FR 2704095 A1 19941021 FR 9404328 A 19940412 Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge La présente invention concerne un capteur d'images du type dispositif à couplage de charge (CCD); elle concerne plus particulièrement un dispositif MOS d'une section d'un circuit de sortie d'un capteur d'images du type dispositif à couplage de charge, qui emploie un amplificateur du type à diffusion flottante comme section de détection des signaux. Un CCD a une structure très simple, dans laquelle une multiplicité de transistors MOS est formée en un réseau régulier sur la surface d'un substrat semi-conducteur. Lorsqu'une certaine tension est appliquée à une porte d'un transistor MOS, on peut obtenir deux états. En premier lieu, on peut obtenir un état de non-équilibre dans lequel une couche de déplétion profonde est étendue dans une surface d'un substrat semi-conducteur. En second lieu, on peut également obtenir un état d'équilibre dans lequel sont accumulés des porteurs minoritaires. Des signaux logiques numériques de "0" ou "1" correspondent à chacun de ces deux états, réalisant ainsi un dispositif de mémoire ou un dispositif de traitement de signaux ayant une fonction opérationnelle. En outre, on peut utiliser comme signal analogique une charge de signal qui varie continuellement entre l'état de non-équilibre et l'état d'équilibre. Ainsi, on peut utiliser le CCD comme capteur d'images. Un capteur d'images utilise la caractéristique qu'une charge s'accumule dans un photorécepteur par un effet photonique de lumière, en d'autre termes un effet de conversion photoélec- trique grâce auquel un signal optique est changé en un signal électrique. La charge des signaux accumulés est déplacée séquentiellement dans le CCD par une impulsion d'horloge et est prélevée à l'extérieur en tant que sortie de signaux par l'intermédiaire d'une section de circuit de sortie de façon à être réalisée comme représentation d'une image. Comme section de circuit de sortie du capteur d'images du type CCD, on utilise principalement un amplificateur du type à diffusion flottante, du fait qu'on peut obtenir une tension de sortie élevée comme section de détection de signaux et que la capacitance flottante, c'est-à-dire une source génératrice de bruits, est faible. La figure 1 est une vue en plan schématique illustrant une section de sortie d'un dispositif à couplage de charge ayant un amplificateur conventionnel du type à diffusion flottante (Brevet US N0 4 660 064, inventeur: Masaharu Hamasaki et coll., titre de l'invention: Dispositif à couplage de charge ayant une région de diffusion flottante et une région de diffusion de préchargement qui sont alignées de façon à augmenter le gain de sortie, date du dépôt: 31 janvier 1986). Des portes de sortie 17 sont formées dans une extrémité d'une section de transfert 1 du CCD et un transistor MOS de préchargement (ou un transistor MOS de réinitialisation), constitué par une région de diffusion flottante 18, des portes de préchargement 25 et des drains de préchargement 23 sont formés séquentiellement. Un premier transistor MOS aiguilleur Ml est constitué par une région de source 20, une région de drain 21 et une électrode de porte 19 raccordée à une région de diffusion flottante 18, qui est bordée par un canal d'arrêt 22 représenté en tirets. La figure 2 est un schéma de circuit d'une section de sortie d'un dispositif à couplage de charge qui a l'amplificateur du type à diffusion flottante conventionnel. Une charge de signal, qui circule depuis une borne de sortie de la section de transfert 1 du CCD jusqu'à une diode 2 dans la région de diffusion flottante, est convertie en un signal de tension par un amplificateur de sortie 3 de façon à être détectée. L'amplificateur de sortie 3 est un circuit de détection de charge comportant le premier transistor aiguil- leur Ml de la figure 1. Le circuit de détection de charge utilise généralement un suiveur de source dont le gain de tension est proche de l'unité. Le repère 4 désigne un transistor de préchargement. La figure 3 est une vue en coupe prise selon la ligne III-III de la figure 1. Un substrat semi-conducteur 11 est formé en tant que type N, sur lequel est formé un puits semi-conducteur de type P 12. De multiples régions de type N 13 sont disposées en une matrice sur la surface du puits semi-conducteur 12. Une couche isolante 14, par exemple un film d'oxyde de silicium, est déposée sur chaque région de type N 13, et de multiples électrodes de transfert 15 sont chargées, constituant ainsi la section de transfert 1 du CCD de la figure 2. Par ailleurs, des impulsions d'horloge 01 et 02 de phases alternées sont prévues comme impulsions d'excitation appli- quées à une électrode de transfert 15, et une porte de sortie 17 et une région de diffusion flottante de type N+ 18 sont formées dans une extrémité de la section de transfert 1 du CCD. La région de diffusion flottante 18 est reliée à une électrode de porte 19 d'un premier transistor MOS aiguilleur Mi qui constitue un amplificateur de sortie 3. En outre, une région de drain de préchargement 23 est formée dans la surface du puits semi-conducteur 12, avec une région de canal 24 entre la région de diffusion flottante 18 et la région de drain de préchargement 23. Une couche isolante 14 est déposée sur la portion supérieure de la région de canal 24 de façon à former une électrode de porte de préchargement 25. Ainsi, on a formé un transistor de préchargement ayant une région de diffusion flottante 18 comme région de source. Ce qui suit est une description des opérations de transfert et de détection d'une charge de signal. Quand des impulsions d'horloge 01 et 02 sont appliquées à chaque électrode de transfert 15 du CCD, une charge de signal est transférée séquentiellement par l'intermédiaire d'une région de type N 13, qui est un canal de transfert formé dans la surface du substrat semi-conducteur 11. Une porte de sortie 17 formée dans une extrémité de la section de trans- fert du CCD transfère la charge du signal transféré à la région de diffusion flottante 18. La région de diffusion flottante 18 est raccordée à un amplificateur de sortie 3, c'est-à-dire à un circuit détec- teur de charge. L'amplificateur de sortie 3 comprend un premier transistor MOS aiguilleur Ml, dont l'électrode de porte 19 est reliée à la région de diffusion flottante 18 afin de détecter une valeur de tension de la région de diffusion flottante 18 dans laquelle est procurée une charge de signal. Par ailleurs, la région de diffusion flottante 18 devient une région de source en tant que partie du transistor de préchargement 4, et la région de drain 23 du transistor de préchargement est fixée par un potentiel prédéterminé VPD. Une série d'impulsions de tension de réinitialisation VPG est appliquée à une électrode de porte de préchargement 25 depuis un générateur d'impulsions de réinitialisation, et un transistor de préchargement est périodiquement rendu conduc- teur de façon à réinitialiser la région de diffusion flot- tante 18 par un potentiel VPD, qui est prédéterminée dans l'électrode de drain de préchargement 23. En conséquence, le potentiel électrique de la région de diffusion flottante 18 est toujours le même que le potentiel VPD qui est prédéterminé dans la région de préchargement 23 chaque fois que le transistor de préchargement est rendu conducteur. A ce moment, le transistor de préchargement 4 reste "non conducteur" pour une séparation électrique entre la région de drain 23 et la région de diffusion flottante 18, jusqu'à ce qu'un signal de charge soit fourni à la région de diffusion flottante 18. V__ désigne la tension appliquée à la porte de sortie 17. Par ailleurs, l'amplificateur de sortie 3 relié à la région de diffusion flottante 18 détecte un changement de tension dans lequel la tension est proportionnelle à la quantité de charge collectée dans la région de diffusion flottante et est inversement proportionnelle à la capacitance de la région de diffusion flottante. Le changement de tension est converti en une entrée d'un circuit de traitement des signaux approprié suivant. Un changement de tension AVOUT dans l'amplificateur de sortie 3 peut être exprimé comme suit: A V0 - OSIG CD relation dans laquelle QSIG est une quantité de charge de signal transférée à la région de diffusion flottante 18, et CCD est une capacitance totalisée comportant la capacitance parasite associée à la région de diffusion flottante. En se reportant à la figure 2, CFD = CB + Cp + CO + C1 + CIN. Ici, CB désigne la somme de la capacitance entre la région de diffusion flottante 18 et le puits semi-conducteur de type P 12 et de la capacitance entre la région de diffusion flot- tante 18 et la région de canal d'arrêt 22, Cp désigne la somme de la capacitance Cl entre la région de diffusion flottante 18 et l'électrode de porte de préchargement 25 et de la capacitance C2 entre l'électrode de préchargement 25 et le câblage de l'électrode de porte 19 du premier transistor MOS aiguilleur M1, Co désigne une capacitance entre la région de diffusion flottante 18 et la porte de sortie 17, Ci désigne la capacitance entre les conducteurs de l'amplificateur de sortie 3 et C7N désigne une capacitance d'entrée de l'amplifi- cateur de sortie 3. La sensibilité de détection d'une tension de signal détectée par l'amplificateur de sortie 3 est déterminée par la capacitance totalisée CFD associée à la région de diffusion flottante et par le gain de tension A. de l'amplificateur de sortie 3, qui utilise principalement un suiveur de source. C'est-à-dire que la sensibilité de détection est le rapport A /C. et est exprimée en coulomb par volt. Par ailleurs, en tant que dispositif capteur d'images, l'intégration est considérablement améliorée et ainsi chaque zone de pixel est réduite en proportion. En conséquence, une quantité de charge de signal QSIG transférée à la région de diffusion flottante est réduite, du fait que la quantité de charge de signaux accumulée dans une région de conversion photoélectrique est réduite. En conséquence, même si la quantité de charge de signaux est réduite, afin de détecter effectivement la charge de signal détectée résultant d'un changement de tension, c'est-à-dire pour améliorer la sensibilité de détection, la capacitance associée à la région de diffusion flottante doit être réduite de façon significative. De façon spécifique, il est néces- saire de réduire considérablement la capacitance d'entrée CIN de l'amplificateur de sortie 3, qui constitue une portion considérable de la capacitance totalisée CFD. La figure 4 est une vue en coupe prise selon la ligne IV-IV de la figure 1 montrant un circuit de détection de charge, c'est-à-dire le premier transistor MOS aiguilleur de l'ampli- ficateur de sortie 3, dans un capteur d'images du type dispositif à couplage de charge ayant un amplificateur du type à diffusion flottante conventionnel. Comme on le voit sur la figure 4, une région de source 20 et une région de drain 21 sont formées de façon à être partiel- lement recouvertes par une électrode de porte 19. Par ailleurs, pour le premier transistor MOS aiguilleur, une capacitance parasite Cm causée par le recouvrement de l'élec- trode de porte 19 et de la région de source 20 et une capacitance parasite Cd causée par le recouvrement de l'élec- trode de porte 19 et de la région de drain 21 provoquent l'augmentation de la capacitance d'entrée CIN de l'amplifica- teur de sortie 3 représenté sur la figure 2. Ici, la capacitance parasite Cm peut être compensée par l'effet Miller en fonction de l'opération d'aiguillage du premier transistor MOS aiguilleur, mais la capacitance parasite Cd contribue à une impédance d'entrée en utilisation sans compensation. Ainsi, la capacitance d'entrée d'un amplificateur de sortie est augmentée et la sensibilité de détection d'une section de détection de signaux du capteur d'images du type à couplage de charge intégré élevé pour traiter une faible quantité de charge de signal devient mauvaise. C'est un but de la présente invention de procurer un capteur d'images du type dispositif à couplage de charge ayant un amplificateur du type à diffusion flottante ayant une sensibilité de détection améliorée en diminuant la capaci- tance parasite d'un transistor MOS aiguilleur du circuit de détection de charge. Pour atteindre le but de la présente invention, il est procuré un capteur d'images du type dispositif à couplage de charge qui comprend un transistor aiguilleur comprenant un substrat, une région de drain formée en dessous de la surface du substrat, une électrode de porte formée sur le substrat et qui ne recouvre pas la région de drain, et une région de canal de déplétion formée entre la surface du substrat et raccordée à la région de drain dans une région comprise entre l'électrode de porte et la région de drain. Selon la présente invention, il est également procuré un capteur d'images du type dispositif à couplage de charge, qui comprend un transistor aiguilleur comprenant un substrat, une région de drain formée en dessous de la surface du substrat, une électrode de porte formée dans le substrat et qui ne recouvre pas la région de drain, et une région de drain noyée formée en étant noyée dans le substrat et raccordée à la région de drain dans une région comprise entre l'électrode de porte et la région de drain. Par ailleurs, le capteur d'images du type dispositif à couplage de charge comprend en outre une couche de canaux formée en dessous de la surface du substrat, une région de diffusion flottante formée à l'extrémité de la couche de canaux, une multiplicité de moyens d'électrodes formés sur la couche de canaux et un transistor ayant la région de diffu- sion flottante comme région de source. L'électrode de porte est raccordée à la région de diffusion flottante. La région de canaux de déplétion est formée de telle sorte qu'elle est partiellement recouverte par l'électrode de porte. Le type conducteur de la région de canaux de déplétion est le même que celui de la région de drain, et la concentra- tion d'impuretés est plus faible que celle de la région de drain. Par ailleurs, la tension amenée à la région de drain n'est pas inférieure à celle amenée à l'électrode de porte, de façon à appauvrir totalement la région de canaux de déplétion lorsque le dispositif est en service. L'électrode de porte est divisée en une première électrode de porte et une deuxième électrode de porte qui se recouvrent partiellement l'une l'autre et entre lesquelles est intro- duite une couche isolante. Par ailleurs, la région de canaux de déplétion est formée de façon à être auto-alignée avec la première électrode de porte, de façon à former la deuxième électrode de porte sur la région des canaux de déplétion. On prévoit en outre sur la région de drain noyée une région de déplétion de surface ayant le même type conducteur que le substrat, et la région de drain noyée est formée pour être auto-alignée avec l'électrode de porte. Les buts et avantages ci-dessus de la présente invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description détaillée d'une réalisation préférée de l'invention, en se référant au dessin joint, sur lequel: - la figure 1 est une vue en plan schématique montrant une section de sortie d'un capteur d'images du type CCD ayant un amplificateur du type à diffusion flottante conventionnel; - la figure 2 est un schéma de circuit montrant une section de sortie d'un capteur d'images du type CCD ayant un amplifi- cateur du type à diffusion flottante conventionnel; - la figure 3 est une vue en coupe prise selon la ligne III-III de la figure 1; - la figure 4 est une vue en coupe prise selon la ligne IV-IV de la figure 1; - la figure 5 est une vue en plan schématique montrant une section de sortie d'un capteur d'images du type CCD ayant un amplificateur du type à diffusion flottante selon la présente invention; - la figure 6 est une vue en coupe partielle montrant une section de circuit de détection de charge d'une première réalisation de la présente invention, prise selon la ligne VI-VI de la figure 5; - la figure 7 est une vue en coupe partielle d'une section de circuit de détection de charge d'une deuxième réalisation de la présente invention, cette figure correspondant à la figure 6; - la figure 8 est une vue en coupe partielle montrant une section de circuit de détection de charge d'une troisième réalisation de la présente invention, cette figure correspon- dant à la figure 6; et - la figure 9 est une vue en coupe partielle montrant une section de circuit de détection de charge d'une quatrième réalisation de la présente invention, cette figure correspon- dant à la figure 6. On va maintenant expliquer plus en détail la présente invention en se reportant aux dessins joints. La figure 5 est une vue en plan schématique montrant une section de sortie d'un capteur d'images du type CCD ayant un amplificateur du type à diffusion flottante selon la présente invention. La figure 5 montre une partie du transistor MOS aiguilleur qui constitue un circuit de détection de charge dans un amplificateur du type à diffusion flottante adapté à une section de circuit de sortie d'un capteur d'images du type CCD. Le circuit de détection de charge utilise principalement un suiveur de source caractéristique, qui fonctionne avec une unité de gain de tension Av. A ce moment, les mêmes repères que sur la figure 1 désignent des composants identiques. En se reportant à la figure 5, l'électrode de porte 19 du transistor MOS aiguilleur est raccordée à une région de diffusion flottante 18. En outre, la région de source 20 est auto-alignée avec l'électrode de porte, et une partie de la région de source est recouverte par l'électrode de porte. Par ailleurs, à la différence de la région de source 20, la région de drain 21 est formée en maintenant un espacement prédéterminé par rapport à l'électrode de porte 19 de façon à éviter que la région de drain soit recouverte par l'élec- trode de porte 19. En outre, un canal de déplétion 27 est formé entre l'électrode de porte 19 et la région de drain 21, en contact avec la région de drain et recouvrant partielle- ment l'électrode de porte. D'autre part, si le substrat semi-conducteur est dopé avec des impuretés de type P, la région de source 20 et la région de drain 21 sont dopées avec des impuretés de type N avec une concentration élevée, tandis que le canal de déplétion 27 est dopé avec des impuretés de type N à une concentration inférieure à celles de la région de source et de la région de drain. Lorsque l'amplificateur du type à diffusion flottante ayant la structure représentée sur la figure 5 est en service, si les tensions amenées à l'électrode de porte 19 et à la région de drain 21 sont commandées de telle sorte que le canal de déplétion 27 soit complètement appauvri; en d'autres termes, si une polarisation de la région de drain est commandée pour être supérieure à la tension de service de l'électrode de porte, alors, la capacitance parasite produite entre l'élec- trode de porte 19 et la région de drain 21 est considérable- ment réduite. Première réalisation La figure 6 est une vue en coupe partielle prise selon la ligne VI-VI de la figure 5, montrant un transistor MOS aiguilleur formé selon une première réalisation de la présente invention. L'électrode de porte 19 est formée sur un substrat, par exemple un substrat semi-conducteur 10, et la région de source 20 et la région de drain 21 sont formées sur le substrat des deux côtés de l'électrode de porte respective- ment. Par ailleurs, la région de source 20 est formée pour être autoalignée avec l'électrode de porte 19 de sorte qu'une partie de la région de source est recouverte par l'électrode de porte. La région de drain 21 est formée en maintenant un espacement prédéterminé par rapport à l'élec- trode de porte 19. Un canal de déplétion 27 est formé sur le substrat semi-conducteur sous l'électrode de porte 19, de telle manière que l'électrode de porte 19 soit en contact partiel avec la région de drain 21. D'autre part, si le substrat semi-conducteur 10 est dopé avec des impuretés de type P, la région de source 20, la région de drain 21 et le canal de déplétion 27 sont dopés avec des impuretés de type N. Comme on peut le voir sur la figure 6, la surface inférieure du canal de déplétion 27 est formée à un niveau plus haut que la région de drain 21. Toutefois, même si la surface infé- rieure du canal de déplétion 27 est inférieure à celle de la région de drain 21, il est évident que ceci ne s'écarte pas de la portée de la présente invention. Deuxième réalisation La figure 7 est une vue en coupe d'une section de circuit de détection de charge d'une deuxième réalisation de la présente invention, et elle correspond à la figure 6. A la différence de la première réalisation, l'électrode de porte de la deuxième réalisation est divisée en deux por- tions. En se reportant à la figure 7, l'électrode de porte est divisée en une première électrode de porte 19a et une deuxième électrode de porte 19b. D'autre part, le canal de déplétion 27 est auto-aligné avec la première électrode de porte 19a. Ceci vise à augmenter la régularité et la fiabilité de la caractéristique de fonctionnement d'un transistor aiguilleur qui est sensible à la longueur du canal. La deuxième élec- trode de porte 19b est formée sur le canal de déplétion 17 de façon à éviter le recouvrement de la région de drain 21. Dans la deuxième réalisation, les tensions amenées aux électrodes de porte 19a et 19b et la polarisation de la région de drain sont également correctement commandées, c'est-à-dire que la polarisation de la région de drain est commandée pour être supérieure à la tension amenée à l'élec- trode de porte, ce qui réduit considérablement la capacitance parasite produite entre l'électrode de porte et la région de drain. Troisième réalisation La figure 8 est une vue en coupe d'une section de circuit de détection de charge d'une troisième réalisation de la présente invention, et elle correspond à la figure 6. En se reportant à la figure 8, la région de source 20 et la région de drain 21 sont formées en dessous de la surface du substrat semi-conducteur 10, et une couche isolante (non représentée) est insérée sur le substrat semi-conducteur entre la région de source et la région de drain, formant ainsi une électrode de porte 19. En outre, une région de drain noyée 28, qui est en contact partiel avec la région de drain 21, est formée à une profondeur prédéterminée de la surface du substrat semi-conducteur 10, tandis que l'élec- trode de porte 19 et la région de drain 21 sont séparées d'un intervalle prédéterminé de façon à éviter tout recouvrement. La région de drain noyée 28 est formée en implantant l'impu- reté d'un type conducteur différent du substrat semi-conduc- teur en employant une méthode courante d'implantation d'ions à haute énergie. Par ailleurs, du fait que l'électrode de porte 19 fonctionne comme un masque anti-implantation pendant l'implantation d'ions, la région de drain noyée 28 est formée pour être auto-alignée avec l'électrode de porte 19. D'autre part, le substrat semi-conducteur entre la région de drain noyée 28 formée dans le corps du substrat semi- conducteur 10 et l'électrode de porte 19 conserve sa densité d'impuretés initiale. Si le substrat semi-conducteur 10 est du type P-, la région de source 20 et la région de drain 21 sont du type N++ et la région de drain noyée 28 peut être formée en un type N+. En conséquence, lorsque le transistor fonctionne, si la tension est appliquée à l'électrode de porte et à la région de drain, le canal entre la région de source et la région de drain noyée 28 est formé à une profondeur prédéterminée de la surface du substrat semi-conducteur. En outre, une couche de déplétion de surface causée par la jonction PN est formée dans la portion supérieure de la région de drain noyée 28, réduisant ainsi considérablement la capacitance parasite entre l'électrode de porte 19 et la région de drain 21. Par ailleurs, à la différence des première et deuxième réalisations, dans la troisième réalisation, la capacitance parasite entre l'électrode de porte et la région de drain peut être considérablement réduite même si la tension amenée à la région de drain 21 est égale à celle amenée à l'élec- trode de porte 19, et non seulement lorsque la première est supérieure à la deuxième, du fait de la couche de déplétion de surface formée dans la portion supérieure de la région de drain noyée 28. Ainsi, la condition de fonctionnement générale pour un circuit suiveur de source d'un capteur d'images peut être satisfaite. Ouatrième réalisation La figure 9 est une vue en coupe d'une section de circuit de détection de charge d'une quatrième réalisation de la présente invention et elle correspond à la figure 6. La quatrième réalisation utilise le même principe que la troisième réalisation. Ici, la différence est que la couche de déplétion de surface 29 est formée en faisant varier seulement la concentration d'impuretés ayant la même conduc- tivité que le substrat semi-conducteur 10 sur la région de drain noyée 28. Autrement dit, lorsque le substrat semi-conducteur 10 est du type P-, une couche de déplétion de surface de type P 29 est formée entre la région de source 20 et la région de drain 21, qui sont formées sur la région de drain noyée de type N+ 28. Comme il est montré dans les réalisations précédentes, dans un capteur d'images de type CCD de la présente invention, la capacitance parasite entre l'électrode de porte et la région de drain d'un transistor MOS aiguilleur ayant environ un tiers de la capacitance d'entrée d'un suiveur de source caractéristique, qui constitue un circuit de détection de charge, peut être remarquablement réduite, d'o il résulte une meilleure sensibilité de détection de charge. Bien que les réalisations préférées aient été décrites, l'homme de l'art pourra introduire des variantes en restant dans l'esprit de la présente invention tel que déterminé par les revendications jointes. Revendications 1. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge, qui comprend un transistor aiguilleur comprenant: un substrat (11); une région de drain (21) formée en dessous de la surface dudit substrat; une électrode de porte (19) formée sur ledit substrat et qui ne recouvre pas ladite région de drain; et une région de canal de déplétion (27) formée en dessous de la surface du substrat et raccordée à ladite région de drain (21) dans une région comprise entre l'électrode de porte (19) et la région de drain (21). 2. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 1, dans lequel la région de canal de déplétion (27) est partiellement recouverte par l'électrode de porte (19). 3. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 2, dans lequel l'électrode de porte (19) est divisé en une première électrode de porte (19a) et une deuxième électrode de porte (19b) qui se recouvrent mutuellement et dans lequel une couche isolante est insérée entre les deux électrodes. 4. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 3, dans lequel la région de canal de déplétion (27) est auto-alignée avec la première électrode de porte (19a) et dans lequel la deuxième électrode de porte (19b) est formée sur cette région de canal de déplétion. 5. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 1, dans lequel la tension amenée à la région de drain (21) n'est pas inférieure à celle amenée à l'électrode de porte (19). 6. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 1, dans lequel la région de canal de déplétion (27) a la même conductivité que la région de drain (21). 7. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 6, dans lequel la concentration des impuretés de la région de canal de déplétion (27) est inférieure à celle de la région de drain (21). 8. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 1, dans lequel la surface inférieure de la région de canal de déplétion (27) est plus élevée que celle de la région de drain (21). 9. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 1, comprenant en outre une couche de canaux (13) formée en dessous de la surface du substrat, une région de diffusion flottante (18) formée à l'extrémité de cette couche de canaux, une multiplicité de moyens d'électro- des (15) formés sur cette couche de canaux, et un transistor ayant cette région de diffusion flottante comme région de source, dans lequel l'électrode de porte (19) est raccordée à la région de diffusion flottante (18). 10. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge, qui comprend un transistor aiguilleur, comprenant: un substrat (11) une région de drain (21) formée en dessous de la surface du substrat; une électrode de porte (19) formée sur le substrat de façon à ne pas recouvrir cette région de drain (21); et - une région de drain noyée (28) formée pour être noyée dans le substrat et pour être raccordée à la région de drain (21) dans une région comprise entre l'électrode de porte (19) et la région de drain (21). 11. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 10, comprenant en outre une couche de déplétion de surface (29) formée sur cette région de drain noyée (28). 12. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 10, dans lequel la couche de déplétion de surface (29) est constituée par des impuretés ayant la même conductivité que le substrat (11). 13. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 10, comprenant en outre une couche de canaux (12) formée en dessous de la surface du substrat, une région de diffusion flottante (18) formée à l'extrémité de cette couche de canaux, une multiplicité de moyens d'électro- des (15) formés sur cette couche de canaux, et un transistor ayant cette région de diffusion flottante comme région de source, dans lequel l'électrode de porte (19) est raccordée à la région de diffusion flottante (18). 14. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 10, dans lequel la concentration des impuretés de la région de drain (21) est supérieure à celle de la région de drain noyée (29). 15. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 10, dans lequel la région de drain noyée (28) est auto-alignée avec l'électrode de porte (19). 16. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 10, dans lequel la région de drain noyée (28) est partiellement recouverte par la région de drain (21). 17. Capteur d'images du type dispositif à couplage de charge selon la revendication 10, dans lequel la surface inférieure de la région de drain noyée (28) est en dessous de celle de la région de drain (21).5