FR 2745954 A1 19970912 FR 9602998 A 19960306 DESCRIPTION La présente invention concerne le domaine de la fabrication des composants électronique, notamment du type comportant un cristal semi- conducteur relié à deux languettes métalliques formant les pattes de connexion, et a pour objet une bande métallique prédécoupée pour la fabrication de tels composants, un procédé de fabrication mettant en oeuvre une telle bande et des composants obtenus par ce procédé et au moyen, notamment, de cette bande. Actuellement, les techniques de fabrication de composants électroniques du type précité sont principalement au nombre de trois, dont les caractéristiques sont décrites ci-dessous. La première technique de fabrication met en oeuvre une bande métallique prédécoupée (ou "frame" en langue anglaise) comprenant deux bandes latérales structurantes continues et des languettes s'étendant entre lesdites bandes et disposées par paires, dans lesquelles chaque composante de chaque paire s'étend à partir d'une bande structurante latérale en direction de la bande structurante opposée, les languettes de chaque paire étant mutuellement en regard. Ladite bande prédécoupée est déplacée longitudinalement de manière indexée, de manière à amener chaque paire de languettes au niveau de chacun des postes de fabrication. Sur l'extrémité de l'une des languettes L1 est fixé le cristal semi- conducteur C et une pièce de liaison séparée P est rapportée et fixée par liant, pour assurer la liaison électrique entre les cristal C et l'autre languette L2 (Figure 1). Le boîtier de protection B est ensuite rapporté par moulage, et les languettes sont découpées et les pattes de connexion configurées par formage. Toutefois, cette technique de fabrication aboutit à trois points de connexion internes, diminuant fortement la fiabilité du composant, et exige des équipements de montage complexes et des cadences lentes, entraînant des investissements et des coûts de maintenance élevés. De plus, le maintien de l'assemblage languettes / cristal / pièce de liaison avant la solidification du liant est une opération primordiale pour la qualité du composant final, mais toujours critique et difficilement contrôlable de manière fiable. En outre, la faible précision du montage limite ou interdit même l'application de cette technique pour la réalisation de composants du type "planar" -2- ou comportant un cristal pourvu d'un bossage permettant une orientation mécanique préalable. La deuxième technique de fabrication connue consiste, à partir d'une bande prédécoupée identique à celle mise en oeuvre dans la première technique précitée, à fixer sur l'extrémité de l'une des languettes L1 d'une paire de languettes LI, L2, un cristal semi-conducteur C, puis à réaliser une liaison par un fil en métal précieux F entre ledit cristal C et l'autre languette L2, à protéger ensuite ledit fil de liaison F projecté de poudre polymérisable M et enfin à rapporter le boîtier de protection B par moulage, à découper les languettes LI, L2 et à configurer les pattes de connexion (Figure 2). Néanmoins, cette deuxième technique de fabrication fait appel à des matières premières onéreuses, aboutit également à trois points de connexion et ne permet de produire que des composants de puissance relativement faible du fait de la limitation de la section admissible des fils de connexion. De plus, cette technique nécessite des équipements coûteux, de moyennes cadences seulement et de techniques pointues requérant des personnels de maintenance hautement qualifiés. En outre, la mise en place de la couche de protection en poudre polymérisable M est une opération délicate, et critique, dont dépend directement la qualité du composant final et qui risque, par projection de poudre en dehors de la zone à protéger, de détériorer le moule utilisé pour le moulage du boîtier B. La troisième technique de fabrication consiste à réaliser les jonctions des composants en solidarisant entre elles, avec interposition de cristaux semi- conducteurs C, les extrémités de languettes LI et L2 découpées dans deux portions de bandes indépendantes disposées de telle manière que lesdites extrémités des languettes L1 et L2 se chevauchent deux à deux, puis à mouler le boîtier B et à former les pattes de connexion. Cette troisième technique présente également de nombreux inconvénients. Ainsi, elle ne permet pas de réaliser une fabrication en continue, les portions de bandes découpées, de géométries différentes, étant nécessairement de faible longueur et ne permettant pas leur enroulement en rouleaux. Cet assemblage par segments de longueurs limitées nécessite, d'une part, des dispositifs de magasinage et de stockage et des outillages spécifiques, interdisant toute flexibilité et limite, d'autre part, le nombre de composants assemblés simultanément, d'o il résulte des cadences très peu élevées. -3- Par ailleurs, l'assemblage de pièces multiples indépendantes, en segments non solidaires, réduit la précision du montage et rend très aléatoire l'opération de surmoulage du boîtier. En vue de tenter de pallier les inconvénients précités, il a été proposé, par exemple par le document JP-A-62035549, un procédé de fabrication de composants électroniques à cristaux semi-conducteurs, dans lesquels les deux languettes métalliques formant, pour chaque composant, d'une part, les pièces de maintien et de connexion interne du cristal et, d'autre part, les pattes de connexion externe du composant, sont découpées dans un même bande métallique. Ce découpage est tel que lesdites languettes sont disposées par paires, dans lesquelles chaque composante s'étend à partir d'une bande structurante continue latérale en direction de la bande structurante opposée portant l'autre languette, avec prévision de portions mutuellement en regard, pour les composantes de chaque paire, et d'un décalage longitudinal entre ces dernières, chaque paire de languettes, de longueurs différentes, étant séparée de la paire adjacente par des languettes transversales reliant les deux bandes structurantes continues latérales. Le procédé de fabrication décrit dans ce document consiste, après pose et solidarisation du cristal semi-conducteur au niveau de l'extrémité libre de la languette de plus faible longueur, à replier en diagonale la portion d'extrémité de la languette de plus grande longueur selon un angle tel que son extrémité libre soit en contact avec le cristal, la zone de jonction étant ensuite encapsulée dans une masse de matériau synthétique isolant. Toutefois, ce procédé de fabrication connu aboutit à des composants dont les pattes de connexion externe ne sont pas alignées entre elles et dont le boîtier, pour une puissance donnée, présente une largeur augmentée du fait de la disposition côte à côte des deux languettes métalliques dans chaque composant, ce qui entraîne une augmentation de l'encombrement de chaque composant et une disposition non standard desdites pattes, pouvant aboutir à une non utilisation sur des circuits standards ou dans des machines de fabrication de circuits. En outre, il est difficile d'obtenir, de manière reproductible à haute cadence, un grande précision dans le pliage en diagonale réalisé et des conditions de contact optimales entre l'extrémité repliée et le cristal semi-conducteur, d'o il résulte une part importante de déchets au cours des tests de conformité. En vue de tenter de pallier les inconvénients précités, il a été proposé, notamment dans le document EP-A-0 351 749, de mettre en oeuvre une bande métallique prédécoupée dans laquelle les languettes sont également -4regroupées par paires, dans lesquelles chaque composante s'étend à partir d'une bande structurelle continue latérale en direction de la bande structurelle opposée portant l'autre languette, avec prévision de portions coudées structurellement en regard pour chaque paire de languettes et d'un décalage longitudinal entre ces dernières. Ces deux bandes latérales sont reliées par des languettes transversales inclinées, séparant les différentes paires entre elles et reliées auxdites bandes latérales par des parties plus étroites. Le procédé de fabrication consiste notamment, après dépôt et fixation d'un cristal semi-conducteur sur l'extrémité libre repliée vers le bas de l'une des deux languettes, à opérer, simultanément, deux déplacements relatifs des deux bandes latérales entre elles, dont l'un (dans une direction normale au plan de la bande découpée) amène les languettes portant les cristaux semi-conducteurs dans un plan parallèle distinct, situé sous le plan comprenant les languettes non pourvues de cristaux et présentant des extrémités pliées vers le haut et dont l'autre (dans la direction longitudinale de la bande découpée) réalise un alignement des deux languettes de chaque paire. Le premier déplacement est ensuite inversé et les deux languettes de chaque paire se retrouvent dans un même plan, le cristal étant pincé entre les extrémités pliées chevauchantes desdites languettes. Il est ensuite procédé au moulage du boîtier et aux tests de conformité habituels. Néanmoins, ce procédé de fabrication présente également un certain nombre d'inconvénients. Ainsi, les bandes latérales structurelles doivent présenter chacune des perforations pour un entraînement indexé, et donc une largeur de matière augmentée, ainsi que des propriétés mécaniques suffisantes pour la réalisation des deux déplacements relatifs précités, d'o il résulte un surplus de matériau non utilisé au niveau de la bande découpée initiale. De plus, en cas de fabrication continue au moyen de bandes de grande longueur, il y a nécessairement génération de contraintes aux limites de la portion de bande découpée soumise aux déplacements relatifs, pouvant conduire à des torsions au niveau de la bande d'origine, à des mésalignements lors de l'assemblage des languettes de chaque paire et à des sollicitations, par exemple, sous forme de tiraillements, sur les jonctions entre languettes et cristal, à la sortie de la zone de déplacements relatifs. -5- Enfin, les jonctions languettes / cristal peuvent être soumises à d'éventuelles forces de rappel élastique ou à des forces de déformations rémanentes consécutives aux deux déplacements relatifs des bandes structurelles latérales et susceptibles de rompre ces jonctions, ce jusqu'au moulage du boîtier de protection au moins. La présente invention a notamment pour but de pallier l'ensemble des inconvénients précités. Un autre but de l'invention est d'assurer le plus longtemps possible la solidarisation et le maintien rigide et fiable des composants obtenus sur la bande découpée, notamment après sectionnement et formage des portions de languette(s) destinée(s) à former les pattes de connexion du composant, de manière à autoriser un réenroulement de la bande support portant les composants finis et testés, sous forme de bobine. Un but supplémentaire de l'invention est d'assurer une reproductibilité précise, à cadence élevée, des opérations d'assemblage des parties conductrices du composant, de fiabiliser les jonctions entre les pattes de connexion et le cristal semi-conducteur et de fournir un procédé de fabrication en continu, ne nécessitant que des investissements limités en équipements et en machines et entraînant des frais de maintenance réduits. A cet effet, la présente invention a pour objet une bande métallique prédécoupée (désigné par "frame" en langue anglaise) pour la fabrication de composants électroniques à cristaux semi-conducteurs, principalement constituée par au moins deux bandes longitudinales structurelles latérales reliées l'une à l'autre, à intervalles réguliers, par des segments transversaux entre lesquels sont formées des paires de languettes coplanaires dont chacune est réalisée d'un seul tenant avec l'une des bandes structurelles latérales et s'étend en direction de l'autre desdites bandes structurelles latérales, sans toucher l'autre languette de la paire considérée, bande caractérisée en ce que les languettes de chaque paire sont sensiblement alignées entre elles et en ce que, d'une part, l'une des languettes de chaque paire présente une portion d'extrémité libre formant support de réception pour le cristal semi-conducteur et que, d'autre part, l'autre languette de chaque paire présente, au niveau de son extrémité libre, une portion de bande métallique de connexion prédécoupée, pouvant être repliée de manière à venir en contact avec le cristal semi-conducteur, en étant située pour l'essentiel dans le volume défini par les plans délimitant les bords longitudinaux desdites languettes. L'invention a également un procédé de fabrication de composants électroniques à cristaux semi-conducteurs, à partir d'une bande métallique -6- prédécoupée constituée par au moins par au moins deux bandes longitudinales structurelles latérales reliées l'une à l'autre, à intervalles réguliers, par des segments transversaux entre lesquels sont formées des paires de languettes coplanaires dont chacune est réalisée d'un seul tenant avec l'une des bandes structurelles latérales et s'étend en direction de l'autre desdites bandes structurelles latérales, sans toucher l'autre languette de la paire considérée, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à fournir une bande métallique prédécoupée de grande longueur telle que mentionnée ci-dessus et à assurer son déplacement longitudinal indexé pendant qu'au moins les opérations suivantes sont effectuées, de manière successive, au niveau de chaque paire de languettes: -mise en place du cristal semi- conducteur sur un support de réception adapté situé au niveau de la portion de l'extrémité libre de la première languette, - repliage et connexion au cristal semi-conducteur d'une portion de bande métallique prédécoupée solidaire de l'extrémité libre de la seconde languette, - moulage d'un boîtier de protection autour de la zone de jonction languettes / cristal, sectionnement des deux languettes et découpe et formation des pattes de connexion externe, - test(s) de mesure et éjection des composants défectueux. Enfin, la présente invention concerne aussi des composants électroniques obtenus par l'intermédiaire du procédé de fabrication précité et à partir d'une bande métallique prédécoupée telle que décrite ci-dessus. L'invention sera mieux comprise, grâce à la description ci-après, qui se rapporte à des modes de réalisation préférés, donnés à titre d'exemples non limitatifs, et expliqués avec référence aux dessins schématiques annexés, dans lesquels: - la figure 4 est une vue de dessus d'une partie de bande métallique prédécoupée selon un premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 5 est une vue en élévation latérale et en coupe partielle d'un composant électronique obtenu à partir de la bande représentée à la figure 4; - la figure 6 est une vue de dessus d'une partie de bande métallique prédécoupée selon un second mode de réalisation de l'invention; - la figure 7 est une vue de détail à une échelle différence d'une partie de languette et de son prolongement latéral, faisant partie de la partie de bande représentée à la figure 6; -7- - la figure 8 est une vue en élévation latérale et en coupe selon A-A du prolongement représenté sur la figure 7; - la figure 9 est une vue de dessus, à une échelle différente, de la partie de bande métallique prédécoupée représentée à la figure 6, après dépôt du liant pour la fixation du cristal semi-conducteur; - la figure 10 est une vue analogue à celle la figure 9 après mise en place du cristal semi-conducteur; - la figure 11 est une vue analogue à celle de la figure 10 après un premier pliage du prolongement latéral en forme de L à 90 et la figure 1 IA est une vue à une échelle différente et en élévation frontale du détail Z de la figure 11; - la figure 12 est une vue analogue à celle de la figure 11 après pliage complet du prolongement latéral en forme de L, la figure 12A est une vue à une échelle différente et en perspective du détail Y de la figure 12, la figure 12B est une vue en élévation latérale du détail représenté à la figure 12A et la figure 12C est une vue de dessus du détail représenté à la figure 12A; - la figure 13 est une vue analogue à celle de la figure 12 après dépôt de liant de contact fusible conducteur dans la perforation traversante de la portion distale de contact du prolongement formant patte de connexion et la figure 13A est une vue à une échelle différente, en élévation frontale et partiellement en coupe selon B-B du détail X de la figure 13; - la figure 14 est une vue analogue à celle de la figure 13 après moulage des boîtiers de protection et des picots intercalaires et la figure 14A est une vue en élévation frontale de la partie de bande métallique prédécoupée représentée à la figure 14; - la figure 15 est une vue analogue à celle de la figure 14 après enlèvement, par exemple par éjection, des picots intercalaires; - la figure 16 est une vue analogue à celle de la figure 15 après sectionnement des languettes et découpe des pattes de connexion externe; - la figure 17 est une vue analogue à celle de la figure 16 après un premier contrôle ou test de conformité et éjection des composants défectueux; - la figure 18 est une vue analogue à celle de la figure 17 après formage des pattes de connexion externe et les figures 18A et 18B illustrent différents types de formage desdites pattes; - la figure 19 est une vue analogue à celle de la figure 18 après marquage des boîtiers de protection des composants, notamment par laser, par tampographie ou par sérigraphie; -8- - la figure 20 est une vue analogue à celle de la figure 19 après un second contrôle ou test de conformité, notamment à chaud, et éjection des composants défectueux; - la figure 21 est une vue en perspective d'un composant électronique obtenu selon le second mode de réalisation de l'invention, représentant par transparence les éléments internes disposés dans le boîtier de protection, et, - les figures 22A et 22B sont des vues en élévation, à une échelle différente et en coupe, respectivement selon un plan médian longitudinal et selon un plan transversal indiqué par C-C sur la figure 22A, du composant électronique représenté à la figure 21. Comme le montrent les figures 4 à 12 des dessins annexés, la bande métallique prédécoupée 1 pour la fabrication de composants électroniques 2 à cristaux semi-conducteurs 2', est principalement constituée par au moins deux bandes longitudinales structurelles latérales 3 et 3' reliées l'une à l'autre, à intervalles réguliers, par des segments transversaux 4 entre lesquels sont formées des paires de languettes 5, 5' coplanaires dont chacune est réalisée d'un seul tenant avec l'une des bandes structurelles latérales 3 ou 3' et s'étend en direction de l'autre desdites bandes structurelles 3' ou 3 latérales, sans toucher l'autre languette de la paire considérée. Conformément à l'invention, les languettes 5 et 5' de chaque paire sont sensiblement alignées entre elles, l'une des languettes 5 de chaque paire présentant une portion d'extrémité libre 6 formant support de réception pour le cristal semi-conducteur 2' et l'autre languette 5' de chaque paire présentant, au niveau de son extrémité libre 7, une portion de bande métallique de connexion 8 prédécoupée, pouvant être repliée de manière à venir en contact avec le cristal semi-conducteur 2', en étant située pour l'essentiel dans le volume défini par les plans délimitant les bords longitudinaux desdites languettes 5, 5'. Ainsi, tous les éléments de connexion électrique du composant électronique final 2 sont intégrées dans une unique bande métallique prédécoupée 1, favorisant de ce fait un assemblage précis et autorisant une production en continu, et seuls deux points de jonction électrique sont définis dans ledit composant 2. De plus, les languettes 5, 5' étant alignées entre elles et aucune partie saillante latérale n'étant présente après repliement de la portion de bande métallique de connexion 8, le boîtier de protection 19 pourra présenter un encombrement réduit, notamment en largeur. -9- Selon un premier mode de réalisation particulier de l'invention, représenté aux figures 4 et 5 des dessins annexés, la portion de bande métallique de connexion 8, de forme rectiligne allongée, est découpée dans la portion d'extrémité libre 7 de la languette 5' correspondante, en étant solidarisée à cette dernière par son extrémité dirigée vers l'autre languette 5, la longueur de ladite portion de bande métallique 8 étant telle qu'après deux pliages à 90 de cette dernière, dont l'un au niveau de son extrémité solidaire de la languette 5' correspondante, la portion distale libre 9 de son segment d'extrémité 10 vienne en contact avec le cristal semi-conducteur 2' fixé sur la portion d'extrémité libre 6 de l'autre languette 5. De manière avantageuse, les deux zones 21 et 21' de pliage à 90 de la portion de bande métallique de connexion 8 sont espacées d'une distance équivalente à la hauteur du cristal semi-conducteur 2' diminuée, le cas échéant, de la hauteur d'une partie saillante bombée 9" formée sur la face 9' de la portion distale libre 9 et venant en contact avec le cristal 2'. Grâce à cette disposition, le cristal 2' est maintenu mécaniquement par la portion distale libre 9, notamment durant la phase de solidification du liant 2" fixant ledit cristal 2', sur le support de réception 6 correspondant de la languette 5. Selon un second mode de réalisation préférentiel de l'invention, représenté aux figures 6 à 13 des dessins annexés, la portion de bande métallique de connexion 8 consiste en un prolongement latéral préformé configuré sensiblement en L et composé d'un segment d'extrémité 10 sensiblement parallèle aux axes longitudinaux des languettes 5, 5' considérées et un segment intermédiaire de liaison 11 sensiblement perpendiculaire auxdits axes longitudinaux des languettes 5, 5' considérées et pourvue d'une zone affaiblie 12 de pliage préférentiel, ledit prolongement 8 formant une patte de connexion avec le cristal semi-conducteur 2' disposé sur la portion d'extrémité libre 6 de l'autre languette 5, après pliage au niveau de la dite zone affaiblie 12. Cette zone affaiblie 12 peut être obtenue par découpage de deux entailles latérales ou d'un orifice circulaire ou oblong dans le segment intermédiaire de liaison 11, préférentiellement situé(s) à proximité de la portion d'extrémité libre 6 de la languette 5' correspondante. Il convient de noter que les deux variantes de réalisation précitées de la portion de bande métallique de connexion 8 permettent d'utiliser la bande métallique prédécoupée 1 selon l'invention pour la réalisation de composants électroniques selon les techniques de l'art antérieur mentionnées précédemment, à - 10- savoir celle à fil de connexion en métal précieux et celle à pièce de connexion rapportée, soit en ne pliant pas la portion de bande métallique de connexion 8 du premier mode de réalisation, soit en sectionnant le prolongement latéral 8 du second mode de réalisation, préférentiellement au niveau de la zone affaiblie 12. Conformément à une caractéristique de l'invention, représentée plus particulièrement sur les figures 7, 8, 12A, 12B et 12C des dessins annexés, le segment d'extrémité 10 du prolongement 8 présente deux coudes ou plis 13 et 13' espacés, d'orientations opposées et formés de telle manière que la portion distale libre 9 dudit segment d'extrémité 10, destinée à venir en contact avec le cristal semi-conducteur 2', le cas échéant, par l'intermédiaire d'une partie saillante bombée 9" percée ou non, et formée sur la face 9' de la portion 9 dirigée vers le cristal 2', soit disposée dans un plan décalé parallèlement par rapport au plan contenant la portion 10' dudit segment d'extrémité 10 qui est proximale du segment intermédiaire de liaison 11 et qui est située à l'opposée des deux plis 13 et 13'. La prévision d'une partie saillante bombée 9", ou d'une forme saillante différente, rapportée ou réalisée par déformation de la zone correspondante de la portion distale libre 9, permet de définir avec précision la zone ou le point de contact avec la face supérieure du cristal 2', ce qui élimine sensiblement les mauvaises connexions, notamment dans le cas de cristaux 2' à structure "planar" dans lesquels la zone de contact est réduite. La partie saillante bombée 9" peut être munie d'un ou de plusieurs perçages pour le passage du liant fusible de contact conducteur 20. Selon une variante de réalisation préférentielle de l'invention, la portion distale libre 9 du segment d'extrémité 10 est pourvue d'une perforation traversante 14 centrée par rapport à la zone de contact 15 de ladite portion 9 avec le cristal semi-conducteur 2', après pliage de la portion de bande métallique de connexion 8. De manière avantageuse, ladite perforation traversante 14 débouche sur la face 9' de la portion distale libre 9, dirigée vers le cristal semi-conducteur 2' après pliage, au niveau d'une structure saillante 16 en forme de cratère, dont la paroi annulaire 16' délimitant l'ouverture de ladite perforation 14 est proéminente par rapport à la surface de ladite face 9' de la portion distale 9 dirigée vers le cristal semi-conducteur 2' après pliage. En vue de faciliter le dépôt du liant fusible conducteur 20 et pour éviter un dépôt involontaire de liant fusible conducteur 20 en dehors de la zone de contact 15, la perforation traversante 14 peut déboucher, au niveau de la face de la - il - portion distale libre 9 opposée à la face 9' destinée à être tournée vers le cristal semi-conducteur 2', au fond d'un renfoncement 17, tel qu'une cuvette circulaire par exemple. Les dispositions précédentes permettent donc de faciliter le dépôt de liant 20, d'absorber un excédant éventuel de liant 20 par capillarité et rétention dans le renfoncement 17 et de garantir une zone de contact 15 précise et délimitée de manière nette et reproductible à l'identique avec précision. La structure saillante 16 en forme de cratère et le renfoncement 17 sont formés par déformation de la zone annulaire circonférentielle entourant la perforation traversante 14. En vue de garantir un pliage aisé à réaliser (par des opérations mécaniques simples) et une orientation précise du segment d'extrémité 10 du prolongement 8 après pliage, la zone affaiblie 12 de pliage préférentiel formée dans le segment intermédiaire de liaison 11 définit une ligne 12' de pliage préférentiel parallèle aux axes des languettes 5, 5' correspondantes et autorisant un pliage à 180 dudit prolongement 8, jusqu'au contact plan entre la portion repliable 11' du segment intermédiaire de liaison 11 et l'extrémité libre 7 de la languette 5' correspondante. Conformément à une caractéristique de l'invention, représentée aux figures 6 à 8 et 12B des dessins annexés, la distance d entre le bord supérieur 16" de la paroi annulaire 16' de la structure saillante 16 en forme de cratère et la face de la portion repliable 11' du segment intermédiaire deliaison 11 qui vient en contact avec l'extrémité libre 7 de la languette 5' correspondante, après pliage complet du prolongement latéral 8, est sensiblement identique à la hauteur du cristal semi-conducteur 2'. La détermination de la distance d précitée par préformage du prolongement 8 et la limitation précise du pliage dudit prolongement 8 par butée surfacique, permettent d'aboutir, de manière reproductible, fiable et précise, à un maintien du cristal 2' par pincement entre la portion distale libre 9 de la languette 5' ou sa partie ou structure saillante 9" ou 16 et le support de réception 6 de la languette 5, garantissant une immobilisation mécanique dudit cristal 2', notamment avant solidification du liant conducteur de fixation 2' et de contact 20 et avant moulage du boîtier de protection 19. Conformément à une autre caractéristique de l'invention, et comme le montrent notamment les figures 6 et 14 à 20 des dessins annexés, les segments transversaux 14 présentent des prolongements 18 en forme de pattes, dont les portions d'extrémité libre 18' font saillie dans le volume entourant la jonction -12- languettes 5, 5' /cristal 2' et occupé ultérieurement par la masse du boîtier de protection 19 rapporté par moulage, permettant ainsi le maintien et la rétention des composants électroniques 2 sur la bande métallique 1 après sectionnement des languettes 5 et 5'. De manière avantageuse, chaque segment transversal 14 comporte deux prolongements 18 en forme de patte espacés sur chacun de ses côtés. Afin d'utiliser au mieux le matériau constituant la bande magnétique prédécoupée 1 et d'aboutir à une densité élevée de languettes 5, 5' et donc de composants 2 par unité de longueur, les segments transversaux 4 présentent chacun une portion 4' de largeur plus faible en regard des extrémités libres des languettes 5, 5', la zone de bande métallique ainsi libérée étant utilisée, au moins partiellement, pour le découpage du prolongement latéral repliable 8 formant patte de connexion. La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication de composants électroniques à cristaux semi-conducteurs, à partir d'une bande métallique prédécoupée 1 constituée par au moins par au moins deux bandes longitudinales structurelles latérales 3 et 3' reliées l'une à l'autre, à intervalles réguliers, par des segments transversaux 4 entre lesquels sont formées des paires de languettes 5 et 5' coplanaires dont chacune est réalisée d'un seul tenant avec l'une des bandes structurelles latérales et s'étend en direction de l'autre desdites bandes structurelles latérales, sans toucher l'autre languette de la paire considérée. Comme le montrent les figures 4, 5, 6 et 9 à 20 des dessins annexés, ledit procédé consiste essentiellement à fournir une bande métallique prédécoupée 1 de grande longueur telle que décrite ci-dessus et à assurer son déplacement longitudinal indexé pendant qu'au moins les opérations suivantes sont effectuées, de manière successive, au niveau de chaque paire de languettes 5, 5': - mise en place du cristal semi-conducteur 2' sur un support de réception 6 adapté situé au niveau de la portion de l'extrémité libre de la première languette 5, - repliage et connexion au cristal semi-conducteur 2' d'une portion de bande métallique prédécoupée 8 solidaire de l'extrémité libre 7 de la seconde languette 5', - moulage d'un boîtier de protection 19 autour de la zone de jonction languettes 5, 5'/cristal 2', - sectionnement des deux languettes 5 et 5' et découpe et formation des pattes connexion externe, - 13- - test(s) de mesure et éjection des composants 2 défectueux. Selon une première variante de réalisation de l'invention, représentée aux figures 6 et 9 à 12 des dessins annexés, la portion de bande métallique 8 de la seconde languette 5' consiste, avant pliage, en un prolongement latéral en forme en L, relié par l'extrémité du segment 11 formant la base du L à ladite seconde languette 5' et dont le segment 10 formant l'autre branche du L s'étend parallèlement auxdites languettes 5, 5', avec une portion distale libre 9 située en regard du support de réception 6 de la première languette 5, mais dans un plan décalé parallèlement par rapport au plan contenant lesdites languettes 5 et 5', le pliage dudit prolongement 8 s'effectuant, d'une part, au niveau d'une zone affaiblie 12 du segment 11 formant la base du L et selon une ligne de pliage 12' parallèle aux axes longitudinaux des languettes 5 et 5' et se prolongeant, d'autre part, jusqu'à la venue en contact de la partie repliable 11' dudit segment formant la base du L avec l'extrémité libre 7 de la seconde languette 5'. Le pliage du prolongement 8 en forme de L est réalisé par un premier mouvement de pliage de 90 au niveau de la zone affaiblie 12, suivi d'un second mouvement de pliage de 90 au niveau de cette zone, entraînant un rabattement complet de la partie repliable 11' du segment 11 formant la base du L contre la surface de l'extrémité libre 7 de la seconde languette 5', ce second mouvement de pliage pouvant éventuellement être décomposé en au moins deux mouvements de pliage partiels (Figures 11 et 12). Selon une seconde variante de réalisation de l'invention, représentée aux figures 4 et 5 des dessins annexés, la portion de bande métallique de connexion 8, découpée dans la portion d'extrémité libre 7 de la seconde languette 5' et de forme rectiligne allongée, est pliée une première fois à 90 au niveau de son extrémité solidaire de ladite seconde languette 5' et une seconde fois à 90 en direction de la première languette 5, les deux zones de pliage étant espacées d'une distance équivalente à la hauteur du cristal semi-conducteur 2' et la longueur de ladite portion de bande métallique 8 étant telle que la portion distale libre 9 est mise, après pliages, en contact avec le cristal semiconducteur 2'. Comme le montrent les figures 5, 13, 22A et 22B des dessins annexés, la connexion du cristal semi-conducteur 2' avec la seconde languette 5' est réalisée, après pliage de la portion de bande métallique 8 par contact mécanique avec une partie saillante 9" ou 16 de la portion distale libre 9 et mrise en place de liant fusible conducteur entre cette dernière et le cristal 2' ou injection d'un liant fusible conducteur 20 dans une perforation traversante 14 ménagée dans la portion distale libre 9 et débouchant sur la face 9' de cette dernière dirigée vers - 14- ledit cristal 2' au niveau d'une structure ou partie saillante bombée 9" ou en forme de cratère 16, qui se trouve en contact mécanique avec ledit cristal 2' après pliage de la portion de bande métallique de connexion 8. Selon une caractéristique de l'invention, la matière formant le boîtier de protection 19 est également moulée autour des extrémités libres 18' de prolongements 18 en forme de pattes s'étendant à partir de et solidaires des segments transversaux 14, l'éjection des composants 2 défectueux étant réalisée par application sur ces derniers d'une pression suffisante pour rompre la liaison entre le boîtier 19 et les prolongements 18 en forme de pattes. Grâce à cette disposition, la bande métallique prédécoupée 1 peut être déroulée à partir d'une bobine et, après réalisation et marquage des composants 2 électroniques et contrôle et éjection des composants 2 défectueux, ladite bande métallique 1 portant les composants 2 finis valides maintenus par les prolongements 18 peut être réenroulée en bobine. En outre, les contrôles ou tests de nature électriques peuvent être réalisés sur des composants 2 totalement isolés (pattes de connexion en l'air) et les deux pattes de connexion externe peuvent être formées alors que les composants 2 sont encore maintenus sur la bande métallique prédécoupée 1, qui assure leur transfert régulier, continu et en grand nombre, ainsi qu'un maintien orienté au cours de toutes les opérations de fabrication desdits composants 2. De plus, la bande métallique prédécoupée 1 servant de support durant toutes les opérations de fabrication, les transferts sur les équipements sont fortement simplifiés, voire supprimés. Le procédé de fabrication selon l'invention peut être constitué, plus précisément, par les étapes suivantes: - déroulement et transfert par entraînement indexé d'une bande métallique prédécoupée 1 telle que décrite précédemment, comprenant notamment des paires de languettes 5 et 5', dont les languettes 5' sont munies de prolongements latéraux 8 préformés et pourvus de zones affaiblies 12 de pliage préférentiel (Figure 6); - dépôt d'une quantité déterminée de liant conducteur 2" sur la portion d'extrémité libre 6 des languettes 5 (Figure 9); - dépôt d'un cristal semi-conducteur 2' préorienté (par exemple muni d'un barrage ou d'une surface bombée au niveau de l'une de ses faces fonctionnelles) sur le liant conducteur 2" (Figure 10); - pliage à 90 du prolongement latéral 8 au niveau de la zone affaiblie 12 (Figure 11); - 15- - pliage à 180 C du prolongement latéral 8, limité par la venue en butée surfacique de la portion repliable 11' du segment intermédiaire de liaison 11 sur l'extrémité libre 7 de la languette 5' (Figure 12); - mise en place de liant conducteur fusible 20 au niveau de la zone de contact prolongement 8 / cristal 2', par exemple par dépôt dans une perforation traversante 14 débouchant au niveau d'une structure ou partie saillante 9" ou 16 de la portion distale libre 9 du prolongement 8 (Figures 13 et 13A); solidification du liant 20; - moulage du boîtier de protection 19 autour de la jonction semi- conductrice et des extrémités 18' des prolongements 18 issus des segments transversaux 4, et le moulage de picots intercalaires 22 (Figures 14 et 14a); - étamage des portions de languettes 5 et 5' non incluses dans le boîtier de protection 19; - élimination par éjection des picots intercalaires 22 (Figure 15); - découpe des pattes de connexion, suite au sectionnement des languettes 5 et 5' (Figure 16); - tests par mesure électrique et éjection des composants hors normes; - formage des pattes de connexion (Figure 18); - marquage des composants 2 restants en ce qui concerne la référence du composant et sa polarité (Figure 19); - tests de comportement à chaud et éjection des composants 2 hors normes (Figure 20); - conditionnement de la bande 1 avec les composants valides restants suite à son enroulement, puis stockage ou expédition. Parmi les avantages du procédé précité, résultant principalement des particularités de la bande métallique prédécoupée 1 telle que décrite cidessus, on peut citer notamment la possibilité d'utiliser cette bande métallique prédécoupée 1 pour la fabrication de composants selon les techniques traditionnelles (en découpant le prolongement latéral 8 au niveau de sa ligne de pliage), la possibilité d'utiliser des cristaux 2' en vrac ou à partir de film, l'absence de nécessité de protection préalable des connexions avant moulage du boîtier, l'élaboration du produit (composants) en bande continue et d'une grande flexibilité, le stockage et la manipulation aisé des composants et de la bande initiale sous forme de rouleaux, la possibilité d'utiliser des équipements de montage, de transfert et de tri économiques, de haute cadence, faisant appel à des technologies traditionnelles et dont la maintenance peut être assurée par des techniciens de formation classique. - 16- La présente invention a également pour objet un composant électronique à cristal semi-conducteur, obtenu par l'intermédiaire du procédé de fabrication tel que décrit ci-dessus et à partir, notamment, d'une bande métallique prédécoupée 1 précitée et composée essentiellement d'un boîtier de protection 19 entourant la zone de jonction semi-conductrice et de deux languettes métalliques 5, 5' formant les pattes de connexion externe, dont l'une porte le cristal semi-conducteur 2', au niveau de son extrémité située dans le boîtier 19, caractérisé en ce que la seconde languette 5' présente, au niveau de son extrémité située dans le boîtier de protection 19, un prolongement 8 préformé, d'un seul tenant avec ladite languette 5' et replié par rabattement latéral de manière à venir en contact avec le cristal semi-conducteur 2'. De manière avantageuse, le prolongement 8 préformé présente une forme générale en L avec un segment intermédiaire de liaison 11 replié sur lui- même et un segment d'extrémité 10 doublement coudé, dont la portion d'extrémité distale 9 est en contact avec la face supérieure du cristal semi-conducteur 2', éventuellement de forme bombée, par l'intermédiaire d'une partie saillante ou bombée 9" ou d'une structure saillante 16 en forme de cratère constituant l'ouverture d'une perforation traversante 14 recevant un liant de contact 20 conducteur, assurant la connexion électrique et, au moins partiellement, le maintien mécanique de ladite portion d'extrémité distale avec le cristal semi- conducteur 2'. Enfin, la présente invention a, en outre, pour objet un composant électronique 1 à cristal semi-conducteur, obtenu par l'intermédiaire du procédé de fabrication décrit, en variante, ci-dessus et à partir, notamment, d'une bande métallique prédécoupée 1 telle que décrite précédemment, et comprenant un boîtier de protection 19 entourant la zone de jonction et deux languettes métalliques 5 et 5' formant les pattes de connexion externe, dont l'une porte le cristal semi-conducteur 2', au niveau de son extrémité située dans le boîtier 19, caractérisé en ce que la seconde languette 5' présente, au niveau de son extrémité située dans le boîtier 19, une portion de bande métallique 8 de forme allongée découpée dans ladite languette 5' et conformée par deux pliages distincts à 90 en une patte de connexion en contact avec le cristal semi-conducteur 2' au niveau d'une portion d'extrémité distale 9 (Figures 4 et 5). Comme le montre la figure 5, la distance d entre les deux zones de pliage à 90 21 et 21' est sensiblement équivalente à la hauteur du cristal semi- conducteur 2', la portion d'extrémité distale 9 étant en contact avec la face supérieure du cristal semi-conducteur 2' par l'intermédiaire d'une partie saillante - 17- bombée d'une structure saillante 16 en forme de cratère constituant l'ouverture d'une perforation traversante 14 recevant un liant de contact 20 conducteur, assurant la connexion électrique et, au moins partiellement, le maintien mécanique de ladite portion d'extrémité distale 9 avec le cristal semi-conducteur 2'. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits et représentés aux dessins annexés. Des modifications restent possibles, notamment du point de vue de la constitution des divers éléments ou par substitution d'équivalents techniques, sans sortir pour autant du domaine de protection de l'invention. -18- REVENDICATIONS 1. Bande métallique prédécoupée pour la fabrication de composants électroniques à cristaux semi-conducteurs, principalement constituée par au moins deux bandes longitudinales structurelles latérales reliées l'une à l'autre, à intervalles réguliers, par des segments transversaux entre lesquels sont formées des paires de languettes coplanaires dont chacune est réalisée d'un seul tenant avec l'une des bandes structurelles latérales et s'étend en direction de l'autre desdites bandes structurelles latérales, sans toucher l'autre languette de la paire considérée, caractérisée en ce que les languettes (5 et 5') de chaque paire sont sensiblement alignées entre elles et en ce que, d'une part, l'une des languettes (5) de chaque paire présente une portion d'extrémité libre (6) formant support de réception pour le cristal semi- conducteur (2') et que, d'autre part, l'autre languette (5') de chaque paire présente, au niveau de son extrémité libre (7), une portion de bande métallique de connexion (8) prédécoupée, pouvant être repliée de manière à venir en contact avec le cristal semi-conducteur (2'), en étant située pour l'essentiel dans le volume défini par les plans délimitant les bords longitudinaux desdites languettes (5, 5'). 2. Bande selon la revendication 1, caractérisée en ce que la portion de bande métallique de connexion (8), de forme rectiligne allongée, est découpée dans la portion d'extrémité libre (7) de la languette (5') correspondante, en étant solidarisée à cette dernière par son extrémité dirigée vers l'autre languette (5), la longueur de ladite portion de bande métallique (8) étant telle qu'après deux pliages à 90 de cette dernière, dont l'un au niveau de son extrémité solidaire de la languette (5') correspondante, la portion distale libre (9) de son segment d'extrémité (10) vienne en contact avec le cristal semi- conducteur (2') fixé sur la portion d'extrémité libre (6) de l'autre languette (5). 3. Bande selon la revendication 2, caractérisée en ce que les deux zones (21 et 21') de pliage à 90 de la portion de bande métallique de connexion (8) sont espacées d'une distance équivalente à la hauteur du cristal semi- conducteur (2') diminuée, le cas échéant, de la hauteur d'une partie saillante bombée (9") formée sur la face (9') de la portion distale libre (9) et venant en contact avec le cristal (2'). 4. Bande selon la revendication 1, caractérisée en ce que la portion de bande métallique de connexion (8) consiste en un prolongement latéral préformé configuré sensiblement en L et composé d'un segment d'extrémité (10) - 19- sensiblement parallèle aux axes longitudinaux des languettes (5, 5') considérées et un segment intermédiaire de liaison (11) sensiblement perpendiculaire auxdits axes longitudinaux des languettes (5, 5') considérées et pourvue d'une zone affaiblie (12) de pliage préférentiel, ledit prolongement (8) formant une patte de connexion avec le cristal semi-conducteur (2') disposé sur la portion d'extrémité libre (6) de l'autre languette (5), après pliage au niveau de la dite zone affaiblie (12). 5. Bande selon la revendication 4, caractérisée en ce que le segment d'extrémité (10) du prolongement (8) présente deux coudes ou plis (13 et 13') espacés, d'orientations opposées et formés de telle manière que la portion distale libre (9) dudit segment d'extrémité (10), destinée à venir en contact avec le cristal semi- conducteur (2'), le cas échéant, par l'intermédiaire d'une partie saillante bombée (9") percée ou non, et formée sur la face (9') de la portion (9) dirigée vers le cristal (2'), soit disposée dans un plan décalé parallèlement par rapport au plan contenant la portion (10') dudit segment d'extrémité (10) qui est proximale du segment intermédiaire de liaison (11) et qui est située à l'opposée des deux plis (13 et 13'). 6. Bande selon l'une quelconque des revendications 2, 3 et 5, caractérisée en ce que la portion distale libre (9) du segment d'extrémité (10) est pourvue d'une perforation traversante (14) centrée par rapport à la zone de contact (15) de ladite portion (9) avec le cristal semi-conducteur (2'), après pliage de la portion de bande métallique de connexion (8). 7. Bande selon la revendication 6, caractérisée en ce que la perforation traversante (14) débouche sur la face (9') de la portion distale libre (9), dirigée vers le cristal semi-conducteur (2') après pliage, au niveau d'une structure saillante (16) en forme de cratère, dont la paroi annulaire (16') délimitant l'ouverture de ladite perforation (14) est proéminente par rapport à la surface de ladite face (9') de la portion distale (9) dirigée vers le cristal semi-conducteur (2') après pliage. 8. Bande selon l'une quelconque des revendications 6 et 7, caractérisée en ce que la perforation traversante (14) débouche, au niveau de la face de la portion distale libre (9) opposée à la face (9') destinée à être tournée vers le cristal semi-conducteur (2'), au fond d'un renfoncement (17), tel qu'une cuvette circulaire par exemple. 9. Bande selon les revendications 7 et 8, caractérisée en ce que la structure saillante (16) en forme de cratère et le renfoncement (17) sont formés par - 20 - déformation de la zone annulaire circonférentielle entourant la perforation traversante (14). 10. Bande selon l'une quelconque des revendications 4 à 9, caractérisée en ce que la zone affaiblie (12) de pliage préférentiel formée dans le segment intermédiaire de liaison (11) définit une ligne (12') de pliage préférentiel parallèle aux axes des languettes (5, 5') correspondantes et autorisant un pliage à dudit prolongement (8), jusqu'au contact plan entre la portion repliable (11') du segment intermédiaire de liaison (11) et l'extrémité libre (7) de la languette (5') correspondante. 11. Bande selon l'une quelconque des revendications 7 à 10, caractérisée en ce que la distance (d) entre le bord supérieur (16") de la paroi annulaire (16') de la structure saillante (16) en forme de cratère et la face de la portion repliable (11') du segment intermédiaire de liaison (11) qui vient en contact avec l'extrémité libre (7) de la languette (5') correspondante, après pliage complet du prolongement latéral (8), est sensiblement identique à la hauteur du cristal semi-conducteur (2'). 12. Bande selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisée en ce que les segments transversaux (14) présentent des prolongements (18) en forme de pattes, dont les portions d'extrémité libre (18') font saillie dans le volume entourant la jonction languettes (5, 5') /cristal (2') et occupé ultérieurement par la masse du boîtier de protection (19) rapporté par moulage. 13. Bande selon la revendication 12, caractérisée en ce que chaque segment transversal (14) comporte deux prolongements (18) en forme de patte espacés sur chacun de ses côtés. 14. Bande selon l'une quelconque des revendications 4 à 13, caractérisée en ce que les segments transversaux (4) présentent chacun une portion (4') de largeur plus faible en regard des extrémités libres des languettes (5, 5'), la zone de bande métallique ainsi libérée étant utilisée, au moins partiellement, pour le découpage du prolongement latéral repliable (8) formant patte de connexion. 15. Procédé de fabrication de composants électroniques à cristaux semiconducteurs, à partir d'une bande métallique prédécoupée constituée par au moins par au moins deux bandes longitudinales structurelles latérales reliées l'une à l'autre, à intervalles réguliers, par des segments transversaux entre lesquels sont formées des paires de languettes coplanaires dont chacune est réalisée d'un seul tenant avec l'une des bandes structurelles latérales et s'étend en direction de l'autre desdites bandes structurelles latérales, sans toucher l'autre languette de la paire -21- considérée, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à fournir une bande métallique prédécoupée de grande longueur selon l'une quelconque des revendications 1 à 14 et à assurer son déplacement longitudinal indexé pendant qu'au moins les opérations suivantes sont effectuées, de manière successive, au niveau de chaque paire de languettes (5, 5'): - mise en place du cristal semi-conducteur (2') sur un support de réception (6) adapté situé au niveau de la portion de l'extrémité libre de la première languette (5), - repliage et connexion au cristal semi-conducteur (2') d'une portion de bande métallique prédécoupée (8) solidaire de l'extrémité libre (7) de la seconde languette (5'), -moulage d'un boîtier de protection (19) autour de la zone de jonction languettes (5, 5') /cristal (2'), - sectionnement des deux languettes (5 et 5') et découpe et formation des pattes de connexion externe, - test(s) de mesure et éjection des composants (2) défectueux. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que la portion de bande métallique (8) de la seconde languette (5') consiste, avant pliage, en un prolongement latéral en forme en L, relié par l'extrémité du segment (11) formant la base du L à ladite seconde languette (5') et dont le segment (10) formant l'autre branche du L s'étend parallèlement auxdites languettes (5, 5'), avec une portion distale libre (9) située en regard du support de réception (6) de la première languette (5), mais dans un plan décalé parallèlement par rapport au plan contenant lesdites languettes (5 et 5'), le pliage dudit prolongement (8) s'effectuant, d'une part, au niveau d'une zone affaiblie (12) du segment (11) formant la base du L et selon une ligne de pliage (12') parallèle aux axes longitudinaux des languettes (5 et 5') et se prolongeant, d'autre part, jusqu'à la venue en contact de la partie repliable (11') dudit segment formant la base du L avec l'extrémité libre (7) de la seconde languette (5'). 17. Procédé de fabrication selon la revendication 16, caractérisé en ce que le pliage du prolongement (8) en forme de L est réalisé par un premier mouvement de pliage de 90 au niveau de la zone affaiblie (12), suivi d'un second mouvement de pliage de 90 au niveau de cette zone, entraînant un rabattement complet de la partie repliable (11') du segment (11) formant la base du L contre la surface de l'extrémité libre (7) de la seconde languette (5'), ce second mouvement de pliage pouvant éventuellement être décomposé en au moins deux mouvements de pliage partiels. - 22 - 18. Procédé de fabrication selon la revendication 15, caractérisé en ce que la portion de bande métallique de connexion (8), découpée dans la portion d'extrémité libre (7) de la seconde languette (5') et de forme rectiligne allongée, est pliée une première fois à 90 au niveau de son extrémité solidaire de ladite seconde languette (5') et une seconde fois à 90 en direction de la première languette (5), les deux zones de pliage étant espacées d'une distance équivalente à la hauteur du cristal semi-conducteur (2') et la longueur de ladite portion de bande métallique (8) étant telle que la portion distale libre (9) est mise, après pliages, en contact avec le cristal semi-conducteur (2'). 19. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 16 à 18, caractérisé en ce que la connexion du cristal semi-conducteur (2') avec la seconde languette (5') est réalisée, après pliage de la portion de bande métallique (8) par contact mécanique avec une partie saillante (9") ou (16) de la portion distale libre (9) et mise en place de liant fusible conducteur entre cette dernière et le cristal (2') ou injection d'un liant fusible conducteur (20) dans une perforation traversante (14) ménagée dans la portion distale libre (9) et débouchant sur la face (9') de cette dernière dirigée vers ledit cristal (2') au niveau d'une structure ou partie saillante bombée (9") ou en forme de cratère (16), qui se trouve en contact mécanique avec ledit cristal (2') après pliage de la portion de bande métallique de connexion (8). 20. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications à 19, caractérisé en ce que la matière formant le boîtier de protection (19) est également moulée autour des extrémités libres (18') de prolongements (18) en forme de pattes s'étendant à partir de et solidaires des segments transversaux (14), l'éjection des composants (2) défectueux étant réalisée par application sur ces derniers d'une pression suffisante pour rompre la liaison entre le boîtier (19) et les prolongements (18) en forme de pattes. 21. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications à 20, caractérisé en ce que la bande métallique prédécoupée (1) est déroulée à partir d'une bobine et en ce que, après réalisation et marquage des composants (2) électroniques et contrôle et éjection des composants (2) défectueux, ladite bande métallique (1) portant les composants (2) finis valides maintenus par les prolongements (18) est réenroulée en bobine. 22. Composant électronique à cristal semi-conducteur, obtenu par l'intermédiaire de procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 15 à 17 et 19 à 21 et à partir, notamment, d'une bande métallique prédécoupée selon l'une quelconque des revendications 1 et 4 à 14 et composée - 23 - essentiellement d'un boîtier de protection entourant la zone de jonction semi- conductrice et de deux languettes métalliques formant les pattes de connexion externe, dont l'une porte le cristal semi-conducteur (2'), au niveau de son extrémité située dans le boîtier, caractérisé en ce que la seconde languette (5') présente, au niveau de son extrémité située dans le boîtier de protection (19), un prolongement (8) préformé, d'un seul tenant avec ladite languette (5') et replié par rabattement latéral de manière à venir en contact avec le cristal semi-conducteur (2'). 23. Composant électronique selon la revendication 22, caractérisé en ce que le prolongement (8) préformé présente une forme générale en L avec un segment intermédiaire de liaison (11) replié sur lui-même et un segment d'extrémité (10) doublement coudé, dont la portion d'extrémité distale (9) est en contact avec la face supérieure du cristal semi- conducteur (2'), éventuellement de forme bombée, par l'intermédiaire d'une partie saillante ou bombée (9") ou d'une structure saillante (16) en forme de cratère constituant l'ouverture d'une perforation traversante (14) recevant un liant de contact (20) conducteur, assurant la connexion électrique et, au moins partiellement, le maintien mécanique de ladite portion d'extrémité distale avec le cristal semi-conducteur (2'). 24. Composant électronique à cristal semi-conducteur, obtenu par l'intermédiaire du procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 15 et 18 à 21 et à partir, notamment, d'une bande métallique prédécoupée selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, 6 à 9 et 11 à 13, et comprenant un boîtier de protection entourant la zone de jonction et deux languettes métalliques formant les pattes de connexion externe, dont l'une porte le cristal semi-conducteur, au niveau de son extrémité située dans le boîtier, caractérisé en ce que la seconde languette (5') présente, au niveau de son extrémité située dans le boîtier (19), une portion de bande métallique (8) de forme allongée découpée dans ladite languette (5') et conformée par deux pliages distincts à 90 en une patte de connexion en contact avec le cristal semi-conducteur (2') au niveau d'une portion d'extrémité distale (9). 25. Composant électronique selon la revendication 24, caractérisé en ce que la distance (d) entre les deux zones de pliage à 90 (21 et 21') est sensiblement équivalente à la hauteur du cristal semi-conducteur (2'), la portion d'extrémité distale (9) étant en contact avec la face supérieure du cristal semi- conducteur (2') par l'intermédiaire d'une partie saillante bombée d'une structure saillante (16) en forme de cratère constituant l'ouverture d'une perforation traversante (14) recevant un liant de contact (20) conducteur, assurant la - 24 - connexion électrique et, au moins partiellement, le maintien mécanique de ladite portion d'extrémité distale (9) avec le cristal semi-conducteur (2').