FR 2766939 A1 19990205 FR 9807986 A 19980624 La présente invention concerne un appareil et un procédé de simulation des caractéristiques des dispositifs à semi-conducteur, et elle s'applique par exemple avanta- geusement à un tel appareil et un procédé permettant l'estimation et l'analyse des caractéristiques de perfor- mances d'un circuit intégré à semi-conducteur, constitué par connexion de dispositifs de circuits tels qu'un transistor, à un substrat semi-conducteur. Un circuit intégré classique à semi-conducteur repré- sente un dispositif à semi-conducteur dans lequel des circuits électroniques sont constitués sous forme d'une matrice par disposition des composants nécessaires, tels qu'un transistor, une diode, une résistance et un conden- sateur, sur un substrat de silicium (une tranche) et par interconnexion des composants. Par exemple, dans un procédé de fabrication d'un circuit intégré à semi-conducteur par formation de transistors de type métal-oxyde- semi-conduc- teur (MOS) sur toute la surface de la tranche sous forme d'une matrice, il existe une fluctuation de chacune des données de dimensions, telles que la longueur de la grille, l'épaisseur du film d'oxyde et le nombre d'ions implantés (dans la suite, ces facteurs de traitement au cours de la fabrication sont appelés "paramètres de traitement") d'un transistor MOS formé par application de types prédéterminés de traitement à la surface de la tranche. Un appareil de simulation et un logiciel de simulation sont réalisés pour l'estimation et l'analyse de la fluctua- tion des valeurs des caractéristiques de transistors MOS formés à la surface d'une tranche (la valeur de la carac- téristique du dispositif désigne dans ce cas la tension appliquée à la partie de grille du transistor afin qu'un courant de drain d'une certaine valeur commence à circuler. Une telle tension est appelée dans la suite "tension de seuil Vth"), avec en outre la vérification de la distri- bution du courant électrique. En conséquence, ce type d'appareil de simulation calcule (simule) une fluctuation des valeurs des caracté- ristiques des dispositifs (la fluctuation des tensions de seuil Vth) des transistors MOS qui sont fabriqués avec des données variables de mesure pour chaque paramètre de traite- ment, tel que la longueur de la grille, l'épaisseur du film d'oxyde et le nombre d'ions implantés, le calcul étant représenté sous forme graphique par des courbes de distri- bution normale. De cette manière, lorsqu'un transistor MOS est formé à la surface d'une tranche avec une fluctuation des données de mesure des paramètres de traitement, un utilisateur lit les valeurs des caractéristiques du tran- sistor d'après le graphique ainsi obtenu. L'appareil précité de simulation permet l'affichage des fluctuations des valeurs des caractéristiques des disposi- tifs sous forme d'un tableau ou d'un graphique lorsqu'un transistor MOS est formé à la surface d'une tranche et chaque paramètre de traitement présente des fluctuations avec une distribution normale. Cependant, cet appareil n'a pas de fonction d'affichage de la distribution de la fluctuation de chaque paramètre de traitement en fonction des données fluctuantes de mesure des paramètres de traite- ment dans un procédé de fabrication, ni de fonction d'affichage sous forme d'une image de la distribution de la fluctuation des valeurs caractéristiques des dispositifs à la surface de la tranche réelle. En conséquence, la présente invention a pour objet la réalisation d'un appareil de simulation des caractéristiques des dispositifs à semiconducteur et un procédé pour sa mise en oeuvre, selon lesquels les caractéristiques de perfor- mances d'un circuit intégré à semi-conducteur sont affichées sous forme d'une image d'une distribution, sur un substrat semi-conducteur, permettant une estimation et une analyse précises sans fabrication réelle du circuit intégré à semi- conducteur. Cet objet de l'invention ainsi que d'autres sont atteints grâce à un appareil et un procédé de simulation des caractéristiques des dispositifs à semi-conducteur selon lesquels, pour la simulation de la fluctuation des valeurs des caractéristiques de plusieurs circuits intégrés à semi- conducteur formés sur un substrat semi-conducteur par application de plusieurs étapes de traitement du substrat, des données de simulation sont créées pour l'exécution de la simulation en fonction de données de mesure à plusieurs parties prédéterminées du substrat semi-conducteur après le traitement, les valeurs caractéristiques du circuit intégré à semi-conducteur sont calculées d'après les données de simulation, et la distribution de la fluctuation des valeurs caractéristiques des dispositifs sur le substrat semi- conducteur sont affichées sous forme d'images. Grâce à l'affichage de la fluctuation des valeurs caractéristiques des dispositifs créés lors de la formation d'un circuit intégré à semi-conducteur sur un substrat semi- conducteur en fonction des données de simulation créées d'après les données de mesure de parties prédéterminées, après application de divers types de traitements au substrat, sous forme d'une distribution sur le substrat semi-conducteur, il est possible d'afficher la distribution de la fluctuation des valeurs caractéristiques du circuit intégré à semi-conducteur sur le substrat semi-conducteur afin qu'elles puissent être reconnues visuellement de manière facile. Comme décrit précédemment, selon l'invention, il est possible de réaliser un appareil de simulation des carac- téristiques des dispositifs à semi-conducteur permettant une estimation et une analyse précises des caractéristiques de performances d'un circuit intégré à semi-conducteur, par affichage d'une image de la distribution des caracté- ristiques de performances sur un substrat semi-conducteur, sans fabrication réelle du circuit intégré à semi- conducteur. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'un exemple de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est un diagramme synoptique représentant la structure de l'appareil de simulation dans un mode de réalisation de l'invention; la figure 2 est un schéma représentant des points de mesure à la surface d'une tranche; la figure 3 est un schéma représentant une distribution à la surface d'une tranche, représentant des résultats d'une simulation; la figure 4 est un ordinogramme illustrant l'opération de traitement d'un appareil de simulation; les figures 5A et 5B sont des schémas représentant les valeurs de données d'initialisation D1 indiquées sur un écran; les figures 6A et 6B sont des schémas représentant les données de mesure D3 présentées sur un écran; et la figure 7 est un schéma représentant des données de simulation D4 représentées sur un écran. Sur la figure 1, la référence i désigne un appareil de simulation selon l'invention dans son ensemble. Pour l'esti- mation et l'analyse de la fluctuation des tensions de seuil Vth de plusieurs transistors MOS formant une matrice à la surface d'une tranche, l'appareil 1 de simulation détermine d'abord des données de mesure (dans ce cas, un nombre d'ions implantés et une longueur de grille) à l'aide d'un clavier (non représenté) d'un ordinateur personnel 2 (ce réglage est appelé dans la suite "initialisation"), et transmet les don- nées d'initialisation D1 ainsi établies à une section 3 d'entrée et d'établissement qui place les données de mesure dans chaque paramètre de traitement à utiliser. La section 3 transforme les données D1 d'initialisation à un format prédéterminé et transmet les résultats à un système 4 de gestion et de commande de base de données sous forme de données d'initialisation D2. Le système 4 comprend une unité centrale de traitement (CPU) qui commande de façon générale l'ensemble de l'appareil de simulation 1, et une mémoire interne. Le système 4 contient les données de mesure D3 de chaque paramètre de traitement en plusieurs points de mesure de la surface de la tranche représentée sur la figure 2 (49 points dans ce cas) dans une région prédéterminée de mémorisation de la mémoire interne sous forme d'un fichier prédéterminé, formé à l'avance. Le système 4 lit les données de mesure D3 sur des parties prédéterminées mesurées en 49 points de mesure à la surface de la tranche pour chaque paramètre de traitement à partir du fichier prédéterminé de la mémoire interne, en fonction des données d'initialisation D2, et transmet les données D3 à une section 5 génératrice des données de simulation. Lorsque la section 5 reçoit un signal de commande S1 de l'ordinateur personnel 2, par exemple lorsqu'un utilisateur enfonce une touche d'exécution, il crée automatiquement des données de simulation D4 qui cor- respondent aux 49 points de mesure d'après les données D3 de mesure préalablement établies et transmet les données D4 à une section 6 de transmission de données soumises au simu- lateur. La section 6 transmet les données D4 de simulation à un simulateur 7 d'après un signal S2 de commande transmis par le système 4. Dans ce cas, le système 4 vérifie l'état de simulation exécuté par le simulateur 7 et, lorsque le simulateur 7 est prêt pour l'exécution de la simulation suivante, il transmet le signal de commande S2 à la section 6. Le simulateur 7 est constitué d'un simulateur 7A de traitement et d'un simulateur 7B de dispositif qui calcule la fluctuation du nombre d'ions implantés (appelé "dose") et la fluctuation des longueurs de grille à la surface d'une tranche par utilisation des données D4 de simulation créées pour chaque paramètre de traitement par le simulateur 7A avec ainsi exécution de simulations et transmission des résultats de simulation au système 4 sous forme de données D5 de résultats de simulation. En outre, le simulateur 7 exécute une simulation à l'aide des données D4 créées pour chaque paramètre de trai- tement par le simulateur 7B et calcule ainsi la fluctuation des valeurs caractéristiques d'un transistor MOS formé à la surface d'une tranche et transmet ces résultats de simu- lation au système 4 sous forme de données D6 de résultats de simulation. Le système 4 mémorise les données D5 et D6 de résultats de simulation dans une région prédéterminée d'une mémoire interne (non représentée) et transmet des données D5 et D6 à une section 8 de sortie et d'affichage. Cette section 8 transforme les données D5 et D6 de résultats de simulation en un format prédéterminé pour l'affichage des données D5 et D6 sur le dispositif d'affichage d'un ordinateur personnel 2, et transmet les données formatées D5 et D6 à l'ordinateur personnel 2 sous forme de données d'affichage D7 et D8. L'ordinateur 2 affiche l'image des résultats de la simulation (dans ce cas la fluctuation des doses et des longueurs de grille à la surface d'une tranche) sur le dispositif d'affichage sous forme d'une distribution à la surface d'une tranche d'après les données D7 d'affichage, et affiche l'image des résultats de simulation (dans ce cas la fluctuation des tensions de seuil Vth d'un transistor MOS formé à la surface d'une tranche) sur l'affichage sous forme d'une distribution, à la surface d'une tranche, d'après les données d'affichage D8. La figure 3 représente le cas de l'affichage d'une image de la distribution de la fluctuation des tensions de seuil Vth à la surface d'une tranche. Comme l'indique la figure 3, dans le cas des résultats de simulation affichés sous forme d'une image sur le dispo- sitif d'affichage de l'ordinateur personnel 2, la distri- bution de la fluctuation des tensions de seuil Vth appli- quées à la partie de grille d'un transistor MOS formé à la surface de la tranche est affichée en différentes couleurs pour chacune des régions. Par exemple, la valeur maximale des tensions de seuil Vth à la surface d'une tranche est égale à 0,561693 V et la valeur minimale est égale à 0,506523 V. En outre, une tension de seuil Vth est comprise entre 0,561693 V (valeur maximale) et 0,550659 V du côté de la circonférence interne de la région A délimitée par une courbe continue à la surface de la tranche, et une tension de seuil Vth est comprise entre 0,550659 V et 0,539625 V du côté de la circonférence interne de la région B délimitée par un trait interrompu. Ensuite, de manière analogue, jusqu'à la valeur minimale, les tensions de seuil Vth sont classées dans les régions et affichées en différentes cou- leurs. En outre, la moyenne 0,526408 représente la valeur moyenne des tensions de seuil Vth et l'écart type 0,0138851 représente la valeur de la fluctuation des tensions de seuil Vth, sous forme de "l'écart type". Ainsi, par reconnaissance des régions classées par la couleur à la surface de l'image d'une tranche affichée sur un dispositif d'affichage, un utilisateur peut facilement reconnaître la distribution de la fluctuation des tensions de seuil Vth d'un transistor MOS formé à la surface d'une tranche. En pratique, l'appareil 1 de simulation effectue une simulation pour chacune des combinaisons des données de mesure D3 pour lesquelles les paramètres de traitement (doses et longueurs de grille) à la surface d'une tranche ou aux surfaces de plusieurs tranches présentent convenablement des fluctuations qui reflètent les influences des doses et des longueurs de grille à la surface d'une tranche sur les résultats de simulation, si bien qu'on peut estimer la fluctuation des valeurs des caractéristiques des dispositifs en fonction de chaque résultat de simulation. Dans ce cas, la distribution de la fluctuation des valeurs caractéristiques des dispositifs à la surface d'une tranche est provoquée par la "particularité" de chaque système de fabrication d'un circuit intégré et chaque sys- tème de fabrication a un diagramme intrinsèque particulier. L'appareil 1 de simulation peut calculer et estimer des valeurs caractéristiques du circuit intégré à semi-conduc- teur à fabriquer par chaque système de fabrication par collecte et mémorisation des données de mesure D3 qui peuvent varier d'un appareil de fabrication à un autre, dans la mémoire interne. Ensuite, on décrit le procédé d'affichage d'un résultat de simulation par l'appareil 1 en référence à l'ordinogramme de la figure 4. L'appareil i commence à l'étape de début RT1 et passe au pas SP1. A ce pas, l'appareil i détermine à l'aide du système 4 si les données Dl d'initialisation du type des données D3 de mesure utilisées pour l'exécution d'une simulation sont saisies par un utilisateur à l'aide du clavier de l'ordinateur personnel 2 ou non. Le résultat négatif dans ce cas indique que les données D1 d'initialisation ne sont pas transmises par un utilisa- teur si bien que le système 4 revient au pas SP1 pour répéter le traitement précité jusqu'à ce que les données d'initialisation Dl soient saisies. Une réponse affirmative au pas SP1 d'autre part indique que les données d'initialisation Dl sont transmises par un utilisateur. Le système 4 passe alors au pas SP2. Le contenu des données d'initialisation D1 est décrit dans la suite en référence aux figures 5A et 5B. Comme l'indique la figure 5A, les données d'initialisation D1 illustrent une opération de fabrication par implantation d'ions indiquée par "IMPL", avec application pour le traite- ment d'une implantation de bore sur une tranche à 20 keV, comme indiqué par "DOPANT = B" et "ENERGY = 20", elles indiquent les données de fluctuation des doses (nombre d'ions implantés) sous la forme "DEVI = DOSE", correspondant à l'écart, et enfin elles indiquent que les données de mesure D3 contenant la fluctuation de doses pour 49 points de mesure sont conservées dans un fichier appelé "WafData.imp." En outre, comme l'indique la figure 5B, les données d'initialisation Dl indiquent que la grille d'un transistor MOS est présente dans une plage de positions bidimen- sionnelles comprise entre 1,0 et 2,5 (c'est-à-dire que la longueur de la grille est égale à 2,5 - 1,0 = 1,5), par "MASK 1.0 2.5", elles indiquent qu'un objet à mesurer est une grille formée par utilisation d'un masque de grille par l'indication "PROP = GATE", elles indiquent des données selon lesquelles les longueurs de grille fluctuent d'une certaine longueur "DEVI = LENGTH" et elles indiquent fina- lement que les données de mesure D3 comprenant la fluc- tuation de longueurs de grille pour 49 points de mesure sont conservées dans un fichier appelé "WafData.gate". Au pas SP2, le système 4 de commande et de gestion de base de données lit les données de mesure D3 des doses et des longueurs de grille à 49 points mémorisés auparavant dans la mémoire interne à l'aide de l'unité centrale CPU, d'après les données d'initialisation D1. Ensuite, le système 4 transmet les données 1 à la section 5 de création de données de simulation et lance le pas SP3. Ensuite, les données D3 de mesure, c'est-à-dire les données du fichier "FILE = WafData.imp" et du fichier "FILE = WafData.gate", sont décrites en référence aux figures 6A et 6B. Comme l'indique la figure 6A, les données conservées dans le fichier "WafData.imp" indiquent les résultats de mesure de doses en 49 points de mesure à la surface d'une tranche. Par exemple, la valeur de la dose mesurée au point de mesure 1 indique la présence de 1,203e13 atomes par centimètre carré et la valeur de la dose mesurée au point de mesure 49 est égale à 1,013e13 atomes par centimètre carrée. En outre, comme l'indique la figure 6B, les données conser- vées dans le fichier "WafData.gate" indiquent les résultats mesurés des longueurs de grille pour 49 points de mesure à la surface d'une tranche. Par exemple, la valeur mesurée de la longueur de tranche au point 1 est égale à 1,5535 pumn et la valeur mesurée de longueur de grille au point de mesure 49 est égale à 1,6078 pm. Au pas SP3, le système 4 crée automatiquement les données D4 de simulation pour exécuter la simulation d'après les données de mesure D3 à l'aide de la section 5 et lance le pas SP4. Ensuite, le contenu des données D4 est décrit en référence à la figure 7. Par exemple, les affichages "IMPL", "DOPANT = B", "ENERGY = 20" et "DOSE = 1.203e13" de la figure 7 indiquent que la dose (nombre d'ions implantés) lors d'implantation de bore à 20 keV est égale à 1,203e13 atomes par centimètre carré, et "MASK 1.0 2.5535" indique que la longueur de grille est égale à (2,5535 - 1,0 =) 1,5535 pm. Ces données sont mesurées au point de mesure 1. Ainsi, les données D4 de simulation comprennent toutes les données qui sont créées automatiquement pour chacun des points de mesure 1 à 49. Au pas SP4, le système 4 soumet les données D4 au simulateur 7 par l'intermédiaire de la section 6 de trans- mission et lance le pas SP5. Au pas SP5, le système 4 provoque l'exécution par le simulateur 7 d'une simulation du traitement et d'une simulation des dispositifs d'après les données D4 de simulation, puis lance le pas SP6. Au pas SP6, le système 4 mémorise les données D5 et D6 de résultats de simulation qui indique les résultats de l'exécution des simulations par le simulateur 7A et le simulateur 7B du simulateur 7 dans la mémoire interne, qui transforme les données de résultats de simulation D5 et D6 à un format prédéterminé par l'intermédiaire de la section 8 de sortie et d'affichage et qui transmet les données transformées à l'ordinateur personnel 2 sous forme de données d'affichage D7 et D8. De cette manière, l'ordinateur personnel 2 affiche l'image de la distribution de la fluctuation de dose à la surface d'une tranche, de la distribution de la fluctuation des longueurs de grille et de la distribution de la fluctuation des valeurs des carac- téristiques des dispositifs à la surface d'une tranche sur le dispositif d'affichage, puis lance le pas SP7 pour terminer le traitement. Dans la structure précitée, l'appareil 1 de simulation lit les données D3 de mesure des doses et des longueurs de grille en 49 points de mesure à la surface d'une tranche à partir de la mémoire interne du système 4 par initialisation qui fixe un type de données de mesure D3 à utiliser pour la simulation par l'intermédiaire de la section 3 et crée des données D4 de simulation par la section 5. Ainsi, l'appareil 1 de simulation peut lire les données D3 dans la mémoire interne du système 4 et créer les données D4 de simulation par la section 5 par simple exécution d'une initialisation. De cette manière, il est possible d'omettre le travail de saisie par l'utilisateur des valeurs D3 des données mesurées une à une, si bien que la commodité de mise en oeuvre est accrue et le temps de traitement est réduit. L'appareil de simulation 1 peut alors fournir les données de résultat de simulation D5 et D6 par exécution des simulations par le simulateur 7 (simulateur de traitement 7A et simulateur de dispositif 7B) d'après les données D4 et il peut afficher l'image de la fluctuation des valeurs des caractéristiques des dispositifs due à la fluctuation des doses et à celle des longueurs de grille d'après les données D7 et D6 de résultats de simulation sous forme d'une distribution à la surface d'une tranche. Ainsi, l'appareil i de simulation peut afficher d'une manière très visible et efficace la fluctuation des valeurs caractéristiques des dispositifs d'un circuit intégré à semi-conducteur formé à la surface d'une tranche par classement par couleur de chaque zone sous forme d'une distribution, à la surface de la tranche, et d'un affichage d'image, d'une manière différente du cas classique de l'affichage d'un graphique sous forme d'une distribution normale. Ainsi, l'utilisateur peut reconnaitre instantané- ment la fluctuation des tensions de seuil à la surface d'une tranche par confirmation de l'affichage sur l'ordinateur personnel 2. Dans la structure précitée, l'appareil 1 peut facile- ment simuler l'influence de la fluctuation des données de mesure D3 de chacun des paramètres de traitement au cours de la fabrication à la surface d'une tranche, sur les valeurs des caractéristiques des dispositifs d'un circuit intégré à semi-conducteur et, en outre, il affiche très visiblement le résultat de la simulation sous forme d'une distribution de la fluctuation des valeurs caractéristiques des dispositifs d'un circuit intégré à semi-conducteur formé à la surface d'une tranche. Ainsi, un utilisateur peut confirmer la distribution de la fluctuation des valeurs caractéristiques des disposi- tifs à la surface d'une tranche et permet la réalisation d'un circuit intégré à semi-conducteur avec un résultat précis de simulation exécuté par l'appareil 1. En conséquence, il est possible d'omettre une opération de test par exécution d'une simulation, avec réduction du temps de conception par fabrication, si bien que le coût est considérablement réduit. Dans le mode de réalisation précité, on a décrit un cas dans lequel 49 points placés dans les parties prédéterminées sont mesurés après traitement, et les données obtenues de mesure D3 sont conservées dans la mémoire interne du système 4 sous forme d'un fichier. Cependant, l'invention n'est pas limitée à ce cas. Il est aussi possible de conserver les données de mesure obtenues par mesure de 81 points à la surface d'une tranche à chaque partie prédéterminée dans la mémoire interne du système 4 sous forme d'un fichier. Ainsi, par augmentation du nombre des points de mesure, il est possible d'afficher avec une plus grande précision la distribution des valeurs caractéristiques des dispositifs à la surface d'une tranche. En outre, dans le mode de réalisation précité, on a décrit le cas dans lequel la distribution de fluctuation des tensions de seuil Vth à la surface d'une tranche est affichée sous forme d'une image sur l'affichage de l'ordi- nateur personnel 2. Cependant, l'invention n'est pas limitée à ce cas. Il est aussi possible d'afficher les données comprenant des fluctuations de doses, de longueurs de grille et de tension de seuil Vth pour chaque point de mesure (1-49) sous forme d'un tableau formé par numérisation des données afin qu'un utilisateur puisse facilement reconnaître les données. En outre, dans le mode de réalisation précité, on décrit le cas dans lequel une dose et une longueur de grille sont utilisées comme données de mesure D3 lues à l'ini- tialisation. Cependant, l'invention n'est pas limitée à ce cas. Il est aussi possible d'utiliser les données de mesure D3 pour d'autres paramètres de traitement très divers comprenant l'épaisseur du film d'oxyde. Ainsi, il est possible d'afficher la fluctuation des courants de satura- tion Ids et des valeurs d'oscillation S en plus des tensions de seuil Vth utilisées comme valeurs caractéristiques des dispositifs, sous forme d'une distribution à la surface de la tranche. De plus, dans le mode de réalisation précité, on a décrit le cas dans lequel le système 4 comporte une unité centrale de traitement et une mémoire interne et constitue un dispositif à base de données. Cependant, l'invention n'est pas limitée à ce cas. Il est aussi possible d'utiliser un dispositif à base de données ayant un autre support de mémorisation, par exemple un disque dur à la place de la mémoire interne. En outre, dans le mode de réalisation précité, on a décrit le cas dans lequel un dispositif de saisie et d'établissement, constitué par le clavier et la section 3 de l'ordinateur personnel 2, est utilisé. Cependant, l'inven- tion n'est pas limitée à ce cas. Il est aussi possible d'utiliser divers dispositifs de saisie et d'établissement destinés à saisir et établir les données d'initialisation D1 par contact direct avec le dispositif d'affichage de l'ordinateur personnel 2 dans la mesure o les données d'initialisation D1 peuvent être saisies et rangées. En outre, dans le mode de réalisation précité, on a décrit le cas dans lequel le dispositif d'affichage formant la section de sortie et d'affichage 8 et le dispositif d'affichage de l'ordinateur personnel 3 étaient utilisés. Cependant, l'invention n'est pas limitée à ce cas. Il est aussi possible d'utiliser divers dispositifs d'affichage dans la mesure o la fluctuation des valeurs caracte- ristiques des dispositifs du circuit intégré à semi- conducteur peuvent être affichées sous forme d'une image de la distribution de la surface d'une tranche. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux appareils et procédés qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemple non limitatif sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Appareil de simulation des caractéristiques de dispositifs à semiconducteur, destiné à simuler la fluctuation des valeurs caractéristiques des dispositifs de plusieurs circuits intégrés à semi-conducteur formés sur un substrat semi-conducteur par application de plusieurs traitements au substrat semi-conducteur, l'appareil étant caractérisé en ce qu'il comprend: un dispositif générateur (5) de données de simulation destiné à créer des données de simulation pour l'exécution d'une simulation en fonction de données de mesure de plusieurs parties prédéterminées sur le substrat semi- conducteur après traitement, un dispositif (7) de simulation destiné à calculer les valeurs caractéristiques des dispositifs des circuits intégrés à semi-conducteur d'après les données de simulation, et un dispositif (8) d'affichage de la fluctuation des valeurs caractéristiques des dispositifs sous forme d'une distribution sur le substrat semi-conducteur. 2. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif générateur (5) de données de simulation crée des données de simulation en fonction des données de mesure lues dans un dispositif à base de données qui contient les données de mesure obtenues sur des parties prédéterminées par établissement des parties prédéterminées par un dispositif de saisie et d'établissement. 3. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif (7) de simulation calcule la fluctuation des données de mesure en fonction des données de simula- tion, et le dispositif (8) d'affichage affiche la fluctuation des données de mesure sous forme d'une distribution sur le substrat semi-conducteur. 4. Procédé de simulation des caractéristiques de dispositifs à semi-conducteur, destiné à simuler la fluctua- tion des valeurs caractéristiques de dispositifs de plusieurs circuits intégrés à semi-conducteur formés sur un substrat semi-conducteur par application de plusieurs traitements au substrat semi-conducteur, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend: une première étape de création de données de simulation destinée à l'exécution d'une simulation en fonction des données de mesure sur plusieurs parties prédéterminées du substrat semi-conducteur après traitement, une seconde étape de calcul des valeurs caracté- ristiques des dispositifs des circuits intégrés à semi- conducteur d'après les données de simulation, et une troisième étape d'affichage de la fluctuation des valeurs caractéristiques des dispositifs sous forme d'une distribution sur le substrat semi-conducteur. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la première étape crée des données de simulation en fonction des données de mesure lues dans le dispositif à base de données qui contient les données de mesure sur les parties prédéterminées par réglage des parties prédétermi- nées à l'aide du dispositif de saisie et d'établissement. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que: la seconde étape calcule la fluctuation des données de mesure d'après les données de simulation, et la troisième étape affiche la fluctuation des données de mesure sous forme d'une distribution sur le substrat semi- conducteur.