FR 2776123 A1 19990917 FR 9902998 A 19990311 IMPLANTEUR D'IONS La présente invention est relative aux implanteurs d'ions et, plus particulièrement à un implanteur d'ions pour séparation par de l'oxygène implanté (SiMOX) convenant pour implanter des ions oxygène dans une tranche de silicium. On connaît dans la technique antérieure un implanteur d'ions qui implante des ions oxygène dans une tranche de silicium pour former une pellicule isolante de dioxyde de silicium dans la tranche de silicium. Cependant, dans ce type d'implanteur d'ions, au moment de l'implantation des ions oxygène dans la tranche de silicium, la tranche de silicium vient à se trouver chargée positivement, si bien que des décharges se produisent entre la tranche de silicium et un support de tranche, ce qui forme une marque de décharge au verso de la tranche de silicium. Pour éviter cet inconvénient, on a employé un implanteur d'ions conçu de façon que, lorsqu'on dirige un faisceau d'ions sur une tranche de silicium pour implanter des ions dans la tranche, un faisceau d'électrons est également irradié sur la tranche de silicium pour neutraliser la tranche de silicium chargée par le faisceau d'ions à l'aide du faisceau d'électrons, comme décrit dans JP-A-3-194 841 ou JP-A-8-96 744. Par conséquent, un objectif de la présente invention consiste à réaliser un implanteur d'ions apte à diriger uniquement un faisceau d'électrons vers une tranche de silicium en effectuant une séparation entre des ions d'une impureté et des électrons produits à partir d'une source de production d'électrons. Dans la technique antérieure, comme le faisceau d'électrons est dirigé conjointement avec le faisceau d'ions vers la tranche de silicium afin de neutraliser la tranche de silicium chargée, on peut empêcher que des charges n'aboutissent à la production de particules. Cependant, dans la technique antérieure, on ne s'intéresse pas au fait de piéger des impuretés générées à partir d'un filament constituant une source de production d'électrons. Pour cette raison, des ions d'impureté, par exemple des ions tungstène, générés conjointement avec des thermions à partir du filament sont implantés conjointement avec des électrons dans la tranche de silicium, ce qui a pour conséquence que la tranche de silicium est contaminée par le métal. La contamination de la tranche de silicium par un métal entraîne une dégradation des caractéristiques d'isolation de la tranche et par conséquent un défaut d'isolation qui en résulte aboutit à une baisse de la qualité de la tranche. La présente invention résout un tel problème de la technique o antérieure. Selon un aspect de la présente invention, l'objectif ci-dessus est atteint en proposant un implanteur d'ions qui comprend un moyen générateur de faisceau d'ions pour diriger un faisceau d'ions depuis une source génératrice d'ions vers une tranche, un moyen générateur de faisceau d'électrons pour convertir des électrons, générés par une source génératrice d'électrons, en un faisceau d'électrons et délivrer le faisceau, et un moyen d'irradiation de faisceau d'électrons pour séparer le faisceau d'électrons d'un faisceau d'ions d'impureté généré par le moyen générateur de faisceau d'électrons associé au faisceau d'électrons afin d'irradier seulement le faisceau d'électrons vers la tranche pour provoquer l'implantation d'ions du faisceau d'ions dans la tranche. Le moyen d'irradiation de faisceau d'électrons dans l'implanteur d'ions peut être agencé pour avoir une fonction de séparation du faisceau d'électrons généré à partir du moyen générateur de faisceau d'électrons et du faisceau d'ions d'impureté généré, associé au faisceau d'électrons pour piéger des ions d'impureté présents dans le faisceau d'ions d'impureté et irradier le faisceau d'électrons sur la tranche, ou pour avoir une fonction de séparation du trajet du faisceau d'électrons généré à partir du moyen générateur de faisceau d'électrons et du trajet du faisceau d'ions d'impureté généré, associé au faisceau d'électrons pour piéger des ions d'impureté présents dans le faisceau d'ions d'impureté et irradier le faisceau d'électrons sur la tranche. L'implanteur d'ions peut en outre comprendre, si nécessaire, les éléments (1) à (I l) ci-après. (1) Le moyen d'irradiation de faisceau d'électrons applique un champ magnétique au faisceau d'électrons et au faisceau d'ions d'impureté pour dévier les deux faisceaux en fonction de leurs masses. (2) Le moyen d'irradiation de faisceau d'électrons comprend un circuit magnétique disposé au milieu d'un trajet de transmission de faisceau reliant ledit moyen générateur de faisceau d'électrons et ladite tranche pour changer de manière variable une grandeur du faisceau d'électrons sur le trajet de transmission de faisceau. (3) Le circuit magnétique comprend un aimant pour générer un champ magnétique et une paire de noyaux disposés de manière opposée l'un par rapport à l'autre de part et d'autre de l'aimant pour établir le champ magnétique depuis l'aimant dans une direction qui croise le trajet de transmission de faisceau, et les noyaux de la paire étant chacun en forme de triangle dont la surface diminue à mesure qu'on s'éloigne de l'aimant. (4) Le moyen d'irradiation de faisceau d'électrons applique un champ électrique au faisceau d'électrons et au faisceau d'ions d'impureté pour dévier les deux faisceaux en fonction de leurs masses. (5) Le moyen d'irradiation de faisceau d'électrons comporte des plaques électrodes positive et négative qui sont disposées au milieu du trajet de transmission de faisceau reliant le moyen générateur de faisceau d'électrons et ladite tranche et forment une courbe sur le trajet de transmission de faisceau. (6) Un système de lentille pour régler le diamètre du faisceau d'électrons est disposé sur le trajet de transmission de faisceau, sur une face des plaques électrodes positive et négative proche de la tranche. (7) Le moyen d'irradiation de faisceau d'électrons comprend une plaque de piégeage qui piège des ions d'impureté à un emplacement croisant le trajet d'émission du faisceau d'ions d'impureté. (8) Une plaque anti-adhérence, faite de la même matière que la tranche, est montée de manière fixe sur la plaque de piégeage. (9) Le moyen générateur de faisceau d'ions et ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons effectuent respectivement, et en synchronisme, une irradiation et un arrêt du faisceau d'ions et du faisceau d'électrons. (10) Le moyen d'irradiation de faisceau d'électrons comprend des moyens de détection de température pour détecter la température du faisceau d'électrons à irradier sur la tranche et un moyen de réglage de champ magnétique pour commander l'intensité du champ magnétique en fonction d'un signal de détection produit par les moyens de détection de température. (l1) Le moyen d'irradiation de faisceau d'électrons comprend des moyens de détection de température pour détecter la température du faisceau d'électrons à irradier sur la tranche et un moyen de réglage de champ électrique pour commander l'intensité du champ électrique en fonction d'un signal de détection produit par les moyens de détection de température. Dans les moyens ci-dessus, avant que le faisceau d'ions généré par la source génératrice d'ions ne soit irradié sur la tranche, des électrons émis depuis la source génératrice d'électrons sont convertis en électrons du faisceau d'électrons, des électrons émis par la source génératrice d'électrons sont séparés d'ions d'impureté émis depuis celle-ci, associés aux électrons produits et seul le faisceau d'électrons est irradié sur la tranche. De la sorte, on peut éviter que la tranche ne soit contaminée par les impuretés métalliques et donc que les caractéristiques d'isolation de la tranche ne soient amoindries, ce qui contribue à améliorer la qualité de la tranche. En outre, afin de séparer le faisceau d'électrons du faisceau d'ions d'impureté, les ions d'impureté séparés sont piégés pour irradier uniquement le faisceau d'électrons sur la tranche, ou le trajet du faisceau d'électrons est séparé du trajet du faisceau d'ions d'impureté pour piéger les ions d'impureté séparés afin d'irradier uniquement le faisceau d'électrons sur la tranche. Ainsi, la tranche peut être neutralisée sans être contaminée par les impuretés métalliques, ce qui contribue à améliorer la qualité de la tranche. Comme on l'a expliqué ci-dessus, selon la présente invention, lorsqu'un faisceau d'électrons est dirigé conjointement avec un faisceau d'ions vers une tranche, des électrons se séparent des ions d'impureté générés, associés aux électrons pour diriger uniquement le faisceau d'électrons vers la tranche. Par conséquent, les charges de la tranche peuvent être neutralisées sans contamination de la tranche par les impuretés métalliques, ce qui contribue à améliorer la qualité de la tranche. Une forme de réalisation de la présente invention va être expliquée en référence aux dessins annexés dans lesquels: La Figure I représente l'agencement général d'un implanteur d'ions selon une forme de réalisation de la présente invention; la Figure 2 est une vue agrandie d'une partie principale de l'implanteur d'ions de la Figure 1; la Figure 3 est une vue en perspective de la configuration d'un circuit magnétique; et la Figure 4 est une vue servant à expliquer une relation entre un faisceau d'électrons et le circuit magnétique. Sur les figures 1 et 2, un poste 10 d'extrémité faisant partie d'une enceinte en forme de boîte contient une boîte de balayage 12 et un disque rotatif 14. La boîte de balayage 12 a un corps principal 16 fixé à une base 18. Dans le corps principal 16 est disposé un moteur tournant 20. Le moteur tournant 20 comporte un arbre rotatif 22 relié au disque rotatif 14 au niveau de son centre. Autrement dit, le disque rotatif 14 est agencé pour être entraîné en rotation autour de l'arbre rotatif 22 par la rotation motrice du moteur tournant 20. Par ailleurs, sur le pourtour extérieur du disque rotatif circulaire 14 sont disposés plusieurs supports 24 de tranches, avec un espacement régulier dans sa direction circonférentielle. Dans chacun des supports 24 de tranches est par exemple retenue une tranche 26 de silicium. Autrement dit, les tranches 26 de silicium, qui sont retenues dans les supports respectifs 24 de tranches, sont agencées de façon à être entraînées successivement en rotation autour de l'arbre rotatif 22 par la rotation du disque rotatif 14. En même temps, dans une paroi latérale du poste 10 d'extrémité sont disposés des conduits 28 et 30 qui forment des trajets d'émission de faisceaux. Le conduit 28 est relié à une source 34 génératrice d'ions par l'intermédiaire d'un séparateur 32 de masses, tandis que le conduit 30 est relié à une source 40 d'électrons par l'intermédiaire d'un soufflet 38. La source 34 génératrice d'ions génère, par exemple, un faisceau 100 d'ions, principalement à base d'ions oxygène. Le faisceau d'ions est séparé par le séparateur 32 de masses en ions seuls ayant une masse prédéterminée, lesquels ions sont convertis en un faisceau 100 d'ions, sensiblement d'un seul type d'ions, destiné à être dirigé vers la tranche 26 de silicium. Ainsi, la source 34 génératrice d'ions, le séparateur 32 de masses et le conduit 28 forment un moyen d'implantation d'ions servant à diriger le faisceau 100 d'ions vers la tranche 26 de silicium afin d'implanter des ions dans la tranche. Le conduit 30, dont la forme est sensiblement coudée, comporte sur sa paroi latérale périphérique extérieure des capteurs 42 et 44 de température servant de moyens pour détecter une température à l'intérieur du conduit 30. Au milieu du conduit 30 se trouve également un circuit magnétique 36, et à son extrémité est disposée à demeure une bride de fixation 46. Une bride 48 est montée à demeure sur la bride 46 par l'intermédiaire du soufflet 38, la source 40 d'électrons étant montée à demeure sur ladite bride 48. Le soufflet 38 est réalisé de façon à pouvoir se déployer dans la direction axiale du conduit 30. Le conduit 30, le soufflet 38 et les brides 46 et 48 sont en matières amagnétiques. La source 40 d'électrons comporte un filament 50 servant de source génératrice d'électrons reliée à une source d'électricité, une électrode conductrice 52, une électrode de ralentissement 54 et une électrode s d'accélération 56. Lorsqu'un courant passe dans le filament 50, cela provoque un échauffement du filament 50, si bien que des électrons chauffés 58 sont émis depuis le filament 50 et que les électrons 58 sont entraînés à l'extérieur par l'électrode conductrice 52. Ensuite, les électrons 58 subissent un ralentissement sous l'action de l'électrode de ralentissement 54, une accélération sous l'action de l'électrode d'accélération 56 jusqu'à un faisceau 102 d'électrons, puis le faisceau 102 d'électrons est guidé dans le conduit 30. Au moment même o les électrons 58 sont émis par le filament 50, des ions d'impureté tels que des ions tungstène 60 présents dans le filament 50 sont également émis depuis celui-ci. Les ions tungstène 60 sont également guidés jusqu'au conduit 30 sous la forme d'un faisceau 104 d'ions tungstène. Ainsi, le filament 50, l'électrode conductrice 52, l'électrode de ralentissement 54 et l'électrode d'accélération 56 forment un moyen générateur de faisceau d'électrons servant à convertir les électrons 58 émis par la source génératrice d'électrons en faisceau 102 d'électrons et à délivrer le faisceau d'électrons. Le faisceau 102 d'électrons et le faisceau 104 d'ions tungstène guidés jusqu'au conduit 30 sont déviés et séparés par le circuit magnétique 36 en fonction de leurs masses, si bien que seul le faisceau 102 d'électrons est irradié sur la tranche 26 de silicium. Ainsi, le circuit magnétique 36 et le conduit 30 forment un moyen d'irradiation de faisceau d'électrons servant à diriger le faisceau 102 d'électrons jusque sur la tranche 26 de silicium. Plus précisément, le circuit magnétique 36, comme représenté sur les figures 3 et 4, comprend une paire de plaques 62 et 64 de réglage de champ magnétique, un électroaimant 66 disposé entre les plaques 62 et 64 de réglage de champ magnétique, et des plaques (noyaux) 68 et 70 en fer, en L. L'électroaimant 66 est connecté à une boîte de commande 72 en tant que moyen de réglage de champ magnétique. Les plaques de fer 68 et 70 sont fixées aux deux faces des plaques 62 et 64 de réglage de champ magnétique, de manière opposée l'une par rapport à l'autre, le conduit 30 étant intercalé entre elles, de façon qu'un champ magnétique généré par l'électroaimant 66 soit établi à l'intérieur du conduit 30. L'intensité (la valeur) du champ magnétique est réglée par un courant passant dans l'électroaimant 66. Dans la présente forme de réalisation, le courant qui circule dans l'électroaimant 66 est commandé par la température détectée par les capteurs 42 et 44 de température, et l'intensité du champ magnétique est réglée par la valeur du courant. Par ailleurs, dans la présente forme de réalisation, le champ magnétique formé sur le côté de la plaque 62 de réglage de champ magnétique peut être renforcé pour établir un champ magnétique faible dans le conduit 30 en dotant d'une grande épaisseur une 62 des plaques 62 et 64 de réglage de champ magnétique; selon une autre possibilité, le champ magnétique formé sur le côté de la plaque 62 de réglage de champ magnétique peut être affaibli pour établir un champ magnétique puissant à l'intérieur du conduit 30 en dotant d'une faible épaisseur la plaque 62 de o réglage de champ magnétique. En outre, dans la présente forme de réalisation, les surfaces supérieures et inférieures des plaques 68 et 70 de fer sont en forme de triangle sur le sommet 74 et la base 76 duquel le faisceau 102 d'électrons est amené à passer entre les plaques de fer 68 et 70 à longueurs de passage différentes. De la sorte, l'intensité du champ magnétique généré par l'électroaimant 66 est différente selon les positions du faisceau 102 d'électrons. Autrement dit, comme le faisceau 102 d'électrons amené à passer entre les plaques de fer 68 et 70, comme représenté, suivant un trajet a du côté du sommet 74 est soumis à un champ magnétique plus faible que le faisceau 102 d'électrons (trajet c) amené à passer entre les plaques de fer du côté de la base 76, il en résulte que le faisceau 102 d'électrons amené à passer du côté du sommet 74 a un grand rayon de courbure au niveau de son passage arqué. En revanche, comme le faisceau 102 d'électrons amené à passer du côté de la base 76 est soumis à un puissant champ magnétique, comme représenté par le trajet c, son rayon de courbure devient faible. De la sorte, le faisceau 102 d'électrons amené à passer par le circuit magnétique 36 devient convergent et le degré de la convergence peut facilement être réglé en modifiant la forme des noyaux, c'est-à-dire des plaques de fer 68 et 70. Par ailleurs, le diamètre ou la dimension du faisceau 102 d'électrons peut être modifié en modifiant l'épaisseur de la plaque 62 de réglage de champ magnétique ou en réglant l'angle du soufflet 68 pour rendre variable la direction de passage du faisceau 102 d'électrons, comme représenté par un trait mixte sur la Figure 2. A l'intérieur du conduit 30 est également disposée une plaque 78 de piégeage d'ions d'impureté dans une zone définie par les plaques de fer 68 et 70 à un emplacement croisé par le faisceau 104 d'ions tungstène. La plaque 78 de piégeage d'ions d'impureté contient un passage de circulation par lequel peut circuler de l'eau de refroidissement, et est également relié à un conduit 82 permettant l'introduction de l'eau de refroidissement dans la plaque de piégeage, ainsi qu'à un conduit (non représenté) servant à refouler l'eau de refroidissement depuis celle-ci. En outre, sur la plaque 78 de piégeage d'ions d'impureté est montée à demeure une plaque 80 de silicium réalisée avec la même matière que la tranche 26 de silicium. La plaque 80 de silicium sert à piéger uniquement des ions tungstène 60 dans le faisceau 104 d'ions tungstène séparé par le circuit magnétique 36 et introduit dans le conduit 30 en même temps que le faisceau 102 d'électrons pour empêcher l'implantation des ions tungstène 60 dans la tranche 26 de silicium. Lorsque les ions tungstène chauffés 60 sont piégés par la plaque 80 de silicium, la plaque 80 de silicium s'échauffe. Cependant, comme la plaque 80 de silicium est refroidie par l'eau de refroidissement, comme indiqué plus haut, on peut éviter l'échauffement et la détérioration de la plaque 80 de silicium. Par ailleurs, les ions tungstène 60 sont piégés par la plaque 80 de silicium par pulvérisation des ions tungstène 60. Cependant, comme la plaque 80 de silicium et la tranche 26 de silicium sont faites de la même matière, on peut éviter la production d'impuretés par la pulvérisation. Avec un agencement tel que celui indiqué ci-dessus, lorsque la rotation motrice du moteur 20 fait tourner le disque rotatif 14, les tranches 26 de silicium retenues dans les supports 24 de tranches sont successivement entraînées en rotation autour de l'arbre rotatif 22. A ce moment, le faisceau 100 d'ions (faisceau d'ions oxygène) émis depuis la source 34 génératrice d'ions est irradié sur la tranche 26 de silicium pour provoquer l'implantation d'ions dans la tranche. En synchronisme avec l'irradiation du faisceau 100 d'ions, les électrons 58 émis depuis le filament 50 se transforment en faisceau 102 d'électrons, les ions tungstène 60 émis depuis celui-ci se transforment en faisceau 104 d'ions tungstène, et les deux faisceaux sont guidés jusque dans le conduit 30. Les directions de passage du faisceau 102 d'électrons et du faisceau 104 d'ions tungstène guidés jusque dans le conduit 30 sont déviées par le champ magnétique du circuit magnétique 36, en fonction des masses des faisceaux, ce qui donne les faisceaux séparés comprenant le faisceau 102 d'électrons et le faisceau 104 d'ions tungstène, et seuls les ions tungstène 60 présents dans le faisceau 104 d'ions tungstène sont piégés par la plaque 80 de silicium. D'autre part, le faisceau 102 d'électrons est irradié sur la tranche 26 de silicium sans subir de changement, n'étant pas piégé par la plaque 80 de silicium. De la sorte, les charges de la tranche 26 de silicium peuvent être neutralisées, et on peut éviter que des particules ne soient produites du fait des charges et de la contamination de la tranche 26 de silicium par un métal. Par conséquent, une pellicule isolante d'une grande précision peut être formée dans la tranche 26 de silicium, ce qui contribue à améliorer la qualité de la tranche 26 de silicium. En outre, lorsque le faisceau 100 d'ions et le faisceau 102 d'électrons sont irradiés sur la tranche 26 de silicium, l'irradiation ou l'arrêt du faisceau 100 d'ions et du faisceau 102 d'électrons s'effectuent en synchronisme, grâce à quoi la neutralisation de la tranche de silicium chargée 26 peut être réalisée d'une manière fiable. Bien que l'émission d'électrons ait été faite à partir du filament 50 dans la forme de réalisation ci-dessus, un canon à électrons servant à émettre des électrons primaires ou un canon à plasma servant à émettre des électrons à partir d'une source de plasma peuvent être employés en remplacement. On peut également utiliser un canon servant à émettre des électrons secondaires. Bien que la séparation entre le faisceau d'électrons et le faisceau d'ions d'impureté ait été effectuée en appliquant le champ magnétique aux deux faisceaux et en séparant les faisceaux sur la base de leurs masses, c'est-à-dire en utilisant une différence entre les masses des faisceaux dans la forme de réalisation qui précède, on peut également utiliser un agencement tel qu'un champ électrique soit appliqué aux faisceaux d'électrons et d'ions d'impureté pour séparer les faisceaux en fonction de leurs masses. Plus particulièrement, le faisceau d'électrons et le faisceau d'ions d'impureté peuvent être séparés l'un de l'autre en fonction de leurs masses en prévoyant, à la place du circuit magnétique 36 des plaques électrodes positive et négative formant une courbe sur le trajet de transmission de faisceau au milieu du conduit 30 formant le trajet de transmission de faisceau pour appliquer un champ électrique aux faisceaux depuis les plaques électrodes. Dans ce cas, des plaques électrodes positive et négative supplémentaires constituant un système de lentille pour le réglage du diamètre du faisceau d'électrons peuvent être disposées sur le trajet de transmission de faisceau du côté tranche des premières plaques électrodes positive et négative évoquées plus haut. En outre, à cet égard, l'intensité du champ magnétique, c'est-à- dire la valeur d'une tension à appliquer aux plaques électrodes positive et négative peut être réglée, ou l'intensité d'un champ électrique dans le système de lentille peut être réglé, sur la base de la température détectée par les capteurs 42 et 44 de température. o10 REVENDICATIONS 1. Implanteur d'ions caractérisé en ce qu'il comprend: un moyen générateur de faisceau d'ions pour diriger un faisceau (100) d'ions depuis une source (34) génératrice d'ions vers une tranche (26), un moyen générateur de faisceau d'électrons pour transformer en faisceau (102) d'électrons des électrons (58) générés depuis une source (50) génératrice d'électrons et délivrer le faisceau, et un moyen d'irradiation de faisceau d'électrons pour séparer le faisceau (102) d'électrons d'un faisceau (104) d'ions d'impureté généré depuis le moyen générateur de faisceau d'électrons, associé au faisceau d'électrons pour irradier seulement le faisceau d'électrons sur la tranche afin de provoquer l'implantation d'ions du faisceau d'ions dans la tranche. 2. Implanteur d'ions selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons sépare le faisceau (102) d'électrons émis depuis le moyen générateur de faisceau d'électrons et le faisceau (104) d'ions d'impureté émis, associé audit faisceau (102) d'électrons, pour piéger des ions d'impureté présents dans le faisceau d'ions d'impureté et irradie le faisceau d'électrons sur ladite tranche (26). 3. Implanteur d'ions selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons sépare un trajet du faisceau d'électrons émis depuis ledit moyen générateur de faisceau d'électrons et un trajet du faisceau d'ions d'impureté émis, associé audit faisceau d'électrons, pour piéger des ions d'impureté présents dans le faisceau d'ions d'impureté et irradie le faisceau d'électrons sur ladite tranche. 4. Implanteur d'ions selon la revendication 1, dans lequel ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons applique un champ magnétique au faisceau d'électrons et au faisceau d'ions d'impureté pour dévier les deux faisceaux en fonction de leurs masses. 5. Implanteur d'ions selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons est disposé au milieu d'un trajet de transmission de faisceau reliant ledit moyen générateur de faisceau d'électrons et ladite tranche et comporte un circuit magnétique pour modifier de façon variable une dimension du faisceau d'électrons sur ledit trajet de transmission de faisceau. 6. Implanteur d'ions selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit circuit magnétique comprend un aimant (66) pour générer un champ magnétique et une paire de noyaux (68, 70) disposés de manière mutuellement opposée de part et d'autre dudit aimant (66) pour établir le champ magnétique depuis l'aimant dans une direction qui croise ledit trajet de transmission de faisceau, les noyaux de ladite paire ayant chacun la forme d'un triangle dont la surface diminue à mesure qu'on s'éloigne de l'aimant. 7. Implanteur d'ions selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons applique un champ électrique au faisceau d'électrons et au faisceau d'ions d'impureté pour dévier les deux faisceaux en fonction de leurs masses. 8. Implanteur d'ions selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons est disposé au milieu d'un trajet de transmission de faisceau reliant ledit moyen générateur de faisceau d'électrons et ladite tranche et comporte des plaques électrodes positive et négative qui forment une courbe sur ledit trajet de transmission de faisceau. 9. Implanteur d'ions selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'un système de lentille pour régler le diamètre dudit faisceau d'électrons est présent sur ledit trajet de transmission de faisceau, sur une face desdites plaques électrodes positive et négative la plus proche de ladite tranche. 10. Implanteur d'ions selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons comprend une plaque de piégeage (78) située à un emplacement croisé par le trajet de transmission du faisceau d'ions d'impureté pour piéger des ions d'impureté. 1 1. Implanteur d'ions selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'une plaque (80) anti-adhérence, réalisée dans la même matière que ladite tranche, est montée à demeure sur ladite plaque de piégeage (78). 12. Implanteur d'ions selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit moyen générateur de faisceau d'ions et ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons effectuent en synchronisme l'irradiation et l'arrêt desdits faisceau d'ions et faisceau d'électrons. 13. Implanteur d'ions selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons comprend des moyens (42, 44) de détection de température pour détecter une température dudit faisceau d'électrons à diriger vers ladite tranche et un moyen de réglage de champ magnétique pour commander l'intensité du champ magnétique sur la base d'un signal de détection produit par lesdits moyens de détection de température. 14. Implanteur d'ions selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons comprend des moyens de détection de température pour détecter une température dudit faisceau d'électrons à diriger vers ladite tranche et un moyen de réglage de champ magnétique pour commander l'intensité du champ magnétique sur la base d'un signal de détection produit par lesdits moyens de détection de température. 15. Implanteur d'ions selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit moyen d'irradiation de faisceau d'électrons comprend des moyens de détection de température pour détecter une température dudit faisceau d'électrons à diriger vers ladite tranche, un moyen de réglage de champ magnétique pour commander l'intensité du champ électrique sur la base d'un signal de détection produit par lesdits moyens de détection de température, et un moyen de réglage d'un système de lentille pour commander la valeur d'un champ électrique dudit système de lentille sur la base du signal de détection produit par lesdits moyens de détection de température.