FR 2720858 A1 19951208 FR 9504444 A 19950413 CIRCUIT DE COMMANDE DE DIODE LASER PULSEE, COMPACT, A HAUTE FREQUENCE DE RECURRENCE DES IMPULSIONS, DE GRANDE PUISSANCE ARRIERE PLAN DE L'INVENTION Domaine de l'invention La présente invention concerne un circuit de commande de diode laser, et plus particulièrement un circuit de commande de diode laser pulsée, à haute fréquence de récurrence des impulsions (PRF), de grande puissance. Description de l'art antérieur De façon générale, les circuits de commande de lasers sont essentiellement classés en lasers à gaz, lasers à solide et lasers à semiconducteur. Bien que générant une grande puissance de sortie, les lasers à gaz et les lasers à solide sont volumineux, lourds et chers. En outre, ils présentent une détérioration de leur rendement. Par contre, les lasers à semiconducteur sont compacts, légers, peu chers et très efficaces. En raison de tels avantages, on constate une tendance croissante vers l'utilisation des lasers à semiconducteur. En dépit de tels avantages, les lasers à semiconducteur ont pour inconvénient une très faible résistance. A cause de cette très faible résistance, les lasers à semiconducteur exigent pour leur actionnement un circuit de commande de laser qui soit un dispositif de transfert d'énergie de grande puissance. Un circuit de commande de laser pulsé de grande puissance conventionnel a une impédance de circuit très élevée. A cause de -2- l'importante désadaptation d'impédance entre le circuit de commande (haute impédance) et le réseau laser (impédance extrêmement basse), la plus grande partie de l'énergie électrique utilisée pour actionner le réseau laser est perdue sous forme de chaleur. Toutefois, pour le fonctionnement du laser à semiconducteur de grande puissance, le courant au-delà du niveau de seuil devrait être appliqué au laser à semiconducteur. En conséquence, l'énergie perdue sous forme de chaleur doit être compensée en augmentant la tension de polarisation d'impulsions. En conséquence, le circuit de commande pulsé, de grande puissance conventionnel est conçu avec une haute capacité de grande puissance. Ceci exige un interrupteur à semiconducteur de puissance encore plus grande. Dans le circuit de commande pulsé, de grande puissance conventionnel, au fur et à mesure que la perte d'énergie augmente, la capacité de puissance requise de l'interrupteur à semiconducteur augmente fortement. De ce fait, les capacités du circuit de commande de laser telles que les temps de montée et de descente, la largeur d'impulsion et la fréquence de récurrence d'impulsions de l'impulsion laser de sortie se détériore rapidement, tout en augmentant fortement la taille et le poids du circuit de commande. Quand une diode laser à semiconducteur à jonction p-n en GaAlAS est polarisée de façon directe, les électrons provenant du matériau de type n se recombinent avec les trous provenant du matériau de type p, libérant une énergie optique à la jonction. L'énergie optique couvre une large plage de longueurs d'ondes, allant de bien au-delà de 1000 nm (1000 x 10-9m) jusqu'à la zone -3 de lumière rouge. Un paramètre critique dans le fonctionnement des diodes laser à semiconducteur est le niveau de courant fourni. Aux niveaux de courant bas, à savoir, en dessous du niveau du courant de seuil, les diodes laser génèrent une certaine émission spontanée sans sortie laser (lumière laser). Au fur et à mesure que le niveau de courant augmente, les lasers à diode passent un seuil o la population dans le milieu de la diode laser est inversée et l'effet laser commence. En conséquence, en dessous du courant de seuil, très peu de lumière laser est émise et son rendement d'émission est très faible. Une fois que le niveau de courant passe le seuil, la sortie de lumière augmente fortement. Les diodes laser de grande puissance, appelées les bandes de diodes laser ou réseaux laser, sont produites en fabriquant un grand nombre de diodes laser sur un même substrat. Le niveau de puissance de sortie laser est proportionnel aux nombres de diodes laser dans le réseau laser. Des avantages évidents de cette technique de fabrication sont le faible coût de fabrication, la production en masse, la miniaturisation, et la haute fiabilité. L'inconvénient est une résistance à l'état passant très faible (bien moins de 1 ohm) des composants. Comme les réseaux laser sont fabriqués en connectant de nombreuses quantités d'un dispositif à jonction p-n à polarisation directe, à savoir, une diode laser, en parallèle, la résistance à l'état passant des réseaux laser baisse au fur et à mesure que les nombres de diodes laser dans le réseau augmentent. De façon caractéristique, la résistance à l'état -4passant des réseaux laser de grande puissance se situe dans la gamme de quelques ohms à moins de 0,01 ohm. Entre-temps, au fur et à mesure que le niveau de puissance de sortie des réseaux laser augmente (le nombre de diodes laser dans le réseau croît), le niveau du courant de seuil pour ces lasers augmente fortement. Le type de modulation pour le fonctionnement des lasers pulsés de grande puissance est une modulation directe dans laquelle la lumière laser est modulée en contrôlant le passage de courant dans le réseau laser. Pour le fonctionnement des lasers pulsés, à haute PRF, de grande puissance, une impulsion de courant très élevée à une haute PRF doit être générée par le circuit de commande du laser et fournie à une charge d'impédance extrêmement faible (le réseau laser). Les capacités des circuits de commande de laser pulsés, de grande puissance, conventionnels, dépendent des capacités des interrupteurs à semiconducteur de grande puissance (tels que redresseur commandé au silicium (SCR), transistor à effet de champ de puissance (FET de puissance), IGBT (transistor bipolaire à grille isolée et transistor bipolaire de puissance). Le circuit de commande de laser pulsé de grande puissance conventionnel, utilisant une topologie de circuit dans laquelle le condensateur haute tension est polarisé par impulsions puis l'énergie électrique est déchargée en débloquant l'interrupteur à semiconducteur de puissance, a une très haute impédance de circuit. A cause de l'importante désadaptation d'impédance entre le circuit de commande (haute impédance et le réseau laser (impédance extrêmement faible), la plus grande partie de l'énergie électrique utilisée pour actionner le réseau laser est - 5 - perdue sous forme de chaleur. Les quantités de chaleur générées sont si grandes qu'un ventilateur doit être installé pour éliminer cette chaleur du circuit de commande. En outre, comme le fonctionnement d'un réseau laser exige un certain niveau de courant, l'énergie perdue doit être compensée en augmentant la tension de polarisation. En conséquence, le circuit conventionnel de commande pulsé, de grande puissance, est conçu avec une très grande capacité de puissance. Ceci exige un interrupteur à semiconducteur d'une puissance encore plus grande. (En général, au fur et à mesure que la capacité de puissance de l'interrupteur à semiconducteur augmente, les temps de montée et de descente de cet interrupteur ralentissent substantiellement et sa PRF décroît rapidement). Au fur et à mesure que la tenue en puissance du circuit de commande de laser conventionnel augmente, les capacités (telles que les temps de montée et de descente, la largeur d'impulsion et la PRF de l'impulsion laser de sortie) du circuit de commande de laser se détériorent rapidement, tout en augmentant fortement la taille et le poids du circuit de commande. De ce fait, les circuits conventionnels de commande pulsés, de grande puissance, sont lourds et très volumineux, comparés aux réseaux laser, et leurs capacités telles que le temps de montée, le temps de descente et la PRF sont sévèrement limitées. Outre la capacité de puissance de sortie laser maximale, d'autres paramètres importants et critiques du circuit de commande de laser pulsé sont la vitesse de modulation (haute PRF), la largeur d'impulsion, le rendement, le poids et la compacité. Il n'existe pas de circuit de commande de laser pulsé - 6 - produisant une impulsion de lumière de grande puissance maximale d'une largeur d'impulsion étroite à une haute PRF qui soit d'un rendement élevé, d'un poids léger et compact. RESUME DE L'INVENTION En conséquence, un objet de l'invention est de fournir un circuit de commande de laser pulsé, de grande puissance, capable de générer des impulsions de lumière de grande puissance maximale à une haute PRF. Un autre objet de l'invention est de fournir un circuit de commande de diode laser pulsée, de grande puissance, pouvant être d'un rendement de circuit élevé, d'un poids léger et compact. Conformément à la présente invention, cet objet peut être réalisé en fournissant un circuit de commande de laser à semiconducteur comprenant des moyens de commande pour commander un signal de commande d'entrée, des moyens de conditionnement d'alimentation électrique et de charge d'impulsions pour recevoir ledit signal de commande commandé dans lesdits moyens de commande et générer ainsi une énergie électrique, des moyens accumulateurs d'énergie pour recevoir ladite énergie électrique provenant desdits moyens de conditionnement d'alimentation et de charge d'impulsions et accumuler l'énergie électrique reçue, des moyens de source et de commande de lumière de déclenchement pour générer une lumière laser optique, de faible puissance, quand l'énergie électrique a été accumulée dans les moyens accumulateurs d'énergie, des moyens interrupteurs à semiconducteur actionné optiquement pour convertir l'énergie électrique chargée - 7 capacitivement en une impulsion de courant élevée, et un réseau laser de grande puissance pour convertir ladite impulsion de courant élevée reçue des moyens interrupteurs à semiconducteur actionné optiquement en une impulsion optique, de grande puissance à fournir, dans lequel lesdits moyens accumulateurs d'énergie comprennent un condensateur accumulateur d'énergie de très faible impédance. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres objets et aspects de l'invention apparaîtront à partir de la description suivante des modes de réalisation considérée en liaison avec les dessins ci-joints dans lesquels: la Figure 1 est un schéma de principe d'un circuit de commande de laser pulsé, compact, de haute PRF, de grande puissance conformément à la présente invention; les Figures 2a et 2b sont une vue en plan et une vue en coupe transversale le long de l'axe A-A de la Figure 4a illustrant respectivement un condensateur accumulateur d'énergie ayant une structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme en forme d'éventail conformément à la présente invention; les Figures 3a et 3b sont une vue en plan et une vue en coupe transversale le long de l'axe A- A de la Figure 4a illustrant respectivement un condensateur accumulateur d'énergie ayant une structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme en forme de ligne concentrique conformément à la présente invention; -8- les Figures 4a et 4b sont une vue en plan et une vue en coupe transversale le long de l'axe A-A de la Figure 4a illustrant respectivement une coopération entre un condensateur accumulateur d'énergie ayant une structure de ligne triplaque d'impédance uniforme conformément à la présente invention et un réseau laser; la Figure 5 est un schéma de principe illustrant une coopération entre le condensateur accumulateur d'énergie ayant une structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme et le réseau laser conformément à la présente invention; les Figures 6a à 6c sont des diagrammes de formes d'ondes illustrant respectivement des séquences du flot d'énergie du condensateur accumulateur d'énergie ayant la structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme; et les Figures 7a à 7c sont des diagrammes de formes d'ondes illustrant respectivement des séquences du flot d'énergie du condensateur accumulateur d'énergie ayant la structure de ligne triplaque d'impédance uniforme. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES La figure 1 est un schéma de principe d'un circuit de commande de diode laser pulsée, compact, de haute PRF, de grande puissance conformément à la présente invention. Comme le montre la figure 1, le circuit de commande de diode laser pulsée comprend un organe de commande 100, un organe de conditionnement d'alimentation électrique et de charge d'impulsions 200, un organe accumulateur d'énergie 300, un organe -9 - de source et de commande de lumière de déclenchement 400, un organe interrupteur à semiconducteur actionné optiquement 500, et un réseau laser de grande puissance 600. L'organe de commande 100 commande un signal introduit par un étage d'entrée et envoie le signal commandé à l'organe de conditionnement d'alimentation électrique et de charge d'impulsions 200. L'organe de commande 100 applique aussi un signal à l'organe de source et de commande de lumière de déclenchement 400. L'organe de conditionnement d'alimentation électrique et de charge d'impulsions 200 conditionne l'énergie électrique principale provenant soit d'une ligne d'alimentation CA soit d'une batterie avec le signal provenant de l'organe de commande et envoie ensuite une certaine énergie à l'organe accumulateur d'énergie 300. L'organe de conditionnement d'alimentation électrique et de charge d'impulsions 200 envoie aussi une certaine énergie à l'organe de source et de commande de lumière de déclenchement 400. L'organe accumulateur d'énergie 300 comporte un condensateur de faible impédance ayant une structure de ligne triplaque uniforme ou une structure de ligne triplaque non uniforme et accumule l'énergie reçue de l'organe de conditionnement d'alimentation électrique et de charge d'impulsions 200. L'organe de source et de commande de lumière de déclenchement 400 comporte une source de lumière de déclenchement servant à fournir une lumière laser optique de faible (ou moyenne) puissance lorsqu'il est commandé par la réception du signal de commande provenant de l'organe de commande 100 quand - 10 - l'accumulation d'énergie dans l'organe accumulateur d'énergie 300 est terminée. L'organe interrupteur à semiconducteur actionné optiquement 500 consiste en plusieurs types d'interrupteurs. L'organe interrupteur 500 est débloqué par la lumière laser reçue de l'organe de source et de commande de lumière de déclenchement 400 pour convertir l'énergie électrostatique chargée capacitivement en impulsion de courant élevée qui est, à son tour, envoyée au réseau laser de grande puissance 600. Le réseau laser de grande puissance 600 fournit l'impulsion de courant élevée convertie dans l'organe interrupteur à semiconducteur actionné optiquement 500 sous la forme d'une impulsion optique de grande puissance. Par un signal de l'organe de commande 100, l'énergie électrique principale, provenant soit d'une ligne d'alimentation CA soit d'une batterie, est conditionnée puis utilisée pour charger capacitivement l'organe accumulateur d'énergie 300. Quand les lumières optiques provenant de la source optique de déclenchement, fournies par deux extrémités en hélice de fibre optique de l'organe de source et de commande de lumière de déclenchement 400, sont introduites dans l'organe interrupteur à semiconducteur actionné optiquement 500, l'énergie électrostatique chargée capacitivement est convertie en l'impulsion de courant élevée. Au lieu d'utiliser un condensateur haute tension et un interrupteur à semiconducteur de grande puissance pour moduler les réseaux laser, l'organe accumulateur d'énergie 300 utilise la structure de ligne triplaque uniforme ou la structure de ligne - 11 - triplaque non uniforme comme condensateur accumulateur d'énergie. La raison de ceci est que la structure de ligne triplaque uniforme et la structure de ligne triplaque non uniforme peuvent toutes deux fournir souplesse de conception, haut rendement de circuit, poids léger et compacité. En particulier, avec de telles structures de ligne triplaque, la conception d'un condensateur accumulateur d'énergie à très faible impédance de circuit devient très facile. En utilisant l'interrupteur à semiconducteur déclenché par diode laser, les restrictions critiques des interrupteurs à semiconducteur de puissance telles que temps de montée et de descente lents, PRF basse et grande largeur d'impulsion sont facilement surmontées. Une combinaison réussie du condensateur accumulateur d'énergie de faible impédance et de l'interrupteur à semiconducteur déclenché par diode laser de faible (ou moyenne) puissance produit un circuit de commande de diode laser pulsée, compact capable de générer des impulsions de lumière à haute puissance maximale d'une largeur d'impulsion étroite à une haute PRF. Les Figures 2a et 2b 4a illustrent respectivement un condensateur accumulateur d'énergie ayant une structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme en forme d'éventail conformément à la présente invention. Les Figures 3a et 3b illustrent respectivement le condensateur accumulateur d'énergie ayant une structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme en forme de ligne concentrique conformément à la présente invention. Les Figures 4a et 4b illustrent respectivement une - 12 - coopération entre le condensateur accumulateur d'énergie ayant la structure de ligne triplaque d'impédance uniforme et le réseau laser conformément à la présente invention. La Figure 5 illustre une coopération entre le condensateur accumulateur d'énergie ayant la structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme et le réseau laser conformément à la présente invention. Quand l'organe accumulateur d'énergie 300 est constitué par un condensateur accumulateur d'énergie ayant la structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme en forme d'éventail ou en forme de ligne concentrique, comme le montrent les figures 2a et 2b, et 3a et 3b, respectivement, la capacité et l'impédance caractéristique de la ligne triplaque sont données comme suit: C = OecrA/t, Farads(F) ZO0=(377 x t)/( ( x w) o C est la capacité, A est la surface d'électrode du condensateur, go est la permittivité absolue, t est l'épaisseur du milieu diélectrique, Eú est la constante diélectrique du milieu diélectrique, Z0 est l'impédance caractéristique de la ligne triplaque et w est la largeur de l'électrode de la ligne triplaque, respectivement. En sélectionnant correctement la constante diélectrique du matériau du substrat, l'épaisseur du milieu diélectrique et la largeur de l'électrode, un condensateur accumulateur d'énergie de très faible impédance est conçu. - 13 - Quand l'énergie électrique est transférée du condensateur de faible impédance au réseau laser de grande puissance, la plus grande partie sert à actionner le réseau laser. De ce fait, le condensateur de faible impédance réduit grandement la perte d'énergie durant le transfert d'énergie du condensateur au réseau laser. La principale fonction de l'organe accumulateur d'énergie 300 est de maintenir temporairement l'énergie électrique sous forme d'énergie électrostatique. Toutefois, quand l'interrupteur de blocage d'énergie est débloqué, les conditions limites du condensateur accumulateur d'énergie au niveau de la zone de contact avec l'interrupteur change de l'état ouvert à l'état fermé. Dès que la condition limite change, l'énergie électrostatique accumulée dans le condensateur devient une onde progressive et commence à passer vers la charge à travers l'interrupteur. En particulier, quand le condensateur accumulateur d'énergie est connecté dans l'impédance de charge adaptée, comme le montre la figure 5, il sert de ligne de transmission. Au lieu d'avoir les formes d'ondes déchargées à courbe de décroissance de constante de temps RC, des impulsions de courant à temps de montée et descente rapides sont produites. La largeur d'impulsion de ces impulsions est environ le temps de transit d'une onde dans les deux sens du condensateur accumulateur d'énergie. Et l'amplitude de l'impulsion de courant est plus grande que l'amplitude de courant obtenue de la ligne triplaque d'impédance uniforme en raison du facteur de gain associé à la transformation d'impédance. L'amplitude de courant généré est donnée comme suit: - 14 - I= (g x V) / (Zint + Rpa + R,) I Amperes (A) o g est le facteur de gain dû à la transformation d'impédance entre les impédances caractéristiques interne et externe de la structure triplaque non uniforme (la gamme de la valeur du coefficient g est supérieure à 1, mais inférieure à 2), Rm est l'impédance externe adaptée y compris l'impédance à l'état passant du réseau laser), V et la tension de polarisation d'impulsion, Zint est l'impédance caractéristique interne de la ligne triplaque, et Rpa est l'impédance à l'état passant de l'interrupteur à semiconducteur, respectivement. Dans un cas d'impédance parfaitement adaptée, dans lequel Rpa est négligeable et Z1nt et RP sont identiques, les impulsions de courant générées devient [sic]: I=(g/Rm) x (V/2), Ampères(A) Ceci est presque comme la ligne triplaque uniforme adaptée bien définie à l'exception du facteur de gain g. Le facteur de gain g fournit une amélioration supplémentaire du rendement du circuit. En conséquence, l'utilisation de la structure de ligne triplaque de faible impédance, non uniforme, comme condensateur accumulateur d'énergie entraîne un rendement de circuit extrêmement élevé. D'un autre côté, quand l'organe accumulateur d'énergie 300 est constitué par un condensateur accumulateur d'énergie ayant la structure de ligne triplaque d'impédance uniforme, comme le montrent les figures 4a et 4b, la capacité C et l'impédance - 15 - caractéristique Z0 suivantes de la ligne triplaque sont données, comme dans le cas de la structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme: C = e0eA/d, Farads(F) Z0=(377 x d)/ (Fe x w) (0) o C est la capacité, A est la surface d'électrode du condensateur, E, est la permittivité absolue, d est l'épaisseur du milieu diélectrique, SE est la constante diélectrique du milieu diélectrique, Z0 est l'impédance caractéristique de la ligne triplaque et w est la largeur de l'électrode de la ligne triplaque, respectivement. En particulier, quand le condensateur accumulateur d'énergie ayant la structure de ligne triplaque d'impédance uniforme montrée aux figures 4a et 4b est connecté dans l'impédance de charge adaptée, il sert de ligne de transmission. Au lieu d'avoir les formes d'ondes déchargées à courbe de décroissance de constante de temps RC, des impulsions de courant à temps de montée et descente rapides sont produites. L'amplitude des impulsions de courant est plus grande que l'amplitude de courant obtenue à partir de la ligne triplaque d'impédance non uniforme en raison du facteur de gain associé à la transformation d'impédance. L'amplitude de courant générée est donnée comme suit: I=V/(2 x Rm), Ampères (A) - 16 - La largeur d'impulsion de ces impulsions est environ le temps de transit d'une onde dans les deux sens du condensateur accumulateur d'énergie et est donnée comme suit: PW=(2 x x L) / (3 x 101 ), secondes (s) o E, est la constante diélectrique du milieu diélectrique, et L (en centimètre) est la longueur de l'électrode. L'action du circuit de commande commence par l'envoi de l'instruction de fonctionnement à l'organe de commande 100 qui déclenche une séquence d'actions. Tout d'abord l'organe de conditionnement d'alimentation électrique et de charge d'impulsions 200 est actionné. L'alimentation principale provenant soit d'une ligne d'alimentation CA soit d'une batterie est conditionnée et utilisée pour charger en impulsions le condensateur de l'organe accumulateur d'énergie 300. Lorsque la tension de polarisation d'impulsion du condensateur atteint la tension de crête, l'organe de source et de commande de lumière de déclenchement 400 est actionné par le signal de commande provenant de l'organe de commande 100. L'organe de source et de commande de lumière de déclenchement 400 génère une impulsion optique à temps de montée rapide à très haute PRF. L'impulsion optique générée est couplée à une extrémité en hélice de fibre optique, fournie par l'intermédiaire de l'extrémité en hélice de fibre optique, et utilisée pour actionner l'organe interrupteur à semiconducteur 500. - 17 - Une fois que la lumière optique de déclenchement a pénétré dans la zone active de l'organe interrupteur à semiconducteur 500, elle produit des nombres suffisants de paires d'électrons- trous générés par les photons de sorte que l'état de l'interrupteur change de l'état complètement ouvert (non conducteur) à l'état complètement fermé (conducteur). Quand l'interrupteur est débloqué, l'énergie électrostatique accumulée dans le condensateur de l'organe accumulateur d'énergie 300 est déchargée sous forme d'impulsions de courant étroites. Au fur et à mesure que les impulsions de courant, bien au-delà du niveau de seuil, sont passées au réseau laser 600, des impulsions de lumière laser de grande puissance à temps de montée et descente rapides sont générées. Les séquences graphiques du flot d'énergie du circuit de commande ayant la structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme sont données aux figures 6a, 6b et 6c. Quand l'organe interrupteur à semiconducteur 500 est déclenché, la forme de l'impulsion optique générée est très semblable à la forme de l'impulsion de courant de commande sauf que le temps de montée de l'impulsion laser de sortie est plus rapide que le temps de montée de l'impulsion de courant de commande. Toutefois, la largeur d'impulsion des impulsions de courant générées est déterminée par la largeur d'impulsion des impulsions optiques de déclenchement ainsi que par le temps de transit d'onde dans le condensateur accumulateur d'énergie. Dans un cas d'impédance bien adaptée, la largeur d'impulsion de la lumière laser de sortie sera environ le temps de transit d'une onde dans les deux sens dans le condensateur accumulateur d'énergie, telle qu'exprimée - 18 - par l'équation suivante: PW=(2 X x (rext - rfit) / (3 x l101), secondes (s) Dans le cas de l'importante désadaptation d'impédance, la largeur d'impulsion de la lumière laser de sortie sera plus ou moins plus longue que la largeur d'impulsion de l'impulsion optique de déclenchement. Ceci est dû essentiellement aux multiples réflexions de l'onde progressive, causées par l'importante désadaptation d'impédance. Pour l'interrupteur à semiconducteur de puissance, au fur et à mesure que la tenue en puissance de l'interrupteur à semiconducteur de puissance augmente, le temps de montée comme le temps de descente de l'interrupteur ralentissent et son temps de conduction s'allonge. En conséquence, la capacité PRF de l'interrupteur à semiconducteur de puissance chute rapidement au fur et à mesure que la tenue en puissance de ces interrupteurs augmente lentement. Au lieu de produire une impulsion de courant par l'interrupteur à semiconducteur de grande puissance, en générant une impulsion optique à temps de montée rapide à partir de la diode laser de faible (ou moyenne) puissance et en l'utilisant comme lumière de déclenchement, le circuit decommande de laser à semiconducteur est capable de générer des impulsions de courant élevées à temps de montée rapide. Quand l'organe interrupteur à semiconducteur 500 est déclenché dans le cas du circuit de commande ayant la structure de ligne triplaque d'impédance uniforme montrée aux figures 4a et 4b, la forme d'impulsion optique générée est très semblable - 19 - à la forme d'impulsion de courant de commande sauf que le temps de montée de l'impulsion laser de sortie est plus rapide que le temps de montée de l'impulsion de courant de commande. La largeur d'impulsion des impulsions de courant générées est déterminée par la largeur d'impulsion des impulsions optiques de déclenchement ainsi que par le temps de transit d'onde dans le condensateur accumulateur d'énergie. Dans un cas d'impédance bien adaptée, la largeur d'impulsion de la lumière laser de sortie dans le cas de la structure de ligne triplaque d'impédance uniforme de l'organe accumulateur d'énergie 300 sera environ le temps de transit d'une onde dans les deux sens dans le condensateur accumulateur d'énergie, telle que montrée aux figures 7a à 7c. La largeur d'impulsion peut être exprimée par l'équation suivante: PW=(2 x E x L)/(3 x 101), secondes (s) La structure de ligne triplaque d'impédance uniforme est plus ou moins insuffisante en termes de rendement, telle que comparée à la structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme. La raison de ceci est que la structure de ligne triplaque d'impédance uniforme ne peut pas générer de gain g d'impulsions de courant. Toutefois, la structure de ligne triplaque d'impédance uniforme peut obtenir des impulsions de sortie très hautes car elle peut éliminer les multiples réflexions de l'onde progressive, en raison de son impédance bien adaptée. En conséquence, l'effet géométrique de la structure de ligne triplaque permet la conception d'un condensateur accumulateur - 20 - d'énergie compact de très faible impédance. Ce condensateur de faible impédance réduit grandement la perte d'énergie durant le transfert d'énergie du condensateur au réseau laser. Le circuit de commande pulsé résultant qui est très efficace rend superflue l'alimentation électrique de grande puissance ainsi que le ventilateur dissipateur de chaleur. Ainsi qu'il apparaît à partir de la description ci-dessus, la présente invention fournit un circuit de commande de laser pulsé, de grande puissance, comportant un condensateur accumulateur d'énergie de faible impédance ayant une structure de ligne triplaque non uniforme ou une structure de ligne triplaque uniforme. De ce fait, il est possible de réduire fortement la perte d'énergie électrique du réseau laser tout en maintenant rendement élevé, poids léger et compacité. Bien que les modes de réalisation de l'invention aient été décrits à des fins d'illustration, l'homme de métier appréciera que diverses modifications, additions et substitutions sont possibles, sans s'écarter de l'étendue ni de l'esprit de l'invention telle qu'elle est décrite dans les revendications ci- jointes. - 21 - REVENDICATIONS: 1. Circuit de commande de laser à semiconducteur comprenant des moyens de commande pour commander un signal de commande d'entrée, des moyens de conditionnement d'alimentation électrique et de charge d'impulsions pour recevoir ledit signal de commande commandé dans lesdits moyens de commande et ainsi générer une énergie électrique, des moyens accumulateurs d'énergie pour recevoir ladite énergie électrique desdits moyens de conditionnement d'alimentation électrique et de charge d'impulsions et accumuler l'énergie électrique reçue, des moyens de source et de commande de lumière de déclenchement pour générer une lumière laser optique de faible puissance quand l'énergie électrique a été accumulée dans les moyens accumulateurs d'énergie, des moyens interrupteurs à semiconducteur actionné optiquement pour convertir l'énergie électrique chargée capacitivement en une impulsion de courant élevée, et un réseau laser de grande puissance pour convertir ladite impulsion de courant élevée reçue desdits moyens interrupteurs à semiconducteur actionné optiquement en une impulsion optique de grande puissance à fournir, dans lequel lesdits moyens accumulateurs d'énergie comprennent un condensateur accumulateur d'énergie de très faible impédance. 2. Circuit de commande de laser à semiconducteur conformément à la revendication 1, dans lequel ledit condensateur accumulateur d'énergie a une structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme en forme de ligne concentrique. - 22 - 3. Circuit de commande de laser à semiconducteur conformément à la revendication 1, dans lequel ledit condensateur accumulateur d'énergie a une structure de ligne triplaque d'impédance non uniforme en forme d'éventail. 4. Circuit de commande de laser à semiconducteur conformément à la revendication 1, dans lequel ledit condensateur accumulateur d'énergie a une structure de ligne triplaque d'impédance uniforme.