FR 2707401 A1 19950113 FR 9308463 A 19930709 1 2,707401 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE INTEGRANT UN GUIDE OPTIQUE CLIVE A UN SUPPORT DE FIBRE OPTIQUE POUR UN COUPLAGE OPTIQUE GUIDE-FIBRE ET STRUCTURE OBTENUE DESCRIPTION La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice intégrant monolithiquement en particulier un ou plusieurs guides optiques de type ruban à extrémité clivée, à un support d'une ou plusieurs fibres optiques, l'axe optique de la ou des fibres devant être confondu avec l'axe optique du ou des guides. La structure monolithique est utilisable essentiellement dans le domaine des télécommunications optiques et des capteurs pour la télémétrie. En particulier, la structure intégrée peut être utilisée pour assurer le couplage d'une fibre optique avec une diode laser ou un récepteur optique d'un circuit de réception hétérodyne,-par exemple pour des systèmes de liaison optique en détection cohérente. Cette structure pourra aussi être utilisée pour les interconnexions optiques entre, par exemple des puces électroniques rapides à haut degré d'intégration ou entre ordinateurs ou encore à l'intérieur d'ordinateurs. L'invention est basée sur la gravure d'un substrat monocristallin en utilisant des plans cristallins du cristal, pour définir un logement en forme de V dans le substrat pour la fibre. Ce principe est notamment décrit pour un substrat de silicium dans le document (1) de H.P. Hsu et A.F. Milton, "Flip-chip approach to endfire coupling between single-mode optical fibres and channel waveguides", Electronics letters, vol. 12, N 16, Août 1976, p.404-405 et dans le document (2) de Blonder et al., US-A-4 966 433. 2 2707401 Ce principe est aussi utilisé pour des substrats en matériau III-V. Voir à cet effet le document (3) EP-A-420 028 et le document (4) de M. Hamacher et al., "A novel fibre/chip coupling technique with an integrated strain relief on InP", ECOC 92 à Berlin, p. 537-540, 1992. On a aussi envisagé la réalisation d'une gravure en forme de U dans du silicium, (voir le document (5) de G. Grand et ai., "New method for low cost and efficient optical connections between singlemode fibres and silica guides", Electronics Letters, vol. 27, n l, p. 16-18, Janvier 1991). La technique de gravure en forme de V du substrat en utilisant les plans cristallins est aussi décrite pour le couplage d'une diode laser et d'un photodétecteur dans le document (6) de C. Chen et S. Lee, "Monolithic integration of an AlGaAs/GaAs surface emitting laser diode and a photodetector", Appl. Phys. Lett. 59 (27), décembre 1991, p. 3592-3594. Il est par ailleurs connu, dans le document (7) de H. Blauvelt et ai., "AlGaAs lasers with micro- cleaved mirrors suitable for monolithic integration", Appl. Phys. Lett. 40(4), p.289-290, février 1992, la réalisation d'un laser en matériau III-V dont la face de sortie est réalisée par microclivage d'une poutre semi-conductrice surplombant le substrat, en utilisant des vibrations ultrasoniques. Cette technique de microclivage par ultrasons est aussi décrite dans le document (4) pour définir la face de sortie d'un guide optique. Pour assurer un couplage optimum entre l'extrémité d'une fibre et l'extrémité d'une structure guide, il est nécessaire que l'axe de la fibre optique et l'axe du guide soient confondus. Or, cet alignement guide-fibre est difficile à assurer du fait de la 3 2707401 différence de taille entre le diamètre de la fibre et la largeur du guide. En outre, la face de sortie du guide en regard de la fibre doit être parfaitement clivée. Les techniques de gravures en forme de U ou de V précédentes ne permettent pas un alignement optimum de la fibre et du guide. Par ailleurs, les techniques de microclivage par ultrasons décrites cidessus n'assurent pas un clivage parfait avec un seul plan cristallin qui est optimum pour le couplage fibre-guide, mais une multitude de microplans cristallins. Ces microplans cristallins modulés par les microfractures elles-mêmes produites par les ultrasons sont désastreuses pour un bon couplage fibre-guide. En outre, ces techniques de microclivage ne permettent pas une protection de la face clivée lors de l'approche de la fibre, cette dernière pouvant conduire à une dégradation de la face clivée au niveau de la zone active du guide optique en particulier, lorsque cette face clivée du guide constitue la partie émettrice d'un laser. Cette dégradation de la face clivée (face clivée qui est un miroir pour la cavité laser) altère fortement les performances dudit laser. L'invention a justement pour objet un nouveau procédé de fabrication d'une structure intégrée monolithique à guide optique clivé et un support de couplage pour fibre optique, fabriqué selon ce procédé, permettant de remédier à ces inconvénients. Elle permet en particulier le couplage d'une fibre optique avec un guide optique ou un laser, de façon optimum, sans risque de dégradation de la face clivée du guide ou du laser avec un maximum de réussite quant au clivage de la face de sortie du guide optique en bout de fibre. 4 2707401 Par ailleurs, dans la référence (4), il ne peut y avoir de couplage efficace entre le guide optique ruban et la fibre optique que si cette dernière a son extrémité effilée en forme de cône, ce qui complique la fabrication de la fibre, alors que le procédé de l'invention est applicable quelle que soit l'extrémité de la fibre et en particulier à une fibre simplement clivée. A cet effet, l'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une structure intégrée à guide optique clivé et support de fibre, comportant les étapes suivantes: a) - épitaxier successivement sur une surface plane d'un substrat monocristallin, parallèle à un premier plan d'orientation cristalline du substrat comportant des plans d'arrêt de gravure, une couche d'arrêt de gravure du substrat, une couche de confinement optique inférieur, une couche active et une couche de confinement optique supérieur; b) - graver (ou décaper) les couches épitaxiées selon un motif souhaité et de façon à former au moins un ruban guide optique dont une partie au moins est orientée parallèlement à une première direction d'orientation cristalline du substrat; c) recouvrir la structure obtenue en b) d'une couche de protection résistant à une attaque chimique anisotrope par voie humide du substrat; d) pratiquer de part et d'autre du motif, et dans la couche de protection, au moins deux ouvertures à axe longitudinal parallèle à la première direction du guide et communiquant selon une seconde direction perpendiculaire à cette première direction et parallèle à un plan de clivage de la structure; e) - soumettre à ladite attaque chimique anisotrope le substrat mis à nu lors de l'étape d), 2707401 cette attaque entraînant une gravure du substrat et la formation d'au moins une poutre orientée selon la première direction et ayant une extrémité libre et une extrémité fixe; et fú) - soumettre ladite poutre à l'action d'un jet de fluide sous pression entraînant le clivage de la poutre au niveau de son extrémité fixe. Selon l'application envisagée, la couche active peut être transparente (cas d'un guide de lumière) ou transparente-absorbante (cas d'un modulateur) ou encore amplificatrice (cas d'un laser ou d'un amplificateur optique), etc. Selon l'application envisagée, l'étape b) consiste à réaliser dans ces couches épitaxiées suivant la forme adaptée au dispositif recherché (guides, lasers, amplificateurs ou circuits optoélectroniques, ) par exemple une série de rubans guides optiques par les techniques de photolithographie et attaques chimiques humides connues de l'homme de l'art dans la direction . Les étapes c) à e) conduisent à une gravure du substrat en-dessous de chacune des poutres suffisamment profonde pour permettre un déplacement vertical de la poutre au-delà de sa limite élastique, et par conséquent le clivage de chaque poutre par jet de fluide sous pression. En revanche, avec une distance séparant la poutre du substrat trop faible pour permettre ce déplacement la rupture de celle-ci par jet de fluide n'est pas possible: sa déformation reste dans la limite élastique et n'atteint pas la position de rupture. Ceci est notamment le cas dans les procédés décrits dans les documents (4) et (7); aussi, ces microclivages nécessitent l'emploi d'une technique de 6 2707401 clivage par vibration ultrasonique beaucoup trop brutale pour obtenir à coup sûr un clivage efficace. Le procédé de l'invention s'applique à tout substrat monocristallin présentant des plans d'arrêt de gravure; ces plans forment en général un angle de 20 à avec la direction cristalline du substrat. Ces plans d'arrêt peuvent être des plans ou des plans . En particulier, le substrat est tel que pour la première direction parallèle à l'orientation , on obtient une gravure en forme de V, V dont les branches sont contenues dans des plans parallèles à ladite première direction. Ainsi, l'invention s'applique à un substrat en silicium utilisant une structure guide à base de silice et/ou de nitrure de silicium ou mieux à un substrat d'InP utilisant une structure guide à base de GaInAsP et d'InP. Lors de 1-a réalisation d'une structure optoélectronique sur InP, il est souhaitable d'utiliser une couche d'arrêt de gravure du substrat compatible avec les performances optiques recherchées et en particulier une couche d'arrêt de gravure non absorbante à la lumière utilisée, puisque celle-ci est conservée entre la structure guide et le substrat, dans le composant final. De préférence, on utilise une couche de GaInAsP alors que l'InGaAs utilisé dans le document (4) est un absorbant pour la lumière transmise ou émise par une structure en InP. (Pour un laser sur InP, l'émission se trouve autour de 1,55pm). Le jet de fluide peut être un jet d'eau sous pression ou un jet de gaz. En particulier, ce jet de fluide est un jet d'air sous pression. La couche de protection doit être en un matériau non attaquable chimiquement par la solution de 7 2707401 gravure utilisée pour le substrat. Dans le cas d'une solution d'attaque à base d'acide orthophosphorique et d'acide chlorhydrique pour gravure d'InP, on peut utiliser une couche de nitrure de silicium, une couche d'oxyde de silicium ou encore d'oxynitrure de silicium et en général toutes couches résistant aux solutions d'attaque chimique. Si nécessaire, il est possible d'effectuer, avant l'étape f), au moins une encoche dans la structure, au niveau de l'extrémité fixe de la poutre servant d'amorce de clivage. Cette encoche peut être formée n'importe o aussi bien sur la poutre que sur son point d'ancrage, à condition que cette encoche soit formée à proximité de l'extrémité fixe. L'ouverture du masque définit la forme de la gravure du substrat dans le plan . Ces ouvertures peuvent être rectangulaires, selon ce plan , avoir une largeur qui varie continûment, par exemple selon une forme en diabolo ou une largeur qui varie séquentiellement définissant ainsi, toujours dans ce plan, des marches. Ceci peut être réalisé en formant dans la couche de protection et de chaque côté du motif, au moins deux ouvertures de forme complémentaire et symétrique par rapport à un axe parallèle à la première direction. Afin d'assurer une manipulation de la structure obtenue, de façon aisée, il est possible de graver la structure obtenue en f), de façon à éliminer au moins une partie de la structure qui fait saillie dudit plan de clivage. La structure monolithique obtenue est destinée principalement à servir de support pour le couplage optique d'une ou plusieurs fibres optiques avec une ou plusieurs structures guides qui peuvent être des 8 2707401 structures lasers ou autres, ou encore des ensembles guides-lasers, etc. Aussi, l'invention a aussi pour objet un support de couplage optique monolithique d'au moins une fibre optique, la gravure sous la poutre réalisant un évidement en forme de V qui sert de support à la fibre. Le choix judicieux des cotes: épaisseurs des couches épitaxiées, largeurs des guides, longueurs des poutres, ouvertures des V (variables continûment ou séquentiellement) permet un couplage optimum guide- fibre. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée à titre illustratif et non limitatif en référence aux figures annexées, dans lesquelles: - la figure 1 représente schématiquement en perspective un support de couplage optique pour une fibre optique, conforme à l'invention; - les figures 2 à 9 illustrent schématiquement les différentes étapes de fabrication du support de la figure 1: les figures 2, 4, 5 et 7 sont des vues en coupe transversale et les figures 3, 6 et 8 sont des vues de dessus et la figure 9 est une vue en coupe longitudinale; - les figures 10 et 11 sont des variantes de réalisation du support de couplage optique bi-fibre, conforme à l'invention; - la figure 12 est une variante de réalisation du masque de gravure du substrat; - les figures 13a, 13b, 13c et 13d montrent la gravure du substrat sous la poutre à plusieurs V successifs obtenue à l'aide du masque de la figure 12; - la figure 14 est une autre variante de réalisation du masque de gravure du substrat; 9 2707401 - la figure 15 montre le substrat gravé en utilisant le masque de la figure 14; - la figure 16 est une autre variante de réalisation du masque de gravure du substrat; et - la figure 17 est une variante de mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. La figure 1 représente un monolithe porte-fibre et guide, de référence générale 2, pour supporter une fibre 4 et comportant un guide 6. L'axe optique de la fibre 4 et l' axe optique du guide 6 sont confondus. La fibre 4 est posée dans un évidement 10 ayant la forme d'un V, selon un plan perpendiculaire à la surface 16 du substrat et à la direction du guide 6. Le guide 6 comporte une face clivée 12 orientée perpendiculairement au guide optique 6 et faisant face à l'extrémité 4a clivée de la fibre optique 4. Le positionnement de la fibre optique 4, de façon que le coeur de la fibre soit en regard de la zone active clivée du guide 6, est assuré par les faces latérales 14 de l'évidement définissant les branches du V. Selon l'invention, la surface du substrat 16 sur laquelle est formé le guide 6 présente une orientation cristalline ; le guide 6 est parallèle à l'orientation cristalline du substrat et les faces 14 de l'évidement 10 en V sont des plans du substrat 8. Ces plans sont des plans d'arrêt de gravure. Grâce au procédé de l'invention, le couplage optique entre la fibre 4 et le guide 6 est optimum et permet une stabilité mécanique de l'ensemble fibre- support. De plus, les risques de dégradation de la face clivée 12 du guide, lors de l'approche de la fibre 4, sont fortement diminués par rapport au procédé connu de réalisation de ce support. 2707401 En outre, avec le support de l'invention, il est possible de réaliser un positionnement du coeur d'une fibre à moins de lpm près dans la direction verticale Z. On décrit ci-après la fabrication, conforme à l'invention, du support de couplage de fibre de la figure 1. On effectue tout d'abord, comme représenté sur la figure 2, l'épitaxie successive des différentes couches semi-conductrices de la structure monolithique à guide optique que l'on souhaite coupler à une fibre optique, sur la surface 16 du substrat 8 d'orientation cristalline , ainsi que des couches d'arrêt de gravure. Ainsi, on trouve dans l'ordre, une couche d'arrêt de gravure 18 au-dessus du substrat en GaInAsP de 25nm d'épaisseur; une couche 20 d'InP de confinement optique inférieur de lm d'épaisseur; une couche active 22 en GaInAsP de 650nm d'épaisseur; une couche 24 de confinement optique supérieur en InP de 300nm d'épaisseur; une couche 26 d'arrêt de gravure en GaInAsP de 25nm d'épaisseur puis une couche 28 d'InP de 700nm d'épaisseur. La composition de la couche 18 et celle de la couche 26 doivent être telles que le substrat 8 et la couche 28 respectivement puissent être gravés sélectivement par rapport à ces couches 18 et 26. Des compositions en In et P dans le GaInAsP respectivement de 0,743 et de 0, 405 peuvent être utilisées (pour une formule In0,743Ga0,257As0o,595P0, 405) En outre, la composition de la couche 22 doit être telle qu'elle présente un indice de réfraction supérieur à celui des couches de confinement 20 et 24. En particulier, les compositions en In et P de la il 2707401 couche 22 peuvent être respectivement en 0,743 et 0,405. Après l'épitaxie de ces différentes couches par MOCVD (dépôt chimique en phase vapeur en utilisant des organométalliques) ou autres méthodes d'épitaxie ou de dépôt connues, on réalise une gravure de la couche 28 pour former un ruban 30 assurant le confinement latéral de la lumière dans la couche active 22. Ce ruban a typiquement une largeur 1 de 3pm et la longueur L représentée sur la figure 3, de plusieurs centaines de pum. Cette gravure est réalisée par attaque chimique en utilisant un mélange de HCl et de H3PO4 dans le rapport 1/1 en volume. Selon l'invention, la plus grande dimension L (figure 3) du ruban 30 est parallèle à la direction cristallographique de la structure. On effectue ensuite une gravure de l'ensemble des couches pour donner la forme de la structure guide. Le motif obtenu porte la référence 32. La gravure des couches d'InP est réalisée comme ci-dessus et la gravure des couches de GaInAsP est réalisée par une attaque chimique à l'aide de la solution H3PO4 et HCl dans les proportions en volume 1/1. La figure 2 et la figure 3 montrent respectivement la structure finale obtenue après ces différentes gravures, en coupe et en vue de dessus. On recouvre alors l'ensemble de la structure gravée 32 et du substrat, comme représenté sur la figure 4, par une couche de protection 34 de Si3N4 de l'ordre de 100 nm d'épaisseur. Ensuite, comme représenté sur les figures 5 et 6 respectivement en coupe et en vue de dessus, on réalise deux ouvertures longitudinales, respectivement 36 et 38 dans la couche 34 de nitrure de part et d'autre du motif gravé 32. Ces ouvertures 36 et 38 sont orientées parallèlement à la direction de la structure cristalline et communiquent entre elles par le bord 40 de l'échantillon, bord orienté perpendiculairement à la surface 16 du substrat et à la direction . On note x, la direction du bord 40. Ainsi, le bord 40 de l'échantillon est parallèle à un plan de clivage de la structure. En outre, les extrémités respectivement 36a et 38a (figure 6) des ouvertures 36 et 38, opposées au bord 40, sont aussi parallèles aux plans de clivage selon x de la structure et situées à une distance D en retrait par rapport à l'extrémité 32a du motif 32 gravé. Cette distance D peut varier de quelques in à quelques centaines de pn, selon l'épaisseur de la structure à cliver. On effectue ensuite une attaque anisotrope chimique humide du substrat 8 mis à nu, lors de la réalisation des ouvertures 36 et 38, en utilisant la couche 34 ainsi gravée comme masque de gravure, comme représenté sur la figure 7 en coupe. La gravure chimique du substrat est réalisée en utilisant un mélange d'HCl et de H3PO4 dans le rapport en volume 1/1. Du fait de la communication des ouvertures 36 et 38 par le bord 40 de l'échantillon, on obtient une gravure 10 complète du substrat 8 endessous du motif 32, conduisant à la formation d'une poutre flexible 42 surplombant le substrat 8. L'évidement 10 ainsi obtenu dans le substrat 8 a la forme d'un V dans le plan de la figure. Les faces latérales 14 du V sont en fait des plans d'arrêt de gravure du substrat 8. Ainsi, l'attaque chimique ne se propage pas latéralement, au- delà de ces plans de gravure. 13 2707401 La figure 8 montre en vue de dessus la structure obtenue après élimination du masque 34 de nitrure de silicium. On soumet alors la poutre 42 fixée en son extrémité 42a, appelée extrémité fixe, à un jet de fluide sous pression et en particulier à un jet d'air sous pression, entraînant un clivage de la poutre au niveau de son extrémité fixe 42a selon la direction x. La structure obtenue est celle de la figure 9 en coupe longitudinale. Cette technique de microclivage est douce et permet l'obtention d'une face 12, clivée efficacement pour le guide optique. En outre, comme représenté sur la figure 9, une légère attaque chimique sélective conduit à l'obtention d'un retrait 44 de la couche active 22, assurant ainsi sa protection, lors de l'approche de la fibre optique sur la face clivée 12, les protubérances 46 de part et d'autre de la couche 44 empêchant l'extrémité de la fibre de rencontrer la couche active. Ainsi, le procédé de l'invention permet de diminuer les risques de dégradation de la face clivée de la zone active, contrairement aux procédés de l'art antérieur. Sur la figure 10, on a représenté une variante de réalisation du support de fibres, conforme à l'invention. Ce support de référence générale 52 se différencie du support 2 de la figure 1 par le fait qu'il comporte un second évidement 56 en forme de V situé dans le prolongement du guide optique 62, permettant ainsi le support d'une deuxième fibre optique 58. La réalisation de ce support bi-fibre 52 est identique à celle décrite précédemment à l'exception de la forme du masque de gravure qui doit comporter deux autres ouvertures, orientées selon la direction et formées du côté 60 opposé au bord 14 2707401 de l'échantillon. Ce guide optique 62 comporte donc une seconde face clivée 62a autoprotégée, en regard des extrémités clivées de la fibre 58. Le support de couplage représenté sur la figure 11 est aussi un support bi-fibre optique dans lequel les parties du substrat situées du même côté du guide 62 (à droite sur la figure 11) et de part et d'autre des faces clivées 12 et 62a du guide 62 ont été éliminées par gravure du substrat, soit simultanément à la gravure du substrat dégageant les poutres, soit en fin de procédé, en utilisant un masque approprié. Comme indiqué précédemment, la forme du masque de nitrure fixe la forme de l'évidement dans le plan . Ainsi, en utilisant un masque tel que représenté sur la figure 12, en vue de dessus, on obtient un évidement tel que représenté sur les figures 13a et 13b respectivement en coupe longitudinale et en perspective. En particulier, le masque 66 de la figure 12 comporte deux premières ouvertures latérales 68 et 70 orientées selon la direction dont la largeur a, mesurée parallèlement à la direction x parallèle au plan de clivage de la poutre, augmente progressivement par rapport à l'axe du guide 85 (ici de l'extérieur vers l'intérieur de l'échantillon), et ce de façon séquentielle, conduisant ainsi à la formation de marches en vue de dessus pour le masque. En utilisant la gravure chimique décrite précédemment puis le microclivage par jet d'air, on obtient, comme représenté sur les figures 13a et 13b, un évidement 72 ou sous-gravure du substrat 8 définissant 3V successifs V1, V2, V3 dont les branches sont parallèles mais décalées dans la direction verticale z. Les branches correspondent aux sections des plans par un plan perpendiculaire 2707401 à la direction du guide . Ainsi, la dimension de l'évidement en surface, selon le plan varie progressivement. En outre, le fond 74 de l'évidement définit un escalier. Ce système permet un positionnement précis vertical de la fibre optique 4, selon qu'elle repose sur les plans du V V1 ou les plans du V V2, etc... Par exemple, une augmentation de l'ouverture mesurée en surface du V de 1 pm entraînera une descente de l'axe de la fibre de 0,35 pm. Si l'axe optique de la fibre est trop haut par rapport à l'axe optique du guide-ruban 6, il faut éliminer le V V1 afin que l'axe optique de la fibre descende et que la fibre repose sur les plans du V V2, etc... A cet effet, on réalise, lors de l'attaque chimique du substrat et en utilisant - un masque approprié des "berlingots" (figures 13c et 13d) tels que 76a, 76b, 78a et 78b dont les faces en regard, respectivement 80a et 82a pour les "berlingots" 76a et 78a et 80b et 82b pour les "berlingots" 76b et 78b sont les plans du substrat et constituent donc les "plans" des V. L'élimination par simple fracture des "berlingots" 76a et 78a permet l'élimination du V V1. De même, l'élimination des "berlingots" 76b et 78b permet l'élimination du V V2 et donc le positionnement de la fibre 4 par rapport à la face clivée 84 du guide , dans le V3. Pour réaliser ces différents berlingots éliminables par simple arrachement, le masque de gravure doit être modifié comme représenté sur la figure 12. Il comporte deux ouvertures complémentaires 16 2707401 respectivement 68a et 70a, disposées aussi selon la direction . Ainsi, ces ouvertures donnent en particulier dans des plans cristallins les faces 78a et 83a du "berlingot" 78a. D'autres ouvertures 79 (figure 12) parallèles à l'axe x de quelques pm de large et espacées d'une centaine de pm vont révéler par attaque chimique les plans qui seront les faces C et D du "berlingot" 78a (voir figure 13d). Ce "berlingot" 78a ne tient au substrat que par une surface de base S facilement cassable. (Les autres "berlingots" sont similaires à celui-ci et obtenus de la même façon). Un autre système de positionnement précis non séquentiel mais variant continûment peut être obtenu avec un masque 87 tel que représenté sur la figure 14, masque dont les ouvertures 86 et 88 varient donc continûment selon une forme de "diabolo". Ce masque permet l'obtention d'une gravure en forme de V, 90 tel que représenté sur les figures 15a et 15b, à arête de fond légèrement bombée respectivement convexe ou concave. Par modification de l'inclinaison de la fibre 4 par rapport au plan du substrat, d'un angle 3 (par exemple par pression P (figure 15b), on peut optimiser le couplage entre la zone active du guide et le coeur de la fibre. Le désalignement angulaire f est de quelques minutes d'arc. Le basculement de la fibre 4 modifie donc son point d'appui sur les plans du V 90. Afin d'améliorer l'attaque chimique du substrat pour dégager la poutre 42, et en particulier augmenter la vitesse d'attaque du substrat, il est possible de réaliser, comme représenté sur la figure 16 en vue de dessus, des ouvertures 94 dans le masque 93 de nitrure, ces ouvertures 94 étant disposées dans le prolongement au-dessus de la poutre et donc du motif 32. 17 2707401 En outre, afin de faciliter le microclivage de la poutre 42 (voir figures 8 et 9), il est possible, comme représenté en vue de dessus sur la figure 17, de réaliser une encoche 92 au niveau de la poutre 42 et légèrement en retrait de l'extrémité fixe 42a jouant le rôle d'amorce de clivage. Cette encoche peut être réalisée sur toute la largeur de la poutre ou bien uniquement sur l'un des bords ou les deux bords de la poutre. Cetteencoche 90 doit être en avant de la face clivée 10 (figure 1), éloignée de la partie fixe de quelques pm, afin de s'affranchir de la gravure incomplète sous la poutre sur la face clivée 10. Cette encoche est réalisée lors de la gravure de la structure définissant la forme du motif 32. La description donnée précédemment n'a été donnée qu'à titre illustratif, d'autres variantes de mise en oeuvre pouvant être envisagées. En particulier, le guide optique peut ne pas être rectiligne et être composé de plusieurs segments dont l'un au moins est parallèle à la direction cristalline . Le procédé de l'invention est parfaitement bien adapté à la réalisation d'une structure laser- photodétecteur intégrée sur InP agencée comme décrit dans le document 6. En outre, le support de l'invention peut comporter plusieurs guides rubans parallèles à face clivée, chaque guide étant couplé, selon l'invention, à une fibre optique logée dans un V. 18 2707401 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une structure intégrée comportant au moins un guide optique clivé, comportant les étapes suivantes: a) - épitaxier successivement sur une surface plane (16) d'un substrat monocristallin (8), parallèle à un premier plan d'orientation cristalline du substrat comportant des plans d'arrêt de gravure (14), une couche d'arrêt de gravure (18) du substrat, une couche de confinement optique inférieur (20), une couche active (22) et une couche de confinement optique supérieur (24); b) - graver les couches épitaxiées selon un motif souhaité (32) et de façon à former au moins un ruban (30) guide optique dont une partie au moins est orientée parallèlement à une première direction d'orientation cristalline du substrat; c) - recouvrir la structure obtenue en b) d'une couche de protection (34) résistant à une attaque chimique anisotrope par voie humide du substrat; d) - pratiquer de part et d'autre du motif (32), et dans la couche de protection (34), au moins deux ouvertures (36, 38) à axe longitudinal parallèle à la première direction du guide et communiquant selon une seconde direction (40) perpendiculaire à cette première direction et parallèle à un plan de clivage de la structure; e) - soumettre à ladite attaque chimique anisotrope le substrat mis à nu lors de l'étape d), cette attaque entraînant une gravure (12) du substrat et la formation d'au moins une poutre (42) orientée selon la première direction et ayant une extrémité libre et une extrémité fixe (42a); et f) - soumettre ladite poutre à l'action d'un jet de fluide sous pression entraînant le clivage de la poutre au niveau de son extrémité fixe (42a). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (8) est en InP. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche d'arrêt de gravure (18) est en GaInAsP. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la première direction étant l'orientation , on obtient une gravure en forme de V dont les branches sont perpendiculaires à ladite première direction et perpendiculaires à ladite surface plane (16). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le jet de fluide est un jet d'air. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'on élimine la couche de protection (34) avant de cliver la poutre. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la couche de protection (34) est en nitrure de silicium. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'on effectue au moins une encoche (92) dans la structure, au niveau de l'extrémité fixe, avant l'étape f), jouant le rôle d'amorce de clivage. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, caractérisé en ce que les couches de confinement (20, 24) sont en InP et la couche active (22) en GaInAsP. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que l'étape a consiste à épitaxier successivement sur un substrat (8) 2707401 en InP, une couche d'arrêt de gravure (18) en GaInAsP, une couche de confinement optique inférieur (20) en InP, une couche active (22) en GaInAsP, une couche de confinement optique supérieur (24) en InP, une autre couche d'arrêt de gravure (26) en GaInAsP et une couche supérieure (28) d'InP de confinement latéral. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que les ouvertures (68, 70) ont une largeur (a) variable selon la seconde direction. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la largeur varie séquentiellement (68, 70) (figure 12). 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la largeur varie continûment (86, 88) (figure 14). 14. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'on forme dans la couche de protection et de chaque côté du motif, au moins deux ouvertures supplémentaires (68a, 70a) de largeur variable et en ce qu'on effectue la gravure du substrat, entraînant la formation de "berlingots" (76a, 78a, 76b, 78b) éliminables par cassure dont deux faces en regard (80a, 82a; 80b, 82b) définissent un V. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on forme des ouvertures (94) dans le masque dans le prolongement du motif (32) et de l'emplacement prévu pour la poutre (42). 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on grave la structure obtenue en f) de façon à éliminer au moins une partie de la structure qui fait saillie dudit plan de clivage. 21 2707401 17. Support de couplage optique monolithique d'au moins une fibre optique, caractérisé en ce qu'il consiste en une structure guide intégrée à guide optique (6) à face clivée (12), obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, la gravure sous la poutre du substrat (8) formant au moins un logement (10) en V pour la fibre (4). 18. Support de couplage selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs V successifs éliminables (V1, V2, V3) décalés dans la direction verticale (z) pour un positionnement précis de la fibre (4) par rapport à la face clivée (12) du guide optique.