FR 2740769 A1 19970509 FR 9613604 A 19961107 Arrière-plan de l'invention 1. Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de fabri- cation d'une fibre optique décalée de dispersion présentant un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux. L'indice de réfraction en bague annulaire formé au- tour du noyau est plus faible que l'indice de réfraction du noyau. Dans le procédé de fabrication, on uniformise la structure géométrique dans l'état de la fibre optique, en lis- sant l'indice de réfraction par un procédé DVCM (Dépôt de Va- peur Chimique Modifié) dans lequel un gaz chimique est injecté dans un tube de quartz, puis en chauffant par un brûleur exté- rieur dans le but de former un dépôt. 2. Description de l'art concerné Une fibre optique mobile de dispersion mettant en oeuvre une fibre optique en quartz de 1,55 gm pour des réseaux d'information à grande vitesse, a récemment varié de types et de caractéristiques. Les types et les caractéristiques de la fibre optique décalée de dispersion sont décrits en détail dans un document de référence ("OPTICAL FIBER TELECOMMUNICATION II" publié dans Academic Press, Inc, pages 29 à 36), qui peut être omis dans la présente description. Parmi les fibres optiques décalées de dispersion, on connaît en particulier une fibre op- tique mobile de dispersion présentant un profil d'indice de ré- fraction en bague annulaire, qui est bien connue pour l'excellence de ses pertes en présence de microcourbures. La fibre optique présentant cette structure a été introduite par Mr. Bhagavatula et ses collaborateurs en 1983, cette structure étant décrite dans les documents U.S. 4 412 722 et US 4 516 826 respectivement en 1983 et 1984, indiquant qu'il existe une couche à faible indice de réfraction en bague annu- laire autour du noyau, pour protéger ce noyau. La couche est fabriquée principalement par DVE (dépôt de vapeur en dehors) et par DVCM. Il est difficile, par DVE, de fabriquer une fibre op- tique de structure présentant un profil d'indice de réfraction en bague annulaire en forme de marche, telle que celle décrite dans les documents US 4 715 679, KR 26410 et KR 49509, bien qu'il soit facile de fabriquer une fibre optique de structure5 présentant un profil de bague annulaire en triangle, ou égale- ment une structure poreuse ayant un diamètre extérieur relati- vement grand d'un matériau de base à certains degrés. Cependant, le procédé DVCM permet de fabriquer facilement une fibre optique de n'importe quel profil voulu par une commande10 de débit uniforme et par dépôt intérieur, comme décrit dans les documents US 4 737 179, US 4 755 022 et US 4 822 399, mais ne permet pas de donner à la fibre optique un grand diamètre exté- rieur du matériau de base. En décrivant l'art antérieur aux figures 2 et 3 en se référant au système de la figure 1, une quantité constante de gaz de matière première est fournie par un système d'alimen- tation de gaz de matière première à un tube de quartz chauffé par un brûleur à une température constante, de manière à fabri- quer une fibre optique mobile de dispersion présentant un pro-20 fil d'indice de réfraction en bague annulaire. Si l'on décrit en détail le procédé de fabrication ci-dessus, avant le dépôt d'une première couche de revêtement, le tube de quartz est chauffé pendant un temps prédéterminé jusqu'à la température de surface de 1890 C, pour uniformiser l'intérieur du tube de quartz, puis chauffé de façon continue à 1890 C par un brûleur extérieur à oxygène ou hydrogène, tout en fournissant 5400 mg/m de SiC14, 450 mg/m de GeC14, 40 mg/m de POCl3 et 12 cc/m de CF4, comme aux figures 3B à 3F. Ensuite, le tube de quartz est alimenté par 3000 mg/m de SiC14, 1300 mg/m de GeCl4, 35 mg/m de POCl3 et 2000 cc/m de 02, puis chauffé uniformément jusqu'à 1906 C dans le but de déposer une section de bague annulaire comme indiqué à la figure 3A. Ensuite, le tube de quartz est alimenté par 4000 mg/m de SiC14, 450 mg/m de GeC14, 25 mg/m de POC13 et 9 cc/m de CF4, puis chauffé uniformément jusqu'à 1915 C dans le but de former une seconde couche de revêtement comme indiqué à la figure 3A. De plus, 1100 mg/m de SiC14 et 2000 mg/m de 02 sont fournis au tube de quartz, et du GeC14 est ajouté jusqu'à à 250 mg/m avec chauffage uniforme du tube à 1910 C dans le but de déposer une section de noyau. La fibre optique dont le dépôt est terminée dans le tube de quartz, est condensée à 2300-2320 C, puis 30 à 40 cc/m de CF4 sont ajoutés à la fibre optique condensée. Enfin, la fibre est gravée à 2220-2250oC, chauffée à 2340-2360 C, puis scellée étroitement et fermée coumme indiqué à la figure 3A. Le matériau de base de la fibre optique décalée de dispersion présentant un profil d'indice de réfraction en bague annulaire selon l'art antérieur tel que décrit ci-dessus, com- porte un indice de réfraction conique circulaire dans son noyau. Pour obtenir un indice de réfraction maximum au centre du noyau, il faut augmenter la quantité de GeO2 jusqu'au centre du noyau. Cependant, dans le processus d'augmentation de GeO2,15 il se pose le problème qu'on induit une dépression centrale consistant en un phénomène de diminution de l'indice de réfrac- tion entre les passes de dépôt et au centre du noyau, suivant le procédé DVCM. La fibre optique ci-dessus pose comme autre pro- blème d'avoir beaucoup d'écart dans les caractéristiques opti- ques le long de la longueur du matériau de base dans la fibre optique, lorsque le matériau de base est dérivé de la fibre op- tique, du fait d'un petit diamètre de noyau, comme comparée à une fibre optique monomode conventionnelle. Résumé de l'invention La présente invention a pour but de créer un procé- dé de production d'un indice de réfraction sans ondulations en réglant la température de dépôt et les valeurs des débits d'alimentation de dépôt lorsqu'on dépose un matériau de base, tout en réduisant la dépression centrale en ajoutant, au centre du noyau, une quantité prédéterminée de SF6 et CF4 au GeO2 qui est volatil, l'addition étant effectuée à température élevée pendant la fabrication du matériau de base. Un autre but de la présente invention est de créer un procédé pour rendre le diamètre du noyau uniforme en augmen- tant le diamètre extérieur du matériau de base. A cet effet, la présente invention concerne un pro- cédé de fabrication d'une fibre optique mobile de dispersion présentant un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à (a) chauffer un tube de quartz par un brûleur extérieur à oxy- gène ou hydrogène pour le faire passer de 1875 C à 19030C, et fournir au tube de quartz des matières premières compre- nant 5200 mg/m de SiCl4, 430 mg/m de GeCl4, 30 mg/m de POCl3 et 9 cc/m de CF4, comme dépôt d'un premier revête- ment; (b) fournir des matières premières comprenant 3300 mg/m de SiCl4, 1150 mg/m de GeCl4, 20 mg/m de POC13 et 1500 cc/m de 02 à une température constante de 1900 C, comme dépôt d'une section de bague annulaire; (c) fournir des matières premières comprenant 3800 mg/m de SiCl4, 430 mg/m de GeCl4, 10 mg/m de POCl3 et 7 cc/m de CF4, tout en augmentant la température de 1890 C à 1897 C, comme dépôt d'un second revêtement; (d) chauffer en neuf passes de température diminuant de 19200C à 1890 C, comme dépôt d'une section de noyau, la valeur du débit d'alimentation de SiCl4 diminuant de 380 mg/m à 260 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimen- tation de GeCl4 augmentant de 20 mg/m à 195 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimentation de 02 res- tant constante à 1500 cc/m dans les neuf passes; et (e) condenser à 23002360 C la fibre optique une fois le dépôt terminé, en ajoutant 30 à 40 cc/m de CF4 au tube de quartz, en gravant à 2220-2250 C, et en ajoutant 100 cc/m de Cl2 au tube de quartz à 2350-2370 C, dans le but de sceller et de clore. Suivant d'autres caractéristiques de l'invention: - dans l'étape (d), les températures décroissantes dans les neuf passes sont de 1920 C, 1916 C, 1913 C, 1909 C, 1906 C, 1901 C, 1897 C, 1894 C et 1890 C, les valeurs décroissantes du débit d'alimentation de SiC14 diminuant avec les tempéra- tures décroissantes dans les neuf passes sont de 380 mg/m, 365 mg/m, 350 mg/m, 335 mg/m, 320 mg/m, 305 mg/m, 290 mg/m, 275 mg/m et 260 mg/m, et les quantités croissantes de GeCl4 avec les températures décroissantes dans les passes étant de mg/m, 52 mg/m, 82 mg/m, 109 mg/m, 134 mg/m, 156 mg/m, mg/m, 191 mg/m, et 194 mg/m. - l'étape (d) consiste à chauffer en neuf passes de température diminuant de 1905 C à 1890 C, comme dépôt d'une section de noyau, la valeur du débit d'alimentation de SiCl4 diminuant de 300 mg/m à 260 mg/m dans les neuf passes, la valeur du dé- bit d'alimentation de GeCl4 augmentant de 20 mg/m à 195 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimentation de 02 restant constante à 1500 cc/m ou 200 mg/m dans les neuf pas- ses. - dans l'étape (d), les températures diminuant en neuf passes sont de 1905 C, 1903 C, 19000C, 1898 C, 1895 C, 1893 C, 1890 C, 1890 C et 1890 C, les valeurs décroissantes du débit d'alimentation de SiCl4 diminuant avec les températures dé- croissantes dans les neuf passes étant de 300 mg/m, 295 mg/m, 290 mg/m, 285 mg/m, 280 mg/m, 275 mg/m, 270 mg/m, 265 mg/m et 260 mg/m, et les valeurs croissantes du débit d'alimentation de GeCl4 augmentant avec les températures décroissantes dans les neuf passes, étant de 20 mg/m, 42 mg/m, 67 mg/m, 92 mg/m, 116 mg/m, 138 mg/m, 160 mg/m, 182 mg/m, et 195 mg/m. - l'étape (d) consiste à chauffer en neuf passes de températu- res diminuant de 1905 C à 1890 C comme dépôt d'une section de noyau, la valeur du débit d'alimentation de SiCl4 diminuant de 300 mg/m à 260 mg/m, la valeur du débit d'alimentation de GeCl4 augmentant de 30 mg/m à 195 mmg/m, la valeur du débit d'alimentation de 02 restant constante à 1500 cc/m. - dans l'étape (d), les températures diminuant en neuf passes sont de 1905 C, 1903 C, 1900 C, 1898 C, 1895 C, 1893 C, 1890 C, 1890 C et 1890 C, les valeurs décroissantes du débit d'alimentation de SiCl4 diminuant avec les températures dé- croissantes, étant de 300 mg/m, 295 mg/m, 290 mg/m, 285 mg/m, 280 mg/m, 275 mg/m, 270 mg/m, 265 mg/m et 260 mg/m, et les valeurs croissantes du débit d'alimentation de GeCl4 augmen- tant avec les températures décroissantes, étant de 30 mg/m, 55 mg/m, 78 mg/m, 101 mg/m, 123 mg/m, 144 mg/m, 165 mg/m, 184 mg/m, et 195 mg/m. Brève description des dessins La présente invention sera décrite ci-après de ma- nière plus détaillée à l'aide de modes de réalisation représen- tés sur les dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 est une vue schématique d'un processus de fabri- cation selon le procédé DVCM général; - la figure 2 est un profil de bague annulaire selon l'art an- térieur; - la figure 3A représente la température de chauffage dans les passes individuelles du processus de fabrication d'un profil de bague annulaire conventionnel; - la figure 3B représente le débit d'alimentation de SiC14 fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrica- tion d'un profil de bague annulaire conventionnel; - la figure 3C représente le débit d'alimentation de GeC14 fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrica- tion d'un profil de bague annulaire conventionnel; - la figure 3D représente le débit d'alimentation de POC13 fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrica- tion d'un profil de bague annulaire conventionnel; - la figure 3E représente le débit d'alimentation de 02 fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrication d'un profil de bague annulaire conventionnel; - la figure 3F représente le débit d'alimentation de CF4 (SF6) fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrica- tion du profil de bague annulaire conventionnel; - la figure 4 est un profil de bague annulaire selon la pré- sente invention; - la figure 5A représente la température de chauffage dans les passes individuelles du processus de fabrication d'un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, selon la pré- sente invention; - la figure 5B représente le débit d'alimentation de SiC14 fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrica- tion d'un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, selon la présente invention; - la figure 5C représente le débit d'alimentation de GeC14 fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrica- tion d'un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, selon la présente invention; - la figure 5D représente le débit d'alimentation de POCl3 fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrica- tion d'un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, selon la présente invention; - la figure 5E représente le débit d'alimentation de 02 fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrication d'un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, selon la présente invention; - la figure 5F représente le débit d'alimentation de CF4 (SF6) fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrica- tion d'un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux selon la présente invention; et - la figure 5G représente le débit d'alimentation de C12 fourni aux passes individuelles dans le processus de fabrication d'un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, selon la présente invention. Description détaillée du mode de réalisation préférentiel Comme illustré à la figure 1, pendant le chauffage du tube de quartz 2 à température constante par un brûleur 8, une quantité déterminée de gaz de matière première est fournie au tube de quartz par un distributeur de gaz de matière pre- mière 4, de manière à fabriquer la fibre optique décalée de dispersion présentant un profil d'indice de réfraction en bague annulaire. Pour décrire en détail le procédé ci-dessus, le tube de quartz est chauffé jusqu'à sa température de surface de 1875 C pendant un temps déterminé, de manière à rendre sa sur- face intérieure uniforme comme représenté à la figure 5A. En- suite, comme représenté aux figures 5B à 5G, le tube de quartz est de nouveau chauffé par un brûleur extérieur à oxygène ou à hydrogène, pour passer de 1875 C à 1903 C en neuf passes dans lesquelles la température augmente de 3,5 C, tout en fournis- sant en même temps 5200 mg/m de SiC14 430 mg/m de GeC14, 30 mg/m de POC13 et 9 cc/m de CF4, comme dépôt d'un premier re- vêtement. Pour le dépôt de la section de bague annulaire, on fournit 3300 mg/m de SiC14, 1150 mg/m de GeC14, 20 mg/m de POCl3 et 1500 cc/m de 02 à une température de dépôt constante de 1900 C comme indiqué à la figure 5A. Dans la suite, pour préparer un second revêtement, on fournit au tube de quartz des matières premières comprenant 3800 mg/m de SiCl4, 430 mg/m de GeCl4, 10 mg/m de POCl3 et 7 cc/m de Cf4, comme indiqué aux figures 5B à 5G, tout en aug- mentant la température de 1890 C à 1897 C comme indiqué à la figure 5A. Enfin, on diminue la température de dépôt de 1920 C à 1890 C en neuf passes de la figure 5A, comme dépôt d'une section de noyau. Pendant ce temps, la valeur du débit d'ali- mentation de SiC14 diminue de 380 mg/m à 260 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimentation de GeCl4 augmente de 20 mg/m à 195 mg/m dans les neuf passes, et la valeur du débit d'alimentation de 02 reste constante à 1500 cc/m dans les neuf passes. Avec cela, les valeurs des débits d'alimentation de ma- tières premières sont indiquées dans le tableau 1. Tableau 1 PASSE i 2 3 4 5 6 7 8 9 SIC14 380 365 350 335 320 305 290 275 260 (mg/m) GeCl4 20 52 82 109 134 156 175 191 195 (mg/m) _ _ _ _ _ _ _ _ (T 1920 1916 1913 1909 1905 1901 1897 1894 1890 (OC) Ensuite, la fibre optique, une fois le dépôt termi- né, est condensée à 2300-2360 C comme indiqué à la figure 5A, puis on ajoute 30 à 40 cc/m de CF4 au tube de quartz comme in- diqué à la figure 5F. Après gravure à 2220-2250 C, on fournit 100 cc/m de C12 au tube de quartz comme indiqué à la figure 5G, en le chauffant à 2350-2370 C comme indiqué à la figure 5A, dans le but de sceller et de clore. Dans une autre forme de réalisation de la présente invention, la température de dépôt est diminuée de 1905 C à 1890 C en neuf passes, de manière à déposer une section de noyau. Pendant ce temps, la valeur du débit d'alimentation de SiCl4 diminue de 300 mg/m à 260 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimentation de GeC14 augmente de 20 mg/m à mg/m dans les neuf passes, et la valeur du débit d'alimen- tation de 02 reste constante à 1500 cc/m dans les neuf passes. Avec cela, les valeurs des débits d'alimentation de matières premières sont indiquées dans le Tableau 2. Tableau 2 PASSE i 2 3 4 5 6 7 8 9 SiCl4 300 295 290 285 280 275 270 265 260 (mg/m) GeC14 20 42 67 92 116 138 160 182 195 (mg/m) ___ _ _ _ _ _ _ _ T 1905 1903 1900 1898 1895 1893 1890 1890 1890 ( C) Dans une autre forme de réalisation encore de la présente invention, la température de dépôt est diminuée de 1905 C à 1890 C en neuf passes,-de manière à déposer une sec- tion de noyau. Pendant ce temps, la valeur du débit d'alimenta- tion de SiCl4 diminue de 300 mg/m à 260 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimentation de GeCl4 augmente de mg/m à 195 mg/m dans les neuf passes, et la valeur du débit d'alimentation de 02 reste constante à 1500 cc/m dans les neuf passes. Avec cela, les valeurs des débits d'alimentation de ma- tières premières sont indiquées dans le Tableau 3. Tableau 3 PASSE i 2 3 4 5 6 7 8 9 SiCl4 300 295 290 285 280 275 270 265 260 (mg/m) GeCl4 30 55 78 101 123 144 165 184 195 ómo/m) T 1905 1903 1900 1898 1895 1893 1890 1890 1890 (OC) Comme décrit ci-dessus, la présente invention four- nit un procédé de production d'un indice de réfraction sans on- dulations en réglant la température de dépôt et les valeurs des débits d'alimentation de dépôt lorsqu'on dépose un matériau de base, tout en réduisant la dépression au centre en ajoutant, au centre du noyau, une quantité déterminée de SF6 et de CF4 au10 GeO2 qui est volatil, l'addition étant effectuée à haute tempé- rature pendant le scellement. et la fermeture du matériau de base. De plus, l'invention fournit un procédé pour rendre le diamètre du noyau uniforme en augmentant le diamètre extérieur du matériau de base par un prodédé de revêtement de finition. Par suite, la présente invention offre les avantages d'amélio- rer les caractéristiques de pertes de la fibre optique et de présenter des caractéristiques très stables de longueur d'onde de dispersion chromatique. Ainsi, on comprendra que la présente invention n'est pas limitée au mode de réalisation particulier décrit ici comme le meilleur mode envisagé pour la mise en oeuvre de cette invention, mais qu'au contraire la présente invention n'est pas limitée aux formes de réalisation spécifiques décrites ici, sauf en ce qui concerne ce qui est défini dans les revendica- tions ci-jointes. REVEND I C A T I ONS S 1 ) Procédé de fabrication d'une fibre optique mobile de dis- persion présentant un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, caractérisé en ce qu' il comprend les étapes consistant à (a) chauffer un tube de quartz par un brûleur extérieur à oxy- gène ou hydrogène pour le faire passer de 18750C à 19030C, et fournir au tube de quartz des matières premières compre- nant 5200 mg/m de SiCl4, 430 mg/m de GeCl4, 30 mg/m de POCl3 et 9 cc/m de CF4, comme dépôt d'un premier revête- ment; (b) fournir des matières premières comprenant 3300 mg/m de SiCl4, 1150 mg/m de GeCl4, 20 mg/m de POCl3 et 1500 cc/m de 02 à une température constante de 1900 C, comme dépôt d'une section de bague annulaire; (c) fournir des matières premières comprenant 3800 mg/m de SiC14, 430 mg/m de GeCl4! 10 mg/m de POC13 et 7 cc/m de CF4, tout en augmentant la température de 18900C à 1897 C, comme dépôt d'un second revêtement; (d) chauffer en neuf passes de température diminuant de 1920 C à 1890 C, comme dépôt d'une section de noyau, la valeur du débit d'alimentation de SiC14 diminuant de 380 mg/m à 260 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimen- tation de GeCl4 augmentant de 20 mg/m à 195 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimentation de 02 res- tant constante à 1500 cc/m dans les neuf passes; et (e) condenser à 23002360 C la fibre optique une fois le dépôt terminé, en ajoutant 30 à 40 cc/m de CF4 au tube de quartz, en gravant à 2220-2250 C, et en ajoutant 100 cc/m de C12 au tube de quartz à 2350-2370 C, dans le but de sceller et de clore. ) Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape (d), les températures décroissantes dans les neuf passes sont de 1920 C, 1916 C, 1913 C, 1909 C, 1906 C, 1901 C, 1897 C, 1894 C et 1890 C, les valeurs décroissantes du débit d'alimentation de SiCl4 diminuant avec les températures dé- croissantes dans les neuf passes sont de 380 mg/m, 365 mg/m, 350 mg/m, 335 mg/m, 320 mg/m, 305 mg/m, 290 mg/m, 275 mg/m et 260 mg/m, et les quantités croissantes de GeC14 avec les tempé- ratures décroissantes dans les passes étant de 20 mg/m, 52 mg/m, 82 mg/m, 109 mg/m, 134 mg/m, 156 mg/m, 175 mg/m, 191 mg/m, et 194 mg/m. 3 ) Procédé de fabrication d'une fibre optique mobile de dis- persion présentant un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, caractérisé en ce qu' il comprend les étapes consistant à: (a) chauffer un tube de quartz par un brûleur extérieur à oxy- gène ou hydrogène pour le faire passer de 1875 C à 1903 C, et fournir au tube de quartz des matières premières compre- nant 5200 mg/m de SiC14, 430 mg/m de GeC14, 30 mg/m de POC13 et 9 cc/m de CF4, de manière à déposer un premier re- vêtement; (b) fournir des matières premières comprenant 3300 mg/m de SiC14, 1150 mg/m de GeC14, 20 mg/m de POC13 et 1500 cc/m de 02 à une température constante de 1900 C, comme dépôt d'une section de bague annulaire; (c) fournir des matières premières comprenant 3800 mg/m de SiC14, 430 mg/m de GeC14, 10 mg/m de POC13 et 7 cc/m de CF4, tout en augmentant la température de 1890 C à 1897 C, comme dépôt d'un second revêtement; d) chauffer en neuf passes de température diminuant de 1905 C à 1890 C, comme dépôt d'une section de noyau, la valeur du débit d'alimentation de SiC14 diminuant de 300 mg/m à 260 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimen- tation de GeC14 augmentant de 20 mg/m à 195 mg/m dans les neuf passes, la valeur du débit d'alimentation de 02 res- tant constante à 1500 cc/m ou 200 mg/m dans les neuf pas- ses; et (e) condenser à 2300-2360 C la fibre optique une fois le dépôt terminé, en ajoutant 30 à 40 cc/m de CF4 au tube de quartz, en gravant à 2220-2250 C, et en ajoutant 100 cc/m de C12 au tube de quartz à 23502370 C, dans le but de sceller et de clore. 4 ) Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que dans l'étape (d), les températures diminuant en neuf passes sont de 1905 C, 1903 C, 1900 C, 1898 C, 18950C, 1893oC, 18900C, 1890 C et 1890 C, les valeurs décroissantes du débit d'alimen- tation de SiC14 diminuant avec les températures décroissantes dans les neuf passes étant de 300 mg/m, 295 mg/m, 290 mg/m, 285 mg/m, 280 mg/m, 275 mg/m, 270 mg/m, 265 mg/m et 260 mg/m, et les valeurs croissantes du débit d'alimentation de GeC14 augmentant avec les températures décroissantes dans les neuf passes, étant de 20 mg/m, 42 mg/m, 67 mg/m, 92 mg/m, 116 mg/m, 138 mg/m, 160 mg/m, 182 mg/m, et 195 mg/m. ) Procédé de fabrication d'une fibre optique décalée de dis- persion présentant un profil d'indice de réfraction en bague annulaire doux, caractérisé en ce qu' il comprend des étapes consistant à: (a) chauffer un tube de quartz par un brûleur extérieur à oxy- gène ou hydrogène pour le faire passer de 1875 C à 1903 C, et fournir au tube de quartz des matières premières compre- nant 5200 mg/m de SiCl4, 430 mg/m de GeCl4, 30 mg/m de POCl3 et 9 cc/m de CF4, comme dépôt d'un premier revête- ment; (b) fournir des matières premières comprenant 3300 mg/m de SiCl4, 1150 mg/m de GeCl4, 20 mg/m de POC13 et 1500 cc/m de 02 à une température constante de 1900 C, comme dépôt d'une section de bague annulaire; (c) fournir des matières premières comprenant 3800 mg/m de SiCl4, 430 mg/m de GeCl4, 10 mg/m de POC13 et 7 cc/m de CF4, tout en augmentant la température de 1890 C à 18970C, comme dépôt d'un second revêtement; (d) chauffer en neuf passes de températures diminuant de 1905 C à 18900C comme dépôt d'une section de noyau, la valeur du débit d'alimentation de SiC14 diminuant de 300 mg/m à 260 mg/m, la valeur du débit d'alimentation de GeCl4 aug- mentant de 30 mg/m à 195 mmg/m, la valeur du débit d'ali- mentation de 02 restant constante à 1500 cc/m; et (e) condenser à 23002360 C la fibre optique une fois le dépôt terminé, en ajoutant 30 à 40 cc/m de CF4 au tube de quartz, en gravant à 2220-2250 C, et en ajoutant 100 cc/m de Cl2 au tube de quartz à 2350-2370 C, dans le but de sceller et de clore. 6 ) Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que dans l'étape (d), les températures diminuant en neuf passes sont de 1905 C, 1903 C, 19000C, 1898 C, 1895 C, 1893 C, 18900C, 1890 C et 1890 C, les valeurs décroissantes du débit d'alimen- tation de SiC14 diminuant avec les températures décroissantes, étant de 300 mg/m, 295 mg/m, 290 mg/m, 285 mg/m, 280 mg/m, 275 mg/m, 270 mg/m, 265 mg/m et 260 mg/m, et les valeurs crois- santes du débit d'alimentation de GeCl4 augmentant avec les températures décroissantes, étant de 30 mg/m, 55 mg/m, 78 mg/m, 101 mg/m, 123 mg/m, 144 mg/m, 165 mg/m, 184 mg/m, et 195 mg/m.