FR 2728729 A1 19960628 FR 9515410 A 19951222 1 2728729 La présente invention concerne des transistors bipolaires hétérojonction (HBTs). L'invention se rapporte particulièrement au HBTs ayant une contrainte qui produit un champs électrique dans la couche de base qui accélère les porteurs de charge minoritaires pour augmenter la vitesse de fonctionnement des HBTs. Etant donné qu'un fonctionnement à vitesse plus élevée dans un système de traitement d'informations ou un système de communication est demandé, des dispositifs semi- conducteurs à vitesse plus élevée sont nécessaires. Parmi de tels dispositifs à semi-conducteurs à vitesse plus élevée, les transistors bipolaires à hétérojonction promettent un fonctionnement à une vitesse encore plus élevée. La figure 13 est une vue en coupe d'un HBT conventionnel décrit dans la demande de brevet japonais publiée non examinée Hei. 3- 124033. Le HBT selon la figure 13 comprend un substrat semi-isolante GaAs 101, une couche de contact de collector 102 en GaAs du type n+ en, une couche collectrice 103 en GaAs du type n, une couche de base de composition à gradient 104 en InxGalxAs du type O, une couche de composition à gradient 105 en AlyGalyAs du type n, une couche d'émetteur 106 en AlzGalzAs du type n, une couche de contact d'émetteur 107 en GaAs du type n+, une électrode d'émetteur 108, une électrode de base 109 et une électrode de collecteur 110. Dans ce HBT, la concentration d'indium dans la couche de base 104 du InxGalxAs change graduellement de x = 0,15 à x = 0 dans l'emplacement entre la couche de collecteur et la couche d'émetteur. Il en résulte que la bande interdite de la couche de base varie entre la couche de collecteur 103 et la couche d'émetteur 106 et est plus large au voisinage de la couche d'émetteur 106 que de la couche de collecteur 103. Cet energie de bande interdite à gradient produit un gradient de potentiel à l'intérieur de la couche de base qui augmente la rapidité des porteurs de charge minoritaires dans la base, des électrons dans ce cas, et réduit le temps de transit de ces électrons dans la base de 2 2728729 l'émetteur au collecteur. Ainsi la vitesse de fonctionnement du HBT est augmentée. Bien que la vitesse du HBT conventionnel soit augmentée par gradation de la composition de la couche de base, un fonctionnement à vitesse ecore plus élevé que celle produite par la gradation de composition est souhaitée. Un objectif de la présente invention est de proposer à HBT à vitesse élevée comprenant un champs électrique à l'intérieur de la couche de base qui accélère les porteurs de charge minoritaires dans la base lorsqu'elle se déplace de l'émetteur au collecteur. Un transistor bipolaire hétérojonction selon l'invention comprend un substrat semi-conducteur composite monocrystallin; et des couches de collecteur, d'émetteur et de base, epitaxiales monocrystallines, successivement déposées sur la surface du substrat semiconducteur composite monocrystallin et produisant une contrainte qui engendre un champs piezoélectrique à l'intérieur de la couche de base, qui accélère les porteurs de charge minoritaires dans la couche de base se déplaçant de la couche d'émetteur vers la couche de collecteur. Dans les transistors bipolaires à hétérojonction selon l'invention, une contrainte de compression ou de traction peut être appliquée à la couche de base. Des couches d'émetteur et de collecteur, dans les HBTs selon l'invention, soit la couche d'émetteur, soit la couche de collecteur peut être plus proche du substrat. Supplémentairement au champs piezoélectrique engendré dans la couche de base, la couche de base a une composition gradée produisant un gradient de potentiel de façon que les porteurs de charge minoritaires dans la couche de base soient accélérés davantage lorsqu'ils transitent dans la couche de base de la couche d'émetteur au couche de collecteur. Un transistor bipolaire selon la présente invention comprend: un substrat qui est un semiconducteur de structure crystaline de blende de zinc et a une surface de crystal avec 3 2728729 des polarités électriques comme une surface principale, une couche de base ayant une contrainte formée par une croissance epitaxial sur le substrat, et une couche de collecteur et une couche émetteur formées de façon à intercaler entre elles la couche de base, et le transistor est construit de façon que le champs piezo-électrique interne partant vers le côté de la couche d'émetteur, du côté couche de collecteur soit engendré dans la couche de base. De plus, le transistor bipolaire a une structure émetteur qui comprend un substrat dans lequel une surface de crystal ou de quartz A (par exemple, {111} = (111), (11-1-), (1-11-) et (1-1-1)) est une surface principale, une couche de collecteurc formée sur la couche principale du substrat, une couche de base ayant une contrainte de compression formée sur la couche de collecteur et une couche émetteur formée sur la couche de base. De plus, le transistor bipolaire a une structure en direction du collecteur qui comprend: un substrat dans lequel une surface de crystal B (par exemple, {1-1-1} = (1- 1-1-), (1-11), (11-1) et (111-)) est une surface principale, une couche d'émetteur formée sur la surface principale du substrat, une couche de base ayant une contrainte de compression qui est formée sur la couche d'émetteur, et une couche de collecteur formée sur la couche de base. La surface principale des substrats semiconducteurs composites est une surface de crystal ayant des polarités électriques, par exemple des surfaces (111)A, (111)B, et (113)A. De plus, le transistor bipolaire a une structure en direction du collecteur, qui comprend: un substrat dans lequel une surface de crystal A est une surface principale, une couche d'émetteur formée sur la surface principale du substrat, une couche de base ayant une contrainte de traction réalisée sur la couche d'émetteur et une couche de collecteur formée sur la couche de base. En outre, le transistor bipolaire comprend une structure en direction de l'émetteur qui comprend: un 4 2728729 substrat dans lequel une surface de crystal B est une surface principale, une couche de collecteur formée sur la surface principale du substrat, une couche de base ayant une contrainte de traction réalisée sur la couche de collecteur, et une couche d'émetteur formée sur la couche de base. De plus, le transistor bipolaire est réalisé de façon que la graduation du potentiel d'énergie pour les électrons est engendré en conférant une gradation à la compostion de crystal composite dans la couche de base aux côtés de l'émetteur et le collecteur. Dans le transistor bipolaire selon la présente invention, une couche de base ayant une contrainte de compression ou de traction est réalisée par croissance épitaxiale sur un substrat dans lequel une surface de crystal avec des polarités électriques, telle qu'une surface de crystal A ou B, en engendrant ainsi un champs piezo- électrique partant vers le côté de couche d'émetteur à partir d'un côté de couche de collecteur dans une couche de base. Ce champs piezo- électrique agit sur les électrons qui constituent un petit nombre de porteurs dans la couche de base, comme champs électrique de migration. Il en résulte que la vitesse des électrons est accélérée et le temps de transit de base peut être réduit. En outre, dans le transistor bipolaire selon la présente invention, la gradation du potentiel d'energie pour les électrons est engendrée en conférant une gradation à la composition de crystal mixte d'une couche de base ayant une contrainte dans un côté de couche d'émetteur et un côté de couche de collecteur. La gradation du potentiel d'énergie pour les électrons agit comme champs électrique de migration. Il en résulte que la vitesse des électrons est accélérée et le temps de transit peut être diminué. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins 2728729 schématiques annexes donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention. - La figure 1 est une vue en coupe d'un HBT selon un premier mode réalisation de l'invention; - La figure 2 est un diagramme de bande d'énergie du HBT de la figure 1. - La figure 3 est une vue en coupe d'un HBT selon un second mode de réalisation de l'invention; - La figure 4 est un diagramme de bande d'énergie de HBT selon la figure 3; - La figure 5 est une vue en coupe d'un HBT selon un troisième mode de réalisation de l'invention; - La figure 6 est un diagramme de bande d'énergie du HBT selon la figure 5. - La figure 7 est une vue en coupe d'un HBT selon un quatrième mode de réalisation de l'invention; - La figure 8 est un diagramme de bande d'énergie du HBT selon la figure 7; - La figure 9 est une vue en coupe d'un HBT selon un cinquième mode de réalisation de l'invention; - La figure 10 est un diagramme de bande d'énergie du HBT selon la figure 9; La figure 11 est une vue en coupe d'un HBT selon un sixième mode de réalisation de l'invention; - La figure 12 est un diagramme de bande d'énergie du HBT selon la figure 11; - La figure 13 est une vue en coupe d'un HBT conventionnel. Dans toutes les figures, les mêmes éléments portent les mêmes numéros de référence. (Premier mode de réalisation) La figure 1 est une vue en coupe d'un HBT selon un premier mode de réalisation d'invention. Le HBT selon la figure 1 comprend un substrat monocrystallin 1 en GaAs semi- isolant, ayant une surface A (111). Une couche de contact de 6 2728729 collecteur 2 en GaAs du type n+ ayant une concentration d'impuretés dopants d'environ 5 x 1018, une couche de collecteur 3 en GaAs de type n ayant une concentration d'impuretés dopants d'environ 5 x 1016, une couche de base 4 à contrainte de compression en In0, 1Ga0o9gAs du type p+,ayant une concentration d'impuretés de dopage de 7 x 1019, une couche d'émetteur 5 en A10,3Ga0 7As ayant une concentration d'impuretés de dopage d'environ 5 x 1017, et une couche de contact d'émetteur 6 en GaAs du type n+ ayant une concentration d'impuretés d'environ 5 x 1018 sont successivementdéposées sur la surface A (111) du substrat 1 en GaAs. Dans ce mode de réalisation et les autres modes de réalisation de l'invention, ces couches semi- conductrices sont des couches monocrystallines successivement établies par croissance épitaxiale selon le substrat 1 en GaAs par un procédé de dépôt en phase vapeur chimique métalorganique (MOCVD) ou par épitaxie à faisceau moléculaire (MBE), par exemple. La croissance épitaxiale assure que les couches semi-conductrices aient la même orientation crystalline que la surface A (111) du substrat 1 en GaAs sur lequel les couches sont successivement établies par croissance. Le HBT comprend également une électrode émetteur 7, une électrode de base 8, et une électrode de collecteur 9, situées respectivement sur la couche de contact d'émetteur 6, la couche de base 4, et la couche de contact de collecteur 2. La figure 2 est un diagramme de la bande d'énergie du HBT selon la figure 1, dans laquelle EF représente le niveau de Fermi, Ec est le bord de la bande de conduction, et Ev est le bord de la bande de valence. Dans ce premier mode de réalisation, la couche de base 4 en InGaAs a une constante de réseau cristallin différente du substrat en GaAs et, de ce fait, est sujette à une contrainte de compression produite par le substrat 1. Cette contrainte engendre un champs piezoéletrique qui s'étend en direction de la couche d'émetteur 5 à partir de la couche de collecteur 3 à l'intérieur de la couche de base 4. La grandeur de ce champs piezoélectrique est d'environ 7 x 104 7 2728729 V/cm. Quand l'épaisseur de la couche de base est d'environ 50 nanomètres (nm), une différence d'énergie équivalente d'environ 0,3 eV est engendrée sur la couche de base par ce champs piezoélectrique. Cette différence d'énergie est deux fois la différence d'énergie d'environ 0, 15 eV qui est produite lorsque la composition de la couche de base en AlxGalxAs est gradé de x = 0,2 à x = 0. Le champs piezoélectrique accélère les électrons qui sont des porteurs de charge minoritaires dans la base du HBT montré sur la figure 1, dans la couche de base à partir de l'émetteur vers le collecteur. Il en résulte que le temps de transit de base est réduit et la performance de vitesse plus élevée est obtenue. Pour que la contrainte de compression engendre un champs piezoélectrique dans la HBT selon l'invention, les couches de substrat, de collecteur et d'émetteur peuvent être des semi-conducteurs composés ou à jonction, ayant une structure crystalline de blende de zinc, tel que du GaAs. La surface du substrat semi-conducteur à jonction sur laquelle les couches de collecteur, de base et d'émetteur sont diposées succesivement doit être une surface crystalline ayant un arrangement d'atomes de façon qu'une contrainte mécanique, de compression ou de traction, existant dans la couche de base déposée produise un champs piezoélectrique à l'intérieur de la base du HBT. La direction de la contrainte, c'est-à-dire, de compression ou de traction doit produire un champs piezolélectrique qui accélère les porteurs de charge minoritaires dans la couche de base, les électrons dans le HBT npn selon le premier mode de réalisation d'invention, lorsque ces porteurs de charge prioritaires transitent dans la base à partir de l'émetteur en direction du collecteur. (Second mode de réalisation) La figure 3 est une vue en coupe d'un HBT selon un second modèle de réalisation de la présente invention. Le HBT sur la figure 3 comprend un substrat en GaAs monocrystallin semi-isolant 11 ayant une surface A (113). Une couche de contact de collecteur 12 en GaAs du type n+, une couche de 8 2728729 collecteur 13 en GaAs du type n, une couche de base à contrainte de compression 14, en In0o 1Ga0o9gAs du type p+, une couche d'émetteur 15 en Ao10,3Ga0o,7As du type n et une couche de contact d'émetteur 16 en GaAs du type n+ sont successivement déposées sur la surface A (113) du substrat 11 en GaAs. Ces couches sont toutes des couches épitaxiales monocrystallines. Le HBT comprend également une électrode d'émetteur 17, une électrode de base 18 et une électrode de collecteur 19 respectivement déposée sur la couche de contact d'émetteur 16, la couche de base 14 et la couche de contact de collecteur 12. La figure 4 est un diagramme de bande d'énergie du HBT selon le second mode de réalisation dans lequel EF représente le niveau de Fermi, Ec représente le bord de la bande de conduction, et Ev représente le bord de la bande de valence. Dans ce second mode de réalisation, la couche de base 14 est soumise à une contrainte de compression à partir du substrat semi-conducteur, en engendrant ainsi un champs piezoélectrique dans la base qui s'étend de la couche d'émetteur à la couche de collecteur. Le champs piezoélectrique accélère les électrons comme porteurs de charge minoritaire, dans la couche de base à partir de la couche d'émetteur à la couche de collecteur. La vitesse des électrons est augmentée et le temps de transit de base est réduit, en augmentant ainsi la vitesse de fonctionnement du HBT. (Troisième mode de réalisation) La figure 5 est une vue en coupe d'un HBT selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. Le HBT selon la figure 5 comprend un substrat 21 en GaAs monocrystallin semiisolant ayant une surface B (111). Une couche de contact d'émetteur 22 en GaAs de type n+, une couche d'émetteur 23 en GaAs du type n, une couche de base à contrainte de compression en In0,1Ga09gAs du type p+, une couche de collecteur 25 en Ao10,3Ga0,7As du type n et une couche de contact de collecteur 26 en GaAs du type n+ sont successivement déposées sur la surface B (111) du substrat 21 9 2728729 en GaAs. Ces couches toutes des couches épitaxiales monocrystallines. Le HBT comprend également une électrode de collecteur 27, une électrode de base 28 et une électrode d'émetteur 29 respectivement déposées sur la couche de contact de collecteur 26, la couche de base 24 et la couche de contact émetteur 22. La figure 6 est un diagramme de bande d'énergie du HBT selon le troisième mode de réalisation dans lequel EF représente le niveau de Fermi, Ec représente le bord de la bande de conduction, et Ev représente le bord de la bande valence. Dans le troisième modèle de réalisation, la couche de base 14 est soumise à une contrainte de compression par le substrat semiconducteur, en engendrant ainsi un champs piezoélectrique dans la base qui s'étend de la couche d'émetteur à la couche de collecteur. Le champs piezoélectrique accélère les électrons, comme porteurs de charge minoritaires, dans la couche de base, de la couche d'émetteur à la couche de collecteur. La vitesse des électrons est augmentée et le temps de transit de base est réduit en augmentant ainsi la vitesse de fonctionnement du HBT. (Quatrième mode de réalisation) La figure 7 est une vue en coupe d'un HBT selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Le HBT selon la figure 7 comprend un substrat 31 en InP monocrystallin semi-isolant ayant une surface A (111). Une couche de tampon 31', en In0,5Ao10,5As non dopé, une couche de contact de collecteur 32, en In0,5Ga0,5As du type n+, une couche de collecteur 33 en In0,5Ga0,5As du type n, une couche de base à contrainte de compression 34 en In0,6Ga0,4As du type p+, une couche d'émetteur 35 en Ino,5Alo,5As du type n, et une couche de contact d'émetteur 36 en In0o, 5Gao,5As type n+ sont successivement déposées sur la surface A (111) du substrat 31 en InP. Ces couches sont toutes des couches épitaxiales monocrystallines. Le HBT comprend également une électrode d'émetteur 37, une électrode de base 38 et une électrode de collecteur 39 disposées respectivement sur la 2728729 couche de contact d'émetteur 36, la couche de base 34 et la couche de contact de collecteur 32. La figure 8 est un diagramme de bande d'énergie du HBT selon le quatrième mode de réalisation, dans lequel EF représente le niveau de Fermi, Ec représente le bord de la bande de conduction, et Ev représente le bord de la bande de valence. Dans le quatrième mode de réalisation, il y a une force de compression dans la couche de base 34 qui occasionne un champs piezoélectrique dans la base qui s'étend de la couche d'émetteur à la couche de collecteur. Le champs piezoélectrique accélère les électrons comme porteurs de charges minoritaires dans la couche de base, à partir de la couche d'émetteur vers la couche de collecteur. La vitesse des électrons est augmentée et le temps de transit de base est réduit en augmentant ainsi la vitesse de fonctionnement du HBT. (Cinquième mode de réalisation) La figure 9 est une vue en coupe d'un HBT selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Le HBT selon la figure 9 comprend un substrat 41 en InP monocrystallin semi-isolant ayant une surface B (111). Une couche de tampon 41' en In0,5Alo0,5As non dopé, une couche de contact de collecteur 42 en In0,5Ga0o,5As du type n+, une couche de collecteur 43 en In0 5Ga0 5As du type n, une couche de base à contrainte de compression 44 en Ino,4Ga0,6As du type p+, une couche d'émetteur 45 en In0,5Ao10,5As du type n et une couche de contact d'émtteur 46 en In0 5Ga0 5As du type n+ sont successivement déposées sur la surface B (111) du substrat 41 en InP. Ces couches sont toutes des couches épitaxiales monocrystallines. Le HBT comprend également une électrode d'émetteur 47, une électrode de base 48 et une électrode de collecteur 49 respectivement déposées sur la couche de contact d'émetteur 46, la couche de base 44 et la couche de contact de collecteur 42. La figure 10 montre un diagramme de bande d'énergie du HBT selon le cinquième mode de réalisation, dans lequel EF représente le niveau Fermi, Ec représente le bord de la bande 11 2728729 de conduction, et Ev représente le bord de la bande de la valence. Dans le cinquième mode de réalisation, la couche de base 44 est soumise à une contrainte de traction, en engendrant ainsi un champs piezoélectrique dans la base qui s'étend de la couche d'émetteur à la couche de collecteur. Le champs piezoélectrique accélère les électrons comme porteurs de charge minoritaires, dans la couche de base depuis la couche d'émetteur à la couche de collecteur. La vitesse des électrons est augmentée et le temps de transit de base est réduit en augmentant la vitesse de fonctionnement du HBT. (Sixième mode de réalisation) La figure 11 est une vue en coupe d'un HBT selon un sixième mode de réalisation de la présente invention. Le HBT sur la figure 11 comprend un substrat 51 en GaAs monocrystallin semi-isolant, ayant une surface A (111). Une couche de contact de collecteur 52 en GaAs du type n+, une couche de collecteur 53 en GaAs du type n, une couche de base à contrainte de compression 54 en InO,l(AlxGalx)0,9As du type p+, ayant une composition gradée dans laquelle x augmente de O à 0,3 dans la couche de base avec x = 0 à l'interface de couche de collecteur avec la couche de base, une couche d'émetteur 55 en A10,3Ga0,7As du type n et une couche de contact d'émetteur 56 en GaAs du type n+ sont successivement déposées sur la surface A (111) du substrat 51 en GaAs. Ces couches sont des couches épitaxiales monocrystallines. Le HBT comprend également une électrode d'émetteur 57, une électrode de base 58 et une électrode de collecteur 59 respectivement disposées sur la couche de contact d'émetteur 56, la couche de base 54 et la couche de contact au collecteur 52. La figure 12 montre un diagramme de bande d'énergie du HBT selon le sixième mode de réalisation, dans lequel EF représente le niveau de Fermi, Ec représente le bord de la bande de conduction, et Ev représente le bord de la bande de la valence. Dans le sixième mode de réalisation, il y a une contrainte de compression dans la couche de base 54, engendrant un champs piezoélectrique dans la base, qui 12 2728729 s'étend de la couche d'émetteur à la couche de collecteur. La composition gradée de la couche de base 54 produit une bande interdite variant dans la couche de base, c'est-à-dire un gradient d'énergie de potentiel, et qui accélère davantage les porteurs de charge minoritaires, ici les électrons, dans la couche de base se déplaçant de l'émetteur au collecteur. La combinaison du champs piezoélectrique et du gradient de potentiel produit par la bande interdite qui varie augmente davantage la vélocité des électrons et réduit le temps de transit de base, ce qui permet d'obtenir une vitesse de fonctionnement encore plus élevée. (Septième mode de réalisation) Dans les exemples précédents des HBTs, des transistors du type npn ont été décrits. Des résultats similaires et des performances améliorées peuvent être obtenues avec des HBTs du type pnp à la condition que la contrainte de couche de base et la gradation de composition de la couche de base accélèrent des trous constituant des porteurs de charge minoritaires dans la couche de base, qui se déplacent de la couche d'émetteur vers la couche de collecteur. Comme il a été expliqué ci-dessus, selon la présente invention, une couche de base ayant une contrainte est formée sur un substrat dans laquelle une surface de crystal ayant des polarités électriques est une surface principale en engendrant ainsi un champs piezoélectrique interne qui part pour un côté de couche d'émetteur d'un côté de couche de collecteur dans la couche de base. Il en résulte que la vitesse des électrons est accélérée et la vitesse de transit de base peut être réduite, en obtenant ainsi un transistor bipolaire dans lequel les opérations peuvent être réalisées à une vitesse élevée. L'invention a été décrite par rapport à certains modes de réalisation spécifiques. Cependant, des diverses modifications et ajouts apparaîtront à l'homme de l'art, à partir de la description précédente. Par conséquent, la portée de l'intention est limitée seulement par les revendications suivantes. 13 2728729 REVENDICATIONS 1. Un transistor bipolaire a hétérojonction, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semiconducteur composé monocrystallin qui a une surface principale ayant une polarité électrique; et des couches de collecteur, d'émetteur et de base, épitaxiales monocrystallines déposées sur la surface dudit substrat semiconducteur composé monocrystallin, et dans laquelle une contrainte est produite dans ladite couche de base, qui engendre un champs piezoélectrique à l'intérieur de la couche de base, qui accélère les porteurs de charge minoritaires dans ladite couche de base, se déplaçant de la couche d'émetteur vers la couche de collecteur. 2. Le transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de base précitée a une composition gradée entre la couche d'émetteur précitée et la couche de collecteur précitée, qui engendre un gradient de potentiel d'énergie accélérant des porteurs de charge minoritaires dans ladite couche de base, se déplaçant de ladite couche d'émetteur vers ladite couche de collecteur. 3. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 1, caractérisé en ce que la contrainte dans la couche de base précitée est une contrainte de compression. 4. Transistor bipolaire hétérojopnction selon la revendication 1, caractérisé en ce que la contrainte dans la couche de base précitée est une contrainte de traction. 5. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de collecteur précitée est plus proche du substrat semiconducteur composé monocrystallin précité que la couche d'émetteur précitée. 6. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'émetteur 14 2728729 précitée est plus proche du substrat semiconducteur composé monocrystallin précitée que la couche de collecteur précitée. 7. Transistor bipolaire hétérojonction selon les revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la surface du substrat semiconducteur composite monocrystallin a une surface de crystal A. 8. Transistor bipolaire hétérojonction selon les revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la surface du substrat semiconducteur composé monocrystallin précité a une surface de crystal B. 9. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 7, caractérisé en ce que le substrat précité est du GaAs avec une surface A (111), que la couche de collecteur est en GaAs, la couche de base précitée est en InGaAs, et ladite couche d'émetteur est en AlGaAs. 10. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 7, caractérisé en ce que le substrat précité est en GaAs avec une surface A (113), la couche de collecteur est en GaAs, la couche de base précitée est en InGaAs, et la couche d'émetteur précité est en AlGaAs. 11. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 7, caractérisé en ce que le substrat précité est en InP avec une surface A (111), la couche de collecteur précitée est en InGaAs, la couche de base précitée est en InGaAs, et la couche d'émetteur précitée est en InAlAs. 12. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 7, caractérisé en ce que le substrat précité est en GaAs, avec une surface A (111), la couche de collecteur précitée est en GaAs, la couche de base précitée est InAlGaAs, et ladite couche d'émetteur est en AlGaAs. 13. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 8, caractérisé en ce que le substrat précité est en GaAs avec une surface B (111), la couche de collecteur précitée est en AlGaAs, la couche de base précitée en InGaAs, et la couche d'émetteur précitée est en GaAs. 14. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 8, caractérisé en ce que le substrat précité 2728729 est en InP avec une surface B (111), la couche de collecteur précitée est en InGaAs, la couche de base précitée en InGaAs, et la couche d'émetteur précité est en InAlAs. 15. Transistor bipolaire hétérojonction selon la revendication 8, caractérisé en ce que le substrat précité est en GaAs avec une surface B (111), la couche de collecteur précitée est en GaAs, la couche de base précitée est InAlGaAs, et la couche d'émetteur précitée est en AlGaAs.