FR 2718287 A1 19951006 FR 9403841 A 19940331 Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à grille isolée, en particulier de longueur de canal réduite, et transistor correspondant. L'invention concerne les transistors à effet de champ à grille isolée. Les technologies courantes actuelles des transistors à effet de champ à grille isolée, plus communément appelés par l'homme du métier transistors "MOS", sont des technologies de 0,35 gn à 0,5 Pm. Ces valeurs définissent en fait la longueur du canal du transistor à effet de champ, c'est-à-dire la distance séparant les régions de drain et de source. On sait par ailleurs réaliser des transistor MOS présentant une largeur de canal très courte, de l'ordre du dixième de micron. Cependant, il est nécessaire d'utiliser des moyens photolithographiques très perfectionnés ou bien des masqueurs électroniques afin d'atteindre des finesses de trait avoisinant le dixième de micron. Une telle dimension constitue actuellement une butée technologique pour les techniques de fabrication les plus performantes. Afin de franchir cette frontière technologique liée aux résolutions ultimes des masqueurs, des études ont été orientées vers l'emploi de rayons de longueur d'onde réduite, notamment des rayons X. Cependant, ces voies de recherche se sont heurtées à des problèmes liés à l'appareillage et aux réticules nécessaires pour mettre en oeuvre une telle technique. Une autre solution consiste à réaliser une grille de transistor très courte, par les moyens technologiques actuels les plus performants, puis à graver de manière isotrope le film conducteur constituant cette grille ou le masque de résine protégeant ladite grille. Il a été ainsi possible de fabriquer un transistor présentant une largeur de canal de 40 nm. Cependant, une telle solution est surtout intéressante sur le plan de la faisabilité car elle démontre qu'un transistor MOS ayant une largeur de de canal de 0,04 grm continue de fonctionner normalement. Néanmoins, le procédé de surgravure utilisé présente l'inconvénient d'être très peu contrôlable d'un point à l'autre d'une plaquette de silicium et d'une plaquette à l'autre. L'un des buts de l'invention est de réaliser des transistors à effet de champ à grille isolée ayant des longueurs de canal réduites, typiquement de l'ordre de 0,1 lrm voire moins, en utilisant des techniques classiques et habituellement utilisées pour la fabrication des transistors MOS courants notamment les transistors de la technologie 0,35/0,5 gm. L'invention a également pour but de réaliser des transistors présentant une grille de taille réduite, continue, unique et intègre. L'invention a encore pour but de réaliser des transistors permettant une meilleure maîtrise des phénomènes liés à la dégradation par porteurs chauds, et ce sans dégradation des performances des transistors. L'invention a donc pour objet un procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à grille isolée, comportant, dans une zone prédéterminée d'un substrat semi-conducteur, la formation de régions semi-conductrices de source et de drain et la formation entre ces deux régions d'une région de grille isolée. Selon une caractéristique générale de l'invention, la formation de la région de grille comporte les étapes suivantes: a) on forme, sur la surface supérieure d'une première couche 3) semi-conductrice ou conductrice disposée sur une couche primaire isolante recouvrant ladite zone prédéterminée de substrat, une structure étagée comportant une couche superficielle ayant une épaisseur choisie et formant une marche, et on forme, à l'endroit de ladite marche, à partir d'une gravure anisotrope de ladite couche superficielle, une région saillante comportant au moins une partie centrale formée par la partie résiduelle non gravée de la couche superficielle, dont la largeur au pied définit la longueur du canal du transistor, et b) on effectue une gravure anisotrope du bloc semi- conducteur formé à l'étape a) de façon à graver, sur la totalité de son épaisseur, la partie de la première couche s'étendant de part et d'autre de ladite région saillante, la région semi-conductrice ou conductrice de grille étant définie au moins par la zone résiduelle non gravée de la première couche semi-conductrice ou conductrice, et étant isolée du substrat par la partie de la couche primaire isolante située sous ladite zone résiduelle non gravée de la première couche. En d'autres termes, selon l'invention, la longueur du canal du transistor ainsi formé dépend directement de l'épaisseur de la couche superficielle. Or, les techniques classiques et couramment utilisées dans le domaine de la microélectronique, et en particulier dans le domaine de la fabrication des composants semi-conducteurs, permettent aisément, de façon contrôlable et reproductible, de déposer des épaisseurs de couches extrêmement faibles, pouvant aller jusqu'à des épaisseurs de l'ordre du dixième de micromètre voire moins. Aussi, puisque l'épaisseur des couches sur les parties verticales des marches est proportionnelle à l'épaisseur desdites couches sur les parties horizontales, l'invention permet donc, par l'utilisation de techniques simples et éprouvées, d'obtenir aisément des longueurs de canal de l'ordre du dixième de micron voire moins. En outre, l'utilisation de la région saillante comme masque dans l'opération de gravure anisotrope effectuée à l'étape b), permet aisément de délimiter la largeur de la grille et ce, sans prévoir l'utilisation de résine et/ou de masque additionnel. La structure de la région saillante peut être différente selon les modes de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Ainsi, il est possible de former une région saillante ne comportant que ladite partie centrale. On peut alors dans l'étape b) graver par exemple totalement la région saillante, la région semi- conductrice ou conductrice de grille étant constituée alors uniquement par la zone résiduelle non gravée de la première couche. Dans ce cas, le matériau formant la couche superficielle peut être isolant ou semi- conducteur, ou conducteur. Toujours dans le cas o l'on forme une région saillante ne comportant que ladite partie centrale, il est possible, dans l'étape b) de ne graver que partiellement la région saillante. La région semi- conductrice ou conductrice de grille est alors constituée par la zone résiduelle non gravée de la première couche semi-conductrice ou conductrice et par la zone résiduelle non gravée de la partie centrale de la région saillante. Dans ce cas, il convient de choisir une couche superficielle semi-conductrice ou conductrice de façon à former une partie centrale semi-conductrice ou conductrice pour la région saillante. On peut également, selon un autre mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, choisir une couche superficielle semi- conductrice ou conductrice de manière à former une région saillante comportant à la fois une partie centrale semi-conductrice ou conductrice, et des régions latérales isolantes dissymétriques, limitant ladite partie centrale semi-conductrice ou conductrice. Dans l'étape b) on grave alors partiellement la région région saillante ainsi formée, et la région semi-conductrice de grille du transistor est constituée alors d'une région centrale formée de la zone résiduelle non gravée de la partie centrale semni-conductrice ou conductrice de la région saillante, et de la zone résiduelle non gravée de la première couche semi- conductrice ou conductrice. Cette zone résiduelle non gravée de la première couche forme alors par rapport à la région centrale deux branches latérales dissymétriques. Dans les deux premières variantes de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, prévoyant une région saillante uniquement constituée d'une partie centrale, il est prévu une étape supplémentaire de formation de régions latérales isolantes disposées contre la région semi- conductrice ou conductrice de grille, cette étape supplémentaire étant effectuée avantageusement après l'étape b); la formation des régions semi-conductrices de drain et de source comporte alors de préférence une première implantation de dopants effectuée avant la formation des régions latérales isolantes et une deuxième implantation de dopants effectuée après la formation des régions latérales isolantes. Dans un mode de mise en oeuvre de l'invention prévoyant la formation d'une région saillante comportant à la fois une partie centrale semiconductrice ou conductrice et des régions latérales isolantes, la formation des régions semi-conductrices de drain et de source comporte avantageusement une première implantation de dopants effectuée après la formation de la partie centrale semi- conductrice ou conductrice de la région saillante et avant la formation des régions latérales isolantes, et une deuxième implantation de dopants effectuée après l'étape b). Selon un mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention, compatible avec toutes les variantes exposées ci-avant, on effectue dans l'étape a) les sous-étapes suivantes: al) on dépose sur la face supérieure de la première couche semi-conductrice ou conductrice une couche additionnelle ayant une épaisseur choisie, et on effectue une gravure d'une zone prédéterminée de cette couche additionnelle, sur la totalité de son épaisseur, de façon à former un flanc pour la zone résiduelle non gravée de cette couche additionnelle et à découvrir la partie correspondante de la face supérieure de la première couche, a2) on effectue, sur le bloc ainsi muni de ladite marche, et formé à l'étape al), un dépôt conforme de la couche superficielle ayant une épaisseur choisie de façon à former ladite structure étagée, a3) on effectue, une gravure anisotrope sélective de ladite couche superficielle sur la totalité de son épaisseur de façon à ne laisser subsister qu'une zone résiduelle de couche superficielle s'appuyant sur ledit flanc, et, a4) on grave sélectivement la zone résiduelle de la couche additionnelle, sur la totalité de son épaisseur, de façon à ne laisser subsister sur la première couche semi-conductrice ou conductrice qu'une partie au moins de la zone résiduelle non gravée de la couche superficielle, qui forme ainsi ladite partie centrale de la région saillante. Généralement, l'étape de formation de la région de grille du transistor s'effectue sur une zone prédéterminée de substrat limitée par une zone d'isolement électrique. Dans ce cas, dans l'étape ai), on peut former par la gravure partielle de la couche additionnelle un autre flanc pour la zone résiduelle non gravée de cette couche additionnelle, cet autre flanc étant alors situé sur ladite zone d'isolement. Ceci permet de préserver l'unicité de la région semi- conductrice ou conductrice de grille du transistor. En effet, une autre zone résiduelle non gravée de couche superficielle se forme lors de la gravure anisotrope de cette couche superficielle. Si cette autre zone résiduelle n'était pas formée sur une zone d'isolement électrique, elle formerait avec la première zone résiduelle non gravée de couche superficielle une grille double pour le transistor. Dans le cas o l'on souhaite obtenir par le procédé selon l'invention, un transistor présentant une région semi-conductrice ou conductrice de grille constituée non seulement par la zone résiduelle non gravée de la première couche semi-conductrice ou conductrice mais également par une zone résiduelle non gravée semi-conductrice ou conductrice de la région saillante, on choisit avantageusement la hauteur de la partie de la zone résiduelle de couche superficielle subsistant après l'étape a4, supérieure à l'épaisseur de ladite première couche. Généralement, cette hauteur correspond sensiblement à l'épaisseur de la couche additionnelle. Cette couche additionnelle est constituée d'un matériau présentant une sélectivité de gravure importante par rapport au matériau constituant la couche superficielle et la première couche semi- conductrice ou conductrice. Le matériau de la couche additionnelle peut être ainsi soit isolant soit semi- conducteur. On utilisera de préférence, notamment pour l'obtention aisée d'une sélectivité de gravure, un matériau isolant. L'utilisation de la couche additionnelle présente en outre un 3() autre avantage. En effet, il est particulièrement avantageux, pour la formation des régions de drain et de source, d'effectuer entre l'étape a3) et l'étape a4), c'est-à-dire avant retrait de la couche additionnelle, une implantation de dopants. La couche additionnelle permettra alors de piéger les dopants dans celle-ci et de ne doper que la région de substrat située à l'opposé de cette couche additionnelle, par rapport à la région saillante. On obtiendra ainsi un dopage final différent pour les régions de source et de drain. L'invention a également pour objet un transistor à effet de champ à grille isolée dont la région semi-conductrice ou conductrice de grille comporte une partie centrale semi-conductrice ou conductrice disposée sur une partie inférieure semi-conductrice ou conductrice, définissant par rapport à cette partie centrale deux branches latérales dissymétriques, et étant isolée du substrat par une couche isolante, ainsi que des régions latérales isolantes s'appuyant sur la partie centrale semi-conductrice ou conductrice et sur la face supérieure de la partie inférieure semi-conductrice ou conductrice de la grille. En d'autres termes, on obtient ici une structure de transistor à effet de champ dont la région semi-conductrice ou conductrice de grille présente une configuration sensiblement en forme de T renversé dissymétrique. En outre, l'une des régions de drain et de source peut être avantageusement plus fortement dopée que l'autre. Par ailleurs, les deux branches latérales de la partie inférieure semi-conductrice ou conductrice de grille recouvrent avantageusement partiellement respectivement les régions de drain et de source. Ul est à cet effet préférable que ce soit la région de drain qui soit plus faiblement dopée que la région de source et que cette région de drain soit en outre partiellement recouverte par la branche la plus longue de la partie inférieure semi-conductrice de grille. L'invention permet ainsi d'obtenir des transistors à effet de champ permettant une meilleure maîtrise des phénomènes liés à la dégradation par porteur chaud. Cette meilleure tenue au vieillissement peut également se combiner avec l'obtention d'une résistance série minimum du côté de la source et un dopage non uniforme efficace du côté du drain. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée de modes de mise en oeuvre et de réalisation de l'invention, nullement limitatifs, et des dessins annexés sur lesquels: - les figures la à lh illustrent un premier mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention ainsi qu'un premier mode de réalisation d'un transistor selon l'invention, - les figures 2a à 2c illustrent une variante de mise en oeuvre du procédé selon l'invention et un autre mode de réalisation d'un transistor, -les figures 3a à 3c illustrent un autre mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention et une première structure d'un transistor dissymétrique selon l'invention, et, - les figures 4a à 4c illustrent une variante de mise en oeuvre du procédé selon l'invention et une autre variante de réalisation d'un transistor dissymétrique selon l'invention. On va maintenant décrire en détail un premier mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention illustré sur les figures la à lh. On réalise au sein d'un substrat semi-conducteur, par exemple un substrat de silicium ou un substrat sur isolant (SOI "Silicon On Insulator") une zone d'isolement électrique formée ici de deux zones d'isolement latérales 4. Ces zones d'isolement latérales peuvent être être réalisées de façon classique en utilisant une technique d'oxydation localisée plus communément appelée par l'homme du métier "LOCOS". Ces zones d'isolement peuvent être également des tranchées latérales peu profondes réalisables par le technique connue par l'homme du métier sous le vocable "Box" ou "STI (Shallow Trench Isolation)". On définit ainsi entre ces régions latérales d'isolement 4 une zone prédéterminée de substrat 1 que l'on implante avantageusement pour former par exemple des caissons ou effectuer des ajustement de seuil. On fait ensuite croître sur la face supérieure du substrat une couche primaire isolante 2 qui réalisera ultérieurement l'oxyde de grille du transistor. Cette couche isolante est par exemple formée de dioxyde de silicium et a une épaisseur typiquement inférieure ou égale à 10 nanomètres. On dépose sur cette couche primaire isolante une première couche semiconductrice 3, par exemple formée de polysilicium, et ayant une épaisseur généralement comprise entre 20 et 200 nanomètres. Cette première couche 3 peut être également conductrice, par exemple métallique et en particulier constituée de chrome. Dans la suite du texte, on supposera que la couche 3 est semi-conductrice. On dépose ensuite (figure lb), sur le bloc semi-conducteur ainsi formé, une couche additionnelle épaisse 5, de préférence une couche isolante, ayant une épaisseur typiquement comprise entre 100 et 500 manomètres. L'étape suivante, illustrée sur la figure lc, consiste à effectuer une gravure anisotrope de la couche épaisse 5, avec arrêt sur la première couche semi-conductrice 3 de façon à former un flanc 8 pour la zone résiduelle non gravée 6 de cette couche additionnelle 5 et à découvrir la partie correspondante 7 de la face supérieure de la première couche semi-conductrice 3. Cette gravure anisotrope a été effectuée postérieurement à un dépôt classique de résine et à une étape de photolithographie classique permettant la définition de la zone à graver. La définition du masque utilisé pour l'étape de photolithographie conduit généralement à la formation lors de la gravure anisotrope d'un autre flanc 9 pour la zone résiduelle non gravée 6 de la couche additionnelle 5. Il convient alors que cet autre flanc 9 soit situé sur l'une des régions d'isolement électrique 4 afin, ) comme on le verra plus en détail ci-après, de conserver une unicité de grille pour le transistor finalement formé. On effectue ensuite (figure ld) un dépôt conforme d'une couche superficielle 10 ayant une épaisseur choisie e. Cette couche superficielle est ici avantageusement semi-conductrice, et de préférence constituée du même matériau que celui formant la première couche semi-conductrice 3 (silicium polycristallin par exemple). Cette couche superficielle pourrait également être conductrice (tungstène par exemple). Le bloc semi-conducteur ainsi formé comporte donc sur la 3() première couche semi-conductrice 3 une structure étagée dans laquelle la couche superficielle 10 forme une marche au niveau du flanc 8 de la couche additionnelle 6. Un dépôt conforme est, selon une dénomination couramment utilisée par l'homme du métier, un dépôt conduisant à l'obtention d'une couche dont l'épaisseur e à la tête de marche est sensiblement identique à l'épaisseur e au pied de cette marche. En d'autres termes, un dépôt conforme d'une couche permet à celle-ci de bien épouser les reliefs de la structure sur laquelle elle est déposée. On pourra utiliser comme dépôt conforme, un dépôt dit "CVD" (CHEMICAL VAPOR DEPOSITION). On procède ensuite (figure le) à une gravure anisotrope sélective de la couche superficielle 10, sur la totalité de son épaisseur, (avec arrêt sur la première couche 3 et sur la couche additionnelle 6) de façon à ne laisser subsister qu'une zone résiduelle 11 de couche superficielle s'appuyant sur le flanc 8. En fait, une autre zone résiduelle, représentée en tireté sur la figure le, et s'appuyant sur le flanc 9, subsiste après la gravure. Néanmoins, la position de cette autre zone superficielle sur la zone d'isolement latérale 4 la rend inactive vis-à- vis du transistor ce qui garantit l'unicité de la grille de celui-ci. La gravure est anisotrope c'est-à-dire qu'elle est effectuée uniquement dans une seule direction, ici la direction verticale. La largeur L au pied de la zone résiduelle 11 de la couche superficielle est directement liée à l'épaisseur e de la couche superficielle. Plus précisément cette largeur L est égale à o.e ou x est de l'ordre 0,8 à 1. Aussi, puisque les méthodes classiques de dépôt conforme notamment permettent de déposer des couches d'épaisseur très réduite, il en résulte une largeur L également très réduite. En pratique, on choisira pour obtenir des longueurs L de canal de l'ordre de 0,1 pm, une épaisseur e de couche superficielle de l'ordre de 1000 à 1200 . Bien entendu, il est possible avec le procédé selon l'invention, de réduire encore davantage la longueur L souhaitée en ajustant l'épaisseur de la couche superficielle. La sélectivité de la gravure s'obtient en choisissant des matériaux respectifs pour la couche superficielle la couche additionnelle présentant des rapports de vitesse de gravure de l'ordre de 10 voire plus, compte tenu des caractéristiques chimiques de la gravure utilisée. Avant d'effectuer la gravure anisotrope de la couche superficielle 10, on pourra avantageusement délimiter à l'aide d'un petit bloc de résine l'emplacement ultérieur du contact de grille. Cet 1! emplacement ultérieur est décalé latéralement par rapport au plan de la figure ld. On obtient alors, après gravure, un emplacement de contact de surface suffisante par rapport à la surface supérieure de la future grille du transistor. On effectue (figure If) une gravure sélective anisotrope de la zone résiduelle 6 de la couche additionnelle de façon à ne laisser subsister sur la première couche semi-conductrice 3 que la zone résiduelle 11 non gravée de la couche superficielle, ou tout au moins la majeure partie, car, bien que la gravure soit effectuée de façon () sélective, une partie minime de cette zone résiduelle de couche superficielle peut être également gravée simultanément à la gravure de la couche additionnelle. La gravure de cette couche additionnelle 6 est sélective par rapport à la couche superficielle mais également par rapport à la première couche semi-conductrice 3. En pratique, on choisira des matériaux respectifs présentant des rapports de vitesse de gravure de l'ordre de 10 compte tenu des caractéristiques chimiques de la gravure utilisée. En pratique, une couche additionnelle formée d'oxyde de silicium ainsi que des couches superficielles formées de polysilicium conviendront. On obtient donc à ce stade du procédé, une partie saillante 11, illustrée sur la figure If, et ne comportant qu'une seule partie centrale. On procède ensuite (figure lg) à une gravure anisotrope du bloc semi-conducteur de la figure If, de façon à graver, sur la totalité de son épaisseur, la partie de la première couche semi-conductrice 3 s'étendant de part et d'autre de la région saillante. Lors de cette opération de gravure, la zone résiduelle 11 de couche superficielle est également gravée. Aussi, il est possible qu'elle disparaisse complètement pour ne laisser subsister alors qu'une zone résiduelle non gravée 14 de première couche semi-conductrice. 3() C'est notamment le cas lorsque la hauteur de la zone résiduelle non gravée 11 de la couche superficielle, qui correspond en fait sensiblement à l'épaisseur de la couche additionnelle isolante 6, est égale voire inférieure à l'épaisseur de la première couche semi- conductrice. Cependant, généralement, on choisira une hauteur de zone résiduelle non gravée de couche superficielle 11, c'est-à-dire une épaisseur de couche additionnelle isolante, supérieure à l'épaisseur de la première couche semi-conductrice. Bien sûr, dans ce cas, il est nécessaire de choisir une couche superficielle également semi- conductrice ou conductrice. De ce fait, comme illustré sur la figure lg, on obtiendra alors après l'opération de gravure anisotrope, une région semi-conductrice de grille 12 composée en partie inférieure de la zone résiduelle non gravée 14 de la première couche semi-conductrice et surmontée d'une partie au moins 13 de la zone résiduelle non gravée de couche superficielle. La longueur de la grille est alors égale à la longueur de canal. Cette gravure anisotrope est sélective par rapport à la couche primaire isolante 2 et par rapport aux régions d'isolement 4. Après gravure, il subsiste une fine pellicule résiduelle de couche primaire isolante, de part et d'autre de la région semi-conductrice de grille. On procède ensuite avantageusement (figure lh) à une première implantation de dopants 17 au travers de la pellicule résiduelle d'oxyde. On effectue ensuite sur la surface du substrat semi- conducteur et sur la région semi-conductrice de grille, un dépôt d'une couche isolante épaisse (non représentée ici à des fins de ) simplification) puis à une gravure anisotrope de celle-ci de façon à former des régions latérales isolantes ou espaceurs 15 et 16. A cet effet, on remarquera ici que les espaceurs sont dissymétriques en raison de la configuration de la région semi-conductrice de grille présentant un flanc abrupt d'un côté et arrondi de l'autre côté. On procède ensuite à une deuxième implantation de dopants 18 de façon à former des régions actives 19 et 20 présentant des dopages non uniformes connus par l'homme du métier sous le vocable "LDD". La zone de drain D sera alors avantageusement choisie comme étant celle située partiellement sous l'espaceur 15 le plus large. Les dernières étapes de fabrication du transistor T1 ainsi obtenu consistent en des prises de contact métallique sur les régions de drain et de source ainsi que sur la zone de contact de grille préalablement aménagée. Ces prises de contact sont tout à fait classiques. Le transistor Tl est donc un transistor à effet de champ de grille isolée présentant une largeur de grille et de canal réduite, typiquement de l'ordre de 0,1 lpm. Il a été obtenu aisément par des techniques classiquement utilisées pour la technologie courante 0,35/0,5 /m par exemple. En outre la dissymétrie des dopages non uniformes entre les régions de drain 19 et de source 20 permet de réduire avantageusement la résistance série du côté source. Les figures 2a à 2c illustrent une variante de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Sur ces figures, les éléments analogues ou ayant des fonctions analogues à ceux représentés sur l'ensemble des figures la à lh ont des références augmentées de 100 par rapport à celles qu'ils avaient sur les figures la à lh. Seules les différences entre l'ensemble de ces figures seront maintenant décrites. La figure 2a est analogue à la figure le. Néanmoins, à ce stade du procédé, on procède avantageusement à une implantation primaire 121 de dopants conduisant à la réalisation d'une zone dopée 122 située sous la partie découverte 107 de la première couche semi- conductrice. La présence de la couche additionnelle 106 permet de piéger les dopants à l'intérieur de celle-ci et évite une implantation du substrat. Après réalisation de la région saillante et gravure de la première couche semi-conductrice de part et d'autre de cette région saillante, de façon à obtenir la région semi-conductrice de grille 112, on procède à une deuxième implantation de dopants 125, de plus faible énergie que celle de l'implantation 121, conduisant d'une part à la réalisation d'une zone de substrat dopé 124 située au même endroit que la zone dopée 122 mais moins profondément dopée que cette zone 122, et, d'autre part à la réalisation d'une autre zone dopée 123 située dans le substrat de l'autre côté de la région de grille 112. Cette zone 123 est moins profondément dopée que la zone 124. De ce fait, comme illustré sur la figure 2c, après formation des espaceurs isolants 115 et 116, et une nouvelle implantation 126, à travers la pellicule résiduelle d'oxyde (non représentée à des fins de simplification), on obtient une zone active 119 moins profondément dopée que la zone active homologue 120. L'énergie d'implantation 126 est comprise entre celle des implantations 125 et 121. Ainsi, outre le fait que ce transistor T2 présente également une largeur de canal et de grille réduite, ainsi qu'une dissymétrie entre drain et source, (si l'on choisit d'utiliser la région 119 en tant que région de drain et la région 120 en tant que région de source) le dopage profond et plus fort côté source (la région 120 a été implantée trois fois) contribue encore à minimiser la résistance série du côté source tandis que le dopage non uniforme du drain (LDD) est plus long, donc plus efficace pour une meilleure résistance au vieillissement par porteurs chauds. Les figures 3a à 3c illustrent un autre mode de mise en oeuvre du procédé selon l'invention. Sur ces figures, les éléments analogues ou ayant des fonctions analogues à ceux illustrés sur les figures la à lh ont des références augmentées de 200 par rapport à celles qu'ils avaient sur ces figures. Seules les différences entre ces deux groupes de figures seront maintenant décrites. Cette variante de l'invention permet d'obtenir un transistor ayant une région de grille sensiblement en forme d'un T renversé dissymétrique. Comme illustré sur la figure 3a, après gravure sélective de la couche résiduelle non gravée de la couche additionnelle, permettant d'obtenir la partie centrale semi-conductrice 211 de la région saillante, on procède sur la structure semi-conductrice ainsi obtenue à une implantation de dopants 230 permettant d'obtenir dans le substrat de part et d'autre de la partie centrale 211 de la région saillante deux régions dopées 231 et 232. On procède ensuite (figure 3b) au dépôt sur la structure semi- conductrice de la figure 3a d'une couche isolante épaisse (non représentée ici à des fins de simplification) puis à une gravure anisotrope de celle-ci pour former d'une façon analogue à celle qui a été exposée ci-avant, deux espaceurs dissymétriques 233 et 234. Ces deux espaceurs s'appuient d'une part sur la partie centrale semi- conductrice 211 et d'autre part sur la face supérieure de la première couche semi-conductrice 203. La région saillante 212 est donc formée ici par la partie centrale semi-conductrice 211 et par les deux espaceurs isolants 233 et 234. On procède alors (figure 3c) à la gravure anisotrope de la structure ainsi formée de façon à graver la première couche semi- conductrice 203 de part et d'autre de la région saillante 212. On obtient finalement une région semi-conductrice de grille composée d'une partie centrale semi-conductrice 213 disposée sur une partie inférieure semi-conductrice 214 définissant par rapport à cette partie centrale deux branches latérales dissymétriques. Ces deux branches latérales sont dites dissymétriques car elles sont d'inégale longueur. La région semi-conductrice de grille est isolée du substrat par la portion de couche isolante 202 située sous la partie inférieure semi- conductrice 214. Les espaceurs 215 et 216 s'appuient sur la partie centrale 213 de la région de grille et sur la face supérieure de la partie inférieure 214. On procède alors à une implantation de dopants 226 permettant d'obtenir les dopages source et drain pour les deux régions actives 234 et 235. Là encore, si l'on choisit comme région de drain la région 234 et comme région de source la région 235, on obtient outre les avantages exposés ci-avant, un recouvrement partiel de la région de drain par la région de grille ce qui permet de drainer les porteurs chauds dans la région de grille en évitant une injection de ceux-ci dans les espaceurs isolants, ce qui est favorable à la résistance au vieillissement du transistor T3. Par rapport à la variante de mise en oeuvre illustrée sur les figures 3a à 3c, celle illustrée sur les figures 4a à 4c se distingue par le fait que préalablement à la gravure sélective de la zone résiduelle 306 de couche additionnelle, on effectue une implantation supplémentaire de dopants 321 de façon à définir d'une façon analogue à celle illustrée sur la figure 2a une zone de substrat dopée 322. Puis, comme illustré sur la figure 4b, avant formation des espaceurs isolants de la région de la saillante, on effectue une autre implantation 325 de façon à obtenir les zones de substrat dopées 331 et 332. On obtient finalement sur la figure 4c, après une gravure de part et d'autre de la région saillante 312 et implantation 326, un transistor T4 ayant une structure sensiblement analogue à celle du transistor T3 mais présentant une zone active de substrat 335, de préférence la zone de source, plus profondément et plus fortement dopée que la région homologue 334, de préférence de drain, ce qui permet de minimiser là encore la résistance série du côté source et d'obtenir un dopage non uniforme plus efficace du côté du drain. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ à grille isolée, comportant dans une zone prédéterminée d'un substrat semiconducteur (1) la formation de régions semi-conductrices de source et de drain et la formation, entre ces deux régions, d'une région de grille isolée, caractérisé par le fait que la formation de la région de grille comporte les étapes suivantes: a) on forme, sur la surface supérieure d'une première couche semi-conductrice ou conductrice (3) disposée sur une couche primaire isolante (2) recouvrant ladite zone prédéterminée de substrat (1), une structure étagée comportant une couche superficielle (10) ayant une épaisseur choisie (e) et formant une marche, et on forme, à l'endroit de ladite marche, à partir d'une gravure anisotrope de ladite couche superficielle, une région saillante (11; 111; 212; 312) comportant au moins une partie centrale (11; 111; 211; 311) formée par la partie résiduelle non gravée de la couche superficielle, dont la largeur au pied L, reliée à l'épaisseur (e) de la couche superficielle (10), définit la longueur du canal du transistor, et b) on effectue une gravure anisotrope du bloc formé à l'étape a) de façon à graver, sur la totalité de son épaisseur, la partie de la ) première couche semi-conductrice ou conductrice (3) s'étendant de part et d'autre de ladite région saillante, la région semi-conductrice ou conductrice de grille étant définie au moins par la zone résiduelle non gravée (14) de ladite première couche, et étant isolée du substrat par la partie de la couche primaire isolante située sous ladite zone résiduelle non gravée (14) de la première couche semi-conductrice ou conductrice (3). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on forme une région saillante ne comportant que ladite partie centrale (11), et par le fait que dans l'étape b) on grave totalement la région saillante, la région semi-conductrice ou conductrice de grille étant constituée uniquement par la zone résiduelle non gravée de la première couche semi-conductrice ou conductrice. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'on choisit une couche superficielle (10) semi-conductrice ou conductrice et l'on forme une région saillante ne comportant que ladite partie centrale semi-conductrice ou conductrice (11) et par le fait que dans l'étape (b) on grave partiellement la région saillante, la région semi- conductrice ou conductrice de grille étant constituée de la zone résiduelle non gravée (14) de la première couche semi-conductrice ou conductrice et de la zone résiduelle non gravée (13) de la partie centrale (11) de la région saillante. 1) 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé par le fait qu'il comprend une étape supplémentaire de formation de régions latérales isolantes disposées contre la région semi-conductrice ou conductrice de grille, cette étape supplémentaire étant effectuée après l'étape b), et par le fait que la formation des régions semi- conductrices de drain et de source comporte une première implantation de dopants effectuée avant la formation des régions latérales isolantes, et une deuxième implantation de dopants effectuée après la formation des régions latérales isolantes. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ) l'on choisit une couche superficielle semi-conductrice ou conductrice, et que dans l'étape a) on réalise une région saillante en formant une partie centrale semi-conductrice ou conductrice et en formant des régions latérales isolantes dissymétriques limitant ladite partie centrale, et par le fait que dans l'étape b) on grave partiellement la région saillante, la région semi-conductrice ou conductrice de grille étant constituée d'une région centrale formée de la zone résiduelle non gravée de la partie centrale de la région saillante, et de la zone résiduelle non gravée de la première couche semi-conductrice ou conductrice, formant par rapport à ladite région centrale deux branches latérales dissymétriques. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé par le fait que la formation des régions semi-conductrices de drain et de source comporte une première implantation de dopants effectuée après la formation de la partie centrale de la région saillante et avant la formation des régions latérales isolantes, et une deuxième implantation de dopants effectuée après l'étape b). 7. Procédé selon l'une des revendications 2 à 6, caractérisé par le fait que la largeur au pied de la partie centrale de la région saillante est de l'ordre de 1000 . 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que dans l'étape a): al) on dépose sur la face supérieure de ladite' première couche (3) une couche additionnelle (5) ayant une épaisseur choisie, et on effectue une gravure d'une zone prédéterminée de cette couche additionnelle, sur la totalité de son épaisseur, de façon à former un flanc (8) pour la zone résiduelle non gravée (6) de cette couche additionnelle (5) et à découvrir la partie correspondante (7) de la face supérieure de ladite première couche (3), a2) on effectue, sur le bloc formé à l'étape al), un dépôt conforme de la couche superficielle (10) ayant une épaisseur choisie de façon à former ladite structure étagée, a3) on effectue, une gravure anisotrope de ladite couche superficielle (10) sur la totalité de son épaisseur de façon à ne laisser subsister qu'une zone résiduelle (11) de couche superficielle s'appuyant sur ledit flanc (8), et, a4) on grave sélectivement la zone résiduelle (6) de la couche additionnelle, sur la totalité de son épaisseur, de façon à ne laisser subsister sur ladite première couche qu'une partie au moins de la zone résiduelle non gravée de la couche superficielle pour former la partie centrale de la région saillante. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé par le fait que ladite zone prédéterminée de substrat (1) est limitée par une zone d'isolement électrique (4), et par le fait que dans l'étape al) on forme par la gravure partielle de la couche additionnelle, un autre flanc 9 pour la zone résiduelle non gravée (6) de cette couche additionnelle, cet autre flanc étant situé sur ladite zone d'isolement (4). 10. Procédé selon la revendication 8 ou 9 prise en combinaison avec la revendication 3 ou 5, caractérisé par le fait que la hauteur de la partie de la zone résiduelle de couche superficielle subsistant après l'étape a4) est supérieure à l'épaisseur de la première couche semi-conductrice ou conductrice (3), par le fait que la couche superficielle est semi-conductrice ou conductrice, et par le fait que la partie de la zone résiduelle de couche superficielle subsistant après l'étape a4) forme ladite partie centrale de la région saillante. 11. Procédé selon l'une des revendications 8 à 10, caractérisé par le fait que la couche additionnelle est une couche isolante. 12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, prise en combinaison avec la revendication 4, caractérisé par le fait que ladite première implantation de dopants comporte une implantation primaire ) de dopants effectuée entre l'étape a3) et l'étape a4) et une implantation secondaire de dopants effectuée après l'étape a4). 13. Procédé selon la revendication 10 ou 11 prise en combinaison avec la revendication 6, caractérisé par le fait que la formation des régions de drain et de source comporte une implantation supplémentaire de dopants effectuée entre l'étape a3) et l'étape a4). 14. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que l'on choisit des matériaux identiques pour la première couche et la couche superficielle. 15. Transistor à effet de champ à grille isolée, caractérisé par le fait que la région de grille comporte une partie centrale semi- conductrice ou conductrice disposée sur une partie inférieure semi- conductrice ou conductrice, définissant par rapport à cette partie centrale deux branches latérales dissymétriques, et étant isolée du substrat par une couche isolante, ainsi que des régions latérales isolantes s'appuyant sur la partie centrale et sur la face supérieure de la partie inférieure. 16. Transistor selon la revendication 15, caractérisé par le fait que l'une des régions de drain et de source est plus fortement dopée que l'autre. 3() 17. Transistor selon la revendication 15 ou 16, caractérisé par le fait que les branches latérales de la partie inférieure de grille recouvrent partiellement respectivement les régions de drain et de source. 18. Transistor selon les revendication 16 et 17, caractérisé par le fait que la région de drain, plus faiblement dopée que la région de source, est partiellement recouverte par la branche la plus longue de la partie inférieure de grille.