FR 2767967 A1 19990305 FR 9807428 A 19980612 Etat de la technique La présente invention concerne un composant tran- sistor et un procédé de fabrication d'un tel composant, ayant au moins une électrode de grille isolée, avec passage de cou- rant latéral et vertical, dans un substrat p dont la face avant comporte un domaine n dans lequel est intégré à son tour un domaine d'anode à fort dopage p, le passage vertical du courant se faisant par un contact de face arrière. On connaît déjà un transistor bipolaire latéral à grille isolée, constituant un composant transistor, avec un passage latéral et vertical du courant (D.N. Pattanayak, IEEE Trans. ED-33, p. 1956 à 1963, 1986). Le composant transistor selon ce document est un composant LIGBT à canal n (LIGBT = Lateral Isolated Gate Bi- polar Transistor, c'est-à-dire un transistor bipolaire à grille latérale isolée) réalisé sur du silicium épitaxial, développé sur un substrat p à dopage faible ou fort. Le côté arrière du composant peut être lié par un contact arrière. Il est en outre connu, pour obtenir une capacité de blocage élevée, dans un composant LIGBT, d'appliquer le principe RSF (RSF = Reduces Surface Field, c'est-à-dire à surface de champ réduite). Il est également connu d'appliquer une couche épitaxiale (J.A. Appels IEDM Tech. Dig. p. 238 à 241, 1979). Avantages de l'invention A cet effet l'invention concerne un composant transistor du type défini ci-dessus, caractérisé en ce que le contact de face arrière est relié par un domaine réalisé comme domaine de diffusion à fort dopage (p), par une liaison électrique avec ce substrat (p). L'invention concerne également un procédé pour la réalisation d'un tel composant transistor, caractérisé en ce qu'avant de mettre en place les branchements de faces ar- rière, on diffuse en profondeur des atomes de dopage p sur le côté arrière du substrat p. Le composant transistor selon l'invention ou le procédé selon l'invention offre l'avantage, vis-à-vis de l'état de la technique, d'avoir une capacité de courant éle- vée et un bon comportement de passage; l'invention offre également l'avantage d'une fabrication simple d'un composant avec une capacité de courant élevée. La chute de tension à l'état passant, statique, ne correspond qu'à quelques volts pour une densité de courant de l'ordre de 100 Ampères/cm de surface de composant. En liant le contact de la face arrière par une jonction p-/p+ réalisée par diffusion dans un subs- trat p-, on arrive à une bonne liaison du côté arrière. Pour une bonne capacité de blocage, on dispose de nombreux por- teurs de charge pour une bonne caractéristique passante; les porteurs de charge existant dans une zone de substrat p-, avec diffusion par le côté arrière, donnent une grande fiabi- lité par comparaison à des porteurs de charge qui se dépla- cent dans une zone p- obtenue par développement épitaxial sur un substrat p+. Cela augmente d'autant la capacité de passage de courant. L'augmentation de la capacité de passage de cou- rant par augmentation de la partie verticale du courant dans le composant serait également possible par une réduction de l'épaisseur de la couche épitaxiale p- pour une jonction p-/p+ à développement épitaxial. Cela se traduirait néanmoins par une réduction de la capacité de blocage du composant à la fois à l'état statique et notamment dans le cas de la coupure dynamique. Dans le cas d'une diffusion par le côté arrière, le profil de diffusion est beaucoup moins abrupt dans la pro- fondeur de la puce que dans le cas d'une couche épitaxiale. Cela donne une capacité de passage de courant plus élevée pour une capacité de blocage assurée simultanément à la fois 3o dans le cas d'une coupure statique et dans le cas d'une cou- pure dynamique. Un principe à canaux multiples, à la fois dans le cas du composant LJGBT et dans le cas des transistors MOS, par des zones de canal branchées en parallèle, se traduit par une résistance globale de canal, efficace, plus petite, et ainsi à une augmentation de la capacité de conduite de cou- rant, ou à un bon comportement passant. Un autre avantage est une augmentation de la te- nue de verrouillage qui, du fait de la diffusion par le côté arrière, est assurée en même temps par une plus grande capa- cité de courant. Grâce à la zone réalisée sous la forme d'une zone de diffusion, par laquelle le composant est relié au contact du côté arrière, on diminue la partie de courant ho- rizontale du composant du fait que l'on interdit un déclen- chement du thyristor latéral parasite; en même temps, le composant présente globalement une meilleure capacité de pas- lo sage de courant. Du fait de la réduction de la partie horizontale de courant nécessaire, et ainsi de la tenue plus élevée au verrouillage, on peut diminuer au choix la surface globale du composant, ce qui est avantageux et se traduit par un faible encombrement. Dans un composant LJGBT, le principe de canal multiple se répercute également de façon positive sur la te- nue au verrouillage. Grâce à un grand nombre de zones de ca- nal branchées en parallèle, on a, par thyristor parasitaire, un courant plus petit, ce qui diminue également le risque d'un déclenchement de thyristor parasitaire. Un contact par le côté arrière, par une zone réalisée sous forme de zone de diffusion, garantit en outre une tenue élevée aux impulsions, c'est-à-dire que le composant accepte l'arrivée simultanée de tensions élevées et de fortes densités d'intensité. Contrairement à la réalisation de la jonction p- /p+ par croissance épitaxiale, la réalisation comme zone de diffusion donne des gradients de dopage plus faibles. Cela garantit une tenue élevée aux impulsions, en particulier pour une coupure dynamique. Du fait du gradient de dopage plus faible, le passage de courant vertical dans le composant, de même que la capacité de blocage, sont moins sensibles à une variation d'épaisseur du substrat. Cela permet une réalisa- tion plus simple du composant. Suivant d'autres caractéristiques avantageuses de l'invention: - le domaine n est un domaine RSF, - le domaine d'anode est séparé des zones adjacentes du do- maine n par une couche tampon à dopage n, - la couche tampon a une profondeur de pénétration plus im- portante que le domaine n, - le domaine d'anode est réalisé sous la forme d'une domaine en ruban ayant au moins deux bandes, - dans le domaine n on intègre au moins une cuvette p en forme de ruban, entre au moins deux bandes du domaine d'anode, - dans au moins une cuvette p on intègre au moins une cuvette n en forme de bande et, par l'électrode de grille isolée, on génère au moins un canal d'inversion, - au moins deux cuvettes p, reliées, sont prévues entre au moins deux bandes du domaine d'anode et, - comme canaux d'inversion, on a des cuvettes p voisines des domaines et commutables, qui se commandent chaque fois par une électrode de grille commune, - le domaine de drain est formé par un domaine en rubans ayant au moins deux rubans, 2() - dans le domaine n on a intégré au moins deux cuvettes p en forme de rubans entre au moins deux bandes du domaine de drain, le domaine de drain recevant un potentiel élevé par rapport aux cuvettes p en forme de rubans, - dans les cuvettes p on intègre chaque fois au moins une cu- vette n en forme de ruban, et - comme canaux d'inversion on a des cuvettes p de domaine voisin, commutables, qui peuvent être commandées chaque fois par une électrode de grille commune, - le domaine d'anode est un domaine en forme de rubans ayant au moins deux rubans, - dans le domaine n 4 on intègre au moins une cuvette p en forme de ruban entre au moins les deux bandes du domaine de l'anode, et le domaine de l'anode reçoit un potentiel élevé par rapport à la cuvette p en forme de ruban, - et dans au moins une cuvette p on intègre au moins une cu- vette n en forme de ruban, et - on génère deux canaux d'inversion par au moins l'électrode de grille isolée, - au moins deux cuvettes p, reliées, sont prévues entre au moins deux bandes du domaine de l'anode, et - comme canaux d'inversion, on a prévu de manière commutable les domaines de cuvettes p voisines commandés chaque fois par des électrodes de grille reliées respectivement élec- triquement, - les branchements de cathode ou de source sont en contact électrique avec les cuvettes p chaque fois par une zone de dopage à fort dopage p, - les dopages n tels que prévus sont remplacés par des dopa- ges p et les dopages p initialement prévus sont remplacés par des dopages n, - dans la face avant du composant, on diffuse des atomes de dopage n pour que le domaine à dopage n ainsi formé consti- tue un domaine (RSF), - à la place des dopages p on applique des dopages n et à la place des dopages n on applique des dopages p. La réalisation d'un domaine n prévu sur la face avant du composant, comme domaine RSF, conduit de façon avan- tageuse à une augmentation de la tension de claquage, c'est- à-dire à une tenue en tension plus élevée pour le composant, grâce à la faible épaisseur de la couche RSF, qui, en combi- naison avec sa concentration en dopage, donne un profil avan- tageux à l'intensité du champ dans la zone de charge d'espace. Si l'on ne veut pas augmenter la tension de cla- quage, on peut choisir une extension latérale plus faible, par exemple dans un dispositif à canal multiple, ou simple- ment utiliser plusieurs composants dans un circuit en paral- lèle, sur la même surface de puce, pour arriver à une plus grande tenue au courant ou à une plus grande tenue de ver- rouillage. Si, à la place d'une plus faible extension laté- rale, on a la possibilité d'assurer une tension de claquage plus élevée, alors le domaine RSF permet des tensions de cla- quage de quelques 100 V à l'état statique coupé, c'est-à-dire lorsqu'aucune tension n'est appliquée à l'électrode de grille. Si le domaine RSF est obtenu non par un dépôt épi- taxial mais par un procédé de diffusion, on obtient de façon analogue, à la diffusion par la face arrière, une plus grande fiabilité des porteurs de charge, ce qui se traduit de nou- veau de manière positive sur le comportement passant du com- posant. L'existence d'une couche tampon autour du domaine de l'anode évite l'effet de poinçonnement. Si le domaine de l'anode a une concentration en dopage et une épaisseur éle- vées, et ainsi une plus grande profondeur de pénétration pour la couche tampon que le domaine n, tout en évitant un effet de poinçonnement, on arrive à un bon accrochage de face ar- rière, c'est-à-dire un bon comportement passant. L'existence de zones de dopage fortement dopées reliées au branchement de cathodes ou de sources avec le substrat semi-conducteur, conduit à des résistances de con- tact plus faibles au niveau des branchements. Dessins La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide de dessins annexés dans les- quels: - la figure 1 montre un premier exemple de réalisation, - la figure 2 montre un second exemple de réalisation, - la figure 3 montre un troisième exemple de réalisation, - la figure 4 montre un quatrième exemple de réalisation, - la figure 5 est une vue de dessus d'un composant transistor selon l'invention, - la figure 6 montre, en vue de dessus, une première vue de détail, - la figure 7 montre, en vue de dessus, une seconde vue de détail, et - la figure 8 montre, en vue de dessus, une troisième vue de détail toujours pour un composant transistor selon l'invention. Description des exemples de réalisation La figure 1 montre un composant transistor LIGBT avec un contact de face arrière 7. Sur le côté appelé face avant du substrat p 3, on a réalisé un domaine n, 4 dans le- quel on a réalisé une cuvette p 11,. La figure 1 montre une coupe transversale du composant. I1 en est de même des figu- res 2 à 4. Les différentes zones décrites ici, et qui seront également décrites ultérieurement du composant semi- conducteur, sont à imaginer de façon à obtenir les vues de dessus telles que celles données aux figures 5 à 8. Dans la cuvette p, 11, on a réalisé une cuvette n, 12 reliée par un branchement de cathode 16 à la masse 14. De même, la cuvette p 11 est reliée, par une zone de dopage 19 à fort dopage p, au branchement de cathode 16. Séparé de la cuvette p 11 par une partie du domaine n 4, on a réalisé l0 dans le domaine n 4, un domaine d'anode 5 à fort dopage p. Ce domaine d'anode 5 est lui-même protégé par un domaine n 4, par une couche tampon à fort dopage n, par rapport au domaine n 4. Cet écran ou protection se fait également vis-à-vis du substrat p 3 qui se trouve en dessous. Le domaine d'anode 5 est mis en contact électri- que par le branchement d'anode 17. Le branchement de cathode 16, de même que le branchement d'anode 17, sont munis d'une plaque de champ de cathode 15 ou d'une plaque de champ d'anode 18 pour former un écran de champ. Un domaine de la cuvette p 11, prévu comme domaine de canal d'inversion 41 commutable, entre la cuvette n 12 et le domaine n 4, est com- mandé par une électrode de grille 13 elle-même isolée du substrat semiconducteur par une couche d'isolation 1. Les plaques de champ d'anode et de cathode sont isolées de l'électrode de grille par une autre couche d'isolation 2. Une autre couche d'isolation 92, par exemple en nitrure de sili- cium, recouvre, comme couche de passivation, l'ensemble du composant et n'est ouverte que par des patins de liaison par lesquels on peut commander le composant. Dans l'exemple de réalisation de la figure 1, la profondeur de pénétration 10 de la couche tampon 6 est choi- sie plus grande que la profondeur de pénétration 9 du domaine n 4. Le contact de côté arrière 7, prévu sur le côté du subs- trat semi-conducteur appelé côté arrière, est également relié à la masse 14 comme le branchement de cathode 16. Le contact électrique avec le substrat semi-conducteur 3 se fait par un domaine 8 à fort dopage p, constituant un domaine de diffu- sion. Les lignes portant les références 21 et 22 à la figure 1 caractérisent une première et une seconde ligne de symétrie par rapport auxquelles le segment 20, représenté, peut être prolongé plusieurs fois de manière symétrique par rapport à un plan. L'ensemble du bord extérieur du composant est à la masse et, pour protéger le composant, présente, vis-à-vis de l'extérieur, une diffusion p+, profonde, qui arrive jusque dans le substrat p- (non représenté dans le dessin). Si, au transistor LIGBT représenté, on applique un potentiel positif à l'électrode de grille 13, on attirera dans une partie de la cuvette p 11, les électrons contre la surface supérieure de dessous de la couche d'isolation 1; cela forme un canal d'inversion 41. Vis-à-vis d'un potentiel positif par rapport au potentiel de référence (masse), sur le contact d'anode 17 passent des électrons de la cuvette n 12, à travers le canal d'inversion et le domaine n, vers le do- maine de l'anode 5; celui-ci injecte des trous dans le do- maine n 4. Cela module la conductivité du domaine n 4. En plus de ce flux de courant latéral ainsi décrit, un flux de courant vertical entre le domaine de l'anode 5 et le contact de face arrière 7 est assuré pratiquement exclusivement par des trous, du fait des trous injectés par le domaine d'anode , notamment en cas de coupure dynamique, c'est-à-dire lors- qu'il y a une charge inductive entre la cathode et l'anode. A l'état stationnaire passant du composant tran- sistor, il passe environ 1/3 du courant total par le contact de face arrière 7. A l'état coupé, notamment en cas de charge induc- tive, on a environ 80 % du courant passant par le domaine d'anode 5, la couche tampon 6 à dopage n et le substrat p 3, avec un domaine 8 à fort dopage p, appliqué, donnant une suite de couches fonctionnant comme un transistor de type PNP. A côté du chemin de courant latéral évoqué cidessus, dans le chemin de courant vertical décrit en dernier lieu, on aura une capacité de courant aussi élevée que possible grâce à un bon comportement passant. En particulier, il est avantageux d'avoir une bonne capacité de passage de courant pour le chemin de cou- rant vertical si cela permet d'abaisser la partie relevant du courant latéral, qui peut conduire à un verrouillage pour des courants élevés. Ce verrouillage résulte d'un déclenchement accidentel d'un transistor parasitaire formé par les domaines successifs 12, 11, 4 ou 6 et 5, latéraux. La cuvette n 12 et la cuvette p 11 sont court-circuitées par le branchement de cathode 16. Si néanmoins des trous injectés partent du do- maine d'anode 5 et passent sous l'une des cuvettes 12 à tra- vers la cuvette p 11 pour arriver au branchement de contact 16, on a une chute de tension latérale conduisant à la com- mande de la diode latérale formée par la cuvette n 12 et la cuvette p 11; le thyristor parasitaire, déjà évoqué, est alors déclenché et le courant ne peut plus être contrôlé sim- plement par l'électrode de porte. Contrairement à l'état de la technique, le domaine 8 à fort dopage p est réalisé comme domaine de diffusion dans le substrat p 3 à faible dopage et non comme substrat p à fort dopage généré sur une couche épi- taxiale à dopage p, faible. Cela conduit à un profil de dif- fusion, c'est-à-dire à une distribution des concentrations de l'atome de dopage p qui partent toujours beaucoup moins bru- talement du côté arrière pour se terminer dans la profondeur de la puce comme diffusion de substrat dans une couche épi- taxiale. Du fait des gradients de concentration plus pe- tits à la jonction p-/p+, les intensités locales du champ sont plus faibles ce qui conduit, dans le cas d'une coupure dynamique dans un courant vertical intense porté principale- ment par des trous, à éviter une avalanche dynamique et donne ainsi une tenue plus élevée aux impulsions. Un dopage élevé seul, que l'on pourrait obtenir par un procédé épitaxial, n'aboutit pas à ce résultat car une forte chute de concentra- tion conduit également à une puissance perdue élevée. Le transistor vertical PNP existant, à structure LIGBT, est bien lié électriquement par une diffusion de face arrière p+ à la face arrière et revoit sans difficulté, à l'état passant statique, environ 1/3 du courant total et même % à l'état de coupure dynamique. L'utilisation d'une dif- fusion par la face arrière offre les avantages suivants par rapport à un développement épitaxial sur un substrat forte- I() ment dopé: la tenue aux impulsions du composant LIGBT est plus élevée car le profil de diffusion se développe moins abruptement dans la profondeur de la puce: il est possible plus facilement de s'opposer à un claquage dynamique en ava-5 lanche sous l'effet d'une tension élevée et d'un courant éle- vé, en particulier lors d'une coupure. De plus, le comportement passant, c'est-à-dire la chute de tension entre l'anode et le contact de face arrière 7, réagit à l'état branché, pour une densité de courant donnée, du fait de la10 terminaison en douceur de la diffusion de la face arrière qui est moins sensible à une variation d'épaisseur du substrat p. En outre, comparativement à une zone épitaxiale dans le do- maine du substrat avec une même concentration de dopage, la durée de vie des porteurs de charge est plus élevée. De façon générale, elle est tellement élevée que le comportement pas- sant n'est pas dominé par la durée de vie des porteurs. Pour cette raison, le domaine RSF, qui sera décrit ci-après, doit être réalisé dans la mesure du possible non pas par un procé- dé épitaxial mais par un procédé de diffusion. Le domaine n 4 de l'exemple de réalisation est un domaine RSF. Dans l'article cité dans le préambule, concer- nant l'application de la technique RSF, on a donné la condi- tion pour une telle couche. Il faut que l'intégrale de la concentration de dopage, en fonction de l'épaisseur de la 12 -2 couche, soit environ de l'ordre de 10 cm. Par ce choix des paramètres on garantit, entre le branchement de cathode 16 et le branchement d'anode 17 (pour une électrode de grille non commandée de manière positive), que l'on peut appliquer des tensions importantes sans avoir de claquage accidentel; l'intensité du champ à proximité de la surface du composant, à la jonction PN entre la cuvette p 11 et le domaine n 4 est en effet particulièrement critique dans la zone RSF pour une forte dose de dopant car, à proximité de la surface de la jonction PN, il y a un cintrage au niveau duquel le champ électrique de la zone de charges d'espace est excessif du fait de la géométrie. Si, par ailleurs, la dose de dopage dans le domaine RSF est trop petite, on arrive à une augmen- Il tation excessive critique du champ au niveau du tampon 6 à dopage n. Si une tension positive est appliquée au branche- ment d'anode, la jonction entre la cuvette p 11 et le domaine n 4 est polarisée dans le sens du blocage. Il en est de même de la jonction entre le substrat 3 et le domaine n 4. En cas d'électrodes de grille non commandées de manière positive et pour une tension positive appliquée à la borne d'anode 17, on a une certaine intensité de champ au passage entre la cuvette10 p 11 et le domaine de l'anode 5 du fait de l'appauvrissement en porteurs de charge au niveau de ce passage. Cette intensi- té de champ au passage est influencée par la surface limite directement voisine entre le domaine n 4 et le substrat 3. Cette jonction PN horizontale, adjacente, égale- ment polarisée dans le sens bloquant, assure, en combinaison avec la jonction PN latérale entre la cuvette p 11 et le do- maine RSF 4, une augmentation de la zone de charge d'espace qui, pour une tension d'anode donnée, ne s'étend pas seule- ment à proximité de la jonction PN entre le domaine n 4 et la cuvette p 11, mais remplit très rapidement l'ensemble du do- maine n 4 à mesure que la tension d'anode augmente. Il en ré- sulte entre le branchement de cathode et celui d'anode, dans le domaine n 4, un profil d'intensité de champ plus régulier, ce qui fait qu'à la jonction PN entre la cuvette p 11 et le domaine n 4, il règne une intensité de champ plus petite com- parée à celle qui existerait dans le cas o le domaine n 4 ne serait pas réalisé comme domaine RSF; en d'autres termes, il s'agit du cas o la jonction horizontale PN entre le domaine n 4 et le substrat 3 se situerait en profondeur dans le subs- trat et aurait une concentration en dopant différente de la dose optimale. Il faut ainsi expliquer que, dans le composant transistor représenté à la figure 1, avec un domaine n 4, réalisé comme couche RSF plus mince, on peut appliquer des tensions plus élevées à la borne d'anode 17, jusqu'à ce que l'on arrive à un claquage non voulu à la jonction PN entre la cuvette p 11 et le domaine n 4. Au choix, si une certaine ré- sistance de tension est suffisante, on peut diminuer la dis- tance entre une première ligne de symétrie 21 et une seconde ligne de symétrie 22 pour permettre de diminuer le composant au lieu d'augmenter sa tenue en tension. L'application du principe RSF aboutirait, en l'absence de la couche tampon 6, du fait de l'appauvrissement total de la zone RSF 4 des porteurs de charge, à une destruc- tion de la barrière de diffusion entre le domaine d'anode p 5 et le domaine RSF 4, par poinçonnement. Pour éviter cela, dans l'exemple de réalisation, entre le domaine d'anode 5 et le domaine n 4, on a une couche tampon 6 qui protège le do- maine d'anode 5 par rapport au domaine n 4 car la couche tam- pon 6 est plus fortement dopée en n que le domaine n 4. On évite ainsi que la zone de charges d'espace passe du domaine RSF jusqu'à l'anode, ce qui permet d'éviter le poinçonnement. La concentration de dopage de la couche tampon 6 est plus élevée que celle du domaine n 4 mais cette concentration ne doit pas être choisie trop élevée pour évi- ter qu'à l'état passant, l'injection des trous qui se produit du domaine de l'anode 5 dans le domaine n 4 et le substrat p 3, soit trop fortement gênée; cela constituera un inconvé- nient pour le comportement passant du composant. Le domaine d'anode 5 doit pénétrer aussi profondément que possible dans le composant et avoir une dose de dopant p importante pour avoir un bon comportement passant du composant dans la direc- tion verticale. Cela explique que, dans l'exemple de réalisa- tion de la figure 1, la profondeur de pénétration 10 de la couche tampon est supérieure à la profondeur de pénétration 9 du domaine n 4. Par ailleurs, le domaine d'anode 5 ne doit pas être introduit trop profondément car sinon on perd la ca- pacité de blocage du composant dans la direction verticale. Des couches d'isolation 1 se réalisent en techni- que LOCOS connue (LOCOS = Local Oxidation Of Silicon; oxyda- tion locale du silicium), qui permet, grâce à une passivation par nitrure, de fabriquer des couches d'oxyde d'épaisseur va- riable. Les plaques de champ, décrites, permettent d'éviter les maxima de champ par exemple à proximité de l'électrode de porte 13 ou sur la couche tampon 6. Les plaques de champ ne sont toutefois par une option et peuvent être réalisées à un ou plusieurs gradins et en métal et/ou en polysilicium. La figure 2 montre un dispositif multicanal selon l'invention d'un transistor LIGBT. Le composant comporte un premier branchement de grille 13a, un second branchement de grille 13b et un troisième branchement de grille 13c. Ces branchements de grille sont isolés du substrat semiconducteur par des couches d'isolation 1 et 34. A ces élec- trodes de grille sont associés les domaines 41, 42, 43, 4410 des cuvettes p 11, lia réunies; ces zones peuvent être com- mutées comme des canaux d'inversion par les électrodes de grille. La construction de principe est également la même qu'à la figure 1 jusqu'au fait que, par demi-domaine d'anode 5, on a trois canaux d'inversion commutables. Il faut ainsi imaginer la section représentée selon la première ligne de symétrie 21 et la troisième ligne de symétrie 38 comme se prolongeant par une symétrie en miroir, de sorte que, de fa- çon analogue à la figure 1, on a un branchement parallèle de nombreux transistors avec néanmoins plus d'un domaine commu- table comme canal d'inversion pour chaque demi-domaine d'anode 5. Dans l'exemple de réalisation représenté, on a pour cela dans les deux cuvettes p 11, lia reliées, d'autres cuvettes n 12 a, b, c. Les références utilisées jusqu'alors désignent également ici les mêmes éléments qu'à la figure 1, et la description de ces éléments ne sera pas reprise. Les couches d'isolation 35 isolent les branchements de grille 13b, c des plaques de champ de cathode 15 qui se trouvent au- dessus. A la figure 2, on a en outre représenté un premier plan de vue de dessus 28, un second plan de vue de dessus 29 et un troisième plan de vue de dessus 30. Les plans des vues de dessus désignent des plans qui sont donnés par les figures 6 à 8. Le montage en parallèle de plusieurs zones de ca- nal par domaine d'anode réduit la résistance effective de l'ensemble du canal. On peut ainsi avoir une forte densité de courant pour une chute de tension prédéterminée entre l'anode et la cathode. La tenue au verrouillage est ainsi augmentée par rapport à un composant LIGBT n'ayant qu'un seul canal, de sorte que la partie du courant de trous qui passe de l'anode à la cathode se répartit entre plusieurs domaines de canal. Vis-à-vis d'un composant LIGBT de tranchée, en technique SOI (SOI = Silicon on Insulator; silicium sur isolant) à plu- sieurs domaines de canal parallèles, le composant selon l'invention se fabrique de manière meilleur marché et plus simple car les coûts de procédés et de puces sont plus fai- bles puisqu'on utilise uniquement des procédés classiques et des puces classiques. Ce principe à canaux multiples est éga- lement applicable à des composants LIGBT à courant vertical dont le contact de la face arrière ne se fait pas par une zone de diffusion mais par un substrat, par exemple fortement dopé, dont la face avant reçoit des couches épitaxiales. La figure 3 montre un autre segment 50 d'un autre exemple de réalisation. Par comparaison à la figure 2, le do- maine d'anode 5 et la couche tampon 6 sont remplacés par un seul domaine de drain 51 à fort dopage n. Contrairement à la figure 2, dans l'exemple de réalisation de la figure 3, il s'agit d'un composant MOS ayant un branchement de drain 52, une plaque de champ de drain 53 et une plaque de champ de source 55, celle-ci étant reliée au branchement de source 56. L'exemple de réalisation illustre la possibilité d'application du principe à canaux multiples à un composant MOS pour obtenir une résistance globale de canal, efficace, petite, par le branchement en parallèle de domaines de canal. Dans les composants MOS, avec la réalisation selon l'invention, on peut obtenir une grande capacité de courant ou un bon comportement de passage pour le composant tout en ayant une forte capacité de blocage. La figure 4 montre un composant MOS analogue à la figure 3 avec, pour seule différence par rapport à la figure 3, le fait que le domaine de drain soit un domaine de drain 61 plat, c'est-à-dire non relié directement au substrat p 3 mais séparé de celui-ci par le domaine n 4. Suivant l'utilisation du composant on peut prévoir un domaine de drain plus profond 51 ou un domaine de drain plus plat 61. Le domaine de drain profond 61 est à choisir si l'on souhaite un comportement passant optimum, c'est-à-dire une tension de flux aussi réduite que possible pour une intensité donnée. Par un domaine de drain profond on évite la forte augmenta- tion de densité de courant qui existe dans le cas d'un do-5 maine de drain plat, et on arrive à un passage homogène du courant dans le domaine RSF. Vis-à-vis de cela, dans le cas du domaine de drain plat, on utilise le temps de diffusion nécessairement long pour obtenir la profondeur de diffusion *du drain. La figure 5 est une vue de dessus du troisième plan 30 d'un composant transistor selon l'invention. La ligne caractérise le plan de coupe transversale représenté dans les dessins vus en coupe des figures 1 à 4. Il apparaît com- ment sont disposées des dents de deux peignes superposés,15 avec des branchements d'anode et de cathode 17, 16, ainsi que leurs plaques de champ 18, 15. Les références 73 désignent les surfaces de liaison des anodes; la référence 72 désigne la surface de liaison de cathode du composant. Dans la zone intermédiaire 71, entre les dents imbriquées de la plaque de champ de cathode ou d'anode, appa- raît la couche d'isolation qui isole électriquement les bran- chements de grille se trouvant en dessous. Le branchement global de grille 74 relie les branchements de grille des dif- férentes cellules de transistors entre elles; comme cela ap- paraît, par dent du " peigne de cathode 15 " (15, 16) on a trois branchements de grille 13a, b, c. Dans cette vue de dé- tail apparaît le principe du canal multiple décrit à la fi- gure 2. Les détails de la conception sont représentés aux figures 6 à 8. La figure 6 montre la vue de dessus d'un com- posant transistor selon l'invention, en technique bipolaire, avec un dispositif à canal multiple dans le premier plan de vue de dessus 28 comme cela est indiqué à la figure 2. La cellule séparée de la conception qui se développe périodique- ment est donnée par le domaine compris entre le premier plan de symétrie 21 et le troisième plan de symétrie 39. Dans l'exemple de réalisation représenté, dans chaque demi-domaine d'anode 5a, on a trois zones de canal 41, 42, 43. Les zones de canal sont des zones des cuvettes p 11, lia, reliées, qui se commandent par des branchements de grille isolés du semi-conducteur par une couche d'isolation. Les cuvettes n 12, 12 a, 12b sont intégrées dans les cuvettes p. Ces cuvettes p sont réalisées de même que des zones de do- 5 page 19 à fort dopage p réalisées dans les cuvettes p. Pour chaque cellule unitaire de la disposition, le composant de l'exemple de réalisation représenté avec trois domaines de canal par demi-doigt d'anode, comporte un îlot 83 du domaine n 4 dans le domaine de cuvette p. Par ailleurs, le domaine n 4 du premier plan de vue de dessus 28 est disposé en méandres aussi bien autour des domaines d'anode 5a, 5b,... qu'autour des domaines de cuvette p. La couche tampon 6 se situe entre les domaines d'anode 5a, 5b.. et le domaine n 4. Cette dispo- sition à canaux multiples est transposable, comme le montrent les figures 3 et 4, à un composant transistor MOS dans lequel les domaines d'anode 5a, 5b,... ainsi que la couche tampon 6, sont remplacés par un domaine de drain 51 à fort dopage n ou, au choix, par un domaine de drain plat 61. A la fois dans le cas du composant LJGBT et dans celui d'un transistor MOS latéral, pour arriver à une tension de blocage élevée, il faut que les rayons d'arrondi 90, 91 des extrémités des doigts d'anode et de cathode soient suffisamment grands pour que la tension de passage du composant ne soit pas réduite significativement aux extrémités des doigts par des pointes de champ créées par la géométrie. Pour cette raison, il faut que le doigt de cathode, dans un composant LJGBT fortement bloquant ou dans un transistor MOS, ne soit pas plus large que cela est nécessaire de toute façon pour obtenir une forte tension de passage, pour loger plusieurs domaines de canal branchés en parallèle. La figure 7 montre une vue de dessus selon le se- cond plan de vue de dessus 29 correspondant à la figure 6; toutefois, la figure 7 ne montre que deux cellules unitaires de la disposition. Dans ce second plan de vue de dessus 29, le branchement d'anode 17 apparaît au niveau du domaine de l'anode 5. Le branchement de cathode 16 en deux parties par cellule unitaire touche les zones à fort dopage p, 19 et des parties des cuvettes n 12, 12a, 12b. Le branchement de grille 13 est réalisé en deux parties pour un demi-doigt de cathode et le branchement de grille 13a présente un profil en méan- dres; la seconde partie de branchement de grille 13b est en forme de ruban. A la fois la partie de branchement de grille 13a et la partie de branchement de grille 13b sont conduites vers l'extérieur par le côté opposé à celui de la couche tam- pon 6, pour pouvoir, comme le montre la figure 5, être rac- cordées au branchement collecteur de grille 74. La même chose se passe pour le troisième branchement de grille 13c, dans la10 seconde moitié de chacun des doigts de cathode. Enfin, la figure 8 montre une vue de dessus, cor- respondant à celle des figures 6 et 7, d'un composant semi- conducteur selon l'invention pour le troisième plan de vue de dessus 30. La figure 8 montre également un détail à échelle agrandie de la figure 5 avec les lignes de symétrie associées 21, 39; cette figure explicite le recouvrement du composant avec des plaques de champ 15, 18 entre lesquelles apparaît, seulement dans la zone intermédiaire 71, la couche d'isolation qui se trouve en dessous. R E V E N D I C A T IONS 1 ) Composant transistor ayant au moins une électrode de grille (13) isolée, avec passage de courant latéral et verti- cal, dans un substrat p (3) dont la face avant comporte un domaine n (4) dans lequel est intégré à son tour un domaine d'anode (5) à fort dopage p, le passage vertical du courant se faisant par un contact de face arrière (7), caractérisé en ce que le contact de face arrière est relié par un domaine réalisé comme domaine de diffusion (8) à fort dopage (p), par une liaison électrique avec ce substrat (p). 2 ) Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le domaine n (4) est un domaine RSF. 3 ) Composant selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le domaine d'anode (5) est séparé des zones adjacentes du do- maine n (4) par une couche tampon à dopage n (6). 4 ) Composant selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche tampon (6) a une profondeur de pénétration plus im- portante que le domaine n (4). ) Composant selon l'une quelconque des revendications pré- cédentes, caractérisé en ce que le domaine d'anode (5) est réalisé sous la forme d'une do- maine en ruban ayant au moins deux bandes (5a, 5b), dans le domaine n (4) on intègre au moins une cuvette p (11) en forme de ruban, entre au moins deux bandes (5a, 5b) du do- maine d'anode, dans au moins une cuvette p on intègre au moins une cuvette n (12) en forme de bande et, par l'électrode de grille isolée, on génère au moins un canal d'inversion (41). 6 ) Composant selon la revendication 5, caractérisé en ce qu' au moins deux cuvettes p (11, lia), reliées, sont prévues en- tre au moins deux bandes (5a, 5b) du domaine d'anode et,5 comme canaux d'inversion (42, 43), on a des cuvettes p (11, lia) voisines des domaines et commutables, qui se commandent chaque fois par une électrode de grille (13b) commune. 7 ) Composant comportant au moins une électrode grille isolée (13a), avec passage de courant latéral et vertical, dans un substrat p (3) dont la face avant comporte un domaine n (4) dans lequel est intégré à son tour un domaine de drain (61) fortement dopé (n), le passage vertical du courant se faisant par un contact de face arrière (7), caractérisé en ce que le domaine de drain (61) est formé par un domaine en rubans ayant au moins deux rubans, dans le domaine n (4) on a intégré au moins deux cuvettes p (11, lia) en forme de rubans entre au moins deux bandes du domaine de drain, le domaine de drain (61) recevant un poten- tiel élevé par rapport aux cuvettes p en forme de rubans (11, lia), dans les cuvettes p on intègre chaque fois au moins une cu- vette n (12a, 12b) en forme de ruban, et comme canaux d'inversion (42, 43) on a des cuvettes p de do- maine voisin, commutables, qui peuvent être commandées chaque fois par une électrode de grille (13b) commune. 8 ) Composant à transistor ayant au moins une électrode de grille (13a, b) isolée, à passage de courant latéral et ver- tical, dans un substrat p (3) dont la face avant comporte un domaine n (4) dans lequel est de nouveau intégré un domaine d'anode (5) fortement dopé p, le courant vertical passant par un contact de face arrière (7), caractérisé en ce que le domaine d'anode (5) est un domaine en forme de rubans ayant au moins deux rubans (5a, 5b), dans le domaine n 4 on intègre au moins une cuvette p (11) en forme de ruban entre au moins les deux bandes (5a, 5b) du do- maine de l'anode, et le domaine de l'anode (5) reçoit un po- tentiel élevé par rapport à la cuvette p en forme de ruban5 (11), et dans au moins une cuvette p on intègre au moins une cu- vette n (12) en forme de ruban, et on génère deux canaux d'inversion (41, 42) par au moins l'électrode de grille isolée. 1) 9 ) Composant selon la revendication 8, caractérisé en ce qu' au moins deux cuvettes p (11, 11a), reliées, sont prévues en- tre au moins deux bandes (5a, 5b) du domaine de l'anode, et comme canaux d'inversion (41, 42, 43), on a prévu de manière commutable les domaines de cuvettes p voisines (11, 11a) com- mandés chaque fois par des électrodes de grille (13a, 13b) reliées respectivement électriquement. 10 ) Composant selon l'une des revendications 5 à 9, caractérisé en ce que les branchements de cathode ou de source (16, 56) sont en contact électrique avec les cuvettes p (11, 11a) chaque fois par une zone de dopage à fort dopage p (19). 11 ) Composant selon l'une quelconque des revendications pré- cédentes, caractérisé en ce que les dopages n tels que prévus sont remplacés par des dopages p et les dopages p initialement prévus sont remplacés par des dopages n. 12 ) Procédé de fabrication de composant semi-conducteur dans un substrat p avec des branchements de grille, de cathode et d'anode prévus sur la face avant, ainsi que d'un branchement de face arrière prévu sur la face arrière, caractérisé en ce qu' avant de mettre en place les branchements de face arrière, on diffuse en profondeur des atomes de dopage p sur le côté ar- rière du substrat p. 13 ) Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que dans la face avant du composant, on diffuse des atomes de do- page n pour que le domaine à dopage n ainsi formé constitue un domaine (RSF).10 14 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 ou 13, caractérisé en ce qu' à la place des dopages p on applique des dopages n et à la place des dopages n on applique des dopages p.