FR 2698884 A1 19940610 FR 9314524 A 19931203 -1 Dépôt de différents matériaux sur un substrat La présente invention se rapporte au dépôt de différents matériaux sur un substrat, par exemple en vue de fabriquer des réflecteurs optiques à plaque quart- d'onde (quarter-wave plate optical reflectors) de haute qualité, tels qu'ils sont requis pour la fabrication de gyroscopes à laser annulaire. Une méthode connue pour faire cela est décrite dans un article intitulé Advances in Low-Energy Ion Beam Technology" (Progrès dans la technologie des faisceaux ioniques à basse énergie), de W Laznovsky, publié dans la revue "Vacuum Technology" en août 1975 La méthode décrite dans cet article utilise -une source d'ions du type Kaufman, qui dirige un faisceau d'ions argon à basse énergie sur une "cible" faite de la substance qu'on veut déposer sur un substrat Cela a pour effet de dissocier ou de détacher (sputter) des particules de la matière de la cible qui sont ensuite déposées sur le substrat pour y former une couche mince Lorsqu'on désire obtenir des couches alternées de matériaux différents, comme on les demande pour fabriquer des réflecteurs optiques à plaque quart-d'onde ou des filtres, il devient néces- saire de changer les cibles, et l'article susmentionné prévoit un système qui utilise trois de ces cibles qui peuvent être changées entre elles. Un inconvénient des systèmes proposés jusqu'ici, comme celui décrit cidessus, c'est que, dans l'intervalle qui sépare le dépôt de chaque couche, le substrat risque d'être recouvert d'impuretés Celles-ci peuvent être élimi- nées en utilisant des ions de faible énergie provenant d'une source secondaire d'ions, mais cela accroit la complexité de l'appareil et de sa mise en action. 2 - Un autre problème réside dans le fait que l'environnement nécessaire au dépôt d'un matériau peut ne pas être idéal pour le dépôt d'un autre maté- riau Dans la demande de brevet britannique no 2 '020 '701 B, on propose de modifier la pression du gaz sous vide partiel qui est à l'intérieur de la chambre ce gaz étant introduit délibérément afin de contrôler la stoechio- métrie du matériau déposé entre les étapes de dépôt des différents maté- riaux Toutefois, la nécessité d'effectuer de tels ajustements accroît la complexité et le temps nécessaire entre le dépôt des différentes couches et, lorsqu'un grand nombre de couches doivent être déposées sur un grand nombre de substrats, le procédé peut devenir très long et très coûteux Des expériences faites avec des systèmes comme ceux qui ont été décrits ont montré que ceux-ci étaient peu fiables du fait que la qualité des produits obtenus n'était pas constante, à un point tel que cela obligeait à rejeter une partie importante de ces produits lorsqu'ils étaient destinés à être utilisés dans des gyroscopes à laser annulaire, comme indiqué ci-dessus. L'invention prévoit un appareil pour déposer différents matériaux sur un substrat, en présence d'une substance réactive, en vue d'obtenir la stoechio- métrie voulue des matériaux déposés, appareil caractérisé par des moyens pour déplacer le substrat ( 9) entre différentes zones, des moyens ( 3,4) pour dépo- ser les différents matériaux sur le substrat ( 9) dans les zones correspondan- tes, des moyens ( 12 ou 19) pour introduire une substance réactive dans chaque zone de façon à exposer le matériau à la substance réactive lorsqu'il est en train d'être déposé dans cette zone, et des moyens ( 13, 14, 15 ou 19) pour contrôler le dégré de cette exposition dans une zone donnée par rapport à uieautre, afin d'obtenir la stoechiométrie voulue des matériaux déposés. Bien qu'il soit concevable d'utiliser l'invention dans un procédé tel que le dépôt en phase vapeur de films minces, on pense qu'elle va trouver son application principale dans le dépôt par détachement (sputterdeposition). En appliquant l'invention, il est possible de déposer des couches multi- ples, tout en garantissant que les conditions sur le substrat soient favora- bles au dépôt de chaque couche De plus, il n'est plus necéssaire d'arrêter l'appareil en vue d'effectuer des ajustements entre les dépôts des couches et on peut traiter un grand nombre de substrats dans un procédé essentiel- lement continu. 3 - Le matériau déposé peut être exposé à la substance réactive de deux manières. La première consiste à contrôler l'atmosphère dans les zones respectives. De façon appropriée, ce contrôle peut être exécuté en introduisant un gaz réactif dans la zone et en disposant de façon appropriée une installation de vide qui contrôle la pression du gaz réactif à l'intérieur de cette zone. Au lieu de contrôler l'atmosphère dans les différentes zones, on peut diriger un faisceau de particules réactives sur le matériau lorsqu'il est en train d'être déposé De préférence, les moyens pour fournir un tel faisceau comprennent une source d'ions et les particules réactives comprennent des atomes ou des ions d'oxygène L'emploi de cette méthode permet d'obtenir une plus grande vitesse de dépôt, du fait que (i) on peut maintenir une pres- sion de base des particules réactives plus basse dans le voisinage de la cible et réduire ainsi la probabilité que les particules réagissent avec la cible et (ii) que, les particules réactives étant chargées d'énergie, elles réagiront plus facilement avec le matériau déposé. De préférence, la chambre est subdivisée en les différentes zones sus- mentionnées au moyen d'une ou plusieurs séparations On aura besoin de plus d'une séparation lorsqu'on utilise plus de deux cibles afin de déposer plus de deux matériaux différents Du fait de la pression très basse normalement appliquée dans ce type d'équipement, il n'est pas nécessaire de rendre étan- ches, au sens habituel du terme, les différentes zones entre elles Une pompe à vide appropriée, reliée à chaque zone, permet d'obtenir efficacement une différence de pression entre des zones connexes. On estime que l'utilisation d'un faisceau de particules réactives est inventive en elle-même, de sorte que, selon un autre aspect de l'invention, on prévoit un -procédé pour déposer un matériau sur un substrat qui comprend l'action de diriger un faisceau de particules sur une cible, provoquant ainsi l'émission de particules de la matière de la cible en direction du substrat et Lde diriger un faisceau de particules réactives sur le matériau déposé, afin qu'elles réagissent avec le matériau déposé pour qu'on obtienne la stoechiométrie voulue. 4- Les moyens mis en oeuvre pour le dépôt sont de préférence formés par une source distincte de faisceau ionique associée à chaque zone et disposée de façon à diriger un faisceau d'ions, de préférence d'ions argon, sur une cible correspondant à cette zone Il peut être souhaitable de neutraliser les ions, afin de prévenir la formation d'une charge sur les cibles et, dans le présent texte, le terme "in" doit être interprété comme englobant de tels ions neutralisés Il y a toutefois d'autres dispositifs qui peuvent être utilises. Ainsi, dans l'un, un faisceau unique d'ions est subdivisé entre les zones, de telle façon que chaque partie du faisceau divisé vienne frapper une cible correspondant à la zone respective, afin d'en détacher des particules qui sont ensuite déposées sur les substrats La subdivision du faisceau peut être réalisée au moyen d'un dispositif de division de faisceau portant une charge qui est la même que celle portée par les ions formant le faisceau. Les moyens pour subdiviser le faisceau peuvent être une simple cloison mécanique qui peut remplir un rÈle secondaire de séparation de deux zones maintenues sous des pressions différentes, aux fins décrites ci- devant En lieu et place, ou en plus, la cloison peut porter une charge, de manière à repousser des ions du faisceau et à contribuer à la division de celuici. A ce propos, il faut noter que les moyens pour engendrer le faisceau ionique peuvent comprendre un dispositif neutralisant la charge, afin d'éviter que se forme sur la cible une charge qui repousserait les ions Avec un faisceau neutralisé, la subdivision électrostatique du faisceau ne pourra pas être appliquée et il faudra employer d'autres moyens de subdivision. Les moyens pour déplacer le substrat entre les différentes zones sont de préférence formés par un socle rotatif, dont la rotation transporte le substrat d'une zone à l'autre Pour les substrats individuels, il est indiqué d'utiliser des supports montés sur le socle, et on pourra prévoir une possibilité de rotation, ou d'autre mouvement, de chaque support par rapport au socle, de telle manière que l'on puisse garantir que le matériau déposé sur les substrats le soit de façon uniforme Un mouvement rotatif du socle n'est pas essentiel et, dans d'autres formes de réalisation de l'invention, il sera possible de prévoir une sorte de mouvement linéaire afin de déplacer les substrats d'une zone à l'autre. - Les moyens pour déplacer le substrat entre les zones ont de préférence pour effet de déplacer le substrat par rapport à une enceinte faisant partie de l'appareil, mais il est également possible de déplacer les "zones", par exemple en faisant tourner ou en déplaçant la cloison. Lorsqu'on utilise un socle rotatif et qu'on désire mettre en oeuvre l'appareil de façon continue, il peut être nécessaire d'utiliser une sorte de bouclier ou d'autre dispositif de contrôle, afin de restreindre le dépôt du matériau sur le substrat, lorsque c'est nécessaire pour obtenir les propor- tions voulues des différents matériaux déposés. Un avantage particulier qui peut résulter de l'application de l'invention réside dans le fait que, parce qu'il devient si aisé de déposer les différents matériaux de façon alternée, sans grande perte de temps lors du passage d'un mode de travail à un autre, on peut produire une structure graduée entre les couches en déplaçant le substrat entre les zones de façon continue ou par saccades, de sorte que l'on dépose en fait un film dont l'indice de réfraction est variable ou change d'un endroit à l'autre, sous des conditions optimales pour la structure de chaque matériau. Cette structure graduée peut être formée de couches qui alternent rapide- ment A titre de variante, si les changements de mode de travail sont effectuées très fréquemment, les particules des matières des cibles peuvent être déposées sous forme de mélange qui est contrôlé de façon à varier continuellement entre les couches des matériaux Alors que cette structure, à indice de réfraction qui varie de façon continue, peut s'avérer utile comme interface entre des couches, par exemple d'un miroir à plaque quart-d'onde (quarter-wave plate mirror), il peut y avoir d'autres circonstances o il peut être utile de créer une structure présentant un indice de réfraction variant de façon continue. L'invention prévoit également un procédé pour déposer des matériaux dif- férents sur un substrat en présence d'une substance réactive, afin d'obtenir la stoechiométrie voulue dans les matériaux déposés, procédé caractérisé en ce qu'on déplace le substrat entre différentes zones, qu'on dépose des matériaux différents sur le substrat dans les zones correspondantes, qu'on introduit une substance réactive dans chaque zone de manière à exposer le matériau à la sub- -6- stance réactive, lorsqu'il est en train d'être déposé dans cette zone, et qu'on contrôle le degré d'une telle exposition dans une zone par rapport à l'autre, afin d'obtenir la stoechiométrie voulue dans les matériaux déposés. L'invention prévoit également un dispositif comprenant différents maté- riaux déposés conformément au procédé décrit dans le paragraphe qui précède. On va maintenant décrire, à titre d'exemples, trois méthodes de mise en oeuvre de l'invention, en se référant aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 est une coupe horizontale d'un appareil, construit conformé- ment à l'invention, pour déposer des couches alternées de deux matériaux différents sur un substrat; la figure l A est une représentation schématique du système de contrôle utilisé pour maintenir la pression gazeuse à l'intérieur des deux zones; la figure 2 est une coupe verticale selon la ligne I-I de la figure 1; la figure 3 est une coupe verticale selon la ligne II-II de la figure 1; la figure 4 est une coupe horizontale d'un autre appareil construit conformément à l'invention; et la figure 5 est une vue schématique, en perspective, d'un autre appareil construit conformément à l'invention, dont l'enceinte extérieure a été enlevée afin de montrer les éléments intérieurs. Si l'on se réfère à la figure 1, on y voit une chambre 1 formée de deux parties, l A et 1 B. La chambre 1 est subdivisée par une cloison 2 en deux zones et à chacune de ces zones correspond une source ionique 3. Chaque source ionique 3 est disposée de manière à diriger, de façon bien connue dans ce domaine, un faisceau d'ions argon, désigné par 3 A dans cette figure et représenté par une ligne traitillée, sur une cible correspondante 4. 7 - Des particules de la matière de la cible sont détachées par les ions argon et sont dirigées vers un socle 5. Le socle 5 est monté sur un arbre 6 disposé de manière à être entrainé par un moteur 7 Il porte un certain nombre de supports 8, dont chacun est destiné à porter un substrat 9 sur lequel doivent être déposées les couches, par impact à haute énergie des particules détachées de la matière de la cible. Chaque support 8 est relié à un petit pignon 10 dont les dents engrènent avec les dents d'une grande roue dentée 11 qui est fixe par rapport aux parois de la chambre 1 La rotation du socle 5 sous l'action du moteur 7 amène les sup- ports 8 à se déplacer d'une zone à l'autre puis de nouveau à la première, de façon continue, de sorte qu'il se dépose des couches alternées des matières respectives des cibles La rotation du socle 5 provoque également, du fait que la grande roue dentée 11 est en prise avec les pignons 10, la rotation des supports 8 autour de leurs axes en un mouvement planétaire, comme indiqué sur la figure 2, ce qui garantit un dépôt uniforme de chaque couche. Les deux zones de la chambre sont maintenues sous une atmosphère gazeuse propre à l'obtention de la stoechiométrie voulue dans les différentes couches. Dans la fabrication de composants optiques, on utilise souvent du Si O 2 comme matériau à bas indice de réfraction et du Ti O 2 comme matériau à haut indice de réfraction En vue de déposer ces deux matériaux, on utilise des cibles de silicium, respectivement de titane, la déposition des particules détachées ayant lieu en présence d'une atmosphère d'oxygène dans laquelle la pression partielle de l'oxygène est maintenue avec soin Dans la forme de réalisation représentée, de l'oxygène 2 ou un autre gaz réactif est introduit, par une amenée de gaz 12, dans les différentes zones De plus, chaque zone comporte une pompe correspondante 13 et un dispositif 14 de mesure de la pression. Il est indiqué d'utiliser un tel dispositif de mesure de la pression 14 qui soit spécifique pour un gaz donné, du fait qu'il peut y avoir d'autres gaz présents, en particulier de l'argon, provenant de la source 3 du faisceau ionique. La pression partielle de l'atmosphère gazeuse à l'intérieur des zones peut être maintenue, suivant les mesures des dispositifs 14, en utilisant un dispositif de contrôle 15 faisant partie d'un système de contrôle, comme indiqué dans la figure l A La pression peut être contrôlée par le dispositif 8 - de contrôle 15 de trois manières: (i) en réglant au moyen d'une valve 16 le débit du gaz entrant dans cette zone par l'amenée 12; (ii) en réglant le débit de pompage de la pompe 13, par exemple en rétrécissant l'entrée de la pompe au moyen d'un diaphragme iris 17 ou d'un autre diaphragme et (iii) en combinant les techniques qui viennent d'être décrites. Il est également possible d'introduire du gaz seulement dans une zone et d'utiliser les pompes 13 pour aspirer le gaz de cette zone à l'autre, établissant ainsi les pressions partielles voulues à l'intérieur des zones. Dans un tel agencement, il n'est pas nécessaire de rendre étanches, au sens habituel du terme, les zones l'une par rapport à l'autre. Lorsqu'on applique un mouvement continu du socle, il peut être souhai- table d'arrêter le dépôt de l'une ou de l'autre des matières des cibles, de façon à garantir que l'épaisseur voulue de chaque couche est obtenue et à cet effet des boucliers mobiles 18 sont prévus dans l'appareil Sur la figure 3, on voit le bouclier mobile 18 en position pour arrêter le dépôt dans la zone de droite, et dans une position en retrait afin de permettre le dépôt à l'intérieur de la zone de gauche de la chambre 1 Les surfaces entourées d'une ligne traitillée et désignées par 18 A sur la figure 3 montrent l'autre position de travail des boucliers 18 Ces boucliers 18 peuvent aussi être utilisés lors de la mise en marche de l'appareil, o il peut être souhaitable de nettoyer préalablement les cibles 4 afin d'éliminer une contamination de leurs surfaces. La vitesse de dépôt peut être contrôlée de trois manières: l'énergie du faisceau ionique, la vitesse du substrat et l'emploi de boucliers mobiles 18 Un tel contrôle garantit qu'il sera facile de produire des interfaces abruptes entre les couches et de ce fait un changement abrupt de l'indice de réfraction, lorsque c'est demandé De plus, il est également facile, lors- que c'est demandé, d'obtenir des indices de réfraction variant graduellement ou de façon continue entre les couches Par exemple, si une interface gra- duelle est demandée entre les couches de deux matériaux, A et B, on dépose d'abord l'épaisseur voulue du matériau A On dépose ensuite des couches alter- nées de matériaux B et A dans lesquelles l'épaisseur des couches A diminue progressivement et celle des couches B augmente progressivement Un tel indice de réfraction graduel ne peut être obtenu que grâce à la présente invention, 9 - du fait que des couches alternées peuvent être déposées aisément et rapide- ment, dans des conditions optimales pour la structure de chaque matériau. Si l'épaisseur des couches de la structure graduelle est suffisamment réduite, ces couches ne peuvent plus être distinguées comme telles, les particules des différents matériaux étant effectivement mélangées les unes aux autres pour former une interface dont l'indice de réfraction varie de façon continue. De plus, tandis qu'un film est déposé, la source d'ions pour l'autre cible peut être mise en action à un niveau d'attente plus faible, mais suffi- sant pour maintenir la cible en état de fonctionner, sans pour autant détacher de la matière de cette cible. Si l'on se réfère à la figure 4, une autre forme de réalisation de l'in- vention y est représentée Une seconde source d'ions 19 est disposée dans chacune des zones, afin de diriger un faisceau 19 a d'atomes ou d'ions oxygène 2 (ou d'une autre matière réactive) sur les substrats 9, afin qu'ils réa- gissent avec le matériau lorsqu'il est en train d'être déposé et d'obtenir ainsi la stoechiométrie voulue Une plus grande vitesse de dépôt par détachement peut être obtenue en fournissant l'oxygène de cette manière, pour deux raisons: (i) on peut maintenir une pression de base plus faible de l'oxygène au voisinage de la source 4, réduisant ainsi la probabilité d'oxydation de la cible, tout en garantissant que les conditions voulues existent à proximité du substrat et (ii) les atomes d'oxygène sont chargés d'énergie et de ce fait ils réagiront plus facilement avec le matériau qui se dépose De plus, du fait que le niveau d'énergie des ions oxygène peut être aisément contrôlé, on peut avoir un contrôle précis de la stoechiométrie. La seconde source d'ions 19 est de préférence du type excité par une fré- quence radio R F, connue dans ce domaine Ce type de source présente une espérance de vie plus grande, en comparaison avec une source du type Kaufman, lorsqu'on l'utilise avec des gaz réactifs comme l'oxygène La seconde source d'ions 19 peut aussi être utilisée valablement pour nettoyer les substrats avant le dépôt, en fournissant à la source 19 un gaz inerte tel que l'argon. La fourniture des particules réactives sous forme de faisceau dirigé peut être accompagnée de l'introduction d'un gaz "de base" par l'amenée 12, comme décrit ci-dessus. - Il est bien entendu que les appareils illustrés ne sont que des exemples de la manière dont l'invention peut être réalisée Bien qu'il soit commode d'utiliser deux sources distinctes de faisceaux ioniques, elles sont coû- teuses et on envisage d'autres dispositions dans lesquelles un seul faisceau ionique est subdivisé entre les zones, de telle sorte que chaque partie du faisceau subdivisé soit dirigée pour frapper une cible correspondante dans la zone concernée La figure 5 montre schématiquement une telle disposition. Elle est pour l'essentiel semblable à la forme de réalisation précédente, mais présente une cloison 2 A formée par deux cibles 4 A, 4 B qui sont disposées de façon à diverger par rapport à un sommet, comme représenté Ce sommet est défini par une arête 20 L'arête 20 peut être chargée positivement, de manière à aider la subdivision d'un faisceau unique 21 d'ions argon en deux faisceaux distincts 21 A, 21 B, qui viennent frapper les cibles respectives, 4 A et 4 B. Dans cette forme de réalisation, des substrats, dont l'un est désigné par le signe de référence 9 A, sont montés sur le pourtour d'un support cylin- drique 5 A, qui tourne continuellement de manière à déplacer les substrats entre les zones o sont déposés les différents matériaux des cibles (ou leurs composés avec de l'oxygène ou d'autres matières gazeuses se trouvant dans la chambre, non représentée) On peut inclure des moyens appropriés pour faire tourner les substrats individuels sur le support, ainsi que des bou- cliers qui produisent un effet similaire à ceux désignés par la référence 18 dans les figures 1, 3 et 4. Les formes de réalisation de l'invention représentées ont l'avantage que l'utilisation de deux zones ou plus dans lesquelles sont déposés les matériaux respectifs permet une vitesse de dépôt plus grande, sans devoir changer les modes de travail, de tels changements entraînant de grandes pertes de temps et pouvant avoir pour conséquence une contamination des matériaux déposés Du fait qu'il n'y a qu'une matière de cible à l'intérieur de chaque région, les cibles peuvent être fixes et leur refroidissement est aisé à réaliser De même, c'est une affaire simple de garantir que des ions parasites provenant de la source 3 ne viennent pas frapper la cible non-nettoyée. Dans chaque zone, un dispositif de contrôle de l'épaisseur du film, qui peut être utilisé pour mesurer l'épaisseur du matériau déposé, ne doit être calibré que pour un seul matériau. il - REVENDICATIONS 1 Appareil pour déposer différents matériaux sur un substrat en présence d'une substance réactive, en vue d'obtenir la stoechiométrie voulue dans les matériaux déposés, caractérisé par des moyens pour déplacer le substrat ( 9) entre différentes zones, des moyens ( 3,4) pour déposer les différents matériaux sur le substrat ( 9) dans les zones correspondantes, des moyens ( 12 ou 19) pour introduire une substance réactive dans chaque zone, de façon à exposer le matériau à la substance réactive lorsqu'il est en train d'être déposé dans cette zone, et des moyens ( 13, 14, 15 ou 19) pour contrôler le degré de cette exposition dans une zone par rapport à une autre, en vue d'obtenir la stoechiométrie voulue dans les matériaux déposés. 2 Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que les myoens pour exposer le matériau comprennent des moyens ( 12, 13, 14, 15) pour contrôler l'atmosphère dans la zone. 3 Appareil selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens pour contrôler l'atmosphère comprennent des moyens ( 12) pour introduire un gaz réactif et un dispositif d'évacuation ( 13). 4 Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens pour exposer le matériau comprennent des moyens ( 19) pour diriger un faisceau de particules réactives sur le matériau lorsqu'il est en train d'être déposé. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens pour déposer les différents matériaux comprennent des moyens ( 3) pour diriger un faisceau de particules sur des cibles ( 4) associées aux différentes zones, de manière que des particules des cibles soient éjectées de celles-ci en direction du substrat. 6 Appareil selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour subdiviser en plusieurs parties un faisceau de particules issues d'une source commune, de manière qu'elles viennent frapper les cibles correspondantes. 12 - 7 Appareil selon la revendiction 1, caractérisé en ce que les moyens pour déplacer le substrat comprennent un socle ( 5) destiné à être mis en rotation, de telle façon que le substrat soit déplacé d'une zone à une autre. 8 Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend un bouclier mobile ( 18) disposé pour arrêter le dépôt d'un des différents matériaux sur le substrat. 9 Procédé pour déposer des matériaux différents sur un substrat en présence d'une substance réactive, afin d'obtenir la stoechiométrie voulue dans les matériaux déposés, caractérisé en ce qu'on déplace le substrat entre différentes zones, on dépose des matériaux différents sur le substrat dans les zones correspondantes, on introduit une substance réactive dans chaque zone de manière à exposer le matériau à la substance réactive, lorsqu'il est en train d'être déposé dans cette zone, et qu'on contrôle le degré de cette exposition dans une zone par rapport à une autre, afin d'obtenir la stoechiométrie voulue dans les matériaux déposés. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le contrôle de l'exposition est obtenu en contrôlant l'atmosphère dans la zone. 11 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le contrôle de l'atmosphère est réalisé en introduisant un gaz réactif et en contrôlant sa pression. 12 Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le contrôle de l'exposition est obtenu en dirigeant un faisceau de particules réactives sur le matériau lorsqu'il est en train d'être déposé. 13 Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que les différents matériaux sont déposés en dirigeant un faisceau de particules sur une cible associée à la zone correspondante, forçant ainsi des particules de la matière de la cible à être émises en direction du substrat. 14 Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend la subdivision d'un faisceau unique de particules en différentes parties qui viennent frapper les cibles correspondantes. 13 - Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend le déplacement du substrat entre les zones au moyen d'un socle rotatif. 16 Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend la suppression du dépôt d'au moins un matériau au moyen d'un bouclier mobile. 17 Dispositif comprenant différents matériaux déposés selon le procédé de l'une quelconque des revendications 9 à 16. 18 Procédé pour déposer un matériau sur un substrat comprenant l'action de diriger un faisceau de particules sur une cible, provoquant ainsi l'émission de particules de la matière de la cible en direction du substrat, et l'action de diriger un faisceau de particules réactives sur le matériau déposé afin qu'elles réagissent avec le matériau déposé pour qu'on obtienne la stoechiométrie voulue.