FR 2748158 A1 19971031 FR 9704822 A 19970418 DETECTEUR RAPIDE DE RAYONNEMENT Pour détecter un rayonnement électromagnétique dans le visible, l'infrarouge et l'ultraviolet, on peut utiliser des détecteurs à conversion directe qui peuvent fonctionner comme photoconducteur, photodiode ou selon le principe photovoltaique. Pour l'analyse quantitative de rayonnement X et gamma, on utilise pour des énergies quantiques moyennes comprises entre 10 et 150 keV, des tubes d'ionisation traditionnellement remplis de gaz ou des scintillateurs à solide en conjonction avec des tubes photo- multiplicateurs ou des photodiodes semi-conductrices. Tandis que dans le premier cas, l'effet ionisant d'un rayonnement X est utilisé directement pour détecter les charges électriques ainsi produites, les propriétés lumineuses de substances luminescentes solides servent dans le second cas à transformer le rayonnement X dans un premier temps en un rayonnement de faible énergie et en particulier visible. Celui-ci peut ensuite être détecté par l'intermédiaire d'un film photosensible ou d'un détecteur de rayonnement visible. Du fait de leur construction simple et peu encombrante et simultanément de leur grande résolution spatiale et de leur grande sensibilité de détection, on utilise également de plus en plus des détecteurs à conversion directe pour détecter des rayonnements X et gamma. Ces détecteurs sont constitués de matériaux semi- conducteurs lourds et bien absorbants, comme par exemple le CdTe, le HgI2, le PbI2 et quelques autres semi- conducteurs composés. Dans ces détecteurs, l'énergie des rayons X est convertie directement en un courant de signal électrique par photoexcitation interne. Un détecteur à conversion directe est réalisé, dans sa construction la plus simple, sous la forme d'un photoconducteur constitué d'un semi-conducteur à haute impédance continue avec une faible conductibilité intrinsèque. Le courant d'obscurité entre les deux électrodes appliquées sur des côtés opposés du corps semi-conducteur peut être réduit d'une part par une bande interdite plus large du semi-conducteur et d'autre part en choisissant pour les électrodes des matériaux qui établissent une barrière de Schottky suffisamment élevée par rapport au semi-conducteur. Le courant d'obscurité peut être encore réduit par une structure de diode p-i-n ou par un dopage de type p ou n du semi-conducteur au-dessous des contacts. Un autre critère intervenant dans la construction d'un détecteur de rayons X à conversion directe est l'épaisseur de la couche semi- conductrice active absorbante. Une absorption complète de rayonnement X nécessite une couche semi-conductrice d'une épaisseur suffisante, de par exemple 1 à 2 mm pour du tellurure de cadmium. Un détecteur pourvu d'une couche semi- conductrice de cette épaisseur présente toutefois des inconvénients électroniques car un certain nombre des porteurs de charge générés par le rayonnement se perdent avant d'atteindre les électrodes, par recombinaison et surtout par piégeage (trapping). Cela réduit le courant de signal mesurable. D'autre part, un nombre relativement important de porteurs de charge peuvent de ce fait demeurer dans le semi- conducteur, par exemple les trous plus immobiles qui établissent dans le semi- conducteur une charge d'espace positive. Cela entraîne au moins une déformation voire un blindage total du champ électrique appliqué extérieurement et par voie de conséquence une réduction correspondante du courant de signal mesuré. Les charges capturées dans le semi- conducteur, notamment dans des pièges profonds sur le plan énergétique, ne sont délivrées (detrapping) que lentement si bien que le signal de mesure ne décroît que lentement même en cas de suppression du rayonnement incident. Le temps de réponse du détecteur à des variations d'intensité du rayonnement incident est ainsi prolongé de manière inadmissible pour certaines applications. Lorsque le détecteur est utilisé avec un rayonnement pulsé, la fréquence de pulsation maximale possible est réduite. Du fait de cet inconvénient, ce type de détecteurs de rayonnement à conversion directe a pu jusqu'ici être utilisé soit uniquement avec des flux de rayons X ou gamma relativement faibles en tant que compteur quantique soit dans des applications permettant des phénomènes de trapping et de detrapping lourds donc lents. En mode de comptage, on peut analyser des quanta allant jusqu'à plusieurs 105 quanta/seconde. Pour le CdTe, le courant photoélectrique moyen et le courant de charge ensuite sont avec quelque 0,1 nA/mm2 toujours nettement inférieurs au courant d'obscurité d'environ 1 à 10 nA/mm2. En cas d'utilisation comme compteur quantique, le matériau semi-conducteur peut, en liaison avec la plus grande capacité de charge des contacts par exemple en or (environ 100 nA/mm2), supprimer cette faible charge résiduelle non évacuée. Pour certaines applications, il est toutefois nécessaire que le détecteur réagisse de manière linéaire, en présence de flux de données importants, à des flux quantiques plus élevés d'un facteur pouvant aller jusqu'à 104. On obtient une charge de jusqu'à 1 A/mm2 qui se trouve deux décades au-dessus du courant d'obscurité et ne peut plus être compensée en un temps suffisant. L'invention a par conséquent pour objectif d'indiquer un détecteur à conversion directe en particulier de rayonnement de grande énergie qui, même avec une couche semi-conductrice active d'une grande épaisseur se trouvant dans la zone du parcours libre moyen des porteurs de charge, présente une meilleure vitesse de réponse pour une grande précision de mesure. Selon l'invention, cet objectif est atteint par un détecteur de rayonnement, comprenant: - un corps semi-conducteur, - une première électrode et une seconde électrode disposées sur une première et une deuxième surfaces principales opposées du corps semi-conducteur pour appliquer une tension de service, - un dispositif de mesure destiné à déterminer le courant de signal généré par le rayonnement entre la première et la seconde électrodes, - une électrode d'injection supplémentaire sur la première surface principale pour appliquer une tension d'injection entre l'électrode d'injection et la seconde électrode et pour produire un courant d'obscurité indépendant du rayonnement, - la première électrode et l'électrode d'injection étant réalisées sous forme de structure interdigitale, et - la tension de service étant supérieure à la tension d'injection et les tensions aux électrodes pouvant être réglées indépendamment les unes des autres selon l'application du détecteur. Dans une réalisation préférée, les matériaux des électrodes sont différents et sont choisis de telle manière que l'électrode d'injection forme par rapport au corps semi-conducteur une barrière de Schottky plus faible pour les porteurs de charge à injecter que la première électrode. Dans une réalisation préférée, le corps semi- conducteur possède une structure p-n ou p-i-n. Dans une réalisation préférée, il est prévu sous l'électrode d'injection une zone limitée présentant un dopage d'un premier type de conductivité qui est l'inverse du dopage sous la première électrode. Dans une réalisation préférée, le rapport des surfaces de la première électrode et de l'électrode d'injection est nettement supérieur à 1. Dans une réalisation préférée, la première électrode est divisée en au moins deux électrodes partielles séparées électriquement, le courant de signal à chaque électrode partielle pouvant être déterminé indépendamment. Dans une réalisation préférée, le corps semi- conducteur comprend du tellurure de cadmium. L'invention prévoit également un procédé pour la mise en oeuvre d'un détecteur, - dans lequel on règle une tension de service entre la première électrode et la seconde électrode, - dans lequel on règle une tension d'injection inférieure à la tension de service entre l'électrode d'injection et la seconde électrode, - dans lequel on soumet le détecteur à un rayonnement pulsé, - dans lequel on détermine un courant de signal généré par le rayonnement entre la première et la seconde électrodes, dans lequel pour une tension de service donnée, on règle la tension d'injection de telle manière que le signal réagisse suffisamment rapidement à la modulation du rayonnement, et - dans lequel on associe le niveau du courant de signal à l'intensité du rayonnement. Dans une mise en oeuvre du procédé suivant l'invention, pour compenser des charges d'une polarité piégées dans le corps semi- conducteur, on applique à l'électrode d'injection un potentiel inverse des charges. Dans une mise en oeuvre du procédé suivant l'invention, la tension d'injection réglée est inférieure d'environ 10% à la tension de service. L'invention prévoit une utilisation pour la détection rapide de rayonnement X et une utilisation pour effectuer des diagnostics médicaux aux rayons X. Dans une mise en oeuvre du procédé suivant l'invention, la tension d'injection réglée est inférieure d'environ 10% à la tension de service. L'idée de base de l'invention consiste à compenser les charges résiduelles piégées dans des lacunes du semi-conducteur par une injection supplémentaire de porteurs de charge opposée. Ceci est réalisé dans le détecteur par une électrode d'injection appliquée en plus sur une surface principale du corps semi- conducteur. Le potentiel de cette électrode d'injection est réglé en fonction de la polarité des électrodes de mesure proprement dites, la tension d'injection appliquée entre l'électrode d'injection et la seconde (contre)-électrode étant cependant inférieure à la tension de service du détecteur appliquée entre la première et la seconde électrodes. La première électrode et l'électrode d'injection, qui sont toutes deux placées sur la même surface principale du corps semi-conducteur, présentent une structure interdigitale. Cela signifie que les deux électrodes sont structurées, les éléments structuraux des deux électrodes s'engageant les uns dans les autres si bien que l'on obtient une disposition alternée des deux électrodes sur la surface. Cela présente l'avantage que l'injection de porteurs de charge visant à compenser des pièges chargés s'effectue régulièrement sur la surface. Le courant d'obscurité secondaire ainsi produit peut ainsi également passer dans une grande partie du volume total du semi-conducteur et compenser les charges (résiduelles) qui y sont confinées. Plus l'électrode d'injection a une structure fine ou plus la structure interdigitale de l'électrode d'injection et de la première électrode est fine et plus le volume traversé par le courant d'injection et donc la compensation de charges résiduelles qui piègent sont grands. La compensation ne dépend ainsi pas non plus de la proportion de surface occupée par l'électrode d'injection par rapport à celle de la première électrode. Ce rapport des surfaces peut par conséquent être nettement inférieur à 1 et être par exemple compris entre 0,1 et 0,5. La grande proportion de la surface occupée par la première électrode garantit que le courant de signal n'est réduit que de manière insignifiante. On choisit de préférence pour l'électrode d'injection un métal qui forme par rapport au semi-conducteur une barrière de Schottky plus faible pour les porteurs de charge à injecter que le métal de l'électrode de signal ou de la première électrode. Le passage des porteurs de charge à injecter de l'électrode d'injection dans le corps semi-conducteur est ainsi facilité et il produit un courant d'obscurité secondaire compensant les charges résiduelles entre l'électrode d'injection et la seconde électrode, lequel courant d'obscurité n'influence cependant pas le courant de signal. Puisque le détecteur selon l'invention compense les inconvénients qui s'accumulent plus le corps semi- conducteur est épais et plus les électrodes sont écartées, il peut être plat et avoir une épaisseur qui correspond à la longueur d'absorption nécessaire pour absorber le rayonnement incident. Pour obtenir avec le détecteur simultanément une information spatiale sur le rayonnement incident, la première électrode est divisée en au moins deux, mais de préférence en plusieurs électrodes partielles séparées électriquement les unes des autres, le courant de signal à chaque électrode partielle pouvant être déterminé indépendamment des autres électrodes partielles. Puisqu'un courant de signal ne peut être mesuré que sur les électrodes partielles au voisinage desquelles un quantum de rayonnement a été absorbé dans le corps semi- conducteur, le rayonnement incident peut être déterminé avec une résolution spatiale. Dans un mode de mise en oeuvre préféré de l'invention, le corps semi-conducteur comprend un matériau semi-conducteur composé présentant une grande section de capture pour un rayonnement de grande énergie, c'est-à-dire un matériau de grand numéro atomique. L'arséniure de gallium et en particulier le tellurure de cadmium sont par conséquent des matériaux préférés. Pour le dernier matériau semi-conducteur mentionné, il existe une combinaison d'électrode préférée à base d'indium et d'or ou de platine. L'indium forme d'une part par rapport au tellurure de cadmium une faible barrière de Schottky pour des électrons et il produit d'autre part un dopage de type n par diffusion dans le tellurure de cadmium. L'or et le platine forment en revanche sur le tellurure de cadmium une barrière de Schottky plus grande pour les électrons que l'indium. Dans un corps semiconducteur en tellurure de cadmium de conduction p. l'électrode d'injection et la seconde électrode peuvent alors être en indium et la première électrode en or ou en platine. On obtient sous la seconde électrode un dopage de type n et on produit ainsi la jonction p- n. Sous l'électrode d'injection en indium, le dopage de type p du corps semi-conducteur est compensé par une diffusion d'indium. Pour faire fonctionner le détecteur selon l'invention, on applique à la première et à la seconde électrodes une tension de service dans la direction de blocage qui est habituellement comprise entre 10 et 100 volts. On choisit de préférence un matériau semi- conducteur de haute qualité et donc pauvre en impuretés et de haute impédance. Le tellurure de cadmium intrinsèque possède par exemple une résistance spécifique de 109 Q. cm si bien que pour une épaisseur du semi-conducteur d'environ 1 à 2 mm, une tension de 50 volts est appropriée pour obtenir un courant de signal bien mesurable. Le potentiel à appliquer à l'électrode d'injection produit une tension d'injection qui est également appliquée dans la direction de blocage et qui est inférieure à la tension de service. Le rapport précis entre la tension d'injection et la tension de service permet d'optimiser le comportement de réaction du détecteur selon l'invention. Une tension d'injection plus élevée produit un courant d'obscurité secondaire plus élevé, une compensation plus rapide de charges résiduelles qui restent dans le corps semi-conducteur après l'absorption de rayonnement et donc une décroissance plus rapide du signal de mesure. La hauteur maximale du signal mesurable est simultanément réduite. L'optimisation constitue alors un compromis entre une décroissance plus rapide du courant de signal et une fréquence de mesure plus élevée qu'elle permet d'une part et entre un grand signal de mesure et donc une grande sensibilité du détecteur d'autre part. Il convient ci-après d'expliquer plus en détail l'invention à l'aide d'un exemple de mise en oeuvre et des six figures annexées, parmi lesquelles: la figure 1 est une vue schématique en coupe transversale d'un détecteur selon l'invention, la figure 2 est une vue montrant des possibilités d'agencement d'une structure d'électrodes interdigitale, les figures 3 et 4 sont des vues schématiques d'une distribution de potentiel dans un premier détecteur, et les figures et 6 sont des vues schématiques d'une distribution de potentiel dans un second détecteur. Il convient ci-après, comme mode de mise en oeuvre avantageux de l'invention, de décrire un détecteur comportant un corps semi- conducteur en tellurure de cadmium. Figure 1: Le corps 1 semi-conducteur par exemple en forme de plaquette est en p--CdTe et a une épaisseur d de par exemple 1,5 mm. Une première électrode 2 étroite, par exemple plate, et une électrode 3 d'injection plus étroite que l'électrode 2 et par exemple également plate sont appliquées sur la première surface du corps! semi- conducteur. La figure 1 montre de la première électrode 2 uniquement une bande de part et d'autre de laquelle se trouvent deux bandes plus étroites de l'électrode d'injection. La première électrode 2 est formée d'une mince couche d'or d'une épaisseur de par exemple 1 gm tandis que l'électrode 3 d'injection est constituée d'une couche d'indium d'une épaisseur d'environ 1 gm. La seconde électrode 4, qui est formée par exemple d'une mince couche d'indium appliquée sur toute la surface, se trouve sur la seconde surface principale du corps 1 semi-conducteur située à l'opposé. Sous les électrodes 3 d'injection, on a une zone 6 dopée n et sous la seconde électrode 4, on a une zone 5 dopée n qui est obtenue par exemple par diffusion d'indium des électrodes dans le corps semi-conducteur. Une jonction p-n à barrière est ainsi formée respectivement entre la première électrode 2 et l'électrode 3 d'injection et entre la première électrode et la seconde électrode 4. L'électrode 3 d'injection comme la première électrode 2 sont de plus montées en cathode par rapport à la seconde électrode 4. Dans l'exemple de mise en oeuvre, la seconde électrode 4 est par conséquent placée au potentiel de la terre, tandis que la borne 7 électrique de l'électrode d'injection est portée à -45 Volt et la borne 8 électrique de la première électrode est portée à une tension de respectivement -50 Volt. La tension d'injection appliquée à l'électrode 3 d'injection par rapport au potentiel de la terre est ainsi inférieure de 10% à la tension de service appliquée à la première électrode 2 par rapport au potentiel de la terre. Un appareil 9 de mesure monté en parallèle et connecté aux électrodes 2 et 4 est représenté schématiquement sur la figure. Dès que les électrodes se trouvent au potentiel indiqué, l'électrode 3 d'injection injecte dans le corps 1 semi-conducteur des électrons qui, en suivant les trajets 10 de courant indiqués, se dirigent vers la seconde électrode 4 se trouvant à un niveau plus positif. Ce courant d'obscurité (secondaire) injecté est indépendant d'un rayonnement extérieur incident et est favorisé par la faible barrière de Schottky entre l'électrode 3 d'injection et le corps 1 semi-conducteur. Les pièges chargés positivement qui se trouvent dans la région de ces trajets 10 de courant à l'intérieur du corps 1 semi-conducteur sont déchargés par ce courant d'obscurité injecté et sont ainsi neutralisés. La part de volume du corps 1 semi-conducteur, qui est traversée par ce courant d'obscurité injecté, est d'autant plus grande que les structures de l'électrode 3 d'injection et de la première électrode 2 sont fines et que l'écartement entre ces électrodes est petit. La figure 2 est une vue de dessus schématique de possibilités d'agencement interdigital d'électrodes sur la première surface principale. La figure 2a montre une réalisation simple dans laquelle aussi bien l'électrode 3 d'injection que la première électrode 2 sont des structures en peigne dont les dents s'engagent les unes dans les autres. Une autre possibilité de structuration des électrodes sur la première surface principale consiste à disposer en spirale et parallèlement entre elles l'électrode d'injection et la première électrode, comme cela est représenté à la figure 2b. Sur chaque surface de coupe verticalement par rapport au plan des électrodes représenté, on obtient une alternance des deux structures d'électrode 2 et 3, comme cela est représenté en partie à la figure 1. La figure 2c montre un autre agencement d'électrodes dans lequel les deux électrodes s'engagent de nouveau l'une dans l'autre comme des peignes. La principale différence par rapport aux réalisations selon les figures 2a et 2b réside dans le fait que la première électrode 2 est ici divisée en deux électrodes 2a et 2b partielles indépendantes et séparées l'une de l'autre électriquement qui peuvent mesurer des courants de signaux indépendants les uns des autres. En fonction de l'endroit o des paires de porteurs de charge sont produites par un rayonnement incident, on parvient ainsi à réaliser une détection du rayonnement incident avec une résolution spatiale. Selon la taille du corps 1 semi-conducteur et de la surface disponible, la première électrode 2 peut également comprendre un plus grand nombre d'électrodes partielles qui, alignées les unes à côté des autres ou réparties sur la surface, permettent une résolution spatiale à une ou deux dimension(s) d'un rayonnement incident. La figure 3 est une vue en trois dimensions d'une courbe de potentiel pour des porteurs de charge sur le plan de coupe représenté à la figure 1 à travers un détecteur. Les coordonnées spatiales du plan de section correspondent à l'axe des x et des y tandis que l'énergie E potentielle des électrons 13 dans la bande de conduction est représentée sur l'axe des z. Cette valeur correspond avec un signe inverse à l'énergie potentielle pour des trous 14 dans la bande de valence. Comme on le voit sur la figure, il existe entre la première électrode 2 et l'électrode 3 d'injection d'une part et la seconde électrode 4 d'autre part une chute de potentiel, et une deuxième chute de potentiel plus faible en revanche entre la première électrode 2 et l'électrode 3 d'injection. Le niveau exact des potentiels (d'énergie) sur les électrodes 2, 3 et 4 résulte uniquement du potentiel électrique appliqué tandis que le potentiel d'énergie E sur le corps 1 semi- conducteur ou sur la surface de coupe représentée du corps 1 semiconducteur est en plus renforcé par le dopage existant et le champ interne qui en résulte de la jonction pn. La barrière de potentiel relativement élevée au voisinage de la surface de coupe entre la première électrode 2 et le corps 1 semi-conducteur résulte de la barrière de Schottky (pour des électrons) que le matériau d'électrode utilisé (or ou platine) forme par rapport au corps 1 semi-conducteur (CdTe). Une barrière de potentiel nettement inférieure apparaît à la surface séparant l'électrode 3 d'injection et le corps 1 semi-conducteur. La figure 3 montre des paires de porteurs de charge 13/14 qui se sont formées dans le corps 1 semi- conducteur du fait d'un rayonnement de grande énergie se propageant suivant la flèche 12. En fonction de la chute de potentiel du type de porteur de charge considéré, ces paires de porteurs de charge se déplacent vers les électrodes ayant le potentiel d'énergie le plus faible pour elles, c'est-à-dire dans le cas présent vers la seconde électrode 4 et vers la première électrode 2. Des pièges 15, qui capturent et retiennent des porteurs de charge d'un type déterminé, sont en outre symbolisés sur la figure. Des états 15 chargés subsistent ainsi dans le corps 1 semi-conducteur même lorsqu'il n'existe plus de rayonnement 12. Le courant d'obscurité secondaire est représenté à la figure 4 par des flèches il et des symboles de charge 13. Il est produit, indépendamment du rayonnement 12 incident, par injection d'électrons 13 dans le corps 1 semi-conducteur par les électrodes 3 d'injection. Une partie des électrons injectés est capturée par les états chargés et peut compenser ceux-ci. Les autres électrons se propagent vers la seconde électrode 4. Puisque ce courant d'obscurité passe presque exclusivement entre l'électrode 3 d'injection et la seconde électrode 4, il ne conduit pas l'appareil 9 de mesure disposé entre la première électrode 2 et la seconde électrode 4 à produire un signal de mesure. Cet appareil de mesure réagit exclusivement au "courant photoélectrique" induit par rayonnement dont l'apparition, telle qu'elle vient d'être expliquée, est représentée à la figure 3. Dans un autre exemple de mise en oeuvre de l'invention, on suppose que les pièges (traps) dans le corps semi-conducteur peuvent être chargés négativement. Puisque ces pièges 16 peuvent être compensés uniquement par injection de porteurs de charge positifs (trous) 14, toutes les électrodes doivent dans ce cas avoir une polarité inverse de celle du premier exemple de mise en oeuvre. Avec une seconde électrode 4 placée par exemple de nouveau au potentiel zéro, la première électrode 2 et l'électrode 3 d'injection doivent dans ce cas être placées à un potentiel positif. La tension d'injection appliquée entre l'électrode 3 d'injection et la seconde électrode 4 est ici également inférieure de par exemple % à la tension de service qui est appliquée entre la première électrode 2 et la seconde électrode 4. L'électrode 3 d'injection est en un matériau qui forme par rapport au corps semi-conducteur une barrière de Schottky (pour des trous!) plus faible que la première électrode 2. La figure 5 représente la courbe de potentiel sur une surface de section transversale d'un détecteur de ce type. L'énergie potentielle pour des trous est représentée sur l'axe des z tandis que les coordonnées spatiales bidimensionnelles de la surface de coupe représentée sont portées sur l'axe des x et l'axe des y. Un détecteur de ce type peut également être réalisé avec un corps 1 semi-conducteur en tellurure de cadmium avec une structure de diode p-in. L'orientation ou direction de la jonction semi-conductrice est telle que le champ interne qui apparaît est renforcé par le potentiel extérieur appliqué. La zone dopée n se trouve par conséquent sous la seconde électrode 4. Les paires 13/14 de porteurs de charge injectées par le rayonnement 12 sont rassemblées comme dans le premier exemple de mise en oeuvre sur les électrodes 2, 4, les électrons 13 étant ici toutefois rassemblés sur la première électrode 2 et les trous 14 sur la seconde électrode 4. La figure 6 représente de nouveau uniquement le courant d'obscurité 11 secondaire. Dans cet exemple de mise en oeuvre, des porteurs de charge 14 positifs sont injectés par l'électrode 3 d'injection dans le corps 1 semi-conducteur pour compenser les pièges 16 chargés négativement. Ce courant d'obscurité 11 ne conduit pas non plus l'appareil 9 de mesure raccordé à la première et à la seconde électrodes à produire un signal de mesure. La structure interdigitale permet ici également au courant d'obscurité secondaire de traverser une grande partie du volume du corps semi-conducteur. Le détecteur de rayonnement selon l'invention présente un bon comportement de réponse à un rayonnement incident ainsi qu'une décroissance rapide du signal après la suppression du rayonnement. Cela permet une mesure rapide et une fréquence élevée de mesure pour un rayonnement pulsé. Puisque cette fréquence de mesure ne dépend plus de l'épaisseur croissante d'un corps semi- conducteur, ce dernier peut avoir une épaisseur correspondant à la longueur d'absorption. Cela garantit un grand signal de mesure et donc un détecteur sensible. Lorsque le détecteur est utilisé pour détecter un rayonnement X, une fréquence de mesure accrue est possible. Par rapport à des détecteurs n'effectuant pas de conversion directe, à base de substances luminescentes ou de tubes d'ionisation, le détecteur possède une construction beaucoup plus simple. Les caractéristiques de construction du détecteur de rayonnement selon l'invention permettent de plus une fabrication simple de lignes ou de réseaux de détecteurs permettant une résolution spatiale uni- ou bidimension- nelle du signal du rayonnement incident. REVENDICATIONS 1. Détecteur de rayonnement, comprenant - un corps (1) semi-conducteur, une première électrode (2) et une seconde électrode (4) disposées sur une première et une deuxième surfaces principales opposées du corps semi-conducteur pour appliquer une tension de service, - un dispositif (9) de mesure destiné à déterminer le courant de signal généré par le rayonnement entre la première et la seconde électrodes, - une électrode (3) d'injection supplémentaire sur la première surface principale pour appliquer une tension d'injection entre l'électrode d'injection et la seconde électrode et pour produire un courant d'obscurité (11) indépendant du rayonnement, - la première électrode et l'électrode d'injection étant réalisées sous forme de structure interdigitale, et - la tension de service étant supérieure à la tension d'injection et les tensions aux électrodes pouvant être réglées indépendamment les unes des autres selon l'application du détecteur. 2. Détecteur selon la revendication 1, dans lequel les matériaux des électrodes sont différents et sont choisis de telle manière que l'électrode (3) d'injection forme par rapport au corps (1) semi- conducteur une barrière de Schottky plus faible pour les porteurs de charge à injecter que la première électrode (2). 3. Détecteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le corps (1) semi-conducteur possède une structure p-n ou p-i-n. 4. Détecteur selon la revendication 3, dans lequel il est prévu sous l'électrode (3) d'injection une zone (6) limitée présentant un dopage d'un premier type de conductivité qui est l'inverse du dopage sous la première électrode (2). 5. Détecteur selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le rapport des surfaces de la première électrode (2) et de l'électrode (3) d'injection est nettement supérieur à 1. 6. Détecteur selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la première électrode (2) est divisée en au moins deux électrodes (2a, 2b) partielles séparées électriquement, le courant de signal à chaque électrode partielle pouvant être déterminé indépendamment. 7. Détecteur selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel le corps (1) semi-conducteur comprend du tellurure de cadmium. 8. Procédé pour la mise en oeuvre d'un détecteur selon la revendication 1, - dans lequel on règle une tension de service entre la première électrode (2) et la seconde électrode (4), - dans lequel on règle une tension d'injection inférieure à la tension de service entre l'électrode (3) d'injection et la seconde électrode (4), - dans lequel on soumet le détecteur à un rayonnement pulsé, - dans lequel on détermine un courant de signal généré par le rayonnement entre la première et la seconde électrodes, - dans lequel pour une tension de service donnée, on règle la tension d'injection de telle manière que le signal réagisse suffisamment rapidement à la modulation du rayonnement, et - dans lequel on associe le niveau du courant de signal à l'intensité du rayonnement. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel pour compenser des charges d'une polarité piégées dans le corps (1) semi-conducteur, on applique à l'électrode (3) d'injection un potentiel inverse des charges.L0 10. Procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel la tension d'injection réglée est inférieure d'environ 10% à la tension de service. 11. Utilisation du détecteur selon l'une des revendications 1 à 7 pour la détection rapide de rayonnement X. 12. Utilisation du détecteur selon l'une des revendications 1 à 7 pour effectuer des diagnostics médicaux aux rayons X.