FR 2714523 A1 19950630 FR 9411304 A 19940922 La présente invention concerne un procédé d'empêchement de la détérioration de la qualité de film d'un film conducteur transparent, un dispositif à semiconducteur et le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur. Un dispositif de traitement de l'information ou processeur d'information portable est indispensable pour réaliser un traitement de données électronique (EDP) sur un niveau individuel et une unité d'affichage à cristaux liquides est utilisée en tant qu'interface homme/machine requise pour réaliser un EDP. On souhaite qu'une unité d'affichage d'image réalise un affichage haute densité et à coloration de bonne qualité qui permette de réaliser un traitement d'information davantage avancé du traitement d'image ou autre à faible coût. Une unité d'affichage à cristaux liquides du type matrice active présente une construction dans laquelle des éléments de commutation sont connectés à la totalité d'une pluralité d'unités d'affichage appelées éléments d'image, ce qui rend un affichage de classe élevée possible. Un élément à semiconducteur tel qu'une diode et qu'un transistor est utilisé en tant qu'élément de commutation. La caractéristique de l'élément de commutation doit être excellente puisque c'est l'un des facteurs essentiels de la détermination du nombre de gradations et de la capacité d'affichage de l'unité d'affichage à cristaux liquides. En outre, puisque ces éléments de commutation sont fabriqués par l'intermédiaire d'un processus compliqué accompagné d'un traitement pointu, ce processus commande la simplification du processus pour la totalité de l'unité d'affichage à cristaux liquides. En tant que moyen pour simplifier le processus de fabrication de l'élément de commutation, on considère qu'il convient de former un nouveau motif sur le motif déjà formé sur un substrat en auto-alignement. Il s'agit d'une technique permettant de faire croître un film mince sélectivement seulement sur un motif conducteur en tant que l'un des processus qui adoptent la ligne de pensée que constitue l'auto-alignement. Puisqu'il est possible lors d'une croissance sélective de former une couche sélectivement sur un film mince qui se voit appliquer une conformation sur un substrat, un processus de photolithographie devient non nécessaire. En outre, puisqu'il est possible de faire croître encore un autre film mince en continu sans rompre le vide après le processus de formation sélective, la contamination au niveau des interfaces d'intercouches est faible et la caractéristique des éléments de commutation est améliorée. Au niveau d'une pluralité de techniques de croissance i15 sélective qui ont été jusqu'ici développées, un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est utilisé de manière à obtenir une croissance sélective en mettant à profit les différences des propriétés chimiques des surfaces des couches. Le procédé CVD est utilisé fréquemment en tant que procédé de croissance d'un semiconducteur ou d'un métal mais la vitesse de croissance n'est pas contrôlée normalement du fait de la réflexion du dépôt chimique au niveau de la surface de la couche. Par conséquent, un dépôt sélectif d'un film n'apparaît pas normalement. Cependant, il est devenu possible de réaliser une croissance sélective en réduisant la vitesse de dépôt en diluant le gaz de croissance avec un autre gaz ou en faisant en sorte que le dépôt chimique de la surface de la couche soit réfléchi en mettant en oeuvre une gravure et un dépôt proches d'un état d'équilibre. En tant que technique de croissance sélective de silicium, il y a un procédé de sur-croissance latérale épitaxiale (ELO) décrit dans la demande de brevet du Japon SHO58-120595 par exemple. Il s'agit d'un procédé permettant d'étendre une marge d'une croissance sélective de silicium en répétant un dépôt et une gravure de couche en alternance pour un substrat comportant une région o du silicium est obtenu par croissance et une région o du silicium est difficile à faire croître. Il a été décrit dans le brevet US 5 242 530 que cette technique peut également s'appliquer à un procédé CVD plasma largement utilisé lors de la fabrication d'une cellule solaire et d'une unité d'affichage à cristaux liquides du type matrice active. La caractéristique de ces techniques consiste à répéter une gravure et un dépôt en alternance en utilisant une légère différence des vitesses de croissance de silicium résultant de la différence entre des matériaux formant les couches. Cependant, du fait que l'état chimique de la surface de la couche dépend du matériau constitutif de la couche, la croissance doit être réalisée moyennant une condition nécessitant une marge très étroite afin d'obtenir une croissance de silicium sélective entre des matériaux présentant des dispositions chimiques se ressemblant de très près. Par conséquent, lorsque la vitesse de formation de film est augmentée afin de raccourcir la durée du processus, elle sort de la condition de croissance sélective. Ainsi, un problème consistant en ce que le processus de formation de film doit être réalisé pendant une longue période temporelle en ralentissant la vitesse de formation de film pour réaliser une croissance sélective se pose. Il est inévitable d'augmenter le pourcentage de gravure occupant la totalité de la période temporelle ou durée du processus pour ôter de façon sûre le film en silicium déposé dans des parties non utilisées afin de rendre la croissance sélective uniforme dans une matrice active présentant une aire importante. Il résulte de cela que la durée de dépôt de film effective est réduite et que la durée totale du processus de croissance sélective devient plus longue, ce qui constitue une cause essentielle de la détérioration de la productivité. En outre, le fait de savoir si du silicium peut être obtenu par croissance ou non dépend du matériau constituant la surface de la couche o le film est obtenu par croissance. En outre, I'état de la surface de couche est également modifié par une contamination et par une oxydation naturelle. Par conséquent, lorsque la technique de croissance sélective est examinée dans la pratique du point de vue d'un processus de fabrication, elle s'avère plus ou moins inapte à une mise en oeuvre en pratique. Par exemple, un oxyde d'indium-étain (ITO) représente un dépôt d'un semiconducteur dégénéré électriquement et il joue le rôle d'une électrode mais il ressemble du point de vue du dépôt chimique à un oxyde de silicium qui est un oxyde tel que du quartz et du verre constituant le substrat puisque l'ITO est un oxyde et il y a un petite différence au niveau des processus consistant en ce que du silicium est obtenu par croissance sur l'ITO et sur le substrat. En outre, le gaz de réduction utilisé lorsque du silicium est obtenu par croissance sélective sur la surface du film conducteur transparent détériore la surface du film conducteur transparent. Par conséquent, il est difficile de réaliser une croissance sélective sur l'un ou l'autre de deux films présentant des dispositions chimiques se ressemblant. Dans la pratique, selon l'examen du présent inventeur, il s'est avéré que la reproductibilité de la croissance sélective est médiocre, ceci du fait qu'un dépôt non sélectif de film en silicium est produit fréquemment et du fait que le film en silicium est déposé sur le substrat en quartz seulement. Un objet de la présente invention consiste à proposer un procédé d'empêchement de la détérioration d'une surface d'un film conducteur transparent et également à proposer un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur permettant de faire croître sélectivement un semiconducteur aisément sur le film conducteur transparent. Selon la présente invention, sur une surface d'un film conducteur qui devient un substrat pour une croissance sélective, une croissance de nucléations contenant un quelconque élément du groupe llb, du groupe IVb, du groupe Vb et du groupe Vllb qui ne forme ni ce film conducteur ni des couches isolantes avoisinantes est réalisée, et un semiconducteur est obtenu par croissance sélective dessus. Moyennant cela, une couche semiconductrice est obtenue par croissance sélective aisément en faisant varier un dépôt chimique de la surface du film conducteur et de la couche isolante avoisinante. En outre, selon la présente invention, une couche contenant un élément du groupe Vb est formée de telle sorte qu'au moins l'élément du groupe Vb contenu dans la surface du film conducteur transparent soit constitué par un oxyde. Lorsque le film conducteur transparent qui contient de l'oxygène est placé dans l'atmosphère de réduction, la réduction du film conducteur transparent est commandée par la couche contenant l'élément du groupe Vb, la détérioration de la qualité de film du film conducteur transparent ne devient pas pire et la conductivité ainsi que la transparence deviennent plus difficiles à abaisser. Ces faits sont confirmés par l'intermédiaire d'expériences. La couche contenant un élément du groupe Vb est formée de façon auto-alignée au moyen du remplacement de l'oxygène par l'élément du groupe Vb sur la surface du film conducteur transparent en plaçant le film conducteur transparent dans l'atmosphère active qui contient l'élément du groupe Vb. En tant que résultat, il devient non nécessaire d'adopter une technique de traitement spéciale ou une technique de conformation spéciale. Par exemple, cette couche qui contient un élément du groupe Vb est formée simplement lors d'un traitement avant la croissance d'un semiconducteur sélectivement sur le film conducteur transparent. Lorsque la couche contenant un élément du groupe Vb est formée dans l'atmosphère active à une température de 200 C ou plus, une réaction d'élimination d'oxygène du film conducteur transparent qui contient de l'oxygène se produit principalement et la couche contenant l'élément du groupe Vb devient plus difficile à former sur la couche. Par conséquent, il est nécessaire d'établir la température à 200 C ou en- dessous. En particulier, la température ambiante est souhaitable afin d'abaisser la pression de vapeur de l'élément du groupe Vb. Les objets et avantages de la présente invention mentionnés ci-avant ainsi que d'autres apparaîtront à la lumière de la description qui suit que l'on lira en relation avec les dessins annexés parmi lesquels: les figures 1A à 1D sont des vues en coupe qui représentent un procédé de croissance sélective selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 2 est un schéma de distribution d'éléments sur une surface et à l'intérieur d'un film conducteur pour le premier mode de réalisation de la présente invention; les figures 3 à 6 sont des vues en coupe qui représentent un processus de traitement permettant d'empêcher la détérioration de la qualité de film d'un film conducteur transparent selon un second mode de réalisation de la présente invention; la figure 7 est un schéma de distribution d'éléments qui représente le résultat d'une analyse effectuée au moyen d'un procédé de spectroscopie électronique Auger (AES) d'un film conducteur transparent avant le traitement permettant d'empêcher la détérioration de la qualité de film selon le second mode de réalisation de la présente invention; la figure 8 est un schéma de distribution d'éléments qui représente le résultat d'une analyse effectuée au moyen d'un procédé AES après le traitement permettant d'empêcher la détérioration de la qualité de film; la figure 9 est un schéma de distribution d'éléments qui représente le résultat d'une analyse effectuée au moyen d'un procédé AES après qu'un semiconducteur est formé sur le film conducteur transparent recouvert d'une couche de protection selon le second mode de réalisation de la présente invention; la figure 10A représente un spectre qui montre le résultat de l'analyse d'une surface d'un film conducteur transparent appliqué moyennant un traitement permettant d'empêcher la détérioration de la qualité de film obtenu au moyen d'un procédé d'analyse chimique par spectroscopie électronique (ESCA) tout en portant attention aux atomes de phosphore; la figure 10B représente un spectre qui montre le résultat d'une analyse de la surface du film conducteur transparent obtenu au moyen d'un procédé ESCA tout en portant attention aux atomes d'indium; la figure 10C représente un spectre qui montre le résultat d'une analyse de la masse du film conducteur transparent obtenu au moyen d'un procédé ESCA tout en portant attention aux atomes d'indium; i 5 la figure 11 est un schéma de distribution d'éléments qui représente le résultat d'une analyse obtenu au moyen d'un procédé AES d'une construction de couche classique dans laquelle un semiconducteur est obtenu par croissance sur un film conducteur transparent dans l'atmosphère de plasma sans appliquer un traitement permettant d'empêcher la détérioration de la qualité de film; la figure 12A représente un spectre qui montre le résultat d'une analyse d'un interface entre un film conducteur transparent et un film semiconducteur et la masse du film conducteur transparent selon la construction de couche classique qui est la même que celle représentée sur la figure 9, lequei résultat est obtenu au moyen d'un précédé ESCA tout en portant attention aux atomes d'oxygène; la figure 12B représente un spectre qui montre le résultat de l'analyse de la surface du film conducteur transparent obtenu au moyen d'un procédé ESCA tout en portant attention aux atomes d'indium; la figure 12C représente un spectre qui montre le résultat de l'analyse de la masse du film conducteur transparent obtenu au moyen d'un procédé ESCA tout en portant attention aux atomes d'indium; les figures 13A et 13B sont des schémas représentés sur la base de photographies obtenues en observant à l'aide d'un microscope électronique en transmission (TEM) une construction de couches classique dans laquelle un semiconducteur est obtenu par croissance sur un film conducteur transparent sans mettre en oeuvre un traitement permettant d'empêcher la détérioration de la qualité de film; 1 0 la figure 14A représente un spectre qui montre le résultat d'une analyse d'un interface entre un film conducteur transparent et un film semiconducteur dans une construction laminée dans laquelle un semiconducteur est obtenu par croissance après exposition du film conducteur transparent à un plasma i15 d'hydrogène sans mettre en oeuvre un traitement permettant d'empêcher la détérioration de la qualité de film, lequel résultat est obtenu au moyen d'un procédé ESCA tout en portant attention aux atomes d'indium; ' la figure 14B représente un spectre qui montre le résultat de l'analyse de la masse du film conducteur transparent obtenu au moyen d'un procédé ESCA tout en portant attention aux atomes d'indium; la figure 15 est un schéma représenté sur la base d'une photographie qui montre une construction laminée lorsqu'un traitement permettant d'empêcher la détérioration de la qualité de film selon le second mode de réalisation de la présente invention est mis en oeuvre; la figure 16 est un schéma de distribution d'éléments qui représente le résultat d'une analyse au moyen d'un procédé de spectroscopie par masses d'ions secondaires (SIMS) de l'indium et de l'azote d'un film conducteur transparent lorsque du gaz azote est utilisé lors d'un traitement permettant d'empêcher la détérioration de la qualité de film selon le second mode de réalisation de la présente invention; la figure 17A est une vue structurelle schématique d'une unité d'affichage à cristaux liquides; la figure 17B est un schéma de circuit équivalent qui représente un élément d'image et un TFT de l'unité d'affichage à cristaux liquides; les figures 18A à 18G sont des vues en coupe qui représentent un processus de formation d'une électrode d'élément d'image et d'un TFT selon un troisième mode de réalisation de la présente invention, les figures 19A à 19D sont des vues en coupe qui représentent un procédé de croissance sélective selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention; les figures 20A à 20C sont des vues en coupe qui représentent un procédé de croissance sélective selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention; les figures 21A à 21C sont des vues en coupe qui représentent un procédé de croissance sélective selon un sixième mode de réalisation de la présente invention; la figure 22 est un schéma de distribution d'éléments d'une construction de couches obtenue au moyen d'une croissance sélective d'un semiconducteur selon le sixième mode de réalisation de la présente invention; et la figure 23 est un schéma de distribution d'éléments d'une construction de couches lorsqu'un semiconducteur est obtenu par croissance sélectivement au moyen d'une technique classique. Premier mode de réalisation Les figures 1A à 1D sont des vues en coupe qui représentent un processus de croissance sélective selon un mode de réalisation de la présente invention. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 1A, un film conducteur transparent 3 constitué par un oxyde métallique est formé au moyen d'une pulvérisation continue sur un substrat isolant transparent 1 constitué par du verre, du quartz ou autre. Puis une photoréserve 4 est appliquée dessus, laquelle est exposée et développée de manière à former un motif. Un film d'oxyde d'indium auquel de l'étain est ajouté (ITO: oxyde d'indium-étain) est disponible par exemple en tant qu'oxyde métallique. Puis comme représenté sur la figure lB, le film conducteur transparent 3 se voit appliquer une conformation à l'aide de l'utilisation de la photoréserve 4 en tant que masque au moyen d'une technique de photolithographie. Après que la conformation est terminée, la photoréserve 9 est ôtée. Puis le substrat isolant 1 est placé dans une atmosphère active contenant un élément du groupe Illb, du groupe IVb ou du groupe Vb du tableau périodique des éléments selon sa forme standard et l'élément est amené à adhérer sur la surface du film conducteur transparent 3 et est introduit dans celui-ci. Une atmosphère contenant du NH3ou du PH3formé selon un plasma est disponible par exemple en tant qu'atmosphère active. Moyennant cela, des nucléations de croissance (germes de croissance) 5 constituées par un oxyde métallique contenant un élément du groupe Illb, du groupe IVb ou du groupe Vb sont formées sur sa surface comme représenté sur la figure 1C. Les nucléations de croissance peuvent constituer une couche mince. Puisque cette couche de nucléations de croissance est formée de façon auto-alignée seulement sur la surface du film conducteur transparent 3, il n'est pas nécessaire d'adopter une technique de façonnage spéciale ou une technique de conformation spéciale. Puis comme représenté sur la figure 1 D, un film semiconducteur amorphe 6 est obtenu par croissance sélective sur le film conducteur transparent 3 recouvert de la couche de nucléations de croissance 5 en utilisant un procédé CVD. Un film en silicium a été obtenu par croissance sélective seulement sur un film en ITO moyennant les conditions suivantes en utilisant le film en ITO en tant que film conducteur transparent 3 et un substrat en quartz en tant que substrat isolant 1. Tout d'abord, le substrat isolant 1 est placé dans une chambre (non représentée) d'un appareil CVD plasma du type à électrodes en plaque parallèles depuis l'état représenté sur la figure 1B. Puis tout en maintenant l'intérieur de la chambre à 1,0 Torr, du gaz phosphine (PH3) (concentration: 0,5 en pourcentage atomique) dilué avec de l'hydrogène est introduit dans la chambre et une source haute fréquence (RF) de 13,56 MHz et de 300 W est connectée entre des électrodes entourant le substrat isolant 1 tout en maintenant la température du substrat à 200 C ou moins, de préférence, la température ambiante. En plaçant le substrat isolant 1 dans l'atmosphère de plasma de phosphine pendant 20 minutes moyennant les conditions décrites ci-avant, la surface du film conducteur transparent 3 qui est un oxyde est reformée de manière à contenir du phosphore (P) et la couche de nucléations de croissance 5 est formée sur la surface du film conducteur transparent 3. Le résultat obtenu en analysant l'état chimique de la surface du film conducteur transparent 3 constitué par de l'ITO appliqué à l'aide d'un traitement plasma de phosphine, lequel résultat est obtenu au moyen d'une analyse chimique par spectroscopie électronique (ESCA), est représenté sur la figure 2. De l'oxyde d'indium (In203) est l'ingrédient principal à l'intérieur du film en ITO mais de l'oxyde d'indium- phosphore (In-POx) est l'ingrédient principal dans la surface du film en ITO, ce qui montre que l'état chimique de la surface est différent. Après que la couche de nucléations de croissance 5 est formée comme décrit ci-avant, lorsque la température du substrat est passée de 100 à 200 C, de l'hydrogène est introduit de manière à établir la pression dans la chambre à 0,6 Torr, une source RF de 13,56 MHz et de 400 W est connectée entre les électrodes de manière à effectuer des préparations pour des conditions de génération de plasma, et l'opération d'introduction d'un gaz mixte constitué par du silane (SiH4) et par du PH3 dans la chambre pendant plusieurs dizaines de secondes est répétée approximativement 100 fois et du silicium (une couche semiconductrice 6) est obtenu par croissance sur le film conducteur transparent 3 constitué par de l'ITO. En outre, du PH3 introduit lors de ce processus est utilisé pour former la couche semiconductrice 6 selon un type N. L'hydrogène joue le rôle de gaz de gravure indépendamment. L'ITO représente un dépôt d'un semiconducteur dégénéré électriquement. Puisque l'ITO est un oxyde, il ressemble cependant du point de vue du dépôt chimique à un quartz ou à un verre constituant le substrat isolant 1, c'est-à-dire un oxyde de silicium qui est un oxyde et lors de la croissance sélective au moyen d'un procédé classique, lorsque la région en ITO et la région en quartz sont comparées l'une à l'autre, les processus de dépôt de silicium dans ces régions diffèrent faiblement. Dans la i15 pratique, selon les expérimentations des inventeurs, la reproductibilité de la croissance sélective est médiocre, ce qui conduit au fait qu'un dépôt non sélectif du film en silicium est produit fréquemment et le film en silicium est déposé seulement quelquefois sur le substrat en quartz. A l'opposé de ce qui précède, selon le présent mode de réalisation, lorsque le substrat isolant 1 et le film conducteur transparent 3 sont comparés l'un à l'autre, il est confirmé que le silicium peut être obtenu par croissance sélective moyennant une reproductibilité élevée puisque les états chimiques de ses surfaces sont largement différents l'un de l'autre. Lorsqu'un substrat non traité est utilisé, la reproductibilité de la croissance sélective du silicium n'est pas très élevée. En outre, le dépôt chimique de la surface du film conducteur transparent a été reformé en plaçant le film conducteur transparent dans l'atmosphère de plasma de la description qui précède. Cependant, le procédé de reformation n'est pas limité à celui-ci mais les nucléations de croissance peuvent également être formées dans la couche de surface du film conducteur transparent au moyen d'une réaction chimique à I'aide d'une excitation thermique ou d'une réaction photochimique. En outre, du gaz ammoniac (NH3) ou du gaz contenant un élément du groupe lllb, du groupe IVb, du groupe Vb, du groupe Vlb ou du groupe Vlb ou du groupe VlIb qui ne constitue ni le film conducteur transparent ni le substrat isolant peut être adopté en tant que gaz permettant de reformer la surface du film conducteur transparent et n'importe quel gaz permettant de modifier le dépôt chimique de la surface du substrat isolant peut être utilisé. En outre, lorsque la surface du film en ITO est reformée au moyen de gaz NH3, une couche en nitrure d'indium transparente est formée sur ses surfaces. Comme décrit ci-avant, puisque l'élément du groupe Illb, du groupe IVb, du groupe Vb, du groupe Vlb ou du groupe VlIb est stable du point de vue du couplage avec le silicium et le germanium, la couche de nucléations de croissance 5 présente une fonction d'accélération de croissance sélective et du silicium ou du germanium croît sélectivement et suffisamment sur le film conducteur transparent sur le substrat isolant 1. Il résulte de cela que l'on s'attend à ce que la présente invention soit appliquée à une unité d'affichage à cristaux liquides du type matrice active ainsi qu'à un élément de cellule solaire. La couche de nucléations de croissance formée sur la surface du film conducteur transparent est également munie d'une fonction consistant à protéger le film conducteur transparent vis-à-vis d'une réduction par le plasma d'hydrogène ou autre dans le cas d'une croissance sélective de silicium. Suite à quoi une couche de nucléations de croissance résistant à la réduction est décrite en détail en tant que second mode de réalisation. Les figures 3 à 6 sont des vues en coupe qui représentent un processus d'empêchement de la détérioration de la qualité de film d'un film conducteur transparent selon un second mode de réalisation de la présente invention. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 3, un film isolant 12 est formé sur un substrat isolant transparent 11 constitué par du verre, du quartz ou autre et un film conducteur transparent 13 constitué par un oxyde métallique tel que de I'ITO est formé dessus au moyen d'une pulvérisation continue. Puis une photoréserve 14 est appliquée et est exposée et développée pour ainsi former un motif, puis comme représenté sur la figure 4, le film conducteur transparent 13 se voit appliquer une conformation au moyen d'une technique de photolithographie en utilisant la photoréserve 14 en tant que masque. La photoréserve 14 est ôtée après que la conformation est terminée. Puis lorsqu'une atmosphère active contenant un élément du groupe Vb du tableau périodique est générée autour du film conducteur transparent 13 et que l'élément est amené à adhérer sur la surface du film conducteur transparent 13, les nucléations de croissance 15 constituées par un oxyde métallique contenant un élément du groupe Vb sont formées sur la surface. Puisque cette couche de nucléations de croissance est formée de façon auto-alignée seulement sur la surface du film conducteur transparent 13, il n'est pas nécessaire d'utiliser une technique de traitement spéciale ou une technique de conformation spéciale. Puis un film semiconducteur amorphe 16 est obtenu par croissance sur le film conducteur transparent 13 recouvert de la couche de nucléations de croissance 15 au moyen d'un procédé CVD, comme représenté sur la figure 6. Même si une atmosphère de réduction existe autour du film conducteur transparent 13 lorsque ce film semiconducteur 16 et obtenu par croissance, la couche de nucléations de croissance 15 qui contient un élément du groupe Vb est difficile à réduire, ce qui empêche la détérioration du film conducteur transparent 13. En outre, le film conducteur transparent 13 n'est jamais oxydé même lorsqu'une atmosphère d'oxydation existe. Trois éléments d'échantillon obtenus lors de processus respectifs décrits ci-avant sont produits et les compositions de ces films sont analysées. Ces échantillons sont produits moyennant les conditions décrites ci-après. Tout d'abord, le film isolant 12 constitué par du nitrure de silicium est obtenu par croissance selon une épaisseur de 3000 A sur le substrat isolant 11 réalisé en verre au moyen d'un procédé CVD plasma puis le film conducteur transparent 13 constitué par de l'ITO est formé selon une épaisseur de 500 A au moyen d'un procédé de pulvérisation continue (figure 3) puis une conformation est appliquée sur le film conducteur transparent 13 (figure 4). Cet échantillon est adopté en tant qu'échantillon A. Puis le substrat isolant 11 sur lequel le film isolant 12 et le film conducteur transparent 13 sont formés moyennant les mêmes conditions que pour l'échantillon A est placé sur une électrode dans une chambre de l'appareil CVD plasma, la pression dans la chambre est maintenue à 1,0 Torr tandis que l'on introduit à l'intérieur du gaz hydrogène (H2) contenant approximativement 0,5 en pourcentage atomique de phosphine (PH3) à 180 cm3/mn (SCCM) et une source haute fréquence de 300 W et de 13,56 MHz est connectée aux électrodes. Moyennant cela, du plasma est généré autour du substrat isolant 11. Dans ce cas, la température du substrat isolant 11 est maintenue à 200 C ou moins, de préférence à température ambiante. Cet état est maintenu pendant 20 minutes, d'o la formation de la couche de nucléations de croissance 15 qui contient du phosphore sur la surface du film conducteur transparent 13 (figure 5). Cet échantillon est adopté en tant qu'échantillon B. Puis après traitement de la surface du film conducteur transparent 13 moyennant les mêmes conditions que pour l'échantillon B à l'intérieur de la chambre de l'appareil CVD, du gaz mixte constitué par du SiH4 et par du PH3 est introduit par intermittence tandis que du gaz H2 est introduit selon un débit constant à l'intérieur de la même chambre, d'o ainsi la réalisation de la croissance de la couche semiconductrice 16a constituée par du silicium dopé avec du phosphore seulement sur le film conducteur transparent 13. Du SiH4 et du PH3 sont introduits pendant plusieurs secondes moyennant un intervalle de plusieurs dizaines de secondes. Puis un film semiconducteur 16b constitué par du silicium est formé au moyen de ce que l'on appelle une décharge incandescente (figure 6). Cet échantillon est adopté en tant qu'échantillon C. Bien que ce procédé de croissance de silicium soit excellent au point que du silicium microcristallin peut être obtenu par croissance moyennant une résistance faible, lorsque le film conducteur transparent 13 ne comportant pas de couche de nucléations 15 est exposé à un plasma d'hydrogène pendant une longue durée, il provoque une détérioration de la qualité de film du film conducteur transparent 13. En outre, la croissance sélective du silicium est décrite dans la référence suivante (1). (1) G.N. Parsons (Applied Physics Letter, 59(1991) pages 2546 à 2548). Lorsque les compositions élémentaires du film conducteur transparent 13 de ces échantillons A et B et lorsque le film conducteur transparent 13 et le film semiconducteur 16a de I'échantillon C sont analysés au moyen d'un procédé de spectroscopie électronique Auger (AES), les résultats représentés sur les figures 7, 8 et 9 sont obtenus. En outre, une courbe pour l'étain n'est pas représentée sur ces figures mais ceci est dû au fait que l'étain présente une existence stable dans le film conducteur transparent 13 lors du processus décrit ci-avant. 1 La figure 7 représente le résultat de l'analyse de l'échantillon A et représente également que de l'oxygène et de l'indium existent même suivant la direction de profondeur dans le film conducteur transparent 13 constitué par de l'ITO. En outre, les courbes qui représentent le phosphore et le silicium tombent dans une plage d'erreurs de mesure et on peut considérer que ces éléments n'existent pas dans la pratique. 2 La figure 8 représente le résultat de l'analyse de I'échantillon B et il est reconnu qu'un composé contenant du phosphore, c'est-à-dire la couche de nucléations de croissance , existe sur la surface du film conducteur transparent (film en ITO) 13. Le résultat de la réalisation d'une observation supplémentaire de la surface du film conducteur transparent 13 au moyen de l'analyse chimique par spectroscopie électronique (ESCA) tout en portant attention au phosphore est représenté sur la figure 10A pour ce qui concerne l'échantillon B. Selon la figure A, une liaison entre l'indium et l'oxygène (In-O) n'est pas observée sur la surface mais il est reconnu que la couche de nucléations de croissance 15 constituée par de l'lnPO4 et par du P formés en remplaçant une partie de l'oxygène de l'ITO par du phosphore a été déposée. En outre, lorsque la surface du film conducteur transparent 13 est observée au moyen du procédé ESCA en portant attention aux atomes d'indium, le résultat tel que représenté sur la figure 10OB est obtenu. Moyennant cela, il est reconnu qu'il y a un pic au niveau de l'existence de l'indium oxydé et que la composition de l'ITO n'a pas été affectée. En outre, lorsque la masse du film conducteur transparent 13 est observée au moyen du procédé ESCA tout en portant attention aux atomes d'indium, un résultat tel que représenté sur la figure 10C est obtenu et il est reconnu que bien qu'il y ait un pic au niveau de l'existence de l'indium oxydé, de l'lnPO4 et du P n'existent pas mais une détérioration de la qualité de film par le phosphore n'a pas été produite. Moyennant cela, il est vérifié que la couche de nucléations de croissance 15 est formée seulement sur la surface du film conducteur transparent 13. 3 La figure 9 représente le résultat de l'analyse de I'échantillon C. Moyennant ce spectre, il est reconnu qu'aucun matériau susceptible d'entraver une connexion électrique n'existe sur un interface entre le film conducteur transparent (ITO) 13 et le film semiconducteur (Si) 16b et en outre, la réduction de l'indium de la surface du film conducteur transparent 13 est faible. A l'opposé de ce qui précède, lorsque la surface du film conducteur transparent constitué par de l'ITO est exposée à un plasma de SiH4 qui est une atmosphère de réduction sans former la couche de nucléations de croissance 15 décrite ci-avant, un film en silicium non dopé est obtenu par croissance sélective sur ce film conducteur transparent et le film en silicium ainsi que le film conducteur transparent 13 sont analysés au moyen d'un procédé AES et un résultat tel que représenté sur la figure 11 est obtenu. Selon ce résultat, il est reconnu que l'oxygène qui est libéré du film en ITO par réduction est piégé dans le silicium, que du SiOx existe sur l'interface entre le film en silicium et le film en ITO et que la quantité d'indium sur l'interface entre le film en ITO et le film en silicium a été abaissée par comparaison avec la figure 9. Puisque du SiOx existe en tant que film isolant, il provoque une déconnexion du contact électrique entre le film en silicium et le film en ITO. Par conséquent, lorsque l'échantillon est observé de façon détaillée au moyen du procédé ESCA de manière à investiguer la composition de l'échantillon ne comportant pas de couche de nucléations de croissance, les résultats représentés sur les figures 12A à 12C sont obtenus. Tout d'abord, comme représenté par des lignes en trait plein sur les figures 12A à 12C, il est reconnu que du SiOx est formé sur l'interface du film en ITO et du film en silicium. Ceci résulte du fait que de l'oxygène qui a été libéré depuis le film en ITO par réduction est lié au silicium. En outre, il y a un pic au niveau de l'énergie de liaison qui représente l'indium (In) au lieu de l'1n203 qui révèle l'existence de l'ITO sur l'interface, comme représenté sur la figure 12B. Ceci est dû au fait que de l'ln subsiste sur la surface du film conducteur transparent réduit et que l'ln provoque une croissance anormale. Lorsque la croissance anormale est observée à l'aide d'un microscope électronique en transmission (TEM), I'ln est séparé d'un film conducteur transparent 18 et il existe dans un film en silicium 19 formant une excroissance au-dessus d'un substrat isolant 17, comme on peut le voir sur les figures 13A et 13B. Une partie faisant saillie est formée sur la surface du film en silicium 19 moyennant une telle excroissance, ce qui provoque une altération de la planéité et de la qualité de film du film. En outre, lorsque la composition de la masse du film en ITO est investiguée, les résultats de l'analyse représentés à l'aide d'une ligne en pointillés sur la figure 12A et d'une ligne en trait plein sur la figure 12C sont obtenus et il est reconnu que la composition du film en ITO n'a pas été altérée. Sur la base de ces résultats expérimentaux, il a été i15 reconnu que la surface de l'ITO qui n'est pas recouverte par la couche de nucléations de croissance est réduite lorsque du silicium est obtenu par croissance. Puis en tant qu'exemple qui représente une variation du film conducteur transparent en relation avec une autre atmosphère de réduction, un résultat expérimental obtenu lorsque le film conducteur transparent est exposé à un plasma d'hydrogène est décrit. Un exemple d'une analyse au moyen du procédé ESCA de la surface du film en ITO lorsqu'il est placé dans un plasma d'hydrogène pendant 10 minutes à une température de substrat de 200 C et lorsque du silicium est déposé ensuite est représenté sur les figures 14A et 13B. Sur la figure 14A qui représente un interface entre le film en ITO et le film en silicium, la surface du film en ITO est réduite et une génération d'indium métallique (In) et d'ln-Ox selon une quantité d'oxydation faible est notée. Lorsque du a-Si:H ou autre est formé sur un film o ces éléments existent, une diffusion de l'ln dans le a-Si:H, comme mis en exergue précédemment, se déroule, ce qui provoque une croissance anormale de silicium. En outre, comme représenté sur la figure 14B, la composition n'est pas altérée dans la masse du film en ITO. A l'opposé de ce qui est décrit ci-avant, lorsque la couche de nucléations de croissance 15 qui contient un élément du groupe Vb est formée sur la surface du film conducteur transparent 13 constitué par de l'ITO comme dans le cas de la présente invention et que le film semiconducteur 16 est formé dessus dans une atmosphère incluant du plasma d'hydrogène comme décrit précédemment, ni une excroissance d'indium ni une irrégularité du film semiconducteur 16 ne peuvent être vues, comme représenté sur la figure 15, et en outre, la génération d'ln- Ox selon une quantité d'oxydation faible sur la surface de l'ITO ne peut pas être vue même au moyen de l'analyse au moyen du procédé ESCA. En outre, I'élément du groupe Vb qui constitue 1 5 la couche de nucléations de croissance 15 n'existe pas en tant que couche du fait que l'élément est piégé dans le film semiconducteur 16 lorsqu'il est formé etc... En outre, du plasma est généré en tant qu'atmosphère active de manière à faire adhérer un élément du groupe Vb ou à injecter un élément de ce groupe lorsque la couche de nucléations de croissance mentionnée ci-avant 15 est formée. Cependant, I'atmosphère n'est pas limitée à un plasma mais le procédé peut être constitué par un CVD optique qui utilise une excitation d'une réaction de surface à l'aide de rayons ultraviolets ou par un CVD thermique permettant de chauffer du gaz ou un substrat et il peut s'agir également d'un procédé qui utilise l'ensemble de ces procédés en même temps. En outre, un gaz mixte constitué par du PH3 et par du H2 a été utilisé en tant que gaz utilisé lorsque la couche de nucléations de croissance 15 a été formée dans la description qui précède mais n'importe quel gaz contenant du NH3, du N2, de l'AsH3 ou tout autre élément du groupe Vb peut également s'appliquer de façon similaire. Lorsque la couche de nucléations de croissance 15 est formée en utilisant du NH3 par exemple, les conditions telles que décrites ci-après doivent être établies. Le film conducteur transparent (ITO) 13 qui se voit appliquer une conformation comme décrit ci-avant est placé sur une électrode dans une chambre d'un appareil CVD plasma, du gaz NH3 est introduit à l'intérieur de la chambre selon un débit de cm3/mn (SCCM), la pression est maintenue à 1,0 Torr et de l'énergie électrique de 13,56 MHz et de 300 W est appliquée sur I'électrode pour ainsi générer du plasma autour du film en ITO. Puis le substrat isolant 11 est maintenu à 200 C ou moins, de préférence à température ambiante, et est laissé dans le plasma tel quel pendant 20 minutes. Lorsque le film en ITO à cet instant est analysé au moyen d'un procédé de spectroscopie par masses d'ions secondaires (SIMS), le résultat représenté sur la figure 16 est obtenu. Selon la figure 16, de l'azote (N) qui est considéré comme provenant du nitrate d'indium est détecté selon une épaisseur d'approximativement 100 A en direction de l'intérieur depuis la surface la plus externe du film conducteur transparent 13. Cette couche présente une résistance vis- à-vis de l'atmosphère réductrice et joue le rôle de nucléations de croissance. Par exemple, même lorsque le film conducteur transparent est exposé à une température de substrat de 270 C pendant 10 minutes au plasma généré par une énergie électrique haute fréquence de 200 W, aucune modification de la qualité ne se produit au niveau du film conducteur transparent. Puis la raison pour laquelle la température du substrat est établie à 200 C ou moins lorsque la couche de nucléations de croissance est formée sur la surface du film conducteur transparent est décrite. Il est bien connu que l'oxygène est libéré depuis un film en ITO lorsque par exemple l'atmosphère plasma contient un matériau réducteur tel que l'hydrogène lors d'un processus de formation d'un film sur la surface du film en ITO au moyen d'un procédé CVD plasma. Lorsque la température du film en ITO est de 200 C ou moins, une réaction qui est telle que le matériau de réduction contenu dans le plasma tel qu'un radical hydrogène extrait l'oxygène légèrement sur la surface du film en ITO et qu'un élément du groupe Vb est lié en même temps en une position o l'oxygène est dérivé est accélérée. Lorsque la température du film en ITO atteint 200 C ou 1 0 plus, un phénomène de dérive d'oxygène se produit cependant principalement en lieu et place d'une réaction de liaison entre le film en ITO et l'élément du groupe Vb et la composition du film est dissoute, ce qui provoque une détérioration. En plus de ce qui précède, lorsque les nucléations de croissance 15 sont formées par un composé contenant du phosphore, une pression de vapeur du phosphore atteint 2 x 10- 1 Torr dans l'atmosphère à 200 C ou plus. Ainsi, le phosphore devient susceptible de se volatiliser à la pression de 0,001 à Torr de l'atmosphère d'un procédé CVD plasma général et la couche de nucléations de croissance 15 devient plus difficile à former. A l'opposé, puisque la pression de vapeur du phosphore atteint 2 x 10-2 Torr dans l'atmosphère au voisinage de la température ambiante, le phosphore devient plus difficile à volatiliser et la couche de nucléations de croissance 15 est formée plus aisément. On peut de façon sûre dire qu'il suffit que la température du substrat pour la formation de la couche de nucléations de croissance soit de 200 C ou moins mais que la température ambiante est la plus souhaitable lorsque ces points sont pris en considération. Troisième mode de réalisation La présente invention est celle qui représente un procédé de formation d'un TFT dans une unité d'affichage à cristaux liquides et elle inclut un processus de formation des nucléations de croissance sur la surface du film conducteur transparent décrit ci-avant. Avant de procéder à la description du mode de réalisation, une construction générale de l'unité d'affichage à cristaux liquides est décrite par report aux figures 17A et 17B. Dans l'unité d'affichage à cristaux liquides, comme représenté sur la figure 17A, une surface d'un premier substrat transparent isolant S1 et la surface inférieure d'un second substrat transparent isolant S2 sont agencées de manière à se faire face l'une l'autre en laissant un certain espace entre elles, un circuit matriciel MC est formé sur la surface du premier substrat transparent isolant S1 et une électrode transparente TE est formée sur la surface inférieure du second substrat transparent isolant S2. En outre, des cristaux liquides LQ sont i15 interposés entre l'électrode transparente TE et le circuit matriciel MC. Le circuit matriciel MC inclut une pluralité de TFT agencés sous forme matricielle et une pluralité d'électrodes d'élément d'image PE qui forment chacun une paire avec un TFT respectif. Une grille du TFT est connectée à une ligne de bus de grille GB s'étendant suivant une direction donnée, comme représenté sur la figure 17B, un drain du TFT est connecté à une ligne de bus de drain DB s'étendant suivant une direction qui rencontre à angle droit la ligne de bus de grille GB et en outre, une source du TFT est connectée à l'électrode d'élément d'image PE. En outre, la ligne de bus de grille GB et la ligne de bus de drain DB sont isolées l'une de l'autre par l'intermédiaire d'un film isolant non représenté. En outre, la direction de transmission de la lumière des cristaux liquides LQ dans une région située au-dessus d'un élément d'image est amenée à varier par la tension appliquée entre l'électrode d'élément d'image PE et l'électrode transparente TE, pour ainsi réaliser un affichage d'élément d'image. En outre, la ligne de bus de grille GB et la ligne de bus de drain DB sont quelquefois appelées respectivement ligne de bus de bit et ligne de bus de données. Puis un processus de formation de l'électrode d'élément d'image et du TFT qui lui est connecté est décrit par report aux figures 18A à 18G. Tout d'abord, un film en Cr est formé selon une épaisseur de 1000 A sur un substrat transparent isolant 21 constitué par du verre, du quartz ou autre au moyen d'une pulvérisation continue. Puis comme représenté sur la figure 18A, une conformation est appliquée au film en Cr par photolithographie, d'o ainsi la formation d'un film d'occultation 22 dans une région de formation de TFT. Ce film d'occultation 22 est formé dans le but d'empêcher l'augmentation d'un courant d'obscurité d'un TFT. Puis comme représenté sur la figure 18B, du SiNX est formé au moyen d'un procédé CVD plasma en tant que film d'isolation intercouche 23 qui recouvre le film d'occultation 22 et le substrat transparent 21. Puis comme représenté sur la figure 18C, un film en ITO 24 présentant une épaisseur de film de 500 A et un film en Cr 25 présentant une épaisseur de film de 1500 A sont formés consécutivement au moyen d'une pulvérisation continue. Puis une photoréserve 26 est appliquée sur le film en Cr 25 et est exposée et développée de manière à former un motif suivant une région de formation de ligne de bus de drain. Puis, la photoréserve 26 est utilisée en tant que masque et une conformation est appliquée sur le film en Cr 25 en utilisant un agent de gravure constitué par du nitrate de cérium-diamonnium et de l'acide perchlorique pour ainsi former la ligne de bus de drain DB constituée par le film en Cr 25. Après enlèvement de la photoréserve 26, un motif d'une autre photoréserve (non représentée) est formé sur le film en ITO 24 et une conformation est appliquée au film en ITO 24 en utilisant cette photoréserve et un agent de gravure du groupe acide nitrique ou acide chlorhydrique. Moyennant cela, comme représenté sur la figure 18D, une électrode de source 27 et une électrode de drain 28 séparées l'une de l'autre sont formées sur le film d'occultation 22 et l'élément d'image PE unifié avec l'électrode de source 27 est également formé. Puis après enlèvement de la photoréserve, le substrat transparent 21 est placé sur l'une d'une paire d'électrodes dans une chambre d'un appareil CVD plasma non représenté. Puis après réduction de la pression dans la chambre, du gaz hydrogène contenant du PH3 à 0,5 en pourcentage atomique est introduit dedans selon un débit de 180 cm3/mn (SCCM), la pression est maintenue à 1,0 Torr et une source haute fréquence de 13,56 MHz et de 300 W est appliquée sur les électrodes. Moyennant ces conditions, du plasma est généré autour du substrat transparent 21. La température du substrat transparent 21 est dans ce cas établie à une température constante dans une plage de 200 C ou moins et à température ambiante ou au-dessus à l'aide d'un chauffage au moyen d'un dispositif de chauffage ou est maintenue de préférence à température ambiante. Moyennant ces conditions, du phosphore adhère sur la surface du film en ITO 24 placé dans l'atmosphère plasma et les nucléations de croissance 29 permettant d'empêcher une réduction sont formées sur la surface, comme représenté sur la figure 18E. Puis le gaz de réaction contenu dans la chambre est purgé au moyen d'un gaz inerte. Puis du gaz H2 est introduit dans la chambre selon un débit de 400 cm3/mn (SCCM), la pression est maintenue à 1,0 Torr et la température du substrat transparent 21 est augmentée jusqu'à 270 C. En outre, la sortie de la source haute fréquence est abaissée jusqu'à 200W. Dans cet état, du plasma d'hydrogène est généré autour du substrat transparent 21. Moyennant ces conditions, du gaz mixte constitué par du SiH4 et par du PH3 est introduit par intermittence, pour ainsi obtenir par croissance un film en silicium dopé au phosphore seulement sur le film conducteur transparent, de façon sélective. Un gaz mixte constitué par du gaz hydrogène contenant du PH3 présentant une concentration de 5 en pourcentage atomique à 150 cm3/mn (SCCM) et du SiH4 à 25 cm3/mn (SCCM) est utilisé pour la croissance sélective. Puis l'opération consistant à introduire du gaz mixte pendant 4 secondes au cours de 50 secondes est supposée constituer un cycle et une couche de silicium de type N+ 30 en silicium microcristallin (!-c Si) telle que représentée sur la figure 18F est formée selon l'épaisseur de 200 A en réalisant 120 cycles au total (pendant 100 minutes). Le film en ITO 24 est exposé à un plasma d'hydrogène pendant une longue durée lors de la croissance du silicium mais la détérioration de la qualité de film est empêchée au moyen d'une couche de nucléations de croissance résistant à la i15 réduction 29. Puisque les détails afférents ont été déjà mis en exergue lors du second mode de réalisation, leur description est omise. Suite à ce qui précède, après qu'un film en silicium amorphe qui devient une couche semiconductrice active 31 et qu'un film en SiNX qui devient un film d'isolation de grille 32 sont formés consécutivement respectivement selon l'épaisseur de 800 A et de 3000 au moyen d'un procédé CVD plasma comme représenté sur la figure 18D, le substrat transparent 21 est extrait de la chambre. Puis un film en aluminium qui devient une électrode de grille 33 est déposé selon l'épaisseur de 3000 au moyen d'une pulvérisation continue. Des sections des couches respectives décrites jusqu'ici sont représentées sur la figure 15 et on peut voir qu'aucune irrégularité n'est générée dans la couche semiconductrice active 31. Puis en utilisant une technique de photolithographie, une conformation est appliquée en continu pour former le film en aluminium sur la couche semiconductrice active de manière à former l'électrode de grille 33 constituée par un film d'aluminium et une ligne de bus de grille GB non représentée et de manière à réaliser une isolation entre le film d'isolation de grille 32 et la couche semiconductrice active 31 collectivement en même temps. Moyennant cela, le processus de formation de l'électrode d'élément d'image et du TFT est terminé. Selon le processus décrit ci-avant, la détérioration de la qualité de film du film en ITO 24 formant l'électrode de source 27 et l'électrode de drain 28 du TFT est empêchée et les courants passant et bloqué du transistor présentent tous deux les caractéristiques suffisantes pour commander les cristaux liquides et une infériorité résultant d'une croissance anormale comme jusqu'ici rencontrée n'est pas produite. En outre, l'abaissement de la transmittance de la lumière et de la conductivité est commandée sans détériorer la qualité de film i15 du film en ITO 24 qui constitue l'électrode d'élément d'image PE. Lors de l'explication menée ci-avant, le film d'isolation intercouche 23 est formé en nitrure de silicium et du silicium est obtenu par croissance sur le film en ITO formé dessus. Cependant, même si le film d'isolation intercouche 23 est réalisé en oxyde de silicium, les nucléations de croissance existent sur le film en ITO. Ainsi, du silicium est obtenu sélectivement par croissance dessus. En outre, dans une structure dans laquelle une électrode d'élément d'image constituée par de l'ITO est formée sur un substrat en quartz, un substrat en verre ou autre et dans laquelle les nucléations de croissance sont formées sur la surface de l'électrode d'élément d'image sans former le film d'isolation intercouche, une couche de silicium est obtenue par croissance sélective sur l'électrode d'élément d'image. Les détails afférents ont été décrits lors du premier mode de réalisation. Quatrième mode de réalisation Selon le premier mode de réalisation, un film conducteur transparent a été utilisé en tant que couche de substrat sur laquelle du silicium est obtenu par croissance sélective et le film conducteur transparent a été placé dans une atmosphère réductrice contenant un élément du groupe Illb, du groupe IVb, du groupe Vb, du groupe Vlb ou du groupe VlIb afin de former les nucléations de croissance présentant une disposition chimique différente de celle de l'intérieur de la surface. Une technique de formation de film est utilisée dans le présent mode de réalisation au lieu du procédé de reformage en tant que procédé permettant de former une couche de nucléations de croissance chimique différente de l'intérieur. Le procédé est décrit ci- après. Les figures 19A à 19D sont des vues en coupe qui représentent une croissance sélective selon le quatrième mode de réalisation de la présente invention. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 19A, un film conducteur transparent 36 constitué par de l'ITO par exemple est formé selon une épaisseur de 500 A au moyen d'un procédé de pulvérisation sur un substrat isolant 35 constitué par du quartz, du verre ou autre. Un semiconducteur des groupes III-V ou des groupes Il-VI est obtenu par croissance dessus au moyen d'un procédé MBE, d'un procédé MOCVD ou autre et est utilisé en tant que nucléations de croissance 37. En particulier, des nucléations de croissance présentant une bonne transmittance de la lumière peuvent êtreobtenues en utilisant un matériau présentant une largeur de bande d'énergie importante tel que le nitrure d'indium (InN), le nitrure de gallium (GaN) ou autre et ce matériau a la préférence en tant que matériau qui doit être formé sur le film conducteur transparent 36. L'lnN et le GaN présentent une largeur de bande d'énergie de 3 eV ou plus. Puis comme représenté sur la figure 19B, une photoréserve 38 est appliquée et un motif est formé en exposant et en développant la photoréserve. Puis une gravure est appliquée au film conducteur transparent 36 et à la couche de nucléations de croissance 37 tandis que la photoréserve 38 est utilisée en tant que masque pour ainsi former un motif conducteur 39. Puis après que la photoréserve 38 est ôtée comme représenté sur la figure 19C, une gravure et un dépôt sont répétés plusieurs fois moyennant les conditions représentées dans le premier mode de réalisation de manière à faire croître une couche en silicium 40 sélectivement, comme représenté sur la figure 19D. Puisque le motif conducteur 39 et le substrat transparent isolant 35 situé autour présentent des dispositions chimiques différentes l'une de l'autre, une croissance sélective excellente peut être obtenue moyennant ce procédé de façon similaire au premier mode de réalisation. En outre, puisqu'il est possible d'appliquer une conformation à la couche de nucléations de croissance 37 simultanément au film conducteur transparent, la précision de motif de la couche de nucléations de croissance 37 n'est pas altérée. En outre, le présent mode de réalisation est supérieur au premier mode de réalisation en ce sens que le matériau de la couche de nucléations de croissance peut être choisi librement. En outre, un effet similaire peut être obtenu même lorsqu'un composé intermétallique d'un élément de métal et de silicium qui est appelé siliciure est appliqué en tant que couche de nucléations de croissance. Cinquième mode de réalisation Les figures 20A à 20C sont des vues en coupe qui représentent un procédé de croissance sélective selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 20A, un film conducteur transparent 42 constitué par de l'ITO qui est un film conducteur transparent en oxyde est formé sur un substrat isolant 41 et un motif du film conducteur transparent 42 est formé au moyen d'une technique de photolithographie. Puis dans un appareil CVD plasma du type à plaques parallèles planes ordinaire, la température du substrat est établie à 270 C, un gaz hydrogène est introduit à l'intérieur d'une chambre, la pression est maintenue dans une plage de 1 Torr ou plus à 50 Torr ou moins, de préférence à 1,0 Torr, et une énergie haute fréquence d'une fréquence de 13,56 MHz et d'une sortie de 200 W est appliquée aux électrodes en plaçant le * substrat entre, d'o ainsi la génération de plasma d'hydrogène. Moyennant cela, la surface de 'ITO qui est un oxyde est réduite par l'atmosphère réductrice du plasma d'hydrogène et l'oxygène se lie à l'hydrogène sélectivement et est sublimé. Il résulte de cela que les nucléations de croissance 43 constituées par de l'ln et par du Sn sont formées sur la surface du film conducteur transparent 42, comme représenté sur la figure 20B. Puis lorsqu'une couche en silicium 44 est obtenue par croissance sélectivement sur le film conducteur transparent 42 en répétant la gravure et le dépôt une ou plusieurs fois moyennant les conditions représentées dans le premier mode de réalisation représenté sur la figure 20C, une meilleure croissance sélective est obtenue par comparaison avec le cas o i15 le traitement de réduction n'est pas réalisé. Ceci est dû au fait que la surface constituée par de l'ln et par du Sn métallisé est liée au silicium plus aisément par comparaison avec l'ITO. Lorsque la couche de nucléations de croissance 43 est formée en utilisant un processus de réduction, cependant, la qualité de lI'ITO varie, ce qui fait que l'on craint que la conductivité ne soit abaissée, comme décrit dans le second mode de réalisation. Il s'ensuit que la réduction doit être réalisée en un temps très court, par exemple une minute ou moins. En outre, afin de stabiliser un élément In qui peut aisément s'échapper lorsque la couche en silicium 44 est obtenue par croissance sélective, un matériau qui se combine aisément à l'ln et au Sn tel que le phosphore (P) peut être ajouté dans un plasma d'hydrogène. Par exemple, du gaz PH3 peut être ajouté de manière à obtenir une concentration d'approximativement 0,5 en pourcentage atomique. Le procédé de formation des nucléations de croissance selon la présente invention est caractérisé par un point consistant en ce que le dépôt chimique du film conducteur transparent est rendu différent de celui de la surface située autour en enlevant un type d'élément dans les matériaux constituant le film conducteur transparent et le semiconducteur composite. Sixième mode de réalisation Selon le mode de réalisation mentionné ci-avant, la formation d'une couche de substrat sur laquelle un film est obtenu par croissance sélectivement et la formation des nucléations de croissance sont réalisées au moyen de processus différents. Selon le présent mode de réalisation, un procédé de formation de la couche de substrat et de la couche de nucléations de croissance par l'intermédiaire du même processus est décrit. Les figures 21A à 21C sont des vues en coupe qui représentent un procédé de croissance sélective selon un sixième mode de réalisation de la présente invention. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 21A, un film en nitrure de silicium 52 est déposé sur un substrat isolant 51 en quartz, en verre ou autre au moyen d'un procédé CVD plasma. Puis un film en chrome (Cr) 53 présentant une épaisseur de film de 1000 A est déposé sur le film en nitrure de silicium 52 au moyen d'un procédé de dépôt en phase vapeur. A cet instant, de l'oxygène est introduit dans la chambre de l'appareil de dépôt en phase vapeur de manière à former l'atmosphère à x 10-5 Torr et de l'oxygène à approximativement 10 en pourcentage atomique est introduit dans la couche de surface du film en Cr 53 de manière à former une couche de chrome contenant de l'oxygène (CrOx) (les nucléations de croissance) 53a lorsque la couche supérieure d'une épaisseur de 30 A dans le film en Cr 53 est formée. Puis comme représenté sur la figure 21B, une conformation est appliquée à la couche de chrome contenant de l'oxygène 53a et au film en Cr 53 au moyen d'un procédé de photolithographie. Puis lorsque la gravure et le dépôt sont répétés plusieurs fois moyennant les conditions représentées au niveau du premier mode de réalisation de manière à faire croître un film en silicium 54 sur le film en Cr 53, comme représenté sur la figure 21C, il s'est avéré que le présent mode de réalisation est supérieur du point de vue de la performance de croissance sélective à un cas dans lequel la couche en CrOx 53a n'est pas formée. Par exemple, une vitesse de croissance d'un film en silicium de 3 A/mn a été obtenue lorsque la couche en CrOx 53a est formée et une vitesse de croissance de 1 A/mn a été obtenue lorsque la couche en CrOx 53a n'est pas prévue. L'oxygène contenu dans le film en Cr 53 devient du SiOx à l'instant de la croissance sélective du silicium et agit pour fixer le silicium de manière à contribuer à la croissance sélective. Il résulte de cela que la marge du processus peut être agrandie. Afin d'analyser ce mode de réalisation, une expérimentation qui suit est mise en oeuvre. 1 5 Tout d'abord, un premier échantillon dans lequel un film en Cr réalisé de manière à contenir de l'oxygène positivement dans au moins la surface est formé sur un substrat en verre comme décrit ci-avant et un second échantillon dans lequel un film en Cr est formé sur un substrat en verre au moyen d'un procédé de pulvérisation continue sont préparés. L'épaisseur de ces deux films en Cr est établie à 1000 A. Puis un film en silicium de type N est formé sur les films en Cr des premier et second échantillons au moyen d'une croissance sélective au moyen d'un CVD plasma représenté au niveau du premier mode de réalisation. Les figures 22 et 23 représentent le résultat d'une analyse de composition suivant la direction de profondeur après qu'une gravure sélective du silicium est effectuée sur le film en Cr en ce qui concerne les premier et second échantillons. Lorsque ces échantillons sont comparés l'un à l'autre, il est trouvé que l'épaisseur de film du silicium est plus importante dans le premier échantillon et que le volume du film en silicium a été augmenté du fait de l'existence d'oxygène. Bien que l'oxygène soit également noté dans l'interface entre le film en Ca et le film en silicium pour le second échantillon, ceci est dû à un film d'oxyde naturel et une quantité d'oxygène d'un tel niveau est insuffisante pour obtenir une croissance de silicium sélective, d'o la nécessité d'avoir de l'oxygène fourni depuis l'extérieur positivement et intentionnellement. En outre, de l'oxygène peut être contenu dans la totalité de l'intérieur du film en Cr 53 et une introduction excessive de l'oxygène entraîne une détérioration d'une caractéristique électrique. Par conséquent, il est souhaitable de distribuer la couche comprenant de l'oxygène uniformément seulement sur la surface du film en Cr 53 en modulant l'introduction d'oxygène. En outre, le présent mode de réalisation est caractérisé en ce que, simultanément à la formation d'une couche de substrat obtenue par croissance sélective, l'élément du groupe lllb, du groupe IV, du groupe Vb, du groupe Vlb ou du groupe VlIb qui ne i 5 constitue pas la couche de substrat est introduit dans au moins sa surface, ce qui rend le traitement chimique non nécessaire. Bien que de l'oxygène ait été utilisé en tant qu'élément pour fixer le silicium, I'élément n'est pas limité à celui-ci mais un élément du groupe contenant du carbone ou un halogène du type iode ou autre peut également être utilisé par exemple. En outre, le film métallique est utilisé en tant qu'électrode source-drain du TFT tel que représenté dans le troisième mode de réalisation et la couche de silicium contenant une impureté formée dessus est utilisée en tant que couche de contact avec la couche de canal. Autres modes de réalisation Selon le premier mode de réalisation, afin de former la surface de la couche de substrat de manière à faire croître de façon sélective les nucléations de croissance présentant une propriété chimique différente de celle de l'intérieur de la couche de substrat, la couche de substrat a été placée dans l'atmosphère de réaction contenant un quelconque élément du groupe llb, du groupe IVb, du groupe Vb, du groupe Vlb ou du groupe Vllb. Le procédé de formation de la couche de nucléations de croissance n'est pas limité à celui-ci mais la couche de nucléations de croissance peut être formée en injectant des ions d'un tel élément moyennant une accélération à l'intérieur de la surface de la couche de substrat. En outre, un cas pour lequel de l'ITO est essentiellement utilisé en tant que matériau du film conducteur transparent a été expliqué dans les modes de réalisation décrits ci-avant mais on peut également envisager une optimisation de la croissance sélective en faisant en sorte qu'un élément du groupe Illb, du groupe IVb, du groupe Vb, du groupe Vlb ou du groupe VlIb adhère sur la surface lorsqu'un matériau conducteur transparent en oxyde constitué par au moins un élément pris parmi les éléments du groupe lib, du groupe Illb et du groupe IVb tel que de l'ln203, du SnO2 et du ZnO est utilisé. En outre, I'opération de réduction est commandée en faisant adhérer un élément du groupe Vb sur 1 5 sa surface. En outre, du silicium a été obtenu par croissance sélective selon les modes de réalisation mentionnés ci-avant mais du germanium peut également être utilisé. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'un film conducteur (3, 13, 36, 42, 53) sur un film isolant (1, 12, 23, 35, 41, 52); formation de nucléations de croissance (5, 15, 37, 43, 53a) sur la surface dudit film conducteur, les nucléations de croissance contenant un élément du groupe lllb, du groupe IVb, du groupe Vb et du groupe Vllb au moins qui ne constitue ni le film conducteur ni ledit film isolant (1, 12, 23, 35, 41, 52); et croissance d'un film semiconducteur (6, 16, 30, 40, 44) sélectivement sur lesdites nucléations de croissance (5, 15, 37, 43, 53a). 2. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit film semiconducteur (6, 16, 30, 40, 44) est obtenu par croissance sélective sur lesdites nucléations de croissance (5, , 37, 43, 53a) en répétant une croissance et une gravure d'un semiconducteur au moins une fois. 3. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit film conducteur (3, 13, 36, 42, 53) est formé en faisant croître un élément quelconque pris parmi un métal, un oxyde métallique, un composé intermétallique de silicium et un composé intermétallique de germanium. 4. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit métal est du chrome. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit oxyde métallique est un élément quelconque pris parmi un oxyde d'indium, un oxyde d'étain et un oxyde de zinc. 6. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit composé intermétallique de silicium est un siliciure. 7. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que que ledit film isolant (1, 12, 23, 35, 41, 52) est un film contenant de l'oxyde de silicium. 8. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit film semiconducteur (6, 16, 30, 40, 44) est en silicium ou en germanium. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites nucléations de croissance (5, 15, 37, 43, 53a) sont i 5 formées en faisant croître un matériau présentant une largeur de bande interdite plus importante que celle du matériau constituant ledit film conducteur. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites nucléations de croissance (5, 15, 37, 43, 53a) sont formées de manière à faire en sorte que ledit élément adhère sur la surface dudit film conducteur en exposant ledit film conducteur (3, 13, 36, 42, 53) à l'atmosphère active qui contient ledit élément. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite atmosphère active est excitée par un quelconque moyen pris parmi une décharge plasma, une irradiation de lumière, un chauffage d'atmosphère et un chauffage de substrat dans I'atmosphère basse pression. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit film conducteur (13) est formé en faisant croître un matériau conducteur transparent d'oxyde à la température de 200 C ou moins dans ladite atmosphère active. 13. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'au moins un élément pris parmi l'azote, I'ammonium et le phosphine est introduit dans ladite atmosphère active. 14. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites nucléations de croissance (37) sont formées en faisant croître un semiconducteur quelconque pris parmi un semiconducteur des groupes ll-V, un semiconducteur des groupes Il-VI, un composé intermétallique semiconducteur et un oxyde métallique sur ledit film conducteur (36). 15. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites nucléations de croissance (43) sont formées en ôtant seulement au moins un type d'élément pris parmi une pluralité d'éléments constituant ledit film conducteur (42). 16. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites nucléations de croissance (53a) sont formées de manière à avoir l'un quelconque desdits éléments du groupe Illb, du groupe IVb, du groupe Vb et du groupe VlIb contenu dans l'atmosphère de croissance lorsque ledit film conducteur (53) est formé par croissance. 17. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit film conducteur (53) est formé en faisant croître du chrome et lesdites nucléations de croissance sont formées en introduisant de l'oxygène en même temps immédiatement avant que la croissance du chrome ne soit terminée. 18. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites nucléations de croissance (5, 15, 37, 43, 53a) sont formées au moyen d'une implantation ionique de l'un quelconque desdits éléments du groupe Illb, du groupe IVb, du groupe Vb et du groupe VIlb dans ledit film conducteur. 19. Procédé d'empêchement de la détérioration de la qualité de film d'un film conducteur transparent, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'un film conducteur transparent (13) constitué par un oxyde; formation d'une couche (15) contenant un élément du groupe Vb en faisant en sorte qu'au moins un élément du groupe Vb soit contenu dans la surface dudit film conducteur transparent (13); et exposition de ladite couche (15) contenant un élément du groupe Vb à soit une atmosphère réductrice soit une atmosphère oxydante. 20. Procédé d'empêchement de la détérioration de la qualité de film d'un film conducteur transparent, caractérisé en i 5 ce qu'il comprend les étapes de: formation d'un film conducteur transparent (13) constitué par un oxyde; application d'une conformation audit film conducteur transparent (13); formation d'une couche (15) contenant un élément du groupe Vb en faisant en sorte qu'au moins un élément du groupe Vb soit contenu dans la surface dudit film conducteur transparent (13); et exposition de ladite couche (15) contenant un élément du groupe Vb à soit une atmosphère réductrice soit une atmosphère oxydante. 21. Procédé d'empêchement de la détérioration de la qualité de film d'un film conducteur transparent, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'un film conducteur transparent (13) constitué par un oxyde; application d'une conformation audit film conducteur transparent (13); formation d'une couche (15) contenant un élément du groupe Vb en faisant en sorte qu'au moins un élément du groupe Vb soit contenu dans la surface dudit film conducteur transparent (13); et formation d'un film semiconducteur (16) sur ledit film conducteur transparent (13) tout en exposant ladite couche (15) contenant un élément du groupe Vb à soit une atmosphère oxydante soit une atmosphère réductrice. 22. Dispositif à semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend: une couche isolante 1 0 une couche conductrice conformée (28) sur la couche isolante (23); une couche semiconductrice (31) sur ladite couche conductrice conformée; et une couche réactive (30) formée en faisant réagir ladite 1 5 couche conductrice conformée (28) avec des nucléations de croissance (24) sur ladite couche conductrice conformée (28) entre ladite couche conductrice conformée (28) et ladite couche semiconductrice (31), lesdites nucléations de croissance (29) contenant un élément pris parmi un élément du groupe Illb, du groupe IVb, du groupe Vb et du groupe Vllb au moins qui ne constitue ni ladite couche conductrice conformée (28) ni ladite couche isolante (23).