FR 2710455 A1 19950331 FR 9311404 A 19930924 La présente invention concerne le domaine de l'opto-électronique, et plus particulièrement celui des structures intégrées monolithiques faisant appel à une technologie commune de réalisation de composants et non à un assemblage de composants réalisés séparément. L'invention s'applique notamment mais non exclusivement à la réalisation d'un circuit de réception hétérodyne. La publication "Integrated balanced mixer receiver on InP, Trommer et al., 4th InP and Related Compounds Conference, WE3, Newport 1992" décrit un circuit de réception hétérodyne intégré monolithique comprenant deux photodiodes de détection reliées électriquement en série et un coupleur 3dB comportant deux guides optiques. Le coupleur reçoit respectivement en entrée dans les guides optiques un signal utile à démoduler S et un signal de référence R généré par un oscillateur local et délivre en sortie sur les deux photodiodes de détection deux signaux correspondant respectivement à la demi-somme et à la demi-différence des signaux S et R. Les photodiodes délivrent des signaux électriques représentatifs du carré du module de cette demi-somme et de cette demi- différence, de la forme S2 + 2S.R + R2 et S2 - 2S.R + R2 respectivement. Le montage en série des deux photodiodes permet de recueillir au point commun la différence de ces deux expressions, c'est-à-dire un signal électrique de la forme 4S.R. On comprendra aisément que l'intérêt d'un tel récepteur réside dans l'élimination du bruit R2 de l'oscillateur local ainsi que dans l'amplification du signal utile S, l'amplitude du signal R étant très grande devant celle du signal S. Toutefois, il est difficile de réaliser dans la pratique un coupleur complètement équilibré, c'est-à-dire apte à délivrer exactement la demi-somme et la demi-différence des signaux d'entrée S et R, de sorte qu'il est nécessaire de réaliser un grand nombre de structures intégrées et d'effectuer un tri pour éliminer celles dont le coupleur n'est pas bien équilibré. Dans la structure décrite, les deux guides optiques sont réalisés sur un substrat semi-isolant avec des matériaux semi- isolants de sorte que l'on ne rencontre pas de problèmes d'isolation électrique des deux photodiodes. A titre d'exemple d'une autre structure monolithique intégrée connue, on citera la publication "Directional Coupler, Balanced PIN Pair and JFET intregrated on InP Towards Receiver OEICs, L Giraudet et al., Proceeding of fourth optoelectronic conference, PDP, 14 July 1992". Dans cette structure les deux guides optiques du coupleur sont réalisés dans des matériaux conducteurs et l'on observe un courant de fuite circulant par les guides optiques entre les électrodes des deux photodiodes montées en série, qui altère les performances de la structure. Le fait de réaliser les deux guides optiques du coupleur dans des matériaux conducteurs présente néanmoins l'avantage de permettre un équilibrage électrique de ce dernier au moyen de l'application d'une tension électrique ou d'une injection de courant électrique par deux électrodes de contact réalisées sur le coupleur, associées chacune à un guide optique. Cette injection de courant ou tension appliquée entraine une variation de l'indice du matériau constituant la couche de guidage des guides optiques et rend ainsi possible l'ajustement de la phase des signaux lumineux se propageant dans ce dernier. On a par ailleurs proposé dans la publication "Balanced Operation of a GaInAs/GalnAsP Multiple-Quantum-Well Integrated Heterodyne Receiver, IEEE Photonics Technology Letters Vol.2, No 8., August 1990" de ne pas relier sur la structure même les deux photodiodes en série afin de s'affranchir des problèmes de courant de fuite entre les électrodes des deux photodiodes. Les signaux électriques délivrés par chacune des deux photodiodes sont amplifiés séparément puis soustraits l'un de l'autre pour éliminer les termes en S2 et R2 précités. L'amplification séparée des signaux électriques délivrés par chacune des photodiodes présente l'inconvénient de ne plus supprimer le bruit dû à la variation de R2. On a décrit dans la publication "22 GHz Photodiode monolithically integrated with optical waveguide on semi-insulating InP using novel Butt- Joint structure, Kato et al., Electronic Letters, 1992, pp 1140-1143" un moyen pour réaliser une couche isolante sur la tranche d'extrémité d'un guide optique, entre ce dernier et une photodiode. Une tranchée verticale est gravée après réalisation du guide et de la photodiode par usinage par faisceau d'ions réactifs (RIBE en anglais) pour séparer la photodiode et le guide optique, et un film de silice constituant la couche isolante est déposé dans cette tranchée au moyen d'un magnétron. Il est difficile, par cette méthode, de contrôler la largeur de la tranchée qui est gravée, donc l'épaisseur du film de silice amorphe qui est réalisé entre la photodiode et le guide optique, pour obtenir la valeur particulière d'épaisseur de film qui assure une transmission optimale de lumière entre le guide optique et la photodiode. La présente invention vise à remédier aux inconvénients précités et a pour objet un procédé pour réaliser une structure intégrée monolithique comportant deux composants opto-électroniques reliés optiquement par un guide optique, comprenant l'étape consistant à réaliser entre les deux composants opto-électroniques au moins une barrière électriquement isolante apte à permettre une transmission de lumière entre ces derniers, caractérisé en ce que ladite barrière est réalisée in situ. Ainsi, à la différence de ce qui est décrit dans la dernière publication citée, il n'est pas nécessaire de graver avec précision une tranchée qu'il faut ensuite remplir d'un matériau isolant. La barrière isolante est réalisée dans l'invention durant l'élaboration des composants de la structure ou après l'élaboration de ceux-ci mais sans qu'il soit nécessaire de procéder à l'usinage d'une tranchée située sur le trajet de la lumière dans la structure entre ces deux composants. Avantageusement, la transmission de lumière entre l'un au moins des composants opto-électroniques et le guide optique s'effectue par évanescence. En variante, elle s'effectue par couplage en bout. Dans une première mise en oeuvre du procédé selon l'invention, la barrière isolante est réalisée par dopage localisé par un élément de conductivité d'un type donné d'au moins une région de la structure de conductivité de type opposé. De préférence, le dopage s'effectue par diffusion profonde, depuis la surface de la structure jusqu'à un substrat isolant de la structure, à travers le guide optique, dudit élément. En variante, il s'effectue par implantation ionique, depuis la surface de la structure jusqu'à un substrat isolant de la structure, à travers le guide optique, dudit élément. De préférence, ledit élément est de conductivité de type p+. Le cas échéant, lorsque la structure comporte au moins une première et une deuxième couches superposées de conductivité de types opposés, on effectue un dopage d'une région de la première couche par un premier élément de conductivité de type opposé à celui de cette première couche et un dopage d'une région de la deuxième couche, décalée de la région de la première couche, par un deuxième élément de conductivité de type opposé à celui de la deuxième couche et du premier élément, de manière à réaliser entre les deux composants opto-électroniques deux jonctions isolantes de type npn et pnp. On peut réaliser de la même manière plusieurs jonctions isolantes mises en série pour améliorer l'isolation. En variante, le dopage est réalisé par incorporation d'un élément de conductivité de type donné dans une couche intermédiaire de la structure, déposée par épitaxie, et située immédiatement au-dessus et au-dessous de deux couches de la structure de conductivité de type opposé à celui dudit élément. De préférence, ledit élément est de conductivité de type p+. Dans une deuxième mise en oeuvre du procédé selon l'invention, la barrière isolante est réalisée par dépôt par épitaxie d'une couche de matériau semi-isolant. De préférence, ledit matériau semi-isolant est constitué par du phosphure d'indium incorporant du fer. Avantageusement, une couche d'adaptation d'impédance optique de conductivité de type n+ est déposée entre le guide optique et celui au moins des composants opto-électroniques pour lequel la transmission de lumière s'effectue par évanescence avec le guide optique. Le procédé selon l'invention est avantageusement utilisé pour réaliser une structure intégrée monolithique d'un circuit de réception hétérodyne comprenant deux photodiodes de détection reliées électriquement en série et un coupleur 3dB apte à être équilibré électriquement, le coupleur constituant l'un desdits composants opto-électroniques et chaque photodiode 1S constituant l'autre desdits composants opto-électroniques. L'invention a également pour objet une structure intégrée monolithique comportant deux composants opto-électroniques reliés optiquement par un guide optique, caractérisée en ce qu'elle comporte entre les deux composants opto-électroniques une barrière électriquement isolante apte à permettre la transmission de lumière entre ces derniers, formée in situ. Dans une réalisation, la barrière est formée par dopage par un élément de conductivité d'un type donné d'au moins une région de la structure de conductivité de type opposé. Dans une autre réalisation, la barrière est réalisée par le dépôt par épitaxie d'une couche de matériau semi-isolant entre le guide optique et ce composant opto-électronique. L'invention a encore pour objet un circuit de réception hétérodyne intégré monolithique comportant deux photodiodes de détection reliées électriquement en série et un coupleur 3dB électriquement ajustable, une barrière électriquement isolante étant formée in situ entre les photodiodes de détection et le coupleur, cette barrière étant apte à permettre la transmission de lumière entre le coupleur et les photodiodes de détection. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre, de deux exemples de réalisation non limitatifs de l'invention et à l'examen du dessin annexé sur lequel: - la figure 1 est une vue en perspective, schématique, d'une structure intégrée monolithique conforme à une première réalisation de l'invention, - la figure 2 est une juxtaposition de sections, dans des plans parallèles au plan XZ, de la structure représentée sur la figure 1, - la figure 3 est une vue en perspective, schématique, d'une structure intégrée monolithique conforme à une deuxième réalisation de l'invention, - la figure 4 est une juxtaposition de sections, dans des plans parallèles au plan XZ, de la structure représentée sur la figure 3. Dans toute la description qui suit les termes ou ensemble de termes "longueur, avant, arrière", 'latéral" et 'épaisseur, vertical, supérieur, inférieur" se référeront respectivement à des distances ou positionnements selon les axes X, Y et Z d'un trièdre de référence (X, Y, Z) pour les figures. Les deux exemples de structures intégrées monolithiques représentés sur les figures 1 à 4 sont réalisés chacun conformément au procédé selon l'invention et concernent tous deux des circuits de réception hétérodyne comprenant deux photodiodes de détection D1 et D2, de type PIN, reliées électriquement en série et un coupleur 3dB électriquement ajustable, référencé K, comportant deux guides optiques présentant à leur partie supérieure des rubans de guidage référencés 1 et 2 pour chaque guide optique respectivement. Ces deux structures intégrées sont généralement symétriques par rapport à un plan médian de symétrie parallèle au plan XZ. L'introduction de la lumière dans les guides optiques s'effectue par la face frontale avant 3 de la structure, plane et perpendiculaire à l'axe X, dans une couche de guidage 20 bordée inférieurement et supérieurement par des couches de confinement inférieur 21 et supérieur 22 comme cela sera précisé dans la suite. Les rubans de guidage 1 et 2 confinent la lumière dans la région de la couche de guidage qu'ils surmontent et présentent depuis la face frontale avant 3 deux portions avant rectilignes s'étendant de façon espacée parallèlement à l'axe X, référencées la et 2a, prolongées vers l'arrière par deux portions infléchies avant lb et 2b se rapprochant l'une de l'autre, puis par deux portions rectilignes rapprochées lc et 2c, s'étendant côte-à-côte parallèlement à l'axe X et constituant la zone active du coupleur K, par deux portions infléchies arrière s'éloignant l'une de l'autre ld et 2d, prolongées par deux portions rectilignes le et 2e, s'étendant de façon espacée parallèlement à l'axe X et aboutissant respectivement aux photodiodes D1 et D2. On désignera par la suite par A, B et C trois régions de la structure délimitées entre elles par deux plans PAB et PBC perpendiculaires à l'axe X. S Les rubans de guidage 1 et 2 s'étendent sur les régions A et B et les photodiodes D1 et D2 sont réalisées dans la région C. Le plan PAB coupe les rubans de guidage 1 et 2 au niveau de la jonction entre les portions infléchies arrière ld et 2d et les portions rectilignes arrière le et 2e. La structure intégrée monolithique représentée sur les figures 1 et 2 est conforme à une première réalisation de l'invention. Elle comporte un substrat 10 en matériau semi-isolant, représenté après découpage sur les figures, sous une de forme parallélipipédique allongée selon l'axe X, constitué dans l'exemple de réalisation décrit par du phosphure d'indium rendu semi- isolant par incorporation de fer (InP), et dont la résistance est supérieure 107 Qcm. Sur l'ensemble du substrat semi-isolant 10 on dépose successivement dans une première épitaxie, par exemple par une méthode d'épitaxie par organométalliques en phase vapeur (MOCVD en anglais) ou par une méthode d'épitaxie par jet moléculaire (MBE en anglais): a) la couche de confinement inférieur 21 d'indice nl, constituée d'InP, d'une épaisseur de 0,5,tm, de conductivité de type n, b) la couche de guidage optique 20 d'indice n2 supérieur à nl, constituée de quaternaire InGaAsP, de type de conductivité n ou n- et d'une épaisseur de 0,65 pm, c) la couche de confinement supérieur 22 d'indice n3 inférieur à n2, d'une épaisseur de l'ordre de 0,05 Ism, constituée d'InP de conductivité de type n-, d) une couche 50 d'adaptation d'impédance optique, constituée de matériau quaternaire GaInAsP de conductivité de type n+, d'une épaisseur de 0,4 pm, e) une couche absorbante 51 de la photodiode PIN, constituée de matériau ternaire GaInAs de conductivité intrinsèque de type n-, d'une épaisseur de 0,9 an, f) une fine couche 54 de matériau quaternaire GaInAsP, destinée à réaliser de façon connue en soi un raccord graduel avec la couche suivante de matériau binaire, d'une épaisseur de 50 nm, g) une couche 52 de confinement supérieur de la photodiode PIN, constituée d'InP de type de conductivité n, d'une épaisseur de 0,4 lm, h) une fine couche 55 de contact de la photodiode, constituée de matériau ternaire GainAs de type de conductivité n, d'une épaisseur de l'ordre de 0,05 pm, et i) une couche de protection d'InP de l'ordre de 0,1,4m pour la reprise ultérieure de l'épitaxie et qui n'apparait pas sur le dessin. Ensuite, sur la partie de la structure (régions A et B) sur laquelle seront réalisés les deux guides optiques du coupleur K, on enlève la couche de protection d'InP, précitée, les couches 55, 52, 54, 51 et 50. On procède alors, sur la fine couche de confinement supérieur 22, mise à nu, à une deuxième épitaxie au cours de laquelle on dépose successivement sur les régions A et B de la structure: j) une couche 23 de confinement supérieur, constituée d'InP, de 0,15 Lm d'épaisseur, de même composition que la couche 22, k) une fine couche 24 d'arrêt, constituée de matériau quaternaire GaInAsP, de conductivité de type n, d'épaisseur 25 nm, 1) une couche 30 de confinement supérieur constituée d'InP, de conductivité de type n, d'épaisseur 0,8 im et sur laquelle seront gravés les rubans de guidage 1 et 2. On dépose alors sur l'ensemble de la structure un masque de protection en nitrure de silicium, puis on effectue une gravure sèche de ce masque correspondant au tracé des rubans de guidage 1 et 2, qui sont ensuite réalisés par enlèvement de la couche de confinement supérieur 30 sur les parties non protégées. Après gravure des rubans des guidages 1 et 2, on dispose un deuxième masque de protection, en résine, sur l'ensemble de la structure, ce masque présentant deux fenêtres 70 et 71 englobant les portions infléchies lb, 2b et ld, 2d des rubans de guidage 1 et 2. On enlève à l'intérieur de ces fenêtres par attaque chimique les couches d'arrêt 24 et de confinement supérieur 22 et 23 pour mettre à nu dans ces fenêtres la face supérieure de la couche de guidage 20 comme représenté sur la figure 1. On dépose ensuite sur l'ensemble de la structure un nouveau masque de protection en nitrure de silicium sur lequel on réalise une fenêtre se présentant sous la forme d'une fente s'étendant sur toute la largeur de la structure, selon un plan parallèle au plan YZ et qui va servir à la réalisation d'une barrière électriquement isolante 40, conformément à une première mise en oeuvre du procédé selon l'invention, par diffusion profonde au travers de cette fenêtre jusqu'au substrat 10, d'un élément de conductivité de type p+, avantageusement du zinc, destiné à créer une double jonction npn dans le sens de l'axe X, apte à isoler électriquement les deux photodiodes de détection D1 et D2 et le coupleur K tout en permettant une transmission de lumière entre ces derniers. A titre indicatif, à 500 C, il faut une demi-heure environ pour diffuser à travers les épaisseurs de 1 Hm environ d'lnP des couches de confinement supérieur 22, 23, 24 et 30, de 0,65 pm de couche de guidage 20 en matériau quaternaire et de 0,5 pm d'InP de couche de confinement inférieur 21. Le dopage p+ est localisé dans les guides optiques entre deux plans 40a et 40b parallèles entre eux et perpendiculaires à l'axe X, ces deux plans 40a et 40b étant situés dans la région B de conductivité de type n ou n- de la structure. La double jonction ainsi créée in situ équivaut'au montage de deux diodes tête- bêche, et s'oppose à la traversée du courant électrique tout en permettant un passage de la lumière dans le guide optique. Dans une variante de la première mise en oeuvre du procédé selon l'invention, on peut proposer de former deux barrières isolantes présentant depuis la surface de la structure, selon la direction de l'axe Z, la forme de caissons de section transversale rectangulaire, s'étendant vers le bas jusqu'au substrat et à l'intérieur desquels se situent respectivement les deux photodiodes. Dans le cas o toutes les couches formant le guide optique n'auraient pas une conductivité de même type, ou dans le cas o d'autres couches de conductivité de type opposé à celui du guide optique seraient déposées sur dernier, on réaliserait l'isolement électrique par deux dopages profonds s'étendant selon deux plans parallèles au plan YZ et décalés selon l'axe X. Les dopages sont effectués avec deux éléments de conductivité de types opposés, pour constituer sur chaque couche de conductivité d'un type donné deux jonctions de diode montées tête-bêche npn et pnp. La barrière électriquement isolante 40 se situe dans l'exemple décrit sur le trajet de la lumière dans le guide optique. On notera qu'il est également possible, sans sortir du cadre de l'invention, de réaliser la barrière électriquement isolante in situ lors de l'épitaxie en déposant après l'étape b) et avant l'étape c) sur la couche de guidage 20 de conductivité de type n ou n-, une couche de conductivité de type p+, puis en déposant sur cette dernière la couche de confinement supérieur 22 de conductivité de type n ou n-. Dans ce cas, la barrière électriquement isolante se situe sur le trajet, de type évanescent, de la lumière sortant du guide optique vers la photodiode. On crée, après réalisation de la barrière isolante 40 par diffusion profonde de zinc, sur le même masque en nitrure de silicium au travers duquel s'est fait cette diffusion, quatre nouvelles fenêtres dont deux se situent respectivement sur les portions rectilignes rapprochées lc, 2c des rubans de guidage 1 et 2 et les deux autres sur les couches de contact 55 des photodiodes D1 et D2. On diffuse au travers de ces fenêtres du zinc dans les couches 55 et 52 des photodiodes pour la réalisation de deux zones 53 de type de conductivité p+ et on diffuse dans la couche 30 sur la moitié de l'épaisseur des rubans de guidage 1 et 2 du zinc pour la réalisation de deux zones 31 de conductivité de type p+ d'électrodes d'équilibrage du coupleur K. On notera qu'il est avantageux que les couches 30 et 52 soiént, comme cela vient d'être décrit, réalisées dans le même matériau de façon à permettre le dopage simultané par diffusion de Zn dans ces couches. On dépose ensuite sur la couche d'arrêt 24, latéralement de part et d'autre des deux portions rectilignes rapprochées lc et 2c des rubans de guidage 1 et 2, deux contacts électriques 32 respectifs du coupleur K, reliés électriquement chacun à la zone diffusée 31 adjacente. On dépose également par métallisation sur chaque photodiode D1 et D2 des contacts n et p référencés respectivement 55a et 53a, reliés électriquement respectivement, pour chaque photodiode, à une partie de la surface de la couche de contact 55 située hors de la zone diffusée 53 et à cette dernière. Avantageusement, la couche 50 d'adaptation d'impédance optique en matériau quaternaire présente un indice n4 supérieur à l'indice n3 de la couche de confinement supérieur 22. L'épaisseur de la couche 50 est de préférence choisie pour qu'elle constitue une couche antireflet et sa situation au-dessus du guide optique permet de limiter le temps de transit des porteurs. La couche 50 présente avantageusement un indice optique supérieur à celui de la couche de guidage de façon à réduire la longueur d'absorption nécessaire à la transmission de la lumière par évanescence sortant du guide optique vers la photodiode, et donc de limiter la capacité de la photodiode. On détoure ensuite sur les régions B et C de la stucture, jusqu'au substrat 10, les deux photodiodes D1 et D2 par gravure par faisceau ionique (IBE en anglais) au travers d'un masque de résine, pour aboutir à la configuration représentée sur la figure 1. La région de détourage s'étend depuis le plan PAB de la structure vers l'arrière jusqu'à la face frontale arrière de la structure. Les guides optiques sont détourés sur leur partie surmontée par les portions rectilignes arrière le et 2e des rubans de guidage 1 et 2, et les parties détourées des guides optiques s'étendent de part et d'autre suivant l'axe X, de la barrière isolante 40, de sorte qu'il n'y a pas de contact électrique possible entre les parties des guides optiques s'étendant en avant de la barrière isolante 40 et les photodiodes. On réalise ensuite de façon connue en soi un plot de support 60 de contacts électriques, en polyimide, dont la face supérieure porte la référence 61 et l'on dépose par métallisation sur ce plot de support 60 des contacts 66, 63 et 64 reliés respectivement au contact n 55a de la photodiode Dl, au contact p 53a de la photodiode Dl et au contact p 53a de la photodiode D2. Le contact 63 est également relié au contact n 55a de la photodiode D2 de sorte que les deux photodiodes Dl1 et D2 sont ainsi reliées électriquement en série par l'intermédiaire du contact 63 du plot de support 60. Les figures 3 et 4 représentent une structure réalisée conformément à une deuxième mise en oeuvre du procédé selon l'invention. On attribuera aux éléments de la structure représentée sur les figures 3 et 4 qui sont identiques aux éléments qui ont été précédemment décrits en référence aux figures 1 et 2 un indice simplement augmenté de cent. Bien entendu, on pourrait incorporer dans la description qui suit les passages qui correspondent à la description de la réalisation de ces éléments. Dans cette réalisation de l'invention, la barrière électriquement isolante est réalisée par le dépôt par épitaxie d'une couche 240 de matériau semi-isolant sur la couche de confinement supérieur 122 du guide optique lors de la première étape d'épitaxie pendant laquelle les couches 150, 151, 154, 152 et 155 sont également déposées. En variante, on peut proposer de déposer la couche 240 directement sur la couche de guidage 120. La couche 240 est avantageusement constituée d'InP rendu semi- isolant par incorporation de fer (InP.Fe). La couche 240 est ensuite enlevée par attaque chimique sur les régions A et B de la structure avant la deuxième étape d'épitaxie au cours de laquelle les couches 123, 124 et 130 seront déposées. Lors de la gravure des rubans de guidage 101 et 102, on veillera à graver également des tranchées 201 séparant la face d'extrémité arrière 202 de ces derniers du plan PBC contenant le bord avant de l'empilement des couches constituant les photodiodes D1 et D2, pour éviter tout contact électrique court-circuitant la couche 240. Les tranchées 201 ont de préférence une largeur, mesurée selon l'axe X, de l'ordre de 3!m et s'étendent verticalement jusqu'à la couche 122. A la différence de la dernière publication citée dans le préambule de la demande, il n'est pas important ici de réaliser avec une grande précision ces tranchées 201 car celles-ci ont simplement un rôle d'isolation et ne sont pas traversées par la lumière. L'invention n'est pas limitée aux deux réalisations qui viennent d'être décrites. On peut notamment proposer d'intégrer sur la structure un oscillateur local relié optiquement à l'un des guides du coupleur. REVENDICATIONS 1. Procédé pour réaliser une structure intégrée monolithique comportant deux composants opto-électroniques reliés optiquement par un guide optique, comprenant l'étape consistant à réaliser entre les deux composants opto-électroniques au moins une barrière électriquement isolante apte à permettre une transmission de lumière entre ces derniers, caractérisé en ce que ladite barrière (40; 240) est réalisée in situ. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en que la transmission de lumière entre l'un au moins des composants opto- électroniques et le guide optique s'effectue par évanescence. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la transmission de lumière entre l'un au moins des composants opto- électroniques et le guide optique s'effectue par couplage en bout. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la barrière isolante (40) est réalisée par dopage localisé par un élément de conductivité d'un type donné d'au moins une région de la structure de conductivité de type opposé. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le dopage s'effectue par diffusion profonde, depuis la surface de la structure jusqu'à un substrat isolant (10) de la structure, à travers le guide optique, dudit élément. 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le dopage s'effectue par implantation ionique, depuis la surface de la structure jusqu'à un substrat isolant de la structure, à travers le guide optique, dudit élément. 7. Procédé selon l'une des revendications 5 et 6, la structure comportant au moins une première et une deuxième couches superposées de conductivité de types opposés, caractérisé en ce que l'on effectue un dopage d'une région de la première couche par un premier élément de conductivité de type opposé à celui de cette première couche et un dopage d'une région de la deuxième couche, décalée de la région de la première couche, par un deuxième élément de conductivité de type opposé à celui de la deuxième couche et du premier élément, de manière à réaliser entre les deux composants opto-électroniques deux jonctions isolantes de type npn et pnp. 8. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le dopage est réalisé par incorporation d'un élément de conductivité de type donné dans une couche intermédiaire de la structure, déposée par épitaxie, et située immédiatement au-dessus et au-dessous de deux couches de la structure de conductivité de type opposé à celui dudit élément. 9. Procédé selon l'une des revendications 5, 6 et 8, caractérisé en ce que ledit élément est de conductivité de type p+. 10. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la barrière isolante (240) est réalisée par dépôt par épitaxie d'une couche de matériau semi-isolant. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit matériau semi-isolant est constitué par du phosphure d'indium incorporant du fer. 12. Procédé selon la revendication 2 et l'une des revendications 4 à 11, caractérisé en ce qu'une couche d'adaptation d'impédance optique de conductivité de type n+ est déposée entre le guide optique et celui au moins des composants opto-électroniques pour lequel la transmission de lumière s'effectue par évanescence avec le guide optique. 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que ladite structure intégrée monolithique est un circuit de réception hétérodyne comprenant deux photodiodes de détection (D1, D2) reliées électriquement en série et un coupleur 3dB (K) apte à être équilibré électriquement, le coupleur (K) constituant l'un desdits composants optoélectroniques et chaque photodiode (D1; D2) constituant l'autre desdits composants opto-électroniques. 14. Structure intégrée monolithique comportant deux composants optoélectroniques reliés optiquement par un guide optique, caractérisée en ce qu'elle comporte entre les deux composants opto-électroniques une barrière électriquement isolante (40) apte à permettre la transmission de lumière entre ces derniers, formée in situ. 15. Structure intégrée monolithique selon la revendication 14, caractérisée en ce que la barrière est formée par dopage par un élément de conductivité d'un type donné d'au moins une région de la structure de conductivité de type opposé. 16. Structure intégrée monolithique selon la revendication 15, caractérisée en ce que la barrière est formée par le dépôt par épitaxie d'une couche de matériau semi-isolant entre le guide optique et ce composant opto- électronique. 17. Circuit de réception hétérodyne intégré monolithique comportant deux photodiodes de détection reliées électriquement en série et un coupleur 3dB électriquement ajustable, une barrière électriquement isolante (40; 240) étant formée in situ entre les photodiodes de détection et le coupleur, cette barrière étant apte à permettre la transmission de lumière entre le coupleur et les photodiodes de détection.