FR 2746196 A1 19970919 FR 9701890 A 19970218 DISIPOSI'IF D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE A MATRICE ACTIVE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un écran ou dispositif d'affichage à cristal liquide (ou "LCD") utilisant mun transistor en couche mince (ou "T1FT") ainsi que la structure de ce dispositif d'affichage à cristal liquide. En particulier, la présente invention concerne un procédé de fabrication du TFT présentant une électrode de grille anodisée deux fois. Les LCD sont utilisés dans les dispositifs miniatures, tels que télévisions I (0 miniatures et des dispositifs d'affichage pour des ordinateurs portables alimentés par batterie, du tfait qu'ils consomment moins d'énergie électrique que les autres dis- positifs d'affichage. Des LCD couleurs sont formés en combinant des panneaux à cristal liquide avec des filtres de couleurs. Récemment, les efforts de recherche ont été focalisés sur les dispositifs d'affichage en couleurs, et il en a résulté que de nom- breux écrans couleurs sont arrivés sur le marché. Le procédé de pilotage par matrice active est la méthode la plus couramment utilisée pour piloter un LCD. Les dispositifs pilotés de cette façon sont connus sous l'appellation de AMLCD (dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active) et comprennent des ltansis- tors en couche mince comme élément de commutation pour chaque élément de pixel du dispositif d'affichage. Les LCD à matrice active sont supposés remplacer les tubes cathodiques (CRT) dans de nombreuses applications vidéo. La figure 1 est une vue de dessus montrant unl substrat de LCD à matrice active comprenant comme éléments de commutation des TFT. Le LCD à matrice active comprend une pluralité de lignes de bus de grille 13 et de source 11, s'étendant respectivement horizontalement et verticalement. Une électrode de grille 3, en saillie par rapport à la ligne de bus de grille 13 est formée au voisinage de l'intersection de chaque ligne de bus de source 11 et de chaque ligne de bus de grille 13. En outre, une électrode de source 1, en saillie par rapport à la ligne de bus de source 11 recouvre une portion latérale de l'électrode de grille 3, tandis qu'une électrode de drain 17 recouvre une portion latérale opposée de l'électrode de grille 3. Ainsi, un transistor en couche mince 15, comprenant une électrode de grille 3. une électrode d(le source 1, et une électrode de drain 17 est formé à chaque inters section d'une ligne de bus de grille 13 et d'une ligne de bus de source 1l 1. Les sur- faces rectangulaires définies par les intersections par les lignes de bus de source 11 et de ligne 13 se coupant, sont appelées éléments d'image ou "pixels" du LCD. Sur la surface d'un pixel, l'électrode de pixel 19 est reliée électriquement à l'électrode de drain 17. La figure 2 est une vue en coupe transversale d'un transistor en couche mince et d'une électrode de pixel le long de la ligne Il-1I de la figure 1. Cornoe indiqué ci-dessus, le transistor en couche mince comprend une électrode de grille 3 fiomtée sur un substrat en verre transparent 21. Sur la surface de l'électrode de grille 3, on tforme une couche anodisée 33 afin d'améliorer la performance de l'électrode de grille 3. Une couche d'isolation de griile 23 est formée sur l'électrode de grille 3, puis on forme une couche semi-conductrice 25 constituée de silicium amorphe. Une couche de semi-conducteur extrinséque 8 en silicium araorphe dopé n+ est formé sur des portions sélectionnées de la couche semi-conductrice 25. Une électrode de source 1 et iure électrode de drain 17 sont formeées respectivement au contact de la couche semi-conductr'.ce extrinsèque 8 et de l'électrode de pixel 19. La figure 3 est une vue en coupe transversale d'un condensateur de stockage d'un LCD à matrice active. le long d'une ligne III1-]! de la figure 1, elt la figure 4 est une vue en coupe transversale le long d'une ligne IV.-IV de la figure 1, illustrant la structure des électrodes dul condensateur de stockage. Cormme représenté sur la figure 3, le condensateur de stockage Cs est formé iar recouvrement de la ligne de bus de grille 13 par l'électrode de pixel 19. Comme rep:ésenté sur la figure 4, les portions en recouvrement de l'élecltrode de pixel 19 et de la ligne de bus 13 (dans sa zone T3') constituent les électrodes respectives d'un condensateur de stockage présentant une capacité Cs. Le condensateur de stockage Cs est prévu pour assurer un chargement approprié de l'électrode de pixel. En particulier, lorsque le transistor en couche mince 15 est rendu bloqué, l'électrode (le source 1 et l'électrode de drain 17 re s3nt pas entièrement isolées l'une par rapport à l'autre, mais sont équivalentes à des résistances d'une valeur relativement importante. En conséquence, après le blocage du TFT 15, la cluarge stockée sur l'électrode de pixel 19 se décharge à travers le TFT 15 selon une constante de temps caractéristique et que dépend du produit de la résistance de la jonction source/drain et la capacité annexée au pixel. En. conséquence. il est nécessaire de rafraîchir périodiquement ou de restaurer les charges électriques de l'électrode de pixel 19. Toutefois, si le rafraîchissement est réalisé trop souven', la qualité dlu LCD se détériore. Mais, si le LCD n'est rafraichi que relativement peu fréquemment, la qualité du LCD s'améliore. En prévoyant le condensateur de stockage, la charge die l'électrode de pixel 19 peut être maintenue sans qu'il soit besoin de la rafraîchir fréquemment. Un procédé de fabrication d'un LCD traditionnel comprenant le TFT et le condensateur de stockage des figures précédentes va mainternant être décrit er référence aux figures 5A à 5F, qui montrent des vues en coupe correspondant aux figures 2 et 3, à différentes étapes du procédé de fabrication. l- I \ 1(-1),7 4 - _ 14 J Comme représenté sur la figure SA, une couche d'aluminium est déposée sur toute la surface du substrat de verre 21 et est structurée de sorte: à former une borne de ligne de bus de grille 30 (voir figure 6), la ligne de bus de grille 13 et l'électrode de grille 3 en saillie par rapport à la ligne de bus de grille 13. Toutefois, la surface de la couche d'aluminium peut présenter des défauts, tels que des monticules. En conséquence. on forme une couche anodisée 33 au-dessus de la couche d'aluminium structurée, sauf sur la borne de ligne de bus de grille 30, comme représenté sur la figure 5B. Comme représenté sur la figure SC, on dépose ensuite successivement une couche isolante de grille 23. une couche semi-conductrice en silicium amorphe 25, et une couche semi-conductrice extrinsèque 8. Ensuite, on structure la couche semi- conductrice 25 et la couche semi.-conductrice extrinsèque 8 (figure 5D), puis on pro- cède à la formation d'électrodes de source 1 et de drain 17 distinctes, et à l'attaque de la couche semi-conductrice extrinsèque, de sorte à compléter l'élément de com- mutation à transistor en couche mince classique (figure 5E). Une couche d'oxyde d'étain et d'indium est ensuite déposée sur toute la surface du substrat en utilisant mu procédé de pulvérisation, et l'électrode de pixel 19 est formée en structurant la couche d'oxyde d'étain et d'indium (figure 5F). Dans la méthode classique de fabrication d'untm LCD à matrice active compre- O20 nant un transistor en couche mince, toutefois, des défauts tels que des trous d'épingle ou une attaque excessive peuvent se produire sur la couche métallique de la ligne de bus de grille, du fait de la solution de développement de l'agent photosensible lors de l'anodisation. En effet, comme représenté sur la figure 6, afin de nrie pas former la couche anodisée sur la borne de ligne de grille 30 lorsque la ligne de bus de grille 13 est anodisée, la borne de ligne de grille 30 est protégée par un masque 50 réalisé en agent photosensible structuré en utilisant un procédé de photolithographie. Comme on le comnnaît bien dans de tels procédés, la couche d'agent photosensible est exposé, et développée en utilisant une solution de développement. Fréquemment, toutefois, la solution de développement peut attaquer la surface de la ligne de bus de grille 13, ou le bord du masque 50 empêchant la formation de la couche anodisée sur la borne de ligne de bus de grille 30. Le but de la présente invention est d'empêcher la formation de défauts sur la couche métallique, du fait de l'exposition à une solution de développement d'agent photosensible. Afin d'atteindre cet objectif, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active présentant des transistors en couche mince selon la présente invention comprend une étape de dépôt de métal sur toute la surface d'un substrat en verre. une étape de mise sous une forme prédéterminée de la couche métallique; une étape de première anodisation de la couche métallique I 14 7 D > - 13)( - 14 't3l 1 r1)7 - 12 1 4 4 structurée pour ibrnmer une couche anodisée fine sur la surface de la couche métal- lique structurée; une étape de seconde anodisation d'une partie de la première couche métallique anodisée. Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant des transistors en couche mince selon la présente invention comprend un substrat en verre; des lignes de bus de grille, des électrodes dle grille. des tornes de ligne de bus de grille, des bornes de ligne de tus de source forrnmée sur le substrat en verre; une prerniere couche anodisée f>rniée sur les lignes de bus de grille. Iles électrodes de grille, les bornes de ligne de bus de grille et de source; et untmeseconde couche anodi- se fornmée sua la première couche aic disée. Plus précisément l'invention propose un procédé de fabrication d'unri dislpc,siitif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant les étapes de: - dépôt d'une couche conductrice sur un substrat; formation d'une structure dans ladite couche conductrice; - formation d'une première couche isolante sur des premtiere(s) et seconde{s) portions de ladite couche cond uctrice; et - formation d'une seconde couche isolante sur la ou lesdites seconde(s) portions de ladite couche isolante. L'étape de formation d'une couche isolante peut comprendre une première 2.0 anodisation de ladite couche conductrice, et l'étape de formation d'une seconde coucle isolante peut comprendre une seconde anodisation de ladite couche conductrice. La première ancdisalion est de préférence effectuée pendant lUne durée inférieure à celle de la seconde anodisation. La première portion peut cmcrnprendre une borne de grille, ou au moins une partie d'une électrode de ccondensateur de stockage. Le substrat est avantageusement transparent, par exemple corlmprend du verre. Les secondes portions peuvent comprendre des électrodes de grille et des lignes de bus de grille. La première zoucle isolante présente de préférence une épaisseur inférieure à l'epaisseur de ladite seconde couche isolante. On peut en outre prévoir une étape de dépôt d'une coutche protectrice sur ladite ernemière portion de ladite couche conductrice avant ladite étape de formation de ladite seconde couche isolante. Dans ce cas, la couche protectrice peut zomprendre un agent photosensible. On peut en outre prévoir une étape de dépôt d'une couche protectrice sur ladite première portion de ladite couche conductrice avant ladite seconde anodisation. Dans ce cas, la couche protectrice peut comprendre un agent photosensible. I1k')7- 1214- 414 L'électrode de condensateur de stockage peut comprendre une partie de ladite seconde portion de ladite couche conductrice. Avantageusement, la première couche isolante présente une épaisseur telle qu'elle claque pour des différences de potentiel supérieures à 5 volts. La première couche isolante peut présenter une épaisseur inférieure ou égale à Angstroems, et la seconde couche isolante une épaisseur inférieure ou égale à 1200 Angstroems. Le rapport de l'épaisseur de la seconde couche isolante à l'épaisseur de la première couche isolante est par exemple compris entre 5 et 6. L'invention propose aussi un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant - un substrat; - une couche conductrice structurée disposée sur ledit substrat, ladite couche conductrice structurée présentant des première(s) et seconde(s) portions; 1 5- une première couche isolante disposée sur lesdites première(s) et seconde(s) portions desdites couches conductrices; et - une seconde couche isolante disposée sur la ou lesdites seconde(s) portions de ladite couche conductrice. La première couche isolante peut comprendre une première couche anodisée et la seconde couche isolante peut comprendre une seconde couche anodisée. Les premières portions de ladite couche conductrice peuvent comprendre une borne de grille, et/ou au moins une partie d'une électrode de condensateur de stockage. Le substrat peut être transparent, et par exemple peut comprendre du verre. Les secondes portions peuvent comprendre des électrodes de grille et des Lignes de bus de grille. La première couche isolante peut présenter une épaisseur inférieure à l'épaisseur de ladite seconde couche isolante. L'électrode de condensateur de stockage peut comprendre une partie d'électrode de condensateur de stockage formée par ine partie desdites secondes portions de la couche conductrice. La première couche isolante peut avantageusement présenter une épaisseur telle qu'elle claque pour une différence de potentiel supérieure à 5 volts. La première couche isolante peut présenter une épaisseur inférieure ou égale à 200 Angstroems. et la seconde couche isolante tune épaisseur inférieure ou égale à 1200 Angstroems. Le rapport de l'épaisseur de la seconde couche isolante à l'épaisseur de la première couche isolante est de préférence compris entre 5 et 6. On comprendra que la description générale ci-dessus. et la description détaillée qui suit ne sont que des exemples et des explications, et ne restreignent aucunement l'invention. Les dessins joints. qui sont incorporés dans la présente description et en constituent une partie, illustrent des modes de réalisation de l'invention, et, conjoin- tement avec la description, servent à expliquer les principes de l'invention. Sur ces dessins: - la figure 1 est une vue de dessus montrant une portion d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active classique; - la figure 2 est une vue en coupe le long d'une ligne II-II de la figure 1; la figure 3 est une vue en coupe le long d'une ligne III-III de la figure 1; - la figure 4 est une vue en coupe le long d'une ligne IV-IV de la figure 1; - les figures SA à SF sont des vues en coupe transversale le long d'une ligne V-.V de la figure 1, montrant des étapes dans le procédé de fabrication d'un disposi- I 5 tif d'affichage à cristal liquide à matrice active classique; la figure 6 est une vue de dessus montrant les lignes de bus de grille, les élec- trodes de grille, les bornes de ligne de bus de grille, et ul masque de protection dans un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active classique; - la figure 7 est une vue de dessus montrant une portion d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la présente invention; - les figures 8A à 8F sont des vues en coupe transversale le long d'une ligne VII- VII de la figure 7 montrant le procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la présente invention; - la figure 9 est une vue en plan montrant les lignes de bus de grille, les électrodes de grille, les bornes de ligne de bus de grille, et un masque de pro- tection selon la présente invention; - la figure 10 est une vue en coupe transversale le long de la ligne VIII-VIII de la figure 7. Il est maintenant fait référence en détail aux modes de réalisation exemplaires de la description, illustrés dans les dessins joints. Lorsque cela a été possible, les mêmes numéros de référence sont utilisés dans l'ensemble des dessins pour identifier des éléments analogues ou identiques. Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la présente invention est maintenant décrit en référence aux figures 8A à 8F. Comme représenté sur la figure 8A, une couche d'aluminium est d'abord dépo- sée sur toute la surface d'un substrat de verre 121 et est structurée de façon à former une borne de ligne de bus de grille, une ligne de bus de grille 113 et une électrode de IK ' 12. ':3 C - -12 '14 -,I 4 grille 103. La borne de ligne de bus de grille et la ligne de bus de grille sont aussi structurées en même temps que l'électrode de grille 103. L'électrode de grille 103 est formée en saillie par rapport à la ligne de bus de grille 113. comme le montre la figure 7. Une première couche anodisée 131, présentant de préférence une épaisseur inférieure ou égale à 200 Angstroems (20 nm), est ensuite formée sur la couche d'aluminium structurée. En conséquence, toute la surface de la couche d'aluminium est anodisée, ce qui élimine les défauts tels que les trous d'épingle provoqués par la solution de développement de l'agent photosensible. Comme représenté sur la figure 8B. on forme ensuite une seconde couche anodisée 132, présentant une épaisseur inférieure ou égale à 1200 Angstroems (120 nm) sur l'ensemble de la première couche anodisée 131. sauf sur la borne de ligne de bus de grille, et sur l'électrode du condensateur de stockage 113' (voir figure 9). Ainsi, la borne de ligne de bus de grille et l'électrode du condensateur de stockage 113' ne sont anodisées qu'une seule tfois. Dans cette étape, afin d'empêcher la formation de la seconde couche anodisée sur la borne de ligne de bus de grille 130 et sur l'électrode 113' du condensateur de stockage, un masque 150 de protection est formé sur celles-ci comme représenté sur la figure 9. L'attaque par l'agent d'enlèvement photosensible est alors empêchée par la première couche anodisée. L'anodisation est généralement pratiquée dans un électrolyte qui produit un film compact d'oxyde d'aluminium au-dessus de la surface de l'aluminium. L'épaisseur du film dépend du choix de l'électrolyte, de la tension d'anodisation, de la température et du temps. On peut obtenir des épaisseurs désirées des première et seconde couches anodisées par le contrôle de ces paramètres. Il faut noter que la portion 113' du condensateur de stockage formée sur la ligne de bus de grille 113 n'est pas nécessairement formée à l'endroit illustré sur les dessins, mais peut être disposée sur n'importe quelle partie de la ligne de grille. Bien que les bornes de ligne de bus de grille et les bornes de ligne de bus de 0 source qui sont reliées au circuit de pilotage du dispositif d'affichage à cristal liquide soient anodisées, la couche d'anodisation correspondante est peu épaisse, et elle se rompt de préférence entre 2 et 5 volts lorsque le dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active est piloté. La seconde couche anodisée, toutefois, n'est pas tformée sur les bornes de ligne de bus de source et sur les bornes de ligne de bus de grille, du fait qu'elle est relativement épaisse et pourrait empêcher la formation de contacts électriques appropriés avec les circuits de pilotage associés. En outre, comme noté ci-dessus, la seconde couche anodisée n'est préférable- ment pas formée sur l'électrode du condensateur de stockage 113', du fait que des monticules et des irrégularités ne sont que rarement provoqués par la première couche anodisée sur l'électrode de condensateur de stockage 113'. En outre, la capa- cité Cs de l'élément de stockage capacitif est définie par la formule suivante: Cs = (E. S)/d oul: E est une constante diélectrique. S est la surface du condensateur de stockage, et d est la distance entre les électrodes de stockage du condensateur. De préférence, Cs devrait être relativement important, ce qui peut être obtenu en réduisant le paramètre d. En conséquence, la deuxième couche anodisée n'est pas formée sur l'électrode 113' afin de réduire l'épaisseur de la couche isolante séparant les parties en recouvrement de l'électrode de pixel 19 et de la ligne de bus de grille 13. de sorte à diminuer d autant que possible. Une couche d'isolation de grille 123, et une semi-conductrice en silicium amorphe 125, et une couche semi-conductrice extrinsèque 108 sont successivement déposées, comme représenté sur la figure 8C, et les couches semi-conductrice 125 et semi-conductrice extrinsèque 108 sont structurées de sorte à former des surfaces actives comme représenté sur la figure 8D. Une couche métallique est déposée, et elle est structurée pour former des électrodes de source 101 et de drain 117 dis- tinctes. Ensuite, comme représenté sur la figure 8E, la couche semiconductrice extrinsèque 108 est structurée par un traitement d'attaque, de sorte à ce que les élec- trodes de source 101 et de drain 117 distinctes soient en contact avec la région de canal par l'intermédiaire de la couche de semi-conducteur extrinsèque. Le transistor en couche mince est alors terminé, comme représenté sur la figure 8E. Ensuite, une couche d'oxyde d'étain et d'indium est déposée sur l'ensemble de la surface du substrat en utilisant un procédé de pulvérisation, et est ensuite structurée afin de former une électrode de pixel 119 (voir la figure 8F). La figure 10 illustre une vue transversale d'une électrode de condensateur de stockage selon la présente invention. Spécifiquement, la première couche anodisée 131 est formée sur la ligne de bus de grille 113, et la seconde couche anodisée 132 est formée sur la première couche anodisée, sauf dans la région 113' de l'électrode du condensateur de stockage, c'est-à-dire dans la portion située en-dessous de l'électrode de pixel 119. En conséquence, la distance entre l'électrode de condensateur de stockage 113' et l'électrode de pixel 119 est réduite, de sorte à augmenter la capacité de stockage Cs. Dans le procédé de fabrication de dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la présente invention, une couche d'aluminium est déposée sur IlH, 41'L1)()(4 tcltr17 -1214 - S 14 un substrat et est structurée pour former des lignes de buse de grille, des bornes de buse de grille et des électrodes de grille. La couche d'aluminium est structurée pour former les lignes de buse de grille, les bornes de buse de grille et les électrodes de grille et est ensuite anodisée de sorte à former une première couche anodisée sur la surface. Une seconde couche anodisée est déposée sélectivement, sauf sur les bornes de ligne de buse de grille et sur une partie de la ligne de buse de grille formant l'électrode du condensateur de stockage. En conséquence, la première couche anodi- sée empêche que la couche d'aluminium soit trop attaquée par une solution de déve- loppement, de sorte que des défauts de la couche d'aluminium ne sont que rarement présents. En outre, la seconde couche anodisée améliore l'isolation électrique entre les parties conductrices du dispositif terminé mais n'empêche pas le contact élec- trique sur des bornes de grille et de source, et ne fait pas décroître la capacité du condensateur de stockage. Il apparaîtra à l'homme du métier que diverses modifications et variations du 1 5 dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active de la présente invention et de sa construction peuvent être faites sans sortir de la portée ou de l'esprit de l'invention. D'autres modes de réalisation de l'invention apparaîtront clairement à l'homme de l'art à la considération de la description et à la mise en oeuvre de l'invention qui y est décrite. Il est entendu que la description des exemples qui y sont contenus ne sont donnés qu'à titre d'exemple. REVENDICATIONS 1.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant les étapes de: - dépôt d'une couche conductrice sur un substrat (121); - formation d'une structure (103, 113, 130) dans ladite couche conductrice; - formation d'une première couche isolante (131) sur des premières et secondes portions de ladite couche conductrice; et - formation d'une seconde couche isolante (132) sur lesdites secondes portions de ladite couche conductrice. 2.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la revendication 1, dans lequel ladite étape de formation d'une première couche isolante comprend une première anodisation de ladite couche conductrice, et dans lequel ladite étape de formation d'une seconde couche isolante comprend une seconde anodisation de ladite couche conductrice. 3.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la revendication 2, dans lequel ladite première anodisation est effectuée pendant une durée inférieure à celle de la seconde anodisation. 4.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel ladite première por- tion comprend une borne de grille (130). 5.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel ladite première por- tion comprend au moins une partie d'une électrode de condensateur de stockage (113'). 6.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel ledit substrat est transparent. 7.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel ledit substrat com- prend du verre. 1)(( 14 1xi 'J7 - I 2 4- 14 /14 1l 8.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel lesdites secondes portions comprennent des électrodes de grille (103) et des lignes de bus de grille (1 13). 9.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 8, dans lequel ladite première couche isolante présente une épaisseur inférieure à l'épaisseur de ladite seconde couche isolante. 10.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 9, comprenant en outre une étape de dépôt d'une couche protectrice (150) sur ladite première portion de ladite couche conductrice ( 1 13) avant ladite étape de formation de ladite seconde couche isolante. 11.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la revendication 10, dans lequel ladite couche protectrice (150) comprend un agent photosensible. 12.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 2 à 11, comprenant en outre une étape de dépôt d'une couche protectrice sur ladite première portion de ladite couche conductrice avant ladite seconde anodisation. 13.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la revendication 12, dans lequel ladite couche protectrice com- prend un agent photosensible. 14.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 5 à 13, dans lequel ladite électrode de condensateur de stockage comprend une partie de ladite seconde portion de ladite couche conductrice. 15.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 14, dans lequel ladite première couche isolante présente une épaisseur telle qu'elle claque pour des différences de potentiel supérieures à 5 volts. 1I1 1 M [4 Rt 1 '17-[ 24-I 1/14 16.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel ladite première couche isolante (131) présente une épaisseur inférieure ou égale à 200 Angstroems. 17.- Un procédé de tfabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 16, dans lequel ladite seconde couche isolante (132) présente une épaisseur inférieure ou égale à 1200 Angstroems. 18.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 1 à 17, dans lequel le rapport de l'épaisseur de la seconde couche isolante à l'épaisseur de la première couche isolante est compris entre 5 et 6. I 5 19.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active comprenant: - un substrat (121); - une couche conductrice structurée (103, 113, 130) disposée sur ledit substrat, ladite couche conductrice structurée présentant des premières et secondes portions; - une première couche isolante (131) disposée sur lesdites premières et secondes portions desdites couches conductrices; et - une seconde couche isolante (132) disposée sur lesdites secondes portions de ladite couche conductrice. 20.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la revendication 19, dans lequel la première couche isolante (131) comprend une première couche anodisée et dans lequel la seconde couche isolante (132) comprend une seconde couche anodisée. 21 - Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 19 ou 20. dans lequel lesdites premières portions de ladite couche conductrice comprennent une borne de grille (130). 22.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon la revendication 19, dans lequel lesdites premières portions de ladite couche conductrice comprennent au moins une partie d'une électrode de condensateur de stockage (113'). I 2_ I-*,4X- 1 ') 4- I1 4 23.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 19 à 22. dans lequel ledit substrat est transparent. 24.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 19 à 23. dans lequel ledit substrat comprend du verre. 25.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 19 à 24, dans lequel lesdites secondes portions comprennent des élec- trodes de grille (103) et des lignes de bus de grille (113). 26.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 19 à 25. dans lequel ladite première couche isolante présente une épaisseur inférieure à l'épaisseur de ladite seconde couche isolante. 27.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 22 à 26, dans lequel ladite électrode de condensateur de stockage comprend une partie d'électrode de condensateur de stockage formée par une partie desdites secondes portions de la couche conductrice. 28.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 19 à 27, dans lequel ladite première couche isolante présente une épaisseur telle qu'elle claque pour une différence de potentiel supérieure à 5 volts. 29.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 19 à 28, dans lequel ladite première couche isolante présente une épaisseur inférieure ou égale à 200 Angstroems. 30.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 19 à 29, dans lequel ladite seconde couche isolante présente une épaisseur inférieure ou égale à 1200 Angstroems. 31.- Un dispositif d'affichage à cristal liquide à matrice active selon l'une des revendications 19 à 30, dans lequel le rapport de l'épaisseur de la seconde couche isolante à l'épaisseur de la première couche isolante est compris entre 5 et 6. 1_D 14 t-,11.I >7 - 134. 11/14