FR 2774184 A1 19990730 FR 9900690 A 19990122 l La présente invention concerne un procédé de production de motifs de masquage et un appareil de production de motifs qui sont appropriés au cas o l'on souhaite former des motifs fins sur un substrat de plaquette avec une résolution élevée, à partir de la lumière transmise par un masque de photogravure à l'aide d'un dispositif d'exposition pendant le cours de la fabrication d'un dispositif à semi- conducteur à haut degré d'intégration, et dans des cas analogues. Les masques de photogravure utilisés dans le processus de fabrication de dispositifs à semiconducteur sont constitués d'une pellicule arrêtant la lumière, qui est formée sur un substrat de verre. Dans un processus de formation de motifs pour des éléments à semiconducteur, on projette sur un revêtement d'agent photo- sensible du type réserve, dit photorésist, disposé sur la surface de la plaquette le motif d'arrêt de lumière présent sur le masque de photogravure, puis on l'expose. On obtient le motif d'arrêt de lumière présent sur le masque de photogravure en convertissant des données voulues de CAO (conception assistée par ordinateur) en données pour appareil de dessins et en formant avec elles des motifs fidèlement reproduits. On transfère avec précision le motif de masque de photogravure sur la plaquette au moyen d'un processus photolithographique pour semiconducteur. Dans le processus photolithographique utilisé pour la fabrication d'un dispositif à semiconducteur, une résolution, ou finesse de définition, élevée, allant au-delà de la limite de résolution déterminée par la longueur d'onde de la lumière, est requise, car il est nécessaire de former le motif dans des limites proches d'une longueur d'onde d'exposition. Par conséquent, on a récemment été amené à utiliser le procédé de déphasage comme technique lithographique, lequel peut former des motifs plus fins que la longueur d'onde d'exposition. On va expliquer ci-après le principe d'un procédé à déphasage du type à modulation de fréquence spatiale. Les figures 16A et 16B sont des vues illustrant le principe du procédé à déphasage par comparaison avec un procédé classique, et les figures 17A et 17B sont des vues illustrant le spectre de Fourier du procédé à déphasage et du procédé classique. Ici, on suppose que la période de l'intensité lumineuse transmise est proche de la limite de résolution d'un motif périodique bidimensionnel, comme défini par 1/vo. Puisque l'objet transmettant la lumière est le motif de masquage, dont la taille est proche de la limite de résolution, lorsque l'on ne considère que la composante sinusoïdale de fréquence de base, l'amplitude de la lumière passant au travers du masque de photogravure peut être approchée de la manière suivante: Masque classique: T(x)= I cos2nrvox (1-1) Masque de déphasage: T(x)=cos2 zrVoX (1-2) Selon le procédé classique représenté sur la figure 16A, la lumière traversant le masque de photogravure se divise en un faisceau lumineux diffracté d'ordre 0, se propageant tout droit suivant l'axe de la lumière, et un faisceau lumineux diffracté d'ordre + 1, qui fait un angle 0 (sinO = vo,) avec l'axe de la lumière, et vient frapper une lentille de projection. D'autre part, comme représenté sur la figure 16B, dans le procédé à déphasage, la lumière qui passe au travers du masque de déphasage est séparée en un faisceau lumineux diffracté d'ordre + 1 faisant un angle 0/2 avec l'axe de la lumière et vient frapper la lentille de projection. Dans les deux cas, seul le faisceau lumineux réfracté qui est passé par l'intérieur de la lentille de projection contribue à former une image. A partir de la transformée de Fourier des formules 1-1 et 1-2, on exprime le spectre de Fourier sur le plan du diaphragme de la lentille de projection, de la manière suivante. Masque classique: F(v) = (4/7r){8(v)/2 + [8(v+vo)] (+ô(v-vo)]/2+....} (2-1) Masque de déphasage: F(v) = (1/2)[8(v+vo/2)+(v-vo/2)] (2-2) Comme représenté sur les figures 17A et 17B, avec un masque du type transmission selon la technique classique, ne prenant pas en considération les phases, il existe des composantes spectrales en v=o et + vo, tandis que, avec un masque de déphasage, cela ne dépend que de v=+ vJ2. Ainsi, le spectre de base obtenu à partir du masque de déphasage se trouve en une position placée à la moitié du spectre obtenu à l'aide du masque de type transmission. Ceci équivaut à avoir une fréquence spatiale réduite de moitié pour le motif de masquage. La lentille de projection d'un graveur répétiteur fait fonction de filtre passe-bas, permettant de ne transférer que la composante de fréquence spatiale inférieure à une fréquence propre vc (=NA/X) lorsqu'on considère le cas o la fréquence spatiale vo d'un motif fin non transféré est telle que vc ne passe pas, de sorte qu'on ne peut obtenir aucun contraste pour l'image. Inversement, un masque de déphasage transfère le spectre de base v=+vJ2 et, par conséquent, forme une image du motif sur le plan de l'image. Il s'agit de la caractéristique d'un masque de déphasage du type à modulation de fréquence spatiale qui présente l'effet le plus grand pour améliorer la résolution. La structure de tracé de base du masque de déphasage du type à modulation de fréquence spatiale utilise, comme représenté sur la figure 16B, deux phases, respectivement de 0 et 180 , et dispose des déphaseurs afin d'assurer que les ouvertures du masque deviennent, en alternance, inverses en phase. Comme déphaseurs, ainsi que représenté sur la figure 16B, il y a des déphaseurs collés sur des pellicules qui sont différentes de la pellicule d'arrêt de lumière et des déphaseurs que l'on forme en gravant une surface de verre afin de lui donner une fonction de déphaseur. Cette disposition de déphaseurs correspond au problème de la coloration d'une carte plane en deux couleurs. Les phases des déphaseurs doivent être disposées de manière alternée. Par conséquent, dans une structure d'interconnexion complexe, il est impossible d'éviter l'existence d'un écart de disposition (désaccord de phase), o les phases des déphaseurs ne peuvent pas s'inverser en alternance. Un document exposant une première technique connue, à savoir l'article "Method of Design of Phase-Shifting Mask Utilizing Compactor", proposé par Ohi et al., JJAP, vol. 33 (1994), n 12B, pages 6774 - 6778, présente une technique permettant d'éviter le désaccord de phase en utilisant une compression de structure ("compaction") dans un procédé à déphasage faisant appel à la différence de phase de la lumière transmise entre des motifs formés. La figure 18 est une vue illustrant le principe d'un déphasage du type dit de Levenson, utilisant un agent sensible, ou résist, négatif, à savoir une supposition de la première technique connue. Dans le masque de photogravure représenté sur la figure 18, des ouvertures de chrome placées au niveau des emplacements de formation de motif sont dotés de manière alternée de déphaseurs (tranchées formées par gravure de verre) d'une phase de 180 et (sans tranchées) d'une phase de 0 . Par conséquent, avec ce procédé à déphasage, puisque la différence de phase de la lumière traversant le motif lui même est utilisée, un résist négatif, dans lequel les emplacements de transfert de motif subsistent et ne sont pas dissous dans la solution de développement, est nécessaire. En plus du fait que l'obtention d'un résist négatif pratique est difficile, il est nécessaire que le tracé du motif lui même soit un motif qui produit une différence de phase. Par conséquent, alors que ceci est effectif en cas de lignes et d'espaces simples, il n'y a pas d'effet de déphasage avec un motif isolé. Par conséquent, selon la première technique connue, même s'il est possible d'éviter un désaccord de phase, on doit subir l'inconvénient selon lequel de nombreuses contraintes existent en ce qui concerne les matières prévues pour le résist et la préparation du motif Ainsi, ces dernières années, des études ont été effectuées à propos d'une technique basée sur des expositions multiples comportant des expositions avec déphasage au moyen d'un masque apportant une différence de phase à la lumière traversant les deux côtés des motifs fins à former, ainsi que des expositions ordinaires destinées à retirer les motifs inutiles produits (ce qu'on appellera ci-après le procédé d'expositions multiples à déphasage). Cette deuxième technique connue est discutée par Tamechika et al. dans l'article "Automatic Generation of Phase- Shifting Mask Patterns Using Shifter-Edge Lines", MICRO-AND-NANO- ENGINEERING, 1997". Les figures 19A et 19B sont des vues illustrant le principe d'un déphasage du type Levenson utilisant un résist négatif selon le procédé d'expositions multiples à déphasage. Dans le masque de déphasage représenté sur la figure 19A, des ouvertures ménagées au niveau des côtés de motifs fins (motifs de chrome) sont alternativement formées, avec des déphaseurs de 180 (tranchées gravant le verre) et sans tranchées, de phase 0 . Les périphéries sont recouvertes de chrome en raison de l'utilisation d'un résist positif En ce qui concerne la deuxième exposition (exposition ordinaire), des parties d'interconnexion périphériques non représentées sont développées par image tandis que la lumière est empêchée d'atteindre les motifs fins par un masque de photogravure représenté sur la figure 19B. Dans cette deuxième technique connue utilisant le procédé d'expositions multiples à déphasage, le motif de tracé voulu est limité à être toujours parallèle. Toutefois, des motifs voulus de tracés réels ne sont pas nécessairement comme cela. Les motifs de dispositifs que l'on peut préparer par ce procédé sont donc limités. De plus, dans cette deuxième technique connue, en partie du fait que les déphaseurs sont disposés sur la base de la supposition d'un motif de masque fixe, il y a des endroits o des écarts de phase se produisent. Pour les corriger, il est nécessaire de revenir de nouveau au stade de conception de la cellule afin de les corriger manuellement. Ainsi, dans la conception d'un masque de déphasage, avec le procédé consistant a déterminer la disposition des déphaseurs après la préparation du tracé, lorsqu'il y a un écart dans le tracé, si le concepteur intervient et corrige la position contradictoire, de nombreuses opérations de traitement sont nécessaires pour la disposition des déphaseurs et la détermination des phases, de sorte que le rendement de conception devient extrêmement médiocre. De plus, des motifs fins étant formés par des motifs de déphasage, le degré grossier et le degré fin résultant des distances séparant les motifs amènent parfois des variations de la largeur de trait des motifs formés. Pour réduire cet inconvénient, on a étudié, dans le passé, la possibilité de changer les largeurs de trait des motifs fins en fonction de la distance entre motifs. Toutefois, avec des motifs si fins qu'ils atteignent les limites d'ajustement du processus de fabrication d'un masque de photogravure, le résultat de la correction se trouve en dehors des limites de la largeur de trait du processus de fabrication du masque de photogravure, et la possibilité existe que le masque de photogravure ne puisse être produit. Un but de l'invention est de fournir un procédé et un appareil destiné à produire des motifs de masquage appropriés à la réalisation d'expositions multiples, lesquels procédés et appareils autorisent une mise en place automatique des déphaseurs sans aucun écart et peuvent améliorer fortement le rendement de conception des masques de déphasage, tout en corrigeant, en outre, la dépendance de la largeur de trait vis-a-vis du degré grossier ou fin, qui est due aux distances séparant les motifs pour les motifs de traitement fin utilisant un déphasage. La demanderesse a entrepris des études poussées pour réduire les inconvénients ci-dessus indiqués de la technique antérieure. De ce fait, dans le procédé de tracé d'un motif de masquage à déphasage du type à modulation de fréquence spatiale, comme procédé de production de motifs adapté au procédé d'exposition multiples à déphasage, formant par déphasage les seuls emplacements o l'ajustement de la largeur de trait est difficile, et exposant les parties restantes à l'aide d'un masque ordinaire, la demanderesse a proposé une technique nouvelle consistant à disposer les déphaseurs de façon à pouvoir former les deux parties adjacentes des parties o l'ajustement de la largeur de trait est difficile par transmission de lumière avec des différences de phase différentes et a découvert que ceci autorisait l'automatisation de la production de motifs à déphasage et de la détermination des phases tout en permettant un traitement plus rapide même en cas de changements de motifs effectués dans le but d'éliminer les emplacements d'écarts de phase. Ainsi, pour réduire les inconvénients ci-dessus indiqués de la technique antérieure et pour atteindre le but ci-dessus proposé, le procédé de production de motifs selon l'invention propose un procédé de production de motifs destiné à un motif de masquage comportant une pluralité de motifs fins et une pluralité de motifs à déphasage disposés des deux côtés desdits motifs fins suivant la direction de la largeur du trait fin afin d'éliminer les interférences lumineuses dues au déphasage de la lumière les traversant, o les formes et les phases de la pluralité de motifs à déphasage sont déterminées sur la base de relations de position de la pluralité de motifs fins et les phases sont déterminées de façon aà donner une différence de phase de 180 de part et d'autre desdits motifs fins. De préférence, lorsqu'il y a un désaccord de phase donnant une différence de phase de 0 , on change le motif pour éliminer le désaccord de phase. De préférence, les formes et les phases des motifs à déphasage sont déterminées de la manière suivante. Tout d'abord, on extrait, de motifs de formes d'éléments déjà conçus, la pluralité de motifs. On dispose des motifs unités, ayant au moins la largeur prédéterminée nécessaire pour annuler les interférences lumineuses, des deux côtés de chaque motif de la pluralité extraite des motifs fins, dans la direction de la largeur des traits fins (par exemple de façon qu'aucun jeu ne puisse être formé au niveau des côtés opposés des motifs fins lorsqu'on modifie la largeur dans la direction de la largeur des traits fins). De plus, on produit la pluralité de motifs à déphasage en utilisant les motifs unités (par exemple en effectuant les réunions logiques (fonctions OU) graphiques des motifs unités disposés). De plus, on détermine les phases tout en cherchant des motifs à déphasage conjoints qui encadrent les motifs fins de façon que les différences de phases entre motifs à déphasage conjoints atteignent successivement 180 . Dans ce procédé de formation de motifs, les formes et les phases des motifs à déphasage ne sont pas déterminées au stade de la conception des motifs (motifs de formes d'éléments) qui déterminent les formes d'éléments réelles. Les formes et les phases des motifs à déphasage sont déterminées sur la base des relations de position des motifs de la pluralité de motifs fins devant être formés avec une résolution élevée par déphasage. Par exemple, on extrait les positions des motifs fins à partir des parties des motifs de formes d'éléments autres que les motifs à déphasage et on dispose les motifs aà déphasage à des largeurs prédéterminées donnant au moins un effet de déphasage des deux côtés dans la direction de la largeur des traits fins afin de déterminer les formes. On détermine successivement les phases des motifs à déphasage. Par exemple, on note un motif fin quelconque et on détermine les phases des motifs à déphasage situés autour du motif noté de façon que les phases environnantes diffèrent de 1 80 . Ensuite, on note un autre motif fin partageant un motif pour lequel la phase est déterminée et on détermine la phase du motif à déphasage restant afin qu'elle diffère de 180 . On détermine de façon successive et continue les phases de façon à déterminer les phases de tous les motifs à déphasage. Lorsqu'un désaccord de phase donnant des phases inchangées de part et d'autre d'un motif fin apparaît au stade final de la détermination des phases, on élimine le désaccord de phase en changeant le motif. Par exemple, on modifie la largeur de trait de conception en comprimant (ou en dilatant) le tracé de motifs tout entier. A ce moment, si une contrainte comme par exemple la non-application d'une compression à des emplacements de désaccord de phase, ou analogue, est donnée par avance, la largeur de trait de conception des motifs environnants, la marge d'alignement, etc., devenant plus petites, la largeur nécessaire des motifs à déphasage devient plus petite. D'autre part, puisque les emplacements des motifs à déphasage sur lesquels des contraintes ont été placées n'ont pas fait l'objet d'une compression de taille, une marge d'espace est produite. De ce fait, il devient possible, par exemple, de diviser un motif à déphasage par 2 pour aboutir à une différence de phase 7rc et il devient donc possible d'éliminer le désaccord de phase. De plus, on peut adopter les procédés consistant à chercher un motif à déphasage devant être divisé par 2 afin de changer le motif et à fixer un espace pouvant être divisé par 2, par séparation des motifs fins. Naturellement, lorsque l'emplacement sur lequel un désaccord de phase se produit n'est pas un motif fin, on peut laisser le désaccord de phase tel qu'il est. De plus, on traite la relation entre les emplacements des motifs de phase et les motifs de phase conjoints comme des données graphiques. Ces données graphiques sont utilisées comme données de base pour déterminer automatiquement les phases restantes lorsque la phase d'un emplacement a été déterminée. Par conséquent, il est facile de déterminer une phase se rapportant à un motif à déphasage qui est lié par le graphe, même sans rechercher réellement le motif. De plus, l'existence d'un désaccord de phase peut être détectée instantanément à l'avance, de sorte qu'un traitement rapide peut être facilement obtenu. De plus, même lors du changement d'un motif, des corrections peuvent être faites sur le graphe et les données utilisées pour aider à produire des changements réels dans le motif et, par conséquent, les changements de motifs peuvent être facilités. D'autre part, le procédé de formation de motifs selon l'invention permettant d'alléger le problème que pose le degré grossier et le degré fin de la largeur de trait dans le procédé d'expositions multiples à déphasage est un procédé de production de motifs servant à produire un motif de masquage utilisé lors de la formation d'une couche unique au moyen d'une pluralité d'exposition comportant une exposition à résolution élevée qui utilise une pluralité de motifs fins et une pluralité de motifs à déphasage disposés des deux côtés des motifs fins dans la direction de la largeur des traits fins afin d'annuler les interférences lumineuse dues à la différence de phase de la lumière les traversant, et une exposition ordinaire s'appliquant aux emplacements autres que ceux des motifs fins, o, lors de la production d'un motif de masquage utilisé pour ladite exposition ordinaire, la taille d'un motif d'arrêt de lumière présent sur ledit masque pour l'exposition ordinaire en superposition avec une position correspondant à un dit motif fin présent sur ledit masque pour l'exposition à résolution élevée est modifiée dans un sens propre à réduire la différence de largeur de trait, après le développement par image, produite par la densité desdits motifs fins. La réduction de la différence de largeur de trait due au degré grossier et fin des motifs fins se limitait à effectuer la correction sur le seul masque de déphasage de la technique antérieure, mais, avec ce procédé de production de motifs, il est possible de réduire ou de corriger la différence de largeur de trait, après le développement par image, produite par le degré grossier et fin des motifs au cours des deuxième et ultérieures expositions ordinaires. De façon générale, les motifs fins des masques de déphasage ont déjà été rendus fins jusqu'à la limite de fabrication d'un masque de photogravure, mais, toutefois, dans les masques relatifs aux deuxième et ultérieures expositions ordinaires, il existe souvent une marge pour le changement de la taille. Selon ce procédé, il est possible de réduire ou de corriger la différence de largeur de trait entre les motifs fins tout en évitant les contraintes venant des limites de fabrication du masque de photogravure. L'appareil de production de motifs selon l'invention comporte, comme moyen de mettre en oeuvre le procédé de production de motifs selon l'invention qui a été expliqué ci-dessus, un moyen de détermination de la disposition qui sert à déterminer les positions et les formes de ladite pluralité de motifs à déphasage sur la base de relations positionnelles de ladite pluralité de motifs fins et un moyen de détermination de phase servant à déterminer les phases de ladite pluralité de motifs à déphasage sur la base des relations positionnelles de ladite pluralité de motifs fins, et de façon que la différence de phase de part et d'autre desdits motifs à déphasage fins devienne 180 . De plus, de préférence, l'appareil possède un moyen de changement de motif permettant de changer un motif afin d'annuler ledit désaccord de phase lorsqu'un désaccord de phase se produit du fait de l'existence d'une différence de phase de 0 . La description suivante, conqçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure I est une vue structurelle en section droite d'un circuit intégré MOS (métal-oxyde-semiconducteur) général; la figure 2 est un schéma fonctionnel montrant un exemple de la configuration simplifiée d'un appareil de production de motifs selon un premier mode de réalisation de l'invention; la figure 3 est un organigramme d'un procédé de production de motifs selon le premier mode de réalisation de l'invention; la figure 4 est un organigramme montrant un exemple du déroulement du processus de production de motifs unités de la figure 3; les figures SA à 5F sont des schémas de motifs d'un processus de production d'un motif unité, prenant comme exemple un circuit intégré MOS; la figure 6 est un schéma de motif d'un exemple du motif à déphasage obtenu; la figure 7 est un schéma de motif d'un exemple de fixation de la phase pour le motif de la figure 6; la figure 8 est un schéma fonctionnel montrant la configuration simplifiée d'un appareil de production de motifs selon un deuxième mode de réalisation de l'invention; la figure 9 est un organigramme montrant un procédé de production de motifs selon le deuxième mode de réalisation de l'invention; les figures 10A à 10OC sont des vues montrant les éléments de données de graphe et un exemple structurel des données; les figures I l A et I lB sont des vues montrant un motif et un graphe de deux exemples pour lesquels il n'y a pas de boucle fermée; les figures 12A à 12C sont des vues montrant un motif et un graphe qui représentent un exemple de cas o la boucle fermée est une boucle fermée à nombre pair et une boucle fermée à nombre impair; les figures 13A et 13B sont des vues montrant un exemple d'un motif possédant des densités différentes ainsi que les résultats de simulation de l'intensité lumineuse permettant d'expliquer la variation de la largeur de trait qui est due à la densité des motifs; les figures 14A et 14B sont des vues montrant un motif dans le cas d'un changement réel de la largeur de trait d'un motif d'arrêt de lumière et de la correction d'une différence de largeur de trait due aux densités différentes des intervalles de grille ainsi que les résultats de simulation de l'intensité lumineuse; les figures 15A à 15F sont des vues en plan d'un motif pour chaque processus de production d'un motif d'arrêt de lumière pendant l'exposition ordinaire les figures 16A et 16B sont des vues illustrant le principe du procédé à déphasage, comparé à un procédé classique; les figures 17A et 17B sont des vues illustrant le spectre de Fourier de la lumière de transmission pour le procédé à déphasage et le procédé classique; la figure 18 est une vue illustrant le principe d'un déphasage du type dit de Levenson utilisant un résist négatif, lequel constitue une condition préalable dans une première forme de technique classique; et les figures 19A et 19B sont des vues illustrant le principe d'un déphasage du type Levenson utilisant un résist positif dans un procédé d'expositions multiples à déphasage selon une deuxième forme de technique classique. L'invention propose un procédé et un appareil permettant de former des motifs fins en deçà de la limite de résolution à l'aide d'un procédé à déphasage du type à modulation de fréquence spatiale. Il n'y a pas de limitation en ce qui concerne les motifs fins, mais, toutefois, en tant que motif représentatif que l'on souhaite fabriquer en deçà de la limite de résolution dans des dispositifs à semiconducteur courants, on peut faire mention du motif de grille d'un transistor MOS. On va expliquer ci-après la structure d'un transistor MOS, puis on donnera des explications détaillées de modes de réalisation d'un procédé et d'un appareil de production de motifs selon l'invention en se reportant aux dessins et en Il prenant comme exemple l'exposition, à une résolution très élevée, d'un motif de grille. La figure I est une vue en section droite montrant la structure d'un circuit intégré MOS général. Sur la figure 1, le numéro de référence 100 représente un circuit intégré MOS, 101 un substrat semiconducteur tel qu'une plaquette de silicium de type p, 102 des régions d'impureté de source et de drain dans lesquelles une impureté de dopage de type n a été introduite avec une concentration élevée, 104 un élément d'arrêt de canal dans lequel une impureté de dopage de type p, et analogue, a été introduite avec une concentration élevée afin d'empêcher la formation d'un transistor parasite, 106 une LOCOS (oxydation locale de silicium) faisant fonction de couche d'isolation d'élément, 108 une pellicule d'oxyde de grille, et 110 une électrode de grille faite en silicium polycristallin de type n, ou analogue. Dans un tel circuit intégré MOS, les plus grandes possibilités d'ajustement de la largeur de trait sont nécessaires lors du traitement de l'électrode de grille 110. Ainsi, la largeur du motif de grille d'un transistor (de façon générale, la longueur de grille Lg) détermine les caractéristiques du transistor (tension de seuil de grille Vth, conductance mutuelle gm, et autres). Des variations de la largeur de trait affectent directement les caractéristiques, de sorte que la largeur de trait du motif d'électrode de grille est le facteur le plus important de la formation d'un transistor MOS. Premier mode de réalisation La figure 2 est un schéma fonctionnel montrantun exemple de la configuration simplifiée d'un appareil de production de motifs selon un premier mode de réalisation. L'appareil I de production de motifs de l'exemple représenté se divise grossièrement en une partie d'entrée 2, une partie 4 de production de motif à déphasage, une partie 6 de production de motif de masquage ordinaire, une partie 8 de changement de motif, une partie de sortie 10, et une partie de commande 12. La partie 4 de production de motif à déphasage comprend de plus un moyen 14 de calcul graphique, un moyen 16 de traitement graphique, un moyen 18 de recherche de motif, un moyen 20 de fixation de phase, et un moyen 22 de confirmation de différence de phase. Parmi eux, le moyen de calcul graphique 14 et le moyen de traitement graphique 16 correspondent au "moyen de détermination de la disposition" selon l'invention, tandis que le moyen 18 de recherche de motif, le moyen 20 de fixation de phase, et le moyen 22 de confirmation de différence de phase correspondent au "moyen de détermination de phase" selon l'invention. Le moyen de calcul graphique 14 correspond au "moyen d'extraction de motif' ou "moyen de synthèse de motif' selon l'invention, tandis que le moyen de traitement graphique 16 correspond au "moyen de production de motif unité" selon l'invention. Les fonctions de ces composants vont être décrites lors de l'explication suivante du programme. Toutefois, en termes généraux, le moyen de détermination de la disposition selon l'invention, comprenant par exemple les deux moyens 14 et 16, détermine les formes de la pluralité de motifs à déphasage disposés de part et d'autre d'une pluralité de motifs fins dans la direction de la largeur des traits fins sur la base des relations positionnelles de la pluralité de motifs fins. De même, le moyen de détermination de phase selon l'invention, comprenant par exemple les trois moyens 18, 20 et 22, détermine les phases de la pluralité de motifs à déphasage sur la base des relations positionnelles de la pluralité de motifs et de façon à donner une différence de phase de 180 entre paires de motifs à déphasage conjoints encadrant les motifs fins. Dans le présent exemple, un "motif fin" est un motif d'arrêt de lumière qui forme l'électrode de grille 110 de la figure 1. Des ouvertures du motif d'arrêt de lumière placées des deux côtés du motif d'arrêt de lumière dans la direction de la longueur de la grille, avec une différence de phase de 180 (ouverture de phase et ouverture de phase 0 C des figures 19A et 19B) correspondent aux "motifs à déphasage". On va maintenant expliquer un mode de réalisation du procédé de production de motifs en utilisant l'organigramme de la figure 3. Le procédé de production peut être effectué, par exemple, au moyen de l'appareil de production de motifs I qui est représenté sur la figure 2. Ici, on suppose que les moyens réalisent le traitement sous commande de la partie de commande 12 contenue dans l'appareil I de production de motifs. A l'étape STI de la figure 3, est produit un motif unité qui possède une largeur suffisante pour que les faisceaux lumineux diffractés passant par les deux côtés du motif d'électrode de grille s'annulent entre eux et qui fait fonction d'un composant du motif à déphasage trouve. La figure 4 est un organigramme montrant un exemple d'un programme ou déroulement d'opérations servant à produire un motif unité. De plus, les figures SA à 5F sont des vues en plan d'un motif, qui montrent le processus de production d'un motif unité dans un circuit intégré MOS selon le présent exemple. Selon le procédé illustré sur la figure 4, la partie d'entrée de la figure 2 introduit tout d'abord des données de CAD (conception assisté par ordinateur), puis, à l'étape STI 1, un motif fin est extrait des données de CAD. Ce motif fin devient une référence pour la détermination de la position et de la longueur (dimension perpendiculaire à la largeur de trait fin développée par image) de la production du motif unité. Le motif fin est extrait par le moyen de calcul graphique 14 de la figure 2 sur la base des données de CAD fournies par la partie d'entrée 2. Plus spécialement, les emplacements ayant une largeur de trait fin, qui déterminent les caractéristiques du transistor dans le circuit intégré MOS du présent exemple, sont les parties en chevauchement de la couche de silicium polycristallin de grille et des régions d'élément autres que la LOCOS. Ainsi, tout d'abord, comme représenté sur la figure SA, un motif de grille Pa et un motif de région d'élément Pb sont lus. Ensuite, comme représenté sur la figure 5B, les motifs de formes d'éléments lus à partir des données de CAD sont superposés et le traitement donnant le produit des données graphiques (traitement de produit logique, ou fonction ET) est effectué afin d'extraire la partie de grille fine Pc (figure 5C). Ensuite, à l'étape ST12 de la figure 4, un redimensionnement est effectué deux fois sur la partie de grille fine Pc extraite. Ce redimensionnement est effectué par le moyen de traitement graphique 16 de la figure 2. Plus spécialement, comme représenté sur la figure 5D, pour fixer une marge d'alignement en vue de l'exposition multiple, la largeur de grille Wg de la partie de grille fine Pc est agrandie d'exactement une longueur prédéterminée des deux côtés suivant la direction de la largeur de la grille. De plus, comme représenté sur la figure 5E, un redimensionnement est alors effectué sur la partie de grille fine Pd, après agrandissement dans la direction de la largeur de la grille, des deux côtés suivant la direction de la longueur de la grille. De ce fait, un motif final de grille fine Pe, o la longueur initiale Lgo de la grille a été ramenée à Lg' est obtenu. La longueur de grille redimensionnée Lg' devient l'un des paramètres qui affecte le plus la largeur de trait du développement par image du motif de grille. A l'étape ST13 de la figure 4, on produit les motifs unités constituant les motifs à déphasage en utilisant comme référence le motif de grille fine redimensionné Pe. Ces motifs sont produits par le moyen de traitement graphique 16 de la figure 2. Plus spécialement, comme représenté sur la figure 5F, deux motifs unités Pf ayant une largeur d'au moins une valeur prédéterminée L suffisante pour un déphasage et s'étendant sur toute la longueur du côté longitudinal (longueur Wg') du motif de grille fine Pe sont produits au niveau des deux côtés du motif de grille fine Pe suivant la direction de la largeur de trait fin. Une fois les conditions ci-dessus indiquées remplies, le motif unité Pf peut avoir une forme quelconque, mais le motif unité Pf est produit dans la forme rectangulaire représentée sur la figure 5F et le processus de production de motifs unités représenté sur la figure 4 est terminé. Ensuite, le déroulement du traitement revient à l'organigramme de la figure 3. A l'étape ST2, une fusion est effectuée à l'aide d'un traitement de réunion logique, ou fonction OU. Ce traitement est effectué par le moyen de calcul graphique 14 de la figure 2. Par ce traitement, on peut obtenir les motifs à déphasage voulus. Un exemple des motifs à déphasage obtenus est présenté sur la figure 6. Dans l'exemple représenté, les motifs à déphasage Pl, P5 et P6 sont constitués par les seuls motifs unités Pfl 1, Pf42 et Pf5 1. Les motifs à déphasage P2 à P4 sont constitués par traitements OU graphiques de la pluralité de motifs unités. Le motif à déphasage P2 est constitué par un traitement OU graphique d'un motif unité Pfl 2 du motif de grille fine Pel et d'un autre motif unité Pf21 du motif de grille fine Pe2. De la même manière, le motif à déphasage P4 est constitué par le traitement OU graphique d'un motif unité Pf32 du motif de grille fine Pe3 et d'un autre motif unité Pf41 du motif de grille fine Pe4. De plus, le motif à déphasage P4 est constitué par le traitement OU graphique de trois motifs unités, à savoir le motif unité Pf22 du motif de grille fine Pe2, un autre motif unité Pf3 1 du motif de grille fine Pe3 et un autre motif unité Pf52 du motif de grille fine Pe5. En formant ces motifs à déphasage par traitements OU graphiques, on ajuste les largeurs des motifs unités de façon à empêcher l'existence de minuscules espaces entre motifs unités, qui deviennent des problèmes lors du processus de fabrication d'un masque de photogravure. Ainsi, sur la base des informations envoyées depuis la partie d'entrée 2 de la figure 2 par exemple, le moyen 18 de recherche de motif détermine la position de recherche initiale et sa phase (étape ST3), puis recherche le motif conjoint ayant la plus petite largeur de trait, à l'étape ST4 suivante. Par exemple, si l'on note le motif à déphasage P3 de l'exemple de la figure 6, alors, pour commencer, en utilisant celui-ci comme motif de recherche initiale, on détermine s'il faut faire la phase 0 ou 180 . Ensuite, le moyen 18 de recherche de motif détecte LI à L3 dans les largeurs de trait fin prédéterminées qui sont conjointes au motif noté P3, puis détecte les motifs conjoints P2, P4 et P6 à l'intérieur des largeurs de trait fin. Lors de l'étape suivante ST5, on fixe les phases des motifs à déphasage détectés P2, P4 et P6 à une différence de phase 7x par rapport au motif noté. Les phases sont fixées par le moyen de fixation de phase 20 de la figure 2. Par exemple, lorsqu'on suppose que la phase du motif noté P3 fixée à l'avance a été rendue égale à 0 , les phases de tous les motifs conjoints P2, P4 et P6 deviennent 180 . A l'étape suivante ST6, le moyen de recherche de motif 18 de la figure 2 désigne par exemple le motif conjoint dont la phase a été déterminée au titre du nouveau motif noté et confirme s'il existe un quelconque autre motif conjoint au motif nouvellement noté. Lorsqu'il y a des motifs conjoints, l'organigramme revient avant l'étape ST4, o le moyen détecte de nouveau les motifs conjoints du nouveau motif noté (étape C4), détermine leurs phases (étape ST5), et confirme l'existence d'autres motifs conjoints (étape ST6). Dans l'exemple de la figure 6, les motifs P1 et P5 restants sont recherchés par cette série de traitements, les phases sont fixées à 0 C, et deux types de distributions de phase, comme représenté sur la figure 7, sont déterminés. Lorsqu'il a été déterminé qu'il n'existait pas de motif conjoint, l'organigramme va à l'étape ST7 suivante. A l'étape ST7, le moyen 22 de confirmation de différence de phase de la figure 2 examine par exemple s'il y a des motifs dont les phases n'ont pas encore été déterminées. Dans l'exemple de la figure 6, il est décidé qu'il n'y a pas de motifs ayant des phases non déterminées. A l'étape ST8 suivante, il est examiné s'il existe une différence de phase de 180 des deux côtés des motifs de grille fine suivant la direction de la largeur de trait fin. Lorsqu'il n'y a pas de désaccord de phase ("OK"), les motifs à déphasage et les informations de distribution des phases sont délivrés par la partie de sortie 10 de la figure 2 et sont envoyés à l'appareil de conversion de données EB suivant. A l'étape ST7, lorsqu'il existe des motifs ayant des ohases non déterminées, l'organigramme de traitement revient jusque avant l'étape ST3 et recommence à repositionner la position retrouvée. De ce fait, la détermination des phases se répète selon le déroulement ci-dessus indiqué jusqu'à ce que, finalement, il n'y ait plus de motifs ayant des phases non déterminées. D'autre part, lorsqu'il a été déterminé qu'il y avait un désaccord de phase lors de l'étape ST8 suivante ("PAS OK"), le traitement va à l'étape ST9. A l'étape ST9, on change le motif à déphasage pour lequel l'élimination du désaccord de phase est souhaité. Ce traitement est effectué par la partie 8 de changement du motif de la figure 2. Plus spécialement, on examine les dimensions des régions de disposition des deux motifs à déphasage de l'emplacement à désaccord de phase afin de déterminer s'il existe une marge d'espace permettant d'ajouter (division par 2) un motif à déphasage à au moins l'un d'eux. Ainsi, on examine les largeurs des deux motifs à déphasage suivant la direction de la longueur de la grille pour confirmer si les largeurs ont au moins deux fois la largeur voulue minimale L permettant l'obtention d'un effet de déphasage. Lorsqu'une largeur est d'au moins deux fois la largeur voulue, on élimine le désaccord de phase ci-dessus indiqué en ajoutant à cet emplacement un motif à déphasage qui présente une différence de phase s. On note que, bien que ceci ne soit pas représenté dans l'organigramme de la figure 3, il est possible de détecter un emplacement d'une taille importante permettant l'addition d'un motif dans le trajet de recherche relié o le désaccord de phase s'est produit, d'éliminer le désaccord de phase qui s'y trouve, puis de fixer de nouveau les phases en utilisant le programme ci-dessus. S'il n'est pas possible d'éliminer le désaccord de phase même par une telle mesure, alors, dans le présent mode de réalisation, des corrections sont effectuées entre des motifs de grille fine (correction de tracé) au niveau de l'emplacement du désaccord de phase ou d'un autre emplacement ayant au moins d'effet sur les caractéristiques du transistor, et autres, lorsqu'il en existe dans le trajet de recherche relié identique comportant l'emplacement de désaccord de phase afin de permettre de disposer de façon adjacente une paire de motifs de déphasage ayant une différence de phase 7t. On peut corriger le tracé manuellement ou on peut le faire corriger automatiquement à l'aide d'un compacteur de tracé, ou analogue. Lorsqu'on utilise un compacteur de tracé, on ajoute une contrainte au niveau de l'emplacement de correction ci-dessus indiqué, puis, par exemple, la contrainte de l'emplacement de correction se réfléchit sur la largeur de trait de conception du compacteur et le tracé tout entier se comprime de façon à permettre de disposer deux motifs à déphasage ayant une différence de phase 180 à l'emplacement de correction ci-dessus indiqué. Dans ces conditions, puisque l'emplacement de correction n'a pas fait l'objet de la contrainte consistant, par exemple, à ne pas être comprimé, la largeur de trait des motifs environnants, ainsi que la marge d'alignement, et analogue, se rétrécit, et, avec ceci, la dimension du motif à déphasage voulu devient également plus petite, tandis que l'emplacement du déphaseur ayant fait l'objet de la contrainte n'est pas comprimé dans sa taille, de sorte que l'espace nécessaire à l'addition d'un motif est produit. On note que, dans les explications ci-dessus données, lorsque l'emplacement o le désaccord de phase a lieu n'est pas un motif fin, on peut laisser le désaccord de phase tel qu'il est, puisqu'il sera éliminé par la deuxième exposition. En outre, naturellement, on peut éliminer le désaccord de phase de la même manière dans un processus de dilatation du tracé dans son ensemble. Alors, lorsque le désaccord de phase peut être éliminé par adjonction d'un motif à déphasage, le résultat obtenu (motif à déphasage et informations de distribution de la phase après changement) est délivré par la partie de sortie 10 de la figure 2, si bien que la production du motif à déphasage est terminée. Dans le cas o on a ajouté un motif à déphasage et o un espace produit aboutit à être développé par image, le motif d'arrêt de lumière de la deuxième exposition ordinaire, parmi les expositions multiples, est corrigé lorsque cela est nécessaire. On note que la partie 6 (figure 2) produisant le motif de masquage ordinaire produit également un motif protecteur qui présente une taille plus grande eu égard à la marge d'alignement et qui s'empile par dessus la grille fine. Une description détaillée en sera donnée ultérieurement avec le troisième mode de réalisation, de sorte qu'on omettra d'en parler ici. Dans le procédé de production de motifs selon le premier mode de réalisation, les formes et les phases des motifs à déphasage ne sont pas déterminées au stade de la conception des cellules; on détermine de manière successive et continue les formes et les phases des motifs à déphasage en utilisant les positions et les formes des motifs de grille fine comme références. Ainsi, lorsque la forme et la disposition d'un motif de grille sont déterminées, le motif à déphasage et sa phase peuvent être déterminés automatiquement, de sorte que l'on peut concevoir de manière rapide les motifs à déphasage. En particulier, puisque ceci s'effectue par une technique de recherche liée à la détermination des phases, on peut facilement effectuer la correction (changement de phase) suivant un mode de réaction. Par exemple, lorsqu'un désaccord de phase se produit, à la fois dans le cas o on ajoute un motif en un emplacement o il existe une marge d'espace permettant d'éliminer le désaccord de phase et dans le cas o il est nécessaire de modifier le tracé pour agrandir les intervalles du tracé des motifs de grille, la confirmation de la différence de phase et le réajustement de la phase qui s'en suivent peuvent s'effectuer de manière régulière. De plus, même lorsqu'on ne peut pas éliminer le désaccord de phase par ces procédés, on peut finalement l'éliminer à coup sûr par une compression ou une dilatation du trace. De plus, puisque l'on a trouvé les formes et les phases des motifs à déphasage sur la base des relations positionnelles des motifs fins, les motifs à déphasage peuvent être disposés de façon conjointe avec une différence de phase de 180 dans toutes les directions d'un plan bidimensionnel. Par conséquent, les motifs fins ne doivent pas nécessairement être parallèles et il existe moins de contraintes que dans la technique antérieure. Sur la base de ce qui vient d'être énoncé, on voit que le procédé de production de motif du présent mode de réalisation a pour avantage qu'il y a moins de contraintes dans la production des motifs que par le passé et que le rendement est élevé. Deuxième mode de réalisation La figure 8 est un schéma fonctionnel montrant la configuration simplifiée d'un appareil de production de motifs selon le présent mode de réalisation, tandis que la figure 9 est un organigramme décrivant un procédé de production de motifs selon le présent mode de réalisation. L'appareil de production de motifs 30 du présent mode de réalisation, par comparaison avec le cas du premier mode de réalisation de la figure 2, comprend un moyen 32 de production de données de graphe, un moyen 34 de confirmation de boucle de graphe, et un moyen 36 de changement de données de graphe, qui ont pris la place du moyen 18 de recherche de motif et du moyen 22 de confirmation de différence de phase. De plus, dans le présent mode de réalisation, un moyen de mémorisation 40 a été ajouté. Les fonctions des moyens 32, 36, 38 et seront expliquées ultérieurement. Le reste de la configuration est identique à celle du premier mode de réalisation. Toutefois, la circulation des données des motifs entre la partie de changement de motif 8, le moyen de fixation de phase 20 et la partie de sortie 10 est un peu différente de celle du premier mode de réalisation. Dans le procédé de production de motifs du présent mode de réalisation, le déroulement, jusqu'à l'étape ST2 de la figure 2, est identique à celui du premier mode de réalisation. L'organigramme de la figure 4 peut être utilisé sans changement dans le présent mode de réalisation. A l'étape ST3 de la figure 9, des données de graphe sont préparées par le moyen 32 de production de données de graphe de la figure 8. Les figures 1 OA à 1OC sont des vues montrant les éléments de données de graphe et un exemple structurel des données. Les données de graphe sont constituées de deux éléments appelés un "noeud" et un "bord". Un noeud est une information indiquant le motif à déphasage formé. Dans l'exemple de la figure 10A, les noeuds O(, (Z),... ( correspondent respectivement aux motifs à déphasage Pl, P2,..., P5. De plus, un bord (appelé aussi "branche") est une information indiquant la relation positionnelle entre les motifs à déphasage, par exemple le fait que la distance suivant la direction de la longueur de grille est la largeur de trait fin. Dans l'exemple de la figure I OB, le fait que chaque distance entre les motifs à déphasage Pl et P2, entre P2 et P3, entre P3 et P4 et entre P3 et P5 est une largeur de trait fin est exprimé par les bords El2, E23, E34 et E35. Les informations sont stockées dans le moyen de mémorisation 40 de la figure 8. Au titre de la structure de stockage particulière de celui-ci (banque de données), il existe trois sortes de banques de données, par exemple une liste de noeuds (informations identifiant les motifs à déphasage), une liste de bords (informations sur les motifs à déphasage conjoints via une largeur de trait fin) et une liste de bords de motif pour chaque noeud (information sur des motifs voisins de motifs à déphasage). La figure IOC montre une liste de bords de motif pour chaque noeud, à titre d'exemple de banque de données. On note que, lorsque la conception assistée par ordinateur (CAO) s'effectue sur la base des cellules, il y a trois sortes de banques de données pour chaque sorte de cellule. Lorsqu'on définit un bord dans la production de ces données de graphe, on peut détecter le bord par le procédé consistant à examiner successivement les relations existant entre des motifs conjoints, par exemple de la même manière que l'on effectue la recherche de motifs dans le premier mode de réalisation. La figure I IA montre deux exemples de données de graphe exprimées par les noeuds et les bords selon une forme graphique (un graphique), et son motif correspondant. Si l'on utilise les données de graphe de cette manière, il est possible de tracer graphiquement la courbe d'une pluralité de motifs à des distances valant exactement la largeur de trait minimale des motifs de grille fine tous ensemble. A l'étape ST4 suivante, par exemple, le moyen 32 de production de graphe détermine si le graphique produit est ou non une courbe fermée. Lorsque ce n'est pas une courbe fermée, comme dans l'exemple de la figure 1l 1A, l'organi- gramme va à l'étape ST5, o, de la même manière que dans le premier mode de réalisation, les phases sont déterminées par le moyen 20 de fixation de phase (figure I lB) et les motifs à déphasage ainsi que les informations de phase sont délivrés par la partie de sortie 10. D'autre part, dans le cas o le graphique produit est une boucle fermé, l'organigramme va à l'étape ST6, o il est confirmé si le nombre de noeuds en boucle fermée est pair (boucle à nombre pair) ou impair (boucle à nombre impair). La boucle est confirmée par le moyen 34 de confirmation de graphe de la figure 8. La figure 12A montre un exemple d'une boucle à nombre pair, tandis que la figure 12B montre un exemple d'une boucle à nombre impair. Dans la boucle à nombre pair de la figure 12A, puisque, en principe, aucun désaccord de phase ne peut survenir, les phases sont fixées (étape ST5) de la même manière que dans le premier mode de réalisation, après quoi les résultats sont délivrés. Au contraire, dans une boucle à nombre impair, comme présenté sur la figure 12B, puisqu'il est évident qu'un désaccord de phase apparaît, l'organigramme de traitement va à l'étape ST7 sans tenter de fixer les phases et les données de graphe sont modifiées par le moyen 36 de changement de données de graphe de la figure 8. A l'étape ST8 suivante, le motif est changé, de la même manière que dans le premier mode de réalisation, c'est-à-dire que le tracé du motif de grille est changé ou que le tracé est comprimé (ou dilaté), après quoi les phases sont fixées (étape ST5) et les résultats sont délivrés. On note que, fondamentalement, tout emplacement du graphe peut être changé lors de l'étape ST7 précédente, mais, si l'on effectue cela, on ne peut pas nécessairement éliminer de manière régulière le désaccord de phase en changeant le tracé ou en effectuant une compression (ou dilatation). Ainsi, à titre de modification, si l'on inclut dans le noeud des données de graphe la largeur de chaque motif à déphasage de grille suivant la direction de la longueur de la grille en plus d'identifier des informations de chaque motif, on peut déterminer instantanément si la largeur est suffisamment grande pour permettre l'addition d'un motif de déphasage et, par conséquent, il est facile de spécifier un emplacement convenable pour le changement du graphe. De ce fait, il devient possible, en changeant un motif, de déterminer immédiatement la phase par simple addition d'un motif à déphasage, c'est-à-dire sans aucun désaccord de phase. De plus, même dans le cas o un changement de motif est nécessaire, on peut prédire l'amplitude des placements du motif de grille ou du taux de compression (ou dilatation) du tracé, préalablement, sur la base des informations relatives à la largeur du motif suivant la direction de la longueur de la grille, et on peut réaliser le changement de motif en une seule fois. La figure 12C montre un graphique et un motif après le changement visant à éliminer le désaccord de phase dans chacun des procédés ci-dessus indiqués. On note que, dans le présent mode de réalisation, lorsqu'il y a un changement de motif dans la deuxième exposition ordinaire, le changement s'effectue de la même manière que pour le premier mode de réalisation. Dans le deuxième mode de réalisation, en plus d'effets analogues à ceux du premier mode de réalisation, il y a l'avantage selon lequel la phase peut être déterminée sur un graphe. De plus, une fois que les données de graphe ont été préparées, une recherche liée des motifs devient inutile et le nombre de répétitions de la confirmation de la différence de phase ainsi que celui des ajustements de la phase peuvent être diminués. Ainsi, dans le premier mode de réalisation, on fixe la phase en recherchant réellement le motif Lorsqu'un désaccord de phase a lieu, on change un motif, on confirme la différence de phase et on la fixe de nouveau. Il est nécessaire de répéter le processus. Toutefois, dans le présent mode de réalisation, on peut facilement se rendre compte de l'existence d'un désaccord de phase par simple détermination du fait que le groupe de données de graphe reliées (graphiques) est une boucle fermée et si le nombre de noeuds de la boucle fermée est pair ou impair, si bien qu'il est possible de modifier immédiatement le motif ou de prendre d'autres mesures, de sorte qu'on améliore encore le rendement. Puisque ces données de graphe sont simples, car elles ne comportent que le minimum d'informations nécessaires à la détermination de la phase, en stockant les données relatives à chaque motif et en les mettant à jour pour chaque changement du motif, il est fait en sorte que le temps et le travail dépensés pour préparer et changer les noeuds de graphe sont beaucoup réduits, par comparaison avec l'utilité des données de graphe (amélioration du rendement de la production du motif). Troisième mode de réalisation Le présent mode de réalisation est un mode de réalisation se rapportant à la réduction des variations de la largeur de trait qui sont dues au degré grossier et fin des motifs. Ce mode de réalisation peut être mis en oeuvre pour lui même aussi bien qu'en combinaison avec les modes de réalisation ci-dessus présentés. Les figures 13A et 13B sont des vues servant à expliquer les variations de la largeur de trait qui sont dues au degré grossier et fin des motifs fins, la figure 13A étant une vue en plan du degré grossier et fin des motifs fins, tandis que la figure 13B est un graphe montrant les résultats de simulation d'intensité. lumineuse servant à former une grille par le procédé de production de motifs à déphasage du deuxième mode de réalisation. Sur la figure 13A, les motifs que constituent le motif de région d'élément, le motif d'électrode de grille et le motif déphaseur à sont superposés et forment un motif de grille ayant des intervalles larges (motif peu dense) dans une région d'élément 1 et un motif de grille ayant des intervalles étroits (motif dense) dans une région d'élément 2. Sur le graphe de la figure 13B, l'abscisse indique la distance focale et l'ordonnée indique la largeur de trait fin de la grille d'une image transférée lumineuse. A partir des résultats de simulation de la figure 13B, on peut voir que la largeur de trait de la grille après développement par image diffère de façon importante (de plus de 20 nm) entre le motif peu dense et le motif dense sur un large intervalle de distances focales. Dans les résultats, on peut voir une tendance à ce que la largeur de trait fin de la grille devienne plus épaisse dans le motif peu dense. Du fait de cette différence de largeur de trait qui est due au degré grossier et fin des intervalles de grille, il est nécessaire de rendre la largeur de trait de la grille, se trouvant sur le masque de photogravure courant, plus mince au niveau du côté du motif peu dense. Toutefois, la largeur de trait fin des motifs présents sur le masque de photogravure qui est formée par un motif de déphasage est déjà d'une largeur de trait de masque dont la minceur est à la limite du processus de fabrication des masques de photogravure. Par conséquent, il n'est pas préférable de la rendre plus mince dans une direction qui rétrécit la marge du processus de fabrication d'un masque de photogravure. Ainsi, dans ce mode de réalisation, on corrige les variations, dues à la différence des densités, des largeurs de trait de grille en changeant les largeurs de trait du motif d'arrêt de lumière de la grille présent sur le masque pendant l'exposition ordinaire qui s'étend sur le motif de résolution de grille (image latente de résist) dû à l'exposition avec déphasage dans l'exposition ordinaire. On forme ordinairement le motif d'arrêt de lumière apparaissant sur le masque pendant l'exposition ordinaire de façon qu'il soit quelque peu plus épais dans la direction de la largeur de trait fin eu égard au défaut d'alignement du masque avec le motif de résolution de grille. De ce fait, le motif d'arrêt de lumière a une largeur de trait qui n'est pas aussi stricte que celle relative à la longueur d'onde d'exposition. Par conséquent, un changement de la largeur de trait d'un motif d'arrêt de lumière est possible à l'intérieur de l'intervalle sur lequel il n'y a pas de problèmes dans le procédé de fabrication d'un masque de photogravure. Les figures 14A et 14B sont respectivement une vue en plan d'un motif résultant du changement réel de la largeur de trait d'un motif d'arrêt de lumière visant à corriger la différence de largeur de trait provoquée par le degré grossier et fin des intervalles de grille et un graphe montrant les résultats de simulation de l'intensité lumineuse. Il est possible de corriger la différence de largeur de trait dépendant du degré grossier et fin des intervalles de disposition des motifs fins de grille en augmentant la largeur des motifs d'arrêt de lumière utilisés pendant la deuxième exposition ordinaire. Dans l'exemple des figures 14A et 14B, on obtient ceci en connectant tous les motifs d'arrêt de lumière se trouvant dans des motifs denses suivant la direction de la largeur. A partir des résultats de simulation de l'intensité de lumière obtenues lorsqu'on utilise les motifs d'arrêt de lumière après changement, on peut voir qu'il est vrai que les largeurs de trait des motifs ne dépendent pas des intervalles des motifs et que l'on peut corriger, à un niveau satisfaisant, les différences de largeur de trait qui sont dues au degré grossier et fin des intervalles de grille apparaissant dans le cas de ce même motif d'arrêt de lumière et indépendamment du degré grossier et fin du motif de la technique antérieure. De plus, puisqu'il n'y a pas à changer le motif de masquage et la largeur de trait minimale, il n'est pas nécessaire d'établir des spécifications strictes pour la largeur de trait lors de la préparation d'un masque de photogravure. Enfin, on va expliquer, dans le cas du degré grossier et fin des motifs fins de grille, une technique permettant de produire un motif d'arrêt de lumière utilisé dans les deuxième et ultérieures expositions ordinaires. On note que le programme permettant de produire un motif d'arrêt de lumière de base pour l'exposition ordinaire, autre que le changement du motif d'arrêt de lumière servant à corriger la différence de largeur de trait qui est due au degré grossier et fin des motifs, comme discuté ici, peut également être appliqué aux premier et deuxième modes de réalisation. On note que, lors de la mise en oeuvre du premier ou du deuxième mode de réalisation, un motif d'arrêt de lumière relatif à l'exposition ordinaire est fondamentalement produit par la partie 6 de production de motif de masquage ordinaire de la figure 2 ou de la figure 8, sauf indication contraire. Les figures 15A à 15F sont des vues en plan d'un motif à des stades différents de la production d'un motif d'arrêt de lumière pendant l'exposition ordinaire. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 15A, un traitement par fonction ET graphique (traitement ET) est effectué sur un motif d'électrode de grille et un motif de région d'élément afin d'extraire un motif fin de grille de la même manière que lors de la production du motif à déphasage ci-dessus. On extrait le motif en plaçant dans la partie 6 de production de motif ordinaire la même fonction que celle du moyen de calcul graphique 14 de la figure 2 et de la figure 8 ou en faisant doublement usage du moyen de calcul graphique 14. Comme représenté sur la figure 15B suivante, on applique un redimensionnement prédéterminé aux deux côtés du motif extrait suivant la direction de la largeur de trait fin (direction de la longueur de grille). On effectue le redimensionnement en plaçant dans la partie 6 de production de motif ordinaire la même fonction que celle du moyen de traitement graphique 16 de la figure 2 et de la figure 8 ou en faisant doublement usage du moyen de traitement graphique 16. Comme représenté sur la figure 15C, on effectue un traitement par fonction OU graphique (traitement OU) sur le motif fin redimensionné et le motif d'électrode de grille afin de produire un motif d'arrêt de lumière par le même moyen que lors du traitement ET de la figure 15A. Ordinairement, la production d'un motif d'arrêt de lumière est terminée à ce stade, mais, dans le présent mode de réalisation, comme représenté sur la figure 15D, on augmente partiellement la largeur du motif d'arrêt de lumière. Le traitement s'effectue via les opérations consistant à spécifier des motifs denses par une recherche de motif et à agrandir la largeur au niveau de la partie des motifs denses. On effectue l'opération de spécification des motifs denses en plaçant dans la partie 6 de production de motif ordinaire la même fonction que celle du moyen de recherche de motif 18 de la figure 2 ou en faisant doublement usage du moyen 18 de recherche de motif. Par exemple, les motifs dans lesquels des intervalles avec des motifs conjoints sont inférieurs à une largeur prédéterminée sont détectés au titre de motifs denses, tandis que ceux dans lesquels ils sont supérieurs à la largeur prédéterminée sont détectés au titre de motifs peu denses. On augmente la largeur des parties de motifs denses dans une proportion prédéterminée à l'intérieur des intervalles des motifs de la partie à motifs denses qui a été détectée par cette technique. Dans le présent exemple, on augmente la largeur jusqu'à élimination des intervalles existant entre motifs denses adjacents. De ce fait, un motif d'arrêt de lumière ayant subi un changement, comme représenté sur la figure 15E, peut être obtenu. Le motif d'arrêt de lumière ainsi modifié devient tel que représenté sur la figure 15F, en relation avec un déphaseur. Dans le troisième mode de réalisation ci-dessus présenté, comme cela résulte de façon évidente de la comparaison de la figure 13B et de la figure 14B, en changeant la taille du motif d'arrêt de lumière pendant l'exposition ordinaire au niveau de la partie des intervalles des motifs fins de grille afin de séparer les motifs, on fait en sorte qu'il devient possible de réduire ou de corriger la différence de largeur de trait fin après le développement par image produit en fonction du degré grossier et fin des motifs à déphasage suivant la direction de la largeur de trait fin. Le motif est corrigé au niveau du motif des deuxième et ultérieures expositions ordinaires, o les spécifications de largeur de trait ne sont pas aussi strictes que pour un masque à déphasage, de sorte qu'on obtient l'avantage selon lequel il y a de la place pour effectuer la correction du motif au-delà de la différence de largeur de trait fin, la correction de la différence de largeur de trait fin étant rendue plus aisee. Avec le procédé et l'appareil de production de motifs selon l'invention, puisque les formes et les phases des motifs à déphasage sont déterminées sur la base des relations de position des motifs fins, une fois que la forme et la disposition des motifs fins ont été déterminées, une automatisation permettant de produire successivement des motifs à déphasage peut plus facilement être mise en oeuvre. Puisque la phase est déterminée de façon à donner une différence de phase de 180 entre emplacements conjoints de part et d'autre des motifs fins, une détermination automatisée successive de la phase devient également plus aisée. * Le fait que cette technique est appropriée à l'automatisation contribue grandement à améliorer le rendement de traitement lorsqu'une répétition du même traitement est nécessaire, comme par exemple la confirmation de la différence de phase et la détermination d'une phase, intervenant une nouvelle fois en particulier du fait d'un changement d'un motif en cas de désaccord de phase. De plus, puisque les formes et les phases des motifs à déphasage sont obtenues sur la base des relations de position de motifs fins, on peut disposer les motifs à déphasage de façon mutuellement conjointe et avec une différence de phase de 180 dans toutes les directions d'un plan bidimensionnel. Par conséquent, les motifs fins ne sont pas tenus à être parallèles et il existe moins de contraintes que dans la technique antérieure. En outre, lors du tracé de graphes des motifs à déphasage, il est possible de déterminer les phases sans rechercher des motifs réels. On peut être informé de l'existence d'un désaccord de phase, c'est-à-dire savoir si un changement de motif sera ou non nécessaire, avant de déterminer la phase, de sorte qu'on améliore le rendement du traitement. D'autre part, en corrigeant le motif d'arrêt de lumière pendant l'exposition ordinaire, on peut réduire ou corriger, en échappant aux contraintes de la limite de résolution, la différence de largeur de trait apparaissant après le développement par image produit en fonction du degré grossier et fin des motifs fins de l'exposition à résolution élevée suivant la direction de la largeur de trait fin. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir du dispositif et du procédé dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de production de motifs pour motif de masquage comportant une pluralité de motifs fins et une pluralité de motifs à déphasage disposés des deux côtés desdits motifs fins dans la direction de la largeur de trait fin afin d'éliminer les interférences lumineuses qui sont dues à la différence de phase de la lumière les traversant, caractérise en ce que: on détermine les formes et les phases de la pluralité de motifs à déphasage sur la base des relations positionnelles de la pluralité de motifs fins et on détermine les phases afin de donner une différence de phase de 180 de part et d'autre desdits motifs fins. 2. Procédé de production de motifs selon la revendication 1, caractérisé en ce que: on extrait ladite pluralité de motifs fins à partir de motifs de formes d'éléments déjà conçus, on dispose des motifs unités, ayant au moins la largeur prédéterminée nécessaire pour annuler lesdites interférences lumineuses, des deux côtés, dans la direction de la largeur de trait fin, pour chaque motif de la pluralité extraite de motifs fins, et on produit ladite pluralité de motifs à déphasage à l'aide desdits motifs unités. 3. Procédé de production de motifs selon la revendication 2, caracteérisé en ce que: on dispose lesdits motifs unités tandis qu'on change la largeur dans ladite direction de la largeur de trait fin de façon qu'aucun jeu ne puisse se former sur les côtés opposés des motifs fins, et on produit lesdits motifs à déphasage par obtention de la somme logiques, ou fonctions OU, graphiques des motifs unités disposés. 4. Procédé de production de motifs selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on détermine lesdites phases tout en cherchant les motifs à déphasage conjoints qui encadrent lesdits motifs fins de façon que la différence de phase entre les motifs à déphasage conjoints deviennent successivement 180 . 5. Procédé de production de motifs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il s'applique à la production d'un motif de masquage pour exposition à résolution élevée permettant d'obtenir la résolution desdits motifs fins dans la formation de motifs de masquage en vue de la formation d'une couche unique au moyen d'une pluralité d'expositions comportant ladite exposition à résolution élevée et une exposition ordinaire pour des emplacements autres que les motifs fins. 6. Procédé de production de motifs selon la revendication 1, caractérisé en ce que, lorsqu'il existe un désaccord de phase donnant une différence de phase de 0 , on change un motif afin d'éliminer ledit désaccord de phase. 7. Procédé de production de motifs selon la revendication 6, caractérisé en ce que: lorsqu'on change le motif, on identifie un motif à déphasage présentant une largeur, dans ladite direction de la largeur de trait fin, d'au moins deux fois la largeur prédéterminée nécessaire pour annuler lesdites interférences lumineuses, et on change le motif afin de diviser ledit motif à déphasage identifié en deux motifs a déphasage ayant une différence de phase de 180 . 8. Procédé de production de motifs selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'on change ledit motif afin de comprimer ou de dilater le motif de tracé général par application d'une contrainte à des motifs à déphasage spécifiques, puis par changement de la largeur de trait de conception des motifs ou entre les motifs. 9. Procédé de production de motifs selon la revendication 1, caractérisé en ce que: on exprime la relation entre lesdits motifs à déphasage sous la forme d'un graphe ayant des motifs à déphasage comme noeuds et la relation entre les motifs à déphasage comme branches, et on détermine les phases sur le graphe. 10. Procédé de production de motifs selon la revendication 6, caractérisé en ce que: on exprime la relation entre lesdits motifs à déphasage sous la forme d'un graphe ayant des motifs à déphasage comme noeuds et la relation entre les motifs à déphasage comme branches, on juge de l'existence dudit désaccord en utilisant ledit graphe, lorsqu'il y a un désaccord de phase, on corrige ledit graphe en fonction de la distance entre lesdits motifs fins, et on change ledit motif en utilisant ledit graphe après correction. 11. Procédé de production de motifs destiné à produire un motif de masquage utilisé lors de la formation d'une couche unique par une pluralité d'expositions, comportant une exposition à résolution élevée utilisant une pluralité de motifs fins et une pluralité de motifs à déphasage disposés des deux côtés des motifs fins dans la direction de la largeur de trait fin afin d'annuler les interférences lumineuses dues à la différence de phase de la lumière les traversant, ainsi qu'une exposition ordinaire pour les emplacements autres que les motifs fins, caractérisé en ce que: lors de la production d'un motif de masquage utilisé pour ladite exposition ordinaire, on change la dimension d'un motif d'arrêt de lumière présent sur ledit masque pendant l'exposition ordinaire en superposition à une position correspondant à un dit motif fin présent sur ledit masque pendant l'exposition à résolution élevée, dans un sens propre à réduire la différence de largeur de trait, après développement par image, qui est due aux densités différentes desdits motifs fins. 12. Appareil de production de motifs pour motif de masquage comportant une pluralité de motifs fins et une pluralité de motifs à déphasage disposés des deux côtés desdits motifs fins dans la direction de la largeur de trait fin afin d'annuler les interférences lumineuses dues à la différence de phase de la lumière les traversant, caractérisé en ce qu'il comporte: un moyen (14, 16) de détermination de la disposition, servant à déterminer les positions et les formes de ladite pluralité de motifs à déphasage sur la base des relations positionnelles de ladite pluralité de motifs fins, et un moyen (18, 20, 22; 20, 32, 34, 36) de détermination de phase servant à déterminer les phases de ladite pluralité de motifs à déphasage sur la base des relations positionnelles de ladite pluralité de motifs fins et de façon que la différence de phase, de part et d'autre desdits motifs de déphasage, devienne 180 . 13. Appareil selon la revendication 12, caractérisé en ce que ledit moyen (14, 16) de détermination de la disposition comporte: un moyen (14) d'extraction de motifs servant à extraire une pluralité de motifs fins à partir de motifs de formes d'éléments, un moyen (16) de production de motifs unités servant à produire des motifs unités ayant au moins la largeur prédéterminée nécessaire pour annuler lesdites interférences des deux côtés de chaque motif de la pluralité extraite des motifs fins dans la direction de la largeur de trait fin, et un moyen (14) de synthèse de motifs servant à synthétiser lesdits motifs unités produits afin de produire ladite pluralité de motifs à déphasage. 14. Appareil selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un moyen (8) de changement de motif, servant à changer un motif afin d'annuler ledit désaccord de phase lorsqu'un désaccord de phase survient du fait d'une différence de phase de 0 . 15. Procédé d'exposition destiné à un semiconducteur utilisant un motif de masquage comportant une pluralité de motifs fins et une pluralité de motifs à déphasage disposés des deux côtés desdits motifs fins dans la direction de la largeur de trait fin afin d'éliminer les interférences lumineuses dues à la différence de phase de la lumière les traversant, caractérisé en ce que: on détermine les formes et les phases de la pluralité de motifs à déphasage sur la base des relations positionnelles de la pluralité de motifs fins et on détermine les phases afin de donner une différence de phase de 180 de part et d'autre desdits motifs fins. 16. Procédé d'exposition selon la revendication 15, caractérisé en ce que: on extrait ladite pluralité de motifs fins à partir de motifs de formes d'éléments déjà conçus, on dispose des motifs unités, ayant au moins la largeur prédéterminée nécessaire pour annuler lesdites interférences lumineuses, des deux côtés, dans la direction de la largeur de trait fin, pour chaque motif de la pluralité extraite des motifs fins, et on produit ladite pluralité de motifs à déphasage en utilisant lesdits motifs unités. 17. Procédé d'exposition selon la revendication 16, caractérisé en ce que: on dispose lesdits motifs unités tout en changeant la largeur dans ladite direction de la largeur de trait fin de façon qu'aucun jeu ne puisse se former sur les côtés opposés des motifs fins, et on produit lesdits motifs à déphasage par obtention des sommes logiques, ou fonctions OU, graphiques des motifs unités disposés. 18. Procédé d'exposition selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'on détermine lesdites phases tout en cherchant des motifs à déphasage conjoints encadrant lesdits motifs fins de façon que les différences de phase entre les motifs à déphasage conjoints deviennent successivement 180 . 19. Procédé d'exposition selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il s'applique à la production d'un motif de masquage pour exposition à résolution élevée permettant d'obtenir la résolution desdits motifs fins dans la formation de motifs de masquage en vue de la formation d'une couche unique au moyen d'une pluralité d'expositions comportant ladite exposition à résolution élevée et une exposition ordinaire pour des emplacements autres que les motifs fins. 20. Procédé d'exposition selon la revendication 15, caractérisé en ce que, lorsqu'il y existe un désaccord de phase donnant une différence de phase de 0 , on change un motif afin d'éliminer ledit désaccord de phase. 21. Procédé d'exposition selon la revendication 20, caractérisé en ce que: lorsqu'on change le motif, on identifie un motif à déphasage ayant une largeur, dans ladite direction de la largeur de trait fin, d'au moins deux fois la largeur prédéterminée nécessaire pour annuler lesdites interférences lumineuses, et on change le motif afin de diviser ledit motif à déphasage identifié en deux motifs à déphasage ayant une différence de phase de 180 . 22. Procédé d'exposition selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'on change ledit motif afin de comprimer ou de dilater le motif de tracé général par application d'une contrainte à des motifs à déphasage spécifiques, puis par changement de la largeur de trait de conception des motifs ou entre les motifs. 23. Procédé d'exposition selon la revendication 15, caractérisé en ce que: on exprime la relation entre lesdits motifs à déphasage sous la forme d'un graphe ayant des motifs à déphasage comme noeuds et la relation entre les motifs à déphasage comme branches, et on détermine les phases sur le graphe. 24. Procédé d'exposition selon la revendication 20, caractérisé en ce que: on exprime la relation entre lesdits motifs à déphasage sous la forme d'un graphe ayant des motifs à déphasage comme noeuds et la relation entre les motifs à déphasage comme branches, on juge de l'existence dudit désaccord en utilisant ledit graphe, lorsqu'il y a un désaccord de phase, on corrige ledit graphe en fonction de la distance entre lesdits motifs fins, et on change ledit motif en utilisant ledit graphe après correction. 25. Procédé d'exposition destiné à un semiconducteur utilisant un motif de masquage utilisé lors de la formation d'une couche unique par une pluralité d'expositions, comportant une exposition à résolution élevée utilisant une pluralité de motifs fins et une pluralité de motifs à déphasage disposés des deux côtés des motifs fins dans la direction de la largeur de trait fin afin d'annuler les interférences lumineuses dues à la différence de phase de la lumière le traversant, ainsi qu'une exposition ordinaire pour les emplacements autres que les motifs fins, caractérise en ce que: lors de la production d'un motif de masquage utilisé pour ladite exposition ordinaire, on change la dimension d'un motif d'arrêt de lumière présent sur ledit masque pendant l'exposition ordinaire en superposition à une position correspondant à un dit motif fin présent sur ledit masque pendant l'exposition à résolution élevée, dans un sens propre à réduire la différence de largeur de trait, après développement par image, qui est due aux densités différentes desdits motifs fins.