FR 2737607 A1 19970207 FR 9608202 A 19960702 1 2737607 La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Plus particu- lièrement, elle est relative à un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qu'on utilise comme dispo- sitif à semi-conducteur de puissance, par exemple, un MOSFET vertical (transistor à effet de champ métal-oxyde-semi- conducteur et un IGBT (transistor bipolaire à grille isolée), et peut être opportunément employé pour un disposi- tif à semi-conducteur de puissance simple ou pour un circuit intégré- MOS comportant un tel dispositif à semi-conducteur de puissance. S'agissant d'un dispositif à semi-conducteur classique qui réduit notablement la résistance par unité de surface à l'état passant, on a décrit dans la publication internationale PCT W093/03502 un MOSFET du type vertical présentant une concavité sur sa surface et une région à canal disposée à la surface latérale de la concavité. La concavité du dispositif proposé est fabriquée par la combinaison d'une technique d'oxydation locale du silicium (LOCOS) et d'une élimination par gravure chimique du film d'oxyde épais formé en utilisant une attaque à l'état humide. Plus précisément, avant d'enlever le film épais d'oxyde, une région de corps et une région de source pour chaque cellule sont formées en utilisant le film d'oxyde épais comme masque de diffusion double de manière à faire un auto-alignement avec le côté du film d'oxyde épais, et un film isolant de grille et une électrode de grille sont alors formés dans la concavité après l'enlèvement du film d'oxyde épais. Néanmoins, lors de la fabrication réelle d'un tel MOSFET du type vertical, les problèmes suivants sont soulevés. Contrairement à la structure MOS du type planar classique dont la région du canal est positionnée après l'oxydation et la disposition de la grille, comme on l'a mentionné ci-dessus, la région du canal du dispositif du type vertical qu'on propose est tout d'abord définie par la diffusion double, et en second lieu l'attaque à l'état 2 2737607 humide du film d'oxyde épais est effectuée afin de former la concavité, et alors la surface de la concavité est oxydée pour former le film isolant de la grille. En conséquence, la couche d'oxyde formée à titre de sous-produit au côté de la surface arrière du substrat simultanément à la réalisation du film d'oxyde tel que le film d'oxyde LOCOS, etc., sur le substrat, est enlevée au même moment que l'attaque à l'état humide du film d'oxyde épais qu'on mentionne ci-dessus (film d'oxyde LOCOS) de sorte que la surface arrière du substrat se trouve exposée. A ce stade, étant donné que la surface arrière du substrat de l'élément semi-conducteur de puissance est hautement dopée quel que soit le type de l'élément semi- conducteur, lors de l'étape ultérieure d'oxydation de la grille, des impuretés sont vaporisées et sont alors diffusées à partir de la surface arrière exposée du substrat et réintroduites dans la surface principale du substrat là o la région du canal a été définie. Cela se traduit par une fluctuation, ou une chute, par exemple, de la densité des porteurs de la région du canal, ayant un effet sur la caractéristique électrique de l'élément. Plus concrètement, ce problème a pour effet que la tension de seuil se trouve hors de la valeur nominale, dégradant l'uniformité de la tranche dans la valeur du seuil, et provoquant la défaillance de la tension de maintien entre le drain et la source. Ce type de problème se produit non seulement dans le MOSFET du type vertical qu'on décrit dans le brevet PCT W093/03502 mentionné ci-dessus; mais également dans le MOSFET vertical du type à grille en tranchée qui présente une tranchée obtenue au moyen de la technique d'attaque par ions réactifs. Plus précisément, lors de la formation de la tranchée, du SiO2 est généralement déposé comme masque de la tranchée sur la surface du substrat, et simultanément un film d'oxyde est déposé comme sous-produit sur la surface arrière du substrat. Comme ce SiO2 de la surface arrière du substrat est enlevé en même que l'élimination du SiO2 comme 3 2737607 masque de la tranchée après la formation de cette dernière, on suppose qu'il se produit les mêmes problèmes que ceux mentionnés ci-dessus pour le MOSFET vertical du type à grille à tranchée. Compte tenu des problèmes exposés ci-dessus, la présente invention a pour objet principal un procédé de fabrication pour un dispositif à semiconducteur qui permet de résoudre les problèmes de la fluctuation de la densité des porteurs due à la diffusion des impuretés à partir de la surface arrière du substrat lors de l'étape du traitement thermique appliqué à la surface après la définition de la région du canal. Le procédé de fabrication selon la présente invention comprend les étapes consistant à: définir une région de canal en disposant, sur un substrat de semi- conducteur ayant un premier type de conductivité, une couche de semiconducteur ayant une faible concentration en impuretés sur sa surface principale, une région d'un second type de conductivité et une région de source du premier type de conductivité; recouvrir la surface arrière du substrat de semi-conducteur avec un matériau de masquage; former un film d'isolation de grille en oxydant la surface de la région du canal; et disposer une électrode de grille en correspondance avec la région du canal, le film d'isolation de la grille étant interposé entre elles. Selon le procédé de fabrication mentionné ci- dessus, bien que la région du canal soit exposée pendant l'oxydation de la grille, la région hautement concentrée de la surface arrière du substrat 'reste couverte par le matériau de masquage. Par conséquent, au moyen du matériau de masquage, la vaporisation et la diffusion des impuretés à partir de la surface arrière du substrat de semi-conducteur peuvent être évitées, et la fluctuation fâcheuse de la densité des porteurs à la région du canal due à la vaporisation et la diffusion des impuretés peut être également empêchée. Par conséquent, on peut éviter la variation de la caractéristique de l'élément. 4 2737607 La présente invention sera mieux comprise lors de la description suivante faite en liaison avec les dessins annexés dans lesquels: La figure 1A est une vue en plan d'une partie du MOSFET de puissance du type vertical selon un mode de réalisation de la présente invention, et la figure lB est une vue en coupe prise le long de la ligne IB-IB de la figure 1A; Les figures 2 à 9 sont des vues en coupe du procédé de fabrication des parties importantes du MOSFET de puissance du type vertical selon le mode de réalisation de la présente invention; La figure 10 est une vue en coupe de l'étape d'oxydation de la grille suite à l'étape représentée en figure 9 qui est basée sur le procédé de fabrication classique du MOSFET de puissance du type vertical; et Les figures 11 à 18 sont des vues en coupe du procédé de fabrication des parties importantes du MOSFET de puissance du type vertical suite à l'étape représentée en figure 9 du mode de réalisation de la présente invention. On décrira maintenant un mode de réalisation de la présente invention en liaison avec les dessins annexes. La figure 1A est une vue en plan d'un MOSFET de puissance du type vertical selon le mode de réalisation de la présente invention, et la figure lB est une vue en coupe prise le long de la ligne IB-IB de la figure 1A. La partie principale (partie de cellule unitaire) du MOSFET de puissance du type vertical selon le présent mode de réalisation a la construction indiquée en figures 1A et lB, dans lesquelles de nombreuses cellules unitaires 15 sont disposées dans le sens de la longueur et dans le sens de la largeur suivant un pas a (cote de la cellule unitaire). En figures 1A et lB, une tranche 21 est constituée d'un substrat 1 de semi-conducteur constitué de silicium du type n+ ayant une concentration en impuretés d'environ 1020 cm-3 et une épaisseur de 100-300 pm, et d'une couche épitaxiale 2 du type n- ayant une concentration en impuretés d'environ 1016 cm-3 et une épaisseur d'environ 7 pm formée sur le substrat 1, et comme décrit ci-dessus, de nombreuses cellules unitaires 15 sont disposées réguliè- rement sur la surface principale de la tranche 21. Sur la surface principale de la tranche 21 un film local d'oxyde est formé suivant une épaisseur d'environ 3 Mm pour réaliser une rainure en forme U (c'est-à-dire une structure concave) 50 au pas de la cote a des cellules unitaires (environ 12 Jm), et par auto-alignement par diffusion utilisant ce film d'oxyde comme masque de diffusion double, on forme une région de corps 16 du type p à une profondeur de jonction d'environ 3 pm et une région de source 4 du type n+ à une profondeur de jonction d'environ 1 ?m, d'o la définition d'un canal 5 sur une partie latérale 51 de la rainure 50 en forme de U. Incidemment, une région de corps 16 du type p est établie à une profondeur de jonction qui ne permet pas à la région 16 du type p d'être fracturée par suite de la rupture à une partie du bord 12 au fond de la rainure 50. En outre, des ions bore ont été préalablement diffusés dans la partie centrale de la région 16 du corps du type p de manière à approfondir la profondeur de jonction dans la partie centrale de la région 16 vers le bas à partir de la circonférence, de sorte qu'une rupture peut être provoquée lors de l'application d'une haute tension entre l'électrode de drain et l'électrode de source. Après la diffusion double, le film local d'oxyde, qui est utilisé pour la formation de la rainure 50 ainsi que pour le masque de diffusion, est enlevé; un film 8 d'oxyde de grille est formé suivant une épaisseur d'environ nm sur la paroi intérieure de la rainure 50 et sur le film 8 d'oxyde de la grille sont formés une électrode de grille 9 avec du polysilicium suivant une épaisseur d'environ 400nm et un film isolant intermédiaire 18 avec du verre au 6 2737607 borophosphosilicate (BPSG) suivant une épaisseur d'environ 1 im. En outre, une région de contact 17 du corps du type p+ est formée à une profondeur de jonction d'environ 0,5 pm dans la surface de la partie centrale de la région du corps 16 du type p et un contact ohmique est réalisé entre une électrode de source 19 formée sur le film isolant intermédiaire 18 et une région de source 4 du type n+ et une région de contact 17 du corps du type p+ par l'intermédiaire d'un trou de contact. D'autre part, une électrode de drain est formée en commun sur la surface arrière du substrat de semi-conducteur 1 pour réaliser avec elle un contact ohmique. La référence 6 représente une couche de drain du type n- et la référence 7 désigne une partie JFET (transistor à effet de champ à jonction). On décrira maintenant un exemple d'un procédé de fabrication selon la présente invention. On prépare une tranche 21 dans laquelle, comme représenté en figure 2, une couche épitaxiale 2 du type n- est formée au moyen d'une croissance homo-épitaxiale sur la surface principale du substrat 1 de silicium du type n+. L'épaisseur de la couche épitaxiale 2 est d'environ 7 pm et sa concentration en impuretés d'environ 1016 cm-3. Un film d'oxyde 60 pour plot est formé suivant une épaisseur d'environ 60nm par oxydation thermique de la surface principale de la tranche 21 et simultanément, un film d'oxyde 601 est également formé sur la surface arrière du substrat 1. Ensuite, un film de vernis photosensible 61 est déposé sur le film d'oxyde 60 et un film de vernis photosensible 61 est mis en motif pour former un motif ouvert dans la partie centrale d'une région o une cellule doit être formée au moyen des techniques photolithogra- phiques bien connues. Alors, des ions bore (B+) sont implantés dans la couche épitaxiale 2 en utilisant comme masque le film de vernis photosensible 61. 7 2737607 ? Comme représenté en figure 3, après avoir enlevé le film de vernis photosensible 61, une région de diffusion 62 du type p est formée à une profondeur de jonction d'environ 3 gm au moyen d'une diffusion thermique. Cette région de diffusion 62 constitue finalement une partie (région à puits profond) d'une région de corps du type p (qu'on décrit ultérieurement).et joue le rôle d'améliorer la résistance aux pointes du dispositif en provoquant une rupture de manière stable à la partie inférieure de la région de diffusion du type p lors de l'application d'une haute tension entre l'électrode de drain et l'électrode de source. Un film de nitrure de silicium 63 est déposé suivant une épaisseur d'environ 200nm sur la surface principale de la tranche 21 au moins d'une déposition en phase gazeuse par procédé chimique (CVD), alors qu'un film de nitrure de silicium 631 est formé sur la surface arrière du substrat. Alors, un film de nitrure de silicium 63 est mis en motif afin de former une ouverture de motif ouvert analogue à un treillis à un pas égal à a (cote d'une cellule unitaire 15). Lors de la formation de ce motif ouvert, un alignement par masque est effectué de façon que la région de diffusion 62 du type p puisse être positionnée dans la partie centrale du pas. Comme représenté en figure 4, un film d'oxyde pour plot est alors gravé en utilisant comme masque le film de nitrure de silicium 63. A la suite de cette gravure, une rainure initiale 54 est formée en gravant la couche épitaxiale 2 de type n- suivant une profondeur de 1,5 pm. Dans le présent mode de réalisation de l'invention, la rainure initiale 64 est formée isotropiquement par un procédé d'attaque chimique à l'état sec. Ensuite, comme représenté en figure 5, la rainure 64 est oxydée thermiquement en utilisant le film de nitrure de silicium 63 comme masque d'oxydation. Il s'agit d'une méthode d'oxydation qui applique le procédé bien connu LOCOS (oxydation locale du silicium). Grâce à cette 8 2737607 oxydation, un film d'oxyde LOCOS est formé sur la surface de la tranche 21, et simultanément, la forme de la rainure 50 (structure concave) est définie par l'érosion de la surface de la couche épitaxiale 2 du type ndue à la croissance du film 65. Comme représenté en figure 6, le film de nitrure de silicium 63 est immergé dans une solution chauffée d'acide phosphorique ou analogue pour une attaque à l'état humide. En conséquence, le film de nitrure de silicium 631 situé sur la surface arrière du substrat de semi-conducteur est éliminé simultanément. Alors, des ions bore sont implantés à travers le fin film d'oxyde 60 en utilisant le film d'oxyde 65 comme masque de diffusion. A ce stade, la partie limite entre le film d'oxyde 65 et le film d'oxyde 60 constitue une position d'auto-alignement de manière à définir exactement une région dans laquelle les ions bore sont implantés. Alors, comme représenté en figure 7, une diffusion thermique est appliquée de manière à diffuser les ions bore implantés dans la couche épitaxiale 2 à une profondeur de jonction d'environ 3 pm. A la suite de cette diffusion thermique, la région de diffusion 62 du type p qui a été antérieurement formée dans le procédé représenté en figure 3 et la région de diffusion du bore (région à puits du canal) dans laquelle les ions bore ont été implantés dans le procédé représenté en figure 6 sont intégrées dans la région du corps 16 du type p, dont les deux extrémités sont auto-alignées et définies par les positions des parois latérales de la rainure 50 en forme de U. Ensuite, comme représenté en figure 8, après la formation d'un film 66 de vernis photosensible qui est mis en motif de manière à recouvrir la partie centrale de la surface de la région du corps'16 du type p qui est entourée par le film d'oxyde LOCOS 65, des ions phosphore sont implantés à travers le fin film d'oxyde 60 en utilisant le film 66 et le film 65 comme masque de diffusion pour former une région de source 4 du type n+. Dans ce procédé, comme dans celui qui est représenté dans la figure 6 dans lequel des ions bore ont été implantés, la partie limite entre le film d'oxyde LOCOS 65 et le film d'oxyde 60 du plot constitue une position d'auto-alignement, d'o il résulte que la région d'implantation des ions peut être définie avec exactitude. L'étape suivante est, comme représenté en figure 9, d'appliquer une diffusion thermique pour former une région de source 4 du type n+ d'environ 0,5- 1 mn en profondeur de jonction et définir également un canal 5. La surface extrême étant en contact avec la rainure 50 en forme de U dans la région de la source 4 du type n+ est auto- alignée et définie dans la position de la paroi latérale de la rainure 50. Les procédés représentés en figures 6 à 9 fixent les profondeurs de jonction et les formes de la région de corps 16 de type p et la région de source 4 du type n+ et définissent la région du canal. Selon les procédés de fabrication classiques décrits dans la publication internationale n PCT W093/03502 qu'on cite ci-dessus, le film d'oxyde LOCOS 65 est alors enlevé par attaque à l'état humide de sorte que la paroi intérieure 51 de la rainure 50 en forme de U est mise à nu, à la suite de quoi, comme représenté en figure 10, un film d'oxyde de grille 8 est formé à une épaisseur d'environ 60nm par oxydation thermique. Comme on l'a mentionné ci-dessus, lorsque le film d'oxyde 65 est enlevé par attaque à l'état humide, le film d'oxyde 601 présent sur l'autre surface principale du substrat 1, ou sur la surface arrière du substrat, est enlevé simultanément par attaque de sorte que la surface arrière du substrat 1 se trouve exposée. Par conséquent, on a à faire face au problème que les impuretés qui sont vaporisées à partir de la surface arrière exposée du substrat 1 sont introduites dans la surface de la couche de semi-conducteur. En conséquence, lors de l'introduction des 2737607 impuretés vaporisées dans le canal 5 qui est exposé après l'enlèvement du film d'oxyde LOCOS 65, la densité des accepteurs du canal 5 est compensée, ce qui se traduit par une chute de la densité des porteurs du canal 5. Cela soulève des problèmes car influençant les caractéristiques électriques de l'élément telles que l'abaissement de la tension de seuil à une valeur inférieure, de manière inattendue, à la valeur prédéterminée, dégradant l'uniformité de la tranche en matière de tension de seuil, et provoquant une mauvaise tension de maintien entre l'électrode de drain et l'électrode de source. On remarquera que la référence 671 représente en figure 10 un film d'oxyde qui a subi une croissance en même temps que la formation du film d'oxyde de grille 8. D'autre part, selon le procédé de fabrication du mode de réalisation de l'invention, après l'implantation des ions en utilisant le film d'oxyde LOCOS 65 comme masque et la diffusion thermique pour former la région de source 4 du type n+ comme représenté en figure 9, des films de silicium polycristallin 40 et 41 sont formés intention- nellement à une épaisseur de 400nm au moyen du procédé CVD comme représenté en figure 11, puis le film de silicium polycristallin 40 sur le côté de la surface de la couche de semi-conducteur 2 est enlevé sélectivement par un procédé de gravure par ions réactifs comme représenté en figure 12. Ensuite, comme représenté en figure 13, une paroi intérieure 51 de la rainure 50 en forme de U est mise à nu par l'enlèvement du film d'oxyde 65 au moyen de la terminaison de la surface du silidium avec de l'hydrogène dans une solution aqueuse 700 contenant de l'acide fluorhidrique et ajustée à une acidité/alcalinité d'environ pH5 avec du fluorure d'ammonium. A ce stade, étant donné que la surface arrière de la tranche 21 est recouverte du film 41 de silicium polycristallin, le film d'oxyde 601 reste non enlevé. il 2737607 A l'issue du procédé précédent, la tranche 21 est enlevée de la solution aqueuse et séchée avec de l'air propre. Alors, comme représenté en figure 14, un film temporaire d'oxyde 600 est formé sur une surface latérale 51 de la rainure 50 en forme de U de la région de corps 16 du type p- sur laquelle le canal 5 doit être formé. Grâce à ce procédé d'oxydation thermique, la platitude de la surface sur laquelle le canal 5 doit être formé est améliorée en termes d'ordre atomique. Ce procédé d'oxydation thermique est exécuté en insérant lentement une nacelle contenant une pluralité de tranches 21 dans un four d'oxydation qui est maintenu dans l'atmosphère d'oxygène à une température d'environ 1000 C. Étant donné que la surface arrière de la tranche 21 est recouverte du film d'oxyde 601 et du film de silicium polycristallin 41, la diffusion des impuretés à l'intérieur du substrat 1 ayant une haute concentration en impuretés vers l'extérieur de la tranche 21 pendant le procédé d'oxydation thermique peut être maîtrisée. Par conséquent, le canal 5 d'une tranche quelconque présente dans le four d'oxydation ne peut être dopée avec des impuretés. En outre, dans le procédé d'oxydation thermique qu'on représente en figure 14, la surface du film de silicium polycristallin 41 est simultanément oxydée pour former un film d'oxyde 602. Alors, le film d'oxyde temporaire 600 est enlevé. L'enlèvement de ce film d'oxyde temporaire 600 est également exécuté tout en terminant la surface exposée de silicium avec de l'hydrogène dans une solution aqueuse contenant de l'acide fluorhidrique et dont on a ajusté l'acidité/alcalinité à un pH d'environ 5 avec du fluorure d'ammonium. La paroi intérieure 51 de la rainure 50 formée par ce procédé est une bonne surface de silicium avec une grande platitude et peu de défauts. Dans ce procédé, le film d'oxyde 602 à la surface arrière de la tranche est également enlevé par attaque, alors que le film d'oxyde 601 reste non 12 2737607 enlevé car il est recouvert par le film de silicium polycristallin 41. Comme représenté en figure 15, un film 8 d'oxyde de grille est alors formé à une épaisseur d'environ 60nm sur la surface latérale et la surface inférieure de la rainure 50 par oxydation thermique. Ce procédé d'oxydation thermique est exécuté d'une manière similaire au procédé d'oxydation thermique décrit ci-dessus et représenté en figure 14. Dans ce procédé d'oxydation thermique, étant donné que la surface arrière de la tranche 21 est recouverte du film d'oxyde 601 et du film de silicium polycristallin 41, la diffusion des impuretés à l'intérieur du substrat 1 vers l'extérieur de la tranche 21 peut être évitée, avec comme résultat que le canal 5 d'une tranche quelconque 21 présente dans le four d'oxydation ne peut pas être dopé avec des impuretés. En outre, grâce à ce procédé, la surface du film de silicium polycristallin 41 est oxydée et un film d'oxyde 671 est formé sur son dessus. La référence 67 représente un film d'oxyde qu'on a fait croître à la surface de la tranche. Maintenant, comme représenté en figure 16, un film de silicium polycristallin est déposé qur la surface principale de la tranche 21 à une épaisseur d'environ 400nm. De la même façon, un film de silicium polycristallin 91 est déposé sur la surface arrière de la tranche 21. En outre, le film de silicium polycristallin présent sur la surface principale de la tranche 21 est mis en motif de sorte qu'il y a formation d'une électrode de grflle 9. Comme représenté en figure 17, des ions bore sont implantés à travers le film d'oxyde 67 en utilisant un film de vernis photosensible mis en motif 68 comme masque afin de former une région de contact de corps 17 du type p+. A la suite des opérations précédentes, et comme représenté en figure 18, la zone de contact 17 est formée à une profondeur de jonction d'environ 0,5 gm par diffusion thermique. 13 2737607 Alors, comme représenté en figure lB, un film isolant intermédiaire 18 est formé avec du BPSG sur la surface principale de la tranche 21 et des trois de contact sont réalisés dans des parties du film isolant 18 de manière à exposer la région de contact 17 du type p+ et la région de source 4 du type n+. En outre, une électrode de source 19 est formé avec un film d'aluminium et un contact ohmique est réalisé entre l'électrode de source 19 et la région de contact de corps 17 du type pl et la région de source 4 du type n+ par l'intermédiaire du trou de contact. Ensuite, un film de passivation (non représenté) est formé avec du nitrure de silicium, etc., pour protéger le film d'aluminium par une technique de déposition en phase gazeuse par procédé chimique renforcée par plasma, ou analogue. La surface arrière de la tranche 21 est meulée au moyen d'un procédé de meulage de surface ou d'un procédé de polissage afin d'enlever les couches de sous-produit, c'est-à-dire le film d'oxyde 601, le film de silicium polycristallin 41, le film d'oxyde 671 et le film de silicium polycristallin 91 de façon que le substrat 1 du semi-conducteur soit mis à nu. Alors une électrode de drain 20 avec trois couches d'un film de Ti, d'un film de Ni et d'un film de Au est formée sur la surface arrière brute de meulage du substrat 1, et en contact ohmique est réalisé entre l'électrode de drain et le substrat de semi-conducteur 1 du type n+ afin d'obtenir la structure représentée en figures 1A et lB. Selon le présent mode de réalisation de l'invention, étant donné que la surface arrière du substrat 1 du semi-conducteur est recouverte d'un film d'oxyde 601 et d'un film de silicium polycristallin 41, la diffusion des impuretés à l'intérieur du substrat 1 vers l'extérieur peut être supprimée dans le procédé d'oxydation thermique. Dans le présent mode de réalisation, le film de silicium polycristallin 41 sert de film de matériau qui est difficilement enlevé lors de l'élimination du film d'oxyde LOCOS 65. Du nitrure de silicium peut être utilisé à la place du silicium polycristallin. Selon le présent mode de réalisation, des ions phosphore sont implantés de manière à former la région de source du type n+. A la place des ions phosphoreux, de l'antimoine ayant une faible pression de vapeur peut être employé. Dans ce cas, pendant les procédés d'oxydation thermique des figures 14 et 15, la vaporisation des impuretés à partir de la région de source 4 peut être freinée, et par conséquent l'introduction indésirée d'impuretés dans le canal 5 peut être supprimée. Selon le mode de réalisation ci-dessus, le motif analogue à un treillis est utilisé; cependant, un motif analogue à des bandes, etc., peut être également appliqué à la présente invention. De plus, la présente invention peut s'appli- quer à un MOSFET vertical du type dit à grille en tranchée. Plus spécialement, la présente invention peut être appliquée à une structure MOSFET qui est formée sur une tranche constituée d'un substrat de semi-conducteur du type n+, d'une couche épitaxiale du type n-, et de couches du type p et du type n+ qui sont formées sur la couche épitaxiale du type n- par croissance épitaxiale ou diffusion et qui comporte une tranchée formée au moyen de la technique de gravure par ions réactifs afin d'y disposer une électrode de grille. Plus précisément, un film de SiO2est déposé par le procédé CVD sur la surface de la couche de type n+ de la tranche mentionnée ci-dessus comme masque pour former la tranchée. A ce moment là, sur la surface arrière de la tranche un film de SiO2 est déposé. Ensuite, la tranchée est formée au moyen de la technique de gravure par ions réactifs bien connue; cependant, lorsque le masque restant de gravure SiO2 présent sur la surface du substrat est enlevé après la formation de la tranchée, le' SiO2 présent sur la surface arrière du substrat est simultanément enlevé. Cela provoque la vaporisation et la diffusion, mentionnées ci-dessus, des impuretés à partir de la couche n+ (substrat) à la surface arrière de la tranche pendant l'étape ultérieure d'oxydation de la grille, ce qui se traduit par la fluctuation indésirable de la densité des porteurs dans la région du canal. Par conséquent, un film permettant d'éviter la vaporisation des impuretés doit être formé au côté surface arrière du substrat avant d'enlever le masque de SiO2 par gravure. Le présent mode de réalisation peut résoudre le problème en déposant un film de polysilicium ou un film de nitrure de silicium avant le dépôt de SiO2 qui doit être le masque mentionné ci-dessus. En conséquence, même si le film de SiO2 à titre de masque de tranchée est enlevé, ou même si le film de SiO2 à la surface arrière est enlevé simultanément, au moyen du film de polysilicium ou du film de nitrure de silicium qu'on mentionne précédemment, la surface arrière du substrat n'est guère exposée, ce qui permet d'éviter le problème expliqué ci-dessus. En outre, si le film de nitrure de silicium est employé comme ce film, le film de nitrure de silicium peut être appliqué à un matériau de masque pour l'oxydation de la grille. En outre, la présente invention ne doit pas être limitée à un MOSFET de puissance du type vertical, mais elle peut s'appliquer aussi à un circuit intégré-MOS de puissance qui comprend un MOSFET de puissance du type vertical, un IGBT (transistor bipolaire du type à grille d'isolation), ou analogue. En outre, dans les modes de réalisation ci- dessus, on n'a procédé qu'à une description du type canal n, il va sans dire que le type canal p peut donner le même effet que le type canal n. En outre, dans les modes de réalisation ci- dessus, on a procédé à une description d'une structure d'élément de puissance vertical, mais la présente invention peut également s'appliquer à une structure d'élément de puissance du type latéral, qui pourra donner les mêmes effets que la structure d'élément de puissance vertical. Dans ce cas, sa surface arrière est hautement dopée, bien que son électrode de drain soit disposée sur la surface principale du substrat de semi-conducteur. 16 2737607 La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. 17 2737607 REVENDICATIONS 1 - Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: préparer une tranche (21) ayant un substrat de semi-conducteur (1) et une couche de semi-conducteur d'un premier type de conductivité (2) ayant une concentration en impuretés inférieure à celle du substrat de semi-conducteur; former un film d'oxyde local (65) en oxydant localement une région spécifiée de la surface principale de la couche de semi-conducteur (2) de la tranche; former une région de corps (16) d'un second type de conductivité et une région de source (4) d'un premier type de conductivité par une diffusion double utilisant le film d'oxyde local (65) comme masque, d'o il résulte qu'une région de canal (5) est définie à la surface (51) de la région de corps à laquelle fait face une partie latérale du film d'oxyde local (65); former une concavité (50) à cette surface principale de la couche de semiconducteur (2) en enlevant le film d'oxyde local (65); former une structure de grille isolée en oxydant thermiquement la paroi intérieure (51) de la concavité (50) incluant une partie devant être la région de canal (5) afin de former un film d'oxyde de grille (8) et disposer une électrode de grille (9) sur son dessus; et avant l'enlèvement du film d'oxyde local (65), recouvrir un côté de la surface arrière du substrat de semi- conducteur avec un film de matériau (41) ne pouvant être enlevé lors de l'élimination du film d'oxyde local. 2 - Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de couverture comprend la couverture du côté de la surface arrière du substrat de semiconducteur avec du silicium polycristallin ou du nitrure de silicium comme étant le film de matériau. 3 - Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes 18 2737607 consistant à: préparer une tranche (21) ayant un substrat de semiconducteur (1) et une couche de semi-conducteur (2) d'un premier type de conductivité ayant une concentration en impuretés inférieure à celle dudit substrat de semi- conducteur;. former un film d'oxyde local (65) en oxydant localement une région spécifiée de la surface principale de la couche de semi-conducteur (2) de la tranche; former une région de corps (16) d'un second type de conductivité et une région de source (4) du premier type de conductivité par une diffusion double utilisant le film d'oxyde local (65) comme masque, d'o il résulte qu'une région de canal (5) est définie à la surface (51) de la région de corps à laquelle fait face une partie du côté du film d'oxyde local (65); former une concavité (50) à la surface principale de la couche de semi-conducteur (2) en enlevant le film d'oxyde local (65); former une structure de grille isolée en oxydant thermiquement une paroi intérieure (51) de la concavité (50) incluant une partie devant être la région de canal (5) pour former un film d'oxyde de grille (8) et disposer une électrode de grille (9) sur son dessus; et avant l'oxydation thermique de la paroi intérieure (51) de la concavité (50), former à un côté de la surface arrière du substrat de semi-conducteur un film (41) capable d'empêcher la vaporisation des impuretés à partir de ce côté du substrat de semi-conducteur pendant l'oxydation thermique. 4 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes consistant à A exposer le substrat de semi-conducteur (1) à partir de son côté de la surface arrière; et former une électrode de drain (20) sur le substrat de semi-conducteur expose. 19 2737607 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la région de source (4) est formée par l'utilisation d'antimoine. 6 - Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: définir une région de canal (5) en disposant, sur un substrat de semi-conducteur (1) ayant une couche de semi-conducteur (2) d'un premier type de conductivité et une faible concentration en impuretés, une région de corps (16) d'un second type de conductivité et une région de source (4) du premier type de conductivité; recouvrir la surface arrière du substrat de semi-conducteur avec un matériau de masquage (41); former un film d'isolation de grille (8) en oxydant la surface de la région de canal (5); et disposer une électrode de grille (9) sur au moins la région de canal (5), le film d'isolation de grille (8) étant interposé entre elles. 7 - Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend une étape consistant à enlever le matériau de masquage (41) au moins après l'étape de formation d'un film d'isolation de grille (8). 8 - Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape consistant à enlever le matériau de masquage (41) comprend le meulage d'un côté de la surface arrière du substrat de semi-conducteur afin d'exposer ce substrat. 9 - Procédé selon' la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape de formation d'une électrode de drain (20) sur la surface meulée du substrat de semi-conducteur. - Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 9, caractérisé en ce que l'étape consistant à définir la région de canal (5) comprend les étapes consistant à: préparer une tranche (21) ayant le substrat de 2737607 semi-conducteur (1) et la couche de semi-conducteur (2) disposée sur ce substrat; former un film d'oxyde local (65) en oxydant localement une région spécifiée de la surface principale de la couche de semi- conducteur (2) de la tranche; et former la région (16) du corps et la région (4) de la source par diffusion double en utilisant le film d'oxyde local (65) comme masque, d'o il résulte que la région (5) du canal est définie à la surface (51) de la région du corps à laquelle fait face une partie du côté du film d'oxyde local (65). 11 - Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape de formation du film d'isolation de grille (8) comprend les étapes consistant à: former une concavité (50) à la surface principale de la couche de semi-conducteur (2) en enlevant le film d'oxyde local (65); et oxyder thermiquement la paroi intérieure (51) de la concavité (50) pour former le film d'isolation de grille (8). 12 - Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'étape de couverture de la surface arrière du substrat de semi-conducteur comprend les étapes consistant à: déposer sur la tranche (21) le matériau de masquage (41); et enlever sélectivement le matériau de masquage (41) déposé sur la surface principale de la couche de semi- conducteur (2) de la tranche (21). 13 - Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'étape d'enlèvement sélectif comprend l'exécution d'une attaque par ions réactifs. 14 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 13, caractérisé en ce que le matériau de masquage (41) comprend un matériau ne pouvant pas être enlevé lors de l'élimination du film d'oxyde local (65). 21 2737607 - Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le matériau de masquage (41) comprend du silicium polycristallin ou du nitrure de silicium. 16 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 15, caractérisé en ce que la région de source (4) est formée en utilisant de l'antimoine.