FR 2779317 A1 19991203 FR 9806578 A 19980526 La présente invention concerne un procédé destiné à moduler, de façon continue, la configuration d'un champ magnétique destiné au confinement d'un plasma engendré par résonance cyclotronique électronique ainsi qu'une source permettant la mise en.uvre de ce procédé. Les sources à résonance cyclotronique électronique, dites sources ECR, sont utilisées communément pour produire des ions mono-chargés ou multichargés (c'est-à-dire des atomes auxquels on a arraché un ou plusieurs électrons). Le principe de ces sources ECR est de coupler, à l'intérieur d'une chambre sous vide alimentée en atomes (ces atomes peuvent provenir d'un gaz ou d'un métal), une onde haute-fréquence avec un champ magnétique B, de façon à obtenir les conditions dans lesquelles, une résonance cyclotronique est susceptible d'apparaître et d'ioniser les atomes présents, engendrant ainsi un plasma. Classiquement, on désigne par RECR, la valeur du module du champ magnétique B pour laquelle on obtient la résonance cyclotronique électronique. Généralement, la chambre contenant le plasma présente une symétrie de révolution par rapport à un axe que l'on nommera z. Le champ magnétique B est produit par des moyens externes à la chambre sous vide. Ces moyens peuvent être constitués d'un ensemble de bobines parcourues d'un courant électrique ou d'un ensemble d'aimants permanents. Les bobines utilisées, si elles sont constituées de matériaux supraconducteurs, doivent être refroidies jusqu'à une température déterminée, par un système cryogénique approprié. En cordonnées cylindriques, le champ B est défini par son module B et par l'angle 0 qu'il forme avec l'axe de révolution z. On peut alors définir deux composantes du champ B, dont l'une est la projection du vecteur champ B sur l'axe z, appelée composante axiale et sera notée Bz par la suite; et l'autre, est la projection du vecteur B sur un plan perpendiculaire à I'axe z, appelée composante radiale et notée classiquement Br. La configuration du champ magnétique à l'intérieur de la chambre sous vide détermine le nombre de charges portées par les ions du plasma. En particulier, la configuration de la composante axiale du champ magnétique est déterminante. Quel que soit le type de source ECR, on peut définir, le long de l'axe z, deux zones extrêmes à l'intérieur de la chambre: la zone dite d'injection, o est introduite l'onde haute-fréquence et o sont également introduits les atomes de gaz ou de métal à ioniser. A l'opposé de cette zone d'injection, se situe la zone dite d'extraction. Cette zone d'extraction correspond à la sortie du faisceau d'ions de la chambre. II existe des sources ECR permettant de produire de forts flux d'ions mono-chargés (ayant une énergie de l'ordre de 200 KeV). Dans le cas de ces sources, la configuration du module de la composante axiale Bz, à l'intérieur de la chambre sous vide, est telle que représentée sur la figure 1. La courbe présente deux maxima M1 et M2 à des abscisses situées respectivement, dans les zones d'extraction et d'injection et un minimum intermédiaire M3, situé entre les deux maxima, à une abscisse correspondant à peu près au centre de la chambre. Ces deux maxima ont en général une valeur supérieure à la valeur RECRZ de la composante axiale B2 pour laquelle on obtient la résonance cyclotronique électronique. La valeur maximale des différences M1-M3 et M2-M3 représente le gradient maximum de la composante axiale. Ce gradient est faible, en général de l'ordre de quelques pour-cent de la valeur maximale de la composante axiale. Dans la chambre sous vide, la composante axiale a un module dont la valeur reste proche de la valeur RECRZ. Une telle composante axiale permet d'obtenir un couplage efficace entre l'onde haute-fréquence et le champ magnétique B. Les atomes sont ainsi rapidement ionisés et leur diffusion à l'intérieur de la chambre est rapide. L'extraction des ions s'effectue également à une valeur de Bz proche de la valeur RECRZ de résonance. Dans le cas d'une source produisant des ions multi-chargés, la configuration de la composante axiale Bz est telle que représentée sur la figure 2. La composante axiale Bz présente deux maxima N1 et N2 correspondant à des valeurs supérieures à la valeur RECRZ et situés près des zones d'injection et d'extraction. La valeur minimale notée N3, inférieure à la valeur RECRZ, est atteinte à l'intérieur de la chambre sous vide. A la différence de la configuration représentée sur la figure 1, la valeur maximale des écarts N2-N3 ou N1-N3 qui représente le gradient maximum de la composante axiale est relativement importante, en général de l'ordre de 1,5 à 2,5. De plus les valeurs maximales obtenues aux points N1 et N2 sont plus élevées que les valeurs maximales M1 et M2 de la configuration représentée sur la figure 1; elles sont environ 1,5 fois plus élevées. Lorsque la composante axiale du champ magnétique, à l'intérieur de la chambre sous vide, présente une configuration correspondant à la figure 2, il est possible d'obtenir des ions multi-chargés comme cela a déjà été décrit dans la demande de brevet français N 91-09945. Les ions d'abord mono-chargés restent confinés dans la chambre, dans la zone o la composante axiale du champ magnétique présente son minimum N3, c'est à dire, entre les deux maxima N1 et N2. Les électrons du plasma d'ions mono-chargés sont "chauffés" et atteignent progressivement de hautes énergies (de l'ordre de 1 MeV). Les chocs entre ces électrons de haute énergie et les ions mono-chargés provoquent l'ionisation profonde des couches électroniques; des électrons situés sur les couches plus proches du noyau de l'atome sont arrachés, conduisant alors, à la formation d'ions multi-chargés. Ces ions multi-chargés sont ensuite extraits dans la zone dite d'extraction o la composante axiale du champ magnétique a une valeur supérieure à la valeur RECRZ. La production d'ions mono-chargés et la production d'ions multi- chargés nécessitent donc deux types distincts de source ECR présentant des configurations de la composante axiale Bz différentes à l'intérieur de la chambre sous vide. Or, d'un point de vue industriel, pour la production d'ions radioactifs, il est en général plus facile d'ioniser un grand nombre d'ions monochargés, mais, pour des raisons de facilité d'accélération, il est parfois nécessaire de produire des ions multi-chargés. De même, pour l'implantation ionique, utilisée notamment pour la fabrication de circuit intégrés, on utilise en général des faisceaux intenses d'ions mono-chargés. Néanmoins, une implantation localement plus profonde des ions nécessite d'utiliser des ions possédant une plus haute énergie et donc des ions multi-chargés. Le fait de devoir disposer de deux sources ECR distinctes pour la production des deux types d'ions implique d'une part, un coût élevé de la production et d'autre part, des opérations de passage d'une source à l'autre. Dans ces conditions, il est nécessaire à chaque changement de source de procéder à une nouvelle installation ce qui peut être extrêmement long et fastidieux et présente également des risques, toute manipulation d'une source risquant en effet de l'endommager. La présente invention se propose donc de résoudre les problèmes techniques posés par l'art antérieur, précédemment exposés. Ce but est atteint au moyen d'un procédé de modulation de la configuration du champ magnétique B défini par sa composante axiale Bz et sa composante radiale Br, destiné au confinement d'un plasma engendré par résonance cyclotronique électronique à une valeur RECR du champ B, et possédant une symétrie par rapport à un axe de révolution z. Selon ce procédé, on ajuste de manière continue et au moins localement l'intensité et/ou la direction du champ magnétique B pour moduler sa configuration dans un domaine o, le module de la composante axiale Bz prend des valeurs situées de part et d'autre de la valeur de résonance RECRZ et qui est délimité, entre une première configuration dans laquelle les variations dudit module selon l'axe de révolution z présentent un gradient faible, et une seconde configuration, dans laquelle les variations dudit module présentent un gradient fort, la valeur du rapport: module maximum du champ magnétique / module minimum du champ magnétique, étant supérieure à 1,5 et de préférence supérieure à 2. Ce procédé a pour avantage de pouvoir créer un champ magnétique B, à l'intérieur de la chambre, ayant toute configuration intermédiaire aux deux configurations extrêmes définies ci-dessus. Ce procédé peut s'appliquer à toute sorte de moyens générateurs de champ magnétique, à savoir, un aimant permanent, une bobine, un système utilisant des supraconducteurs, ou une combinaison de deux ou plus de ces moyens. On peut, selon ce procédé, passer de façon continue d'une configuration de champ magnétique destinée à produire des ions mono- chargés à une configuration permettant la production d'ions multichargés. Avantageusement, on crée le champ B à l'intérieur d'une chambre sous vide, en utilisant des moyens générateurs disposés à l'extérieur de la chambre. Avantageusement, on ajuste de manière continue et au moins localement l'intensité et/ou la direction du champ magnétique B dans ladite chambre en déplaçant au moins une partie des moyens générateurs. $ Par exemple, on peut déplacer les moyens générateurs de champ magnétique dans une direction parallèle à l'axe de révolution z du champ B. Une autre possibilité, qui n'exclue par d'être utilisée en combinaison avec celle exposée précédemment, consiste à ajuster au moins localement I'intensité et/ou la direction dudit champ magnétique B en réglant les moyens générateurs. Les moyens générateurs pouvant être réglés en faisant varier, par exemple, I'intensité de leur courant d'alimentation. Avantageusement, on module le champ B de manière à ce que son module soit compris entre 0,1 et 3 fois la valeur du module du champ magnétique pour lequel on obtient la résonance. De préférence, on fait varier la direction dudit champ magnétique de manière à ce que l'angle 0 que forme ledit vecteur champ B avec l'axe de révolution z soit compris entre 0 et 90 . Un autre objet de la présente invention est de fournir un dispositif pour la mise en.uvre du procédé exposé précédemment. Ce but est atteint au moyen d'une source d'ions mono- et multi- chargés du type comprenant: - des moyens générateurs d'un champ magnétique B situé à I'extérieur de ladite chambre sous vide; ce champ magnétique B, défini par sa composante axiale B, et sa composante radiale Br; est destiné au confinement du plasma engendré par résonance cyclotronique électronique à une valeur RECR et possède une symétrie par rapport à un axe de révolution z, - une chambre sous vide destinée à contenir un plasma; - des moyens de propagation d'une onde haute-fréquence à l'intérieur de la chambre; - des moyens d'injection des atomes à ioniser dans ladite chambre - des moyens d'extraction des ions constitutifs du plasma; cette source comporte en outre des moyens de modulation de la configuration du champ magnétique B par ajustement, au moins local, de la direction et/ou de l'intensité dudit champ magnétique B. Il est alors possible d'utiliser la même source pour produire des ions mono-chargés et des ions multi-chargés. Ceci présente de nombreux avantages, en particulier, une grande souplesse d'utilisation puisqu'un seul et même appareil permet alors la production des deux types d'ions, ce qui réduit considérablement le coût de production de ces ions. Tout type de moyens générateurs de champ magnétique peut être utilisé, des bobines, des matériaux supraconducteurs ou autre. Une combinaison de deux ou plusieurs de ces moyens peut également être envisagée. Par exemple, les moyens générateurs comportent au moins un dipôle magnétique possédant une symétrie par rapport à un axe de révolution parallèle à l'axe z et entourant la chambre. Ce mode de réalisation a pour avantage de créer aisément les deux types configuration pour la composante axiale Bz du champ B. Avantageusement, ce dipôle est porté par au moins un aimant permanent. Les aimants permanents étant peu coûteux, leur utilisation permet de réduire encore le prix de revient de la source. Avantageusement, les moyens de modulation du champ magnétique B comportent des organes de déplacement des moyens générateurs. Le déplacement des moyens générateurs peut s'effectuer dans toute direction, par translation ou par rotation autour d'un axe quelconque. Par exemple, selon un mode de réalisation particulier, ces organes de déplacement comportent au moins une armature fixée dans une positon parallèle audit axe de révolution z et maintenant au moins une partie desdits moyens générateurs; l'armature est munie d'un trou taraudé la traversant parallèlement à l'axe de révolution z et est susceptible de coopérer avec une tige filetée disposée parallèlement à l'axe de révolution z, de façon à l'entraîner en déplacement parallèlement à l'axe z. Selon un autre mode de réalisation, les moyens générateurs comportent au moins une bobine parcourue d'un courant d'intensité déterminée. Avantageusement, les moyens de modulation dudit champ magnétique B comportent alors, en outre, des moyens de réglage de l'intensité du courant d'alimentation de la bobine. L'invention sera bien comprise et ses avantages apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée qui suit, d'un mode de réalisation représenté à titre d'exemple non limitatif. La description se réfère aux dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 représente les variations du module de la composante axiale du champ magnétique régnant dans la chambre sous vide dans le cas d'une production d'ions mono-chargés; - la figure 2 représente les variations du module de la composante axiale du champ magnétique régnant dans la chambre sous vide dans le cas d'une production d'ions multi-chargés; - la figure 3 représente un mode de réalisation particulier de la présente invention, dans lequel les moyens générateurs du champ sont disposés de manière à former, dans la chambre sous vide, la configuration magnétique adaptée à la production d'ions multi-chargés; la figure 4 représente une coupe de la figure 3 selon l'axe IV-IV sur laquelle les moyens générateurs de champ sont disposés de façon à former, dans la chambre, la configuration magnétique adaptée à la production d'ions mono-chargés; - la figure 5 est un détail du mode de réalisation particulier représenté sur les figures 3 et 4 - la figure 6 est une vue de gauche de la figure 3; - la figure 7 représente une vue de dessous d'une partie de la figure 3; - la figure 8a représente une autre disposition possible des moyens générateurs de champs et la figure 8b représente la configuration correspondante de la composante axiale du champ; - la figure 9 représente une vue en perspective de la source correspondant au mode de réalisation représenté sur les figures 3 à 6. En se référant à la figure 3, les principaux éléments constitutifs de la présente invention vont maintenant être décrits. La source de la présente invention comporte classiquement une culasse 11 possédant une symétrie de révolution par rapport à un axe z. Cette culasse 11 est réalisée avec un matériau tel que l'aluminium et renferme les moyens générateurs de champ. La culasse 11 comporte en son centre, une ouverture cylindrique délimitant partiellement la chambre 13 qui sera mise sous vide. Dans le cas présent, la chambre 13 et la culasse 11 possèdent le même axe de révolution z que le champ magnétique lui-même. Toute autre géométrie de la culasse 11 et de la chambre 13 peuvent également être envisagées sans rapport quelconque avec la géométrie du champ magnétique régnant dans cette chambre 13. Une paroi latérale 15 réalisée en un métal quelconque amagnétique tel que, par exemple, I'aluminium ou l'acier inoxydable, est fixée de manière étanche sur les parois de l'ouverture cylindrique de la culasse 11 constitue la surface latérale externe de la chambre 13 servant de chambre à plasma. En se référant à la figure 3, à l'extrémité gauche de la chambre 13, se situe la zone d'extraction reliée au système d'extraction 16 dont une partie 18 pénètre à l'intérieur de la chambre 13. La partie 18 pénètre jusqu'à une abscisse zl déterminée à laquelle la composante axiale Bz du champ magnétique B a la valeur requise pour l'extraction des ions. De préférence, zl est égale à quelques centimètres selon la tension d'extraction. A l'extrémité opposée de la zone d'extraction, se situe le système de guidage de l'onde haute- fréquence (H.F.) 19 et le système d'injection des atomes à ioniser 20. Le système de guidage de l'onde 19 comporte une fenêtre H.F. 19a, perméable à l'onde mais permettant de maintenir le vide dans la chambre 13, et un guide d'onde 19b qui guide l'onde haute- fréquence jusqu'à l'intérieur de la chambre 13. Le système d'injection des atomes 20 sera expliqué plus en détails par la suite, en se référant à la figure 7. Le système d'extraction 16, le système de guidage de l'onde 19b et le système d'injection des atomes 20 sont reliés de façon parfaitement étanche à la chambre 13 au moyen de joints appropriés. La chambre 13 s'étend de l'extrémité de la partie 20 à la paroi interne de la culasse 11. Dans l'exemple présenté, les moyens générateurs sont des aimants permanents, respectivement, A1, A2, A3, A4 et A5 ayant une forme de bague et disposés de façon à ce que leur axe de révolution se confonde sensiblement avec l'axe de révolution z de la chambre 13. Les diamètres sensiblement égaux des aimants A1 et A2 sont supérieurs aux diamètres des aimants A3, A4 et A5. Les dimensions respectives des aimants, c'est-à-dire leurs diamètres internes, leurs diamètres externes et leurs largeurs (LA1, LA2, LA3, LA4 et LA5) sont déterminés en fonction des dimensions de la chambre 13. Les dimensions de la chambre 13 sont elles-mêmes définies en fonction de la longueur d'onde de l'onde haute-fréquence. Comme représenté sur la figure 3, les aimants A1 et A5 peuvent être de même largeur, de même que les aimants A2 et A3. De préférence, les aimants A1 et A5 sont plus larges que les aimants A2 et A3. L'aimant A4 peut être choisi plus large que les autres. Les aimants A1, A2, A3, A4 et A5 sont montés sur des armatures respectivement 21, 22, 23, 24 et 25. Les armatures sont telles qu'elles sont fermement fixées, par emboutissage, aux aimants de façon à ne pas empêcher l'établissement du champ magnétique généré par chaque aimant, à l'intérieur de la chambre 13. Ces armatures peuvent présenter des formes variées. Dans le cas du présent mode de réalisation, elles ont une forme de bague telle que leur diamètre externe soit sensiblement égal au diamètre de la culasse 11. La forme particulière de l'armature 23 est destinée à supporter l'aimant A3 séparément de l'aimant A2 qui est susceptible de se superposer audessus de celui-ci. De même, I'armature 25 a une forme adaptée à la superposition de l'aimant A1 sur l'aimant AS. Sur la figure 3, on peut remarquer que l'armature 25 est placée en butée contre la paroi interne de la culasse 11 et y est fixée à l'aide de vis ou de tout autre moyen de fixation. Dans le mode de réalisation particulier représenté, I'aimant A5 est donc fixe mais on peut également imaginer une armature 25 mobile. Le déplacement de l'aimant A5 permettrait, par exemple, d'adapter les dimensions du champ magnétique de confinement régnant dans la chambre à la longueur d'onde de l'onde haute-fréquence utilisée pour obtenir la résonance cyclotronique électronique. Il serait alors possible pour une configuration donnée de faire varier les dimensions du champ magnétique de confinement de manière à utiliser une onde haute- fréquence de longueur d'onde différente pour obtenir la résonance cyclotronique électronique. De même, il serait possible en adaptant les dimensions du champ magnétique de confinement de passer d'une configuration à une autre, tout en modifiant la longueur d'onde de l'onde haute-fréquence utilisée, c'est-à-dire d'obtenir la résonance cyclotronique électronique pour des valeurs différentes RECRZ et R'ECRZ de la composante axiale du champ, comme cela est représenté sur les figures 1 et2. Sur la figure 3, I'aimant A5 est placé à une distance H5 de la paroi de la culasse 11. Cette distance H5 est de préférence égale à quelques millimètres. De même, I'aimant A1 est placé à une distance H1 de la paroi interne de la culasse 11. Les aimants A2 et A3 sont déplacés jusqu'à une distance respective H'2 et H'3, de la paroi de la culasse 11. L'aimant A1 a un diamètre interne tel qu'il peut être superposé sur l'aimant A5, l'aimant A5 étant solidaire de l'armature 25. L'armature 21 comporte une ouverture 26 de section cylindrique la traversant parallèlement à l'axe z et susceptible de coulisser le long d'un guide cylindrique 27. Le guide 27 est fixé parallèlement à l'axe z, à l'une de ces extrémités sur l'armature 25 et, à l'autre extrémité, sur l'armature 24, les aimants A4 et A5 étant placés cote à cote. Cette fixation peut être réalisée à l'aide de vis ou de tout autre moyen de fixation. Le guide 27 permet d'assurer l'exact parallélisme, voire même la superposition de l'axe de révolution de l'aimant A1 et l'axe z. De préférence, la longueur du guide 27 est égale à la largeur totale LA4 +LA5. Selon ce mode de réalisation, I'aimant A5 étant fixe, I'aimant A4 I'est aussi. Il serait pourtant possible d'imaginer un aimant A4 mobile dont les mouvements seraient couplés ou non aux mouvements de l'aimant A5. Les avantages apportés par un tel mode de réalisation seraient les mêmes que ceux exposés pour un aimant A5 mobile. L'armature 21 supportant l'aimant A1 comporte, en outre, un trou débouchant 28, parallèle à l'axe z. Ce trou 28 est susceptible de coulisser autour d'un guide 29 fixé parallèlement à l'axe z, sur la paroi de la culasse 11 et sur-l'armature 25. Les armatures 22, 23 et 24 sont également pourvues d'ouvertures a et 30b les traversant parallèlement à l'axe z. Les armatures 22 et 23 sont susceptibles de coulisser autour de ce guide 29. Les armatures sont ainsi toutes parfaitement positionnées par rapport à l'axe z, grâce à la présence de ces deux guides 27 et 29. La présence de ces deux guides 27 et 29 évite également toute rotation des aimants autour de l'axe z. On peut également prévoir une pluralité de guides équipant la circonférence des armatures. Classiquement, les trous 28, 30a et 30b sont équipés de bagues de façon à faciliter le glissement de l'armature sur le guide 29. Les aimants A2 et A3 sont ainsi susceptibles de se déplacer le long de l'axe entre l'aimant A4 et la paroi interne de la culasse 11. Les aimants A2 et A3 peuvent se déplacer respectivement jusqu'à des distances H2 et H3 de la paroi interne de la culasse 11. De préférence, la distance H2 sera de l'ordre de quelques centimètres et la distance H3 sera de l'ordre de quelques centimètres (distances figurées sur la figure 4). Un exemple de moyens de déplacement en translation des aimants va maintenant être décrit en se référant aux figures 4 et 5. Le déplacement de l'aimant A1 s'effectue à l'aide d'une vis 61 placée sur la paroi de la culasse 11. L'armature 21 comporte également un trou taraudé 31 dont le filetage est susceptible de coopérer avec le filetage complémentaire 51 de la tige filetée 41. De préférence, la longueur L1 de la translation possible de l'aimant A1 le long de l'axe z est comprise entre O et quelques centimètres. En vissant ou dévissant la vis 61 située sur la culasse 11, on provoque ainsi le déplacement de l'ensemble formé par l'armature 21 et l'aimant A1. Ce déplacement s'effectue en translation par rapport à l'axe de révolution z de la chambre. A nouveau, les guides 27 et 29 assurent le parallélisme de cette translation avec l'axe z. De même, les armatures 22 et 23 supportant respectivement les aimants A2 et A3 comportent également des trous taraudés 32 et 33 susceptibles de coopérer avec les tiges 42 et 43 dont les extrémités comportent des filetages 52 et 53. La tige 42 se termine par la vis 62 située sur la culasse 11. Cette tige traverse une partie évidée située sur l'armature 23 et 24. L'extrémité filetée 52 de la tige 42 vient alors coopérer avec le filetage du trou taraudé 32. De la même façon que précédemment, la manoeuvre de la vis 62 permet d'avancer ou de reculer l'aimant A2 le long de l'axe z. La longueur du filetage de la tige filetée 32 détermine la longueur L2 du déplacement de l'aimant A2. La longueur du déplacement L2 sera de préférence égale à quelques centimètres. La figure 5 représente la tige 43 terminée par la vis 63 située sur la paroi de la culasse 11. La tige 43 comporte un filetage 53 uniquement sur son extrémité traversant opposée à la vis 63. Ce filetage 53 est susceptible de coopérer avec le trou taraudé 33 ménagé dans l'armature 23. La tige 43 est placée parallèlement à l'axe z. La manoeuvre de la vis 63 permet comme exposé précédemment de déplacer l'aimant A3, parallèlement à l'axe z. La tige 43 traverse également trois zones évidées situées sur les armatures 21, 24 et 22. De même, la longueur du filetage 53 de la tige 43 détermine la longueur L3 du déplacement en translation de l'aimant A3. De préférence, cette longueur L3 sera comprise entre 0 et quelques centimètres. On vient de décrire un exemple de moyens permettant un déplacement en translation des moyens générateurs de champ magnétique qui dans l'exemple précédent sont représentés par des aimants permanents. Il est évidemment possible d'imaginer ce même dispositif appliqué à des bobines parcourues d'un courant ou à des matériaux supraconducteurs. On peut également coupler ce dispositif permettant un déplacement en translation avec tout autre dispositif permettant d'autres déplacements, dans d'autres directions, des moyens générateurs de champ (translation selon une autre direction, rotation, etc.). On va maintenant décrire le procédé appliqué au mode de réalisation particulier décrit précédemment, permettant de passer de la configuration de Bz représentée sur la figure 1, à la configuration de Bz représentée sur la figure 2. Le champ B régnant dans la chambre 13 est la superposition de tous les champs créés par les différents aimants. L'aimant A4 peut être un multipôle, c'est-à-dire qu'il comporte une pluralité d'aimants dont les pôles sont orientés selon différentes directions. Il est disposé sensiblement à une position correspondant au milieu de la longueur de la chambre et à une distance de l'ordre de quelques millimètres de la paroi latérale 15. Le champ généré par l'aimant A4 est essentiellement radial, c'est- à-dire qu'il génère un champ représenté par un vecteur B de direction quelconque, situé dans un plan perpendiculaire à la direction de l'axe z. La figure 6 représente, plus en détails, cet aimant A4. Il est composé de plusieurs dipôles créant des champs magnétiques ayant des directionsdifférentes. A4 peut ainsi être composé d'un nombre pair de dipôles orientés quatre par quatre. Les dipôles de même direction mais de sens contraires sont diamétralement opposés. Dans un plan perpendiculaire à l'axe z, on peut définir deux directions perpendiculaires selon lesquelles sont situés des dipôles ayant une orientation centripète (selon l'axe vertical) et une orientation centrifuge (selon l'axe horizontal). Les dipôles sont ordonnés selon le motif suivant: dipôle centripète, dipôle tangent à la circonférence du multipôle A4 et dirigé vers le dipôle centripète précédent, dipôle centrifuge, dipôle ayant une direction tangente à la circonférence du multipôle A4 et dirigé dans le sens opposé du dipôle tangent à la circonférence du multipôle A4 et dirigé vers le dipôle centripète. Les champ générés par chacun des aimants A1, A2 A3 et A5 présentent une symétrie de révolution par rapport à l'axe z. Ils peuvent avantageusement de plus être sensiblement symétriques par rapport au milieu de la chambre 13. Chacun de ces champs est constitué d'une composante axiale Bz et d'une composante radiale Br dont les modules décroissent selon l'axe z, lorsqu'on s'éloigne du centre de l'aimant considéré. Comme représenté sur la figure 3, I'aimant A1 produit un champ magnétique ayant une composante radiale orientée, sur la figure 3, de haut en bas vers l'axe z. Il en est de même pour l'aimant A3. Les aimants A1 et A5 produisent un champ magnétique dont la composante radiale est orientée de bas en haut vers l'axe z. La figure 4 représente la disposition des aimants pour obtenir une configuration de Bz identique à celle représentée par la figure 1. On décrit maintenant la figure 4, en commençant par la zone située près du système d'extraction. Les aimants A2 et A3 sont décalés l'un par rapport à l'autre, mais se superposent sur une longueur M. Cette longueur M a une valeur déterminée pour obtenir, près du dispositif d'extraction, la valeur adéquate du champ B. Pour une résonance magnétique obtenue par une onde de fréquence supérieure à 1 GHz, la chambre a avantageusement des dimensions égales à 1,5 fois la longueur d'onde dans le vide de l'onde de chauffage, et la longueur M a avantageusement une valeur de quelques dizaines de centimètres. Avantageusement, I'aimant A2 est placé à une distance H"2 de l'axe, de l'ordre de quelques centimètres et l'aimant A3 est placé à une distance H"3 de la paroi interne de la culasse 11, H'3 étant de l'ordre de quelques centimètres. On notera que, dans le cas particulier de la figure 4, la distance H"3 est égale à la distance H3. Avantageusement, la résonance cyclotronique électronique sera obtenue avec une onde haute-fréquence de fréquence supérieure à 6,4 Ghz. Dans ce cas, la chambre a avantageusement des dimensions égales à 1,5 fois la longueur d'onde dans le vide de l'onde de chauffage, et la longueur M a, avantageusement, une valeur de quelques centimètres. Lorsqu'on s'éloigne de cette zone de superposition, on s'éloigne des centres respectifs des aimants A2 et A3, le champ qui en résulte à une composante axiale Bz qui décroît et passe par une valeur minimale M3 inférieure à la valeur de résonance REcRZ puis croit à nouveau lorsqu'on se rapproche des aimants A1 et A5. De préférence, M3 est sensiblement égale à la valeur de résonance. De même, dans la zone o les aimants A1 et A5 sont superposés sur une longueur N, la composante axiale B, augmente en module pour atteindre une valeur maximale M2 dans la zone o les aimants A1 et A5 sont superposés. Avantageusement la longueur N sera égale à quelques millimètres. Avantageusement, I'aimant A5 est placé à une distance H'5 de la paroi interne de la culasse et l'aimant A1 est placé à une distance H'I de la paroi de la culasse. On a par exemple, H'5 égale à H5 et H'I est de l'ordre de quelques millimètres. En déplaçant simultanément ou successivement les aimants A1, A2 et A3, en actionnant les vis 61, 62, 63 disposées sur la culasse 11, on parvient à disposer lesdits aimants de manière à obtenir un champ ayant une composante axiale dont la configuration est identique à celle représentée sur la figure 2. Une telle disposition des aimants est représentée sur la figure 3. En commençant par la zone d'extraction, on remarque que les aimants A2 et A3 sont superposés sur toute leur longueur et situés à une distance respective H'2 et H'3 de la paroi de la culasse 11. On obtient donc une composante axiale qui est la superposition des deux composantes axiales maximales obtenues au centre des aimants des champs générés par les aimants A1 et A2 et qui donc atteint une valeur maximale aux centres confondus des deux aimants. Dans la zone o se situe l'aimant A4, le champ résultant B a une composante axiale B2 qui résulte de la superposition des composantes axiales des champs générés par les aimants A1, A2, A3 et A5. Cette zone se trouvant plus éloignée du centre des aimants A2 et A3 et des centres des aimants A5 et A1 que dans la disposition représentée sur la figure 3, la composante axiale a un module inférieur au module qu'elle a lorsque les aimants sont disposés comme sur la figure 3. La valeur minimale N3 du module de la composante axiale est de l'ordre de 1,5 fois le champ magnétique de résonance. Généralement, la valeur minimale de la composante Bz est atteinte à une abscisse z représentant la moitié de la longueur du multipôle A4,en supposant que les champs engendrés par les aimants A1 et A2 sont les symétriques des champs générés par les aimants A3 et A5 par rapport au milieu de la chambre 13. De façon symétrique, on obtient un maximum en module de la composante Bz pour la zone o les deux aimants A1 et A5 sont superposés. Les aimants A1 et A5 étant superposés selon toute leur longueur, le maximum obtenu avec cette disposition est supérieur au maximum obtenu lorsqu'une longueur déterminée est superposée. La figure 7 représente une vue de dessous de la figure 3, sur laquelle figure le dispositif d'entrée 75 des ions gazeux ainsi que le dispositif d'entrée 77 des ions métalliques, relié à un four 78. La figure 8a représente une autre disposition possible des moyens générateurs de champ. Selon cette disposition, les aimants A1 et A5 restent placés, par exemple, comme dans la disposition représentée sur la figure 3. Les aimants A2 et A3 sont disposés à une distance H de la paroi interne de la culasse 11 et superposés selon toute leur longueur. Il en résulte que la composante axiale Bz du champ présente le profil selon z représenté sur la figure 8b. Bz présente donc un maximum au centre confondus des deux aimants A2 et A3, puis décroît jusqu'à une valeur minimale entre A3 et A4 pour croître à nouveau dans la zone proche des aimants superposés A4 et A1 et A1 et A5. Les aimants A1 et A5 étant disposés respectivement à une distance H"1 et H5 de la paroi de la culasse. Il existe une multitude de configurations magnétiques que l'on peut obtenir en déplaçant un seul aimant ou en déplaçant simultanément plusieurs aimants. La figure 9 est une représentation en perspective de la source selon la présente invention. Les trois vis 61, 62 et 3 sont disposées sur la culasse. Le réglage du déplacement des aimants s'effectue en mesurant leur déplacement respectifs à l'aide des ouvertures graduées 71, 72 et 73. La figure 9 représente le dispositif d'entrée des ions gazeux 75 ainsi que le dispositif d'entrée des ions métalliques 77. La présente source peut en effet être connectée à un four 78 destiné à générer des atomes métalliques. La source selon la présente invention s'adapte également à tout système d'extraction des ions. On peut également imaginer de remplacer les aimants permanents par des bobines parcourues de courant; ces bobines étant réalisées avec un matériau supra conducteur ou non. Dans le cas de bobines, le champ magnétique peut être modulé par simple variation de l'intensité qui parcourt la bobine. Les moyens de modulation comprendront à cet effet des variateurs d'intensité placés à l'intérieur ou à l'extérieur de la culasse. On peut également imaginer un dispositif dont les moyens générateurs comprendraient à la fois des bobines et des aimants et dont les moyens de modulation comprennent des moyens de déplacement et des moyens de régulation de l'intensité du courant parcourant les bobines. Revendications 1. Procédé de modulation de la configuration d'un champ magnétique (B) défini par sa composante axiale (Bz) et sa composante radiale (Br), destiné au confinement d'un plasma engendré par résonance cyclotronique électronique à une valeur RE, du champ (B), et possédant une symétrie par rapport à un axe de révolution (z), caractérisé en ce que: - on ajuste de manière continue et au moins localement I'intensité et/ou la direction du champ magnétique (B) pour moduler sa configuration dans un domaine o, le module de la composante axiale (Bz) prend des valeurs situées de part et d'autres de la valeur de résonance (REIR) et qui est délimité entre une première configuration dans laquelle les variations dudit module selon l'axe de révolution (z) présentent un gradient faible; et une seconde configuration, dans laquelle les variations dudit module présentent un gradient fort, la valeur du rapport: module maximum du champ magnétique / module minimum du champ magnétique, étant supérieure à 1,5 et de préférence supérieure à 2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on crée ledit champ (B) à l'intérieur d'une chambre (13) sous vide, en utilisant des moyens générateurs de champ magnétique (A1, A2, A3, A4, A5), lesdits moyens étant disposés à l'extérieur de ladite chambre (13). 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé on ajuste de manière continue et au moins localement l'intensité et/ou la direction du champ magnétique (B) dans ladite chambre (13) en déplaçant au moins une partie des moyens générateurs (A1, A2, A3, A4, A5). 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'on déplace lesdits moyens générateurs (A1, A2, A3, A4, A5) dans une direction parallèle à l'axe de révolution (z) dudit champ (B). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que l'on ajuste au moins localement l'intensité et/ou la direction dudit champ magnétique (B) en réglant les moyens générateurs (A1, A2, A3, A4, A5). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que on règle lesdits moyens générateurs (A1, A2, A3, A4, A5) en faisant varier l'intensité du courant d'alimentation desdits moyens. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'on module ledit champ (B) de manière à ce que son module soit compris entre 0,1 et 3 fois la valeur du module du champ magnétique de résonance. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'on fait varier la direction dudit champ magnétique de manière à ce que l'angle 0 que forme ledit vecteur champ (B) avec l'axe de révolution (z) est compris entre 0 et 90 . 9. Source d'ions mono- et multi-chargés du type comprenant: - des moyens générateurs (A1, A2, A3, A4, A5) d'un champ magnétique (B) situés à l'extérieur d'une chambre sous vide (13), ledit champ magnétique (B) étant défini par sa composante axiale (Bz) et sa composante radiale (Br), destiné au confinement dudit plasma engendré par résonance cyclotronique électronique à une valeur RECR dudit champ (B), et possédant une symétrie par rapport à un axe de révolution (z), - une chambre (13) sous vide destinée à contenir ledit plasma; - des moyens de propagation (19, 19a, 19b) d'une onde haute- fréquence à l'intérieur de la chambre (13); - des moyens d'injection (20) des atomes à ioniser dans ladite chambre (13); - des moyens d'extraction (16, 18) des ions constitutifs dudit plasma; caractérisée en ce que, ladite source comporte en outre des moyens de modulation (61, 62, 63) de la configuration du champ magnétique (B) par ajustement au moins local de la direction et/ou de l'intensité dudit champ magnétique (B). 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que lesdits moyens générateurs (A1, A2, A3, A4, A5) comportent au moins un dipôle magnétique possédant une symétrie par rapport à un axe de révolution parallèle audit axe de révolution (z) dudit champ (B) et entourant ladite chambre (13). 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit dipôle est porté par au moins un aimant permanent (A1, A2, A3, A4, A5). 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que lesdits moyens de modulation (61, 62, 63) dudit champ magnétique (B), comportent des organes de déplacement (41, 42, 43) desdits moyens générateurs. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que lesdits organes de déplacement (51, 52, 53) comportent au moins une armature fixée (21, 22, 23) dans une positon parallèle audit axe de révolution (z) et maintenant au moins une partie desdits moyens générateurs, ladite armature étant munie d'un trou taraudé (31, 32, 33) la traversant parallèlement à l'axe de révolution (z) et susceptible de coopérer avec une tige filetée disposée parallèlement à l'axe de révolution (z) de façon à entraîner ladite armature en déplacement parallèlement audit axe de révolution (z). 14. Dispositif selon l'une des revendications 9 à 13, caractérisé en ce que lesdits moyens générateurs (A1, A2, A3, A4, A5) comportent au moins une bobine parcourue d'un courant d'intensité déterminée. 15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que lesdits moyens de modulation dudit champ magnétique (B), comportent en outre des moyens de réglage de l'intensité du courant d'alimentation de ladite bobine.