FR 2751131 A1 19980116 FR 9708020 A 19970626 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE A MATRICE ACTIVE A CRISTAL LIQUIDE ET STRUCTURE DU DISPOSITIF D'AFFICHAGE FABRIQUE SELON CE PROCEDE La présente invention concerne un dispositif d'affichage à matrice active à cristal liquide (AMLCD) présentant un transistor en couche mince (TFT) en tant qu'élément de commutation, et concerne plus particulièrement le procédé de fabrica- tion du transistor en couche mince et la structure du transistor en couche mince fabriqué selon ce procédé. Dans un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active classique, tel que celui représenté sur la figure 1, la structure du dispositif comprend deux substrats (un premier et un second substrat) qui forment des pixels arrangés selon une matrice. Sur le premier substrat 3, chaque électrode de pixel est disposée aux intersections de lignes de bus de grille 17 et de lignes de bus de données 15. Les lignes de bus de grille 17 sont formées dans la direction horizontale et comprennent des électrodes de grille (non représentées), en saillie par rapport aux lignes. Par ailleurs, des lignes de bus de données (15) sont formées dans la direction verticale et comprennent des électrodes de données (non représentées) en saillie par rapport à ces lignes. Aux intersections entre les lignes de bus de grille et les lignes de bus de données sont disposés des transistors en couche mince 8, et assurent un contact électrique avec des électrodes de pixel 4. Sur le second substrat 2, des couches de filtres de couleur 38 et une électrode commune 37 sont formées. Les premier et second substrats sont disposés l'un face à l'autre, alignés, et sont assemblés. Le volume formé entre les substrats est rempli avec un matériau en cristal liquide 40 pour compléter le panneau d'affichage à matrice active à cristal liquide. Un film de polarisation 1 est formée sur la face externe des substrats, avant l'assemblage, et les références 11 et 11' sur la figure 1 représentent des substrats en verre transparent. La structure et le procédé de fabrication du premier substrat 3, qui est concerné par la présente invention, sont décrits en détail en référence aux figures 2 et 3. La figure 2 est une vue de dessus montrant la structure d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active classique, et la figure 3 est une vue en coupe transversale le long de la ligne 3-3 de la figure 2. Selon un procédé classique de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active, la structure du dispositif d'affichage est la suivante. On forme sur un substrat de verre transparent 11 des lignes de bus de grille 17 dans la direction horizontale, et des électrodes de grille 17a, en saillie par rapport à ces I I.1,0t11 141,k 7 1)(( - 25 juin 19)97- 1115 lignes. On peut anodiser l'électrode de grille pour améliorer les performances d'isolation et pour empêcher la formation de monticules sur la surface. Sur le substrat 11, y compris sur l'électrode de grille 17a, on forme une couche d'isolation de grille 23, en utilisant un matériau inorganique, tel que SiNx ou SiO2. On forme sur la portion de la couche d'isolation de grille 23 au dessus de l'électrode de grille 17a, une couche semi-conductrice 22, en utilisant du silicium amorphe (a-Si). Sur la couche semi-conductrice de silicium amorphe, on forme des couches de contact ohmique distinctes 25, en utilisant du silicium amorphe dopé n+. On forme sur toute la surface, y compris sur la couche de contact ohmique 25, une ligne de bus de données 15, dans la direction verticale, une électrode de source 15a reliée à la ligne de bus de données 15 et une électrode de drain 15b à une certaine distance par rapport à l'électrode de source 15a. En même temps, les électrodes de source 15a et de drain 15b sont en contact électrique avec la couche de contact ohmrnique corres- pondante. On forme ensuite une couche de protection 26, en utilisant un matériau inorganique tel que SiNx pour couvrir le substrat, y compris les électrodes de source et de drain l5a et 15b. Une électrode de pixel 4 est formée en utilisant un matériau conducteur transparent, tel que l'oxyde d'étain-indium (ITO), au dessus de la couche de protection, qui assure un contact électrique avec l'électrode de drain 15b à l'entrée d'un trou de contact 31 formé dans la couche de protection 26. Toutefois, du fait que le premier substrat du dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active conduit à des transistors en couche mince et des lignes de bus présentant des surfaces avec des épaulements ou des marches comme représenté sur la figure 4, l'électrode de pixel 4 est formée à une certaine distance de la ligne de bus de grille 17, de la ligne de bus de données 15 et du transistor en couche mince. Ceci résulte du fait qu'un matériau inorganique tel que SiNX ou SiO2 est utilisé pour la couche d'isolation de grille 23 ou pour la couche de protection 26. En outre, les lignes et transistors en couche mince présentant des épaulements provoquent des problèmes dans la fabrication des dispositifs d'affichage à matrice active à cristal liquide. En particulier, lorsque l'on forme un film d'ancrage sur une surface présentant des épaulements, l'ancrage initial du cristal liquide devient uniforme, ce qui réduit la qualité du dispositif d'affichage du fait de défauts de frottement sur les zones avec des épaulements du film d'ancrage. Afin de surmonter ces problèmes, on utilise un matériau organique présentant des bonnes caractéristiques améliorant la planarité pour la couche d'isolation de grille 23 ou la couche de protection 26. On limite alors la réduction de la performance du dispositif d'affichage à cristal liquide en éliminant les défauts de R \14600\14637 DO( -25 jin 1'97 -2/15 frottement et on peut obtenir une amélioration du taux d'ouverture du fait que les électrodes de pixel 4 peuvent recouvrir les lignes de bus. L'introduction d'un matériau organique dans une structure de transistor en couche mince entraîne toutefois d'autres problèmes. La caractéristique de l'état passant d'un transistor en couche mince devient instable, avec un décalage de la courbe dans la direction négative (figure 5) du fait des charges piégés à la surface de la couche semi-conductrice 22 en contact avec la couche organique. Afin d'éviter de tels problèmes, la surface de la couche semi- conductrice est traitée au plasma en utilisant de l'oxygène ou de l'azote gazeux, de sorte à former sur la surface des structures à liaison Si-O ou Si-N stables. De cette façon, les problèmes d'interface entre la couche semi-conductrice et la couche de protection organique, comme les charges piégées et les détachements peuvent être éliminés. De façon simi- laire, la surface d'une couche d'isolation de grille qui est en contact avec la couche semi-conductrice et réalisée en matériau organique peut être aussi traitée au plasma afin d'éviter les problèmes d'interface. Un objet de la présente invention est donc de fournir un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active avec un transistor en couche mince stable, en utilisant une couche de protection et/ou une couche d'isolation organique. Un autre objet de la présente invention est de fabriquer le premier substrat d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active, comprenant une étape de trai- tement au plasma de la couche semi-conductrice 22, en utilisant de l'oxygène ou de l'azote gazeux avant le dépôt de la couche de protection organique 26, qui présente une constante diélectrique inférieure à 3.0. Encore un autre objet de la présente invention est de fabriquer le premier substrat d'un dispositif d'affichage à cristal liquide en utilisant une étape de traite- ment au plasma de la couche d'isolation de grille organique 23 formée en BCB, en plus de l'étape de traitement au plasma de la couche semiconductrice, en utilisant de l'azote ou du fluor comme gaz de plasma. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide présentant un transistor en couche mince comprenant une électrode de grille 1 1 7a en saillie par rapport à une ligne de grille 117. une couche de protection 123 recouvrant l'électrode de grille, une couche semi-conductrice 122, une couche de contact ohmique 125, une électrode de drain 115b et une électrode de source 115a en saillie par rapport à une ligne de bus de données 115, et une seconde couche de protection 126 recouvrant la couche semi- conductrice, le procédé comprenant les étapes de: - traitement en surface de la couche semi-conductrice 122; et - formation de la seconde couche de protection 126 sur la surface traitée de la couche 1 36b de la couche semi-conductrice 122, en utilisant un matériau orga- nique. Il est clair que la description générale qui précède et que la description détail- lée qui suit ne sont données qu'à titre d'exemple et ne sont destinées qu'à fournir tune explication de l'invention telle qu'elle est revendiquée. Les dessins joints, qui sont inclus pour assurer une meilleure compréhension de l'invention et constituent une partie de la description, illustrent les modes de réali- sation de l'invention et, en liaison avec la description, permettent d'expliquer les principes de l'invention. Dans ces dessins: - la figure 1 est une vue en perspective montrant la structure d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active classique; - la figure 2 est une vue de dessus montrant la structure d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active classique; - la figure 3 est une vue en coupe transversale montrant la structure d'un dispo- sitif d'affichage à cristal liquide à matrice active, en référence à la ligne III-III de la figure 2; - la figure 4 est une vue en perspective montrant une surface avec des épaule- ments, une intersection entre une ligne de bus de grille et une ligne de bus de données; - la figure 5 montre les courbes de l'état passant d'un transistor en couche mince utilisant une couche de protection organique; la figure 6 est une vue en coupe transversale d'un appareil de traitement au plasma; - la figure 7 est un diagramme montrant la structure chimique d'une couche semi-conductrice présentant des liaisons insaturées à sa surface; - la figure 8 est un diagramme montrant la structure chimique d'une couche semi-conductrice, après un traitement de la surface au plasma, en utilisant de l'oxygène ou de l'azote gazeux; - la figure 9 montre les courbes de l'état passant d'un transistor en couche mince utilisant une couche de protection organique, après un traitement au plasma selon la présente invention; - la figure 10 est une vue de dessus montrant la structure d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la présente invention; - les figures 11 et 12 sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de fabrication d'un premier substrat d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à R \1460{}\14r7 DOC -25 jiuin 197 -4/15 matrice active selon la présente invention, le long des lignes V-V de la figure ; - les figures 13 à 15 sont des vues en coupe transversale montrant un premier substrat d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active, avec diffé- rentes structures de transistor en couche mince selon la présente invention, le long de la ligne V-V de la figure 10; - la figure 16 est une vue en coupe transversale montrant un autre premier substrat d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la présente invention, le long de la ligne 5-5 de la figure 10. Il est maintenant fait référence aux détails et modes de réalisation préférés de la présente invention, dont les exemples sont illustrés dans les dessins joints. Le matériau organique pour la couche de protection ou la couche d'isolation de grille peut être choisi parmi le BCB et le PFCB. Toutefois, les exemples sont donnés dans le cadre de la fabrication du premier substrat d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active utilisant du BCB présentant une constante diélectrique relative inférieure à 3,0 et une structure de liai- sons Si-O. L'importance du traitement au plasma de la couche semi-conductrice, avant le dépôt de la couche organique, selon la présente invention, est décrite en expliquant la formation de la couche semi-conductrice. Comme représenté sur la figure 6, lorsqu'un gaz de silane (SiH4) est introduit et déchargé dans un appareil à plasma 150, il se forme un plasma comprenant des radicaux SiH3+, SiH22+ et H+. La réaction du gaz de plasma provoque le dépôt d'un silicium amorphe a-Si:H 122 sur le substrat 100. La couche semi-conductrice de a-Si:H présente la structure chimique représentée sur la figure 7, qui comprend un défaut de liaison formé de liaisons insaturées à la surface. Lorsque la couche semi-conductrice 122 comprenant un tel défaut de liaison est revêtue d'une couche de protection organique, par tournette, la surface instable de la couche semi-conductrice provoque une capacité de liaison faible avec la couche organique, et un détachement de la couche organique. En outre, les liaisons insaturées de la surface de la couche semi-conductrice provoquent des pièges de charge pour les électrons, ce qui décale les courbes caractéristiques de l'état passant du transistor en couche mince dans la direction des tensions négatives, comme représenté sur la figure 5. Ceci conduit à un TFT instable qui, de façon non désirable, pilote le circuit à une tension qui est inférieure à la tension rendant le transistor passant. Ainsi, on traite au plasma la surface 136 de la couche semi-conductrice, avec de l'oxygène ou de l'azote gazeux, afin d'empêcher les défauts des liaisons et le déta- rI 41,()(- 2S i1997- 515 chement de la couche semi-conductrice de la couche organique disposée par dessus celle-ci. Le traitement de surface de la couche semi-conductrice par de l'oxygène ou de l'azote gazeux conduit à une structure de liaison stable, telle que Si-N ou Si-O, comme représenté sur la figure 8. En conséquence, lorsque l'on dépose une couche organique sur la surface 136 de la couche semi-conductrice 122 présentant des liaisons Si-O ou Si-N, on obtient une liaison stable entre la couche semi-conductrice et la couche organique, qui élimine le problème de détachement à l'interface et assure des caractéristiques passantes du transistor stables. Les résultats expérimentaux de la caractéristique passante du transistor après avoir déposé une couche de protection organique telle que du BCB sur la couche semi-conductrice, montre que la courbe caractéristique après traitement au plasma (C2) avec du gaz d'oxygène ou d'hydrogène montre une caractéristique de transmission des transistors en couche mince améliorée, sans décalage (d) par rapport à la courbe caractéristique sans traitement au plasma (C1) comme cela est représenté sur la figure 2. EXEMPLE 1 Le procédé de fabrication du premier substrat d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active est expliqué en référence à la figure 10, et montre une vue en plan du premier substrat d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la présente invention, pris en référence avec la figure 11 qui montre une vue en coupe transversale le long de la ligne V-V de la figure 10. Une couche métallique, pouvant être AI, Al-Ta, Al-Mo, Ta ou Ti, susceptible d'être anodisée, ou Cr, est déposée sur un substrat de verre transparent 111 et structurée de sorte à former une ligne de bus de grille 117 et une électrode de grille 117a dérivée de celle ci, comme le représente la figure 1ia. Lorsque la couche métallique est susceptible d'être anodisée, une couche anodisée 135 est formée sur la ligne de bus de grille, et sur l'électrode de grille 117a, afin d'améliorer les propriétés isolantes et d'empêcher la formation de monticules, comme représenté sur la figure lib. Ensuite, tout l'ensemble de la surface est revêtu d'un matériau inorganique tel que SiNx ou SiO2, pour former un film d'isolation de grille, puis on dépose succes- sivement du silicium amorphe et du silicium amorphe dopé n+ sur la couche isolante 123, comme représenté sur la figure 1 1 c. Les couches de silicium amorphe et de silicium amorphe dopé n+ sont structu- rées en même temps pour former une couche semi-conductrice 122 et une couche de contact ohmique 125, comme le montre la figure 1 lb. Ensuite, un métal tel qu'un alliage d'aluminium est déposé sur la couche de contact ohmique, et est structuré pour former des lignes de bus de données 115 et l'électrode de source 115a en saillie R \14600\(14637 DO(C - 2 uin 1'997 -6115 par rapport à la ligne de données, et les électrodes de drain 120b servant elles-mêmes de sortie. La portion découverte de la couche de contact ohniique est éliminée en utilisant les électrodes de drain 115b et de source 115a en tant que masque, comme le montre la figure 1 le. Ensuite, la portion découverte de la couche semi-conductrice est traitée au plasma en utilisant de l'oxygène ou de l'azote gazeux, de sorte à former une couche de traitement de surface 136. La couche de protection en un matériau organique tel que BCB et du PFCB est formée sur l'ensemble du substrat 111, comme le montre la figure 11 f. Le trou de contact 131 est formé de sorte à découvrir l'électrode de drain 11 5b et à travers la couche de protection 126, le tout étant formé au dessus de l'électrode de drain 122, comme le montre la figure 1 1 g. Ensuite, de l'oxyde d'étain et d'indium est déposé sur le substrat, y compris sur la couche de protection, et est structuré de sorte à former une électrode de pixel 104, qui est en contact électrique avec l'électrode de drain 115b et recouvre la ligne de bus de données 115, comme le montre la figure 1 lh. Ce mode de réalisation a été expliqué en utilisant une structure IOP (acronyme de l'anglais: ITO on Passivation, c'est-à-dire oxyde d'étain et d'indium sur la couche de passivation) dans laquelle l'électrode de pixel est formée sur la couche de protection. Toutefois, cette invention peut être appliquée à d'autres structures de transistors en couche mince, indépendamment de la séquence des étapes de formation de pixel. Par exemple, l'électrode de pixel peut être formée avant ou après la formation des couches semi-conductrices et de contact ohmique, comme le montrent les figures 12a et 12b. Le mode de réalisation de la figure 12a est similaire à celui de la figure 1 la; toutefois, l'électrode de pixel 4 est formée sur la couche d'isolation 123, avant la ligne de bus de donnmlées 115, l'électrode de source 115a et l'électrode de drain 115b. Le mode de réalisation de la figure 12b est similaire à celui de la figure 1 lh, toutefois, l'électrode de pixel 104 est formée sur la couche d'isolation 123, après la ligne de bus de données, l'électrode de source 115a, et l'électrode de drain 115b. En outre, comme représenté sur les figures 13 à 15, cette invention peut être appliquée aux structures de transistor en couche mince à empilement, coplanaires, et auto-alignées, et pas seulement sur la structure à empilement inverse de transistor telle qu'elle est représentée sur la figure 11. Ces différentes structures sont connues de l'homme de l'art et clairement compréhensibles en référence aux figures 13 à 15, qui font partie de la présente des- cription. Dans chacune de ces figures, la référence 136a indique une couche de traite- ment de surface selon la présente invention. Ainsi, selon la présente invention, l'électrode de pixel 104 peut être formée de sorte à recouvrir une partie du transistor en couche mince, comme la grille 117 et la ligne de bus de données 115, comme représenté sur la figure 10, ce qui permet d'améliorer le taux d'ouverture. En outre, l'électrode de pixel 104 recouvrant la ligne de bus de grille 117 peut jouer un rôle comme électrode de condensateur de stockage. EXEMPLE 2 Un autre exemple de procédé de fabrication d'un premier substrat d'un disposi- tif d'affichage à cristal liquide à matrice active est expliqué en référence à la figure 16, qui montre une vue en coupe transversale le long de la ligne V-V de la figure 10. Une couche métallique, comprenant Al, AI-Ta, AI-Mo, Ta ou Ti (qui peuvent être anodisée) ou Cr, est déposée sur un substrat de verre transparent 111 et est structurée de sorte à former une ligne de bus de grille et une électrode de grille 117a, dérivée de celle-ci, comme le montre la figure 16a. Lorsque la couche métallique est susceptible d'être anodisée, on forme une couche anodisée 135 sur la ligne de bus de grille et sur l'électrode de grille 117 afin d'améliorer les propriétés isolantes et d'empêcher la formation de monticules, comme le montre la figure 16b. Ensuite, on dépose sur l'ensemble de la surface un matériau organique tel que du BCB ou du PFCB, pour former une couche d'isolation de grille, et on traite cette couche au plasma en utilisant un gaz contenant N2, du N ou du F, de sorte à former une couche de traitement de surface 136a, comme le montre la figure 16c. On dépose ensuite successivement du silicium amorphe et du silicium amorphe dopé n+, sur la couche d'isolation organique 123, et on les structure en même temps pour former une couche semi-conductrice 122 et une couche de contact ohmique 125, comme le montre la figure 16d. Ensuite, on dépose un métal tel qu'un alliage d'aluminium sur la couche de contact ohmique et on la structure pour former une ligne de bus de données 115, une électrode de source 115 Sa en saillie par rapport à la ligne de bus de données, et une électrode de drain 115b servant de terminal de sortie. La partie découverte de la couche de contact ohmique est enlevée en utilisant les électrodes de source 115a et de drain 115b comme masque, comme le montre la figure 16e. Ensuite, la portion découverte de la couche semi-conductrice est traitée au plasma en utilisant un gaz contenant du N2, du N ou du F, de sorte à former une couche de traitement de surface 136b. Ensuite, une couche de protection réalisée en un matériau organique tel le BCB ou le PFCB est formée sur l'ensemble du substrat 111, comme le montre la figure 16F. Un trou de contact 131 est réalisé de sorte à découvrir l'électrode de drain b, à travers la couche de protection 126, au dessus de l'électrode de drain 115b, R \14600\14637 DOC -25 juin 1997 - 8/15 comme le montre la figure 16g. Ensuite, on dépose de l'oxyde d'étain et d'indium sur le substrat, y compris sur la couche de protection, et on le structure pour former une électrode de pixel 104, qui est en contact électrique avec l'électrode de drain 115b, et recouvre la ligne de bus de données 115, comme le montre la figure 16h. Le traitement au plasma de la couche isolante de grille organique 123, et de la couche semi-conductrice 122, en utilisant un gaz contenant du N2, N ou F, modifie les structures de liaison en surface des couches. organiques, de sorte à stabiliser la caractéristique de transmission du transistor en couche mince, sans réaliser de piège à charge à l'interface entre la couche semi-conductrice 122 et la couche organique, et de sorte à empêcher le détachement ou les défauts de structuration dans les couches inorganiques, et, par exemple, dans les couches de métal, d'ITO ou de silicium amorphe déposées sur la couche organique. Ce mode de réalisation est aussi expliqué en utilisant une structure de transistor IOP (oxyde d'étain et d'indium sur couche de passivation, acronyme de l'anglais ITO On Passivation) dans laquelle l'électrode de pixel est formée sur la couche de protec- tion, comme dans l'exemple 1. Toutefois, l'invention peut être appliquée à d'autres structures de transistor en couche mince, indépendamment de la séquence des étapes de formation de pixel. Par exemple, l'électrode de pixel peut être formée avant ou après avoir formé les électrodes de source et de drain, comme le montrent les figures 17aetl 17b. Le mode de réalisation de la figure 17a est similaire à celui de la figure 16h. Toutefois, l'électrode de pixel est formée sur la couche de traitement de surface 136a, avant les lignes de bus de données 115, l'électrode de source 1 1 5a et l'électrode de drain 115b. Le mode de réalisation de la figure 17b est similaire à celui de la figure 16h. Toutefois, l'électrode de pixel 104 est formée sur la couche de traitement de surface 136a, après la ligne de bus de donnée, l'électrode de source 115a et l'électrode de drain 115b. Ainsi, tout en utilisant un matériau organique tel que le BCB ou le PFCB pour la couche isolante de grille 123 et la couche de protection 126, le traitement au plasma de la couche d'isolation organique 123 et de la couche semi-conductrice 122 permet d'améliorer le taux d'ouverture du dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active, avec un transistor en couche mince stabilisé. De façon similaire, on peut utiliser comme couche isolante de grille ou comme couche de passivation, du polyimide fluoré, du téflon, du cytop, du fluoropolyaryléther, ou du paraxylène fluoré, qui présentent chacun une constante diélectrique relative inférieure à 3, comme représenté sur le tableau 1. -1)1( - 2q imi 1997 - 9/15 TABLEAU 1 Constante diélectrique relative des matériaux diorganiques Struc-ure Matérieu Constante organique diélectri 2. 7 C F CFs Polyimide 2.7 CF Co CF] I /CON I p. /CO\N fluoré Ri- C R-N io - C -- I "'o IcoX /CF] CF3 n Téflon 2.1 - 1 {CF2- CF2 CFmCF O-C-O / \ CF3 - CF3 -n I 2.1 Cytop (CF2)x\ i -CF2-CF CF- (CF2) z, (CF2)y BCB 2. 7 CH) CH, I I _ CH HCH-Si ---0-Si CH I CRi CHi (U CHi OR Si-O- Si IIo Me Me | 2.6 O Fluor- ooly- -aryléther 2.4 paraxylène' fluoré - CF2 CF2 14600\14637 DOC 2 ji 1997 10/1.n R 14600\14637 DOC - 25 luin 1997 - 1()/15 REVENDICATIONS 1.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide pré- sentant un transistor en couche mince comprenant une électrode de grille (117a) en saillie par rapport à une ligne de grille (117), une première couche de protection (123) recouvrant l'électrode de grille, une couche semi-conductrice (122), une couche de contact ohmique (125), une électrode de drain (1 15b) et une électrode de source (1 15a) en saillie par rapport à une ligne de bus de données (115), et une seconde couche de protection (126) recouvrant la couche semi-conductrice, le procédé comprenant les étapes de: - traitement de surface de la couche semi-conductrice (122); et - formation de la seconde couche de protection (126) sur la surface traitée (136b) de la couche semi- conductrice (122), en utilisant un matériau organique. 2.- Le procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de traitement de surface est un traitement au plasma. 3.- Le procédé selon la revendication 2, dans lequel l'étape de traitement au plasma utilise au moins un gaz choisi parmi N2 et 02. 4.- Le procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la première couche de protection (123) est formée sous la couche semi-conductrice (122), et comprend un matériau organique. 5.- Le procédé selon la revendication 4, comprenant en outre une étape de traitement de surface de la première couche de protection (123). 6.- Le procédé selon la revendication 5, dans lequel l'étape de traitement de surface est un traitement au plasma. 7.- Le procédé selon la revendication 6, dans lequel l'étape de traitement au plasma utilise un gaz contenant au moins l'un de N2, N et F. 8.- Le procédé selon l'une des revendications 1 à 7, comprenant en outre une étape de formation d'une électrode de pixel (104) sur la première ou sur la seconde couche de protection. I( -.',I'I 1 7D)f( -25I;7ill 19)97 - 1 1/15 9.- Le procédé selon la revendication 8, dans lequel l'électrode de pixel (104) recouvre partiellement la ligne de bus de données (115). 10.- Le procédé selon la revendication 8, dans lequel l'électrode de pixel (104) recouvre partiellement la ligne de bus de données (115), et la ligne de bus de grille (117). 11.- Le procédé selon la revendication 8, dans lequel l'électrode de pixel (104) est formée avant la formation de la couche semi-conductrice (122). 12.- Le procédé selon la revendication 8, dans lequel l'électrode de pixel (104) est formée après la formation de la couche semi-conductrice (122). 13.- Le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel le matériau organique comprend une structure à liaison Si-O. 14.- Le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, dans lequel le matériau organique présente une constante diélectrique relative inférieure à 3,0. 15.- Le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, dans lequel le matériau organique comprend du BCB ou du PFCB. 16.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide comprenant: - un transistor en couche mince comprenant: - une électrode de grille (117a) en saillie par rapport à une ligne de grille (117); - une première couche de protection (123) recouvrant l'électrode de grille; - une couche semi-conductrice (122); - une couche de contact ohmique (125); - une électrode de drain et une électrode de source (115a) en saillie par rapport à une ligne de bus de données (115); et - une seconde couche de protection (126) recouvrant la couche semi- conductrice, une surface de la couche semi-conductrice ayant subi un traitement de surface. 17.- Le dispositif selon la revendication 16, dans lequel la surface de la couche semi-conductrice est traitée par un traitement au plasma. R \14600)(\14637 DOC -29 aofût 1997- 12/15 18.- Le dispositif selon la revendication 17, dans lequel le traitement au plasma utilise un gaz choisi parmi l'oxygène et l'azote. 19.- Le dispositif selon l'une des revendications 16 à 18, dans lequel la première couche de protection est formée sous la couche semi-conductrice et comprend un matériau organique. 20.- Le dispositif selon la revendication 19, dans lequel une surface de la première couche de protection est traitée en surface. 21.- Le dispositif selon la revendication 20, dans lequel la surface de la première couche de protection est traitée au plasma. 22.- Le dispositif selon la revendication 21, dans lequel le traitement au plasma utilise un gaz comprenant au moins du N2, N ou F. 23.- Le dispositif selon l'une des revendications 16 à 22, comprenant en outre une électrode de pixel (104) sur la première ou seconde couche de protection. 24.- Le dispositif selon la revendication 23, dans lequel l'électrode de pixel recouvre partiellement la ligne de bus de données. 25.- Le dispositif selon la revendication 23, dans lequel l'électrode de pixel (104) recouvre partiellement la ligne de bus de données et la ligne de bus de grille. 26.- Le dispositif selon la revendication 23, dans lequel l'électrode de pixel (104) est formée avant la formation de la couche semi-conductrice (122). 27.- Le dispositif selon la revendication 23, dans lequel l'électrode de pixel (104) est formée après la formation de la couche semi-conductrice (122). 28.- Le dispositif selon l'une quelconque des revendications 16 à 27, dans lequel le matériau organique comprend une structure à liaison Si-O. 29.- Le dispositif selon l'une quelconque des revendication 16 à 28, dans lequel le matériau organique présente une constante diélectnique relative inférieure à 3,0. R 14(O)t0\l46,37 DOC -29 août 1997- 13/15 30.- Le dispositif selon l'une quelconque des revendications 16 à 29. dans lequel le matériau organique comprend du BCB ou du PFCB. -\14600\14637 DOC - 25 juin 1997 - 14/15