FR 2745457 A1 19970829 FR 9602268 A 19960223 La présente invention est relative à un réseau de cellules photosensibles dans lequel chaque cellule est destinée à fournir un signal de sortie représentant l'illumination locale reçue dans la zone o se situe cette cellule dans le réseau. Plus particulièrement, l'invention concerne un capteur d'images formé d'un tel réseau de photorécepteurs pour convertir de la lumière reçue en un ensemble de signaux représentatifs de l'énergie photonique spatiale contenue dans cette lumière. Un tel capteur d'images est du type qu'on peut désigner par analogie avec l'oeil biologique, par "rétine artificielle", dispositif photorécepteur qui est capable de transformer des paquets d'énergie photonique en des signaux "nerveux" électriques que l'on peut traiter ensuite sous quelque forme que ce soit, représentative de la lumière qui frappe ce dispositif photorécepteur. Pour être performants, ces dispositifs photorécepteurs doivent, à l'instar de la rétine biologique, pouvoir s'adapter à des conditions d'illumination ambiantes qui peuvent varier dans de très grandes proportions, typiquement de sept ordres de grandeur, si on considère par exemple d'une part la lumière d'une nuit sans lune, et d'autre part la lumière de plein soleil. Dans une thèse de doctorat publiée en juin 1994 par l'Institut Polytechnique de Grenoble, France et intitulé "Le traitement neuronal de l'information dans la rétine des vertébrés: un creuset d'idées pour la vision artificielle", W. Beaudot (Laboratoire de Traitement d'Images et de Reconnaissance de Formes de Grenoble, France) a analysé la fonction de transfert de la rétine des vertébrés. Il s'est avéré que la réponse d'un photorécepteur biologique présente la forme d'un faisceau de sigmoides dont chacun représente la compression pseudo-logarithmique de l'illumination pour un niveau particulier de celle-ci en suivant la loi de Michaelis-Menten. Dans la suite de la description, on désignera par compression, conversion ou fonction de transfert sigmoidale les fonctions de compression ou de transfert correspondant ou équivalant à ce dernier type. L'auteur de la thèse propose également un modèle équivalent électrique permettant d'obtenir une telle réponse. Ce modèle équivalent prend donc en compte la loi de Michaelis-Menten contrôlée dynamiquement en permettant une adaptation de cette loi en fonction de caractéristiques statistiques de la lumière qu'il s'agit de transcoder en signaux exploitables. Ce transcodage revient en fait à ce que la sensibilité de chaque photorécepteur soit localement ajustée dans le réseau en fonction de l'intensité moyenne et de l'écart type de l'intensité lumineuse, localement estimés. Toutefois, l'ouvrage précité ne fait état d'aucune implémentation pratique du modèle électrique ainsi proposé. L'invention a donc pour but de proposer une implémentation pratique du modèle de réseau photorécepteur ou "rétine artificielle" décrit dans la thèse précitée. L'invention a pour objet un réseau de cellules photosensibles dont chaque cellule est destinée à fournir un signal de sortie représentatif de l'illumination locale reçue dans la zone o se situe cette cellule dans le réseau, caractérisé en ce que chaque cellule comprend: - un élément photosensible délivrant un courant représentatif de ladite illumination locale; - un circuit de calcul qui, à partir dudit courant représentatif et de parts prédéterminées des courants représentatifs engendrés dans au moins certaines des cellules voisines dans le réseau de la cellule considérée, élabore un courant moyen; - un circuit de compression qui, à partir d'une relation prédéterminée dudit courant représentatif de la cellule considérée et du courant moyen fourni par son circuit de calcul, élabore un courant de mesure résultant d'un compression sigmoidale de ladite relation prédéterminée; et - des moyens pour élaborer ledit signal de sortie en fonction dudit courant de mesure. Il résulte de ces caractéristiques que dans chaque cellule, le traitement des signaux s'effectue en mode de courant et que le signal de sortie de chaque cellule se présente sous la forme d'un courant variable. En outre, tout en assurant une sensibilité satisfaisante du réseau au niveau de chaque cellule, il est également possible grâce à l'invention d'obtenir dans le réseau de cellules un bon compromis entre la résolution spatio-temporelle et le rapport signal/bruit des signaux de sortie en particulier dans le domaine des faibles illuminations. En outre, le réseau de cellules selon l'invention permet de limiter le nombre de composants actifs de chaque cellule à une valeur minimale. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple et faite en se référant aux dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 est un schéma symbolique illustrant le principe qui est à la base de la présente invention; - la figure 2 est un schéma plus élaboré illustrant ce même principe de base; - la figure 3 est un schéma détaillé de quelques cellules d'un capteur d'images utilisant le réseau de cellules selon l'invention; - la figure 4 est un graphe montrant le rapport des courants Ilog et Io circulant dans une cellule du capteur, en fonction du logarithme du rapport des courants Iph et Iy, circulant également dans le capteur, la courbe étant comparée à une courbe analogue obtenue par le calcul théorique; - la figure 5 est un graphe montrant le courant de sortie Ilog du circuit de compression sigmoïdale d'une cellule du capteur en fonction du courant Iph circulant dans l'élément photosensible de cette cellule, la courbe étant comparée à une courbe analogue obtenue par le calcul théorique; - la figure 6 montre en a), b) et c) trois graphes illustrant le fonctionnement du filtre adaptatif utilisé dans chaque cellule du capteur d'images selon l'invention; et - la figure 7 est un schéma détaillé d'un autre mode de réalisation du capteur d'images selon l'invention. Le capteur d'images selon l'invention, appelé aussi "rétine artificielle", est conçu sur la base du modèle théorique élaboré par l'auteur de la thèse précitée à partir des investigations faites sur les rétines de certains vertébrés. Il met donc en oeuvre la loi de Michaelis- Menten afin de réaliser une compression sigmoidale du signal d'intensité lumineuse dû à l'illumination du capteur et ainsi de permettre la prise en compte de la gamme complète de niveaux d'illumination (environ sept ordres de grandeur) que le capteur est généralement susceptible de recevoir. La compression sigmoïdale est réalisée dans des fenêtres d'intensité correspondant à la gamme de sensibilités du photorécepteur, l'adaptation à un niveau d'intensité donné étant déterminée en utilisant la valeur moyenne de l'intensité à laquelle au moins un groupe de photorécepteurs est confronté. La loi de Michaelis- Menten peut s'exprimer ainsi: Rbg = K N (1) N N dans laquelle Rloq est la réponse d'un photorécepteur, K est une constante, No est le niveau moyen d'illumination sur un groupe- de photorécepteurs du capteur et N le niveau d'illumination du photorécepteur considéré dans ce groupe. La figure 1 représente le principe d'un circuit selon l'invention permettant de mettre en oeuvre la loi précitée. Ce circuit que l'on appellera "circuit de compression sigmoïdale adaptatif", se présente sous la forme d'un diviseur de courant et comporte une source de courant 1 connectée à une source de tension d'alimentation VDD 2 et débitant un courant constant Io. La source de courant 1 est connectée à deux conductances ajustables 3 et 4, l'une en fonction d'un courant Iph produit par au moins un photorécepteur 5 et l'autre par un circuit de calcul 6 qui détermine un courant Iy. Celui-ci est la "moyenne" des courants produits par un groupe de photodétecteurs dont le photodétecteur considéré fait partie. Ce courant Imoy est représentatif du niveau moyen d'illumination (le terme "moyenne" n'étant donc pas à prendre dans le sens mathématique strict). Les conductances 3 et 4 sont parcourues par des courants appelés respectivement Ilo, et It. Le courant Ilog présente la forme: = G1'0 (2) I0 G, + G2 dans laquelle G1 et G2 sont respectivement les valeurs des conductances 3 et 4. Avec Gl=kIph et G2=kIhy, on obtient: io (3) Is -,,,o 1+ Ph équation qui correspond à la loi de Michaelis-Menten énoncée ci-dessus. Le circuit que l'on vient de décrire peut être réalisé moyennant l'emploi de divers types de technologies des semi- conducteurs. Dans ce qui va suivre, on décrira, à titre d'exemple, une réalisation à l'aide de transistors MOS. La figure 2 montre l'implémentation du circuit de base à l'aide de ces transistors travaillant en faible inversion, c'est à dire dans la partie de leur courbe caractéristique présentant une allure exponentielle. Plus précisément, le circuit de compression adaptatif selon l'invention comprend quatre transistors Pl, P2, P3 et P4 de type P. Le transistor P2 forme la conductance 3, tandis que le transistor P3 forme la conductance 4. Le trajet source-drain du transistor Pl est parcouru par le courant Iph et sa grille est raccordée à son drain. La source est reliée à l'une des bornes d'une source de tension 7 fournissant la tension VE. La grille du transistor P1 est reliée à celle du transistor P2 dans lequel circule le courant commandé Ilog. Sa source est reliée à la source de courant 1 fournissant le courant Io. Ainsi, la conductance formée par le transistor P2 est régulée par le transistor Pl. Le transistor P3 est également relié à la source de courant 1 et sa grille est reliée à celle du transiter P4 dont la source est au potentiel VE de la source de tension 7. Le trajet source-drain du transistor P4 est parcouru par le courant Iy et sa grille est connectée à son drain. Par conséquent, le transistor P4 régule la conductance formée par le transistor P3. Pour ce qui concerne les transistors Pl à P4 connectés comme indiqué sur la figure 2, on peut écrire les équations suivantes: VI-nv, iph = iOoe.v (4) Ih=IDOe nur (4) i = ioe nu, (5) It = IDoe.v, (6) V2 -nvr I,,oy = IDOe nur (7) dans lesquelles IDO est le courant spécifique de chaque transistor, VO0, Vl, V2 sont les potentiels respectifs indiqués sur la figure 2, n étant le facteur de pente et UT le potentiel thermique de chaque transistor. Par ailleurs: Iloq+It=Io (8) En combinant les équations (4) à (8) ci-dessus, il vient: Ipli Io Ig = - - (9) ph +I 1- +Iy Iph ce qui correspond à l'équation (3) recherchée. La figure 3 représente plus en détail comment est organisé un capteur d'images selon l'invention. Le capteur comporte un grand nombre de cellules connectées les unes aux autres selon une configuration donnée qui peut être linéaire (comme représenté), hexagonale ou autre. Sur la figure 3, on a représenté schématiquement trois cellules seulement de ce réseau, à savoir les cellules C, Cn- et Cn+1. Toutes les cellules étant identiques, seules les cellules C1-_ et C, sont représentées en détail. Oh voit que la cellule Cn comprend trois blocs fonctionnels, à savoir le circuit de compression sigmoidale adaptatif 8, déjà décrit partiellement à propos de la figure 2, un circuit de calcul de moyenne 9 et un filtre passe-bas adaptatif 10 qui comprend notamment une sortie Sn sur laquelle apparaît un signal utile représentatif de l'illumination captée au niveau de la cellule Cn. En outre, le capteur d'image comprend un circuit de polarisation 11 qui est commun à toutes les cellules dont il est composé. Sur la figure 3, on reconnaît les transistors P1 à P4 que l'on a déjà examinés à propos de la figure 2. Le trajet source-drain du transistor P1 est relié en série avec une photodiode 12 délivrant le courant Iph en fonction de l'illumination à laquelle cette cellule est localement exposée. La source de tension 7 fournissant le potentiel VE est formée par un transistor P5 dont la source est connectée à la source de tension VDD et dont le drain est relié aux sources des transistors P1 et P4. La source de courant 1 délivrant le courant Io est formée par un transistor P6. La grille de ce dernier est soumise à un potentiel VgIo, tandis que son trajet source- drain est relié entre la source de tension 2 et les sources des transistors P2 et P3. Un transistor P7 est monté en miroir de courant avec le transistor P1 et délivre donc un courant Iph qui est l'image du courant circulant dans la photodiode 12. Le circuit de calcul 9 forme avec ses homologues dans les autres cellules un réseau diffusant (ici latéralement) composé d'une conductance dite "verticale" formée par un transistor P8 et d'une conductance dite "latérale" formée par un transistor P9. Le noeud J1 entre les trajets drain- source des transistors P8 et P9 est connecté au drain du transistor P7 et c'est à travers ce noeud que le courant Iph de la cellule considérée est réparti, latéralement vers les cellules voisines à travers les transistors P9, et verticalement à travers le transistor P8 de la cellule considérée. Le trajet source-drain du transistor P8 est connecté en série avec celui d'un transistor N1 raccordé à la masse et formant avec un autre transistor N2 un miroir de courant. Le transistor P8 est parcouru par un courant qui est représentatif de l'illumination moyenne frappant le capteur d'images au moins dans la zone proche de la cellule Cn considérée. Comme le transistor N2 est monté en miroir de courant, il est parcouru par un courant I^^y représentatif de cette illumination moyenne. Comme par ailleurs les trajets source-drain des transistors P4 et N2 sont mis en série, le transistor P4 est traversé par ce même courant I^y. Il est à noter que le transistor Ni, outre de permettre de répliquer le courant I^^y dans le transistor N2, est également à même de fixer le potentiel auquel travaille le diviseur de courant formé par les transistors P8 et P9. La longueur de diffusion (autrement dit le nombre de cellules sur lesquelles sera ressenti le courant Iph de la cellule considérée) est déterminée par le rapport des conductances des transistors P8 et P9 selon la formule: 9L = G (10) dans laquelle L est la longueur de diffusion et Gp8 et Gp9 sont respectivement les conductances des transistors P8 et P9. Le rapport en question est fixé par le circuit de polarisation 11 commun à l'ensemble des cellules. Ce circuit de polarisation comprend deux transistors P13 et P14 fixant respectivement la polarisation des transistors P8 et P9 des cellules. Ainsi, la longueur de diffusion peut s'écrire comme un rapport de courants comme suit: L= lP (11) P13 La figure 4 montre un graphe du rapport Ilog/Io, resp. Iloq-th/IO en fonction de la valeur ln(Iph/Imoy), la courbe A montrant l'allure relevée sur le circuit de la figure 3 et la courbe B celle calculée à partir de la théorie. On voit que la compression sigmoidale opérée par le circuit selon l'invention suit une grande partie de la courbe théorique et qu'elle s'étend sur un peu plus de deux ordres de grandeur. La figure 5 est un graphe montrant l'allure du courant Ilog (courbe C), respectivement Ilog-th (courbe D) en nanoampères (nA) en fonction du courant Iph également en nA. La courbe C a été relevée sur la cellule centrale d'un capteur d'images selon l'invention composé de 50 cellules conforme au schéma de la figure 3, la cellule centrale recevant une intensité lumineuse variable, tandis que les autres cellules ont été illuminées avec un éclairage constant et uniforme. On voit ici que le cas expérimental suit de très près le cas théorique établi par le calcul selon la loi de Michaelis- Menten. La longueur de diffusion L a été choisie à 10Ilog-th. On va maintenant décrire le filtre passe-bas adaptatif désigné par la référence 10 sur la figure 3 et présent dans chaque cellule du capteur d'images selon l'invention. Ce filtre est destiné à améliorer le rapport signal/bruit pour les faibles intensités lumineuses auxquelles les cellules du capteur peuvent être exposées. Comme les circuits de calcul de moyenne des cellules, le filtre passe- bas 10 forme avec ses homologues dans les autres cellules un réseau diffusant. Ainsi, chaque filtre 10 comprend un transistor "latéral" P10 et un transistor "vertical" Pli qui sont connectés l'un à l'autre au niveau d'un noeud J2 auquel est envoyé le courant Ilog généré dans le circuit de compression sigmoidale 8 de la cellule. Le transistor Pll est raccordé en série avec un transistor N3 formant avec un transistor N4 un miroir de courant permettant de générer le courant de sortie Iout de la cellule, ce courant de sortie passant dans la borne de sortie Sn de la cellule. Le noeud J2 est raccordé au transistor P10 de la cellule voisine (ici la cellule Cn+l). Un condensateur C2 est branché entre le noeud J2 et la masse. Le transistor Pli constitue une conductance réglable qui est polarisée par le courant I.y calculé dans le circuit de calcul 9 de la cellule par l'intermédiaire de deux autres transistors en série P12 et N5. La polarisation des transistors latéraux P10 des filtres de toutes les cellules est assurée par un transistor P15 dont la grille est raccordée aux grilles de toutes ces transistors latéraux et qui fait partie du circuit de polarisation commun 11. On voit ainsi que le filtre passe-bas adaptatif 10 est régulé par le courant Imy qui comme on l'a déjà vu, correspond à une moyenne spatio-temporelle d'illumination au niveau d'un nombre prédéterminé de cellules voisines. Comme le courant Iy varie peu d'une cellule à l'autre, on peut définir à propos d'un groupe prédéterminé de cellules une constante d'espace 6: = LF2 GPIO IP (12) Gpi, IMOY dans laquelle LF est la longueur de diffusion du réseau diffusant formé par les filtres 10, Gplo0 et Gp,5 les conductances matérialisées par les transistors respectifs P10 et P15 et Ip15 le courant circulant dans le transistor P15 du circuit de polarisation 11. Oh voit d'après l'expression (13) que la constante d'espace 6 est inversement proportionnelle au niveau moyen d'illumination. La constante de temps T du filtre 10 peut être définie comme suit: C2 C2Ur r..u C =r(13) ng,,, 1IPII dans laquelle n, gm et UT sont des paramètres caractéristiques du transistor Pli. On voit que la constante de temps t dépend également de façon inversement proportionnelle du niveau moyen d'illumination. En d'autres termes, tant spatialement que temporellement, le filtre adaptatif 10 dans chaque cellule permet d'améliorer le rapport signal/bruit pour les faibles intensités d'illumination, au détriment, il est vrai des résolutions spatiale et temporelle du capteur d'images. La figure 6 illustre l'influence du filtre adaptatif 10 sur le résultat de la mesure effectuée par le capteur d'images selon l'invention. Les trois graphes visibles en a), b) et c) portent sur les cellules n 25 à 34 d'un réseau unidimensionnel de 50 cellules agencées comme sur la figure 3, la cellule centrale 25 étant éclairée de façon variable et les autres cellules recevant une illumination uniforme. Les graphes représentent le courant de sortie Iout pour chacune des cellules concernées n 25 à 34 et correspondent respectivement à un courant moyen d'illumination Iy = pA, Iy = lnA et Imoy = 10nA. Chaque graphe représente trois courbes relevées respectivement pour une illumination de la cellule centrale n 25 telle que le rapport Iph/Imoy est respectivement de 100, de 1 et de 5. Oh voit que plus le courant Imoy est faible, plus le retour au niveau moyen est lent et plus la longueur de diffusion LF est élevée. Une évolution dans ce sens des diverses grandeurs va de pair avec une amélioration du rapport signal/bruit du signal de sortie. La figure 7 représente un autre mode de réalisation du capteur d'images selon l'invention. Il diffère de celui précédemment décrit par la façon dont est polarisé le filtre passe-bas adaptatif 10. En effet, alors que sur la figure 3, on voit que la branche "verticale" (transistors Pll et N3) est polarisée par le courant Iy via les transistors P12 et N5, dans le mode de réalisation de la figure 7, c'est la branche "latérale" qui est polarisée par ce paramètre par l'intermédiaire du transistor N2 dont la grille est reliée à la grille du transistor P10 dans la même cellule. Par ailleurs, le circuit de polarisation comporte, au lieu du transistor P15, un transistor N6 qui polarise à une valeur identique pour toutes les cellules le transistor Pll du filtre adaptatif. Une variante du capteur d'images selon l'invention consiste à utiliser pour les transistors Pi à P4 et P7 du circuit de compression sigmoïdale 8 des transistors du type MOS CLTB (Compatible Lateral Bipolar Transistor ou transistor bipolaire à compatibilité latérale) éventuellement associés à des transistors MOS en cascade, selon des montages qui ont été décrit dans deux ouvrages, l'un de X. Arreguit dans la thèse n 817, 1989 à l'Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (Suisse), et l'autre de E. Vittoz dans IEEE, Journal of Solid State Circuits, Vol. SC-18, N 3, juin 1983 et intitulé "MOS Transistors Operated in the Lateral Bipolar Mode and their Application in CMOS Technology". Sur le plan fonctionnel, les circuits des figures 3 et 7 sont équivalents. Les modes de réalisation décrits et représentés sur les figures 3 et 7 sont dits bidimensionnels en ce sens que le réseau' s'étend dans un plan. Toutefois, à l'image des réseaux neuronaux pseudo-biologiques connus dans ce domaine, l'invention englobe également les réseaux dits multidimensionnels (supérieurs à deux dimensions). Par exemple, dans un réseau tridimensionnel, les noeuds Jl et J2 pourraient être connectés à des noeuds équivalents situés dans les cellules de réseaux matérialisés dans des "plans" situés au-dessus et/ou en dessous de l'un ou l'autre des réseaux représentés sur les figures 3 et 7. REVENDICATIONS 1.- Réseau de cellules photosensibles (Cn, Cn+l, Cn-1) dont chaque cellule est destinée à fournir un signal de sortie (Sn) représentatif de l'illumination locale reçue dans la zone o se situe cette cellule dans le réseau, caractérisé en ce que chaque cellule comprend: - un élément photosensible (12) délivrant un courant (Iph) représentatif de ladite illumination locale; - un circuit de calcul (9) qui, à partir dudit courant représentatif (Iph) et de parts prédéterminées des courants représentatifs engendrés dans au moins certaines des cellules voisines dans le réseau de la cellule considérée, élabore un courant moyen (Imy); un circuit de compression (8) qui, à partir d'une relation prédéterminée dudit courant représentatif (Iph) de la cellule considérée et du courant moyen (Iy) fourni par son circuit de calcul (9), élabore un courant de mesure (Ilog) résultant d'un compression sigmoïdale de ladite relation prédéterminée; et - des moyens (10) pour élaborer ledit signal de sortie (Sn) en fonction dudit courant de mesure (Ilog). 2.- Réseau de cellules photosensibles selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque cellule comprend un diviseur de courant (8) comportant une source de courant constant (1) débitant dans des première et seconde conductances réglables (P1, P2; P3, P4) ayant une fonction de transfert sigmoïdale, la première (P1, P2) desdites conductances étant régulée par le courant (Iph) circulant dans ledit élément photosensible (12) et en ce que la seconde desdites conductances (P3, P4) est régulée par le courant moyen (Iy) engendré dans ledit circuit de calcul (9). 3.- Réseau de cellules photosensibles suivant la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites première et seconde conductances sont formées chacune par un transistor (P2, P3) à l'électrode de commande duquel est appliqué respectivement un signal représentatif du courant (Iph) circulant dans ledit élément photosensible (12) et un signal représentatif dudit courant moyen (Imy). 4.- Réseau de cellules photosensibles suivant la revendication 3, caractérisé en ce qu'un transistor de commande (P1, P4) est associé respectivement à chacun des transistors (P2, P3) formant lesdites conductances, ces transistors de commande (Pi, P4) étant respectivement parcourus par le courant (Iph) circulant dans ledit élément photosensible (12) et par ledit courant moyen (Iy) et leurs électrodes de commande étant connectées respectivement aux électrodes de commande desdits transistors formant conductance (P2, P3). 5.- Réseau de cellules photosensibles suivant les revendications 3 et 4, caractérisé en ce que lesdits transistors (P1 à P4) sont des transistors MOS. 6.- Réseau de cellules photosensibles suivant les revendications 3 et 4, caractérisé en ce que lesdits transistors sont des transistors bipolaires. 7.- Réseau de cellules photosensibles suivant les revendications 3 et 4, caractérisé en ce que lesdits transistors sont des transistors MOS CLBT. 8.- Réseau de cellules photosensibles suivant l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les circuits de calcul (9) de courant moyen (Iy) desdites cellules (Cn, Cn-1, Cn+l) forment ensemble un réseau diffusant, chaque circuit de calcul comprenant une branche verticale (P8, Ni) parcourue par le courant (Iph) représentatif du courant circulant dans ledit élément photosensible (12), et une branche latérale (P9) connectée en série avec toutes les branches latérales des circuits de toutes les autres cellules, et en ce que ledit courant moyen (Imoy) est prélevé sur ladite branche verticale (P8, Ni). 9.- Réseau de cellules photosensibles suivant la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend également un circuit de polarisation (11) commun à toutes les cellules (Cn, Cn-1, Cn+l), et en ce que les branches verticale et latérale dudit circuit de calcul (9) comportent des transistors (P8, P9) dont les électrodes de commande sont polarisées par ledit circuit de polarisation commun (11). 10.- Réseau de cellules photosensibles suivant l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que chaque cellule comprend également un filtre passe-bas adaptatif (10) formant lesdits moyens pour élaborer ledit signal de sortie (Sn), pour améliorer le rapport signal/bruit dans le domaine de faible illumination de chaque cellule. ll.- Réseau de cellules photosensibles suivant la revendication 10, caractérisé en ce que les filtres passe- bas (10) de toutes les cellules forment un réseau diffusant, chaque filtre comprenant une branche verticale (Pll, N3) parcourue par ledit courant de mesure (Ilog) et formée par une conductance variable en fonction dudit courant moyen (I.y), et une branche latérale (P10) connectée en série avec les branches latérales des filtres (10) de toutes les autres cellules, et en ce que ledit signal de sortie (Sn) est prélevé sur la branche verticale (P11, N3) de ce filtre. 12.- Réseau de cellules photosensibles suivant la revendication 11, caractérisé en ce que les branches latérale et verticale dudit filtre (10) comprennent chacune au moins un transistor (P10, Pli, N3) et en ce que les transistors (P10) des branches latérales sont polarisés par un circuit de polarisation commun (11), tandis que l'un des transistors (Pll) de la branche verticale est commandé par un signal qui est fonction dudit courant moyen (I,,y). 13.- Réseau de cellules photosensibles suivant la revendication 11, caractérisé en ce que les branches latérale et verticale dudit filtre (10) comprennent chacune un transistor (P10, Pli, N3) et en ce que le transistor de la branche latérale est commandé par le courant moyen I(. y) calculé dans la cellule correspondante, tandis que les transistors de toutes les branches verticales des cellules sont polarisées par un circuit de polarisation commun (11).