FR 2724767 A1 19960322 FR 9508619 A 19950717 Cette invention concerne de façon générale des dispositifs de visualisation à émission par effet de champ et elle concerne plus particulièrement un procédé pour éviter une fuite dans une jonction dans des dispositifs de visualisation à émission par effet de champ. Cette invention a été faite avec l'appui du Gouvernement des E.U.A., conformément au Contrat n DABT63-93-C-0025 attribué par l'organisme Advanced Research Projects Agency (ARPA). Le Gouvernement des E.U.A. a certains droits sur cette invention. On a récemment développé des dispositifs de visualisation à panneau plat pour présenter visuellement une information générée par des ordinateurs et d'autres dispositifs électroniques. De façon caractéristique, ces dispositifs de visualisation sont plus légers et utilisent moins de puissance que des dispositifs de visualisation à tube cathodique classiques. Un type de dispositif de visualisation à panneau plat est connu sous l'appellation de dispositif de visualisation à émission par effet de champ à cathode froide (ou FED pour "field emission display"). Un dispositif de visualisation à émission par effet de champ à cathode froide utilise des émissions d'électrons pour illuminer un écran à cathodoluminescence et produire une image visuelle. Une cellule à émission par effet de champ individuelle comprend de façon caracté- ristique un ou plusieurs sites d'émetteurs formés sur une plaque de base. La plaque de base contient de façon carac- téristique les dispositifs à semiconducteurs actifs qui commandent l'émission d'électrons à partir des sites d'émetteurs. Les sites d'émetteurs peuvent être formés directement sur une plaque de base constituée par un matériau tel que du silicium, ou sur une couche conduc- trice inter-niveau (par exemple en silicium polycristal- lin), ou sur une couche isolante inter-niveau (par exemple du dioxyde de silicium ou du nitrure de silicium) formée sur la plaque de base. Une structure d'électrode de grille, ou simplement "grille", est associée de façon caractéristique aux sites d'émetteurs. Les sites d'émet- teurs et la grille sont connectés à une source électrique pour établir une différence de tension de façon à provoquer une émission d'électrons par effet Fowler- Nordheim à partir des sites d'émetteurs. Ces électrons sont projetés sur un écran de visualisation ayant un revêtement de luminophore. Ceci libère les photons qui illuminent l'écran. Un seul pixel de l'écran de visualisa- tion est illuminé de façon caractéristique par un ou plusieurs sites d'émetteurs. Dans un dispositif de visualisation à émission par effet de champ commandé par une grille, la grille est séparée de la base par une couche isolante. Cette couche isolante procure un support pour la grille et empêche le claquage sous l'effet de la différence de tension entre la grille et la plaque de base. Des cellules d'émission par effet de champ individuelles sont quelquefois appelées triodes microélectroniques à vide. Les éléments triodes comprennent la cathode (site d'émetteur à effet de champ), l'anode (élément à cathodoluminescence) et la grille. Le brevet des E.U.A. n 5210472, délivré à Stephen L. Casper et Tyler A. Lowreyintitulé "Flat Panel Display In Which Low-Voltage Row and Column Address Signals Control A Much Higher Pixel Activation Voltage", décrit un dispositif de visualisation à panneau plat qui utilise des dispositifs de visualisation à émission par effet de champ. Dans des dispositifs de visualisation à panneau plat qui utilisent des dispositifs de visualisation à émission par effet de champ, la qualité et la netteté d'un site de pixel illuminé sur l'écran de visualisation dépen- dent de la commande précise de l'émission d'électrons à partir des sites d'émetteurs qui illuminent un site de pixel particulier. Dans la formation d'une image visuelle, tae qu'un chiffre ou une lettre, différents groupes de sites d'émetteurs doivent être commandés de façon à accomplir des cycles d'éclairage ou d'extinction, pour illuminer les sites de pixels appropriés sur l'écran de visualisation. Pour former une image désirée, on peut déclencher l'émission d'électrons dans les sites d'émet- teurs pour certains sites de pixels pendant que les sites de pixels adjacents sont maintenus dans une condition éteinte. Pour avoir une image nette, il est important que les sites de pixels qui doivent être isolés restent dans une condition éteinte. Un facteur qui peut occasionner une émission d'électrons imprévue par un site d'émetteur est la réponse de jonctions semiconductrices dans le dispositif de visua- lisation à émission par effet de champ, à des photons qui sont générés par l'écran de visualisation luminescent et des photons présents dans l'environnement (par exemple des lampes, la lumière solaire). Dans un dispositif de visua- lisation à émission par effet de champ, on peut utiliser des jonctions P/N pour isoler électriquement chaque site de pixel et pour réaliser des circuits d'attaque de lignes-colonnes et des circuits de régulation de courant pour le fonctionnement des pixels. Pendant le fonctionne- ment du dispositif de visualisation à émission par effet de champ, certains des photons qui sont générés sur un écran de visualisation, ainsi que des photons qui provien- nent de l'environnement, peuvent tomber sur les jonctions semiconductrices sur le substrat. Ceci peut affecter les jonctions en changeant leurs caractéristiques électriques. Dans certains cas, ceci peut faire circuler un courant parasite à travers la jonction. Ceci est un type de fuite de jonction dans un dispositif de visualisation à émission par effet de champ qui peut affecter défavorablement l'adressage ou l'activation de sites de pixels et peut occasionner une émission parasite et une qualité d'image dégradée. La figure 1 représente une situation possible. La figure 1 montre un site de pixel 10 d'un dispositif de visualisation à émission par effet de champ 13 et des parties de sites de pixels adjacents 10' de part et d'autre. Le dispositif de visualisation à émission par effet de champ 13 comprend une plaque de base 11 ayant un substrat 12 qui est formé par un matériau tel que du silicium monocristallin de type P. Un ensemble de sites d'émetteurs 14 est formé sur une région 30 du substrat 12, qui a une conductivité de type N. Le substrat de type P. 12et la région de conductivité de type N, 30, forment une jonction P/N. Ce type de jonction peut être combiné avec d'autres éléments de circuit pour former des dispo- sitifs électriques tels que des transistors à effet de champ, pour activer et réguler lacirculation du coursnt vems les sites de pixels 10 et 10'. Les sites d'émetteurs 14 sont conçus pour émet- tre des électrons 28 qui sont dirigés vers un écran de visualisation à cathodoluminescence, 18, revêtu d'un matériau 19 consistant en un luminophore. Une électrode de grille, ou simplement "grille", 20, qui est séparée du substrat 12 par une couche isolante 22, entoure chaque site d'émetteur 14. Des structures de support 24, encore appelées entretoises, sont placées entre la plaque de base 11 et l'écran de visualisation 18. Une source électrique 26 établit une différence de tension entre les sites d'émetteurs 14 et la grille 20 et l'écran de visualisation 18. Les électrons 28 provenant de sites d'émetteurs 14 activés génèrent l'émission de photons à partir du matériau consistant en un luminophore qui est contenu dans un site de pixel 10 correspondant de l'écran de visualisation 18. Pour former une image particulière, il peut être nécessaire d'illuminer un site de pixel 10 pendant que des sites de pixels 10' adjacents, se trouvant de part et d'autre, restent sombres. Il peut cependant apparaître un problème lorsque des photons 32 (c'est-àdire de la lumière) qui sont générés par une source de lumière 33, la lumière solaire ou d'autres facteurs d'environnement, tombent sur les jonctions semiconductrices qui sont formées dans le substrat 12. De plus, des photons 32 provenant d'un site de pixel 10 illuminé peuvent tomber sur les jonctions qui sont formées dans les régions de conductivité de type N. 30, sur les sites de pixels 10' adjacents. Les photons 32 sont capables de passer à travers les entretoises 24, la grille 20 et la couche isolante 22 du dispositif de visua- lisation à émission par effet de champ 13, du fait que ces couches sont souvent formées par des matériaux qui sont translucides pour la plupart des longueurs d'onde de lumière. A titre d'exemple, les entretoises 24 peuvent être formées par un polyimide translucide, comme le Kapton, ou par du nitrure de silicium. La couche isolante 22 peut être formée par du dioxyde de silicium, du nitrure de silicium ou de l'oxynitrure de silicium translucide. La grille 20 peut être formée par du silicium polycristallin translucide. L'exposition à des photons provenant de l'écran de visualisation 18 et de l'environnement peut changer les propriétés de certaines jonctions dans le substrat 12 qui sont associées aux sites d'émetteurs 14. Ceci peut à son tour occasionner la circulation d'un courant et déclencher une émission d'électrons à partir des sites d'émetteurs 14 sur les sites de pixels 10' adjacents. L'émission d'élec- trons peut provoquer l'illumination des sites de pixels ' adjacents lorsqu'un fond sombre peut étreexigé. Ceci donnera une image dégradée ou floue. En plus de problèmes d'isolation et d'activation, la lumière qui provient de l'environnement et de l'écran de visualisation 18 et qui tombe sur des jonctions dans le substrat 12, peut occa- sionner d'autres problèmes dans l'adressage et la régula- tion de la circulation du courant vers les sites d'émet- teurs 14 de la cellule du dispositif de visualisation à émission par effet de champ 13. Dans des expériences effectuées par les inven- teurs, on a mesuré en laboratoire des courants de fuite de jonction en fonction de différentes conditions d'éclairage à la jonction. A une tension d'environ 50 volts, et en fonction de l'intensité de la lumière dirigée vers une jonction, la fuite de jonction peut être de l'ordre de -12 picoampères (c'est-à-dire 10 A) pour des conditions d'obscurité, à des microampères (c'est-à-dire 10 6 A) pour des conditions correspondant à un bon éclairage. Pour un dispositif de visualisation à émission par effet de champ, des courants de fuite même relativement faibles (c'est-à- dire de l'ordre de picoampères) affecteront défavorable- ment la qualité de l'image. L'ouvrage intitulé "Physics of Semiconducting Devices" par S.M. Sze, copyright 1981, John Wiley et Sons, Inc., paragraphes 1.6.1 à 1.6.3, décrit brièvement l'effet de l'énergie de photons sur des jonctions semiconductrices. Dans la construction d'écrans pour dB tubes à rayons cathodiques, on utilise des procédés d'aluminisation d'écran pour former une finition miroir sur la surface intérieure de l'écran. Cette couche d'aluminium réfléchit la lumière vers l'observateur et à l'opposé de l'arrière du tube. Dans le brevet des E.U.A. n 3 814 968, délivré à Nathanson et al., on utilise un procédé similaire dans des cathodes d'émetteurs à effet de champ pour empêcher que le rayonnement qui est émis par l'écran ne soit dirigé vers l'arrière sur la photocathode et des sites d'émetteurs. Un problème avec cette technique de l'art antérieur consiste en ce qu'avec des dispositifs de visualisation à émission par effet de champ, les tensions de cathode sont relative- ment basses (par exemple 200 volts). Cependant, un élec- tron émis avec ces tensions basses ne peut pas traverser aisément une couche d'aluminium formée sur la surface intérieure de l'écran de visualisation. Par conséquent, cette technique ne convient pas entièrement dans un dispo- sitif de visualisation à émission par effet de champ, pour empêcher une fuite de jonction occasionnée par l'émission de photons par l'écran et l'environnement. Il est également connu dans la technique de construire des dispositifs de visualisation à émission par effet de champ avec des pistes de circuit formées par un matériau opaque, comme du chrome, qui recouvrent les jonctions semiconductrices contenues dans la plaque de base du dispositif de visualisation à émission par effet de champ. A titre d'exemple, le brevet des E.U.A. n 3 970 887, délivré à Smith et al., décrit une telle struc- ture (voir la figure 8). Cependant, ces pistes de circuit sont réalisées pour conduire des signaux, et elles ne sont pas spécifiquement adaptées pour isoler les jonctions semiconductrices vis-à-vis du bombardement par des photons. Par conséquent, les régions de jonctions sont en majeure partie laissées exposées à l'émission de photons et à la fuite de jonction résultante. Compte tenu de ce qui précède, il existe dans la technique un besoin portant sur des procédés perfectionnés pour empêcher une fuite de jonction dans des dispositifs de visualisation à émission par effet de champ. Un but de la présente invention est donc de procurer un procédé perfectionné pour réaliser un dispositif de visualisation à émission par effet de champ comportant un élément d'arrêt de lumière qui empêche que des photons, qui sont générés dans l'environnement et par un écran de visualisa- tion du dispositif de visualisation à émission par effet de champ, n'affectent les jonctions semiconductrices sur une plaque de base du dispositif de visualisation à émis- sion par effet de champ. Un but supplémentaire de la présente invention est de procurer un procédé perfectionné pour réaliser des dispositifs de visualisation à émission par effet de champ, utilisant une couche opaque qui protège de la lumière des jonctions semiconductrices sur une plaque de base et qui peut également remplir d'autres fonctions de circuit. Un autre but supplémentaire de la présente invention est de donner à un dispositif de visua- lisation à émission par effet de champ des caractéristi- ques de fuite de jonction améliorées, en utilisant des techniques qui sont compatibles avec la fabrication de semiconducteurs à haut niveau d'intégration. La présente invention procure un procédé perfec- tionné pour réaliser des dispositifs de visualisation à émission par effet de champ pour des dispositifs de visua- lisation à panneau plat et d'autres équipements électro- niques. De façon générale, le procédé comprend la forma- tion d'un élément d'arrêt de lumière entre un écran de visualisation à cathodoluminescence et une plaque de base du dispositif de visualisation à émission par effet de champ. L'élément d'arrêt de lumière protège les jonctions semiconductrices sur un substrat du dispositif de visuali- sation à émission par effet de champ, vis-à-vis de photons qui sont générés dans l'environnement et par l'écran de visualisation. L'élément d'arrêt de lumière peut être formé par une couche opaque conçue pour absorber ou réfléchir la lumière. En plus de la protection des jonc- tions semiconductrices contre les effets de photons, la couche opaque peut remplir d'autres fonctions de circuit. Par exemple, un motif peut être défini dans la couche opaque pour former des lignes de connexion inter-niveaux pour des composants de circuit du dispositif de visualisa- tion à émission par effet de champ. Dans un mode de réalisation illustratif, l'élément d'arrêt de lumière est formé par un matériau opaque, absorbant la lumière, qui est déposé sur une plaque de base pour le dispositif de visualisation à émission par effet de champ. Par exemple,un métal telque le titane, qui tend à absorber la lumière, peut être déposé sur la plaque de base d'un dispositif de visualisa- tion à émission par effet de champ. D'autres matériaux opaques appropriés comprennent des matériaux absorbant la lumière isolants, tel qu'un polyimide imprégné de noir de carbone, l'oxyde de manganèse et le dioxyde de manganèse. En outre, il est possible de définir un motif dans une telle couche absorbant la lumière, de façon à couvrir seulement les régions de la plaque de base qui contiennent des jonctions semiconductrices. L'élément d'arrêt de lumière peut également être formé par une couche d'un matériau, tel que l'aluminium, capable de réfléchir la lumière, au lieu de l'absorber. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'un mode de réalisation, donné à titre d'exemple non limitatif. La suite de la descrip- tion se réfère aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est une coupe schématique d'un dispositif de visualisation à émission par effet de champ de l'art antérieur, montrant un site de pixel et des parties de sites de pixels adjacents; et La figure 2 est une coupe schématique d'un site d'émetteur pour un dispositif de visualisation à émission par effet de champ, comportant un élément d'arrêt de lumière formé conformément à l'invention. En se référant maintenant à la figure 2, on voit une illustration schématique d'un site d'émetteur 40 d'un dispositif de visualisation à émission par effet de champ. Le site d'émetteur 40 peut comporter une ou plusieurs pointes auxquelles on a donné une forme vive, comme repre- senté, ou un ou plusieurs cônes, sommets ou arêtes auxquels on a donné une forme vive. Le site d'émetteur 40 est formé sur un substrat 36. Dans le mode de réalisation illustratif, le substrat 36 consiste en silicium monocris- tallin de type P. Selon une variante, le site d'émetteur peut être formé sur un autre matériau de substrat ou sur une couche intermédiaire formée par une couche de verre ou un composite isolant- verre. Dans le mode de réalisation illustratif, le site d'émetteur 40 est formé sur une région 58 du substrat 36 qui est une région de conductivité de type N. La région de conductivité de type N peut faire partie d'une source ou d'un drain d'un transistor à effet de champ qui commande le site d'émet- teur 40. La région de conductivité de type N, 58, et le substrat de type P. 36, forment une jonction semiconduc- trice P/N. Une structure de grille, ou "grille", 42, entoure le site d'émetteur 40. La grille 42 est séparée du substrat 36 par une couche isolante 44. La couche isolante 44 comprend une ouverture gravée 52 pour le site d'émet- teur 40. La grille 42 est connectée à des lignes conduc- trices 60 qui sont formées sur une couche isolante inter- niveau 62. Les lignes conductrices 60 sont noyées dans une couche d'isolation et/ou de passivation 66 et elles sont utilisées pour commander le fonctionnement de la grille 42 ou d'autres composants de circuit. Un écran de visualisation 48 est aligné avec le site d'émetteur 40 et il comprend un revêtement de lumino- phore 50 dans le chemin d'électrons 54 qui sont émis par le site d'émetteur 40. Une source électrique 46 est connectée directement ou indirectement au site d'émetteur 40 qui remplit la fonction d'une cathode. La source élec- trique 46 est également connectée à la grille 42 et à l'écran de visualisation 48 qui remplit la fonction d'une anode. Lorsque la source 46 entre le site d'émetteur 40, la grille 42 et l'écran de visualisation 48 produit une différence de potentiel, des électrons 54 sont émis au site d'émetteur 40. Ces électrons 54 bombardent le revête- ment de luminophore 50 sur l'écran de visualisation 48. Ceci produit les photons 56 qui illuminent l'écran de visualisation 48. Pour tous les éléments de circuit que l'on a décrits jusqu'à présent, on peut utiliser des procédés de fabrication qui sont connus dans la technique. A titre d'exemple, le brevet des E.U.A. n 5 186 670, délivré à Doan et al., décrit des procédés appropriés pour former le substrat 36, le site d'émetteur 40 et la grille 42. Le substrat 36, la grille 42 et leurs circuits associés forment la plaque de base 70 du dispositif de visualisation à émission par effet de champ. Le substrat en silicium 36 contient des dispositifs à semiconducteurs qui commandent le fonctionnement du site d'émetteur 40. Ces dispositifs sont combinés pour former des circuits d'attaque de lignes-colonnes, des circuits de régulation de courant et des circuits pour activer ou isoler électri- quement le site d'émetteur 40. A titre d'exemple, le brevet des E.U.A. n 5 210 472, cité précédemment, qui a été délivré à Casper et al., décrit des paires de transis- tors à effet de champ MOS qui sont formés sur un substrat en silicium et sont connectés en série à des sites d'émet- teurs. L'un des transistors à effet de champ MOS connectés en série est activé par un signal sur le conducteur de ligne. L'autre transistor à effet de champ MOS est activé par un signal sur le conducteur de colonne. Conformément à la présente invention, une couche d'arrêt de lumière 64 est formée sur la plaque de base 70. La couche d'arrêt de lumière 64 empêche la lumière prove- nant de l'environnement et la lumière qui est produite par l'écran de visualisation 48 de tomber sur des jonctions semiconductrices, comme la jonction qui est formée par la région de conductivité de type N, 58, sur le substrat 36. Une couche de passivation 72 est formée sur la couche d'arrêt de lumière 64. La couche d'arrêt de lumière 64 est constituée par un matériau qui est opaque à la lumière. La couche d'arrêt de lumière 64 peut être constituée par un matériau conducteur ou isolant. De plus, la couche d'arrêt de lumière 64 peut absorber la lumière ou réfléchir la lumière. Des matériaux appropriés comprennent des métaux, tels que le titane, qui tendent à absorber la lumière, ou un métal fortement réfléchissant, comme l'aluminium. D'autres matériaux conducteurs appropriés comprennent des alliages aluminium-cuivre, des métaux réfractaires et des siliciures de métaux réfractaires. De plus, des matériaux isolants appropriés comprennent l'oxyde de manganèse, le dioxyde de manganèse ou un polymère chimique tel qu'un polyimide imprégné de noir de carbone. Ces matériaux isolants tendent à absorber la lumière et ils peuvent être déposés en une couche relativement épaisse. Pour une couche d'arrêt de lumière 64 formée par un métal, on peut utiliser une technique de dépôt telle que le dépôt chimique en phase vapeur (DCV), la pulvé- risation cathodique ou le dépôt par faisceau d'électrons (DFE). Pour une couche d'arrêt de lumière 64 formée par un matériau isolant ou un polymère chimique, on peut utiliser des procédés de dépôt en phase liquide et de maturation, pour former une couche ayant une épaisseur désirée. La couche d'arrêt de lumière 64 peut être déposée uniformément pour couvrir pratiquement toute la plaque de base 70, ou bien on peut définir un motif dans cette couche en utilisant un procédé de photolithographie pour protéger des zones prédéterminées sur le substrat 36 (c'est-à-dire des zones occupées par des jonctions). En outre, la couche d'arrêt de lumière 64 peut être formée de façon à remplir une autre fonction de circuit, à condition que la zone qui est occupée par les jonctions semiconduc- trices soit protégée dans une large mesure. A titre d'exemple, on peut définir un motif dans la couche d'arrêt de lumière 64 pour qu'elle remplisse la fonction d'un connecteur inter-niveau. Une séquence de processus pour former un site d'émetteur 40 avec la couche d'arrêt de lumière 64 est la suivante: 1. Former des sites d'émetteurs d'électrons 40 sous la forme de protubérances, de pointes, de coins, de cônes ou d'arêtes, par masquage et gravure du substrat en silicium 36. 2. Former des régions de conductivité de type N, 58, pour les sites d'émetteur 40, par définition de motif et dopage du substrat en silicium monocristallin 36. 3. Donner une forme vive aux sites d'émetteurs , par oxydation, en utilisant un procédé d'oxydation approprié. 4. Former la couche isolante 44 par le dépôt conforme d'une couche de dioxyde de silicium. On peut également utiliser d'autres matériaux isolants tels que le nitrure de silicium et l'oxynitrure de silicium. 5. Former la grille 42 par dépôt de silicium polycristallin dopé, suivi par aplanissement chimique/ mécanique (ACM) pour auto-alignerla grille et le site d'émetteur 40. Un tel procédé est décrit en détail dans le brevet des E.U.A. n 5 229 331, délivré à Rolfson et al. A la place de silicium polycristallin, on peut également utiliser d'autres matériaux conducteurs, comme le chrome, le molybdène et d'autres métaux. 6. Former la grille 42 par définition de motif avec une résine photosensible et gravure par voie sèche. 7. Former la couche isolante inter-niveau 62 sur la grille 42. Former des contacts à travers la couche isolante 62 par définition d'un motif avec une résine photosensible et gravure. 8. Former les lignes conductrices en métal, 60, pour les connexions de grille et d'autres circuits. Former la couche de passivation 66. 9. Former la couche d'arrêt de lumière 64. Pour une couche d'arrêt de lumière formée par du titane ou un autre métal, on peut déposer la couche d'arrêt de lumière de façon à lui donner une épaisseur comprise entre 200 nm et 400 nm. On peut déposer d'autres matériaux avec une épaisseur appropriée au matériau particulier. 10. Effectuer des opérations de définition de motif avec une résine photosensible et de gravure par voie sèche dans la couche d'arrêt de lumière 64, la couche de passivation 66 et la couche d'isolation 62, pour ouvrir des régions de connexion d'émetteurs et de plages de connexion. 11. Former la couche de passivation 72 sur la couche d'arrêt de lumière 64. 12. Former des ouvertures à travers la couche de passivation 72 pour les sites d'émetteurs 40. 13. Graver la couche d'isolation 44 pour ouvrir la cavité 52 pour les sites d'émetteurs 40. On peut réaliser ceci en utilisant des opérations de définition de motif avec une résine photosensible et de gravure par voie humide. Pour des sites d'émetteurs 40 en silicium auxquels on a donné une forme vive par oxydation avec une couche de dioxyde de silicium, l'acide HF dilué est un agent de gravure par voie humide approprié. 14. Continuer le traitement pour former des entretoises et l'écran de visualisation. L'invention procure donc un procédé pour empêcher une fuite de jonction dans un dispositif de visualisation à émission par effet de champ, utilisant un élément d'arrêt de lumière qui est formé sur la plaque de base du dispositif de visualisation à émission par effet de champ. On notera que la séquence de processus ci-dessus constitue simplement un exemple et peut être changée en fonction de différences dans les matériaux de la plaque de base, du site d'émetteur et de la grille, ainsi que de leur technologie de formation associée. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour réduire le courant de fuite de jonctions provenant de jonctions semiconductrices dans un dispositif de visualisation à émission par effet de champ ayant une plaque de base (70), des sites d'émetteurs (40) et des jonctions semiconductrices, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération qui consiste à former un élément d'arrêt de lumière (64) sur la plaque de base (70) entre les jonctions semiconductrices et un écran de visualisa- tion (48), dans le but de protéger les jonctions semicon- ductrices contre un bombardement par des photons provenant de l'écran de visualisation (48) et provenant d'un envi- ronnement du dispositif de visualisation à émission par effet de champ. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément d'arrêt de lumière (64) comprend un matériau absorbant la lumière. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément d'arrêt de lumière (64) comprend un matériau réfléchissant la lumière. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément d'arrêt de lumière (64) comprend une couche de matériau uniformément déposée sur la plaque de base (70) du dispositif de visualisation à émission par effet de champ. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément d'arrêt de lumière (64) comprend une couche de matériau que l'on a déposée et dans laquelle on a défini un motif pour protéger des zones prédéterminées de la plaque de base (70). 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément d'arrêt de lumière (64) comprend une couche d'un matériau conducteur que l'on a déposée et dans laquelle on a défini un motif pour protéger les jonctions semiconductrices et pour acheminer des signaux électriques à l'intérieur du dispositif de visualisation à émission par effet de champ. 7. Procédé pour former un dispositif de visua- lisation à émission par effet de champ, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: on fournit une plaque de base (70) ayant des jonctions semiconductrices; on forme des sites d'émetteurs (40) sur la plaque de base (70), connectés électriquement aux jonctions semiconduc- trices et à une source électrique (46), ces sites d'émet- teurs étant alignés avec un écran de visualisation (48) ayant un revêtement de luminophore (50); on forme une grille conductrice (42) pour les sites d'émetteurs (40), cette grille conductrice (42) étant connectée à la source électrique (46) et séparée de la plaque de base (70) par une couche isolante (44), et conçue pour établir une différence de potentiel pour produire une émission d'élec- trons (54) à partir des sites d'émetteurs (40) et une émission de photons (56) à partir de l'écran de visuali- sation (48); et on forme un élément d'arrêt de lumière (64) opaque sur la plaque de base (70) pour arrêter des photons qui sont dirigés vers les jonctions semiconduc- trices, dans le but de protéger les jonctions contre une fuite de jonction occasionnée par les photons et d'amélio- rer une image sur l'écran de visualisation (48). 8. Procédé pour former un dispositif de visuali- sation à émission par effet de champ selon la revendica- tion 7, caractérisé en ce que l'élément d'arrêt de lumière (64) est formé par un matériau sélectionné dans le groupe de matériauxqui comprend un métal, un polyimide imprégné de noir de carbone, le dioxyde de manganèse et l'oxyde de manganèse. 9. Procédé pour former un dispositif de visuali- sation à émission par effet de champ, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: on forme des sites d'émetteurs (40) sur une plaque de base (70); on forme des jonctions semiconductrices sur la plaque de base (70), avec les pointes des émetteurs connectées électri- quement aux jonctions semiconductrices et à une source électrique (46); on forme des éléments de grille conduc- teurs (42) pour les sites d'émetteurs (40), avec les éléments de grille (42) connectés à la source électrique (46) et séparés de la plaque de base (70) par une couche isolante (44), ces éléments de grille (42) étant conçus pour établir une différence de potentiel de façon à produire une émission d'électrons (54) à partir de sites d'émetteurs (40) sélectionnés; on forme un élément d'arrêt de lumière (64) opaque sur la plaque de base (70) pour arrêter des photons qui sont dirigés vers les jonctions semiconductrices, cet élément d'arrêt de lumière (64) opaque étant formé sous la forme d'une couche de matériau déposée sur la plaque de base (70); et on forme un écran de visualisation (48) avec un revêtement de luminophore (50), cet écran de visualisation (48) étant espacé vis-à- vis de la plaque de base (70) et aligné avec un ou plusieurs sites d'émetteurs (40) pour recevoir des élec- trons (54) émis par les sites d'émetteurs (40), afin de générer des photons (56) pour éclairer l'écran de visuali- sation (48). 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément d'arrêt de lumière (64) consiste en une couche dans laquelle on a défini un motif, pour protéger des zones prédéterminées de la plaque de base (70). 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément d'arrêt de lumière (64) est un matériau absorbant la lumière. 12. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'élément d'arrêt de lumière (64) est un matériau réfléchissant la lumière.