FR 2776138 A3 19990917 FR 9803140 A 19980313 La présente invention concerne un circuit de protection, muni d'au moins une borne d'entrée à relier à une ligne de transmission d'un signal et d'au moins une borne de sortie à relier à un appareil. Un tel circuit est utilisé par exemple dans un véhicule routier, o existe un risque important de chocs électriques sur les lignes. Un circuit de protection est connu du document DE-OS-28 12 157. Selon ce document, un transistor de commutation est associé à un transistor auxiliaire commandé en conduction par un signal aux bornes d'une résistance de mesure du courant, qui ajoute du courant dans la base du transistor de commutation. Un objet de l'invention est de rendre encore plus efficace le circuit. A cet effet, il comporte d'une part un premier élément amplificateur semi-conducteur monté en comparateur entre une tension de référence et la tension de la borne d'entrée, et d'autre part au moins un second élément amplificateur semi-conducteur dont le trajet de courant principal relie la borne d'entrée à la borne de sortie et dont une électrode de commande est reliée à une sortie du premier élément amplificateur. Ces aspects de l'invention ainsi que d'autres aspects plus détaillés apparaîtront plus clairement grâce à la description suivante d'un mode de réalisation constituant un exemple non limitatif. La figure 1 représente un véhicule routier. La figure 2 est un schéma d'un mode de réalisation du circuit. La figure 3 est un schéma d'un exemple d'utilisation du circuit. Le véhicule i de la figure 1 est muni d'une unité centrale génératrice d'un signal analogique et d'une ligne de transmission de ce signal qui aboutit à un appareil périphérique incorporé au tableau de bord DB du véhicule. L'unité centrale CU est par exemple le calculateur d'un appareil de navigation qui délivre des signaux RVB de composantes de couleur pour un afficheur, la ligne est par exemple une ligne bipolaire blindée LI (une par couleur), et l'appareil périphérique est par exemple un afficheur à cristaux liquides DISP. Le circuit de la figure 2 est alimenté par une alimentation VCC, par exemple de 12 volts. Il est muni d'une borne d'entrée reliée à la ligne I. et d'une borne de sortie RVB. La tension sur la borne d'entrée (LI) est appliquée via une résistance R2 à l'électrode de commande, ici la base, d'un premier élément amplificateur semi-conducteur, ici un transistor bipolaire T1 de type NPN, monté en comparateur entre une tension de référence appliquée à son émetteur et la tension de son électrode de commande, ici sa base. La tension de référence est engendrée par une diode Zener DZ, par exemple un modèle 5 volts, reliée à la masse et dans laquelle une résistance LR1 fait passer un courant venant de l'alimentation VCC. Le montage comporte un second élément amplificateur semi-conducteur de même type de conduction que le premier, ici un transistor T2. Son électrode de réception de courant, le collecteur, est branchée à la borne d'entrée reliée à la ligne U, son électrode de fourniture de courant, l'émetteur, débite vers la borne de sortie RVB, et son électrode de commande, la base, est reliée par une résistance à la sortie du premier élément amplificateur, à savoir ici le collecteur de T1. Le transistor T2 est lui même chargé dans sa connexion d'émetteur par une résistance LR2, qui est en pratique la résistance d'entrée de l'appareil, reliée à la masse. Le collecteur de T1 et la base de -2 sont en outre reliées ensemble à l'alimentation VCC par une résistance R1. Si la ligne LI est accidentellement mise en court-circuit avec la masse, un courant direct passe dans la jonction base-collecteur du transistor 12; il est limité par la résistance R1. Si la ligne LI est accidentellement mise en court-circuit avec l'alimentation VCC, cela sature le transistor T1, ce qui maintient sa tension collecteur très proche de la tension de Zener de 5 volts, limitant ainsi la tension sur la charge LR2 à environ 5 volts. Les transistors bipolaires pourraient éventuellement être remplacés par des transistors à effet de champ. Dans ce cas l'électrode de commande serait appelée grille, l'électrode de réception de courant appelée drain, et l'électrode de fourniture de courant appelée source. Le trajet de courant principal du transistor 12 (allant du collecteur à l'émetteur) est shunté par une capacité C2, pour court-circuiter la résistance dynamique de ce transistor. La diode Zener DZ pourrait être remplacée par une simple résistance dans un but de simplification; la tension de référence serait moins bien définie mais le montage resterait efficace. L'entrée du montage comporte un filtre passe-bas constitué d'une inductance L en série et d'une capacité C1 en parallèle. Ce filtre assure une protection contre les interférences électromagnétiques. Le circuit de protection de la figure 3 est placé entre plusieurs lignes de transmission de signal, ici trois lignes LI-R, LI-V, LI-B, et plusieurs entrées, par exemple trois entrées de signal de couleur R, V, B, de l'afficheur à cristaux liquides DISP. L'électrode de commande (la base) du premier élément amplificateur semi-conducteur T1 est reliée aux lignes par trois branches en étoile BR, BV, BB, comportant chacune une résistance, et le circuit comporte plusieurs seconds éléments amplificateurs semi-conducteurs 12R, '2V, T2B, dont les électrodes de commande (les bases) sont reliées à chaque fois par une résistance à la sortie, c'est-à-dire ici au collecteur, du premier élément amplificateur T1. REVENDICATIONS: 1. Circuit de protection, muni d'une borne d'entrée à relier à une ligne de transmission d'un signal et d'au moins une borne de sortie à relier à un appareil, caractérisé en ce qu'il comporte d'une part un premier élément amplificateur semi-conducteur monté en comparateur entre une tension de référence et la tension de la borne d'entrée, et d'autre part au moins un second élément amplificateur semi-conducteur dont le trajet de courant principal relie la borne d'entrée à la borne de sortie et dont une électrode de commande est reliée à une sortie du premier élément amplificateur. 2. Circuit de protection selon la revendication 1, caractérisé en ce que la tension de référence est fournie par une diode Zener connectée entre une électrode de référence du premier élément amplificateur semi-conducteur et la masse. 3. Circuit de protection selon la revendication 1, caractérisé en ce que le trajet de courant principal du second élément amplificateur semi-conducteur est shunté par une capacité. 4. Circuit de protection selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est précédé d'un filtre passe-bas à inductance et capacité. 5. Circuit de protection selon la revendication 1, à placer entre plusieurs lignes de transmission de signal et l'appareil, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs bornes d'entrée, l'électrode de commande du premier élément amplificateur semi-conducteur est reliée aux bornes d'entrée par plusieurs branches en étoile, et le circuit comporte plusieurs seconds éléments amplificateurs semi-conducteurs reliés chacun à une borne de sortie, éléments dont les électrodes de commande sont reliées chacune par une résistance à la sortie du premier élément amplificateur.