FR 2765400 A1 19981231 FR 9803477 A 19980320 La présente invention a trait d'une manière générale à un matériau HglxCdxTe absorbant le rayonnement infrarouge, et de façon plus spécifique à des structures formées d'un tel matériau, qui sont fabriquées en utilisant le processus de croissance à couches multiples interdiffusées. Un procédé pour la fabrication du matériau semiconducteur HglxCdxTe absorbant le rayonnement infrarouge est désigné sous le sigle MOCVD-IMP (c'est-à- dire dépôt chimique organo-métallique en phase vapeur - processus à couches multiples interdiffusées). Avec ce procédé de fabrication, on fait croître des couches alternées de CdTe et HgTe sur une épaisseur de période totale dans la gamme de 20-120 nm (nanomètres). Après que l'on a fait croître ces couches en utilisant le procédé MOCVD, on soumet à un recuit ce groupe de couches pour les amener à interdiffuser et former un alliage HgCdTe homogène. La fraction molaire du cadmium dans l'alliage est désignée par la valeur "x" et cette valeur détermine la longueur d'onde de réponse du détecteur d'infrarouge. Ce procédé est décrit dans le brevet US N04 566 918 ayant pour titre "Utilizing Interdiffusion Of Sequentially Deposited Links Of HGTE And CDTE". Ce brevet a été délivré le 28 Janvier 1986. Dans le cas de la solution classique consistant à fabriquer un matériau HgCdTe à couches multiples interdiffusées, il existe une désadaptation maximale de 0,33 pour cent entre les constantes de réseau du CdTe et du HgTe. Ceci conduit à l'apparition d'une déformation au niveau de l'interface. Bien que les épaisseurs des couches individuelles de CdTe et de HgTe soient inférieures à l'épaisseur critique pour le démarrage de la formation de dislocations, il subsiste encore une déformation résiduelle permettant d'absorber les faibles constantes élastiques du HgTe et du HgCdTe interdiffusé sous-jacent. Cette désadaptation entre les constantes de réseau contribue à la formation de dislocations, qui peuvent être aussi élevées que 1-5 x 106 cm-2. Un problème important que l'on rencontre dans la conception et l'utilisation de détecteurs d'infrarouge à semiconducteurs, est celui d'effets de dislocations dans l'alliage HgCdTe. Ces dislocations compromettent les propriétés de transport dans le matériau semiconducteur, ce qui à son tour réduit les performances des détecteurs d'infrarouge en HgCdTe. En outre, des dispositifs de détecteurs à infrarouge requérant des hétérostructures ayant deux ou un plus grand nombre de compositions d'alliages dissemblables Hgl_xCdxTe présentent des disloca- tions additionnelles de désadaptation au niveau des interfaces en raison des constantes de réseau différentes. Ces dislocations réduisent également la performance des structures de détecteurs en HgCdTe comprenant des hétérostructures et des hétérojonctions. C'est pourquoi on a besoin de disposer d'un procédé de fabrication et d'une structure résultante formée d'un matériau sensible au rayonnement infrarouge, qui possède une densité réduite de défauts. Une forme de réalisation sélectionnée de la présente invention est un procédé pour fabriquer une structure de matériau à base de HgCdTe qui possède une densité réduite de défauts. Ce procédé inclut l'étape consistant à former une couche tampon de tellurure de cadmium et de zinc (CdlyZnyTe) sur un substrat à base de tellurure de cadmium. Le substrat peut contenir du zinc ou du sélénium. Ensuite sur la couche tampon on fait croître par épitaxie d'autres couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc. Le tellurure de mercure possède une constante de réseau donnée. La couche tampon et les couches de tellurure de cadmium et de zinc possèdent une fraction molaire de zinc qui produit dans ces couches une constante de réseau qui est sensiblement similaire ou identique à la constante de réseau des couches de tellurure de mercure. Enfin on soumet la structure à un recuit pour réaliser l'interdiffusion des couches de tellurure de mercure et de tellurure de zinc pour produire un alliage homogène de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc sur un substrat formé de tellurure de cadmium et de zinc avec une couche tampon CdZnTe à adaptation de réseau. Une autre forme de réalisation de la présente invention est une structure formée d'un matériau émettant un rayonnement infrarouge, qui présente des effets de dislocation réduits. Cette structure comprend un substrat de support à base de tellurure de cadmium, qui peut inclure du zinc et du silicium en une fraction molaire de 4 % 1 %. Elle comporte en outre une couche tampon qui est formée par croissance épitaxiale sur le substrat, la couche tampon comprenant du tellurure de cadmium et de zinc. Une structure d'alliage homogène du tellurure de mercure, de cadmium et de zinc est formée par épitaxie en phase vapeur sur la couche tampon formée de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc. Les couches de Cd1_yZnyTe et la couche tampon possèdent une fraction molaire de zinc y permettant de produire dans ces couches une constante de réseau qui est sensiblement similaire à la constante de réseau des couches de tellurure de mercure. On soumet à un recuit les multiples couples de couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc pour former une structure d'alliage homogène. On contrôle la composition de l'alliage en modifiant les épaisseurs relatives du tellurure de mercure (HgTe) et du CdZnTe. Dans d'autres modes de mise en oeuvre de la présente invention, on peut former de multiples structures d'alliage pour détecter des bandes de longueurs d'onde uniques ou multiples du rayonnement infrarouge, mais possédant toutes les mêmes constantes de réseau. Ceci est obtenu par croissance épitaxiale de couches minces alternées de HcTe et de CdZnTe à adaptation de réseau. On modifie uniquement les épaisseurs relatives des deux couples ayant des constantes de réseau adaptées pour régler les compositions d'alliage. On choisit le nombre de couples en fonction de l'épaisseur totale de l'alliage homogène. En outre on peut utiliser du CdTeSe à la place du CdZnTe. A la place de couches de tellurure de cadmium et de zinc, on peut utiliser des couches de tellurure-séléniure de cadmium avec une composition qui réalise essentiellement une adaptation de réseau avec le tellurure de mercure. De façon plus précise, l'invention a trait à un procédé pour fabriquer une structure réalisée en un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: former une couche tampon de tellurure de cadmium et de zinc sur un substrat réalisé à base de tellurure de cadmium, former sur ladite couche tampon, par croissance épitaxiale, des couches alternées comprenant des couches de tellurure de mercure, possédant chacune une constante de réseau donnée, et des couches de tellurure de cadmium et de zinc, ladite couche tampon et lesdites couches de tellurure de cadmium et de zinc possédant une fraction molaire de zinc destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et faire recuire ladite structure pour provoquer une interdiffusion desdites couches de tellurure de mercure et desdites couches de tellurure de cadmium et de zinc pour produire un alliage homogène de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc. L'invention a trait en outre à une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, caractérisé en ce qu'il comporte: un substrat à base de tellurure de cadmium, une couche tampon formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure de cadmium et de zinc, et une structure d'alliage homogène constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, lesdites couches de tellurure de cadmium et de zinc et ladite couche tampon contenant une fraction molaire de zinc destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc étant soumises à un recuit de manière à former ladite structure d'alliage homogène. L'invention a trait en outre à une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable sensible à au moins deux bandes différentes de rayonnement infrarouge, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat, une couche tampon formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure de cadmium et de zinc, une première structure d'alliage homogène constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées formées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, lesdites couches de tellurure de cadmium et de zinc de la première structure et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de zinc servant à former dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc de la première structure étant soumises à un recuit pour former ledit alliage homogène de la première structure, ladite première structure d'alliage possédant en outre une fraction molaire de zinc destinée à produire dans cette structure une bande interdite en réponse à un rayonnement infrarouge dans une première bande, et une seconde structure d'alliage homogène constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite première structure d'alliage par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, ladite couche de tellurure de cadmium et de zinc de la seconde structure possédant une fraction molaire de zinc produisant dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et les couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium de la seconde structure étant recuites de manière à former ledit alliage homogène de la seconde structure, ladite seconde structure d'alliage possédant en outre un ratio de cadmium ou mercure produisant dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge à l'intérieur d'une seconde bande. L'invention a trait en outre à une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, sensible à des bandes de rayonnement infrarouge ayant de courtes longueurs d'onde, des longueurs d'onde moyennes et de grandes longueurs d'onde, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat à base de tellurure de cadmium, une couche tampon formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon étant formée de tellurure de cadmium et de zinc, une première structure d'alliage homogène constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées formées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, lesdites couches de tellurure de cadmium et de zinc de la première structure et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de zinc destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc de la première structure étant soumises à un recuit pour former ledit alliage homogène de la première structure, ladite première structure d'alliage possédant en outre une fraction molaire de zinc pour produire dans cette structure une bande interdite en réponse à un rayonnement infrarouge ayantune courte longueur d'onde, et une seconde structure d'alliage homogène constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite première structure d'alliage par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, ladite couche de tellurure de cadmium et de zinc de la seconde structure possédant une fraction molaire de zinc produisant dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et les couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium de la seconde structure étant recuites de manière à former ledit alliage homogène de la seconde structure, ladite seconde structure d'alliage possédant en outre une fraction molaire de cadmium pour produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge de longueur d'onde moyenne, et une troisième structure d'alliage homogène constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite seconde structure d'alliage par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, ladite couche de tellurure de cadmium et de zinc de la troisième structure possédant une fraction molaire de zinc produisant dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et les couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium de la troisième structure étant recuites de manière à former ledit alliage homogène de la troisième structure, ladite troisième structure d'alliage possédant en outre une fraction molaire de cadmiu fournissant dans cette couche une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge de grande longueur d'onde. L'invention a trait en outre à un procédé pour fabriquer une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes: former une touche tampon de tellurure - séléniure de cadmium et de zinc sur un substrat réalisé à base de tellurure de cadmium, former sur ladite couche tampon, par croissance épitaxiale, des couches alternées comprenant des couches de tellurure de mercure, dont chacune possède une constante de réseau donnée, et des couches de tellurure - séléniure de cadmium, ladite couche tampon et lesdites couches de tellurure-séléniure de cadmium et de zinc possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et faire recuire ladite structure pour provoquer une interdiffusion desdites couches de tellurure de mercure et desdites couches de tellurure-séléniure de cadmium pour produire un alliage homogène de tellurure-séléniure de mercure et de cadmium. L'invention a trait en outre à une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, comprenant: un substrat à base de tellurure de cadmium, une couche tampon, formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure-séléniure de cadmium, et une structure d'alliage homogène constituée de tellurure-séléniure de mercure de cadmium formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, lesdites couches de tellurure-séléniure de cadmium et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium étant soumises à un recuit pour la formation de ladite structure d'alliage homogène. L'invention a trait en outre à une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, sensible à au moins deux bandes différentes de rayonnement infrarouge, caractérisée en ce qu'elle comporte: un substrat à base de tellurure de cadmium, une couche tampon formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure-séléniure de cadmium; une première structure d'alliage homogène en tellurure- séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, lesdites couches de tellurure- séléniure de cadmium de la première structure et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium de la première structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la première structure, ladite première structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge situé dans une première bande, et une seconde structure d'alliage homogène en tellurure- séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, ladite couche de tellurure de cadmium et de sélénium possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium de la seconde structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la seconde structure, ladite seconde structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge situé dans une seconde bande. L'invention a trait en outre à une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, sensible à des bandes de rayonnement infrarouge ayant de courtes longueurs d'onde, des longueurs d'onde moyennes et de grandes longueurs d'onde, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat à base de tellurure de cadmium, une couche tampon formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure-séléniure de cadmium; une première structure d'alliage homogène en tellurure- séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, lesdites couches de tellurure- séléniure de cadmium de la première structure et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium de la première structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la première structure, ladite première structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge de courte longueur d'onde, et une seconde structure d'alliage homogène en tellurure-séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, lesdites couches de teilurure-séléniure de cadmium de la seconde structure possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure- séléniure de cadmium de la seconde structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la seconde structure, ladite seconde structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge de longueur d'onde moyenne, et une troisième structure d'alliage homogène en tellurure- séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, ladite couche de tellurure-séléniure de cadmium de la troisième structure possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure- séléniure de cadmium de la troisième structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la troisième structure, ladite troisième structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge à grande longueur d'onde. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe illustrant la formation d'une couche tampon d'adaptation de réseau sur un substrat, pour la fabrication d'une structure formée d'un matériau sensible au rayonnement infrarouge, conforrément à la présente invention; - la figure 2 est une vue en coupe du système de croissance pour la fabrication d'une structure formée d'un matériau semiconducteur sensible au rayonnement infrarouge, moyennant l'utilisation du processus à couches multiples interdiffusées, comprenant de multiples couples de couches de HgTe et de CdZnTe, telles qu'elles sont réalisées conformément à la présente invention; - la figure 3 est une vue en coupe illustrant la structure formée sur la figure 2 après qu'elle a subi un recuit pour former un alliage homogène de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc; - la figure 4A est une vue en coupe d'une structure de matériau comprenant trois régions, qui possèdent des périodes IMP respectivement différentes (épaisseur d'un couple HgTe et CdZnTe) pour différentes compositions d'alliage, comme par exemple pour un rayonnement infrarouge de courte longueur d'onde, un rayonnement infrarouge de longueur d'onde moyenne et un rayonnement infrarouge de grande longueur d'onde; - la figure 4B est une vue en coupe représentant la structure semiconductrice représentée sur la figure 4A après recuit, qui fournit des régions homogènes correspondantes d'alliage de tellurure de mercure, cadmium et zinc, correspondant respectivement à trois compositions différentes; - la figure 5 est un diagramme représentant les constantes de réseau du système CdTe-HgTe-ZnTe en fonction de la bande interdite pour ces matériaux; et - la figure 6 est un diagramme représentant la structure de trois couches classiques empilées de tellurure de mercure et de cadmium ayant des compositions d'alliage différentes possédant des constantes de réseau différentes pour les différentes couches, et de trois couches de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc conformément à la présente invention, qui, avec la même constante de réseau pour chaque couche et avec des bandes interdites nominalement similaires à celle du HgCdTe. Le procédé classique de fabrication d'alliages Hg1_xCdxTe moyennant l'utilisation d'un processus à couches multiples interdiffusées (IMP) est illustré dans le brevet US N 4 566 918. On va décrire le procédé selon la présente invention en commençant par la figure 1. Un substrat 20 formé de tellurure de cadmium constitue un substrat de support et un matériau de départ. Ce substrat peut être constitué uniquement de tellurure de cadmium ou bien peut contenir du zinc ou du sélénium. Un substrat préféré de ce type est fabriqué et commercialisé par la société dite Johnson Mattehey Electronics, une société sise à Spokane, Washington. Le substrat préféré 20 a un réseau grossièrement adapté (teneur de 3-5 % de zinc) au tellurure de mercure et de cadmium. Le substrat 20 possède une épaisseur qui est égale à environ 0,8-1 millimètre. Une couche tampon 22 est formée par croissance épitaxiale sur la surface du substrat 20. La couche 22 comporte du Cd1_yZnyTe qui est obtenu par croissance de façon classique. La couche 22 possède une épaisseur dans la gamme de 2-10 micromètres et une fraction molaire de Zn égale à 0,056 ce qui fournit une constante de réseau sensiblement similaire à celle duHgTe. Après avoir formé par croissance la couche tampon 22, on a fait croître par épitaxie des couches alternées de HgTe et de CdZnTe, comme cela est représenté sur la figure 2. On peut ajouter du zinc au procédé de fabrication MOCVD- IMP en utilisant des précurseurs tels que la diméthylzinc- triéthylamine du zinc diéthyle. On peut utiliser des précurseurs standards pour le cadmium et le tellure, par exemple comme cela est décrit dans J. B. Mullin et S.J.C. Irvine, "Metalorganic vapor phase epitaxy of mercury cadmium telluride", progress in Crystal Growth and Characterization, Vol. 29, pp. 217-252 (1994). Cette structure inclut des couches 24, 26, 28 et 30 de HgTe. Chacune de ces couches possède une épaisseur de préférence égale à 10-80 nanomètres, en fonction de la composition d'alliage désirée. La couche tampon 22 est nécessaire étant donné que des substrats en CdZnTe disponibles dans le commerce ont une teneur en Zn présentant des variations importantes, en raison du coefficient de ségrégation élevé du Zn dans du CdZnTe en masse. La couche tampon 22 établit une structure cristalline uniforme d'adaptation de réseau pour la formation des couples multiples de couches interdiffusées. En se référant en outre à la figure 2, on y voit représentées des couches alternées 32, 34, 36 et 38 de CdZnTe. Chacune de ces couches possède une épaisseur préférentielle de 10-30 nanomètres. La composition préférée pour chacune de ces couches est Cd0,944Zno,056Te. Cette fraction molaire de Zn produit une constante de réseau qui est sensiblement identique à celle du tellurure de mercure. Telle qu'elle est utilisée ici l'expression "sensiblement similaire" désigne une différence inférieure à 0,1 pour cent. Comme cela a été indiqué précédemment, une désadapta- tion maximale du réseau de 0,33 pour cent entre le HgTe et le CdTe dans le procédé classique MOCVD-IMP produit des défauts qui altèrent les propriétés de transmission électrique dans l'alliage HgCdTe et augmentent les courants d'obscurité de polarisation inverse dans des photodiodes à jonction p-n, en particulier à des températures assez faibles. Aussi bien les couches de HgTe, telles que 24, que les couches de tellurure decadmium et de zinc (Cd0,944Zn 0, 056Te) telles que 32, ont une constante de réseau de 0,6460 nm. Tobin et al, "The Relationship Between Lattice Matching and Crosshatch in Liquid Phase Epitaxy HgCdTe on CdZnTe Substrates", Journal of Electronic Materials, Vol. 24, Ne9, 1995, pages 1189-1199. En se référant à nouveau à la figure 2, la combinaison des couches 24-38 comprend une région 40 en Hg1-x(Cd0,944Zno,056)xTe, qui est sensible au rayonnement infrarouge. La longueur d'onde de réponse au rayonnement infrarouge est fonction de la valeur x de la même manière que pour Hg1_xCdxTe. En référence à la figure 3, la région 40 a été soumise à un processus de traitement de recuit, lors duquel la structure est chauffée pendant 10minutes à une température d'environ 360 degrés centigrades. Sous l'effet de ce traitement thermique, la région 40 devient un alliage quaternaire homogène 42 formé d'un tellurure de mercure, de cadmium et de zinc. Une autre forme de réalisation d'un autre mode de mise en oeuvre de l'invention est illustrée sur les figures 4A et 4B. La structure représentée sur les figures 4A et 4B comprend un substrat 50 et une couche tampon épitaxiale 52, qui correspond respectivement au substrat 20 et à la couche de substrat 22 représentés sur les figures 1-3. La structure des figures 4A et 4B possède trois régions qui sont formées d'une manière séquentielle. Ce sont les régions 54, 56 et 58. La région 54 est conçue pour absorber un rayonnement infrarouge de courte longueur d'onde, qui se situe de façon typique dans une gamme de longueurs d'onde de 1,7 - 3 micromètres. La région 56 est conçue de manière à rassembler le rayonnement infrarouge qui se situe de façon typique dans la bande des longueurs d'onde moyennes de 3-5 micromètres. La région 58 est conçue de manière à absorber un rayonnement infrarouge de grande longueur d'onde, qui est de façon typique compris dans la gamme de 8-12 micromètres. Pour la structure représentée sur la figure 4A, on a des couches alternées de HgTe et de CdZnTe formées au- dessus de la couche tampon 52. Les couches de CdZnTe possèdent la même composition que celles indiquées précédemment pour les couches telles que 27 et 26 sur la figure 2. Il s'agit de Cd0,944Zno,056Te. Comme cela est représenté sur la figure 4A, ce sont des couches de HgTe 60, 62, 64 et 66. Ces couches sont intercalées entre des couches de CdZnTe 68, 70, 72 et 74. Dans la région 56, des couches HgTe 80, 82, 84 et 86 sont présentes. Elles sont intercalées entre les couches de CdZnTe 88, 90, 92 et 94. La région 58 comprend des couches de HgTe 100, 102, 104 et 106 intercalées avec des couches de CdZnTe 108, 110, 112 et 114. Dans la région 54, comme représenté sur la figure 4A, chacune des couches de HgTe possède une épaisseur préférée de 30 nm. Chacune des couches de CdZnTe possède une épaisseur préférée de 20 nm. Dans la région 56, les couches de HgTe possèdent une épaisseur d'environ 46 nm et les couches de CdZnTe possèdent une épaisseur de 20 nm. Dans la région 58, chacune des couches de HgTe possède une épaisseur d'environ 70 nm, tandis que chacune des couches de CdZnTe possède une épaisseur d'environ 20 nm. Le passage d'une gamme à une autre en ce qui concerne la quantité relative de HgTe par rapport à CdZnTe modifie la bande interdite et produit la variation de la composition de l'alliage HgCdZnTe. Cependant, elle ne modifie pas la constante de réseau, de sorte qu'il existe une moindre contrainte au niveau des interfaces et par conséquent une réduction du nombre des effets de dislocations, par rapport à l'art antérieur qui n'inclut pas les couches intercalées de CdZnTe pour l'adaptation de réseaux, comme cela est représenté dans le brevet US N04 566 918. Sur la figure 4A, bien que l'on ait représenté seulement quatre couples de couches HgTe et CdZnTe pour chacune des trois compositions d'alliage, le nombre de couples peut être nettement supérieur pour l'obtention de l'épaisseur globale désirée. L'épaisseur réelle des couples individuels est indiquée uniquement à titre d'illustration et peut être modifiée. L'épaisseur totale d'un couple HgTeCd0,0944Zn0,056Te doit être inférieure ou égale à 150 nanomètres. La structure représentée sur la figure 4B est produite en tant que résultat d'une opération de recuit pour la structure représentée sur la figure 4A. Le recuit inclut le chauffage à environ 350 degrés centigrades pendant une période de 10-20 minutes. Il se produit une interdiffusion du mercure, du cadmium et du zinc dans chaque région et il ne subsiste aucune mémoire des périodes IMP. Comme représenté sur la figure 4A, la région 54 devient un alliage 120 de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc. De façon similaire, des alliages 122 et 124 sont formés respectivement à partir des régions 56 et 58. L'absorption particulière d'infrarouge par chacun des alliages 120, 122 et 124 est conservée, pour des bandes spécifiques, comme cela est décrit pour la structure représentée sur la figure 4A. Les structures représentées sur les figures 1-4A et 4B peuvent être dopées de la même manière que des détecteurs classiques en HgCdTe, tels que décrits dans P. Mitra, Y.L. Tyan, T.R. Schimert et F.C. Case, "Donor doping in metalorganic chemical vapor deposition of HgCdTe using ethyl iodide", Appl. Phys. Lett. 65 195-197 (1994), P. Mitra, T.R. Schimert, F.C. Case, S.L. Barnes, M.B. Reine, R. Starr, M.H. Weiler et M. Kestigian, "Metalorganic chemical vapor deposition of HgCdTe p/n junctions using arsenic and iodine doping", J. Electronic Materials 24, 1077-1085 (1995), et P. Mitra, Y.L. Tyan, F.C. Case, R. Starr et M. B. Reine, "Improved arsenic doping in MOCVD of HgCdTe and in situ growth of high performance long wavelength infrared photodiodes", J. Electronic Materials , 1328-1335 (1996). De façon analogue, la fabrication, la binarisation et la détection de signaux sont les mêmes que pour des détecteurs d'infrarouge classiques en HgCdTe. Des structures ayant des compositions d'alliages multiples et utilisant des alliages HgCdTe classiques formés par croissance selon le procédé MOCVD-IMP, sont décrites dans P.Mitra, S.L. Barnes, F.C. Case, M.B. Reine, P. O'Dette, R. Starr, A. Hairston, K. Kuhler, M. H. Weiler et B.L. Musicant, "MOCVD of bandgap-engineered HgCdTe p-n-N-P dual- band infrared detector arrays", J. Electronic Materials 26, 482-487 (1997). Les dispositifs formant détecteurs d'infra- rouge à deux bandes décrits dans cet article peuvent être fabriqués avec des défauts réduits, moyennant l'utilisation de la présente invention. En référence à la figure 5, on y voit représenté un diagramme illustrant la constante de réseau du système CdTe-HgTe-ZnTe en rapport avec la bande interdite pour ces matériaux. On notera que la constante de réseau pour le HgTe est égale approximativement à 6,4600 A (0,64600 nm). On notera que le Cd1_yZnyTe avec y = 0,056 possède essentiellement la même constante de réseau que le HgTe. La figure 6 représente un diagramme concernant la structure décrite en référence aux figures 4A et 4B et un diagramme pour une technique antérieure concernant une structure HgCdTe à trois couches. La droite 132 représente le matériau qui correspond, au niveau de différents segments, aux alliages représentés sur la figure 4B. Un segment de droite 132A correspond à l'alliage 124, un segment de droite 132B correspond à l'alliage 122 et un segment de droite 132C correspond à l'alliage 120. La valeur "y", qui est marquée à côté de chaque segment, représente le ratio du mercure à la combinaison de cadmium et de zinc, comme indiqué dans la formule représentée juste au-dessous de la droite 132. La variation de la quantité "y" représente une variation de la composition de l'alliage et par conséquent de la bande interdite du semiconducteur. Les longueurs d'onde nominales de coupure pour des bandes de rayonnement infrarouge de grande longueur d'onde, de longueur d'onde moyenne et de courte longueur d'onde sont représentées sur la figure 6. Elles sont égales respectivement à 10 micromètres, 5 micromètres et 2,5 micromètres. Une ligne 140 du diagramme pour une structure classique est représentée sur la figure 6, cette ligne comportant des segments de droite 140A, 140B et 140C. Le segment de droite 140A représente x = 0,22 pour un rayonnement de grande longueur d'onde. Le segment de droite 140B représente x = 0,30 pour un rayonnement de longueur d'onde moyenne et le segment de droite 140C représente x = 0,40 pour un rayonnement infrarouge de courte longueur d'onde. On notera que pour chacune des différentes longueurs d'onde du rayonnement infrarouge, il existe une constante de réseau différente. Ces constantes de réseau sont égales respectivement aux valeurs approximatives 6,4647, 6,4164 et 6,4685 A. La structure représentée par la ligne 140 représente l'art antérieur, dans lequel une modification de la longueur d'onde de coupure pour un matériau modifie également la constante de réseau pour ce matériau. Une structure, telle que représentée sur les figures 4A et 4B selon la présente invention, correspond à la droite 132 et montre qu'une telle structure peut être réalisée avec une constante de reseau constante, mais avec une variation de la valeur "y" pour la réception du rayonnement infrarouge dans différentes bandes. Un autre avantage de la présente invention est qu'en incorporant du zinc dans le HgCdTe, l'alliage quaternaire résultant possède une dureté accrue et une densité de dislocations réduite en raison de la longueur plus courte de la liaison ZnTe et de l'énergie supérieure requise pour la formation de dislocations. A. Sher, A-B. Chen, W.E. Spicer et C-K. Shih, "Effects influencing the structural integrity of semiconductors and their alloys", J. Vacuum Science and Technology, Vol. A3, pp. 105-111 (1985). Une structure à réseau adapté conforme à la présente invention peut être réalisée en introduisant du CdTelzSez à la place de Cd1_yZnyTe. Cette substitution utilise la composition CdTelzSez (tellurure-séleniure de cadmium) avec une valeur approximative de z = 0,0516. Une relation indiquant cette valeur est indiquée dans D.J. Williams "Densities and lattice parameters of CdTe, CdZnTe et CdTeSe" dans Properties of Narrow Gap Cadmium based Compounds, P. Capper ed., EMIS Datareviews Series 10, 1994, pp. 339-402. Cette composition de CdTeSe possède une constante de réseau qui est sensiblement similaire à la constante de réseau de HgTe. En résumé, la présente invention a trait à un procédé de fabrication d'une structure formée d'un matériau obtenu selon le procédé IMP et absorbant l'infrarouge, dans l'ensemble de laquelle la constante de réseau est sensiblement similaire et dans lequel il existe par conséquent un nombre réduit de défauts de dislocation. Bien que l'on ait représenté plusieurs formes de mise en oeuvre de l'invention sur les dessins annexés et qu'on les ait décrites dans la description détaillée qui précède, on comprendra que l'invention n'est pas limitée au mode de mise en oeuvre décrit et que l'on peut apporter de nombreux changements et modifications et/ou substitutions sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour fabriquer une structure réalisée en un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: former une couche tampon (22) de tellurure de cadmium et de zinc sur un substrat (20) à base de tellurure de cadmium, former sur ladite couche tampon, par croissance épitaxiale, des couches alternées comprenant des couches de tellurure de mercure (24,26, 28,30), possédant chacune une constante de réseau donnée, et des couches de tellurure de cadmium et de zinc (32,34,36,38), ladite couche tampon et lesdites couches de tellurure de cadmium et de zinc (32,34,36,38) possédant une fraction molaire de zinc destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et faire recuire ladite structure pour provoquer une interdiffusion desdites couches de tellurure de mercure (24,26,28,30) et desdites couches de tellurure de cadmium et de zinc pour produire un alliage homogene de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc. 2. Procédé pour fabriquer une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat (20) à base de tellurure de cadmium contient du zinc. 3. Procédé pour fabriquer une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat (20) à base de tellurure de cadmium contient du sélénium. 4. Structure formne d'un Iatériau smconducte rabrbant le rayoEnmemnt infrarouge et ayant une bande interdite variable, caractérisé en ce qu'il comporte: un substrat (20) à base de tellurure de cadmium, une couche tampon (22) formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure de cadmium et de zinc, et une structure d'alliage homogène constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, lesdites couches de tellurure de cadmium et de zinc et ladite couche tampon contenant une fraction molaire de zinc destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc étant soumises à un recuit de manière à former ladite structure d'alliage homogène. 5. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 4, caractérisée en ce que ledit substrat (20) à base de tellurure de cadmium contient du zinc. 6. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 4, caractérisée en ce que ledit substrat (20) à base de tellurure de cadmium contient du sélénium. 7. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable sensible à au moins deux bandes différentes de rayonnement infrarouge, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat, une couche tampon formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure de cadmium et de zinc, une première structure d'alliage homogène constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées formées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, lesdites couches de tellurure de cadmium et de zinc de la première structure et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de zinc servant à former dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc de la première structure étant soumises à un recuit pour former ledit alliage homogène de la première structure, ladite première structure d'alliage possédant en outre une fraction molaire de zinc destinée à produire dans cette structure une bande interdite en réponse à un rayonnement infrarouge dans une première bande, et une seconde structure d'alliage homogène constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite première structure d'alliage par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de teilurure de cadmium et de zinc, ladite couche de tellurure de cadmium et de zinc de la seconde structure possédant une fraction molaire de zinc produisant dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et les couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium de la seconde structure étant recuites de manière à former ledit alliage homogène de la seconde structure, ladite seconde structure d'alliage possédant en outre un ratio de cadmium au mercure produisant dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge à l'intérieur d'une seconde bande. 8. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 7, caractérisée en ce que ledit substrat à base de tellurure de cadmium contient du zinc. 9. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 7, dans laquelle ledit substrat à base de tellurure de cadmium contient du sélénium. 10. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, sensible à des bandes de rayonnement infrarouge ayant de courtes longueurs d'onde, des longueurs d'onde moyennes et de grandes longueurs d'onde, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat (50) à base de tellurure de cadmium, une couche tampon (52) formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon étant formée de tellurure de cadmium et de zinc, une première structure d'alliage homogène (54) constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées formées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, lesdites couches de tellurure de cadmium et de zinc de la première structure et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de zinc destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc de la première structure étant soumises à un recuit pour former ledit alliage homogène de la première structure, ladite première structure d'alliage possédant en outre une fraction molaire de zinc pour produire dans cette structure une bande interdite en réponse à un rayonnement infrarouge ayant une courte longueur d'onde, et une seconde structure d'alliage homogène (56) constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite première structure d'alliage par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium es de zinc, ladite couche de tellurure de cadmium et de zinc de la seconde structure possédant une fraction molaire de zinc produisant dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et les couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium de la seconde structure étant recuites de manière à former ledit alliage homogène de la seconde structure, ladite seconde structure possédant en outre ure fraction molaire de cadmi pour produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge de longueur d'onde moyenne, et une troisième structure d'alliage homogène (58) constituée de tellurure de mercure, de cadmium et de zinc, formée sur ladite seconde structure d'alliage par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium et de zinc, ladite couche de tellurure de cadmium et de zinc de la troisième structure possédant une fraction molaire de zinc produisant dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et les couches de tellurure de mercure et de tellurure de cadmium de la troisième structure étant recuites de manière à former ledit alliage homogène de la troisième structure, ladite troisième structure d'alliage possédant en outre une fraction molaire de cadmium fournissant dans cette couche une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge de grande longueur d'onde. 11. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 10, caractérisée en ce que ledit substrat (50) à base de tellurure de cadmium contient du zinc. 12. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 10, caractérisée en ce que ledit substrat (50) à base de tellurure de cadmium contient du sélénium. 13. Procédé pour fabriquer une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes: former une touche tampon (52) de tellurure - séléniure de cadmium et de zinc sur un substrat réalisé à base de tellurure de cadmium, former sur ladite couche tampon (52), par croissance épitaxiale, des couches alternées comprenant des couches de tellurure de mercure, dont chacune possède une constante de réseau donnée, et des couches de tellurure - séléniure de cadmium, ladite couche tampon et lesdites couches de tellurure-séléniure de cadmium et de zinc possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et faire recuire ladite structure pour provoquer une interdiffusion desdites couches de tellurure de mercure et desdites couches de tellurure-séléniure de cadmium pour produire un alliage homogène de tellurure-séléniure de mercure et de cadmium. 14. Procédé pour fabriquer une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 13, caractérisé en ce que ledit substrat à base de tellurure de cadmium contient du zinc. 15. Procédé pour fabriquer une structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 13, caractérisé en ce que ledit substrat (50) à base de tellurure de cadmium contient du sélénium. 16. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, comprenant: un substrat (50) à base de tellurure de cadmium, une couche tampon (52), formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure-séléniure de cadmium, et une structure d'alliage homogène constituée de tellurure-séléniure de mercure de cadmium formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, lesdites couches de tellurure-séléniure de cadmium et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium étant soumises à un recuit pour la formation de ladite structure d'alliage homogène. 17. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 16, caractérisée en ce que ledit substrat (50) à base de tellurure de cadmium contient du zinc. 18. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et possédant une bande interdite variable selon la revendication 16, caractérisée en ce que ledit substrat (50) à base de tellurure de cadmium contient du sélénium. 19. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, sensible à au moins deux bandes différentes de rayonnement infrarouge, caractérisée en ce qu'elle comporte: un substrat (50) à base de tellurure de cadmium, une couche tampon (52) formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure-séléniure de cadmium; une première structure d'alliage homogène en tellurure-séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, lesdites couches de tellurure-séléniure de cadmium de la première structure et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium de la première structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la première structure, ladite première structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge situé dans une première bande, et une seconde structure d'alliage homogène en tellurure-séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, ladite couche de tellurure de cadmium et de sélénium possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium de la seconde structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la seconde structure, ladite seconde structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge situé dans une seconde bande. 20. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 19, caractérisée en ce que ledit substrat (50) à base de tellurure de cadmium contient du zinc. 21. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 19, caractérisée en ce que ledit substrat (50) à base de tellurure de cadmium contient du sélénium. 22. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable, sensible à des bandes de rayonnement infrarouge ayant de courtes longueurs d'onde, des longueurs d'onde moyennes et de grandes longueurs d'onde, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat (50) à base de tellurure de cadmium, une couche tampon (52) formée par croissance épitaxiale sur ledit substrat, ladite couche tampon comprenant du tellurure-séléniure de cadmium; une première structure d'alliage homogène (54) en tellurure-séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, lesdites couches de tellurure-séléniure de cadmium de la première structure et ladite couche tampon possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans ces couches une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium de la première structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la première structure, ladite première structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge de courte longueur d'onde, et une seconde structure d'alliage homogène (56) en tellurure-séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurureséléniure de cadmium, lesdites couches de tellurure-séléniure de cadmium de la seconde structure possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium de la seconde structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la seconde structure, ladite seconde structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge de longueur d'onde moyenne, et une troisième structure d'alliage homogène (58) en tellurure- séléniure de mercure et de cadmium, formée sur ladite couche tampon par croissance épitaxiale de couches alternées de tellurure de mercure et de tellurure-séléniure de cadmium, ladite couche de tellurure- séléniure de cadmium de la troisième structure possédant une fraction molaire de sélénium destinée à produire dans cette couche une constante de réseau sensiblement similaire à la constante de réseau desdites couches de tellurure de mercure, et lesdites couches de tellurure de mercure et de tellurure- séléniure de cadmium de la troisième structure étant soumises à un recuit de manière à former ledit alliage homogène de la troisième structure, ladite troisième structure comportant en outre une fraction molaire de cadmium destinée à produire dans cette structure une bande interdite sensible à un rayonnement infrarouge à grande longueur d'onde. 23. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et ayant une bande interdite variable selon la revendication 22, caractérisée en ce que ledit substrat (50) à base de tellurure de cadmium contient du zinc. 24. Structure formée d'un matériau semiconducteur absorbant le rayonnement infrarouge et possédant une bande interdite variable selon la revendication 22, caractérisée en ce que ledit substrat (50) à base de tellurure de cadmium contient du sélénium.