FR 2713861 A1 19950616 FR 9415061 A 19941214 " Oscillateur commandé, par exemple pour détecteur vidéo synchrone " La présente invention concerne les oscillateurs dont on peut commander électriquement la fréquence et la phase des oscillations et, plus particulièrement, un os- cillateur construit partiellement dans les limites d'un circuit intégré monolithique. Contexte de l'invention Les oscillateurs à commande automatique de fré- quence et de phase (AFPC) sont utilisés par exemple dans la réalisation de détecteurs vidéo synchrones. Il est de pra- tique courante de construire un détecteur vidéo synchrone dans les limites du même circuit intégré (CI) monolithique qu'un amplificateur à fréquence intermédiaire (FI) vidéo à plusieurs étages. Le détecteur synchrone est couramment d'un type "ramifié" dans lequel les courants d'un collec- teur d'une première paire de transistors à émetteurs cou- plés utilisés en amplificateur de transconductance en mode différentiel, sont commutés en synchronisme par d'autres paires respectives de transistors à émetteurs couplés uti- lisés en commutateurs à mode de courant à double volée et à un seul pôle. Le type "ramifié" de détecteur synchrone peut être conçu pour présenter un gain de conversion appréciable (20 dB ou de cet ordre), ce qui réduit la nécessite d'un gain de tension FI vidéo dans l'amplificateur FI d'image (PIX) fournissant le signal FI vidéo amplifié aux électro- des de base de la première paire de transistors d'amplifi- cateur différentiel à émetteurs couplés. La pratique récente en ce qui concerne la réali- sation des fonctions de filtrage FI et de gain dans un ap- pareil de réception de signaux de télévision, est d'utiliser un filtre pavé ou "bloc" précédant un amplifica- teur de bloc-gain comprenant plusieurs étages montés en cascade, à couplage direct, dans les limites d'un circuit intégré (CI) monolithique. Le filtre "bloc" est couramment un filtre à ondes de surface acoustiques (OSA) utilisé pour fournir toute la forme de bande passante et toute l'atté- nuation des canaux adjacents nécessitées par un récepteur de télévision. Aucun accord entre étages n'est utilisé dans l'amplificateur CI de bloc-gain. Le signal FI amplifié pro- venant de l'amplificateur CI de bloc-gain, est ensuite dé- tecté essentiellement dans les limites du circuit intégré monolithique, de manière à sortir du circuit intégré sous la forme d'un signal vidéo composite en bande de base, et d'une FI son à 4,5 MHz. Le signal FI amplifié est filtré à partir de ces signaux pour réduire le risque d'une régéné- ration provoquant une oscillation de l'amplificateur de bloc-gain. Une information supplémentaire sur les filtres à ondes de surface acoustiques et sur le filtrage et l'ampli- fication par bloc, peut être trouvée par exemple dans le chapitre 13 du livre TELEVISION ENGINEERING HANDBOOK. K. Blair Benson, Editor in Chief; Mc Graw-Hill Book Company, New York; 1986. La demande de brevet U.S. de No. de série 08/080705 déposée le 24 juin 1993 par Jack Rudolph Hartford et intitulée "Signaux fournis par des amplificateurs FI vi- déo non accordés parallèles à partir d'un premier détecteur T.V. par l'intermédiaire de filtres d'entrée respectifs", incorporée ici à titre de référence, fournit d'autres in- formations concernant l'utilisation de filtres à ondes de surface acoustiques et d'amplificateurs de bloc-gain pour fréquences intermédiaires dans des récepteurs de télévi- sion. Des circuits intégrés de l'art antérieur compor- tant des amplificateurs FI vidéo dans des configurations de bloc-gain suivis par des détecteurs synchrones, ont utilisé des oscillateurs commandés du type général décrit ci-après. Un circuit LC réservoir sert de charge de collecteur pour un transistor saturé par une rétroaction régénératrice à son électrode de base, de manière à commuter entre la con- duction saturée et la coupure. Cette disposition courante pose cependant certains problèmes. Le signal de tension aux bornes du circuit LC ré- servoir est typiquement de quelques volts crête à crête, de sorte qu'un couplage parasite avec l'entrée de l'amplifica- teur FI vidéo, a tendance à en résulter. Cela pose des pro- blèmes particuliers lorsqu'on augmente la sensibilité FI pour répondre à des exigences commerciales. Le circuit LC réservoir utilisé comme charge de collecteur pour le transistor commuté, présente à ses bor- nes un signal de tension dont on retire la teneur en harmo- niques par filtrage, mais le débit de courant du transistor commuté est conduit sous une forme déséquilibrée à travers la connexion de "masse" du circuit intégré, et présente une teneur en harmoniques appréciable. Le bus de "masse" de la carte de circuit imprimé sur laquelle est monté le circuit intégré, rerayonne cette teneur en harmoniques vers le tu- ner en provoquant des problèmes avec la réception du canal- 8, etc. Ces problèmes persistent même lorsque le circuit LC réservoir est commandé en "push-pull" par une paire de transistors commutés en opposition de phase, car il existe une teneur appréciable en harmoniques de mode commun. L'auteur de l'invention a cherché un oscillateur dans lequel le circuit LC réservoir se trouve dans une par- tir du circuit o les niveaux de signaux sont à leur mini- mum au lieu d'être à leur maximum, de manière à minimiser les problèmes de rerayonnement vers le tuner et la borne d'entrée de l'amplificateur FI. Pour réduire les oscilla- tions et leurs harmoniques apparaissant sur les bus d'ali- mentation de fonctionnement du circuit intégré, l'auteur de l'invention a cherché un oscillateur de construction équi- librée. Un amplificateur différentiel du type appelé "à paire de queues longues" utilisant une paire de transistors bipolaires à émetteurs couplés dans sa construction, est un circuit favorisé par une construction équilibrée qui con- vient pour un montage dans un circuit intégré monolithique. Le fait de monter le circuit LC réservoir entre les élec- trodes de base des transistors à émetteurs couplés, au lieu de le monter entre leurs électrodes de collecteur, permet au chemin à faible résistance passant par la bobine de ré- servoir, de maintenir les électrodes de base à des poten- tiels continus sensiblement égaux, ce qui simplifie la polarisation d'entrée. Résumé de l'invention L'invention, sous l'un de ses aspects, est mise en oeuvre dans un oscillateur construit partiellement dans les limites d'un circuit intégré monolithique. Un amplifi- cateur différentiel à entrée différentielle et sortie dif- férentielle est monté dans le circuit intégré monolithique. Cet amplificateur différentiel comporte une première et une seconde bornes de sortie qui ne sont pas disponibles pour une connexion à des éléments extérieurs, ainsi qu'une pre- mière et une seconde bornes d'entrée disponibles pour une connexion à des éléments extérieurs. Un premier diviseur de potentiel à résistances monté dans le circuit intégré mono- lithique, est branché pour diviser, dans un rapport prédé- terminé, le potentiel apparaissant à la première borne de sortie de l'amplificateur différentiel, et pour appliquer ce potentiel divisé à la première borne d'entrée de l'am- plificateur différentiel, de manière à parfaire ainsi une première connexion de rétroaction régénératrice à couplage direct. Un second diviseur de potentiel à résistances monté dans le circuit intégré monolithique, est branché pour di- viser, dans le même rapport prédéterminé, le potentiel ap- paraissant à la seconde borne de sortie de l'amplificateur différentiel, et pour appliquer ce potentiel divisé à la seconde borne d'entrée de l'amplificateur différentiel, de manière à parfaire ainsi une seconde connexion de rétroac- tion régénératrice à couplage direct. Un inducteur placé à l'extérieur du circuit intégré monolithique comporte un en- roulement dont la première extrémité et la seconde extrémi- té sont branchées respectivement à la première borne d'entrée et à la seconde borne d'entrée de l'amplificateur différentiel. Un condensateur comporte une première plaque et une seconde plaque branchées respectivement à la pre- mière borne d'entrée et à la seconde borne d'entrée de l'amplificateur différentiel, de manière à former avec l'inducteur un circuit antirésonnant qui détermine ou aide à déterminer la fréquence propre des oscillations provenant de l'oscillateur. Ce condensateur peut être placé à l'inté- rieur ou à l'extérieur du circuit intégré monolithique, ou peut être formé en montant en parallèle un premier conden- sateur élémentaire placé à l'intérieur du circuit intégré monolithique, avec un second condensateur élémentaire placé à l'extérieur du circuit intégré monolithique. L'invention, sous un autre de ses aspects, est mise en oeuvre dans un oscillateur commandé construit par- tiellement à l'intérieur des limites d'un circuit intégré monolithique. Brève description du dessin La présente invention sera décrite ci-après de manière plus détaillée à l'aide d'un mode de réalisation représenté sur le dessin de la figure unique ci-jointe qui représente un schéma d'un oscillateur commandé mettant en oeuvre un aspect principal de l'invention. Description détaillée La figure unique représente un oscillateur com- mandé convenablement destiné à une construction à l'inté- rieur d'un circuit intégré monolithique CI, en association avec d'autres circuits non représentés. Les bornes T1 et T2 du circuit intégré monolithique CI sont représentées pour recevoir respectivement une tension d'alimentation de fonc- tionnement relativement négative B- et une tension d'ali- mentation de fonctionnement relativement positive B+ provenant d'une alimentation de fonctionnement B représen- tée sous la forme d'une batterie mais normalement fournie par redressement et filtrage d'un courant alternatif dévol- té provenant du secteur. Le substrat du circuit intégré mo- nolithique CI est référé à la tension d'alimentation de fonctionnement relativement négative et sera donc appelé potentiel de "masse". La tension d'alimentation de fonc- tionnement relativement positive B+ à la borne TC est par exemple d'environ +9V, par rapport au potentiel de "masse". Entre les bornes T3 et T4 est branchée une bobine réservoir L1 de l'oscillateur, cette bobine étant placée à l'exté- rieur du circuit intégré monolithique CI. Les bornes T5 et T6 fournissent un premier jeu de réponses en ondes carrées au circuit amplicateur(push-pull) aux oscillations de l'os- cillateur de la figure 1, tandis que les bornes T7 et T8 fournissent un second jeu de réponses en ondes carrées au circuit aplificateur (push-pull) aux oscillations de l'os- cillateur de la figure 1. La fréquence et la phase des os- cillations nominales à 45,75 MHz de l'oscillateur sont commandées (d'une manière qui sera décrite ci-après) par une tension de signal de commande automatique de fréquence et de phase (AFPC) appliquée à la borne T9. La bobine réservoir Li de l'oscillateur s'accorde sur la capacité associée d'un condensateur C1 et sur les autres capacités qui viennent en parallèle sur le condensa- teur Ci et qui sont placées à l'intérieur du circuit inté- gré monolithique CI. L'une de ces autres capacités en pa- rallèle est la capacité série des condensateurs parasites C2 et C3 shuntant respectivement à la masse les bornes T3 et T4. Une autre de ces autres capacités en parallèle est la capacité série des condensateurs C4 et C5 multipliée de façon contrôlable par effet Miller en réponse au signal AFPC appliqué à la borne T9. Les condensateurs C4 et C5 sont de construction métal-isolant-semiconducteur (MIS). Comme cela sera décrit plus en détail ci-après, des oscillations à 45, 75 MHz d'environ 125 mW crête à crête sont entretenues aux bornes du réservoir d'oscillateur branché entre les bornes T3 et T4 qui sont connectées res- pectivement aux électrodes de base des transistors NPN Q1 et Q2. Le chemin à faible résistance passant par l'enroule- ment de la bobine réservoir L1 maintient sensiblement aux mêmes potentiels continus les électrodes de base de Q1 et Q2. Une résistance de couplage Rl connecte à la masse du circuit intégré les émetteurs interconnectés de Q1 et Q2. Des résistances R2 et R3 fournissent des charges de collec- teur respectivement à Q1 et Q2, en se branchant entre leurs collecteurs et un noeud Rl. Une résistance de chute de ten- sion R4 connecte la borne d'alimentation T2 au noeud N1 pour fournir à ce noeud N1 un potentiel de fonctionnement positif (de par exemple 7,3 V) réduit par rapport à B+. Q1 et Q2 sont alors connectés en amplificateur différentiel à émetteurs couplés pour amplifier les os- cillations entre leurs électrodes de base et les coupler en oscillations de 1,2 V crête-à-crête entre leurs électrodes de collecteur qui sont connectées respectivement aux élec- trodes de base de transistors NPN Q3 et Q4. Cet amplifica- teur différentiel à émetteurs couplés comprenant Q1 et Q2 fonctionne en amplificateur linéaire du fait que les os- cillations à 45,75 MHz entre leurs électrodes de base sont contraintes de ne pas dépasser environ 125 mV crête-à- crête. Cette amplitude est suffisamment faible pour qu'au- cun des transistors Qi et Q2 ne soit complètement privé de conduction pendant le fonctionnement de l'oscillateur. Le débit de courant en mode commun à travers la résistance de couplage R1 est de façon prépondérante un débit de courant continu, et les oscillations à 45,75 MHz redressées, rela- tivement faibles, étant par nature des harmoniques paires, tombent à l'extérieur des bandes de télévision VHF. Q3 et Q4 sont également connectés en amplifica- teur différentiel à émetteurs couplés, avec une résistance de couplage R5 branchée entre l'interconnexion de leurs émetteurs et la masse. Cependant, la commande de 1,2 V crête-à-crête entre leurs électrodes de base est suffisam- ment grande pour produire le fonctionnement en limiteur dans lequel Q3 et Q4 sont alternativement commutés en pleine conduction et en coupure, de manière à produire ain- si l'apparition de tensions de formes d'onde carrées à leurs collecteurs chargés par des résistances. Bien qu'ils conduisent des courants de formes d'onde carrées, les tran- sistors à émetteurs couplés Q3 et Q4 conduisent ces cou- rants sur une base équilibrée et sont disposés à l'intérieur de la matrice du circuit intégré de façon que celles de leurs connexions qui correspondent aux rails d'alimentation de fonctionnement, soient aux mêmes points pour maintenir ainsi le courant de forme d'onde carrée cou- pé des rails d'alimentation. Des résistances R6 et R7 branchées respectivement entre la borne d'alimentation T2 et les collecteurs de Q3 et Q4, font partie de cette charge résistive. Des résistan- ces R8, R9 et R10 branchées en série entre les collecteurs de Q3 et Q4 forment une autre partie de leur charge résis- tive. Le collecteur de Q3 est encore chargé de manière ré- sistive par un diviseur de tension à résistances comprenant les résistances Rll, R12 et R13 branchées en série entre le collecteur de Q3 et la masse; et le collecteur de Q4 est encore chargé de manière résistive par un diviseur de ten- sion à résistances comprenant les résistances R14, R15 et R16 branchées en série entre le collecteur de Q4 et la masse. Ces diviseur de tension fournissent respectivement des connexions de rétroaction régénératrices aux électrodes de base de Q1 et Q2 pour entretenir les oscillations dans le circuit réservoir branché entre les deux. Le Q de la bo- bine réservoir L1 de l'oscillateur est tel qu'on obtient une résistance de shunt équivalente de 5 kilohm aux bornes du réservoir d'oscillateur, cette résistance de shunt équi- valente fournissant un degré supplémentaire de division de tension en mode différentiel et une charge résistive de collecteur un peu plus lourde à Q3 et Q4. Les tensions de forme d'onde carrée de 700 mV crête-à- crête apparaissant aux collecteurs chargés par des résistances de Q3 et Q4, sont divisées et filtrées par le circuit réservoir pour ap- pliquer une tension sinusoïdale d'environ 120 mV crête-à- crête entre les bornes T3 et T4 qui sont branchées respec- tivement aux électrodes de base de Q1 et Q2. Des résistances R18, R19, R20 et R21 forment des résistances de charge d'émetteur respectives pour des tran- sistors NPN amplificateurs à collecteurs communs Q5, Q6, Q7 et Q8. Les tensions de forme d'onde carrée de 700 mV crête- à-crête apparaissant aux collecteurs chargés par des résis- tances de Q3 et Q4, sont divisées par les résistances R8, R9 et R10 branchées en série entre eux pour fournir des tensions de forme d'onde carrée de 400 mV crête-à-crête aux électrodes de base de Q5 et Q6. Les actions d'émetteur- suiveur respectives de Q5 et Q6 appliquent les tensions d'onde carrée divisées aux bornes T5 et T6 pour une appli- cation ultérieure à un circuit de développement d'un signal de commande automatique de fréquence et de phase (AFPC). Bien qu'ils conduisent des courants de forme d'onde carrée, les deux transistors à émetteur-suiveur Q5 et Q6 conduisent ces courants sur une base équilibrée et sont disposés à l'intérieur de la matrice de circuit intégré monolithique CI de façon que celles de leurs connexions qui correspon- dent aux rails d'alimentation de fonctionnement, soient aux mêmes points pour maintenir le courant de forme d'onde car- rée coupé des rails d'alimentation. Les actions d'émetteur-suiveur respectives de Q7 et Q8 appliquent aux bornes T7 et T8 les tensions d'onde carrée de 700 mV crête-à-crête apparaissant aux collecteurs de Q3 et Q4, sans division de tension, pour une application ultérieure à d'autres circuits pouvant être construits dans les limites du circuit intégré monolithique CI. Bien qu'ils conduisent des courants de forme d'onde carrée, les deux transistors à émetteur-suiveur Q7 et Q8 conduisent ces cou- rants sur une base équilibrée et sont disposés dans la ma- trice du circuit intégré CI de façon que celles de leurs connexions qui correspondent aux rails d'alimentation de fonctionnement, soient aux mêmes points pour maintenir le courant de forme d'onde carrée coupé des rails d'alimenta- tion. Le fait de maintenir le courant de forme d'onde car- rée coupé des rails d'alimentation, réduit le rayonnement de l'oscillateur par les connexions d'alimentation de fonc- tionnement vers et à partir du circuit intégré monolithique CI. On doit maintenant considérer la commande automa- tique de fréquence et de phase (AFPC). Comme indiqué précé- demment, les capacités des condensateurs C4 et C5 sont multipliées de façon contrôlable par effet Miller en ré- ponse au signal AFPC appliqué à la borne T9. Le signal AFPC est fourni sous la forme d'une tension à la borne T9 et ap- pliqué à une extrémité d'une résistance R22 dont l'autre extrémité est branchée à la connexion d'entrée d'un ampli- ficateur de courant miroir (CMA) comprenant des transistors NPN Q9 et Q10 ainsi que des résistances R23 et R24 leur fournissant la dégénérescence d'émetteur respective. Les premières extrémités de R23 et R24 sont connectées à la masse en formant ainsi le branchement commun de l'amplifi- cateur de courant miroir, et leurs secondes extrémités sont branchées respectivement aux émetteurs de Q9 et Q10. Le collecteur de Q10 est le branchement de sortie de l'ampli- ficateur de courant miroir qui demande un courant propor- tionnel à la tension du signal AFPC appliqué à la borne T9. Ce courant est extrait comme courant de queue des émetteurs interconnectés des transistors NPN Qll et Q12 dont les électrodes de base respectives sont branchées aux bornes T3 et T4 pour recevoir les oscillations à 45,75 MHz développées aux bornes du réservoir d'oscillateur. La régu- lation à 125 mV crête-à-crête de l'amplitude des oscilla- tions lorsqu'elles apparaissent entre les bornes T3 et T4, de façon que l'amplification dans la connexion d'amplifica- teur différentiel à émetteurs couplés de Q1 et Q2 soit li- néaire, permet également d'obtenir que l'amplification dans la connexion d'amplificateur différentiel à émetteurs cou- plés de Qll et Q12, soit aussi linéaire. La linéarité de l'amplification est essentielle pour le fonctionnement de la connexion d'amplificateur différentiel à émetteurs cou- plés de Qll et Q12, en amplificateur de Miller pour multi- plier les capacités des condensateurs C4 et C5. Des résistances R25 et R26 sont branchées entre la borne d'ali- mentation T2 et les collecteurs de Qll et Q12. En supposant que les résistances R25 et R26 sont égales, le gain en ten- sion de la connexion d'amplificateur différentiel à émet- teurs couplés de Qll et Q12, est le produit de cette résistance par la transconductance de Qll et Q12. La trans- conductance de Qll et Q12 est proportionnelle au courant de queue extrait de leurs émetteurs interconnectés, et par conséquent à la tension du signal AFPC appliqué à la borne T9. La réponse amplifiée, sur les collecteurs de Qll et Q12, aux oscillations entre les bornes T3 et T4 auxquel- les sont branchées les premières plaques des condensateurs C4 et C5, est appliquée aux secondes plaques de ces conden- sateurs par les actions d'émetteur-suiveur respectives des * transistors NPN amplificateurs à collecteurs communs res- pectifs Q13 et Q14. Cela permet de parfaire les connexions de boucle de rétroaction de Miller qui multiplient les ca- pacités des condensateurs C4 et C5. La valeur de multipli- cation de Miller de ces capacités est commandée par le gain en tension de la connexion d'amplificateur différentiel à émetteurs couplés de Qll et Q12, qui est commandé par la tension du signal AFPC appliqué à la borne T9. Par suite, la multiplication de Miller des capacités des condensateurs C4 et C5, et à son tour l'accord du circuit réservoir de l'oscillateur, sont commandés en réponse à la tension du signal AFPC appliqué à la borne T9. Des résistances R27 et R28 forment des résistan- ces de charge d'émetteur respectives pour les transistors amplificateurs à collecteurs communs Q13 et Q14. Une résis- tance R29 est branchée entre l'émetteur de Q14 et l'inter- connexion des résistances Rll et R12, tandis qu'une résistance R30 est branchée entre l'émetteur de Q13 et l'interconnexion des résistances R14 et R15. Les résistan- ces R29 et R30 appliquent une rétroaction régénératrice contrôlée qui augmente le gain de l'oscillateur lorsque l'amplification de Miller augmente les capacités apparentes des condensateurs C4 et C5. Cela compense la réduction du gain de l'oscillateur qui sinon devrait se produire lorsque la rétroaction de Miller, qui est de nature dégénératrice, augmente. Comme les deux effets de rétroaction dépendent du gain de tension commandé de la connexion d'amplificateurs différentiels à émetteurs couplés de Qll et Q12, on peut rendre automatique la poursuite de la compensation par une pondération convenable des valeurs d'impédance des élé- ments. R E V E N D I C A T I ONS 1) Oscillateur construit partiellement dans un circuit intégré monolithique, oscillateur caractérisé en ce qu'il comprend: - un premier amplificateur différentiel à entrée différentielle et sortie différentielle, monté dans le cir- cuit intégré monolithique (CI), comportant une première et une seconde borne d'entrée disponible pour un branchement à des éléments extérieurs, comportant une première borne et une seconde borne de sortie non disponibles pour un-bran- chement à des éléments extérieurs, présentant un gain de tension en mode différentiel non inverseur à la fois de sa première borne d'entrée à sa première borne de sortie et de sa seconde borne d'entrée à sa seconde borne de sortie, et comprenant un premier et un second transistor dont les électrodes de base respectives sont branchées à la première et à la seconde bornes d'entrée du premier amplificateur différentiel, dont les électrodes d'émetteur respectives sont couplées l'une à l'autre, dont les électrodes de col- lecteur respectives sont couplées à la première borne de sortie et à la seconde borne de sortie séparées du premier amplificateur différentiel, et qui sont connectés pour fonctionner en amplificateur linéaire pendant le fonction- nement de l'oscillateur; - un premier diviseur de potentiel à résistances monté dans le circuit intégré monolithique et branché pour diviser, dans un rapport prédéterminé, un potentiel appa- raissant à la première borne de sortie du premier amplifi- cateur différentiel, pour l'appliquer à sa première borne d'entrée de manière à parfaire ainsi une première connexion de rétroaction régénératrice à couplage direct; - un second diviseur de potentiel à résistances monté dans le circuit intégré monolithique et branché pour diviser, dans le rapport prédéterminé ci-dessus, un poten- tiel apparaissant à la seconde borne de sortie du premier amplificateur différentiel, pour l'appliquer à sa seconde borne d'entrée de manière à parfaire ainsi une seconde con- nexion de rétroaction régénératrice à couplage direct; - un inducteur placé à l'extérieur du circuit in- tégré monolithique, cet inducteur comportant un enroulement dont la première extrémité et la seconde extrémité sont branchées respectivement à la première borne d'entrée et à la seconde borne d'entrée du premier amplificateur diffé- rentiel; et - des moyens de capacité pour s'accorder sur l'inducteur dans un circuit réservoir antirésonnant. 2) Oscillateur construit partiellement dans un circuit intégré monolithique, oscillateur caractérisé en ce qu'il comprend: - un premier amplificateur différentiel à entrée différentielle et sortie différentielle, monté dans le cir- cuit intégré monolithique, comportant une première et une seconde borne d'entrée disponible pour un branchement à des éléments extérieurs, comportant une première et une seconde borne de sortie non disponible pour un branchement à des éléments extérieurs, et présentant un gain de tension en mode différentiel non inverseur à la fois de sa première borne d'entrée à sa première borne de sortie et de sa se- conde borne d'entrée à sa seconde borne de sortie; - un premier diviseur de potentiel à résistances monté dans le circuit intégré monolithique et branché pour diviser, dans un rapport prédéterminé, un potentiel appa- raissant à la première borne de sortie du premier amplifi- cateur différentiel, pour l'appliquer à sa première borne d'entrée de manière à parfaire ainsi une première connexion de rétroaction régénératrice à couplage direct; - un second diviseur de potentiel à résistances monté dans le circuit intégré monolithique et branché pour diviser, dans le rapport prédéterminé ci-dessus, un poten- tiel apparaissant à la seconde borne de sortie du premier amplificateur différentiel, pour l'appliquer à sa seconde borne d'entrée de manière à parfaire ainsi une seconde con- nexion de rétroaction régénératrice à couplage direct; - un inducteur placé à l'extérieur du circuit in- tégré monolithique, cet inducteur comportant un enroulement dont la première extrémité et la seconde extrémité sont branchées respectivement à la première borne d'entrée et à la seconde borne d'entrée du premier amplificateur diffé- rentiel; - des moyens de capacité pour s'accorder sur l'inducteur dans un circuit réservoir antirésonnant; - un premier et un second transistor compris dans le premier amplificateur différentiel, ce premier et ce se- cond transistor comportant des électrodes de base respecti- ves à la première et à la seconde borne d'entrée du premier amplificateur différentiel, des électrodes d'émetteur res- pectives couplées l'une à l'autre, et des électrodes de collecteur respectives; - un troisième et un quatrième transistor compris dans le premier amplificateur différentiel, ce troisième et ce quatrième transistor comportant des électrodes de base respectives auxquelles sont respectivement couplées direc- tement les électrodes de collecteur du premier et du second transistor, des électrodes d'émetteur respectives couplées l'une à l'autre, et des électrodes de collecteur respecti- ves couplées directement à la première et à la seconde borne de sortie du premier amplificateur différentiel; - des charges de collecteur équilibrées pour le premier et le second transistor, compris dans le premier amplificateur différentiel, ces charges de collecteur équi- librées pour le premier et le second transistor présentant des résistances de charge respectives suffisamment élevées pour que le troisième et le quatrième transistor soit al- ternativement conducteurs pendant le fonctionnement de l'oscillateur; et des charges de collecteur équilibrées pour le troisième et le quatrième transistor, compris dans le pre- mier amplificateur différentiel, ces charges de collecteur équilibrées pour le troisième et le quatrième transistor comprenant respectivement le premier diviseur de potentiel à résistances et le second diviseur de potentiel à résis- tances, le rapport de division de tension prédéterminé étant tel que ni l'un ni l'autre du premier et du second transistor ne soit complètement coupé de la conduction pen- dant le fonctionnement de l'oscillateur. 3) Oscillateur selon la revendication 2, caracté- risé en ce qu'il comprend en outre: - un premier et un second condensateur compris dans les moyens de capacité pour s'accorder sur l'inducteur dans un circuit réservoir antirésonnant, comportant des premières plaques respectives branchées respectivement à la première borne d'entrée et à la seconde borne d'entrée du premier amplificateur différentiel, et comportant des se- condes plaques respectives; et - un second amplificateur différentiel à entrée différentielle et sortie différentielle, monté dans le cir- cuit intégré monolithique, comportant une première et une seconde borne d'entrée branchée respectivement à la pre- mière borne d'entrée et à la seconde borne d'entrée du pre- mier amplificateur différentiel, comportant une première et une seconde borne de sortie branchée respectivement à la seconde plaque du premier condensateur et à la seconde pla- que du second condensateur, et présentant un gain de ten- sion en mode différentiel inverseur à la fois de sa première borne d'entrée à sa première borne de sortie et de sa seconde borne d'entrée à sa seconde borne de sortie, ce second amplificateur différentiel fournissant ainsi une ré- troaction de Miller pour multiplier les capacités effecti- ves du premier et du second condensateurs. 4) Oscillateur selon la revendication 3, caracté- risé en ce qu'il est d'un type dont les oscillations ont une fréquence et une phase qui sont modifiables en réponse à un signal de commande, cet oscillateur comprenant en con- séquence des moyens pour commander, en réponse au signal de commande, le gain de tension en mode différentiel inverseur présenté par le second amplificateur différentiel. ) Oscillateur selon la revendication 4, caracté- risé en ce qu'il comprend des moyens pour renvoyer en ré- troaction régénératrice des signaux provenant de la première et de la seconde borne de sortie du second ampli- ficateur différentiel, vers sa seconde et sa première borne d'entrée. 6) Oscillateur selon la revendication 5, caracté- risé en ce que les moyens pour renvoyer en rétroaction ré- génératrice les signaux provenant de la première et de la seconde borne de sortie du second amplificateur différen- tiel, vers sa seconde et sa première borne d'entrée, com- prennent une paire d'autres résistances dont les premières extrémités respectives sont branchées respectivement à la première et à la seconde borne de sortie du second amplifi- cateur différentiel, et dont les secondes extrémités res- pectives sont branchées respectivement à un point du second diviseur de potentiel à résistances, et à un point du pre- mier diviseur de potentiel à résistances. 7) Oscillateur selon la revendication 4, caracté- risé en ce que le second amplificateur différentiel com- prend: - un cinquième et un sixième transistor compor- tant des électrodes de base respectives à la première et à la seconde borne d'entrée du second amplificateur différen- tiel, des électrodes d'émetteur respectives avec une inter- connexion entre elles, et des électrodes de collecteur respectives couplées directement à la première et à la se- conde borne de sortie du second amplificateur différen- tiel; - des charges de collecteur équilibrées pour ce cinquième et ce sixième transistor; et - des moyens répondant au signal de commande pour déterminer des courants de repos circulant à travers les électrodes d'émetteur des cinquième et sixième transistor par l'interconnexion entre ces électrodes, et pour détermi- ner ainsi les transconductances respectives de ces cin- quième et sixième transistor. 8) Oscillateur construit partiellement dans un circuit intégré monolithique, oscillateur caractérisé en ce qu'il comprend: - un premier amplificateur différentiel à entrée différentielle et sortie différentielle, monté dans le cir- cuit intégré monolithique, comportant une première et une seconde borne d'entrée disponibles pour un branchement à des éléments extérieurs, comportant une première et une se- conde borne de sortie non disponibles pour un branchement à des éléments extérieurs, présentant un gain de tension en mode différentiel non inverseur à la fois de sa première borne d'entrée à sa première borne de sortie et de sa se- conde borne d'entrée à sa seconde borne de sortie, et com- prenant un premier et un second transistor dont les électrodes de base respectives sont branchées à la première et à la seconde bornes d'entrée du premier amplificateur différentiel, dont les électrodes d'émetteur respectives sont couplées l'une à l'autre, et dont les électrodes de collecteur respectives sont couplées à la première borne de sortie et à la seconde borne de sortie séparées du premier amplificateur différentiel par un circuit de couplage d'un type limitant les amplitudes des signaux de sortie de la première et de la seconde borne de sortie du premier ampli- ficateur différentiel sans placer le premier et second transistor dans un état de conduction saturée qui perturbe- rait leur fonctionnement devant être essentiellement li- néaire; - un inducteur placé à l'extérieur du circuit in- tégré monolithique, cet inducteur comportant un enroulement dont la première extrémité et la seconde extrémité sont branchées respectivement à la première borne d'entrée et à la seconde borne d'entrée du premier amplificateur diffé- rentiel; - des moyens de capacité pour s'accorder sur l'inducteur dans un circuit réservoir antirésonnant; - un premier diviseur de potentiel à résistances monté dans le circuit intégré monolithique et branché pour diviser, dans un rapport prédéterminé, un potentiel appa- raissant à la première borne de sortie du premier amplifi- cateur différentiel, pour l'appliquer à sa première borne d'entrée de manière à parfaire ainsi une première connexion de rétroaction régénératrice à couplage direct; - un second diviseur de potentiel à résistances monté dans le circuit intégré monolithique et branché pour diviser, dans le rapport prédéterminé ci-dessus, un poten- tiel apparaissant à la seconde borne de sortie de l'amplificateur différentiel, pour l'appliquer à sa seconde borne d'entrée de manière à parfaire ainsi une seconde con- nexion de rétroaction régénératrice à couplage direct; et - des charges équilibrées pour la première et la seconde borne de sortie du premier amplificateur différen- tiel, ces charges comprenant respectivement le premier di- viseur de potentiel à résistances et le second diviseur de potentiel à résistances, le rapport de division de tension prédéterminé étant tel que, pendant le fonctionnement de l'oscillateur, le premier et second transistors présente un fonctionnement essentiellement linéaire sans que l'un ou l'autre soit complètement coupé de la conduction. 9) Oscillateur selon la revendication 8, caracté- risé en ce que le circuit de couplage, d'un type limitant les amplitudes des signaux de sortie de la première et de la seconde borne de sortie du premier amplificateur diffé- rentiel sans placer le premier et second transistor dans un état de conduction saturée qui perturberait leur fonction- nement devant être essentiellement linéaire, comprend un troisième et un quatrième transistors comportant des élec- trodes de base respectives auxquelles sont respectivement couplées directement les électrodes de collecteur du pre- mier et du second transistor, des électrodes d'émetteur respectives couplées l'une à l'autre, et des électrodes de collecteur respectives couplées directement à la première et à la seconde borne de sortie du premier amplificateur différentiel. ) Oscillateur selon la revendication 8, carac- térisé en ce qu'il comprend en outre: - un premier et un second condensateur compris dans les moyens de capacité pour s'accorder sur l'inducteur dans un circuit réservoir antirésonnant, ces condensateurs comportant des premières plaques respectives connectées respectivement à la première borne d'entrée et à la seconde borne d'entrée du premier amplificateur différentiel et comportant des secondes plaques respectives; et - un second amplificateur différentiel à entrée différentielle et sortie différentielle monté dans le cir- cuit intégré monolithique, comportant une première et une seconde borne d'entrée branchée respectivement à la pre- mière borne d'entrée et à la seconde borne d'entrée du pre- mier amplificateur différentiel, comportant une première et une seconde borne de sortie branchée respectivement à la seconde plaque du premier condensateur et à la seconde pla- que du second condensateur, et présentant un gain de ten- sion en mode différentiel inverseur à la fois de sa première borne d'entrée à sa première borne de sortie et de sa seconde borne d'entrée à sa seconde borne de sortie, ce second amplificateur différentiel fournissant ainsi une ré- troaction de Miller pour multiplier les capacités effecti- ves des premier et second condensateurs. 11) Oscillateur selon la revendication 10, carac- térisé en ce qu'il est d'un type dont les oscillations ont une fréquence et une phase qui sont modifiables en réponse à un signal de commande, cet oscillateur comprenant en con- séquence des moyens pour commander, en réponse au signal de commande, le gain de tension en mode différentiel inverseur présenté par le second amplificateur différentiel. 12) Oscillateur selon la revendication 11, carac- térisé en ce qu'il comprend des moyens pour renvoyer en ré- troaction régénératrice des signaux provenant de la première et de la seconde borne de sortie du second ampli- ficateur différentiel, vers sa seconde et sa première borne d'entrée. 13) Oscillateur selon la revendication 12, carac- térisé en ce que les moyens pour renvoyer en rétroaction régénératrice les signaux provenant de la première et de la seconde borne de sortie du second amplificateur différen- tiel, vers sa seconde et sa première borne d'entrée, com- prennent une paire d'autres résistances dont les premières extrémités respectives sont branchées respectivement à la première et à la seconde borne de sortie du second amplifi- cateur différentiel, et dont les secondes extrémités res- pectives sont branchées respectivement à un point du second diviseur de potentiel à résistances, et à un point du pre- mier diviseur de potentiel à résistances. 14) Oscillateur selon la revendication 11, carac- térisé en ce que le second amplificateur différentiel com- prend: - un troisième et un quatrième transistor dont les électrodes de base respectives sont branchées à la pre- mière et à la seconde borne d'entrée du second amplifica- teur différentiel, dont les électrodes d'émetteur respectives sont interconnectées entre elles, et dont les électrodes de collecteur respectives sont couplées directe- ment à la première et à la seconde borne de sortie du se- cond amplificateur différentiel; et - des moyens répondant au signal de commande pour déterminer des courants de repos circulant à travers les électrodes d'émetteur du troisième et quatrième transistor par l'interconnexion entre ces électrodes, et pour détermi- ner ainsi les transconductances respectives de ces troi- sième et quatrième transistor.