FR 2735905 A1 19961227 FR 9507496 A 19950622 Procédé pour former un plateau et une couverture sur ce plateau notamment sur un substrat semiconducteur. La présente invention concerne un procédé pour former un plateau et une couverture sur ce plateau. Elle trouve notamment application lors de la fabrication d'un composant semiconducteur, notamment d'un composant optoélectronique, lorsque le plateau à couvrir est formé en saillie sur un substrat de ce composant et lorsque ladite couverture doit constituer une électrode sur ce plateau.10 Dans un procédé connu la couverture est d'abord formée par gravure d'une couche de couverture & travers un masque puis le plateau est formé par une gravure du matériau du substrat de part et d'autre de la couverture. Mais le moyen de gravure du substrat utilisé dans ce procédé est de nature15 à attaquer aussi la couverture. Cette dernière doit donc être préalablement protégée contre ce moyen. C'est pourquoi le masque utilisé pour former la couverture est choisi pour résister non seulement au moyen de gravure de couverture, mais aussi au moyen de gravure de substrat de sorte que,20 lors de la formation du plateau, ce masque constitue la protection souhaitée pour la couverture. Dans le cadre de la présente invention, il a été trouvé que les composants fabriqués selon ce procédé connu présentaient des défauts se traduisant par des performances25 imparfaites et partiellement aléatoires. La présente invention a notamment pour but de permettre d'améliorer et/ou de garantir les performances de tels composants. Dans ce but elle a pour objet un procédé pour former un plateau et une couverture sur ce plateau notamment sur un substrat semiconducteur, ce procédé comportant les étapes de: - réalisation d'un substrat présentant une face exposée par exemple horizontale, - définition d'un moyen de gravure de substrat apte à attaquer ce substrat, - dépôt sur ladite face exposée d'une couche de couverture sensible au moyen de gravure de substrat, - définition d'un moyen de gravure de couverture apte à attaquer cette couche de couverture, - formation d'un masque résistant à ces moyens de gravure de substrat et de couverture et recouvrant limitativement une zone de couverture sur cette couche de couverture, - application du moyen de gravure de couverture à travers ce masque pour laisser la couche de couverture subsister sous la forme d'une couverture présentant d'une part une surface dans la zone de couverture, d'autre part un flanc formant saillie sur ladite face exposée dans une zone de flanc au bord de la zone de couverture, cette couverture étant éliminée dans une zone latérale s'étendant au-delà de cette zone de flanc, - et application du moyen de gravure de substrat pour creuser ledit substrat dans ladite zone latérale de manière qu'une partie protégée dudit substrat constitue ledit plateau sous ladite couverture,25 ce procédé étant caractérisé par le fait que, entre l'application du moyen de gravure de couverture et celle du moyen de gravure de substrat, il comporte en outre les étapes de: - formation d'un revêtement constituant un revêtement supérieur, un revêtement de flanc et un revêtement de substrat occupant respectivement la zone de couverture, la zone de flanc et la zone latérale et présentant des surfaces respectives, 3 2735905 - et application d'un moyen de gravure de revêtement ayant une direction d'attaque sélective formant un angle plus petit avec la surface du revêtement de flanc qu'avec les surfaces du revêtement supérieur et du revêtement de 5 substrat, cette application étant arrêtée alors que ce moyen de gravure a éliminé complètement les revêtements de plateau et de substrat mais non le revêtement de flanc. Dans le cadre de cette invention une cause a en effet été trouvée pour certains desdits défauts des composants10 fabriqués selon le procédé connu. Cette cause est que, lors de l'étape de gravure du substrat, le moyen de gravure utilisé attaquait légèrement le flanc de la couverture précédemment formée. Comme conséquence de cette attaque parasite certains des atomes du matériau de la couverture15 venaient se redéposer sur le substrat au voisinage de la couverture et perturbaient alors la poursuite du processus de gravure du substrat. De manière plus générale cette invention trouve application lorsqu'un matériau de couverture et un moyen de gravure de substrat présentent des avantages spécifiques et lorsque ce matériau et ce moyen présentent en même temps une incompatibilité telle que tout contact doit être évité entre eux, par exemple parce que la couverture serait dommageablement attaquée à partir de son flanc, ou parce que25 les produits de cette attaque seraient gênants, ou parce que ce contact permettrait le passage d'un courant électrique parasite etc...Elle permet alors de bénéficier de ces avantages malgré l'existence de cette incompatibilité. A l'aide des figures schématiques ci- jointes, on va décrire plus particulièrement ci-après, à titre d'exemple non limitatif, comment la présente invention peut être mise en oeuvre. Lorsqu'un même élément est représenté sur plusieurs figures il y est désigné par le même signe de référence. Les figures 1 à 5 représentent des vues en coupe d'un composant optoélectronique fabriqué par le procédé de cette invention, à des étapes successives de ce procédé. Conformément à la figure 1 et de manière connue, on a réalisé un substrat 2 présentant une face exposée 3, par exemple horizontale. On a défini un moyen de gravure de substrat apte à attaquer ce substrat. On a déposé sur cette10 face exposée une couche de couverture 4 sensible au moyen de gravure de substrat. On a défini un moyen de gravure de couverture apte à attaquer cette couche de couverture, et on a formé un masque M1 résistant à ces moyens de gravure de substrat et de couverture et recouvrant limitativement une15 zone de couverture ZC sur cette couche de couverture. Conformément à la figure 2 on a appliqué le moyen de gravure de couverture à travers ce masque pour laisser la couche de couverture subsister sous la forme d'une couverture 6 présentant d'une part une surface 7 dans la20 zone de couverture, d'autre part un flanc 5 formant saillie sur la face exposée 3 dans une zone de flanc ZF au bord de la zone de couverture zc, cette couverture étant éliminée dans une zone latérale ZS s'étendant au-delà de cette zone de flanc.25 Conformément à la figure 5 on a appliqué le moyen de gravure de substrat pour creuser le substrat 2 dans la zone latérale ZS de manière que la partie du substrat qui est située sous la couverture 6 et qui est protégée par cette dernière constitue un plateau 10.30 Selon la présente invention, entre l'application du moyen de gravure de couverture et celle du moyen de gravure de substrat, et conformément à la figure 3, on a formé un revêtement 8. Diverses parties de ce revêtement constituent 2735905 un revêtement supérieur M3, un revêtement de flanc M2 et un revêtement de substrat M4 occupant respectivement la zone de couverture ZC, la zone de flanc ZF et la zone latérale ZS et présentant des surfaces respectives. Puis, conformément à la 5 figure 4, on a appliqué un moyen de gravure de revêtement ayant une direction d'attaque sélective D formant un angle plus petit avec la surface du revêtement de flanc qu'avec les surfaces du revêtement supérieur et du revêtement de substrat M4. Cette application a été arrêtée alors que ce10 moyen de gravure a éliminé complètement les revêtements de plateau et de substrat mais non le revêtement de flanc. De préférence le revêtement 8 a été formé par un dépôt sensiblement uniforme et isotrope d'un matériau de revêtement résistant au moyen de gravure de substrat, et les15 moyens de gravure de couverture et de revêtement ont chacun une direction d'attaque sélective D, cette direction leur étant commune et étant verticale lorsque la face exposée 3 est horizontale. De préférence encore le masque M1 et le revêtement de flanc M2 sont éliminés après l'application du moyen de gravure de substrat. Dans un mode de mise en oeuvre, le substrat 2 est semiconducteur et comporte une couche active 12 optiquement amplificatrice et guidante. La zone de couverture ZC et la25 zone de flanc ZF constituent ensemble une zone de ruban ZR s'étendant en longueur selon une direction longitudinale L perpendiculaire au plan des figures et en largeur entre deux dites zones latérales ZS. L'application du moyen de gravure de substrat élimine cette couche active dans ces zones latérales, de manière à la laisser subsister limitativement dans la zone de ruban sous la forme d'un ruban laser 10 constituant ledit plateau. 6 2735905 La couche de couverture 4 est métallique pour que la converture 6 constitue une électrode supérieure pour ce ruban laser. Elle est typiquement constituée à base d'or et de titane. Dans le cadre de la présente invention il a été 5 trouvé qu'en l'absence du revêtement de flanc M2, un moyen de gravure de substrat présentant par ailleurs certains avantages attaquait les flancs de l'électrode et que certains des atomes ou ions métalliques arrachés de ces flancs verraient se déposer sur le substrat et perturber la10 suite du processus de gravure. Lorsqu'il s'agit par exemple de réaliser un composant optoélectronique comportant un guide optique, notamment un amplificateur optique, une électrode inférieure est formée au contact d'une face inférieure non représentée du15 substrat. De préférence dans ce cas le masque M1 et le revêtement 8 sont constitués d'un diélectrique tel que la silice SiO2 ou le nitrure de silicium Si3N4, le moyen de gravure de couverture est un usinage par faisceau ionique (In Beam Etching), le dépôt de revêtement est un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), le moyen de gravure de revêtement est un usinage par des ions réactifs qui sont créés dans un plasma et qui sont accélérés vers le substrat semiconducteur (Reactive Ions Beam Etching), et le moyen de25 gravure de subtrat est un usinage par faisceau d'ions réactifs accélérés (Reactive Ions Beam Etching) ou un usinage par ions réactifs accélérés. Ce moyen de gravure de substrat présente l'avantage d'une grande uniformité et d'une bonne reproductibilité de l'attaque. REVENDICATIONS 1) Procédé pour former un plateau et une couverture sur ce plateau notamment sur un substrat semiconducteur, ce procédé comportant les étapes de: 5 - réalisation d'un substrat (2) présentant une face exposée (3) par exemple horizontale, - définition d'un moyen de gravure de substrat apte à attaquer ce substrat, - dépôt sur ladite face exposée d'une couche de couverture (4) sensible au moyen de gravure de substrat, - définition d'un moyen de gravure de couverture apte à attaquer cette couche de couverture, - formation d'un masque (Mi) résistant à ces moyens de gravure de substrat et de couverture et recouvrant limitativement une zone de couverture (ZC) sur cette couche de couverture, - application du moyen de gravure de couverture à travers ce masque pour laisser la couche de couverture subsister sous la forme d'une couverture (6) présentant20 d'une part une surface (7) dans la zone de couverture, d'autre part un flanc (5) formant saillie sur ladite face exposée dans une zone de flanc (ZF) au bord de la zone de couverture, cette couverture étant éliminée dans une zone latérale (ZS) s'étendant au-delà de cette zone de flanc,25 - et application du moyen de gravure de substrat pour creuser ledit substrat dans ladite zone latérale de manière qu'une partie protégée dudit substrat (2) constitue ledit plateau (10) sous ladite couverture, ce procédé étant caractérisé par le fait que, entre l'application du moyen de gravure de couverture et celle du moyen de gravure de substrat, il comporte en outre les étapes de: - formation d'un revêtement (8) constituant un revêtement supérieur (M3), un revêtement de flanc (M2) et un revêtement de substrat (M4) occupant respectivement la zone de couverture (ZC), la zone de flanc (ZF) et la zone 5 latérale (ZS) et présentant des surfaces respectives, - et application d'un moyen de gravure de revêtement ayant une direction d'attaque sélective (D) formant un angle plus petit avec la surface du revêtement de flanc qu'avec les surfaces du revêtement supérieur et du revêtement de10 substrat (M4), cette application étant arrêtée alors que ce moyen de gravure a éliminé complètement les revêtements de plateau et de substrat mais non le revêtement de flanc. 2) Procédé selon la revendication 1, ladite étape de formation d'un revêtement (8) étant réalisée par un dépôt sensiblement uniforme et isotrope d'un matériau de revêtement résistant au moyen de gravure de substrat, lesdits moyens de gravure de couverture et de revêtement ayant chacun une direction d'attaque sélective (D), cette direction leur étant commune et étant verticale lorsque20 ladite face exposée (3) est horizontale. 3) Procédé selon la revendication 1, ledit masque (M1) et ledit revêtement de flanc (M2) étant éliminés après l'application du moyen de gravure de substrat. 4) Procédé selon la revendication 1, ledit substrat (Z) étant semiconducteur et comportant une couche active (12) optiquement amplificatrice et guidante, ladite zone de couverture (ZC) et ladite zone de flanc (ZF) constituant ensemble une zone de ruban (ZR) s'étendant selon une direction longitudinale (L) entre deux dites zones latérales (ZS), ladite application du moyen de gravure de substrat éliminant cette couche active dans ces zones latérales, de manière à la laisser subsister limitativement dans ladite zone de ruban sous la forme d'un ruban laser (10) constituant ledit plateau, ladite couche de couverture (4) étant métallique pour que ladite converture (6) constitue une électrode supérieure pour ce ruban laser. 5) Procédé selon la revendication 4, ledit masque (M1) et ledit revêtement (8) étant constitués d'un diélectrique tel que la silice SiO2 ou le nitrure de silicium Si3N4, ledit moyen de gravure de couverture étant un usinage ionique, ledit dépôt de revêtement étant un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, ledit moyen de gravure de revêtement étant un usinage par ions réactifs accélérés, ledit moyen de gravure de substrat étant un usinage par un faisceau d'ions réactifs.