FR 2732478 A1 19961004 FR 9503768 A 19950330 La présente invention concerne le domaine général de l'opto- électronique et, plus précisément, une structure à deux guides optiques, du type comprenant une couche de confinement inférieure, un coeur de guidage de la lumière et deux rubans pour charger le coeur et former les guides optiques. On a proposé des coupleurs directionnels comportant une structure à deux guides optiques du type précité. Ces coupleurs connus ne fonctionnent cependant correctement que pour une polarisation prédéterminée de la lumière incidente. Cela pose problème lorsque des fibres optiques sont utilisées pour acheminer la lumière au coupleur, car ces dernières ne respectent pas de manière générale la polarisation de la lumière et en sortie des fibres optiques celle-ci est indéterminée. Il existe donc un besoin pour disposer de structures à deux guides optiques qui fonctionnent indépendamment de la polarisation de la lumière incidente. On a proposé dans la publication "Polarization-Independent Wavelength Filter Using a Grating-Assisted Vertical Directional Coupler in InP", ThP 12.5 page 69, F. Heismann et al., une structure à deux guides optiques superposés dans laquelle l'indépendance à la polarisation est obtenue en faisant varier le pas d'un réseau de couplage. La présente invention a pour objet de proposer une structure à deux guides optiques insensible à la polarisation. Elle y parvient par le fait que l'épaisseur du coeur de guidage et l'épaisseur des rubans de charge sont choisies de manière à ce que les guides optiques aient la même biréfringence. L'invention a encore pour objet un procédé pour réaliser une structure du type précité, insensible à la polarisation, dans lequel de façon caractéristique on dépose par épitaxie une succession de couches minces alternées, respectivement en matériau binaire et en matériau quaternaire, en vue d'obtenir, après gravure des rubans, des épaisseurs de coeur et de rubans conduisant à des guides optiques de biréfringences prédéterminées. Avantageusement, le procédé comprend en outre les étapes consistant à déposer par épitaxie sur une couche de confinement inférieure en matériau binaire, une couche massive en matériau quaternaire puis ladite succession de couches minces alternées, à mesurer par photo- luminescence la longueur d'onde de bande interdite du matériau quaternaire, à réaliser un masque puis à graver les rubans dans ladite succession de couches minces alternées. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaitront à la lecture de la description détaillée qui suit, d'exemples de réalisation non limitatifs de l'invention, et à l'examen du dessin annexé sur lequel: - la figure 1 est une vue en perspective, schématique et partielle, d'une structure à deux guides optiques conforme à un premier exemple de réalisation de l'invention, - la figure 2 est une section transversale de la structure représentée sur la figure 1, - la figure 3 est une vue de dessus, schématique, de la structure représentée sur la figure 1, - la figure 4 montre l'évolution de la biréfringence d'un guide optique en fonction de l'épaisseur du ruban de charge, pour plusieurs valeurs de l'épaisseur du coeur, - la figure 5 est une vue analogue à la figure 4, pour trois valeurs particulières de l'épaisseur du coeur, - la figure 6 est une section transversale d'une structure conforme à un deuxième exemple de réalisation de l'invention, -20 - la figure 7 est une vue de dessus correspondant à la structure représentée sur la figure 6, et - les figures 8 et 9 sont des réponses spectrales de filtres réalisés conformément à l'invention, correspondant à la structure représentée sur les figures 6 et 7, pour deux valeurs de longueur d'onde de bande interdite du matériau quaternaire. La description qui suit se fera en référence à un repère orthogonal XYZ, l'axe Z étant orienté verticalement. La structure 1 à deux guides optiques représentée sur les figures 1 à 3 est un coupleur directionnel asymétrique plan assisté par réseau. Bien entendu, ce coupleur pourrait être intégré avec d'autres composants optiques, électroniques ou opto-électroniques, sans sortir du cadre de la présente invention, au sein d'une structure monolithique. La structure 1 comporte une couche de confinement inférieure 2 et un coeur 3 de guidage de la lumière, surmonté de deux rubans de charge 4 et 5 destinés à confiner latéralement la lumière dans le coeur 3 et former deux guides optiques, parallèles, monomodes, plans et chargés. L'indice de réfraction effectif du coeur 3 est supérieur à celui de la couche de confinement inférieure 2 et à celui des rubans de charge 4 et 5. Ces derniers et le coeur 3 sont recouverts par une couche de confinement supérieure 6 non représentée sur la figure 1, d'indice de réfraction inférieur à l'indice effectif du coeur et à celui des rubans de charge. Les rubans 4, 5 s'étendent S longitudinalement dans la direction de l'axe X et sont séparés par une gorge 7. Le ruban de charge 4 présente une section transversale rectangulaire, de largeur (mesurée dans la direction de l'axe Y) égale à wl, et d'épaisseur (mesurée dans la direction de l'axe Z) égale à el. Le ruban de charge 5 est gravé latéralement pour former un réseau de couplage de période A dans la direction de l'axe X. Il présente une section transversale rectangulaire. Cette section est composée de la réunion d'une partie centrale invariable de largeur constante wV2 et d'une partie latérale variable, de largeur dw, constituant une dent du réseau, et s'étendant de façon alternée de part et d'autre de ladite partie centrale. Les guides optiques associés aux rubans de charge 4 et 5 présentent des indices effectifs différents, respectivement égaux à N1 et N2. Le réseau de couplage gravé sur le ruban de charge 5 est conformé pour réaliser un accord de phase entre les deux guides optiques, pour une longueur d'onde particulière appelée longueur d'onde de Bragg XB, qui est également la longueur d'onde autour de laquelle est centrée la bande passante du filtre. Cette longueur d'onde de Bragg XB vérifie la relation B = A(N1 - N2). (1) Lorsque la structure décrite est utilisée pour filtrer en longueur d'onde une lumière incidente Li, celle-ci est envoyée en entrée sur un guide optique et l'onde lumineuse filtrée Le est recueillie sur l'autre guide optique en sortie. Pour la longueur d'onde de Bragg XB, le transfert d'énergie lumineuse d'un guide optique vers l'autre est maximum. L'indépendance à la polarisation du filtre est obtenue lorsque kBTE = kBTNI, ( 2) c'est-à-dire lorsque les longueurs d'onde de Bragg XB pour les modes de polarisation TE et TM sont égales. Compte tenu de la relation (1) qui précède, la relation (2) s'écrit encore: (N1TE- N1TNI) = (N2-TE- N2TMI), (3) ce qui signifie que les guides optiques d'indices effectifs N1 et N2 ont même biréfringence. On a représenté sur les figures 4 et 5 l'évolution de la biréfringence NTE- NTMI pour un guide optique monomode plan chargé, en fonction de l'épaisseur e du ruban de charge (en lm) et pour un ensemble de valeurs de l'épaisseur h du coeur 3. On remarquera que pour une valeur donnée de l'épaisseur h, il existe deux valeurs de l'épaisseur du ruban de charge el, e2, pour lesquelles le guide optique présente la même biréfringence NTE- NTM. L'invention exploite cette constatation et les épaisseurs et et e2 des rubans de charge 4 et 5 sont choisies en fonction de l'épaisseur h du coeur 3 de manière à ce que les guides optiques d'indices effectifs N1 et N2 aient même biréfringence. On réalise le coeur 3 et les rubans de charge 4, 5 par dépôt successif de couches minces alternées, les épaisseurs du coeur 3 et des rubans de charge 4, 5 vérifiant la relation (3) précitée traduisant l'égalité des biréfringences des guides optiques. Dans un exemple de réalisation préféré de l'invention, les diverses couches sont déposées par épitaxie en phase vapeur (MOCVD). La couche de confinement inférieure 2 est constituée en matériau binaire InP et elle est réalisée sur un substrat plan. On dépose ensuite, comme représenté plus particulièrement sur la figure 2, une couche massive 30 de matériau quaternaire InGaAsP, d'épaisseur h0, puis une succession de couches minces alternées 31, 32 respectivement en matériau binaire InP et en matériau quaternaire InGaAsP, sur une épaisseur totale h'. Chaque couche mince 31 ou 32 présente une épaisseur inférieure ou égale à 200 À, ce qui permet de contrôler l'épaisseur totale h = ho + h' de la couche de coeur 3 avec une précision de l'ordre de + 100 À. Le choix de l'épaisseur totale h dépend de la réponse spectrale souhaitée pour le filtre. Après réalisation du coeur 3, on dépose par épitaxie une succession de couches minces alternées 51, 52 respectivement en matériau binaire InP et en matériau quaternaire InGaAsP sur une épaisseur totale e2. Chaque couche mince 51, 52 présente une épaisseur inférieure ou égale à 200 À. On réalise un masque et l'on grave par attaque chimique, de manière connue en soi, les rubans de charge 4, 5 et le réseau de couplage. Les couches minces alternées 51 et 52 sont gravées après avoir caractérisé, par une mesure de photoluminescence, la longueur d'onde Xg caractéristique de la bande interdite du matériau quaternaire. Il est rappelé ici que l'indice de réfraction du matériau quaternaire dépend de la longueur d'onde kg, cette dernière pouvant être mesurée avec une précision de l'ordre de + 20 nm.Après réalisation des rubans, l'ensemble est enterré par dépôt d'une couche de confinement supérieure 6 constituée en matériau binaire InP. Plus précisément, dans l'exemple de réalisation des figures 1 à 3, on dépose par épitaxie seize couches minces alternées, dont quatre couches minces 31 d'InP et quatre couches minces 32 d'InGaAsP sur la couche massive , pour former le coeur 3, puis quatre couches minces 51 d'InP et quatre couches minces 52 d'InGaAsP. Les rubans de charge 4 et 5 et le réseau de couplage sont gravés dans l'empilement de couches minces 51 et 52. Après gravure, le ruban 4 est constitué par l'empilement de quatre couches minces alternées 51 d'InP et 52 d'InGaAsP reposant sur le coeur 3. Le ruban 5 est constitué par l'empilement de huit couches minces alternées 51 d'InP et 52 d'InGaAsP reposant sur le coeur 3. On a représenté sur les figures 6 et 7 une deuxième structure 1' conforme à l'invention. Cette structure diffère de la précédente par la géométrie, le nombre de couches minces alternées épitaxiées et la nature du matériau quaternaire utilisé. La structure 1' comporte une couche de confinement inférieure 2 en matériau binaire InP identique à celle de la réalisation précédente. Le coeur 3' est formé d'un empilement d'une couche massive 30' en matériau quaternaire InGaAsP, d'épaisseur égale à 0,2 Itm, d'une couche mince 31' en matériau binaire InP, de 200 A d'épaisseur, et d'une couche mince 32' en matériau quaternaire InGaAsP, de 200 À d'épaisseur. Le ruban 4' est constitué par un empilement de quatre couches minces alternées, chacune de 200 A d'épaisseur, dont deux couches minces 51' en matériau binaire InP et deux couches minces 52' en matériau quaternaire InGaAsP. La largeur du ruban 4' vaut 1,16 tm. Le ruban 5' est formé par l'empilement de dix couches minces alternées chacune de 200 À d'épaisseur, dont cinq couches minces 51' en matériau binaire InP et cinq couches minces 52' en matériau quaternaire InGaAsP. La largeur wV2 de la partie centrale de largeur constante du réseau gravé sur le ruban 5' vaut 1,6 kLm et la largeur dw d'une dent vaut 0,6 vm. La largeur de la gorge 7' séparant les rubans 4' et 5' vaut 3 tm. La période A du réseau de couplage vaut 127 Hm. On a représenté sur la figure 8 la réponse spectrale d'un filtre présentant une structure du type de celle décrite en référence aux figures 6 et 7, le matériau quaternaire utilisé InGaAsP présentant une longueur d'onde kg de bande interdite égale à 1,17 Àm. L'homme du métier remarquera à l'examen de la figure 8 que l'on obtient une bonne indépendance à la polarisation du filtre autour de la longueur d'onde centrale. = 1,28 Lm. On a représenté sur la figure 9 la réponse spectrale d'un filtre présentant une structure du type de celle décrite en référence aux figures 6 et 7, le matériau quaternaire présentant une longueur d'onde Xg de bande interdite égale à 1,19 tm,. Là encore, l'homme du métier appréciera l'insensibilité à la polarisation obtenue autour de la longueur d'onde centrale X = 1,28 pm. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée à l'exemple de réalisation décrit, et l'on peut utiliser à la place du matériau binaire InP un matériau binaire GaAs par exemple. Le réseau de couplage peut également être réalisé non plus en modulant la largeur du ruban mais son épaisseur. La structure décrite est du type à rubans enterrés. On peut, en variante, ne pas enterrer les rubans. L'invention s'applique encore à la réalisation de coupleurs symétriques, en particulier d'un séparateur de polarisation, et pourrait permettre par une mesure de la longueur d'onde centrale du filtre de contrôler l'indice effectif d'un guide isolé. REVENDICATIONS 1/ Structure (1; 1') à deux guides optiques, convenant pour réaliser un filtre, comportant une couche de confinement inférieure (2), un coeur (3) de guidage de la lumière, et deux rubans (4, 5; 4', 5') pour charger le coeur (3; 3') et former les guides optiques, caractérisée en ce que l'épaisseur du coeur (h) et les épaisseurs des rubans (el, e2) sont choisies de manière à ce que les guides optiques aient même biréfringence. 2/ Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que le coeur (3; 3') comporte un empilement d'une succession de couches minces alternées (31, 32; 31', 32') respectivement en matériau binaire et en matériau quaternaire. 3/ Structure selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que les rubans de charge (4, 5; 4', 5') comportent un empilement d'une succession de couches minces alternées (51, 52; 51', 52') respectivement en matériau binaire et en matériau quaternaire. 4/ Structure selon l'une des revendications 2 et 3, caractérisée en ce que l'épaisseur de chaque couche mince est inférieure ou égale à 200 À. / Structure selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que le coeur (3; 3') comporte une couche massive (30; 30') en matériau quaternaire. 6/ Structure selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisée en ce que le matériau binaire est de l'InP et le matériau quaternaire de l'InGaAsP. 7/ Structure selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisée en ce qu'un réseau de couplage est gravé sur l'un (5; 5') des rubans. 8/ Structure selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisée en ce que les rubans (4, 5; 4', 5') sont enterrés. 9/ Procédé pour réaliser une structure (1; 1') à deux guides optiques, comprenant une couche de confinement inférieure (2), un coeur (3; 3') de guidage de la lumière et deux rubans (4, 5; 4', 5') pour charger le coeur et former les guides optiques, caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à déposer par épitaxie une succession de couches minces alternées, respectivement en matériau binaire et en matériau quaternaire, en vue d'obtenir, après gravure des rubans, des épaisseurs de coeur et de rubans conduisant à des guides optiques de biréfringences prédéterminées. / Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à déposer par épitaxie sur une couche de confinement inférieure (2) en matériau binaire, une couche massive en matériau quaternaire (30; 30') puis ladite succession de couches minces alternées (31,32,51,52; 31',32',51',52'), à mesurer par photo- luminescence la longueur d'onde (Xg) de bande interdite du matériau quaternaire, à réaliser un masque puis à graver les rubans (4, 5; 4', 5') dans ladite succession de couches minces alternées. 11/ Procédé selon l'une des revendications 9 et 10, caractérisé en ce qu'il comprend l'étape consistant à graver un réseau de couplage sur l'un (5; 5') des rubans de charge.