FR 2720852 A1 19951208 FR 9406694 A 19940601 DISPOSITIF DE DETECTION DE TRANSITION ENGENDRANT UNE IMPULSION DE DUREE VARIABLE L'invention concerne un dispositif de détection de transition engendrant une impulsion de durée variable. Lors de la mise en oeuvre des circuits d'entrée d'un circuit mémoire statique CMOS, un signal de validation, désigné par "chip enable", CEB, permet de contrôler l'accès à ces circuits d'entrée. Lors d'un contrôle d'accès au moyen du signal de validation, CEB, il est nécessaire d'inhiber les impulsions engendrées par les autres entrées du circuit d'entrée, afin d'éviter l'apparition d'impulsions multiples ou rallongées. La présente invention a pour objet la mise en oeuvre d'un dispositif de détection de transition permettant d'engendrer une impulsion de durée variable, et d'inhiber les impulsions engendrées par les autres entrées du circuit d'entrée. Le dispositif de détection de transition engendrant une impulsion de durée variable, tel qu'un signal de validation (CEB) des circuits d'entrée d'un circuit mémoire statique CMOS, objet de la présente invention, ces circuits d'entrée délivrant, sur validation, un signal d'entrée à partir du signal représentatif d'un signal numérique d'entrée à mémoriser par la mémoire statique, est remarqua- ble en ce qu'il comporte un premier circuit de retard d'une première valeur de retard déterminée du signal de valida- tion, permettant d'engendrer un signal de validation retardé et d'introduire un délai de sécurité d'une durée égale à la première valeur de retard. Un circuit de calibration du signal d'entrée est prévu, lequel comprend un circuit logique OU exclusif recevant sur une première entrée le signal d'entrée et un deuxième circuit de retard commandé reçoit ledit signal d'entrée et délivre un signal d'entrée retardé d'une deuxième valeur de retard. Le deuxième circuit de retard commandé est connecté à une deuxième entrée du circuit logique OU exclusif, lequel délivre un signal de sortie calibré formé par une impulsion dont la durée est égale à la deuxième valeur de retard lors d'un accès par le signal de validation et des impulsions tronquées en présence de transitions d'adresses ou d'autres entrées non rigoureu- sement simultanées. Le dispositif, objet de la présente invention, trouve application à la réalisation et la mise en oeuvre de circuits de mémoire statique de type CMOS. Il sera mieux compris à la lecture de la description et à l'observation des dessins ci-après dans lesquels: - la figure la représente un schéma synoptique du dispositif de détection de transition, objet de la présente invention; - la figure lb représente un chronogramme des signaux aux points de tests de la figure la; - la figure 2 représente un détail de réalisation avantageux non limitatif du dispositif représenté en figure la. Une description plus détaillée d'un dispositif de détection de transition engendrant une impulsion de durée variable, objet de la présente invention, sera maintenant donnée en liaison avec la figure la. Sur la figure précitée, on a représenté un signal d'entrée représentatif d'un signal numérique d'entrée codé sur une pluralité N de bits, N = 8 par exemple. Le signal numérique d'entrée, désigné par ENTREE, doit être interprété par une mémoire statique par l'intermé- diaire d'un bloc de mise en forme, représenté en pointillés sur la figure la. En ce qui concerne la figure précitée, on indique que celle-ci est relative au schéma synoptique d'un circuit permettant le traitement d'un des bits du signal numérique d'entrée. A ce titre, on comprend, conformément à un aspect du dispositif de détection de transition engen- drant une impulsion de durée variable, objet de la présente invention, qu'un circuit comparable est présent et opéra- tionnel dans des conditions identiques pour chacun des bits constitutifs du signal numérique d'entrée. Le signal numérique d'entrée précité, et en particu- lier l'un des bits de celui-ci, représenté par le signal ENTREE, est normalement mémorisé au niveau d'un circuit d'adaptation d'entrée désigné par circuit "buffer d'entrée", un tel circuit comportant en outre un signal de validation du circuit d'adaptation d'entrée, ce circuit portant la référence ME sur la figure la. Dans les dispositifs actuels, la sortie du circuit d'adaptation d'entrée ME est reliée à un bloc de mise en forme des signaux du circuit, représenté en pointillés sur la figure la précitée. Selon un aspect particulièrement avantageux du dispositif de détection de transition engendrant une impulsion de durée variable, objet de l'invention, cette transition est telle que le circuit d'adaptation d'entrée ME, en présence du signal de validation CEB, délivre de manière classique en sortie du circuit d'adaptation d'entrée ME un signal, noté IN-ETD, lequel est normalement destiné à être interprété par la mémoire statique. Selon un autre aspect particulièrement avantageux du dispositif de détection, objet de la présente invention, on comprend que celui-ci comprend un premier circuit de retard, noté 1, d'une première valeur de retard déterminée du signal de validation CEB, ce signal correspondant à la désignation anglo-saxonne "Chip enable" et ayant pour effet d'autoriser l'accès au circuit. Le premier circuit de retard 1 permet d'engendrer un signal de validation retardé, noté CE-DEL, tout en permettant d'introduire un délai de sécurité de durée égale à la première valeur de retard, c'est-à-dire à la valeur de retard introduite par le premier circuit de retard 1. En outre, le dispositif de détection de transition, objet de la présente invention, comporte un circuit de calibration 2 du signal d'entrée à mémoriser, noté IN-ETD, ce circuit de calibration comportant un circuit logique OU exclusif, noté 20, recevant sur une première entrée le signal d'entrée à interpréter, et un deuxième circuit de retard commandé, noté 21, recevant le signal d'entrée à détecter précité et délivrant un signal d'entrée retardé d'une deuxième valeur de retard. On note que le deuxième circuit de retard commandé 21 est connecté à une deuxième entrée du circuit logique OU exclusif, lequel délivre, sur commande d'accès par le signal de validation CEB, un signal de sortie calibré, formé par une impulsion dont la durée est égale à la deuxième valeur de retard, c'est-à-dire à la valeur de retard du deuxième circuit de retard 21. Au contraire, et toujours lors d'un accès par le signal de validation CEB, mais en présence de transitions sur les autres entrées du circuit, le circuit OU exclusif 20 délivre une suite d'impulsions tronquées, non reconnues comme impulsion, ainsi qu'il sera décrit ultérieurement dans la description. Le circuit de calibration 2 du signal d'entrée à mémoriser délivre un signal de sortie, noté OUT-ETD, lequel est délivré au bloc de mise en forme, représenté en traits mixtes sur la figure la, et est constitué soit par des impulsions tronquées, soit par l'impulsion calibrée. Sur la figure lb, on a représenté les différents signaux aux points de tests A, B, C de la figure la. En outre, on rappelle que le signal d'entrée, noté ENTREE, correspond à la valeur de l'ensemble des bits sur lequel est codé ce signal, une modification d'une des valeurs de ces bits étant représentée sur la figure lb de manière générale sans référence aux points de tests A, B, C. Cette modifica- tion est réputée intervenir au point de test A de la figure la, c'est-à-dire pour le bit considéré, mis en forme par le circuit d'adaptation d'entrée ME et engendrant le signal numérique d'entrée INETD destiné à être interprété par la mémoire statique. Sur transition du signal numérique d'entrée à détecter IN-ETD au point de test A, et lors d'un accès par le signal de validation CEB, le signal de validation retardé CE-DEL au point B reste à la valeur 0, et l'inhibition se produit tant que le signal de validation retardé reste à la valeur 0 précitée. Le circuit de calibration 2 délivre pendant le temps d'inhibition des impulsions tronquées, dont la durée est inférieure ou égale à une nanoseconde par exemple, pour toute transition provoquée par un accès adresse, ces impulsions tronquées n'étant alors pas recon- nues comme telles par le circuit bloc de mise en forme. La forme correspondante du signal est représentée en C(1) au point de test C. Au contraire, le signal de validation CEB étant actif, pour le circuit d'entrée pour lequel un accès imposé par le signal de validation CEB est réalisé, les accès d'adresses étant ainsi masqués, le signal délivré par le circuit de calibration 2 associé à ce circuit d'entrée au point de test C correspond à un signal de sortie calibré formé par une impulsion dont la durée est égale à la deuxième valeur de retard du circuit de retard 21. Ce signal est représenté en C(2) sur la figure lb. Une description plus détaillée d'un mode de réalisa- tion avantageux du deuxième circuit de retard 21 sera maintenant donnée en liaison avec la figure 2. D'une manière générale, on indique que le deuxième circuit de retard 21, circuit de retard commandé, est formé par une pluralité de cellules de retard connectées en cascade. Sur la figure 2, on indique que trois cellules de retard uniquement sont représentées à titre d'exemple. Chaque cellule de retard comporte au moins un inverseur, noté il, i2, i3, connecté à une porte de trans- fert, notée pl, p2, p3, elle-même connectée à une capacité électrique reliée à la tension de référence, chaque capacité électrique étant notée Cl, C2, C3. Chaque porte de transfert pl, p2, p3 est commandée à l'état de conduction ou de non-conduction par le signal de validation retardé CE-DEL. Ainsi, chaque cellule permet d'introduire, sur le signal d'entrée à mémoriser IN-ETD, un retard élémentaire, noté T, lequel est égal à la constante de temps formée par le circuit de charge de la capacité électrique correspondante C1, C2, C3. Dans le mode de réalisation de la figure 2, on indique que les cellules de retard reçoivent le signal d'entrée complémenté, noté IN-ETD, par l'intermédiaire d'un inverseur d'entrée, noté IE0. De manière classique, on indique que chaque porte de transfert pl, p2, p3 peut être formée par un premier et un deuxième transistor MOS de type P respectivement N connectés en parallèle, l'électrode de grille du premier transistor MOS P étant commandée par le signal de validation retardé complémenté CE-DEL par l'intermédiaire d'un inverseur d'entrée IE1 alors que l'électrode de grille du deuxième transistor MOS N est commandée par le signal de validation retardé CE-DEL obtenu à partir du signal de commande des électrodes de grille des transistors MOS de type P après nouvelle complémentation par un inverseur d'entrée IE2. En ce qui concerne le circuit OU exclusif 20, on indique que celui- ci peut être formé, dans une version intégrable, par une première et une deuxième branche, notées a, 20b, chaque branche étant formée par un transistor MOS N et un transistor MOS P, notés TN, TP pour chacune des branches, les transistors précités étant montés en cascade et les deux branches 20a, 20b étant connectées en parallèle entre l'entrée de la première cellule de retard, c'est-à- dire en fait l'entrée du premier inverseur il, cellule de retard recevant le signal d'entrée complémenté IN-ETD par l'intermédiaire de l'inverseur d'entrée IE0, et la sortie du circuit de mémorisation d'entrée ME, c'est-à-dire l'entrée de ce même inverseur d'entrée IE0. Les électrodes de grille des transistors MOS TN, respectivement TP de la première branche 20a sont connectées à la sortie de la dernière cellule de retard, c'est-à-dire en fait à la sortie de l'inverseur i3 par l'intermédiaire d'un inverseur de sortie, noté IS0. Les électrodes de grille des transistors TP, TN de la deuxième branche 20b sont connectées à la sortie du premier inverseur de sortie ISO par l'intermédiaire d'un deuxième inverseur de sortie, noté IS1. Le point commun entre les transistors TN, TP de la première branche 20a délivre par l'intermédiaire d'un troisième inverseur de sortie, noté IS2, le signal de sortie impulsion calibrée ou impulsions tronquées, noté OUT-ETD. Le fonctionnement du dispositif tel que représenté en figure 2 est le suivant: Le signal de validation CEB est complémenté et retardé en interne de la valeur du premier retard, par exemple par le premier circuit de retard 1 d'une valeur de 5 nanosecondes, pour engendrer au point de test B le signal de validation retardé, noté CE-DEL, ce signal étant commun à chacun des dispositifs tels que représentés en figure la associés à un bit du signal numérique d'entrée. Lors d'un accès à la mémoire statique par l'intermé- diaire du signal de validation CEB, ce signal étant actif lorsqu'il est à la valeur 0, le signal de validation retardé CE-DEL a pour effet de déconnecter, pour une durée égale au retard interne précité, les capacités C1, C2, C3 de la sortie de leurs inverseurs associés il, i2, i3. Le délai assurant la calibration de la largeur de l'impulsion n'est plus fourni que par les seuls inverseurs il, i2, i3 précités et se trouve en conséquence drastiquement réduit à une valeur inférieure ou égale à une nanoseconde. Ainsi, toute transition du signal d'entrée survenant dans la plage de temps comprise entre les transitions respectives des signaux de validation CEB et de validation retardée CE- DEL provoque donc la création d'une impulsion tronquée, ainsi que mentionné précédemment. Contrairement aux autres signaux d'entrée, le dispositif de détection de transition tel que représenté en figure la, auquel est associé le signal de validation CEB, voit alors son signal de validation retardé CE- DEL forcé à la valeur de la tension d'alimentation VCC, ce qui a pour effet d'inhiber le processus de tronquage précédemment décrit, les capacités Cl, C2, C3 étant continuellement connectées à leurs inverseurs respectifs il, i2, i3. L'impulsion associée au signal de validation CEB est alors calibrée à la durée souhaitée, établie par la valeur des cellules à retard précédemment mentionnées. Sur la figure lb, on indique que les impulsions tronquées et l'impulsion calibrée sont représentées aux points C(1), respectivement C(2) correspondant au cas o le signal de validation CEB étant actif à 0, les transitions sont relatives aux adresses respectivement au signal de validation CEB. Lors d'un accès par l'intermédiaire du signal de validation CEB et dans le cas de transition d'entrée non simultanée, le décalage entre les autres entrées et le signal de validation CEB peut être au plus égal au retard interne du signal de validation retardé par rapport au signal de validation précité. On évite ainsi la superposi- tion des différentes impulsions engendrées dont la consé- quence serait de pénaliser le temps d'accès par l'intermé- diaire du signal de validation CEB. La phase de lecture différentielle ne devient effective qu'à la fin de l'impul- sion et la durée de cette dernière se trouve augmentée par le cumul des autres impulsions et l'on augmente ainsi le temps d'apparition de la donnée en sortie, la référence étant toujours le front descendant du signal d'entrée correspondant au signal de validation CEB. On comprend ainsi que grâce au mécanisme précité, des impulsions d'entrée sont inhibées et la calibration nominale de l'impulsion est donnée par le circuit ou dispositif de détection de transition associé au signal de validation CEB. Dans une variante de réalisation particulièrement avantageuse, telle que représentée en figure 2; on indique que le deuxième circuit de retard 21, circuit de retard commandé, peut comporter en outre une chaîne de charge et de décharge de chaque capacité électrique C1, C2, C3 consti- tuant avec les portes de transfert pl, p2, p3 et les inverseurs associés il, i2, i3 une cellule de retard élémentaire. Ainsi qu'on l'observera sur la figure 2, on indique que la chaîne de charge et de décharge comporte, au niveau de chaque cellule de retard, une cellule de charge et de décharge de faible constante de temps. Chaque cellule de charge et de décharge comprend un inverseur de charge et de décharge, noté respectivement Il, I2, I3 connecté à une porte de transfert de charge et de décharge, chacune des portes de transfert de charge et de décharge étant notée P1, P2, P3. Ainsi qu'on l'observera sur la figure 2 précitée, chaque porte de transfert de charge et de décharge P1, P2, P3 est connectée entre la sortie de l'inverseur de charge et de décharge qui lui est associée Il, I2, I3 respectivement et la capacité électrique de la cellule de retard correspon- dante Cl, C2 et C3. Les portes de transfert pl, p2, p3 et les portes de transfert de charge et de décharge P1, P2, P3 sont commandées en opposition par le signal de validation retardé complémenté, c'est-à-dire par le signal CE-DEL délivré par l'inverseur d'entrée IE1, et par le signal de validation retardé CE-DEL après double complémentation par les inverseurs d'entrée IE1, IE2. Le mode de réalisation préférentiel décrit permet d'assurer un passage d'une impulsion tronquée à une impul- sion de largeur calibrée, ce passage ou transition étant le plus brutal possible, de façon à éviter les durées d'impul- sion intermédiaire dont la conséquence serait une dégrada- tion des performances dynamiques du circuit. De manière générale, on indique que la zone tempo- relle critique dans laquelle ce phénomène doit être évité correspond à la fin du retard interne du signal de valida- tion retardé CE-DEL par rapport au signal de validation CEB, fin de la période d'inhibition des impulsions. Une transi- tion d'entrée intervenant à cet instant est suffisamment éloignée de la transition du signal de validation CEB pour être interprétée comme l'initialisation d'un nouveau cycle interne. Il est donc primordial de passer très rapidement d'un état d'impulsion tronquée à un état d'impulsion calibrée sans que ne soient engendrées d'impulsions de durée intermédiaire. Les conditions précitées sont assurées par le système de charge et de décharge des capacités, contrôlé par le signal d'entrée à mémoriser IN-ETD, lequel est fonction du positionnement de l'adresse et actif pendant la phase d'inhibition. Pendant cette phase, les capacités Cl, C2, C3 sont chargées non plus par les inverseurs il, i2, i3 contrôlant le délai de retard, mais par la chaîne de substitution parallèle formée par les inverseurs Il, I2 et I3, lesquels, de plus grosse taille, autorisent une charge ou une décharge quasi-instantanée. A la fin de la phase d'inhibition, les capacités Cl, C2, C3 qui se trouvent donc dans un état favorable, sont reconnectées aux petits inverseurs il, i2, i3 contrôlant la durée du délai de retard et le traitement de la transition suivante peut alors s'effectuer normalement. REVENDICATIONS 1. Dispositif de détection de transition engendrant une impulsion de durée variable, telle qu'un signal de validation (CEB) des circuits d'entrée d'un circuit mémoire statique CMOS, ces circuits d'entrée, sur validation, délivrant un signal d'entrée à partir du signal représenta- tif d'un signal numérique d'entrée à mémoriser par la mémoire statique, caractérisé en ce que ce dispositif comporte: - un premier circuit de retard d'une première valeur de retard déterminée dudit signal de validation, permettant d'engendrer un signal de validation retardé (CE-DEL), permettant d'introduire un délai de sécurité de durée égale à ladite première valeur de retard, - un circuit de calibration dudit signal d'entrée comportant: un circuit logique OU exclusif recevant sur une première entrée ledit signal d'entrée, et À un deuxième circuit de retard commandé recevant ledit signal d'entrée et délivrant un signal d'entrée retardé d'une deuxième valeur de retard, ledit deuxième circuit de retard commandé étant connecté à une deuxième entrée du circuit logique OU exclusif, lequel délivre un signal de sortie calibré formé par une impulsion dont la durée est égale à la deuxième valeur de retard, sur accès par le signal de validation, et des impulsions tronquées en présence de transitions d'adresses ou d'autres entrées non rigoureusement simultanées. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit deuxième circuit de retard commandé est formé par une pluralité de cellules de retard connectées en cascade, chaque cellule de retard comportant au moins: un inverseur connecté à une porte de transfert, elle-même connectée à une capacité électrique reliée à la tension de référence, ladite porte de transfert étant commandée à l'état de conduction ou de non-conduction par ledit signal de validation retardé (CE-DEL), chaque cellule permettant d'introduire sur ledit signal d'entrée un retard élémentaire t égal à la constante de temps formée par le circuit de charge de ladite capacité électrique, la première cellule de retard recevant le signal d'entrée complémenté. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que ledit circuit OU exclusif comporte une première et une deuxième branche formée par un transistor MOS N et un transistor MOS P en cascade, les première et deuxième branches étant connectées en parallèle entre l'entrée de la première cellule de retard recevant le signal d'entrée complémenté par l'intermédiaire d'un premier inverseur et la sortie du circuit d'entrée délivrant le signal d'entrée, l'électrode de grille des transistors MOS N, P de la première branche étant connectée à la sortie de la dernière cellule de retard par l'intermédiaire d'un deuxième inverseur, et l'électrode de grille des transistors P, N de la deuxième branche étant connectée à la sortie du deuxième inverseur par l'intermédiaire d'un troisième inverseur, le point commun entre les transistors N et P de la première branche délivrant par l'intermédiaire d'un quatrième inverseur ledit signal de sortie calibré. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que chaque porte de transfert est formée par un premier et un deuxième transistor MOS P, N connectés en parallèle, l'électrode de grille dudit premier transistor MOS P étant commandée par ledit signal de validation retardé complémenté par l'intermédiaire d'un cinquième inverseur et l'électrode de grille dudit deuxième transistor MOS N étant commandée par ledit signal de validation retardé. 5. Dispositif selon l'une des revendications 2 à 4, caractérisé en ce que ledit deuxième circuit de retard commandé comporte en outre une chaîne de charge et de décharge de chaque capacité électrique constituant une cellule de retard élémentaire, ladite chaîne de charge et de décharge comportant au niveau de chaque cellule de retard, une cellule de charge et de décharge, de faible constante de temps, chaque cellule de charge et de décharge comprenant un inverseur de charge et de décharge connecté à une porte de transfert de charge et de décharge, chaque porte de trans- fert de charge et de décharge étant connectée entre la sortie de l'inverseur de charge et de décharge qui lui est associé et la capacité électrique de la cellule de retard correspondante, les porte de transfert et porte de transfert de charge et de décharge étant commandées en opposition par ledit signal de validation retardé complémenté et par ledit signal de validation retardé. 6. Utilisation d'un dispositif de détection de transition selon l'une des revendications précédentes, pour le contrôle d'accès à une mémoire statique de mots codés sur N bits, un dispositif de détection étant associé à l'accès de chaque bit à la mémoire statique.