FR 2793968 A1 20001124 FR 9915103 A 19991130 La présente invention concerne un amplificateur de puissance haute fréquence pour des systèmes à double bande utilisés, par exemple, dans des téléphones mobiles, et concerne plus particulièrement un amplificateur de puissance haute fréquence de transistors bipolaires hétérojonctions (HBT) ayant un circuit de commutation de polarisation pour effectuer une commutation d'un circuit de polarisation pour sélectionner un amplificateur de puissance. Des circuits intégrés hyperfréquence monolithiques (MMIC) et des modules (circuits intégrés et modules à plusieurs puces) utilisant des transistors à effet de champ métal-semi-conducteur (MESFET), des transistors à mobilité d'électrons élevée (HEMT) ou des HBT à base de GaAs sont largement utilisés dans des amplificateurs de puissance pour des dispositifs de communications mobiles. En comparaison à un FET conventionnel, le HBT à base de GaAs n'exige pas de tension de polarisation de grille négative, permet un fonctionnement à alimentation unique et peut effectuer une opération marche/arrêt de façon similaire à un Si-MOSFET mais sans un commutateur analogique du côté drain. Un autre avantage est que le HBT à base de GaAs peut être utilisé pour réaliser un amplificateur de puissance plus petit produisant une puissance de sortie nominale avec une densité de puissance de sortie élevée autant que possible avec un amplificateur de puissance à FET conventionnel. Les HBT à base de GaAs sont de ce fait considérés comme prometteurs en tant qu'éléments de puissance dans des dispositifs de communication mobile futurs. Avec les augmentations en pointe de demandes pour la téléphonie mobile, des téléphones et des services permettant d'accéder à deux systèmes utilisant un combiné unique ont été introduits. En Europe, par exemple, il y a deux services de téléphone mobile: le GSM 900 (système global pour communications mobiles), un système à 900 MHz qui est le service de téléphone mobile le plus largement utilisé en Europe et le DCS 1800, un système concurent qui fonctionne dans la bande de 1800 MHz. Le Japon a également deux systèmes: le Cellulaire Numérique Personnel (PDC), un système de téléphone mobile de 900 MHz et le PHS (Système de Téléphone à Main Personnel), un système de téléphone sans fil numérique de 1990 MHz. Des dénommés téléphones mobiles à double bande qui peuvent se commuter entre deux services de téléphone différents sont déjà disponibles. La figure 10 est un schéma-blocs d'un circuit à titre d'exemple d'un amplificateur de puissance haute fréquence pour une utilisation dans un téléphone mobile à double bande conventionnel. En se référant à la figure 10, des transistors TrAl à TrA3 du GSM 900, c'est-à-dire, des HBT pour amplification dans la bande de 900 MHz, sont polarisés par un premier circuit de polarisation 201. Des transistors TrB1 à TrB3 du GSM 1800, c'est-à-dire, des HBT pour amplification dans la bande de 1800 MHz, sont polarisés par un second circuit de polarisation 202. Le circuit de commutation de polarisation 203 exclusivement sélectionne et fait fonctionner soit le premier circuit de polarisation 201 soit le second circuit de polarisation 202 sur la base du niveau de signal d'un signal d'entrée à deux valeurs Vmod appliqué à la borne Vmod. Le circuit de commutation de polarisation 203 passe également un signal de commande de sortie sur la base du niveau de signal du signal d'entrée Vpc appliqué à la borne Vpc au premier circuit de polarisation 201 ou au second circuit de polarisation 202 pour régler le niveau du signal de sortie passé des bornes de sortie OUT1 et OUT2. Lorsque le signal d'entrée Vpc est de 0 V, le circuit de commutation de polarisation 203 arrête le fonctionnement d'à la fois l'amplificateur de puissance GSM 900 et l'amplificateur de puissance GSM 1800 indépendamment du signal d'entrée Vmod. La figure 11 est un schéma de circuit typique du circuit de commutation de polarisation 203 utilisé dans l'amplificateur de puissance haute fréquence conventionnel représenté en figure 10. Comme représenté en figure 11, le circuit de commutation de polarisation 203 comprend un circuit logique 210 en CMOS ou autres éléments de circuit de silicium et un circuit tampon de sortie 211. Le circuit tampon de circuit 211 comprend un certain nombre de transistors npn TrC1 à TrC4 réalisé en silicium. Le circuit logique 210 convertit le signal d'entrée Vpc appliqué par un convertisseur numérique analogique (non représenté à la figure) selon le niveau de signal du signal d'entrée Vmod et produit soit le signal V 900 soit le signal V 1800 à travers le circuit tampon de sortie 211. Le circuit de commutation de polarisation 203 produit ainsi un signal V 900 ou V 1800 pour sélectionner un amplificateur de puissance particulier et commande le niveau de signal du signal de sortie de l'amplificateur de puissance sélectionné sur la base du signal d'entrée Vpc et arrête le fonctionnement de l'autre amplificateur de puissance (non sélectionné) indépendamment du signal d'entrée Vpc. Il doit être noté que bien que le premier circuit de polarisation 201 et le second circuit de polarisation 202 représentés en figure 10 soient réalisés avec des éléments de silicium, ceux représentés aux figure 12A et figure 12B sont réalisés en utilisant un HBT comme connu dans la littérature. Le circuit de polarisation représenté en figure 12A peut compenser un changement dans la tension de base-émetteur Vbl selon le coefficient de température du HBT d'amplification de puissance en figure 10 au moyen du transistor TrD2, comme le peut le circuit de polarisation représenté en figure 12 en utilisant des transistors TrD2 et TrD3. Il doit être noté que tous les transistors TrD1 à TrD3 aux figures 12A et 12B sont des HBT et soit le signal V 900 soit le signal V 1800 en figure 11 peut être appliqué à l'un ou l'autre des circuits de polarisation par la borne d'entrée de circuit de polarisation Vin. Cependant, au contraire d'un FET, un HBT fonctionne en amplifiant le courant de base et exige une alimentation de courant de base entre plusieurs dizaines à plusieurs centaines de mA pour accomplir la puissance élevée de 2 W à 4 W d'un téléphone GSM. Cependant, il est également difficile d'obtenir directement un tel courant de base élevé d'un circuit intégré standard en Si-CMOS car le courant de sortie utilisé pour assurer une tension de sortie spécifique d'un dispositif CMOS standard est au maximum de plusieurs milliampères. En outre, deux amplificateurs de puissance peuvent être facilement contrôlés en utilisant des signaux d'entrée Vpc et Vmod à cause de l'utilité générale de la conception du circuit logique lorsque des éléments de silicium sont utilisés dans le circuit de commutation de polarisation, mais un circuit de commande séparé utilisant des éléments de silicium est exigé pour commander les dispositifs autres que l'amplificateur de puissance à HBT. Lorsque des éléments de silicium sont utilisés dans le circuit de commutation de polarisation et les circuits de polarisation, ou juste le circuit de commutation de polarisation, ces circuits ne peuvent pas être intégrés à un MMIC comprenant des HBT. Une puce de silicium séparée est de ce fait nécessaire et ceci réduit le rendement pendant la production de masse. En considération des problèmes ci-dessus mentionnés, un but de la présente invention est de réaliser un amplificateur de puissance haute fréquence d'un système double bande qui peut être intégré avec un MMIC comprenant des HBT en utilisant des HBT pour former les circuits de polarisation et le circuit de commutation de polarisation de chaque amplificateur de puissance haute fréquence du système double bande comprenant des HBT. Pour accomplir ce but, un amplificateur de puissance haute fréquence selon la présente invention comporte deux amplificateurs de puissance ayant chacun au moins un transistor bipolaire hétérojonction d'amplification de puissance (HBT), deux circuits de polarisation chacun disposé pour chaque amplificateur de puissance et comprenant un HBT et un circuit de commutation de polarisation pour exclusivement une opération de commutation entre les circuits de polarisation selon des premier et second signaux appliqués au circuit de commutation de polarisation. Le circuit de commutation de polarisation de l'amplificateur de puissance haute fréquence comporte un premier circuit de commutation comprenant un HBT pour commander la sortie du premier signal pour commander le fonctionnement du circuit de polarisation à l'un des circuits de polarisation; un second circuit de commutation comprenant un HBT pour commander la sortie du premier signal à un autre circuit de polarisation; un troisième circuit de commutation comprenant un HBT pour commander le fonctionnement du second circuit de commutation selon le second signal pour commander le fonctionnement du premier circuit de commutation pour exclusivement sélectionner et mettre en service les premier et second circuits de commutation. Le circuit de commutation de polarisation pour une opération de commutation des circuits de polarisation construits avec des HBT comporte ainsi un premier moyen de commutation pour commander la sortie à un circuit de polarisation, un second circuit de commutation pour commander la sortie à un autre circuit de polarisation et un troisième circuit de commutation pour sélectionner exclusivement le premier ou le second circuit de commutation pour le faire fonctionner. Les premier à troisième moyens de commutation du circuit de commutation de polarisation sont réalisés en utilisant des HBT communs en AlGaAs ou GaAs, dont trois ou plus sont reliés en série de sorte que la tension totale combinée base/émetteur Vbe n'excède pas 3 V. Le circuit de commutation de polarisation peut de ce fait fonctionner de façon fiable même dans des systèmes d'alimentation d'énergie faible de 3 V et peut ainsi être intégré avec un MMIC à HBT pour simplifier le procédé de fabrication. Les premier et second circuits de commutation ont chacun de préférence un circuit série de résistances ayant plusieurs résistances reliées en série pour diviser en tension la tension de signal Vpc, o le HBT dans chacun des premier et second moyens de commutation est un HBT de connexion de masse pour commander la connexion du circuit série de résistances à la masse et produit un signal de commande à un circuit de polarisation correspondant à partir d'un noeud entre résistances spécifiques dans ce circuit série de résistances. Le circuit de commutation de polarisation peut ainsi être réalisé en utilisant quelques HBT et résistances et l'augmentation en dimension de puce du MMIC résultant de l'intégration du circuit de commutation de polarisation peut être minimisée. Encore en outre de préférence, chaque amplificateur de puissance est un amplification de puissance à plusieurs étages pour amplificier en puissance au moyen d'un certain nombre de HBT d'amplification de puissance, chaque circuit de polarisation correspondant à un circuit pour impliquer une polarisation à chaque HBT d'amplification de puissance et les premier et second circuits de commutation produisent des signaux de commande au circuit de polarisation correspondant de sorte que le premier courant de signal augmente graduellement d'une polarisation appliquée au HBT du premier étage d'amplification à une polarisation appliquée au HBT du dernier étage d'amplification. Il est de ce fait possible de minimiser la chute de tension dans le signal Vpc au circuit appliquant la polarisation au HBT d'amplification de puissance du dernier étage dans chaque circuit de polarisation, c'est- à-dire, le HBT à partir duquel le plus de courant circule pour un signal Vpc. Encore en outre de préférence, les premier et second circuits de commutation comprennent également chacun une résistance de réglage de niveau de signal pour régler le niveau du signal de commande appliqué au circuit de polarisation correspondant, la résistance de réglage de niveau de signal étant reliée en parallèle à un noeud entre des résistances spécifiques dans le circuit série de résistances et un noeud entre le circuit série de résistances et le HBT de connexion de masse. Encore en outre de préférence, un HBT dans le troisième circuit de commutation commande l'alimentation de polarisation à la base du HBT dans le second circuit de commutation selon le second signal. Un circuit de commutation de polarisation de HBT qui peut fonctionner dans un système de 3 V peut ainsi être réalisé et le circuit de commutation de polarisation peut être intégré avec un MMIC à HBT. Lorsqu'on souhaite additionnellement empêcher une surchauffe thermique et un dégat thermique à l'amplificateur de puissance résultant d'une surtension appliquée de façon externe, les premier et second circuits de commutation comprennent en outre chacun de préférence un circuit de protection pour protéger chaque circuit de polarisation d'une surtension appliquée à une borne qui reçoit le premier signal. Dans ce cas, chaque circuit de protection est de préférence un multiplicateur de Vbe comprenant un HBT. Par conséquent, la surchauffe thermique et l'endommagement thermique à l'amplificateur de puissance résultant d'une surtension appliquée de façon externe peuvent être empêchés par une conception de circuit simple. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement dans la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs mode de réalisation de l'invention et dans lesquels: - la figure 1 est un schéma de circuit typique d'un amplificateur de puissance haute fréquence pour un système double bande selon un premier mode de réalisation de la présente invention; - la figure 2 représente le premier circuit de polarisation, le second circuit de polarisation et le circuit de commutation de polarisation représentés en figure 1; - les figures 3A, 3B et 3C sont des graphiques représentant une caractéristique de fonctionnement du circuit de commutation de polarisation représenté en figure 2; - la figure 4 est un schéma de circuit typique représentant une version alternative de l'amplificateur de puissance haute fréquence pour un système à double bande représenté en figure 1; - la figure 5 représente le premier circuit de polarisation, le second circuit de polarisation et le circuit de commutation de polarisation représentés en figure 4; - la figure 6 est un schéma de circuit typique représentant une version alternative du premier circuit de polarisation, du second circuit de polarisation et du circuit de commutation de polarisation; - la figure 7 est une schéma de circuit typique représentant une autre version alternative du premier circuit de polarisation, du second circuit de polarisation et du circuit de commutation de polarisation; - la figure 8 est un schéma de circuit typique d'un amplificateur de puissance haute fréquence selon un second mode de réalisation de la présente invention; - la figure 9 est un graph d'une caractéristique de fonctionnement typique du circuit de commutation de polarisation dans l'amplificateur de puissance représenté en figure 8; - la figure 10 est un schéma-blocs de circuit typique d'un amplificateur de puissance haute fréquence d'un système double bande selon l'art antérieur; - la figure 1il est un schéma de circuit typique du circuit de commutation de polarisation représenté en figure 10; et - les figures 12A et 12B sont des schémas de circuit typique des circuits de polarisation représentés en figure 10 comprenant des HBT. Les modes de réalisation préférés de la présente invention sont décrits ci-dessous en référence aux figures annexées. Mode de réalisation 1 La figure 1 est un schéma de circuit typique d'un amplificateur de puissance à fréquence élevée pour un système à double bande selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Il doit être noté que l'amplificateur haute fréquence du système double bande représenté en figure 1 comprend deux amplificateurs de puissance à étage unique, un pour chaque système GSM900 et GSM1800. Comme représenté en figure 1, l'amplificateur 1 comprend un premier amplificateur de puissance 2, un amplificateur de puissance GSM 900; un premier circuit de polarisation 3 pour polariser le premier amplificateur de puissance 2; un second amplificateur de puissance 4, un amplificateur de puissance GSM 1800; un second circuit de polarisation 5 pour polariser le second amplificateur de puissance 4; un circuit de commutation de polarisation 6 pour exclusivement sélectionner et mettre en service soit le premier circuit de polarisation 3 soit le second circuit de polarisation 5; des circuits d'accord de sortie 7 et 8; et des circuits de polarisation de collecteurs 9 et 10. Le premier amplificateur de puissance 2 comprend un HBT 11 d'amplification de puissance et un circuit d'accord d'entrée 12. Le HBT 11 amplifie en puissance un signal haute fréquence appliqué à la borne d'entrée IN1 par le circuit d'adaptation 12 et produit le signal haute fréquence amplifié de la borne de sortie OUT1 à travers le circuit d'accord de sortie 7. La polarisation est appliquée du circuit de polarisation de collecteur 9 au collecteur du HBT 11 et une autre polarisation est appliquée du premier circuit de polarisation 3 à la base de HBT 11, pour ce fonctionnement. Le second amplificateur de puissance 4 comprend de façon similaire un HBT d'amplification de puissance 21 et un circuit d'accord d'entrée 22. Le HBT 21 amplifie en puissance un signal haute fréquence entré par la borne d'entrée IN2 par le circuit d'accord d'entrée 22 et produit le signal haute fréquence amplifié de la borne de sortie OUT2 par le circuit d'accord de sortie 8. La polarisation est appliquée du circuit de polarisation de collecteur 10 au collecteur du HBT 21 et une autre polarisation est appliquée du second circuit de polarisation 5 à la base de HBT 21, pour ce fonctionnement. Le fonctionnement du premier circuit de polarisation 3 et du second circuit de polarisation 5 est contrôlé par le circuit de commutation de polarisation 6. Plus spécifiquement, le circuit de commutation de polarisation 6 produit un signal V900, qui est un signal de commande pour le premier circuit de polarisation 3, ou un signal V1800, qui est un signal de commande pour le second circuit de polarisation 5, pour exclusivement sélectionner et mettre en service le premier circuit de polarisation 3 ou le second circuit de polarisation 5 sur la base du niveau de signal d'un signal d'entrée à deux valeurs Vmod (qui est haut à 3 V ou bas à 0 V, par exemple) appliqué par une source externe à la borne Vmod. Sur la base du niveau de signal d'un signal d'entrée Vpc appliqué à la borne Vpc d'une source externe, le circuit de commutation de polarisation 6 produit également un signal V900 ou un signal V1800 pour régler le niveau de sortie du signal passé des bornes de sortie OUT1 et OUT2. En variant le niveau du signal d'entrée Vpc entre 0 à 3 V, par exemple, le niveau du signal du signal de sortie de la borne de sortie OUT1 ou OUT2 peut être varié d'au moins plusieurs dizaines de dBm à +34 dBm. En outre, lorsque le signal d'entrée Vpc est de 0 V, le circuit de commutation de polarisation 6 arrête l'alimentation de polarisation à la fois au premier circuit de polarisation 3 et au second circuit de polarisation 5 pour arrêter le fonctionnement d'à la fois du premier amplificateur de puissance 2 et du second amplificateur de puissance 4. La figure 2 est un schéma de circuit détaillé du premier circuit de polarisation 3, du second circuit de polarisation 5 et du circuit de commutation de polarisation 6 représentés en figure 1. Comme représenté en figure 2, le premier circuit de polarisation 3 comprend des HBT 31 et 32 et des résistances 33 et 34. La résistance 33 est la résistance de base du HBT 31 et la résistance 34 est la résistance de base du HBT 32. Le collecteur du HBT 31 est relié à la borne d'alimentation Vcc à laquelle une tension d'alimentation continue spécifique est appliquée; l'émetteur est relié au collecteur du HBT 32 et le noeud entre l'émetteur du HBT 31 et le collecteur du HBT 32 est relié à la base du HBT 11 dans le premier amplificateur de puissance 2 et est ainsi utilisé comme la sortie du premier circuit de polarisation 3. La base du HBT 31 est reliée par la résistance 33 à la borne de sortie V900 du circuit de commutation de polarisation 6. Le signal de commande V900 est ainsi appliqué du circuit de commutation de polarisation 6 à la base du HBT 31. La base du HBT 32 est reliée par la résistance 34 au collecteur et l'émetteur est à la masse. Le HBT 32 peut ainsi compenser un changement dans la tension base- émetteur Vbe selon le coefficient de température du HBT 11 dans le premier amplificateur de puissance 2. Le second circuit de polarisation 5 comprend de façon similaire des HBT 35 et 36 et des résistances 37 et 38. La résistance 37 est la résistance de base du HBT 35 et la résistance 38 est la résistance de base du HBT 36. Le collecteur du HBT 35 est relié à la borne d'alimentation Vcc, l'émetteur au collecteur du HBT 36 et le noeud émetteur-collecteur est relié à la base de HBT 21 dans le second amplificateur de puissance 4 et ainsi utilisé comme la sortie du second circuit de polarisation 5. La base du HBT 35 est reliée par une résistance 37 à la bande de sortie V1800 du circuit de commutation de polarisation 6. Le signal de commande V1800 est ainsi appliqué du circuit de commutation de polarisation 6 à la base de HBT 35. La base de HBT 36 est reliée par la résistance 38 au collecteur et l'émetteur est à la masse. Le HBT 35 peut ainsi compenser un changement dans la tension base- émetteur Vbe selon le coefficient de température HBT 21 dans le second amplificateur de puissance 4. Le circuit de commutation de polarisation 6 comprend des HBT 41 à 43 et des résistances 45 à 54. La borne Vpc est reliée par un circuit séries de résistance 45 et 46 au collecteur de HBT 41. Le noeud entre les résistances 45 et 46 est relié à la borne V900 du circuit de commutation de polarisation 6 et par la résistance 33 du premier circuit de polarisation 3 à la base de HBT 31. La base de HBT 31 est reliée par la résistance 47 au collecteur de HBT 43 et l'émetteur est à la masse. La borne Vpc est de façon analogue reliée par un circuit série de résistances 48 et 49 au collecteur du HBT 42. Le noeud entre les résistances 48 et 49 est relié à la borne V1800 du circuit de commutation de polarisation 6 et par la résistance 37 du second circuit de polarisation 5 à la base du HBT 35. La base du HBT 42 est reliée par un circuit série de résistances 50 et 51 à la borne Vmod et l'émetteur est à la masse. La borne Vmod est reliée à la base du HBT 43 par la résistance 53 et à la masse par la résistance 54. Le collecteur du HBT 43 est relié à la borne Vpc par la résistance 52 et l'émetteur est à la masse. Lorsque 2,7 volts sont appliqués à la borne Vpc dans le circuit de commutation de polarisation 6 ainsi constitué, 3 volts sont appliqués à la borne Vmod et Vmod passe ainsi à un niveau haut, le HBT 43 est mis en conduction. Le HBT 41 est rendu de ce fait non conducteur et le HBT 42 est mis en conduction. Lorsque le HBT 42 est en service, la tension Vpc de la borne Vpc est la tension divisée par les résistances 48 et 49. Si la résistance de la résistance 48 est R48 et la résistance de la résistance 49 est R49, la tension de la borne V1800 chute à {Vpc x R49/(R48+R49)}. Par conséquent, les HBT 35 et 36 dans le second circuit de polarisation 5 sont non conducteurs. Du courant circule également à travers la résistance 45 et la résistance 33 à la base du HBT 31 dans le premier circuit de polarisation 3 car le HBT 41 est hors service. Par conséquent, la polarisation dépendant de la tension Vpc est appliquée par la sortie du premier circuit de polarisation 3 à la base de HBT 11 dans le premier amplificateur de puissance 2 et la puissance de sortie dépendant de la tension Vpc peut être obtenue à partir de la borne de sortie OUT1 du premier amplificateur de puissance 2. Si, par exemple, 2,7 volts sont ensuite appliqués à la borne Vpc et O volt est appliqué à la borne Vmod de sorte que la borne Vmod passe à un niveau bas, le HBT 43 est bloqué; le HBT 41 de ce fait est débloqué et le HBT 42 est bloqué. Lorsque le HBT 41 est en service, la tension Vpc à la borne Vpc est la tension divisée par les résistances 45 et 46. Si la résistance de la résistance est R45 et la résistance de la résistance 46 est R46, la tension à la borne V900 chute à (Vpc x R46/(R45+R46)}. Par conséquent, les HBT 31 et 32 dans le premier circuit de polarisation 3 sont hors service. Du courant circule également à travers la résistance 48 et la résistance 37 à la base du HBT 35 dans le second circuit de polarisation car le HBT 41 est en service. Par conséquent, la polarisation dépendant de la tension Vpc est appliquée de la sortie du second circuit de polarisation 5 à la base du HBT 21 dans le second amplificateur de puissance 4 et la puissance de sortie dépendant de la tension Vpc peut être obtenue à partir de la borne de sortie OUT2 du second amplificateur de puissance 4. Lorsque la tension Vpc passe à 0 V, le HBT 31 dans le premier circuit de polarisation 3 et le HBT 35 dans le second circuit de polarisation 5 sont hors service indépendamment de la tension à la borne Vmod, c'est-à- dire, indépendamment de l'état de fonctionnement du HBT 41 et du HBT 42. Par conséquent, le premier amplificateur de puissance 2 et le second amplificateur de puissance 4 arrêtent de fonctionner tous les deux. En utilisant ainsi un circuit de commutation de polarisation 6 de HBT, un amplificateur de puissance haute fréquence 1 du système à double bande peut être réalisé en utilisant deux puces, une puce GSM 900 comprenant le premier amplificateur de puissance 2 et le premier circuit de polarisation 3 et une puce GSM 1800 comprenant le second amplificateur de puissance 4 et le second circuit de polarisation 5 et le circuit de commutation de polarisation 6 peut être formé sur l'une ou l'autre de ces deux puces. Le courant de circuit exigé pour commuter le circuit de commutation de polarisation 6 est appliqué par la borne Vpc et le courant appliqué par la borne Vpc augmente en comparaison à un circuit de commutation de polarisation conventionnel comprenant des éléments de silicium. L'augmentation peut être contrôlée en optimisant les valeurs (Ra + Rb) et Ra o R45 = R48 = Ra et R46 = R49 = Rb. Par exemple, lorsque le premier circuit de polarisation 3 fonctionne et le second circuit de polarisation 5 est arrêté, la chute de tension à la résistance 45 sera (Il x Ra) o Il est le courant circulant à la résistance 45 et la chute de tension à la résistance 48 sera {Vpc x Ra/(Ra + Rb)}. I1 est de ce fait possible en optimisant les valeurs de Ra et Rb de minimiser le courant appliqué par la borne Vpc dans l'étendue o aucun problème ne se produira pour des buts pratiques. Les figure 3A à 3C sont des graphes représentant une caractéristique de fonctionnement du circuit de commutation de polarisation représenté en figure 2 sous diverses conditions. La figure 3A représente la relationentre le courant Ipc appliqué par la borne Vpc et les tensions V900 et V1800 à la borne V900 et à la borne V1800 en réponse à une tension Vpc, lorsque Vmod est de 3 volts. La figure 3B représente la même relation lorsque Vmod est de 0 volt. La figure 3C représente la relation entre le courant I900 produit par la borne V900, le courant I1800 produit par la borne V1800 et les tensions V900 et V1800 à la borne V900 et à la borne V1800 en réponse à une tension Vmod, lorsque Vpc est de 2,7 volts. On voit à partir des figures 3A à 3C que lorsque Vpc est de 2,7 volts, l'alimentation de courant peut être commutée entre le premier amplificateur de puissance 2 et le second amplificateur de puissance 4 avec un courant Ipc d'approximativement de 3,5 mA. Il doit être noté que bien que la présente invention ait été décrite cidessus en référence à un amplificateur de puissance à étage unique aux figures 1 et 2, la présente invention ne sera pas limitée ainsi et peut de façon évidente être appliquée à un amplificateur de puissance à plusieurs étages. La figure 4 est un schéma de circuit typique représentant une version alternative de l'amplificateur de puissance haute fréquence pour un système double bande représenté en figure 1. Il doit être noté qu'un amplificateur de puissance haute fréquence pour un système double bande ayant un amplificateur de puissance à trois étages est représenté en figure 4 et que des parties identiques sont indiquées par les mêmes chiffres de référence. Une description supplémentaire de telles parties identiques est omise ci-dessous o seulement les différentces entre l'amplificateur de puissance haute fréquence représenté en figure 1 et celui en figure 4 sont décrites. L'amplificateur de puissance haute fréquence représenté en figure 4 diffère de celui en figure 1 en ce que le premier amplificateur de puissance 2 et le second amplificateur de puissance 4 sont chacun un amplificateur de puissance à trois étages. Le schéma de circuit du premier circuit de polarisation 3 et du second circuit de polarisation 5 en figure 1 est ainsi également changé. Le premier amplificateur de puissance 2 en figure 1 est ainsi représenté en figure 4 et référé ci- dessous comme premier amplificateur de puissance 2A, le premier circuit de polarisation 3 comme premier circuit de polarisation 3A, le second amplificateur de puissance 4 comme second amplificateur de puissance 4A, le second circuit de polarisation 5 comme second circuit de polarisation 5A et l'amplificateur de puissance haute fréquence 1 comme amplificateur de puissance haute fréquence 1A. Comme représenté en figure 4, le premier amplificateur de puissance 2A comprend des HBT lla à lic pour amplification de puissance; un circuit d'accord d'entrée 12 et des circuits d'accord entre étages 61 et 62. Le HBT lla amplifie en puissance un signal haute fréquence appliqué par la borne d'entrée IN1 par le circuit d'accord d'entrée 12 et le HBT llb amplifie en puissance le signal haute fréquence amplifié par le HBT lia et appliqué à celui-ci par le circuit d'accord entre étages 61. Le HBT lic amplifie en puissance le signal haute fréquence amplifié par le HBT llb et appliqué à celui-ci par le circuit d'adaptation entre étages 62. Le signal haute fréquence amplifié est ensuite produit par le circuit d'accord de sortie 7 de la borne de sortie OUT1. La polarisation est appliquée au collecteur des HBT lia à llc à partir des circuits de polarisation de collecteur correspondant 9a à 9c. La polarisation est également appliquée à la base des HBT lia à llc du premier circuit de polarisation 3A. Le second amplificateur de puissance 4A comprend de façon identique des HBT 21a à 21c pour amplification de puissance; un circuit d'accord d'entrée 22 et des circuits d'accord entre étage 65 et 66. Le HBT 21a amplifie en puissance un signal haute fréquence appliqué de la borne d'entrée Inl par le circuit d'accord d'entrée 22 et le HBT 21b amplifie en puissance le signal haute fréquence amplifié par le HBT 21a et appliqué à celui-ci par le circuit d'adaptation entre étages 65. Le HBT 21c amplifie en puissance le signal haute fréquence amplifié par le HBT 21b et appliqué à celui-ci par le circuit d'accord entre étages 66. Le signal haute fréquence amplifié est ensuite produit par le circuit d'adaptation de sortie 8 de la borne de sortie OUT2. La polarisation est appliquée au collecteur des HBT 21a à 21c des circuits de polarisation de collecteur correspondant 10a à 10c. La polarisation est également appliquée à la base des HBT 21a à 21c du second circuit de polarisation 5A. Comme avec l'amplificateur de puissance haute fréquence 1 représenté aux figures 1 et 2, le circuit de commutation de polarisation 6 commande le fonctionnement du premier circuit de polarisation 3A et du second circuit de polarisation 5A. Plus spécifiquement, le circuit de commutation de polarisation produit un signal V900, qui est un signal de commande pour le premier circuit de polarisation 3A ou un signal V1800, qui est un signal de commande pour le second circuit de polarisation A, pour exclusivement sélectionner et mettre en service le premier circuit de polarisation 3A ou le second circuit de polarisation 5A sur la base du niveau du signal d'un signal d'entrée à deux valeurs Vmod. Sur la base du niveau de signal d'un signal d'entrée Vpc appliqué à la borne Vpc d'une source externe, le circuit de commutation de polarisation 6 produit également un signal V900 ou un signal V1800 pour régler le niveau de sortie du signal passé par les bornes de sortie OUT1 et OUT2. La figure 5 est un schéma de circuit typique du premier circuit de polarisation 3A, du second circuit de polarisation 5A et du circuit de commutation de polarisation 6 représenté en figure 4. Il doit être noté que les parties identiques aux figures 5 et 2 sont indiquées par les mêmes chiffres de référence. Une description supplémentaire de telles parties identiques est omise ci-dessous o seulement les différences entre les figures 5 et 2 sont décrites. La figure 5 diffère de la figure 2 en ce qu'un circuit de polarisation identique au premier circuit de polarisation 3 représenté en figure 2 est disposé pour chacun des HBT lla à 11c dans le premier amplificateur de puissance 2A et un circuit de polarisation identique au second circuit de polarisation 5 en figure 2 est disposé pour chacun des HBT 21a à 21c dans le second amplificateur de puissance 4A. Comme représenté en figure 5, le premier circuit de polarisation 3A comprend des HBT 31a à 31c et 32a à 31c et des résistances 33a à 33c et 34a à 34c. Les résistances 33a à 33c sont la résistance de base des HBT correspondant 3la à 31c et les résistances 34a à 34c sont la résistance de base des HBT correspondant 32a à 32c. Il doit être noté que les HBT 31a à 31c correspondent au HBT 31 en figure 2, les HBT 32a à 32c au HBT 32 en figure 2, les résistances 33a à 33c à la résistance 33 en figure 2 et les résistances 34a à 34c à la résistance 34 en figure 2. Des connexions à celles-ci sont également les mêmes comme représenté dans le premier circuit de polarisation 3 en figure 2 et une description supplémentaire de celui- ci est ainsi omise ci-dessous. Le noeud entre l'émetteur du HBT 31a et le collecteur du HBT 32a est relié à la base du HBT lla dans le premier amplificateur de puissance 2A. Le noeud entre l'émetteur du HBT 31b et le collecteur du HBT 32b est relié à la base du HBT llb dans le premier amplificateur de puissance 2A. Le noeud entre l'émetteur du HBT 31c et le collecteur du HBT 32c est de façon identique relié à la base du HBT llc dans le premier amplificateur de puissance 2A. Le second circuit de polarisation 5A comprend de façon identique des HBT 35a à 35c et 36a à 36c et des résistances 37a à 37c et 38a à 38c. Les résistances 37a à 37c sont la résistance de base des HBT correspondant 35a à 35c et les résistances 38a à 38c sont la résistance de base des HBT correspondant 36a à 36c. Il doit être noté que les HBT 35a à 35c correspondent au HBT 35 en figure 2, les HBT 36a à 36c au HBT 36 en figure 2, les résistances 37a à 37c à la résistance 37 en figure 2 et les résistances 38a à 38c à la résistance 38 en figure 2. Des connexions à celui-ci sont également les mêmes comme représenté dans le second circuit de polarisation 5 en figure 2 et une description supplémentaire de celui-ci est ainsi omise ci-dessous. Le noeud entre l'émetteur du HBT 35a et le collecteur du HBT 36a est relié à la base du HBT 21a dans le second amplificateur de puissance 4A. Le noeud entre l'émetteur du HBT 35b et le collecteur du HBT 36b est relié à la base du HBT 21b dans le second amplificateur de puissance 4A. Le noeud entre l'émetteur du HBT 35c et le collecteur du HBT 36c est de façon identique relié à la base du HBT 21c dans le second amplificateur de puissance 4A. Les bases des HBT 31a à 31c sont reliées par des résistances correspondantes 33a à 33c à la borne V900 du circuit de commutation de polarisation 6. Les bases des HBT 35a à 35c sont reliées par des résistances correspondantes 37a à 37c à la borne V1800 du circuit de commutation de polarisation 6. Le fonctionnement de ce premier circuit de polarisation 3A est identique au fonctionnement du premier circuit de polarisation 3 représenté en figure 2, le fonctionnement du second circuit de polarisation 5A est identique au second circuit de polarisation 5 en figure 2 et le fonctionnement du circuit de commutation de polarisation 6 par rapport au premier circuit de polarisation 3A et au second circuit de polarisation 5A est également le même comme décrit ci- dessus en référence à la figure 2. Une description supplémentaire de celui-ci est ainsi omise ci-dessous. En utilisant ainsi un circuit de commutation de polarisation 6 de HBTs, un amplificateur de puissance haute fréquence 1A du système double bande peut être réalisé en utilisant deux puces, une puce GSM 900 comprenant le premier amplificateur de puissance 2A et le premier circuit de polarisation 3A et une puce GSM 1800 comprenant le second amplificateur de puissance 4A et le second circuit de polarisation 5A et le circuit de commutation de polarisation 6 peut être formé sur l'une ou l'autre de ces deux puces. La figure 6 est un schéma de circuit d'un autre mode de réalisation en variante du premier circuit de polarisation 3A, du second circuit de polarisation 5A et du circuit de commutation de polarisation 6 représenté en figure 4. Il doit être noté que les parties identiques en figure 5 et en figure 6 sont indiquées par les mêmes chiffres de référence. Une description supplémentaire de telles parties identiques est omise ci-dessous o seulement les différences entre la figure 5 et la figure 6 sont décrites. Les circuits représentés en figure 6 diffèrent de ceux en figure 5 en ce que des résistances de base 33a à 33c du premier circuit de polarisation 3A en figure 5 et les résistances de base 37a à 37c dans le second circuit de commutation 5A en figure 5, sont omises; et un circuit série de résistances 71a à 71c est inséré entre des résistances 45 et 46 et un circuit série de résistances 72a à 72c est inséré entre des résistances 48 et 49, dans le circuit de commutation de polarisation 6 en figure 5. Les résistances 45, 46, 48 et 49 en figure 5 sont de ce fait représentées en figure 6 et référées ci- dessous comme résistances 45B, 46B, 48B et 49B; le premier circuit de polarisation 3A comme premier circuit de polarisation 3B; le second circuit de polarisation 5A comme second circuit de polarisation 5B et le circuit de commutation de polarisation 6 comme circuit de commutation de polarisation 6B. Comme noté ci-dessus et représenté en figure 6, un circuit série de résistances 71a à 71c est inséré entre les résistances 45B et 46B du circuit de commutation de polarisation GB et le noeud entre la résistance 46B et la résistance 71a est relié à la base du HBT 31a par la borne de sortie intervenante V900a du circuit de commutation de polarisation 6B. Le noeud entre la résistance 71a et la résistance 71b est relié à la base du HBT 3lb par la borne de sortie V900b du circuit de commutation de polarisation 6B. Le noeud entre la résistance 71b et la résistance 71c est relié à la base du HBT 31c par la borne de sortie V900c du circuit de commutation de polarisation 6B. Un circuit série de résistances 72a à 72c est de façon identique inséré entre les résistances 48B et 49B du circuit de commutation de polarisation 6B. Le noeud entre la résistance 49B et la résistance 72a est relié à la base du HBT 35a par la borne de sortie V1800a du circuit de commutation de polarisation 6B; le noeud entre la résistance 72a et la résistance 72b est relié à la base du HBT 35b par la borne de sortie V1800b; et le noeud entre la résistance 72b et la résistance 72c est relié à la base du HBT 35c par la borne de sortie V1800c. La chute de tension dans la tension de polarisation de base de la borne Vpc due au HBT 31c à travers lequel le courant de base le plus élevé circule lorsque le premier circuit de polarisation 3B fonctionne ou au HBT c à travers lequel le courant de base le plus élevé circule lorsque le second circuit de polarisation 5B fonctionne, peut de ce fait être minimisée. Ceci est efficace lorsque tous les circuits de l'amplificateur de puissance haute fréquence du système double bande sont intégrés dans une puce unique. La figure 7 est un schéma de circuit d'un autre mode de réalisation alternatif du premier circuit de polarisation 3A, du second circuit de polarisation 5A et du circuit de commutation de polarisation 6 représentés en figure 4. Il doit être noté que des parties identiques aux figures 5, 6 et 7 sont indiquées par les mêmes chiffres de référence Une description additionnelle de telles parties identiques est omise ci-dessous o seulement les différences entre la figure 7 et la figure 6 sont décrites. Le circuit de commutation de polarisation 6C représenté en figure 7 diffère du circuit de commutation de polarisation 6B en figure 6 en ce que des résistances 74, 75a à 75c et 76a à 76c sont prévues à la place des résistances 45B, 46B et 71a à 71c; et des résistances 77, 78a à 78c et 79a à 79c sont prévues à la place des résistances 48B, 49B et 72a à 72c. Comme représenté en figure 7, un circuit série de résistances 74, 75a à 75c et 76a est relié entre la borne Vpc du circuit de commutation de polarisation 6C et le collecteur du HBT 41. Le noeud entre les résistances 75a et 76a est relié à la base de HBT 31a par la borne de sortie V900a du circuit de commutation de polarisation 6C; le noeud entre les résistances 75a et 75b est relié à la base du HBT 31b par la borne de sortie V900b du circuit de commutation de polarisation 6C et le noeud entre les résistances 75b et 75c est relié à la base du HBT 31c par la borne de sortie V900c. Il est à noter, en outre, que la résistance 76b est reliée entre la borne V900b et le collecteur du HBT 41 et la résistance 76c est reliée entre la borne V900c et le collecteur du HBT 41. Un circuit série des résistances 77, 78a à 78c et 79a est de façon similaire relié entre la borne Vpc du circuit de commutation de polarisation 6C et le collecteur du HBT 42. Le noeud entre les résistances 78a et 79a est relié à la base du HBT 35a par la borne de sortie V1800a du circuit de commutation de polarisation 6C; le noeud entre les résistances 78 et 78b est relié à la base du HBT 35b par la borne de sortie V1800b du circuit de commutation de polarisation 6C et le noeud entre les résistances 78b et 78c est relié à la base du HBT 35c par la borne de sortie V1800c. I1 est à noter, en outre, que la résistance 79b est reliée entre la borne V1800b et le collecteur de HBT 42 et la résistance 79c est reliée entre la borne V1800c et le collecteur du HBT 42. La chute de tension dans la tension de polarisation de base de la borne Vpc due au HBT 31c à travers lequel le courant de base le plus élevé s'écoule lorsque le premier circuit de polarisation 3C fonctionne ou au HBT c à travers le courant de base le plus élevé circule lorsque le second circuit de polarisation 5C fonctionne peut de ce fait être minimisée. Ceci est efficace lorsque tous les circuits de l'amplificateur de puissance haute fréquence du système double bande sont intégrés dans une puce unique. Il est également possible d'optimiser le courant appliqué à la base des HBT 31a à 31c et 35a à 35c en contrôlant le rapport de résistance des résistances et il est de ce fait possible d'optimiser le courant Ipc. Le circuit de commutation de polarisation pour commuter le fonctionnement entre un premier circuit de polarisation et un second circuit de polarisation, chacun constitué de HBTs, est ainsi réalisé avec des HBT facilement disponibles en AlGaAs ou GaAs dans un amplificateur de puissance haute fréquence selon le premier mode de réalisation préféré de la présente invention et trois ou plus HBTs sont reliés en série pour assurer que le total de chaque tension base- émetteur Vbe n'excède pas 3 volts. Il est de ce fait possible de construire un amplificateur de puissance haute fréquence d'un système double bande en utilisant des HBT dont la tension de mise en service de la tension base-émetteur Vbe est élevée (1,35 volts, par exemple). Par conséquent, cet amplificateur de puissance haute fréquence peut être intégré dans un MMIC qui peut fonctionner de façon fiable même à une faible tension d'alimentation de 3 volts et le procédé de fabrication peut de ce fait être simplifié. Mode de réalisation 2 Si une surtension est appliquée à la borne d'entrée Vpc des circuits de commutation de polarisation dans les diverses versions du premier mode de réalisation décrit ci-dessus, cette surtension est également appliquée aux premier et second circuits de polarisation. Il est possible en variante, cependant, de disposer un circuit de protection contre les surtensions au circuit de commutation de polarisation de sorte qu'une surtension appliquée à la borne d'entrée Vpc n'est pas appliquée aux premier et second circuits de polarisation. Un amplificateur de puissance haute fréquence d'un système double bande ainsi constitué est décrit ci-dessous comme le second mode de réalisation préféré de la présente invention. La figure 8 est un schéma de circuit typique représentant le premier circuit de polarisation, le second circuit de polarisation et le circuit de commutation de polarisation dans un amplificateur de puissance haute fréquence d'un système double bande selon ce second mode de réalisation préféré de la présente invention. Il doit être noté qu'un schéma de circuit typique d'un amplificateur de puissance haute fréquence selon ce second mode de réalisation de l'invention est le même que celui représenté en figure 1 à l'excepté les changements de chiffres de référence pour le circuit de commutation de polarisation et une description supplémentaire est de ce fait omise ci-dessous. En outre, des parties identiques aux figures 8 et 2 sont indiquées par les mêmes chiffres de référence. Une description supplémentaire de telles parties identiques est omise ci-dessous o seulement les différences entre la figure 8 et la figure 2 sont décrites. Le circuit de commutation de polarisation 84 représenté en figure 8 diffère du circuit de commutation de polarisation 6 en figure 2 dans l'ajout de circuits de protection 81 et 82. Comme représenté en figure 8, le circuit de commutation de polarisation 84 comprend des HBT 41 à 43, des résistances 45 à 54 et des circuits de protection 81 et 82. Le circuit de protection 81 comprend un HBT 91 et des résistances 92 et 93 et forme un multiplicateur de Vbe. Les résistances 92 et 93 sont reliées en série entre la borne Vpc et la masse. Le collecteur du HBT 91 est relié à un noeud entre la résistance 45 et la résistance 46, c'est-à-dire, à la borne V900; la base est reliée à un noeud entre la résistance 92 et la résistance 93 et l'émetteur est à la masse. Le circuit de protection 82 comprend de façon identique un HBT 95 et des résistances 96 et 97 et forme un multiplicateur de Vbe. Les résistances 96 et 97 sont reliées en série entre la borne Vpc et la masse. Le collecteur du HBT 95 est relié à un noeud entre la résistance 48 et la résistance 49, c'est-à-dire, à la borne V1800; la base est reliée à un noeud entre la résistance 96 et la résistance 97; et l'émetteur est à la masse. Dans un circuit de commutation de polarisation 84 ainsi constitué, la tension de mise en service du HBT 91 dans le circuit de protection 81 est multipliée { (R92 + R93)/R93} o la résistance de la résistance 92 est R92 et la résistance de la résistance 93 est R93. Par exemple, si la tension de mise en service du HBT 91 est approximativement de 1,3 volts et les résistances R92 et R93 sont établies de sorte que {(R92 + R93)/R93} = 2,3, le HBT 91 sera mis en service lorsque la tension Vpc passe à 3 volts et le courant collecteur I4 circulera au HBT 91. Une chute de tension se produit ainsi à la résistance 45, commandant la tension à la borne V900 à 3 volts ou moins de sorte que lorsqu'une surtension est appliquée à la borne Vpc, la surtension est empêchée d'être directement appliquée au premier circuit de polarisation 3 et est ainsi empêchée d'être appliquée au premier amplificateur de puissance 2. La tension de mise en service du HBT 95 dans le circuit de protection 82 est de façon identique multipliée {(R96 + R97)/R97} o la résistance de la résistance 96 est R96 et la résistance de la résistance 97 est R97. Par exemple, si la tension de mise en service du HBT 95 est approximativement de 1,3 volts et les résistances R96 et R97 sont établies de sorte que {(R96 + R97)/R97} = 2, 3, le HBT 95 sera mis en service lorsque la tension Vpc passe à 3 volts et le courant collecteur I5 circulera au HBT 95. Une chute de tension se produit ainsi à la résistance 48, contrôlant la tension à la borne V1800 à 3 volts ou moins de sorte que lorsqu'une surtension est appliquée à la borne Vpc, la surtension est empêchée d'être directement appliquée au second circuit de polarisation 5 et est ainsi empêchée d'être appliquée au second amplificateur de puissance 4. La figure 9 est un graphique des caractéristiques de fonctionnement du circuit de commutation de polarisation 84 représenté en figure 8. Comme on le voit à partir de la figure 9, la tension à la borne V900 augmente proportionnellement à la tension Vpc lorsque la tension Vpc lorsque la tension Vpc 2 à 3 volts. Il doit être noté que ce mode de réalisation préféré comme représenté en figure 8 ajoute des circuits de protection 81 et 82 au circuit de commutation de polarisation 6 représenté en figure 2, mais la présente invention ne doit pas être ainsi limitée. Plus spécifiquement, les circuits de protection 81 et 82 peuvent être en variante ajoutés à n'importe lequel des circuits de commutation de polarisation représentés aux figures 5, 6 et 7. Le circuit de commutation de polarisation sera le même comme représenté en figure 8 lorsque les circuits de protection 80 et 82 sont ajoutés au circuit de commutation de polarisation en figure 5. Cependant, lorsqu'ajoutés au circuit de commutation de polarisation 6B en figure 6, le collecteur du HBT 91 dans le circuit de protection 81 est relié à un noeud entre les résistances 45B et 71c et le collecteur du HBT 95 dans le circuit de protection 82 est relié à un noeud entre les résistances 48B et 72c. Lorsque ces circuits de protection sont ajoutés au circuit de commutation de polarisation 6C en figure 7, le collecteur du HBT 91 dans le circuit de protection 81 est relié à un noeud entre les résistances 74 et 75c et le collecteur du HBT 95 dans le circuit de protection 82 est relié à un noeud entre les résistances 77 et 78c. Comme décrit ci-dessus, un amplificateur de puissance haute fréquence selon ce second mode de réalisation préféré de la présente invention a des circuits de protection 81 et 82 formant des multiplicateurs de Vbe dans le circuit de commutation de polarisation 84 de sorte que lorsqu'une surtension est appliquée à la borne Vpc, la surtension n'est pas passée et appliquée à la borne V900 ou V1800. De ce fait, lorsqu'un amplificateur de puissance haute fréquence selon ce mode de réalisation préféré est utilisé dans un système tel qu'un téléphone mobile GSM dans lequel la source de puissance de l'amplificateur de puissance est reliée directement à une source d'alimentation par batterie, il est possible de protéger le premier amplificateur de puissance 2 et le second amplificateur de puissance 4 d'un emballement thermique lorsque, par exemple, la borne Vpc contacte directement accidentellement la batterie pour certaines raisons. L'endommagement thermique à l'amplificateur de puissance haute fréquence ou à un téléphone mobile dans lequel cet amplificateur de puissance haute fréquence est utilisé, peut ainsi être également empêché et des avantages de protection de sécurité peuvent être accomplis en plus des avantages obtenus par un amplificateur de puissance haute fréquence selon le premier mode de réalisation de l'invention. REVENDICATIONS 1. Amplificateur de puissance haute fréquence pour un système à double bande, caractérisé en ce qu'il comprend: deux amplificateurs de puissance (2, 4), comprenant chacun au moins un transistor bipolaire hétérojonction d'amplification de puissance (11, 21), deux circuits de polarisation (3, 5), chacun disposé pour chacun des deux amplificateurs de puissance et comprenant un transistor bipolaire hétérojonction, et un circuit de commutation de polarisation (6) pour exclusivement une opération de commutation entre les circuits de polarisation selon des premier et second signaux entrés au circuit de commutation de polarisation (6); o le circuit de commutation de polarisation comprend: un premier circuit de commutation comprenant un transistor bipolaire hétérojonction pour contrôler la sortie du premier signal pour commander le fonctionnement du circuit de polarisation à l'un des circuits de polarisation (3, 5); un second circuit de commutation comprenant un transistor bipolaire hétérojonction pour contrôler la sortie du premier signal à un autre circuit de polarisation; et un troisième circuit de commutation comprenant un transistor bipolaire hétérojonction pour contrôler le fonctionnement dudit second circuit de commutation selon le second signal pour contrôl81er le fonctionnement du premier circuit de commutation pour exclusivement sélectionner et mettre en service les premier et second circuits de commutation. 2. Amplificateur de puissance haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premier et second circuits de commutation comprennent chacun: un circuit série de résistances ayant un certain nombre de résistances (48, 49) reliées en série pour diviser en tension la tension du signal Vpc, o le transistor bipolaire hétérojonction de chacun des premier et second circuits de commutation est un transistor bipolaire hétérojonction de connexion à la masse pour contrôler la connexion du circuit série de résistance à la masse, et produire un signal de commande à un circuit de polarisation correspondant à partir d'un noeud entre des résistances spécifiques dans le circuit série de résistances. 3. Amplificateur de puissance haute fréquence selon la revendication 2, caractérisé en ce que chaque amplificateur de puissance (2, 4) est un amplificateur de puissance à plusieurs étages pour amplification de puissance au moyen d'un certain nombre de transistors bipolaires hétérojonction d'amplification de puissance, chaque circuit de polarisation correspondant a un circuit pour fournir une polarisation à chaque transistor bipolaire hétérojonction d'amplification de puissance, et les premier et second circuits de commutation produisent des signaux de commande au circuit de polarisation correspondant de sorte que le premier courant de signal augmente graduellement à partir d'une polarisation appliquée au transistor bipolaire hétérojonction d'amplification de puissance du premier étage à une polarisation appliquée au transistor bipolaire hétérojonction d'amplification de puissance du dernier étage. 4. Amplificateur de puissance haute fréquence selon la revendication 2, caractérisé en ce que les premier et second circuits de commutation comprennent chacun en outre une résistance de réglage de niveau de signal pour régler le niveau du signal de commande appliqué au circuit de polarisation correspondant, ladite résistance de réglage de niveau de signal étant reliée en parallèle à un noeud entre des résistances spécifiques dans le circuit série de résistances et un noeud entre le circuit série de résistances et le transistor bipolaire hétérojonction de connexion à la masse. 5. Amplificateur de puissance haute fréquence selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'un transistor bipolaire hétérojonction dans le troisième circuit de commutation commande l'alimentation en polarisation à la base du transistor bipolaire hétérojonction dans le second circuit de commutation selon le second signal. 6. Amplificateur de puissance haute fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premier et second circuits de commutation comprennent chacun en outre un circuit de protection (81, 82) pour protéger chaque circuit de polarisation d'une surtension appliquée à une borne de reception du premier signal. 7. Amplificateur de puissance haute fréquence selon la revendication 6, caractérisé en ce que chaque circuit de protection est un multiplicateur de Vbe comprenant un transistor bipolaire hétérojonction.