FR 2734083 A1 19961115 FR 9514109 A 19951129 La présente invention concerne les dispositifs à semiconducteur optiques et, plus particulièrement, un module optique intégré qui comporte un dispositif de photoréception et un guide d'ondes optique solidaires l'un de l'autre. Les dispositifs de photodétection à semiconducteur sont indispensables dans les systèmes de traitement d'informations optiques destinés à être utilisés dans le domaine dit des multimédia, o des données d'images et des données audio sont traitées au titre d'une partie des signaux d'informations traités par le système. Dans de semblables systèmes de traitement d'informations optiques, il est essentiel d'assurer un couplage optique efficace entre un guide d'ondes optique utilisé pour transmettre des signaux optiques et un dispositif de photoréception utilisé dans un module optique pour détecter des signaux optiques transmis via le guide d'ondes optique. D'autre part, pour que le domaine des multimédia reçoive le plus large accueil dans la société, il est nécessaire de pouvoir fournir des systèmes de traitement optiques d'un faible coût qui assure néanmoins un couplage optique efficace entre le guide d'ondes optique et le dispositif de photoréception corres- pondant. La figure 1 montre la structure d'un module de photodétection classique proposé antérieurement par l'inventeur. Comme on peut le voir sur la figure 1, le module de photodétection est construit sur un substrat de support 1 qui apporte des motifs de câblage la et lb o les motifs de câblage la et lb sont connectés à un dispositif de photoréception à semiconducteur 10 monté sur le substrat de support 1 par l'intermédiaire d'un processus du type puce à bosses. Le dispositif de photoréception 10 comporte un substrat 2 en InP de type n sur lequel une couche tampon 3 en InP de type n est prévue, o la couche tampon 3 porte une couche non dopée 4 en InGaAs et une couche 5 en InP de type nformée sur la couche 4 en InGaAs. De plus, des régions de diffusion de type p, 5a et 5b, sont formées dans la couche 5 en InP ci-dessus indiquée. De ce fait, on notera que des diodes du type PIN D1 et D2 sont formées en correspondance avec les régions de diffusion Sa et 5b. La figure 2 est un schéma de circuit équivalent des diodes D1 et D2. Sur la figure 2, on remarquera que les diodes Dl et D2 sont connectées en série via la couche 3 en InP de type n suivant des polarités mutuellement opposées, o la diode Dl forme un circuit d'excitation qui excite la diode D2. Plus spécialement, la diode Dl produit une polarisation en sens inverse dans la diode D2, tandis que la diode Dl est elle-même polarisée en sens direct, o la diode D2 qui est donc polarisée en sens inverse provoque en retour une conduction sous l'effet d'un faisceau optique incident. En d'autres termes, la diode D2 se comporte comme une photodiode. On doit noter que la région de type p 5a correspondant à la diode d'excitation D1 possède une aire sensiblement plus importante que la S région de type p Sb formant la diode D2. Ainsi, la diode d'excitation Dl peut fournir un grand courant d'excitation à la photodiode D2. A cette grande aire de la région de type p Sa, la diode d'excitation D1 associe une grande capacité de jonction Cp, tandis que la photodiode D2 possède une très petite capacité de jonction, associée à la petite aire de la région de type p 5b. Ainsi, la photodiode D2 présente une réponse très élevée à un faisceau optique incident. Dans le dispositif de photoréception 10 de la figure 1, on doit noter que le substrat 2 porte une micro-lentille 2a sur sa face arrière en correspondance avec la photodiode D2 citée ci-dessus, de sorte que le faisceau optique arrivant sur la face arrière du substrat 2 en provenance d'une fibre optique 11 est focalisé sur une partie de la couche 4 en InGaAs située au-dessus de la région de type p 5b. De plus, le dispositif de photoréception 10 comporte une pellicule d'isolation 5 couvrant la surface de la couche en InP de type n 5, o la pellicule d'isolation 6 est dotée de trous de contact 6a et 6b qui sont respectivement en correspondance avec les régions de diffusion 5a et 5b. De plus, des bosses métalliques 7a et 7b sont formées sur les régions de diffusion 5a et 5b, respectivement en correspondance avec les trous de contact 6a et 6b. Par conséquent, le dispositif de photoréception est monté sur le substrat de support 1 à l'état retourné, ou inversé, par l'intermédiaire d'un processus du type puce à bosses de manière à former le module de photodétection, et les bosses métalliques 7a et 7b sont connectées électrique- ment aussi bien que mécaniquement aux motifs conducteurs la et lb cidessus indiqués, présents sur le substrat de support 1. Dans la structure présentée, on doit noter qu'un autre motif conducteur lc est prévu sur la face arrière du substrat de support 1, en connexion électrique avec le motif conducteur la ou lb par l'intermédiaire d'un trou passant ld, o le motif conducteur lc est connecté à une source de courant continu 12, qui fournit une tension positive. De plus, une borne de sortie et une résistance de charge RL sont connectées au motif conducteur lb. De ce fait, un circuit est formé, comme indiqué sur la figure 2, dans lequel la diode Dl est polarisée en sens direct et la photodiode D2 est polarisée en sens inverse. Sur la figure 1, il faut aussi noter que la face arrière du substrat en InP 2 porte une pellicule antiréfléchissante 8. Selon la structure de la figure 1, le dispositif de photoréception 10 est monté sur le substrat de support 1 pour un faible coût et de manière fiable grâce à l'utilisation du processus de la puce à bosses. Ainsi, on réduit notablement le coût de fabrication du module de photodétection. De plus, en réduisant l'aire de la région de diffusion 5b qui forme la partie essentielle de la photodiode D2, on améliore sensiblement la réponse de la photodiode D2. De plus, une structure telle que celle de la figure 1 est avantageuse pour éliminer l'application de contraintes mécaniques à la région active de la photodiode D2, ce qui est essentiel pour la détection du faisceau optique incident. Avec la structure de la figure 1, la plus grande partie des contraintes mécaniques externes appliquées au module est absorbée par la région de diffusion 5a de la diode d'excitation D1, laquelle possède une aire beaucoup plus grande que la photodiode D2. D'autre part, le module de photodétection de la figure 1 possède un inconvénient, en ce qu'il est nécessaire de prévoir un mécanisme de maintien séparé pour maintenir la fibre optique 11 en alignement avec la microlentille 2a se trouvant sur le substrat 2, alors qu'un tel mécanisme de maintien doit être ajusté pour chacun des dispositifs de photoréception 10 pour qu'on puisse obtenir un couplage optique optimal entre le coeur de la fibre optique 11 et la microlentille 2a. Puisque le coeur de la fibre optique possède un diamètre d'environ 6um au mieux, l'ajustement du mécanisme de maintien de la fibre optique 11 prend un temps important. Il faut noter que l'ajustement du mécanisme de maintien de la fibre doit s'effectuer par contrôle du signal de sortie de la photodiode D2 au cours d'une recherche de la position optimale pour laquelle le signal de sortie de la photodiode D2 devient maximale. Ainsi, du fait du temps prolongé nécessaire à l'ajustement, le coût de fabrication du dispositif augmente inévitablement dans le module optique de la figure 1. Par ailleurs, des propositions ont été faites de modules optiques ne demandant pas un semblable mécanisme de maintien de fibre optique, comme indiqué sur la figure 3, o les parties correspondant à des parties précédemment décrites sont désignées par les mêmes numéros de référence et ne seront pas de nouveau décrites. Comme on peut le voir sur la figure 3, il est disposé un guide d'ondes optique 13 sur la surface principale supérieure du substrat de support 1, o le guide d'ondes optique 13 est formé d'une seul pièce et de facçon monolithique avec le substrat 1 et comporte une couche guide d'ondes 13c prise verticalement en sandwich au moyen d'une paire de couches 13a et 13b de gaine, ou de confinement optique. De plus, un élément miroir 14 possédant une surface réfléchissante 14a est prévu dans le trajet du faisceau optique émis depuis une surface de bord 13A de la couche guide d'ondes 13c ci-dessus indiquée. Il faut noter que l'élément miroir 14 possède une surface principale inférieure qui est en contact avec la surface principale supérieure du substrat de support 1 et une surface principale supérieure qui est parallèle à la surface principale inférieure ci-dessus indiquée, et que le dispositif de photoréception 10 est porté par la surface principale supérieure de l'élément miroir 14. Avec cette structure, le faisceau optique guidé dans le guide d'ondes optique 13 et émis depuis la surface de bord 13A est réfléchi par la surface de miroir 14a et vient frapper la surface arrière du substrat 2 du dispositif de photo- réception 10 o le faisceau optique qui a ainsi pénétré dans le substrat 2 atteint la région active de la photodiode D2 qui correspond à la région de diffusion Sb. Ainsi, en plaçant l'élément miroir 14 en une position prédéterminée du substrat de support 1 et en plaçant le dispositif de photoréception 10 en une position prédéterminée de la surface principale supérieure du substrat 1, il est possible d'obtenir facilement un couplage optique entre le guide d'ondes optique 13 et la photodiode D2 du dispositif de photoréception 10, par simple alignement du dispositif de photoréception 10, de l'élément miroir 12 et du guide d'ondes optique 13 entre eux sur le substrat 1. Il faut noter qu'on peut facilement réaliser cet alignement géométrique en formant des repères d'alignement sur le substrat 1 ou sur l'élément miroir 14. Toutefois, la structure de la figure 3 a pour inconvénient qu'elle demande, comme composant supplémentaire, l'élément miroir 14. En liaison avec ceci, la structure de la figure 3 demande des opérations de fabrication supplémen- taires. De plus, l'utilisation de cet élément miroir 14 tend à provoquer des modifi- cations du trajet du faisceau optique dans le circuit intégré optique. Pour obtenir un couplage optique optimal entre la photodiode D2 et le guide d'ondes optique 13, il est nécessaire d'ajuster à la fois l'élément de miroir 14 et le dispositif de photo- détection 10 par rapport au guide d'ondes optique 13, tandis qu'un tel réglage est extrêmement difficile, tout particulièrement lorsque la précision de l'élément miroir 14 n'est pas suffisante. De plus, l'utilisation d'un tel élément miroir 14 dans le trajet optique du faisceau optique tend à augmenter la longueur de trajet optique du faisceau optique émis depuis la surface de bord 13A du guide d'ondes optique 13. Lorsque la longueur de trajet optique du faisceau optique augmente, le faisceau optique a subi une importante divergence lorsqu'il a atteint la région active de la photodiode D2. Dans ce cas, il est nécessaire d'augmenter la taille de la région active de la photo- diode D2 de façon correspondante, tandis que cette augmentation de taille de la région active de la photodiode D2 amène un accroissement de la capacité de jonction de la région de diffusion 5b qui forme la région active de la photodiode D2. Par conséquent, la réponse de la photodiode D2 se détériore inévitablement. Lorsque la taille de la région active 5b de la photodiode D2 est fixée à un faible niveau pour maintenir une grande vitesse de réponse, alors, à l'inverse, le rendement du couplage optique de la photodiode D2 se dégrade sensiblement du fait que la plus grande partie du faisceau optique provenant du guide d'ondes optique 13 n'arrive pas sur la région active 5b de la photodiode D2. La figure 4 montre la structure d'un autre dispositif de photodétection classique, o les parties déjà décrites sont désignées par des numéros de référence identiques et ne seront pas de nouveau décrites. Sur la figure 4, on notera que le dispositif de photoréception 10 est maintenant monté en puce à bosses directement sur la surface principale supérieure du substrat de support 1 portant également le guide d'ondes optique 13, sous la forme d'un corps monolithique solidaire. Avec une semblable structure, la surface de bord de la couche active 4 formée sur le substrat en InP 2 est en regard de la surface de bord exposée 13A de la couche guide d'ondes 13c, et le faisceau optique émis depuis la surface de bord 13A entre directement dans la couche active 4. Ainsi, le problème de l'augmentation de la distance de trajet optique du faisceau optique a été éliminée de façon radicale. D'autre part, cette structure présente également un inconvénient, en ce que la plus grande partie du faisceau optique émis depuis la couche guide d'ondes optique 13c, qui possède typiquement une épaisseur d'environ 6/am, n'arrive pas sur la couche active 4, laquelle possède une épaisseur qui n'est que de 2 à 3 an. Il faut noter que le faisceau optique émis depuis la couche guide d'ondes 13c possède une taille qui correspond à l'épaisseur de la couche 13c suivant la direction verticale. En d'autres termes, la structure de la figure 4 amène par nature des pertes optiques importantes et ne peut pas conduire à un couplage optique satisfaisant. De plus, la structure de la figure 4 demande un processus de réglage entre le dispositif de photodétection et la couche guide d'ondes optique externe 13 présente sur le substrat 1, pour que le couplage optique entre la couche active du dispositif de photoréception 10 et le guide d'ondes optique 13 soit rendu maximal, alors qu'un tel ajustement est complexe et augmente le coût du module optique. Un but général de l'invention est de fournir un module optique nouveau et utile ainsi qu'un procédé de fabrication de celui-ci, o les problèmes cités ci-dessus sont éliminés. Un autre but, plus particulier, de l'invention, est de fournir un module optique adapté à l'optimisation du couplage optique entre un dispositif de photo- réception et un guide d'ondes optique, sans que ceci n'amène de processus de réglage complexe, comme celui consistant à rechercher un maximum dans le signal de sortie du dispositif de photodétection. Selon un aspect, un but de l'invention est de fournir un module optique, qui comprend: un substrat de support; un guide d'ondes optique placé sur ledit substrat de support et destiné à guider à travers lui un faisceau optique; un dispositif de photoréception placé sur ledit substrat de support, ledit dispositif de photoréception comportant une aire de photodétection qui répond à un faisceau optique entrant; un moyen de conversion de trajet optique servant à convertir un trajet optique dudit faisceau optique guidé dans ledit guide d'ondes optique et émis par ce dernier, d'un premier trajet optique à un deuxième trajet optique qui conduit à ladite aire de photodétection dudit dispositif de photoréception; ledit guide d'ondes optique possède une surface de bord servant à émettre ledit faisceau optique guidé dans ledit guide d'onde optique, suivant ledit premier trajet optique; ledit dispositif de photoréception étant placé sur ledit substrat support de façon à être frappé par ledit faisceau optique émis depuis ladite surface de bord dudit guide d'ondes optique; ledit moyen de conversion de trajet optique étant formé sur ledit dispositif de photodétection au titre d'une partie de celui-ci, de façon que ledit faisceau optique émis par ladite surface de bord dudit guide d'ondes optique vienne frapper sur ladite aire de photodétection dudit dispositif de photoréception. Selon l'invention, le moyen de conversion de trajet optique est formé sur le dispositif de photoréception, lequel est lui-même placé sur le substrat support, en commun avec le guide d'ondes optique. Ainsi, le faisceau optique émis depuis le guide d'ondes optique frappe le moyen de conversion de trajet optique de manière fiable, et le faisceau optique qui est ainsi entré dans le moyen de conversion de trajet optique frappe également l'aire de photodétection du dispositif de photoréception de manière fiable, même lorsqu'il peut exister une certaine diversion dans le trajet optique émis depuis la surface de bord du guide d'ondes optique. Ainsi, un couplage optique élevé est garanti entre le guide d'ondes optique et le dispositif de photoréception. Comme le guide d'ondes optique et le dispositif de photoréception sont formés d'éléments séparés, le module selon l'invention assure le grand couplage optique voulu par simple montage du dispositif de photo- réception sur le substrat de support, lequel porte déjà le guide d'onde optique au titre d'un corps solidaire. Par conséquent, l'alignement entre le dispositif de photo- réception et le guide d'ondes optique peut être obtenu simplement, à l'aide d'un moyen de repérage, et on peut éliminer le processus d'ajustement complexe qui comporte typiquement l'opération consistant à rechercher le maximum du signal de sortie du dispositif de photoréception. Selon un autre aspect, l'invention propose un procédé de fabrication d'un module de photodétection, comprenant les opérations suivantes: former un corps en couches sur un substrat de façon que ledit corps en couches comporte une couche active; former une pluralité de régions de photodétection sur ledit corps en couches; former une rainure en V sur ledit corps en couches par un procédé de gravure, de sorte que ladite rainure en V sépare une région de photoréception vis- à-vis d'une autre région de photoréception; diviser ledit corps en couches suivant ladite rainure afin de former une pluralité de dispositifs élémentaires de photoréception, de façon que chacun desdits dispositifs élémentaires de photoréception ait une surface oblique en corres- pondance avec ladite rainure en V; et disposer ledit dispositif de photoréception sur un substrat de support qui porte un guide d'ondes optique, de façon que ladite surface oblique regarde une surface de bord dudit guide d'onde optique. Selon l'invention, chaque dispositif de photoréception possède une surface de bord oblique correspondant à la rainure en V, et la surface de bord oblique joue le rôle d'une surface de prisme ou d'une surface de miroir qui modifie le trajet du faisceau optique émis par le guide d'ondes optique et introduit dans le dispositif de photoréception, de sorte que le faisceau optique frappe la photodiode formée dans le dispositif de photoréception. Puisque la surface optique est formée solidairement du dispositif de photoréception, au titre d'une partie de celui-ci, il n'est pas nécessaire d'ajuster la position de la surface optique et de la photodiode du dispositif de photoréception. De plus, puisque le dispositif de photoréception est monté directement sur le substrat de support portant le guide d'ondes optique, l'ajustement entre le dispositif de photoréception et le guide d'ondes optique en est notablement facilité. Un autre but de l'invention est d'obtenir un procédé de fabrication d'un dispositif de détection optique à semiconducteur comprenant les opérations suivantes: déposer un motif d'agent sensible du type réserve, ou résist, sur un substrat qui porte une couche active, de façon qu'une région de photoréception de ladite couche active soit exposée; déposer une couche conductrice sur ledit motif de résist de façon que ladite couche conductrice couvre ladite région de photoréception exposée; déposer une couche d'électrode sur ladite couche conductrice par un processus d'électroplacage en utilisant ladite couche conductrice comme électrode; et former une connexion d'électrode en retirant ledit motif de résist sous ladite couche d'électrode. Selon l'invention, il est possible de former une électrode de connexion de façon que l'électrode de connexion soit disposée parallèlement au corps en couches formant le dispositif de photoréception, une séparation étant prévue entre eux, par exécution d'un processus d'électroplacage sur le motif de résist, suivi de l'enlèvement du motif de résist. Le dispositif de photoréception possédant une semblable électrode de connexion peut être monté sur un substrat de support dans un état tel que le dispositif de photoréception est en contact avec le substrat de support au niveau de sa paroi latérale et de façon telle qu'une surface principale du dispositif de photoréception soit orientée perpendiculairement au substrat de support. L'électrode de connexion ci- dessus indiquée peut être incurvée et connectée à un motif conducteur formé sur le substrat de support. Dans ce cas, le faisceau optique émis depuis une surface de bord d'un guide d'ondes optique placé sur le substrat de support arrive sur le dispositif de photoréception, de façon générale, selon la direction perpendiculaire à la surface principale précitée et subit une déviation en direction d'une photodiode formée dans le dispositif de photo- réception, par l'action d'une surface de prisme formée sur une partie de la surface principale du dispositif de photoréception. Par conséquent, la longueur du trajet optique du faisceau optique émis depuis le guide d'ondes optique et atteignant la photodiode subit une réduction importante, et le problème de l'étalement du faisceau optique au niveau de la photodiode est ainsi minimisé. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle $ s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: - la figure 1 est un schéma montrant la structure d'un module optique classique; - la figure 2 est un schéma fonctionnel montrant le circuit équivalent du module optique de la figure 1; - la figure 3 est un schéma montrant la structure d'un autre module optique classique; - la figure 4 est un schéma montrant la structure d'un autre module optique classique; - la figure 5 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 6 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un deuxième mode de réalisation de l'invention; - la figure 7 est un schéma montrant le mode optique de la figure 6 suivant une vue en plan; - la figure 8 est un schéma montrant une opération de fabrication du module optique de la figure 6; - la figure 9 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un troisième mode de réalisation de l'invention; - la figure 10 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un quatrième mode de réalisation de l'invention; - la figure 11 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un cinquième mode de réalisation de l'invention; - la figure 12 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un sixième mode de réalisation de l'invention; - la figure 13 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un septième mode de réalisation de l'invention; - la figure 14 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un huitième mode de réalisation de l'invention; - la figure 15 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un neuvième mode de réalisation de l'invention; - les figures 16A et 16H sont des schémas montrant le procédé de fabrication du module optique de la figure 15; - les figures 17A et 17B sont des schémas montrant divers modes de réalisation d'une surface de prisme utilisée dans le module optique selon l'invention; et - la figure 18 est un schéma montrant la structure d'un module optique selon un dixième mode de réalisation de l'invention. La figure 5 montre la structure d'un module optique 200 selon un premier mode de réalisation de l'invention. Comme on peut le voir sur la figure 5, le module optique 200 est formé sur un substrat de support 21 en Si, et il comporte un guide d'ondes optique 22 formé sur le substrat 21 et un dispositif de photoréception 20 formé également sur le substrat 21 de façon qu'une paroi latérale du dispositif de photoréception 22 regarde une surface de bord 22a du guide d'ondes optiques 22. Le guide d'ondes optique 22 est formé de couches de semiconducteur ou de verre déposées sur le substrat en Si 21 à l'aide d'un procédé de dépôt chimique sous forme vapeur (CVD) et il comporte une couche inférieure de confinement optique, ou couche de gaine, inférieure 22a, une couche de coeur 22b formée sur la précédente, et une couche de gaine supérieure 22c formée sur la couche de coeur 22b. Le guide d'ondes optique 22 peut être couplé optiquement à un autre guide d'ondes optique (non représenté) ou à un dispositif d'émission de lumière (non représenté) se trouvant sur le substrat de support 21, o le guide d'ondes optique 22 guide le faisceau optique qui lui a été injecté et émet celui-ci au niveau de la surface de bord 22a susdite. D'autre part, le dispositif de photoréception 20 est formé sur un substrat de dispositif 23 en InP de type n et comporte une couche tampon 24 en InP de type n correspondant à la couche 3 de la figure 1, une couche d'absorption 25 en InGaAs non dopé formée sur la couche 24 en correspondance avec la couche 4 de la figure 1, et une couche active 26 en InP de type n- correspondant à la couche 5 de la figure 1, o la couche 26 comporte une région de type p 26a présentant une première aire et une autre région de type p 26b présentant une deuxième aire, plus petite, correspondant respectivement à la diode d'excitation Dl et la photodiode D2 de la figure 2. De plus, des électrodes 27a et 27b sont respectivement placées sur les régions 26a et 26b. Il faut noter que le substrat de dispositif 23 est défini par une paroi latérale 23a et est disposé sur le substrat de support 21 de façon que la paroi latérale 23a soit en face de la surface de bord 22a du guide d'ondes optique 22 précité. De plus, la paroi latérale 23a porte une pellicule antiréfléchissante (non représentée), la paroi latérale 23a et la surface de bord 22a du guide d'ondes optique étant en contact l'une avec l'autre à travers cette pellicule antiréfléchissante. Dans le module optique 200 de la figure 5, le substrat de dispositif 23 comporte en outre un creux défini par une surface oblique 23A et situé sur la surface principale inférieure du substrat de dispositif 23. Par conséquent, il est formé une cavité, ou un espace, 23B entre le substrat de support 21 et le substrat de dispositif 23 en correspondance avec le creux, o la surface oblique 23A définissant le creux fait un angle 01 par rapport à la surface principale du substrat de support 21. Ainsi, la surface oblique fait fonction de surface de miroir, qui réfléchit le faisceau optique qu'elle reçoit de la part de la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22, en direction de la région de type p 26b. Pour que le faisceau optique réfléchi par la surface de miroir 23A frappe correctement la région de type p 26b, l'épaisseur totale T du corps semiconducteur en couches comportant les couches 23 à 26 est ajustée en fonction de l'angle 01. Lorsque l'on forme la surface oblique 23A en appliquant une gravure par voie humide au substrat de dispositif 23, on note que la surface (111) de InP apparaît du fait de cette opération de gravure par voie humide. Dans ce cas, l'angle 81 prend théoriquement la valeur de 54,7, qui est propre à la surface (111) de InP. De façon générale, l'angle 01 varie quelque peu en fonction du type d'agent de gravure ou du motif de masquage qu'on emploie dans l'opération de gravure. Lorsqu'on utilise une solution aqueuse de HCI, Br ou HBr, on peut exposer la surface (111) précédente au niveau de la surface de miroir 23A, et l'angle 81 prend une valeur d'environ 55'. Pour une semblable opération de gravure par voie humide, il est également possible d'utiliser une solution de HCI et de H3PO4 ou d'éthanol contenant Br, comme agent de gravure. Sur la surface principale inférieure du substrat de dispositif 23, une couche de flux 23C est disposée de façon à comprendre la surface oblique 23A, o la couche de flux 23C comporte typiquement des couches de Ti, Au, Sn et Au, d'épaisseurs respectives 0,1 jum, 0,1 /m, 2 pim et 0,1 /n. En provoquant une fusion dans la couche de flux 23C alors que le substrat de dispositif 23 est placé sur le substrat de support 21, on soude fermement le dispositif de photoréception 20 sur le substrat de support 21. Par conséquent, la couche de flux 23C recouvrant la surface de miroir 23A fait fonction d'un revêtement réfléchissant qui réfléchit le faisceau optique arrivant sur le dispositif de substrat 23 en provenance de la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22. Dans l'exemple représenté, le faisceau optique émis depuis la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22 est renvoyé par la surface de miroir 23A en direction du haut. Ainsi, en correspondance avec le trajet du faisceau optique réfléchi, la région de diffusion 26b formant la photodiode D2 est formée à proximité de la paroi latérale 23a, par comparaison avec la région de diffusion 26a qui forme la diode d'excitation Dl. Dans le module optique 200 de la figure 5, o le dispositif de photoréception 20 est monté sur le substrat de support 21 qui porte le guide d'ondes optique 22 de façon que la surface principale inférieure du dispositif de photoréception 20 soit en contact avec la surface principale supérieure du substrat de support 21 et que la paroi latérale 23a du substrat de dispositif 23 soit en contact avec la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22, la pellicule anti- réfléchissante s'interposant entre eux, il est possible d'obtenir le couplage optique élevé et efficace voulu entre le dispositif de photoréception 20 et le guide d'ondes optique 22, facilement, à l'aide d'un processus de montage simple du dispositif de photoréception 20 sur le substrat de support 21. On réalise facilement l'alignement entre le dispositif de photoréception et le guide d'ondes optique en utilisant un repère de positionnement M, comme indiqué sur la figure 5. Dans la structure de la figure 5, il faut noter en outre que le faisceau optique émis par la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22 frappe la région de diffusion 26b formant la photodiode D2 de la figure 2 aussi bien que la région de déplétion associée, en provenance de la direction inférieure. Par conséquent, toute la tache du faisceau optique tombe sur la région de diffusion 26b, et on n'est pas confronté au problème dans lequel le faisceau optique manque partiellement la région de diffusion 26b. En d'autres termes, le module optique de la figure 5 présente la particularité avantageuse d'avoir des pertes optiques réduites. Dans la structure de la figure 5, il faut noter que le substrat de support 21 ne se limite aucunement à Si, car on peut utiliser pour le substrat de support 21 n'importe quel autre matériau semiconducteur approprié, comme InP, ou même du verre. La figure 6 montre la structure d'un module optique 300 selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. Comme on peut le voir sur la figure 6, le module optique 300 comporte le substrat de support 21 portant le guide d'ondes optique 22 de la même façon que dans le mode de réalisation de la figure 5, o le substrat de support 21 porte maintenant un dispositif de photoréception qui comporte un substrat de dispositif 33 en lnP de type n. On notera que le substrat de dispositif 33 est défini par une paroi latérale 33a et comporte une surface oblique 33A qui est formée le long du bord o la paroi latérale 33a susdite rencontre la surface principale inférieure 33b du substrat 33, la surface oblique 33A formant un angle 02 par rapport à la surface principale inférieure 33b du substrat de dispositif 33. Comme précédemment, le substrat de dispositif 33 porte, sur sa surface principale supérieure, une couche tampon 34 en InP de type n correspondant à la couche 3 ou 24 en InP, et une couche d'absorption optique 35 en InGaAs non dopé est disposée sur la couche tampon 34 en correspondance avec la couche d'absorption optique 4 ou 25 précédemment décrite. De plus, une couche active 36 en InP de type n- est disposée sur la couche 35 en correspondance avec la couche ou 26 déjà décrite, o la couche 36 comporte une région 35a de type p qui correspond à la photodiode D2 et une région 36b de type p correspondant à la diode d'excitation D1. Dans l'exemple représenté, la surface principale inférieure du dispositif 33 est reliée à la surface principale supérieure du substrat du dispositif 21 de la même façon que dans le premier mode de réalisation, et le substrat de dispositif 33 est disposé de façon que la paroi latérale 33a regarde du côté de la surface de bord 22a du guide d'ondes optique 22 et de façon que le faisceau optique émis depuis la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22 vienne frapper la surface oblique 33A du substrat de dispositif 33. Sur la figure 6, on voit que la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22 et la paroi latérale 33a du substrat de dispositif 33 sont alignées suivant un plan commun, même si le présent mode de réalisation n'est pas limité à cette forme, et on peut prévoir le substrat du dispositif 33 de façon que la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22 se trouve en une position située au-delà de la paroi latérale 33a, o la surface oblique 33A forme un surplomb. Egalement, avec cette structure, on peut facilement déterminer la relation géométrique entre le substrat du dispositif 33 et le guide d'ondes optique 22 au moyen d'un repère de positionnement M formé sur le substrat de support 21. Dans le module optique 300 de la figure 6, il faut noter que la surface oblique 33A susdite porte une pellicule antiréfléchissante (non représentée), et le faisceau optique émis depuis la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22 est réfléchi dans la direction du haut vers la surface principale supérieure du substrat de dispositif 33, au niveau de la surface oblique 33A susdite. Par conséquent, le faisceau optique ainsi réfléchi vient frapper la région de diffusion 36a qui forme la photodiode D2. Pour recevoir le faisceau optique ainsi réfracté par la surface oblique 33A faisant maintenant fonction de surface de prisme, le dispositif de photoréception 32 de la figure 6 est tel que la région de diffusion 36a formant la photodiode D2 se trouve du côté éloigné de la surface latérale 33a, par comparaison à la région de diffusion 36b formant la diode d'excitation D1. Egalement, avec cette structure, le faisceau optique émis depuis la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22 frappe la région de diffusion 36a depuis la direction du bas, et le problème de pertes optiques provoquées par le fait que le faisceau optique pourrait manquer la région de diffusion 36 est minimisé. Comme précédemment, l'angle 02 de la surface oblique 33A avec la surface principale inférieure 33b du substrat de dispositif 33 se trouve dans l'intervalle de 45 à 60. Plus particulièrement, l'angle 02 rend la valeur 54,7 lorsque la surface oblique 33A est formée par la surface (111) de InP. La figure 7 représente le dispositif de photoréception 30 du module optique 300 de la figure 6, suivant une vue en plan. Sur la figure 7, on notera que la région de diffusion 36a formant la photodiode D2 possède une aire sensiblement inférieure à celle de la région de diffusion 36b formant la diode d'excitation D1. A cette aire réduite de la région de diffusion 36a formant la partie essentielle de la photodiode D2, la photodiode D2 associe une réponse de vitesse très élevée. De plus, il faut noter que le faisceau optique, émis depuis la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22, atteint la photodiode 1D2 après avoir traversé le substrat de dispositif 33, en ayant parcouru une distance de trajet optique réduite par comparaison avec le cas o l'on utilise un élément de miroir séparé, par exemple dans la structure classique de la figure 3. Ainsi, la divergence du faisceau optique est maintenue au minimum, et on peut réduire en conséquence la taille de la région de diffusion 36a. Le même argument s'applique également au premier mode de réalisation décrit en liaison avec la figure 5. Typiquement, on peut former la région de diffusion 26b ou 36a de façon qu'elle est une aire plus petite que le dixième de l'aire de la région de diffusion 26a ou 36b. Dans le module optique 300 de la figure 6, on notera que le substrat de dispositif 33 comporte une autre surface optique, 33A', située également le long d'un bord o la surface principale inférieure 33b dudit substrat de dispositif 33 rencontre une paroi latérale, à savoir l'autre paroi latérale 33a', qui est à l'opposé de la paroi latérale 33a. Le dispositif de photoréception 30 qui possède une semblable structure possède la particularité avantageuse supplémentaire selon laquelle on peut le fabriquer aisément en formant une pluralité de rainures, désignées par G1 à G4, sur un substrat ou une plaquette portant les couches 34 à 36 qui sont formées sur le substrat de dispositif 33, en correspondance avec les surfaces obliques 33A et 33A' susdites, comme on peut le voir sur la figure 8, après quoi on découpe le substrat de dispositif 33 au niveau de chacune des rainures G1 à G4. On se reporte à la figure 8, o l'on notera que le corps semiconducteur en couches représenté comporte des régions de dispositif DISPOSITIF 1, DISPOSITIF 2 et DISPOSITIF 3, comportant chacune elles-mêmes les régions de diffusion de type p 36a et 36b dans la couche en InP de type n- 36. De plus, une pellicule antiréfléchissante 38 est formée sur la surface principale inférieure du substrat de dispositif 33, y compris les rainures G1 à G4, chacun des dispositifs de photoréception 30 étant monté sur le substrat de support 21 au moyen d'une couche de flux disposée au niveau de la surface principale inférieure du substrat de dispositif 33, comme indiqué sur la figure 6. En ce qui concerne l'un quelconque des modes de réalisation des figures 5 et 6, on notera qu'une injection correcte du faisceau optique, émis depuis la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22, dans la région de diffusion 26b ou 36a qui forme la photodiode D2, dépend principalement de la position correcte d'incidence du faisceau optique sur la surface oblique 22A ou 33A et, par conséquent, de la hauteur relative de la couche guide d'ondes 22b par rapport aux couches semiconductrices, par exemple 25 et 26. Inversement, l'effet de la distance D (figure 6) entre la surface de bord 22A du guide d'ondes et le substrat de dispositif 23 n'exerce pas d'influence notable sur le couplage optique entre le guide d'ondes optique 22 et la photodiode D2. De ce point de vue, la structure de la figure 5 ou 6 se révèle particulièrement avantageuse, parce que le substrat de dispositif 33 est monté directement sur le substrat de support 21, et en raison du fait que l'épaisseur des couches semiconductrices, par exemple 34 à 36, ainsi que celle des couches 22a à 22c formant le guide d'ondes optique 22 peut être ajustée avec une précision élevée. Puisqu'il n'est pas nécessaire d'ajuster la distance D avec une grande précision, un ajustement grossier faisant appel au repère M suffit à réaliser le couplage optique voulu. On va maintenant décrire, en liaison avec la figure 9, un module optique 400 selon un troisième mode de réalisation de l'invention, o les parties précédemment décrites sont désignées par les mêmes numéros de référence et ne seront pas de nouveau décrites. Comme on peut le voir sur la figure 9, le module optique 400 possède une structure sensiblement identique à celle du module 200 de la figure 5, la différence étant que le module optique 400 comporte une surface de miroir courbe 23A' à la place de la surface de miroir plane 23A de la figure 5. Du fait de l'utilisation de la surface de miroir courbe 23A', il est possible de concentrer le faisceau optique réfléchi sur la région de diffusion 26b formant la photodiode D2. Par conséquent, on peut réduire l'aire de la région de diffusion 26b et, ainsi, réduire la capacité de jonction de la photodiode D2 plus encore, ce qui améliore la réponse de la photodiode D)2. On notera qu'une telle surface de miroir courbe 23A' peut être formée par un procédé décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 5 309 468, auquel on pourra se reporter. En résumé, ce procédé emploie une refusion, thermiquement induite, d'un motif en agent sensible du type réserve, ou résist, qui permet un émoussement du bord du motif de résist, après quoi on applique une gravure à sec en utilisant ce motif de résist émoussé comme masque de gravure. Puisque les autres aspects du présent mode de réalisation sont identiques à ceux de la figure 5, on ne décrira pas plus complètement celui-ci. La figure 10 montre la structure d'un module optique 500 selon un quatrième mode de réalisation de l'invention, o les parties précédemment décrites sont désignées par les mêmes numéros de référence et ne sont pas décrites. Comme on peut le voir sur la figure 10, le module optique 500 possède une structure sensiblement identique à celle du module 300 de la figure 6, sauf que le module optique 500 comporte des surfaces de prisme courbes 33B et 33B' au lieu des surfaces de prisme planes 33A et 33A' de la figure 6. Grâce à l'utilisation de ces surfaces de prisme courbes 33B et 33B', il est possible de concentrer le faisceau optique réfracté sur la région de diffusion 36a formant la photodiode D2. Par conséquent, on peut réduire l'aire de la région de diffusion 36a et, ainsi, réduire la capacité de jonction de la photodiode D2 plus encore, ce qui améliore la réponse de la photodiode D2. On doit noter qu'on peut former ces surfaces de prisme courbes 33B et 33B' au moyen du procédé décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n' 5 309 468, de la même façon que dans le cas des surfaces de miroir courbes 23A'. Puisque les autres aspects du présent mode de réalisation sont identiques à ceux de la figure 6, on ne poursuivra pas la description. La figure 11 montre la structure d'un module optique 600 selon un cinquième mode de réalisation de l'invention, o les parties correspondant à des parties déjà décrites sont désignées par les mêmes numéros de référence et ne seront pas décrites ici. Dans la structure de la figure 11, on note que le dispositif de photo- réception 20 de la figure 6 est ici monté sur le substrat de support 21 en position retournée par un processus du type puce à bosses, de sorte que les électrodes 27a et 27b sont connectées aux motifs de câblage 21a et 21b formées sur le substrat de support 21. A cet effet, le dispositif de photoréception 20 porte des bosses de soudure en correspondance avec les électrodes 27a et 27b. Dans la structure de la figure 11, on note que la surface de miroir 23A est maintenant formée du côté supérieur du substrat du dispositif 23. Ainsi, le module optique 600 de la figure 11 prévoit une couche d'écartement épaisse 22B en polyimide sur le substrat de support 21 et forme un guide d'ondes optique 22' sur celle-ci de façon que le faisceau optique émis depuis une surface de bord 22A' du guide d'ondes optique 22' frappe la surface de miroir 23A de manière appropriée. On note que le guide d'ondes optique 22' comporte une couche de gaine inférieure 22a' qui est formée directement sur la couche d'écartement 22B, une couche guide d'ondes optique 22b' formée sur la couche de gaine 22a', et une couche de gaine supérieure 22c' formée sur la couche guide d'ondes optique 22b'. Le faisceau optique ainsi réfléchi par la surface de miroir 23A vient frapper la région de diffusion 26b de la photodiode D2. Pour faciliter la réflexion du faisceau optique, une pellicule réfléchissante 23C est formée sur la surface principale supérieure du substrat du dispositif 23 de façon à couvrir la surface de miroir 23A. Puisque le dispositif de photoréception 20 est monté sur le substrat de support 21 par un procédé dit de puce à bosses dans le module optique 600 de la figure 11, il n'est plus nécessaire de prévoir un procédé de soudage de fils sur les électrodes 27a et 27b du dispositif de photoréception 20. Ainsi, le risque que la région de diffusion 26b formant la partie essentielle de la photodiode D2 soit endommagée par une contraire mécanique liée au processus de soudage des fils est sensiblement réduite. De plus, l'utilisation du procédé de la puce à bosse améliore le rendement de production. La figure 12 montre la structure d'un module optique 700 selon un sixième mode de réalisation de l'invention, o les parties précédemment décrites sont désignées par les mêmes numéros de référence et ne seront pas de nouveau décrites ici. Dans la structure de la figure 12, le dispositif de photoréception 30 de la figure 6 est ici monté sur le substrat de support 21 en position retournéme par un procédé dit de puce à bosses, de sorte que les électrodes 37a et 37b établissent un contact électrique aussi bien que mécanique avec les motifs de câblage 21a et 21b formés sur le substrat de support 21. De plus, le guide d'ondes optique 22' est placé sur le substrat de support alors que la couche d'écartement 22B se trouve entre le substrat de support 21 et le guide d'ondes optique 22'. Par conséquent, le faisceau optique émis depuis la surface de bord 22A' du guide d'ondes optique 22' subit une réfraction vers le bas au niveau de la surface de prisme 33A maintenant formée du côté du haut du substrat de support 33 et vient frapper la région de diffusion 36a maintenant placée du côté du bas du substrat de dispositif 33, comme on peut le voir sur la figure 12. Dans la structure de la figure 12, également, on peut éliminer toutes les contraintes mécaniques menaçant la photodiode D2 en raison du processus de montage en puce à bosses. En outre, on améliore ainsi le rendement de fabrication du module optique. On va maintenant décrire, en liaison avec la figure 13, un module optique 800 selon un septième mode de réalisation de l'invention. Comme on peut le voir sur la figure 13, le module optique 800 comprend un dispositif de photoréception 301 possédant une structure analogue à celle du dispositif de photoréception 30, o le dispositif de photoréception 301 est monté en puce à bosses sur le substrat de support 21 de la même façon que le module optique 700 de la figure 12. Par ailleurs, le dispositif de photoréception 301 a ses couches semiconductrices 34 à 36 placées du côté du bas du substrat de dispositif 33. De plus, le substrat de dispositif 33 comporte une surface oblique 33C située au niveau du bord o la paroi latérale 33a du substrat du dispositif 33 et la surface de la couche semiconductrice 36 se rencontrent l'une et l'autre. Par conséquent, le faisceau optique émis depuis la surface de bord 22A du guide d'ondes optique 22, formé sur le substrat de support 21, frappe directement sur la surface oblique 33C susdite faisant fonction de surface de prisme, et le faisceau optique subit une réfraction en direction du haut au niveau de la surface de prisme 33C. On notera que le substrat du dispositif 33 comporte un réseau de diffraction 33X qui est formé sur son côté supérieur, dans l'état retourné, comme représenté, du dispositif de photoréception 301, de sorte que le faisceau optique, réfracté par la surface de prisme 33C, subit une diffraction. Du fait de la diffraction, le faisceau optique est décomposé en un certain nombre d'éléments de faisceau optique correspondant chacun à une composante optique appartenant au faisceau optique, dans lequel les composantes optiques sont multiplexées du point de vue des longueurs d'onde. Les éléments de faisceau optique sont donc diffractés par le réseau de diffraction 33X suivant les angles de diffraction respectifs qui sont fonction de leurs longueurs d'ondes et atteignent le côté inférieur du substrat de dispositif 33 o sont formées les couches conductrices 34 à 36. Dans le module optique 800 de la figure 13, la couche 36, formée en InP de type n-, comporte un certain nombre de régions de diffusion de type p (36a)1, (36a)2, (36a)3,...., en correspondance avec les emplacements o les éléments de faisceau optique diffractés sont supposés arriver. De plus, des électrodes en bosse (37a)1, (37a)2, (37a)3,...., sont prévues en correspondance avec les régions de diffusion (36a)1, (36a)2, (36a)3...., o chacune des régions de diffusion (36a)1, (36a)2, (36a)3,.. forme une photodiode D2. Le dispositif de photoréception 301 est monté en puce à bosses sur le substrat de support 21 de façon que les électrodes en bosse (37a)1, (37a)2, (37a)3,....se trouvent en contact électrique aussi bien que mécanique avec des motifs de câblage (21a)l, (21a)2,..DTD: (21a)3,....disposées sur le substrat de support 21. Ainsi, le module optique 800 de la figure 13 non seulement procure le couplage optique efficace voulu entre le guide d'ondes optique 22 et la photodiode D2 pour un coût réduit, mais aussi fait fonction de démultiplexeur optique permettant de démultiplexer un signal optique multiplexé en longueurs d'onde qui est fourni par le guide d'ondes optique 22. On va maintenant décrire, en liaison avec la figure 14, un module optique 900 selon un huitième mode de réalisation de l'invention, o des parties correspondant à des parties déjà décrites sont désignées par les mêmes numéros de référence et ne seront pas de nouveau décrites. On se reporte à la figure 14. Le module optique 900 est une variante du module optique 300 de la figure 6 et comporte un dispositif de photoréception 302 o la couche semiconductrice 34 du dispositif de photoréception 30 est maintenant remplacée par un filtre multicouche 34'. Le filtre multicouche 34' comporte un empilement alterné d'une pellicule en InGaAsP et d'une pellicule en InP ayant chacune une épaisseur correspondant à 1/4 de la longueur d'onde du faisceau optique incident, et il transmet sélectivement un faisceau optique possédant une longueur d'ondes prédéterminée à la photodiode D2 après que le faisceau optique a été réfracté par la surface de prisme 33A. Ainsi, le module optique 900 fonctionne en détecteur optique sélectif vis-à-vis de la longueur d'ondes. On va maintenant décrire, en liaison avec la figure 15, un module optique 1000 selon un neuvième mode de réalisation de l'invention, o les parties déjà décrites sont désignées par les mêmes numéros de référence et ne seront pas de nouveau décrites ici. Comme on peut le voir sur la figure 15, le module optique 1000 comporte un dispositif de photoréception 303 placé sur le substrat de support 21, en position verticale, de sorte que la paroi latérale 33a est maintenant en contact avec la surface supérieure du substrat de support 21. Plus spécialement, le dispositif de photoréception 303 est disposé sur le substrat de dispositif 21 de facçon que la surface principale 33b du substrat de dispositif 33 se trouve en regard du guide d'ondes optique 22. Ainsi, le faisceau optique émis par le guide d'ondes optique 22 frappe la surface oblique 33A qui joue le rôle de surface de prisme et est réfracté dans la direction du haut, o le faisceau optique ainsi réfracté atteint la région 36a de diffusion de type p qui est formée au niveau de l'autre côté du substrat de dispositif 33 et qui constitue la photodiode D2. Le dispositif de photoréception 303 de la figure 15 comporte en outre une électrode de connexion 39 constituant un conducteur en forme de L qui est connectée avec l'électrode 37a correspondant à la région de diffusion 36a, et l'électrode 39 constituant un conducteur en forme de L est connectée au motif de câblage 21a formé sur le substrat de support 21. Il faut noter qu'une telle connexion de l'électrode 39 au motif de câblage 21a peut être facilement réalisée par un procédé de montage en surface. Dans le module optique 1000 de la figure 15, on notera que le faisceau optique émis depuis la surface de bord 22A du guide optique 22 va à la région de diffusion 36a en passant dans le substrat de dispositif 33, suivant une longueur minimale de trajet optique. Par conséquent, on maintient au minimum la diver- gence du faisceau optique au niveau de la région de diffusion 36a. Lors de la fabrication du module optique 1000 de la figure 15, on souhaite former l'électrode de connexion 39 sur le dispositif de photoréception 303 par dépôt d'une couche conductrice plutôt que par l'exécution d'un traitement de soudage de fils, de façon à éliminer les contraintes menaçant la région de diffusion 36a. Les figures 16A à 16H représentent le procédé de formation de l'électrode de connexion 39, o la figure 16B est une vue en plan de la structure 16A, la figure 16D est une vue en plan de la structure de la figure 16C, la figure 16F est une vue en plan de la structure de la figure 16E, et la figure 16H est une vue en plan de la structure de la figure 16G. Les figures 16A et 16B montrent le dispositif de photoréception 303 dans l'état initial, pour lequel la région de diffusion 36a est formée dans la couche 36 en InP de type n+, la figure 16A montrant une section droite, prise sur la ligne I-' de la structure de la figure 16B. Ensuite, au cours de l'opération des figures 16C et 16D, on dépose une couche de polyimide 361 sur la couche en InP 36, après quoi on applique un procédé de tracé de motif à l'aide d'un masque 362 en résist, afin d'exposer la région de diffusion 36a. De plus, on fait déposer une couche d'électrode 37 sur le masque en résist 362 de façon à couvrir la surface exposée de la région de diffusion 36a, par le dépôt consécutif de couches de Ti, Pt et Au. Ainsi, la couche en Au fait fonction de couche de faible résistance, tandis que les couches en Ti et Pt font fonction de couche métallique de barrière. Ensuite, au cours de l'étape des figures 16E et 16F, on forme un motif en résist 36a de façon à exposer la région o l'électrode de connexion 39 doit être formée, et l'on forme l'électrode de connexion 39 sur la partie exposée de la couche d'électrode 37, par un procédé d'électroplacage de Au. Après que l'électrode de connexion 39 a été formée, on retire, par un procédé d'usinage ionique, la couche d'électrode 37 se trouvant à l'extérieur de l'électrode de connexion 39. En outre, en retirant les motifs en résist 39a et 362 par dissolution, dans un solvant, de la résine des motifs en résist, on obtient la structure présentée sur les figures 16G et 16H. Dans la structure des figures 16G et 16H, on notera que l'électrode de connexion 39 se prolonge le long de la surface de la couche semiconductrice 36, mais en restant séparée de celle-ci. De plus, on formeune ligne de découpe 33Z sur le côté arrière du substrat de dispositif 33 afin de faciliter le processus de séparation utilisé pour diviser la structure en dispositifs de photoréception unitaires. Les figures 17A et 17B montrent une variante de la surface de prisme 33A formée sur le substrat de dispositif 33. Dans l'exemple de la figure 17A, on note que la surface de prisme 33A n'est formée que sur une partie de l'arête o la paroi latérale 33a rencontre la surface principale inférieure du substrat de support 33, tandis que la surface de prisme de la figure 17B s'étend sur toute la longueur de l'arête susdite. On peut employer, pour la photodiode, l'une quelconque des structures des figures 17A et 17B, le même effet étant obtenu en ce qui concerne la fonction du dispositif, la structure de la figure 17A étant toutefois préférable si l'on veut assurer une certaine rigidité au substrat lorsqu'on forme un grand nombre de semblables photodiodes sur un même substrat ou une plaquette commune. Dans la structure de la figure 17B, la résistance mécanique de la plaquette peut se détériorer du fait des rainures formées en grand nombre dans la plaquette. La figure 18 montre la structure d'un module optique 1100 selon un dixième mode de réalisation de l'invention. Comme on peut le voir sur la figure 18, le module optique 1100 comporte le substrat de support 21 qui porte le dispositif de photoréception 30, de la même façon que le module optique 300 de la figure 6, sauf que, ici, le substrat de support 21 est doté d'une rainure 21V en forme de V sur sa surface principale, de façon à permettre l'établissement d'un contact avec une fibre optique 220 qui contient un coeur optique 221. Avec cette structure, le faisceau optique contenu dans le coeur 221 frappe la surface de prisme 33A du dispositif de substrat 33 et subit une réfraction comme dans le cas du module optique 300 de la figure 6, le faisceau optique ainsi réfracté venant frapper la région de diffusion 36a qui constitue la photodiode D2. On notera que cette rainure en forme de V peut être formée facilement sur un substrat en Si par un procédé de gravure bien connu utilisant KOH comme agent de gravure. Dans ce cas, la gravure en forme de V est définie par une paire de surfaces cristallines de Si. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des dispositifs et des procédés dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Module optique, comprenant: un substrat de support (21); un guide d'ondes optique (22) disposé sur ledit substrat de support afin de guider intérieurement un faisceau optique; un dispositif de photoréception (20, 30) placé sur ledit substrat de support, ledit dispositif de photoréception comportant une aire de photodétection (D2) qui répond à un faisceau optique entrant; un moyen (23A, 33A) de conversion de trajet optique servant à convertir un trajet optique dudit faisceau optique guidé dans ledit guide d'ondes optique et émis par celui-ci, d'un premier trajet optique à un deuxième trajet optique qui conduit à ladite aire de photodétection dudit dispositif de photo- réception; ledit guide d'onde optique (22) ayant une surface de bord (22A) servant à émettre ledit faisceau optique, guidé par ledit guide d'ondes optique, suivant ledit premier trajet optique; ledit dispositif de photoréception (20, 30) étant placé sur ledit substrat de support (21) de façon à être frappé par ledit faisceau optique émis depuis ladite surface de bord dudit guide d'ondes optique; caractérisé en ce que ledit moyen de conversion de trajet optique (23A, 33A) est formé sur ledit dispositif de photodétection au titre d'une partie de celui- ci, de façon que ledit faisceau optique émis depuis ladite surface de bord dudit guide d'ondes optique frappe ladite aire de photodétection (D2) dudit dispositif de photodétection. 2. Module optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit guide d'ondes optique (22) est formé de façon que ledit premier trajet optique soit parallèle à une surface principale dudit substrat de support (21), et en ce que ledit moyen de conversion de trajet optique comprend une surface oblique (23A, 33A) formée sur ledit dispositif de photoréception obliquement par rapport à ladite surface principale dudit substrat de support. 3. Module optique selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite surface optique (33A) forme un angle (02) par rapport à ladite surface principale dudit substrat, de sorte qu'un faisceau optique émis depuis ladite surface de bord (22A) dudit guide d'ondes (22) suivant ledit premier trajet optique est réfracté dudit premier trajet optique audit deuxième trajet optique. 4. Module optique selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite surface oblique (23A) forme un angle (01) par rapport à ladite surface principale dudit substrat (21), de façon qu'un faisceau optique émis depuis ladite surface de bord (22A) dudit guide d'ondes optique suivant ledit premier trajet optique est réfléchi dudit premier trajet optique audit deuxième trajet optique. 5. Module optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dispositif de photoréception comporte un substrat de dispositif (23, 33) défini par des première et deuxième surfaces principales mutuellement opposées et une paroi latérale (33a), et une couche active (36) disposée sur ladite première surface principale, ladite couche active comportant ladite aire de photodétection (D2), ledit dispositif de photoréception étant monté sur une surface principale dudit substrat de support (21) dans un état tel que ladite deuxième surface principale dudit substrat de dispositif (23, 33) est en contact avec ladite surface principale dudit substrat de support (21), et de façon que ladite paroi latérale (23a, 33a) du substrat de dispositif (23, 33) soit en regard de ladite surface de bord (22A) dudit guide d'ondes optique (22). 6. Module optique selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit moyen de conversion de trajet optique comporte une surface oblique (33A) formée sur ladite paroi latérale (33a) dudit substrat de dispositif de manière à former un angle oblique (02) par rapport à ladite deuxième surface principale dudit dispositif de substrat (33), de sorte qu'un faisceau optique émis par ledit guide d'ondes optique (22) le long dudit premier trajet optique est réfracté en direction de ladite première surface principale dudit substrat de dispositif (33). 7. Module optique selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit moyen de conversion de trajet optique comporte une surface oblique (23A) formée sur ladite deuxième surface principale dudit substrat de dispositif (23) de façon qu'il existe une séparation vis-à-vis de ladite paroi latérale (23a) dudit substrat de dispositif, ladite surface oblique formant un angle oblique ( 1) par rapport à ladite deuxième surface principale dudit substrat de dispositif, de sorte qu'un faisceau émis par ledit guide d'ondes optique (22) suivant ledit premier trajet optique est réfléchi en direction de ladite première surface principale dudit substrat de dispositif (23). 8. Module optique selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite surface oblique (33B) possède une courbure telle que ledit faisceau optique réfracté est concentré sur ladite aire de photodétection (D2) dudit dispositif de photo- réception. 9. Module optique selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite surface oblique (23A') possède une courbure telle que ledit faisceau optique réfléchi est concentré sur ladite aire de photodétection (D2) dudit dispositif de photoréception. 10. Module optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dispositif de photoréception comporte un substrat de dispositif (23, 33) défini par des première et deuxième surfaces principales mutuellement opposées et une paroi latérale (23a, 33a), une couche active (26, 36) étant formée dans ladite première surface principale dudit substrat de dispositif, ladite couche active comportant une aire de photodétection (D2), et une électrode en bosse (27b, 37b) placée sur ladite couche active en correspondance avec ladite aire de photodétection, ledit dispositif de photoréception étant disposé sur une surface principale dudit substrat de support (21) de façon que ladite première surface principale dudit substrat de dispositif soit en regard de ladite surface principale dudit substrat de support (21), de façon que ladite électrode en bosse (27b, 37b) soit connectée à un motif conducteur (21b) formé sur ladite surface principale dudit substrat de support (21), et de façon que ladite paroi latérale (23a, 33a) dudit substrat de dispositif soit tournée vers ladite surface de bord (22A') dudit guide d'ondes optique (22). 11. Module optique selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit moyen de conversion de trajet optique comporte une surface oblique (33A) formée sur ladite paroi latérale (33a) dudit substrat de dispositif (33), ladite surface oblique formant un angle oblique par rapport à ladite deuxième surface principale dudit substrat de dispositif (33), de sorte qu'un faisceau optique émis par ledit guide d'onde optique (22) le long dudit premier trajet optique est réfracté en direction de ladite première surface principale dudit substrat de dispositif (33). 12. Module optique selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit moyen de conversion de trajet optique comporte une surface oblique (23A) formée sur ladite deuxième surface principale dudit substrat de dispositif (23) de façon qu'il existe une séparation vis-à-vis de ladite paroi latérale (23a) dudit substrat de dispositif (23), ladite surface oblique (23A) formant un angle par rapport à ladite deuxième surface principale dudit substrat de dispositif (23), de sorte qu'un faisceau optique émis par ledit guide d'ondes optique (22) le long dudit premier trajet optique est réfléchi en direction de ladite première surface principale dudit substrat de dispositif (23). 13. Module optique selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit moyen de conversion de trajet optique comporte une surface oblique (33C) formée sur ladite paroi latérale (33a) dudit substrat de dispositif (33) suivant un angle oblique par rapport à ladite première surface principale dudit substrat de dispositif (33), de sorte qu'un faisceau optique émis par ledit guide d'ondes optique (22) le long dudit premier trajet optique est réfléchi en direction de ladite deuxième surface principale dudit substrat de dispositif (33), et en ce que ledit substrat de dispositif porte un réseau de diffraction (33X) sur ladite deuxième surface principale. 14. Module optique selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite aire de photodétection dudit dispositif de photoréception comporte une pluralité d'aires de photodétection ((26a)1, (26a)2, (26a)3) correspondant chacune à une longueur d'onde dudit faisceau optique diffracté par ledit réseau de diffraction. 15. Module optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dispositif de photoréception comporte un substrat de dispositif (33), une couche active (36) placée sur ledit substrat de dispositif, ladite couche active comportant ladite aire de photodétection ()D2), et un filtre optique multicouche (34') placé entre ledit substrat de dispositif (33) et ladite couche active (36). 16. Module optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit dispositif de photoréception comporte un substrat de dispositif (33) défini par des première et deuxième surfaces principales mutuellement opposées et une paroi latérale (33a), une couche active (36) placée sur ladite première surface principale dudit substrat de dispositif, ladite couche active comportant ladite aire de photo- détection (36a), et une électrode de connexion (39) placée sur ladite couche active (36) en correspondance avec ladite aire de photodétection (36a), ledit dispositif de photoréception étant monté sur ledit substrat de support (21) dans un état tel que ladite paroi latérale (33a) est en contact avec une surface principale dudit substrat de support (21), en ce que ledit moyen de conversion de trajet optique comporte une surface oblique (33A) se prolongeant de ladite paroi latérale (33a) dudit substrat de dispositif (33) jusqu'à ladite deuxième surface principale et étant disposée de façon à intercepter un faisceau optique émis depuis ladite surface de bord (22A) dudit guide d'ondes optique (22) le long dudit premier trajet optique, et en ce que ladite surface oblique forme un angle par rapport à ladite paroi latérale (33a) dudit substrat de dispositif de façon qu'un faisceau optique émis depuis ladite surface de bord (22A) dudit guide d'ondes optique (22) le long dudit premier trajet optique soit réfracté dans une direction d'écartement par rapport à ladite surface principale dudit substrat de support (21). 17. Module optique selon la revendication 16, caractérisé en ce que ladite électrode de connexion (39) comporte une première partie s'étendant le long de ladite couche active (36), avec une certaine séparation vis-à-vis de celle-ci, en direction dudit substrat de support (21) et une deuxième partie se poursuivant depuis ladite première partie et s'étendant le long de ladite surface principale dudit substrat de support (21), et en ce que ladite deuxième partie est connectée à un motif de câblage (21a) placé sur ladite surface principale dudit substrat de support (21). 18. Module optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit guide d'ondes optique (22) forme une partie solidaire monolithique dudit substrat de support (21). 19. Module optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit guide d'ondes optique (22) est une fibre optique (220) maintenue dans une rainure (21V) qui est formée sur une surface principale dudit substrat de support (21). 20. Procédé de fabrication d'un module de photodétection, caractérisé par les opérations suivantes: former un corps en couches (34 à 36) sur un substrat (33) de façon que ledit corps en couches comporte une couche active (36); former une pluralité de régions de photodétection (DISPOSITIF 1 à DISPOSITIF 3) sur ledit corps en couches; former une rainure en V (G1 à G4) sur ledit corps en couches par un procédé de gravure, de façon que ladite rainure en V sépare une région de photoréception vis-à-vis d'une autre région de photoréception; diviser ledit corps en couches suivant ladite rainure en V afin de former une pluralité de dispositifs élémentaires de photoréception, de façon que chacun desdits dispositifs élémentaires de photoréception ait une surface oblique (33A, 33A) en correspondance avec des parois latérales de ladite rainure en V (G1 à G4); et disposer ledit dispositif de photoréception sur un substrat de support (21) portant un guide d'ondes optique (22), de façon que ladite surface oblique (33A) soit en regard d'une surface de bord (22A) dudit guide d'ondes optique (22). 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que ledit procédé de gravure est effectué selon un procédé de gravure par voie humide, de façon que ladite rainure en V (G1 à G4) soit définie par une paire de surfaces cristallines. 22. Procédé de fabrication d'un dispositif de détection optique à semi- conducteur, caractérisé par les opérations suivantes: déposer un motif de résist (36)2 sur un substrat (33) qui porte une couche active (36), de façon qu'une région de photoréception de ladite couche active soit exposée; déposer une couche conductrice (37) sur ledit motif de résist de façon que ladite couche conductrice couvre ladite région de photoréception exposée; déposer une couche d'électrode (39) sur ladite couche conductrice (37) par un procédé d'électroplacage en utilisant ladite couche conductrice comme électrode; et former une électrode de connexion (39) en retirant ledit motif de résist (36)2 au-dessous de ladite couche d'électrode.