FR 2749720 A1 19971212 FR 9707249 A 19970611 La présente invention concerne d'une manière générale des circuits oscillateurs, c'est-à-dire des oscillateurs et plus spécifiquement des oscillateurs en anneau. Des oscillateurs commandés par le courant et par la tension (ICO et VCO) sont des composants importants dans les structures d'émetteurs et de récepteurs. Dans des applications des systèmes de communication portables sans fil, les exigences principales concernant les oscillateurs VCO/ICO sont une gamme de fréquences de fonctionnement de 1 à 20 GHz, un très faible bruit de phase, la tension de fonctionnement la plus faible possible et la consommation en énergie la plus faible possible. En fonction de la structure, un dispositif de communication peut comporter plusieurs oscillateurs VCO/ICO qui sont nécessaires dans différents buts, par exemple pour une conversion de fréquence, une synthèse de fréquence, une modulation de fréquence, etc. Leur performance affecte fortement la performance de l'ensemble de l'unité de communication. Cependant, la demande visant à réaliser ces oscillateurs avec des technologies basées sur le silicium pose plusieurs problèmes. Au cours des dernières années, plusieurs projets de recherche se sont focalisés sur la découverte de solutions optimales. Deux types d'oscillateurs sont principalement utilisés pour constituer des éléments centraux des oscillateurs VCO/ICO: des oscillateurs sinusoïdaux et des oscillateurs à relaxation. Les oscillateurs sinusoïdaux produisent habituellement les meilleurs paramètres dans la mesure o une haute fréquence et un faible bruit de phase interviennent, mais on peut aisément les réaliser la plupart du temps uniquement selon des technologiques au GaAs. Le passage à la technologie bipolaire, à la technologie CMOS ou à la technologie BiCMOS pose plusieurs problèmes principalement liés au substrat hautement conducteur. D'autre part, la vitesse de telles technologies disponibles est un challenge pour les chercheurs étant qu'actuellement on atteint des fréquences transitoires de à 40 GHz, ce qui était considéré antérieurement comme une gamme de fréquences transitoires pouvant être couverte uniquement par des matériaux basés sur le GaAs. La vitesse des systèmes basés sur le silicium est suffisamment élevée pour une communication mobile dans la gamme de fréquences de 1 à 20 GHz, utilisées par la plupart des postes mobiles et des réseaux locaux LAN sans fil. Un facteur pilote supplémentaire dans la conception d'un équipement portable a toujours été une forte demande d'avoir une tension de fonctionnement aussi faible que possible et une consommation d'énergie très faible. Dans des oscillateurs du type LC, les composants du circuit actif sont maintenus en dehors de la gamme de fonctionnement non linéaire, tandis que dans des oscillateurs à relaxation, le signal sinusoïdal est le résultat de l'incapacité du circuit impulsionnel à commuter suffisamment rapidement des fréquences très élevées. En raison du fonctionnement dans la gamme de fonctionnement non linéaire, de nombreuses composantes spectrales de haute énergie apparaissent dans le signal de sortie. On peut obtenir par conséquent un spectre très "propre" en développant des oscillateurs du type LC. Bien que les types à relaxation ne requièrent qu'une capacité de référence, les types LC requièrent, en plus d'une capacité théorique, également une inductance possédant un facteur Q raisonnablement élevé. Ceci pose des problèmes technologiques. Les oscillateurs en anneau sont une sous-classe des oscillateurs à relaxation. Un oscillateur en anneau comprend plusieurs (de façon typique au moins trois) étages différentiels à retard branchés en cascade, comme par exemple des étages AI, A2, A3 et A4 indiqués sur la figure 1 annexée à la présente demande. Dans le montage en cascade, la sortie non inversée d'un élément de retardement de chaque étage Ai à A3 est connectée à l'entrée non inverseuse de l'étage suivant et la sortie inversée est connectée à l'entrée inverseuse. Les sorties du dernier étage sont connectées aux entrées du premier étage de la même manière que dans les autres étages ou, comme sur la figure 1, la sortie inversée du dernier étage A4 est connectée à l'entrée non inverseuse du premier étage A1 et dont la sortie non inversée est connectée à l'entrée inverseuse. Une période d'oscillation d'un oscillateur en anneau est égale au double du nombre des retards (étages). Les étages à retard d'un oscillateur en anneau sont habituellement des amplificateurs différentiels constitués par une paire différentielle telle que représentée sur la figure 2 annexée à la présente demande. Les collecteurs des transistors NPN Q1 et Q2 sont connectés au moyen de résistances Rc à un potentiel d'une source de tension de fonctionnement. Les émetteurs de Q1 et Q2 sont alors toujours connectés par l'intermédiaire d'une source de courant 21 et d'une résistance Re à un autre potentiel de tension de fonctionnement. Les bases de Ql et Q2 forment des étages d'entrée, et les collecteurs forment des étages de sortie. Les étages différentiels sont habituellement réunis entre eux par l'intermédiaire de tampons de couplage, tels que des émetteurs suiveurs. En outre, les signaux de sortie d'un étage différentiel sont appliqués à des mélangeurs actifs 11, 12 et 13 de manière à être mélangés entre eux et aux signaux de sortie des autres étages de sorte qu'un signal de sortie en quadrature désiré est produit par l'oscillateur en anneau. Les oscillateurs en anneau sont décrits par exemple dans les publications suivantes: [1] B. Razavi et J. Sung. "A 6 GHz 60 mW BiCMOS Phase-Locked Loop", IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 29, N 12, Décembre 1994, pages 1560 à 1565. [2] "High-speed voltage-controlled oscillator with quadrature outputs", Electronic Letters, 14 Février 1991, Vol. 27, N 4, page 309. Les oscillateurs en anneau commandé par la tension et par le courant avec des signaux de sortie en quadrature (différence de phase de 90 degrés entre les signaux de sortie) sont des blocs de construction très importants pour de nombreuses applications à grande vitesse. De telles applications sont par exemple des boucles à verrouillage de phase (PLL), des démodulateurs de modulation par déplacement binaire de phase (BPSK), des discriminateurs, des circuits de régénération du signal d'horloge pour des récepteurs sans fil et des récepteurs optiques. Le paramètre principal devant être obtenu est la fréquence maximale. Jusqu'à présent on a atteint presque la fréquence fMAX (fréquence maximale réglée au moyen du procédé de fabrication de transistors) en utilisant des oscillateurs du type à résonateur "concentré", qui sont difficiles à réaliser même au moyen d'un processus de fabrication du type à arséniure de gallium (GaAs). Dans certaines solutions d'autres types même si elles sont rapides, il se présente certains problèmes pour atteindre la proximité de la valeur fx avec le processus de fabrication. La réalisation d'un oscillateur en anneau commandé par la tension ou le courant requiert l'addition d'un système de commande approprié au circuit. Une commande de fréquence modifie habituellement soit la polarisation en courant continu de certaines composantes, soit sinon les courants de référence qui affectent le cadencement de relaxation, et la fréquence produite de ce fait. D'autres exigences concernant des oscillateurs sont par exemple une faible consommation d'énergie et une faible tension de fonctionnement, en particulier dans des dispositifs électroniques portables utilisant des alimentations sur piles. Un but de la présente invention est de réaliser un oscillateur en anneau à grande vitesse. Un autre but de l'invention est de réaliser un oscillateur en anneau possédant une faible consommation en énergie et/ou une basse tension de fonctionnement. L'invention a trait à un oscillateur en anneau comprenant un montage en cascade de deux ou plusieurs étages à retard dont chacun comprend une paire différentielle formée d'un premier composant amplificateur et d'un second composant amplificateur, caractérisé en ce que chaque paire différentielle comprend un premier composant inductif, à l'aide duquel une première électrode principale du premier composant amplificateur est connectée à un premier potentiel de tension de fonctionnement, un second composant inductif, au moyen duquel une première électrode principale du second composant amplificateur est connectée au premier potentiel de tension de fonctionnement, et une connexion en série d'un troisième composant inductif et une source de courant située entre des secondes électrodes principales interconnectées des premier et second composants amplificateurs et un second potentiel de tension de fonctionnement. Dans l'oscillateur en anneau selon la présente invention, des composants inductifs sont utilisés à la place de résistances ohmiques en deux emplacements importants de chaque couple différentiel. Pour être plus précis, les résistances de collecteur et la résistance d'émetteur d'un oscillateur en anneau traditionnel ont été remplacées par des composants inductifs, dans tous les étages. Il en résulte un circuit très simple ayant d'excellentes propriétés. En réalité, on obtient un anneau d'étages amplificateurs à résonance, anneau qui possède, en raison du faible facteur Q des composants inductifs, une largeur de bande suffisamment large pour les exigences imposées aux oscillateurs commandés par la tension ou par le courant, mais diffèrent des oscillateurs en anneau traditionnels, en ce qu'ils comportent un bruit de phase nettement plus faible et un spectre qui ressemble au spectre typique d'oscillateurs sinusoïdaux. Si on considère d'une manière plus détaillée l'oscillateur en anneau selon la présente invention, les composants inductifs au niveau du collecteur créent des circuits résonants parallèles avec leur propre capacité parasite et avec les capacités des composants adjacents, en particulier celles des composants amplificateurs (transistors par exemple). Avec la solution selon l'invention, on obtient au moins les avantages importants suivants: 1. La vitesse et l'amplification dans chaque étage sont nettement plus élevées. Dans des oscillateurs en anneau classiques, la commande de la fréquence est basée sur des éléments provoquant un retard, disposés entre les étages. Conformément à l'invention la commande de fréquence peut être exécutée par polarisation des étages amplificateurs, et aucun élément de retardement n'est nécessaire, ce qui permet d'avoir une vitesse plus élevée. 2. L'amplitude du signal est deux fois plus élevée. 3. Des tampons de couplage entre étages, utilisés dans des oscillateurs en anneau traditionnels, ne sont pas nécessaires et la vitesse totale de l'oscillateur en anneau est la plus élevée possible. 4. Etant donné que les amplificateurs sont des amplificateurs à résonance, des fréquences non intéressantes (c'est-à-dire des fréquences situées à l'extérieur de la bande de résonance) sont très difficilement amplifiées. Ceci "égalise" également le signal de sortie près de la sinusoïde de résonance du circuit. 5. Des résistances ohmiques dans les branches de collecteur et d'émetteur sont nettement beaucoup plus faibles et font partie de la résistance volumique des composants inductifs et des composants amplificateurs. De ce fait, la tension continue est nettement inférieure à celle que l'on trouve dans n'importe quel oscillateur en anneau RC traditionnel, et par conséquent la tension de la source d'alimentation peut être réduite d'une manière très importante, par exemple à 1,2 V. Grâce à l'utilisation des amplificateurs à résonance, l'amplification est élevée à la fréquence de résonance. 6. Grâce aux composants inductifs en série, la performance des sources de courant (habituellement des miroirs de courant) n'est plus aussi importante pour le taux de réfection en mode commun (CMRR) et par conséquent pour la réjection en mode commun. De ce fait, la tension aux bornes de ces composants ainsi que la tension de fonctionnement de l'oscillateur en anneau peuvent être réduites. 7. L'utilisation de composants inductifs avec des facteurs Q faibles permet une large gamme de commande de fréquences, contrairement à l'utilisation de composants inductifs possédant des facteurs Q élevés. 8. Les composants inductifs des branches des collecteurs peuvent être réalisés sous la forme d'une bobine pourvue d'une prise. Des mélangeurs actifs traditionnels peuvent être remplacés par des mélangeurs passifs par prélèvement de signaux sur les composants inductifs du collecteur au moyen de transformateur. Des diodes de mélangeurs actifs, à savoir des diodes Schottky ou non, possèdent habituellement une fréquence de fonctionnement supérieure à la fréquence maximale fMAX du processus de fabrication, définie par exemple pour des transistors NPN. L'amplitude de sortie est inférieure à l'amplitude de l'anneau, mais la fréquence est supérieure à f,-AX En théorie, lorsqu'on utilise trois étages amplificateurs différentiels, on peut atteindre une fréquence qui est égale au triple de la fréquence fAx du processus de fabrication. De façon plus précise, l'oscillateur en anneau du type indiqué plus haut peut être réalisé selon différentes variantes indiquées ci-après. Selon une variante de réalisation, les premier, second et troisième composants inductifs sont des bobines. Selon une variante de réalisation, les premier, second et troisième composants inductifs sont des bobines sur puce. Selon une variante de réalisation, les premier et second composants inductifs de chaque paire différentielle sont formés d'une bobine pourvue d'une prise. Selon une variante de réalisation, ladite bobine comprend une première borne de connexion connectée à la première électrode principale du premier composant principal, une seconde borne de connexion connectée à la première électrode principale du second composant amplificateur et une prise connectée de façon opérationnelle audit premier potentiel de fonctionnement, et que la partie de la bobine située entre la première borne de connexion et la prise forme ledit premier composant inductif et que la partie de la bobine située entre la seconde borne de connexion et la prise forme le second composant inductif. Selon une variante de réalisation, chaque paire différentielle comprend une quatrième inductance créant une connexion de transformateur avec lesdites première et second inductances, tandis qu'une connexion de transformateur agit en tant que mélangeur passif servant à mélanger entre eux les signaux de sortie de la parie différentielle de sorte qu'un signal de sortie de mélange est disponible entre les bornes d'extrémité de la quatrième inductance. Selon une variante de réalisation, les première, seconde et troisième inductances sont des enroulements du transformateur. Selon une variante de réalisation, les premier et second composants amplificateurs sont des transistors NPN bipolaires, dans lesquels la première électrode principale est un collecteur, la seconde électrode principale est un émetteur et l'électrode de commande est une base, et que les électrodes de commande des composants amplificateurs constituent des entrées d'un étage à retard. Selon une variante de réalisation, le montage en cascade comprend au moins trois étages à retard, dont le premier est connecté par réaction au premier étage à retard et que la première électrode principale respectivement du premier composant amplificateur et du second composant amplificateur de chaque paire différentielle est connectée à l'électrode de commande respectivement du premier composant amplificateur et du second composant amplificateur de la paire différentielle suivante. Selon une variante de réalisation, le montage en cascade comprend au moins trois étages à retard, que la première électrode principale respectivement du premier composant amplificateur et du second composant amplificateur de la dernière paire différentielle est connectée à l'électrode de commande respectivement du second composant amplificateur et du premier composant amplificateur de la première paire différentielle, et que la première électrode principale respectivement du premier composant amplificateur et du second composant amplificateur de chaque autre paire différentielle est connectée à l'électrode de commande respectivement du premier composant amplificateur et du second composant amplificateur de la paire différentielle suivante. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1, dont il a déjà été fait mention, représente, dans son principe, la structure d'un oscillateur en anneau; - la figure 2, dont il a déjà été fait mention, représente un schéma du circuit d'un élément de retardement conforme à l'art antérieur; - la figure 3 représente le schéma d'un circuit d'un oscillateur en anneau à 3 étages selon l'invention; - la figure 4 représente le schéma d'un circuit d'un autre oscillateur en anneau à 3 étages selon l'invention; et - la figure 5 représente le schéma d'un circuit d'un oscillateur en anneau à 4 étages selon l'invention. La présente invention et applicable pour réduire la tension de fonctionnement et accroître la vitesse dans la plupart des types d'oscillateurs en anneau. Bien que dans les oscillateurs en anneau conformes à l'art antérieur représentés sur la figure 2 et dans les oscillateurs en anneau conformes à l'invention et représentés sur les figures 3 et 4, on utilise des transistors bipolaires comme moyens amplificateurs, on peut en principe utiliser n'importe quel type de composant amplificateur non linéaire, tel que des transistors MOS, CMOS, SOI, HEMT et HBT, des tubes à micro-ondes et des tubes à vide, dans les agencements de circuit selon l'invention. Les noms des électrodes peuvent varier dans ces composants. Les électrodes principales d'un transistor bipolaire sont un collecteur et un émetteur et l'électrode de commande constitue une base. Dans des transistors FET, les il électrodes correspondantes sont un drain, une source et une grille. Dans des tubes à vide, ces électrodes sont désignées habituellement sous le terme d'anode, cathode et grille. Les termes émetteur, collecteur et base doivent par conséquent être compris à cet égard comme étant des concepts plus généraux englobant également les électrodes d'autres types de composants amplificateurs. La figure 3 représente un oscillateur en anneau selon l'invention, qui comporte trois étages amplificateurs différentiels 31, 32 et 33. Le premier étage amplificateur différentiel 31 comporte une paire différentielle de transistors Q1 et Q2. Le collecteur du transistor Q1 est connecté par l'intermédiaire d'une bobine L1 à une tension de fonctionnement Vcc de 1,2 V, délivrée par une source de tension 1. De façon correspondante, le collecteur du transistor Q2 est connecté par l'intermédiaire d'une bobine L2 à Vcc. Les émetteurs du transistor Q1 et Q2 sont connectés entre eux et, par l'intermédiaire d'une connexion en série d'une bobine L3 et d'un transistor MOS M1, à un potentiel OV. Les collecteurs des transistors Q3 et Q4 de l'étage amplificateur différentiel 32 sont connectés respectivement par l'intermédiaire de bobines L4 et L5 à la tension de fonctionnement Vcc. Les émetteurs du transistor Q3 et Q4 sont connectés entre eux et, par l'intermédiaire d'une connexion en série d'une bobine L6 et d'un transistor MOS L2, au potentiel OV. Les collecteurs des transistors Q5 et Q6 sont connectés respectivement par l'intermédiaire de bobines L7 et L8 à la tension de fonctionnement Vcc. Les émetteurs des transistors Q5 et Q6 sont connectés entre eux et, par l'intermédiaire d'une bobine L9 et d'un transistor MOS M3, au potentiel 0V. Les étages amplificateurs 31, 32 et 33 sont branchés en cascade de manière à former un anneau, comme indiqué ci-après. L'électrode de base du transistor Q1 est connectée au collecteur du transistor Q5. L'électrode de base du transistor Q2 est connectée au collecteur du transistor Q6. La base du transistor Q3 est connectée au collecteur du transistor Q1. La base du transistor Q4 est connectée au collecteur du transistor Q2. La base du transistor Q5 est connectée au collecteur du transistor Q4. La base du transistor Q6 est connectée au collecteur du transistor Q4. Les transistors MOS M1, M2 et M3 forment conjointement avec un quatrième transistor MOS M4 un miroir de courant commandé par Icod. Comme indiqué précédemment, les résistances de collecteur des paires différentielles ont été remplacées par les bobines L1, L2, L4, L5, L7 et L8 dans l'oscillateur en anneau selon l'invention. De façon correspondante, les résistances d'émetteur des oscillateurs traditionnels ont été remplacées par les bobines L3, L6 et L9. L'utilisation de bobines réduit la tension de fonctionnement Vcc, étant donné qu'absolument aucune chute de tension continue n'est produite dans la pratique aux bornes de ces bobines. Par conséquent les potentiels apparaissant sur les collecteurs des transistors Q1 à Q6 sont pratiquement égaux à Vcc. Les potentiels d'émetteur des transistors Q1 à Q6 sont constitués par les chutes de tension apparaissant aux bornes de 0V + transistors MOS M1 à M3. Ceci conduit au fait que la tension de fonctionnement Vcc peut être même réduite à 1,2 V, tandis que la tension de fonctionnement d'oscillateurs traditionnels est égale à environ 2 V. Sinon, on peut obtenir une amplitude deux fois plus élevée que celle des oscillateurs traditionnels avec la ême^ tension de fonctionnement. Etant donné que les étages amplificateurs 31, 32 et 33 sont en réalité des amplificateurs à résonance, ils n'amplifient pas de façon substantielle des fréquences à l'extérieur de la bande du signal, tel qu'un bruit. Les transistors M1, M2, M3 constituent un miroir de courant conjointement avec le transistor MOS M4 connecté entre les électrodes de grille des transistors Ml, M2 et M3 et le potentiel 0 V. En outre, les bases des transistors M1 à M4 sont connectées entre elles et à la tension de commande de fréquence I....' Cette tension de commande modifie le courant circulant dans les transistors Ml, M2 et M3 et par conséquent également un circuit circulant dans des transistors Q1 à Q6. Les courants circulant dans les transistors Q1 à Q6 sont sélectionnés de manière à être les courants requis pour la fréquence maximale fT du processus de fabrication utilisé. Le processus de fabrication peut être par exemple le processus BiCMOS. Pour cette valeur de courant Ic ou à proximité de cette valeur, la fréquence transitoire fT, est presque constante, ce qui est dû au maximum, de façon typique pair, de la fonction f,(Ic). Si le courant traversant l'un quelconque des transistors Q1 à Q6 varie, il affecte habituellement des processus électromagnétiques dans les bobines Ll à L8 et modifie ainsi la vitesse de l'ensemble de l'oscillateur en anneau. Dans la forme de réalisation de la figure 3, les signaux de sortie des collecteurs des transistors Q1 à Q6 peuvent être envoyés directement à des mélangeurs traditionnels, par exemple. La figure 4 représente un autre oscillateur en anneau à 3 étages conforme à l'invention. Les étages amplificateurs sont indiqués par les chiffres de référence 41, 42 et 43. Pour le reste, la connexion de la figure 4 est essentiellement similaire à la connexion de la figure 3. La seule différence réside dans le fait que les bobines L1 et L2 sur la figure 4 sont réalisées au moyen d'une bobine pourvue d'une prise. Une électrode d'extrémité de la bobine Li est connectée au collecteur de Q1 et l'autre électrode d'extrémité est connectée au collecteur de Q2. La prise est connectée à la tension de fonctionnement Vcc. De façon correspondante, les bobines L4, L5 ainsi que les bobines L7 et L8 sont constituées de bobines pourvues d'une prise. En outre, l'étage d'amplificateur 41 est pourvu d'une bobine L10, qui est couplée, par un transformateur, de manière à recevoir un signal de la part des bobines Li et L2 et à additionner ces signaux pour produire des signaux de sortie sur leurs propres bornes. Par conséquent L1, L2 et LlO sont de préférence des enroulements du même transformateur. Par conséquent, Ll, L2 et LlO agissent en tant que mélangeurs passifs. De la même manière, l'étage amplificateur 42 comporte une bobine L11, qui est couplée, par transformateur, aux bobines L4 et L5. En outre, l'étage d'amplificateur 43 comporte une bobine L12, qui est couplée, par transformateur aux bobines L7 et L8. La figure 5 représente un oscillateur en anneau à 4 étages conforme à l'invention. Les étages amplificateurs 51, 52 et 53 sont exactement similaires aux étages amplificateurs 41, 42 et 43 de la figure 4. L'étage amplificateur 54 comporte une paire différentielle de transistors Q7 et Q8, la paire comprenant les inductances de collecteurs L13 et L14 étant réalisée par une bobine pourvue d'une prise. Une bobine L16 est couplée, par transformateur, aux bobines L13 et L14 pour réaliser un mélange passif. Les émetteurs des transistors Q7 et Q8 sont connectés entre eux et, par l'intermédiaire d'une connexion en série d'une bobine L15 et d'un transistor MOS M5, au potentiel 0 V. Sur la figure 5, le branchement en cascade des étages amplificateurs 51 à 54 est légèrement différent de sorte que des signaux de sortie en quadrature peuvent être produits. Pour être plus précis, le dernier étage amplificateur 54 est connecté au premier étage amplificateur 51 d'une manière inversée par rapport à la connexion entre les autres étages. De façon plus précise, le connecteur du transistor Q7 est connecté à la base du transistor Q2 et le collecteur du transistor Q8 est connecté à la base du transistor Q1. L'oscillateur en anneau selon l'invention a été analysé au moyen de la technologie BiCMOS à 0,8 Mm, dans laquelle des transistors NPN bipolaires possèdent la fréquence transitoire maximale FTMx = 14 GHz. Le courant circulant dans les transistors est sélectionné de telle sorte qu'il fournit cette fréquence transitoire F., le courant étant d'environ 800 MA lorsqu'on utilise cette technologie. Les transistors MOS, M1, M2, M3, M4 et M5 utilisés pour les miroirs de courant possèdent une valeur W = 1,2 pm et une valeur W/L = 100. La forme du signal se situe entre une forme rectangulaire et une forme sinusoïdale et est très semblable à la forme typique des oscillateurs en anneau connus. Le spectre du signal possède des harmoniques élevés très importants, que l'on peut utiliser dans le cas des figures 3 et 4 pour fournir une fréquence de sortie 3*fNEA ou même 4*fA en utilisant des circuits passifs pour le mélange, comme décrit précédemment. La gamme de commande obtenue est d'environ 100 MHz/mA. L'oscillateur selon l'invention peut fournir par exemple 3*9 GHz et 4*9 GHz pour une amplitude de 800 mV, en consommation respectivement uniquement 5,4 mW et 6,2 mW, à partir de la tension de fonctionnement à 1,2 V. Le circuit oscillateur selon l'invention convient notamment pour des boucles à verrouillage de phase (PLL) modernes dans des applications aux communications et aux microprocesseurs. Les dessins et la description associée sont donnés uniquement à titre d'illustration de l'invention, toute modification de détails restant dans le cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Oscillateur en anneau comprenant un montage en cascade de deux ou plusieurs étages à retard (31 à 33; 31 à 43; 51 à 53) dont chacun comprend une paire différentielle formée d'un premier composant amplificateur (Q1, Q3, Q5, Q7) et d'un second composant amplificateur (Q2, Q4, Q6, Q8), caractérisé en ce que chaque paire différentielle comprend un premier composant inductif (L1, L6, L7, L13), à l'aide duquel une première électrode principale du premier composant amplificateur (Q1, Q3, Q5, Q7) est connectée à un premier potentiel de tension de fonctionnement, un second composant inductif (L2, L5, L8, L14), au moyen duquel une première électrode principale du second composant amplificateur est connectée au premier potentiel de tension de fonctionnement, et une connexion en série d'un troisième composant inductif (L3, L4, L9, L15) et une source de courant située entre des secondes électrodes principales interconnectées des premier et second composants amplificateurs et un second potentiel de tension de fonctionnement. 2. Oscillateur en anneau selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premier, second et troisième composants inductifs sont des bobines. 3. Oscillateur en anneau selon la revendication 2, caractérisé en ce que les premier, second et troisième composants inductifs sont des bobines sur puce. 4. Oscillateur en anneau selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les premier et second composants inductifs de chaque paire différentielle sont formés d'une bobine pourvue d'une prise. 5. Oscillateur en anneau selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite bobine comprend une première borne de connexion connectée à la première électrode principale du premier composant principal (Q1, Q3, Q5, Q7), une seconde borne de connexion connectée à la première électrode principale du second composant amplificateur (Q2, Q4, Q6, Q8) et une prise connectée de façon opérationnelle audit premier potentiel de fonctionnement, et que la partie de la bobine située entre la première borne de connexion et la prise forme ledit premier composant inductif et que la partie de la bobine située entre la seconde borne de connexion et la prise forme le second composant inductif. 6. Oscillateur en anneau selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que chaque paire différentielle comprend une quatrième inductance (L10, Lll, L12, L16) créant une connexion de transformateur avec lesdites première et second inductances, tandis qu'une connexion de transformateur agit en tant que mélangeur passif servant à mélanger entre eux les signaux de sortie de la parie différentielle de sorte qu'un signal de sortie de mélange est disponible entre les bornes d'extrémité de la quatrième inductance. 7. Oscillateur en anneau selon la revendication 6, caractérisé en ce que les première, seconde et troisième inductances sont des enroulements du transformateur. 8. Oscillateur en anneau selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les premier et second composants amplificateurs sont des transistors NPN bipolaires, dans lesquels la première électrode principale est un collecteur, la seconde électrode principale est un émetteur et l'électrode de commande est une base, et que les électrodes de commande des composants amplificateurs constituent des entrées d'un étage à retard. 9. Oscillateur en anneau selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le montage en cascade comprend au moins trois étages à retard, dont le premier est connecté par réaction au premier étage à retard et que la première électrode principale respectivement du premier composant amplificateur (Q1, Q3, Q5, Q7) et du second composant amplificateur de chaque paire différentielle est connectée à l'électrode de commande respectivement du premier composant amplificateur et du second composant amplificateur de la paire différentielle suivante. 10. Oscillateur en anneau selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le montage en cascade comprend au moins trois étages à retard, que la première électrode principale respectivement du premier composant amplificateur (Q7) et du second composant amplificateur (Q8) de la dernière paire différentielle (54) est connectée à l'électrode de commande respectivement du second composant amplificateur (Q2) et du premier composant amplificateur (Q1) de la première paire différentielle (51), et que la première électrode principale respectivement du premier composant amplificateur et du second composant amplificateur de chaque autre paire différentielle est connectée à l'électrode de commande respectivement du premier composant amplificateur et du second composant amplificateur de la paire différentielle suivante.