la colonne et de la chambre par une ouverture de pompage différentiel (non représentée), comme dans la plupart des microscopes électroniques à balayage (SEM) modernes. L'énergie d'impact du faisceau primaire est réglable, par exemple dans la gamme de 700 eV à 1,5 keV. Le courant du faisceau au niveau de l'échantillon est réglable, comme par exemple avec une lentille de condensation 606 et une ouverture de limitation du faisceau (non représentée) par exemple dans la gamme de -500 pA à 10 nA, ou même jusqu'à 25-50 nA dans une taille de spot (LCCM). La colonne opto-électronique 600 comprend une lentille d'objectif 616 possédant un champ de vision étendu, comme par exemple une lentille d'immersion à axe variable. La lentille d'objectif 616 peut être une lentille d'immersion à axe variable similaire à celle utilisée dans les systèmes de sondage à faisceau d'électrons ATE IDS 5000 et IDS 10000 de la société dite Schlumberger. Par exemple, la lentille est du type à immersion magnétique, dans laquelle l'échantillon est situé approximativement au point o le champ magnétique axial est maximum. Le champ d'une telle lentille agit en tant que "bouteille magnétique" et permet la collimation et la collecte efficaces d'électrons secondaires, sans qu'il soit nécessaire d'appliquer un champ intense de collecte électrostatique. Un champ de collecte électrostatique est indésirable étant donné qu'il peut entraîner une charge instable de surface et pour empêcher l'optimisation indépendante de la polarisation de la pastille, du potentiel d'extraction et du filtre d'énergie pour améliorer le contraste de tension. La lentille peut être équipée à la fois de bobines de pré- déviation et de déviation pour obtenir un champ de vision étendu (tel que 0,25 mm à 1,5 mm en travers) avec une haute résolution (comme par exemple 30-100 nm). Dans une forme de réalisation, un champ de vision de 0,25 1,5 mm en travers a été établi avec une résolution inférieure à 50 nm. Une forme de réalisation d'une lentille d'immersion à axe variable compatible avec la présente invention sera décrite plus loin en référence à la figure 8. Comme cela est représenté schématiquement sur la figure 6A, l'ensemble à lentille d'objectif est équipé d'un canon à électrons "dans la lentille" 618 et de l'électrode 620 de déviation du faisceau d'électrons, qui permet un multiplexage rapide entre un faisceau large d'électrons à courant intense pour la précharge de l'échantillon et de ses conducteurs, et un faisceau de formation d'image primaire à haute résolution pour former rapidement l'image de manière à interroger les états de charge des conducteurs de l'échantillon. On obtient une formation d'images rapide par exemple avec une cadence d'acquisition de pixels de 10 MHz à 100 MHz. Une forme de réalisation du canon à électrons est décrite dans les demandes de brevets US copendantes N de série 08/782740 déposée le 13 Janvier 1997 et N de série 09/012227 déposé le 23 Janvier 1998. Le canon d'immersion 618 en combinaison avec le plateau de support de pastille 608 comportant une polarisation 610 et une électrode d'extraction 612 ayant une polarisation 614 forment un module de commande de charge globale (GCCM). Des électrons secondaires et d'une manière générale d'autres particules secondaires sont produits au niveau de la surface de l'échantillon 622 au moyen d'un balayage de trame effectué par le faisceau primaire sur la surface. Ces électrons secondaires et d'autres particules secondaires sont collectés par le champ de la lentille, reviennent à travers le trou de la lentille et sont séparés du faisceau d'électrons primaire par un filtre de Wien 624. Un filtre de Wien possède des champs magnétique et électrique croisés. Des électrons secondaires sont alors détectés par un détecteur d'électrons 606, tel qu'une combinaison scintillateur - PMT, connu également en tant que détecteur Evahart-Thornley. D'autres combinaisons de détecteurs peuvent être également utilisées. Des dispositions sont avantageusement prévues pour protéger le détecteur d'électrons vis-à-vis d'un endommagement ou d'un vieillissement rapide à partir du courant intense d'élec- trons secondaires produit lorsque le faisceau d'électrons est utilisé. Le détecteur envoie un signal qui peut être utilisé pour former une image de la région balayée de l'échantillon. Dans la forme de réalisation de la figure 6A, les dispositions sont prises pour appliquer des tensions de polarisation indépendantes à l'électrode d'extraction 612 à partir de la source de polarisation 614 et au plateau de support de pastille 608 à partir d'une source de polarisation 610. La tension de polarisation appliquée au plateau de support de pastille 608 est effectivement appliquée également au substrat de la pastille 622. Ces tensions de polarisation peuvent être réglées de façon indépendante, sous la commande de l'ordinateur si on le désire, pour l'optimisation du contraste de tension en fonction du type de pastille dont l'image est formée en fonction du type de défaut devant être détecté. Comme cela est décrit de façon plus détaillée dans la demande de brevet US copendante N de série 08/892 734 déposée le Juin 1997, on peut faire fonctionner le système de manière à produire une tension de surface de l'échantillon positive ou négative. La polarisation de la pastille peut être également utilisée pour modifier de façon indépendante l'énergie lors de l'impact du faisceau au niveau de la surface de l'échantillon; ceci est souhaitable étant donné que certains échantillons pourvus de couches minces par exemple réalisées en un saliciure requièrent une faible énergie d'impact sans compromettre la résolution, de manière à empêcher une fuite de charge vers d'autres couches à partir du claquage produit par le faisceau. Dans la forme de réalisation de la figure 6A, le trou de lentille est pourvu d'une électrode de filtre planar 628, également désignée sous l'expression treillis de filtre d'énergie possédant une source de tension de polarisation 630. L'électrode 628 sert de spectromètre d'énergie d'électrons à champ de retardement comme dans les systèmes IDS 5000 & IDS 10000 de Schlumberger. Le filtre d'énergie peut être utilisé pour optimiser le contraste de tension pour certains types de pastilles par collecte d'électrons secondaires avec une gamme spécifiée d'énergies, par exemple la gamme allant de zéro à -15 eV. La forme de réalisation de la figure 6A inclut une table x-y 632, qui peut être une table se déplaçant à grande vitesse et est équipée pour traiter des pastilles ayant un diamètre atteignant jusqu'à 300 mm, en permettant l'inspection de l'ensemble de la surface supérieure de la pastille. La pastille est supportée par un plateau 608, comme par exemple un plateau de type électrostatique. D'une manière générale la table employée est appropriée pour être utilisée dans un environnement sous vide, est amagnétique pour réduire une déviation indésirable du faisceau, est compatible avec une salle blanche et présente une précision raisonnable. Il existe un compromis direct entre la précision de la table et le temps système du logiciel d'alignement de l'image. Pour un mode de fonctionnement "pas-à-pas avec formation d'images" selon la présente invention, l'objectif de performance clé est une avance pas- à-pas rapide et précise avec un bref temps de stabilisation après chaque étape / déplacement mécanique. La table doit pouvoir fonctionner à grande vitesse et réaliser une opération précise de balayage et d'avance pas- à-pas, pour permettre la détection de la gamme la plus large possible de défauts. Par exemple, la table peut posséder un temps de stabilisation pour une précision de positionnement en-deçà de -0,1 mm. Pour garantir une telle précision élevée de position de la table, le trajet mécanique entre la table 632 et la colonne opto-électronique 600 doit être suffisamment rigide. Dans une forme de réalisation, le toit 634 de la chambre à vide 636 est utilisé en tant que plaque de métrologie, formée par de l'aluminium d'une épaisseur de 5" et renforcée par un cadre externe en forme de H. La colonne opto- électronique 600 et la table de précision 632 peuvent être montées directement sur la plaque de métrologie pour réduire le déplacement relatif. Un interféromètre à laser (non représenté) peut être utilisé pour fournir une réaction de position précise à des dispositifs de commande du moteur de la table (non représentés). Des erreurs plus fines de position, également détectées par l'interféromètre, sont aisément corrigées au moyen de faibles déviations du faisceau d'électrons. Dans la forme de réalisation de la figure 6A, la chambre à vide 636 est pompée directement par une turbopom- pe 638 et par une pompe de refoulement sans huile (non représentée). Comme cela est représenté, la chambre à vide 636 est montée sur une plate-forme active 636 réalisant une isolation vis-à-vis des vibrations, qui annule les vibrations de l'environnement et également supprime de façon prédictive un déplacement dû à une accélération rapide et à une décélération rapide de la table mécanique 632. Un sous-système 642 de blocage de charge de la pastille est inclus de manière à réduire la durée de changement de pastille et permettre à la chambre à vide principale de rester à un vide poussé, comme par exemple lE-800 Pa pendant de longues périodes. Le maintien du vide réduit également la pollution de la pastille par des hydrocarbures. Le sous-système 642 formant sas de chargement de pastilles comprend des robots de manipulation de la pastille servant à charger et décharger automatiquement les pastilles. Par exemple un premier robot déplace les pastilles depuis une cassette à pastilles 644 pour les amener dans une chambre formant sas de chargement. Par exemple un premier robot déplace des pastilles depuis une cassette à pastilles 644 dans une chambre formant sas de chargement. Une fois que le sas de chargement est vidé, le robot fonctionnant dans l'environnement sous vide de la chambre à vide place la pastille sur le plateau 608 de la table de précision 632. La chambre formant sas de chargement est conçue avantageusement de manière à recevoir plusieurs pastilles pour faciliter le fonctionnement en mode pipeline et charger et décharger simultanément les pastilles. Le sous-système 642 formant sas de chargement de pastilles peut également inclure avantageusement un dispositif de préalignement optique des pastilles pour obtenir un degré de précision d'alignement des pastilles par rapport à la table 632. Des éléments optiques additionnels peuvent être prévus pour aligner de façon plus précise la pastille sur la table de précision, comme par exemple un système de préalignement optique 646 possédant un microscope optique et une caméra vidéo CCD pour délivrer des images optiques à unsystème de mise en correspondance de configurations. Le système de mise en correspondance de configurations peut prendre la forme d'un logiciel approprié, fourni par la société Cognex ou une autre société commerciale, et fonctionnant avec un processeur pour déterminer la position actuelle de la pastille par rapport à l'étage de précision. Un alignement utilisant des images de faisceau d'électrons est quelquefois possible, bien que pour certaines couches formées lors d'un processus de fabrication de semiconducteurs, des marques de référence sur la pastille et sur le dé peuvent apparaître dans le cas d'un faible contraste dans l'image formée par le faisceau d'électrons. * Ceci peut rendre peu fiable un alignement basé sur l'image fournie par un faisceau d'électrons. Des microscopes optiques peuvent voir à travers des couches isolantes telles que du SiO2, du Si3N4 et établir un alignement plus fiable. En référence à la figure 6B, le traitement de données pour l'alignement d'images et la comparaison d'images est exécuté dans un sous-système de traitement d'images 648, comme par exemple un ordinateur à réseau de microprocesseurs commercialisé par la société dite Mercury Computer Systems de Chelmsford, Massachusetts. Le sous- système de traitement d'images 648 inclut des panneaux d'entrée et de sortie vidéo, un réseau de processeurs, une mémoire à accès direct et une mémoire à disque étendue. Par exemple, le sous-système de traitement d'images 648 peut comporter un réseau de 32 processeurs PC puissants de 300 MHz, une mémoire RAM de 4 gigaoctets et une mémoire à disque de -200 gigaoctets pour la mémorisation d'images de référence et de données de défauts. Le sous-système de traitement d'images 648 peut être programmé de manière à exécuter une gamme d'algorithmes de traitement d'images incluant, sans qu'il n'y ait là aucune limitation: une comparaison cellule-à-cellule pour des mémoires, une comparaison dé-à-dé ou une comparaison d'un dé à une référence pour une logique aléatoire, et une comparaison basée sur des caractéristiques, en ce qui concerne des contacts et d'autres couches. La comparaison basée sur des caractéristiques est décrite de façon plus détaillée par exemple dans la demande de brevet US copendante déposée à la même date que la présente demande. Un système de détection de défauts 650 tel que représenté sur la figure 6B comprend un ordinateur de commande 652, comme par exemple un ordinateur personnel possédant un dispositif d'affichage 654 et un processeur Pentium faisant fonctionner le système de fonctionnement connu sous le sigle Windows NT et un logiciel de commande du système (non représenté). Le système de détection de défauts 650 inclut également un système électronique de commande 656 placé sous la commande d'un ordinateur 652 pour délivrer des signaux devant faire fonctionner les éléments du système décrit. Le système de détection de défauts 650 inclut avantageusement une interface d'utilisateur graphique à niveaux multiples, facile à utiliser (non représentée) pour faciliter l'utilisation par des opérateurs dans un environnement d'usine automatisée sur la base de modalités de détection de défauts prédéfinies et mémorisées, ainsi que par des ingénieurs, qui possèdent de façon typique un niveau d'habileté supérieur, dans un environnement de laboratoire ou de développement de processus. Le logiciel peut être prévu pour des fonctions telles que la commande du système, le traitement d'images, l'établissement automatique du faisceau, l'alignement du faisceau, la mise au point automatique et la correction automatique d'un stigmatisme. Le système électronique de commande 656 comprend par exemple une pompe à ions et un dispositif 658 de commande du canon TFE, un séquenceur à vide 660, un contrôleur 662 d'un robot pneumatique, un contrôleur 664 d'un robot à dépression, un contrôleur 666 de sas de chargement, un contrôleur de turbopompe 668 et un contrôleur 670 d'une pompe à prévidage (pompe d'assis- tance). Dans la forme de réalisation de la figure 6B, le sous-système 648 de traitement d'images fait partie du système électronique 672 de traitement de captage d'images, qui inclut également un contrôleur 674 de la colonne opto- électronique, un numériseur vidéo 676, un contrôleur 678 de la table mécanique, un contrôleur 680 de l'interféromètre pour délivrer une réaction de position de la table mécanique, un étage de sortie vidéo 682 servant à délivrer un signal d'image à l'ordinateur de commande 652 pour l'affichage, et un ordinateur de commande en temps réel 684 possédant un système de fonctionnement en temps réel comme par exemple le système désigné par VxWorks ou analogue. Le signal délivré par le détecteur d'électrons 626 (figure 6A) est envoyé à un amplificateur vidéo à faible bruit 686, qui peut comporter une capacité de délivrance de signaux d'autofocalisation et qui transfère le signal du détecteur d'électrons au numériseur vidéo 676. Comme cela est décrit dans E. MUNRO, Design and optimization of magnetic lenses and deflection systems for electron beams, J. VAC. SCI. TECHNOL., Vol. 12, N 6, Novembre/Décembre 1975, pp. 1146-1150, l'agencement permet une déviation du faisceau pour un balayage de trames, tout en fournissant un champ de vision étendu. Des types de solutions possibles peuvent être classés en les types suivants: (1) simple déviation en aval de la lentille, (2) déflecteur double en amont de la lentille, (3) déviation simple dans la lentille, (4) déviation simple dans la lentille, et (5) déviation double dans la lentille. Un élément essentiel, c'est que le faisceau passe par le centre de la lentille de manière que les aberrations de décalage d'axe soient réduites au minimum. Cette exigence impose des limitations à la taille du champ de vision pouvant être obtenu, si la résolution ne doit pas être fortement limitées. Pour supprimer cette restriction, des techniques telles que la lentille à axe variable (VAL), décrite dans H. PFEIFFER et al. Advanced deflection concept for large area, high resolution e-beam lithography, J. VAC. SCI. TECH., 19(4), Novembre/Décembre 1981, pp. 1058-1063, movable objective lens (MOL), décrit dans E. GOTO et al., MOL (moving objective lens): Formulation of deflective aberration free system, OPTIK 48 (1977) N 3, pp. 255-270, et d'autres variantes décrites dans M. THOMSON, The electrostatic moving objective lens and optimized deflection systems for microcolumns, J. VAC. SCI. TECH. B 14(6), Novembre/décembre 1996, pp. 3802-3807, utilisent au moins un ensemble de déflecteurs préalables servant à diriger le faisceau avec un centre décalé, puis mettent en oeuvre un moyen pour compenser les effets du déplacement du faisceau à centre décalé, par exemple un déplacement dynamique de la position effective de la lentille. Lorsque le faisceau est éloigné de l'axe central de la lentille, il est soumis à une force de répulsion intense provoquée par le champ de la lentille. Cette force tend à faire dévier le faisceau en le ramenant en direction du centre de la lentille. C'est la raison fondamentale pour laquelle la lentille peut réaliser une focalisation. Cette force de déviation non seulement rend extrêmement faible la zone de trame, mais introduit également de graves aberrations; par exemple des aberrations chromatiques transversales, la coma, l'astigmatisme, etc. pour un fonctionnement à décalage par rapport à l'axe. La compensation de la correction de ces aberrations est la clé pour la conception d'une lentille à champ de vision étendu et est mise en oeuvre au moyen de la mise en place d'un second ensemble de déflecteurs à proximité de la lentille. Ces déflecteurs produisent un champ permettant de décaler ou d'équilibrer le champ de déviation de la lentille. La lentille se comporte comme si son centre optique se déplaçait même si l'adresse est fixe du point de vue mécanique (physique). La correction de l'aberration de décalage par rapport à l'axe réalisée de cette manière permet une mise en oeuvre pratique d'un champ de vision étendu sans qu'il se produise une perte de résolution due à une aberration importante due au décalage par rapport à l'axe. Les figures 7A et 7B illustrent le principe d'une lentille d'objectif mobile. La lentille 710 est représentée schématiquement sur la figure 7A comme comportant un seul ensemble de bobines de déviation 715, apte à focaliser le faisceau 720 sur la surface d'un échantillon 725. La position "effective" de la lentille est indiquée par la ligne ovale formée de tirets 730. Des aberrations se produisent lorsque le faisceau est dévié par rapport à l'axe par des bobines de déviation 715. La lentille 750 représentée schématiquement sur la figure 7B comporte un ensemble de bobines de déviation 755 ainsi qu'un ensemble de bobines de prédéviation 760. Etant donné que le faisceau 765 est préalablement dévié par des bobines 755, la position "effective" de la lentille peut être décalée comme indiqué par la ligne ovale formée de tirets 770. La lentille de la figure 7B se comporte comme si son centre optique était déplacé, ce qui réduit l'aberration de décalage par rapport à l'axe et produit une résolution sensiblement constante dans un champ de vision étendu de l'échantillon 775. Une forme de réalisation possible d'une colonne optoélectronique 800 comprenant une lentille d'objectif à champ de vision étendu, selon l'invention est représentée sous la forme d'une vue en coupe transversale sur la figure 8. La lentille d'objectif présentant un champ de vision étendu est similaire à celle utilisée dans le système de sondage à faisceau d'électrons IDS 5000 de la société dite Schlumberger. Bien qu'un seul ensemble de bobines de déviation ait été utilisé ou requis pour le système IDS 5000, le type de lentille de la figure 8 comprend deux ensembles de bobines quelquefois désignées comme étant des bobines en forme de selles; des bobines de prédéviation 805 pour écarter le faisceau de l'axe optique de la lentille d'objectif, et des bobines de déviation 810 produisant un champ permettant d'optimiser le champ transversal de la lentille, qui correspond à la force de déviation de la lentille décrite précédemment, de sorte que les aberrations de décalage d'axe sont réduites. Etant donné que la direction et l'amplitude de ce champ transversal sont proportionnelles à l'emplacement du faisceau par rapport au centre de la lentille, le champ produit par le 2-ème déflecteur doit être réglé de façon correspondante pour équilibrer approximativement le champ produit par le 1-er déflecteur, tout en réduisant la ou les aberrations totales, comme c'est la norme dans l'agencement de n'importe quelle lentille. En fonctionnement, les 1-er et 2-ème déflecteurs sont soumis à un balayage de trame en tandem pour la production d'images. L'équilibre entre les deux champs vectoriels peut être réalisé moyennant l'utilisation d'un rapport fixe d'enroulements et d'un angle de rotation fixe entre les 1-ère et 2-ème bobines de déviation. Sinon, l'équilibre peut être obtenu par réglage électronique du retour d'excitation et de l'angle de rotation entre les deux déflecteurs. Un module de simulation de système optique à particules chargées disponible dans le commerce délivré par MEBS Software, Cornwall Gardens, Londres, Royaume-Uni a été utilisé avec succès pour simuler et optimiser un tel type de lentille. La forme de réalisation de la figure 8 comporte en outre des bobines de correction d'alignement et d'astigmatisme 815. Le faisceau primaire est représenté en 820. La colonne optoélectronique 800 produit un faisceau fournissant une taille de spot de par exemple vision de 1 mm. Dans la forme de réalisation représentée sur la figure 8, aucune tentative n'est faite pour corriger l'angle d'incidence non vertical du faisceau, contrairement à des machines de lithographie utilisant un faisceau d'électrons. Un but principal et de rendre maximum le champ de vision utilisable pour réduire l'effet d'une durée de déplacement de la table sur le temps système lors de l'acquisition d'images à partir de différentes régions d'un échantillon. L'acceptation d'un angle d'impact vertical simplifie la conception étant donné qu'on n'utilise aucune lentille de collimation (c'est-à-dire non télécentrique) et qu'on utilise uniquement un seul déflecteur de prédéviation (c'est-à-dire que le faisceau n'est pas parallèle à l'axe de la lentille). L'angle d'impact du faisceau peut atteindre jusqu'à 15 degrés par rapport à la normale, ce qui est admissible actuellement pour des applications d'inspection de pastilles. On peut également corriger n'importe quelle légère variation du contraste au moyen de la normalisation de l'image moyennant l'utilisation de sous-programmes standards de traitement d'images. Un rendement élevé de collecte est la clé de cette application étant donné qu'en définitive le débit de sortie est limité par le bruit de grenaille et le temps moyen du signal / de l'image. Un rendement réduit de collecte produit un débit de sortie proportionnellement plus lent. On peut trouver de plus amples détails dans la demande de brevet US déposée conjointement avec la présente demande (dossier d'avocat 65. 0289), dont le contenu a été incorporé ici par référence. Traitement de l'image et alignement de l'image: Une fois que les images ont été acquises, on effectue l'alignement et la comparaison des images pour détecter des défauts. Chaque image est, de façon typique, alignée pour l'exécution d'une correction de défauts d'alignement en raison d'erreurs résiduelles de la table. Une fois que les images ont été alignées, on peut les différencier d'un certain nombre de manières: - soustraction pixel-à-pixel classique, lors de laquelle chaque pixel d'une image est soustrait du pixel correspondant d'une image de référence. L'image différentielle résultante montre alors tous les défauts réels (différences entre les images) ainsi que l'infor- mation de nuisance provoquée par des différences infimes, mais réelles, entre les images et qui ne sont pas des défauts préjudiciables. Des techniques de traitement d'images comme par exemple érosion des caractéristiques (dilatation et expansion) peuvent être utilisées pour réduire ou supprimer celles des défauts nuisibles, qui sont inférieurs à une taille sélectionnée; - comparaison basée sur des caractéristiques, lors de laquelle des images sont segmentées en blocs ou caractéristiques individuelles pour une comparaison sur une base caractéristique-par-caractéristique, comme cela est décrit dans la demande de brevet US copendante déposée à la même date que la présente demande (dossier d'avocat 65.0288). Une comparaison basée sur des caractéristiques présente une grande valeur lorsque les défauts de bruit attendus et les défauts réels ont des dimensions comparables, comme par exemple avec des contacts et des trous traversants. Elle présente également l'avantage de permettre la formation d'une moyenne spatiale pour réduire le bruit de grenaille à une valeur inférieure à ce qui est obtenu au moyen d'une formation de la moyenne d'images dans le temps. Un avantage est que des différences de contraste de tension plus fines peuvent être différenciées de façon fiable sans accroître le taux de défauts nuisibles. Des procédés et dispositifs de détection de défauts conformes à la présente invention peuvent fournir certains avantages de mise en oeuvre: Réduction du temps de fonctionnement de la table moyennant le maintien d'une souplesse pour l'échantil- lonnage de petites parties d'une pastille sans compromettre le débit de sortie du système. - Suppression de la nécessité d'utiliser une table de balayage coûteuse, en permettant la mise en oeuvre avec une table de faible précision, d'un coût relativement faible, étant donné que l'alignement lors du traitement de l'image peut être utilisé pour éviter la nécessité d'utiliser des codeurs de table précis. - Utilisation d'un champ de vision secondaire pour éviter la nécessité d'une mise au point dynamique et d'une correction d'astigmatisme à la volée en utilisant le champ de vision total d'une lentille à champ de vision étendu. Avec la solution du champ de vision secondaire décrit, on peut régler pour chaque champ de vision secondaire, une simple table de consultation de paramètres de fonctionnement de la lentille. - On peut utiliser des champs de vision secondaires prédéfinis avec une table de consultation statique pour éviter une correction d'alignement dynamique, avec interpolation comme cela s'avère approprié entre des points situés dans la table de consultation précaracté- risée. Cette solution peut être utilisée pour compenser des erreurs d'alignement mécanique entre les deux éléments de déviation. - On évite une correction de rotation dynamique, d'une manière similaire. - Système élégant, relativement simple pouvant être mis en oeuvre avec un coût plus faible qu'un système classique d'inspection de pastilles utilisant un faisceau d'élec- trons, tel que le système SEMSpec. Les spécialistes de la technique constateront qu'une variété de séquences opérationnelles conformes à l'invention sont possibles. On va en donner ci-après quel- ques exemples: 1. Avance pas-à-pas et formation de l'image sans aucun flux d'électrons de précharge et sans images multiples pour chaque position de la table. - Chargement de la pastille, formation de vide par pompage, alignement de la pastille, alignement du dé, - Réglage des paramètres de formation d'images, du foyer, de l'astigmatisme, de la zone dont l'image doit être formée. - REPETITION: - acquisition & mémorisation de l'image - SI une image de référence est disponible (ceci peut être exécuté alors que la table se déplace) alignement de l'image acquise et de l'image de référence (pour corriger une imprécision de la table) - comparaison/détermination de différence entre l'image acquise et l'image de référence - signalisation de différences / de défauts. - déplacement jusqu'à la position adjacente suivante, - attendre la stabilisation de la table - JUSQU'A CE QUE la zone dont l'image doit être formée soit complète, - indication ou affichage de défauts (par exemple chez KLA format de carte de la pastille) 2. Avance pas-à-pas et formation de l'image avec une lentille d'objectif à champ de vision étendu (On suppose que des images de référence ont déjà été acquises pendant la même procédure ou pendant une procédure similaire). - Chargement de la pastille, établissement du vide par pompage, alignement de la pastille (optique et/ou faisceau d'électrons), alignement du dé (également optique ou faisceau d'électrons) - Réglage des paramètres de formation d'images, de l'énergie, du courant, du foyer, de l'astigmatisme, de la zone dont l'image doit être formée, de la pastille, de polarisations d'extraction et de filtre, de l'algorithme de traitement d'images (de façon typique tous ces éléments étant mémorisés dans une base de données de types de pastilles) - REPETITION (acquisition de toutes les images pour la ou les zones demandées par l'utilisateur) - REPETITION (acquisition de toutes les images pour une seule position de la table avec une lentille d'objectif à champ de vision étendu) - déviation du faisceau vers le champ de vision secondaire - réglage/ajustement de paramètres de formation d'images (foyer, stigmatisme, décalage XY - à partir d'une table de consultation prédéter- minée...) - (facultativement) précharge avec un canon à électrons (utilisant le multiplexage 1) - acquisition & mémorisation d'une image de champ de vision secondaire (par exemple 1000 pixels x 1000 pixels) - SI une image de référence est disponible (idéalement en parallèle avec l'installation et l'acquisition de l'image suivante) - alignement de l'image acquise & de l'image de référence (voir la remarque concernant l'alignement plus loin) - comparaison/formation de la différence entre l'image acquise et l'image de référence, - indication de différences/défauts - JUSQU'A CE QUE toutes les images de champs de vision secondaires pour cette position de la table soient acquises, - déplacement jusqu'à la position adjacente suivante de la table XY OU jusqu'au dé suivant SI le dé actuel est terminé, - attendre la stabilisation de la table - JUSQU'A CE QUE la zone dont l'image doit être formée soit complète, - signalisation ou affichage de défauts (par exemple dans KLA ceci fournit un format de cartes de pastilles de défauts en fichiers). Remarque concernant l'avance pas-à-pas et l'alignement de : l'image: 2-3 pixels utilisant une convolution ou d'autres algorithmes - pour corriger l'imprécision de la table. La répétabilité du positionnement ou de l'alignement de la lentille à champ de vision étendu est susceptible d'être élevée et par conséquent cette étape d'alignement peut être nécessaire uniquement sur quelques-unes des quelques centaines d'images de champs de vision secondaires acquises pour chaque position de la table mécanique. Le décalage d'alignement par rapport à des images voisines est dans de nombreux cas suffisants pour l'alignement. Une solution typique ou similaire pourrait consister à aligner seulement les première et dernière images d'un ensemble d'images de champs de vision secondaires et d'effectuer une interpolation entre ces décalages d'alignement pour toutes les autres images dans l'ensemble de champs de vision secondaires. Dans une forme de réalisation, l'ensemble du champ de vision plus étendu (c'est-à-dire supérieure à mm en travers, avec une résolution sensiblement uniforme dans le champ de vision) peut être acquis sous la forme d'une seule image par application d'une correction dynamique d'astigmatisme et de mise au point comme cela est usuel dans des systèmes de lithographie utilisant un faisceau d'électrons. Bien que ceci soit une réalisation plus complexe que la forme de réalisation de formation d'images de champs de vision secondaires, néanmoins cela permet d'éliminer le problème du temps de fonctionnement associé à la table. Bien que des expériences faites jusqu'à cette date suggèrent que la détection de défauts basée sur le contraste de tension est un mode valable de fonctionnement, certains défauts dans certaines couches d'une pastille à couches multiples ne peuvent être détectés qu'avec le système classique de formation d'images du type à microsco- pie SEM; ces défauts incluent des défauts de structure, comme par exemple une configuration supplémentaire ou manquante, qui n'entraînent l'apparition ni d'un circuit ouvert, ni d'un court-circuit ni ne modifient l'état de contraste de tension des caractéristiques associées. C'est une faible différence dans le fonctionnement du système lorsque l'on observe ces défauts, hormis que les paramètres de polarisation de pastilles et de commande d'extraction ne sont plus réglés de manière à rendre maximum le signal basé sur le contraste de tension. Au lieu de cela, les polarisations sont réglées sur zéro ou sont réglées pour rendre maximum le contraste topographique. En outre, des défauts de configuration peuvent être nettement plus petits que la dimension critique minimale de la taille caractéristique des circuits, et une amplitude plus élevée (un plus grand nombre de pixels par micromètre) peut être requise pour un fonctionnement fiable. Les réglages réels varient en fonction du matériau et de la couche inspectée. Dans une forme de réalisation simple corres- pondant à l'invention, il n'est pas nécessaire d'utiliser un faisceau d'électrons. La précharge de l'échantillon par immersion de la pastille par une flux d'électrons présente les avantages de nécessiter une durée plus faible du faisceau pour obtenir une image présentant un bon contraste de tension, et un contraste plus uniforme di à une distribution de charges plus uniforme dans la zone dont l'image est formée, ainsi que dans la zone alentour. Une charge non uniforme dans la zone entourant la zone dans laquelle une image doit être formée peut conduire à des variations du contraste en travers du champ de vision et à un nombre accru d'erreurs et de défauts nuisibles. Dans un système équipé d'un canon à immersion, un mode simple de fonctionnement consiste à précharger chaque champ de vision secondaire avec le faisceau d'électrons, avant l'acquisition d'une image de ce champ de vision secondaire avec le faisceau focalisé. Ceci permet une économie de temps due à une charge plus rapide que cela est possible avec le faisceau focalisé, mais présente l'inconvénient d'introduire un temps système de multiplexage du faisceau d'électrons allant de dizaines à des centaines de microsecondes par champ de vision secondaire. Si des courants de fuite dans la pastille, qui est contrôlée, sont relativement faibles par rapport à la possibilité de formation de l'image des caractéristiques, l'application d'un flux d'électrons à de multiples champs de vision secondaires permet de réduire le temps-système pour chaque champ de vision secondaire. Des pastilles typiques inspec- tées avaient une constante de temps de décharge allant de plusieurs dizaines de millisecondes à quelques secondes. La cadence d'images typique est de 10 ms à 100 ms par image complète, de sorte qu'une application d'un flux d'électrons de précharge de quelques champs de vision secondaires est un moyen pratique de réduire le temps utilisé pour le multiplexage. Pour des caractéristiques étendues telles que des plots de connexion et des plans d'alimentation en énergie, qui sont de façon typique situés sur les couches métalliques les plus élevées, une application d'un flux d'électrons de précharge dans l'ensemble du champ de vision est possible. La forme de réalisation à canon d'électrons décrite peut fournir une taille de spot du flux d'électrons de l'ordre de 100 mm transversalement et ainsi le faisceau d'immersion doit exécuter un balayage de trame pour couvrir l'ensemble du champ de vision de la lentille d'objectif à champ de vision étendu, qui peut être d'une taille de N1 mm transversalement. Un facteur limitatif de la vitesse de n'importe quel système de détection basé sur un faisceau d'électrons est la quantité de courant du faisceau délivrée à l'échan- tillon en supposant que le signal vidéo est traité parfaitement, que les algorithmes de traitement d'images sont complètement optimisés et que l'on applique le meilleur plan d'étalonnage. On a ainsi donné la description d'une forme de réalisation à une seule colonne selon l'invention. Pour des pastilles étendues (par exemple les pastilles d'un diamètre de 200 mm et de 300 mm), deux ou quatre colonnes ou plus peuvent être montées conjointement dans le système et être utilisées en parallèle pour accroître le taux de couverture de surface global du système. Chaque colonne est utilisée dans le mode d'activa- tion pas-à-pas et de formation d'images pour former l'image de champs de vision secondaires. Chaque colonne peut avoir son propre ensemble de système électronique de support et de matériel de traitement de l'image. Bien qu'il soit plus coûteux qu'un système à une seule colonne, on s'attend à ce que le système à colonnes multiples soit moins coûteux que de multiples systèmes à une seule colonne étant donné que la table mécanique, la chambre à vide, le robot, l'ordina- teur d'interface d'utilisateur etc. sont utilisés en commun. La figure 9 représente une vue en plan schématique d'un système de détection de défauts conforme à l'invention, comportant deux colonnes associées pour former simultanément l'image de multiples régions d'une pastille. Les colonnes 900 et 905 sont représentées par rapport à une pastille 910 montée sur une plaque de support de pastilles 915, sur une table 920 déplaçable suivant x et sur une table 925 déplaçable suivant y. La figure 10 représente une vue en plan schématique d'un système de détection de défauts conforme à l'invention, comportant quatre colonnes associées pour former simultanément l'image de régions multiples d'une pastille. Les colonnes 1000, 1005, 1010 et 1015 sont représentées par rapport à une pastille 1020 montée sur une plaque de support de pastilles 1025, sur une table 1030 déplaçable suivant x et sur une table 1035 déplaçable suivant y. La figure 11 représente une vue en plan schématique d'un système de détection de défauts, conforme à l'invention et comportant neuf colonnes associées pour former simultanément l'image de multiples régions d'une pastille. Des colonnes 1100, 1105, 1110, 1115, 1120, 1125, 1130, 1135 et 1140 sont représentées par rapport à une pastille 1145 montée sur un plateau de support de pastilles 1150 sur une table 1155 déplaçable suivant x et sur une table 1160 déplaçable suivant y. La figure 12 représente une vue schématique d'un système de détection de défaut 1200 compatible avec l'invention, qui comporte deux colonnes associées pour former simultanément l'image de régions multiples d'une pastille. Une première colonne 1205 possède une pompe à ions 1210 à canon, un canon à électrons 1215, un détecteur 1220 et une lentille d'objectif 1225 à champ de vision étendu. Un système électronique de commande 1230 et un système électronique de captage et de traitement d'image 1235 prévu pour la colonne 1205, par l'intermédiaire d'un bus 1240 avec un ordinateur de commande 1245 possédant un dispositif d'affichage 1250. De façon analogue, une seconde colonne 1255 comporte une pompe à ions à canon, un canon à ions, un détecteur et une lentille d'objectif à champ de vision étendu. Pour la colonne 1255, un système électronique de commande 1260 et un système électronique de captage et de traitement d'image 1265 sont en communication par l'intermédiaire d'un bus 1240 avec l'ordinateur de commande 1245. Les colonnes 1205 et 1255 peuvent être actionnées simultanément pour former l'image de régions d'une pastille 1270 portée par un plateau de support de pastilles 1275 sur une table X-Y 280 dans une chambre à vide 1285. Le système est également équipé d'une turbo- pompe 1288 servant à créer le vide dans la chambre 1285, d'une plateforme active 1290 d'isolation vis-à-vis des vibrations, d'un équipement 1292 de manipulation de pastilles (y compris un sas de chargement à vide et des robots de manipulation de pastilles) et une cassette à pastilles 1295. La description donnée précédemment concerne un système de formation d'images utilisant un faisceau d'élec- trons, bien qu'un système selon l'invention puisse, sinon, utiliser un faisceau d'ions tel qu'un faisceau d'ions hydrogène et un autre faisceau d'ions qui ne sont pas des ions de gallium. L'expression "faisceau de particules chargées" est censée inclure un faisceau d'électrons ainsi qu'un faisceau d'ions autre qu'un faisceau d'ions de gallium. Les spécialistes de la technique constateront que l'on peut apporter ces modifications et d'autres modifications à l'invention, sans sortir du cadre de cette dernière. REVENDICATIONS 1. Procédé pour détecter des défauts dans un substrat structuré, comprenant: 1. le positionnement d'une colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport à un substrat structuré, la colonne optique de particules chargées possédant un champ de vision dans lequel existe une résolution sensiblement uniforme; 2. faire fonctionner la colonne optique du faisceau de particules chargées pour acquérir des images concernant de multiples zones secondaires d'une région du substrat structuré située à l'intérieur du champ de vision, par balayage du substrat structuré, par le faisceau de particules chargées, tout en maintenant la colonne optique du faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et 3. comparer les images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structure. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la colonne à faisceau de particules chargées inclut une source de faisceau d'électrons. 3. Procédé selon la revendication 2, selon lequel la source de faisceau d'électrons comprend une cathode à émission de champ thermique. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la source de faisceau d'électrons comprend une cathode au zirconium-tungstène. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes consistant à faire fonctionner une table mécanique pour modifier la position de la colonne optique du faisceau de particules chargées par rapport au substrat structuré, et à répéter les étapes 1., 2. et 3. pour acquérir des images à partir d'une autre région du substrat structuré. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre le contrôle de la position de la table mécanique avec un interféromètre à laser. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de fonctionnement de la colonne optique du faisceau de particules chargées pour acquérir des images comprend l'acquisition d'images à contraste de tension. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre l'étape consistant en outre à appliquer les particules chargées pour précharger le substrat structuré avant de faire fonctionner la colonne optique à faisceau de particules chargées pour acquérir des images. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape d'actionnement de la colonne optique à faisceau de particules chargées pour acquérir des images comprend l'acquisition d'images topographiques, et que l'étape de comparaison consiste à comparer les images acquises à une référence pour identifier des dépôt topographiques dans le substrat structuré. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'image de référence comprend une image d'une partie du substrat structuré. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'image de référence comprend une image de référence mémorisée. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'image de référence comprend une image produite à partir d'une base de données de conception assistée par ordinateur (CAO). 13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la comparaison des images actives comprend la comparaison de caractéristiques des images acquises à des caractéristiques d'une image de référence pour identifier des défauts dans le substrat structure. 14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les images acquises sont constituées de pixels et que la référence est une image de référence constituée de pixels, et que la comparaison des images acquises consiste à comparer les images acquises à l'image de référence, pixel-par-pixel. 15. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre l'étape consistant à appliquer un faisceau d'électrons à un substrat structuré avant de faire fonctionner la colonne optique à faisceau de particules chargées pour acquérir des images. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes consistant à appliquer un faisceau d'électrons à une région secondaire du champ de vision. 17. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la colonne optique du faisceau de particules chargées comprend une lentille d'immersion à axe variable présentant un champ de vision dans lequel existe une résolution sensiblement uniforme. 18. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la colonne optique du faisceau de particules chargées comprend un détecteur de particules chargées situé dans la lentille pour collecter et détecter des particules chargées d'une manière sensiblement uniforme dans le champ de vision. 19. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: le positionnement d'une seconde colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport au substrat structuré, la seconde colonne à faisceau de particules chargées possédant une résolution essentiellement uniforme dans le champ de vision; le fonctionnement de la colonne optique de la seconde particule à faisceau de particules chargées pour acquérir des secondes images dans de multiples zones secondaires d'une région du substrat structuré située dans le champ de vision, par balayage du substrat structuré par le second faisceau de particules chargées tout en maintenant la colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport au substrat structuré; et la comparaison des secondes images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré. 20. Procédé pour détecter des défauts dans un substrat structuré, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consitant à: 1. positionner une colonne optique à faisceau de particules chargées sur un substrat structuré, la colonne optique à faisceau de particules chargées possédant un champ de vision supérieur à 100 micromètres avec une résolution sensiblement uniforme dans le champ de vision; 2. faire fonctionner la colonne optique du faisceau à particules chargées pour acquérir une image essentiellement de l'ensemble du champ de vision par balayage du substrat structuré par un faisceau de particules chargées tout en maintenant la colonne optique à faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et 3. comparer l'image acquise à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré. 21. Dispositif pour détecter des défauts dans un substrat structuré, caractérisé en ce qu'il comporte: 1. une table mécanique (634) pour positionner une colonne optique à faisceau de particules chargées (600; 800;901) par rapport à un substrat structuré (500,622), 2. une colonne optique à faisceau de particules chargées (600;800) comportant un champ de vision dans lequel la résolution est sensiblement uniforme, la colonne optique à faisceau de particules chargées pouvant fonctionner de manière à acquérir des images par rapport à de multiples zones secondaires d'une région du substrat structuré (500;622) située dans le champ de vision par balayage du substrat structuré par le faisceau de particules chargées, alors que la table mécanique (634) maintient la colonne optique à faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et 3. au moins un processeur (1245) pouvant agir de manière à comparer les images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré. 22. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que la colonne à faisceau de particules chargées (600) inclut une source de faisceau d'électrons. 23. Dispositif selon la revendication 22, caractérisé en ce que la source de faisceau d'électrons inclut une cathode à émission de champ thermique. 24. Dispositif selon la revendication 22, caractérisé en ce que la source de faisceau d'électrons inclut une cathode au zirconium-tungstène. 25. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que la table mécanique peut agir de manière à repositionner la colonne optique à faisceau de particules chargées par rapport au substrat structuré, de sorte que des images peuvent être acquises à partir d'une autre région du substrat structuré. 26. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un interféromètre à laser pouvant agir de manière à contrôler la position de la table mécanique. 27. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que la colonne optique à faisceau de particules chargées (600;800;901) peut agir de manière à acquérir des images, y compris des images à contraste de tension. 28. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une source de particules chargées pouvant agir de manière à précharger le substrat structuré (500;622) avant le fonctionnement de la colonne optique à faisceau de particules chargées (600;800) pour l'acquisition d'images. 29. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que la colonne optique à faisceau de particules chargées (600;800) peut agir de manière à acquérir des images, y compris des images topographiques, et que le processeur (1245) peut agir de manière à comparer les images acquises à une référence pour identifier des défauts topographiques dans le substrat structuré (500). 30. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'image de référence comprend une image d'une partie du substrat structuré. 31. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'image de référence comprend une image de référence mémorisée. 32. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'image de référence comprend une image produite à partir d'une base de données à conception assistée par ordinateur (CAO). 33. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que le processeur (1245) peut agir de manière à comparer des caractéristiques des images acquises à des caractéristiques d'une image de référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré (500;622;1145). 34. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que la référence est une image de référence constituée de pixels et que le processeur (1245) peut agir de manière à comparer les images acquises à l'image de référence, pixel-par-pixel. 35. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une source de faisceau d'électrons apte à appliquer un faisceau d'électrons au substrat structuré avant l'acquisition d'images avec la colonne optique à faisceau de particules chargées. 36. Dispositif selon la revendication 35, caractérisé en ce que la source de faisceau d'électrons peut agir de manière à appliquer le faisceau d'électrons à une région secondaire de champ de vision. 37. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que la colonne optique à faisceau de particules chargées (600;800) comprend une lentille d'immersion à axe variable possédant un champ de vision dans lequel la résolution est sensiblement uniforme. 38. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que la colonne optique à faisceau de particules chargées (600;800) comprend un détecteur de particules chargées (626) situé dans la lentille servant à collecter et détecter des particules secondaires d'une manière sensiblement uniforme au champ de vision. 39. Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comporte: une seconde colonne à faisceau optique de particules chargées (902) possédant un champ de vision, dans lequel la résolution est sensiblement uniforme, la seconde colonne optique à faisceau de particules chargées (901) pouvant agir de manière à acquérir des images dans des zones secondaires multiples d'une région du substrat structuré située dans le champ d'observation par balayage du substrat structuré (900) avec un faisceau de particules chargées, tandis que la table mécanique (920,925) maintient la seconde colonne optique à faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et au moins un processeur pouvant agir de manière à comparer les autres images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré (910). 40. Dispositif pour détecter défauts dans un substrat structuré, caractérisé en ce qu'il comporte: 3. une table mécanique (1030, 1035) pour positionner une colonne optique à faisceau de particules chargées (1000,1005,1010,1015) par rapport à un substrat structuré (1020) 3. une colonne optique à faisceau de particules chargées comportant un champ de vision supérieur à 100 micromètres et dans lequel la résolution est sensible- ment uniforme, la colonne optique à faisceau de particules chargées pouvant fonctionner de manière à acquérir une image essentiellement de l'ensemble du champ de vision par balayage du substrat structuré (1145) par le faisceau de particules chargées, alors que la table mécanique (1000,1005,1010,1015) maintient la colonne optique à faisceau de particules chargées fixe par rapport au substrat structuré; et 3. au moins un processeur (1245) pouvant agir de manière à comparer les images acquises à une référence pour identifier des défauts dans le substrat structuré.