FR 2772155 A1 19990611 FR 9715626 A 19971210 DISPOSITIF DE GENERATION D'UNE TENSION CONTINUE DE REFERENCE La présente invention concerne un dispositif de génération d'une tension continue de référence. Plus précisément, l'invention se rapporte à un dispositif permettant d'obtenir en sortie une tension de référence sensiblement égale à la moitié d'une tension continue d'alimentation fournie à ce dispositif. On connaît de nombreux circuits de génération d'une tension de référence. Cependant ces circuits comprennent généralement des éléments passifs et/ou des transistors bipolaires. Lorsqu'on tente de réaliser l'intégration de tels composants dans une matrice en silicium, de type logique, on se heurte à plusieurs inconvénients. D'une part, un élément passif tel qu'une résistance ohmique, par exemple, présente souvent de fortes variations de sa valeur, de l'ordre de grandeur de 20%. D'autre part, certains de ces composants sont relativement coûteux: par exemple, un transistor bipolaire, plus long à fabriquer qu'un transistor MOS, est plus cher, et est en outre plus difficile à intégrer. La présente invention a pour but de s'affranchir des inconvénients précités en proposant un dispositif de génération d'une tension continue de référence réalisé exclusivement à partir de transistors MOS. L'utilisation de tels transistors a l'avantage de permettre, par rapport aux composants précités, à faible coût, une intégration plus facile, un gain en densité d'intégration, une faible consommation statique et l'obtention d'une tension de référence avec une précision de l'ordre de 1%. Le principe de fonctionnement du dispositif proposé repose sur la compensation des variations de tension en fonction de la température ambiante et/ou de fonctionnement du dispositif, les variations de la température de fonctionnement étant liées à la qualité du procédé de fabrication du dispositif. Afin d'atteindre le but précité, la présente invention propose un dispositif de génération d'une tension continue de référence sensiblement égale à la moitié d'une tension continue d'alimentation fournie à ce dispositif, remarquable en ce qu'il comprend: un étage d'entrée, formant un premier diviseur potentiométrique comportant une première branche reliée à l'alimentation et une deuxième branche reliée à la masse, les première et deuxième branches ayant un comportement asymétrique en réponse à des variations de la température ambiante et/ou de fonctionnement, les variations de la température de fonctionnement étant liées à la qualité du procédé de fabrication du dispositif, cet étage d'entrée fournissant une première tension continue NBGP ayant une composante statique et une composante dynamique; un étage intermédiaire, formant un filtre résistif et capacitif, qui reçoit en entrée la première tension continue NBGP, en supprime la composante dynamique, et fournit en sortie une deuxième tension continue NARF; et un étage de sortie, formant un deuxième diviseur potentiométrique comportant une première branche reliée à l'alimentation et une deuxième branche reliée à la masse, les première et deuxième branches du deuxième diviseur potentiométrique ayant un comportement asymétrique analogue au comportement des première et deuxième branches du premier diviseur potentiométrique, les variations relatives de tension du deuxième diviseur en fonction de la température ambiante et/ou de fonctionnement étant cependant plus faibles que les variations relatives de tension du premier diviseur, les variations de la température de fonctionnement étant liées à la qualité du procédé de fabrication, cet étage de sortie comportant en outre une fonction inverseur logique, cet étage de sortie fournissant une troisième tension continue NREF, dont les variations en fonction de la température ambiante et/ou de fonctionnement, les variations de la température de fonctionnement étant liées à la qualité du procédé de fabrication, sont inverses de celles de la deuxième tension continue NARF, les variations de la deuxième tension continue NARF étant ainsi compensées. Dans un mode particulier de réalisation, la première branche de l'étage d'entrée comprend un premier transistor MOS de type P et un deuxième transistor MOS de type N, la grille du deuxième transistor et le drain du premier transistor étant reliés à l'alimentation, la source du premier transistor étant reliée au drain du deuxième transistor, la deuxième branche de l'étage d'entrée comprend un troisième transistor MOS de type P et un quatrième transistor MOS de type N, la grille du troisième transistor et la source du quatrième transistor étant reliées à la masse, la source du troisième transistor étant reliée au drain du quatrième transistor, les grilles des premier et quatrième transistors étant reliées entre elles, la source du deuxième transistor étant reliée au drain du troisième transistor et aux grilles des premier et quatrième transistors, et constituant la sortie de l'étage d'entrée. Dans un mode particulier de réalisation, l'étage intermédiaire comprend une première cellule capacitive, comportant un cinquième transistor MOS de type P et un sixième transistor MOS de type N, les grilles des cinquième et sixième transistors étant reliées entre elles ainsi qu'à la sortie de l'étage d'entrée, la source et le drain du cinquième transistor étant reliés à l'alimentation, la source et le drain du sixième transistor étant reliés à la masse, une cellule résistive, comportant un septième transistor MOS de type N et un huitième transistor MOS de type P, la grille du septième transistor étant reliée à l'alimentation, la grille du huitième transistor étant reliée à la masse, la source du septième transistor et le drain du huitième transistor étant reliés entre eux ainsi qu'aux grilles des cinquième et sixième transistors de la première cellule capacitive et ayant un potentiel égal à la première tension continue NBGP, le drain du septième transistor et la source du huitième transistor étant reliés entre eux et ayant un potentiel égal à la deuxième tension continue NARF, et une deuxième cellule capacitive, comportant un neuvième transistor MOS de type P et un dixième transistor MOS de type N, la source et le drain du neuvième transistor étant reliés à l'alimentation, la source et le drain du dixième transistor étant reliés à la masse, les grilles des neuvième et dixième transistors étant reliées entre elles ainsi qu'au drain du septième transistor de la cellule résistive et constituant la sortie de l'étage intermédiaire. Dans un mode particulier de réalisation, la première branche de l'étage de sortie comprend un onzième transistor MOS de type P et un douzième transistor MOS de type N, la grille du douzième transistor et le drain du onzième transistor étant reliés à l'alimentation, la source du onzième transistor étant reliée au drain du douzième transistor, la deuxième branche de l'étage de sortie comprend un treizième transistor MOS de type P et un quatorzième transistor MOS de type N, la grille du treizième transistor et la source du quatorzième transistor étant reliées à la masse, la source du treizième transistor étant reliée au drain du quatorzième transistor, les grilles des onzième et quatorzième transistors étant reliées entre elles ainsi qu'à la sortie de l'étage intermédiaire, la source du douzième transistor étant reliée au drain du treizième transistor et constituant la sortie de l'étage de sortie. L'invention propose également l'utilisation d'un dispositif du type ci-dessus dans un circuit intégré. D'autres aspects et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit de modes particuliers de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La présente invention se réfère aux dessins qui l'accompagnent, dans lesquels: - la figure 1 est un schéma électrique d'un circuit à base de transistors MOS réalisant le dispositif de l'invention, dans un mode particulier de réalisation; - la figure 2 est un schéma électrique équivalent du circuit de la figure 1, illustrant les fonctions résistive, capacitive et d'inversion thermique remplies par les divers transistors; la figure 3 est un graphique représentant la troisième tension continue NREF et l'évolution de la première tension continue NBGP en fonction de la température ambiante, pour une tension continue d'alimentation de volts et pour une gamme de températures ambiantes de -40 C à +125 C; - la figure 4 est un graphique représentant la troisième tension continue NREF et l'évolution de la deuxième tension continue NARF en fonction de la température, pour une tension continue d'alimentation de 5 volts et pour une gamme de températures ambiantes de -40 C à +125 C; et - la figure 5 est un graphique représentant le détail de l'évolution de la troisième tension continue NREF dans l'intervalle [2,4995 V; 2,4998 V], illustrant ses très faibles variations, pour une gamme de températures ambiantes de -40 C à +125 C. Comme le montre la figure 1, le dispositif de génération de tension continue de référence de l'invention se compose de trois parties principales: un étage d'entrée , un étage intermédiaire 11 et un étage de sortie 12. Sur la figure 1, les flèches désignent la connexion à une tension continue d'alimentation, par exemple de 5 V, ou de 3 V. Les triangles désignent la connexion à la masse. L'étage d'entrée 10 forme un diviseur de tension, qui fournit en sortie une première tension continue NBGP sensiblement égale à la moitié de la tension d'alimentation. L'étage d'entrée 10 comporte deux branches 101 et 102. La première branche 101 est reliée à l'alimentation et la deuxième branche 102 est reliée à la masse. Les éléments constitutifs de chaque branche sont choisis de façon que lorsque la température ambiante et/ou de fonctionnement varie, chaque branche réagit différemment. Dans le mode particulier de réalisation illustré par la figure 1, les deux branches 101, 102 sont réalisées à partir de transistors MOS de type P et de type N. Dans toute la suite, les transistors dont le signe de référence commence par "TP" sont des transistors MOS de type P, et les transistors dont le signe de référence commence par "TN" sont des transistors MOS de type N. La première branche 101 comprend un premier transistor TP0 et un deuxième transistor TN0. La grille du deuxième transistor TN0 et le drain du premier transistor TP0 sont reliés à l'alimentation. La source du premier transistor TP0 est reliée au drain du deuxième transistor TN0, c'est-à-dire que les premier et deuxième transistors TP0 et TN0 sont montés en série. La deuxième branche 102 comprend un troisième transistor TP1 et un quatrième transistor TN2 montés en série: la grille du troisième transistor TP1 et la source du quatrième transistor TN2 sont reliées à la masse, et la source du troisième transistor TP1 est reliée au drain du quatrième transistor TN2. Les deux branches 101, 102 sont reliées entre elles comme suit: les grilles des premier et quatrième transistors TP0 et TN2 sont reliées entre elles en un point A; la source du deuxième transistor TN0 est reliée au drain du troisième transistor TP1 en un point B, et aux grilles des premier et quatrième transistors TP0 et TN2, par connexion des points A et B. La fonction inverseur logique d'un tel circuit se trouve court-circuitée du fait de la liaison entre ces points A et B. Comme indiqué plus haut, lorsque la température ambiante et/ou de fonctionnement varie, les branches 101 et 102 n'ont pas le même comportement. On choisit la longueur L du canal des transistors TPO, TNO, TP1, TN2 de telle façon que lorsque la température augmente, la tension de seuil des premier et deuxième transistors TP0, TN0 augmente plus fortement que la tension de seuil des troisième et quatrième transistors TP1, TN2. On rappelle l'équation du comportement électrique des transistors PMOS et NMOS: W Ids = Cox. (VGS - VT) 2L"'Co O Ids désigne le courant drain-source, W désigne la largeur du canal, L désigne la longueur du canal, p désigne la mobilité électrique, Cox désigne la capacité par unité de surface de l'oxyde de grille, VGS désigne la tension entre la grille et la source, et VT désigne la tension de seuil du transistor considéré. Lorsque la température augmente, du fait que VT augmente plus fortement pour l'ensemble (TP0, TN0) que pour l'ensemble (TP1, TN2), l'impédance, liée à l'inverse du courant drain-source, qui diminue plus fortement pour l'ensemble (TPO, TNO) que pour l'ensemble (TP1, TN2), augmente plus fortement pour l'ensemble (TP0, TN0) que pour l'ensemble (TP1, TN2). Les deux branches ont donc un comportement asymétrique en réponse aux variations de température. Lorsque la température de fonctionnement augmente, cette asymétrie permet d'engendrer une diminution de la première tension continue NBGP fournie par l'étage d'entrée. Inversement, lorsque la température de fonctionnement diminue, une augmentation de la première tension continue NBGP est susceptible d'apparaître. Ces variations de température de fonctionnement sont liées à la qualité du procédé de fabrication des transistors et à la température ambiante. En effet, dans le cas d'un procédé de fabrication dit lent, c'est-à-dire ayant des paramètres de fabrication (précision des machines utilisées, qualité de diffusion, etc.) relativement mauvais, les transistors obtenus présentent une rapidité de commutation relativement faible. Inversement, dans le cas d'un procédé de fabrication dit rapide, ayant des paramètres relativement bons, les transistors réalisés ont une plus grande rapidité de commutation. Plus le procédé de fabrication est lent, plus la tension de seuil du transistor est élevée, ce qui réduit d'autant plus l'effet des variations de la température de fonctionnement et de la température ambiante sur la tension. Comme le montre le schéma électrique équivalent de la figure 2, l'étage d'entrée 10 est équivalent à un diviseur potentiométrique à deux résistances, dont la première, RTPO,TNO, est l'équivalent des premier et deuxième transistors TP0, TNO, et la deuxième, RTP1,2, est l'équivalent des troisième et quatrième transistors TP1, TN2. La figure 3 représente les variations de la première tension continue NBGP en fonction de la température dans un exemple particulier, o la tension continue d'alimentation est égale à 5 V, et o on fait varier la température ambiante entre -40 C et +125 C. On observe une baisse sensiblement linéaire de NBGP au fur et à mesure que la température augmente. A titre de comparaison, on a également représenté la troisième tension continue NREF obtenue en sortie du dispositif de génération de tension continue. On voit que la tension NREF est sensiblement constante et égale à 2,5 V, soit la moitié de la tension continue d'alimentation. Le point B de l'étage d'entrée 10 est relié à l'entrée de l'étage intermédiaire 11. Le rôle de l'étage intermédiaire 11 est d'apporter une protection contre le bruit de commutation, du type bruit conduit ou bruit rayonné, engendré par les divers éléments du circuit environnant. La première tension continue NBGP fournie par l'étage d'entrée 11 présente une composante statique et une composante dynamique. L'étage intermédiaire 11 effectue un filtrage du type résistif et capacitif de la valeur analogique NBGP pour en supprimer la composante dynamique. Dans un mode particulier de réalisation, l'étage intermédiaire 11 comprend une cellule résistive 112 encadrée de deux cellules capacitives 111 et 113. Dans le mode particulier de réalisation illustré par la figure 1, la première cellule capacitive 111 comporte un cinquième transistor TP2 et un sixième transistor TN1. Les grilles de TP2 et TN1 sont reliées entre elles ainsi qu'au point B de l'étage d'entrée 10. La source et le drain de TP2 sont reliés à l'alimentation, et la source et le drain de TN1 sont reliés à la masse. Comme le montre la figure 2, la première cellule capacitive 111 est équivalente à une paire de condensateurs, dont le premier, CTP2, est formé par le cinquième transistor TP2, et le deuxième, CTN1, est formé par le sixième transistor TN1. La cellule résistive 112 comporte un septième transistor TN3 et un huitième transistor TP3. La grille de TN3 est reliée à l'alimentation. La grille de TP3 est reliée à la masse. La source de TN3 et le drain de TP3 sont reliés entre eux ainsi qu'aux grilles des cinquième et sixième transistors TP2 et TN1 de la première cellule capacitive 111, et ont un potentiel égal à la première tension continue NBGP. La cellule résistive 112 est équivalente à une résistance RTN3,TP3 représentée sur le schéma équivalent de la figure 2. La deuxième cellule capacitive 113 comporte un neuvième transistor TP4 et un dixième transistor TN5. La source et le drain de TP4 sont reliés à l'alimentation. La source et le drain de TN5 sont reliés à la masse. Les grilles de TP4 et TN5 sont reliées entre elles ainsi qu'au drain du septième transistor TN3 et à la source du huitième transistor TP3 de la cellule résistive, et constituent la sortie de l'étage intermédiaire. La deuxième cellule capacitive 113, de structure analogue à la première cellule capacitive 111, a également un schéma équivalent analogue, comportant une paire de condensateurs représentés sur la figure 2, dont le premier, CTP4, est formé par le neuvième transistor TP4, et le deuxième, CTNS, est formé par le dixième transistor TNS. Le drain du septième transistor TN3 et la source du huitième transistor TP3 sont reliés entre eux et ont un potentiel égal à une deuxième tension continue NARF. Les variations de la tension NARF en fonction de la température sont illustrées par le graphique de la figure 4, dans un exemple particulier, o, de même que pour les courbes de la figure 3, la tension continue d'alimentation est égale à 5 V, et on fait varier la température ambiante entre -40 C et +125 C. On a également représenté la tension NREF, à titre de comparaison. Les variations de la deuxième tension continue NARF sont sensiblement identiques à celles de la première tension continue NBGP: on observe une baisse quasi linéaire de NARF lorsque la température augmente. Il reste à compenser cette baisse pour obtenir en sortie du dispositif une tension NREF sensiblement constante et égale à la moitié de la tension continue d'alimentation. C'est le rôle joué par l'étage de sortie 12, qui remplit une double fonction d'inversion logique et de compensation des variations de tension en fonction de la température. Dans le mode particulier de réalisation représenté sur la figure 1, l'étage de sortie 12 a une structure analogue à celle de l'étage d'entrée 10, à l'exception des points C et D qui, contrairement aux points A et B, ne sont pas reliés entre eux, ce qui confère à l'étage de sortie 12, outre sa fonction de diviseur potentiométrique, celle d'un inverseur logique. L'étage de sortie 12 comprend une première branche 121, qui comporte un onzième transistor TP5 et un douzième transistor TN6, la grille de TN6 et le drain de TP5 étant reliés à l'alimentation, la source de TP5 étant reliée au drain de TN6. L'étage de sortie 12 comprend également une deuxième branche 122, qui comporte un treizième transistor TP7 et un quatorzième transistor TN8, la grille de TP7 et la source de TN8 étant reliées à la masse, la source de TP7 étant reliée au drain de TN8, les grilles de TP5 et TN8 étant reliées entre elles au point C, ainsi qu'à la sortie de l'étage intermédiaire 11. La source de TN6 est reliée au drain de TP7 au point D, qui constitue la sortie de l'étage de sortie 12, et de l'ensemble du dispositif. Le point D est au potentiel NREF. On choisit les longueurs de canal des transistors TP5, TN6, TP7, TN8 de telle façon que lorsque la température varie, les tensions de seuil des transistors TP5 et TN6 varient plus fortement que les tensions de seuil des transistors TP7 et TN8, et de telle façon que le comportement asymétrique des deux branches 121, 122, analogue à celui, déjà décrit, des deux branches 101, 102 de l'étage d'entrée 10, induise des variations de tension de même sens que celles de l'étage d'entrée, mais plus faibles. L'étage de sortie 12 agit en outre comme un inverseur vis-à-vis des variations de tension induites par les variations de température. Ainsi, en cas d'augmentation de la température par exemple, la tension NARF, résultat du filtrage de la tension NBGP qui tend à diminuer, a également tendance à diminuer. La tension NREF tendrait aussi à diminuer du fait de l'augmentation de température; cependant, du fait de l'inversion logique réalisée par l'étage de sortie 12, la tendance à la diminution de la tension NARF est transformée en une tendance à l'augmentation de la tension NREF résultante, ce qui permet de compenser ainsi la tension NREF délivrée. Inversement, en cas de baisse de température, la tendance à l'augmentation de NREF est compensée par l'inversion logique de la tendance à l'augmentation de NARF, qui se traduit par une tendance à la diminution de NREF venant compenser sa tendance à l'augmentation. Il en résulte que la tension NREF subit de faibles variations, illustrées dans un cas particulier par la figure , o la tension continue d'alimentation est de 5 V, et o on a relevé la valeur de NREF pour des températures ambiantes variant de -40 C à +1250C. On observe que NREF est stable et égale à 2,49980 V pour une plage de températures sensiblement comprises entre +5 C et +65 C, et présente des variations ne dépassant pas 2,4998 - 2,4995 = 3.10-4 V dans les intervalles de température [-40 C, +5 C] et [+65 C, +125 C]. Comme le montre la figure 2, l'étage de sortie 12 est équivalent à un montage série comprenant, en cascade, d'une part, un diviseur potentiométrique à deux résistances, et d'autre part, un inverseur logique INV. La première résistance du diviseur, RTPS,TN6, est l'équivalent des onzième et douzième transistors TP5, TN6, et la deuxième résistance du diviseur, RTP7,TN8, est l'équivalent des treizième et quatorzième transistors TP7, TN8. Dans un exemple particulier de réalisation, qui correspond aux courbes des figures 3 à 5, on choisit les longueurs et les largeurs de canal des différents transistors de façon qu'elles vérifient les relations suivantes: L(TN2) _ 4 x L(TN0) L(TN8) - 2 x L(TN6) L(TN6) - 2 x L(TN0) L(TP7) - 2 x L(TP1) W(TP3) _ 2 x W(TN3) o L et W désignent respectivement la longueur et la largeur des transistors dont les chiffres de référence sont indiqués entre parenthèses. Comme décrit précédemment, l'invention permet donc d'engendrer une tension de référence de type moitié d'alimentation. Des tests ont montré que la précision obtenue est de l'ordre de 1% pour une alimentation de 5 V 10%. L'invention peut être utilisée dans de nombreux types de circuits intégrés, par exemple pour la génération de signaux logiques à partir d'un signal de faible amplitude ayant pour point de repos la tension de référence produite5 par l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif de génération d'une tension continue de référence sensiblement égale à la moitié d'une tension continue d'alimentation fournie audit dispositif, caractérisé en ce qu'il comprend: un étage d'entrée (10), formant un premier diviseur potentiométrique comportant une première branche (101) reliée à l'alimentation et une deuxième branche (102) reliée à la masse, les première et deuxième branches (101, 102) ayant un comportement asymétrique en réponse à des variations de la température ambiante et/ou de fonctionnement, les variations de la température de fonctionnement étant liées à la qualité du procédé de fabrication du dispositif, ledit étage d'entrée fournissant une première tension continue (NBGP) ayant une composante statique et une composante dynamique; un étage intermédiaire (11), formant un filtre résistif et capacitif, qui reçoit en entrée ladite première tension continue (NBGP), en supprime la composante dynamique, et fournit en sortie une deuxième tension continue (NARF); et un étage de sortie (12), formant un deuxième diviseur potentiométrique comportant une première branche (121) reliée à l'alimentation et une deuxième branche (122) reliée à la masse, les première et deuxième branches (121, 122) du deuxième diviseur potentiométrique ayant un comportement asymétrique analogue au comportement des première et deuxième branches (121, 122) du premier diviseur potentiométrique, les variations relatives de tension du deuxième diviseur en fonction de la température ambiante et/ou de fonctionnement étant cependant plus faibles que les variations relatives de tension du premier diviseur, les variations de la température de fonctionnement étant liées à la qualité du procédé de fabrication, ledit étage de sortie (12) comportant en outre une fonction inverseur logique, ledit étage de sortie fournissant une troisième tension continue (NREF), dont les variations en fonction de la température ambiante et/ou de fonctionnement, les variations de la température de fonctionnement étant liées à la qualité du procédé de fabrication, sont inverses de celles de ladite deuxième tension continue (NARF), les variations de la deuxième tension continue (NARF) étant ainsi compensées. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première branche (101) de l'étage d'entrée (10) comprend un premier transistor MOS de type P (TP0) et un deuxième transistor MOS de type N (TN0), la grille du deuxième transistor (TN0) et le drain du premier transistor (TP0) étant reliés à l'alimentation, la source du premier transistor (TP0) étant reliée au drain du deuxième transistor (TN0), la deuxième branche (102) de l'étage d'entrée (10) comprend un troisième transistor MOS de type P (TP1) et un quatrième transistor MOS de type N (TN2), la grille du troisième transistor (TP1) et la source du quatrième transistor (TN2) étant reliées à la masse, la source du troisième transistor (TP1) étant reliée au drain du quatrième transistor (TN2), les grilles des premier et quatrième transistors (TP0, TN2) étant reliées entre elles, la source du deuxième transistor (TN0) étant reliée au drain du troisième transistor (TP1) et aux grilles des premier et quatrième transistors (TP0, TN2) et constituant la sortie de l'étage d'entrée (10) 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'étage intermédiaire (11) comprend une première cellule capacitive (111), comportant un cinquième transistor MOS de type P (TP2) et un sixième transistor MOS de type N (TN1), les grilles des cinquième et sixième transistors (TP2, TN1) étant reliées entre elles ainsi qu'à la sortie de l'étage d'entrée (10), la source et le drain du cinquième transistor (TP2) étant reliés à l'alimentation, la source et le drain du sixième transistor (TN1) étant reliés à la masse, une cellule résistive (112), comportant un septième transistor MOS de type N (TN3) et un huitième transistor MOS de type P (TP3), la grille du septième transistor (TN3) étant reliée là l'alimentation, la grille du huitième transistor (TP3) étant reliée à la masse, la source du septième transistor (TN3) et le drain du huitième transistor (TP3) étant reliés entre eux ainsi qu'aux grilles des cinquième et sixième transistors (TP2, TN1) de la première cellule capacitive (111) et ayant un potentiel égal à ladite première tension continue (NBGP), le drain du septième transistor (TN3) et la source du huitième transistor (TP3) étant reliés entre eux et ayant un potentiel égal à ladite deuxième tension continue (NARF), et une deuxième cellule capacitive (113), comportant un neuvième transistor MOS de type P (TP4) et un dixième transistor MOS de type N (TN5), la source et le drain du neuvième transistor (TP4) étant reliés à l'alimentation, la source et le drain du dixième transistor (TN5) étant reliés à la masse, les grilles des neuvième et dixième transistors (TP4, TN5) étant reliées entre elles ainsi qu'au drain du septième transistor (TN3) de la cellule résistive (112) et constituant la sortie de l'étage intermédiaire (11). 4. Dispositif selon la revendication 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la première branche (121) de l'étage de sortie (12) comprend un onzième transistor MOS de type P (TP5) et un douzième transistor MOS de type N (TN6), la grille du douzième transistor (TN6) et le drain du onzième transistor (TP5) étant reliés à l'alimentation, la source du onzième transistor (TP5) étant reliée au drain du douzième transistor (TN6), la deuxième branche (122) de l'étage de sortie (12) comprend un treizième transistor MOS de type P (TP7) et un quatorzième transistor MOS de type N (TN8), la grille du treizième transistor (TP7) et la source du quatorzième transistor (TN8) étant reliées à la masse, la source du treizième transistor (TP7) étant reliée au drain du quatorzième transistor (TN8), les grilles des onzième et quatorzième transistors (TP5, TN8) étant reliées entre elles ainsi qu'à la sortie de l'étage intermédiaire (11), la source du douzième transistor (TN6) étant reliée au drain du treizième transistor (TP7) et constituant la sortie de l'étage de sortie (12). 5. Utilisation d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 dans un circuit intégré.