FR 2753806 A1 19980327 FR 9710397 A 19970814 AFFICHEUR A CRISTAL LIQUIDE A TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince et un procédé pour la fabrication de celui-ci. L'afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince comporte un substrat, sur lequel est déposée une couche active, sur laquelle se trouvent au moins deux électrodes de grille auxiliaires recouvrant chacune une couche de contrôle du champ électrique, et une électrode de grille principale. Même si la présente invention est adaptée à un large éventail d'applications, elle est particulièrement appropriée pour la diminution des courants de fuite à l'état bloqué ainsi que pour l'obtention des caractéristiques électriques recherchées à l'état passant. Dans unl afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince conventionnel, un signal généré par le transistor en couche mince doit être maintenu pendant une durée déterminée après avoir été transféré vers un pixel par le dispositif de commutation. Le courant de fuite généré à l'intérieur du dispositif à cristal liquide donne lieu à des problèmes sérieux puisqu'il entraîne une détérioration des caractéristiques d'affichage de l'écran. Le silicium amorphe a été largement utilisé comme matériau semiconducteur pour les afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince conventionnels. Malgré quelques inconvénients des afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince fabriqués avec du silicium amorphe concernant les caractéristiques électriques à l'état passant, dûs à la faible mobilité des charges, le courant de fuite ne constitue pas un problème réel. Les transistors en couche mince en silicium amorphe peuvent également être utilisés pour le dispositif de commutation commandant une partie du pixel. Cependant, en raison de la faible mobilité des charges, le silicium amorphe n'est pas le matériau approprié pour la formation d'une partie du circuit, en particulier lorsqu'un circuit de commande conventionnel est formé directement sur le substrat. Le silicium polycristallin présente une meilleure mobilité des charges que le silicium amorphe et a fait l'objet de recherches intenses. En particulier lorsqu'un circuit de commande ou de pilotage est formé sur le substrat à l'endroit o se trouve un pixel, le silicium polycristallin présente une mobilité des charges plus élevée. Par ailleurs, alors qu'un transistor en couche mince de silicium polycristallin conduit un courant élevé à l'état passant, un courant de fuite non négligeable a lieu à l'état bloqué. Il en résulte que lorsque le dispositif de commutation du pixel est fabriqué en utilisant un transistor en couche mince de silicium polycristallin, la performance d'affichage de l'écran à cristal liquide peut être dégradée par l'instabilité R* h.I qI.I1 0( I (' - 12;tat I'>97- 19-31 - 113- des signaux stockés dans l'électrode du pixel, due à un courant de fuite élevé pendant l'état bloqué. Afin d'éviter ce type de problème, on a proposé un transistor en couche mince ou un transistor en couche mince à double grille comportant des structures utilisant une zone de drain à faible dopage (LDD, ou "lightly doped drain" en langue anglaise), une zone en décalage, ou une plaque de champ, pour la fabrication de dispositifs de commutation des pixels mettant en oeuvre du silicium polycristallin. La figure 1 illustre le transistor en couche mince décalé à grille autoalignée conventionnel. La structure du transistor en couche mince devait résoudre le problème de courants instables pendant l'état passant, causé par la variation d'une hauteur de la zone de décalage. Comme le montre la figure 1, le transistor en couche mince comprend une couche active 11 et une couche isolante de grille 12 sur le substrat 10. Des couches empêchant l'implantation d'ions 13a, 13b sont formées en un matériau isolant au- dessus de la couche isolante de grille 12 afin de définir la zone de décalage 1 Id, 1 le aux deux extrémités d'une zone de canal 1 lc de la couche active 11. Une électrode de grille 14 est disposée entre les couches empêchant l'implantation d'ions 13a, 13b. Les zones de décalage 11 d, 1 le de la couche active 11 ont une longueur constante. Toutefois, compte tenu du fait que le transistor en couche mince tel que décrit ci-dessus est soumis à la limitation de résolution de la photolithographie, il n'est pas aisé d'obtenir des zones de décalage 1 l d, 1 le d'une longueur inférieure à 2-3 Lpm. celle-ci étant définie par les couches empêchant l'implantation d'ions 13a, 13b. En conséquence, la présente invention a pour objet un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, et un procédé de fabrication d'un tel afficheur. qui pallie sensiblement un ou plusieurs des problèmes provoqués par les limitations et inconvénients de l'art antérieur. Un objet de la présente invention est un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, présentant une structure qui réduit le courant de fuite à l'état bloqué, sans réduire le courant à l'état passant. D'autres buts, caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description qui suit, ou découleront de la mise en oeuvre de l'invention. Les objectifs et avantages de l'invention peuvent notamment être obtenus grâce à la structure spécifiquement décrite dans la description, les revendications et les dessins; L'invention propose donc un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince comprenant: un substrat; R:\14500\14533 DOC- 12 août 1997 1' 31 -213e une couche active située au-dessus du substrat et comportant des premières et des secondes zones contenant des impuretés et des premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés; une couche isolante de grille située au-dessus de la couche active; des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique situées respectivement au-dessus des premières et secondes zones contenant des impuretés; des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires situées respectivement au-dessus des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique; et une électrode de grille principale située au-dessus de la couche isolante de grille, l'électrode de grille principale étant en contact avec les premières et secondes électrodes de grille auxiliaires et les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique. Dans mu mode de réalisation, la couche isolante de grille recouvre la couche active et une surface exposée du substrat. Avantageusement, la couche isolante de grille et la couche active sont structurées de la même façon. On peut prévoir que les électrodes de grille auxiliaires et couches de contrôle du champ électrique recouvrent les bords de la couche active et de la couche isolante de grille. Dans un autre mode de réalisation, l'afficheur comprend de plus des électrodes de source et de drain situées en-dessous des premières et secondes zones contenant des impuretés et en contact avec celles-ci. De préférence, les deuxièmes et troisièmes zones exemptes d'impuretés constituent des zones de contrôle du courant de fuite; la première zone contenant des impuretés constitue avantageusement une zone de canal. Dans un autre mode de réalisation, l'afficheur comprend de plus: des troisièmes, quatrièmes, cinquièmes et sixièmes zones contenant des impuretés, et des deuxièmes zones de canal sur le substrat; des troisièmes et quatrièmes couches de contrôle du champ électrique, situées respectivement au-dessus des cinquièmes et sixièmes zones exemptes d'impuretés; une deuxième électrode de grille principale située au-dessus de la couche isolante de grille, la deuxième électrode de grille principale étant en contact avec les troisièmes et la quatrièmes électrodes de grille auxiliaires et les troisièmes et quatrièmes couches de contrôle du champs électrique, respectivement. L'invention propose aussi un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant: un substrat; une couche active comportant des premières et secondes zones contenant des impuretés; des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite et une zone de canal, une couche isolante de grille située au-dessus de la couche active et d'une surface exposée du substrat; des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique situées respectivement au-dessus des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite; des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires situées respectivement au-dessus des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique; une électrode de grille principale située au-dessus de la couche isolante de grille, l'électrode de grille principale étant en contact avec les premières et secondes électrodes de grille auxiliaires et respectivement les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique. Avantageusement, cet afficheur comprend en outre: une électrode de source et une électrode de drain situées en-dessous des premières et secondes zones contenant des impuretés et en contact avec celles-ci; une première couche isolante située au-dessus de la surface exposée du substrat à l'exception de l'électrode de source et de drain; une seconde couche isolante située au-dessus de la première couche isolante et des électrodes de drain et de source, la seconde couche isolante comportant un trou de contact au-dessus de l'électrode de drain; et, une électrode de pixel en contact avec l'électrode de drain à travers le trou de contact. L'invention propose encore un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant: un substrat; une couche active comportant des premières et secondes zones contenant des impuretés; des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite et une zone de canal, une couche isolante de grille située au-dessus de la couche active, la couche isolante de grille étant structurée de la même façon que la couche active; des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique, situées respectivement au-dessus des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite; R:\14500\14533 DO( - 12;til I1)7- 19 31 -4/30 des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires située au-dessus respectivement des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique; une électrode de grille principale située au-dessus de la couche isolante de grille, l'électrode de grille principale étant respectivement en contact avec les premières et secondes électrodes de grille auxiliaires et avec les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique. Avantageusement, dans cet afficheur, les électrodes de grille auxiliaires et les couches de contrôle du champ électrique recouvrent les bords de la couche active et de la couche isolante de grille. L'invention propose aussi un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant: un substrat; une couche active comportant des premières et secondes zones contenant des impuretés; des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite et une zone de canal, une couche isolante de grille située au-dessus de la couche active et d'une surface exposée du substrat; des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique situées respectivement au- dessus des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite; des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires situées au- dessus des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique, respectivement; et des électrodes de source et de drain étant en contact avec respectivement les premières et les secondes zones contenant des impuretés, une partie des électrodes de source et de drain étant située en-dessous des premières et secondes zones contenant des impuretés. Dans un mode de réalisation, cet afficheur comprend en outre: des électrodes de source et de drain en contact respectivement avec les premières et secondes zones contenant des impuretés; une ligne de bus de données prolongée jusqu'à l'électrode de source: une ligne de bus de grille prolongée jusqu'à l'électrode de grille principale, la ligne de bus de données et de grille se croisant; une ligne de bus de grille auxiliaire, située au-dessus des couches de contrôle du champ électrique, et de l'électrode de grille auxiliaire et tune électrode de pixel. Il peut comprendre en outre une couche réduisant la capacité parasite, située au-dessus de la couche isolante de grille et sur une partie du substrat. R '.I. I l.l lI: I>()( - 12 m il 1997 - 19' 31 - 513V L'invention propose encore un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant: un substrat; une couche active comportant des premières. secondes et troisièmes zones contenant des impuretés, les premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite et les premières et secondes zones de canal sur le substrat, les zones de contrôle du courant de fuite étant situées entre une des zones contenant des impuretés et une des zones de canal; une couche isolante de grille située au-dessus de la couche active comprenant une surface exposée du substrat; des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique situées respectivement au-dessus des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite; des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires situées au-dessus respectivement des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique: des premières et secondes électrodes de grille principales situées au-dessus de la couche isolante de grille, la première électrode de grille principale étant en contact respectivement avec la première couche de contrôle du champ électrique et la première électrode de grille auxiliaire, la seconde électrode de grille principale étant en contact respectivement avec la seconde couche de contrôle du champ électrique et la seconde électrode de grille auxiliaire; et des électrodes de source et de drain étant en contact avec les zones contenant des impuretés. Avantageusement, les couches de contrôle du champ électrique comprennent au moins une des couches suivantes: couche de silicium amorphe, couche de silicium polycristallin, couche de silicium microcristallin. La couche isolante de grille peut comprendre au moins un des films suivants: film d'oxyde de silicium, film de nitrure de silicium, film d'oxyde de silicium/nitrure de silicium, nitrure de silicium/oxyde de silicium, et film d'oxyde de silicium/nitrure de silicium/oxyde de silicium. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant les étapes suivantes: la formation d'une couche active sur un substrat: la formation d'une couche isolante de grille située au-dessus de la couche active comprenant une surface exposée du substrat; la formation de premières et secondes couches de contrôle du champ électrique située au- dessus des couches isolante de grille; R:\14500\14533.DOC('- 12 aoit 19'97- 1')31 -(.120 la formation des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires située au-dessus respectivement les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique; et la formation de l'électrode de grille principale située au-dessus de la couche isolante de grille comprenant des parties des couches de contrôle du champ électrique et des électrodes de grille auxiliaires; et l'implantation d'ions comme impuretés en utilisant l'électrode de grille principale et les électrodes de grille auxiliaires comme masques afin de former les premières et secondes zones contenant des impuretés et les premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés dans la couche active. Elle concerne encore un procédé de fabrication d'afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant les étapes suivantes: la formation d'une couche active sur unl substrat; la formation d'une couche isolante de grille située au-dessus de la couche active; la structuration simultanée de la couche active et de la couche isolante de grille; la formation de premières et secondes couches de contrôle du champ électrique, celles-ci recouvrant les bords de la couche active et de la couche isolante de grille; la formation des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires située au-dessus respectivement les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique; et la formation de l'électrode de grille principale située au-dessus de la couche isolante de grille comprenant des parties des couches de contrôle du champ électrique et des électrodes de grille auxiliaires; et l'implantation d'ions comme impuretés en utilisant l'électrode de grille principale et les électrodes de grille auxiliaires comme masques afin de former les premières et secondes zones contenant des impuretés et les premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés dans la couche active. Elle propose ensuite un procédé de fabrication d'afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant les étapes suivantes: la formation d'électrodes de source et de drain sur un substrat; la formation d'une couche active sur un substrat comprenant une partie des électrodes de source et de drain; la formation d'une couche isolante de grille sur une surface exposée du substrat; R \1, 1 1[4. I.)()C - 12 m, Ig7- 19 31 -713e la formation des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique; la formation des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires située au-dessus respectivement les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique; la formation de l'électrode de grille principale située au-dessus de la couche isolante de grille comprenant des parties des électrodes de grille auxiliaires et des couches de contrôle du champ électrique; et l'implantation d'ions comme impuretés en utilisant l'électrode de grille principale et les électrodes de grille auxiliaires comme masques afin de former les premières et secondes zones contenant des impuretés et les premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés dans la couche active. Ce procédé comprend avantageusement de plus les étapes suivantes: la formation d'une ligne de bus de données sur le substrat, la ligne de bus de données étant en contact avec l'électrode de source; la formation d'une couche diminuant la capacité parasite située au-dessus de la couche isolante de grille comprenant une partie du substrat; la formation d'une ligne de bus de données auxiliaire située au-dessus de la couche diminuant la capacité parasite; et la formation d'une ligne de bus de grille étant en contact avec l'électrode de grille principale, la ligne de bus de grille étant située au-dessus de la ligne de bus de données comprenant une partie du substrat. De préférence, la première zone exempte d'impuretés constitue une zone de canal. Avantageusement, les couches de contrôle du champ électrique comprennent au moins une des couches suivantes: couche de silicium amorphe, couche de silicium polycristallin, couche de silicium microcristallin. L'invention propose enfin un procédé de fabrication d'afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince, le procédé comprenant les étapes suivantes: la formation d'une couche active sur un substrat; la formation de la couche isolante de grille comprenant une partie de la surface exposée du substrat; la formation d'une couche de silicium amorphe, située au-dessus de la couche isolante de grille; l'implantation d'ions comme impuretés dans la couche de silicium amorphe afin d'obtenir une concentration en impuretés plus élevée à la surface de la couche de silicium que dans le reste de la couche de silicium. R:\14500\14533 DO( -12 aotil Q Ql)7 - 19:31I - /3 la structuration de la couche de silicium amorphe afin de former les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique et les premières et secondes électrodes de grille auxiliaires; la formation de l'électrode de grille principale au-dessus de la couche isolante de grille comprenant une partie des électrodes de grille auxiliaires et des couches de contrôle du champ électrique; et l'implantation d'ions comme impuretés en utilisant l'électrode de grille principale et les électrodes de grille auxiliaires comme masques afin de former les premières et secondes zones contenant des impuretés et les premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés dans la couche active. Dans un mode de réalisation, la couche active formée à l'étape de formation de la couche active comprend une couche de silicium intrinsèque. Dans un autre mode de réalisation, la couche isolante de grille comprend au moins un des films suivants: film d'oxyde de silicium, film de nitrure de silicium, film d'oxyde de silicium/nitrure de silicium, nitrure de silicium/oxyde de silicium, et film d'oxyde de silicium/nitrure de silicium/oxyde de silicium. D'autres buts, caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description des différents modes de réalisation de l'invention, faite à titre non limitatif et en regard des dessins annexés, dans lesquels: - figure 1 est une vue en coupe transversale d'un transistor en couche mince conventionnel. - figure 2 est une vue en coupe transversale de la structure d'un premier mode de réalisation de la présente invention. - figures 3A, 3B, 3C, 3D et 3E représentent, en coupe transversale, des étapes de procédé de fabrication d'un transistor en couche mince selon le premier mode de réalisation de la présente invention. - figure 4A est une vue de dessus du deuxième mode de réalisation de la présente invention, et - figures 4B et 4C sont des vues en coupe transversale du mode de réalisation représenté dans la figure 4A, respectivement le long des lignes A-A' et B-B'. - figures 5A, 5B, 5C, 5D et SE représentent, en coupe transversale, les étapes de fabrication d'un transistor en couche mince selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. - figure 6 est une vue en coupe transversale d'une structure selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. - figure 7A, 7B, 7C, 7D et 7E représentent, en coupe transversale, les étapes du procédé de fabrication de transistors en couche mince selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. Ifl'l-i'; I1)(' - 12 aoû" Ig)7 - 19 '31 - 9/30 - figure 8A est une vue de dessus d'un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince conforme à la présente invention, et la figure 8B est une vue en coupe transversale. - figure 9A est une vue de dessus d'une autre structure d'un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince conforme à la présente invention, et la figure 9B est une vue en coupe transversale. - figures 10A à lOB représentent, en coupe transversale, des structures d'un quatrième et d'un cinquième modes de réalisation de la présente invention. - figures 11A, 1l1B, 11C et i1D représentent, en coupe transversale, les étapes du procédé de fabrication d'un transistor en couche mince ayant des électrodes de grille auxiliaires formées par un silicium polycristallin à forte concentration d'impuretés, conformément à la présente invention. - figures 12A à 12B représentent, en coupe transversale, les structures d'un sixième et d'un septième modes de réalisation de la présente invention. Par la suite, il sera fait référence en détail aux modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins qui se trouvent en annexe. La figure 2 représente un premier mode de réalisation de la présente invention (montrant uniquement le transistor en couche mince), comportant comme dispositif de commutation du pixel un transistor en couche mince typique, coplanaire et à grille supérieure. Comme le montre la figure 2, le transistor en couche mince comprend une couche active 21 de silicium polycristallin ou de silicium amorphe formée sur un substrat 20, une couche isolante de grille 22 sur le substrat 20, y compris sur la couche active 21, des couches de contrôle du champ électrique 23a, 23b, formées dans une couche isolante ayant une structure multicouche ou une structure à une seule couche au-dessus de la couche isolante de grille 22, des électrodes de grille auxiliaires 24a, 24b formées dans un matériau conducteur au-dessus des couches de contrôle du champ électrique 23a, 23b et une électrode de grille principale 25 en contact avec les électrodes de grille auxiliaires 24a, 24b, et une zone exempte d'impuretés 21 c située entre les électrodes de grille auxiliaires 24a, 24b. La couche active 21 est formée de façon à présenter une longueur prédéterminée et des zones contenant des impuretés 21a, 21b aux extrémités opposées de la couche active 21. Les zones contenant des impuretés 21a, 21b sont en contact avec les électrodes de source et de drain (non dessinées dans la figure 2). Dans le but d'expliquer le fonctionnement du dispositif, la zone exempte d'impuretés 21c, située entre les zones contenant des impuretés 21a, 21b, est divisée en d'autres zones exemptes d'impuretés 21d, 21e en-dessous des couches de contrôle du champ électrique 23a, 23b. Dans cette structure, la zone exempte d'impuretés 21c est \1450>I\14533DOC - 14 août 1997 - 13:52 10/31 Il recouverte par l'électrode de grille principale 25, et la couche isolante de grille 22 est formée entre la zone exempte d'impuretés 21 c et l'électrode de grille principale. Par ailleurs, les couches de contrôle du champ électrique 23a, 23b et la couche isolante de grille 22 sont formées entre les électrodes de grille (comprenant les électrodes de grille auxiliaires 24a, 24b et l'électrode de grille principale 25) et les zones exemptes d'impuretés 21d, 21e (désignées ci-après comme "zone de contrôle du courant de fuite"). Lorsqu'une tension d'activation ou de blocage est appliquée à l'électrode de grille, un champ électrique faible est appliqué à la zone de contrôle du courant de fuite. Cependant, un tel transistor en couche mince structuré présente de meilleures caractéristiques de courant à l'état passant qu'un transistor en couche mince ayant une zone décalée située entre la zone de canal (voir ci-après) et la zone d'impuretés. Ce résultat est principalement dû à une structure dans laquelle l'électrode de grille principale 25 et la couche isolante de grille 22 sont formées au- dessus de la zone exempte d'impuretés 21 c (désignée ci-après comme zone de canal) 1 5 sans la zone de contrôle du courant de fuite. En outre, lorsque la tension de blocage est appliquée au transistor présentant la zone de contrôle du courant de fuite, le courant de fuite à l'état bloqué est diminué puisque le champ électrique généré par la tension de grille qui sera appliqué à la zone de contrôle du courant de fuite devient faible. Les figures 3A à 3E sont des vues en coupe transversale des étapes du procédé de fabrication d'un transistor en couche mince représenté dans la figure 2 selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Concernant la figure 3A, une couche active 21 est formée sur le substrat 20 par dépôt de silicium amorphe ou polycristallin (en utilisant par exemple le dépôt chimique en phase vapeur ou CVD) et elle est structurée par photolithographie. Si le silicium amorphe est choisi pour la première étape, celui-ci peut être transformé en silicium polycristallin par recuit au laser ou par le traitement de cristallisation en phase solide (SPC). Ce traitement peut être effectué soit avant soit après la structuration du silicium amorphe. Concernant la figure 3B, une couche isolante de grille 22 est formée sur le substrat comprenant la couche active 21. Un film d'oxyde de silicium ou un film de nitrure de silicium est utilisé pour la couche isolante de grille 22. Il est également possible de former sur la zone active 21 un film isolant doublement structuré tel qu'un film d'oxyde de silicium/nitrure de silicium ou un film de nitrure de silicium/oxyde de silicium. En outre, un film isolant triplement structuré tel qu'un film d'oxyde de silicium/ nitrure de silicium/ oxyde de silicium peut être formé sur le substrat comprenant la zone active 21. 1 1R;- I.l DOC 1[ 2 aofî 1197- 1931 - I 1./3t, La couche de contrôle du champ électrique 23 est formée au-dessus de la couche isolante de grille 22 en utilisant un procédé CVD par exemple. Une couche d'électrode de grille auxiliaire 24, composée de chrome ou d'aluminium par exemple, est formée sur la couche de contrôle du champ électrique 23 par pulvérisation cathodique. La couche de contrôle du champ électrique 23 est formée à partir de silicium amorphe, microcristallin ou polycristallin. Les électrodes de grille auxiliaires 24a, 24b et les couches de contrôle du champ électrique 23a, 23b sont formées par structuration de la couche de l'électrode de grille auxiliaire 24 et de la couche de contrôle du champ électrique par photolithographie. Concernant la figure 3D, une électrode de grille principale 25 est formée en déposant une couche conductrice composée de chrome, d'aluminium ou d'alliages métalliques par exemple, par pulvérisation de ceux-ci, suivie d'une structuration par photolithographie. L'électrode de grille principale 25 est formée de façon à être en contact avec les électrodes de grille auxiliaires 24a, 24b. Concernant la figure 3E, des zones contenant des impuretés 21a, 21b sont définies dans la couche active 21 en injectant des ions à haute concentration. Par exemple, des ions B+ ou P+ sont implantés dans la couche active 21 à travers la couche isolante de grille 22 en utilisant l'électrode de grille principale 25 et les électrodes de grille auxiliaires 24a, 24b comme masques. Pendant cette étape, les zones exemptes d'impuretés 21c, 21d, 21e sont également définies entre les zones contenant des impuretés 21a, 21b. Par souci d'explication du fonctionnement du dispositif, la couche active 21 est encore divisée en les zones exemptes d'impuretés 21c, 21d, 21e. à savoir une zone de canal 21c, et les zones de contrôle du courant de fuite 21d et 21 e et en les zones contenant des impuretés 21 a, 21 b, comme le montre la figure 3E. Les figures 4A à 4C illustrent un deuxième mode de réalisation préféré de la présente invention comportant une couche active 31' et une couche isolante de grille 32' formées, à la différence du premier mode de réalisation montré dans la figure 2. en une seule étape de structuration. En outre, les électrodes de grille auxiliaires 34'a. 34'b et les couches de contrôle du champ électrique 33'a, 33'b sont formées de sorte qu'elles recouvrent les bords de la couche active 31' et de la couche isolante de grille 32'. La figure 4A montre une vue de dessus du deuxième mode de réalisation de la présente invention. Comme le montre la figure 4A, la couche active 31' et la couche isolante de grille 32' sont formées sur le substrat (pas dessiné). Une zone de canal (pas dessinée) est exposée à l'électrode de grille, et une couche isolante 33' et une couche conductrice 34' sont formées afin de recouvrir les bords d'une zone de contrôle du courant de fuite (pas dessinée), la couche active 31' et la couche isolante R:\14500\14533, DO'C - 12 aoit 1 997 19, 31 - 23.0 de grille 32'. L'électrode principale de grille 35 recouvre la zone de canal (pas dessinée) et recouvre partiellement une couche conductrice 34'a, 34'b et les couches de contrôle du champ électrique 33'a, 33'b dans une partie supérieure de la zone de contrôle du courant de fuite (pas dessinée) et couvre la couche conductrice 34'. La figure 4B est une vue en coupe transversale le long de la ligne A-A' indiquée dans la figure 4A expliquant la structure d'un transistor en couche mince. Le transistor en couche mince comprend des zones contenant des impuretés 3 l'a, 31'b sur le substrat 30 et une couche active 31' définie par les zones de contrôle du courant de fuite 3 l'd, 31 'e (zone exempte d'impuretés) et la zone de canal 3 l'c. Une couche isolante de grille 32' recouvre la couche active 31' et est recouverte par des couches de contrôle du champ électrique 33'a, 33'b au dessus des zones de contrôle du courant de fuite 31'd, 31'e. Les électrodes de grille auxiliaires 34'a, 34'b et l'électrode principale de grille 35 recouvrent la zone de canal 31'c, l'électrode principale de grille 35 étant reliée aux électrodes de grille auxiliaires 34'a, 34'b. La figure 4C est une vue en coupe transversale le long de la ligne 4B-4B indiquée dans la figure 4A expliquant la structure des bords de la couche active. Comme le montre la figure 4C, la couche active 31' et la couche isolante de grille 32' sont formées sur le substrat au moyen d'un seul processus de structuration. Un film isolant 33' et une couche conductrice 34' couvrent les bords de la couche active 31' et de la couche isolante de grille 32'. Une électrode principale de grille 35 couvre une partie supérieure de ceux-ci. Le film isolant 33' et la couche conductrice 34' sur les bords de la couche active empêchent l'électrode principale de grille 35 de subir un court-circuit. Les figures SA à 5E représentent, en coupe transversale, les étapes du procédé selon le deuxième mode de réalisation montré dans la figure 4. Concernant la figure 5A, une couche de zone active 31 et une couche isolante de grille 32 sont formées sur le substrat 30 en déposant une couche de silicium. Par exemple, une couche de silicium amorphe ou polycristallin est formée sur la couche de zone active 31 et une couche de nitrure de silicium ou d'oxyde de silicium, ou d'oxyde de silicium/nitrure de silicium est déposée sous vide comme couche isolante de grille 32. Si la couche de zone active 31 est formée de silicium amorphe, celui-ci peutit être cristallisé par recuit au laser ou par le procédé SPC. Concernant la figure SB, la zone active 31' et la couche isolante de grille 32' sont formées en structurant la couche de zone active 31 et la couche isolante de grille 32 par photolithographie. Un autre moyen consiste à former la couche de zone active 31 à partir de silicium amorphe et à la cristalliser après le traitement de structuration de la figure 5B. I tl\3\Il,; j I)O(' - 12 ỉl 1)97- 19.31 - 13/30 Concernant la figure 5C, on dépose sur la couche isolante de grille 32' une couche de contrôle du champ électrique 33 formée à partir d'un film de nitrure de silicium, d'un film d'oxyde de silicium, d'un film isolant doublement structuré tel que de nitrure de silicium/oxyde de silicium, ou un film isolant triplement structuré tel que d'oxyde de silicium/nitrure de silicium/oxyde de silicium, et une couche conductrice 34 telle que de chrome ou d'aluminium. Le film de contrôle électrique peut être formé par du silicium amorphe, microcristallin ou polycristallin. Concernant la figure 5D, les couches de contrôle du champ électrique 33'a, 33'b et les électrodes de grille auxiliaires 34'a, 34'b sont formées par structuration de la couche formant la couche de contrôle du champ électrique 33 et de la couche conductrice 34 par photolithographie. En même temps, les couches de prévention 33', 34' sont formées afin de couvrir la couche active 31' et la couche isolante de grille 32'. Comme le montre la figure SE, l'électrode principale de grille 35 est formée par photolithographie après dépôt d'une couche conductrice (par exemple en chrome ou en aluminium) et les zones contenant des impuretés 3 l'a, 31 'b sont formées dans la couche active 31' en injectant des ions à haute concentration. La figure 6 représente le troisième mode de réalisation de la présente invention utilisant la structure d'un transistor en couche mince décalé. Le transistor en couche mince comprend une électrode de source 41 et une électrode de drain 42 sur un substrat 40; une couche active 43 relie les électrodes de source et de drain 41, 42. Une couche isolante de grille 44 recouvre le substrat exposé, la couche active 43, et les électrodes de source et de drain 41, 42. Les couches de contrôle du champ électrique 45a, 45b au-dessus de la couche isolante de grille 44 recouvrent les zones de contrôle du courant de fuite 43d, 43e sur la couche active. Les électrodes de grille auxiliaires 46a, 46b sont formées sur la couche de contrôle du champ électrique 45a, 45b; une électrode de grille principale 47 en contact avec les électrodes auxiliaires de grille 46a, 46b recouvre la zone de canal 43c de la couche active. Les figures 7A à 7E montrent les étapes du procédé de fabrication d'un transistor en couche mince selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. Concernant la figure 7A, l'électrode de source 41 et l'électrode de drain 42 sont formées après le dépôt d'une couche métallique telle que d'aluminium ou de chrome par pulvérisation sur le substrat 40 par structuration de la couche métallique en utilisant le procédé de photolithographie. Puis, concernant la figure 7B, du silicium amorphe ou polycristallin est déposé par le procédé de CVD sur la surface exposée du substrat 40. de l'électrode de source RA\I45OO\I4533DOC - 12aoit 1997- 19.31 - 14/30 41 et de l'électrode de drain 42. La couche active 43 est formée en structurant la couche de silicium par photolithographie et relie les électrode de source et de drain 41, 42. Concernant la figure 7C, la couche isolante de grille 44 est formée par le dépôt d'un film de nitrure de silicium ou d'un film d'oxyde de silicium recouvrant la couche active 43, le substrat 40 et les électrodes de source et de drain 41, 42. Une couche 45 devant former la couche de contrôle du champ électrique est formée sur la couche isolante de grille 44 en déposant un film de nitrure de silicium unl film d'oxyde de silicium, ou un film isolant doublement structuré tel que de nitrure de silicium/oxyde de silicium, ou un film isolant triplement structuré tel que d'oxyde de silicium/nitrure de silicium/oxyde de silicium. Une couche métallique 46 telle que de chrome ou d'aluminium devant former l'électrode de grille auxiliaire est déposée. Dans ce procédé, une couche de silicium amorphe, microcristallin ou polycristallin peut être utilisée pour former la couche de contrôle du champ électrique 45. Comme le montre la figure 7D, les couches de contrôle du champ électrique a, 45b et les électrodes de grille auxiliaires 46a, 46b sont formées par structuration des couches 45, 46 par photolithographie. Concernant la figure 7E, après le dépôt par pulvérisation d'une couche métallique telle que de chrome ou d'aluminium sur une surface exposée, l'électrode principale de grille 47 est formée en structurant la couche métallique afin de recouvrir une partie de la couche isolante de grille 44 et les électrodes de grille auxiliaires 46a, 46b. Les zones contenant des impuretés 43a, 43b sont alors formées en injectant des ions en haute concentration dans la couche active 43 en utilisant l'électrode de grille principale 47 et les électrodes de grille auxiliaires 46a, 46b comme masques. Les figures 8A et 8B représentent une structure d'un substrat avec une matrice de transistors en couche mince qui représente l'application de la présente invention à un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince. La figure 8A est une vue de dessus d'un substrat avec une matrice de transistors en couche mince avec une structure du transistor en couche mince décalée telle que le montre la figure 6. La couche active 82 et la couche isolante de grille 83 sont formées selon une même structure, comme le montre le dessin. Ensuite sont formées une couche de réduction des capacités parasites de type îlot 84a et une ligne de bus de grille auxiliaire 85a en utilisant des matériaux tels qu'une couche isolante/couche conductrice formant la couche de contrôle du champ électrique 84 et une couche électrode de grille auxiliaire 85 sur la partie o la ligne de bus 86-2 et la ligne de bus de données 81 se croisent. R.A -I 1)( - 12 électrode de pixel et une électrode de grille principale. La figure 8B est une vue en coupe transversale le long de la ligne C-C' et illustre la structure de la zone o la ligne de bus de grille 86-2 et la ligne de bus de données 81 se croisent. Comme le montre la figure 8B, la structure comprend la ligne de bus de données 81 sur le substrat 80, une couche active 82 et une couche isolante de grille 83 recouvrant la ligne de bus de données 81. Une couche réduisant la capacité parasite 84a et une ligne de bus de grille auxiliaire 85a recouvrent le bord de la couche isolante de grille 83, la couche active 82; la ligne de bus de grille 86-2 est formée au-dessus de la ligne de bus de grille auxiliaire 85a et d'une partie du substrat 80. La couche réduisant la capacité parasite 84a et la ligne de bus de grille auxiliaire 85a sont formées sur la partie o la ligne de bus de grille 86-1 et la ligne de bus de données 81 se croisent, afin de réduire la capacité parasite et pour prévenir tout court-circuit de la ligne de bus de grille. Compte tenu du fait que la capacité parasite apparaît entre la ligne de bus 86-2 et la ligne de bus de données 81, un signal de ligne de bus de grille peut être retardé d'un temps équivalent à une constante de temps RC. En laissant la couche isolante former la couche de contrôle du champ électrique sur la partie croisée, la déformation du signal transmis par la ligne de bus de données peut être réduite. Cela permet de diminuer la capacité parasite. De plus un court-circuit de la ligne de bus de grille peut être évité en formant sur la partie d'intersection la couche de contrôle du champ électrique et la couche d'électrode de grille auxiliaire. Les chiffres de référence 87 et 86-1 dans la figure 8A désignent une électrode de pixel et une électrode de grille principale, respectivement. Les figures 9A et 9B montrent la même structure que celle représentée dans les figures 8A et 8B avec l'exception que la couche formant le contrôle du champ électrique et la couche formant l'électrode de grille auxiliaire s'étendent le long de la ligne de bus de grille 96-1 et non seulement sur la partie d'intersection de la ligne de bus de grille 96-1 et de la ligne de bus de données 91. L'utilisation des structures ci- dessus et telle que celle représentée dans les figures 8A et 8B permet d'obtenir un effet de redondance de la ligne de bus de données. En outre, la capacité parasite de la partie d'intersection est diminuée. Concernant la vue de dessus de la figure 9A et la vue en coupe transversale de la partie croisée de la figure 9B prise le long de la ligne D-D de la figure 9A, la structure du transistor en couche mince peut être considérée de type décalé comme \14500\14533L)0( - 12 tft l')997 1931 -I3 montré sur la figure 6. Le transistor en couche mince comprend une électrode de source 91-1 et une électrode de drain 97 sur un substrat 90, et une ligne de bus de domnnées 91-2 qui s'étend jusqu'à l'électrode de source 91-1. Une couche active 92 recouvre la face supérieure de la ligne de bus de données 91-2 et s'étend jusqu'aux électrodes de source et de drain 91-1, 97, et une couche isolante de grille 93 s'étend au-dessus des électrodes de source et de drain. En outre, une couche isolante de contrôle du champ électrique 94 et une électrode de grille auxiliaire 95 recouvrant les bords et la zone de contrôle du courant de fuite de la couche 92 entre les électrodes de source 91-1 et de drain 97 sont formées comme l'électrode de grille principale 96-1 et la ligne de bus de grille 96-2. Le numéro de référence 98 est l'électrode de pixel et les numéros de référence 94a, 95a sont respectivement une couche isolante de contrôle du champ électrique et une électrode de grille auxiliaire recouvrant une ligne de bus de grille 96-2. Les figures IOA et lOB représentent, en coupe transversale, un transistor en couche mince ayant deux grilles et constituant respectivement des quatrième et cinquième modes de réalisation de la présente invention. La figure 1OA est le quatrième mode de réalisation de la présente invention, dans laquelle les électrodes de grille auxiliaires 104a, 104b, 104c, 104d sont formées de façon à recouvrir la couche active 101, une couche isolante de grille 102 et les couches isolantes de contrôle du champ électrique 103a, 103b, 103c, 103d, et sont commandées ou pilotées par les électrodes de grille principales 105a, 105b. Les zones de contrôle du courant de fuite 101f, l 0lg, 101h, 101i sont formées en paires sur les zones de canal respectives 101 d, 101 e contrôlés par chaque électrode de grille principale 105a, 105b. Une troisième zone d'impuretés 101c se trouve sur la couche active 101 entre les électrodes de grille principales 10Sa, 105b. Les numéros de référence 101 a, 101 b sont les zones contenant des impuretés et reliées aux électrodes de source et de drain. La figure lOB est un transistor en couche mince ayant une structure à double grille selon le cinquième mode de réalisation de la présente invention. Cette structure comprend des électrodes de grille auxiliaires 114a, 114b formées afin de recouvrir la couche active 111, une couche isolante de grille 112 et des couches de contrôle du champ électrique i13a, 113b sur un coté des grilles principales 115a, 115b. De même les zones de contrôle du courant de fuite ilIf, 1l1 lg sont situées entre les zones de canal 1 1 ld, 11 1e contrôlées par chaque électrode de grille principale 115a, 1 15b et les deux zones contenant des impuretés 11 la, 11 lb sont formées aux deux extrémités de la couche active 111. Toutefois, cette structure ne comprend pas une zone de contrôle du courant de fuite entre les zones de canal 11 ld, 11 le contrôlées I, Il lc de la couche active 111 entre les électrodes de grille principales 115a, 115b. Les figures 1 lA à 1 ID sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de la fabrication du transistor en couche mince conformément à la présente invention avec une électrode de grille auxiliaire formée de silicium polycristallin à forte concentration en impuretés. Concernant la figure 1 1A, après que le silicium polycristallin ou amorphe a été déposé sur le substrat 120 au moyen du procédé CVD, une couche active 121 est formée par structuration de la couche de silicium polycristallin ou amorphe par photolithographie. Concernant la figure 1 lB, une couche isolante de grille 122 est formée en déposant un film de nitrure de silicium ou d'oxyde de silicium sur la couche active 121 et sur la surface exposée du substrat 120. Puis, une couche de silicium amorphe pur est déposée au-dessus de la couche isolante de grille 122 au moyen du procédé CVD. Une concentration élevée d'ions est injectée près de la surface afin d'obtenir une conductivité élevée dans la partie supérieure de la couche, de sorte que la partie supérieure de la couche de silicium est définie comme une couche formant une électrode de grille auxiliaire 123-2, et que la partie inférieure est définie comme une couche formant une couche de contrôle du champ électrique 123-1. Concernant la figure 1 1C, une paire d'électrodes de grille auxiliaires 123-2a, 123-2b et des couches de contrôle du champ électrique 123-la, 123-lb sont formées en structurant la couche en silicium amorphe contenant des impuretés formant l'électrode de grille auxiliaire 123-2 et la couche en silicium amorphe pur formant la couche de contrôle du champ électrique 123-1 par photolithographie. Concernant la figure 11D, après le dépôt de chrome ou d'aluminium audessus des électrodes de grille 123-2a, 123-2b et de la couche isolante de grille exposée 122, l'électrode de grille principale 124 est formée au-dessus des électrodes de grille auxiliaires 123-2a, 123-2b et de la couche isolante de grille 122 par photolithographie. Ensuite, les zones contenant des impuretés 121a, 121b sont définies en injectant une forte concentration d'ions dans la couche active 121 en utilisant l'électrode de grille principale 124 et les électrodes de grille auxiliaires 123- 2a, 123-2b comme masques. Les numéros de référence 121d, 121e sont des zones de contrôle du courant de fuite, et 121c est une zone de canal. Les figures 12A et 12B représentent, en coupe transversale, l'afficheur à cristal liquide selon les sixième et septième modes de réalisation de la présente invention. fabriqué au moyen d'un procédé approprié après avoir terminé le transistor en couche mince. La figure 12A illustre un afficheur à cristal liquide dans lequel une couche active et une couche isolante de grille ont une structure différente alors que la figure \14500\14533,DOC - 12:oli(t97 19 3 1 - 1 1/30 12B illustre un afficheur à cristal liquide dans lequel la couche active et la couche isolante de grille présentent la même structure. Concernant la figure 12A, un transistor en couche mince comprend une couche active 201 structurée, formée de silicium polycristallin ou de silicium amorphe, une paire de couches de contrôle du champ électrique 203a, 203b multicouche ou en couche unique au-dessus d'une couche isolante de grille 202, une paire d'électrodes de grille auxiliaires 204a, 204b structurées composées d'un matériau conducteur au- dessus des couches de contrôle du champ électrique 203a, 203b et une électrode de grille principale 205 en contact avec les électrodes de grille auxiliaires 204a, 204b et recouvrant la couche active située entre les électrodes de grille auxiliaires 204a, 204b. La couche active 201 comprend une paire de zones contenant des impuretés 201a, 201b reliées à l'électrode de source 207a et à l'électrode de drain 207b définies aux extrémités de la couche active 201 et présentant une taille prédéterminée. La zone exempte d'impuretés, située entre les deux zones contenant des impuretés 201a, 201b, est divisée en des zones exemptes d'impuretés 201d, 201e en-dessous des couches de contrôle du champ électrique 203a, 203b et en une zone exempte d'impuretés 201c recouverte par l'électrode de grille principale 205 et la couche isolante de grille 202. Le film préventif 208 est déposé sur la surface exposée et l'électrode de pixel 209 est formée sur le film préventif 208 et reliée à l'électrode de drain 207b. Le numéro de référence 206 est une couche intermédiaire isolante. Concernant la figure 12B, un transistor en couche mince comprend une couche active 301 sur un substrat 300, avec une paire de zones contenant des impuretés 301a, 301b au contact d'unle paire de zones de contrôle du courant de fuite 301d, 31e et une région de canal 301c, une couche isolante de grille 302 ayant la même structure que la couche active 301, des couches de contrôle du champ électrique 303a, 303b recouvrant les zones de contrôle du courant de fuite 301d, 301e, des électrodes de grille auxiliaires 304a, 304b et une électrode de grille principale 305 en contact avec les électrodes de grille auxiliaires 304a, 304b et recouvrant la zone de canal 301c. Le numéro de référence 306 représente une couche intermédiaire isolante. Les zones contenant des impuretés 301a, 301b sont connectées respectivement à l'électrode de source 307a et l'électrode de drain 307. Un film préventif 308 couvre la surface exposée et une électrode de pixel 309 est formée au- dessus du film préventif 308 et reliée à l'électrode de drain 307b. Le transistor en couche mince expliqué ci-dessus et l'afficheur à cristal liquide utilisant ce même transistor en couche mince et le procédé de fabrication de ce même transistor peuvent résoudre les problèmes de réduction de courant à l'état passant qui apparaissent dans les transistors en couches mince comme celui de la figure 1. En formant les électrodes de grille auxiliaires au-dessus de la couche de i& l l).i. ( i I [ 1)) 1C - 12 l)ll)7 - 19. 1 - I9/30 contrôle du champ électrique, et des zones de contrôle du courant de fuite contrôlant le courant de fuite disposées sur un ou les deux cotés de la zone de canal, le courant de fuite à l'état bloqué peut être diminué sans diminuer le courant à l'état passant. De plus, le fait de définir par photolithographie la zone de contrôle du courant de fuite, contrôlée par les électrodes de grille auxiliaires, permet la fabrication d'un dispositif *uniforme au moyen de ce procédé. Dans le premier mode de réalisation de la présente invention, les courts- circuits dûs aux décalages entre les bords de la couche active et l'électrode de grille principale peuvent être éliminés grâce au fait que les électrodes de grille auxiliaires et les couches de contrôle du champ électrique sont formés au bord de la couche active. En outre, l'application d'un transistor en couche mince conformément à la présente invention à un afficheur à cristal liquide permet d'obtenir un effet de redondance de la ligne de bus de grille puisque l'électrode de grille auxiliaires et la couche de contrôle du champ électrique sont prolongées pour s'étendre au-dessus de la partie inférieure de la ligne de bus de grille. En variante, une structure de type îlot est formée sur la partie o la ligne de bus de grille et la ligne de bus de données se croisent au lieu de former l'électrode de grille auxiliaire et la couche de contrôle du champ électrique qui se prolongent jusqu'à la partie inférieure de l'ensemble de la ligne de bus de grille, diminuant ainsi la capacité parasite dans la partie d'intersection. Bien entendu, de nombreuses modifications et variations d'un afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince et d'un procédé de fabrication de celui-ci selon la présente invention sont accessibles à l'homme de l'art sans que l'on s'écarte de l'esprit et de la portée de l'invention. Par conséquent, la présente invention n'est pas limitée aux exemples et modes de réalisation décrits et représentés, mais couvre les modifications et les variations. R:\14500(14533D REVEND I CATIONS 1.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince comprenant: un substrat (20); une couche active (21) située au- dessus du substrat (20) et comportant des premières et des secondes zones contenant des impuretés (21a, 21 b) et des premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés (21 c, 21 d, 21 e); une couche isolante de grille (22) située au-dessus de la couche active; des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (23a, 23b) situées respectivement au-dessus des premières et secondes zones contenant des impuretés (21 a, 2 lb); des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (24a, 24b) situées respectivement au- dessus des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (23a, 23b); et une électrode de grille principale (25) située au- dessus de la couche isolante de grille (22), l'électrode de grille principale étant en contact avec les premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (24a, 24b) et les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (23a, 23b). 2.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche isolante de grille (22) recouvre la couche active (21) et une surface exposée du substrat. 3.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la couche isolante de grille (22) et la couche active (21) sont structurées de la même façon. 4.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les électrodes de grille auxiliaires et couches de contrôle du champ électrique recouvrent les bords de la couche active et de la couche isolante de grille. 5.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend de plus des électrodes de source et de drain situées en-dessous des premières et secondes zones contenant des impuretés (21a, 21b) et en contact avec celles-ci. \ 14;1I 4q l I))C - 129ill 19'7- 1'931 -21130 6.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les deuxièmes et troisièmes zones exemptes d'impuretés (21d, 21e) constituent des zones de contrôle du courant de fuite. 7.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la première zone contenant des impuretés (21 c) constitue une zone de canal. 8.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend de plus: des troisièmes, quatrièmes, cinquièmes et sixièmes zones contenant des impuretés (101f, 10lg, 101h, 101i), et des deuxièmes zones de canal (10le) sur le substrat; des troisièmes et quatrièmes couches de contrôle du champ électrique (103c. 103d), situées respectivement au-dessus des cinquièmes et sixièmes zones exemptes d'impuretés (101h, 101i); une deuxième électrode de grille principale (105b) située au-dessus de la couche isolante de grille (102), la deuxième électrode de grille principale étant en contact avec les troisièmes et la quatrièmes électrodes de grille auxiliaires (104c. 104d) et les troisièmes et quatrièmes couches de contrôle du champs électrique (103c, 103d), respectivement. 9.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant: un substrat (30); une couche active (31') comportant des premières et secondes zones contenant des impuretés (3 l'a, 31 'b); des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite (31 'd, 31 'e) et une zone de canal (3 l'c), une couche isolante de grille (32') située au-dessus de la couche active (3 1') et d'une surface exposée du substrat (30); des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (33'a. 33'b) situées respectivement au- dessus des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite (31 I'd, 3 l'e); des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (34'a, 34'b) situées respectivement au-dessus des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (33'a, 33'b); L'\14500\14533 DOC- 12 oûil 1997- 19:31 -22/30 une électrode de grille principale (35) située au-dessus de la couche isolante de grille (32'), l'électrode de grille principale (35) étant en contact avec les premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (34'a, 34'b) et respectivement les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (33'a, 33'b). 10.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: une électrode de source et une électrode de drain situées en-dessous des premières et secondes zones contenant des impuretés et en contact avec celles-ci; une première couche isolante située au-dessus de la surface exposée du substrat à l'exception de l'électrode de source et de drain; une seconde couche isolante située au-dessus de la première couche isolante et des électrodes de drain et de source, la seconde couche isolante comportant un trou de contact au-dessus de l'électrode de drain; et, ule électrode de pixel en contact avec l'électrode de drain à travers le trou de contact. 11.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant: un substrat (30); une couche active (31') comportant des premières et secondes zones contenant des impuretés (3 l'a, 3 l'b); des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite (3 l'd, 3 l'e) et tune zone de canal (3 l'c), une couche isolante de grille (32') située au-dessus de la couche active (31'), la couche isolante de grille étant structurée de la même façon que la couche active; des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (33'a, 33'b), situées respectivement au- dessus des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite (3 l'd, 3 'e); des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (34'a, 34'b) située au- dessus respectivement des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (33'a, 33'b); une électrode de grille principale (35) située au-dessus de la couche isolante de grille (32'), l'électrode de grille principale étant respectivement en contact avec les premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (34'a, 34'b) et avec les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (33'a, 33'b). 12.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon la revendication 11, caractérisé en ce que les électrodes de grille auxiliaires (34'a, 34'b) {}l d111 IO(' - 12 aût, 1997- 19.31 - 23/3ô et les couches de contrôle du champ électrique (33'a, 33'b) recouvrent les bords de la couche active (31') et de la couche isolante de grille (32'). 13.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant: un substrat (40); une couche active (43) comportant des premières et secondes zones contenant des impuretés (43a, 43b); des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite (43d, 43e) et une zone de canal (43c), une couche isolante de grille (44) située au-dessus de la couche active (43) et d'une surface exposée du substrat; des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (45a, 45b) situées respectivement au-dessus des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite (43d, 43e); des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (46a, 46b) situées au- dessus des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (45a, b), respectivement; et des électrodes de source (41) et de drain (42) étant en contact avec respectivement les premières et les secondes zones contenant des impuretés (43a, 43b), une partie des électrodes de source et de drain étant située en-dessous des premières et secondes zones contenant des impuretés. 14.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: des électrodes de source (91-1) et de drain (97) en contact respectivement avec les premières et secondes zones contenant des impuretés; une ligne de bus de données (91-2) prolongée jusqu'à l'électrode de source (91- 1): une ligne de bus de grille (96-2) prolongée jusqu'à l'électrode de grille principale (96-1), la ligne de bus de données et de grille se croisant; une ligne de bus de grille auxiliaire (96-2), située au-dessus des couches de contrôle du champ électrique (94a), et de l'électrode de grille auxiliaire (95a) et une électrode de pixel (98). 15.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche réduisant la capacité parasite (84a), située au-dessus de la couche isolante de grille (83) et sur une partie du substrat. R:\14500\14533 DOC- 12 aotl I197 - 1) 31 - 24136 16.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince, comprenant: un substrat (110); une couche active (111) comportant des premières, secondes et troisièmes zones contenant des impuretés (1 la, 11 lb, 11 lc), les premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite (11 f, 1 1 g) et les premières et secondes zones de canal (11 d, 1le) sur le substrat (110), les zones de contrôle du courant de fuite étant situées entre une des zones contenant des impuretés et une des zones de canal; une couche isolante de grille (112) située au-dessus de la couche active (111) comprenant une surface exposée du substrat; des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (113a, 113b) situées respectivement au-dessus des premières et secondes zones de contrôle du courant de fuite (11 lf, 11 lg); des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (114a, 114b) situées au-dessus respectivement des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (113a, 113b); des premières et secondes électrodes de grille principales (1 15a, 115b) situées au-dessus de la couche isolante de grille (112), la première électrode de grille principale (1 5a) étant en contact respectivement avec la première couche de contrôle du champ électrique (113a) et la première électrode de grille auxiliaire (114a), la seconde électrode de grille principale (1 15b) étant en contact respectivement avec la seconde couche de contrôle du champ électrique (113b) et la seconde électrode de grille auxiliaire (114b); et des électrodes de source et de drain étant en contact avec les zones contenant des impuretés. 17.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que les couches de contrôle du champ électrique (23a, 23b; 33a, 33b; 94; 113a, 113b) comprennent au moins une des couches suivantes: couche de silicium amorphe, couche de silicium polycristallin, couche de silicium microcristallin. 18.- Afficheur à cristal liquide à transistors en couche mince selon l'une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que la couche isolante de grille (22; 32'; 93; 112) comprend au moins un des films suivants: film d'oxyde de silicium, film de nitrure de silicium, film d'oxyde de silicium/nitrure de silicium, nitrure de silicium/oxyde de silicium, et film d'oxyde de silicium/nitrure de silicium/oxyde de silicium. L illl, iX I)'1 2 19)7 19 '31 - 251/3. 19.- Procédé de fabrication d'afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince, le procédé comprenant les étapes suivantes: la formation d'une couche active (21) sur un substrat (20); la formation d'une couche isolante de grille (22) située au-dessus de la couche active (21) comprenant une surface exposée du substrat; la formation de premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (23a, 23b) située au-dessus des couches isolante de grille (22); la formation des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (24a. 24b) située au-dessus respectivement les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (23a, 23b); et la formation de l'électrode de grille principale (25) située au-dessus de la couche isolante de grille (22) comprenant des parties des couches de contrôle du champ électrique (23a, 23b) et des électrodes de grille auxiliaires (24a, 24b); et l'implantation d'ions comme impuretés en utilisant l'électrode de grille principale (25) et les électrodes de grille auxiliaires (24a, 24b) comme masques afin de former les premières et secondes zones contenant des impuretés (21a, 21b) et les premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés (21 c, 21 d, 21 e) dans la couche active (21). 20.- Procédé de fabrication d'afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince, le procédé comprenant les étapes suivantes: la formation d'une couche active (31) sur un substrat (30); la formation d'une couche isolante de grille (32) située au-dessus de la couche active (31); la structuration simultanée de la couche active (31) et de la couche isolante de grille (32); la formation de premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (33'a, 33'b), celles-ci recouvrant les bords de la couche active (31) et de la couche isolante de grille (32); la formation des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (34'a. 34'b) située au-dessus respectivement les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (33'a, 33'b); et la formation de l'électrode de grille principale (35) située au-dessus de la couche isolante de grille (32) comprenant des parties des couches de contrôle du champ électrique (33'a, 33'b) et des électrodes de grille auxiliaires (34'a. 34'b); et l'implantation d'ions comme impuretés en utilisant l'électrode de grille principale (35) et les électrodes de grille auxiliaires (34'a, 34'b) comme masques afin R:\14500\14533,DOC - 12 août 1997 - 19:31 - 26/31 de former les premières et secondes zones contenant des impuretés (3 l'a, 31 l'b) et les premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés (3 l'c, 31 'd, 31 'e) dans la couche active (31). 21.- Procédé de fabrication d'afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince, le procédé comprenant les étapes suivantes: la formation d'électrodes de source (41) et de drain (42) sur un substrat (40); la formation d'une couche active (43) sur un substrat (40) comprenant une partie des électrodes de source (41) et de drain (42); la formation d'une couche isolante de grille (44) sur une surface exposée du substrat; la formation des premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (45a, 45b); la formation des premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (46a, 46b) située au-dessus respectivement les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (45a, 45b); la formation de l'électrode de grille principale (47) située au-dessus de la couche isolante de grille (44) comprenant des parties des électrodes de grille auxiliaires (46a, 46b) et des couches de contrôle du champ électrique (45a, 45b); et l'implantation d'ions comme impuretés en utilisant l'électrode de grille principale (47) et les électrodes de grille auxiliaires (46a, 46b) comme masques afin de former les premières et secondes zones contenant des impuretés (43a, 43b) et les premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés (43c, 43d, 43e) dans la couche active (43). 22.- Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il comprend de plus les étapes suivantes: la formation d'une ligne de bus de données (81) sur le substrat (80), la ligne de bus de données (81) étant en contact avec l'électrode de source; la formation d'une couche diminuant la capacité parasite (84a) située au-dessus de la couche isolante de grille (82) comprenant une partie du substrat; la formation d'une ligne de bus de données auxiliaire (85a) située au-dessus de la couche diminuant la capacité parasite (84a); et la formation d'une ligne de bus de grille (86-2) étant en contact avec l'électrode de grille principale (86-1), la ligne de bus de grille étant située au-dessus de la ligne de bus de donnmlées (81) comprenant une partie du substrat. I \\145(00\14533 1)(' - 12 août I1997 - 1I 31 - 27/30 23.- Procédé selon l'une des revendications 19 à 22, caractérisé en ce que la première zone exempte d'impuretés (43a) constitue une zone de canal. 24.- Procédé selon l'une des revendications 19 à 23, caractérisé en ce que les couches de contrôle du champ électrique (45a, 45b) comprennent au moins une des couches suivantes: couche de silicium amorphe, couche de silicium polycristallin. couche de silicium microcristallin. 25.- Procédé de fabrication d'afficheurs à cristal liquide à transistors en couche mince, le procédé comprenant les étapes suivantes: la formation d'une couche active (121) sur un substrat (120); la formation de la couche isolante de grille (122) comprenant une partie de la surface exposée du substrat; la formation d'une couche de silicium amorphe (123), située au-dessus de la couche isolante de grille (122); l'implantation d'ions comme impuretés dans la couche de silicium amorphe (123) afin d'obtenir une concentration en impuretés plus élevée à la surface de la couche (123-2) de silicium que dans le reste de la couche de silicium (123-1). la structuration de la couche de silicium amorphe afin de former les premières et secondes couches de contrôle du champ électrique (123-11, 123-lb) et les premières et secondes électrodes de grille auxiliaires (123-2a, 123-2b); la formation de l'électrode de grille principale (124) au-dessus de la couche isolante de grille (122) comprenant une partie des électrodes de grille auxiliaires (123-la, 123-lb) et des couches de contrôle du champ électrique (123-2a, 123-2b): et l'implantation d'ions comme impuretés en utilisant l'électrode de grille principale (124) et les électrodes de grille auxiliaires (123-2a, 123-2b) comme masques afin de former les premières et secondes zones contenant des impuretés (121a, 121b) et les premières, secondes et troisièmes zones exemptes d'impuretés (121c, 121d, 121e) dans la couche active (121). 26.- Procédé selon l'une des revendications 19 à 25, caractérisé en ce que la couche active (21; 31; 43; 121) formée à l'étape de formation de la couche active comprend une couche de silicium intrinsèque. 27.- Procédé selon l'une des revendications 19 à 26, caractérisé en ce que la couche isolante de grille (22; 32'; 93; 122) comprend au moins un des films suivants: film d'oxyde de silicium, film de nitrure de silicium, film d'oxyde de silicium/nitrure R:\145(0\1I4533,DOC - 12 aoit 1997- 1931[ -2813 de silicium, nitrure de silicium/oxyde de silicium, et film d'oxyde de silicium/nitrure de silicium/oxyde de silicium.