FR 2775386 A1 19990827 FR 9902103 A 19990219 AFFICHEUR A CRISTAL LIQUIDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un afficheur à cristal liquide ou LCD, qui comprend des transistors en couche mince (TFT) et un procédé de fabrication d'un tel afficheur; plus spécifiquement elle concerne un procédé de fabrication d'un affi- cheur à cristal liquide qui présente un nombre réduit d'étapes de masquage. Parmi les dispositifs d'affichage permettant de montrer sur un écran des images, les dispositifs d'affichage à écran plat sont préférés du fait de leur faible poids et de leur facilité d'adaptation. Des activités de recherche récentes ont été diri- gées vers les développements des afficheurs à cristal liquide du fait de leur résolution élevée et de leur temps de réponse rapide, qui les rendent appropriés à l'affichage d'images animées. Un afficheur à cristal liquide fonctionne en utilisant la polarisation et I'anisotropie optique du cristal liquide. En contrôlant l'orientation de molécules à cristal liquide en forme de bâtonnets par une technique de polarisation, on peut réali- ser la transmission ou l'interception d'une lumière à travers les molécules de cristal liquide, grâce à l'anisotropie du cristal liquide. Ce principe est utilisé dans les affi- cheurs à cristal liquide. Les afficheurs à cristal liquide à matrice active présentant des transistors en couche mince arrangés sous forme de matrice, et des électrodes de pixels reliées aux transistors à couche mince, fournissent des images de haute qualité et sont maintenant largement utilisés. Un panneau actif d'un afficheur à cristal liquide classique est maintenant décrit en référence à la figure 1. L'afficheur à cristal liquide classique comprend deux panneaux 3 et 5, sur lesquels sont disposés une pluralité d'éléments, et le cristal liquide (non représenté) est disposé entre les deux panneaux 3, 5. Un panneau de l'afficheur comprend des éléments reproduisant les couleurs, et ce panneau est appelé "panneau de filtres de couleurs" 3. Le panneau de filtres de couleurs 3 présente des filtres de couleurs 7, comprenant des filtres rouges (R), verts (G) et bleus (B), qui sont successivement arrangés sur un premier substrat transparent 81, et correspondent à des pixels formés 330 disposés sous forme de matrice. Entre ces filtres de couleurs 7, des matrices noires 9 sont disposées sous forme de réseau, de sorte à éviter le mélange des couleurs aux frontières entre les filtres de couleurs. Une électrode commune 85 recouvre les filtres de couleurs 7 et sert comme électrode unique pour générer un champ électrique appliqué au cristal liquide. L'autre panneau est un panneau actif 5 qui comprend des éléments de commutation et des lignes de bus, qui génèrent le champ électrique permettant de piloter le cristal liquide. Le panneau actif 5 présente une électrode de pixel 41 qui est disposée sur un second substrat transparent 83. L'électrode de pixel 41 est disposée en face de l'électrode commune 85 prévue sur le panneau de filtres de R 1(,291 Ilb21, xX. 19 9c9,Clr lm. 1'25 couleurs 3 et sert comme contre-électrode pour générer le champ électrique appliqué au cristal liquide. Des lignes de bus de signal 13 s'étendent dans la direction des colonnes du réseau d'électrodes de pixel 41, et des lignes de bus de données 23 s'étendent dans la direction des rangées du réseau d'électrodes de pixel 41. Unl S transistor en couche mince 89, qui sert d'élément de commutation pour pilotcr l'électrode de pixel 41 est formé sur le substrat 83. Une électrode de grille 11 du transistor en couche mince est reliée à la ligne de bus de signal 13 (ligne de bus dc grille), une électrode de source 21 est reliée à la ligne de bus de données 23 (ligne de bus de source). Une électrode de drain 31 du transistor en couche mince 89 est reliée à l'électrode de pixel 41. Entre l'électrode de source 21 et l'électrode de drain 31, une couche semi- conductrice 33 est formée, comme représenté sur la figure 2. L'électrode de source 21 et l'électrode de drain 31 sont en contact ohmique avec la couche semi-conduc- trice 33. Une plage de contact de grille 15 et une plage de contact de source 25 qui servent de bornes pour recevoir des signaux externes, sont respectivement disposées aux extrémités de la ligne de bus de grille 13 et de la ligne de bus de source 23. Une borne de grille 57 et une borne de source 67 sont respectivement formées sur la plage de contact de grille 15 et sur la plage de contact de source 25. Lorsqu'un signal électrique externe, qui est appliqué à la plage de contact de grille 15, est envoyé à l'électrode de grille 11 par la ligne de bus de grille 13, unlCe donnée d'image électrique, qui est appliquée à la plage de contact de source 25 est envoyée à l'électrode de source 21 par la ligne de bus de source 23, et est aussi envoyée à l'électrode de drain 31. Si le signal électrique n'est pas appliqué à la ligne de bus de grille 13, l'électrode de drain 31 est électriquement isolée de l'électrode dc source 21. En conséquence, l'application du signal de données à l'électrode de drain 31 est déterminée en contrôlant le signal appliqué à l'électrode de grille 11. De la sorte, l'application du signal de données à l'électrode de pixel 41, qui est reliée à l'électrode de drain 31 est contrôlée. En d'autres termes, le transistor en couche mince 89 sert de commutateur pour piloter de façon sélective l'électrode de pixel. Une couche d'isolation de grille 17 est formée entre la ligne de bus de grille 13 ct la ligne de bus de source 23, afin d'isoler électriquement la ligne de bus de grille 1 3 ct de la ligne de bus de source 23, et une couche de passivation 37 recouvre la ligne de bus de source 23 afin de protéger les éléments, comme représenté sur les figures 3c- 3f représentées ci-dessous. Ces deux panneaux, c'est-à-dire le panneau de filtres de couleurs 3 et Ic panneau actif 5 sont disposés l'un en face de l'autre, avec une certaine distance ou espacement de cellule" entre eux. Du cristal liquide est injecté entre les panneaux 3 et 5, dans l'espacement de cellule. Afin de maintenir constant l'espacement de cellule Rt:%16216251 DOC. 19 fvrief 1999 - 2/25 entre les deux panneaux 3 et 5, et d'empêcher que le cristal liquide ne file vers l'extérieur, les bords des panneaux assemblés sont scellés à la résine époxy, ou avec un matériau similaire. Le panneau d'afficheur à cristal liquide est alors terminé. De nombreuses étapes compliquées sont nécessaires pour fabriquer le panneau à cristal liquide, en particulier de nombreuses étapes de masquage sont nécessaires pour fabriquer le panneau actif comprenant les transistors à couche mince. Du fait que le panneau actif comprenne les éléments qui affectent principalement le fonctionnement de l'afficheur à cristal liquide, il est important, pour fabriquer des afficheurs à cristal liquide de haute qualité, de simplifier les étapes de fabrication du panneau actif. En général, les étapes de fabrication sont déterminées par le type de matériau utilisé pour former chacun des éléments, par la structure de ces éléments, et par les procédés utilisés pour résoudre des problèmes tels que l'électricité statique qui est produite pendant les étapes de formation. Bien que la résistance du matériau utilisé pour former les lignes de bus de 1 5 grille n'affecte que rarement la qualité d'image lorsque l'on fabrique un dispositif d'affichage à cristal liquide classique miniature, la résistance affecte la qualité d'image lorsqu'on fabrique un afficheur à cristal liquide de grande surface, c'est-à- dire un écran d'ordinateur de 12 pouces ou plus. En d'autres termes, on utilise pour former les éléments de grille (ligne de bus de grille, électrodes de grille et plages de contact de grille) d'un afficheur à cristal liquide classique miniaturisé un métal qui présente une bonne stabilité en surface lorsqu'il est formé en couche mince, comme par exemple du tantale, du tungstène et du molybdène. Pour former les éléments de grille d'afficheurs à cristal liquide de grande surface, on utilise de préférence un métal qui présente une faible résistance, tel que l'aluminium. Toutefois, de nombreux problèmes se posent lorsque l'on fabrique des éléments de grille à partir d'aluminium ou d'un alliage d'aluminium. Des excroissances, qui se forment sur la surface d'aluminium posent le problème le plus sérieux. Après avoir déposé l'aluminium, il existe sur le film d'aluminium de toutes petites particules d'aluminium. Pendant les étapes de fabrication, ces particules croissent tellement qu'elles peuvent rompre la couche d'isolation, du fait d'une température élevée ce qui résulte en une détérioration de l'afficheur à cristal liquide. En outre, si les éléments de grille sont formés en aluminium, la résistance de contact entre les éléments de grille et le film d'oxyde d'étain et d'indium augmente. En d'autres termes, un film d'A1203 est formé de façon non intentionnelle entre l'aluminium et l'oxyde d'étain et d'indium lorsqu'une couche d'oxyde d'étain et d'indium est déposée sur l'aluminium, et en conséquence, la résistance de contact augmente. Il en résulte que la transmission du signal électrique à la grille est retardée de façon significative. Afin d'augmenter la stabilité de surface d'un film d'aluminium, I'état de l'art comprend une étape d'anodisation de la surface de l'aluminium. Lorsque l'on anodisc l'aluminium, une partie de l'aluminium, qui doit être électriquement reliée à un élément externe, comme par exemple la plage de contact de grille, n'est pas anodisée. A la place, une électrode intermédiaire est formée à l'aide d'un métal tel que le chrome, afin de maintenir la résistance de contact à l'état normal. Cette méthode connue nécessite huit étapes de masquage. L'état de l'art, dans lequel on anodise le film d'aluminium est décrit maintenant en référence aux figures 2 et 3a à 3h. De l'aluminium est déposé sur un substrat de verre transparent 1. Une ligne de bus de grille, une plage de contact de grille 15, une électrode de grille 11, une ligne de court-circuit 19 et un connecteur de court-circuit de source 27 sont formés en uti- lisant un premier masque. La ligne de court-circuit 19 s'étend le long du bord du substrat 1, et est reliée à chaque plage de contact de grille 15. En conséquence, les éléments de grille (l'électrode de grille, la plage de contact de grille, la ligne de bus de grille, la ligne de court-circuit et le connecteur de court-circuit de source) présen- tent le même potentiel électrique, de sorte à éviter les déconnexions provoquées par l'électricité statique présente pendant les étapes de fabrication et de la destruction de l'isolant. Le connecteur de courtcircuit de source 27 est relié à une plage de contact de source dans une étape ultérieure. Le connecteur de court-circuit de source 27 maintient les lignes de bus de grille au même potentiel électrique, par l'intermédiaire de la ligne de court-circuit 19, lorsque les lignes de bus de source sont formées (figures 2 et 3a). La surface des éléments de grille est anodisée afin d'empêcher la formation d'excroissances sur cette surface. Une portion des éléments de grille, qui doit êtrc électriquement reliée à une autre couche conductrice n'est pas anodisée, en effectuant sélectivement l'anodisation grâce à une résine photosensible. La résine photosensible est structurée de sorte à découvrir une autre portion des éléments de grille, qui doit être anodisée en utilisant un deuxième masque, avant d'effectuer l'étape d'anodisation. La résine photosensible structurée recouvre une partie de la plage de contact de grille 15 et une partie de la ligne de court-circuit 27, qui doivent toutes les deux être reliées à une borne de connexion de source, et on procède ensuite iau traitement d'anodisation. En conséquence, une couche anodisée 91 est formée sur une partie de la couche d'aluminium, comme représenté sur la figure 3b. Une couche d'isolation de grille 17 est ensuite formée en déposant un matériau isolant tels que SiNX et SiOx sur le substrat. Un semiconducteur intrinsèque. par exemple du silicium amorphe, et un semiconducteur dopé, par exemple du silicium amorphe dopé, sont successivement déposés. Une couche semi-conductrice 33 et une couche semi-conductrice dopée 35 sont formées en structurant le semi-conducteur K R16200\16151 DOC.- 19 f,te 1999.4/25S intrinsèque et le semi- conducteur dopé, en utilisant un troisième masque (figures 2 et 3c). Une portion de la couche d'isolation de grille 17, qui recouvre la plage de contact de grille 15, et le connecteur de court-circuit de source 27, est enlevée en utilisant un quatrième masque. De la sorte, on découvre la plage de contact de grille , et le connecteur de court-circuit de source 27 (figure 3d). On dépose du chrome ou un alliage de chrome sur le substrat présentant la couche d'isolation de grille 17, et on le structure de sorte à former une ligne de bus de source 23, une électrode de source 21, un plage de contact de source 25, une électrode de drain 31, et une électrode intermédiaire de plage de contact de grille 53, à l'aide d'un cinquième masque. La plage de contact de source 25 est reliée au connecteur de court-circuit de source 27, qui a été découvert à travers la couche d'isolation de grille 17. En conséquence, toutes les lignes de bus de source 23 sont reliées à la ligne de court-circuit 19, et présentent le même potentiel électrique. L'électrode intermédiaire de plage de contact de grille 53 est reliée à la plage de contact de grille 15, qui est découverte à travers la couche d'isolation de grille 17 (figures 2 et 3e). Une couche de passivation 37 est formée en déposant un matériau isolant tel que SiOx ou SiNx, sur les éléments de source (l'électrode de source, l'électrode de drain, la ligne de bus de source, la plage de contact de source et l'électrode intermé- diaire de plage de contact de grille). L'électrode intermédiaire de plage de contact de grille 53, la plage de contact de source 25 et l'électrode de drain 31 sont exposées en structurant la couche de passivation 37 à l'aide d'un sixième masque (figure 3f). Toutes les plages de contact de grille 15 et toutes les plages de contact de source 25 sont reliées à la ligne de court-circuit 19. En conséquence, les plages de contact de source 25 et les plages de contact de grille 15 présentent le même poten- tiel électrique pendant la fabrication, de sorte à éviter la déconnexion des lignes du fait de l'électricité statique et dc la destruction de l'isolant. Dans l'afficheur à cristal liquide terminé, ces lignes ne doivent pas être reliées. Au contraire, les lignes doivent être séparées les unes des autres. Afin d'effectuer la séparation des lignes, une partie du substrat en verre I sur laquelle se trouve la ligne de court-circuit 19 est enlevée par coupure. Avant cette étape de coupure, les lignes de signal doivent être testées pour déterminer si les lignes voisines sont court-circuitées, et si chaque ligne est déconnectée. Généralement, cette étape de test est effectuée en divisant les lignes en un groupe formé des lignes de numéro d'ordre pair et un groupe formé des lignes de numéro d'ordre impair et en appliquant une tension au groupe de lignes paires, puis ensuite au groupe de lignes impaires, ou vice-versa. Afin de tester les lignes en utilisant cette méthode, des parties de la ligne de court-circuit 19 qui sont entourées t I attaquées en utilisant un septième masque (figures 2 et 3g). Enfin, un matériau conducteur transparent, par exemple de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) est déposé sur la couche de passivation 37. On forme en structurant l'oxyde d'étain et d'indium à l'aide d'un huitième masque (figures 2 et 3h) une borne de plage de contact de grille 57, qui est reliée à l'électrode intermédiaire de plage de contact de grille 53, une borne de plage de contact de source 67, qui est reliée à la plage de contact de source 25, et une électrode de pixel 41, qui est reliée à l'électrode de drain 31. Comme décrit ci-dessus, les éléments de grille sont formés en alulmi- nium, et on empêche la formation d'excroissances sur la surface du film d'aluminium. Les problèmes qui résultent du contact direct entre l'aluminium et l'oxyde d'étain et l'indium sont évités, en déposant du chrome entre la plage de contact de grille et l'oxyde d'étain et l'indium. Toutefois, cette solution nécessite des étapes supplémentaires pour anodiser l'aluminium et couper les portions de connexion des lignes. En outre, ce procédé nécessite au moins huit étapes ou procé- dés de masquage. Chaque procédé de masquage qui est utilisé pour la fabrication du panneau actif de l'afficheur comprend des étapes de rinçage, de dépôt, de cuisson et d'attaque. De la sorte, chaque étape de masquage qui est nécessaire dans le procé(cl augmente de façon considérable le temps de fabrication, la difficulté de fabrication et le coût de fabrication. Pour palier les problèmes décrits ci-dessus, les modes de réalisation préférés de la présente invention fournissent un procédé de fabrication d'afficheur à cristal liquide dans lequel les éléments de grille sont formés à partir d'un métal présentant une faible résistance tel que l'aluminium, tout en réduisant le nombre d'étapes ide masquage nécessaires. En outre, les modes de réalisation préférés de la présente invention fournissent et proposent une méthode pour empêcher la formation d'excroissances sur la surface des éléments de grille qui sont formés en aluminium R \16200\16251 DOC. 19 février 199 - 6/2 dans un afficheur à cristal liquide, tout en permettant un nombre d'étapes de masquage plus faible par rapport au procédé de l'art antérieur. Dans les modes de réalisation préférés de la présente invention, les éléments de grille sont formés en déposant successivement de l'aluminium qui présente une faible résistance, et un métal qui présente un point de fusion élevé, et qui ne soit pas sujet aux excroissances tel que le molybdène, le tantale, le tungstène et l'antimoine, et en structurant les métaux déposés à l'aide d'un masque unique. De la sorte, on évite la formation d'excroissances à la surface de l'aluminium, et le nombre d'étapes des procédés de masquage est réduit. Un procédé pour déposer successivement de l'aluminium et un métal qui n'est pas sujet aux excroissances et présente un point de fusion élevé, et pour attaquer simultanément les métaux a été développé par la demanderesse et est décrit dans une demande de brevet déposée à l'Office de la Propriété Industrielle coréen sous le numéro de demande de brevet coréen 97-07010. Dans le procédé décrit dans cette demande de brevet coréenne N 97-07010, on dépose successive- ment une première couche métallique et une seconde couche métallique, et on attaque simultanément par attaque humide en utilisant un seul masque les première et seconde couches métalliques. En conséquence, la largeur de la seconde couche métallique est plus faible que la largeur première couche métallique. La largeur de la première couche métallique est de préférence supérieure à celle de la seconde couche métallique d'environ I à 4 imn, afin d'éviter de façon fiable la formation d'excroissances. Les modes de réalisation préférés de la présente invention proposent un procédé de fabrication de transistors en couche mince, qui comprennent des éléments de grille formés par les métaux cités ci-dessus, utilisant cinq (5) étapes de procédé de masquage, et proposent aussi une structure de transistors en couche mince fabriquée par cette méthode. Plus précisément l'invention propose un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide comprenant les étapes de formation d'une ligne de bus de grille d'une électrode de grille, d'une plage de contact de grille par dépôts successifs d'un premier métal et d'un second métal et par formation d'une structure simultanément dans les premier et second métaux en utilisant un seul masque, de formation d'une couche d'isolation de grille recouvrant la ligne de bus de grille, I'électrode de grille et la plage de contact de grille, de formation d'une couche semi-conductrice au-dessus de l'électrode de grille et d'une couche semi- conductrice dopée au-dessus de la couche semi-conductrice, de formation d'une ligne de bus de source d'une électrode de source, d'une électrode de drain et d'une plage de contact de source au-dessus de la couche semi-conductrice dopée, de formation d'une couche de passivation sur la ligne de bus de source, l'électrode de source, l'électrode de drain et la plage de R \1ó d'un trou de contact de source qui découvre la plage de contact de source, et enlève- ment d'une portion du second métal qui est découverte à travers le trou de contact de grille et d'une portion du premier métal en dessous du second métal, et de formationl d'une électrode de pixel qui est reliée à l'électrode de drain, d'une borne de plage de contact de grille qui est reliée à la plage de contact de grille, et d'une borne de plage de contact de source qui est reliée à la plage de contact de source, en déposant unI matériau conducteur sur la couche de passivation et en structurant le matériau conducteur. Selon un mode de réalisation, une ligne de court-circuit qui relie toutes les plages de contact de grille est aussi formée pendant l'étape de formation de la plage de contact de grille. Selon un autre mode de réalisation, un trou de découpe de ligne de court- circuit, qui découvre une portion de la ligne de court-circuit, est formé pendant l'étape de formation du trou de contact de grille, et la portion de la seconde couche métallique découverte à travers le trou de découpe de ligne de court-circuit ainsi que la première couche métallique sous la portion de la seconde couche métalliquc découverte par le trou de ligne de court-circuit sont enlevées. Selon encore un autre mode de réalisation, la seconde couche métallique qui est découverte à travers le trou de contact de grille est attaquée pendant l'étape de formation du trou de contact de grille et la première couche métallique qui cst découverte à travers le trou de contact de grille est enlevée par un agent chimiquc qui réagit avec le premier métal pendant une étape de rinçage effectuée après l'étapc d'attaque du second métal. Selon un autre mode de réalisation encore, un côté attaqué de la seconde couche métallique est relié à la borne de plage de contact de grille pendant l'étape dc formation de la borne de plage de contact de grille. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, le trou de contact dc grille est formé par formation d'une pluralité de petits trous de contact. Selon un autre mode de réalisation de l'invention enfin, les petits trous de contact de grille sont formés aux deux extrémités de la plage de contact de grille. et les trous de contact de grille ne sont pas formés dans la partie médiane de la plage dc contact de grille. L'invention propose en outre un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide comprenant les étapes de formation d'éléments de grille par dépôt d'un premier métal et d'un second métal et par formation simultanée d'une structure dans les premier et second métaux en utilisant un seul masque, de formation d'une couche d'isolation de grille recouvrant les éléments de grille, et de formation d'un trou dc R'\16200M16251 DOC 19 fvne 1999.-8/25 contact qui découvre une portion des éléments de grille en attaquant une portion de la couche d'isolation et en enlevant successivement le second métal découvert sous le trou de contact et le premier métal situé sous une partie découverte du second métal. Selon un mode de réalisation, la seconde couche métallique qui est découverte à travers le trou de contact est attaquée pendant l'étape de formation du trou de contact et la première couche métallique qui est découverte par le trou de contact, est enlevée par un agent chimique qui réagit avec le premier métal pendant une étape de rinçage effectuée après l'étape d'attaque du second métal. Selon un autre mode de réalisation, le procédé de fabrication comprend en outre l'étape de formation d'une couche conductrice sur la couche isolante, de sorte que la couche conductrice soit reliée à la seconde couche métallique à travers le trou de contact. Selon encore un autre mode de réalisation, un côté attaqué de la seconde couche métallique est relié à la couche conductrice pendant l'étape de formation de la couche conductrice. Selon un autre mode de réalisation encore, le trou de contact est formé en formant au moins un petit trou. Selon un autre mode de réalisation enfin, les trous de contact sont formés aux deux extrémités de l'élément de grille et en ce que les trous de contact ne sont pas formés dans la partie médiane de l'élément de grille. Finalement, l'invention propose un afficheur à cristal liquide comprenant un substrat, et une plage de contact comprenant un premier métal sur le substrat, un second métal sur le premier métal, une couche d'isolation sur le second métal, un premier trou de contact dans la couche d'isolation, un second trou de contact dans la seconde couche métallique sensiblement aligné avec le premier trou de contact, un troisième trou de contact dans la première couche métallique sensiblement aligné avec le second trou de contact, et une couche conductrice reliée à un côté attaqué du second métal à travers les premier, second et troisième trous de contact. Selon un mode de réalisation, le premier trou de contact est plus grand que le second trou de contact de sorte à ce que la couche conductrice soit reliée à une surface découverte du second métal. Selon un autre mode de réalisation, le second trou de contact est plus petit que le troisième trou de contact. Selon un autre mode de réalisation encore, le trou de contact est défini par une pluralité de trous. Selon encore un autre mode de réalisation, les trous de contact sont disposés aux deux extrémités de la plage de contact et en ce que les trous de contact ne sont pas disposés dans la partie médiane de la plage. R \162(J\If,2, I IX(' - 19 fen, 1999 9/25 Selon un autre mode de réalisation, le premier métal comprend de l'aluminium. Selon un autre mode de réalisation enfin, le second métal comprend au moins l'un des métaux suivants molybdène, tantale, tungstène et antimoine. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront de la description qui suit des modes préférés de l'invention donnés en référence aux dessins joints, dans lesquels des numéros de référence identiques indiquent des éléments similaires. Ces dessins montrent: - figure 1 une vue en perspective d'un afficheur à cristal liquide classique; - figure 2 une vue de dessus d'un panneau actif de l'afficheur à cristal liquide classique; - figures 3a à 3h des vues en coupe montrant les étapes de fabrication du panneau actif de l'afficheur à cristal liquide classique; figure 4 une vue de dessus montrant un panneau actif d'un afficheur à cristal liquide selon un premier mode de réalisation préféré de la présente invention; - figures Sa à 5e des vues en coupe montrant les étapes de fabrication du panneau actif du premier mode de réalisation; figure 6 une vue de dessus montrant un panneau actif d'un afficheur à cristal liquide selon le second mode de réalisation de la présente invention; - figures 7a à 7e des vues en coupe montrant des traitements de fabrication du panneau actif selon le second mode de réalisation; figures 8a à 8c des vues de dessus montrant différentes caractéristiques de trous de contact de grille formés sur la plage de contact de grille du panneau actif selon les modes de réalisation préférés de l'invention; figures 9a à 9c des vues en coupe à plus grande échelle montrant différentes caractéristiques des plages de contact de grille et des trous de contact de grille du panneau actif selon le mode de réalisation préféré de la présente invention. Afin d'éviter les problèmes de l'art antérieur décrits ci-dessus, et de proposer les procédés et structures nouveaux décrits ci-dessus, les modes de réalisation prélf- rés de la présente invention proposent un procédé qui comprend les étapes de dépôt d'un premier métal et d'un second métal sur un substrat; de formation d'une ligne de bus de grille, d'une électrode de grille, d'une plage de contact de grille et d'une ligne de court-circuit en structurant les premier et second métaux à l'aide d'un masque unique; de dépôts successifs d'un premier matériau isolant, d'un matériau semlli- conducteur intrinsèque, et d'un matériau semi-conducteur dopé aux impuretés; de formation d'une couche semi-conductrice et d'une couche semi-conductrice dopée en structurant le semi-conducteur intrinsèque et le semi-conducteur dopé; de dépôt d'un troisième métal sur le substrat pour former une ligne de bus de source, une électrode de source, une électrode de drain et une plage de contact de source; de dépôt d'un t:MG620162s51 DOC - 19 fvn"ri 1999 - o1025 Il matériau isolant sur les éléments de source, et de structuration du matériau isolant de sorte à découvrir la plage de contact de grille, la plage de contact de source et l'électrode de drain, tout en découpant simultanément les portions des connexions des lignes de bus de grille et des lignes de bus de source qui sont reliées à la ligne de court-circuit, et de formation d'une électrode de pixel, d'une borne de plage de contact de grille et d'une borne de plage de contact de source à l'aide d'un matériau conducteur transparent par-dessus la couche d'isolation. On décrit maintenant les modes de réalisation préférés de façon détaillée, pour permettre une meilleure compréhension de la présente invention. Le premier mode de réalisation préféré décrit en référence aux figures 4 et 5a à e, qui sont des vues en coupe le long de la ligne V-V de la figure 4. Une première couche métallique 211 est formée par dépôt d'aluminium (AI) ou d'un alliage d'aluminium sur un substrat en verre transparent 101. Une seconde couche métallique 213 est formée en déposant sur le substrat 101 un métal, qui présente un point de fusion élevé, et qui n'est pas sujet aux excroissances tel que le molybdène (Mo), le tantale (Ta), le tungstène (W) ou l'antimoine (Sb). On forme par attaque des deux couches métalliques 211 et 213 à l'aide d'un seul masque, une ligne de bus de grille 113, une électrode de grille 111, une plage de contact de grille 115 ainsi qu'une ligne de court-circuit de grille 119. A cette étape, on structure par attaque humide la seconde couche métallique 213 et la première couche métallique 211 de sorte à former des éléments de grille (la ligne de bus de grille, l'électrode de grille, la plage de contact de grille, et la ligne de court-circuit de grille) de sorte que la largeur de la seconde couche métallique 213 soit plus faible que la largeur de la première couche métallique 211. Une pluralité de lignes de bus de grille 113 sont disposées de sorte à s'étendre horizontalement sur le substrat 101. L'électrode de grille 111, qui est en saillie par rapport à la ligne de bus de grille 113 est disposée au coin d'un pixel. La plage de contact de grille 115 est disposée à l'extrémité de la ligne de bus dc grille 113. Une pluralité de plages de contact de grille 115 sont reliées à la ligne de court-circuit de grille 119, de sorte que toutes les plages de contact de grille 115 présentent le même potentiel électrique. En conséquence, on évite de façon fiable la déconnexion des lignes et la destruction d'isolant provoquées par l'électricité statique (figures 4 et 5a). On forme sur le substrat 101 comprenant les première et seconde couches métalliques 211 et 213, une couche d'isolation de grille 117, par dépôt d'un matériau isolant, comme par exemple SiNx ou SiOx, ou par revêtement à l'aide d'un matériau isolant organique, tel que du BCB (BenzoCycloButène) et de la résine acrylique. On dépose successivement un semi-conducteur intrinsèque, tel que le silicium amorphe et un semi- conducteur dopé aux impuretés, tel qu'un silicium amorphe dopé aux R 14, 2"" I'2 l I) {) - 19 cvrrer 1999- I1/25 impuretés. On forme une couche semi-conductrice 133 et une couche semiconduc- trice dopée 135, en structurant le semi-conducteur intrinsèque et le semi-conducteuî- dopé aux impuretés déposé, à l'aide d'un second masque. La couche semiconduc- trice 133 est disposée au-dessus de l'électrode de grille 111 (figures 4 et 5d). S Du chrome (Cr) ou un alliage de chrome est déposé sur le substrat 101. comprenant la couche semi-conductrice dopée 135. On forme. en structurant le chrome ou l'alliage de chrome déposé à l'aide d'un troisième masque, une ligne d(e bus de source 123, une électrode de source 121, une électrode de drain 131. unlc plage de contact de source 125 et une ligne de court-circuit de source 129. Unie pluralité de lignes de bus de source 123 qui sont déposées sur la couche d'isolation de grille 117 s'étendent verticalement et perpendiculairement aux lignes de bus de grille 113. L'électrode de source 121, qui s'étend en saillie par rapport à la ligne de bus de source 123, est reliée à un côté de la couche semi-conductrice dopée 135. L'électrode de drain 131, qui est opposée à l'électrode de source 121, est reliée à un autre côté de la couche semi-conductrice dopée 135. La plage de contact de source est disposée à l'extrémité de la ligne de bus de source 123. Toutes les plages de contact de source 125 sont reliées à la ligne de court-circuit de source 129. Dans certains cas, une ligne de court-circuit de source 129, qui relie les plages de contact de source 125 de numéro d'ordre impair, est disposée sur le côté supérieur du substrat 101, et une autre ligne de court-circuit de source (non représentée), qui est reliée aux plages de contact de source de numéro d'ordre pair 125 est formée sur le côté inférieur du substrat 101. Du fait que la figure 4 ne montre qu'un coin du substrat, les plages de contact de source de numéro d'ordre impair 125 sont reliées a la ligne de court-circuit de source 129, et les plages de contact de source 125 de numéro d'ordre pair ne sont pas reliées avec la ligne de court-circuit de source 129 sur la figure. En conséquence, toutes les lignes de bus de source 123 sont reliées les unes aux autres, de sorte à éviter les déconnexions provoquées par l'électricité statique (figures 4 et 5c). On forme sur le substrat comprenant les éléments de source (la ligne de bus (dc source 123, I'électrode de source 121, l'électrode de drain 131, la plage de contact dc source 125 et les lignes de court-circuit de source 129) une couche de passivationl 137, par dépôt d'un matériau inorganique isolant, tel que SiNX ou SiOx ou 1par revêtement à l'aide d'un matériau isolant organique tel que du BCB ou de la résillne acrylique. On forme un trou de contact de source 161 et un trou de contact de drain 171, en enlevant une portion de la couche de passivation 137 qui recouvre la plage de contact de source 125 et l'électrode de drain 131, à l'aide d'un quatrième masque. Un trou de contact de grille 151 et un trou de coupure de la ligne de court-circuit 1 93 sont formés en enlevant respectivement la couche de passivation 137 et la couche R\16200\16251 DOC - 19févne 1999- 12/25 d'isolation de grille 117 qui recouvrent la plage de contact de grille 115 et la ligne de court-circuit de grille 119 reliée aux lignes de grille de numéro d'ordre impair. On enlève de préférence la portion des éléments de grille qui a été découverte à travers le trou de découpe de la ligne de court-circuit 193. En d'autres termes, les lignes de bus de grille sont divisées en un groupe de lignes de numéro d'ordre impair et un groupe de lignes de numéro d'ordre pair, par découpage des portions de connexion des plages de contact de grille de numéro d'ordre impair ou par découpage de portions de connexion des plages de contact de grille de numéro d'ordre pair, les unes et les autres étant reliées à la ligne de court-circuit de grille sur le côté gauche du substrat, les plages de contact de grille de numéro d'ordre impair sont reliées à la ligne de court-circuit de grille 119, et les plages de contact de grille de numéro d'ordre pair ne sont pas reliées à la ligne de court- circuit de grille 119. Bien que le côté droit du substrat ne soit pas représenté sur les figures, sur ce côté, les plages de contact de grille de numéro d'ordre pair sont reliées à la ligne de court-circuit de grille 119, et les plages de grille de numéro d'ordre impair ne sont pas reliées à la ligne de court-circuit de grille 119. A l'inverse du procédé classique, les modes de réalisation préférés de la présente invention n'impliquent pas d'étapes de découpe supplémentaires, et propo- sent le procédé qui suit. Les éléments de grille sont formés dans une première couche métallique 211 constituée d'aluminium et dans une seconde couche métallique 213, constituée d'un métal présentant un point de fusion élevé tel que le molybdène, le tungstène, le tantale ou l'antimoine. La seconde couche métallique 213 est enlevée au moment de l'attaque sèche de la couche de passivation 137, et de la couche d'isolation de grille 117, du fait que la vitesse d'attaque de la seconde couche métal- lique 213 composée de molybdène, de tungstène, de tantale ou d'antimoine est très similaire à celle de la couche de passivation 137 et de la couche d'isolation de grille 117. En d'autres termes, afin de couper la ligne de court-circuit facilement au moment o l'on attaque la couche de passivation 137 et la couche d'isolation de grille 117, on utilise un métal qui présente un point de fusion élevé et une vitesse d'attaque similaire à celui de la couche de passivation 137 et de la couche de passivation de grille 117 pour empêcher la formation des excroissances sur l'aluminium. L'aluminium subsistant encore est enlevé en utilisant la méthode suivante. De façon générale, le traitement d'attaque comprend les étapes de dépôt, de revêtement par résine-photosensible, d'exposition, de développement, d'attaque et d'enlèvement de la résine photosensible. La couche de passivation 137 et la couche d'isolation de grille 117 sont aussi attaquées pendant ces étapes du traitement d'attaque. Après avoir enlevé la résine photosensible, l'agent d'enlèvement qui est utilisé pour enlever la résine photosensible est éliminé en soufflant un flux d'air important, et on rince la K 1'2' 12r 1 I XX. I 1 - l>ferer I999 - 13/25 surface obtenue. Le déplacement du substrat vers une chambre de rinçage après l'élimination de l'agent d'enlèvement prend un petit moment. Pendant ce moment. une faible quantité de l'agent d'enlèvement de la résine photosensible subsistant contamine la surface de la couche de passivation 137. Pour éviter la contamination. le substrat est de préférence d'abord mouillé avec un agent chimique qui réagit rare- ment avec la couche de passivation, et le substrat est ensuite déplacé vers la chambrec de rinçage. A cette étape, une base alcaline faible qui réagit bien avec la première couche métallique 211 mais qui réagit peu avec la couche de passivation 137 est utilisée comme agent chimique. En conséquence, la première couche métallique 21 I1 découverte est enlevée (figure 5d). On dépose un matériau conducteur transparent, tel que l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) sur la couche de passivation 137. On forme en structurant l'oxyde d'étain et d'indium à l'aide d'un cinquième masque une électrode de pixel 141, une borne de plage de contact de grille 157, et une borne de plage de contact de source 167. L'électrode de pixel 141 est reliée à l'électrode de drain 131, qui est découverte à travers un trou de contact de drain 171. La borne de la plage de contact de grille 157 est reliée au côté attaqué de la plage de contact de grille 115, qui est attaquée selon la forme du trou de contact de grille 151. La borne de plage de contact de grille 157 est reliée au côté attaqué de la seconde couche métallique 213, et au côté attaqué de la première couche métallique 211. La borne de la plage de contact de source 167 est reliée à la plage de contact de source 125, qui est découverte à travers le trou de contact de source 161 (figures 4 et 5e). Le second mode de réalisation préféré propose une autre méthode de formation de la ligne de court-circuit de grille et de la ligne de courtcircuit de source. l'our une meilleure compréhension, ce mode de réalisation est maintenant décrit en rétérencc aux figures 6 et 7a à 7e, qui sont des vues en coupe le long de la ligne VII-VII de la figure 6. Le procédé de fabrication de transistors en couche mince est décrit en rèlê- rence aux vues en coupe, du fait qu'ils sont de préférence les mêmes que dans les procédés décrits dans le premier mode de réalisation. Une première couche métallique 211 est formée par dépôt d'aluminium ou d'alliage d'aluminium sur un substrat en verre transparent 101. On forme une seconde couche métallique 213 en déposant sur le substrat 101 un métal, qui préscnte un point de fusion élevé qui n'est pas sujet aux excroissances, comme par exemple lec molybdène (Mo), le tantale (Ta), le tungstène (W) ou l'antimoine (Sb). On forme pur attaque des deux couches métalliques 213 et 211 en utilisant un premier masque. unle ligne de bus de grille 113, une électrode de grille 111. une plage de contact de grille , une première ligne de court-circuit 119a, et une première ligne de court-circuit de source 129a. A cet instant, la seconde couche métallique 213, et la premiére It 16200MI6251 DOC- 19fvrier 1999- 14/25 couche métallique 211 sont soumises à une attaque humide, de telle sorte que la largeur de la seconde couche métallique 213 soit plus faible que celle de la première couche métallique 211. Une pluralité de lignes de bus de grille 113 sont disposées horizontalement sur le substrat 101. L'électrode de grille 111, qui est en saillie par rapport à la ligne de bus de grille 113 est disposé à un coin d'un pixel. La plage de contact de grille 115 est disposée à une extrémité de la ligne de bus de grille 113. Toutes les plages de contact de grille 115 sont reliées à la première ligne de court- circuit de grille 119a, et de la sorte, toutes les plages de contact de grille 115 présentent le même potentiel électrique. En conséquence, on évite de façon fiable la déconnexion de ligne et la destruction d'isolant provoquées par l'électricité statique. Les lignes de bus de numéro d'ordre pair sont reliées à la première ligne de court- circuit de grille 119a par l'intermédiaire d'une ligne faisant un détour, de sorte à permettre une division facile des lignes de bus de grille en un groupe de lignes de numéro d'ordre impair et en un groupe de lignes de numéro d'ordre pair. La première ligne de court-circuit de source 129a sera reliée aux lignes de bus de source de numéro d'ordre impair qui sont formées à une étape ultérieure (figures 6 et 7a). On forme une couche d'isolation de grille 117 sur le substrat 101 comprenant les éléments de grille formés dans la première couche métallique 211 et la seconde couche métallique 213, par dépôt d'un matériau isolant inorganique tel que SiNX ou SiOx, ou par revêtement d'un matériau isolant organique tel que du BCB ou une résine acrylique. On dépose successivement un semi-conducteur intrinsèque, tel que du silicium amorphe intrinsèque, et un semi-conducteur dopé aux impuretés, tel que du silicium amorphe dopé aux impuretés. Une couche semi- conductrice 133 et une couche semi-conductrice dopée 135 sont formées en structurant les deux couches de silicium à l'aide d'un second masque. La couche semi-conductrice 133 est disposée au-dessus de l'électrode de grille 111 (figures 6 et 7b). On dépose sur le substrat 101 comprenant la couche semi-conductrice 133 du chrome ou de l'alliage de chrome. On forme en structurant le chrome à l'aide d'un troisième masque une ligne de grille de bus 123, une électrode de source 121, une ( électrode de drain 131, une plage de contact de source 125, et une seconde ligne de court-circuit de grille 119b et une seconde ligne de court-circuit de source 129b. Une pluralité de lignes de bus de source 123, qui sont placées sur la couche d'isolation de grille 117, s'étendent perpendiculairement par rapport aux lignes de bus de grille 113. L'électrode de source 121 qui est en saillie par rapport à la ligne de bus de source 123 est reliée à un côté de la couche semi-conductrice dopée (non représen- tée). L'électrode de drain 131, qui est opposée à l'électrode de source 121 est reliée à l'autre côté de la couche semi-conductrice dopée (non représentée). La plage de contact de source 125 est disposée à l'extrémité de la ligne de source 123. Les plages ,t,.2mX'1,2t1 IX)X - 19 fevfw 19991525 de contact de source de numéro d'ordre pair 125 sont reliées à la seconde ligne de court-circuit de source 129b. En conséquence, les lignes de bus de source de numtéro d'ordre pair 123 sont reliées les unes aux autres, de sorte à éviter les déconnexions de lignes provoquées par l'électricité statique. Bien que les plages de contact de source 125 de numéro d'ordre impair ne soient pas reliées à une ligne de court-circuit. la probabilité d'électricité statique n'est pas considérable, et on ne constate que rarement de dommages provoqués par l'électricité statique. La seconde ligne de court-circuit de grille 119b est de préférence sensiblement parallèle à la première ligne de court-circuit de grille 119a (figures 6 et 7c). On forme une couche de passivation 137 sur le substrat comprenant les éléments de source (la ligne de bus de source 123, l'électrode de source 121, l'électrode de drain 131, la plage de contact de source 125, la seconde ligne de court- circuit de source 129b et la seconde ligne de court-circuit de grille 1 19b), par dépôt d'un matériau isolant inorganique, tel que SiNx ou SiOx, ou par revêtement d'un matériau isolant organique tel que le BCB ou une résine acrylique. Un trou de contact de source 161 et un trou de contact de drain 171 sont formés en enlevant la portion de la couche de passivation 137 qui recouvre la plage de contact de source et l'électrode de drain 131, à l'aide d'un quatrième masque. Un trou de contact tice court-circuit de grille 181 est formé en enlevant une portion de la couche de passiVa- tion 137 qui recouvre les portions de connexion des plages de contact de grille dle de numéro d'ordre pair reliées à une seconde ligne de courtcircuit de glrille 119b. On forme un trou de contact de grille 151 et un trou de découpe de ligne de court-circuit 193 en enlevant la couche de passivation 137 et la couche d'isolation dc grille 117 qui recouvrent la plage de contact de grille 115 et les portions formant un détour entre la première ligne de court-circuit de grille 119a reliées aux plages ide contact de grille de numéro d'ordre pair. A cette étape, on forme un trou de contact de court-circuit de source 191 en enlevant la couche de passivation 137 et la couche d'isolation de grille 117 qui recouvrent une portion de la première ligne de couLrt- circuit de source 129a reliée aux plages de contact de source de numéro d'ordre impair 125. Une portion des éléments de grille, qui est découverte à travers le trou de découpe de ligne de court-circuit 193 devrait de préférence être enlevée. En d'autres termes, les plages de contact de grille de numéro d'ordre impair, qui sont reliées à lat première ligne de court-circuit de grille 119a, et les plages de contact de grille de numéro d'ordre pair, qui sont reliées à la seconde ligne de court-circuit de grille 1 I 91) sont déconnectées par découpe des portions de connexion entre les plages de contact de grille 115 de numéro d'ordre pair et la première ligne de courtcircuit 1 i 9a. Les portions de connexion mentionnées ci-dessus sont de préférence découpées en utilisant le même procédé que dans le premier mode de réalisation préféré. La R1116200162SI DOC- 19 fé'vner 1999- 16l2 seconde couche métallique 213 est enlevée au moment de l'attaque sèche de la couche de passivation 137 et de la couche d'isolation de grille 117. L'aluminium qui reste est enlevé en utilisant le même procédé que dans le premier mode de réalisation préféré. Après avoir enlevé l'agent photosensible utilisé pour attaquer la couche de passivation 137 et la couche d'isolation de grille 117, l'agent chimique utilisé pour enlever l'agent photosensible est éliminé en appliquant un flux d'air fort. Une base alcaline faible qui réagit bien avec la première couche métallique 211 et qui réagit peu avec la couche de passivation 137 est déposée sur le substrat. De la sorte, une partie de la première couche métallique 211 qui est découverte à travers le trou de découpe de court-circuit de ligne 193 est enlevée. Lorsque les portions de connexion des plages de contact de grille 115 de numéro d'ordre pair, qui sont reliées à la première ligne de court-circuit de grille 119a sont découpées, la plage de contact de grille 115, qui est exposée à travers les trous de contact, et la première ligne de court-circuit de source 129a, qui est découverte à travers le trou de contact de court- circuit de source 191 sont aussi attaquées (fig.7d). Un matériau conducteur transparent tel que de l'oxyde d'étain-indium (ITO) est déposé sur la couche de passivation 137. Une électrode de pixel 141, une borne de plage de contact de grille 157, et une borne de plage de contact de source 167 sont formées en structurant l'oxyde d'étain et d'indium avec un cinquième masque. L'électrode de pixel 141 est reliée à l'électrode de drain 131 qui est découverte à travers le trou de contact de drain 171. La borne de plage de contact de grille 157 est connectée au côté attaqué de la plage de contact de grille 115, qui est attaquée selon la forme du trou de contact de grille 151. La borne de plage de contact de grille 157 est reliée au côté attaqué de la seconde couche métallique 213 ou au côté attaqué de la première couche métallique 211 de la plage de contact de grille 115. Les bornes de plage de contact de grille 157 qui sont reliées aux plages de contact de grille paires sont reliées à la deuxième ligne de court-circuit de grille 119b, qui sont exposées à travers les trous dc contact de court-circuit de grille 181. La borne de plage de contact de source 167 est reliée à la plage de contact de source 125 exposée à travers le trou de contact dc source 161. Les bornes de plage de contact de source 167 qui sont reliées aux plages de contact de source impaires 125 sont reliées avec les parties attaquées de la première ligne de court-circuit de source 129a à travers le trou de contact de court-circuit de source 191. En conséquence, les plages de contact de grille impaires 115 sont reliées à la première ligne de court- circuit de grille 119a, et les plages de contact de source impaires sont reliées à la première ligne de court- circuit de source 129a. Les plages de contact de grille paires 115 sont reliées à la seconde ligne de court-circuit de grille 119b, et les plages de contact de source paires sont reliées à la seconde ligne de court-circuit de source 129b (figures 6 et 7e). K If,.21W. 1,2;11 I)óX - I' fewvor, 199- 17n25 Comme décrit en référence aux premier et second mode de réalisation, la borne de plage de contact de grille 157 est reliée au côté attaqué de la seconde couche métallique 213, qui est alignée avec le trou de contact de grille 151. La résistance de contact entre la borne de plage de contact de grille 157 et la plage de contact dc S grille 115 est proportionnelle à la longueur du bord du trou de contact. Alin d'empêcher l'augmentation de la résistance de la plage de contact de grille, il est préférable que la longueur du bord du trou de contact 151 soit plus importante. Dans ce but, on forme de préférence un trou de contact de grille 151 avec une pluralité de petits trous. Le milieu de la plage de contact de grille 115 est relié à une borne dc connexion externe, de sorte à recevoir un signal électrique externe. Afin d'assurer un bon contact avec la borne externe, il est préférable que le trou de contact ne soit pas formé sur la portion médiane de la plage de contact de grille. Diverses conceptions du trou de contact de grille 151 présentant une pluralité de petits trous sur la plage de contact de grille 115, qui satisfont ces conditions sont représentées sur les figures Sa à8c. Dans le mode de réalisation de la figure 8a, le trou de contact de grille 151 est formé de deux trous disposés respectivement aux extrémités de la plage de contact de grille 115. Dans le mode de réalisation de la figure 8b, le trou de contact de grille 151 est formé de deux groupes de trois petits trous de contact allongés, chacun des groupes étant disposé à une extrémité de la plage de contact de grille 115. Dans le mode de réalisation de la figure 8c, le trou de contact de grille 151 est formé de deux groupes de six petits trous de contact, chacun des groupes étant disposés à une extrémité de la plage de contact de grille 115. En conséquence, toutes les parties des éléments de grille qui sont aucontact avec l'oxyde d'étain et d'indium, à savoir la plage de contact de grille, les parties dc connexion des plages de contact de source impaires reliées à la ligne de court-circuit de source, et le point en argent qui relie une électrode commune du signal de grillc avec une électrode commune du panneau de filtres de couleurs présentent de prélé- rence la même structure que la structure de la plage de contact de grille qui vient d'être décrite. On décrit maintenant en détail les portions de connexion entre les éléments (de grille et l'oxyde d'étain et d'indium de l'afficheur du mode de réalisation préféré dc la présente invention. La description montre essentiellement la plage de contact ldc grille en référence aux figures 9a-9c, qui sont des vues en coupe le long de la ligne IX-IX de la figure 8c. Du fait que la seconde couche métallique 213 est aussi attaquée au moment o on forme le trou de contact de grille 151 par attaque de la couche de passivation 137 R \16200\16251 DOC - 19 février 1999 - In/2 et de la couche d'isolation de grille 117, la largeur (W1) du trou de contact dans la couche d'isolation 151a, qui est formé dans la couche d'isolation de grille 117, est sensiblement la même que la largeur (W2) du trou de contact 151 b dans la seconde couche métallique, qui est formé dans la seconde couche métallique 213. Du fait que la première couche métallique 211 est structurée à travers le trou de contact de la seconde couche métallique 151b, la largeur (W3) du trou de contact de la première couche métallique 151c est sensiblement la même que la largeur (W2) du trou de contact 151 b dans la seconde couche métallique. En conséquence, la borne de plage de contact de grille 157 est reliée au côté attaqué de la seconde couche métallique 213, et au côté attaqué de la première couche métallique 211 (figure 9a). De façon générale, un temps considérable est nécessaire pour déplacer le substrat vers la chambre de rinçage après avoir formé les trous de contact, et pour enlever l'agent photosensible et déposer un agent chimique qui réagit peu avec les couches de passivation 137 et qui réagit bien avec la première couche métallique 211. En conséquence, la première couche métallique 211 est plus attaquée sous la seconde couche métallique que la seconde couche métallique, comme représenté sur la figure 9b, ce que l'on appelle "undercutting" en langue anglaise, soit découpe en saillie. En conséquence, la largeur (W3) du trou de contact dans le premier métal 153c est supérieure à la largeur (W2) du trou de contact dans le second métal 153b. Dans ce cas, la borne de la plage de contact de grille 157 est reliée avec la partie attaquée de la seconde couche métallique 213. Bien que la borne de plage de contact de grille 157 ne soit pas reliée avec la première couche métallique 211, l'état de la connexion entre la plage de contact de grille 115 et la borne de plage de contact de grille 157 n'en n'est pas affecté. Du fait que la première couche métallique 211 est formée en aluminium et que la borne de plage de contact 157 est formée en ITO, un film d'oxyde d'aluminium est formé à l'interface entre l'aluminium et l'ITO, ce qui provoque une augmentation de la résistance de contact. Ainsi, si l'état de connexion n'est peu affecté du fait que l'ITO soit relié ou non à l'aluminium. Au contraire, il est important d'empêcher que la résistance de contact entre la borne de plage de contact de grille 157 et la seconde couche métallique 213 augmente. A cette fin, le trou de contact dans la couche d'isolation 151a est incliné en contrôlant l'énergie du plasma qui est utilisée pour former le trou de contact 151a dans la couche d'isolation et le trou de contact dans la seconde couche métallique 151 b, de telle sorte que la largeur (W1) du trou de contact dans la couche d'isolation 151a soit de préférence supérieure à la largeur (W2) du trou de contact dans la seconde couche métallique 15 lb. En conséquence, la seconde couche métallique 213 est plus largement découverte, et ainsi, la portion de connexion de celle-ci avec la borne de plage de contact de grille 157 augmente, ce qui empêche l'augmentation de la résistance de contact. K If2 1, Il,2' 1)X - v cvr,r, 19. - 1 9t25 Comme décrit ci-dessus, les modes de réalisation préférés de la présente invention fournissent un afficheur à cristal liquide qui comprend les éléments de grille formés en un métal présentant une faible résistance, et un procédé de fabrica- tion de cet afficheur, dans lequel le nombre de procédés de masquage est réduit. Les éléments de grille sont formés en déposant successivement de l'aluminium et autl moins un métal choisi parmi le molybdène, le tantale, le tungstène et l'antimoine. et en structurant les éléments de grille en utilisant un masque unique. La coupure de la ligne de court- circuit est effectuée lors de l'étape de structuration de la couche de passivation et le rinçage de la surface résultante du substrat. Ainsi, l'afficheur selon les modes préférés de réalisation de l'invention est réalisé en utilisant uniquement 5 procédés de masquage, ce qui provoque une augmentation du rendement de fabrica- tion et une réduction des coûts et du temps de fabrication. Bien que l'invention ait été décrite en référence à des modes de réalisation préférés, l'homme du métier comprendra que des variations peuvent y être apportées sans s'écarter de l'esprit de l'invention. R \1620016251 DOC - 19 f/ri. 19O9. 202i REVENDICATIONS 1.- Un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide comprenant les étapes de: - formation d'une ligne de bus de grille (113) d'une électrode de grille (111), d'une plage de contact de grille (115) par dépôts successifs d'un premier métal et d'un second métal (211, 213) et par formation d'une structure simultanément dans les premier et second métaux en utilisant un seul masque; - formation d'une couche d'isolation de grille (117) recouvrant la ligne de bus de grille, l'électrode de grille et la plage de contact de grille; - formation d'une couche semi-conductrice (133) au-dessus de l'électrode de grille (111) et d'une couche semi-conductrice dopée (135) au-dessus de la couche semi-conductrice; - formation d'une ligne de bus de source (123) d'une électrode de source (121), d'une électrode de drain (131) et d'une plage de contact de source (125) au-dessus de 1 5 la couche semi- conductrice dopée; - formation d'une couche de passivation (137) sur la ligne de bus de source, l'électrode de source, l'électrode de drain et la plage de contact de source; - formation d'un trou de contact de grille (151) qui découvre la plage de contact de grille, d'un trou de contact de drain (171) qui recouvre l'électrode de drain et d'un trou de contact de source (161) qui découvre la plage de contact de source, et enlèvement d'une portion du second métal qui est découverte à travers le trou de contact de grille et d'une portion du premier métal en dessous du second métal; et formation d'une électrode de pixel (141) qui est reliée à l'électrode de drain, d'une borne de plage de contact de grille (157) qui est reliée à la plage de contact de grille, et d'une borne de plage de contact de source (167) qui est reliée à la plage de contact de source, en déposant un matériau conducteur sur la couche de passivation et en structurant le matériau conducteur. 2.- Un procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une ligne de court-circuit ( 119, 1 19a) qui relie toutes les plages de contact de grille est ) aussi formée pendant l'étape de formation de la plage de contact de grille. 3.- Un procédé de fabrication selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'un trou de découpe de ligne de court-circuit (193), qui découvre une portion de la ligne de court-circuit, est formé pendant l'étape de formation du trou de contact de grille, et en ce que la portion de la seconde couche métallique découverte à travers le trou de découpe de ligne de court-circuit ainsi que la première couche métallique sous la R 1\ 2ql ( I I)(g - I' yfie 1999 21 2n portion de la seconde couche métallique découverte par le trou de ligne de court- circuit sont enlevées. 4.- Un procédé de fabrication selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en cc que la seconde couche métallique qui est découverte à travers le trou de contact de grille est attaquée pendant l'étape de formation du trou de contact de grille et en cc que la première couche métallique qui est découverte à travers le trou de contact de grille est enlevée par un agent chimique qui réagit avec le premier métal pendant une étape de rinçage effectuée après l'étape d'attaque du second métal. 5.- Un procédé de fabrication selon la revendication 1, 2, 3 ou 4, caractérisé en ce qu'un côté attaqué de la seconde couche métallique est relié à la borne de plagc de contact de grille pendant l'étape de formation de la borne de plage de contact dc grille. 6.- Un procédé de fabrication selon l'une des revendications I à 5, caractérise en ce que le trou de contact de grille (151) est formé par formation d'une pluralité de petits trous de contact. 7.- Un procédé de fabrication selon la revendication 6, caractérisé en ce que les petits trous de contact de grille sont formés aux deux extrémités de la plage de contact de grille, et en ce que les trous de contact de grille ne sont pas formés dans la partie médiane de la plage de contact de grille. 8.- Un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide comprenant les étapes de: - formation d'éléments de grille par dépôt d'un premier métal et d'un second métal et par formation simultanée d'une structure dans les premier et second métaux en utilisant un seul masque - formation d'une couche d'isolation de grille (137) recouvrant les éléments de grille; et - formation d'un trou de contact qui découvre une portion des éléments tie grille en attaquant une portion de la couche d'isolation et en enlevant successivement le second métal découvert sous le trou de contact et le premier métal situé sous icie partie découverte du second métal. 9.- Un procédé de fabrication selon la revendication 8, caractérisé en ce que la seconde couche métallique (213) qui est découverte à travers le trou de contact cst attaquée pendant l'étape de formation du trou de contact et en ce que la première couche métallique qui est découverte par le trou de contact, est enlevée par un agent R \16200\16251 DOC - 19 fe'rner 1999.22/25 chimique qui réagit avec le premier métal pendant une étape de rinçage effectuée après l'étape d'attaque du second métal. 10.- Un procéde de fabrication selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape de formation d'une couche conductrice sur la couche isolante, de sorte que la couche conductrice soit reliée à la seconde couche métal- lique à travers le trou de contact. 11.- Un procédé de fabrication selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'un côté attaqué de la seconde couche métallique est relié à la couche conductrice pendant l'étape de formation de la couche conductrice. 12.- Un procédé de fabrication selon l'une des revendications 8 à 11, caracté- risé en ce que le trou de contact est formé en formant au moins un petit trou. 13.- Un procédé de fabrication selon la revendication 12, caractérisé en ce que les trous de contact sont formés aux deux extrémités de l'élément de grille et en ce que les trous de contact ne sont pas formés dans la partie médiane de l'élément de grille. 14.- Un afficheur à cristal liquide comprenant: - un substrat (101); et une plage de contact comprenant: - un premier métal (211) sur le substrat - un second métal (213) sur le premier métal - une couche d'isolation (137) sur le second métal - un premier trou de contact dans la couche d'isolation; - un second trou de contact dans la seconde couche métallique sensiblement aligné avec le premier trou de contact; - un troisième trou de contact dans la première couche métallique sensiblement aligné avec le second trou de contact; et - une couche conductrice reliée à un côte attaqué du second métal à travers les premier, second et troisième trous de contact. 15.- Un afficheur selon la revendication 14, caractérisé en ce que le premier trou de contact est plus grand que le second trou de contact de sorte à ce que la couche conductrice soit reliée à une surface découverte du second métal. 16.- Un afficheur selon la revendication 14 ou 15, caractérisé en ce que le second trou de contact est plus petit que le troisième trou de contact. R \1621$,1621 IXX ' 9 fewvtier 1999 - 23/25 17.- Un afficheur selon la revendication 14, 15 ou 16, caractérisé en ce que le trou de contact est défini par une pluralité de trous. 18.- Un afficheur selon la revendication 17, caractérisé en ce que les trous de contact sont disposés aux deux extrémités de la plage de contact et en ce que les trous de contact ne sont pas disposés dans la partie médiane de la plage. 19.- Un afficheur selon l'une des revendications 14 à 18, caractérisé en ce que le premier métal comprend de l'aluminium. 20.- Un afficheur selon l'une des revendications 14 à 19, caractérisé en ce que le second métal comprend au moins l'un des métaux suivants molybdène, tantale. tungstène et antimoine. R 1620016251 DOC. 19foe 19-9.24/25