FR 2717308 A1 19950915 FR 9403302 A 19940314 DISPOSITIF DE PROTECTION CONTRE DES SURTENSIONS DANS DES CIRCUITS INTEGRES La présente invention conoerne le domaine des circuits intégrés à semiconducteur. Les circuits intégrés à semiconducteur sont suscep- tibles d'être endommagés par des hautes tensions (par exnemple des décharges électrostatiques) qui peuvent être appliquées accidentellement à des connecteurs d'entrée et de sortie pendant ou après la fabrication, par exemple tandis qu'on réalise une prise et un positionnement de puce, une liaison par fil au cours du processus d'encapsulation ou positionnement d'un circuit10 encapsulé dans une embase. Les risques sont par exemple dûs à l 'application d'une charge électrostatique sur une borne tandis que oelle-ci n'est pas protégée, par exemple par une feuille support en matière plastique, à une décharge électrique à partir de pointes d'une machine de liaison et à une décharge due à des15 opérateurs humains, respectivement. On inclut dans de nombreux circuits intégrés des structures de protection qui deviennent conductrices au-dessus d'une certaine tension de seuil et qui éliminent les surcharges électrostatiques appliquées au circuit, par exemple vers le potentiel de la masse. Ces structures doivent revenir à un état non-conducteur après application de la surcharge électrostati- que. Ces structures sont habituellement constituées de diodes à avalanche intégrées connectées aux plots d'entrée et de sortie. La figure 1 représente un circuit utilisant des dispo- sitifs de protection connus contre des surtensions. Une borne d'entrée 4 est connectée par un noeud 5 au circuit 6 à protéger et également à des premières bornes de première et deuxième diodes à avalanche de protection 7 et 8. La deuxième borne de la première diode de protection 7 est connectée à une borne d'ali-15 mentation 9 au potentiel d'alimentation VDD. La deuxième borne de la deuxième diode de protection 8 est connectée à la masse 10. Dans le schéma, les diodes sont représentées avec une orien- tation correcte pour une tension d'alimentation VDD positive. Leurs cathodes sont normalement connectées à une tension plus20 positive que leurs anodes. Ces diodes sont donc normalement non-conductrices. Toutefois, commne dans tout dispositif semi- conducteur, il circule un faible courant de fuite inverse dont l'amplitude dépend de la surface de jonction de la diode et des niveaux de dopage des matériaux semiconducteurs de part et25 d'autre de la jonction. Si une surtension positive est appliquée à la borne d'entrée 4, la diode 7 se polarise en direct et devient conduc- trioe et la haute tension est reliée à la tension VDD, évitant tout endommagement du circuit 6. Si la surtension est suffisam-30 ment élevée, la tension d'avalanche du dispositif de protection 8 sera atteinte et celui-ci devient également conducteur et reliera la surtension à la masse 10. Si une surtension négative élevée est appliquée à la borne d'entrée 4, la diode à avalanche de protection 8 est pola- risée en direct et devient conductrice. Ainsi, la surtension est reliée à la masse et empêche tout endommagement du circuit 6. Si la surtension est suffisamment négative, la tension d'avalanche du dispositif de protection 7 sera atteinte et celui-ci devien- dra conducteur et reliera la surtension à la tension VDD. De tels dispositifs de protection présentent de nom- breux inconvénients. Ils occupent une grande surface liée à la capacité de dissipation élevée de puissance requise. Ils lais- sent également passer un certain courant de fuite, même aux ten- sions de fonctionnement normales, ce qui contribue de façon non- nécessaire à la consommation de courant du circuit intégré. De plus, ces courants de fuite ont tendance à augmenter quand les diodes ont été soumises à plusieurs claquages. La tension d'ava- lanche étant déterminée par les niveaux de dopage du semiconduc- teur de part et d'autre de la jonction de la diode de protec- tion, pour atteindre la tension d'avalanche requise, des étapes de fabrication particulières peuvent devoir être incluses dans le processus de fabrication du circuit intégré, ce qui augmente les coûts de fabrication, ou bien les diodes à avalanche peuvent être formées en utilisant des niveaux de dopage déjà prévus dans le processus de fabrication des transistors et autres structures des circuits intégrés, ce qui produit des diodes à avalanche ayant une tension de seuil non-optimale. Un objet de la présente invention est de prévoir un dispositif de protection contre les surtensions de dimensions minimales à l'intérieur d'un circuit intégré. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un tel dispositif qui puisse être fabriqué par des étapes sensi- blement telles qu'utilisées dans un processus de fabrication standard de circuit intégré. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un tel dispositif qui devienne conducteur pour des tensions suffisamment faibles pour ne provoquer aucun endommagement du circuit à protéger avant que le dispositif de protection ne devienne conducteur. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un tel dispositif qui ne laisse pas passer de courant de fuite dans les conditions normales de fonctionnement. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un tel dispositif de tension de claquage prédéterminable. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un tel dispositif qui soit également efficace pour assurer une protection à l'encontre de surtensions positive et négative sur les plots d'entrée ou de sortie.10 Pour atteindre ces objets, la présente invention diffère totalement des dispositifs utilisant des jonctions de diodes semiconductrices et plus généralement des dispositifs semiconducteurs et vise à combiner une technologie de tube à décharge avec une technologie classique de fabrication de15 circuits intégrés à semiconducteur. Plus particulièrement, la présente invention prévoit une structure formée dans un circuit intégré, comprenant au moins deux éléments conducteurs séparés par un intervalle rempli d'un gaz.20 Selon un mode de réalisation de la présente invention, cette structure comprend des moyens de connexion respectivement reliés à chacun des éléments conducteurs et à des points du cir- cuit intégré entre lesquels une protection contre une surtension est souhaitée.25 Selon un mode de réalisation de la présente invention, ledit intervalle est contenu dans une cavité délimitée par les deux éléments conducteurs et au moins un matériau non-conduc- teur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 1 'intervalle entre les deux éléments conducteurs a une longueur comprise entre 10 et 90 nm. Selon un mode de réalisation de la présente invention, au moins un des éléments conducteurs est du tungstène. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les éléments conducteurs sont en des matériaux distincts. Selon un mode de réalisation de la présente invention, au moins un desdits matériaux non-c)nducteurs comprend du dioxyde de silicium. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la structure comprend une colonne d'un premier matériau oDnduc- teur portée par sa base et située au-dessus d'un substrat semi- conducteur; un conducteur d'un deuxième matériau conducteur séparé de la colonne par un intervalle; et un matériau électri- quement isolant délimitant une cavité qui contient au moins une10 partie de la surface latérale de la colonne et au moins une partie en regard de la surface du conducteur. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la colonne est portée par sa base sur une ou plusieurs couches de matériau conducteur, par exemple du silicium polycristallin. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la connexion électrique vers la colonne est assurée par une couche de connexion en matériau conducteur, par exemple de l 'aluminium, déposée sur la surface supérieure de la colonne, la surfaoe inférieure de oette couche de connexion faisant partie de la surface interne de ladite cavité. Le premier et/ou le deuxième matériau conducteur peuvent être du tungstène. Un procédé de fabrication d'une structure selon l'in- vention comprend les étapes consistant à prévoir un substrat comprenant une première couche de matériau isolant sur sa face supérieure; déposer une couche d'un premier matériau conducteur sur la surface supérieure de la première couche de matériau isolant; graver une première ouverture dans le premier matériau conducteur; déposer une deuxième couche de matériau isolant pour recouvrir la surface supérieure du premier matériau conduc- teur et remplir la première ouverture; graver une deuxième ou- verture dans la deuxième couche de matériau isolant, la deuxième ouverture recouvrant toute la surface de la première ouverture; graver une troisième ouverture dans la première couche de maté- riau isolant directement sous la première ouverture; recouvrir toute la surface de la structure, y compris les surfaces inter- nes des ouvertures, d'une couche mince de matériau; remplir les ouvertures d'un deuxième matériau conducteur; graver la couche5 mince de matériau jusqu'à ce que sa surface supérieure soit située en dessous de la surface inférieure de la première couche de matériau conducteur; et déposer une couche de scellement sur la surface de la structure sans que le matériau de cette couche ne remplisse la partie gravée de la couche mince.10 Selon un mode de réalisation de la présente invention, ce procédé comprend en outre l'étape consistant à déposer sous la première couche de matériau isolant une troisième couche, par exemple en silicium polycristallin, par rapport à laquelle les première et deuxième couches de matériau isolant sont gravables15 sélectivement. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite, à titre non limitatif, en relation avec les figures20 jointes parmi lesquelles: la figure 1 est un schéma de circuit illustrant l'uti- lisation de dispositifs classiques de protection d'entrée ou de sortie; la figure 2 représente la structure d'un mode de réalisation d'un dispositif de protection contre des surtensions selon la présente invention; les figures 3 à 8 représentent des étapes successives d'un procédé de fabrication d'un mode de réalisation d'un dispo- sitif selon la présente invention; et la figure 9 représente une vue en coupe du dispositif de protection de la figure 8. La figure 2 représente de façon générale une structure selon la présente invention. Deux électrodes 12 et 14 présentent des faces en regard respectives 16 et 18 séparées d'une très faible distance d. Les deux électrodes sont disposées sur une couche électriquement isolante 20. La couche 20 est elle-même formée sur un substrat semiconducteur 21 qui comprend des dispo- sitifs tels que des transistors de type M6OS 22. Une seconde5 couche électriquement isolante 23 peut être disposée sur les deux électrodes 12, 14 pour définir une cavité 24 vide ou remplie d'un gaz. Le dispositif de protection contre des surtensions ainsi formé permet d'assurer une protection entre les deux élec- trodes 12 et 14. L'une de ces électrodes peut être connectée à un plot d'entrée ou de sortie à protéger, l'autre électrode étant connectée à une tension d'alimentation ou à la masse. Quand une surtension survient entre les deux électrodes et que la différence de potentiel dépasse un certain seuil, le gaz dans15 la cavité 24 devient conducteur et un courant passe entre les électrodes 12 et 14. Le gradient de potentiel requis pour rendre le gaz conducteur dépend du type et de la pression du gaz ainsi que du matériau des électrodes 12 et 14 et de la rugosité des surfaces 16 et 18. La tension requise pour assurer une cnnduc-20 tion, ou tension de claquage, dépend aussi de la distance d entre électrodes. Pour de très petites distances, inférieures à nm, la tension de claquage dépend essentiellement du maté- riau, de la rugosité de surface des électrodes et de leur dis- tance d, plutôt que des paramètres du gaz car la décharge dans un gaz pour des électrodes très proches l'une de l'autre ressem- ble beaucoup à une décharge dans le vide qui ne dépend que des électrodes. Selon l'invention, la distance entre les électrodes 12 et 14 est typiquement située dans la plage de 10 à 90 nm. Quand des matériaux distincts sont utilisés pour les deux électrodes, on obtient des tensions de claquage différentes dans chacune des directions. Les tensions de claquage seront Bkv+AP dans un sens et Bkv- An dans l'autre sens o AP est la différence des potentiels d'extraction des deux matériaux et o Bkv est la moyenne des deux tensions de claquage. La différence des potentiels d'extraction peut aller jusqu'à environ 1,2 V. Un nmode de réalisation particulier d'un dispositif de protection selon la présente invention va maintenant être décrit. Ce mode de réalisation particulier est fabriqué en uti- lisant un prooessus complètement compatible avec des techniques5 courantes de fabrication de circuits intégrés à semiconducteur incluant des vias (trous formés dans une couche isolante entre deux couches conductrices et remplis d'un matériau conducteur). La figure 3 représente une vue en coupe d'un circuit intégré à semiconducteur formé sur un substrat 21 après réalisa- tion de dispositifs semiconducteurs tels que des transistors M)S , 32. Une couche diélectrique 34 est disposée au-dessus des dispositifs semiconducteurs et des régions d'oxyde de champ 36 sont typiquement formées entre des zones séparées du circuit dans des buts d'isolement. Une couche d'un matériau 38 par15 rapport auquel le matériau de la couche diélectrique 34 peut être gravé sélectivement est présente sur l'oxyde de champ 36 et sous la couche diélectrique 34 à l'emplacement choisi pour le dispositif de protection. De préférenoe, la couche diélectrique 34 est en oxyde de silicium et la couche 38 est en silicium polycristallin et est formée en même temps que les couches de grille en silicium polycristallin des transistors 30, 32. Des espaceurs 40 utilisés pour délimiter des régions faiblement dopées 41 dans le semiconducteur peuvent être présents ou non selon le type de technologie utilisé. Une première couche conductrice 42 est déposée sur l'ensemble de la tranche. En figure 4 est représentée une ouverture 44 ouverte dans la couche conductrice 42 au-dessus d'une partie de la couche 38 par un procédé de photolithogravure. Ensuite, omnme le représente la figure 5, une seonde couche de matériau diélectrique 46 est appliquée sur l'ensemble de la tranche et planarisée par un procédé classique. Une autre étape de gravure photolithographique peut être utilisée pour former des ouvertures 48 dans la seconde cou- che diélectrique à des emplacements o des connexions électri- ques (vias) seront requises entre la première couche conductrice 42 et une couche conductrice formée ultérieurement. Une couche d'un produit photosensible (résine) 50 est déposée sur toute la surface de la tranche et ouverte pour exposer une région 52 de 5 la deuxième couche diélectrique 46. La région exposée 52 est plus large que l'ouverture 44 dans la première couche conductri- ce et la recouvre complètement. Ceci est destiné à tenir compte des tolérances d'alignement de masques. Une étape de gravure sélective des matériaux diélec- triques utilisés est réalisée sur la tranche. La gravure doit être anisotrope et est par exemple une gravure sous plasma de CHF3 quand les couches diélectriques sont en oxyde de silicium. Cette étape est poursuivie suffisamment longtemps pour graver la seconde couche diélectrique 46 sous la région exposée 52 et la15 première couche diélectrique 34 sous l'ouverture 44, jusqu'à ce que la gravure atteigne la couche 38. La couche de résine 50 est alors enlevée. On obtient ainsi la structure de la figure 6. Un trou 54 est ouvert à partir de la surface de la deuxième couche diélectrique 46 jusqu'à la surface supérieure de la couche 38. Une surface latérale 56 de la couche conductrice 42 apparait à l'intérieur du trou et le trou dans la première couche diélec- trique 34 a les dimensions de l'ouverture 44 dans la couche conductrice 42. Le via 48 optionnellement formé dans la deuxième25 couche diélectrique 46 laisse apparaitre la surface de la couche conductrice 42. Comme le représente la figure 7, toute la surface de la tranche, y compris les parois et le fond du trou 54, est recouverte d'une couche 58 déposée par voie chimique en phase vapeur. Cette couche doit être mince, conforme à la surface, adhérente et sélectivement gravable par rapport au matériau de la couche 38, des couches diélectriques 34, 36, de la première couche conductrice 42 et du matériau conducteur décrit ci- apres. Si, cornmme cela est représenté en figure 7, des découpes de vias 48 sont prévues, la couche 58 doit également être élec- triquement conductrice. De préférence, la couche 58 est consti- tuée d'une couche de titane suivie d'une couche de nitrure de titane. La découpe de via 48 et le trou 54 sont alors remplis5 d'un matériau conducteur pour former une colonne 60 et des vias 62 dont les surfaces supérieures sont sensiblement coplanaires avec la surface supérieure de la deuxième couche diélectrique 46. Ce matériau conducteur peut être du tungstène déposé par voie chimique en phase vapeur selon une épaisseur suffisante pour remplir tous les trous dans la seconde couche diélectrique qui est ensuite gravée sans masque par une gravure sélective du matériau conducteur pendant une durée suffisante pour que la surface de la couche 58 soit apparente aux emaplacements autres que ceux o des vias ou des dispositifs selon l'invention15 doivent être formés. Une gravure sous plasma au fluor peut être utilisée si le matériau conducteur est du tungstène et que le materiau de la couche adhésive est du titane/nitrure de titane. Un masque de résine 64 est alors placé sur les vias. Une gravure sélective du matériau de la couche 58, par exemple par un plasma contenant du chlore pour une couche 58 en titane/ nitrure de titane, est réalisée sur la tranche. Cette gravure se poursuit suffisamment longtemps pour enlever la couche 58 presque jusqu'au fond du trou. Une quantité minimale de matériau de la couche 58 doit rester en place pour maintenir la colonne25 60, mais la couche 58 doit être gravée suffisamment profond sous la surface inférieure de la première couche conductrice 42. Le produit de gravure doit être choisi avec soin pour obtenir la sélectivité nécessaire entre le matériau de la couche adhésive 58 et le matériau de la colonne 60 et des autres éléments concernés. La figure 8 représente la tranche après enlèvement du masque 64 et application d'une deuxième couche conductrice sur toute la surface de la tranche, cette couche conductrice étant gravée par photolithogravure. Apres cette étape de photolitho- il gravure, deux parties 66 et 67 de la deuxième couche conductrice restent en place, au-dessus de la colonne 60 et des vias 62, respectivement. Le dépôt de la deuxième couche semiconductrice obture la cavité 68 qui résulte de l'enlèvement de la couche 585 à l 'étape décrite précédemment. La cavité 68 contient des gaz dont la nature et la pression résultent du dépôt de la deuxième couche conductrioe. Cette pression peut être d'environ 10-7 à 10-3 torr (1,3x10-5 à 1,3x10l- Pa). C;cmme cela a été exposé pré- cédemment, le type et la pression de ce gaz ont peu d'influerce sur le fonctionnement du dispositif selon l'invention. La première partie 66 de la deuxième couche conductrioe est en contact électrique avec la colonne 60 et la deuxième partie 67 de la deuxième couche conductrice est en contact avec la première couche conductrice par 1'intermédiaire des vias 62. La deuxième15 couche conductrice peut être en aluminium. La figure 9 représente une vue de dessus de la struc- ture de la figure 8 au niveau de la première couche conductrice 42. La dimension de la colonne 60 peut correspondre à la dimen- sion de via minimale possible dans la technologie utilisée. La surface 56 de la première couche conductrice 42 est donc annu- laire et la surface 16 de la colonne 60 est cylindrique. La séparation des surfaces d'électrodes 56, 16 est égale à 1'épaisseur de la couche 58 telle que déposée et peut en conséquence être déterminée par des paramètres technologiques classiques. Cette épaisseur est par exemple de 10 à 90 nm, ce qui est bien inférieur à la distance minimale qui pourrait être produite par des étapes de photolithogravure dans une techno- logie classique de fabrication de semiconducteur. La structure selon 1' invention permet une protection contre des surtensions entre la colonne 60 et la première couche conductrice 42. Dans le mode de réalisation illustré, la connexion électrique entre la structure selon 1' invention et le circuit à protéger est réalisée en utilisant les éléments 66, 67 de la seconde couche conductrice et les vias 62. En se référant à la figure 1, on peut utiliser la structure selon l'invention comme dispositif de protection 8 contre des surtensions, le dispositif selon 1' invention étant connecté entre le noeud 5 et la masse 10. Camme le dispositif de5 protection selon l'invention est également efficace pour des surtensions positive et négative, il n'est pas nécessaire de prévoir un deuxième dispositif de protection 7. Un dispositif selon l'invention dans lequel 1l'inter- valle entre électrodes est de l'ordre de 20 nm aura une tension de claquage d'environ 10 V, selon le matériau et la qualité de surface des électrodes. La tension de claquage du dispositif peut être déterminée par le choix de l'épaisseur de la couche 58. Le dispositif selon la présente invention présente 1 'avantage de ne pas présenter de courants de fuite aux tensions de fonctionnement normales mnome si des surtensions répétées sont appliquées au plot d'entrée/sortie. A des tensions de fonction- nement normal, aucun courant ne passera dans la structure selon 1 'invention. Le dispositif occupe une très petite surface: la colonne 60 présente en vue de dessus une surface de l'ordre de i.m2 dans une technologie classique, l'ensemble de la structure occupant une surface d'environ 10plom2. Bien qu'un mode de réalisation particulier de l'inven- tion ait été décrit en détail, de nombreuses variantes apparai- tront à l'homme de l'art. La couche 38 peut être utilisée comme conducteur d'accès à la colonne 60, une couche non-conductrice étant déposée pour sceller la cavité 68. D'autres couches conductrices peuvent être prévues entre les première (42) et seconde (66, 67) couches conductrices pour former un dispositif de protection à plus de deux bornes. La première couche conduc- trice 42 peut être conformée pour présenter une pluralité de surfaces isolées dans la cavité 68, pour produire à nouveau un dispositif de protection à plus de deux bornes. On pourra uti- liser des matériaux distincts pour les deux électrodes 12 et 14 pour produire un dispositif ayant une caractéristique de diode souhaitée sans courant de fuite et endommagement éventuel associée aux diodes à semiconducteur soumises à des tensions de borne élevées. La couche 38 peut être omise et la gravure de la couche minoe 58 oontrôlée par la durée de l'étape de gravure pour former un trou 54 de profondeur requise. REVENDICATIONS 1. Structure formée dans un circuit intégré, caracté- risée en ce qu'elle comprend au moins deux éléments conducteurs (12, 14; 42, 60) séparés par un intervalle (24) rempli d'un gaz. 2. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens de connexion (66, 67) respective- ment reliés à chacun des éléments conducteurs (12, 14; 42, 60) et à des points du circuit intégré entre lesquels une protection contre une surtension est souhaitée.10 3. Structure selon la revendication 1, dans laquelle ledit intervalle (24) est contenu dans une cavité (68) délimitée par les deux éléments conducteurs (12, 14; 42, 60) et au toins un matériau non-conducteur (20, 23; 36, 34, 46). 4. Structure selon la revendication 1, dans laquelle 1 'intervalle entre les deux éléments conducteurs a une longueur comprise entre 10 et 90 nm. 5. Structure selon la revendication 1, dans laquelle au moins un des éléments conducteurs (12, 14) est du tungstène. 6. Structure selon la revendication 1, dans laquelle les éléments conducteurs (12, 14) sont en des matériaux distincts. 7. Structure selon la revendication 3, dans laquelle au moins un desdits matériaux non-conducteurs (20, 23; 36, 34, 46) comprend du dioxyde de silicium. 8. Structure selon la revendication 1, comprenant: une colonne (60) d'un premier matériau conducteur portée par sa base et située au-dessus d'un substrat semiconduc- teur (21); un conducteur (42) d'un deuxième matériau conducteur séparé de la colonne par un intervalle (68); et un matériau électriquement isolant (20, 23; 34, 46) délimitant une cavité qui contient au moins une partie de la surfaoe latérale de la colonne (60) et au moins une partie en regard de la surface du conducteur (42). 9. Structure selon la revendxlication 8, dans laquelle la colonne (60) est portée par sa base sur une ou plusieurs couches de matériau conducteur (38, 58). 10. Structure selon la revendication 9, dans laquelle la couche de matériau conducteur support (38) est en silicium polycristallin. 11. Structure selon la revendication 9, dans laquelle la couche de matériau conducteur support comprerxlnd du titane. 12. Structure selon la revendication 9, dans laquelle la couche de matériau conducteur support (58) comprend du nitrure de titane. 13. Structure selon la revendication 8, dans laquelle la connexion électrique vers la colonne (60) est assurée par une couche de connexion en matériau conducteur (66) déposée sur la surfaoe supérieure de la colonne, la surface inférieure de cette couche de connexion faisant partie de la surfaoe interne de ladite cavité (24; 68). 14. Structure selon la revendication 13, dans laquelle la couche de connexion (66) est une couche d'aluminium. 15. Structure selon la revendication 8, dans laquelle le premier matériau conducteur (60) est du tungstène. 16. Structure selon la revendication 8, dans laquelle le deuxième matériau conducteur (42) est du tungstène. 17. Structure selon la revendication 8, dans laquelle le premier matériau conducteur (60) est distinct du deuxième matériau conducteur (42). 18. Structure selon la revendication 8, dans laquelle la colonne (60) repose sur une couche mince (58) d'épaisseur égale à la longueur de l'intervalle (68). 19. Structure selon la revendication 18, dans laquelle ladite couche minoe (58) a une épaisseur comprise entre 10 et nm. 20. Structure selon la revendication 18, dans laquelle la couche mince (58) est une couche composite de titane et de nitrure de titane. 21. Procédé de fabrication d'une structure selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: prévoir un substrat (21) comprenant une première couche de matériau isolant (34) sur sa face supérieure; déposer une couche d'un premier matériau conducteur (42) sur la surface supérieure de la première couche de matériau isolant; graver une première ouverture (44) dans le premier matériau conducteur (22); déposer une deuxième couche de matériau isolant (46) pour recouvrir la surface supérieure du premier matériau conduc- teur (42) et remplir la première ouverture; graver une deuxième ouverture dans la deuxième couche de matériau isolant (40), la deuxième ouverture recouvrant toute la surface de la première ouverture (44); graver une troisième ouverture dans la première couche de matériau isolant (34) directement sous la première ouverture (44); recouvrir toute la surface de la structure, y compris les surfaces internes des ouvertures, d'une couche mince (58) de matériau; remplir les ouvertures d'un deuxième matériau conduc- teur (60); graver la couche mince (58) de matériau jusqu'à ce que sa surface supérieure soit située en dessous de la surface infé- rieure de la première couche de matériau conducteur (42); et déposer une couche de scellement (66) sur la surface de la structure sans que le matériau de cette couche ne rem- plisse la partie gravée de la couche mince (58). 22. Procédé selon la revendication 21, comprenant en outre l'étape consistant à déposer sous la première couche de matériau isolant (34) une troisième couche (38) par rapport à laquelle les première et deuxième couches de matériau isolant35 sont gravables sélectivement. 23. Procédé selon la revendication 22, dans lequel la troisième couche (38) est en silicium polycristallin. 24. Procédé selon la revendication 21, dans lequel le substrat (21) est en silicium. 25. Procédé selon la revendication 21, dans lequel le premier matériau conducteur et le deuxième matériau conducteur sont distincts. 26. Procédé selon la revendication 21, dans lequel le premier matériau oonducteur (42) est du tungstène. 27. Procédé selon la revendication 21, dans lequel le deuxième matériau conducteur (60) est du tungstène. 28. Procédé selon la revendication 21, dans lequel la couche de scellement (66) est une couche d'aluminium. 29. Procédé selon la revendication 21, dans lequel la couche mince (58) a une épaisseur comprise entre 10 nm et 90 nm. 30. Procédé selon la revendication 29, dans lequel la couche mince (58) est une couche composite de titane et de nitrure de titane.