FR 2750797 A1 19980109 FR 9706862 A 19970604 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, NOTAMMENT D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs d'affichage à cristal liquide à matrice active (AMLCD), et plus particulièrement à un procédé de fabrication de dispositifs d'affichage à cristal liquide à matrice active qui peuvent éviter la déconmexion des lignes de signal et les courts-circuits en améliorant le recouvrement des marches ou des irrégularités des dispositifs d'affichage à cristal liquide présentant ime structure en couche. Dans les dispositifs d'affichage à cristal liquide à matrice active classiques, des dispositifs de commutation ayant des éléments actifs intégrés, comme par exemple des transistors en couche mince (TFT) sont utilisés pour piloter et contrôler les pixels du LCD. Commne représenté sur la figure 1, un dispositif d'affichage à cristal liquide avec une matrice de transistor en couche mince présente des électrodes de pixels rectangulaires 12 disposées en rangs et en colonnes sur un substrat transparent 11. Chacune des lignes de grille (ou lignes d'adresse) 13 est formée entre des rangées d'électrodes de pixels 12, et chacune des lignes de source (ligne de données) 14 est formée entre des colonnes d'électrodes de pixels 12. Les transistors en couches minces sont reliés électriquement avec une ligne de grille 13 et une ligne de source 14, au voisinage des intersections entre les lignes de grille 13 et les lignes de source 14. La figure 2A montre une vue en plan d'une partie d'élément de dispositif d'affichage à cristal liquide d'un LCD classique, et la figure 2B montre une vue en coupe le long de la ligne 2B-2B de la figure 2A. En référence aux figures 2A et 2B, le LCD classique comprend une matrice de transistors en couche mince, une ligne de grille 13 et une électrode de grille 13a formée sur un substrat en verre transparent 11. Une couche isolante 21 est formée de sorte à recouvrir l'électrode de grille 13a et une ligne de bus de grille 13b est formée sur le substrat transparent 11. Une ligne de source 14 est formée transversalement à la ligne de grille 13 sur la couche isolante 21. Au voisinage de chaque point d'intersection des lignes de grille et de source 13 et 14, une couche semi-conductrice intrinsèque 16 est formée au-dessus de l'électrode de grille 13a, qui est en saillie par rapport à la ligne de grille 13. La couche isolante 21 est formée entre la couche semi- conductrice 16 et l'électrode de grille 13a. Une électrode de source 14a, qui est en saillie par rapport à la ligne de bus de source 14, est formée sur une portion de la couche semi-conductrice intrinsèque 16, au- dessus d'un côté de l'électrode de grille 13a. Une électrode de drain 17 est formée au-dessus d'un autre côté de l'électrode de grille 13a, du côté opposé à l'électrode de source 14a. De cette façon, on forme des I I iî}) ( [ -, 1 ll iq7- 1/17 transistors en couche mince présentant des éléments actifs non linéaires, dans lesquels les électrodes de source et de drain répondent en fonction des charges qui sont appliquées à l'électrode de grille correspondante. Une couche semi-conductrice n+ 22 est formée sur la couche semiconductrice intrinsèque 16, et les électrodes de source 14a et les électrodes de drain 17, qui sont toutes les deux faites de métal, sont formées au-dessus de cette couche. Les élec- trodes de source et de drain 14a et 17, respectivement, sont en contact ohmique avec la couche semi-conductrice impure 22. Dans le transistor en couche mince, comme représenté sur la figure 2B, l'électrode de drain 17 en contact ohmique avec la couche semiconductrice n+ 22 est électriquement reliée à une électrode de pixel 12 à travers un trou de contact 19 formé dans une couche de passivation isolante 25. Basiquement, un tel transistor enl couche mince comprend une électrode de grille 13a, la couche isolante 21, la couche semiconductrice intrinsèque 16, la couche semi-conductrice impure 22, l'électrode de drain 17 et l'électrode de source 14a. Toutes ces couches sont formées en répétant les étapes de dépôt de couche mince, d'exposition et de développement d'mun agent photosensible en utilisant des masques, et d'attaque. Le dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active classique qui vient d'être décrit présente une structure en couches, dont chaque élément est formé d'une couche mince. Lorsque les couches minces s'empilent, des portions en recouvrement sont formées à chaque zone d'intersection des lignes de grilles et de source, et dans les zones o les électrodes de drain sont reliées avec les électrodes de pixel sur les transistors en couches minces disposés en rangées et en colomnnes sur le substrat. De façon générale, la forme d'une couche affecte la forme de toute autre couche qui est formée au-dessus de cette couche. Par exemple, si la forme de la couche formée en premier présente un surplomb et/ou un épaulement, une seconde couche mince qui est formée au-dessus de la première couche mince duplique la couche présentant ce surplomb ou cet épaulement. C'est-à-dire que lorsqu'une première couche métallique présente un épaulement et/ou un épaulement, une couche isolante qui est formée par dessus duplique la couche formée lors de la fabrication du dispositif d'affichage en couche mince. En conséquence, toute couche métallique qui est formée au-dessus d'une couche isolante peut présenter des problèmes de lignes déconnectées ou des problèmes de court-circuit. Ces problèmes se posent fréquemment lorsque l'on forme une couche mince avec des métaux (tels que le chrome) qui sont difficiles à attaquer selon un motif prédéterminé, par exemple selon une forme effilée ou un chanfrein, ou lorsqu'on utilise une méthode d'attaque sèche dans le traitement de formation d'une structure. En d'autres termes, la forme d'un chanfrein dans une couche métallique à partir de laquelle une électrode de drain est formée détermine la forme de la couche de passivation qui est disposée au-dessus de l'électrode de drain, et affecte la forme de l'électrode de pixel déposée au-dessus de la couche de passivation isolante. La couche de passivation isolante ne peut présenter la forme désirée que lorsque l'effilement ou le chanfrein de la couche métallique présente la forme désirée. En outre, une décomnnexion dans l'électrode de pixel, provoquée par une différence de niveau (marche ou épaulement) dans l'électrode de drain peut être empêchée si la couche de passivation isolante présente une forme voulue. Dans le cas o une couche métallique pour l'électrode de drain 17 est attaquée et présente une forme en surplomb (figure 3B), la couche de passivation isolante 25 est formée avec un épaulement 27, voire même avec une fissure. Dans ce cas, l'électrode de pixel en couche mince 12 est soit déconnectée, soit ne peut être formée avec la forme désirée sur l'épaulement 27 ou sur la fissure. En outre, lorsque la couche de passivation isolante 25 présente des fissures, l'agent d'attaque s'écoule dans l'électrode de drain 17 à travers les fissures, et déconnecte facilement l'électrode de drain 17 pendant l'étape d'attaque permettant de former l'électrode de pixel. La figure 3A montre un exemple d'une ligne déconnectée provoqué par les épaulements ou fissures mentionnés plus haut, et la figure 3B montre une vue en coupe transversale le long des lignes 3B-3B de la figure 3. Comme représenté dans les figures 3A et 3B, l'électrode de drain 17 présente une extrémité en surplomb. La couche isolante de passivation 25 qui est formée sur l'électrode de drain 17 présente un épaulement 27, et l'électrode de pixel 12 sur la couche de passivation 25 est déconnectée à l'endroit o l'épaulement est formé dans la couche de passivation 25. Ceci provoque des dysfonctionnements et un traitement du signal peu fiable. En conséquence, dans une structure empilée, un recouvrement des épaulements approprié est nécessaire pour permettre un traitement stable et pour obtenir un bon rendement de fabrication. Toutefois, il est très difficile de développer et de gérer un procédé de mise en forme d'une couche métallique de façon désirée, après l'attaque de la couche métallique. Il est en outre difficile d'attaquer une couche mince formée d'un métal tel que le chrome pour qu'elle présente un bord effilé ou un chanfrein fin. En outre, de façon similaire, les couches minces formées en utilisant une méthode d'attaque sèche provoquent des déconnexions des couches ou provoquent la formation de fissures dans d'autres couches minces formées au-dessus. Ces problèmes ainsi que d'autres problèmes se posant dans les procédés classiques font décroître le rendement de fabrication de dispositifs à semi-conducteurs tels que les transistors en couches minces. L'objet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide, dans lequel le recouvrement des épaulements dans une structure empilée de couche mince est modifié, afin d'éviter les décon- nexions des lignes de signaux. Afin d'atteindre cet objet ainsi que d'autres objets, un procédé de fabrication selon la présente invention comprend les étapes de formation d'une première couche métallique sur une couche, de revêtement de cette première couche métallique par un agent photosensible, d'exposition et de développement de l'agent photosensible en utilisant un masque, avec un motif de lignes et d'espacements présentant une largeur d'espacement inférieure à la résolution d'un système d'exposition, d'attaque de la première couche métallique en une forme désirée, de formation d'une couche isolante sur la première couche métallique ainsi structurée, et de formation d'une seconde couche métallique sur la couche isolante. Lorsque l'agent photosensible formé sur la première couche métallique est exposé en utilisant un masque avec un motif de lignes et d'espacements en forme de peigne, une première portion (P1) de l'agent photosensible correspondant à l'espace entre les lignes du masque est exposée à un degré moindre qu'une seconde portion (P2) de l'agent photosensible qui n'est pas recouverte par le masque. De façon simi- laire, une troisième portion (P3) de l'agent photosensible, sous les lignes du masque. est légèrement exposée par rapport à la portion de l'agent photosensible qui n'est pas recouverte par le masque. Ainsi, le degré d'exposition dans l'agent photosensible est dans l'ordre P2 > P1 > P3. Chaque largeur d'espacement des lignes dans le masque (c'est-à-dire chaque distance entre les lignes) est inférieure à 2 inm. La première couche métallique est attaquée en utilisant l'agent photosensible comme masque. La portion de la première couche métallique qui n'est pas recouverte d'agent photosensible est attaquée plus rapidement que les autres portions de la première couche métallique sur laquelle est prévu un agent photosensible, du fait que l'agent d'attaque prend beaucoup plus de temps pour traverser l'agent photosensible. De façon analogue, la partie de la première couche métallique présentant tule couche mince d'agent photosensible est attaquée plus rapidement que la portion de la première couche métallique présentant une couche plus épaisse d'agent photosensible. En conséquence, la portion de la première couche métallique qui est recouverte d'un agent photosensible présentant des motifs de ligne et d'espacement est attaquée pour présenter une forme de sillon et d'arête avec une pente faible, et non pas une forme d'épaulement avec une extrémité abrupte. Lorsque la couche isolante est formée sur une telle première couche métal- lique, elle présente aussi une pente douce correspondant à la pente de la première couche métallique. La seconde couche métallique formée sur la première couche isolante suit la pente douce de la couche isolante. Lorsque le procédé décrit ci-dessus est appliqué à la formation des points d'intersection des lignes de grille et de source, la première couche est un substrat de verre transparent, la première couche métallique est une ligne de grille et la seconde couche métallique est une ligne de source. Lorsque le procédé décrit ci-dessus est appliqué à la fabrication d'un transistor en couche mince, la première couche métal- lique est choisie de sorte à être les électrodes de source et de drain, et la seconde couche métallique est une électrode de pixel, ou une couche conductrice pour relier une électrode de drain avec l'électrode de pixel. Le procédé décrit plus haut peut être appliqué à la fois à la formation des points d'intersection et à la fabrication du transistor en couche mince. Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide selon la présente invention est décrit plus bas. Une première couche métallique est formée sur un substrat de verre transparent en déposant un métal. Un agent photosensible est déposé sur la première couche métallique, et l'agent photosensible est exposé et développé en utilisant un masque présentant la structure désirée. Des lignes de grille et des lignes d'électrode sont formées en attaquant la première couche métallique. Une couche isolante est formée sur le substrat comprenant les électrodes de grille et les lignes de grille. Une couche semi-conductrice intrinsèque est formée sur la couche isolante. Une couche semi- conductrice dopée n est formée sur la couche semi-conductrice intrinsèque. Une seconde couche métallique est formée sur la couche semi- conductrice n+. Un agent photosensible est revêtu sur la seconde couche métallique, et l'agent photosensible est exposé et développé en utilisant un masque présentant un motif de lignes et d'espacements. La largeur des espacements dans le motif de lignes et d'espacements est inférieure à la résolution du système d'exposition. Les électrodes de source et de drain sont formées en attaquant la seconde couche métallique. Une couche de passivation isolante est formée sur les électrodes de source et de drain. Un trou de contact est formé dans la couche de passivation isolante. Une couche conductrice est formée sur la couche de passivation isolante. La couche conductrice relie électriquement l'électrode de drain et une électrode de pixel. La présente invention est décrite plus en détail ci-dessous en référence aux modes de réalisation préférés. Ces objets ainsi que d'autres objets de la présente demande apparaîtront plus directement de la description détaillée qui suit. Il est bien clair néanmoins que la description détaillée et les exemples spécifiques, bien qu'ils indiquent des modes de réalisation préférés de l'invention, ne sont donnés qu'à titre d'illustration. et que 1)( i 1 1 PI' - qi/17 diverses variations et modifications dans l'esprit et la portée de l'invention apparaîtront à l'homme du métier à la lecture de la description détaillée. L'invention propose donc un procédé de fabrication d'untm dispositif semi- conducteur comprenant les étapes de: - formation d'une première couche métallique sur un substrat ou sur une couche; - formation d'un motif en agent photosensible sur la première couche métallique en utilisant un masque, le masque présentant un motif de lignes et d'espacements dans lequel la largeur des espacements est inférieure à la résolution du système d'exposition; et - formation d'une structure dans la première couche métallique en utilisant le motif d'agent photosensible, de sorte à former un motif de première couche métallique correspondant au motif d'agent photosensible. Avantageusement, la largeur de l'espacement entre les lignes dans le motif de lignes et d'espacements du masque est inférieure à environ 2 1im. Le motif de lignes et d'espacements présente de préférence la forme d'un peigne. Le motif de lignes et d'espacement présente par exemple une pluralité de lignes parallèles, en saillie par rapport au bord du masque, et une pluralité d'espacements. chacun formés entre deux des lignes. Il peut aussi présenter une pluralité de lignes et d'espacements formés alternativement à l'intérieur du bord du masque. Avantageusement, le motif en agent photosensible présente une portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes. Cette portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes du motif d'agent photosensible est de préférence chanfreinée. Le motif de première couche métallique peut présenter une portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes. Cette portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes du motif de première couche métallique est avantageusement chanfreinée. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes de: formation d'une couche isolante sur le motif de première couche métallique: et - formation d'une seconde couche métallique sur la couche isolante. Le substrat est avantageusement un substrat en verre transparent, le motif de première couche métallique constituant une ligne de grille, et le motif de seconde couche métallique constituant une ligne de source. Dans un mode de réalisation, la seconde couche métallique forme des électrodes de drain et de source, et une des électrodes de drain ou de source est reliée à une électrode de pixel. L'invention propose aussi un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide comprenant les étapes de: - formation d'une première couche métallique sur un substrat; - formation d'un premier motif d'agent photosensible sur la première couche métallique en utilisant un premier masque avec un motif prédéterminé; - formation d'une électrode de grille par attaque de la première couche métallique en utilisant le premier motif d'agent photosensible; - formation d'une seconde couche métallique au-dessus de l'électrode de grille; - formation d'une seconde couche en agent photosensible sur la seconde couche métallique en utilisant un second masque présentant un motif de lignes et d'espacements, dont la largeur des espacements est inférieure à la résolution du système d'exposition; - formation des électrodes de source et de drain en attaquant la seconde couche métallique en utilisant le second motif en agent photosensible; et - formation d'une couche en oxyde d'étain et d'indium ou en matériau conducteur transparent pour relier électriquement l'électrode de drain avec une électrode de pixel. Avantageusement, la largeur entre les lignes dans le motif de lignes et d'espacements du second masque est inférieure à 2 ptm. Le motif de lignes et d'espacements peut présenter une forme de peigne avec une pluralité de lignes en saillie par rapport au bord du masque, et une pluralité d'espacements, chacun formé entre deux des lignes. On peut prévoir une pluralité de motifs de lignes et d'espacements en différentes parties du bord du second masque. Dans un mode de réalisation, l'étape de formation de la seconde couche métallique sur l'électrode de grille comprend les étapes de: - formation d'une couche isolante au-dessus de l'électrode de grille; - formation d'une couche semi-conductrice intrinsèque au-dessus de la couche isolante; et - formation d'une couche semi-conductrice dopée n+ sur la couche semi-conductrice intrinsèque, la seconde couche métallique étant formée au-dessus de la couche semi-conductrice dopée n+. Le procédé peut en outre comprendre: - la formation d'une couche de passivation isolante au-dessus des électrodes de drain et de source; et - la formation d'un trou de contact dans la couche de passivation isolante. Avantageusement, le second motif d'agent photosensible présente une portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes. La portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes du second motif d'agent photosensible est de préférence chanfreinée. II l i Im 1 I "J7 - 7/17 Le premier motif d'agent photosensible peut présenter une portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes. La portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes du premier agent photosensible est de préférence chanfreinée. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée donnée ci-dessous, et des dessins joints, qui ne sont donnés qu'à titre d'illustration et qui ne sont donc pas limitatifs de la présente invention et dans lesquels: - la figure 1 montre un diagramme de circuit d'un dispositif d'affichage à cristal liquide classique; - la figure 2A est une vue de dessus montrant une partie d'élément d'affichage à cristal liquide d'un LCD classique présentant une matrice de transistor en couche mince; - la figure 2b est une vue en coupe le long de la ligne 2B-2B de la figure 2A; - la figure 3A est une vue de dessus montrant des lignes déconnectées du fait de l'attaque; - la figure 3B est une vue en coupe transversale le long de la ligne 3B-3B de la figure 3B; - les figures 4A à 4I sont des vues en coupe transversale montrant tm procédé de fabrication de transistors en couche mince d'un dispositif d'affichage à cristal liquide selon des modes de réalisation de la présente invention; la figure SA est un diagramme montrant un masque présentant des motifs de lignes et d'espacement utilisés dans le procédé de fabrication décrit aux figures 4A à 41; - la figure 5B est une vue à plus grande échelle d'une portion du masque repré- senté à la figure SA; - la figure 6A est tune vue modélisée montrant la structure d'un agent photo- sensible sur une couche métallique de transistor en couche mince, qui reste après que l'agent photosensible a été exposé et développé en utilisant le masque représenté sur la figure SA, selon la présente invention; - la figure 6B est une vue modélisée montrant une structure d'une couche métal- lique après l'étape d'attaque; et - la figure 7 est une vue en coupe transversale montrant le recouvrement d'épaulement amélioré dans un dispositif à semi-conducteur formé selon la présente invention. Les figures 4A à 4I montrent les étapes de fabrication d'un transistor eni couches minces sur un substrat en verre transparent, et des vues en coupe d'un dispo- sitif d'affichage à cristal liquide à chacune des étapes selon les modes de réalisation de la présente invention. Une première couche métallique d'environ 4000 Angstroems d'épaisseur est formée par pulvérisation d'un métal sur un substrat en verre transparent 111. Le matériau est choisi parmi l'aluminium (AI) et les alliages d'aluminium, tels que AI-Pd, AI-Si, Al-Si-Ti et AI-Si-Cu. Une électrode de grille 113a est formée par attaque de la première couche métallique en utilisant une technique de photolitho- graphie, comme représenté sur la figure 4A. Une couche anodisée 113b est formée sur l'électrode de grille 113a en anodi- sant l'électrode de grille 113a pour améliorer ses propriétés de surface. L'électrode de grille 113a, avec l'électrode anodisée 113b, devient alors chimiquement résistante, thermiquement résistante, et compatible avec une couche d'isolation de grille, en termes d'adhésion. La couche anodisée 113b sert de couche isolante, en même temps que la couche d'isolation de grille, et améliore ainsi l'isolation entre l'électrode de grille 11 3A et les autres lignes de signal, comme représenté sur la figure 4B. Une couche isolante de grille 121 de nitrure de silicium est formée sur le substrat de verre transparent 111, et sur l'électrode de grille 113, en utilisant un mélange gazeux d'ammoniac, de silane ou d'azote dans un système de dépôt chimique en phase vapeur activé au plasma, comme représenté sur la figure 4C. L'épaisseur de la couche d'isolation de grille 121 est de 2000 Angstroems. Une couche semi-conductrice intrinsèque 116 d'une épaisseur de 2000 Angstroems est formée sur la couche isolante de grille 121, en utilisant un mélange gazeux d'ammoniac, de silane et d'hydrogène dans un système de dépôt chimique en phase vapeur, comme représenté sur la figure 4D. Une couche semi-conductrice n+ 122 d'une épaisseur de 300 Angstroems est formée sur la couche semi-conductrice intrinsèque 1 16 en utilisant un mélange gazeux d'hydrogène, de phosphine, etc. dans un système de dépôt chimique en phase vapeur activé au plasma, comme représenté sur la figure 4E. Une seconde couche métallique 146 formée d'un matériau choisi parmi l'aluminium et les alliages d'aluminium tels que Al-Pd, AI-Si, Al-Si-Ti et Al-Si-Cu est formée avec une épaisseur de 4000 Angstroems en utilisant une technique de pulvérisation, et une couche d'agent photosensible 156 est revêtue sur cette dernière couche (figure 4F). La seconde couche métallique 146 est attaquée après avoir exposé l'agent photosensible et l'avoir développé en utilisant un masque présentant des motifs de lignes et d'espacements sur son bord, comme représenté sur la figure 4G, de sorte à former une extrémité graduellement effilée ou chanfreinée, comme cela est par exemple représenté sur la figure 6B. Chaque espacement entre les lignes dans le motif est choisi de sorte à être inférieur à la résolution du système d'exposition, comme représenté sur la figure 5A. De cette façon, une ligne de source de bus 1 14, une électrode de source 1 1 4a et une électrode de drain 1 17 sont formées. II|1or 11 1. I1-nI1)1 7-l)/1 7 Il est préférable d'utiliser un masque présentant sur son bord un motif de lignes et d'espacement, dans lequel chaque espacement entre deux lignes voisines est infé- rieur à 2 rtm, du fait que les systèmes d'exposition utilisés couramment présentent une résolution de 3 à 4.tm; par exemple le système d'exposition FX-5 1 OD de NIKON, Japon, présente une résolution de 2,4 tm (indépendante) ou de 3 tm (avec des lignes et des espacements). Une couche de passivation 125 est formée sur la surface, y compris sur la ligne de bus de source 114, sur l'électrode de source 114a et sur l'électrode de drain 117, qui présentent une forme avec des sillons et des arêtes (voir les figures 4H et 6B). l0 Ensuite, la couche de passivation 125 présente aussi une forme avec des sillons et des arêtes et avec une pente douce. Un agent photosensible est ensuite revêtu, exposé et développé sur la couche de passivation 125. Un trou de contact 119 est formé en attaquant la couche de passivation 125. Une électrode de pixel 112 est formée en utilisant un traitement de pulvérisation, qui assure un contact avec l'électrode de drain 117 par l'intermédiaire du trou, comme représenté sur la figure 4I. Une première portion de l'agent photosensible correspondant à chaque espace- ment entre les lignes est légèrement exposée du fait des lignes entre les espacements. tandis qu'une seconde portion de l'agent photosensible non recouverte par le masque est complètement exposée. En conséquence, environ 10 % de la première portion de l'agent photosensible reste après avoir enlevé les portions exposées de l'agent photo- sensible. La troisième portion de l'agent photosensible recouverte par chaque ligne du masque est légèrement exposée et enlevée. C'est-à-dire qu'environ 90 %, ou peut être moins au bord de chaque ligne, de la troisième portion de l'agent photosensible reste, après enlèvement des portions exposées. Dans l'étape d'attaque, une seconde portion d'une seconde couche métallique qui n'est pas recouverte d'agent photosensible est attaquée plus rapidement qu'une première portion de la seconde couche métallique sur laquelle environ 10 % de l'agent photosensible reste, du fait que l'agent d'attaque prend un certain temps supplémentaire pour traverser l'agent photosensible et atteindre la seconde couche métallique. De la même façon, une troisième portion de la seconde couche métal- lique, sur laquelle on a enlevé un peu d'agent photosensible. est attaquée plus rapi- dement qu'une quatrième portion de la seconde couche métallique sur laquelle l'ensemble de l'agent photosensible est resté. En conséquence, la portion de la seconde couche métallique qui est recouverte par le masque avec son motif de lignes et d'espacements présente une forme ondulée, en sillons et arêtes, avec une pente douce, et non pas une forme avec un épaulement ou une marche. R -l,40W>1 42 (IXI"iiJ7- 11'1 7 Le procédé au cours duquel les étapes mentionnées plus haut sont appliquées à l'attaque sèche est décrit ci-dessous. Une deuxième portion de la seconde couche métallique ne présentant aucun agent photosensible peut être entièrement attaquée par un agent d'attaque. Une première portion de la seconde couche métallique sur laquelle seule une fine couche d'agent photosensible reste, peut être attaquée de sorte à présenter une forme effilée ou chanfreinée avec une pente douce. L'agent d'attaque pénètre d'abord dans la seconde portion de la couche métallique, puis ensuite dans la première portion de la couche métallique ne présentant qu'une fine couche d'agent photosensible et enfin dans une troisième portion de la seconde couche métallique qui présente une couche épaisse d'agent photosensible, de telle sorte que la seconde couche métallique est formée avec une pente douce qui décroît graduellement. C'est-à-dire que les portions de bord de la seconde couche métallique réalisée par le procédé sus-mentiomnlé présentent une courbure douce et des extrémités effi- lées ou chanfreinées graduellement, de sorte que la couche isolante formée par dessus suit la forme de la seconde couche métallique structurée. La couche de passivation présente une pente douce sans fissure, de telle sorte qu'une couche conductrice (par exemple une électrode de pixel destinée à être connectée avec l'électrode de drain) recouvre la couche de passivation avec la forme désirée, et une pente douce. La figure SA montre un masque avec un motif de lignes et d'espacements dont la largeur d'espacement est inférieure à la résolution d'un système d'exposition utilisé dans le procédé de mise en forme, et la figure 5B est une vue à plus grande échelle du motif de lignes et d'espacements du masque représenté sur la figure SA. Le motif de lignes et d'espacements 150 présente des dents analogues à celles d'un peigne et comprend une pluralité de lignes 152 en saillie par rapport à l'arête, et des espacements 154 entre les lignes 152. Si nécessaire, le masque peut présenter une pluralité de motifs de lignes et d'espacements formés sur différentes portions de la périphérie ou du bord. En outre, les motifs de lignes et d'espacements peuvent présenter une forme différente, et par exemple des espacements et des lignes peuvent être formés à l'intérieur du bord ou de la périphérie du masque. La figure 6A est une représentation modélisée d'une couche métallique 246 présentant un agent photosensible 256 restant après exposition et développement, en utilisant le masque à motif de lignes et d'espacements, par exemple comme repré- senté sur la figure 5a, dans lequel chaque espacement est inférieur à la résolution du système d'exposition. Lorsqu'une couche métallique 246 est appliquée en utilisant l'agent photo- sensible 256 comme décrit, on forme une couche métallique présentant une forme représentée sur la figure 6B, dans laquelle le bord de la couche métallique 246 11I)ii;: ' r ''7 " 11,17 présente une courbure douce. En conséquence, une couche isolante 225 recouvrant la couche métallique 246, comme représenté sur la figure 7, présente aussi une pente douce. Toute autre couche (par exemple une électrode de pixel 212) formée sur la couche isolante 225 présente aussi une pente douce, à l'endroit o la couche métal- lique 246 se termine. Lorsque le procédé décrit plus haut est appliqué à la fabrication de dispositifs d'affichage à cristal liquide, on peut obtenir un bon recouvrement des marches ou épaulements dans une structure empilée, et on peut résoudre les problèmes provo- qués par les défauts formés dans les lignes de signal ou les problèmes dus au mauvais recouvrement des épaulements. La présente invention évite les déconnexions des lignes de signal au passage d'un épaulement ou d'une marche en améliorant le recouvrement des épaulements dans des couches se croisant. Bien que la présente invention ait été décrite dans soni application à la fabrication des dispositifs d'affichage à cristal liquide, elle peut être appliquée à la fabrication d'autres produits à semi-conducteurs, comprenant des couches se croisant. Le mode de réalisation préféré de la présente invention utilise un agent photo- sensible positif. Dans le cas o on utilise un agent photosensible négatif, on peut utiliser un motif de masque qui ne recouvre pas la portion exposée. L'invention ayant été décrite, il est évident que cette invention est susceptible de nombreuses Variations. De telles variations ne doivent pas être considérées comme exclues de l'esprit et de l'étendue de l'invention, l'invention couvrant toute modification accessible à l'homme de l'art. R \14401) 1-420) --U 111 1 7. 12/17 REVENDICATIONS 1.- Un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant les étapes de: - formation d'une première couche métallique (146; 246) sur un substrat ou sur une couche; - formation d'un motif en agent photosensible (256) sur la première couche métallique en utilisant un masque, le masque présentant Uln motif (150) de lignes (152) et d'espacements (154) dans lequel la largeur des espacements (154) est inférieure à la résolution du système d'exposition; et - formation d'une structure dans la première couche métallique en utilisant le motif d'agent photosensible, de sorte à former un motif de première couche métallique correspondant au motif d'agent photosensible. 2.- Un procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la largeur de l'espacement (154) entre les lignes (152) dans le motif de lignes et d'espacements du masque est inférieure à environ 2 tim. 3.- Un procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le motif de lignes et d'espacements présente la forme d'un peigne. 4.- Un procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le motif de lignes et d'espacement présente une pluralité de lignes parallèles, en saillie par rapport au bord du masque, et une pluralité d'espacements, chacun formés entre deux des lignes. 5.- Un procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le motif de lignes et d'espacement présente une pluralité de lignes et d'espacements formés alternativement à l'intérieur du bord du masque. 6.- Un procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le motif en agent photosensible présente une portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes. 7.- Un procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes du motif d'agent photosensible est chanfreinée. irn I'U7 - 13/17 8.- Un procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le motif de première couche métallique présente une portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes. 9.- Un procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes du motif de première couche métallique est chanfreinée. 10.- Un procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en outre par les étapes de: - formation d'une couche isolante (125, 225) sur le motif de première couche métallique; et - formation d'une seconde couche métallique (112; 212) sur la couche isolante (125; 225). 11.- Un procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le substrat est un substrat en verre transparent, le motif de première couche métallique constitue une ligne de grille, et le motif de seconde couche métallique constitue une ligne de source. 12.- Un procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la seconde couche métallique forme des électrodes de drain et de source, et en ce qu'une des électrodes de drain ou de source est reliée à une électrode de pixel. 13.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide comprenant les étapes de - formation d'une première couche métallique sur un substrat (111); - formation d'un premier motif d'agent photosensible sur la première couche métallique en utilisant un premier masque avec un motif prédéterminé: - formation d'une électrode de grille (113a) par attaque de la première couche métallique en utilisant le premier motif d'agent photosensible; - formation d'une seconde couche métallique au-dessus de l'électrode de grille - formation d'une seconde couche en agent photosensible sur la seconde couche métallique en utilisant un second masque présentant un motif de lignes et d'espacements, dont la largeur des espacements est inférieure à la résolution du système d'exposition; - formation des électrodes de source et de drain (114a, 117) en attaquant la seconde couche métallique en utilisant le second motif en agent photosensible; et - formation d'une couche en oxyde d'étain et d'indium ou en matériau conducteur transparent pour relier électriquement l'électrode de drain avec une électrode de pixel (112). 14.- Un procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la largeur entre les lignes dans le motif de lignes et d'espacements du second masque est infé- rieure à 2 tim. 15.- Un procédé selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que le motif de lignes et d'espacements présente une forme de peigne avec une pluralité de lignes en saillie par rapport au bord du masque, et une pluralité d'espacements, chacun formé entre deux des lignes. 16.- Un procédé selon l'une des revendications 13 à 15, caractérisé en ce qu'une pluralité de motifs de lignes et d'espacements est formée en différentes parties du bord du second masque. 17.- Un procédé selon l'une des revendications 13 à 16, caractérisé en ce que l'étape de formation de la seconde couche métallique sur l'électrode de grille (113a) comprend les étapes de: - formation d'une couche isolante (121) au-dessus de l'électrode de grille (113a) - formation d'une couche semi-conductrice intrinsèque (116) au-dessus de la couche isolante (121); et - formation d'une couche semi-conductrice dopée n+ sur la couche semi-conductrice intrinsèque, la seconde couche métallique étant formée au-dessus de la couche semi-conductrice dopée n+. 18.- Un procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend, en outre: - la formation d'une couche de passivation isolante (125) au-dessus des électrodes de drain et de source; et - la formation d'un trou de contact (119) dans la couche de passivation isolante. 19.- Un procédé selon l'une des revendications 13 à 18, caractérisé en ce que le second motif d'agent photosensible présente une portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes. 1 m Im IL7- 1S/17 20.- Un procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que la portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes du second motif d'agent photosensible est chanfreinée. 21.- Un procédé selon l'une des revendications 13 à 20, caractérisé en ce que le premier motif d'agent photosensible présente une portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes. 22.- Un procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la portion d'extrémité en forme de sillons et d'arêtes du premier agent photosensible est chlanfreinée.