FR 2734429 A1 19961122 FR 9506265 A 19950519 MODULE INTERRUPTEUR ET D' ALIMENTATION APPLICATION AU DEMARRAGE D'UN TUBE FLUORESCENT La présente invention conoerne le domaine des inter- rupteurs statiques et plus particulièrement des interrupteurs statiques dont le fonctionnement est commandé par un circuit intégre. Un tel interrupteur est destiné à être placé sur un circuit en série avec une charge dont on veut réguler le courant. Un problème pratique qui se pose à l'installateur est qu'il faut prévoir une alimentation spécifique basse tension (5 à 15 volts) pour le circuit intégré. On cherche donc à former des modules qui comprennent l'interrupteur et une alimentation pour le circuit intégré, ce qui simplifie beaucoup le montage de ces interrupteurs et de leur circuit intégré de commande. Ainsi, comme le représente la figure 1, on veut réa- liser un circuit camprenant une source de tension S alimentant une charge L en série avec un module interrupteur 1. Ce module interrupteur est commandé par un circuit intégré IC. Le module interrupteur 1 oomprend, d' une part, 1 'interrupteur proprement dit SW connecté entre des bornes Al et A2, d'autre part, des bornes de sortie 2 et 3 d'alimentation du circuit intégré. Un problème particulier qui se pose avec de tels circuits est que quand l'interrupteur SW est fermi, la tension à ses bornes est faible ou nulle et que l'on ne peut donc plus disposer d'une tension suffisante entre les bornes 2 et 3. Pour remédier à cet état de chose, il a été prévu de disposer entre les bornes 2 et 3 un condensateur de stockage C. De tels systèmes fonctionnent de façon satisfaisante mais nécessitent que le condensateur C soit de forte valeur pour le cas o la durée de fermeture de 1' interrupteur serait longue. Par exemple, si la source S correspond à la tension alternative du secteur ou à cette tension alternative redressée, il faut prévoir le cas o la commande de l'interrupteur amène celui-ci à être fermé pendant plusieurs périodes de la tension du secteur. Ainsi, un objet de la présente invention est de pré- voir un module ayant les fonctions d'interrupteur et de source d'alimentation qui ne néoessite pas la présence à ses bornes d'un condensateur de capacité élevé et qui puisse fonctionner sans limitation de rapport cyclique. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un tel module qui soit réalisable sous forme d'un composant semiconducteur monolithique. De façon générale, la présente invention prévoit un interrupteur associé à un circuit de fourniture de basse tension conçu pour que, quand un ordre de fermeture est envoyé à 1' in- terrupteur, cet ordre est inhibé tant que la tension aux bornes de 1' interrupteur n'a pas atteint la tension de seuil d'alimen- tation souhaitée. Ainsi, un condensateur de stockage peut être rechargé au début de chaque alternance de tension appliquée et peut donc être de petite dimension. De façon plus particulière, la présente invention pré- voit un module interrupteur et d'alimentation comprenant un interrupteur statique destiné à être connecté entre deux bornes d'un circuit de charge dont la tension passe périodiquement par 0, et des moyens pour fournir, à partir de la tension sur lesdites bornes, une tension d'alimentation. Ce module comprend des moyens pour inhiber la fermeture de 1 'interrupteur statique tant que la valeur de ladite tension d'alimentation n'a pas atteint une valeur déterminée. Selon 1 'invention, ce module est mis en oeuvre par un composant dans lequel l'interrupteur statique est un premier composant de type thyristor dont la gâchette est reliée à sa cathode par une première résistance et à son anode par la connexion en série d'une diode zener et d'un deuxième thyristor, la tension d'alimentation étant recueillie entre la cathode de l'interrupteur statique et le point de raccordement de la diode zener et du deuxième thyristor. Selon un mode de réalisation de la présente invention, une résistance est connectée en parallèle avec ladite diode zener et une diode est connectée entre le point de raccordement de la diode zener et du deuxième thyristor et la borne de four- niture de tension d'alimentation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la cathode de la diode zener est reliée à l'anode d'un troisièmne thyristor, l'anode de la diode zener étant reliée à la gâchette du troisinème thyristor dont la cathode est reliée à la gâchette de 1' interrupteur statique. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'interrupteur statique est un thyristor vertical, le deuxième thyristor est également réalisé sous forme verticale, et la diode zener est réalisée sous forme latérale. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la diode zener est réalisée dans le caisson de gâchette du premier transistor. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 1 'interrupteur statique est un triac. Un autre objet de la présente invention est de prévoir une application particulière du composant semiconducteur mono- lithique susmentionné à la réalisation d'un circuit de démarrage de tube fluorescent. Dans le cadre de cette application, la présente inven- tion prévoit un composant de démarrage d'un tube fluorescent dans lequel le circuit de charge comprend une source d'alimenta- tion en série avec une inductance ballast et un premier et un deuxième filament du tube fluoresoent, l'interrupteur statique étant connecté entre les deuxièmes bornes desdits filaments. Selon un mode de réalisation de la présente invention, ce composant de démarrage comprend, entre lesdites deuxièmes bornes, un premier et un deuxième thyristor principal tête-bêche et une diode zener de protection en série avec une diode; un circuit intégré de commande; la gâchette du premier thyristor étant connectée à 1 'une des deuxièmes bornes par 1' intermédiaire d'une résistance et à l'autre des deuxièmes bornes par la con- nexion en série d'un thyristor auxiliaire et d'une diode zener, la gâchette du thyristor auxiliaire étant reliée à une borne de cammande du circuit intégré et à ladite autre des deuxièmes bornes par 1' intermédiaire d' une résistance, la cathode du thyristor auxiliaire étant connectée au circuit intégré et à ladite une des deuxièmes bornes par l'intermédiaire d'un conden- sateur de stockage. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le premier thyristor et le thyristor auxiliaire des thyristors verticaux dont la couche de gâchette de cathode est constituée d'un caisson de type P disposé dans un caisson de type P à plus faible niveau de dopage; et le deuxième thyristor est un thy- ristor vertical à gâchette d'anode dont l'anode est constituée d'une couche de même type et niveau de dopage que les caissons de gâchette du premier thyristor et du thyristor auxiliaire, cette couche d' anode étant entourée d 'un anneau de garde du même type de conductivité à plus faible niveau de dopage. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite, à titre non-limitatif, en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1 représente un circuit comprenant un module interrupteur et d 'alimentation selon 1' art antérieur; la figure 2A représente un mode de réalisation de cir- cuit de module interrupteur et d'alimentation selon la présente invention; la figure 2B représente un exemple de réalisation sous forme de composant monolithique du circuit de la figure 2A; la figure 3 représente une courbe de tension en fonc- tion du temps illustrant le fonctionnement du module selon la présente invention; la figure 4A représente un autre mode de réalisation de circuit de module interrupteur et d'alimentation selon la présente invention; la figure 4B représente un exemple de réalisation sous forme de composant monolithique du circuit de la figure 4A; la figure 5A représente un autre mode de réalisation de circuit de module interrupteur et d'alimentation selon la présente invention; la figure 5B représente un exemple de réalisation sous forme de composant monolithique du circuit de la figure 5A; la figure 6A représente un autre mode de réalisation de circuit de module interrupteur et d'alimentation selon la présente invention; la figure 6B représente un exemple de réalisation sous forme de composant monolithique du circuit de la figure 6A; la figure 7 représente un circuit classique de démar- rage de tube à fluorescenoe; la figure 8 représente un mode de réalisation d'un circuit de démarrage de tube à fluorescenoe selon la présente invention; les figures 9A à 9F représentent des courbes illus- trant des allures de tension et de courant en divers points du circuit de la figure 8; et les figures 10A et 10B représentent respectivement une vue en coupe schématique et une vue de dessus schématique d'un composant semiconducteur monolithique selon la présente inven- tion de démarrage de tube fluorescent. La figure 2A représente un circuit selon la présente invention assurant la fonction du module 1 de la figure 1. Ce circuit est destiné à être connecté par des bornes A1 et A2 aux bornes d'une charge et d'une source d'alimentation, conmne cela est représenté en figure 1. On considérera par souci de simpli- fication que la borne A2 est une borne de masse. L'interrupteur SW correspond à un thyristor principal Thl. La gâchette de ce thyristor est connectée à sa cathode par l'intermédiaire d'une résistance RG. Cette gâchette est égale- ment connectée à 1' anode d'une diode zener Z dont la cathode est reliée à la cathode d'un thyristor auxiliaire Th2 dont l'anode est reliée à l'anode du thyristor Thl. Le point cnommun du thy- ristor Th2 et de la diode zener Z correspond à la borne 2 de la figure 1 et la borne A2 ou borne de masse correspond à la borne 3 de la figure 1. Entre ces bornes est disponible une tension d'alimentation pouvant par exemple servir à alimenter un circuit intégré. Un condensateur de stockage C1 est disposé entre les bornes 2 et 3. La borne de gaâchette G du thyristor Th2 est destinée à recevoir un signal de commande en provenance du circuit intégré qui est alimenté par les bornes 2 et 3. Entre la gâchette et l'anode du thyristor Th2 est prévu un circuit d'amorçage 14, par exemple constitué d'une résistance 15 en série avec un interrupteur à bouton poussoir 16. Quand on souhaite mettre en route une ccmmande régulée du courant dans la charge L, on appuie sur le bouton poussoir 16. Ceci induit en conduction le thyristor Th2 et dans un premier temps celui-ci charge le condensateur C1 jusqu'à oe que la tension aux bornes de ce condensateur atteigne la tension de seuil de la diode zener Z. A partir de ce moment, le conden- sateur Cl est suffisamment chargé pour alimenter le circuit intégré qui fournira des signaux de caommnande sur la gâchette G du thyristor. Le bouton poussoir est alors relâché et le système peut fonctionner en mode régulé par son circuit intégré de canmmande. Chaque fois qu'un signal de gâchette est appliqué au thyristor Th2, dans un premier temps, le condensateur est rechargé et, ensuite seulement, un courant circulera dans la gâchette du thyristor Thl qui entrera en conduction. La figure 3 illustre le fonctionnement de ce circuit en régime établi. On suppose que la source S correspond à la tension du secteur redressé (tension de crête de 1 'ordre de 300 V). Si, à un instant tl un signal de ccmmande est appliqué à la borne G, le thyristor Th2 devient conducteur et, dans un premier temps, entre les instants tl et t2, le condensateur Cl se recharge puis, quand la tension sur ce condensateur atteint la tension d'avalanche VZ de la diode Z, le thyristor Thl entre en conduction. Ceci se reproduit à chaque alternance. Un phénomène similaire se produirait dans le cas d'une source alternative non redressée, auquel cas la ccmmande ne se produirait que pour les alternances positives. En fait, l'intervalle de temps tl-t2 sera extrêmement bref étant donné que, commne on l'a indiqué, la tension VZ est de 1 'ordre de 10 V alors que la tension de crête du signal de source est de 1 'ordre de 300 V dans une application courante. Un avantage important du circuit de la figure 2A est que, selon un autre aspect de la présente invention, il peut être réalisé, du moins en ce qui conocerne les composants Th2, Z, RG et Thl, sous forme d'un composant monolithique à partir d'un substrat semiconducteur 21 de type N. La figure 2B illustre un exemple d'une telle réalisa- tion. La faoe arrière du composant comprend une couche 23 de type P revêtue d'une métallisation de face arrière A qui corres- pond à l'anode des thyristors Thl et Th2. Le thyristor Thl est réalisé sous forme verticale et ccmprend à partir de la face supérieure une coucha de cathode 24 munie de courts-circuits d'émetteur, formée dans un caisson 25 de type P lui-même formé dans le substrat 21. Dans une portion du caisson 25 est formée une région 26 de type N qui constitue avec ce caisson une jonc- tion zener correspondant à la diode Z. Un deuxième caisson 28 de type P comprenant une région 29 de type N permet de former le thyristor Th2 sous forme verticale, ce thyristor comprenant les régions 29, 28, 21 et 23. La cathode 29 du thyristor Th2 est reliée par une métallisation 30 à la cathode 26 de la diode Z. La métallisation 30 correspond à la borne d'alimentation 2 de la figure 2A. Le caisson 28 est revêtu d'une métallisation de gâchette G. La résistanoe RG est constituée par la résistance de la région 25 sous la couche de cathode 24. On notera que la figure 2B, camme toutes les figures ci-jointes qui représentent des vues en coupe de composants semiconducteurs, est fortement schématique, conformément à l'usage dans le domaine de la représentation des composants semiconducteurs. L'hmanme de métier saura adapter la surface et la topo- graphie des diverses couches et régions pour optimiser les caractéristiques du composant et notamment la capacité de passage de courant et la tension zener. Le circuit de la figure 2A et sa réalisation sous forme de composant semiconducteur monolithique sont susoeptibles de nombreuses variantes qui apparaitront à l'homme de l'art et dont certaines vont être décrites ci-après. Une première variante de oe circuit est illustrée en figure 4A et sa réalisation sous forme de composant monolithique est illustrée en figure 4B. La figure 4A représente les mêmes éléments que oeux de la figure 2A à l'exoeption du circuit de démarrage 14. En outre, le circuit de la figure 4A comprend une diode D et une résistan- ce RZ. La diode D est disposée entre le point de raccordement du thyristor Thl et de la diode zener Z et la borne 2. La résis- tanoe RZ est en parallèle sur la diode zener Z. Cette structure présente par rapport à la précédente l'avantage que la tension de commandle sur la gachette G par rapport à la masse sur la borne A2 peut être dans une plage de valeurs usuelles alors que, dans le cas du circuit de la figure 2A, elle devait être supé- rieure de VZ à ces valeurs usuelles. Ceci obligeait à munir le circuit intégré fournissant ce signal G d'un surélévateur de tension (booster) étant donné que la tension d'alimentation de ce circuit intégré correspondait précisément à la tension de la diode zener. Un exemple de réalisation sous forme de oomposant monolithique du circuit de la figure 4A est illustré en figure 4B, on retrouve dans ce composant les mêmes éléments que ceux de la figure 2B avec en outre un caisson supplémentaire 31 de type P comprenant une région 32 de type N. Le caisson 31 est revêtu d'une métallisation qui est reliée à la métallisation 30 décrite en relation avec la figure 2 et oes métallisations ne sont plus reliées à une borne extérieure. La région 32 est revêtue d'une métallisation qui, elle, est reliée à la borne 2, destinée à être connectée au condensateur Cl. La jonction entre les régions 31 et 32 constitue la diode D. En outre, la métallisation 30, au niveau de la région 26, n'est pas seulement en contact avec cette région 26 mais aussi avec une portion du caisson P 25 de façon à constituer la résistance RZ en parallèle sur la diode Z. Une deuxième variante du circuit de la figure 2A est illustrée en figure 5A. La résistance RZ de la figure 4A est remplacée par un thyristor Th3 dont l'anode est reliée à la cathode de la diode zener Z, dont la cathode est reliée à la résistance RG, et dont la gâchette est reliée à l'anode de la diode Z. En outre, une résistance RG3 est disposée entre gâchette et cathode du thyristor Th3. Ceci constitue un système d'amplification du courant de gâchette du thyristor Thl et permet d'utiliser un thyristor Thl qui sera peu sensible aux déclenchements parasites et dans lequel pourra passer un courant important. La figure 5B représente une structure mettant en oeuvre le circuit de la figure 5A. On retrouve dans la partie droite de la figure, le thyristor vertical Thl constitué des régions 24, 25, 21 et 23. Le thyristor Th3 est réalisé sous for- me latérale. Sa cathode est constituée d'une région 41 de type N formée dans le caisson 25 qui constitue la région de gâchette de ce thyristor Th3. Son anode est constituée d'une région 44 de type P formée au voisinage du caisson 25. Le thyristor Th3 comprend donc, de son anode vers sa cathode les régions 44, 21, , 41. La région de cathode 41 est revêtue d'une métallisation 42 également en contact avec une partie de la surfaoe du caisson pour former la liaison entre la cathode de Th3 et la gâchette de Thl. Une portion du caisson 25, qui constitue également la gâchette du thyristor Th3 est revêtue d'une métallisation 43 reliée à une métallisation 45 formée sur la partie supérieure d'un caisson 46 constituant l'anode de la diode zener Z. Une région diffusée 47 constitue la cathode de cette diode Z et est reliée par une métallisation 48 à une région 29 de type N formée dans un caisson 28 qui correspondent respectivement à la cathode et à la région de gâchette du thyristor vertical Thl. Une métal- lisation de gâchette G est en contact avec une portion du caisson 28. On retrouve dans la partie gauche de la figure le caisson 31 et la région de type N 32 correspondant à la diode D de la figure 4. La cathode 32 de la diode est revêtue d'une métallisation destinée à être reliée à la borne 2 et l'anode de la diode est solidaire d'une métallisation reliée à la métalli- sation 48 décrite précédemment. On peut combiner les modes de réalisation des figures 4A et 5A en prévoyant une résistance en parallèle sur la diode Z. Ceci amènera à modifier la structure de la figure 5B en prévoyant un contact entre la métallisation 48 et une portion du caisson 46, de méme que, en figure 4B, il était prévu un contact entre la métallisation 30 et une portion du caisson 25. Une quatrième variante de la présente invention appa- rait en figures 6A et 6B. La figure 6A représente le circuit de la figure 2A (à l'exception du circuit de démarrage 14) dans lequel le thyristor Thl a été remplacé par un triac TR1. La gâchette du triac est en outre liée à une borne 4 destinée à être connectée au circuit intégré de commande pour permettre une mise en conduction du triac pendant les alternances négatives. il Une réalisation de ce circuit est illustrée en figure 6B. Dans la partie droite de la figure 6B, on retrouve exacte- ment les mnmes couches, caissons et régions que dans la figure 2B. En outre, un caisson 51 de type P est formé dans la partie supérieure du substrat et, du côté de la face inférieure, sous ce caisson 51 et une partie au moins de la région de gâchette 28, est formée une région 52 de type N munie de trous de court- circuit d'émetteur. Les régions 51, 21, 23 et 52 forment donc le deuxième thyristor du triac. Une métallisation revêtant le caisson 51 est reliée à la métallisation reliant la région 26 et forme une électrode principale du triac, désignée comme précé- demment par la référence K. Une métallisation 55 est en contact d'une région 56, de préférence surdopée de type P. du caisson 25 et est destinée à constituer la borne de gâchette 4. Bien entendu, cette structure est susoeptible des diverses améliorations et variantes décrites en relation avec les figures 4 et 5. En outre, on notera qu'à la figure 6B, on a représenté le triac entouré d'un caisson 58 de type P. Ceci est un exemple pratique de structure qui pourrait également être appliqué aux composants illustrés très schématiquement aux figures 2B, 4B et B. EXEMPLE D'APPLICATION - CIRCUJIT DE DÉMARRAGE DE TUBE FLUORESCENT La figure 7 représente un schéma classique de circuit de démarrage de tube fluorescent (tube néon) à interrupteur statique. Le tube fluorescent FT comprend deux électrodes sépa- rées par un gaz dans lequel est susceptible de se produire une fluoresoence. Ces électrodes correspondent respectivement à des filaments résistifs rl et r2. La première borne du filament rl est connectée à une source de tension alternative S (généra- lement la tension du secteur) par l'intermédiaire d'une bobine L et d'un interrupteur de mise en route (non référenc). La première borne du filament r2 est connectée à la deuxième borne de la source S. Les deuxièmes bornes, A1 et A2, des filaments rl et r2 sont connectées aux entrées alternatives d'un pont de diodes redresseur DB. Les bornes continues du pont redresseur DB sont connectées à un interrupteur qui, dans le mode de réalisa- tion illustré, est constitué d'un thyristor Th. La gâchette du thyristor est reliée à la borne positive du pont par une résis- tance R et à la borne négative du pont par un circuit intégré IC. Dès que le circuit est mis sous tension, le thyristor Th est mis en conduction par un courant traversant la résistance R. En conséquenoe, un courant circule dans les filaments rl et r2 et les chauffe. Dans une phase d'allumage, le commutateur Th est ouvert en cours d'alternance sous 1 'effet du circuit intégré qui court-circuite les bornes de gâchette et de cathode du thy- ristor. L'inductance L tend alors à maintenir le courant qui la traversait au moment de l'ouverture. La tension entre les bornes A1 et A2 croit donc rapidement et le tube fluorescent s'amorce. Une fois oet amorçage obtenu, le thyristor Th reste ouvert et le tube fluorescent se réamorce de lui-même à chaque alternance. Un tel circuit présente plusieurs inccnvénients. D'une part, la chute de tension dans le circuit d'interrupteur sta- tique est élevée car elle correspond à deux chutes de tension de diodes plus la chute de tension dans le thyristor à l'état passant. Un autre inconvénient est celui mentionné précdemment en relation avec la figure 1 à savoir la difficulté d'alimenta- tion du circuit intégré IC. Ainsi, la présente invention prévoit d'appliquer le module monolithique selon la présente invention au problème particulier du démarrage d'un tube fluorescent. Un mode de réalisation particulier d'un circuit selon la présente invention permettant d'atteindre ce résultat est illustré en figure 8. On notera que ce circuit s'apparente à ceux précédemment décrits en relation, d'une part, avec la figure 2A et, d'autre part, avec la figure 6A. En figure 8, la deuxième borne A1 du filament rl est connectée à l 'anode d'un thyristor Thml et à la cathode d'un thy- ristor Th4 et la deuxième borne A2 du filament r2 est connectée à la cathode du thyristor Thl et à l'anode du thyristor Th4 (on notera que l'ensemble des thyristors Thl et Th4 correspond au triac TR de la figure 6A). Le thyristor Thl est comanmandé comme le thyristor correspondant de la figure 2A. Sa gâchette est connectée à la borne A2 par une résistance RG et à la borne A1 par la connexion en série d'un thyristor Th2 et d'une diode zener Z. La cathode du thyristor Th2 est reliée à son anode par une résistance 15 et correspond à une borne G d'un circuit inté- gré de commande IC. La cathode du thyristor Th2 est connectée à une borne 2 qui correspond à une borne du circuit intégré IC et à une première borne d'un condensateur Cl connecté entre oette borne 2 et la borne A2. Le thyristor 4 est comanmandé du côté anode par un courant positif. Une borne 4 du circuit intégré IC commande la gâchette de ce thyristor Th4. On a en outre repré- senté, entre les bornes principales des thyristors Thl et Th4, une diode zener de protection Z2 en série avec une diode en direct D2. Dans une application pratique o la tension d'alimen- tation S correspond à une tension de secteur de valeur moyenne 220 volts, on pourra utiliser les composants suivants - tension d'avalanche de la diode Z: 10 volts, - résistance R1: 100 kohms, - tension d'avalanche de la diode Z2: entre 900 et 1500 V, - capacité du condensateur Cl: 3 à 5 microfarads, - thyristor Th2: thyristor sensible commandable par un cou- rant inférieur à 1 mA et capable de se bloquer si on lui applique une tension de grille rnégative, - thyristor Thl: thyristor de puissance dont le courant de seuil de blocage (IH1) est élevé, par exemple 350 mA, thyristor Th4: thyristor à gâchette d'anode ayant par ailleurs des caractéristiques classiques. Le fonctionnement de ce composant se comprendra en relation avec les figures 9A à 9F dans lesquelles l'intervalle de temps situé avant un instant tlo correspond à un chauffage initial de filaments et l'intervalle de temps suivant l'instant t1o correspond à un dnémarrage du tube fluorescent et à un fonc- tionnement ultérieur de celui-ci. Dans le mode de chauffage, cornmme cela a été représenté en figure 3, on trouve initialement entre les instants tl et t2 une conduction du thyristor Th2 suivie d'une conduction du thy- ristor Thl à un instant t2 o la tension aux bornes dépasse la tension d'avalanche de la diode Z. Cornmme le représente la courbe VCl de la figure 9E, pendant la durée tl-t2, le condensateur Cl se charge. Puis pendant la période de oonduction du thyristor Th2, le condensateur Cl se décharge très légèrement pour ali- menter le circuit intégré IC. Pendant cette période, la tension VFT aux bornes du tube fluorescent reste sensiblement constante, et correspond à la chute de tension aux bornes du thyristor Thl, comme cela est représenté en figure 9F. Comme on l'a indiqué précédemment, on choisit dans cette application un thyristor Thl ayant un courant de seuil de désamorçage IH1 élevé. Ainsi, à un instant t3 pour lequel la tension d'alimentation VS n'est pas négligeable, le thyristor Thl se bloque et le thyristor Th2 se remet à conduire. Entre cet instant t3 et l'instant t4 de fin de l'alternance, le conden- sateur C1 se charge à nouveau. On obtient donc une charge très régulière du condensateur sensiblement équilibrée en début et en fin d'alternance. A un instant t5, le circuit intégré IC commande le thyristor Th4 pour qu'il devienne conducteur et, éventuellement après un léger retard, celui-ci entre en conduction comme le montre la courbe ITh4 de la figure 9D. Cette conduction s'arrête à un instant t6 pour lequel le courant est voisin de 0, ce thyristor présentant un courant de seuil de désamorçage IH4 faible. On notera que le courant de gâchette, positif, est fourni à la gâchette d'anode du thyristor Th4 par le circuit intégré à partir du condensateur C1 qui vient d'être rechargé. Entre les instants t7 et t8, on retrouve la même allure qu'entre les instants tl et t2. On arrive alors à l'instant t1i auquel les filaments sont suffisamment chauffés et o l'on veut tenter d'amorcer le tube fluorescent FT. A 1' instant tll de désamorçage du thyristor Thl, le circuit intégré IC court-circuite la borne G et la borne A2; le thyristor Th2 voit la tension du condensateur Cl en inverse sur sa gâchette et se bloque; l'inductance ballast L tend à maintenir le courant qui la traverse; et la tension entre les bornes A1 et A2 croit rapidement jusqu'à la tension d'avalanche de la diode Z2 (voir figure 9F). Si tout se passe bien, le tube fluorescent s'allume et la tension à ses bornes est fixée par le courant imposé par la bobine. Cette dernière agit commne un générateur de créneaux de courant; la tension aux bornes du tube tombe à environ 100 V. Cette tension est insuf- fisante pour redéclencher le circuit d'allumage qui reste en veille. Si le tube fluorescent ne se déclenche pas, la diode Z2 sert de protection et, quand sa tension d'avalanche est at- teinte, elle entre en conduction, après quoi le phénomène décrit précédemment se répète à chaque fin d'alternance positive jusqu'à amorçage du tube fluorescent. On notera que, pour la réalisation d'un composant semiconducteur mettant en oeuvre les fonctions réalisées par le circuit de la figure 8, il convient que les thyristors Thl et Th2 puissent supporter une tension en direct élevée, supérieure à la tension d'avalanche de la diode zener Z2 et que, en in- verse, ces composants puissent supporter la tension du secteur. De même, le composant Th4 doit tenir plus que la tension d'ava- lanche de la diode Z2 en inverse et le secteur en direct. Les figures 10A et 10B représentent très schématique- ment en coupe et en vue de dessus une telle réalisation permet- tant une tenue en tension élevée. On insistera sur le fait que ces figures sont fortement schématiques et notamment que la vue de dessus de la figure 10B ne correspond pas strictement à la vue en coupe de la figure 10A. En figure 10A, on a désigné les parties correspondant à celles de la figure 6A par de mêmes références numériques. La différence essentielle entre ces deux figures réside dans le fait qu'il est prévu du côté de la face supérieure une diffusion P- pour améliorer la tenue en tension des divers composants. Ainsi, le caisson 25 se trouve dans un caisson P- 61 et le cais- son 28 dans un caisson P- 62. L'anode 51 du thyristor Th4 est entourée d'un anneau P- 63. Cet anneau P- est suffisamment peu dopé par rapport à la couche 51 pour que la jonction entre la couche 51 et le substrat 21 claque à une tension plus basse que la jonction entre les différentes couches, de même dopage, 61, 62 et 63 et le substrat 21. Cette jonction entre la couche 51 et le substrat 21 constituera la diode zener Z2. Cette diode zener sera capable d'écouler 1' énergie importante stockée dans la bobine car le claquage est en volume, on peut aussi par accrois- sement de sa surface augmenter son pouvoir d'écoulement. En conséquenoe, la couche 51 remplit à la fois le rôle d'anode du thyristor Thl et le rôle d'anode de la diode zener Z2 (sa cathode étant le substrat 21), la diode D2 étant entre la couche P 23 et le substrat N 21. Au voisinage de 1 'anneau 63 est formé un caisson P 63' contenant une région P 64 solidaire d'une métallisation de gâchette 4. Une région N 65 est formée dans la région 64 et est reliée par une métallisation à l'anode 51 du thyristor Th4. Lorsqu'une tension positive par rapport à la borne A2 est appli- quée à la gâchette 4, un courant va circuler de la région 64 vers la région 65. Si la borne A1 est alors négative par rapport à la borne A2, le thyristor Th4 est en direct et va être amorcé. Bien entendu, les régions N 24 et 52 qui constituent les cathodes des thyristors Thl et Th4 pourront être munies classiquement de courtscircuits d'émetteur. Ces courts-circuits sont notamment utilisés pour ajuster le courant de seuil de désamorçage IH1 du thyristor Thl. La densité de trous de court- circuit sera plus faible dans le thyristor Th4 pour ne pas réduire excessivement sa sensibilité. La figure lOB illustre schématiquement un exemple de réalisation en vue de dessus du composant de la figure 10A. Les métallisations n'ont pas été représentées. La référence de chacune des couches a été indiquée. Bien entendu, dans le cadre de cette application particulière, on pourra adopter diverses des variantes décrites en relation avec les figures précédentes. De plus, d'autres applications de l'interrupteur auto-alimenté selon l'invention apparaîtront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1. Module interrupteur et d'alimentation comprenant: - un interrupteur statique (SW) destirné à être connecté entre deux bornes (A1, A2) d'un circuit de charge dont la tension passe périodiquement par 0, - des moyens pour fournir, à partir de la tension sur lesdites bornes (A1, A2), une tension d'alimentation, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour inhiber la fer- meture de l'interrupteur statique tant que la tension d'alimen- tation n'a pas atteint une valeur déterminée. 2. Composant semiconducteur mettant en oeuvre le module selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'inter- rupteur statique est un premier composant (Thl) de type thy- ristor dont la gâchette est reliée à sa cathode par une première résistance (RG) et à son anode par la connexion en série d'une diode zener (Z) et d'un deuxième thyristor (Th2), ladite tension d'alimentation étant recueillie entre la cathode de l'interrup- teur statique et le point de raccordement de la diode zener et du deuxième thyristor. 3. Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'une résistance (RZ) est connectée en parallèle avec ladite diode zener et en ce qu'une diode (D) est connectée entre le point de raccordement de la diode zener (Z) et du deuxièmne thyristor (Th2) et la borne (2) de fourniture de tension d'ali- mentation. 4. Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que la cathode de la diode zener (Z) est reliée à l'anode d'un troisième thyristor (Th3), l'anode de la diode zener étant reliée à la gâchette du troisième thyristor dont la cathode est reliée à la gâchette de 1 'interrupteur statique. 5. Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que 1' interrupteur statique (Thl) est un thyristor vertical, le deuxième thyristor (Th2) est également à structure verticale, et la diode zener (Z) est de type latéral. 6. Composant selon la revendication 5, caractérisé en ce que la diode zener (Z) est réalisée dans le caisson de gâchette du premier transistor. 7. Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que 1' interrupteur statique est un triac. 8. Application d'un module selon la revendication 1 à un composant de démarrage d'un tube fluorescent dans lequel le circuit de charge omprend une source d'alimentation (S) en série avec une inductance ballast (L) et un premier et un deu- xième filament (rl, r2) du tube fluorescent (FT), ledit inter- rupteur statique étant connecté entre les deuxièmes bornes (A1, A2) desdits filaments. 9. Composant de démarrage d'un tube fluorescent selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend: entre lesdites deuxièmes bornes (A1, A2), un premier et un deuxième thyristor principal tête- bêche (Thl, Th4) et une diode zener de protection (Z2) en série avec une diode (D2), un circuit intégré de canmande (IC), la gâchette du premier thyristor (Thl) étant connectée à l' une (A2) des deuxièmes bornes par 1' intermédiaire d'une résistance (RG) et à l'autre (A1) des deuxièmes bornes (A1) par la connexion en série d'un thyristor auxiliaire (Th2) et d'une diode zener (Z), la gâchette du thyristor auxiliaire étant reliée à une borne de commande du circuit intégré et à ladite autre des deuxièmes bornes par 1 'intermédiaire d'une résistance (15), la cathode du thyristor auxiliaire étant connectée au circuit intégré et à ladite une des deuxièmes bornes par l'intermédiaire d'un condensateur de stockage (Cl). 10. Composant de démarrage selon la revendication 9, caractérisé en ce que: le premier thyristor (Thl) et le thyristor auxiliaire (Th2) des thyristors verticaux dont la couche de gâchette de cathode est constituée d'un caisson de type P (25; 28) disposé dans un caisson de type P à plus faible niveau de dopage (61; 62); et le deuxième thyristor (Th4) est un thyristor vertical à gâchette d'anode dont 1'anode est constituée d'une couche (51) de même type et niveau de dopage que les caissons de gâchette (25; 28) du premier thyristor et du thyristor auxiliaire, cette couche d'anode (51) étant entourée d'un anneau de garde du même type de conductivité à plus faible niveau de dopage (63).