FR 2776824 A1 19991001 FR 9903289 A 19990317 Enveloppe à vide et procédé pour mettre sous vide celle-ci La présente invention concerne une enveloppe à vide qui enferme des sources d'électrons et des électrodes destinées chacune à recueillir des électrons émis depuis une source d'électrons. En particulier, la présente invention concerne une enveloppe à vide plate qui enferme des éléments à émission de champ (cathodes à émission de champ) agissant chacun en tant que source d'électrons et un procédé pour mettre sous vide celle- ci. Récemment, les équipements électroniques à émission de champ, qui comportent un grand nombre de micro-éléments à émission de champ contenus dans une enveloppe à vide en verre et intégrés dans une microstructure sous vide, deviennent utiles en tant qu'élément microélectronique sous vide. En tant qu'applications de la microélectronique sous vide, on a étudié des dispositifs à émission de champ comportant des panneaux d'affichage plats à émission de champ, des tubes analyseurs, des dispositifs de lithographie par faisceau d'électrons et analogue. Dans un panneau d'affichage plat mettant en oeuvre des éléments à émission de champ, un pixel correspond à un nombre spécifique de micro- cathodes froides (émetteurs). Divers types de cathodes comportant des éléments à émission de champ, des éléments à émission d'électrons du type MIN, des éléments à émission du type à conduction superficielle, des éléments à émission d'électrons du type à jonction PN, et d'autres, ayant chacun un but précis, ont été proposés en tant que microcathode froide. En tant qu'exemple le plus typique, un dispositif à émission de champ (FED) est décrit dans "NIKKEI ELECTRONICS", no 654, 29 janvier 1996, pages 89 à 98. Dans le dispositif FED, ce qu'on appelle l'élément à émission de champ du type Spindt (FED) est bien connu. Dans l'élément à émission de champ du type Spindt, un grand nombre d'électrodes émettrices E sont formées sur le substrat cathodique K, comme représenté sur la figure 6. Une couche isolante de SiO2 est déposée sur le substrat cathodique K. 2 2776824 Une électrode de grille GT est déposée en phase vapeur sur la couche isolante. Des trous sont formés dans l'électrode de grille de manière à exposer la pointe d'une électrode émettrice E via chaque trou. Lorsqu'une tension Vgk est appliquée entre la cathode K et l'électrode de grille GT, la pointe de l'électrode émettrice E émet des électrons. Une anode A est placée de manière à faire face à la cathode K dans l'espace sous vide. Lorsqu'une tension anodique Va est appliquée entre la cathode K et l'anode A, l'anode A recueille les électrons émis. Les éléments à émission de champ sont agencés en groupe. Lorsque des électrodes de grille en forme de bande sont séquentiellement balayées alors que des signaux d'image sont délivrés dans des cathodes en forme de bande, les matériaux fluorescents revêtus sur les cathodes deviennent luminescents de sorte que le dispositif d'affichage agit en tant qu'indicateur. La figure 7(a) est un vue en perspective représentant l'enveloppe du panneau d'affichage mentionné ci-dessus. La figure 7(b) est une vue en coupe transversale représentant l'enveloppe du panneau d'affichage mentionné ci-dessus. En se reportant aux figures 7(a) et 7(b), la référence numérique 1 représente un substrat en verre sur le côté de l'anode (noté ci-dessous un substrat anodique) et la référence numérique 2 représente un substrat en verre sur le côté de la cathode (noté ci- dessus un substrat cathodique). Des micro-éléments à émission de champ sont formés sur le substrat anodique de manière à faire face au substrat cathodique. Des anodes sont formées sur le substrat anodique de manière à faire face au substrat cathodique. Le substrat de dégazeur 3 a une surface inférieure sur laquelle un trou d'évacuation 3a est formé pour mettre sous vide l'intérieur de l'enveloppe jusqu'à un état de vide. Le dégazeur 4 est par exemple un dégazeur du type à évaporation. Le dégazeur est brûlé à une température élevée après mise sous vide de l'enveloppe de sorte que l'intérieur de l'enveloppe peut être maintenu à un degré élevé de vide. La structure juxtaposée du substrat cathodique 2 et du substrat anodique 1 est rendue étanche à l'aide de verre fritté 5 alors que le substrat cathodique 2 est espacé du substrat anodique 1 d'une petite distance comprise entre 200 gm et 500 [tm. Les substrats I et 2 sont généralement agencés pour être décalés mutuellement. Ainsi, les connexions de cathodes et les connexions d'électrodes de grille des éléments à émission 3 2776824 de champ peuvent être placées dans les parties o les substrats 1 et 2 ne sont pas en face l'un de l'autre. Dans le cas d'un affichage couleur, des connexions d'anodes peuvent être agencées sur la partie coupée (non-représentée) faisant saillie vers le substrat anodique. Comme décrit ci-dessus, l'espace entre le bord du substrat cathodique 2 et le bord du substrat anodique 1 est rendu étanche à l'aide de verre fritté 5, à l'exception du substrat de dégazeur 3. Un tube d'évacuation (non-représenté) est relié au substrat de dégazeur 3 pour mettre sous vide l'intérieur de l'enveloppe par une pompe à vide. Dans l'enveloppe à vide qui contient des éléments à émission de champ, le substrat cathodique 2 est séparé du substrat anodique 1 d'une petite distance. Afin de maintenir l'espace de l'enveloppe à un degré élevé de vide, le dégazeur du type à évaporation 4 est généralement disposé dans la chambre à dégazeur. Le dégazeur 4 est vaporisé en le chauffant de manière externe à une température élevée. Un miroir de dégazeur, qui peut adsorber le gaz résiduel émis du matériau électronique ou l'adsorber après l'étape de mise sous vide, est formé sur toute la surface de la chambre à dégazeur. Dans le panneau d'affichage plat, puisque l'espace très étroit (t) de l'enveloppe à vide a une faible conductance vis-à-vis du gaz s'écoulant, il est difficile qu'une pompe à vide aspire l'espace de vide jusqu'à un degré élevé de vide. Le rapport entre le matériau destiné à former les éléments à émission de champ existant et le volume de l'espace sous vide est élevé. Donc, le processus de mise sous vide doit être effectué pendant un long moment pour amener l'enveloppe jusqu'à un degré de vide prédéterminé en évacuant le gaz restant (par exemple de l'humidité) adsorbé à l'intérieur des matériaux constitutifs. Afin d'obtenir un degré plus élevé de vide, un processus de brûilage de dégazeur bien connu est effectué après le processus de mise sous vide. Après ceci, la totalité de l'enveloppe à vide est placée dans un four à environ 200 C pendant plusieurs heures pour adsorber le gaz restant dans l'enveloppe à vide. Ceci complique encore plus le processus de fabrication. La longue étape de mise sous vide (par exemple 220 minutes) prolonge le temps de finition du produit. La présente invention est conçue pour résoudre les problèmes mentionnées ci- dessus. 4 2776824 De plus, le but de la présente invention consiste à fournir une enveloppe à vide qui peut améliorer le degré de vide dans un dispositif à émission de champ. Un autre but de la présente invention consiste à fournir un procédé de mise sous vide d'une enveloppe à vide qui peut mettre sous vide de manière efficace un gaz restant dans l'enveloppe à vide. Le but de la présente invention est atteint par une enveloppe à vide comportant un premier substrat constitué d'un substrat en verre; un second substrat agencé de manière à faire face au premier substrat; et une paroi latérale pour séparer le premier substrat du second substrat d'une distance prédéterminée pour former un espace entre ceux-ci; caractérisée en ce qu'une première ouverture utilisée pour mettre sous vide l'intérieur de l'enveloppe est formée dans une partie d'une enveloppe à vide assemblée par le premier substrat, le second substrat et la paroi latérale; et qu'une seconde ouverture est formée dans une partie de l'enveloppe à vide, la seconde ouverture étant rendue étanche à une position différente de l'enveloppe à vide, différente de la position de la première ouverture. Ainsi, avant de la rendre étanche dans un état de vide, l'enveloppe est renforcée alors qu'un gaz à température élevée s'écoule en utilisant la première ouverture et la seconde ouverture. Selon la présente invention, l'enveloppe à vide comporte de plus des éléments à émission de champ formés sur le premier substrat et une anode formée sur le second substrat de manière à faire face aux éléments à émission de champ. Selon la présente invention, l'enveloppe à vide comporte de plus une chambre à dégazeur placé de manière à recouvrir la première ouverture. De plus, un procédé pour mettre sous vide une enveloppe à vide comporte les étapes consistant à juxtaposer un premier substrat et un second substrat de manière à être espacés l'un de l'autre selon une distance prédéterminée, des éléments à émission de champ étant formés sur le premier substrat; entourer temporairement la périphérie du premier substrat et la périphérie du second substrat à l'aide de verre fritté pour former une enveloppe; introduire un gaz à une température élevée pendant une période prédéterminée de temps pour qu'il circule à travers l'enveloppe; rendre étanche une sortie, à l'exception d'une ouverture principale dans laquelle le gaz est introduit; et mettre sous vide l'intérieur de l'enveloppe jusqu'à un état de vide à travers l'ouverture principale, de sorte que l'enveloppe est maintenue dans un état de vide. 2776824 Conformément à la présente invention, le procédé comporte de plus l'étape consistant à former au préalable au moins deux ouvertures sur une partie latérale de l'enveloppe temporairement assemblée. Dans le procédé selon la présente invention, le gaz à température élevée est sélectionné parmi le groupe constitué de CO (monoxyde de carbone), N2, H2, et d'un gaz mixte constitué d'un gaz inerte et de CO, N2, ou H2. Ces buts, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, de la présente invention vont apparaître à la lecture de la description détaillée qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 est un schéma représentant un procédé de mise sous vide d'enveloppe selon la présente invention, - les figures 2(a), 2(b) et 2(c) sont des schémas destinés à expliquer le processus de mise sous vide d'une enveloppe à vide, - la figure 3 est une vue en perspective représentant une enveloppe à vide plate, - les figures 4(a), 4(b) et 4(c) sont des schémas destinés à expliquer le processus de mise sous vide d'une enveloppe plate, - les figures 5(a) et 5(b) sont des schémas expliquant un écoulement de gaz à température élevée à l'intérieur d'une enveloppe, - la figure 6 est une vue en perspective schématique représentant partiellement une enveloppe à vide, et - les figures 7(a) et 7(b) sont des schémas expliquant un élément à émission de champ. Un mode de réalisation de la présente invention va être décrit ci-dessous en référence aux dessins annexés. La figure 1 représente un dispositif constituant un mode de réalisation du procédé de mise sous vide d'enveloppe selon la présente invention. En se reportant à la figure 1, la référence numérique 10 représente une enveloppe à vide dont l'espace intérieur n'est pas dans un état étanche, ou se trouve dans un état de pré-achèvement. Sur la figure 1, les mêmes éléments constitutifs que ceux de la figure 7 sont indiqués par les mêmes références numériques. 6 2776824 Dans une chambre d'étanchéité 11, l'enveloppe à vide 10 est fixée à un outil de support (non-représenté) et est chauffée par un dispositif de chauffage. La chambre d'étanchéité 11 peut être constituée d'un four qui peut chauffer la chambre d'étanchéité 1 1 à des températures auxquelles le verre fritté 5 est fondu. Une chambre d'alimentation et d'évacuation 12 est disposée sous la chambre d'étanchéité pour souffler un gaz à température élevée dans l'enveloppe à vide 10 ou pour mettre sous vide l'intérieur de l'enveloppe à vide 10 (comme cela va être décrit plus tard). Une tige élévatrice 13 monte et descend lorsqu'une pression est appliquée dans la chambre de cylindre 13b. Une extrémité de la tige élévatrice 13 est constituée d'une tête 13a sur laquelle est placé un corps d'étanchéité 17 destiné à rendre étanche l'enveloppe à vide 10. Une pompe à vide 14 est commandée pour mettre sous vide l'intérieur de la chambre d'alimentation et d'évacuation 12 à travers une seconde vanne 15. i5 Une première vanne 16 est ouverte pour introduire un gaz à température élevée dans la chambre d'alimentation et d'évacuation 12 (dans le sens de la flèche). L'extrémité de la tige élévatrice 13 est maintenue dans le cylindre intérieur 18 et entraînée de manière coulissable par un mécanisme d'entraînement (non-représenté). Un corps d'étanchéité souple I8a est placé sur l'extrémité du cylindre 18 pour rendre étanche hermétiquement la chambre à dégazeur 3 lorsqu'il vient en contact avec la chambre à dégazeur de l'enveloppe à vide 10. La chambre de cylindre 13b déplace verticalement la tige élévatrice 13. Selon la présente invention, lorsque l'enveloppe à vide 10 est transportée dans la chambre d'étanchéité 11, on laisse une ouverture autour de la périphérie du verre fritté 5 stratifié sur l'enveloppe à vide 10. Ainsi, comme décrit plus tard en référence à la figure 2, un espace de vide poussé peut être obtenu alors que le gaz restant à l'intérieur de l'enveloppe à vide 10 est évacué. C'est-à-dire que. comme représenté sur la figure 2(a), le cylindre intérieur 18 est tout d'abord soulevé pour venir en contact ferme avec l'enveloppe à vide 10 transportée à l'intérieur de la chambre d'étanchéité 11. Dans un tel état, la première vanne 16 est ouverte pour introduire un gaz à une température élevée dans l'enveloppe à vide 10, comme représenté par les flèches. 7 2776824 Puisque le verre fritté 5 à former en tant que paroi latérale de l'enveloppe à vide n'est pas complètement étanche, le gaz chargé dans l'enveloppe 10 s'écoule à travers l'espace existant entre le premier substrat 1 et le second substrat 2 dans le sens des flèches. Le gaz s'écoule à travers l'espace dans l'enveloppe à vide 10 et est alors déchargé à l'extérieur à travers la partie de verre fritté 5 non-étanche. L'écoulement du gaz à température élevée permet d'évacuer suffisamment les gaz restant à l'intérieur de l'enveloppe 10 (principalement de l'humidité). La température du gaz est fonction du volume de l'enveloppe 10 et est de préférence comprise entre 300 C et 500 C. La période d'écoulement du gaz est fonction de la température et est de préférence comprise entre plusieurs minutes et plusieurs heures. Après que le gaz à température élevée ait suffisamment circulé, la chambre d'étanchéité 11 est commandée à une température élevée. Ainsi, le verre fritté 5 appliqué à la partie périphérique de l'enveloppe 10 est fondu. Alors, le gaz s'écoulant à travers l'enveloppe 10 est stoppé. A cet instant, on peut vérifier que la partie périphérique de l'enveloppe 10 a été complètement rendue étanche par le verre fritté 5 en contrôlant la pression du gaz à température élevée délivré. Après s'être assuré de l'état d'étanchéité totale, la première vanne 16 est fermée pour stopper l'alimentation en gaz à température élevée alors que la seconde vanne 15 est ouverte. La seconde vanne 15 forme un passage d'évacuation jusqu'à la pompe à vide 14. La pompe à vide 14 évacue le gaz restant à l'intérieur de l'enveloppe 10 dans le sens de la flèche. L'enveloppe 10 est mise sous vide, par exemple, jusqu'à un degré de vide de 10'3 à 10'5 Pa. Après que l'enveloppe 10 ait été mise sous vide jusqu'à un état de vide suffisant, la tige élévatrice 13 est soulevée comme représenté sur la figure 2(c). Ainsi, le corps d'étanchéité du verre 17 placé sur la tête 13a est poussé contre l'entrée d'évacuation 3a de la chambre à dégazeur de l'enveloppe 10. Le dispositif de chauffage à l'intérieur de la chambre d'étanchéité 11 soude la partie autour de l'entrée d'évacuation 3a à l'aide du corps d'étanchéité 17. 8 2776824 Dans cette étape de soudure, l'enveloppe 10 est maintenue dans un état de vide. L'enveloppe 10 est enlevée par l'intermédiaire d'un mécanisme de transport (non-représenté). Après ceci, l'enveloppe suivante est transportée dans la chambre de mise sous vide. Selon le même processus de fabrication, une enveloppe plate pour panneau d'affichage peut être fabriquée. Dans ce mode de réalisation, puisque l'entrée d'évacuation 3a de l'enveloppe à vide est formée avec la chambre à dégazeur, on peut augmenter le degré de vide de l'enveloppe en brûlant le dégazeur du type à évaporation, d'une manière similaire à celle de l'enveloppe à vide commune. Ainsi, l'enveloppe peut être maintenue dans un état de vide plus poussé. La figure 3 est une vue en perspective représentant l'enveloppe 20 selon un autre mode de réalisation de la présente invention. Dans ce mode de réalisation, l'enveloppe 20 est constituée d'un premier substrat 21 ayant une surface intérieure sur laquelle des éléments à émission de champ sont formés, d'un second substrat 22 agencé de manière à faire face aux éléments à émission de champ et ayant des anodes destinées à recueillir des électrons émis depuis les éléments à émission de champ, et d'une paroi latérale 23 pour rendre étanche hermétiquement l'espace entre le premier substrat 21 et le second substrat 22. Comme représenté sur la figure 3, l'enveloppe 20 a une première ouverture 24a et une seconde ouverture 24b ouvertes verticalement dans la paroi latérale 23. Avant l'étape d'étanchéité, le gaz aspiré s'écoule de la première ouverture 24a à la seconde ouverture 24b. Des pinces (ou des rubans adhésifs) 25, 25,... fixent temporairement le premier substrat en verre 21 et le second substrat en verre 22. Un corps d'étanchéité de verre 26a est un élément utilisé pour rendre étanche la première ouverture alors que le corps d'étanchéité de verre 26b est un élément utilisé pour rendre étanche la seconde ouverture. L'élément d'étanchéité de verre (26a, 26b) est maintenu par l'élément chauffant de soudure 27 et est soudé pour rendre hermétiquement étanche l'intérieur de l'enveloppe après l'étape de mise sous vide (comme cela va être décrit plus tard). Dans le mode de réalisation, une enveloppe à vide 20 est terminée en faisant écouler un gaz, par exemple CO, N2, H2, ou un mélange de l'un de ceux-ci et un gaz 9 2776824 inerte, à une température élevée, à l'intérieur de l'enveloppe et ensuite en mettant sous vide l'enveloppe jusqu'à un état de vide poussé. C'est-à-dire que, comme représenté sur la figure 4(a), tout d'abord, les éléments chauffants 27a et 27b sont disposés de manière séparée au niveau des deux extrémités de l'enveloppe 20. Un gaz à température élevée est chargé dans l'enveloppe 20 via le cylindre intérieur 18, dans la direction de la flèche. Le gaz passant à travers l'enveloppe est déchargé depuis l'ouverture 24a. En faisant écouler le gaz à température élevée, une étape préliminaire de dégazage et de mise sous vide est effectuée qui souffle les gaz collés à l'enveloppe et qui sont restés à l'intérieur de celle-ci, et nettoie l'humidité collée sur divers dispositifs ou matériaux contenus dans l'enveloppe. Ensuite, comme représenté sur la figure 3(b), l'élément chauffant 27 sur le côté de la première ouverture 24a vient buter contre l'élément d'étanchéité 26a. La première ouverture 24a est soudée et rendue étanche à l'aide de l'élément d'étanchéité 26a via l'opération de chauffage. A la fin de l'étape de soudure, la pompe à vide est entraînée pour mettre sous vide l'intérieur de l'enveloppe 20 depuis la seconde ouverture 24b. Lorsque l'intérieur de l'enveloppe est mis sous vide jusqu'à un état de vide suffisant, la seconde ouverture 24b est rendue étanche à l'aide de l'élément d'étanchéité 26b. Après ceci, l'enveloppe à vide est détachée du cylindre intérieur 18 et ensuite extraite de la chambre d'étanchéité. Ce mode de réalisation n'a pas besoin de la chambre à dégazeur 3 mais a besoin du cylindre intérieur plat 18 qui souffle et évacue directement un gaz à une température élevée depuis l'ouverture formée dans la paroi latérale de l'enveloppe. Cependant, une enveloppe à vide très mince et plate peut être fabriquée. Après l'étape de mise sous vide, des dégazeurs du type sans évaporation analogues à un ruban ou des dégazeurs à évaporation analogues à un fil plat peuvent être incorporés au préalable au niveau des quatre coins de l'enveloppe. Ainsi, les gaz résiduels non-voulus peuvent être adsorbés en activant le dégazeur après formation de l'enveloppe. Comme décrit ci-dessus, la présente invention est caractérisée en ce que des gaz à température élevée s'écoulent à travers l'intérieur de l'enveloppe dans l'étape de mise sous vide précédente. Dans l'enveloppe, au moins deux ouvertures doivent être formées 2776824 au préalable pour améliorer l'effet de balayage des gaz résiduels du fait de l'opération d'écoulement de gaz à température élevée. Afin de faire écouler un gaz de manière uniforme dans l'espace plat, il est nécessaire d'harmoniser de manière efficace la pression gazeuse, la surface d'ouverture et la résistance à la viscosité du trajet d'écoulement. Comme cela est bien connu dans la technique du vide, l'écoulement de gaz devient un écoulement perturbant à une pression gazeuse élevée, devient un écoulement visqueux à faible pression gazeuse, et devient un écoulement moléculaire à pression gazeuse encore plus basse. Selon la présente invention, il est préférable d'augmenter l'effet d'évacuation de gaz résiduels en diminuant la conductance vis-à-vis du gaz s'écoulant dans l'enveloppe, comme représenté sur les figures 5(a) et 5(b) et en établissant la pression gazeuse, les positions des ouvertures HI, H2, H3, H4 et H5, et le nombre d'ouvertures pour obtenir une région de viscosité ayant une bonne efficacité, sous les conditions d'écoulement mentionnées ci-dessus. Comme décrit ci-dessus, dans l'enveloppe à vide et le procédé de mise sous vide d'enveloppe à vide selon la présente invention, une ouverture, qui permet à un gaz à température élevée de s'écouler à travers l'enveloppe, est formée au préalable et l'intérieur de l'enveloppe est renforcé de manière efficace avant la mise sous vide pour expulser les gaz résiduels. Donc, le gaz restant est évacué de manière efficace dans les étapes ultérieures à la mise sous vide de sorte que l'espace étroit peut être amené jusqu'à un état de vide poussé en un temps relativement court. De plus, l'enveloppe à vide peut être dimensionnée de manière encore plus petite en rendant étanche la chambre de mise sous vide à l'aide d'un couvercle plus économique ou en supprimant la chambre à dégazeur. Dans le panneau d'affichage plat utilisant des éléments à émission de champ, la quantité de gaz restant dans l'enveloppe à vide est grandement fonction de la durée de vie et de la qualité du produit. Cependant, malgré un tel problème, le second mode de réalisation de la présente invention peut fabriquer une enveloppe à vide petite et mince sans chambre à dégazeur. il l 2776824 REVENDICATIONS 1. Enveloppe à vide (10; 20) comportant: s un premier substrat (1; 21) constitué d'un substrat en verre, un second substrat (2; 22) agencé de manière à faire face audit premier substrat (1;21),et une paroi latérale (23) pour séparer ledit premier substrat ( 1; 21) dudit second substrat (2; 22) d'une distance prédéterminée pour former un espace entre ceux-ci, caractérisée en ce qu'une première ouverture (24a) utilisée pour mettre sous vide l'intérieur de ladite enveloppe (10; 20) est formée dans une partie d'une enveloppe à vide assemblée par ledit premier substrat (1; 21), ledit second substrat (2; 22) et la paroi latérale (23), et en ce qu'une seconde ouverture (24b) est formée dans une partie de ladite enveloppe à vide (10; 20), ladite seconde ouverture (24b) étant rendue étanche à une position différente de ladite enveloppe à vide (10; 20), différente de la position de ladite première ouverture (24a). 2. Enveloppe à vide (10; 20) selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comporte de plus des éléments à émission de champ formés sur ledit premier substrat (1; 21) et une anode formée sur ledit second substrat (2; 22) de manière à faire face auxdits éléments à émission de champ. 3. Enveloppe à vide (10; 20) selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce qu'elle comporte de plus une chambre à dégazeur (3) placée de manière à recouvrir ladite première ouverture (24a). 4. Procédé pour mettre sous vide une enveloppe à vide (10; 20), caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à: juxtaposer un premier substrat (1; 21) et un second substrat (2; 22) de manière à les espacer l'un de l'autre selon une distance prédéterminée, des éléments à émission de champ étant formés sur ledit premier substrat (1; 21), 12 2776824 entourer temporairement la périphérie dudit premier substrat et la périphérie dudit second substrat à l'aide de verre fritté (5) pour former une enveloppe, introduire un gaz à une température élevée pendant une période de temps prédéterminée pour qu'il s'écoule à travers ladite enveloppe, rendre étanche une sortie, à l'exception d'une ouverture principale dans laquelle ledit gaz est introduit, et mettre sous vide l'intérieur de ladite enveloppe jusqu'à un état de vide à travers ladite ouverture principale, de sorte que ladite enveloppe est maintenue dans un état de vide. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte de plus l'étape consistant à: former au préalable au moins deux ouvertures (24a; 24b) sur une partie latérale (23) de ladite enveloppe (10; 20) temporairement assemblée. 6. Procédé selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que ledit gaz à température élevée est sélectionné parmi le groupe constitué de CO (monoxyde de carbone), N2, H2, et d'un gaz mixte constitué d'un gaz inerte et de CO, N2, ou H2.