FR 2723967 A1 19960301 FR 9510136 A 19950828 Dispositif pour la croissance de cristaux La présente invention concerne un procédé pour faire croître des cristaux à partir d'une zone de fusion qui est chauffée et à laquelle est amené un matériau de départ, qui est fondu et déposé à partir de la zone de fusion et sous forme cristalline sur un substrat. On connait par la littérature une multiplicité de procédés de ce type. Le procédé à "laser-heated pedestal growth" (procédé LHPG, ou à croissance sur piédestal à chauffage par laser) s'est révélé particulièrement approprié notamment pour la production de fibres monocristallines. Dans ce procédé LHPG, une barre de matériau de départ est fondue sur son côté supérieur par un faisceau laser pour former une calotte fondue. Un germe de cristal est amené par le haut dans cette calotte fondue jusqu'à ce qu'il vienne en contact avec cette dernière et que se constitue une zone de fusion fermée entre le germe et la barre de matériau de départ. Ensuite le germe de cristal est éloigné de façon continue vers le haut de la zone de fusion, le matériau de départ se séparant sous forme cristalline au niveau d'une surface limite entre le germe de cristal et la zone de fusion. Lorsqu'une première couche du nouveau matériau cristallin s'est formée sur le germe, le matériau de départ continue de se déposer sous forme cristalline au niveau d'une surface limite comprise entre le cristal déjà formé par croissance et la zone de fusion. Au cours des diverses étapes du procédé, le germe d'une part et le cristal qui s'est déjà formé d'autre part servent eux-mêmes de substrat. Pour permettre un processus de cristallisation stationnaire, la barre de matériau de départ est simultanément avancée par le dessous vers la zone de fusion et successivement fondue. De ce fait, la zone de fusion reste stationnaire et conserve sa forme et sa grandeur. Elle est stabilisée mécaniquement par un corps de base (barre de matériau de départ) formant une limite inférieure pour la zone de fusion et mobile par rapport à cette zone de fusion, un corps de recouvrement (germe de cristal ou cristal ayant déjà grandi) constituant une limite supérieure de la zone de fusion et mobile par rapport à cette dernière, et un ménisque situé entre le corps de base et le corps de recouvrement. Un inconvénient très important du procédé LHPG consiste dans le fait que le rapport entre le diamètre du substrat et celui de la barre de matériau de départ ne peut pas être choisi à volonté. Pour maintenir la zone de fusion à l'état stable, il faut que le diamètre du substrat, en fonction du type du matériau formant la zone de fusion, soit typiquement compris entre environ au moins un tiers et la moitié du diamètre du corps de base. Quand on utilise des substrats plus minces, la zone de fusion est instable quand elle subit de petites perturbations, ce qui conduit à la désintégration de la zone de fusion et de ce fait à l'arrêt du processus de cristallisation. La croissance de fibres cristallines dont le diamètre est situé dans la plage des micromètres exige donc l'utilisation répétée et successive du procédé LHPG, pour réduire le diamètre des fibres cristallines obtenues par étapes jusqu'à la valeur désirée. Ce mode de fonctionnement est non seulement coûteux, mais peut être la cause de dommages sur le plan qualitatif car du fait de la recristallisation répétée il y a diminution de la concentration des dopants légèrement volatils. L'invention a donc pour but de perfectionner un procédé du type indiqué dans le préambule de manière que les dimensions du substrat le long d'une surface limite entre le substrat et la zone de fusion dépendent moins fortement des dimensions du matériau de départ qui est amené dans la zone de fusion. Ce but est atteint avec un procédé de croissance de cristaux du type décrit dans le préambule du fait que la zone de fusion est stabilisée mécaniquement par un corps de paroi formant une limite pour la zone de fusion et sensiblement immobile par rapport à cette zone de fusion, un corps de base formant une limite inférieure pour la zone de fusion et relativement mobile par rapport au corps de paroi, et un ménisque situé entre le corps de base et le corps de paroi. L'avantage apporté par le concept de l'invention vient du fait que la forme et la grandeur de la zone de fusion sont déterminées essentiellement par un corps de paroi qui est relativement immobile par rapport à la zone de fusion et ne sert ni de substrat ni à l'apport de matériau de départ, et par un corps de base mobile par rapport à ce dernier et de ce fait également par rapport à la zone de fusion, qui peut servir soit de substrat soit à l'apport du matériau de départ. Si le corps de base sert de substrat, la stabilité de la zone de fusion dépend de la manière dont est amené le matériau de départ. Ainsi, les conditions restrictives concernant les rapports entre les dimensions du substrat et du matériau de départ disparaissent. Si le corps de base sert de matériau de départ qui est amené dans la zone de fusion, la stabilité de la zone de fusion est indépendante du substrat. Dans ce cas également les conditions concernant les rapports entre les dimensions du substrat et du matériau de départ disparaissent. Il est avantageux que le corps de paroi forme une limite latérale pour la zone de fusion. La surface du ménisque qui est compris entre le corps de base et le corps de paroi peut dans ce cas être maintenue à des dimensions limitées et on peut éviter facilement la fuite de la zone de fusion par l'espace intermédiaire compris entre le corps de paroi et le corps de base. L'effet d'appui du corps de paroi pour la zone de fusion peut se manifester de façon particulièrement avantageuse quand au moins une partie de la zone de fusion est disposée entre des surfaces opposées l'une à l'autre du corps de paroi. Avantageusement, il est prévu que le corps de paroi entoure la zone de fusion de manière qu'une surface limite entre le corps de paroi et la zone de fusion sépare un autre ménisque situé sur le côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base du ménisque situé entre le corps de base et le corps de paroi. Du fait de cette mesure, la zone de fusion comprend deux surfaces libres (les deux ménisques) qui sont désaccouplées largement mécaniquement, de sorte qu'une perturbation d'un ménisque due par exemple à un mouvement brusque du corps de base n'a guère d'effet sur l'autre ménisque. Un dépôt continu du matériau de départ sur le substrat suppose un mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion. Aucune donnée n'a encore été apportée jusqu'ici sur le type de ce mouvement relatif. Dans un mode de réalisation du procédé de l'invention, un mouvement relatif est produit entre le substrat et la zone de fusion par lequel le substrat est éloigné de la zone de fusion transversalement à une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion. Un tel mouvement relatif permet la croissance de cristaux dont l'expansion longitudinale est d'importance quelconque et qui sont de section transversale sensiblement constante. En variante ou en plus, il est possible de produire un mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion au cours duquel le substrat est déplacé le long d'une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion. Un tel mouvement relatif permet par exemple de former un dépôt cristallin sur des substrats en forme de bandes. Avantageusement, le mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion le long de la surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion dispose de deux degrés de liberté. Il est alors possible de former des dépôts cristallins sur des substrats plans qui présentent une expansion plus importante que celle de la zone de fusion dans plus d'une unique direction. Il est particulièrement avantageux que le mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion dispose de trois degrés de liberté. Un tel mouvement relatif permet la croissance de cristaux à géométrie tridimensionnelle complexe. Dans un mode de réalisation du procédé de l'invention qui convient particulièrement à la croissance de cristaux à symétrie de révolution, le substrat est avantageusement tourné autour d'un axe orienté transversalement à une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion. Comme déjà mentionné, le corps de base ainsi que le substrat peuvent être également utilisés en tant que matériau de départ envoyé dans la zone de fusion. Si l'on utilise le corps de base en tant que substrat, l'avantage est que la surface du substrat peut être sensiblement plus importante que celle de la surface comprise entre le substrat et la zone de fusion. Si en variante on utilise le matériau du corps de base en tant que matériau de départ, l'avantage est que l'on peut sélectionner la section transversale du substrat de façon qu'elle présente une valeur quelconque. Dans ce cas, il est prévu un mouvement relatif entre le corps de base et la zone de fusion au cours duquel le corps de base passe dans la zone de fusion et y fond partiellement. Si l'on utilise le corps de base en tant que matériau de départ, il est alors avantageux que le substrat soit disposé sur côté de la zone de fusion qui est face au corps de base. Le processus de cristallisation sur le substrat n'est alors que légèrement perturbé par le mouvement du corps de base. Une autre possibilité différente ou complémentaire pour amener le matériau de départ dans la zone de fusion consiste à introduire le matériau de départ dans la zone de fusion sous une forme pulvérulente. Cette variante est particulièrement avantageuse pour la cristallisation de quantités importantes de substances, car la fabrication coûteuse des barres de matériau de départ peut être évitée. Aucune indication détaillée n'a été apportée jusqu'ici sur le type de chauffage de la zone de fusion. Il est avantageux que la zone de fusion soit chauffée par un rayonnement laser. Avec un rayonnement laser, on peut atteindre des puissances de chauffage très élevées et constantes dans le temps. Avantageusement, il est prévu que le rayonnement laser vient frapper un côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base. Il n'y a ainsi aucun danger que le rayonnement laser soit obscurci par les dispositifs de déplacement qui produisent un mouvement relatif entre le corps de base et la zone de fusion. Il est particulièrement avantageux que soit produit au moyen d'une optique d'imagerie un faisceau laser à section de forme annulaire focalisé sur la zone de fusion. La focalisation du faisceau laser permet de produire des densités de puissance si élevées que même des matériaux à point de fusion très élevé dont les températures de fusion sont de 2400 C ou plus peuvent être fondus. La section transversale de forme annulaire du faisceau laser produit un profil de température correspondant à symétrie radiale dans la zone de fusion, qui est particulièrement avantageux pour faire fondre régulièrement une barre de matériau de départ cylindrique et concentrique au faisceau laser ou pour obtenir une cristallisation régulière sur un substrat cylindrique concentrique au faisceau laser. On peut obtenir une section transversale à symétrie de révolution totale du faisceau laser sur une surface de la zone de fusion et de ce fait un profil de température à symétrie de révolution totale à l'intérieur de la zone de fusion quand le faisceau laser est focalisé avantageusement sans être obscurci sur la zone de fusion. Une telle focalisation sans obscurcissement du faisceau laser peut être réalisée facilement en subdivisant le faisceau laser dans l'optique d'imagerie en au moins deux faisceaux partiels qui se propagent dans des directions différentes au moyen d'un élément diviseur de faisceau qui subdivise une surface en section transversale du faisceau laser en sections transversales partielles et individuelles ne se chevauchant pas mutuellement, les faisceaux partiels provenant de l'élément diviseur de faisceau étant renvoyés au moyen d'un élément de déflexion sur un élément de rassemblement et les faisceaux partiels individuels étant à nouveau rassemblés au moyen de l'élément de rassemblement. Aucune indication détaillée n'a été fournie jusqu'ici en ce qui concerne le matériau qui constitue le corps de paroi. Si l'on utilise un corps de paroi présentant essentiellement la même composition chimique que le matériau de départ, l'avantage est que la zone de fusion ne peut pas être polluée par des matières étrangères provenant du corps de paroi, ce qui rend possible la croissance de cristaux très purs. 0lo Comme un tel corps de paroi présente la même température de fusion que le matériau de départ, il est possible de déplacer facilement une surface limite entre la zone de fusion et le corps de paroi par une modification du chauffage de la zone de fusion. L'importance de la zone de fusion peut alors être adaptée de façon optimale au processus de croissance utilisé et être également modifiée quand cela est nécessaire pendant la croissance. Ainsi, il est possible de faire croître par exemple des corps creux tridimensionnels à épaisseur de paroi variable. Quand la zone de fusion est chauffée au moyen d'un faisceau laser focalisé sur elle, on peut réguler d'une façon particulièrement simple l'expansion de la zone de fusion transversalement au faisceau laser, le corps de paroi pouvant être déplacé par rapport à un foyer du faisceau laser de manière que soit modifiée l'importance d'une surface à l'intérieur de laquelle le faisceau laser parvient sur la zone de fusion ou sur le corps de paroi. Si l'aire de cette surface augmente, un matériau additionnel provenant du corps de paroi fond et passe dans la zone de fusion, qui croit ainsi aux dépens du corps de paroi. Si par ailleurs l'aire de cette surface diminue, le matériau de la zone de fusion se solidifie et passe dans le corps de paroi, qui croît aux dépens de la zone de fusion. Dans un autre mode de réalisation du procédé de l'invention, on utilise un corps de paroi constitué en un matériau dont le point de fusion est plus élevé que celui du matériau de départ. L'avantage est que l'aire et la forme de la zone de fusion peuvent être déterminées par une constitution appropriée du corps de paroi et ne plus dépendre de la puissance de chauffage au-dessus d'une certaine puissance de chauffage minimale. I1 est particulièrement avantageux que la zone de fusion soit formée par un corps de paroi d'une façon telle qu'un autre ménisque situé sur un côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base présente une expansion sensiblement plus une importante que celle du ménisque situé entre le corps de base et le corps de paroi. Des cristaux peuvent alors être tirés à partir de cet autre ménisque, qui présentent une section transversale sensiblement plus importante que celle du corps de base. Cependant, quand il s'agit de cristaux dont la section transversale est plus petite que celle du corps de base, il est avantageux qu'ils soient tirés d'un autre ménisque car ce dernier est moins fortement courbé qu'un ménisque de surface limitée, ce qui est favorable pour la stabilité de la zone de fusion et de ce fait pour la régularité de la croissance du cristal. Dans tous les procédés de l'invention décrits jusqu'ici, il est avantageux que soit mesurée l'expansion du matériau de départ déposé sous forme cristalline le long d'une surface limite entre la zone de fusion et le substrat pendant la croissance d'un cristal. En variante ou en complément, on peut également mesurer une expansion de la zone de fusion le long d'une surface limite comprise entre la zone de fusion et le substrat dans une partie de la zone de fusion qui est limitrophe du substrat pendant la croissance d'un cristal. Ces mesures permettent de surveiller continuellement le déroulement du processus de cristallisation et de réagir dans le cas d'une divergence par rapport aux valeurs de consigne prédéterminées par une modification des paramètres concernés, tels que la puissance de chauffage, l'apport du matériau de départ et la vitesse du substrat. Une mesure de l'expansion sans contact et de ce fait ne provoquant pas de perturbations, et qui est également fiable, peut être réalisée au moyen d'un agencement de mesure optique. I1 est avantageux de mesurer l'intensité d'un faisceau lumineux venant frapper un détecteur réduite par l'obscurcissement et/ou la diffraction au niveau de la zone de fusion ou du matériau de départ se déposant sous forme cristalline. L'agencement de mesure optique qui est nécessaire pour une telle mesure peut être constitué au moyen de composants peu coûteux. En outre, l'évaluation d'une telle mesure n'est pas compliquée et peut donc être réalisée en peu de temps. Dans tous les procédés de mesure, il est avantageux que le chauffage de la zone de fusion et la vitesse relative entre le corps de base et la zone de fusion au début de la croissance soient adaptés l'un à l'autre de manière que la zone de fusion prenne une forme par laquelle la surface limite entre la zone de fusion et le substrat soit accessible pour la mesure de l'expansion. Si par exemple le substrat est disposé sur un côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base, un autre ménisque supérieur s'étend entre le substrat et le corps de paroi et le corps de base est utilisé en tant que matériau de départ envoyé dans la zone de fusion, ce qui fait que par une augmentation de courte durée de la vitesse relative entre le corps de base et la zone de fusion au début du processus de croissance, la zone de fusion peut être élevée au- dessus de sa valeur moyenne stationnaire de manière que le ménisque supérieur fasse saillie au-dessus du corps de paroi supérieur, de sorte que le corps de paroi ne gêne pas l'accès vers la surface limite comprise entre la zone de fusion et le substrat. Une mesure de l'expansion aussi près que possible de la zone de fusion et du substrat a pour avantage de permettre la reconnaissance très précoce de déviations de l'expansion par rapport à la valeur de consigne. Avantageusement, la vitesse relative entre le substrat et la zone de fusion est régulée en fonction de l'expansion mesurée. Il est alors avantageux que la vitesse relative entre le substrat et la zone de fusion soit augmentée quand l'expansion mesurée est supérieure à la valeur de consigne et soit diminuée quand l'expansion mesurée est inférieure à une valeur de consigne mesurée. Une telle régulation de la vitesse relative entre le substrat et la zone de fusion représente la possibilité la plus directe et de ce fait la plus exempte d'inertie pour compenser des déviations par rapport à la valeur de consigne de l'expansion. En variante ou en plus, on peut également prévoir que l'apport du matériau de départ dans la zone de fusion soit régulé en fonction de l'expansion mesurée. Il est particulièrement avantageux que l'apport du matériau de départ dans la zone de fusion soit augmenté quand l'expansion mesurée est plus faible que celle de la valeur de consigne et soit diminué quand l'expansion mesurée est supérieure à cette valeur de consigne. Lorsque des déviations de l'expansion mesurée par rapport à la valeur de consigne sont compensées par une modification de l'apport de matériau de départ, la vitesse relative entre le substrat et la zone de fusion peut alors être maintenue constante, ce qui détermine une croissance qualitativement meilleure sur le substrat. Dans des modes de réalisation du procédé de l'invention particulièrement avantageux, il est prévu qu'un gradient de température sensiblement constant dans l'espace soit produit dans le matériau de départ qui se dépose sous forme cristalline. Un tel gradient de température constant minimise le nombre de défauts inclus dans le cristal obtenu par croissance en raison de tensions thermiques. Avantageusement, le gradient de température constant est produit par réflexion de la chaleur dégagée par le matériau de départ déposé sous forme cristalline. Une telle réflexion de la chaleur peut être facilement réalisée au moyen de composants ne nécessitant pas d'entretien, et n'exige pas d'apport d'énergie additionnelle. En variante ou en plus, on peut également prévoir que le gradient de température constant soit produit par chauffage du matériau de départ qui se dépose sous forme cristalline. Un tel chauffage additionnel du cristal obtenu par croissance permet,par une adaptation appropriée par rapport à la valeur idéale,de parvenir très près d'un gradient de température constant. il Les avantages des modes de réalisation du procédé de l'invention décrits dans ce qui précède deviennent surtout intéressants quand le procédé de l'invention est utilisé pour la croissance de fibres cristallines à partir d'un matériau de départ se présentant sous forme de fibres dont le diamètre est supérieur à cinq fois le diamètre des fibres cristallines. Une réduction aussi prononcée du diamètre au cours d'une unique étape de croissance au moyen du procédé LHPG connu n'est pas possible mais cependant très souhaitable en raison de l'économie de temps et de coût et en raison de l'amélioration de la qualité (aucune diminution de la concentration des dopants légèrement volatils). Le but de l'invention est en outre un dispositif de croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion, comprenant un dispositif de chauffage pour chauffer la zone de fusion, un matériau de départ pouvant être amené dans la zone de fusion et un substrat sur lequel peut être déposé le matériau provenant de la zone de fusion sous une forme cristalline, but qui est atteint du fait que le dispositif comprend un corps de paroi formant une limite pour la zone de fusion et sensiblement immobile par rapport à la zone de fusion, un corps de base formant une limite inférieure pour la zone de fusion et relativement mobile par rapport au corps de paroi et un ménisque situé entre le corps de base et le corps de paroi, par lesquels la zone de fusion est mécaniquement stabilisée. Avantageusement, il est prévu que le corps de paroi forme une limite latérale pour la zone de fusion. Il est avantageux pour l'effet d'appui de la zone de fusion par le corps de paroi qu'au moins une partie de la zone de fusion soit comprise entre des parties de la surface du corps de paroi qui sont situées face à face. Il est particulièrement avantageux que le corps de paroi entoure la zone de fusion de manière qu'une surface limite entre le corps de paroi et la zone de fusion sépare un autre ménisque situé sur un côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base du ménisque situé entre le corps de base et le corps de paroi. En outre, il est avantageux que le dispositif comprenne un dispositif pour produire un mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion, le substrat étant éloigné de la zone de fusion transversalement par rapport à une surface limite entre le substrat et la zone de fusion. En variante et en plus, on peut prévoir que le dispositif comprend un dispositif pour produire un mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion, le substrat étant déplacé le long d'une surface limite entre le substrat et la zone de fusion. Avantageusement, le dispositif comprend un dispositif pour produire un mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion le long de la surface limite entre le substrat et la zone de fusion avec deux degrés de liberté, ce qui permet la croissance de dépôts cristallins de structure quelconque sur des cristaux plans formant le substrat. Une forme du dispositif selon l'invention qui convient à la croissance de cristaux à géométrie tridimensionnelle complexe comprend un dispositif pour produire un mouvement relatif à trois degrés de liberté entre le substrat et la zone de fusion. Pour la croissance de cristaux à symétrie de révolution, il est particulièrement avantageux que le dispositif comprenne un dispositif pour faire tourner le substrat autour d'un axe qui est orienté transversalement par rapport à une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion. Le corps de base peut servir soit de substrat soit à l'apport de matériau de départ dans la zone de fusion. Dans ce dernier cas, il est avantageux que le dispositif comprenne un dispositif pour produire un mouvement relatif entre le corps de base et la zone de fusion, le corps de base étant avancé dans la zone de fusion transversalement par rapport à une surface limite comprise entre le corps de base et la zone de fusion. Lorsque le corps de base ne constitue pas lui-même le substrat, il est avantageusement prévu que le substrat soit disposé sur un côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base, de manière que le mouvement relatif entre le corps de base et la zone de fusion ne perturbe qu'aussi peu que possible le processus de cristallisation au niveau d'une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion. Aucune indication détaillée n'a été fournie jusqu'ici en ce qui concerne le dispositif de chauffage. Avantageusement, le dispositif de chauffage qui est destiné au chauffage de la zone de fusion comprend une optique d'imagerie pour produire un faisceau laser focalisé sur la zone de fusion et de section transversale de forme annulaire. Il est particulièrement avantageux que le dispositif comprenne une optique d'imagerie pour une focalisation sans obscurcissement d'un faisceau laser sur la zone de fusion. Un mode de réalisation particulièrement simple de cette optique d'imagerie comprend un élément diviseur de faisceau qui subdivise un faisceau laser incident en au moins deux faisceaux partiels se propageant dans des directions différentes, élément qui subdivise une surface de section transversale du faisceau laser incident en surfaces individuelles à section transversale partielle ne se chevauchant pas mutuellement, un élément de rassemblement qui rassemble les faisceaux partiels individuels en un faisceau de sortie et un élément de renvoi qui renvoie sur l'élément de rassemblement les faisceaux partiels provenant de l'élément diviseur de faisceau. Pour éviter que des matières étrangères parviennent dans la zone de fusion et la polluent, il est possible de prévoir que le corps de paroi présente sensiblement la même composition chimique que le matériau de départ. Un tel corps de paroi permet, en liaison avec une optique d'imagerie destinée à la production d'un faisceau laser focalisé sur la zone de fusion et d'un dispositif de positionnement pour modifier la position du corps de paroi par rapport à un foyer du faisceau laser focalisé, de réguler facilement une expansion de la zone de fusion transversalement au faisceau laser. En variante, le corps de paroi peut être également constitué en un matériau dont le point de fusion est plus élevé que celui du matériau de départ. Un tel corps de paroi permet de déterminer l'importance et la forme de la zone de fusion sensiblement indépendamment du dispositif de chauffage. Il est particulièrement avantageux qu'un tel corps de paroi comprenne transversalement par rapport à une surface limite comprise entre le corps de base et la zone de fusion, une ouverture de passage traversante avec une embouchure tournée vers le corps de base et une embouchure à l'opposé du corps de base, la section transversale de l'embouchure qui est à l'opposé du corps de base étant supérieure à la section transversale de l'embouchure tournée vers le corps de base. La zone de fusion disposée dans l'ouverture traversante comprend dans ce cas sur son côté qui est à l'opposé du corps de base un autre ménisque présentant une expansion plus importante que le ménisque situé entre le corps de base et le corps de paroi. Des cristaux peuvent être tirés de ce ménisque, dont la section dépasse celle du corps de base. Lorsqu'on tire des cristaux de diamètre plus petit que celui du corps de base, l'avantage est que le ménisque plus important présente une courbure moins prononcée et est donc plus stable vis-à-vis de perturbations. Des modes de réalisation préférés du dispositif de l'invention comprennent un agencement de mesure pour mesurer une expansion du matériau de départ qui se dépose sous une forme cristalline le long d'une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion et/ou un agencement de mesure pour la mesure d'une expansion de la zone de fusion le long d'une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion dans une partie de la zone de fusion qui est limitrophe du substrat. Les agencements de mesure mentionnés permettent une surveillance continue du processus de cristallisation. En outre, les données déterminées à l'aide des agencements de mesure peuvent être utilisées pour la régulation de l'apport de matériau de départ et/ou de la vitesse relative entre le substrat et la zone de fusion. Un tel agencement de mesure peut comprendre par exemple une source de lumière et un détecteur de lumière. Il est outre avantageux que le dispositif comprenne un dispositif de chauffage additionnel pour produire un gradient de température sensiblement constant dans l'espace dans le matériau de départ qui se dépose sous forme cristalline. Un tel gradient de température constant minimise le nombre de défauts inclus dans le cristal obtenu par croissance en raison de tensions thermiques. De façon avantageuse, le dispositif de chauffage additionnel comprend un réflecteur de chaleur qui fonctionne sans apport d'énergie additionnel. En variante ou en plus, il est également possible de prévoir que le dispositif de chauffage additionnel comprenne un dispositif de chauffage produisant de la chaleur permettant, par une adaptation appropriée, d'obtenir une très bonne constance du gradient de température. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention font l'objet de la description qui suit ainsi que de la représentation de plusieurs modes de réalisation sur les dessins dans lesquels: la figure 1 est une vue latérale avec arrachement partiel d'un premier dispositif selon l'invention destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion, comprenant un corps de base mobile dans trois dimensions; la figure 2 est une vue en plan avec arrachement partiel de l'optique d'imagerie du premier mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention selon la figure 1; la figure 3 est une vue partielle à plus grande échelle de la figure 1 dans l'environnement de la zone de fusion; la figure 4 représente une section d'une vue latérale avec arrachement partiel d'un second mode de réalisation du dispositif selon l'invention destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion, comprenant un dispositif de chauffage et une possibilité de mouvement unidirectionnel du corps de base perpendiculairement à la surface limite comprise entre le corps de base et la zone de fusion; la figure 5 représente une partie d'une autre vue latérale avec arrachement partiel d'un troisième mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion, disposant d'une mobilité bidimensionnelle du corps de base le long de la surface limite comprise entre le corps de base et la zone de fusion; la figure 6 représente une partie d'une vue latérale avec arrachement partiel d'un quatrième mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention pour la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion, comprenant un substrat disposé au-dessus de la zone de fusion, un dispositif de chauffage additionnel et un dispositif de mesure optique pour la détermination du diamètre du matériau cristallin déposé; la figure 7 représente une partie d'une vue partielle avec arrachement partiel d'un cinquième mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion, comprenant un corps de paroi à point de fusion élevé, un substrat disposé au-dessus de la zone de fusion et un dispositif de chauffage additionnel. Les éléments composants de toutes les figures qui sont similaires ou équivalents sur le plan fonctionnel sont désignés par les mêmes références numériques. Un premier mode de réalisation représenté aux figures 1 à 3 d'un dispositif selon l'invention désigné dans son ensemble en 20 et destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion comprend un logement de forme parallélépipédique 22. Sur une paroi frontale supérieure du logement 22 est montée une fenêtre d'entrée 24 qu'un faisceau laser 26 de section en forme de surface circulaire et produit par exemple par un laser au dioxyde de carbone (non montré), traverse verticalement vers le bas. Au cours de son trajet, le faisceau laser 26 parvient sur une optique d'imagerie désignée dans son ensemble en 28,dont la fonction est de former à partir du faisceau laser 26 de section circulaire un faisceau laser convergent 30 exempt d'obscurcissement et à section en forme d'anneau de cercle. L'optique d'imagerie 28 comprend une plaque de recouvrement supérieure horizontale 32 et une plaque de recouvrement inférieure horizontale 34 disposée à une certaine distance au-dessous. La plaque de recouvrement supérieure 32 et la plaque de recouvrement inférieure 34 sont supportées par la paroi interne du logement 22. Un côté inférieur de la plaque de recouvrement supérieure 32 supporte un miroir en coin 36 comprenant deux surfaces réfléchissantes inclinées 38, 40, planes et formant un angle de 90 entre elles, et qui comportent un arête commune 42. L'arête 42 du miroir en coin 36 est tournée vers le bas, alors que sa base 44 s'applique sur le côté inférieur de la plaque de recouvrement supérieure 32. Le miroir en coin 36 comprend un alésage d'entrée 46 le traversant verticalement et disposé symétriquement par rapport à l'arête 42, qui est en alignement avec un trou traversant d'entrée 48 constitué dans la plaque de recouvrement supérieure 32. Le faisceau laser incident 26 parvient par le trou d'entrée 48 et l'alésage d'entrée 46 sur l'optique d'imagerie 38 et parvient ensuite sur un réfraxicône 50 qui est supporté par un côté supérieur de la plaque de recouvrement inférieure 34. Le réfraxicône 50 a pour fonction de transformer la section d'origine de forme circulaire du faisceau laser incident 26 en un faisceau dont la section est sensiblement en forme d'anneau de cercle. A cette fin, le réfraxicône comprend un miroir conique externe 52 concentrique à l'alésage d'entrée 46 et dont l'angle d'ouverture est de 90&, la pointe du cône étant tournée vers l'alésage d'entrée 46, et un miroir conique interne 54 coaxial au miroir conique externe 52 et entourant ce dernier, dont l'enveloppe conique va en s'élargissant en direction de l'alésage d'entrée 46. Un faisceau laser incident 26 dirigé verticalement vers le bas et de section circulaire est transformé en un faisceau laser 56 dirigé verticalement vers le haut par une double réflexion, la première sur le miroir conique externe 52 et ensuite sur le miroir conique interne 54. Le faisceau laser 56 dirigé vers le haut sur le miroir en coin 36 est subdivisé par réflexion sur les surfaces inclinées 38 et 40 de ce miroir qui sont orientées perpendiculairement l'une par rapport à l'autre en deux faisceaux partiels 58 et 60 se propageant dans des directions horizontales opposées, dont la section transversale présente pour chacun d'eux la forme d'un anneau de cercle divisé en deux le long d'un diamètre. Le premier faisceau partiel 58 parvient après une double réflexion sur deux miroirs plans verticaux 62 et 64 qui sont montés sur le côté inférieur de la plaque de recouvrement supérieure 32 et qui forment avec l'arête 42 du miroir en coin 36 un angle de 45', et entre eux un angle de 90', puis sur la surface inclinée réfléchissante du miroir en coin 36. Par ailleurs, le faisceau partiel 60 parvient également après une double réflexion sur deux miroirs plans verticaux 66 et 68 qui sont montés sur le côté inférieur de la plaque de recouvrement supérieure 32, et qui forment avec l'arête 42 du miroir en coin 36 un angle de 45 et entre eux un angle de 90', puis sur la surface inclinée réfléchissante 40 du miroir en coin 36. Les faisceaux partiels 58 et 60 sont réfléchis par les surfaces inclinées 38 et 40 et à nouveau rassemblés en un faisceau de sortie 70 dirigé verticalement vers le bas et de section en forme d'anneau de cercle. Ainsi, dans ce mode de réalisation, le miroir en coin 36 agit aussi bien en tant qu'élément diviseur de faisceau qu'élément de rassemblement, alors que les miroirs plans 62, 64, 66, 68 forment des éléments de renvoi pour les faisceaux partiels 58, 60. Une douille cylindrique et creuse 72 est montée concentriquement au faisceau de sortie 70, douille qui est insérée dans un alésage traversant vertical 74 du miroir en coin 36, et dont le diamètre externe est inférieur au diamètre interne de la section en forme d'anneau de cercle du faisceau de sortie 70. Le faisceau de sortie 70 et la douille 72 traversent en commun un trou de sortie 76 constitué dans la plaque de recouvrement inférieure 34, dont le diamètre est supérieur au diamètre externe de la section en forme d'anneau de cercle du faisceau de sortie 70. A l'extrémité inférieure, la douille 72 supporte un miroir conique externe 72 qui lui est concentrique et dont l'angle d'ouverture est de 900, qui va en se réduisant vers le haut et sur lequel le faisceau de sortie 70 est réfléchi dans des directions horizontales s'étendant radialement vers l'extérieur. Finalement, le faisceau de sortie 70 qui est réfléchi par le miroir conique externe 78 parvient sur un miroir parabolique axial externe 80 qui est monté sur un côté inférieur de la plaque de recouvrement inférieure 34 et qui focalise le faisceau de sortie incident horizontal 70 sur un foyer 82 qui est situé dans le prolongement de l'axe de la douille 72 au-dessous du miroir conique externe 78. Ainsi, le faisceau de sortie 70 se transforme en un faisceau laser convergent 30 à section en forme d'anneau de cercle. Le foyer 82 est situé à l'intérieur d'une zone de fusion 84 formée par le matériau de départ fondu. L'environnement de la zone de fusion 84 est représenté à plus grande échelle à la figure 3. La zone de fusion 84 est limitée vers le bas par un cristal 86 qui forme avec une section de son côté supérieur 87 une partie de fond pour la zone de fusion 84 et de ce fait constitue un corps de base. Dans le mode de réalisation représenté aux figures 1 et 3, le cristal 86 a la forme d'un cône creux disposé sur sa pointe et à axe de symétrie vertical 88. La zone de fusion 84 est disposée dans une ouverture circulaire traversant verticalement une lamelle ou plaquette de forme circulaire 89 orientée horizontalement. Une paroi limite 91 de l'ouverture circulaire 90 forme une paroi latérale qui entoure la zone de fusion 84, ce qui fait que la plaquette 89 représente un corps de paroi. Le matériau de la plaquette 89 présente, dans ce mode de réalisation, une composition chimique qui est sensiblement la même que celle du matériau de la zone de fusion 84 et de ce fait la même température de fusion. La surface limite 92 comprise entre la zone de fusion 84 et la plaquette 89 s'étend de ce fait le long de l'isotherme du point de fusion du matériau de départ. Entre le côté supérieur 87 du cristal 86 et un bord inférieur 93 de l'ouverture circulaire 90 s'étend un ménisque inférieur concave 94 de la zone de fusion 84. Une barre de matériau de départ 95 cylindrique et orientée verticalement est limitrophe du côté supérieur de la zone de fusion 84. Entre le bord d'un côté inférieur 96 de la barre de matériau de départ 95 et un bord supérieur 97 de l'ouverture circulaire 90 de la plaquette 89 s'étend un ménisque supérieur 98 qui, dans le mode de réalisation représenté aux figures 1 et 3, est dans son ensemble concave, mais pouvant être également convexe par sections dans certains cas, ainsi que cela sera expliqué plus bas. O10 Le faisceau laser convergent à section en anneau de cercle 30 vient frapper ce ménisque supérieur 98 à l'intérieur d'une surface d'impact sensiblement en forme d'anneau de cercle 99. Le diamètre interne de la surface d'impact 99 est supérieur au diamètre de la barre de matériau de départ 95 de manière que le faisceau laser 30 ne soit pas obscurci par cette barre 95. La pointe aplatie du cristal en forme de cône creux 86 est supportée par un germe de cristal 100 cylindrique et concentrique à l'axe de symétrie 88, qui est enserré dans un support de cristal 101 en forme de cuvette. Pour produire un mouvement relatif entre le cristal (corps de base) 86 et la zone de fusion 84 est prévu un premier dispositif de déplacement 102, qui permet dans le mode de réalisation représenté à la figure 1 un déplacement linéaire vertical et un déplacement linéaire horizontal du support de cristal 101, ainsi qu'une rotation de ce support 101 autour de l'axe de symétrie 88 du cristal 86. Le premier dispositif de déplacement 102 comprend un premier mécanisme d'entraînement en rotation 103 comportant un arbre d'entraînement 104 qui supporte le support de cristal 101 et dont l'axe coïncide avec l'axe de symétrie 88 du cristal 86. Le premier mécanisme d'entraînement en rotation 103 forme ainsi avec l'arbre d'entraînement 104 un mécanisme d'entraînement en rotation de support de cristal 105 qui permet la rotation du cristal 86 autour de l'axe de symétrie 88. Sur une paroi du boîtier du premier mécanisme d'entraînement en rotation 103 est monté un premier écrou à broche 106 qui est monté sur une première broche 107 d'un second mécanisme d'entraîinement en rotation 108. La première broche 107 est parallèle à la droite horizontale qui passe par le foyer 82 et qui coupe l'axe de symétrie 88 du cristal 86. Le premier écrou 106 est guidé par un premier dispositif de guidage 109 qui est supporté par un boîtier du second mécanisme d'entraînement en rotation 108 et qui est aligné parallèlement à cette première broche 107. Le second mécanisme d'entrainement en rotation 108 permet de déplacer horizontalement et linéairement le support de cristal 101 et de ce fait le cristal 86, car un mouvement de rotation de la première broche 107 provoqué par le second mécanisme d'entraînement en rotation 108 est converti en un mouvement linéaire du premier écrou 106 qui est empêché de tourner par le premier dispositif de guidage 109, le long de la première broche 107. Le second mécanisme d'entraîinement en rotation 108 forme ainsi avec la première broche 107, le premier écrou 106 et le premier dispositif de guidage 109 un dispositif de déplacement linéaire horizontal 110. Sur une paroi du logement du second mécanisme d'entrainement en rotation 108 est monté un second écrou 111 qui est disposé sur une seconde broche 112 d'un troisième mécanisme d'entraînement en rotation 113. La seconde broche 112 est orientée verticalement. Le second écrou 111 est guidé par un second dispositif de guidage 114 qui est supporté par un boitier du troisième mécanisme d'entraînement en rotation 113 et est orienté parallèlement à la seconde broche 112. Le boîtier du troisième mécanisme d'entraînement en rotation 113 est supporté par une paroi interne du logement 22. Le troisième mécanisme d'entraînement en rotation 113 permet de déplacer vers le haut et vers le bas le support de cristal 101 et de ce fait le cristal 86, car un mouvement de rotation de la seconde broche 112 provoqué par le troisième mécanisme d'entraînement en rotation 113 est converti en un mouvement linéaire du second écrou 111, qui est empêché de tourner par le second dispositif de guidage 114, le long de la seconde broche 112. Le troisième mécanisme d'entrainement en rotation 113 forme donc avec la seconde broche 112, le second écrou 111 et le second dispositif de guidage 114 un dispositif de déplacement linéaire vertical 115. Le premier dispositif de déplacement 102 comprenant le dispositif de déplacement linéaire vertical 115, le dispositif de déplacement linéaire horizontal 110 et le mécanisme d'entraînement en rotation du support de cristal 105 sert ainsi à produire un mouvement relatif entre le cristal (corps de base) 90 et la zone de fusion 84 avec trois degrés de liberté, qui peut être utilisé pour la croissance de cristaux à symétrie de révolution présentant une géométrie tridimensionnelle complexe du cristal. Pour obtenir la croissance de cristaux qui ne sont pas à symétrie de révolution et à géométrie tridimensionnelle complexe du cristal, on prévoit en variante ou en plus du mécanisme d'entraînement en rotation du support de cristal 105 un second dispositif de déplacement linéaire horizontal dont la broche est orientée horizontalement et transversalement à la première broche 107 du dispositif de déplacement linéaire horizontal 110. Une section de la plaquette 89 qui entoure la zone de fusion 84 et qui est située à l'extérieur est enserrée dans un support de plaquette 120 qui est relié par une tige de retenue 122 à un support 124, lui-même guidé sur un dispositif de guidage linéaire, par exemple une tige de positionnement 126. La tige de positionnement 126 est montée dans deux paliers 128, 130 qui sont de leur côté fixés sur une paroi interne du logement 22. La barre de matériau de départ 95 est maintenue par exemple dans un support de barre 140 de forme tubulaire, qui est disposé concentriquement dans la douille 72. Le support de barre 140 présente un diamètre inférieur au diamètre interne de la douille 72, et traverse cette douille 72 ainsi qu'un trou traversant 142 de la plaque de recouvrement supérieure 32. * Pour obtenir un mouvement relatif entre la barre de matériau de départ 95 et la zone de fusion 84, on prévoit un second dispositif de déplacement 143 qui permet un déplacement linéaire vertical du support de barre 140. Le second dispositif de déplacement 143 comprend un troisième écrou 144 qui maintient le support de barre 140 à son extrémité supérieure et qui est monté sur une troisième broche orientée verticalement 146 d'un quatrième mécanisme d'entrainement en rotation 148. Le troisième écrou 144 est guidé par un troisième dispositif de O10 guidage 150 qui est supporté par une paroi du boîtier du quatrième mécanisme d'entraînement en rotation 148 et orienté parallèlement à la troisième broche 146. Le boîtier du quatrième mécanisme d'entraînement en rotation 148 est supporté par une paroi interne du logement 22. Le quatrième mécanisme d'entraînement en rotation 148 permet de déplacer vers le haut ou vers le bas le support de barre 140 et de ce fait la barre de matériau de départ 95, car un mouvement de rotation de la troisième broche 146 provoqué par le quatrième mécanisme d'entraînement en rotation 148 est converti en un mouvement linéaire du troisième écrou 144 qui est empêché de tourner par le troisième dispositif de guidage 150, le long de la troisième broche 146. Le quatrième mécanisme d'entraînement en rotation 148 forme ainsi avec la troisième broche 146, le troisième écrou 144 et le troisième dispositif de guidage 150 un dispositif de déplacement linéaire vertical 151c pour le support de barre 140. Au début du procédé selon l'invention destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion, le cristal 86 n'est pas encore présent et la surface frontale supérieure 152 du germe de cristal 88 constitue une surface libre. Grâce au dispositif de déplacement 102, le support de cristal 101 est déplacé horizontalement et verticalement avec le germe de cristal 100, jusqu'à ce que la surface frontale supérieure 152 du germe de cristal 100 se trouve légèrement au-dessous de la plaquette 89, et que le prolongement de l'axe du germe de cristal 100 passe par le foyer 82. L'ouverture circulaire 90 de la plaquette 89 dans laquelle se trouve le foyer 82 est soit vide soit remplie du matériau de départ solidifié au début du procédé. Si du matériau de départ solidifié est présent dans l'environnement du foyer 82, il fond après mise en marche du laser et forme la zone de fusion 84 dans l'ouverture circulaire 90. Dans le cas o il n'y a pas de matériau de départ solidifié au début du procédé dans l'environnement du foyer 82, le support de barre est déplacé vers le bas avec la barre de matériau de départ 95 qu'il contient à l'aide du second dispositif de déplacement 143, de manière que l'extrémité inférieure de la barre de matériau de départ parvienne au foyer 82, fonde en cet endroit et forme la zone de fusion 84. Comme la plaquette 89 est sensiblement de même composition que la zone de fusion 84, l'expansion et la forme de la zone de fusion 84 sont déterminées par la puissance appliquée par le laser et par la position de la plaquette 89 par rapport au foyer 82 du faisceau laser convergent 30. Quand il y a augmentation de la puissance appliquée par le laser, le volume de la zone de fusion 84 augmente, et la surface limite 92 comprise entre la zone de fusion 84 et la plaquette 89 se modifie par élargissement de l'ouverture circulaire 90 par rapport au foyer 82. Lorsqu'il y a diminution de la puissance appliquée par le laser, le volume de la zone de fusion 84 diminue, et la surface limite 92 comprise entre la zone de fusion 84 et la plaquette 89 se modifie en réduisant l'ouverture circulaire 90 en direction du foyer 82. La position de la plaquette 89 par rapport au foyer 82 peut être déterminée par un déplacement du support 124 le long de la tige de positionnement 126, la plaquette 89 étant déplacée vers le haut ou vers le bas et le côté supérieur 153 de la plaquette étant alors déplacé en direction verticale en s'éloignant du foyer 82 (fixe) ou en s'en rapprochant. Si le côté supérieur 153 et de ce fait le ménisque supérieur 98 est éloigné du foyer 82, le diamètre externe de la surface d'impact en forme d'anneau de cercle 99 du faisceau laser convergent 30 augmente. Ceci conduit à une augmentation de l'expansion horizontale de la zone de fusion 84. La surface limite 92 comprise entre la zone de fusion 84 et la plaquette 89 s'éloigne en direction horizontale du foyer 82, et en fait plus loin sur le côté supérieur 153 de la plaquette 89 que sur son côté inférieur 154, ce qui fait que la surface limite 92 est basculée par rapport à la verticale. Si par ailleurs le côté supérieur 153 et de ce fait le ménisque supérieur 89 sont déplacés en direction du foyer 82, le diamètre externe de la surface d'impact en forme d'anneau de cercle 99 diminue. Ceci entraine une diminution de l'expansion horizontale de la zone de fusion 84. La surface limite 92 comprise entre la zone de fusion 84 et la plaquette 89 se déplace en direction horizontale vers le foyer 82, ce qui fait que le basculement de la surface limite 92 par rapport à la verticale diminue. Ensuite, le germe de cristal 100 forme une limite inférieure de la zone de fusion 84 et constitue un corps de base. Le diamètre de la zone de fusion 84 sur le côté inférieur 154 de la plaquette 89 est choisi de manière à être supérieur au diamètre du germe de cristal 100. Le ménisque inférieur 94 qui se forme entre la surface frontale supérieure 152 du germe de cristal 100 et le bord inférieur 93 de l'ouverture circulaire 90 de la plaquette 89 empêche la sortie du matériau de départ en fusion à partir de la zone de fusion 84. Pour obtenir la croissance du cristal 86, le germe de cristal est alors tiré vers le bas de la zone de fusion 84 à l'aide du dispositif de déplacement linéaire vertical 115. Le matériau de départ en fusion qui se trouve au niveau d'une surface limite comprise entre la zone de fusion 84 et le germe de cristal 100 se refroidit et se dépose sous forme cristalline sur la surface frontale supérieure 152 du germe de cristal 100. Cette couche de cristal 86 ainsi formée forme de son côté une surface limite 158 entre la zone de fusion 84 et le cristal 86 et sert de substrat pour le dépôt d'une nouvelle quantité de matériau de départ provenant de la zone de fusion 84. Pour produire un cristal 86 sous la forme du cône creux représenté aux figures 1 et 3, on superpose au mouvement descendant vertical du support de cristal 101 un mouvement de translation horizontal et un mouvement de rotation autour d'un axe de rotation vertical à l'aide du mécanisme d'entrainement en rotation du support de cristal 105. La cristallisation de l'enveloppe du cône a lieu de ce fait sur une trajectoire en spirale. Pour assurer un processus de cristallisation stationnaire, la barre de matériau de départ 95 est continuellement avancée vers la zone de fusion 84 à l'aide du second dispositif de déplacement 143. La vitesse de suivi de la barre de matériau de départ 95 est ainsi déterminée sur la vitesse d'avance du cristal 86, de manière que la quantité de matériau de départ qui fond par unité de temps sur une surface limite 159 comprise entre la zone de fusion 84 et la barre de matériau de départ 95 corresponde à celle qui se perd dans la zone de fusion 84 par cristallisation sur la surface limite 158 entre la zone de fusion 84 et le cristal 86. Dans ces conditions, la zone de fusion 84 conserve sa forme et son expansion pendant le processus de croissance continu. Elle est stabilisée mécaniquement par la plaquette de forme circulaire (le corps de paroi 89), le cristal (corps de base) 86 et le ménisque inférieur 94 situé entre la plaquette 89 et le cristal 86. La forme du ménisque inférieur 94 est déterminée par la minimalisation de la somme provenant des énergies superficielles de la surface limite 92 entre la zone de fusion 84 et la plaquette 89 et de la surface limite 158 comprise entre la zone de fusion 84 et le substrat 86, de l'énergie superficielle du ménisque inférieur 94 ainsi que de l'énergie de gravitation de la zone de fusion 84. Au lieu de présenter la forme d'une barre de matériau de départ solide 95, le matériau de départ de la zone de fusion 84 peut être également apportésous la forme d'une poudre sur le ménisque supérieur 98. Cette solution est particulièrement avantageuse pour la cristallisation de grandes quantités de substances car la fabrication coûteuse dans certains cas d'une barre de matériau de départ 95 devient inutile. Comme la plaquette 89 servant de corps de paroi est de même composition chimique que la zone de fusion 84, la masse fondue ne peut pas être contaminée par des matières étrangères, ce qui fait que la croissance de cristaux très purs est possible. La résolution horizontale dans l'espace des structures cristallines qui peuvent être réalisées est déterminée par le diamètre de la zone de fusion 84 au niveau de la surface limite 158 comprise entre cette zone de fusion 84 et le cristal 86. La forte capacité de focalisation du rayonnement laser permet de réduire ce diamètre et de ce fait la résolution horizontale dans l'espace de la structure cristalline obtenue par croissance jusqu'à environ 1 /mn. En outre, la densité élevée de la puissance du rayonnement laser dans la zone de fusion 82 permet également de faire fondre des substances à points de fusion très élevés tels que du saphir. Un second mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention qui est représenté partiellement à la figure 4 et qui est destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion se différencie du premier mode de réalisation décrit dans ce qui précède du fait qu'un dispositif de chauffage additionnel 160 sous forme d'un petit tube céramique en saphir est prévu, qui est maintenu au moyen d'un support 161 de la tige de retenue 122 et disposé au-dessous de la plaquette 89 coaxialement à l'ouverture circulaire 80 en entourant le cristal 86, et dont la chaleur dégagée par le cristal 86 est renvoyée par réflexion vers ce cristal 86. Du fait du dispositif de chauffage additionnel 160, on obtient un gradient de température le long de cristal 86, perpendiculairement à la surface limite 158 comprise entre le cristal 86 et la zone de fusion 84, qui est aussi constant que possible dans l'espace. Un gradient de température constant diminue le nombre des défauts inclus dans le cristal 86 en raison de tensions thermiques. S'il n'y avait pas de dispositif de chauffage additionnel 160, la température le long du cristal 86 diminuerait plus fortement que linéairement en fonction de l'eloignement par rapport à la surface limite 158. On peut également utiliser à la place du petit tube céramique en saphir un petit tube constitué en un autre matériau à point de fusion élevé et à bonne capacité de réflexion de la chaleur en tant que dispositif de chauffage additionnel 160. A la place d'un tel dispositif de chauffage additionnel passif ou en plus de celui-ci, il est possible de disposer autour du cristal 86 un dispositif de chauffage additionnel actif, par exemple un chauffage par résistance ou par induction, pour obtenir des gradients de température aussi constants que possible. Un troisième mode de réalisation du dispositif de l'invention 20 qui est représenté partiellement à la figure 5 et qui est destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion convient notamment à un dépôt cristallin sur des cristaux de substrat plans 100. A cette fin, le cristal de substrat plan 100 est inséré dans un support de cristal 101 adapté à sa géométrie. La surface limite 156 comprise entre la zone de fusion et le cristal de substrat ne représente qu'une petite partie de la surface d'ensemble 152 du cristal de substrat 100. On obtient un dépôt cristallin sur l'ensemble du côté supérieur 152 par un déplacement horizontal du cristal de substrat 100 au-dessous de la zone de fusion 84, le matériau de départ en fusion provenant de la zone de fusion 84 se cristallisant sur un bord de la surface limite comprise entre la zone de fusion 84 et le cristal de substrat 100 qui est à l'opposé de la direction du mouvement. Pour pouvoir réaliser un cristal de substrat 100 en forme de disque circulaire, les mouvements horizontaux nécessaires peuvent être produits à l'aide de l'agencement représenté à la figure 1 et comprenant un mécanisme d'entrainement en rotation 105 du support de cristal et un dispositif de déplacement linéaire horizontal 110. Par contre, pour produire un dépôt cristallin sur des cristaux de substrat 100 qui ne sont pas à symétrie de révolution, on peut prévoir en variante ou en plus du mécanisme d'entrainement en rotation du support de cristal un second dispositif de déplacement linéaire horizontal dont la broche est orientée horizontalement et transversalement à la première broche 107 du dispositif de déplacement linéaire horizontal 110. Ainsi, on dispose pour le mouvement du cristal de substrat 100 deux degrés de liberté en translation horizontale. Un dépôt cristallin répété ou la production de dépôts plus épais est possible quand au mouvement horizontal du cristal de substrat 88 est superposé un mouvement de translation vertical à l'aide du dispositif de déplacement linéaire vertical 111. En utilisant des cristaux de substrat 100 à orientation cristallographique appropriée, on peut déposer aussi bien des couches homoépitaxiales que des couches hétéroépitaxiales. Un quatrième mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention 20 représenté partiellement à la figure 6 et destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion convient notamment à la croissance de fibres cristallines 86. Ce mode de réalisation se différencie du second mode de réalisation représenté à la figure 4 du fait que le germe de cristal 100 et le cristal (la fibre cristalline) 86 d'une part et la barre de matériau de départ 95 d'autre part sont inversés de manière que dans ce cas la barre de matériau de départ 95 soit enserrée dans le support de cristal 101, forme une limite inférieure pour la zone de fusion 84 et représente ainsi un corps de base, alors que le germe de cristal 100 est inséré dans le support de barre 140 et limite le côté inférieur de la fibre cristalline 86 par le haut dans la zone de fusion 84. De façon correspondante, le dispositif de chauffage additionnel 160 est disposé dans ce mode de réalisation au-dessus de la plaquette 89 en entourant concentriquement la fibre cristalline 86. Le support 161 du dispositif de chauffage additionnel 160 est maintenu dans ce cas par la douille 72 pour éviter un obscurcissement du faisceau laser convergent 30. Pour obtenir la croissance d'une fibre cristalline 86, le support de barre 140 est déplacé verticalement vers le haut, de manière que la fibre cristalline 86 s'éloigne vers le haut de la zone de fusion 84 et que le matériau de départ sous forme cristalline se dépose sur la surface limite 158 comprise entre la zone de fusion 84 et la fibre cristalline 86. Le mouvement de poussée du matériau de départ dans la zone de fusion 84 est obtenu en déplaçant verticalement vers le haut le support de cristal 101 de manière que la barre de matériau de départ pénètre dans la zone de fusion 84 et que le matériau de départ 95 fonde au niveau de la surface limite 159. Pour contrôler la variation du diamètre de la fibre cristalline 86, on mesure le diamètre de cette fibre 86 et/ou du ménisque supérieur 98 à proximité de la surface 158 comprise entre la zone de fusion 84 et la fibre cristalline 86 au moyen d'un agencement de mesure optique 170 qui comprend une source de lumière 164 et un détecteur 166. La source de lumière 164 et le détecteur 166 sont disposés au-dessus de la plaquette 89 sur les côtés opposés de la fibre cristalline 86 et sont maintenus au moyen d'un support 167 de la tige de retenue 122. La source de lumière 164 émet un faisceau lumineux 168 sensiblement parallèle, se propageant horizontalement et coupant la fibre cristalline 86 et/ou le ménisque supérieur 98. La partie du faisceau lumineux 168 qui est reçue par le détecteur 166 dépend, en raison des effets d'obscurcissement et de diffraction, du diamètre de la fibre cristalline 86 ou du ménisque supérieur 98. En comparant le signal du détecteur avec une valeur de consigne, on peut produire dans un régulateur PID une grandeur de référence pour la vitesse de rotation du mécanisme d'entrainement en rotation 113 (montré à la figure 1) et/ou 148, pour corriger de façon appropriée la vitesse verticale de la barre de matériau de départ 95 ou de la fibre cristalline 96, de manière à maintenir une variation aussi faible que possible du diamètre de la fibre cristalline. En augmentant (diminuant) la vitesse verticale de la fibre cristalline 86, on peut diminuer (augmenter) le diamètre de la fibre cristalline 86 momentanément tirée. Inversement, en augmentant (diminuant) la vitesse verticale de la barre de matériau de départ 95, il est possible d'augmenter (diminuer) le diamètre de la fibre cristalline 86 momentanément extraite. Les relations mentionnées entre la vitesse verticale de la fibre cristalline 86 ou de la barre de matériau de départ 95 et le diamètre de la fibre cristalline 86 sont également valables quand le matériau de départ est amené par le haut et quand la fibre cristalline 86 est tirée vers le bas depuis la zone de fusion 84. Comme la fibre cristalline 86 extraite selon une vitesse de cristallisation constante est en général de qualité plus élevée, il o10 est particulièrement avantageux de maintenir la vitesse verticale de la fibre cristalline 86 à une valeur constante et de seulement modifier la vitesse verticale de la barre de matériau de départ 95, par exemple de l'augmenter, quand le diamètre mesuré de la fibre cristalline 86 est inférieur à la valeur de consigne. Une autre possibilité de régulation du diamètre de la fibre cristalline 86 sur la surface limite 158 consiste à modifier la puissance appliquée par le laser. Si celle-ci est augmentée, la surface limite 158 se déplace entre la zone de fusion 84 et la fibre cristalline 86 en direction verticale à partir du foyer 82, le ménisque supérieur 98 se resserrant dans l'environnement de la surface limite 158 et le diamètre de la fibre cristalline 86 diminuant au niveau de la surface limite 158. Quand on diminue par ailleurs la puissance appliquée par le laser, la surface limite 158 se rapproche du foyer 82 et le ménisque supérieur 98 se rétrécit moins fortement tandis que le diamètre de la fibre cristalline 86 augmente au niveau de la surface limite 158. En outre, on peut augmenter le diamètre de la fibre cristalline 86 au niveau de la surface limite 158 en déplaçant vers le haut la plaquette 89 par rapport au foyer 82 dans le cas o la puissance appliquée par le haut par le laser est constante. Comme déjà expliqué, l'expansion horizontale du ménisque supérieur 98 augmente. Comme le volume de la zone de fusion 84 reste essentiellement constant quand la puissance appliquée par le laser est constante, la hauteur de la zone de fusion 84 diminue pour s'équilibrer, ceci signifiant que la surface limite 158 comprise entre la zone de fusion 84 et la fibre cristalline 86 et la surface limite 159 comprise entre la zone de fusion 84 et la barre de matériau de départ 95 se rapprochent l'une de l'autre. De ce fait, le ménisque supérieur 98 s'élargit dans l'environnement de la surface limite 158, et le diamètre de la fibre cristalline 86 augmente au niveau de la surface limite 158. Inversement, le diamètre de la fibre cristalline 86 diminue au niveau de la surface limite 158 quand la plaquette 89 est déplacée vers le bas par rapport au foyer 82 dans le cas o la puissance appliquée par le haut par le laser est constante. O10 Pour mesurer le diamètre de la fibre cristalline 86 au voisinage de la surface limite 158 comprise entre la zone de fusion 84 et la fibre cristalline 86 et pour pouvoir réagir suffisamment à temps quand il y a des modifications de diamètre de cette fibre cristalline 86, il est avantageux que le ménisque supérieur 98 de la zone de fusion 84 soit disposé au-dessus de la plaquette 89, comme montré à la figure 6. On peut réguler cette forme du ménisque supérieur 98 dont le bord externe est de courbure convexe en augmentant pendant un court instant la vitesse verticale de la barre de matériau de départ 95 et/ou la puissance du laser incident au début du processus de croissance au- dessus de leurs valeurs moyennes stationnaires. Comme la zone de fusion 84 est stabilisée mécaniquement par la plaquette 89, la barre de matériau de départ 95 et le ménisque inférieur 94 situé entre la plaquette 89 et la barre de matériau de départ 95, il est possible de choisir un diamètre de la fibre cristalline 86 qui est plus faible que le diamètre de la barre de matériau de départ 95. La croissance de fibres cristallines 86 d'un diamètre de par exemple 50 nm obtenues à partir d'une barre de matériau de départ 95 d'un diamètre de par exemple 1 mm est donc possible au cours d'un unique processus de croissance. Si on utilisait la technique LHPG traditionnelle, il faudrait par contre au moins une autre étape de croissance car dans ce procédé, le rapport entre les diamètres de la barre de matériau de départ et de la fibre cristalline est au maximum de 5. Un cinquième mode de réalisation du dispositif selon l'invention 20 représenté partiellement à la figure 7 et destiné à la croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion convient également tout particulièrement à la croissance de fibres cristallines 86. Ce mode de réalisation se différencie du quatrième mode de réalisation représenté à la figure 6 du fait que la plaquette 89 n'est pas de même composition chimique que le matériau de départ et est constituée en une matière différente dont le point de fusion est plus élevé que celui du matériau de départ et qui n'est sensiblement pas dissous par ce dernier. La plaquette 89 comprend un alésage supérieur central et vertical 172 et un alésage inférieur 174 coaxial à ce dernier, le diamètre de l'alésage supérieur 172 étant supérieur à celui de l'alésage inférieur 174, l'alésage supérieur 172 débouchant sur le côté supérieur 153 de la plaquette 89 et l'alésage inférieur 174 débouchant d'une part sur le côté inférieur 154 de la plaquette 89 et d'autre part dans l'alésage supérieur 172. La puissance appliquée par le laser est choisie de manière que le matériau se trouvant à l'intérieur de l'alésage supérieur 172 soit totalement fondu, mais que la plaquette 89 ne le soit pas. Dans ce cas, la surface limite 92 comprise entre la zone de fusion 84 et la plaquette 89 est déterminée indépendamment par la paroi limite de l'alésage supérieur 172 et par la puissance appliquée par le laser ainsi que par la position du foyer 82 par rapport à la zone de fusion 84. L'avantage de ce mode de réalisation vient du fait que l'expansion horizontale du ménisque supérieur 98 est désaccouplée de celle du ménisque inférieur 94. Contrairement aux conditions des modes de réalisation des figures 1 à 6, le ménisque supérieur 98 peut présenter un diamètre de dimension quelconque supérieure à celui du ménisque inférieur 94. En outre, il faut que la puissance appliquée par le laser ne soit pas déterminée en fonction des dimensions horizontales du corps de base, qui est la barre de matériau de départ à la figure 7. De toute manière, il faut à cette fin choisir le diamètre de la barre de matériau de départ 95 de manière qu'il ne soit pas trop petit par comparaison avec le diamètre de l'alésage inférieur 174, car s'il en était autrement le ménisque inférieur 94 situé entre un côté supérieur de la barre de matériau de départ 95 et un bord supérieur de l'alésage inférieur 174 serait instable. Le cinquième mode de réalisation du dispositif de l'invention permet de tirer des fibres cristallines 86 du ménisque supérieur 98 dont le diamètre est supérieur à celui de la barre de matériau de départ 95. Cependant, un autre ménisque supérieur 98 est avantageux pour la croissance de fibres cristallines 86 dont le diamètre est inférieur à celui de la barre de matériau de départ 95 car un autre ménisque supérieur 98 est moins fortement courbé qu'un ménisque plus étroit, ce qui est favorable pour la stabilité de la zone de fusion 84 et de ce fait pour la régularité de la croissance du cristal. Des matériaux à point de fusion élevé qui conviennent pour la plaquette 89 sont constitués par exemple par du platine, du molybdène, du tungstène ou du saphir. Si le matériau de départ en fusion ne mouille pas le matériau de la plaquette 89, les ménisques 94, 98 forment un angle obtus avec les surfaces de la plaquette 99, comme montré à la figure 7. REVENDICATIONS 1. Procédé pour faire croître des cristaux a partir d'une zone de fusion qui est chauffée et à laquelle est envoyé un matériau de départ qui est fondu et déposé à partir de la zone de fusion et sous forme cristalline sur un substrat, caractérisé en ce que la zone de fusion est stabilisée mécaniquement par un corps de paroi formant une limite pour la zone de fusion et sensiblement immobile par rapport à cette zone de fusion, un corps de base formant une limite inférieure pour la zone de fusion et relativement mobile par rapport au corps de paroi, et un ménisque situé entre le corps de base et le corps de paroi. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le corps de paroi forme une limite latérale pour la zone de fusion. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'au moins une partie de la zone de fusion est disposée entre les surfaces opposées l'une à l'autre du corps de paroi. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le corps de paroi entoure la zone de fusion de manière qu'une surface limite entre le corps de paroi et la zone de fusion sépare un autre ménisque situé sur le côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base du ménisque situé entre le corps de base et le corps de paroi. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'un mouvement relatif est produit entre le substrat et la zone de fusion, le substrat étant éloigné de la zone de fusion transversalement à une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'un mouvement relatif est produit entre le substrat et la zone de fusion, par lequel le substrat est éloigné de la zone de fusion le long d'une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion le long de la surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion dispose de deux degrés de liberté. 8. Procédé selon l'une des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que le mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion dispose de trois degrés de liberté. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat est tourné autour d'un axe qui est orienté transversalement à une surface limite comprise entre le substrat et la zone de fusion. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le corps de base est utilisé en tant que substrat. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le matériau du corps de base est utilisé en tant que matériau de départ, un mouvement relatif entre le corps de base et la zone de fusion étant produit, par lequel le corps de base est avancé dans la zone de fusion et partiellement fondu. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le substrat est disposé sur un côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base. 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau de départ est amené sous forme pulvérulente dans la zone de fusion. 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la zone de fusion est chauffée par un rayonnement laser. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le rayonnement laser parvient sur un côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base. 16. Procédé selon la revendication 14 ou 15, caractérisé en ce qu'est produit au moyen d'une optique d'imagerie un faisceau laser de section annulaire focalisée sur la zone de fusion. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le faisceau laser est focalisé sans être obscurci sur la zone de fusion. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que le faisceau laser est divisé dans l'optique d'imagerie en au moins deux faisceaux partiels qui se propagent dans des directions différentes au moyen d'un élément diviseur de faisceau qui subdivise une surface en section transversale du faisceau laser en sections transversales partielles et individuelles ne se chevauchant pas mutuellement, les faisceaux partiels provenant de l'élément diviseur de faisceau étant renvoyés au moyen d'un élément de déflexion sur un élément de rassemblement et les faisceaux partiels individuels étant à nouveau O10 rassemblés au moyen de l'élément de rassemblement. 19. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on utilise un corps de paroi présentant essentiellement la même composition chimique que le matériau de départ. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que la zone de fusion est chauffée au moyen d'un faisceau laser focalisé sur elle, et en ce que l'expansion de la zone de fusion est régulée transversalement au faisceau laser, le corps de paroi pouvant être déplacé par rapport à un foyer du faisceau laser de manière que soit modifiée l'importance d'une surface à l'intérieur de laquelle le faisceau laser parvient sur la zone de fusion ou sur le corps de paroi. 21. Procédé selon l'une des revendications 1 à 18, caractérisé en ce qu'on utilise un corps de paroi constitué en un matériau dont le point de fusion est plus élevé que celui du matériau de départ. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la zone de fusion est formée par un corps de paroi d'une façon telle qu'un autre ménisque situé sur un côté de la zone de fusion qui est à l'opposé du corps de base présente une expansion sensiblement plus importante que celle du ménisque situé entre le corps de base et le corps de paroi. 23. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on mesure l'expansion du matériau de départ déposé sous forme cristalline le long d'une surface limite entre la zone de fusion et le substrat pendant la croissance d'un cristal. 24. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on mesure l'expansion de la zone de fusion le long d'une surface limite comprise entre la zone de fusion et le substrat dans une partie de la zone de fusion qui est limitrophe du substrat pendant la croissance d'un cristal. 25. Procédé selon la revendication 23 ou 24, caractérisé en ce que la mesure de l'expansion est réalisée au moyen d'un agencement de mesure optique. 26. Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce que O10 l'on mesure l'intensité d'un faisceau lumineux venant frapper un détecteur réduite par l'obscurcissement et/ou la diffraction au niveau de la zone de fusion ou du matériau de départ déposé sous forme cristalline. 27. Procédé selon l'une des revendications 23 à 26, caractérisé en ce que le chauffage de la zone de fusion et la vitesse relative entre le corps de base et la zone de fusion au début de la croissance sont adaptés l'un à l'autre de manière que la zone de fusion prenne une forme par laquelle la surface limite entre la zone de fusion et le substrat soit accessible pour la mesure de l'expansion. 28. Procédé selon l'une des revendications 23 à 27, caractérisé en ce que la vitesse relative entre le substrat et la zone de fusion est régulée en fonction de l'expansion mesurée. 29. Procédé selon la revendication 28, caractérisé en ce que la vitesse relative entre le substrat et la zone de fusion est augmentée quand l'expansion mesurée est supérieure à une valeur de consigne et est diminuée quand l'expansion mesurée est inférieure à la valeur de consigne. 30. Procédé selon l'une des revendications 23 à 29, caractérisé en ce que l'apport du matériau de départ dans la zone de fusion est régulé en fonction de l'expansion mesurée. 31. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'apport du matériau de départ dans la zone de fusion est augmenté quand l'expansion mesurée est plus faible que celle de la valeur de consigne et est diminué quand l'expansion mesurée est supérieure à cette valeur de consigne. 32. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'est produit dans le matériau de départ déposé sous forme cristalline un gradient de température sensiblement constant dans l'espace. 33. Procédé selon la revendication 32, caractérisé en ce que le gradient de température constant est produit par réflexion de la chaleur dégagée par le matériau de départ déposé sous forme cristalline. 34. Procédé selon la revendication 32 ou 33, caractérisé en ce que le gradient de température constant est produit par chauffage du matériau de départ qui s'est déposé sous forme cristalline. 35. Utilisation du procédé selon l'une des revendications précédentes, pour la croissance de fibres cristallines à partir d'un matériau de départ se présentant sous forme de fibres dont le diamètre est supérieur à cinq fois le diamètre des fibres cristallines. 36. Dispositif de croissance de cristaux à partir d'une zone de fusion, comprenant un dispositif de chauffage pour chauffer la zone de fusion, un matériau de départ pouvant être amené dans la zone de fusion et un substrat sur lequel peut être déposé le matériau provenant de la zone de fusion sous une forme cristalline, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un corps de paroi (89) formant une limite pour la zone de fusion (84) et sensiblement immobile par rapport à cette zone de fusion (84), un corps de base formant une limite inférieure pour la zone de fusion (84) et relativement mobile par rapport au corps de paroi (89) et un ménisque (94) situé entre le corps de base et le corps de paroi (89), par lesquels la zone de fusion (84) est mécaniquement stabilisée. 37. Dispositif selon la revendication 36, caractérisé en ce que le corps de paroi (89) forme une limite latérale pour la zone de fusion (84). 38. Dispositif selon la revendication 36 ou 37, caractérisé en ce qu'au moins une partie de la zone de fusion (84) est comprise entre des parties de la surface du corps de paroi (89) qui sont situées face à face. 39. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 38, caractérisé en ce que le corps de paroi (89) entoure la zone de fusion (84) de manière qu'une surface limite (92) entre le corps de paroi (89) et la zone de fusion (84) sépare un autre ménisque (98) situé sur un côté de la zone de fusion (84) qui est à l'opposé du corps de base du ménisque (94) situé entre le corps de base et le corps de paroi (89). 40. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 39, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un dispositif (115) pour produire un mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion (84), le substrat étant éloigné de la zone de fusion transversalement par rapport à une surface limite (158) entre le substrat et la zone de fusion (84). 41. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 40, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un dispositif (105; ) pour produire un mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion (84), le long de la surface limite (158) entre le substrat et la zone de fusion (84). 42. Dispositif selon la revendication 41, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un dispositif pour produire un mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion (84) le long de la surface limite (158) entre le substrat et la zone de fusion (84) avec deux degrés de liberté. 43. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 42, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un dispositif (102) pour produire un mouvement relatif entre le substrat et la zone de fusion (84) avec trois degrés de liberté. 44. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 43, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un dispositif (115) pour faire tourner le substrat autour d'un axe qui est orienté transversalement par rapport à une surface limite (158) comprise entre le substrat et la zone de fusion (84). 45. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 44, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un dispositif (115) pour produire un mouvement relatif entre le corps de base et la zone de fusion (84), le corps de base étant avancé dans la zone de fusion (84) transversalement par rapport à une surface limite (159) comprise entre le corps de base et la zone de fusion (84). 46. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 45, caractérisé en ce que le substrat est disposé sur un côté de la zone de fusion (84) qui est à l'opposé du corps de base. 47. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 46, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage qui est destiné au chauffage de la zone de fusion (84) comprend une optique d'imagerie (28) pour produire un faisceau laser (30) focalisé sur la zone de fusion (84) et de section transversale annulaire. 48. Dispositif selon la revendication 47, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend une optique d'imagerie (28) pour une focalisation sans obscurcissement d'un faisceau laser (30) sur la zone de fusion (84). 49. Dispositif selon la revendication 48, caractérisé en ce que l'optique d'imagerie (28) comprend un élément diviseur de faisceau (36) qui subdivise un faisceau laser incident (56) en au moins deux faisceaux partiels (58, 60) se propageant dans des directions différentes, élément qui subdivise la section transversale du faisceau laser incident (56) en surfaces individuelles à section transversale partielle ne se chevauchant pas mutuellement, un élément de rassemblement (36) qui rassemble les faisceaux partiels individuels (58, 60) en un faisceau de sortie (70) et un élément de renvoi (62, 64, 66, 68) qui renvoie sur l'élément de rassemblement (36) les faisceaux partiels (58, 60) provenant de l'élément diviseur de faisceau (36). 50. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 49, caractérisé en ce que le corps de paroi (89) est sensiblement de même composition chimique que le matériau de départ. 51. Dispositif selon la revendication 50, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend une optique d'imagerie (28) destinée à la production d'un faisceau laser (30) focalisé sur la zone de fusion (84) et un dispositif de positionnement (124, 126) pour modifier la position du corps de paroi (89) par rapport à un foyer (82) du faisceau laser focalisé (30). 52. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 49, caractérisé en ce que le corps de paroi (89) est constitué en un matériau dont le point de fusion est plus élevé que celui du matériau de départ. 53. Dispositif selon la revendication 52, caractérisé en ce que le corps de paroi (89) comprend transversalement par rapport à une surface limite (159) comprise entre le corps de base et la zone de fusion (84) une ouverture de passage traversante (172, 174) avec une embouchure tournée vers le corps de base et une embouchure à l'opposé du corps de base, la section transversale de l'embouchure qui est à l'opposé du corps de base étant supérieure à la section transversale de l'embouchure tournée vers le corps de base. 54. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 53, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un agencement de mesure (164, 166) pour la mesure de l'expansion du matériau de départ qui se dépose sous forme cristalline (86) le long d'une surface limite (158) comprise entre le substrat et la zone de fusion (84). 55. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 54, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un agencement de mesure (164, 166) pour mesurer une expansion du matériau de départ le long d'une surface limite (158) comprise entre le substrat et la zone de fusion (84) dans une partie de la zone de fusion (84) qui est limitrophe du substrat. 56. Dispositif selon la revendication 54 ou 55, caractérisé en ce que l'agencement de mesure comprend une source de lumière (164) et un détecteur de lumière (166). 57. Dispositif selon l'une des revendications 36 à 56, caractérisé en ce que le dispositif (20) comprend un dispositif de chauffage additionnel (160) pour produire un gradient de température sensiblement constant dans l'espace dans le matériau de départ (86) qui se dépose sous forme cristalline. 58. Dispositif selon la revendication 57, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage additionnel (160) comprend un réflecteur de chaleur. 59. Dispositif selon la revendication 57 ou 58, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage additionnel (160) comprend un dispositif de chauffage produisant de la chaleur.