FR 2788167 A1 20000707 FR 9907730 A 19990618 La présente invention concerne, de façon générale, un procédé de fabrication d'un film épais piézoélectrique électrostrictif en utilisant une couche d'ensemencement et, plus particulièrement, elle concerne une amélioration des propriétés d'attache entre un substrat et un film piézoélectrique électrostrictif et le procédé correspondant. Dans la fabrication de divers dispositifs du type film au moyen de céramiques, on utilise typiquement un sol céramique d'une viscosité réglée ou une poudre céramique modifiée de façon appropriée. Lorsque le sol céramique ou la poudre céramique est appliqué sur le substrat pour produire des films piézoélectriques électrostrictifs, spécialement des films épais, I'attache robuste entre substrats et films piézoélectriques électrostrictifs est l'un des facteurs les plus importants qui détermine la qualité des dispositifs fabriqués. Lorsque les matières des substrats sont les mêmes que les céramiques appliquées ou leur sont similaires, I'attache entre substrats et films piézoélectriques électrostrictifs ne pose aucun problème. En revanche, lorsque les matières des substrats ne sont pas céramiques ou lorsque les matières, même s'il s'agit de céramiques, diffèrent des céramiques appliquées par leurs structures cristallines, leurs propriétés et leurs réactivités superficielles, il en résulte une attache médiocre. Dans un tel cas, le dispositif résultant peut souffrir des divers problèmes, y compris une séparation entre le film piézoélectrique électrostrictif et le substrat, une progression de fissures dans le film piézoélectrique électrostrictif en direction verticale vers le film piézoélectrique électrostrictif, et une accélération de la dégradation de la matière céramique lorsque le dispositif est utilisé de façon répétitive. En particulier, au fur et à mesure de l'accroissement de l'épaisseur des films piézoélectriques électrostrictifs, la contrainte mécanique qui est engendrée lors du séchage du film piézoélectrique électrostrictif exerce une plus forte influence sur l'attache entre le substrat et le film piézoélectrique électrostrictif. Pour un film épais piézoélectrique électrostrictif, il faut donc prendre davantage en compte une amélioration de la propriété d'attache entre le substrat et le film piézoélectrique électrostrictif. Classiquement, afin d'assurer une attache robuste entre un substrat et un film piézoélectrique électrostrictif et d'empêcher des réactions indésirables à l'interface entre eux, diverses tentatives ont été effectuées: par exemple une couche de tampon est insérée entre un substrat et un film piézoélectrique électrostrictif; une faible épaisseur est définie pour que le film soit formé en un passage, ce qui réduit les contraintes mécaniques, et un adhésif est utilisé pour attacher une masse au substrat. Parmi ces méthodes, I'emploi d'une couche de tampon est représentatif. Selon cette technique, un mince film métallique est déposé sur un substrat par un procédé de revêtement sol- gel, un procédé de pulvérisation cathodique ou un procédé électrochimique et il est traité thermiquement pour former une couche de tampon, et un film piézoélectrique électrostrictif est ensuite formé sur la couche de tampon. On utilise typiquement comme couche de tampon un film métallique de titane ou de platine. Afin de mieux comprendre l'arrière plan de l'invention, on va maintenant décrire ces procédés classiques en conjonction avec les dessins annexés. En se référant à la Fig. 1, il y est illustré un procédé de fabrication d'un film piézoélectrique électrostrictif qui utilise une couche de tampon. Comme représenté à cette figure, une couche métallique, par exemple de titane ou de platine, est déposée sur un substrat et est ensuite soumise à un traitement thermique pour constituer une couche de tampon. Puis, un film piézoélectrique électrostrictif est formé sur la couche de tampon. A la Fig. 2 est illustré le même processus qu'à la Fig. 1, sauf toutefois que le substrat est traité thermiquement avant la formation de la couche de tampon. De façon détaillée, le substrat de silicium est soumis à une oxydation thermique afin de faire croître une couche de dioxyde de silicium (SiO2) au-dessus de laquelle est déposée un film mince de titane ou de platine. Un traitement thermique permet d'utiliser comme tampon le film métallique mince. La couche de tampon est ensuite recouverte d'un film piézoélectrique électrostrictif. Les traitements thermiques à températures élevées pour le traitement de surface du substrat ou la formation du tampon rendent compliquées les techniques mentionnées plus haut. De plus, les techniques souffrent de l'inconvénient que les dispositifs résultants sont d'une stabilité médiocre en raison des traitements thermiques répétitifs à hautes températures. En se référant à la Fig. 3, il y est représenté une technique de réduction de contraintes mécaniques qui est mise en oeuvre d'une manière telle qu'une fraction du film à former en une étape est aussi mince que possible. Selon cette technique illustrée à la Fig. 3, un film mince piézoélectrique électrostrictif d'une épaisseur de quelques centaines de nm est déposé ou appliqué en revêtement sur un substrat et est traité thermiquement à températures élevées, et cette procédure est répétée jusqu'à ce qu'une épaisseur souhaitée soit atteinte. Lorsqu'un film épais piézoélectrique électrostrictif est formé par cette technique, l'historique thermique répétitif amène à force une diffusion, dans le substrat, des fractions formées initialement du film piézoélectrique électrostrictif. Cette diffusion de film piézoélectrique électrostrictif offre l'avantage d'un renforcement de l'attache entre le film piézoélectrique électrostrictif et le substrat, mais souffre de l'inconvénient qu'une réaction se produit à l'interface et dénature les matières utilisées ou détériore leurs propriétés physiques. Il existe de plus une limite à l'épaisseur de film qui peut être obtenu par un tel processus de formation répétitive de films. Une autre technique consiste à utiliser un adhésif pour attacher un film piézoélectrique électrostrictif sur un substrat. Cette technique est habituellement utilisée lorsqu'un film piézoélectrique électrostrictif constitué d'une masse de céramique est produit séparément et attaché ensuite à un substrat. Comme représenté à la Fig. 4, cette technique est mise en oeuvre en appliquant sur un substrat un adhésif, habituellement un adhésif à traiter thermiquement, en appliquant sur l'adhésif un film piézoélectrique électrostrictif formé et fritté séparément et en traitant l'adhésif pour fixer fermement le film au substrat. La couche d'adhésif ainsi formée est excessivement épaisse, et peut atteindre 7 à 15 prm. De plus la couche d'adhésif tend à ne pas être uniforme superficiellement ou peut contenir des pores qui provoquent une réduction de la qualité et des rendements de production des dispositifs. Il est bien connu d'utiliser une couche d'ensemencement pour former le film piézoélectrique électrostrictif. Mais les procédés classiques sont limités parce que le film mince piézoélectrique électrostrictif est formé sur une épaisseur de 1 pm ou moins par un processus d'applications multiples de sol-gel ou un processus par voie sèche comme la pulvérisation cathodique, ou un processus d'électro-cristallisation. Les procédés classiques ne peuvent pas être employés lorsqu'un processus d'impression ou un processus de moulage est appliqué, ou lorsqu'un film piézoélectrique électrostrictif épais est formé C'est donc un but de la présente invention que de remédier aux problèmes rencontrés dans l'art antérieur et de fournir un procédé de fabrication d'un film épais piézoélectrique électrostrictif qui permette de former une attache robuste entre un film piézoélectrique électrostrictif et un substrat, afin d'améliorer la fiabilité des dispositifs résultants. Selon un premier aspect, I'invention fournit un procédé de fabrication d'un film épais piézoélectrique électrostrictif, en utilisant une couche d'ensemencement, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: agencer un substrat; former sur le substrat la couche d'ensemencement à partir d'une première solution de sol céramique ou d'une première pâte céramique, I'une et l'autre identiques ou similaires en composition au film piézoélectrique électrostrictif, ladite pâte céramique étant préparée à partir d'un mélange d'une poudre d'oxydes céramiques dont la dimension de particules est de 5 pm au moins et qui est préparée à partir d'éléments piézoélectriques à base de Pb et de Ti par une réaction d'oxydo-réduction non explosive à 100 à 500 C, et d'une deuxième solution de sol céramique dans l'eau ou un solvant organique, identique ou similaire en composition à ladite poudre d'oxyde céramique; soumettre la couche d'ensemencement à un traitement ultérieur afin d'améliorer la réactivité de la couche d'ensemencement et d'empêcher une réaction indésirable entre la couche d'ensemencement et le substrat; former sur la couche d'ensemencement un film piézoélectrique électrostrictif d'une épaisseur souhaitable; et traiter thermiquement le film piézoélectrique électrostrictif et la couche d'ensemencement à 100 à 600 C afin de fritter la couche d'ensemencement et le film piézoélectrique électrostrictif et de solidifier I'attache entre le film et le substrat, grâce à quoi le film épais piézoélectrique électrostrictif peut réaliser une attache excellente au substrat dans le traitement thermique à basse température. Ledit substrat peut être une plaque métallique, ou une plaque céramique portant une électrode et, par exemple, ladite plaque métallique peut être en acier inoxydable ou en nickel, tandis que ladite plaque céramique peut consister en un oxyde céramique, un carbure céramique ou un nitrure céramique. Les dimensions de la poudre d'oxyde céramique peuvent être de 1 pm au moins. La poudre d'oxyde céramique peut être sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN, et, dans ce cas, ladite poudre d'oxyde céramique peut en particulier comprendre en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), I'antimoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), I'étain (Sn) et le manganèse (Mn). L'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif peut être comprise dans une plage de 1 à 100 pm et, plus particulièrement, l'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif peut être comprise dans une plage de 5 à 30 pm. Ledit film piézoélectrique électrostrictif est formé de préférence en appliquant sur ladite couche d'ensemencement une pâte céramique préparée à partir d'un mélange de poudres d'oxydes céramiques, dont les dimensions de particules sont égales ou inférieures à 5 IJm et est préparée à partir d'éléments piézoélectriques à base de Pb et de Ti par une réaction d'oxydo-réduction non explosive à 100 à 500 C, et d'une deuxième solution de sol céramique dans l'eau ou un solvant organique, identique ou similaire en composition à ladite poudre d'oxyde céramique. Dans ce cas, la poudre d'oxyde céramique peut être sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN et on peut alors prévoir en particulier que ladite poudre d'oxyde céramique comprend en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), I'antimoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), I'étain (Sn) et le manganèse (Mn). Lorsque ledit film piézoélectrique électrostrictif est formé selon la modalité préférée exposée plus haut, il peut l'être par un processus d'impression, un processus de moulage ou un processus de revêtement. Ledit film piézoélectrique électrostrictif peut être préparé à partir d'un mélange d'une dispersion d'une poudre d'oxyde céramique dans un dispersant et d'une solution de sol céramique dans un solvant organique. Dans ce cas aussi, la poudre d'oxyde céramique peut être sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN et on peut alors prévoir en particulier que ladite poudre d'oxyde céramique comprend en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), I'antimoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), I'étain (Sn) et le manganèse (Mn). L'épaisseur de la couche d'ensemencement peut être inférieure ou égale à 1 pm et plus particulièrement être comprise dans une plage de 200 à 300 nm. Ledit traitement ultérieur peut être sélectionné dans le groupe constitué par un processus de séchage, un processus d'oxydo-réduction, un traitement de surface, un traitement thermique à basse température, et la combinaison des précédents. Ledit processus de séchage peut être effectué en séchant ladite couche d'ensemencement à une température comprise entre la température ambiante et 150 C et, plus particulièrement, ledit processus de séchage peut être effectué par séchage de la couche d'ensemencement dans une chambre de séchage saturée au moyen de la vapeur d'un solvant organique et en volatilisant le solvant hors de la couche d'ensemencement à une température appropriée, ledit solvant organique étant identique à celui qui est utilisé pour préparer le sol céramique pour la couche d'ensemencement. Ledit processus d'oxydo-réduction peut être effectué par séchage de ladite couche d'ensemencement à l'air de façon à effectuer une oxydation partielle de la couche d'ensemencement par l'air. Ledit processus de traitement de surface peut être exécuté en amenant un flux d'une vapeur organique dans une chambre dans laquelle est placée ladite couche d'ensemencement formée sur ledit substrat. Le traitement thermique à basse température peut être exécuté à une température de 100 à 600 C. Ladite étape de traitement thermique peut être exécutée à 150 à 300 C. Selon un deuxième aspect, I'invention fournit un procédé de fabrication d'un film épais piézoélectrique électrostrictif, en utilisant une couche d'ensemencement, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: agencer un substrat; former sur le substrat la couche d'ensemencement à partir d'une première solution de sol céramique ou d'une première pâte céramique, I'une et l'autre identiques ou similaires en composition au film piézoélectrique électrostrictif, ladite pâte céramique étant préparée à partir d'un mélange d'une poudre d'oxydes céramiques dont la dimension de particules est de 5 pm au moins et qui est préparée à partir d'éléments piézoélectriques à base de Pb et de Ti par une réaction d'oxydo-réduction non explosive à 100 à 500 C, et une deuxième solution de sol céramique dans l'eau ou un solvant organique, identique ou similaire en composition à ladite poudre d'oxyde céramique; sécher partiellement ladite couche d'ensemencement à une température comprise entre la température ambiante et 150 C afin de conférer à ladite couche d'ensemencement une viscosité appropriée pour son attache; attacher sur ladite couche d'ensemencement partiellement séchée un film piézoélectrique électrostrictif, ledit film piézoélectrique électrostrictif étant formé séparément à partir d'une poudre d'oxyde céramique à dimensions de particules inférieures ou égales à 5 pm et est préparée à partir d'éléments piézoélectriques électrostrictifs à base de Pb et Ti par une réaction de combustion d'oxydo-réduction non explosive à basse température de 100 à 500 ; et traiter thermiquement le film piézoélectrique électrostrictif et la couche d'ensemencement à 100 à 600 C afin de fritter la couche d'ensemencement et le film piézoélectrique électrostrictif et de solidifier l'attache entre le film et le substrat, grâce à quoi le film épais piézoélectrique électrostrictif peut réaliser une attache excellente au substrat dans le traitement thermique à basse température. Ledit substrat peut être une plaque métallique, ou une plaque céramique portant une électrode et, par exemple, ladite plaque métallique peut être en acier inoxydable ou en nickel, tandis que ladite plaque céramique peut consister en un oxyde céramique, un carbure céramique ou un nitrure céramique. Les dimensions de la poudre d'oxyde céramique peuvent être de 1 prm au moins. La poudre d'oxyde céramique peut être sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN, et, dans ce cas, ladite poudre d'oxyde céramique peut en particulier comprendre en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), I'antimoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), I'étain (Sn) et le manganèse (Mn). Le procédé peut comprendre en outre l'étape consistant à cuire au préalable le film piézoélectrique électrostrictif à 100 à C, après l'étape d'attache et avant l'étape de traitement thermique. L'étape de traitement thermique peut être exécutée sous pression de façon à réaliser une attache uniforme entre le film piézoélectrique électrostrictif et le substrat. L'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif peut être comprise dans une plage de 1 à 100 pm et, plus particulièrement, l'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif peut être comprise dans une plage de 5 à 30 IJm. L'épaisseur de la couche d'ensemencement peut être inférieure ou égale à 1 pm et plus particulièrement être comprise dans une plage de 200 à 300 nm. Ladite étape de séchage partiel peut être exécutée à une température comprise entre la température ambiante et 150 C. Ladite étape de séchage partiel peut être exécutée à 50 à 70 C. Ladite étape de séchage partiel peut être exécutée par séchage de la couche d'ensemencement dans une chambre de séchage saturée au moyen de la vapeur d'un solvant organique et en volatilisant le solvant hors de la couche d'ensemencement à une température appropriée, ledit solvant organique étant identique à celui qui est utilisé pour préparer le sol céramique pour la couche d'ensemencement. Ladite étape de traitement thermique peut être exécutée à 150 à 300 C. Selon un troisième aspect, I'invention fournit un procédé de fabrication d'un film épais piézoélectrique électrostrictif, en utilisant une couche d'ensemencement, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: agencer un substrat; former sur le substrat la couche d'ensemencement à partir d'une première solution de sol céramique ou d'une première pâte céramique, I'une et l'autre identiques ou similaires en composition au film piézoélectrique électrostrictif, ladite pâte céramique étant préparée à partir d'un mélange d'une poudre d'oxydes céramiques dont la dimension de particules est de 5 pm au moins et qui est préparée à partir d'éléments piézoélectriques à base de Pb et de Ti par une réaction d'oxydo-réduction non explosive à 100 à 500 C, et une deuxième solution de sol céramique dans l'eau ou un solvant organique, identique ou similaire en composition à ladite poudre d'oxyde céramique; sécher partiellement ladite couche d'ensemencement à une température comprise entre la température ambiante et 150 C afin de conférer à ladite couche d'ensemencement une viscosité appropriée pour son attache; attacher sur ladite couche d'ensemencement partiellement séchée un film piézoélectrique électrostrictif formé séparément et fritté; et traiter thermiquement le film piézoélectrique électrostrictif et la couche d'ensemencement à 100 à 600 C afin de fritter la couche d'ensemencement et le film piézoélectrique électrostrictif et de solidifier l'attache entre le film et le substrat, grâce à quoi le film épais piézoélectrique électrostrictif peut réaliser une attache excellente au substrat dans le traitement thermique à basse température. Pour ce troisième aspect également, les modalités exposées pour le deuxième aspect sont possibles. Ledit substrat peut être une plaque métallique, ou une plaque céramique portant une électrode et, par exemple, ladite plaque métallique peut être en acier inoxydable ou en nickel, tandis que ladite plaque céramique peut consister en un oxyde céramique, un carbure céramique ou un nitrure céramique. Les dimensions de la poudre d'oxyde céramique peuvent être de 1 pm au moins. La poudre d'oxyde céramique peut être sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN, et, dans ce cas, ladite poudre d'oxyde céramique peut en particulier comprendre en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), I'antimoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), I'étain (Sn) et le manganèse (Mn). Le procédé peut comprendre en outre l'étape consistant à cuire au préalable le film piézoélectrique électrostrictif à 100 à C, après l'étape d'attache et avant l'étape de traitement thermique. L'étape de traitement thermique peut être exécutée sous pression de façon à réaliser une attache uniforme entre le film piézoélectrique électrostrictif et le substrat. L'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif peut être comprise dans une plage de 1 à 100 pm et, plus particulièrement, l'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif peut être comprise dans une plage de 5 à 30 pm. L'épaisseur de la couche d'ensemencement peut être inférieure ou égale à 1 pm et plus particulièrement être comprise dans une plage de 200 à 300 nm. Ladite étape de séchage partiel peut être exécutée à une température comprise entre la température ambiante et 1500C. Ladite étape de séchage partiel peut être exécutée à 50 à 70%C. Ladite étape de séchage partiel peut être exécutée par séchage de la couche d'ensemencement dans une chambre de séchage saturée au moyen de la vapeur d'un solvant organique et en volatilisant le solvant hors de la couche d'ensemencement à une température appropriée, ledit solvant organique étant identique à celui qui est utilisé pour préparer le sol céramique pour la couche d'ensemencement. Ladite étape de traitement thermique peut être exécutée à 150 à 3000C. Les buts, particularités et avantages de la présente invention exposés ci-dessus ainsi que d'autres ressortiront davantage de la description détaillée qui suit de modes de réalisation préférés de l'invention, prise en liaison avec les dessins annexés dans lesquels: la Fig. 1 est un schéma logique qui illustre un procédé classique d'attache d'un film piézoélectrique électrostrictif à un substrat, en utilisant une couche de tampon, la Fig. 2 est un schéma logique qui illustre un procédé classique d'attache d'un film piézoélectrique électrostrictif à un substrat, en utilisant une couche de tampon et l'oxydation thermique du substrat; la Fig. 3 est un schéma logique qui illustre un procédé classique de fabrication d'un film piézoélectrique électrostrictif par formation répétitive d'une fraction du film piézoélectrique électrostrictif; la Fig. 4 est un schéma logique qui illustre un procédé classique d'attache d'un film piézoélectrique électrostrictif, en utilisant un adhésif; la Fig. 5 est un schéma logique qui illustre un procédé de fabrication d'un film piézoélectrique électrostrictif, en utilisant une couche d'ensemencement, dans lequel un film piézoélectrique électrostrictif est directement formé sur la couche d'ensemencement selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la Fig. 6 est un schéma logique qui illustre un procédé de fabrication d'un film piézoélectrique électrostrictif en utilisant une couche d'ensemencement, dans lequel un film piézoélectrique électrostrictif, formé séparément, est attaché sur la couche d'ensemencement au sommet d'un substrat, selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention; la Fig. 7 est un schéma logique qui illustre un procédé de fabrication d'un film piézoélectrique électrostrictif en utilisant une couche d'ensemencement, dans lequel un film piézoélectrique électrostrictif, formé et fritté séparément, est attaché sur la couche d'ensemencement au sommet d'un substrat, selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. On va maintenant expliquer de façon détaillée la présente invention. Selon la présente invention, la fabrication du film épais piézoélectrique électrostrictif est exécutée de deux manières: la première manière consiste à former un film piézoélectrique électrostrictif directement sur une couche d'ensemencement au sommet d'un substrat; et l'autre manière consiste à attacher un film épais piézoélectrique électrostrictif, préparé séparément, sur une couche d'ensemencement agencée sur un substrat. On utilise comme substrat une plaque métallique ou une plaque céramique qui porte une électrode. La plaque métallique est de préférence en acier inoxydable ou en nickel (Ni). Des exemples de céramiques utilisables incluent un oxyde métallique comme de l'oxyde d'aluminium A1203, un oxyde non métallique comme un dioxyde de silicium, SiO2, un carbure non métallique comme un carbure de silicium SiC, et un nitrure non métallique comme le nitrure de silicium Si3N4. Selon la présente invention, la couche d'ensemencement consiste en une solution de sol céramique dont la composition est la même que celle de la céramique utilisée pour le film piézoélectrique électrostrictif ou lui est semblable, ou en une pâte céramique préparée à partir d'un mélange de la solution de sol céramique et d'une poudre d'oxyde céramique, ce qui améliore les propriétés d'attache entre le substrat et le film piézoélectrique électrostrictif. La solution de sol céramique utilisable pour la couche d'ensemencement emploie de l'eau ou un solvant organique comme base pour la dissolution des composants céramiques. La concentration préférée de la solution de sol céramique est de 0,1 à 5 M. Le solvant organique est sélectionné de préférence dans le groupe constitué par l'acide acétique, le diméthyl formamide, le méthoxyéthanol, des glycols et des alcools. Lorsqu'une solution de sol céramique concentrée a été préparée, elle peut si nécessaire être diluée à une concentration appropriée dans la même base, immédiatement avant son utilisation. En ce qui concerne la pâte céramique, celle-ci est préparée à partir d'un mélange d'une poudre d'oxyde céramique et d'un sol céramique, les composants céramiques de l'un et de l'autre étant les mêmes que ceux du film piézoélectrique électrostrictif ou leur étant similaires. Afin de préparer la poudre d'oxyde céramique utilisable pour la présente invention, les composants céramiques ou leurs matières premières sont bien dissous dans un solvant pour donner une solution à laquelle de l'acide citrique est ajouté en quantité suffisante pour provoquer une réaction d'oxydo-réduction ou rédox avec les anions des composants céramiques, ce qui est suivi par une cuisson du mélange résultant à 100 à 500 C. En variante, les composants céramiques ou leurs matières premières peuvent être dispersés uniformément dans un dispersant, au lieu d'être dissous dans le solvant. De l'acide citrique est ensuite ajouté au dispersant et l'ensemble est cuit comme ci-dessus. Un traitement thermique à 700 à 900 C peut en outre être exécuté si nécessaire pour améliorer la cristallinité de la poudre. Les matières premières des composants céramiques peuvent prendre la forme d'oxydes, de carbonates, de nitrates, de sels organiques ou inorganiques, ou de complexes. Selon la présente invention, ce sont des éléments céramiques piézoélectriques électrostrictifs à base de Pb/Ti qui sont utilisés comme composants céramiques. Il s'agit de préférence de ceux qui comprennent un groupe constitué de plomb ou Pb, de zirconium ou Zr, de titane ou Ti, d'o la désignation abrégée d'oxyde de PZT pour la céramique, ou d'un groupe constitué de plomb ou Pb, de magnésium ou Mg, et de niobium ou Nb, d'o la désignation abrégée d'oxyde de PMN pour la céramique. Comme mentionné précédemment, les composants céramiques ou leurs matières premières sont dissous ou dispersées dans un solvant ou dispersant. Par conséquent, le solvant ou le dispersant doit pouvoir dissoudre et disperser les composants ou les matières premières. Il peut s'agir d'eau ou d'un solvant organique sélectionné parmi le diméthyl formamide, le méthoxy éthanol, l'acide acétique, des glycols et des alcools. Au cours de la préparation de la poudre d'oxyde céramique, l'acide citrique sert d'aide à la combustion. Dans des procédés classiques, l'acide citrique est utilisé non pas comme aide à la combustion mais comme agent complexant pour permettre une réaction homogène. Le procédé de Pechini par exemple met à profit l'acide citrique. Mais la présente invention utilise tant la combustibilité que l'effet complexant de l'acide citrique de façon à mettre en oeuvre une réaction de combustion à une cadence réglée. L'acide citrique est ajouté à la solution ou à la dispersion des composants céramiques. La quantité d'acide citrique ajoutée doit être d'un niveau égal ou supérieur à celui qui permet l'apparition d'une réaction de combustion par oxydo-réduction avec les anions des composants céramiques. L'allure de la réaction peut être réglée par la quantité d'acide citrique ajoutée. Le mélange des composants céramiques et de l'acide citrique est cuit à une température de 100 à 500 c. Puisque la température de cuisson est plus élevée, la cristallinité de la phase céramique obtenue est encore davantage améliorée. Mais une température de 1000C est suffisamment élevée pour lancer la réaction de combustion de l'acide citrique tandis qu'une température supérieure à 500 C, bien qu'elle induise suffisamment la réaction, n'offre aucun avantage par rapport à des procédés classiques. De préférence, la cuisson est effectuée à 150 à 3000C. Cette plage de températures est basse, de façon appropriée, tout en permettant certainement la formation de la cristallinité de la phase céramique. Pendant la réaction de combustion, l'acide citrique est enlevé et un oxyde céramique est formé sans dispersion parce que la réaction n'est pas explosive. De plus, les ingrédients qui ne sont pas les composants céramiques sont enlevés de la réaction de combustion, de sorte qu'une poudre pure d'oxyde céramique, exempte d'impuretés, est formée. Les dimensions des particules de la poudre d'oxyde céramique ainsi préparée sont de 5 pm ou moins, et de préférence de 1 pm ou moins, la répartition des dimensions de particules étant uniforme. La particule primaire de cette poudre est en forme de corps indépendant ou d'agrégat souple. De plus, les particules primaires consistent en une phase céramique totalement cuite, de sorte que leur poids ne se réduit pas lors d'un traitement thermique ultérieur. En outre, puisque la réactivité de la surface de la poudre est excellente, elle peut être configurée par un traitement thermique à basse température. La poudre de la présente invention donne donc un degré élevé de liberté au substrat du dispositif résultant et permet d'utiliser un procédé d'impression ou de revêtement. Afin d'augmenter la cristallinité de la poudre d'oxyde céramique, un traitement thermique peut en outre être effectué à une température de 700 à 9000C. La poudre d'oxyde céramique est utilisée en combinaison avec la solution de sol céramique préparée de la manière exposée ci-dessus pour produire une pâte céramique. A ce sujet, la poudre d'oxyde céramique est de préférence constituée de PZT, de PMN ou de leur solution solide PZT- PMN. Cette poudre d'oxyde céramique peut en outre comprendre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), l'antimoine (Sb), le fer (Fe) l'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), l'étain (Sn) et le manganese (Mn). Il est préférable que la solution de sol céramique soit ajoutée selon une quantité de 1 à 200 parties en poids sur la base de 100 parties en poids de l'oxyde céramique. Par exemple, si la quantité de solution de sol céramique dépasse 200 parties en poids, la viscosité du mélange est trop faible. En revanche, si la quantité de solution de sol céramique ajoutée est inférieure à une partie en poids, le mélange résultant est trop visqueux. De façon particulièrement préférée, la solution de sol céramique est ajoutée selon une quantité de 10 à 100 parties en poids pour 100 parties en poids d'oxyde céramique. Si la poudre d'oxyde céramique est mélangée à la solution de sol céramique, la solution de sol céramique en phase liquide est appliquée uniformément en revêtement sur la surface de la poudre d'oxyde céramique d'une phase solide, en replissant effectivement les vides compris entre les particules de la poudre afin de connecter les particules entre elles. Dans le mélange poudre-sol résultant, les particules de la poudre d'oxyde céramique, qui présente les caractéristiques céramiques, sont entourées par la solution de sol céramique dont les composants sont les mêmes que ceux de la poudre ou leur sont semblables, à l'état fluide. Le sol céramique qui sert de support de réaction sur la surface de la poudre d'oxyde céramique améliore la réactivité de la surface. En ce qui concerne le composant organique du sol, lorsque le mélange poudre-sol est amené au contact d'une autre matière organique, il assure une stabilité à l'interface de contact, ce qui permet la dispersibilité et l'homogénéité du mélange. A basse température, le sol peut être décomposé thermiquement et un système céramique dans lequel les particules sont suffisamment connectées entre elles peut être obtenu à basses températures parce que les composants du résidu sont les mêmes que ceux de la poudre d'oxyde céramique ou leur sont semblables. Afin d'assurer la stabilité et la fluidité nécessaires pour configurer le mélange poudre-sol, un solvant organique peut être ajouté pour ajuster les propriétés physiques du mélange. Il peut être sélectionné parmi divers composants, mais de préférence parmi des glycols et des alcools parce qu'ils présentent une certaine viscosité et une faible volatilité à température ambiante. La quantité de solvant est de préférence dans une plage de 1 à 100 parties en poids pour 100 parties en poids de poudre d'oxyde céramique. Si le solvant organique d'ajustement du mélange est par exemple ajouté en quantité inférieure à une partie en poids, aucun effet ne peut être obtenu du solvant organique. En revanche, si la quantité de solvant organique ajoutée dépasse 100 parties en poids, la viscosité du mélange ne peut être maintenue et il devient trop dilué pour être moulé. Le solvant organique d'ajustement des propriétés physiques du mélange sol- gel est de préférence ajouté selon une quantité de 10 à 40 parties en poids pour 100 parties en poids de la poudre d'oxyde céramique. A l'intérieur de cette plage, le solvant organique permet tant de maintenir une viscosité appropriée du mélange que d'exercer l'effet d'ajustement des propriétés physiques. De plus, une petite quantité de matière organique peut être ajoutée afin d'améliorer encore la dispersibilité et l'homogénéité du mélange poudre-sol ajouté à la solution organique. Des solvants appropriés sont des alcools à chaînes longues ou des solvants organiques polaires. Des exemples préférables incluent le pentanol et l'hexanol comme alcools à chaînes longues et l'acétyl acétone et le méthoxy éthane comme solvants organiques polaires. La quantité de matière organique est de préférence comprise dans une plage de 1 à 100 parties en poids pour 100 parties en poids de poudre d'oxyde céramique. Si le solvant organique d'ajustement du mélange est par exemple ajouté en quantité inférieure à une partie en poids, aucun effet ne peut être obtenu de la matière organique. En revanche, si la quantité de solvant organique ajoutée dépasse 100 parties en poids, la viscosité du mélange ne peut être maintenue et il devient trop dilué pour être moulé. De façon particulièrement préférable, la matière organique est ajoutée selon une quantité de 10 à 40 parties en poids sur la base de 100 parties en poids de la poudre d'oxyde céramique. A l'intérieur de cette plage, la matière organique ajoutée permet un maintien approprié de la viscosité du mélange tout en exercçant l'effet d'ajustement des propriétés physiques. On va maintenant décrire en référence à la Fig. 5 la formation directe du film piézoélectrique électrostrictif sur une couche d'ensemencement en utilisant la solution de sol céramique ou la pâte céramique. Comme représenté à la Fig. 5, la solution de sol céramique ou la pâte céramique préparée de la manière décrite ci-dessus est en premier lieu appliquée sur un substrat pour former une couche d'ensemencement. Diverses techniques peuvent être utilisées pour l'application de la pâte céramique. Le procédé d'impression est typique de ceux-ci. En ce qui concerne la solution de sol céramique, c'est un procédé d'application de revêtement qui est habituellement utilisé. L'épaisseur de la couche d'ensemencement est de préférence de 1 pm ou moins, et de façon préférable de 200 à 300 mm. Lors de la formation de la couche d'ensemencement, un outil approprié de masquage est utilisé pour donner une configuration à la couche d'ensemencement. Puis, un traitement ultérieur est effectué dans le but non seulement d'améliorer la réactivité de la couche d'ensemencement mais de restreindre aussi ses réactions indésirables avec le film piézoélectrique électrostrictif ou le substrat. Pour le traitement ultérieur, un séchage, une oxydo-réduction, un traitement de surface, un traitement thermique à basse température peuvent être utilisés seuls ou en combinaison. Lorsqu'une technique de séchage est mise en oeuvre pour stabiliser la couche d'ensemencement, la température appropriée est comprise entre la température ambiante de 150 C et de préférence entre 50 et 70 C. Cette étape de séchage est l'une des étapes qui exige le plus d'attention dans la formation de la couche d'ensemencement. Il faut prendre soin d'éviter toute fissure ou tout pore sur la surface ou dans la structure du sol céramique. Afin d'empêcher la génération de fissures ou de pores sur la surface ou dans la structure de la couche d'ensemencement lors du séchage, il est recommandé que la couche d'ensemencement soit séchée dans une chambre de séchage qui est saturée du solvant organique utilisé comme base, puis de volatiliser le solvant à une température appropriée. Dans ces conditions de séchage, la couche d'ensemencement n'exerce aucune influence dommageable sur l'attache avec le film piézoélectrique électrostrictif qui sera formée ultérieurement, même si elle est soumise à une pyrolyse pour former une phase ou un gel céramique. Il existe diverses techniques pour effectuer une oxydo-réduction sur la couche d'ensemencement. Une technique représentative consiste à sécher à l'air la couche d'ensemencement de façon à provoquer une oxydation partielle à l'air. Le traitement de surface de la couche d'ensemencement est typiquement effectué en amenant un flux de vapeur d'alcool dans la chambre dans laquelle la couche d'ensemencement est placée. En ce qui concerne le traitement thermique à basse température, il est effectué par frittage de la couche d'ensemencement à 100 à 600 C et de préférence à 150 à 300 C. Après achèvement du traitement ultérieur de la couche d'ensemencement, un film épais piézoélectrique électrostrictif est formé directement sur la couche d'ensemencement selon un procédé d'impression, un procédé de moulage ou un procédé d'application en revêtement. Lorsque le film épais piézoélectrique électrostrictif est formé par l'un des trois premiers procédés, une pâte céramique qui est la même que celle qui est préparée pour la couche d'ensemencement est utilisée comme matière pour le film épais piézoélectrique électrostrictif. Dans le procédé d'impression, la pâte céramique est imprimée sur le substrat, en utilisant un écran. La formation du film épais piézoélectrique électrostrictif par le procédé de moulage est effectuée en appliquant la pâte céramique pour les moules en relief formés sur le substrat. Un revêtement par centrifugation de la pâte céramique sur le substrat est un exemple représentatif de procédé de revêtement. En ce qui concerne le procédé de revêtement, le film épais piézoélectrique électrostrictif est obtenu en appliquant de façon répétitive sur le substrat une fraction de film piézoélectrique électrostrictif d'une épaisseur égale ou inférieure à 1 pm. Un traitement ultérieur peut aussi être effectué sur le film épais piézoélectrique électrostrictif qui est formé sur le substrat par le procédé d'application en revêtement. De plus, un outil de masquage peut être utilisé pour donner une configuration au film piézoélectrique électrostrictif formé par le procédé de revêtement. L'achèvement de la formation du film peut être réalisé en formant le film entièrement sur le substrat, et en appliquant ensuite un traitement ultérieur. En variante, un écran, un moule ou un masque peut être monté sur le substrat afin de produire un dispositif du type film piézoélectrique électrostrictif selon une configuration souhaitée. Le film piézoélectrique électrostrictif formé sur la couche d'ensemencement au sommet du substrat est traité thermiquement à une température de 100 à 600 C et de préférence de 150 à 300 C. Ce traitement thermique enlève le solvant et les matières organiques, fritte le film piézoélectrique électrostrictif et transforme la couche d'ensemencement en un film mince constitué seulement de la fine couche de céramique de façon à réaliser un film épais piézoélectrique électrostrictif. Comme illustré, des réaction suffisantes sont obtenues par traitement thermique à une température aussi basse que 100 à 600 C. Ceci est attribué au fait que le même effet qu'un frittage peut être atteint par la réaction réciproque dans laquelle l'eau sur la surface de la poudre d'oxyde céramique induit l'hydrolyse de la solution de sol céramique, et les composants céramiques de la solution de sol céramique séparés par suite de l'hydrolyse, se combinent avec la poudre d'oxyde céramique. On va maintenant décrire en référence à la Fig. 6, un mode de réalisation dans lequel, après formation d'une couche d'ensemencement sur un substrat, un film piézoélectrique électrostrictif formé séparément est attaché sur la couche d'ensemencement. Comme représenté à la Fig. 6, la couche d'ensemencement est formée en appliquant la même solution de sol céramique ou la même pâte céramique que celles qui sont préparées par les processus exposés ci- dessus. Comme pour la formation directe, I'application de la solution de sol céramique est habituellement effectuée par un procédé d'application en revêtement tandis que la pâte céramique est appliquée en utilisant un procédé d'impression. La couche d'ensemencement est de préférence d'une épaisseur de 1 pm ou moins et, de façon particulièrement préférée de 200 à 300 nm. Une configuration peut être donnée à la couche d'ensemencement au moyen d'un outil approprié de masquage. Puis, la couche d'ensemencement est partiellement séchée à une température comprise entre la température ambiante et 150 C, et de préférence entre 50 et 70 C, dans la mesure o elle devient d'une viscosité appropriée. Afin de ne produire ni fissures ni pores sur la surface ou dans la structure de la couche d'ensemencement lors du séchage partiel, il est recommandé aussi que la couche d'ensemencement soit séchée dans une chambre de séchage qui est saturée au moyen du solvant organique utilisé comme base pour préparer le sol céramique, puis de volatiliser le solvant à une température appropriée. Un film épais piézoélectrique électrostrictif formé séparément est ensuite attaché sur la couche d'ensemencement dont la viscosité a été rendue appropriée par le séchage partiel. En variante, un film épais piézoélectrique électrostrictif formé et fritté séparément est utilisé comme représenté à la Fig. 7 en substitution au film épais piézoélectrique électrostrictif formé séparément. Puis, un traitement thermique à 100 à 6000C et de préférence à 150 à 3000C provoque une attache robuste entre le film piézoélectrique électrostrictif et le substrat. Ce traitement thermique amène à force le film épais formé séparément à s'attacher à la couche d'ensemencement en pyrolysant le sol céramique et en frittant la couche d'ensemencement et le film piézoélectrique électrostrictif. En revanche, le film piézoélectrique électrostrictif formé et fritté séparément n'est pas fritté davantage par ce traitement thermique, mais seule la couche d'ensemencement est frittée tandis que l'attache entre la couche d'ensemencement et le film épais piézoélectrique électrostrictif est en cours de réalisation. Une étape de cuisson préalable du film épais piézoélectrique électrostrictif à 100 à 150 C peut être introduite facultativement après l'attache du film épais piézoélectrique électrostrictif à la couche d'ensemencement et avant d'effectuer le traitement thermique exposé ci- dessus, de façon à induire une attache efficace dans une condition plus modérée entre le film épais piézoélectrique électrostrictif et la couche d'ensemencement. Si nécessaire, le traitement thermique peut être effectué sous pression, de façon à réaliser une attache plus uniforme entre le film épais piézoélectrique électrostrictif et la couche d'ensemencement. Après la mise en oeuvre des procédés illustrés ci-dessus, l'épaisseur du film épais piézoélectrique électrostrictif est de préférence comprise dans la plage de 1 à 100 pm et plus particulièrement de 5 à 30 pm. Puisque la couche d'ensemencement non seulement est d'une qualité supérieure pour l'attache du substrat, mais présente en outre une bonne affinité chimique pour le film piézoélectrique électrostrictif, I'existence de la couche d'ensemencement entre le film piézoélectrique électrostrictif et le substrat contribue à une grande amélioration de l'attache entre eux. Comme décrit ci-dessus, I'utilisation d'une couche d'ensemencement pour fabriquer un film épais piézoélectrique électrostrictif sur un substrat permet de solidifier l'attache entre le film épais piézoélectrique électrostrictif et le substrat par un traitement thermique à basse température, ce qui améliore la fiabilité du dispositif et simplifie le processus de fabrication. L'utilisation d'une couche d'ensemencement peut de plus être appliquée effectivement lorsque le film épais piézoélectrique électrostrictif est fabriqué par stratification répétée d'un film mince piézoélectrique électrostrictif par sérigraphie ou lorsqu'un film épais piézoélectrique électrostrictif est formé en une fois ou en deux ou trois étapes de processus. De plus, dans le cas o un film épais piézoélectrique électrostrictif formé séparément est attaché sur un substrat, une qualité et une fiabilité excellentes peuvent être obtenues dans le dispositif résultant sans poser aucun des problèmes tels qu'une interface non uniforme, une production de pores et une détérioration de la qualité et du rendement dépendant des conditions du traitement ultérieur. Une meilleure compréhension de la présente invention sera obtenue à la lumière des exemples qui suivent, qui sont exposés à titre d'illustration mais ne doivent en aucun cas être considérés comme limitant la présente invention. EXEMPLE I Un sol de PZT à 2 M à base d'acide acétique est dilué avec de l'éthanol et un substrat en acier inoxydable, sur lequel une micro- configuration est effectuée après un moulage de film de résine photosensible, est immergé dans la dilution de sol céramique. Le substrat en acier inoxydable revêtu du sol céramique par cette immersion est séché à 1000C dans une chambre de séchage, et une pâte PZT/PMN est ensuite chargée le long de la micro-configuration formée sur le substrat afin de produire un film épais piézoélectrique électrostrictif. Ce film est séché à 130 C pendant 1 heure et cuit à 300 C pendant 2 heures pour solidifier l'attache entre le film et le substrat. EXEMPLE II Sur un substrat en nickel (Ni) est déposé par centrifugation un sol de PZT à 0,5 M à base de méthoxyéthanol. Le substrat résultat est séché à température ambiante en utilisant une cuvette de séchage saturée en vapeur de méthoxyéthanol, et est ensuite cuit à 3000C pendant 1 heure pour former un film mince de PZT. Une pâte de PZT/PMN est sérigraphiée sur le film mince en PZT afin de former un film épais piézoélectrique électrostrictif qui est ensuite séché à C pendant 1 heure puis cuit à 2500C pendant 1 heure afin de solidifier l'attache entre le film et le substrat. EXEMPLE III Un sol de PZT à 2 M à base de diméthyl formamide est appliqué en revêtement par centrifugation sur un substrat de nickel qui est ensuite séché à l'air, la surface du sol de PZT étant activée par oxydation à l'air. Une pâte de PZT/PMN est sérigraphiée sur ce sol activé de PZT afin de former un film épais piézoélectrique électrostrictif en utilisant un masque à micro-configurations. Le film est séché à 130 C pendant i heure et est ensuite traité thermiquement à 300 C pendant 2 heures afin de solidifier l'attache entre le film épais et le substrat. EXEMPLE IV Un sol de PZT à 2M à base d'acide acétique est appliqué en revêtement par centrifugation sur un substrat en acier inoxydable et est séché à 50 C pendant 5 minutes pour former une couche de revêtement d'une viscosité appropriée pour l'attache. Un film de PZT/PMN fritté d'une épaisseur de 40 pm, formé séparément, est appliqué sur la couche de sol de céramique de viscosité appropriée. Sous pression, le film fritté est cuit préalablement à 130 C pendant 1 heure et est ensuite traité thermiquement à 200 C pendant 2 heures pour solidifier l'attache entre le film et le substrat. EXEMPLE V Une pate céramique est préparée en mélangeant un sol de PZT à 2M à base d'acide acétique avec une micro poudre de PZT/PMN, et la pâte céramique est ensuite imprimée sur un substrat en résine à traiter thermiquement au moyen d'un écran d'une épaisseur de 1 pm afin de former une couche de céramique. Pour conférer à cette couche de céramique une viscosité appropriée pour l'attache, elle est séchée à la température ambiante pendant 1 heure à la suite de quoi un film de PZT/PMN fritté d'une épaisseur de 40 pm, formé séparément, est attaché à la couche de céramique. Sous pression, le film fritté est cuit préalablement à 130 C pendant 1 heure et est ensuite traité thermiquement à 200 C pendant 2 heures pour solidifier l'attache entre le film et le substrat. La présente invention a été décrite à titre d'illustration et il faut comprendre que la terminologie a été utilisée dans un but descriptif et non limitatif. De nombreuses modifications et variantes à la présente invention sont possibles à la lumière des enseignements précédents. Il faut donc5 comprendre que l'invention peut,, dans le cadre des revendications annexées, être mise en pratique d'une manière différente de celle qui est *décrite spécifiquement. R E V E N D I C A T I ONS 1. Procédé de fabrication d'un film épais piézoélectrique électrostrictif, en utilisant une couche d'ensemencement, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: agencer un substrat; former sur le substrat la couche d'ensemencement à partir d'une première solution de sol céramique ou d'une première pâte céramique, I'une et l'autre identiques ou similaires en composition au film piézoélectrique électrostrictif, ladite pâte céramique étant préparée à partir d'un mélange d'une poudre d'oxydes céramiques dont la dimension de particules est de 5 pm au moins et qui est préparée à partir d'éléments piézoélectriques à base de Pb et de Ti par une réaction d'oxydo-réduction non explosive à 100 à 500 C, et d'une deuxième solution de sol céramique dans l'eau ou un solvant organique, identique ou similaire en composition à ladite poudre d'oxyde céramique; soumettre la couche d'ensemencement à un traitement ultérieur afin d'améliorer la réactivité de la couche d'ensemencement et d'empêcher une réaction indésirable entre la couche d'ensemencement et le substrat; former sur la couche d'ensemencement un film piézoélectrique électrostrictif d'une épaisseur souhaitable; et traiter thermiquement le film piézoélectrique électrostrictif et la couche d'ensemencement à 100 à 600 OC afin de fritter la couche d'ensemencement et le film piézoélectrique électrostrictif et de solidifier l'attache entre le film et le substrat, grâce à quoi le film épais piézoélectrique électrostrictif peut réaliser une attache excellente au substrat dans le traitement thermique à basse température. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est une plaque métallique, ou une plaque céramique portant une électrode. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite plaque métallique est en acier inoxydable ou en nickel. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite plaque céramique consiste en un oxyde céramique, un carbure céramique ou un nitrure céramique. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les dimensions de la poudre d'oxyde céramique sont de 1 pm au moins. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la poudre d'oxyde céramique est sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite poudre d'oxyde céramique comprend en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), I'antimoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), I'étain (Sn) et le manganèse (Mn). 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif est comprise dans une plage de 1 à 100 IJm. 9. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif est comprise dans une plage de 5 à 30 pm. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit film piézoélectrique électrostrictif est formé en appliquant sur ladite couche d'ensemencement une pâte céramique préparée à partir d'un mélange de poudres d'oxydes céramiques, dont les dimensions de particules sont égales ou inférieures à 5 pm et est préparée à partir d'éléments piézoélectriques à base de Pb et de Ti par une réaction d'oxydo- réduction non explosive à 100 à 500 OC, et d'une deuxième solution de sol céramique dans l'eau ou un solvant organique, identique ou similaire en composition à ladite poudre d'oxyde céramique. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la poudre d'oxyde céramique est sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite poudre d'oxyde céramique comprend en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), I'antimoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), l'étain (Sn) et le manganèse (Mn). 13. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit film piézoélectrique électrostrictif est formé par un processus d'impression, un processus de moulage ou un processus de revêtement. 14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit film piézoélectrique électrostrictif est préparé à partir d'un mélange d'une dispersion d'une poudre d'oxyde céramique dans un dispersant et d'une solution de sol céramique dans un solvant organique. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que la poudre d'oxyde céramique est sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ladite poudre d'oxyde céramique comprend en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), I'antimoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), l'étain (Sn) et le manganèse (Mn). 17. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'ensemencement est inférieure ou égale à 1 pm. 18. Procédé selon la revendication 17 caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'ensemencement est de 200 à 300 nm. 19. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit traitement ultérieur est sélectionné dans le groupe constitué par un processus de séchage, un processus d'oxydo-réduction, un traitement de surface, un traitement thermique à basse température, et la combinaison des précédents. 20. Un procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que ledit processus de séchage est effectué en séchant ladite couche d'ensemencement à une température comprise entre la température ambiante et 1500C. 21. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que ledit processus de séchage est effectué par séchage de la couche d'ensemencement dans une chambre de séchage saturée au moyen de la vapeur d'un solvant organique et en volatilisant le solvant hors de la couche d'ensemencement à une température appropriée, ledit solvant organique étant identique à celui qui est utilisé pour préparer le sol céramique pour la couche d'ensemencement. 22. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit processus d'oxydo-réduction est effectué par séchage de ladite couche d'ensemencement à l'air de façon à effectuer une oxydation partielle de la couche d'ensemencement par l'air. 23. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que ledit processus de traitement de surface est exécuté en amenant un flux d'une vapeur organique dans une chambre dans laquelle est placée ladite couche d'ensemencement formée sur ledit substrat. 24. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que le traitement thermique à basse température est exécuté à une température de 100 à 600 C. 25. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite étape de traitement thermique est exécutée à 150 à 300 C. 26. Procédé de fabrication d'un film épais piézoélectrique électrostrictif, en utilisant une couche d'ensemencement, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: agencer un substrat; former sur le substrat la couche d'ensemencement à partir d'une première solution de sol céramique ou d'une première pâte céramique, I'une et l'autre identiques ou similaires en composition au film piézoélectrique électrostrictif, ladite pâte céramique étant préparée à partir d'un mélange d'une poudre d'oxydes céramiques dont la dimension de particules est de 5 pm au moins et qui est préparée à partir d'éléments piézoélectriques à base de Pb et de Ti par une réaction d'oxydo- réduction non explosive à 100 à 500 C, et une deuxième solution de sol céramique dans l'eau ou un solvant organique, identique ou similaire en composition à ladite poudre d'oxyde céramique; sécher partiellement ladite couche d'ensemencement à une température comprise entre la température ambiante et 150 C afin de conférer à ladite couche d'ensemencement une viscosité appropriée pour son attache; attacher sur ladite couche d'ensemencement partiellement séchée un film piézoélectrique électrostrictif, ledit film piézoélectrique électrostrictif étant formé séparément à partir d'une poudre d'oxyde céramique à dimensions de particules inférieures ou égales à 5 pIm et est préparée à partir d'éléments piézoélectriques électrostrictifs à base de Pb et Ti par une réaction de combustion d'oxydo-réduction non explosive à basse température de 100 à 500 ; et traiter thermiquement le film piézoélectrique électrostrictif et la couche d'ensemencement à 100 à 600 C afin de fritter la couche d'ensemencement et le film piézoélectrique électrostrictif et de solidifier l'attache entre le film et le substrat, grâce à quoi le film épais piézoélectrique électrostrictif peut réaliser une attache excellente au substrat dans le traitement thermique à basse température. 27. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que ledit substrat est une plaque métallique, ou une plaque céramique portant une électrode. 28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que ladite plaque métallique est en acier inoxydable ou en nickel. 29. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que ladite plaque céramique consiste en un oxyde céramique, un carbure céramique ou un nitrure céramique. 30. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que les dimensions de la poudre d'oxyde céramique sont de 1 pm au moins. 31. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la poudre d'oxyde céramique est sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN. 32. Procédé selon la revendication 31, caractérisé en ce que ladite poudre d'oxyde céramique comprend en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), I'antiUmoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), l'étain (Sn) et le manganèse (Mn). 33. Procédé selon la revendication 26, qui comprend en outre l'étape consistant à cuire au préalable le film piézoélectrique électrostrictif à 100 à C, après l'étape d'attache et avant l'étape de traitement thermique. 34. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique est exécutée sous pression de facçon à réaliser une attache uniforme entre le film piézoélectrique électrostrictif et le substrat. 35. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif est comprise dans une plage de 1 à 100 pm. 36. Procédé selon la revendication 35, caractérisé en ce que l'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif est comprise dans une plage de 5 à 30 pm. 37. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'ensemencement est inférieure ou égale à 1 pm. 38. Procédé selon la revendication 37 caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'ensemencement est de 200 à 300 nm. 39. Procédé selon la revendication 26 caractérisé en ce que ladite étape de séchage partiel est exécutée à une température comprise entre la température ambiante et 1500C. 40. Procédé selon la revendication 39, caractérisé en ce que ladite étape de séchage partiel est exécutée à 50 à 70 C. 41. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que ladite étape de séchage partiel est exécutée par séchage de la couche d'ensemencement dans une chambre de séchage saturée au moyen de la vapeur d'un solvant organique et en volatilisant le solvant hors de la couche d'ensemencement à une température appropriée, ledit solvant organique étant identique à celui qui est utilisé pour préparer le sol céramique pour la couche d'ensemencement. 42. Procédé selon la revendication 26 caractérisé en ce que ladite étape de traitement thermique est exécutée à 150 à 300 C. 43. Procédé de fabrication d'un film épais piézoélectrique électrostrictif, en utilisant une couche d'ensemencement, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: agencer un substrat; former sur le substrat la couche d'ensemencement à partir d'une première solution de sol céramique ou d'une première pâte céramique, I'une et l'autre identiques ou similaires en composition au film piézoélectrique électrostrictif, ladite pâte céramique étant préparée à partir d'un mélange d'une poudre d'oxydes céramiques dont la dimension de particules est de 5 pm au moins et qui est préparée à partir d'éléments piézoélectriques à base de Pb et de Ti par une réaction d'oxydo- réduction non explosive à 100 à 500 OC, et une deuxième solution de sol céramique dans l'eau ou un solvant organique, identique ou similaire en composition à ladite poudre d'oxyde céramique; sécher partiellement ladite couche d'ensemencement à une température comprise entre la température ambiante et 150 C afin de conférer à ladite couche d'ensemencement une viscosité appropriée pour son attache; attacher sur ladite couche d'ensemencement partiellement séchée un film piézoélectrique électrostrictif formé séparément et fritté; et traiter thermiquement le film piézoélectrique électrostrictif et la couche d'ensemencement à 100 à 600 C afin de fritter la couche d'ensemencement et le film piézoélectrique électrostrictif et de solidifier l'attache entre le film et le substrat, grâce à quoi le film épais piézoélectrique électrostrictif peut réaliser une attache excellente au substrat dans le traitement thermique à basse température. 44. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que ledit substrat est une plaque métallique, ou une plaque céramique portant une électrode. 45. Procédé selon la revendication 44, caractérisé en ce que ladite plaque métallique est en acier inoxydable ou en nickel. 46. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que ladite plaque céramique consiste en un oxyde céramique, un carbure céramique ou un nitrure céramique. 47. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que les dimensions de la poudre d'oxyde céramique sont de 1 pm au moins. 48. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que la poudre d'oxyde céramique est sélectionnée dans un groupe constitué par un oxyde PZT, un oxyde PMN et une solution solide de PZT et de PMN. 49. Procédé selon la revendication 48, caractérisé en ce que ladite poudre d'oxyde céramique comprend en outre au moins un métal sélectionné dans le groupe constitué par le nickel (Ni), le lanthane (La), le baryum (Ba), le zinc (Zn), le lithium (Li), le cobalt (Co), le cadmium (Cd), le cérium (Ce), le chrome (Cr), l'antimoine (Sb), le fer (Fe) I'yttrium (Y), le tantale (Ta), le tungstène (W), le strontium (Sr), le calcium (Ca), le bismuth (Bi), I'étain (Sn) et le manganèse (Mn). 50. Procédé selon la revendication 43, qui comprend en outre l'étape consistant à cuire au préalable le film piézoélectrique électrostrictif à 100 à C, après l'étape d'attache et avant l'étape de traitement thermique. 51. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que l'étape de traitement thermique est exécutée sous pression de facçon à réaliser une attache uniforme entre le film piézoélectrique électrostrictif et le substrat. 52. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que l'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif est comprise dans une plage de 1 à 100 pm. 53. Procédé selon la revendication 52, caractérisé en ce que l'épaisseur du film piézoélectrique électrostrictif est comprise dans une plage de 5 à 30 pIm. 54. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'ensemencement est inférieure ou égale à 1 Pm. 55. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche d'ensemencement est de 200 à 300 nm. 56. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que ladite étape de séchage partiel est exécutée à une température comprise entre la température ambiante et 150 C. 57. Procédé selon la revendication 56, caractérisé en ce que ladite étape de séchage partiel est exécutée à 50 à 70 C. 58. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que ladite étape de séchage partiel est exécutée par séchage de la couche d'ensemencement dans une chambre de séchage saturée au moyen de la vapeur d'un solvant organique et en volatilisant le solvant hors de la couche d'ensemencement à une température appropriée, ledit solvant organique étant identique à celui qui est utilisé pour préparer le sol céramique pour la couche d'ensemencement. 59. Procédé selon la revendication 43, caractérisé en ce que ladite étape de traitement thermique est exécutée à 150 à 300 C.