FR 2704977 A1 19941110 FR 9405379 A 19940503 La présente invention concerne une bande porte-puces et un procédé de fabrication de celle-ci. Elle concerne plus précisé- ment une bande porte-puces et un procédé de fabrication qui sont capables d'éviter des courts-circuits entre des conducteurs inté- rieurs et des parties de bord d'une puce de semiconducteur par l'anodisation de parties d'extrémité des conducteurs intérieurs ve- nant en contact avec une plage d'électrode de la puce de semi- conducteur. De façon générale, des puces de semiconducteurs telles que des circuits intégrés (CI) ou des circuits à haut niveau d'inté- gration (ou LSI) sont très minces et de petite taille, ce qui fait qu'on ne peut pas les monter directement sur une carte de circuit imprimé. Par conséquent, les puces de semiconducteurs sont conte- nues dans une sorte de bottier qui est fermé hermétiquement par une résine de moulage et qui est destiné à être monté sur la carte de circuit imprimé. De façon générale, la structure de base d'un bottier de semiconducteur est la suivante. Une puce de semiconducteur est montée sur une plage de réception de puce d'un cadre de montage, pour connecter une borne d'électrode de la puce de semiconducteur à des conducteurs de connexion à un circuit extérieur, au moyen d'un fil de connexion. La puce de semiconducteur et le fil de con- nexion sont encapsulés conjointement au cadre de montage, et seulement un ensemble de conducteurs extérieurs sortent du bottier. De tels bottiers de semiconducteurs se répartissent prin- cipalement en un type de boîtier à deux rangées de broches (ou DIP), ayant deux rangées de conducteurs qui sont courbés verti- calement et vers le bas à partir des deux côtés du boîtier de semiconducteur, et en un type de bottier plat muni de broches sur ses quatre côtés (ou QFP), ayant deux rangées de broches décalées sur chacun des quatre côtés du bottier de semiconducteur. Le bot- tier QFP a l'avantage de pouvoir être monté sur une carte de cir- cuit imprimé avec une plus grande densité d'implantation que le bottier DIP. Avec le développement d'appareils électroniques légers, de petite taille et ayant un grand nombre de fonctions, les puces de semiconducteurs ont atteint récemment un niveau d'intégration éle- vé, et le nombre de broches a augmenté de façon correspondante. De ce fait, des bottiers faisant appel à la connexion de fils, tels que des boîtiers DIP et QFP, ont cessé d'être satisfaisants, et un nouveau boîtier est maintenant nécessaire. On a donc amélioré un procédé faisant appel à une bande porte-puces par lequel une électrode d'une puce de semiconducteur et des conducteurs correspondants sont connectés ensemble de ma- nière collective, au lieu d'utiliser un procédé de connexion de fils classique. Le procédé de bande porte-puces est également ap- pelé procédé de film porte-puces ou procédé de soudage automatisé sur bande (ou TAB). Le procédé de bande porte-puces est une sorte de techni- que de montage en surface dans laquelle un cadre de montage et des motifs métalliques (conducteurs) remplissant la fonction de fils conducteurs sont formés sur une bande de base, et des motifs métal- liques sur la bande de base sont soudés à une plage d'électrode de la puce de semiconducteur par des bosses de soudage qui sont formées par des saillies métalliques. Ce procédé de bande porte- puces d'une technologie perfectionnée est totalement différent du procédé de soudage de fils et il est principalement utilisé dans des calculatrices électroniques de petite taille, des dispositifs de visualisation à cristaux liquides, des ordinateurs, etc. La figure 1 est une vue en plan d'une bande porte-puces qui est utilisée dans une structure de montage sur bande de l'art antérieur. En se référant à la figure 1, on note que la bande porte- puces classique comprend une pellicule isolante qui comporte des perforations d'entraînement 12 et des conducteurs intérieurs 22 et des conducteurs extérieurs 24 qui sont formés par photogravure d'une pellicule mince de cuivre qui est fixée sur cette pellicule isolante 10. Les conducteurs intérieurs 22 et les conducteurs ex- térieurs 24 sont appelés ci-après de façon générale conducteurs 20. La pellicule isolante 10 consiste en polyester, en polyethersulfo- nate (PES) ou en acide polyparaanique (PPA). Le procédé de fabrication que l'on utilise généralement pour la bande porte-puces ci-dessus est décrit en détail ci-après. Premièrement, on perfore la pellicule isolante 10 pour former un trou de dispositif 16 et des fentes de conducteurs exté- rieurs 14, et on dépose une pellicule mince de cuivre sur la pel- licule isolante, avec une épaisseur de 18 à 35 pm. Ensuite, on ap- plique une couche photosensible sur la pellicule mince de cuivre, on l'expose à la lumière et on la développe ensuite pour former un motif de la couche photosensible. On enlève ensuite par attaque la région exposée de la pellicule mince de cuivre, en utilisant le motif de la couche photosensible, que l'on fait disparaître ensuite. Les conducteurs intérieurs 22 et les conducteurs extérieurs 24 sont donc formés par la définition d'un motif dans la couche pho- tosensible. Les conducteurs intérieurs 22, qui s'étendent partiel- lement dans le trou de dispositif 16, prévu pour le montage de la puce de semiconducteur, qui est formé par perforation de la partie centrale de la pellicule isolante 10, sont formés de façon à se trou- ver très près du bord de la pellicule isolante 10. Une telle bande porte-puces est formée par une série d'élé- ments de bande porte-puces ayant la même structure, et elle peut être stockée en étant enroulée sur une bobine. Des puces de semicon- ducteurs sont montées de diverses manières sur la bande porte-puces. Ainsi, après qu'une plage d'électrode d'une puce de semiconducteur a été assemblée à des premières extrémités des conducteurs inté- rieurs 22 par soudage multipoint simultané, c'est-à-dire soudage collectif, les autres extrémités des conducteurs extérieurs 24 sont assemblées à des pistes métallisées de la carte de circuit imprimé. Les figures 2 et 3 sont des coupes partielles montrant un pro- cédé pour le soudage d'une plage d'électrode d'une puce de semi- conducteur et de conducteurs intérieurs qui sont incorporés dans la bande porte-puces de la figure 1. En se référant à la figure 2, on note qu'une bosse 34 en or (Au) est formée sur la plage d'électrode 32 de la puce de semicon- ducteur 30, et que le conducteur intérieur 22 qui lui correspond est placé sur la bosse 34. Après ceci, la plage d'électrode 32 de la puce de semiconducteur 30 est assemblée au conducteur intérieur 22 par la bosse 34 qui est écrasée par un procédé de thermocompression. La bosse 34, qui est généralement formée sur la plage d'élec- trode 32 de la puce de semiconducteur 30, peut être formée sur le conducteur intérieur 22 qui est disposé en correspondance avec la plage d'électrode 32. La carte de circuit imprimé ou le dispositif de visualisation à cristaux liquides est connecté au conducteur ex- térieur 24. La référence 10 sur la figure 2 (non décrite) désigne ici une pellicule isolante. Les brevets des E.U.A. n 4 494 688 et 3 763 404 décrivent une telle technique. La technique de soudage utilisant la bosse qui est repré- sentée sur la figure 2 exige un appareil précis et coûteux du fait du faible pas entre les plages d'électrode 32, correspondant au ni- veau d'intégration élevé, dans le processus de formation de la bosse 34 sur la plage d'électrode 32 de la puce de semiconducteur 30. En outre, le procédé présente l'inconvénient qui consiste en ce que le conducteur intérieur 22, connecté électriquement à la plage d'élec- trode 32, peut être court-circuité au bord de la puce de semiconduc- teur 30, bien que le conducteur intérieur 22 qui est connecté à la plage d'électrode 32 par la bosse 34 soit décollé de la surface de la puce de semiconducteur 30 d'une valeur égale à la hauteur de la bosse 34. Une autre technique de soudage, qui est décrite dans le brevet des E.U.A. n 4 210 926, est une technique de soudage direct dans laquelle la plage d'électrode de la puce de semiconducteur est soudée sur le conducteur intérieur sans la bosse, comme représenté sur la figure 3. En se référant à la figure 3, on note que le conducteur in- térieur 22 qui est formé sur la pellicule isolante 10 comporte une partie de contact 22a qui est soudée à la plage d'électrode de la puce de semiconducteur, et une partie de bord 23 dans une position qui correspond à la partie de bord a de la puce de semiconducteur. Conformément à la technique de soudage ci-dessus, on place le conducteur intérieur 22 sur la plage d'électrode 32 de la puce de semiconducteur 30 pour qu'il vienne en contact avec la partie de contact 22a, et on soude la plage d'électrode 32 de la puce de semiconducteur 30 sur le conducteur intérieur 22 par un procédé de thermocompression. Une telle technique de soudage a l'avantage de ne pas exiger de bosse, mais elle a l'inconvénient d'exiger un processus de gravure sans aucun défaut, pour éviter un court-circuit suscep- tible de se produire dans la partie de bord de la puce de semicon- ducteur 30. En outre, la technique de soudage ci-dessus a d'autres in- convénients qui consistent en ce que l'on ne peut pas graver exac- tement sur une épaisseur appropriée l'extrémité du conducteur in- térieur 22 à pas fin, et en ce que l'extrémité du conducteur inté- rieur 22 est dégradée par le fait que la partie de contact 22a reste mince après le processus de gravure. La présente invention vise à résoudre les inconvénients précités de l'art antérieur. Un but de la présente invention est donc de procurer une bande porte-puces et un procédé de fabrication de celle-ci permet- tant de souder collectivement des puces de semiconducteurs sans un processus de formation de bosses et un processus de gravure sur des parties d'extrémité de conducteurs intérieurs, par la formation de couches d'oxyde anodique sur des parties d'extrémité situées d'un seul côté des conducteurs intérieurs venant en contact avec des plages de soudage de la puce de semiconducteur. Un autre but de la présente invention est de procurer une bande porte-puces et un procédé de fabrication de celle-ci permet- tant d'améliorer la force d'adhérence de puces de semiconducteurs, dans le montage des puces de semiconducteurs par soudage collectif. Pour atteindre le but ci-dessus de la présente invention, une bande porte-puces conforme à l'invention comprend une pellicule qui présente un trou de réception de dispositif pour le montage d'une puce de semiconducteur, un ensemble de conducteurs formés de façon à avoir au moins une partie d'extrémité qui s'étend jus- qu'à l'intérieur du trou de réception de dispositif dans la pellicule, et des couches d'oxyde anodique et des parties de contact pour établir un contact avec une plage d'électrode de la puce de semi- conducteur, qui sont formées dans au moins une partie d'extrémité de chaque conducteur. Pour atteindre un autre but de la présente invention, la bande porte-puces de l'invention comprend une pellicule qui compor- te au moins une perforation d'entraînement formée dans des parties supérieure et inférieure de la pellicule, un trou de réception de dispositif formé dans une partie centrale de la pellicule, des fen- tes de conducteurs extérieurs qui sont formées de façon à être rectangulaires; un ensemble de conducteurs formé sur les parties centrales supérieure ou inférieure de la pellicule; une plage d'oxyde anodique formée d'un seul tenant avec l'ensemble de con- ducteurs pour devenir totalement un isolant jusqu'à sa surface in- férieure, par oxydation anodique; un ensemble de parties de con- tact qui sont formées pour venir en contact avec une plage d'élec- trode d'une puce de semiconducteur sur la plage d'oxyde anodique, et qui ne sont pas anodisées; et des couches d'oxyde anodique for- mées sur une région prédéterminée d'au moins une partie d'extré- mité de chaque conducteur. Pour atteindre le but ci-dessus, la présente invention procure un procédé de fabrication de bande porte-puces qui comprend les étapes suivantes: on poinçonne une pellicule pour former un trou de récep- tion de dispositif; on dépose un métal sous la forme d'une pellicule mince et on définit un motif dans celle-ci de façon que le métal puisse for- mer un ensemble de conducteurs ayant au moins une partie d'extré- mité qui s'étend à l'intérieur du trou de réception de dispositif on forme un masque d'anodisation définissant une zone dans laquelle des couches d'oxyde anodique seront formées sur au moins une partie d'extrémité de chaque conducteur; et on forme, par oxydation anodique, des couches d'oxyde anodique sur des zones autres que des parties de contact venant en contact avec une plage d'électrode sur une puce de semiconducteur. Pour atteindre un autre de ces buts, la présente invention procure un procédé de fabrication de la bande porte-puces qui com- prend les étapes suivantes: on dépose sur la pellicule un métal pouvant être anodisé, et on définit un motif dans ce métal de façon à pouvoir former un ensemble de conducteurs; on forme un masque d'anodisation et on effectue une pre- mière oxydation anodique sur une surface de chaque zone dans laquel- le l'ensemble de conducteurs sont connectés au motif métallique, pour former des couches d'oxyde anodique; on forme un masque d'anodisation définissant des parties de contact venant en contact avec une plage d'électrode d'une puce de semiconducteur, et on effectue une seconde oxydation ano- dique du motif métallique pour former un isolant complet. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est une vue en plan d'une bande porte-puces conforme à l'art antérieur; la figure 2 est une coupe partielle d'un exemple de confi- guration pour souder ensemble une plage d'électrode d'une puce de semiconducteur et un conducteur intérieur se trouvant sur la bande portepuces de la figure 1; la figure 3 est une coupe partielle d'un autre exemple de configuration pour souder ensemble une plage d'électrode d'une puce de semiconducteur et un conducteur intérieur se trouvant sur la bande porte-puces de la figure 1; la figure 4 est une vue de dessous montrant une bande porte- puces conforme à un premier mode de réalisation préféré de l'in- vention; les figures SA et 5B sont des coupes partielles d'un exem- ple de configuration pour souder ensemble une plage d'électrode d'une puce de semiconducteur et un conducteur intérieur se trouvant sur la bande porte-puces de la figure 4; la figure 6 est une coupe partielle d'un autre exemple pour le conducteur intérieur de la bande porte-puces de la figure 4 la figure 7A est une vue en plan montrant une bande porte- puces conforme à un second mode de réalisation préféré de l'inven- tion; la figure 7B est une coupe selon la ligne VII-VII de la figure 7A; la figure 8 est une coupe d'un exemple de configuration pour souder ensemble une plage d'électrode d'une puce de semicon- ducteur et un conducteur intérieur se trouvant sur la bande porte- puces de la figure 7A; et les figures 9A à 9C montrent les étapes de la fabrication de la bande porte-puces de la figure 7A. On va maintenant décrire de façon complète une bande porte-puces et un procédé de fabrication de celle-ci, conformes à l'invention, en se référant aux dessins annexés. La figure 4 est une vue en plan d'un premier mode de réa- lisation préféré de la bande porte-puces de la présente invention. Les parties qui sont les mêmes que celles de la bande porte-puces classique sont désignés par les mêmes références numériques dans toute la description, et leur description détaillée est omise. En se référant à la figure 4, on note qu'une bande porte- puces conforme à la présente invention comprend une pellicule iso- lante 10 ayant des perforations d'entraînement 12, un trou de ré- ception de dispositif 16 et des fentes de conducteurs extérieurs 14, ainsi qu'un ensemble de conducteurs 20 qui sont formés sur le côté supérieur ou le côté inférieur de la pellicule isolante 10, de façon à s'étendre partiellement vers le trou de réception de dis- positif 16 et à traverser les fentes de conducteurs extérieurs 14. La pellicule isolante 10 consiste en polyimide, polyester, polyéthersulfonate (PES) ou acide polyparaanique (PPA). Les con- ducteurs peuvent être formés par un métal susceptible d'être ano- disé, tel que l'aluminium, le tantale, le niobium, le zirconium ou le tungstène. La référence 18 désigne un conducteur de liaison, non décrit, qui est destiné à connecter électriquement ensemble plu- sieurs conducteurs 22. Les conducteurs de liaison 18 sont utilisés pour connecter des électrodes au moment o l'on effectue l'oxyda- tion anodique. Les couches d'oxyde anodique 23a s'étendent partiellement à l'intérieur du trou de réception de dispositif 16 et elles sont formées sur une partie d'extrémité de chaque conducteur 20 qui est formé transversalement aux fentes de conducteurs extérieurs 14. Les couches d'oxyde anodique 23a sont formées de façon à correspondre à des parties gravées 23 de l'art antérieur, représentées sur la figure 3, qui sont formées dans le but d'empêcher que des parties de bord de la puce de semiconducteur 30 ne viennent en contact avec les conducteurs. La couche d'oxyde anodique 23a est représen- tée de façon plus apparente en coupe agrandie selon la ligne IV-IV, dans une partie encerclée (O). En ce qui concerne la forme de la section des couches d'oxyde anodique 23a qui sont formées sur les conducteurs intérieurs 22, les couches d'oxyde anodique 23a sont formées sur la totalité des parties qui s'étendent à l'intérieur du trou de réception de dispositif 16, sauf sur la région de contact 22a qui vient en con- tact avec la plage d'électrode de la puce de semiconducteur. Les couches d'oxyde anodique 23a sont formées de façon à pénétrer dans une région prédéterminée des conducteurs intérieurs, afin que des parties prédéterminées des conducteurs intérieurs deviennent une couche isolante. Les figures SA et 5B sont des coupes partielles montrant un exemple de soudage d'une plage d'électrode de la puce de semi- conducteur sur un conducteur intérieur qui est monté sur la bande porte-puces de la figure 4. La figure SA montre que le conducteur 20 est formé sur la partie supérieure de la pellicule isolante 10, et la figure 5B mon- tre que le conducteur 20 est formé sur la partie inférieure de la pellicule isolante 10, ce qui ne fait aucune différence en ce qui concerne une technique de soudage. En se référant aux figures SA et 5B, on note que la partie de contact 22a des conducteurs intérieurs 22 correspondant à l'élec- trode 32 de la puce de semiconducteur 30, est directement soudée par thermocompression sur la plage d'électrode 32 précitée. A ce moment la couche d'oxyde anodique 23a empêche un court-circuit entre le conducteur intérieur 22 et le bord a de la puce de semi- conducteur 30. La principale caractéristique technologique de la présente invention réside dans une telle formation des couches d'oxyde ano- dique 23a. Ainsi, l'oxydation anodique des parties d'extrémité des conducteurs intérieurs, qui sont connectées aux plages de connexion de la puce de semiconducteur, peut éviter que les conducteurs in- térieurs ne soient court-circuités ensemble par les parties de bord de la puce de semiconducteur. Des conducteurs 20 classiques sont habituellement formés par une pellicule mince de cuivre ou d'alliage de cuivre pour fa- ciliter l'opération de thermocompression avec des plages d'électrode en aluminium, avec interposition de bosses, mais de tels conduc- teurs ne peuvent pas être appliqués à la présente invention du fait qu'on ne peut pas les anodiser. C'est donc la raison pour laquel- le les conducteurs intérieurs 20 sont formés par des métaux que l'on ne peut pas anodiser. La figure 6 est une coupe partielle montrant l'autre exem- ple pour le conducteur intérieur de la bande porte-puces de la fi- gure 4, et elle illustre un mode de réalisation que l'on obtient par électrodéposition d'un métal pouvant être anodisé, sur une ré- gion prédéterminée des conducteurs intérieurs, dans le but d'uti- liser à titre de conducteur un matériau métallique qui ne peut pas être anodisé. En se référant à la figure 6, on note qu'un conducteur in- térieur 22c, entièrement revêtu par électrodéposition d'un métal pouvant être anodisé, est direction soudé sur la plage d'électrode 32 de la puce de semiconducteur 30, et qu'une couche d'oxyde ano- dique 23b est formée sur une région prédéterminée de la partie in- férieure du conducteur intérieur 23c. On va maintenant décrire un premier mode de réalisation il préféré du procédé pour fabriquer la bande porte-puces conforme à la présente invention. Premièrement, on forme un trou de réception de dispositif 16 et des fentesde conducteurs extérieurs 14 en poinçonnant une pellicule isolante 10, et on applique ensuite une pellicule métal- lique mince sur la totalité de la surface, avec une épaisseur pré- déterminée. La pellicule métallique mince est formée par un métal pouvant être anodisé, tel que de l'aluminium, du tantale, du niobium, du zirconium ou du tungstène. On applique une couche photosensible sur la pellicule métallique mince et on l'expose à la lumière, après quoi on la développe pour former un motif avec la couche photosensible. En utilisant le motif de la couche photosensible, on grave la pellicule métallique mince, et on enlève ensuite le motif. Ceci a pour effet de former un ensemble de conducteurs 20 comprenant des conducteurs intérieurs 22 et des conducteurs exté- * rieurs 24, conformément au motif de la couche photosensible. On installe une puce de semiconducteur sur des premières parties d'ex- trémité des conducteurs intérieurs 22 s'étendant partiellement à l'intérieur d'un trou de réception de dispositif 16 qui est formé en poinçonnant la pellicule 10, et on connecte électriquement les autres parties d'extrémité des conducteurs intérieurs 22 au moyen de conducteurs de liaison 18. Ensuite, on forme une couche d'oxyde anodique 23a sur la totalité des parties qui s'étendent dans le trou de réception de dis- positif 16, à l'exclusion d'une partie de contact 22a qui vient en contact avec la plage d'électrode de la puce de semiconducteur. L'exemple suivant concerne le cas dans lequel le matériau des con- ducteurs 20 est une pellicule mince d'aluminium. Après avoir appliqué une couche photosensible sur la tota- lité des conducteurs intérieurs 22, à l'exception des parties o seront formées les couches d'oxydation anodique 23a, on définit au moyen d'un masque d'anodisation, par la formation d'un motif, les parties dans lesquelles la couche d'oxyde anodique 23a est formée dans les parties d'extrémité des conducteurs intérieurs. On peut uti- liser le masque d'anodisation en appliquant seulement une pellicule photosensible, ou bien on peut déposer une couche diélectrique, à titre de matériau de masque, et graver ensuite cette couche pour former un motif avec la couche photosensible. Comme ci-dessus, du fait que le masque formé par la couche diélectrique est fiable à une tension d'anodisation élevée, on peut définir un meilleur motif en aluminium. Après la formation du masque d'anodisation, on ef- fectue l'oxydation anodique. On utilise le procédé d'oxydation ano- clique habituel qui fait croître une pellicule d'oxyde sur la sur- face d'une électrode, en faisant en sorte que l'électrode remplisse la fonction d'une anode dans un bain d'électrolyse. Avec le processus d'oxydation anodique ci-dessus, le con- ducteur de liaison 18 des conducteurs 22, ayant une pellicule mince d'aluminium, est connecté électriquement à une anode au moyen d'une pince, et il est immergé dans la cuve d'électrolyse contenant un liquide électrolytique qui contient 3 à 5 % d'acide oxalique (H2C204), pour connecter une source d'alimentation entre les anodes. La couche d'oxyde anodique 22a doit être formée de façon à pénétrer dans une région prédéterminée du volume des conducteurs intérieurs, afin d'isoler seulement une certaine partie des con- ducteurs intérieurs 22. Ainsi, si l'épaisseur tl de la pellicule mince d'aluminium est d'environ 10 à 20 pm, il suffit que l'épaisseur t2 de la cou- che d'oxyde anodique soit d'environ 5 à 7 jim pour remplir la fonc- tion d'une couche isolante. Les conditions préférables pour l'oxy- dation anodique sont les suivantes: température 30 C - 2 C; tension alternative d'oxydation anodique: 80 V; densité de courant 3 A/dm; durée d'anodisation: 20 minutes. On peut obtenir de meilleures couches d'oxydation anodique 23a lorsque la pureté de l'aluminium est plus élevée. Comme représenté dans une coupe agrandie qui apparaît dans un cercle sur la figure 4, la structure résultante après le processus d'oxydation anodique comprend la couche d'oxydation ano- dique 23a formée de façon à pénétrer dans le volume du conducteur 22, et la totalité de la surface du conducteur 22 ne présente aucune marche. Ceci vient du fait que la pellicule mince d'oxyde anodique se développe aux dépens de l'aluminium. Par conséquent, la partie d'extrémité du conducteur 22 pré- sente une meilleure résistance mécanique que celle du conducteur classique qui est formé par un processus de gravure, ce qui évite que la partie d'extrémité du conducteur ne se courbe au cours du soudage. Comme représenté sur la figure 6, lorsqu'on utilise pour un conducteur un matériau métallique que l'on ne peut pas anodiser, on peut procéder de la même manière qu'avec le processus d'oxyda- tion anodique, avec le processus supplémentaire qui consiste à former un dépôt électrolytique sur la surface du conducteur 22. La figure 7A est une vue en plan d'un second mode de réa- lisation préféré de la bande porte-puces conforme à la présente invention, et la figure 7B est une coupe selon la ligne VII-VII de la figure 7A. En se référant maintenant à la figure 7A, on note que la bande porte-puces du mode de réalisation présent comprend une pel- licule isolante 10 ayant des perforations d'entraînement 12 et des fentes de conducteurs extérieurs 14, un ensemble de conducteurs 20 comprenant des conducteurs intérieurs 22 et des conducteurs exté- rieurs 24, sur la partie supérieure ou inférieure de la pellicule isolante 10, et un matériau métallique radial 17a (une plage d'oxyde anodique) qui est formé d'un seul tenant avec les conducteurs 20 et qui est entièrement transformé en un isolant jusqu'à sa partie inférieure, par oxydation anodique complète. La plage d'oxyde anodique 17a a la même taille que le trou de réception de dispositif sur la figure 4, et elle devient une cou- che d'oxyde anodique complète. Des parties de contact 22b venant en contact avec la plage d'électrode au moment du soudage de la puce de semiconducteur sont laissées dans une condition non anodisée dans la plage d'oxyde anodique 17a. La bande porte-puces comporte des couches d'oxyde anodi- que 23b qui sont formées dans une zone prédéterminée des conduc- teurs intérieurs 22 qui sont connectés électriquement aux parties de contact 22b. D'un point de vue théorique, les couches d'oxyde anodique 23b sont identiques aux couches d'oxyde anodique 23a que l'on a déjà décrites dans le premier mode de réalisation préféré. La référence 26 désigne un ensemble de perforations, non décrites, qui sont formées dans la plage d'oxyde anodique 17a. Cette structure est représentée de façon plus claire sur la figure 7B qui est une coupe partielle agrandie selon la ligne VII- VII de la figure 7A. En se référant à la figure 7B, on note que la plage d'oxyde anodique 17a est formée sur la pellicule isolante 10 comportant les fentes de conducteurs extérieurs 14, et un ensemble de conducteurs sont formés avec une configuration rectangulaire, en correspondan- ce avec la plage d'oxyde anodique 17a. La plage d'oxyde anodique 17a est un isolant complet dans lequel la pellicule métallique mince comprenant les conducteurs est anodisée jusqu'à sa surface infé- rieure, et un ensemble d'ouvertures 26 sont formées dans cette plage. Les parties de contact 22b sont connectées électriquement aux conducteurs 20 et les périphéries des parties de contact 22b sont séparées des couches d'oxyde anodique 23b et de la plage d'oxy- de anodique 17a. La pellicule isolante 10 peut consister en polyimide, polyester, polyéthersulfonate (PES) ou acide polyparaanique (PPA). Les conducteurs 20 peuvent être formés par un métal que l'on peut anodiser aisément, comme l'aluminium, le tantale, le niobium, le zirconium ou le tungstène. La figure 8 est une coupe montrant un exemple de configu- ration pour souder la plage d'électrode de la puce de semiconducteur sur les conducteurs intérieurs qui sont montés sur la bande porte- puces de la figure 7A. En se référant à la figure 8, on note que la région de contact 22a correspondant à la plage d'électrode 32 de la puce de semiconducteur 30, est directement soudée par thermocompression sur la plage d'électrode 32. La couche d'oxyde anodique 23b recouvre un bord a de la puce de semiconducteur 30, de façon à pouvoir éviter un court-circuit des conducteurs intérieurs 22 et du bord. La plage d'oxyde anodique 17a est disposée sur la totalité de la sur- face supérieure de la puce de semiconducteur 30 et elle comporte un ensemble d'ouvertures 26, de façon que la force d'adhérence en- tre la puce de semiconducteur 30 et les conducteurs complets puisse être augmentée en ouvrant à l'avance une région prédéterminée de la pellicule isolante qui est formée sur la partie supérieure de la plage d'oxyde anodique 17a, et en appliquant une résine de revê- tement pour effectuer une encapsulation. L'ouverture de la pellicule isolante et la résine de revêtement ne sont pas représentées dans le dessin. On décrira de façon complète un procédé de fabrication de la bande portepuces conforme au second mode de réalisation préféré de la présente invention, en se référant aux figures 9A à 9C. En se référant maintenant à la figure 9A, on note que l'on dépose sur une pellicule isolante 10 un matériau pouvant être ano- disé, et on définit un motif dans ce matériau de façon à pouvoir former un motif métallique 17 de forme carrée régulière, et un en- semble de conducteurs 20 qui sont formés d'un seul tenant avec le motif 17. Les différents conducteurs 20 sont formés de façon à être symétriques dans chaque direction par rapport au motif métallique de forme carrée régulière 17. Les conducteurs 20 sont constitués par des conducteurs intérieurs 22 et des conducteurs extérieurs 24. Lorsqu'on définit le motif métallique de forme carrée 17 et les con- ducteurs 20, on peut former conjointement les ouvertures 26 de la figure 7. Les ouvertures ne sont pas représentées sur la figure 9A. En se référant à la figure 9B, on note qu'une première oxy- dation anodique est effectuée sur une partie d'extrémité de chaque conducteur intérieur 22, qui est connectée au motif métallique 17, pour former une couche d'oxyde anodique 23b. Les conditions et la technique de traitement de l'oxydation anodique présente sont fonda- mentalement les mêmes que celles utilisées dans le procédé de fa- brication de bande porte-puces de la figure 4. En se référant à la figure 9B, on note qu'après la forma- tion des couches d'oxyde anodique 23b, on applique une pellicule photosensible sur la totalité des conducteurs, comprenant les couches d'oxyde anodique 23b, sur la structure résultante, et on définit ensuite un motif dans cette pellicule pour former un masque d'ano- disation définissant une zone dans laquelle des parties de contact seront formées. On accomplit une seconde oxydation anodique après la formation du masque d'anodisation ci-dessus. On effectue ici une oxydation anodique complète jusqu'à ce que le motif métallique 17 devienne un isolant complet, contrairement à la première oxydation anodique, de type partiel, par laquelle seule la surface est anodi- sée. Si l'épaisseur du motif métallique 17 est d'environ 20 à 40 mn, la seconde oxydation est accomplie pendant 80 à 169 minutes dans les mêmes conditions que pour la première oxydation anodique, pour obtenir des couches d'oxyde anodique 23a désirées. La bande porte-puces qui est fabriquée conformément à cet autre mode de réalisation peut avoir tous les avantages désirés du premier mode de réalisation, représenté sur la figure 4. En outre, les parties de contact 23b qui viennent en contact avec la plage d'électrode de la puce de semiconducteur à souder peuvent être disposées de diverses manières dans une région quelconque de la plage métallique de forme rectangulaire, ce qui permet de fabriquer une bande porte-puces dans laquelle les conducteurs peuvent être formés sans prendre en considération la position de la plage d'élec- trode de la puce de semiconducteur. On peut réaliser ceci en définis- sant de façon appropriée un motif d'un masque d'anodisation. Les avantages de la bande porte-puces et de son procédé de fabrication conformes à la présente invention sont résumés ci- dessous. Premièrement, on peut réduire le coût de fabrication du fait que l'on peut former la bande porte-puces de la présente in- vention simplement par le processus d'oxydation anodique, sans le processus classique de formation de bosses d'alliage de brasage et le processus de gravure des parties d'extrémité des conducteurs. Secondement, on peut empêcher que les conducteurs ne se courbent pendant le soudage. Troisièmement, le dispositif est protégé contre la dégradation par des rayons o/, du fait que des parties anodisées protègent les régions actives du dispositif. Enfin, quatrièmement, la plage d'oxyde anodique comportant les ouvertures peut augmenter la force d'adhérence entre la puce de semiconducteur et des con- ducteurs par l'application d'une résine de revêtement. Il en résulte que la bande porte-puces et son procédé de fabrication conformes à la présente invention peuvent éviter la mise en court-circuit des conducteurs intérieurs et des parties de bord de la puce de semiconducteur par l'électrodéposition sur les conducteurs intérieurs d'un métal pouvant être anodisé, ou par la formation de couches d'oxyde anodique, et ensuite par la formation sélective d'une plage d'oxyde anodique sur la région dans laquelle la puce de semiconducteur sera montée. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Bande porte-puces, caractérisée en ce qu'elle comprend une pellicule (10) ayant un trou de réception de dispositif (16) pour le montage d'une puce de semiconducteur (30); un ensemble de conducteurs (20) formés de façon à avoir au moins une partie d'extrémité qui s'étend jusqu'à l'intérieur du trou de réception de dispositif (16) dans la pellicule (10); et des couches d'oxyde anodique (23a) et des parties de contact (22a) qui sont destinées à venir en contact avec une plage d'électrode (32) de la puce de semiconducteur (30), formées dans au moins une partie d'extrémité de chaque conducteur (20). 2. Bande porte-puces selon la revendication 1, caracté- risée en ce que l'ensemble de conducteurs (20) sont connectés élec- triquement les uns aux autres par des conducteurs de liaison (18) pour la connexion à une électrode au moment de l'oxydation anodique. 3. Bande porte-puces selon la revendication 1, caracté- risée en ce que les couches d'oxyde anodique (23a) sont des isolants qui empêchent un court-circuit entre les conducteurs (20) et des parties de bord de la puce de semiconducteur (30). 4. Une bande porte-puces selon la revendication 1, carac- térisée en ce que les parties de contact (22a), formées sur une ré- gion des conducteurs (20), viennent en contact avec la plage d'élec- trode (32) de la puce de semiconducteur (30). 5. Bande porte-puces selon la revendication 1, caracté- risée en ce que les conducteurs de l'ensemble de conducteurs (20) peuvent être formés par un métal que l'on peut anodiser. 6. Bande porte-puces selon la revendication 5, caracté- risée en ce que le métal que l'on peut anodiser est de l'aluminium, du tantale, du niobium, du zirconium ou du tungstène, ou des al- liages de ceux-ci. 7. Bande porte-puces selon la revendication 1, caracté- risée en ce que les conducteurs (20) sont formés par un métal que l'on ne peut pas anodiser (22c), et ce dernier est entièrement re- couvert par un métal que l'on peut anodiser (22d), qui est formé par électrodéposition. 8. Bande porte-puces selon la revendication 7, caracté- risée en ce que le métal que l'on ne peut pas anodiser (22c) est du cuivre ou un alliage de cuivre. 9. Procédé de fabrication d'une bande porte-puces, carac- térisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on poinçonne une pellicule (10) pour former un trou de réception de dispositif (16); on applique un métal sur cette pellicule (10) et on définit un motif dans le métal pour former un ensemble de conducteurs (20) qui sont disposés de façon à avoir au moins une partie d'extrémité s'étendant à l'intérieur du trou de réception de dispositif (16); on forme un masque d'anodisation définissant une zone dans laquelle des couches d'oxyde anodique (23a) sont formées sur au moins une partie d'extrémité de chaque conducteur (20); et on forme, par oxydation anodique, des couches d'oxyde anodique (23a) dans des zones autres que des parties de contact (22a) venant en contact avec une plage d'électrode (32) d'une puce de semiconducteur (30). 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'on forme les couches d'oxyde anodique (23a) sur au moins une partie d'extrémité de chaque conducteur (20) de façon qu'elles pé- nètrent dans une partie prédéterminée du volume de chaque conduc- teur (20). 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que les conducteurs de l'ensemble de conducteurs (20) sont formés par un métal que l'on peut anodiser. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le métal que l'on peut anodiser consiste en aluminium, en tan- tale, en niobium, en zirconium ou en tungstène, ou en alliages de ceuxci. 13. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape de formation d'un ensemble de conducteurs (20) com- prend en outre les étapes suivantes: on forme un ensemble de con- ducteurs (22c) avec un métal que l'on ne peut pas anodiser; et on forme par électrodéposition sur toutes les surfaces des conducteurs un matériau métallique (22d) que l'on peut anodiser. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le métal que l'on ne peut pas anodiser (22c) est du cuivre ou un alliage de cuivre. 15. Bande porte-puces, caractérisée en ce qu'elle comprend une pellicule (10) ayant au moins une perforation d'entraînement (12) formée sur des parties supérieure et inférieure de la pellicule (10), un trou de réception de dispositif (16) formé dans une partie centrale de la pellicule, et des fentes de conducteurs extérieurs (14) formées de façon à être rectangulaires; un ensemble de con- ducteurs (20) formés sur les parties centrales supérieure ou infé- rieure de la pellicule; une plage d'oxyde anodique (17a) formée d'un seul tenant avec l'ensemble de conducteurs (20) pour devenir un isolant complet, par oxydation anodique jusqu'à sa surface in- férieure; un ensemble de parties de contact (22b) formées sur la plage d'oxyde anodique (17a) et non anodisées, qui sont destinées à venir en contact avec une plage d'électrode (32) sur une puce de semiconducteur (30); et des couches d'oxyde anodique (23b) formées sur une partie prédéterminée d'au moins une région d'extrémité de chaque conducteur (20). 16. Bande porte-puces selon la revendication 15, caracté- risée en ce qu'au moins une ouverture (26) est formée sur la plage d'oxyde anodique (17a). 17. Bande porte-puces selon la revendication 15, caracté- risée en ce que la couche d'oxyde anodique (23b) est une couche isolante qui empêche un court-circuit des conducteurs (20) et des bords de la puce de semiconducteur (30). 18. Bande porte-puces selon la revendication 15, caracté- risée en ce que les parties de contact (22b) sont une partie des conducteurs (20) et elles viennent en contact avec la plage d'élec- trode (32) de la puce de semiconducteur (30). 19. Bande porte-puces selon la revendication 15 ou 18, ca- ractérisée en ce que les parties de contact (22b) peuvent être dis- posées librement sur n'importe quelle partie de la plage d'oxyde anodique (17a). 20. Bande porte-puces selon la revendication 15, caracté- risée en ce que l'ensemble de conducteurs (20) et la plage d'oxyde anodique (17a) formée d'un seul tenant avec l'ensemble de conduc- teurs (20) sont constitués par un métal que l'on peut anodiser. 21. Bande porte-puces selon la revendication 20, caracté- risée en ce que le métal que l'on peut anodiser est de l'aluminium, du tantale, du niobium, du zirconium ou du tungstène, ou un alliage de ceux-ci. 22. Procédé de fabrication d'une bande porte-puces, carac- térisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on applique sur une pellicule (10) un métal que l'on peut anodiser, et on définit un motif dans ce métal, pour former un motif métallique ayant un ensemble de conducteurs (20); on forme un masque d'anodisation et on effectue une première oxydation anodique sur une surface de chaque zone dans laquelle l'ensemble de conducteurs (20) sont con- nectés au motif métallique, pour former des couches d'oxyde anodi- que (23b); on forme un masque d'anodisation définissant des parties de contact (22b) venant en contact avec une plage d'électrode (32) d'une puce de semiconducteur (30); et on effectue une seconde oxydation anodique sur le motif métallique pour former un isolant total. 23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que l'étape de formation du motif métallique comprend en outre la formation d'au moins une ouverture (26) dans le motif métallique. 24. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que la couche d'oxyde anodique (23b) est une couche isolante qui empêche un courtcircuit des conducteurs (20) et de parties de bord de la puce de semiconducteur (30). 25. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que les parties de contact (22b) font partie des conducteurs (20) et viennent en contact avec la plage d'électrode (32) de la puce de semiconducteur. 26. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que les parties de contact (22b) peuvent être disposées librement sur une région quelconque de la plage d'oxyde anodique (17a), si les parties de contact sont connectées électriquement aux conduc- teurs respectifs. 27. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que l'ensemble de conducteurs (20) et la plage d'oxyde anodique (17a) formées d'un seul tenant avec les conducteurs sont constitués par un métal que l'on peut anodiser. 28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que le métal que l'on peut anodiser consiste en aluminium, en tan- tale, en niobium, en zirconium ou en tungstène, ou en alliages de ceux-ci.