FR 2758919 A1 19980731 FR 9700969 A 19970124 CIRC>IT DE MODULATION DE FRQUENCE D' UN OSCILLATEUR A QUARTZ La présente invention concerne les oscillateurs à quartz commandés en tension (VCXO) et, plus particulièrement, un circuit intégré propre à moduler, par une boucle de modulation de phase commandée en tension, la fréquence d'un oscillateur à quartz. Plusieurs solutions existent pour moduler la fréquence d'un oscillateur à quartz commandé en tension. Les figures 1 et 2 représentent deux exemples classi- ques d'oscillateurs à quartz commandés en tension, basés sur des structures de type Colpitts. La figure 1 représente un oscilla- teur de type Colpitts dans lequel la fréquence est modulée, de façon discrète, par une commutation de condensateurs en série avec le quartz. La figure 2 représente un exemple d'oscillateur de type Colpitts dans lequel la fréquence est modulée, de façon linéaire, au moyen d'une diode à capacité variable (varicap). Un oscillateur de type Colpitts est, par exemple, constitué d'un transistor d'oscillation To de type NPN, dont le collecteur est connecté à une première borne A d'alimentation positive Vcc et dont 1 'émetteur est relié au point milieu B d'une association en série de deux condensateurs Cbe et Ce entre la base du transistor To et une deuxième borne M d'alimentation, généralement reliée à la masse. Une première borne d'un quartz 1 est reliée à la base du transistor To qui constitue une borne S de sortie du signal oscillant. Une deuxième borne du quartz est, quand on souhaite moduler la fréquence d'oscillation, reliée à la borne M par l'intermédiaire d'un circuit capacitif de modulation, respectivement, 2 (figure 1) ou 2' (figure 2). Des résistances de polarisation Rb, Re sont généralement prévues entre la borne S et la borne A et entre 1 'émetteur du transistor To et la borne M. Un oscillateur de type Colpitts peut également être réalisé avec d'autres types de transistors (PNP, JFET,...). Le fonctionnement d'un oscillateur de type Colpitts est parfaitement connu. Pour que le montage oscille, deux conditions doivent être respectées. Une première condition est que la résis- tance vue par le quartz 1 doit être, en valeur absolue, supé- rieure à sa propre résistance série. Une deuxième condition est que la résistance vue par le quartz doit être négative. Le rôle du transistor To et des condensateurs Cbe et Ce est précisément de créer une résistance négative entre les bornes B et M. La fré- quence d'oscillation est fixée par la capacité équivalente du montage en parallèle sur le quartz 1. Le montage représenté à la figure i est plus particu- lièrement destiné à une modulation par saut de fréquence (FSK). Le circuit 2 de modulation de fréquence est constitué, par exemple, de deux condensateurs Cl, C2 intercalés, en paral- lèle, entre le quartz 1 et la borne M. Chaque condensateur Cl, C2 est associé, en série, avec une diode D1, D2 dont la cathode est connectée à la borne M. L'anode de chaque diode D1, D2 est reliée au condensateur correspondant C1, C2 et, par 1' intermédiaire d'une résistance R1, R2, à une borne 3, 4 d'application d'une tension V3, V4 de commande. Les diodes D1 et D2 sont des diodes présentant une impédance série très élevée dans leur état bloqué et très faible dans leur état passant. Quand une des tensions V3, V4 est suffisanmment positive, le condensateur correspondant Cl, C2 participe, par le rebouclage à la masse, à la capacité pré- sente en parallèle sur le quartz 1. Ainsi, la modulation de fré- quence s'effectue par l'application d'une tension sur une des bornes 3 ou 4 ou sur ces deux bornes. Le montage de la figure 2 est plus particulièrement destiné à une modulation linéaire (FM). Le circuit 2' de modulation est constitué d'une diode varicap Cv intercalée entre le quartz 1 et la borne M. L'anode de la diode varicap Cv est connectée à la borne M et sa cathode est reliée à une borne du quartz 1 et, par l'intermédiaire d'une résistance R3, à une borne 5 d'application d'une tension V5 de commande de 1 'oscillateur. La modulation de fréquence s 'effectue en faisant varier la tension V5 qui modifie la capacité équiva- lente de la diode varicap Cv. Un inconvénient des montages de type Colpitts classi- ques est qu'ils nuisent à la capacité d'intégration du montage oscillateur. En effet, les circuits de modulation 2 (figure 1) ou 2' (figure 2) doivent, en pratique, être réalisés sous la forme de circuits externes à un circuit intégré comprenant le montage de type Colpitts proprement dit. En particulier, la réalisation d 'une diode varicap sous forme intégrée est très encombrante. Pour réaliser un oscillateur à quartz commandé en ten- sion sous forme de circuit o tous les composants (à 1 'exception du quartz) sont intégrés, on a généralement recours à un autre type de montage dont un exemple est illustré par la figure 3. Le principe d'un tel montage est d'utiliser un déphaseur variable 6 sur une boucle de réaction reliant une sortie S d'un ampli- ficateur différentiel 7 à la borne d'entrée positive de cet amplificateur 7. Le quartz 1 est connecté entre la borne d'entrée négative de l'amplificateur 7 et la masse. Le déphaseur variable 6 apporte un retard dans la boucle de réaction. L'importance de ce retard est commandée par une tension V6 appliquée sur une borne de commande du déphaseur 6. Le signal modulé est prélevé en sortie S de l'amplificateur 7. Dans un tel montage, l'amplificateur 7 et le déphaseur 6 peuvent être réalisés sous forme de circuit intégré. Toutefois, la plage de modulation est beaucoup plus limitée que dans un oscillateur de type Colpitts. La figure 4 illustre la caractéristique impédance- fréquence d'un quartz. Un quartz possède deux fréquences d'oscillation. Une première fréquence fs, fixe, correspond à la résonance série du quartz et est fonction des caractéristiques intrinsèques au quartz, à savoir son inductance série et sa capa- cité série. A la fréquence fs, l'impédance Z du quartz correspond à sa résistance série. Une deuxième fréquence d'oscillation fp du quartz correspond à la résonance parallèle du quartz et est variable. La fréquence fp est fonction de l'inductance série intrinsèque au quartz et de la capacité en parallèle sur cette inductance série. La fréquence fp est donc variable en fonction des capacités ramenées en parallèle aux bornes du quartz. A la fréquence fp, l'impédance du quartz est maximale. Un montage tel que représenté à la figure 3 utilise la résonance série du quartz car l'impédance du quartz doit être minimale pour que l'entrée négative de l'amplificateur 7 soit sensiblement à la masse, faute de quoi l'oscillation se trouve amortie. Or, quand on fait varier la fréquence autour de la fréquence fs au moyen du déphaseur 6, l'impédance du quartz augmente. On doit donc veiller à ce que la plage Af de modulation de la fréquence soit suffisamment faible pour que l'impédance du quartz reste suffisamment basse, afin que le montage oscille sans amortissement. Un autre inconvénient d'un montage tel que représenté à la figure 3 est que l'amplitude du signal modulé n'est pas stable en raison de la variation d'impédance du quartz. En outre, la fréquence centrale (fs) de 1 'oscillateur n'est pas réglable. On connaît également des oscillateurs qui utilisent un nombre impair d'inverseurs en série, raccordés en parallèle sur un quartz dont les deux bornes sont connectées à la masse par l'intermédiaire de condensateurs. Un commutateur court-circuite un nombre pair d'inverseurs pour modifier le temps de propa- gation. De tels oscillateurs sont exclusivement destinés à une modulation FSK. La présente invention vise à proposer un nouvel oscillateur à quartz commandé en tension qui pallie aux inconvé- nients des montages classiques. En particulier, la présente invention vise à proposer un oscillateur qui puisse être intégré avec un encombrement réduit. L'invention vise également à proposer un oscillateur dont la modulation en fréquence puisse s'effectuer sur une large plage de fréquences. L'invention vise également à proposer un oscillateur dans lequel l'amplitude du signal de sortie reste sensiblement constante quelle que soit la fréquence. L'invention vise en outre à proposer un montage oscillateur dont la structure est adaptée à une modulation FM et à une modulation FSK. Pour atteindre ces objets, la présente invention pré- voit un oscillateur à quartz commandé en tension, comportant un transistor d'oscillation dont la base est reliée à une première borne d'un quartz et dont l'émetteur est connecté, par l'inter- médiaire d'un premier condensateur, à une deuxième borne du quartz reliée à une première borne d'alimentation, et un circuit actif, commandé en tension, introduisant une capacité variable entre la base et l'émetteur du transistor d'oscillation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'oscillateur comporte un deuxième condensateur connecté entre la base et l'émetteur du transistor d'oscillation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le circuit actif est constitué d'une structure à commande diffé- rentielle recevant un signal modulant. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le circuit actif comporte: une première partie modulante constituée d'un premier et d'un deuxième transistors à émetteurs communs, dont les bases sont respectivement reliées à une première et à une deuxième bor- nes d'application du signal modulant, et dont les collecteurs sont reliés par un condensateur de modulation, le collecteur du premier transistor étant connecté, par l'intermédiaire d'une pre- mière association en série de deux résistances, à une deuxième borne d'alimentation, et le collecteur du deuxième transistor étant relié, par l'intermédiaire d'une deuxième association en série de deux résistances, à la deuxième borne d'alimentation; une deuxième partie modulante constituée d'un troisième et d'un quatrième transistors à émetteurs communs, dont les bases sont respectivement reliées à la deuxième borne et à la première borne d'application du signal modulant, le collecteur du troi- sième transistor étant relié au point milieu de ladite première association en série et le collecteur du quatrième transistor étant relié au point milieu de ladite deuxième association en série; un montage de gain à transistors, intercalé entre les émetteurs des quatre premiers transistors et la première borne d'alimentation; et au moins un premier condensateur de boucle, connecté entre le collecteur du premier transistor et la base du transis- tor d'oscillation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, ledit deuxième point milieu est relié, par l'intermédiaire d'un deuxième condensateur de boucle, à la base du transistor d'oscil- lation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les résistances desdites associations en série sont dimensionnées en fonction de la plage de modulation souhaitée autour d'une fré- quence centrale d'oscillation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le montage de gain est constitué d'un cinquième transistor et d'un sixième transistor montés en bases communes, le collecteur du cinquième transistor étant relié aux émetteurs des premier et deuxième transistors, le collecteur du sixième transistor étant relié aux émetteurs des troisième et quatrième transistors, l'émetteur du cinquième transistor étant relié à l'émetteur du transistor d'oscillation et l'émetteur du sixième transistor étant relié, par 1' intermédiaire d'un troisième condensateur, à la première borne d'alimentation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les bases des cinquième et sixième transistors sont reliées, par l'intermédiaire d'une première résistance de base, à une borne d'une source de tension constante, la base du transistor d'oscil- lation étant également reliée à ladite borne de la source de ten- sion par l'intermédiaire d'une deuxième résistance de base. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les émetteurs respectifs du transistor d'oscillation et des cin- quième et sixième transistors sont reliés, par l'intermédiaire de résistances d ' émetteur, à la première borne d ' alimentation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le ou les transistors sont des transistors de type NPN. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1 à 4 décrites précédemment sont destinées à exposer l'état de la technique et le problème posé; la figure 5 représente schématiquement un premier mode de réalisation d'un oscillateur à quartz commandé en tension selon la présente invention; la figure 6 représente un schéma électrique détaillé de l'oscillateur représenté à la figure 5; la figure 7 représente un schéma équivalent de l'oscil- lateur représenté à la figure 6; et la figure 8 illustre la caractéristique fréquence- tension différentielle d'un oscillateur selon l'invention. Pour des raisons de clarté, les mêmes éléments ont été désignés par les mêmes références aux différentes figures. La figure 5 représente un schéma simplifié d'un mode de réalisation d'un oscillateur à quartz commandé en tension selon la présente invention. Une caractéristique de l'invention est d'associer un oscillateur 10 de type Colpitts à un circuit actif 11 constituant un déphaseur variable (p) commandé en tension (V). La structure 10 de type Colpitts comnporte un transistor To d'oscillation, par exemple de type NPN, dont l'émetteur est connecté, par l'intermédiaire d'un condensateur Ce, à une borne négative M d'alimentation, généralement reliée à la masse. La base du transistor To constitue une borne E de raccordement d'une première borne d'un quartz 1 externe dont une deuxième borne est connectée à la borne M. Une résistance Re de polarisation relie l'émetteur du transistor To à la borne M. Selon l'invention, l'émetteur du transistor To est éga- lement relié à une entrée du circuit actif 11 de déphasage dont une sortie est reliée à la base du transistor To. Le rôle du circuit actif 11 est de ramener une capacité variable entre la base et l'émetteur du transistor To. La valeur de cette capacité intervient sur la fréquence d'oscillation en modifiant la capacité raccordée en parallèle sur le quartz 1. Le circuit 11 introduit un retard avec gain dans la boucle de réac- tion entre 1 'émetteur et la base du transistor To. La commande en tension du circuit 11 revient, fonctionnellement, à faire varier le temps de propagation dans la boucle et, ainsi, la capacité équivalente ramenée entre la base et l'émetteur du transistor To par le circuit 11. Dans le mode de réalisation représenté à la figure 5, une capacité supplémentaire Cbe est montée entre la borne E et l'émetteur du transistor To pour constituer une association en série des condensateurs Cbe et Ce entre les bornes E et la masse, comme dans un oscillateur Colpitts classique. Le condensateur Cbe est, selon l'invention, optionnel grâce à la capacité équivalente ramenée par le circuit 11 qui peut, le cas échéant, suffire au fonctionnement de 1' oscillateur. L'omission du condensateur Cbe permet de réduire 1'encombrement du montage. Le signal modulé est, selon 1' invention, prélevé sur une borne S' de sortie, reliée au collecteur du transistor To. Un avantage de la présente invention est d'utiliser la fréquence de résonance parallèle (fp, figure 4) du quartz 1 (on modifie la capacité équivalente raccordée en parallèle sur le quartz), ce qui permet une plage de modulation sensiblement plus importante que dans un montage à déphaseur classique tel que représenté à la figure 3. Un autre avantage de 1' invention est que, en faisant varier la fréquence de résonance parallèle du quartz pour obtenir la modulation, l'impédance du quartz est maintenue à une valeur sensiblement constante correspondant à sa valeur maximale. Ainsi, l'amplitude du signal de sortie délivré par l'oscillateur est sensiblement constante quelle que soit la fréquence. Le condensateur Ce et, le cas échéant, le condensateur Cbe, peuvent être intégrés à 1 'oscillateur, le seul composant externe étant alors le quartz, ou être des condensateurs externes pour permettre à i 'utilisateur de modifier la fréquence centrale d'oscillation, c'est-à- dire la fréquence d'oscillation pour un déphasage égal au déphasage central de la plage de variation du circuit 11. La figure 6 représente un schéma électrique détaillé d'un oscillateur tel que représenté à la figure 5. Le circuit Il est constitué d'une structure à entrées différentielles recevant, sur deux bornes 12, 13, des tensions de commande Vl, V2 dont la différence AV conditionne la variation de fréquence souhaitée par rapport à la fréquence centrale fO de 1 'oscillateur. Les bornes 12 et 13 constituent les bornes d'entrée du signal de modulation que ce soit pour obtenir une modulation de fréquence (FM) ou une modulation par saut de fréquence (FSK) autour de la fréquence centrale fO. Une première paire différentielle, constituée de tran- sistors T2 et T3, de type NPN, montés en convertisseur tension- courant, constitue la partie de gain du montage. Dans l'exemple représenté à la figure 6, les transistors T2 et T3 sont montés en bases communes et sont polarisés au moyen d'une source de tension constante Vr dont une borne négative est connectée à la masse et dont une borne positive est reliée, par l'intermédiaire d'une résistance Rb2, aux bases des transistor T2 et T3. La source Vr sert également à polariser le transistor To, sa borne positive étant reliée, par l'intermédiaire d'une résistance Rbl, à la base du transistor To. Les émetteurs des transistors T2 et T3 sont chacun connectés, par l'intermédiaire d'une résistance Re2, Re3, à la borne M. Un condensateur C3 est connecté en parallèle sur la résistance Re3, et l'émetteur du transistor T2 est relié à l 'émetteur du transistor To. A titre de variante non représentée, les transistors T2 et T3 pourront être montés en émetteurs communs. Les modifi- cations à apporter à la partie gain du montage pour un montage à émetteurs communs sont à la portée de 1'homme de l'art. Le mon- tage à bases communes constitue cependant un mode de réalisation préféré de la présente invention dans la mesure o il minimise le nombre de condensateurs et de résistances utilisés pour la partie gain du montage. Chaque transistor T2, T3 est associé à un étage diffé- rentiel de modulation constitué de deux transistors de type NPN, respectivement, T4, T5 et T6, T7. Les émetteurs des transistors T4 et T5 sont reliés au collecteur du transistor T2. Les émet- teurs des transistors T6 et T7 sont reliés au collecteur du tran- sistor T3. Les bases des transistors T4 et T7 sont reliées à la borne 13 et les bases des transistors T5 et T6 sont reliées à la borne 12. Les collecteurs des transistors T4 et T5 sont reliés, indéperxndamment 1 'un de 1 'autre et par 1 'intermédiaire d'une asso- ciation en série de résistances R4, R5 et R6, R7, à une borne A d'application d'un potentiel positif d'alimentation Vcc. Le point milieu 14 de l'association en série des résistances R4 et R5 est relié au collecteur du transistor T6. Le point milieu 15 de l'association en série des résistances R6 et R7 est relié au collecteur du transistor T7. Un condensateur Cd de modulation est connecté entre les collecteurs des transistors T4 et T5. Le rôle des transistors T4, T5, T6 et T7 est de moduler, en fonction des tensions du signal modulant, le poids du condensateur Cd dans la boucle constituée entre l'émetteur du transistor To et sa base. La boucle est refermée sur la base du transistor To au moyen d'au moins un premier condensateur C12, relié entre le col- lecteur du transistor T4 et la base du transistor To. Le collec- teur du transistor To est connecté, par l'intermédiaire d'une résistance de polarisation Rc, à la borne A. Le cas échéant, un deuxième condensateur de boucle Cll relie le point 15 à la base du transistor To. Quand les tensions Vi et V2 sont égales, les courants de collecteur des transistor T4 et T5 sont égaux et les courants de collecteur des transistor T6 et T7 sont égaux. I1 en découle qu'aucun courant ne circule dans le condensateur Cd alors même que les courants qui circulent dans les branches des paires différentielles sont des courants alternatifs. En effet, si la condition d'oscillation du montage est respectée comme on le verra par la suite, le potentiel de l'émetteur du transistor To oscille et les courants I2, I3 des collecteurs des transistors T2 et T3 sont donc des courants alternatifs. Si la tension V2 est supérieure à la tension V1, les transistor T4 et T7 sont passants, tandis que les transistors T5 et T6 sont bloqués. Il en découle un déséquilibre dans la répar- tition des courants I2 et I3 et le condensateur Cd est donc tra- versé par un courant. De même, le condensateur Cd est également traversé par un courant (dans le sens contraire) quand la tension V1 est supérieure à la tension V2. Le déphasage apporté par le condensateur Cd est reporté sur la base du transistor To grâce au condensateur C12 (et, le cas échéant, Cll). Pour que le montage oscille, il faut que la partie réelle de l'impédance vue par le quartz soit, en valeur absolue, supérieure à sa propre résistance série. La figure 7 représente le schéma électrique équivalent et simplifié de l'oscillateur représenté à la figure 6. La struc- ture différentielle (les transistors T2, T3, T4, T5, T6, T7, les résistances R4, R5, R6, R7, le condensateur Cd et les résistances de polarisation des transistors T2 et T3) est modélisée sous la forme d'un générateur de tension K(p).v2, o K(p) représente la fonction de transfert de cette structure différentielle et o v2 représente la tension alternative de 1 'émetteur du transistor To. Le transistor To est schématisé sous la forme d'une impédance z (r + jcxo) et d'un générateur de courant gm.v1, o gm représente la transconductance du transistor To et o v1 représente la tension alternative entre base et émetteur du transistor To. Par souci de simplification, on a regroupé les condensateurs Cll et C12 en un condensateur Cl. En négligeant les termes du deuxième ordre, l'impédance Zin vue par le quartz peut s'écrire sous la forme: Zin - Rin + Cin, avec: -gmt i [(Cbe + c)ce + (Cbe + c + Ce)Cl - K(je)XCbe + c)Cl2; et (Cbe + c) Ce (Cbe + c) C Cin ' (Cbe + c) + Ce + C1 - K(je)- (Cbe + c)- Ce- (Cbe + c) + Ce (b)+c Comme Cin est fonction de K(p), la fréquence est éga- lement fonction de la fonction de transfert de la structure différentielle. La fonction de transfert K(p) peut s'exprimer sous la forme: K(p) = Kl.th(-AV/2Vt) + K2.th(-AV/2Vt) - K3/[1 + exp(-AV/2Vt)], o K1 représente une constante dépendant de la trans- conductance du transistor T2 ou T3, des résistances R4, R5, R6 et R7 et du condensateur Cd; o Vt = kT/Q, avec k représentant la constante de Boltzman, Q la charge de l'électron et T la température en Kelvin; o K2 représente une constante dépendant de la trans- conductance du transistor T2 ou T3, et de la résistance R4 ou R6; et o K3 représente une constante dépendant de la trans- conductance du transistor T2 ou T3, et de la résistance R5 ou R7. Il découle de la fonction de transfert de la structure différentielle que quand AV - 0, la tangente hyperbolique de l'expression AV/2Vt est nulle et le premier terme dépendant du condensateur Cd est donc nul. La fonction de transfert de la structure différentielle est alors indépendante du condensateur Cd, et la fréquence d'oscillation correspond à la fréquence centrale f0. Quand la tension différentielle AV varie, la fonction de transfert K(p) varie également et, par voie de conséquence, la partie imaginaire de l'impédance Zin varie, ce qui modifie la fréquence d'oscillation. La figure 8 représente la caractéristique fréquence- tension différentielle de commande, d'un oscillateur tel que représenté à la figure 6. Cette caractéristique présente une partie de croissance linéaire de la fréquence f entre deux valeurs d'asymptote fl et f2 encadrant la fréquence centrale f0. Dans l'exemple représenté à la figure 8, on suppose que les résistances R4, R5, R6 et R7 ont été dimensionnées pour que la caractéristique soit symétrique par rapport à la fréquence f0. On notera toutefois que les plages d'augmentation +Af et de diminution Af de la fréquence par rapport à la fréquence centrale f0 peuvent être rendues dissymétriques en modifiant les valeurs de ces résistances. Comme il ressort de la figure 8, l'oscillateur selon la présente invention peut fonctionner soit en modulation FM, soit en modulation FSK. Pour un fonctionnement en modulation FM, on fera varier la tension différentielle sur la portion linéaire de la caractéristique. Par contre, pour une modulation FSK, on pré- férera faire varier la tension différentielle entre deux valeurs +AV et -AV suffisamment élevées pour que les fréquences corres- pondantes se situent dans les parties asymptotiques de la carac- téristique. Cela permet de rendre les deux fréquences de la modulation FSK indépendantes d'éventuelles variations des ten- sions respectivement haute et basse du signal modulant. On notera que la fréquence centrale f0 et la plage de variation en fréquence doivent être telles que la fréquence du signal modulé soit toujours supérieure à la fréquence de réso- nance série du quartz utilisé. Un avantage de la présente invention est que l'oscil- lateur est entièrement paramétrable en conservant une structure identique. Le dimensionnement des composants du circuit déphaseur devra toutefois être adapté à la fréquence centrale f0 choisie pour l'oscillateur. Cette fréquence centrale dépend également des condensateurs Cbe et Ce. Un autre avantage de la présente invention est que la structure d'oscillateur proposée peut fonctionner sous une faible tension Vcc d'alimentation de l'ordre de 2,7 volts. Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, le dimensionnement des différents compo- sants sera choisi en fonction de la fréquence centrale souhaitée, donc de la fréquence du quartz. De plus, on pourra, de façon classique, ajouter une inductance et/ou un condensateur en série avec le quartz. REVENDICATIONS 1. Oscillateur à quartz cOnandé en tension, comportant un transistor d'oscillation (To) dont la base est reliée à une première borne d'un quartz (1) et dont l 'émetteur est connecté, par l'intermédiaire d'un premier condensateur (Ce), à une deuxiè- me borne du quartz reliée à une première borne (M) d'alimenta- tion, caractérisé en ce qu'il comporte un circuit actif (11) introduisant une capacité variable entre la base et 1 'émetteur du transistor d'oscillation, le circuit actif étant commandé en tension. 2. Oscillateur selon la revendication 1, caractérisé en oe qu'il comporte un deuxième condensateur (Cbe) connecté entre la base et 1 'émetteur du transistor d'oscillation (To). 3. Oscillateur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le circuit actif (11) est constitué d'une structure à cc"mande différentielle (AV) recevant un signal modulant. 4. Oscillateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le circuit actif comporte une première partie modulante constituée d'un premier (T4) et d'un deuxième (T5) transistors à émetteurs caommuns, dont les bases sont respectivement reliées à une première (13) et à une deuxième (12) bornes d'application du signal modulant, et dont les collecteurs sont reliés par un condensateur (Cd) de modulation, le collecteur du premier transistor étant connecté, par l'intermédiaire d'une première association en série de deux résistances (R4, R5), à une deuxième borne (A) d'alimentation, et le collecteur du deuxième transistor étant relié, par 1'intermé- diaire d'une deuxième association en série de deux résistances (R6, R7), à la deuxième borne d'alimentation; une deuxième partie modulante constituée d'un troisième (T6) et d'un quatrième (T7) transistors à émetteurs communs, dont les bases sont respectivement reliées à la deuxième borne (12) et à la première borne (13) d'application du signal modulant, le collecteur du troisième transistor étant relié au point milieu (14) de ladite première association en série (R4, R5) et le collecteur du quatrième transistor étant relié au point milieu (15) de ladite deuxième association en série (R6, R7); un montage de gain à transistors (T2, T3), intercalé entre les émetteurs des quatre premiers transistors (T4, T5, T6, T7) et la première borne (M) d'alimentation; et au moins un premier condensateur de boucle (C12) connecté entre le collecteur du premier transistor (T4) et la base du transistor d'oscillation (To). 5. Oscillateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit deuxième point milieu (15) est relié, par 1 'inter- médiaire d'un deuxième condensateur de boucle (Cll), à la base du transistor d'oscillation (To). 6. Oscillateur selon la revendication 4 ou 5, carac- térisé en oe que les résistances (R4, R5, R6, R7) desdites asso- ciations en série sont dimensionnées en fonction de la plage de modulation souhaitée autour d' une fréquence centrale (f0) d 'oscillation. 7. Oscillateur selon 1 'une quelconque des revendi- cations 4 à 6, caractérisé en ce que le montage de gain est constitué d' un cinquième transistor (T2) et d'un sixième transis- tor (T3) montés en bases comminunes, le collecteur du cinquième transistor étant relié aux émetteurs des premier et deuxième transistors (T4, T5), le collecteur du sixième transistor étant relié aux émetteurs des troisième et quatrième transistors (T6, T7), l'émetteur du cinquième transistor étant relié à l'émetteur du transistor d'oscillation (To) et l'émetteur du sixième tran- sistor étant relié, par l'intermédiaire d'un troisième conden- sateur (C3), à la première borne (M) d' alimentation. 8. Oscillateur selon la revendication 7, caractérisé en ce que les bases des cinquième (T2) et sixième (T3) transistors sont reliées, par l'intermédiaire d'une première résistance de base (Rb2), à une borne d' une source de tension constante (Vr), la base du transistor d'oscillation (To) étant également reliée à ladite borne de la source de tension par l'intermédiaire d'une deuxième résistance de base (Rbl). 9. Oscillateur selon la revendication 7 ou 8, carac- térisé en ce que les émetteurs respectifs du transistor d'oscil- lation (To) et des cinquième (T2) et sixième (T3) transistors sont reliés, par l'intermédiaire de résistances d'émetteur (Re, Re2, Re3), à la première borne (M) d'alimentation. 10. Oscillateur selon l'une queloonque des revendica- tions 1 à 9, caractérisé en ce que le ou les transistors sont des transistors (To, T2, T3, T4, T5, T6, T7) de type NPN.