FR 2703474 A1 19941007 FR 9403788 A 19940330 Matériau de couche optique composé d'un oxyde métallique, son procédé de préparation et son utilisation dans des composants optiques La présente invention concerne un matériau de couche composé d'un oxyde métallique, un oxyde de titane (Ti O 2) spécifique, un pentoxyde de tantale (Ta 2 Os) spécifique, une couche optique réalisée à partir d'un matériau du type sus- mentionné, un système de couches optiques formé d'au moins une couche de ce type, un composant optique comportant une couche ou un système de couches du type sus-mentionné, un guide d'ondes comportant une couche du type sus-mentionné, et enfin un procédé pour la fabrication d'un matériau du type sus-mentionné approprié pour des couches optiques. L'état de la technique auquel il peut être fait référence est le suivant: ( 1) "Integrated Optics: Theory and Technology", R G. Hunsperger, Springer-Verlag 1984; ( 2) Arnold et al, "Thin solid films", 165, ( 1988), pp. 1 à 9, "Ion beamu sputter deposition of low loss A 1203 films for integrated optics"; ( 3) Goell & Stanley, "Sputtered Glass Waveguides for Integrated Optical Circuits", in Bell Syst Tech J 48, 3445 ( 1969); ( 4) M D Himel et al, "IEEE Photonics Technology Letters" 3 ( 10), ( 1991), p 921 et pages suivantes; ( 5) C Henry et al, Appl Optics, 26 ( 13), 1987, 2621, "Low Loss Si 3 N 4-Si O 2 Optical Waveguides on Si"; ( 6) J Appl Phys 71 ( 9), ( 1992), p 4136, Grâupner et al; ( 7) demande de brevet DE-A-41 37 606; ( 8) "Plasma-Impulse CVD Deposited Ti O 2 Waveguiding Films: Properties and Potential Applications in Integrated Optical Sensor Systems", Mat Res Soc, Spring Meeting San Francisco, 1992, Conference publication; ( 9) "Magnetron sputtering deposited Al N waveguides: Effect of the structure on optical properties", A Cachard et al., Vacuum 41/numéros 4- 6/pp 1151 à 1153/1990; ( 10) Applied Optics, vol 14, N 9, septembre 1975, New York, US, pp 2194-2198, Ingrey et al, "Variable Refractive Index and Birefringent Waveguides by Sputtering Tantalum in 02/N 2 Mixtures"; ( 11) Journal of Vacuum Science and Technology, vol 11, N 1, janvier 1974, New York, US, pp 381-384, Westwood et al, "Effect of Pressure on the Properties of Reactively Sputtered Ta 205 "; ( 12) Journal of Electronic Materials, vol 3, N 1, 1974, US, pp 37-50, Cheng et al, "Losses in Tantalum Pentoxide Waveguides"; ( 13) Proceedings of the Spie: Hard Materials in Optics, vol 1275, 14 mars 1990, La Haye, NL, pp 75-79, Howson et al., "The Reactive Sputtering of Hard Optical Films of Tin Oxide"; ( 14) Journal of Vacuum Science and Technology: partie A, vol 2, N 2, avril 1984, New York US, pp 1457-1460, Demiront et al, "Effects of Oxygen in Ion/Beam Sputter Deposition of Titanium Oxides"; ( 15) Surface and Coatings Technology, vol 49, N 1-3, 10 décembre 1991, Lausanne, pp 239-243, Martin et al, "Deposition of Ti N, Ti C, and Ti O 2 Films by Filtered Arc Evaporation". D'après le document ( 9), on connaît un moyen qui consiste à fabriquer à l'aide d'une pulvérisation réactive en courant continu des couches de nitrure métallique, à savoir des couches d'Al N, qui, lorsqu'elles sont utilisées comme couche guide d'ondes, donnent pour 633 nm dans le mode TE O des pertes supérieures à environ 11 d B/cm, et on parle de couches de ce type présentant des pertes allant jusqu'à 5 d B/cm. Le document ( 4) décrit un moyen de fabriquer du Ti O 2 qui, utilisé comme couche guide d'ondes, donne des pertes inférieures à 10 d B/cm, sans spécifier pour quel mode d'onde et avec quelles longueurs d'onde lumineuse On connaît par ailleurs, d'après ce document, un moyen de mettre en oeuvre du Ta 205 pour des couches guides d'ondes avec lesquelles on obtient des pertes inférieures à 5 d B/cm, le mode de propagation et la longueur d'onde lumineuse n'étant pas spécifiés Les couches sont fabriquées ici à l'aide d'un procédé de revêtement ionique. Conformément à ces indications, le document ( 7) ( 1991) indique que, bien que l'oxyde de titane soit un matériau très approprié pour des guides d'ondes à couche mince en raison de ses propriétés physiques et chimiques, car il présente un indice de réfraction très élevé, une bonne stabilité chimique et une dureté élevée, on ne connaît pas, dans la littérature, de procédé pour la fabrication d'un guide d'ondes à couche mince en Ti O 2 présentant des pertes faibles, car le Ti O 2 a une forte tendance à la cristallisation lors de sa fabrication. Ce document ( 7) propose en conséquence de déposer un Ti O 2 approprié comme couche guide d'ondes à l'aide d'un procédé CVD (dépôt par voie chimique en phase vapeur) à plasma à micro-ondes pulsé Utilisé comme couche guide d'ondes, le Ti O 2 fabriqué selon ( 7) donne, pour des ondes TE,, d'une longueur d'onde non définie en détail, des pertes d'environ 2,5 d B/cm En ce qui concerne la longueur d'onde, fondamentalement, plus la longueur d'onde est courte et plus les pertes sont élevées. D'après le document ( 2), on connaît un moyen de fabriquer par pulvérisation par faisceau ionique des couches d'A 1203 présentant des pertes faibles, inférieures à 1 d B/cm, avec un mode de propagation et une longueur d'onde lumineuse non spécifiés En raison du faisceau ionique mis en oeuvre, le procédé de fabrication proposé ne convient pas pour des surfaces assez grandes et présente une vitesse de revêtement relativement faible Cela conduit en conséquence à une fabrication de couche non rentable. D'après le document ( 3), on connaît un moyen d'utiliser, comme matériau pour des couches guides d'ondes, du verre obtenu par pulvérisation cathodique HF Le document ( 5) propose de produire un matériau approprié pour être utilisé comme guide d'ondes par CVD à plasma à basse pression, suivi d'un recuit. Le document ( 8) propose de fabriquer par CVD à impulsions de plasma du Tio 2 qui, lorsqu'il est utilisé comme guide d'ondes monomode, donne des pertes de 2,4 d B/cm dans un mode TE, et de 5,1 d B/cm dans le mode TM,, pour 633 nm dans les deux cas Bien que l'on connaisse le document ( 9), ( 6) explique encore qu'on obtient avec une pulvérisation réactive de couches de nitrure métallique, à savoir d'Al N, d'une cible métallique, des couches qui, utilisées comme couche guide d'ondes, donnent des pertes très élevées de 300 d B/cm, avec un mode de propagation non défini en détail En raison des pertes extrêmement élevées, un tel matériau ne peut pratiquement plus être appelé matériau de couche optique, et encore moins être considéré comme approprié pour des couches guides d'ondes. Comme le Ti O 2 dont il est question dans le document ( 7), d'autres oxydes métalliques seraient aussi très appropriés comme matériau de couche optique, étant précisé toutefois que des procédés de fabrication connus pour cela comme la pulvérisation par faisceau ionique ( 2), le CVD à plasma à micro-ondes pulsées ( 7), le CVD à impulsions de plasma ( 8), le CVD à plasma à basse pression ( 5) ou le procédé de revêtement ionique ( 4), présentent des inconvénients surtout en ce qui concerne le revêtement et la vitesse de revêtement de grandes surfaces, et l'application étendue de matériaux de couches de ce type, justifiable commercialement, n'est donc que difficilement réalisable. Les observations ressortant du document ( 7) selon lesquelles le Ti O 2 a tendance à la cristallisation lors de sa fabrication sont également rapportées en 1975 dans le document ( 10) à propos du Ta 2 05 D'après ce document, il a été proposé dès 1975 des couches guides d'ondes obtenues par pulvérisation réactive par diode en courant continu, la pulvérisation se faisant dans une atmosphère de mélange de gaz N 2 et 021 ainsi que des couches de nitrure oxyde de tantale. Avec des vitesses de revêtement d'environ 0,4 is et des températures d'environ 2001 C, on observe dans les modes TE, et TM, des pertes '1 d B/cm pour une longueur d'onde d'environ 633 nm Ces résultats sont attribués à la proportion de nitrure dans l'atmosphère de pulvérisation cathodique. Dans le document ( 11) de 1974, on connaît un moyen, déjà pris en compte dans le document ( 10), de déposer, pour la fabrication de condensateurs à couche mince et de guides d'ondes optiques, des couches de Ta 2 05 par pulvérisation réactive par diode en courant continu dans une atmosphère 02/argon En cas de variation des paramètres de pulvérisation les plus divers, on décrit pour les meilleures couches obtenues des pertes d'environ 1 d B/cm On constate les corrélations suivantes: avec une augmentation de la pression de pulvérisation: augmentation des pertes optiques; augmentation de la vitesse de revêtement; diminution de la température de revêtement. Les températures observées sont de 1601 C à 3501 C pour une pression de fonctionnement basse d'environ 1,6 10-2 mbar ( 1,6 Pa), et d'environ 1801 C pour une pression de fonctionnement plus élevée d'environ 8 10-2 mbar ( 8 Pa). Dans le document ( 12), des comparaisons, également mentionnées dans les documents ( 10) et ( 11) et dans les articles cités précédemment, en partie des mêmes auteurs, sont établies entre des couches de Ta 2 05 déposées suivant des procédés différents, comme par exemple entre des couches déposées par pulvérisation réactive en courant continu et par pulvérisation métallique avec oxydation thermique subséquente à des températures de 5501 C à 6501 C Pour des couches de Ta 2 05 déposées par pulvérisation réactive en courant continu, on obtient dans le mode TE, des pertes de 1 à 6 d B/cm pour des vitesses de revêtement d'environ 0,12 A/s et des températures de traitement de 200 'C. Avec une synthèse des documents ( 12) à ( 10), on obtient un développement de la fabrication de couches de Ta 205 à faibles pertes grâce au passage aux couches de nitrure oxyde de tantale avec une pulvérisation réactive par diode en courant continu avec des vitesses de revêtement relativement faibles et des températures de revêtement relativement élevées. D'après le document ( 13), on connaît la fabrication de couches de Sn O 2 par pulvérisation en courant continu Les résultats de mesure divulgués par ce document révèlent des pertes exprimées en d B/cm d'un ordre de grandeur de 3 104 d B/cm. D'après le document ( 14), il et connu de fabriquer des couches de Ti O 2 par pulvérisation par faisceau ionique. Une estimation des données de mesure publiées donne des pertes de l'ordre de 400 d B/cm. D'après le document ( 15), enfin, il est connu de fabriquer des couches de Ti N, Ti C et Ti O 2 par évaporation par arc A partir de la constante d'extinction, qui est de 0,07 avec un matériau de couche de T 102, pour une longueur d'onde de 633 nm, on obtient des pertes optiques très élevées. Sous un premier aspect, la présente invention a pour but de proposer un matériau de couche optique composé d'un oxyde métallique dont la fabrication soit substantiellement moins coûteuse, qui présente des pertes optiques faibles et qui puisse être fabriqué à des températures plus basses que les couches connues. Ce but est atteint, selon l'invention, grâce à un matériau de couche optique composé d'un oxyde métallique et caractérisé en ce qu'il est fabriqué par pulvérisation réactive en courant continu à champ magnétique d'une cible métallique et présente pour une longueur d'onde lumineuse de 633 nm des pertes maximales de 15 d B/cm. Grâce à la mise en oeuvre d'une pulvérisation réactive en courant continu à champ magnétique, les pertes optiques faibles indiquées sont respectées et, comme il va être expliqué plus loin, des vitesses de revêtement élevées sont également obtenues à des températures de revêtement basses Le terme "pulvérisation à champ magnétique" couvre toutes les techniques de pulvérisation en courant continu avec lesquelles les lignes de champ magnétique se referment en forme de tunnel sur la surface cible et/ou s'étendent suivant une forme courbe de la surface cible vers des parties de l'installation voisines Un exemple spécialement préféré de technique de pulvérisation en courant continu à champ magnétique de ce type est la pulvérisation en courant continu par magnétron. Un matériau de couche préféré se caractérise en ce que les pertes maximales sont de 4 d B/cm, c'est-à-dire que pour 633 nm, elles sont considérablement réduites. Sous un second aspect, la présente invention a pour but de proposer un Ti O 2 ou un Ta 2 05 qui présente de meilleures caractéristiques de pertes optiques Ce but est atteint grâce à un Ti O 2 caractérisé en ce que ses pertes maximales pour une lumière d'une longueur d'onde de 633 nm sont de 1,5 d B/cm, et grâce à un Ta 2 05 caractérisé en ce que ses pertes maximales pour une lumière d'une longueur d'onde de 633 nm sont de 3 d B/cm. Le matériau selon l'invention est de préférence composé du Ti O 2 ou du Ta 2 05 sus-mentionné,, et ses pertes maximales pour une lumière d'une longueur d'onde de 633 nm sont respectivement de 1,5 d B/cm et de 3 d B/cm. Dans des modes de réalisation préférés desdits matériaux, les pertes maximales sont de 1,5 d B/cm, de préférence de 0,7 d B/cm, et plus préférentiellement de 0,3 d B/cm Ces matériaux peuvent être fabriqués par pulvérisation cathodique d'une cible composée du métal Ils peuvent être fabriqués par pulvérisation en courant continu par cycles, de préférence suivant une fréquence de cycles maximale 30 k Hz, de préférence de 20 k Hz L'invention prévoit en outre que le point de traitement soit stabilisé dans le mode transitoire instable en soi, lors de la fabrication du matériau de couche Les matériaux peuvent être fabriqués par pulvérisation cathodique par magnétron Selon l'invention, ces matériaux peuvent avoir une constante d'absorption k maximale, pour une lumière de 633 nm, de 1,2 106 Ils peuvent être déposés avec une vitesse de revêtement 0,5 À/s, de préférence ' 0,9 À/s Ils peuvent être déposés à une température Ti O 2 et Ta 2 05, mais plus spécialement Ti O 2. Grâce à l'aspect plus économique du matériau de couche optique perfectionné décrit précédemment et/ou au meilleur comportement optique de ce matériau, on peut réaliser avec ce dernier une couche optique améliorée, un système de couches optiques formé d'au moins deux couches dont une couche conforme à la couche optique sus-mentionnée est constituée par le matériau le plus réfringent, ainsi qu'un composant optique comportant une couche optique ou un système de couches optiques du type mentionné comme couche ou système de couches actif optiquement. La présente invention vise en outre un guide d'ondes perfectionné comportant une couche guide d'ondes réalisée en un matériau du type spécifié précédemment, notamment en Ti O 2 ou en Ta 2 05, en particulier en Ti O 2 Avec ce guide d'ondes, les pertes indiquées ci-dessus sont celles considérées dans un monomode TM. Selon une autre caractéristique de ce guide d'ondes, les pertes sont celles considérées pour le mode TM, et/ou pour une couche guide d'ondes plane. La présente invention propose par ailleurs un procédé pour la fabrication d'un oxyde métallique approprié pour des couches optiques et présentant des pertes maximales de 15 d B/cm pour une lumière d'une longueur d'onde de 633 nu, caractérisé par la mise en oeuvre d'une pulvérisation réactive en courant continu à champ magnétique. Selon des modes de réalisation préférés, ce procédé est caractérisé par la mise en oeuvre d'une pulvérisation cathodique d'une cible métallique, de préférence une pulvérisation cathodique oxydante, et/ou par la mise en oeuvre d'une pulvérisation réactive en courant continu dans le mode transitoire instable en soi, et/ou par la mise en oeuvre d'une pulvérisation en courant continu par cycles, de préférence suivant une fréquence de cycles maximale 30 k Hz, de préférence de 20 k Hz, et/ou par la mise en oeuvre d'une pulvérisation par magnétron. Le procédé ci-dessus est notamment utile pour la fabrication de couches optiques à partir du matériau de l'invention, notamment pour la fabrication de couches de Ti O 2 ou Ta 205, pour la fabrication d'une couche guide d'ondes, pour la fabrication de couches dont les pertes maximales sont de 4 d B/cm et pour la fabrication de Ti O 2 présentant des pertes maximales de 1,5 d B/cm, ou de couches de Ta 2 05 présentant des pertes maximales de 3 d B/cm, de préférence de couches présentant des pertes maximales de 1,5 d B/cm, de préférence de 0,7 d B/cm, et plus préférentiellement de 0,3 d B/cm. Dans un autre mode de réalisation, le procédé de l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend la mise en oeuvre d'une source de pulvérisation et d'une contre- électrode fonctionnant en courant continu avec formation entre elles d'une liaison intermittente à faible niveau ohmique, le courant de décharge passant alors par la liaison et/ou les décharges perturbatrices dans l'espace de traitement étant de préférence détectés et utilisés dans un circuit de réglage en tant que grandeur de réglage mesurée, pour le réglage de la vitesse de répétition de la liaison à faible niveau ohmique et/ou de la durée de cette liaison. Grâce à ce procédé, la vitesse de revêtement est k 5 Is, de préférence k 0,9 /s, et la température de revêtement est 5 1501 C, de préférence 5 100 'C, de préférence 5 701 C. L'invention va être décrite en référence à une figure unique qui montre, à l'aide d'une représentation schématique d'un diagramme fonctionnel d'installation, l'une des possibilités préférées pour fabriquer le matériau de l'invention et pour exécuter le procédé de l'invention. Les matériaux de l'invention sont fabriqués par mise en oeuvre de procédés de pulvérisation en courant continu à plasma réactif et à champ magnétique, par exemple à l'aide d'installations telles qu'elles sont connues par exemple d'après EP-A-0 347 567, US-A-4 863 594, DE-A-37 00 633, US-A- 4 693 805, US-A-4 692 230 ou EP-A-0 501 016. D'une manière préférée, et comme la même demanderesse l'a divulgué dans la demande de brevet EP-A-0 508 359, le procédé de fabrication est exécuté avec un point de travail de traitement en mode transitoire. A l'heure actuelle, on utilise comme installation pour la fabrication des matériaux de l'invention une installation BAK 760 de la demanderesse comportant une cage de substrat cylindrique mobile et un magnétron rectangulaire plan comme source de pulvérisation en courant continu Le processus est stabilisé par régulation dans le mode transitoire instable en soi, selon EP-A-0 508 359 et la demande de brevet US sus-mentionnés. Dans un récipient sous vide 1 débouche une conduite d'amenée de gaz 3 par laquelle on fait entrer un gaz de travail contenant un gaz réactif ou un mélange de gaz réactifs Dans le cas des matériaux Ti O 2 ou Ta 205 préférés, on fait entrer de l'oxygène et par exemple de l'argon La source de pulvérisation prévue, comme représentée schématiquement, consiste en une source de pulvérisation 5 à champ magnétique B, telle qu'un magnétron, le champ magnétique B étant stationnaire ou déplacé par rapport à la cible C'est la phase métallique du produit de réaction à déposer sur la pièce 9 qui est pulvérisée, c'est-à-dire, dans le cas des matériaux Ti O 2 ou Ta 205 préférés, de préférence du Ti ou Ta d'une pureté élevée. Entre la source de pulvérisation 5 agissant comme cathode et l'anode 7, on maintient une décharge de plasma PL produite à l'aide d'un générateur de signaux à courant continu 11 Dans un mode de réalisation, ce générateur à courant continu 11 peut agir sur la section de plasma définie il entre les électrodes 7 et 5 par l'intermédiaire d'une unité de commande de décharge 13 représentée en trait discontinu. L'unité 13 éventuellement prévue, qui comporte une entrée de commande E, relie les connexions menant auxdites électrodes avec une vitesse de répétition prédéfinie, suivant fr et pendant des intervalles de temps r prédéfinis, avec un faible niveau ohmique, et les court-circuite dans un cas extrême. Les grandeurs r et fr peuvent être prédéfinies. L'apparition de décharges et de claquages stochastiques tels qu'ils peuvent se produire notamment du fait de la présence sur la source de pulvérisation 5 d'un revêtement partiel isolant, peut être observée La fréquence d'apparition et/ou l'intensité de tels décharges et claquages peuvent alors être détectés à l'aide d'un détecteur 15 et, comme représenté schématiquement, comparés au niveau d'une unité de comparaison 17 à une fréquence de consigne et/ou une intensité de consigne prédéfinies Suivant le résultat de la comparaison, on fixe à l'entrée E, par une régulation, l'intervalle de temps t de la commutation de faible niveau ohmique et/ou la fréquence correspondant à fr: si les formations d'arcs sus-mentionnées se produisent trop souvent et/ou sont trop intenses, dans le récipient 1, l'intervalle de temps r et/ou la fréquence fr sont augmentés sous l'effet de la régulation. La commutation de faible niveau ohmique de l'unité 13 s'oppose à une charge des couches isolantes, en particulier au niveau de la source de pulvérisation 5. Au lieu de détecter les formations d'arcs sus- mentionnées sous la forme d'une grandeur de réglage, il est tout à fait possible, lorsqu'une unité 13 est prévue, d'utiliser comme grandeur de réglage mesurée le courant qui passe par l'unité 13 lorsque celle-ci est commutée avec un faible niveau ohmique, ou la variation de ce courant. Avec une installation gérée en mode transitoire, comme il est représenté et expliqué dans la demande EP-A-0 508 359, on a fabriqué les matériaux suivants, sans l'unité 13 de la figure: récipient sous vide: installation de revêtement, de forme cubique, amenée sous vide à l'aide d'une pompe à diffusion et comportant une cible de 5 "x 25 " ( 12,70 cm x 63,50 cm), un magnétron plan, un matériau de cible en métal à 99,99 %, un écartement cible/substrat de 7 cm, un substrat rotatif, substrat: Herasil (marque de fabrique). ler exemple: Ti O, puissance: pression Ar: flux Ar: pression partielle 02: flux 02: intensité Ti: tension de cible: (mode métallique) tension de cible: (point de travail) vitesse de revêtem: (a) k W 8 E-4 mbar ( 4 102 Pa) cm 3/s 1,5 E-4 mbar ( 4 102 Pa) 38,1 cm 3/s % -595 V -560 V (b) 6 k W 8 E-4 mbar ( 4 102 Pa) 71 cm 3/s 1,8 E-4 mbar ( 4 102 Pa) 28 cm 3/s 24 % -595 V -550 V 1 A/s 0,25 A/s Résultats: Valeur de réfraction pour lumière d'une lon- gueur d'onde de 633 nm utilisation comme couche guide d'ondes d'épaisseur: perte pour 633 nm dans le mode TM O: tempér du substrat: 2, 42 2,42 ,5 nm 0,77 d B/cm C 112 nm 0,6 d B/cm S 70 C 2 ème exemple: Ta 225 puissance: pression Ar: flux Ar: pression partielle 02: flux 02: 6 k W 2 E-3 mbar ( 3 102 Pa) cm 3/s 8 E-4 mbar ( 4 102 Pa) cm 3/s Résultats: valeur de réfraction pour 633 nm: comme épaisseur guide d'ondes d'épaisseur: perte en mode TM O pour 633 nm température du substrat: 2,11 91,8 nm 0,7 d B/cm 3 ème exemple: Ti 02, avec l'unité 13 de la figure: puissance: pression Ar: flux Ar: pression partielle 02: flux 02: intensité Ti: tension de cible (mode métallique): tension de cible (point de travail): fréquence de cycles fr: vitesse de revêtement: k W 3 E-3 mbar ( 3 102 Pa) 38,23 cm 3/s 1,2 E-3 mbar ( 3 102 Pa) 36 cm 3/s 26 % -630 V -554 V 43 k Hz 0,94 A/s Résultats: comme couche guide d'ondes d'épaisseur: 89,2 nm pertes pour 633 nm en mode TM,: 0,7 d B/cm On peut tout à fait prévoir, à l'heure actuelle, que les pertes indiquées peuvent être optimisées à 0,3 d B/cm au maximum. REVENDICATIONS 1 Matériau de couche optique composé d'un oxyde métallique, caractérisé en ce qu'il est fabriqué par pulvérisation réactive en courant continu à champ magnétique d'une cible métallique et présente pour une longueur d'onde lumineuse de 633 nm des pertes maximales de 15 d B/cm. 2 Matériau selon la revendication 1, caractérisé en ce que les pertes maximales sont de 4 d B/cm. 3 Oxyde de titane (Ti O 2) caractérisé en ce que ses pertes maximales pour une lumière d'une longueur d'onde de 633 nm sont de 1,5 d B/cm. 4 Pentoxyde de tantale (Ta 2 05) caractérisé en ce que ses pertes maximales pour une lumière d'une longueur d'onde de 633 nm sont de 3 d B/cm. 5 Matériau selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est composé de Ti O 2 ou de Ta 2 05, et ses pertes maximales pour une lumière d'une longueur d'onde de 633 nm sont respectivement de 1,5 d B/cm et de 3 d B/cm. 6 Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que lesdites pertes maximales sont de 1,5 d B/cm, de préférence de 0,7 d B/cm, et plus préférentiellement de 0,3 d B/cm. 7 Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il est fabriqué par pulvérisation cathodique d'une cible composée du métal. 8 Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il est fabriqué par pulvérisation en courant continu par cycles, de préférence suivant une fréquence de cycles maximale de 30 k Hz, de préférence de 20 k Hz. 9 Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le point de traitement est stabilisé dans le mode transitoire instable en soi, lors de sa fabrication. 10 Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'il est fabriqué par pulvérisation cathodique par magnétron. 11 Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, présentant une constante d'absorption k maximale, pour une lumière de 633 nm, de 1,2 10-. 12 Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'il est déposé avec une vitesse de revêtement 2 0,5 Ais, de préférence 2 0,9 Ais. 13 Matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce qu'il est déposé à une température revendications 1 à 13. 15 Système de couches optiques caractérisé en ce qu'il est composé d'au moins deux couches dont une couche selon la revendication 14 est constituée par le matériau le plus réfringent. 16 Composant optique caractérisé en ce qu'il comprend une couche optique ou un système de couches optiques selon l'une quelconque des revendications 14 ou 15 comme couche ou système de couches actif optiquement. 17 Guide d'ondes caractérisé en ce qu'il comprend une couche guide d'ondes réalisée en un matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, et en ce que lesdites pertes sont celles considérées dans un monomode TM. 18 Guide d'ondes selon la revendication 17, caractérisé en ce que les pertes sont celles considérées dans le mode TM, et/ou pour une couche guide d'ondes plane. 19 Procédé pour la fabrication d'un oxyde métallique approprié pour des couches optiques et présentant des pertes maximales de 15 d B/cm pour une lumière d'une longueur d'onde de 633 nm, caractérisé en ce qu'il comprend une pulvérisation réactive en courant continu à champ magnétique. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il comprend une pulvérisation cathodique d'une cible métallique, de préférence une pulvérisation oxydante. 21 Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 ou 20, caractérisé en ce qu'il comprend une pulvérisation réactive en courant continu dans le mode transitoire instable en soi. 22 Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 21, caractérisé en ce qu'il comprend une pulvérisation en courant continu par cycles, de préférence suivant une fréquence de cycles maximale de 30 k Hz, de préférence de 20 k Hz. 23 Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 22, caractérisé en ce qu'il comprend une pulvérisation par magnétron. 24 Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 23 pour la fabrication de couches optiques constituées du matériau selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, notamment pour la fabrication de couches de Ti O 2 ou de Ta 2 05. Procédé selon la revendication 24 pour la fabrication d'une couche guide d'ondes. 26 Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 25 pour la fabrication de couches dont les pertes maximales sont de 4 d B/cm. 27 Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 26 pour la fabrication de Ti O 2 présentant des pertes maximales de 1,5 d B/cm, ou de couches de Ta 2 05 présentant des pertes maximales de 3 d B/cm, de préférence de couches présentant des pertes maximales de 1,5 d B/cm, de préférence de 0,7 d B/cm, et plus préférentiellement de 0,3 d B/cm. 28 Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 27, caractérisé en ce que la source de pulvérisation et une contre-électrode fonctionnent en courant continu avec formation entre elles d'une liaison intermittente à faible niveau ohmique, le courant de décharge passant alors par la liaison et/ou les décharges perturbatrices dans l'espace de traitement étant de préférence détectés et utilisés dans un circuit de réglage en tant que grandeur de réglage mesurée, pour le réglage de la vitesse de répétition de la liaison à faible niveau ohmique et/ou de la durée de cette liaison. 29 Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 28, caractérisé en ce que la vitesse de revêtement est k 5 A/s, de préférence k 0,9 /s. 30 Procédé selon l'une quelconque des revendications 19 à 29, caractérisé en ce que la température de revêtement est