FR 2765411 A1 19981231 FR 9801059 A 19980130 DISPOSITIF LASER SOLIDE A EXCITATION PAR SEMI- CONDUCTEURS DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs et, plus particulièrement, un système optique dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs destiné à propager (transmettre) un faisceau d'excitation sorti d'un laser à semiconducteurs vers un milieu laser solide. CONTEXTE DE L'INVENTION La figure 15 et la figure 16 montrent des dispositifs laser solide à excitation par semi- conducteurs (oscillateurs laser à semi-conducteurs) basés, respectivement, sur la technologie classique. On devrait noter que la figure 16 est une vue en coupe du dispositif prise le long de la ligne XVI-XVI montrée sur la figure 15. Le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs comprend un milieu laser solide 101, un laser à semi-conducteurs 103 comme source d'excitation laser et une plaque de guidage optique 105 réalisée avec une plaque solide rectangulaire destinée à propager un faisceau, excité dans le laser à semi-conducteurs 103, vers le milieu laser 101. Un faisceau d'excitation émis à partir du laser à semi-conducteurs 103 entre dans la plaque de guidage optique 105 selon un certain angle de divergence et atteint le côté du milieu laser 101 en étant totalement réfléchi sur la face latérale interne de la plaque de guidage optique 105 et est absorbé dans le milieu laser solide 101. Lorsqu'un laser à semi-conducteurs avec un grand angle de divergence est utilisé, il est nécessaire d'augmenter l'épaisseur (une zone d'une surface de réception de faisceau d'excitation) de la plaque de guidage optique 105, de sorte que le faisceau d'excitation entier émis à partir du laser à semi- conducteurs 103 entre à l'intérieur de la plaque de guidage optique 105, mais la plaque de guidage optique , dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs de type classique, est une plaque solide de forme rectangulaire, de sorte qu'une zone de la surface de sortie de faisceau de la plaque de guidage optique 105 du côté du milieu laser solide 101 devient également plus grande conformément à une plus grande zone de la surface de réception de faisceau d'excitation de la plaque de guidage 105, de telle manière que le faisceau d'excitation n'est pas absorbé dans le milieu laser solide 101, de sorte qu'une proportion en tant que perte due au fait que le faisceau d'excitation retourne le long de l'intérieur de la plaque de guidage optique 105 devient plus grande. Pour transmettre un faisceau de manière efficace, il est nécessaire de fixer en trois dimensions les positions d'une puce de laser à semiconducteurs incorporée dans le laser à semi-conducteurs 103 ainsi que de la plaque de guidage optique 105 avec une précision à un niveau spécifié ou plus. La figure 17 montre l'influence d'une erreur verticale (déplacement d'un axe optique) entre la puce de laser à semi- conducteurs et la plaque de guidage optique sur une perte de couplage. L'axe des X indique un pourcentage d'erreurs verticales par rapport à l'épaisseur de la plaque de guidage optique. La courbe de perte de couplage montrée sur la figure 17 diffère en fonction d'un angle de divergence d'un faisceau sortant de la puce de laser à semi- conducteurs ainsi que d'un matériau de la plaque de guidage optique. Cet exemple montre le fait que, lorsque le pourcentage d'erreurs verticales dépasse 30 %, une partie de couplage augmente brusquement. La figure 18 montre l'influence d'un espace dans la direction de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs incorporée dans le laser à semi- conducteurs et la plaque de guidage optique sur une perte de couplage. La courbe de perte de couplage dans ce cas diffère également en fonction d'un angle de divergence d'un faisceau sortant de la puce de laser à semi-conducteurs ainsi que d'un matériau de la plaque de guidage optique 105. Cet exemple montre le fait que, lorsque l'erreur d'espacement dépasse 25' %, une perte de couplage augmente graduellement. RESUME DE L'INVENTION C'est un objet de la présente invention d'obtenir un dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs comportant un système optique amélioré de sorte qu'un faisceau d'excitation sorti du laser à semi-conducteurs soit propagé efficacement vers un milieu laser solide et que le milieu laser solide puisse absorber efficacement le faisceau d'excitation en réduisant une perte, due au retour du faisceau d'excitation provenant du laser à semi-conducteurs le long de l'intérieur de la plaque de guidage optique, ainsi qu'une perte de couplage du faisceau. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, une section de la plaque de guidage optique est plus grande du côté du laser à semi-conducteurs et devient plus petite depuis le côté du laser à semi-conducteurs vers le côté du milieu laser solide, de sorte qu'une grande quantité du faisceau d'excitation provenant du laser à semi-conducteurs est amenée dans la plaque de guidage optique, de telle manière qu'une quantité du faisceau d'excitation retournant vers la plaque de guidage optique à partir du milieu laser solide est réduite. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, la section de la plaque de guidage optique est plus grande du côté du laser à semi-conducteurs et devient plus petite depuis le côté du laser à semi-conducteurs vers le côté du milieu laser solide conformément à la variation de l'épaisseur de la plaque, de sorte qu'une grande quantité du faisceau d'excitation provenant du laser à semi-conducteurs est amenée dans la plaque de guidage optique, de telle manière qu'une quantité du faisceau d'excitation retournant vers la plaque de guidage optique à partir du milieu laser solide est réduite. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, une surface de réception de faisceau de la plaque de guidage optique présente une forme concave ou une forme convexe conformément à un indice de réfraction ng de la plaque de guidage optique. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, le faisceau d'excitation entier sorti de la plaque de guidage optique est absorbé dans le milieu laser solide sans perdre aucune partie de celui-ci entre un dispositif de convergence et l'extérieur de celui-ci. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, le faisceau d'excitation entier dans le laser à semi- conducteurs est directement introduit dans la plaque de guidage optique et le faisceau d'excitation provenant de la plaque de guidage optique est absorbé dans toute la longueur du milieu laser solide. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, le faisceau d'excitation entré à l'intérieur de la plaque de guidage optique est totalement réfléchi à l'intérieur de celle-ci, de sorte qu'aucun faisceau ne s'échappe à partir de sa face latérale ou similaire vers l'extérieur de celle-ci. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon la présente invention, l'uniformité d'un faisceau d'excitation dans la direction axiale est améliorée par une plaque de diffusion optique. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, une pièce d'écartement d'élévation destinée à ajuster le déplacement d'un axe optique est spécifiée de manière à ce qu'une quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs que comporte le laser à semi- conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans les limites d'erreur spécifiées et une pièce d'écartement d'espacement destinée à ajuster un espace est spécifiée de manière à ce qu'un espace dans la direction de l'axe optique entre celles-ci soit compris dans une plage spécifiée d'erreur admissible, de telle manière que la quantité de déplacement de l'axe optique entre celles-ci ainsi que l'espace dans la direction de l'axe optique entre celles-ci soient compris dans la plage d'erreur admissible. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, la pièce d'écartement d'élévation est prévue dans un espace entre une section inférieure du corps principal du boîtier et l'élément de support de la plaque de guidage optique, de sorte qu'une quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans une plage d'erreur admissible et la pièce d'écartement d'espacement est prévue dans un espace entre la section avant du corps principal du boîtier et l'élément de support de la plaque de guidage optique, de sorte qu'un espace dans la direction de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera compris dans la plage d'erreur admissible. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, la plaque de guidage optique est supportée par une pièce d'écartement d'espacement et, lorsque la pièce d'écartement d'espacement est poussée sur un corps principal du boîtier du laser à semi-conducteurs pour ajuster l'espacement, l'espace dans la direction de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera compris dans une plage d'erreur admissible, et la pièce d'écartement d'espacement est prévue dans un espace entre la pièce d'écartement d'espacement et l'élément de support de la plaque de guidage optique, de sorte que la quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans une plage d'erreur admissible. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, un sous- support est positionné et agencé sur une section d'agencement de position de sous-support et une plaque de guidage optique est positionnée et agencée sur la section d'agencement de position de plaque de guidage optique et, avec les deux agencements de position, la quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi- conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans une plage d'erreur admissible et l'espace dans la direction de l'axe optique entre celles-ci sera compris dans la plage d'erreur admissible. -7 Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, un sous- support est positionné et agencé sur la section d'agencement de position de sous-support fournie par une section étagée obtenue par usinage du corps principal du boîtier, une plaque de guidage optique est positionnée et agencée sur la section d'agencement de position pour la plaque de guidage optique fournie par une section étagée obtenue de cette manière et, avec les deux agencements de position, la quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi- conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans une plage d'erreur admissible et l'espace dans la direction de l'axe optique entre celles-ci sera compris dans la plage d'erreur admissible. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, la plaque de guidage optique est prise en sandwich et maintenue entre le corps principal du boîtier et un couvercle de bottier, de telle manière qu'une force de maintien de la plaque de guidage optique soit améliorée. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon la présente invention, la plaque de guidage optique avec un agent de remplissage ou un agent adhésif est prise en sandwich et maintenue entre le corps principal du boîtier et le couvercle du boîtier, de sorte que l'agent de remplissage ou l'agent adhésif puisse agir comme un matériau d'amortissement afin d'éviter une rupture de la plaque de guidage optique du fait d'une force de prise en sandwich excessive. Dans le dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon la présente invention, un indice de réfraction de l'agent de remplissage ou de l'agent adhésif est inférieur à celui de la plaque de guidage optique et, avec cette caractéristique optique, une perte due à une fuite optique d'un faisceau laser à partir de la section de face latérale de la plaque de guidage optique est supprimée. D'autres objets et caractéristiques de la présente invention seront compris à partir de la description qui suit avec référence aux dessins joints. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue de face montrant un dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon le Mode de Réalisation 1 de la présente invention; la figure 2 est une vue en coupe du dispositif ci- dessus, prise le long de la ligne II-II montrée sur la figure 1; la figure 3 est une vue de face montrant un cas o une surface de réception de faisceau présente une forme concave dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon le Mode de Réalisation 1 de la présente invention; la figure 4 est une vue de face montrant un cas o une surface de réception de faisceau présente une forme convexe dans le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon le Mode de Réalisation 1 de la présente invention; la figure 5 est une vue de face montrant un dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon le Mode de Réalisation 2 de la présente invention; la figure 6 est une vue de face montrant le dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon le Mode de Réalisation 3 de la présente invention; la figure 7 est une vue plane montrant le dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon le Mode de Réalisation 3 de la présente invention; la figure 8 est une vue de face montrant un dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon le Mode de Réalisation 4 de la présente invention; la figure 9 est une vue de face montrant le dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon le Mode de Réalisation 5 de la présente invention; la figure 10 est une vue agrandie de la zone A montrée sur la figure 9; la figure 11 est une vue de face montrant un dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon le Mode de Réalisation 6 de la présente invention; la figure 12 est une vue agrandie de la zone A montrée sur la figure 11; la figure 13 est une vue de face montrant un dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon le Mode de Réalisation 7 de la présente invention; la figure 14 est une vue agrandie de la zone A montrée sur la figure 13; la figure 15 est une vue de face montrant un dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs basé sur la technologie classique; la figure 16 est une vue en coupe du dispositif ci- dessus, prise le long de la ligne XVI-XVI montrée sur la figure 15; la figure 17 est un graphique montrant les caractéristiques de perte de couplage du fait d'une erreur verticale; et la figure 18 est un graphique montrant les caractéristiques de perte de couplage du fait d'une erreur d'espacement. DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES Une description détaillée des modes de réalisation du dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon la présente invention est faite avec référence aux dessins annexés. Les figures 1 à 4 montrent, respectivement, un dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon le Mode de Réalisation 1 de la présente invention. Ce dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs comprend un milieu laser solide cylindrique 1 réalisé avec une barre YAG ou similaire, un laser à semi-conducteurs en forme de plaque (boîtier laser à semi-conducteurs) 3 réalisé avec une diode laser comme source d'excitation laser, une plaque de guidage optique (corps de transmission optique) 5 réalisée en verre optique destinée à propager un faisceau d'excitation du laser solide 3 vers le milieu laser solide 1 et un dispositif de convergence réalisé avec un miroir réflecteur cylindrique destiné à réfléchir le faisceau d'excitation sorti de la plaque de guidage optique 5 vers le milieu laser solide 1. Le milieu laser solide 1 est agencé de manière concentrique à la position centrale à l'intérieur du dispositif de convergence 7. Dans ce mode de réalisation, il y a quatre unités de laser à semi- conducteurs 3 et, également, quatre feuilles de plaque de guidage optique 5, chacune pour les lasers à semi- conducteurs 3 respectifs, qui sont radialement espacées de manière uniforme chacune selon un angle de rotation de 90 degrés autour de l'axe central du milieu laser solide 1. La plaque de guidage optique 5 présente la plus grande épaisseur dans la surface de réception de faisceau 5a du côté du laser à semi-conducteurs, l'épaisseur diminuant depuis la surface de réception de faisceau vers le côté du milieu laser solide 1, et présente la plus petite épaisseur dans la surface de sortie de faisceau 5b de celle-ci. Avec cette caractéristique, une section croisant à angles droits un axe optique principal A (référencé sur la figure 3 et sur la figure 4) de la propagation d'un faisceau d'excitation sorti du laser à semi-conducteurs 3 est plus grande du côté du laser à semi-conducteurs et diminue depuis le côté du laser à semi-conducteurs vers le côté du milieu laser solide 1. La plaque de guidage optique 5 a, comme montré sur la figure 2 (la figure 2 est une vue en coupe du dispositif, prise le long de la ligne II-II montrée sur la figure 1), sa longueur du côté du laser à semi- conducteurs 3 sensiblement égale à la longueur d'une fente d'une section d'émission de faisceau en forme de fente 3a dans le laser à semiconducteurs 3 et sa longueur du côté du milieu laser solide 1 sensiblement égale à la longueur du milieu laser solide 1 (une longueur de l'axe), ce qui forme un trapèze sur une figure plane. Avec cette caractéristique, tout le faisceau d'excitation dans le laser à semi-conducteurs 3 est directement introduit dans la plaque de guidage optique et le faisceau d'excitation est absorbé à partir de la plaque de guidage optique 5 dans le milieu laser solide 1 sur toute sa longueur. Dans ce cas également, en ajustant l'épaisseur de la plaque de guidage optique 5, il est possible de maximiser une zone de la surface de réception de faisceau 5a du côté du laser à semi-conducteurs 3, ainsi que de minimiser celle de la surface de sortie de faisceau 5b. Le dispositif de convergence 7 est un dispositif destiné à réfléchir un faisceau d'excitation sortant de la plaque de guidage optique 5 vers le milieu laser solide 1 et toute la périphérie du milieu laser solide 1 est entourée par ce dispositif de convergence 7 ainsi que par la plaque de guidage optique 5 sans qu'aucun espace n'y soit laissé. Avec cette caractéristique, tout le faisceau d'excitation qui en sort est absorbé dans le milieu laser solide 1 sans perdre aucune partie de celui- ci entre le dispositif de convergence 7 et l'extérieur de celui-ci. Un faisceau d'excitation émis à partir de la section d'émission de faisceau en forme de fente 3a du laser à semi-conducteurs 3 entre dans la plaque de guidage optique 5 à travers la surface de réception de faisceau Sa avec une certaine divergence (angle de divergence). L'angle de divergence maximal (décrit comme un angle limite ci- après) 0 selon lequel un faisceau d'excitation peut être propagé en répétant sa réflexion multiple sur les deux faces latérales 5c de la plaque de guidage optique 5 est obtenu par l'expression (3) en supposant qu'un indice de réfraction de la plaque de guidage optique 5 est ng: 0 = arcsin[ng.sin{arccos. (1/ng)-c-g}]+a... (3) Ici, c indique l'inclinaison à partir d'une surface verticale par rapport à une surface de référence de la plaque de guide optique 5 entre la section d'émission de faisceau en forme de fente 3a du laser à semi- conducteurs 3 et le centre du milieu laser solide 1 au point de réception du faisceau d'excitation et 3 indique l'inclinaison des faces latérales 5c de la plaque de guidage optique 5 par rapport à la direction de l'axe optique principal de propagation du faisceau d'excitation. Dans une zone o l'inclinaison g est une valeur positive, une section de la plaque de guidage optique 5 du côté du laser à semi- conducteurs 3 est plus grande qu'une section de celle-ci du côté du milieu laser solide 1, de sorte qu'une quantité du faisceau d'excitation revenant depuis le côté du dispositif de convergence 7 peut être réduite, comparé au cas o une plaque de guidage optique de la forme d'une plaque solide rectangulaire est utilisée. L'angle limite 0 prend une valeur maximale de x/2 + a lorsque l'inclinaison a de la surface de réception de faisceau 5a et l'inclinaison g de la face latérale 5c satisfont à l'expression (4) suivante: X + g = arccos(1/ng)-arcsin(1/ng)... (4) La forme de la surface de réception de faisceau de la plaque de guidage optique 5 donnant l'angle limite maximal est une forme concave, telle que montrée sur la figure 3, si l'inclinaison a est une valeur positive, tandis que, si l'inclinaison a est une valeur négative, telle que montrée sur la figure 4, c'est une forme convexe. Par conséquent, la forme d'une surface de réception de faisceau est décidée en fonction du signe d'une valeur dans l'expression (5): arccos(1/ng)-arcsin(1/ng)-P... (5) La forme de la surface de réception de faisceau de la plaque de guidage optique 5 donnant l'angle limite maximal est une forme convexe, telle que montrée sur la figure 4, parce que l'inclinaison e est une valeur négative si l'indice de réfraction ng de la plaque de guidage optique 5 est de X ou moins lorsque l'inclinaison g de la face latérale 5c est de 0. Par contraste, si son indice de réfraction ng est de X.2ou plus, l'inclinaison a est une valeur positive, de sorte que la forme de la surface de réception de faisceau est une forme concave, telle que montrée sur la figure 3. Dans la plaque de guidage optique 5, si une zone de réception d'un faisceau d'excitation provenant du laser à semi-conducteurs 3 est agrandie et, également, qu'une section de celle-ci du côté du laser à semi-conducteurs 3 est rendue supérieure à celle du côté du milieu laser solide 1 afin de réduire une quantité du faisceau réfléchi à partir du dispositif de convergence 7 qui entre en sens inverse dans la plaque de guidage optique , l'inclinaison D devient une valeur positive. Dans ce cas, l'indice de réfraction ng, en tant que valeur limite à laquelle une forme de la surface de réception de faisceau de la plaque de guidage optique 5 est une forme concave ou une forme convexe, est une valeur supérieure à X2. Ce fait indique que l'angle limite maximal n/2 + a peut être augmenté en utilisant la plaque de guidage optique 5 avec un indice de réfraction ng supérieur et qu'un rapport entre la section de la plaque de guidage optique 5 du côté du laser à semi- conducteurs 3 et celle du côté du milieu laser solide 1 peut également être augmenté. En sélectionnant une combinaison de l'inclinaison a et de l'inclinaison P qui satisfait à l'expression (4) pour la plaque de guidage optique 5, l'angle de divergence d'un faisceau d'excitation provenant du laser à semi-conducteurs 3 qui peut être amené dans la plaque de guidage optique 5 et propagé vers le milieu laser solide 1 devient une valeur maximale de n/2+x. A savoir, si l'angle de divergence du laser à semi- conducteurs 3 est 0, l'inclinaison f de la face latérale 5c de la plaque de guidage optique 5 peut être obtenue, aussi longtemps que l'angle satisfait à l'expression (6) suivante, à travers l'expression (4): 3S 0[(7/2){ arccos(1/ng)-arcsin(1/ng)}]... (6) Dans un cas o une substance de la face latérale de la plaque de guidage optique 5 n'est pas de l'air, mais n'importe quelle substance ayant un indice de réfraction na, les conditions que satisfont l'expression (4) et l'expression (6) sont corrigées par celles telles qu'exprimées par les expressions (7) et (8) suivantes: c + P = arccos(na/ng)- arcsin(1/ng)... (7) 3 de réaliser un dispositif laser à excitation par semi- conducteurs qui peut propager, de manière efficace, une sortie d'un laser à semi-conducteurs vers un milieu laser solide. La figure 5 montre un dispositif laser solide à excitation par semiconducteurs selon le Mode de Réalisation 2 de la présente invention. On devrait noter que, sur la figure 5, les mêmes numéros de référence sont attribués aux sections correspondant à celles de la figure 1 et leur description est omise ici. Dans ce mode de réalisation, une couche de revêtement de réflexion totale 9 destinée à réfléchir totalement le faisceau du laser à semiconducteurs, ayant une forme d'onde quelconque, est appliquée sur la surface externe de la plaque de guidage optique 5, à l'exception des surfaces de bord du côté du laser à semi-conducteurs 3 ainsi que du côté du milieu laser solide 1 (surface de réception de faisceau 5a, surface de sortie de faisceau 5b). Avec ce revêtement, un faisceau d'excitation entré à l'intérieur de la plaque de guidage optique 5 ne s'échappe pas depuis la face latérale 5c ou similaire vers l'extérieur de celle-ci, de sorte qu'un faisceau d'excitation provenant du laser à semi-conducteurs 3 peut être propagé vers le milieu laser solide 1 avec seulement une faible perte, de telle manière qu'il est possible de réaliser un dispositif laser à excitation par semi-conducteurs qui peut propager, de manière efficace, une sortie d'un laser à semi-conducteurs vers un milieu laser solide. Une plaque de diffusion de faisceau 11 est également agencée dans un espace entre le laser à semi- conducteurs 3 et la plaque de guidage optique 5 de manière à uniformiser un faisceau d'excitation dans la direction axiale. Avec la caractéristique décrite ci-dessus, également, une grande quantité du faisceau d'excitation provenant du laser à semi- conducteurs 3 peut être amenée dans la plaque de guidage optique 5, le faisceau amené peut être propagé vers le milieu laser solide 1 et, de plus, une quantité du faisceau revenant du dispositif de convergence 7 peut être réduite, de telle manière qu'il est possible de réaliser un dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs qui peut propager, de manière efficace, une sortie d'un laser à semi-conducteurs vers un milieu laser solide. La figure 6 et la figure 7 montrent, respectivement, un dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon le Mode de Réalisation 3 de la présente invention. Ce dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs comprend un milieu laser solide cylindrique 21 réalisé avec une barre YAG ou similaire, un laser à semi-conducteurs en forme de plaque (boîtier de laser à semi-conducteurs) 23 réalisé avec une diode laser ou similaire en tant que source d'excitation laser, une plaque de guidage optique (corps de transmission optique) 25 réalisée en verre optique destinée à propager un faisceau d'excitation provenant du laser à semi-conducteurs 23 vers le milieu laser solide 21, un tube de circulation 27 réalisé en verre transparent et agencé de manière concentrique à la position du milieu laser solide 21 pour refroidir le milieu laser solide 21 et un dispositif de convergence 29 réalisé par un miroir réflecteur tubulaire destiné à réfléchir un faisceau d'excitation sorti de la plaque de guidage optique 25 sur le milieu laser solide 21. Le milieu laser solide 21 est agencé de manière concentrique à la position centrale à l'intérieur du dispositif de convergence 29, et dans ce mode de réalisation, il y a quatre unités de laser à semi- conducteurs 23 et, également, quatre unités de plaque de guidage optique 25 chacune pour les lasers à semi- conducteurs 23 respectifs, qui sont positionnées radialement, également espacées les unes des autres de degrés autour de l'axe central du milieu laser solide 21. On devrait noter que, bien qu'une seule unité de laser à semi-conducteurs 23 correspondant à une des plaques de guidage optique 25 soit montrée sur la figure 6, naturellement, le laser à semi-conducteurs est attaché à chacune des trois autres unités de plaque de guidage optique 25, comme décrit ci-dessus. Egalement, l'agencement d'une pluralité d'unités de laser à semiconducteurs dans la direction longitudinale (dans la direction axiale du milieu laser solide en forme de barre 21) vers une unité de milieu laser solide 21 peut fonctionner dans le but d'augmenter une sortie laser. Le laser à semi-conducteurs 23 comporte une structure de boîtier comprenant une puce de laser à semi-conducteurs 31 destinée à émettre un faisceau laser, un sous-support 33 avec la puce de laser à semi- conducteurs 31 montée sur sa surface supérieure pour enlever la chaleur (dissipateur de chaleur) due au fonctionnement par la puce de laser à semi-conducteurs 31 et absorbant une différence de coefficient d'allongement longitudinal entre la puce de laser à semi- conducteurs 31 et le corps principal d'un boîtier décrit ultérieurement, le corps principal du boîtier dans une structure de chemise d'eau avec le sous- support 33 monté sur la surface supérieure de celle-ci comportant un chemin d'eau de refroidissement (non montré sur la figure) à l'intérieur de la chemise pour décharger la chaleur du sous-support 33 vers l'extérieur de celui-ci et un couvercle de boîtier 37 fixé au corps principal du boîtier 35 pour protéger la puce de laser à semi- conducteurs 31. On devrait noter qu'une tuyau d'admission d'eau de refroidissement 39 et un tuyau d'évacuation d'eau de refroidissement 41 sont montés sur la section de surface arrière du corps principal du boîtier 35. La puce de laser à semi-conducteurs 31 et le sous- support 33 sont reliés l'un à l'autre par soudure métallique, de sorte qu'une conduction de chaleur et une conduction électrique suffisantes soient assurées entre eux et le sous-support 33 est relié au corps principal du boîtier 35 réalisé en matériau conducteur par soudure métallique, de sorte qu'une condition de chaleur et une conduction électrique suffisantes soient assurées entre eux, le corps principal du boîtier 35 fonctionnant également comme une électrode d'anode. Sur la surface supérieure du corps principal du boîtier 35 est prévu un élément d'électrode 45 avec une plaque d'isolement électrique 43. L'élément d'électrode est connecté électriquement à la puce de laser à semi-conducteurs 31 par l'intermédiaire d'une pluralité de fils fins métalliques 47 et est en contact avec le couvercle de boîtier 37 réalisé en matériau conducteur dans les surfaces, de telle manière que le couvercle de boîtier 37 fonctionne également comme une électrode de cathode. Dans la structure d'électrode telle que décrite ci- dessus, on fait osciller un faisceau laser pour l'excitation depuis le bord droit de la puce de laser à semi-conducteurs 31 en chargeant une tension sur un point entre le corps principal du boîtier 35 et le couvercle de boîtier 37. La plaque de guidage optique 25 est fixé à la surface supérieure d'une section avant dressée 49a d'un élément de support en forme de L renversé 49 pour la plaque de guidage. L'élément de support de plaque de guidage 49, le corps principal du boîtier 35 et le couvercle de boîtier 37 sont fermement fixés et reliés les uns aux autres par un boulon de serrage 50 qui pénètre dans ces éléments ainsi que par un écrou 52 vissé au boulon de serrage 50. Un faisceau laser provenant de la puce de laser à semi-conducteurs 31 est introduit dans la très mince plaque de guidage optique 25 avec une faible perte optique. On devrait noter que les bords d'entrée/sortie de la plaque de guidage optique 25 pour un faisceau laser d'excitation sont relativement plus larges dans chaque zone que ceux d'une fibre optique et, pour cette raison, un revêtement non-réflecteur peut être appliqué sur ces bords, de telle manière qu'il est possible de réduire les pertes optiques dans les deux bords à 1 % ou moins. Ici, pour transmettre efficacement un faisceau provenant de la puce de laser à semi-conducteurs 31 vers la plaque de guidage optique 25 par le couplage optique entre celles-ci, il est nécessaire, comme décrit cidessus, de fixer, en trois dimensions et respectivement, chaque position de la puce de laser à semi-conducteurs 31 ainsi que de la plaque de guidage optique 25 avec précision à un niveau spécifié ou plus. Dans la structure d'assemblage telle que décrite ci-dessus, le réglage d'une position relative entre la puce de laser à semi-conducteurs 31 et la plaque de guidage optique 25 est décidé en fonction d'une position relative entre l'élément de support de plaque de guidage 49 et le corps principal du boîtier 35. Une pièce d'écartement d'espacement en forme de L 51 et une pièce d'écartement d'élévation en forme de plaque 53 sont prévues dans un espace entre le corps principal du boîtier 35 et l'élément de support de plaque de guidage 49. Ces pièces d'écartement 51, 53 sont attachées l'une et l'autre au couvercle de boîtier 37, au corps principal du boîtier 35 et à l'élément de support de plaque de guidage 49 par le boulon de serrage 50 et l'écrou 52. La pièce d'écartement d'espacement en forme de L 51 comporte une section de réglage d'espacement 51a prévue entre la section avant du corps principal du boîtier 35 et la section dressée 49a de la section avant de l'élément de support de plaque de guidage 49 et un espace dans la direction de l'axe optique entre la puce de laser à semi- conducteurs 31 et la plaque de guidage optique 25 est réglé conformément à l'épaisseur de la section de réglage d'espacement 51a. Une section horizontale 5lb de la pièce d'écartement d'espacement en forme de L 51 et la pièce d'écartement d'élévation 53 sont superposées et sont prévues entre la section inférieure du corps principal du boîtier 35 et une section horizontale 49b de l'élément de support de plaque de guidage 49, de sorte que les positions verticales relatives de la puce de laser à semi-conducteurs 31 et de la plaque de guidage optique 25 soient décidées conformément à l'épaisseur totale de la section horizontale 51b de la pièce d'écartement d'espacement en force de L 51 et de la pièce d'écartement d'élévation 53. Avec cette caractéristique, la pièce d'écartement d'élévation 53 et la section horizontale 51b de la pièce d'écartement d'espacement en forme de L 51 sont ajustées de sorte qu'une quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs 31 et la plaque de guidage optique 25 sera comprise dans une plage d'erreur admissible et la pièce d'écartement d'espacement en forme de L 51 est ajustée de sorte qu'un espace dans la direction de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs 31 et la plaque de guidage optique 25 sera compris dans la plage d'erreur admissible, de telle manière que la quantité de déplacement de l'axe optique entre celles- ci et l'espace dans la direction de l'axe optique entre celles-ci soient tous deux compris dans la plage d'erreur admissible. Avec cette caractéristique, une perte de couplage due à une erreur dans le déplacement de l'axe optique ainsi qu'à une erreur d'espacement peut être réduite à une faible valeur et la transmission optique depuis la puce de laser à semi-conducteurs 31 vers la plaque de guidage optique 25 est exécutée de manière efficace, de telle manière qu'il est possible de propager, de manière efficace, une sortie d'un laser à semi- conducteurs vers un milieu laser solide. La figure 5 montre un dispositif laser solide à excitation par semiconducteurs selon le Mode de Réalisation 4 de la présente invention. On devrait noter que, sur la figure 8, les mêmes numéros de référence sont attribués aux sections correspondant à celles de la figure 6 et leur description est omise ici. Dans ce mode de réalisation, la plaque de guidage optique 25 est fixée sur une pièce d'écartement d'espacement 55 et un espace dans la direction de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs 31 et la plaque de guidage optique 25 est fixé par la pièce d'écartement d'espacement 55 en poussant la pièce d'écartement d'espacement 55 sur la surface avant du corps principal du boîtier 35. Une pièce d'écartement d'élévation 57 est prévue dans un espace entre la pièce d'écartement d'espacement 55 et une section étagée 49c avec une pièce d'écartement d'espacement placée sur celle-ci formée sur la section dressée 49a de la section avant de l'élément de support de plaque de guidage 49. Avec cette configuration, les positions verticales relatives de la puce de laser à semi-conducteurs 31 et de la plaque de guidage optique 25 sont décidées conformément à l'épaisseur totale de la pièce d'écartement d'espacement 55 et de la pièce d'écartement d'élévation 57, de telle manière que le déplacement dans l'axe optique puisse être ajusté. Dans le mode de réalisation, la plaque de guidage optique 25 est connectée par un connecteur dédié, de sorte que la pièce d'écartement d'espacement 55 puisse être connectée à celle-ci avec un espacement spécifié avec une surface de la pièce d'écartement d'espacement entrant en contact avec le corps principal du boîtier 35 comme référence et, ensuite, la pièce d'écartement d'élévation 57 destinée au réglage vertical est ajustée de telle manière que la quantité de déplacement dans l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs 31 et la plaque de guidage optique 25 et l'espace dans la direction de l'axe optique entre celles-ci soient tous deux compris dans une plage d'erreur admissible. Avec cette caractéristique, une perte de couplage due à une erreur dans le déplacement de l'axe optique ainsi qu'à une erreur d'espacement peut être réduite à une faible valeur et la transmission optique depuis la puce de laser à semi-conducteurs 31 vers la plaque de guidage optique 25 est exécutée efficacement, de telle manière qu'il est possible de propager, de manière efficace, une sortie d'un laser à semi- conducteurs vers un milieu laser solide. La figure 9 et la figure 10 montrent, respectivement, un dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon le Mode de Réalisation 5 de la présente invention. On devrait noter que, sur la figure 9 et sur la figure 10, les mêmes numéros de référence sont attribués aux sections correspondant à celles de la figure 6 et leur description est omise ici. Dans ce mode de réalisation, le sous-support 33 sur lequel est montée la puce de laser à semi-conducteurs 31 et la plaque de guidage optique 25 sont agencés de manière linéaire dans la direction de l'axe optique sur le corps principal du boîtier 35. Une première section étagée 35a en tant que section d'agencement de position pour le sous-support 33 et une seconde section étagée 35b en tant que section d'agencement de position pour la plaque de guidage optique 25 sont prévues sur le corps principal du boîtier 35 par usinage. La première section étagée 35a et la seconde section étagée 35b sont obtenues par usinage de haute précision, de sorte qu'un faisceau laser d'excitation provenant de la puce de laser à semi-conducteurs 31 passe à travers le centre de la plaque de guidage optique 25 et, de plus, un espace dans la direction de l'axe optique entre la puce de laser à semiconducteurs 31 et la plaque de guidage optique 25 sera compris dans une plage spécifiée d'erreur admissible. Avec cette caractéristique, le sous-support est soudé et relié à la première section étagée 35a avec une épaisseur de soudure de plusieurs microns dans un état o le sous-support est poussé sur la première section étagée 35a avec sa surface étagée comme référence et la plaque de guidage optique 25 est fixée à la seconde section étagée 35b dans un état o la plaque de guidage optique 25 est poussée sur la surface de la seconde section étagée 35b, de sorte qu'une quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs 31 et la plaque de guidage optique 25 sera comprise dans les limites d'erreur admissibles et un espace dans la direction de l'axe optique entre celles-ci sera compris dans les limites d'erreur admissibles. Avec cette caractéristique, une perte de couplage due à une erreur dans le déplacement de l'axe optique ainsi qu'à une erreur d'espacement peut être réduite à une faible valeur et la transmission optique depuis la puce de laser à semi-conducteurs 31 vers la plaque de guidage optique 25 est exécutée efficacement, de telle manière qu'il est possible de propager, de manière efficace, une sortie d'un laser à semi-conducteurs vers un milieu laser solide. La figure 11 et la figure 12 montrent, respectivement, un dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon le Mode de Réalisation 6 de la présente invention. On devrait noter que, sur la figure il et sur la figure 12, les mêmes numéros de référence sont attribués aux sections correspondant à celles de la figure 9 et de la figure 10 et leur description est omise ici. Ce mode de réalisation est un exemple modifié du Mode de Réalisation 5, dans lequel une section de support de plaque de guidage optique 37a est prévue dans la partie avant du couvercle de boîtier 37. La section de support de plaque de guidage optique 37a est positionnée sur le côté supérieur de la seconde section étagée 35b de manière à prendre en sandwich et à maintenir la plaque de guidage optique 25 agencée sur la seconde section étagée 35b avec le corps principal du boîtier 35. Dans ce mode de réalisation, la plaque de guidage optique 25 est prise en sandwich et maintenue entre le corps principal du boîtier 35 et le couvercle de boîtier 37, de telle manière qu'une force de maintien de la plaque de guidage optique 25 soit améliorée de cette manière. Avec cette amélioration, il est possible de simplifier les étapes d'assemblage du dispositif et de réduire le temps requis pour l'assemblage. La figure 13 et la figure 14 montrent, respectivement, un dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon le Mode de Réalisation 7 de la présente invention. On devrait noter que, sur la figure 13 et sur la figure 14, les mêmes numéros de référence sont attribués aux sections correspondant à celles de la figure 11 et de la figure 12 et leur description est omise ici. Ce mode de réalisation est un exemple modifié du Mode de Réalisation 6, dans lequel un agent de remplissage ou un agent adhésif est prévu dans l'espace entre la seconde section étagée 35b du corps principal du boîtier 35 et la plaque de guidage optique 25 ainsi que dans un espace entre la section de support de plaque de guidage optique 37a du couvercle de boîtier 37 et la plaque de guidage optique 25 et des couches d'amortissement 59 sont prévues entre celles-ci avec ces agents. L'agent de remplissage ou l'agent adhésif comprenant la couche d'amortissement 59 est constitué d'un matériau quelconque, tel qu'une résine à base de silicium présentant un indice de réfraction inférieur à celui de la plaque de guidage optique. Dans ce mode de réalisation, l'agent de remplissage ou l'agent adhésif comprenant la couche d'amortissement 59 agit comme un matériau d'amortissement afin d'empêcher la rupture de la plaque de guidage optique par la force de maintien. L'indice de réfraction de l'agent de remplissage ou de l'agent adhésif comprenant la couche d'amortissement 59 est inférieur à celui de la plaque de guidage optique 25 et, avec cette caractéristique optique, il est possible de supprimer une perte due à une fuite optique depuis la section de face latérale de la plaque de guidage optique 25 ainsi que la réduction de l'efficacité de la transmission optique. Comme on le comprend clairement à partir de la description ci-dessus, avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une caractéristique de la présente invention, une section de la plaque de guidage optique est plus grande du côté du laser à semi-conducteurs et diminue depuis le côté du laser à semi-conducteurs vers le côté du milieu laser solide, de sorte qu'une grande quantité du faisceau d'excitation provenant du laser à semi- conducteurs est amenée dans la plaque de guidage optique, de telle manière qu'une quantité du faisceau d'excitation revenant vers la plaque de guidage optique à partir du milieu laser solide est réduite, de telle manière qu'une sortie d'un laser à semi-conducteurs peut être propagée de manière efficace vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser à excitation par semi- conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, une section de la plaque de guidage optique est plus grande du côté du laser à semi- conducteurs de celle-ci et diminue depuis le côté du laser à semiconducteurs vers le côté du milieu laser solide conformément à la variation d'épaisseur de la plaque, de sorte qu'une grande quantité du faisceau d'excitation provenant du laser à semi-conducteurs est amenée dans la plaque de guidage optique et qu'une quantité du faisceau d'excitation revenant vers la plaque de guidage optique à partir du milieu laser solide est réduite, de telle manière qu'une sortie d'un laser à semi-conducteurs peut être propagée, de manière efficace, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, en décidant qu'une forme d'une surface de réception de faisceau de la plaque de guidage optique soit concave ou convexe selon l'indice de réfraction de la plaque de guidage optique, une grande quantité du faisceau d'excitation provenant du laser à semi-conducteurs est amenée dans la plaque de guidage optique et une quantité du faisceau d'excitation revenant vers la plaque de guidage optique depuis le milieu laser solide est réduite, de telle manière qu'une sortie d'un laser à semi-conducteurs peut être propagée, avec efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, tout le faisceau d'excitation sorti de la plaque de guidage optique est absorbé dans le milieu laser solide sans qu'aucune partie de celui-ci ne s'échappe depuis un dispositif de convergence vers l'extérieur de celui-ci, de telle manière qu'une sortie d'un laser à semi-conducteurs peut être propagée, avec * efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, tout le faisceau d'excitation dans le laser à semi-conducteurs est directement introduit dans la plaque de guidage optique et le faisceau d'excitation provenant de la plaque de guidage optique est absorbé dans toute la longueur du milieu laser solide, de telle manière qu'une sortie d'un laser à semiconducteurs peut être propagée, avec efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, le faisceau d'excitation entré à l'intérieur de la plaque de guidage optique est totalement réfléchi à l'intérieur de celle-ci, de sorte qu'aucun faisceau ne peut s'échapper à partir de sa surface latérale ou similaire vers l'extérieur de celle-ci, de telle manière qu'une sortie d'un laser à semi-conducteurs peut être propagée, avec efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, l'uniformité d'un faisceau d'excitation dans la direction axiale est améliorée par une plaque de diffusion optique, de telle manière qu'une sortie d'un laser à semi-conducteurs peut être propagée, avec efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, une pièce d'écartement d'élévation destinée à ajuster le déplacement d'un axe optique est prévue de sorte qu'une quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs que comporte le laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans une plage spécifiée d'erreur admissible, une pièce d'écartement d'espacement destinée à ajuster un espacement est spécifiée de sorte qu'un espace dans la direction de l'axe optique entre celles-ci sera compris dans la plage spécifiée d'erreur admissible, de sorte que la quantité de déplacement de l'axe optique entre celles- ci ainsi que l'espace dans la direction de l'axe optique entre celles-ci seront compris dans les limites d'erreur admissibles, qu'une perte de couplage due à une erreur dans le déplacement de l'axe optique ainsi qu'à une erreur d'espacement peut être réduite à une faible valeur et que la transmission optique à partir de la puce de laser à semi-conducteurs vers la plaque de guidage optique est exécutée efficacement, de telle manière qu'une sortie du laser à semi-conducteurs peut être propagée, avec efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, la pièce d'écartement d'élévation est prévue dans un espace entre une section inférieure du corps principal du boîtier et l'élément de support de la plaque de guidage optique, de sorte qu'une quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans les limites d'erreur admissibles, la pièce d'écartement d'espacement est prévue dans un espace entre la section avant du corps principal du boîtier et l'élément de support de la plaque de guidage optique, de sorte qu'un espace dans la direction de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans les limites d'erreur admissibles, qu'une perte de couplage due à une erreur dans le déplacement de l'axe optique ainsi qu'à une erreur d'espacement peut être réduite à une faible valeur et que la transmission optique depuis la puce de laser à semi- conducteurs vers la plaque de guidage optique est effectuée efficacement, de telle manière qu'une sortie d'un laser à semi-conducteurs peut être propagée, avec efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, la plaque de guidage optique est supportée par la pièce d'écartement d'espacement qui est poussée sur le corps principal du boîtier du laser à semi-conducteurs de manière à ajuster un espacement, de sorte que l'espace dans la direction de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera compris dans une plage spécifiée d'erreur admissible, la pièce d'écartement d'élévation est prévue dans un espace entre la pièce d'écartement d'espacement et l'élément de support de la plaque de guidage optique, de sorte que la quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans les limites d'erreur admissibles, qu'une perte de couplage due à une erreur dans le déplacement de l'axe optique ainsi qu'à une erreur d'espacement peut être réduite à une faible valeur et que la transmission optique depuis la puce laser à semi- conducteurs vers la plaque de guidage optique est exécutée efficacement, de telle manière qu'une sortie du laser à semi-conducteurs peut être propagée, avec efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, un sous- support est positionné et agencé sur une section d'agencement de position de sous-support et une plaque de guidage optique est positionnée et agencée sur la section d'agencement de position pour la plaque de guidage optique et, avec les deux agencements de position, la quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans une plage spécifiée d'erreur admissible et l'espacement dans la direction de l'axe optique entre celles-ci sera compris dans les limites d'erreur admissibles, une perte de couplage due à une erreur dans le déplacement de l'axe optique ainsi qu'à une erreur d'espacement peut être réduite à une faible valeur et la transmission optique depuis la puce de laser à semi-conducteurs vers la plaque de guidage optique est effectuée efficacement, de telle manière qu'une sortie du laser à semi-conducteurs peut être propagée, avec efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, un sous-support est positionné et agencé sur la section d'agencement de position de sous- support fournie par une section étagée obtenue en usinant le corps principal du boîtier, une plaque de guidage optique est positionnée et agencée sur la section d'agencement de position pour la plaque de guidage optique fournie par une section étagée obtenue par usinage du corps principal du boîtier et, avec les deux agencements de position, la quantité de déplacement de l'axe optique entre la puce de laser à semi-conducteurs et la plaque de guidage optique sera comprise dans une plage spécifiée d'erreur admissible et l'espacement dans la direction de l'axe optique entre celles-ci sera compris dans les limites d'erreur admissibles, une perte de couplage due à une erreur dans le déplacement de l'axe optique ainsi qu'à une erreur d'espacement peut être réduite à une faible valeur et la transmission optique depuis la puce de laser àsemi-conducteurs vers la plaque de guidage optique est exécutée efficacement, de telle manière qu'une sortie d'un laser à semi-conducteurs peut être propagée, avec efficacité, vers un milieu laser solide. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, la plaque de guidage optique est prise en sandwich et maintenue entre le corps principal du boîtier et un couvercle de boîtier, de sorte que la force de maintien de la plaque de guidage optique soit améliorée et que les étapes d'assemblage du dispositif puissent être simplifiées, de telle manière que le temps requis pour l'assemblage peut être réduit. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, la plaque de guidage optique avec un agent de remplissage ou un agent adhésif est prise en sandwich et maintenue entre le corps principal du boîtier et le couvercle de boîtier, de sorte que l'agent de remplissage ou l'agent adhésif puisse agir comme un matériau d'amortissement pour empêcher une rupture de la plaque de guidage optique du fait d'une force de prise en sandwich excessive. Avec cette caractéristique, il est possible de simplifier les étapes d'assemblage du dispositif et de réduire le temps nécessaire pour l'assemblage. Avec le dispositif laser solide à excitation par semi-conducteurs selon une autre caractéristique de la présente invention, l'indice de réfraction de l'agent de remplissage ou de l'agent adhésif est inférieur à celui de la plaque de guidage optique et, avec cette caractéristique optique, une perte due à une fuite optique à partir de la section de face latérale de la plaque de guidage optique est supprimée et la réduction de l'efficacité de la transmission optique peut être supprimée. Cette demande est basée sur la demande de brevet japonais N HEI 9-170547 déposée à l'Office des Brevets Japonais le 26 juin 1997, dont le contenu entier est incorporé ici par voie de référence. Bien que l'invention ait été décrite par rapport à un mode de réalisation spécifique pour une présentation complète et claire, les revendications jointes ne doivent pas être ainsi limitées, mais doivent être interprétées comme mettant en oeuvre toutes les modifications et les variantes de réalisation qui peuvent se présenter à un spécialiste de l'art qui cadrent vraiment avec l'enseignement de base exposé ici. REVENDICATIONS 1. Dispositif laser à milieu actif solide à excitation par semiconducteurs, comportant un milieu laser solide, un laser à semiconducteurs comme source d'excitation laser et une plaque de guidage optique destinée à propager un faisceau d'excitation dudit laser à semiconducteurs vers ledit milieu laser solide, dans lequel: ladite plaque de guidage optique a une section croisant un axe optique principal de propagation du faisceau d'excitation à angle droit qui est plus grande du côté dudit laser à semi-conducteurs et qui devient plus petite depuis le côté du laser à semi-conducteurs vers le côté dudit milieu laser solide. 2. Dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon la revendication 1, dans lequel un revêtement de réflexion totale est appliqué sur la surface externe de ladite plaque de guidage optique pour une réflexion totale à une longueur d'onde du laser à semi-conducteurs, à l'exception des surfaces de bord du côté du laser à semi-conducteurs ainsi que du côté du milieu laser solide. 3. Dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon la revendication 1, dans lequel une plaque de diffusion optique est prévue dans un espace entre ledit laser à semi- conducteurs et ladite plaque de guidage optique. 4. Dispositif laser solide à excitation par semi- conducteurs selon la revendication 1, dans lequel ladite plaque de guidage optique présente ladite section qui est plus grande du côté dudit laser à semi- conducteurs et qui devient plus petite depuis le côté du laser à semiconducteurs vers le côté dudit milieu laser solide conformément à la variation de l'épaisseur de la plaque. 5. Dispositif laser à milieu actif solide à excitation par semiconducteurs, comportant un milieu laser solide, un laser à semiconducteurs comme source d'excitation laser et une plaque de guidage optique destinée à propager un faisceau d'excitation dans ledit laser à semi-conducteurs vers ledit milieu laser solide, dans lequel lorsqu'un angle d'inclinaison des faces latérales de ladite plaque de guidage optique par rapport à la direction de l'axe optique principal de propagation du faisceau d'excitation sorti dudit laser à semi- conducteurs est A, si l'indice de réfraction ng de ladite plaque de guidage optique satisfait à l'expression, une surface de bord de ladite plaque de guidage optique opposée audit laser à semi- conducteurs forme une surface concave entre lesdites faces latérales, et si ledit indice de réfraction ng satisfait à l'expression, une surface de bord de ladite plaque de guidage optique opposée audit laser à semi- conducteurs forme une surface convexe entre lesdites faces latérales: arccos(1/ng)-arcsin(1/ng)-3>0... (1) arccos(1/ng)-arcsin(1/ng)-0 que du côté du milieu laser solide. 7. Dispositif laser selon la revendication 5, dans lequel une plaque de diffusion optique est prévue dans un espace entre ledit laser à semiconducteurs et ladite plaque de guidage optique. 8. Dispositif laser à milieu actif solide, à excitation par semiconducteurs, ayant un milieu laser solide, un laser à semi-conducteurs comme source d'excitation laser et une plaque de guidage optique destinée à propager un faisceau d'excitation dudit laser à semi- conducteurs vers ledit milieu laser solide, ledit dispositif comprenant, de plus: un dispositif de convergence tubulaire dans lequel est prévu ledit milieu laser solide, destiné à réfléchir le faisceau d'excitation sorti de ladite plaque de guidage optique sur ledit milieu laser solide, dans lequel toute la périphérie dudit milieu laser solide est totalement entourée dudit dispositif de convergence ainsi que ladite plaque de guidage optique sans qu'aucun espace n'y soit laissé. 9. Dispositif laser selon la revendication 8, dans lequel un revêtement de réflexion totale est appliqué sur la surface externe de ladite plaque de guidage optique pour une réflexion totale à une longueur d'onde du laser à semi-conducteurs, à l'exception des surfaces de bord du côté du laser à semi-conducteurs ainsi que du côté du milieu laser solide. 10. Dispositif laser selon la revendication 8, dans lequel une plaque de diffusion optique est prévue dans un espace entre ledit laser à semi-conducteurs et ladite plaque de guidage optique. 11. Dispositif laser à milieu actif solide à excitation par semiconducteurs, comportant un milieu laser solide, un laser à semiconducteurs comme source d'excitation laser et une plaque de guidage optique destinée à propager un faisceau d'excitation dudit laser à semiconducteurs vers ledit milieu solide, dans lequel: une longueur de ladite plaque de guidage optique du côté dudit laser à semi- conducteurs est sensiblement égale à une longueur d'une fente dudit laser à semi- conducteurs destinée à émettre un faisceau d'excitation sous la forme d'une fente, et une longueur de celle-ci du côté dudit milieu laser solide est sensiblement égale à la longueur dudit milieu laser solide. 12. Dispositif laser selon la revendication 11, dans lequel un revêtement de réflexion totale est appliqué sur la surface externe de ladite plaque de guidage optique pour une réflexion totale à une longueur d'onde du laser à semi-conducteurs, à l'exception des surfaces de bord du côté du laser à semi-conducteurs ainsi que du côté du milieu laser solide. 13. Dispositif laser selon la revendication 11, dans lequel une plaque de diffusion optique est prévue dans un espace entre ledit laser à semi-conducteurs et ladite plaque de guidage optique. 14. Dispositif laser à milieu actif solide à excitation par semiconducteurs, comportant un milieu laser solide, un laser à semiconducteurs comme source d'excitation laser et une plaque de guidage optique destinée à propager un faisceau d'excitation dudit laser à semiconducteurs vers ledit milieu laser solide, dans lequel: une pièce d'écartement d'élévation destinée à ajuster le déplacement d'un axe optique est prévue dans un espace entre ledit laser à semi-conducteurs et un élément de support pour ladite plaque de guidage optique et une pièce d'écartement d'espacement destinée à ajuster un espacement est prévue dans un espace entre ledit laser à semi-conducteurs et un élément de support pour ladite plaque de guidage. 15. Dispositif laser selon la revendication 14, dans lequel ledit laser à semi-conducteurs comporte un corps principal d'un boîtier sur lequel est montée une puce de laser à semi-conducteurs, ladite pièce d'écartement d'élévation est prévue dans un espace entre une section inférieure dudit corps principal du boîtier et l'élément de support pour ladite plaque de guidage optique et ladite pièce d'écartement d'espacement est prévue dans un espace entre la section avant dudit corps principal du boîtier et l'élément de support pour ladite plaque de guidage optique). 16. Dispositif laser selon la revendication 14, dans lequel ladite plaque de guidage optique est fixée à ladite pièce d'écartement d'espacement, un espacement est ajusté en poussant ladite pièce d'écartement d'espacement sur ledit corps principal du boîtier dans le laser à semi-conducteurs et ladite pièce d'écartement d'élévation est prévue dans un espace entre ladite pièce d'écartement d'espacement et l'élément de support pour ladite plaque de guidage optique. 17. Dispositif laser à milieu actif solide à excitation par semi-conducteurs, comportant un milieu laser solide, un laser à semi-conducteurs comme source d'excitation laser et une plaque de guidage optique destinée à propager un faisceau d'excitation dudit laser à semi-conducteurs vers ledit milieu laser solide, dans lequel une section d'agencement de position pour un sous-support supportant une puce de laser à semi-conducteurs et une section d'agencement de position pour ladite plaque de guidage optique sont formées sur le corps principal d'un boîtier du laser à semi-conducteurs, un sous-support est positionné et agencé sur ladite section d'agencement de position de sous-support et ladite plaque de guidage optique est positionnée et agencée sur ladite section d'agencement de position pour ladite plaque de guidage optique. 18. Dispositif laser selon la revendication 17, dans lequel: ladite section d'agencement de position pour ledit sous-support et ladite section d'agencement de position pour ladite plaque de guidage optique sont fournies par des sections étagées obtenues, chacune, par usinage dudit corps principal du boîtier, respectivement. 19. Dispositif laser selon la revendication 17, dans lequel un couvercle de boîtier destiné à protéger une puce de laser à semi- conducteurs installée sur ledit corps principal du boîtier est prévu sur celui-ci et ledit couvercle de boîtier comporte une section de support de plaque de guidage optique pour maintenir ladite plaque de guidage optique agencée dans ladite section d'agencement de position avec ledit corps principal du boîtier. 20. Dispositif laser selon la revendication 19, dans lequel un agent de remplissage ou un agent adhésif est prévu dans un espace entre ledit corps principal du boîtier et ladite plaque de guidage optique ainsi que dans un espace entre ledit couvercle de boîtier et ladite plaque de guidage optique. 21. Dispositif laser selon la revendication 20, dans lequel ledit agent de remplissage ou ledit agent adhésif comprend un matériau avec un indice de réfraction inférieur à celui de ladite plaque de guidage optique.