FR 2733857 A1 19961108 FR 9605206 A 19960423 -1-- DÉPÈT D'ISOLANT UTILISANT UN FAISCEAU D'IONS FOCALISÉ La présente invention concerne des procédés et des appareils pour déposer un matériau isolant en utilisant un faisceau d'ions focalisé, notamment un faisceau d'ions focalisé provenant d'une source d'ions métalliques liquide. Des systèmes pour le traitement de circuits intégrés ou autres avec un faisceau d'ions focalisé (FIF) sont connus. On connaît également des systèmes FIF ayant une aiguille et une source de gaz pour injecter un gaz dans une région superficielle d'un circuit intégré (CI) vers laquelle le FIF est dirigé. On se référera par exemple au brevet US-A-5. 140.164 dont le contenu est cité ici à titre de référence. Un système FIF disponible dans le commerce tel que le "IDS P2X FIBstation" fourni par la Schlumberger Technologies, Inc. San Jose, Californie, comporte une tubulure de gaz ayant une pluralité de clapets d'entrée pouvant être commandés et une aiguille de sortie réglable en position pour injecter sélectivement des gaz provenant de l'une quelconque d'une pluralité de sources de gaz, vers une région superficielle d'un CI devant être traitée avec le FIF. Diverses techniques ont été mises au point pour utiliser des systèmes de ce type afin d'effectuer une réparation et un diagnostic au niveau de dispositifs à circuits intégrés à semi-conducteurs. A titre d'exemple, le FIF peut être utilisé pour éliminer par usinage une partie du matériau. La vitesse et l'aptitude à être commandé de l'usinage peuvent être améliorées en injectant des gaz qui assurent un usinage préférentiel de matériaux particuliers, tels qu'un diélectrique ou un métal. Des techniques de ce type peuvent être utilisées pour exposer sélectivement la structure d'un CI à des fins de mesure ou d'examen, pour découper des trous à travers des plans de puissance et de masse, et pour sectionner sélectivement des conducteurs. Des techniques sont également connues pour injecter un gaz en présence du FIF à la surface du CI pour déposer sélectivement un matériau conducteur. Ces techniques peuvent être utilisées pour construire ou reconstruire des conducteurs et pour déposer des plages utilisées pour une mesure mécanique ou par faisceau d'électrons. -2 - Une limitation importante des techniques à FIF actuelles est qu'un dépôt de métal peut parfois produire un contact électrique à un endroit indésirable. Le résultat peut être un contact électrique non souhaité entre le métal déposé et des conducteurs exposés entourant la zone du dépôt de métal. Le dépôt de métal peut parfois demander beaucoup de temps, par exemple lorsque la présence de conducteurs exposés impose que du métal soit déposé le long d'un cheminement sinueux afin d'éviter des connexions électriques indésirables. Dans de nombreux cas, il est tout à fait impossible d'effectuer un dépôt de métal en toute sécurité, et l'opération de réparation doit être repensée dans sa totalité. Il a été proposé de déposer un film sous forme d'isolant pour la réparation de circuits intégrés. On se référera à H. Komano et coll. dans "Silicon Oxide Film Formation by Focused Ion Beam (FIB)- Assisted Deposition", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Vol. 28, No. 11, Nov. 1989, pages 2372-2375. Un film de SiO2 a été formé par dépôt assisté par faisceau d'ions focalisé de Si2+ de 60 keV. Un mélange de tétraméthoxysilane (SI(OCH3)4) et d'oxygène gazeux était projeté par soufflage sur la surface d'un échantillon par l'intermédiaire d'une buse d'un diamètre intérieur de 0,2 mm. Le diamètre du faisceau et le courant étaient respectivement de 0,2 mm et de 0,1 nA. Il a été indiqué que le film déposé, avec une épaisseur de 0,1 mm et une largeur de 0,7 mm était essentiellement constitué de silicium et d'oxygène. La résistivité mentionnée du film déposé était de 2,5 MW-cm à 5 volts. Ce rapport indique de façon correcte que la résistivité n'est pas suffisamment élevée pour permettre une utilisation comme isolant dans des dispositifs réels. De plus, on pense qu'un appareil à faisceau de silicium est intrinsèquement plus complexe qu'un système ayant une source d'ions métalliques liquide (telle qu'une source d'ions Ga) et a un faisceau moins finement focalisé que des systèmes à faisceau d'ions Ga. On ne sait pas bien si un appareil à faisceau de silicium pourrait être utilisé pour les opérations d'usinage et de dépôt de métal qui sont nécessitées par la réparation de circuits intégrés. Il est souhaitable de disposer de techniques améliorées pour le dépôt assisté par FIF d'un isolant, de préférence des techniques -3- - 3 - qui peuvent être mises en oeuvre dans des systèmes à faisceau d'ions Ga actuellement utilisés pour l'usinage et le dépôt de métal lors de la réparation de circuits intégrés. On ne pense pas que l'art antérieur décrive l'utilisation d'un dépôt par faisceau d'ions Ga d'un matériau isolant, sans doute en raison du fait que les ions Ga sont conducteurs. Des modes de réalisation préférés de l'invention proposent des procédés et des appareils pour déposer un matériau isolant dans une zone prédéfinie d'un circuit intégré. Des molécules d'un composé contenant des atomes de silicium et des atomes d'oxygène sont mélangées à un gaz réactif et injectées dans la région de la surface du circuit intégré à traiter, tandis qu'un FIF est dirigé vers cette région. Le matériau qui en résulte et qui est déposé sélectivement dans des régions localisées de la surface du circuit integré, présente une résistivité élevée. Un dépôt d'isolant effectué conformément à l'invention peut être utilisé lors de la réparation d'un circuit intégré à semi- conducteur à l'aide d'un faisceau de particules chargées tel qu'un FIF, ce qui permet d'effectuer certains types de réparations et de minimiser le temps de réparation. A titre d'exemple, un système à FIF est mis en oeuvre conformément à l'invention pour déposer une couche d'isolant sur une éventuelle ligne métallique exposée, afin de protéger la ligne métallique vis-à-vis de courts-circuits avec d'autres lignes métalliques, pour permettre d'éventuelles autres opérations de réparation assistées par FIF. Ces caractéristiques de l'invention, ainsi que d'autres, apparaitront aux spécialistes de la technique à la lecture de la description détaillée présentée ci-dessous et des figures des dessins annexés. 3 o Les figures l1A-lD représentent une séquence de coupes transversales d'une partie d'un circuit intégré à divers stades d'une opération effectuée conformément à l'invention; les figures 2A-2D représentent une séquence de vues de dessus d'une partie d'un circuit intégré correspondant respectivement aux figures 1A- l D; la figure 3 est une vue en coupe transversale agrandie prise à partir d'une image obtenue par FIF d'un circuit intégré modifié - 4 - conformément à l'invention, approximativement le long de la droite de coupe III-III de la figure 2D; la figure 4 est une vue en coupe transversale agrandie prise à partir d'une image obtenue par FIF d'un circuit intégré modifié conformément à l'invention, approximativement le long de la droite de coupe I.D-I.D de la figure 2D; les figures 5A-5D représentent une série de vues de dessus d'une partie d'un circuit intégré à divers stades d'une opération effectuée conformément à l'invention; la figure 6 représente des formes d'ondes apparaissant sur des conducteurs sélectionnés du circuit intégré des figures 5A-5D avant et après la modification du circuit intégré conformément à l'invention; la figure 7 est une vue en coupe transversale prise à partir d'une image obtenue par FIF d'un circuit intégré modifié conformément à l'invention, approximativement le long de la droite de coupe VII-VII de la figure 5D; la figure 8 est une vue en coupe représentant une plage isolante déposée sur une structure d'essai du type utilisé dans les exemples 2.1-2.8; la figure 9 représente la relation entre la résistivité volumique et la tension de polarisation appliquée pour deux échantillons d'isolant déposés conformément à l'invention; la figure 10 représente la résistance de deux échantillons identiques de matériau isolant déposé avant et après la cuisson, conformément à l'invention; et la figure 11 représente la résistance mesurée entre le conducteur de signaux et le plan de puissance après dépôt d'un matériau isolant et d'un matériau conducteur pour faire passer un 3 0 conducteur de signaux à travers un plan de puissance, conformément à l'invention. Le dépôt d'un matériau isolant conformément à l'invention est illustré par des exemples d'utilisation de ce procédé pour modifier un circuit intégré. Des opérations qui sont difficiles ou impossibles à effectuer sans dépôt d'isolant sont rendues possibles conformément à l'invention. Comme exemple d'opération de ce type, on citera le dépôt d'une plage de sondage et sa mise en - 5 - contact électrique avec un conducteur noyé sous un plan de puissance, tout en maintenant la plage de mesure électriquement isolée du plan de puissance. Comme autre exemple d'opération de ce type, on peut citer le cas o deux conducteurs de niveau inférieur se situant sous un plan de puissance métallique doivent être connectés électriquement sans établir de contact électrique avec le plan de puissance. Une façon de le faire consiste à usiner tout d'abord une "fenêtre" de grande dimension dans le plan de puissance, à travers un matériau diélectrique intercouche situé sous le plan de puissance, afin d'exposer les conducteurs. Une ligne métallique devant jouer le rôle de "cavalier" connectant les deux conducteurs, peut ensuite être déposée sur le diélectrique intercouche. Ce processus peut demander beaucoup de temps étant donné qu'une quantité très importante de matériau doit être éliminée par usinage afin de réaliser une fenêtre de grande dimension. Si les bords exposés du plan de puissance le long du périmètre de la fenêtre sont trop proches de la zone de dépôt, il peut en résulter des fuites électriques émanant du métal déposé, vers le plan de puissance. La vitesse et la fiabilité du processus peuvent être améliorées conformément à l'invention par un dépôt sélectif de matériau isolant avant de déposer du métal. Deux petits trous peuvent être usinés à travers le plan de puissance pour permettre un accès aux deux conducteurs. Les bords exposés du plan de puissance le long des périmètres des trous peuvent être recouverts d'isolant, ce qui assure une isolation électrique même lors du dépôt d'un métal dans une fenêtre plus petite. Un dépôt d'isolant effectué conformément à l'invention peut également être utilisé par exemple pour éviter un contact électrique indésirable avec des structures conductrices lors de la reconnexion d'une ligne de signal métallique après qu'une section de la ligne métallique a été retirée. Comme système à FIF approprié pour la mise en oeuvre des procédes de la présente invention on citera le système "IDS P2X FlBstation", fourni commercialement par la Schlumberger Technologies, Inc. à San Jose, Californie, USA. - 6 - Le dépôt d'isolant conformément à des modes de réalisation préférés de l'invention est décrit en référence à des exemples d'applications qui sont autorisées du fait qu'il est possible de déposer un matériau isolant, et en référence à des exemples mettant en évidence une gamme de paramètres de dépôt d'isolant assisté par FIF. Dans les exemples, les pressions régnant dans les chambres ont été contrôlées au moyen de la jauge de Penning du système "P2X FIBstation". Deux gaz étaient utilisés. Le rapport des gaz a été établi en déterminant tout d'abord des paramètres (température du creuset contenant un échantillon du matériau précurseur) nécessaires pour obtenir une pression de chambre donnée pour chacun des gaz individuels et pour l'orifice donné, afin de produire un ensemble de données d'étalonnage. Des paramètres sélectionnés à partir des données d'étalonnage sont utilisés pour produire le rapport de gaz souhaité lors de l'injection du mélange de gaz. Les pressions partielles des gaz individuels ne représentent pas leurs rapports moléculaires exacts, mais servent d'échelle de référence précise pour le mélange de gaz. Comme le flux et la pression de gaz à la surface du dispositif essayé n'ont pas été mesurés, les données d'étalonnage et les pressions de chambre ont été utilisées comme indicateurs indirects. Un dépôt est effectué par balayage du FIF sur une "boite" spécifiée (par exemple une région de 5 mm x 5 mm ou de 5 mm x 10 mm ou d'une autre dimension spécifiée) pendant qu'un gaz est injecté à la surface de la région par l'intermédiaire d'une aiguille. Quelle que soit la dimension de la boite, 500 lignes de balayage horizontal sont utilisées pour couvrir cette région, et un balayage complet de la boite est effectué en 30 millisecondes (ms). Exemple 1.1 Les vues en coupe des figures lA-lD et les vues de dessus des figures 2A2D illustrent cet exemple. Dans un dispositif échantillon du type CMOS à deux couches métalliques, un conducteur 100 entouré d'une isolation 105 en dioxyde de silicium (SiO2) se situe sous un plan 110 de puissance qui est lui-même recouvert d'une couche 115 de SiO2 natif et d'une couche 118 de 7 - passivation en nitrure de silicium natif (Si3N4). Un trou 120 de 4 mm x 4 mm a été usiné à travers le plan de puissance pour exposer l'isolation 105, comme représenté dans les figures 1A et 2A. Les figures lB et 2B illustrent une plage 125 de 10 mm x 10 mm x 1 mm de matériau isolant déposée en dirigeant un faisceau d'ions gallium (Ga) focalisé ayant un courant de faisceau de 250 pA avec une énergie de faisceau de 15 keV pendant 30 minutes, tandis qu'un gaz précurseur de CBr4 et de DBTS mélangés selon un rapport 1: 1, était appliqué sur une région localisée de la surface du dispositif au moyen d'un injecteur de gaz de 10 cm de long ayant un diamètre intérieur de 0,8 mm. La pointe de l'injecteur a été maintenue à une distance de 0,5 mm de la surface du dispositif. La pression de chambre a varié de 1,33 x 10-4 Pa (10-6 Torr) avant le dépôt à 4 x 10-3 Pa (3 x 10-5 Torr) pendant le dépôt. Le mélange du gaz injecté était constitué: (1) d'un gaz précurseur de SiOx, de C 12H2406Si, de di-G- butoxydiacétoxy- silane (DBTS), fourni par la United Chemical Technologies, Inc., Bristol, PA, USA, et (2), d'un gaz de liaison avec le Ga, le CBr4, ou tétrabromure de carbone, fourni par la Aldrich Chemical, Milwaukee, WI, USA. Après dépôt de la plage 125, un trou 130 de 2 mm x 2 mm a été usiné à travers le matériau isolant déposé et à travers le SiO2 natif pour exposer le conducteur 100, comme représenté dans les figures 1C et 2C. Un métal a ensuite été déposé pour remplir le trou 130 et former un pont 135 en contact électrique avec le conducteur 100, comme représenté dans les figures 1D et 2D, et s'étendant au-dessus d'une partie de la plage 125 isolante et sur le Si3N4 natif. La figure 3 est un graphique d'une image de contraste de tension d'une coupe passant à travers le matériau isolant déposé (mais pas à travers le matériau conducteur déposé), c'est-à-dire le long de la droite III-III de la figure 2D. Le matériau 125 isolant déposé est mis en évidence par la ligne 140 en trait épais dans la figure 3. Le matériau conducteur déposé est visible en coupe en 145. La figure 4 est un graphique de l'image de contraste de tension d'une coupe passant à travers le matériau isolant déposé et - 8 - le matériau conducteur, c'est-à-dire le long de la droite ID-ID de la figure 2D. Le matériau 125 isolant déposé est mis en évidence par les lignes en trait épais 150 et 155. Le matériau conducteur déposé est visible en coupe en 155. Cet exemple met en évidence le fait qu'il est possible d'établir un contact à travers des plans de puissance ou des plans de masse en utilisant la combinaison d'un usinage, d'un dépôt de matériau isolant conformément à l'invention, et d'un dépôt de matériau conducteur. Ces structures de contact peuvent être utilisées pour d'autres formations de cavaliers lorsque cela s'avère nécessaire. Le matériau isolant déposé offre une bonne isolation et de bonnes caractéristiques électriques, qui sont vérifiées par acquisition de formes d'ondes complètes de faisceaux d'électrons à volts. Les éventuelles fuites importantes du conducteur intérieur vers les plans de puissance ou de masse conduiraient à des amplitudes des formes d'ondes des faisceaux d'électrons acquises qui seraient sensiblement inférieures à 5 volts. Exemple 1.2 Une autre partie du dispositif CMOS à deux couches métalliques a été utilisée pour mettre en évidence la possibilité de découper un conducteur de la couche supérieure (couche M2) afin d'exposer un conducteur de la couche inférieure (couche M1) et de rétablir une connexion avec le conducteur de la couche supérieure tout en utilisant un dépôt d'isolant conformément à l'invention pour éviter une communication électrique indésirable entre les conducteurs. La figure 5A représente schématiquement l'agencement des conducteurs dans la zone modifiée. Pour simplifier l'illustration, on n'a pas représenté les couches de SiO2 et de Si3N4 supérieures (par exemple les couches 115 et 118 de la figure 1A). En 500, on a représenté le conducteur M2 devant être sectionné pour exposer le conducteur Ml1 505. Lorsque le dispositif fonctionne, le conducteur M2 510 achemine un signal "A", le conducteur M2 500 devant être sectionné achemine un signal "B", le conducteur M2 515 achemine un signal "C", et le conducteur M1 505 et le conducteur M2 520 acheminent le signal "D". Les -9- conducteurs 505 et 520 sont reliés par l'intermédiaire d'une traversée indiquée en 525. En premier lieu, la couche de passivation a été retirée par usinage par FIF dans une région de 4 mm x 2 mm du conducteur 500 délimitée par les lignes en tiretés en 530 dans la figure 5A. L'usinage a été effectué avec une énergie de faisceau de 30 keV et un courant de 100 pA, la vitesse d'usinage étant augmentée par injection localisée de gaz XeF2 agissant préférentiellement sur les diélectriques, pendant l'usinage. Un segment de conducteur 500 se trouvant dans la région dépassivee a ensuite été retiré par usinage par FIF. L'usinage a été effectué avec une énergie de faisceau de 30 keV et un courant de pA. La vitesse d'usinage a été augmentée par injection localisée de CI4 agissant préférentiellement sur les métaux, pendant l'usinage. La figure 5B représente des extrémités de coupe exposées du conducteur 500 sectionné en 535 et en 540. L'usinage a été poursuivi avec injection de XeF2 agissant préférentiellement sur les diélectriques afin d'exposer le conducteur M1 505 dans la zone mise en évidence en 545. Un plot 550 de 10 mm x 10 mm de matériau isolant a ensuite été déposé de façon à couvrir les parties exposées des conducteurs 500 et 505, comme représenté dans la figure 5C. Le matériau isolant a été formé par apport d'un mélange 1:1 de DBTS et de CBr4 gazeux sous une pression de 4 x 10-3 Pa (3 x 10-5 Torr) sur une région localisée de la surface du dispositif, par l'intermédiaire d'un injecteur de gaz d'une longueur de 10 cm ayant un diamètre intérieur de 0,8 mm. La pointe de l'injecteur a été maintenue à une distance de 0,5 mm de la surface du dispositif. Les autres paramètres du dépôt d'isolant sont tels qu'indiqués ci-dessus dans l'exemple 1.1. Un faisceau focalisé d'ions gallium ayant une énergie de 15 keV et un courant de faisceau de 250 pA, a été amené à effectuer un balayage de la région devant être couverte à mesure que du gaz était injecté. Après dépôt du matériau isolant, l'usinage a été repris de façon à créer un trou 555 de 2 mm x 2 mm et un trou 560 de 2 mm x 2 mm à travers la couche de passivation pour exposer le conducteur 500 à proximité de chacune de ses extrémités - 10 - sectionnées. L'usinage a été effectué avec une énergie de faisceau de 30 keV et un courant de faisceau de 20 pA, en effectuant une injection localisée de gaz qui accélère l'usinage du diélectrique. Une image obtenue par FIF du contraste de tension du dispositif, acquise après l'usinage des trous 555 et 560, a montré que la partie du conducteur 500 qui est visible à travers le trou 560, était d'aspect notablement plus foncé que la partie du conducteur 500 qui est visible à travers le trou 555. Cela indiquait que la partie du conducteur 500 qui est visible à travers le trou 560 était à l'état électriquement flottant et qu'une isolation électrique satisfaisante entre les extrémités coupées du conducteur 500 avait pu être conservée même après dépôt du plot 550 isolant. L'isolation électrique entre les extrémités coupées du conducteur 500 a été confirmée par contrôle du signal de détecteur d'électrons secondaires pendant l'usinage. Un graphique de ce signal a mis en évidence une forte augmentation de l'amplitude lorsque le conducteur 500 était exposé dans le trou 555, et une augmentation d'amplitude notablement plus faible lorsque le conducteur 500 était exposé dans le trou 560. La différence entre les deux augmentations d'amplitude était d'environ un ordre de grandeur. Un matériau conducteur a ensuite été déposé de façon à remplir les trous 555 et 560 et à former un pont 565 qui s'étendait au-dessus du plot 550 isolant, en contact électrique avec le conducteur 500 de chaque côté de la partie sectionnée, comme représenté dans la figure 5D. Après du dépôt du pont métallique, l'usinage a été repris de façon à créer un trou 570 de mesure de 2 mm x 2 mm à travers la couche de passivation, permettant d'exposer le conducteur 510, un trou 575 de mesure de 2 mm x 2 mm à travers la couche de passivation, permettant d'exposer le conducteur 515, et un trou 580 de sondage de 2 mm x 2 mm à travers la couche de passivation, permettant d'exposer le conducteur 520. Les trous de mesure ont ensuite été utilisés pour vérifier les propriétés électriques du matériau isolant dépose. La figure 6 représente une série de signaux acquis à partir du dispositif échantillon avant et après les opérations décrites ci- dessus. Un ensemble de signaux de référence a été acquis à partir - 11 - du dispositif échantillon dans son état initial: la ligne 600 est le signal de référence "A" sur le conducteur 510, la ligne 610 est le signal de référence "B" sur le conducteur 500, la ligne 620 est le signal de référence "C" sur la ligne 515, et la ligne 630 est le signal de référence "D" sur la ligne 520. Un ensemble identique de signaux a été acquis à partir du dispositif échantillon après sectionnement et reconnexion du conducteur 500: la ligne 605 représente le signal "A" acquis à l'emplacement du trou 570 de mesure, la ligne 615 représente le signal "B" acquis à l'emplacement du pont 565, la ligne 625 représente le signal "C" acquis à l'emplacement du trou 575 de mesure, et la ligne 635 représente le signal "D" acquis à l'emplacement du trou 580 de mesure. Avant et après la transformation, les signaux sont en bon accord, ce qui indique que la plage 550 d'isolant déposée assure une bonne isolation électrique entre les conducteurs 500 et 505, sans aucune influence sur les conducteurs adjacents. Le dispositif échantillon a été sectionné suivant la longueur du pont 565, comme indiqué par la ligne VII-VII dans la figure 5D. Une image obtenue par FIF du dispositif sectionné a été acquise, dont un dessin sous forme de lignes est représenté dans la figure 7. L'image est une vue en perspective inclinée. Les parties représentées en coupe comprennent le conducteur 505, le conducteur sectionné 500, des régions isolantes 700 en SiO2 natif recouvertes du matériau isolant déposé, une région de matériau 710 isolant déposé au-dessus du conducteur 505, et le pont 565 métallique déposé en 720. La ligne 730 en trait gras divise la partie sectionnée de l'image obtenue par FIF de la partie supérieure de l'image qui représente la surface supérieure du dispositif. On peut remarquer dans la partie supérieure de l'image la surface supérieure du pont 565 en 740, la limite extérieure de la traversée 525, et le trou 580 de mesure avec une partie exposée du conducteur 520. La résistance du matériau isolant déposé a été estimée à partir de la brillance relative des conducteurs 505 et 500/525 dans l'image obtenue par FIF, dans laquelle le conducteur 505 était relié à la masse et les conducteurs 500/525 étaient à l'état électriquement flottant. L'image a été acquise avec une énergie du FIF de 30 keV et un courant de 5 pA. Bien que cela ne - 12 - constitue pas un indicateur précis, le contraste de tension entre les conducteurs 505 et 500 a été estimé de façon prudente comme étant de 1 volt. Pour un courant de faisceau de 5 pA, la résistance du matériau isolant déposé était estimée comme étant égale à 1 volt / 5 pA = 200 MW. Même pour un contraste de tension de seulement 0,1 volt, on aurait une résistance de 0,1 volt / 5 pA = 20 MW. On pense que la résistance est en fait supérieure à 200 MW et peut même atteindre 1 GW. Quelle que soit la résistance réelle, les signaux de la figure 6 ne subissent absolument aucun affaiblissement dans des conditions qui seraient normalement observées lors d'un diagnostic de circuit intégré. Le mélange de gaz précurseurs utilisé pour le dépôt d'isolant assisté par FIF peut être un mélange de carbonate d'ammonium ((NH3)2CO3) et de DBTS, conformément à l'invention, s plutôt que le mélange de gaz précurseurs constitué de CBr4 et de DBTS utilisé conformément aux exemples 1.1 et 1.2. Les exemples 2.1 - 2.8 en fournissent une illustration. Un matériau déposé en utilisant les paramètres types (comme dans l'exemple 2.1) a été soumis à une analyse par spectroscopie Auger, qui a mis en évidence que le matériau déposé était entièrement constitué d'atomes de silicium, de gallium et d'oxygène. Comme représenté dans la figure 8, dans chacun des exemples 2.1 - 2.8, une plage 800 de matériau isolant ayant des dimensions spécifiées, a été déposée sur une structure d'essai ayant des conducteurs en aluminium 805 et 810 sur une couche 815 de SiO2 natif et ayant un interstice 820 de 1 mm entre les conducteurs 805 et 810. Les conducteurs 805 et 810 avaient une épaisseur approximative de 1 mm. L'épaisseur 825 du matériau isolant déposé au-dessus des conducteurs varie d'un exemple à l'autre. La résistance entre les conducteurs 805 et 810 a été mesurée avant le dépôt de la plage 800 pour diverses tensions après le dépôt de la plage 800. Dans certains exemples, la structure d'essai a été sectionnée pour mesurer la superficie transversale de la plage 800 et la résistivité en profondeur du matériau isolant déposé a été calculée. Exemple 2.1 13 - Une plage 800 de 6 mm x 6 mm de matériau isolant a été déposée sur une épaisseur d'environ 1,75 mm en produisant un faisceau d'ions gallium (Ga) focalisé ayant un courant de faisceau de 250 pA et une énergie de faisceau de 30 keV pendant 20 minutes, pendant qu'un gaz précurseur constitué de carbonate d'ammonium et de DBTS mélangés selon un rapport 1:1, était appliqué sur une région localisée de la surface du dispositifpar l'intermédiaire d'un injecteur de gaz d'une longueur de 10 cm ayant un diamètre intérieur de 0,8 mm. La pression partielle de chacun des gaz carbonate d'ammonium et DBTS a été fixée à une pression de chambre de 4 x 10-3 Pa (3 x 10-5 Torr) (c'est-à-dire que le creuset utilisé pour chaque source de gaz a été maintenu à une température qui produirait une pression de chambre de 4 x -3 Pa si ce gaz était injecté seul). La pointe de l'injecteur était maintenue à une distance de 0,5 mm de la surface du dispositif. La vitesse de dépôt du matériau isolant était d'environ 3 mm3 par minute. Il a été calculé que le matériau isolant déposé avait une résistivité en profondeur, d'un côté à l'autre de l'interstice de 1 mm, d'environ 200 MW-cm. On a pu observer que la plage déposée avait des parois parfaitement verticales, présentait un faible débordement supérieur et présentait un dépôt homogène et uniforme. 2 5 Exemple 2.2 Les paramètres de dépôt concernant cet exemple étaient identiques à ceux de l'exemple 2.1, excepté que la pression partielle de DBTS était fixée à 4 x 10-3 Pa (3 x 10-5 Torr) et que la pression partielle de carbonate d'ammonium était fixée à 2,6 x 10-3 Pa (2 x 10-5 Torr), afin de donner un rapport de la pression de chambre à la pression partielle de 3:2 entre les deux constituants du mélange gazeux ( c'est-à-dire davantage de DBTS que de carbonate d'ammonium). La vitesse de dépôt semblait être légèrement plus élevée que dans l'exemple 2.1. Le matériau déposé est apparu dans une image FIF comme présentant un contraste plus élevé que dans l'exemple 2. 1, ce qui suggérait une plus faible résistivité que le matériau 14 déposé conformément à l'exemple 2.1. Il a été calculé que le matériau déposé avait une résistivité en profondeur, d'un côté à l'autre de l'interstice de 1 mm, d'environ 800 kW-cm. Exemple 2.3 Les paramètres de dépôt concernant cet exemple étaient identiques à ceux de l'exemple 2.1, excepté que la pression partielle de DBTS était fixée à 2,6 x 10-3 Pa (2 x 10-5 Torr) et que la pression partielle de carbonate d'ammonium était fixée à 4 x 10-3 l0 Pa (3 x 10-5 Torr), afin de donner un rapport de la pression de chambre à la pression partielle de 2:3 entre les deux constituants du mélange gazeux (c'est-à-dire moins de DBTS que de carbonate d'ammonium). Il est apparu que la vitesse de dépôt était très inférieure à celle de l'exemple 2. 1. Le matériau déposé est apparu dans une image obtenue par FIF comme présentant un contraste moins élevé que dans l'exemple 2.1, ce qui suggère une résistivité plus élevée que le matériau déposé conformément à l'exemple 2.1. Il a été calculé que le matériau isolant déposé avait une résistivité en profondeur, d'un côté à l'autre de l'interstice de 1 mm, ne dépassant pas environ 200 MW-cm. (Les mesures de résistance varient en fonction de la tension de polarisation appliquée. Dans le cas d'une polarisation appliquée de un à dix volts, le courant de fuite était de l'ordre de plusieurs dizaines de picoampères. On pense qu'une partie du courant de fuite est due à des fuites empruntant des trajets autres que l'isolant déposé, de sorte que l'on pense que la résistivité en profondeur de l'isolant déposé est supérieure à la valeur calculée. La résistance intrinsèque entre les conducteurs 805 et 810 de la structure d'essai représentée dans la figure 8, a une valeur type de 400 GW à 500 GW avant le dépôt et sans nettoyage de la surface pour en éliminer les éventuels contaminants par attaque par FIF). Exemple 2.4 3 5 Les paramètres de dépôt concernant cet exemple étaient identiques à ceux de l'exemple 2.1, excepté que la boite d'anaiyse était de 4 mm x 4 mm et que le temps de dépôt était de 10 - 15 - minutes. En effectuant une analyse avec un courant de faisceau de 250 pA sur la région de 4 mm x 4 mm, on a trouvé une densité moyenne de courant de faisceau 15,6 pA/mm2. (Chaque balayage de 500 lignes de la région est effectué en 30 ms, indépendamment de la taille spécifiée pour la région. La densité moyenne de courant de faisceau est définie comme étant le rapport du courant de faisceau instantané à la superficie de balayage). Outre une petite nervure de matériau déposé le long de la périphérie de la région, le FIF a fondamentalement permis d'attaquer la surface de la structure d'essai sans déposer de matériau isolant. Exemple 2.5 Les paramètres de dépôt concernant cet exemple étaient 1 5 identiques à ceux de l'exemple 2.1, excepté que la boite de balayage était de 10 mm x 10 mm et que le temps de dépôt était de 10 minutes. En effectuant un balayage avec un courant de faisceau de 250 pA sur une région de 10 mm x 10 mm, on a trouvé une densité moyenne de courant de faisceau 2,5 pA/mm2. (Chaque balayage de 500 lignes de la région est effectué en 30 ms, indépendamment de la taille spécifiée pour la région). L'épaisseur de la plage de 10 mm x 10 mm déposée a été estimée à environ 1/4 mm à 1/3 mm. La vitesse de dépôt du matériau isolant était d'environ 2,5 mm3 par minute. Exemple 2.6 Une plage 800 de 5 mm x 5 mm de matériau isolant a été déposée sur une épaisseur d'environ 2 mm en produisant un faisceau d'ions gallium (Ga) focalisé ayant un courant de faisceau de 250 pA et une énergie de faisceau de 30 keV pendant 30 minutes, tandis qu'un gaz précurseur uniquement constitué de DBTS, était appliqué sur une région localisée de la surface du dispositif par l'intermédiaire d'un injecteur de gaz d'une longueur de 10 cm ayant un diamètre intérieur de 0,8 mm. La pression partielle du gaz DBTS a été fixée à une pression de chambre de 2,66 x 10- 3 Pa (2 x 10-5 Torr). La pointe de l'injecteur a été maintenue à une distance de 0,5 mm de la surface du dispositif. La - 16 - vitesse de dépôt du matériau isolant était d'environ 5 mm3 par minute. On a pu observer que la plage déposée croissait plus rapidement que dans les exemples 2.1 - 2.5 (c'est-à-dire plus rapidement qu'avec un mélange de gaz DBTS et carbonate d'ammonium). Il est apparu que le matériau déposé, dans une image obtenue par FIF, présentait un contraste plus élevé que dans les exemples 2.1 - 2.5, ce qui suggère une plus faible résistivité que le matériau déposé conformément aux exemples 2.1 - 2.5. Il a été calculé que le matériau isolant déposé avait une résistivité en profondeur, d'un côté à l'autre de l'interstice de 1 mm, d'environ 100 kW-cm à 200 kW-cm. Des expériences utilisant un mélange de DBTS et de carbonate d'ammonium, la pression partielle de chaque gaz du mélange étant fixée à 2 x 10- 3 Pa (1,5 x 10-5 Torr) (plutôt que 4 x -3 Pa comme dans l'exemple 2.1), suggèrent que la vitesse de dépôt effective est la seule à varier, ce qui limite le courant de faisceau maximum pouvant être utilisé pour une opération de dépôt d'isolant donnee. Des essais utilisant un mélange de DBTS et de carbonate d'ammonium ont été effectués pour créer une plage de mesure permettant de faire passer un conducteur de signal à travers un plan de puissance, comme illustré dans les figures lA-1D et 2A- 2D. Lors de l'un de ces essais, le matériau isolant (125) a été déposé en utilisant un FIF d'ions Ga et un rapport 1:2 du DBTS au carbonate d'ammonium, une ouverture (130) a été usinée, et un matériau conducteur (135) contenant du métal et du carbone a été déposé. Un défaut apparaissant dans le matériau conducteur déposé (135) en a provoqué une violente explosion lorsqu'une tension a été appliquée, en laissant en place le matériau isolant déposé (125). Un examen ultérieur n'a révélé aucun endommagement du matériau isolant déposé, ce qui suggère que le matériau isolant déposé présentait une dureté élevée et était capable de résister à une agression physique. D'autres signes 3 5 allaient également dans ce sens. D'autres essais ont également été effectués, ceux-ci utilisant un mélange de DBTS et de carbonate d'ammonium avec un FIF -17 - d'ions Ga pour déposer un matériau isolant sur un matériau conducteur préalablement déposé en utilisant un FIF d'ions Ga. Ce matériau conducteur contient de façon type un métal et du carbone, avec une teneur en métal inférieure à 50%, et répond à un FIF appliqué comme s'il était mou et amorphe, et avec une résistance électrique accrue. Pour minimiser l'endommagement de ce matériau conducteur pendant le dépôt de matériau isolant, il est utile de déposer tout d'abord sur le matériau conducteur une fine couche de matériau isolant avec une faible densité moyenne de courant de faisceau (par exemple comme dans l'exemple 2.5) avant de déposer du matériau isolant avec une densité moyenne de courant de faisceau plus élevée (par exemple comme dans l'exemple 2.1). Les paramètres affectant le processus de dépôt d'isolant à l'aide d'un mélange de DBTS et de carbonate d'ammonium peuvent être résumés de la façon suivante: Densité moyenne de courant de faisceau. Le dépôt de matériau semble être optimisé, du point de vue de la qualité de l'isolation et de la vitesse de dépôt, pour une densité moyenne de courant de faisceau comprise entre 3 pA/mm2 et 2 pA/mm2, une gamme acceptable se situant entre 1 pA/mm2 et 15 pA/mm2. Lorsqu'on dépasse 15 pA/mm2, il semble ne plus se produire de dépôt, mais au contraire, une attaque exercée par le FIF. En dessous de 1 pA/mm2, le processus de dépôt est excessivement lent et conduit également à une plus grande quantité d'ions Ga implantés par mm3, ce qui diminue la résistance effective du matériau déposé. Pressions de gaz absolues et relatives. Il semble que le dépôt de matériau soit optimisé pour une pression partielle de chacun des gaz DBTS et carbonate d'ammonium fixée à 4 x 10-3 Pa (3 x 10-5 Torr), ce qui conduit à un rapport de pressions partielles de 1:1 du DBTS au carbonate d'ammonium. Un dépôt utilisant un rapport de pressions partielles du DBTS au carbonate d'ammonium de 3:2 a permis de produire un échantillon ayant des qualités qui étaient proches de celles d'un échantillon obtenu par dépôt de DBTS seul, c'est-à-dire semblant -18- présenter un contraste relatif plus faible dans une image obtenue par FIF et ayant des caractéristiques d'isolation moins satisfaisantes. Un dépôt utilisant un rapport de pressions partielles du DBTS au carbonate d'ammonium de 2:3 a permis de produire un échantillon présentant un contraste relatif plus faible dans une image obtenue par FIF et ayant une bonne qualité d'isolation, mais la vitesse de dépôt globale était proportionnellement plus faible qu'avec un rapport de pressions partielles de 1:1. Un rapport de pressions partielles de 1:1 conduit à une vitesse de dépôt optimale avec une bonne qualité de l'isolant. Mesures de la résistivité en profondeur. La figure 9 représente la relation entre la résistivité en profondeur (MW-cm) et la tension de polarisation appliquée (volts/mm) pour deux échantillons d'isolant de 6 mm x 6 mm déposés de la façon décrite dans l'exemple 2.1 de part et d'autre d'un interstice de 1 micron (mm), entre deux traces d'aluminium, sur une épaisseur d'environ 1,5 mm. Pour chaque échantillon, un premier ensemble de mesures a été obtenu (courbe 900 pour le premier échantillon, courbe 910 pour le second échantillon), la tension de polarisation a été maintenue à 320 volts pendant 2 minutes, puis un second ensemble de mesures a été obtenu (courbe 905 pour le premier échantillon, courbe 915 pour le second échantillon). Des valeurs de la résistivité en profondeur de 200 MW-cm sont représentatives. Les valeurs obtenues avec ces échantillons et d'autres, se situent dans une gamme d'environ 100 MW-cm à environ 300 MW-cm. La valeur absolue de la résistance mesurée dans le cas de la géométrie des échantillons déposés était d'environ 200 GigOhms (GW). Comme le circuit intégré d'essai présente une résistance intrinsèque d'environ 400 GW à 500 GW 3 0 entre les conducteurs avant le dépôt du matériau isolant, on pense que les valeurs calculées de la résistivité en profondeur sont inférieures à la résistivité en profondeur réelle du matériau isolant déposé. Il semble que, pour des applications particulières, on peut trouver un compromis entre la qualité de l'isolant déposé et la 3 5 vitesse de dépôt en ajustant le rapport du DBTS au carbonate d'ammonium et/ou le courant de faisceau. Le chauffage du matériau isolant déposé pendant un certain temps (voir ci-dessous) - 19 - améliore notablement ses capacités d'isolation, ce qui constitue un autre procédé pour augmenter la qualité de l'isolant tout en conservant une vitesse de dépôt maximale. Champ de claquage maximal. Plusieurs douzaines d'échantillons déposés de part et d'autre d'un interstice de 1 mm ont été soumis à des essais jusqu'à un potentiel de 40 volts appliqué aux bornes de ceux-ci, sans aucun claquage des échantillons. Deux échantillons soumis à l'essai ont subi un claquage, dont l'un avait été cuit (voir ci-après) et l'autre n'avait pas été cuit. Les deux échantillons étaient stables jusqu'à une tension appliquée de 90 volts, et un claquage des deux échantillons s'est produit entre 90 volts et 100 volts. Cela correspond à un champ de claquage de 90 millions de volts par mètre. Vitesses de dépôt volumétriques effectives. Une densité moyenne de courant de faisceau de 1 pA/mm2 à 10 pA/mm2 et un rapport de pressions de gaz de 1:1 avec une pression du système de 4 x 10- 3 Pa (3 x 10-5 Torr) conduit à une vitesse de dépôt d'environ 2 mm3/minute ou à plus de 15 mm3/minute. Cela a pu être vérifié sur des gammes d'échantillons allant de 6 mm x 6 mm pour un courant de faisceau de 250 pA, à 70 mm x 70 mm pour un courant de faisceau de 6000 pA. On a fait croitre des échantillons ayant une épaisseur de 0,5 mm à 4 mm, sans aucune indication que des 2 5 échantillons plus épais puissent être formés en un temps plus long. Un procédé de dépôt type permettant une analyse électrique pourrait consister à utiliser un courant de faisceau de 250 pA pendant 20 minutes sur une taille d'échantillon de 6 mm x 24 mm, ce qui conduirait à une épaisseur du matériau déposé d'environ 1,7 mm. Effet de la cuisson d'un échantillon d'isolant déposé. Apres avoir déposé un échantillon et mesuré sa résistance caractéristique, on a étudié les effets de la cuisson de l'échantillon dans un four à la 3 5 pression atmosphérique. On a pu mettre en évidence de façon répétée que le chauffage de l'échantillon à une température dépassant 100 C conduisait à une augmentation de la résistivité - 20 - des échantillons d'un facteur 2 à 5 par rapport à sa valeur avant la cuisson. La figure 10 représente la résistance de deux échantillons de 6 mm x 12 mm en GW par volts/mm, mesurée avant la cuisson et après la cuisson à 150 C pendant 5 heures. Les courbes 1000 et 1005 représentent respectivement les résistances mesurées des premier et second échantillons avant la cuisson. Les courbes 1010 et 1015 représentent respectivement les résistances mesurées des premier et second échantillons, après la cuisson. Les résistances étaient légèrement meilleures lorsque la température de cuisson était portée à 150 C plutôt qu'à une température plus faible mais supérieure à 100 C. Une cuisson de plus de 5 heures ne semble pas améliorer de façon supplémentaire la résistance. On pense que des résultats sensiblement identiques seraient obtenus avec un temps de cuisson inférieur à 5 heures. On peut s'attendre à ce que la cuisson favorise la production d'un échantillon plus durable qui peut mieux résister à un traitement supplémentaire tel que ceux auxquels ils sont soumis lors d'essais industriels classiques de semi-conducteurs et dans des équipements de fabrication. Vérification du concept de qualité d'isolant. A titre d'essai fonctionnel du matériau isolant, on a utilisé le traitement d'isolant associé à d'autres traitements par FIF permettant de déposer un matériau conducteur contenant un métal et d'effectuer une attaque activée par un halogène pour permettre un accès à une trace métallique se situant sous un plan de puissance, comme illustré dans les figures lA-lD et 2A- 2D. La résistance mesurée entre le conducteur de signal et le plan de puissance a été déterminée comme étant comprise entre 80 GW pour un potentiel appliqué de 1 volt, et 1 GW pour un potentiel appliqué de 12 volts, comme représenté dans la figure 1 1. L'échantillon n'a pas subi de claquage à 12 volts. Il a été nécessaire d'assurer une protection contre des trajets de courants parasites sur la surface du dispositif afin de mesurer avec précision la résistance du matériau isolant déposé. A cet effet, il a été utile de "recouvrir" (repassiver localement à l'aide d'un matériau isolant) les éventuelles zones exposées proches de cette opération, qui auraient pu jouer le rôle de puits pour la tension de mesure appliquée. -21 - Le tableau 1 fournit un résumé des gammes utiles et des valeurs optimales/types pour un dépôt assisté par FIF de matériau isolant utilisant un mélange de gaz précurseurs injecté constitué de DBTS et de carbonate d'ammonium. Tableau 1 Paramètres Gammes de valeurs Valeur optimale Densité moyenne du courant de faisceau 1-5 pA/mm2 3-5 pA/mm2 Pression de gaz 2,0-4,6 x 10-3 pA 4,0x 10-3 pA totale (1,5-3,5 x 10-5 Torr) (3,0 x 10-5 Torr) Rapports des 2:3- 3:2 (DBTS:(NH3)2CO3) 1:1 pressions (mesuré à partir de la pression de chambre partielles --voir texte) de gaz Résistivité plus de 200 MW-cm en profondeur 100-300 MW-cm (avec valeurs optimales) Champ électro- Environ 90 Volts par micron statique de claquage maximum Vitesses de dépôt 2-15 mm3/minute 10 mm3/minute Signal passant 80 GW à 1 Volt Résistance entre à travers le 1 GW à 12 Volts le plan de puissance plan de puissance et le signal Autres modifications du procédé Les techniques de dépôt d'isolant décrites ci-dessus peuvent être modifiées de diverses manières. Les modifications décrites ci-après ne sont pas mutuellement exclusives. -22 - Le dispositif peut être cuit dans un environnement riche en oxygène (par exemple de l'air) pour améliorer la résistivité du matériau isolant déposé. On pense que l'amélioration de la résistance est due au piégeage d'ions gallium libres dans le matériau déposé avec des atomes d'oxygène et/ou des atomes d'halogène. Une cuisson est effectuée à une température supérieure à la température ambiante, par exemple supérieure à C. Le rapport des gaz dans le mélange injecté peut être modifié. A titre d'exemple, il est apparu que le rapport du CBr4 au DBTS, qui est compris entre environ 1:1 et environ 1:2, donnait de bons résultats, et on peut s'attendre à ce qu'une gamme de 1:1 à 10:1 puisse être utilisée. Il n'est pas nécessaire que les gaz soient mélangés dans une tubulure et soient injectés sous la forme d'un mélange au moyen d'une aiguille unique comme dans les exemples décrits ci-dessus, ceux-ci pouvant également être injectés indépendamment les uns les autres au moyen d'aiguilles séparées orientées de façon à produire un mélange gazeux sur, ou à proximité de la surface dans la région localisée au- dessus de laquelle on effectue un balayage avec le FIF. La densité moyenne de courant de faisceau peut être modifiée. L'un des avantages liés à l'utilisation d'une faible densité moyenne de courant de faisceau pour déposer un matériau isolant, est que le rapport de la quantité de gaz au nombre d'ions gallium incidents est plus élevé. On pense qu'une plus faible quantité d'ions gallium par volume de gaz conduit à un plus faible nombre d'ions gallium dans le matériau déposé, ceux-ci n'étant pas liés (c'est-a-dire qu'ils sont électriquement neutralisés) par le gaz réactif, et produisant donc un matériau isolant déposé de résistivité plus élevée. Le seul inconvénient apparent lié à l'utilisation d'une faible densité moyenne de courant de faisceau est que la vitesse de dépôt est plus faible que dans le cas d'une densité de courant de faisceau plus élevée. On pense que des densités moyennes de courant de faisceau dans la gamme - 23 - d'environ 1 pA/mm2 à environ 15 pA/mm2 peuvent être utilisées conformément à la présente invention. L'énergie de faisceau peut être modifiée. Il est apparu qu'une énergie de faisceau élevée conduisait à une faible résistivité du matériau déposé. Des énergies de faisceau dans la gamme de 5 kev à 40 kev peuvent être utilisées conformément à la présente invention. Il semble, d'après un examen d'image en coupe transversale effectué à l'aide d'un FIF, que le dépôt de matériau isolant, lorsqu'on utilise un mélange de DBTS gazeux et de CBr4 gazeux avec un faisceau d'ions gallium, peut être plus efficace si le dépôt est commencé au-dessus d'une région de SiO2 natif plutôt qu'au- dessus d'une région de Si3N4 natif. On pense que cela est dû au fait que le SiO2 natif joue le rôle de germe pour un dépôt supplémentaire de SiOx. Le processus de dépôt peut donc être activé par élimination de la couche de passivation en Si3N4 afin d'exposer le SiO2 natif dans une région sur laquelle le matériau isolant doit être déposé, avant de commencer le dépôt d'isolant. La qualité isolante du matériau déposé en utilisant du carbonate d'ammonium et du DBTS ne semble pas dépendre du substrat. Les spécialistes noteront que ces modifications, ainsi que d'autres, peuvent être apportées tout en respectant le cadre de l'invention tel qu'il est défini dans les revendications annexées. -24 - REVENDICATIONS 1. Procédé pour déposer un matériau sur un circuit intégré, comprenant: a. la mise en place d'un circuit intégré dans une chambre à vide, b. l'application sur une région de surface localisée du circuit intégré, dans laquelle le matériau isolant doit être déposé, d'un premier gaz contenant des molécules d'un composé dissociable comprenant des atomes de silicium et d'oxygène et d'un second gaz contenant des molécules d'un composé qui réagit avec des ions métalliques; c. la production d'un faisceau d'ions focalisé ayant des ions métalliques d'énergie suffisante pour dissocier les molécules du premier gaz; et d. l'application du faisceau d'ions focalisé sur la région de surface localisée afin de dissocier les molécules du premier gaz et ainsi, de déposer sur au moins une partie de la région de surface localisée, un matériau contenant des atomes de silicium et d'oxygène. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le composé dissociable comprend en outre des atomes de carbone et d'hydrogène. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le composé dissociable comprend du di-t-butoxydiacétoxy-silane (DBTS). 4. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le composé dissociable comprend du tétrabromure de carbone (CBr4) ou du carbonate d'ammonium ((NH3)2CO3). 5. Procédé selon la revendication 3, dans lequel le composé dissociable comprend du carbonate d'ammonium ((NH3)2CO3) et dans lequel le faisceau d'ions focalisé est amené à effectuer un balayage sur la région de surface localisée avec une densité moyenne de courant de faisceau d'environ 1 pA/mm2 à environ 15 pA/mm2. - 25 - 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel la pression de gaz totale du premier gaz et du second gaz, dans la chambre à vide, est comprise entre environ 2,0 x 10-3 Pa (1,5 x 10- Torr) et environ 4,6 x 10-3 Pa (3,5 x 10-5 Torr). 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le rapport des pressions partielles de gaz entre le premier gaz et le second gaz, est compris entre environ 2:3 et environ 3:2. 8. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le rapport des pressions partielles de gaz entre le premier gaz et le second gaz, est de 1:1. 9. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le composé réactif comprend un halogénure. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel l'halogénure comprend le tétrabromure de carbone (CBr4). 11. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le composé dissociable comprend du di-t-butoxydiacétoxy-silane (DBTS), dans lequel l'halogénure comprend du tétrabromure de carbone (CBr4), dans lequel le rapport des pressions partielles de gaz du tétrabromure de carbone au di-tbutoxydiacétoxy-silane est compris entre environ 1:1 et environ 1:2, et dans lequel l'énergie des ions métalliques est comprise entre environ 5 keV et environ keV. 12. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre l'étape de cuisson du circuit intégré à une température supérieure à 25 C. 13. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les ions métalliques ont une énergie dans la gamme de 5 keV à 40 keV. 14. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le faisceau d'ions focalisé est produit à partir d'une source d'ions métalliques liquide produisant des ions Gallium.