FR 2724068 A1 19960301 FR 9509985 A 19950822 La présente invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur et un procédé de fabrication du dispositif laser à semi-conducteur. On donnera ci-après une description d'un dispositif laser à semi-conducteur conventionnel qui est inclus dans un guide d'ondes nervuré, de cristaux noyés comprenant des couches de blocage de courant disposées sur les deux côtés du guide d'ondes, et une couche de contact disposée sur celui-ci, et un procédé de fabrication de celui-ci. Les figures 11(a)-11(e) sont des vues en coupe illus- trant les étapes ou les opérations de traitement d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur conventionnel. Initialement, une première couche de placage 1 en InP du type p, une couche active 2 en InGaAsP, et une seconde couche de placage 3 en InP du type n sont successive- ment déposées par croissance épitaxiale sur un substrat en InP du type p. Ensuite, un film isolant 4 comprenant du SiO est déposé sur une partie centrale de la seconde couche de placage 3 et, en utilisant le film isolant comme masque, la première couche de placage 1, la couche active 2 et la seconde couche de placage 3 sont sélectivement attaquées chimiquement pour former un guide d'ondes nervuré (figure 11(a)). A l'étape de la figure 11(b), une première couche de blocage de courant 12 en InP du type p ayant une concentration de porteuim élevée est établie sélectivement par croissance épitaxiale sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré. En outre, comme cela est montré sur la figure 11(c), une seconde couche de blocage de courant 6 en InP du type n est établie sélectivement par croissance épitaxiale sur la première couche de blocage de courant 12 en InP du type p. Lors de cette croissance, la seconde couche de blocage de courant 6 s'accroit sur le plan de cristal spécifique de la première couche de blocage de courant 12. De ce fait, il est possible de former la seconde couche de blocage de courant 6 en InP du type n de façon qu'elle ne soit pas en contact avec les faces latérales du guide d'ondes nervuré. Puis, une troisième couche de blocage de courant 13 en InP du type p ayant une concentration de porteur élevée est établie sélectivement par croissance épitaxiale sur les première et seconde couches de blocage de courant pour former un cristal enfoui comprenant des première, seconde et troisième couches de blocage de courant (figure 11(d)). A l'étape selon la figure 11(e), le film isolant 4 est enlevé. Finalement, une couche de contact 8 en InP du type n est établie par croissance épitaxiale sur toute la surface du substrat, suivie par le meulage de la face arrière du substrat, et la formation d'une électrode 20a côté p sur la face arrière de masse du substrat et la formation d'une électrode côté n 20b sur la couche de contact 8 en InP du type n, en complétant le dispositif laser à semi- conducteur montré sur la figure 12. Dans ce dispositif laser à semi-conducteur, lorsqu'une tension de polarisation directe est appliquée sur l'électrode côté p 20a et l'électrode côté n 20b, un courant s'écoule à travers le guide d'ondes nervuré comprenant la seconde couche de placage 3 en InP du type n, la couche active 2, et la première couche de placage 1 en InP du type p, et des trous de la première couche de placage 1 en InP du type p et des électrons en provenance de la seconde couche de placage 3 en InP du type n sont injectés dans la couche active 2, de façon qu'une recombinaison radiative des électrons avec les trous produit de la lumière dans la couche active 2, en entraînant une oscillation du laser. Selon le procécé de fabrication décrit ci-dessus, étant donné que chaque couche du guide d'ondes nervuré et chaque couche de blocage de courant du cristal enfoui sont établies continuellement par croissance épitaxiale, la surface de chaque couche n'est pas exposée à l'air pendant sa croissance. Cependant, la première couche de blocage de courant 12 en InP du type p est reformée sur la surface latérale du guide d'ondes nervuré qui est exposée à l'air lors de l'attaque chimique, et la couche de contact 8 en InP du type n est reformée sur les surfaces supérieures du cristal enfoui et du guide d'ondes nervuré qui sont exposées à l'air lors de l'attaque chimique du film isolant 4. La surface o cette reformation est réalisée est appelée interface reformée. Il est connu que, lorsqu'une jonction p-n entre la première couche de blocage de courant 12 en InP du type p et la seconde couche de placage 3 en InP du type n et une jonction p-n entre la troisième couche de blocage de courant 13 en InP du type p et la couche de contact 8 en InP du type n sont formées à l'interface reformée, du courant de fuite qui ne passe pas à travers la couche active, augmente avec une réduction de la tension directe à laquelle le courant direct commence à s'écouler et une augmentation du courant direct dans la jonction p-n sous un mode de fonctionnement continu se produit, qui occasionne une détérioration des caractéristiques du laser, telle qu'une augmentation du courant de seuil d'un laser et une réduction dans la production de lumière. Pour éviter ce problème, dans le cas du procédé de fabrication décrit ci-dessus, du Zn qui peut être diffusé facilement est utilisé comme impureté du type p dans les première et troisième couches de blocage de courant 12 et 13 en InP du type p, et ces couches de blocage de courant du type p ont una concentration de porteurssuffisamment plus élevées que la couche de placage 3 du type n et la couche de contact 8 du type n, de façon que les impuretés du type p soient diffusées à partir des couches de blocage 12 et 13 du type p à la couche de placage 3 du type n et la couche de contact 8 du type n en chauffant le substrat lors du processus de croissance épitaxiale ou en assurant un traitement thermique après le processus de croissance épitaxiale, en inversant ainsi un type de conductivité d'une mince portion de la couche de placage 3 du type n et de la couche de contact 8 du type n en contact avec l'interface reformée,en un type p. De ce fait la jonction p-n entre la troisième couche de blocage de courant 13 en InP du type p et la couche de contact 8 en InP du type n est formée non pas à l'interface reformée 9a de la portion supérieure du cristal enfoui montré sur la figure 12 mais à une position 14a dans la couche de contact 8 du type n, et la jonction p-n entre la première couche de blocage de courant 12 en InP du type p et la seconde couche de placage 3 en InP du type n est formée non pas à l'interface reformée 9b de la face latérale de la couche de placage 3 du type n, mais à un emplacement 14b dans la couche de placage 3 du type n. En d'autres termes, la jonction p-n n'est pas formée à l'interface reformée. Par conséquent, la tension directe de la jonction p-n en mode de fonctionnement continu n'est pas réduite, ce qui n'occasionne pas de détériorations des caractéristiques du laser. Comme il a été décrit plus haut, les détériorations des caractéristiques du lase lors d'un fonctionnement continu peuvent être évitées en diffusant des impuretés du type p depuis les couches de blocage de courant 12 et 13 du type p vers la couche de placage 3 du type n et la couche de contact B du type n. Cependant, les impuretés du type p sont diffusées non suelement à la couche de placage du type n et à la couche de contact du type n, mais aussi à la seconde couche de blocage 6 en InP du type n. De ce fait, les impuretés du type p constituent une compensation des impuretés du type n de la seconde couche de blocage de courant 6 du type n, si bien qu'une concentration de porteurs de cette couche de blocage de courant 6 du type n est réduite et l'effet de blocage de courant en raison de l'effet de transistor p-n-p est réduite. Ceci occasionne une augmentation du courant de fuite, qui occasionne das détériorations des caractéristiques du laser. Un objectif de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi- conducteursdans lequel les détériorations des caractéristiques du laser en mode de fonctionnement continu sont évitées sans réduction de l'effet de blocage de courant des couches de blocage de courant, et un dispositif laser à semi-conducteur fabriqué selon le procédé. D'autres objectifs et avantages de la présente invention apparaîtront de la description détaillée donnée ci-après; il devrait être sous-entendu, cependant, que la description détaillée et le mode de réalisation spécifique ne sont donnés qu'à titre d'exemple, puisque diverses modifications et changements à l'intérieur du cadre de l'invention apparaîtront à l'homme du métier lors de la description détaillée. Selon un premier aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur comprend la formation d'un guide d'ondes nervuré comportant une première couche de placage, une couche active, et une seconde couche de placage, s'établissant par croissance épitaxiale sélective d'une première couche de blocage de courant comportant un semi-conducteur d'un premier type de conductivité, d'une seconde couche de blocage de courant formée de façon à être séparée du guide d'ondes nervuré par une portion de la première couche de blocage de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré et comprenant un semi-conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, d'une troisième couche de blocage de courant comportant le semi- conducteur du premier type de conductivité, et d'une couche enfouie finale comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré pour former un cristal enfoui, et l'établissement par croissance épitaxiale d'une couche de contact comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité sur la seconde couche de placage et sur la couche enfouie finale. De ce fait, dans le dispositif laser à semi-conducteur qui est réalisé selon ce procédé, étant donné qu'une jonction p-n n'est par formée à la surface reformée entre la couche enfouie finale et la couche de contact, une réduction dans la tension directe de la jonction p-n en mode de fonctionnement continu, est évitée et une augmentation du courant de fuite est éliminée, qui présente des détériorations des caractéristiques du laser, telles qu'ne montée en courant de seuil d'un laser et une réduction de la sortie de lumière. Entretemps, étant donné que la diffusion des impuretés du premier type de conductivité de la troisième couche de blocage de courant du premier type de conductivité à la couche de contact n'est pas réalisée, les impuretés du premier type de conductivité ne sont pas diffusées des première et troisième couches de blocage de courant à la seconde couche de blocage de courant du second type de conductivité, si bien qu'une détérioration de l'effet de blocage de courantdes couches d'arrêt de courant en raison d'une réduction de la concentration de porteur de la seconde couche de blocage ou d'arrêt de courant n'est pas occasionnée. Selon un second aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur comprend les opérations d'établir successivement par croissance épitaxiale une première couche de placage comprenant un semi- conducteur d'un premier type de conductivité, une couche active, une seconde couche de blocage comprenant un semi-conducteur d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité sur une surface frontale ou avant d'un substrat à semi-conducteur du premier type de conductivité, déposer un film isolant sur une région prédéterminée de la seconde couche de placage, attaquer chimiquement sélectivement la première couche de placage, la couche active, et la seconde couche de placage utilisant le film isolant comme masque pour former un guide d'ondes nervuré, d'établir successivement par croissance épitaxiale sélective une couche inférieure d'une première couche de blocage ou d'arrêt de courant comprenant le semi- conducteur du premier type de conductivité ayant une concentra- tion de porteurs supérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité de la seconde couche de placage, une couche supérieure d'une première couche d'arrêt de courant comprenant le semi- conducteur du premier type de conductivité ayant une concentration de porteursinférieure à celle de la couche inférieure de la première couche de blocage de courant, une seconde couche d'arrêt de courant formé de façon à être séparée du guide d'ondes nervuré par une portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré et comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité, une couche inférieure d'une troisième couche d'arrêt de courant comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité, et une couche supérieure d'une troisième couche d'arrête courant comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité ayant une concentration de porteur supérieure à celles du semi-conducteur de la couche inférieurede la troisième couche d'arrêt de courant et le semi- conducteur du second type de conductivité d'une couche de contact sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré pour former un cristal enfoui, d'enlever le film isolant et d'établir par croissance épitaxiale une couche de contact comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité sur la seconde couche de placage et sur la troisième couche d'arrêt de courant. En raison du chauffage lors de la formation du cristal enfoui par la croissance épitaxiale et étant donné l'établissement de la croissance épitaxiale de la couche de contact ou du traitement thermique après la croissance épitaxiale de la couche de contact, les impuretés du premier type de conductivité sont diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche de placage et le couche de contact, respectivement, grâce à quoi une mince portion de la seconde couche de placage en contact avec la première couche d'arrêt de courant et une mince portion de la couche de contact en contact avec la troisième couche d'arrêt de courant sont inversées en semi-conducteur du premier type de conductivité. De ce fait, une jonction p-n entre la couche de contact et la troisième couche d'arrêt de courant se déplace de l'interface reformée entre ces couches vers une position dans la couche de contact, et une jonction p-n entre la seconde couche de placage et la première couche d'arrêt de courant se déplace de l'interface reformée entre ces couches à une position dans la seconde couche de placage. Par conséquent, dans le dispositif laser à semi-conducteur qui est fabriqué selon ce procédé, une réduction d'une. tension directe de la jonction p-n en mode de fonctionnement continu est évitée, ce qui empêche les détériorations des caractéristiques du laser telles qu'une montée en courant de seuil d'un laser et une réduction de la sortie de lumière. Entretemps, étant donné que le premier type de conductivité de la couche supérieure de la première couche d'arrêt de courant et la couche inférieure de la troisième couche d'arrêt de courant en contact avec la seconde couche d'arrêt de courant, a une concentration de porteursinférieure, les impuretés du premier type de conductivité diffusées despremière et troisième couches d'arrêt de courant a vers la seconde couche d'arrêt de courant sont peu nombreux, grâce à quoi une détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant en raison d'une réduction d'une concentration de porteursde la seconde couche d'arrêt de courant est évitée. Selon un troisième. aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteurs comprend les opérations successives d'établir par croissance épitaxiale une première couche de placage comprenant un semi- conducteur d'un premier type de conductivité, une couche active, une seconde couche de placage comprenant un semi-conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité sur une face frontale d'un substrat semi- conducteur du premier type de conductivité, de déposer un film isolant sur une région prédéterminée de la seconde couche de placage, d'attaquer chimiquement sélectivement la première couche de placage, la couche active et la seconde couche de placage en utilisant le film isolant comme masque pour former un guide d'ondes nervuré, d'établir successivement par croissance épitaxiale sélective une première couche d'arrêt de courant comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité ayant une concentration en porteurs supérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité de la seconde couche de placage, une seconde couche d'arrêt de courant formée de façon à être séparée du guide d'ondes nervuré par une portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré et comprenant le semi- conducteur du second type de conductivité, et une troisième couche d'arrêt de courant comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité ayant une concentration de porteurs supérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité d'une couche de contact sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré pour former un cristal enfoui, d'enlever le film isolant et d'établir par croissance épitaxiale une couche de contact comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité sur la seconde couche de placage et sur la troisième couche d'arrêt de courant. Dans le procédé de formation de cristal enfoui, la seconde couche de blocage ou d'arrêt de courant est établie par croissance épitaxiale sélective de façon à inclure des impuretés qui sont électrique- ment neutres et interstitielles dans le réseau cristallin. En raison du chauffage pendant la formation du cristal enfoui par croissance épitaxiale sélective et pendant la croissance épitaxiale de la couche de contact ou l1 traitement thermique après la croissance épitaxiale de la couche de contact, les impuretés du premier type de conductivité sont diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant à la seconde couche de placage et la couche de contact, respectivement, grâce à quoi une mince portion de la seconde couche de placage en contact avec la première couche d'arrêt de courant et une portion mince de la couche de contact en contact avec la troisième couche d'arrêt de courant sont inversées en semi- conducteur du premier type de conductivité. Par conséquent, une jonction p-n entre la couche de contact et la troisième couche d'arrêt de courant se déplace de l'interface reformée entre ces couches à une position dans la couche de contact, et une jonction p-n entre la seconde couche de placage et la première couche d'arrêt de courant se déplace de l'interface reformée entre ces couches vers une position dans la seconde couche de placage. De ce fait, dans le dispositif laser à semi- conducteur qui est fabriqué selon ce procédé, une réduction de la tension directe de la jonction p-n en mode de fonctionnement continu est évitée, ce qui évite les détériora- tions des caractéristiques du lase, telles qu'une montée en courant de seuil d'un laser et une réduction de la sortie de lumière. Etant donné que la seconde couche d'arrêt de courant comprend les impureés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, les impuretés neutres empêchent que l'impureté du premier type de conductivité soit interstiiielle dans le réseau cristallin. Par conséquent, la diffusion des impuretés du premier type de conductivité des première et troisième couches d'arrêt de courant à la seconde couche d'arrêt de courant du second type de conductivité est supprimée, grâce à quoi une détérioration de l'effet d'arrêt 1 0 de courant des couches d'arrêt de courant en raison d'une réduction de la concentration de porteurs de la seconde couche d'arrêt de courant est évitée. Selon un quatrième aspect de la présente invention, dans le cadre du procédé de fabrication décrit plus haut du dispositif laser à semiconducteur,la croissance épitaxiale sélective de la seconde couche d'arrêt de courant dans le procédé de fomation de cristal enfoui comprend les étapes successives d'établir par croissance une couche inférieure comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité contenant des impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, une couche intermédiaire comprenant un semi-conducteur comportant seule- ment les impuretés du second type de conductivité, et une couche supérieure comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité comportant les impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin. De ce fait, dans le dispositif laser à semi- conducteur qui est fabriqué selon ce procédé, comme décrit ci-dessus, des détériorations des caractéristiques du laser en mode de fonctionnement continu sont évitées par diffusion des impuretés du premier type de conductivité des première et troisième couches d'arrêt de courant à la seconde couche de placage et la couche de contact, respectivement. Etant donné que la couche supérieure et la couche inférieure de la seconde couche d'arrêt de courant comportant des impuretés neutres sont en contact avec les troisième et première couches d'arrêt de courant, respectivement, la diffusion des impuretés du premier type de conductivité des première et troisième couches d'arrêt de courant à la seconde couche d'arrêt de courant est supprimée, grâce à quoi une détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant en raison d'une réduction d'une concentration de porteurs de la seconde couche d'arrêt de courant est évitée. Bien que les impuretés neutres tendent à s'opposer à l'activation des impuretés du second type de conductivité dans la seconde couche d'arrêt de courant, la couche intermédiaire de la seconde couche d'arrêt de courant comporte des impuretés du second type de conductivité, mais ne comporte pas des impuretés neutres. Par conséquent, la concentration de porteun est faite plus élevée que lorsque les impuretés neutres sont introduites dans la totalité de la seconde couche d'arrêt de courant, comme décrit ci-dessus, grâce à quoi la détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant est davantage supprimé. Selon un cinquième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi- conducteur comprend les opérations successives d'établir par croissance épitaxiale une première couche de placage comprenant un semi-conducteur du type p, une couche active, une seconde couche de placage comprenant un semi-conducteur du type n sur la face frontale d'un substrat semiconducteur du type p, de déposer un film isolant sur une région prédéterminée de la seconde couche de placage, d'attaquer chimiquement sélective- ment la première couche de placage, la couche active, et la seconde couche de placage en utilisant le film isolant comme masque pour former un guide d'ondes nervure, de successivement établir par croissance épitaxiale sélective une première couche d'arrêt de courant comprenant un semi-conducteur du type p ayant une concentration de porteui supérieure à celle du semi-conducteur du type n de la seconde couche de placage, une seconde couche d'arrêt de courant formée de façon à être séparée du guide d'ondes nervuré par une portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré et comprenant un semi-conducteur du type n, et une troisième couche d'arrêt de courant comprenant un semi-conducteur du type p ayant une concentration de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du type n d'une couche de contact sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré pour former un cristal enfoui, d'enlever le film isolant et d'établir par croissance épitaxiale une couche de contact comprenant un semi-conducteur du type n sur la seconde couche de placage et sur la troisième couche d'arrêt de courant. Dans le procédé de formation de cristal enfoui, la seconde couche d'arrêt de courant est sélectivement établie par croissance épitaxiale de façon à comporter des impuretés servant de pièges de trous. En raison du chauffage pendant la formation du cristal enfoui, par croissance épitaxiale sélective et pendant la croissance épitaxiale de la couche de contact, ou au traitement thermique après la croissance épitaxiale de la couche de contact, les impuretés du type p sont diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche de placage et la couche de contact, respectivement, grâce à quoi une portion mince de la seconde couche de placage en contact avec la première couche d'arrêt de courant et une portion mince de la couche de contact en contact avec la troisième couche d'arrêt de courant sont inversées en semi-conducteur du type p. Par conséquent, une jonction p-n entre la couche de contact et la troisième couche d'arrêt de courant, se déplace de l'interface reformée entre ces couches à une position dans la couche de contact, et une jonction p-n entre la seconde couche de placage et la troisième couche d'arrêt de courant se déplace de l'interface reformée entre ces couches à une position dans la seconde couche de placage. De ce fait, dans le dispositif laser à semi-conducteur qui est fabriqué selon ce procédé, une réduction de la tension directe de la jonction p-n en mode de fonctionnement continu, est empêchée, ce qui évite des détériorations des caractéristiques de laser, telles qu'une montée en courant de seuil du laser et une réduction de la sortie lumineuse. En outre, étant donné que la seconde couche d'arrêt de courant comporte des impuretés servant de pièges de trous,la diffusion de trous des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche d'arrêt de courant du semi-conducteur du type n est supprimée, grâce à quoi une détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant est empêchée. Selon un sixième mode de la présente invention, dans le cadre du procédé de fabrication décrit plus haut du disposi- tif laser à semi-conducteur,la croissance épitaxiale sélective de la seconde couche d'arrêt de courant selon le procédé de formation de cristal enfoui, comprend successivement l'établissement d'une couche inférieure comprenant un semi- conducteur du type n comportant des impuretés servant de pièges de trous,une couche intermédiaire comprenant un semi- conducteur comportant seulement des impuretés du type n, et une couche supérieure comprenant un semi-conducteursdu type n comportant des impuretés servant de pièges de trous. De ce fait, dans le dispositif laser à semi-conducteur qui est fabriqué selon ce procédé, comme cela a été décrit plus haut, des détériorations des caractéristiques du laser en mode de fonctionnement continu sont empêchées par la diffusion des impuretés du type p des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche de placage et la couche de contact, respectivement. En outre, étant donné que la couche supérieure et la couche inférieure de la seconde couche d'arrêt de courant comportant des impuretés servant de pièges de trou sont en contact avecles troisième et première couches d'arrêt de courant, respectivement,la diffusion des trous des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche d'arrêt de courant est supprimée par les couches supérieure et inférieure, grâce à quoi une détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant est évitée. Bien que les impuretésservant de pièges de trous ont tendance à empêcher l'activation des impuretés du type n dans la seconde couche d'arrêt de courant, la couche intermédiaire de la seconde couche d'arrêt de courant comporte des impuretés du type n mais ne comporte pas des impuretés servant de pièges à trous. Par conséquent, la concentration de potaJrs- est établie de façon à être supérieure lorsque les impuretés servant de pièges à trous sont introduites dans l'intégralité de la seconde couche d'arrêt de courant, comme cela a été décrit plus haut, grâce à quoi des détériorations de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant sont encore davantage supprimées. Selon un septième aspect de la présente invention, un dispositif laser à semi-conducteur comprend un guide d'ondes nervuré, un cristal enfoui disposé sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré, et une couche de contact disposée sur l'ensemble de la surface du cristal enfoui et du guide d'ondes nervuré. Le cristal enfoui comprend une première couche d'arrêt de courant disposée en contact avec la surface latérale du guide d'ondes nervuré et comprenant un semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une seconde couche d'arrêt de courant disposée sur une portion de la première couche d'arrêt de courant à l'exception d'une portion au voisinage du guide d'ondes nervuré, séparée du guide d'ondes nervuré par la portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré, et comprenant un semi- conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, une troisième couche d'arrêt de courant disposée sur la portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré et sur l'ensemble de la surface de la seconde couche d'arrêt de courant et comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité, et une couche enfouie finale disposée sur la troisième couche d'arrêt de courant et comprenant le semi- conducteur du second type de conductivité. La couche de contact comprend le semi-conducteur du second type de conduc- tivité. De ce fait, étant donné qu'une couche p-n n'est pas formée sur l'interface reformée entre la couche enfouie finale et la couche de contact, une réduction en tension directe de la jonction p-n en mode de fonctionnement continu est évitée, ce qui évite des détériorations des caractéristiques du laser, telles qu'une montée en courant de seuil du laser et une réduction de la sortie de lumière. Etant donné que la diffusion des impuretés du premier type de conductivité de la troisième couche d'arrêt de courant du semi-conducteur du premier type de conductivité vers la couche de contact n'est pas effectuée, des impuretés du premier type de conductivité ne sont pas diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche d'arrêt de courant du second type de conductivité, grâce à quoi une détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches de courant en raison d'une réduction d'une concentration de porteur de la seconde couche d'arrêt de courant n'est pas occasionnée. Selon un huitième aspect de la présente invention, un dispositif laser à semi-conducteur comprend un guide d'ondes nervuré, un cristal d'enfouissement disposé sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré, et une couche de contact disposée sur l'ensemble de la surface du cristal d'enfouissement et du guide d'ondes nervuré. Le guide d'ondes nervuré comprend une première couche de placage comprenant un semi- conducteur d'un premier type de conductivité, une couche activité disposée sur la première couche de placage, et une seconde couche de placage disposée sur la couche active, la portion principale de la couche de placage comprenant un semi-conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Le cristal d'enfouissement comprend une première couche de blocage ou d'arrêt de courant disposée en contact avec la surface latérale du guide d'ondes nervuré et comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité, une seconde couche d'arrêt de courant disposée sur une portion de la première couche d'arrêt de courant à l'exception d'une portion au voisinage du guide d'ondes nervuré, séparée du guide d'ondes nervuré par la portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré, et comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité, et une troisième couche d'arrêt de courant disposée sur la portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré et sur l'ensemble de la surface de la seconde couche d'arrêt de courant et comprenant le semiconducteur du premier type de conductivité. La portion principale de la couche de contact comprend le semi-conducteur du second type de conductivité. Le semi-conducteur du premier type de conductivité dans la portion de la première couche d'arrêt de courant en contact avec le guide d'ondes nervuré a une concentration de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité de la seconde couche de placage, et une portion mince de la seconde couche de placage au - voisinage de l'interface entre la seconde couche de placage et la première couche d'arrêt de courant comprend le semi- conducteur du même type de conductivité que le type de conductivité de la première couche d'arrêt de courant. Le semi-conducteur du premier type de conductivité dans la portion de la première couche d'arrêt de courant en contact avec la seconde couche d'arrêt de courant a une concentration de porteursinférieure à celle du semi-conducteur du premier type de conductivité dans la portion de la première couche d'arrêt de courant en contact avec le guide d'ondes nervuré. Le semi- conducteur du premier type de conductivité dans la portion de la troisième couche d'arrêt de courant en contact avec la couche de contact a une concentration de porteurs supérieure à celle du semi- conducteur du second type de conductivité dans la portion principale de la couche de contact, et une portion mince de la couche de contact au voisinage de l'inter- face entre la couche de contact et la troisième couche d'arrêt de courant comprend le même semi-conducteur du premier type de conductivité que le type de conductivité de la troisième couche d'arrêt de courant. Le semi-conducteur du premier type de conductivité dans la portion de la troisième couche d'arrêt de courant en contact avec la seconde couche d'arrêt de courant a une concentration de porteursinférieure à celle du semi- conducteur du premier type de conductivité dans la portion de la troisième couche d'arrêt de courant en contact avec la couche de contact. De ce fait, une jonction p-n entre la couche de contact et la troisième couche d'arrêt de courant est formée à une position dans la couche de contact, se déplaçant de l'interface formée entre ces couches, et une jonction p-n entre la seconde couche de placage et la première couche d'arrêt de courant est formée à une position dans la seconde couche de placage, se déplaçant de l'interface reformée entre ces couches. Par conséquent, une réduction en tension directe de la couche p-n en mode de fonctionnement continue est évitée, ce qui permet d'éviter des détériorations des caractéristiques du laser, telles qu'une montée en courant de seuil d'un laser et une réduction de la sortie lumineuse. Etant donné que le semi-conducteur du premier type de conductivité dans les portions des première et troisième couches d'arrêt de courant en contact avec la seconde couche d'arrêt de courant a une concentration de porteurs inférieure, les impuretés du premier type de conductivité diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche d'arrêt de courant, sont peu nombreuses, grâce à quoi une détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant en raison d'une réduction d'une concentration de porteurs de la seconde couche d'arrêt de courant est empêchée. Selon un neuvième aspect de la présente invention, un dispositif laser à semi-conducteur comprend un guide d'ondes nervuré, un cristal d'enfouissement disposé sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré, et une couche de contact disposée sur l'ensemble de la surface du cristal d'enfouisse- ment et du guide d'ondes nervuré. Le guide d'ondes nervuré comprend une première couche de placage comprenant un semi- conducteur du premier type de conductivité, une couche active disposée sur la première couche de placage et une seconde couche de placage disposée sur la couche active, la portion principale de la couche de placage comprenant un semi- conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité. Le cristal d'enfouissement comprend une première couche d'arrêt de courant disposée en contact avec la surface latérale du guide d'ondes nervuré et comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité, une seconde couche d'arrêt de courant disposée sur une portion de la première couche de blocage ou d'arrêt de courant à l'exception d'une portion au voisinage du guide d'ondes nervuré, séparée du guide d'ondes nervuré par la portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'c4es nervuré, et comeant le semi- coducer du send type de condutivité, et une troisième coule d'arrêt de courarant disposeée sur la portion de la première oouie d'arrêt de oourmnt au voisinage du guide d'oes nervuré et sur l'enseble de la surface de la seoxde coucxhe d'arrêt de courant et comprenant le seMi- CrKctar du premier type de co-iK tivité. la portion priciple de la ouxrche de contct compend le semi-codteur duci secxd type de cxkxctivité. Le seMni-aXkcur du premier type de coxiduivité de la première ooudhe d'arrêt de courant a une ccetration de prters supérieure à celle du semi- conducteur du second type de conductivité dans la portion principale de la seconde couche de placage, et une portion mince de la seconde couche de placage au voisinage de l'inter- face entre la seconde couche de placage et la première couche d'arrêt de courant comprend le semi-conducteur du même type de conductivité que le type de conductivité de la première couche d'arrêt de courant. Le semi-conducteur du premier type de conductivité de la troisième couche d'arrêt de courant présente une concentration de porteurs supérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité dans la portion principale de la couche de contact, et une portion mince de la couche de contact au voisinage de l'interface entre la couche de contact et la troisième couche d'arrêt de courant comprend un semi-conducteur du premier type de conductivité qui est le même que le type de conductivité de la troisième couche d'arrêt de courant. La seconde couche d'arrêt de courant comporte des impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin. Par conséquent, une jonction p-n entre la couche de contact et la troisième couche d'arrêt de courant est formée à un emplacement de la couche de contact se déplaçant de l'interface reformée entre ces couches, et une jonction p-n entre la seconde couche de placage et la première couche d'arrêt de courant est formée à une position dans la seconde couche de placage, se déplaçant de l'interface formée entre ces couches. De ce fait, une réduction de la tension directe de la jonction p-n en mode de fonctionnement continu est empêchée, ce qui permet d'éviter des détériorations des caractéristiques de laser, telles qu'une montée en courant de seuil d'un laser et une réduction de la sortie lumineuse. Etant donné que la seconde couche d'arrêt de courant comprend des impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, les impuretés neutresempêchent que les impuretés du premier type de conductivité diffusent de façon à être interstitielles dans le réseau cristallin. Par conséquent, la diffusion des impuretés du premier type de conductivité des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche d'arrêt de courant du second type de conductivité est supprimée, grâce à quoi une détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant en raison d'une réduction d'une concentration de porteur de la seconde couche d'arrêt de courant est empêchée. Selon un dixième aspect de la présente invention, dans le dispositif laser à semi- conducteur décrit plus haut, les impuretés qui sont électriquement neutressont incluses seule- ment dans une portion de couche mince de la seconde couche d'arrêt de courant en contact avec les première et troisième couches d'arrêt de courant. De ce fait, étant donné qu'une portion mince de la seconde couche de placage et la couche de contact en contact avec les première et troisième couches d'arrêt de courant, respectivement, sont d'un premier type de conductivité, des détériorations des caractéristiques du laser en mode de fonctionnement continu sont empêchées, comme cela a été décrit plus haut. Etant donné que les portions de couche mincesde la seconde couche d'arrêt de courant comportant des impuretés neutres sont en contact avec les première et troisième couches d'arrêt de courant, la diffusion des impuretés du premier type de conductivité des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche d'arrêt de courant est supprimée, grâce à quoi une détériora- tion de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant en raison d'uneréduction d'une concentration de porteursde la seconde couche d'arrêt de courant est évitée. Bien que les impuretés neutres aient tendance à bloquer l'activation des impuretés du second type de conductivité dans la seconde couche d'arrêt de courant, une portion de la seconde couche d'arrêt de courant, à l'exception des portions de couche minces, comprend des impuretés du second type de conductivité, mais ne comporte par des impuretés neutres. Par conséquent, la concentration de porteursest rendue supérieure à celle lorsque les impuretés neutres sont introduites dans l'ensemble de la seconde couche d'arrêt de courant, comme cela a été. décrit plus haut, grâce à quoi la détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant est encore davantage supprimée. Selon un onzième aspect de la présente invention, un dispositif laser à semi-conducteurs comprend un guide d'ondes nervuré, un cristal d'enfouissement disposé sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré, et une couche de contact disposée sur l'ensemble de la surface du cristal d'enfouisse- ment et du guide d'ondes nervuré. Le guide d'ondes nervuré comprend une première couche de placage comportant un semi- conducteur du type p, une couche active disposée sur la première couche de placage, et une seconde couche de placage disposée sur la couche active, la portion principale de la couche de placage comprenant un semi-conducteur du type n. Le cristal d'enfouissement comprend une première couche d'arrêt de courant disposée en contact avec la surface latérale du guide d'ondes nervuré et comprenant un semi-conducteur du type p, une seconde couche d'arrêt de courant disposée sur une portion de la première couche d'arrêt de courant à l'exception d'une portion au voisinage du guide d'ondes nervuré, séparée du guide d'ondes nervuré par la portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré, et comprenant un semi-conducteur de type n, et une troisième couche d'arrêt de courant disposée sur la portion de la première couche d'arrêt de courant au voisinage du guide d'ondes nervuré et sur l'ensemble de la surface de la seconde couche d'arrêt de courant et comprenant un semi-conducteur du type p. La portion principale de la couche de contact comporte un semi- conducteur du type n. Le semi-conducteur du type p dans la première couche d'arrêt de courant a une concentration de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du type n dans la portion principale de la seconde couche de placage, et une portion mince de la seconde couche de placage au voisinage de l'interface entre la seconde couche de placage et la première couche d'arrêt de courant comprend un semi- conducteur du type p qui est le même que celui de la première couche d'arrêt de courant. Le semi-conducteur du type p de la troisième couche d'arrêt de courant présente une concentration de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du type n dans la portion principale de la couche de contact, et une portion mince de la couche de contact au voisinage de l'interface entre la couche de contact et la troisième couche d'arrêt de courant comprend le semi-conducteur du même type p que la troisième couche d'arrêt de courant. La seconde couche d'arrêt de courant comprend des impuretés servant de pièges à trous. De ce fait, une jonction p-n entre la couche de contact et la troisième couche d'arrêt de courant est formée à une position dans la couche de contact, se déplaçant de l'interface reformée entre ces couches, et une jonction p-n entre la seconde couche de placage et la première couche d'arrêt de courant est formée à une position dans la seconde couche de placage, se déplaçant de l'interface reformée entre ces couches. Par conséquent, une réduction en tension directe de la jonction p-n en mode de fonctionnement continu est empêchée, ce qui permet d'éviter des détériorations des caractéristiques de laser, telles qu'une montée en courant de seuil d'un laser et une réduction de la sortie lumineuse. Etant donné que la seconde couche d'arrêt de courant comporte des impuretés servant de pièges à trous, la diffusion des trous des première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche d'arrêt de courant du type n est supprimée, grâce à quoi une détériora- tion de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant est empêchée. Selon un douzième aspect de la présente invention, dans le dispositif laser à semi-conducteur,décrit plus haut, les impuretés servant de pièges À trous sont incluses seulement dans les portions de couche minces de la seconde couche d'arrêt de courant en contact avec les première et troisième couches d'arrêt de courant. De ce fait, étant donné qu'une portion mince de la seconde couche de placage de la couche de contact avec les première et troisième couches d'arrêt de courant, est d'un premier type de conductivité, des détériorations des caracté- ristiques de laser en mode de fonctionnement continu sont empêchées, comme cela a été décrit plus haut. Etant donné que les portions de couche minces de la seconde couche d'arrêt de courant comportant des impuretés servant de pièges à trous sont en contact avec les première et troisième couches d'arrêt de courant, la diffusion des trous de première et troisième couches d'arrêt de courant vers la seconde couche d'arrêt de courant est supprimée, grâce à quoi la détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant est empêchée. Bien que les impuretés servant de pièges à trous ont tendance à bloquer l'activation des impuretés du type n dans la seconde couche d'arrêt de courant, une portion de la seconde couche d'arrêt de courant à l'exception des portions de couche minces comprend des impuretés du type n, mais ne comporte pas les impuretés servant de pièges à trous. Par conséquent, la concentration de porteursest rendue supérieure à celle lorsque des impuretés servant de pièges à trous sont introduites dans l'intégralité de la seconde couche d'arrêt de courant comme cela a été décrit plus haut, grâce à quoi la détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant est encore davantage supprimée. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: - les figures 1(a)-l(f) sont des vues en coupe illustrant les opérations ou étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention; - la figure 2 est une vue en coupe illustrant un dispositif laser à semi-conducteur selon le premier mode de réalisation de l'invention; - les figures 3(a)-3(e] sont des vues en coupe illustrant des opérations ou étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur selon un second mode de réalisation de la présente invention; - la figure 4 est une vue en coupe illustrant un dispositif laser à semi-conducteur selon le second mode de réalisation de l'invention - les figures 5(a)- 5(e) sont des vues en coupe illustrant les opérations ou étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 6 est une vue en coupe illustrant un dispositif laser à semi- conducteur selon le troisième mode de réalisation de l'invention; - les figures 7(a)-7(c) sont des vues en coupe illustrant des opérations ou étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi- conducteur selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 8 est une vue en coupe montrant un dispositif laser à semi-conducteur selon le quatrième mode de réalisation de l'invention; la figure 9 est une vue en coupe illustrant un dispositif laser à semi-conducteur, selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention; - la figure 10 est une vue en coupe illustrant un dispositif laser à semi-conducteur selon un septième mode de réalisation de la présente invention; - les figures 11(a)- 11(e) sont des vues en coupe illustrant des opérations ou étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur selon l'état de la technique; - la figure 12 est une vue en coupe illustrant un dispositif laser à semi-conducteur selon l'état de la technique. Mode de Réalisation 1] Une description est donnée d'un premier mode de réalisation de la présente invention. Les figures 1(a)-l(f) sont des vues en coupe illustrant les opérations ou étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semiconducteur selon le premier mode de réalisation de l'invention. Initialement, une première couche de placage 1 en InP du type p ayant une épaisseur d'environ 1 pm, une couche active 2 en InGaAsP non dopée ayant une épaisseur d'environ 0,1 um, et une seconde couche de placage 3 en InP du type n ayant une épaisseur d'environ 1 um sont successivement établies par croissance épitaxiale sur un substrat en InP du type p. de préférence par dépôt en phase vapeur chimique organique de métal (appelé ci-après MOCVD). Ensuite, un masque de croissance sélective 4 comprenant un film en SiO et ayant une épaisseur d'environ 0,1 um est formé sur une portion prédéterminée de la seconde couche de placage 3 en InP du type n et, en utilisant ce masque à croissance sélective comme masque, la première couche de placage 1, la couche active 2 en InGaAsP non dopée et la seconde couche de placage 3 sont sélectivement attaquées chimiquement pour former un guide d'ondes nervuré (figure 1(a)). Puis, une première couche d'arrêt de courant 5 en InP du type p ayant une épaisseur d'environ 1 um (figure 1(b), une seconde couche d'arrêt de courant 6 en InP du type n ayant une épaisseur d'environ 1,um (figure 1(c)), une troisième couche d'arrêt de courant 7 en InP du type p, ayant une épaisseur d'environ 1 >um (figure 1(d), et une couche d'enfouissement finale 10 en InP du type n, ayant une épaisseur d'environ 0,2 um (figure 1(e)),sont établies successivement par croissance épitaxiale sélective, de préfé- rence en utilisant le MOCVD, pour former un cristal d'enfouis- sement. Dans l'étape de la figure 1(f), après enlèvement du masque par croissance sélective, une couche de contact 8 en InP du type n ayant une épaisseur d'environ 2,um est établie par croissance épitaxiale sur l'ensemble de la surface du substrat. Lors de cette croissance, la couche de contact 8 en InP du type n a la même concentration de porteurset la même composition que la couche d'enfouissement finale 10 en InP du type n. Enfin, la surface arrière du substrat est mise à la terre, et une électrode côté n 20b comprenant du Cr/Au et ayant une épaisseur d'environ 0,2,um et une électrode côté p 20a comprenant du AuZn/Au et ayant une épaisseur d'environ 0,2 wm sont formées sur la couche de contact 8 en InP du type n et sur la face arrière mise à la masse du substrat, respectivement, en complétant un dispositif laser à semi-conducteur montré sur la figure 2. Les première et seconde couches de placage 1 et 3 et les première, seconde et troisième couches d'arrêt de courant 5, 6 et 7 ont une concentration de porteursd'environ 108 -3 cm, et la couche de contact 8 en InP du type n a une 18 -3 concentration de porteurs dépassant 10 cm. De préférence, du Zn est employé comme impureté du type p, et Si et S sont utilisés comme impuretés du type n. Dans le dispositif laser à semi-conducteur qui est fabriqué en utilisant le procédé de fabrication du premier mode de réalisation de la présente invention, comme cela est montré sur la figure 2, une jonction p-n 11 de la portion supérieure des couches d'arrêt de courant est formée à l'interface entre la troisième couche d'arrêt de courant 7 en InP de type p et la couche d'enfouissement finale 10 en InP du type n. Cette interface n'est pas la surface réformée décrite plus haut. D'autre part, à l'interface 9a entre la couche d'enfouissement finale 10 en InP du type n et la couche de contact en InP du type n, c'est-à-dire l'interface reformée de la portion supérieure du cristal d'enfouissement, une jonction entre les couches du type n est réalisée. De ce fait, dans la jonction p-n entre la troisième couche d'arrêt de courant 7 du type p et la couche d'enfouissement finale 10 du type n, une tension directe n'est pas réduite en mode de fonctionnement continu, ce qui n'occassionne pas de détériora- tions des caractéristiques du laser. Dans le cadre du procédé de fabrication du premier mode de réalisation de l'invention, puisque la couche d'enfouissement finale 10 en InP du type n est utilisée de façon que la jonction p-n ne soit pas réalisée à l'interface reformée 9a de la portion supérieure du cristal d'enfouissement, la diffusion des impuretés du type p, comme dans le procédé de fabrication conventionnel,ne peut pas être accomplie. De ce fait, une réduction de la concentration de porteursde la seconde couche d'arrêt de courant 6 en InP du type n et une réduction de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant en raison de la diffusion des impuretés du type p vers la seconde couche d'arrêt de courant du type n 6 n'est pas occasionnée. Dans ce mode de réalisation, le substrat est chauffé lors de la croissance épitaxiale à la température à laquelle la diffusion des impuretés du type p ne se produit pas, ou les première et troisième couches d'arrêt de courant 5 et 7 du type p ont une concentration de porteursdans laquelle un type de conductivité des couches du type n entourant les première et troisième couches d'arrêt de courant du type p n'est pas inversé en type p. Etant donné que l'interface 9b entre la seconde couche de placage 3 en InP du type n et la première couche d'arrêt de courant 5 en InP du type p, est une portion sur la surface latérale du guide d'ondes nervuré et est l'interface reformée de la surface latérale de la seconde couche de placage 3 et la jonc-cion p-n est formée à cet endroit, il est possible d'obtenir une réduction de la tension directe en mode de fonctionnement continu. Supplémentairement, dans ce premier mode de réalisation, bien que le dispositif laser à semi-conducteurs à base de InP ait été décrit, le même procédé de fabrication et la même structure peuvent être adoptés pour un dispositif laser à semi-conducteur comprenant un autre matériau, tel qu'une base en GaAs. Le nombre de couches d'arrêt de courant pourrait ne pas être de trois. IMode de Réalisation 2] Une description est donnée d'un second mode de réalisa- tion de la présente invention. Les figures 3(a)-3(e) sont des vues en coupe illustrant les opérations ou étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semiconducteur selon le second mode de réalisation de l'invention. Initialement, comme cela est montré sur les figures 3(a), un guide d'ondes nervuré comprenant une première couche de placage 1 en InP du type p. une couche active 2 en InGaAsP non dopée et une seconde couche de placage 3 en InP du type n, est formée selon le même procédé de fabrication que dans le cas du premier mode de réalisation de l'invention. Puis, une couche inférieure 5a d'une première couche d'arrêt de courant en InP du type p, ayant une concentration de porteurs élevée et une couche supérieure 5b d'une première couche d'arrêt de courant en InP du type p, ayant une faible concentration de porteurset une faible épaisseur sont établies successivement par croissance épitaxiale sélective (figure 3(b)). En outre, une seconde couche d'arrêt de courant 6 en InP du type n est établie par croissance épitaxiale sélective (figure 3(c)). A l'opération de la figure 3(d), une couche inférieure 7b d'une troisième couche d'arrêt de courant en InP du type p, ayant une faible concen- tration de porteurset ayant une faible épaisseur,et une couche supérieure 7a d'une troisième couche d'arrêt de courant en InP du type p ayant une concentration de porteur élevée sont établies successivement par croissance épitaxiale sélective pour former un cristal d'enfouissement comprenant les première, seconde et troisième couches d'arrêt de courant. La croissance de ces couches d'arrêt de courant est réalisée de façon continue, en utilisant, de préférence, le MOCVD. Puis, comme cela est montré sur la figure 3(e), le masque de croissance sélective 4. est enlevé. Finalement, de façon similaire au premier mode de réalisation, une couche de contact 8 en InP du type n est établie par croissance épitaxiale sur toute la surface du substrat, la surface arrière du substrat est mise à la terre, et une électrode 20b du côté n et une électrode 20a du côté p sont réalisées sur la couche de contact 8 en InP du type n et sur la face arrière mise à la masse du substrat, respectivement, pour compléter un dispositif laser à semi- conducteur. montré sur la figure 4. Dans ce cas, la couche inférieure 5a de la première couche d'arrêt de courant en InP du type p a une concentration de porteursplus élevée que la seconde couche de placage 3 en InP du type n, et la couche supérieure 7a de la troisième couche d'arrêt de courant en InP du type p a une concentration de porteuissupérieure à la couche de contact 8 en InP du type n. De ce fait, quand le substrat est chauffé lors de la croissance épitaxiale à une température appropriée, des impuretés du type p sont diffusées de la couche inférieure 5a de la première couche d'arrêt de courant et de la couche supérieure 7a de la troisième couche d'arrêt de courant vers la seconde couche de placage 3 et la couche de contact 8, et un type de conductivité d'une portion mince de la seconde couche de placage 3 et la couche de contact 8 comprenant du InP du type n en contact avec les couches d'arrêt de courant est inversé en type p. Supplémen- tairement, cette diffusion peut être réalisée en accomplissant un traitement thermique après la croissance épitaxiale. Dans le second mode de réalisation de l'invention, comme cela est montré sur la figure 4, en raison de la diffusion des impuretés du type p, une jonction p-n entre la couche supérieure 7a de la troisième couche d'arrêt de courant et la couche de contact 8, c'est-à-dire une jonction p-n avec la couche supérieure du cristal d'enfouissement, est établie à une position 14a dans la couche de contact 8, se déplaçant de l'interface 9a entre la couche supérieure 7a de la couche d'arrêt de courant et la couche de contact 8, c'est-à-dire l'interface reformée de la portion supérieure du cristal d'enfouissement. De façon similaire, une jonction p-n entre la couche inférieure 5e de la première couche d'arrêt de courant et la seconde couche de placage 3, c'est-à-dire une jonction p-n avec la surface latérale de la seconde couche de pla- cage 3 est formée à une position 14b dans la seconde couche de placage 3, se déplaçant de l'interface 9b entre la couche inférieure 5a de la couche d'arrêt de courant et la seconde couche de placage 3, c'est-à- dire l'interface reformée sur le côté latérale de la seconde couche de placage 3. Ainsi, comme cela a été décrit plus haut, dans ces jonctions p-n, une tension directe n'est pas réduite en mode de fonctionnement continu, ce qui ne donne pas lieu à des détériorations des caractéristiques du laser. Etant donné que la couche supérieure 5b de la première couche d'arrêt de courant et la couche inférieure 7b de la troisième couche d'arrêt de courant comprenant du InP du type p, en contact avec l'InP du type n d. la seconde couche d'arrêt de courant 6 présentent des concentrations de porteur inférieures à celles de la couche inférieure 5a de la première couche d'arrêt de courant et à la couche supérieure 7a de la troisième couche d'arrêt de courant, respectivement, les impuretés du type p diffusées vers la seconde couche d'arrêt de courant 6 sont peu nombreuses. De ce fait, une réduction de la concentration de porteursde la seconde couche d'arrêt de courant 6 en InP du type n du fait que les impuretés du type p comprensent les impuretés du type n de la seconde couche d'arrêt de courant 6,est supprimée, grâce à quoi l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant n'est pas détérioré. Comme cela a été décrit plus haut, dans le second mode de l'invention, les détériorations des caractéristiques du laser en mode de fonctionnement continu sont éliminées sans réduction de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant. Supplémentairement, bien que le dispositif laser à semi-conducteur sur la base d'InP, ait été décrit, le même procédé de fabrication et la même structure peuvent être adoptés dans un dispositif laser à semi- conducteur comprenant un autre matériau tel qu'une base de GaAs. Le nombre de couches de blocage de courant pourrait ne pas être de trois. [Mode de Réalisation 3] Une description d'un troisième mode de réalisation de l'invention est maintenant donnée. Les figures 5(a)-5(e) sont des vues en coupe montrant les opérations ou étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semiconducteurs selon le troisième de réalisation de l'invention. Initialement, comme cela est montré sur la figure 5(a), un guide d'ondes nervuré comprenant une première couche de placage 1 en InP du type p, une couche active 2 en InGaAsP non dopée, et une seconde couche de placage 3 en InP du type n est réalisé selon le même procédé de fabricaiton que dans le cas du premier mode de réalisation de l'invention. Puis, une première couche d'arrêt de courant 12 en InP du type p et ayant une concentration de porteurs élevée est établie par croissance épitaxiale sélective (figure 5b)). A l'étape de la figure 5(c), une seconde couche d'arrêt de courant 15 en InP du type n comprenant des impuretés du type n et des impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, telles que du Co et Ti, est établie par croissance épitaxiale sélective. De plus, une troisième couche d'arrêt de courant 13 en InP du type p, ayant une concentration de porteurs élevée est établie par croissance épitaxiale sélective pour former un cristal d'enfouissement comprenant les première, seconde et troisième couches d'arrêt de courant (figure 5(d)). La croissance de ces couches d'arrêt de courant est réalisée de façon continue, de préférence en utilisant du MOCVD. Puis, comme cela est montré sur la figure 5(e), le masque de croissance sélective 4 est enlevé. Finalement, de façon similaire au premier mode de réalisation de l'invention, une couche de contact 8 en InP du type n est établie par croissance épitaxiale sur toute la surface du substrat, la surface arrière du substrat est mise à la terre, et une électrode 20b du côté n et une électrode 20a du côté p sont réalisées sur la couche de contact 8 en InP du type p et sur la face arrière mise à la terre du substrat, respective- ment, pour compléter un dispositif laser à semi-conducteur montré sur la figure 6. Dans ce cas, la première couche d'arrêt de courant 12 en InP du type p a une concentration de porteurssupérieure à celle de la seconde couche de placage 3 en InP du type n, et la troisième couche d'arrêt de courant 13 en InP du type p a une concentration de porteurssupérieure à celle de la couche de contact 8 en InP du type n. De ce fait, lorsque le substrat est chauffé lors de la croissance épitaxiale à une température appropriée, des impuretés du Type p sont diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant 12 et 13 vers la seconde couche de placage 3 et la couche de contact 8, et un type de conductivité d'une portion mince de la seconde couche de placage 3 et de la couche de contact 8 comprenant du InP du type n en contact avec les couches d'arrêt de courant est inversé en type p. Supplémentairement, cette diffusion peut être réalisée en exécutant un traitement thermique après la croissance épitaxiale. Egalement dans le cadre du troisième mode de réalisation, comme cela est montré sur la figure 6, en raison de la diffusion des impuretés du type p, une jonction p-n entre la troisième couche d'arrêt de courant 13 et la couche de contact 8, c'est-à-dire une jonction p-n avec la portion supérieure du cristal d'enfouissement, est formée à une position 14a dans la couche de contact 8, se déplaçant de l'interface 9a entre la troisième couche d'arrêt de courant 13 et la couche de contact 8, c'est- à-dire l'interface reformée de la portion supérieure du cristal d'enfouissement. De façon similaire, une jonction p-n entre la première couche d'arrêt de courant 12 et la seconde couche de placage 3, c'est-àdire une jonction p-n avec la surface latérale de la seconde couche de placage 3, est formée à une position 14b dans la seconde couche de placage 3, se déplaçant de l'interface 9a entre la première couche d'arrêt de courant 12 et la seconde couche de placage, c'est-à-dire l'interface reformée de la face latérale de la seconde couche de placage 3. De ce fait, comme cela est décrit plus haut, dans ces jonctions p-n, une tension directe n'est pas réduite en mode de fonctionnement continu, ce qui n'occasionne pas des détériorations des caractéristiques de laser. Bien que des impuretés du type p diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant 12 et 13 en InP du type p vers la seconde couche d'arrêt de courant en InP du type n sont interstitielles dans le réseau cristallin, puisque la seconde couche d'arrêt de courant 15 comporte des impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, la diffusion des impuretés du type p est supprimée. De ce fait, une réduction de la concentration de porteursde la seconde couche de courant du fait que les impuretés du type p compensent les impuretés du type n de la seconde couche d'arrêt de courant est suffisamment supprimée, grâce à quoi l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant n'est pas détérioré. Comme cela a été décrit plus haut, dans le troisième mode de réalisation de l'invention, des détérioraitons des caractéristiques de laser en mode de fonctionnement continu sont évitées sans réduction de l'effet de blocage ou d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant. Supplémentairement, bien que le dispositif laser à semi-conducteur ait été décrit sur une base InP, le même procédé de fabrication et la même structure peuvent être adoptés dans un dispositif laser à semi- conducteur comprenant un autre matériau, tel qu'une base en GaAs. Le nombre de couches de blocage de courant pourrait ne pas être de trois. [Mode de Réalisation 4] Une description est donnée d'un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 7(a)-7(c) sont des vues en coupe illustrant les opérations ou étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif laser à semiconducteur selon le quatrième mode de réalisation de l'invention. Initialement, similairement au troisième mode de réalisation de la présente invention, après la formation d'un guide d'ondes nervuré comprenant une première couche de placage 1 en InP du type p, une couche active 2 en InGaAsP non dopée et une seconde couche de placage 3 en InP du type n, une première couche d'arrrêt de courant 12 en InP du type p, ayant une concentration de porteurs élevée,est établie par croissance épitaxiale sélective. Puis, une couche inférieure 15b d'une seconde couche d'arrêt de courant en InP du type n, comportant des impuretés du type n et des impuretés qui sont électriquement neutres et intersti- tielles dans le réseau cristallin, telles que du Co et Ti, et ayant une faible épaisseur, est établie par croissance épitaxiale sélective (figure 7(a)). Puis, une couche intermé- diaire 15a d'une seconde couche d'arrêt de courant en InP du type n, comportant des impuretés du type n, est établie par croissance épitaxiale sélective (figure 7(b)). A l'étape de la figure 7(c), une couche supérieure 15c d'une seconde couche d'arrêt de courant en InP du type n comportant des impuretés du type n et les impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, telles que du Co et Ti et d'une faible épaisseur, est établie par croissance épitaxiale sélective. Le suivant est le même processus que dans le troisième mode de réalisation de l'invention. Une troisième couche d'arrêt de courant 13 en InP du type p, ayant une concentration de porteursélevée est établie par croissance épitaxiale sélective pour former un cristal d'enfouissement comprenant les première, seconde et troisième couches d'arrêt de courant. Après enlèvement du masque de croissance sélective 4, une couche de contact 8 en InP du type n est établie par croissance épitaxiale sur toute la surface du substrat, la face arrière du substrat est mise à la terre et une électrode 20b du côté n et une électrode 20a du côté p sont formées sur la couche de contact 8 en InP du type n et sur la face arrière mise à la terre, respectivement, pour compléter un dispositif laser à semi- conducteurs montré sur la figure 8. Supplémentairement, la croissance des couches d'arrêt de courant est réalisée de façon continue, de préférence en utilisant du MOCVD. Dans ce cas, la première couche d'arrêt de courant 12 en InP du type p a une concentration de porteurssupérieure à celle de la seconde couche de placage 3 en InP du type n, et la troisième couche d'arrêt de courant 13 en InP du type p a une concentration de porteursplus élevée que celle de la couche de contact 8 en InP du type n. De ce fait, lorsque le substrat est chauffé lors de la croissance épitaxiale à une température appropriée, des impuretés du type p sont diffusées des première et troisième couche d'arrêt de courant 12 et 13 vers la seconde couche de placage 3 et la couche de contact 8, et un type de conductivité d'une portion mince de la seconde couche de placage 3 et de la couche de contact 8 comprenant du InP du type n en contact avec les couches d'arrêt de courant,est inversé en type p. Supplémentairement, cette diffusion peut être accomplie en performant un traitement * thermique après la croissance épitaxiale. Egalement dans le quatrième mode de réalisation de l'invention, comme cela est montré sur la figure 8, en raison de la diffusion des impuretés du type p, une jonction p-n entre la troisième couche d'arrêt de courant 13 et la couche de contact 8, c'est-à-dire une jonction n avec la portion supérieure du cristal d'enfouissement, est réalisée à une position 14a dans la couche de contact 8, se déplaçant de l'interface 9a entre la troisième couche d'arrêt de courant 13 et la couche de contact 8, c'est-à-dire l'interface reformée de la portion supérieure du cristal d'enfouissement. De façon similaire, une jonction p-n entre la première couche d'arrêt de courant 12 et la seconde couche de placage 3, c'est-à-dire une jonction p-n avec la face latérale de la seconde couche de placage 3, est formée à une position 14b dans la seconde couche de placage 3, se déplaçant de l'interface 9b entre la première couche d'arrêt de courant 12 et la seconde couche de placage 3, c'est-à-dire l'interface reformée de la surface latérale de la seconde couche de placage 3. De ce fait, comme cela a été décrit plus haut, dans ces jonctions p-n, une tension directe n'est pas réduite en mode de fonctionnement continu, ce qui n'occasionne pas des détériorations des caractéristiques de laser. Bien que des impuretés du type p diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant 12 et 13, en InP du type p, vers la seconde couche d'arrêt de courant en InP du type n,soient interstitielles dans le réseau cristallin, étant donné que la couche supérieure 15c et la couche inférieure 15b de la seconde couche d'arrêt de courant en contact avec les troisième et première couches d'arrêt de courant 13, et 12, respectivement, comprennent les impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, la diffusion des impuretés du type p est supprimée. De ce fait, une réduction de la concentration de porteursde la seconde couche d'arrêt de courant 15 du fait que les impuretés du type p compensent les impuretés du type n de la seconde couche d'arrêt de courant 15,est suffisamment supprimée. Bien que les impuretés neutres aient tendance à bloquer l'activation des impuretés du type n dans la seconde couche d'arrêt de courant, la couche intermédiaire 15a de la seconde couche d'arrêt de courant comprend les impuretés du type n mais ne comprend pas des impuretés neutres. Par conséquent, la concentration de porteursest rendue supérieure à celle lorsque les impuretés neutres sont introduites dans l'ensemble de la seconde couche d'arrêt de courant 15 comme dans le troisième mode de réalisa- tion de l'invention, grâce à quoi la détérioration de l'effet d'arrêt de courant est davantage supprimé. Comme cela a été décrit plus haut, dans le quatrième mode de réalisation de l'invention, les détériorations des caractéristiques de laser en mode de fonctionnement continu sont empêchées sans réduction de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant. Supplémentairement, bien que le dispositif laser à semi-conducteur de base en InP ait été décrit, le même procédé de fabrication et la même structure peuvent être adoptés dans un dispositif laser à semi- conducteurs comprenant un autre matériau, tel qu'une base en GaAs. Le nombre de couches d'arrêt de courant pourrait ne pas être de trois. CMode de Réalisation 5] Une description d'un cinquième mode de réalisation de la présente invention sera donnée. La figure 9 est une vue en coupe montrant un dispositif laser à semiconducteurs selon le cinquième mode de réalisation de l'invention. Sur cette figure, le numéro de référence 16 désigne une seconde couche d'arrêt de courant en InP du type n comportant des impuretés du type n et des impuretés servant de pièges à trous. Dans ce dispositif laser à semi-conducteur, les impuretés servant de pièges à trous remplacent les impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, incluses dans la seconde couche d'arrêt de courant 16 en InP du type n dans le troisième mode de réalisation de l'invention. Un procédé de fabrication selon le cinquième mode de réalisation est le même que dans le troisième mode de réalisation, à l'exception du fait que du InP est établi par croissance de façon à inclure des impuretés du type n et des impuretés servant de pièges à trous, telles que du Co, lors de la croissance épitaxiale de la seconde couche d'arrêt de courant 16. Dans ce cas, la première couche d'arrêt de courant 12 en InP du type p a une concentration de porteursplus élevée que celle de la seconde couche de placage 3 en InP du type n, et la troisième couche d'arrêt de courant 13 en InP du type p a une concentration de porteurs plus élevée que celle de la couche de contact 8 en InP du type n. De ce fait, lorsque le substrat est chauffé lors de la croissance épitaxiale à une température appropriée, des impuretés du type p sont diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant 12 et 13 vers la seconde couche de placage 3 et la couche de contact 8, et un type de conductivité d'une portion mince de la seconde couche de placage 3 et de la couche de contact 8 comprenant du InP du type n en contact avec les couches d'arrêt de courant est inversé en type p. Supplémentairement, cette diffusion peut être réalisée en accomplissant un traitement thermique après la croissance épitaxiale. Egalement dans le cinquième mode de réalisation, comme cela est montré sur la figure 9, en raison de la diffusion des impuretés du type p, une jonction p-n entre la troisième couche d'arrêt de courant 13 et la couche de contact 8, c'est- à-dire une jonction p-n avec la portion supérieure de la couche d'enfouissement 3 est formée à une position 14a dans la couche de contact 8, se déplaçant de l'interface 9a entre la troisième couche d'arrêt de courant 13 et la couche de contact 8, c'est-à-dire l'interface reformée de la portion supérieure du cristal d'enfouissement. De façon similaire, une jonction p-n entre la première couche d'arrêt de courant 12 et la seconde couche de placage 3, c'est-à-dire une jonction p-n avec la face latérale de la seconde couche de placage 3, est réalisée à la position 14b dans la seconde couche de placage 3, se déplaçant de l'interface 9b entre la première couche d'arrêt de courant 12 et la seconde couche de placage 3, c'est-à-dire l'interface reformée de la face latérale de la seconde couche de placage 3. De ce fait, comme il a été décrit plus haut, dans ces jonctions p-n, une tension directe n'est pas réduite dans des conditions d'un mode de fonctionnement continu, ce qui ne donne pas lieu à des détériorations des caractéristiques de laser. Etant donné que la seconde couche d'arrêt de courant 16 comporte des impuretésservant de pièges à trous, la diffusion des trous des première et troisième couches d'arrêt de courant 12 et 13, en InP du type p, vers la seconde couche d'arrêt de courant 16 est supprimée, grâce à quoi l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant n'est pas détérioré. Comme cela a été décrit plus haut, dans le cinquième mode de réalisation de l'invention, les détériorations des caractéristiques de laser dans des conditions d'un fonctionne- ment continu sont évitées sans réduction de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant. Supplémentairement, bien que le dispositif laser à semi-conducteurs de base en InP ait été décrit, le même procédé de fabrication et la même structure peuvent être adoptés dans un dispositif laser à semi- conducteur comprenant un autre matériau, tel qu'une base en GaAs. Le nombre de couches d'arrêt de courant pourrait ne pas être de trois. [Mode de Réalisation 6] Une description est donnée d'un sixième mode de réalisation de la présente invention. La figure 10 est une vue en coupe illustrant un dispositif laser à semiconducteur selonle sixième mode de réalisation de l'invention. Sur la figure, les numéros de référence 16b et 16c désignent une couche inférieure et une couche supérieure d'une seconde couche d'arrêt de courant en InP du type n, comprenant des impuretés du type n et des impuretés servant de pièges à trous, respectivement, et le numéro 16a désigne une couche intermédiaire d'une seconde couche d'arrêt de courant en InP du type n, comportant seulement des impuretés du type n. Dans ce dispositif laser à semi-conducteur, les impuretés servant de pièges à trous remplacent les impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, inclus dans la couche supérieure et la couche inférieure de la seconde couche d'arrêt de courant 16 en InP du type n dans le quatrième mode de réalisation de l'invention. Un procédé de fabrication selon le sixième mode de réalisation est le même que dans le quatrième mode de réalisation, à l'exception du fait que du InP est établi par croissance de façon à comporter des impuretés du type n et des impuretés servant comme un piège à trous, telles que du Co, à la croissance épitaxiale de la couche supérieure et la couche inférieure de la seconde couche d'arrêt de courant. Dans ce cas, la première couche d'arrêt de courant 12 en InP du type p a une concentration de porteursplus élevée que celle de la seconde couche de placage 3 en InP du type n, et la troisième couche d'arrêt de courant 13 en InP du type p 13 a une concentration de porteurssupérieure à celle de la couche de contact 8 en InP du type n. De ce fait, lorsque le substrat est chauffé lors de la croissance épitaxiale à une température appropriée, des impuretés du type p sont diffusés des première et troisième couches d'arrêt de courant 12 et 13 vers la seconde couche de placage 3 et la couche de contact 8, et un type de conductivité d'une portion mince de la seconde couche de placage 3 et de la couche de contact 8 comprenant du InP du type n en contact avec les couches d'arrêt de courant, est inversé en type p. Supplémentairement, cette diffusion peut être accomplie lors de la réalisation d'un traitement thermique après la croissance épitaxiale. Egalement dans le sixième mode de réalisation de l'invention, comme cela est montré sur la figure 10, en raison de la diffusion des impuretés du type p, une jonction p-n entre la troisième couche d'arrêt de courant 13 et la couche de contact 8, c'est-à-dire une jonction p-n avec la portion supérieure du cristal d'enfouissement, est formée à une position 14a dans la couche de contact 8, se déplaçant de l'interface 9a entre la troisièmecouche d'arrêt de courant 13 et la couche de contact 8, c'est- à-dire l'interface reformée avec la portion supérieure du cristal d'enfouissement. De façon similaire, une jonction p-n entre la première couche d'arrêt de courant 12 et la seconde couche de placage 3, c'est-à-dire une jonction p-n avec la face latérale de la seconde couche de placage 3, est formée à une position 14b dans la seconde couche de placage 3, se déplaçant de l'inter- face 9b entre la première couche d'arrêt de courant 12 et la seconde couche de placage 3, c'est-à-dire l'interface reformée avec la surface latérale de la seconde couche de placage 3. De ce fait, comme cela a été décrit plus haut, dans cette jonction p-n, une tension directe n'est pas réduite lors d'un fonctionnement continu, ce qui ne donne pas lieu à des détériorations des caractéristiques de laser. Etant donné que la couche supérieure 16c et la couche inférieure 16b de la seconde couche d'arrêt de courant en contact avec les troisième et première couches d'arrêt de courant 13 et 12 comportent des impuretés servant comme un piège à trous, respectivement, la diffusion des trous des première et troisième couches d'arrêt de courant 12 et 13 en InP du type p, vers la seconde couche d'arrêt de courant 16 en InP du type n est supprimée. Bien que les impuretés servant de pièges à trous aient tendance à bloquer l'activa- tion des impuretés du type n dans la seconde couche d'arrêt de courant 16, la couche intermédiaire 16a de la seconde couche d'arrêt de courant comporte des impuretés du type n, mais ne comporte pas les impuretés servant de pièges à trous. Par conséquent, la concentration de porteursest rendue supérieure à celle lorsque les impuretés servant de pièges à trous sont introduites dans l'ensemble de la seconde couche d'arrêt de courant 16, comme dans le cinquième mode de réalisation de l'invention, grâce à quoi la détérioration de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant est davantage supprimé. Comme cela a été décrit plus haut, dans le sixième mode de réalisation, les détériorations des caractéristiques de laser dans des conditions d'un fonctionnement continu senot éliminées sans réduction de l'effet d'arrêt de courant des couches d'arrêt de courant. Supplémentairement, bien que le dispositif laser à semi-conducteur de base en InP ait été décrit, le même procédé de fabrication et la même structure peuvent être adoptés dans un dispositif laser à semi-conducteur comportant un autre matériau, tel qu'une base en GaAs. Le nombre de couches d'arrêt de courant ne pourrait pas être5 de trois. R E V E N D I C A T I 0 N S 1.- Procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur (figures 1(a)-1(f), caractérisé en ce qu'il comprend les opérations de: préparer un substrat semi-conducteur, d'un premier type de conductivité; réaliser un guide d'ondes nervuré comprenant une première couche de placage (1), une couche active (2) et une seconde couche de placage (3) sur le substrat à semi- conducteur; établir successivement par croissance épitaxiale sélective une première couche d'arrêt de courant (5) comprenant un semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une seconde couche d'arrêt de courant (6) formée de façon a être séparée du guide d'ondes nervuré par une portion de la première couche d'arrêt de courant (5) au voisinage du guide d'ondes nervuré et comprenant un semi-conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, une troisième couche d'arrêt de courant (7) comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité, et une couche d'enfouissement finale (10) comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré pour former un cristal d'enfouissement; et établir par croissance épitaxiale une couche de contact (8) comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité sur la seconde couche de placage (3) et sur la couche d'enfouis- sement finale (10). 2.- Procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur (figures 3(a)-3(e) caractérisé en ce qu'il comprend les opérations de: préparer un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité; établir successivement par croissance épitaxiale une première couche de placage (1) comprenant le semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une couche active (2), et une seconde couche de placage (3) comprenant un semi- conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité et ayant une concentration de porteurs sur la surface frontale du substrat à semi-conducteurs; déposer un film isolant (4) sur une région prédéter- minée de la seconde couche de placage (3); attaquer chimiquement sélectivement la première couche de placage (1), la couche active (2) et la seconde couche de placage (3) en utilisant le film isolant (4) comme masque pour former un guide d'ondes nervuré; établir successivement par croissance épitaxiale sélective une couche inférieure (5a) d'une première couche d'arrêt de courant comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité ayant une concentration de porteurs supérieure à celle du semi- conducteur du second type de conductivité de la seconde couche de placage (3), une couche supérieure (5b) de la première couche d'arrêt de courant comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité ayant une concentration de porteurs inférieure à celle de la couche inférieure (5a) de la première couche d'arrêt de courant, une seconde couche d'arrêt de courant (6) formée de façon à être séparée du guide d'ondes nervuré par une portion de la première couche d'arrêt de courant (5) au voisi- nage du guide d'ondes nervuré et comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité, une couche inférieure (7b) d'une troisième couche d'arrêt de courant comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité et ayant une concentration de porteurs et une couche supérieure (7a) de la troisième couche d'arrêt de courant comprenant le semi- conducteur du premier type de conductivité ayant une concentra- tion de porteurssupérieure à celles du semi-conducteur de la couche inférieure (7b) de la troisième couche d'arrêt de courant et du semiconducteur du second type de conductivité d'une couche de contact (8) sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré pour former un cristal d'enfouissement; enlever le film isolant (4); établir par croissance épitaxiale une couche de contact (8) comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité sur la seconde couche de placage (3) et sur la troisième couche d'arrêt de courant (7); et les impuretés précitées du premier type de conductivité étant diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant (7, 8) vers la seconde couche de placage (3) et la couche de contact (8), respectivement, en raison d'un chauffage lors de la formation du cristal d'enfouissement par croissance épitaxiale et pendant la croissance épitaxiale de la couche de contact (8) ou un traitement thermique après la croissance épitaxiale de la couche de contact (8), grâce à quoi une portion mince de la seconde couche de placage (3) en contact avec la première couche d'arrêt de courant (5) et une portion mince de la couche de contact (8) en contact avec la troisième couche d'arrêt de courant (7) sont inversées en semi- conducteurs du premier type de conductivité. 3.- Procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur (figures 5(a)-(5e) caractérisé en ce qu'il comprend les opérations de: préparer un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité; établir successivement par croissance épitaxiale une première couche de placage (1) comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité, une couche active (2) et une seconde couche de placage (3) comprenant un semi-conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité sur une face frontale du substrat semi- conducteur; déposer un film isolant (4) sur une région prédéterminée de la seconde couche de placage (3); attaquer chimiquement sélectivement la première couche de placage (1), la couche active (2) et la seconde couche de placage (3), en utilisant le film isolant (4) comme masque pour former un guide d'ondes nervuré; établir successivement par croissance épitaxiale sélective une première couche d'arrêt de courant (12) comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité ayant une concentration de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité de la seconde couche de placage (3), une seconde couche d'arrêt de courant (15) formée de façon à être séparée du guide d'ondes nervuré par une portion de la première couche d'arrêt de courant (12) au voisinage du guide d'ondes nervuré et comprenant le semi- conducteur du second type de conductivité, et une troisième couche d'arrêt de courant (13) comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité ayant une concentration de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du deuxième type de conductivité de la couche de contact (8) sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré pour former un cristal d'enfouissement; enlever le film isolant (4); établir par croissance épitaxiale une couche de contact (8) comprenant le semi-conducteur du second type de conducti- vité sur la seconde couche de placage (3) et sur la troisième couche d'arrêt de courant (13); la seconde couche d'arrêt de courant (15) ayant été formée par croissance épitaxiale sélective dans le cadre du processus de formation de cristal d'enfouissement de façon à comporter des impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin; et lesdites impuretés du premier type de conductivité étant diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant (12, 13) vers la seconde couche de placage (3) et la couche de contact (8), respectivement, en raison du chauffage pendant la formation du cristal d'enfouissement par croissance épitaxiale sélective et pendant la croissance épitaxiale de la couche de contact (8) ou le traitement thermique après la croissance épitaxiale de la couche de contact (8), grâce à quoi une portion mince de la couche de placage (3) en contact avec la première couche d'arrêt de courant (12) et une portion mince de la couche de contact (8) en contact avec la troisième couche d'arrêt de courant (13) sont inversées en semi-conducteur du premier type de conductivité. 4.- Procédé de fabrication du dispositif laser à semiconducteur selon la revendication 3 (figures 7(a)-7(c), caractérisé en ce que la croissance épitaxiale sélective précitée de la seconde couche d'arrêt de courant (15) lors du processus de formation de cristal d'enfouissement comprend les opérations d'établir successivement par croissance une couche inférieure (15b) comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité comportant les impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin, une couche intermédiaire (15a) comprenant le semi-conducteur incluant seulement des impuretés du second type de conductivité, et une couche supérieure (15c) comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité comportant les impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin. 5.- Procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations de: préparer un substrat semi-conducteur du type p; établir successivement par croissance épitaxiale une première couche de placage (3) comprenant un semi- conducteur du type p, une couche active (2) et une seconde couche de placage (3) comprenant un semi-conducteur du type n sur la face avant du substrat semi-conducteur du type p; déposer un film isolant (4) sur une région prédéterminée de la seconde couche de placage (3); attaquer chimiquement, sélectivement la première couche de placage (1), la couche active (2) et la seconde couche de placage (3) en utilisant le film isolant (4) comme masque pour former un guide d'ondes nervuré, établir successivement par croissance épitaxiale sélective une première couche d'arrêt de courant (12) comprenant un semi-conducteur du type p ayant une concentra- tion de porteur supérieure à celle du semi-conducteur du type n de la seconde couche de placage (3), une seconde couche d'arrêt de courant (16) formée de façon à être séparée du guide d'ondes nervuré par une portion de la première couche de blocage (12) au voisinage du guide d'ondes nervuré et comprenant un semi-conducteur du type n, et une troisième couche d'arrêt de courant (13) comprenant un semi-conducteur du type p ayant une concentration de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du type n d'une couche de contact (8) sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré pour former un cristal d'enfouissement; enlever le film isolant (4); établir par croissance épitaxiale une couche de contact (8) comprenant un semi-conducteur du type n sur la seconde couche de placage (3) et sur la troisième couche d'arrêt de courant (13); ladite seconde couche d'arrêt de courant (16) ayant été formée par croissance épitaxiale sélective lors du processus d'établissement du cristal d'enfouissement de façon comporter des impuretés servant de pièges à trous, et des impuretés du type p étant diffusées des première et troisième couches d'arrêt de courant (12, 13) vers la seconde couche de placage (3) et la couche de contact (8), respectivement, en raison du chauffage pendant la formation du cristal d'enfouissement par croissance épitaxiale sélective et pendant la croissance épitaxiale de la couche de contact (8) ou le traitement thermique après la croissance épitaxiale de la couche de contact (8), grâce à quoi une portion mince de la seconde couche de placage (3) en contact avec la première couche d'arrêt de courant (12) et une portion mince de la couche de contact (8) en contact avec la troisième couche d'arrêt de contact (13) sont inversées en semi-conducteur du type p. 6.Procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi- conducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la croissance épitaxiale sélective précitée de la seconde couche d'arrêt de courant (16) lors du processus de formation de cristal d'enfouissement comporte successivement les opérations d'établir par croissance une couche inférieure (16b) comprenant le semi-conducteur précité du type n comportant les impuretés servant de pièges à trous, une couche intermédiaire (16a) comprenant un semi-conducteur comportant seulement des impuretés du type n, et une couche supérieure (16c) comprenant le semi-conducteur du type n comportant des impuretés servant de pièges à trous. 7.- Dispositif laser à semi-conducteur- (figure 2) caractérisé en ce qu'il comprend: un guide d'ondes nervuré ayant une surface latérale, un cristal d'enfouissement disposé sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré; une couche de contact (8) disposée sur toute la surface du cristal d'enfouissement et du guide d'ondes nervuré; ledit cristal d'enfouissement comprenant une première couche d'arrêt de courant (5) disposée en contact avec la face latérale du guide d'ondes nervuré et comprenant un semi- conducteur d'un premier type de conductivité, une seconde couche d'arrêt de courant (6) disposée sur une portion de la première couche d'arrêt de courant (5), à l'exception d'une portion au voisinage du guide d'ondes nervuré, séparée du guide d'ondes nervuré par la portion de la première couche d'arrêt de courant (5) au voisinage du guide d'ondes nervuré, et comprenant un semi-conducteur d'un second type de conducti- vité opposé au premier type de conductivité, une troisième couche d'arrêt de courant (7) disposée sur la portion de la première couche d'arrêt de conductivité (5) au voisinage du guide d'ondes nervuré et sur l'ensemble de la surface de la seconde couche d'arrêt de courant (6) et comprenant le semi- conducteur du premier type de conductivité, et une couche d'enfouissement finale (10) disposée sur la troisième couche d'arrêt de courant (7) et comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité; et ladite couche de contact (8) comprenant le semi- conducteur du second type de conductivité. 8.- Dispositif laser à semi-conducteur (figure 4), caractérisé en ce qu'il comprend: un guide d'ondes nervuré ayant une surface latérale; un cristal d'enfouissement disposé sur les deux côtéés du guide d'ondes nervuré; une couche de contact (8) disposée sur toute la surface du cristal d'enfouissement et du guide d'ondes nervuré; ledit guide d'ondes nervuré comprenant une première couche de placage (1) comprenant un semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une couche active (2) disposée sur la première couche de placage (1) et une seconde couche de placage (3) disposée sur la couche active (2), la portion principale de la couche de placage (3) comprenant un semi- conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité; ledit cristal d'enfouissement comprenant une première couche d'arrêt de courant (5),disposée en contact avec la face latérale du guide d'ondes nervuré et comprenant le semi- conducteur du premier type de conductivité, une seconde couche d'arrêt de courant (6) disposée sur une portion de la première couche d'arrêt de courant (5), à l'exception d'une portion au voisinage du guide d'ondes nervuré, séparée du guide d'ondes nervuré par la portion de la première couche d'arrêt de courant (5) au voisinage du guide d'ondes nervuré, et comprenant un semi-conducteur du second type de conductivité, et une troisième couche d'arrêt de courant (7) disposée sur la portion de la première couche d'arrêt de courant (5) au voisinage du guide d'ondes nervuré et sur l'ensemble de la seconde couche d'arrêt de courant (6) et comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité; la portion principale de la couche de contact (8) comprenant le semi- conducteur du second type de conductivité; ledit semi-conducteur du premier type de conductivité dans la portion (5a) de la première couche d'arrêt de courant en contact avec le guide d'ondes nervuré ayant une concentra- tion de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité de la seconde couche de placage (3), et une portion mince de la seconde couche de placage (3) au voisinage de l'interface (9b) entre la seconde couche de placage (3) et la première couche d'arrêt de courant (5) comprenant le même semi-conducteur du premier type de. conductivité que le type de conductivité de la première couche d'arrêt de courant (5); ledit semi-conducteur du premier type de conductivité dans la portion (5b) de la première couche d'arrêt de courant en contact avec la seconde couche d'arrêt de courant (6) ayant une concentration de porteurs supérieure à celle du semi-conducteur du premier type de conductivité dans la portion (Sa) de la première couche d'arrêt de courant en contact avec le guide d'ondes nervuré; ledit semi-conducteur du premier type de conductivité dans la portion (7a) de la troisième couche d'arrêt de courant en contact avec la couche de contact (8) ayant une concentration de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité dans la portion principale de la couche de contact (8), et une portion mince de la couche de contact (8) au voisinage de l'interface (9a) entre la couche de contact (8) et la troisième couche d'arrêt de courant (7) comprenant le semi-conducteur du même premier type de conductivité que le type de conductivité de la troisième couche d'arrêt de courant (7); et ledit semi-conducteur du premier type de conductivité dans la portion (7b) de la troisième couche d'arrêt de courant en contact avec la seconde couche d'arrêt de courant (6) ayant une concentration de porteurs inférieure à celle du semi- conducteur du premier type de conductivité dans la portion (7a) de la troisième couche d'arrêt de courant en contact avec la couche de contact (8). 9.- Dispositif laser à semi-conducteur (figure 6), caractérisé en ce qu'il comprend: un guide d'ondes nervuré ayant une surface latérale; un cristal d'enfouissement disposé sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré; une couche de contact (8) disposée sur l'ensemble de la surface du cristal d'enfouissement et du guide d'ondes nervuré; ledit guide d'ondes nervuré comprenant une première couche de placage (1) comportant un semi-conducteur d'un premier type de conductivité, une couche active (2) disposée sur la première couche de placage (1) et une seconde couche de placage (3) disposée sur la couche active (2), la portion principale de la couche de placage (3) comprenant un semi- conducteur d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité; ledit cristal d'enfouissement comprenant une première couche d'arrêt de courant (12) disposée en contact avec la surface latérale du guide d'ondes nervuré et comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité, une seconde couche d'arrêt de courant (15) disposée sur une portion de la première couche d'arrêt de courant (12) à l'exception d'une portion au voisinage du guide d'ondes nervuré, séparée du guide d'ondes nervuré par la portion de la première couche d'arrêt de courant (12) au voisinage du guide d'ondes nervuré, et comprenant le semi-conducteur du second type de conductivité et une troisième couche d'arrêt de courant (13) disposée sur la portion de la première couche d'arrêt de courant (12) au voisinage du guide d'ondes nervuré et sur l'ensemble de la surface de la seconde couche d'arrêt de courant (15) et comprenant le semi-conducteur du premier type de conductivité; la portion principale de ladite couche de contact (8) comprenant le semi- conducteur du second type de conductivité; ledit semiconducteur du premier type de conductivité de la première couche d'arrêt de courant (12) ayant une concentration de porteurssupérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité dans la portion principale de la seconde couche de placage (3), et une portion mince de la seconde couche de placage (3) au voisinage de l'interface (9b) entre la seconde couche de placage (3) et la première couche d'arrêt de courant (12) comprenant le semi-conducteur du même premier type de conductivité que le type de conductivité de la première couche d'arrêt de courant (12); ledit semi-conducteur du premier type de conductivité de la troisième couche d'arrêt de courant (13) ayant une concentration de porteur supérieure à celle du semi-conducteur du second type de conductivité dans la portion principale de la couche de contact (8), et une portion mince de la couche de contact (8) au voisinage de l'interface (9a) entre la couche de contact (8) et la troisième couche d'arrêt de courant (13) comprenant le semi-conducteur du même premier type de conducti- vité que le type de conductivité de la troisième couche d'arrêt de courant (13); et ladite seconde couche d'arrêt de courant (15) comportant des impuretés qui sont électriquement neutres et interstitielles dans le réseau cristallin. 10.- Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 9 (figure 8), caractérisé en ce que les impuretés précitées qui sont électriquement neutres sont incluses seulement dans une portion de couche mince (15b, 15c) de la seconde couche d'arrêt de courant en contact avec les première et troisième couches d'arrêt de courant (12, 13). 11.- Dispositif laser à semi-conducteurs (figure 9) caractérisé en ce qu'il comprend: un guide d'ondes nervuré ayant une surface latérale; un cristal d'enfouissement disposé sur les deux côtés du guide d'ondes nervuré; une couche de contact (8) disposée sur toute la surface du cristal d'enfouissement et du guide d'ondes nervuré; le guide d'ondes nervuré comprenant une première couche de placage (1) comprenant un semi-conducteur du type p, une couche active (2) disposée sur la première couche de placage (1), et une seconde couche de placage (3) disposée sur la couche active (2), la portion principale de la couche de placage (3) comprenant un semi-conducteur du type n; ledit cristal d'enfouissement comprenant une première couche d'arrêt de courant (12) disposée en contact avec la face latérale du guide d'ondes nervuré et comprenant un semi- conducteur du type p, une seconde couche d'arrêt de courant (16) disposée sur une portion de la permière couche d'arrêt de courant (12) à l'exception d'une portion au voisinage du guide d'ondes nervuré, séparée du guide d'ondes nervuré par la portion de la première couche d'arrêt de courant (12) au voisinage du guide d'ondes nervuré, et comprenant un semi-conducteur du type n, et une troisième couche d'arrêt de courant (13) disposée sur la portion de la première couche d'arrêt de courant (12) au voisinage du guide d'ondes nervuré et sur toute la surface de la seconde couche d'arrêt de courant (16) et comprenant un semi-conducteur du type p; la portion principale de ladite couche de contact (8) comprenant un semi-conducteur du type n; ledit semi- conducteur du type p de la première couche d'arrêt de courant (12) ayant une concentration de porteurs supérieure à celle du semi- conducteur du type n, dans la portion principale de la seconde couche de placage (3), et une troisième portion de la seconde couche de placage (3) au voisinage de l'interface (9b) entre la seconde couche de placage (3) et la première couche d'arrêt de courant (12) comprenant le semi-conducteur du même type p de conductivité que la première couche d'arrêt de courant (12); ledit semi-conducteur du type p de la troisième couche d'arrêt de courant (13) ayant une concentration de porteurs supérieure à celle du semi-conducteur du type n dans la portion principale de la couche de contact (8), et une portion mince de la couche de contact (8) au voisinage de l'interface (9a) entre la couche de contact (8) et la troisième couche d'arrêt de courant (13) comprenant le semi-conducteur du même type p que la troisième couche d'arrêt de courant (13); et ladite seconde couche d'arrêt de courant (16) comprenant les impuretés servant de pièges à trous. 12.- Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 11 (figure 10), caractérisé en ce que les impuretés servant de pièges à trous sont incluses seulement dans des portions de couche minces (16b, 16c) de la seconde couche d'arrêt de courant en contact avec les première et troisième couches de courant (12, 13).