FR 2761812 A1 19981009 FR 9803247 A 19980317 AFFICHEUR A CRISTAL LIQUIDE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL AFFICHEUR > La présente invention concerne un afficheur à cristal liquide à matrice active (AMLCD) et plus particulièrement un afficheur à cristal liquide à matrice active comprenant un transistor en couche mince (TFT) et une électrode de pixel, qui est reliée au transistor, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel afficheur, dans lequel le nombre d'étapes de traitement en soi est réduit. Parmi les divers dispositifs d'affichage, des tubes à rayon cathodique (CRT) ont été largement utilisés pour afficher des images. Toutefois, les tubes à rayon cathodique sont remplacés par des afficheurs à panneaux plats du type en couche mince, du fait que les afficheurs à panneaux plats sont relativement tfins et présentent un poids faible. En outre, le temps de réponse et donc la qualité avec laquelle les 1 5 images animées peuvent être affichées par des dispositifs d'affichage à panneaux plats, est aussi rapide que celui des tubes à rayon cathodique. Les afficheurs à panneaux plats du type en couche mince font l'objet de recherches et d'études actives. Le principe de fonctionnement d'un afficheur à cristal liquide à matrice active utilise les caractéristiques de polarisation et d'anisotropie optique des matériaux à cristaux liquides. Les molécules de cristal liquide sont relativement fines et longues, et présentent des caractéristiques de direction et de polarisation. En utilisant ces caractéristiques, on peut contrôler, en générant de façon artificielle un champ élec- trique, la direction dans laquelle les molécules de cristal liquide sont disposées. En tfonction de la direction des molécules de cristal liquide. et en utilisant l'anisotropie optique du cristal liquide, on permet à la lumière de traverser le liquide ou on l'empêche de traverser le cristal liquide. Récemment, les afficheurs à cristal liquide à matrice active comprenant des transistors en couche mince et des électrodes de pixel disposées en rangées et en 3() colonnes ont fait l'objet d'une grande attention du fait qu'ils assurent une qualité d'image améliorée et des couleurs naturelles. La structure d'un afficheur à cristal liquide classique est décrite cidessous. L'afficheur à cristal liquide classique comprend deux panneaux qui présentent chacun de nombreux éléments, et une couche de cristal liquide formée entre les deux panneaux. Le premier panneau est aussi connu sous le norm de "panneau de filtrage chromatique" et contient les éléments nécessaires pour générer la couleur. Le panneau de filtrage chromatique comprend des filtres de couleur rouge (R). vert (G) et bleu (B), disposés séquentiellement de sorte à correspondre à une matrice d'électrode de pixel disposée sur le second panneau. Entre les filtres de couleur, on forme une matrice noire fine. La matrice noire clarifie les frontières entre les diffé- rents filtres de couleur, et empêche la génération du mélange des couleurs. Sur la couche de filtre de couleur, on forme une électrode commune. Cette électrode commune fonctionne en tant qu'électrode pour appliquer un champ électrique au cristal liquide. De l'autre côté d'un afficheur à cristal liquide classique, le second panneau comprend des éléments de commutation et des lignes conductrices pour appliquer un champ électrique au cristal liquide. Le second panneau est habituellement connu I 0 sous le nom de "panneau actif". Le panneau actif comprend une pluralité d'électrodes de pixel correspondant aux positions des pixels, qui sont formées sur un substrat transparent. Ces électrodes de pixel font face à l'électrode commune tformée sur le panneau de filtrage chromatique, et servent comme deuxième électrode pour appliquer un courant électrique au cristal liquide. 1 5 Dans la direction horizontale des électrodes de pixel. sont disposées une plura- lité de lignes de signaux, tandis qu'une pluralité de lignes de données sont disposées dans la direction verticale des électrodes de pixel. Au coin de chaque électrode de pixel, un transistor en couche mince est formé de sorte à appliquer un signal électrique au pixel. L'électrode de grille du transistor en couche mince est reliée à l'une des lignes de signal, et l'électrode de source du transistor en couche mince est reliée à l'une des lignes de données. La ligne de signal est aussi connue sous le nom de "ligne de grille". et la ligne de données est aussi connue sous le norm de "ligne de source". L'électrode de drain d'un transistor en couche mince est reliée à l'une des électrodes de pixel. Les portions d'extrémité de la ligne de grille et des lignes de source comprennent une borne ou pastille pour la réception de signaux appliqués depuis l'extérieur. Lorsqu'un signal électrique provenant d'une source externe est appliquée à une pastille de grille, le signal est transmis aux électrodes de grille sur toute la ligne de grille. La ligne de source transmet des données d'image appliquées depuis l'extérieur à la pastille de source et aux électrodes de source. L'électrode de grille contrôle si les données d'image provenant de l'électrode de source doivent être transmises à l'électrode de drain. Ainsi, en contrôlant les signaux appliqués à l'électrode de grille, on contrôle la transmission des signaux de données à l'électrode de drain. En consé- quence. les signaux de données peuvent être sélectivement transmis à l'électrode de pixel reliée à l'électrode de drain d'un transistor en couche mince. C'est dire que chaque transistor en couche mince fonctionne comme commutateur pour faire fonc- tionner l'électrode de pixel correspondante. 1)-)1 1X X t>1 11)9-2,:4 Les premier et second panneaux décrits ci- dessus sont séparés par une distance prédéterminée (connue comme l'ouverture de la cellule) et un matériau de cristal liquide est injecté entre les deux panneaux dans l'ouverture de la cellule. Sur la surface externe de chaque panneau, on forme un polariseur de sorte à transmettre slectivement la lumière provenant du panneau. Ceci complète la formation d'un panneau à cristal liquide, qui est un élément important de l'afficheur à cristal liquide. Le procédé de fabrication d'un panneau à cristal liquide classique est assez compliqué et nécessite de nombreuses étapes de fabrication différentes. En particu- lier, le panneau actif qui contient les transistors en couche mince nécessite de 1 0 nombreuses étapes de fabrication de telle sorte que la performance et la qualité du produit final dépendent de la façon dont ces étapes de fabrication compliquées sont réalisées. Il y a une probabilité plus faible qu'un défaut advienne dans le produit final, si on a bcsoin d'un nombre plus faible d'étapes de fabrication. En outre, le panneau actif contient de nombreux éléments importants qui peuvent être sujets à des I 5 défauts et qui affectent la performance de l'afficheur à cristal liquide. Ainsi, le fait de simplifier le procédé de fabrication pour le panneau actif joue un rôle important dans la production d'un afficheur à cristal liquide de qualité supérieure. - la figure 1 montre une vue partielle d'un panneau actif d'un afficheur à cristal liquide classique; et () - les figures 2a à 2g sont des vues en coupe transversale expliquant un procédé de fabrication classique d'un panneau actif, en coupe le long de la ligne 11-Il de la figure 1. Comme représenté sur les figures 1 et 2a, un alliage d'aluminium est déposé sur un substrat de verre transparent 1, et il est structuré par photolithographie de sorte à former une électrode de grille 11, une ligne de grille 13. une pastille de grille , une pastille de source 25. et une ligne de court-circuit 45. qui présentent chacun une forme prédéterminée. L'électrode de grille 1l 1 est disposée en un coin d'une des électrodes de pixel 41, lesquelles sont disposées sous forme de matrice. La ligne de grille 1 3 relie une pluralité d'électrodes de grille 1 1 disposées selon une direction. La 3() portion d'extrémité de la ligne de grille 13 comprend une pastille de grille 15. Par ailleurs. une pastille die source 25 est formée à la portion d'extrémité de la ligne de source 23 qui est formée au-dessus de la ligne de grille 13. La ligne de court-circuit relie toutes les pastilles de grille 15 et toutes les pastilles de source 25. Souvent. toutefois. sur la surface d'un matériau métallique contenant de *-5 l'aluminium, des projections en forme de dents, connues sous le nom de "monticules" ou excroissances sont formées, ce qui provoque des courts-circuits entre les couches voisines. Pour empêcher la formation de ces excroissances. on forme une couche d'oxyde anodisé 19 par anodisation. La ligne du court-circuit 45. l'électrode de grille. kRI' ' II(I'IK., '-1/ la ligne de données ct la pastille de grille qui contiennent de l'aluminium, ainsi que la pastille de source 25 sont utilisées en tant qu'anodes pour l'anodisation. Toutefois, la couche d'oxyde anodisé 19 ne transmet pas très bien l'électricité. En conséquence, si la couche d'oxyde anodisé 19 est formnie sur la surface de la pastille de grille 15 et de la pastille de sourcc 25. qui reçoivent des signaux électriques depuis l'extérieur, les signaux électriqucs r fcus ne sont pas transmis correctement. Pour éviter ce problème. la couche d'oxydc anodisé 19 n'est pas formée sur les surfaces de la pastille de grille 15 et de la pastille de source 25, comme représenté sur la figure 2b. Comme représenté sur la figure 2c, une couche d'oxyde de silicium ou de I 0 nitrure de silicium est déposée et structurée pour former une couche d'isolation de grille 17 sur le substrat 1. Sur cette couche d'isolation de grille 17, on dépose succes- sivement un matériau semi-conducteur intrinsèque tel que du silicium amorphe pur et un matériau semi-conducteur dopé aux impuretés tel que du silicium amorphe dopé aux impuretés, et on les structure par photolithographie de sorte à tformer une couche semi-conductrice 33 et une couche semi-conductrice dopée aux impuretés 35. Comme représenté sur la figure 2d. en utilisant la photolithographie. on struc- ture la couche d'isolation de grille 17 de sorte à former un premier trou de contact de grille 51 sur la pastille de grille 15. et un premier trou de contact de source 61 sur la pastille de source 25. Ces premiers trous de contact 51 et 61 sont formés à travers la couche d'isolation de grille 17 et découvrent des portions de la pastille de grille 15 et de la pastille de source 25. sur lesquelles ne s'étend pas la couche d'oxyde anodisé. Comme représenté sur la figure 2e. un matériau métallique tel que du chrome ou un alliage dc chlrome est déposé et structuré de sorte à former une électrode de source 21 sur un côté de la couche semi- conductrice 33, et une électrode de drain 31 de l'autre côté de la couche semi-conductrice 33. Dans ce cas, des contacts ohmiques sont formés entre la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 35 et l'électrode de source 21 et entre la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 35 et l'électrode de drain 31. Toutefois, si la couche semi- conductrice dopée aux impuretés est formée continûmient entre l'électrode de source 21 et l'électrode de drain 31. (30 les électrodes de source et de drain sont toujours dans uni état de connexion élec- trique et nIe peuvent pas lonctiolnner en tant que commutateurs. En conséquence, la portion de la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 35 entre les électrodes de source et dc drain 21 ct 31 doit être enlevée, par exemple par lithographie. Comme représenté en outre sur la figure 2e, une ligne de source 23 est formée, et, comme représenté sur la figure 1. s'étend dans une direction verticale de sorte à relier les électrodes de source 21. La ligne de source 23 est positionnée sensiblement perpendiculairement à la ligne de grille 13. A la portion d'extrémité de la ligne de source 23. on forme une électrode médiane de pastille de source 65 dans le premier trou de contact de source 61 de sorte à entrer en contact avec la pastille de source 25. Au dessus de la pastille de grille 15, on forme une électrode médiane de pastille de grille 55 dans le premier trou de contact de grille 51 de sorte à entrer en contact avec la pastille de grille 15. Comme représenté sur la figure 21; un matériau isolant, tel que l'oxyde de sili- cium ou du nitrure de silicium, est déposé sur toute la surface du substrat. La couche protectrice 37 est formée en structurant le matériau isolant par photolithographie, et définit un second trou de contact de grille 53 au voisinage de la pastille de grille 15. un second trou de contact de source 63 au voisinage de la pastille de source 25, et un I () trou de contact de drain 71 au voisinage de l'électrode de drain 31. Le second trou de contact de grille 53 découvre une portion de l'électrode médiane de pastille de grille , tandis que le second trou de contact de source 63 découvre une portion de l'électrode médiane de pastille de source 65, et que le trou de contact de drain 71 découvre une portion de l'électrode de drain 31. La ligne de court-circuit 45 destinée à relier les pastilles de grille 15 et les pastilles de source 25 n'est pas nécessaire pour l'afficheur à cristal liquide final. En conséquence, une portion de la ligne de courtcircuit 45 reliant la pastille de grille 15 et la pastille de source 25 l'un à l'autre est enlevée, ou alors l'ensemble de la ligne de courtcircuit 45 peut être éliminé. L'enlèvement peut être effectué par photolithographie (ce qui n'est pas représenté sur la figure 1 ou sur les figures 2a à 2g). Comme représenté sur la figure 2g. de l'oxyde d'étain d'indium (ITO) est déposé et structuré de sorte à former une électrode de pixel 41. une borne de connexion de la pastille de grille 57. une borne de connexion de la pastille de source 67. L'électrode de pixel 41 est reliée de drain 31 à travers le trou de contact de drain 71. La borne de connexion de la pastille de grille 57 est reliée à l'électrode médiane de pastille de grille 55 à travers le second trou de contact de grille 53. La borne de connexion de la pastille de source 67 est reliée à l'électrode médiane de la pastille de source 65 à travers le second trou de contact 63. Le procédé de fabrication décrit ci- dessus nécessite un traitement d'anodisation et implique au moins sept ou huit étapes consistant à structurer un utilisant un masque (ou étape de masquage). Si au moins l'une de ces étapes peut être éliminée, on réduit sensiblement le coût de fabrication ainsi que la durée de fabrication, et le rendement de production augmente. Dans un effort pour réduire le nombre d'étapes de masquage, on a développé une méthode qui élimine une ou deux étapes de masquage, et n'utilise pas de traitement d'anodisation. et qui est maintenant décrite. i1t 'X'- l:4 La figure 3 montre une vue partielle d'un afficheur à cristal liquide classique, et les figures 4a à 4f montrent des vues en coupe transversale expliquant la méthode simplifiée, en coupe de la ligne IV-IV de la figure 3. Comme représenté sur la figure 4a, un métal tel que de l'aluminium ou un alliage d'aluminium est déposé sur un substrat transparent I. et est structuré par photolithographie de sorte à former une ligne de grille de faible résistance 13a et une pastille de grille de faible résistance 15a. Les lignes de grille de faible résistance 13a sont disposées entre les électrodes de pixel 41 formées en matrice, et les pastilles de grille de faible résistance 15a sont formés aux portions d'extrémité des lignes de I) grille de faible résistance 1 3a. Commre décrit ci-dessus, des couches utilisant de l'aluminium ont tendance à former des excroissances ou monticules à la surface. En conséquence. un matériau métallique tel que chrome, du molybdène, du tantale ou de l'antimoine est déposé et structuré de sorte à former une ligne de grille 13 et une pastille de grille 15 au-dessus de la ligne de grille de faible résistance 13a et de la pastille de grille de faible résistance 15a. Et, comme représenté sur la figure 4b, une électrode de grille 1 1 en saillie par rapport à la ligne de grille 13 est formée. L'électrode de grille 11 est formée au coin d'un pixel correspondant comme représenté sur la figure 3. En outre, bien que sur la figure 4 on ait représelnté le matériau métallique tel que le chrome. le molybdène, le tantale ou l'antimoine recouvrant complètement la couche d'aluminium, seule une portion de la couche d'aluminium peut être couverte. Comme représenté sur la figure 4c, sur le substrat 1. on dépose un matériau isolant tel qu'un oxyde de silicium ou un nitrure de silicium de sorte à former une couche isolante 17. Sur la couche isolante 17, on dépose successivement un matériau semi-conducteur intrinsèque, tel que du silicium amorphe pur et un matériau semi- conducteur dopé aux impuretés, tel qu'un silicium amorphe présentant des impuretés. et on structure ces matériaux de sorte à former une couche semiconductrice et une couche semi-conductrice dopée aux impuretés 35. Comme représenté sur la figure 4d, un matériau métallique tel que du chrome ) ou un alliage de chrome est déposé et structuré de sorte à former une électrode de source 21 et une électrode de drain 31, une ligne de source 23 et iune pastille de source 25. L'électrode de source 21 est formée de sorte à recouvrir une portion de l'électrode de grille I I. les couches semi-conductrices et dopées aux impuretés 33 et étant disposées entre ces deux électrodes. L'électrode de drain 31 est formée de sorte à recouvrir une autre portion de l'électrode de grille 11. avec les couches semi- conductrices dopées aux impuretés 33 et 35 entre ces deux électrodes. Dans tous les cas. des contacts ohmiques sont formés entre l'électrode de source 2 1 et la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 35, et entre l'électrode de drain 31 et la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 35. En utilisant l'électrode de source et l'électrode de drain 21 et 31 comme masque, la couche semiconductrice dopée aux impuretés 35 est attaquée sélectivement de sorte à enlever la couche semi- conductrice dopée aux impuretés 35 entre l'électrode de source 21 et l'électrode de drain 31. Coomme représenté sur les figures 3 et 4d, la ligne de source 23 est disposée verticalement et est reliée aux électrodes de source 21. et la pastille de source 25 est formée à une portion d'extrémité de la ligne de source 23. Comme représenté sur la figure 4e, un matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium est déposé sur le substrat 1. présentant une élec- l O trode de source et une électrode de drain 21 et 31, de sorte à former une couche de protection 37. La couche de protection 37 et une portion du film d'isolation de grille sont structurés de sorte à lbrler un trou de contact de drain 71, un trou de contact de pastille de grille 59. ct un trou de contact de pastille de source 69. Le trou de contact de drain 71 découvre une portion de l'électrode de drain 31, le trou de contact de pastille de grille 59 découvre la pastille de grille 15 et le trou de contact de pastille de source 69 découvre la pastille de source 25. Comme représenté sur la figure 4f, on dépose sur la couche protectrice 37 un matériau conducteur transparent tel que de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) et on structure ce matériau de sorte à bformer une électrode de pixel 41. une borne de ) connexion à la pastille de grille 57 et une borne de connexion à la pastille de source 67. L'électrode de pixel 41 est reliée à l'électrode de drain 31 à travers le trou de contact de drain 71 la borne de connexion de pastille de grille 57 est reliée à la pastille de grille 15 à travers le trou de contact de pastille de grille 59. La borne de connexion de pastille de source 67 est reliée à la pastille de source 25 à travers le trou de contact de pastille de source 60. Comme décrit ci-dessus. le panneau actif de cet afficheur à cristal liquide est formé avec ou sans anodisation. Toutefois, ces deux procédés présentent des problèmes en ce qui concerne la portion de pastille de grille. Pour mieux expliquer ces problèmes de l'art antérieur, il est fait référence aux figures a-5b et 6, pour ce qui est du procédé utilisant l'anodisation, et du procédé sans anodisation. Les figures 5a et 5b montrent une vue en coupe transversale le long de la ligne V-V de la figure 1, et la figure 6 montre une vue en coupe transversale le long de la ligne VI-VI de la figure 3. Dans le procédé utilisant l'anodisation, la couche d'oxyde anodisé est composée d'un matériau hautement résistant à l'attaque chimique. de sorte à ne pas réagir à un agent d'attaque utilisé pour former le panneau actif. En référence à la figure 5a, dans le traitement de formation de la couche d'isolation de grille 17, de la couche semi- conductrice 33, de la couche semi-conductrice dopée aux impuretés. et du trou de contact de pastille de grille 51. la couche d'oxyde anodisé 19 formée au voisinage du IJ I( i' J " "t 'ag - 7I3 1 X bord extérieur de la borne de grille 15 bloque l'agent d'attaque au voisinage de l'épaulement formé par la couche d'isolation de grille 17 au-dessus de la borne de grille 15. de sorte à l'empêciher de s'écouler dans la pastille de grille 15. En outre, dans la suite. comme représenté sur la figure 5b. lorsque l'on tforme l'électrode médiane de pastille de grille 55. l'électrode médiane de pastille de grille 55 recouvre la surface entourant la pastille de grille 15, et protège la pastille de grille 15. Toutefois, l'utilisation de ce procédé d'anodisation nécessite de nombreuse étapes de masquage, ce qui augmente le nombre d'erreurs se produisant du fait que l'on ne positionne pas exactement les masques. I 1 Dans la seconde méthode, qui n'utilise pas d'anodisation, on réduit le nombre d'étapes de masquage. les erreurs qui en résultent, et on réduit le temps de fabrication par rapport à la méthode utilisant l'anodisation. Toutefois. lorsqu'on tforme la couche semi-colnductrice ou la couche semi-conductrice dopée aux impuretés. ou les élec- trodes de source et de drain, l'agent d'attaque provoque une sous- gravure de la 1 5 pastille de grille 15 à travers les épaulements de la ligne d'isolation de grille 17 recouvrant la pastille de grille 15, ce qui provoque des défauts dans la pastille de grille 15, comme représenté sur la figure 6. La présente invention concerne un afficheur à cristal liquide et un procédé de tfabrication d'un tel afficheur qui pallie sensiblement un ou plusieurs des problèmes () dûs aux limitations et aux inconvénients de l'art antérieur. Un ob jet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide qui protège la pastille de grille contre la pénétration d'un agent d'attaque, ainsi qu'un afficheur à cristal liquide formé en utilisant ce procédé. Un autre objet de la présente invention est de fournir un afficheur à cristal liquide et un procédé de fabrication d'un tel afficheur qui protège la portion de pastille de grille contre la pénétration de l'agent d'attaque. et qui fait en même temps diminuer la résistance de contact de la portion de pastille de grille. Ces objets ainsi que d'autres objets sont atteints grace à un procédé de fabrica- tion d'un atfficheur à cristal liquide comprenant les étapes de 3() formation SUr un substrat d'une ligne de grille. d'au moins une électrode de grille en saillie par rapport à la ligne de grille, et d'unte pastille de grille disposée à une portion d'extrémité de la ligne de grille, la pastille de grille présentant une periphérie - tformation d'une couche d'isolation de grille au-dessus dudit substrat et sur la ligne de grille. l'électrode de grille, et la pastille de grille; et - tormation d'une première pastille de grille factice sur la couche d'isolation de grille. au-dessus d'au moins une portion de la périphérie de la pastille de grille. Selon un mode dc réalisation. le procédé comprend en outre une étape d'attaque de la couche d'isolation de grille en utilisant la première pastille de grille factice comme masque pour former un trou de contact de pastille de grille découvrant une portion de la pastille de grille. ScSelon un mode de réalisation. le procédé comprend en outre une étape de formation d'une borne de pastille de grille sur la pastille de grille. et en contact avec la pastille de grille à travers ledit trou de contact de pastille de grille. Selon un autre mode de réalisation, I'étape de formation de la première pastille de grille factice forme la première pastille de grille factice en un matériau semi- I 0 conducteur. Selon encore un autre mode de réalisation, l'étape de formation de la première pastille de grille factice tforme la première pastille de grille factice en un matériau conducteur. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre l'étape de I 5 formation d'une seconde pastille de grille tfactice sur la première pastille de grille factice. Selon un autre mode de réalisation, I'étape de formation de la première pastille de grille factice forme la première pastille de grille factice à partir d'un matériau semi-conducteur; et en ce que l'étape de formation de la seconde pastille de grille () factice (119b) tfrme la seconde pastille de grille factice à partir d'un matériau conducteur. Selon encore Uin autre mode de réalisation, l'étape de formation de la première pastille de grille tfactice comprend les étapes de définition d'une structure dans iun matériau semi-conducteur pour former la première pastille de grille factice, et une couche semi-conductrice au-dessus de l'électrode de grille. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes de formation d'une structure dans une première couche conductrice pour former une électrode de drain sur une première portion de la couche semiconductrice sur un premier côté de l'électrode de grille et pour former une électrode de source sur une 3() seconde portion de la couche semiconductrice sur un second côté de l'électrode de grille À formation d'une couche de protection au-dessus dudit substrat: attaque sélective de la couche de protection pour formelr un trou de contact de drain découvrant l'électrode de drain et pour tformer une portion d'un trou de contact de pastille de grille au-dessus de la pastille de grille qui découvre une portion de la couche d'isolation de grille au-dessus de la pastille de grille et une portion de la première pastille de grille factice attaque sélective de la couche d'isolation de grille en utilisant la première pastille de grille factice comme masque pour complètement tformer ledit trou de contact de pastille de grille qui découvre une portion de la 1 o pastille de grille; et formation d'une structure dans un second materiau conducteur pour former une borne de pastille de grille en contact avec la pastille de grille à travers ledit trou de contact de pastille de grille, et pour former unile électrode de pixel en contact avec l'électrode de drain à travers le trou de contact de drain. Selon encore unll autre mode de réalisation, le procédé comprend: l'étape de formation de structure dans un premier matériau conducteur forme aussiune ligne de source reliée à l'électrode de source et une grille de source disposée à une portion d'extrémité de la ligne de source' l'attaque sélective de la couche de protection forme un trou de contact de pastille de source (169) qui découvre une portion de la I0) pastille de source; l'étape de formation d'une structure dans le second matériau conducteur forme une borne de pastille de source en contact avec la pastille de source à travers ledit trou de contact de pastille de source. Selon encore un autre mode de réalisation, l'étape de formation d'une structure dans le premier matériau conducteur forme aussi unile seconde pastille de grille 1 5 factice au-dessus de la première pastille de grille factice, et l'étape d'attaque sélective de la couche protectrice forme la portion dudit trou de contact de pastille de grille au-dessus de la pastille de grille et expose aussi une portion de la seconde pastille de grille factice. Selon encore un autre mode de réalisation, l'étape de formation d'une structure dans le premier matériau conducteur forme la seconde pastille de grille factice de telle sorte que ledit trou de contact de pastille de grille soit défini par des parois en pente progressive dirigées vers l'intérieur. Selon un autre mode de réalisation. les parois progressives dirigées vers l'intérieur présentent une structure cn escalier. Selon encore un autre mode de réalisation, la couche protectrice. la première pastille de grille factice et la couche d'isolation de grille définissent le trou de contact de grille avec des parois latérales ayant une structure en escalier. Selon encore un autre mode de réalisation, les étapes d'attaque sélective de la couche protectrice et d'attaque sélective de la couche d'isolation de grille sont 3() effectuées en une seule étape continue. Selon un mode (ie réalisation, le procédé comprend les étapes de formation d'unile structure dans un matériau semi-conducteur pour former unile couche semi-coliductrice au-dessus de l'électrode de grille; formation de la première pastille de grille factice comprend la formation d'une structure dans un premier matériau conducteur de sorte à former la première pastille de grille factice, à former une électrode de drain sur une première portion de la couche semi- conductrice sur un premier côté de l'électrode de grille et à former une électrode de source sur une seconde portion de la couche semi- conductrice sur un second côté de l'électrode de grille. Selon un autre mode de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes de - formation d'une couche protectrice au-dessus du substrat et attaque sélective de la couche protectrice pour tformer un trou de contact de drain découvrant l'électrode de drain, et pour former une portion d'un trou de contact de pastille de grille au-dessus de la pastille de grille. qui découvre une portion de la couche d'isolation de grille au-dessus de la pastille de grille et une I () portion de la première pastille de grille factice; et - attaque sélective de la couche d'isolation de grille en utilisant la première pastille de grille tfactice cormme masque pour former complètement le trou de contact de pastille de grille qui découvre une portion de la pastille de grille; - tormation d'une structure dans un second matériau conducteur pour former une borne de pastille de grille en contact avec la pastille de grille à travers le trou de contact de pastille de grille, et pour former une électrode de pixel en contact avec l'électrode de drain à travers le trou de contact de drain. Selon encore un autre mode de réalisation du procédé. l'étape de formation de la première pastille de grille factice forme aussi une structure dans ledit premier matériau conducteur pour former une ligne de source reliée à la source et une pastille de source disposée à une portion d'extrémité de la ligne de source; - I'étape d'attaque sélective de la couche protectrice tforme un trou de contact de pastille de source découvrant une portion de la pastille de source; et - l'étape de lormiation de structure dans un second matériau conducteur tforme une borne de pastille de source en contact avec la pastille de source à travers ledit trou de contact de pastille de source. Selon encore un autre mode de réalisation, l'étape de formation d'une ligne de grille comprend les étapes de - Ifo-rmation d'une structure dans un premier matériau conducteur pour 3() tformer sur ledit substrat une ligne de grille de faible résistance et une pastille de grille de faible résistance disposée à une portion d'extrémité de la lignie de grille de faible résistance et - formation d'une structure dans un second matériau conducteur pour tormer une ligne de grille sur au moins une portion de la ligne de grille de faible résistance et au moins une électrode de grille en saillie par rapport à la ligne de grille, ainsi qu'une pastille de grille disposée à une portion d'extrémité de la ligne de grille, et sur au moins une portion de la pastille de grille de faible résistance. De préférence, le premier matériau conducteur comprend de l'aluminium. Selon un mode de réalisation, le second matériau conducteur comprend du chrome, du molybdène, du tantale ou de l'antimoine. l'invention propose également, un afficheur à cristal liquide comprenant unll substrat > - une ligne de grille formée sur ledit substrat - au moins une électrode de grille en saillie par rapport à la ligne de grille sur ledit substrat; - une pastille de grille disposée à une portion d'extrémité de la ligne de grille sur ledit substrat, la pastille de grille présentant une périphérie; I ( - une couche d'isolation de grille formée au-dessus dudit substrat et sur la ligne de grille, l'électlrode de grille, et la pastille de grille et - une première pastille de grille factice tformée sur la couche d'isolation de grille et recouvrant au moins une portion de la périphérie de la pastille de grille. Selon un mode de réalisation de l'afficheur, la couche d'isolation de grille et la i 5 première pastille de grille factice définissent un trou de contact de pastille de grille qui expose une portion de la pastille de grille. Selon un mode de réalisation, l'afficheur comprend en outre une borne de pastille de grille formée au-dessus de la pastille de grille et en contact avec la pastille de grille à travers ledit trou de contact de pastille de grille. 2 comprend un matériau semi-conducteur. Selon encore un autre mode de réalisation, la première pastille de grille factice comprend un matériau conducteur. Selon un mode de réalisation, l'afficheur comprend en outre une seconde pastille de grille factice tformée sur la première pastille de grille factice. Selon un autre mode de réalisation, la première pastille de grille factice comprend un matériau semi-conducteur et en ce que la seconde pastille de grille factice comprend un matériau conducteur. Selon un mode de réalisation, l'afficheur comprend en outre - une couche semi-conductrice formée sur la couche d'isolation de grille au-dessus de l'électrode de grille; - une électrode de drain formée sur une première portion de la couche semi-conductrice sur un premier côté de l'électrode de grille - une électrode de source formée sur une seconde portion de la couche semi-conductrice sur un second côté de l'électrode de grille - une couche de protection formée au-dessus du substrat et dans laquelle est formé un trou de contact de drain découvrant l'électrode de drain "",., -N,,S12/;1 - la couche de protection, la première pastille de grille tfactice, et la couche d'isolation de grille définissent un trou de contact de pastille de grille qui expose une portion de la pastille de grille; et - l'afficheur comprend une borne de pastille de grille en contact avec la pastille de grille à travers le trou de contact de pastille de grille et une électrode de pixel en contact avec l'électrode de drain à travers ledit trou de contact de drain. Selon un mode de réalisation, l'afficheur comprend en outre - une ligne de source formée sur la couche d'isolation de grille et reliée à l'électrode de source O - une pastille de source disposée à une portion d'extrémité de la ligne de source; - la couche de protection définit un trou de contact de pastille de source découvrant une portion de la pastille de source, et l'afficheur comprend en outre une borne de pastille de source en contact avec la pastille de source à travers ledit trou de I 5 contact de pastille de source. Selon un mode de réalisation, l'afficheur comprend en outre - une seconde pastille de grille factice formée sur la première pastille de grille factice; et - la couche protectrice de la première pastille de grille factice et la seconde pastille de grille factice ainsi que la couche d'isolation de grille définissent le trou de contact de pastille de grille. Selon un autre mode de réalisation, les première et seconde pastilles de grille factices définissent ledit trou de contact de pastille de grille de sorte que les parois latérales dudit trou de contact de pastille de grille soit en pente progressive vers l'intérieur. Selon encore un autre mode de réalisation, les pentes présentent une structure en escalier. Selon encore un autre mode de réalisation, la couche protectrice. la première pastille de grille et la couche d'isolation de grille définissent le trou de contact de 3() pastille de grille avec des parois latérales en marche d'escalier Selon encore un autre mode de réalisation, la ligne de grille et la pastille de grille comprennent un premier matériau conducteur présentant une faible résistance et déposé sur ledit substrat, et un second matériau conducteur formé sur au moins une portion dudit premier matériau conducteur. De préférence, le premier matériau conducteur comprend de l'aluminium. Selon un mode de réalisation. le second matériau conducteur comprend du chrome. du molybdène, du tantale ou de l'antimoine. D'autres domaines d'application de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit. On comprendra que la description détail- lée et les exemples spécifiques, bien qu'ils indiquent des modes de réalisation préfé- res de l'invention. ne sont donnés qu'à titre d'illustration, et que diverses variations et modificationis dans l'esprit de l'invention apparaîtront à l'homme de l'art à la lecture Ldc la description. 'invenition sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui est donnée maintenant, en réfelérence aux dessins tfournis à titre d'illustration et qui montrent - la figure 1 montre une vue partielle d'un afficheur à cristal liquide formé par anodisation; - les figures 2a à 2g montrent une vue en coupe transversale expliquant un procédé classique de formation d'un afficheur à cristal liquide en utilisant une anodisation, en coupe le long de la ligne II-Il de la figure I; - la figure 3 montre un afficheur à cristal liquide classique tormié sans utiliser 1 5 d'anodisation - les figures 4a à 4f montrent des vues en coupe transversale expliquant le procédé classique de fabrication d'un afficheur à cristal liquide sans utiliser d'anodisation, en coupe le long de la ligne IV-IV de la figure 3; - les figures 5a et 5h montrent des vues en coupe transversale le long de la ligne V-V de la figure I pour expliquer la situation o l'agent d'attaque pénètre à travers la couche d'isolation de grille et ses portions d'épaulement - la figure 6 molntre une vue en coupe transversale le lolng de la ligne VI-VI de la figure 3 pour expliquer la situation o l'agent d'attaque pénètre à travers la coucLhe d'isolation dc grille et sa portion d'épaulement - la figure 7 montre une vue partielle d'un afficheur à cristal liquide selon les modes de réalisation de la présente invention - les figures 8a et 8f montrent des vues en coupe transversale expliquant un mode de réalisation d'un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide selon la présente invention, en coupe le long de la ligne VIII-VIII de la figure 3() 7 - les figures 9a à 9f sont des vues en coupe transversale le long de la ligne IX-IX de la figure 7 cxpliquant un autre mode de réalisation d'un procédé de fabrica- tion d'un afficheur à cristal liquide selon la présente invention - les figures l0 Oa à l 0f montrent des vues en coupe transversale le long de la ligne X-X de la figure 7 expliquant un autre mode de réalisation d'un procédé de tfabrication d'un afficheur à cristal liquide selon la présente invention; et - les figures I la à 1 1c mlontrent différentes portions de pastilles de grille d'un afficheur à cristal liquide selon les modes de réalisation de la présente invention. Dans la présente invention, afin de simplifier le procédé de fabrication pour lhbriquer un afficheur à cristal liquide, on n'utilise pas d'anodisation. En même temps, afin de protéger la pastille de grille ou la pastille de source contre la pénétration d'un agent d'attaque. on utilise les méthodes suivantes: Sur un substrat, un premier matériau conducteur contenant de l'aluminium est déposé et structuré de sorte à former une ligne de grille. une électrode de grille et I ( une pastille de grille. En utilisant un premier matériau d'isolation. on forme une couche d'isolation de grille recouvrant la ligne de grille. d'électrode de grille, et la pastille de grille. Sur la couche d'isolation de grille, on dépose successivement un matériau semi-conducteur intrinsèque et un matériau semi-conducteur dopé aux impuretés, et on les structure de sorte à former respectivemenit une couche semi- conductrice et une couche semi-conductrice dopée aux impuretés, en recouvrant l'électrode de grille. On forme alors une couche semiconductrice tfactice, et une couche semi-conductrice dopée aux impuretés factice, de sorte à former une pastille de grille factice au-dessus d'une portion de bord ou de la périphérie de la pastille de grille. En utilisant une seconde couche conductrice contenant du chrome, une électrode de source, une électrode de drain, une ligne de source et une pastille de source sont formées par dessus. En outre, en plus de la pastille de grille à semi- conducteur factice. ou à sa place, on forme une pastille de grille factice réalisée en une seconde couche conductrice. autour de la portion de bord extérieur de la pastille cIe grille ou de la périphérie de la pastille de grille. Sur l'électrodc de source, l'électrode de drain et la ligne de source, la pastille de source et la pastille de grille factice, on forme une seconde couche isolante servant de couche de protection. Dans la couche de protection, on forme un trou de contact de drain, un trou de contact de pastille de grille, et un trou de contact de pastille de source. Sur la couche protectrice, on dépose un matériau conducteur transparent et on le structure de sorte ) à former une électrode de pixel destinée à rentrer en contact avec l'électrode de drain à travers le trou de contact de drain, une borne de connexion à la pastille de grille destinée à être reliée à la pastille de grille à travers le trou de contact de pastille de grille, et une borne de connexion de pastille de source destinée à rentrer en contact avec la pastille de source à travers le trou de contact de pastille de source. La pastille de grille semi-conducteur factice, et/ou la pastille de grille conducteur factice, sert comme couche de protection contre l'attaque pour la pastille de grille. En utilisant les exemples ci-dessous, la présente invention est maintenant décrite plus en détail. I I IMIt v S' 1"1 I. /,4 La figure 7 montrc une vue partielle d'un afficheur à cristal liquide selon les modes de réalisation de la présente invention et les figures 8a à 8f montrent des vues en coupe transversale le long de la ligne VIII-VIII de la figure 7. Dans ces exemples, on décrit le procédé pour former une pastille de grille factice en utilisant un matériau semi-conducteur. Comme représenté sur la figure 8a, on dépose sur un substrat en verre transpa- rent 101 de l'aluminium, et on le structure par photolithographie de sorte à former une ligne de grille de faible résistance I 1 3a et une pastille de grille de faible résistance 115a. La ligne de grille de faible résistance I 1 3a est positionnée à l'endroit ) o la ligne de grille 113 sera tormée, tandis que la pastille de grille de faible résistance 115 a est positionnée à l'endroit o la pastille de grille 115 doit être formée. Comme représenté sur la figure 8b, sur la ligne de grille de faible résistance 113a et sur la pastille de grille de faible résistance 115a. on dépose un métal tel que 1 5 du chrome, du molybdène, du tantale ou de l'antimoine, et on le structure de sorte à former une électrode de grille 11 1. une ligne de grille 1 13 et une pastille de grille 1 15. L'électrode de grille 111 est disposée à un coin de l'électrode de pixel corres- pondante 141. La ligne de grille 113 est disposée dans une direction de sorte à relier une pluralité d'électrodes de grille I I 1 et recouvre la ligne de grille de faible résis- tance 1 13a. Dans cc cas, la ligne de grille 1 13 peut être formée de sorte à recouvrir complètement la ligne de grille de faible résistance 113a. ou à recouvrir partielle- ment la ligne de grille de faible résistance 1 13a. La pastille de grille 1 15 est formée à la portion d'extrémité de la ligne de grille 1 13 et recouvre la pastille de grille 1 1 Sa de faible résistance d'une mallière similaire à celle dont la ligne de grille 11 3 recouvre la ligne de grille de faible résistance 1 1 3a. Commlle représenté sur la figure 8c, une couche d'isolation de grille 117 est lfrmée en déposant de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium sur le substrat 101. Sur la couche d'isolation de grille 117. on dépose successivement un matériau semi-conducteur intrinsèque tel que du silicium amorphe pur, et un matériau semi- 3() conducteur dopé aux impuretés tel qu'un silicium amorphe avec des impuretés, et on structure ces matériaux dc sorte à lbrmer une couche semii-conductrice 133 et une couche semi-conductrice dopée aux impuretés 135 qui recouvre l'électrode de grille 1 I 1. Autour de la périphlérie de la pastille de grille I 15 5 à l'endroit des épaulements de la couche d'isolation de grille 117 sont disposés, on forme une pastille de grille factice 115b formée de la couche semi-conductrice 133 et de la couche semi- conductrice dopée aux impuretés 135. La pastille de grille factice 115b sert de couche de protection contre l'agent d'attaque, pour la pastille de grille 115. Comme représenté sur la figure 8d. on dépose du chrome ou un alliage de chrome sur le substrat, y compris sur la couche semi-conductrice 133 et la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 135. et on structure ce chrome ou cet alliage de chrome de sorte à lformer une électrode de source 121, une électrode de drain 131, une ligne de source 123 et une pastille de source 125. L'électrode de source 121 est formée de sorte à recouvrir une partie de l'électrode de grille 111, et l'électrode de drain 131 est formée de sorte à recouvrir une partie de l'autre côté de l'électrode de grille 111, avec, entre les différentes électrodes, la couche semi-conductrice 133 et la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 135. Des contacts ohmiques sont formés entre l'électrode de source 121 et la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 135 d'une part, et entre l'électrode de drain 1 31 et la couche semi-conduc- trice dopée aux impuretés 135 d'autre part. En utilisant l'électrode de source 121 et l'électrode de drain 131 comme masque. la couche semiconductrice dopée aux impuretés 135 est attaquée sélectivement de sorte à enlever complètement la portion de la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 135 formée entre l'électrode de drain 131 et l'électrode de source 121. Du fait que ce traitement d'attaque enlève aussi le matériau semi-conducteur dopé aux impuretés utilisé pour former la pastille de grille factice 115b entourant la périphérie de la pastille de grille 115. la pastille de grille factice 1 1 Sb ne contient que la couche semi-conductrice 133 formée d'un maté- riau semi-conducteur intrinsèque. Comme représenté sur la figure 7. la ligne de source 123 s'étend dans une direction verticale et est reliée aux électrodes de source 121. La pastille de source 125 est formée à la portion d'extrémité de la ligne de source 123. Comme représenté sur la figure 8e, un matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium est déposé et est structuré de sorte à former une couche protectrice 137 au-dessus du substrat 101. y compris sur l'électrode de source 121. La couche protectrice 137 comprend un trou de contact de drain 171 formé au dessus de l'électrode de drain 131, et un trou de contact de pastille de grille 1 59 au dessus de la pastille de grille 115. On expose ou on découvre à travers le trou de () contact de pastille de grille 159 une portion de la pastille de grille factice 115b. En utilisant la pastille de grille factice 11 5b comme masque, on procède à une attaque continue de sorte à enlever la portion de la couche d'isolation de grille 117 recouvrant la pastille de grille 115 et à exposer une portion de la pastille de grille 1 I à travers le trou de contact de pastille de grille 159. On forme aussi un trou de contact de pastille de source 169 au-dessus de la pastille de source 125. Du fait que l'on forme la couche d'isolation de grille 117 et la couche de protection 137 du même matériau, par exemple du nitrure de silicium. on peut ne procéder qu'à l'attaque sélective de ces couches lors du traitement d'attaque continu, la pastille de grille factice 115b servant de masque pendant ce traitement d'attaque continu. En outre. la couche protectrice 131, la pastille de grille factice 115b, et la couche d'isolation de grille 117 définissent une paroi latérale avec des épaulements pour le trou de contact de pastille de grille 159. Colmme représenté sur la figure 8t, un matériau conducteur transparent tel que de l'ITO (oxyde d'étain et d'indium) est déposé sur la couche protectrice 137 et est structuré de sorte à former une électrode de pixel 141, une borne de connexion de la pastille de grille 157 et une borne de connexion à la pastille de source 167. L'électrode de pixel 141 est reliée à l'électrode de drain 131 à travers le trou de I () contact de drain 171. La borne de connexion de la pastille de grille 157 est reliée à la pastille de grille factice 115bh et à la pastille de grille 115 à travers le trou de contact de pastille de grille 159. La borne de connexion de la pastille de source 167 est reliée à la pastille de source 125 à travers le trou de contact de pastille de source 169. Dans cet exemple, on utilise la couche semi-conductrice 133 contenant un matériau semi-conducteur intrinsèque pour entourer les épaulements de la couche d'isolation de grille 117 (c'est-à-dire pour recouvrir la périphérie de la pastille de grille 115). En conséquence. le matériau semi-conducteur empêche qu'un agent d'attaque pénètre à travers les portions les plus faibles (au voisinage ou sur les épaulements) de la couche d'isolation de grille 117. Les figures 9a à 9f montrent des vues en coupe transversale le long de la ligne IX-IX de la figure 7, et illustrent un autre mode de réalisation d'un procédé de tfabri- cation d'un afficheur à cristal liquide selon la présente invention. Dans cet exemple. on décrit un procédé permettant de former une pastille de grille tfactice en utilisant un matériau métallique tel que chrome, qui est aussi utilisé pour former des élec- trodes de source et de drain. Comme représenté sur la figure 9a, on dépose sur un substrat de verre transpa- rent 101 de l'aluminium, et on le structure par photolithographie de sorte à former une ligne de grille de faible résistance 113a et une pastille de grille de faible résis- tance 115a. La ligne de grille de faible résistance 1 13a est positionnée là ou la ligne 3() de grille 113 doit être formée. La pastille de grille de faible résistance 1 1 Sa est posi- tionnée là o la pastille de grille 115 doit être formée. Comme représenté sur la figure 9b, un métal tel que du chrome. du molybdène. du tantale ou de l'antimoine est déposé sur la ligne de grille à faible résistance 113a et sur la pastille de grille à faible résistance 115a et est structuré de sorte à former une électrode de grille 1 1 1. une ligne de grille 113 et une pastille de grille 115. Une pluralité d'électrodes de grille 11 sont disposées de telle sorte que chaque électrode de grille 111 soit formée à un coin d'une électrode de pixel correspondante dans une matrice. La ligne de grille 1 13 s'étend dans une direction horizontale de sorte à relier I I II ''11C:"'IX;4 I'9 une pluralité d'électrodes de grille 111 et recouvre la ligne de grille de faible résistance 113a, ou recouvre partiellement cette ligne de grille de faible résistance. * Dans ce cas, la ligne de grille 113 peut recouvrir complètement la ligne de grille de faible résistance 113a. A la portion d'extrémité de la ligne de grille 1 13a, la pastille d(le grille 1 15 est lformée. et recouvre la pastille de grille de faible résistance 1 1Sa. de laçon similaire à celic dont la ligne de grille 113 recouvre la ligne de grille de faible résistance I 1 3a. Comme représenté sur la figure 9c, de l'oxyde de silicium ou du nitrure de sili- cium sont déposés sur le substrat 101, y compris sur l'électrode de grille 111, la ligne de grille 113 et la pastille de grille 115, de sorte à tformer une couche d'isolation de grille 117. Sur la couche d'isolation de grille 117, on dépose successivement un matériau semi-conducteur intrinsèque tel que du silicium amorphe pur. et un maté- riau semi-conducteur dopé aux impuretés tel que du silicium amorphe présentant des impuretés. et on structure ce matériau de sorte à tformer une couche semi-conductrice I 5 133 et une couche semi-conductrice 135 dopée aux impuretés qui recouvre l'électrode de grille 1 1 1. Comme représenté sur la figure 9d, on dépose sur le substrat 101 du chrome ou de l'alliage de chrome, et on le structure de sorte à former une électrode de source 121, une électrode de drain 131, une ligne de source 123, une pastille de source 125, 2() et une pastille de grille factice 116b. L'électrode de source 121 est formée de sorte à recouvrir un côté de l'électrode de grille I 1I et l'électrode de drain 131 est formée de sorte à recouvrir l'autre côté de l'électrode de grille 111, avec entre ces électrodes et l'électrode de rille, la couche semi- conductrice 133 et la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 135. Les contacts ohmiiques sont formés entre. d'une part, l'électrode de source 121 et la couche semi-conductrice dopée aux impuretés et, d'autre part, entre l'électrode de drain 131 et la couche semi-conductrice dopée aux impuretés. En utilisant l'électrode de source 121 et l'électrode de drain 131 comme masque, on attaque sélectivement la couche semi- conductrice dopée aux impuretés 135. de sorte à complètement enlever la portion de cette coucheformée entre 3) I'électrode de source 121 ct l'electrode de drain 131. Commoe représenté sur la figure 7. la ligne de source s'étend dans une direction et relie une pluralité d'électrodes de source 121. La pastille de source 125 est formée à l'extrémité de la ligne de source 123. La pastille de grille factice 116b recouvre les épaulements de la couche d'isolation de grille 117 et entoure la périphérie de la pastille de grille 115. La pastille de grille factice 116b sert de couche de protection contre l'attaque pour la pastille de grille 115. (C'omme représenté surL la figure 9e, un matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium est déposé sur le substrat 101. compris sur l'électrode de source 121, de sorte à former une couche de protection 137. La couche de protection 137 est structurée de sorte à former un trou de contact de drain 171 au- dessus de l'électrode de drain 131, et à former un trou de contact de pastille de grille 159 sur la pastille de grille 115, qui découvre une portion prédéterminée de la pastille de grille tfactice 1l 6h. En utilisant la pastille de grille lfactice 116b comme masque, on procède à un traitement d'attaque continu de sorte à attaquer la couche d'isolation de grille 1 17 recouvrant la pastille de grille 115 et à exposer une portion de la pastille de grille 115 à travers le trou de contact de pastille de grille 159. Ensuite, on ftbrme un trou de contact de pastille de source 169 au voisinage de la pastille de source 125. En formant la couche d'isolation de grille 117 et la couche de protection 137 dans le même matériau, par exemple du nitrure de silicium, on peut procéder à une attaque sélective de ces couches seules lors de traitements d'attaque continus, la pastille de grille factice 116b servant de masque pendant ce traitement d'attaque continu. En outre, la couche protectrice 137, la pastille de grille factice 116b. et la couche d'isolation de grille 117 définissent une paroi présentant des épaulements pour le trou de contact de pastille de grille 159. Comme représenté sur la figure 9f, un matériau conducteur transparent, tel que de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) est déposé sur la couche protectrice 137 et est structuré de sorte à tformer une électrode de pixel 141, une borne de connexion de pastille de grille 157. et une borne de connexion cIe pastille de source 167. l'électrode de pixel 141 est reliée à l'électrode de drain 1 ',5 à travers le trou de S5 contact de drain 171. La borne de connexion de pastille de grille 157 est reliée à la pastille de grille factice I1 6b et à la pastille de grille 1 15 à travers le trou de contact de pastille de grille 159. La borne de contact de pastille de source 167 est reliée à la pastille de source 125 à travers le trou de contact de pastille de source 169. Dans cet exemple, on utilise un métal contenant du chrome, qui sert à former 3() l'électrode de source 121. pour entourer les épaulements de la couche d'isolation de grille 117 recouvrant la pastille de grille 115. En conséquence. on empêche un agent d'attaque de pénétrer à travers les portions faibles (sur ou au voisinage des épaule- ments) de la couche d'isolation de grille 1 17. En outre. du fait que la pastille de grille factice 116b est électriquement reliée à la pastille de grille 115, et à la borne de connexion de la pastille de grille 157, la résistance constante de la pastille de grille 1 15 est diminuée. Les figures 1 Oa à 1 0f montrent des vues en coupe transversale le long de la ligne X-X de la figure 7 et illustrent un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal i II ll ' l. 1 "" 20)/;4 liquide selon un autre mode de réalisation de l'invention. Dans cet exemple, on décrit un procédé permettant de former une pastille de grille factice en utilisant un matériau semi-conducteur et un métal, qui forment l'électrode de source et contiennent du chrome. Comme représenté sur la figure 10a. on dépose de l'aluminium sur un substrat de verre transparent 101, et on le structure par photolithographie de sorte à former une ligne de grille de faible résistance 1 1 3a et une pastille de grille de faible résis- tance 11 Sa. La ligne de grille de faible résistance I 1 3a est positionnée là o la ligne de grille 113 doit être lformée, et la pastille de grille de faible résistance 1 1 5Sa est I t formée là o la pastille de grille 115 doit être formée. Comme représenté sur la figure lob, un métal tel que du chrome, du molvb- dène, du tantale ou de l'antimoine est déposé sur le substrat 101. Le métal est struc- turé de sorte à former une électrode de grille 111. une ligne de grille 113 et une pastille de grille 115. Comme représenté sur la figure 7, les électrodes de grille 111 I 5 sont disposées de telle sorte que chaque électrode de grille 1 1 soit formée à un coin d'un pixel correspondant d'une matrice. La ligne de grille 113 s'étend dans une direction horizontale et relie les électrodes de grille 111 et recouvre la ligne de grille de faible résistance 1 1 3a. La ligne de grille 113 peut complètement recouvrir la ligne de grille de faible résistance I 1 3a, ou peut seulement partiellement recouvrir la ligne de grille de faible résistance 1 13a. La pastille de grille 115 est formée à la portion d'extrémité de la ligne de grille 113 et recouvre la pastille de grille de faible résis- tance 115a d'une manière similaire à celle dont la ligne de grille 113 recouvre la ligne de grille de faible résistance I 1 3a. Colmmle représenté sur la figure 1 Oc, de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium est dépose sur le substrat 101 de sorte à tformer une couche d'isolation de grille 117. Sur la couche d'isolation de grille 117. on dépose successivement un matériau semi-conducteur intrinsèque tel que du silicium amorphe pur et un matériau semi- conducteur dopé aux impuretés tel que du silicium amorphe présentant des impuretés et on structure ces matériaux de sorte à former une couche semi-conduc- trice 133 et une couche semi-conductrice dopée aux impuretés 135 respectivement. Uine première pastille de grille factice 119a est aussi formée autour de la pastille de grille 115 au voisinage des épaulements de la couche d'isolation de grille 117 qui recouvre la pastille de grille 115. La premiere pastille de grille factice 119a est composée de la coucilhc semi-conductrice 133 et de la couche semi-conLductrice dopée aux impuretés 135. Comme représenté sur la figure 10Od, on dépose du chrome ou de l'alliage de chrome sur le substrat 101, y compris sur la couche semi-conductrice 133 et sur la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 135, et on structure ce chrome ou cet alliage de chrome de sorte à forimer unile électrode de source 121. Lile électrode de drain 131. une ligne de source 123 et une pastille de source 125. ainsi qu'une seconde pastille de source tfactice 119b. L'électrode de source 121 est tformée de sorte à recouvrir un côté de l'électrode de grille 111 tandis que l'électrode de drain 131 est disposée de sorte à recouvrir l'autre côté de l'électrode de grille 111, avec, entre ces électrodes, des électrodes de grille 111, la couche semi-conductrice 133 et la couche semi-conductricc dopée aux impuretés 135. Un contact ohmique est formé d'une part entre l'électrode de source 121 et la couche semi-conductrice dopée aux impuretés 135 et d'autre part entre l'électrode de drain 131 et la couche semi- 0I () conductrice dopée aux impuretés 135. En utilisant l'électrode de source 121 et l'électrode de drain 131 commle masques. on attaque unile portion de la couche semi- conductrice dopée aux impuretés 135 de sorte à complètement enlever cette couche semi-conductrice dopée aux impuretés entre l'électrode de source 121 et l'électrode de drain 131. En même temps, le matériau de couche semi-conductrice dopée aux impuretés utilisé pour former la première pastille de grille factice I119a entourant la pastille de grille 1 15 est enlevé en utilisant la seconde pastille de grille 119b en tant que masque. Comme représenté sur la figure 7, la ligne de source 123 s'étend dans une direction verticale de sorte à relier les électrodes de source 121. A l'extrémité de la ligne de source 123, on forme une pastille de source 125. La seconde pastille de rille factice 119b recouvre la première pastille de grille factice I 19a composée d'un matériau semi-conducteur. En conséquence, dans cet exemple. on forme une pastille de grille factice présente une structure double composée de matériau semi-conduc- teur et d'un métal, par exemple du chrome. Les première et seconde pastilles de grille factices 1 1 9a et I 19b servent de couche de protection contre l'attaque pour la pastille de grille 115. Commre représenté sur la figure 10e. un matériau isolant. tel que de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium, est déposé sur le substrat 101 de sorte à former une couche de protection 137 et est structuré pour former un trou de contact de drain 171 au-dessus de l'électrode de drain 131. Au dessus de l'électrode de grille 1l 1 5, on torme de trou de contact de pastille de grille 159 pour exposer des portions prédé- terminées des premièrc et seconde pastilles de grille factices I 1 9a et 1 9b. On procède à unile attaque continue en utilisant les première et seconde pastilles de grille factices I 1 9a et 11 9b comme masque pour attaquer la couche d'isolation de -rille 117 recouvrant la pastille de grille 115 et pour exposer la pastille de grille 115 à travers le trou de contact de pastille de grille 159. Sur la pastille de source 125, on tforme un trou de contact de pastille de source 169. En formant la couche d'isolation de grille 117 et la couche de protection 137 à partir du même matériau, par exemple du nitrure de silicium. on peut ne procéder à une attaque sélective que de ces couches lors du traitement d'attaque continu, la première et la seconde pastilles de grille factices 119a et 119b servant de masque pendant ce traitement d'attaque continu. En outre. la couche protectrice 137 des première et seconde pastilles de grille 119a et 119b. et la couche d'isolation de grille I 17, définissent une paroi à épaulement pour le trou de contact de pastille de grille 159. Comme représenté sur la figure 10f, un matériau conducteur transparent tel que de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO), est déposé sur la couche protectrice 137, et est structuré pour former une électrode de pixel 141, une borne de connexion de pastille de grille 157, et une borne de connexion de pastille de grille 167. L'électrode de pixel 141 est reliée à l'électrode de drain 131 à travers le trou de contact de drain 171. La borne de connexion de pastille de grille 157 est reliée à la première pastille de grille factice 119a, à la seconde pastille de grille factice 119b et à la pastille de grille 115 à travers le trou de contact de pastille de grille 159. La borne de connexion de pastille de source 167 est reliée à la pastille de source 125 à travers le trou de contact de pastille de source 169. Dans cet exemple, on utilise la couche semi-conductrice 133 contenant un matériau semi-conducteur intrinsèque ainsi que du chrome, qui forme l'électrode de source 121, pour entourer les épaulements de la couche d'isolation de grille 117 2() recouvrant la pastille de grille 115. En conséquence, on empêche efficacement la pénétration d'un agent d'attaque à travers les portions faibles (sur ou au voisinage des épaulements) de la couche d'isolation de grille 1 17. Les exemples ci-dessus décrivent différentes méthodes pour former une pastille de grille factice entourant et recouvrant la portion périphérique de la pastille de grille 115. Les figures I l a à I l c montrent différentes configurations de la pastille de grille factice I1 5b selon les modes de réalisation de l'invention. Comme représenté sur la figure 1 1a, la pastille de grille factice 1 1 5b entoure complètement et recouvre la pastille de grille 115. Comme représenté sur la figure 1 lb, la pastille de grille factice 115b peut recouvrir partiellement la portion o la 3() pastille de grille 115 rencontre la ligne de grille 113, sans recouvrir un côté ou un bord de la pastille de grille 115. Comme représenté sur la figure I 1c. la pastille de grille factice 115b peut recouvrir partiellement la pastille de grille 115, sauf sur l'endroit o la pastille de grille 115 rencontre la ligne de grille 113. Bien que ces différentes configurations de la pastille de grille factice aient été décrites pour la pastille de grille factice 115b, ces configurations s'appliquent aussi aux pastilles de grille factices décrites dans les autres modes de réalisation de la présente invention. La présente invention a pour objet d'empêcher les défauts dans la portion de pastille de grille provoquée par la pénétration d'un agent d'attaque. Dans la présente invention, après avoir formé la couche d'isolation de grille. on forme une pastille de grille factice, avec au moins un matériau semi-conducteur et'ou un métal. au-dessus de la périphérie de la pastille de grille, de sorte à empêcher l'agent d'attaque de pénétrer à travers les épaulements de la couche d'isolation de grille. ODans un mode de réalisation, pendant la bormiation de la couche semniconduc- trice intrinsèque et de la couche semi-conductrice dopée aux impuretés, on forme une pastille de grille factice au-dessus de la couche d'isolation de grille recouvrant la périphérie extérieure de la pastille de grille. En conséquence. on empêche l'agent d'attaque de pénétrer à travers les épaulements de la couche d'isolation de grille 1 0 recouvrant la pastille de grille. De la sorte, en protégeant la pastille de grille, on limite les défauts horizontaux de luminance. Dans un mode de réalisation, pendant la formation des électrodes de source et de drain. on forme une pastille de grille factice au-dessus de la couche d'isolation de grille recouvrant la périphérie externe de la pastille de grille. iEn conséquence, on I empêche l'agent d'attaque de pénétrer à travers les épaulements de la couche d'isolation de grille recouvrant la pastille de grille. En outre, du tfait que la pastille de grille factice est composée d'un matériau métallique, et que la pastille de grille factice est reliée à la pastille de grille, la résistance de contact de la pastille de grille est diminuée. En conséquence, en protégeant la pastille de grille et en diminuant la résistance de la pastille de grille et de la ligne, on empêche les défauts de luminance horizontaux. Dans un autre mode de réalisation, une première pastille de grille factice est forimée avec un matériau semi-conducteur, et une deuxième pastille de grille factice, qui recouvre la première pastille de grille factice, est formée avec le même matériau métallique qui est utilisé pour former l'électrode de source. Dans ce cas. du fait que des pastilles de grille factices sont formées pendant différentes étapes de fabrication, chacune est utilisée pour empêcher la pénétration d'agents d'attaque à différentes étapes de fabrication. En outre, du fait que la seconde pastille de grille factice comprend un matériau métallique, la résistance de contact au voisinage de la pastille de grille est réduite, ce qui limite les défauts horizontaux de luminrance. Par ailleurs, en tformant des première et seconde pastilles de grille de difftrentes tailles. on forme une pente douce au voisinage du trou de contact de grille, ce qui empêche l'érosion partielle de la borne de connexion à la pastille de grille, qui est formée en oxyde d'étain et d'indium (ITO). L'invention ayant été décrite, il est évident qu'elle est susceptible de nombreuses variations accessibles à l'homme de l'art. : I ['k' I I c x - 1 l. 'S - 24/14 REVENDICATIONS 1.- Un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide comprenant les étapes de: - formation sur un substrat d'une ligne de grille (113a. 113). d'au moins une électrode de grille ( 111) en saillie par rapport à la ligne de grille, et d'une pastille de grille ( 15a, 115) disposée à une portion d'extrémité de ladite ligne de grille, ladite pastille de grille présentant une périphérie - formation d'une couche d'isolation de grille (1 17) au-dessus dudit substrat et 0 Osur ladite ligne de grille, ladite électrode de grille, et ladite pastille de grille: et - formation d'une première pastille de grille factice (1I 1 5b 1 1 6b, 1 1 9a) sur ladite couche d'isolation de grille (1 17), au-dessus d'au moins une portion de la péri- phérie de ladite pastille de grille. I5 2.- Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de: - attaque de ladite couche d'isolation de grille (119) en utilisant ladite première pastille de grille factice comme masque pour former un trou de contact de pastille de grille (159) découvrant une portion de ladite pastille de grille. 3.- Le procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de: - formation d'une borne de pastille de grille (157) sur ladite pastille de grille. et en contact avec ladite pastille de grille à travers ledit trou de contact de pastille de grille ( 159). 4.- Le procédé selon l'une des revendications I à 3. caractérisé en ce que l'étape de formation de la première pastille de grille factice forme ladite première pastille de grille factice (1 5b, 119a) en un matériau semi-conducteur. ( 5.- Le procédé selon l'une des revendications I à 3. caractérisé en ce que l'étape de formation de la plremière pastille de grille factice forme la première pastille de grille factice ( 1 6b) en un matériau conducteur. 6.- Le procédé selon l'une des revendications I à 4. caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape de formation d'une seconde pastille de grille factice (119b) sur ladite première pastille de grille factice. 7.- Le plrocedé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape de formation de la première pastille de grille factice forme ladite première pastille de grille factice à partir d'un matériau semi- conducteur; et en ce que l'étape de tformation de la seconde pastille de grille factice (I 19b) forme ladite seconde pastille de grille factice à partir d'un matériau conducteur. 8.- Le procédé selon l'une des revendications 1 à 4. 6 ou 7, caractérisé en ce que l'étape de tormation de ladite première pastille de grille factice comprend les étapes de: I 0 - définition d'une structure dans un matériau semi-conducteur pour former ladite première pastille de grille factice, et une couche semi-conductrice (133) au- dessus de ladite électrode de grille ( 111). 9.- Le procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en I 5 outre les étapes de - formation d'une structure dans une première couche conductrice pour former une électrode de drain (131) sur une première portion de ladite couche semi- conductrice (1 33) sur un premier côté de ladite électrode de grille (111) et pour former une électrode de source (121) sur une seconde portion de ladite couche semi-conductrice (133) sur un second côté de ladite électrode de grille (111); - formation d'une couche de protection (137) au-dessus dudit substrat; - attaque sélective de ladite couche de protection pour former un trou de contact de drain (171) découvrant ladite électrode de drain (1 3 1) et pour former une portion d'un trou de contact de pastille dc grille (159) au-dessus de ladite pastille de grille qui découvre une portion de ladite couche d'isolation de grille (117) au-dessus de ladite pastille de grille et une portion de ladite première pastille de grille factice; - attaque sélective de ladite couche d'isolation de grille (1 1 7) en utilisant ladite première pastille de grille factice comme masque pour complètement former () ledit trou de contact de pastille de grille (159) qui découvre une portion de ladite pastille de grille (115) et - ftormation d'une structure dans un second matériau conducteur (141) pour former une borne de pastille de grille (157) en contact avec ladite pastille de grille à travers ledit trou de contact de pastille de grille (159). et pour former une électrode de pixel (141) en contact avec ladite électrode de drain (131) à travers ledit trou de contact de drain. 10.- Le procédé selon la revendication 9. caractérisé en ce que - l'étape de formation de structure dans un prelmier matériau conducteur forme aussi une ligne de source reliée à ladite électrode de source et une grille de source (125) disposée à une portion d'extrémité de ladite ligne de source; - en cc que l'attaque sélective de ladite couche de protection (137) forme un trou de contact de pastille de source (169) qui découvre une portion de ladite pastille de source; - et en ce que ladite étape de formation d'une structure dans le second matériau conducteur forme une borne de pastille de source (167) en contact avec ladite I( Opastille de source (125) à travers ledit trou de contact de pastille de source (169). 1 I.- Le procédé selon la revendication 9 ou 10, caractérisé en ce que ladite étape de formation d'une structure dans le premier matériau conducteur forme aussi une seconde pastille de grille factice ( 1 9b) au-dessus de ladite première pastille de grille factice (119a), et en ce que ladite étape d'attaque sélective de ladite couche protectrice forme ladite portion dudit trou de contact de pastille de grille (159) au- dessus de ladite pastille de grille et expose aussi une portion de ladite seconde pastille de grille factice ( 1 1 9b). 2 grille (I 59) soit dfétni par des parois en pente progressive dirigées vers l'intérieur. 13.- Le proccdé selon la revendication 12, caractérisé en ce que lesdites parois progressives dirigées vers l'intérieur présentent une structure en escalier. 14.- Le procédé selon l'une des revendications 9 à 13 caractérisé en ce que () ladite couche protectrice, ladite première pastille de grille factice et ladite couche d'isolation de grille ( 1 1 7) définissent ledit trou de contact de grille ( 1 59) avec des parois latérales ayant une structure en escalier. 15.- Le procédé selon l'une des revendications 9 à 14. caractérisé en ce que les étapes d'attaque sélective de la couche protectrice et d'attaque sélective de la couche d'isolation de grille sont effectuées en une seule étape continue. 16.- Le procedé selon la revendication 1, 2. 3 ou 5, caractérisé en ce qu'il comprend l'étape de - formation d'une structure dans un matériau semi-conducteur pour former une couche semi-conductrice ( 133) au-dessus de l'électrode de grille ( 1 11); - et en ce que l'étape de folbrmation de ladite première pastille de grille factice (1 1 6b) comprend la lformation d'une structure dans un premier matériau conducteur de sorte à former ladite première pastille de grille factice, à former une électrode de drain ( 131) sur une première portion de ladite couche semi- conductrice sur un premier côté de l'électrode de grille et à former une élec- I 1 trode de source ( 121) sur une seconde portion de ladite couche semi-conduc- trice sur un second côté de ladite électrode de grille. 17.- Le procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes de - formation d'une couche protectrice ( 137) au-dessus dudit substrat: et - attaque sélective de ladite couche protectrice pour former un trou de contact de drain (171) découvrant ladite électrode de drain, et pour former une portion d'un trou de contact de pastille de grille (159) au-dessus de ladite pastille de grille (115). qui découvre une portion de ladite couche d'isolation de grille au- dessus de ladite pastille de grille et une portion de ladite première pastille de grille factice (116h) et - attaque sélective de ladite couche d'isolation de grille (117) en utilisant ladite première pastille de grille factice (116b) comme masque pour former complè- tement ledit trou de contact de pastille de grille (159) qui découvre une portion de ladite pastille de grille (115); - formation d'une structure dans un second matériau conducteur pour former une borne de pastille de grille (157) en contact avec ladite pastille de grille (115) à travers ledit trou de contact de pastille de grille (159), et pour former une élec- trode de pixel (141) en contact avec ladite électrode de drain (131) à travers ledit trou de contact de drain ( 171). 18.- Le procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que - l'étape de formation de ladite première pastille de grille factice (116b) forme aussi une structure dans ledit premier matériau conducteur pour former une ligne de source reliée à ladite source (121) et une pastille de source (125) disposée à une portion d'extrémité de ladite ligne de source (123) ladite étape d'attaque sélective de la couche protectrice (137) torme un trou de contact de pastille de source (169) découvrant une portion de ladite pastille de source (125); et - ladite étape de formation de structure dans un second matériau conducteur 52 forme une borne de pastille de source (167) en contact avec ladite pastille de source (1 25) à travers ledit trou de contact de pastille de source (169). 19.- Le procédé selon l'une des revendications I à 18, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une ligne de grille comprend les étapes de: I 0 formation d'une structure dans un premier matériau conducteur pour former sur ledit substrat ( 101) une ligne de grille de faible résistance (I 1 3a) et une pastille de grille de faible résistance ( 115 Sa) disposée à une portion d'extrémité de ladite ligne de grille de faible résistance; et - formation d'une structure dans un second matériau conducteur pour former une ligne de grille (113) sur au moins une portion de ladite ligne de grille de faible résistance (113a) et au moins une électrode de grille en saillie par rapport à ladite ligne de grille, ainsi qu'une pastille de grille (1 15) disposée à une portion d'extrémité de ladite ligne de grille (113), et sur au moins une portion de ladite pastille de grille de faible résistance (1 13a). 20.- Le procédé selon la revendication 19, dans lequel le premier matériau conducteur comprend de l'aluminium. 21.- Le procédé selon la revendication 19 ou 20, caractérisé en ce que le second matériau conducteur comprend du chrome, du molybdène, du tantale ou de l'antimoine. 22.- Un afficheur à cristal liquide comprenant - un substrat ( 101): 3() - une ligne de grille (113. 13a) formée sur ledit substrat; - au moins une électrode de grille (111) en saillie par rapport à ladite ligne de grille sur ledit substrat; - une pastille de grille (1 15, 115a) disposée à une portion d'extrémité de ladite ligne de grille sur ledit substrat, ladite pastille de grille présentant une périphé- rie; - une couche d'isolation de grille (117) formée au-dessus dudit substrat et sur ladite ligne de grille. ladite électrode de grille, et ladite pastille de grille: et une première pastille de grille factice ( 115b. 116b. 119a) formée sur ladite couche d'isolation de grille (117) et recouvrant au moins une portion de ladite périphérie de ladite pastille de grille. 23.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 22, caractérisé en ce que ladite couche d'isolation de grille (117) et ladite première pastille de grille factice définissent un trou de contact de pastille de grille qui expose une portion de ladite pastille de grille. 24.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 23, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une borne de pastille de grille (157) formée au-dessus de ladite pastille de grille et en contact avec ladite pastille de grille (1 15) à travers ledit trou de contact de pastille de grille (159). I5 25.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 22, 23 ou 24, carac- térisé en ce que la première pastille de grille factice ( 1 5b, 1 1 9a) comprend un maté- riau semi-conducteur. 26.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 22, 23 ou 24, carac- térisé en ce que ladite première pastille de grille factice (1 6b) comprend un maté- riau conducteur. 27.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 22, 23, 24 ou 25. caractérisé en ce qu'il comprend en outre une seconde pastille de grille hfactice (119b) 2 5 formée sur ladite première pastille de grille factice. 28.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 27, caractérisé en ce que ladite première pastille de grille factice (119a) comprend un matériau semi- conducteur et en ce que la seconde pastille de grille factice (119b) comprend un 3() matériau conducteur. 29.- Un afficheur à cristal liquide selon l'une des revendications 22 à 28. caractérisé en ce qu'il comprend en outre: - une couche semi- conductrice (133) formée sur ladite couche d'isolation de grille (117) au-dessus de ladite électrode de grille (111); - une électrode de drain (131) formée sur une première portion de ladite couche semi-conductrice sur un premier côté de ladite électrode de grille: une électrode de source ( 121) formée sur une seconde portion de ladite couche semi-conductrice sur un second côté de ladite électrode de grille; une couche de protection (137) formée au-dessus du substrat et dans laquelle est formé un trou de contact de drain (171) découvrant ladite électrode de drain et en ce que ladite couche de protection (I 17), ladite première pastille de grille factice. et ladite couche d'isolation de grille définissent un trou de contact de pastille de grille (159) qui expose une portion de ladite pastille de grille; et len ce qu'il comprend une borne de pastille de grille (157) en contact avec ladite (1 0 pastille de grille à travers ledit trou de contact de pastille de grille et une élec- trode de pixel (141) en contact avec ladite électrode de drain (131) à travers ledit trou de contact de drain. 30.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 29, caractérisé en ce I 5 qu'il comnprend en outre: - une ligne de source (123) formée sur ladite couche d'isolation de grille (117) et reliée à ladite électrode de source (121); - une pastille de source (125) disposée à une portion d'extrémité de ladite ligne de source; 0- et en ce que ladite couche de protection (137) définit un trou de contact de pastille de source (169) découvrant une portion de ladite pastille de source (125), et en ce qu'il comprend en outre une borne de pastille de source (167) en contact avec ladite pastille de source à travers ledit trou de contact de pastille de source. 31 I.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 29 ou 30, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: - une seconde pastille de grille factice (I1 9b) formée sur ladite première pastille de grille factice (I 19a); et - en ce que ladite couche protectrice de ladite première pastille de grille factice et ladite seconde pastille de grille factice ainsi que ladite couche d'isolation de grille définissent ledit trou de contact de pastille de grille. 32.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 31, caractérisé en ce que les première et seconde pastilles de grille factices définissent ledit trou de contact de pastille de grille de sorte que les parois latérales dudit trou de contact de pastille de grille soit en pente progressive vers l'intérieur. 33.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 32, caractérisé en ce que lesdites pentes présentent une structure en escalier. 34.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 29. caractérisé en ce que ladite couche protectrice, ladite première pastille de grille et ladite couche d'isolation de grille définissent ledit trou de contact de pastille de grille (159) avec des parois latérales en marche d'escalier. 35.- Un afficheur à cristal liquide selon l'une des revendications 22 à 34, I 0 caractérisé en ce que ladite ligne de grille et ladite pastille de grille comprennent un premier matériau conducteur (1 1 3a, I 15a) présentant une faible résistance et déposé sur ledit substrat, et un second matériau conducteur (113. 115) formé sur au moins une portion dudit premier matériau conducteur. I 5 36.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 35, caractérisé en ce que ledit premier matériau conducteur comprend de l'aluminium. 37.- Un afficheur à cristal liquide selon la revendication 35 ou 36, caractérisé en ce que ledit second matériau conducteur comprend du chrome, du molybdène, du tantale ou de l'antimoine.