FR 2702317 A1 19940909 FR 9302464 A 19930303 "Circuit pompe de charge à faible consommation, faible bruit et synthétiseur de fréquence équipé d'un tel circuit. La présente invention concerne un circuit pompe de charge comportant à partir d'une première borne d'alimentation, une première et une deuxième sources de courant de construction semblable, dont le courant débité en direction d'une deuxième borne d'alimentation est nominalement identique, lesdites sources étant activées indépendamment et cycliquement par des signaux de commande, respectivement un signal dit de descente et un signal dit de montée, circuit qui comporte également un miroir de courant dont l'entrée est insérée dans la liaison de la première source de courant vèrs la deuxième borne d'alimentation, et dont la sortie est connectée à la sortie de la deuxième source de courant, connexion-qui constitue une borne de sortie du circuit pompe de charge. Un tel circuit pompe de charge est connu du document US-A- 4 847 519. Le circuit connu par ce document comporte deux sources de courant sous la forme de deux étages différentiels fonctionnant sous une commande cyclique des signaux de descente et de montée, une impulsion de charge étant fournie en sortie pendant un intervalle de temps pendant lequel une seulement des deux sources de courant, est active Durant le reste d'un cycle de la commande cyclique, les sources de courant sont soit inactivées, soit actives simultanément ce qui ne fournit aucune charge à la sortie du circuit Les impulsions de charges en sortie du circuit sont stockées dans une capacité réservoir. Si la disposition du circuit connu offre l'avantage d'utiliser deux sources de courant qui peuvent être construites de manière très semblables et peuvent donc, de ce fait, être convenablement appairées, il présente le grave inconvénient de consommer en permanence le courant total des deux sources de courant, du fait du montage différentiel utilisé. En ce qui concerne les caractéristiques de bruit en sortie d'un circuit pompe de charge de ce type, une analyse détaillée des phénomènes indique que le bruit moyen, est sensiblement proportionnel au rapport cyclique des signaux commande, le bruit étant pratiquement nul pendant la portion du cycle o les sources de courant sont toutes les deux inactives Pour diminuer le bruit moyen en sortie, il est donc avantageux d'utiliser des signaux de commande ayant un rapport cyclique le plus petit possible Par ailleurs, l'aptitude d'un circuit pompe de charge à changer rapidement de valeur en sortie, en réponse à une variation instantanée de la phase d'un oscillateur à contrôler, cette aptitude sera favorisée lorsque les sources de courant débitent un courant élevé, par exemples plusieurs milliampères voire quelques dizaines de milliampères. Le circuit pompe de charge de l'art antérieur ne peut donc pas convenir à des applications o la consommation de courant doit être limitée au maximum comme c'est le cas pour des appareils portatifs, alimentés par piles ou batteries. La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients précités Elle propose un circuit pompe de charge avec lequel la consommation d'énergie est nettement moins élevée qu'avec le circuit connu, et dont le bruit en sortie est notablement réduit. En effet, selon l'invention, un circuit pompe de charge conforme au paragraphe introductif est notamment remarquable en ce que les première et deuxième sources de courant étant essentiellement constituées respectivement d'un premier et d'un deuxième transistors, l'électrode de commande de chacun d'eux est reliée à la sortie d'un générateur de tension de référence, commun aux deux transistors, via, pour le premier transistor, un premier commutateur à transistors commandé par le signal de descente, et pour le deuxième transistor, via un deuxième commutateur à transistors commandé par le signal de montée, et en ce que le générateur de tension de référence comporte un troisième transistor, de construction semblable aux deux premiers transistors, une source de courant de référence en série avec le troisième transistor, et des moyens pour imposer que le courant traversant ce troisième transistor soit égal au courant de ladite source de courant de référence, l'électrode de commande du troisième transistor présentant ladite tension de référence à appliquer aux électrodes de commande des premier et deuxième transistors. Ainsi, selon l'invention, les première et deuxième sources de courant ne débitent que pendant le temps o elles sont activées, temps qui est défini par les rapports cycliques des signaux de commande qui peuvent être aussi petits que 1/104, alors que le troisième transistor est seul à débiter en permanence le courant de référence fourni par la source de courant de référence Or en pratique, un générateur de tension de référence tel que défini peut être utilisé pour alimenter une pluralité de premières et deuxièmes sources de courant de sorte que le courant consommé en moyenne reste très modéré. Comme l'télectrode de commande des premier et deuxième transistors est alimentée à partir du même générateur de tension de référence, le bruit qui pourrait être présent à la sortie de ce générateur se trouve essentiellement éliminé en sortie du circuit dans la phase du cycle durant laquelle les deux sources de courant sont activées simultanément. Selon un mode préféré de réalisation, le circuit pompe de charge selon l'invention est caractérisé en ce que le générateur de tension de référence comporte un amplificateur de contre-réaction, dont une première entrée est reliée à un noeud formé entre la source de courant de référence et l'électrode de sortie du troisième transistor, dont une seconde entrée est reliée à l'électrode de commande de ce troisième transistor et dont la sortie fournit ladite tension de référence. L'amplificateur de contre-réaction peut donc être proportionné selon les applications au nombre et au courant débité par les sources de courant que ce générateur alimente Comme l'électrode de sortie du troisième transistor est reliée à l'une des entrées de l'amplificateur de contre-réaction, le troisième transistor fonctionne sous une tension définie et constante. De manière que le troisième transistor soit placé dans des conditions de fonctionnement les plus semblables possible par rapport au premier et deuxième transistor, on prévoit avantageusement qu'un quatrième transistor, tenant lieu d'interrupteur fermé en permanence, est inséré entre la seconde entrée de l'amplificateur de contre- réaction et l'électrode de commande du troisième transistor, ce quatrième transistor étant de construction semblable à celle des transistors du premier et du deuxième commutateur qui commandent l'activation cyclique des premier et deuxième transistors de la pompe de charge. On obtient par ce moyen que les sources de courant débitent un courant reproduisant le plus exactement possible le courant de référence produit dans le générateur de tension de référence Le courant débité par les première et deuxième sources de courant est donc prévisible avec une grande précision. On peut prévoir selon l'invention qu'un circuit pompe de charge comporte encore un dispositif de décalage de tension inséré à la première entrée de l'amplificateur de contre-réaction Cette disposition permet de choisir une tension de fonctionnement du troisième transistor qui soit compatible avec les tensions d'alimentation et qui se rapproche des tensions de fonctionnement des premier et deuxième transistors. Le circuit pompe de charge selon l'invention peut être réalisé soit à transistors à effet de champ de type MOS soit à transistors de type bipolaire soit encore et avantageusement à l'aide d'une combinaison de transistors de chacun de ces deux types. L'invention concerne également un synthétiseur de fréquence incorporant au moins un circuit pompe de charge tel que précédemment défini. D'autres détails caractéristiques et avantages de l'invention seront plus apparents à la lecture de la description qui va suivre au regard de dessins annexés donnés à titre d'exemple non limitatifs dans lesquels: la figure 1 représente un schéma électrique, partiellement sous forme de blocs, d'un circuit pompe de charge selon l'invention, la figure 2 montre un exemple de réalisation détaillé de deux commutateurs utilisés dans le circuit de la figure 1, la figure 3 représente un schéma électrique simplifié relatif à la mise en oeuvre d'un amplificateur de contre-réaction utilisé dans le circuit pompe de charge selon l'invention, et la figure 4, un mode préféré de réalisation d'un tel amplificateur de contre-réaction. Le schéma de principe d'un circuit pompe de charge selon l'invention est montré à la figure 1, Entre la borne d'alimentation positive Vcc et la borne d'alimention négative Vss sont disposés en parallèle un premier transistor bipolaire pnp 11 dont l'émetteur est relié à la borne Vcc via une résistance d'émetteur 21, et un deuxième transistor 12 de même type dont l'émetteur est relié à la borne Vcc via une résistance d'émetteur 22 de valeur égale à la résistance 21 Le collecteur du premier transistor 11 est connecté à l'entrée d'un miroir de courant Ml, à transistors bipolaires npn, dont la sortie est connectée au collecteur du deuxième transistor 12 pour former un noeud représentant la borne de sortie O du circuit pompe de charge Les transistors et résistances d'émetteur 11, 21 respectivement 12, 22 constituent respectivement les première et deuxième sources de courant de la pompe de charge La base du premier transistor 11 est reliée à la sortie d'un générateur de tension de référence 14 présentant en sortie une tension de référence VB, via un commutateur à transistor 15 commandé par un signal de descente DN D'une manière similaire, le deuxième transistor 12 a sa base reliée à la même sortie du générateur de tension de référence 14 via un autre commutateur à transistor 16 lequel est commandé par le signal de montée UP Les signaux de descente DN et de montée UP sont ceux fournis par un comparateur de phase auquel le circuit pompe de charge est associé dans le but de former une boucle à verrouillage de phase, comparateur de phase connu et non représenté sur la figure Ces signaux ont la forme d'impulsions à rapport cyclique petit et sont modulés en largeur d'impulsion. Le générateur de tension de référence 14 est constitué essentiellement d'un troisième transistor 13 de construction semblable aux premier et deuxième transistors 11, 12, dont l'émetteur est relié à la borne d'alimentation Vcc via une résistance d'émetteur 23 de valeur égale à celle des résistances d'émetteur 21 et 22 des premier et deuxième transistors Le troisième transistor 13 est relié à la borne d'alimentation Vss via une source de courant de référence So débitant un courant de référence Io fixé. Des moyens sont en outre prévus tels qu'ils imposent que le courant traversant le troisième transistor 13 soit égal au courant Io de ladite source de courant de référence So Lesdits moyens sont essentiellement constitués d'un amplificateur de contre-réaction 20. Une première entrée de cet amplificateur 20 est reliée au noeud formé contre le collecteur du troisième transistor 13 et la source de courant So, cette liaison comportant avantageusement l'insertion d'un dispositif de décalage de tension 18 Une seconde entrée de l'amplificateur 20 est reliée à la base du troisième transistor 13, cette liaison comportant avantageusement l'insertion d'un interrupteur 17 à transistor, fermé en permanence Comme on le verra plus en détail par la suite, l'interrupteur 17 est formé d'un transistor de même type et de construction semblable de ceux des transistors des commutateurs et 16 qui réalisent l'activation cyclique des premier 11 et deuxième 12 transistors La sortie de l'amplificateur 20 est connectée à la deuxième entrée de cet amplificateur et présente ladite tension de référence VB qui est à appliquer cycliquement aux premier 11 et deuxième 12 transistors de la pompe de charge Dans un tel générateur de tension de référence 14, on a donc constitué des moyens totalement similaires aux premier et deuxième transistors 11 et 12 de la pompe de charge de sorte que lorsque ces transistors sont activés ils reproduisent exactement le courant de référence Io. On se reporte maintenant à la figure 2 qui représente un exemple préféré de réalisation des commutateurs 15 et 16 schématisés à la figure 1 Les commutateurs 15 et 16 sont ici réalisés à l'aide de transistors à effet de champ de type MOS Le commutateur 15 reçoit à l'entrée la commande de descente DN qui est appliquée sur la grille d'une paire de transistors MP 11 et MN 11 disposés en série entre les bornes d'alimentation Vcc et Vss Le transistor MP 11 est à canal p et le transistor MN 11 est à canal n Cette paire de transistors fournit en sortie un signal logique inverse de celui de la commande de descente DN Une autre paire de transistors MOS à canal p respectivement MP 12 et MP 13 est disposée en série entre la borne d'alimentation Vcc et le noeud présentant la tension de référence VB. Le transistor MP 12 référencé à la borne d'alimentation Vcc reçoit sur sa grille le signal de descente inversé en sortie de la paire de transistors MP 11 et MN 11 Le transistor MP 13 référencé à la tension de référence VB, reçoit sur sa grille le signal de descente DN Ainsi les transistors MP 12 et MP 13 forment un commutateur, le noeud commun à ces deux transistors étant soit porté à la tension Vcc soit porté à la tension VB en fonction de la commande de descente DN, noeud qui est connecté à la base du premier transistor 11 de la pompe de charge. Le commutateur 16 est construit d'une manière totalement similaire à celle du commutateur 15 Il reçoit à son entrée la commande de montée UP appliquée à la grille d'une paire de transistors MOS MP 21 respectivement MN 21 formant inverseur du signal de montée UP. De même une deuxième paire de transistors MP 22 et MP 23 disposée entre la borne Vcc et la connexion présentant la tension de référence VB a sa sortie constituée par le noeud commun de liaison entre ces transistors, noeud qui est relié directement à la base du deuxième transistor 12 de la pompe de charge. Lorsque le premier transistor 11 de la pompe de charge est activé, le transistor MP 13 est passant et fournit à la base du transistor 11 la tension de référence VB De même, lorsque le deuxième transistor 12 de la pompe de charge est activé, le transistor MP 23 est passant et applique à la base de ce transistor 12 la tension de référence VB Comme il a été indiqué précédemment, dans le générateur de tension de référence 14, le transistor constituant l'interrupteur 17, fermé en permanence, est constitué d'un transistor MOS à canal p de construction identique aux transistors MP 13 et MP 23 de sorte que la tension de référence VB prend en compte la chute de tension dans chacun de ces transistors Ainsi le courant de référence Io est exactement reproduit dans les premier 11 et deuxième 12 transistors lorsqu'ils sont activés. Les premier et deuxième transistors 11 et 12 de la pompe de charge, lorsqu'ils sont activés simultanément, sont polarisés à la même tension de référence VB de sorte que le bruit présenté par cette tension se trouve essentiellement éliminé à la sortie O de la pompe de charge. La figure 3 représente un exemple très schématique pour la réalisation d'un amplificateur de contre-réaction tel que l'amplificateur 20 de la figure 1 L'amplificateur de contre-réaction est ici essentiellement réalisé au moyen d'un transistor MP 15 de type à effet de champ MOS à canal p, dont la grille est connectée au noeud reliant le collecteur du troisième transistor 13 à la source de courant de référence So Le trajet principal de courant du transistor MP 15 est disposé entre la borne d'alimentation Vss et un noeud de connection A lequel constitue la sortie à la tension de référence VB, et qui est connecté en outre à la base du troisième transistor 13 via l'interrupteur 17, et est relié à la borne d'alimentation Vcc via une source de courant 52 La tension base-collecteur du troisième transistor 13 est donc déterminée par la tension de seuil du transistor MP 15 augmentée de la chute de tension dans l'interrupteur 17 Le transistor MP 15 absorbe le courant de la source de courant 52 de manière à porter le noeud A à la tension VB tel que le troisième transistor 13 débite le courant Io de la source de courant de référence So La tension de référence VB est créée sous une impédance d'autant plus faible que la source de courant 52 débite un courant I 2 plus élevé Elle est apte à réagir à tout appel de courant de base des premier et deuxième transistors 11 et 12 de la pompe de charge. La figure 4 représente un exemple de réalisation préféré pour l'ensemble du générateur de tension de référence 14 représenté à la figure 1 Le troisième transistor 13 est à nouveau représenté sur la figure muni de sa résistance d'émetteur 23 et de la source de courant de référence So en série avec ce transistor. Un transistor bipolaire T 18 de type npn est connecté au collecteur du troisième transistor 13 tandis que son émetteur est relié à la borne d'alimentation Vss via une autre source de courant Si débitant un courant Il, et son collecteur est directement connecté à la borne d'alimentation Vcc Le transistor T 18 réalise ici le dispositif dit décaleur de tension symbolisé en 18 à la figure 1 A la base du troisième transistor 13, est connectée une électrode du trajet principal de courant d'un transistor MP 17 de type MOS à canal p, dont la grille est connectée à la borne d'alimentation Vss Le transistor MP 17 constitue l'interrupteur fermé en permanence représenté à la référence 17 aux figures 1 et 3 L'amplificateur de contre-réaction comporte maintenant un premier transistor d'entrée MP 15 de type MOS à canal p ainsi qu'un deuxième transistor d'entrée MP 16 de même type, transistors dont les grilles sont interconnectées entre elles et connectées à l'émetteur du transistor T 18 La source S du premier transistor d'entrée MP 15 reçoit la tension de sortie du transistor MP 17 jouant le rôle d'interrupteur fermé en permanence et est également reliée à la borne d'alimentation Vcc via la source de courant 52 telle que celle décrite à la figure 3, débitant un courant I 2 La source S du deuxième transistor d'entrée MP 16 constitue la borne de sortie de l'amplificateur, elle est également reliée à la borne d'alimentation Vcc via une autre source de courant 53, débitant un courant I 3 Le drain D du premier transistor d'entrée MP 15 est relié à la borne d'alimentation Vss via l'entrée d'un miroir de courant M 2 à transistors bipolaires npn 31 et 32 La sortie du miroir de courant M 2 constituée par le collecteur du transistor 32 est reliée d'une part au drain D du deuxième transistor d'entrée MP 16 et d'autre part à la base d'un transistor de sortie 33 de type bipolaire npn qui a son émetteur connecté à la borne d'alimentation Vss et son collecteur connecté à la borne de sortie O de l'amplificateur Le noeud de connexion A est celui déjà décrit à propos de la figure 3 On a désigné par B un noeud de connexion homologue du noeud A reliant la source de courant 53 à la source S du deuxième transistor d'entrée MP 16 L'amplificateur de contre-réaction ainsi réalisé a un gain en puissance plus élevé que celui schématisé à la figure 3 A la différence du montage représenté à la figure 3, le noeud A est maintenant distinct de la sortie de l'amplificateur (noeud B) mais la tension développée au noeud A est précisément reproduite au noeud B sous une impédance encore plus faible Le courant I 2 délivré par la source de courant 52 est choisi en fonction des besoins et ce courant ne nécessite pas d'être fixé avec une grande précision Le courant I 3 délivré par la source de courant 53 est choisi comme étant supérieur au courant I 2 Le comparateur formé par les transistors MP 15, MP 16, et le miroir de courant M 2 imposent que les deux transistors d'entrée MP 15 et MP 16 soient parcourus par un courant identique égal à I 2 Le transistor de sortie 33 absorbe sur le noeud B la différence de courant I 3 I 2 (en l'absence de consommation en sortie) La tension obtenue au noeud B est donc précisément une reproduction de la tension au noeud A de sorte que la tension de référence VB est produite sous basse impédance. Les éléments essentiels constitutifs de l'amplificateur de contreréaction composé de transistors MOS à canal p et de transistors bipolaires de type npn offrent une réaction très rapide à tout appel de courant sur le générateur de tension de référence VB Un tel générateur est donc susceptible d'alimenter une pluralité de premières et deuxièmes sources de courant fonctionnant en parallèle, pluralité qui peut être rendue programmable selon les besoins de l'utilisateur. Il est clair que le courant consommé en permanence par un générateur de tension de référence de ce type reste relativement peu élevé si il est comparé à plusieurs dizaines de premières et deuxièmes sources de courant fonctionnant en parallèle. Si dans les exemples décrits précédemment, une combinaison de transistors bipolaires et de transistors à effet de champ MOS a été utilisée, d'autres réalisations sont également possibles utilisant uniquement des transistors bipolaires ou encore uniquement des transistors à effet de champ Toutefois, les exemples décrits représentent un mode de construction préféré. REVENDICATIONS 1 Circuit pompe de charge comportant à partir d'une première borne d'alimentation (Vcc), une première ( 21, 11) et une deuxième ( 22, 12) sources de courant de construction semblable, dont le courant débité en direction d'une deuxième borne d'alimentation (Vss) est nominalement identique, lesdites sources étant activées indépendamment et cycliquement par des signaux de commande, respectivement un signal dit de descente (DN) et un signal dit de montée (UP), circuit qui comporte également un miroir de courant (Ml) dont l'entrée est insérée dans la liaison de la première source de courant ( 21, 11) vers la deuxième borne d'alimentation (Vss), et dont la sortie est connectée à la sortie de la deuxième source de courant ( 22, 12), connexion qui constitue une borne de sortie (O) du circuit pompe de charge, caractérisé en ce que les première et deuxième sources de courant étant essentiellement constituées respectivement d'un premier ( 11) et d'un deuxième ( 12) transistors, l'électrode de commande de chacun d'eux est reliée à la sortie d'un générateur ( 14) de tension de référence (VB), commun aux deux transistors, via, pour le premier transistor, un premier commutateur à transistors ( 15) commandé par le signal de descente (DN), et pour le deuxième transistor, via un deuxième commutateur à transistors ( 16) commandé par le signal de montée (UP), et en ce que le générateur de tension de référence ( 14) comporte un troisième transistor ( 13), de construction semblable aux deux premiers transistors, une source de courant de référence (So) en série avec le troisième transistor ( 13), et des moyens pour imposer que le courant traversant ce troisième transistor soit égal au courant (Io) de ladite source de courant de référence, l'électrode de commande du troisième transistor présentant ladite tension de référence (VB) à appliquer aux électrodes de commande des premier et deuxième transistors ( 11, 12). 2 Circuit pompe de charge selon la revendication 1, caractérisé en ce que le générateur de tension de référence ( 14) comporte un amplificateur de contre-réaction ( 20), dont une première entrée est reliée à un noeud formé entre la source de courant de référence (So) et l'électrode de sortie du troisième transistor ( 13), dont une seconde entrée est reliée à l'électrode de commande de ce troisième transistor et dont la sortie fournit ladite tension de référence (VB). 3 Circuit pompe de charge selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'un quatrième transistor (MP 17), tenant lieu d'interrupteur ( 17) fermé en permanence, est inséré entre la seconde entrée de l'amplificateur de contre-réaction ( 20) et l'électrode de commande du troisième transistor ( 13), ce quatrième transistor étant de construction semblable à ceux (MP 13, MP 23) des transistors du premier ( 15) et du deuxième ( 16) commutateur qui commandent l'activation cyclique des premier ( 11) et deuxième ( 12) transistors de la pompe de charge. 4 Circuit pompe de charge selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce qu'un dispositif de décalage de tension ( 18) est en outre inséré à la première entrée de l'amplificateur de contre- réaction ( 20). Circuit pompe de charge selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les premier, deuxième et troisième transistors ( 11, 12, 13) sont de type bipolaire pnp, et en ce que le miroir de courant (Ml) est à transistors bipolaires de type npn. 6 Circuit pompe de charge selon la revendication 5, caractérisé en ce que les premier et deuxième commutateurs ( 15, 16) sont constitués de transistors à effet de champ complémentaires, de type MOS. 7 Circuit pompe de charge selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'amplificateur de contre-réaction ( 20) comporte un premier (MP 15) et un deuxième (MP 16) transistors d'entrée, de type MOS à canal p dont les grilles sont interconnectées, la source du premier transistor d'entrée recevant la tension de sortie du quatrième transistor (MP 17) et étant reliée à une première source annexe de courant ( 52) alimentée par la première borne d'alimentation (Vcc), la source du deuxième transistor d'entrée, constituant la borne de sortie ( 0) de l'amplificateur, étant reliée à une deuxième source annexe de courant ( 53) également alimentée par la première borne d'alimentation, le drain du premier transistor d'entrée étant relié à l'entrée d'un miroir de courant (M 2) à transistors bipolaires npn, miroir dont la sortie est connectée au drain du deuxième transistor d'entrée ainsi qu'à l'entrée d'un transistor de sortie ( 33) de type bipolaire npn, lequel a son émetteur connecté à la deuxième borne d'alimentation (Vss) et son collecteur connecté à la borne de sortie (O) de l'amplificateur. 8 Synthétiseur de fréquence incorporant au moins un circuit pompe de charge selon l'une quelconque des revendications 1 à 7. 9 Sythétiseur de fréquence selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'un même générateur de tension de référence ( 14) alimente une pluralité, en quantité programmable, de premières et deuxièmes sources de courant fonctionnant en parallèle.