FR 2714237 A1 19950623 FR 9315228 A 19931217 AMPLIFICATEUR A GAIN VARIABLE L'invention concerne un amplificateur à gain variable et plus particulièrement un étage d'entrée de chaîne d'amplification de circuit de réception tel que ceux utilisés dans les systèmes de transmission. Les chaînes d'amplification de circuit de réception doivent présenter un ensemble de caractéristiques difficiles à concilier: le gain, variable, doit être élevé, I'impédance d'entrée doit avoir une valeur faible et indépendante du gain, le facteur de bruit doit être faible et le point de compression doit être élevé. Selon l'art antérieur, il est connu de réaliser les étages d'entrée de telles chaînes d'amplification à l'aide de la mise en parallèle de plusieurs amplificateurs de type émetteur commun que l'on commute selon le gain désiré. Il est alors nécessaire d'ajouter une résistance de faible valeur en parallèle sur l'entrée du circuit de façon que l'impédance d'entrée soit de faible valeur et indépendante du gain. Les performances en bruit se trouvent alors fortement dégradées. L'invention ne présente pas cet inconvénient. La présente invention a pour objet un amplificateur à gain variable constitué de n amplificateurs élémentaires en parallèle et comprenant des moyens permettant de sélectionner l'amplificateur élémentaire de rang j (j = 1, 2,..., n) selon le gain désiré caractérisé en ce qu'il comprend des moyens permettant d'obtenir une impédance d'entrée de faible valeur et indépendante du gain de l'amplificateur sélectionné tout en préservant d'excellentes performances de bruit. Selon l'invention, I'amplificateur élémentaire de rang j est de type base commune. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture d'un mode de réalisation préférentiel fait avec référence aux figures ci-annexées dans lesquelles: - la figure 1 représente un étage d'entrée de chaîne d'amplification selon l'art antérieur, - la figure 2 représente le schéma de principe d'un étage d'entrée de chaîne d'amplification selon l'invention, - la figure 3 représente le schéma d'un étage d'entrée d'une chaîne d'amplification selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention. Sur toutes les figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments. Le circuit de la figure 1 représente un exemple de réalisation d'un étage d'entrée de chaîne d'amplification selon l'art antérieur. Ce circuit est constitué, à titre d'exemple, de quatre amplificateurs du type émetteur commun montés en parallèle. Chaque amplificateur est constitué de deux transistors Til et Ti2 ( i = 1, 2, 3, 4). Les quatre transistors Tl1, T21, T31, et T41 ont leurs bases reliées au même point B1 et leurs collecteurs reliés au même point C1. Les quatre transistors T12, T22, T32 et T42 ont leurs bases reliées au même point B2 et leurs collecteurs reliés au même point S2. Les résistances RL1 et RL2 relient la tension d'alimentation + Vcc aux points respectifs S1 et S2. L'émetteur de chaque transistor Til est chargé par une résistance Ril. De même, l'émetteur de chaque transistor Ti2 est chargé par une résistance Ri2. Comme cela est connu de l'homme de l'art, ces résistances d'émetteur permettent de linéariser la caractéristique de transfert de l'amplificateur. Comme cela apparaît sur la figure 1, les résistances Rl1 et R 12 sont égales à zéro. Les résistances Ril et Ri2 sont reliées à un même point Pi et chaque point Pi est relié au même point B par l'intermédiaire d'un interrupteur ITi. Un générateur de courant I relie la tension d'alimentation - Vcc au point B. Chaque interrupteur ITi est commandé par une commande Ci. Selon que l'interrupteur ITi est fermé ou ouvert, l'amplificateur constitué des deux transistors Til et Ti2 est respectivement activé ou désactivé. La tension d'entrée ve est prise entre les points B1 et B2 et la tension de sortie vs entre les points S1 et S2. Comme cela a été mentionné précédemment une résistance RE est placée entre les points B1 et B2 afin que l'impédance d'entrée soit faible et indépendante du gain. La figure 2 représente le schéma de principe d'un étage d'entrée de chaîne d'amplification selon l'invention. Le circuit de la figure 2 est constitué de n amplificateurs élémentaires de type base commune montés en parallèle. Comme cela sera précisé ultérieurement, des moyens permettent de sélectionner un amplificateur de rang j quelconque de façon à obtenir le gain souhaité. Les transistors représentés sur la figure 2 sont de type NPN. Cependant, l'invention concerne aussi des circuits dont les transistors sont de type PNP. Il suffit alors de changer la polarité des alimentations. L'amplificateur de rang j comprend principalement un transistor Qlj et un diviseur de courant Dj. Lorsque l'amplificateur de rang j est sélectionné, le transistor Qlj a sa base reliée à une tension continue VREF ajustée de façon que ledit transistor fonctionne dans une zone linéaire et son émetteur Ej relié à une tension continue de polarisation - Vcc par I'intermédiaire d'un générateur de courant Ij. Le diviseur de courant Dj, quant à lui, est relié au transistor Qlj de façon que seule une fraction dj du courant qui parcourt le transistor Qlj parcoure la résistance de charge RL reliée à la tension d'alimentation + Vcc et aux bornes de laquelle est prélevée la tension de sortie vs de l'étage d'amplification. Les moyens permettant de sélectionner l'amplificateur de rang j sont constitués d'un interrupteur SjB reliant la base du transistor Qlj à la tension continue VREF et d'un interrupteur SjA reliant l'émetteur Ej du transistor Qlj au générateur de courant Ij. Préférentiellement, les interrupteurs SjA et SjB sont commandés par une même commande Cj. Les émetteurs El, E2,..., En des transistors respectifs Ql1, Q12,...,Qln sont reliés entre eux par un ensemble de résistances montées en série. Ainsi la résistance Rj relie-t-elle l'émetteur Ej-1 à l'émetteur Ej. L'émetteur E1 est relié, quant à lui, non seulement à l'émetteur E2 par la résistance R2 mais aussi à la tension variable d'entrée ve par l'intermédiaire d'une résistance R1. Selon l'invention, quand l'amplificateur de rang j est sélectionné, l'impédance d'entrée de l'étage d'amplification vaut: Zej=R1 +R2+... +Rj+Ut/lj o Ut est le potentiel thermodynamique (Ut = kT/q, k étant la constante de Boltzman, T la température du dispositif en degré absolu, et q la charge de l'électron). Les valeurs des résistances R1, R2,..., Rn et les valeurs des courants 11, 12,..., In sont alors choisies de façon que l'impédance d'entrée de l'étage d'amplification ait la même valeur quel que soit l'amplificateur sélectionné. Ainsi, quand le rang j croît, le courant continu Ij croît de façon à diminuer l'influence du terme Ut / Ij. La résistance R1 + R2 +.... + Rj compense alors la quantité Ut / Ij de façon que l'impédance d'entrée Zej reste constante. Selon le mode de réalisation préférentiel, la résistance R1 est prise o10 égale à zéro de façon que l'amplificateur de rang 1 présente de bonnes performances de bruit. Comme cela a été mentionné précédemment, les diviseurs de courant permettent que seule une fraction dj du courant qui parcourt le transistor Qlj parcoure la résistance de charge RL aux bornes de laquelle est prélevée la tension de sortie vs de l'étage d'amplification. Ainsi, chaque diviseur de courant Dj est-il constitué de façon que le courant IL qui traverse la charge RL soit une fraction dj du courant Icj qui parcourt le transistor Qlj. On peut alors écrire: IL=dj xlcj Le gain en tension de l'amplificateur de rang j est alors Avj tel que: Avj = dj x RL/Zej De façon générale, le diviseur de courant Dj de l'amplificateur de rang j comprend un nombre quelconque de transistors et les fractions de courant dj sont ajustées de façon à assurer les valeurs désirées Avj. De façon préférentielle, le gain Avj décroît lorsque le rang j croît. Avantageusement, la série définie par les fractions dl, d2,...., dn peut alors être une série à progression géométrique, par exemple de raison 1/2. Il vient alors: ! _ _ dl= 1;d2=-;...;dn- 22nl Le diviseur de rang j est alors constitué de 2 (t-1) transistors (non représentés sur la figure) dont les émetteurs sont reliés entre eux et au collecteur du transistor Qlj. Parmi ces 2(-1) transistors, 2(-1)-1 ont leurs collecteurs reliés entre eux et à la même tension continue de polarisation + Vcc et le 2(-1)ème a son collecteur relié au point o est prélevée la tension de sortie vs de l'étage d'amplification, ce point étant lui-même relié, par l'intermédiaire de la résistance de charge RL, à la tension continue de polarisation + Vcc. Les bases des 2(-1) transistors du diviseur de rang j sont reliées entre elles et à une même tension de polarisation. Préférentiellement, les bases de tous les transistors de tous les diviseurs Dj sont reliées au même point. Avantageusement, l'amplificateur de rang 1 présente les meilleures performances de gain et de bruit. La variation de gain est assurée par les amplificateurs de rang supérieur à 1 qui présentent des gains de plus en plus faibles. Préférentiellement, le courant continu qui parcourt la charge RL est choisi indépendant de la valeur du gain de l'amplificateur. Il s'en suit que le courant Ij est tel que Ij = Il / dj. La figure 3 représente le schéma d'un étage d'entrée d'une chaîne d'amplification selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention. Sur ce schéma sont représentés trois amplificateurs montés en parallèle. De façon générale, le mode de réalisation préférentiel concerne cependant un nombre n quelconque d'amplificateurs en parallèle. Selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention chaque transistor Qlj de l'amplificateur de rang j participe au diviseur de courant Dj. Le collecteur de chaque transistor Qlj est relié à la charge RL par l'intermédiaire d'un même transistor QCl monté en "cascode" de façon à améliorer la bande passante de l'étage d'amplification. Le transistor QC1 a son émetteur relié aux collecteurs des transistors Qlj, son collecteur relié à la sortie de l'étage d'amplification et à l'une des bornes de la charge RL dont l'autre borne est reliée à la tension d'alimentation + Vcc, et sa base reliée à une tension de polarisation Vp ajustée de façon que le transistor QC1 fonctionne dans une zone linéaire. Selon le mode de réalisation préférentiel, le diviseur de courant Dj comprend 2(J-1) transistors. Ainsi, outre le transistor Qlj, le diviseur de s courant de l'amplificateur de rang j comprend-il préférentiellement 2(-1)-1 transistors Qljk, (k = 1, 2, 2(J-1)-1). Les transistors Qljk de même rang j ont leurs collecteurs reliés entre eux et à l'émetteur d'un transistor de type "cascode" QCFj dont la base est reliée à la tension de polarisation VP et dont le collecteur est relié à la tension de polarisation + Vcc par I'intermédiaire d'une résistance RLFj. Les transistors QCFj permettent d'équilibrer les courants entre les transistors de division en équilibrant les tensions base-collecteur de ces derniers. Chaque résistance RLFj permet d'améliorer la précision avec laquelle est définie la tension base-émetteur du transistor QCFj. Tous les transistors qui concourent à la constitution d'un même diviseur de rang j ont leurs bases reliées entre elles et leurs émetteurs reliés entre eux. Comme précédemment, les émetteurs El, E2,..., En des transistors respectifs QIl, Q12,..., QIn sont reliés entre eux par un ensemble de résistances montées en série. Il s'en suit que les émetteurs des transistors du diviseur de rang j sont reliés aux émetteurs des transistors du diviseur de rang j - 1 par une résistance Rj. L'émetteur E1 est relié, quant à lui, à la tension d'entrée ve. De même que dans le circuit de principe de la figure 2, un interrupteur SjA relie l'émetteur Ej du transistor Qlj à l'une des deux bornes d'un générateur de courant continu Ij dont l'autre borne est reliée à une tension de polarisation - Vcc. Selon le mode de réalisation préférentiel, la base du transistor Ql1 de l'amplificateur de rang 1 est reliée directement à une première tension de référence VREF1, alors que les bases des transistors Qljk de même rang j supérieur à 1 sont reliées à une deuxième tension de référence VREF2 par l'intermédiaire d'un interrupteur SjB. Les tensions VREF1 et VERF2 sont choisies de façon que l'amplificateur de rang 1 soit bloqué lorsque l'un quelconque des amplificateurs de rang j supérieur à 1 est activé. Ainsi, pour une réalisation du circuit avec des transistors de type NPN, la tension VREF2 est-elle supérieure à la tension VREF1 et ajustée en conséquence. Du fait de l'absence d'interrupteur sur la base du transistor Q1, les performances de bruit de l'amplificateur de rang 1 destiné à amplifier les signaux de faible amplitude se trouvent alors avantageusement améliorées par rapport aux performances des amplificateurs de rang s supérieur à 1 destinés à amplifier des signaux moins sensibles au niveau de bruit. Lorsque l'amplificateur de rang j est sélectionné, le transistor Qlj conduit ainsi que les 2(J-1)-1 transistors Qljk. De même que dans le circuit décrit en figure 2, la résistance RL n'est parcourue que par une fraction dj du courant Ij. L'impédance d'entrée Zej et le gain Avj du transistor de rang j s'expriment comme suit: Zej = R2 + R3 +....+Rj + Ut/ Ij, Avj = dj x RL /Zej. De même que précédemment, les résistances R2, R3,..., Rj et les courants Il, 12,..., Ij sont choisis de façon que l'impédance d'entrée de l'étage d'amplification soit la même quel que soit le rang de l'amplificateur. Selon le mode de réalisation préférentiel, le courant Ij est choisi de façon que Ij = I1 / dj et la série définie par les fractions dl, d2,..., dn est une série à progression géométrique, par exemple de raison 1/2. Comme précédemment, il vient alors: dl=l;d2=1/2;...; dn= 1 2n-1 La valeur que prend la résistance RLFj est alors: RLFj = RL / (2(-1)-1). Si la dynamique du gain de l'étage d'amplification est élevée, il s'en suit que dj doit prendre des valeurs très faibles. La division du courant peut alors être réalisé en deux étapes et non plus directement par les 20-1) transistors. La première étape peut être effectuée par la mise en parallèle de transistors de type "cascode" avec le transistor QCFj et la deuxième étape par la mise en parallèle de transistors Qljk en moins grand nombre que dans le cas précédent. L'invention concerne aussi ce type de configuration. Les circuits décrits ci- dessus sont des circuits à mode référencé qui ne comportent qu'une entrée et qu'une sortie. Plus généralement, l'invention concerne des circuits à mode différentiel utilisant les circuits à mode référencé selon l'invention. De tels circuits sont alors des amplificateurs différentiels comportant deux entrées et deux sorties. REVENDICATIONS 1. Amplificateur à gain variable constitué de n amplificateurs élémentaires en parallèle et comprenant des moyens (SjA, SjB) permettant de sélectionner un amplificateur élémentaire de rang j quelconque (j = 1, 2, n) selon le gain désiré, caractérisé en ce que chaque amplificateur élémentaire de rang j est de type base commune. 2. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque amplificateur élémentaire de rang j comprend un transistor Qlj qui a, lorsque ledit amplificateur est sélectionné, sa base reliée à une tension continue VREF ajustée de façon que ledit transistor fonctionne dans une zone linéaire et son émetteur (Ej) relié à une première tension continue de polarisation (- Vcc) par l'intermédiaire d'un générateur de courant Ij, l'émetteur du transistor de rang j + 1 étant relié à l'émetteur du transistor de rang j par une résistance Rj, I'émetteur E1 du transistor Ql1 étant relié non seulement à l'émetteur E2 du transistor Q12 par la résistance R2 mais aussi à la tension variable d'entrée (ve), les valeurs des courants Ij et des résistances Rj étant choisies de façon que l'impédance d'entrée de l'amplificateur ait la même valeur quel que soit le rang j de l'amplificateur élémentaire, et un diviseur de courant (Dj) relié audit transistor Qlj de façon que seule une fraction dj du courant qui parcourt le transistor Qlj parcoure une résistance de charge (RL) aux bornes de laquelle est prélevée la tension de sortie (vs) de l'amplificateur. 3. Amplificateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le diviseur de courant (Dj) de rang j est constitué de 2(-1) transistors dont les émetteurs sont reliés entre eux et au collecteur du transistor Qlj, 2(-1)-1 transistors ayant à leurs collecteurs reliés entre eux et à une seconde tension continue de polarisation (+ Vcc), le 2 (j-1)ème transistor ayant son collecteur relié au point o est prélevée la tension de sortie (vs) dudit étage, ce point étant lui-même relié, par l'intermédiaire de la résistance de charge (RL), à la seconde tension continue de polarisation (+ Vcc). 4. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que les moyens (SjA, SjB) permettant de sélectionner un amplificateur élémentaire de rang j sont un interrupteur (SjA) reliant la base du transistor Qlj à la tension continue VREF et un interrupteur (SjA) reliant l'émetteur (Ej) du transistor Qlj au générateur de courant (Ij) de rang j. 5. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque amplificateur de rang j comprend un transistor Qlj qui a, lorsque ledit amplificateur est sélectionné, sa base reliée à une tension continue (VREF1, VREF2) ajustée de façon que ledit transistor fonctionne dans une zone linéaire, son émetteur relié à une première tension continue de polarisation (- Vcc) par l'intermédiaire d'un générateur de courant, l'émetteur du transistor de rang j + 1 étant relié à l'émetteur du transistor de rang j par une résistance Rj, l'émetteur E1 du transistor QI1 étant relié non seulement à l'émetteur E2 du transistor Q12 par la résistance R2 mais aussi à la tension variable d'entrée (ve), les valeurs des courants Ij et des résistances Rj étant choisies de façon que l'impédance d'entrée de l'amplificateur ait la même valeur quel que soit le rang j de l'amplificateur, et son collecteur relié à I'émetteur d'un transistor QC1 de type "cascode" dont la base est reliée à une tension continue VP ajustée de façon que le transistor QC1 fonctionne dans une zone linéaire et dont le collecteur est relié à une seconde tension continue de polarisation (+ Vcc) par l'intermédiaire d'une résistance de charge (RL) aux bornes de laquelle est prélevée la tension de sortie (vs) et en ce que chaque amplificateur de rang j supérieur à 1 comprend au moins un transistor Qljk dont l'émetteur est relié à l'émetteur du transistor Qlj, dont la base est reliée à une tension continue (VREF2) ajustée de façon que le transistor Qljk fonctionne dans une zone linéaire lorsque l'amplificateur de rang j est sélectionné, et dont le collecteur est relié à l'émetteur d'un transistor de type "cascode" (QCFj) dont la base est reliée à ladite tension VP et dont le collecteur est relié à la seconde tension continue de polarisation (+ Vcc) à travers une résistance RLFj. 6. Amplificateur selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'amplificateur élémentaire de rang j comprend 2J-1-1 transistors Qljk (k = 1, 2,..., 2j-1-1). s 7. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que les moyens (SjA, SjB) permettant de sélectionner l'amplificateur élémentaire de rang 1 sont constitués d'un interrupteur (SlA) reliant l'émetteur de transistor QIl au générateur de courant de rang 1 (11) et en ce que les moyens permettant de sélectionner l'amplificateur élémentaire de rang j supérieur à 1 sont constitués d'un interrupteur (SjB) reliant la base des transistors Qlj et Qljk à la tension continue VREF2 et d'un interrupteur (SjA) reliant l'émetteur du transistor Qlj au générateur de courant de rang j (Ij). 8. Amplificateur différentiel caractérisé en ce qu'il contient au moins un amplificateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7.