FR 2749963 A1 19971219 FR 9706186 A 19970521 DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE A MATRICE ACTIVE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active (AMLCD) comprenant des transistors en couche mince (TFT) ainsi que la structure d'un AMLCD fabriqué en utilisant un tel procédé. En général, comme décrit en référence aux figures 1 et 2, un AMLCD comprend un substrat (premier substrat) 3 sur lequel une pluralité d'électrodes de pixel 4 sont disposées en matrice. Chaque électrode de pixel 4 du premier substrat 3 est bordée par deux lignes de bus de grille 17 et par deux lignes de bus de source 15, chaque ligne de bus de grille 17 étant perpendiculaire à chaque ligne de bus de source 15. Les lignes de bus de grille 17 sont formées horizontalement et une plura- lité d'électrodes de grille 17 sont en saillie perpendiculairement aux lignes de bus de grille 17. Les lignes de bus de source 15 sont formées verticalement et une pluralité d'électrodes de source 5 sont en saillie perpendiculairement aux lignes de bus de source 15. Les transistors en couche mince sont formés au voisinage des points d'intersection des lignes de bus de grille 17 et des lignes de bus de source 15 et sont électriquement reliés aux électrodes de pixel 4. Un film d'alignement (non repré- senté) qui fixe l'orientation initiale du cristal liquide est formé sur les transistors en couche mince et sur les électrodes de pixel 4. L'AMLCD comprend aussi un autre substrat (second substrat) 2, sur lequel une couche de filtre de couleur (non représentée), des électrodes communes (non repré- sentées) et un film d'alignement (non représenté) sont formés. Les premier et second substrats 2 et 3 sont assemblés l'un face à l'autre et un cristal liquide est injecté dans l'espace entre les films d'alignement des premier et second substrats 3 et 2. Les premier et second substrats 3 et 2 sont munis de film de polarisation lA et lB sur leurs faces externes. L'AMLCD est fabriqué en combinant les constituants sus- mentionnés. A partir des constituants mentionnés plus haut, un procédé classique de fabri- cation d'un premier substrat est décrit ci-dessous, en référence aux dessins. Comme représenté sur la figure 3A, une couche de chrome est déposée sur un substrat de verre transparent 10. Un agent photosensible est déposé sur la couche de 3 5 chrome et l'agent photosensible est développé, pour présenter la structure désirée, en utilisant un masque. Une ligne de bus de grille 17 et une électrode de grille 7, qui est en saillie par rapport à la ligne de bus de grille 17 sont formées en attaquant une portion de la couche de chrome, selon le motif développé de l'agent photosensible, comme représenté sur la figure 3A. Ensuite, comme représenté sur la figure 3B. on dépose successivement sur le substrat, y compris sur la couche de chrome structurée. un film de SiNX (à partir duquel une couche d'isolation de grille 9 est ensuite for- mée), un film de silicium amorphe (a-Si) (à partir duquel une couche semi-conduc- trice 11 est ensuite formée) et un film de silicium amorphe n+ (à partir duquel une couche de contact ohmique 12 est formée ensuite). Ensuite, on dépose un agent photosensible sur le film de silicium amorphe dopé n+, et on développe l'agent photosensible pour qu'il présente la structure désirée, en utilisant un masque. Une couche de contact ohmunique 12 et une couche semi-conductrice 11 sont formées en attaquant le film de silicium amorphe dopé n+ et le film de silicium amorphe en même temps. selon la structure développée de l'agent photosensible, comme représenté sur la figure 3C. Ensuite, on dépose du chrome par pulvérisation sur la surface, de sorte à recouvrir la couche d'isolation de grille 9, la couche de contact ohmique 12, et la couche semi-conductrice 11. Un agent photosensible est déposé sur la couche de chrome, et l'agent photosensible est développé pour présenter la structure désirée en utilisant un masque. On forme une ligne de bus de source 15, qui sert de ligne de signal, une électrode de source 5, qui est en saillie par rapport à la ligne de bus ide source 15, et une électrode de drain 6, qui sert d'électrode de sortie, par attaque de la couche de chrome selon la structure développée de l'agent photosensible. Le milieu de la couche de contact ohmique 12 est attaqué en utilisant les électrodes de source et de drain comme masque d'attaque, de sorte à ce que la couche de contact ohmique 12 soit séparée en deux parties, comme représenté sur la figure 3D. Ensuite, on dépose une couche de passivation 13 sur la surface, de sorte à recouvrir la couche d'isolation de grille 9, le bus de source 15, l'électrode de source , l'électrode de drain 6, la couche de contact ohmique 12 et la couche semi- conductrice 11. Un agent photosensible est déposé sur la couche de passivation 13. et l'agent photosensible est développé pour présenter la structure désirée, en utilisant un masque. On forme un trou de contact 16 dans une portion de la couche de passixva- tion 13 au-dessus de l'électrode de drain, en attaquant la couche de passivation 13 selon la structure développée, comme représenté sur la figure 3E. On forme une couche d'oxyde d'étain et d'indium (ITO) par pulvérisation sur la couche de passivation et sur l'électrode de drain 6. au niveau du trou de contact. Un agent photosensible est déposé sur la couche d'ITO, et l'agent photosensible est développé pour présenter la structure désirée en utilisant un masque. Une électrode de pixel 4 est formée en attaquant la couche d'ITO selon la structure développée de l'agent photosensible, comme représenté sur la figure 3F. DI).2I1''' - 7.11 - 2/I 1 Comme décrit ci-dessus, dans le procédé classique de fabrication d'AMLCD, le traitement de mise en forme (réalisation de motif) doit être utilisé cinq fois pour fabriquer le premier substrat qui comprend l'électrode de pixel 4. Le traitement de mise en forme (réalisation de motif) comprend les étapes de dépôt d'un film sur le substrat, de rinçage de la surface du film, de revêtement d'un agent photosensible sur la surface rincée du film, d'exposition et de développement de l'agent photosensible en utilisant un masque, d'attaque du film selon la structure développée de l'agent photosensible, et d'enlèvement de l'agent photosensible sur le film structuré. Le traitement de mise en forme qui vient d'être décrit est non seulement compliqué, mais en plus long à mettre en oeuvre, et provoque un taux de défauts ou rejets relativement élevé. En conséquence, si possible, il est préférable de réduire le nombre de traitements et de mises en forme du fait que le nombre de défauts augmente en proportion au nombre de traitements de mise en forme. En outre. comme représenté sur la figure 3F, des différences de niveaux (c'est-àdire des parties non planes) sont formées dans le TFT terminé. Il en résulte que les défauts peuvent être provoqués lors d'une opération de frottement ultérieur. Un objet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active présentant Uln nombre mini- mum de l'étape de masquage. Un autre objet de la présente invention est de fournir un panneau de dispositif d'affichage à cristal liquide présentant un nombre de défauts de frottement réduit. L'invention propose en conséquence un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant les étapes de: - formation de lignes de bus de grille et d'électrodes de grille sur un substrat; - formation d'une couche d'isolation de grille sur lesdites lignes de bus de grille, lesdites électrodes de grille et ledit substrat; - formation d'une couche semi-conductrice sur ladite couche d'isolation de grille; - formation d'une couche de contact ohmique sur ladite couche semi- 3 0 conductrice; - formation de lignes de bus de source. d'électrodes de source et d'électrodes de drain sur ladite couche de contact ohmique; attaque de ladite couche de contact ohmique en utilisant lesdites électrodes de source et lesdites électrodes de drain commne masque d'attaque. 3 5 Dans un premier mode de réalisation, le procédé est caractérisé en outre par les étapes de 1, 1v11 771-I1 ( - formation d'une première couche de passivation sur lesdites lignes de bus de source et lesdites électrodes de drain, lesdites électrodes de source et ladite couche semi-conductrice; - attaque sélective de ladite première couche de passivation, de ladite couche semi-conductrice et de ladite couche d'isolation de grille; formation d'une seconde couche de passivation au-dessus dudit substrat; attaque sélective de ladite première couche de passivation et de ladite seconde couche de passivation pour former des trous de contact qui exposent lesdites électrodes de drain; et - formation d'électrodes de pixel en contact avec lesdites électrodes de drain à travers ledits trous de contact. Lesdites étapes de formation de la couche d'isolation de grille, de formation de la couche semi-conductrice, de formation de ladite couche de contact ohmique et de formation desdites lignes de bus de source, desdites électrodes de source et desdites électrodes de drain comprennent avantageusement: - le dépôt successif d'un matériau pour ladite couche d'isolation de grille, d'un matériau pour ladite couche semi-conductrice, d'un matériau pour ladite couche de contact ohmique, et d'un matériau pour lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de source, et lesdites électrodes de drain. L'étape de formation desdites lignes de bus de source, desdites électrodes de source et desdites électrodes de drain comprend de préférence: - la formation d'électrodes de condensateur de stockage pour des condensateurs de stockage au-dessus de ladite couche de contact ohmique. On peut prévoir que l'étape de formation des électrodes de pixel forme lesdites électrodes de pixel au-dessus de ladite seconde couche de passivation. L'étape de formation d'une seconde couche de passivation peut former une couche de passivation sensiblement plane en tant que seconde couche de passivation. L'étape de formation d'une seconde couche de passivation forme avantageusement la seconde couche de passivation à partir d'un matériau organique, qui comprend au moins un matériau choisi parmi le polyimide fluoré, le parylène fluoré, le téflon, le cytop, le fluoropolyaryléther, le PFCB et le BCB. Dans un second mode de réalisation, le procédé est caractérisé en outre par les étapes de: - formation d'une couche de passivation sur lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de drain, lesdites électrodes de source, ladite couche semi- conductrice et ledit substrat; - attaque sélective de ladite couche de passivation de sorte à former des trous de contact qui exposent lesdites électrodes de drain; et - formation d'électrodes de pixel sur ladite couche de passivation et en contact avec lesdites électrodes de drain à travers ledits trous de contact. L'étape de formation de la couche de passivation forme avantageusement une couche de passivation sensiblement plane en tant que couche de passivation. La couche de passivation comprend de préférence un matériau organique, qui comprend au moins un matériau choisi parmi le polyimide fluoré, le parylène fluoré, le téflon, le cytop, le fluoropolyaryléther, le PFCB et le BCB. Le procédé peut encore comprendre les étapes de: - formation d'une couche de passivation sensiblement plane sur lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de drain, lesdites électrodes de source, ladite couche semi-conductrice et ledit substrat; - attaque sélective de ladite couche de passivation poulr former des trous de contact qui exposent lesdites électrodes de drain; et - formation d'électrodes de pixel en contact avec lesdites électrodes de drain à travers ledits trous de contact. L'invention propose aussi un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant - un substrat; - des lignes de bus de grille et des électrodes de grille formées sur ledit substrat; - une couche d'isolation de grille formée sur ledit substrat, lesdites lignes de bus de grille et lesdites électrodes de lignes; - une couche semi-conductrice formée sur ladite couche d'isolation de grille; - une couche de contact ohmique formée sur ladite couche semi- conductrice; - des lignes de bus de source des électrodes de source et des électrodes de drain formées sur ladite couche de contact olhmnique; - une première couche de passivation recouvrant ladite couche semi-conductrice, lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de source, lesdites élec- trodes de drain; - une seconde couche de passivation recouvrant ladite première couche de passi- vation et ledit substrat, lesdites première et seconde couches de passivation présentant des trous de contact découvrant lesdites électrodes de drain; et - des électrodes de pixels formés sur au moins lesdites électrodes de drain à travers ledits trous de contact. De préférence, le dispositif d'affichage comprend. en outre, des électrodes de stockage de condensateurs de stockage, formées sur ladite couche de contact ohmique, les électrodes de pixel sont formées sur ladite couche de contact ohmique, et sur lesdites électrodes de stockage. 1",I'7 --.l-;I, Avantageusement, la seconde couche de passivation est formée d'un matériau organique, qui comprend au moins un matériau choisi parmi le polyimide fluoré. le parylène fluoré, le téflon, le cytop, le fluoropolyaryléther, le PFCB et le BCB. On peut prévoir que lesdites électrodes de pixel sont aussi formées sur ladite seconde couche de passivation. De préférence, la seconde couche de passivation est sensiblement plane. Dans un autre mode de réalisation, l'invention propose un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant: - un substrat; - des lignes de bus de grille et des électrodes de grille formées sur ledit substrat; - une couche d'isolation de grille formée sur ledit substrat, lesdites lignes de bus de grille et lesdites électrodes de grille; - une couche semi-conductrice formée sur ladite couche d'isolation de grille; - une couche de contact ohmique formée sur ladite couche semi-conductrice; - des lignes de bus de source, des électrodes de source et des électrodes de drain formées sur ladite couche de contact ohmique; une couche de passivation recouvrant ladite couche semi-conductrice, lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de source, et lesdites électrodes de drain, et ladite couche de passivation présentant des trous de contact décoiu- vrant lesdites électrodes de drain; et - des électrodes de pixel formés sur lesdites électrodes de drain et ladite couche de passivation. Avantageusement, ladite couche de passivation est sensiblement plane. Cette couche de passivation peut comprendre un matériau organique, qui comprend au moins un matériau choisi parmi le polyimide fluoré, le parylène fluoré. le téflon, le cytop, le fluoropolyaryléther, le PFCB et le BCB. Dans encore un autre mode de réalisation, le dispositif d'affichage comprend en outre des électrodes de stockage, des condensateurs de stockage formés sur ladite couche de contact ohmique, et lesdites électrodes de pixel sont formées sur lesdites électrodes de stockage. L'invention propose encore un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active, comprenant: - un substrat; - des lignes de bus de grille et des électrodes de grille formées sur ledit substrat; - une couche d'isolation de grille formée sur ledit substrat; lesdites lignes de bus de grille, et lesdites électrodes de grilles; - une couche semi-conductrice formée sur ladite couche d'isolation de grille; - une couche de contact ohmique formée sur ladite couche semi- conductrice: 1 1,; 'II)()(-21I t1D"}7-7I1-W I[, - des lignes de bus de source, des électrodes de source et des électrodes de drain formées sur ladite couche de contact ohmique; - une couche de passivation sensiblement plane recouvrant ladite couche semi- conductrice, lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de source, et lesdites électrodes de drain; et ladite couche de passivation présentant des trous de contact découvrant lesdites électrodes de drain; et - des électrodes de pixel formés sur au moins lesdites électrodes de drain à tra- vers ledits trous de contact. Avantageusement, le dispositif d'affichage comprend en outre des électrodes de stockage de condensateurs de stockage, formées au- dessus de ladite couche de contact ohmique, et lesdites électrodes de pixel sont formées sur lesdites électrodes de stockage. Ces buts et d'autres objectifs de la présente invention apparaitront mieux de la description détaillée qui suit. Il est toutefois clair que la description détaillée et les exemples spécifiques, bien qu'ils indiquent des modes de réalisation préférés de l'invention, ne sont donnés qu'à titre d'illustration du fait que diverses variations et modifications dans l'esprit et la portée de l'invention apparaîtront à l'homme de l'art à la lecture de la description détaillée. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée ci-dessous et des dessins joints qui sont donnés à titre d'illustration et qui ne sont donc pas limitatifs de la présente invention, et qui montrent: - Figure 1, une vue en perspective tridimensionnelle montrant une partie d'un ALMCD classique; - Figure 2, une vue de dessus montrant une partie d'un ALMCD classique; - Figures 3A à 3F, des vues schématiques en coupe transversale montrant le pro- cédé de fabrication du AMLCD classique, le long des lignes III-III de la figure 2; - Figure 4, une vue de dessus montrant une partie d'un AMLCD selon la pré- sente invention - Figures SA à 5I, des vues schématiques en coupe montrant le procédé de fabri- cation selon un premier mode de réalisation de la présente invention, le long de la ligne V-V de la figure 4: et - Figures 6A et 6B, des vues schématiques en coupe transversale montrant le procédé de fabrication selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention le long de la ligne VI-VI de la figure 4. Selon un premier mode de réalisation de la présente invention, comme repré- senté sur la figure 5A. on dépose une première couche de métal, par exemple du chrome, sur un substrat en verre transparent 110. Un agent photosensible est déposé sur la première couche de métal, et l'agent photosensible est développé pour présen- ter la structure désirée, en utilisant un masque. La première couche de métal est atta- quée par attaque humide, selon la structure développée de l'agent photosensible, de sorte à former une ligne de bus de grille 117 et une électrode de grille 107, qui est en saillie par rapport à la ligne de bus 117. Ensuite, on dépose successivement un film de SiNX, à partir duquel une couche d'isolation de grille 109 est ultérieurement formée, un film de silicium amorphe, à partir duquel une couche semi-conductrice 111 est formée ultérieurement, tum film de silicium amorphe n+, à partir duquel une couche de contact ohmique 112 est formée ultérieurement, et une couche de chrome, à partir de laquelle une seconde couche métallique 140 est formée ultérieurement, comme représenté sur la figure 5B. Après, un agent photosensible est déposé sur la seconde couche métallique 140, et l'agent photosensible est développé pour présenter la structure désirée, en utilisant unI masque. La seconde couche métallique 140 est attaquée par attaque humide selon la structure développée de l'agent photosensible, et de la sorte, on forme une ligne de bus de source 115, qui sert de ligne de signal, une électrode de source 105, en saillie par rapport à la ligne de source 115, une électrode de drain 106, qui sert d'électrode de sortie, et une électrode de condensateur de stockage 130. L'électrode de conden- sateur de stockage recouvre partiellement la ligne de bus de grille, comme représenté sur la figure 5C. Ensuite, le film de silicium amorphe dopé n+ est attaqué en utilisant la ligne de bus de source 115, l'électrode de source 105. l'électrode de drain 106, et l'électrode de condensateur de stockage 130 comme masque d'attaque et, de la sorte, on forme une couche de contact ohmique 112, comme représenté sur la figure 5D. Une première couche de passivation 113a, par exemple réalisée en un matériauLi isolant inorganique tel que SiNx ou SiO2 est ensuite déposée sur la surface de sorte à recouvrir la couche semi-conductrice 111, les bords de la couche de contact ohmique 112, le bus de source 115, l'électrode de source 105, l'électrode de drain 106 et l'électrode de condensateur de stockage 130, comme représenté sur la figure 5E. Un agent photosensible est déposé sur la première couche de passivation 11 3a. et l'agent photosensible est développé en utilisant tu masque, de telle sorte que l'agent photosensible recouvre une partie de l'électrode de condensateur de stockage , l'électrode de drain 106, une partie du film de silicium amorphe, la ligne de bus de source 115, et l'électrode de source 105. Une première couche de passivation 113a, le film de silicium amorphe 111 et le film de SiNx 109 sont simultanément attaqués par attaque sèche selon le motif développé de l'agent photosensible, et de la sorte on forme une couche semi-conductrice 111 et une couche d'isolation de grille 109, comme représenté sur la figure SF. Ensuite, une seconde couche de passivation 113b est formée par un dépôt, par exemple d'un matériau organique tel que du polyimide fluoré, du parylène fluoré, du téflon, du cytop, du fluoropolyaryléther, du perfluorocyclobutane (PFCB) ou du benzocyclobutène (BCB) sur la surface, en recouvrant le substrat 110, les bords de la couche d'isolation de grille 109, les bords de la couche semi-conductrice 111, et la première couche de passivation 113a, comme représenté sur la figure 5G. Dans le cas o la seconde couche de passivation 113b est formée en un maté- riau organique, tel que du polyimide fluoré, du parylène fluoré, du téflon, du cytop, du fluoropolyaryléther, du PFCB ou du BCB comme décrit ci-dessus, il n'y a pas 1 0 formation d'une différence de niveau sur la surface de la seconde couche de passiva- tion organique 13b lorsque le matériau organique est déposé sur des portions présentant une différence de niveau, comme par exemple la ligne de bus de source. En conséquence, l'électrode de pixel qui est formée sur la couche de passivation organique 113b peut être formée uniformément, et les défauts de frottement dans les portions qui présentent une différence de niveau peuvent être réduites. En conséquence, les défauts se produisant lors de l'opération de frottement au niveau de la marche ou la différence de niveau de la ligne de bus de source ne se produisent pas, bien que l'électrode de pixel soit formée de sorte à recouvrir la ligne de bus de source. Ainsi, le taux d'ouverture du dispositif d'affichage à cristal liquide peut être amélioré. Ensuite, un agent photosensible est déposé sur la seconde couche de passiva- tion 1 1 3b, et l'agent photosensible est développé pour présenter la structure désirée en utilisant un masque. La seconde couche de passivation 1 1 3b et la première couche de passivation 113b sont attaquées selon la structure développée de l'agent photo- sensible, et de la sorte des trous de contact 116 et 116' sont formés pour découvrir l'électrode de drain 106 et l'électrode de condensateur de stockage 130, comme représenté sur la figure 5H. Ensuite, une couche d'ITO, c'est-à-dire une couche conductrice transparente est déposée par pulvérisation sur la surface, en recouvrant les première et seconde couches de passivation 113a et 113b, l'électrode de drain 106 et l'électrode de condensateur de stockage 130. Un agent photosensible est déposé sur la couche d'ITO et l'agent photosensible est développé pour présenter la structure désirée en utilisant un masque. La couche d'ITO est attaquée selon la structure développée de l'agent photosensible, et ainsi, on forme une électrode de pixel 104 qui est électri- quement reliée à une partie de l'électrode de condensateur de stockage 113 et à une partie de l'électrode de drain 106. comme représenté sur la figure 5I. Les premières étapes de fabrication du deuxième mode de réalisation de la présente invention sont les mêmes que celles du premier mode de réalisation décrites en référence aux figures SA à 5E. Sur la figure 6A, un agent photosensible a été déposé sur la première couche de passivation 1 13a et l'agent photosensible est développé pour présenter la structure désirée, en utilisant un masque. La première couche de passivation 113a est attaquée selon la structure développée de l'agent photosensible, et de la sorte, on forme unl trou de contact 116 sur l'électrode de drain 106. et on découvre une portion de l'électrode de condensateur de stockage 130, comme représenté sur la figure 6A. Ensuite, une couche d'oxyde d'étain et d'indium (ITO), c'est-à-dire une couche conductrice transparente, est déposée sur la surface en recouvrant le substrat 110, les bords de la couche d'isolation de grille 109, les bords de la couche semi-conductrice 111, un bord de la couche de contact ohmique 112. la couche de passivation 1 13a et l'électrode de drain 106. Un agent photosensible est déposé sur la couche d'ITO et l'agent photosensible est développé pour obtenir un motif ou structure désiré. utilisant un masque. La couche d'ITO est attaquée selon la structure développée de l'agent photosensible, et ainsi, on forme une électrode de pixel 104 qui est électriquement reliée avec une partie de l'électrode de condensateur de stockage 130 et une partie de l'électrode de drain 106, comme représenté sur la figure 6B. Selon les premier et second modes de réalisation de la présente invention, le nombre de traitement de mises en forme peut être réduit, par exemple de cinq dans le procédé classique des figures 3A à 3F, à quatre dans le second mode de réalisation de la présente invention. En conséquence, des défauts provoqués par les traitements de mise en forme peuvent être réduits, et le rendement de fabrication peut être amé- lioré. L'invention ayant été ainsi décrite, il est évident qu'elle est susceptible de nombreuses variations accessibles à l'homme de l'art, sans pour autant sortir cde l'étendue de l'invention. ll REVENDICATIONS 1.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant les étapes de - formation de lignes de bus de grille (117) et d'électrodes de grille (107) sur un substrat (110); - formation d'une couche d'isolation de grille (109) sur lesdites lignes de bus de grille (1 17), lesdites électrodes de grille (107) et ledit substrat (110); - formation d'une couche semi- conductrice (111) sur ladite couche d'isolation de grille; - formation d'une couche de contact ohmique (112) sur ladite couche semi- conductrice; - formation de lignes de bus de source (115), d'électrodes de source (105) et d'électrodes de drain (106) sur ladite couche de contact ohlnmique; - attaque de ladite couche de contact ohlmique en utilisant lesdites électrodes de source (105) et lesdites électrodes de drain (106) comme masque d'attaque. 2.- Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en outre par les étapes de: - formation d'une première couche de passivation (113a) sur lesdites lignes de bus de source et lesdites électrodes de drain, lesdites électrodes de source et ladite couche semi-conductrice; - attaque sélective de ladite première couche de passivation (113a), de ladite couche semi-conductrice (112) et de ladite couche d'isolation de grille (109); - formation d'une seconde couche de passivation (1 3b) au-dessus dudit substrat - attaque sélective de ladite première couche de passivation (113a) et de ladite seconde couche de passivation (113b) pour former des trous de contact (116) qui exposent lesdites électrodes de drain; et - formation d'électrodes de pixel (104) en contact avec lesdites électrodes de drain à travers ledits trous de contact. 3.- Le procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites étapes de formation de la couche d'isolation de grille (109), de formation de la couche semi- conductrice (111). de formation de ladite couche de contact ohmique (112) et de formation desdites lignes de bus de source (115), desdites électrodes de source (105) et desdites électrodes de drain (106) comprennent: - le dépôt successif d'un matériau pour ladite couche d'isolation de grille, d'un matériau pour ladite couche semi- conductrice. d'un matériau pour ladite couche de contact ohmique, et d'un matériau pour lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de source, et lesdites électrodes de drain. 4.- Le procédé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que l'étape de formation desdites lignes de bus de source, desdites électrodes de source et desdites électrodes de drain comprend: - la formation d'électrodes de condensateur de stockage (130) pour des conden- sateurs de stockage au-dessus de ladite couche de contact ohmique (112). 5.- Le procédé selon l'une des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que l'étape de formation des électrodes de pixel (104) forme lesdites électrodes de pixel au-dessus de ladite seconde couche de passivation (113b). 6.- Le procédé selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que ladite étape de formation d'une seconde couche de passivation forme une couche de passivation sensiblement plane en tant que seconde couche de passivation ( 13b). 7.- Le procédé selon l'une des revendications 2 à 6, caractérisé en ce que ladite étape de formation d'une seconde couche de passivation forme la seconde couche de passivation à partir d'un matériau organique, et en ce que le matériau organique comprend au moins un matériau choisi parmi le polyimide fluoré, le parylène fluoré, le téflon, le cytop, le fluoropolyaryléther, le PFCB et le BCB. 8.- Le procédé selon la revendication 1. caractérisé en outre par les étapes de - formation d'une couche de passivation (113a) sur lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de drain, lesdites électrodes de source, ladite couche semi-conductrice et ledit substrat; - attaque sélective de ladite couche de passivation (113a) de sorte à former des trous de contact qui exposent lesdites électrodes de drain; et - formation d'électrodes de pixel (104) sur ladite couche de passivation et en contact avec lesdites électrodes de drain à travers ledits trous de contact. 9.- Le procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite étape de formation de la couche de passivation forme une couche de passivation sensiblement plane en tant que couche de passivation. 10.- Le procédé selon la revendication 8 ou 9 caractérisé en ce que ladite couche de passivation comprend un matériau organique. et en ce que le matériau *I; ' I)()(21 J7I'-77 - 12If organique comprend au moins un matériau choisi parmi le polyimide fluoré, le parylène fluoré, le téflon, le cytop, le fluoropolyaryléther, le PFCB et le BCB. 1 I.- Le procédé selon la revendication 1, caractérisé en outre par les étapes de - formation d'une couche de passivation sensiblement plane sur lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de drain, lesdites électrodes de source, ladite couche semi-conductrice et ledit substrat; attaque sélective de ladite couche de passivation pour former des trous de contact qui exposent lesdites électrodes de drain; et - formation d'électrodes de pixel (104) en contact avec lesdites électrodes de drain à travers ledits trous de contact. 12.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant: - un substrat (110); - des lignes de bus de grille (117) et des électrodes de grille (107) formées sur ledit substrat; - une couche d'isolation de grille (109) formée sur ledit substrat, lesdites lignes de bus de grille et lesdites électrodes de lignes, - une couche semi-conductrice (111) formée sur ladite couche d'isolation de grille; - une couche de contact ohmique (112) formée sur ladite couche semiconduc- trice; - des lignes de bus de source (115) des électrodes de source (105) et des élec- trodes de drain (106) formées sur ladite couche de contact ohmique (112); - une première couche de passivation (113a) recouvrant ladite couche semi- conductrice, lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de source, lesdites électrodes de drain; - une seconde couche de passivation (113b) recouvrant ladite première couche de passivation et ledit substrat, lesdites première et seconde couches de passivation présentant des trous de contact (116) découvrant lesdites électrodes de drain; et - des électrodes de pixels formés sur au moins lesdites électrodes de drain à travers ledits trous de contact. 13.- Dispositif d'affichage à cristal liquide selon la revendication 12, caracté- risé en ce qu'il comprend, en outre, des électrodes de stockage (130) de condensa- teurs de stockage, formées sur ladite couche de contact ohmique, en ce que lesdites : I e 1 'J7 - 7 I 1 - 13/1, 6 électrodes de pixel sont formées sur ladite couche de contact ohmique, et en ce que lesdites électrodes de pixels sont formées sur lesdites électrodes de stockage. 14.- Dispositif d'affichage à cristal liquide selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce que la seconde couche de passivation (113b) est formée d'un maté- riau organlique, et en ce que le matériau organique comprend au moins un matériau choisi parmi le polyimide fluoré, le parylène fluoré, le téflon, le cytop, le fluoro- polyaryléther, le PFCB et le BCB. 15.- Dispositif d'affichage à cristal liquide selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que lesdites électrodes de pixel sont aussi formées stu- ladite seconde couche de passivation. 16.- Dispositif d'affichage à cristal liquide selon l'une des revendications 12 à 15, caractérisé en ce que ladite seconde couche de passivation est sensiblement plane. 17.- Dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant: - un substrat (110); - des lignes de bus de grille (117) et des électrodes de grille (107) formées sur ledit substrat; - une couche d'isolation de grille (109) formée sur ledit substrat, lesdites lignes de bus de grille et lesdites électrodes de grille; - une couche semi-conductrice (111) formée sur ladite couche d'isolation de grille; - une couche de contact ohmique (112) formée sur ladite couche semiconduc- trice; - des lignes de bus de source (115), des électrodes de source (105) et des élec- trodes de drain (106) formées sur ladite couche de contact ohmique (112); - une couche de passivation recouvrant ladite couche semi- conductrice, lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de source. et lesdites électrodes de drain, et ladite couche de passivation présentant des trous de contact décou- vrant lesdites électrodes de drain; et - des électrodes de pixel formés sur lesdites électrodes de drain (106) et ladite couche de passivation. 18.- Dispositif d'affichage à cristal liquide selon la revendication 17, caracté- risé en ce ladite couche de passivation est sensiblement plane. 19.- Dispositif d'affichage selon la revendication 17 ou 18, caractérisé en ce que ladite couche de passivation comprend un matériau organique, et en ce que le matériau organique comprend au moins un matériau choisi parmi le polyimide fluoré, le parylène fluoré, le téflon, le cytop, le fluoropolyaryléther, le PFCB et le BCB. 20.- Dispositif d'affichage selon l'une des revendications 17 à 19, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des électrodes de stockage (130), des condensateurs de stockage formés sur ladite couche de contact ohmique, et en ce que lesdites élec- trodes de pixel sont formées sur lesdites électrodes de stockage. 21.- Dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active, comprenant: - un substrat (110); - des lignes de bus de grille (117) et des électrodes de grille (107) formées sur ledit substrat (110); - une couche d'isolation de grille (109) formée sur ledit substrat; lesdites lignes de bus de grille, et lesdites électrodes de grilles; - une couche semi-conductrice (111) formée sur ladite couche d'isolation de grille; - une couche de contact ohmique (112) formée sur ladite couche semiconduc- trice; - des lignes de bus de source (115), des électrodes de source (105) et des élec- trodes de drain (106) formées sur ladite couche de contact ohmique (112); - une couche de passivation sensiblement plane recouvrant ladite couche semi- conductrice, lesdites lignes de bus de source, lesdites électrodes de source, et lesdites électrodes de drain; et ladite couche de passivation présentant des trous de contact découvrant lesdites électrodes de drain; et - des électrodes de pixel formés sur au moins lesdites électrodes de drain à tra- vers ledits trous de contact. 22.- Dispositif d'affichage selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des électrodes de stockage (130) de condensateurs de stockage, formées au-dessus de ladite couche de contact ohmique, et en ce que lesdites élec- trodes de pixel sont formées sur lesdites électrodes de stockage. - 21 ",. 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