FR 2756100 A1 19980522 FR 9614409 A 19961119 TRANSISTOR BIPOLAIRE À ÉE'ITEUR INHOOGENE DANS UN CIRCUIT INTEGRÉ BICMOS La présente invention concerne une filière de fabrica- tion de circuits intégrés susceptibles de contenir notamment des composants bipolaires et MOS complémentaires (CMOS). Ce type de filière est habituellement appelé filière BICMOS. Un objet de la présente invention est de prévoir une telle filière dans laquelle les dimensions d'un élément dessiné sur un masque peuvent être d'une dimension inférieure ou égale à 0,4 gm, par exemple 0,2 à 0,35 gm. Un objet plus particulier de la présente invention est de prévoir une telle filière dans laquelle les propriétés des transistors bipolaires de type NPN sont optimisées. Pour atteindre ces objets, la présente invention pré- voit un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire de type NPN, comportant les étapes consistant à former une couche épi- taxiée de type N sur un substrat de type P, une couche enterrée étant prévue au moins à l'emplacement du transistor bipolaire; former une couche d'oxyde épais ouverte à l'emplacement de base- émetteur du transistor bipolaire; former une première couche de silicium polycristallin ou amorphe dopée de type P et une deuxième couche d'oxyde d'encapsulation; ouvrir ces deux dernières couches au centre de la région d'émetteur-base du transistor bipolaire; faire diffuser le dopant contenu dans la première couche de silicium dans la couche épitaxiée sous- jacente, pour former la base extrinsèque du transistor bipolaire, étape pendant laquelle il se forme une couche mince d'oxyde sur les surfaces apparentes de silicium; déposer une première couche de nitrure de silicium, déposer une deuxième couche de silicium polycristallin, et graver de façon anisotrope la deuxième couche de silicium polycristallin pour laisser en place des espaceurs dans les portions verticales de celle-ci; éliminer le nitrure de silicium apparent et le surgraver sous les espaceurs; éliminer la couche mince d'oxyde aux emplacements o le nitrure de sili- cium apparent a été surgravé; implanter un dopant de collecteur de type N; implanter un dopant de type P pour former la base intrinsèque du transistor bipolaire; déposer une troisième couche de silicium polycristallin fortement dopée de type N de façon qu'elle pénètre dans la zone surgravée sous les espaceurs et la graver de façon anisotrope pour la laisser en place dans cette zone surgravée; et déposer une quatrième couche de silicium polycristallin dopé de type N et faire diffuser le dopant contenu dans les troisième et quatrième couche pour former l'émetteur du transistor bipolaire. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la première couche de nitrure de silicium a une épaisseur de l'ordre de 50 nm. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les espaceurs ont une largeur à la base de l'ordre de 200 nm et la surgravure de la couche de nitrure de silicium est réalisée sur une largeur de l'ordre de 100 nm. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la troisième couche de silicium polycristallin est dopée à environ 1020 at./cm3 et est de 10 à 100 fois plus dopée que la quatrième couche de silicium polycristallin. Selon un mode de réalisation de la présente invention, ce procédé comprend l'étape consistant à déposer une deuxième couche de nitrure de silicium entre la première couche de silicium polycristallin ou amorphe dopée de type P et la deuxième couche d'oxyde d'encapsulation. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1 à 11 sont des vues en coupe schématique illustrant des étapes successives de fabrication d'un mode de réalisation d'un transistor MOS à canal N, d'un transistor MOS à canal P et d'un transistor bipolaire de type NPN; la figure 12 est une vue agrandie d'un transistor bipolaire de type NPN obtenu par le procédé illustré en figures 1 à 11; et les figures 13 à 17 représentent des étapes de fabri- cation d'une variante de transistor bipolaire de type NPN selon la présente invention. Comnme cela est usuel dans le domaine de la représenta- tion des composants semiconducteurs, les diverses vues en coupe ne sont pas tracées à l'échelle. Les dimensions latérales et transversales des diverses couches et régions sont arbitrairement dilatées ou rétrécies pour faciliter le tracé des figures. De façon générale dans la suite de la description, on désignera le côté gauche des figures 1 à 11 dans lequel est formé un composant CMOS par l'appellation côté CMOS et le côté droit de ces figures dans lequel est formé un transistor bipolaire de type NPN par l'appellation côté bipolaire. Dans ce qui suit, on décrit la fabrication d'un transistor MOS à canal N, d'un transistor MOS à canal P et d'un transistor bipolaire de type NPN. Bien entendu, dans une réalisation pratique, on formera simultanément de nom- breux composants identiques, ainsi qu'éventuellement d'autres types de composants élémentaires. Selon un aspect de la présente invention, les étapes initiales correspondent à des étapes connues de fabrication de circuits intégrés CMOS de très petites dimensions (dimension minimum, ou dimension de grille, inférieure à 0,35 gm). Conmme le représente la figure 1, on part d'un substrat 1 de type P sur lequel est formée une couche épitaxiale 2 de type N. Cette couche épitaxiale est relativement mince, par exemple d'une épaisseur de l'ordre de 1 à 1,2 Hm. Avant la croissance de la couche épitaxiale, on prévoit si on le souhaite des couches enterrées de types appropriés dans les zones o doivent être formés des caissons N ou P de transis- tors CMOS et l'on forme une couche enterrée 3 de type N+ du côté bipolaire. Comme le représente la figure 2, du côté MOS, on déli- mite les régions des transistors MOS par des ouvertures dans une couche d'oxyde épais 5 formée par toute technique connue. On implante, à travers l'oxyde épais ou une région d'oxyde mince 6 formée dans les ouvertures, des caissons 8 de type N et des caissons 9 de type P, de façon classique. Ces caissons sont par exemple formés par une succession de trois implantations dont l'une traverse l'oxyde épais 5 dans des régions non-masquées. Ces caissons N et P sont destinés respectivement à des transistors MOS à canal P et à des transistors MOS à canal N. Le niveau de dopage en surface (quelques 1016 at./cm3) détermine la tension de seuil des transistors. Dans le cas général, les caissons P (associés à une couche enterrée P+) sont en contact électrique avec le substrat P. On pourra toutefois prévoir de former certains au moins des caissons P sur une couche enterrée de type N. Les caissons N sont complètement isolés puisqu'ils débouchent dans le substrat P et ils sont isolés latéralement par des régions P formées comme les caissons P. Simultanément, côté bipolaire, on délimite dans l'oxyde épais 5 une région dans laquelle sera formée une diffusion pro- fonde de reprise de contact de collecteur ou puits collecteur 10 rejoignant la couche enterrée 3. Ce puits collecteur est formé par au moins certaines des implantations réalisées pour former le caisson 8 de type N, ou bien par une implantation spécifique de type N+. Ce puits collecteur peut aussi être formé ultérieurement en même temps que les sources et drains des transistors MOS à canal N. Egalement, on délimite dans l'oxyde épais une zone 11 dans laquelle seront formés la base et l'émetteur d'un transistor bipolaire de type NPN. Pendant les diverses implantations de caissons N et P, cette zone 11 est masquée. Comme le représente la figure 3, du côté MOS, on forme de façon classique des grilles isolées 13 et 14 des transistors MOS; on réalise des premières implantations (LDD); on forme des espaceurs 15 et 16; et on réalise des implantations de drains et de sources. Dans le caisson 8, les implantations sont de type P et, dans le caisson 9, les implantations sont de type N. En même temps que l'on fait les implantations de sources et de drains des transistors à canal N dans les caissons P, on réalise une diffu- sion de type N fortement dopée 18 à la surface du puits collec- teur 10 pour améliorer la prise de contact ultérieure. On effectue ensuite un recuit thermique rapide (1025 C). Après cette étape, à la fin de laquelle l'essentiel des transistors MOS a été réalisé (sauf les éventuelles siliciura- tions de prise de contact et les métallisations), on procède à la réalisation du transistor bipolaire de type NPN. A l'étape illustrée en figure 4, on dépose sur l'ensem- ble de la structure, par voie chimique en phase vapeur, une double couche de protection comprenant une couche d'oxyde de silicium 21 ayant par exemple une épaisseur de l'ordre de 20 nm suivie d'une couche de nitrure de silicium 22 ayant par exemple une épaisseur de l'ordre de 30 nm. Cette couche 21-22 est ouverte dans la zone 11 o l'on souhaite former la région émetteur-base d'un transistor bipolaire. On notera que cette ouverture n'est pas critique puisqu'elle s'arrête sur des régions d'oxyde épais. A l'étape illustrée en figure 5, on dépose sur l'ensem- ble de la structure une couche de silicium 23 ayant par exemple une épaisseur de l'ordre de 200 nm suivie d'une couche d'oxyde d'encapsulation 24 ayant par exemple une épaisseur de l'ordre de 300 nm. La couche de silicium 23 doit être dopée de type P puisqu'elle servira comme on le verra ci-après de source de dopage pour la base extrinsèque du transistor NPN et sera appelée silicium polycristallin de base. Bien qu'elle soit désignée sous l'appellation silicium polycristallin, il pourra aussi s'agir de tout type de couche de silicium déposé, par exemple du silicium amorphe. De préférence, selon un aspect de la présente invention, on procède d'abord au dépôt d'une couche 23 de silicium polycris- tallin ou amorphe non dopé et l'on procède ensuite à une implan- tation d'un dopant de type P dans cette couche. De préférence, on implante du bore sous forme de BF2 à très forte dose (1015 à 1016 at. /cm2) et à faible énergie de sorte que le bore implanté se concentre dans la partie supérieure de la couche en évitant toute implantation de bore dans le substrat de silicium sous-jacent dans la région 11. A l'étape illustrée en figure 6, on procède à une ouverture des couches 24 et 23 dans la partie centrale de la région 11. Cette ouverture a par exemple une largeur comprise entre 0,4 et 0,8 um et pénètre dans le silicium monocristallin de moins de 50 nm. On procède ensuite à une implantation d'un dopant de type N pour définir le collecteur 30 du transistor NPN. Ce collecteur est donc auto-aligné sur l'ouverture. L'implantation N est réalisée à dose moyenne et forte énergie (par exemple, 1012 à 1014 at./cm2 sous 500 keV). On obtient ainsi une région effective de collecteur d'étendue latérale limitée, sensiblement égale à celle de la base intrinsèque qui est formée ensuite. Ceci contribue à l'obtention d'un transistor NPN de faible capacité parasite entre collecteur et base extrinsèque. L'implantation est optimisée (par exemple, par implantations successives) pour que le profil du collecteur fournisse le meilleur compromis possible entre, d'une part, la résistance de collecteur et le temps de transit dans ce collecteur et, d'autre part, l'obtention de tensions de claquage suffisamment élevées émetteur-collecteur (typiquement 4 volts) et base-collecteur et d'une faible capacité base-collecteur. On notera aussi que cette implantation de collecteur permet de choisir au préalable une couche épitaxiée 2 de dopage et d'épaisseur propres à optimiser les transistors CMOS et d'optimiser ensuite indépendamment les caractéristiques des transistors NPN. Notamment, cette couche épitaxiée pourra être plus épaisse que si elle devait servir directement de couche de collecteur du transistor NPN. Conmne le représente la figure 7, après élimination de la résine de masquage, on procède à une oxydation thermique pen- dant laquelle il se forme une mince couche d'oxyde thermique 31 d'une épaisseur de l'ordre de 5 à 10 nm et pendant laquelle le bore contenu dans la couche de silicium polycristallin 23 commence à diffuser dans la couche épitaxiée sous-jacente pour former une région de base extrinsèque 32 ayant par exemple une profondeur de jonction de l'ordre de 100 nm. Cette diffusion est ensuite complétée par le recuit final de la structure bipolaire. On procède alors à une implantation de type P à travers l'oxyde 31 pour former une région de base intrinsèque 33 au centre de l'ouverture dans les couches 23 et 24. Cette base intrinsèque est de préférence implantée au bore à faible énergie (par exemple, 1013 at./cm2 sous 5 keV). Le contact avec le silicium polycris- tallin 23 résulte de la diffusion latérale du bore du silicium polycristallin. On procède alors à un dépôt uniforme d'une couche mince de nitrure de silicium (30 nm) revêtue d'une couche de silicium polycristallin (100 nm). La couche de silicium polycristallin est ensuite gravée de façon anisotrope de façon qu'il n'en demeure que des espaceurs 43 sur les flancs de l'ouverture ménagée dans les couches 23 et 24. On procède ensuite à une gravure uniforme du nitrure de silicium, de sorte que ce nitrure de silicium reste en place seulement dans les régions 44 o il est protégé de la gravure (chimique ou plasma) par les espaceurs 43 de silicium polycristallin. L'ensemble du nitrure 44 et des espaceurs 43 définit donc une ouverture plus petite que l'ouverture initiale- ment formée dans les couches 23 et 24 pour la définition de la base intrinsèque. Cette ouverture plus petite est l'ouverture d'émetteur. Si les espaceurs ont une largeur de l'ordre de 150 nm chacun, cette petite ouverture a une largeur de l'ordre de 0,5 /m. A l'étape illustrée en figure 8, la couche mince d'oxyde 31 au fond de l'ouverture, qui avait servi de protection pendant l'implantation d'émetteur (bore) et d'arrêt de gravure de la couche de nitrure de silicium, est soigneusement nettoyée, par exemple dans un bain d'acide fluorhydrique dilué. On dépose une couche de silicium polycristallin fortement dopé de type N qui est ensuite gravée pour laisser en place une région 46. Des régions de la couche de silicium polycristallin dopé 46 peuvent être maintenues en place en des endroits choisis pour former par exemple des condensateurs entre des régions de ce silicium poly- cristallin 46 et des régions du silicium polycristallin de base 23. A l'étape illustrée en figure 9, on élimine les couches d'oxyde 24 et de silicium polycristallin de base 23 en dehors de la région d'émetteur- base du transistor bipolaire et d'autres régions éventuelles comportant des dispositifs utilisant des por- tions de la couche de silicium polycristallin de base 23 (résistances, capacités...). Puis l'on dépose une couche d'oxyde de silicium d'encapsulation 47. Après cela, on procède à un recuit de pénétration du dopant contenu dans la couche de silicium polycristallin 46 au centre de la région de base du transistor pour former son émet- teur 49 de type N. Les recuits associés au transistor bipolaire assurent une réactivation électrique des dopants et conduisent à des profondeurs de jonction de l'ordre de 60 nm. Les recuits sont du type recuit thermique rapide et/ou au four. Le traitement thermique (30 s, 1000 C) est plus léger que pour les transistors MOS qui ne sont donc pas affectés. A l'étape illustrée en figure 10, on élimine les couches d'oxyde de silicium d'encapsulation 47, de nitrure de si- licium 22 et d'oxyde de silicium de protection 21 au-dessus des zones actives et/ou de silicium polycristallin que l'on souhaite siliciurer, par exemple le transistor MOS à canal P et le puits collecteur du transistor bipolaire. Un siliciure métallique 50 est formé sélectivement au-dessus des régions exposées de sili- cium mono et polycristallin. A l'étape illustrée en figure 11, on procède au dépôt d'une couche isolante de planarisation 51 par tout procédé connu, par exemple par dépôt d'une couche de verre dopé au bore et au phosphore (BPSG) et recuit, puis on ouvre cette couche et d'éven- tuelles couches sous-jacentes aux emplacements o l'on veut pren- dre des contacts. Seuls certains contacts ont été représentés car, comme cela est bien connu, les contacts ne sont pas néces- sairement pris directement au-dessus des zones utiles mais éven- tuellement sur des prolongements transverses de régions conduc- trices s'étendant à partir de ces zones utiles. Ainsi, en figure 11, on a seulement représenté un contact de drain 53 d'un tran- sistor MOS à canal P, un contact de collecteur 54, un contact d'émetteur 55 et un contact de base 56 du transistor bipolaire. La figure 12 correspond au côté bipolaire de la figure 11 et représente la région d'émetteur-base du transistor bipo- laire à plus grande échelle. Dans un mode de réalisation particulier, et pour donner un exemple d'ordres de grandeur, on pourra choisir de réaliser une structure avec les données numériques suivantes (o e désigne une épaisseur, et Cs une concentration superficielle ou une concentration moyenne pour une couche homogène): substrat 1: Cs = 1015 at./cm3, couche épi 2: Cs = 1016 at. /cm3, e = 0,8 à 1,4 gm, couche enterrée 3: Cs = 1020 at./cm3, oxyde 5: e = 0,5 gm, sources et drains N ou P: Cs = 1020 at./cm3, e = 0,15 pm. Le procédé de fabrication décrit ci-dessus, tout en étant parfaitement compatible avec les filières existantes de fabrication de transistors CMOS à haute définition, permet de réaliser un transistor bipolaire dont les régions de collecteur, de base intrinsèque et d'émetteur sont auto-alignées. Ce transistor bipolaire présente de nombreux avantages. Ses performances ne souffrent pas de la présence des transistors CMOS. Il peut en particulier être utilisé aux radiofréquences (fréquence de coupure supérieure à 40 GHz). La très forte trans- conductance et le faible bruit du transistor bipolaire le rendent apte à des applications analogiques. En particulier, le contact de base (en silicium polycristallin P+) permet une forte réduc- tion de la résistance de base d'o un facteur de bruit RF inté- ressant. Ainsi, le transistor bipolaire peut être utilisé en lieu et place de certains transistors AsGa avec un coût moindre et la possibilité de l'associer sur une même puce à un circuit CMO4S très performant. La présente invention vise une variante du procédé décrit ci-dessus destinée à améliorer encore les performances du transistor bipolaire. La figure 13 représente la structure de transistor bipolaire décrite précédemment à une étape intermédiaire entre celles illustrées en figures 6 et 7, à savoir que les espaceurs 43 ont été formés mais que la couche de nitrure de silicium 42 dont une portion 44 est enfermée par les espaceurs 43 n'a pas encore été gravée. On aura choisi une structure dans laquelle les espa- ceurs en silicium polycristallin 43 ont une largeur (une étendue latérale) au pied de l'ouverture de l'ordre de 200 nm et l'épais- seur de la couche de nitrure de silicium 42 est de l'ordre de 50 nm, c'est-à-dire plus épaisse que ce qui a été décrit dans le mode de réalisation précédent. A l'étape suivante, illustrée en figure 14, comme précédemment, on grave la couche de nitrure de silicium 42. Toutefois, cette gravure est maintenant nécessairement effectuée de façon isotrope (par exemple, une gravure chimique par H3PO4) et est poursuivie pour que le nitrure de silicium soit gravé en retrait sous les pieds des espaceurs. On forme ainsi une zone creuse 101 ayant par exemple une étendue de 100 nm en bas de la périphérie interne de l'ouverture. Toujours à l'étape illustrée en figure 14, on procède à une implantation de base. Cette implantation est de préférence réalisée en deux étapes. D'une part, une implantation verticale, d'autre part, une implantation sous incidence oblique à un angle maximum compatible avec la forme des espaceurs. On obtient ainsi une région de base comportant une partie centrale 103 moins profonde et une partie latérale 104 s'étendant de façon à rejoindre la région de contact de base 32. A l'étape illustrée en figure 15, on grave la couche d'oxyde thermique mince 31 là o elle a été découverte par enlèvement de la couche de nitrure puis on dépose une couche de silicium polycristallin fortement dopé in situ de type N, par exemple quelques 1020 atomes/cm3, ayant par exemple une épaisseur de 25 nm, puis l'on procède à une gravure anisotrope verticale de cette couche. Il reste ainsi en place dans les évidements 101 des portions 105 de cette couche de silicium polycristallin dopé de type N. Une partie de cette couche de silicium polycristallin (non représentée) demeure également en place sur le flanc des espaceurs et contribuera à réduire la résistance d'accès à l'émetteur. Une fois cette étape réalisée, on reprend les étapes décrites précédemment et illustrées à partir de la figure 8. Comme le représente la figure 16, on dépose et on grave la couche de silicium polycristallin 46 décrite précédemment. Dans la présente variante, cette couche de silicium polycristallin 46 est moins dopée que le silicium polycristallin 105, par exemple 10 à 100 fois moins dopée. Ainsi, après diffusion, on obtient une zone d'émetteur ayant l'allure représentée, c'est-à-dire une partie centrale plus faiblement dopée 108 en contact avec le silicium polycristallin de prise de contact d'émetteur 46 et une zone plus fortement dopée 108 sous les régions 105. Après cela, les étapes de fabrication se poursuivent comme cela a été décrit précédemment. Une telle structure d'émetteur à dopage inhomogène présente plusieurs avantages. Notamment, le fait que le dopage de la zone de silicium polycristallin assurant la conduction vers le contact soit le plus faible possible permet d'éviter de recombi- ner les trous minoritaires venant de la base. Par contre, en raison du plus fort niveau de dopage de la périphérie de l'émetteur, l'efficacité d'injection est augmentée. Ainsi, une structure de ce type permet d'augmenter le courant injecté et de diminuer le courant parasite de base, tout en conservant les avantages inhérents à la structure décrite précédemment en relation avec les figures 1 à 12. Un inconvénient éventuel de la structure illustrée en figure 16 est que, en même temps que l'on a gravé latéralement la couche de nitrure de silicium 42 dans la zone inférieure, cette couche a été gravée verticalement à l'interface entre l'espaceur 43 et la couche d'oxyde de silicium 24. Les deux couches de silicium polycristallin 23 et 46 se trouve alors proches l'une de l'autre dans cette zone qui peut être perturbée par diverses opé- rations de gravure et il existe un risque de court-circuit entre le silicium polycristallin de base et le silicium d'émetteur. Pour éviter cet inconvénient, on pourra recourir à la variante illustrée en figure 17. Cette figure est identique à la figure 16 sauf qu'une couche de nitrure de silicium 110 a été formée à l'interface des couches d'oxyde de silicium 24 et de silicium polycristallin 23. Ceci présente l'avantage que lors du dépôt de la couche de nitrure de silicium 42, cette couche de nitrure de silicium 42 aura tendance à se souder avec le bord adjacent de la couche de nitrure de silicium 110. On diminue ainsi fortement le risque de possibilité de court-circuit entre les couches de silicium polycristallin 23 et 46. L'honmme de l'art notera que d'autres composants peuvent être imaginés en utilisant la filière selon la présente invention et que celle-ci est susceptible de diverses variantes et modifi- cations. Notamment, les diverses valeurs numériques indiquées l'ont été uniquement à titre d'exemple et chaque matériau indiqué à titre d'exemple pourra être remplacé par un autre matériau ayant la même fonction (par exemple sélectivité de gravure par rapport à d'autres matériaux). De plus, divers composants élémen- taires pourront être réalisés avec ou sans couche enterrée de l'un ou l'autre type de conductivité. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un circuit intégré compre- nant un transistor bipolaire de type NPN comprenant les étapes suivantes: former une couche épitaxiée (2) de type N sur un subs- trat (1) de type P, une couche enterrée (3) étant prévue au moins à l'emplacement du transistor bipolaire; former une couche d'oxyde épais ouverte à l'emplacement de base-émetteur du transistor bipolaire; former une première couche de silicium polycristallin ou amorphe (23) dopée de type P et une deuxième couche d'oxyde d'encapsulation (24); ouvrir ces deux dernières couches (23, 24) au centre de la région d'émetteur- base du transistor bipolaire; faire diffuser le dopant contenu dans la première couche de silicium (23) dans la couche épitaxiée sous- jacente, pour former la base extrinsèque du transistor bipolaire, étape pendant laquelle il se forme une couche mince d'oxyde (31) sur les surfaces apparentes de silicium; déposer une première couche de nitrure de silicium (42), déposer une deuxième couche de silicium polycristallin (43), et graver de façon anisotrope la deuxième couche de silicium polycristallin pour laisser en place des espaceurs dans les portions verticales de celle-ci; éliminer le nitrure de silicium apparent et le surgraver sous les espaceurs; éliminer la couche mince d'oxyde (31) aux emplacements o le nitrure de silicium apparent a été surgravé; implanter un dopant de collecteur de type N (30); implanter un dopant de type P (33) pour former la base intrinsèque du transistor bipolaire; déposer une troisième couche de silicium polycristallin (105) fortement dopé de type N de façon qu'elle pénètre dans la zone surgravée sous les espaceurs et la graver de façon anisotrope pour la laisser en place dans cette zone surgravée; et déposer une quatrième couche de silicium polycristallin (46) dopé de type N et faire diffuser le dopant contenu dans les troisième et quatrième couche pour former l'émetteur (107, 108) du transistor bipolaire. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche de nitrure de silicium (42) a une épaisseur de l'ordre de 50 nm. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les espaceurs ont une largeur à la base de l'ordre de 200 nm et en ce que la surgravure de la couche de nitrure de silicium est réalisée sur une largeur de l'ordre de 100 nm. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la troisième couche de silicium polycristallin (105) est dopée à environ 1020 at./cm3 et est de 10 à 100 fois plus dopée que la quatrième couche de silicium polycristallin (46). 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à déposer une deuxième couche de nitrure de silicium (110) entre la première couche de silicium polycristallin ou amorphe (23) dopée de type P et la deuxième couche d'oxyde d'encapsulation (24).