FR 2730363 A1 19960809 FR 9501448 A 19950208 La présente invention concerne un amplificateur comportant un premier étage formé d'une paire différentielle de transistors bipolaires dont les émetteurs réunis sont connectés à une source de courant, paire formée d'un premier transistor dont la base est connectée à une première borne d'entrée de l'amplificateur et d'un deuxième transistor dont la base est connectée à une deuxième borne d'entrée et dont le collecteur est couplé à une résistance de charge dite principale, résistance dont une extrémité est connectée à une borne d'alimentation et l'autre, à laquelle est connectée une borne de sortie de l'amplificateur. L'invention concerne également un oscillateur à circuit résonant équipé d'un tel amplificateur. Un amplificateur du type indiqué précédemment est à la base d'un grand nombre d'applications, et entre autres, peut être associé à un circuit résonant pour former un oscillateur capable de fonctionner dans une plage de fréquences élevées. Un tel amplificateur construit essentiellement à partir d'une paire différentielle de transistors, est maintenant préféré au lieu d'un transistor unique du fait de ses meilleures performances, en particulier la production d'un signal exempt d'harmoniques paires, et le fait que l'impédance d'entrée de l'amplificateur reste élevée sur la majeure partie de l'excursion du signal d'entrée, et donc est élevée en moyenne. Un amplificateur muni d'une paire différentielle de transistors est connu du document EP-A-O 412 435 o il se trouve associé à un circuit résonant de type LC pour former un oscillateur. Lorsqu'on cherche à élargir la gamme de fréquences couvertes par un oscillateur à résonateur LC dans lequel l'élément variable est une diode à capacité variable en fonction d'une tension de commande, on observe qu'une limitation importante se produit dans les fréquences les plus basses o l'oscillateur cesse de fonctionner. Ce phénomène est lié à un coefficient de qualité insuffisant du circuit résonant, dû aux pertes élevées dans la diode à capacité variable. La capacité variable C étant associée en parallèle avec une inductance L, la résistance de perte parallèle équivalente Rp, de cette capacité, peut être évaluée par un calcul simple, à partir de la résistance de perte série Rs. On obtient: Rp = L/(Rs.C) On remarque que la résistance de perte parallèle Rp diminue lorsque Rs et/ou C augmentent, et donc qu'une oscillation devient difficile aux fréquences basses de la gamme recherchée, lorsque la valeur de la capacité est élevée. Une première approche pour résoudre cette difficulté peut consister à utiliser plusieurs diodes associées en série-parallèle pour obtenir une capacité variable dont la qualité est améliorée. Toutefois cette solution n'est guère satisfaisante du fait que les pertes ne sont que faiblement réduites en fonction du nombre de diodes utilisées, solution qui serait coûteuse et encombrante si on devait utiliser un nombre élevé de diodes. Une seconde approche, fréquemment utilisée consiste à placer une capacité fixe (pratiquement exempte de pertes) en série avec la capacité variable, capacité fixe connue sous le nom anglo-saxon de "padder". Selon cette solution, les pertes sont effectivement réduites mais en réduisant la largeur de la bande des fréquences couvertes ce qui est contraire au but recherché. On peut alors penser qu'une solution au problème pourrait provenir d'une augmentation du gain de l'amplificateur et de son couplage réactif de sorte qu'il soit capable de présenter en sortie une résistance négative suffisamment faible pour compenser les pertes élevées du circuit résonant, aux fréquences basses. Dans le cas d'application d'un amplificateur à la réalisation d'un oscillateur, il y a donc un grand intérêt à trouver le moyen d'augmenter le gain sans que les possibilités d'amplification à fréquences élevées soient réduites. Il est clair qu'un tel objectif ne se limite pas au cas des oscillateurs, et que bien d'autres applications pourraient bénéficier d'un amplificateur haute fréquence, à gain amélioré. Aussi l'un des buts de la présente invention est-il de proposer un amplificateur à gain et fréquence de coupure élevés. Un autre but de l'invention est de fournir un oscillateur utilisant un circuit résonant de type LC, avec lequel le plage de variations de la fréquence d'oscillation soit élargie vers les fréquences basses, du fait que l'amplificateur compense plus efficacement les pertes. L'invention repose sur l'idée que le gain d'un amplificateur présentant un premier étage différentiel, pourrait être sensiblement augmenté du fait d'y adjoindre l'amplification d'un deuxième étage formé d'une deuxième paire différentielle de transistors, paire qui serait disposée d'une manière telle que la fréquence de coupure de l'ensemble ne serait pas sensiblement diminuée. En effet, selon l'invention, un amplificateur tel que celui défini dans le paragraphe introductif est caractérisé en ce que l'amplificateur comporte encore un deuxième étage formé d'une paire différentielle de transistors, laquelle paire est formée d'un troisième et un quatrième transistor dont les émetteurs réunis sont connectés au collecteur du deuxième transistor, et en ce que la résistance de charge principale étant connectée au collecteur du troisième transistor, la base de ce troisième transistor est connectée à une extrémité d'une résistance de charge dite annexe, qui est couplée au collecteur du premier transistor, alors que la base du quatrième transistor est connectée à une tension de référence. Ainsi, le courant collecteur du deuxième transistor, qui contient le signal amplifié par le premier étage, alimente la paire différentielle du deuxième étage, dans laquelle le troisième transistor amplifie à nouveau ce signal, par une commande de sa base, provenant du premier étage, commande qui présente la phase convenable. Selon ce premier mode de mise en oeuvre, l'amplificateur délivre un signal asymétrique sur la borne de sortie. Pour fonctionner en mode totalement asymétrique, la base du deuxième transistor peut être connectée à une source de tension continue fixée. Toutefois, l'amplificateur peut également recevoir un signal différentiel sur ses deux bornes d'entrée. Selon une variante de ce mode de mise en oeuvre, le trajet principal de courant d'un transistor cascode est disposé entre le collecteur du premier transistor et la résistance de charge annexe. Un tel étage cascode a pour effet d'augmenter la fréquence de coupure de l'amplificateur (en diminuant l'influence des capacités parasites). Il peut être utile, en particulier dans l'application de cet amplificateur à la réalisation d'un oscillateur large bande, de réduire progressivement le gain lorsque la fréquence augmente puisque les pertes importantes du circuit résonant ne sont présentes qu'aux fréquences les plus basses. Dans ce cas, il est avantageux que la résistance de charge annexe soit connectée à une capacité en q parallèle. Ainsi, la tension de base du troisième transistor reçoit un signal qui est affaibli aux fréquences les plus élevées. Un autre mode de mise en oeuvre de l'invention concerne un amplificateur susceptible de fonctionner de manière symétrique. Selon ce deuxième mode de mise en oeuve, un amplificateur comportant un premier étage formé d'au moins une première paire différentielle de transistors bipolaires dont les émetteurs réunis sont alimentés par une première source de courant, paire formée d'un premier transistor dont la base est connectée à une première borne d'entrée, et d'un deuxième transistor dont la base est connectée à une deuxième borne d'entrée et dont le collecteur est couplé à une première résistance de charge principale, laquelle a une extrémité connectée à une borne d'alimentation et l'autre connectée à une première borne de sortie de l'amplificateur, tandis que symétriquement, le collecteur du premier transistor est couplé à une deuxième résistance de charge principale qui est connectée à une deuxième borne de sortie de l'amplificateur, est caractérisé en ce que le premier étage comporte en outre une deuxième paire différentielle de transistors dont les émetteurs réunis sont connectés à une deuxième source de courant, deuxième paire formée d'une part d'un transistor homologue au premier transistor ayant sa base connectée à la base du premier transistor et son collecteur couplé à une première résistance de charge annexe, et formée d'autre part d'un transistor homologue au deuxième transistor ayant sa base connectée à la base du deuxième transistor et son collecteur couplé à une deuxième résistance de charge annexe, en ce que l'amplificateur comporte encore un deuxième étage formé de deux paires différentielles de transistors: - une paire de transistors dont les émetteurs réunis sont connectés au collecteur du deuxième transistor, paire dans laquelle l'un des transistors a son collecteur connecté à la première résistance de charge principale et sa base connectée à la première résistance de charge annexe, et l'autre transistor a sa base connectée à la deuxième résistance de charge annexe, - et une autre paire différentielle de transistors agencée symétriquement par rapport à la paire précédente, dont les émetteurs réunis sont connectés au collecteur du premier transistor, autre paire dans laquelle l'un des transistors a son collecteur connecté à la deuxième résistance de charge principale et sa base connectée à la deuxième résistance de charge annexe, et l'autre transistor a sa base connectée à la première résistance de charge annexe. Par rapport au premier mode de mise en oeuvre de l'invention, le deuxième étage comporte maintenant deux paires de transistors au lieu d'une, tandis que le premier étage comporte une paire différentielle de transistors supplémentaire, couplée à la première paire et servant à fournir les courants dans les deux résistance de charge annexes. Selon une variante avantageuse de ce mode de mise en oeuvre, l'amplificateur se caractérise en ce que dans le deuxième étage, ledit autre transistor dont la base est connectée à la première résistance de charge annexe, a son collecteur connecté à la première résistance de charge principale, et symétriquement, ledit autre transistor dont la base est connectée à la deuxième résistance annexe, a son collecteur connecté à la deuxième résistance de charge principale. Le gain de cet amplificateur est alors porté à son maximum du fait que les courants collecteur des quatre transistors du deuxième étage sont tous couplés sur l'une des deux résistances de charge, en fonction de la phase des signaux produits par ces transistors. L'invention concerne également un oscillateur large bande, muni d'un amplificateur tel que précédemment défini, associé à un circuit résonateur de type LC. Un tel oscillateur, selon les cas, peut fonctionner dans un mode asymétrique avec une entrée et une sortie, ou dans un mode symétrique à deux entrées et deux sorties. D'autres particularisés, détails et avantages seront mis en évidence par la description qui va suivre en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemples non limitatifs, dans lesquels: la figure 1 représente le schéma électrique d'un amplificateur selon l'invention, dans son mode de mise en oeuvre le plus simple, la figure 2 donne le schéma électrique d'une variante de l'amplificateur de la figure 1, la figure 3 est un schéma électrique d'un amplificateur selon un deuxième mode de mise en oeuvre de l'invention, autorisant un fonctionnement symétrique, la figure 4 présente le schéma d'une variante de l'amplificateur de la figure 3, la figure 5 est un schéma simplifié d'application de l'amplificateur décrit aux figures 1 et 2, à un oscillateur fonctionnant en mode asymétrique, et la figure 6, le schéma d'un oscillateur fonctionnant en mode symétrique, incorporant un amplificateur du type décrit aux figures 3 ou 4. On se réfère à la figure 1 pour la description d'un amplificateur conforme à l'invention, selon un premier mode de réalisation qui, très simplifié, peut être considéré comme un mode de base du principe de l'invention. L'amplificateur comporte un premier étage formé d'une paire différentielle de transistors bipolaires T1, T2 de type NPN. Les émetteurs réunis de ces transistors sont connectés à une source de courant So, débitant un courant Io. La base du transistor T1 est reliée à une borne d'entrée 10 de l'amplificateur tandis que la base du deuxième transistor T2 est connectée à une source de tensions continue Vrefl. Celle-ci est déterminée par la chute de tension procurée par deux résistances 12, 14 en série, parcourues par un courant Il, débité par une source de courant S1, entre une tension d'alimentation Vcc et la masse Vee. La tension continue Vrefl est découplée par rapport à la masse par une capacité 16 qui peut être de faible valeur si l'amplificateur doit fonctionner à très haute fréquence, par exemple 400MHz. Le collecteur du deuxième transistor T2 est connecté aux émetteurs réunis d'une deuxième paire différentielle de transistors formée des transistors NPN T3 et T4, paire différentielle dans laquelle le transistor T3 à son collecteur couplé à la tension d'alimentation Vcc via une résistance de charge RL, appelée par la suite résistance de charge principale. Le quatrième transistor T4 a son collecteur connecté directement à la tension d'alimentation Vcc. Le noeud de connexion entre le collecteur du transistor T3 et la résistance de charge principale RL, est connecté à une borne de sortie 30 de l'amplificateur. Le courant collecteur du deuxième transistor T2, présentant une composante de courant alternatif déjà amplifiée par le premier étage T1-T2, est amplifié à nouveau par la paire différentielle T3-T4 du fait que la base du troisième transistor T3 reçoit un signal de tension ayant la phase convenable, provenant d'une résistance de charge annexe Rb connectée au collecteur du premier transistor T1. L'autre extrémité de cette résistance de charge annexe Rb est connectée à la tension d'alimentation Vcc. La base du quatrième transistor T4 est connectée à une source de tension de référence Vref2, prélevée entre les résistances 12 et 14. Un fonctionnement optimal de cet amplificateur est obtenu lorsque la paire de transistor T3, T4 fonctionne de manière équilibrée du point de vue du courant continu c'est-à-dire que, dans l'exemple de la figure 1, si la résistance 12 à une valeur égale à la résistance de charge annexe Rb, le courant I1 débité par la source de courant Sl est alors choisi égal à la moitié du courant Io débité par la source de courant So. Ainsi les bases des transistors T3 et T4 sont-elles polarisées à une tension continue très voisine. Bien entendu, on pourrait obtenir le même résultat par un choix approprié des valeurs de courant I1 et de la résistance 12. Comme on le verra par la suite, à propos de l'application de l'amplificateur selon l'invention à un oscillateur large bande, il peut être utile de réduire progressivement le gain de l'amplificateur lorsque la fréquence du signal alternatif augmente. Ceci peut être réalisé de manière très simple en réduisant l'amplification du deuxième étage de transistor T3, T4, par une réduction du signal alternatif de tension appliqué à la base du transistor T3, signal de tension qui est fourni par la résistance de charge annexe Rb. Cette réduction est obtenue par couplage en parallèle sur cette résistance d'une capacité de faible valeur Cp, possibilité qui est représentée sur la figure par une liaison en tirets. Il est donc apparent que l'ensemble formé par la résistance de charge annexe Rb et la capacité parallèle Cp forme une charge complexe permettant de contrôler dans une certaine mesure le gain de cet amplificateur en fonction de la fréquence. Il s'est avéré en pratique, que les capacités parasites du troisième transistor T3 pouvaient procurer le même effet que la capacité parallèle Cp de sorte que par le choix de la taille du transistor T3 et de son mode de réalisation, il est possible de contrôler la courbe de réponse de l'amplificateur. Bien entendu, il sera préférable de choisir en tant que quatrième transistor T4, un transistor de la même construction que le transistor T3 de manière à former une paire différentielle équilibrée de transistors. La figure 2 représente une variante de réalisation de l'amplificateur de la figure 1. Dans le schéma de la figure 2, les éléments ayant la même fonction sont affectés des mêmes signes de référence. En ce qui concerne le premier étage constitué de la paire de transistor T1, T2, la figure 2 représente le cas d'un amplificateur à entrées différentielles du fait que la base du transistor T2 est reliée à une deuxième borne d'entrée 20, contrairement à l'amplificateur de la figure 1 dans lequel la base du transistor T2 était connectée à une tension de référence. Une autre différence concernant l'amplificateur de la figure 2 consiste en l'insertion des diodes D1 et D2 qui abaissent d'une tension de jonction en direct la polarisation des bases des transistors T3 et T4. De cette manière, la tension de sortie fournie à la borne de sortie 30 de l'amplificateur peut admettre une excursion de tension plus élevée. La variante la plus importante du schéma de la figure 2 est constituée par l'interposition d'un transistor cascode T100 entre le collecteur du transistor T1 et la base du transistor T3, ce transistor cascode ayant sa base connectée à une tension fixe par exemple la tension Vref2 déjà utilisée pour polariser la base du transistor T4. La présence du transistor cascode T100 améliore les performances de l'amplificateur du côté des fréquences les plus élevées. Bien que le montage de la figure 2 soit susceptible d'être alimenté par un signal symétrique du fait de ses deux entrées 10 et , l'amplificateur représenté ne possède qu'une seule sortie 30 et est donc asymétrique à ce point de vue. Il faut remarquer que le choix d'une entrée de signal sur le premier étage de l'amplificateur, en mode asymétrique, différentiel ou symétrique, est indépendant des autres particularités propres des circuits représentés aux figures 1 et 2. On va maintenant décrire des exemples d'amplificateurs appliquant le principe conforme à l'invention et qui peuvent fonctionner de manière totalement symétrique et présentant donc deux entrées et deux sorties. La figure 3 présente le schéma d'un premier exemple d'un tel amplificateur symétrique. Un premier étage comporte une première paire différentielle de transistors T10, T20 dont les bases sont connectées respectivement aux bornes d'entrée 10 et 20. Les émetteurs réunis des transistors T10 et T20 sont alimentés par une source de courant So débitant un courant Io. L'amplificateur présente, toujours dans le premier étage, une deuxième paire différentielle de transistors Tll, T22 dont les bases sont connectées respectivement aux bases des transistors T10 et T20 ainsi qu'aux bornes d'entrée 10 et 20. Les émetteurs réunis de cette deuxième paire différentielle de transistors sont connectés à une deuxième source de courant S2 débitant un courant I2. La paire différentielle des transistors Tll et T22 est utilisée pour fournir des signaux amplifiés de tension de base aux transistors du deuxième étage. Ceci est réalisé par le couplage du collecteur du transistor Tll à une première résistance de charge annexe Rbl, et le couplage du collecteur du transistor T22 à une deuxième résistance de charge annexe Rb2. Ces deux résistances sont par ailleurs connectées à une ligne 35 de tension d'alimentation Vcl intermédiaire entre Vcc et Vee. Cette tension Vcl peut être obtenue simplement à partir de la tension d'alimentation Vcc après chute de tension dans une résistance 120. La chute de tension ainsi créée est apparentée à l'effet des diodes D1 et D2 de l'amplificateur de la figure 2 et procure un effet comparable. Une autre particularité de ce mode de mise en oeuvre est constituée par le deuxième étage d'amplification qui comporte deux paires différentielles de transistors au lieu d'une seule, à savoir: une paire de transistor T32, T42 dont les émetteurs réunis sont connectés au collecteur du transistor T20, paire qui joue un rôle analogue aux transistors T3 et T4 des exemples précédents. Toutefois, la base du transistor T42 n'est pas connectée à une source de tension de référence mais à une tension variable en fonction de la tension d'entrée du fait qu'elle est connectée à la résistance de charge annexe Rb2. Elle présente donc une tension de base en opposition de phase avec la tension de la base du transistor T32 qui est connectée à la résistance de charge additionnelle Rbl. Le collecteur du transistor T42 est connecté à la tension Vcc. La paire de transistors T32, T42 est donc plus active que son équivalent des exemples précédents constitués des transistor T3 et T4 du fait que les bases de cette paire de transistors sont actionnées de manière symétrique. Le collecteur du transistor T32 est couplé à une première résistance de charge principale RL1, résistance qui est connectée par ailleurs à la tension d'alimentation Vcc. Le noeud de connexion entre le collecteur de ce transistor et la résistance RL1 est connecté à une première borne de sortie 31 de l'amplificateur. Une disposition totalement symétrique est réalisée par une autre paire différentielle de transistor T31, T41 dont les émetteurs réunis sont connectés au collecteur du transistor T10. Le transistor T31, symétrique du transistor T32, à sa base connectée à la résistance de charge annexe Rb2 et son collecteur couplé à une deuxième résistance de charge principale RL2. L'autre extrémité de cette résistance est connectée à la tension d'alimentation Vcc. Le noeud de connexion entre le collecteur du transistor T31 et la résistance RL2 est connecté également à une deuxième borne de sortie 32 de l'amplificateur. Le transistor T41 qui est symétrique du transistor T42, a sa base connectée à la résistance de charge annexe Rbl et son collecteur connecté à la tension Vcc. Les bornes d'entrée 10 et 20 de l'amplificateur de la figure 3 peuvent recevoir un signal d'entrée symétrique ou un signal asymétrique, l'une des deux bornes étant polarisée à une tension de référence fixe. Par contre, du fait de son montage équilibré, les bornes de sortie 31 et 32 portent une tension de sortie qui est symétrique dans tous les cas. On se reporte à la figure 4 qui présente une variante de réalisation de l'amplificateur décrit à la figure 3. Dans la mesure du possible, les éléments ayant la même fonction sont affectés des mêmes signes de référence. Le premier étage de l'amplificateur, composé de la paire différentielle de transistors T10, T20 et de la paire différentielle de transistors Tll et T22, est conforme au premier étage de l'amplificateur de la figure 3. La seule différence réside dans le fait que les résistances de charge annexes Rbl et Rb2 qui, couplées aux collecteurs des transistors Tll et T22, sont par ailleurs directement reliées à la tension d'alimentation Vcc. Un abaissement de la tension continue moyenne des bases des transistors T41 et T42 peut être obtenu par une augmentation du courant débité par la source de courant S2 ou encore par une augmentation des résistances de charge annexes Rbl et Rb2. Une différence importante par rapport au schéma de la figure 3, consiste dans le couplage des collecteurs des transistors T41 et T42. Le courant collecteur de ces transistors, qui contient une composante amplifiée est couplé aux résistances de charge RL2, et RL1 de la manière qui convient à la phase de ces signaux. Ainsi, le collecteur du transistor T42 est connecté à la résistance de charge RL2 tandis que le collecteur du transistor T41 est connecté à la résistance de charge RL1. Selon ce mode de réalisation, le maximum de gain est obtenu puisque le deuxième étage ne présente aucune perte de courant alternatif amplifié. Dans les exemples décrits aux figure 3 et 4, il est clair que les résistances de charges annexes Rbl et Rb2 peuvent, comme il a été indiqué à propos de la figure 1, être couplées en parallèle à des capacités, de manière à former des impédances de charge qui varient avec la fréquence. La figure 5 donne un exemple d'utilisation d'un amplificateur de type asymétrique selon l'invention, à la réalisation d'un oscillateur à fréquence variable, utilisant un circuit résonant parallèle de type LC. L'amplificateur A a sa borne de sortie 30 couplée au noeud B du circuit résonant par une capacité de couplage Co. Le circuit résonant est constitué d'une self d'accord L, connectée en parallèle avec une combinaison série de capacités dont l'une est une capacité fixe Cf et l'autre est une capacité variable Cv, susceptible d'être commandée par une tension de commande. Ces éléments self et capacités sont disposés en parallèle entre la masse (Vee) et le noeud B. Le noeud B est encore couplé en réaction positive à la borne d'entrée 10 de l'amplificateur au moyen d'une capacité Ci. Ce rétrocouplage réalise une résistance négative alimentant le circuit oscillant L, Cv + Cf engendrant l'oscillation du montage. Une extension de la gamme de fréquences couverte par l'oscillateur est obtenue du fait que, aux fréquences les plus basses pour lesquelles la capacité variable Cv présente des pertes importantes, la résistance négative produite par l'amplificateur A est encore suffisamment faible pour permettre à l'oscillateur de fonctionner. Pour permettre cette extension de la gamme de fréquences, la capacité fixe Cf est choisie de valeur assez élevée. On se reporte à la figure 6 pour un autre exemple d'oscillateur qui utilise maintenant un amplificateur de structure symétrique tel que l'un de ceux présentés en exemples aux figures 3 et 4. Le circuit résonant de type LC est le même que dans l'exemple précédent mais il est alimenté de manière symétrique. L'amplificateur A a une première sortie 31 couplé au circuit résonant par une capacité de couplage Col ainsi qu'à l'entrée 10 de l'amplificateur au moyen d'une capacité de couplage Cil. De manière symétrique, la deuxième sortie 32 de l'amplificateur est couplée à l'autre extrémité du circuit résonant au moyen d'une capacité de couplage Co2 et est couplée également à la deuxième entrée 20 de l'amplificateur au moyen d'une capacité de couplage Ci2. L'oscillateur de la figure 6, présente les mêmes avantages que l'oscillateur de la figure 5 c'est-à-dire une possibilité d'extension de la gamme des fréquences couvertes. Il bénéficie en outre d'une réjection élevée du mode commun. REVENDICATIONS: 1. Amplificateur comportant un premier étage formé d'une paire différentielle de transistors bipolaires dont les émetteurs réunis sont connectés à une source de courant (So), paire formée d'un premier transistor (T1) dont la base est connectée à une première borne d'entrée (10) de l'amplificateur et d'un deuxième transistor (T2) dont la base est connectée à une deuxième borne d'entrée et dont le collecteur est couplé à une résistance de charge dite principale (RL), résistance dont une extrémité est connectée à une borne d'alimentation (Vcc) et l'autre, à laquelle est connectée une borne de sortie (30) de l'amplificateur, caractérisé en ce que l'amplificateur comporte encore un deuxième étage formé d'une paire différentielle de transistors qui est formée d'un troisième (T3) et un quatrième transistor (T4) dont les émetteurs réunis sont connectés au collecteur du deuxième transistor (T2), et en ce que la résistance de charge principale (RL) étant connectée au collecteur du troisième transistor (T3), la base de ce troisième transistor est connectée à une extrémité d'une résistance de charge dite annexe (Rb), qui est couplée au collecteur du premier transistor (T1), alors que la base du quatrième transistor est connectée à une tension de référence (Vref2). 2. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la base du deuxième transistor (T2) est connectée à une source de tension continue (Vrefl) fixée. 3. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le trajet principal de courant d'un transistor cascode (T100) est disposé entre le collecteur du premier transistor (T1) et la résistance de charge annexe (Rb). 4. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce sur la résistance de charge annexe (Rb) est connectée une capacité (Cp) en parallèle. 5. Amplificateur comportant un premier étage formé d'au moins une première paire différentielle de transistors bipolaires dont les émetteurs réunis sont alimentés par une première source de courant (So), paire formée d'un premier transistor (T10) dont la base est connectée à une première borne d'entrée (10), et d'un deuxième transistor (T20) dont la base est connectée à une deuxième borne d'entrée (20) et dont le collecteur est couplé à une première résistance de charge principale (RL1), laquelle résistance a une extrémité connectée à une borne d'alimentation et l'autre, connectée à une première borne de sortie (31) de l'amplificateur, tandis que symétriquement, le collecteur du premier transistor (T10) est couplé à une deuxième résistance de charge principale (RL2) qui est connectée à une deuxième borne de sortie (32) de l'amplificateur caractérisé en ce que le premier étage comporte en outre une deuxième paire différentielle de transistors dont les émetteurs réunis sont connectés à une deuxième source de courant (S2), deuxième paire formée d'une part d'un transistor (Tll) homologue au premier transistor (T10) ayant sa base connectée à la base du premier transistor et son collecteur couplé à une première résistance de charge annexe (Rbl), et formée d'autre part d'un transistor (T22) homologue au deuxième transistor (T20), ayant sa base connectée à la base du deuxième transistor et son collecteur couplé à une deuxième résistance de charge annexe (Rb2), en ce que l'amplificateur comporte encore un deuxième étage formé de deux paires différentielles de transistors: - une paire de transistors dont les émetteurs réunis sont connectés au collecteur du deuxième transistor (T20), paire dans laquelle l'un (T32) des transistors a son collecteur connecté à la première résistance de charge principale (RL1) et sa base connectée à la première résistance de charge annexe (Rbl), et l'autre transistor (T42) a sa base connectée à la deuxième résistance de charge annexe (Rb2), - et une autre paire différentielle de transistors agencée symétriquement par rapport à la paire précédente, dont les émetteurs réunis sont connectés au collecteur du premier transistor (T10), autre paire dans laquelle l'un (T31) des transistors a son collecteur connecté à la deuxième résistance de charge principale (RL2) et sa base connectée à la deuxième résistance de charge annexe (Rb2), et l'autre transistor (T41) a sa base connectée à la première résistance de charge annexe (Rbl). 6. Amplificateur selon la revendication 5, caractérisé en ce que les première (Rbl) et deuxième (Rb2) résistances de charge annexes sont couplées à une borne d'alimentation intermédiaire (Vcl). 7. Amplificateur selon la revendication 5, caractérisé en ce que dans le deuxième étage, ledit autre transistor (T41) dont la base est connectée à la première résistance de charge annexe (Rbl), a son collecteur connecté à la première résistance de charge principale (RL1), et symétriquement, ledit autre transistor (T42) dont la base est connectée à la deuxième résistance annexe (Rb2), a son collecteur connecté à la deuxième résistance de charge principale (RL2). 8. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce qu'à chaque résistance de charge annexe est connectée une capacité (Cp) en parallèle. 9. Oscillateur comportant un amplificateur (A) et un circuit résonant du type à inductance (L) et capacité (Cv, Cf) connectées en parallèle, une borne de sortie de l'amplificateur étant rétrocouplée en réaction positive sur une entrée de l'amplificateur et également couplée à une borne du circuit résonant, caractérisé en ce que l'amplificateur (A) est conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 7.