FR 2724057 A1 19960301 FR 9410326 A 19940826 Procédé de réalisation d'un repère sur une plaquette notamment semiconductrice incluant une structure enterrée. La présente invention concerne notamment la réalisation d'un alignement précis bout à bout de deux guides d'ondes optiques formés indépendamment et dont l'un est enterré dans une plaquette, notamment semiconductrice. On utilise pour cela un repère latéral longitudinal, généralement appelé "repère d'hybridation". Les guides d'ondes optiques sont en forme de rubans et seront appelés ci-après "rubans optiques". Le problème de leur alignement se pose notamment lorsque l'on veut coupler un guide d'ondes amplificateur à un guide d'ondes optiques. Le repère est généralement constitué par un flanc rectiligne creusé dans la plaquette. Il présente une hauteur souvent différente de celle du ruban optique. Lorsque deux rubans à aligner sont en surface d'une plaquette (rubans dits "externes"), les positions des canaux latéraux de part et d'autre des rubans et de la vallée à une extrémité latérale définissant le repère sont gravées dans20 une même couche protectrice. On effectue alors une attaque chimique ou par faisceau de particules pour creuser les canaux latéraux des rubans et très partiellement la vallée du repère. Après protection des canaux latéraux et du ruban, on achève l'attaque de la vallée du repère.25 Mais si on tentait de transposer ce procédé à l'alignement d'un ruban enterré, dont la formation nécessite une reprise d'épitaxie, cette dernière serait empêchée par le fait que la protection des canaux latéraux des rubans optiques a altéré la paroi de ces canaux alors que cette30 paroi doit être de bonne qualité cristallographique pour constituer plus tard une interface de reprise d'épitaxie. Or une restauration de cette surface est impossible dans le cas d'une jonction pour amplification par élément de ruban laser, car les rubans optiques doivent avoir une section35 carrée et étroite. Cette dernière doit être formée entre des canaux profonds qui ne permettent pas une restauration qui modifierait la forme de leur section. Pour l'alignement d'un ruban enterré dans une plaquette semiconductrice monocristalline, on a formé jusqu'ici le repère d'alignement selon un plan cristallin. Mais ce mode de formation ne convient pas dans le cas de l'hybridation, dans des Vés silicium, d'amplificateurs semiconducteurs à rubans inclinés par rapport aux faces clivées. Les repères d'alignement doivent en effet être10 alors inclinés par rapport aux faces clivées. De manière générale la présente invention a pour but d'obtenir sans contrainte cristallographique un positionnement transversal relatif précis de deux éléments devant être gravés indépendamment tels que les flancs d'un15 ruban optique à enterrer et un repère d'alignement, notamment pour permettre de réaliser ultérieurement un alignement précis bout à bout de deux rubans optiques dont l'un est enterré. Dans ce but elle a pour objet un procédé de réalisation d'un repère gravé sur une plaquette, notamment semiconductrice, incluant un flanc enterré, ce repère présentant la forme d'un flanc de gravure et définissant la position transversale d'au moins un autre flanc de gravure formé dans la plaquette et constituant le flanc enterré, ce25 repère et ce flanc enterré étant respectivement formés à l'intérieur d'une zone de repère et d'une zone à enterrer et étant respectivement constitués par les bords d'un creux de repére et d'un creux à enterrer gravés dans ces zones, ce procédé étant caractérisé par le fait que a) on dépose, dans la zone de repère, une couche de protection, puis sur celle-ci, une couche de conservation de position, les compositions de ces deux couches étant différentes, b) on dépose une résine photosensible sur la couche de conservation de position et sur la zone à enterrer, c) on élimine la résine photosensible par photolithographie dans les zones du creux de repère et du creux à enterrer pour définir les positions futures du repère et du flanc à enterrer, d) on soumet la plaquette à un milieu d'attaque éliminant la fraction de la couche de conservation de position qui n'est pas protégée par la résine photosensible, ce milieu épargnant cette résine, la couche de protection et le matériau de la plaquette, la position du repère étant alors marquée par un bord de la couche de conservation de position, e) on soumet la plaquette à un milieu d'attaque creusant son matériau pour former le flanc à enterrer, ce milieu épargnant la résine photosensible, la couche de protection et la couche de conservation de position, f) on élimine la résine photosensible, g) on dépose un matériau d'enterrement, notamment épitaxialement un matériau semiconducteur, pour enterrer le flanc à enterrer, h) on protège le matériau de la plaquette dans la zone à enterrer, et i) on soumet la plaquette à un milieu d'attaque éliminant la partie de la couche de protection qui n'est pas protégée par la couche de conservation de position, ce milieu épargnant la couche de conservation de position et le matériau de la plaquette protégé, ce milieu creusant le matériau de la plaquette non protégé pour former le creux de repère. Dans un cas typique deux dits flancs à enterrer sont constitués par les deux bords d'un ruban optique qui doit être enterré, deux dits creux à enterrer étant constitués par deux canaux de part et d'autre de ce ruban. Il est décrit ci-après, à titre d'exemple et en référence aux figures du dessin annexé, la réalisation d'un repère d'alignement longitudinal ou ("repère d'hybridation") d'un ruban optique, pouvant être un ruban optique habituel ou un ruban laser assurant l'amplification du signal du premier ruban optique. La figure 1 représente une opération de photolithographie exposant à la fois les emplacements des canaux latéraux de part et d'autre du ruban optique et de la vallée du repère d'alignement. La figure 2 représente une opération d'attaque sélective à travers une résine photosensible éliminant une couche de conservation de position sur l'emplacement de la10 vallée du repère. La figure 3 représente une opération subséquente d'attaque sélective à travers la résine photosensible qui creuse les canaux latéraux du ruban sans attaquer la couche de protection ni la couche de conservation de position.15 La figure 4 représente l'attaque de la vallée du repère d'alignement. Au début de l'opération de définition du repère, on dépose dans la zone 1 (à gauche de la figure) o celui-ci doit être formé, au-dessus d'une plaquette 2, par exemple en20 phosphure d'indium, dans laquelle est réalisée la couche optique 3, une couche de protection 4 surmontée d'une couche de conservation de position 5 (les natures chimiques de ces deux couches étant différentes, par exemple l'une étant en nitrure de silicium et l'autre en oxyde de silicium). On25 recouvre l'ensemble de ces couches et du substrat par une couche de résine photosensible 6. On met alors à nu par photolithographie à l'aide d'un masque 9 à la fois d'une part les emplacements des canaux latéraux 7, 8 du ruban optique et d'autre part celui de la30 vallée du repère (figure 1). Une première attaque sélective est réalisée dans les ouvertures de la résine photosensible. Elle élimine la couche de conservation de position 5 sur l'emplacement de la vallée du repère sans attaquer le substrat (figure 2).35 Puis une deuxième attaque sélective réalisée dans les mêmes ouvertures creuse les canaux latéraux 7, 8 du ruban sans attaquer la couche de protection 4 ni, latéralement, la couche de conservation de position 5 (figure 3). Après élimination de la résine on recouvre le ruban optique et les canaux latéraux d'un matériau tel que celui de la plaquette. Dans une opération ultérieure, on effectue une attaque sélective de la vallée du repère localisée grâce à la couche de conservation de position 5, seules la couche de protection 4 et une certaine épaisseur de la plaquette 210 étant attaquées. On définit ainsi le flanc rectiligne vertical 10 avec une grande précision, pouvant dépasser 0,3 micromètre (Figure 4). Ce flanc permet d'assurer un excellent alignement bout à bout du ruban enterré avec un autre.15 Les attaques sélectives permettant de former le repère d'alignement et les canaux latéraux du guide d'onde peuvent s'effectuer par gravure sèche (attaque par jets de particules) ou humide (attaque chimique). Les repères d'alignement formés peuvent, en plan, prendre n'importe20 quelles forme, être inclinés par rapport aux axes cristallographiques du substrat, et être localisés en n'importe quel endroit dans le plan de reprise de l'épitaxie. REVENDICATIONS 1) Procédé de réalisation d'un repère gravé sur une plaquette, notamment semiconductrice, incluant un flanc enterré, ce repère présentant la forme d'un flanc de gravure et définissant la position transversale d'au moins un autre flanc de gravure formé dans la plaquette et constituant le flanc enterré, ce repère et ce flanc enterré étant10 respectivement formés à l'intérieur d'une zone de repère (1) et d'une zone à enterrer (7) et étant respectivement constitués par les bords d'un creux de repère et d'un creux à enterrer gravés dans ces zones, ce procédé étant caractérisé par le fait que a) on dépose, dans la zone de repère, une couche de protection (4), puis sur celle-ci, une couche de conservation de position (5), les compositions de ces deux couches étant différentes, b) on dépose une résine photosensible (6) sur la couche de conservation de position et sur la zone à enterrer, c) on élimine la résine photosensible par photolithographie dans les zones du creux de repère et du creux à enterrer pour définir les positions futures du25 repère et du flanc à enterrer, d) on soumet la plaquette à un milieu d'attaque éliminant la fraction de la couche de conservation de position qui n'est pas protégée par la résine photosensible, ce milieu épargnant cette résine (6), la couche de30 protection (4) et le matériau de la plaquette, la position du repère étant alors marquée par un bord de la couche de conservation de position, e) on soumet la plaquette à un milieu d'attaque creusant son matériau pour former le flanc à enterrer, ce milieu épargnant la résine photosensible, la couche de protection et la couche de conservation de position, f) on élimine la résine photosensible, g) on dépose un matériau d'enterrement, notamment épitaxialement un matériau semiconducteur, pour enterrer le flanc à enterrer, h) on protège le matériau de la plaquette dans la zone à enterrer, et i) on soumet la plaquette à au moins un milieu d'attaque éliminant la partie de la couche de protection qui n'est pas protégée par la couche de conservation de10 position, ce milieu épargnant la couche de conservation de position et le matériau de la plaquette protégé, ce milieu creusant le matériau de la plaquette non protégé pour former le creux de repère. 2) Procédé selon la revendication 1 dans lequel deux dits flancs à enterrer sont constitués par les deux bords d'un ruban optique qui doit être enterré, deux dits creux à enterrer étant constitués par deux canaux de part et d'autre de ce ruban.