FR 2714211 A1 19950623 FR 9415345 A 19941220 1 2714211 Dispositif du type à émission de champ La présente invention concerne un dispositif du type à émission de champ comportant des cathodes d'émission de champ incorporées et plus particulièrement, une amélioration d'un dispositif d'affichage dans laquelle tout le dispositif y compris les équipements périphériques est réalisé intégré en ayant des cathodes à émission de champ connues comme cathodes froides qui y sont incorporées. Il est largement connu que lorsqu'un champ électrique appliqué à la surface d'un matériau métallique ou celle d'un matériau semi-conducteur est réglé à à peu près 109 V/m, cela donne lieu à un effet tunnel, permettant à des électrons de traverser une barrière. Ceci entraîne que les électrons sont évacués jusqu'à atteindre un vide, mime à une température normale. Un tel phénomène est globalement dénommé 'émission de champ" et une cathode construite de manière à émettre des électrons sur la base d'un tel principe est dénommée "cathode d'émission de champ' (dénommée également ci-après "FEC"). Le développement rapide récent des techniques a permis de fabriquer une cathode d'émission de champ, en particulier, d'un type de surface de décharge qui doit être formé par des éléments de cathode d'émission de champ d'une taille de l'ordre du micron. On prévoit qu'un dispositif, constitué de telle sorte qu'une pluralité de tels éléments de FEC du type à surface de décharge sont arrangés sur un substrat et les électrons émis par les émetteurs des éléments de FEC sont injectés sur des photophores pour de la sorte provoquer que les photophores émettent sélectivement de la lumière, sera largement utilisé comme composant principal de différentes sortes de dispositifs 2 2714211 d'affichage et de dispositifs électroniques de forme généralement plate. L'élément de FEC décrit ci-dessus peut être fabriqué par un procédé rotatif de déposition oblique développé par Spindt, qui est décrit dans le brevet US N 3.789.471. De même, l'élément de FEC peut être fabriqué en soumettant une plaque de silicium monocristallin à gravure sélective à l'eau forte. La première méthode présente l'avantage de permettre de sélectionner librement le matériau de la pointe de cathode et la seconde méthode a l'avantage de permettre d'utiliser les techniques courantes de traitement fin des semi-conducteurs sans modifier ces techniques. On va décrire maintenant une FEC conventionnelle fabriquée selon le procédé Spindt en référence aux figures 33(a) et 33(b). Une FEC montrée à la figure 33(a) est obtenue d'abord par la formation par déposition d'une première couche conductrice 101 d'un fin film pour former une cathode sur un substrat isolant 100 en verre ou analogue, puis en formant un film de silicium (Si) dopé avec des impuretés sur la couche conductrice 101 pour former une couche résistante 102. Ensuite une couche 104 de porte est formée par déposition de niobium (Nb) sur la couche résistante 102 à travers une couche isolante 103 en dioxyde de silicium (SiO2) puis on perce des trous 114 à travers la couche isolante 103 et la couche de porte 104 pour exposer une partie de la couche résistante 102. Ensuite, du Molybdène (Mo) ou analogue est déposé positivement pour les émetteurs sur une surface exposée de la couche résistante 102, pour former des émetteurs 115 de forme conique. Ainsi, le procédé Spindt autorise une distance entre les émetteurs coniques 115 et la couche de porte 104 inférieure au micron, de sorte que l'émission d'électrons par les émetteurs 115 peut s'accomplir en appliquant une tension aussi faible que quelques 3 2714211 dizaines de Volts entre les émetteurs 115 et la couche de porte 104. Une FEC montrée à la figure 33(b) est formée avec une structure dite de triode. Plus particulièrement, une deuxième couche de porte 108 est formée par laminage sur la couche de porte 104 à travers une couche isolante 107. La deuxième couche de porte 108 fonctionne pour focaliser les électrons émis par les émetteurs 115. La partie restante de la FEC peut être construite substantiellement de la même manière que celle montrée à la figure 33(a). Chaque élément de FEC construit comme montré aux figures 33(a) et 33(b) peut être utilisé pour fabriquer un dispositif d'affichage. Par exemple, la figure 34 montre un dispositif d'affichage ayant l'élément de FEC montré à la figure 33(b). Plus particulièrement, le dispositif d'affichage de la figure 34 est construit de telle sorte qu'un substrat d'anode 116 ayant des photophores déposés sur lui est disposé au-dessus d'un substrat isolant portant une pluralité d'élEéments de FEC disposés en rangées, dans lequel une tension de commande VG, est appliquée à la première porte 104, une tension VG2 pour focaliser les électrons émis est appliquée à la seconde porte 108, et un potentiel d'anode V^ est appliqué à l'anode 116, celle-ci étant sélectivenent excitée pour devenir luminescente par les électrons émis par les émetteurs 115. On va maintenant décrire en référence à la figure 35 un nmécanisme de commande pour le dispositif d'affichage réalisé avec des éléments de FEC comme décrit ci-dessus. Le mécanisme de commande montré à la figure 35 comporte un contrôleur d'affichage 120 un contrôleur du côté cathode 121, un contrôleur du côté porte 122 et une zone d'affichage 123 construite comme montré à la figure 34 et ayant des cellules d'image en nombre n 4 2714211 fois m. Le contrôleur d'affichage 120 alimente le contrôleur du côté cathode 121 avec une cadence de balayage vertical, de sorte que le contrôleur 121 applique une tension de balayage aux cathodes Ci à Cn, dans l'ordre. Egalement, le contrôleur du côté porte 122 applique une tension de données aux porte G1 à G,. en fonction des données d'affichage. Dans le mécanisme de commande ainsi conçu, lorsque des cellules d'image (FECs) dans une série de cathodes sont balayées chacune émet des électrons vers une anode en fonction de la tension de porte appliquée en correspondance avec les données d'affichage, pour permettre ainsi à l'affichage désiré d'être réalisé. Cependant, la zone d'affichage 123 ne fonctionne pas si une tension de niveau TTL (environ 5 V) est appliquée. En d'autres termes, l'application d'une tension de niveau tel qu'émis par le contrôleur d'affichage 120 ne permet pas à la zone d'affichage de réaliser l'affichage. Au vu de ce qui précède, le contrôleur du côté cathode 121 et le contrôleur du côté porte 122 sont chacun pourvus d'une section de conversion du niveau de tension pour convertir une tension de niveau TTL en tension opérationnelle de FEC. Ceci impose de placer les sections de conversion de niveau de tension de nombre n fois m en corrélation avec les cathodes Cl à Cn et les porte G6 à G.,. De même, le contrôleur du côté cathode 121 et le contrôleur du côté porte 122 doivent tous les deux être construits comme des unités indépendantes de la zone d'affichage 123. Ainsi, le fait que dans le dispositif d'affichage comportant des éléments de FEC réalisé comme ci-dessus, le contrôleur du côté cathode 121 et le contrôleur du côté porte 122 doivent être construits comme unités indépendantes l'une de l'autre, respectivement, induit un grand dimensionnement du dispositif d'affichage et une augmentation du coût de 2714211 fabrication. De même le dispositif d'affichage connu requiert des sections de conversion du niveau de tension en nombre n fois m, de sorte que le circuit du dispositif d'affichage est extrêmement complexe. Un tel dispositif d'affichage est normalement équipé d'un circuit de maintien des données ou d'un circuit de mémoire pour chaque cellule d'image, de sorte que les données stockées dans le circuit sont appliquées aux portes sous forme d'une tension de contrôle. Une telle construction permet à l'affichage statique d'être réalisé avec une tension de commande substantiellement réduite tout en affichant une luminance augmentée par rapport à un affichage dynamique. Aussi, le dispositif d'affichage est efficace et convenable pour un affichage statique, en particulier, au vu du fait que dans un tel affichage utilisant des éléments de FEC, une augmentation de la luminance requiert une augmentation de la tension de sorte qu'un affichage statique est hautement désirable. Conventionnellement, en vue de procurer à chaque cellule d'image du dispositif d'affichage une fonction de mémoire, un affichage à cristaux liquides du type transistor à film fin (TFT-LCD) et un affichage à plasma (PDP) sont déjà connus de la technique. Dans le dispositif d'affichage à FECs ci-dessus décrit, on aurait pu penser qu'une combinaison de systèmes TFT procurerait à chaque cellule d'image la fonction de mémoire. Malheureusement, ceci rend le processus de fabrication du dispositif d'affichage extrêmement compliqué au point qu'il rend la fabrication pratiquement impossible. Egalement, lorsqu'on désire procurer à l'affichage une gradation dans le dispositif d'affichage utilisant les FECs, on pourrait penser que les données d'image sont fournies au dispositif en étant soumises à une pulsation avec modulation (PWM) et que l'affichage gradé requis est obtenu en contrôlant 6 2714211 la période pendant laquelle la luminance se produit. Cependant, ceci a de la même façon pour résultat de compliquer hautement la construction du dispositif d'affichage. La présente invention a été faite pour remédier aux inconvénients ci-dessus de l'art antérieur. En conséquence un objet de la présente invention est de procurer un dispositif d'affichage du type à émission de champ ayant des éléments de cathode à émission de champ qui soit capable de procurer une fonction de mémoire à chacune des cellules d'image d'une zone d'affichage comportant des éléments de FEC,. pour ainsi réaliser un affichage avec gradation. Un autre objet de la présente invention est de procurer un dispositif d'affichage du type à émission de champ qui puisse permettre que tout le dispositif d'affichage puisse être intégré à une section de circuit de commande d'affichage. La présente invention procure un dispositif d'affichage du type à émission de champ comportant une pluralité d'éléments de cathode à émission de champ incluant au moins des cathodes, des électrodes de commande et des électrodes de focalisation. Le dispositif d'affichage à émission de champ comprend des zones de cellules d'image dont chacune comporte un élément de cathode à émission de champ qui forme une cellule d'image de manière à émettre des électrons vers une anode et d'une part des zones de conservation de données disposées chacune pour chacune des zones de cellules d'image et formées d'éléments de cathode à émission de champ de manière à permettre l'émission d'électrons depuis les cathodes vers les électrodes de focalisation par émission de champ en réponse à une application de tension aux électrodes de commande. Les électrodes de commande de l'élément de cathode à émission de champ de chacune des zones de cellules 7 2714211 d'image sont alimentées avec des données contenues dans chacune des zones de conservation de données. La présente invention procure un dispositif d'affichage du type à émission de champ comportant une pluralité d'éléments de cathode à émission de champ incluant au moins des cathodes, des électrodes de commande et des électrodes de focalisation qui comprend des zones de cellules d'image dont chacune comporte un élément de cathode à émission de champ qui forme une cellule d'image de manière à émettre des électrons vers une anode, des zones d'éléments de commutation disposées pour chacune des zones de cellules d'image et formées par des éléments de cathode à émission de champ de manière à permettre l'émission d'électrons par émission de champ depuis les cathodes vers les électrodes de focalisation en réponse à l'application de tensions sur les électrodes de commande, et des zones de conservation de données comportant chacune des zones de condensateurs ayant un diélectrique interposé entre chaque paire de cathodes, d'électrodes de commande et d'électrodes de focalisation. Les électrodes de commande de l'élément de cathode à émission de champ de chacune des zones de cellules d'images sont alimentées par des données contenues dans chacune des zones de conservation de données. Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention chaque zone de conservation de données comporte une combinaison de rangées d'eléments de cathode à émission de champ. Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, la zone de condensateur de chacune des zones de conservation de données a un niveau de potentiel correspondant à la gradation des données d'images. La présente invention procure un dispositif d'affichage du type à émission de champ comportant une pluralité d'éléments de cathode à émission de champ 8 2714211 incluant au moins des cathodes, des électrodes de commande et des électrodes de focalisation qui comprend une section de zone d'affichage comportant des zones de cellules d'image au nombre de n fois m disposées selon des directions longitudinales et latérales. Chacune des zones de cellules d'image comporte des éléments de cathode à émission de champ qui forment une cellule d'image de manière à permettre l'émission d'électrons vers une anode. Le dispositif d'affichage comporte également un contrôleur de cathode et un contrôleur de porte pour fournir des signaux de commande à n cathodes et à m portes, ce qui permet à la section de zone d'affichage d'exécuter l'opération d'affichage, respectivement. Le contrôleur de cathode et le contrôleur de porte sont chacun constitués d'un circuit logique utilisant un élément de cathode à émission de champ comme élément de commutation. En outre, la présente invention procure un dispositif d'affichage du type à émission de champ comportant une pluralité d'éléments de cathode à émission de champ dont chacun inclut au moins des cathodes, des électrodes de commande et des électrodes de focalisation. Le dispositif d'affichage comprend des zones de cellules d'image dont chacune inclut un élément de cathode à émission de champ qui forme une cellule d'image de manière à émettre des électrons vers une anode, des zones de conservation de données disposées chacune pour chacune des zones de cellules d'image et formées par un élément de cathode à émission de champ de manière à permettre l'émission d'électrons depuis les cathodes vers les électrodes de focalisation par émission de champ en réponse à une application d'une tension auxdites électrodes de commande en raison de 1 'alimentation en données qui y sont contenues, une section de zone d'affichage comportant des zones de cellules d'image et des zones de conservation de données au nombre de n fois m disposées dans des 9 2714211 directions longitudinales et latérales, et un contrôleur de cathode et un contrôleur de porte pour fournir un signal de commande à n cathodes et à m portes ce qui permet à la section de zones d'affichage d'effectuer l'opération d'affichage, respectivement. Le contrôleur de cathode et le contrôleur de porte sont constitués chacun d'un circuit logique utilisant un élément de cathode à émission de champ comme élément de commutation. Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, la section de zone, le contrôleur de cathode et le contrôleur de porte sont disposés sur un simple substrat commun. Ces objets ainsi que d'autres et de nombreux avantages correspondants de la présente invention pourront être facilement appréciés en étant mieux compris à l'aide de la description détaillée qui va suivre en référence aux dessins dans lesquels les mêmes numéros de référence désignent les mêmes parties. La figure 1 est une vue schématique en plan montrant une partie essentielle d'un premier exemple de réalisation d'un dispositif d'affichage du type à émission de champ selon la présente invention; la figure 2 est une vue en coupe verticale agrandie selon la ligne A-A de la figure 1; la figure 3 est une vue en coupe verticale agrandie selon la ligne B-B de la figure 1; la figure 4 est une vue en coupe verticale agrandie selon la ligne C-C de la figure i; la figure 5 est un schéma de circuit montrant un circuit équivalent d'une partie essentielle du dispositif d'affichage de la figure i; la figure 6 est une vue schématique en plan montrant de manière générale le dispositif d'affichage de la figure 1; la figure 7 est une vue schématique montrant le fonctionnement du dispositif de la figure 1; 2714211 la figure 8 est une représentation graphique montrant les caractéristiques secondaires du courant de porte d'une cathode à émission de champ dans le dispositif d'affichage selon l'invention; la figure 9 est une vue schématique en plan montrant une partie essentielle d'un second exemple de réalisation d'un dispositif d'affichage du type à émission de champ selon la présente invention; la figure 10 est une vue en coupe verticale agrandie selon la ligne D- D de la figure 9; la figure 11 est une vue en coupe verticale agrandie selon la ligne E-E de la figure 9; la figure 12 est une vue en coupe verticale agrandie selon la ligne F-F de la figure 9; la figure 13 est une vue en coupe verticale agrandie selon la ligne G-G de la figure 9; la figure 14 est une vue en coupe verticale agrandie selon la ligne H-H de la figure 9; la figure 15 est une vue en coupe verticale agrandie selon la ligne I-I de la figure 9; la figure 16 est un schéma de circuit montrant un circuit équivalent d'une partie essentielle du dispositif d'affichage de la figure 9; la figure 17 est une vue schématique en plan montrant de manière générale le dispositif d'affichage de la figure 9; la figure 18 est une vue schématique montrant le fonctionnement du dispositif de la figure 9; les figures 19(a) et 19(b) sont chacune une représentation graphique montrant les caractéristiques secondaires du courant de porte d'une cathode à émission de champ dans le dispositif d'affichage selon l'invention; les figures 20(a), 20(b) et 20(c) sont chacune une vue schématique montrant un circuit d'inversion par une cathode à émission de champ selon un troisième mode 11 2714211 de réalisation d'un dispositif d'affichage selon la présente invention; les figures 21(a), 21(b) et 21(c) sont chacune une vue schématique montrant un circuit NOR dans le cas d'une cathode à émission de champ selon un troisième mode de réalisation d'un dispositif d'affichage selon la présente invention; la figure 22 est une vue schématique montrant un circuit NAND dans le cas d'une cathode à émission de champ selon un troisième mode de réalisation d'un dispositif d'affichage selon la présente invention; la figure 23 est une vue schématique en plan montrant une partie essentielle d'un troisième exemple de réalisation d'un dispositif d'affichage du type à émission de champ selon la présente invention; la figure 24 est un schéma de circuit montrant un contrôleur de porte dans le dispositif d'affichage de la figure 23; la figure 25 est un schéma de circuit montrant une bascule bistable D dans le contrôleur de porte de la figure 24; la figure 26 est une vue schématique en plan montrant comment est formée la bascule bistable de la figure 25; la figure 27 est une vue en coupe verticale montrant un circuit d'inversion dans le cas d'une cathode à émission de champ dans la bascule bistable D de la figure 25; la figure 28 est une vue en coupe verticale montrant un des circuits NAND dans le cas d'une cathode à émission de champ dans la bascule bistable D de la figure 25; la figure 29 est une coupe verticale montrant l'autre circuit NAND dans la bascule bistable D de la figure 25; 12 2714211 la figure 30 est une coupe verticale montrant un circuit NOR dans le cas d'une cathode à émission de champ dans la bascule bistable D de la figure 25; la figure 31 est une représentation graphique montrant les caractéristiques secondaires du courant de porte d'une cathode à émission de champ dans le dispositif d'affichage de la figure 23; la figure 32 est un schéma montrant une quatrième forme de réalisation d'un dispositif d'affichage du type à émission de champ selon la présente invention; les figures 33(a) et 33,(b) sont chacune une section partielle montrant un réseau de cathodes à émission de champ dans un dispositif d'affichage conventionnel; la figure 34 est une vue en perspective et en coupe montrant un dispositif d'affichage du type à émission de champ conventionnel; et la figure 35 est un schéma bloc montrant un système de commandes dans un dispositif d'affichage du type à émission de champ conventionnel. On va décrire à présent un dispositif d'affichage du type à émission de champ selon la présente invention comportant des éléments de cathode à émission de champ incorporés en référence aux figures 1 à 32. Si l'on se réfère maintenant aux figures i à 8, une première forme de réalisation du dispositif selon l'invention est représentée. La figure 6 montre de façon générale une première forme de réalisation du dispositif d'affichage du type à émission de champ selon la présente invention. Dans un dispositif d'affichage désigné par la référence générale 1, les informations d'image destinées à l'affichage sont amenées à une mémoire 2 puis lues dans la mémoire 2 tout en étant contrôlées 13 2714211 par un contrôleur de rythme 3, puis envoyées à un registre à décalage 6. Le registre à décalage 6 envoie les informations d'image pour une ligne de direction horizontale (direction latérale) à un dispositif de commande latéral d'informations 5 en fonction d'un signal de rythme provenant du contrôleur 3 de sorte qu'une tension pour une ligne horizontale basée sur les informations d'image est appliquée aux couches de porte (désignées ci-après "portes") G1 à G.. Les portes G1 à G. sont réalisées de telle sorte que les premières couches de porte (nommées ci- après "premières portes") GF., agissant chacune comme électrode de commande, et les secondes couches de porte (nommées "secondes portes") Gs sont superposées les unes aux autres avec interposition de couches isolantes, les informations d'image étant envoyées aux premières portes Gv et une tension provenant d'une alimentation étant envoyée aux secondes portes Gr.. Le dispositif rythmeur 3 contrôle un système de commande de balayage latéral 4 de façon à effectuer des opérations de balayage dans une direction verticale ou longitudinale. Le système de commande 4 applique alors une tension de balayage aux couches de cathode (désignées ci-après "cathodes"). Les cathodes Cl à C., comportent chacune une couche commune de cathode (nommée ci-après "cathode commune") CC, une première couche de cathode de balayage (nommée ci-après "première cathode de balayage") SC1, et une seconde couche de cathode de balayage (nommée ci-après "seconde cathode de balayage") SC2. Le système de commande de balayage 4 envoie des tensions de commande Vs1 et Vsz à la première SC1 et à la seconde SC2 cathodes de balayage à un rythme prédéterminé montré à la figure 7 pour le balayage d'une ligne. La cathode commune CC de chacune des cathodes CI à C, est à la masse. 14 2714211 Dans une zone d'affichage, les cathodes CL à C,,, chacune comportant la cathode commune CC, la première cathode de balayage SC1 et la seconde cathode de balayage SC2, sont alignées en direction horizontale sur un substrat isolant tel que par exemple un substrat en verre et ainsi, un réseau d'éléments de FEC est formé au dessus des cathodes Ci à C,,. La première G, et la seconde Gs portes de la ligne de portes G, à G. sont disposées au-dessus du réseau d'éléments de FEC. Ainsi, les portes G1 à G. et les cathodes CI à C, définissent entre elles des intersections auxquelles on forme des trous 21. Les brous 21 sont formés avec le réseau d'éléments FEC ci-dessus de façon que chaque réseau d'éléments FEC constitue une cellule d'image. Ainsi, les intersections entre les portes et les cathodes comportent chacune une section de cellules d'image 20 définissant chaque cellule d'image. Le dispositif d'affichage du mode de réalisation représenté comporte également une plaque d'anode (appelée ci-après "anode") AN disposée au- dessus des portes G1 à 6. et des cathodes Ci à C. comme indiqué en tirets, qui est formée dessus avec des photophores correspondant aux zones de cellules d'image et reçoit une tension V^ d'une alimentation de l'anode. Ainsi, lorsque l'on applique sélectivement une tension à chacune des premières portes Gr basée sur les informations d'image, des électrons sont émis par les cathodes Ci à C, commandés par le balayage vertical et de ce fait par l'élément de FEC de chacune des zones de cellules d'image 20 en direction de l'anode AN afin d'exciter les photophores de l'anode, l'affichage étant ainsi effectué. Egalement, le dispositif d'affichage 1 comporte des zones de mémoire 10 disposées en correspondance avec les zones de cellules d'image 20, chacune fonctionnant comme un élément de commutation comme l'indiquent les lignes transversales sur la figure 6. 2714211 Comme décrit plus haut, la commande dans chaque zone de cellules d'image 20 ou l'application d'une tension à chacune des premières portes Go s'effectue en fonction des données contenues dans chacune des zones de mémoire 10. Une tension basée sur les informations d'image devant être appliquée à chacune des portes GL à G, est d'abord envoyée à chacune des zones de mémoire 10 puis appliquée aux premières portes G, correspondantes en fonction des informations d'image contenues dans la zone de mémoire 10. Ainsi, le dispositif statique désiré est réalisé. À A présent, les zones de cellules d'image 20 et les zones de mémoire 10 qui constituent une partie essentielle du dispositif d'affichage de la première forme de réalisation vont être décrites ci-après. La figure 1 montre des zones de cellules d'image 20 formées aux intersections entre les cathodes C2, C3 et les portes G2, G3 sur leur périphérie. Les cathodes C2 et C3 montrées comme la couche la moins profonde sur la figure 1, comportent chacune la cathode commune CC, la seconde cathode de balayage SC2 et la première cathode de balayage SC1 disposées dans l'ordre et les portes Gz et G3 sont positionnées au- dessus des cathodes C2 et C3. Les portes G2 et G3 comportent chacune la première porte Go., un isolant Z et la seconde porte Gs comme décrit ci-dessus. On va décrire à présent la zone de cellules d'image 20 formée à l'intersection de la cathode C3 et de la porte G2. La deuxième porte 6S de la porte G2 est directement reliée à la zone de cellules d'image 20. Plus particulièrement, la seconde porte Ge est reliée à l'une de ses parties constituant une face supérieure de la zone de mémoire 10 à la zone de cellules d'image 20 au moyen d'une couche résistante R. afin de former une zone de surface supérieure. Egalement la seconde porte Gs disposée sur une partie de la zone de mémoire 10 16 2714211 correspondant à la zone de cellules d'image 20 est séparée à une partie à peu près centrale de celle-ci, de sorte qu'une section latérale droite dela seconde porte Gs sur la figure i est reliée à la seconde porte G= de la porte G3 par une couche résistante R2. La zone de mémoire 10 comporte un réseau d'éléments FEC de façon à être positionnée au-dessous de la seconde porte Gs dont des parties sont indiquées comme éléments Q2., Q2 et Q3. Sur la figure 1, les références 11, 12 et 13 désignent chacune une couche conductrice formée au-dessous de la seconde porte Gs. Les zones de cellules d'image 20 et les zones de mémoire 10 peuvent être réalisées à la manière montrée sur les figures 2 à 4, la figure 2 étant une coupe le long de la ligne A-A de la figure 1 montrant une partie du dispositif d'affichage au-dessus de la cathode commune CC, la figure 3 étant une coupe le long de la ligne B-B de la figure 1 montrant une partie du dispositif d'affichage au-dessus de la seconde cathode de balayage SC2 et la figure 4 étant une coupe le long de la ligne C-C de la figure 1 montrant une partie du dispositif d'affichage au-dessus de la première cathode de balayage SC1. Sur la figure 2, la cathode commune CC qui est montrée comme la couche la plus profonde, comporte sur une surface supérieure d'une partie de celle-ci correspondant à la zone de cellules d'image 20 une couche résistante R3 et est reliée électriquement par la couche résistante R3 aux cones d'émetteur 22 de la zone de cellules d'image 20. Ainsi, dans la zone de cellules d'image 20, les cônes d'émetteur 22, les premières portes Gr et les secondes portes Gs coopèrent ensemble pour former un élément de FEC sur un coté de zone de cellules d'image qui émet des électrons vers l'anode A,. Sur une portion de la zone de cellules d'image 20 au-dessus de la deuxième cathode de balayage SC2, la couche résistante R3 est isolée de la deuxième 17 2714211 cathode de balayage SC2 au moyen d'une couche isolante 23. Egalement, la cathode commune CC comporte sur une de ses parties correspondant à la zone d'élément Q, de la zone de mémoire 10 une couche conductrice 14 et des cônes d'émetteur 17 dans l'ordre, de sorte que les cônes d'émetteur 17, une couche isolante Z2, la première porte G?, une couche isolante Z1 et la seconde porte Gs coopèrent ensemble pour former un premier élément de FEC sur une section de face d'élément. Dans ce cas, la seconde porte Gs qui est une couche supérieure ne comporte pas de trous car elle agit également en tant qu'élément de commutation et agit comme une anode, de sorte que les électrons émis par les cônes 17 atteignent la seconde porte Ges pour faire circuler un courant entre la seconde porte Gs et la cathode commune CC dans la section d'élément Q1. De la même façon dans une partie de la section d'élément QI, au-dessus de la seconde cathode de balayage SC2, comme le montre la figure 3, la couche conductrice 14 au-dessus des cônes d'émetteur 17 est isolée de la seconde cathode de balayage SC2 par la couche isolante Z3 comme le montre la figure 3 et la seconde porte G, dans la section d'élément QI est reliée électriquement à la première porte Gr et à la seconde porte Ge de la section de cellules d'image 20 par la couche conductrice 11. Ainsi, dans la section de cellules d'image 20 la commande d'émission des électrons des cônes d'émetteur 17 est limitée par une tension appliquée à la seconde porte Gs de la section d'élément Q1. De plus, la cathode commune CC comporte sur une portion de celle-ci correspondant à la section d'élément Q2 de la zone de mémoire 10 une couche isolante Z3 et la couche conductrice 15 sur la couche isolante Z3 comporte des cônes d'émetteur 18 sur une face de zone de mémoire, de sorte que les cônes 18 2714211 d'émetteur 18, la couche isolante Z2, la première porte GF, la couche isolante Z et la seconde porte Gs coopèrent ensemble pour former un second élément de FEC sur le côté de la zone de mémoire. Aussi dans ces conditions, la seconde porte Gs ne comporte pas de trous parce qu'elle travaille comme un élément de commutation et agit comme une anode de sorte que les électrons émis par les cônes d'émetteur 18 atteignent la seconde porte G,. Dans ces conditions, comme le montre la figure 3, à une partie de la section d'élément Qz au-dessus de la seconde cathode de balayage SC2, une couche conductrice 15 disposée au-dessous des cônes d'émetteur 18 est reliée à la deuxième cathode de balayage SC2 de façon que la section d'élément Q2 fait passer un courant entre la seconde porte Ge et la seconde cathode de balayage SC2 dans la section d'élément Qz. En outre, au-dessus de la cathode commune CC, comme le montre la figure 2, la seconde porte Gs de la section d'élément Q. et la première porte Gr de la section d'élément Q2 sont reliées électriquement entre elles par une couche conductrice 12. Aussi, au-dessus de la seconde cathode de balayage SC2 comme le montre la figure 3, la seconde porte Ge de la section d'éé1ment Q2 et la première porte GF, de la section d'élément Q. sont reliées électriquement entre elles par la couche conductrice 13. Comme le montre la figure 4, la couche isolante Z3 est disposée au- dessus de la première cathode de balayage SC1 qui est la couche la plus profonde sur la figure 4. Aussi, la couche isolante Z3 comporte sur une partie correspondant à la section d'élément Q3 de la section de mémoire 10, une couche conductrice 16 qui y est formée avec des cônes d'émetteur 19 sur un côté de la section de mémoire. Les cônes d'émetteur 19, la couche isolante Z2, la première porte Gr, la couche isolante Z1 et la seconde porte Gs coopèrent ensemble 19 2714211 pour former un troisième élément de FEC sur le côté de la zone de mémoire. Aussi dans ces conditions, la seconde porte Gs ne comporte pas de trous car elle fonctionne également comme élément de commutation et agit comme une anode de sorte que des électrons émis par des cônes d'émetteur 19 atteignent la seconde porte Gz pour faire passer un courant entre la seconde porte Gs et la première cathode de balayage SC1 dans la section d'élément Q3. La seconde porte Gs de la section Q3 est reliée par la couche résistante R2 à la seconde porte Gs de la série de portes voisine. Comme le montre la figure 1, la seconde porte Go de droite voisine de la couche résistante RI est contiguë à la seconde porte G2 de la section d'élément Q1 montrée aux figures 2 et 3. De la même façon, la seconde porte Gs de gauche voisine de la couche résistante R2 ou la seconde porte Gs de la section d'élément Q3 est contiguë à la seconde porte d'élément Q2 montrée aux figures 2 et 3. La première porte Gr de la section d'élément Q3 est formée pour être contiguë à la série de portes (G2) ou par l'intermédiaire de la couche conductrice, de sorte que les informations d'image envoyées à chacune des portes G, à G, sont appliquées à la première porte GF de la section d'élément Q3. Dans la première forme de réalisation, la seconde porte Gs des sections d'élément QI à Q3 ne comporte pas de trous. Ceci peut être réalisé par exemple en pourvoyant la seconde porte Ge de trous puis en formant les émetteurs 17 à 19 sur elle pour en même temps boucher les trous. Un tel bouchage des trous est facilité en utilisant un masque pour déposition oblique ou équivalent. La figure 5 montre un circuit équivalent de la zone de cellules 20 et de la zone de mémoire 10 dans le dispositif d'affichage de type à émission de champ de la première forme de réalisation. La zone de mémoire 10 2714211 fonctionne pour stocker ou retenir des informations d'image au moyen d'un circuit à bascule bistable et la section de cellules d'image 20 est commandée en fonction des informations d'image stockées ou retenues dans la zone de mémoire 10. Plus particulièrement une tension V correspondant aux informations d'image est appliquée à la première porte Go de la section d'élément Q2 de la zone de mémoire 10, de sorte que lorsque la tension Vo est supérieure à une tension VTH montrée à la figure 8 un courant passe depuis la seconde porte Gs de la section d'élément Q3 à travers les cônes d'émetteur 19 vers la première cathode de balayage SC1. Ceci provoque un saut de tension à travers la couche résistante R2 pour réduire la tension au point b (figure 5). Une baisse de tension au point b au dessous de la tension VTH de la figure 8 empêche le courant de passer entre la seconde porte Gs de la section d'élément Q. d'une autre mémoire 10 et la cathode commune CC, de sorte qu'une tension en un point a peut être rendue a peu près égale à la tension de la seconde porte VGz ce qui provoque l'émission d'électrons de l'élément de FEC et ainsi la luminescence de l'anode A, dans la zone de cellules d'image 20. Lorsque la tension VD de la première porte Gr dans la section d'éé1ment Q3 est inférieure à la tension VTH de la figure 8, la tension au point b est rendue à peu près égale à la tension de la seconde porte Va2. Ceci fait passer un courant entre la seconde porte Gs et la section d'élément QL de la cathode commune CC, de sorte que la tension au point a est réduite. Plus particulièrement, la tension au point a est réduite à un niveau inférieur à la tension VTH de la figure 8 pour empêcher ainsi l'émission d'électrons de l'élément de FEC dans la zone de cellules d'image , la luminescence de l'anode A,, étant arrêtée. 21 2714211 On va décrire maintenant la chronologie du fonctionnement de la zone de mémoire 10 en référence à la figure 7. Pendant le balayage pour une ligne horizontale, les informations d'image contenues dans la zone de mémoire 10 sont réinitialisées en raison de la croissance de la tension Vs, appliquée à la seconde cathode de balayage SC2. L'information sur la tension V, appliquée à la première porte Gr pendant une période comprise entre la chute de la tension Vs. appliquée à la première cathode de balayage SC1 et la prochaine montée est maintenue pendant une période pour laquelle la tension Vs; est appliquée à la première cathode de balayage SC1. Pendant la période, les électrons sont émis par les éléments FEC de la zone d'image 20 ce qui conduit à une luminescence de l'anode An. Comme on le voit dans ce qui précède, dans le dispositif d'affichage du mode de réalisation décrit ayant des éléments FEC incorporés, les zones de mémoire 10 sont disposées en correspondance avec les zones de cellules d'image 20, ce qui donne un affichage statique. Aussi, une émission de lumière ou une luminescence de l'anode se produit en fonction des informations contenues dans la zone de mémoire 10, de sorte qu'une période lumineuse est augmentée et que la luminescence adéquate est obtenue à une tension de commande essentiellement inférieure à celle requise pour un affichage dynamique. Une telle décroissance de la tension de commande augmente la durée de vie des photophores sur un écran d'affichage que l'on veut perfectionner. De plus, l'élément de FEC est incorporé dans chacune des zones de mémoire en correspondance avec l'incorporation de l'élément de FEC dans chacune des zones de cellules d'image, de sorte que les zones de cellules d'image 20 et les zones de mémoire 10 peuvent être fabriquées en même temps pendant la fabrication des éléments de FEC ce qui simplifie 22 2714211 considérablement la fabrication des dispositifs d'affichage. Egalement, la première forme de réalisation peut être construite de façon à procurer une image calme avec un affichage statique lorsque l'on n'effectue pas de balayage subséquent après le balayage d'un plan d'image à une tension basée sur les informations d'image. En outre, lorsqu'une résistance peut présenter une fonction de phase il est possible de séparer seulement une cellule d'image obtenue lorsqu'un court-circuit se produit entre la cathode et la porte. Dans la représentation du premier mode de réalisation, les zones de mémoire 10 ont chacune trois éléments tels que FEC qui y sont incorporés. Selon une alternative il peut être obtenu que trois groupes de trois éléments FEC comportant chacune une pluralité d'éléments FEC soient disposés avec de telles fonctions que décrites ci-dessus. En référence aux figures 9 à 19, un deuxième mode de réalisation de dispositif d'affichage à émission de champ est représenté. Essentiellement un dispositif d'affichage du type à émission de champ selon le deuxième mode de réalisation est désigné avec la référence 1 à la figure 17 et est construit essentiellement de la même façon que le premier mode de réalisation décrit ci-dessus. Dans le premier mode de réalisation décrit ci- dessus, la cathode commune CC, la première cathode de balayage SC1 et la seconde cathode de balayage SC2 sont disposées et les voltages de commande Vsl et Vs2 sont appliqués à la première cathode de balayage SC1 et à la seconde cathode de balayage SC2 à des moments pré- déterminés, tels que montrés figure 7, pour un balayage pendant une période de lignes horizontales de façon à ainsi commander respectivement les cathodes SC1 et SC2. Le deuxième mode de réalisation est réalisé de telle sorte qu'une cathode commune CC, une cathode de 23 2714211 balayage SC et une électrode de réinitialisation CL sont disposées et qu'un balayage pendant toute une période de lignes horizontales est réalisé en appliquant des voltages de commande V_ et VCL à la cathode de balayage SC et à l'électrode de réinitialisation CL à des moments pré-déterminés représentés à la figure 18 afin de commander respectivement les électrodes SC et CL. Egalement dans la seconde réalisation, les zones de mémoire 30 sont disposées en correspondance avec les zones de cellule d'image 20. On décrira maintenant les zones de cellule d'image 20 et les zones de mémoire 30 qui constituent une partie essentielle du dispositif d'affichage du deuxième exemple avec référence aux figures 9 à 15. La figure 9 représente des zones de cellule d'image 20 formées à l'intersection entre les cathodes C2, C3 et les portes G2, G3 et à leur périphérie. Chacune des cathodes C2 et C3 qui sont représentées comme la couche la plus basse comporte une électrode de réinitialisation CL, une cathode commune CC et une cathode de balayage SC disposées dans cet ordre et les portes G2 et G3 sont situées sur les électrodes de cathodes C2 et C3 comme dans le premier exemple décrit ci-dessus. Les portes G2 et G3 comportent chacune une première porte G,r, une zone d'isolation Z1 et une seconde porte Gz. Maintenant sera décrite la zone de cellule d'image 20. La deuxième porte Ge de la porte Ga est connectée indirectement à la zone de cellule d'image 20. Plus particulièrement, la deuxième porte Gs est connectée à une portion constituant un côté supérieur de la zone de mémoire 30 à la zone de cellule d'image à travers des zones de résistance Ri2 et R13, de façon à former ainsi une zone de surface supérieure. Egalement la seconde porte Gs disposée à une portion de la zone de mémoire 10 qui correspond à la zone de 24 2714211 cellule d'image 20 à une intersection entre la cathode C3 et la porte G2 est connectée à la seconde porte Gs de la porte G3 à travers une zone résistive RI,. La zone de mémoire 30 est formée avec des ensembles FEC de manière à être positionnée en-dessous de la deuxième porte Gs dont des zones sont indiquées comme zones élémentaires QI,. Q.2, Q.3 et Q2.4. Ces zones élémentaires fonctionnent chacune comme un élément contacteur. A la figure 9, la référence 31 désigne une zone de capacité pour stocker ou retenir les données d'une * image. Les zones de capacité 31 sont chacune formées en interposant un diélectrique entre la deuxième porte Gs et la cathode. Les références 32 à 36 de la figure 9 et les références 37 à 39 dans les figures 10 à 15 désignent chacune une couche conductrice placée en- dessous de la deuxième porte Ga. R14 est une couche résistante. Les zones de cellule d'image 20 et les zones de mémoire 30 peuvent chacune être réalisées de la manière représentée aux figures 10 à 15, qui sont des coupes agrandies faites selon les lignes D-D à I-I à la figure 9. Sur la figure 11 qui est une vue en coupe selon la ligne E- E de la figure 9, la cathode commune CC qui est représentée comme étant une couche inférieure est formée sur la surface supérieure de la portion qui correspond à la zone de cellule d'image 20, avec la couche résistante décrite ci-dessus R14, et est électriquement reliée à travers la couche résistive R24 aux cônes émetteurs 22 sur le côté de la zone de cellule d'image. Ainsi dans la zone de cellule d'image , les cônes émetteurs 22, la première porte Gr et la seconde G$ coopèrent l'un avec l'autre de façon à former un élément FEC sur le côté de la zone de cellule d'image, qui émet des électrons en direction d'une anode A, représentée à la figure 17. 2714211 A la figure 14 qui est une vue en coupe selon H-H de la figure 9, la cathode de balayage FC est formée sur une portion correspondant à la zone élémentaire Q21 de la zone de mémoire 30 avec une couche conductrice 37 et des premiers cônes émetteurs 41 sur le côté d'une zone de mémoire, de telle sorte que les cônes émetteurs 41, la première porte Gr et la seconde porte Gs coopèrent de façon à former un élément FEC. Dans cet exemple, la deuxième porte Gs est formée sans trou et fonctionne comme une anode, de telle sorte que les électrons émis à partir des cônes émetteurs 41 heurtent la seconde porte Ges de façon à provoquer ainsi un flux de courant entre la deuxième porte Gs et la cathode de balayage SC. La deuxième porte Gs de l'élément de zone Q. est connectée à travers la couche résistante Rx1 à la deuxième porte Gs de la ligne de portes G2 adjacente. La première porte GF est connectée directement ou par l'intermédiaire d'une couche conductrice à la ligne de portes Gz. Ceci a pour effet que les données de l'image aux portes G, à G, sont appliquées à la première porte G. A la figure 13 qui est une vue en coupe selon G-G de la figure 9, la cathode commune CC est formée sur une surface supérieure d'une portion de celle-ci correspondant à l'élément de zone Q2z de la zone de mémoire 30 avec les seconds cônes émetteurs 42 sur le côté de la zone de mémoire à travers une couche conductrice 38. Les cones émetteurs 42, la première porte G, et la seconde porte Ge coopèrent de façon à former un élément FEC. Dans cet exemple également, la deuxième porte Gs est formée sans trou et fonctionne comme une anode, de telle sorte que les électrons émis à partir des cônes émetteurs 42 viennent heurter la deuxième porte GS, provoquant ainsi un flux de courant entre la deuxième porte Ges et la cathode commune CC. 26 2714211 La deuxième porte Gs de l'élément de zone Quz est connectée électriquement par l'intermédiaire d'une couche résistante R 2 à la deuxième porte Gs de la ligne de portes G2 adjacente. A la figure 12 qui est une vue en coupe selon F-F de la figure 9, la cathode commune CC est formée sur une surface supérieure d'une portion de celle-ci correspondant à l'élément de zone Q2.3 de la zone de mémoire 30 avec des troisièmes cônes émetteurs 43 sur le côté de la zone de mémoire à travers une couche isolante Z3 et une couche conductrice 33. Les cônes émetteurs 43, la première perte Gr et la seconde porte Gs coopèrent de façon à former un élément FEC. Dans cet exemple également, la seconde porte Gs est formée sans trou et se comporte comme une anode de telle sorte que les électrons émis par les cônes émetteurs 43 viennent sur la deuxième porte Gs de façon à provoquer un flux de courant entre la deuxième porte Ges et la couche conductrice 33. Ceci ne s'applique qu'à la figure 12 seulement. La seconde porte Ges de l'élément de zone Q.3 est reliée électriquement par l'intermédiaire de la couche résistante R13 à la deuxième portes Ges de la ligne de porte G2 adjacente. Dans la figure 15 qui est une vue en coupe selon I-I de la figure 9, l'électrode de réinitialisation CL est formée sur une surface supérieure d'une portion de celle-ci correspondant à l'élément de zone Q14 de la zone de mémoire 30 avec des quatrièmes cônes émetteurs 44 sur le côté de la zone de mémoire à travers la couche isolante Z3 et la couche conductrice 39. Les cônes émetteurs 44, la première porte Gr et la deuxième porte Ge coopèrent de façon à former un élément FEC. La première porte Gr de l'élément de zone Q14 est électriquement reliée par la couche conductrice 36 à l'électrode de réinitialisation CL, de telle sorte que l'application d'une tension à 27 2714211 l'électrode de réinitialisation CL contrôle l'émission des électrons à partir des cônes émetteurs 44. Dans cet exemple également, la deuxième porte G= est formée sans trou et se comporte comme une anode, de telle sorte que les électrons en provenance des cônes émetteurs 44 arrivent sur la deuxième porte Gs de façon à provoquer ainsi un flux de courant entre la deuxième porte G$ et la couche conductrice 39. Ceci est appliqué seulement à la figure 12. La liaison entre les éléments de zones Q, 2, Q2 z, QL, Q 4 et la zone de capacité 31 peut être réalisée comme cela est représenté à laà figure 10 qui est une vue en coupe selon D-D de la figure 9. La couche conductrice 39 sur laquelle les cônes émetteurs 44 de l'élément de zone Q14 sont formés comme représenté à la figure 15 forme une partie d'un conducteur sur une couche inférieure de la zone de capacité 31 comportant une couche diélectrique pour être ainsi reliée à la cathode commune CC, de telle sorte qu'une tension appliquée à l'électrode de réinitialisation provoque un courant entre la deuxième porte Gs et la cathode commune CC dans la section QI4 comme cela sera compris sur la figure 10. De la même manière, la couche conductrice 39 sur laquelle les cônes émetteurs 43 de l'élément de zone Q,.3 sont formés, comme représenté à la figure 12, est contiguë à la deuxième porte Gs tout en formant une partie de conducteurs sur un côté supérieur de la section de capacité 31 comportant une couche diélectrique, de telle sorte que les électrons émis à partir des cônes émetteurs 43 provoquent un courant entre la deuxième porte Gs de l'élément de zone Q3 et la seconde porte Ge de la zone de capacité 31 comme cela se voit sur la figure 10. Egalement comme cela est représenté à la figure , la première porte Gr de l'élément de zone Q3 et la deuxième porte Gs de l'élément de zone Qi2 sont 28 2714211 connectées électriquement l'une à l'autre par l'intermédiaire de la couche conductrice 34. La première porte GF de l'élément de zone Qz2 et la seconde porte Gs de l'élément de zone QL2 sont reliées électriquement l'une à l'autre par l'intermédiaire de la couche conductrice 35. Dans le deuxième mode de réalisation, la deuxième porte Gs de chaque élément de zones Q2. à QL4 est réalisée sans trou comme dans le premier exemple. Ceci peut être réalisé par exemple en réalisant la deuxième porte Go avec des trous et ensuite en y formant les cônes émetteurs 41 à 44 de façon à ainsi fermer les trous de la deuxième porte Gs comme dans le premier mode de réalisation. Une telle fermeture des trous est facilitée par l'usage d'un masque pour dépôt oblique ou par projection ou analogue. La figure 16 illustre un circuit équivalent à celui de la zone de cellule d'image 20 et la zone de mémoire 30 dans le dispositif d'affichage du deuxième mode de réalisation. Dans le circuit équivalent de la figure 16, la zone de mémoire 30 contrôle le chargement et le déchargement de la zone de capacité 31 en association avec la mise en contact de chaque élément de zones Q1. Q4 de telle sorte que la zone de capacité 31 y stocke ou y retient les données de l'image, qui sont ensuite alimentées à la zone de cellule d'image 20 pour la commander. Le mode d'opération de la zone de mémoire 30 sera décrit ci-après en référence aux figures 16, 18, *19a et 19b. Comme représenté à la figure 18, une tension de réinitialisation VcL supérieure à une tension VTH, représentée à la figure 19a est appliquée à partir de l'électrode de réinitialisation CL à la première porte GF de l'élément de zone Q24, de telle sorte que les cônes émetteurs 44 de 1 'élément de zone Q14 sont mis 29 2714211 dans des conditions qui permettent l'émission d'électrons à partir d'eux. A ce moment, lorsque la deuxième porte Gs de l'élément de zone QL4 a un potentiel suffisant pour attirer les électrons émis, un courant s'établit depuis la deuxième porte G6 de l'élément de zone Q14 à la cathode commune CC, de telle sorte que le potentiel de la zone de capacité 31 décroît graduellement. Alors, lorsque le potentiel est réduit jusqu'à un niveau égal à un potentiel VX (figure 19a) de possibilités d'émission d'un électron, les cônes émetteurs 44 de l'élélhent de zone Q14 arrêtent d'émettre des électrons et la décharge de la section de capacité 31 est évitée. Ceci a pour effet que les données d'image stockées dans la section de capacité 31 sont effacées. Ensuite, au moment suivant, comme cela est représenté à la figure 18, une tension Vy appliquée à la cathode de balayage SC est réglée de façon à être un potentiel de masse ou égal à la différence entre VG2 et VTH ou moins, et un potentiel Vb correspondant aux données de l'image est appliqué à la première porte G. de la porte correspondante avec une largeur d'impulsion (données d'image modulées PWM) correspondant à la luminance de la donnée d'image (Vb supérieur ou égal à VTH). Ainsi, dans cet exemple, la tension Vb est appliquée à la première porte Gr de l'élément de zone Qzz, de telle sorte que des électrons sont émis à partir des cônes émetteurs 41 vers l'élément de zone QI, pendant une période d'application de la tension Vb ou une période de niveau élevé. Ceci a pour résultat un courant à travers la couche résistante R11, de telle sorte que le potentiel de la première porte G, est abaissé ce qui correspond à une chute de tension à la couche résistante et ainsi l'émission d'électrons à partir de l'élément de zone Q12 est arrêté. Dans cet exemple, pendant une période o le balayage est 2714211 inopératif ou une période pour laquelle la tension de balayage Vs est maintenue à un haut niveau, les éléments de zones QII et Qiz sont empêchés d'émettre des électrons. Quand l'élément de zone Q12 est arrêté d'émettre des électrons pendant la période de balayage ou la période pour laquelle la tension de balayage Vs est maintenue à un haut niveau, la première porte GF de l'élément de zone Q13 a son potentiel augmenté, afin de permettre ainsi à l'élément de zone Qx3 d'émettre des électrons, Ainsi, pendant cette période, la tension d'effacement Vc est empêchée d'ê re appliquée à la première porte GF de l'élément de zone Que, de telle sorte que ledit élément de zone QI4 est empêché d'émettre des électrons. Ainsi, la capacité de section 13 peut être chargée durant la période pendant laquelle l'élément de zone Q23 est mis en position d'émission d'électrons. Une telle période de charge est réglée en fonction de la largeur d'impulsion de la tension Vb correspondant aux données d'image. Ainsi, la charge est réalisée pendant la période pour laquelle la valeur du potentiel Vb est maintenue à un haut niveau. Ainsi, en supposant que la valeur de tension Vb est soumise à une modulation de la largeur d'impulsion entre une largeur d'impulsion W. et la valeur Wd dans le but de réaliser un affichage à quatre graduations, on fait varier une tension de charge V, de la zone de capacité 31 entre une valeur V. et une valeur Vd correspondant aux valeurs des largeurs de pulsation W. à Wd de la tension YbV comme cela est représenté à la figure 18. Une tension de maintien à la zone de capacité 31 est utilisée comme potentiel de porte à la zone de cellules d'image 20 de telle sorte que des électrons dans une quantité correspondant au potentiel de la porte sont émis à partir des c8nes émetteurs vers l'anode A.. Ceci a pour effet l'affichage d'une cellule 31 2714211 d'image sur un plan de l'anode AN ayant une graduation ou une luminance correspondant au potentiel de maintien à la capacité 31. Comme décrit ci-dessus, dans le dispositif d'affichage du deuxième exemple, les zones de mémoire sont disposées en correspondance avec les zones de cellules d'image 20 de telle sorte qu'un affichage statique soit obtenu. Ainsi, la luminescence est obtenue en fonction des données stockées dans la mémoire ou du potentiel de maintien à la capacité 31, de telle sorte que la période de luminescence peut être augmentée de façon significative, ce qui a pour résultat une luminance d'affichage statique à un potentiel de commande substantiellement inférieur à celui qui est requis pour un affichage dynamique. En outre, le deuxième mode de réalisation permet de diminuer le potentiel de commande, ce qui a pour résultat une amélioration de la durée des photophores sur le dispositif d'affichage. De plus, les FECs sont incorporées dans chacune des zones de mémoire en correspondance avec l'incorporation des FECs dans chacune des zones de cellule d'image, de telle sorte que les zones de cellule d'image et les zones de mémoire peuvent être fabriquées en même temps que la fabrication des FECs ce qui simplifie la fabrication du dispositif d'affichage. En outre, lorsque l'émission d'électrons à partir de l'élément FEC de chacune des zones de cellule d'image 20 est commencée sur la base d'une tension VY de maintien, comme cela est représenté à la figure 18, une petite quantité de courant peut circuler entre la porte de l'élément FET et la cathode, ce qui a pour effet que la décharge à partir de la zone de capacité 31 est réalisée graduellement. Lorsque les paramètres de chacun des éléments FEC sont réglés de telle sorte que la décharge est réalisée pendant une période de balayage pour une image ou une période pour laquelle 32 2714211 les données d'image suivantes sont écrites dans la zone de cellule d'image 20, on peut éliminer le besoin de réaliser une réinitialisation de la mémoire par l'électrode de réinitialisation CL et un élément de zone Q4, ce qui permet d'éliminer l'électrode de réinitialisation CL et l'élément de zone Q4, ce qui procure une simplification supplémentaire. Dans le second exemple, les zones de mémoire 30 ont chacune quatre éléments FEC. Selon une variante, on peut disposer quatre groupes d'éléments FEC chacun comportant une pluralité de FEC avec les fonctions décrites précédemment. Les figures 20 à 32 illustrent un troisième et un quatrième mode de réalisation d'un dispositif d'affichage du type à émission de champ ayant des éléments de cathode à émission de champ. Les figures 20 à 31 concernent le troisième exemple. les figures 20a à 20c représentent un circuit inverseur utilisant une FEC comme élément logique. La FEC, comme représente à la figure 20a comporte une cathode C, une couche résistante Rz2 disposée sur la cathode C et un cône émetteur EC placé sur la couche résistante Rz2. La couche résistante R22 comporte une partie sans cone émetteur EC avec une première porte Gr à travers une couche isolante Z, sur laquelle une seconde porte G, est disposée à travers une couche isolante Z. Dans la FEC faite comme décrite ci-dessus, la seconde porte Gs disposée au dessus des cônes émetteurs EC ne comporte pas de trou à travers lesquels les électrons émis sont guides et fonctionne comme une anode pour l'introduction des électrons. La deuxième porte Ge a une tension de seconde porte VGz qui y est appliquée à travers une zone de résistance R2z. La cathode C a un terminal de cathode Ti faisant fonction de terminal de masse, la première porte Gr comporte un premier terminal de porte T2 agissant comme un terminal d'entrée et la seconde porte 33 2714211 Gs a un terminal T3 de seconde porte agissant comme un terminal de sortie. Une tension d'entrée au terminal de première porte T2 a un niveau H supérieur à celui de la tension VTH de départ d'émission (figure 31) du cône émetteur EC et un niveau L inférieur à celui de la tension VTH. Dans la FEC de la figure 20 réalisée comme décrit ci-dessus, une augmentation de la tension au terminal 1Ta de la première porte au niveau H a pour effet que le cône émetteur EC commence à émettre des électrons vers la seconde porte Gs$ Il en résulte un courant allant de la deuxième porte Gs à la cathode C (potentiel terre), de telle sorte qu'une tension de sortie du terminal de la deuxième porte T3 atteint le niveau L. Lorsqu'une tension du terminal T2 de la première porte est ramené au niveau L, l'émission d'électrons à partir du cône émetteur EC est arrêtée, ce qui empêche l'apparition d'un courant depuis la deuxième porte Gs vers la cathode C (potentiel terre), ce qui a pour effet que la tension de sortie du terminal T2 de la deuxième porte est augmenté jusqu'au niveau H. Ainsi un circuit inverseur (figure 20c) est formé de la FEC de la figure 20a basée sur la logique de la figure 20b. On décrira maintenant avec référence aux figures 21a, 21b et 21c, un circuit NOR ayant un élément FEC incorporé et faisant fonction d'élément logique. Un élément FEC tel que représenté figure 21a comporte une combinaison de deux FEC telles que décrites ci-dessus, dans lesquelles une deuxième porte Gs fonctionne comme une anode pour l'introduction des électrons émis et a une tension de deuxième porte V,, qui y est appliquée à travers une zone résistante R2l. Une cathode C a un terminal de cathode T4 agissant comme un terminal de terre, une première porte 3 4 2714211 Gr comporte les terminaux Ts et Te chacun ayant fonction d'un terminal d'entrée, et une seconde porte G_ a un terminal T, commun de seconde porte faisant fonction de terminal de sortie. Une tension d'entrée, aux points T5 et T,, a un niveau H supérieur à la tension de début d'émission VTH (figure 31) de chacun des cônes émetteurs EC et un niveau L inférieur à la tension VTH. Dans l'élément FEC de la figure 21, lorsqu'une tension à chacun des points T5 et T6 atteint le niveau H les cônes émetteurs EC commencent chacun à émettre des électrons en direction de la *deuxième porte Gs. Ceci produit un courant de la seconde porte G, à la cathode C (terre) ayant pour résultat que la tension de sortie au terminal T7 est diminuée jusqu'au niveau L. Lorsque la tension de l'un quelconque des terminaux T, et TG atteint le niveau H et que celui de l'autre terminal est abaissé au niveau L, seul le cône émetteur C se trouvant au niveau H peut commencer à émettre des électrons vers la deuxième porte Gs de telle sorte qu'un courant apparaît à partir de la deuxième porte Gs vers la cathode C (terre) ce qui a pour résultat que la tension de sortie du terminal T7 de la seconde porte est abaissé jusqu'au niveau L. Lorsque les tensions des deux terminaux T5 et Te est abaissé jusqu'au niveau L, les deux cônes émetteurs EC sont arrêtés ce qui empêche tout courant allant de la deuxième porte Gs à la cathode C (terre) de telle sorte que la tension de sortie du terminal T7 de la deuxième porte est augmenté jusqu'au niveau H. Ainsi l'élément FEC de la figure 21a est constitué en circuit NOR de la figure 21c basé sur la logique de la figure 21b. La figure 22 représente un circuit NAND réalisé avec un élément FEC tel que décrit ci-dessus. Le circuit NAND peut être facilement obtenu en combinant 2714211 le circuit inverseur décrit ci-dessus et le circuit NOR comme cela est largement connu. La figure 23 représente un troisième mode de réalisation comportant un circuit logique ayant un élément FEC réalisé comme décrit ci-dessus. Un dispositif d'affichage selon le troisième mode de réalisation est désigné d'une façon générale par la référence 51 et comporte un contrôleur d'affichage 52 et une zone de conversion de niveau de tension 53. La référence 54 désigne un registre à décalage FEC côté cathode réalisé d'un circuit logique comportant la FEC décrit ci-dessus, la référence.55 est un registre à décalage FEC côté porte réalisé de manière analogue à un circuit logique comportant l'élément FEC décrit ci-dessus et 56 est un circuit de verrouillage FEC comportant le même circuit logique. Dans l'élément d'affichage 51, lorsque les données d'image sont alimentées au contrôleur d'affichage 52, le contrôleur 52 fournit les données de balayage et une horloge de décalage au registre 54 à des moments pré-déterminés, fournit les données d'image et une horloge de décalage vers la FEC côté porte 55 à des instants pré-déterminés et fournit un signal de verrouillage au circuit 56 également à des moments pré- déterminés. Le registre 54, le registre 55 et le circuit de verrouillage 56 sont chacun réalisés avec le circuit logique utilisant l'élément FEC de telle sorte que le niveau de fonctionnement (appelé niveau TTL) du contrôleur 52 ne peut pas permettre à chacun des éléments 54 à 56 de fonctionner. Ainsi un signal de sortie provenant du contrôleur d'affichage 52 est ramené du niveau TTL au niveau d'opération FEC suivi par l'alimentation des éléments. D'abord, le registre 55 est alimenté avec des données d'image pour une ligne horizontale en ordre à partir du contrôleur d'affichage 52 et ensuite décalé 36 2714211 par l'horloge de décalage. Lorsque les données d'image pour une ligne horizontale sont conservées, ces données sont conservées dans le circuit de verrouillage 56 sur la base d'un signal de verrouillage de telle sorte qu'une tension basée sur les données verrouillées est appliquée aux lignes de porte G. à Gm. Les portes G1 à G,. sont chacune formées en laminant une première porte Gr faisant fonction d'électrode de contrôle et une seconde porte Gs faisant fonction d'électrode de focalisation à travers une couche isolante de sorte que les données d'image sont alimentées à la première porte t Gr et que la seconde porte Gs a une tension qui lui est appliquée à partir d'une source de puissance VG2. Dans le registre 54, les cathodes C; à C,, ont une tension de balayage qui y est appliquée de telle sorte que l'opération de balayage dans la direction verticale peut être réalisée sur la base d'un signal provenant du contrôleur d'affichage 52. Dans la région d'affichage, les cathodes C, à C, sont disposées en une ligne horizontale sur un substrat isolant tel que par exemple du verre au-dessus duquel l'arrangement FEC décrit ci-dessus est disposé. Au dessus de cet arrangement sont disposées les premières portes G. et les secondes portes G. et les lignes de portes G. à G=. Chaque intersection entre les portes G. à G. et les cathodes C, à C, sont formées avec une ouverture ou trou 21 dans laquelle les éléments FEC sont disposés. Ainsi les groupes d'éléments FEC à chacune des intersections forment un pixel ou une zone de cellule d'image 20. Une anode AN placée au-dessus des portes G1 à G. et les cathodes Cl à C. et indiquées par les lignes en pointillé à la figure 23, est disposée avec des photophores dans des positions en correspondance avec les zones de cellule d'image 20. Ainsi lorsqu'une tension est appliquée à chacune des premières portes G- 37 2714211 basée sur une donnée d'image, les éléments FEC de chacune des zones de cellule d'image 20 aux intersections entre les cathodes et les portes émettent des électrons qui viennent frapper l'anode AN pour exciter le photophore ce qui provoque l'affichage. En outre, dans le dispositif d'affichage 51 du troisième mode de réalisation, le registre 54, le registre 55 et le circuit de verrouillage 56 qui constituent une zone de circuit de commande d'affichage sont tous constitués du circuit logique dans lequel sont incorporés les éléments FEC de telle sorte que le circuit ce commande peut être réalisé sur le même plan que le substrat sur lequel les cathodes Ci à C, et les portes G1 à G., sont disposées. Ainsi le troisième mode de réalisation permet de réaliser en une seule pièce la zone d'affichage et le circuit de commande d'affichage. La figure 24 représente le registre à décalage FEC côté porte et le circuit de verrouillage 56. Le registre 55 comporte des bascules D 60, à 60,.. Le circuit de verrouillage 56 comprend des bascules D 70, à 70,, un signal de verrouillage envoyé au moment o les données pour une ligne horizontale sont maintenues dans le registre à décalage 55 fait que les données se trouvant dans les bascules 60, à 60. du registre à décalage 55 sont verrouillées par les bascules 70. à 70,, ce qui fait que ces données verrouillées sont envoyées aux portes G, à G.. Les bascules 60, à 60. et 702 à 70. sont représentées à la figure 25. Chacune comprend un circuit inverseur 61 des circuits NAND 62 et 63 et des circuits NOR 64 et 65. Les bascules sont montrées en détail aux figures 26 à 30. D'abord chaque bascule reçoit à sa partie sur laquelle est disposé le registre à décalage 55 une cathode de données CD pour l'entrée de données d'image en tant que cathode pour former l'élément FEC pour le 38 2714211 registre à décalage 55, une cathode commune CC en tant que masse et une cathode d'horloge CCK pour 1 'entrée d'un signal d'horloge de décalage. Elle comprend également un réseau d'éléments FEC disposé sur chacune des cathodes pour former chacune des bascules D 60, et 60. La cathode de donnée CD est divisée en segments CDO à CD., de sorte que les données d'image provenant du contrôleur d'affichage 52 à travers la section 53 de conversion de niveau de tension parviennent à la cathode de données la plus en avant CD1. Les données d'image déplacées depuis la bascule bistable D 60. sont introduites dans la borne D de la bascule D 602 par la cathode de données suivante CD2. De plus, les données d'images déplacées depuis la bascule 602 sont introduites à la borne O de la bascule O 603 par la troisième cathode de données CD3. De la même manière, les données d'images déplacées depuis la bascule D ,-. sont introduites à la borne O de la dernière cathode de données CD,. La figure 27 montre le circuit inverseur 61 dans la bascule 60, réalisée comme sur la figure 25. Le circuit inverseur 61 comporte une couche résistante R22 formée à travers une couche isolante Z sur la cathode de données CD, et un cône d'émetteur EC1 formé sur la couche résistante Rz22. Le cône d'émetteur EC1, une première porte G, une seconde porte G$ coopèrent pour former une section d'éléments FEC Q2. La seconde porte Gs a une seconde tension de porte VG2 qui lui est appliquée à travers une couche résistante R21 et la couche résistante R22 est reliée électriquement à la cathode commune CC. La première porte G. agissant comme entrée du circuit inverseur est reliée par une couche conductrice 71 à la cathode de données CD1 et un signal de sortie (1) est émis de la seconde porte Gs. La couche 39 2714211 conductrice 71 et une ligne pour la sortie (1) sont montrées à la figure 25. La figure 28 montre le circuit NAND 62 dans la bascule D 601. de la figure 25. Le circuit NAND 62 comprend une couche résistante formée à travers une couche isolante Z sur la cathode de données CDI et un cone EC2 formé sur la couche résistante R22. Le cône d'émetteur EC2, une première porte G, et une seconde porte Gs coopèrent pour former une section d'élément FEC Qz. De la même manière un cône d'émetteur EC formé sur la couche résistante R22, la première porte Gr et la seconde porte Gs constituent une section d'élEément FEC Q23. La cathode d'horloge CCK est formée avec une couche résistante R2z à travers une couche isolante Z et comporte un cone d'émetteur EC4, de sorte que le cone EC4 une première G, et une seconde porte Gs forment une section FEC Q24. De même la couche R22 comporte un cône d'émetteur EC5 qui forme avec la première GF et la seconde porte Gs une section FEC Q25. La couche R2z comporte un émetteur EC6 qui forme avec la première G, et la seconde porte Gs une section FEC Q2. Les sections Q23 et Q25 comportent la seconde porte Gs commune qui s'étend entre elles, la tension Va2 de la seconde porte Gr qui y est appliquée par la couche résistante Rz2 et la couche R22 est reliée électriquement à la cathode CC. Les sections Q22 à Q2s constituent le circuit NAND dans lequel sont combinés l'inverseur de la figure et le circuit NOR de la figure 21 comme le montre la figure 22. Les sections Q22, Q24 et Qz6 ont trois inverseurs tandis que les sections Q23 et Q2s ont un seul circuit NOR. La première porte G, de la section Q2z en tant que l'une des entrées du circuit NAND 60 est reliée à la cathode CD, par la couche 72 ce qui permet d'y 2714211 introduire les données. La première porte Gr de la section Q24 en tant qu'autre entrée du circuit NAND 62 est reliée par la couche 74 à la cathode d'horloge CCK ce qui produit une entrée d'horloge décalée. La seconde porte Go de la section Q22 et la première porte Gf de la section Qz3 sont reliées électriquement entre elles par la couche 73. De même la seconde porte Gs de la section Q24 et la première porte GF de la section Q25 par la couche 75 ainsi que la seconde porte Gs de la section Q2z5 et la première porte Gr de la section Q26 par la couche 74. Les couches 73 à epermettent la combinaison des circuits inverseur et NOR. La seconde porte Go de la section Q26 qui est la sortie du NAND 62 émet un signal (2). La ligne (2) est montrée à la figure 25. La figure 29 montre le circuit NAND 63 dans la bascule 60, telle qu'à la figure 25. Le circuit 63 comprend une couche résistante R22 formée à travers une couche isolante Z sur une cathode de données par exemple CD1 et un cône d'émetteur EC? sur la couche résistante R22 qui forme avec la première porte GF et la seconde porte Gs la section Q2,. De même la couche R?2 est formée sur le cône émetteur ECO qui forme avec la première Gr et la seconde porte Gs la section Q2ze. La cathode d'horloge CCK est formée à travers une couche isolante Z avec une couche résistante Rz22 comportant un cône d'émetteur EC9 qui forme avec la première porte Gr et une seconde porte Gs une section FEC Q29 (de même Rzz, ECho, Gr, Go pour la section Q30 et EC11, Gr et Gs pour la section Q3,). La seconde porte Gs est commune aux sections Q2e et Q30 comme le montre la figure 29. Une tension VGz est appliquée à la porte Gs par la couche Rz21 et la couche résistante Rzz22 est reliée électriquement à la cathode commune CC. 41 2714211 Ainsi les sections Q27 et Q31. constituent un circuit NAND dans lequel l'inverseur de la figure 20 et le circuit NOR de la figure 21 sont combinés (figure 22). Les sections Q27, Q29 et Q31 présentent trois inverseurs et les sections QzA et Q3.0 un simple circuit NOR. La première porte GF de la section Q27, entrée du circuit NAND 63 reçoit la sortie (1) de l'inverseur 61. La première porte Gr de la section Q29, autre entrée du circuit NAND 63 est reliée par la couche conductrice 78 à la cathode d'horloge CCK. La couche conductrice 78 et. une ligne pour la sortie (1) sont montrées à la figure 25. La seconde porte G6 de la section Q27 et la première porte G, de la section Qz28 sont reliées entre elles par la couche 77, de même la seconde porte Gs de la section Qzs et la première porte Gr de la section Q30 sont connectées par la couche 79 et la seconde porte Gs de la section Q30 et la première porte Gr de la section Q3, sont connectées par la couche 80. La seconde porte Gs de la section de l'élément FEC Q31., sortie du circuit NAND 63 émet un signal (3) montré à la figure 25. La figure 30 montre les circuits NOR 64 et 65 de la bascule 60. décrite à la figure 25. Les circuits 64 et 65 comportent une couche résistante R22 formée à travers la couche isolante Z sur la cathode de données CD. et un cône d'émetteur EC14 formé sur la couche résistante R22, qui avec les portes Gr et Gs forme la section Q34. De même R22, EC.5, Gr et Gs la section Q3. La cathode de donnée CD2 comprend une couche résistante Rz22 qui comporte un émetteur EC12 formant avec les portes Gr et Gs la section d'élément de FEC Q32. De même EC 3, Gr et Gs la section Q33. La porte G5 est commune aux sections Q2. et Q-3o. La seconde porte Ges est commune aux sections Q3z 42 2714211 et Q33 et reçoit une tension VG2 par la couche résistante R2,. Ainsi les sections Q34 et Q3s constituent le circuit NOR de la figure 21 ce qui donnera le circuit NOR 65 de la figure 25. De même les sections Q32 et Q33 constituent le circuit NOR de la figure 21 ce qui donnera le circuit NOR de la figure 25. La première porte GF de la section Q34 qui est une entrée du circuit NOR 55 reçoit le signal de sortie (3) du circuit NAND 63 de la figure 27. La première porte G. de la section Q3s qui est une autre entrée du circuit NOR 55 est reliée par la couche conductrice 81 à la seconde porte G$ de la section Q33 du circuit NOR 54. Egalement la première porte GF de la section Q32 en tant que l'une des entrées du circuit NOR 54 reçoit la sortie (2) du circuit NAND 62 de la figure 28. La porte GF de la section Q33 en tant qu'autre entrée du circuit NOR 54 est reliée par une couche conductrice 82 à la seconde porte G$ de la section Q3s du circuit NOR 55. Comme on le voit sur la figure 25, une sortie du circuit NOR 54 constitue celle de la bascule 60,. A cet effet, la seconde porte Gs du circuit NOR 54 est reliée électriquement par la couche conductrice 83 à la cathode de données CD2 de sorte que la bascule D 602 reçoit les données. De même, les bascules 602 à 60. et 702 à 70,. sont construites de la même manière à partir de l'élément FEC. Le registre à décalage FEC côté cathode 54 est construit de la même manière que les circuits utilisant les éléments FEC. Dans le dispositif d'affichage à émission de champ selon le troisième mode de réalisation, le registre à décalage 54, le registre 55 et le circuit 56 de verrouillage sont réalisés avec une logique utilisant des éléments FEC de sorte qu'ils sont 43 2714211 fabriqués simultanément sur le substrat sur lequel est formée la section d'affichage dans l'étape de production des éléments FEC pour la section d'affichage. La troisième forme de réalisation est réalisée de telle sorte que la conversion des tensions entre un niveau TTL ou un niveau de sortie du contrôleur d'affichage 52 et un niveau de commande est réalisée au moyen de la section 53 dans une ligne de signal d'entrée reliée à chacun des registres à décalage FEC côté cathode 54, registre à décalage FEC côté porte 55 et circuit de verrouillage FEC 56. De ce fait, la nécessité d'organiser les sections 53 de conversion de tension au nombre de n fois m correspondant au nombre de cathodes C1 à C, et 6, à Gm peut être éliminée. On voit donc que la troisième forme de réalisation permet de simplifier les circuits de tout le dispositif d'affichage. Une quatrième forme de réalisation est représentée à la figure 32. Le dispositif est désigné par la référence 91 et comprend un registre à décalage 94 construit avec des éléments FEC et un registre à décalage 95 côté porte également construit avec des éléments FEC. - Il comprend également une section 93 de conversion des tensions entre un contrôleur d'affichage 92 et chacun des éléments 94 et 95. Cette réalisation est différente de la troisième en ce qu'une zone de mémoire 96 est disposée en correspondance avec chacune des zones de cellule d'image 20 dans une section d'affichage pour effectuer une commande statique ce qui permet d'éliminer un circuit de verrouillage pour verrouiller les données dans le registre à décalage FEC côté porte lors d'un cycle de lignes horizontales. 4 4 2714211 REVENDICATIONS 1. - Dispositif d'affichage du type à émission de champ, ayant une pluralité d'éléments de cathodes à émission de champ, chacun comportant au moins des cathodes, des électrodes de contrôle et des électrodes de focalisation qui y sont incorporées caractérisé en ce qu'il comporte: des zones de cellules d'image comprenant chacune un élément de cathode à émission de champ qui forme une cellule d'image de façon à émettre des électrons vers une anode; et - des zones de retenue de données disposées chacune pour chaque zone de cellules d'image et formées par un élément de cathode à émission de champ pour pouvoir émettre des électrons à partir desdites cathodes vers lesdites électrodes de focalisation par émission de champ en réponse à l'application d'une tension auxdites électrodes de commande; lesdites électrodes de commande dudit élément de cathode à émission de champ de chacune des zones de cellules d'image étant alimentées avec des données contenues dans chacune desdites zones de retenue de données. 2. - Dispositif d'affichage du type à émission de champ, ayant une pluralité d'éléments de cathodes à émission de champ, chacun comportant au moins des cathodes, des électrodes de contrôle et des électrodes de focalisation qui y sont incorporées caractérisé en ce qu'il comporte: des zones de cellules d'image comprenant chacune un élément de cathode à émission de champ qui forme une cellule d'image de façon à émettre des électrons vers une anode; - des zones d'élément de commutation disposées chacune pour chaque zone de cellules d'image et formées 2714211 par un élément de cathode à émission de champ pour pouvoir émettre des électrons à partir desdites cathodes vers lesdites électrodes de focalisation par émission de champ en réponse à l'application d'une tension auxdites électrodes de commande; et - des zones de retenue de données comprenant chacune une zone de condensateur ayant un diélectrique interposé entre deux quelconques desdites cathodes, électrodes de commande et électrodes de focalisation; lesdites électrodes de commande dudit élément de cathode à émission de champ de chacune desdites zones de cellules d'image rece9ant les données stockées dans chacune desdites zones de retenue de données. 3. - Dispositif d'affichage du type à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que lesdites zones de retenue de données comportent une combinaison de réseaux d'éléments de cathode à émission de champ. 4. - Dispositif d'affichage du type à émission de champ selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite zone de condensateur de chacune desdites zones de retenue de données est à un potentiel dont le niveau correspond à la gradation des données d'image. 5. - Dispositif d'affichage du type à émission de champ, ayant une pluralité d'éléments de cathodes à émission de champ, chacun comportant au moins des cathodes, des électrodes de contrôle et des électrodes de focalisation qui y sont incorporées caractérisé en ce qu'il comporte: une section d'affichage comportant des zones de cellules d'image au nombre de n fois m disposées dans les directions latérale et longitudinale; lesdites zones de cellules d'image comportant chacune un élément de cathode à émission de champ qui forme une cellule d'image pour émettre des électrons vers une anode; et 46 2714211 - une commande de cathode et une commande de porte pour fournir un signal de commande aux cathodes au nombre de n et aux portes au nombre de m, ce qui permet à ladite section d'affichage de procéder à l'affichage; ladite commande de cathode et ladite commande de porte étant constituées par un circuit logique utilisant un élément de cathode à émission de champ comme élément de commutation. 6. - Dispositif d'affichage du type à émission de champ, ayant une pluralité d'éléments de cathodes à émission de champ, chacun comportant au moins des cathodes, des électrodes de contrôle et des électrodes de focalisation qui y sont incorporées caractérisé en ce qu'il comporte: des zones de cellules d'image comprenant chacune un élément de cathode à émission de champ qui forme une cellule d'image de façon à émettre des électrons vers une anode; et - des zones de retenue de données disposées chacune pour chaque zone de cellules d'image et formées par un élément de cathode à émission de champ pour pouvoir émettre des électrons à partir desdites cathodes vers lesdites électrodes de focalisation par émission de champ en réponse à l'application d'une tension auxdites électrodes de commande; - une section d'affichage comportant des zones de cellules d'image et des zones de retenue de données au nombre de n fois m disposées dans les directions latérale et longitudinale; et - une commande de cathode et une commande de porte pour fournir un signal de commande aux cathodes au nombre de n et aux portes au nombre de m, ce qui permet à ladite section d'affichage de procéder à l'affichage; - ladite commande de cathode et ladite commande de porte étant constituées par un circuit logique 47 2714211 utilisant un élément de cathode à émission de champ comme élément de commutation. 7. - Dispositif d'affichage du type à émission de champ selon les revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que ladite section d'affichage et lesdites commande de cathode et de porte sont disposées sur un même substrat commun.