FR 2714525 A1 19950630 FR 9412667 A 19941024 La présente invention concerne un procédé permettant de fabriquer un dispositif à semiconducteur, en particulier un dispositif à semiconducteur comprenant des transistors à effet de champ du type métaloxyde-semiconducteur (MOSFeM). On fabrique généralement un MOSFET en formant une électrode de grille sur une pellicule d'oxyde de grille au-dessus d'une région semiconductrice d'un premier type de conductivité et en formant des régions de drain et de source d'un autre type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, dans la région semiconductrice de part et d'autre de l'électmde de grille. La tension de grille (tension de seuil) n6écessaire pour inverser le type de conductivité de la région semiconductrice (région de canal) se trouvant sous l'électrode de grille dépend de la concentration en impuretés de la région de canal. Pour obtenir une tension de seuil appropriée sans augmenter la concentration en impuretés de toute la région semiconductrice, on effectue un dopage du canal au moyen duquel des impuretés de dopage sont envoyées dans la région de surface qui définit la région de canal. On réalise généralement une isolation électrique entre éléments semi- conducteurs en formant une épaisse pellicule d'oxyde de champ. Toutefois, si la concentration en impuretés, particulièrement en impuretés de type p, est faible, la surface de la région semiconductrice de type p qui est en contact avec la pellicule d'oxyde de champ épaisse peut s'inverser en le type n sous l'effet de charges positives se trouvant dans la pellicule d'oxyde, ce qui crée un canal non voulu. Pour éviter la formation de ce canal, on forme sous la pellicule d'oxyde une région d'arrêt de canal présentant une concentration accrue en impuretés. Dans un circuit intégré du type CMOS, on forme des régions de type n dans un puits de type p, et on forme des régions de type p dans un puits de type n. Une structure pnpn se forme le long de l'interface entre les puits de type p et de type n, ce qui présente le risque d'un verrouillage à l'état passant. La structure de puits rétrograde est un moyen connu de constituer une structure de puits qui peut efficacement empêcher le verrouillage à l'état passant. Un puits régrograde possède une distribution de sa concentration en impuretés qui présente une concentration plus élevée en impuretés dans la région située le plus loin de la surface du substrat semiconducteur. Une telle distribution de la concentration en impuretés est efficace pour réduire les effets des éléments parasites. De manière générale, on forme un puits régrogradc à l'aide des opérations suivantes. Tout d'abord, après avoir 6lectriquement isolé des régions d'éléments semiconducteurs par une oxydation LOCOS, on implante les irmpuretés destinées à former un puits, avec un niveau d'énergie élevée, en utilisant comme masque d'implantation ionique un masque d'agent sensible du type réserve plus épais qu'un masque ordinaire. Ensuite, à l'aide de ce même masque, on implante les impuretés destinées à former une région d'arrêt de canal et une région de commande de la tension de seuil. Des impuretés implantées avec une énergie élevée présentent une crête de distribution à une certaine profondeur de la surface du substrat semiconducteur. Par conséquent, la concentration en impuretés s'abaisse en allant vers la surface, depuis la position de la crête. il est nécessaire d'implanter des impuretés d'arrêt de canal sous l'épaisse pellicule d'oxyde de champ utilisée comme isolation d'éléments. L'implantation des impuretés d'arrêt de canal s'effectue donc à une 6énergie relati- vement élevée, et des impuretés sont également implantées dans la région de formation d'éléments, en une position relativement profonde. La concentration en impuretés s'abaisse au niveau de la r6gion de surface, la r6alisation d'une valeur de seuil voulue étant difficile. Pour obtenir des concentrations optimales en impuretés à la fois dans la région d'arrêt de canal et dans la r6gion de commande de tension de seuil, il devient n6cessaire d'implanter des ions d'impureté avec une énergie d'accélération différente. Les figures 5A à 5C sont des schémas simplifiés servant à expliquer la structure d'un MOSFET classique dans un circuit intégré du type CMOS. Comme représenté sur la figure SA, une épaisse pellicule d'oxyde de champ 63 est formée sur la surface d'un substrat de Si de type n 51. La pellicule d'oxyde de champ 63 enterre une région de formation d'éléments dans laquelle un puits de type p profond 52 est form6. Le puits de type p 52 est un puits rétrograde. Une région d'arrêt de canal de type p 53 ayant une concentration 6élevée en impuretés est formée, qui s'étend sous la pellicule d'oxyde de champ 63. Puisqu'on forme la région d'arrêt de canal 53 en utilisant le même masque que celui employé pour former le puits rétrograde 52, la forme latérale de la région d'arrêt de canal est la même que celle du puits rétrograde 52. A l'aide de ce même masque, on forme une région de commande de tension de seuil 54 en une position moins profonde. La région de puits de type p 52, la région d'arrêt de canal 53 et la région de commande de tension de seuil 54 sont formées par implantation d'ions à des tensions d'accélération diff6- rentes. Par exemple, on forme la région de puits 52 en implantant du bore avec une tension d'accélération de 400 keV et une dose de 4 x 1013 cm-2, on forme la région d'arrêt de canal 53 en implantant du bore avec une tension d'accélération de keV et une dose de 2 x 1012 cm-2, et on forme la région de commande de tension de seuil 54 en implantant du bore avec une tension d'accélération de keV et une dose de 4 x 1012 cm- 2. L'épaisseur de la pellicule d'oxyde de champ 63 est de 250 nm par exemple. On forme une 6électrode de grille en silicium polycristallin 57 au- dessus de la région de canal, une pellicule d'oxyde de grille 56 s'interposant entre elles. Par implantation ionique, on forme une région de type n légèrement dopée 59 qui constitue un "drain légèrement dop6é (IDD). Après cela, on forme une région d'oxyde de paroi latérale 58 sur les parois latérales de l'électrode de grille 57 en faisant déposer une pellicule d'oxyde, puis en effectuant une gravure ionique réactive (RIE), après quoi on implante des ions d'impuretés de type n afin de former les régions source/drain 60. Les figures 5B et 5C montrent les distributions de la concentration en impuretés que l'on obtient en implantant des ions trois fois, pour former la région de puits 52, la région d'arrêt de canal 53 et la région de commande de tension de seuil 54. La figure 5B montre la distribution de la concentration en impuretés dans la région de canal. Dans la région de canal, l'implantation ionique est effectuée trois fois. De ce fait, la région, possédant une concentration élevée en impuretés, est formée dans une région d'une assez grande profondeur au voisinage de la surface du puits rétrograde 52. Les régions source/drain 60 présentes dans les régions de formation d'éléments sont formées dans cette région possédant une concentration en impuretés relativement élevée, comme on peut le voir sur la figure 5B. De ce fait, la capacité parasite devient importante au niveau des régions source/drain. La figure 5C montre la distribution de la concentration en impuretés sous la pellicule d'oxyde de champ 63. 11 est nécessaire de former une région d'arrêt de canal 53 qui possède une concentration élevée en impuretés juste au-dessous de la pellicule d'oxyde de champ 63. La région d'arrêt de canal 53 est formée par implantation d'ions ayant une énergie d'accélération suffisante pour permettre à ces ions de traverser la pellicule d'oxyde de champ 63, ainsi qu'une dose suffisante pour assurer la concentration voulue en impuretés. Les ions d'impuretés implantés sont décélérés par la pellicule d'oxyde de champ 63. Par conséquent, il se forme un creux dans la distribution de la con- centration en impuretés en une position moins profonde que celle présentée sur la figure 5B. Cest un but de l'invention de produire un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, qui est en mesure de former une région d'arrêt de canal et une région de commande de la tension de seuil à l'aide d'une unique opération d'implantation ionique. Un autre but de l'invention est de produire un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, qui peut abaisser la capacité parasite d'un MOSFET. On forme une pellicule d'antioxydation sur la région de formation d'éléments d'un substrat semiconducteur, et on forme une épaisse pellicule d'oxyde destinée à isoler les éléments dans les régions qui sont exposées à l'extérieur de la pellicule d'antioxydation. Ensuite, sans retirer la pellicule d'antioxydation, on implante des impuretés avec une énergie d'accélération qui permet aux impuretés de traverser la pellicule d'antioxydation et la pellicule d'oxyde. En fixant de manière appropriée les épaisseurs de pellicule de la pellicule d'oxyde (de champ) d'isolation d'éléments et de la pellicule d'antioxydation ainsi que l'énergie de l'implantation des impuretés, on peut former des distributions de concentration en impuretés qui conviennent pour les régions situées sous la pellicule d'oxyde de champ et la région de formation d'éléments. On effectue l'implantation ionique visant à former une région d'arrêt de canal alors que la région de formation d'éléments est recouverte par la pellicule d'antioxydation. Ainsi, l'énergie des ions implantés dans la région de formation d'éléments à travers la pellicule d'antioxydation diminue, de sorte que les ions d'impuretés sont implantés dans la région peu profonde. En choisissant de manière correcte l'épaisseur de la pellicule d'oxyde de champ d'isolation d'éléments, la matière et l'épaisseur de la pellicule d'antioxy- dation, et l'énergie d'accélération de l'implantation ionique, il devient possible de former la région d'arrêt de canal et la région de commande de tension de seuil au moyen d'une unique opération d'implantation ionique. Les ions d'impuretés ne sont pas implantés jusqu'à une position profonde au niveau de la région de formation d'éléments, dc sorte qu'on peut ramener à un niveau bas la capacité parasite des régions source/drain. Il est possible de former à la fois la région d'arrêt de canal sous la S pellicule d'oxyde de champ et la région de commande de tension de seuil au niveau de la région de canal à l'aide d'une unique opération d'implantation ionique. La description suivante, conçuc à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: les figures 1A à 1I sont des vues en section droite d'un substrat semi- conducteur qui illustrent un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconduc- teur selon un mode de réalisation de l'invention; la figure 2 est un graphe montrant les distances de pénétration d'ions de bore dans une pellicule d'oxyde et dans une pellicule de nitrure; les figures 3A et 3B sont des graphes montrant des distributions de la concentration en impuretés dans le dispositif à semiconducteur du mode de réali- sation présenté sur les figures 1A à iI; les figures 4A à 4D sont des vues en section droite d'un substrat semi- conducteur qui illustrent un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconduc- teur selon un autre mode de réalisation de l'invention; et les figures SA à 5C sont respectivement une vue en section droite d'un substrat semiconducteur qui illustre un procédé classique de formation d'un dispositif à semiconducteur, et des graphes montrant les distributions de la con- centration en impuretés dans le substrat semiconducteur. On va décrire, en relation avec les figures 1A à 1I un procédé de fabri- cation d'un circuit intégré semiconducteur du type CMOS selon un mode de réalisation de l'invention. Comme on peut le voir sur la figure 1A, une pastille de silicium de type p, présntant une résistivité de 10 Qcm, a été préparée. Cette pastille de silicium a été thermiquement oxydée dans une atmosphère oxydante à une tem- pérature de 850 C pour que soit formée une pellicule d'oxyde thermique 2 à la surface de la pastille, avec une épaisseur de 3 nm. Ensuite, on a fait déposer sur la pellicule d'oxyde thermique 2 une pellicule 3 de silicium polycristallin jusqu'à une épaisseur d'environ 50 nm à l'aide d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Dans la description, l'expression "silicium polycristallin" vise à comprendre également le silicium amorphe. On peut obtenir sensiblement les mêmes fonctions et les mêmes effets en utilisant du silicium amorphe à la place du silicium polycristallin. Ensuite, on forme sur la pellicule de silicium polycristallin 3 une pellicule 4 de Si3N4 jusqu'à une épaisseur d'cnviron 150 nm, à l'aide d'une opéra- tion CVD. Comme représenté sur la figure lB, on a déposé par centrifugation sur la pellicule de Si3N4 une pellicule d'agent photosensible du type réserve, on l'a sélectivement exposée à la lumière ultraviolette et on l'a développée dans un agent de développement afin de former un motif d'agent sensible 5 couvrant une région de formation d'éléments. En utilisant comme masque de gravure ce motif d'agent sensible 5, on a gravé la pellicule de Si3N4, par exemple dans de l'acide phosphorique chaud. Ensuite, on a retiré le motif d'agent sensible 5 dans une solution diluée de HF. Le motif de pellicule de Si3N4 ainsi formé fait fonction de pellicule d'antioxydation qui empêche ou retarde le passage d'atomes d'oxygène ou de molécules contenant de l'oxygène. Comme représenté sur la figure 1C, on a exposé la pastille de silicium, dans une atmosphère oxydante humide (02 + H20), à une température de 900'C afin d'oxyder la pellicule de silicium polycristallin 3 par oxydation humide ainsi que la surface de la pastille de silicium 1, et donc de former une pellicule de SiO2 (pellicule d'oxyde de champ) 7 d'une épaisseur d'environ 200 nm sur la surface de silicium non revêtue par la pellicule de Si3N4. Le silicium polycristallin est susceptible de s'oxyder plus rapidement que le silicium monocristallin. Par con- séquent, on peut facilement former une pellicule d'oxyde épaisse ayant un petit bec d'oiseau. Ensuite, comme représenté sur la figure 1D, on a fait déposer sur la surface de la pastille de silicium une pellicule d'agent sensible de type réserve, on l'a exposée et on l'a développée pour former un motif d'agent sensible 8 présentant une ouverture dans la zone correspondant seulement à une région de formation de puits de type p. Ce motif d'agent sensible possède par exemple une épaisseur de 2,5 am. En utilisant ce motif d'agent sensible comme masque d'implantation ionique, on a implanté des ions de bore 9 avec une énergie d'accélération de 450 keV et une dose de 4 x 1013 cm-2. Cette implantation de bore sous une énergie d'accélération élevée forme un puits de type p 11 atteignant une position profonde dans la pastille de silicium. Ensuite, comme représent6 sur la figure 1E, en utilisant comme masque d'implantation ionique le même motif d'agent sensible, on a implanté des ions de bore 9 sous une 6nergie d'accélération de 40 keV et à une dose de 4 x 1013 cm-2. Cette implantation ionique forme respectivement une région d'arrêt de canal 12a présentant une concentration accrue en impuretés de type p dans le puits de type p 11 situé sous la pellicule d'oxyde de champ 7 et une région de commande de tension de seuil 12b se trouvant au niveau de la région de formation d'éléments, au titre d'une unique région 12 formée par implantation ionique. Puisque la région de formation d'éléments est revêtue par la pellicule de Si3N4 4, le bore ayant une énergie d'accélération de 40 kev a 6té implant6 dans la région peu profonde. La figure 2 est un graphe montrant les distances de pénétration d'ions de bore traversant une pellicule d'oxyde et une pellicule de nitrure, en fonction de l'énergie d'accélération. Comme on peut le voir sur le graphe, la pellicule de nitrure de silicium possède une plus grande aptitude à l'interception des ions de bore que la pellicule d'oxyde de silicium. La profondeur d'implantation d'ions de bore ayant une 6nergie d'accé- lération de 40 keV dans la pellicule de nitrure de silicium est d'environ 0,10 /an, et celle relative à la pellicule d'oxyde de silicium est d'environ 0,13/an. La quantit6 d'ions de bore ayant travers6 la pellicule d'oxyde de champ 7 d'épaisseur 200 nm est donc sensiblement 6gale à la quantité d'ions de bore ayant traversé la pellicule de Si3N4 d'épaisseur 150 nm. Puisque la pellicule de silicium polycristallin 3 d'épaisseur 50 nm est formée sous la pellicule de Si3N4 4, la distribution des ions de bore implantés diminue également dans la pellicule polycristalline 3, présente une concentration en bore inférieure au niveau de la surface de la région de commande de tension de seuil 12b au niveau de la région d'arrêt de canal 12a, et diminue rapidement lorsque la profondeur augmente. En d'autres termes, la région d'arrêt de canal 12a possède une concentration superficielle en impuretés plus élevée que la région de canal 12b. De la manière ci-dessus présentée, il est possible de former, par une unique implantation ionique, une région d'arrêt de canal 12a possédant une concentration en bore suffisante et une région de commande de tension de seuil 12b possédant la concentration en bore voulue. Une implantation ionique dans le puits p est réalisée de la manière ci- dessus indiquée. Apres cela, on retire le masque d'agent sensible 8. Ensuite, comme représenté sur la figure 1F, on fait déposer une pelli- cule d'agent sensible au-dessus de la pastille de silicium, on l'expose et on la développe pour former un motif d'agent sensible 13 présentant une ouverture dans la partie correspondant à seulement la région de formation du puits de type n. En utilisant comme masque d'implantation ionique ce motif d'agent sensible 13, on implante des ions de phosphore (P) sous une énergie d'accélération de 800 keV et à une dose de 4 x 1013 cm-2, afin de former un puits de type n 15 ayant sensiblement la même profondeur que le puits de type p 11. Les puits de type p 11 et de type n 11 peuvent être adjacents l'un à l'autre, comme représenté sur la figure. Ensuite, comme on peut le voir sur la figure 1G, en utilisant comme masque d'implantation ionique le même motif d'agent sensible 13, on implante des ions de phosphore (P) sous une énergie d'accélération de 100 keV et à une dose de 7 x 1013 cm-2. Cette implantation ionique forme respectivement une région d'arrêt de canal 16a sous la pellicule d'oxyde de champ 7 et une région de commande de tension de seuil 16b au niveau de la région de formation d'éléments, au titre d'une unique région 16 ayant subi l'implantation ionique. Ensuite, on retire le motif d'agent sensible 13, la pellicule de Si3N4 4 et la pellicule de silicium polycristallin 3, de sorte qu'on obtient la structure présentée sur la figure 1H. La pellicule d'oxyde épaisse 7 servant à isoler les éléments est formée sur la surface de la pastille de silicium 1, et les puits de type p 11 et de type n 15 sont formés de façon à être entourés par la pellicule d'oxyde épaisse 7. Les régions d'arrêt de canal 12a et 16a et les régions de commande de tension de seuil 12b et 16b sont formées sous la pellicule d'oxyde de champ 7 et dans la région de surface des régions de formation d'éléments. Un transistor NMOS est formé dans le puits de type p 11 et un transistor PMOS est formé dans la région de type n 15, de façon à constituer un circuit intégré CMOS. La figure 1I représente un exemple de la structure d'un MOSFET fabriqué à l'aide des opérations ci-dessus décrites. Une électrode de grille 22 en silicium polycristallin est formée sur la surface du puits de type p 11, une mince pellicule d'oxyde de grille 21 s'interposant entre eux. Les parois latérales de la grille de silicium polycristallin 22 sont recouvertes par des régions d'oxyde de paroi latérale 23. Les régions source/ drain 24 et 25 de faible concentration en impuretés de type n, qui présentent une structure LDD, sont formées sous les régions d'oxyde de paroi latérale 23. Des régions source/drain 27 et 28 de concentration élevée en impuretés sont formées à l'extérieur des régions d'oxyde de paroi latérale 23. Les fonds des régions source/drain 27 et 28 s'étendent plus bas que la région de commande de tension de seuil 12b et atteignent la région de puits ayant une faible concentration en impuretés. De ce fait, la capacité parasite des régions source/drain 27 et 28 est petite. Dans l'exemple représenté sur la figure 1, on peut voir la structure d'un transistor NMOS formé dans le puits de type p 11. Un transistor PMOS est formé dans le puits de type n 15, avec la même structure. Le type de conductivité présent dans le puits de type n 15 est opposé à celui présent dans le puits de type p 11. Les figures 3A et 3B sont des graphes montrant les distributions de la concentration en impuretés dans le puits de type p du mode de réalisation repré- senté sur les figures 1A à 1I. La figure 3A est un graphe montrant la distribution de la concentration en impuretés dans la région de canal en fonction de la profondeur, tandis que la figure 3B est un graphe montrant la distribution de la concentration en impuretés sous la pellicule d'oxyde de champ. L'abscisse représente la profon- deur suivant une échelle linéaire, et l'ordonnée représente la concentration en impuretés suivant une échelle logarithmique. Dans la région de canal, même si la concentration en impuretés est quelque peu élevée à la surface de celui-ci, elle s'abaisse rapidement lorsque la profondeur augmente. Puis elle augmente graduellement lorsque la profondeur continue d'augmenter. Si le fond des régions source/drain est placé au niveau du creux de la distribution de la concentration en impuretés, la capacité parasite des régions source/drain devient petite. Les régions plus profondes que les régions source/drain constituent un puits rétrograde o la concentration en impuretés augmente graduellement. De ce fait, on peut former un transistor qui possède une résistance importante au verrouillage à l'état passant. Dans la région située sous la pellicule d'oxyde de champ, la concen- tration en impuretés au niveau de l'interface avec la pellicule d'oxyde de champ est fixée à une valeur suffisamment élevée pour empêcher efficacement la formation d'un canal inversé. Dans le mode de réalisation ci-dessus présenté, une couche de silicium polycristallin a été formée à la surface d'une pastille de silicium, et une pellicule de Si3N4 faisant fonction de pellicule d'antioxydation a été formée sur la couche de silicium polycristallin. La pellicule de silicium polycristallin possède une vitesse d'oxydation plus élevée que le silicium monocristallin, si bien qu'il est facile de former une pellicule d'oxyde épaisse tout en supprimant le bec d'oiseau. Il n'est pas toujours nécessaire d'utiliser la pellicule de silicium polycristallin de ce mode de réalisation. Les figures 4A à 4D sont des vues en section droite d'un autre substrat semiconducteur illustrant un mode de réalisation simplifié. Comme on peut le voir sur la figure 4A, une pcllicule d'oxyde thermique 32 a été formée à la surface d'une pastille de silicium de type n 31, et une pellicule de Si3N4 34 a été déposée sur la pellicule d'oxyde thermique 32. Comme représenté sur la figure 4B, on fait déposer une pellicule d'agent photosensible de type réserve sur la pellicule de Si3N4 34, on l'expose et on la développe afin de former un motif d'agent sensible 35 couvrant une région de formation d'éléments. En utilisant ce motif d'agent sensible 35 comme masque de gravure, on grave la pellicule de Si3N4 34 sous-jacente. Après cela, on enlève le motif d'agent sensible 35. Ensuite, comme représenté sur la figure 4C, en utilisant la pellicule de Si3N4 34 comme masque d'oxydation, on oxyde thermiquement la surface de la pastille de silicium 31 jusqu'à une épaisseur voulue afin de former une pellicule d'oxyde de champ 37. Après cela, comme représenté sur la figure 4D, on forme un motif d'agent sensible de type réserve 38 comportant une ouverture dans la zone qui correspond à une région de puits de type p, et on implante des ions. Pour former une région de puits de type p 41, on implante des ions de bore avec une énergie de l'accélération élevée, puis avec une énergie d'accélération relativement basse, afin de former une unique région d'implantation ionique 42 qui constitue à la fois une région d'arrêt de canal 42a et une région de commande de tension de seuil 42b. En ajustant de manière appropriée les épaisseurs de la pellicule de Si3N4 34 et de la pellicule d'oxyde de champ 37 ainsi que l'énergie d'accélération de l'implantation ionique, il est possible de former à la fois une région d'arrêt de canal 42a et une région de commande de tension de seuil 42b ayant des concentra- tions en impuretés voulues, en même temps et en une seule implantation ionique. Dans les modes de réalisation ci-dessus présentés, le masque d'anti- oxydation se trouvant au-dessus de la région de formation d'éléments est une couche stratifiée faite d'une pellicule de silicium polycristallin et d'une pellicule de nitrure, ou une pellicule de nitrure seule. Le masque d'antioxydation peut avoir des structures différentes dans la mesure o il peut servir de masque contre la réaction d'oxydation. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des procédés dont la description vient d'être donnée à titre simplement limitatif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: former un motif de pellicule d'antioxydation (4; 34) au-dessus d'une région de formation d'éléments d'un substrat semiconducteur (1; 31); oxyder sélectivement une région non recouverte par ledit motif de pellicule d'antioxydation sur ledit substrat semiconducteur afin de former une pellicule d'oxyde d'isolation (7; 37); et implanter des premiers ions d'impuretés dans ledit substrat semicon- ducteur à travers ladite pellicule d'oxyde d'isolation et ladite pellicule d'antioxy- dation avec une première énergie d'accélération, afin de former une région de commande de tension de seuil (12b, 16b; 42b) sous ladite pellicule d'antioxyda- tion et une région d'arrêt de canal (12a, 16a; 42a) sous ladite pellicule d'oxyde d'isolation. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la concen- tration en impuretés est plus élevée à la surface de ladite région d'arrêt de canal qu'à la surface de ladite région de commande de tension de seuil. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur possède une couche de surface formée d'une couche semiconduc- trice polycristalline, ledit motif de pellicule d'antioxydation est formé sur ladite couche semiconductrice polycristalline, et ladite opération de formation de la pellicule d'oxyde d'isolation oxyde ladite couche polycristalline non revêtue par ledit motif de pellicule d'antioxydation. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, avant ladite opération d'implantation d'ions visant à former ladite région de commande de tension de seuil et ladite région d'arrêt de canal, l'opération consistant à implanter des deuxièmes ions d'impuretés du même type de conduc- tivité que lesdites impuretés dans ledit substrat semiconducteur à travers ladite pellicule d'oxyde d'isolation et ladite pellicule d'antioxydation avec une énergie d'accélération plus élevée que ladite première énergie d'accélération, afin de former un puits. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit puits possède une distribution graduelle de sa concentration en impuretés, qui s'abaisse lorsque la profondeur diminue d'une position profonde en direction de ladite région de commande de tension de seuil. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur possède une couche de surface formée d'une couche semiconduc- trice polycristalline, ledit motif de pellicule d'antioxydation est formé sur ladite couche semiconductrice polycristalline, et ladite opération de formation de la pellicule d'oxyde d'isolation oxyde ladite couche polycristalline non revêtue par ledit motif de pellicule d'antioxydation. 7. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur possède une couche de surface formée d'une couche semiconduc- trice polycristalline, ledit motif de pellicule d'antioxydation est formé sur ladite couche semiconductrice polycristalline, et ladite opération de formation de la pellicule d'oxyde d'isolation oxyde ladite couche polycristalline non revêtue par ledit motif de pellicule d'antioxydation. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit puits possède une distribution graduelle de sa concentration en impuretés, qui s'abaisse lorsque la profondeur diminue d'une position profonde en direction de ladite région de commande de tension de seuil. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur possède une couche de surface formée d'une pellicule d'oxyde, et ledit motif de pellicule d'antioxydation est formé sur ladite pellicule d'oxyde. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat semiconducteur possède une stratification de surface formée d'une pellicule d'oxyde et d'une couche semiconductrice polycristalline, et ledit motif de pellicule d'antioxydation est formé sur ladite stratification de surface. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits ions d'impuretés de ladite opération d'implantation d'ions d'impuretés possèdent un deuxième type de conductivité, et en ce qu'il comprend en outre, après ladite opé- ration de formation de la pellicule d'oxyde d'isolation, les opérations suivantes: former un premier masque d'agent sensible de type réserve qui comporte une ouverture définissant une région de puits du deuxième type de conductivité, et, à l'aide dudit premier masque d'agent sensible, implanter des ions du deuxième type de conductivité dans ledit substrat semiconducteur à travers ledit motif de pellicule d'antioxydation et ladite pellicule d'oxyde d'isolation afin de former un puits du deuxième type de conductivité. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits ions d'impuretés de ladite opération d'implantation d'ions d'impuretés possèdent un deuxième type de conductivité, et en ce qu'il comprend en outre, après ladite opé- ration de formation de la pellicule d'oxyde d'isolation, les opérations suivantes: former un premier masque d'agent sensible de type réserve qui comporte une ouverture définissant une région destincée à former un transistor d'un premier type de conductivité, le premier type de conductivité étant opposé audit deuxième type de conductivité; et, en utilisant ledit premier masque d'agent sensible, implanter des ions du deuxième type de conductivité avec une énergie d'accélération élevée afin de former un puits du deuxième type de conductivité dans ladite région de formation de transistor du premier type de conductivité, o, en utilisant comme masque ledit premier masque d'agent sensible, ladite opération d'implantation d'ions visant à former ladite région de commande de tension de seuil et ladite région d'arrêt de canal implante des ions dudit deuxième type de conductivité dans ledit substrat semiconducteur avec une énergie d'accélération relativement basse. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les opérations suivantes: retirer ledit premier masque d'agent sensible; former un deuxième masque d'agent sensible de type réserve qui comporte une ouverture définissant une région destinée à former un transistor du deuxième type de conductivité; et, en utilisant comme masque ledit deuxième masque d'agent sensible, implanter des ions du premier type de conductivité dans ledit substrat semicon- ducteur avec une énergie d'accélération élevée afin de former un puits du premier type de conductivité dans ladite région de formation de transistor du deuxième type de conductivité. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération consistant à, par utilisation de ce même deuxième masque d'agent sensible comme masque, implanter des ions dudit premier type de conduc- tivité dans ladite région de formation de transistor du deuxième type de conduc- tivité à travers ladite pellicule d'oxyde d'isolation et ladite pellicule d'antioxydation avec une énergie d'accélération relativement basse afin de former unc région de commande de tension de seuil sous ladite pellicule d'antioxydation et une r6gion d'arrêt de canal sous ladite pellicule d'oxyde d'isolation.