FR 2716749 A1 19950901 FR 9415177 A 19941216 La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur et, plus particulièrement, un procédé de fabrication de dispositif à semiconducteur comportant une opération de dépôt d'une pellicule de silicium. Une pellicule de silicium dopée au moyen d'impuretés est électrique- ment conductrice et peut être utilisée comme élément conducteur. Des impuretés de dopage peuvent être introduites au moment même de la formation d'une pellicule, ou bien, par implantation ionique ou diffusion, après la formation de la pellicule. On utilise des pellicules de silicium dopées au moyen d'impuretés comme électrodes de grille de transistors à effet de champ du type MOS, comme parties d'électrodes de grille en "polyciure" (stratification de silicium polycristallin et de siliciure), comme électrodes de condensateurs de mémoires vives dynamiques (DRAM), comme câblages, et comme parties de câblages en polyciure. On donne de préférence la plus petite valeur possible à la résistivité d'une pellicule de silicium utilisée comme élément conducteur. La résistivité dépend de la mobilité des porteurs et de la concentration en porteurs. Pour augmenter la mobilité des porteurs, il est préférable d'utiliser du silicium polycristallin plutôt que du silicium amorphe. Même si l'on obtient une plus grande mobilité en faisant appel à du silicium monocristallin, il est générale- ment difficile, en pratique, de former une pellicule de silicium monocristallin sur la surface d'une substance faite d'autre chose que de silicium. La concentration en porteurs en généralement proportionnelle à la teneur en impuretés de dopage, et elle est limitée par la solubilité en phase solide de l'élément d'impureté dans le silicium. Par conséquent, pour former une pellicule de silicium présentant une faible résistivité, on forme une pellicule de silicium polycristallin que l'on dope au moyen d'impuretés à une concentration voisine de la limite de solubilité en phase solide. Le phosphore est l'élément le plus couramment utilisé comme impureté de type n pour une pellicule de silicium, tandis que l'on utilise le bore comme impureté de type p. Dans une DRAM, on forme une cellule de mémoire unité à l'aide de MOSFET de type n et d'un circuit périphérique unité à l'aide de circuits MOS complémentaires (CMOS) de MOSFET à canal n et à canal p. Au titre de l'impureté de type n, le phosphore est donc l'élément le plus important. Comme on l'expliquera en détail ci-après, il est apparu que la résisti- vité d'une pellicule de silicium dopée au moyen de phosphore jusqu'à une concen- tration voisine de la limite de solubilité en phase solide était devenue supérieure à la valeur conçue comme valeur nominale après achèvement des processus de fabrication du dispositif. C'est un but de l'invention de fournir un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comportant une pellicule de silicium qui possède une résistivité suffisamment faible après achèvement des processus de fabrication du dispositif. Selon un aspect de l'invention, on propose un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, comportant les opérations suivantes: on dépose une pellicule de silicium sur une couche sous-jacente avec dopage au phosphore jusqu'à une concentration de 7 x 1020 à 2 x 1021 atomes/cm3, après quoi on chauffe la pellicule de silicium. Pour le phosphore, un niveau de dopage de 7 x 1020 atomes/cm3 dépasse largement la limite de solubilité en phase solide dans le silicium. Toutefois, même si du phosphore s'échappe de la pellicule de silicium lors du traitement thermique ultérieur, il reste une quantité suffisante de phosphore dans la pellicule de silicium et on obtient une faible résistivité puisque le dopage initial de la pellicule de silicium par le phosphore a été appliqué en excès. De cette manière, il est possible d'obtenir une faible résistivité voulue pour la pellicule mince de silicium d'un dispositif à semiconducteur une fois achevés les processus de fabrication. Il est également possible, dans un condensateur utilisant une pellicule mince de silicium, d'abaisser la largeur de la couche de déplétion et de réduire la variation de capacité. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: les figures 1A à 1C sont respectivement un graphe montrant la résistivité d'une pellicule mince en silicium dopée avec du phosphore en fonction de la concentration en phosphore, et des vues en section droite simplifiées montrant les structures des échantillons; les figures 2A et 2B sont respectivement un graphe exposant la défini- tion du taux de déplétion d'un condensateur utilisant une pellicule mince de silicium, et un graphe montrant le taux de déplétion en fonction de la concentration en phosphore telle qu'elle existe immédiatement après la formation de la pellicule; et les figures 3A à 3L sont des vues en section droite simplifiées qui exposent un procédé de fabrication d'une DRAM selon un mode de réalisation de l'invention. Lorsque le degré d'intégration des dispositifs à circuit intégré à semi- conducteur s'élève, leur structure tend à comporter de nombreuses couches. Pour assurer un bon revêtement avec une pellicule formée par un procédé de fabrication de dispositif à semiconducteur possédant une structure à plusieurs couches, il est souhaitable que l'épaisseur de chaque couche du dispositif soit aussi mince que possible. Si l'on souhaite que la résistance d'une pellicule de silicium de configura- tion mince soit faible, il faut que la résistivité du silicium soit aussi basse que possible. On a découvert que la résistivité d'une pellicule mince de silicium utilisée dans un dispositif à semiconducteur était devenue, après l'achèvement des processus de fabrication du dispositif, plus élevée que la valeur conçue comme valeur nominale. Pour étudier les causes de ce phénomène, les inventeurs ont fait les expériences suivantes. On forme des pellicules minces de silicium amorphe tout en les dopant à l'aide d'impuretés. A basse température, on dépose une pellicule d'oxyde sur la surface de chaque pellicule mince de silicium amorphe de façon à enfermer les impuretés de dopage. Après cela, on recuit le dispositif à une température de 850C pendant 20 min dans une atmosphère d'azote (N2) afin de transformer le silicium amorphe en silicium polycristallin, puis on retire la pellicule d'oxyde à l'aide d'une solution aqueuse d'acide fluorhydrique (HF). Après cela, on mesure les résistances par carré. Chacune des résistances par carré ainsi mesurées est normalement utilisée comme donnée nominale étalon. Pour simuler une pellicule de silicium se trouvant dans un dispositif réel, on a formé une structure correspondant à un condensateur du type dit à ailettes d'une DRAM en utilisant une pellicule de silicium amorphe que l'on a dopée avec du phosphore et soumise à un traitement thermique analogue à celui du processus de fabrication des DRAM, après quoi on a mesuré la résistance par carré de la pellicule de silicium. Les résultats sont présentés sur la figure 1A. Sur la figure 1A, l'abscisse représente la concentration en phosphore suivant une échelle linéaire immédiatement après la formation de la pellicule, et l'ordonnée représente la résistivité (Q.cm) suivant une échelle linéaire. La courbe r1 représente les résistivités d'échantillons comportant une pellicule de silicium amorphe dopée à l'aide d'impuretés, recouverte par une pellicule d'oxyde, puis recuite à 850'C pendant 20 min. La courbe r2 représente les résistivités d'échantillons comportant une pellicule de silicium amorphe dopée à l'aide d'impuretés, présentant une structure équivalente à celle d'une électrode de condensateur du type dit à ailettes d'une DRAM, et soumise à un traitement thermique analogue à un processus que subissent les dispositifs réels. Les figures lB et 1C montrent les structures des échantillons utilisés pour les expériences. La structure des échantillons utilisés pour la mesure de la courbe r1 est présentée sur la figure lB. On a formé une pellicule d'oxyde de silicium 43 sur un substrat de silicium 42, puis on a formé une pellicule de silicium amorphe 44 sur la pellicule d'oxyde de silicium 43. On a recouvert la surface de la pellicule de silicium amorphe 44 à l'aide d'une pellicule d'oxyde, et on a recuit le dispositif (pour transformer le silicium amorphe en silicium polycristallin). On a ensuite retiré la pellicule d'oxyde superficielle, ce qui a donné de nouveau la structure présentée sur la figure lB. Dans cet état, on a mesuré la résistance de la pellicule 44 par un procédé dit à quatre sondes. La figure 1C montre la partie principale de la structure des échantillons utilisés pour la mesure de la courbe r2. Cette structure est analogue à celle d'une pellicule 22 apparaissant à partir de la figure 3A, dans la suite de cette description. On a formé un motif 46 de silicium amorphe sur une région 45 de pellicule d'oxyde de silicium, et on a recouvert la surface du motif 46 à l'aide d'une pellicule d'oxyde de silicium 47. On a formé des trous de contact 48a et 48b dans la pellicule 47 d'oxyde de silicium, et on a connecté au motif 46 des électrodes de conduction 49a et 49b. On a formé la pellicule de silicium à une température de substrat de 500 C en faisant circuler, comme source de silicium, du disilane (Si2H6) à 50 cm3(N)/min et en faisant circuler, comme source de phosphore, un mélange de gaz formé de gaz N2 et de gaz N2 mélangé avec 2 % de phosphine (PH3) à 270 cm3(N)/min. On maintient constant le débit de disilane, ainsi que le débit total de pH3/N2 et N2. On a préparé diverses concentrations en phosphore en faisant varier le rapport des débits du gaz PH3/N2 au gaz N2. La pellicule de silicium de l'échantillon associé à la courbe r1 possède une grande aire et une épaisseur d'environ 100 nm (1 000 A), et on a mesuré les résistivités à l'aide de quatre sondes. La pellicule de silicium de l'échantillon associé à la courbe r2 possède une épaisseur d'environ 50 nm et la forme d'une bande de 6,5,um x 65 ym. Comme on peut le voir sur la figure 1A, les résistivités apparaissant sur la courbe r2 sont deux fois ou plus de deux fois supérieures aux résistivités de la courbe r1. Les résistivités de la courbe r- deviennent cinq fois ou plus de cinq fois supérieures à celles de la courbe r1, notamment pour la concentration en phosphore voisine de la limite de solubilité en phase solide du phosphore dans le silicium, qui est de 3 à 4 x 1020 atomes/cm3. Il est préférable de choisir la concentration en phosphore en utilisant la courbe r2- afin d'utiliser un condensateur du type dit à ailettes et d'obtenir une résistivité aussi basse que possible. Dans ce cas, la concentration optimale en phosphore est d'environ 1,0 x 1021 atomes/cm3, et il est préférable de choisir la concentration dans l'intervalle de 7 x 1020 atomes/cm3 à 2,0 x 1021 atomes/cm3. La différence existant entre les résistivités respectives peut venir des raisons suivantes. Le phosphore présent dans une pellicule mince de silicium recouverte (au moins partiellement recouverte) par une autre pellicule diffuse dans l'autre pellicule du fait du traitement thermique appliqué à la pellicule mince, du fait de traitements thermiques ultérieurs, ou en raison d'une diffusion vers l'extérieur ayant lieu pendant la formation de l'autre pellicule. La concentration en phosphore telle qu'elle existe immédiatement après la formation de la pellicule diminue donc graduellement, et la concentration en phosphore obtenue lorsque les processus de fabrication du dispositif ont été effectués s'écarte fortement de celle prévalant immédiatement après la formation de la pellicule. On suppose que le fait que la valeur minimale des résistivités de la courbe r2- soit très supérieure à la valeur minimale des résistivités de la courbe rn résulte de la différence des épaisseurs de pellicule entre échantillons, de la différence de propriété cristalline du silicium polycristallin modifié à partir du silicium amorphe par le traitement thermique, etc. On souhaite que le condensateur de la DRAM ait une faible résistivité pour son électrode ainsi qu'une capacité nominale. Si les électrodes du conden- sateur sont faites de pellicules de silicium et que la concentration en impuretés est faible, une couche de déplétion croît à partir de la surface de l'électrode du condensateur lors de l'application d'une tension de polarisation inverse, et la distance entre les électrodes augmente, de sorte que la capacité diminue. On se reporte à la figure 2A. On a mesuré les capacités en maintenant une électrode de mémorisation à 0 V et en faisant varier la tension de l'électrode opposée entre -1,5 V et 1,5 V. On définit le rapport de déplétion par AC/Co, o Co est la capacité pour la tension de polarisation directe +1,5 V sur l'électrode opposée et AC est la diminution de capacité apparaissant lorsque la tension de l'électrode opposée a été amenée à la tension de polarisation inverse -1,5 V. A titre d'échantillon, on a formé une pellicule de nitrure de silicium (SiN) d'épaisseur 7 nm sur une pellicule de silicium, et on l'a oxydée pour former une pellicule d'oxinitrure de silicium d'une épaisseur approximative de 6 nm sur la base d'une unité de SiO2 (calculée à partir de la capacité mesurée). On a formé l'électrode opposée sur la pellicule d'oxynitrure de silicium en la dopant au phosphore jusqu'à une concentration d'environ 7 x 1020 atomes/cm3. Lorsque la tension -1,5 V est appliquée à l'électrode opposée, une tension de polarisation inverse est appliquée à la surface de l'électrode de mémo- risation et une couche de déplétion croît sur la surface de l'électrode de mémorisa- tion. La largeur de la couche de déplétion augmente lorsque la concentration en impuretés de la pellicule de silicium de l'électrode de mémorisation diminue. La figure 2B est un graphe montrant la variation du rapport de déplétion en fonction de la concentration en phosphore dans l'électrode du con- densateur immédiatement après la formation de la pellicule. L'abscisse représente la concentration en phosphore, en atomes/cm3, immédiatement après la formation de la pellicule, et l'ordonnée représente le rapport de déplétion ramené à un pour- centage. L'échantillon de l'expérience est analogue à un condensateur du type dit à ailettes, représenté sur la figure 1C. Le rapport de déplétion indiqué par la courbe d vaut environ 10 % à la limite de solubilité en phase solide du phosphore, soit 3 à 4 x 1020 atomes/cm3. Le rapport de déplétion diminue lorsque la concentration en phosphore augmente et atteint une valeur d'environ 2 à 3 % pour 7,0 x 1020 atomes/cm3 environ et une valeur négligeable pour 1,5 x 1021 atomes/cm3 ou plus. Pour avoir une valeur constante de capacité, on fait donc en sorte que la pellicule de silicium de l'électrode du condensateur ait une concentration en phosphore d'au moins 7,0 x 1020 atomes/cm3 et, de préférence, une concentration supérieure. Il est également préférable que la concentration en phosphore ne dépasse pas 2 x 1021 atomes/cm3. Le dopage de la pellicule de silicium par le phosphore jusqu'à une concentration d'au moins 7,0 x 1020 atomes/cm3 correspond à un dopage par le phosphore d'environ deux fois la limite de solubilité en phase solide du phosphore, immédiatement après la formation de la pellicule. On va maintenant décrire, en liaison avec les figures 3A à 3L, les processus de fabrication d'une mémoire vive dynamique (DRAM). On se reporte à la figure 3A. A la surface d'un substrat 1 de silicium de type p-, on forme une pellicule d'oxyde de champ (ou oxyde primaire) 2 à une épaisseur d'environ 400 nm par oxydation LOCOS (oxydation locale) en utilisant une pellicule de nitrure de silicium comme masque. Après l'oxydation LOCOS, on retire la pellicule de nitrure de silicium et on forme une pellicule d'oxyde de grille 3 à une épaisseur d'environ 10 nm sur la surface de silicium exposée, par exemple par oxydation à sec à une température d'environ 1 000C. On forme une couche d'électrode de grille en silicium, à une épaisseur d'environ 200 nm, sur toute la pellicule d'oxyde de grille 3 et la pellicule d'oxyde de champ 2, par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sous basse pression, à 0,2 mm Hg (26 Pa) et pour une température de substrat de 500 C, en faisant circuler du Si2-H6 à un débit de 50 cm3(N)/min et 2 % PH3/N2 + N2 à un débit de 270 cm3(N/min). Sur la couche d'électrode de grille on forme un motif d'agent sensible du type réserve, on lui applique un tracé de motif afin de former des électrodes de grille 4a et 4c et des câblages 4b. La longueur de grille des électrodes de grille 4a et 4c vaut par exemple 0,5 nm environ. Un MOSFET utilisant l'électrode de grille 4c est un transistor d'un circuit périphérique, et il est formé dans une région de circuit périphérique d'une DRAM. Un MOSFET utilisant l'électrode de grille 4a, apparaissant du côté gauche de la figure 3b, et le câblage 4b sont formés dans une région de cellule de mémoire de la DRAM. Sur les figures 3A à 3L, on les a représentés en des zones adjacentes pour simplifier les dessins. Ensuite, comme on peut le voir sur la figure 3B, en utilisant les électrodes de grille 4a et 4b comme masque, on implante des ions de bore avec une énergie d'accélération de 20 keV et une dose de 1013 cm-2 afin de former des régions de type n 6 et 7 qui sont des régions source/drain de MOSFET dans la région de mémoire et des régions à faible concentration en impuretés d'une structure LDD de MOSFET dans la région de circuit périphérique. Comme représenté sur la figure 3C, on forme une pellicule 8 d'oxyde à haute température (HTO) sur la surface du substrat à une épaisseur d'environ nm par CVD avec une température de substrat d'environ 800 C en utilisant SiH4 + NO20. Ensuite, on forme un masque 9 d'agent sensible du type réserve sur la surface du substrat de façon à couvrir la région de mémorisation. En utilisant le masque d'agent sensible 9 comme masque de gravure, on grave verticalement la pellicule HTO 8 suivant un processus de gravure ionique réactive. On retire la pellicule HTO 8 formée sur un plan plat de l'aire de circuit périphérique, et on laisse subsister, non gravée, la pellicule HTO 8 formée sur les côtés de l'électrode de grille 4c de façon à former des parois latérales 8w. Après cela, on retire le masque d'agent sensible 9. Comme représenté sur la figure 3D, on dépose une autre pellicule HTO à une épaisseur d'environ 100 nm, en appliquant un processus analogue. Comme représenté sur la figure 3E, on soumet la pellicule HTO 10 à une gravure ionique réactive de façon à retirer la pellicule HTO sur le plan plat et à laisser la pellicule HTO sur les parties escarpées afin de former des parois latérales w. En utilisant la pellicule d'oxyde haute température, les parois latérales et les électrodes de grille comme masque, on implante des ions de phosphore avec une énergie d'accélération de 20 keV et une dose de 1015 cm-2 pour former des régions de type n+ 11, qui sont des régions source/drain d'un transistor de circuit périphérique. Comme représenté sur la figure 3F, on forme une autre pellicule HTO 12 à une épaisseur d'environ 100 nm, en appliquant un processus analogue. Après cela, on forme un masque d'agent sensible sur la pellicule HTO 12, et on forme des ouvertures 13 dans des régions de contact des MOSFET. La taille de l'ouverture est par exemple de 0,5 umi2. Comme représenté sur la figure 3G, on dépose une couche de silicium amorphe 14 d'une épaisseur approximative de 50 nm et une couche 15 de WSix d'une épaisseur d'environ 100 nm, par CVD basse pression, dans cet ordre sur la surface du substrat tout en enrobant la surface de silicium exposée dans les ouvertures 13. Après cela, on forme un masque d'agent sensible du type réserve sur la surface. On effectue une gravure de manière à appliquer à la couche de silicium amorphe 14 et à la couche de WSix 15 un tracé de motif afin de former des électrodes en "polycide". On peut effectuer le dépôt de la couche de silicium amorphe 14 à l'aide d'un processus analogue à celui des dépôts de la couche de silicium amorphe de la figure 3A. Comme représenté sur la figure 3H, on dépose une autre pellicule HTO 16 et on retire la pellicule HTO présente sur un plan plat par gravure ionique réactive (RIE) afin de former des parois latérales 16 sur les côtés des électrodes. On dépose une autre couche HTO 17 à une épaisseur d'environ 100 nm. On peut effectuer le dépôt de ces pellicules HTO à une température de substrat de 800 C, comme pour les pellicules HTO 8, 10 et 12. On forme sur la pellicule HTO 17 une pellicule de SiNX à une épaisseur d'environ 50 nm avec une température de substrat de 775C. On dépose une pellicule HTO 20 à une épaisseur d'environ 50 nm avec une température de substrat de 800C. Ensuite, on dépose une couche de silicium amorphe 22, dopée au phosphore jusqu'à une concentration de 7 x 1020 atomes/cm3, ou plus, à une épaisseur d'environ 50 nm avec une température de substrat de 500 C, les conditions étant les suivantes: une pression de 0,2 mm Hg (26 Pa), un débit de Si2H6 de 50 cm3(N)/min, un débit de 2 % PH3/N2 de 110 cm3(N)/min, et un débit de N2 de 160 cm3(N)/min. Ensuite, on dépose une pellicule HTO 24 à une épaisseur d'environ 50 nm avec une température de substrat de 800C. Une fois terminées ces opérations de dépôt, on forme un masque d'agent sensible de type réserve sur la surface du substrat, et on pratique une ouverture 25 d'environ 0, 5,um2 qui atteint l'une des régions source/drain 6 de MOSFET se trouvant dans la région de mémo- risation. Après cela, on retire l'agent sensible. Comme représenté sur la figure 31, on dépose une couche de silicium amorphe 28, dopée au phosphore à une concentration de 7 x 1020 atomes/cm3, ou plus, à une épaisseur d'environ 50 nm sur la surface de la pellicule HTO 24, sous les mêmes conditions que la couche de silicium amorphe 22 représentée sur la figure 3H, c'est-à-dire une température de substrat de 500 C, une pression de 0,2 mm Hg (26 Pa), un débit de Si2H6 de 50 cm3(N)/min, un débit de 2 % PH3/N2 de 110 cm3(N)/min, et un débit de N2 de 160 cm3(N)/min. Ensuite, on effectue un recuit à une température d'environ 800 C en atmosphère d'azote (N2) afin de transformer les couches de silicium amorphe 22 et 28 en silicium polycristallin. Les couches de silicium amorphe 4 et 14 antérieure- ment formées se transforment également en silicium polycristallin sous l'action de cette opération de recuit ou de traitements thermiques ultérieurs. On forme ensuite un masque d'agent sensible de type réserve sur la surface du substrat et on applique un tracé de motif, par RIE, aux couches de silicium amorphe 28 et 22 et à la pellicule HTO 24. On forme de cette manière une électrode de mémorisation d'un condensateur d'une cellule de mémoire de DRAM. Comme représenté sur la figure 3J, on immerge le substrat dans une solution aqueuse de HF afin d'éliminer les pellicules HTO 20 et 24 qui sont exposées sur la surface du substrat. Une fois les pellicules HTO 20 et 24 retirées, les surfaces d'ailettes cachées sont exposées. On forme une pellicule 29 de SiNx à une épaisseur d'environ 6 nm par CVD basse pression avec une température de substrat de 725'C. Les surfaces d'ailettes exposées sont recouvertes par la pellicule de SiNX 29. Ensuite, on oxyde la surface de la pellicule de SiNx 29 à une température de substrat d'environ 800C dans une atmosphère d'oxydation par voie humide. On forme de cette manière une pellicule isolante 29 de condensateur. Comme représenté sur la figure 3K, en faisant appel à un processus analogue à celui du dépôt des couches de silicium amorphe des figures 3H et 3I, on dépose une couche 30 de silicium amorphe dopée au phosphore à une concentra- tion de 7,0 x 1020 à 1,2 x 1021 atomes/cm3 d'une épaisseur de 100 nm par exemple, pour enterrer l'intervalle compris entre les ailettes et recouvrir toute la surface des ailettes. On forme un masque d'agent sensible de type réserve sur la couche de silicium amorphe déposée 30 de façon à former un tracé de motif sur la couche de silicium amorphe 30 et la couche de SiNx 18 sous-jacente. Après cela, on retire le masque d'agent sensible. Comme représenté sur la figure 3L, on dépose une pellicule HTO d'une épaisseur d'environ 50 nm à une température de substrat de 800C, puis on dépose une couche 32 de BPSG (verre au silicate de phosphore et bore) à une épaisseur d'environ 400 mn. Ensuite, on chauffe le substrat jusqu'à environ 850-C afin de faire fondre la couche de BPSG 32 et de lui donner une surface plane. On forme un masque d'agent sensible du type réserve sur la couche de BPSG aplanie 32, et on forme une ouverture 33, par RIE, au niveau de la région de sortie d'électrode du MOSFET, dans l'unité de circuit périphérique. Après cela, on dépose une couche d'électrode en aluminium (Al) et on lui applique un tracé de motif afin de former un câblage de Al 35. Une fois terminés les processus ci- dessus définis, le dispositif DRAM est fabriqué. Dans la description qui vient d'être présentée, du phosphore a été introduit comme agent de dopage dans l'électrode de silicium d'un condensateur de DRAM jusqu'à une concentration (7 x 1020 atomes/cm3 ou plus) deux fois ou plus de deux fois supérieure à la limite de solubilité en phase solide du phosphore. On choisit de préférence la concentration en phosphore en tenant compte de l'épaisseur de la pellicule de silicium devant être déposée, ainsi que des traitements thermiques ultérieurs. On peut introduire du phosphore à une concentration deux fois ou plus de deux fois supérieure à la limite de solubilité en phase solide lors de la formation de la couche de silicium 4 de l'électrode de grille et de la couche de silicium 14 sous-jacente des électrodes en "polycide". 1l Lors de la formation d'électrodes de silicium polycristallin ou de silicium amorphe, il est préférable de fixer la concentration initiale en phosphore de la couche de silicium à une valeur comprise entre 7,0x 1020 et 1,0 x 1021 atomes/cm3. Dans le cas d'une électrode de "polycide" formée par stratification d'une couche de silicium polycristallin et d'une couche de siliciure, il est préférable de fixer la concentration initiale en phosphore à une valeur comprise entre 1,0 x 1021 et 2,0 x 1021 atomes/cm3, car le phosphore contenu dans la couche de siliciure, par exemple du siliciure de tungstène (WSi) est susceptible de s'échapper et de sortir de la couche. Lors de la formation de l'électrode de mémorisation d'un condensateur, il est préférable de fixer la concentration initiale en phosphore à une valeur comprise entre 1,2 x 1021 et 1,6 x 1021 atomes/cm3, car l'effet de déplétion exercé sur les performances du dispositif est important et que le phosphore s'échappe (gagne l'extérieur) pendant la formation d'une pellicule HTO ou le recuit. Lors de la formation de l'électrode opposée du condensateur, il est préférable de fixer la concentration initiale en phosphore à une valeur comprise entre 7,0 x 1020 et 1,2 x 1021 atomes/cm3, car l'effet de déplétion exercé sur les performances du dispositif est important, même si l'épaisseur de pellicule est relativement grande. L'invention a été décrite en liaison avec des modes de réalisation préférés. Elle n'est pas simplement limitée aux modes de réalisation cidessus présentés. Par exemple, au lieu de disilane, on peut utiliser d'autres sources de silicium, comme le monosilane, bien que la vitesse de dépôt s'abaisse alors. Au lieu d'une pellicule HTO, on peut faire appel à n'importe quelle autre pellicule isolante. L'invention ne s'applique pas seulement aux dispositifs DRAM, mais aussi aux autres dispositifs semiconducteurs utilisant des pellicules de silicium conductrices. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir du procédé dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: déposer une pellicule de silicium (22) sur une couche sous-jacente tout en effectuant un dopage au phosphore à une concentration de 7x 1020 à 2 x 1021 atomes/cm3; et chauffer ensuite ladite pellicule de silicium. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pellicule de silicium est une pellicule de silicium amorphe et ladite opération de chauffage est effectuée à une température permettant au silicium amorphe de se transformer en silicium polycristallin. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite opération de chauffage comporte une opération consistant à déposer une pellicule isolante sur ladite pellicule de silicium amorphe. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite opération de chauffage comporte une opération consistant à déposer une pellicule de siliciure sur ladite pellicule de silicium amorphe. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite opération de dépôt de ladite pellicule de silicium amorphe est une opération de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) utilisant le disilane (Si2H6) et la phosphine (PH3) comme gaz sources. 6. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite couche sous-jacente est une pellicule d'oxyde de grille formée sur un substrat de silicium, et le procédé comprend en outre l'opération consistant à appliquer un tracé de motif à ladite pellicule de silicium amorphe et à former une électrode de grille. 7. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite couche sous-jacente est formée sur un substrat de silicium et possède une structure de couches stratifiées avec une pellicule isolante d'intercouche faisant fonction de couche supérieure ainsi qu'un trou de contact exposant la surface du substrat de silicium. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération consistant à déposer une pellicule de silicium sur ladite pellicule isolante d'intercouche, ladite pellicule de silicium étant dopée au phosphore à une concentration de 7 x 1020 à 2 x 1021 atomes/cm3. 9. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite couche sous-jacente est une pellicule isolante d'intercouche formée sur un substrat semi- conducteur, et le procédé comprend en outre l'opération consistant à appliquer un tracé de motif à ladite pellicule de siliciure et à ladite pellicule de silicium amorphe afin de former un motif de câblage. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pellicule de silicium forme une électrode en silicium polycristallin ou amorphe, et ladite concentration en phosphore est fixée à une valeur comprise entre 7,0 x 1020 et 1,0 x 1021 atomes/cm3. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pellicule de silicium forme une partie d'une électrode de polycide, et ladite concentration en phosphore est fixée à une valeur comprise entre 1,0x 1021 et 2,0 x 1021 atomes/cm3. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pellicule de silicium est utilisée comme électrode de mémorisation d'un condensateur, et ladite concentration en phosphore est fixée à une valeur comprise entre 1,2 x 1021 et 1,6 x 1021 atomes/cm3. 13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pellicule de silicium est utilisée comme électrode opposée d'un condensateur, et ladite concentration en phosphore est fixée à une valeur comprise entre 7,0 x 1020 et 1,2 x 1021 atomes/cm3.