FR 2761808 A1 19981009 FR 9802396 A 19980227 TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un transistor en couche mince d'un afficheur à cristal liquide et plus particulièrement un transistor en couche mince présentant une grille comprenant une structure métallique en deux couches, ainsi qu'un procédé de 1 0 fabrication d'une telle grille à structure métallique en deux couches. Un LCD (afficheur à cristal liquide) comprend un dispositif de commutation servant d'élément de pilotage, et une structure de pixel disposée sous forme de matrice présentant des électrodes de pixel transparentes ou réfléchissant la lumière en tant qu'unités de base. Le dispositif de commutation est un transistor en couche mince présentant des régions de source, de drain et de grille. La grille d'un transistor en couche mince est réalisée en aluminium de sorte à réduire sa résistance de ligne, mais une grille en aluminium peut provoquer des défauts tels que des monticules ou excroissances. Une grille en métal à deux couches, par exemple une grille d'aluminium revêtu de molybdène. peut être considérée en tant que substitut de la grille d'aluminium pour surmonter le problème des excroissances. Pour fabriquer une grille en deux couches, on dépose successivement des métaux tels que de l'aluminium et du molybdène, puis on met en oeuvre un traite- ment pour structurer par photolithographie de sorte à former des films métalliques résultants présentant la même largeur. Bien que la grille à double couche soit souhaitable pour surmonter le problème des excroissances, les films métalliques déposés qui en résulte et qui forment la grille à double couche sont si épais qu'ils provoquent un épaulement unique important du fait de la différence d'épaisseur entre les films métalliques et le substrat, ce qui provoque donc une différence d'épaisseur entre le substrat et la grille en double couche qui détériore le recouvrement par une couche d'oxvde de grille formée ensuite. Les régions de source et de drain formées sur la couche d'oxyde de grille peuvent présenter des déconnexions entre les surfaces des régions de source et de drain qui recouvrent la grille et celles qui ne la recou- vrent pas, ou peuvent présenter des courts-circuits électriques du fait de contact avec 315 la grille. Selon un autre procédé de formation de la grille, les couches métalliques d'aluminium et de molybdène forment deux épaulements avec le substrat de sorte à améliorer le recouvrement des épaulements par la couche d'oxyde de grille. I 1(1 1' I, D l) -2,1. xI Im'S. 1,"1 Les figures I A à I 1: sont des schlémas illustrant les étapes de fabrication d'Lu transistor en coLuche mince sclon tin procedé qui est apparlenté ài l'invention décrite cit revendiquée dans la présente demande. Le procédé représenté dans les figures I1A i 1 D n'est pas. selon le demandeur, un art antérieur publié, mais constitue simplemelllnt un procéde découvert récemment apparenté à l'invention telle que décrite et revendi- quée dans la présente demande. En référence à la figure I A, de l'aluminium est déposé sur un substrat I I pour former une première couche métallique 13. Un premier agent photosensible 15 est déposé sur la première couche métallique 13. Le premier agent photosensible 15 est 1 0 exposé et développé de sorte à présenter une certaine largeur wl. sur la coIuche métallique 13. En référence à la figure 1 B, la première couche métallique 13 est structurée par attaque humide en utilisant le premier agent photosensible 15 en tant que masque cle telle sorte que la première couche métallique 13 présente une certaine largeur wl. Après avoir enlevé le premier agent photosensible 15. une seconde couche métallique 17 est formée en déposant du molybdène, du tantale ou du Co sur le substrat 11 de sorte à recouvrir la première couche métallique 13. Un second agent photosensible 19 est ensuite déposé sur la seconde couche métallique 17. Le second agent photosensible 19 est exposé et développé de sorte à présenter une certaine largeur w2 s'étendant sur la seconde couche métallique 17, au-dessus de la première couche métallique 13. En référence à la figure I C, la seconde couche métallique 17 est structurée par un traitement d'attaque humide en utilisant le second agent photosensible 19 cn tant que masque, de telle sorte que la seconde couche métallique 19 présente une certaine largeur w2 clqui est plus faible que la largeur wl de la première couche métallique 13. Après formation de la grille 21, le second agent photosensible 19 est enlevé. Ainsi, les première et seconde couches métalliques structurées 13 ct 17 forment une grille 21, présentant une structure métallique à double couche qui assure un double épaulement entre le substrat 11 et la structure de grille métallique 21 à double couche. La formation de la grille 21 telle que décrite ci-dessus et représentée sur les figures I à 3 nécessite l'usage de deux agents photosensibles 15 et 19 et Lie deux étapes de photolithographie. Dans la grille 21 représentée sur la figure IC, la seconde couche métallique 17 est de préférence disposée de façon centrale sur la première couche métallique 13. Bien qu'il n'existe aucune information spécifique mise à la disposition du public quant au rapport entre wl et w2 dans cette méthode, sur le fondement de leur compréhension de cette méthode apparentée, qui résulte en la structure représentée sur la figure 3, les inventeurs de la présente invention supposent que la différence de R \REI'\N)MI)(). 1II'l- l largeur wl-\\2 entre les première et seconde couches métalliques 13 et 17 est supé- rieure ou égale à 4 mic-romètr-es. c'est-à-dire que wl - \?2 > 4 ptm. iEn référence à la figure I D, une première couche isolante 23 est formée par dépôt d'oxyde de silicium Si()9 ou de nitrure de silicium Si3N4. sous forme d'une structure à une couche ou à deux couches sur la grille 21 et le substrat 11. Des couches semi-conductrices et de contact ohmique 25 et 27 sont formées en déposant successivement du silicium polycristallin non dopé, et du silicium fortement dopé sur la première couche isolante 23. Les couches semi-conductrices et de contact ohmique 25 et 27 sont structurées pour découvrir la première couche isolante 23. pa I 0 photolithographie. En référence à la figure IE, un métal conducteur tel que de l'aluminium est laminé sur les couches isolantes 23 et de contact ohmique 27. Le métal conducteur est structuré par photolithographie de sorte à former une électrode de source 29 et une électrode de drain 31. Une portion de la couche de contact ohmique 27 exposée I 5 entre les électrodes de drain et de source 29 et 31 est attaquée en utilisant les élec- trodes de source et de drain 29 et 31 en tant que masques. En référence à la figure IF, de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium est déposé sur toute la surface de la structure de sorte à former une seconde couche isolante 33. La seconde couche isolante 33 est attaquée pour exposer ou découvrir une portion déterminée de l'électrode de drain 31, formant ainsi un trou de contact 35. En déposant un matériau conducteur et transparent sur la seconde couche isolante 33 et en le structurant par photolithographie, on forme une électrode de pixel 37 qui est électriquement reliée à l'électrode de drain 31 à travers le trou de contact 35. Selon la méthode de fabrication d'un transistor en couche mince décrite ci- dessus et représentée sur les figures I A à I F, des couches respectives d'un premier et d'un second métal sont formées par photolithographie en utilisant des masques diffé- rents pour former la grille avec une structure métallique en double couche, ce qui provoque deux épaulements entre la grille et le substrat. Du fait du double épaulement entre la grille 21 et le substrat 1 1 représenté sur la figure IC, il y a souvent une excroissance sur les deux portions latérales de la première couche métallique 13 qui ne sont pas recouvertes par une partie de la seconde couche métallique 17, lorsque la première couche métallique 13 est plus large que la seconde couche métallique 17 comme représenté sur la figure I C. Un autre problème dans ce procédé apparenté est que le traitement de fabrication de la grille est complexe et nécessite deux agents photosensibles 15 et 19 et deux étapes de dépôt et de photolithographie. En conséquence, la résistance de contact entre les premier et second métaux peut être augmentée. Uln autre procdé de oloirmation d'une grille métallique à double couche cst décrite dlans "I ow Cost. High Quality I:2T-L(CD IProcess", SOC'IETY I()I INFORMATI()N DISPLAY EURO DISPLAY 96, Proceedings of the 16th Intcrna- tional L)isplay Research Conference, Birmingham,. Angleterre, ler Octobre 199%. pages 591-594. A la page 592 de cette publication, un procédé de formation d'uile structure de grille avec deux métaux comprend une étape de dépôt des deux couches métalliques, puis une étape d'attaque des deux couches métalliques, de sorte L elimii- net- l'étape additionnelle à l'agent de photolithographic utilisant un agent photosen- sible. Toutefois, dans ce procédé, les difficultés de traitement pendant l'étape uLniqluCL d'attaque de photolithographie permettant de former la grille à double couche métal- lique résultent en ce que la couche supérieure est plus large que la couche inférieurc. ce qui provoque un surplomb de la couche supérieure au dessus de la couche intfé- rieure. Cette difficulté peut provoquer un mauvais recouvrement de l'épaulement et des déconnexions. Ce problème a été résolu en utilisant un traitement d'attaque en trois étapes, dans lequel l'agent photosensible doit être cuit avant chacune des trois étapes d'attaque pour éviter des soulèvements ou des enlèvements de l'agent photo- sensible pendant l'attaque. Ce traitement d'attaque en trois étapes, ainsi que la cuisson requise de l'agent photosensible, augmentent sensiblement et le nonlblre d'étapes du procédé de formation de grille. Pour surmonter les problèmes qui viennent d'être discutés, les modes de réali- sation préférés de la présente invention fournissent un transistor en couche mince qui empêche la formation d'excroissances et la détérioration du recouvrement de l'épaulement d'unile grille à double couche métallique par une couche d'oxyde dec grille formée ultérieurement. Les modes de réalisation préférés de la plrésente invention fournissent ut] procédé de fabrication d'un transistor en couche mince qui simplifie le procédé tidc fabrication d'une grille à double couche métallique. Les modes de réalisation préférés de la présente invention fournissent en outre un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince qui réduit la résistance de contact entre les première et seconde couches métalliques formant une grille. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront dans la description qui suit ou pourront être enseignés par la mise en oeuvre de l'invention. Ces objectifs ainsi que d'autres avantages de l'invention, peuvent être réalisés el obtenus grâce à la structure qui est tout particulièrement décrite dans la description et les revendications ainsi que dans les dessins. Pour obtenir ces avantages ainsi que d'autres avantages, l'invention propose: un transistor en couche mince, comprenant: - un substrat; et uInC grille presentant Lune strutcture à deux couches avec une premièe couche métallique et uilne seconde couche métallique disposées sur le substrat,. la première couche métallique étant plus large que la seconde couche métallique d'environ 1 à 4 rum. > Selon un mode de réalisation, la seconde couche métallique se trouve dans une portion médiane de la première couche métallique, de telle sorte que les deux portions latérales de la première couche métallique qui ne sont pas recouvertes par la seconde couche métallique présentent la même largeur. Selon un autre mode de réalisation, la première couche métallique comprend I 0 au moins un métal choisi parmi Al, Cu et Au. Selon un autre mode de réalisationen encore, la seconde couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Mo, Ta et Co. Selon encore un autre mode de réalisation: - uneic première couche isolante disposée sur le substrat et sur la grille; 1 5 - une couche semi- conductrice disposée sur une portion de la couche isolante en une position correspondant à la grille; - une couche de contact ohmique disposée sur les deux côtés de la couche semi- conductrice; - une électrode de source et une électrode de drain disposées sur la couche de contact ohmique et s'étendant au- dessus de la première couche isolante; et - une seconde couche isolante recouvrant la couche semi-conductrice, les électrodes de source et de drain, et la première couche isolante. L'invention propose également un procédé de fabrication d'un transistor en couche minlice comprenant les étapes de: _5 - dépôt d'unilc première couche métallique sur le substrat; - dépôt d'une seconde couche métallique sur la première couche métallique immédiatement après l'étape de dépôt de la première couche métallique; - formation d'une réserve de gravure unique présentant une largeur prédé- terminée au-dessus de la seconde couche métallique; - mise en forme de la seconde couche métallique en utilisant la réserve de gravure comme masque; - mise en forme de la première couche métallique en utilisant la réserve de gravure comme masque, la première couche métallique étant attaquée de sorte à présenter une largeur supérieure à la largeur de la seconde couche métallique, et à former ainsi une grille présentant une structure stratifiée formée des première et seconde couches métalliques et; enlèvement de la réserve de gravure, procédé dans lequel les étapes de mise en forlmec de la seconde couche métalliquc et de la première couche métalliquc colmprennent chacune une étape d'attaque unique. Selon un mode de réalisation, I'étape de mise en lobrmie de la seconde couche mntallique comprend une étape d'attaque isotropiquc utilisant la réserve de graV\uIc unique et en ce que l'étape de mise en forme de la première couche métallique comprend une étape d'attaque anisotropique utilisant la réserve de gravure unique comme masque, la seconde couche métallique étant attaquée de sorte à être plus étroite que la réserve de gravure d'environ 1 à 4 imn. Selon un autre mode de réalisation, le procédé comprend les étapes de: tormation d'une première couche isolante sur le substrat, y compris sur la grille; - formation d'une couche semi-conductrice et d'une couche de contact ohmique sur une portion de la première couche isolante en une position correspondant il la grille; - formation d'une électrode de source et d'une électrode de drain s'étendant sur la première couche isolante des deux côtés de la couche de contact ohmique. et enlèvement d'une portion de la couche de contact ohmique découverte entre les électrodes de source et de drain; - formation d'une seconde couche isolante recouvrant la couche semii- conductrice, l'électrode de source, l'électrode de grille et la première couche isolante. Selon un encore autre mode de réalisation du procédé, les première et seconde couches métalliques sont déposées successivement par pulvérisation ou par cldépt chimique en phase vapeur, sans rupture de l'état de vide. Selon un autre mode de réalisation du procédé, la première couche métalliquc est formée d'Al, Cu ou Au. Selon un autre mode de réalisation du procédé la première couche métalliquLIc présente une épaisseur de 500 à 4000 Angstroems environ. Selon un autre mode de réalisation, du procédé la seconde couche métallique est formée de Mo, Ta ou Co. Selon un autre mode de réalisation du procédé, la seconde couche métalliCque présente une épaisseur d'environ 500 à 2000 Angstroems. Selon un autre mode de réalisation du procédé. la seconde couche métallique est attaquée par une solution d'attaque préparée par mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HINO3. Selon un autre mode de réalisation du procédé, la première couche métallique est enlevée par attaque sèche. R RiIl'\NóOM I)(1( ' I;l r l' s - h Selon un autre mode de realisation du procedé encore les deux portions latérales dc la premiière couche métallique qui nc sont pas recouvertes par la scconde couche métalliquc présentent la même largeur. L'invention propose également un procédé de fabrication d'uni transistor cn couche mince comliprenant les étapes de: - dépôt d'une premiire couche métallique sur un substrat; - dépôt d'une seconde couche métallique sur la première couche métallique sans formation préalable d'une réserve de gravure sur la première couche métallique; 1 - formation d'une réserve de gravure présentant une largeur prédéterminée sur la seconde couche métallique; - attaque anisotropique des première et seconde couches métalliques de telle sorte que la première couche métallique et la seconde couche métallique présentent la même largeur de réserve de gravure, en utilisant la même largeur que la réservc de ravure, en utilisant la réserve de gravure commne masque; - attaque isotropique de la seconde couche métallique de telle sorte que la seconde couche métallique soit plus étroite que la réserve de gravure d'environ I à 4 grm. en utilisant la réserve de gravure comme masque de sorte à former une grille présentant une structure à double couche comprenant des première et seconde couches métalliques; et - enlèvement de la réserve de gravure. Selon un mode de réalisation le procédé comprend les étapes de: ftormation d'une premicère couche isolante sur le substrat, et sur la grille; - formation d'une couche semi-conductrice et d'une couche de contact ohmique sur une portion de la première couche isolante, en une position correspondant à la grille; - formation d'une électrode de source et d'une électrode de drain s'étendant sur la première couche isolante des deux côtés de la couche de contact ohmique, et enlèvement d'une portion de la couche de contact ohmique exposée entre les électrodes de source et de drain; et - formation d'une seconde couche isolante recouvrant la couche semi- conductrice. l'électrode de source, l'électrode de grille et la première couche isolante. Selon un mode de réalisation, la première couche métallique est formée d'Al, Cu ou Au. Selon un mode de réalisation, la seconde couche métallique est formée de Mo, Ta ou Co. Selon Un autre mode de réalisation encore. les première et seconde couches métalliques sont enlevées par attaque sèche. Selon encore un autre mode de réalisation la secondc couche métallique esi attaquée par une solution d'attaque préparée par mélange d'acide phloslphoriqLtlc H3PO4. d'acide acétique ('FCH3COH et d'acide nitrique NIIO3. L'invention propose enfin un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes de: - dépôt d'une première couche métallique sur un substrat; - dépôt d'une seconde couche métallique sur la première couche métallique sans 1 0 auparavant former de réserve de gravure la première couche métallique: - tformation d'une réserve de gravure unique présentant une largeur prédétcrmi- née sur la seconde couche métallique; - mise en forme des première et seconde couches métalliques simultanément en une seule étape d'attaque utilisant la réserve de gravure unique comme mlasque: et - enlèvement de la réserve de gravure. Ces éléments ainsi que d'autres éléments caractéristiques et avantages des modes de réalisation préférés de la présente invention apparaîtront dans la descrip- tion détaillée qui suit des modes de réalisation préférés de l'invention tels qu'illustrés dans les dessins joints. Les dessins joints permettent d'assurer une meilleure compréhension de I'invention, illustrent des modes de réalisation préfiérés de l'invention et, avec la description, servent à expliquer les principes de l'invention, et montrent - Figures 1A à IF, des schémas illustrant des étapes de fabrication d'un transistor en couche mince selon un procédé qui est apparenté au mode de réalisation préféré de la présente invention; - Figure 2. une vue de dessus d'un transistor en couche mince selon un mode ide réalisation préféré de la présente invention - Figure 3, une vue en coupe le long de la ligne X-X de la figure 2; et - Fiuures 4A à 4F, des schémas illustrant les étapes de fabrication d'un transistor en couche mince selon les modes de réalisation préférés de la présente inven- tion. Il est maintenant fait référence en détail aux modes de réalisation préférés de l'invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins joints. La figure 2 est une vue de dessus d'un transistor en couche mince selon un mode de réalisation préféré de l'invention. La figure 3 est une vue en coupe le long de ligne X-X de la figure 2. R \REI'\NOM I)(' - 2 I i e 8 "1 Le transistor en couche mince comprend une grille 49 présentant une structure à double couche formée d'une première couche métallique 43. d'une seconde couche métallique 45 déposée sur uni substrat 41. une première couche isolante 51. une seconde couche isolante 61. une couche semi-conductrice 53. une couche de contact ohmique 55. une electrode de source 57. une électrode de drain 59 et une électrode de pixel 65. La grille 49 présente une structure en double couche comprenant des première et seconde couches métalliques 43 et 45 disposées sur le substrat 41. La première couche métallique 43 est de préférence formée d'un métal conducteur tel que Al, Cu ou Au, et est déposée de sorte à présenter une certaine largeur wl. La seconde couche métallique 45 est de préférence formée d'un métal réfractaire tel que Mo, Ta ou Co, et est déposée de sorte à présenter une largeur w2. Les inventeurs de la présente demande ont découvert qu'une certaine relation entre la largeur de la première couche métallique et la largeur de la seconde couche métallique d'une électrode de grille à double couche métallique est critique pour empêcher la détérioration du recouvrement des épaulements par une couche d'oxyde de grille formée ultérieurement dans une telle structure qui présente deux épaule- ments entre le substrat et la grille. Plus spécifiquement, les inventeurs de la présente demande ont déterminé que la structure dans laquelle la première couche métallique 43 est plus large que la seconde couche métallique 45 d'environ I à 4 p.m, par exemple 1 tirn tion du recouvrement d'épaulement par une couche d'oxyde de grille formée ultérieu- remient pour une telle structure présentant deux épaulements entre le substrat et la grille. Pour assurer les meilleurs résultats, la seconde couche métallique 45 est de préférence positionnée sensiblement au milieu de la première couche métallique 43, de telle sorte que les deux portions latérales de la première couche métallique 43 qui ne sont pas recouvertes par la seconde couche métallique 45 présentent sensiblement la même largeur. La largeur de chacune des portions latérales est de préférence supé- rieure à environ 0,5 till mais inférieure à environ 2.tm. La première couche isolante 51 est de préférence formée par dépôt d'une seule couche d'oxyde de silicium SiO2 ou de nitrure de silicium Si3N4 sur le substrat comprenant la grille 49. Les couches semi-conductrices 53 et de contact ohmique 55 sont formées sur la portion de la première couche isolante 51 correspondant à la grille 49, par dépôts successifs de silicium amorphe non dopé et de silicium amorphe fortement dopé, et en structurant les deux couches de silicium. La couche semi-conductrice 53 est utili- sée comme région active d'un élément de sorte à former un canal grâce à la tension 1() appliquée à la grille 49. La couche de contact ohmique 55 assure un contact olimliqtc entre la couche semi-conductrice 53 et les électrodes cie drain et de source 57 ct 51) La couche de contact ohmiique 55 n'est pas tormée dans la portion qui de\ ict ensuite le canal de la coucIhe semlli-colndLuctrice 53. Les électrodes de drain et de source 57 et 59 sont eni contact avec la couchlc dc contact ohmique 55, et chaque électrode 57, 59 s'étend sur une portion déterminée tic la première couche isolante 51. La seconde couche isolante 61 est formée par dépôt de matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium SiO2 ou du nitrure de silicium Si3N4 de sorte à recouvrir tles électrodes de drain 57 et 59 et la première couche isolante 51. La seconde couche isolante 61 sur l'électrode de drain 59 est enlevée de sorte à former un trou de contact 63. L'électrode de pixel 65 est formée à partir de matériau transparent et conducteur tel que de l'ITO (oxyde d'étain d'indium) ou de l'oxyde d'étain Sn()-. (le sorte à être reliée à l'électrode de drain 59 à travets le trou de contact 63. Dans les première et seconde couches métalliques 43 et 45 constituant la grille 49, chaque portion latérale de la première couche métallique 43 qui n'est pas recou- verte par la seconde couche métallique 45 présente une largeur qui est de préférencc supérieure à environ 0,5 pm et inférieure à environ 2!am. Du fait que la première couche métallique 43 est plus large que la seconde couche métallique 45 d'environ 1 Itm et 4 mtm, on obtient deux épaulements déterminés en fonction de la relation entre la largeur de la première couche métallique et de la largeur de la seconde couche métallique, entre la grille 49 et le substrat 41. Les deux épaulements selon les caractéristiques nouvelles et les modes de réalisation préférés de l'invention empêchent la détérioration du recouvrement dans la première couche isolante 51 détérioration qui se produisait dans les dispositifs de l'art antérieur. On peut auIssi éviter des excroissances dues à la première couche métallique 43 du fait que la dillé- rence de largeur entre les première et seconde couches métalliques 43 et 45 est d'environ I à 4 amn. Les figures 4A à 4F sont des diagrammes illustrant un procédé de fabricatil(I d'un transistor en couche mince selon les modes de réalisation préféréeles (ic l'invention. En référence à la figure 4A, un métal tel que AI. Cu ou Au est déposé sur uI substrat de sorte à former une première couche métallique 43. Une seconde couche métallique 45 est formée à partir de Mo, Ta ou Co, et est déposée sur la première couche métallique 43 sans effectuer de masquage, entre l'étape de dépôt de la première couche métallique et l'étape de dépôt de la seconde couche métallique. lcs première et seconde couches métalliques 43 et 45 sont déposées successivement die sorte à présenter de préférence une épaisseur respective d'environ 500 () R \REP N()\I DO( - 1 - " ll 4000 Angstroemls ct 500 à 2000 Angstroems. par pulvérisation ou dépôtchimique en phase vapeur (dans la suite désigné par CVD) sans rupture de l'étape de vide. En conséquence. la résistance de contact entre les première et seconde couches métal- liques 43 et 45 est réduite. S;Selon les mnodes de réalisation préférés de l'invention. une étape unique d'attaque est utilisée pour structurer la première couche métallique 43 ainsi que la seconde couche métallique 45 simultanément. Dans l'étape unique d'attaque, un agent photosensible 47 est déposé sur la seconde couche métallique 45, puis cet agent photosensible 47 est structuré par exposition et développement pour présenter la largeur wl sur une portion déterminée de la seconde couche métallique 45. En référence à la figure 4B, la seconde couche métallique 45 est structurée par une solution d'attaque qui est de préférence préparée par mélange d'acide phospho- rique H3P04. d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3, par attaque humide en utilisant la réserve de gravure 47 comme masque. Du fait que la portion de la seconde couche métallique 45 est recouverte de la réserve de gravure 47. ainsi que du fait les portions exposées de la seconde couche métallique 45 sont attaquées isotropiquement, la seconde couche métallique 45 est de préférence structurée pour présenter une largeur w2 qui est plus étroite que la largeur wl de la réserve de gravure 47, celle-ci étant identique à la largeur wl de la première couche métallique 43, c'est-à-dire de l'ordre de I ptm seconde couche métallique 45 présente de préférence une largeur supérieure à envi- ron 0,5 grm et inférieure à environ 2 pim. C'est dire que les deux portions latérales de la seconde couche métallique 45 recouverte par la réserve de gravure 47 sont de préférence attaquées pour présenter sensiblement la même largeur. Les surfaces laté- rales de la seconde couche métallique 45 sont de préférence attaquées pour présenter une forme sensiblement rectangulaire ou inclinée. En référence à la figure 4C, la première couche métallique 43 est structurée par attaque humide avec des propriétés d'attaque anisotropique. par exemple une attaque ionique réactif (dans la suite désignée par RIE) en utilisant la réserve de gravure 47 en tant que masque. Lorsqu'on attaque la première couche métallique 43, en dehors de la portion de la couche 43 recouverte par la réserve de gravure 47, la première couche métallique 43 présente de préférence la même largeur wl que la réserve de gravure 47. De la sorte, pour structurer les première et seconde couches métalliques 43 et 47, on n'a besoin que de deux étapes d'attaque, et il n'est pas nécessaire de cuire l'agent photosensible avant chaque étape d'attaque. En outre, la relation entre les première et seconde couches métalliques 43 et 45 peut être représentée par I rtm les première et seconde couches métalliques 43 et 45 résultant d'une étaplc unique de création d'une réserve de gravure décrite ci-dessus Ibrlenllt une rille 4() présentant une structure métallique en deux couches. La grille 49) présenc te lce secondc couche métallique 45 positionnée sensiblement au milieu de la premlli couche metalliqlue 43 de sorte que chaque portion latérale de la première couche métallique 43 qui n'est pas recouverte par la seconde couche métallique 45 a ule largeur supérieure à environ 0.5 A-.n, mais illél-rieurlc àà environ 2 lull. La réserve (le gravure 47 restant sur la seconde couche métallique 45 est enlevé après avoir terillinl les deux étapes d'attaque. En référence à la figure 4D, une première couche isolante 51 est formée par dépôt d'une couche unique ou d'une double couche d'oxyde de silicium SiO,- ou de nitrure de silicium Si3N4 sur la grille 49 et le substrat 41. par CVD. Du fait que chaque portion latérale de la première couche métallique 43 non recouverte par la seconde couche métallique 45 est d'une largeur supérieure ou égale à 0,5 Utm, le double épaulement entre le substrat et la grille empêche que le recouvrement par la couche isolante 51 ne soit détérioré comme dans les dispositifs de l'art antérieur. ()n peut éviter les excroissances sur la première couche métallique 43 du fait que la largeur de la portion de la première couche métallique 43 qui est découverte est inlé- rieure à environ 2 lm. Du silicium amorphe qui n'est pas dopé, et du silicium amorphe fortemcnt dopé sont ensuite déposés successivement sur la première couche isolante 41 par CVD de sorte à former des couches semi-conductrices 53 et de contact ohmiique 55. Les couches de contact ohmique et semi-conductrices 55 et 53 sont structurées par photolithographie de sorte à exposer la première couche isolante 51. En référence à la figure 4E, un métal conducteur tel que AI ou Cr est stratifié sur les couches isolantes et de contact ohmique 51 et 55 et est structuré par photo- lithographie pour former des électrodes de source 57 et de drain 59. La couchIle die contact ohmique 55 découverte entre les électrodes de source et de drain 57 et 59 cst attaquée en utilisant les électrodes de source et de drain 57 et 59 en tant que masLque. ) En référence ài la figure 4F. une seconde couche isolante 61 est folbrmée par dépôt d'un matériau isolant tel que de l'oxyde de silicium ou du nitrure de silicium par CVD. sur toute la surface de la structure formée. La seconde couche isolante cst enlevée par photolithographie pour exposer une portion déterminée de l'électrode dc drain, en formant ainsi un trou de contact 63. Après avoir déposé sur la seconde couche isolante 61 par pulvérisation un matériau transparent et conducteur tel que de I'ITO (oxyde d'étain et d'indium) ou de l'oxyde d'étain SnO2, et l'avoir structuré par photolithographie, une électrode de pixel 65 est formée de sorte à être électriquement reliée à l'électrode de drain 59 à travers le trou de contact 63. Dans un autre mode de réalisation préféré de la présente invention. les première et seconde couches métalliques 43 et 45 sont d'abord attaquées palr attaque seche avec des proprietés d'attaque anisotropique. telles que du RIE. en utilisant la réscrve de gravure 47 commell masque. La grille 49) est formée en attaquant la seconde couche métallique 45 sous la réserve de gravure 47 par une solution d'attaque préparée avec un mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3. Dans encore un autre mode de réalisation préféré de la présente invention, la grille 49 est ftrmée par une seule étape d'attaque permettant d'attaquer les première 1 0 et seconde couches métalliques 43 et 45 simultanément, et par une seule étape d'attaque dans laquelle la seconde couche métallique 45 est attaquée plus rapidement que la première couche métallique 43 avec une solution d'attaque préparée par un mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3. Du fait du matériau d'attaque, et des métaux utilisés pour les 1 5 première et seconde couches métalliques de la grille, une seule étape d'attaque suffit. Malgré le fait qu'une seule étape d'attaque soit utilisée, il est toujours possible d'obtenir la relation entre les largeurs wl et w2 des première et seconde couches métalliques décrites ci-dessus. Dans ce traitement, les première et seconde couches métalliques formant la grille 49 sont formées et structurées avec une seule étape de création d'une réserve de gravure, comme décrit ci-dessus, et une seule étape d'attaque. Comme décrit ci-dessus dans les modes de réalisation préférés de la présente invention, les première et seconde couches métalliques sont déposées successivement sur le substrat, sans qu'il soit nécessaire de procéder à une étape de masquage entre l'étape de dépôt de la première couche métallique et l'étape de dépôt de la seconde couche métallique, et on forme ensuite une réserve de gravure qui recouvre une portion prédéterminée de la seconde couche métallique. Dans un mode de réalisation préféré, la seconde couche métallique est attaquée par attaque humide en utilisant la réserve de gravure comme masque, et la première couche métallique est attaquée par attaque sèche. En conséquence, on forme une grille métallique double. Dans un autre mode dc réalisation préféré, on utilise une seule étape d'attaque pour former la grille métallique double, en attaquant la première couche métallique et la seconde couche métallique par attaque humide, mais la différence dans les taux d'attaque des premier et second métaux produit des effets d'attaque différents qui ont pour résultat la structure à double épaulement requise. Bien que l'invention ait été décrite et représentée en référence aux modes de réalisation préférés. elle est susceptible de nombreuses variations accessibles à l'homme de l'art. I] k I' S - I 3/n]} REVENDICATIONS 1.- Un transistor en couche mince. comprenant: - un substrat (41); et une grille (49) présentant une structure à deux couches avec une première couche métallique (43) et une seconde couche métallique (45) disposées sur le substrat, la première couche métallique étant plus large que la seconde couche métallique d'environ I à 4 I. m. 2.- Transistor selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde couche métallique (45) se trouve dans une portion médiane de la première couche métallique (43). de telle sorte que les deux portions latérales de la première couche métallique qui ne sont pas recouvertes par la seconde couche métallique présentent la même largeur. 3.- Transistor selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la premiLère couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi AI, Cu et Au. 4.- Transistor selon l'une des revendications 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la seconde couche métallique comprend au moins un métal choisi parmi Mo. Ta et Co. 5.- TIransistor selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: - une première couche isolante (51) disposée sur le substrat et sur la grille: - une couche semi-conductrice (53) disposée sur une portion de la couche isolante en une position correspondant à la grille (49); - une couche de contact ohmique (55) disposée sur les deux côtés de la couche semi-conductrice (53); - une électrode de source (57) et une électrode de drain (59) disposées sur la couche de contact ohmique et s'étendant au-dessus de la première couche isolante (51): et - une seconde couche isolante (61) recouvrant la couche semi- conductrice (53). les électrodes de source et de drain (57, 59), et la première couche isolante (51). 6.- Procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes de: - dépôt d'une première couche métallique (43) sur le substrat: - dépôt d'une seconde couche métallique (45) sur la première couche métallique immédiatemlcnt après l'étape de dépôt de la premièrle couche métallique; - formation d'une réserve de gravure unique (47) présentant une largeur prédé- terminée au-dessus de la seconde couche métallique: - mise en forme de la seconde couche métallique (45) en utilisant la réserve de gravure comme masque; - mise en forme de la première couche métallique (43) en utilisant la réserve de gravure comme masque, la première couche métallique étant attaquée de sorte I () à présenter une largeur supérieure à la largeur de la seconde couche métallique, et à folrmer ainsi une grille présentant une structure stratifiée formée des première et seconde couches métalliques et; - enlèvement de la réserve de gravure, procédé dans lequel les étapes de mise en forme de la seconde couche métallique et 1 5 de la première couche métallique comprennent chacune une étape d'attaque unique. 7.- Un procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape de mise en forme de la seconde couche métallique comprend une étape d'attaque isotropique utilisant la réserve de gravure unique et en ce que l'étape de mise en forme de la première couche métallique comprend une étape d'attaque anisotropique utilisant la réserve de gravure unique comme masque, la seconde couche métallique étant attaquée de sorte à être plus étroite que la réserve de gravure d'environ 1 à 4 prm. 8.- Un procédé selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes de: - formation d'une première couche isolante (51) sur le substrat, y compris sur la grille (49); - formation d'une couche semi-conductrice (53) et d'une couche de contact ohmique (55) sur une portion de la première couche isolante (51) en une position correspondant à la grille; - formation d'une électrode de source (57) et d'une électrode de drain (59) s'étendant sur la première couche isolante des deux côtés de la couche de contact ohmique. et enlèvement d'une portion de la couche de contact ohmique découverte entre les électrodes de source et de drain: - formation d'une seconde couche isolante (61) recouvrant la couche semi- conductrice, l'électrode de source, l'électrode de grille et la première couche isolante. t).- l In procédé selon l'une des rcvendications 6. 7 ou 8, caractérisé en ce qtîc les première et seconide couchles métalliques (43. 45) sont déposées successi'cliCllI par pulvérisation ou par dépôt chimique cln phase vapeur. sans rupture de l'étal dtc vide. 10.- Un procédé selon l'une des revendications 6 à 9, caractérisé en ce que la première couche métallique est formée d'Al, Cu ou Au. 11.- JUn procédé selon l'une des revendications 6 à (10. caractérisé en cc que la prelmière couche métallique présente une épaisseur de 500 à 4000 Angstroems envi- ron. 12.- Un procédé selon l'une des revendications 6 à 11, caractérisé en ce que la seconde couche métallique est formée de Mo, 'l'a ou Co. 13.- Un procédé selon l'une des revendications 6 à 12, caractérisé en ce que la seconde couche métallique présente une épaisseur d'environ 500 à 2000 Angstroems. 14.- Un procédé selon l'une des revendications 6 à 13, caractérisé en ce que la seconde couche métallique est attaquée par une solution d'attaque préparée par mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH3COOH et d'acide nitrique HNO3. 15.- Un procédé selon l'une des revendications 6 à 14, caractérisé en ce que la plremière couche métallique est enlevée par attaque sèche. 16.- Un procédé selon l'une des revendications 6 à 15, caractérisé en cc quLc les deux portions latérales de la première couche métallique qui ne sont pas recoLu- vertes par la seconde couche métallique présentent la même largeur. 17.- Un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes de: - dépôt d'une première couche métallique (45) sur un substrat (41); - dépôt d'une seconde couche métallique (45) sur la première couche métallique sans formation préalable d'une réserve de gravure sur la première couche métallique; - formation d'une réserve de gravure présentant une largeur prédéterminée sur la seconde couche métallique; - attaque anisotropique des première et seconde couches métalliques de telle sorte que la première couche métallique et la seconde couche métallique présentent la même largeur de réserve de gravure. en utilisant la même largeur que la réserve de gravure, en utilisant la réserve de gravure comme masque; - attaque isotropique de la seconde couche métallique de telle sorte que la seconde couche métallique soit plus étroite que la réserve de gravure d'environ 1 à 4 tmi, en utilisant la réserve de gravure commne masque de sorte à former une grille présentant une structure à double couche comprenant des première et seconde couches métalliques; et I - enlèvement de la réserve de gravure. 18.- Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes de: - formation d'une première couche isolante (51) sur le substrat, et sur la grille (49): - formation d'une couche semi-conductrice (53) et d'une couche de contact ohmique (55) sur une portion de la première couche isolante (51), en une posi- tion correspondant à la grille (59); - formation d'une électrode de source (57) et d'une électrode de drain (59) s'étendant sur la première couche isolante des deux côtés de la couche de contact ohmique. et enlèvement d'une portion de la couche de contact ohmique exposée entre les électrodes de source et de drain; et - formation d'une seconde couche isolante (61) recouvrant la couche semi- conductrice, l'électrode de source, l'électrode de grille et la première couche isolante. 19.- Un procédé selon la revendication 17 ou 18. caractérisé en ce que la première couche métallique est formée d'Al, Cu ou Au. 20.- UJn procédé selon la revendication 17, 18 ou 1 9. caractérisé en ce que la seconde couche métallique est formée de Mo, Ta ou Co. 21.- Un procédé selon l'une des revendications 17 à 20, caractérisé en ce que les première et seconde couches métalliques sont enlevées par attaque sèche. 22.- Un procédé selon l'une des revendications 17 à 21, caractérisé en ce que la seconde couche métallique est attaquée par une solution d'attaque préparée par mélange d'acide phosphorique H3PO4, d'acide acétique CH13COH et d'acide nitriqLLuc NHO3. 23.- Un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince comprenant les étapes de: - dépôt d'une première couche métallique (43) sur un substrat; - dépôt d'une seconde couche métallique (45) sur la première couche métalliqLuc (43) sans auparavant former de réserve de gravure la première couche métallique: - formation d'une réserve de gravure unique présentant une largeur prédéterlmi- née sur la seconde couche métallique (45); - mise en forme des première et seconde couches métalliques simultanément en une seule étape d'attaque utilisant la réserve de gravure unique comme masque: et - enlèvement de la réserve de gravure.