FR 2714478 A1 19950630 FR 9315551 A 19931223 DETECTEUR DE CHAMP MAGNETIQUE EN COUCHES MINCES L'invention concerne un détecteur de champ magnétique en couches minces. La réalisation d'un capteur magnétique fiable dans la gamme de champs magnétiques 10-6-10-1 Oe reste un objectif stratégique, tant pour la détection d'anomalies magnétiques, que pour la réalisation de têtes de lecture de supports magnétiques à haute densité d'informations. Parmi les effets physiques sensibles au champ magnétique, les phénomènes de magnétotransport présentent l'avantage de pouvoir être aisément intégrés avec l'électronique de lecture. Actuellement, deux types d'effets sont utilisés: d'une part la magnétorésistance des matériaux magnétiques, et d'autre part l'effet Hall. L'invention concerne un élément sensible permettant de mesurer en géométrie de Hall l'anisotropie de résistivité. Cet effet connu depuis longtemps est appelé "effet Hall planaire". L'invention concerne donc un capteur de champ magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un élément en matériau couches minces magnétorésistives cristallines à anisotropie de résistivité dans le plan, possédant également dans ce plan deux axes d'aimantation de valeurs différentes, cet élément comportant deux connexions électriques permettant la circulation d'un courant dans l'élément selon une première direction non colinéaire avec aucun des axes d'aimantation et deux connexions électriques permettant une mesure de tension selon une deuxième direction transverse par rapport à la première direction. Les différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront plus clairement dans la description qui va suivre et dans les figures annexées qui représentent: - la figure 1, une vue simplifiée du dispositif de l'invention; - la figure 2, un exemple de réalisation détaillé avec transistor de commande; - la figure 3, une courbe de réponse tension/champ magnétique du dispositif selon l'invention; - la figure 4, une variante du dispositif de l'invention. Il est connu que dans certains matériaux magnétiques cristallins, outre la variation angulaire de la résistance électrique, l'anisotropie de résistivité se traduit par l'apparition d'une tension dans la direction perpendiculaire à la direction de circulation du courant électrique. Ainsi une mesure réalisée en géométrie de Hall donnera une tension de sortie proportionnelle à: PH = a.(p/I - p+)/2.sin(20) (1) o a est un facteur géométrique, et pli et p+ sont les résistivités électriques mesurées respectivement parallèlement et perpendiculairement à l'aimantation. Une telle mesure permet un accès direct à la valeur p/I - p+. Dans un capteur magnétorésistif, le rapport signal-à-bruit est limité par le bruit de la totalité de la résistance dont seulement 2 à 5 % représentent la partie utile. Dans un capteur à effet Hall planaire, seule la partie utile est mesurée. Des études récentes menées sur des multicouches épitaxiées de Fe/Pd par Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM), ont montré que: - les couches sont monocristallines; - la symétrie cubique est clairement visible sur les cycles d'hystérésis M(H); - il est possible d'induire une anisotropie uniaxiale le long d'un des deux axes faciles de la multicouche magnétique; - cette anisotropie se traduit par une rotation brusque de l'aimantation depuis la direction la moins facile des deux axes faciles de la couche vers l'axe le plus facile, lorsqu'un champ magnétique, appliqué le long de la direction la moins facile est progressivement réduit vers des faibles valeurs. En outre des études par effet Kerr de la structure en domaines magnétiques de ces couches montrent clairement la possibilité d'obtenir des monodomaines magnétiques sur des tailles variant entre 1 et 100 micromètres. Comme cela est représenté en figure 1, le motif de base d'un dispositif à effet Hall planaire selon l'invention a la forme d'une croix conductrice dont au moins la partie sensible centrale est en matériau à anisotropie de résistivité. Le courant circule le long d'une des branches; la direction D3 sur la figure 1. Si la partie sensible est un monodomaine à aimantation saturée, le signal de sortie dépend alors uniquement de l'angle entre l'aimantation et le courant suivant la relation (1). Sur la figure 1, la partie sensible est représentée par la zone 1. A cette zone sont connectés deux conducteurs 2 et 2' permettant la circulation d'un courant à travers cette zone selon le plan de cette zone. Deux conducteurs 3, 3' sont également connectés à la zone 1 pour mesurer la tension transversalement et de préférence perpendiculairement à la direction de circulation du courant. Cette configuration permet de s'abstraire naturellement des problèmes propres à une mesure magnétorésistive, du fait de la possibilité d'induire une anisotropie cristalline contrôlée, sur des monodomaines magnétiques monocristallins: - une telle mesure permet un accès direct à (pli - p+). Dans un capteur magnétorésistif, le rapport signal-à-bruit est limité par le bruit de la totalité de la résistance dont seulement 2 à 5 % représentent la partie utile. Au contraire, dans un capteur à effet Hall planaire, seule la partie utile est mesurée. Il en découle une importante diminution du bruit thermique du capteur; - dans un capteur magnétorésistif, la dépendance en température de la composante Po impose d'utiliser un pont de résistances. Avec un élément à effet Hall planaire, on s'affranchit de cette complication; - la possibilité d'obtenir des monodomaines sur l'ensemble du capteur, permet de diminuer notablement le bruit lié aux parois de domaines; - pour la même raison la raideur de la variation en champ du signal de sortie est nécessairement augmentée; finalement, le signal de sortie dépend peu de la taille de l'élément sensible pour peu qu'il reste carré. Avec des petites tailles, des fréquences élevées de commutation peuvent être atteintes. Les problèmes qui ont limité le développement des capteurs à effet Hall (classique) pour la détection de champs faibles, sont eux aussi résolus. Le capteur est ici sensible à la direction de l'aimantation qui est maintenue à saturation et dans le plan, du fait de la géométrie en couche ultramince. L'effet maximum est donc obtenu sur une gamme de champ faible, de l'ordre ou inférieure à 1 Oe. Il subsiste le problème propre à l'effet Hall qu'il soit planaire ou perpendiculaire. Le signal de sortie est faible (1 mv pour 1 mA). Ce problème est résolu en intégrant le capteur sur un transistor 5 basse température tel que cela est représenté en figure 2. Sur cette figure, on trouve l'élément 1 à effet Hall planaire comportant à sa surface deux électrodes 2, 2' d'amenée du courant qui sont équivalents aux conducteurs 2, 2' de la figure 1, deux autres électrodes 3, 3' également à la surface de l'élément 1. En contrepartie, pour une puissance dissipée donnée, le bruit peut être ramené à des valeurs basses. Outre la suppression de l'offset de résistivité, le bruit lié aux mouvements des parois des domaines peut être notablement diminué. En effet, il est aisé, surtout sur des couches monocristallines d'obtenir des monodomaines magnétiques comme partie sensible. En conclusion, une fois résolu le problème de lecture d'une tension de sortie faible, la sensibilité intrinsèque des capteurs à effet Hall planaire, est nécessairement meilleure que celle des composants magnétorésistifs. La mesure de champ peut être obtenue de deux manières distinctes. Dans une première approche, on introduit une légère anisotropie entre les deux directions de facile aimantation. Cela est réalisable de manière contrôlée, en agissant par exemple sur les conditions de dépôt: en introduisant un angle entre la direction d'arrivée des atomes et la normale au substrat, ou en déposant sous champ magnétique. Supposons que la plus facile des directions faciles soit la direction D4, définie sur la figure 1. Le système sera alors utilisé pour mesurer un champ dirigé suivant la direction D2. En effet, à champ élevé, I'aimantation pointe le long de l'axe D2. Lorsque le champ diminue, il arrive à être plus faible que l'anisotropie entre les directions D2 et D4. L'aimantation tourne alors de 900*. La rotation est brusque et se traduit par une rapide inversion du signal de sortie, comme l'atteste les résultats ci-dessus obtenus sur une multicouche à base de FelPd/Co/Cu. La forte pente permet une grande sensibilité. La figure 3 représente la réponse tension/champ magnétique d'un élément Hall planaire de 0,5 mm de côté. Le matériau est une multicouche à base de FelPd/ColCu épaisse de 30 nm. Pour un signal de sortie de 0,1 mV, le courant est de 1 mA, ce qui correspond à une puissance dissipée de 2mWatts. Des couches monocristallines de Permalloy donnent des tensions de sortie de l'ordre du mV. En contrepartie, pour une puissance dissipée donnée, le bruit peut être ramené à des valeurs basses. Outre la suppression de l'offset de résistivité, le bruit lié aux mouvements des parois des domaines peut être notablement diminué. En effet, il est aisé surtout sur des couches monocristallines d'obtenir des monodomaines magnétiques comme partie sensible. En conclusion, une fois résolu le problème de lecture d'une tension de sortie faible, la sensibilité intrinsèque des capteurs à effet Hall planaire, est nécessairement meilleure que celle des composants magnétorésistifs. Deux problèmes essentiels limitent l'utilisation directe des effets de magnétorésistance anisotrope: - l'utilisation des éléments nécessite un champ de bias important. - l'hystérésis des couches est à l'heure actuelle beaucoup trop élevée. Face à cette difficulté, la solution habituellement choisie pour les capteurs magnétorésistifs consiste à utiliser le matériau avec l'aimantation dans la direction la plus facile. Un champ magnétique perpendiculaire à I'aimantation induira alors une rotation de l'aimantation, et non une nucléation de domaine. En conséquence, l'hystérésis est réduit de plusieurs ordres de grandeur. Le courant est alors placé à 45 de l'aimantation par l'intermédiaire de Barber-Pôle. Cette configuration permet d'utiliser le capteur en champ magnétique nul. En contrepartie, la sensibilité est réduite par la raideur associée à l'anisotropie. Néanmoins, elle reste suffisante pour les objectifs fixés. Cette solution est appliquée dans l'invention. Il suffit de placer la direction la plus facile le long de la ligne de courant. Cela représente un avantage supplémentaire par rapport aux mesures magnétorésistives. En effet, pour les capteurs magnétorésistifs, la deuxième étape de masquage, liée à la fabrication des Barber-Pôles est critique. Cette solution a été testée avec la configuration représentée en figure 5. Des résultats préliminaires donnent une sensiblité de 10-4 0e. Une amélioration de ces résultats de deux ordres de grandeurs (jusqu'à 10-6 Oe) est tout à fait raisonnable. Pour des mesures moins précises, comme dans des boussoles, il est possible d'utiliser le même type de systèmes en plaçant cette fois-ci la plus facile des directions faciles d'aimantation le long de l'axe D3. L'anisotropie doit être suffisante pour que l'aimantation en champ nul retourne spontanément dans cette direction. L'application d'un champ suivant l'axe D1, induit une faible rotation de l'aimantation. Cette rotation est lisible sur la tension de sortie qui varie alors comme sin(20). Si la direction du champ à mesurer n'est pas fixée, I'anisotropie entre les deux directions faciles peut être remplacée, par un champ magnétique statique, obtenu par exemple avec un aimant permanent, pointant dans la direction du courant. Un champ statique de 100 gauss, permet une mesure de la composante du champ terrestre suivant la direction D1 par la méthode décrite ci-dessus, avec une précision meilleure que 1 %. En couplant sur la même plaquette deux capteurs mesurant deux composantes orthogonales dans le plan et un capteur à effet Hall perpendiculaire, il est possible de réaliser une boussole permettant la détermination à 3D de la direction du champ. Le dispositif de l'invention peut également être appliqué à la lecture de supports d'enregistrement magnétique tels qu'une bande magnétique. Sur une bande magnétique, les informations sont digitalisées en utilisant deux directions opposées à l'aimantation. La lecture se réduit en fait à la détermination du signal de l'aimantation successivement sur chaque bit. L'utilisation de l'effet Hall planaire est assez simple. On considère un matériau à symétrie cubique, dont les axes de facile aimantation sont placés suivant les axes D2 et D4. Le courant circule suivant la direction D3. Un champ statique Hb faible est orienté par exemple dans la direction D3. Le champ produit par le moment correspondant à un bit pointe selon la direction D1, en pointant dans un sens ou dans l'autre. L'aimantation du domaine sensible pointe alors soit dans la direction D2 soit dans la direction D4. Cela donne la sensibilité maximale à l'effet, puisque entre un bit "0" et un bit "1" le signal de sortie passe de l.(p/l - p+)/2e à -I.(p/I - p+ )/2e. Le champ Hb a pour rôle de forcer l'aimantation à avoir une composante pointant dans le sens du courant. Il doit seulement être plus faible que l'anisotropie magnétocristalline. A l'inverse d'un champ de bias, sa valeur précise n'est pas capitale. La réalisation d'une matrice d'éléments Hall planaire ne pose pas de problèmes à priori. La conception de matériaux magnétiques constitués de couches magnétiques, séparées par des couches d'un matériau non-magnétique, a relancé l'intérêt de ce type de capteurs. Des variations de résistivités proches de 100 % ont été obtenues. Cette forte magnétorésistance observée notamment dans les multicouches Fe/Cr est due à la transition sous champ magnétique entre les deux états d'aimantation du système, à savoir l'état ou l'alternance des aimantations des couches magnétiques est anti-parallèle et l'état o toutes ces aimantations sont parallèles. Le principal inconvénient de cet effet reste la haute valeur du champ magnétique Hs nécessaire pour faire transiter les aimantations de I'état parallèle à l'état anti-parallèle. Des nouvelles structures de multicouches pour lesquelles l'alignement antiferromagnétique est obtenu sans couplage entre les couches magnétiques conduisent à des rotations à bas champ de l'aimantation et donc à des sensibilités importantes (jusqu'à 2 % par Oe). Cependant dans ces structures l'effet magnétorésistif est réduit à moins de %. La figure 4 représente une variante de réalisation du dispositif de l'invention o l'on retrouve l'élément à effet Hall I sous forme d'un ruban avec les électrodes 2, 2' d'amenée du courant, et les électrodes 3, 3' pour la mesure du courant perpendiculairement à la direction de circulation du courant. En plus, deux électrodes 4, 4' connectées à peu près au même niveau que les électrodes 1, 1' permettent de mesurer la différence de potentiel le long du ruban et donc de mesurer la tension de magnétorésistance. Cette structure permet donc de mesurer le bruit thermique. Cette structure permet en outre d'injecter une contre-réaction par les électrodes 4, 4' pour diminuer l'effet du bruit thermique. A titre d'exemple, la largeur du ruban constituant l'élément est comprise entre 100 et 500 pm (par exemple 200 pm). Les connexions des électrodes 3, 3' à l'élément 1 sont larges de 10 à 50 pm (20 pm par exemple). Les couches déposées présentent une anisotropie magnéto- cristalline complexe. D'une part, les axes de faciles aimantations (Fac) sont dirigés suivant les directions (100) du Fer, c'est-à-dire les directions (110) du substrat. Comme les axes de clivage du substrat sont les axes (100), les directions de facile aimantation sont le long des diagonales du carré de MgO. D'autre part, une des deux directions de facile aimantation (Fac+) est légèrement plus facile que l'autre (Fac-). Si on considère que le courant circule le long d'un axe de difficile aimantation, c'est-à-dire entre les axes (Fac+) et (Fac-), à 450 des deux, lorsque l'aimantation passe d'une direction à l'autre le signal d'effet Hall planaire change de signe. Lorsqu'on applique un champ magnétique dans la direction (Fac). Lorsque le champ décroît, il arrive un moment o l'aimantation se place dans la direction la plus facile (Fac+). Puis à champ négatif, I'aimantation retourne dans la direction (Fac-). REVENDICATIONS 1. Capteur de champ magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un élément (1) en matériau couches minces magnétorésistives cristallines à anisotropie de résistivité dans le plan, possédant également dans ce plan deux axes d'aimantation de valeurs différentes, cet élément comportant deux connexions électriques (2, 2') permettant la circulation d'un courant dans l'élément selon une première direction non colinéaire avec aucun des axes d'aimantation et deux connexions électriques (3, 3') permettant une mesure de tension selon une deuxième direction transverse par rapport à la première direction. 2. Capteur de champ magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément magnétorésistif a la forme d'un ruban et est alimenté en courant par circulation d'un courant selon la plus grande longueur du ruban et que les connexions électriques sont situés en deux points situés sur les bords latéraux du ruban. 3. Capteur de champ magnétique selon la revendication 2, caractérisé en ce que la section des connexions sur les bords du ruban sont inférieures ou de l'ordre du dixième de la section du ruban. 4. Capteur de champ magnétique selon la revendication 2, caractérisé en ce que la largeur du ruban est de l'ordre de quelques centaines de micromètres et la largeur des connexions sur le ruban de l'ordre de quelques dizaines de micromètres. 5. Capteur de champ magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément en matériau couche mince magnétorésistive est un multicouche métallique magnétique. 6. Capteur de champ magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément en matériau magnétorésistif a une forme rectangulaire ou carrée qui prolonge par des rubans conducteurs connectés aux côtés du rectangle (ou du carré), l'ensemble ayant la forme d'une croix. 7. Capteur de champ magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est utilisé pour mesurer un champ magnétique orienté dans le plan de la couche magnétorésistive. 8. Capteur de champ magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux axes d'aimantation sont perpendiculaires et que le champ magnétique à mesurer est perpendiculaire à la direction d'aimantation la plus facile. 9. Capteur de champ magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la direction du courant n'est pas colinéaire avec la direction d'aimantation la plus facile. 10. Capteur de champ magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la direction du courant est dirigée selon la bissectrice de l'angle formé par les deux directions faciles d'aimantation. 11. Capteurs de champ magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la direction du courant est colinéaire avec la direction d'aimantation la plus facile.