FR 2756102 A1 19980522 FR 9713341 A 19971024 La présente invention concerne les dispositifs à semi- conducteur et, plus précisément, des dispositifs à semi- conducteur de référence commandés par une grille MOS, formés avec un nombre réduit d'étapes de masquage et sans alignement délicat. On connaît déjà dans la technique des dispositifs à grille MOS. Ces dispositifs comprennent les transistors de puissance MOSFET, les thyristors à gâchette MOS, les tran- sistors bipolaires à grille isolée (IGBT), les dispositifs à arrêt commandé par grille et analogue. Les opérations de fabrication de ces dispositifs comprennent habituellement un certain nombre d'étapes litho- graphiques de masquage qui comprennent des étapes d'alignement délicat de masques. Chacune de ces étapes délicates d'alignement augmente la durée et le coût de fabrication et constitue une source possible de défauts des dispositifs. Il est donc souhaitable de réduire au minimum ou d'éli- miner le nombre d'alignements délicats nécessaire et de réduire le nombre d'étapes de masquage pour accroître le rendement de fabrication et réduire le coût de fabrication. L'invention concerne un nouveau procédé de fabrication d'un dispositif de puissance à grille MOS par formation d'une cellule de dispositif avec un alignement automatique, ne nécessitant aucun alignement délicat. Selon l'invention, un dispositif à semi-conducteur est fabriqué par formation d'une couche d'un matériau isolant de grille sur un substrat de silicium ayant un premier type de conductivité. Une couche de silicium polycristallin est déposée sur la couche du matériau isolant de grille. Une première couche isolante de recouvrement est déposée ou formée par croissance thermique, et des régions choisies sont mises sous forme de motifs et retirées par attaque chimique pour la formation d'ouvertures espacées qui exposent des régions sous-jacentes de la couche de silicium polycristallin. Ces régions sous-jacentes sont retirées par attaque afin qu'elles forment des ouvertures distantes. Des impuretés de l'autre type de conductivité sont introduites dans les régions de la surface du substrat de silicium qui se trouvent sous les ouvertures formées dans la couche de silicium polycristallin et forment des premières régions diffusées. Des impuretés du premier type de conductivité sont introduites dans des régions de la surface du substrat de silicium et forment de secondes régions diffusées. Une seconde couche isolante de recouvrement est déposée, et une partie de la seconde couche qui se trouve au-dessus de la première couche isolante de recouvrement est retirée par attaque afin qu'il reste une partie qui forme des entretoises à parois latérales verticales le long des parois verticales de chacune des ouvertures de la première couche isolante de recouvrement et de la couche de silicium polycristallin, avec exposition d'une partie de chacune des régions de surface du substrat de silicium. Des cavités sont formées par attaque dans la partie expose de la région de surface du substrat de silicium à une profondeur supérieure à celle des secondes régions diffusées. Des impuretés de l'autre type de conductivité sont introduites dans la partie des régions de surface du substrat pour la formation de troisièmes régions diffusées. Les secondes régions diffusées ont une profondeur finale qui est inférieure à celle des troisièmes régions diffusées. Dans une variante, les troisièmes régions diffusées sont formées avant le dépôt de la seconde couche isolante de recouvrement. Les premières régions diffusées sont plus profondes et plus larges que les troisièmes régions diffusées et elles ont une concentration plus faible que ces troisièmes régions. Une couche conductrice de contact est déposée et des parties de cette couche sont mises sous forme de motifs et attaquées pour la formation d'au moins un contact de source qui est au contact des secondes et troisièmes régions diffusées et d'au moins un contact de grille. Une autre couche conductrice peut être déposée et traitée thermiquement afin que des parties de la couche qui sont au contact des secondes et troisièmes régions diffusées forment une couche d'un siliciure métallique qui constitue une connexion électrique entre les secondes et troisièmes régions diffusées. Les parties de cette couche qui n'ont pas réagi sont retirées. Une partie des entretoises à parois latérales verti- cales de la seconde couche isolante de recouvrement et une partie de la première couche isolante de recouvrement peuvent être retirées par attaque avant le dépôt de l'autre couche conductrice, et le traitement thermique de cette couche conductrice forme ainsi des parties supplémentaires de la couche de siliciure métallique qui sont au contact de la couche de silicium polycristallin et qui forment une connexion électrique entre la couche de silicium polycris- tallin et les secondes et troisièmes régions diffusées. Des impuretés peuvent être introduites par implantation dans le substrat de silicium à travers une couche d'un matériau isolant de grille, puis par déplacement des impuretés vers l'intérieur. Le premier type de conductivité peut être le type N et l'autre le type P. La première couche isolante de recouvrement peut être une couche d'oxyde formée par croissance thermique, et la seconde couche de recou- vrement peut être une couche d'oxyde TEOS. L'autre couche conductrice peut être formée de titane ou de tungstène. Cette couche conductrice peut subir un recuit thermique rapide à 800 C environ ou un recuit ther- mique d'abord à 600 C environ puis à 800 C environ. Des régions choisies de la couche de silicium polycristallin peuvent être mises sous forme de motifs et retirées par attaque pour la formation de diodes de silicium poly- cristallin, et des impuretés du premier type de conductivité peuvent être introduites dans la couche de silicium polycristallin. Une couche d'un matériau isolant de champ peut être formée sur un substrat de silicium dans lequel une région choisie au moins est mise sous forme de motifs et traitée par attaque chimique pour la formation d'au moins une ouver- ture et d'au moins une partie restante. La couche du matériau isolant de grille peut ainsi être formée sur le substrat de silicium dans l'ouverture, et la couche de silicium polycristallin peut être formée de même sur les matériaux isolant de champ et isolant de grille. Des régions choisies de la première couche isolante de recouvrement peuvent être sous mises sous forme de motifs et attaquées pour la formation de premières ouvertures espacées qui exposent les régions sous- jacentes de la couche de silicium polycristallin qui se trouvent sur la couche du matériau isolant de grille et de secondes ouvertures espacées qui exposent des régions sous-jacentes de la couche de silicium polycristallin qui sont placées sur le matériau isolant de champ. Les premières régions sous-jacentes de la couche de silicium polycristallin peuvent être retirées par attaque pour la formation d'autres ouvertures espacées, et des impuretés peuvent alors être introduites dans les régions de la surface du substrat de silicium qui sont placées sous les ouvertures supplémentaires pour la formation des premières régions diffusées. L'autre couche conductrice peut être le titane ou le tungstène et peut subir un recuit thermique rapide. La couche conductrice de contact peut comporter un métal soudable de contact déposé sur la seconde couche conduc- trice, et le métal soudable de contact peut comprendre un élément trimétallique qui contient des couches respectives de titane, de nickel et d'argent. Un bus de grille peut être formé afin qu'il soit au contact d'une partie du silicium polycristallin de la couche sur la couche du matériau isolant de grille. Un matériau isolant de champ peut com- prendre une seconde ouverture qui est en bordure du dispositif à semi-conducteur et forme une région de voie de circulation, et la couche de silicium polycristallin peut comporter un ou plusieurs anneaux de silicium polycristallin placés au-dessus du matériau isolant de champ entre le bus de grille et la région de voie de circulation. Dans un autre aspect de l'invention, un dispositif à semi-conducteur a la structure formée de la manière indiquée. Les étapes délicates d'alignement sont éliminées grâce à l'utilisation d'une entretoise à parois latérales d'oxyde à basse température pour le masquage de l'attaque d'une cavité dans le silicium et à l'utilisation du métal formé sélectivement pour la connexion de la couche de silicium polycristallin aux régions diffusées N+ et P+. L'entretoise à parois latérales d'oxyde à basse température, en combi- naison avec la couche métallique formée sélectivement, donne une structure qui empêche la diffusion des impuretés vers des canaux parasites de dispositif DMOS, et les inverse en provoquant des fuites. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une coupe d'une partie d'une pastille placée dans une tranche de silicium après la formation d'une couche d'oxyde de grille, d'une couche de silicium polycris- tallin et d'une couche d'oxyde à basse température, après que des ouvertures ont été formées dans ces couches et que des régions faiblement dopées de type P et des régions N+ ont été formées dans les ouvertures; la figure 2 représente la structure de la figure 1 après le dépôt et l'attaque d'une couche supplémentaire d'oxyde à basse température, destinée à former des entre- toises à parois latérales, d'attaque anisotrope du silicium pour la formation d'une cavité dans la région N+, et la formation d'une région P+ dans les ouvertures, suivie par le dépôt d'une couche d'un matériau de réserve photographique et la mise sous forme de motifs de cette couche; la figure 3 représente la structure de la figure 2 après l'enlèvement de parties de la couche d'oxyde à basse température et d'entretoises à parois latérales, la forma- tion d'une couche métallique sélective éventuelle et le dépôt et l'attaque ultérieurs d'une couche d'aluminium; la figure 4 représente un circuit équivalent de terminaison formé de la structure représentée sur la figure 3; la figure 5 est une coupe d'un autre mode de réali- sation de la présente invention, représentant une partie d'une pastille après la formation d'une couche d'oxyde de champ et sa mise sous forme de motifs, et après le dépôt ultérieur d'une couche d'oxyde de grille, d'une couche de silicium polycristallin et d'une couche d'oxyde à basse température; la figure 6 représente la structure de la figure 5 après la mise sous forme de motifs et l'attaque de couches d'oxyde à basse température et de silicium polycristallin; la figure 7 représente la structure de la figure 6 après la formation de régions P faiblement dopées et de régions N+ et P+, et après formation ultérieure des entre- toises à parois latérales; la figure 8 représente la structure de la figure 7 après la formation d'un bouchon métallique sélectif et le dépôt et l'attaque ultérieurs d'une couche d'aluminium; la figure 9 est une vue en plan de la structure de la figure 8; et la figure 10 est une coupe agrandie suivant la ligne 9-9 de la figure 9. La description qui suit de modes de réalisation préférés de l'invention concerne la fabrication d'un dispo- sitif à transistor MOSFET de puissance à canal N. Cependant, l'invention s'applique aussi à la fabrication d'un dispo- sitif à transistor MOSFET de puissance à canal P. En outre, toute modification convenable des jonctions peut être utili- sée pour la mise en oeuvre du même procédé pour la fabrication d'autres dispositifs à grille MOS, par exemple un transistor IGBT ou un thyristor à gâchette MOS, indépendamment du fait que le dispositif a un canal N ou un canal P. La topologie des dispositifs comprend de préférence des cellules hexagonales. Cependant, les hommes du métier peuvent noter que le procédé s'applique également à des cellules ayant une structure polygonale quelconque, par exemple à des cellules carrées ou rectangulaires, qu'elles soient décalées ou alignées, ainsi qu'à des structures imbriquées. On se réfère d'abord à la figure 1 qui représente une partie d'une tranche ou pastille, ayant un premier mode de réalisation d'une région 12 de dispositif selon l'invention ayant une structure répétitive. Un premier exemple d'une région 14 de terminaison est aussi représenté. Cependant, d'autres exemples de région de terminaison peuvent être incorporés à la place de la région 14 décrite dans le présent mémoire. Seuls quelques uns des éléments sont représentés en coupe. La tranche peut avoir toute dimension voulue et elle peut être divisée en plusieurs pastilles. Dans la description, les termes "pastille" et "tranche" sont parfois utilisés de manière interchangeable. La figure 1 représente une tranche ayant un corps N- formé de silicium monocristallin. De préférence, le corps N- 30 possède une couche formée par épitaxie sur un substrat 29 N+. Un contact de drain (ou anode) peut être connecté au substrat N+ et peut être disponible pour la connexion à une surface quelconque de la pastille. La première étape du procédé de l'invention est la formation d'une couche isolante 31 sur le corps N- 30. La couche isolante 31 peut être formée par croissance thermique de bioxyde de silicium et son épaisseur peut être d'environ nm. Une couche de silicium polycristallin 32 est alors déposée sur la couche 31 d'oxyde et elle a par exemple une épaisseur de 350 nm. La couche de silicium polycristallin peut être réalisée de toute manière voulue mais elle est de préférence déposée puis dopée de façon importante par de l'arsenic implanté ou par une étape ultérieure de dopage par dépôt chimique en phase vapeur, par exemple par introduction de POCl3 dans le silicium polycristallin. Ensuite, une première couche 33 d'oxyde de recouvrement est formée sur la couche 32 de silicium polycristallin avec une épaisseur qui est de préférence de 700 nm. La première couche d'oxyde de recouvrement est de préférence formée d'une couche d'oxyde réalisée par croissance thermique sur le silicium polycristallin. Cependant, d'autres matériaux, par exemple un oxyde à basse température (LTO), un oxyde déposé par dépôt chimique en phase vapeur en présence d'un plasma (PECVD), un oxyde TEOS formé par dépôt PECVD ou un oxyde TEOS déposé au four peuvent être utilisés à la place. En outre, la couche peut être dopée par du phosphore. Après le dépôt de la première couche 33 d'oxyde de recouvrement, une couche convenable d'un matériau de réserve photographique (non représentée) est alors formée sur la première couche d'oxyde de recouvrement et mise sous forme de motifs par une étape de masquage photolithographique convenable pour la formation d'ouvertures, dans le matériau de réserve photographique, à la surface de la première couche de recouvrement. Toute attaque anisotrope d'oxyde forme alors une ouverture qui atteint la couche 32 de sili- cium polycristallin. Cette couche de silicium polycristallin est alors attaquée par une opération ultérieure d'attaque anisotrope qui forme des ouvertures correspondantes jusqu'à la couche d'oxyde de grille. De préférence, les parois latérales de la première couche d'oxyde et du silicium polycristallin doivent être aussi verticales que possible afin qu'elles délimitent avec précision les étapes suivantes d'implantation. Ensuite, la couche 31 d'oxyde de grille sous-jacente exposée peut être retirée par une attaque isotrope de type humide ou par une attaque anisotrope à l'aide d'un plasma. Cependant, il est aussi possible de laisser intacte la couche d'oxyde de grille dans cette étape puis d'implanter des ions avec une énergie suffisamment élevée pour qu'ils traversent la mince couche d'oxyde de grille. Les attaques anisotrope et isotrope précitées qui sont utilisées sont des opérations bien connues des hommes du métier et tout procédé convenable d'attaque peut être sélectionné pour ces étapes. Ensuite, la couche du matériau de réserve photogra- phique est retirée et une implantation de bore à raison de 7,5.1013 /cm3 est réalisée avec une énergie de 80 keV par les ouvertures de la première couche de recouvrement et des couches de silicium polycristallin dans le silicium exposé. Après l'implantation, les atomes implantés de bore de type de P sont introduits à une température d'environ 1 175 C pendant trente minutes de préférence, pour la formation des régions 42 de canal et des régions 40 et 41 de terminaison. Une dose relativement élevée N+ d'arsenic ou de phosphore à raison de 3. 1015 /cm3 par exemple est alors implantée par les ouvertures des couches d'oxyde de recou- vrement et de silicium polycristallin avec une énergie d'environ 120 keV, pour la formation ultérieure des régions de source 50 et 51. Une étape de diffusion peut suivre alors. Ensuite, une seconde couche d'oxyde de recouvrement est formée à la surface de la tranche de la figure 1 avec une épaisseur d'environ 700 nm. De préférence, la seconde couche d'oxyde de recouvrement est formée d'oxyde TEOS déposé au four. Cependant, d'autres matériaux, tels que l'oxyde LTO, l'oxyde PECVD ou l'oxyde TEOS PECVD peuvent être utilisés. La couche peut en outre être dopée par du phosphore. La seconde couche de recouvrement est alors attaquée par un plasma afin que la totalité pratiquement de la seconde couche de recouvrement qui a été déposée sur les surfaces horizontales soit retirée et ne laisse que les entretoises 60, 62, 64, 66 à parois latérales verticales dont l'épaisseur est d'environ 300 nm comme indiqué sur la figure 2. Ensuite, une autre attaque anisotrope concerne la surface de silicium exposée afin que des trous 70, 71, 72 soient formés et traversent les régions N+ 50, 51 et 52 et atteignent les régions P 40, 41 et 42. Grâce aux entretoises à parois latérales verticales, les trous ou cavités formés à la surface du silicium ont un diamètre inférieur à celui des ouvertures de la couche de silicium monocristallin et de la première couche d'oxyde de recouvrement. Les trous sont de préférence attaqués à une profondeur d'environ 50 à nm. Ensuite, une dose de bore de 3.1015 /cm3 est implantée dans le substrat de silicium exposé par l'attaque des trous pour la formation de régions fortement dopées 80, 81 et 82 dans les régions de type P 40, 41 et 42. La matière implantée est introduite avec une énergie d'environ 80 keV. Dans une variante préférée, le bore est implanté avant le dépôt de la seconde couche d'oxyde de recouvrement, et les régions 80, 81 et 82 sont formées à ce moment. Une seconde couche 88 d'un matériau de réserve photographique est alors appliquée à la surface de la tranche et mise sous forme de motifs par une seconde étape photolithographique pour l'exposition de parties de la première couche 33 de recouvrement et d'une partie des entretoises à parois latérales 60, 62, 64, 66, afin que les trous 70, 71 et 72 formés dans la surface de silicium soient entourés comme indiqué sur la figure 2. Selon un aspect important de la présente invention, les régions de source, de base et de canal du dispositif sont délimitées au préa- lable, avant cette étape, si bien que l'alignement de la seconde étape photolithographique sur la tranche n'est pas primordial. Comme l'indique la figure 2, la tolérance d'alignement de la seconde étape photolithographique peut être, en direction particulière quelconque, aussi grande que la distance de séparation des parois de l'entretoise respective à parois latérales. Après la formation des ouvertures dans le matériau de réserve photographique, les parties exposées de la première couche de recouvrement et les secondes parties exposées des entretoises à parois latérales sont retirées par une attaque anisotrope d'oxyde qui expose des régions de contact dans les régions N+ 50 et 51 et des sources N+ 52 comme indiqué sur la figure 3. Les matières implantées N+ et P+ sont alors espacées par diffusion, de préférence à une température de 975 OC pendant trente minutes en atmosphère d'azote. Les régions N+ , 51 et 52 sont moins profondes que les régions P+ 80, 81 et 82 d'une quantité choisie par le concepteur et déterminée en fonction des espèces et doses utilisées. Lorsque la région 14 de terminaison est incorporée et selon un autre aspect de la présente invention, une couche de titane est déposée sur la surface de la tranche. La tranche est alors soumise à un recuit thermique rapide (RTA) si bien que les parties de la couche de titane métallique qui sont au contact des régions N+ et P+ du substrat de silicium ou qui sont au contact de la couche de silicium polycristallin réagissent avec le silicium pour former un siliciure de titane. Cette étape de recuit RTA peut être mise en oeuvre à 800 OC environ ou dans une opération en deux étapes dans laquelle un recuit à 600 OC est suivi d'un recuit à 800 OC. La couche de siliciure de titane est utilisée pour améliorer la résistance de contact avec les régions N+ et P+ , 51 et 80, 81, avec réduction de cette manière de la résistance du dispositif à l'état conducteur, avec augmen- tation de la tension de claquage et avec augmentation du courant qui peut être transmis dans le dispositif. La couche de siliciure de titane est aussi utilisée comme barrière à la migration de l'aluminium dans le dispositif. Ensuite, les parties de la couche de titane qui n'ont pas réagi sont retirées par une étape d'attaque sélective de type humide, par exemple dans une solution de H2S4/H202 qui laisse les régions 90, 91 et 92 de contact de siliciure de titane représentées sur la figure 3. La couche de siliciure de titane connecte les régions P+ 70, 71 aux régions N+ 50, 51 qui forment un court-circuit intentionnel entre les régions P+ et N+ dans la région de terminaison 14. La couche de siliciure de titane assure aussi la connexion de la couche 32 de silicium polycristallin aux régions P+ et N+. La couche de titane est aussi déposée sur la région 12 de dispositif. La tranche est alors traitée comme décrit précédemment pour la formation d'autres régions 93 et 94 de contact de siliciure de titane représentées sur la figure 3. Ces régions 93 et 94 ne sont cependant pas nécessaires au fonctionnement de la région 12 de dispositif et peuvent être omises le cas échéant. Un métal de contact de source, par exemple de l'alumi- nium, est alors déposé à la surface de la tranche. Une couche supplémentaire d'un matériau de réserve photogra- phique (non représentée) est alors appliquée sur la couche de métal de contact et mise sous forme de motifs par une étape photolithographique qui délimite le bus 100 de grille et le contact 101 de source. L'alignement de cette étape photolithographique sur la tranche n'est pas particuliè- rement primordial. Après la mise sous forme de motifs de la couche du matériau de réserve photographique, la couche de métal de contact est attaquée par une attaque anisotrope pour la formation du bus 100 de grille et du contact 101 de source représentés sur la figure 3. Un contact de drain (ou d'anode) (non représenté) peut être connecté à la surface inférieure du substrat N+ 29 et peut être disponible pour la connexion à l'une ou l'autre surface de la pastille. Si le dispositif est un transistor IGBT, une mince couche tampon N+ et une mince couche inférieure P+ sont aussi présentes à la surface inférieure de la tranche. La figure 4 représente le circuit équivalent de la région 14 de terminaison sur la figure 3. Un contact de drain est formé sur le substrat N+ 29 et sur le segment 90 de siliciure de titane, représentés sur la figure 3, pour la connexion des substrats des dispositifs 110, 111 et 112 de terminaison et du drain du dispositif 110. La borne de source représentée sur la figure 4 constitue le contact 101 d'aluminium de source représenté sur la figure 3, et la borne de grille représentée sur la figure 4 représente le bus 100 de grille de la figure 3. Il faut noter que le segment 92 de siliciure de titane représenté sur la figure 3 connecte le drain du dispositif 112 à la source et à la grille du dispositif 111 représentés sur la figure 4. Le segment 91 de siliciure de titane représenté sur la figure 3 connecte le drain du dispositif 111 à la source et à la grille du dispositif 110 représenté sur la figure 4. Un autre aspect de l'invention, correspondant à une tranche ayant une autre région 16 de dispositif et une autre région 18 de terminaison, est représenté sur la figure 5. Il faut noter que la région 16 de terminaison peut être incor- porée au dispositif 12 de la figure 3 à la place de la région 14 de terminaison. De même, la région 14 de termi- naison de la figure 3 peut être incorporée à la région de dispositif 16 de la figure 5. Une couche 120 d'oxyde de champ représentée sur la figure 5 est formée sur la corps N- 30 avant la formation de la couche d'oxyde de grille. Une couche d'un matériau de réserve photographique est déposée sur l'oxyde de champ puis mise sous forme de motifs dans une première étape à masque photolithographique pour la formation d'ouvertures dans la couche d'oxyde de champ. Les parties exposées de l'oxyde de champ sont alors retirées par attaque pour l'exposition des zones actives des dispositifs. La couche isolante 131 d'oxyde de grille est alors formée par croissance sur les régions actives des dispositifs, et la couche 132 de silicium polycristallin et la première couche 133 d'oxyde de recouvrement sont alors formées sur les couches d'oxyde de grille et d'oxyde de champ de la manière décrite précé- demment. Le dispositif peut alors être traité d'une manière analogue à celle qu'on a déjà décrite. Comme l'indique la figure 6, une seconde couche d'un matériau de réserve photographique (non représentée) peut alors être formée sur la première couche 133 d'oxyde de recouvrement et mise sous forme de motifs par une étape convenable mettant en oeuvre un masque photolithographique pour la formation d'ouvertures à la surface de la première couche de recouvrement. La partie exposée de cette première couche d'oxyde de recouvrement est alors attaquée pour la formation d'ouvertures correspondantes 135, 136 et 137 dans la première couche d'oxyde de recouvrement qui expose les parties de la couche de silicium polycristallin. Selon cet aspect de l'invention, une troisième couche 134 d'un matériau de réserve photographique est déposée à la surface de la tranche et mise sous forme de motifs pour l'exposition des régions actives du dispositif. L'alignement de la troisième couche du matériau de réserve photographique sur la tranche n'est pas particulièrement délicat. Les parties exposées de la couche de silicium polycristallin placées sur les régions actives 16 de dispositif sont alors attaquées jusqu'à la couche d'oxyde de grille. Cependant, lacouche de silicium polycristallin est masquée par la première couche d'oxyde de recouvrement plutôt que par la seconde couche du matériau de réserve photographique. La couche du matériau de réserve photographique est utilisée simplement pour empêcher l'attaque des régions de la couche de silicium polycristallin placée sur l'oxyde de champ comme indiqué sur la figure 6. La couche du matériau de réserve photographique est alors retirée. Ensuite, comme l'indique la figure 7, les régions 140 et 141 d'implantation de canal de type P sont formées par implantation puis déplacées par diffusion de la manière décrite précédemment. Ensuite, comme décrit aussi précé- demment, la matière implantée de source N+ est introduite par les ouvertures de la couche de silicium polycristallin et de la première couche d'oxyde de recouvrement et peut être déplacée par diffusion. Dans ce mode de réalisation cependant, la matière d'implantation de base formée de bore P+ est alors intro- duite à une dose réduite égale à 1.1015 /cm3 pour la formation des régions 180, 181 représentées sur la figure 1. Ensuite, la seconde couche d'oxyde de recouvrement est alors formée à la surface de la tranche puis est retirée par attaque comme décrit précédemment pour la formation de l'entretoise 160 à parois latérales dans la région de terminaison 18 et d'entretoises 161 et 162 dans la région 16 de dispositif. Ce dépôt peut être réalisé avec une température et une durée suffisantes pour que la matière implantée P+ soit déplacée par diffusion. Dans une variante, les matières implantées P+ (et N+) peuvent alors être déplacées par diffusion à une température de 90 OC pour la formation de régions peu profondes de source et de base. Par exemple, la région de source a une profondeur d'environ 0,2 lm. Ensuite, comme l'indique la figure 8, des cavités 170, 171 et 172 sont formées par attaque anisotrope dans les couches N+ pour atteindre la couche de base P+ comme décrit précédemment. Ensuite, une couche éventuelle de titane peut être déposée de la manière décrite précédemment puis recuite pour la formation de bouchons 190, 191 et 192 de siliciure de titane à l'intérieur des cavités 170, 171. Dans ce mode de réalisation, la totalité de chacune des entretoises 160, 161, 162 reste intacte si bien que le siliciure n'est formé que dans les cavités. Les parties de titane qui n'ont pas réagi sont alors retirées comme décrit aussi précédemment. Dans une variante, du tungstène est déposé sélectivement sur les régions exposées de silicium et de silicium poly- cristallin, puis recuit pour la formation de bouchons de siliciure de tungstène. Dans une variante aux étapes du procédé précité, la seconde couche du matériau de réserve photographique est mise sous forme de motifs pour la réalisation d'ouvertures dans la région 16 de dispositif, mais non dans la région 18 de terminaison, si bien que l'attaque ultérieure de l'oxyde forme des ouvertures 136 et 137 mais non des ouvertures 135. Le dépôt de la troisième couche du matériau de réserve photographique n'est pas réalisé à ce moment. Au contraire, les parties exposées de la couche de silicium polycristallin dans la région 16 de dispositif sont attaquées. Ensuite, la matière implantée de canal de type P, la matière implantée de source de type N+ et la matière implantée de base de type P+ sont introduites et la seconde couche d'oxyde de recou- vrement est alors formée et attaquée pour la réalisation des entretoises à parois latérales 161 et 162 dans la région 16 de dispositif. Les cavités 170 et 171 sont alors attaquées dans la région de dispositif. Ensuite, la troisième couche du matériau de réserve photographique est déposée et mise sous forme de motifs pour la réalisation d'ouvertures dans la région 18 de terminaison, et la partie exposée de la première couche d'oxyde de recouvrement qui se trouve dans cette région est attaquée. Ensuite, le titane ou le tungstène est déposé et recuit pour la formation de bouchons de siliciure de titane ou de tungstène. Ensuite, un métal de contact, tel que l'aluminium, est déposé à la surface d'un dispositif qui remplit les ouver- tures des couches d'oxyde de recouvrement et de silicium polycristallin et les ouvertures du substrat du silicium au- dessus des bouchons comme indiqué sur la figure 8. Dans une variante, lorsque le titane est omis, le métal de contact est déposé directement sur les cavités 170, 171. Les bouchons 190, 191 de siliciure, lorsqu'ils sont incorporés, connectent les régions de source N+ aux régions respectives sous-jacentes de base P+ qui sont par ailleurs connectées au métal de contact. Une quatrième couche d'un matériau de réserve photographique est alors déposée sur l'aluminium et mise sous forme de motifs dans une quatrième étape photolithographique qui n'est pas particulièrement délicate. La couche d'aluminium est alors attaquée pour la formation du bus 200 de grille et du contact 201 de source. Dans une autre variante, le métal soudable de contact, par exemple un élément trimétallique comprenant des couches de titane, de nickel et d'argent, est déposé à la surface du dispositif au-dessus de la couche d'aluminium. Ce métal soudable supérieur est alors mis sous forme de motifs, de la manière décrite précédemment, et forme le bus 200 de grille et le contact 201 de source. Il faut aussi noter que, dans une autre variante, la couche 32 ou 132 de silicium polycristallin comporte aussi des diodes de silicium polycristallin. Dans ce cas, la couche de silicium polycristallin est déposée puis dopée par de l'arsenic ou du phosphore implanté, et une étape supplé- mentaire à masque photolithographique délimite des régions de diodes dans le silicium polycristallin. Ces diodes sont alors soumises à une attaque et le matériau de réserve photographique est retiré. Ensuite, une implantation d'arse- nic N+ est réalisée dans toute la couche restante de silicium polycristallin. La première couche d'oxyde de recouvrement est alors déposée à la surface de la tranche, et l'opération se poursuit de la manière décrite précé- demment. La figure 9 est une vue en plan du dispositif repré- senté en coupe sur la figure 8. Le bus 200 de grille est représenté au contact de parties de la couche 132 de silicium polycristallin placée sur l'oxyde de champ. Le contact 201 de source est représenté sur les cellules 220, 222 et 224 de terminaison qui ont habituellement un espacement de 1,5 gm. On a aussi représenté des cellules 230 de dispositif qui ont habituellement une dimension de cellule de 2,5 Hm et un espacement de 3,5 gm. La figure 10 représente une coupe de deux des cellules. La figure 9 représente aussi des parties d'anneaux 240 de silicium polycristallin placés au-dessus de l'oxyde de champ entre le bus 200 de grille et la régions de voie de circulation 202. Les anneaux de silicium polycristallin sont maintenus à un potentiel flottant. Selon la présente invention, la densité des cellules représentées sur la figure 9 est augmentée de façon importante jusqu'à une densité d'environ 3,1 millions de cellules par centimètre carré. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux procédés et dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemple non limitatif sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: la formation d'une couche d'un matériau isolant (31, 131) de grille sur un substrat de silicium ayant un premier type de conductivité, le dépôt d'une couche (32, 132) de silicium polycris- tallin sur la couche du matériau isolant (31, 131) de grille, le dépôt d'une première couche isolante (33, 133) de recouvrement, la formation de motifs et l'attaque de régions choisies dans la première couche isolante (33, 133) de recouvrement pour la formation de plusieurs ouvertures espacées qui exposent des régions sous-jacentes de la couche (32, 132) de silicium polycristallin, l'attaque des régions sous-jacentes de la couche (32, 132) de silicium polycristallin pour la formation d'un autre ensemble d'ouvertures espacées, l'introduction d'impuretés d'un autre type de conduc- tivité, qui est opposé au premier type de conductivité, dans des régions de surface du substrat de silicium placées sous les premières ouvertures formées dans la première couche (32, 132) de silicium polycristallin pour la réalisation de premières régions diffusées, l'introduction d'impuretés du premier type de conducti- vité dans les régions de surface du substrat de silicium pour la formation de secondes régions diffusées, l'introduction d'impuretés de l'autre type de conductivité dans les régions de surface du substrat de silicium pour la formation de troisièmes régions diffusées, les secondes régions diffusées ayant une profondeur finale inférieure à celle des troisièmes régions diffusées, les premières régions diffusées étant plus profondes et plus larges que les troisièmes régions diffusées et ayant une concentration inférieure à celle des troisièmes régions, le dépôt d'une seconde couche isolante de recouvrement, l'attaque d'une partie de la seconde couche isolante de recouvrement qui se trouve au-dessus de la première couche isolante (33, 133) de recouvrement, afin qu'il reste une partie de la seconde couche isolante de recouvrement qui forme des entretoises (60, 62, 64, 66; 160, 161, 162) à parois latérales verticales le long des parois verticales dans chacune des ouvertures de la première couche isolante (33, 133) de recouvrement et le long des parois latérales de chacune des ouvertures supplémentaires de la couche (32, 132) de silicium polycristallin, et qui expose une partie de chacune des régions de surface du substrat de silicium, l'attaque de cavités dans ladite partie des régions de surface du substrat de silicium à une profondeur supérieure à la profondeur des régions diffusées, le dépôt d'une couche conductrice de contact, et la mise sous forme de motifs et l'attaque de parties de la couche conductrice de contact pour la formation d'au moins un contact de source qui est au contact des secondes et troisièmes régions diffusées et d'au moins un contact de grille. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes suivantes: le dépôt d'une autre couche conductrice avant le dépôt de la couche conductrice de contact, le traitement thermique de l'autre couche conductrice afin que des parties de l'autre couche conductrice qui sont au contact des secondes et troisièmes régions diffusées forment une couche d'un siliciure métallique qui forme une connexion électrique entre les secondes et troisièmes régions diffusées, et l'enlèvement des parties de l'autre couche conductrice qui n'ont pas réagi. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de mise sous forme de motifs et d'attaque d'une partie des entretoises (60, 62, 64, 66; 160, 161, 162) à parois latérales verticales de la seconde couche isolante de recouvrement et d'une partie de la première couche isolante (33, 133) de recouvrement avant l'étape de dépôt d'une autre couche conductrice, et dans lequel l'étape de traitement thermique de l'autre couche conductrice forme des parties supplémentaires de la couche de siliciure métallique qui sont au contact de la couche (32, 132) de silicium polycristallin et forment une connexion électrique entre la couche (32, 132) de silicium polycristallin et les secondes et troisièmes régions diffusées. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier type de conductivité est le type N et l'autre type de conductivité est le type P. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de dépôt d'une couche (32, 132) de silicium polycristallin comporte en outre des étapes de formation de motifs et d'attaque de régions choisies de la couche (32, 132) de silicium polycristallin pour la formation de diodes de silicium polycristallin, puis d'introduction d'impuretés du premier type de conductivité dans la couche (32, 132) de silicium polycristallin. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes suivantes: la formation d'une couche d'un matériau isolant de champ sur le substrat de silicium, la formation de motifs et l'attaque d'au moins une région choisie dans la couche du matériau isolant de champ pour la formation d'au moins une ouverture dans la couche du matériau isolant de champ et d'au moins une région restante, la couche du matériau isolant (31, 131) de grille est formée sur le substrat de silicium dans une ouverture au moins de la couche du matériau isolant de champ, la couche (32, 132) de silicium polycristallin est formée sur la partie restante de la couche du matériau isolant de champ et sur la couche du matériau isolant (31, 131) de grille, les régions choisies de la première couche isolante (33, 133) de recouvrement sont retirées par attaque pour la formation de plusieurs premières ouvertures espacées qui exposent les régions sous- jacentes de la couche (32, 132) de silicium polycristallin qui sont placées sur la couche du matériau isolant (31, 131) de grille et plusieurs secondes ouvertures espacées qui exposent les régions sous- jacentes de la couche (32, 132) de silicium polycristallin qui sont placées sur la couche du matériau isolant de champ, les premières régions sous-jacentes de la couche (32, 132) de silicium polycris- tallin subissent une attaque supplémentaire pour la forma- tion d'un ensemble supplémentaire d'ouvertures espacées, et les impuretés de l'autre type de conductivité sont introduites dans les régions de surface du substrat de silicium qui se trouvent sous les ouvertures supplé- mentaires. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de dépôt d'une couche conductrice de contact comprend le dépôt d'un métal soudable de contact sur la couche conductrice de contact. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le métal soudable de contact comprend un élément trimé- tallique qui comprend les couches respectives de titane, de nickel et d'argent. 9. Dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche d'un matériau isolant (31, 131) de grille formée sur un substrat de silicium d'un premier type de conductivité, une couche (32, 132) de silicium polycristallin formée sur la couche du matériau isolant (31, 131) de grille, une première couche isolante (33, 133) de recouvrement ayant plusieurs ouvertures espacées, la couche (32, 132) de silicium polycristallin ayant un ensemble supplémentaire d'ouvertures espacées qui correspondent à l'ensemble des ouvertures espacées de la première couche isolante (33, 133) de recouvrement, des premières régions diffusées d'impuretés d'un autre type de conductivité qui est opposé au premier type de conductivité, formées dans des régions de surface du substrat de silicium qui se trouvent sous les ouvertures supplémentaires de la couche (32, 132) de silicium poly- cristallin, des secondes régions diffusées d'impuretés du premier type de conductivité formées dans des régions de surface du substrat de silicium, des troisièmes régions diffusées de l'autre type de conductivité formées dans les régions de surface du substrat de silicium, les secondes régions diffusées ayant une pro- fondeur finale inférieure à celle des troisièmes régions diffusées, les premières régions diffusées étant plus pro- fondes et plus larges que les troisièmes régions diffusées et ayant une concentration plus faible que ces troisièmes régions, plusieurs entretoises (60, 62, 64, 66; 160, 161, 162) à parois latérales verticales d'une seconde couche isolante de recouvrement formées le long de parois verticales dans chacune des ouvertures de la première couche isolante (33, 133) de recouvrement et le long des parois latérales de chacune des ouvertures supplémentaires de la couche (32, 132) de silicium polycristallin qui entourent une partie de chacune des régions de surface du substrat de silicium, plusieurs cavités formées dans ladite partie des régions de surface du substrat de silicium et ayant une profondeur supérieure à celle des secondes régions diffu- sées, et une couche conductrice de contact comprenant au moins un contact de source qui est au contact des secondes et troisièmes régions diffusées et d'au moins un contact de grille. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une autre couche conductrice comprenant une couche de siliciure métallique qui est au contact des secondes et troisièmes régions diffusées afin que la couche (32, 132) de silicium polycristallin et les secondes et troisièmes régions diffusées soient connectées électriquement. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'une partie des entretoises (60, 62, 64, 66; 160, 161, 162) à parois verticales de la seconde couche isolante de recouvrement et une partie de la première couche isolante (33, 133) de recouvrement sont retirées afin que la couche de siliciure métallique soit au contact du silicium polycristallin et que la couche (32, 132) de silicium polycristallin et les secondes et troisièmes régions diffu- sées soient ainsi connectées électriquement. 12. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que le premier type de conductivité est le type N et l'autre type le type P. 13. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la couche (32, 132) de silicium polycristallin comprend des diodes de silicium polycristallin et la couche (32, 132) de silicium polycristallin contient des impuretés du premier type de conductivité. 14. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une couche d'un matériau isolant de champ formée sur le substrat de silicium et ayant au moins une ouverture et au moins une partie res- tante, et une couche d'un matériau isolant (31, 131) de grille formée sur le substrat de silicium dans une ouverture au moins de la couche du matériau isolant de champ, la couche (32, 132) de silicium polycristallin étant formée sur la partie restante de la couche du matériau isolant de champ et sur la couche du matériau isolant (31, 131) de grille, la première couche isolante (33, 133) de recouvrement a plusieurs premières ouvertures espacées qui exposent des régions sous- jacentes de la couche (32, 132) de silicium polycristallin qui est placée sur la couche du matériau isolant (31, 131) de grille et plusieurs secondes ouvertures espacées qui exposent des régions sous- jacentes de la couche (32, 132) de silicium polycristallin qui est placée sur la couche du matériau isolant de champ, la couche (32, 132) de silicium polycristallin a un ensemble supplémentaire d'ouvertures espacées qui correspondent à l'ensemble des premières ouvertures espacées formées dans la première couche isolante (33, 133) de recouvrement, et les premières régions diffusées sont formées dans des régions de surface du substrat de silicium placées sous les ouvertures supplé- mentaires de la couche (32, 132) de silicium polycristallin. 15. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la couche conductrice de contact comprend un métal soudable de contact formé sur la couche conductrice de contact. 16. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que le métal soudable de contact comprend un élément trimétallique qui comporte des couches respectives de titane, de nickel et d'argent.