FR 2771182 A1 19990521 FR 9805986 A 19980506 PROCEDE ET SYSTEME DE TEST D'UN CIRCUIT INTEGRE A FONCTIONNEMENT SANS CONTACT, ET D'UNE CAPACITE D'ENTREE D'UN TEL CIRCUIT INTEGRE La présente invention concerne un procédé et un système de test d'un circuit intégré comprenant une capacité d'entrée prévue pour former, avec une bobine d'antenne, un circuit récepteur résonant de fréquence propre prédéterminée. La présente invention concerne de façon générale les circuits intégrés fonctionnant sans contact ou les circuits intégrés à deux modes de fonctionnement, avec ou -sans contact. A titre de rappel, la figure 1 représente très schématiquement la structure d'un circuit intégré 1 fonctionnant sans contact, du type monté dans les cartes à puces sans contact, les étiquettes électroniques et autres dispositifs portables fonctionnant sans contact. Le circuit 1 comprend essentiellement un étage d'entrée , un circuit redresseur 15, un circuit démodulateur 20, un circuit modulateur 21 et une unité centrale 22 comprenant par exemple un microprocesseur et une mémoire EEPROM. L'étage d'entrée 10 est un circuit résonant parallèle comprenant essentiellement une capacité d'entrée Cin, intégrée dans le silicium, et au moins une bobine d'antenne il connectée aux bornes de la capacité Cin par l'intermédiaire de plots de connexion 12. La fréquence de résonance ou fréquence propre Fp de l'étage 10 fait l'objet d'une réglementation et est généralement de 13,56 MHz. 2 2771182 Lorsque le circuit intégré 1 est plongé dans un champ magnétique alternatif Fld de fréquence Fp, émis par exemple par une station 30 équipée d'une bobine 31, une tension alternative Vac apparaît dans la bobine il par induction électromagnétique. Cette tension Vac, pouvant atteindre les 40 Volts, est transformée par le circuit redresseur 15 en une tension continue Vcc d'alimentation du circuit intégré. Par ailleurs, la tension Vac est démodulMe au moyen du circuit 20 pour la réception de données DTIN, ou modulée par le circuit 21 pour l'émission de données DTOUT à la station 30 selon la technique classique de modulation de charge. Diverses autres techniques classiques peuvent être prévues pour la réception ou l'émission de données, par exemple au moyen de signaux infrarouges, radioélectriques,... Dans tous les cas cependant, l'activation du circuit intégré 1 par induction nécessite que l'étage d'entrée 10 soit excité par un champ magnétique. Comme les autres circuits intégrés, les circuits 0 sans contact sont fabriqués collectivement sur une plaquette mère de silicium, ou "wafer". Toutefois, à ce stade de la fabrication, l'étage d'entrée 10 n'est pas achevé et ne comprend pas la bobine d'antenne 11. Ce n'est qu'après la découpe de la plaquette mère, quand chaque circuit intégré est monté individuellement sur un support (par exemple une carte plastique), que la bobine d'antenne 11il est connectée à la capacité Cin et que l'étage d'entrée 10 devient opérationnel. Les circuits intégrés sont alors activés par un champ magnétique et sont testés électriquement afin d'éliminer ceux qui sont défectueux. Etant donné que les rendements de fabrication des circuits intégrés sont passables et qu'une plaquette mère contient généralement divers circuits présentant des dysfonctionnements, ce tri des circuits défectueux après 3 2771182 montage sur un support et connexion à une bobine d'antenne entraîne un gaspillage important de main d'oeuvre et de matière première, qui grève le coût de revient des dispositifs portables fonctionnant sans contact. Aussi, la présente invention propose de mettre en oeuvre une méthode de test "sur wafer" permettant d'évaluer les caractéristiques électriques des circuits sans contact avant la découpe des plaquettes mères de silicium. En pratique, la mise en oeuvre d'une telle méthode de test sur "wafer" nécessite que l'on applique sur l'étage d'entrée de chaque circuit une tension de test simulant la tension alternative Vac reçue par induction. Cette tension de test doit être de l'ordre de 20 à 40 Volts crête à crête et sa fréquence de l'ordre des 13,.56 MHz. Or, il s'avère que les générateurs de signaux H.F. les plus performants disponibles dans le commerce délivrent des tensions n'excédant pas les quelques volts, qui ne permettent pas d'activer des circuits intégrés fonctionnant par induction. Ainsi, un objectif de la présente invention est de prévoir une méthode et un système permettant d'appliquer sur l'étage d'entrée d'un circuit intégré sans contact dépourvu de sa bobine d'antenne une tension de test H.F. pouvant atteindre plusieurs dizaines de volts. Un autre objectif de la présente invention est de fournir une telle tension avec un courant d'alimentation important, pouvant atteindre la centaine de milliampères ou plus. Ces objectifs sont atteints grâce à un procédé de test d'un circuit intégré comprenant une capacité d'entrée prévue pour former, avec une bobine d'antenne, un circuit récepteur résonant de fréquence propre prédéterminée, procédé applicable au circuit intégré 4 2771182 avant sa connexion à une bobine d'antenne et comprenant les étapes consistant à connecter la capacité d'entrée du circuit intégré à une inductance de test choisie pour former avec la capacité d'entrée un circuit de test résonant ayant une fréquence de résonance sensiblement égale à la fréquence propre dudit circuit récepteur résonant, et exciter le circuit de test résonant au moyen d'un signal alternatif, par l'intermédiaire d'un premier transformateur. Selon un mode de réalisation, on prévoit un premier transformateur présentant sur son enroulement secondaire une inductance de fuite formant tout ou partie de l'inductance de test. Selon un mode de réalisation, on prévoit un premier transformateur de type toroidal dont les enroulements primaire et secondaire ne se recouvrent pas. -Selon-un mode de réalisation, l'inductance de test comprend l'lnductance parasite d'une liaison électrique présente entre l'enroulement secondaire du premier transformateur et la capacité d'entrée du circuit intégré. Selon un mode de réalisation, l'enroulement secondaire du premier transformateur est connecté aux bornes de la capacité d'entrée au moyen de pointes métalliques. Selon un mode de réalisation, le procédé est appliqué au test de la capacité d'entrée du circuit intégré et/ou au test d'un moyen de connexion de la capacité d'entrée à une bobine d'antenne, et comprend les opérations consistant à mesurer le courant traversant le primaire du premier transformateur, et mesurer la tension présente aux bornes de la capacité d'entrée. Selon un mode de réalisation, le courant traversant le primaire du premier transformateur est mesuré sur le secondaire d'un second transformateur dont le primaire 2771182 est connecté en série avec le primaire du premier transformateur. Selon un mode de réalisation, la tension présente aux bornes de la capacité d'entrée est mesurée sur le secondaire d'un troisième transformateur dont le primaire est connecté aux bornes de la capacité d'entrée. La présente invention prévoit également un système de test d'un circuit intégré comprenant une capacité d'entrée prévue pour former, avec une bobine d'antenne, un circuit récepteur résonant de fréquence propre prédéterminée, système comprenant un premier transformateur connecté par son enroulement primaire à une source de tension ou de courant alternatif, et des moyens de connexion de l'enroulement secondaire du transformateur aux bornes de la capacité d'entrée du circuit intégré. Selon....un...-..mode de de réalisation, le premier transformateur présente sur son enroulement secondaire une inductance de fuite formant avec la capacité d'entrée du circuit intégré un circuit de test résonant dont la fréquence de résonance est sensiblement égale à la fréquence propre dudit circuit récepteur résonant. Selon un mode de réalisation, le circuit de test résonant comprend une inductance parasite présente dans lesdits moyens de connexion. Selon un mode de réalisation, le système comprend un premier transformateur de type toroïdal. Selon un mode de réalisation, les moyens de connexion comprennent une carte à circuit imprimé pourvue de pointes métalliques. Selon un mode de réalisation, le système comprend des moyens de mesure du courant traversant le primaire du premier transformateur, et des moyens de mesure de la tension présente aux bornes de la capacité d'entrée. 6 2771182 Selon un mode de réalisation, les moyens de mesure du courant traversant le primaire du premier transformateur comprennent un second transformateur dont le primaire est connecte en série avec le primaire du premier transformateur. Selon un mode de réalisation, les moyens de mesure de la tension présente aux bornes de la capacité d'entrée comprennent un troisième transformateur dont le primaire est connecté aux bornes de la capacité d'entrée. Ces caractéristiques et avantages de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante du procédé et du système de test selon l'invention, en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: - la figure 1 précédemment décrite est un schéma électrique représentant sous forme de blocs un circuit intégré..s.ans contact. - les figures 2 et 3 sont des schémas électriques représentant divers modes de réalisation d'un système de test selon l'invention d'un circuit intégré sans contact dépourvu de sa bobine d'antenne, - la figure 4 représente très schématiquement un banc de test selon l'invention, - la figure 5 représente une variante du système de test de la figure 2 permettant le test d'une capacité d'entrée du circuit intégré, - la figure 6 illustre une application de l'invention au test d'un circuit intégré sans contact connecté à un micromodule de carte à puce. La figure 2 représente un système de test 50 selon l'invention et illustre le procédé de l'invention. On retrouve sur cette figure le circuit intégré 1 de la figure 1, ici dépourvu de bobine d'antenne. Dans un souci de simplicité, seuls sont représentés la capacité d'entrée Cin et les plots de connexion 12. 7 2771182 Selon l'invention, la capacité d'entrée Cin du circuit intégré est connectée en série à une inductance de test Lt choisie pour satisfaire la relation (1) Lt = l/(4I Fp Cin) de manière à former, avec la capacité Cin, un circuit de test résonnant 45 dont la fréquence de résonance est sensiblement égale à la fréquence Fp. Comme on l'a indiqué au préambule, la fréquence Fp est la fréquence propre de l'étage d'entrée 10 du circuit intégré 1 lorsque celui-ci est équipé d'une bobine d'antenne, et est généralement de 13,56 MHz selon les normes en vigueur. Le circuit de test 45 ainsi réalisé est connecté à l'enroulement secondaire 40 d'un transformateur 41 recevant sur son enroulement primaire 42 la sortie d'un amplificateur tension/courant 44. L'amplificateur 44 est piloté sur son entrée IN par un signal alternatif St d'une amplitude de quelques Volts seulement, de fréquence Fp, et délivre au primaire 42 du transformateur un courant alternatif It de même fréquence. Ainsi, avantageusement, à partir d'un signal alternatif St de faible valeur et par effet de résonance, on génère aux bornes de la capacité Cin une tension de test Vt de grande amplitude pouvant atteindre sans difficulté les 40 Volts crête à crête. La prévision d'un amplificateur 44 présentant une réponse linéaire, alimenté par exemple par des tensions symétriques +15 V et -15 V, permet si cela est nécessaire de fournir au circuit intégré un courant d'alimentation important, de l'ordre de plusieurs centaines de milliampères. Comme autre avantage, le transformateur 41 isole électriquement le circuit intégré de l'amplificateur 44 (la tension de test Vt est flottante) et offre une protection naturelle contre les courts-circuits. x 2771182 Selon une variante avantageuse du procédé de l'invention illustrée en figure 3, le transformateur 41 vu de son enroulement secondaire 40 est conçu pour présenter une inductance de fuite Lf2 satisfaisant la relation (1) ci-dessus. Dans ce cas, le circuit de test résonant 45 est formé par l'inductance de fuite Lf2 du transformateur et la capacité Cin. Pour fixer les idées, le transformateur 41 est représenté en figure 3 par son schéma équivalent, établi conformément aux règles de l'art. La référence 41-1 désigne un transformateur idéal. L'enroulement primaire 42 est schématisé par une résistance R1 en série avec une inductance de fuite Lfl du primaire, et une inductance magnétisante Lm en parallèle. L'enroulement secondaire 40 est schématisé par une résistance R2 (pouvant être considérée comme négligeable) en série avec l'inductance de fuite Lf2, qui constitue ainsi, à elle seule, l'inductance de test Lt. En pratique, la réalisation d'un transformateur présentant sur son secondaire une inductance de fuite satisfaisant la relation (1) est à la portée de l'homme de l'art et nécessite divers essais de mise au point. L'inductance de fuite peut être ajustée en changeant la géométrie des couches primaires et secondaires du transformateur, et est choisie de préférence à sa valeur maximale (pour une structure de transformateur donnée) de manière que le courant de mode commun à l'entrée du primaire soit le plus faible possible. Selon l'invention, on propose de réaliser un transformateur de type toroïdal dont le noyau est constitué d'une matière présentant, à30 la fréquence Fp, une bonne perméabilité magnétique et des pertes magnétiques faibles. De préférence, les spires du primaire et du secondaire ne se recouvrent pas afin d'obtenir une inductance de fuite importante. Des essais réalisés par la demanderesse au moyen d'un tore ferromagnétique d'un diamètre de 10 mm en matériau 4C65 9 2771182 Phillips ont donné de bons résultats. Le transformateur réalisé comportait 10 spires au primaire et au secondaire et une inductance de fuite de l'ordre des 700 nH. Il convient également de prendre en compte, en pratique, les inductances parasites pouvant apparaître dans la liaison électrique entre l'enroulement secondaire du transformateur et la capacité Cin. Deux cas peuvent être envisagés. Dans un premier cas, la liaison électrique présente une inductance parasite Lf3 qui ne peut être négligée, représentée en traits pointillés sur la figure 3. Cette inductance parasite Lf3 est alors mesurée et prise en compte lors de la mise au point du transformateur 41. Plus particulièrement, l'inductance de fuite Lf2 du transformateur est proportionnellement diminuée de manière que la somme [Lf2 + Lf3] des deux inductances satisfasse la relation (1). Dans un deuxième casa on.. s.'.arrange pour que l'inductance parasite Lf3 soit faible et négligeable. Ce résultat peut être atteint de façon simple par l'utilisation de fils torsadés ou par la prévision de pistes conductrices agencées d'une manière décrite plus loin. Il ressort de ce qui précède que la présente invention est susceptible de diverses variantes. L'inductance de test Lt peut être formée par l'inductance de fuite Lf2 du transformateur 41, par l'inductance d'une bobine externe, ou par la combinaison de l'inductance de fuite Lf2 avec l'inductance d'une bobine externe, avec éventuellement la prise en compte de diverses inductances parasites. Par ailleurs, le coefficient de surtension et la bande passante du circuit de test 45 peuvent être ajustés en insérant dans le circuit une résistance électrique série de faible valeur. Pour fixer les idées sur la mise en oeuvre industrielle du système 50 qui vient d'être décrit, la figure 4 représente très schématiquement un banc de test In 2771182 selon l'invention. Ce banc 110 permet de tester individuellement des circuits intégrés sans contact présents sur une plaquette mère de silicium. Comme on l'a indiqué au préambule, l'avantage est de pouvoir éliminer des composants défectueux avant leur montage sur un support et leur assemblage avec une bobine d'antenne. Le banc de test 110 comprend deux cartes à circuit imprimé 70, 80 insérées dans des tiroirs d'une armoire de test 90 par l'intermédiaire de connecteurs 91, 92 dits de "fond de panier", l'ensemble étant relié à un calculateur 93. Essentiellement, la carte 70 comprend un générateur de signaux programmable 71 ainsi que l'amplificateur 44 et le transformateur 41 selon l'invention, ici de type toroidal. Le générateur 71 est piloté par le calculateur 93 et délivre sur l'entrée l'amplificateur 44 le signal St déjà décrit. A la surface de la carte, deux pistes _ _conductrices. 72, 73 relient l'enroulement secondaire 40 du transformateur à un connecteur 74. Ces pistes 72, 73 sont agencées très proches l'une de l'autre afin d'empêcher la formation d'un champ magnétique parasite, ---et présentent ainsi une inductance parasite négligeable. La carte 70 est reliée par l'intermédiaire du connecteur 74, d'un câble électrique 75 et d'un connecteur 76 à une carte 100 décrite plus loin. Le câble électrique 75 est constitué de fils torsadés de manière à présenter une inductance parasite négligeable. La carte 80 comprend des moyens 81 de mesure de signaux électriques et des moyens 82 d'échantillonnage et de conversion numérique des signaux mesurés, l'ensemble étant piloté par le calculateur 93. Les moyens de mesure 81 sont reliés à la carte 100 déjà citée par l'intermédiaire d'une nappe de fils 83 et de connecteurs 84, 85. La carte 100 est une carte à circuit imprimé pourvue de pointes métalliques 101-1, 101-2, 102 agencées Il 2771182 pour coïncider avec des plots de test d'un circuit intégré sans contact présent sur une plaquette mère de silicium. On distingue parmi ces pointes métalliques deux pointes 101-1, 101-2 agencées pour coïncider avec les plots de connexion 12 de la capacité d'entrée Cin (figure 1). Ces pointes 101-1, 101-2 sont reliées électriquement au secondaire 40 du transformateur 41 par le connecteur 76 et le câble 75. Les autres pointes 102 de la carte , dont le nombre est fonction du nombre de plots de test prévus dans le circuit intégré, sont reliées électriquement aux moyens de mesure 81 par l'intermédiaire de la nappe de fils 83. Ainsi, lorsque la carte 100 est amenée au contact d'un circuit intégré, le secondaire 40 du transformateur 41 se trouve connecté à la capacité Cin par l'intermédiaire des pointes métalliques 101-1, 101-2 et le circuit _de test 45 représenté en figure 3 est opérationnel. Le circuit intégré peut être activé comme s'il se trouvait dans des conditions réelles de fonctionnement. Par exemple, le générateur programmable 71 peut délivrer, sous le contrôle du calculateur 93, un signal St modulé en amplitude simulant un transfert de données numériques. La tension survoltée de test Vt reçue par le circuit intégré recopie cette modulation d'amplitude. Les pointes métalliques 102 permettent d'observer divers signaux électriques apparaissant dans le circuit intégré et le calculateur 93 peut procéder à une analyse précise de son fonctionnement. L'opération est réalisée de façon récurrente sur tous les circuits intégrés présents sur une plaquette mère de silicium. Dans ce qui précède, on a considéré uniquement un circuit intégré fonctionnant sans contact. Il doit toutefois être noté que la présente invention s'applique également aux circuits intégrés à deux modes de fonctionnement, comportant une partie fonctionnant sans 12 2771182 contact au moyen d'une bobine d'antenne et une partie recevant des signaux par l'intermédiaire de plages de contact. Par ailleurs, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que le système de test selon l'invention est susceptible de nombreuses variantes de réalisation et perfectionnements. A titre d'exemple, la figure 5 représente une variante de réalisation 60 permettant de mesurer la valeur de la capacité d'entrée Cin du circuit intégré 1. On y retrouve dans le système de test 60 l'amplificateur générateur de courant 44, le transformateur 41 et l'inductance de test Lt (par exemple l'inductance de fuite du transformateur 41). Selon l'invention, l'extrémité du primaire 42 du transformateur 41 est connectée à la masse par l'intermédiaire de l'enroulement primaire 62 d'un transformateur 63 formant un moyen simple et pratique de mesure du courant de test It. Ainsi, l'enroulement secondaire 64 du transformateur 63 est connecté en parallèle avec une résistance de charge et un circuit redresseur 66, par exemple un redresseur monoalternance comportant une diode et une capacité. Le redresseur 66 délivre une tension Vi qui est l'image de la valeur crête du courant It, qui est elle-même l'image de la valeur crête du courant Iin traversant la capacité Cin. Du côté du circuit intégré, la tension de test Vt présente aux bornes de la capacité Cin est prélevée au moyen d'un transformateur 67 dont l'enroulement primaire 68 est connecté en parallèle avec le secondaire 40 du transformateur 41. Le secondaire 69 du transformateur 67 délivre une tension Vc qui est l'image de la tension Vt. Selon le mode de réalisation représenté, les transformateurs 41 et 67 comportent le même nombre de spires au primaire et au secondaire, de sorte que la tension Vc est égale à la tension Vt et le courant It 13 2771182 égal au courant Iin. Par ailleurs, le transformateur 63 comporte une spire primaire 62 et dix spires secondaires 64. Ainsi, en régime sinusoïdal, la tension crête Vi délivrée par le redresseur 66 est l'image du courant Iin selon la relation suivante: (2) Iin = ((Vi/10)/Rm), Rm étant la valeur de la résistance de charge 65. Dans ce cas, la valeur de la capacité Cin peut être déduite de la mesure des tensions Vi et Vc, au moyen de la relation suivante: (3) Cin = (((Vi/10)/Rm)/Vc)/o soit (4) Cin = K Vi/Vc o étant la pulsation du courant de test It et K une constante. Cet aspect de l'invention permet donc de tester la capacité d'entrée Cin avant de lancer l'opération de test proprement dite, et par conséquent de détecter les défaillances éventuelles du procédé de fabrication de la capacité Cin. En pratique, les transformateurs 63, 67 sont par exemple disposés sur la carte 70 du système de test de la figure 4 et sont associés à un moyen de calcul du rapport Vi/Vc, délivrant par exemple un signal d'alarme quand ce rapport est en dehors d'une plage de valeurs autorisées. L'inductance de test Lt étant généralement l'inductance de fuite du transformateur 41, une simple connexion du 1t4 2771182 transformateur 67 aux pointes 101-1, 101-2 décrites plus haut permet de mesurer la tension Vt. Enfin, il apparaîtra clairement à l'homme de l'art que la présente invention est susceptible de diverses applications et n'est pas limitée au test de circuits intégrés présents collectivement sur une plaquette de silicium. La présente invention est de façon générale applicable au test d'un circuit intégré avant sa connexion à une bobine d'antenne. Pour fixer les idées, la figure 6 représente un circuit intégré 1 fixé sur un micromodule 120 de carte à puce et enrobé dans une résine de protection 121. Le micromodule 120 comporte deux plages 122, 123 destinées à être connectées à une antenne au moment du montage du micromodule 120 dans une carte plastique. Les plages 122, 123 sont reliées par des pistes conductrices à des plages 124, 125. Les plages 124----2-5 sont connectées aux plots 12 du circuit intégré au moyen de fils 126, 127 soudés aux ultrasons, noyes dans la résine 121. Ici, la mise en oeuvre du procédé de l'invention consiste à appliquer les pointes de test 101-1, 101-2 (fig. 4) aux plages 122, 123. Ainsi, le procédé de l'invention permet non seulement de mesurer la capacité Cin, d'activer et de tester le circuit intégré, mais également de détecter les défauts de connexion éventuels entre les plages 122, 123 et les plots 12 du circuit intégré, par exemple des défauts de soudure des fils 126, 127. 2771182 REVENDICATIONS 1. Procédé de test d'un circuit intégré (1) comprenant une capacité d'entrée (Cin) prévue pour former, avec une bobine d'antenne (11), un circuit récepteur résonant (10) de fréquence propre (Fp) prédéterminée, procédé applicable au circuit intégré avant sa connexion à une bobine d'antenne, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes consistant à: connecter la capacité d'entrée (Cin) du circuit intégré à une inductance de test (Lt, Lf2, Lf3, Lf4) choisie pour former avec la capacité d'entrée (Cin) un circuit de test résonant (45) ayant une fréquence de résonance sensiblement égale à la fréquence propre (Fp) dudit circuit récepteur résonant (10), et - exciter. lecircuit de test résonant (45) au moyen d'un signal alternatif (Iac), par l'intermédiaire d'un premier transformateur (41). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on prévoit un premier transformateur (41) présentant sur son enroulement secondaire (40) une inductance de fuite (Lf2) formant tout ou partie de l'inductance de test (Lt). 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on prévoit un premier transformateur (41) de type toroïdal dont les enroulements primaire (42) et secondaire (40) ne se recouvrent pas. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'inductance de test (Lt) comprend l'inductance parasite (Lf3) d'une liaison électrique présente entre l'enroulement secondaire (40) du premier transformateur (41) et la capacité d'entrée (Cin) du circuit intégré. 16 2771182 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, dans lequel l'enroulement secondaire (40) du premier transformateur (41) est connecté aux bornes (12, 122, 123) de la capacité d'entrée (Cin) au moyen de pointes métalliques (101-1, 101-2). 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, appliqué au test de la capacité d'entrée (Cin) du circuit intégré et/ou au test d'un moyen (120, 124, 125, 126, 127) de connexion de la capacité d'entrée à une bobine d'antenne (11), comprenant les opérations consistant à: - mesurer le courant traversant le primaire (42) du premier transformateur (41), - mesurer la tension (Vt) présente aux bornes (12, 122, 1.23) de la capacité d'entrée (Cin) 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le .ourant.........traversant le _. primaire (42) du premier transformateur (41) est mesuré sur le secondaire (64) d'un second transformateur (63) dont le primaire (62) est connecté en série avec le primaire (42) du premier transformateur (41). 8. Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, dans lequel la tension (Vt) présente aux bornes de la capacité d'entrée (Cin) est mesurée sur le secondaire (69) d'un troisième transformateur (67) dont le primaire (68) est connecté aux bornes (12, 112, 123) de la capacité d'entrée (Cin) 9. Système de test (50, 110) d'un circuit intégré (1) comprenant une capacité d'entrée (Cin) prévue pour former, avec une bobine d'antenne (11), un circuit récepteur résonant (10) de fréquence propre (Fp) prédéterminée, caractérisé en ce qu'il comprend: - un premier transformateur (41) connecté par son enroulement primaire (42) à une source (44, 71) de tension (St) ou de courant (Iac) alternatif, et 17 2771182 - des moyens (72, 73, 74, 75, 76, 100, 101-1, 101-2) de connexion de l'enroulement secondaire (40) du transformateur (41) aux bornes (12, 122, 133) de la capacité d'entrée (Cin) du circuit intégré. 10. Système selon la revendication 9, dans lequel le premier transformateur (41) présente sur son enroulement secondaire (40) une inductance de fuite (Lf2) formant avec la capacité d'entrée (Cin) du circuit intégré un circuit de test résonant (45) dont la fréquence de résonance est sensiblement égale à la fréquence propre (Fp) dudit circuit récepteur résonant (10). 11. Système selon la revendication 10, dans lequel le circuit de test résonant (45) comprend une inductance parasite (Lf3) présente dans lesdits moyens de connexion (72, 73, 75). -..12.. Système selon l'une des revendications 9 à 11, comprenant un premier transformateur (41) de type toroidal. 13. Système selon l'une des revendications 9 à 12, dans lequel lesdits moyens de connexion comprennent une carte (100) à circuit imprimé pourvue de pointes métalliques (101-i, 101-2, 102). 14. Système selon l'une des revendications 9 à 13, comprenant des moyens (63) de mesure du courant traversant le primaire (42) du premier transformateur (41), et des moyens (67) de mesure de la tension (Vt) présente aux bornes de la capacité d'entrée (Cin). 15. Système selon la revendication 14, dans lequel des moyens (63) de mesure du courant traversant le primaire (42) du premier transformateur (41) comprennent un second transformateur (63) dont le primaire (62) est connecté en série avec le primaire (42) du premier transformateur (41). Ix8 2771182 16. Système selon l'une des revendications 14 et , dans lequel les moyens de mesure de la tension (Vt) présente aux bornes de la capacité d'entrée (Cin) comprennent un troisième transformateur (67) dont le5 primaire (68) est connecté aux bornes (12, 122, 123) de la capacité d'entrée (Cin)