FR 2704689 A1 19941104 FR 9404503 A 19940415 La présente invention se rapporte à un procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi-conducteur, et plus particulièrement à un procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi-conducteur qui peut réaliser une taille de motif en dessous des limites d'exposition d'un dispositif d'exposition en utilisant un sous- produit de gravure lorsque le motif est formé en utilisant un photorésist. Lorsque l'intégration de plaquettes de semi-conducteur augmente, une formation de motif fin est nécessaire pendant le traitement lithographique. La limite de résolution d'un photorépéteur ("Stepper" selon la terminologie anglo-saxonne) a progressé de la bande g (436 nanomètres) à la bande i (365 nanomètres), de sorte qu'un motif fin peut être formé (aussi petit que 0,4 micromètre). De même, la profondeur de champ est accrue, et la nécessité de la formation de petits motifs est satisfaite dans une certaine mesure. La figure 1 illustre un procédé conventionnel de formation de motif à l'aide d'un photorépéteur, qui utilise un photorésist. Si l'on se réfère à la figure 1, un photorésist est déposé sur une couche de matière 22 devant faire l'objet d'un tracé qui est formée sur un substrat 21. Un masque prédéterminé (non représenté) ayant le motif souhaité est alors appliqué de façon à exposer de manière sélective le photorésist. La structure résultante est alors développée, formant ainsi un motif de photorésist 25 sur lequel est imprimé le motif de masque. La couche de matière 21 de la partie inférieure du motif de photorésist 25 est alors gravée en utilisant le motif de photorésist 25 comme masque de gravure, formant ainsi un motif de couche de matière (non représenté). Dans le procédé conventionnel, lorsque le photorépéteur dans la bande i est utilisé, la taille minimum d'un espace S 1 entre des motifs de photorésist 25 est de 0,4 micromètre, et ainsi, une formation de motif d'espace plus petit, qui est nécessaire lorsqu'un dispositif à semiconducteur fortement intégré est formé, fn'est pas possible avec la technologie actuelle. Un procédé de formation d'une électrode de stockage de condensateur d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur est expliqué en se référant aux figures 2 à 6, en tant que forme de réalisation d'une formation de motif o le photorépéteur dans la bande i conventionnel est utilisé. Si l'on se réfère à la figure 2, un transistor comprenant une grille 3 et une zone de source/drain 4 est formé sur un substrat semi-conducteur 1 qui est divisé en une zone d'isolation et une zone active par un film d'oxyde de champ 2, et un film isolant 5 destiné à isoler la grille 3 est ensuite formé. Un film isolant inter- couche 6 est alors formé sur toute la surface de la structure résultante, et une matière isolante, par exemple un nitrure, est déposé sur le film isolant inter-couche 6, formant ainsi une couche d'arrêt de gravure 7. Une couche isolante 8 est alors formée sur la couche d'arrêt de gravure 7. Si l'on se réfère à la figure 3, un photorésist est déposé sur la couche isolante 8, et un motif de photorésist 11 destiné à former un trou de contact qui expose une partie de la zone de source 4 est formé grâce à un processus lithographique. La couche isolante 8, la couche d'arrêt de gravure 7 et le film isolant inter-couche 6 sont alors gravés de manière anisotrope à la suite, en utilisant le motif de photorésist 11 comme masque de gravure et en formant ainsi un trou de contact 9. Si l'on se réfère à la figure 4, le motif de photorésist 11 est enlevé et une matière conductrice est déposée sur toute la surface de la structure résultante o le trou de contact 9 est formé, afin de former ainsi une couche conductrice 10 destinée à former une électrode de stockage. Si l'on se réfère à la figure 5, un photorésist est déposé et dessinée sur la couche conductrice 10 afin de créer un motif d'électrode de stockage grâce à un processus lithographique en utilisant un photorépéteur dans la bande i, de façon à former ainsi un motif de photorésist 12. Si l'on se réfère à la figure 6, la couche conductrice 10 est gravée de manière anisotrope en utilisant le motif de photorésist 12 comme masque de gravure de façon à former une électrode de stockage 10'. La couche isolante 8 est alors enlevée par un processus de gravure humide. Par conséquent, dans le procédé conventionnel, l'espace (A) entre les électrodes de stockage de condensateur 10' est de 0,4 micromètre, c'està-dire la limite d'exposition d'un photorépéteur dans la bande i. Du fait que les dispositifs de mémoire à semi-conducteur sont devenus de plus en plus intégrés, des condensateurs ayant une grande capacité sont maintenant nécessaires. Si la profondeur verticale de l'électrode de condensateur est augmentée afin d'assurer une capacité élevée dans la zone limitée, la différence de pas est accrue. Par conséquent, du fait que la taille de l'électrode de stockage d'un condensateur doit être accrue dans une zone limitée, l'espace entre électrodes de stockage doit être réduit. Toutefois, des espaces inférieurs à 0,4 micromètre ne peuvent être formés grâce au procédé de formation d'une électrode de stockage de condensateur d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur o le photorépéteur dans la bande i conventionnel est utilisé. De plus, dans le procédé conventionnel, un procédé de gravure verticale est utilisé pour le dessin d'électrode de stockage, et en procédant ainsi, les bords de l'électrode de stockage sont alignés verticalement par rapport aux électrodes de grille comme cela est représenté sur la figure 6. Un tel procédé de gravure conduit à une aggravation de la topographie de la structure résultante et, lorsqu'un processus de formation de ligne de bit consécutif est réalisé, la marge de processus devient très faible du fait des bords vifs ainsi créés. Par conséquent, c'est un but de la présente invention que de procurer un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel un motif extrêmement fin est formé et la différence de pas globale est adoucie afin d'augmenter la fiabilité. Afin d'atteindre le but ci-dessus, il est prévu un procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi-conducteur utilisant un photorépéteur, le procédé comportant les étapes consistant à: déposer un photorésist sur une couche devant être dessinée qui est formée sur un substrat; tracer le photorésist grâce à un processus lithographique afin de former ainsi un motif de photorésist; réaliser un processus de gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante o le motif de photorésist est formé, afin de former ainsi un sous-produit de gravure sur la paroi latérale du motif de photorésist; et graver la couche devant être tracée en utilisant le motif de photorésist et le sous-produit de gravure comme masque de gravure. Dans le procédé de formation d'un motif fin de la présente invention, une couche composite qui se compose d'un photorésist et d'une couche de matière ayant des propriétés physiques différentes l'une par rapport à l'autre peut être utilisée comme matière pour l'impression d'un motif de masque, plutôt que la seule couche de photorésist. Par ailleurs, un processus de gravure inclinée peut être utilisé afin de graver la couche devant être tracée. Selon la présente invention, la couche devant être tracée est gravée en utilisant le sous-produit de gravure généré par un processus de gravure anisotrope. Par conséquent, un motif fin en dessous des limites d'exposition peut être formé. Les buts et avantages ci-dessus de la présente invention apparaîtront en décrivant en détail une forme de réalisation préférée de celle-ci, en se référant aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 illustre le principe du procédé conventionnel de formation d'un motif o un photorépéteur est utilisé; Les figures 2 à 6 sont des vues en coupe destinées à illustrer un procédé de formation d'une électrode de stockage de condensateur d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon le procédé conventionnel; La figure 7 illustre le principe d'un procédé de formation d'un motif selon la présente invention o un photorépéteur est utilisé; Les figures 8 à 11 sont des vues en coupe destinées à illustrer un procédé de formation d'une électrode de stockage de condensateur d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur, en tant que première forme de réalisation du procédé de formation d'un motif fin selon la présente invention; Les figures 12 et 13 sont des vues en coupe destinées à illustrer un procédé de formation d'une électrode de stockage de condensateur d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur, en tant que deuxième forme de réalisation d'un procédé de formation d'un motif fin selon la présente invention; Les figures 14 et 15 sont des photographies de microscope à balayage électronique montrant une coupe d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur formé grâce au procédé conventionnel et formé selon la deuxième forme de réalisation respectivement; et Les figures 16 à 18 sont des vues en coupe destinées à illustrer un procédé de formation d'une électrode de stockage d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur, en tant que troisième forme de réalisation d'un procédé de formation d'un motif fin selon la présente invention. La présente invention va être expliquée plus en détail en se référant aux dessins annexés. La figure 7 illustre un principe d'un procédé de formation de motif selon la présente invention o un photorépéteur est utilisé. Si l'on se réfère à la figure 7, une couche de matière dont les propriétés physiques sont différentes de celles d'un photorésist est formée sur une couche 22 devant être tracée qui est formée sur un substrat 21, et un photorésist est déposé sur la couche de matière. Le photorésist est alors exposé de manière sélective et développée en appliquant un masque prédéterminé (non représenté) du motif souhaité, afin de former ainsi un motif de photorésist 25 sur lequel est imprimé le motif de masque. La couche de matière est alors tracée par un processus de gravure anisotrope en utilisant le motif de photorésist 25 comme masque de gravure, afin de former ainsi un motif de couche de matière 23. A ce moment là, en utilisant certains aspects du processus de gravure anisotrope, une quantité prédéterminée de sous-produit de gravure 26 est générée, et reste sur les parois latérales du motif motif de photorésist 25 et de couche de matière 23 comme cela est représenté sur la figure 7. La couche 22 est gravée en utilisant le sous-produit de gravure 26 avec le motif de photorésist 25 et le motif de couche de matière 23 comme masque de gravure, formant ainsi un motif Lorsqu'un motif est formé selon le procédé décrit ci-dessus, le sous- produit de gravure 26 formé sur les parois latérales du motif de couche de matière 23 agit en tant que partie du masque. Ainsi, un espace S2 existant entre les motifs est réduit à deux fois la largeur des parties de paroi latérale du sous-produit de gravure 26, comparé à l'espace SI1 de la figure 1. C'est-à-dire qu'un sous-produit de gravure est produit lorsque la couche de matière est gravée de manière anisotrope en utilisant une couche composite afin d'imprimer un motif de masque, qui se compose d'un photorésist et d'une couche de matière ayant des propriétés physiques différentes l'une par rapport à l'autre. Un motif en dessous des limites d'exposition d'un photorépéteur peut ainsi être formé. Les figures 8 à 11 sont des vues en coupe destinées à illustrer un procédé de formation d'une électrode de stockage de condensateur d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur, en tant que première forme de réalisation d'un procédé de formation d'un motif fin selon la présente invention. La figure 8 représente les étapes de formation d'une couche conductrice de transistor 10 et d'une couche de matière 12. Un transistor composé d'une grille 3 et d'une zone de source/drain 4 est formé sur un substrat semi- conducteur 1 divisé en une zone d'isolation et une zone active par un film d'oxyde de champ 2. Un film isolant 5 destiné à isoler le transistor est alors formé sur toute la surface du substrat semi- conducteur 1 o est formé le transistor. Un film isolant inter-couche 6 est alors formé sur toute la surface de la structure résultante o est formé le film isolant 5. Une matière isolante, par exemple du nitrure, est alors déposée sur le film isolant inter-couche 6, formant ainsi une couche d'arrêt de gravure 7. Une matière isolante est alors déposée sur la couche d'arrêt de gravure 7, formant ainsi une couche isolante 8. La couche isolante 8, la couche d'arrêt de gravure 7 et le film isolant inter-couche 6 sont alors enlevés de manière sélective (c'est-à-dire la partie directement au-dessus de la zone de source/drain 4 du transistor) au moyen d'un processus lithographique. Il en résulte qu'un trou de contact (non représenté) destiné à relier l'électrode de stockage de condensateur à la zone de source 4 est formé. Une matière conductrice, par exemple du silicium polycristallin dopé avec des impuretés, est alors formée sur toute la surface de la structure résultante o le trou de contact est formé, de façon à former la couche conductrice 10 destinée à former une électrode de stockage. La couche de matière 12 dont les propriétés physiques sont différentes de celles du photorésist utilisé est ensuite formée sur la couche conductrice 10. La couche de matière peut être une couche d'oxyde à haute température. La figure 9 montre les étapes de formation d'un motif de photorésist , d'un motif de couche de matière 12' et d'un polymère 13. Une fois qu'un photorésist est déposé sur la couche de matière 12, le photorésist est tracé avec un motif d'électrode de stockage de condensateur grâce à un processus lithographique, afin de former ainsi un motif de photorésist 20. Si, à ce stade, le processus lithographique est réalisé en utilisant un photorépéteur dans la bande i, la taille minimum de l'espace A entre les motifs de photorésist 25 est de 0,4 micromètre, comme dans l'état de la technique. En utilisant alors le motif de photorésist 20 comme masque de gravure, la couche de matière 12 est gravée de manière anisotrope grâce à un procédé à plasma qui utilise des gaz CF4 et CHIF3. Il en résulte qu'un motif de couche de matière 12' est formée. Le polymère 13 est généré ici en tant que sous-produit du processus de gravure anisotrope, et formé ainsi sur les parois latérales du motif de photorésist 20 et de la couche de matière 12. La figure 10 montre les étapes de formation d'une électrode de stockage 10a. La couche conductrice 10 est gravée de manière anisotrope en utilisant le motif de photorésist 20, le motif de couche de matière 12' et le polymère 13 comme masque de gravure, afin de former ainsi une électrode de stockage 10a. Bien que les procédés conventionnels enlèvent habituellement le sousproduit polymère avant la gravure, il est à noter que l'opération de gravure selon la présente invention est réalisée sans enlever le polymère 13. La figure 11 montre les étapes d'enlèvement du film isolant inter- couche 8 sous l'électrode de stockage 10a et le motif de couche de matière 12' grâce à un processus de gravure humide utilisant de l'ammoniaque (NH4) et de l'acide fiuorhydrique (EIF), une fois que le motif de photorésist 20 et le polymère 13 sont enlevés. Comme cela est représenté sur la figure 11, du fait que la couche conductrice 10 est gravée en utilisant le polymère 13 comme masque de gravure, l'espace B existant entre les électrodes de stockage est plus petit que l'espace A de la figure 9, du fait de la présence du polymère 13. Par exemple, lorsqu'une gravure anisotrope est réalisée par un procédé à plasma o des gaz CF4 et CHF3 sont utilisés, une fois que les couches de matière sont formées à une épaisseur d'approximativement 1500 10-10 m, un espace B entre les électrodes de stockage d'approximativement 0,2 micromètre peut être obtenu du fait que le polymère généré sur les parois latérales du motif de couche de matière agit comme un masque lorsque la couche conductrice est gravée. De plus, la quantité de polymère généré peut être ajustée en contrôlant l'épaisseur de la couche de matière, et des espaces de 0,2 micromètre et moins peuvent par conséquent être formés. Même si la présente invention utilise le même photorépéteur que le procédé conventionnel, un motif de formation d'une électrode de stockage est formé grâce à une couche composite constituée d'un photorésist et d'une couche de matière ayant des propriétés physiques différentes l'une par rapport à l'autre. Ainsi, le sous-produit de gravure résultant peut être utilisé afin de tracer l'électrode de stockage. Par conséquent, le motif d'espace peut être formé en dessous des limites d'exposition du photorépéteur utilisé, afin d'obtenir une capacité plus grande que celle du procédé conventionnel. Si le procédé ci-dessus de formation d'un motif fin de la présente invention est appliqué à une plaquette de mémoire vive dynamique de 16 mégabytes, une augmentation de capacité d'au moins 7 fF peut être obtenue (comparé à l'électrode de stockage de condensateur formée par le photorépéteur dans la bande i conventionnel). Les figures 12 et 13 sont des vues en coupe destinées à illustrer un procédé de formation d'une électrode de stockage de condensateur d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur, en tant que deuxième forme de réalisation d'un procédé de formation d'un motif fin selon la présente invention. Si l'on se réfère à la figure 12, le polymère 13 est formé selon le même processus que celui de la première forme de réalisation. La couche conductrice est gravée de façon inclinée en utilisant le motif de photorésist 20, le motif de couche de matière 12' et le polymère 13 comme masque comme masque de gravure afin de former ainsi une électrode de stockage 10Ob. A ce moment là, la gravure inclinée est réalisée en utilisant un procédé de gravure isotrope. Si l'on se réfère à la figure 13, une fois que le motif de photorésist 20 et le polymère 13 sont enlevés, le film isolant inter-couche 8 sous l'électrode de stockage 10Ob et le motif de couche de matière 12' sont enlevés par un processus de gravure humide utilisant de l'ammoniaque (NH4) et de l'acide fiuorhydrique (HF). Les figures 14 et 15 sont deux photographies de microscopes à balayage électronique montrant une coupe d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur formé grâce au procédé conventionnel tel qu'illustré sur les figures 2 à 6 et selon la deuxième forme de réalisation de la présente invention respectivement. Sur la figure 15, montrant la deuxième forme de réalisation de la présente invention, l'électrode de stockage est tracée grâce à un procédé de gravure inclinée afin d'enlever une partie de bord vif et former ainsi un profil qui est adouci dans son ensemble. Par conséquent, une marge de processus entre le condensateur et la ligne de bits devant être formée dans le processus consécutif peut être accrue. Les figures 16 à 18 sont des vues en coupe destinées à illustrer un procédé de formation d'une électrode de stockage d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur, en tant que troisième forme de réalisation d'un procédé de formation d'un motif fin selon la présente invention. La figure 16 représente les étapes de formation d'une couche conductrice 10 sur un substrat semi-conducteur 1 o un transistor est formé, selon le même processus que celui de la première forme de réalisation de la présente invention. La figure 17 montre les étapes de formation du motif de photorésist 20 et du polymère 13. Une fois qu'un photorésist est déposé sur la couche conductrice 10, le photorésist est tracé afin de former un motif d'électrode de stockage de condensateur grâce à un processus lithographique, afin de former ainsi le motif de photorésist 20. A ce moment là, si le processus lithographique est réalisé en utilisant un photorépéteur dans la bande i, la taille minimum de l'espace A entre les motifs de photorésist 20 est de 0,4 micromètre, comme dans l'état de la technique. Un processus de gravure anisotrope est alors réalisé grâce à un procédé à placement o des gaz CF4, CHF3 et argon (Ar) sont utilisés, sur toute la surface de la structure résultante o le motif de photorésist 20 est formé. Un polymère 13 en tant que sous-produit de gravure généré par le processus de gravure anisotrope est formé sur les parois latérales du motif de photorésist 20. La quantité de polymère peut être ajustée en modifiant le rapport entre les gaz CF4, CHF3 et Ar, et plus spécialement, davantage de polymère est généré lorsqu'un rapport molaire du gaz CHF3 est accru. De plus, une température de processus de la gravure anisotrope, c'est-à-dire la température de l'électrode inférieure d'une chambre de gravure, a une marge de processus allant d'une température relativement faible, par exemple -15 C, à une température plus normale, par exemple 15 C. La quantité de polymère peut ici être augmentée en diminuant la température. De plus, la pression à l'intérieur de la chambre de gravure ou la durée de gravure peut être accrue, afin d'augmenter ainsi facilement la quantité de polymère généré. La couche conductrice 10 est alors gravée de manière anisotrope en utilisant le motif de photorésist 20 et le polymère 13 comme masque de gravure, afin de former ainsi une électrode de stockage 10c. Le motif de photorésist 20 et le polymère 13 sont alors enlevés. Le film isolant inter-couche 8 sous l'électrode de stockage 10c est alors enlevé grâce à un processus de gravure humide utilisant de l'ammoniaque (NH4) et de l'acide fluorhydrique (HF). A ce moment là, l'espace B' entre les électrodes de stockage 1 Oc est plus étroit que l'espace A de la figure 17. Selon la troisième forme de réalisation de la présente invention, le motif destiné à former une électrode de stockage est formé avec une unique couche de photorésist plutôt qu'une couche composite constituée du photorésist et de la couche de matière dont les caractéristiques physiques sont différentes de celles du photorésist de la première forme de réalisation, réduisant ainsi le temps nécessaire pour le processus. De plus, la quantité de polymère peut facilement être commandée en ajustant le rapport de gaz, la température et la pression d'une chambre de gravure, et le temps de gravure dans un processus de gravure anisotrope utilisant un procédé à placement. Par conséquent, un espace de 0,2 micromètre ou moins entre les électrodes de stockage peut être formé. De plus, comme dans la deuxième forme de réalisation, le polymère peut être utilisé en tant que masque de gravure afin de réaliser une gravure inclinée de la couche conductrice. Dans un procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi- conducteur selon la présente invention, une unique couche de photorésist ou une couche composite constituée du photorésist et d'une couche de matière dont les propriétés physiques sont différentes de celles du photorésist est formée sur la couche devant être tracée. Un processus de gravure anisotrope est alors réalisé grâce à un procédé à plasma, et la couche est tracée en utilisant le sous-produit de gravure qui est généré et laissé sur les parois latérales de la couche unique ou de la couche composite comme masque de gravure. Par conséquent, un motif fin, qui est dessous de la limite d'exposition d'un photorépéteur peut être formé. Il en résulte qu'une intégration élevée du dispositif à semi- conducteur est possible grâce à un processus très simple et sans une augmentation de coût. Il est évident pour les gens du métier que la description précédente est une forme de réalisation préférée du dispositif divulgué et que différents changements et modifications peuvent être apportés à l'invention sans sortir de l'esprit et de la portée de celle-ci. il REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi- conducteur, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à: déposer un photorésist sur une couche (22) devant être dessinée qui est formée sur un substrat (21); tracer ledit photorésist grâce à un processus lithographique afin de former ainsi un motif de photorésist (25); réaliser un processus de gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante o ledit motif de photorésist (25) est formé, afin de former ainsi un sous- produit de gravure (26) sur la paroi latérale dudit motif de photorésist (25); et graver ladite couche (22) devant être tracée en utilisant ledit motif de photorésist (25) et ledit sous-produit de gravure (26) comme masque de gravure. 2. Procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi- conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre l'étape de formation d'une couche de matière sur ladite couche (22) devant être tracée, avant l'étape de dépôt dudit photorésist. 3. Procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi- conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que, après l'étape de dépôt de ledit photorésist, ledit procédé comporte en outre les étapes consistant à: tracer ledit photorésist grâce à un processus lithographique, afin de former ainsi un motif de photorésist (25); graver de manière anisotrope ladite couche de matière en utilisant le motif de photorésist (25) en tant que masque de gravure, afin de former ainsi un motif de couche de matière (23); et graver ladite couche (22) devant être tracée en utilisant un sous- produit de gravure (26) comme masque de gravure, qui est généré sur la paroi latérale du motif de couche de matière (23) pendant ledit processus de gravure anisotrope. 4. Procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi- conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le processus de gravure anisotrope destiné à produire ledit sous-produit de gravure (26) est réalisé grâce à un procédé à plasma dans lequel des gaz CF4, CHF3 et Ar sont utilisés. 5. Procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi- conducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la quantité dudit sous- produit de gravure (26) est commandée en modifiant le rapport desdits gaz CF4, CHF3 et Ar. 6. Procédé de formation d'un motif fin d'un dispositif à semi- conducteur selon la revendication I, caractérisé en ce que l'étape de gravure de ladite couche (22) devant être tracée en utilisant ledit motif de photorésist (25) et ledit sous-produit de gravure (26) comme masque de gravure est réalisé grâce à un processus de gravure inclinée. 7. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à: former de manière séquentielle un film isolant inter-couche (6), une couche d'arrêt de gravure (7) et une couche isolante (8) sur un substrat semi- conducteur (1) o un transistor composé d'une grille (3) et d'une zone de source/drain (4) est formé; graver de manière sélective ladite couche isolante (8), ladite couche d'arrêt de gravure (7) et un film isolant inter-couche (6) afin de former ainsi un trou de contact destiné à exposer ladite zone de source (4); former une couche conductrice (10) sur toute la surface de la structure résultante o ledit trou de contact est formé; déposer un photorésist sur ladite couche conductrice (10); exposer et développer ledit photorésist grâce à un procédé lithographique, afin de former ainsi un motif de photorésist (20) en fonction d'un dessin d'électrode de stockage de condensateur; réaliser un processus de gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante o ledit motif de photorésist (20) est formé, afin de former ainsi un sous-produit de gravure (13) sur la paroi latérale dudit motif de photorésist (20); graver ladite couche conductrice (10) o ledit motif de photorésist (20) et ledit sous- produit de gravure (13) sont utilisés comme masque de gravure, afin de former ainsi une électrode de stockage (lOc); et enlever ladite couche isolante (8). 8. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte en outre l'étape de formation d'une couche de matière sur ladite couche conductrice (10), avant l'étape de dépôt dudit photorésist. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que, après l'état de dépôt dudit photorésist, il comporte en outre les étapes consistant à: tracer ledit photorésist grâce à un processus lithographique, afin de former ainsi un motif de photorésist (20); graver de manière anisotrope ladite couche de matière en utilisant ledit motif de photorésist (20) comme masque de gravure, afin de former ainsi un motif de couche de matière (12); et graver ladite couche conductrice (10) en utilisant un sous-produit de gravure (13) comme masque de gravure, qui est généré sur la paroi latérale dudit motif de couche de matière (12) pendant ledit processus de gravure anisotrope. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape de gravure de ladite couche conductrice (10) en utilisant ledit motif de photorésist (20) et ledit sous-produit de gravure (13) comme masque de gravure est réalisé grâce à un processus de gravure inclinée.