FR 2745090 A1 19970822 FR 9701211 A 19970204 1 2745090 La présente invention concerne un capteur de quantité physique en semiconducteur et son procédé de fabrication. Elle est relative à un capteur de quantité physique en semi-conducteur comportant une partie mobile ayant la structure d'un bras, afin de mesurer une quantité physique, telle qu'une accélération, un taux d'embardée ou une vibration, et son procédé de fabrication. En général, un capteur de quantité physique, tel qu'un capteur d'accélération, emploie un bras flexible de manière à détecter le déplacement de la masse accouplée au bras lors de l'application à cette masse d'une quantité physique. On a souhaité réduire les dimensions et le prix des capteurs de quantité physique, tels que les capteurs d'accélération destinés à être employés dans la commande de la suspension d'une automobile, les coussins d'air pour automobile, etc. Le brevet des Etats-Unis d'Amérique Né 5 465 604 ou la seconde publication du brevet japonais (examinée) N0 6-44008 correspondant au précédent décrivent un capteur d'accélération en semi- conducteur, capacitif, différentiel, ayant une structure de bras en polysilicium avec des électrodes, qui peuvent satisfaire un tel souhait. On expliquera ci-après le capteur de ce type en liaison avec les figures 34-36. La figure 34 est une vue en perspective du capteur; la figure 35 une vue en coupe prise le long de la ligne XXXV-XXXV de la figure 34 et la figure 36 une vue en coupe prise le long de la ligne XXXVI-XXXVI de la figure 34. Les bras 132 reposent au-dessus d'un substrat de silicium 130, chacun s'étendant entre des ancres 131 corespondantes qui sont fixées au substrat 130. Une masse 133 est suspendue par les bras I32 et des électrodes mobiles 134 sont en saillie sur la masse 133. Sur le substrat 130, une paire d'électrodes fixes 135a et 135b sont disposées par rapport à chacune des électrodes mobiles 134. Plus spécialement, l'électrode 2 2745090 mobile 134 est interposée entre la paire d'électrodes fixes 135a et 135b de manière à être en regard de celles-ci à ses extrémités opposées. L'électrode mobile 134 et les électrodes fixes correspondantes 135a et 135b forment une paire de condensateurs ayant des capacités Cl et C2, respectivement, qui servent à obtenir une servo-commande de l'électrode mobile 134. Les ancres 131, les bras 132, la masse 133 et les électrodes mobiles 134 sont constitués de polysilicium, et les bras 132, la masse 133 et les électrodes mobiles 134 sont disposés à une distance donnée de la surface du substrat de silicium 130. Les électrodes fixes 135a et 135b sont fixées au substrat 130 à leurs extrémités par l'intermédiaire d'ancres 136, respectivement. Les éléments précédents sont formés sur le substrat 130 en utilisant une technique de micro-usinage de la surface. On expliquera maintenant brièvement le fonctionnement du capteur d'accélération ainsi structuré dans le but de détecter une accélération, en liaison avec la figure 35. Lorsque l'accélération est nulle, chacune des électrodes mobiles 134 est située au point médian entre les électrodes fixes correspondantes 135a et 135b, et la capacité Cl du condensateur formé par les électrodes mobile et fixe 134 et 135a et la capacité C2 du condensateur formé par les électrodes mobile et fixe 134 et 135b sont égales l'une à l'autre. En outre, lorsque l'accélération est nulle, une tension Vl appliquée aux bornes du condensateur formé par les électrodes mobile et fixe 134 et 135a et une tension V2 appliquée entre les bornes du condensateur formé par les électrodes mobile et fixe 134 et 135b sont également égales de sorte que chaque électrode mobile 134 est attirée vers les côtés opposés, c'est-à-dire dans la direction des électrodes fixes 135a et 135b, avec des forces électrostatiques F1 et F2 de même amplitude, respectivement. D'autre part, si une accélération est appliquée dans une direction parallèle à la surface du substrat 130 de manière à déplacer l'électrode mobile 134 par rapport aux électrodes fixes 135a et 135b, les capacités C1 et C2 sont amenées à avoir des valeurs différentes de sorte que les forces électrostatiques F1 et F2 deviennent inégales. Alors, les valeurs de Vl et V2 sont contrôlées de façon à faire en sorte que les forces électrostatiques F1 et F2 aient des valeurs qui provoquent le déplacement de l'électrode mobile 134 jusqu'au point médian entre les électrodes fixes 135a et 135b pour rendre égales C1 et C2. Lorsque C1 et C2 sont rendues égales, l'accélération appliquée et la force électrostatique (c'est-à-dire le différentiel entre F1 et F2) sont équilibrées, de sorte que l'amplitude de l'accélération peut être obtenue sur la base des valeurs contrôlées de Vl et V2. On expliquera ci-après, en liaison avec les figures 37 et 38, la fabrication du capteur d'accélération de la figure 34. En figure 37, une couche sacrificielle (film d'oxyde de silicium) 138 est déposée sur un substrat de silicium 137, et des ouvertures 139 sont pratiquées à des zones données de la couche 138. Alors, un film de polysilicium 140 est déposé sur la couche 138 comprenant les ouvertures 139 et mis en motif ayant une forme donnée. En outre, comme représenté en figure 38, la couche sacrificielle 138 est enlevée par gravure pour former un intervalle d'air 141 de sorte qu'une structure à bras du film de polysilicium 140 est obtenue. Comme on l'a décrit ci-dessus, dans le capteur d'accélération précédent qui est représenté dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique Né 5 465 604, la structure à bras est constituée de polysilicium, plus précisément de silicium polycristallin. Cependant, les valeurs de la matérialité mécanique du -silicium polycristallin sont inconnues de sorte que sa fiabilité mécanique est moins assurée que par rapport à du silicium monocristallin. En outre, la structure à bras est soumise à une cambrure ou à un gauchissement à cause des contraintes internes ou de la distribution des contraintes qui sont produites lors de la formation du film de silicium polycristallin sur le film d'oxyde de silicium formé sur le substrat de silicium monocristallin. Cela rend difficile la fabrication de la structure à bras, et provoque le changement de la constante élastique du capteur. D'autre part, la fiabilité mécanique peut être améliorée en utilisant un substrat SSI (silicium sur isolant) et du silicium monocristallin comme structure de bras. On expliquera ci-après le capteur de ce type en liaison avec les figures 39-41. La figure 39 est une vue en plan du capteur, la figure 40 une vue en coupe prise le long de la ligne XXXX- XXXX de la figure 39 et la figure 41 une vue en coupe prise le long de la ligne XXXXI-XXXXI de la figure 39. Dans ce capteur d'accélération, une masse vibrante 147 est accouplée à des supports fixes 146 via des bras flexibles 145 de sorte que la masse 147 peut se déplacer. La masse 147 est constituée de silicium monocristallin dopé avec du phosphore (P). Les supports fixes 146 sont assujettis à un substrat de silicium monocristallin 148 dans un état d'isolation électrique. La masse vibrante 147 comporte des électrodes mobiles 149 qui sont parallèles. Les éléments 145, 146, 147 et 149 constituent une structure de bras 150. Des électrodes fixes 151 et 152 sont disposées en regard des électrodes mobiles 149, respectivement, de manière à définir des capacités entre les électrodes mobiles 149 et les électrodes fixes 151 et entre les électrodes mobiles 149 et les électrodes fixes 152. Avec cet agencement, si une accélération est appliquée dans une direction parallèle à la surface du substrat 148, par exemple dans la direction Y de la figure- 39, les électrodes mobiles 149 se déplacent par rapport aux électrodes fixes 151 et 152 via les bras flexibles 145 de sorte qu'il y a variation des capacités entre elles. On expliquera ci-après, en liaison avec les figures 42-46, la fabrication du capteur d'accélération représenté en figure 39. En figure 42, dans le but de former une couche SIMOX sur le substrat de silicium monocristallin 148, des ions oxygène (0+ ou 02+) d'une dose de 1016- 1018/cm2 sont implantés dans le substrat 148 à 100 keV-l O0o keV, et le substrat 148 aux ions implantés est soumis à un traitement thermique à 1 150 C-1 400 C. Grâce au procédé ci-dessus, un substrat SSI ayant une couche d'oxyde de silicium 153 d'une épaisseur d'environ 400 nm et une couche superficielle de silicium 154 d'une épaisseur d'environ 150 nm se trouve formé. Alors, comme représenté en figure 43, la couche de silicium 154 et la couche d'oxyde de silicium 153 sont partiellement enlevées par photolithographie et gravure. En outre, comme représenté en figure 44, une couche de silicium monocristallin 155 est déposée de manière épitaxiale suivant une épaisseur de 1 pm-100 gm (normalement 10 mm-20 pm). Ensuite, comme représenté en figure 45, après la formation d'un film métallique sur la couche de silicium monocristallin 155, le film métallique est formé en électrodes 156 de formes données par photolithographie pour connexion à un circuit de mesure. En outre, comme représenté en figure 46, la gravure à l'état sec en phase vapeur réactive est appliquée à la couche de silicium monocristallin 155 de manière à former les électrodes fixes 151 et 152, les électrodes mobiles 149 etc. Enfin, la couche d'oxyde de silicium 153 est enlevée par gravure en phase liquide HF de manière à obtenir la structure à bras mobile 150. Cependant, si la servo-commande effectuée avec le capteur d'accélération représenté dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique No 5 465 604 est effectuée en utilisant le substrat SSI, il est nécessaire que le substrat de silicium soit réalisé avec un câblage utilisant une couche de diffusion d'impuretés afin de croiser une première ligne d'excitation d'électrode fixe et une seconde ligne d'excitation d'électrode fixe. Plus spécialement, comme représenté en figures 47 et 48, un substrat de silicium 160 comporte un élément mobile 157 en forme de peigne, ayant des électrodes en tige 157a qui s'étendent parallèlement l'une à l'autre au-dessus du substrat de silicium 160. Sur le substrat de silicium , les premières électrodes fixes 158 et les secondes électrodes fixes 159 sont en outre disposées de façon que chacune des premières électrodes fixes 158 soit en regard d'un côté de l'électrode en tige correspondante 157a, alors que chacune des secondes électrodes fixes 159 est en regard de l'autre côté de l'électrode 157a correspondante. En outre, les secondes électrodes fixes 159 sont connectées les unes aux autres (réalisées en électrode en forme de peigne) sur le substrat de silicium 160, alors que les premières électrodes fixes 158 sont connectées électriquement l'une à l'autre par l'intermédiaire d'une couche de diffusion d'impuretés 161 formée sur la couche de silicium 160. Cependant, dans ce cas, un courant de fuite est produit à la couche 161, ce qui rend difficile la détection de l'accélération avec précision. Plus particulièrement, la détection de l'accélération est à même d'être influencée par le courant de fuite aux températures élevées. En général, le film d'oxyde de silicium est utilisé pour la couche isolante. Cependant, dans le procédé de gravure de couche sacrificielle permettant de rendre mobile la structure à bras, il est difficile de contrôler la quantité de la gravure dans la direction transversale lors de l'enlèvement du film d'oxyde de silicium (couche sacrificielle). En conséquence, il est difficile de contrôler les longueurs des bras de sorte que les constantes élastiques des structures des bras peuvent être différentes les unes des autres. Plus spécialement, il est difficile de contrôler avec précision la concentration et la température d'un agent de gravure à des valeurs constantes; et il est également difficile de contrôler avec précision l'achèvement de la gravure. Ainsi, lorsqu'on laisse des parties de la couche d'oxyde de silicium (couche sacrificielle) comme ancres, il est difficile de traiter les bras suivant une forme donnée. En conséquence, un objet de la présente invention est de fournir un capteur perfectionné de quantité physique en semi-conducteur. Un autre objet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un capteur perfectionné de quantité physique en semi-conducteur. Selon un aspect de la présente invention, un capteur de quantité physique en semi-conducteur comprend un substrat; une structure de bras constituée d'un matériau semi-conducteur monocristallin et disposée à une distance donnée de la surface supérieure du substrat de manière à pouvoir se déplacer en réponse à l'application d'une quantité physique; et une électrode fixe assujettie à la surface supérieure du substrat et en regard d'au moins une partie de la structure du bras, o une structure laminée comprenant un film isolant de couche inférieure, un film conducteur et un film isolant de couche supérieure est prévue à une partie supérieure du substrat, et o le film conducteur forme un câblage ou une électrode qui est connectée électriquement à un élément de connexion électrique disposé à la surface supérieure du substrat, via une ouverture ménagée dans le film isolant de la couche supérieure. Selon un autre aspect de la présente invention, un capteur de quantité physique en semi- conducteur comprend un substrat; une structure de bras constituée d'un matériau semi-conducteur monocristallin et espacée d'une distance donnée de la surface supérieure du substrat, la structure de bras comportant des électrodes mobiles s'étendant parallèlement; des premières électrodes fixes assujetties à la surface supérieure du substrat et chacune dirigée vers un côté d'une électrode correspondante parmi les électrodes mobiles; et des secondes électrodes fixes assujetties à la surface supérieure du substrat et chacune dirigée vers l'autre côté de l'électrode correspondante parmi les électrodes mobiles, chacune des électrodes mobiles et la première électrode fixe correspondante constituant un premier condensateur, et chacune des électrodes mobiles et la seconde électrode fixe correspondante constituant un second condensateur, o une structure laminée comprenant un film d'isolation de couche inférieure, un film conducteur et un film isolant de couche supérieure est agencée à une partie supérieure du substrat, o le film conducteur forme au moins l'un d'un motif de câblage pour les premières électrodes fixes et un motif de câblage pour les secondes électrodes fixes et o ledit au moins un des motifs de câblage est connecté électriquement aux premières ou secondes électrodes fixes correspondantes, respectivement, via des ouvertures pratiquées dans le film isolant de la couche supérieure et les ancres des première ou seconde électrodes fixes correspondantes. On peut faire en sorte que le film conducteur soit constitué de polysilicium. Selon un autre aspect de la présente invention, un capteur de quantité physique en semi- conducteur comprend un substrat; une structure de bras constituée d'un matériau semi-conducteur monocristallin et située à une distance donnée de la surface supérieure du substrat, la structure de bras comportant des électrodes mobiles s'étendant parallèlement les unes aux autres; des premières électrodes fixes assujetties à la surface supérieure du substrat et chacune étant en regard d'un côté d'une électrode correspondante parmi les électrodes mobiles; des secondes électrodes fixes assujetties à la surface supérieure du substrat et chacune étant en regard de l'autre côté de l'électrode correspondante plrmi les électrodes mobiles, et une électrode fixe empêchant les forces électrostatiques, formée à une zone du substrat en regard de la structure de bras, o une quantité physique appliquée à la structure de bras est détectée sur la base de la capacité d'un premier condensateur formé entre chacune des électrodes mobiles et la première électrode fixe correspondante et de la capacité d'un second condensateur formé entre chacune des électrodes mobiles et la seconde électrode fixe correspondante, o la production de forces électrostatiques entre la structure de bras et le substrat est empêchée en faisant en sorte que la structure de bras et l'électrode fixe empêchant les forces électrostatiques soient équipotentielles, o une structure laminée comprenant un film d'isolation de couche inférieure, des films conducteurs et un film d'isolation de couche supérieure est disposée à une partie supérieure du substrat, o les films conducteurs forment au moins l'un d'un motif de câblage pour les premières électrodes fixes et d'un motif de câblage pour les secondes électrodes fixes et forment en outre l'électrode fixe empêchant les forces électrostatiques, o ledit au moins un motif de câblage est connecté électriquement aux premières ou aux secondes électrodes fixes correspondantes, respectivement, via des ouvertures ménagées dans le film d'isolation de la couche supérieure et des ancres des première ou seconde électrodes fixes correspondantes, et o l'électrode fixe empêchant les forces électrostatiques est reliée électriquement à la structure de bras via une ouverture pratiquée dans le film d'isolation de la couche supérieure et une ancre de la structure de bras. On peut faire en sorte que les tensions appliquées aux premier et second condensateurs soient contrôlées de manière à ne pas déplacer les électrodes mobiles contre la quantité physique appliquée, et pour que la quantité physique appliquée soit détectée sur la base des tensions contrôlées. Selon un autre aspect de la -présente invention, un capteur de quantité physique en semi- conducteur comprend un substrat; une structure de bras constituée d'un matériau semi-conducteur monocristallin et située à une distance donnée de la surface supérieure du substrat, la structure de bras ayant une première électrode mobile à l'un de ses côtés et une seconde électrode mobile à l'autre de ses côtés; une première électrode fixe d'excitation assujettie à la surface supérieure du substrat et en regard de la première électrode mobile; une seconde électrode fixe d'excitation assujettie à la surface supérieure du substrat et en regard de la seconde électrode mobile; et une électrode fixe de détection de quantité physique formée à une zone du substrat en regard d'au moins une partie de la structure de bras, o une quantité physique appliquée à la structure de bras est détectée sur la base de la capacité d'un condensateur formé entre la structure de bras et l'électrode fixe de détection de quantité physique, alors qu'on fait vibrer de force la structure de bras en appliquant des forces électrostatiques de phases opposées entre la première électrode mobile et la première électrode fixe d'excitation et entre la seconde électrode mobile et la seconde électrode fixe d'excitation, o une structure laminée comprenant un film d'isolation de couche inférieure, des films conducteurs et un film d'isolation de couche supérieure est agencée à une partie supérieure du substrat, o les films conducteurs forment l'électrode fixe de détection de quantité physique et un motif de câblage pour celle-ci et o l'électrode fixe de détection de quantité physique est reliée électriquement à un élément de connexion électrique prévu à la surface supérieure du substrat par l'intermédiaire du motif de câblage via une ouverture ménagée dans le film d'isolation de la couche supérieure. La structure de bras peut être réalisée en silicium monocristallin. Les films conducteurs peuvent - être en polysilicium. Selon un autre aspect de la présente invention, un procédé pour la fabrication d'un capteur de quantité physique en semi-conducteur comprend les il étapes consistant à: former une couche sacrificielle et un premier film isolant sur un premier substrat de semi- conducteur; former une ancre ayant une ouverture dans une structure laminée comprenant la couche sacrificielle et le premier film isolant; former un film conducteur à une zone donnée sur le premier film isolant comprenant l'ancre ayant une ouverture; former un second film isolant sur le premier film isolant comprenant le film conducteur; former un film de fixation sur le second film isolant et aplatir la surface du film de fixation; fixer un second substrat de semi- conducteur sur la surface aplatie du film de fixation; polir le premier substrat de semi-conducteur à une épaisseur donnée; enlever toute partie inutile du premier substrat de semi-conducteur afin de conférer à ce substrat une certaine forme; et enlever la couche sacrificielle à une zone donnée par gravure en utilisant un agent de gravure de manière à rendre mobile le premier substrat de semi- conducteur. Selon un autre aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un capteur de quantité physique en semi-conducteur comprend les étapes consistant à: former une rainure à une zone donnée dans un premier substrat de semi-conducteur; former une couche sacrificielle et un premier film isolant sur le premier substrat de semi-conducteur comprenant la rainure; former une ancre ayant une ouverture dans une structure laminée comprenant la couche sacrificielle et le premier film isolant; former un film conducteur à une zone donnée sur le premier film isolant comprenant l'ancre ayant une ouverture; former un second film isolant sur le premier film isolant comprenant le film conducteur; former un film de fixation sur le second film isolant et aplatir la surface du film de-fixation; fixer un second substrat de semi-conducteur à la surface aplatie du film de fixation; polir le premier substrat de semi-conducteur suivant une épaisseur donnée; et enlever la couche sacrificielle à une zone donnée par gravure en utilisant un agent de gravure de manière à rendre mobile le premier substrat de semi-conducteur. La présente invention sera bien comprise lors de la description suivante faite en liaison avec les dessins ci-joints, dans lesquels: La figure l est une vue en plan du capteur d'accélération selon un premier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 2 est une vue en coupe prise le long de la ligne II-II de la figure 1; La figure 3 est une vue en coupe prise le long de la ligne III-III de la figure 1; La figure 4 est une vue en coupe prise le long de la ligne IV-IV de la figure 1; La figure 5 est une vue en coupe prise le long de la ligne V-V de la figure 1; Les figures 6-16 sont des schémas pour expliquer le procédé de fabrication du capteur d'accélération de la figure 1; Les figures 17-27 sont des schémas pour expliquer le procédé de fabrication d'un capteur d'accélération selon un second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 28 est une vue en plan d'un capteur d'accélération selon un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 29 est une vue en plan d'un capteur de taux d'embardée selon un quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 30 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXX-XXX de la figure 29; La figure 31 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXXI-XXXI de la figure 29; La figure 32 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXXII-XXXII de la figure 29; La figure 33 est un schéma pour expliquer le fonctionnement du capteur de taux d'embardée représenté en figure 29, o il20; 13 2745090 La figure 34 est une vue en perspective d'un capteur d'accélération classique; La figure 35 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXXV-XXXV de la figure 34; La figure 36 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXXVI-XXXVI de la figure 34; Les figures 37 et 38 sont des schémas pour expliquer le procédé de fabrication d'un capteur d'accélération selon la figure 34; La figure 39 est une vue en plan d'un autre capteur d'accélération classique; La figure 40 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXXX-XXXX de la figure 39; La figure 41 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXXXI-XXXXI de la figure 39; Les figures 42-46 sont des schémas pour expliquer le procédé de fabrication du capteur d'accélération représenté en figure 39; La figure 47 est une vue en plan d'un autre capteur d'accélération classique; et La figure 48 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXXXVIII-XXXXVIII de la figure 47. On décrira maintenant des modes de réalisation préférés de la présente invention en liaison avec les dessins annexés. (Premier mode de réalisation). On décrira ci-après le premier mode de réalisation en liaison avec les figures 1-16. Dans ce mode de réalisation, la présente invention est appliquée à un capteur d'accélération en semi-conducteur capacitif, différentiel, de servo-commande. La figure 1 est une vue en plan du capteur d'accélération selon le premier mode de réalisation, la figure 2 est une vue en coupe prise le long de la ligne II-II de la figure 3, la figure 3 est une vue en coupe prise le long de la ligne III-III de la figure 1, la figure 4 est une vue en coupe prise le long de la ligne IV-Iv de la figure 1 et la figure 5 est une vue en coupe prise le long de la ligne V-V de la figure 1. En figures 1 et 2, une structure de bras 2 est constituée de silicium monocristallin (matériau semi-conducteur monocristallin) et disposée sur un substrat 1. La structure 2 est suspendue par quatre ancres 3a, 3b, 3c et 3d en saillie sur le substrat 1 de façon à être espacée d'une distance donnée de cette surface. Les ancres 3a-3d sont constituées de films de polysilicium. Un bras 4 est suspendu entre les ancres 3a et 3b, alors qu'un bras 5 est suspendu entre les ancres 3c et 3d. Une masse rectangulaire 6 est en outre suspendue entre les bras 4 et 5. La masse 6 présente des trous traversants 6a qui facilitent l'entrée d'un agent de gravure lors de la gravure de la couche sacrificielle. Quatre électrodes mobiles 7a, 7b, 7c et 7d sont en saillie sur un côté (côté gauche de la figure 1) de la masse 6. Les électrodes mobiles 7a-7d ont la forme de tiges, respectivement, et s'étendent parallèlement les unes aux autres à des intervalles réguliers entre elles. D'une manière similaire, quatre électrodes mobiles 8a, 8b, 8c et 8d sont en saillie sur l'autre côté (côté droit de la figure 1) de la masse 6. Les électrodes mobiles 8a-8d ont la forme de tiges, respectivement, et s'étendent parallèlement les unes aux autres à des intervalles réguliers entre elles. Les bras 4 et 5, la masse 6 et les électrodes mobiles 7a-7d et 8a-8d sont mobiles après l'enlèvement partiel d'une couche d'oxyde sacrificielle 37. La zone à graver est représentée par les tirets Zl en figure 1. Comme décrit ci-dessus, la structure de bras 2 comporte les deux électrodes mobiles en forme de peigne (7a-7d et 8a-8d). Sur le substrat 1 sont fixées quatre premières électrodes fixes 9a, 9b, 9c et 9d qui sont constituées de silicium monocristallin. Les premières électrodes fixes 9a-9d sont supportées par des ancres a, lob, lOc et 0ld, respectivement, qui sont en saillie sur le substrat 1. Chacune des premières électrodes fixes 9a-9d est en regard d'un côté de l'électrode mobile 7a-7d correspondante. Quatre secondes électrodes fixes lla, 11b, llc et lld sont en outre fixées sur le substrat 1, qui sont également constituées de silicium monocristallin. Les secondes électrodes fixes lla-lld sont supportées par des ancres 12a, 12b, 12c et 12d,respectivement, qui sont en saillie sur le substrat 1. Chacune des secondes électrodes fixes lla- lld est en regard de l'autre côté de l'électrode mobile 7a-7d correspondante. D'une façon similaire, sur le substrat 1 sont fixées des premières électrodes fixes 13a, 13b, 13c et 13d et des secondes électrodes fixes 15a, 15b, 15c et d qui sont également constituées de silicium monocristallin. Les premières électrodes fixes 13a-13d sont supportées par des ancres 14a, 14b, 14c et 14d, en saillie sur le substrat 1. Chacune des premières électrodes fixes 13a-13d est en regard d'un côté de l'électrode mobile 8a-8d correspondante. Les secondes électrodes fixes 15a-15d sont supportées par des ancres 16a, 16b, 16c et 16d, en saillie sur le substrat 1. Chacune des secondes électrodes fixes 15a-15d est en regard de l'autre côté de l'électrode mobile 8a-8d correspondante. Comme représenté en figure 2, le substrat 1 a une structure laminée dans laquelle un film 18 d'isolation de couche inférieure, des films conducteurs 19 et un film d'isolation de couche supérieure 20 sont laminés sur un substrat de silicium 17 (substrat de semi-conducteur) dans l'ordre indiqué. En d'autres termes, une structure laminée 21 composée du film isolant 18 de la couche inférieure, des films conducteurs 19 et du film isolant 20 de la couche supérieure est déposée sur le substrat de silicium 17, o les films conducteurs 19 sont ensevelis entre les films isolants 18 et 20. Le film isolant 18 de la couche inférieure est constitué d'oxyde de silicium, alors que le film isolant 20 de la couche supérieure est réalisé en nitrure de silicium. Les films isolants 18 et 20 sont formés par le procédé de déposition en phase vapeur par procédé chimique ou analogue. D'autre part, les films conducteurs 19 sont en polysilicium dopés d'impuretés, telles que P (phosphore). Les films conducteurs 19 forment quatre motifs de câblage 22, 23, 24 et 25 et une électrode inférieure 26 (électrode fixe empêchant les forces électrostatiques). Le motif de câblage 22 a la forme d'un L et fournit un câblage pour les premières électrodes fixes 9a-9d. Le motif de câblage 23 a la forme d'un L et fournit un câblage pour les secondes électrodes fixes lla-lld. Le motif de câblage 24 a la forme d'un L et fournit un câblage pour les premières électrodes fixes 13a-13d. Le motif de câblage 25 a la forme d'un L et fournit un câblage pour les secondes électrodes fixes 15a-15d. L'électrode inférieure 26 est formée à une zone de substrat 1 en regard de la structure de bras 2. Des premiers condensateurs sont définis entre les électrodes mobiles 7a7d et les premières électrodes fixes correspondantes 9a-9d, respectivement, et des seconds condensateurs sont définis entre les électrodes mobiles 7a-7b et les secondes électrodes fixes correspondantes lla-lld, respectivement. D'une façon similaire, des premiers condensateurs sont définis entre les électrodes mobiles 8a-8d et les premières électrodes fixes correspondantes 13a-13d, respective- ment, et des seconds condensateurs sont définis entre les électrodes mobiles 8a-8d et les secondes électrodes fixes correspondantes 15a-15d, respectivement. Des parties de connexion d'électrode 27a, 27b, 27c et 27d réalisées en silicium monocristallin sont prévues de manière à être supportées par les ancres 28a, 28b, 28c et 28d, respectivement, qui sont en saillie sur le substrat 1. Comme représenté en figure 3, le film isolant 20 de la couche supérieure présente des ouvertures 29a, 29b, 29c, 29d et 30. Les ancres précédentes (polysilicium dopé avec des impuretés) lOa- o10d sont disposées dans les ouvertures 29a-29d, alors que l'ancre 28a (polysilicium dopé avec des impuretés) est disposée dans l'ouverture 30. Ainsi, le motif de câblage 22 et les premières électrodes fixes 9a-9d sont connectés électriquement les uns aux autres via les ouvertures 29a-29d et les ancres (polysilicium dopé avec des impuretés) lOa-lOd, alors que le motif de câblage 22 et la partie de connexion d'électrode 27a sont connectés électriquement via l'ouverture 30 et l'ancre 28a (polysilicium dopé avec des impuretés). Comme représenté en figure 4, le film isolant 20 de la couche supérieure présente des ouvertures 31a, 3lb, 31c, 31d et 32. Les ancres précédentes 12a-12d (polysilicium dopé avec des impuretés) sont disposées dans les ouvertures 31a-31d, alors que l'ancre 28c (polysilicium dopé avec des impuretés) est disposée dans l'ouverture 32. Ainsi, le motif de câblage 23 et les secondes électrodes fixes lla-lld sont connectés électriquement les uns aux autres via les ouvertures 31a- 31d et les ancres 12a-12d (polysilicium dopé avec des impuretés), alors que le motif de câblage 23 et la partie de connexion d'électrode 27c sont connectés électriquement via l'ouverture 32 et l'ancre 28c (polysilicium dopé avec des impuretés). D'une façon similaire, le motif de câblage 24 et les premières électrodes fixes 13a-13d sont connectés électriquement les uns aux autres via des ouvertures (non représentées) du film isolant 20 de la couche supérieure et les ancres 14a-14d, alors que le motif de câblage 24 et la partie de connexion d'électrode 27b sont connectés électriquement les uns aux autres via une ouverture (non représentée) du film isolant 20 de la couche supérieure et l'ancre 28b. 18 2745090 D'une façon similaire, le motif de câblage et les secondes électrodes fixes 15a-15d sont connectés électriquement les uns aux autres via des ouvertures (non représentées) du film isolant 20 de la couche supérieure et les ancres 16a-16d, alors que le motif de câblage 25 et la partie de connexion d'électrode 27d sont connectés électriquement les uns aux autres via une ouverture (non représentée) du film isolant 20 de la couche supérieure et l'ancre 28d. Comme représenté en figure 2, le film isolant 20 de la couche supérieure présente en outre des ouvertures 33 dans lesquelles sont disposées les ancres précédentes 3a-3d (polysilicium dopé avec des impuretés), respectivement. Ainsi, l'électrode inférieure 26 et la structure de bras 2 sont connectées électriquement l'une à l'autre via les ancres 3a-3d. En conséquence, le substrat 1 est agencé de façon que les motifs de câblage 22-25 et l'électrode inférieure 26 en polysilicium soient ensevelis au- dessous des couches SSI. Cette structure est obtenue en utilisant la technique du micro-usinage de surface. D'autre part, comme représenté en figures 1 et 2, une électrode 34 (bloc de liaison) constituée d'un film d'aluminium est prévue au-dessus de l'ancre 3a. En outre, comme représenté en figures 1, 3 et 4, des électrodes en film d'aluminium (blocs de liaison) 35a, b, 35c et 35d sont prévues sur les parties de connexion d'électrode 27a-27d, respectivement. Sur les parties 27a-27d des films 38 d'isolation de couche et des films 36 de nitrure de silicium sont en outre formés, respectivement. Ces films 38 et 36 sont formés à des zones autres que la zone Zl précédente de la figure 1. Sur la base des capacités des.premiers condensateurs formés entre les électrodes mobiles 7a-7d et les premières électrodes fixes 9a-9d (et des capacités des premiers condensateurs formés entre les électrodes mobiles 8a-8d et les premières électrodes 19 2745090 fixes 13a-13d) et des capacités des seconds condensateurs formés entre les électrodes mobiles 7a-7d et les secondes électrodes fixes lla-lld (et des capacités des seconds condensateurs formés entre les électrodes mobiles 8a-8d et les secondes électrodes fixes 15a-15d), l'accélération appliquée à la structure de bras 2 peut être détectée. Plus spécialement, deux capacités différentielles sont formées entre chaque électrode mobile et les électrodes fixes correspon- dantes, et la servo-commande est exécutée de manière à faire en sorte que les deux capacités soient égales l'une à l'autre. En outre, en réglant la structure de bras 2 et l'électrode inférieure 26 pour qu'elles soient équi- potentielles, des forces électrostatiques ne peuvent être produites entre la structure 2 et le substrat 1. Plus spécialement, étant donné que l'électrode inférieure 26 et la structure de bras 2 sont connectées l'une à l'autre via les ancres 3a-3d, elles sont au même potentiel de sorte que les bras 4 et 5 et la masse 6 avec les électrodes mobiles ne peuvent être attachés au substrat 1 à cause des forces électrostatiques. Autrement, étant donné que la structure de bras 2 est isolée par rapport au substrat de silicium 17, la structure 2 a tendance à être attachée au substrat 1 même avec une petite différence de potentiel entre la structure et le substrat. En employant les motifs de câblage 22-25 et l'électrode inférieure 26, dont chacun est séparé par les isolants, les électrodes d'aluminium (blocs de liaison) 34 et 35a-35d peuvent être atteintes par l'intermédiaire de la surface du substrat 1. Cela facilite le procédé de fabrication du capteur d'accélération. On décrira maintenant brièvement, en liaison avec la figure 1, le fonctionnement du capteur d'accélération ayant la structure ci-dessus pour détecter une accéleération. 2745090 Lorsque l'accélération est nulle, chacune des électrodes mobiles 7a-7d (8a-8d) est située au point médian entre les électrodes fixes correspondantes 9a-9d (13a-13d) et lla-lld (15a-15d), et la capacité Cl du premier condensateur formé par chaque électrode mobile 7a-7d (8a-8d) et l'électrode fixe correspondante 9a-9d (13a-13d) et la capacité C2 du second condensateur formé par chaque électrode mobile 7a- 7d (8a-8d) et l'électrode fixe correspondante lla-lld (15a-15d) sont rendues égales. En outre, lorsque l'accélération est nulle, une tension V1 appliquée aux bornes de chaque premier condensateur formé et une tension V2 appliquée aux bornes de chaque second condensateur sont aussi égales de sorte que chaque électrode mobile est attirée vers les côtés opposés, c'est-à-dire dans la direction des électrodes fixes correspondantes 9a-9d (13a-13d) et lla- lld (15a-15d), avec des forces électrostatiques F1 et F2 de même amplitude, respectivement. D'autre part, si une accélération est appliquée dans une direction parallèle à la surface du substrat 1 de manière à déplacer les électrodes mobiles par rapport aux électrodes fixes, les capacités Cl et C2 sont amenées à avoir des valeurs différentes de sorte que les forces électrostatiques F1 et F2 deviennent différentes l'une de l'autre. Alors, les valeurs de Vl et V2 sont contrôlées de façon à faire en sorte que les forces électrostatiques F1 et F2 aient des valeurs qui provoquent le déplacement de chaque électrode mobile vers le point médian entre les électrodes fixes correspondantes pour rendre Cl et C2 égales l'une à l'autre. Lorsque C1 et C2 sont rendues égales l'une à l'autre, l'accélération appliquée et les forces électrostatiques.appliquées sont équilibrées, de sorte que l'amplitude do l'accélération peut être dérivée sur la base des valeurs contrôlées de Vl et V2. Comme on l'a décrit ci-dessus, en contrôlant les valeurs des tensions appliquées aux électrodes fixes qui forment les premier et second condensateurs de 21 2745090 manière à ne pas déplacer les électrodes mobiles à l'encontre de l'accélération appliquée, l'amplitude de l'accélération peut être détectée sur la base de la variation des tensions appliquées. On décrira maintenant, ci-après, en liaison avec les figures 6-16, la fabrication du capteur d'accélération représenté en figure 1. Les figures 6-16 sont des vues schématiques en coupe représentant les étapes de fabrication du capteur d'accélération sur une section A-A de la figure 1. Tout d'abord, comme représenté en figure 6, un substrat 40 de silicium monocristallin comme premier substrat de semi-conducteur est fourni, et ensuite un film d'oxyde de silicium 41 comme couche sacrificielle est formé sur le substrat 40 par oxydation thermique, déposition en phase vapeur par procédé chimique ou analogue. Ensuite, comme représenté en figure 7, le film d'oxyde de silicium 41 est partiellement enlevé afin de former une partie concave 42 par photolithographie et gravure. En outre, pour augmenter la rugosité superficielle et l'utiliser comme butoir pour la gravure lors de la gravure de la couche sacrificielle, un film de nitrure de silicium (premier film isolant) 43 est formé. Alors, une structure laminée du film d'oxyde de silicium 41 et du film de nitrure de silicium 43 est soumise à une photolithographie et à une gravure à l'état sec de manière à former des ouvertures 44a, 44b et 44c aux zones o les ancres sont présentes. Ces ouvertures 44a-44c sont utilisées pour connecter une structure de bras et un substrat (électrode inférieure) et pour connecter les électrodes fixes et un motif de câblage. Ensuite, comme représenté en figure 8, un film de polysilicium 45 comme film conducteur est formé sur le film de nitrure de silicium 43 comprenant les ouvertures 44a- 44c, puis des impuretés y sont introduites par diffusion de P (phosphore). Ensuite, par photolithographie, un motif de câblage 45a, une 22 2745090 électrode inférieure 45b et des ancres 45c sont formés à des zones données sur le film de nitrure de silicium 43. En outre, comme représenté en figure 9, un film d'oxyde de silicium 46 comme second film isolant est formé par déposition en phase vapeur par procédé chimique sur le film de nitrure de silicium 43 comprenant les films de polysilicium 45. En outre, comme représenté en figure 10, un film de polysilicium 47 comme film de fixation est formé sur le film d'oxyde de silicium 46, et est ensuite aplati par un polissage mécanique. Alors, comme représenté en figure 11, un substrat de silicium monocristallin 48 (substrat de support) est fourni comme second substrat de semi- conducteur et fixé à la surface aplatie du film de polysilicium 47. En outre, comme représenté en figure 12, la structure laminée représentée en figure 11 est placée sens dessus dessous, et alors le substrat de silicium 40 est poli mécaniquement à une épaisseur donnée (par exemple, 1 pm-2 mm). Ensuite, par photolithographie et gravure d'une tranchée, des rainures de largeurs constantes sont formées sur le substrat de silicium 40, puis des motifs de rainure 49 sont formées en fournissant la structure de bras. De cette manière, les zones inutiles 49 du substrat de silicium 40 sont enlevées pour conférer à ce substrat une forme donnée. En outre, des impuretés sont introduites dans le substrat 40 par diffusion de P (phosphore) pour fournir des électrodes pour la détection des capacités. Dans l'étape dans laquelle les zones inutiles du substrat de silicium 40 sont enlevées pour conférer à ce substrat la forme donnée, étant donné que le substrat 40 est de faible épaisseur (par exemple, 1 Jm-2 nm), l'épaisseur permettant de satisfaire la résolution du motif inférieur d'un butoir, les formes des ouvertures 44.-44c (voir figure 7) du film d'oxyde de silicium 41 peuvent être vues par l'intermédiaire du 23 2745090 substrat de silicium 40 de sorte que l'adaptation d'un photomasque peut être exécutée avec précision. Alors, comme représenté en figure 13, un film d'oxyde de silicium 50 est formé par déposition en phase vapeur par procédé chimique, et ensuite la gravure en retrait est exécutée par gravure à l'état sec de manière à aplatir le substrat. En outre, comme représenté en figure 14, les films 51 d'isolation de couche sont formés et, par photolithographie et gravure à l'état sec, un trou de contact 52 est réalisé. Alors, les films de nitrure de silicium 76 sont formés à des zones données sur les films d'isolation de couche 51. En outre, comme représenté en figure 15, une électrode d'aluminium 53 est formée par photolitho- graphie, et ensuite les films de passivation 54 sont réalisés par photolithographie. Enfin, comme représenté en figure 16, les films d'oxyde de silicium 41 et 50 sont enlevés par gravure en utilisant un agent de gravure HF de manière à faire en sorte qu'une structure de bras 56 comportant des électrodes mobiles 55 soit elle-même mobile. Plus spécialement, des parties données du film d'oxyde de silicium 41 sont enlevées par gravure de la couche sacrificielle en utilisant l'agent de gravure de manière à rendre mobile le substrat de silicium 40. Dans ce cas, un agent de sublimation, tel qu'un para-dichlorobenzène, est utilisé pour éviter que les parties mobiles ne soient fixées sur le substrat pendant le processus de séchage suivant la gravure. Dans l'étape o les parties données du film d'oxyde de silicium 41 sont enlevées par gravure de la couche sacrificielle en utilisant l'agent de gravure de manière à rendre mobile le substrat de silicium 40, étant donné que les ancres 45c sont constituées de polysilicium, la gravure s'arrête au droit des ancres c. Plus spécialement, dans ce mode de réalisation, la couche sacrificielle est constituée d'oxyde de silicium, 24 2745090 les films conducteurs de polysilicium, et on utilise l'agent de gravure HF. Etant donné que l'oxyde de silicium est dissous par l'agent de gravure HF alors que le polysilicium ne l'est pas par cet agent, il n'est pas nécessaire de contrôler avec précision la concentration et la température de l'agent de gravure HF ou la terminaison de la gravure de sorte que le procédé de fabrication peut être facilité. Plus spécialement, lors de l'utilisation du substrat SSI représenté en figure 42, la longueur du bras change en fonction du temps de gravure lors de la gravure de la couche sacrificielle. D'autre part, dans ce mode de réalisation, la gravure est finie quelle que soit sa durée lorsqu'elle atteint l'ancre de sorte que la longueur du bras reste toujours constante. Ainsi, la constante élastique du capteur d'accélération peut être contrôlée avec précision. En outre, une saillie 57 est formée comme cela est représenté en figure 16 qui correspond à la partie concave 42 de la figure 7. En conséquence, lors d'une étape de remplacement d'un agent de gravure après la gravure de la couche sacrificielle, bien que des gouttelettes d'un liquide de rinçage (liquide de remplacement), tel que de l'eau désionisée, reste entre une partie mobile liquide et le substrat, les zones d'adhérence des gouttelettes peuvent être réduites pour diminuer la tension de surface de sorte qu'une partie mobile ne peut être fixée au substrat lors de la vaporisation du liquide de rinçage. Comme on l'a décrit ci-dessus, le capteur d'accélération de servocommande peut être formé en utilisant le substrat SSI enseveli et en formant le motif de câblage 45a et l'électrode inférieure 45b, qui sont chacun séparés par les isolants. Selon ce mode de réalisation, on peut obtenir les avantages (1)- (6) suivants: (1) La structure de bras 2 est disposée sur le substrat 1 en en otant écartée d'une distance donnée et 2745090 est soumise à une accélération (quantité physique) de manière à se déplacer. Les électrodes fixes 9a-9d, lla- lld, 13a-13d et 15a-15d sont fixées sur le substrat 1 de manière à être en regard des électrodes mobiles 7a-7d et 8a-8d, respectivement, qui constituent des parties de la structure de bras 2. A la partie supérieure du substrat 1, la structure laminée 21 du film isolant 18 de la couche inférieure, les films conducteurs 19, et le film isolant 20 de la couche supérieure, comme représenté en figure 2, est disposée. Les films conducteur 19 forment les motifs de câblage 22-25 et l'électrode inférieure 26. Par l'intermédiaire des ouvertures 29a-29d, 31a-31d, , 32 et 33 formées dans le film isolant 20 de la couche supérieure, les motifs de câblage 22-25 et l'électrode inférieure 26 sont connectés électriquement aux électrodes fixes 9a-9d, lla-lld, 13a-13d et 15a-15d, à la structure de bras 2, aux parties de connexion d'électrode 27a-27d (éléments de connexion électrique). De cette manière, le substrat SSI (substrat SSI enseveli) est employé, dans lequel les films isolants sont disposés à la partie supérieure du substrat 1, et les films (polysilicium) sont ensevelis entre les films isolants comme motifs de câblage et l'électrode. Avec cet agencement, les motifs de câblage et l'électrode qui sont séparés par les isolants peuvent être formés. Par rapport à l'utilisation de la couche 161 de diffusion des impuretés (séparation par jonction pn) représentée en figure 48, la réduction de la fuite de la jonction peut être obtenue. Plus particulièrement, la réduction de la fuite aux températures élevées peut être obtenue. (2) La structure laminée 21 du film d'isolation 28 de la couche inférieure, des films conducteurs 19 et du film isolant 20 de la couche supérieure est disposée à la partie supérieure du substrat 1. Les films conducteurs 19 constituent les motifs de câblage 22 et 24 pour les premières électrodes fixes et les motifs de câblage 23 et 25 pour les secondes électrodes fixes. Via les ouvertures 29a-29d et 31a-31d et les ancres des 26 2745090 électrodes fixes, les motifs de câblage 22-25 et les électrodes fixes 9a9d, lla-lld, 13a-13d et 15a-15d sont connectés électriquement. De cette manière, la ligne d'excitation des premières électrodes fixes et les lignes d'excitation des secondes électrodes fixes peuvent se croiser, respectivement, en utilisant les motifs de câblage 22-25 ensevelis entre les films isolants qui sont disposés à la partie supérieure du substrat 1. En employant le substrat SSI (substrat SSI enseveli) o les films ensevelis (polysilicium) sont utilisés comme motifs de câblage du côté substrat, les motifs de câblage (films conducteurs) séparés par les isolants peuvent être formés. En conséquence, par rapport à l'utilisation de la couche 161 de diffusion des impuretés (séparation par jonction pn) représentée en figure 48, la réduction de la fuite à la jonction peut être obtenue. En particulier, la réduction de la fuite à la jonction à haute température peut être obtenue. (3) La structure laminée 21 du film isolant 18 de la couche inférieure, des films conducteurs 19 et du film isolant 20 de la couche supérieure est déposée à la partie supérieure du substrat 1. Les films conducteurs 19 forment les motifs de câblage 22 et 24 pour les premières électrodes fixes, les motifs de câblage 23 et 25 pour les secondes électrodes fixes et l'électrode inférieure 26 (électrode fixe empêchant les forces électrostatiques). Via les ouvertures 29a-29d et 31a-31d ménagées dans le film isolant 20 de la couche supérieure et les ancres des électrodes fixes, les motifs de câblage 22-25 et les électrodes fixes 9a-9d, lla-lld, 13a-13d et 15a-15d sont connectés électrique- ment. En outre, via les ouvertures 33 ménagées dans le film isolant 20 de la couche supérieure et les ancres 3a-3d de la structure de bras 2, l'électrode inférieure 26 et la structure de bras sont connectées électriquement. De cette manière, les lignes 27 2745090 d'excitation des premières électrodes fixes et les lignes d'excitation des secondes électrodes fixes peuvent se croiser, respectivement, en utilisant les motifs de câblage 22-25 ensevelis entre les films isolants qui sont disposés à la partie supérieure du substrat 1. En outre, en ensevelissant l'électrode inférieure 26 entre les films isolants, la structure de bras (partie mobile) et l'électrode inférieure peuvent être rendues équipotentielles de manière à éviter l'introduction des forces électrostatiques entre la structure de bras et le substrat. Ainsi, la structure de bras ne peut être fixée au substrat, ce qui sinon pourrait être provoqué par une différence de potentiel, fusse-t-elle petite, entre la structure de bras et le substrat. (4) Etant donné que le silicium monocristallin, qui est un matériau fragile et dont les valeurs de la matérialité, telle que le module de Young, sont connues, est utilisé pour la structure de bras 2, la fiabilité de cette structure peut être améliorée. (5) En utilisant du polysilicium pour les films conducteurs 19 et en les séparant par les films isolants, l'influence du courant de fuite aux hautes températures peut être réduite par rapport à la séparation par la jonction pn. (6) Etant donné que le servo-mécanisme (servo- commande) est employé, le déplacement de la structure de bras dû à l'accélération peut être rendu minimal de sorte que la fiabilité du capteur peut être améliorée. Dans le premier mode de réalisation préféré ci-dessus, les motifs 22 et 24 de câblage des premières électrodes fixes et les motifs 23 et 25 de câblage des secondes électrodes fixes sont formés par les films conducteurs 19. cependant, seuls les motifs de câblage des première ou des seconde électrodes fixes peuvent être formés par les films conducteurs 19, et les autres peuvent être sous la forme d'un câblage d'aluminium ou d'électrodes en forme de peigne. En outre, dans le 28 2745090 premier mode de réalisation ci-dessus, les motifs de câblage pour les électrodes fixes et l'électrode inférieure sont formés par les films conducteurs ensevelis. Cependant, la présente invention s'applique également à un capteur ne comportant aucune électrode inférieure. (Second mode de réalisation). On décrira maintenant le second mode de réalisation préféré en liaison avec les figures 17-27. Les figures 17-27 sont des vues schématiques, en coupe, correspondant aux figures 6-16 qui représentent les étapes de fabrication d'un capteur d'accélération en semi-conducteur capacitif, différentiel, de servo- commande selon le second mode de réalisation préféré. Tout d'abord, comme représenté en figure 17, un substrat de silicium monocristallin 60 est fourni comme premier substrat de semi-conducteur. Alors, des rainures sont formées dans le substrat 60 qui ont des largeurs constantes par gravure d'une tranchée, et ensuite, des motifs de rainure 61 sont formés pour fournir une structure de bras. Plus spécialement, les rainures 61 sont formées à des zones données du substrat 60. Alors, des impuretés sont introduites dans le substrat 60 par diffusion de P (phosphore) de manière à fournir des électrodes pour la détection ultérieure de capacités. Ensuite, comme représenté en figure 18, un film d'oxyde de silicium 62 comme couche sacrificielle est formé par dépôt en phase vapeur par procédé chimique sur le substrat de silicium 60 comprenant les rainures 61. En outre, la surface du film d'oxyde de silicium 62 est aplatie. * Alors, comme représenté en figure 19, le film d'oxyde de jilicium 62 est partiellement enlevé afin de former une partie concave 63 par photolithographie et gravure. La partie concave 63 sert à diminuer la ten:sion de surface de façon à éviter que 29 2745090 la structure de bras ne soit fixée au substrat comme on l'a décrit précédemment en liaison avec la saillie 57 de la figure 16. En outre, pour augmenter la rugosité superficielle et utiliser un butoir pour la gravure lors de la gravure de la couche sacrificielle, un film de nitrure de silicium 64 (premier film isolant) est formé. Alors, une structure laminée du film de nitrure de silicium 64 et du filmd'oxyde de silicium 62 est soumise à une photolithographie et à une gravure à sec afin de former des ouvertures 65a, 65b et 65c à des zones o les ancres seront formées. Ces ouvertures 65a- c sont utilisées pour connecter une structure de bras et un substrat (électrode inférieure) et pour connecter des électrodes fixes et un motif de câblage. Ensuite, comme représenté en figure 20, un film de polysilicium 66 est formé sur le film de nitrure de silicium 64 comprenant les ouvertures 65a-65c, et alors des impuretés sont introduites par diffusion de P (phosphore). Ensuite, par photolithographie, un motif de câblage 66a, une électrode inférieure 66b et des ancres 66c sont formés. De cette manière, les films de polysilicium 66 dopés en impuretés comme films conducteurs sont formés à des zones données sur le film de nitrure de silicium 64 comprenant les ouvertures 65a- 65c. L'épaisseur des films de polysilicium 66 est d'environ 1 pm-2 mn. Dans l'étape au cours de laquelle les films de polysilicium 66 dopés avec des impuretés sont formés à des zones données sur le film de nitrure de silicium 64 comprenant les ouvertures, étant donné que les films de polysilicium 60 ont une faible épaisseur (1 pm-2 pm), épaisseur suffisante pour satisfaire la résolution du motif inférieur d'un butoir, les formes des ouvertures a-65c du film de nitrure de silicium 64 peuVent être vues à travers les films de polysilicium 66 de sorte que l'adaptation d'un photomasque peut être effectuée avec precision. 2745090 Alors, comme représenté en figure 21, un film d'oxyde de silicium 67 comme second film isolant est formé sur le film de nitrure de silicium 64 comprenant les films de polysilicium 66. En outre, comme représenté en figure 22, un film de polysilicium 68 comme film de fixation est formé sur le film d'oxyde de silicium 67, et est alors aplati par polissage mécanique. Alors, comme représenté en figure 23, un substrat 69 de silicium monocristallin (substrat de support) est prévu comme second substrat de semi- conducteur et fixé à la surface aplatie du film de polysilicium 68. En outre, comme représenté en figure 24, la structure laminée de la figure 23 est mise sens dessus dessous, et alors le substrat de silicium 60 est poli mécaniquement à une épaisseur donnée. Dans ce cas, si le polissage avance jusqu'à la profondeur des rainures formées par la gravure de la tranchée, comme représenté en figure 17, le film d'oxyde de silicium 62 apparaît pour changer la dureté du polissage de sorte que la fin du polissage peut être détectée facilement. Ensuite, comme représenté en figure 25, les films d'isolation de couche 70 sont formés et, par photolithographie et gravure à l'état sec, un trou de contact 71 est formé. Alors, les films de nitrure de silicium 77 sont formés à des zones données sur les films d'isolation de couche 70. En outre, comme représenté en figure 26, une électrode d'aluminium 72 est formée par photolitho- graphie, et ensuite des films de passivation 73 sont formés par photolithographie. Enfin, comme représenté en figure 27, le film d'oxyde de silicium 62 est enlevé par gravure en utilisant un agent de gravure HF de façon à rendre mobile une structure de bras 75 comportant les électrodes mobiles 74. Plus spécialement, des parties données du film d'oxyde de silicium 62 sont enlevées par 31 2745090 gravure d'une couche sacrificielle en utilisant l'agent de gravure de manière à rendre mobile le substrat de silicium 60. Dans ce cas, un agent de sublimation, tel qu'un paradichlorobenzène, sert à éviter que les parties mobiles ne soient fixées sur le substrat pendant le processus de séchage suivant la gravure. Dans l'étape o les parties données du film d'oxyde de silicium 62 sont enlevées par gravure de la couche sacrificielle en utilisant l'agent de gravure de manière à rendre mobile le substrat de silicium 60, étant donné que les ancres 66c sont en polysilicium, la gravure est arrêtée au droit des ancres 66c. Plus spécialement, dans ce mode de réalisation, la couche sacrificielle est constituée d'oxyde de silicium, les films conducteurs de polysilicium, et l'agent de gravure HF est utilisé. Etant donné que l'oxyde de silicium est dissous par l'agent de gravure HF alors que le polysilicium ne l'est pas, il n'est pas nécessaire de contrôler avec précision la concentration et la température de l'agent de gravure HF ou la terminaison de la gravure de sorte que le procédé de fabrication peut être facilité. Plus spécialement, lors de l'utilisation du substrat SSI représenté en figure 42, la longueur du bras change en fonction de la durée de la gravure lors de la gravure de la couche sacrificielle. D'autre part, dans ce mode de réalisation, la gravure est finie quelle que soit sa durée lorsqu'elle atteint l'ancre de sorte que la longueur du bras est toujours constante. Ainsi, la constante élastique du capteur d'accélération peut être contrôlée avec précision. Comme on l'a décrit ci-dessus, le capteur d'accélération peut être formé en utilisant le substrat SSI enseveli et en réalisant le motif de cAblage et l'électrode inférieure qui sont chacun séparés par les isolants. 32 2745090 (Troisième mode de réalisation). On décrira maintenant le troisième mode de réalisation préféré de la présente invention, principalement en ce qui concerne les différences par rapport au premier mode de réalisation ci-dessus. La figure 28 est une vue en plan du capteur d'accélération en semi-conducteur capacitif, différen- tiel, de servo-commande, selon le troisième mode de réalisation. En figure 1, la masse 6 est supportée par les bras 4 et 5, qui s'étendent chacun linéairement entre les deux ancres correspondantes. D'autre part, dans ce mode de réalisation, le bras 4 est supporté seulement par l'ancre 3a fournie au point médian du bras, et le bras 5 est supporté seulement par l'ancre 3b prévue au point médian de ce bras. Avec cet agencement, même si la contrainte de compression demeure dans le film formant la structure de bras 2, les bras ne peuvent être cambrés par la contrainte de compression restante. En outre, même si la contrainte de traction demeure dans le film formant la structure de bras 2, la constante élastique ne peut s'écarter d'une valeur nominale. (Quatrième mode de réalisation). On décrira maintenant le quatrième mode de réalisation préféré en liaison avec les figures 29 à 33. Dans ce mode de réalisation, la présente invention est appliquée à un capteur de taux d'embardée du type à excitation, dans lequel deux structures de bras (structures mobiles) sont prévues et excitées dans des phases opposées l'une à l'autre de manière à exécuter une détection différentielle. La figure 29 est une vue en plan d'un capteur de taux d'embardée selon le quatrième mode de réalisation préféré, la figure 30 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXX-XXX de la figure 29, la 33 2745090 figure 31 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXXI-XXXI de la figure 29 et la figure 32 est une vue en coupe prise le long de la ligne XXXII-XXXII de la figure 29. En figure 30, une structure de bras 81 et une structure de bras 82 (voir figure 29) sont disposées sur un substrat 80 en étant contiguës l'une à l'autre. Les structure de bras 81, 82 sont chacune constituées de silicium monocristallin (matériau semi-conducteur monocristallin). La structure 81 est suspendue par quatre ancres 83a, 83b, 83c et 83d en saillie sur le substrat 81 à une distance donnée de la surface de ce substrat. Les ancres 83a-83d sont formées de films de polysilicium, respectivement. Un bras 84 est suspendu entre les ancres 83a et 83c, alors qu'un bras 85 est suspendu entre les ancres 83b et 83d. La masse rectangulaire 86 est en outre suspendue entre les bras 84 et 85. La masse 86 comporte des trous traversants 86a. En outre, un certain nombre d'électrodes mobiles d'excitation 87 sont en saillie sur un côté (côté gauche de la figure 29) de la masse 86. Les électrodes mobiles 87 ont chacune la forme d'une tige, et s'étendent parallèlement les unes aux autres à des intervalles réguliers entre elles. D'une façon similaire, un certain nombre d'électrodes mobiles d'excitation 88 sont en saillie sur l'autre côté (côté droit de la figure 29) de la masse 86. Les électrodes mobiles 88 ont chacune la forme d'une tige et s'étendent parallèlement les unes aux autres en étant séparées par des intervalles réguliers. Les bras 84 et 85, la masse 86 et les électrodes mobiles 87 et 88 sont mobiles après un enlèvement partiel d'une couche d'oxyde sacrificielle 89 par gravure. La zone gravée est représentée par les tirets Z2 en figure 29. Comme on l'a décrit ci-dessus, la structure de bras 81 comporte deux électrodes mobiles en forme de peigne, c'est-à-dire les électrodes mobiles 87 comme 34 2745090 premières électrodes mobiles et les électrodes mobiles 88 comme secondes électrodes mobiles. Etant donné que la structure de bras 82 a la même structure que la structure de bras 81, son explication est omise par affectation des mêmes références aux électrodes correspondantes. Sur le substrat 80 sont disposées des électrodes 90, 91 et 92 en forme de peigne comme électrodes fixes d'excitation. L'électrode 90 comporte des électrodes en tige 90a à l'un de ses côtés. L'électrode 91 comporte des électrodes en tige 91a et 91b à ses deux côtés. L'électrode 92 comporte des électrodes en tige 92a à l'un de ses côtés. Les électrodes 90-92 sont en silicium monocristallin. Les électrodes 90-92 sont supportées et fixées par des ancres 93, 94 et 95, respectivement, qui sont en saillie sur le substrat 80. Les électrodes en tige 90a de l'électrode en forme de peigne 90 sont disposées de manière à être en regard des électrodes mobiles correspondantes 87 de la structure de bras 81, respectivement. Les électrodes en tige 91a de l'électrode en forme de peigne 91 sont disposées de manière à être en regard des électrodes mobiles correspondantes 88 de la structure de bras 81, respectivement. Les électrodes en tige 9lb de l'électrode en forme de peigne 91 sont disposées de manière à être en regard des électrodes mobiles correspondantes 87 de la structure de bras 82, respectivement. Les électrodes en tige 92a de l'électrode en forme de peigne 92 sont disposées de manière à être en regard des électrodes mobiles correspondantes 88 de la structure de bras 82, respectivement. Dans ce mode de réalisation, l'éle'ctrode 90 en forme de peigne constitue les premières électrodes fixes d'excitation et l'électrode en forme de peigne 91 constitue les secondes électrodes fixes d'excitation. Comme représenté en figure 29, à une zone du substrat 80 en regard d'une partie (principalement, la masse 86) de la structure de bras 81, une électrode inférieure (électrode fixe de détection du taux d'embardée) 101 est disposée comme électrode fixe de détection d'une quantité physique. D'une façon similaire, à une zone du substrat 80 en regard d'une partie (principalement la masse 86) de la structure de bras 82, une électrode inférieure (électrode fixe de détection de taux d'embardée) 102 est disposée comme électrode fixe de détection de quantité physique. Un premier condensateur est défini entre la structure de bras 81 et l'électrode inférieure 101, et un second condensateur l'est entre la structure de bras 82 et l'électrode inférieure 102. En appliquant des forces électrostatiques de phases opposées entre les électrodes mobiles 87 de la structure de bras 81 et l'électrode en forme de peigne et entre les électrodes mobiles 88 de la structure de bras 81 et l'électrode en forme de peigne 91, la structure de bras 81 est soumise à une vibration forcée (excitation). D'une façon similaire, en appliquant des forces électrostatiques de phases opposées entre les électrodes mobiles 87 de la structure de bras 82 et l'électrode en forme de peigne 91 et entre les électrodes mobiles 88 de la structure de bras 82 et l'électrode en forme de peigne 92, la structure de bras 82 est soumise à une vibration forcée (excitation). Pendant l'excitation, les taux d'embardée appliqués aux structures 81 et 82 peuvent être détectés sur la base de la capacité Co des premier et second condensateurs formés entre la structure 81 et l'électrode inférieure 101 et entre la structure 82 et l'électrode inférieure 102. Comme représenté en figure 30, le substrat a une structure laminée, dans laquelle un film d'isolation 97 de couche inférieure, des films conducteurs 98 et un film d'isolation 99 de couche 36 2745090 supérieure sont laminés sur un substrat de silicium (substrat de semi-conducteur) 96 dans l'ordre indiqué. En d'autres termes, une structure laminée 100 composée du film d'isolation 97 de la couche inférieure, des films conducteurs 98 et du film d'isolation 99 de la couche supérieure est déposée sur le substrat de silicium 96, o les films conducteurs 98 sont ensevelis entre les films isolants 97 et 99. Le film isolant 97 est en oxyde de silicium alors que le film isolant 99 est en nitrure de silicium. Les films isolants 97 et 99 sont formés par déposition en phase vapeur par procédé chimique ou analogue. D'autre part, les films conducteurs 98 sont constitués de polysilicium dopé par des impuretés. Les films conducteurs 98 forment les électrodes inférieures 101 et 102 et les motifs de câblage 103 et 104 représentés en figure 29. Comme représenté en figures 29 et 31, des parties de connexion d'électrode 105 et 106 (éléments de connexion électrique) en silicium monocristallin sont prévues de manière à être supportées par des ancres 107 et 108 en saillie sur le substrat 80. Comme représenté en figure 31, le film d'isolation 99 de couche supérieure comporte une ouverture 109 dans laquelle est disposée l'ancre 107 (polysilicium dopé avec des impuretés). En conséquence, l'électrode inférieure 101 est connectée électriquement à la partie de connexion d'électrode 105 par l'intermédiaire du motif de câblage 103 et en outre par l'intermédiaire de l'ouverture 109 et de l'ancre 107 (polysilicium dopé par impuretés). D'une manière similaire, l'électrode inférieure 102 est connectée électriquement à la partie de connexion d'électrode 106 par l'intermédiaire du motif de câblage 104 et en outre par l'intermédiaire de l'ancre 108 (polysilicium dopé par impuretés). Comme représenté en figure 29, les ancres 93-95 des électrodes 90-92 en forme de peigne et les 37 2745090 ancres 83a-83d des structures de bras 81 et 82 ont la forme d'éléments ensevelis 110 formés par les films conducteurs 98. En conséquence, le substrat 80 est disposé de façon que les électrodes inférieures 101 et 102 et les motifs de câblage 103 et 104 en polysilicium soient ensevelis sous les couches SSI. Cette structure est obtenue en utilisant la technique de micro-usinage de surface. D'autre part, comme représenté en figure 32, des électrodes en film d'aluminium (blocs de liaison) 111, 112 et 113 sont prévues sur les électrodes 90-92 en forme de peigne, respectivement. En outre, des électrodes en film d'aluminium (blocs de liaison) 114 et 115 sont prévues au-dessus des ancres 83a des structures de bras 81 et 82. Comme représenté en figure 31, les électrodes en film d'aluminium 116 (blocs de liaison) sont prévues sur les parties de connexion d'électrode et 106, respectivement. Sur les parties 105 et 106, les films d'isolation de couche 118 et les films de nitrure de silicium 117 sont en outre formés, respectivement. En utilisant les électrodes inférieures 101 et 102 et les motifs de câblage 103 et 104, qui sont séparés chacun par les isolants, les électrodes d'aluminium 116 peuvent être atteintes par l'intermédiaire de la surface du substrat. On décrira maintenant ci-après, en liaison avec la figure 33, le fonctionnement du capteur de taux d'embardée ayant la structure ci-dessus. Tout d'abord, des tensions sont appliquées entre les électrodes 90-92 en forme de peigne (électrodes fixes d'excitation) et les électrodes mobiles d'excitation 87 et 88 de manière à faire vibrer les masses 86 des structures de bras 81 et 82 dans la direction Y de la figure 29 parallèlement à la surface du substrat. A ce moment là, si une embardée Q est produite dans une direction parallèle à la surface du 38 2745090 substrat et perpendiculaire aux directions de vibration (directions Y), une force de Coriolis perpendiculaire à la surface du substrat est appliquée aux masses 86 des structures 81 et 82 (voir figure 29). Le déplacement des masses 86 des structures 81 et 82 provoqué par la force de Coriolis est détecté comme changements des capacités Co. La force de Coriolis fc dépend de la valeur m de la masse 86 de la structure de bras 81, 82, de la vitesse V des vibrations et de l'embardée Q, et est donnée par l'équation suivante: fc = 2mVQ. Pendant les vibrations dans les directions parallèles à la surface du substrat, la vitesse de la masse 86 de la structure 81, 82 est nulle à ses extrémités fixes, alors qu'elle devient maximum à son centre. Cela s'applique aussi à la force de Coriolis. En conséquence, le déplacement dans les directions perpendiculaires à la surface du substrat est également nul aux extrémités fixes, alors qu'il devient maximum au centre de sorte que chaque masse 86 trace un oval. En décalant les phases des vibrations des masses 86 de 180 degrés, les directions du déplacement deviennent opposées l'une à l'autre de sorte qu'une détection différentielle est rendue possible. Si l'une des masses 86 est utilisée (c'est-à-dire qu'il n'y a pas exécution de l'excitation différentielle), la force de Coriolis et l'accélération provoquée par des vibrations ou autres ne peuvent pas être séparées. D'autre part, en exécutant la détection différentielle, les composantes du bruit provoquées par l'accélération peuvent être annulées. Etant donné qu'en général la force de Coriolis est très petite, l'effet de la résonance est utilisé. Plus spécialement, pour augmenter la vitesse V de l'équation ci-dessus, l'excitation de chaque masse 86 dans les directions parallèles à la surface du substrat est effectuée à une fréquence de résonance de manière à augmenter les amplitudes. Comme la force de Coriolis est 39 2745090 produite à la même période que les vibrations, le déplacement provoqué par la force de Coriolis peut être augmenté en établissant la même fréquence de résonance que celle de l'excitation dans les directions de détection perpendiculaires à la surface du substrat. On suppose que les capacités sont modifiées en Co+AC (premier condensateur) et en Co-AC (second condensateur) à cause des changements de l'intervalle provoqués par la force de Coriolis comme cela est représenté en figure 33. Dans ce cas, si le changement de l'intervalle est suffisamment petit par rapport à une valeur initiale, fc"2AC, et donc Q2AC, l'embardée peut être détectée sur la base des variations des deux capacités. Le capteur de taux d'embardée qu'on a décrit ci-dessus peut être fabriqué de la même manière que les premier ou second modes de réalisation ci-dessus. Selon ce mode de réalisation, on peut obtenir les avantages suivants: La structure laminée 100 du film d'isolation 97 de la couche inférieure, des films conducteurs 98 et du film d'isolation 99 de la couche supérieure est déposée à la partie supérieure du substrat 80. Les films conducteurs 98 forment l'électrode inférieure (électrode fixe de détection de quantité physique) 101 (102) et le motif de câblage 103 (104) pour l'électrode inférieure. Via l'ouverture 109 ménagée dans le film d'isolation 99 de la couche supérieure, l'électrode inférieure 101 (102) est connectée électriquement à la partie de connexion d'électrode 105 (106) par l'intermédiaire du motif de câblage 103 (104). De cette manière, en déposant les films isolants à la partie supérieure du substrat 80 et en ensevelissant l'électrode inférieure et le motif de cAblage entre les films isolants, le câblage et l'électrode séparés par les isolants peuvent être obtenus. En employant le substrat SSI (substrat SSI enseveli) là o les films ensevelis (polysilicium) sont 2745090 utilisés comme électrodes intérieures 101 et 102 et leur câblage, les électrodes et leur câblage séparés par les isolants peuvent être formés. Par conséquent, par rapport à l'utilisation de la couche de diffusion des impuretés 161 (séparation de la jonction pn) représentée en figure 48, la réduction de la fuite de la jonction peut être obtenue. Plus particulièrement, la réduction de la fuite de la jonction aux hautes températures peut être obtenue. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de modifications et de variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art. Par exemple, dans les capteurs d'accéléra- tion ci-dessus, la servo-commande est effectuée. D'autre part, la présente invention s'applique aussi à un capteur qui détecte un déplacement comme un changement de capacité. En outre, la présence invention s'applique aussi à un capteur de quantité physique en semi- conducteur qui détecte une quantité physique, telle qu'une vibration, autre qu'une accélération et un taux d'embardée. 41 2745090 REVENDICATIONS 1 - Capteur de quantité physique en semi- conducteur comprenant: - un substrat; - une structure de bras constituée d'un matériau semi-conducteur monocristallin et espacée suivant une distance donnée de la surface supérieure du substrat de manière à pouvoir se déplacer en réponse à l'application d'une quantité physique; et - une électrode fixe assujettie à la surface supérieure du substrat et en regard d'au moins une partie de la structure de bras, caractérisé en ce qu'une structure laminée comprenant un film d'isolation de couche inférieure, un film conducteur et un film d'isolation de couche supérieure est prévue à une partie supérieure du substrat, et en ce que le film conducteur forme un câblage ou une électrode qui est connecté électriquement à un élément de connexion électrique disposé à la surface supérieure du substrat, via une ouverture ménagée dans le film d'isolation de la couche supérieure. 2 - Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure de bras est constituée de silicium monocristallin. 3 - Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le film conducteur est en polysilicium. 4 - Capteur de quantité physique en semi- conducteur comprenant: - un substrat; - une structure de bras en matériau semi- conducteur monocristallin et espacée suivant une distance donnée de la surface supérieure du substrat, cette structure ayant des électrodes mobiles qui s'étendent parallèLement les unes aux autres; 42 2745090 - des premières électrodes fixes assujetties à la surface supérieure du substrat, chacune étant en regard d'un côté d'une électrode correspondante parmi les électrodes mobiles; - des secondes électrodes fixes assujetties à la surface supérieure du substrat, chacune étant en regard de l'autre côté de l'électrode correspondante parmi les électrodes mobiles, - chacune des électrodes mobiles et la première électrode fixe correspondante formant un premier condensateur, et chacune des électrodes mobiles et la seconde électrode fixe correspondante formant un second condensateur, caractérisé en ce qu'une structure laminée comprenant un film d'isolation de couche inférieure, un film conducteur et un film d'isolation de couche supérieure est agencée à une partie supérieure du substrat, en ce que le film conducteur forme au moins un motif de câblage pour les premières électrodes fixes et un motif de câblage pour les secondes électrodes fixes, et en ce qu'au moins l'un des motifs de câblage est connecté électriquement aux premières ou secondes électrodes fixes correspondantes, respectivement, via des ouvertures ménagées dans le film d'isolation de couche supérieure et des ancres des premières ou secondes électrodes fixes correspondantes. - Capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la structure de bras est constituée de silicium monocristallin. 6 - Capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que le film conducteur est en polysilicium. 7 - Capteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que des tensions appliquées aux premier et second condensateurs sont contrôlées de façon à ne pas déplacer les électrodes mobiles à l'encontre de la quantité physique appliquée, et en ce que la quantité 43 2745090 physique appliquée est détectée sur la base des tensions contrôlées. 8 - Capteur de quantité physique en semi- conducteur comprenant: - un substrat; - une structure de bras en matériau semi- conducteur monocristallin, espacée selon une distance donnée de la surface supérieure du substrat, cette structure de bras ayant des électrodes mobiles qui s'étendent parallèlement les unes aux autres; - des premières électrodes fixes assujetties à la surface supérieure du substrat, chacune étant en regard d'un côté d'une électrode correspondante parmi les électrodes mobiles; - des secondes électrodes fixes assujetties à la surface supérieure du substrat, chacune étant en regard de l'autre côté de l'électrode correspondante parmi les électrodes mobiles, et - une électrode fixe empêchant les forces électrostatiques formée à une zone du substrat en regard de la structure de bras, caractérisé en ce qu'une quantité physique appliquée à la structure de bras est détectée sur la base de la capacité d'un premier condensateur formé entre chacune des électrodes mobiles et la première électrode fixe correspondante et de la capacité d'un second condensateur formé entre chacune des électrodes mobiles et la seconde électrode fixe correspondante, en ce que la production de forces électrostatiques entre la structure de bras et le substrat est empêchée en faisant en sorte que la structure de bras et l'électrode fixe empêchant les forces électrostatiques soient au même potentiel, en ce qu'une structure laminée comprenant un film d'isolation de couche inférieure, des films conducteurs et un film d'isolation de couche supérieure est disposée à une partie supérieure du substrat, en ce que les films conducteurs forment au moins un motif de câblage pour les premières électrodes fixes et un motif 44 2745090 de câblage pour les secondes électrodes fixes et en outre forment l'électrode fixe empêchant les forces électrostatiques, en ce que ledit au moins motif de câblage est connecté électriquement aux premières ou secondes électrodes fixes correspondantes, respective- ment, via des ouvertures ménagées dans le film d'isolation de couche supérieure et des ancres des premières ou secondes électrodes fixes correspondantes, et en ce que l'électrode fixe empêchant les forces électrostatiques est reliée électriquement à la structure de bras via une ouverture pratiquée dans le film d'isolation de couche supérieure et une ancre de la structure de bras. 9 - Capteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que la structure de bras est constituée de silicium monocristallin. - Capteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que les films conducteurs sont en polysilicium. 11 - Capteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que les tensions appliquées aux premier et second condensateurs sont contrôlées de façon à ne pas déplacer les électrodes mobiles à l'encontre de la quantité physique appliquée, et en ce que la quantité physique appliquée est détectée sur la base des tensions contrôlées. 12 - Capteur de quantité physique en semi- conducteur comprenant: - un substrat; - une structure de bras en matériau semi- conducteur monocristallin, espacée selon une distance donnée de la surface supérieure du substrat, cette structure ayant une première électrode mobile à l'une de ses extrémités et une seconde électrode mobile à son autre extrémité; - une première électrode fixe d'excitation, assujettie à la surface supérieure du substrat et en regard de la première électrode mobile; 2745090 - une seconde électrode fixe d'excitation assujettie à la surface supérieure du substrat et en regard de la seconde électrode mobile; et une électrode fixe de détection de quantité physique formée à une zone du substrat en regard d'au moins une partie de la structure de bras, caractérisé en ce qu'une quantité physique appliquée à la structure de bras est détectée sur la base de la capacité d'un condensateur formé entre la structure de bras et l'électrode fixe de détection de quantité physique, tout en faisant vibrer de force la structure de bras par l'application de forces électrostatiques de phases opposées entre la première électrode mobile et la première électrode fixe d'excitation et entre la seconde électrode mobile et la seconde électrode fixe d'excitation, en ce qu'une structure laminée comprenant un film d'isolation de couche inférieure, des films conducteurs et un film d'isolation de couche supérieure est disposée à une partie supérieure du substrat, en ce que les films conducteurs forment l'électrode fixe de détection de quantité physique et un motif de câblage pour celle-ci et en ce que l'électrode fixe de détection de quantité physique est électriquement reliée à un élément de connexion électrique prévu à la surface supérieure du substrat par l'intermédiaire du motif de câblage via une ouverture ménagée dans le film d'isolation de la couche supérieure. 13 - Capteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la structure de bras est en silicium monocristallin. 14 - Capteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que les films conducteurs sont en polysilicium. 15 - procédé pour produire un capteur de quantité physique en semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: 46 2745090 - former une couche sacrificielle et un premier film isolant sur un premier substrat de semi- conducteur; - former une ancre ayant une ouverture dans une structure laminée comprenant la couche sacrificielle et le premier film isolant; former un film conducteur à une zone donnée du premier film isolant comprenant l'ancre ayant une ouverture; - former un second film isolant sur le premier film isolant comprenant le film conducteur; - former un film de fixation sur le second film isolant et aplatir la surface du film de fixation; - fixer un second substrat de semi- conducteur à la surface aplatie du film de fixation; - polir le premier substrat de semi- conducteur suivant une épaisseur donnée; - enlever la partie inutile du premier substrat de semi-conducteur pour conférer au premier substrat de semi-conducteur une forme donnée; et - enlever la couche sacrificielle à une zone donnée par gravure en utilisant un agent de gravure de manière à rendre mobile le premier substrat de semi- conducteur. 16 - Procédé pour produire un capteur de quantité physique en semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: - former une rainure à une zone donnée du premier substrat de semi-conducteur; - former une couche sacrificielle et un premier film isolant sur le premier substrat de semi- conducteur comprenant la rainure; - former une ancre ayant une ouverture dans une structure laminée comprenant la couche sacrificielle et le premier film isolant; - former un film conducteur à une zone donnée du premier film isolant comprenant l'ancre ayant une ouverture; 47 2745090 - former un second film isolant sur le premier film isolant comprenant le film conducteur; - former un film de fixation sur le second film isolant et aplatir la surface du film de fixation; - fixer un second substrat de semi- conducteur à la surface aplatie du film de fixation; - polir le premier substrat de semi- conducteur suivant une épaisseur donnée; et - enlever la couche sacrificielle à une zone donnée par gravure en utilisant un agent de gravure de manière à rendre mobile le premier substrat de semi- conducteur.