FR 2722918 A1 19960126 FR 9409038 A 19940721 CAPTEUR A MAGNETORESISTANCE MULTICOUCHE AUTOPOLARISEE Domaine technique - a srésente _nven..-cn a pour objet un capteur à magnétoréssoance mu-l ic-_uc he autopolarisée. Elle s'acciique Darticuiierement a la réalisation de têtes de lecture cur en.egLs.eme. magnétique, de capteurs magné.oresis- fs ocur systèmes de type codeur et de caDteurs maéréss s _cur la mesure de courants. Etat de la technique antérieure Un éé-ment magné-erésistant est un élément qui vcl sa res-soance varer en fonction du champ magnrétique ui ui est appliqué. Pour mesurer cette ésistance, so cn faa circuler un courant dans la magnétorésisa.nce et _'_. mesure soit la tension aux _crnes de l'élémen-, sole on impose une différence de poentiel aux bornes de l'élément et l'on mesure la avarat-icn -' nt-ensté ou c urant. On connaît des catteurs magnétorésistifs pour lesquels la direc-ion - u champ a mesurer est dirigée perpendiculairemenZt a 'axe longitudinal de l'élément magnétores-stant et d'autres o le champ est parallèle 2- à cet axe -ongicucina.Laprésente invention se rapporte à ce seccnr cas. Certaines ma=née rsistances sont constituées par _n seul matériau e scn.t dites "monolithiques". D'autres sont ccnstruees par un empilement de couches magnét-iques séparées par des couches non-magnétiques. Ei es sont cites "multicouches". Dans certaines magnétorésistances mut.couches, il est possible de changer l'oriencat:cn re'ative des aimantations dans ies couches man.étiues successives. On observe alors -une variation ce re-éss- ce suivant que les couches -agnétiques son: crientées antiparallèlement ou parallèlement les unes aux autres. Dans _a grande majcrité des systèmes connus, la résistance eélectr ue est maximum pour une c-nfiguration d'alig.nemen- antiparallèle et minimum dans la configuration d'alignement parallèle. Suivar.n: 'épaisseur e ia nature des couches magnétiques et nocn magnétiques, il est possible d'cotimiser l'effet magnétorésistif. Par ai- lieurs, _ est avantageux, dans certains cas, de pol ariser 'é_ément magnétorésistif au moyen d'un champ magnétique statique, de sorte que la réponse électrique de cet élément magnétorésistif devient linéaire en _f..du champ à mesurer. Le c-hamp -ag-néque de polarisation est généralement appliqué de façon uniforme dans le plan de 1 'élément magnétorésisit-. Le document US-A-4 949 039 décrit ainsi un effet magnétoresist f oblenu avec des couches magnétiques 0 séarées car des tuches minces de matériaux non- agnétiques. Dans l'une des structures décrites, deux c.uches de matériaux erromagnétiques doux sont :écouplées l'une ne 'au tre par une couche non magnétique et l'une des couches ferromagnétiques est piégée par anisotro-ie d'échange (couplage d'échange avec une quatrieme couche d'un matériau antiferromagnétique, EeMn par exemple). Ce document spécifie que les matériaux employés doivent être tels qu'une diffusion dépendante du spin doit se produire à l'interface entre le mater-au magnétique et le matériau non-magnétique. L'article de H. Yamamcto et T. Shinjo publié dans a revue iEEE Transa:_ion Journal on Magnetics in Japan, vol. 7, n9, Se -e-embore1992, et intitulé "Magnetoresistance of Muitilayers", p. 674-684, décrit des structures magneéoques multicouches métalliques. 7 7es son: essentiellement ccns.ituées: - de métaux magnétnques a base de fer, de nickel, de cobal ou- de l'un quelccnque des alliages formés à parlir de ces:rcs eéeéments, - de métaux de transi:i_ non ferromagnétiques ou de meétaux nobles:es ce, par exemple, le cuivre, le -.-.e, argen:, 'cr, le molybdène, le ruthénium. i0 Bien nue ^^nnan. sa:_sfac.ion à certains égards, cis ces discositifs présencent l'inconvénient de nécessiter des mcoens de colarisation pour obtenir une réponse inealore. -a cresente invention a justement pour but de rem-édier à ce: in-convenient. Exposé de l'invention A cette fin, l'invension propose un capteur dans _equei l'élément se-s- _e au champ magnétique est 2: nolarisé car e csura-n même circulant dans la maGnétoresis:ance. -a réconse du capteur est donc automaticuement lneaLre, sans qu'il soit besoin d'ajouter des m.yens cour créer un champ de polarisation. De façon - recse, _a présente invention a donc pour objet un capeur a magné_orésistance multicouche autopolarisée ccmprenan:, de manière connue: - un eélement sens^le au champ magnétique comprenant un emp!emen: -e couches alternativement magnétiques et non magnétiques, cet élément ayant une dir ection longitudinale orientée paraèlement au champ magnétique à mesurer, - des mco;ens cour f:are passer un courant électrique à cravers ' éeémen: dans la direction !cngiudinal-e, des mcs;ens e -esure de la résistance de l'éeé-.en-, ce capceur eéan_ caract-ersé par le fait que l'élément sensible au cha-ap -acn.é_ue comprend un empilement au moins une re--ere couche ferromagnétique, encadrée car --une secone et une troisième couches 0 ferromagnéecues séarées ce 'a première couche par une première ec une -eux-ème couches non magnétiques nduct-.ces, a _-e- re couche ferromagnétique pDresen'an. -_ne aL.an:a:c-Ln oui est bloquée et dirigée dans la i recio '--cudinale, les deuxième et trc isième couches crsen-an-t, en l'absence de champ magnétique à - esurer 'rsque le courant électrique -arcourct enen..c sensible, des aimantations sensibl'ement perpe-_culares à la direction _ongiudina:e, ''-_-.an-.a_^n dans la deuxième couche 2^ étant sens-ble-ent ce sens opposé à l'aimantation dans ia troisième. Dans une var-a-e avantageuse, l'empilement ccmprend deux autres couc-es ferromagnétiques à 2 aimantation i'onci.u_-ale bloquée, ces autres couches associées à des c s non- magnétiques conductrices encadrant i'emi...ep reeédent. De préfére-_nce, _a ou les couche(s) ferromagneé_ues; a= an-ataion longitudinale est sont) en a-i'age à case de fer et de cobalt, avec eventuellement un fa-ile -curcentage de terres rares anisotropes cocme car exem-pe N'd, Sm ou Tb. Quanc aux ceux-ème et troisième couches erromagneé:_ques a ai-an-ai ons de sens inverse perpendicula-res à 'a ldreccicn longitudinale, elles sont avanteugement en alliage ferromagnétique doux de métaux de transition tel qu'un alliage de fer, de nickel, ou de cobalt et, par exemple, en permalloy (Fe20Ni80). L'épaisseur de ces couches peut être comprise par exemple entre 1 et 10 nm. De part et d'autre de l'empilement, l'élément peut comporter une alternance de couches ferromagnétiques d'aimantation longitudinale bloquée et de couches ferromagnétiques d'aimantation perpendiculaire comme les deuxième et troisième couches, ces différentes couches étant séparées par des couches non magnétiques conductrices. Les couches non magnétiques conductrices sont, par exemple en cuivre, en argent ou en or. L'épaisseur de ces couches non magnétiques est suffisamment grande (par exemple entre 1 et 10 nm) pour que les couches ferromagnétiques à aimantations opposées soient considérées comme isolées magnétiquement ("libres"). Le blocage de l'aimantation de la ou des couche(s) ferromagnétique(s) à aimantation longitudinale peut être obtenu soit en choisissant un matériau de forte coercitivité, soit en associant à chaque couche ferromagnétique concernée une couche d'un matériau magnétique dur ou d'un matériau antiferromagnétique apte à introduire une anisotropie d'échange. On entend par matériau à forte coercitivité un matériau dont le champ coercitif est supérieur au champ à mesurer. Brève description des dessins - la figure 1 montre une vue schématique d'un capteur selon l'invention; la figure 2 montre la variation du champ magnétique de polarisation en fonction de l'éloignement par rapport au centre de l'élément; - la figure 3 montre la variation de la résistivité en fonction du champ magnétique longitudinal appliqué; - la figure 4 illustre un premier mode de réalisation de l'élément sensible au champ magnétique; - la figure 5 illustre un second mode de réalisation de l'élément sensible au champ magnétique; - la figure 6 illustre un troisième mode de réalisation de cet élément. Exposé détaillé de modes de réalisation La figure 1 montre une vue en perspective d'un capteur selon l'invention avec une première couche ferromagnétique 14 présentant une aimantation longitudinale bloquée (représentée schématiquement par une flèche dirigée perpendiculairement au plan de la figure), une seconde couche ferromagnétique 13 avec une aimantation parallèle au plan de la figure et dirigée vers la gauche, une troisième couche ferromagnétique 15 avec une aimantation encore parallèle au plan de la figure mais dirigée vers la droite. Ces trois couches 13, 14 et 15 sont séparées les unes des autres par une première et une seconde couches non magnétiques respectivement 16 et 17. Ces couches sont conductrices de l'électricité et sont en métal. Deux connexions 31 et 32 sont disposées à chaque extrémité de l'empilement et l'ensemble est relié à un générateur de courant 34 faisant circuler dans l'empilement un courant I. Un appareil 38, du genre voltmètre, mesure la tension aux bornes de l'empilement, tension qui donne la valeur de la résistance de l'empilement si le courant I est maintenu constant. La circulation du courant I produit un champ magnétique dont les lignes de champ sont approximativement des droites perpendiculaires au vecteur courant I et parallèles aux interfaces des couches. L'intensité de ce champ est donnée par le théorème d'Ampère, qui exprime que la circulation du champ le long d'un contour fermé est égal au courant traversant la surface délimitée par ce contour. On peut ainsi facilement montrer que ce champ d'autopolarisation créé par le courant est nul dans le plan médian de l'empilement et varie linéairement de part et d'autre de ce plan. Par exemple, avec des couches 13, 14, 15 d'épaisseur 5 nm et des couches 16 et 17 d'épaisseur 2,5 nm, on trouve que le champ produit par un courant de 107 A/cm2 est de 1 kA/m à une distance de 10 nm du plan central de l'empilement. Ce champ constitue un champ de polarisation intrinsèque à l'élément sensible. La figure 2 donne la variation d'intensité de ce champ Hpol (porté en abscisses) en fonction de l'éloignement z par rapport au plan médian de la structure (éloignement porté en ordonnées). Le champ est nul dans le plan médian et augmente de part et d'autre de celui-ci, linéairement tant que l'on est à l'intérieur de l'empilement. A l'extérieur, le champ décroît pour s'annuler à l'infini. Sous l'effet du champ de polarisation Hpol, les aimantations des couches 13 et 15 s'orientent sensiblement perpendiculairement à la direction d'aimantation de la couche ferromagnétique bloquée 14. De plus, les aimantations des couches 13 et 15 sont antiparallèles. L'application d'un champ magnétique à mesurer tend à faire tourner les aimantations des couches 13 et 15 dans la direction du champ appliqué ce qui change l'orientation relative des aimantations des couches 14 et 15 et modifie par là même la résistivité p de la structure. La figure 3 montre un exemple de variation de la résistivité p (portée en ordonnées) en fonction du champ magnétique appliquée H, porté en abscisses. On voit que cette variation est linéaire dans une certaine plage de champ. La courbe p(H) peut ne pas passer par l'origine et être décalée d'un champ Hex, comme c'est le cas sur la figure 3. Ce décalage correspond soit à un éventuel résidu de couplage ferromagnétique (voire antiferromagnétique) entre couches, soit à des effets d'anisotropie de forme. Les figures 4, 5 et 6 illustrent trois modes particuliers de réalisation d'un capteur selon l'invention. Sur ces figures, les connexions électriques, la source d'alimentation en courant et les moyens de mesure de la résistance ne sont pas représentés. Sur la figure 4 on voit un substrat 11, une couche tampon 12, en tantale par exemple, et les couches 13, 14, 15, 16 et 17 déjà représentées sur la figure 1. Par ailleurs, une couche de protection 18, en tantale ou en TiW par exemple, est déposée sur l'ensemble. Dans la variante de la figure 5, la couche ferromagnétique centrale à forte coercitivité est constituée par une couche magnétique douce 14, en permalloy par exemple, cette couche ayant son aimantation bloquée soit par anisotropie d'échange avec une couche antiferromagnétique de type MnFe, NiO ou TbCo, soit par un couplage direct avec un matériau dur (type alliage à base de NdCo, SmCo, NdFeB... ). Cette couche supplémentaire est référencée 19. Sur la figure , la couche 14 est divisée en deux parties entre lesquelles est disposée la couche antiferromagnétique ou la couche magnétique dure 19. On retrouve par ailleurs toutes les autres couches 12 à 18 et le substrat 11. Dans l'exemple de la figure 6, on cherche à augmenter l'effet recherché, à savoir la variation de résistivité. La structure décrite à propos de la figure est conservée mais étoffée en haut et en bas. Des quatrième et cinquième couches ferromagnétiques 21 et 22 sont déposées. Elles sont, par exemple, à base de fer, nickel ou cobalt (et avantageusement riche en cobalt). Leur aimantation est bloquée dans la direction du champ à mesurer. Ce bloquage peut être assuré en utilisant des matériaux à forte coercitivité, comme pour la figure 1 (le champ coercitif sera largement supérieur au champ à mesurer) ou par anisotropie d'échange avec des couches 25 et 26, comme pour la figure 5, ces couches étant en matériau antiferromagnétique, du type FeMn par exemple. Les couches 21 et 22 sont séparées des couches magnétiques 13 et 15 par deux couches de matériau non magnétique 23 et 24 -en argent par exemple- d'une épaisseur telle qu'il n'y ait pas ou pratiquement pas de couplage magnétique entre les couches 15 et 22 ou 13 et 21. Une couche de protection 18 peut encore recouvrir la structure. Cette couche peut être en Ta ou en TiW par exemple. Dans cet exemple, les couches 21, 14 et 22 sont orientées parallèlement. Seules les couches ferromagnétiques 13 et 15 sont libres de tourner en l'absence de courant à mesurer. En présence de courant, mais sans champ appliqué, les couches 13 et 15 s'orientent sensiblement à 90 de la direction d'aimantation des couches 14, 21 et 22. Le champ magnétique à mesurer désoriente l'aimantation des couches 13 et 15 en modifiant par là la résistivité de la structure. Comme décrit dans le brevet EP O 529 959, il peut être avantageux de déposer à chaque interface entre les couches de matériau non magnétique et les couches ferromagnétiques 13, 14 et 15 ou à certaines de ces interfaces, une couche ultra-mince d'un matériau riche en cobalt (Cog90Fe10 par exemple) afin d'augmenter l'effet magnétorésistif recherché. Cette variante peut être appliquée dans tous les cas et en particulier dans celles des figures 1, 4 et 5. REVENDICATIONS 1. Capteur à magnétorésistance multicouche autopolarisée comprenant: - un élément sensible au champ magnétique comprenant un empilement de couches alternativement magnétiques et non magnétiques, cet élément ayant une direction longitudinale orientée parallèlement au champ magnétique à mesurer, - des moyens (34) pour faire passer un courant électrique à travers l'élément, dans la direction longitudinale, - des moyens (38) de mesure de la résistance de l'élément, ce capteur étant caractérisé par le fait que l'élément sensible au champ magnétique comprend un empilement d'au moins une première couche ferromagnétique (14), encadrée par une seconde (13) et une troisième (15) couches ferromagnétiques séparées, de la première couche (14) par une première (16) et une seconde (17) couches non magnétiques conductrices, la première couche ferromagnétique (14) présentant une aimantation qui est bloquée et dirigée dans la direction longitudinale, les deuxièmes et troisièmes couches (13, 15) présentant, en l'absence de champ magnétique à mesurer lorsque le courant électrique parcourt l'élément sensible, des aimantations sensiblement perpendiculaires à la direction longitudinale sous l'effet du champ magnétique de polarisation engendré par le courant traversant l'élément, l'aimantation dans la deuxième couche (15) étant sensiblement de sens opposé à l'aimantation dans la troisième couche (15). 2. Capteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'élément sensible au champ magnétique comprend, en outre, une quatrième couche ferromagnétique (21) disposée sous la deuxième couche ferromagnétique (13) et séparée de celle-ci par une troisième couche non magnétique conductrice (23) ainsi qu'une cinquième couche ferromagnétique (22) disposée au-dessus de la troisième couche ferromagnétique (15) et séparée de celle-ci par une quatrième couche non magnétique conductrice (24), ces quatrième et cinquième couches ferromagnétiques (21, 22) ayant une aimantation longitudinale bloquée parallèle à l'aimantation de la première couche ferromagnétique (14). 3. Capteur selon les revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que la (les) couche(s) ferromagnétique(s) à aimantation longitudinale est (sont) (14, 21, 22) en alliage à base de fer et de cobalt. 4. Capteur selon la revendication 3, caractérisé par le fait que l'alliage constituant la (les) couche(s) ferromagnétique(s) à aimantation longitudinale (14, 21, 22) comprend en outre un faible pourcentage de terres rares anisotropes. 5. Capteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les deuxième et troisième couches ferromagnétiques (13, 15) sont en alliage ferromagnétique doux de métaux de transition. 6. Capteur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les couches non magnétiques conductrices (16, 17) sont en matériau pris dans le groupe constitué par Cu, Ag, Au. 7. Capteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que la (les) couche(s) ferromagnétiques à aimantation longitudinale bloquée (14, 21, 22) a (ont) un champ coercitif supérieur au champ à mesurer. 8. Capteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que la (les) couche(s) ferromagnétique (s) à aimantation longitudinale bloquéée (14, 21, 22) est (sont) en matériau magnétique doux et est (sont) en contact avec une couche antiferromagnétique (19, 26, 25) induisant une anisotropie d'échange. 9. Capteur selon la revendication 9, caractérisé par le fait que le matériau antiferromagnétique est pris dans le groupe constitué par MnFe, NiO, TbCo, DyCo. 10. Capteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé par le fait que la (les) couche(s) ferromagnétique(s) à aimantation longitudinale bloquée (14, 21, 22) est (sont) en matériau magnétique doux et est (sont) au contact avec une couche en matériau magnétique dur. 11. Capteur selon la revendication 11, caractérisée par le fait que le matériau dur est pris dans le groupe constitué par NdCo, SmCo, NdFeB. 12. Capteur selon la revendication 9 ou 11, caractérisé en ce que la première couche ferromagnétique (14) est divisée en deux parties entre lesquelles est disposée la couche antiferromagnétique ou la couche magnétique dure. 13. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé par le fait qu'au moins une couche ferromagnétique (13, 14, 15) est séparée de la couche non magnétique adjacente (16, 17) par une couche magnétique ultramince riche en cobalt. 14. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé par le fait qu'il comprend une couche de protection (18) recouvrant l'empilement. 15. Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, caractérisé par le fait que l'empilement est disposé sur un substrat (11). 16. Capteur selon la revendication 15, caractérisé par le fait qu'il comprend une couche tampon (12) entre l'empilement et le substrat (11).