FR 2702087 A1 19940902 FR 9314062 A 19931124 La présente invention se rapporte à un substrat semi- conducteur et, plus particulièrement, à un substrat semi- conducteur sur lequel un film semi-conducteur, ayant des grains de cristal dont les diamètres sont augmentés par recristallisation par fusion de zones, est formé via un film isolant Cette invention se rapporte également à une méthode de production du substrat semi-conducteur. Les figures 18 (a) et 18 (b) sont, respectivement, une vue en coupe transversale et une vue en perspective illustrant des étapes d'un procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon l'art antérieur La méthode de production du substrat semi-conducteur sera décrite en se référant à ces figures. D'abord, comme le montre la figure 18 (a), un film isolant 1, comprenant de l'oxyde de silicium, est formé sur une épaisseur d'environ 1 pm sur un substrat semi-conducteur , comprenant par exemple du silicium monocristallin Un film semi-conducteur 2 composé de silicium amorphe ou de silicium polycristallin est formé sur une épaisseur d'environ 0,5 à 5 pm sur le film isolant 1 Un film isolant 3, se composant d'un film d'oxyde de silicium et d'un film de nitrure de silicium qui sont laminés, est formé sur une épaisseur d'environ 1 à 3 pm sur le film semi-conducteur 2 On forme ainsi un matériau de substrat semi-conducteur 500. Ensuite, comme le montre la figure 18 (b), le matériau de substrat semiconducteur 500 obtenu comme décrit ci-dessus est placé sur un réchauffeur 20 a du côté inférieur, comprenant du carbone Un réchauffeur en bande 20 b, côté supérieur, comprenant du carbone, est disposé au-dessus du matériau 500 du substrat à une distance prédéterminée de ce matériau 500 Le réchauffeur en bande 20 b côté supérieur balaye le matériau 500 du substrat à partir d'une extrémité de ce matériau 500 jusqu'à son extrémité opposée, à une vitesse prédéterminée, par exemple, de 1 mm/s pour la recristallisation par fusion de zones du film mince semi- conducteur 2 dans le matériau 500 du substrat Alors, dans le film mince 2, le diamètre du grain du cristal augmente grâce à la recristallisation par fusion de zones avec pour résultat de meilleures caractéristiques électriques comme une meilleure conductivité électrique du film semi-conducteur mince 2 Là, on peut utiliser une lampe à infrarouges à la place du réchauffeur en bande de carbone 20 b. Les figures 19 (a) et 19 (b) montrent une vue en coupe transversale et une vue en plan, respectivement, illustrant toutes deux le matériau du substrat semi-conducteur 500 obtenu par le procédé ci-dessus décrit Dans le film mince semi-conducteur 2 dans le matériau du substrat semi- conducteur 500, le diamètre du grain du cristal est augmenté par une recristallisation par fusion de zones avec pour résultat de meilleures caractéristiques électriques comme la conductivité électrique Cependant, en même temps, certains défauts cristallins comme des joints subgranulaires 4 et des dislocations 5 se produisent dans le film mince semi- conducteur 2 comme le montrent les figures Ces joints subgranulaires 4 et ces dislocations 5 servent de noyaux pour la recombinaison des porteurs, c'est-à-dire des électrons et des trous, après production du dispositif et ces joints subgranulaires et ces dislocations provoquent une augmentation du courant du noir du dispositif En particulier, comme le joint subgranulaire 4 est un agrégat de dislocations 5, afin d'améliorer les caractéristiques du dispositif, la façon dont on réduit ces joints subgranulaires 4 et dont on les produit en des positions o ils n'affectent pas de façon néfaste les caractéristiques du dispositif est importante On suppose que le joint subgranulaire 4 est provoqué par une forme concave-convexe subtile à l'interface entre les phases solide et liquide qui se produit dans le film mince semi-conducteur 2 pendant la recristallisation par fusion de zones. Les figures 20 (a) et 20 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes conventionnelles du procédé de production d'un substrat semi-conducteur, qui est amélioré en ce qui concerne le contrôle des positions o se produisent les joints subgranulaires, étant donné les problèmes ci-dessus décrits, comme cela est révélé dans "Journal of Electrochemical Society", Volume 130, No 5, pages 1178 à 1183 Sur les figures, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 18 (a) à 19 (b) désignent des éléments identiques ou correspondants et le chiffre de référence 20 désigne une bande de carbone d'environ 7 pm d'épaisseur Les étapes du procédé seront décrites ci- dessous. D'abord, comme le montre la figure 20 (a), comme dans l'étape de procédé que l'on peut voir à la figure 18 (a), un film isolant 1 composé d'un film d'oxyde de silicium, un film semi-conducteur 2 composé de silicium amorphe ou de silicium polycristallin et d'un film isolant 3 composé d'un film d'oxyde de silicium et un film de nitrure de silicium qui sont laminés, sont déposés en succession, dans cet ordre, sur un substrat 10 comprenant du silicium monocristallin Des bandes de carbone 20 de 7 pm d'épaisseur sont périodiquement formées à des intervalles prédéterminés d'environ 100 à pm, sur le film isolant 3, pour former le matériau du substrat semi-conducteur 500 a. Ensuite, comme dans l'étape du procédé que l'on peut voir à la figure 18 (b), lorsqu'on effectue la recristallisation par fusion de zones du film semi-conducteur 2 le long de la direction de la bande de carbone 20 en utilisant un réchauffeur en bande de carbone, la chaleur du réchauffeur est absorbée par les bandes de carbone 20 et, ainsi, beaucoup de chaleur est appliquée aux portions du film semi- conducteur 2 qui se trouvent en dessous des bandes de carbone 20 Par conséquent, il se forme une distribution de température selon les positions des bandes de carbone 20 dans le film semi-conducteur 2 et la forme concave-convexe de l'interface entre la phase solide et la phase liquide est modulée par la distribution de température et les joints subgranulaires 4 ne se produisent dans le film semi- conducteur 2 que sous les bandes de carbone 20 De cette manière, non seulement les joints 4 peuvent être contrôlés pour n'être produits qu'en des positions particulières mais le nombre de ces joints 4 peut être réduit La raison pour laquelle les bandes de carbone 20 sont formées à des intervalles d'environ 100 à 200 pm est due au fait que si l'intervalle est plus grand que 200 pm, les joints 4 se produisent défavorablement dans des portions du film semi- conducteur 2 autres qu'en dessous des bandes de carbone 20. Cette méthode ne permet pas de réduire le nombre des dislocations. Les figures 21 (a) et 21 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant ses étapes d'un procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon l'art antérieur révélé dans "Extended Abstracts of the 18th ( 1986 International) Conférence on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1986, pages 565 à 568 " Sur ces figures, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 18 (a) à 20 (b) désignent des éléments identiques ou correspondants Les étapes du procédé seront décrites ci-dessous. Dans ces étapes du procédé, comme le montre la figure 21 (a), on oxyde une région prédéterminée dans un substrat 10 se composant de silicium monocristallin, pour former une région isolée la Un film mince semiconducteur 2, composé de silicium amorphe ou de silicium polycristallin, est formé sur le substrat 10 comprenant du silicium monocristallin Un film 3 a en nitrure de silicium, ayant des portions en bande épaisse 3 b qui sont périodiquement formées à des intervalles prédéterminés, est formé sur le film mince semi-conducteur 2 pour obtenir un matériau d'un substrat semi-conducteur 500 b. Alors, l'épaisseur de la portion mince du film 3 a en nitrure de silicium est, par exemple, de 6 nm et l'épaisseur de la portion en bande épaisse 3 b du film de nitrure de silicium 3 a est de 55 nm. Ensuite, une lumière laser provenant d'une source de lumière laser (non représentée) est irradiée sur la surface du film 3 a en nitrure de silicium et la source de lumière laser est balayée à une vitesse prédéterminée le long de la direction des bandes de la portion en bande épaisse 3 b pour effectuer la recristallisation par fusion de zones du film mince semi-conducteur 2 Pendant cette recristallisation, comme le montre la figure 21 (b), comme les portions en bande épaisse 3 b du film 3 a en nitrure de silicium sont plus chauffées que d'autres portions, une plus grande partie de la chaleur est appliquée aux portions du film semi-conducteur 2 en dessous des portions en bande 3 b et ainsi des joints subgranulaires 4 se produisent aux portions du film semi- conducteur 2 Pour la recristallisation en fusion de zones, une portion l Oa du substrat 10, comprenant du silicium monocristallin, en contact avec le film semi-conducteur 2, sert de graine et la recristallisation par fusion de zones se passe le long de la direction du cristal du substrat 10 se composant de silicium monocristallin, ne comportant aucun défaut, avec pour résultat des dislocations réduites 5 en comparaison avec le cas o la recristallisation par fusion de zones est effectuée par la méthode montrée aux figures 20 a et b, ce qui permet de réduire la densité des défauts. Comme on l'a décrit ci-dessus, dans les étapes du procédé de l'art antérieur pour la production d'un subtrat semi-conducteur, lors de la recristallisation par fusion de zones d'un film semi-conducteur, des bandes de carbone d'une largeur prédéterminée sont périodiquement disposées sur la surface supérieure d'un film isolant couvrant le film semi- conducteur ou bien le film semi-conducteur est couvert d'un film isolant ayant des portions en forme de bandes épaisses qui sont périodiquement formées sur le film isolant, ainsi cela permet de réduire le nombre des joints subgranulaires qui sont produits dans le film semi- conducteur et cela réduit les effets néfastes sur les caractéristiques du dispositif, qui sont dus à ces joints après production d'un dispositif semi-conducteur, de façon importante, en permettant de contrôler les positions o sont produits ces joints. Cependant, tant qu'il existe ces joints dans le film semi-conducteur, on ne peut complètement éviter la détérioration des caractéristiques du dispositif En conséquence, afin de mieux améliorer les caractéristiques du dispositif, il est nécessaire d'éliminer complètement ces joints du film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones ou d'inactiver ces joints dans le film semi-conducteur. Afin de réaliser cela, on a pensé effectuer la formation d'un motif requis sur le substrat semi-conducteur obtenu par les étapes de procédé que l'on peut voir à la figure 20 ou 21 pour éliminer ou inactiver les portions des joints subgranulaires Cependant, dans les étapes de procédé que l'on peut voir à la figure 20 ou 21, après élimination des bandes de carbone 20 ou du film isolant 3 a composé d'un film de nitrure de silicium, il faut produire un autre motif en masque pour éliminer ou inactiver les portions des joints subgranulaires Quand les étapes de procédé pour former le motif en masque et l'enlever sont ajoutées, cela complique le procédé de production du substrat semi- conducteur dans son ensemble De plus, si la précision de position dans la production du motif en masque est réduite, cela ne permet pas l'élimination complète des joints subgranulaires. Par ailleurs, dans les étapes de procédé de l'art antérieur ci-dessus décrites pour la production d'un substrat semi-conducteur, afin de procéder à une recristallisation par fusion de zones d'un film semiconducteur, uniformément dans ce film, l'épaisseur du film semiconducteur est limitée aux environs de 5 pm, comme on l'a décrit cidessus En conséquence, lorsque l'on forme un film semi-conducteur de plusieurs pm d'épaisseur, plus concrètement d'environ 50 à pm, pour l'utiliser dans une pile solaire par exemple, cela pose des problèmes parce que non seulement on ne peut augmenter le diamètre du grain du cristal dans le film semi- conducteur mais les défauts du cristal augmentent. La présente invention a pour objet de procurer une méthode de production d'un substrat semi-conducteur comportant un film semi- conducteur formé sur le corps du substrat, via un film isolant, par recristallisation par fusion de zones, dans un état o les joints subgranulaires qui sont produits dans le film semi-conducteur lors de la recristallisation par fusion de zones sont complètement éliminés ou inactivés, par de simples étapes de procédé. La présente invention a pour autre objet de procurer un substrat semiconducteur qui est formé sur un corps de substrat via un film isolant, ayant un film semi-conducteur de plusieurs pm d'épaisseur, comprenant un grain cristallin d'un diamètre accru et presque pas de défauts cristallins comme des joints subgranulaires. La présente invention a pour autre objet de procurer une méthode de production du substrat semi-conducteur ci- dessus décrit. Selon un premier aspect de la présente invention, dans une méthode de production d'un substrat semi-conducteur, des seconds films semiconducteurs en forme de bande, utilisés pour contrôler les positions de la production des joints subgranulaires lors de la recristallisation par fusion de zones d'un premier film semi-conducteur formé sur un corps d'un substrat semi-conducteur, servent de masques pour l'élimination des joints subgranulaires dans le premier film semi-conducteur Ainsi, on obtient, avec un moins grand nombre d'étapes de procédé que dans l'art antérieur, un substrat semi-conducteur comportant un film semi- conducteur recristallisé par fusion de zones qui est formé sur le corps du substrat via un film isolant, ce film semi-conducteur ayant les joints subgranulaires éliminés en toute certitude. Selon un deuxième aspect de la présente invention, dans un substrat semi-conducteur ainsi que sa méthode de production, après élimination des joints subgranulaires dans le premier film semi- conducteur, on provoque la croissance par épitaxie d'un autre film semi-conducteur, sur le premier. Ainsi, on obtient un substrat semi-conducteur comportant un film semiconducteur formé sur le corps du substrat via un film isolant, ayant une cristallinité supérieure ne comprenant aucun joint subgranulaire et ayant une épaisseur de plus de quelques pm. Selon un troisième aspect de la présente invention, dans une méthode de production d'un substrat semi-conducteur, des seconds films semiconducteurs en forme de bande, utilisés pour contrôler les positions des joints subgranulaires des grains lors de la recristallisation par fusion de zones d'un premier film semi-conducteur, sont utilisés comme masques pour inactiver les joints subgranulaires par diffusion d'impuretés Ainsi, on obtient, par un moins grand nombre d'étapes de procédé que dans l'art antérieur, un substrat semi-conducteur comportant un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones qui est formé sur le corps du substrat via un film isolant, le film semi-conducteur ayant des joints subgranulaires éliminés en toute certitude. Selon un quatrième aspect de la présente invention, dans un substrat semi-conducteur et sa méthode de production, après avoir inactivé les joints subgranulaires dans le premier film semi-conducteur, on provoque la croissance par épitaxie d'un autre film semi-conducteur sur le premier. Ainsi, on obtient un substrat semi-conducteur, comportant un film semiconducteur formé sur le corps du substrat via un film isolant, ayant une cristallinité supérieure ne comprenant pas de joint subgranulaire et ayant une épaisseur de plus de quelques pm. Selon un cinquième aspect de la présente invention, dans une méthode de production d'un substrat semi-conducteur, on recristallise, par fusion de zones, un film semi- conducteur sur lequel sont périodiquement formées, à des intervalles prédéterminés, des gorges en forme de bande, et ensuite une portion du film semi-conducteur est enlevée de sa surface sur une profondeur prédéterminée afin d'éliminer les joints subgranulaires dans le film semi-conducteur On obtient ainsi, par un moins grand nombre d'étapes de procédé que dans l'art antérieur, un substrat semi-conducteur comportant un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones qui est formé sur le corps du substrat via un film isolant, ce film semi- conducteur ayant en toute certitude ses joints intergranulaires qui sont supprimés. Selon un sixième aspect de la présente invention, dans un substrat semiconducteur et sa méthode de production, après avoir éliminé les joints subgranulaires dans le film semi-conducteur, on provoque la croissance par épitaxie d'un autre film semi-conducteur sur le premier Ainsi, on obtient un substrat semi-conducteur comportant un film semi- conducteur formé sur le corps du substrat via un film isolant, ayant une cristallinité supérieure, ne comportant pas de joint subgranulaire et ayant une épaisseur de plus de quelques Mm. Selon un septième aspect de la présente invention, dans une méthode de production d'un substrat semi-conducteur, après recristallisation d'un film semi-conducteur par fusion de zones, on oxyde une portion de surface du film semi- conducteur et la portion de surface oxydée est éliminée On obtient ainsi un substrat semi-conducteur comportant un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones qui est formé sur le corps du substrat via un film isolant, ce film semi-conducteur ayant ses joints subgranulaires inactivés par oxydation. Selon un huitième aspect de la présente invention, dans un substrat semi-conducteur ainsi que sa méthode de production, après avoir éliminé la portion de surface du film semi-conducteur, on provoque la croissance par épitaxie d'un autre film semi-conducteur sur le film semi-conducteur qui a ses joints subgranulaires inactivés Ainsi, on obtient un substrat semi- conducteur comportant un film semi-conducteur formé sur le corps du substrat via un film isolant, ayant une cristallinité supérieure et ne comportant pas de joint subgranulaire et ayant une épaisseur de plus de quelques Mm. Selon un neuvième aspect de la présente invention, dans une méthode de production d'un substrat semi-conducteur, on recristallise par fusion de zones un premier film semi- conducteur, au moyen de seconds films semi-conducteurs en forme de bande, qui sont périodiquement disposés à des intervalles prédéterminés au-dessus du premier film semi- conducteur et ensuite des portions du premier film semi- conducteur au-dessus desquelles n'est pas formé le second film semiconducteur en forme de bande, c'est-à-dire les portions o sont produits les joints subgranulaires, sont enlevées Ainsi, on obtient un substrat semi-conducteur comportant un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones qui est formé sur le corps du substrat via un film isolant, ce film semi-conducteur ayant ses joints subgranulaires éliminés en toute certitude par un moindre nombre d'étapes de procédé que dans l'art antérieur. Selon un dixième aspect de la présente invention, dans un substrat semiconducteur et sa méthode de production, après élimination des joints subgranulaires dans le film semi-conducteur, on provoque la croissance épitaxiée d'un autre film semi-conducteur sur le film semi-conducteur. Ainsi, on obtient un substrat semi-conducteur comportant un film semiconducteur formé sur le corps du substrat via un film isolant, ayant une cristallinité supérieure, ne comprenant pas de joint subgranulaire et ayant une épaisseur de plus de quelques Mm. Selon un onzième aspect de la présente invention, dans un substrat semi-conducteur ainsi que sa méthode de production, on recristallise par fusion de zones un premier film semi-conducteur avec des deuxièmes films semi- conducteurs en forme de bande qui sont périodiquement formés au-dessus du premier film semi-conducteur, à des intervalles prédéterminés et les deuxièmes films semi-conducteurs en forme de bande sont éliminés pour laisser un film isolant uniquement sur les portions du premier film semi-conducteur o sont produits les joints subgranulaires et ensuite un troisième film semi-conducteur y est développé par épitaxie. Ainsi, on obtient un substrat semi-conducteur comportant un film semiconducteur formé sur la surface du substrat via un film isolant, ayant une cristallinité supérieure, ne comprenant pas de joint subgranulaire et ayant une épaisseur de plus de quelques Mm. Selon un douzième aspect de la présente invention, dans un substrat semiconducteur et sa méthode de production, après recristallisation par fusion de zones du film semi- conducteur, celui-ci est enlevé sur une profondeur prédéterminée, de la surface, pour exposer des portions du film semi- conducteur ayant une faible densité d'oxygène et ensuite un autre film semi-conducteur y est développé par épitaxie Ainsi, on obtient un substrat semi-conducteur comportant un film semi-conducteur ayant une cristallinité supérieure ne comprenant pas de défaut de ligne provenant d'un joint subgranulaire et ayant une épaisseur de plus de quelques Mm, le film semi-conducteur étant formé sur le corps du substrat via un film isolant. Selon un treizième aspect de la présente invention, dans un substrat semi-conducteur et sa méthode de production, des ouvertures sont formées dans un film isolant sur un premier film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones ne recouvrant pas des portions génératrices de joints subgranulaires dans le premier film semi-conducteur et ensuite on provoque la croissance épitaxiée d'un second film semi-conducteur et la recristallisation par fusion de zones du second film semi-conducteur est effectuée en utilisant les portions du premier film semi-conducteur, o il n'y a pas de joints subgranulaires comme graines Ainsi, on obtient un substrat semi-conducteur comportant un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones qui est formé sur le corps du substrat via un film isolant, ayant une cristallinité supérieure et ne présentant pas de joint subgranulaires. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: les figures 1 (a) à 1 (e) sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention; les figures 2 (a) et 2 (b) sont une vue en coupe transversale et une vue en plan, respectivement, illustrant une structure interne d'un film semi- conducteur sur lequel il est effectuée une recristallisation par fusion de zones dans une étape du procédé du premier mode de réalisation; les figures 3 (a) et 3 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention; les figures 4 (a) à 4 (c) sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; les figures 5 (a) et 5 (b) sont une vue en coupe transversale et une vue en plan, respectivement, illustrant une structure interne d'un film semi- conducteur sur lequel est effectuée une recristallisation par fusion de zones dans une étape du procédé du troisième mode de réalisation; la figure 6 est une vue en coupe transversale illustrant une structure d'un substrat semi-conducteur selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention; les figures 7 (a) à 7 (d) sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention; la figure 8 est une vue en coupe transversale illustrant une structure d'un substrat semi-conducteur selon un sixième mode de réalisation de la présente invention; les figures 9 (a) et 9 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon un septième mode de réalisation de la présente invention; la figure 10 est une vue en coupe transversale illustrant une structure d'un substrat semi- conducteur selon un huitième mode de réalisation de la présente invention; la figure 11 est une vue en coupe transversale illustrant une étape du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon un neuvième mode de réalisation de la présente invention; la figure 12 est une vue en coupe transversale illustrant une structure d'un substrat semi-conducteur selon le neuvième mode de réalisation de la présente invention; les figures 13 (a) et 13 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes de procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon un dixième mode de réalisation de la présente invention; la figure 14 est un diagramme montrant la relation entre la profondeur à partir de la surface d'un film semi- conducteur recristallisé par fusion de zones, et la concentration en oxygène; les figures 15 (a) à 15 (f) sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon un onzième mode de réalisation de la présente invention; les figures 16 (a) à 16 (c) sont des vues en plan illustrant un film isolant utilisé dans les étapes du procédé montrées aux figures 15 (a) et 15 (b); la figure 17 est une vue en plan illustrant un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones dans une étape du procédé du onzième mode de réalisation; les figures 18 (a) et 18 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon l'art antérieur; les figures 19 (a) et 19 (b) sont une vue en coupe transversale et une vue en plan, respectivement, illustrant une structure interne d'un film semi-conducteur sur lequel est effectuée une recristallisation par fusion de zones dans une étape du procédé de l'art antérieur; les figures 20 (a) et 20 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de l'art antérieur pour obtenir un substrat semi-conducteur; les figures 21 (a) et 21 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de l'art antérieur pour la production d'un substrat semi-conducteur; et les figures 22 (a) et 22 (b) sont une vue en coupe transversale et une vue en plan, illustrant une structure interne d'un autre film semi- conducteur que l'on fait croître par épitaxie sur un film semi- conducteur sur lequel est effectuée une recristallisation par fusion de zones, sans éliminer la portion de surface recristallisée par fusion de zones. On décrira d'abord le premier mode de réalisation. Les figures 1 (a) à l(e) sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon ce mode de réalisation. Sur les figures, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 18 (a) et 18 (b) désignent des éléments identiques ou correspondants. Ondécrira les étapes du procédé en se référant aux figures 1 (a) à 1 (e). Comme dans l'art antérieur, un film isolant 1, composé d'un film d'oxyde de silicium, est formé sur une épaisseur d'environ 1 Mm sur un substrat 10 composé, par exemple, de silicium monocristallin Un film semi- conducteur 2, composé de silicium amorphe ou de silicium polycristallin, est formé sur une épaisseur d'environ 0,5 à 5 pm, sur le film isolant 1 Un film isolant 3, composé d'un film d'oxyde de silicium et d'un film de nitrure de silicium qui sont laminés, est formé sur une épaisseur d'environ 1 à 3 pm sur le film semi- conducteur 2 Des films semi-conducteurs 7 en forme de bande, composés de silicium amorphe ou de silicium polycristallin, dont chacun a une largeur comprise entre 100 et 200 pm, sont périodiquement formés à des intervalles d'environ 10 à 20 pm sur le film isolant 3 Un film isolant 8, composé d'un film d'oxyde de silicium et d'un film de nitrure de silicium qui sont laminés, est formé pour couvrir les films semi- conducteurs 7 en forme de bande ainsi que les portions exposées du film isolant 3 entre les films semi-conducteurs 7 en forme de bande De cette manière, on produit un matériau de substrat semi-conducteur 100 tel que montré à la figure 1 (a). Ensuite, comme dans l'art antérieur, un réchauffeur en bande de carbone est disposé au-dessus du matériau 100 du substrat semi-conducteur de manière que la direction de la longueur du réchauffeur soit perpendiculaire à la direction des bandes du film semi-conducteur 7 en forme de bande et le réchauffeur balaye le matériau 100 du substrat semi- conducteur le long de la direction des bandes du film semi- conducteur 7, à partir d'une extrémité du matériau semi- conducteur 100 jusqu'à l'extrémité opposée, à une vitesse prescrite, par exemple de 1 mm/s Par cette opération, le film semi-conducteur 2 est recristallisé par fusion de zones, et ainsi le diamètre du grain du cristal est accru et les caractéristiques électriques telles que la conductivité électrique sont améliorées Comme la chaleur est interceptée par les films semi-conducteurs 7 en forme de bande, une grande partie de la chaleur est conduite aux portions du film semi- conducteur 2 au-dessus desquelles il n'y a pas de film semi-conducteur 7 Ainsi, il se forme une distribution de température dans le film semi- conducteur 2 avec pour résultat qu'il y a production de joints intergranulaires 4 aux portions du film semi-conducteur 2 au-dessus desquelles il n'y a pas le film semi-conducteur 7 en forme de bande La raison pour laquelle la largeur du film semi-conducteur 7 en forme de bande est établie entre 100 et 200 Mm provient du fait que, si le film semi-conducteur en forme de bande a une largeur plus importante que 200 pm, les joints intergranulaires peuvent également se produire en des portions du film semi-conducteur 2 au-dessus desquelles sont disposés les films semi-conducteurs 7 en forme de bande, c'est-à- dire que les joints subgranulaires peuvent défavorablement se produire en des portions irrégulières et imprévisibles La raison pour laquelle les films semi- conducteurs 7 en forme de bande sont formés à des intervalles d'environ 10 à 20 Mm est de produire des joints subgranulaires ayant une bonne contrôlabilité en des portions, du film semi-conducteur 2 au-dessus desquelles il n' y a pas de film semi-conducteur 7 en forme de bande et si ce film 7 est formé sur une largeur autre que cette plage, il peut se produire défavorablement des joints subgranulaires en des portions du film semi-conducteur 2 au-dessus desquelles il y a les films semi-conducteurs 7 en forme de bande. Les figures 2 (a) et 2 (b) sont une vue en coupe transversale et une vue en plan, respectivement, illustrant le matériau du substrat semi-conducteur 100 après les étapes ci-dessus du procédé et montrant l'état o les joints subgranulaires sont produits en des portions du film semi- conducteur 2 au-dessus desquelles il n'y a pas le film 7 Le chiffre de référence 5 désigne une dislocation. Comme le montre la figure 1 (b), le film isolant 8 et le film isolant 3 entre les films semi-conducteurs adjacents en forme de bande 7 sont enlevés pour exposer les films semi- conducteurs 7 et le film semi-conducteur 2 Ensuite, comme le montre la figure 1 (c), les portions exposées du film semi- conducteur 2, c'est-à-dire les portions de ce film 2 o sont produits les joints subgranulaires 4, sont oxydées en utilisant les films semiconducteurs 7 en forme de bande comme masques Pendant l'oxydation, les joints subgranulaires 4 dans le film semi-conducteur 2 sont inactivés tandis que les films semi-conducteurs 7 en forme de bande sont également oxydés Sur les figures 1 (c) et 1 (d), le chiffre de référence 2 a désigne une région oxydée dans le film semi-conducteur 2 et le chiffre de référence 7 a désigne une région oxydée dans le film semi-conducteur 7 Le degré d'oxydation des films semi-conducteurs 7 peut être tel que les films semi- conducteurs 7 soient totalement oxydés, c'est-à-dire que des films semiconducteurs 7 deviennent entièrement les portions oxydées 7 a comme le montre la figure 1 (c) ou bien à un degré tel que des portions non oxydées 7 restent sous les portions oxydées 7 a comme le montre la figure 1 (d). Ensuite, comme le montre la figure 1 (e), quand les films semiconducteurs 7 comprenant les régions oxydées 7 a et le film isolant 3 sont attaqués, par exemple, au moyen d'acide fluorhydrique en solution aqueuse, les régions oxydées 2 a du film semi-conducteur 2 sont également attaquées avec pour résultat un film semi-conducteur 2 dont les joints subgranulaires 4 sont éliminés Alors, comme les joints subgranulaires 4 sont déjà inactivés par l'étape ci-dessus décrite, on peut laisser des parties des régions oxydées 2 a sans les éliminer complètement. Dans les étapes ci-dessus décrites du procédé de production du substrat semi-conducteur du premier mode de réalisation, lors de la recristallisation par fusion de zones du film semi-conducteur 2, les films semi-conducteurs 7 en forme de bande, qui sont prévus pour contrôler la production des positions des joints subgranulaires 4, servent de masques pour éliminer ou inactiver les joints subgranulaires 4 après recristallisation par fusion de zones Ainsi, d'autres motifs de masques pour enlever ou inactiver les joints subgranulaires, requis dans l'art antérieur, ne sont pas requis dans ce premier mode de réalisation Par conséquent, on peut obtenir un substrat semi-conducteur ayant un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones qui est formé sur le corps du substrat via un film isolant, film semi-conducteur d'o les joints subgranulaires sont enlevés en toute certitude ou bien dans lequel ils sont inactivés en toute certitude par un moins grand nombre d'étapes de procédés que dans l'art antérieur. Les figures 3 (a) et 3 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de production d'un substrat semi- conducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention Sur ces figures, les mêmes chiffres de référence que sur les figures 1 (a) à 1 (e) désignent des éléments identiques ou correspondants. D'abord, on entreprend les mêmes étapes de procédé que celles montrées aux figures 1 (a) et 1 (b). Ensuite, comme le montre la figure 3 (a), lorsque des impuretés sont diffusées dans le film semi-conducteur 2 en utilisant les films semiconducteurs 7 en forme de bande comme masques, des régions 2 b o sont diffusées des impuretés se forment en des portions du film semi-conducteur 2 au- dessus desquelles il n'y a pas de film semi-conducteur 7 en forme de bande et ainsi les joints subgranulaires 4 produits dans les régions 2 a sont inactivés Comme impureté utilisée ici, on emploie une impureté du type N telle que du phosphore (P) quand le film semi-conducteur 2 est du type p tandis que l'on emploie une impureté du type p, telle que du bore (B) quand le film semi-conducteur 2 est du type n Alors, la région 7 b o sont diffusées des impuretés est également formée dans les films semi-conducteurs 7 en forme de bande. Le film isolant 3 est ensuite attaqué au moyen d'acide fluorhydrique en solution aqueuse pour éliminer ce film isolant 3 et les films semi-conducteurs 7 en forme de bande comprenant les régions 7 b o sont diffusées des impuretés. Ainsi, comme le montre la figure 3 b, on peut obtenir un film semiconducteur 2 dans lequel les joints subgranulaires 4 sont inactivés grâce aux régions 2 b o sont diffusées des impuretés. Dans les étapes du procédé de production du substrat semi-conducteur de ce deuxième mode de réalisation, les films semi-conducteurs 7 en forme de bande, prévus pour contrôler les positions des joints subgranulaires 4, deviennent des masques pour inactiver les joints subgranulaires 4 après recristallisation par fusion de zones pendant cette recristallisation du film semi-conducteur 2, ce qui permet d'éviter de former des motifs de masque pour l'élimination ou l'inactivation des joints subgranulaires, comme employés dans l'art antérieur Par conséquent, on peut obtenir un substrat semi-conducteur comprenant un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones, formé sur le corps du substrat via un film isolant, dans lequel les joints subgranulaires sont inactivés en toute certitude, par un moins grand nombre d'étapes de procédé que dans l'art antérieur. Les figures 4 (a) à 4 (c) sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon le troisième mode de réalisation de la présente invention Sur ces figures, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 1 (a) à 1 (e) désignent des éléments identiques ou correspondants. D'abord, un film isolant 1 composé d'un film d'oxyde de silicium, est formé sur une épaisseur d'environ 1 pm sur un substrat 10, par exemple, composé de silicium monocristallin. Un film semi-conducteur 2 c, composé de silicium amorphe ou de silicium polycristallin, est formé sur une épaisseur d'environ 0,5 à 5 Mm sur le film isolant 1 Des gorges 2 d en forme de bande de 10 à 20 Mm de large sont périodiquement formées sur le film semi-conducteur 2 c à des intervalles d'environ 100 à 200 pm Un film isolant 3, composé d'un film d'oxyde de silicium et d'un film de nitrure de silicium qui sont laminés, est formé sur une épaisseur d'environ 1 à 3 pm sur le film semi-conducteur 2 c De cette façon, on obtient un substrat semi-conducteur 200 montré à la figure 4 (a). Ensuite, un réchauffeur en bande de carbone (non représenté) est disposé au-dessus du matériau du substrat semi-conducteur 200 de manière que la direction de la longueur du réchauffeur soit perpendiculaire à la direction des gorges en forme de bande 2 d, et le réchauffeur en bande balaye le matériau du substrat semi-conducteur 200 le long de la direction des gorges 2 d, à partir d'une extrémité du matériau semi- conducteur 200 jusqu'à l'extrémité opposée, à une vitesse prescrite, par exemple de 1 mm/s Ainsi, le film semi-conducteur 2 c est recristallisé par fusion de zones, et le diamètre des grains du cristal est augmenté et les caractéristiques électriques, comme la conductivité électrique, sont améliorées Alors, on fait fondre les portions minces du film semi-conducteur 2 c o sont formées les gorges 2 d en forme de bande en un temps plus court que les portions épaisses o il n'y a pas les gorges 2 d Par suite, il se forme une distribution de température dans le film semi-conducteur 2 c et des joints subgranulaires 4 se forment aux portions du film semi-conducteur 2 c o sont formées les gorges 2 d La raison pour laquelle les gorges 2 d sont formées à des intervalles d'environ 100 à 200 pm réside dans le fait que, si ces gorges 2 d sont formées à des intervalles plus grands que 200 pm, des joints intergranulaires peuvent se former également aux portions épaisses du film semi-conducteur 2 c, autres que les portions du film semi-conducteur 2 o sont formées les gorges 2 d, c'est-à-dire que des joints subgranulaires se forment défavorablement en des positions imprévisibles et irrégulières lors de la recristallisation par fusion de zones du film semi-conducteur 2 La raison pour laquelle la largeur de la gorge 2 d est de l'ordre de 10 à 20 pm est de produire des joints subgranulaires avec une bonne contrôlabilité en des portions du film semi-conducteur 2 c o sont formées les gorges 2 d en forme de bande et que si la largeur est hors de cette plage, les joints subgranulaires peuvent se produire défavorablement également aux portions épaisses du film semi- conducteur 2, outre les portions du film 2 o sont formées les gorges 2 d. Les figures 5 (a) et 5 (b) sont, respectivement, une vue en coupe transversale et une vue en plan d'un matériau de substrat semi- conducteur 200 après les étapes ci-dessus du procédé et montrant l'état o les joints subgranulaires 4 sont produits en des portions du film semi-conducteur 2 c o sont formées les gorges en forme de bande 2 d Le chiffre de référence 5 désigne une dislocation. Le film isolant 3 est ensuite éliminé à l'acide fluorhydrique en solution aqueuse, et subséquemment dans une atmosphère d'un chlorure à 11000 C, on attaque la totalité de la surface du film semi-conducteur 2 c au moyen de chlorure d'hydrogène gazeux, jusqu'à une profondeur prescrite, pour exposer le film isolant 1 en des portions du film semi- conducteur 2 c qui correspondent aux positions des gorges 2 d en forme de bande Ainsi, les portions du film semi- conducteur 2 c o sont formées les gorges en forme de bande 2 d sont complètement éliminées et ainsi on élimine les joints subgranulaires 4 avec pour résultat que le film semi- conducteur 2 c ne comporte pas de joint subgranulaire 4. Dans les étapes du procédé de production du substrat semi-conducteur de ce mode de réalisation, après recristallisation par fusion de zones du film semi-conducteur 2 c, les joints subgranulaires 4 qui y sont formés sont éliminés uniquement en enlevant le film semi- conducteur 2 c sur une profondeur prescrite, à partir de sa surface De cette manière, on peut obtenir un substrat semi-conducteur ayant un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones qui est formé sur le corps du substrat via un film isolant, film semi-conducteur dans lequel les joints subgranulaires sont inactivés en toute certitude, par un nombre moins grand d'étapes de procédé que dans l'art antérieur. La figure 6 est une vue en coupe transversale illustrant la structure d'un substrat semi-conducteur selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Sur cette figure, des chiffres de référence identiques à ceux des figures 4 (a) à 4 (c) désignent des éléments identiques ou correspondants. Dans un substrat semi-conducteur de ce mode de réalisation que l'on peut voir sur la figure, un autre film semi- conducteur 9, composé de Si, est tiré par épitaxie sur une épaisseur d'environ 50 à 100 pm sur le substrat semi- conducteur obtenu au troisième mode de réalisation, c'est-à- dire le matériau du substrat semi-conducteur montré à la figure 5 d'o sont éliminés un film isolant 3 et des portions de films semi-conducteurs 2 c sous les gorges 2 d. Dans le substrat semi-conducteur de ce quatrième mode de réalisation, comme le diamètre du grain de cristal est augmenté dans le film semiconducteur 2 c qui devient une base pour le film semi-conducteur 9 et que les joints subgranulaires sont éliminés du film semi- conducteur 2 c, le film semi-conducteur 9 est développé pour avoir une cristallinité supérieure, ne comprenant pas de joint subgranulaire, selon la cristallinité du film semi-conducteur 2 c Dans ce substrat semi-conducteur, le film semi-conducteur 9 est formé sur une épaisseur d'environ 50 à 100 pm et il peut être efficacement utilisé en tant que substrat semi- conducteur pour une pile solaire. Les figures 7 (a) à 7 (d) sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de production d'un substrat semi-conducteur selon le cinquième mode de réalisation de la présente invention Sur ces figures, des chiffres de référence identiques à ceux de la figure 1 désignent des éléments identiques ou correspondants. D'abord, on produit le même matériau de substrat semi- conducteur que le matériau 500 montré à la figure 18 (a), et on effectue un recristallisation par fusion de zones du film semi-conducteur sans contrôler les positions de production des joints subgranulaires, comme le montre la figure 18 (b) avec pour résultat un substrat semi- conducteur à l'état montré à la figure 7 (a). Ensuite, comme le montre la figure 7 (b), le film isolant 3 est enlevé en l'attaquant à l'acide fluorhydrique en solution aqueuse et ensuite, comme le montre la figure 7 (c), la totalité de la surface du film semiconducteur exposé 2 est oxydée pour former la région oxydée 2 e Alors, les portions du film semi-conducteur 2 o sont produits les joints subgranulaires 4 sont oxydées simultanément parce que le pouvoir de liaison entre atomes constituant le film semi- conducteur en ces portions est plus petit qu'en d'autres portions et l'oxydation peut se passer. Ensuite, comme le montre la figure 7 (d), la totalité de la surface du film semi-conducteur 2 est attaquée sur une profondeur prescrite, à partir de sa surface, par exemple, au moyen d'hydroxyde de potassium en solution aqueuse pour exposer les régions non oxydées du fil semi- conducteur 2 avec pour résultat un film semi-conducteur 2 o les joints subgranulaires 4 sont inactivés. Dans les étapes du procédé de production du substrat semi-conducteur de ce cinquième mode de réalisation, bien que l'on ne puisse réduire le nombre de joints subgranulaires et que l'on ne puisse contrôler les positions de production de ces joints subgranulaires, on peut obtenir un film semi- conducteur 2 o les joints subgranulaires sont inactivés en toute certitude par peu d'étapes de procédés. La figure 8 est une vue en coupe transversale illustrant la structure d'un substrat semi-conducteur selon le sixième mode de réalisation de la présente invention Sur cette figure, les mêmes chiffres de référence que ceux de la figure 7 désignent des éléments identiques ou correspondants. Dans ce substrat semi-conducteur montré à la figure 8, un autre film semi-conducteur 9 de 50 à 100 Mm d'épaisseur est tiré par épitaxie sur le substrat semi-conducteur du cinquième mode de réalisation. Le substrat semi-conducteur de ce sixième mode de réalisation comporte le film semi-conducteur 9 de 50 à 100 pm d'épaisseur, ayant une cristallinité supérieure, ne comprenant pas de joint subgranulaire et on peut obtenir les mêmes effets que ceux du quatrième mode de réalisation. Les figures 9 (a) et 9 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de production d'un substrat semi- conducteur selon un septième mode de réalisation de la présente invention Sur les figures, les mêmes chiffres de référence que ceux de la figure 1 désignent des éléments identiques ou correspondants. Les étapes du procédé seront décrites ci-dessous. D'abord, comme le montre la figure 9 (a), on produit le même matériau de substrat semi-conducteur que le matériau de substrat semi-conducteur 100 du premier mode de réalisation et on effectue une recristallisation par fusion de zones du film semi-conducteur 2. Ensuite, des portions supérieures du film isolant 8 au- dessus des films semi-conducteurs 7 en forme de bande sont couvertes d'un vernis photosensible et les portions exposées de surface du film isolant 8 sont attaquées par de l'acide fluorhydrique en solution aqueuse et de plus, le film isolant exposé 3 est attaqué et ensuite le vernis photosensible est enlevé Subséquemment, les portions concaves sur le substrat, qui sont formées par l'élimination par attaque ci- dessus décrite, sont noyées dans le vernis photosensible et le film isolant restant 8 est attaqué par de l'acide fluorhydrique en solution aqueuse Ensuite, les films semi-conducteurs 7 en forme de bande sont attaqués par de l'hydroxyde de potassium en solution aqueuse et, de plus, le film isolant restant 3 est éliminé par de l'acide fluorhydrique en solution aqueuse, avec pour résultat un substrat semi-conducteur à l'état montré à la figure 9 (b) et le film semi-conducteur 2 d'o sont éliminés les joints subgranulaires 4 peut être obtenu. Dans l'étape de production du substrat semi-conducteur de ce mode de réalisation, les positions de production des joints subgranulaires 4 sont contrôlées par les films semi- conducteurs 7 en forme de bandes qui sont formés au-dessus du film semiconducteur 2 et de plus le procédé d'élimination des joints subgranulaires 4 est entrepris en se référant aux films semi-conducteurs 7 en forme de bande Ainsi, on peut obtenir un substrat semi-conducteur ayant un film semi- conducteur recristallisé par fusion de zones qui est formé sur le corps du substrat via un film isolant, film semi- conducteur dans lequel les joints subgranulaires sont inactivés en toute certitude, par un moins grand nombre d'étapes de procédé que dans l'art antérieur. La figure 10 est une vue en coupe transversale illustrant la structure d'un substrat semi-conducteur selon un huitième mode de réalisation de la présente invention Sur cette figure, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 7 (a) à 7 (d) désignent des éléments identiques ou correspondants. Dans ce substrat semi-conducteur, un autre film semi- conducteur 9 de 50 à 100 pm d'épaisseur est tiré par épitaxie sur le substrat semi-conducteur du septième mode de réalisation. Le substrat semi-conducteur de ce mode de réalisation comprend le film semi-conducteur 9 d'une épaisseur de 50 à pm et ayant une cristallinité supérieure, sans joint subgranulaire et on peut obtenir les mêmes effets que ceux du quatrième mode de réalisation. La figure 12 est une vue en coupe transversale illustrant la structure d'un substrat semi-conducteur selon le neuvième mode de réalisation de la présente invention La figure 11 est une vue en coupe transversale illustrant une étape du procédé de production du substrat semi-conducteur. Sur cette figure, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 1 (a) à 1 (e) désignent des éléments identiques ou correspondants. Les étapes du procédé seront décrites ci-dessous. D'abord, on produit le même matériau de substrat semi- conducteur que le matériau 100 du premier mode de réalisation, et on effectue une recristallisation du film semi- conducteur 2 par fusion de zones Subséquemment, le film isolant 8, dans les portions concaves entre les films semi- conducteurs 7 en forme de bande, est couvert d'un vernis photosensible A cet état, les portions exposées du film isolant 8 sont attaquées à l'acide fluorhydrique en solution aqueuse et de plus les films semi- conducteurs 7 sont attaqués avec de l'hydroxyde de potassium en solution aqueuse et ensuite le film isolant exposé 3 est enlevé avec, pour résultat, le substrat semi-conducteur à l'état montré à la figure 11. Un film isolant 9 est tiré par épitaxie sur une épaisseur de 50 à 100 Mm sur le substrat semi-conducteur ci- dessus décrit avec pour résultat le substrat semi-conducteur montré à la figure 12. Le substrat semi-conducteur de ce neuvième mode de réalisation comprend le film semi-conducteur 9 d'une épaisseur de 50 à 100 Mm qui a une cristallinité supérieure, sans joint subgranulaire, et on peut obtenir les mêmes effets que ceux du quatrième mode de réalisation. Les figures 13 (a) et 13 (b) sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes du procédé de production d'un substrat semiconducteur selon un dixième mode de réalisation de la présente invention Sur ces figures, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 1 et 18 désignent des éléments identiques ou correspondants. Les étapes du procédé seront décrites ci-dessous. Avant tout, on produit le matériau du substrat semi- conducteur 500 montré à la figure 18 (a). * Ensuite, le film semi-conducteur 2 dans le matériau de substrat semiconducteur 500 est recristallisé par fusion de zones par la même méthode que dans l'art antérieur. La figure 14 est un schéma montrant les distributions de concentration en oxygène dans la direction de la profondeur du film semi-conducteur 2 recristallisé par fusion de zones par l'étape de procédé ci-dessus Sur cette figure, la courbe 15 montre le résultat obtenu en analysant les portions du film semi-conducteur 2 o sont produits les joints subgranulaires et la courbe 16 montre le résultat obtenu en analysant la portion du film semi-conducteur 2 o il n'y a pas de joint subgranulaire Comme le montre la figure, la concentration en oxygène aux portions o sont produits les joints subgranulaires est élevée en une région de surface du film semi-conducteur, en comparaison avec une portion o il n'y a pas de joint subgranulaire, et elle devient presque identique à une région à 500 nm de profondeur ou plus, à partir de la surface du film semi-conducteur. Alors, quand la concentration en impuretés comme de l'oxygène dépasse le degré de fusion à l'état solide dans le film semi- conducteur, les impuretés précipitent sous la forme de composés avec des atomes semi-conducteurs (par exemple Si O 2 quand le film semi- conducteur contient Si) Les composés précipités deviennent des sources de défauts de ligne dans la couche épitaxiée lorsqu'un autre film semi- conducteur est tiré par épitaxie sur le film semi-conducteur Les figures 22 (a) et 22 (b) sont une vue en coupe transversale et une vue en plan, respectivement, de l'état o un autre film semi- conducteur 9 b est tiré par épitaxie sur le film semi- conducteur 2 Comme le montrent les figures, dans le film semi- conducteur 9 b, des défauts de ligne 4 a ainsi que des joints subgranulaires provenant des joints subgranulaires 4 eux-mêmes dans le film semi-conducteur 2 sont produits Par conséquent, à l'étape suivante du procédé, après avoir enlevé la portion de surface du film semi- conducteur 2 contenant de l'oxygène à une forte concentration, on ne provoque pas la croissance épitaxiée d'un autre film semi-conducteur. D'abord, le film isolant 3 est enlevé au moyen d'acide fluorhydrique en solution aqueuse pour exposer le film semi- conducteur 2 Ensuite, le film semi-conducteur 2 est attaqué sur une profondeur de 500 nm, à partir de sa surface, au moyen de chlorure d'hydrogène gazeux dans une atmosphère d'hydrogène chauffé à environ 1000 C avec pour résultat un substrat semi-conducteur à l'état montré à la figure 13 (a). Sur cette figure, le chiffre de référence 2 f désigne un film semiconducteur dont la portion de surface est attaquée sur une profondeur de 500 nm ou plus. Ensuite, comme le montre la figure 13 (b), par exemple, un film en silicium est tiré par épitaxie sur une épaisseur de 50 à 100 Mm sur le film semi-conducteur 2 f afin de produire un film semi-conducteur 9 a Alors, comme le procédé d'attaque ci-dessus décrit du film semi-conducteur 2 est entrepris avec du chlorure d'hydrogène gazeux dans l'atmosphère d'hydrogène chauffé aux environs de 1100 'C, le procédé de croissance épitaxiée du film semi-conducteur 9 a et le procédé d'attaque peuvent être entrepris dans la même atmosphère, c'est-à-dire dans la même chambre Ainsi, le film semi-conducteur 9 a est tiré par épitaxie en maintenant la surface du film semi-conducteur 2 f exposée en l'attaquant. Dans les étapes du procédé de production du substrat semi-conducteur de ce dixième mode de réalisation, le film semi-conducteur 2 recristallisé par fusion de zones est attaqué sur une profondeur de 500 nm, à partir de sa surface, pour éliminer les portions o les atomes d'oxygène se séparent à une forte concentration et le film semi-conducteur 9 a est tiré par épitaxie sur une épaisseur de 50 à 100 pm sur le film semi-conducteur 2 Ainsi, le substrat semi- conducteur comprenant le film semi-conducteur 9 a formé sur le corps du substrat via un film isolant, de 50 à 100 Mm d'épaisseur, ne comprenant pas de défaut de ligne 4 a, peut être obtenu. Les figures 15 (a) à 15 (f) sont des vues en coupe transversale illustrant des étapes du procédé de production d'un substrat semi- conducteur selon un onzième mode de réalisation de la présente invention Sur ces figures, les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 1 désignent des éléments identiques ou correspondants. On décrira ci-dessous les étapes du procédé. D'abord, comme le montre la figure 15 (a), on produit le même matériau de substrat semi-conducteur que le matériau du substrat semi-conducteur 500 montré à la figure 18 (a). Ensuite, comme le montre la figure 15 (b), comme dans l'art antérieur, la recristallisation par fusion de zones du film semi-conducteur 2 est effectuée sans contrôler les positions o sont produits les joints subgranulaires 4. Ensuite, comme le montre la figure 15 (c), des ouvertures 13 sont formées dans le film isolant 3, ne recouvrant pas les positions o se sont produits les joints subgranulaires 4 Les figures 16 sont des vues illustrant concrètement les états o les ouvertures 13 sont formées La figure 16 (a) montre l'état o un certain nombre d'ouvertures rondes 13 a de 1 à 10 Mm de diamètre sont formées, la figure 16 (b) montre un état o un certain nombre d'ouvertures 13 b en forme de bande de 1 à 10 Mm de large sont formées et la figure 16 c montre l'état o l'ouverture 13 c en forme de bande de 1 à 10 pm de large n'est formée qu'à une extrémité du substrat semi-conducteur. Ensuite, comme le montre la figure 15 (d), un film semi- conducteur 11 ayant environ 0,5 à 1 pm d'épaisseur, composé de silicium amorphe ou de silicium polycristallin, est formé sur le film isolant 3 sur lequel sont formées des ouvertures 13 en forme de bande Par ailleurs, un film isolant 12, comprenant un film de nitrure de silicium et un film d'oxyde de silicium qui sont laminés, est formé sur le film semi- conducteur 11. Ensuite, un moyen chauffant tel qu'un réchauffeur à bande de carbone, non représenté, est disposé sur le film isolant 12 et le moyen chauffant est balayé à une vitesse prescrite, dans une direction prescrite, pour entreprendre la recristallisation par fusion de zones du film semiconducteur 11, comme le montre la figure 15 (e) et ensuite le film isolant 12 est enlevé, avec pour résultat le substrat semi- conducteur montré à la figure 15 (f) Ensuite, la recristallisation par fusion de zones se passe dans le film semi-conducteur 11 en utilisant les portions du film semi- conducteur 2 de bonne cristallinité, n'ayant pas de joints subgranulaires, en tant que graines à travers les ouvertures 13 dans le film isolant 3 et ainsi on recristallise le film semi-conducteur 11, pour qu'il ait une cristallinité remarquablement bonne. La figure 17 est une vue typique agrandie illustrant un état cristallin du film semi-conducteur 11 o est entreprise une recristallisation par fusion de zones quand le film isolant 3 est à l'état montré à la figure 16 (a) Sur la figure, le chiffre de référence 13 a' désigne une trace montrant que la recristallisation du film semi- conducteur 11 s'est passée à partir des ouvertures 13 a dans le film isolant 3 Le chiffre de référence 17 désigne un joint de grain qui est produit par collision de régions différemment cristallisées o la recristallisation se passe à partir des ouvertures 13 a Le joint de grain 17 n'est pas une agrégation de défauts cristallins comme un joint subgranulaire, o la direction du cristal glisse un peu et n'est pas quelque chose pouvant avoir un quelconque effet sur les caractéristiques électriques. Dans les étapes ci-dessus du procédé de production d'un susbtrat semi-conducteur selon ce mode de réalisation, lors de la recristallisation par fusion de zones du film semi- conducteur 11, le film Il est en contact avec des portions du film semiconducteur 2 recristallisé par fusion de zones d'une bonne cristallinité, ne comprenant pas de joint subgranulaire, à travers les ouvertures 13 dans le film isolant 3, donc la recristallisation par fusion de zones se passe avec les portions de contact servant de graines, et ainsi la cristallinité du film semi-conducteur il recristallisé par fusion de zones est remarquablement améliorée, sans joint subgranulaire produit dans le film semi-conducteur 11 On peut ainsi obtenir un substrat semi- conducteur comportant un film semi-conducteur formé sur le corps du substrat via un film isolant, ayant une cristallinité remarquablement améliorée et ne comprenant pas de joint subgranulaire. Dans le mode de réalisation ci-dessus décrit de la présente invention, on emploie un susbtrat en silicium monocristallin en tant que substrat semi-conducteur et un film semi-conducteur comprenant du silicium amorphe ou du silicium polycristallin est employé en tant que film semi- conducteur sur lequel est effectuée une recristallisation par fusion de zones, tandis que l'on peut également employer un substrat semiconducteur composé de métal, verre ou céramique, et on peut également utiliser un film semi- conducteur comprenant d'autres matériaux semi-conducteurs en tant que film semi-conducteur sur lequel est effectuée la recristallisation par fusion de zones, tout en obtenant les mêmes effets que ceux ci-dessus décrits. REVENDICATIONS 1 Procédé de production d'un substrat semi-conducteur, du type comprenant un film semi-conducteur formé sur un corps d'un substrat semi-conducteur via un film isolant, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un substrat semi-conducteur ayant une surface avant et une surface arrière opposée à ladite surface avant, former un premier film isolant, un premier film semi- conducteur et un deuxième film isolant sur ledit substrat semiconducteur, en succession, dans cet ordre, former des seconds films semiconducteurs en forme de bande d'une largeur prédéterminée sur ledit second film isolant, périodiquement, à des intervalles prédéterminés et couvrir lesdits seconds films semi-conducteurs d'un troisième film isolant, accomplir la recristallisation par fusion de zones dudit premier film semi-conducteur le long de la direction des bandes dudit second film semi-conducteur, d'une extrémité dudit substrat jusqu'à une extrémité opposée, attaquer ledit troisième film isolant et des portions dudit deuxième film isolant avec les portions restantes prises en sandwich entre le premier film semi-conducteur et le second film semi- conducteur, oxyder le second film semi-conducteur et le premier film semi-conducteur exposés par ledit procédé d'attaque, et attaquer ledit deuxième film isolant qui reste après ledit procédé d'attaque. 2 Procédé de production d'un susbtrat semi-conducteur, du type comportant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi- conducteur via un film isolant, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un substrat semi-conducteur ayant une surface avant et une surface arrière opposée à ladite surface avant, former un premier film isolant, un premier film semi- conducteur et un deuxième film isolant sur ledit substrat semiconducteur, en succession, dans cet ordre, former des seconds films semiconducteurs en forme de bande d'une largeur prédéterminée sur ledit deuxième film isolant, périodiquement, à des intervalles prédéterminés et couvrir ledit second film semi-conducteur d'un troisième film isolant, accomplir une recristallisation par fusion de zones dudit premier film semi-conducteur, d'une extrémité dudit substrat à l'autre, dans une direction perpendiculaire à la direction des bandes dudit second film semi-conducteur, attaquer ledit troisième film isolant et ledit deuxième film isolant avec les portions restantes qui sont prises en sandwich entre lesdits premier et second films semi- conducteurs, diffuser des impuretés dans lesdits seconds films semi- conducteurs et des portions dudit premier film semi- conducteur qui sont exposées par ledit procédé d'attaque, et attaquer ledit deuxième film isolant qui reste après ledit procédé d'attaque. 3 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend de plus la croissance épitaxiée d'un autre film semi-conducteur sur toute la surface du substrat, après élimination complète du deuxième film isolant. 4 Procédé de production d'un substrat semi-conducteur, du type comportant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi- conducteur via un film isolant, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un substrat semi-conducteur ayant une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant, former un premier film isolant et un film semi- conducteur sur le substrat semi-conducteur, en succession dans cet ordre, former des gorges en bande d'une largeur prédéterminée sur le film semi-conducteur, périodiquement, à des intervalles prédéterminés, former un second film isolant sur le film semi- conducteur, accomplir une recristallisation par fusion de zones dudit film semi-conducteur, d'une extrémité dudit substrat à l'autre, dans une direction perpendiculaire à la direction de de la gorge, et éliminer le second film isolant et attaquer toute la surface du premier film semi-conducteur sur une profondeur prédéterminée pour ainsi former des ouvertures en des positions du premier film semi-conducteur o sont formées les gorges en bande. 5 Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend de plus la croissance épitaxiée d'un autre film semi-conducteur sur toute la surface du substrat après le procédé d'attaque. 6 Procédé de production d'un substrat semi-conducteur, du type comprenant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi- conducteur via un film isolant, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un substrat semi-conducteur ayant une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant, former un premier film isolant, un film semi-conducteur et un second film isolant sur le substrat semi-conducteur, en succession dans cet ordre, accomplir une recristallisation par fusion de zones dudit film semi-conducteur, d'une extrémité dudit substrat à une extrémité opposée, attaquer ledit second film isolant et oxyder une surface dudit film semi-conducteur, et attaquer le film semi-conducteur, à partir de sa surface sur une profondeur prédétermée, pour exposer des surfaces des portions de film semi-conducteur à un état non oxydé. 7 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend de plus la croissance épitaxiée d'un autre film semi-conducteur ( 9) sur toute la surface du substrat, après exposition des surfaces des portions non oxydées dudit premier film semi-conducteur. 8 Procédé de production d'un substrat semi-conducteur, du type comprenant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat via un film isolant, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un susbtrat semi-conducteur ayant une surface avant et une surface arrière, opposée à ladite surface avant, former un premier film isolant, un premier film semi- conducteur et un deuxième film isolant, sur ledit substrat semiconducteur, en succession dans cet ordre, former des seconds films semi-conducteurs en bandes d'une largeur prédéterminée sur ledit deuxième film isolant, périodiquement à des intervalles prédéterminés et couvrir lesdits seconds films semi-conducteurs d'un troisième film isolant, accomplir une recristallisation par fusion de zones dudit premier film semi-conducteur, d'une extrémité dudit substrat à l'autre dans une direction perpendiculaire à la direction du film semi- conducteur en bande, masquer des portions au-dessus des seconds films semi- conducteurs en forme de bande au moyen d'un vernis photosensible, attaquer des portions exposées du troisième film isolant, attaquer des portions du deuxième film isolant exposées par l'attaque et attaquer des portions du premier film semi-conducteur exposées par l'attaque, et noyer des portions concaves formées par les attaques dans le procédé au moyen d'un vernis photosensible, attaquer le troisième film isolant qui reste après ledit procédé, attaquer les seconds films semi- conducteurs en bande exposés par ladite attaque et attaquer le second film isolant exposé par ladite attaque. 9 Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend de plus la croissance épitaxiée d'un autre film semi-conducteur sur toute la surface avant du substrat, après élimination complète du deuxième film isolant. Procédé de production d'un substrat semi- conducteur, du type comprenant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi-conducteur via un film isolant, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un substrat semi-conducteur ayant une surface avant et une surface arrière qui lui est opposée, former un premier film isolant, un premier film semi- conducteur et un deuxième film isolant sur le substrat semi- conducteur, en succession dans cet ordre, former des seconds films semiconducteurs en bande d'une largeur prédéterminée sur le deuxième film isolant, périodiquement, à des intervalles prédéterminés et couvrir lesdits seconds films semi-conducteurs par un troisième film isolant, accomplir une recristallisation par fusion de zones dudit film semiconducteur, d'une extrémité dudit substrat à l'autre dans une direction perpendiculaire à la direction du second film semi-conducteur en bande, masquer des portions au-dessus du troisième film isolant entre des bandes adjacentes du film semi-conducteur qui sont formées périodiquement à des intervalles prédéterminés, au moyen d'un vernis photosensible, attaquer les portions exposées du troisième film isolant, attaquer les seconds films semi-conducteurs en bande exposés par ladite attaque et attaquer des portions du deuxième film isolant exposées par ladite attaque, et éliminer le vernis photosensible et ensuite provoquer la croissance épitaxiée d'un troisième film semi-conducteur. 11 Procédé de production d'un substrat semi- conducteur, du type comportant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi-conducteur via un film isolant, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un substrat semi-conducteur ayant une surface avant et une surface arrière opposée à ladite surface, former un premier film isolant, un premier film semi- conducteur et un second film isolant sur ledit substrat semi- conducteur, en succession, accomplir une recristallisation par fusion de zones du premier film semi-conducteur, d'une extrémité du substrat jusqu'à une extrémité opposée, attaquer le second film isolant, attaquer ensuite le premier film semi-conducteur sur une profondeur prédéterminée à partir de sa surface, et provoquer la croissance épitaxiée d'un second film semi-conducteur sur le premier film semi-conducteur. 12 Procédé de production d'un substrat semi- conducteur, du type comportant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi-conducteur via un film isolant, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un substrat semi-conducteur ayant une surface avant et une surface arrière opposée à ladite surface, former un premier film isolant, un premier film semi- conducteur et un deuxième film isolant sur le substrat semi- conducteur, en succession dans cet ordre, accomplir une recristallisation par fusion de zones du premier film semi-conducteur, d'une extrémité du substrat à l'autre, former des ouvertures dans le deuxième film isolant en des positions ne recouvrant pas les positions des joints subgranulaires produits dans le premier film semi-conducteur pendant le procédé de recristallisation par fusion de zones, fait croître par épitaxie un second film semi- conducteur sur ledit deuxième film isolant, pour former ensuite un troisième film isolant sur le second film semi- conducteur, et accomplir une recristallisation par fusion de zones du second film semi-conducteur, d'une extrémité du substrat jusqu'à une extrémité opposée. 13 Substrat semi-conducteur du type comportant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi- conducteur via un film isolant, caractérisé en ce que: le film semiconducteur se compose d'un premier film semi-conducteur ( 2) qui est un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones, d'o sont éliminés les joints subgranulaires produits pendant la recristallisation par fusion de zones et d'un second film semi- conducteur ( 7) tiré par épitaxie sur ledit premier film semi-conducteur. 14 Substrat semi-conducteur du type comprenant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi- conducteur via un film isolant, caractérisé en ce que: ledit film semi-conducteur se compose d'un premier film semi-conducteur ( 2) qui est un film semi-conducteur recristallisé par fusion de zones ayant des joints subgranulaires inactivés produits pendant la recristallisation par fusion de zones et d'un second film semi-conducteur ( 9) tiré par épitaxie sur ledit premier film semi-conducteur ( 2). Substrat semi-conducteur du type comportant un film semi-conducteur formé sur un corps de substrat semi- conducteur via un film isolant, caractérisé en ce que: le film semi-conducteur se compose d'un premier film semi-conducteur ( 2) sur lequel est accomplie une recristallisation par fusion de zones et d'un second film semi-conducteur ( 11) disposé sur le premier, o est accomplie la recristallisation par fusion de zones en employant les régions du premier film semi-conducteur ( 2) sans joint subgranulaire ( 4) comme graines.