FR 2731278 A1 19960906 FR 9603505 A 19960321 s$u:saG 60G B 8007 s o:nc stap nrad na I- 'aDumT aTned E- ap UO::Dn:as@Dr-, a, ? u- 'rno U3 À nbdacSos7 rnA^El aun,p Uaou ne aGsnr::p auEzs:s2 ap e-l=ec E- " DUiWUE,p u.e' BDezIns u SBeTGa, ieto ao G 7Euc:nDGod a? IZ alnD-m I - dc aun, r: sOloes--n-,a^ss ap:pu7p uE Ej o asp aumwxap _ -I, GZ D!?LD Z -c PS EF J 2E-.Z=e G ZDa r 7, n Z 1-D DUn rZ rra -lu -Ie,.ID @ E lu re U, DEJ-iD E c,e- -slê Ea r : c:lu2pE,. UE20uamcCS Sm.Idp uu?a UGAOUne @DuMwe snpe a-Sns- TPapDUETSap,_EsC aun'L9LOun-T2u0, as vE Dupe, T, 'iê QU@UDETCD ur DLn- D:wuïD I-D@'8p iflOQ za4 ad aCEuTsn-c:Dz- 'mx =d G6L6* D'a' ZlcN' 9Z - C 'io 'ss-za uo=nmel2 uc sucqsmwseuE. ===: 5BU- Ep r I :DN-f. AOC S'EZ su: 2$.s 8 eu:sn-oiDT ap an-fuuDtUU i ='ed uauanZ sse 7 D arb.aCE: u7c:e2'1,a,DEp nazd2eD uf êDU7W a aun.ueae^ u]uewo ua eranmnpuoZ- ums ]i2sqns un zns naS pDnuc-umas e uoTenaTaDDep s-na]de sep fLanbDTq-eapelq7ssodnuaapzsa7 'aSuzsn- om01 ap aTiolouqOa aun,p Gai uao-lap ne aDe wniD-7-s G anb an ZnanDnpuOD-o-as je-sTiD un,p z-s;,sas ozaTd]aza un uuGs-:bn u@ anbT. zagl, Teu5Ts un ua ]umaaDETdp un uauCD E2 V amlnD-:e ua sGuTCsap uoTssaad ap inadeD un na uo-:Ze.l zCDE:naCeD un _a ina:Dnpuoz-7was e TzTsodsTp un auzaDucD uo:DuaAuT zuJ as e NIOIúIN3AN!I 3C 3NIeWOQC JZDfl0QNCOD-rivES 'Y nC']^i:SqDD ,G]S:DLSQ al 2731278 à restreindre une déformation qui sont représenctés à la figure 70. On va maintenant décrire une tecnoloie de l'art antérieur d'un cacteur de p)ression à semi-conducteur. Jusau'à crésent, on a connu des cacteurs de pression à semi- conducteur dans lesquels une base 705 en verre, à laquelle une base 702 en silicium est fixée sur le dessus, et une borne 707 sont collées sur une base sumport en céramicue et la base 702 est reliée à la borne 707 par un f-il 709, comme10 représenté à la figure 34. Une structure de ce genre est décrite dans "lectronics" 29, 6(1984) 17 car exemple. Dans un exemole de ce cenre de l'art antérieur, une chambre 703 de réeérence de pression est prevue, ainsi cu'une membrane 704 formée sur le dessus. 15 E n outre, un capteur à micro-Pression ayant une membrane 704 carre ayant un côté de 80 micro-mètres a été mis à l'essai par application de la technologie de micro- usinage. Ce caopteur à oression est caractérisé principalement en ce cue ia membrane 704 et la charbre de référence deo cression sont form.ées car gravure de la surface du substrat 702 en sil icium. La cue 35 rerésente - diagramme qui montre une structure en couce du capteur de pression fabricqué car micro-usinace. Du siicium de face (10) est utilisé comme substrat et la mer.crane 704 est revetue d'une oellicule25 713 de Si3N4. Des trous de gravure sont percés autour de la membrane 704 et 'a partie juste en-dessous de la membrane est creusée pour former une cavLié. Les:rous de grarure sont ensuite. fermés de maniere é_ance car la cel'icule 713 en Si3N4. Dans Le cas d'un cateur d'acce:uratc, des butoirs30 son- uti!:sés cour emcec- er un démeacement excessif af. d'améliorer la r_ésstance à un cnoc. La figure 50 recrésente une,vue en coupe d'un cacteur d'accéàration à semi-conducteur de L'art antérieur. A la figure 50, L consiste en une poutre 8102 en porte-à-35 faux formée car gravure et en un poids 8103 qui est une partie de masse sur une base 3810i en si'ic:um, et des résistances difestinées à convertir une accélération en un signal électrique sont formées sur la poutre 8102 en porte-à-faux. Un butoir 8105 supérIeur et un butoir 81065 inférieur destinés à empécher une destruction de la poutre en porte-à-faux qui pourrai: être 'a consécuence de l'application d'une accélération excessive sont disposés sur et en- dessous de La base 8101 en silicium. Lorsqu'une accélération est appiiquée au capteur 0 d'accélération en provenance d'une direction représentee dans les figures, c'est-à-dire depuis le dessus vers le bas de la figure, ia poutre 8102 en porte-à-faux subit une déflexion et la valeur des résistances des résistances dif fusées varie en fonction de la contrainte. Le capteur d'accélération détecte15 l'accélération en orélevant cette variation. Cependant, les capteurs d'accélération à semi- conducteur de l'art antérieur du disoositif à semi-conducteur -abriqué par la technologie de micro-usinage et ie procédé d'amélioration de la sensibibit oar amincissement des sections des résistances di tusees au moyen de la cravure présentent les inconvénients suivants: :) un orocédé destiné à protéger d'autres f_ is ou analogues est nécessaire afin d'effecuer la gravure cpour amincir une partie de détection de déplacement;25 2) un orocédé de fabrication est ra71ongé en temps du fait d'un procédé lithographi aue tel cue l'apolication d'une matière de résist; 3) un temps de gravure et une éoaisseur de partze de etection de ceoace.... varien: considéraolemenc en fonction de il'acent de gravure du fait de 'utz'_ satcon d'un proceéé du type mouillé; 4) sa részstance aux chocs est faible du f-ai cue _a par:ie ces résistances diffusées est amincie; et ) fabriquer l'élémenr.t orend du temos du fait cue ia cartie 3 ced résistance diffusée est amincie La présente pnvention cermet d'cbtenlr un grand nombre d'_men. s cacteurs à'accéléra_:on à oartir d'un substrat semi-conducteur et donc ce fournir des cacteurs d'accélération à bas coût par un procédé simple qui consiste5 à former, en les extrayant du substrat des poutres en porte- à-faux qui ont des résistances diffusées. n outre, il cermet d'obtenir une structure ayant ur.e grande résistance aux cocs du faiJ cue la poutre en porte-à-faux est fabriquée sous forme d'un plan ayant une10 épaisseur unique et aucune contrain;e n'y est concentrée en une oartie 3ien que Le procédé d'amincissement par le procédé du vype mouillé est uzlisé lorsque 'a c. amre de réféerence de pression est prévue pour détecter un déplacement Dar la15 membrane dans le cas d'un cacteur de pression d'un dispositif à semi-conducteur, les probimres suivants se posent, de manière similaire à un cacteur 'accélérati 1) parce que l'on utilise un procédé de photoiitographie, le procédé de fabrication est prolongaé, du fait car exemole de : L'acolication d'une maère de résis.; 2) du fait que l'on ut!ise une base solide ou analogue cour graver la membrane et ue le mroduit chnmisue a une infl'uence sur des parties autres _ue la membrane, le proc-dé ne ceut pas être utiLisé dans La fabrication de parties autres que ia 5 membrane; 3) Le temos de traitement de ia meabrane et ''écaisseur finale varie nt cc5nsdirablemenr en fcnc- ion de;'agent de gravure du fait de 1'ui Lisa ion d'un _rocédé du d tpe abasse le renement de _eIui-ci; e 4) du fait que 'on u i se un croce i'_u Tce moui' e, e -emos de trae emen_ de a memcra.e et L'êaisseur f=nale varient considérablement en fonction de l'agent de gravure, entrainant un rendement dnferieur ce celui-ci 9ar conséquent un but de a presente invention est de résoudre es orobièmes mentionnés ci-dessus de!'art antérieur en procurant un cacteur de oression à semi- conducteur dont les résistances diffusées peuvent ètre fabricuées aisément et aui a une grande sensibilité. ensuite, un mécanisme empêchant la destruction conforme à l'art antérieur est décrit en se reportant aux figures 61 à 63. Aux figures 61 à 63, une base 80i1 est intercalée entre un butoir 803 supérieur et un butoir 803 inférieur et une déformation de la base 801 est limitée dans le cas d'une accélération excessive. 7a figure 62 montre des0 positions de la base 801, le butoir 803 supérieur et le butoir 803 inférieur étant dans un état dans lequel aucune accélération n'est acpplicuée. Dans des états dans lesquels une accélération est appliquée dans les figures 61 et 3, la figure 61 représente un cas dans lequel une destruction de la15 base 801 est empêchée par le butoir 803 supérieur. Cependant une charge est appliquée à une parte amincie et il y a une possibilité que la base 801 soit détruite au niveau de la arte amincie._ A la 6ue 63, il y a une possibilité sue la base 801 soit détruite par le butoir 804 infer:eur. Ansi, les mécanismes d'emnéchement de destruc tion des capteurs d'accélération de 'arz antr-eur. orésentent les inconvénients suivants!) du fait que le butoir quL empeche un ceoacement excessi entraîné par une crande accélération vient buter avec une extrémité distale de la poutre en porte-à-faux, entrainant un déplacement excessif, un impact est exercé sur la -outre en porte-à-faux; 2) une charge est appliquée à la artie amincie ayant les resistances diffusées; et 3) bien au'une mesure âonsistant a remci.r d' u le de silicium l'intérieur d'un bonier du cacteur d'accélération a été prise pour réduire,' imact, l'instai'acion d'un svstème de fabrication pour remplir le boitcer d'hui e de silicium est coûteux35i Par consécuent, un but de 'a résente nvenon est 6 2731278 1) de fournir une structure aui permet de réduire effet d'un impact sur Le caoteur; 2) de rédu're la charge apliauée sur 'a partie amincie ayant ies résistances diffusées; et 3) réduire les coûts de fabrication et améliorer la résistance aux chocs de celui-c. RESUME DE L'INVENTION Afin de résoudre les problêmes mentionnés précédemment, les moyens suivants ont été ut'Lisés. Comme premier moyen, un élement, oar exemple une poutre en porze-à- faux, d'un disoositif semi-conducteur comportant un capceur d'accélération à semi-conducteur et un capteur de oression à semi- conducteur a été fcrmé sous une15 forme de pilier (parallélipède rectangle) En tant cue deuxième moyen, une cartie de résistance diffusée destinee à détecter une contrainte a été formée de manière à avoir une éoaisseur identicue à celle de ia poutre en porte-à-faux et ne pas avoir à l'amincir.0 L'élément a une surface oiane sans avcir de car.te am;nc e. En tant aue trois_ème moyen, i éléme de caceur d'accélération a semi-conuc5eur est extrai5 au suostrat à semi-conducteur de man,ère ê tre l_é à un support. En tant cue quatr ème moyen, un connecteur destiné à connecter une oartnie délchie (poutre en porte-à- faux) qui est dépiacée par une contrain:e à un succor: destiné à supcorter 7a par-:e dêfléchie est formé en un maeriau polymère ou également en un matériau méta1isue. Enr. tant ue cincuime moyen, _a arie déefèc'-e (coutre en por:e--faux) es cc^nnecéee au suc-or: destiné à supporter la partie dedi.c^ie de man- ère mécan cue En tant ue six.ème moyen, du verre est utilisé pour le sucport et la zcoutre en cor:e-à-faux et le support est connecté au moyen d'une liaison anodocue el ap a5eu7s7o:z ne asn: p r DuG:sts e:uTWae aun:asodsTp 5 eadwexE7eO ^nacUO'oz:u ao.7a as ae ap FlnaDnpoD -.a se uoLTe:?T aezaDuWOaUlCDflnaZDflDUO - se - =SO'S ê, SuepXnE-E -a-OCu En eS ap ?\CD @- l.s s7s ds:p:ics sser z: sG s-s sat:e S@Sn-: p s GDue z-s isapneua" ae.-z. an ^-e_; U-zo À s-.:zn:se -asET neGDsI-E un zuEs--7zrn u@ ZD EoeZLT a' U El C e s--.SU Sé 'CEa: - sn 'E j naU'.. * ' u_-r-zD,DE,DnêflQEzur., D5e7eqwp epDcza un 'uaoum iL-:znop an:ue. u À nzbape asse cm aun E SpTOC-Z7 LA7eSUCD a^ GT:ZD:-Tp s:se7 TnD rTe: np 'a-Ios E7 e:uemmwucz snsne no S-sTo'.:uos sp*oG SaT.a XnE:-E-:o u@_OUé ênO_E DS^TO-?DUa sAn.snT a E ssos-sp zuos srToc sap 'uaÀou aLsaZuo arJUE: U3 @ >D E- a OrDu: 'ue S@DUEnS:S,@- SUL ZUEULTUTT 0 ua;:aa os a2 UD.s-.: aun. an se saa: Tsap SaUEnSTSaI sLneTsnlTa:ueoA@2dua nr.naea:s2'aTeqnos ethiS aplnlezA @u" =TunqoE i=aTuem Bpq:ios e p.naceAUnL e UOTnEDTUdmEp nTnlDID nr UO-SU@ Dp aT7nos aun =ensn[e e euTisap aSeqsn[E un 'uaAos emlxTxp nb -zue; uS À ue, >. Idwe, L ua ':Io -OIDTW nfp po, c nD I un,p aBun TÉes 17, Vw ' eldwap xne-e-enodua alno e ap ETUe UAoCSGdfnaleAqTe sz ap DsT72OS aur E nuaes:.-::ns aaEpEs OTanOd- E aTuem ap xne:--e - odc ua a-:noa ET Dmae IDeld a se UoT neiT- DDe 0l aun Vfi lauuoqnodcdla::uaodu,p e::mos aun:aTsTldme e eu-:s9p TnD- e-D ur 'ua ou 9wGAnxiU Gnb nUe: u2 XnE:-E-a::Dd ua a:nOa ET ap fLnsmDnpucD-uEs DuaUTeT:ns auom:se fnnEdmQ n El E anp ^a7T p aun aUiwa G e auTsp seEp =n d-, ad:p UOTnesulaUD c ap TnDTD un 'uaAom n:::Tnnq _nbDueU- SOMD arnnm n:s aun, p eUmos eT snos s.TTe S 'xne:-E-eiDc ua n - nod El =ns nAo=d Pn TnDi9a TunD:D un 'usaAom e77nds anb r uez Uu 8gúTEZg 8 2731278 surface sucérieure d'un substrat à semiconducteur et une seconde résistance diffusée au voisi.nace de la surface in erieure du subst.at à semiconducteur, la première et la deuxième résistance formant un circuit en pont destiné à5 détecter les contraintes subies par le poutre en porte-à-faux dues à une accélération. En tant aue euatorzième moyen, onr. utilise un orocédé de détection des variations des valeurs de résistance eui correspondent à des contraintes dues aux efforts de0 trac:tzon et de comoression, aui consiste à disposer des résistances diffusées au voisinage de la surface de la poutre en corte-à-faux ains: qu'à i'arrière de celle-ci. Les moyens suivants ont eté adoptês pour résoudre les problèmes du capteur de opression. En tant que quinzième moyen, une base 702 ayant une memborane et un élément 701 capteur sont réalisés de manière à être des étémencs distincts et sont liés l'un à l'autre. En tanr eue seizième moyen, L'élément 701 capteur ayant _es résistan.ces diffusées sur son cote (en des 0 vostions verticales à ia membrane) est crévu sur la base 702 ayant la membrane aui const:tue une chanore de rêférence de oressLon. En tant cue cix-sectieme moyen, on utilise un procécdé de datectcon des variations des vaLeurs de résistance crui correscondent à des contraintes d'efforts en traction et en comoression car un circuit en cont consistant à disposer Les rêsls:ances diffusées au voisinace de La surface (sur le cOt - o la oression est acc:lCuée) et au voisinage de L'arr:ére (sur _e cot ce a me.srane) de 1'een..30 En za._ ue l3ème moyen, seui un cor- de L'élément 701 cacteur ayanz _es résLszances 703 diffusées est lié. En tant aue!3ème mcyen, L'élément 701 capteur ayant les résistances 708 diffusées est découpé et es.!1i à La base 702 ayant 'a me.orane 704 sup eqouene e_.TuF2 e u eemeD ae- ur, eun o emD]n xsqns çc un 'aueaqu;a unmeAe asecaun:ueuaadcDn 3npucD -TUase U07ssadGD a fzl uniod'woz nfa^DflDUCD S e:TsoOS:.D un sm2c uo 'uaAo. aSz -nb -uE u- À B5uE aun suEp sgsoasr UOS @::osap DG,asaec saGanD a^ uê 9- DED O moddnsun- G UuUODrnss:e 9_s an DE:UE L- Di.s aun e pL xnE-- e Iod uL a-.noa aun Dueaidcz:nD! n:Dnpuc -tUaS I u0:E C a- ET DEC - Lna D ur. z u:1a dca::- DnD$-D-L:s e;7rTsods7p un axo uo 'UGsoub nb qUE: uG Àua1guuE-nmTs SD-.bX2Da Va xne-Is ç Sap UO7QDEixa, apeDold aG aAn9C i@ G.Z:aW Ue? GG7Url ap Za eT7qpD ap ne7uued nE UO:Qe2ïlDDep:nadED:70:u9,aT, axT.toî.noa edaapZ 95-e7 a nEaPuuEeneuosn: de SG: nuos uo n2LTnGzD -nIDcED 7007:u.aLa, . I a.os ap smOTdsG- 'anc u',z:ssaDxa uo::ala-DCaun;-s5a ITnosc.2c amw:zoddns Gp z:sqns q l se:d anaczz-DDep zna-deDa 2a od 5;ooAnod:tnDeaa7ueL ap -2oddns ap nnsSqns ne aDe a:Te-: e:p2TuCL ap ?x7: zs sGesnT-D saDUtSZ-sGaSa7Quee uOzQeaaDEa,p.navdeDnpsaasnr-zp seDuCesTsGasapQ=D a, 'uaAow aanb nuEu 1 xne--e od ua eanOd eL ap UcTxeT-:aPep aq2ncD e- ene. a esnode TniD GD V sG lUeU ap -ToZnq a7 f:Sc: e snssucD uo:DunAu e:usaSad ?L ap 99Z9ad uo7 esT!T-e ap Gpou unnb re:zqou uo SDOUDxnE sDuE:sT-spaun L0TTUmEp u7 E uoT2e2?iaeDe01 aun aed Gauo;;p zsq Tnb xneu--E::o.; DlnOd ET ap awio- aun isnode E 7Tueap 9c: nusp uor:Dnnsapaur Gd CuTsap:loZnqai'uaAowawzz enb que.uz vOL aU ap.ToE, l sad-L sDuTm? ewea ze2lu?IL ap-oa zsa en6ez OL uata T, 'ue/ow emil znb:uE2 u- Àaan:zA.nc aun Due E.sea ap n9L aDr.}ns eun e a7 ZsG ZnaZdeD IOL Zumi7, 7l 'uT.ou, awGoz Gnc:ue: u_ io 2731278 une partie de la base et un élément cacteur destiné à converti-r une déformation mécanique en un signal êlectrique, avant une parzie liée entre l'élément capteur et la base. En tant que 26ème moyen, on forme un dispositif à semiconducteur comportant un capteur de pression à semi- conducteur qui comprend une base 702 ayant une membrane 704, un substrat qui forme une chambre fermée de manière étanche dans une partie de la base, des moyens de sortie de signaux électriques destinés à extraire un signal électrique et un ééiment capteur, prevu sur la membrane et comprenant des résistances diffusées destinées à détecter une déformation de a membrane, destiné à convertir une déformation mécanique en un signal électrique, dans lequel un circuit de détection de l'élément capteur forme un circuit en pont, l'élément capteur15 ayant les résistances diffusées sur un côté de l'élément capteur qui est vertical à une surface dans laquelle !'élément capteur vient en contact avec la base. En tant que 27ème moyen, on forme un dispcsitif à semiconducteur caractérisé en ce que!es résistances diffusées forment un c-rcuit en pont comorenant des résistances diffusées et détectent des contraintes en ccmoressi-cn et en traction créées oar une déformation de élément caoteur dûe à une oression. En tant que 28ème moyen, on forme un dispositif à semiconducteur caractérisé en ce eue les résistances diffusées forment un circuit en pont comprenant des rs stancea s diffusées e ces résistances diffusées sont siues sur le coté o la pression est aoppoluée et ces résistances diffusées sont situées sur le côté de la me.mrane. En:ant que 29ème moyen, on forme un dispositif a semiconducteur ayant une base qui a une ouverture, un élément capteur qui coopère avec l'ouverture pour convertir une déformaction mécanique en un sianal électricue, un substrat35 qui form-e une chambre fermée de manière étanche dans une 9 sz ts uiEa,:mSe - UC* \ED.7 Z7dIL-r zC -:-LnDaD un ad a7-,7dwe c :e -LieDSu re-;rT 7 úc dTlD;T Se xnez-e-a_>od ua énfoQ e. lec e:De->aD uoT>>zDe,p Teu5Tsuf':oddns ap UO-XauUCzap IC. suaom S-D :ea z lo6dns un e cDZUUCD zS, xne-7--iod ua a-no-d uF uoslaumT u uas2Cud e. ap rnaDnpuoDD-Txs e uc ei-a G DDe,p -n-cndun, p snCTsseD annDmn.s aunip CTdQUxa uar O uue-uasg:d_ 7auoCZ7DuC eg-,DZs unl ^sa, an; en À loddns ne xne_ e e.ZOd ua aZnoc e. luxT-.r- ucocns U ns sn/dcS sa7qeD sap Ied sZTCx UOs sSSsn,-,p sauusesSG sI Txd suTnpod snrbT;DGI; xneuEs sal Gnb ' ua sT:,DCleD _nunpucD:Tms çC C -7:sodsTp un aiuoz uo 'u awom azmú Gnb ue u2 =oddns a, sGsn7;-T SeDUes7Sa s a! elzue QUSCZ Un a/1i sv s7. ntaD uG 9S7I?3DCasD.r,2DnpUoD7s Tn7TsodsTp un uxcc: uo 'uaom aG;-ú enb aue? us Àoddnso. ne exT 31tossBGsnri:DsaDUeTss_sap?O9D np GAnol: as Tns xne:e aod ua a-:nod v- ap pQCD a- Gnb aTuew ap:zoddns ne a9x - nuell xne e,lod ua 2anod eL ssssn;;pSuCss sDuss sp 9DuePsTsGi ap slnalen sap SUOT-me7A sap Tp7lead F 'anprb7Td uooT;e:l De @un e np 51 uPwaz)-dap un GP e sgu7sGp uos tnb uoT ez aDDe,p uoT-Dagp ap su Aou sap ied UCoTEBTDOeauna:Dazp m e zuawaDeTdGp un tDgzz p Ve sgu:Ts9p 'xne: e a-zod ua Ganoda CT ans sGnnd '$ssns Tp S DUsl=ss sap 2@ xne, e alod ua azinod ieL 2oddnse 9ul.sap zaoddns un'aodaans s01 sGlTuelzx sap gun,L luop aDTmDnpuoD-TweS aseaq aun,p 1:zied F as717e9 xne eV Gn:od ua anod aun puuldlcD tnb znG-DnpuoD -Twas Le uOTa;TaDep nand;eD un zueloodwoD znaDnpuoDTmws e;-, sodsTp un awoX uo 'uaow gwn0ú anb ueu uE -eueaqeww ei ea;oddel ned eleDTZ!a9 uo7z7sod ua c Zue3a spasn:Tp saDue:sTsg sal '3uod ua 7TnD.zD un uePwo0 InavdedQualgu,:ap uoTaDnap aD =tnDl Oun anbt2:z 9;euBs G 27,xa ve sGu7psP slnDD-DaT xneu5-sa as Gp SUao psuAosp a seq e; ap aT:zed GesnZ7TP ZDsUEsSLsez ap a.eea -d eL DwLU ESUES PU W GDe LC -7 - nel Xfnl- -GzOC ua arnod E 'SUsAOW s7T'Ld saZ uess 7n u5 $nuFz/ns s2U@WBUUCsouCS@, lTus4Cqor ^ua>22Wmad Quawmmp9dL sauuc:_auGlsuaÀDuSe 'e2DA9 G z nd aUDuFei Z Oú 2ns 7eTED5u_5 np rDens úe,'UO7UAU7 Qus - E, aD uoE7?Z-ep n-aeD np UGD eDEDae: a? aPDDClqflSnE un nUEuS Sd: -' UZDoUc_etMDS Ufl 2sê an?eT 7pgdxê e T snnsua ZnGcd nsd *T 'nP7UnIO UeAE uoT: DdsU: sD SU.: x..e 9Q? aCe;d,7 e selnsau uOS GlnQe2LQdw c[ ua sanb7s-$7é:DE.ez sep Qa seDuanbg/ ua San7:ST192DeLeD s p 'L u ' úU0 e 9L0- EUP UOiSUe ua a5eELDGp L JE Le ê, -'5sf. -nod zase unrr uaoU nE seednosep DuOs E SeDUmISiS, sap 'seuuDop seD ap G:D:e z e '90ú adee,, E seznseu zuos UTEc un Qe uo.sua- ap G eeTDgp un 's aznsu- oz Gd-97QG 7 G-; C> ZU-eW-Z 0; SE-aOe E E X 2 -SG S0ú aeds:, ve auxoc uemo ce seq ei Vs 9x7. Qse las!oq un e iOú a le7 ie z oddnsne eXT. se.neDfnpuoD- Laes DUeele 'ú0ú E ede2,E E e5e!iTzipenb.ed siGnpTAlpuT s2uawG i Ue sesTltenpLAlput DUOs snUWel9T s9 e Zú den9,T V 9ns zse ebeleDspnD e uT np aiqDue:aaunIns BESPzsn[e, ç ú ede29,TI E s.nlDT.lqe: uos znz-ealdwne ep UOT, EsuadwOD ap,TnDaID - E UO_ ED7 T 7lldwEDp IZr.DtDaIUEvzOdQwD s.ne2DnpuoD-ls ss uaWu- ?sec uol:ueAuTle2uesGd el ap uo2e:2T-Dep:naED a e LnbTblqpe e 9uT-sGp epDozd un 2uUE:sele aauaucTlDUOc eewaqDs un sG ú eln.7i e- O1 ú0 aQED.eT Fs,oddns nei aeDauuoD a-lnsuP 3sa xnE:-E-za^od ua Gznoad E-LT -4 oz0 adE-,T ?pGoid -zznFe un suep snbhe e 22aoddnsa-'TO ede,I E enDT7qe: Zse xne -e- God U.ZnOd eE uoLZueAu- azuasaideT ep UOEneDE pnsaeD,l IaenbD-l:qe} E Gu-lsqp 9pgaDo=d un 2ue2uespda TiUUOTDUOc eUWDS un zse z aEnB5l e- ainsEgdUa ap uo7:esuadwco apz-:Lnz: Dun 2Ed auT ll;a nea dlnzezadwam eT e anp an.-?P eun 'AueeuEQlnmls '7tos ap 0 suAoW sap 8EZTEZ Z nsnDnpucz-7as apaGDczd np saoi niDnpuoD-Twar:u aDzsc C nr sioT aexo- -sa 0 xnEl-E-'Z2od Ue - -nOd e- eD xn7-e- T7od ue T a7 nOa e 2ns eLesu7.UUe-U n e ceraa E ap uo:aesueadaos cp fiRSlzDa,'s'eOWS eL:nU Sm DueS T n U- À:r1ic. eeLnedap D uciXeWOSUOD tlq7lg E 2TnD.Ds un'SUêAO^'Eus e- lssues-l n uc E 2loddns ne ell uewasle ee 2ned xne-:->e- od Tê - e2non='e sueaosaXxs Se,Quesll n U_ _-,aw?.eseDiPlduIa GaiZa zuganad ue1SE SoEidUe2 e2 2UEAled Z ioddns nz no xne--e- ZO ua! e:noda Eil p sal/pad sel 2e oPiB7 E e27ume p zUoddns nE ElTeBe 2ned xne l-e- a OdOZ uG -Znod E i 'sGueJom ser: nbu *D se n Ues7i7:r us ÀuaewsLe s DeT!dal elZa ue^ned z 2zoddns np nlo xle*-e-a zo Ue T aznnOd ET ap sGT eaQ sap Za sGan ze acw sasseq sep e z zoddns ne eD:7aa ae9 znred T xnfe-E-eaiod ue:nod el sueXoUsem972enfse-,uESTifln U3 51 uesGad Znf-DnpuoD-TWs 9pDood 97 suED Ianesslted ue w l'0 a lnaD:E- ue wWU W 'Q '2lnanDuo- ua mm B ap i lWTTe eun 2ueLe nesDnpuoD-Tues 2iaGLun zawo:- epe 2uEsxalnaezDnpucD -Tuas ap, 9 cDCd 7 sLep xne-e o ue eI-nod êp elq2wd wl aweLoa ap 2embe -L 'Dum aenDL7lad ap aseq p sgpDGDoad sa! 01 sup aeulqcad un se anb Ln lnDllda aun ans euTelaucD aun awd GGeeeD uo-2mE oae el suep aeSTSUcD:nb Gwelqoad eaapnosSa ep nem=e L7 '62Qnou3 '2uemedps noaenb7aqceaa znad eLiiLnpllpu: uO:DuO: enbeiD:ED '%nnbll:ouow 9pGDoad np seD BL zsaD aWWOD 'wnrD:llTs nre 9pGDoa un zed aBUOlO.d sed sau S 9p Doadal 'supow smpwlstoz:sal2uesTTlTnu3 sSesn;:7p s uwsTsg ep erDIwd e7 1lDUTwE sUeS u u-e s TE sasea a1a - 2nad xne- e-azaod ua a.Tnod le 'suglow sauW-xnap sa! Zueslizrn u7 aueqwaw e ueA*E ZOL asec, e- :sUaeSsflaw el E seTDlZC suoT TiSOC se EV) D Uos uo s zn s Gss- lp 0ú sLuSEs s S s anuPUGawo=nezeD 10L *, UGT p ueaACaae ua aTp-e-sal- 'suaAom s@wS@9 sa7 nS77lTn U UOTSTDmC Tnnes aur. -e- - ZSG' e - lp e eZOns E- a Grs spsodsep S@ os ssnDlp sesuses ?seS - S r _sno a:ue Ecc,O erz s E.UeesElOUOdms na4deDsue 'LOuaelqc? ap:UXE ape aep 2neueAe 4IT uawS =Z ap a.Drn E- EAns saTsO OSl UOS saTjn aun.vueqo ne c 'sUeXoI seW%l si DuesTll:n U- -SDOLD xne O0 rDuwslsa e;ua xe:u-n a U7zc C-o 'arLTun CnissTeOd aun ueEua efolCe @a:naC. esoCD 'a1no U3'uoLDnpoId eps-noz saI aUnG anp:su:ezu UeIae '.LneD'Lnpuoe -Twas e2sqns np su:E:xe su D ? ap -lqwou eT eBuemone !nedUo ' DeDnpucD-T!mSeuo-l:weisDDepfnlQdeDnp 1 :9;oD Tl:ns a.::os ap -:-eSd El a ses;sTp SauUesTSn sa anb aitT anb:el nflnsDz ap uo:;lnE UCo un:uEsodsTp ua anTp-E-Dse,s 'suaoU2 sem.l:z:T: SeI uesTlTin us s2ne x suaAow sap:eQ numui7ur: e-sn6e e2 Dnnd I xnfe--e-nnoa ua aDnfod E ep IflnassEOeT ap UOTSedST p Gi ET nd eeuTeDue e-lnos eT eP UolTs7dSTp ET 'xneo-E-ennodO ua eVnoc eT L a suaAOo seZlTznop Se? DuesTlTln U-- snlnr..nxa suaAow sap Ied nuemeu7 pasnúe axa :ned xnwe-?-ennOd ue T,. :nod e- ap nnessTe,i ap uosTSdsTp eun nsd a9uTe:nue exnnos ET ep UOTSxdSTp ET 'xne-E-e-nod U@ eznnod ET ap suaAow smlzuo sa- DuesTITzn U- D-aos e! F:uemWUlO:UOD SmU2S-Sls sa7 LueDsnúe:a:uTuwl I? ua:Seunos fnlTwe Ew TU@5o, p elqlSSOd DSe i: 'suiAoU semJEx:p sa! SuesTUiln U- 8 TZU n=od u xnnod =- o uczx7?? gc zncz) r- nLb m sP nzr-zipz Gun zG':u-TOd- auen ns uc:nDETh s -a a@ msdm@ ai@ ' 7oa uoTxm;p ap fanZ Eq 'Xn s flE '=nod.m U@ na e E aus5owou ETU 2i P EU.s,csD:oE s UOEieDDE nues. nn usZo uAn SSU=DX- Up u unD e.Aun S uo U@ aDeTd:Ias xrEE a=oc ué a- nGa F- -CW x Uaa rUa 7 loC E aP uc.xa a-d a- qflD E Ul @WT SL@ PTo nqDpP-m Gr 12sECn np Uinvadeds E0 ur I D uc no:, 'UTp L unI ué SFC UOU Z 'êDEifS u ^E__ u aTp--ssm- 'susJom sawmazz sai UesiiTn uZ À:u,L. c E le! en 9a@P uo-IsseO Ea PO Ol-d uo*p aa apE ?UfDfl 'csuaO SeL Sn@ae nuX a U3sLu GT7I-os 7uG suno 2 uannd snTnsm- sod snTs2z su S Gs ' n s 'suGJomD s5-, s97 sa ues T u-Z -iz os 7 DpD 01 :rsana-oD- qwoz sEnuefc fuos ZCE asen L 1 sG sn-T EailOz IS/ sezuenmsTse.7 xne- ganbzlIdd-e uoGau nuoaR saesn;g7p -B ú5 sGDunzsysG- xn-e anb7lddle uoTsseadmoz ?p nuTw=nuc u ZOnuL7i7 E7F sq vu0 asys p F- a? U znEIWT Sap SUo7I a su SuaAo m sap5 sa- nus. T:n u uo7sss-,d ap aDualgaa;? aP a.2q'meL;Z 'E DaAe Gz97d Gunp 9mo sd:,sa,u numUazglg,l S2fl-,Ga UODi S-,luoq un UOS 9J u Z ET Q E Sanpad nS unnpUOD -Iaas amp ZOBLsods7p ú-'eE0ú SiELl Danm7z uozs duanb90 natDnpUCCD-lwa 2Ue:Td:s np Unade Sfl 0L nDuEaSTS lp S.flOD-p ua U::E slp-=)pl 'SUaAOW sawnaL: saT ZUestTf Znuz p qUEUD auelo eDt Iu ap aDna@c: Sap uossl eUl JlT -tUIS;. i8L soaS E8 S@UEOL Sc xneOU Enlld UOD:SuoD nb OD a a 8TTuDaued:nwu naq au:TZl psnln ap STZs.c_DUODSUC. UIO.nU S,@lAC e ZLUD.E n -5- e/, Ee lC@_UC-,Dde np a. DncAp TnpoesmrkuaZ,. s:e@@D aurn euo_ xfnoEn @-OG nu- l se GUn lZnlDPS T UOP UO ZflQED GILOCZ ?DC se 9o P es Z nl sUDO2ss:se elaUXaED 7IfL- e ueess"EuSTup IP9old- pI sapeD'seuezlnssuos se ano Sn7d5, p up 's a a? iDln oss@, a ee.dw inxa-e engs enI nD snrso0ds7? Suos UC-UOz U@ Sa OU d snpY s aeu D Ls9 S np 5ufD2,0 P,7fLD0 e JLh ar*C 'clGT0eXe =E- 2nlC:UeDaU seI enb ap @b' le ú7ns7 SZ s -DneD suolnerJD S-Dp uaemesueS, e eUSiq eu nU0Seu$D ap -e seslTXp 01 Un e Wnl-flf:s a anLD S-puE-:naUnpUCD-raS ae u LaDDDe,D n@a1 D @ zlfo ToeU anD e Un u@:-sG LflfDrITS np SuM]SiSle P S DUT spU _s i Du e - er- e US s n^old s2p: eaan s en;Tp SGDnU un, S7SGa sa Ed}p eZ l9 S S u TDu TuelndI DpaD0d a S L: 2I UW2W 'sGzueAlns sUos--el S2 ' no Sn pTS S7epucDse UUeoq @p usaisi a SuPaUauT sal '7a_.sno Ul -un^DsucD--riS e uV nEp dDDep:rGan fi P 2T ans sGGsods-v Duos a-: os qp za sG e-: s saisf: Lp SGDUE-STSe SG- nTa b;Z=TLTnDl:D f fln5 UCD eI -LnD-DT suep U2aDuaDT supp G5Eqoz a? n a u2 @1 ta saas n fTp 01 s aDue sTs -2 sa G aD GMOZ ai T Do e aF lue:Zz ua snApIa ans q'uGsAnàd sxE u:nE un M eDo ns sa'uuozp Gz sud usa n, d -U za anBoleue no uos.c s(Cc/ p - au.ac i/ zua=na 7nfD SzUaw97G SGD 'sjaGCw Gqúz Sa DueST:Dn Us uoT D s S ap 0aZOepUODPS UaWOW un ST 7 a jeuTpnmT5uOL enb7:seig aTfnpow un:s 'xrLe; E z -O:u U@a:nod eL ap:nanBLuo7 aun s 'asspw aun:sG y no auo-xiTan zsa j. Po (S. T) ' ' ' (9 TE/>X -,7/Xt-,) '3S/tm = 1- 2731278 au panneau de câblage et il s'ensuit que Les fonctionnements suivants peuvent être obtenus.!) La construction qui consiste à mettre face à face le côté des résistances diffusées et le substrat de support, permet d'obtenir que l'élément caoteur vienne en contact avec le panneau de câblage lorsqu'il se déplace vers le côté des résistances diffusées, empêchant ainsi la destruction de l'élément, et 2) le fait de placer face à face le câblage du capcteur 0 d'accélération et le panneau de câblage permet d'obtenir que la câblage soit connecté facilement et fournisse facilement des signaux de sortie. DESCRIPTION SUCCTNCTE DES DESSINS Afin de mieux comprendre les dessins utilisés dans la description de la présente invention, une description succincte de chaque dessin est fournie. La figure i est un schéma fonctionnel d'un capteur20 d'accélération à semi-conducteur de la présente invention; La fiaure 2 est un? schéma foncto.onnel reorésentant un orocédé de faorication du capteur d'accélération à semi- conducteur de la prèsente invention. La =igure 3 est un schéma fonctionnel reprèsentant un procédé25 de fabrication du caoceur d'accélération à semi-conducteur de la présente invention; a figure 4 un schéma oncionnel reoréser.ntant un procédé de aorcaon du canteur d'accélération à semi-conducteur de la zresente inven tLc - 0a figure 5 est une vue en persective du capteur i'accéléraiicn à semi-conducteur ce La présence invention; a figure 5 est une vue en perspective d'un capteur d'accélêracion à semi- concducteur de l'art anter eur; la figure 7 est une vue de côté représer. tant la manière de fixer une poutre en porte à faux à un support de la orèsente invention; la figure 8 est une vue de côté montrant comment fixer la5 poutre en porte faux à un support de la présente invention; la figure 9 est une vue de côté représentant comment fixer la poutre en porte à faux à un support de la présente invention; la figure 10 est une vue de c3té reorésentant la manière de La ma!_ de fixer la poutre en porte à faux au support de la présente invention. La figure Il est un s:chéma de circuit d'un circuit amplificateur du caoteur d'accélération à semi- conducteur de la présente invention; la figure 12 est un schéma de circuit d'un circuit15 amplificateur du capteur d'accélération à semi- conducteur de la présente invention; la figure 13 est un schéma de circuit représentant des poarties d'ajustage d'un circuit d'amolification différentiel de la présente invention!0 la figure 14 est un sc-nma descriptif representant un procédé d'ajustage d'un circuit en pon. de la orésente invenction; la figure 15 est un schéma descrioti. reorésentant un zrocêdé d'ajuszage du circuit en pont de la présente i-ven-ion; la figure!_ est une vue de cté du capceur d'accélération à25 semi-conducteur de la présenre invenrtion; la fiaure 17 est un schéma descriptif représentant un procédé d'ajustage au moyen d'une lumière laser ce!a présente invention; la figure 78 est un dessin reorésentant un prccéde30 d'emoallage du capteur d'accélération e la orésence invention; la figure i9 est un dessin reorésentant un eéémenc à semi- conducteur de la présent invenicon; la figure 20 est un dess n reorésencant é'eement à semi-35 conducteur de la orésente invencon; ap:nnedO nD uo:Des7ZEn ap BDou n? uoTssand ep UCO-DBp ET p:n:- DnpucD-:s s V ucTssac ap s n dCeD unr, uor:es TE:e u 4LuaS-ac;-^cD - o7aGna^ asec aur. Ev tuosT a a? o uano5 B DD2Un _U:UE:9=5B-.d.Dcz9'SB urmS ê'n zs,_ E T :E:S EoWuPU7 -UrsOEZ ep uo s p Upou un D S oTZC d: sqo zsap u:ssap unnsG 0úanDT %e U 0 ?A'- ZUSZ 1-7Gr-E GDoUn :f UoTnuAuT -n wlSE EP znmnuo Un-zs e uc aOQi Dm Dp UnSn dUour suC!aun5ET op uEs E.uo7o-T-SUn sIIDEQ f,,p,,,wTP SUO.^TSOC SBD êlD E - ?? e ? ' *'SBp ussep un 'S B Z flnB- ET :' UO:.U@fUT cDUBSéO ETL êp arZDnDUO D oz -tEa EUC;-EicL-aDep 2rc-4QeD unp F ar.lDal -4 rD:;D al Jue-4uasclca- lavuUC:uo-- eUJ-LiDs un msa 8Z a:n5DTU eT -lWas Ue EoT;ESZc^DEP:na z un p anbT:2, T al i TnDl z Un 7uQasIdTUUOTDUO:EUwuDsunsaLZ aIn5T El Sl na:1zeUE 3,E ap InGzDnpuoDz-Twas e uoTE.2egDep zn;aeDun,p:A:D Ps:d CuanrAaun2sa 9gan57T El UOT3UGAUT zUGs2c EL ap rnpnDucD-Tuas e uce.2gBDDEp znGQED np anb71ZzDT 3TnDiTp un 3uE:-LSusn 2 L nbi3eG an;Uzs anA aurn zs SZ ean57 ET 01 f UOT3UGAUT a3U-Esead ET ap 2nfEDnpuCD-oîs e uo7S Ed C. DDEnp uoTEsCED np UOT3ESTTLEE apapow unnpaA-zDzdsaaduaanrAaunns b aaE.n57TT L UOT3UaAU U7 ESu el ap.2nDfnpuCD-TTES e UOT3eTlIzDeP :nnadeDE73uE3uEsg.dE&uTssapun3sE úE fanlTE l UOiUAUT Ezugs2a ET ap UOrET.2 DDEp 2nEaEDE; 3UE 3UESEzl:BUTSSêpunZSE a En57ET uoEuAu5 aDU sGd eT aEp auloq zuElo se: es u;un DuE3UsEGad uTssap un zsG iZ aznS5T; eT la figure 34 est une vue en coupe d'un caoceur de pression à semi-conducteur de l'art antérieur; la figure 35 est une vue en coupe d'un caccteur de pression fabriqué par micro usinage du capteur de pression à semi-5 conducteur de l'art antérieur; la figure 36 est un dessin representant un circuit électrique du capteur de pression à semi-conducteur de la présent invention; la figure 37 est un dessin représentant un procédé deI0 fabrication du capteur de pression à semi-conducteur de la présente invention; la figure 38 est un dessin représentant un procédé de fabrication du capteur de pression à semi-conducteur de la présente invention;15 la figure 39 est un dessin représentant un procédé de fabrication du caoteur de pression à semi-conducteur de la présent invention; la figure 40 est un dessin descroiptif representant un fonctionnement d'un élément cacteur de la présente iention;20 la figure 41 est un dessin descriocp représentant le fonctionnement de l'élément caoteur de 'a presente invention; la figure 42 est un dess n descr i tr repr sentant le fonctionnement de l'élément caoteur de ia rèsen-t nirvenc on la figure 43 est une vue en coupe du mcde de realisation du25 caoteur de pression à semi-conducteur de la présente invention; la figure 44 est une vue en ccuce reoresen.tan_ a parcle de détection de pression du mode de réalisation du caoteur ce pression à semi-conducteur de la présente inventcn;30 la figure 45 est un dessin descrioti= reorésentant un agencement des résistances d'_fusées ce a orésent invention; la figure 46 est un dessin escr représentant une relation entre les résistances diffusées et la base de support de la présente - invent:on; _b -' 2731278 la figure 47 est un graohe décrivan: 'La sensLbilité obtenue en sortie vis à vis des résistances diffusées et de la base de support de la orésence:nvention; la figure 48 est un graphe montrant ta relation entre une5 taille de puce et la sensibilité en sortie de la présente invention; la figure 49 est un graphe reorésentant urne tension en sortie allant de 0 à 360 conformément à la présente invention; la figure 50 est un graphe reorésentant une zension en sortieiO allant de 0 à 360 confornémeent à l'art antérieur; la figure 5i est un graphe décrva,.nt 'a relation entre!a largeur de ouce, ''%paisseur de oUce ec le rapport S/B signal/bruit conformément à la présente invent on la figure 52 est un graphe représentant une tension en sortie15 allant de 0 à 360 d'un capteur à deux axes de La présente invention; la figure 53 est un dessin descriptif d'un capteur à deux axes de la présente invention; ia figure 54 est unr. scéma -Acrivanr un circuit en oont du20 capteur à deux axes de la presen-e -.vent^n la figure 55 est un scnema ecrivant 'e c rcuit en pcnc du capteur à deux axes de 'a orésente invenion; la figure 56 est un scdnea -e c-rcuit ' ecdr iue de la présente invention;25 la figure 57 est une rue en plan représentant La disposition suivant un plan du circuit é'ectricue de la présente inventiton; La figure 58 est une vue en couoe du cacteur d'acéléraon à semi -conducteur de 'a oresente -nvent:- oni0 La figure 59 esc une vue en perspective du camteur d'accélération à semi-conducteur de 'a orésenze invencton; la figure 60 est une vue en coupe ou capteur daccélération semi-conducceur de L'art an.reur; la figure e61s es essin 'écrar.c Le cateur35 d'accélération à semi-conducteur de art antér eur; --2 2731278 la figure 62 est un dessin décrivant le capteur d'accl!ratlon à semi-conducteur de lart antérieur, la figure 63 est unr.dessin décrivant le capteur d'accélération à semi- conducteur de l'art antérieur;5 la figure 64 est un dessin décrivant le capteur d'accélérat;on à semi-conducteur de la resenrt invention; la figure 65 est un dessin décrivant le capteur d'accélération à senmi-conducteur de a prèsente invention; la figure 66 est un dessin décrivant le capteur10 d'accélération à semi-conducteur de _a prèsente invention; la figure 67 est une vue en -erscective d'un caoteur d'accélération à semi- -ceducteur conformémenz à un second mode de réalisation de la presen-e invention; la figure 68 est une vue en perscective d'un capteur15 d'accélération à semi-conducteur conformément à un troisième mode de réalisation de ia présente invention; la figure 69 représente des vues en oersoective et de face du mode de réalisation du capteur d'accélération à semi- conducteur ne la oresent inventon.20 La figure 70 est une vue de face du cacoeur d'accélération à semi-conducteur de i'ar- ancr eur. La figure 7' est un dessin descrioti. representan: un procédé de fabricacton du cacteur d'acczé ra- on à semi-conducteur conformémenc à un ving:-cin'uimne mode réaiisation de la25 présente invention; la Figure 72 est un dessin descriotif du mode de réalisation du cac.eur 'accé ér-_: à sem - --duzeur de l'art ancérieur; la f-cure 73 es u- de ss- escro:: reor ==ta't u- cr-cédé30 de fabricadion du - a-eur d'accé a-n à semi-conducteur con.formement à un vlna- six:ème mode de réalisacion de la oresente inven-i'on la ficure 74 est un -essin reoresentant un orocedé de fabricaction du cacteur d'accàlératLon à semi-conducteur de la35 présente invenicn; 3; 2731278 la figure 75 est un dessin escr reorésentant un procédé de fabrication du capceur d'accélération à semi-conducteur de la prèsente nvention; la figure 76 est un dessin descr:ioif representant un procédé5 de fabrication du capteur d'accélération du semi-conducteur conformément à un vingt-seotième mode de réalisation de la orésente invention; la figure 77 est un dessin descrioti. reorésentant un procédé de fabrication du capteur d'accélération à semi-conducteur10 conformément à un v;ncs-neuvième mode de réalisation de la ?résente invention; la figure 78 est un dessin descrioptif représentant un procédé de fabricationr du capteur d'acczélération à semi-conducteur conformément à un vingt-neuvième mode de réalisation de la15 présente invention; la figure 79 est un dessin descriptif représentant un procédé de fabrication du capteur d'accélération à semi-conducteur conformément à un ving-.euv..me mode de réalisation de la orèsente invention;20 et la figure 80ao est un dessin descripoti reréesentant un caopeur d'accéléraion à semi-ccnducteur conformément à un -re-..- ime mode de réaisat:on de La présente nvetion DESCRIPTiON DES MODES DE REALISAT7ON PREFERES Des modes de réalisation preféres de la présente Lnve- ton son oecr:s Z-4essous er. se reoor:anz aux dess-ns. Pre_-er mode de reaisaticn- La figure 3 est une vue en oerspecTve d'un caoteur d'accêlera:lon à semi-ccnducteur d'un disàosi-if à semi- conducteur de ia presense i nvention. Dans le capteur d'aczèlération à semi-conducteur, des résistances R diffusées5 son. reliées à une poure 7 en porte à faux suivant un circuit en pont, un circuit de comper.sation de température et un c rcu ic d'aml icacion sont ajoutés et la poutre ' en corte à faux est liée à un supoort. Dans le mode de réalisation présent, la poutre 1 en porte à faux et le5 support 2 sont réalisés sous forme de parties indépendantes, et non produits de manière monolitîhi e. Le mode de réalisation présent permet de réaliser un dispositif ayant une longueur de 8mm, une 'Largeur de 0,5 mm et une éoaisseur de 0,1 mm, ce qui est particuliérement petit pour un10 disocsitif semi- conducteur. Dans un procédé de fabrication du capteur d'accélération à semi-conducteur de la présente invention, un dispositif semi-conducteur qui devient la poutre 1 en porte à faux est fabricuée d'abord et le support 2 est ensuite15 fabriqué. Le supporn 2 est fabriqué en utilisant le même matériau que le dispositif à semi-conducteur afin d'éviter une influence de concrainte thermicue autant que possible. Ensuite, en ce qui concerne la connexion de la poutre 1 en oorte a faux et du suoport 2, les figures 7 à 10 montrent des20 orocéeés oour connecter a outre e e orte à faux au suooor: 2. [Second mode de ralsation] Une manière facil de fixer la outre 1 er oorte à faux et le suocor: 2 et des ies fixer mécan1iuement comme il est reorésenté à la figure 7. ils peuvent être fixes en _ercar- un trou à vis sur!e support 2 et en _ixant!.a poutre en corte a faux avec une entretoise 22 cestinee à presser sur a ooutre en oorte a:aux. [?roisième mode de réalisation] Comme representé a a - cgure 8, un verre 5 est unilisé oour le suocorn et est fixé à la poutre * en porte à faux ou oar liaison anodicue.;s [Quatrième mode de réalisacion] La liaison peut simpoement être réalisée en utilisant un adhésif ou un maeriau polymère, classiquement une résine époxy ccmme représenté à la figure 9. [Cinquième mode de réalisation] Ils peuvent également être liés par couplage de fusion métallique, avec interoosition d'une perle de soudure 7, comme représenté à la figure 10. [Sixième mode de réalisation] Cependant, il est préfêrable d'utiliser une fixation ayant le même coefficient de dilatation thermique que la poutre 1 en porte à eaux et le support 2 afin15 d'éliminer toute contrainte thermique [Septième mode de réalisation] Parce qu'un signal de sortie du capteur d'accélération à semi-conducteur de la présente invention ayant es dimensions mentionnées précédemment a été de 0, 1 millivolts,!orsqu'!1 a été calculé en considérant cue le poids était de 2,8 mii71grammes, et cue cela est une Detite valeur de sortie, un circuit d'amplification de signal de sortie est installé dans la structure du capteur25 d'accélération à semi-conducteur pour obtenir des gains de 1o0. [Hui:-_ième mode de réalisa:ion] Parce cue la ooutre en porte à faux ' de la 3O résente nventon est un eiement seml-conduc:eur, un circuit de comcensation de temoérature cour éviter une influence d'une dérive de temoéracure peut être installée à l'intérieur de l'élément. il est également possible de donner une fonction d'ajuscage au circuit. Les figure 12 et 1335 représentent des schémas fonctionneis du circuit. La figure 6 2731278 i2 représente un circuit d'amplification différentie! installé en connexion avec un circuit 20 en pont. Un circuit 9 destiné à ajuster est prévu dans le circuit d'amolification différentielle. Le circuit 9 d'ajustage est réalisé comme prévu à la figure!4a et l'ajustage est réalisé en découpant une résistance aui n'est pas nécessaire car lumière laser conformément à un signal de sortie, comme représenté à la figure 15. Les résistances à ajuster sont formées sur la partie de support du capteur. Un procédé d'ajustage comme représenté à la ffigure 14B peut également être utilisé. [Neuvième mode de réalisation] Des résistances RS et R6 sont prévues dans le circuit en pont 20 comme représenté à La figure 13 pour former un élément destiné à ajuster conformément à un signal de sortie. Une résistance pour le décalage est prévue dans le circuit d'amplification océrationnel comme representé à la20 figure '1 pour réguler le décalage. -'ajustage du décalage et l'amolification sont realisés de a même manière que Le procédé d'ajustage menrionné ré cédemment dans!eCue! plusieurs résistances sont préparées et des résistances Cui ne sont pas nécessaires sont éliminées par lumière laser ou25 analogue comme represente aux figures 14 et 15. [Dixiême mode de réalisaicon] Comme recresente à la g=ure 15, le coids 3 est àrévu a extr__mit - staie e!a coutre ' en ooroe-à-faux de 0 mar.nère à accroître un déplacement. [Onzième mode de reaiisation] La figure i7 recrésente un cas dans lecuel le poids 3 est ajusté. 2Plusieurs poids 3 sont prévus sur le bord de La poutre 1 en porte-à-faux. Une relation entre la position des poids 3 et un signal de sortie est calculée à l'avance et le poids situé en une position approoriée est éliminé par lumière laser 17, conformément à une vaieur de sortie spécifiée. Ce procédé permet d'obtenir un capteur5 d'accélération qui produit des valeurs de signal de sortie plus précises. [Douzième mode de réalisation Lorsque la poutre en porte-à-faux, Le support et le poids sont enveloppés d'un tube 10 en verre ou analogue, il est possible de les ajuster facilemenc et finement de l'extérieur à travers le tube de verre, La Longueur d'onde de la lumière 17 laser traversant ce tube de verre facilement. La figure 18 représente cette structure d'emballage. Il est15 également possible d'améliorer la résistance au choc de la structure d'emballage en utilisant un coros élastique en tant que partie destinée à fixer l'emballage à une structure de capteur à semi-conducteur. [Treizième mode de réaiisation] Les figures 19 à 23 remrésencent un exemple détaillé d'un procédé de fabrication du canceur à semi- conduc-eur du present mode de réalisation. Comme représenté suivant une vlue schématique à la figure 19A, un dispositif 15 à semi- conducteur comportant un circuit d'amplification et un circuit de compensation de température est d'abord abricaé. La figure 192 représente une configuration du dispositif 15 à semi- conducteur. nisuite, comme représenté à la figure 20, e disoositi: 15 à30 semi-conducteur est fixé a une base i de support cermettan: de le déolacer. Ensuite, une base 13 formant borne, dans laquelle des fils 12 en acier inoxydables oui deviennent des bornes s'étendent dans le tube creux et sont fixes en les noyant dans le tube dans du verre fondu, est fabriquée comme35 représenté à la Figure 21. Ensuite, comme représenté à la figure 22, la base 13 formant borne est re.lie au dlspos;. f à semi-conducteur en étant f xée à la base '6 formant support. Enfin, le caoteur d'accé ération est terminé en montant un tube 14 de protection comme représenté à la figure5 23. Il est préférable d'utiliser un tube en verre qui permet d'introduire la lumière laser 17 de lextêrieur du tube 14 de protection. Bien qu'aucun butoir ne soit utilisé dans le cas d'un déolacement excessif entralné -ar u-n imoact dans cet exemole, il est oréeérable d'uti'iser des butoirs. Cemendant10 la présente inventLon a une resistance au c-oc très grande comparativement au procédé Tui consiste à ami-cir la partie de résistance diffusée. [Quatorzième mode de réalisation] On va maintenant décrire un mode de réalisation dans lequel une résistance diffusée est prévue sur le côcé de la poutre 1 en porte-à-faux du caoteur d'accà!ration à semi- conducteur de la présente invention. Le mode de réalisation présent est décrit ci-dessous en se reportan: au dessin. La20 figure 24 est une vue en oerspec-ive du rod e -e reaisation dan leauel un circuit électrizue est nstailé sur le côté du capteur d'accéàération à semi-conducteur de la présence invention. A la figure 24, le capteur comorend une poutre 501 en porte-à- faux destinée à détecter une _onrrainte et un support 502 destiné à supporter la partie de la poutre en porte-à-faux. Des poids sont orevus à d'extré-é -istale de la poutre en oorze-à- faux en -onc:ion de la valeur du signal de sortie. Des réslstances diffusées, des:oots de sortie,30 des fils, u..n circuit de comesao de:emerature et un circuit d'amolification sont disooses sur 'e cté de la poutre 501 en pore-à-faux. La valeur du signal de sortie est extraite des born.es 512 Gu, sont ajoutées à l'emballace par l'intermédiaire des fils 504 sur la base 502 de supoort. -9 2731278 Un procédé pour fabriquer Le caoteur de La presente invention est décrit ci-dessous. ?ouc d'acord, des éléments semi-conducteurs ayant une forme de poutre en porte-à-faux et des résistances diffusées 505 sont formées sur un substrat5 507 semi-conducteur comme représenté à La figure 29. Une ligne 508 pour trancher en micro-olaquettes est dessinée sur la oartie périphérique de chacue élément semi-conducteur pour découper par quadrillage en fonc:ion de cette igne. Une dimension extérieure du mocLf est de 5 mm en longueur, 0,1 mm10 en largeur et 0,525 mm en hauteur, ce qui correspond à des valeurs classiaues pour le disoositif semi-conducteur de la présente invention. Lr a figure 30 represeh.te L'élément semi- conducteur formé par decoupage par quadrillage. Le quadrillage permet une fabrication d'un élément ayant une15 largeur de 0,1 mm de manière aisée. La poutre 501 en oorte-à-faux est ensuite liée au support 502 en utilisant un adhésif au silicium afin d'égaliser leur ratio de dilatation t-ermiue Les fils de la poutre 501 en porte-à-faux e: du support 502 sont reliés en20 fabriquant les plots 503 en or et en ra pprcohan: les olots de la poutre 501 en oorre-a- faux ne ceux du support 502 pour les fixer par point de soudace 509 La -isure 31 représente Les partres qui sont liées ensemble à cet nsman. La poutre 50' en porte-à-faux et le supcor: 502 sont ensuite liés et25 finalement, les bornes 5!2 de 'embaliage et Les olots de borne de la base 502 de support scnt reliés par fil pour ermr.e:re dne four-r un sizna ce e à 'exérieur de l'emballage. On va main enant ecrre en e rreoran-a a fiaure 25 'e aircu, êe_.e e a orsenre invention. Un signal de sortie est détectz a tartrr d' une _ rence entre une contrainte en comression e: une con:rai.te en ractlon dû à un déDlacement de la nout--re 501 en cre-a-à-faux par le circuit 511 en pont. Cela sera expliqué olus en détail en se35 reportant aux figures 27 e: 28. Dans le oassé, Lorsque des 2731278 résistances diffusées se cruvenr sur un plan, un circuit 511 en pont ayant des résistances R2 ce référence et des résistances Ri de mesure a été railisé..orsque R2 vaut R, R1 peut être représenté par R S R. Un signal de sortie Vout à5 cet instant peut être reresen= par les écuacions suivantes: Vi = (R/2R. R)V V2 = (R -A R/2R + \ R)V Vouc = V2 - V = (A R/2R - R)V (2) Dans le crcuit ec: ue ne la prësente!nven:ion représenté i la fcu-e 28,:rscue R! a une valeur de résistance due à a cZn^rain-e en comoression R + AR et R2 a une vaieur de résis ance dû à a contrainte en traction R - AR, ie signal de sortie Voupeuc être représenté par les équations suivantes VI = (R - R/2R)V V2 = (R - 2 R/2R)V Vo u: = Vv 2;- =:;S R/R!.-. orsque R ceut re négligé commne étant de valeur très faible dans es éaua ions (2) et (3), le circuit électrique de la nrésente invencLon double le signal de sorie. Suivant la presenc.e inven o-n, un capteur d'accéléra: à sem -_c-do- a"anune _rcnueur de 6 mm, une largeur e,525 mm e une énasseur ded,e mm a A fabrique c.rsu.une Ue...s.n. e 5 vol s es. aoliauqée au ca:eur d'accélrat:on a sem:-connucteur une zension de sortie est ne 0,7 mllivolzs. Les poids des:-.és à accroitre le signal de sortie ont en oucre été ajoutés, ce qui a permis d'ob:enir un signal de sor.:e de 3 mill!vol:s. Le signal de 31 2731278 sortie à ce moment-là a été obtenu sans utiliser le circuit d'amplification. Bien que les résistances diffusées soient prévues d'un seul côté de la poutre en porte-à-faux dans le mode de réalisation présent, il va de soi qu'on peut efficacement prévoir des résistances diffusées sur les côtés car il devient alors possible de détecter également une torsion lorsqu'on prévoit des résistances sur les deux côtés de la poutre en porte-à-faux.10 Bien que la taille du capteur à accélération à semi-conducteur soit de 6 mm en longueur, 0,525 mm en largeur et 0,1 mm en épaisseur dans le mode de réalisation présent, il est possible de changer la largeur jusqu'à 0,3 mm par exemple en fonction du substrat à semi-conducteur utilisé.15 Pour des substrats de semi-conducteurs classiques, l'épaisseur est d'environ 0,2 mm à 1 mm. On va maintenant décrire une structure dans laquelle les résistances diffusées sont prévues sur le côté de la poutre en porte-à-faux suivant la direction d'une20 accélération à appliquer. [Quinzième mode de réalisation] La figure 45 représente une structure (relation entre les différentes positions) du capteur d'accélération ayant des résistances diffusées prévues sur le côté de la poutre en porte-à-faux suivant la direction de détection d'accélération. Les relations entre les différentes positions entre la poutre 501 en porte-à-faux et le suopport 502 sont importantes afin d'avoir en sortie une sensibilité maximale. Une position de référence est fixée sur le côté du support à une position à L/2 (L étant la longueur totale des résistances diffusées) comme représenté à la figure 45. On va décrire une valeur optimale en se reportant aux figures 46 et35 47. Lorsque la résistance diffusée sur le côté du support a 32 2731278 une longueur L1, elle peut être fournie en sortie dans une gamme allant de + à - L1/2 (gamme utile). La valeur de l'optimum est située en une position décalée dans la direction positive (environ L1/8) à partir d'un point de5 concentration d'une contrainte. La figure 47 montre un résultat correspondant. On va maintenant décrire une relation de position des résistances diffusées vis-à-vis des largeurs de l'élément en se reportant à la figure 45. Une grande sensibilité peut10 être obtenue lorsque t1 représenté à la figure est proche de la périphérie extérieure. La sensibilité peut également être ajustée en ajustant tx et to. Une relation entre tx et to peut être représentée par l'équation suivante:15 out = V2 - V = (A R/R)V x (tx + 2W)/to...(4) C'est-à-dire, que la sensibilité est améliorée lorsque tx est plus grand que to. On va maintenant décrire un procédé pour déterminer une particularité structurale de l'élément capteur d'accélération. La figure 48 représente une relation entre une longueur et l'épaisseur d'une puce nécessaire pour obtenir en sortie la même sortie avec une accélération allant5 de 1 G à 5 G par exemple. L'épaisseur de la puce est déterminée par une limitation du procédé de fabrication au moyen d'un quadrillage (il est nécessaire qu'il soit supérieur à 0,08 mm: cela étant du à un problème dû au fait au'il faut mettre en puces des quadrillages et à la taille30 d'un plot de sortie). Les lignes continues à la figure représentent les tailles de puce destinées à obtenir les signaux de sortie de 1 G à 5 G de l'accélération. Il est avantageux d'inclure un circuit d'amplification car l'élément est fabriqué avec des dimensions se trouvant dans la zone au-dessus d'un point a 33 2731278 d'une courbe (1) correspondant à 1 G à la figure et la zone des tailles de puce devient plus large. Une courbe (2) allant de 1 G à 5 G représente un cas o un poids est ajouté. Il s'agit d'un cas o il vaut mieux ajouter un poids car il5 existe une zone dans laquelle l'élément ne peut pas être fabriqué en incluant un circuit amplificateur comme par exemple le cas du point b. Il y a donc un compromis à réaliser. Cependant dans le cas des courbes, représentant les o0 G élevés, (3) (sans poids) et les courbes 4 (avec poids), ajouter un poids ne fait qu'augmenter le coût car la taille est déterminée par la taille de puce minimale (points c et d). On notera que les plots de sortie décrits ci-dessus sont disposés en rangée suivant la direction longitudinale du capteur dans la partie de support du capteur conformément à l'épaisseur du capteur. Le dispositif à semi-conducteur comportant le capteur d'accélération à semi-conducteur est fabriqué en découpant les éléments d'un substrat semi-conducteur au moyen d'un découpage par quadrillage et en formant les éléments sur le côté de la poutre en porte-à-faux du capteur d'accélération à semi-conducteur suivant la direction de détection d'accélération. A cette étape, afin d'empêcher que25 les éléments ayant une très petite largeur soient évacués par écoulement d'eau utilisée lors du découpage par quadrillage, le substrat àsemi-conducteur est fixé par un ruban de fixation ayant une grande force adhésive et en affaiblissant la force adhésive par rayonnement ultra-violet lorsqu'on30 extrait les éléments. Un mode de réalisation destiné à former un circuit électrique à l'intérieur de l'élément ayant une petite épaisseur de puce (largeur) va maintenant être décrit. Le circuit électrique peut être installé à l'intérieur de l'élément ayant la petite épaisseur de puce (largeur) en 34 2731278 formant des transistors MOS suivant deux rangées au-dessus et en-dessous de façon que la direction suivant le sens de la largeur de la source et du drain du transistor MOS soit symétrique par rapport à une ligne centrale du capteur5 suivant la direction en longueur à la partie de capteur du capteur. En ce qui concerne le câblage, un fil en aluminium connectant électriquement les transistors MOS compose le circuit électrique ou un fil en aluminium connectant électriquement les transistors MOS et un poly-silicium formant une partie résistance est formé à l'extérieur du transistor MOS et de la partie de résistance en poly- silicium. La sensibilité peut encore être améliorée en formant les résistances diffusées par perforation. On va maintenant décrire en se reportant aux dessins des modes de réalisation de la présente invention. [Seizième mode de réalisation] La figure 32 représente le capteur de pression de la présente invention. A la figure 32, il est représentée une base 702 ayant une membrane 704 qui se déforme sous l'effet d'une contrainte et un élément 701 capteur, disposé sur la membrane 704, pour détecter un déplacement par une fluctuation de la valeur de résistance des résistances diffusées. L'élément 701 capteur comprend une partie de plot pour fournir en sortie des signaux électriques, des fils, un circuit de compensation de température et un circuit d'amplification formés sur le côté. La valeur de sortie est fournie en sortie de la base30 702 à une borne 707 rajoutée à l'emballage par l'intermédiaire d'un fil 709. La figure 33 est une vue agrandie de la partie d'éléments capteurs dans lequel l'élément 701 capteur ayant les résistances 708 diffusées sur le côté est disposé sur la 2731278 membrane 704 au-dessus d'une chambre 703 de référence de pression qui varie en fonction de la pression. Les figures 37 à 39 présentent un procédé de fabrication de la présente invention. Comme il est représenté à la figure 37, des éléments semi-conducteurs ayant des résistances 8 diffusées sont formés sur un substrat 710 à semi- conducteur. Des lignes de découpage sont ensuite dessinées à la partie périphérique de l'élément 701 capteur pour quadriller par découpage en fonction des lignes 711 de10 découpage. A la figure 37, les éléments de capteur sont découpés avec une taille de 6 mm de longueur et 0,1 mm de largeur. La figure 37B est une vue agrandie représentant des éléments individuels extraits par découpage en quadrillage. Ainsi, ce procédé de fabrication détermine une partie de déplacement (to à la figure 45) par découpage par quadrillage (c'est-à-dire en individualisant en parties individuelles). La figure 38 montre l'élément 1 capteur fabriqué suivant ce procédé. Sa hauteur est de 0,525 mm qui correspond à l'épaisseur du substrat semiconducteur. Le découpage par quadrillage permet de fabriquer aisément des éléments ayant une épaisseur de 0,1 mm. La figure 39 représente ensuite un état dans lequel l'élément 701 capteur est lié à la base 702. A la figure 39, la liaison est réalisée par un adhésif au silicium afin25 d'égaliser les coefficients de dilatation thermique de la base 702 et de l'élément 701 capteur à la partie de liaison. Une telle liaison permet de fournir un capteur de pression qui n'est pas affecté par des contraintes thermiques. Le circuit électrique employé dans la présente invention est maintenant décrit en se reportant à la figure 36. A la figure 36, l'élément 701 capteur comprend sur son côté un circuit 714 en pont comprenant des résistances 781, 782, 783 et 784 diffusées, une borne 75i à la masse, des bornes 752 et 753 de sortie et une borne 754 d'entrée de tension et l'élément 701 capteur est lié à la membrane 704. 36 2731278 Lorsque l'élément capteur 1 est déplacé, des contraintes en traction et en compression sont appliquées sur les extrémités supérieures et inférieures de l'élément 701 capteur et sont détectées par le circuit 714 en pont par les résistances5 diffusées et un signal de sortie d'une différence entre les contraintes de compression et de traction est fourni en sortie à un plot 703 de sortie. On va maintenant décrire l'avantage d'avoir les résistances 708 diffusées sur le côté de l'élément capteur. Dans le cas de l'art antérieur o les résistances diffusées sont disposées sur un plan, un circuit en pont ayant une résistance R2 de référence et une résistance R1 de mesure est formé. Lorsque R2 vaut R, R1 peut être représenté comme R + AR. Un signal de sortie Vout peut alors être représenté par15 l'équation suivante: V1 = (R/2R +A R)V (5) V2 = (R + à R/2R + A R)V) (6) Vout = V2 - V1 ( à R/2R + A R)V (7)20 Dans le circuit électrique de la présente invention, lorsque R! a une valeur de résistance due à la contrainte en compression R - AR et R2 a une valeur de résistance due à l'effort en traction R - AR, le signal de25 sortie Vout peut être représenté par les équations suivantes: Vl = (R - A R/2R)V (8) V2 = (R + A R/2R)V (9) Vout = V2 - Vi = (A R/R)V (1 0) Lorsque AR peut être négligé comme étant de très petite valeur dans les équations (7) et (10), le circuit électrique de la présente invention fournit un signal de sortie double comparativement à un circuit de l'art antérieur. Suivant la présente invention, un capteur d'accélération à semi-conducteur ayant une longueur de 6 mm, une largeur de 0,525 mm et une épaisseur de 0,1 mm a donc été fabriqué. Lorsqu'une tension de 5 V est appliquée au capteur d'accélération à semi-conducteur, une tension de sortie de 1,4 mV est fournie. Il faut noter que cette valeur de sortie est obtenue sans avoir besoin du circuit d'amplification. [Dix-septième mode de réalisation] Les figures 40 à 42 représentent un mode de réalisation dans lequel seul le bord de l'élément 701 capteur est fixé. A la figure 40, l'élément 701 capteur est lié à une15 partie de la base 702 n'ayant pas la membrane 704. La figure représente un état dans lequel la pression de la chambre 703 de référence de pression et la pression extérieure sont équilibrées entre elles. La figure 41 représente un état dans lequel la pression ambiante est supérieure à la pression de référence. Bien que la membrane 704 se déforme, l'élément 701 capteur est supporté par le bord et ne détecte aucun déplacement entraîné par la pression. Cependant, lorsque la pression ambiante est inférieure à la pression de référence, la membrane 704 et l'élément 701 capteur se déforment tous25 les deux comme représenté à la figure 42. Ainsi, seule la pression qui est inférieure à celle de la chambre de pression de référence peut être détectée. Un mode de réalisation dans lecuel un seul bord de l'élément capceur est fixé ccmme représenté aux figures 41B et 42B va maintenant être décrit. A la figure 41B, bien que la membrane 704 se déforme lorsque la pression ambiante est supérieure à la pression de référence, l'élément 701 capteur est supporté par le bord et ne détecte aucun déplacement dû à la pression. A la figure 42B dans laquelle la pression35 ambiante est inférieure à la pression de référence, la 38 2731278 membrane 704 et l'élément capteur 701 se déforment tous les deux comme représenté à la figure. Ainsi, seule la pression qui est inférieure à celle de la chambre de référence de pression peut être détectée.5 Un procédé destiné à améliorer la sensibilité de la présente invention va maintenant être décrit. Suivant le procédé de fabrication de la présente invention représenté à la figure 37, l'élément 701 capteur est aminci par polissage du côté de l'élément 701 capteur après avoir installé10 l'élément 701 capteur sur la base 702 en silicium. Ainsi, la sensibilité de l'élément 701 capteur de la présente invention est améliorée. [Dix-huitième mode de réalisation] La figure 43 représente une vue de face d'un 18 ème mode de réalisation de la présente invention. La figure 44 représente une partie de détection de pression du 18 ème mode de réalisation. Une ouverture servant de moyen de détection est formée sur une base 716 de manière à la mettre en contact20 avec un élément 715 capteur. Ainsi, la base 716 ne nécessite aucun procédé de gravure pour former une membrane, ce qui permet une réduction du coût du procédé de fabrication et une amélioration du rendement de la base.25 [Dix- neuvième mode de réalisation] Les figures 49 et 50 représentent des exemples de signaux de sortie de tension pour chaque angle du capteur d'accélération utilisant la présente invention, la figure 4930 représentant l'exemple de signal de sortie de tension lorsque l'élément capteur de forme en pilier de la présente invention est utilisé et la figure 50 représentant l'exemple de signaux de sortie de tension lorsque le procédé de gravure de l'art antérieur est utilisé. Chaque courbe de la figure est35 associée à un rapport de largeur sur épaisseur de l'élément 39 2731278 (W/H = 1/2, 1/3). Du fait que la partie gravée est capable de subir une torsion dans le cas de la structure de l'art antérieur, un changement de résistance dû à la torsion est créé, entraînant en sortie une tension. En raison de cela,5 les courbes ne sont pas liées entre elles au centre de la valeur de sortie 0 comme représenté à la figure 50. Afin d'éliminer une composante de bruit dûe à la structure de cette partie, il est nécessaire d'utiliser un procédé d'élimination au moyen d'un circuit électrique.10 La figure 51 montre une relation du rapport largeur/hauteur (W/H) de la structure en pilier utilisant le capteur d'accélération de la présente invention. L'axe horizontal représente le rapport largeur de la puce sur épaisseur de la puce et l'axe vertical représente le niveau de bruit. Pour une accélération de 1 G, si la relation du rapport largeur de puce sur épaisseur de puce est inférieure à 6, l'élément peut être utilisé de manière convenable car le niveau de bruit est faible. Pour une valeur d'accélération de G, un capteur aura une meilleure précision, si le rapport largeur/épaisseur est inférieur à 2, car il n'est pas alors affecté par la torsion. [Vingtième-mode de réalisation] Un cas dans lequel un capteur biaxial est utilisé va maintenant être décrit. Lorsque la largeur de puce du capteur d'accélération en forme de pilier (parallélipède rectangle) de la présente invention est diminuée, une vairation de résistance dû au déplacement est entraînée également du côté des résistances diffusées. Un capteur d'accélération biaxial de la présente invention utilise ce principe. On va décrire cela en se reportant aux figures 52, 53, 54 et 55. Lorsque les résistances diffusées sont prévues sur le côté lorsqu'une accélération est détectée conformément à la présente invention, on peut obtenir un signal de sortie 2731278 double par rapport à ce qu'on obtenait dans le cas de l'art antérieur comme décrit précédemment. Cependant lorsque le capteur biaxial est utilisé, alors que la largeur de puce du capteur d'accélération en forme de pilier (parallélipède5 rectangle) de la présente invention nécessite d'être diminuée, le signal de sortie est faible avec l'agencement des résistances diffusées dans le circuit en pont représenté dans la figure 53 (le circuit en pont est représenté à la figure 54). Aussi, afin d'obtenir un capteur d'accélération10 ayant une sensibilité élevée comme le capteur biaxial, un procédé dans lequel les résistances diffusées (R1, R4 à la figure 56) qui se trouvent au voisinage de la base de support sont conçues comme résistance de référence, est utilisé. La figure 52 montre des exemples de signaux de sortie dans ce15 cas, dans lequel 01 représente une configuration de sortie provenant de la direction de détection de l'accélération et 02 représente un signal de sortie provenant du côté des résistances diffusées. Une différence des formes des signaux de sortie de 01 et 02 provient d'une différence des20 déplacements appliqués aux résistances diffusées décrites ci- dessus. Le capteur d'accélération biaxial est obtenu en ajustant les sensibilités de sortie des deux axes en ajustant la différence des déplacements. Bien que l'ajustement des sensibilités de sortie ait été réalisé par ajustage dans le25 mode de réalisation présent, il est également possible de l'obtenir en ajustant le rapport largeur sur épaisseur de puce. La figure 52 montre des courbes 01' et 02' (lignes pointillés) après l'ajustement. Grâce à cela, des signaux de sortie homogènes sont fournis en scrtie en provenarnce des30 deux axes, permettant d'utiliser ce capteur en tant que capteur biaxial. [Vingt-et-unième mode de réalisation] Les détails du capteur d'accélération à semi- conducteur fabriqué vont maintenant être décrits dans le présent mode de réalisation. Un circuit électrique comprenant un circuit d'amplification va être décrit en se reportant à la figure 56. Un circuit 2002 en pont complet a la structure du circuit électrique. Une valeur de résistance d'une jauge5 piezo-résistive varie en fonction de la contrainte entraînée par une accélération et le circuit 2002 en pont le détecte sous forme de variation de tension. Des signaux de sortie différentiels du capteur sont convertis en un signal de sortie unique par un circuit 2001 d'amplification10 différentiel dans lequel trois amplificateurs opérationnels CMOS à alimentation simple avec une extrémité unique sont disposés. On notera que le circuit d'amplification différentiel comporte des circuits d'ajustage pour ajuster la sensibilité et pour ajuster le décalage par l'intermédiaire15 d'un tampon. Dans le présent mode de réalisation, le capteur a été fabriqué avec une taille de 12 mm en ce qui concerne la longueur totale qui inclue la partie de support et de 0,16 mm en largeur qui inclue le circuit d'amplification. Il est également possible d'améliorer le rapport signal sur bruit S/B en utilisant deux extrémités uniques d'amplificateur différentiel total et un amplificateur hâcheur. La figure 59 est une vue en plan représentant un plan d'un circuit électrique du capteur d'accélération à semi-conducteur de la présente invention. Il comporte une partie 2004 de plot de sortie, le circuit en pont (piezo- résistances) 2002, et une partie 2001 d'amplification opérationnelle et une partie de circuit d'excitation. On notera les points suivants dans le plan de la zone ayant une30 largeur étroite qui ont été décrits précédemment. C'est-à- dire que le circuit électrique peut être installé dans l'élément ayant une épaisseur (largeur) de puce petite en formant les transistors MOS en deux rangées au-dessus et en- dessous de façon que la direction suivant la largeur de la35 source et du drain du transistor MOS est symétrique par 42n 2731278 rapport à une ligne centrale dans la direction suivant la longueur du capteur à la partie formant capteur du capteur. Quant au câblage, des fils en aluminium connectant électriquement les transistors MOS qui composent le circuit électrique ou des fils aluminium qui connectent électriquement les transistors MOS et un polysilicium formant la partie de résistance est formé à l'extérieur des transistors MOS ou de la partie de résistance en poly- silicium.o10 [Vingt-deuxième mode de réalisation] La figure 58 est une vue en coupe du capteur d'accélération à semi-conducteur de la présente invention. La figure 59 est une vue en perspective du capteur15 d'accélération à semi-conducteur de la présente invention. La figure 59B est une vue en perspective dans le cas o les résistances diffusées sont situées sur le côté dans la direction de la détection d'accélération. A la figure 58, une partie amincie est formée sur une base 801 en silicium dont le materiau est le silicium et il est prévue une résistance 805 diffusée destinée à convertir une contrainte dûe à un déolacement en un signal électrique. Un butoir 803 supérieur et un butoir 804 inférieur destinés à empêcher une destruction lorsqu'une accélération excessive est appliquée sont prévus au sommet et en bas de la base 801. En plus de la résistance diffusée 805, des parties 806 plots destinées à fournir en sortie une valeur de sortie, des fils, un circuit de compensation de température et un circuit d'amolification sont disDosés sur30 le côté de la base 801. La valeur de sortie est fournie en sortie à partir des bornes qui sont ajoutées à l'emballage par l'intermédiaire de fils 807 issus de la base 801. La surface du butoir qui vient en contact avec la base en silicium est fabriquée de manière à avoir une face courbe qui épouse l'équation (!) de la courbe de déflexion 43 2731278 décrite précédemment puisque la poutre en porte-à-faux est utilisée dans le mode de réalisation présent. Les faces courbées supérieure et inférieure sont réalisées de la même manière.5 Une partie a et une partie b, au-dessus de la partie a dans la figure, formant des points de contact de la base de silicium et des butoirs, au bord de la partie 808 en forme de rainure qui porte les résistances diffusées, sont représentées à la figure 58. Un écartement maximum entre la10 base de silicium et le butoir est formé de manière à ce qu'une accélération à détecter puisse être détectée en procurant une distance plus ou moins idéale à partir d'un déplacement de la base de silicium lorsqu'une accélération spécifique est détectée.15 Un mécanisme destiné à empêcher la destruction du capteur d'accélération à semi-conducteur de la présente invention va maintenant être décrit en se référant aux figures 64, 65 et 6. La figure 64 représente un cas dans lequel la base 801 en silicium a reçu une accélération provenant du bas et s'est déplacée vers le haut. Dans ce cas, la base 801 est déplacée le long de la surface intérieure du butoir 803 supérieure et peut supporter un choc, sans recevoir de choc partiel. La figure 65 représente un état dans lequel aucune 5 accélération n'est appliquée. La figure 66 représente un cas dans lequel la base 801 de la poutre en porte-à-faux a reçu une accélération provenant du dessus et s'est déplacée vers le bas. Dans ce cas, la base 801 s'est déplacée le long de la surface intérieure du butoir intféreur.30 On a mené une expérience concernant la résistance au choc du capteur d'accélération à semi-conducteur de la présente invention. La taille de la partie formant capteur du capteur d'accélération à semi-conducteur de la présente invention était de 8 mm en longueur, 1 mm en largeur et 0,635 mm en épaisseur. Une épaisseur de la partie de résistances 44 2731278 diffusées était de 80 micromètres. Lorsque le capteur d'accélération à semi-conducteur ayant ces spécifications a reçu un choc de 100 G par exemple, l'extrémité distale du capteur d'accélération à semi- conducteur s'est déplacée au5 maximum de 12 micromètres. Parce que le capteur d'accélération à semi-conducteur est utilisé pour détecter une gravité, ces caractéristiques ont été conçues de manière à détecter une accélération de 1 G. Le déplacement maximum du capteur d'accélération à semi-conducteur à ce moment-là est inférieur à un micromètre. C'est pourquoi, bien que deux micromètres suffiraient comme écartement entre le capteur d'accélération à l'extrémité distale qui se déplace le plus et le butoir et la structure du butoir qui permet d'améliorer la résistance au choc, cela est difficile à fabriquer et le15 capteur d'accélération de la présente invention a été formé en réalisant un écartement de 10 micromètres. La surface du butoir en contact avec la base de silicium a été réalisée de manière à avoir une forme courbe conforme à l'équation de la courbe de déflexion. 20 Le butoir a été fixé avec le capteur d'accélération en utilisant un adhésif de même composition que le matériau utilisé dans la présente invention afin de faire coïncider les coefficients de dilatation thermique du butoir et du capteur d'accélération. Ce procédé permet d'éviter une25 influence des contraintes thermiques sur les résistances diffusées et d'empêcher les effets d'une dérive de température. Lorsque la résistance au choc du capteur d'accélération de la présente invention a été mesurée, le capteur d'accélération de la orésente invention n'a pas été détruit même dans le cas d'un choc de 3.000 G. [Vingt-troisième mode réalisation] La figure 67 est une vue en perspective d'un vingt- troisième mode de réalisation de la présente invention. Dans *2731278 le mode de réalisation présent, du silicium est utilisé pour la partie de détection du capteur d'accélération. Le silicium est un matériau excellent en ce qui concerne son élasticité et présente de bonnes caractéristiques d'élasticité.5 Lorsqu'on découpe une partie de la partie inférieure de la poutre en-porte-à-faux et que des résistances diffusées sont prévues sur la partie supérieure de celui-ci, un déplacement vers le bas peut être très grand, alors que le déplacement vers le haut est faible. Ainsi, un butoir n'est prévu qu'au-10 dessus des résistances diffusées dans le mode de réalisation présent. La résistance au choc a été améliorée même avec une telle structure. Cela a pour effet de réduire les coûts de production. [Vingt-quatrième mode de réalisation] La figure 68 est une vue en perspective d'un vingt- quatrième mode de réalisation de la présente invention. Dans le mode de réalisation présent, les résistances 805 diffusées destinées à détecter un déplacement sont formées sur le côté20 suivant la direction déplacée par une accélération. Lorsque les résistances diffusées sont formées sur le côté, il devient possible d'empêcher qu'une contrainte thermique soit produite sur les résistances diffusées par le butoir ainsi qu'un effet de dérive des températures. Dans le cas de la25 présente invention dans laquelle les résistances diffusées destinées à détecter un déplacement sont situées sur le côté, des points de contact du butoir destinés à empêcher la destruction avec la base de silicium sont disposés au voisinage des résistances diffusées.30 La partie de résistance diffusée n'est pas amincie comme dans les modes de réalisation 22 et 23 dans le mode de réalisation présent et une amélioration supplémentaire de la résistance au choc est attendue dans le mode de réalisation présent. Dans le mode de réalisation présent, la résistance35 au choc du capteur d'accélération à semi-conducteur ayant 8 46 2731278 mm en longueur, 1 mm en largeur et 0,2 mm en hauteur est améliorée jusqu'à 4.000 G. [Vingt-cinquième mode de réalisation] Un mode de réalisation construit de manière que le côté de la résistance diffusée fasse face au substrat de support est décrit dans un vingt-cinquième mode de réalisation. La figure 69 représente le mode de réalisation du capteur d'accélération à semi- conducteur de la présente invention dans lequel la figure 69A est une vue de dessus et la figure 69B une vue en plan de celui-ci. La structure est décrite en se reportant à la figure 69. Une partie amincie est formée sur une base en silicium dont le matériau est le silicium et une des résistances 3 diffusée destinée à convertir une contrainte entraînée par un déplacement en un signal électrique sont prévues dessus. L'élément 1001 capteur d'accélération à poutre en porte-à-faux est installé de manière que le côté20 des résistances diffusées fasse face à un panneau 5 de câblage. Une perle 1006 de soudure est formée à l'avance à une partie 1002 (piédestal) qui va devenir un support, ainsi qu'une borne destinée à réaliser en sortie des signaux électriques par un procédé de soudage à la perle sur l'élément 1 capteur d'accélération, afin de pouvoir produire aisément le capteur en installant l'élément 1 capteur d'accélération sur le panneau 5 de câblage. Un procédé de fabrication du capteur d'accélération de la présente invention va être décrit en se reportant à la figure 71. Les figures 71A à 71C sont des vues de face et la figure 71D et 71E sont des vues en plan. On fabrique d'abord le panneau 5 de câblage destiné à acheminer des signaux électriques d'une borne 7 prévue sur un emballage 1010 destiné à protéger le capteur d'accélération et à maintenir l'élément 1 capteur d'accélération. Suivant la présente invention, un câblage 11 est fabriqué sous forme d'un fil en or (à base de chrome) sur du verre. L'épaisseur de la pellicule de câblage est de 1.0005 angstroms avec du chrome et de 1.000 angstroms avec de l'or et la pellicule est formée par pulvérisation cathodique. Une configuration de piédestal destinée à supporter une borne 1012, le câblage 1011 et le capteur 1001 d'accélération est formée à l'intérieur de la configuration de câblage. L'élément 1001 capteur d'accélération est ensuite fabriqué en formant les résistances diffusées par implantation ionique classique ou analogue et au moyen de procédés semi-conducteurs de formation de câblage et d'isolation de pellicules. Le circuit d'amplification et le15 circuit de compensation de température sont formés comme on en a besoin. Dans le mode de réalisation présent, afin de faire coopérer le piédestal 1002 qui est installé sur le panneau 1005 de câblage avec l'élément 1001 capteur d'accélération lui-même, le procédé à base de perles de20 soudage a été mis en oeuvre et le piédestal est formé sur l'élément lui-même. L'élément 1001 capteur d'accélération est installé sur la panneau 1005 de câblage en formant le piédestal par le procédé à base de perles de soudage. Comme on utilise le fil en or pour la configuration à l'intérieur25 du panneau de câblage, il s'adapte bien au soudage, l'élément 1001 capteur d'accélération pouvant être relié au panneau 1005 de câblage facilement en augmentant la température à environ 200 C. Le procédé présent permet également de situer de manière précise par sa fonction d'auto-alignement. Parce que l'écartement entre l'élément 1001 capteur d'accélération et le panneau 1005 de câblage a besoin d'être maintenu en place, une configuration à base de cuivre qui est fabriquée lorsque la perle de soudage est formée est utilisée dans le présent35 mode de réalisation. Une épaisseur de la configuration en 48 2731278 cuivre est utilisée pour commander l'écartement entre l'élément 1001 capteur d'accélération et le panneau 1005 de câblage. Du fait que la configuration en cuivre est formée par placage d'or, l'écartement peut être commandé à un degré5 de l'ordre du micron. Dans le mode de réalisation présent, le capteur d'accélération a été fabriqué de manière à être utilisé pour détecter une accélération de 1 G de manière précise. Parce que son déplacement maximum est inférieur à 10 microns, il10 est fabriqué de manière à avoir 10 microns en tant qu'épaisseur de placage de cuivre. Du métal pour brasage 1014 est remis enfusion à 200 C pour lier l'élément 1001 capteur d'accélération au panneau 1005 de câblage. Le matériau de brasage s'écoule vers la configuration en or sur le panneau15 de câblage et l'écartement est formé et maintenu par le cuivre restant. Le capteur d'accélération ayant le panneau complet est fixé de manière adhésive au boîtier 1010, les bornes 7 prévues sur l'emballage 1010 étant connectées par des fils 1013 de liaison et un couvercle de l'emballage 101020 est fixé de manière adhésive terminant ainsi le capteur d'accélération. Lorsqu'on a mesuré la résistance au choc du capteur d'accélération fabriqué dans le mode de réalisation présent, le capteur d'accélération de la présente invention n'a pas25 été détruit même sous un choc de 4. 000 G. [Vingt-sixième mode de réalisation] Le cas dans lequel la perle 1006 de soudage est formée sur l'élément 1001 capteur d'accélération sous forme d'un piédestal destiné à le maintenir a été décrit au vingt- cinquième mode de réalisation. Suivant un vingt-sixième mode réalisation, le capteur est fabriqué en formant la perle de soudage sur le panneau 1005 de câblage et en fixant l'élément 1001 capteur d'accélération à celui-ci. Cela sera décrit en se reportant à la figure 73. 49 2731278 Une première étape consiste en ce qu'une pellicule de chrome est formée sur la surface totale d'un substrat en verre, une pellicule de cuivre est formée dessus et un câblage est ensuite formé par un procédé lithographique. Une5 seconde étape consiste à former le piédestal destiné à fixer l'élément 1 capteur d'accélération ainsi qu'une perle de soudage sur le plot destiné à extraire les signaux électriques de l'élément 1 capteur d'accélération. Le panneau 5 de cablage est fabriqué par ces étapes. La figure 74 est une vue agrandie du piédestal 1002 et du plot de sortie formés par le procédé à base de perle de soudage. Comme pour l'élément 1001 capteur d'accélération, les résistances 1003 diffusées et le circuit d'amplification sont formés à l'avance dans le procédé semi- conducteur. La partie amincie destinée à améliorer la sensibilité peut être formée par gravure. Une troisième étape consiste à fixer le panneau 1005 de câblage à l'élément 1001 capteur d'accélération fabriqué par le procédé semi-conducteur.20 Le procédé destiné à fixer le panneau de câblage 1005 à l'élément 1001 capteur d'accélération fabriqué par le procédé semi-conducteur va être décrit en se reportant aux figures 74 et 75. L'élément 1001 est placé sur le panneau 1005 de câblage formé comme représenté à la figure 75. Lorsqu'après cela il est chauffé à 200 C, le matériau 1014 de brasage s'écoule. Le matériau 1014 de soudage s'écoule vers des parties métalliques configurées sur l'élément capteur d'accélération à l'avance et est placé et fixé par auto-30 alignement. Le panneau 1005 de câblage équipé de l'élément 1 capteur d'accélération est fixé à l'intérieur de l'emballage 1010 et des bornes 1013 à l'intérieur du panneau 1005 de câblage sont connectées aux bornes 1007 prévues sur l'emballage par liaison par fil de manière à pouvoir fournir35 des signaux électriques vers l'extérieur. La fabrication du 2731278 capteur d'accélération est complétée par un couvercle et par une fermeture étanche de celui-ci sur l'emballage 1010. [Vingt-septième mode de réalisation] Tandis que le procédé utilisant une perle de soudage a été utilisé comme procédé pour former le piédestal à la fois dans le vingt-cinquième et le vingt-sixième mode de réalisation, une mince couche de résist 1016 est utilisée pour former le piédestal dans un vingt-septième mode de10 réalisation. Un procédé destiné à former le piédestal par la résist 1016 va être décrit en se reportant à la figure 76. Une première étape du procédé consiste à former une couche de câblage sur un substrat par exemple du verre en utilisant un15 matériau de câblage, par exemple de l'aluminium dans le mode de réalisation présent, et une configuration de câblage souhaitée est formée sur le substrat 5 par un procédé lithographique. Une seconde étape du procédé consiste à former une mince couche de résist 1016 par revêtement par20 filage. Il est alors nécessaire de commander l'application de la résist de manière à avoir une épaisseur égale du fait que l'épaisseur de la résist est importante pour une structure résistant au choc. Une configuration est ensuite25 réalisée de manière à obtenir une forme de piédestal. Une troisième étape consiste à fixer l'élément 1001 capteur d'accélération. Apres cela, urne nouvelle fusion est effectuée pour connecter les bornes de sortie. Le capteur d'accélération peut être facilement fabriqué en utilisant la30 couche mince de résiste 1016. Lorsqu'une résistance au choc du capteur d'accélération du présent mode de réalisation a été mesurée, il pouvait supporter un choc de 4000 G. [Vingt-huitième mode réalisation] 1 2731278 Un mode de réalisation dans lequel un élément qui a des résistances diffusées sur le côté de la direction de détection d'accélération est monté de manière que les résistances diffusées fassent face au substrat de support est5 maintenant décrit. De manière similaire au vingt-cinquième mode de réalisation, les perles 1006 de soudage sont formées à l'avance aux parties 1002 (piédestal) qui deviennent le support et aux bornes de signaux électriques sur l'élément 1 capteur d'accélération. Le capteur peut ensuite être fabriqué10 facilement en plaçant l'élément 1001 capteur d'accélération sur le panneau 1005 de câblage. [Vingt-neuvième mode de réalisation] Un procédé pour installer des poids va être décrit dans le présent mode de réalisation. Alors que jusqu'à maintenant des blocs métalliques ont été collés à l'extrémité distale d'un élément par un adhésif ou analogue en tant que procédé pour installer des poids, il est prévu de soumettre à un bain de fusion 110220 l'extrémité distale de l'élément 1101 capteur d'accélération en l'insérant dans le bain 1102 de fusion et en le retirant grâce à un mandrin 1103 comme représenté à la figure 77. Ce procédé permet d'installer facilement un poids 1104 ayant une répartition homogène du poids. La figure 78A est une vue 5 agrandie de cela. A la figure 78B, un récipient destiné à mettre en forme le poids 1104 est utilisé. Un poids ayant la forme souhaitée peut être formé en remplissant le récipient avec le bain 1102 de fusion, en insérant l'élément 1101 capteur dans un boîtier 1106 et en extrayant l'élément après30 coagulation du produit de fusion. Dans ce procédé, le fait que le poids puisse coaguler et se contracter est utilisé pour empêcher la destruction. Cela est expliqué ci-dessous. Un boîtier 1105 d'emballage comme représenté à la figure 79 est utilisé pour35 immerger une partie qui va devenir le poids 1104 dans le bain 52 2731278 en fusion 1102 comme représenté à la figure 77 décrite ci- dessus. Le produit 1102 en fusion se contracte alors qu'il se coagule et forme un écartement entre le boîtier d'emballage. Cet écartement permet à l'élément 1001 capteur d'accélération5 de se déplacer lorsqu'il reçoit une accélération et de bloquer son déplacement excessif lorsqu'il reçoit une accélération excessive par le boîtier 1105 d'emballage. [Trentième mode de réalisation] un exemple d'un capteur d'accélération fixé à une puce 1201 de micro-ordinateur est décrit dans le mode de réalisation présent. La figure 80 montre le mode de réalisation présent. Alors que la figure 80 montre une puce 1201 de micro-ordinateur classique, un bord de la puce de micro ordinateur est découpé par quadrillage ou analogue et est fixé sans découper une extrémité de celui-ci comme représenté à la figure. Ce procédé permet une fabrication du capteur d'accélération dont l'extrémité est fixée. Une mémoire morte programmable électriquement (ou EPROM) ou une20 mémoire morte programmable électriquement effaçable (EEPROM) comportant une fonction d'auto-ajustage a été utilisée en tant que puce 1201 de micro-ordinateur. Le présent mode de réalisation permet la fabrication du capteur d'accélération comportant une puce de micro-ordinateur. Comme décrite ci-dessus, la présente invention a les effets suivants: 1) parce que l'avant et l'arrière du capteur d'accélération à semi-conducteur ayant les résistances diffusées sont plats et que la partie de résistance diffusée n'est pas amincie, le dispositif peut être fabriqué facilement. Il ne nécessite pas de procédé compliqué et présente une forte résistance au choc; 2) parce que l'épaisseur est une conséquence de l'épaisseur du substrat à semi-conducteur, il y a moins de dispersion 53 2731278 d'épaisseur et un capteur d'accélération ayant moins de dispersion des signaux de sortie par dispositif peut être obtenu; 3) elle permet un ajustement fin facilement de l'extérieur; 4) elle permet de fournir des dispositifs à haute précision; ) parce que de nombreux éléments de capteurs d'accélération peuvent être obtenus à partir d'un substrat à semi- conducteur, un capteur d'accélération à bas coût est réalisé; 6) comme la partie de résistance diffusée ne nécessite pas de partie amincie, le temps de fabrication est plus court, permettant une production à plus bas coût; 7) parce que les contraintes en compression et en traction sont détectés simultanément, des dispositifs à grande précision sont obtenus; et15 8) le capteur d'accélération biaxial peut être obtenu en ajustant l'épaisseur et la largeur d'une puce. Un capteur de pression à semi-conducteur comprend une base ayant une partie creuse dont un côté constitue une membrane, un support destiné à créer une chambre fermée de20 manière étanche à l'intérieur de la base, des moyens émettant des signaux électriques de sortie pour extraire des signaux électriques et un élément capteur, disposé sur la membrane et comprenant des résistances diffusées destinées à détecter une déformation de la membrane, pour convertir la déformation25 mécanique en des signaux électriques, et le circuit de détection de l'élément capteur forme un circuit en pont et les résistances diffusées sont prévues en des positions o les résistances diffusées sont verticales par rapport à la membrane. Ce capteur de pression à semi-conducteur présente;0 les effets suivants: 1) parce que de nombreux éléments de capteur de pression peuvent être obtenus à partir d'un substrat à semi- conducteur, des capteurs de pression à bas coût peuvent être réalisés 54 2731278 2) parce qu'une partie de détection de pression comportant les résistances diffusées et une chambre de référence de pression sont fabriquées de manière distincte, l'étape de traitement est facilitée permettant une réduction des coûts5 de fabrication; et 3) parce que les contraintes en compression et en traction sont détectés simultanément, des dispositifs ayant une bonne sensibilité de sortie peuvent être obtenus. Parce que le butoir, fourni au support, destiné à limiter un déplacement de la poutre en porte-à-faux a une structure qui épouse la forme de la poutre en porte-à-faux à une structure qui épouse la forme de la poutre en porte-àfaux qui se déforme lorsqu'une accélération lui est appliquée, il a les effets suivants:15 - parce que le butoir destiné à empêcher une destruction amortit un choc par contact avec une de ses faces même lorsqu'une accélération excessive est produite, il peut empêcher la destruction et donc améliorer la fiabilité; et - parce qu'aucun tampon telle qu'une huile de silicium n'est 0 nécessaire, le coût de fabrication du capteur d'accélération à semi-conducteur est réduit. Les effets suivants sont obtenus en fixant la poutre en porte-à-faux et le support de façon que le côté des résistances diffusées soit fixé au support:25 - le coût de fabrication est réduit et les résistances au choc sont améliorées; et - parce que les circuits électriques comprenant les résistances diffusées font face au substrat ayant les fonctions de support et de cablage, des signaux électriques30 sont extraits aisément. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semi-conducteur comportant un capteur d'accélération à semi-conducteur comprenant une poutre en porte à faux et un support, qui a une région5 destinée à détecter une accélération sur le côté de la poutre en porte à faux suivant la direction de l'accélération à détecter. 2. Dispositif à semi-conducteur comportant le capteur d'accélération à semi-conducteur suivant la revendication 1, comportant en outre une première résistance diffusée au voisinage de la surface supérieure d'un substrat à semi-conducteur et une seconde résistance diffusée au voisinage de la surface inférieur du substrat à semi-conducteur, la première résistance diffusée et la seconde résistance diffusée comportant un circuit en pont destiné à détecter une contrainte en compression et une contrainte en traction de la poutre en porte à faux dûes à une accélération. 3. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comportant un capteur d'accélération à semi-conducteur qui comprend une poutre en porte à faux en un substrat semi-conducteur dont l'une des extrémités est supportée et des résistances diffusées qui se trouvent au voisinage d'un support pour la poutre en25 porte à faux, comprenant les étapes qui consistent à: découper le substrat à semi- conducteur par quadrillage; et former le dit élément sur le côté de la poutre en porte à faux du capteur d'accélération à semi conducteur. 4. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la poutre en porte à faux a une surface plane ayant une épaisseur donnée et un support, des parties (503) de plot de sortie étant disposées dans une rangée. 5. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendication 1, comprenant en outre une base qui a une ouverture, un élément capteur qui coopère avec l'ouverture pour convertir une déformation mécanique en un signal électrique, un substrat qui forme une chambre (703) fermée de manière étanche dans une partie de la base (702) et des moyens (709) de sortie de signaux électriques destinés à extraire le signal électrique, un circuit de détection de l'élément capteur formant un circuit en pont, les résistances diffusées étant en position verticale par rapport à la membrane. 6. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la poutre en porte à faux est réalisée à partir d'un semi-conducteur et une extrémité est supportée par le support, le support comporte une pluralité de résistances diffusées destinées25 à détecter un déplacement dû à une accélération appliquée à partir de variations des valeurs de résistance des résistances diffusées, et comportant en outre un butoir épousant une forme extérieure de la poutre en porte à faux destiné à limiter le déplacement de la poutre en porte à faux. 7. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendication 6, caractérisé en ce qu'une partie du butoir faisant face à la poutre en porte à faux est identique à une courbe de déflexion de la poutre en porte35 à faux. 8. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la poutre en porte à faux est réalisée à partir d'un semi-conducteur et une extrémité est supportée par le support, ce support comportant une pluralité de résistances diffusées destinées à détecter un déplacement dû à une accélération appliquée, à partir de variations des valeurs de résistance des résistances diffusées, et la poutre en porte à faux est fixée à un côté du support, côté qui comporte les résistances diffusées. 9. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendication 8, comprenant en outre un écartement entre les résistances diffusées et le support. 15!0. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendication 8, caractérisé en ce que les signaux électriques produits par les résistances diffusées sont extraits par des câbles prévus sur le support en fixant la poutre en porte à faux au support.