FR 2707440 A1 19950113 FR 9308468 A 19930709 CONVERTISSEUR CHARGE-TENSION A RETROACTION COMMANDEE La présente invention concerne un convertisseur charge-tension. Les convertisseurs charge-tension sont utilisés, par exemple, dans les dispositifs à transfert de charges. Un convertisseur charge-tension est constitué d'une diode de lecture et d'un amplificateur de lecture. La diode de lecture présente une o10 capacité de diffusion Cd et l'amplificateur un gain G. Comme cela est connu de l'homme de l'art le convertisseur charge-tension est principalement caractérisé par une grandeur appelée facteur de conversion qui relie la tension de sortie du convertisseur à la charge recueillie. La valeur théorique du facteur de conversion est donnée par la G- formule Fc = C Cd' Du fait de la présence de capacités parasites qui interviennent en parallèle de la capacité de diffusion Cd (capacité Cr de recouvrement de la diode, capacité Miller ramenée à l'entrée Cm de l'amplificateur) le facteur de conversion s'écrit: = G Fc- Cd+Cr +Cm Selon l'art antérieur le gain G est ajusté à l'aide d'une résistance R extérieure au composant que constitue le dispositif à transfert de charges. Cette résistance fixe le gain, la bande passante et le bruit de la chaîne de lecture, qui comprend, outre le convertisseur charge-tension, un autre amplificateur suivi d'un filtre passe-bas, lequel est suivi d'un échantillonneur double corrélé. Un tel dispositif présente de nombreux inconvénients. En particulier, du fait du mauvais gain de l'étage de conversion, la chaîne complète de lecture présente des performances de bruit non optimales puisque l'essentiel de l'amplification est effectué après l'amplificateur de lecture. Ceci est très pénalisant en particulier pour les applications traitant des signaux de faible amplitude. L'invention ne présente pas ces inconvénients. La présente invention a pour objet un dispositif de conversion chargetension comprenant une diode de lecture et un amplificateur de lecture, l'amplificateur de lecture comprenant un transistor dont la grille est connectée à la diode de lecture et dont la source constitue le point o est recueillie la tension de sortie du dispositif, ledit transistor assurant un gain à vide Go entre la tension recueillie sur sa grille et la tension recueillie sur sa source, caractérisé en ce que l'amplificateur de lecture comprend des moyens supplémentaires permettant de lui assurer un gain G supérieur à Go lors des phases de lecture. Comme cela sera décrit ultérieurement, les moyens supplémentaires sont constitués d'un générateur de courant piloté par un amplificateur. Un avantage de l'invention est donc de réduire le facteur de bruit de la chaîne de lecture. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture d'un mode de réalisation préférentiel fait avec référence aux figures ci-annexées dans lesquelles: - La figure 1 représente un convertisseur charge tension et sa chaîne de lecture selon l'art antérieur. - La figure 2 représente, en fonction du temps, la tension détectée par le convertisseur charge-tension selon l'art antérieur. - La figure 3 représente un convertisseur charge tension selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention. - La figure 4 représente la tension détectée en fonction du temps par le convertisseur charge-tension, selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention. Sur toutes les figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments. La figure 1 représente un convertisseur charge-tension et sa chaîne de lecture selon l'art antérieur. La figure 1 est divisée en deux zones I et Il. Les circuits situés dans la zone I sont intégrés au composant qui génère les charges tel que, par exemple, un dispositif à transfert de charges. Les circuits situés dans la zone Il sont des composants discrets extérieurs au composant qui génère les charges. Le convertisseur charge-tension permet la conversion de la charge Q issue d'une grille de stockage (non représentée sur la figure) en une tension Vs. Cette tension Vs est recueillie en sortie A du dispositif à transfert de charge. Comme cela a été mentionné précédemment, le convertisseur charge-tension est constitué d'une diode de lecture et d'un amplificateur de lecture. L'amplificateur de lecture est réalisé par un transistor MOS T2 dont la grille est reliée à la diode de lecture D, le drain à une tension d'alimentation Vdd et la source au plot de sortie A du dispositif à transfert de charges. Le gain du convertisseur est ajusté à l'aide d'une résistance R placée entre le plot de sortie A et le point de masse du circuit. Comme cela est connu de l'homme de l'art, un transistor MOS T1 effectue, sous l'effet de la commande C1 appliquée à sa grille, une pré- charge de la capacité Cd de la diode D avant l'arrivée de la charge Q. Ce transistor dont le drain est relié à une tension d'alimentation Vr a sa source reliée à la fois au point d'arrivée de la charge Q, à la cathode de la diode D et à la grille du transistor T2. La chaîne de lecture extérieure au dispositif à transfert de charges est constituée d'un amplificateur 1 de grand gain dont l'entrée est reliée au plot de sortie A, d'un filtre passe-bas 2 dont l'entrée est reliée à la sortie de l'amplificateur 1 et d'un échantillonneur double corrélé 3 dont l'entrée est reliée à la sortie du filtre 2. Le filtre passe-bas 2 et l'échantillonneur 3 ne sont pas toujours présents dans la chaîne de lecture extérieure. Ils sont cependant nécessaires dans les applications à très basses fréquences. Comme cela a été mentionné précédemment, I'étage de conversion présente un très mauvais gain. Sa valeur usuelle est la moitié de celle du gain à vide Go, laquelle peut être, par exemple, de l'ordre de 0,85. Le bruit de la chaîne de lecture présente alors des performances médiocres puisque l'essentiel de l'amplification s'effectue après l'amplificateur de lecture. Ceci est très pénalisant, en particulier pour les applications traitant des signaux de faible amplitude. Sur la figure 1 ont été représentées, en pointillés, les capacités parasites Cr, CI, Cpc des différents composants. La capacité Cr représente toutes les capacités de recouvrement environnantes à la diode D. La capacité Cl représente la capacité grille- source du transistor T2. La capacité Miller ramenée à l'entrée de l'amplificateur de lecture de gain G s'écrit alors Cm = C1(1 - G). La capacité Cpc est la capacité grille-source du transistor T1. L'existence des capacités parasites Cr et Cm détériorent le facteur de conversion Fc. Comme cela sera décrit ultérieurement, I'invention permet avantageusement de prendre en compte l'influence des capacités parasites. La figure 2 représente la tension Vs détectée, selon l'art antérieur, par le convertisseur charge-tension en fonction du temps. Il est possible de définir trois intervalles de temps lors d'une conversion charge-tension. Ces intervalles de temps sont référencés tl, t2, i5 t3 sur la figure 2. L'intervalle tl représente la durée de pré-charge de la capacité Cd de la diode D. Le transistor T1 est alors passant. La tension Vs recueillie durant l'intervalle tl est la tension recueillie en sortie de l'amplificateur de lecture. Durant l'intervalle t2, la diode est à un potentiel flottant et le passage des charges est autorisé. Enfin, durant l'intervalle t3, le signal utile issu de la conversion charge-tension est lu. Selon l'art antérieur, la chaîne de lecture amplifie le signal qui apparaît sur la grille du transistor T2 lors des trois intervalles de temps tl, t2 et t3. Ainsi durant l'intervalle tl, la tension détectée peut-elle arriver à saturation si le gain de la chaîne est élevé. Du fait du temps de relaxation propre aux différents circuits qui composent l'amplification de la chaîne de lecture, un niveau de bruit élevé demeure alors durant les intervalles t2 et t3. Il est alors nécessaire soit de limiter le gain de la chaîne afin d'éviter le phénomène de saturation, mais alors le signal utile se trouve atténué d'autant, soit de supprimer la tension d'alimentation des différents amplificateurs pendant l'intervalle t3 afin qu'il n'y ait plus d'amplification, mais alors des circuits complémentaires sont nécessaires. La figure 3 représente un convertisseur charge-tension selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention. Comme sur la figure 1, la figure 3 est divisée en deux zones. Les circuits situés dans la zone I sont intégrés au composant qui génère les charges et les circuits situés dans la zone Il sont des composants discrets extérieurs au composant qui génère les charges. Cependant, I'invention concerne aussi un autre mode de réalisation dans lequel les circuits situés dans la zone Il sont eux aussi intégrés au composant qui génère les charges. Le transistor T1, la diode D et le transistor T2 sont reliés comme indiqué précédemment. Un transistor MOS T3, intégré au composant qui génère les charges, a son drain relié à la source du transistor T2 et sa source reliée à la masse du dispositif. Un amplificateur 4 de gain K, préférentiellement constitué d'un composant discret extérieur au dispositif, a son entrée reliée à la source du transistor T2 et sa sortie à la grille du transistor T3. Comme dans l'art antérieur, le plot de sortie A du dispositif à transfert de charges est relié à la source du transistor T2 et à une chaîne d'amplification extérieure non représentée sur la figure. Le transistor de lecture T2 fournit un gain à vide Go positif. Le transistor T3 a un comportement inverseur. Il agit comme une source de courant dont la valeur est avantageusement ajustée par la tension appliquée sur sa grille. Ainsi la dynamique de la tension de sortie Vs peut-elle être ajustée au mieux. Le transistor T3 monté en inverseur a un gain à vide égal à moins G1, G1 étant une quantité positive. La tension Vd étant la tension prise aux bornes de la diode D et la tension Vk celle prise en sortie de l'amplificateur 4 de gain K, il vient: Vk= KVs et Vs = GoVd - G1 Vk donc: Go Vs= Go Vd 1+ G1K le gain de l'amplificateur de lecture selon l'invention est alors: Go G= I+G1K De façon préférentielle, les transistors T2 et T3 sont identiques. Ainsi G1 et Go sont-ils égaux. Selon l'invention, le gain K de l'amplificateur 4 varie selon l'intervalle de temps durant lequel s'effectue la conversion. L'amplificateur 4 contient des circuits, qu'il est inutile de préciser ici, et qui permettent de faire varier le gain K sous l'effet d'une commende C2. La figure 4 représente la tension détectée en fonction du temps par le convertisseur charge-tension, selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention. Durant l'intervalle tl, le gain K de l'amplificateur 4 prend une valeur positive élevée, par exemple K = 10. Le gain G prend alors sensiblement la valeur -. Cette valeur est sensiblement égale à zéro. La K tension Vs détectée sur le plot de sortie A du convertisseur est donc elle aussi très faible. En conséquence, I'amplification de la chaîne de lecture ne se trouve plus devoir être limitée comme dans l'art antérieur. Durant les intervalles t2 et t3, le.gain K prend une valeur négative faible de façon à assurer un gain G supérieur au gain Go. Préférentiellement G est supérieur à 1. La valeur de K peut, par exemple, être de l'ordre de moins 0,2. La valeur Vs détectée est alors avantageusement d'un niveau plus élevée que dans l'art antérieur. Comme cela a été montré précédemment, le facteur de conversion s'écrit: F = G Cd+Cr+Cm avec Cm = (1 - G) CI Il vient donc: G F= Cd+Cr+(l- G)CI Ainsi, le facteur de conversion se trouve-t-il amélioré non seulement par l'accroissement du gain G, mais aussi par l'influence prise, selon l'invention, par la capacité Miller Cm. Pour les valeurs de G comprises entre Go et 1, Cm est diminuée. Pour G = 1, Cm est annulée. Enfin, pour G supérieur à 1, Cm prend des valeurs négatives permettant de compenser l'influence des capacités Cd et Cr. Un avantage de l'invention est alors d'utiliser la capacité Miller Cm afin d'augmenter le facteur de conversion. Selon l'art antérieur, I'influence de la capacité Miller diminue le facteur de conversion. Il est donc nécessaire de diminuer la valeur prise par cette capacité. Comme cela est connu de l'homme de l'art, le transistor T2 doit alors être de faibles dimensions. Il s'en suit une détérioration de la linéarité du potentiel en volume appliqué sous la grille de commande du transistor, laquelle détérioration entraîne une diminution de dynamique de la tension Vs recueillie. l'invention ne présente pas cet inconvénient. Un autre avantage de l'invention est alors de pouvoir réaliser un transistor de lecture T2 dont la capacité grille source Cl est plus élevée que la capacité grille source d'un transistor de lecture selon l'art antérieur. Les dimensions d'un tel transistor peuvent alors être supérieures aux dimensions d'un transistor selon l'art antérieur, entraînant par là même l'amélioration de la dynamique de la tension de sortie Vs. REVENDICATIONS 1. Dispositif de conversion charge-tension comprenant une diode de lecture (D) aux bornes de laquelle apparaît la tension Vd et un transistor de lecture (T2), de gain à vide Go, dont la grille est reliée à la diode de lecture de façon que soit appliquée à ladite grille ladite tension Vd et dont la source constitue le point (A) o est recueillie la tension de sortie Vs dudit dispositif, ladite conversion s'effectuant en trois temps, un premier temps (t1) durant lequel est effectué la pré-charge de la capacité (Cd) de la diode (D), un deuxième temps (t2) durant lequel la diode est à un potentiel flottant et un troisième temps (t3) pendant lequel le signal issu de la conversion charge-tension est lu, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (4, T3) permettant d'assurer entre ladite tension Vd et ladite tension Vs un gain G sensiblement égal à zéro pendant le premier temps (tl) et supérieur à Go pendant les deuxième et troisième temps (t2, t3). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits moyens (4, T3) sont constitués d'un amplificateur (4) de gain K et d'un transistor (T3) monté en inverseur, de gain à vide égal à moins G1, ledit transistor de gain K ayant son entrée reliée au point (A) o est recueillie la tension de sortie Vs et sa sortie reliée à la grille du transistor (T3) monté en inverseur, ledit transistor (T3) monté en inverseur ayant son drain relié à l'entrée de l'amplificateur (4) de gain K et sa source reliée au point de masse du circuit, de façon que ledit gain G vérifie l'équation: Go G-= 1+GlK 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'amplificateur de gain K comprend des circuits permettant, sous l'effet d'une commande (C2), que le gain K prenne une valeur négative lors des deuxième et troisième temps (t2, t3) de façon que le gain G soit supérieur à Go, et une valeur positive durant le premier temps (ti) de façon que le gain G soit sensiblement égal à zéro. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le transistor de lecture (T2) et le transistor monté en inverseur (T3) sont des transistors MOS. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que le transistor de lecture (T2) et le transistor monté en inverseur (T3) sont identiques de façon que G1 soit égal à Go. 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que Go est sensiblement égal à 0,85, K est sensiblement égal à - 0,2 pendant les deuxième et troisième temps (t2, t3) et,,sensiblement égal à 10 pendant le premier temps (t). 7. Dispositif à transfert de charges, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositf selon l'une quelconque des revendications précédentes.